FR 2696887 A1 19940415 FR 9212031 A 19921009 i Amplificateur de puissance large bande haute fréquence. La présente invention concerne un amplificateur de puissance large bande haute fréquence. Il est connu qu'un amplificateur de puissance fonctionnant en classe AB, B ou C possède un comporte- ment non linéaire. Ce comportement non linéaire se traduit notam- ment par une variation du courant consommé par l'ampli- ficateur en fonction du niveau du signal amplifié Les sources d'alimentation du collecteur et de la base du ou des transistors bipolaires équipant généralement de tels amplificateurs, sont considérées présenter une impédance nulle vis-à-vis des transistors Dans le cas contraire, les variations de tension résultantes entraî- nent une modulation d'amplitude du signal amplifié ve- nant s'ajouter à la modulation d'origine du signal Ces sources d'alimentation ne sont généralement pas directe- ment appliquées sur la base et le collecteur du ou des transistors de l'étage de puissance mais par l'intermé- diaire de bobines de découplage entre le continu et les hautes fréquences appelées également selfs de choc. Classiquement un premier type d'amplificateur de puissance haute fréquence se compose essentiellement d'un étage de puissance, comportant un ou plusieurs transistors montés en parallèle, raccordés respective- ment à l'entrée et à la sortie du circuit de l'amplifi- cateur par l'intermédiaire d'un circuit d'adaptation d'impédance, ou transformateur d'impédance Les trans- formateurs d'impédance d'entrée et de sortie adaptent respectivement les impédances présentées par la base et le collecteur du transistor à l'impédance du circuit haute fréquence, généralement l'impédance caractéristi- que du circuit Zc = 50 Ohms Les tensions d'alimenta- tion du transistor sont appliquées respectivement sur le collecteur et la base de celui-ci par l'intermé- diaire d'une bobine, ou self de choc L'impédance pré- sentée par la self de choc doit être d'une part suffi- samment grande devant les impédances d'entrée et de sortie du transistor dans le domaine des fréquences de travail de l'amplificateur, de telle sorte que son ef- fet est négligeable sur le fonctionnement haute fré- quence de l'amplificateur et, d'autre part, aussi fai- ble que possible dans la bande de base vidéofréquence du signal à transmettre, de l'ordre de O à 10 M Hz pour un signal de télévision De ce fait la tension dévelop- pée entre les extrémités de chaque bobine est réduite au maximum et permet par conséquent d'éviter une modula- tion supplémentaire sur les tensions de polarisation pouvant provoquer une distorsion du signal à amplifier. Un des inconvénients de ce montage, est la difficulté d'arriver à un compromis satisfaisant pour la détermina- tion de la valeur de cette impédance. Un deuxième type de montage s'apparentant au montage précédent, de structure symétrique utilise deux transistors, ou transistor double, et permet de facili- ter l'adaptation d'impédance entre le circuit extérieur d'impédance caractéristique 50 Q et les impédances pré- sentées par l'étage amplificateur. Les tensions de polarisation continue des tran- sistors sont appliquées respectivement sur la base et le collecteur de chaque transistor par l'intermédiaire d'une self de choc et sont donc toujours soumises aux impératifs du montage précédent. Dans un troisième montage d'amplificateur de type connu, des transformateurs de symétrie en- trée/sortie sont utilisés pour amener les tensions de polarisation respectivement sur la base et le collec- teur de chaque transistor du transistor double Ce der- nier montage permet d'obtenir un point "froid" pour le signal haute fréquence, c'est-à-dire découplé vis-à- vis des hautes fréquences, sur lequel est appliqué la source de tension respective à la base et au collecteur de chaque transistor, et permet ainsi d'échapper au compromis précédent. Dans ce montage, le transistor double est consi- déré fonctionner comme un amplificateur différentiel. Une liaison continue est également assurée entre le point d'application de 'la tension base et la base de chaque transistor, le transformateur d'impédance d'en- trée étant supposé présenter une liaison continue entre ses bornes d'entrée et ses bornes de sortie Le circuit collecteur est déduit du circuit' d'entrée décrit ci- dessus par symétrie par rapport à l'étage amplifica- teur Dans ce dernier type d'amplificateur, les ten- sions d'alimentation de la base et du collecteur de chaque transistor sont appliquées sur des points froids pour les hautes fréquences ce qui permet de s'affran- chir des selfs de chocs gênantes dans la bande de base vidéofréquence. Cependant tous les problèmes ne sont pas résolus par ce dernier montage et de nouveaux inconvénients apparaissent Ainsi, le transformateur d'impédance pré- sente une liaison continue entre ses bornes d'entrée et de sortie ce qui peut être une contrainte gênante et les impédances présentées par le transformateur de symé- trie et le transformateur d'impédance dans la liaison entre le point d'application des tensions base/collecteur du transistor restent élevées dans la bande de base de l'amplificateur. Le but de la présente invention est de pallier les inconvénients précités. A cet effet, l'invention a pour objet un amplifi- cateur de puissance large bande haute fréquence, organi- sé autour d'un circuit de masse servant de potentiel de référence, du type comportant dans l'ordre, de l'entrée vers la sortie, un premier transformateur de symétrie sur l'entrée duquel est injecté un signal E à ampli- fier, un transformateur d'impédance d'entrée, un étage amplificateur comportant au moins deux transistors mon- tés en étage différentiel, un transformateur d'impé- dance de sortie et un deuxième transformateur de symé- trie délivrant le signal d'entrée amplifié S, caractéri- sé en ce qu'il comporte, en outre, au moins un tronçon de ligne de transmission haute fréquence, transmettant chaque tension de polarisation respectivement sur la borne d'entrée et de sortie de chaque transistor, pré- sentant en parallèle sur chaque borne une impédance haute fréquence telle que son effet est négligeable vis-à-vis de l'impédance haute fréquence présentée par chaque borne de transistor et présentant une impédance série négligeable dans la bande de base du signal à amplifier E telle que la tension de polarisation appli- quée sur l'une des extrémités du tronçon de ligne est transmise quasiment à l'identique sur son autre extrémi- té connectée sur une borne de transistor, et en ce que chaque tronçon de ligne transmettant respectivement la tension de polarisation d'entrée sur chaque transistor est d'impédance haute fréquence identique et de lon- gueur identique comprise entre la longueur X/8 et 3 X/8, o X correspond à la longueur d'onde de la porteuse du signal E à amplifier, et en ce que chaque tronçon de ligne transmettant respectivement la tension de polari- sation de sortie sur chaque transistor est d'impédance identique et de longueur identique comprise entre X/8 et 3 X/8 L'invention a pour principal avantage de réali- ser une connexion basse impédance des sources de ten- sion alimentant l'amplificateur sans préjudice pour le fonctionnement haute fréquence de l'amplificateur tout en obtenant des performances de qualité notamment dans les émissions de signaux de télévision. D'autres caractéristiques et avantages de l'in- vention apparaîtront à la lecture de la description qui suit, faite en regard des figures annexées qui représen- tent: les figures,1 à 3, trois schémas électriques d'amplificateur haute fréquence selon l'art anté- rieur, la figure 4, un schéma électrique du circuit d'entrée d'un mode de réalisation d'un amplifica- teur selon l'invention et, la figure 5, un schéma électrique complet du mode de réalisation de la figure 4. Le schéma électrique de la figure 1 comporte, de l'entrée E vers la sortie S, un transformateur d'impé- dance 1, Te, recevant sur son entrée E le signal haute fréquence à amplifier et dont la sortie est couplée à la base B d'un transistor bipolaire 2 L'émetteur E du transistor 2 est relié à un potentiel de masse M ser- vant de potentiel de référence et le collecteur C du transistor 2 est couplé sur l'entrée d'un transforma- teur d'impédance 3,Ts, dont la sortie délivre le si- gnal d'entrée E amplifié S Un circuit de polarisation 4 du collecteur C du transistor 2, délimité par une ligne fermée discontinue, comporte une bobine, ou self de choc, 5 disposée entre le point d'application Vc de la tension collecteur et le collecteur C du transistor 2 Le point V est relié au potentiel de masse M par c l'intermédiaire d'un condensateur de découplage 6 De même, un circuit de polarisation 7 de la base B du tran- sistor 2 délimité par une ligne fermée discontinue, comporte une bobine, ou self de choc, 8 disposée entre le point d'application VB de la tension base et la base B du transistor 2 Le point VB est relié au potentiel de masse M par l'intermédiaire d'un condensateur 9. Le schéma électrique de la figure 2 décrit un mode de réalisation d'un amplificateur à transistor double basé sur le schéma électrique de la figure 1. Le signal d'entrée E est appliqué sur l'entrée d'un transformateur de symétrie Be, ou balun, 10 Le balun d'entrée 10 est couplé par ses deux sorties à un transformateur d'impédance 11, Te, dont les deux sor- ties sont couplées-respectivement à la base Bl et B de 1 2 deux transistors T 1 et T 2 constituant un étage amplifi- cateur 12 représenté à l'intérieur d'une ligne fermée discontinue Les émetteurs E 1 et E 2 des deux transis- tors T 1 et T 2 sont reliés au potentiel de masse M Les circuits de polarisation 13, 14, 15 et 16 sont identi- ques à ceux décrits dans le précédent schéma électrique et ne sont donc pas redécrits Ils alimentent respecti- vement la base Bl et B 2 et le collecteur C 1 et C 2 de chaque transistor T 1 et T 2 Chaque collecteur C 1 et C 2 est couplé respectivement à une entrée d'un transforma- teur d'impédance, Ts, 17 dont les deux sorties sont couplées à un transformateur de symétrie, Bs, 18 déli- vrant sur sa sortie un signal S correspondant au signal d'entrée E amplifié. Le schéma électrique de la figure 3 représente un circuit d'entrée 19, délimité par une ligne fermée discontinue, couplé en sortie à un étage amplificateur 22 comportant deux transistors T 3 et T 4, également déli- mité par une ligne fermée discontinue, du type de la figure précédente Le circuit 19 comporte en entrée un balun 20 couplé en sortie à un transformateur d'impé- dance, Te, 21 Sur ce schéma la tension de polarisation base n'est plus appliquée sur la base du transistor par l'intermédiaire d'une self de choc mais appliquée sur une des deux entrées VB du balun 20, l'autre entrée recevant le signal E à amplifier. Le balun 20 du circuit d'entrée 19 comporte deux tronçons de lignes 23 et 24 de transmission, par exem- ple coaxiales, mis en parallèle, de longueur identique comprise entre les longueurs d'onde X/8 et 3 X/8, la grandeur X correspondant à la longueur d'onde de la porteuse du signal à amplifier, couvrant ainsi la bande passante de l'amplificateur Chaque tronçon de ligne coaxiale 23 et 24 comporte respectivement un conducteur central 25 et 26 représentés sur la figure par des tron- çons de lignes discontinues, et un conducteur extérieur 27 et 28 Le signal d'entrée E est couplé au conducteur central 25 du premier tronçon de ligne 23 par l'intermé- diaire d'un condensateur de liaison 29 L'extrémité, côté signal d'entrée E, du conducteur extérieur 27 du premier tronçon 23 est reliée du même côté à l'extrémi- té du conducteur extérieur 28 du deuxième tronçon 24, elle-même reliée au potentiel de masse M par l'intermé- diaire d'un condensateur 30 La tension de polarisation des bases B 3 et B 4 de l'étage amplificateur 22 est ap- pliquée sur le point VB soit sur la borne du condensa- teur 30 opposée à la borne reliée au potentiel de masse M. Le conducteur central 25 du tronçon 23 est cou- plé par son autre extrémité à une, 31, des deux entrées 31 et 32 d'un transformateur d'impédance, Tel 21 et le conducteur extérieur 27 de la même extrémité est cou- plée à la deuxième entrée 32 de ce même transformateur 21. Le conducteur central 26 du tronçon 24 n'est pas connecté Le conducteur extérieur 28 du tronçon 24, en son autre extrémité, est couplé à la première entrée 31 du transformateur, Te, 21 Les deux sorties du transfor- mateur, Te, 21 sont couplées respectivement aux deux bases B 3 et B 4 de l'étage amplificateur 22 Dans ce mode de réalisation, seul le conducteur extérieur 28 du deuxième tronçon 24 est utilisé Il symétrise les impé- dances par rapport au potentiel de masse M du balun 20 et permet en outre une liaison continue entre le point d'application VB et les bases B 3 et B 4 des transistors T 3 et T 4, le transformateur, Te, 21 étant supposé pré- senter une liaison continue entre ses bornes d'entrée et de sortie. Le circuit collecteur, se déduisant du circuit d'entrée 19 par symétrie par rapport à l'étage amplifi- cateur 22, n'est pas décrit. Un mode de réalisation d'un amplificateur selon l'invention est partiellement illustré par la figure 4 o les éléments homologues à ceux de la figure 3 sont désignés par les mêmes repères pour un souci de clarté. Dans ce mode de réalisation, le deuxième tronçon 24 du balun d'entrée 20 ainsi que ces connexions sont repré- sentés en traits mixtes La tension de polarisation commune aux bases B 3 et B 4 de l'étage amplificateur 22, fonctionnant par exemple en classe AB, est appliquée sur le point commun VB des extrémités des conducteurs centraux 34 et 35, représentés par une ligne disconti- nue, respectifs à deux tronçons de lignes coaxiales 36 et 37 identiques en impédance et en longueur Elles amènent respectivement la tension d'alimentation des bases B 3 et B 4, appliquée au point VB, jusqu'aux bases effectives B 3 et B 4 du transistor double 22 Le point commun VB est relié au potentiel de masse M par le con- densateur 30 Les tronçons de lignes 36 et 37 ont une longueur comprise entre les longueurs d'onde X/8 et 3 X/8, X étant la longueur d'onde correspondant à la porteuse du signal Les conducteurs extérieurs 38 et 39 respectifs aux tronçons de lignes 36 et 37 sont directe- ment reliés au potentiel de masse M en leurs deux ex- trémités L'impédance haute fréquence ramenée par les lignes 36 et 37 en parallèle sur les bases B 3 et B 4 de l'étage amplificateur 22 est élevée par rapport aux impédances présentées par les transistors T 3 et T 4 et n'affecte donc pas leur fonctionnement en haute fré- quence L'impédance dans la bande de base vidéofré- quence est d'autant plus faible que la ligne coaxiale utilisée est d'impédance faible. L'étage amplificateur 22 fonctionnant en tant qu'amplificateur différentiel, l'identité parfaite des tronçons de lignes 36 et 37, assure une parfaite réfection en mode commun. Le circuit d'entrée 33, constitué du balun 20 et du transformateur d'impédance 21, retrouve son indépen- dance vis-à-vis de la continuité électrique qui était assurée entre les bornes d'entrée et les bornes de sor- tie du circuit d'entrée 19 du montage de la figure 3. De ce fait le deuxième tronçon de ligne coaxiale 24 du balun 20 n'est plus indispensable pour la transmission du continu et peut être supprimé ou maintenu au gré du concepteur de l'amplificateur Dans les deux cas un condensateur de découplage 40 est disposé entre le con- ducteur extérieur 27 de l'extrémité, côté entrée, du tronçon de ligne 23, de même pour le tronçon 24 s'il est utilisé. L'application de la tension collecteur est effec- tuée à l'aide d'un circuit symétrique, par rapport à l'étage amplificateur 22, à celui du circuit d'entrée 33 et des tronçons de lignes 36 et 37 et n'est donc pas décrit dans la présente description. La figure 5, illustre un mode de réalisation complet d'un amplificateur selon l'invention Sur cette figure, les éléments homologues à ceux des figures pré- cédentes sont désignés par les mêmes repères Le signal d'entrée E et la tension d'alimentation commune des bases B 3 et B 4 de l'étage amplificateur 22 sont appli- qués sur le circuit d'entrée 33 Les deux sorties du circuit 33 sont respectivement couplées aux bases B 3 et B 4 de l'étage amplificateur 22 dont les deux sorties, correspondant respectivement aux collecteurs C 3 et C 4 des transistors T 3 et T 4 sont couplées respectivement aux deux entrées d'un circuit 41 de sortie délimité par une ligne fermée discontinue, symétrique, par rapport à l'étage amplificateur 22, au circuit d'entrée 33 et aux tronçons de lignes -36 et 37 Les deux entrées du cir- cuit de sortie 41 correspondent également respective- ment aux deux entrées d'un transformateur d'impédance de sortie, Tsi 42 ainsi qu'aux conducteurs centraux 43 et 44 de deux tronçons de lignes 45 et 46 amenant la tension collecteur appliquée au point V O sur chaque collecteur C 3 et C 4 des transistors T 3 et T 4 * Ces deux tronçons de lignes, 45 et 46, sont identiques en lon- gueur et en impédance Leur longueur est comprise entre les longueurs X/8 et 3 X/8 correspondant à des fractions de la longueur d'onde de la porteuse du signal E à am- plifier. Le signal S du circuit de sortie 41 correspond au signal d'entrée E amplifié. L'invention n'est pas strictement limitée au mode de réalisation décrit ci-dessus Notamment, les tronçons de lignes de transmissions utilisés peuvent être réalisés dans une autre technologie généralement utilisée pour la réalisation de circuits haute fré- quence, telle que par exemple la technologie des lignes microrubans. il REVENDICATIONS 1 Amplificateur de puissance large bande haute fréquence, organisé autour d'un circuit de masse (M) servant de potentiel de référence, du type comportant dans l'ordre, de l'entrée vers la sortie, un premier transformateur de symétrie sur l'entrée duquel est in- jecté un signal E à amplifier, un transformateur d'impé- dance d'entrée, un étage amplificateur comportant au moins deux transistors montés en étage différentiel, un transformateur d'impédance de sortie et un deuxième transformateur de symétrie délivrant le signal d'entrée amplifié S, caractérisé en ce qu'il comporte, en outre, au moins un tronçon de ligne de transmission haute fré- quence ( 36, 37, 45, 46), transmettant chaque tension de polarisation respectivement sur la borne d'entrée (B 3, B 4) et de sortie (C 31 C 4) de chaque transistor (T 3, T 4), présentant en parallèle sur chaque borne (B 3, B 4, C 3, C 4) une impédance haute fréquence telle que son effet est négligeable vis-à-vis de l'impédance haute fréquence présentée par chaque borne (B 3, B 4, C 3 C 4) de transistor (T 3, T 4) et présentant une impédance sé- rie négligeable dans la bande de base du signal à ampli- fier E telle que la tension de polarisation appliquée sur l'une des extrémités du tronçon de ligne ( 36, 37, , 46) est transmise quasiment à l'identique sur son autre extrémité connectée sur une borne (B 3, B 4, C 31 C 4) de transistor (T 3, T 4), et en ce que chaque tronçon de ligne ( 36, 37) transmettant respectivement la ten- sion de polarisation d'entrée sur chaque transistor (T 3, T 4) est d'impédance haute fréquence identique et de longueur identique comprise entre la longueur /8 et 3 X/8, o X correspond à la longueur d'onde de la por- teuse du signal E à amplifier, et en ce que chaque tron- çon de ligne ( 45, 46) transmettant respectivement la tension de polarisation de sortie sur chaque transistor (T 3, T 4) est d'impédance identique et de longueur iden- tique comprise entre X/8 et 3 X/8. 2 Amplificateur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que chaque tronçon de ligne de transmis- sion haute fréquence ( 36, 37, 45, 46) est un tronçon de ligne coaxiale tel que le conducteur intérieur du tron- çon transmet la tension de polarisation entre ces deux extrémités et tel que le conducteur extérieur du tron- çon est couplé en -ses deux extrémités au potentiel de référence (M). 3 Amplificateur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que chaque tronçon de ligne de transmis- sion haute fréquence ( 36, 37, 45, 46) est un tronçon de ligne microruban tel que le ruban métallique transmet la tension de polarisation entre ses deux extrémités et tel que le plan métallisé opposé au ruban métallique est couplé en ses deux extrémités au potentiel de réfé- rence (M). 4 Amplificateur selon l'une quelconque des re- vendications précédentes, caractérisé en ce que les transistors (T 3, T 4) sont des transistors bipolaires fonctionnant en classe AB.