FR 2687844 A1 19930827 FR 9202219 A 19920226 PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A DOUBLE GRILLE ET A MASQUE OPTIQUE DESCRIPTION La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un transistor en couches minces (TCM) à masque optique Elle trouve une application en microélectronique et en optoélectronique et en particulier dans La réalisation de circuits de commande des écrans plats d'affichage à cristaux liquides. L'invention permet plus spécifiquement la fabrication de transistors en couches minces à base de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H), utilisés dans les écrans d'affichage à matrice active En outre, l'invention permet de réaliser des transistors en couches minces à structure "planar" dans une configuration à double grille. Dans un écran d'affichage à matrice active, on trouve une mémoire électronique formée de points mémoires répartis sur toute la surface de l'écran, qui stoke le signal vidéo pendant toute la durée de l'image Un transducteur électrooptique est en contact avec chaque point mémoire et est excité pendant toute la durée de l'image. Dans une matrice active à TCM, chaque point mémoire comprend donc un TCM et un condensateur dont le matériau diélectrique est constitué d'un transducteur électrooptique (par exemple un cristal liquide). Sur la figure 1, on a représenté schématiquement, en coupe longitudinale, un point mémoire d'un écran plat à matrice active sur substrat de verre. Sur la figure 1, on voit une plaque inférieure 2 en verre supportant un TCM 4 et une électrode 6 transparente en ITO (oxyde d'indium et d'étain) constituant l'une des armatures du condensateur et le drain 3 du TCM. Sur la plaque 2, on trouve en outre la source 8 du TCM, réalisée aussi en ITO Une couche 10 de silicium amorphe hydrogéné constituant la partie active du transistor est en contact électrique avec la source 8 et le drain 3 du TCM Elle est recouverte d'une couche d'isolant électrique 12 en nitrure de silicium puis d'une grille métallique 14 de commande du transistor en aluminium. Ce transistor est un transistor à "grille dessus". L'écran d'affichage comporte en outre une plaque supérieure 16 en verre, recouverte d'une contre- électrode 18 transparente en ITO Cette contre- électrode 18 est recouverte de filtres colorés 20 dans le cadre d'un affichage en couleur L'espace prévu entre les deux plaques transparentes 2 et 16 est rempli d'un cristal liquide 22 constituant avec l'électrode 6 et la contre-électrode 18 le condensateur ou point image de l'écran d'affichage. Cet écran est destiné à être éclairé par l'arrière (ou face supérieure) à l'aide d'une source de lumière 24 du type tube fluorescent et l'affichage est destiné à être observé par un observateur 26 par la face avant (ici la face inférieure). On constate sur cette figure I que le matériau photoconducteur 10 en silicium amorphe hydrogéné du TCM est protégé de la source lumineuse 24 par la grille métallique 14 du transistor Ainsi, le flux lumineux issu de la source lumineuse 24 est sans effet sur les caractéristiques électriques du TCM. En revanche, toute source lumineuse placée du côté de l'observateur 26 (par exemple soleil, source lumineuse de poste de travail, etc) illumine le matériau photoconducteur 10 à travers la plaque support transparente 2 et la qualité du contraste de L'image observée est sensible à l'ambiance Lumineuse entourant l'observateur En effet, si cette lumière est intense, un photocourant est engendré dans La couche 10 diminuant Le contraste de l'écran car le rapport I /I diminue; I et I représentent on off on off respectivement les courants délivrés par le transistor d'un point affiché et d'un point non affiché. Un premier objet de L'invention est donc de limiter cet effet en interposant entre le silicium amorphe hydrogéné photoconducteur et la plaque de verre un masque optique. Dans le document FR-A-2 638 880 déposé au nom de l'Etat Français, il est décrit La réalisation d'un masque optique en polyimide absorbant formé sur la plaque transparente inférieure, entre la source et Le drain du transistor et sous le silicium amorphe hydrogéné Ce masque optique permet en outre l'obtention d'une structure dite "planar". L'article de T Sunata et a L "A Large-area high-resolution active matrix color LCD addressed by a-Si TFT's", Proceedings of the Society for Information Display (SID) 27 ( 1986) n O 3, p229-234 décrit un masque optique constitué d'une couche de chrome gravée interposée entre une couche continue de passivation en nitrure de si Licium et La plaque de verre La couche de passivation sert a Lors de support pour la matrice active de L'écran. Cette technique nécessite deux dépôts sous vide ainsi qu'un niveau de masquage spécifique pour définir la forme et l'emplacement du masque optique sous les transistors Ce niveau de masquage supplémentaire exige une grande précision d'alignement de ce masque par rapport au contact de source et drain des transistors Cette technique est donc relativement complexe et délicate et par conséquent coûteuse. L'invention a justement pour but un procédé de fabrication d'un transistor en couches minces à double grille et à masque optique permettant d'éviter les inconvénients ci-dessus Ce procédé permet la réalisation d'un masquage optique sous le ventre du transistor à double grille tout en réduisant le nombre de niveaux de masquage et en assurant un auto- positionnement de ce masque optique par rapport aux source et drain du transistor. L'invention a donc pour objet un procédé de fabrication d'un transistor en couches minces comportant une grille inférieure et une grille supérieure, consistant à: a) déposer une couche d'un premier conducteur sur un substrat isolant électrique, destinée à la réalisation des source et drain du transistor; b) réaliser des motifs de résine photosensible sur la couche de premier conducteur fixant l'emplacement et Les dimensions des source et drain du transistor; c) éliminer les zones de la couche de premier conducteur non recouvertes de résine; d) déposer de façon isotrope sur la structure obtenue en c) une couche d'un second conducteur en un métal opaque, destinée à former la grille inférieure du transistor; e) effectuer un traitement thermique de la structure obtenue en d) pour effectuer un rétreint des motifs de résine; f) déposer de façon isotrope une couche de carbone amorphe hydrogéné sur L'ensemble de La structure obtenue en e); g) dissoudre les motifs de résine afin d'éliminer le second conducteur et le carbone amorphe hydrogéné déposés sur les motifs de résine; h) déposer une couche d'un semi-conducteur sur la structure obtenue en g); i) déposer une couche d'un premier isolant électrique sur la couche de semi-conducteur; j) déposer une couche d'un troisième conducteur sur la couche de premier isolant, destinée à réaliser la grille supérieure du transistor; k) photograver L'empilement des couches de troisième conducteur, de premier isolant électrique et de semi-conducteur pour fixer les dimensions du transistor; et L) passiver la structure obtenue en k) avec un second isolant électrique. Ce procédé permet La réalisation, en une seule étape de pelage (ou d'élimination), d'un masque optique en métal opaque, recouvert de carbone amorphe hydrogéné sous le "ventre" du transistor. Ainsi, Le procédé de l'invention est parfaitement bien adapté à l'emploi d'un semi- conducteur à propriétés photoconductrices comme par exemple le silicium amorphe hydrogéné renfermant éventuellement du carbone comme décrit dans le document FR-A-2 601 801 Toutefois, du silicium polycristallin peut être envisagé. Ainsi, lors de l'utilisation du transistor de l'invention dans un écran d'affichage, ce masque optique permet la suppression du photocourant dans ce transistor d O à l'éclairage ambiant de l'écran d'affichage. Il est connu de l'homme de l'art que l'effet photoconducteur du silicium amorphe hydrogéné est fortement diminué lorsque l'épaisseur du film déposé est très faible, typiquement de 20 nm Malheureusement, Le gain obtenu sur cet effet se fait, au détriment de l'intensité de courant I qui, lui, est limité par la on faible épaisseur du matériau semi-conducteur. Le masque optique de l'invention permet, du fait de la limitation de L'effet photoconducteur du a-Si:H, Le dép 8 t de ce semi-conducteur en épaisseur plus importante, typiquement de 200 nm ou plus, que ce Le déposée précédemment et permet donc ainsi d'obtenir un gain potentiel du courant I on Par ailleurs, ce procédé ne comporte que deux niveaux de masquage, un niveau pour la définition des source et drain du transistor et du masque optique et un niveau pour La définition de La grille supérieure du transistor Ce procédé est donc compatible avec Le procédé de fabrication de matrice active à deux niveaux de masquage décrit dans le document FR-A-2 571 893. Dans ce type d'application, Le substrat isolant et La couche de premier matériau conducteur sont réalisés en matériau transparent à La lumière En particulier, le substrat est réalisé en verre, en silice ou en plastique transparent tel que le polyméthacrylate de méthyle (PMMA) De même, le premier matériau conducteur est réalisé en oxyde d'étain, en oxyde d'indium ou en ITO. Le procédé de L'invention permet de plus un auto-positionnement des source et drain du transistor par rapport au masque optique contrairement au procédé décrit dans L'article de T Sunata ci-dessus. L'emp Loi de ce masque optique permet en outre une passivation Locale du substrat évitant ainsi la migration des ions du substrat dans Le matériau semi- conducteur Ainsi, un verre de qualité médiocre peut être utilisé. Dans Le cadre de La réalisation d'un écran plat d'affichage, les étapes a) à c) servent aussi à réaliser les Lignes conductrices réparties en colonne destinées à la commande de l'écran De même, l'étape k) sert à réaliser Les lignes conductrices de commande de l'écran, disposées perpendiculairement aux colonnes. De façon avantageuse, le second isolant électrique est réalisé en carbone amorphe hydrogéné. Les couches de carbone amorphe hydrogéné ou a-C:H sont obtenues à partir d'un plasma radiofréquence constitué uniquement d'hydrocarbures Ces hydrocarbures sont constitués uniquement de carbone et d'hydrogène comme les alcanes, les alcènes, les alcynes. Les hydrocarbures utilisables dans l'invention sont des hydrocarbures légers comportant de 1 à 6 atomes de carbone Ils peuvent être saturés, insaturés ou aromatiques A titre d'exemple, on peut citer l'acétylène, le propadiène, l'éthylène, le butène, le méthane, l'éthane, le butane De préférence on utilise le méthane. Par ailleurs, Le dépôt d'a-C:H est effectué à température ambiante. Afin d'obtenir une structure de transistor "planar", l'empilement métal opaque-carbone amorphe hydrogéné a une épaisseur égale à celle de la couche du premier conducteur. Comme métal opaque utilisable dans l'invention, on peut citer le chrome, l'argent, le platine, l'aluminium, le nickel-chrome, le cuivre, L'épaisseur de ce métal est telle que le coefficient de transmittance (en X) est inférieur à 0,5 Elle est en pratique choisie entre 50 et 150 nm. De façon avantageuse, la couche de métal opaque est déposée par pulvérisation cathodique magnétron Il est toutefois possible d'utiliser d'autres techniques de dépôt comme l'évaporation thermique. La technique de dépôt de pulvérisation cathodique magnétron utilisée depuis de nombreuses années domaines. films minces par est connue et dans différents Cette technique permet d'obtenir des films homogènes en épaisseur sur des substrats de grandes 2 2 dimensions (de l'ordre du dm ou du m) à des vitesses de dépôt élevées (typiquement 100 à 200 nm/minutes). Une des conséquences de l'obtention de ces vitesses de dépôt élevées concerne l'échauffement du substrat qui peut atteindre des températures proches de 1000 C. Dans le procédé de l'invention, le dépôt de métal opaque se faisant sur un substrat partiellement recouvert de résine, on cherche à diminuer au maximum L'effet thermique en alimentant le magnétron à de faibles puissances Typiquement, la puissance utilisée est de 500 watts, soit environ 10 fois moins que celle utilisée pour le dépôt sur un substrat insensible à la chaleur Ainsi, le dépôt est effectué à température proche de L'ambiante. Pour une puissance de 500 W et une vitesse de défilement du substrat de 200 cm/minute, la vitesse de dépôt obtenue est de 2,5 nm/minute Dans ces conditions, il n'est pas observé de dégradation de la résine. De façon plus générale, on utilisera dans l'invention une puissance magnétron de 300 à 700 Watts. Conformément à l'invention, on effectue une étape de traitement thermique destinée au rétreint des motifs de résine Ce traitement permet d'adapter le profil des motifs de résine réalisés selon la technique de photolithographie. Cette technique est notamment décrite dans Le document "The manufacture of microlenses by melting photoresist" de D Daly, Meas Sci Technol 1 ( 1990), p 759-766. Le traitement thermique de l'invention permet de contrôler le rétreint de motifs de résine afin de déplacer l'ap Lomb de ces motifs par rapport au pied des plots de premier matériau gravé. Ce traitement thermique peut consister en un chauffage au four à une température de 100 à 2000 C et mieux de 1300 C à 1700 C pendant 15 à 40 minutes. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif. La description se réfère aux figures annexées dans Lesquelles: la figure 1, déjà décrite, représente schématiquement, en coupe longitudinale, un point mémoire d'un écran p Lat à cristal liquide; les figures 2 a à 2 h illustrent schématiquement, en coupe, les différentes étapes de fabrication d'un transistor conforme à l'invention; la figure 3 donne les caractéristiques de transfert du transistor obtenu selon le procédé de L'invention, c'est-à-dire les variations du courant de drain ID en fonction de la tension de grille V; la figure 4 donne les variations du courant drain-source en fonction de La tension appliquée entre le drain et La source pour différentes tensions de grille, c'est-à-dire les caractéristiques I =f(V). En référence aux figures 2 a à 2 h, on décrit ci-après la fabrication d'un transistor en couches minces à double grille, utilisable dans les écrans plats d'affichage à cristaux Liquides. Comme représenté sur la figure 2 a, on dépose tout d'abord sur un substrat transparent de verre 31 une couche 32 d'oxyde métallique transparent de 25 à 225 nm d'épaisseur Cette couche est par exemple de L'ITO déposé par pulvérisation magnétron sous vide. Sur cette couche d'ITO, on forme un premier masque de résine photosensible 33 que L'on insole à travers un masque mécanique (non représenté), définissant les motifs à graver dans la couche d'ITO, puis que L'on révèle En particulier, le masque 33 de résine obtenu masque l'emplacement de la source et du drain du transistor à réaliser. On effectue alors, comme représenté sur la figure 2 b, une gravure de la couche d'oxyde métallique 32 par spray ou dans un bain d'acide chlorhydrique La gravure est contrôlée en ce qui concerne la concentration de l'agent de gravure, de la température et du temps de gravure afin d'obtenir des motifs 34 d'ITO à flancs 34 a inclinés. En particulier, cette gravure est réalisée avec un bain contenant 37 % d'acide chlorhydrique dilué à 50 % dans de l'eau et porté à une température de 55 C environ. Ces flancs inclinés 34 a des motifs 34 permettent de dégager un liseré 35 de résine à l'interface ITO/résine. Les motifs 34 obtenus constituent respectivement la source et le drain du transistor. La gravure de la couche d'ITO est telle que le pied de chaque plot 34 d'oxyde se trouve en retrait par rapport à l'aplomb 36 des motifs 33 de résine. On effectue alors, comme représenté sur la figure 2 c, un dépôt isotrope à température ambiante d'une couche 37 d'un métal opaque tel que le chrome, sur l'ensemble du substrat Ce dépôt a une épaisseur de à 150 nm Il est effectué par pulvérisation cathodique magnétron avec une puissance de 500 W et une vitesse de défilement du substrat de 200 cm/minute. L'isotropie du dépôt conduit à la formation 1 1 de métal aussi bien sur le substrat 31 mis à nu que sur les motifs 33 de résine Ce dépôt isotrope conduit en particulier à la formation d'un film qui est discontinu entre Les motifs 33 de résine et Le substrat 31 Ces discontinuités portent la référence 38. Ainsi, on conserve Le liseré 35 de résine apparent évitant ainsi tout court-circuit entre Les plots 34 d'oxyde métallique et le méta L 37 à La surface du substrat 31. On effectue a Lors un traitement de La structure obtenue afin d'effectuer un rétreint des plots 33 de résine La structure obtenue après Le traitement thermique est représentée sur La figure 2 d. Ce traitement thermique consiste en un recuit sous étuve à une température de 1500 C pendant 30 minutes Le rétreint est tel que L'ap Lomb 36 de la résine se trouve maintenant sur Les flancs inclinés 34 a des plots 34 d'ITO et non plus en pied de plots. On effectue alors, comme représenté sur La figure 2 e, un dépôt isotrope à température ambiante d'une couche 39 de carbone amorphe hydrogéné sur l'ensemble de la structure Cette couche 39 a une épaisseur de 10 à 150 nm et typiquement de 100 nm. L'isotropie du dépôt conduit à la formation d'un film d'a-C:H discontinu entre Les motifs 33 de résine recuits et Le substrat 31 Les discontinuités portent la référence 40 On conserve ainsi le liseré 35 apparent des motifs 33 de résine. Le dépôt de carbone amorphe hydrogéné est réalisé en utilisant du méthane pur à une pression de 0,133 Pa avec un débit de 20 cm /min Ce dépôt est réalisé avec un plasma radiofréquence avec une tension d'auto-po Larisation du substrat 31 de 10 V. Dans ces conditions, Le film d'a-C:H obtenu possède une résistivité de l'ordre de 12 13 à 10 ohms cm. Le pelage (ou élimination) de la couche de carbone amorphe s'effectue sans difficulté par dissolution des motifs 33 de résine à partir du liseré 35 apparent, en utilisant de l'acétone ou un dissolvant classiquement utilisé en micro-électronique appelé "posistrip" Ainsi, seuls le carbone 39 et le métal opaque 37 déposés sur le substrat 31 de verre sont conservés, comme représenté sur la figure 2 f. On obtient ainsi un masque optique 42 constitué de métal opaque entre les plots 34 d'ITO respectivement de source et de drain En dehors du transistor, le métal 37 sert de matériau protecteur du substrat 31. Les plots de métal opaque 37 sont encapsulés dans du a-C:H En particulier, du a-C:H est intercalé entre le métal opaque 37, notamment le masque optique, et les plots d'ITO 34 des source et drain du transistor. De plus, le masque optique 42 constitue une grille inférieure pour le transistor, isolée des source et drain. En adaptant les épaisseurs du métal optique 37 et de l'isolant électrique 39, il est possible d'obtenir une structure "planar"; dans ce cas, les contacts de source et drain du transistor présentent alors une épaisseur égale ou proche de celle de l'empilement masque optique 42-carbone amorphe 39. La fabrication du transistor se poursuit, comme représenté sur la figure 2 g, par le dépôt, sur l'ensemble de la structure, d'une couche de silicium amorphe hydrogéné de 50 à 200 nm, suivi du dépôt d'une couche d'isolant 45 notamment en nitrure de silicium de à 400 nm, puis d'une couche métallique 46 en aluminium ou siliciure d'aluminium de 150 à 250 nm. Ces couches 44, 45 et 46 ont une épaisseur typiquement de 100 nm, 300 nm et 200 nm. Les couches 44 et 45 sont déposées selon la technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et la couche 46 est déposée par évaporation sous vide ou mieux, par pulvérisation cathodique. On définit alors les dimensions du transistor à l'aide d'un second photo-masque de résine 47 obtenu par les procédés classiques de photo-lithographie (insolation à travers un masque puis révélation) Le masque 47 est prévu pour masquer les couches sous- jacentes entre les plots 34 d'ITO. On effectue alors une gravure anisotrope par voie humide de la couche 46, puis par voie sèche des couches 45 et 44, afin d'éliminer les parties de ces couches non masquées par la résine 47 Les agents d'attaque sont respectivement un plasma de SF pour le silicium amorphe et le nitrure de silicium et un bain d'acide orthophosphorique pour la couche d'aluminium. Après élimination du photo-masque en résine 47 par voie humide, on passive l'ensemble de la structure par dépôt d'une couche d'isolant électrique 48 sur l'ensemble de la structure Cette couche 48 est une couche d'a-C:H déposée dans les mêmes conditions que la couche 39 précédemment, ou une couche de nitrure de silicium déposée par LPCVD de 400 à 600 nm d'épaisseur. On constate que ce procédé de masquage optique et de "planarisation" des contacts de source et drain du transistor ne nécessite pas de niveaux de masquage supplémentaires par rapport aux procédés connus à deux niveaux de fabrication de ces transistors Ce procédé est donc compatible avec le procédé de fabrication d'un écran d'affichage à matrice active décrit dans le document FR-A-2 571 893. Ce procédé de fabrication d'un masque optique métallique a donc été intégré à la fabrication de transistors à effet de champ pour commande d'écrans plats à cristaux liquides. Dans ces conditions, le masque 33 de résine sert de plus à réaliser les colonnes de commande de la matrice active dans la couche d'ITO 32 et le masque 47 sert à réaliser les lignes de commande de la matrice dans la couche métallique 46. La figure 3 donne les caractéristiques de transfert des transistors obtenus et donc les variations du courant de drain ID, exprimé en ampères, en fonction de la tension V, exprimée en volts, appliquée à la grille supérieure 46 des transistors. La figure 4 donne les caractéristiques du courant de drain-source I en fonction de la tension DS appliquée entre le drain et la source VD pour DS différentes tensions V de grille appliquées sur la G grille supérieure 46 des transistors Le courant I DS est exprimé en nanoampères et la tension V en volts. G Les courbes a à g correspondent respectivement à une tension de grille de 10 à 24 volts. Ces caractéristiques montrent la validité du procédé de l'invention Elles sont représentatives de l'ensemble des mesures effectuées à l'aide d'un banc de test sous ambiance lumineuse naturelle. Par ailleurs, des mesures d'absorption optique ont été réalisées sur des films de chrome d'épaisseurs croissantes Ces mesures montrent qu'une absorption quasi-totale est obtenue pour des films d'épaisseur de 100 nm. Le tableau ci-dessous donne les valeurs des transmittances mesurées pour différentes épaisseurs de chrome en l'éclairant avec une longueur d'onde de 500 nm. EPAISSEUR 100 75 50 37 25 12 (nm) TRANSMITTANCEI (en %) 10 0,05 0,43 1,38 3,86 13,96 Par ailleurs, on appliquant une polarisation électrique sur le masque métallique 42, les inventeurs ont montré qu'il était possible de moduler le courant I du transistor En effet, en polarisant le masque on optique, on obtient une structure de transistor à double grille définie d'une part par le masque de métal 42 et le carbone amorphe hydrogéné 39 et d'autre part, par le dépôt de nitrure de silicium 45 associé au métal 46 formant la grille habituelle. Le fonctionnement de telles structures a déjà fait l'objet d'études mais un transistor en couches minces n'a jamais été réalisé, jusqu'à ce jour, avec deux niveaux de masquage A cet effet, on peut citer les publications "Back-bi As effect on current-voltage characteristics of amorphous silicon thin film thransistors" de Y Kaneto et ai, International Conference on Amorphous Semiconductors, 19-23, Août 1991, Garnich Partenkirchen, Allemagne. Les tensions appliquées sur la grille inférieure sont indépendantes de celles appliquées sur la grille supérieure. Ces tensions sont des tensions continues que l'on applique aux transistors de l'écran d'affichage pendant toute la durée de l'affichage des points images correspondants. REVENDICATIONS 1 Procédé de fabrication d'un transistor en couches minces comportant une grille inférieure et une grille supérieure, consistant à: a) déposer une couche d'un premier conducteur sur un substrat isolant électrique ( 31), destinée à la réalisation des source et drain ( 34) du transistor; b) réaliser des motifs ( 33) de résine photosensible sur la couche de premier conducteur fixant l'emplacement et les dimensions des source et drain du transistor; c) éliminer les zones de la couche de premier conducteur non recouvertes de résine; d) déposer de façon isotrope sur la structure obtenue en c) une couche ( 37) d'un second conducteur en un métal opaque, destinée à former la grille inférieure du transistor; e) effectuer un traitement thermique de la structure obtenue en d) pour effectuer un rétreint des motifs de résine; f) déposer de façon isotrope une couche ( 39) de carbone amorphe hydrogéné sur l'ensemble de la structure obtenue en e); g) dissoudre les motifs de résine afin d'éliminer le second conducteur et le carbone amorphe hydrogéné déposés sur les motifs de résine; h) déposer une couche ( 44) d'un semi- conducteur sur la structure obtenue en g); i) déposer une couche ( 45) d'un premier isolant électrique sur la couche de semi-conducteur; j) déposer une couche ( 46) d'un troisième conducteur sur la couche de premier isolant, destinée à réaliser la grille supérieure du transistor; k) photograver l'empilement des couches de troisième conducteur, de premier isolant électrique et de semi-conducteur pour fixer les dimensions du transistor; et l) passiver la structure obtenue en k) avec un second isolant électrique ( 48). 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche ( 37) de second conducteur est en chrome. 3 Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche ( 37) de second conducteur à une épaisseur de 50 à 150 nm. 4 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche ( 48) de second isolant électrique est en carbone amorphe hydrogéné. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche ( 37) de second conducteur et la couche ( 39) de carbone amorphe hydrogéné empilées ont une épaisseur égale à celle de la couche ( 32) de premier conducteur. 6 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la couche ( 37) de second conducteur est déposée à température ambiante par pulvérisation cathodique magnétron. 7 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la couche ( 39) de carbone amorphe hydrogéné est déposée à température ambiante par un plasma radiofréquence d'hydrocarbure pur. 8 Procédé selon l'une quenconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le traitement thermique consiste à chauffer la structure obtenue en d) à une température de 1300 C à 1700 C pendant 15 à 40 minutes. 9 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8 de fabrication d'un transistor pour écran d'affichage, caractérisé en ce que La couche ( 32) de premier matériau conducteur et le substrat ( 31) sont transparents.