FR 2692721 A1 19931224 FR 9207354 A 19920617 La présente invention concerne le domaine de la conception des transistors. La présente invention s'applique en particulier à la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction. Le principe de fonctionnement des transistors bipolaires à hétérojonction, ainsi que leurs principaux domaines d'application, sont bien connus de l'homme de l'art Ces principes de fonctionnement et domaines d'application ont fait l'objet d'un abondante littérature. On peut par exemple se référer aux documents suivants: 1) "Heterostructure Bipolar Transistors and integrated circuits", H Kroemer, Proc IEEE, 25 ( 1), Janv 1982; 2) "Ga Al As/Ga As Heterojunction Bipolar Transistors: issues and prospects for applications" P Asbeck, M Chang, J. Higgins, N Sheng, G Sullivan, K Wang, IEEE Trans. Electron Dev 36 ( 10), Oct 1989; 3) "Ga As Heterojunction Bipolar Transistor device and IC fabrication technology for high performance analog and microwave applications", M Kim, A Oki, G Gorman, D Umemoto, J Camou, Trans. Microwave Theory Tech, 37 ( 9), Sept 1989. Les structures classiques de transistors bipolaires à hétérojonction comprennent généralement, comme représenté sur la figure 1 annexée, un substrat semi- isolant 10, une couche de contact collecteur 12 en Ga As n+, une couche collecteur 14 en Ga As n-, une couche formant base 16 en Ga As p+, une couche d'émetteur 18 en Ga Al As N et une couche de contact émetteur 20 en Ga As n+. Comme illustré sur la figure 1 annexée, la technologie la plus employée pour traiter ces structures est la technologie dite double mesa Cette technologie consiste à réaliser une première gravure en 22 pour contacter la couche de base 16, puis une deuxième gravure en 24 pour contacter la couche de contact collecteur 12. Des contacts ohmiques 30, 32 et 34 sont ensuite déposés sur les couches de contact emetteur 20, base 16 et contact collecteur 12. Dans ce type de technologie, la jonction émetteur 18 base 16 est exposée par la gravure 22, ce qui induit des courants de surface importants. Pour améliorer les performances du composant, il est nécessaire d'autoaligner les contacts d'émetteur 30 et de base 32, voire de collecteur 34, et également de diminuer la taille du composant. Or, en diminuant la taille du composant, on augmente le rapport entre la périphérie et la surface de la jonction émetteur 18 base 16 et on rend encore plus critique le problème de recombinaison à la surface de la jonction émetteur 18 base 16. Ces courants de surface entraînent une diminution très importante du gain qui empêche l'utilisation du composant dans les meilleurs conditions. On a déjà proposé de nombreuses solutions pour tenter de résoudre le problème ainsi posé. Il a été montré par exemple dans les documents "Near-ideal transport in an Al Ga As/Ga As heterostructure bipolar transistor by Na 2 S-9 H 20 regrowth", R Nottenburgh, C Sandorff, D Humphrey, T Hollenbeck, R Bhat, Appl. Phys Lett, 52 ( 3), janv 1988 et "Suppression of the emitter size effect on the current gain of Al Ga As/Ga As HBT by utilizing (NH 4)2 Sx treatment", S Shokata, H Okada, H. Hayashi, Inst Phys Ser, 112, 1991, que l'exposition de la surface à des solutions de type Na 2 S 9 H 20 ou (NH 4)25 x permettait de diminuer les recombinaisons de surface. Cependant, cette passivation pose de réels problèmes technologiques, tels que stabilité dans le temps, compatibilité avec les traitements technologiques ultérieurs On a proposé dans le document "Super-gain Al Ga As/Ga As heterojunction bipolar transistors using an emitter edge-thinning design", H Lin, S Lee, Appl Phys. Lett, 47 ( 8), 1985, de conserver à la surface de la base, une partie de la couche d'émetteur en Ga Al As et de ne l'enlever que sous les contacts ohmiques de base. L'inconvénient de cette technique est que d'une part l'épaisseur de la couche conservée n'est pas contrôlable et d'autre part que pour réaliser un contact ohmique de faible résistivité, il est nécessaire de dégager cette couche de Ga Al As Cette technique est donc difficilement exploitable, en particulier dans le cas d'une technologie autoalignée. On a proposé dans le document "Submicron scaling of Al Ga As/Ga As selfaligned thin emitter heterojunction bipolar transistors (SATE-HBT) with current gain independent of emitter area", R J Malik, L M Lunardi, R W Ryan, S C Shunk, M D Feuer, Electron Lett,25 ( 17), Aout 1989, d'utiliser une couche d'émetteur en Ga Al As très fine ( 15 nm) et de contacter la base avec un contact diffusant Au Be Avec cette technique, le contact ohmique présente une forte résistivité De plus, les impératifs concernant l'épaisseur de la couche d'émetteur induisent une réduction extrêmement importante du gain, rendant cette structure guère utilisable Cette technologie a d'ailleurs été abandonnée à la connaissance des inventeurs. On a proposé dans le document EP-A-384 113 "Multilayer base Heterojunction Bipolar transistor", d'utiliser une base graduelle en Al ou directement une base formée de 2 couches successives, la couche supérieure étant une couche de Ga Al As de type p à faible concentration d'Al Cette dernière structure pose un certain nombre de difficultés, notamment gravure non sélective entre Ga Al As 30 et 10 %, contact de plus forte résistivité sur Ga Al As 10 % que sur Ga As, moindre efficacité de la passivation avec la diminution du pourcentage d'Al, diminution de l'efficacité d'injection. On a également proposé dans le document EP-A-387 "Heterojunction Bipolar Transistor", d'épitaxier localement une couche de Ga Al As à forte concentration d'Al sur la couche de base Cette technique élimine les problèmes de gravure sélective mais pose par contre des difficultés en ce qui concerne la résistivité de contact et la reprise d'épitaxie. Enfin on a proposé dans le document "High speed non self-aligned Ga In P/Ga As TEBT", P Zwicknagl, U. Schaper, L Scleicher, H Siweris, K Bachem, T. Lauterbach, W Pletschen, Electron lett, 28 ( 3), 1992, de réaliser une couche d'émetteur formée de 2 couches l'une en Ga As et l'autre en Ga In P Cette solution utilise la sélectivité de gravure, ainsi que la passivation de la jonction émetteur-base par la couche de Ga In P Cependant d'une part cette structure dénommée "Tunneling Emitter Bipolar Transistor" (TEBT) présente des gains faibles du fait de l'utilisation d'un matériau présentant une largeur de bande interdite faible (petit gap) dans l'émetteur, et d'autre part l'utilisation du contact Cr Au proposé dans cette publication ne permet pas de contacter la couche de base à travers le Ga In P Il est donc nécessaire d'éliminer le Ga In P sous le contact de base Cette technologie est donc difficilement adaptable aux transistors de petite dimension et aux transistors fabriqués avec une technologie autoalignée. En conclusion, les solution proposées antérieurement présentent toutes des difficultés d'ordre technologique, en particulier problème de stabilité et de fiabilité dans le cas du dépôt de quelques monocouches passivantes, problème de gravure non sélective dans le cas de l'utilisation du matériau Ga Al As pour réaliser la passivation, problème de la réalisation de contact ohmique de type p de faible résistivité sur le Ga Al As, faible gain La présente invention a pour but de perfectionner les structures de transistor existantes en éliminant les inconvénients de la technique antérieure. Plus'précisément la présente invention a pour but de réaliser des transistors, en particulier des transistors bipolaires à hétérojonction, les plus performants possibles, en particulier présentant un fort gain intrinsèque par l'amélioration de l'efficacité d'injection, et conservant ce fort gain sur les transistors de petite dimension par élimination des courants de recombinaison de surface, avec un procédé très simple. Ce but est atteint selon la présente invention grâce à un transistor du type connu en soi comprenant des couches formant collecteur, base et émetteur, et des contacts ohmiques de collecteur, de base et d'émetteur, caractérisé par le fait que l'émetteur est formé de deux couches superposées à la couche de base: une première couche fine formée d'un premier matériau à grand intervalle de bande interdite et une deuxième couche formée d'un deuxième matériau possédant également un intervalle de bande interdite élevé, et par le fait que le contact ohmique de base est déposé sur la première couche composant l'émetteur. Selon une autre caractéristique avantageuse de la présente invention, l'intervalle de bande interdite de la seconde couche est de préférence inférieur ou égal à celui de la première couche Dans le cas d'un transistor npn, on choisira de préférence un couple de matériau tel que: A Ev (Ga As/matériau 1)"A Ev (Ga As/matériau 2) et AE, (Ga As/matériau 1) composant l'émetteur. D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaitront à la lecture de la description détaillée qui va suivre et en regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemple non limitatif et sur lesquels: la figure 1 annexée précédemment décrite représente schématiquement en coupe la structure d'un transistor bipolaire à hétérojonction conforme à l'état de la technique et la figure 2 annexée représente schématiquement en coupe la structure d'un transistor conforme à la présente invention. La description détaillée qui va suivre d'un mode de réalisation particulier d'un transistor bipolaire à hétérojonction conforme à la présente invention concerne une mise en oeuvre utilisant les matériaux Ga As, Ga Al As et Ga In P Cependant d'autres matériaux peuvent être utilisés pour obtenir le même effet Les valeurs des épaisseurs et dopages sont indiquées à titre indicatif. On aperçoit sur la figure 2 annexée un transistor bipolaire à hétérojonction conforme à la présente invention comprenant: un substrat 100 semiconducteur III-V, par exemple de Ga As de type semi-isolant ou conducteur (n ou p); une première couche 110 en Ga As épitaxiée sur le substrat 100; la première couche 110 présente une conductivité d'un premier type et est fortement dopée dans la gamme 1018 cm-3; elle forme la couche de contact collecteur; son épaisseur est dans la gamme de 0,5- 1 pm; une seconde couche 120 en Ga As, Ga Al As ou Ga In P épitaxiée sur la première couche 110; la seconde couche 120 de conductivité du premier type est faiblement dopée (dans la gamme 1016 cm-3); elle forme la couche de collecteur; son épaisseur est dans la gamme 0,5-1,5 pm; une troisième couche 130 très fortement dopée (dans la gamme 1019-102 Ocm-3 du deuxième type déposée sur la seconde couche 120, pour former la couche de base; la couche de base 130 possède un petit intervalle de bande interdite; elle est réalisée typiquement en Ga As Cette couche peut présenter une variation de la bande interdite par l'introduction graduelle d'Al ou d'In Son épaisseur est comprise dans la gamme 10- 200 nm; une quatrième couche 140 faiblement dopée (dans la gamme 1016-10 17 cm-3) du premier type déposée sur la troisième couche 130; la quatrième couche 140 est réalisée en un matériau différent de la troisième couche 130, par exemple à l'aide de Ga In P; elle possède un grand intervalle de bande interdite X 2; la quatrième couche possède une faible épaisseur, typiquement comprise entre et 60 nm, préférentiellement entre 20 et 45 nm, très avantageusement de l'ordre de 30 nm; une cinquième couche 150 faiblement dopée (dans la gamme 1016-1017 cm-3) du premier type déposée sur la quatrième couche 140; la couche 150 possède un grand intervalle de bande interdite X 3 de préférence inférieur ou égal à l'intervalle de bande interdite X 2 de la quatrième couche 140; elle est réalisée en un matériau différent de la quatrième couche 140, typiquement en Ga 1 l_ x Alx As avec par exemple x égal à 30 %; son épaisseur est dans la gamme 10-5 Onm; les quatrième et cinquième couches et 150 forment en combinaison l'émetteur; une sixième couche 160 en Ga As ou Ga In As du premier type fortement dopée (dans la gamme 1018-1019 cm-3) est ensuite déposée sur la cinquième couche 150 pour former la couche de contact d'émetteur Son épaisseur est dans la gamme 10-20 nm. Dans le cadre de la présente demande de brevet, on entend par "grand intervalle de bande interdite" un intervalle supérieur à celui de la couche de base 130 sous- jacente A titre d'exemple pour une couche de base en Ga As possédant un intervalle de bande interdite de 1,42, on peut utiliser pour la couche 140 du Ga In P ayant un intervalle de bande interdite de 1,84 et pour la couche du Ga Al As ayant un intervalle de bande interdite de 1,79. En variante, le substrat 100 peut être formé de Si ou In P, sous réserve de prévoir alors en intermédiaire une couche tampon. Pour réaliser les deux couches 140 et 150 composant l'émetteur dans le cas d'un transistor npn, on peut retenir par exemple les associations suivantes: Ga Al As( 150)-Ga In P( 140), Ga Al As ou Ga In P ( 150)-Ga P( 140), Al In As( 150)-In P( 140). Inversement pour réaliser un transistor pnp, les deux couches 140 et 150 composant l'émetteur peuvent être choisies dans le groupe suivant: Ga Al As ( 140)-Ga In P( 150), Ga Al As ou Ga In P ( 140)-Ga P( 150), Al In As ( 140)-In P ( 150). Une première gravure 200 est opérée pour exposer la couche de Ga In P 140 formant l'émetteur Cette étape est réalisée grâce à une solution de gravure sélective entre le matériau Ga Al As composant la couche 150 et le matériau Ga In P composant la couche 140 On peut pour cette opération utiliser par exemple les agents chimiques H 3 PO 4- H 202-H 2 O dans les proportions 3-1-40. La première gravure est donc naturellement arrêtée à la surface de la couche d'émetteur 140 en Ga In P. Une deuxième gravure 210 est ensuite réalisée pour atteindre la couche de contact collecteur 110. L'isolation des composants est ensuite effectuée. Cette isolation peut également être réalisée en première étape Puis on dépose l'électrode d'émetteur 220 et l'électrode de collecteur 230 Ce dépôt est suivi du recuit des contacts 220 et 230. L'électrode de base 240 du deuxième type est ensuite directement déposée sur la couche d'émetteur 140 en Ga In P Le dépôt du contact 240 est suivi d'un recuit. Le contact ohmique 240 a pour but de contacter la couche de base 130 à travers la couche de Ga In P 140 formant l'émetteur Elle doit présenter une faible résistivité. A cet effet le contact de base 240 peut être réalisé par exemple sous forme d'un contact diffusant, tel que en Au Mn L'utilisation d'un tel contact diffusant permet de contacter la couche de base à travers la couche de Ga In P 140 et permet de laisser la couche de passivation sur toute la surface de la base extrinsèque 130 du composant. La présente invention permet d'obtenir grâce à la même couche d'émetteur 140 une gravure sélective, et la passivation de la couche de base 130, tout en augmentant l'efficacité de l'injection. Cette nouvelle structure conforme à la présente invention permet donc d'obtenir conjointement une technologie de fabrication simple et une amélioration des performances par l'élimination de l'effet de réduction du gain sur des petites géométries dû aux recombinaisons de surface et par l'amélioration de l'efficacité d'injection. La présente invention permet d'obtenir des gains très élevés, par exemple un gain de 300 pour une couche de base 130 présentant une épaisseur de 50 nm et un dopage de 5 1019 cm-3. Par ailleurs l'utilisation du matériau Ga In P pour réaliser la couche d'émetteur 140 permet d'obtenir une plus faible résistivité pour le contact qui traverse cette couche pour contacter la base, que l'utilisation du matériau Ga Al As. La présente invention s'applique aux transistors npn ou pnp. La présente invention s'applique également dans le système In P Dans le cas d'un transistor npn, la couche 110 est alors en Ga In As; la couche 120 en Ga In As, Al In As ou Inp; la couche 130 en Ga In As; la couche 140 en In P; la couche 150 en Al In As et la couche 160 en In Ga As. Dans le cas d'un transistor pnp, la nature des couches 140 et 150 est inversée: la couche 140 est en Al In As et la couche 150 est en In P. La présente invention permet de réaliser des transistors en technologie classique double mesa (comme précédemment décrit>, mais aussi en technologie auto- alignée La technologie auto-alignée permet d'obtenir un contact émetteur très proche du contact de base et de réaliser ceux-ci à l'aide d'un même niveau de gravure. Dans ce dernier cas, on peut après la gravure de la couche réaliser l'auto-alignement des contacts d'émetteur et de base avec des espaceurs en diélectrique ou utiliser la sous gravure des couches 150 et/ou 160 pour auto-aligner il le contact de base par rapport au contact d'émetteur. L'invention s'applique principalement dans le domaine de la micro-électronique et de la micro-opto- électronique. L'invention s'applique tout particulièrement à la réalisation de transistors bipolaires à simple ou double hétérojonction, notamment sur substrat de Ga As ou d'In P, et aux circuits associés Cependant la présente invention, plus précisément l'excellente sélectivité de la gravure entre le Ga In P et le Ga As ou le Ga Al As, peuvent également s'appliquer à la réalisation de structures de transistors à effet de champ, telles que MESFET, HFET, HMET et dans les circuits réalisés avec ces dispositifs, en remplacement par exemple du couple classique Ga Al As/Al As qui présente des difficultés d'ordre technologique. Outre les avantages précités résultant de la structure conforme à la présente invention, les inventeurs ont constaté que la première couche 140 d'émetteur en Ga In P permet d'éviter la diffusion du dopant classique en bérylium de la base 130 sous-jacente Ainsi, la structure conforme à la présente invention permet d'appliquer le dopant Be sur la base 130 à l'aide d'une épitaxie par jet moléculaire classique, et ne requiert pas l'utilisation de technique plus sophistiquée, développée de nos jours, afin d'appliquer un dopant carbone, afin d'éviter la diffusion du bérylium, constatée fréquemment sur les structures antérieures connues. Bien entendu la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation particuliers qui viennent d'être décrits mais s'étend à toutes variantes conformes à son esprit. R E V E N D I C A T I O N S 1.Procédé de réalisation d'un transistor, en particulier un transistor bipolaire à hétérojonction, du type comprenant les étapes connues consistant à réaliser des couches ( 120, 130, 140, 150) formant collecteur, base et émetteur, ainsi que des contacts ohmiques ( 220, 230, 240) de collecteur, de base et d'émetteur, caractérisé par le fait que l'étape de réalisation de l'émetteur consiste à déposer deux couches superposées composant l'émetteur, sur la couche de base ( 130): une première couche fine ( 140) formée d'un premier matériau à grand intervalle de bande interdite et une deuxième couche ( 150) formée d'un deuxième matériau possédant également un intervalle de bande interdite élevé, également caractérisé par le fait que le contact ohmique de base ( 240) est déposé sur la première couche ( 140) composant l'émetteur. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'intervalle de bande interdite de la deuxième couche ( 150) est inférieur ou égal à celui de la première couche ( 140). 3 Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait que pour un transistor npn, l'intervalle de bande interdite sur la bande de valence pour la première couche ( 140) est supérieur à l'intervalle de bande interdite sur la bande de valence pour la deuxième couche ( 150), tandis que l'intervalle de bande interdite sur la bande de conduction pour la première couche ( 140) est inférieur à l'intervalle de bande interdite sur la bande de conduction pour la deuxième couche ( 150). 4 Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait que pour un transistor pnp, l'intervalle de bande interdite sur la bande de valence pour la première couche ( 140) est inférieur à l'intervalle de bande interdite sur la bande de valence pour la deuxième couche ( 150), tandis que l'intervalle de bande interdite sur la bande de conduction pour la première couche ( 140) est supérieur à l'intervalle de bande interdite sur la bande de conduction pour la deuxième couche ( 150). Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait que la première couche ( 140) formant l'émetteur possède une résistance supérieure à un agent de gravure choisi que la seconde couche ( 150) formant l'émetteur. 6 Procédé selon l'une des revendications 2, 3 ou , caractérisé par le fait que les matériaux composant les deux couches ( 140, 150) composant l'émetteur sont choisies parmi les couples suivants dans le cas d'un transitor npn Ga In P pour la première couche ( 140) et Ga Al As pour la seconde couche ( 150), Ga P pour la première couche ( 140) et Ga Al As ou Ga In P pour la seconde couche ( 150), In P pour la première couche ( 140) et Al In As pour la seconde couche ( 150). 7 Procédé selon l'une des revendications 2, 4 ou , caractérisé par le fait que les matériaux composant les deux couches ( 140, 150) composant l'émetteur sont choisies parmi les couples suivants dans le cas d'un transistor pnp: Ga In P pour la deuxième couche ( 150) et Ga Al As pur la première couche ( 140), Ga P pour la deuxième couche ( 150) et Ga Al As ou Ga In P pour la première couche ( 140), In P pour la deuxième couche ( 150) et Al In As pour la première couche ( 140). 8 Procédé selon l'une des revendications 1, 2, 3 ou 5, caractérisé par le fait que pour un transistor npn, la première couche ( 140) est en In P, tandis que la seconde couche ( 150) est en Al In As. 9 Procédé selon l'une des revendications 1, 2, 4 ou 5, caractérisé par le fait que pour un transistor pnp, la première couche ( 140) est en Al In As, tandis que la seconde couche ( 150) est en In P. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre l'étape consistant à réaliser une étape de gravure jusqu'à la première couche ( 140) formant l'émetteur. 11 Procédé selon la revendication 10, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre l'étape consistant à réaliser une seconde gravure afin de mettre en évidence une couche de contact collecteur ( 110). 12 Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à: déposer sur un substrat ( 100) une couche ( 110) de conductivité d'un premier type fortement dopé formant couche de contact collecteur, déposer sur la couche de contact collecteur ( 110) une couche ( 120) de conductivité du premier type faiblement dopé formant la couche de collecteur, déposer sur la couche de collecteur ( 120) une couche ( 130) très fortement dopée du deuxième type formant couche de base, déposer sur la couche de base ( 130) une couche du premier type ( 140) de faible épaisseur en un premier matériau à grand intervalle de bande interdite, formant la première couche d'émetteur, déposer sur la première couche d'émetteur ( 140) une seconde couche ( 150) formée d'un deuxième matériau possédant également un intervalle de bande interdite élevée, et déposer sur la seconde couche d'émetteur ( 150) une couche du premier type fortement dopé formant la couche de contact d'émetteur. 13 Procédé selon la revendication 12, caractérisé par le fait qu'il comprend en outre les étapes consistant à déposer des contacts ohmiques de collecteur ( 230) et d'émetteur ( 220) respectivement sur la couche de contact collecteur ( 110) et sur la couche de contact d'émetteur ( 160). 14 Transistor du type connu en soi comprenant des couches ( 120, 130, 140, 150) formant collecteur, base et émetteur, et des contacts ohmiques ( 220, 230, 240) de collecteur, de base et d'émetteur, caractérisé par le fait que l'émetteur est formé de deux couches superposées à la couche de base ( 130): une première couche fine ( 140) formée d'un premier matériau à grand intervalle de bande interdite et une deuxième couche ( 150) formée d'un deuxième matériau possédant également un intervalle de bande interdite élevé et par le fait que le contact ohmique de base ( 240) est déposé sur la première couche ( 140) composant l'émetteur. Transistor selon la revendication 14, caractérisé par le fait que l'intervalle de bande interdite de la deuxième couche ( 150) est inférieur ou égal à celui de la première couche ( 140). 16 Transistor selon l'une des revendications 14 ou 15, caractérisé par le fait que pour un transistor npn, l'intervalle de bande interdite sur la bande de valence pour la première couche ( 140) est supérieur à l'intervalle de bande interdite sur la bande de valence pour la deuxième couche ( 150), tandis que l'intervalle de bande interdite sur la bande de conduction pour la première couche ( 140) est inférieur à l'intervalle de bande interdite sur la bande de conduction pour la deuxième couche ( 150). 17 Transistor selon l'une des revendications 14 ou 15, caractérisé par le fait que pour un transistor pnp, l'intervalle de bande interdite sur la bande de valence pour la première couche ( 140) est inférieur à l'intervalle de bande interdite sur la bande de valence pour la deuxième couche ( 150), tandis que l'intervalle de bande interdite sur la bande de conduction pour la première couche ( 140) est supérieur à l'intervalle de bande interdite sur la bande de conduction pour la deuxième couche ( 150). 18 Transistor selon l'une des revendications 14 à 17, caractérisé par le fait que la première couche ( 140) formant l'émetteur possède une résistance supérieure à un agent de gravure choisi que la seconde couche ( 150) formant l'émetteur. 19 Transistor selon l'une des revendications 14, , 16 ou 18, caractérisé par le fait que les matériaux composant les deux couches ( 140, 150) composant l'émetteur sont choisies parmi les couples suivants dans le cas de transistor npn: Ga In P pour la première couche ( 140) et Ga Al As pour la seconde couche ( 150), Ga P pour la première couche ( 140) et Ga Al As ou Ga In P pour la seconde couche ( 150), In P pour la première couche ( 140) et Al In As pour la seconde couche ( 150). Transistor selon l'une des revendications 14, , 17 ou 18, caractérisé par le fait que les matériaux composant les deux couches ( 140, 150) composant l'émetteur sont choisies parmi les couples suivants dans le cas de transistor pnp: Ga In P pour la deuxième couche ( 150) et Ga Al As pour la première couche ( 140), Ga P pour la deuxième couche ( 150) et Ga Al As ou Ga In P pour la première couche ( 140), In P pour la deuxième couche ( 150) et Al In As pour la première couche ( 140). 21 Transistor selon l'une des revendications 14, , 16 ou 18, caractérisé par le fait que pour un transiter npn la première couche ( 140) est en In P, tandis que la seconde couche ( 150) est en Al In As. 22 Transistor selon l'une des revendications 14, , 17 ou 18, caractérisé par le fait que pour un transistor pnp la première couche ( 140) est en Al In As, tandis que la seconde couche ( 150) est In P. 23 Transistor selon l'une des revendications 14 à 22, caractérisé par le fait qu'il présente deux gravures mettant respectivement en évidence la première couche ( 140) formant l'émetteur et une couche de contact collecteur ( 110). 24 Transistor selon l'une des revendications 14 à 23, caractérisé par le fait qu'il comprend: sur un substrat ( 100) une couche ( 110) de conductivité d'un premier type fortement dopé formant couche de contact collecteur, sur la couche de contact collecteur ( 110) une couche ( 120) de conductivité du premier type faiblement dopé formant la couche de collecteur, sur la couche de collecteur ( 120) une couche ( 130) très fortement dopée du deuxième type formant couche de base, sur la couche de base ( 130) une couche du premier type ( 140) de faible épaisseur en un premier matériau à grand intervalle de bande interdite, formant la première couche d'émetteur, sur la première couche d'émetteur ( 140) une seconde couche ( 150) formée d'un deuxième matériau possédant également un intervalle de bande interdite élevée, formant la seconde couche d'émetteur, et sur la seconde couche d'émetteur ( 150) une couche du premier type fortement dopé formant la couche de contact d'émetteur. Transistor selon l'une des revendications 14 à 24, caractérisé par le fait que l'épaisseur de la première couche ( 140) composant l'émetteur est comprise entre 10 et 60 nm, de préférence entre 20 et 45 nm, très avantageusement de l'ordre de 30 nm. 26 Transistor selon l'une des revendications 14 à 25, caractérisé par le fait que la première couche ( 140) composant l'émetteur possède un dopage dans la gamme 1016- 1017 cm-3. 27 Transistor selon l'une des revendications 14 à 26, caractérisé par le fait que la seconde couche ( 150) composant l'émetteur est formée de Ga 1 Alx As. 28 Transistor selon l'une des revendications 14 à 27, caractérisé par le fait que la première couche ( 140) composant l'émetteur est formé de Ga In P. 29 Transistor selon l'une des revendications 14 à 28, caractérisé par le fait que la couche de collecteur ( 120) est réalisée en Ga As, Ga Al As ou Ga In P. Transistor selon l'une des revendications 14 à 29, caractérisé par le fait que la couche de base ( 130) est en Ga As, Ga Al As ou Ga In As. 31 Transistor selon l'une des revendications 14 à 30, caractérisé par le fait que des contacts ohmiques ( 220, 230) sont déposés respectivement sur les couches de contact émetteur ( 160) et de contact collecteur ( 110). 32 Transistor selon l'une des revendications 14 à 31, caractérisé par le fait que le contact ohmique de base ( 240) est un contact diffusant. 33 Transistor selon l'une des revendications 14 à 32, caractérisé par le fait que le contact ohmique de base ( 240) est réalisé en Au Mn. 34 Transistor selon l'une des revendications 14 à 33, caractérisé par le fait qu'il est réalisé en technologie auto-alignée.