FR 2694630 A1 19940211 FR 9209869 A 19920810 DESCRIPTION Domaine technique La présente invention concerne un capteur en optique intégrée, notamment pour substances chimiques. Etat de la technique antérieure Pour détecter la présence de substances chimiques, on peut utiliser des capteurs optiques mettant en oeuvre deux types de phénomènes: une modification d'indice de réfraction, une modification d'absorption de la lumi ère. Ces modifications peuvent soit mettre directement en jeu la substance à mesurer (gaz ou liquide), soit faire appel à un matériau relais qui adsorbe ou absorbe sélectivement la substance à mesurer, ce qui modifie ses caractéristiques optiques. Malheureusement, la plupart du temps, ces modifications sont très faibles, mais elles peuvent être compensées en optique par une grande longueur d'interaction En effet, la variation d'indice induite par la substance à mesurer An produit une variation de phase 'P= 27 r/2 A n LSi la variation de phase minimum détectable dans un schéma interférométrique est Si, la variation minimale 6 N détectable est &n = A I/2 L Si L est très grand, Sn peut être très faible. De même, l'absorption Ai influence direc- tement le signal d'intensité lumineuse Is en sortie. Si la variation relative minimum détectable est SI/Is, (Is étant l'intensité lumineuse du système non perturbé), celle-ci est proportionnelle à Ac L La variation minimale d'absorption détectab Le est donc elle aussi inversement proportionnelle à L. Une demande de brevet français -5 FR-A-88 14433 a U dépuos e Le 4 _ novembre 1988, décrit un dispositif optique intégré servant à mesurer l'indice de réfraction d'un fluide com_ f) un guide de lumière d'un ind ectif ni du mode guidé, formé sur un substrat et comportant une couche guidante destinée à véhiculer des faisceaux lumineux, intercalée entre une couche inférieure et une couche supérieure ayant des indices de réfraction inférieurs à celui de la couche gui dante, Cb) -une zone de mesure d'interaction du guide de lumière destinée à être au contact du fluide, la couche supérieure au niveau de La zone de mesure présentant une épaisseur inférieure à La distance de pénétration de l'onde évanescente du faisceau lumineux guidé et en dehors de cette zone d'interaction une épaisseur supérieure à Ladite distance de pénétration de cette même onde évanescente, et (c) un système optique du type interfé- romètre, formé au moins en partie dans Le guide de Lumière et comportant un circuit optique de référence et un circuit optique de mesure incluant la zone de mesure, pour mesurer le déphasage introduit par un changement d'indice effectif N 2 du mode guidé dû au fluide. Ce dispositif utilise le fait que, en optique intégrée, l'indice effectif d'un mode guidé dépend de tous Les paramètres de la structure du guide et en particulier de L'épaisseur et des indices de réfraction des différentes couches constituant ce guide Aussi, la modification de l'un de ces para- mètres, et en particulier de L'indice de réfraction de l'une de ces couches, modifie l'indice effectif du mode guidé considéré et introduit donc localement une modification de phase de la lumière u détectée par interférom - Dans -l-es dispositifs en optique classique de l'art connu, la nécessité de mettre en oeuvre une grande longueur d'interaction entraîne en contrepartie un encombrement important En optique guidée, ces deux contraintes peuvent être conciliées notamment par l'utilisation de fibres optiques. Cependant il est très difficile alors d'avoir une référence capable d'affranchir la mesure effectuée des perturbations que peuvent causer diffé- rents effets parasites, par exemple dus à des variations de température, de pression, ou de l'inten- sité lumineuse d'entrée. L'invention a pour objet de présenter une structure de guides d'ondes permettant de s'affranchir de ces effets, dans le cas o l'on veut détecter la présence d'un fluide, gaz ou liquide, par exemple une concentration de méthane inférieure à la limite d'exp Losivité ( 1 %); détecter la modification de la concentration d'un soluté dans un liquide, par exemp Le les variations de p H au cours du temps ou dans Le domaine biomédical une variation de concentration antigènes-anticorps. Exposé de l'invention La présente invention propose un capteur en optique intégrée, notamment pour substances chimiques, caractérisé en ce qu'il comprend une double spirale entrelacée de guides d'ondes intégrée sur un substrat, recevant le signal d'une source de Lumière au travers d'un premier composant optique permettant de séparer en deux parties l'intensité lumineuse émise par la source, et envoyant ces signaux de sortie sur au moins un détecteur au travers d'un second composant _ o Jptique, et en -eptremier des deux guides est un guide de référence iso Lé de l'influence de la substace à mesurer, et le second est un guide de mesure affecté par la substance à mesurer. Avantageusement les entrées et les sorties de la spirale sont situées sur le même côté du substrat, une telle réalisation permettant d'obtenir une structure plus compacte et plus pratique d'utili- sat i on. Avantageusement le second guide est affecté par la substance à mesurer soit directement, soit par l'intermédiaire d'un matériau relais Un tel capteur selon l'invention peut être utilisé pour réaliser soit: une mesure directe d'intensité (mesure d'absorption sélective), une mesure interférométrique (mesure d'indice réel) avec ou non mesure simultanée d'absorption. Avantageusement dans une première variante, le second composant optique est un bicoupleur ou préférentiellement un tricoupleur permettant de faire interférer les signaux de sortie des guides, de manière à mesurer les variations de phases induites entre le premier guide de référence et le second guide de mesure, ce tricoupleur comprenant un guide central associé aux guides de mesure et de référence et disposé entre lesdits guides. Avantageusement dans une seconde variante, le second composant optique permet de relier les deux guides et deux détecteurs pour détecter les intensités lumineuses en sortie de ces guides. Avantageusement dans les parties d'entrée et de sortie de la spira Le les deux guides ont une structure identique à celle du guide de référence. En dehors de ces parties, le guide de mesure a une structure différente pour permettre la me * Les liaisons entre les parti entrte et de sortie du guide et la partie centrale de mesure se font avantageusement par une transition adiabatique. Avantageusement le franchissement des guides de la spirale par l'une des deux extrémités de ceux-ci est réalisé, en optique intégrée, par croisement direct des guides dans le plan de la spirale elle-même, les angles de croisement des différents guides étant de préférence supérieurs à 10 . Avantageusement les guides d'ondes lumi- neuses sont réalisés dans l'une des structures Si/Si O 2/Si 3 N 4/Si O 2 et Si/Si O 2/Si O 2 haut indice/Si O 2. L'intérêt d'une telle structure en spirale réside dans le fait que l'on parvient dans un volume réduit à augmenter la sensibilité du capteur de façon importante en jouant sur le nombre de spires. De plus, le fait d'utiliser deux guides proches l'un de l'autre dans une spirale entrelacée permet d'obtenir deux guides ayant des réactions simi- Laires à un environnement parasite. Brève description des dessins Les figures 1 et 2 illustrent deux variantes du dispositif de l'invention, les figures 3 à 16 illustrent diverses réalisations des guides formant la spirale du capteur de l'invention. Exposé détaillé de modes de réalisation Comme représenté sur les figures 1 et 2 le capteur de L'invention comprend une double spirale 10 entrelacée de guides d'ondes 11 et 12, intégrée _ sur un substrat 13. Cette double spirale 10 reçoit le signal d'une source de lumière 14 au travers 'un -:-e _ Comen tq 1 pt tre un bicoupleur, ou une jonction Y, permettant de séparer l'intensité lumineuse émise par la source 14 en deux parties égales. En sortie de la double spirale 10 les signaux de sortie des deux guides 11 et 12, recombinés par un second composant optique 16, sont envoyés sur un ou plusieurs détecteurs 17. Les composants 15 et 16 sont avantageusement réalisés de façon intégrée sur le même substrat que la double spirale 10. Le croisement 18 des guides 11 et 12 se fait par des jonctions X dont l'angle de croisement est de préférence supérieur à 10 pour éviter qu'une partie de la lumière, lorsque l'angle est très faible, puisse s'égarer dans une direction qui n'est pas celle souhaitée et provoquer ainsi des parasites éventuellement gênants pour l'exploitation des résultats par le ou les détecteurs. La réalisation de la figure 2, dans laquelle les entrées et sorties de la spirale 10 sont situées sur le même côté du substrat 13, permet d'obtenir une structure plus compacte et plus pratique d'utilisation Ainsi, dans le domaine biomédical par exemple, si on utilise des capteurs jetables le branchement et le débranchement de connecteurs aux entrées et aux sorties de la spirale 10 sont rendus plus aisés. Dans la double spirale représentée aux figures 1 et 2, le premier guide 11, est un guide de référence qui est complètement iso Lé de-ll nl- de la substance à mesurer Le second guide 12 est -affecté par la substance à mesurer soit directement, soit par Lé ntermédiaire d'un matériau relais Ce second guide 12 est donc l'éLément sensible du capteur. Le capteur de l'invention peut être utilisé dans deux types de mesures: A/ Pour détecter les variations de la partie réelle de l'indice effectif du mode guidé induite principalement par une modification de l'indice réel de réfraction apportée par la substance à détecter, soit par celle du matériau relais: Dans ce cas, on mesure les variations de phase produites entre le premier guide 11 de réfé- rence et le second guide 12 de mesure IL faut donc faire interférer les signaux de sortie des guides 11 et 12 Le composant 16 est alors un bicoupleur ou plus favorablement un tricoupleur. Comme représenté sur les figures 1 et 2, un tel tricoupleur 16, ou coupleur trois voies, comporte un guide centra L 2 coup Lé aux guides 11 et 12 et disposé entre ces derniers. Dans la zone de couplage, les guides 11 et 12 sont adjacents au guide 2 et la distance séparant Le guide 2 respectivement des guides 11 et 12 est comprise entre 1 et 10 pm et de préférence entre 1 et 5,m. Pour une partition identique de l'in- tensité Lumineuse, entre le guide 2 et le guide 11 d'une part, et entre le guide 2 et le guide 12 d'autre part, on utilise une zone de couplage allant de 1 à 15 mm typiquement. Au niveau de la face de détection correspondant à la sortie des guides 11, 2 et 12, ces derniers sont très écartés les uns des autres, d'une distance au moins supérieure à 10 pm et typiquement de l'ordre de 20 pm à 50}m pour éviter tout couplage. Le guide 2 est réalisé en même temps et de la même façon que les guides 11 et 12. Associés à ce coupleur trois voies 16, on utilise trois détecteurs 17, disposés respecti- vement en regard des sorties des guides 11, 2 et 12. Ces détecteurs 17 produisent un signal électrique respectivement d'intensité Ia, Ib et Ic, représentatif du signal d'interférence formé en aval de la face de détection et satisfaisant aux équations données ci-après: IA = A + Bcosl + Csinl Ib = 1 (Ia+Ic) Ic = A + Bcosi Csinl Dans ces équations, A, B et C sont des coefficients de partage de la lumière qui dépend de la géométrie du coupleur et I le déphasage entre le faisceau de mesure et le faisceau de référence. En effectuant Ia-Ic, on obtient 2 Csin J alors que Ia+Ic donne 2 A+ 2 Bcos J et Ib= 1-( 2 A+ 2 Bcosl). On obtient ainsi deux systèmes de franges en quadrature de phase (déphasage de 7 r/2) grâce aux propriétés du coupleur trois voies. Dans cette structure Ia+Ic et Ia-Ic' sont toujours déphasés de 7 r/2, alors que dans les dispositifs à trous d'Young le déphasage est de 7 r/2 + 6 suivant les erreurs technologiques, est inférieur à 100 dans la plupart des cas. B/ Pour détecter des variations d'absorption: Dans ce cas il n'est nul besoin de faire interférer les guides 11 et 12; il est suffisant de détecter les intensités lumineuses Is 1 et Is 2 en sortie de ces deux guides Le composant 16 permet de relier les guides 11 et 12 à deux détecteurs 17. Dans les deux cas considérés ci-dessus (A et B) l'entrelacement des deux guides 11 et 12 doit assurer une influence des paramètres extérieurs parasites la plus identique possible sur chacun d'eux. Seule l'influence du paramètre à mesurer doit conduire à une évolution différente des intensités de sortie. Le second guide peut être réalisé de plusieurs façons permettant soit: 1/ Un contact direct de l'onde guidée et de la substance à mesurer (via en général l'onde évanescente): Pour les gaz, d'indices très voisins de celui de l'air, cette méthode peut être utilisée. Elle a l'inconvénient de n'être pas sélective si plusieurs gaz sont en présence simultanément et si on mesure les variations de phase (montage interférométrique) induites. Cette méthode peut devenir sélective si on mesure des variations d'absorption, à condition d'utiliser une longueur d'onde de travail qui corres- pond à une raie d' absorption propre du gaz à mesurer. IL faut bien sûr que Le guide de référence soit transparent pour cette longueur d'onde et qu'il existe une source capable de la générer. Dans tous les cas, on supprime la couche d'isolation de ce guide 12, partiellement ou complè- tement, et on utilise l'interaction entre les ondes évanescentes du mode guidé et le milieu environnant. 2/ Un contact indirect de L t de l'ie tdela substance à mesurer e contact a lieu alors par l'intermédiaire d'un matériau diélectrique transparent à la longueur d'onde de travail et sensible, c'est-à-dire capable d'absorber ou d'adsorber le gaz (ou éventuellement le liquide) à mesurer Cette absorption ou adsorption modifie soit l'indice du matériau diélectrique sensible, soit son absorption, soit les deux à la fois. Ces modifications se traduisent par une modification de la phase ou de l'absorption (ou des deux) de l'onde guidée Le matériau diélectrique doit être donc déposé de telle façon que l'onde guidée puisse être en contact avec lui. Les deux guides 11 et 12 de La spirale peuvent par exemple être réalisés avec des struc- tures de type OI 51: Si/Si O 2/Si 3 N 4/Si O 2 ou OI 52: Si/Si O 2/Si O 2 haut indice/Si O 2 Pour réaliser le premier guide 11 du capteur de l'invention iso Lé de l'influence de la substance à mesurer, l'isolation de guides de type OI 51 et OI 52 est assez simple: pour un guide 11 de type OI 51, comme représenté sur la figure 3, le diélectrique 20 déposé sur le guide est choisi pour isoler le guide défini par le plot de silice sur nitrure de silicium Il doit avoir un indice no à détecter. Ce diélectrique 20 peut donc être diffé- rent suivant la substance à détecter En pratique des gels de silice convenablement recuits ou des co L Les optiques conviennent pour assurer cette isolation. pour un guide 11 de type OI 52, comme représenté sur la figure 4, le recouvrement d'une telle structure assure son isolation vis-à-vis du milieu extérieur si la couche de silice Si O 2 supérieure est suffisamment épaisse, c'est-à-dire supérieure à la pénétration des ondes évanescentes associées au mode guidé. Pour réaliser le second guide 12 du capteur de l'invention, affecté par la substance à mesurer, plusieurs configurations sont réalisables: 1/ Par contact direct de l'onde guidée et de la substance à mesurer: pour un guide 12 de type OI 51, comme représenté dans la partie gauche de la figure 5, la largeur d de part et d'autre du guide de mesure définie par le plot de silice Si O 2 doit être calcu Lée pour éviter tout couplage entre le plot du guide 12 et la partie planaire adjacente surmontée ou non ou d'un diélectrique En pratique la distance d est supérieure ou égale à une valeur de l'ordre de quelques microns. Cette figure 5, comme les figures 6 à 14 est une coupe transversale de deux guides voisins 11 et 12 de la spirale 10, le guide de mesure 12 étant représenté dans la partie gauche de la figure. IL faut d'autre part que l'onde évanescente du mode guidé "voit" le fluide à mesurer, donc que la hauteur h ou h' soit inférieure à la profondeur de pénétration p de cette onde évanescente dans la couche supérieure de silice. On a bien sûr h le confinement latéral du mode guidé. si h'>p, h h les côtés et le dessus La sensibilité peut être meil- leure pour une longueur de spirale 10 donnée, h pouvant être nulle dans les deux cas. Dans cette représentation de la figure , de deux guides voisins 11 et 12 de la spirale en coupe transversale, la distance l est calculée pour que la protection du guide de référence 11 soit totale. La distance d est telle que tout couplage entre les guides de mesure et de référence soit interdit. L'épaisseur h" de silice Si O 2 du guide de référence 11 est en général supérieure à p (profon- deur de pénétration de l'onde évanescente), h" peut donc être différente de h'. pour un guide 12 de type OI 52, comme représenté sur la partie gauche de la figure 6, la couche de recouvrement en silice Si O 2 a une épaisseur h côtés et les dessus du guide. Des configurations intermédiaires peuvent être réalisées. Dans cette représentation de la figure 6 la distance d est calcu Lée pour que tout couplage entre les deux guides de mesure et de référence soit impossible. La distance l est calcu Lée pour que le guide de référence soit parfaitement iso Lé de l'envi- ronnement. La hauteur h est suffisamment faible pour assurer L'interaction entre l'onde guidée et le milieu environnant à analyser; h peut être nulle. 2/ Pour un contact indirect de l'onde guidée et de la substance à mesurer, les configurations suivantes sont alors réalisables: a) si l'indice réel du diélectrique sen- sible n DS est inférieur à l'indice du Si O 2 n Si 02: n DS C'est le cas pour de nombreux polymères: par exemple, le polyoxyéthy Lène lauryl éther "POELE" a été déjà utilisé (pour une détection de méthane (C 2 H 4)) dans des configurations de capteurs tout à fait différentes: son indice n DS est un peu inférieur à celui de la silice Si O 2: (n DS 1,4512). Pour un guide 12 de type OI 51, comme représenté sur la partie gauche de la figure 7, l'épaisseur W du diélectrique sensible peut être quel- conque pourvu que L'absorption du fluide puisse atteindre la zone d'interaction avec l'onde guidée. En pratique W est compris entre une fraction de micromètre et quelques micromètres. Les conditions concernant les hauteurs h et h' et les distances L et d sont identiques à celles données précédemment dans le cas d'un contact direct de l'onde guidée et de la substance à mesurer. Dans un guide 12 de type OI 52, comme représenté sur la partie gauche de la figure 8, les remarques faites dans le cas d'un contact direct de l'onde guidée et de la substance à mesurer restent valables L'épaisseur W du diélectrique sensible obéit aux mêmes contraintes que pour le guide de type OI 51. b) Si l'indice du diélectrique sensible n DS est supérieur à n Si 02: n DS > n Si O 2-HI; on peut prendre ici comme référence l'indice du Si O 2-HI le plus grand que l'on puisse obtenir avec les dopants usuels: bore, phosphore, azote, germanium ou titane. Pour un guide de type OI 51, comme repré- senté sur la partie gauche de la figure 9, ce guide de mesure 12 est réalisé par un confinement latéral de lumière obtenu à l'aide du diélectrique sensible. L'épaisseur restante de silice Si O 2 h' doit être inférieure à p, pénétration de l'onde éva- nescente du mode guidé. pour un guide 12, la structure OIS? ne convient pas dans ce cas, si on veut garder le coeur du microguide en Si O 2-HI Il est toutefois pos- sible de réaliser le coeur de ce guide 12 avec le diélectrique sensible si celui-ci' est suffisamment transparent Mais cela suppose que la technologie associée à ce diélectrique sensible soit suffisamment développée, ce qui est rarement le cas La figure donne une représentation de deux guides voisins 11 et 12 de La spirale en coupe transversale, dans le cas o le diélectrique sensib Le est technologiquement utilisable: par exemple grave. Le polymère sensible joue ici à la fois le rôle du coeur et celui du diélectrique sensible. Dans les parties d'entrée et de sortie de la spirale 10 hors de la zone spiralée, les deux guides de mesure 12 et de référence 11 retrouvent une structure identique du type du guide de référence (OI 51 ou OI 52) Les liaisons d'entrée et de sortie du guide de mesure avec la partie centrale de ce guide utilisée pour la mesure peuvent se faire par couplage direct si les structures des deux guides sont très voisines (n DS voisin de l'indice de la silice) ou par transitions adiabatiques (si n DS est très différent de nsio 2 dans le cas o on utilise une structure OI 52). Ces zones de transitions adiabatiques peuvent être réalisées comme décrites dans le document "Applied Physical Letters" 55 ( 23) du 4 décembre 1989; pages 2389-2391 de Y Shani et al intitulé "Efficient coupling of a semiconductor laser to an optical fiber by means of a tapered waveguide on silicon". Dans le cas d'un contact indirect entre l'onde guidée et la substance à mesurer, des variantes de réalisation sont représentées sur les figures 11 à 14, relativement à des structures OI 51 (figures 11 et 13) et OI 52 (figures 12 et 14) respectivement pour n DS n Sio 2-HI Ces variantes de réalisation sont intéressantes car elles ont l'avan- tage de mieux symétriser l'empilement des couches entre le guide de référence 11 et le guide de mesure 12 dans le cas o un matériau sensible est utilisé, et donc de mieux supprimer les effets parasites. Sur ces figures 11 à 14, la distance l est calcu Lée de telle façon qu'il n'y ait plus d'inté- raction entre la lumière guidée qui se propage sous les différents guides et les mi Lieux de recouvrement pour cette distance. Sur Les figures 11 et 12 i L apparaît un plot 60 en si Lice Si O 2- HI ou Si O 2 dont la largeur dépend des valeurs choisies pour d et L et de la distance séparant les coeurs des guides 11 et 12. La Largeur de ce plot peut être nu L Le. Le diélectrique de protection 61 des guides doit pouvoir être déposé à basse température car i L va recouvrir le matériau sensible dont La tenue en température est souvent faible C'est bien sûr une limitation dans La gamme des matériaux de protection qui peuvent être mis en oeuvre, mais il existe des possibilités assez nombreuses: po Lymères divers, dépôt de si Lice Si O 2ou autre par évaporation ou pulvérisation cathodique La qualité optique de la couche de protection n'est toutefois pas importante. Bien entendu, Les exemples donnés ne doivent pas être considérés comme limitatifs quant à la nature des composantes de La structure guidée et celle-ci peut être constituée pratiquement de tous les matériaux utilisés de façon classique en optique intégrée, et notamment le verre dont on fait varier l'indice par échange d'ions, ou des structures en semiconducteur ou en niobate de lithium. L'invention permet La mesure des caractéristiques de gaz dont les indices de réfraction sont toujours voisins de 1 et donc inférieurs à l'indice de la silice et de liquides à condition que l'indice du liquide n L soit tel qu'il ne détruise pas le confinement de l'onde lumineuse donc: n L Pour les Liquides, la mesure ne consiste en général pas à mettre en évidence la présence du liquide dans l'environnement du capteur (des capteurs beaucoup plus simples sont alors réalisables) mais la modification de l'indice d'un liquide dans lequel le capteur est immergé, par exemple la modification d'-n- dice liée à la variation de pw (concentration en H+) o-u à toute autre r -entration de soluté en quantité très fabhi. Les figures 15 et 16 permettent de décrire des modes de réalisation possibles du passage 18 des figures 1 et 2 Dans ces figures 15 et 16, les passages décrits sont des franchissements supérieurs à la manière de ponts Mais il doit être bien entendu que ceci n'1 est pas limitatif et que des solutions qui consisteraient à utiliser des passages inférieurs seraient tout aussi bien performantes. Pour simplifier la description, un seul croisement est décrit ci-dessus, étant bien entendu que chaque guide de la spirale est associé à un croisement. Dans le cas de la figure 15, on superpose dans la zone de passage 18 deux structures guidantes identiques l'une au-dessus de l'autre pour réaliser le pont de franchissement souhaité La structure gui- dante utilisée dans cet exemple décrit est une structure du type Si/Si O 2/Si O 2 haut indice/Si O 2, mais pourrait tout aussi bien être une structure différente. Dans le cas de la figure 15, la structure de base comporte la couche de silicium 30 surmontée d'une couche de silice 32 et de différents plots 19 de guides en silice Si O 2 dopée Parmi ceux-ci on trouve les plots des guides 11 et 12 de la spirale 10 proprement dite et les deux pavés inférieurs 21 et 22 des coupleurs 29 et 31 de cette première structure avec la structure supérieure qui la surmonte Cette structure supérieure comporte une couche en silice 33, un coeur de guide d'ondes proprement dit en silice dopée 35; quant à la couche 37, commune aux deux structures, elle est réalisée en silice On voit sur cette fi-gure 15 le coupleur 29 constitué par le pavé 21 et la partie immédiatement au d e S sus 27du coeur du guide 35 et le coupleur 31 situé sur l'autre bord de la spirale et constitué du pavé 22 et de la partie surbaissée 23 d, 35 Les, èchs en traits continus symbolisent la façon dont la lumière passe dans le coupleur 31 du pavé 22 au coeur du guide et dans le coupleur 29 du coeur du guide 35 dans le pavé 21 Ce mode de mise en oeuvre permet ainsi le franchissement de la zone 18 sans qu'il en résulte aucune gêne pour la propagation de La lumière dans les guides de la spirale 10. Sur les figures 15 a à 16 g on a représenté à titre explicatif les principales étapes du procédé de préparation du pont de franchissement dela figure Sur un substrat de silicium revêtu de silice, on commence par déposer, comme représenté sur la figure , les pavés 21 et 22 des coupleurs futurs ainsi que les plots des guides en spirale 19 de la spirale Le système à ce stade a l'allure représentée vue de dessus sur la figure 15 b. L'étape suivante (figure 15 c) consiste à déposer par dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma, suivi d'une gravure chimique, la couche intermédiaire 37 de silice Cette couche comporte au- dessus des pavés 21 et 22 des échancrures dans lesque L Les vient se loger ultérieurement le conduit de lumière 35 lui-même La vue de dessus correspondant à l'état de cette figure 15 est représentée sur la figure 15 d. La phase suivante (figure 15 e) consiste à déposer sur la structure précédente le coeur de la structure guide 35 et à graver z oeur au travers d'un masque (pour assu er Le confinement latérale de la lumière) matière du coeur 35 est la silice dopée 1 v ue de dessus du même dispositif dans cet état est représentée par la figure 15 f. L'étape suivante consiste dans le dépôt de la couche finale ou superstrat 39 comme on le voit sur la figure 15 g Ce dépôt qui est fait en silice Si O 2 peut être également réalisé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma. Comme l'homme de métier le sait, les épais- seurs données aux différentes couches dépendent des indices effectifs désirés pour chacune de celles-ci et de la nécessité d'obtenir un passage correct de l'onde évanescente au niveau des coupleurs 29 et 31. En se référant maintenant à la figure 16, on va décrire un autre mode de réalisation de la zone de franchissement dans le cas o celle-ci est obtenue à l'aide de deux structures superposées non identiques Dans un cas de ce genre, le couplage entre la structure inférieure et la structure supé- rieure est en généra L très faible puisque les vitesses des ondes lumineuses guidées dans chaque structure sont différentes Pour que le passage de lumière ait néanmoins lieu entre ces deux structures, il faut constituer les coupleurs d'un réseau de pas p tel que: Pl + 2 7 rm/p = 32 avec p 1 = ( 2 rn 1)/ Ao et '2 = ( 2 7 rn 2)/ Ao Pl et /32 étant les constantes de propagation des modes des structures des deux guides supérieur et inférieur, p Le pas du réseau, m l'ordre de diffraction, et N 1 et N 2 Les indices effectifs des coeurs 19 et 41 des guides supérieur et inférieur Si l'on tient compte des conditions précédentes, le couplage entre les structures supérieure et inférieure est exc nt et permet La réalisation du franchisseme e la zone Dans l'exemple de la figure 1 -, ta structure infé- rieure est du type Si/Si O 2/'Si O 2 dopée/Si O 2 et celle du guide supérieur est du type Si/Si O 2/Si 3 N 4(ou Si Ox Ny)/Si O 2 C'est ce que L'on voit sur la figure 16 o le substrat inférieur 43 est en silicium et surmonté d'une première couche en silice 45 A le surface de cette couche 45 sont situés les plots 19 des guides -ae la spirale 10 en silice dopée ainsi que les plots 21 et 22, également en silice dopée, de support des réseaux 47 et 49. La couche de silice 51 qui surmonte les plots des guides 19 et les p Lots 21 et 22 des coupleurs 29 et 31 est commune à la structure inférieure et à la structure supérieure Cette dernière comprend le coeur du guide proprement dit 41 en nitrure de silicium Si 3 N 4 ou en un composé du type Si Ox Ny et est surmontée de La couche de si Lice 53 Les réseaux 47 et 49 assurent le couplage lumineux entre les deux structures précédentes La structure de la figure 16 est technologiquement viable si l'on respecte, pour les constantes /3 et P 2 les conditions précédemment énoncées, c'est-à-dire, en particulier, si les épaisseurs et les indices des différents guides sont convenables et cohérents avec le pas p des réseaux 47 et 49. Bien que l'homme de métier sache réaliser les structures guidantes de la figure 16, on a repré- senté schématiquement sur les figures 16 a à 16 f les principales étapes de réalisation de cette structure. Sur la figure 16 a, on a représenté le substrat 43 en silicium surmonté de la couche de silice 45 sur laquelle on vient graver les plots 19, 21, 22 de façon connue La structure parvenue à ce stade est représentée en vue de dessus sur La figure 16 b. L'étape suivante consiste en la réalisation des réseaux 47 et 49 par dépôt puis gravure à travers un masque d'une couche de diélectrique d'indice différent de celui de la couche 51 La figure 16 d représente L'état de cette même structure vue de dessus avec les réseaux 47, 49 situés de part et d'autre des conduits de la spirale 10. La figure 16 e montre le dépôt par voie chimique en phase vapeur de la couche intermédiaire de silice 51 commune aux deux structures L'état du dispositif est alors visible de dessus sur la figure 16 f; il suffit de le compléter par le dépôt du coeur 41 des guides suivi d'une gravure et d'un dépôt du superstrat de silice Si O 2 Comme dans l'exemple de la figure 15, les épaisseurs de chacun des dépôts sont choisies par l'homme de métier en fonction des indices effectifs désirés pour chaque couche. Le capteur selon l'invention tel que décrit ci-dessus trouve des applications pour les mesures chimiques en général: détection de gaz, mesure de concentration de liquide (p H, concentration de soluté), mesure de concentration d'antigènes après greffage d'anticorps par l'intermédiaire d'un diélectrique sensible: la seule différence est que dans ce cas l'épaisseur du diélectrique sensible est très faible (quelques dizaines de nm) Le principe du greffage est connu en particulier sur la silice. REVENDICATIONS 1 Capteur en optique intégrée, notamment pour substances chimiques, caractérisé en ce qu'il comprend une double spira Le ( 10) entre Lacée de guides d'ondes ( 11, 12) intégrée sur un substrat ( 13), recevant le signal d'une source de lumière ( 14) au travers d'un premier composant optique ( 15) permettant de séparer en deux parties l'intensité lumineuse émise par la source ( 14), et envoyant des signaux de sortie sur au moins un détecteur ( 17) au travers d'un second composant optique ( 16), et en ce que le premier des deux guides ( 11) est un guide de référence iso Lé de l'influence de la substance à mesurer, et le second ( 12) est un guide de mesure affecté par la substance à mesurer. 2 Capteur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que les entrées et les sorties de la spirale ( 10) sont situées sur le même côté du substrat. 3 Capteur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que le second guide ( 12) est affecté par la substance à mesurer soit directement, soit par l'intermédiaire d'un matériau relais. 4 Capteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est utilisé pour réaliser: soit une mesure directe d'intensité (mesure d'absorption sélective), soit une mesure interférométrique (mesure d'indice réel) avec ou non mesure simultanée d'absorption. 5 Capteur selon la revendication 4, carac- térisé en ce que le second composant optique ( 16) est un bicoupleur ou préférentiellement un tricoupleur permettant de faire interférer les signaux de sortie des guides ( 11, 12), de manière à mesurer les variations de phases induites entre le premier guide ( 11) de référence et Le second guide ( 12) de mesure. 6 Capteur selon la revendicati, térisé _ce que ce second comnb t optique ( 16), qui est un bic-oupleur upréférentie Llement un tricoupleur, comprend -un guide centra L ( 2) associé aux guides de mesure et de référence et disposé entre les guides ( 11, 12) - 7 Capteur sel-na-r-evedication 4, carac- _L iisé en ce que le second composant optique ( 16) permet-L d reliér Les deux guides ( 11, 12) et deux détecteurs ( 17) pour détecter les intensités lumineu es en sortie de ces guides ( 11, 12). 8 Capteur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que dans les parties d'entrée et de sortie de la spirale ( 10) les deux guides ( 11, 12) ont une structure identique à ce L Le du guide de référence ( 11) 9 Capteur selon La revendication 8, carac- térisé en ce qu'en dehors des parties d'entrée et de sortie de la spirale Le guide de mesure a une structure différente pour permettre la mesure; les liaisons entre les parties d'entrée et de sortie du guide et la partie centrale de mesure se faisant par une transition adiabatique. Capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le franchissement ( 18) des guides ( 11, 12) de la spirale ( 10) par l'une des deux extré- mités de ceux-ci est réalisé par croisement direct des guides dans le p Lan de la spirale ( 10) elle-même, les angles de croisement des différents guides étant, de préférence, supérieurs à 100. 11 Capteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le franchissement des spires de la boucle ( 10) par l'une des deux extrémités des guides de la spirale est réalisé sous forme d'un passage supérieur (ou inférieur) à la façon d'un pont, par superposition de deux structures guidantes croisées dont la structure inférieure, constituée par la spirale -5 elle-même, est coup Lée optiquement à a S sup ri eure de franchissement par J Lifrftermédi ai re de deux coupleurs situés sur etrémité d'entrée (ou de sortie) respectivem-t-rr revendications pré nt Les-> a-r-a c tri S é en ce que les guides d'ondes lumineuses sont réalisés dans l'une des structures Si/Si O 2/Si 3 N 4/Si O 2 (OI 51), et Si/Si O 2/ S-1-0 i 2 haut indice/Si O 2 (OI 52). 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