FR 2692913 A1 19931231 FR 9207895 A 19920626 La présente invention est relative à un pro- cédé de cuivrage chimique de substrats, notamment pour la microélectronique ainsi qu'aux circuits intégrés et aux réseaux d'interconnexions réalisés à l'aide dudit pro- cédé. Par dépôt chimique autocatalytique, en l'ab- sence d'électrode, également dénommé dépôt electroless, on peut déposer des métaux sur des substrats conducteurs et non conducteurs Dans le cas des isolants, la surface n'étant pas catalytique, il faut l'activer au préalable chimiquement, pour la rendre apte au dépôt Lorsque le dépôt est possible, la réaction se poursuit jusqu'à épui- sement des espèces contenues dans le bain chimique; des épaisseurs importantes peuvent ainsi être obtenues. Depuis 1970, de nombreuses demandes de brevet (références 1 à 11, mentionnées à la fin de la descrip- tion), décrivant les divers bains chimiques utilisés pour fabriquer des circuits imprimés, par dépôt electroless, ont été déposées. Pour cette application, les solutions le plus largement utilisées sont à base de cuivre et de type al- calin Elles sont constituées essentiellement de sulfates de cuivre comme source d'ions du métal à déposer, de for- maldéhyde comme agent réducteur, d'éthylènediaminetétra- cide (EDTA) ou de tartrates comme complexants des ions métalliques et d'un régulateur de p H. Ces milieux chimiques sont stables, mais pré- sentent toutefois l'inconvénient de cuivrer à des vi- tesses trop lentes Il est donc nécessaire, pour diminuer les coûts de production, de rajouter des additifs ne mo- difiant pas la stabilité du bain et les propriétés du mé- tal à déposer, mais augmentant par contre la vitesse de dépôt. Lorsqu'il est nécessaire d'activer le substrat ou la surface à métalliser, il faut prévoir des étapes de traitement chimique préalables, qui alourdissent la fi- lière de production et sont astreignantes, dans la mesure o il est nécessaire de sensibiliser d'abord la surface à l'aide d'une solution de chlorure d'étain, puis de l'ac- tiver à l'aide de chlorure de palladium. Pour les circuits imprimés, le cuivre est avantageux, car il possède une résistivité de 1,69 p Q cm, c'est-à-dire inférieure de 35 %, par rapport à celle de l'aluminium et pose donc moins de problèmes d'électro- migration et de passivation que l'aluminium; de plus, il est facile à souder. Dans le cas des circuits intégrés, les techno- logues ont jusqu'ici préféré éviter l'utilisation du cuivre En effet, lors des traitements en température prévus dans la fabrication des circuits intégrés, on ob- serve la diffusion rapide du cuivre dans le substrat de silicium et dans les couches environnantes D'autre part, la présence d'oxygène, même à l'état de traces, peut être à l'origine de formation d'oxyde de cuivre (Cu O), rendant lesdits circuits intégrés ou puces, inutilisables. Le problème peut être cependant résolu en ajoutant une barrière métallique de diffusion, qui permet alors les dépôts electroless de cuivre dans les circuits intégrés. Des publications parues à partir de 1978 dé- crivent les modifications apportées aux procédés de cui- vrage des circuits imprimés, pour les appliquer aux cir- cuits intégrés. Elles mettent, en particulier, en évidence les difficultés rencontrées, dans la mesure o les objectifs des circuits intégrés sont différents de ceux des cir- cuits imprimés Ainsi: les lignes de cuivre des circuits intégrés doivent être 10 à 100 fois moins épaisses (vitesses de dépôt moins élevées) et le grain de cuivre plus fin, puisque les dimensions des circuits intégrés sont nette- ment inférieures à celles des circuits imprimés; le substrat de départ étant différent, la préparation et l'activation de la surface doivent être modifiées; enfin, les conditions opératoires, comme la température, le p H, sont fixées en tenant compte des traitements et étapes ultérieures. Il ressort de ces Brevets et Demandes de Bre- vet, que les difficultés d'intégration des processus de cuivrage chimique de circuits intégrés dans une filière globale de production constituent un inconvénient majeur, qui n'a pas permis, à ce jour, d'envisager leur mise en oeuvre pour ces applications. Le cuivre obtenu par dépôt electroless suscite également un vif intérêt dans le domaine des réseaux d'interconnexions multiniveaux; en effet, depuis 1985, l'essor des réseaux multicouches d'interconnexions de circuits intégrés a étendu le champ d'application du dé- pôt elect roless Plus les dimensions des circuits sont réduites, plus l'influence des interconnexions sur le temps de propagation des signaux augmente et devient pré- pondérante En remplaçant les circuits imprimés par des réseaux multicouches, le routage des signaux peut être simplifié et la distance entre les circuits intégrés est diminuée. En général, les réseaux multicouches sont réa- lisés sur des substrats de silicium ou de céramique (Al N, A 1203 ou Si C), sur lesquels sont empilés plusieurs ni- veaux de diélectrique (polymère ou matériau inorganique tel que Si O 2) et de conducteur (Cu, Au, Al) Les lignes d'interconnexions sont isolées entre elles, grâce au di- électrique. Des contacts créés par gravure dans l'isolant permettent de relier les niveaux Les épaisseurs des dif- férentes couches varient entre 1 gm et quelques nm. Les méthodes de dépôt métallique employées ac- tuellement pour réaliser les réseaux multicouches d'in- terconnexions présentent toutefois des inconvénients: le dépôt n'est pas localisé et pour le mettre en forme, il est nécessaire de prévoir d'autres étapes qui sont longues, coûteuses et délicates, comme la gravure. Le dépôt electroless peut être considéré comme une alternative intéressante, notamment les bains de cuivre electroless, à base d'EDTA ou de tartrates. Le cuivre est un métal avantageux pour réali- ser les interconnexions, à condition toutefois de pré- voir, comme dans le cas des circuits intégrés, une bar- rière de diffusion métallique: qui soit déposable en fines épaisseurs, qui soit sans contraintes, qui adhère au substrat et permette l'accro- chage du Cu, qui puisse être mise en forme par plasma, afin de définir des motifs, qui soit stable thermiquement et chimique- ment, qui ne présente pas de problème d'électromi- gration, qui soit conductrice, et surtout, qui ne s'oxyde pas, de façon à garantir le dépôt electroless, c'est-à-dire qu'elle soit autocatalytique. Divers types de métaux et composés métalliques ont été testés, Ta, Ta 2 N, Si 3 N 4, Ni, Pt, Cr, Zr, V, Mo, W, Ti, Ti W, Ti N, Si ON, Si N, mais la plupart sont in- stables en température et impliquent la sensibilisation et l'activation de la surface, pour permettre effective- ment le dépôt electroless. En outre, lorsque le cuivrage est possible, ils conduisent à des dépôts peu adhérents, à grains épais, et qui sont non reproductibles, dès que l'état de surface n'est pas correct (contaminations, oxyde,). Ceci est confirmé par les publications de 1991 citées ci- après: R PALMANS et K MAEX, (IMEC, Applied Sur- face Science, 1991, 53, 345) ont étudié le cuivrage à partir de bains à base de tartrates sur l'Al Si, le Co Si 2, le Ti Si 2, le Si, le Co, le Ti et le Ti W(N) Il apparaît que de telles surfaces, notamment le Co Si 2, le Ti Si 2 et le Ti W(N) permettent d'obtenir un dépôt de cuivre adhé- rent, à grain fin, mais nécessitent des étapes de sensi- bilisation et d'activation Le seul substrat qui ne né- cessite pas d'activation est l'Al Si; toutefois, la taille des grains de cuivre obtenus est importante Pour éviter les problèmes de microaspérités en forme de cône tronqué à la surface du substrat, le cuivre doit être dé- posé selon ces Auteurs, sur du Ti W. S SIMON WONG, J S CHO, H K KANG, C H TING (Mat Res Soc Symp Proc, 1991, 203, 347-356) ont pré- féré des solutions chimiques à base d'EDTA et des sub- strats de Ti, Ti N (riche en Ti) ou Ti N (riche en N), W, Pd et Pd 2 Si; toutefois, lorsque le cuivrage est réalisé directement, le dépôt se fait par îlots (zones) et n'ad- hère pas; par contre de bons résultats ont été obtenus avec le Pd et le Pd 2 Si, mais le palladium présente l'in- convénient majeur d'être un métal onéreux; de plus, for- mer du siliciure de palladium est une étape supplémen- taire et délicate Par ailleurs, l'efficacité d'une bar- rière de palladium contre la diffusion du cuivre reste à démontrer (C Y MAK et al, Appl Phys Lett, 1991, 59 ( 26), 3449-3451). La présente invention a, en conséquence, pour but de pourvoir à une méthode simple, peu coûteuse et ra- pide (vitesse de dépôt de 1 à 2 pm/h) et surtout, sans sensibilisation et activation préalable du substrat, pour réaliser les lignes localisées de cuivre de réseaux d'in- terconnexions multicouches, la méthode proposée conformé- ment à l'invention éliminant les inconvénients des procé- dés de l'Art antérieur, exposés dans ce qui précède. La présente invention a pour objet un procédé de dépôt chimique autocatalytique de cuivre sur une sur- face ou substrat à métalliser, par réduction chimique d'un sel de cuivre en présence d'agent réducteur et de complexant, caractérisé en ce que ledit substrat à métalliser comprend une couche catalytique, conductrice et non oxydable d'un composé à base de chrome. Selon un mode de mise en oeuvre avantageux de l'invention, la couche catalytique, conductrice et non oxydable du composé à base de chrome, est constituée par du Cr N. Selon un autre mode de mise en oeuvre avanta- geux de l'invention, le processus de dépôt chimique auto- catalytique de cuivre sur ledit substrat, par réduction chimique d'un sulfate de cuivre, est réalisé en présence d'un agent réducteur constitué par du formaldéhyde, à p H très basique, de l'ordre de 12 à 14, et de préférence de l'ordre de 12,5, la proportion de formaldéhyde mise en oeuvre par rapport au sulfate de cuivre étant de l'ordre de 1:2. Selon un autre mode de mise en oeuvre avanta- geux de l'invention, le processus de dépôt chimique auto- catalytique de cuivre sur ledit substrat est réalisé en motifs, dans un polymère non catalytique, qui possède les qualités de diélectrique requises pour un réseau multi- couches. Conformément à l'invention, ledit polymère est choisi parmi les polymères qui présentent: d'excellentes propriétés diélectriques et une faible constante diélectrique (ú), pour limiter les effets de capacité parasite, un faible facteur de dissipation (tg a), pour pouvoir fonctionner à hautes fréquences sans risque d'échauffement local, une aptitude à la gravure plasma, une aptitude à servir de barrière à l'humi- dité (faible reprise d'eau), un bon coefficient d'expansion thermique (CTE), pour ne pas créer de déformation mécanique, des qualités d'aplanissement, une bonne adhérence avec le substrat et le conducteur, une grande stabilité thermique (température de transition vitreuse et de dégradation élevée, perte de poids faible, interfaces). De plus, ces polymères doivent être mis en oeuvre aisément (étalement à la tournette ou par pulvéri- sation) et présenter un coût raisonnable. Selon une modalité avantageuse de l'invention, le dépôt de cuivre sur le substrat à métalliser est réa- lisé à des températures de l'ordre de 55 C à 60 'C. La présente invention a également pour objet un procédé de préparation d'un substrat à métalliser, apte à être utilisé directement, c'est-à-dire sans acti- vation préalable, dans un procédé de dépôt chimique auto- catalytique de cuivre conforme à l'invention, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) pulvérisation cathodique d'une cible de chrome soumise à une polarisation continue, dans une chambre de réaction sous atmosphère contrôlée en azote et à une pression totale comprise entre 0,133 pascals et 0,399 pascals ( 1-3 mtorrs), avec un plasma constitué d'ions argon; (b) obtention de Cr N, et (c) dépôt dudit Cr N sur ledit substrat. En effet, la pulvérisation cathodique de la cible dans les conditions définies ci-dessus, permet l'obtention d'espèces (chrome, Cr N) animées d'une énergie cinétique suffisante pour que le dépôt de Cr N sur le sub- strat se fasse de façon homogène. Selon un mode de mise en oeuvre avantageux de ce procédé, l'atmosphère contrôlée en azote est consti- tuée d'argon et d'azote dans un rapport 1:1. Selon un autre mode de mise en oeuvre avanta- geux dudit procédé, le débit d'entrée de l'argon dans la chambre de réaction, est compris entre 2 et 6 cm 3/min. Selon encore un autre mode de mise en oeuvre avantageux dudit procédé, la polarisation est mise en oeuvre avec un courant continu ayant une puissance com- prise entre 90 et 150 Watts. Selon encore un autre mode de mise en oeuvre avantageux dudit procédé, le dérivé à base de chrome est déposé sur un substrat à base de semi-conducteur, de pré- férence à base de silicium. Ces conditions particulières de dépôt de chrome ont l'avantage d'éviter l'oxydation du chrome, qui enlèverait à ce dernier, ses propriétés autocatalytiques. Le choix du Cr N comme couche de croissance pour le cuivre constitue donc une caractéristique essen- tielle de l'invention. En effet, le chrome est un métal qui s'oxyde facilement et qui, une fois oxydé, n'est plus cataly- tique Grâce à l'adjonction d'azote lors de son dépôt par pulvérisation cathodique, ce risque est écarté par la formation de Cr N, matériau plus stable que le chrome pur et donc plus sûrement catalytique. Le substrat obtenu, conformément à l'inven- tion, ne requiert ni activation, ni nettoyage, contraire- ment aux matériaux utilisés dans l'Art antérieur (isolants et métaux), qui ont tendance à s'oxyder, ce qui impose diverses étapes de nettoyage et d'activation pour garantir l'uniformité du dépôt ultérieur de cuivre et sa reproductibilité. Enfin, le Cr N résiste aux bains fortement ba- siques et surtout ne risque pas d'être endommagé par des nettoyages ou traitements préalables, puisque l'étape de dépôt electroless peut avoir lieu directement. La présente invention a également pour objet des substrats aptes à être métallisés, caractérisés en ce qu'ils sont constitués d'une couche de semi-conducteur, de préférence du silicium, d'au moins une couche cataly- tique, conductrice et non oxydable d'un composé à base de chrome et d'un polymère non catalytique, qui possède les qualités de diélectrique requises pour un réseau multi- couches, de préférence du type polyphénylquinoxaline (PPQ). Parmi les polymères qui présentent les quali- tés de diélectrique requises, il s'est avéré avantageux d'utiliser un polymère thermostable de type polyphényl- quinoxaline (PPQ) déjà cyclisé, donc facile à stocker Le PPQ résiste bien chimiquement Il peut être employé dans une gamme de p H comprise entre 5 et 13. De manière plus précise, ses caractéristiques sont: sa constante diélectrique est:= 2,7, son pouvoir de planarisation est de 25 %, son coefficient d'expansion thermique est de 55 ppm/ sa reprise d'eau = 0,9 %. Un tel substrat permet un dépôt sélectif du cuivre, notamment en gravant le polymère pour l'obtention d'accès directs au composé à base de chrome (Cr N, notam- ment: une couche ou deux couches, lorsque les parois sont également tapissées en composé à base de chrome); les cavités ainsi obtenues sont ensuite remplies de cuivre. On obtient ainsi aisément et sans réactivation préalable du substrat, des lignes et des trous de contact. La présente invention a également pour objet des circuits intégrés et des réseaux d'interconnexions propres à relier plusieurs circuits intégrés entre eux, caractérisés en ce qu'ils comprennent un substrat à base de dérivé chromé conforme à l'invention, porteur de lignes de cuivre déposées en mettant en oeuvre le procédé défini plus haut. Des lignes conductrices d'épaisseur allant jusqu'à 5 pim, uniformes quelle que soit leur largeur (de 3 pm à 50 pm), avec un profil vertical, un grain de taille inférieure à 0,2 pi, adhérant bien sur le substrat et de résistivité comprise entre 2 à 4 p Q cm (comparable à celle relevée pour des couches de Cu obtenues par pul- vérisation cathodique) sont réalisées grâce à la présente invention Les qualités des couches de cuivre obtenues dépendent du p H, de la température et de la quantité de HCHO. Ces lignes de cuivre obtenues (cf figure 1) sont donc déposées de façon sélective ou localisées dans un polymère qui n'est pas catalytique et qui n'a pas à être éliminé par la suite, puisqu'il possède les qualités de diélectrique requises pour un réseau multicouches, au contraire de ce qui se passe dans de nombreuses filières de fabrication de réseaux connues; en effet, dans ces filières, le cuivre y est déposé localement, grâce à une résine qui est ôtée, par la suite, pour déposer et mettre en forme le diélectrique, qui isole les lignes conduc- trices entre elles La présente invention permet d'éviter toutes ces étapes. Un nombre important de polymères permettent de réaliser des réseaux Leurs propriétés ont été définies plus haut. L'invention sera à présent décrite de façon plus détaillée à l'aide d'un exemple de mise en oeuvre du procédé conforme à la présente invention ainsi qu'en ré- férence à la figure unique annexée qui représente une ligne d'un premier niveau d'un réseau, vu par la tranche. il L'on comprendra aisément que cet exemple et le dessin annexé sont donnés uniquement à titre d'illustra- tion de l'objet de l'invention et n'ont aucun caractère limitatif. EXEMPLE: PROCEDE DE CUIVRAGE CONFORME A L'INVENTION. 1 ') Préparation du substrat à métalliser. a préparation du substrat pour le dépôt de dérivé chromé: le polymère d'un substrat comprenant une couche de semi-conducteur, tel que du silicium et une couche de polymère tel que défini ci-dessus, est gravé en appliquant une méthode de lift-off telle que décrite dans l'article au nom de P SANSEAU et al (Improved lift-off pillar fabrication technique using a PPQ polymer; Proc. Sympos on polymeric materials for electronic packaging and high techn appl electrochem, Soc Proc, 1987, 88, 17), par application d'une résine et gravage du polymère à partir de SOG (verre déposé à la t Durnette et recuit). Selon cette technique, on obtient un substrat sur lequel deux couches de Cr N peuvent être déposées lfigure 1 (c) et (d)l Dans le cas o la technique du lift-off n'est pas mise en oeuvre, on ne peut déposer qu'une seule couche de Cr N lfigure 1 (a)l. b dépôt du Cr N (couche de croissance du cuivre): le substrat présentant une couche de Cr N est réalisé à partir d'un substrat obtenu en a, qui est introduit dans une chambre de réaction, dans laquelle se trouve une cible de chrome polarisée (courant continu W). Cette chambre de réaction, sous atmosphère contrôlée et à une pression totale- de l'ordre de 2 mtorrs ( 0,266 pascals), comprend en quantités égales de l'argon et de l'azote (rapport 1:1), l'argon étant introduit à un débit de 4 cm 3/min. La cible de chrome est bombardée par les ions argons, ce qui permet au chrome de se déposer sur le sub- strat de silicium sous forme de Cr N non oxydable; la durée de la réaction est comprise entre 0,5 min et 4 min pour une épaisseur de Cr N des complexants: l'EDTA en excès (sel disodique d'é- thylènediaminetétracide) et le quadrol (N, N, N', N'-té- trakis 2 hydroxypropyléthylènediamine ou THPED) Ils per- mettent d'éviter tout dépôt spontané en présence du ré- ducteur et la décomposition du bain; en effet, le cuivre étant un métal peu noble, et les ions Cu 2 + ayant tendance à précipiter en milieu très basique sous forme de Cu(OH)2, il est nécessaire de les complexer afin d'éviter tout dépôt spontané en présence du réducteur, une telle réaction conduisant à la destruction de la solution. des additifs, comme Na CN qui stabilise et améliore la qualité du dépôt. De manière plus précise, la solution pour le dépôt de cuivre comprend: 83,8 % d'eau désionisée % de complexants (EDTA notamment) 3 % d'additifs (quadrol par exemple) 1,5 % d'un mélange HCHO/Cu SO 4 ( 25 % de Cu/12 % de HCHO) 1,7 % d'un mélange Na OH-Na CN (moins de 1 % de Na CN). 3 ') L'opération de dépôt du cuivre par réduc- tion chimique, sur le substrat. Le dépôt proprement dit est réalisé à 56 C et permet l'obtention d'une couche de cuivre au niveau des parties de produit chromé accessible, à une vitesse de 2 pm/h. 4 ') Le produit obtenu est illustré aux figures 1 (b) (sans lift-off) et 1 (e) (avec lift-off). Les références suivantes à l'Art antérieur sont incluses dans la demande en instance: 1 Electroless copper deposition solution, A NAKASO, K. YAMANOI, T OKAMURA, Y TSURU (HITACHI CHEMICAL COMPANY), Brevet US 4548644; 2 Electroless copper deposition solutions with hypophos- phite reducing agent, D R FERRIER (Mc DERMID INCORPORA- TION), Brevet US 4325990; 3 Electroless copper baths for copper deposition uses ethylene di nitrilo tetra 2 propanol to improve deposit, M PAUNOVIC, F J NUZZI, Demande de Brevet GB 2135699; 4 Ductile electroless copper, O B DUKEWYCH (SHIPLEY COMPANY INCORPORATION), Brevet US 4695505; Electroless copper plating, O B DUKEWYCH (SHIPLEY), Brevet US 3475186; 6 Passivation of metallic equipment surfaces in electro- less copper deposition processes, R J ZEBLISKY, Brevet US 4391841; 7 Composition et procédé pour le dépôt non électroly- * tique de cuivre sur un substrat avec son procédé de re- garnissage et substrat ainsi obtenu, J DARKEN (OMI IN- TERNATIONAL CORPORATION US), Brevet FR 2575187; 8 Electroless copper plating solution and process for formation of copper film, K KONDO, S AMAKUSA, K MURA- KAWA, K KOJIMA, J ISHIDA, J ISHIKAWA, F ISHIKAWA, Brevet US 5039338; 9 Electroless copper plating solution and process for electrolessly plating copper, K KONDO, K MURAKAWA, K. NOMOTO, N ISHIDA, J ISHIKAWA, F ISHIKAWA, Brevet US 4834796; Electroless copper deposition, F W SCHNEBLE, J O. BAY, J F McCORMACK, R HEIGHTS, R J ZEBLISKY, J D. WILLIAMSON, M PLACE, Brevet US 3615737; 11 Lustreless Ni/Cu layer deposition on semi-bright me- tal by chemical plating from aq Ni sait solution addi- tionnaly containing chloride and copper ions, J. HACKEROTT, H FLESCH, Demande de Brevet DD 208994. Ainsi que cela ressort de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à ceux de ses modes de mise en oeuvre, de réalisation et d'application qui vien- nent d'être décrits de façon plus explicite; elle en em- brasse au contraire toutes les variantes qui peuvent ve- nir à l'esprit du technicien en la matière, sans s'écar- ter du cadre, ni de la portée de la présente invention. REVENDICATIONS 1) Procédé de dépôt chimique autocatalytique de cuivre sur une surface ou substrat à métalliser, par réduction chimique d'un sel de cuivre en présence d'agent réducteur et de complexant, caractérisé en ce que ledit substrat à métalliser comprend une couche catalytique, conductrice et non oxydable d'un composé à base de chrome. 2) Procédé selon la revendication 1, caracté- risé en ce que la couche catalytique, conductrice et non oxydable de composé à base de chrome, est constituée par du Cr N. 3 >) Procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le processus de dépôt chimique autocatalytique de cuivre sur ledit sub- strat, par réduction chimique d'un sulfate de cuivre, est réalisé en présence d'un agent réducteur constitué par du formaldéhyde, à p H très basique, de l'ordre de 12 à 14, et de préférence de l'ordre de 12,5, la proportion de formaldéhyde mise en oeuvre par rapport au sulfate de cuivre étant de l'ordre de 1:2. 4) Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 3, caractérisé en ce que le processus de dépôt chimique autocatalytique de cuivre sur ledit sub- strat est réalisé en motifs, dans un polymère non cataly- tique, qui possède les qualités de diélectrique requises pour un réseau multicouches. >) Procédé selon la revendication 4, caracté- risé en ce que ledit polymère est choisi parmi les po- lymères qui présentent: d'excellentes propriétés diélectriques et une faible constante diélectrique (e), pour limiter les effets de capacité parasite, un faible facteur de dissipation (tg 8), pour pouvoir fonctionner à hautes fréquences sans risque d'échauffement local, une aptitude à la gravure plasma, une aptitude à servir de barrière à l'humi- dité (faible reprise d'eau), un bon coefficient d'expansion thermique (CTE), pour ne pas créer de déformation mécanique, des qualités d'aplanissement, une bonne adhérence avec le substrat et le conducteur, une grande stabilité thermique (température de transition vitreuse et de dégradation élevée, perte de poids faibles, interfaces). 6) Procédé selon la revendication 5, caracté- risé en ce que ledit polymère est un polymère thermo- stable de type polyphénylquinoxaline (PPQ) 7) Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 6, caractérisé en ce que le dépôt de cuivre sur le substrat à métalliser est réalisé à des tempéra- tures de l'ordre de 55 C à 60 'C. 8) Procédé de préparation d'un substrat à métalliser, apte à être utilisé directement dans un pro- cédé de dépôt chimique autocatalytique de cuivre selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) pulvérisation cathodique d'une cible de chrome soumise à une polarisation continue, dans une chambre de réaction sous atmosphère contrôlée en azote et à une pression totale comprise entre 0,133 pascals et 0,399 pascals ( 1-3 mtorrs), avec un plasma constitué d'ions argon; (b) obtention de Cr N, et (c) dépôt dudit Cr N sur ledit substrat. 9) Procédé selon la revendication 8, caracté- risé en ce que la durée de la réaction est comprise entre 0,5 min et 4 min. 10 ') Procédé selon la revendication 8 ou la revendication 9, caractérisé en ce que l'atmosphère contrôlée en azote est constituée d'argon et d'azote dans un rapport 1:1. 11 V) Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 8 à 10, caractérisé en ce que le débit d'entrée de l'argon dans la chambre de réaction, est compris entre 2 et 6 cm 3/min. 12-) Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 8 à 11, caractérisé en ce que la polarisation est mise en oeuvre avec un courant continu ayant une puissance comprise entre 90 et 150 Watts. 13-) Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 8 à 11, caractérisé en ce que le dérivé à base de chrome est déposé sur un substrat à base de semi- conducteur, de préférence à base de silicium. 14-) Substrats à métalliser, caractérisés en ce qu'ils sont constitués d'une couche à base de semi- conducteur, de préférence à base de silicium, d'au moins une couche catalytique, conductrice et non oxydable d'un composé à base de chrome et d'un polymère non cataly- tique, qui possède les qualités de diélectrique requises pour un réseau multicouches. ) Substrats selon la revendication 14, caractérisés en ce qu'ils comprennent comme polymère non catalytique de la polyphénylquinoxaline (PPQ). 16-) Circuits intégrés et réseaux d'intercon- nexions propres à relier plusieurs circuits intégrés entre eux, caractérisés en ce qu'ils comprennent un sub- strat à base de dérivé chromé selon la revendication 14 ou la revendication 15, porteur de lignes de cuivre dépo- sées en mettant en oeuvre le procédé selon l'une quel- conque des revendications 1 à 7.