FR 2687008 A1 19930806 FR 9201293 A 19920205 i PROCEDE DE FABRICATION DE STRUCTURES ACTIVES ET DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS AINSI OBTENUS La présente invention concerne un procédé de fabrication de structures actives et les dispositifs semiconducteurs qui en sont obtenus Elle trouve application dans le domaine de la fabrication de composants semiconducteurs comme des diodes ou des transistors ou de la fabrication de circuits intégrés En particulier, elle concerne la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction. Selon l'invention, on s'est aperçu que la planéité et l'auto alignement de structures actives, notamment comme des structures bipolaires, à effet de champ, à hétérojonction et d'autres encore, n'étaient pas facilement assurées dans les technologies actuellement mises en oeuvre. En effet, jusqu'à présent les opérations qui consistent à aller chercher, à travers l'empilement vertical des couches actives, une couche pour y réaliser un contact, mettent en oeuvre des solutions technologiques telles que l'on a rarement le contrôle à la fois de l'alignement et de la planéité On obtient ainsi des structures non parfaitement planes ou dans lesquelles il faut rajouter une étape de photolithographie pour l'alignement des structures et de leurs contacts. L'invention permet de porter remède à cet inconvénient de l'art antérieur. En effet, l'invention concerne un procédé de fabrication de structures actives ou d'au moins une structure semiconductrice multicouches sur un substrat, caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser une succession de creusements et de remplissages des dits creusements ainsi réalisés à l'aide d'au moins un matériau correspondant à l'une des dites couches ou groupe de couches, de telle sorte que, à chaque étape de remplissage on réalise la remontée en surface de la structure finale d'une partie de contactage d'au moins une couche ou groupe de couches et/ou une isolation des dites parties de remontée de contactage et des dispositifs. Le procédé de l'invention n'est pas exclusif de l'exécution concurrente d'autres procédés de fabrication permettant notamment de creuser, de remplir ou de faire croître une couche ou un groupe de couches, ainsi que des procédés pour réaliser des dessins particuliers permettant de réaliser les structures les plus diverses. Dans un mode de réalisation, le remplissage d'un creusement est réalisé par reprise d'épitaxie depuis la couche la plus profonde dégagée dans le creusement jusqu'au niveau de surface. Dans un autre mode de réalisation, quand la structure active est réalisée sur un substrat semi- isolant, il est possible de réaliser directement l'isolation entre structures actives voisines d'un circuit intégré Selon une première façon de réaliser cette isolation, le substrat semi isolant est creusé de plusieurs creux, dont le remplissage ultérieur par les couches constituant les structures actives fait apparaître ultérieurement un réseau de structures actives qu'il est possible de relier électriquement, ou autrement, les unes aux autres pour réaliser des circuits intégrés complexes. Selon une seconde façon de réaliser cette isolation, les couches des structures actives sont réalisés sur au moins une partie correspondante du substrat Puis, on exécute un creusement dans des zones de séparation électrique entre structures actives Puis, pour réaliser l'isolation, on réalise une reprise sélective d'épitaxie du matériau du substrat de façon à remplir chacun des dits creux, par un matériau semi isolant. Dans une troisième façon de réaliser cette isolation, on dépose un matériau isolant su le substrat, au sein duquel on réalise des ouvertures localisées par gravure de l'isolant pour faire apparaître le matériau du substrat Puis, on réalise par une épitaxie non sélective la croissance des couches des structures actives On obtient ainsi un polycristal isolant sur le matériau isolant de départ et la structure cristalline des couches qui constituent les dispositifs sur le matériau du substrat prélablement dégagé. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, pour la réalisation directe de chaque structure active comme un transistor obtenue par empilement vertical des couches, le creusement est réalisé dans l'ensemble des couches que l'on veut traverser Puis, on réalise la reprise d'épitaxie notamment en disposant des espaceurs isolants sur les parois verticales du creusement pour réaliser une isolation locale de la remontée de connexion de contact. Dans un mode de réalisation, l'ensemble des couches est réalisé par remplissages et creusements successifs jusqu'à effleurement sur la surface du substrat semi- isolant, ce qui permet d'obtenir la remontée de N 1 couches enterrées sous la couche supérieure par une succession latérale de N zones d'implantation de contacts. Les couches actives, par exemple d'un transistor bipolaire à hétérojonction, sont réalisées successivement, de telle sorte que les couches de contact électrique apparaissent en surface, sans aucune opération technologique supplémentaire. Dans certaines structures actives, il est possible que certaines des couches de contact ne soient pas remontées de cette façon, mais seulement par creusement et remontée en surface par une reprise d'épitaxie d'une couche de contact située en profondeur. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, on exécute aussi la fabrication d'une structure bipolaire à hétérojonction qui permet d'obtenir un transistor bipolaire à hétérojonction ou un circuit intégré comportant une telle structure et qui permet de résoudre un certain nombre de problèmes particuliers rencontrés lors de la fabrication de ces dispositifs. Dans l'art antérieur, on a déjà proposé des structures actives consistant en transistors en matériaux composites des groupes ii I- V Ces dispositifs sont fabriqués par couches successives de matériaux composites en réalisant, lors de la fabrication, une insertion d'impuretés de dopage De tels matériaux composites sont par exemple réalisés à partir d'un ou plusieurs corps pris parmi le gallium Ga, l'arsenic As et l'aluminium Al On sait obtenir ainsi des jonctions semiconductrices successives qui permettent en particulier de réaliser des effets transistor de type bipolaire Pour permettre un contrôle de la conduction entre deux électrodes respectivement d'émetteur et de collecteur, contactées sur une zone d'un dopage d'un premier type de conductivité (par exemple un dopage N), par une électrode de base contactée sur une zone implémentée au milieu de la première zone et d'un dopage d'un second type de conductivité (par exemple, une zone de dopage P) Un tel transistor est dit transistor bipolaire à hétérojonction si au moins l'une des couches précitées présente une largeur de bande interdite plus grande que celle des autres couches. Pour tenir compte d'un certain nombre de phénomènes électroniques au niveau des porteurs de charge, il est connu d'utiliser par exemple des teneurs en composés qui varient en fonction de la position dans la jonction. Cependant, deux problèmes particuliers doivent être résolus pour obtenir une augmentation de la rapidité des circuits intégrés et de leur densité d'intégration Ce sont principalement la réalisation d'une structure plane d'une part, et d'autre part l'auto-alignement des contacts de base, d'émetteur et de collecteur. Cette dernière caractéristique, quand on cherche à minimiser les distances critiques, permet d'accroître la performance fréquentielle du dispositif. La structure et le fonctionnement d'un transistor bipolaire à hétérojonction, et ses applications, sont bien connus et sont décrits par exemple dans l'article de Herbert Kromer, "Heterostructure Bipolar Transistors and Integred Circuits", Proceeding of IEEE, volume 25, numéro 1, janvier 1982, et dans l'article de P M Asbeck et alter, "Ga Al As/Ga As Hétérojonction Bipolar Transistors: Issues and Prospects for Applications", IEEE Transactions on Electron Devices, volume 36, numéro 10, octobre 1989. D'une manière générale, la définition d'un dispositif à hétérostructure utilise le fait que le dispositif présente des zones séparées dont l'une est réalisée en un matériau semiconducteur qui présente une bande interdite plus grande que celle des matériaux des autres zones. En combinant de manière judicieuse les variations des bandes interdites et des champs électriques, il est donc possible, dans de larges limites, de contrôler les forces agissant sur les porteurs de charge, séparément et indépendamment pour les électrons ou les trous. Dans l'article de Yang et alter, intitulé "Planar Heterojunction Bipolar Transistor with an Inplanted Base", Electronic Letters, volume 25, numéro 4, 1989, il est décrit une structure d'un transistor bipolaire à hétérojonction Ga Al As/Ga As totalement plan, mais qui n'est pas autoaligné Dans une telle structure, on fait intervenir successivement: une épitaxie de la couche de contact du collecteur et de collecteur, suivie d'une implantation de type P pour réaliser la base dans le collecteur; une épitaxie sélective pour réaliser l'émetteur suivie d'une nouvelle implantation de type P pour réaliser un contact de base; une isolation par des tranchées et une implantation ionique; réalisation des contacts ohmiques avec des matériaux non réfractaires. Dans le document Mitani et alter, intitulé "Planarisation Technique for Al Ga As/Ga As Heterojunction Bipolar Transistors using Selective W-CVD", Conférence SOTAPOCS 1990, on a décrit la réalisation d'un contact ohmique de collecteur Selon ce procédé, on dépose sélectivement du tungstène pour remplir un trou Mais au préalable, il faut réaliser un dépôt d'un alliage Au-Ge/Pt dans ce trou pour préparer l'adhérence de surface du contact de tungstène dans le trou et réaliser le contact ohmique. Dans le brevet européen EP A O 184 016, on a proposé une structure plane réalisée par une succession d'implantations pour contacter la couche de base et la couche de collecteur et sur laquelle on réalisera ensuite des isolations Mais cette technique ne permet pas la réalisation des trois contacts ohmiques avec un même métal réfractaire en tungstène. Les contacts ohmiques sont en général réalisés avec de l'or, du nickel, du zinc ou encore du manganèse Les métallurgies de ces matériau présentent plusieurs inconvénients. Tout d'abord, les métallurgies sont différentes pour les contacts de type P et de type N, ce qui rend nécessaire la réalisation de deux étapes dans le procédé de fabrication de la structure à hétérojonction, puisqu'il faut des zones de conductivités différentes. D'autre part, les contacts ne sont pas stables dès que la température excède 5000 C. On ne peut pas utiliser non plus les techniques de gravure par plasma. Dans le procédé de fabrication d'un circuit intégré utilisant une structure à hétérojonction, il faut réaliser une isolation des différents dispositifs élémentaires du circuit intégré Trois techniques sont couramment utilisées pour cette isolation. Tout d'abord, on sait délimiter les transistors du circuit intégré par gravure Mais dans ce cas, la gravure du dispositif rend celui-ci non plan. Pour conserver la planéité tout en permettant une isolation, on réalise une implantation par des ions d'hydrogène et de bore Mais cette implantation ionique présente deux limitations essentielles D'une part, les doses et énergies d'implantation sont élevées, ce qui nécessite un masque épais qui est difficile à réaliser, notamment pour conserver les cotes D'autre part, dès que la température excède environ 5001 C, l'isolation n'est plus effective. Enfin, on sait réaliser une isolation des transistors en réalisant des tranchées autour du transistor Cette méthode permet de conserver la structure plane, mais la largeur de cette isolation est limitée à quelques microns Il est en effet difficile de remplir un trou profond de grande largeur par un diélectrique tout en conservant la planéité Cette technique ne permet donc pas de remplacer les couches sans utilité pour la réalisation des dispositifs par un isolant sur l'ensemble de la plaque. Or, ces couches sont conductrices De ce fait, il faudra par la suite réaliser une nouvelle isolation pour éviter les courts-circuits lors de la réalisation des interconnexions entre transistors. En fait, les transistors bipolaires à hétérojonction produits selon l'art antérieur n'étaient pas plans et s'ils l'étaient, ils utilisaient des contacts qui ne résistaient pas en haute température Les techniques utilisées consistent à réaliser le contactage d'une base implantée en profondeur Ceci est obtenu par l'implantation d'un dopant de type P, comme le magnésium, ou encore par une reprise d'épitaxie sur la couche qui constitue la base. Dans les deux cas, la couche de type N en profondeur est contactée par une gravure De ce fait, la planéité n'est donc pas totalement assurée. C'est un autre objet de l'invention de réaliser notamment un transistor bipolaire à hétérojonction, plan et autoaligné, ainsi qu'un circuit intégré qui peut être obtenu par connexion directe entre les différents transistors ou dispositifs constitués ainsi. C'est un autre objet de l'invention de permettre de définir dès le départ du procédé de fabrication, les zones actives des circuits qui sont exécutés en reliant, selon des topogrammes prédéterminés, les structures actives obtenues selon le procédé de l'invention De ce fait, on peut s'affranchir des contraintes ultérieures des procédés de fabrication de l'art antérieur, notamment au niveau des tolérances de définition des motifs On permet ainsi d'accroître la densité d'intégration En fait, on obtient aussi une isolation sur toute les surfaces non utilisées pour la réalisation des dispositifs, et on obtient aussi une surface plane. En particulier, la suite de la description insistera sur des transistors bipolaires à hétérojonction constitués avec des composés Ga, As, Al Mais l'invention concerne aussi des transistors bipolaires à plusieurs hétérojonctions, des transistors bipolaires à effet tunnel résonnant, à plan de dopage de base, à émetteur situé en dessus ou au dessous de la structure verticale du transistor, des transistors bipolaires réalisés avec d'autres méthodes, etc. C'est un autre objet de l'invention de permettre de réaliser un contact de la couche N en profondeur Cette couche N peut être allouée au collecteur ou à l'émetteur suivant la structure verticale adoptée Le contact est réalisé par un matériau qui permet l'utilisation d'un métal réfractaire pour réaliser le contact ohmique. C'est un autre objet de l'invention de permettre de réaliser tous les contacts ohmiques avec le même métal réfractaire Ces contacts seront donc stables à haute température. Il est ainsi possible dans un mode de réalisation de l'invention de réaliser en une seule étape les contacts ohmiques. Un autre objet de l'invention est aussi de permettre des températures élevées dans le cours du procédé de fabrication des circuits intégrés et d'augmenter la fiabilité des contact ohmiques. Dans un mode de réalisation de transistor Ga Al As/ Ga As, le contact ohmique de base est obtenu par diffusion de zinc ou sur une couche de base fortement dopée ou d'une couche de remontée de base fortement dopée et dépôt d'un alliage métallique à base de tungstène Ce mode de réalisation est applicable à la réalisation d'une couche de base avec une gradualité en aluminium, ce qui accroît la performance en fréquences des transistors. C'est un autre objet de l'invention d'utiliser l'aluminium Al comme niveau d'interconnexions entre structures actives Ces connexions électriques entre structures actives sont actuellement réalisées avec de l'or Mais, une telle couche de connexion en or ne peut être gravée autrement que par usinage ionique Or, l'usinage ionique est un procédé non sélectif vis à vis des autres matériaux qui sont utilisés pour réaliser les circuits intégrés De ce fait, l'aluminium utilisé dans l'invention peut être gravé par plasma réactif de façon sélective vis à vis de la couche d'isolant placée sous les interconnexions. Cette caractéristique avantageuse de l'invention est rendue possible puisque l'on réalise un contact entre l'aluminium et le tungstène Ceci n'est pas possible avec les contacts ohmiques classiques qui incorporent de l'or à cause de l'incompatibilité métallurgique entre l'aluminium et l'or. C'est un autre objet de l'invention de permettre, à la fin du procédé de fabrication, d'obtenir une structure plane permettant notamment un accroissement de la densité d'intégration. C'est un autre objet de l'invention de permettre la réalisation d'une partie des interconnexions entre dispositifs pour obtenir des cellules de circuits électroniques de base De ce fait, il est possible de réaliser facilement et d'implanter des bibliothèques de circuits de base qui permettent une réalisation plus facile des circuits intégrés à la demande. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention seront maintenant décrits à l'aide de la description annexée et des figures qui sont: Les figures 1 et 2: deux étapes de fabrication, représentant l'isolation initiale d'un transistor bipolaire à hétérojonction selon un premier mode de réalisation de l'invention; La figure 3 l'étape d'isolation initiale d'un transistor bipolaire à hétérojonction selon un second mode de réalisation de l'invention; La figure 4 l'étape d'isolation initiale d'un dispositif selon un troisième mode de réalisation de l'invention; Les figures 5 à 9: les étapes de réalisation d'un transistor autoaligné avec des contacts en tungstène selon un premier mode de réalisation du procédé de l'invention; Les figures 10 et 11: une variante de ce procédé dans laquelle on réalise une implantation ionique pour réaliser une partie au moins de l'isolation; Les figures 12 à 16: la description d'un procédé de réalisation selon un second mode de réalisation de l'invention qui permet d'obtenir une structure totalement plane sans passer par une reprise d'épitaxie de la base; Les figures 17 à 21: un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire à hétérojonction autoalignée selon un troisième mode de réalisation de l'invention; La figure 22: des modes de réalisation de dispositifs illustrant la généralité de l'invention. Dans la suite de la description, on va décrire un mode de réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction Ga Al As/ Ga As, autoaligné et de structure mesa. Selon l'invention, le procédé de fabrication d'un transistor utilise en plus des étapes habituelles de constitution des couches épitaxiées de départ, trois étapes principales respectivement d'isolation initiale, d'épitaxie pour contacter la couche de type N et d'épitaxie pour contacter la couche de base de type P En particulier, dans il cette dernière étape, il est possible de réaliser un dopage important pour obtenir une base Ga As de type P fortement dopée. Pour réaliser l'isolation initiale, la présente invention propose trois modes de réalisation principaux possibles. Selon un premier mode de réalisation, on utilise un substrat semi-isolant sur lequel l'épitaxie de l'ensemble des couches du transistor est réalisée On définit ensuite un masque de protection des zones actives du transistor et on grave les couches pour atteindre le substrat Ensuite, on réalise une épitaxie sélective vis à vis du masque d'un isolant ou semi-isolant Cette épitaxie sélective est réalisée avec tous matériaux compatibles avec le fonctionnement du transistor. Dans un second mode de réalisation, on utilise un substrat semi-isolant dans lequel on réalise des trous grâce à un masque convenable, puis on effectue une épitaxie sélective vis à vis du masque, de l'ensemble des couches du transistor. En fait, ce second mode de réalisation est constitué par l'inversion de l'ordre des étapes de la méthode précédente. Selon un troisième mode de réalisation de l'étape d'isolation initiale, on délimite par un masque, d'épaisseur fine, les zones o l'on veut réaliser les transistors sur le circuit intégré Puis, on effectue une épitaxie non sélective de telle sorte que le film qui croit sur le masque, soit un polycristal semi-isolant Le film qui croit sur les parties non masquées est cristallin, et permet la réalisation de la structure du transistor. Pour la seconde étape principale du procédé de l'invention, on définit par un masque, un trou qui permet d'atteindre la couche de contact de type N Pour isoler les flancs de ces trous, on réalise des espaceurs par gravure plasma d'un matériau isolant préalablement déposé Selon un autre mode de réalisation, on effectue l'isolation par une implantation après l'épitaxie On effectue dans ce trou une épitaxie sélective d'une couche conductrice qui se termine par une couche de Ga In As pour réaliser un contact ohmique en tungstène Selon un autre mode de réalisation, il est possible d'effectuer une épitaxie sélective d'un métal sur la couche Ga As D'autres formes de dépôts métalliques sont envisageables. Dans la troisième étape principale du procédé de fabrication de l'invention, on réalise une épitaxie pour contacter ou réaliser le contact avec la base de type P. Cette épitaxie est réalisée après la gravure du mésa d'émetteur Elle est constituée par un composé Ga As de type P fortement dopé. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'un circuit intégré constitué par un pluralité de zones constituées par exemple par des structures actives à base de transistors et de structures passives à base de résistances pour réaliser des cellules de circuit intégré. Pour réaliser des éléments de connexion entre structures, on réalise ou bien une étape de diffusion de zinc pour contacter la base, ou bien une étape de reprise drépitaxie de type P pour remonter la base On réalise d'autre part, une étape de reprise d'épitaxie pour contacter la couche de type N. L'épitaxie destinée à réaliser l'isolation initiale permet d'exécuter, par une conception appropriée des masques liés à cette étape, des blocs de dispositifs actifs à base de transistors à hétérojonction selon l'invention et d'autres encore, et des blocs de dispositifs passifs comme des résistances, pour réaliser des cellules de circuit. On va maintenant décrire le produit obtenu à l'aide du procédé de fabrication de l'invention pour un transistor bipolaire NPN sur un substrat semi-isolant Ga As selon un mode de réalisation de l'invention. A la figure 1, on réalise des épitaxies successives sur le substrat semiisolant pour obtenir la structure du transistor comme indiqué ci-dessous Les dopages et épaisseurs sont indicatifs et peuvent être changés pour adapter les performances du dispositif. Sur le substrat 1 en Ga As, on réalise une épitaxie en Ga As fortement dopée de type N à une concentration de l'ordre de 4 1018 atomes cm- 3 La couche 2 constitue la couche de contact de collecteur Son épaisseur est de l'ordre de 50 1 O-6 cm. On réalise ensuite une couche 3 en Ga As, faiblement dopée et de type N avec une concentration de l'ordre de 1016 atomes cm-3 Cette couche constitue le collecteur proprement dit Son épaisseur est de l'ordre de 45 10-6 cm. On réalise ensuite par épitaxie une couche 4 en Ga As Dans un mode de réalisation, on exécute aussi une gradualité d'aluminium, la couche 4 devenant une couche en Ga 1 x Alx As, avec x variant par exemple de O à 0,15 quand on part de la couche inférieure 3 La gradualité d'aluminium d'une valeur a à une valeur b permet d'améliorer les performances fréquentielles du circuit intégré Dans un autre mode, la couche 4 est sans gradualité d'aluminium Al. Dans les deux modes de réalisation précités, le dopage est de type P le plus élevé possible, par exemple de l'ordre de 1020 atomes/ cm 3 pour diminuer la résistance de cette couche La couche 4 constitue la base proprement dite du transistor bipolaire. L'épaisseur de la couche 4 résulte d'un compromis entre la nécessité de la diminuer pour faire décroître le temps de transit des électrons au travers de cette couche, et la nécessité d'augmenter cette épaisseur pour diminuer la résistance de la couche. La couche 5 suivante est réalisée par épitaxie en Gaî_x A x As Elle constitue la couche d'émetteur Dans un mode de réalisation, x est égal à 30 % d'aluminium La couche est faiblement dopée par des impuretés de type N à une concentration de 1017 atomes cm-3 et 15 1 O 6 cm d'épaisseur Cette couche 5 comporte des gradualités en aluminium à ses deux extrémités vers les couches 4 et 6, respectivement. La succession des couches 6, 7 et 8 suivantes constitue la prise de contact de l'émetteur. La couche 6 est réalisée par épitaxie en Ga As, dopée par des impuretés de type N sur une concentration de l'ordre de 2 x 1018 atomes cm-3 et 50 nanomètres d'épaisseur On réalise ensuite l'épitaxie de la couche 7 en Ga In As avec gradualité d'indium de O % à 65 % et dopage par des impuretés de type N de l'ordre de 2 à 5 x l O 19 atomes cm-3 et sur 50 nanomêtres d'épaisseur Enfin, on réalise une épitaxie de la couche 8 en Ga In As à 65 % d'indium et 35 % de gallium, avec un dopage de type N de l'ordre de 2 à 5 1 009 atomes cm-3 et 50 nanometres d'épaisseur Cette étape voit la fin de la réalisation des couches épitaxiées de départ. Dans la suite de la réalisation du procédé de l'invention, telle qu'elle est représentée à la figure 2, on réalise un dépôt d'un matériau isolant 9 réparti sur toute la surface de la couche 8 supérieure du transistor. En particulier, la couche de matériau isolant 9 est répartie sur toute la surface supérieure du circuit intégré quand l'invention est appliquée à un tel dispositif Si le circuit intégré est destiné à recevoir des implantations d'autres produits que des transistors bipolaires, le dépôt du matériau isolant peut être localisé aux zones du circuit intégré qui sont destinées à produire un ou plusieurs transistors bipolaires à hétérojonction selon l'invention. Ensuite, on réalise un masquage, par exemple avec un film photoresist, et on effectue une gravure de cet isolant et des couches du transistor pour atteindre le substrat semi-isolant 1 de façon à circonscrire des zones actives destinées à recevoir chacune au moins un transistor selon l'invention. Ensuite, on réalise une épitaxie sélective vis à vis de l'isolant avec un matériau semi-isolant ou isolant 10 De ce fait, le transistor est constitué par le substrat semi-isolant 1 et l'empilement des couches 2 à 8, et il est isolé par des caissons b OA et 1 OB à la figure 2 De ce fait, la zone active du transistor T est bien protégée du reste du dispositif, représenté après épitaxie sélective. A la figure 3, on a représenté un second mode de réalisation d'un transistor selon l'invention On commence par définir la zone active du transistor par gravure d'un isolant l A et 11 B, initialement déposé sur le substrat semi-isolant 1 Une épitaxie non sélective des couches du transistor, analogue à celle réalisée à la figure 1 est alors exécutée On obtient ainsi, sur l'isolant li A et 1 l B, la croissance d'un polycristalisolant selon deux caissons isolants 12 A, 12 B et la croissance d'un cristal dans la zone sans isolant qui constitue la zone active du transistor. A la figure 4, on a représenté un troisième mode de réalisation selon un procédé de l'invention. Selon ce procédé de fabrication, on réalise un trou dans le semi- isolant 1 Pour cela, on dépose sur le semi-isolant 1 une couche isolante 13 Puis par masquage, on réalise une gravure de l'isolant 13, puis du substrat semi-isolant 1. On effectue ensuite une épitaxie sélective dans le trou 140 des différentes couches du transistor analogues à celles représentées à la figure 1 De ce fait, après l'exécution, la zone active qui matérialise le transistor est contenue dans un puits 140 creusé dans l'épaisseur du substrat semi isolant 1. Aux figures 5 à 9, on a représenté un premier mode de réalisation de la seconde étape principale du procédé de fabrication selon l'invention Les différentes étapes constitutives de la seconde étape principale sont décrites quand on utilise, la structure obtenue suite à l'exécution de la première étape principale du procédé de fabrication, et représentée à la figure 2 Chacune des étapes constitutives de la seconde étape principale peut être adaptée aux deux autres modes de réalisation de la première étape principale, aux structures représentées respectivement aux figures 3 et 4. A la figure 5, on réalise d'abord l'élimination de 1 isolant 9 (quand on part du procédé de la figure 3) ou des caissons 13 A et 13 B (quand on part du procédé de la figure 4). On dépose ensuite une couche de tungstène 14, ou de tout autre matériau réfractaire conducteur susceptible de réaliser un contact ohmique sur du Ga In As Cette couche est représentée partiellement à la fin de l'étape représentée à la figure 5. Puis, on ajoute une couche d'un matériau isolant 15 et une couche de résine 16 photosensible. Enfin, on réalise par gravure anisotrope un Mésa d'émetteur Cette gravure est arrêtée avant d'atteindre la couche de base 4, à 1000 Angstrbms de celle-ci pour la protéger Al'aide d'un masque, on définit par gravure les espaceurs 15 c et 15 e sur le mésa M d'émetteur A la figure , la couche de résine photosensible 16 subsiste de part et d'autre du trou de masquage en parties 16 a et 16 b Les parties 15 g, 15 d et 15 f de la couche 15, qui a servi à réaliser les espaceurs 15 c et 15 e du mésa M sont éliminées par la gravure. Sur la figure 5, la couche fine d'émetteur de 1000 Angstrdms n'est pas représentée. A la figure 6, la dernière gravure de la figure 5 permet également de délimiter à la fois la zone o est effectuée unediffusion de zinc pour faire le contact avec la couche de base, et de délimiter la zone o est effectué l'implantation des protons pour diminuer la capacité base- collecteur, c'est à dire plus généralement la capacité entre la couche du premier type de conductivité et la couche du second type de conductivité. La structure après diffusion de zinc et implantation des protons est représentée à la figure 6 A la figure 6, l'ilôt ou mésa d'émetteur M, au-dessus de la structure plane, est constitué principalement par l'isolant , les deux espaceurs latéraux 15 c et 15 e isolants et les couches actives 6, 7 et 8, ainsi que la couche 14 de contact en Tungstène. De part et d'autre du mésa M, on effectue successivement une diffusion de zinc et une implantation de protons Deux zones 17 a et 17 b sont réalisées de chaque coté de la couche 3 de collecteur (ou du premier type de conductivité) à proximité des caissons d'isolation l Oa et l Ob Deux zones 18 a et 18 b dans la couche 4 de chaque coté du mésa sont réalisées par la diffusion de zinc et partiellement dans la couche 3 de collecteur (ou de second type de conductivité). La couche 3 présente ainsi une première partie active 3 a sous le mésa d'émetteur, et deux parties adjacentes 17 a et 17 b d'implantation de protons dans le collecteur qui servent à réduire la capacité base- collecteur du transistor. La couche 4 présente au dessus des trois parties actives précitées 3 a et 17 a, 17 b, trois parties réciproques 4 a et 18 a, 18 b Les parties réciproques 18 a, 18 b servent d'accès à la base 4 a et permettent ainsi de réaliser un contact ohmique de base 4. On remarque ainsi que les remontées en surface des parties de contactage selon l'invention peuvent recevoir des traitements pour améliorer leurs performances selon tout prodcédé connu de l'homme de métier. A la figure 7, on a représenté l'état de la structure après élimination des zones isolantes 15 a et 15 b par gravure anisotrope Ce procédé de gravure anisotrope n'élimine pas les espaceurs sur l'émetteur parce que la vitesse de gravure dans le sens vertical est beaucoup plus important que dans le sens horizontal Ensuite, on dépose de nouveau une couche d'isolant 23. Ensuite, à l'aide d'un masque, on effectue une gravure anisotrope pour constituer un trou 24 pour atteindre la couche de contact du collecteur On réalise ensuite des espaceurs 25 a et 25 b sur les parois latérales du trou 24 Le trou reçoit une reprise drépitaxie sélective d'une couche de contact 26 peu résistive pour faire remonter le contactage du collecteur en surface Cette nouvelle épitaxie est constituée successivement de Ga As dopée par une impureté de type N en concentration de 4 1018 atomes, puis de Ga In As, à fort dopage d'impuretés et avec gradualité d'indium de O à 65 %, et enfin de Ga In As, fortement dopé par des impuretés de type N, avec 65 % d'indium et 35 % de gallium. Cette dernière couche en surface permet de réaliser un contact en tungstène pour le collecteur. A la figure 8, on a réalisé un dépôt de tungstène. La couche de tungstène est repartie 28, de façon quasi uniforme sur la surface du dispositif En particulier, la couche de tungstène recouvre les cloisons d'isolation l Oa et l Ob ainsi que les parties actives du transistor. On dépose sur la surface de la structure en cours de fabrication, une couche d'une résine photo-sensible 29 présentant au moins un plot 29 a au-dessus de la protubérance, au-dessus de la partie active du transistor et une protubérance 29 b au-dessus partiellement du contact de collecteur dans le puits 24 L'espace 30 entre les deux plots 29 a et 29 b permet de découper par gravure sélective une découpe assurant la séparation des contacts de collecteur et de base. On grave avec un agent de gravure commun à la fois les épaisseurs de résine et de tungstène On élimine ainsi le tungstène sur le mésa d'émetteur et au niveau de l'ouverture 30, ce qui réalise la séparation des contacts de base et de collecteur. Dans une seconde variante, on peut effectuer deux étapes technologiques distinctes pour éliminer le tungstène au dessus du mésa d'émetteur d'une part, et séparer les contacts de base et de collecteur par gravure du tungstène d'autre part On obtient ainsi le même résultat final. D'une manière générale, on dispose de deux procédures possibles pour réaliser cette opération Selon un premier mode de réalisation, on effectue une planarisation du tungstène par gravure d'une couche de résine sacrificielle Dans une seconde étape, à l'aide d'une photolithographie, on définit les contacts de base et de collecteur Ce mode de réalisation sera représenté plus loin dans un autre mode de réalisation de l'invention. Selon une seconde procédure, on effectue simultanément la planarisation et la définition des contacts de base et des collecteurs, ce qui a été représenté à la figure 8. A la figure 9, on a représenté la structure définitive La structure définitive comporte une partie active de transistor entre deux caissons d'isolation 10 a et l Ob La partie active de transistor comporte sur la surface de dessus les contacts 14, 32, 33 et 34 respectivement d'émetteur, de collecteur et de base, avec le mésa d'émetteur. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, on évite d'utiliser au préalable les espaceurs comme dans le cas de la figure 7 A la figure 10, on a déposé une résine photosensible 38 sur la couche 23 d'isolation sur laquelle a été révélé un puits 39 Le puits 39 est disposé à la limite entre l'espaceur 25 a et le puits 24 de la figure 7 Puis, on a réalisé une isolation par implantation d'ions de bore ou de protons. Dans ce procédé, en répétant les étapes de la figure 8, on obtient une structure finale 11 dans laquelle le contact de collecteur est remonté par une épitaxie sélective 26. Aux figures 12 à 16, on a représenté une variante de la procédure représentée aux figures 5 à 9 ou 10 et 11, et qui permet d'obtenir une structure totalement plane sans passer par une reprise d'épitaxie de la base A la figure 12, on répète le procédé de fabrication décrit à la figure Cependant, la couche de tungstène initiale est plus épaisse et l'on n'utilise pas d'isolant 15 sur le dessus du mésa d'émetteur L'épaisseur de la couche de tungstène 14 est telle que sa surface de dessus atteint au moins la pleine hauteur du dispositif final. A la figure 13, on répète les opérations décrites lors du mode de réalisation du procédé de fabrication représenté et commenté à la figure 6. A la figure 14, on répète les opérations décrites lors du mode de réalisation du procédé de fabrication représenté et commenté à la figure 7. A la figure 15, on dépose une seconde couche de tungstène épaisse qui, après planarisation, comporte une première partie 30 a à gauche du mésa M et une seconde partie 30 b à droite du mésa M La hauteur de la seconde couche de tungstène 30 a, 30 b est telle qu'à la fin du procédé de fabrication, les surfaces de dessus des couches de tungstène 30 a, 30 b et 14 soient au même niveau A cette fin, dans une étape antérieure, on a réalisé une planarisation par gravure simultanée d'une résine préalablement déposée et du tungstène, selon l'un des modes opératoires décrit à la figure 8 Les espaceurs 15 c et 15 e réalisent l'isolation entre les couches 30 a, 30 b et 14. A la figure 16, on a réalisé à l'aide d'un masque la séparation par gravure des contacts de base 30 c et de collecteur et 30 d réalisés dans la partie 30 b de la couche de tungstène 30 a, 30 b. Aux figures 17 à 22, on a représenté un autre mode de réalisation du procédé de réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction autoaligné A la figure 17, on a repris le procédé de fabrication décrit précédemment à la figure 5 La différence est que la gravure chimique a été utilisée après la réalisation des espaceurs pour graver la fine couche d'émetteur qui subsiste après gravure du mesa d'émetteur, pour effectuer une reprise drépitaxie sélective de la couche de base. A la figure 18, on a représenté la reprise d'épitaxie sélective de la couche de base 4 pour ramener la base en surface par une couche épitaxiée 37 a et 37 b de part et d'autre du mésa d'émetteur M Cette couche est, dans un exemple préféré de réalisation, réalisée en Ga As dopée sous une concentration de 102 atomes par cm 3. A l'étape représentée à la figure 19, on a réalisé une diffusion de zinc si nécessaire, pour faciliter par des couches 40 a et 40 b le contact ohmique en tungstène ultérieur Puis, on effectue une implantation de protons H+ pour diminuer la capacité base collecteur dans les zones 38 et 39 de façon à constituer une zone centrale de collecteur 3 a. A l'étape représentée à la figure 20, on dépose un isolant 41 à la surface supérieure du dispositif Puis, on définit une ouverture 26, ouverture pratiquée par photolithographie On effectue une gravure pour réaliser le contact de la couche de contact de collecteur. Après formation des espaceurs 43 a et 43 b dans le trou 26, on effectue une reprise d'épitaxie sélective analogue à celle décrite dans la procédure N O l à la figure 7. A la figure 21, on a repris la technique représentée à la figure 8 Selon cette technique, on réalise la planarisation du tungstène et la séparation des contacts de base et de collecteur en deux étapes La réalisation de ces deux étapes en seule opération est également possible. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, on dépose sur le substrat une couche d'un matériau déterminé Puis, on réalise des trous pour atteindre le substrat au travers de cette couche Puis, on effectue une épitaxie non sélective des couches de l'ensemble des structures actives que l'on souhaite former sur le substrat En fait, on peut ne former qu'une seule structure active comme un transistor de puissance par exemple. L'épitaxie non sélective permet de réaliser ainsi directement l'isolation entre les dites structures actives par la formation d'un polycristal isolant sur les parties isolantes initialement non gravées. D'une manière générale, l'invention permet de réaliser une structure active plane et auto-alignée, dans laquelle on peut réaliser des contacts ohmiques en un seul métal réfractaire A la figure 22, on a représenté six étapes de réalisation d'un procédé de fabrication selon l'invention Dans le mode de réalisation de la figure 22, on a représenté exclusivement la succession des étapes de creusement et de remplissage qui caractérisent l'invention. En particulier, ainsi qu'on l'a vu plus haut, le procédé de l'invention peut se combiner avantageusement avec d'autres procédés de fabrication connus de l'homme de métier En particulier, les moyens de creusement et de remplissage peuvent être changés par l'homme de métier sans sortir de la portée de l'invention revendiquée. A l'étape (a) on dispose d'un substrat semi- isolant 60 Ce substrat présente une face supérieure en haut du dessin et accessible pour des moyens de creusement non représentés En particulier, ces moyens peuvent comporter, le dépôt d'un résine photosensible qui permettra de réaliser un creusement par gravure. A l'étape (b), on a réalisé par ces moyens connus un creusement 61 La forme de ce creusement dépend du procédé de creusement utilisé En particulier, il peut prendre toute forme de géométries comme une forme en "V' ou une forme parallélépipédique. A l'étape (c), on remplit le creusement 61 par un procédé connu avec au moins une couche ou groupe de couches 62 De façon préférée, mais non nécessaire, les creusements 61 sont remplis jusqu'à effleurement Les couches 62 sont arasées par tout procédé convenable de façon à produire un produit final plan et auto-aligné. A l'étape (d), on réalise un creusement 63 depuis la surface supérieure dans le remplissage 62 Ce creusement 63 permet de constituer en particulier une remontée 65 de la couche ou de la couche supérieure d'un groupe de couches 64 à partir du remplissage 62 de l'étape (c) On remarque aussi que la structure active constituée dans le creusement 61 initial sera isolée du reste des structures actives déposées dans le substrat 60 par des parties isolantes 66 et 67 qui sont constituées par le substrat semi isolant de départ et constituent les parois du creusement 61 initial. Par des moyens connus, lors de l'étape (e), on dispose sur au moins une paroi verticale du creusement 63, un espaceur isolant 68 Puis, on réalise un second remplissage par une couche ou groupe de couches 69. A l'étape (f), on exécute un creusement non représenté, sur au moins une paroi verticale duquel on dépose un espaceur isolant vertical 72 On exécute ensuite par les mêmes moyens connus, un remplissage par une couche ou groupe de couches 73. On dispose ainsi à la surface de la structure active finale des sections de surface isolées 66 et 67, ainsi que des surfaces de contactage 65, 73 et 71 qui permettent de contacter depuis la surface supérieure l'ensemble des couches actives de la structure active. Ainsi, selon l'invention, on sait fabriquer un transistor bipolaire à hétérojonction, comportant au moins une hétérojonction Un tel transistor comporte une couche d'émetteur ( 5), une couche de base ( 4) et une couche de collecteur ( 3) La couche de collecteur est en contact électrique avec des moyens de contactage de collecteur ( 2, 26) La couche de base ( 4 > est en contact électrique avec des moyens de contactage de base ( 17 a, 17 b, 18 a, 18 b) Les moyens de contactage présentent une couche finale ( 30) réalisée en matériau réfractaire comme du tungstène Toute la surface supérieure de cette couche finale est a un même niveau, ce qui assure sa planèité On remarque que cette structure s'adapte à d'autres structures actives que le transistor ou que le transistor bipolaire à hétérojonction. Dans le but d'intégration, le procédé de l'invention permet de produire un dispositif semiconducteur qui intègre au moins une structure active comme un transistor bipolaire à hétérojonction ainsi obtenu Ce circuit intégré peut donc en particulier être hybride ou mixte et composer plusieurs technologies sur un même substrat. Dans un tel circuit intégré, un dispositif selon l'invention est réalisé par interconnexion équisurface entre plusieurs structures actives comme des structures bipolaires à hétérojonction planes et autoalignées. REVENDICATIONS 1 Procédé de fabrication de structures actives ou d'au moins une structure semiconductrice multicouches sur un substrat ( 60), caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser une succession de creusements ( 61, 63) et de remplissages ( 62, 69, 73) des dits creusements ( 61, 63) ainsi réalisés à l'aide d'au moins un matériau correspondant à l'une des dites couches ou groupe de couches, de telle sorte que, à chaque étape de remplissage, on réalise la remontée en surface de la structure finale d'une partie de contactage ( 65, 71; 66, 67) d'au moins une couche ( 64, 70) ou groupe de couches et/ ou une isolation des dites structures actives. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le remplissage d'un creusement est réalisé par reprise d'épitaxie ( 10 a, 10 b) depuis la couche la plus profonde dégagée dans le creusement jusqu'au niveau de surface. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, quand la structure active est réalisée sur un substrat semi isolant, on réalise directement l'isolation entre structures actives voisines d'un circuit intégré par creusements du substrat semi isolant selon plusieurs creux de façon à faire apparaître à sa surface l'ensemble des structures actives dont le remplissage ultérieur réalise un réseau de structures actives, puis que l'on réalise une étape pour les relier électriquement, ou autrement les unes aux autres les dites structures actives, pour réaliser des circuits intégrés complexes. 4 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, quand la structure active est réalisée sur un substrat semi isolant, pour réaliser directement l'isolation entre structures actives voisines d'un circuit intégré, on réalise dans une première étape une pluralité de structures actives au dessus d'au moins une partie correspondante du substrat, puis dans une seconde étape, on exécute un creusement dans des zones de séparation électrique entre deux structures actives, puis dans une troisième étape, pour réaliser l'isolation, on réalise une reprise sélective d'épitaxie du matériau du substrat de façon à remplir chacun des dits creux par épitaxie d'un matériau semi isolant ou isolant. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que on réalise des trous pour atteindre le substrat au travers d'une couche d'un matériau préalablement déposée sur le substrat; puis, on effectue une épitaxie non sélective des couches d'au moins une structure active, de façon à réaliser ainsi directement l'isolation entre les dites structures actives par la formation d'un polycristal isolant sur les parties isolantes initialement non gravées. 6 Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que on réalise des trous par masquage sur un substrat de pleine hauteur; puis, dans ces trous, on vient implanter par épitaxies sélectives successives l'empilement des couches de chacune des structures actives à disposer sur le circuit intégré; puis, on réalise une étape de creusement en des zones prédéterminées de façon à atteindre les couches à contacter puis, par reprises d'épitaxies sélectives, on fait remonter le matériau de la couche à contacter à la surface de la structure finale; puis, on réalise ultérieurement une étape de connexion électrique comme un contact ohmique. 7 Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que on réalise des espaceurs isolants sur les parois verticales du creusement pour réaliser une isolation locale de la remontée de connexion de contact. 8 Procédé selon l'une des revendications précédentes, de fabrication d'au moins une structure active présentant au moins un substrat semi isolant, sur lequel sont empilées au moins une couche d'un premier type de conductivité (type N; collecteur 3) et une couche d'un second type de conductivité (type P; base 4), comme un transistor bipolaire à hétérojonction, et qui se caractérise principalement en ce que: on réalise une isolation initiale à partir d'un substrat semi isolant; on réalise un creusement, puis une reprise d'épitaxie pour contacter la couche du premier type de conductivité (type N; collecteur 3); et on réalise un creusement, puis une reprise d'épitaxie pour contacter la couche du second type de conductivité (type P; base 4). 9 Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que, on réalise, après avoir déposé une couche ( 14) de tungstène pour réaliser le contactage de l'émetteur, par gravure anisotrope, un mésa d'émetteur (M), la gravure étant arrêtée avant d'atteindre la couche du second type de conductivité ( type P; base 4), pour protéger celle-ci; on dépose alors un isolant ( 15); on définit par gravure, à l'aide d'un masque, des espaceurs ( 15 c, 15 e) sur le mésa (M) d'émetteur de façon à ce que la couche d'isolant ( 15) subsiste de part et d'autre du trou de masquage en parties ( 15 a et 15 g), puis que les parties ( 15 g, 15 d et 15 f) de la couche ( 15), qui a servi à réaliser les espaceurs ( 15 c, 15 e) du mésa M, sont éliminées par la gravure. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la dernière gravure permet également de délimiter à la fois au moins une zone ( 18 a, 18 b) o est effectuée une diffusion de zinc pour faire le contact avec la couche du second type de conductivité (base 4, type P), et de délimiter au moins une zone ( 17 a, 17 b) o est effectuée une implantation de protons pour diminuer la capacité entre les deux couches de conductivités opposées (base 4 collecteur 3). 11 Procédé selon les revendications 8 et 9, caractérisé en ce que: on dépose une couche d'isolation complète ( 23); on effectue à l'aide d'un masque une gravure anisotrope pour constituer un trou ( 24) pour atteindre une couche de contactage ( 2) du collecteur ( 3); on réalise ensuite des espaceurs ( 25 a et 25 b) sur les parois latérales du trou ( 24); on réalise pour le trou une reprise d'épitaxie sélective d'une couche de contact ( 26) peu résistive pour faire remonter le contactage du collecteur en surface. 12 Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la dite reprise d'épitaxie est constituée successivement de Ga As dopé par une impureté en concentration de 4 1018 atomes, puis de Ga In As, à fort dopage d'impuretés et avec gradualité d'indium de a à b % (avec b>a), et enfin de Ga In As, fortement dopé par des impuretés de type N, avec b % d'indium et ( 1 b) % de Gallium de façon à ce que cette dernière couche en surface permette de réaliser un contact en tungstène pour le collecteur. 13 Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que: on réalise un dépôt de tungstène en une couche ( 28), de façon quasi uniforme sur la surface de la structure; on dispose sur la surface de la structure en cours de fabrication, une couche d'une résine photosensible ( 29) présentant au moins un plot ( 29 a) au dessus du mésa (M) et au-dessus de la partie active du transistor et un plot ( 29 b) au moins partiellement au-dessus du contact de collecteur dans le puits ( 24), en pratiquant un espace ( 30) entre les deux plots ( 29 a et 29 b) de façon à permettre de découper par gravure sélective une découpe assurant les contacts de collecteur et de base; on réalise une gravure simultannée de la couche de tungstène ( 28) et de la couche photosensible ( 29 a) de façon à supprimer la seule partie ( 31) horizontale disposée au- dessus du mésa (M), en gravant le tungstène dans l'espace (ou ouverture) ( 30) 14 Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que on effectue une planarisation du tungstène par gravure d'une couche de résine sacrificielle; à l'aide d'une photolithographie, on définit les contacts de base et de collecteur (figure 8). Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que après avoir déposé la couche ( 23) d'isolation complète, on dépose une résine photosensible ( 38) sur laquelle a été révélé un puits ( 39), disposé à la limite entre l'espaceur ( 25 a) et le puits ( 24); puis, on réalise une isolation du puits par implantation d'ions de bore ou de protons. 16 Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche de tungstène initialement déposée ( 14) est plus épaisse que nécessaire au contactage et en ce que l'on n'utilise pas d'isolant ( 9) sur le dessus du mésa d'émetteur, l'épaisseur de la couche de tungstène ( 14) étant telle que sa surface de dessus atteint au moins la pleine hauteur du dispositif final. 17 Procédé selon les revendications 16 et 12 à 14, caractérisé en ce que on dépose une seconde couche de tungstène épaisse ( 30 a, 30 b), on réalise une planarisation par gravure simultannée d'une résine préalablement déposée et du tungstène de façon à ce que la hauteur de la seconde couche de tungstène ( 30 a, 30 b), ainsi séparée en deux parties à droite ( 30 a) du mésa d'émetteur (M) et à gauche ( 30 b) du mésa d'émetteur ( 30 b), soit telle qu'à la fin du procédé de fabrication, les surfaces de dessus des couches de tungstène ( 30 a, 30 b et 14) soient au même niveau, la première couche de tungstène ( 14) étant séparée des parties ( 30 a et 30 b) de la seconde couche de tungstène par des espaceurs ( 15 c, 15 e). 18 Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que on réalise à l'aide d'un masque la séparation par gravure des contacts de base ( 30 c) et de collecteur ( 30 d) réalisés dans la seconde partie ( 30 b) de la couche de tungstène ( 30 a, 30 b). 19 Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que, si le substrat ( 1) porte plusieurs zones actives, le procédé est répété ou multiplié par des moyens connus pour chaque structure active. Transistor bipolaire à hétérojonction, comportant au moins une hétérojonction et fabriqué selon le procédé des revendications 1 à 19, caractérisé en ce qu'il comporte une couche d'émetteur ( 5), une couche de base ( 4) et une couche de collecteur ( 3), la couche de collecteur étant en contact électrique avec des moyens de contactage de collecteur ( 2, 26) et la couche de base ( 4) étant en contact électrique avec des moyens de contactage de base ( 17 a, 17 b, 18 a, 18 b), dont la couche finale ( 30) est réalisée en matériau réfractaire et dont toute la surface supérieure est au même niveau. 21 Dispositif semiconducteur, caractérisé en ce qu'il est obtenu par le procédé selon l'une des revendications 1 à 19 ou en ce qu'il intègre au moins une structure active comme un transistor selon la revendication 20. 22 Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce qu'il est réalisé par interconnexion équisurface entre plusieurs structures actives comme des structures bipolaires à hétérojonction planes et autoalignées.