FR 2690022 A1 19931015 FR 9203527 A 19920324 Circuit à retard variable. L'invention concerne les circuits à retard réglable en fonction d'une consigne de retard pouvant être sous la forme d'une grandeur numérique. Les circuits à retard réglable ont de nombreuses applications et sont notamment utilisés lorsqu'on veut ajuster la phase entre deux signaux logiques Dans ce cas, le premier de ces signaux est appliqué à l'entrée d'un circuit à retard et la mesure du déphasage entre le signal de sortie et le signal d'entrée sert à commander le réglage du circuit à retard. L'asservissement de phase peut être réalisé au moyen d'un signal de réglage analogique ou numérique, la solution numérique étant souvent préférée car elle est moins sensible aux perturbations et aux atténuations dues à la transmission des signaux De plus, dans le cas d'une réalisation sous forme de circuit intégré, elle est moins sensible aux dispersions de fabrication. Une première solution connue pour réaliser un circuit à retard à commande numérique consiste à utiliser une pluralité de portes élémentaires, par exemple du type inverseur, associées à un système d'interconnexion commandé numériquement et permettant le branchement en cascade d'un nombre variable de portes élémentaires L'application de ce type de circuit est cependant limitée au cas o il n'est pas nécessaire d'obtenir une précision de réglage du retard inférieure au retard intrinsèque de la porte élémentaire. Une autre solution connue consiste à utiliser un circuit du type résistance-capacité o la résistance est constituée d'une pluralité de résistances élémentaires branchées sélectivement en parallèle en fonction de la commande numérique Dans ce cas, le retard est fixé par la constante de temps du circuit Si toutes les résistances élémentaires ont la même valeur, le retard obtenu est alors inversement proportionnel au nombre de résistances sélectionnées Or, pour obtenir une précision de réglage constante sur toute la plage de réglage, il est nécessaire que la fonction liant le retard à la grandeur numérique de réglage s'approche le plus possible d'une fonction linéaire La réponse obtenue par la solution précédente est donc très éloignée de la relation linéaire Pour s'en rapprocher, il est alors nécessaire de dimensionner les résistances élémentaires à des valeurs bien précises et toutes différentes entre elles Ce résultat est cependant très difficile à obtenir dans le cas d'une réalisation intégrée D'autre part, il faudra prévoir un tel circuit pour chaque signal que l'on veut ajuster en phase. Si par exemple le circuit à retard est destiné à être utilisé dans un circuit verrouillé en phase du type décrit dans la demande de brevet européen publiée sous le numéro 441 684, déposée le 30 janvier 1991 et intitulée "Circuit verrouillé en phase et multiplieur de fréquence en résultant", la solution précédente n'est pas satisfaisante à cause de son encombrement et de sa sensibilité aux dispersions de fabrication. L'invention a pour but de proposer un circuit à retard permettant un réglage précis avec la possibilité d'obtenir un retard minimal inférieur au retard intrinsèque des portes élémentaires pour la technologie choisie, tout en assurant avec une approximation suffisante une réponse linéaire du retard en fonction de la consigne de retard. Dans ce but, l'invention a pour objet un circuit à retard fournissant un signal de sortie présentant un retard par rapport à un signal logique d'entrée, ledit retard étant réglable en fonction d'une consigne de retard, ledit circuit étant caractérisé en ce qu'il comporte un circuit à retard fixe recevant ledit signal d'entrée et fournissant un signal retardé présentant un retard fixe par rapport audit signal d'entrée et un circuit de combinaison à deux entrées recevant respectivement ledit signal d'entrée et ledit signal retardé et comportant une entrée de commande recevant une grandeur de commande représentative de ladite consigne, ledit circuit de combinaison étant conçu de façon à fournir en sortie un signal de combinaison résultant de la superposition avec pondération et effet intégral des signaux appliqués sur ses entrées, ladite pondération consistant à affecter deux coefficients de pondération associés respectivement au signal d'entrée et au signal retardé dont les valeurs sont fonction de ladite grandeur de commande et en ce que ledit circuit de combinaison et/ou ledit circuit à retard fixe sont dimensionnés de sorte que ledit retard fixe soit inférieur au temps de transition que présente le signal de combinaison lorsque le circuit de combinaison reçoit seulement le signal d'entrée. Le signal de combinaison fourni par le circuit de combinaison est normalement destiné à être appliqué à l'entrée d'un circuit, tel qu'un circuit de mise en forme, présentant un effet de seuil Ainsi, le retard effectif du signal de sortie par rapport au signal d'entrée sera donc dépendant du niveau de seuil d'entrée de ces circuits Il est donc souhaitable que les amplitudes maximum et minimum du signal de combinaison soient indépendantes de la consigne de retard. Dans ce but, l'invention est en outre caractérisé en ce que la somme des deux coefficients de pondération est constante. En pratique, l'effet intégral sera produit par un intégrateur ou un circuit à constante de temps présentant toujours un effet de saturation définissant les niveaux extrêmes du signal de combinaison Le temps de transition sera donc défini comme l'intervalle de temps pendant lequel le signal de combinaison varie selcn une fonction linéaire ou quasi linéaire lorsque le circuit de combinaison reçoit seulement le signal d'entrée Le fait d'imposer un retard fixe inférieur au temps de transition assure que le retard du signal de sortie par rapport au signal d'entrée ne présente pas de discontinuité en fonction des coefficients de pondération Pour que la variation du retard en fonction de la consigne de retard varie sur toute la plage de réglage selon une fonction pratiquement linéaire de la consigne, le circuit de combinaison et/ou le circuit à retard fixe pourront être dimensionnés de façon à ce que le retard fixe soit égal à la moitié du temps de transition. L'invention a également pour objet plusieurs modes de réalisation spécialement conçus pour pouvoir utiliser les technologies ECL et CMOS. Ces réalisations ainsi que d'autres aspects et avantages de l'invention apparaîtront dans la suite de la description en référence aux figures. La figure 1 représente le schéma de principe du circuit à retard conforme à l'invention. La figure 2 représente des chrcnogrammes permettant d'expliquer le fonctionnement du circuit de la figure 1. Les figures 3 à 6 représentent les variations du retard en fonction de la consigne de retard pour différents dimensionnements du circuit de la figure 1. La figure 7 représente le schéma de principe d'une réalisation ECL du circuit à retard selon l'invention. Les figures 8 à 10 représentent une réalisation détaillée en technologie ECL. La figure 11 représente le schéma de principe d'une réalisation CMOS. La figure 12 représente une réalisation détaillée en technologie CMOS. Le circuit à retard selon l'invention est représenté schématiquement à la figure 1 Un circuit à retard fixe Dl reçoit le signal logique d'entrée eo et fournit en sortie le signal retardé el Les signaux eo et el sont appliqués respectivement aux entrées X et Y d'un circuit de combinaison C fournissant en sortie le signal de combinaison f K Le circuit de combinaison C comporte une entrée de commande CD recevant une commande représentative des coefficients de pondération de la combinaison effectuée par le circuit C Cette commande est fonction de la consigne de retard CN. Le signal de combinaison f K est appliqué à l'entrée d'un circuit de mise en forme F dont la sortie fournit le signal de sortie SK. Pour simplifier la suite de l'exposé, nous raisonnerons sur les grandeurs normalisées des signaux impliqués et on supposera que les coefficients de pondération affectés aux signaux eo et el ont respectivement les valeurs K et 1 K, avec K compris entre 0 et 1. Dans ces conditions, le circuit C est conçu pour réaliser la combinaison Keo + ( 1 K)e 1 avec intégration par rapport au temps. Les chronogrammes représentés à la figure 2 permettent d'expliquer le fonctionnement du circuit de la figure 1. Le chronogramme (a) représente les signaux eo et e 1 appliqués aux entrées X et Y du circuit de combinaison C Le signal eo étant un signal logique, il présente un front raide de transition entre un premier et un second niveau qui est suivi d'un autre front (non représenté) rétablissant le signal à son premier niveau Le signal retardé el a été représenté comme un signal identique à eo mais retardé du retard T défini par le circuit à retard Dl En pratique, le front du signal eo est défini par l'instant o le signal eo atteint une valeur de seuil du circuit aval En général, la valeur de seuil correspond au niveau intermédiaire entre les niveaux minimum et maximum du signal eo Il en est de même pour le signal e 1 et dans ce cas, ce signal pourrait avoir une forme différente de celle représentée, le retard T étant défini alors comme l'intervalle de temps séparant les instants o le signal eo et le signal e 1 atteignent la valeur de seuil. Le chronogramme (b) représente le signal de combinaison f K pour différentes valeurs du coefficient de pondération K. Bien entendu, la forme des signaux représentés est une représentation simplifiée des signaux que l'on peut obtenir avec des circuits réels. Il convient toutefois de noter que cette représentation -n'est pas éloignée de la réalité En particulier, on observera toujours un palier de saturation car l'intégrale d'une impulsion finit de toute façon par être limitée aux valeurs des potent-iels d'alimentation. Le signal f 1 correspond au cas o K = 1, c'est-à-dire lorsque le coefficient de pondération appliqué au signal el est nul Ce signal a la forme d'un trapèze dont le front montant débute à l'instant O correspondant à l'instant o le signal eo atteint la valeur de seuil Le signal fi augmente de façon linéaire jusqu'à l'instant tm o il atteint un palier de saturation. Le signal f O correspond au cas o le coefficient de pondération K appliqué au signal eo est nul Ce signal reproduit le signal fi avec le retard T. Pour des coefficients de pondération différents de ces deux cas extrêmes, le signal de combinaison a l'allure représentée par la courbe f K- Les signaux fl et fo atteignent la valeur de seuil respectivement aux instants tl et t O tandis que le signal f K atteint ce seuil à l'instant e L'écart entre tl et t O est égal au retard T Ainsi, les retards respectivement minimum et maximum du signal de combinaison par rapport au signal d'entrée sont compris entre respectivement tl et t O Par conséquent, le retard obtenu dans le cas général aura une valeur e comprise tl et tl + T. Le chronogramme (c) représente le signal de sortie du circuit de mise en forme F dans chacun des trois cas représentés sur le chronogramme (b) Ainsi, les signaux s, et so présentent un front respectivement aux instants tl et t O Pour un coefficient K donné, le signal de sortie s K possédera un front retardé d'une valeur TK par rapport au signal S 1, la valeur TK étant comprise entre O et T. La façon dont le retard e varie en fonction du coefficient de pondération K dépend essentiellement du temps de transition tm défini ci-dessus et du retard fixe T Le temps de transition tm définira le retard minimum tl du signal de sortie s K par rapport au signal d'entrée eo Dans le cas parfaitement linéaire tel que représenté, ce retard minimum est égal à la moitié du temps de transition. Les figures 3 à 6 représentent les variations du retard TK en fonction du coefficient K pour différentes valeurs du temps de transition tm, le retard fixe T étant supposé fixé. La figure 3 correspond au cas o T est compris entre le temps de transition tm et la moitié de ce temps, conformément à l'exemple de la figure 2. Pour K compris entre O et une première valeur Kl, TK varie entre T et tm/2 selon une fonction hyperbolique Pour K compris entre la première valeur Ki et une seconde valeur K 2, TK varie linéairement entre tm/2 et T tm/2 Enfin, pour K compris entre K 2 et 1, TK varie entre T tm/2 et O selon une autre fonction hyperbolique. Le calcul permet de vérifier facilement ce résultat et de montrer que KI = 1 tm/2 T et K 2 = tm/2 T Il est également facile de vérifier que l'on a toujours TK = T/2 lorsque K = 1/2. Lorsque T = tm, TK varie en fonction de K selon la courbe représentée à la figure 4 On peut facilement vérifier que la courbe obtenue est constituée de deux morceaux d'hyperbole et que la partie linéaire est absente. Si T est supérieur à tm, comme représenté sur la figure 5, la courbe présente une discontinuité pour K = 1/2. Enfin, si T est inférieur ou égal à tm/2, TK varie linéairement en fonction de K sur toute la plage de réglage comme on peut le voir sur la figure 6. L'analyse précédente permet de tirer quelques conclusions concernant le dimensionnement à apporter au circuit à retard fixe et au circuit de combinaison Il apparaît tout d'abord que T doit être inféfieur à tm pour éviter toute discontinuité du retard TK en fonction du coefficient de pondération K donc de la consigne de retard D'autre part, on obtient une réponse parfaitement linéaire du retard TK en fonction de K dès que T est inférieur ou égal à tm/2 Ainsi, pour tm fixé, on obtiendra une réponse linéaire tout en ayant la plus grande plage de réglage lorsque T est égal à tm/2. Le retard fixe T détermine la plage de réglage du retard. Aussi pour une plage déterminée, il sera toujours possible d'obtenir une réponse linéaire en choisissant tm = 2 T On pourra cependant être amené à choisir un temps de transition inférieur afin de réduire le retard minimal tl qui dépend directement du temps de transition tm. D'une façon générale, le choix de T et de tm résultera d'un compromis entre le retard minimal, la plage de réglage et la linéarité du retard par rapport à la consigne de retard. La figure 7 représente le schéma de principe du circuit de combinaison C en vue d'une réalisation en technologie ECL. Le circuit représenté est alimenté par deux potentiels d'alimentation Vdd et Vss correspondant respectivement à un potentiel positif et la masse Une impédance Z formée d'une résistance R et d'une capacité en parallèle a une première borne reliée au potentiel positif Vdd et une seconde borne reliée à deux sources de courant SO et Si par l'intermédiaire respectivement de deux interrupteurs QO et Q 1 Les interrupteurs QO et Ql sont commandés respectivement par les signaux eo et el Les sources de courant SQ et Si sont des sources de courant réglables commandées respectivement par les coefficients de pondération K et 1 - K et fournissent respectivement des courants I O et Il complémentaires et proportionnels aux coefficients de pondération correspondants. Ce montage réalise donc une superposition des courants I O et Il dans l'impédance Z dont la capacité est responsable de l'effet d'intégration. Le potentiel V de la seconde borne constitue la mesure du signal de combinaison f K et la constante de temps de l'impédance Z permettra de définir le temps de transition tm. Le fonctionnement du circuit de la figure 7 peut être expliqué à l'aide des chronogrammes de la figure 2 Dans la suite de l'exposé, on utilisera la logique positive et on supposera que les interrupteurs sont ouverts ou fermés selon que les signaux qui les commandent sont respectivement à O ou à 1. Initialement, jusqu'à l'instant 0, les signaux eo et el étant à 0, le potentiel V est égal à Vdd Lorsque eo passe à 1, l'interrupteur QO se ferme et un courant I O = KI circule dans l'impédance Z Le potentiel V diminue alors, avec la constante de temps de l'impédance Z, vers la valeur Vdd - KRI pendant une durée égale au retard fixe T el passe alors à 1, Ql se ferme et un courant ( 1 K)I s'ajoute au courant KI dans l'impédance Z Le potentiel V continue donc à diminuer vers la valeur Vdd RI avec la même constante de temps. Par la suite, eo repasse à O et QO se ferme Le potentiel V remonte alors vers Vdd ( 1 K)RI pendant la durée T avec la même constante de temps Enfin, el repasse à 0, QO se ferme et le potentiel V continue à monter vers VDD. Le circuit effectue donc la superposition avec effet intégral des grandeurs Keo et (l K)ej Bien entendu, les signaux fi, f O et f K présentent en réalité des variations plus progressives que celles représentées sur la figure 2 (b), notamment au voisinage du palier de saturation Cette différence ne modifie toutefois pas substantiellement le résultat obtenu si on définit le temps de transition tm comme l'intervalle de temps pendant lequel les signaux fi et f O varient pratiquement linéairement en fonction du temps. La figure 8 représente une réalisation ECL du circuit de combinaison C Ce circuit comporte deux résistances R, R de même valeur, par exemple réalisées au moyen de transistors MOS, ayant chacune une première borne reliée au potentiel d'alimentation Vdd Une première et une seconde source de courant SQ, SS délivrent respectivement des courants 10, Il respectivement proportionnels aux coefficients K et 1 K. Un premier montage différentiel MO est formé de deux transistors bipolaires QO, QO dont les collecteurs sont reliés respectivement à la deuxième borne des résistances R et R* et dont les émetteurs sont reliés à la source de courant SQ Un second montage différentiel Ml identique à MO il est formé des transistors bipolaires Ql et Qi* dont les collecteurs sont reliés respectivement à la deuxième borne des résistances R et R et dont les émetteurs sont reliés à la seconde source de courant Si. Le signal d'entrée est un signal différentiel e 0, e O commandant les bases des transistors QO et QO Le signal différentiel eo, eo est d'autre part appliqué à l'entrée d'un amplificateur différentiel Dl jouant le rôle de circuit à retard fixe L'amplificateur Dl fournit un signal différentiel retardé el, el* commandant les bases des transistors Qi et Qi La tension différentielle V, V entre les deuxièmes bornes des résistances R et R constitue la mesure du signal de combinaison Deux montages émetteurs- suiveurs F, F sont commandés par le signal de combinaison différentiel V, V* et fournissent en sortie un signal de sortie différentiel s K, s K Le fonctionnement du circuit de la figure 8 se déduit aisément de celui de la figure 7 à la différence près que les signaux sont de type différentiel Il convient toutefois de noter que l'impédance Z de la figure 7 est formée pour chaque voie de la résistance R ou R* et de l'ensemble des capacités qui sont reliées à la résistance telles que les capacités collecteur-base des transistors bipolaires Dans le cas o les résistances R et R* sont formées de transistors MOS, il conviendra également de tenir compte des capacités drain-grille de ces transistors. L'amplificateur différentiel Dl est un amplificateur ECL de type classique tel que représenté à la figure 9 Il est constitué pour chaque voie d'une résistance Ra, Ra* dont une première borne est reliée au potentiel Vdd et dont la seconde borne est reliée au collecteur d'un transistor bipolaire Qa, Qa Les émetteurs des transistors Qa, Qa sont reliés à une source de courant Sa dimensionnée pour fournir un courant égal à la valeur maximale I du courant fourni par les sources 50 et Si Le circuit est complété par deux émetteurs-suiveurs Fa, Fa dont les entrées sont reliées respectivement aux deuxièmes bornes des résistances Ra, Ra* Les sorties des émetteurs-suiveurs Fa, Fa fournissent le signal différentiel retardé e 1, e 1 On peut constater que ce circuit introduit un retard défini par la constante de temps due pour chaque voie à la résistance Ra, Ra* et aux capacités des transistors reliés à la résistance Par conséquent, si les résistances Ra et Ra ont la même valeur que les résistances R et R et si les transistors de l'amplificateur ont le même dimensionnement que ceux des montages homologues du circuit de combinaison, on est assuré que le retard fixe de l'amplificateur sera toujours inférieur au temps de transition du circuit de combinaison. On pourra bien sûr calculer le dimensionnement des composants des circuits (largeur des transistors) en vue d'ajuster le retard fixe T et le temps de transition tm à des valeurs choisies, par exemple pour vérifier T = tm/2 On pourra aussi prévoir un circuit à retard fixe supplémentaire branché en aval de Dl et un autre montage différentiel branché en parralèle à MO et Ml, alimenté par une autre source de courant et commandé par le circuit à retard supplémentaire en vue d'ajouter une gamme de réglage Dans ce cas, en faisant le bilan des transistors impliqués, on peut vérifier que la capacité équivalente, donc la constante de temps du circuit de la figure 8 est voisine du double de celle de la figure 9, ce qui réalise automatiquement la condition optimale T = tm/2. Lia figure 10 représente un circut permettant de réaliser les deux sources de courant variable SO et Sl. Selon cette réalisation, le coefficient K est sous forme numérique représentée par les cinq signaux k O à k 4, k O correspondant au bit de poids faible Dans ce cas, K peut donc prendre 32 valeurs différentes réparties uniformément entre O et 1 (à un coefficient multiplicateur près). Bien entendu, les réalisations pour un nombre quelconque de bits seront facilement déduites de ce cas particulier. Le circuit comporte un premier et un second ensemble de résistances respectivement de valeur r et 2 r Les résistances r sont ici réalisées au moyen de transistors MOS à canal N et les résistances 2 r sont formées par deux transistors MOS à canal N de même dimension branchés en série Tous ces transistors MOS ont leur grille polarisée par la tension EN qui les place en régime saturé. Le circuit comporte un premier sous-ensemble SA comprenant un transistor bipolaire dont le collecteur est relié au potentiel Vdd, dont l'émetteur est relié à une première borne d'une résistance 2 r et dont la base reçoit une tension de polarisation Vref. Un second sous-ensemble SEO comporte un autre transistor bipolaire dont la base reçoit la même tension de polarisation Vref et dont l'émetteur est relié à une première borne d'une autre résistance 2 r dont la seconde borne est reliée à la seconde borne de la résistance 2 r du sous-ensemble SA ainsi qu'à une première borne d'une résistance r Le collecteur du transistor bipolaire est relié à deux lignes LO et Ll par l'intermédiaire respectivement d'un transistor MOS à canal N et d'un transistor MOS à canal p dont les grilles reçoivent le signal k O. Le circuit comporte quatre autres sous-ensembles (non référencés) identiques à SEO et dont les transistors MOS reçoivent sur leurs grilles respectivement les signaux kl à k 4 Ces quatre sous-ensembles sont montés de la façon indiquée à la figure 10. Les lignes LO et Ll sont reliée respectivement aux modules MO et Ml de la figure 8. Il est facile de vérifier que le circuit de la figure 10 délivre des courants I O et Il respectivement proportionnels à K et 1 K. Les figures 11 et 12 concernent une autre réalisation en technologie CMOS du circuit de combinaison C. La figure 11 est la représentation schématique d'une réalisation CMOS permettant de faciliter sa compréhension. Le circuit comporte un premier et un second module de charge et décharge UO, Ul d'une ligne commune L Chaque module UO, Ul comporte un circuit de charge PC et un circuit de décharge DC Chaque circuit de charge PC ou de décharge DC comporte une résistance variable RO*, RO, RI Ri et un interrupteur P 0, NO, Pl, Ni contrôlant la connexion par cette résistance entre la ligne L et le potentiel d'alimentation Vdd pour le circuit de charge et Vss pour le circuit de décharge Les interrupteurs des unités UO et Ul sont commandés respectivement par les signaux eo et el et leurs compléments Les résistances variables RO, RO * sont commandées de façon à prendre une valeur inversement proportionnelle au coefficient K tandis que les résistances Ri, Ri de l'unité Ut sont commandées de façon à prendre une valeur inversement proportionnelle à 1 K Le potentiel de la ligne L constitue la mesure du signal de combinaison f K Pour expliquer le fonctionnement du circuit de la figure 11, nous supposerons qu'initialement la ligne L est chargée au potentiel Vdd et que les signaux eo et el sont à O Les interrupteurs PO et Pl sont alors fermés tandis que les interrupteurs NO et Ni sont ouverts Lorsque le signal e O devient actif, l'interrupteur NO se ferme et l'interrupteur PO s'ouvre Le circuit présente alors une constante de temps défini par la capacité de structure au niveau de la ligne L et une résistance équivalente aux résistances RO et Ri montées en parallèle Comme RO et RI* sont inversement proportionnelles à respectivement K et 1 -K, la constante de temps est indépendante de K La ligne L va alors se décharger avec cette constante de temps depuis la valeur Vdd vers la valeur ( 1 K) Vdd. La décharge se poursuit de cette façon jusqu'à l'instant o le signal e 1 devient actif Dès lors, l'interrupteur Ni se ferme et l'interrupteur Pl s'ouvre La ligne L va alors continuer à se décharger vers O avec la même constante de temps que précédemment. Lorsque le signal eo redevient inactif, l'interrupteur PO se ferme et l'interrupteur NO s'ouvre, ce qui rétablit un circuit de charge de la ligne L vers la tension K Vdd. Lorsque e 1 redevient inactif, on se retrouve dans la situation initiale. On peut vérifier que le comportement du circuit de la figure 11 est identique du point de vue retard à celui de la réalisation ECL. La figure 12 représente la réalisation CMOS détaillée correspondant au circuit de la figure 11 Les circuits de charge PC et de décharge DC sont constitués de transistors MOS respectivement à canal p et n Les résistances variables RO,, Ri sont réalisées au moyen de transistors MOS branchés en parallèle et commandés par les signaux k O, k 4, k O,, k 4, les interrupteurs associés étant constitués par les chemins drain-source de transistors MOS dont les grilles reçoivent le signal associé eo, e 1 Le circuit à retard fixe est réalisé au moyen de deux inverseurs CMOS en cascade. La capacité de structure définissant la constante de temps est due aux capacités drain-grille des transistors MOS actifs reliés à la ligne L De par la conception du circuit, la capacité résultante reste constante, indépendamment de la valeur de K. D'autre part, les transistors MOS constituant les résistances variables de chaque circuit de charge ou de décharge peuvent être dimensionnés de façon à ce que leurs résistances varient selon une puissance de 2, selon les poids des signaux de commande de k O,, k 4,, k O *, k 4. Une autre possibilité consiste à remplacer les transistors de dimensionnement variable par des montages parallèle et série de transistors identiques. Le fonctionnement du circuit de la figure 12 est dans son principe identique à celui de la figure Il et ne nécessite donc pas d'explications supplémentaires. REVENDICATIONS 1 Circuit à retard pour fournir un signal de sortie (SK) présentant un retard (E) par rapport à un signal logique d'entrée (eo), ledit retard ( combinaison (C) reçoit seulement le signal d'entrée (eo). 2 Circuit à retard selon la revendication 1 caractérisé en ce que la somme des deux coefficients de pondération est constante. 3 Circuit à retard selon la revendication 2 caractérisé en ce que ledit circuit de combinaison (C) comporte une première et une seconde source de courant (SO, Si) fournissant respectivement des courants (I 0, Il) proportionnels auxdits coefficients de pondération, en ce que lesdites sources de courant (SQ, SI) sont reliées à une borne d'une impédance commune (Z) par l'intermédiaire respectivement de deux moyens interrupteurs (QO, QI) commandés respectivement par le signal d'entrée (eo) et le signal retardé (el), le potentiel (V) de ladite borne constituant la mesure dudit signal de combinaison (f K). 4 Circuit à retard selon la revendication 2 caractérisé en ce que ledit signal d'entrée (eo, e*Q) et ledit signal retardé (e 1, el) sont des signaux différentiels, en ce que ledit circuit de combinaison (C) comporte une première et une seconde résistance (R, R) ayant chacune une première borne reliée à un potentiel d'alimentation (Vdd), en ce que ledit circuit de combinaison (C) comporte en outre une première et une seconde source de courant (SQ, SI) associées respectivement à un premier et à un second montage différentiel (MO, Mi), chaque montage différentiel (MO, Ml) étant formé de deux transistors bipolaires (QO, QO, Qi, * QI) dont les collecteurs sont reliés respectivement à la deuxième borne desdites première et seconde résistances (R, R) et dont les émetteurs sont reliés à la source de courant (SQ, Si) associée, en ce que les bases des transistors (QO, QO) du premier montage différentiel (MO) reçoivent ledit signal différentiel d'entrée (e 0, e O), en ce que les bases des transistors (Qi, Qi*) du second montage différentiel (MI) reçoivent ledit signal différentiel retardé (el, el*) et en ce que lesdites première et seconde sources de courant (SQ, Si) fournissent respectivement des courants (I 0, Il) proportionnels auxdits coefficients de pondération, la tension différentielle (V, V) entre les deuxièmes bornes desdites résistances constituant la mesure dudit signal de combinaison (f K). Circuit à retard selon la revendication 4 caractérisé en ce que ledit circuit à retard fixe (Dl) est un amplificateur différentiel réalisé en technologie ECL. 6 Circuit à retard selon la revendication 2 ou 3 caractérisé en ce que ledit circuit de combinaison (C) comporte un premier et un second module de charge et décharge (UO, Ul) d'une ligne commune (L) commandés respectivement par ledit signal d'entrée (eo) et ledit signal retardé (e 1), le potentiel de ladite ligne commune (L) constituant la mesure dudit signal de combinaison (f K)' en ce que chaque module (UO, Ul) comporte un circuit de décharge (DC) et un circuit de charge (PC) comportant chacun des moyens interrupteurs (PO, NO, Pi, Ni) contrôlant la connexion entre ladite ligne commune (L) et respectivement un premier et un second potentiel d'alimentation (Vss, Vdd) par l'intermédiaire d'une résistance variable (RO, RO, Ri, Rl), la résistance variable (RO, RO Rl, Ri*) des circuits de décharge et de charge (DC, PC) de chaque module (UO, Ui) étant commandée de façon à prendre une valeur inversement proportionnelle au coefficient de pondération du signal associé (e 0, el) et en ce que les moyens interrupteurs (PO, NO, Pi, Ni) du circuit de décharge (DC) et du circuit de charge (PC) de chaque module (UO, Ui) sont activés respectivement par un premier et un second niveau de tension du signal associé (eo, el). 7 Circuit à retard selon la revendication 6 caractérisé en ce que les résistances variables (RO, RO, Ri, Rl) de chaque module ( de pondération et par lesdits signaux associés (eo, e 1). 9 Circuit à retard selon la revendication 8 caractérisé en ce que les transistors MOS reliant ladite ligne commune (L) auxdits potentiels d'alimentation (Vdd, Vss) respectivement haut et bas sont respectivement des transistors à canal p et n.5 Circuit à retard selon la revendication 9 caractérisé en ce que ledit circuit à retard fixe (Dl) est réalisé au moyen de circuits inverseurs réalisés en technologie CMOS.