FR 2678775 A1 19930108 FR 9108452 A 19910705 PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE L'invention concerne un procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique tel qu'une diode laser ou un photodétecteur et plus particulièrement un dispositif en forme "de ruban" ("ridge" en terminologie anglo-saxonne). Les procédés généralement utilisés pour la réalisation de diodes et de réseaux de diodes laser, souffrent d'une technologie "lourde" comportant un nombre élevé d'étapes élémentaires Par exemple, la structure "ridge" couramment utilisée et schématisée figure 1 nécessite 2 étapes d'épitaxie 1 étape lithographie/gravure 1 implantation ionique ou protonique Les techniques d'épitaxie en ultra-vide du type Epitaxie par jets moléculaires (MBE) ou jets chimiques (CBE) ouvrent des possibilités nouvelles en termes d'épitaxie sélective La nature moléculaire des flux en MBE et CBE offre la possibilité d'une croissance sélective à travers un masque mécanique placé sur le substrat Par ailleurs, seules ces techniques permettent la croissance de matériaux III-V semi-isolant, comme par exemple Ga Al As, In P ou Ga In P. Par exemple, l'article de W T TSANG et al "Selective area growth of Ga As/Alx Ga x As multilayer structures with molecular beam epitaxy using Si shadow masks" publié dans Applied Physics Letters, Vol 31, n 4, August 15, 1977, décrit une méthode d'épitaxie à travers un masque mécanique. Cependant aucun procédé de fabrication de dispositifs optoélectroniques n'utilise cette technique pourtant connue. L'invention concerne un procédé de réalisation de dispositif optoélectronique du type "ridge" comportant un nombre réduit d'étapes de réalisation Notamment, ce procédé présente l'avantage de ne nécessiter qu'une seule étape d'épitaxie. L'invention concerne donc un procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: une étape de mise en place, dans une enceinte d'épitaxie, d'un masque au-dessus d'un substrat à épitaxier; une première étape d'épitaxie, sur le substrat, à travers le masque, de différentes couches constitutives du dispositif optoélectronique: première couche de confinement optique couches actives deuxième couche de confinement optique couche de contact couche de masquage une étape de retrait du masque sans ouverture de l'enceinte d'épitaxie; une deuxième étape d'épitaxie d'une couche de confinement optique et électrique; une étape de retrait de la couche de masquage et du matériau de la couche de confinement optique et électrique révélant la couche de contact. Les différents objets et caractéristiques de l'invention apparaîtront plus clairement dans la description qui va suivre faite à titre d'exemple et dans les figures annexées qui représentent: la figure 1, un dispositif en forme de "ridge" connu dans la technique et décrit précédemment; les figures 2, 3 et 4, différentes étapes de réalisation du procédé de l'invention. En se reportant aux figures 2 à 4, on va donc décrire un procédé de réalisation selon l'invention. Un substrat S étant disposé dans un bâti d'épitaxie, on place au-dessus de la face du substrat S à épitaxier, un masque M Ce masque est proche ou attenant au substrat On réalise ensuite l'épitaxie des différentes couches successives du composant à obtenir à travers le même masque M (figure 2). Par exemple un composant optoélectronique du type laser sera obtenu par l'épitaxie: d'une première couche de confinement 1; d'une ou de plusieurs couches actives du laser 2; d'une deuxième couche de confinement 3 d'une couche de contact 4; d'une couche de masquage 5. Le masque mécanique M est ensuite retiré de la surface du substrat sans pour autant ouvrir le bâti d'épitaxie Ensuite, une couche 6 d'un matériau de confinement est épitaxié comme cela est représenté en figure 3. Cette couche 6 recouvre le substrat S de part et d'autre de la structure 1,2,3,4,5 de façon à confiner optiquement et électriquement au moins latéralement la couche active 2 La couche 6 recouvre également la partie supérieure de la couche 5. Enfin comme cela est représenté en figure 4, la couche 6 est gravée lors de la gravure sélective de la couche 5. L'épitaxie à travers le masque M des couches i à 5 peut se faire par toute méthode de croissance utilisant des jets moléculaires telle que la MBE (épitaxie par jet moléculaire EJM) ou la CBE (épitaxie par jet chimique EJC) L'épitaxie de la couche 6 peut se faire par le même procédé De cette façon le dispositif peut être réalisé par épitaxie in- situ, c'est-à-dire sans sortir le dispositif en cours de procédé, ni ouvrir le bâti d'épitaxie. Ce procédé d'élaboration de barrettes laser permet en une étape technologique (croissance MBE ou CBE), la réalisation de laser et de barrettes de laser à base d'hétérostructures de matériaux III-V, comme par exemple Ga Al As/Ga As ( 0 7-0 9 Prm), Ga In As P/In P ( 1 2-1 5 pum), Ga In P/Ga In As ( 0 9-1 1 pim). A titre indicatif, ce procédé peut être mis en oeuvre en prévoyant une distance cellules, d'évaporation-substrat de 12 cm par exemple ( 5 à 20 cm) et une distance masque-substrat de 1 mm (environ de O mm à 2 mm) Avec une distance masque-substrat de 1 mm, on génère des effets de bords sur typiquement 40 mm de largeur dans une configuration de jet moléculaire perpendiculaire à la surface du masque ce qui est acceptable pour un dispositif de largeur de 1 pum par exemple. Il est bien évident que la description qui précède n'a été donnée qu'à titre d'exemple D'autres variantes peuvent être envisagées sans sortir du cadre de l'invention Les exemples numériques et de matériaux n'ont été donnés que pour illustrer la description L'essentiel de l'invention réside dans le fait que la structure est réalisée entièrement dans l'environnement ultra- vide du système d'épitaxie sans exposition à l'air des structures et sans opération de gravure intermédiaire ni d'implantation ionique. L'invention est plus particulièrement applicable à la réalisation d'un laser du type B R S (Buried Ridge Structure) c'est-à-dire d'un laser enterré à structure en ruban ou à la réalisation de réseaux de lasers La couche active 2 peut être réalisée au cours de la même étape d'épitaxie sous la forme d'un empilement de couches constituant, comme cela est représenté sur les figures 2 à 4, un puits quantique. REVENDICATIONS 1 Procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: une étape de mise en place, dans une enceinte d'épitaxie, d'un masque (M) au-dessus d'un substrat (S) à épitaxier; une première étape d'épitaxie, sur le substrat (S), à travers le masque, de différentes couches constitutives du dispositif optoélectronique: première couche de confinement optique ( 1) couches actives ( 2) deuxième couche de confinement optique ( 3) couche de contact ( 4) couche de masquage ( 5) une étape de retrait du masque (M) sans ouverture de l'enceinte d'épitaxie; une deuxième étape d'épitaxie d'une couche de confinement optique et électrique ( 6); une étape de retrait de la couche de masque ( 5) et du matériau de la couche de confinement optique et électrique ( 6) révélant la couche de contact ( 4). 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les étapes d'épitaxie se font par épitaxie par jets moléculaires (MBE) ou par épitaxie par jet chimique (CBE). 3 Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la distance substrat (S)-masque (M) est comprise entre O et 2 mm.