FR 2673342 A1 19920828 FR 9102351 A 19910227 -1- Dispositif à rétroaction positive pour le traitement d'un signal optique. L'optoélectronique prend une place grandissante dans les systèmes de communication à fibres optiques Pourtant, la mise en forme ou plus généralement le traitement des signaux optiques n'est jusqu'ici proposée de manière réaliste qu'en convertissant le signal optique en signal électrique par un photodétecteur Ce signal électrique est ensuite traité par un système électronique puis reconverti en signal optique à l'aide d'un laser semiconducteur Un tel traitement est en particulier réalisé dans les régénérateurs optiques La nécessité pour de tels dispositifs de traitement de comporter des éléments optiques (lasers, détecteurs) associés à des éléments électroniques (transistors) limite les possibilités d'intégration de ces éléments sur un15 substrat commun constitué par exemple de phosphure d'indium. D'autre part, des limitations de la bande passante peuvent être dues aux amplificateurs électroniques utilisés. La présente invention vise notamment les buts suivants Réaliser de manière simple un dispositif à rétroaction positive pour le traitement d'un signal optique. Faciliter l'intégration des éléments d'un tel dispositif sur un nombre diminué de substrats. Eviter autant que possible l'utilisation de composants électroniques devant fonctionner à des fréquences élevées. Eviter les limitations de bande passante dues à de tels composants. Dans ces buts, elle a pour objet un dispositif à rétroaction positive pour le traitement d'un signal optique, ce dispositif étant caractérisé par le fait qu'il présente un gain de boucle de nature optique. A l'aide des figures schématiques ci-jointes, on va décrire ci-après comment la présente invention peut être mise en oeuvre, étant entendu que les éléments et dispositions mentionnés et représentés ne le sont qu'à titre d'exemples non limitatifs. La figure 1 représente une vue en coupe longitudinale d'un -2- premier dispositif incluant un oscillateur laser et réalisant une mise en oeuvre de la présente invention. La figure 2 représente une vue d'une plaquette semiconductrice de cet oscillateur en coupe par un plan horizontal passant par une couche de guidage de lumière de ce laser. Les figures 3 à 6 représentent des diagrammes de variation de la puissance optique émise par cette plaquette semiconductrice en fonction de l'intensité d'un courant d'alimentation injecté dans un amplificateur de cette plaquette, pour quatre valeurs de10 l'intensité d'un courant de commande d'absorption injecté dans un absorbeur de cette plaquette. La figure 7 représente des diagrammes de variation d'un signal de sortie en fonction d'un signal d'entrée de ce dispositif pour trois valeurs d'un gain moyen d'une boucle de rétroaction formée par ce dispositif. La figure 8 représente une vue d'un deuxième dispositif de mise en oeuvre de la présente invention. Les deux dispositifs donnés en exemple sont des dispositifs de traitement d'un signal optique Le premier d'entre eux inclut un oscillateur laser semiconducteur à absorbeur saturable On va d'abord décrire cet oscillateur de manière générale, des informations sur un oscillateur analogue pouvant être trouvées dans un document Lasher (G J LASHER "Analysis of a proposed bistable injection laser", Solid- state Electronics, Pergamon press 1964, vol 7, P 707). Cet oscillateur laser comporte un empilement des couches suivantes, ces couches se succédant selon une direction verticale Z définie par rapport à cet empilement: une couche d'électrode inférieure 2 sous une face inférieure 3 d'une plaquette semiconductrice 4, une couche de confinement inférieure 6 appartenant à cette plaquette semiconductrice et présentant un premier type de conductivité électrique et un indice de réfraction, une couche de guidage de lumière 8 comportant un guide de lumière Sl, 52, 53 constitué au moins partiellement d'un matériau -3- semiconducteur en continuité cristalline avec cette couche de confinement inférieure et présentant un indice de réfraction supérieur à celui de cette couche de confinement inférieure pour permettre de réaliser un confinement optique vertical dans cette5 couche de guidage, une couche de confinement supérieure 10 appartenant à ladite plaquette semiconductrice et présentant une continuité cristalline avec ce guide de lumière, un deuxième type de conductivité électrique opposé au premier, et un indice de réfraction inférieur à celui de ce guide de lumière pour réaliser ledit confinement optique vertical, et une couche d'électrodes supérieures 12 sur une face supérieure 14 de ladite plaquette semiconductrice. Le guide de lumière Sl, 52, 53 s'étend selon une direction longitudinale X dans la couche de guidage de lumière entre deux zones de confinement latérales 16, 18 Les indices de réfraction de ces deux zones sont choisis inférieurs à celui de ce guide pour réaliser un confinement optique transversal confinant une lumière dans ce guide entre ces deux zones de confinement latérales Ce20 guide comporte une succession de sections selon la direction longitudinale d'arrière en avant: Une première section est un amplificateur de lumière Sl Une deuxième section est un absorbeur saturable 52 et constitue avec cet amplificateur un ensemble actif S, 52 Cet ensemble actif est constitué d'un matériau actif25 semiconducteur choisi pour agir sur une lumière d'émission qui se propage avec une longueur d'onde d'émission selon cette direction longitudinale Ce matériau est apte à être traversé par des courants électriques passant entre les deux couches de confinement inférieure et supérieure, l'intensité de tels courants étant30 comptée algébriquement dans un sens direct par rapport aux types de conductivité de ces deux couches Ce matériau amplifie cette lumière dans cet amplificateur lorsqu'un courant électrique traversant cet amplificateur présente une densité de courant supérieure à un seuil d'amplification Ce courant constitue alors35 un courant d'alimentation Il Ce matériau absorbe cette lumière -4- dans cet absorbeur lorsqu'un courant électrique traversant cet absorbeur présente une densité de courant inférieure à ce seuil d'amplification Ce courant constitue alors un courant de commande d'absorbance I 2 Cet absorbeur absorbe une énergie nouvelle de cette lumière seulement dans la mesure o l'énergie de cette lumière qu'il a déjà absorbée et accumulée pendant une période de conservation d'énergie est inférieure à son absorbance, cette période de conservation d'énergie ayant une durée limitée et précédant et incluant l'instant o cet absorbeur reçoit cette10 énergie nouvelle Cette absorbance est commandée par ce courant de commande. La couche d'électrodes supérieures comporte une électrode d'alimentation El localisée pour transmettre un dit courant d'alimentation Il vers la couche d'électrode inférieure 2 à travers l'amplificateur Si, et une électrode de commande d'absorbance E 2 localisée pour transmettre un dit courant de commande d'absorbance I 2 vers la couche d'électrode inférieure à travers l'absorbeur 52. Ce laser comporte encore:20 une source d'alimentation 20 pour fournir ce courant d'alimentation à cette électrode d'alimentation, et une source de commande d'absorbance 22, 23, 24, 26 pour fournir ce courant de commande d'absorption à l'électrode de commande E 2. Des moyens de réflexion de lumière 27, 28 sont disposés de part et d'autre longitudinalement de l'ensemble actif Si, 52 pour que la plaquette semiconductrice 4 constitue un oscillateur laser émettant ladite lumière d'émission Ils sont constitués, dans le dispositif donné en exemple, par les faces arrière 27 et avant 28 de la plaquette 4, ces faces étant partiellement réfléchissantes pour constituer un résonateur Fabry-Perot Ils pourraient aussi être constitués par des miroirs externes ou par un réflecteur de Bragg distribué interne à cette plaquette. De manière habituelle les électrodes d'alimentation El et de commande d'absorbance E 2 présentent la forme de rubans ayant, selon -5- une direction transversale Y, des longueurs supérieures à la largeur du guide de lumière Si, 52, 53, des moyens de confinement électrique latéral étant prévus pour empêcher, au moins partiellement lesdits courants d'alimentation Il et de commande d'absorption I 2 de passer à travers lesdites zones de confinement latérales 16, 18 Ces moyens de confinement électrique peuvent être notamment constitués par une composition ou structure interne convenable de ces zones de confinement. Selon une disposition dont des avantages apparaîtront ci-après le guide de lumière Sl, 52, 53 comporte, au sein de la plaquette semiconductrice 4 et à l'avant de l'absorbeur 52, une troisième section constituée d'un matériau passif choisi pour transmettre ladite lumière d'émission sans agir sensiblement ni sur son intensité ni sur sa vitesse de propagation Cette section constitue une section passive 53. Ce guide peut être simple, chacune de ses sections étant en continuité géométrique avec les précédentes Les couplages entre sections sont alors longitudinaux Ce guide peut aussi être composite, par exemple constitué de deux sous couches superposées.20 Le couplage entre l'absorbeur et la section passive peut alors être un couplage vertical couplant mutuellement ces deux couches. De.plus ce guide peut comporter d'autres sections qui peuvent être, par exemple, une section de décalage de phase et une section d'accord de fréquence telles que décrites dans un document KONDO pour réaliser un laser à fréquence commandée (K KONDO; H NOBUHARA; S. YAMAKOSHI "Giga-bit opération of wavelength conversion laser". Paper 13 D-9, Conférence "Photonic Switching 90 ", 12-14 Avril 1990, KOBE, Japon) Par ailleurs certains composants non représentés pourraient être intégrés à la plaquette semiconductrice Tel pourrait être, notamment le cas d'une photodiode appartenant à la source de commande d'absorbance ou d'un amplificateur de lumière supplémentaire externe à la cavité résonante de l'oscillateur laser. Selon une autre disposition avantageuse qui est rendue -6- possible par la présence de la section passive 53, l'électrode de commande d'absorbance E 2 s'étend au moins partiellement au-dessus de cette section Cette disposition permet à cette électrode de présenter, selon la direction longitudinale, une dimension 5 supérieure à la longueur de l'absorbeur Lorsque, ce qui est souvent le cas, cette longueur est plus petite que la largeur d'un ruban métallique que l'on sait former facilement pour réaliser cette électrode, cette disposition permet de réaliser facilement cette électrode Elle permet en même temps de réaliser un absorbeur10 plus court que la largeur de cette électrode, ceci permettant au laser de répondre rapidement aux variations du courant de commande d'absorbance. La plaquette 4 présente une face avant clivée 28 formant une extrémité avant de la section passive 53 Cette face de la plaquette est formée, comme sa face arrière 27, par une opération de clivage habituelle dont on sait qu'elle entraîne une imprécision sur la position de la face ainsi réalisée Grâce à la présence de cette section cette imprécision est acceptable parce qu'elle affecte seulement la longueur de cette section alors qu'en20 l'absence de cette section passive, cette imprécision affecterait la longueur de l'absorbeur, ce qui empecherait d'obtenir de manière reproductible une grande vitesse de réponse du laser au courant de commande d'absorbance. Selon une autre disposition avantageuse l'amplificateur Sl et l'absorbeur 52 sont connectés optiquement à un composant optique 26 par l'intermédiaire de la section passive 53 Cette disposition facilite la réalisation d'un circuit optique incluant la plaquette 4 et ce composant Ce dernier est par exemple une photodiode 26 qui constitue un récepteur de lumière et fait partie de la source de commande d'absorbance 22, 23, 24, 26. Des canaux d'isolation électrique sont formés dans la plaquette semiconductrice 4 à partir de sa face supérieure 14 Un canal d'isolation arrière Cl est localisé longitudinalement entre l'électrode d'alimentation El et l'absorbeur 52 Un canal35 d'isolation avant C 2 est localisé longitudinalement au voisinage du -7- bord avant de l'électrode de commande E 2 et il constitue un obstacle au courant électrique sur des trajets allant de l'électrode de commande d'absorbance E 2 à la couche d'électrode inférieure 2 en passant à travers la section passive 53 La5 présence d'un tel obstacle permet de réaliser une commande efficace en utilisant une source de commande d'absorbance fournissant un courant de relativement faible intensité, ceci parce qu'une fraction efficace relativement importante de ce courant passe à travers l'absorbeur alors que la condition à remplir relativement à10 ce courant pour réaliser une commande efficace est que cette fraction efficace ait une intensité suffisante. L'oscillateur laser dont diverses dispositions viennent d'être décrites émet ladite lumière d'émission sous la forme d'un faisceau P 3, en réponse à un signal d'entrée de nature électrique15 tel que le courant de commande d'absorbance I 2 Par contre le dispositif de traitement de signal optique qui inclut cet oscillateur émet cette lumière en réponse à un signal d'entrée de nature optique Ce signal d'entrée est constitué par un faisceau lumineux Pl reçu par la photodiode 26 qui constitue un récepteur de20 lumière inclus dans la source de commande d'absorbance Ce faisceau commande un courant qui traverse cette photodiode et qui constitue, pour partie, le courant de commande d'absorbance I 2 Il commande ainsi un signal de sortie de nature optique constitué par le faisceau P 3. On va maintenant décrire de manière générale certaines dispositions qui sont adoptées dans les dispositifs de traitement selon la présente invention et qui leur sont communes, quant aux fonctions indiquées, avec un dispositif de traitement antérieur Ce dispositif antérieur est décrit dans un document OKUMURA (K.30 OKUMURA, Y OGAWA, H ITO, AND H INABA Opt Letters, 9, p 519 ( 1984)). Selon ces dispositions communes le premier dispositif de traitement donné en exemple comporte les éléments suivants représentés à la Figure 1:35 un récepteur de lumière 26 pour recevoir d'une part un -8- signal d'entrée Pl de nature optique d'autre part un signal optique interne P 2, et pour fournir, en réponse à l'ensemble de ces deux signaux, un signal électrique interne I 2, et un émetteur de lumière 4 pour fournir, en réponse à ce signal électrique interne, d'une part ledit signal optique interne en constituant une boucle de rétroaction, d'autre part un signal de sortie P 3 de nature optique. Cette boucle a un gain de boucle qui est un gain différentiel de boucle ouverte et qui présente des variations en fonction des deux dits signaux optique et électrique internes Ces variations font apparaître une valeur maximale de ce gain de boucle pour deux valeurs non nulles de ces deux signaux, respectivement. Un moyen d'élévation de gain est inclus dans cette boucle pour élever au moins cette valeur maximale du gain de boucle et pour la rendre de préférence supérieure à 0,9. La présence d'une boucle de rétroaction présentant un gain qui s'approche ainsi de l'unité ou qui la dépasse permet de faire varier le gain différentiel du dispositif, c'est-à-dire le rapport de la variation du signal de sortie P 3 à celle du signal d'entrée Pl, dans une proportion beaucoup plus forte que celle dans laquelle varie le gain de boucle La variation de la puissance du signal de sortie P 3 d'un tel dispositif en fonction des variations du signal d'entrée Pl est illustrée sur la Figure 7 par trois courbes dites "caractéristiques" CA, CB et CC qui correspondent, respectivement, à des valeurs du gain de boucle G inférieure, égale et supérieure à l'unité. Dans le cas d'un gain peu inférieur ou égal à un la courbe caractéristique du dispositif est en forme de S Dans le cas d'un gain de boucle supérieur à un, elle présente un cycle d'hystérésis, c'est-à-dire une bistabilité. De telles courbes caractéristiques peuvent notamment permettre de restituer la forme d'une impulsion initialement rectangulaire qui a été déformée au cours de sa transmission Bien entendu un gain global du dispositif de traitement peut être choisi très35 supérieur au gain de boucle si on souhaite obtenir un signal de -9- sortie de puissance sensiblement supérieure à celle du signal d'entrée. En complément à ces dispositions communes, on peut, selon la présente invention, adopter diverses dispositions avantageuses qui vont maintenant être décrites de manière générale. Selon une telle disposition avantageuse qui est adoptée dans les deux dispositifs donnés en exemples et qui va être décrite à l'aide de la Figure 1, le signal électrique interne I 2 est appliqué sans amplification à l'émetteur de lumière 4, et ledit moyen d'élévation de gain est au moins associé à cet émetteur pour commander le signal optique interne P 2 tel que reçu par le récepteur de lumière 26. Selon une autre disposition avantageuse qui est adoptée dans le premier dispositif donné en exemple, ce moyen d'élévation de gain comporte un absorbeur saturable 52 dont l'absorbance est commandée par ledit signal électrique interne I 2 et décroit lorsque ce signal croit, la variation de cette absorbance en fonction de ce signal provoquant une croissance du gain de boucle lorsque ce signal atteint en croissant une zone de non linéarité de ce dispositif. Selon une autre disposition avantageuse cet absorbeur saturable 52 et un amplificateur de lumière 51 sont inclus dans une cavité optique résonnante 27, 28 pour former un oscillateur laser constituant ledit émetteur de lumière 4 Ces dispositions25 présentent l'avantage que l'intensité du signal électrique interne fourni par le récepteur de lumière peut être très petite Cette petitesse facilite la réalisation du dispositif D'autre part elle permet d'utiliser un récepteur 26 à réponse rapide tel qu'une photodiode rapide du type pin polarisée en inverse L'emploi d'une telle polarisation de cette photodiode est rendu possible, sans créer un risque de détérioration de la plaquette 4, par le fait que le courant I 2 est de sens direct Cette polarisation est par exemple réalisée par une source de potentiel 24 Le courant I 2 est constitué par la somme du courant traversant cette photodiode et35 d'un courant de prépolarisation fourni par une autre source de -10- potentiel 22 à travers une résistance 23 Ces deux sources de potentiels et cette photodiode constituent ensemble la source de commande d'absorbance. Cet absorbeur est par exemple l'absorbeur 52 de l'oscillateur laser précédemment décrit. Selon une autre disposition avantageuse qui est déjà apparue ci-dessus à propos de cet oscillateur, ces absorbeur 52 et amplificateur de lumière 51 constituent deux sections longitudinalement successives d'un guide de lumière 53, 52, 53 formé dans une plaquette semiconductrice 4 qui constitue ledit émetteur de lumière et au sein de laquelle cet amplificateur reçoit un courant d'alimentation Il fourni par une source d'alimentation qui est au moins partiellement indépendante du signal optique interne P 2. Par ailleurs il peut être avantageux que la longueur d'onde d'émission, c'est-à-dire celle du signal de sortie P 3, soit commandée Ceci pourrait être par exemple réalisé à l'aide d'un réflecteur de Bragg distribué qui serait formé dans une section de commande de fréquence du guide de lumière et qui serait complété par une section d'accord de phase, les indices de réfraction de ces deux sections étant commandés comme connu par des courants électriques injectant des porteurs de charge dans ces sections. La longueur d'onde d'émission peut par ailleurs être avantageusement différente de celle du signal d'entrée Pl Cette disposition réalise un découplage optique entre le laser constitué par la plaquette 4 et une source optique amont non représentée fournissant le signal d'entrée constitué par le faisceau Pl Ce découplage élimine tout effet perturbateur de rétroaction optique parasite sur cette source amont. On va maintenant donner de manière plus particulière diverses indications sur les éléments précédemment mentionnés. La plaquette 4 a été réalisée à partir d'un substrat de phosphure d'indium In P dopé N par épitaxie en phase liquide Les matériaux actif (sections 51 et 52) et passif (section 53) utilisés35 seront dits ci- après de type 1 et 2 Ce sont des alliages -11- quaternaires non intentionnellement dopés Ils sont constitués d'indium, de gallium, d'arsenic et de phosphore du type In Ga As P et accordés en maille avec le substrat Ces 1-x x y 1-y matériaux présentent, respectivement des bandes interdites correspondant à des longueurs d'onde 1 530 nm et 1300 nm La première de ces deux longueurs constitue ladite longueur d'onde d'émission Les matériaux de confinement, c'est-à-dire ceux des couches de confinement, sont le substrat d'In P dopé N pour la couche de confinement inférieure 6 et une couche épitaxiée d'In P dopé p pour la couche de confinement supérieure 10 Une couche de contact épitaxiée n'est pas représentée Son épaisseur est 200 nm. Elle est constituée d'un matériau de contact quaternaire de type 2 et fortement dopée p Elle est présente sous les électrodes El et E 2. is La plaquette 4 a été réalisée selon la filière technologique dite du phosphure d'indium, mais son principe de réalisation peut être transféré à tout système de matériaux semi-conducteurs tel celui de que la filière arséniure de gallium, Ga As Les matériaux de type 1 et 2 peuvent également être remplacés par des structures plus complexes telles que des structures à multi-puits quantiques, à super réseaux, ou à un empilement quelconque de couches de matériaux différents, dopés ou non Il suffit que la structure mise en place du matériau 1 présente un gain optique à la longueur d'onde d'émission désirée et que la structure mise en place du matériau de type 2 soit transparente pour cette même longueur d'onde. Les matériaux actif et passif doivent être entourés de part et d'autre par des matériaux de confinement également transparents à la longueur d'onde d'émission, afin de constituer un guide d'onde monomode Un matériau sera dit transparent si son absorption linéique est typiquement inférieure à 50 cm Les différents éléments de la plaquette 4 réalisée peuvent être précisés comme suit: Amplificateur Sl et absorbeur 52 constitués de matériau de type 1, dit actif présentant un gain optique maximal à la longueur -12- d'onde d'émission et non- intentionnellement dopé N à 10 cm 3 Section passive 53 constituée de matériau de type 2, dit passif, transparent pour la longueur d'onde d'émission, présentant un gain optique maximal à la longueur d'onde de 1 300 nm, dopé N à 5 17 cm 3 Couche de confinement supérieure 10 de type In P dopée p avec une 17 18 -3 concentration comprise entre 10 et 2 10 cm, d'épaisseur typiquement supérieure à 1000 nm. Couche de confinement inférieure 6 de type In P, dopée N avec une 17 18 -3 concentration comprise entre 10 et 5 10 cm, d'épaisseur supérieure à 1000 nm. Absorbeur 52 non directement alimenté par l'électrode El Il présente une absorbance saturable à la longueur d'onde d'émission. Sa longueur typique peut varier entre 0,005 et 0,025 mm Sa15 longueur réalisée est, par exemple, de 0,01 mm. La dimension de l'électrode El selon ladite direction longitudinale peut typiquement varier entre 0,1 et 0,6 mm, par exemple 0,4 mm. L'électrode de commande d'absorbance E 2 est typiquement située au voisinage de la transition (à une distance inférieure à 0,01 mm) entre les matériaux actif et passif et donc de l'absorbeur saturable Sa dimension selon la direction X peut varier entre 0,001 et 0,1 mm Elle détermine directement la valeur du courant de commande I 2 Il y a intérêt à rendre cette électrode la plus étroite possible, une valeur réalisée étant de 0,085 mm. Les canaux d'isolement Cl et C 2 sont creusés dans le matériau de contact (non-représenté) et la couche de confinement supérieure 10 afin de déterminer les valeurs des résistances entre sections ou entre électrodes Ces canaux peuvent typiquement avoir une largeur30 de 0,005 mm et une profondeur égale au 3/4 de l'épaisseur totale du matériau de contact et du matériau de confinement supérieur. La résistance électrique entre l'électrode d'alimentation El et l'absorbeur saturable 52 peut varier entre 100 ohms et 10 000 ohms. On a testé les valeurs 200 ohms et 1 400 ohms.35 La résistance électrique entre l'électrode de commande -13- d'absorbance E 2 et l'absorbeur saturable 52 a été testée avec une valeur de 20 ohms. Les figures 3, 4, 5 et 6 représentent le comportement du laser réalisé décrit ci-dessus pour quatre valeurs du courant de commande I 2 respectivement 0-0,1-0,5 et lm A Elles montrent le cycle d'hystérésis de la puissance optique émise (en ordonnée) en fonction de l'intensité du courant (en abscisse) injecté dans le laser à travers l'électrode d'alimentation El. Il est remarquable qu'une intensité du courant I 2 aussi faible que 0,1 m A permette de commander l'absorbance de l'absorbeur saturable Une fermeture complète du cycle d'hystérésis est obtenue pour une variation de I 2 inférieure à lm A Une augmentation de I 2 réduit principalement la valeur du courant Il provoquant l'émission lumineuse, mais il est important de constater que la valeur du courant Il provoquant l'extinction est également réduite. Un intérêt important de la présente invention réside dans le fait que l'on peut commander la largeur du cycle d'hystérésis d'un laser à semiconducteur bistable par des courants de commande très faibles typiquement inférieurs au m A et qu'en plus cette commande20 se fait avec une polarisation directe de la jonction semiconductrice qui reçoit ce courant au sein de ce laser Ceci permet de réaliser plus facilement un dispositif de traitement de signal dans lequel le signal électrique interne I 2 est fourni par une photodiode polarisée en inverse telle que 26. On va maintenant décrire une disposition alternative avantageuse qui est adoptée dans le deuxième dispositif donné en exemple et qui va être décrite par référence à la Figure 8. Selon cette disposition, ledit émetteur de lumière est constitué par un oscillateur laser 50 qui est alimenté par ledit signal électrique interne, constitué ici par un signal Jl, et qui fournit ledit signal optique interne, constitué ici par une signal Q 2, avec un rendement quantique toujours inférieur à ladite valeur maximale du gain de boucle Ledit moyen d'élévation de gain est alors constitué par un amplificateur de lumière Il constitue un35 amplificateur de boucle 52 externe à l'oscillateur laser 50 Il -14- reçoit le signal optique interne en sortie de cet oscillateur laser, l'amplifie, et transmet en réponse un signal optique interne amplifié Q 3 audit récepteur de lumière qui est ici un récepteur 54. Lesdits signaux d'entrée et de sortie de ce dispositif sont représentés en Qi et Q 4, respectivement. Dans le cadre de cette disposition l'oscillateur laser peut être du type à rétroaction distribuée appelé internationalement "DFB" et il peut être intégré au sein d'une plaquette semiconductrice avec l'amplificateur de boucle et, éventuellement, avec le récepteur de lumière. - REVENDICATIONS 1/ Dispositif à rétroaction positive pour le traitement d'un signal optique, ce dispositif étant caractérisé par le fait qu'il présente un gain de boucle de nature optique. 2/ Dispositif selon la revendication 1, comportant un récepteur de lumière ( 26) pour recevoir d'une part un signal d'entrée (Pl) de nature optique d'autre part un signal optique interne (P 2), et pour fournir, en réponse à l'ensemble de ces deux signaux, un signal électrique interne (I 2), et un émetteur de lumière ( 4) pour fournir, en réponse audit signal électrique interne, d'une part ledit signal optique interne en constituant une boucle de rétroaction, d'autre part un signal de sortie (P 3) de nature optique, ces signaux optique interne (P 2) et de sortie (P 3) étant constitués d'une lumière d'émission qui présente uneis longueur d'onde d'émission propre à cet émetteur de lumière, cette boucle ayant un gain de boucle qui est un gain différentiel de boucle ouverte et qui présente des variations en fonction des deux dits signaux optique et électrique internes, ces variations faisant apparaître une valeur maximale de ce gain de boucle pour deux valeurs20 non nulles de ces deux signaux, respectivement, un moyen d'élévation de gain étant inclus dans cette boucle pour élever au moins cette valeur maximale du gain de boucle, ce dispositif étant caractérisé par le fait que ledit signal électrique interne (I 2) est appliqué sans amplification audit émetteur de lumière ( 4), ledit moyen d'élévation de gain (Sl, 52) étant au moins associé audit émetteur de lumière ( 4) pour commander ledit signal optique interne (P 2) tel que reçu par ledit récepteur de lumière ( 26). 3/ Dispositif selon la revendication 2, dans lequel ladite valeur maximale du gain de boucle est supérieure à 0,9. 4/ Dispositif selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ledit moyen d'élévation de gain (Si, 52) comporte un absorbeur saturable ( 52) apte à absorber une énergie lumineuse à l'instant o il reçoit une telle énergie, cet absorbeur absorbant cette énergie35 seulement dans la mesure o l'énergie lumineuse qu'il a absorbée et accumulée pendant une période de conservation d'énergie est inférieure à une absorbance de cet absorbeur, cette période de conservation d'énergie précédant et incluant cet instant et ayant une durée 16 - limitée, cette absorbance étant commandée par ledit signal électrique interne (I 2) et décroissant lorsque ce signal croit, la variation de cette absorbance en fonction de ce signal provoquant une croissance dudit gain de boucle lorsque ce signal atteint en croissant une zone de non linéarité de ce dispositif. 5/ Dispositif selon la revendication 4, caractérisé par le fait que ledit absorbeur saturable ( 52) et un amplificateur de lumière ( 51), sont inclus dans une cavité optique résonnante ( 27, 28) pour former un oscillateur laser constituant ledit émetteur de lumière ( 4).10 6/ Dispositif selon la revendication 5, caractérisé par le fait que lesdits absorbeur ( 52) et amplificateur de lumière ( 51) constituent deux sections longitudinalement successives d'un guide de lumière (Sl, 52, 53) formé dans une plaquette semiconductrice ( 4) qui constitue ledit émetteur de lumière et au sein de laquelle cet amplificateur reçoit un courant d'alimentation (Il) fourni par une source d'alimentation ( 20) qui est au moins partiellement indépendante dudit signal optique interne (P 2). 7/ Dispositif selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ledit émetteur de lumière est constitué par un oscillateur laser ( 50) alimenté par ledit signal électrique interne (Jl), cet oscillateur laser fournissant ledit signal optique interne (Q 2) avec un rendement quantique toujours inférieur à ladite valeur maximale du gain de boucle, ledit moyen d'élévation de gain étant constitué par un amplificateur de lumière qui constitue un amplificateur de boucle ( 52)25 et qui est externe à cet oscillateur laser, cet amplificateur recevant ce signal optique interne en sortie de cet oscillateur laser et transmettant en réponse un signal optique interne amplifié (Q 3) audit récepteur de lumière. 8/ Dispositif selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ledit récepteur de lumière ( 26) est une photodiode rapide du type p i N polarisée en inverse. 9/ Dispositif selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ladite longueur d'onde d'émission est commandée. / Dispositif selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ladite longueur d'onde d'émission est différente de la longueur d'onde dudit signal d'entrée (PI).