FR 2679701 A1 19930129 FR 9207902 A 19920626 1 STRUCTURE ET PROCÉDÉ D'ETALONNAGE DIRECT DE SYSTEMES DE MESURE D'ALIGNEMENTBASESSUR LA TOPOGRAPHIE REELLE X PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE A SEMI-CONDUCTEUR La présente invention concerne de façon générale la fabrication des circuits intégrés et, de façon plus particulière, un procédé et un appareil pour mesurer et étalonner l'alignement entre les couches superposées d'un plaquette a% semi-conducteur. La fabrication de dispositifs complexes à semi- conducteurs implique de multiples étapes de trai- tement De multiples couches configurées de différents matériaux sont appliquées sur un substrat pour créer le dispositif électronique à semi-conducteur désiré. Les différentes couches se superposent l'une l'autre et doivent être alignées avec précision pour garantir le fonctionnement correct du dispositif à semi-conduc- teur Des écarts entre les composants correspondants sur les différentes couches peuvent dégrader les performances du dispositif ou peuvent rendre le dispositif totalement inopérant Au fur et à mesure que les dispositifs à semi-conducteur sont devenus de plus en plus complexes, les dimensions des com- posants ont diminué de façon correspondante Cette diminution des dimensions des composants a diminué les tolérances acceptables sur les écarts entre les couches. Lorsque l'on fabrique un dispositif a semi- conducteur, c'est l'une des nombreuses microplaquettes qui se trouvent sur une plaquette de matériau semi- conducteur On décrit ci-dessous un exemple d'un processus de fabrication typique Premièrement, on configure une plaquette de silicium avec un nitrure et on l'attaque chimiquement On fait croître une couche de dioxyde de silicium sur les fenêtres du 1 nitrure et on élimine le nitrure Puis, on dépose sur la plaquette un polysilicium, dans l'alignement de la couche précédente, puis à nouveau on configure la plaquette puis on l'attaque chimiquement Puis on aligne la plaquette sur la couche précédente, on la configure et on y diffuse des dopants Après cette étape, on dépose un diélectrique sur la plaquette, on l'aligne avec la couche précédente puis, à nouveau, on configure la plaquette et on l'attaque chimiquement Enfin, on dépose sur la plaquette une couche métallique, on l'aligne avec la couche précédente et on la configure et on l'attaque chimiquement. Des densités de circuit plus élevées, des dimensions de dispositifs plus faibles, et des dimensions de microplaquettes plus grandes ont résulté de techniques de fabrication améliorées. Ces progrès nécessitent de pouvoir fabriquer de façon plus précise les configurations des circuits utilisées pour chaque étape du processus de fabrication de façon qu'elles puissent s'aligner les unes avec les autres de façon plus précise Pour aider l'alignement des couches superposées sur les plaquettes en semi- conducteur, il est devenu de pratique courante d'inclure dans chaque couche de la plaquette des configurations ou marques d'alignement Les configu- rations se superposent l'une l'autre et sont en relation prédéterminée si les couches sont correc- tement alignées Une configuration d'alignement couramment utilisée présente des carrés de diffé- rentes dimensions sur les couches à aligner Si les deux plaquettes sont exactement alignées, les carrés sont concentriques Toute erreur d'alignement produit un écart des carrés l'un par rapport à l'autre. Etant donné que les plaquettes en semi-conducteur comportant de multiples circuits intégrés complexes sont de fabrication couteuse, il est habituellement souhaitable de vérifier l'alignement après l'appli- cation de chaque couche sur la plaquette Si l'écart des couches se trouve en dehors des limites accep- tables, on peut enlever la couche fautive et la remplacer par une couche alignée avec précision. La mesure de l'alignement, sa vérification et sa correction évitent de mettre au rebut des plaquettes à résultats potentie L Lement bons. Pour éviter des défauts d'alignement et Les dépenses qui en résultent, il faut déterminer l'ali- gnement avec précision Dans le passé, il était de pratique courante de vérifier l'alignement manuel- lement Des opérateurs expérimentés examinaient l'alignement des configurations superposées, par exemple, typiquement, des paires de structures bicouches à peignes imbriqués dénommées placages optiques, sur chaque plaquette Toutefois, ces techniques étaient relativement lentes et sujettes à erreur humaine et à contamination des plaquettes en semi-conducteur. Plus récemment, on a réalisé des systèmes auto- matiques pour mesurer l'alignement Bien que ces systèmes automatiques représentent d'importants progrès par rapport aux systèmes manuels antérieurs, néanmoins, un système de mesure introduit inévita- blement certaines erreurs dans les valeurs mesurées. Ces erreurs surviennent à la fois dans les portions optiques et dans les portions électroniques des systèmes automatisés Aucun système connu ne peut éliminer ou compenser entièrement ces erreurs que l'on désigne typiquement sous le nom d'erreurs systématiques. Dans le passé, il était habituel d'étalonner 1 de tels systèmes d'alignement en comparant les mesures avec celles obtenues d'un autre système, tel qu'un microscope électronique à balayage (SEM), connu pour être précis Toutefois, ces techniques d'étalonnage sont relativement complexes et nécessitent un coûteux équipement complémentaire Actuellement, l'aptitude à étalonner les systèmes de mesure d'ali- gnement est limitée à trois techniques: ( 1) la technique de décalage à simple couche, ( 2) la technique de micrographie, par microscope électronique à balayage, des structures multicouches, et ( 3) la technique de dérive provoquée par l'instrument de mesure (TIS) Ces trois techniques sont limitées en ce qui concerne leurs applications et leur précision. Pour décrire les limitations de ces techniques, il faut décrire la structure actuelle qui est visée pour déterminer l'alignement et les conditions dans lesquelles cela se présente par rapport au système de mesure La structure actuelle utilisée pour déterminer l'alignement comporte un substrat sous- jacent, une couche de base, une couche de vernis photosensible développée et, dans la plupart des cas, une couche intermédiaire qui est habituellement déposée pour un traitement ultérieur Un exemple de structure de mesure typique se présente sous forme d'une boîte à l'intérieur d'une boîte permettant de déterminer la mesure d'alignement pour la couche photosensible par rapport à la couche de base On détermine la mesure d'alignement en mesurant les composantes x et y des boîtes concentriques On définit comme coordonnée ( 0,0) le centre géométrique désigné des deux boîtes La différence réelle entre le centre de la boîte intérieure et le centre de la boîte extérieure au cours du traitement de la 1 plaquette constitue le décalage d'alignement à déterminer Une dimension typique pour la boite intérieure est un carré de côté 10 microns Une dimension typique pour le bord intérieure de la boîte extérieure est un carré de côté 20 microns, le bord extérieur de la boite extérieure étant un carré de c 8 té 50 microns Bien qu'il ne s'agisse pas de nombres absolus, on les donne comme dimensions typiques employées dans l'industrie. Dans la technique de décalage à simple couche, la boîte extérieure et la boîte intérieure sont toutes les deux dessinées sur la même couche, c'est-à-dire soit sur la couche de base, soit sur la couche de vernis photosensible Des décalages de la boîte extérieure par rapport à la boîte intérieure sont dessinés dans la structure Il y a habituellement un groupe de structures avec différents décalages à la fois dans la direction x et dans la direction y On mesure ces structures et on trace la courbe des valeurs mesurées par rapport aux valeurs dessinées On détermine les équations correspondant au meilleur ajustement et on les utilise comme courbes d'étalonnages dans le système de mesure d'alignement pour mesurer la topographie réelle du procédé multi- couche La limitation de cette technique réside en ce qu'elle ne représente pas la topographie réelle à mesurer Par conséquent, l'étalonnage du système de mesure ne contient pas les caractéristiques optiques de la structure à mesurer Le facteur optique manquant le plus important est la distance focale optimale entre la partie supérieure de la couche photosensible et la partie supérieure de la couche de base D'autres facteurs importants sont l'indice de réfraction et la distorsion d'une couche inter- médiaire. 1 La technique de micrographie par microscope électronique à balayage est très difficile à utiliser et elle est limitée dans ses applications et préci- sions Cette technique utilise un microscope électro- nique à balayage SEM pour prendre des micrographies hiérarchisées de la structure multicouche "'boîte dans boîte" ou une structure d'alignement multicouche semblable Puis, on utilise les micrographies pour mesurer les composantes x et y de l'alignement On effectue ces mesures par mesure manuelle avec des calibres et par corrélation avec une autre micro- graphie de microscope SEM de standard "connu" Si le système à microscope SEM comporte des possibilités de mesure directe, alors il est inutile de prendre les micrographies et de les mesurer Après avoir déterminé les mesures de l'enregistrement au micros- cope SEM, on les porte sur une courbe par comparaison avec les valeurs du système de mesure On détermine les équations du meilleur ajustement et on les utilise comme courbes d'étalonnages pour les systèmes de mesure d'alignement. Etant donné que le microscope électronique à balayage SEM est considéré comme étant le standard de mesure de l'industrie du semi-conducteur, on pourrait penser qu'un étalonnage effectué en référence à ses mesures serait le plus précis Toutefois, il existe différentes variables inhérentes à un micros- cope SEM qui limitent à la fois les applications et la précision de cette technique Premièrement, le microscope SEM est un système extrêmement sensible qui repose sur la stabilité du faisceau Malheureu- sement, de petites fluctuations dans la stabilité du faisceau sont courantes et provoquent un asti- gmatisme dans la micrographie résultante L'astigma- tisme se traduit par une erreur dans la mesure des 1 composantes x et y de l'alignement En outre, on ne peut pas affirmer que les micrographies prises à des moments différents présentent les mêmes carac- téristiques inhérentes du faisceau. Secondement, le microscope SEM a gagné sa noto- riété par son aptitude à obtenir la résolution de très petits détails On admet que cette aptitude est transférable à la détermination de très petites différences en orientation Toutefois, le microscope SEM doit être réglé à un grossissement très élevé pour obtenir la résolution de petites différences de détail Malheureusement, les structures de mesure d'alignement actuellement employées sont conçues pour être très importantes pour utiliser au maximum le champ de l'image et le grossissement du système de mesure d'alignement, mais cette grande dimension limite leur visualisation sur un microscope SEM à un grossissement très faible Par conséquent, l'avan- tage du microscope SEM de présenter une résolution élevée est mis en échec par l'emploi d'un faible grossissement. Troisièmement, le signal fourni par le microscope SEM résulte du rebond d'un faisceau d'électrons à partir d'une surface et du tracé des chemins des électrons diffusés pour créer une image Malheureu- sement, la présence d'une couche intermédiaire va empêcher le faisceau d'atteindre la couche de base. Par conséquent, avec ces techniques, il n'est pas possible d'étalonner tous les niveaux du processus qui comportent une couche intermédiaire. Dans La technique TIS, Le système de mesure d'ali- gnement (RHS) effectue deux mesures d'une structure d'alignement pour déterminer la dérive provoquée par l'instrument de mesure et montrée par Le système 1 de mesure d'alignement RMS La première mesure est faite avec la structure d'alignement à O' et la seconde mesure est faite avec la structure d'ali- gnement entrainée en rotation sur 1800 La dérive TIS provoquée par l'instrument de mesure et calculée a partir de ces mesures peut compenser les mesures ultérieures effectuées avec le système RMS de mesure d'alignement Toutefois, la technique TIS ne compense que les décalages en translation Elle ne compense pas les erreurs dues au grossissement systématique ni les erreurs de distorsion telles que l'astigma- tisme. La présente invention a pour but de surmonter, ou tout au moins de réduire au minimum, un ou plusieurs des problèmes énumérés ci-dessus. Conformément à un premier aspect de la présente invention, on propose une structure d'étalonnage à utiliser pour étalonner un système de mesure d'alignement La structure d'étalonnage comporte une première structure d'alignement formée sur un substrat La première structure d'alignement présente une première configuration et une seconde configu- ration, vu d'un point situé sur une perpendiculaire à un plan défini de façon générale par le substrat. Chacune de la première et de la seconde configurations présente un centre et l'on choisit une valeur nulle pour le déplacement entre les centres de la première configuration et de la seconde configuration, c'est- à-dire que l'on admet l'absence de tout désalignement provoqué par une étape du procédé de fabrication du circuit intégré En réalité, il peut y avoir un désalignement dû à un désalignement effectif du masque de fabrication et/ou a d'autres variations d'une étape du procédé provoquées par les étapes du procédé telles que l'on y procède en fait Ce 1 que l'on désire mesurer au moyen du système de mesure d'alignement, c'est la valeur et la direction de ce désalignement effectif, l'emploi de la structure et du procédé de la présente invention ayant pour but de faciliter l'étalonnage de ce système de mesure. La structure d'étalonnage comporte également une pluralité de secondesstructures d'étalonnage, formées chacune sur le substrat et situées sur le substrat à une certaine distance l'une de l'autre et de la première structure d'alignement Chacune des secondes structures d'alignement présente une troisième confi- guration et une quatrième configuration dont chacune a un centre dans le même plan de visée que la première et la seconde configurations On choisit pour les centres de chacune des troisièmes configurations et de leurs quatrièmes configurations respectives un déplacement présélectionné de décalage non nul, d'une valeur connue dans une direction connue, en supposant à nouveau qu'il n'y ait pas de désalignement provoqué par le procédé de fabrication du circuit intégré En réalité, les déplacements présélectionnés des centres de la troisième et de la quatrième confi- gurations respectives peuvent présenter, par rapport au déplacement présélectionné, un désalignement ayant en gros la même valeur que ce dont la première et la seconde configurations de la première structure d'alignement sont désalignées par rapport à leur concentricité, ceci par suite de désalignements quelconques du masque ou d'autres désalignements variables du procédé affectant également l'alignement de la première structure d'alignement. Conformément à un autre aspect de la présente invention, on propose un procédé d'étalonnage d'un système de mesure d'alignement Le procédé comporte les étapes suivantes On place une structure d'éta- 1 O 1 lonnage sur le système de mesure d'alignement dans une position initiale La structure d'étalonnage présente une structure d'alignement de décalage présélectionné de valeur nulle et une pluralité de structures d'alignement de décalage présélectionné de valeur non nulle De préférence, la structure d'étalonnage correspond à la structure d'étalonnage décrite ci-dessus On détermine la dérive TIS provoquée par l'instrument de mesure et montrée par les systèmes de mesure d'alignement De préfé- rence, on détermine la dérive TIS en mesurant le déplacement de la structure d'alignement de décalage de valeur nulle à la position initiale et à 1800 de la position initiale, puis, en prenant la moyenne de ces mesures La plaquette se trouvant dans la position initiale, on effectue, dans une direction donnée et en utilisant le système de mesure d'ali- gnement, une première mesure de déplacement de la structure d'alignement de décalage de valeur nulle. Puis on fait tourner la structure d'étalonnage de 900 par rapport à sa position initiale et on effectue, dans la direction donnée et en utilisant le système de mesure d'alignement, une seconde mesure de dépla- cement de la structure d'alignement de décalage de valeur nulle Puis, on fait à nouveau tourner la structure d'étalonnage de 180 degrés par rapport a sa position initiale et on effectue, dans la direc- tion donnée et en utilisant le système de mesure d'alignement, une troisième mesure de déplacement de la structure d'alignement de décalage de valeur nulle Puis, on fait tourner la structure d'étalon- nage de 270 degrés par rapport à la position initiale et on effectue, dans la direction donnée et en uti- lisant le système de mesure d'alignement, une quatrième mesure de déplacement de la structure 1 1 1 d'alignement de décalage de valeur nulle En utili- sant ces mesures, on vérifie la dérive provoquée par l'instrument de mesure et on détermine la présence ou l'absence d'astigmatisme Puis, on replace la structure d'étalonnage dans la position initiale et on effectue des cinquièmes mesures de déplacement pour toutes les structures d'alignement de décalage de valeur nulle et de valeur non nulle On calcule ensuite les cinquièmes mesures, ajustées, de dépla- cement en soustrayant, de chacune des cinquièmes mesures respectives de déplacement des structures d'alignement de décalage de valeur non nulle, la cinquième mesure de déplacement de la structure d'alignement de décalage de valeur nulle Des cinquièmes mesures de déplacement, ajustées, et de leurs décalages présélectionnés respectifs, on déduit une courbe d'étalonnage On règle le système de mesure d'alignement en utilisant la dérive provoquée par l'instrument de mesure, ainsi déterminée, pour compenser les erreurs de translation, par exemple la dérive provoquée par l'instrument de mesure, montrées par le système de mesure d'alignement et, en utilisant la courbe d'étalonnage déduite des cinquièmes mesures, ajustées, de déplacement et de leurs décalages présélectionnés respectifs, on règle le système de mesure d'alignement pour compenser les erreurs systématiques, par exemple en grossis- sement et en distorsion, montrées par le système de mesure d'alignement. Les avantages ci-dessus, ainsi que d'autres, de l'invention apparaîtront à la lecture de la des- cription détaillée qui suit et en se référant aux dessins sur lesquels: la figure 1 représente un système de mesure d'enregistrement à étalonner, pris à titre d'exemple; 1 la figure 2 représente une structure d'éta- lonnage, prise à titre d'exemple, à utiliser avec le procédé d'étalonnage conforme à la présente invention; la figure 3 représente une une vue de dessus d'une structure d'alignement sur la structure d'éta- lonnage de la figure 2; la figure 4 représente une vue en coupe typique de la structure d'alignement de la figure 3, prise selon la ligne 4-4; la figure 5 représente les boîtes intérieures des structures d'alignement sur une structure d'éta- lonnage partiellement fabriquée; et la figure 6 représente les boîtes extérieures des structures d'alignement sur une structure d'éta- lonnage. Bien que l'invention soit susceptible de diffé- rentes modifications et formes variantes, on a repré- senté des réalisations spécifiques à titre dtexemple sur les dessins et on va les décrire en détail ci-dessous Toutefois, il faut comprendre que l'inven- tion n'envisage pas de se limiter aux formes parti- culières décrites Bien plutôt, l'invention doit couvrir toutes les modifications, équivalents et variantes suivant ce qui est l'esprit et l'objet de l'invention tels que définis par les revendications jointes. En regardant maintenant les dessins et en se reportant tout d'abord à la figure 1, elle représente un système de mesure d'alignement (RMS) pris à titre d'exemple et désigné de façon générale par le repère En pratique, le système de mesure d'alignement RMS 10 facilite l'alignement des différentes couches dans le traitement des fabrications à semi-conduc- teur Le système de mesure d'alignement RMS 10 1 comporte un porte-plaquettes 12 qui contient les plaquettes à mesurer Une pince (non représentée) de transport des plaquettes prend une plaquette 14 sur le porte-plaquettes 12 et la place sur un dispo- sitif de pré-alignement 16 Le dispositif de préali- gnement 16 fait tourner la plaquette 14 pour lui donner une orientation prédéterminée en détectant le plat de la plaquette, c'est-à-dire le bord recti- ligne d'une plaquette Puis, la pince de transport de la plaquette transporte la plaquette 14, depuis le dispositif de préalignement 16, jusqu'à un étage de mesure 18. Un système optique, désigné de façon générale par le repère 20, est monté au-dessus de l'étage de mesure 18 Le système de mesure 20 comporte un microscope 22 et une caméra vidéo 24 qui sont placés en alignement axial l'un avec l'autre de façon que la caméra vidéo 24 enregistre les images recueillies par le microscope 22 De préférence, le microscope peut grossir de 2 à 200 fois une plaquette 14 placée sur l'étage de mesure 18. En service, la pince de transport de plaquette place la plaquette 14 sur l'étage 18 dans une position horizontale telle que le plan défini par la plaquette 14 soit perpendiculaire à l'axe optique du système optique 20 De préférence, l'étage 18 est mobile dans les trois dimensions pour permettre de posi- tionner par rapport au système optique 20 les configu- rations d'alignement choisies Par conséquent, l'étage 18 positionne avec précision la plaquette 14 pour que les configurations d'alignement à mesurer soient placées sous le microscope 22 et orientées vers lui. Puis, on fait tourner la tourelle du microscope pour avoir le grossissement désiré et la caméra vidéo 24 enregistre l'image, focalisée, des configurations 1 d'alignement. La caméra vidéo 24 fournit des signaux élec- triques, représentatifs de l'image enregistrée, a un processeur d'image (non représenté) placé dans l'armoire 26 du système de mesure d'alignement RMS En utilisant les techniques connues, le processeur d'image fournit les signaux électriques, représenta- tifs de l'image, traités, à un ordinateur (non repré- senté) également logé dans l'armoire 26 L'ordinateur continue à traiter les signaux électriques reçus du processeur d'image et visualise l'image enregis- trée sur un moniteur d'image 28 couplé à l'ordinateur. Un écran 30 pour le texte et un clavier 32 sont également couplés à l'ordinateur de façon qu'un opé- rateur puisse envoyer des instructions à l'ordinateur pour, entre autres choses, déterminer l'alignement des différentes couches en réponse aux mesures de la structure d'alignement En outre, et ce qui est le plus important aux fins d'étalonnage, l'ordinateur associé à de nombreux systèmes 10 de mesure d'ali- gnement peut être programmé pour accepter les décalages de mesure ou les courbes de mesures auxquels l'ordinateur va accéder lors du calcul d'alignement. De préférence, le système de mesure d'alignement RMS 10 et tous les composants décrits qui lui sont associés sont disponibles dans le commerce Par exemple le système RMS 10 peut être le modèle Accuv-ision ACV-8 distribué par Interactive Video System, Inc de Concord, Massachusetts, ou le modèle 2031 distribué par KLA Instruments, Inc de Santa Clara, Californie Toutefois, on considère que la conception de la structure d'étalonnage décrite plus loin et le procédé pour l'analyser faciliteraont l'étalonnage et la mesure de nombreux systèmes de mesure d'alignement couramment utilisés. 1 Pour étalonner Le système RMS 10, on fabrique une structure d'étalonnage La figure 2 représente une structure d'étalonnage 34 prise à titre d'exemple De préférence, la structure d'étalonnage 34 comporte une pluralité de structures d'alignement à double niveau 36 A à I telles que celles mentionnées en tête de ce descriptif Les structures d'alignement 36 A à I qui sont sur la structure d'éta- lonnage 34 sont conçues pour que le fait de mesurer les strucures d'alignement 36 A à I conformément au procédé d'étalonnage discuté ci-dessous facilite l'étalonnage précis du système RMS 10. Les figures 3 et 4 représentent une structure d'alignement 36 prise à titre d'exemple Chaque structure d'alignement 36 comporte une boîte inté- rieure 40 qui est entourée d'une boîte extérieure ouverte 42 Comme représenté sur la figure 3, les positions de la boîte intérieure 40 et de la boite extérieure 42 sont déterminées par référence à un système de coordonnées cartésiennes comportant un axe X 44 et un axe orthogonal Y 46 Comme représenté, le centre de la boîte intérieure 40 est concentrique au centre de la boîte extérieure 42 comme défini par l'intersection de l'axe X 44 avec l'axe Y 46. Toutefois, il est important de noter que les dimensions de la périphérie extérieure de la boîte intérieure 40 sont suffisamment inférieures aux dimensions de l'ouverture 48 de la boîte extérieure 42 pour que la boîte intérieure 40 puisse être placée à l'intérieur de l'ouverture 48 en étant décalée par rapport à la position concentrique représentée, sans affecter défavorablement les performances de la structure d'étalonnage 36. La figure 4 représente la vue en coupe de la structure d'alignement 36 Etant donné que chaque 1 structure d'alignement 36 est fabriquée en utilisant des techniques de fabrication connues, on n'expliquera pas en détail ici chaque étape du processus de fabri- cation de la structure d'étalonnage 34 Il suffit de noter que chaque structure d'alignement 36 est formée sur un substrat tel qu'une plaquette de silicium La boite intérieure 40 est formée par une couche de base 50 sur le substrat 38 Il peut, ou non, y avoir une ou plusieurs couches intermédiaires 52 formées sur la face supérieure du substrat 38 et de la couche de base 50 De préférence, la boîte extérieure 42 est formée d'une couche de vernis photo- sensible 54 sur la face supérieure de la couche intermédiaire 52 si elle existe ou sur le substrat 38 s'il n'y a pas de couche intermédiaire 52. En se reportant brièvement aux figures 5 et 6, le lecteur peut avoir une compréhension de base de la fabrication de la structure d'étalonnage à double couche 34 La figure 5 représente une pluralité de boîtes intérieures 40 A à I qui sont formées dans une couche de base sur le substrat 38 Après avoir formé les boîtes intérieures 40 A à I, on peut y déposer la couche intermédiaire 52 Ensuite, comme représenté sur la figure 6, on forme les boîtes extérieures 42 A à I dans la couche de vernis photo- sensible 54 sur la couche intermédiaire 52 ou sur le substrat 38 s'il n'y a pas de couche intermédiaire 52, en des positions présélectionnées par rapport aux boîtes intérieures 40 A à I Ce procédé de fabri- cation se traduit par la formation de la structure d'étalonnage 34 représentée sur la figure 2. La structure d'étalonnage 34 comporte une ou plusieurs structures d'alignement conçues avec la boîte intérieure 40 concentrique à la boîte extérieure 42, de sorte que les coordonnées 1 X, Y du centre de chaque structure d'alignement sont ( 0,0) En d'autres termes, ces structures d'alignement sont conçues pour mesurer ( 0,0) lorsqu'il n'y a pas d'erreurs d'alignement de la plaquette ni d'erreurs provoquées par le système RMS 10 Comme représenté sur la figure 2, seule la structure d'alignement 36 A est conçue concentriquement de façon à mesurer ( 0,0). La structure d'étalonnage 34 comporte également une pluralité de structures d'alignement 36 qui ont été conçues avec des décalages entre les boîtes inté- rieures 40 et les boîtes extérieures 42, respectives. En d'autres termes, les boîtes intérieures respectives ne sont pas concentriques avec les boîtes exté- rieures 42 Comme représenté sur la figure 2, les structures d'alignement 36 B à I sont conçues avec différents défauts d'alignement en X et Y S'il n'y avait ni erreurs d'alignement de la plaquette ni erreurs provoquées par le système RMS 10, ces struc- tures d'alignement 36 B à I mesureraient la valeur prédéterminée de défaut d'alignement entre les couches du procédé comme indiqué sur la figure 2 Pour se conformer à une convention typique, les centres des boîtes intérieures 40 sont considérés être placés aux coordonnées ( 0,0), tandis que les centres de boîtes extérieures 42 en sont décalés. La combinaison des structures d'alignement précédemment décrites 36 A à I et leur étude facilitent l'étalonnage du système RMS 10 Etant donné que l'on utilisera des équations mathématiques pour décrire le procédé d'étalonnage à l'aide de la structure d'étalonnage 34, les structures d'alignement 36 A à I seront désignées par S à S, respectivement. o De plus, la structure d'étalonnage 34 est de préfé- rence dupliquée sur de multiples microplaquettes 1 prévues sur la plaquette d'étalonnage 14 Au moins l'une de ces microplaquettes doit être proche du centre de la plaquette 14 pour réduire au minimum les effets de rotation, comme cela apparaîtra Les autres structures d'étalonnage 34 peuvent être placées à la demande pour assurer l'étalonnage le plus précis pour les systèmes de mesure d'étalonnage en question. On mesure tout d'abord, à l'aide du système RMS 10, les composantes X et Y de SO pour une struc- ture d'étalonnage 34 placée sur la microplaquette centrale de la plaquette 14 De préférence, on effectue ces mesures un nombre statistiquement significatif de fois De préférence on mémorise ces composantes X et Y dans l'ordinateur du système RMS 10 Ensuite, on fait tourner la plaquette 14 de 180 autour de l'axe optique par rapport à sa position initiale Cette rotation de la plaquette 14 peut s'effectuer en faisant tourner l'étage 18 En variante, on pourrait transférer la plaquette sur le dispositif de préalignement 16, la faire tourner de 1800 et la ramener à l'étage 18 Une rotation manuelle de la plaquette est également possible mais non recommandée Bien entendu, en faisant tourner le système optique 20 de 1800 par rapport à la struc- ture d'étalonnage 34 on obtiendrait le même effet. La mesure du déplacement entre les configurations utilise des techniques connues de traitement du signal La distance entre la boîte inférieure 40 et la boîte extérieure 42 de la figure 3 se détermine par analyse des signaux fournis par la caméra 24. Les lignes des configurations 40 et 42 produisent chacune un passage d'un état à un autre dans un signal de ligne de balayage fourni par la caméra 24 L'inter- valle de temps qui s'écoule entre un passage d'un état à un autre correspondant à la boîte extérieure 1 42 et un passage d'un état à un autre correspondant à la boite intérieure 40 est représentatif de la distance entre ces deux configurations Les techniques de traitement du signal pour analyser l'image fournie par la caméra pour déterminer le déplacement entre les configurations sont bien connues de l'homme de l'art. Après avoir fait tourner de 1800 laplaquette contenant la structure d'étalonnage 34, on obtient un second ensemble de mesures de déplacement en mesurant les composantes X et Y de SO de la même structure d'étalonnage 34 préalablement mesurée, un nombre statistiquement significatif de fois, à l'aide du système RMS 10 Etant donné que la structure d'étalonnage 34 a été inversée, la direction du dépla- cement entre la boîte intérieure 40 et la boîte extérieure 42 est inversée S' il n'y avait pas d'erreurs impliquées dans la mesure, la valeur du déplacement entre ces boîtes serait la même pour les deux mesures, c'est-à-dire que la composante X de la première mesure X O serait la même que la composante X de la seconde mesure X 180, et que la composante Y de la première mesure Y O serait la même que la composante Y de la seconde mesure Y 180 Par contre, la dérive provoquée par l'instrument de mesure (TIS) dans le système RMS 10 ne change pas de direction Lorsque l'on fait tourner La structure d'étalonnage 34 Par conséquent, si le système RMS présente une dérive provoquée par l'instrument de mesure TIS, les secondes mesures seront diffé- rentes des premières mesures. Pour calculer la dérive provoquée par l'ins- trument de mesure TIS, on calcule la valeur moyenne des composantes X et Y de S à l'aide des équations 1 et 2, comme indiqué ci-dessous: 1 TI Sx (Ieo S X 0) /2 Equation 1 TI Sy = (ie Y>) /2 Equation 2 o X 0, Y 0, X 1180 et Y 180 représentent les valeurs moyennes de X 0, Y 0, X 180 et Y 180, respectivement, provenant des mesures répétées statistiquement. Après avoir calculé les valeurs des TIS, on peut les utiliser pour corriger les mesures obtenues à partir du système RMS 10 Certains systèmes de mesure d'alignement, tels que les systèmes vidéo interactifs précédemment mentionnés RMS permettent d'entrer les composantes X et Y des dérives provoquées par l'instrument de mesure TIS de façon que le système de mesure d'alignement RMS tienne automatiquement compte de la valeur des dérives TIS Toutefois, de nombreux systèmes de mesure d'alignement ne possèdent pas cette possibilité Par conséquent, on mémorise TISX et TIS pour la suite des calculs de façon x y à éliminer des mesures obtenues à l'aide du système de mesure d'alignement la dérive provoquée par l'instrument de mesure. Pour illustrer l'emploi des équations 1 et 2, supposons que X O = -0,6 microns et Y 0 = 0,3 microns. Supposons en outre que X 180 = 0,4 microns et que Y 180 = 0,1 micron A l'aide de l'équation 1, TISX = 0,5 microns et, à l'aide de l'équation 2, TIS Y = -0,2 microns Par conséquent, le système RMS 10 présente une dérive provoquée par l'instrument de mesure de ( 0,5, -0,2) qu'il faut compenser pour obtenir une mesure precise. Il faut également comprendre que pour calculer les TIS on pourrait mesurer la structure de n'importe laquelle des microplaquettes qui sont sur la pla- * 1 quette Toutefois, le fait d'utiliser la micropla- quette centrale réduit au minimum les erreurs intro- duites par la fabrication des structures d'étalonnage 34 Par exemple, si la plaquette s'était désalignée un peu au cours de sa fabrication, alors les struc- tures d'étalonnage 34 fabriquées sur la microplaquette près de la périphérie de la plaquette 14 risqueraient de présenter, du fait de ce désaligne- ment, une erreur plus importante que ne le feraient les structures d'étalonnages 34 formées sur la micro- plaquette proche du centre de la plaquette 14. Après avoir calculé les valeurs des TIS, on l'entre dans le système RMS 10 à titre de correction, si possible, puis on la vérifie en répétant la mesure de SO avec les orientations angulaires de O , 90 , 1800 et 2700 Cette vérification vérifie la précision de la détermination des valeurs des TIS et recherche la présence d'astigmatisme On détermine la présence d'astigmatisme en traçant les quatre mesures de 50 sur un système de coordonnées cartésiennes Puis, on trace un segment de droite entre les coordonnées de mesure à O et à 1800 On trace un second segment de droite entre les coordonnées de mesure à 90 et 270 On compare les grandeurs des deux segments de droite tracés entre leurs points respectifs Il y a présence d'astigmatisme si les grandeurs sont inégales. S'il a été parfaitement tenu compte de la dérive provoquée par l'instrument de mesure TIS (et si elle a été corrigée dans les systèmes qui le permettent) au vu de cette vérification, on repositionne la plaquette sous une orientation angulaire de 00, par exemple, sur le plat de la plaquette, et on mesure le déplacement de chaque structure d'alignement SO à 58 sur chaque structure d'étalonnage 34 On utilise 1 les équations suivantes pour ajuster les composantes X et Y de 50 à 58 pour ces mesures pour chaque struc- ture d'étalonnage 34. Pour les systèmes de mesure d'alignement avec correction de la dérive provoquée par l'instrument de mesure TIS, on utilise les équations 3 et 4 pour calculer les composantes X et Y ajustées. X,^ adj = XiaXo Equation 3 Y e adj MY Y 1 o Equation 4 o N = 1 à 8. Pour les systèmes de mesure sans correction de la dérive TIS, on utilise les équations 5 et 6 pour calculer les composantes X et Y ajustées. Xn adj Xq, TI Sx X So Equation 5 Yoa ad Ys TI Sy Yo Equation 6 o N = 1 à 8. Les composantes X et Y de 50 tiennent compte des erreurs locales d'alignement de la plaquette et les composantes X et Y de la dérive TIS tiennent compte de la dérive provoquée par l'instrument de mesure du système de mesure d'alignement RMS 10. Il faut noter que la structure d'étalonnage 34 mesurée sur chaque microplaquette respective doit utiliser sa propre structure SO pour avoir les ajustements correspondants aux structures de mesure des décalages 51 a 58 de la microplaquette Etant donné que la mesure 50 est soustraite des mesure 51 à 58 des déca- lages prédéterminés, les composantes ajustées résul- tantes de X et Y, X Snadj et Y Sn adj pour chaque mesure pour chaque emplacement de microplaquette 1 représentent les mesures de X et Y que le système RMS 10 aurait obtenues s'il avait été exempt de dérives provoquées par l'instrument de mesure et d'erreurs systématiques. En utilisant ces composantes ajustées de X et Y, X Sn adj e t y Sn adj qui se déduisent des mesures précédemment décrites, on peut en déduire les équa- tions ou les courbes d'étalonnage et les utiliser pour ajuster les valeurs brutes de mesure d'alignement pour obtenir les valeurs finales précises pour toutes les conceptions de dispositif utilisant le même type de procédé que la structure d'étalonnage 34 De préfé- rence, on reporte les valeurs mesurées de X et Y en fonction des valeurs prédéterminées de X et Y et on calcule les équations du meilleur ajustement, de préférence en utilisant au moins la détermination des carrés Les courbes d'étalonnage sont linéaires et définies par l'équation y = mx + b o y est le décalage prédéterminé, x est le décalage mesuré et m et b sonrt les constantes qui représentent des erreurs systématiques. Dans Les systèmes de mesure d'alignement comportant la correction TIS, les équations du meilleur ajustement sont les équations d'étalonnage à utiliser pour la configuration de procédé en cours de mesure Pour les systèmes ne comportant pas la correction TIS, on reca Lcule la dérive TIS, comme mentionné précédemment, en utilisant les équations du meilleur ajustement pour déterminer les valeurs TIS finales Ensuite, on ajuste les équations du meilleur ajustement en soustrayant les valeurs TIS finales pour obtenir Les équations d'étalonnage. On entre Les équations d'étalonnage dans 1 l'ordinateur du système RMS 10 de façon que les données relatives à l'image et reçues en provenance de la caméra 24 soient automatiquement ajustées par l'ordinateur pour compenser les erreurs présentes dans le système RMS 10. La structure et le procédé d'étalonnage décrits ci- dessus offrent plusieurs avantages Tout d'abord l'étalonnage s'effectue sur des structures identiques (à l'exception des décalages prédéterminés) à celles qui sont utilisées pour les mesures finales, per- mettant ainsi un étalonnage direct En d'autres termes, les structures d'alignement utilisées pour obtenir l'alignement dans les différentes étapes du procédé au cours de la fabrication de la plaquette sont sensiblement identiques aux structures de mesure d'alignement 36 A à I utilisées sur la structure d'étalonnage 34 Secondement, le procédé d'étalonnage utilise le système RMS 10 et ne s'appuie sur aucun autre système de mesure Par conséquent, il n'y a pas composition d'erreurs introduites par d'autres systèmes de mesure au cours de l'étalonnage Troisiè- mement, le procédé d'étalonnage incorpore la topo- graphie du procédé et il est insensible aux étapes intermédiaires Par conséquent, le procédé d'étalon- nage peut s'appliquer à toutes les étapes du procédé qui peuvent donner lieu à des mesures Quatrièmement, une fois que l'on a déterminé les courbes d'étalon- nage pour une étape particulière du procédé, on peut utiliser ces courbes d'étalonnage pour ajuster les mesures de toutes les valeurs du dispositif utilisant la même étape de procédé Ces avantages se traduisent en des calculs plus précis des alignements de couche à couche dans le procédé Les améliorations de préci- sion qui résultent de ce procédé d'étalonnage permettent un meilleur contrôle des alignements et 1 par conséquent se traduisent par des rendements plus élevés en dispositifs à semi- conducteur fonctionnant effectivement. 1 REVENDICATIONS 1 Structure d'étalonnage ( 34) à employer pour étalonner un système de mesure d'alignement, ladite structure d'étalonnage étant formée par les étapes d'un procédé de fabrication des circuits intégrés et étant caractérisée par le fait qu'elle comporte: une première structure d'alignement ( 36 A) formée sur un substrat ( 38) et présentant une première configuration ( 40 A) et une seconde configuration ( 42 A) vu d'une perpendiculaire à un plan défini de façon générale par ledit substrat, structure dans laquelle chacune de ladite première et de ladite seconde configurations présente un centre et dans laquelle on donne au déplacement entre les centres de ladite première et de ladite seconde configu- rations une valeur nulle, en l'absence de tout désa- lignement provoqué par lesdites étapes du procédé de fabrication du circuit intégré; et une pluralité de secondes structures d'alignement ( 36 B-I) formées sur ledit substrat et situées sur ledit substrat à une certaine distance l'une de l'autre et de ladite première structure d'alignement ( 36 A), chacune desdites secondes structures d'ali- gnement présentant une troisième configuration ( 4 OB- I) et une quatrième configuration ( 42 B-I), structures dans lesquelles chacune desdites troisièmes et des- dites quatrièmes, configurations ont un centre et dans lesquelles on donne au déplacement entre les centres de chacune desdites troisièmes configurations et de sa quatrième configuration respective une valeur connue et une direction connue, en l'absence de tout désalignement provoqué par lesdites étapes du procédé de fabrication du circuit intégré. 2 Structure d'étalonnage comme exposé dans la revendication 1, caractérisée en ce que ladite 1 première structure d'alignement ( 36 A) comporte: une première couche ( 50), sur ledit substrat ( 38), formant ladite première configuration; une couche intermédiaire ( 52) couvrant ladite première configuration ( 40 A); et une seconde couche ( 54), sur ladite couche inter- médiaire, formant ladite seconde configuration ( 42 A). 3 Structure d'étalonnage comme exposé dans la revendication 2, caractérisée en ce que chacu- ne desdites secondes structures d'alignement ( 36 B- I) comporte: une première couche ( 50), sur ledit substrat ( 36), formant ladite troisième configuration ( 40 B- I); une couche intermédiaire ( 52) couvrant ladite troisième configuration; et une seconde couche ( 54), sur ladite couche inter- médiaire, formant ladite quatrième configuration ( 42 B-I). 4 Structure d'étalonnage comme exposé dans la revendication 1, caractérisée en ce que ladite première structure d'étalonnage comporte: une première couche, sur ledit substrat, formant ladite première configuration; et une seconde couche, sur ledit substrat, formant ladite seconde configuration, étant précisé que chacune desdites secondes structures d'alignement comporte: une première couche, sur ledit substrat, formant ladite troisième configuration; et une seconde couche, sur ledit substrat, formant ladite quatrième configuration. Structure d'étalonnage comme exposé dans la revendication 1, caractérisée par le fait que: ladite seconde configuration ( 42 A)est rectan- 1 gulaire et présente en son intérieur une ouverture et que ladite première configuration ( 40 A) est rectangulaire et placée dans ladite ouverture et; par le fait que chacune desdites quatrièmes configurations ( 42 B-I) est rectangulaire et présente en son intérieur une ouverture et que chacune desdites troisièmes configurations respectives ( 40 B-I) est rectangulaire et placée dans ladite ouverture respec- tive, étant précisé que ledit déplacement entre ledit centre de ladite première configuration et ledit centre de ladite seconde configuration ainsi que le déplacement entre chaque centre desdites troisièmes configurations et chaque centre respectif desdites quatrièmes configurations sont déterminés par réfé- rence aux axes orthogonaux respectifs d'intersection X( 44) et Y( 46) définis comme situés dans ledit plan, étant précisé en outre que l'intersection de chacun desdits axes respectifs X et Y définis des coordonnées x, y ( 0,0) et que ledit centre de chacune desdites premières et desdites troisièmes configurations est situé aux coordonnées x, y ( 0,0) de ses axes respectifs X et Y. 6 Procédé d'étalonnage d'un système de mesure d'alignement, ledit procédé caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à: déterminer tout dérive provoquée par l'instrument de mesure et montrée par ledit système de mesure d'alignement; positionner une structure d'étalonnage ( 34) sur ledit système de mesure d'enregistrement ( 10) dans une position initiale, ladite structure d'éta- lonnage comportant sur elle une structure d'alignement ( 36 A) présentant un décalage présélectionné de valeur nulle, ainsi qu'une pluralité de structures d'ali- 1 gnement ( 36 B-I) présentant des décalages présélectionnés respectifs de valeur non nulle; effectuer une première mesure de déplacement de ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle dans une direction donnée à l'aide dudit système de mesure d'alignement; faire tourner ladite structure d'étalonnage de 90 par rapport à ladite position initiale; effectuer une seconde mesure de déplacement de ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle dans ladite direction donnée à l'aide dudit système de mesure d'alignement; faire tourner ladite structure d'étalonnage de 1800 par rapport à ladite position initiale; effectuer une troisième mesure de déplacement de ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle dans ladite direction données à l'aide dudit système de mesure d'alignement; faire tourner ladite structure d'étalonnage de 2700 par rapport à ladite position initiale; effectuer une quatrième mesure de déplacement de ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle dans ladite direction donnée à l'aide dudit système de mesure d'alignement; vérifier ladite détermination de la dérive provoquée par l'instrument de mesure et vérifier la présence d'un éventuel astigmatisme en réponse à ladite première, ladite seconde, ladite troisième et ladite quatrième mesures; faire tourner ladite structure d'étalonnage en la ramenant à ladite position initiale; effectuer une cinquième mesure de déplacement de chacune desdites structures d'alignement dans ladite direction donnée à l'aide dudit système de mesure d'alignement; 1 calculer des mesures ajustées du cinquième déplacement pour lesdites structures d'alignement de décalage de valeur non nulle en soustrayant, de chacune des respectives cinquièmes mesures de déplace- ment de valeur non nulle, ladite cinqième mesure dedé- placement de décalage de valeur nulle; -desdites cinquièmes mesures, ajustées, du déplacement et desdits décalages respectifs présé- lectionnés de valeur nulle et de valeur non nulle, déduire une courbe d'étalonnage; régler ledit système de mesure d'alignement à l'aide de ladite dérive provoquée par l'instrument de mesure, ainsi déterminée, pour compenser la dérive provoquée par l'instrument de mesure et montrée par ledit système de mesure d'alignement; et régler ledit système de mesure d'alignement à l'aide de ladite courbe d'étalonnage pour compenser les erreurs systématiques montrées par ledit système de mesure d'alignement; 7 Procédé comme exposé dans la revendication 6, caractérisé par le fait que ladite étape consistant à déterminer ladite dérive provoquée par l'instrument de mesure s'accomplit: en positionnant ladite structure d'étalonnage ( 34) sur ledit système de mesure d' alignement ( 10) dans ladite position initiale; en effectuant une mesure initiale du déplacement de ladite structure d' alignement de décalage de valeur nulle dans ladite direction donnée à l'aide dudit système de mesure d' alignement; en faisant tourner ladite structure d' alignement de décalage de valeur nulle de 1800 par rapport à ladite position initiale; en effectuant, à la suite, une mesure du dépla- 1 cement de ladite structure d' alignement de décalage de valeur nulle dans ladite direction à l'aide dudit système de mesure d' alignement; et en calculant une éventuelle dérive provoquée par l'instrument de mesure et montrée par ledit système de mesure d' alignement en réponse auxdites mesures initiale et suivantes. 8 Procédé comme exposé dans la revendication 7, caractérisé par le fait que ladite étape consistant à calculer la dérive provoquée par l'instrument de mesure s'accomplit à l'aide de l'équation: TIS (D 1 * O DO) /2; o TIS représente ladite dérive provoquée par l'instrument de mesure, D 180 représente ladite mesure suivant du déplacement et Do représente ladite mesure initiale du déplacement. 9 Procédé comme exposé dans la revendication 6, caractérisé par le fait que ladite étape consistant à calculer les mesures, ajustées, du cinquième déplacement s'accomplit à l'aide de l'équatioin: adj = Dsn Dso; o N représente l'une desdites structures d'alignement respectives de valeur non nulle; D Sn adj représente la cinquième mesure res- pective, ajustée, de déplacement pour l'une desdites structures d'alignement de décalage de valeur non nulle; D 1 N représente la cinquième mesure respective du déplacement pour l'une desdites structures d'alignement de décalage de valeur non nulle; et D 90 représente la cinquième mesure de déplacement pour ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle. Procédé comme exposé dans la revendication 6, dans lequel ladite étape consistant à calculer les cinquièmes mesures, ajustées, de déplacement s'accomplit à l'aide de l'équation: D, Odj D-, TIS Dso; o N représente l'une desdites structures d'alignement respectives de valeur non nulle; D Sn adj représente la cinquième mesure respec- tive, ajustée, de déplacement pour l'une desdites structures d'alignement de décalage de valeur non nulle; D Sn représente la cinquième mesure respective de déplacement pour l'une desdites structures d'ali- gnement de décalage de valeur non nulle; TIS repré- sente ladite dérive provoquée par l'instrument de mesure; et DSO représente la cinquième mesure de déplacement pour ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle. 11 Procédé comme exposé dans la revendication 8, caractérisé par le fait que ladite étape consistant a régler ledit système de mesure d'alignement à l'aide de ladite dérive provoquée par l'instrument de mesure et ainsi déterminée s'accomplit: en déduisant de laditeéquation ue courbe dl étalonnage de la dérive provoquée par l'instrument de mesure TIS; et en modifiant les mesures effectuées par ledit système de mesure d'alignement en tenant compte de ladite courbe d'étalonnage de la dérive TIS. 12 Procédé d'étalonnage d'un système de mesure d'alignement, ledit procédé caractérisé par le fait qu'il comporteles étapes consistant à: placer une structure d'étalonnage ( 34) sur ledit système de mesure d'alignement ( 10) dans une position initiale, ladite structure d'étalonnage comportant sur elle une structure d'alignement ( 36 A) présentant un décalage présélectionné de valeur nulle, ainsi qu'une pluralité de structures d'alignement ( 36 B- I) présentant des décalages respectifs présélectionnés 1 de valeur non nulle; effectuer une première mesure de déplacement de ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle dans une direction données à l'aide dudit système de mesure d'alignement; faire tourner ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle de 180 degrés par rapport à ladite position initiale; effectuer une seconde mesure de déplacement de ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle dans ladite direction données à l'aide dudit système de mesure d'alignement; calculer une dérive de la mesure provoquée par ledit système de mesure d'alignement en réponse a ladite première et à ladite seconde mesures; régler ledit système de mesure d'alignement pour compenser ladite dérive provoquée; faire tourner ladite structure d'étalonnage en la ramenant à ladite position initiale; effectuer une troisième mesure de déplacement de ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle dans ladite direction donnée à l'aide dudit système de mesure d'alignement; faire tourner lesdites structures d'alignement de 90 degrés par rapport à ladite position initiale; effectuer une quatrième mesure de déplacement de ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle dans ladite direction donnée à l'aide dudit système de mesure d'alignement; faire tourner lesdites structures d'alignement de 180 degrés par rapport à ladite position initiale; effectuer une cinquième mesure de déplacement de ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle dans ladite direction donnée à l'aide dudit système de mesure d'alignement; 3 L faire tourner lesdites structures d'alignement de 270 degrés par rapport à ladite position initiale; effectuer une sixième mesure de déplacement de ladite structure d'alignement de décalage de valeur nulle dans ladite direction donnée à l'aide dudit système de mesure d'alignement; vérifier ladite dérive, calculé de mesure et vérifier la présence d'un éventuel astigmatisme en réponse à ladite troisième, ladite quatrième, ladite cinquième et ladite sixième mesures; faire tourner ladite structure d'étalonnage en la ramenant à ladite position initiale; effectuer une septième mesure de déplacement de chacune desdites structures d'alignement dans ladite direction donnée à l'aide dudit système de mesure d'alignement; calculer les septièmes mesures, ajustées, de déplacement pour lesdites structures d'alignement des décalages de valeur non nulle en soustrayant, de chacune desdites septièmes mesures respectives de déplacement de décalage de valeur non nulle, ladite septième mesure de déplacement de décalage de valeur nulle; desdites septièmes mesures, ajustées, de dépla- cement, et desdits décalages respectifs présélec- tionnés de valeur nulle et de valeur non nulle, déduire une courbe d'étalonnage; et régler ledit système de mesure d'alignement en utilisant ladite courbe d'étalonnage pour compenser les erreurs systématiques montrées par ledit système de mesure d'alignement.