FR 2678766 A1 19930108 FR 9208264 A 19920703 Cette invention concerne d'une manière générale un condensateur à constante diélectrique élevée, et plus particulièrement, un condensateur à constante diélectrique élevée qui utilise un film diélectrique multicouche possédant des propriétés diélectriques perfectionnées Cette invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel condensateur à constante diélectrique élevée On considère à présent que cette invention peut être d'une utilité particulière dans des circuits intégrés à très haute densité d'intégration (VLSI), tels que des dispositifs de mémoire à semiconducteur, par exemple des mémoires vives. Des VLS Is, tels que des dispositifs de mémoire à semiconducteur possédant une grande capacité de mémoire, utilisent des condensateurs miniatures qui doivent posséder nécessairement une grande capacité, malgré leur faible surface Afin d'obtenir la capacité élevée requise, des films diélectriques ayant une constante diélectrique élevée, tels que des films d'oxyde de tantale (Ta 2 O 5 '), sont utilisés dans de tels condensateurs miniatures. D'une manière générale, de tels films diélectriques d'oxyde de tantale sont formés au moyen d'une technique de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) Cependant, des films diélectriques d'oxyde de tantale formés de cette manière présentent des manques d'oxygène, ce qui entraîne des problèmes de performance du condensateur, tels qu'un courant de fuite élevé d'un niveau inadmissible et une tension de rupture faible que l'on ne peut pas tolérer. Une approche qui a été proposée pour surmonter les inconvé- nients mentionnés ci-dessus avec les films diélectriques d'oxyde de tantale est décrite dans US-A 4 734 340, déposé par Saito et autres, et, dans un article intitulé "Electrical Properties of Thin Ta 2 05 Films Grown By Chemical Vapor Déposition" @ pp 680-683 de IEDM Technical Digest ( 1986), par Saito et autres. Selon cette approche, le film diélectrique est fait d'un mélange d'oxyde de tantale et d'oxyde de titane Cependant, cette approche ne résoud que partiellement le problème de manque d'oxygène car la proportion entre Ti et Ta est limitée à une gamme allant de 0,1 à 4 pour cent d'atomes, en raison de la limite de solubilité du titane. Ainsi, un besoin de condensateur à constante diélectrique élevée qui surmonte plus complètement les inconvénients des condensateurs à constante diélectrique élevée disponibles à présent existe encore La présente invention satisfait ce besoin, tout en fournissant également un condensateur miniature qui possède une constante diélectrique plus élevée que les condensateurs miniatures disponibles à présent. La présente invention englobe un film à constante diélectrique élevée composé d'au moins une première couche de film double, qui comprend un premier film d'oxyde de tantale, et un premier film d'oxyde métallique qui est fait d'un oxyde métallique dont la valence est plus faible que celle du tantale, et dont la constante diélectrique est égale ou supérieure à celle de l'oxyde de tantale Le premier film d'oxyde métallique a de préférence une épaisseur inférieure à environ À afin d'éviter ainsi la formation d'une structure en colonne qui a été identifiée comme étant une cause principale du problème de courant de fuite élevé qui touche les condensateurs à constante diélectrique élevée disponibles à présent Le premier film d'oxyde de tantale a de préférence une épaisseur comprise dans la gamme allant de 5 À environ à 200 À environ, le rapport entre l'épaisseur du premier film d'oxyde de tantale et l'épaisseur du premier film d'oxyde métallique étant dans la gamme de 1:10 à 100:1 Le film à constante diélectrique élevée comprend en outre une pluralité de couches de film double supplémentaires formées sur la première couche de film double, pour fournir ainsi un film à constante diélectrique élevée multicouche Chacune des couches de film double supplémentaires est de préférence de la même constitution que celle de la première couche de film double De manière optionnelle, une couche simple d'oxyde de tantale ou d'oxyde métallique supplémentaire peut être formée sur une couche au dessus des couches de film double. La présente invention englobe également un condensateur à constante diélectrique élevée qui incorpore le film à constante diélectrique élevée décrit ci-dessus; et un procédé de fabrication de celui-ci. Ces caractéristiques et avantages de la présente invention et divers autres seront aisément compris en référence à la description détaillée suivante, considérée conjointement avec les dessins annexés, dans lesquels des numéros de référence identiques désignent des éléments structurels identiques, et, dans lesquels: Les figures l A à 1 F sont des vues en coupe représentant des étapes successives du procédé de fabrication d'un condensateur à constante diélectrique élevée mettant en oeuvre la présente invention; et, Les figures 2 à 6 sont des histogrammes représentant la relation entre la vitesse de dépôt et le temps de dépôt pour former les couches composan- tes (Ta 205 et Ti O 2) de film à constante diélectrique élevée des formes de réalisation préférées respectives du condensateur à constante diélectrique élevée de la présente invention. En se référant maintenant aux figures l A à 1 F, on peut observer une représentation étape par étape d'un procédé de fabrication d'un condensateur à constante diélectrique élevée C, conformément à la présente invention Bien qu'il soit envisagé à présent que le condensateur C mettant en oeuvre la présente invention sera d'une utilité particulière dans un dispositif de mémoire à semicon- ducteur, tel qu'une mémoire vive dynamique, il doit être reconnu immédiatement que la présente invention n'est pas limitée dans sa portée à aucune application ou environnement particulier De plus, il doit être reconnu immédiatement que la présente invention n'est pas limitée dans sa portée à un condensateur d'un type ou d'une forme quelconque Par exemple, le condensateur de la présente invention peut être sans inconvénient, un condensateur plan, empilé, à tranchée creusée, cylindrique, de tranchée, à tranchée d'empilement, ou pin. En se référant maintenant particulièrement à la figure 1 A, on va décrire le procédé de fabrication du condensateur C, suivant la présente invention. Plus particulièrement, l'étape intiale du procédé est de former un film de base 2 sur un substrat de silicium 1 Le film de base 2 est fait de préférence d'un matériau conducteur qui est choisi dans un groupe qui comprend le silicium polycristallin dopé, le silicium polycristallin dopé in situ, le silicium amorphe et le tungstène Le film de base 2 sert de première électrode du condensateur C. En référence à la figure 1 B, un film d'oxyde de tantale 3 est alors déposé sur le film de base 2, de préférence au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) Le film d'oxyde de tantale 3 est formé de préférence d'une épaisseur comprise entre 5 À environ à 200 A environ. En référence à la figure 1 C, un film d'oxyde métallique 4 est alors déposé sur le film d'oxyde de tantale 3, de préférence également au moyen d'un procédé de LPCVD Le film d'oxyde métallique 4 est fait de préférence d'un oxyde métallique dont la valence atomique est plus faible que celle du tantale et dont la constante diélectrique est égale ou supérieure à celle de l'oxyde de tantale. D'une manière plus préférable, l'oxyde métallique est choisi parmi un groupe qui comprend Ti O, Sn O,, Zr O,, Hf O, WO, Al,03, Cr,03, Y 203, La,03, Bi,03, Th 103, Pb O, Ba O, Sn O, Sr O, Ca O, Mn O, et Mg O Cependant, il doit être compris de façon claire que cette liste d'oxydes métalliques n'est donnée qu'à titre indicatif et non pas exhaustif, et de ce fait, n'est pas une limitation de la présente invention. Dans la meilleure manière envisagée à présent de la présente invention, le film d'oxyde métallique 4 est fait d'oxyde de tantale formé d'une épaisseur inférieure à 50 A environ, afin d'éviter la formation de structure en colonne De plus, le rapport entre l'épaisseur du film d'oxyde de tantale 3 et l'épaisseur du film d'oxyde métallique 4 est de préférence dans la gamme de 1:10 à 100:1 Le film d'oxyde de tantale 3 et le film d'oxyde métallique 4 forment ensemble une première couche de film double L 1. De préférence, comme on peut le voir aux figures 1 D et l E, les étapes de dépôt du film d'oxyde de tantale 3 et du film d'oxyde métallique 4 sont répétées de manière séquentielle, un nombre de fois choisi, pour former ainsi une pluralité N de couches de film double, L 1 à L*, chacune d'elles est composée d'un film d'oxyde de tantale 3; respectif et d'un film d'oxyde métallique 41 respectif, o i varie de 1 à n, et N est un entier positif égal ou supérieur à 2 Une couche simple supplémentaire I peut être déposée sur la énième couche de film double L,, La couche simple supplémentaire I peut être soit un film d'oxyde de tantale soit un film d'oxyde métallique, tel qu'un film d'oxyde de titane. Collectivement, la pluralité N de couches de film double, L 1 à L*, composent le film F à constante diélectrique élevée du condensateur C Le nombre N est choisi de manière à garantir que l'épaisseur totale du film F à constante diélectrique élevée est suffisante pour l'application particulière pour laquelle le condensateur C est utilisé, par exemple, par rapport à la tension de rupture du diélectrique, la valeur de capacité et le courant de fuite. En référence à la figure 1 F, l'étape finale du procédé de fabrication du condensateur C consiste à former un film supérieur 5 sur la couche la plus élevée, soit I soit 4 n, du film multicouche F à constante diélectrique élevée. Le film supérieur 5 est fait de préférence du même matériau conducteur que celui du film de base 2 Le film supérieur 5 sert de seconde électrode du condensateur C. De manière optionnelle, un procédé de traitement thermique peut être effectué à la suite de la formation du film supérieur 5, afin de relâcher toute contrainte résiduelle qui peut être présente entre deux ou plus des couches multiples 3;, 4; du film multicouche F à constante diélectrique élevée Cependant, étant donné que les couches 3,, 4; sont de préférence déposées par un procédé de dépôt en phase vapeur à basse pression (LPCVD), qui est normalement effectué dans des conditons (telles qu'à température élevée) suffisantes pour garantir que les films 3;, 4; sont déposés régulièrement et uniformément, il n'est pas nécessaire généralement d'employer ce procédé de traitement thermique optionnel. Bien que ne limitant pas la mise en application de la présente invention, le procédé décrit ci-dessus de la présente invention peut être effectué sans inconvénient avec un appareil (non représenté) de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) relié à une source organométallique adéquate (non représentée). En référence maintenant aux figures 2 à 6, on peut observer des histogrammes qui représentent la relation entre la vitesse de dépôt et le temps de dépôt pour former les films individuels d'oxyde de tantale (Ta 2 O 5) et d'oxyde de titane (Ti O 2), 3 j, 4 j, de chaque couche de film double, L 4, du film F à constante diélectrique élevée des formes de réalisation préférées respectives du condensateur C à constante diélectrique élevée de la présente invention. En référence particulière à la figure 2 maintenant, dans une première forme de réalisation préférée du procédé de la présente invention, les temps respectifs pour le dépôt du film d'oxyde de tantale 3, et du film d'oxyde de titane 4 j de chaque couche de film double, L 1, ne se chevauchent pas En d'autres termes, le moment auquel le dépôt de chaque film d'oxyde de titane respectif 4, commence ne chevauche pas le moment auquel le dépôt de chaque film d'oxyde de tantale respectif 3; se termine, et vice-versa Plus exactement, suivant cette première forme de réalisation préférée, le temps de départ du dépôt de chaque film d'oxyde de titane respectif 4, est en grande partie concomitant avec la fin du dépôt de chaque film d'oxyde de tantale respectif 3;, et vice-versa. En référence à la figure 3, dans une seconde forme de réalisation préférée du procédé de la présente invention, les temps respectifs pour le dépôt du film d'oxyde de tantale 3 j et du film d'oxyde de titane 4 j de chaque couche de film double, L 4, se chevauchent partiellement En d'autres termes, le dépôt de chaque film d'oxyde de titane respectif 4 j commence à un moment prédéterminé précédant le moment auquel le dépôt de chaque film d'oxyde de tantale respectif 3 j se termine, et vice versa. En référence à la figure 4, dans une troisième forme de réalisation préférée du procédé de la présente invention, le moment de départ du dépôt de chaque film d'oxyde de titane respectif 4 j est séparé de la fin du dépôt de chaque film d'oxyde de tantale respectif 3 j par un intervalle de temps prédéterminé, et vice versa. En référence à la figure 5, dans une quatrième forme de réalisation préférée du procédé de la présente invention, les paramètres de dépôt sont les mêmes que dans la première forme de réalisation préférée représentée à la figure 2, excepté que pendant les périodes de temps durant lesquelles chaque film d'oxyde de tantale respectif 3 j est déposé, l'oxyde de titane est déposé simultanément, mais à une vitesse de dépôt très faible, de sorte que seulement des quantités infimes d'oxyde de titane sont déposées pendant le dépôt de chaque film d'oxyde de tantale respectif 3 j. En référence à la figure 6, dans une cinquième forme de réalisation préférée du procédé de la présente invention, les paramètres de dépôt sont les mêmes que ceux de la quatrième forme de réalisation préférée représentée à la figure 5, excepté que, de plus, pendant les périodes de temps durant lesquelles chaque film d'oxyde de titane respectif 4; est déposé, l'oxyde de tantale est déposé simultanément, mais à une vitesse de dépôt très faible, de sorte que seulement des quantités infimes d'oxyde de tantale sont déposés pendant le dépôt du film d'oxyde de titane respectif 4 j. Ainsi que se rendra compte l'homme de l'art, un condensateur C à constante diélectrique élevée construit suivant l'une quelconque des formes de réalisation préférées décrites ci-dessus de la présente invention, surmonte les inconvénients des condensateurs à constante diélectrique élevée disponibles à présent, tout en fournissant simultanément un condensateur à constante diélectri- que élevée ayant une constante diélectrique plus élevée que celle des condensa- teurs à constante diélectrique élevée disponibles à présent Plus particulièrement, la fourniture d'un film d'oxyde métallique ultra fin 4 au-dessus du film d'oxyde de tantale 3 du film diélectrique F, élimine le problème de l'art antérieur de courant de fuite élevé d'un niveau inadmissible, en évitant une structure de film diélectrique en colonne, qui a été déterminée comme étant la principale cause du problème de l'art antérieur précité De plus, la fourniture de couches de film double multiples, L 1 à L", augmente la constante diélectrique du film diélectrique F, par rapport à l'art antérieur, et, également, minimise le manque d'oxygène du film diélectrique F, augmentant ainsi considérablement la tension de rupture de diélectrique du condensateur C, relatif à l'art antérieur De plus, le procédé de la présente invention élimine le procédé de traitement thermique très long qui est nécessaire dans le procédé de dépôt de film diélectrique de l'art antérieur, augmentant de ce fait la cadence de production et améliorant le rendement de production, par rapport à l'art antérieur. Bien que plusieurs formes de réalisation préférées de la présente invention aient été décrites en détail ci-dessus, il doit être compris de façon claire que de nombreuses variantes et/ou de modifications des concepts de base de l'invention décrite ici, qui peuvent apparaître à l'homme de l'art approprié, se trouveront encore dans l'esprit et dans la portée de la présente invention, comme défini dans les revendications annexées. REVFNDICATIONS 1 Condensateur à constante diélectrique élevée, comprenant: un substrat ( 1); un premier film d'électrode ( 2) formé sur ledit substrat; un premier film d'oxyde de tantale ( 3) formé sur ledit premier film d'électrode ( 2); un premier film d'oxyde métallique ( 4) formé sur ledit premier film d'oxyde de tantale ( 3), dans lequel ledit premier film d'oxyde métallique est fait d'un oxyde métallique dont la valence est plus faible que celle du tantale, et dont la constante diélectrique est égale ou supérieure à celle de l'oxyde de tantale; dans lequel ledit premier film d'oxyde de tantale ( 3) et ledit premier film d'oxyde métallique ( 4) forment ensemble un film (L 1) à constante diélectrique élevée; et un second film d'électrode ( 5) formé sur ledit film (L 1) à constante diélectrique élevée. 2 Condensateur suivant la revendication 1, dans lequel ledit premier film d'oxyde de tantale ( 3) a une épaisseur comprise dans la gamme de A environ à 200 A environ. 3 Condensateur suivant la revendication 1, dans lequel ledit premier film d'oxyde métallique ( 4) a une épaisseur inférieure à 50 A environ. 4 Condensateur suivant la revendication 3, dans lequel le rapport entre l'épaisseur dudit premier film d'oxyde de tantale ( 3) et l'épaisseur dudit premier film d'oxyde métallique ( 4) est compris dans la gamme de 1:10 à 100:1. Condensateur suivant la revendication 4, dans lequel ledit oxyde métallique est choisi parmi un groupe composé de Ti O 2, Sn O 2, Zr O 2, Hf O 2, WO, A 1203, Cr 203, YZ 03, La 203, Bi,03, Th 203, Pb O, Ba O, Sn O, Sr O, Ca O, Mn O, et Mg O. 6 Condensateur suivant la revendication 1, dans lequel ledit film à constante diélectrique élevée comprend en outre une pluralité de couches de film double supplémentaires (L 2- Ln) formées sur ladite première couche (L 1) de film double, dans lequel chacune desdites couches de film doubles supplémentaires (L 2-Ln) est composée d'un film d'oxyde de tantale ( 32-3 n) respectif et d'un film d'oxyde métallique ( 4 -4 n) respectif. 7 Condensateur suivant la revendication 6, dans lequel ledit film à constante diélectrique élevée comprend en outre une couche simple supplémen- taire d'oxyde de tantale (I) formée sur une couche en dessus desdites couches de film double supplémentaires (L 2-Ln). 8 Condensateur suivant la revendication 6, dans lequel ledit film à constante diélectrique élevée comprend en outre une couche simple supplémen- taire d'oxyde métallique (I) formée sur une couche en dessus desdites couches de film double supplémentaires (L 2-Ln). 9 Condensateur suivant la revendication 6, dans lequel ledit film d'oxyde métallique respectif ( 42-4 n) de chaque couche de film double supplémen- taire (L 2-Ln) est également réalisé avec ledit oxyde métallique. 10 Condensateur suivant la revendication 9, dans lequel ledit oxyde métallique est choisi parmi un groupe composé de Ti O 2, Sn O 2, Zr O 2, Hf O, W 02, A 1203, Cr 203, Y 203, La 203, Bi 203, Th 203, Pb O, Ba O, Sn O, Sr O, Ca O, Mn O, et Mg O. 11 Condensateur suivant la revendication 10, dans lequel le rapport entre l'épaisseur dudit film d'oxyde de tantale respectif ( 32-3 n) de chacune desdites couches de film double supplémentaires (L 2-Ln) et l'épaisseur dudit film d'oxyde métallique respectif ( 42-4 n) de chacune desdites couches de film double supplémentaires (L 2-Ln), se situe dans la gamme de 1:10 à 100:1. 12 Condensateur suivant la revendication 11, dans lequel ladite couche d'oxyde de tantale ( 32-3 n) respective de chaque couche de film double supplémentaire (L 2-Ln) a une épaisseur comprise dans une gamme comprise entre À environ et 200 A environ. 13 Condensateur suivant la revendication 12, dans lequel ladite couche d'oxyde métallique ( 42-4 n) respective de chaque couche de film double supplémentaire (L 2-Ln) a une épaisseur inférieure à 50 A environ. il 14 Procédé de fabrication d'un condensateur à constante diélectrique élevée, comprenant les étapes de: formation d'un premier film d'électrode ( 2) sur un substrat ( 1); formation d'un premier film d'oxyde de tantale ( 3) sur ledit premier film d'électrode ( 2); formation d'un premier film d'oxyde métallique ( 4) sur ledit premier film d'oxyde de tantale ( 3), ledit film d'oxyde métallique étant formé d'un oxyde métallique dont la valence est plus faible que celle du tantale, et dont la constante diélectrique est égale ou supérieure à celle de l'oxyde de tantale, ledit premier film d'oxyde de tantale ( 3) et ledit premier film d'oxyde métallique ( 4) formant ensemble un film à constante diélectrique élevée; et formation d'un second film d'électrode ( 5) sur ledit film à constante diélectrique élevée. Procédé suivant la revendication 14, comprenant en outre les étapes de: formation d'un film d'oxyde de tantale supplémentaire ( 32) sur ledit premier film doxyde métallique ( 4); et formation d'un film d'oxyde métallique supplémentaire ( 42) sur ledit film d'oxyde de tantale supplémentaire ( 32). 16 Procédé suivant la revendication 14, comprenant en outre l'étape de répétition séquentielle de ladite étape de formation d'un film d'oxyde de tantale ( 32-3 n) et de ladite étape de formation d'un film d'oxyde métallique ( 42-4 n), une pluralité de fois, pour former ainsi une pluralité, n, de couches de film double (L 1-Ln), chacune étant composée d'un film d'oxyde de tantale ( 31-3 n)respectif et d'un film d'oxyde métallique respectif ( 41-4 n); dans lequel ledit premier film d'oxyde de tantale ( 3) et ledit premier film d'oxyde métallique ( 4) composent une première couche (Li) desdites n couches de film double (L 1-Ln), et le dernier film d'oxyde métallique formé ( 3 n) et le dernier film d'oxyde de tantale formé ( 4 n) composent une énième couche desdites N couches de film double (L 1-Ln); et dans lequel en outre, lesdites N couches de film double composent ledit film à constante diélectrique élevée. 17 Procédé suivant la revendication 16, dans lequel ledit film d'oxyde de tantale ( 3,-3 n) de chacune desdites N couches de film double est formé d'une épaisseur comprise dans la gamme allant de 5 A environ à 200 A environ. 18 Procédé suivant la revendication 17, dans lequel ledit film d'oxyde métallique ( 41-4 n) de chacune desdites N couches de film double (L 1Ln) est formé d'une épaisseur comprise dans une gamme allant de 5 À environ à 200 A environ. 19 Procédé suivant la revendication 18, dans lequel le rapport entre l'épaisseur dudit film d'oxyde de tantale ( 31-3 n) de chacune desdites n couches de film double (L 1-Ln) et l'épaisseur dudit film d'oxyde métallique ( 4,- 4 n) de chacune desdites N couches de film double (L 1-Ln), se situe dans la gamme de 1:10 à 1:100. Procédé suivant la revendication 19, dans lequel ledit oxyde métallique est choisi parmi un groupe composé de Ti O,, Sn O 2, Zr O 2, Hf O 2, WO 2, A 1203, Cr O 3, Y 203, La% 03, Bi,03, Th,03, Pb O, Ba O, Sn O, Sr O, Ca O, Mn O, et Mg O. 21 Procédé suivant la revendication 20, comprenant en outre l'étape de formation d'une couche simple supplémentaire d'oxyde de tantale (I) sur ladite énième couche (Ln) desdites N couches de film double (L 1-Ln). 22 Procédé suivant la revendication 20, comprenant en outre l'étape de formation d'une couche simple supplémentaire d'oxyde métallique (I) sur ladite énième couche (Ln) desdites N couches de film double (L 1-Ln). 23 Procédé suivant la revendication 19, dans lequel ladite étape de formation d'un premier film d'oxyde de tantale ( 3), ladite étape de formation d'un premier film d'oxyde métallique ( 4), et ladite étape de répétition séquentielle sont chacune effectuées au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression. 24 Procédé suivant la revendication 19, dans lequel ladite étape de formation d'un premier film d'oxyde de tantale ( 3), ladite étape de formation d'un premier film d'oxyde métallique ( 4), et ladite étape de répétition séquentielle sont chacune effectuées au moyen d'un procédé de dépôt, au cours duquel le moment auquel commence le dépôt dudit film d'oxyde métallique ( 41-4 n) de chacune des N couches de film double (L 1-Ln) ne chevauche pas le moment auquel le dépôt dudit film d'oxyde de tantale ( 31-3 n) correspondant de celle-ci se termine, et vice versa. Procédé suivant la revendication 24, dans lequel le moment du début du dépôt dudit film d'oxyde métallique ( 42-4 n) de chacune desdites n couches de film double (L 1-Ln), est en grande partie concomitant avec la fin du dépôt dudit film d'oxyde de tantale ( 31-3 n) correspondant de celle-ci, et vice versa. 26 Procédé suivant la revendication 24, dans lequel le moment du début du dépôt dudit film d'oxyde métallique ( 41-4 n) de chacune desdites n couches de film double (L 1-Ln), est séparé par un intervalle de temps prédéter- miné de la période de fin du dépôt dudit film d'oxyde de tantale ( 31-3 n) corres- pondant de celle-ci, et vice versa. 27 Procédé suivant la revendication 19, dans lequel ladite étape de formation d'un premier film d'oxyde de tantale ( 3), ladite étape de formation d'un premier film d'oxyde métallique ( 4), et ladite étape de répétition séquentielle sont chacune effectuées au moyen d'un procédé de dépôt, au cours duquel le moment auquel commence le dépôt dudit film d'oxyde métallique ( 41-4 n) de chacune des N couches de film double (L 1-Ln) chevauche partiellement le moment auquel le dépôt dudit film d'oxyde de tantale ( 31-3 n) correspondant de celle-ci se termine, et vice versa. 28 Procédé suivant la revendication 19, dans lequel ladite étape de formation d'un premier film d'oxyde de tantale ( 3), ladite étape de formation d'un premier film d'oxyde métallique ( 4), et ladite étape de répétition séquentielle sont chacune effectuées au moyen d'un procédé de dépôt, au cours duquel pendant le dépôt dudit film d'oxyde de tantale ( 31-3 n) de chacune des N couches de film double (L 1-Ln), ledit oxyde métallique est déposé simultanément, mais à une vitesse de dépôt très faible, de sorte que seulement des quantités infimes dudit oxyde métallique sont déposées pendant le dépôt dudit film d'oxyde de tantale ( 31-3 n) de chacune desdites N couches de film double (L 1- Ln). 29 Procédé suivant la revendication 28, dans lequel, de plus, pendant le dépôt dudit dudit film d'oxyde métallique ( 41-4 n) de chacune des n couches de film double (L 1-Ln), ledit oxyde de tantale est déposé simultanément, mais à une vitesse de dépôt très faible, de sorte que seulement des quantités infimes dudit oxyde de tantale sont déposées pendant le dépôt dudit film d'oxyde métallique ( 41-4 n) de chacune desdites N couches de film double (L 1Ln). Procédé suivant la revendication 19, dans lequel ledit premier filmd'électrode ( 2) et ledit second film d'électrode ( 5) sont faits d'un matériau conducteur choisi parmi un groupe comprenant le silicium polycristallin dopé, le silicium amorphe et le tungstène.