FR 2676126 A1 19921106 FR 9105299 A 19910430 DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A GUIDE OPTIQUE ET PHOTODETECTEUR INTEGRES DESCRIPTION La présente invention a pour objet un disposi- tif optoéLectronique à guide optique et photodétecteur intégrés. EL Le trouve une application en optoéLectroni- que, et notamment en télécommunications optiques o Le dispositif de L'invention peut constituer Le récepteur optique d'un circuit de réception hétérodyne. Le dispositif de L'invention peut être uti Lisé éga Lement dans des interconnexions optiques entre "pu- ces" électroniques rapides à haut degré d'intégration ou entre ordinateurs, ou à L'intérieur d'ordinateurs. Un dispositif optoélectronique à guide optique et photodétecteur intégrés est représenté sur la figure 1, sous trois modes de réalisation légèrement différents. Dans tous ces modes, Le dispositif comprend, sur un subs- trat semiconducteur S, successivement: une première couche inférieure de confinement Ci C en un premier maté- riau ayant un premier indice (ni), une deuxième couche guide CG en un deuxième matériau ayant un deuxième indice (n 2) supérieur au premier (ni), une troisième couche supérieure de confinement Cs C en un troisième matériau ayant un troisième indice (n 3) inférieur au second (n 2). Cette structure se complète par un détecteur D placé en différents endroits se Lon Les modes de réa Li- sation, soit à La partie inférieure du substrat (partie a de La figure 1), un miroir M à 450 renvoyant la Lumiè- re venant de La couche guide vers Le bas, soit à L'extré- mité de La couche guide (partie b), soit enfin au-dessus de La couche guide (partie c) pour un fonctionnement par onde évanescente. Le dispositif de La présente invention se rap- porte au troisième mode de réalisation C'est donc lui qui sera plus spécialement décrit dans la suite. Un dispositif guide-détecteur intégré à cou- plage par onde évanescente est décrit par exemple dans l'article de R J DERI et al intitu Lé: "Integrated Waveguide/Photodiodes with Vertical Impedance Matching", publié dans "Proceedings of the 1989 IEDM", Washington D.C, Décembre 1989. Bien que donnant satisfaction à certains égards, tous les dispositifs à couplage par onde évanes- cente présentent un inconvénient qui est de nécessiter une grande longueur pour le détecteur, afin d'obtenir une absorption tota Le du rayonnement optique Or, cette nécessité va à L'encontre d'un des buts recherchés qui est de diminuer le temps de réponse du dispositif, ce qui conduirait p Lutôt à réduire la surface du détecteur et donc sa longueur. Pour mieux comprendre l'origine de ce prob Lème et les quelques solutions déjà proposées dans L'art anté- rieur, on peut se reporter aux figures 2 et 3 annexées o deux modes de réalisation connus sont représentés de manière plus détaillée. Sur ces figures, la partie a est une vue de dessus, La partie b une coupe à l'entrée du détecteur et La partie c une coupe à la sortie du détecteur. La tache circulaire ou allongée FL représente une section du faisceau lumineux se propageant dans le dispositif. Les dispositifs les moins absorbants présen- tent, entre la couche guidante CG et le matériau absor- bant Ab, une couche supérieure de confinement Cs C en forme de guide pour maintenir Le confinement transversal sur une bande d'environ 3 pm (voir figure 3). Mais la séparation entre Le guide et L'absor- bant diminue L'absorption par évanescence. Une structure de ce type est décrite par J A. CAVAILLES et a L dans L'article intitu Lé "Integration of Detectors with Ga In As P/In P Carrier Depletion Optica L Switches", publié dans "Electronics Letters", 11 octobre 1990, vol 26, no 21, p 1783. Par ai L Leurs, M C AMMAN, dans un article inti- tu Lé "Analysis of a PIN Photodiode with Integrated Wave- guide", publié dans Electronics Letters, 13 août 1987, vol 23, N O 17, p 895, a cherché l'épaisseur optimale de l'absorbant conduisant à un maximum d'absorption. Mais cette contrainte rend technologiquement difficile La réalisation du détecteur et de toute façon ne modifie que d'un facteur 2 Le coefficient d'absorp- tion. Un autre problème posé par ces dispositifs est Lié à La largeur du détecteur, c'est-à-dire à la dimen- sion perpendiculaire au guide (dimension visible sur les parties b et c des figures 2 et 3) On peut distinguer deux types de détecteurs selon que La Largeur est impor- tante (figure 2) ou faible (figure 3) Les détecteurs larges sont utilisés pour éviter les pertes Latérales dues à l'élargissement naturel du faisceau Par exemple, une largeur de 32 pm est utilisée par R J DERI et a L, cités précédemment, pour des Largeurs de guide de 5 à 7 pim Dans ce cas, sur 190 pm de Longueur de détecteur, le faisceau s'élargit et passe de 7 im à L'entrée du détecteur à 15 pm en sortie, comme représenté sur les parties b et c de la figure 2 Ainsi, la Largeur du détecteur devra être supérieure à 20 pm pour tout absor- ber. Une largeur faible de 3 pm (sur une longueur de 100 im) a été utilisée par J A CAVAILLES et a L, cités précédemment, avec un faisceau guidé Latéralement (donc sans élargissement) par une couche ruban d'In P gravé de 0,2 pim d'épaisseur au-dessus de La couche guide (voir parties b et c de La figure 3) Mais, comme déjà souligné, La couche supérieure de confinement d'In P, entre L'absorbant et Le guide, affaiblit L'absorption. R.J DERI et a L, déjà cités, proposent de raccourcir La Longueur d'absorption en introduisant une couche antiref Let entre la couche guide CG et L'absorbant Ab L'indice et L'épaisseur de cette couche doivent être choisis de manière à diminuer La réf Lexion à L'interface couche guide/couche absorbante En prenant 3,162 pour indice du guide et 3,53 pour indice de L'absorbant, un bon choix d'indice consiste à prendre une va Leur intermé- diaire par exemp Le 3,22 La valeur maxima Le de L'absorp- tion correspond à une épaisseur de la couche antireflet comprise entre 0, 5 et 0,6 pm La valeur choisie par R J. DERI et al est de 0,55 pim. La structure présente alors l'allure illustrée sur la figure 4 o La couche antireflet porte la réfé- rence Ca R. Pour une épaisseur donnée de la couche anti- ref Let, un calcul simple d'absorption donne 90 % d'absorp- tion sur une longueur de 190 pm en accord avec la valeur choisie expérimentalement par R J DERI et a I Mais cette couche augmente l'épaisseur de la zone intrinsèque et donc augmente le temps de transit des porteurs de charge créés par le faisceau absorbé Seule une diode photocon- ductrice ou une diode M S M permet de réduire le temps de réponse, puisque Le champ électrique dans ce cas est appliqué sur la surface. Bien que la longueur du détecteur soit dimi- nuée par l'uti Lisation de cette couche antireflet, la surface du détecteur reste donc relativement importante. Le but de l'invention est justement de remé- dier à tous ces inconvénients liés à La plus ou moins grande absorption et à la plus ou moins grande rapidité de détection A cette fin, L'invention propose un dispo- sitif à guide optique et photodétecteur intégrés qui est 5 conçu pour conduire à une absorption comp Lète de la lumière et pour présenter un temps de réponse réduit. Ce résultat est obtenu par l'utilisation d'une couche réfléchissante partielle insérée entre la couche inférieure de confinement et la couche guide Cette10 couche est disposée sous La couche absorbante Elle est en un matériau ayant un indice (n 5) dont la valeur est située hors de la plage définie par le premier indice (nl) de La couche inférieure du confinement et le deuxiè- me indice (n 2) de La couche guide. L'indice de la couche réfléchissante partielle est de préférence inférieur à L'indice de la couche infé- rieure de confinement Dans le cas o l'indice propre est supérieur à l'indice propre de La couche guide, cette couche devient guidante et réduit l'absorption.20 Selon un premier mode de réalisation, la couche réfléchissante partie L Le est située dans Le guide et à la partie inférieure de celui-ci. Selon un second mode de réalisation, la couche réfléchissante partielle est située dans la couche infé- rieure de confinement et à La partie supérieure de ce L le- ci. De toute façon, les caractéristiques et avan- tages de L'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre Cette description porte sur des exemples donnés à titre explicatif et nullement limitatif et se réfère à des dessins annexés sur lesquels: la figure 1, déjà décrite, montre en coupe trois variantes connues d'un dispositif opto- électronique à guide optique et photodétec- teur intégrés; La figure 2, déjà décrite, montre un mode de réalisation connu d'un dispositif à onde évanescente à élargissement du faisceau; La figure 3, déjà décrite, montre un autre mode de réalisation connu d'un dispositif à onde évanescente sans élargissement du faisceau, La figure 4, déjà décrite, montre un dispo- sitif connu à couche d'adaptation antireflet; La figure 5 montre en vue de dessus et en coupe un dispositif conforme à L'invention; La figure 6 i L Lustre deux modes particuliers de réalisation correspondant à une couche guide épaisse ou mince; On voit, sur La figure 5, un dispositif confor- me à L'invention, en vue de dessus sur La partie a, et en coupe sur La partie b En p Lus des moyens déjà décrits (substrat S, couche inférieure de confinement Ci C, couche guide CG, couche absorbante Ab), Le dispositif comprend une couche réfléchissante partie L Le CR disposée à L'in-25 terface couche guide CG-couche inférieure de confinement Ci C La couche CR peut être dopée n Accessoirement, on observera que, dans La variante i L Lustrée, i L n'y a pas de couche supérieure de confinement Par ai L Leurs, L'absorbant Ab, en partie30 dopé p+ (Zn) sur une épaisseur de 0,5 pm environ en sur- face, est recouvert d'une couche méta L Lique CM qui constitue La sortie électrique du détecteur. L'invention s'app Lique aussi bien aux cas des couches guide de faible épaisseur qu'aux cas des couches guide de forte épaisseurs La différence porte essentie L- lement sur des Longueurs d'absorption Par exemple, dans L'art antérieur, une absorption de 90 % sur 50 pm est rapportée pour une couche guide d'épaisseur 0,9 pm et R.J DERI et a L, déjà cités, décrivent un détecteur de5 longueur 190 pm pour la même absorption avec un guide de 3,5 ipm d'épaisseur. La Longueur d'absorption est plus courte sur un guide de faible épaisseur Les guides épais monomodes sont obtenus en utilisant une faible différence d'indice10 entre L'indice de la couche guide et L'indice des couches de confinement Dans L'invention, on utilise dans ce cas, avec une propagation à La longueur d'onde de 1,5 pm par exemple, une couche d'In Ga As P d'indice 3,38, et pour la couche inférieure de confinement une couche d'In Ga As P15 d'indice 3,37 (Légèrement inférieur); l'air est utilisé comme matériau de confinement supérieur Pour être mono- modale, la couche guide doit avoir une épaisseur d'envi- ron 3 vpm. Les guides de faib Le épaisseur sont obtenus en uti Lisant une différence d'indice importante entre L'indice de la couche guide et l'indice des couches de confinement Dans L'invention, on utilise pour La couche guide, par exemp Le, une couche de quaternaire In Ga As P qui, pour une certaine concentration de ces composants,25 possède un indice de 3,46 Pour les couches de confine- ment, on uti Lise des couches d'In Ga As P d'indice 3,354. Le guide est monomode pour une épaisseur inférieure à 0,9 pim. Dans Les deux cas, Le matériau ternaire Ga In As sera utilisé comme matériau absorbant de détection et p Lacé au- dessus du guide Pour permettre ce positionne- ment, dans Le cas des faibles épaisseurs, la couche supérieure de confinement est gravée jusqu'au guide. Ces deux modes de réalisation (couche épaisse- couche mince) sont i L Lustrés en coupe sur la figure 6 (parties a et b) Sur la partie a, La couche réf Léchis- sante CR est située dans La couche guide CG, à la partie inférieure de celui-ci Sur la partie b_ La couche réflé- chissante CR est située dans la couche inférieure de confinement Ci C et à La partie supérieure de celle-ci. La couche réfléchissante peut être placée soit comme sur la figure a soit comme sur la figure b, pour les deux modes de réalisation. La couche réfléchissante CR doit avoir un indice inférieur à l'indice des couchés de confinement, Pour le cas des guides de grande épaisseur, on peut partir de guide réalisé en quaternaire Ga In As P, par exem- p Le, d'indice proche 3,38 et 3,37, c'est-à-dire possédant une bande interdite autour de 1,3 pim pour une épaisseur de guide de 3 pm Dans ce cas, on peut choisir une couche réfléchissante d'indice 3,17 bien inférieur La réfle- xion à L'interface est dans ce cas supérieure à La valeur qu'elle prend sans cette couche Ainsi, la Lumière est rejetée vers la couche d'absorption Ab La Longueur d'absorption est réduite de deux fois dans cet exemple. L'action de La couche réfléchissante CR peut être renforcée par l'addition d'une couche antireflet placée au-dessus de la couche guide, sous L'absorbant (comme décrit par R J DERI et al déjà cités) Cette couche référencée Ca R(n+) sur La partie a de la figure 6 permet de réduire la réflectivité de l'interface guide-absorbant, donc de faciliter le passage de la lumière dans le matériau absorbant La combinaison de cette couche antireflet et de la couche réfléchissante selon la présente invention permet de diminuer d'environ cinq fois la longueur d'absorption. L'absorption pour le guide d'épaisseur 0,9 pm est deux fois plus importante avec la couche réf Léchis- sante Sans cette couche, en couplage évanescent, l'ab-35 sorption est de environ 1000 cm-1 Elle atteint 2000 cm-1 pour une épaisseur supérieure à environ 0,4 pm de couche In P d'indice 3,17 (inférieur à L'indice de La couche inférieure de confinement égal à 3,38). L'épaisseur n'est pas critique, l'absorption restant constante dans cette zone, ce qui facilite La réalisation de La structure Ainsi, obtient-on une Lon- gueur d'absorption très courte de 23 pim pour 99 % d'ab- sorption au lieu de 46 pm. La couche réfléchissante réduit L'élargissement naturel du faisceau en diminuant la longueur d'absorp- tion Pour une absorption beaucoup plus comp Lète ( 99 %), dans Le cas du guide d'épaisseur 3 m, avec une couche antiref Let, La Longueur de détection est de 250 pm et sa Largeur, en tenant compte de l'élargissement, est au15 minimum de 30 pm Ces va Leurs se réduisent à 135 pm pour La longueur et 15 pm pour La Largeur en utilisant une couche réfléchissante selon La présente invention, qui augmente L'absorption Ainsi, un facteur 4 de réduction est obtenu pour La surface du détecteur pour 99 % d'ab-20 sorption sans couche supérieure antireflet. Pour mettre en oeuvre La présente invention, trois types de détecteurs peuvent être utilisés: La photodiode PIN, Le photoconducteur, et le photodétecteur25 M S M Les deux derniers ont une configuration d'éLectro- des en surface, Le premier une configuration en volume. Pour La diode PIN, le contact p est obtenu par diffusion et Le contact n+ par dopage pendant l'épitaxie de la couche réfléchissante (voir partie b de La figure30 5) Ainsi, La zone intrinsèque est constituée uniquement du matériau absorbant (et de La couche guide si la couche antireflet n'est pas utilisée) ce qui permet un transit rapide des porteurs de charge Le contact sur La couche n+ est obtenu en réalisant, à proximité du détecteur,35 un trou jusqu'à La couche dopée n+. Ainsi, La configuration PIN-guide avec une couche guide de grande épaisseur et une surface détec- trice de 135 x 15 m, avec une couche antiref Let dopée n+ et une couche réfléchissante sous Le guide, permet un5 fonctionnement à une fréquence supérieure à 20 G Hz pour une absorption de 99 % avec une épaisseur de ternaire de 1,7 pim. Comme déjà précisé, L'invention s'app Lique à tous Les matériaux permettant d'intégrer un guide optique et un détecteur La seu Le condition à respecter est que La couche réfléchissante ait un indice inférieur à L'in- dice de la couche de confinement A partir des indices de La couche guide, de La couche réfléchissante et de15 La couche inférieure de confinement, i L est possib Le de déterminer L'épaisseur de La couche réfléchissante La mieux adaptée, pour augmenter au mieux La réf Lectivité à L'interface couche guide-couche inférieure de confine- ment. La couche réfléchissante est un ruban dont La Longueur est sensiblement celle du détecteur et dont La Largeur dépend de L'expansion du faisceau La Largeur du ruban peut être supérieure à cette va Leur si La struc- ture nécessite un élargissement entre le guide et le25 détecteur pour réduire L'intensité optique par unité de surface atteignant le détecteur L'intensité doit être réduite pour éviter la saturation du détecteur, surtout dans Les structures utilisant des guides de faib Les épaisseurs. Pour ce qui est de La réalisation du disposi- tif de L'invention, e L Le se divise en trois étapes: d'abord, réa Lisation de La couche réfléchissante en forme de ruban sur Le substrat, puis dépôt d'une couche guide et de La couche antireflet et, enfin, dépôt d'une couche35 de matériau absorbant épitaxiée pour La réalisation du détecteur. Dans L'exemp Le des guides d'épaisseur importan- te, la couche inférieure de confinement peut être en Ga In As P EL Le est déposée sur un substrat d'In P avec,5 dans La zone détectrice, une couche réfléchissante en In P d'épaisseur supérieure à 0,4 pm environ Cette couche est suivie d'une couche de quaternaire en Ga In As P d'é- paisseur 3 pm Le matériau Ga In As P, avec une bande inter- dite de 1,3 gm peut convenir Il jouera Le rôLe de-guide10 grâce à son indice plus important Une couche antireflet en Ga In As P d'indice intermédiaire entre celui de l'absor- bant et celui du guide est placé au-dessus de La couche guide. Pour terminer, une couche absorbante en Ga In As est déposée, suivie d'une couche en Ga In As dopé avec du zinc Le Ga In As est gravé par attaque humide ou sèche, de même que La couche antireflet Cette gravure permet de réa Liser une mésa rectangulaire de dimensions supé- rieures à ce L Le du détecteur Ainsi, la diode PIN photo-20 conductrice est réalisée grâce à La couche supérieure en Ga In As pour le contact p+ et par dopage au soufre de La couche antireflet pour Le contact n+ La zone intermé- diaire (entre n+ et p+) est La zone intrinsèque qui doit être réduite à son minimum pour diminuer Le temps de transit des porteurs. Classiquement, la couche dopé n+ est placée au niveau du substrat et La zone intrinsèque contient La couche inférieure de confinement, La couche guide, L'absorbant, ce qui augmente de façon considérable Le30 temps de transit des porteurs de charge L'épaisseur de L'absorbant doit être supérieure à 1 pm pour être effi- cace Entre 1 pnm et 2 lim de zone intrinsèque, Les fré- quences de fonctionnement sont comprises entre 20 et 50 G Hz environ. Pour un photoconducteur ou une diode M S M, les électrodes se trouvent en surface, et il n'est p Lus nécessaire de doper La couche antireflet et de rajouter une couche dopée p+ Le guide est un ruban réalisé par gravure de La couche guide en In P de 3 pm d'épaisseur pour permettre Le confinement Latéral. Dans le cas de la figure 6, Les guides sont réalisés par dépôt d'une couche guide et d'une couche supérieure de confinement sur La structure contenant La couche réfléchissante et par gravure de -La couche supé- rieure de confinement La gravure du guide est effectuée en même temps que la gravure en bout de guide de La cou- che de confinement pour positionner le détecteur. L'épaisseur de La couche supérieure de confinement doit être La plus faible possib Le pour faciliter La reprise d'épitaxie sur La marche Un choix minimum de 0,5 pm d'In P s'impose pour éviter l'absorption avant que le faisceau n'atteigne Le détecteur Dans cette structure, la couche guide n'est pas gravée. La deuxième étape consiste à réaliser une reprise d'épitaxie du matériau absorbant constituant le détecteur, soit par EOM (épitaxie par organo-métal Lique), soit par EJM (épitaxie par jet mo Lécu Laire) Cette reprise peut être Localisée ou totale Dans Le dernier cas Le retrait du matériau absorbant au-dessus des guides25 est nécessaire pour éviter Les pertes par absorption au niveau des guides. Pour limiter Les fuites de courant, Le détec- teur doit être placé sur une surface plane Pour cela, il doit être éloigné de La marche en bout de guide d'en- viron 1 pm La longueur de cette zone intermédiaire per- turbée est minimisée par L'utilisation du couplage évanescent, qui facilite La planarisation de La reprise grâce à une plus faible marche en bout de guide Dans ce cas, il est judicieux, pour éviter les décalages entre absorption et détection, de placer La couche réfléchis- sante dans La zone détectrice pour amplifier L'absorption au niveau du détecteur. Ces considérations permettent L'utilisation de L'EJM ou de L'EOM pour La reprise d'épitaxie, bien que non planaire, contrairement à L'EPL (épitaxie en phase liquide) Dans ce cas, la réalisation par une seu Le technique d'épitaxie, soit l'EJM, soit L'EOM, est pos- sible. Il faut observer enfin que le dispositif de L'invention peut être utilisé comme sonde optique desti- née à préLever une partie d'un faisceau optique circulant dans le guide La Longueur du détecteur est alors réduite à une va Leur inférieure à cel Le qui conduirait à une absorption tota Le Le faisceau optique, pendant L'absorp- tion partie L Le, reste toujours guidé par la couche réfléchissante p Lacée sous le guide et peut donc être utilisé au de Là dans le reste du circuit. Nature L Lement, dans tout ce qui précède, La couche réfléchissante CR peut être constituée par un ensemble de couches d'indices différents. REVENDICATIONS 1 Dispositif optoélectronique à guide optique et photodétecteur intégrés comprenant, successivement, sur un même substrat semiconducteur (S), une première 5 couche inférieure de confinement (Ci C) en un premier matériau ayant un premier indice (nl), une deuxième couche guide (CG) en un deuxième matériau ayant un deuxième indice (n 2) supérieur au premier (nl), éventuel- Lement une troisième couche supérieure de confinement10 (Cs G) en un troisième matériau ayant un troisième indice (n 3) inférieur au second (n 2), une quatrième couche d'ab- sorption (Ab) en un quatrième matériau ayant un quatrième indice (n 4) et étant apte à absorber le rayonnement pro- venant de la couche guide (CG) par évanescence, ce dispo-15 sitif étant caractérisé par le fait qu'il comprend en outre une couche réf Léchissante partielle (CR) insérée entre la couche inférieure de confinement (Ci C) et la couche guide (CG) et disposée en regard de la couche absorbante (Ab), cette couche réfléchissante partielle20 (CR) étant en un cinquième matériau ayant un cinquième indice (n 5) dont la valeur est située hors de la plage définie par le premier indice (nl) de la couche inférieu- re du confinement (Ci C) et le deuxième indice (n 2) de la couche guide (CG).25 2 Dispositif se Lon la revendication 1, caractérisé par le fait que le cinquième indice (n S) propre à la couche réfléchisante partielle (CR) est inférieur au premier indice (nl) propre à la couche inférieur de confinement (Ci C). 3 Dispositif selon La revendication 1, carac- térisé par le fait que la couche réfléchissante partiel- le (CR) est située dans la couche guide (CG) et à la35 partie inférieure de celui-ci. 4 Dispositif se Lon La revendication 1, carac- térisé par Le fait que la couche réfléchissante partiel- Le (CR) est située dans la couche inférieure de confine- ment (Ci C) et à la partie supérieure de celle-ci.5 Dispositif selon La revendication 1, carac- térisé par Le fait que La couche réfléchissante partie L- le (CR) est gravée transversalement pour former un ruban de Largeur - au moins égale à La Largeur de La couche10 absorbante (Ab). 6 Dispositif se Lon la revendication 1, carac- térisé par le fait que la couche réfléchissante partiel- le (CR) a une épaisseur supérieure à 0,4 pm.15 7 Dispositif se Lon la revendication 1, carac- térisé par Le fait que La couche réfléchissante partie L- le (CR) est constituée de p Lusieurs couches d'indices différents.20 8 Dispositif se Lon La revendication 1, carac- térisé par Le fait que: le premier matériau de La couche inférieure de confinement (Ci C) est en Ga In As P, Le deuxième matériau de la couche guide (CG) est en Ga In As P, l'épaisseur de cette couche guide étant voisine de 3 pm, la couche supérieure de confinement (Cs C) étant obtenue par l'air ambiant, le cinquième matériau constituant La couche réfléchissante partie L Le (CR) étant en In P. 9 Dispositif selon la revendication 1, carac- térisé par Le fait que: Le premier matériau constituant la couche inférieure de confinement (Ci C) est en In Ga As P, le deuxième matériau constituant la couche guide (CG) est en alliage quaternaire In Ga As P, L'épaisseur de cette couche étant de L'ordre de 0,9 pm, Le quatrième matériau constituant La couche d'absorption (Ab) est en alliage ternaire Ga In As, le cinquième matériau constituant La couche réfléchissante partielle (CR) est en alliage quaternaire In P. 10 Dispositif selon la revendication 1, carac- térisé par Le fait qu'il comprend en outre une couche antiref Let (Ca R) insérée entre La couche guide (CG) et la couche absorbante (Ab). 11 Dispositif selon la revendication 10,carac- térisé par le fait que le matériau constituant la couche antiref Let (Ca R) est en alliage quaternaire Ga In As P. 12 Dispositif selon la revendication 10, ca- ractérisé par le fait que Le matériau constituant la couche antireflet (Ca R) peut être dopé n+ pour Le contact n avec une diode PIN.