FR 2679388 A1 19930122 FR 9109178 A 19910719 -1- Laser semi-conducteur à double canal et son procédé de réalisation. La présente invention concerne la réalisation d'un laser semi- conducteur à double canal. La structure d'un tel laser est désignée internationalement par le sigle DCPBH découlant de l'appellation anglo-saxonne "Double Channel Planar Buried Heterostructure" Elle peut par exemple être réalisée à l'aide d'un matériau de base constitué de phosphure d'indium et d'un matériau actif comportant en outre de l'arséniure de gallium Elle peut alors constituer un laser de pompage émettant10 à une longueur d'onde de 1 480 nm et utilisable dans des liaisons à fibres optiques de longue distance comportant des fibres amplificatrices dopées à l'erbium. Un tel laser comporte les éléments suivants, qui sont communs, quant à leurs fonctions indiquées ci-après, à des lasers connus et à un laser selon la présente invention et qui, dans le cas de ce dernier laser, sont représentés en section transversale à la figure 1: Une plaquette généralement semi-conductrice ( 2) ayant une continuité cristalline interne et présentant une épaisseur entre deux faces principales ( 4, 8) Cette plaquette définit une direction verticale (Z) qui est celle de cette épaisseur et deux directions longitudinale (X) et transversale (Y) qui sont horizontales et mutuellement perpendiculaires Ces deux faces principales sont une face inférieure ( 4) revêtue d'une électrode25 inférieure ( 6) et une face supérieure ( 8) revêtue d'une électrode supérieure ( 10) Cette plaquette est constituée de couches qui se succèdent verticalement de la face inférieure à la face supérieure. Elle présente des zones diversifiées qui s'étendent longitudinalement et se juxtaposent transversalement Une telle30 zone est une zone de ruban (ZR) dans laquelle cette plaquette présente les couches successives suivantes: une couche d'injection inférieure ( 25) d'un premier type de conductivité, une couche active ( 14) qui, dans l'étendue de cette zone (ZR), constitue un ruban laser ( 14 A), -2- et une couche d'injection supérieure ( 16) d'un deuxième type de conductivité. Ces couches constituent un ensemble actif Elles sont réalisées de manière qu'un courant de polarisation amené par les électrodes ( 6, 10) injecte verticalement dans ce ruban laser ( 14 A), à partir de ces couches d'injection, des porteurs de charges de types opposés permettant l'amplification d'une lumière laser dans ce ruban Par ailleurs ce ruban présente un indice de réfraction supérieur à celui des couches environnantes ( 12, 25, 16, 26, 20,10 22) pour constituer un guide pour cette lumière Les couches d'injection s'étendent transversalement au-delà de cette zone de ruban La plaquette ( 2) présente deux successions transversales de zones à partir de chacun de deux c 8 tés de cette zone de ruban (ZR), respectivement Chaque telle succession comporte d'abord une zone15 latérale proche (ZC) dans laquelle un canal latéral (CL) prend la place de la couche d'injection supérieure, de la couche active et d'au moins une partie supérieure de la couche d'injection inférieure Ce canal comporte une couche de blocage inférieure ( 20) du deuxième type de conductivité surmontée d'une couche de blocage20 supérieure ( 22) du premier type de conductivité, de manière que ces deux couches de blocage forment entre elles, vis-à-vis du courant de polarisation, une jonction bloquante (JB) constituant un moyen de confinement électrique rapproché tendant à confiner ce courant dans la zone de ruban (ZR).25 La succession transversale de zones comporte ensuite une zone latérale distante (ZD) dans laquelle une couche électriquement résistive constitue un moyen de confinement électrique éloigné coopérant avec le moyen de confinement électrique rapproché pour confiner le courant de polarisation dans la zone du ruban La30 réalisation du moyen de confinement électrique éloigné est propre à la présente invention et sera précisée plus loin. Selon des dispositions communes aux lasers connus et à un laser selon la présente invention les couches de blocage ( 20, 22) s'étendent dans les zones latérales distantes mais non dans la zone35 de ruban, ceci résultant de l'utilisation de conditions de dép 8 t -3- épitaxial convenables lors du dép 8 t de ces couches La jonction bloquante qu'elles forment assure un bon blocage du courant dans les canaux parce que leur épaisseur est suffisante Par contre, ces épaisseurs étant plus minces au niveau des couches latérales distantes, le blocage y est imparfait. C'est notamment pourquoi il doit être complété par un moyen de confinement électrique éloigné. La couche d'injection supérieure ( 16) et ces couches de blocage sont surmontées d'une couche complémentaire plus épaisse du deuxième type de conductivité ( 26), elle-même surmontée d'une couche de contact plus fortement dopée ( 28). Deux réflecteurs non représentés sont formés par les faces longitudinalement extrêmes de la plaquette semi-conductrice pour constituer un émetteur laser.15 Un premier laser connu comportant ces éléments et dispositions communs est décrit dans un article du Journal of Lightwave Technology Vo L LT-5 NO l O October 1987, p 1399-1402 "High-Frequency Response for DFB LD due to a Wavelength Detuning Effect"- Hiroyuki Hishimoto, Masayuki Yamaguchi, Ikuo Mito, and Kohroh Kobayashi. Dans ce laser le moyen de confinement électrique éloigné est réalisé comme suit: Après réalisation de couches de blocage, on creuse, dans les deux zones latérales distantes, au contact des canaux latéraux, des caissons plus profonds que ces canaux On dispose dans ces caissons une couche de matériau isolant, à savoir de nitrure de silicium. La présence de cette couche de très haute résistivité électrique empêche parfaitement le courant d'alimentation d'être détourné par les zones latérales distantes Mais la gravure de ces caissons fragilise la plaquette semi-conductrice d'une manière qui est gênante pour les manipulations ultérieures de celle-ci De plus elle facilite l'apparition de défauts cristallins qui peuvent atteindre la zone de ruban et nuire ainsi à l'amplification de la35 lumière laser. -4- Un deuxième laser connu comportant ces éléments et dispositions communs est décrit dans le document de brevet européen EP-A 161 016 (Philips). Dans ce deuxième laser connu le moyen de confinement électrique éloigné est formé, après réalisation d'une plaquette telle que précédemment décrite, par un bombardement ionique qui est localisé dans les zones latérales distantes et qui y induit des défauts cristallins augmentant la résistivité du matériau de base. Pour que ce bombardement atteigne une profondeur suffisante les10 ions utilisés sont des protons La résistivité électrique ainsi créée dans ces zones peut être initialement suffisamment élevée pour permettre un bon fonctionnement du laser Mais les défauts cristallins qui en sont la cause se guérissent progressivement lorsque la température de la plaquette s'élève, ce qui diminue la15 fiabilité et les possibilités d'utilisation du laser. La présence invention a notamment pour but de permettre une réalisation simple d'un laser fiable, même en cas d'élévation de température, et aisément manipulable, même en cours de fabrication. Et dans ce but elle a notamment pour objet un laser semi-conducteur à double canal caractérisé par le fait que le confinement électrique éloigné y est assuré par une couche semi- isolante interne en continuité cristalline avec les couches semiconductrices. A l'aide des figures schématiques, ci-jointes, on va décrire plus particulièrement ci-après, à titre d'exemple non limitatif, comment la présente invention peut être mise en oeuvre Lorsqu'un même élément est représenté sur plusieurs figures il y est désigné par le même signe de référence. La figure 1 représente une vue en coupe transversale d'un premier laser selon la présente invention. Les figures 2 à 6 représentent des vues de ce laser en coupe transversale à des étapes successives de sa réalisation. Les figures 7 à 10 représentent des vues en coupe transversale d'un deuxième laser selon la présente invention à des étapes successives de sa réalisation. -5- De manière générale et en se référant à la figure 1, un laser selon l'invention comporte les éléments et dispositions communs précédemment mentionnés et, selon la présente invention, son moyen de confinement éloigné est constitué par une couche semi-isolante 24 qui présente une continuité cristalline avec un ensemble actif comportant la couche active 14 entre les couches d'injection inférieure 25 et supérieure 16 Plus particulièrement la plaquette semi-conductrice 2 présente, dans chaque zone latérale distante ZD, une succession verticale de couches comportant la couche semi-isolante 24 et l'ensemble actif entre deux couches de confinement optique externe inférieure 12 et supérieure 26 qui encadrent l'ensemble actif et qui, dans la zone de ruban ZR, contribuent, avec les couches d'injection inférieure et supérieure, à confiner la lumière laser dans le ruban laser 14 A. La couche semi- isolante et les couches d'injection inférieure et supérieure sont constituées d'un même matériau de base semi-conducteur, et comportent des impuretés de dopages différentes choisies pour conférer à ces couches une résistivité et les premier et deuxième type de conductivité, respectivement Ce matériau de base est le phosphure d'indium ou l'arséniure de gallium et l'impureté de dopage de la couche semi- isolante comporte du fer, du cobalt, du titane, et/ou du chrome. Dans les premier et deuxième laser selon l'invention ce matériau de base est le phosphure d'indium ou l'arséniure de gallium L'impureté de dopage de la couche semi-isolante est alors de par exemple le fer à une concentration comprise entre 1016 et 1018 et typiquement voisine de 1017 atomes par cm 3 L'épaisseur de cette couche est comprise entre 300 et 3000 nm et typiquement voisine de 700 nm, les impuretés de dopage de types N et p pour les30 premier et deuxième types de conductivité sont le silicium et le zinc ou le béryllium. Il est à noter que la résistivité électrique apportée par la présence des atomes de fer est une résistivité que l'on peut appeler intrinsèque parce qu'elle ne résulte pas de la formation de35 défauts géométriques du réseau cristallin et n'est donc pas -6- diminuée par une élévation de la température. De manière générale un laser selon l'invention peut être réalisé par les opérations suivantes qui sont connues quant à leurs fonctions indiquées et qui sont illustrées par les figures 2 à 6 dans le cas du premier laser selon l'invention: réalisation d'un substrat semi-conducteur 11 portant une couche de confinement optique externe inférieure 12 d'un premier type de conductivité, après réalisation de ce substrat, dép 8 t épitaxial d'une couche d'injection inférieure 25 du même type de conductivité, puis d'une couche active 14 (voir figure 4) constituée d'un matériau actif propre à amplifier une lumière de laser par recombinaison de porteurs de charges de types opposés, après dép 8 t de cette couche active, dép 8 t épitaxial d'une couche d'injection supérieure 16 d'un deuxième type de conductivité de manière qu'un courant d'alimentation circulant ultérieurement de l'une 16 à l'autre 25 des deux couches d'injection injecte dans cette couche active 14 les porteurs de charges de types opposés nécessaires à l'amplification de la lumière laser, après dépôt de la couche active, gravure de deux canaux CL, (figure 5) s'étendant selon une même direction longitudinale X et éliminant localement la couche d'injection supérieure 16, la couche active 14 et au moins une partie supérieure de la couche d'injection inférieure 25 de sorte que les parties des couches précédemment déposées subsistant entre ces canaux constituent une mesa M présentant deux bords BI et que la partie de la couche active comprise dans cette mesa constitue un ruban laser 14 A par rapport auquel ces canaux constituent des canaux latéraux, chacun de ces canaux présentant un bord externe BE à distance de cette30 mesa, après gravure de ces canaux latéraux CL dép 8 ts épitaxiaux d'une couche de blocage inférieure 20 (figure 6) du deuxième type de conductivité puis d'une couche de blocage supérieure 22 du premier type de conductivité, ces dép 8 ts étant réalisés par exemple35 en phase liquide de manière que ces couches se forment dans ces -7- canaux et s'arrêtent sur les bords BI de la mesa M et qu'une jonction bloquante JB réalisée par ces couches constitue un moyen de confinement électrique rapproché pour empêcher localement le passage du courant de polarisation, et, après la formation du substrat, formation d'une couche électriquement résistive dans des zones latérales distantes s'étendant transversalement au delà des bords externes des canaux latéraux, cette couche constituant un moyen de confinement électrique éloigné coopérant avec le moyen de confinement rapproché JB pour confiner le courant de polarisation à travers le ruban laser 14 A. Selon la présente invention le moyen de confinement électrique éloigné est formé par un dépôt épitaxial d'une couche semi- isolante telle que 24 avant la gravure des canaux latéraux et une disposition de localisation de couche semi-isolante est prise pour empêcher que cette couche existe dans une zone de ruban lorsque la fabrication du laser est achevée, cette zone étant la partie de la surface du laser qui comporte le ruban laser. De préférence le dép 8 t de la couche semi-isolante est effectué d'une manière non localisée qui forme cette couche aussi dans la zone de ruban, la disposition de localisation de couche semi- isolante étant réalisée par une opération de première gravure de cette couche qui élimine cette couche dans une zone de première gravure de couche semi-isolante, cette zone comportant la zone de25 ruban et s'étendant transversalement au-delà de cette zone de ruban jusqu'à des limites de première gravure de couche semi-isolante, la gravure des canaux latéraux éliminant une partie supplémentaire de cette couche semi-isolante au voisinage de ces limites. Une couche d'arrêt de gravure 23 est déposée avant la couche semi-isolante 24 Elle est par exemple constituée d'un matériau semi-conducteur ternaire Elle limite la profondeur de la première gravure de la couche semi-isolante Quant à l'étendue latérale de cette gravure elle est limitée par un masque de type connu Cette gravure peut faire apparaître, au voisinage des limites LG, des35 défauts suceptibles de créer ultérieurement des trajets parasites -8- pour le courant de polarisation du laser Les régions pouvant présenter ces défauts sont éliminées par la gravure ultérieure des canaux latéraux CL. La première gravure de la couche semi-isolante 24 est facilitée si les directions longitudinale X, transversale Y et verticale Z sont les directions cristallographiques ( 110), ( 1-10) et ( 001) respectivement. Plus particulièrement, dans le premier laser selon l'invention, la couche semi-isolante 24 est portée par la couche de confinement optique externe inférieure 12 par l'intermédiaire de la couche d'arrêt de gravure 23 et elle est surmontée par la couche d'injection inférieure 25 Cette couche 25 est elle-même surmontée par la couche active 14. Ce premier laser peut être réalisé comme suit. Conformément à la figure 2, sur la couche de confinement optique externe inférieure 12, on dépose épitaxialement la couche d'arrêt de gravure 23 et la couche semi-isolante 24 L'impureté de cette dernière est déposée en même temps que son matériau de base, mais pourrait être introduite ultérieurement, par exemple par20 implantation ionique. Conformément à la figure 3 on grave les couches 23 et 24 sur une largeur qui est par exemple voisine de 10 000 nm Cette opération constitue la première gravure de la couche semi-isolante. Conformément à la figure 4 on effectue une première reprise d'épitaxie, par exemple en phase gazeuse à environ 500 C, pour déposer la couche d'injection inférieure 25, la couche active 14 et la couche d'injection supérieure 16. Conformément à la figure 5 on grave les deux canaux latéraux tels que CL L'écart entre leurs deux bords extérieurs tels que BE est par exemple de 20 000 nm Leurs deux bords intérieurs tels que BI constituent les bords de la mesa M Leur écart mutuel constitue la largeur de cette mesa Il est par exemple voisin de 2000 nm. Conformément à la figure 6 une deuxième reprise d'épitaxie est réalisée en phase liquide pour déposer les couches de blocage inférieure 20 et supérieure 22 Il faut éviter le risque que le -9- liquide d'apport utilisé lors de cette opération déborde sur la mesa On utilise pour cela le fait, utilisé antérieurement à la présente invention, qu'un tel liquide tend à éviter les saillies à flancs raides et plus particulièrement les saillies situées entre deux flancs raides proches l'un de l'autre comme le sont les flancs de la mesa comportant les bords tels que BI Mais ce risque est ici augmenté parce que le sommet de la mesa M est plus bas que le plateau formé dans la zone distance ZD par la couche d'injection supérieure que le liquide d'apport doit recouvrir, la différence d'altitude étant approximativement égale à l'épaisseur de la couche semi-isolante 24 précédemment déposée et gravée. C'est pourquoi d'une part on limite l'épaisseur de cette couche C'est pourquoi d'autre part on choisit une largeur des canaux latéraux un peu plus grande que les largeurs antérieurement15 choisies En raison de cet accroissement de largeur on choisit une durée de dépôt un peu supérieure aux durées antérieurement utilisées. Au cours de la même reprise d'épitaxie on dépose ensuite les couches 26 et 28. Il est apparu ci-dessus que, dans la réalisation du premier laser selon la présente invention la couche semi-isolante 24 était déposée avant et était donc finalement située sous l'ensemble actif 25, 14, 16 Au contraire, dans la réalisation du deuxième laser selon cette invention qui va être maintenant décrite, la couche semi-isolante est déposée après et est donc située sur l'ensemble actif. Chaque élément de ce deuxième laser est généralement fonctionnellement analogue à un élément du premier et porte le même numéro de référence augmenté de 100.30 Ce deuxième laser peut être réalisé comme suit. Conformément à la figure 7 une étape d'épitaxie par exemple en phase gazeuse permet de déposer, sur la couche de confinement optique externe inférieure 112 portée par le substrat semi-conducteur 111, la couche d'injection inférieure 125, la35 couche active 114, la couche d'injection supérieure 116, la -10- couche d'arrêt de gravure 123, la couche semi-isolante 124, et une couche supplémentaire du même type que celui de la couche 116, dite de recouvrement de matériau semi isolant 150. Conformément à la figure 8 on effectue la gravure de ces couches pour découvrir la couche d'injection supérieure 116. Conformément à la figure 9 on grave les canaux latéraux CL. Conformément à la figure 10 une unique reprise d'épitaxie est réalisée par exemple en phase liquide pour déposer les couches de blocage 120 et 122 et les couches de confinement optique externe10 supérieure 126 et de contact supérieure 128. -11- REVENDICATIONS 1) Laser semi-conducteur à double canal, caractérisé par le fait que le confinement électrique éloigné y est assuré par une couche semi isolante interne ( 24) en continuité cristalline avec les couches semiconductrices ( 25, 14, 16). 2) Laser selon la revendication 1, comportant une plaquette généralement semi-conductrice ( 2) ayant une continuité cristalline interne et présentant deux faces principales qui sont une face inférieure ( 4) revêtue d'une électrode inférieure ( 6) et une face10 supérieure ( 8) revêtue d'une électrode supérieure ( 10), cette plaquette définissant une direction verticale ascendante (Z) qui va de cette face inférieure à cette face supérieure, et deux directions longitudinale (X) et transversale (Y) qui sont horizontales et mutuellement perpendiculaires, cette plaquette15 étant constituée de couches qui se succèdent selon cette direction verticale ascendante et présentant des zones diversifiées qui s'étendent longitudinalement et se juxtaposent transversalement, une dite zone étant une zone de ruban (ZR) dans laquelle cette plaquette présente les couches successives suivantes: une couche d'injection inférieure ( 25) qui présente un premier type de conductivité, une couche active ( 14) qui est au contact de cette couche d'injection inférieure et qui, dans l'étendue de cette zone (ZR), constitue un ruban laser ( 14 A),25 et une couche d'injection supérieure ( 16) qui est au contact de cette couche active et qui présente un deuxième type de conductivité de manière qu'un courant de polarisation amené par les électrodes ( 6, 10) injecte verticalement dans ce ruban laser ( 14 A), à partir de ces couches d'injection ( 25, 16), des porteurs de charges de types opposés permettant l'amplification d'une lumière laser dans ce ruban, ces couches d'injection inférieure et supérieure et cette couche active constituant un ensemble actif, au moins deux couches de confinement optique inférieure ( 25, 12) et supérieure ( 16, 26) étant situées audessous et au-dessus de la35 couche active ( 14) respectivement, et en interaction optique avec -12- cette couche active, ces couches de confinement optique et des couches de confinement optique latéral ( 20, 22) situées de part et d'autres du ruban laser ( 14 A) présentant des indices de réfraction inférieurs à celui de cette couche active pour que ce ruban laser 5 constitue un guide pour cette lumière, ces couches d'injection et de confinement optique s'étendant transversalement au- delà de cette zone de ruban, cette plaquette ( 2) présentant deux successions transversales de zones à partir de chacun de deux c 8 tés de cette zone de ruban (ZR),10 respectivement, chaque telle succession comportant d'abord une zone latérale proche (ZC) dans laquelle un canal latéral (CL) prend la place de la couche active et d'au moins une partie supérieure de la couche d'injection inférieure, ce canal comportant une couche de blocage inférieure ( 20) du deuxième type de conductivité surmontée15 d'une couche de blocage supérieure ( 22) du premier type de conductivité, de manière que ces deux couches de blocage forment entre elles, vis-à-vis du courant de polarisation, une jonction bloquante (JB) constituant un moyen de confinement électrique rapproché s'opposant localement au passage de ce courant, la20 succession transversale de zones comportant ensuite une zone latérale distante (ZD) dans laquelle une couche électriquement résistive constitue un moyen de confinement électrique éloigné coopérant avec le moyen de confinement électrique rapproché pour confiner le courant d'alimentation dans la zone du ruban,25 ce laser étant caractérisé par le fait que ledit moyen de confinement éloigné est constitué par une couche semi-isolante ( 24) qui présente une continuité cristalline avec les couches d'injection inférieure ( 25) et supérieure ( 16) et qui comporte des impuretés de dopage lui conférant par leur présence une résistivité30 électrique intrinsèque. 3) Laser selon la revendication 2, dans lequel la plaquette semiconductrice ( 2) présente, dans chaque zone latérale distante (ZD), une succession verticale de couches comportant la couche semi isolante ( 24) et l'ensemble actif ( 25, 14, 16) entre deux couches de confinement optique externe inférieure ( 12) et -13- supérieure ( 26) qui constituent deux dites couches de confinement optique. 4) Laser selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ladite couche semi-isolante ( 24) et les couches d'injection inférieure ( 25) et supérieure ( 16) sont constituées d'un même matériau de base semi-conducteur, et d'impuretés de dopage différentes choisies pour conférer à ces couches ladite résistivité et les premier et deuxième type de conductivité, respectivement. ) Laser selon la revendication 4 dans lequel ledit matériau de base est le phosphure d'indium ou l'arséniure de gallium, caractérisé en ce que l'impureté de dopage de la couche semi-isolante ( 24) comporte du fer, du cobalt, du titane, et/ou du chrome. 6) Laser selon la revendication 3, caractérisé par le fait que ladite couche semi isolante ( 24) est située entre la couche de confinement optique externe inférieure ( 12) et l'ensemble actif ( 25, 14, 16). 7) Laser selon la revendication 3, caractérisé par le fait que la couche semi-isolante ( 124) est située entre l'ensemble actif ( 125, 114, 116) et la couche de confinement optique externe supérieure ( 126). 8) Procédé de réalisation d'un laser semi-conducteur à double canal, ce procédé comportant les opérations suivantes: réalisation d'un substrat semi-conducteur ( 11) d'un premier type de conductivité, après réalisation de ce substrat, dép 8 t épitaxial d'une couche d'injection inférieure ( 25) du premier type de conductivité, après dépôt de cette couche d'injection inférieure, dép 8 t épitaxial d'une couche active ( 14, figure 4) constituée d'un matériau actif propre à amplifier une lumière de laser par recombinaison de porteurs de charges de types opposés, après dépôt de cette couche active, dép 8 t épitaxial d'une couche d'injection supérieure ( 16) d'un deuxième type de conductivité de manière qu'un courant de polarisation circulant35 ultérieurement de l'une ( 16) à l'autre ( 25) des deux couches -14- d'injection injecte dans cette couche active ( 14) les porteurs de charges de types opposés nécessaires à l'amplification de la lumière laser, après dép 8 t de la couche active, gravure de deux canaux (CL, s figure 5) s'étendant selon une même direction longitudinale (X) et éliminant localement la couche d'injection supérieure ( 16), la couche active ( 14) et au moins une partie supérieure de la couche d'injection inférieure ( 25) de sorte que les parties des couches précédemment déposées subsistant entre ces canaux constituent une mesa (M) présentant deux bords (BI) et que la partie de la couche active comprise dans cette mesa constitue un ruban laser ( 14 A) par rapport auquel ces canaux constituent des canaux latéraux, chacun de ces canaux présentant un bord externe (BE) à distance de cette mesa, après gravure de ces canaux latéraux (CL), dép 8 ts épitaxiaux d'une couche de blocage inférieure ( 20, figure 6) du deuxième type de conductivité puis d'une couche de blocage supérieure ( 22) du premier type de conductivité, ces dép 8 ts étant réalisés de manière que ces couches se forment dans ces canaux et s'arrêtent sur les20 bords (BI) de la mesa (M) et qu'une jonction bloquante (JB) réalisée par ces couches constitue un moyen de confinement électrique rapproché s'opposant localement au passage du courant de polarisation, et, après la réalisation du substrat ( 11), formation d'une couche électriquement résistive dans des zones latérales distantes (ZD) s'étendant transversalement au delà des bords externes des canaux latéraux de manière à constituer un moyen de confinement électrique éloigné coopérant avec le moyen de confinement rapproché (JB) pour confiner le courant de polarisation à travers le ruban laser ( 14 A), ce procédé étant caractérisé par le fait que le moyen de confinement électrique éloigné est formée par un dép 8 t épitaxial d'une couche semi-isolante ( 24, Figure 2) avant la gravure des canaux latéraux (CL), une disposition de localisation de couche35 semi isolante étant prise pour empêcher que cette couche ( 24) -15- existe dans une zone de ruban (ZR) lorsque la fabrication du laser est achevée, cette zone étant la partie de la surface de la plaquette ( 2) qui comporte le ruban laser ( 14 A). 9) Procédé selon la revendication 8, caractérisé par le fait que le dépôt de la couche semi-isolante ( 24, Figure 2) est effectué d'une manière non localisée qui forme cette couche aussi dans la zone de ruban (ZR, Figure 3), la disposition de localisation de couche semi-isolante étant réalisée par une opération de première gravure de cette couche qui élimine cette couche dans une zone de première10 gravure de couche semi-isolante, cette zone comportant la zone de ruban et s'étendant transversalement au-delà de cette zone de ruban jusqu'à des limites de première gravure de couche semi-isolante (LG), la gravure des canaux latéraux (CL) éliminant une partie supplémentaire de cette couche semi-isolante ( 24) au voisinage de ces limites. ) Procédé selon la revendication 8, caractérisé par le fait que la couche semi-isolante ( 24) est formée avant la couche d'injection inférieure ( 25). 11) Procédé selon la revendication 8, caractérisé par le fait que la couche semi-isolante ( 124) est formée après la couche d'injection supérieure ( 116).