FR 2678108 A1 19921224 FR 9208054 A 19920623 PROCEDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURES D'ÉTALONNAGE, EN PARTICULIER POUR L'ÉTALONNAGE DE MACHINES DE MESURE D'ALIGNEMENT DANS DES CIRCUITS INTÉGRÉS La présente invention conèrne un procédé de fabrica- tion de structures d'étalonnage en particulier pour l'étalonnage de machines de mesure d'alignement dans des circuits intégrés. Lors de la fabrication de circuits intégrés par des proèssus photolithographiques et analogues, un problème tech- nique qui se présente de plus en plus souvent conerne l'étalon- nage des machines de mesure qui ont pour but de mesurer l'ali- gnement de différentes couches du circuit intégré, c'est-à-dire de vérifier un défaut d'alignement éventuel de masques succes-10 sifs sur un même substrat constitué par exemple de silicium, d'arséniure de gallium et analogue. La précision requise pour ces machines de mesure est de plus en plus élevée; ceci est lié à la densité et à la complexité de plus en plus grandes des circuits intégrés En15 fait, par exemple pour des mémoires mortes effaçables et pro- grammables connues dans la technique sous l'appellation EPROM, d'une capacité de 1 mégabit, les tolérances d'alignement doivent être inférieures à 0,40 micromètre; pour une capacité de 4 mégabits, les tolérances d'alignement doivent être inférieures à 0,25 micromètre; pour des EPROM d'une capacité de 64 Mbits, les tolérances d'alignement doivent être inférieures à 0,10 micromètre, avec des précisions de mesure inférieures à 15 à 20 nanomètres, c'est-à- dire égales au plus à un cinquième de la tolérance maximale d'alignement. Pour atteindre les niveaux de précision d'alignement susmentionnés, il est indispensable de prévoir des systèmes pour l'étalonnage des machines de mesure qui soient suffisamment précis pour pouvoir vérifier le fonctionnement des machines de photolithographie, appelées décaleurs pas à pas (steppers) de tranche De telles machines de mesure étalonnées indiquent toute correction à réaliser pour éliminer des erreurs telles que des facteurs de grandissement des systèmes optiques, des décalages d'alignement, des rotations et translations combinées, et ana- logues, ainsi que des erreurs dans le produit, c'est-à-dire les substrats ou tranches de silicium, après les diverses étapes de masquage. Pour certaines applications particulières, il est déjà possible de disposer de motifs d'étalonnage sur un seul masque avec un défaut d'alignement connu, au moyen desquels il est possible d'étalonner les machines de mesure La limitation de ces procédés est due au fait que tous les motifs d'étalonnage et de référence sont couramment gravés dans la même couche alors qu'il est indispensable, dans une fabrication pratique, d'éva- luer un défaut d'alignement entre couches différentes. L'objet principal de la présente invention est d'éli- miner ou de réduire sensiblement les inconvénients décrits ci- dessus en prévoyant un procédé de fabrication de structure30 d'étalonnage, en particulier pour l'étalonnage de machines de mesure d'alignement dans des circuits intégrés, qui permette l'étalonnage de machines de mesure d'alignement par utilisation de structures d'étalonnage ou de référence définies parmi diffé- rentes couches du circuit intégré en tant que base d'étalonnage. Dans le cadre de èt objet général, un objet parti- culier de la présente invention est de prévoir un procédé qui permette un étalonnage relativement simple de machines d'étalon- nage. Un objet non moindre de la présente invention est de prévoir un procédé relativement facile à mettre en oeuvre, à des coûts compétitifs et par des procédés déjà connus. Cet objet principal, les objets particuliers mention- nés et d'autres qui apparaîtront ci-après sont atteints par un procédé de fabrication de structures d'étalonnage, en parti- culier pour l'étalonnage de machines de mesure d'alignement et donc de vérification d'un éventuel défaut d'alignement dans des circuits intégrés selon l'invention. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description de certains modes de réalisation particuliers d'un procédé de fabrication de struc- tures d'étalonnage, en particulier pour l'étalonnage de machines de mesure d'alignement dans des circuits intégrés selon l'inven- tion, illustrés seulement à titre d'exemple non limitatif dans les dessins joints parmi lesquels: les figures la, lb, lc et ld sont des vues de dessus et des vues en coupe de motifs d'étalonnage qui présentent des applications limitées et sont obtenus en utilisant des procédés de fabrication connus; les figures 2 a, 2 b et 2 c sont des vues en coupe de structures d'étalonnage obtenues par le procédé selon l'inven- tion, qui ressemblent à des situations réelles; les figures 3 a à 3 i, 3 f', 3 g', 3 e" et 3 f" sont des vues en coupe d'une structure d'étalonnage, représentant à titre d'exemple des étapes successives d'une façon de mettre en oeuvre le procédé selon l'invention pour obtenir la structure d'étalon- nage de la figure 2 c; les figures 4 a à 4 i sont des vues en coupe d'une structure d'étalonnage, illustrant à titre d'exemple des étapes sucèssives d'une autre façon de mettre en oeuvre le procédé selon l'invention pour obtenir la structure d'étalonnage de la figure 2 b; les figures 5 a à 5 h sont des vues en coupe d'une structure d'étalonnage représentant à titre d'exemple des étapes sucèssives d'une autre façon de mettre en oeuvre le procédé selon l'invention pour obtenir la structure d'étalonnage de la figure 2 a; et la figure 6 est une vue de dessus d'une zone d'un substrat comprenant une pluralité de structures d'étalonnage avec divers défauts d'alignement en x et y disposées à des posi- tions prédéterminées, à titre d'exemple d'un instrument d'éta- lonnage possible. Ci-après, le terme "masquer" ou "masquage" est utilisé pour désigner les procédés photolithographiques bien connus par lesquels un matériau sensible à un rayonnement est rendu soluble ou insoluble par exposition à une souroe de rayonnement qui est commandée et filtrée par un masque qui porte le motif d'une cou- che individuelle Dans la plupart des cas pratiques, le matériau sensible à un rayonnement est constitué d'une résine photosen- sible, couramment appelée dans la technique photorésine, ce terme étant utilisé ci-après, alors que la souroe de rayonnement est habituellement une source de rayonnement électromagnétique, habituellement dans la plage du visible ou de l'ultraviolet Le terme "gravure" est utilisé pour indiquer la gravure chimique ou physico-chimique réalisée par exemple avec un plasma des couches de la structure d'étalonnage Le terme "dopage" ou "dopé" indique l'insertion, par diffusion gazeuse ou par implantation à haute énergie, d'impuretés dans au moins une couche. Comme le représentent les figures la et lb, une couche T est déposée ou amenée à croître sur un substrat S et est ensuite masquée, exposée à une source de rayonnement électro- magnétique puis développée, de façon connue, avec le masque représenté en figure la Une gravure est alors réalisée pour éliminer des parties de la couche T en en laissant des parties T', T" et T"' sur le substrat S et en découvrant de petites surfaoes S' et S" du substrat La quantité de défaut d'ali- gnement d est mesurée ici, en faisant référenoe aux dimensions indiquées en figure lb, en calculant la demi-différence entre les paramètres xl et x 2, c'est-à-dire d = (xl-x 2)/2 Comme le représentent les figures Ic et ld, en réali- sant les mêmes étapes que celles décrites ci-dessus pour les figures la et lb, et en se référant aux dimensions indiquées en figure ld, la quantité d est mesurée en calculant la demi- différence entre les paramètres zl et z 2, c'est-à-dire: d = (zl-z 2)/2 Ainsi, l'étalonnage des machines de mesure est réalisé sur une couche T unique déposée ou amenée à croître sur un subs- trat S, et ceci a un effet limitatif dans la fabrication des circuits intégrés Des motifs d'étalonnage connus sont indiqués à titre d'exemple dans des documents commerciaux, par exemple ceux de KLA Instruments Corporation concernant un produit appelé KLA 5000, datés du 10 août 1990, et ceux de VLSI Standards Inc, ayant pour titre "Overlay Standard Application Note" qui concer- nent des motifs d'étalonnage pour machines de mesure. Les figures 2 a, 2 b et 2 c illustrent des cas réels qui peuvent survenir lors de la fabrication de circuits intégrés. Dans ces figures, C et D indiquent les différentes couches qui sont alignées ou présentent un défaut d'alignement d'une quanti- té connue à l'avance, par le processus selon l'invention A titre d'exemple non limitatif, la figure 2 a représente une structure d'étalonnage qui comprend des régions de zones actives C qui sont masquées par du nitrure de silicium par rapport à des caissons D dopés de type N; la figure 2 b représente un masque en silicium polycristallin C par rapport à des régions d'oxyde de champ D; et la figure 2 c représente un cas général dans lequel la couche C peut être constituée de silicium polycristal- lin, de diélectrique de protection de contacts, d'une première35 métallisation ou de voies de passage, tandis que la couche D peut être constituée respectivement d'une couche de contact, d'une couche métallisée, de voies de passage ou enfin d'une seconde couche métallisée Les couches C et D peuvent bien sûr être fabriquées en inversant les matériaux utilisés pour leur formation, en plus des combinaisons possibles indiquées ci-dessus Les combinaisons dépendent seulement du type de structure d'étalonnage fabriquée. Comme le représentent les figures 3 a à 3 e, un proces- sus de fabrication de structure d'étalonnage, en particulier pour l'étalonnage de machines de mesure d'alignement dans des circuits intégrés, comprend les étapes suivantes réalisées sur un substrat tel que, par exemple, une tranche de silicium ou d'arséniure de gallium ou autre matériau: une étape de préparation, figure 3 a, pendant laquelle une première couche 2 d'un premier matériau est amenée à croître ou est déposée sur un substrat de silicium 1 et une première couche 3 de photorésine est déposée par dessus; une première étape de masquage, figure 3 b, pendant laquelle la première couche de photorésine 3 est masquée de façon classique et une partie soluble de celle-ci est éliminée. Ensuite, la première couche 2 est gravée, découvrant une partie 4 du substrat 1, et la première couche de photorésine restante 3 est enlevée, laissant en place des parties séparées 2 ' et 2 " de la première couche 2; une première étape de dépôt, figure 3 c, pendant laquelle une deuxième couche 5 d'un deuxième matériau est dépo- sée sur les parties 2 ' et 2 " de la première couche 2 et sur la partie 4 du substrat 1; une deuxième couche de photorésine 6 est ensuite déposée sur la deuxième couche; une deuxième étape de masquage, figure 3 d, pendant laquelle la deuxième couche de photorésine 6 est masquée, une partie soluble de celle-ci est enlevée, laissant en place des parties 6 ', 6 " et 6 "' de celle-ci au-dessus de la deuxième cou- che 5 au niveau de la partie 4 et au niveau des parties 2 ' et 2 " de la première couche 2, découvrant des parties 5 a et 5 b de la deuxième couche 5; une première étape de gravure, figure 3 e, pendant laquelle les parties découvertes 5 a et 5 b de la deuxième couche sont gravées Les parties 6 ', 6 " et 6 "' de la deuxième couche de photorésine 6 sont alors enlevées Cette première gravure laisse découvertes des parties 5 ', 5 " et 5 "' de la deuxième couche ainsi que des parties 2 a et 2 b de la première couche 2. A partir de là, le processus selon l'invention peut suivre deux voies mutuellement exclusives La première prévoit les étapes suivantes: une deuxième étape de gravure, figure 3 f, pendant laquelle les parties découvertes 2 a et 2 b de la première couche 2 sont gravées Cette gravure auto-aligne les parties 2 ' et 2 " de la première couche 2 avec les parties en recouvrement 5 ' et "' de la deuxième couche 5; une troisième étape de masquage, figure 3 g, pendant laquelle une troisième couche de photorésine est déposée; alors la couche est masquée et ses parties solubles sont supprimées, laissant en place une partie 7 de celle-ci pour protéger la partie 5 " de la deuxième couche 5; une troisième étape de gravure, figure 3 h, pendant laquelle les parties 5 ' et 5 "' de la deuxième couche 5 restant sur les parties 2 ' et 2 " de la première couche 2 sont enlevées; une étape finale, figure 3 i, pendant laquelle la partie 7 de photorésine est enlevée, fournissant des parties 2 ' et 2 " de la première couche et la partie 5 " de la deuxième couche 5, qui sont mutuellement alignées ou désalignées d'une quantité qui est établie par le masquage réalisé pendant la première étape de masquage. La seconde voie comprend les étapes suivantes: une troisième étape de masquage, figure 3 g', pendant laquelle une troisième couche de photorésine est déposée puis masquée; ses parties solubles sont enlevées, laissant en place une partie 7 de la photorésine pour protéger la partie 5 " de la deuxième couche 5; une deuxième étape de gravure, figure 3 f', pendant laquelle les parties découvertes 2 a et 2 b de la première couche 2 sont gravées, provoquant l'auto- alignement des parties 2 ' et 2 " de la première couche 2 sur les parties en recouvrement 5 ' et 5 "' de la deuxième couche 5; une troisième étape de gravure, figure 3 h, pendant laquelle les parties 5 ' et 5 "' de la deuxième couche 5 qui étaient restées sur les parties 2 ' et 2 " de la première couche 2 sont enlevées; une étape finale, figure 3 i, pendant laquelle la partie 7 de la photorésine est enlevée, fournissant des parties 2 ' et 2 " de la première couche 2 et la partie 5 " de la deuxième couche 5 qui sont mutuellement alignées ou désalignées d'une quantité qui est fixée par le masquage réalisé pendant la15 première étape de masquage. Une variante du processus précédemment décrit est la suivante: une étape de préparation, figure 3 a, pendant la- quelle une première couche 2 d'un premier matériau est amenée à croître ou est déposée sur un substrat de silicium 1 et une première couche de photorésine 3 est ensuite déposée au-dessus; une première étape de masquage, figure 3 b, pendant laquelle la première couche de photorésine 3 est masquée de façon classique et sa partie soluble est enlevée Alors la pre- mière couche 2 est gravée, découvrant une partie 4 du substrat 1 et la première couche de photorésine restante 3 est enlevée, laissant en place des parties séparées 2 ' et 2 " de la première couche 2; une première étape de dépôt, figure 3 c, pendant la- quelle une deuxième couche 5 d'un second matériau est déposée sur les parties 2 ' et 2 " de la première couche 2 et sur la partie 4 du substrat 1, et une deuxième couche de photorésine 6 est alors déposée sur la deuxième couche 5; une deuxième étape de masquage, figure 3 d, pendant laquelle la deuxième couche de photorésine 6 est masquée, sa 9 partie soluble est enlevée, laissant en place des parties 6 ', 6 " et 6 "' au-dessus de la deuxième couche 5 au niveau de la partie 4 et des parties 2 ' et 2 " de la première couche 2, et laissant découvertes des parties 5 a et 5 b de la deuxième couche 5; une première étape de gravure, figure 3 e", pendant laquelle les parties découvertes 5 a et 5 b de la deuxième couche sont gravées Cette première gravure laisse découvertes des parties 2 a et 2 b de la première couche 2; une deuxième étape de gravure, figure 3 f", pendant laquelle les parties découvertes 2 a et 2 b de la première couche 2 sont gravées, entraînant l'auto-alignement des parties 2 ' et 2 " de la première couche 2 sur les parties en recouvrement 5 ' et "' de la deuxième couche 5 et sur les parties 6 ' et 6 "' de la deuxième couche de photorésine 6 Les parties 6 ', 6 " et 6 "' de la deuxième couche de photorésine 6 sont alors enlevées; une troisième étape de masquage, figure 3 g, pendant laquelle une troisième couche de photorésine est déposée; alors la couche est masquée et ses parties solubles sont enlevées, laissant en place une partie 7 de celle-ci pour protéger la partie 5 " de la deuxième couche 5; une troisième étape de gravure, figure 3 h, pendant laquelle les troisièmes parties 5 ' et 5 "' de la deuxième couche restant sur les parties 2 ' et 2 " de la première couche 2 sont enlevées; une étape finale, figure 3 i, pendant laquelle la partie 7 de la troisième couche de photorésine est enlevée, fournissant des parties 2 ' et 2 " de la première couche 2 et des parties 5 " de la deuxième couche 5 qui sont mutuellement ali- gnées ou désalignées d'une quantité qui est fixée par le mas-30 quage réalisé pendant la première étape de masquage. Des structures d'étalonnage du type représenté en figure 2 c sont obtenues par les différentes réalisations du processus selon l'invention décrites ci-dessus. Dans les réalisations décrites ci-dessus, il est possible, si la sélectivité des gravures n'est pas suffisante, de déposer, comme cela est réalisé dans certains processus de fabrication de circuits intégrés, des couches, appelées dans la technique couches sacrificielles, pour protéger une couche particulière. 5 Les dimensions des divers motifs, dans les masques utilisés lors des deuxièmes étapes de masquage, sont comprises entre environ 10 et 30 micromètres, et ne sont en conséquence pas critiques pour la résolution ou pour l'alignement. Si la première couche 2 du processus décrit ci-dessus est constituée d'oxyde de silicium obtenu par croissance ther- mique, il se présente des problèmes techniques qui résultent du fait que: la photorésine ne supporte pas les hautes tempé- ratures des fours utilisés pour mettre en oeuvre le processus; il est nécessaire de déposer des couches de nitrure de silicium pour empêcher la croissanoe de l'oxyde de silicium thermique. Pour éviter les problèmes techniques décrits, une autre façon de mettre en oeuvre le procédé selon l'invention prévoit les étapes suivantes, illustrées en figures 4 a à 4 i, qui sont réalisées sur un substrat tel que par exemple une tranche de silicium, d'arséniure de gallium ou autre matériau: une étape de préparation, figure 4 a, pendant la- quelle une première couche 9 d'oxyde de silicium, appelée dans la technique oxyde de plot, est amenée à croître et une deuxième couche 10 de nitrure de silicium est déposée sur un substrat de silicium 8; une première étape de masquage, figures 4 a et 4 b, pendant laquelle une première couche 11 de photorésine est déposée sur la deuxième couche 10, est ensuite masquée, puis ses parties solubles supprimées Alors, la deuxième couche 10 et la première couche 9 sont gravées de façon à découvrir une partie 12 du substrat de silicium 8; une première étape de dépôt, figure 4 c, pendant laquelle une troisième couche 13 de silicium polycristallin est déposée sur l'ensemble de la structure d'étalonnage; il une deuxième étape de masquage, figures 4 c-4 d, pen- dant laquelle une deuxième couche 14 de photorésine est déposée sur la troisième couche 13 et masquée; ses parties solubles sont enlevées, découvrant des parties de la troisième couche 5 13; une première étape de gravure, figure 4 d, pendant laquelle les parties découvertes de la troisième couche 13 sont gravées et enlevées, découvrant des parties de la deuxième couche 10 qui sont alors gravées et supprimées, en même temps10 que les parties sous-jacentes de la première couche 9 La photo- résine restante est alors enlevée et des régions de protection constituées de parties 13 ' et 13 "' de la troisième couche 13, superposées à des parties 10 ' et 10 " de la deuxième couche, superposées à des parties 9 ' et 9 " de la première couche 9, et15 des régions de protection composées individuellement de la partie 13 " et la troisième couche, restent sur le substrat 8; une troisième étape de masquage, figure 4 e, pendant laquelle une troisième couche 15 de photorésine est déposée puis masquée, ses parties solubles sont ensuite enlevées, tandis20 qu'une partie insoluble, désignée par la même référence 15, recouvre la région de protection 13 " de la troisième couche 13. Alors, les parties 13 ' et 13 "' de la troisième couche 13 sont gravées, découvrant les parties 10 ' et 10 " de la deuxième couche 10 et la troisième partie de photorésine 15 est finalement enlevée; une deuxième étape de dépôt, figure 4 f, pendant laquelle une quatrième couche 16 d'oxyde de silicium est déposée et une cinquième couche 17 de nitrure de silicium est déposée au-dessus;30 une quatrième étape de masquage, figures 4 f et 4 g, pendant laquelle une quatrième couche 18 de photorésine est déposée sur la cinquième couche 17 puis masquée, puis on enlève ses parties solubles, découvrant simultanément des parties de la cinquième couche 17 Une gravure est alors réalisée, enlevant35 les parties de la cinquième couche 17 et de la quatrième couche 16 sous-jacente, découvrant des parties l Oa et l Ob de la deu- xième couche 10 Les parties restantes de la quatrième couche de photorésine 18 sont alors enlevées; une étape de croissance, figure 4 h, pendant laquelle d'autres régions de protection 19 ' et 19 " d'oxyde de sicilium thermique sont amenées à croître à l'extérieur des parties l Oa et l Ob de la troisième couche 10 Les autres régions de protec- tion 19 ' et 19 " s'étendent partiellement sous les parties l Oa et l Ob en raison du phénomène de croissance connu sous l'appel- lation "bec d'oiseau"; une étape de gravure finale, pendant laquelle la cinquième couche 17, la quatrième couche 16, les parties 10 ' et " de la deuxième couche 10 et les parties 9 ' et 9 " de la première couche 9 sont enlevées, laissant en place la partie 13 " de la troisième couche 13 entre les autres régions de protection 19 ' et 19 " de l'oxyde de silicium thermique La partie 13 " de la troisième couche 13 est alignée ou désalignée d' une quantité connue par rapport aux autres régions de protection 19 ' et 19 " de l'oxyde de silicium thermique. Les structures d'étalonnage représentées en figure 2 b sont obtenues de la façon décrite ci-dessus pour mettre en oeuvre le procédé selon l'invention. Une autre mise en oeuvre du procédé selon l'invention comprend les étapes suivantes qui sont réalisées sur un substrat tel que, par exemple, une tranche de silicium ou d'arséniure de gallium ou autre matériau: une étape de préparation, figure 5 a, pendant la- quelle une première couche 21 de nitrure de silicium est déposée sur un substrat de silicium 20; une première étape de masquage, figures Sa et 5 b, pendant laquelle une première couche 22 de photorésine est dépo- sée sur la première couche 21 puis masquée; ses parties solu- bles sont enlevées pour définir des régions de photorésine 22 recouvrant la première couche 21, puis l'on grave et on enlève les parties restantes de la première couche 21 qui ont été 13 laissées découvertes par l'enlèvement des parties solubles de la première couche de photorésine 22 Les régions de photorésine définies 22 sont alors enlevées, découvrant les régions séparées 21 ', 21 " et 21 "' de la première couche 21; une étape de dépôt, figure 5 c, pendant laquelle une deuxième couche 23 d'oxyde de silicium est déposée sur les régions séparées 21 ', 21 " et 21 ' de la première couche 21 et sur le substrat 20, et une troisième couche 24 de nitrure de silicium est alors déposée sur la deuxième couche 23;10 une deuxième étape de masquage, figures 5 c et 5 d, pendant laquelle une deuxième couche 25 de photorésine est déposée sur la troisième couche 24 puis masquée; puis on enlève ses parties solubles et on découvre des parties de la troisième couche 24 La troisième couche 24 et la deuxième couche 23 sont15 alors gravées, découvrant des parties latérales 21 a et 21 b des régions séparées 21 ' et 21 " de la première couche 21; une étape de dopage, figure 5 e, pendant laquelle un dopage par des impuretés A est réalisé et est éventuellement suivi d'une diffusion pour définir des caissons dopés 25 ' et 25 "20 au niveau des côtés des régions séparées 21 ' et 21 "' de la première couche 21 Des oxydations et gravures éventuelles sont alors réalisées Par exemple, pour simuler des processus réels de fabrication de mémoires EPROM, les caissons dopés 25 ' et 25 " sont oxydés et légèrement gravés, abaissant leur niveau;25 une première étape de gravure, figure 5 f, pendant laquelle la troisième couche 24 et les parties 21 a et 21 b de la première couche 21 sont enlevées puis la deuxième couche 23 est enlevée, laissant découvertes les régions séparées 21 ', 21 " et 21 "' de la première couche 21, entre les caissons dopés 25 ' et 25 "; une troisième étape de masquage, figures 5 f et 5 g, pendant laquelle une troisième couche de photorésine 26 est déposée sur les régions séparées 21 ', 21 " et 21 "' de la première couche 21 et sur le substrat 20 et est ensuite masquée; les35 parties solubles de la couche de photorésine 26 sont enlevées, 14 laissant à titre de protection une partie de la couche de photo- résine indiquée par la même référence numérique 26 sur la région séparée 21 " et laissant découvertes les régions séparées 21 ' et 21 "'; une deuxième étape de gravure, figure 5 g, pendant laquelle les régions séparées 21 ' et 21 "' de la première couche 21 sont gravées et enlevées; une étape finale pendant laquelle la partie 26 de la couche de photorésine est enlevée, découvrant la région séparée 21 " La région séparée 21 " est alignée ou désalignée d'une quan- tité connue qui est fixée pendant la première étape de masquage par rapport aux caissons dopés 25 ' et 25 ". La réalisation ci- dessus peut comprendre une couche d'oxyde de silicium interposée entre le substrat 20 et la première couche de nitrure de silicium 21 Cette réalisation peut être utilisée pour fournir des structures d'étalonnage du type représenté en figure 2 a. Les impuretés A dans les caissons 25 ' et 25 " peuvent être des impuretés négatives ou positives; ceci dépend du type de structure d'étalonnage que l'on fabrique. Vues en plan, les structures d'étalonnage peuvent avoir la même configuration que les motifs d'étalonnage repré- sentés en figures la et lc ou peuvent avoir d'autres formes géométriques, telles que des formes en L ou autres. La tranche de silicium ou d'arséniure de gallium est le support sur lequel les structures d'étalonnage complexes sont simultanément fabriquées La zone prédéterminée de la tranche sur laquelle le processus décrit ci-dessus est mis en oeuvre peut être choisie de façon appropriée selon le type disponible de machine de mesure d'alignement. En particulier, il est possible de fabriquer des tran- ches d'étalonnage, telles que celles représentées en figure 6 qui comprennent une pluralité de zones d'étalonnage 30 dont chacune comprend une pluralité de cellules ou structures d'éta-35 lonnage de l'un des types décrits, associées pargroupe compre- nant un nombre fini de structures d'étalonnage Chaque zone 30 peut être identifiée par le désalignement respectif fixé pendant l'étape de réalisation, qui est mesuré, par exemple, en micro- mètres ou en toute autre unité de mesure appropriée, par rapport à un groupe de référence sans défaut d'alignement Au moyen de ce type de tranche d'étalonnage, il est possible d'étalonner des machines de mesure. On a ainsi observé que l'invention atteint les objets visés, constituant un procédé de fabrication de structures d'étalonnage en particulier pour l'étalonnage de machines de10 mesure d'alignement dans des circuits intégrés qui permet d'imposer un défaut d'alignement de valeur connue à une partie d'une structure d'étalonnage par rapport aux autres parties du composant De façon commode, ces façons de mettre en oeuvre le procédé selon l'invention peuvent s'appliquer à tout circuit15 intégré avec les modifications appropriées dictées par les différentes technologies de fabrication utilisées telles que MOS, NMOS, PMOS, bipolaire et analogue. De façon avantageuse, puisque le défaut d'alignement possible entre les couches est connu, le produit obtenu pour mettre en oeuvre le procédé selon l'invention est un instrument, tel qu'une tranche d'étalonnage, pour l'étalonnage relativement facile de machines de mesure connues sans apporter de modifica- tions structurelles à celles-ci. De façon commode, les masques utilisés pour la mise en oeuvre des modes de réalisation particuliers mais non exclusifs du procédé selon l'invention peuvent être utilisés pour fabri- quer des structures d'étalonnage telles que décrites ci-dessus, fournissant ainsi des tranches d'étalonnage pour des étalonnages de la façon indiquée.30 L'invention ainsi conçue est susceptible de nombreuses variantes et modifications qui se trouvent toutes dans le domaine du concept inventif Chacun des détails de réalisation peut en outre être remplacé par d'autres éléments techniquement équivalents. En pratique, les matériaux utilisés ainsi que les dimensions peuvent être choisis en fonction des résultats visés. REVENDICATIONS 1 Procédé de fabrication d'une structure d'étalon- nage, en particulier pour l'étalonnage de machines de mesure de la quantité de défaut d'alignement de circuits intégrés, carac- térisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes, réalisées sur au moins une structure d'étalonnage disposée à une position pré- déterminée sur un substrat: une étape de préparation, pendant laquelle une première couche ( 2) d'un premier matériau est sélectivement amenée à croître ou est déposée sur un substrat de silicium ( 1) et une première couche ( 3) de matériau sensible à un rayonnement est déposée par dessus; une première étape de masquage, pendant laquelle la première couche de matériau sensible à un rayonnement ( 3) est masquée, une partie soluble de celle-ci est éliminée, la pre- mière couche ( 2) est gravée, découvrant une partie ( 4) du subs- trat ( 1), et le reste du matériau sensible à un rayonnement ( 3) est enlevé; une première étape de dépôt, pendant laquelle une deuxième couche ( 5) d'un deuxième matériau est déposée sur la première couche ( 2) et sur la partie ( 4) du substrat ( 1), une deuxième couche de matériau sensible à un rayonnement ( 6) étant ensuite déposée sur la deuxième couche ( 5); une deuxième étape de masquage, pendant laquelle la deuxième couche de matériau sensible à un rayonnement ( 6) est masquée et une partie soluble de celle-ci est enlevée, laissant en place des parties ( 6 ', 6 ", 6 "') de celle-ci au-dessus de la deuxième couche ( 5) au niveau de la partie ( 4) du substrat ( 1) et au niveau de la première couche ( 2); et une première étape de gravure, pendant laquelle la deuxième couche ( 5) est gravée au niveau de ses parties décou- vertes ( 5 a, 5 b) et les parties ( 6 ', 6 ", 6 "') de la deuxième couche de matériau sensible à un rayonnement ( 6) sont enlevées, cette première gravure laissant découvertes des parties ( 2 a, 2 b) de la première couche ( 2) et les parties en recouvrement ( 5 ', "') de la deuxième couche ( 5) et une autre partie ( 5 ") de la deuxième couche ( 5) au niveau du substrat ( 1). 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: une deuxième étape de gravure, pendant laquelle les parties découvertes ( 2 a, 2 b) de la première couche ( 2) sont gravées, de façon à auto-aligner la première couche ( 2) avec les parties en recouvrement ( 5 ', 5 "') de la deuxième couche ( 5); une troisième étape de masquage, pendant laquelle une troisième couche de matériau sensible à un rayonnement ( 7) est déposée, cette couche ( 7) est masquée et ses parties solu- bles sont enlevées, la troisième couche de matériau sensible à un rayonnement ( 7) protégeant ladite autre partie ( 5 ") de la deuxième couche ( 5) au niveau du substrat ( 1); une troisième étape de gravure, pendant laquelle les parties en recouvrement ( 5 ', 5 "') de la deuxième couche ( 5) qui sont restées sur la première couche ( 2) sont enlevées; et une étape finale, pendant laquelle le troisième matériau sensible à un rayonnement ( 7) est enlevé. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: une troisième étape de masquage, pendant laquelle une troisième couche de matériau sensible à un rayonnement ( 7) est déposée, cette couche est masquée et ses parties solubles sont enlevées, la troisième couche de matériau sensible à un rayonnement ( 7) protégeant ladite autre partie ( 5 ") de la deuxième couche ( 5) au niveau du substrat ( 1); une deuxième étape de gravure, pendant laquelle les parties découvertes ( 2 a, 2 b) de la première couche 2 sont gravées, de façon à auto-aligner la première couche 2 avec les parties en recouvrement 5 ', 5 "' de la deuxième couche 5; une troisième étape de gravure, pendant laquelle les parties en recouvrement 5 ', 5 "' de la deuxième couche 5 qui sont restées sur la première couche 2 sont enlevées; et une étape finale, pendant laquelle le troisième matériau sensible à un rayonnement 7 est enlevé. 4 Procédé de fabrication d'une structure d'étalon- nage, en particulier pour l'étalonnage de machines de mesure de la quantité de défaut d'alignement de circuits intégrés, carac- térisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes, réalisées sur au moins une structure d'étalonnage disposée à une position prédéterminée sur un substrat: une étape de préparation, pendant laquelle une première couche 2 d'un premier matériau est sélectivement amenée à croître et est déposée sur un substrat de silicium 1 et une première couche 3 de matériau sensible à un rayonnement est déposée par dessus; une première étape de masquage, pendant laquelle la première couche de matériau sensible à un rayonnement 3 est masquée, une partie soluble de celle-ci est éliminée, la première couche 2 est gravée, découvrant une partie 4 du subs- trat 1, et le reste du matériau sensible à un rayonnement 3 est enlevé; 20 une première étape de dépôt, pendant laquelle une deuxième couche 5 d'un deuxième matériau est déposée sur la première couche 2 et sur la partie 4 du substrat 1, une deuxième couche de matériau sensible à un rayonnement 6 étant ensuite déposée sur la deuxième couche 5; une deuxième étape de masquage, pendant laquelle la deuxième couche de matériau sensible à un rayonnement 6 est masquée et une partie soluble de celle-ci est enlevée, laissant en place des parties 6 ', 6 ", 6 "' de celle-ci au-dessus de la deuxième couche 5 au niveau de la partie 4 du substrat 1 et au niveau de la première couche 2, et laissant découvertes des parties 5 a, 5 b de la deuxième couche 5; une première étape de gravure, pendant laquelle la deuxième couche 5 est gravée au niveau de ses parties décou- vertes (Sa, 5 b), cette première gravure laissant découvertes des35 parties 2 a, 2 b de la première couche 2; une deuxième étape de gravure, pendant laquelle les parties découvertes 2 a, 2 b de la première couche 2 sont gravées, de façon à auto-aligner la première couche 2 sur des parties en recouvrement 5 ', 5 "' de la deuxième couche 5 et sur les parties 6 ', 6 ", 6 "' de la deuxième couche de matériau sensible à un rayonnement 6, les parties 6 ', 6 ", 6 "' de la deuxième couche de matériau sensible à un rayonnement 6 étant alors enlevées; une troisième étape de masquage, pendant laquelle une troisième couche de matériau sensible à un rayonnement ( 7) est déposée, la couche 7 est masquée et ses parties solubles sont enlevées, la troisième couche de matériau sensible à un rayonnement 7 protégeant une partie 5 " de la deuxième couche ( 5) qui est restée sur ladite partie ( 4) du substrat ( 1); une troisième étape de gravure, pendant laquelle les parties en recouvrement 5 ', 5 "' de la deuxième couche 5 sont enlevées; et une étape finale, pendant laquelle le troisième matériau sensible à un rayonnement 7 est enlevé. Procédé selon les revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le premier matériau de la première couche ( 2) est constitué de silicium polycristallin, de diélectrique servant à des contacts, d'une première métallisation ou de métallisations de traversée de couche isolante. 6 Procédé selon les revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le deuxième matériau de la seconde couche ( 5) est constitué d'une couche de contact, d'une première métallisation, de métallisations de traversée de couche isolante ou d'une seconde métallisation. 7 Procédé selon les revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le premier matériau est constitué d'une couche de contact, d'une première métallisation, de métallisations de traversée de couche isolante ou d'une seconde métallisation. 8 Procédé selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que le deuxième matériau est constitué de silicium poly- cristallin, de diélectrique servant à des contacts, d'une première métallisation ou de métallisations de traversée de couche isolante. 9 Procédé de fabrication d'une structure d' étalon- nage, en particulier pour 1 'étalonnage de machines pour mesurer un défaut d'alignement de circuits intégrés, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes, réalisées sur au moins une 5 structure d'étalonnage disposée à une position prédéterminée sur un substrat: une étape de préparation, pendant laquelle une première couche 9 d'oxyde de silicium est amenée à croître sur un substrat 8 et une deuxième couche 10 de nitrure de silicium10 est déposée par dessus; une première étape de masquage, pendant laquelle une première couche 11 de matériau sensible à un rayonnement est déposée sur la deuxième couche 10, est ensuite masquée, ses parties solubles sont enlevées, et la deuxième couche 10 et la15 première couche 9 sont gravées découvrant une partie 12 du subs- trat de silicium 8; une première étape de dépôt, pendant laquelle une troisième couche 13 de silicium polycristallin est déposée; une deuxième étape de masquage, pendant laquelle une deuxième couche 14 de matériau sensible à un rayonnement est déposée sur la troisième couche 13, la deuxième couche 14 de matériau sensible à un rayonnement est masquée, et ses parties solubles sont enlevées, découvrant des parties de la troisième couche 13; une première étape de gravure, pendant laquelle les parties découvertes de la troisième couche 13 sont gravées et enlevées, puis les parties découvertes de la deuxième couche 10 et de la première couche 9 sont gravées et enlevées, puis le deuxième matériau sensible à rayonnement ( 14) est enlevé, de façon à former à partir de la troisième couche 13 des régions de protection respectives 13 ', 13 ", 13 "' s'étendant au-dessus de parties présélectionnées du substrat 8; une troisième étape de masquage, pendant laquelle une troisième couche 15 de matériau sensible à un rayonnement est déposée, cette troisième couche 15 de matériau sensible à un rayonnement est masquée, ses parties solubles sont enlevées, tandis que des parties insolubles recouvrent l'une 13 " des régions de protection, puis les régions de protection restantes 13 ', 13 "' sont gravées, découvrant la deuxième couche 10 et la troisième partie de matériau sensible à un rayonnement 15 est finalement enlevée; une deuxième étape de dépôt, pendant laquelle une quatrième couche 16 d'oxyde de silicium est déposée et une cin- quième couche 17 de nitrure de silicium est déposée au-dessus; une quatrième étape de masquage, pendant laquelle une quatrième couche 18 de matériau sensible à un rayonnement est déposée sur la cinquième couche 17 et est masquée, puis on enlève ses parties solubles, une gravure est alors réalisée, enlevant des parties de la cinquième couche 17 et de la qua- trième couche 16 sous-jacente, découvrant des parties 10 a, l Ob de la deuxième couche 10, et ensuite la quatrième couche de matériau sensible à un rayonnement 18 est enlevée; une étape de croissance, pendant laquelle de l'oxyde de sicilium thermique 19 ', 19 " est amené à croître à l'extérieur de la cinquième couche 17; une étape de gravure finale, pendant laquelle les parties restantes de la cinquième couche 17, de la quatrième couche 16, de la deuxième couche 10 et de la première couche 9 sont enlevées, laissant en place ladite une 13 " des régions de protection formées à partir de la troisième couche 13 entre les régions 19 ', 19 " de l'oxyde de silicium thermique, ladite une 13 " des régions de protection formées à partir de la troisième couche 13 étant sélectivement alignée ou désalignée d'une quan- tité connue par rapport auxdites régions 19 ' et 19 " de l'oxyde de silicium thermique. Procédé de fabrication d'une structure d'étalon- nage, en particulier pour l'étalonnage de machines pour mesurer un défaut d'alignement de circuits intégrés, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes, réalisées sur au moins une structure d'étalonnage disposée à une position prédéterminée sur un substrat: une étape de préparation, pendant laquelle une première couche 21 de nitrure de silicium est déposée sur un substrat 20; une première étape de masquage, pendant laquelle une première couche 22 de matériau sensible à un rayonnement est déposée sur la première couche 21 puis est masquée, ses parties solubles sont enlevées, définissant des régions du premier maté- riau sensible à un rayonnement 22 recouvrant la première couche 21, puis l'on grave et on enlève les parties restantes de la première couche 21 qui ont été laissées découvertes par l'enlè- vement des parties solubles, les régions du matériau sensible à un rayonnement définies 22 étant alors enlevées, découvrant des régions séparées 21 ', 21 ", 21 "' de la première couche 21; une étape de dépôt, pendant laquelle une deuxième couche 23 d'oxyde de silicium est déposée sur les régions sépa- rées 21 ', 21 ", 21 "' de la première couche 21 et sur le substrat , une troisième couche 24 de nitrure de silicium étant alors déposée sur la deuxième couche 23; une deuxième étape de masquage, pendant laquelle une deuxième couche 25 de matériau sensible à un rayonnement est déposée sur la troisième couche 24 puis est masquée, puis on enlève ses parties solubles et on découvre des parties de la troisième couche 24, la troisième couche 24 et la deuxième couche 23 sont alors gravées, découvrant des parties latérales 21 a, 21 b des régions séparées 21 ', 21 "' de la première couche 21; une étape de dopage, pendant laquelle un dopage par des impuretés d'un second type est réalisé et est éventuellement suivi d'une diffusion pour définir des caissons dopés 25 ', 25 " au niveau des côtés des régions séparées 21 ', 21 "' de la pre- mière couche 21; une première étape de gravure, pendant laquelle la troisième couche 24 et les parties latérales 21 a, 21 b de la pre- mière couche 21 sont enlevées, puis la deuxième couche 23 est 23 enlevée, laissant découvertes les régions séparées 21 ', 21 ", 21 "' de la première couche 21, entre les caissons dopés 25 ', "; une troisième étape de masquage, pendant laquelle une troisième couche de matériau sensible à un rayonnement 26 est déposée sur les régions séparées 21 ', 21 ", 21 "' de la pre- mière couche 21 et sur le substrat 20 et est ensuite masquée, ses parties solubles sont alors enlevées, laissant une protec- tion de la troisième couche de matériau sensible à un rayonne-10 ment 26 sur l'une 21 " des régions séparées 21 ', 21 ", 21 "'; une deuxième étape de gravure, pendant laquelle les régions séparées restantes 21 ', 21 "' de la première couche 21 qui sont restées découvertes par l'enlèvement de la troisième couche de matériau sensible à un rayonnement 26 sont gravées et15 enlevées; et une étape finale pendant laquelle la partie restante du troisième matériau sensible à un rayonnement ( 26) est enle- vée, découvrant une région séparée 21 " de la première couche 21, la région sélectionnée 21 " étant sélectivement alignée ou dés-20 alignée d'une quantité connue qui est fixée pendant la première étape de masquage par rapport aux caissons dopés 25 ', 25 ". 11 Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'une couche d'oxyde de silicium est sélectivement déposée ou amenée à croître lors de l'étape de préparation entre le substrat ( 20) et la première couche de nitrure de silicium ( 21). 12 Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'étape de dopage comprend des oxydations et des gravures des caissons dopés ( 25, 25 ") pour abaisser leur niveau. 13 Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le substrat ( 20) est en un matériau semiconducteur. 14 Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le substrat ( 20) est sélectivement constitué d'arséniure de gallium ou de silicium. 15 Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que les matériaux sensibles à un rayonnement sont constitués de résine photosensible. 16 Procédé selon l'une des revendications 1, 4, 9 et , caractérisé en ce que la position prédéterminée sur le subs- trat ( 20) comprend une pluralité de zones prédéterminées dont chacune présente un défaut d'alignement dont l'étendue est 5 connue à l'avance, lesdites zones convenant à l'étalonnage de machines de mesure d'alignement. 17 Procédé selon l'une des revendications 1, 4, 9 et , caractérisé en ce que le substrat ( 20) comprend à la fin des étapes, une pluralité de structures d'étalonnage associées en groupes de nombre fini, chaque groupe de structures d'étalonnage ayant un défaut d'alignement connu par rapport à un groupe de référenoe sans défaut d'alignement. 18 Procédé selon l'une des revendications 1, 4, 9 et , caractérisé en ce que des masques ayant toute configuration géométrique choisie sont utilisés pendant les premier, deuxième et troisième masquage, les masques étant utilisables sur des machines d'exposition classiques.