FR 2680603 A1 19930226 FR 9210147 A 19920820 DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR A PROTECTION CONTRE LES TENSIONS ELECTROSTATIQUES La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur à protection contre les tensions électrostatiques. Lorsqu'une tension électrostatique est appliquée par l'intermédiaire d'une ligne de source de tension à un dispositif semi-conducteur dont un fil de sortie est mis à la masse, un puits P à flottement électrique est mis en condition de polarisation directe, faisant chuter la tension En conséquence, la tension électrostatique est déchargée en raison de la rupture inverse entre le puits P et la région de diffusion de type N formant la source et le drain d'un transistor NMOS De ce fait, étant donné que le courant de fuite est accru entre la ligne de source de tension et la ligne de tension à la masse, il est impossible de faire fonctionner le dispositif à semi- conducteur. On se réfère à la figure 1 qui illustre un dispositif à semi-conducteur classique comportant une ligne de source de tension 1 et une ligne de tension à la masse 3 qui s'étendent parallèlement l'une à l'autre Lorsqu'une tension électrostatique fournie par l'intermédiaire de la ligne de source de tension 1 augmente rapidement, il peut se produire une destruction du dispositif à semi-conducteur étant donné qu'il n'existe pas de passage pour décharger la tension électrostatique chargée sur la ligne de source de tension 1. La présente invention a pour objet de fournir un dispositif à semiconducteur à protection contre les tensions électrostatiques. Selon un aspect de la présente invention, il est prévu un transistor MOS pour guider une tension électrostatique entre la ligne de source de tension et la ligne de tension à la masse d'un dispositif à semi-conducteur. Afin de permettre une meilleure compréhension de l'invention et d'illustrer la manière dont celle-ci peut être mise en oeuvre, l'invention va maintenant être décrite, à titre d'exemple, en référence aux dessins schématiques annexés, sur lesquels: La figure 1 illustre de façon schématique l'agencement d'un dispositif à semi-conducteur classique; La figure 2 illustre de façon schématique l'agencement d'un dispositif à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention; La figure 3 illustre de façon schématique l'agencement d'un dispositif à semi-conducteur selon un autre mode de réalisation de la présente invention; et La figure 4 illustre un circuit équivalent aux dispositifs des figures 2 et 3. En référence à la figure 2, une ligne de source de tension 5 et une ligne de tension à la masse 7 s'étendent parallèlement l'une à l'autre dans une première direction. En dessous de la ligne de source de tension 5 et de la ligne de tension à la masse 7 s'étend, dans une seconde direction perpendiculaire à la première direction, une région de diffusion 9 de type n, qui est au contact de la ligne de source de tension 5 et de la ligne de tension à la masse 7, respectivement, par l'intermédiaire de première et seconde régions de contact 13 et 15 En outre, une ligne en silicium polycristallin 11 s'étend sur la région de diffusion 9 et la ligne de tension à la masse 7, et elle est mise en contact avec la ligne de tension à la masse 7 par l'intermédiaire d'une troisième région de contact 17. La région de diffusion 9 forme le drain et la source d'un transistor NMOS et la ligne polycristalline 11 en constitue la grille. Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, tel qu'illustré sur la figure 3, de première et seconde régions de diffusion de type n, 25 et 27, respectivement, sont formées en dessous d'une ligne de source de tension 21 et d'une ligne de tension à la masse 23, qui sont parallèles l'une à l'autre dans une première direction La première région de diffusion 25 est mise en contact avec la ligne de source de tension 21 par l'intermédiaire de première et seconde régions de contact 31 et 33, tandis que la seconde région de diffusion 27 est mise en contact avec la ligne de tension à la masse 23 par l'intermédiaire de troisième et quatrième régions de contact 35 et 37 Une couche conductrice 29 est formée sur les régions de diffusion 25, 27 et la ligne de tension à la masse 23 et mise en contact avec la ligne de tension à la masse 23 par l'intermédiaire d'une cinquième région de contact 39 Les première et seconde régions de diffusion 25 et 27 forment respectivement le drain et la source d'un transistor NMOS, et la couche conductrice 29 en constitue la grille. On se réfère à la figure 4 qui illustre un circuit équivalent aux dispositifs des figures 2 et 3 comportant un circuit interne 41 et un transistor NMOS 45 reliés entre eux en parallèle entre la ligne de source de tension et la ligne de tension à la masse Une extrémité de la ligne de tension à la masse est également reliée à un plot d'entrée/sortie 43 Le transistor NMOS 45 est conçu pour effectuer une décharge disruptive à une tension inférieure à celle du transistor du circuit interne 41 Autrement dit, lorsqu'une tension supérieure à une tension donnée est appliquée à la ligne de source de tension par une tension électrostatique, le transistor NMOS 45 fonctionne plus vite que le transistor du circuit interne 41 étant donné que la tension de rupture du transistor NMOS 45 est inférieure à celle du transistor du circuit interne 41 En conséquence, la tension électrostatique est déchargée à la masse par l'intermédiaire du transistor NMOS 45, si bien que le circuit interne est protégé contre les effets indésirables de la tension électrostatique. Comme indiqué ci-dessus, le dispositif de l'invention fait appel à un transistor NMOS relié entre la ligne de source de tension et la ligne de tension à la masse, en parallèle avec le circuit interne, de façon à décharger la tension électrostatique à la masse par son intermédiaire. En conséquence, même si la tension électrostatique est transférée via la ligne de source de tension en service, le circuit interne n'en est pas affecté, ce qui permet d'assurer le fonctionnement stable du dispositif à semi- conducteur. Bien que la présente invention ait été illustrée et décrite de façon spécifique en référence à un mode de réalisation préféré, l'homme de l'art se rendra compte que des modifications de détails peuvent y être apportées sans pour autant sortir du cadre et de l'esprit de l'invention. REVENDICATIONS 1 Dispositif à semi-conducteur à protection contre les tensions électrostatiques, comportant un circuit interne ( 41) relié entre une ligne de source de tension (Vcc) et une ligne de tension à la masse (Vss), ledit dispositif à semi-conducteur étant caractérisé en ce qu'il comprend: un moyen de guidage de la tension électrostatique ( 45) relié entre ladite ligne de source de tension et ladite ligne de tension à la masse en parallèle avec ledit circuit interne ( 41), qui fonctionne plus vite que ledit circuit interne ( 41) lorsqu'une tension supérieure à une tension donnée est fournie à ladite ligne de source de tension. 2 Dispositif à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen de guidage de tension électrostatique comprend un transistor NMOS ( 45), un canal dudit transistor NMOS étant formé entre ladite ligne de source de tension (Vcc) et ladite ligne de tension à la masse (Vss), une grille dudit transistor NMOS ( 45) étant reliée à ladite ligne de tension à la masse (Vss). 3 Dispositif à semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le transistor NMOS a une tension de rupture inférieure à celle d'un transistor dudit circuit interne ( 41). 4 Dispositif à semi-conducteur à protection contre les tensions électrostatiques, comportant un circuit interne relié entre une ligne de source de tension et une ligne de tension à la masse, ledit dispositif à semi- conducteur étant caractérisé en ce qu'il comprend: de première et seconde régions de diffusion d'un type de conduction donné ( 9; 25, 27) formées en dessous de ladite ligne de source de tension ( 5; 21) et de ladite ligne de tension à la masse ( 7; 23), respectivement, et mises au contact de ladite ligne de source de tension et de ladite ligne de tension à la masse, respectivement, par l'intermédiaire d'au moins une région de contact ( 13, 11; 31, 33, 35, 37) formée dans chacune desdites lignes de source de tension et ligne de tension à la masse, ladite ligne de source de tension et ladite ligne de tension à la masse s'étendant en parallèle l'une à l'autre dans une direction donnée; et une couche conductrice ( 11; 29) qui s'étend sur lesdites première et seconde régions de diffusion et ladite ligne de tension à la masse, et qui est mise en contact avec ladite ligne de tension à la masse par l'intermédiaire d'une région de contact ( 17; 39) formée dans ladite ligne de tension à la masse. Dispositif à semi-conducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit type de conduction donné de ladite région de diffusion est le type n. 6 Dispositif à semi-conducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite couche conductrice est réalisée en silicium polycristallin.