FR 2673330 A1 19920828 FR 9102272 A 19910226 i PROCEDE DE REALISATION D'UN LASER A SEMICONDUCTEUR A RUBAN ENTERRE, UTILISANT UNE GRAVURE SECHE POUR FORMER CE RUBAN, ET LASER OBTENU PAR CE PROCEDE DESCRIPTION La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un laser à semiconducteur à ruban enterré dans lequel: on forme une hétérostructure par une première épitaxie au cours de laquelle on dépose successivement sur un substrat une première couche de confinement ayant un premier type de dopage, une couche active et une couche de protection, on grave la couche de protection et la couche active jusqu'à la première couche de confinement, de façon à former un ruban à partir de la couche active, et on enterre le ruban, par une deuxième épitaxie appelée "reprise d'épitaxie", dans une couche de semiconducteur ayant un deuxième type de dopage opposé au premier et formant une deuxième couche de confinement. La présente invention concerne également un laser obtenu par le procédé objet de cette invention. L'invention s'applique notamment au domaine des télécommunications optiques et en particulier à la fabrication de lasers semiconducteurs à double hétérostructure destinés aux liaisons par fibres optiques monomodes. On connaît déjà différentes structures de lasers à ruban enterré. On peut par exemple citer: la structure EMBH (pour "E Mbedded Buried structure") à jonctions bloquantes, Heterostructure") à jonctions bloquantes, la structure FBH (pour "Flat Surface Buried Heterostructure"), la structure SI-PBH (pour "Semi-Insulating Planar Buried Heterostructure") à couches semi- isolantes, et la structure BRS (pour "Buried Ridge Stripe") à homojonctions ou à hétérojonctions. Les procédés de croissance et les caractéristiques statiques et dynamiques de ces structures de lasers sont très variés. Cependant, la structure BRS semble très prometteuse dans la mesure o elle nécessite seulement deux cycles d'épitaxie successifs et qu'elle est bien adaptée à toutes les techniques d'épitaxie telles que le dépôt en phase vapeur aux organométalliques (ou MOCVD pour Metal Organic Chemical Vapour Deposition) et l'èpitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour Molecular Beam Epitaxy). Diverses structures BRS connues sont décrites dans les documents ( 1) à ( 4) qui sont cités à la fin de la présente description et auxquels on se reportera. On sait également que la société THOMSON CSF et le C N E T (Centre National d'Etudes des Télécommunications) étudient actuellement des lasers à structure BRS émettant à 1,3 et à 1,5 micromètre. Un exemple de tels lasers à structure BRS est schématiquement représenté sur la figure 1. La structure connue, qui est représentée sur la figure 1, est réalisée à l'aide de deux cycles d'épitaxie. Dans un premier cycle d'épitaxie, on forme, + sur un substrat 2 en In P dopé N, une première couche de confinement 4 en In P dopé N puis une couche active 6 en In Ga As P non dopé puis une couche de protection en In P dopé p de faibe épaisseur. In P dopé p, de faible épaisseur. On grave ensuite un ruban, sur une Largeur de 2 micromètres par exemple, jusqu'à La première couche de confinement 4, à l'aide d'une solution chimique à base de brome. Un deuxième cycle d'épitaxie permet de refaire croître sur le ruban une deuxième couche de confinement 8 en In P dopé p puis une couche de contact en In Ga As dopé p La Localisation du courant électrique sur le mesa résultant de La gravure est ensuite obtenue par implantation de protons dans La couche de contact 10 et dans La deuxième couche de confinement 8, ce qui crée des régions de haute résistivité 12 et 14 de part et d'autre du ruban actif que L'on a formé. On dépose enfin sur La couche de contact 10 une couche de p Latine 16 puis une couche d'or 18. Le procédé de fabrication de La structure BRS qui a été décrite en faisant référence à La figure 1, s'i L est intéressant à certains égards (notamment pour sa facilité de mise en oeuvre et sa compatibilité avec tous Les procédés de croissance, surtout en phase vapeur) présente néanmoins des inconvénients. En effet, La gravure du ruban étant réalisée par voie chimique en solution, des problèmes inhérents à cette technique se posent Lors de La réalisation de cette structure, notamment sur des plaques semiconductrices épitaxiées de grande surface. Un premier problème est La gravure Latéra Le du ruban, ou sous-gravure, qui est caractéristique de toutes Les attaques chimiques isotropes. Etant donné La faible Largeur du masque utilisé pour La gravure ( 2 micromètres), ce phénomène a pour conséquence de Limiter à quelques centaines de nanomètres La profondeur de gravure dans Le matériau pour ne pas trop réduire La Largeur fina Le du ruban (qui vaut typiquement 1,4 micromètre). Un deuxième problème est le manque d'uniformité de la gravure, notamment sur les grandes surfaces o, comme on l'a montré expérimentalement, La gravure chimique en solution commence initialement sur les bords de L'échantillon immergé et se propage vers le centre de cet échantillon, entraînant ainsi une variation notable de La profondeur et de la largeur du ruban entre le bord et le centre de L'échantillon. Un troisième problème réside dans Le fait que les gravures chimiques en solution sont connues pour être largement dépendantes de plusieurs paramètres extérieurs (notamment la température, l'agitation et la luminosité), ce qui a pour conséquence de rendre difficilement reproductible la structure réalisée. La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients précédents. L'invention résout le problème suivant trouver un procédé de réalisation d'un laser à semiconducteur à ruban enterré qui soit applicable sur des échantillons de grande surface, par exemple des plaquettes semiconductrices de 2 pouces ( 5 cm) de diamètre ou plus, permettant ainsi une production en masse du laser, avec une bonne uniformité des caractéristiques, et de ce fait une réduction du coût de ce laser. Pour résoudre ce problème, le procédé de réalisation d'un laser à semiconducteur à ruban enterré, qui fait l'objet de la présente invention, est caractérisé par le fait que la couche de protection et la couche active sont gravées par une technique de gravure sèche. L'invention utilise ainsi les propriétés d'anisotropie, d'uniformité et de reproductibilité, qui sont spécifiques des divers procédés de gravure par voie sèche. Grâce à l'absence d'effets de sous-gravure, le procédé objet de l'invention permet d'obtenir, avec un bon contrôle, des rubans actifs dont les largeurs sont inférieures à 1 micromètre ("rubans submicroniques"), en réduisant ainsi le courant de seuil des lasers fabriqués par ce procédé, le courant de seuil étant un paramètre très important pour plusieurs applications de l'invention, et notamment l'intégration opto-électronique. En tant que technique de gravure sèche, on peut par exemple utiliser une gravure ionique réactive (ou RIE pour "Reactive Ion Etching"), une gravure par faisceaux d'ions neutres (ou IBE pour "Ion Beam Etching"), une gravure par faisceaux d'ions réactifs (ou RIBE pour "Reactive Ion Beam Etching") ou encore une gravure par faisceaux d'ions neutres assistée chimiquement (ou CAIBE pour "Chemical Assisted Ion Beam Etching"). Cependant, dans la présente invention, la technique de gravure sèche est de préférence une gravure par faisceaux d'ions réactifs, technique qui présente des avantages par rapport aux autres techniques de gravure sèche. C'est ainsi que, par exemple, la technique RIBE permet de contrôler de façon indépendante les divers paramètres de gravure (notamment pression, tension d'accélération des ions et angle d'incidence du faisceau d'ions), chose que ne permet pas la technique RIE. Dans la présente invention, la deuxième épitaxie peut être une épitaxie en phase vapeur. Elle peut être réalisée par la technique de dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (ou MOCVD). De préférence, le procédé objet de l'invention comprend aussi, avant la deuxième épitaxie, une attaque chimique de courte durée des couches gravées. La technique de gravure sèche utilisée dans l'invention peut comprendre une étape préalable de masquage, par une couche de résine (par exemple une résine photosensible), d'une partie de la couche de protection qui est au-dessus de la zone de la couche active correspondant au ruban à former. Alors, on enlève de préférence la résine au moyen d'acide fluorhydrique dans un bac à ultrasons, après la gravure. Selon un mode de mise en oeuvre préféré du procédé objet de l'invention, l'hétérostructure est double, la composition de la couche active étant alors différente de la composition de la première couche de confinement et de la composition de la couche de protection. On sait en effet qu'une double hétérostructure conduit à des densités de courant de seuil beaucoup plus faibles que celles auxquelles conduisent les simples hétérostructures. Selon un mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention, le substrat est en In P dopé n+, la première couche de confinement en In P dopé n, la couche active en In Ga As P, la couche de protection en In P dopé p et la deuxième couche de confinement en 18 18 -3 In P dopé p entre 10 et 5 10 cm Dans ce cas également, la gravure par faisceau d'ions réactifs peut être réalisée au moyen d'un mélange gazeux d'argon, de méthane et d'hydrogène. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après à titre purement indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexes, sur lesquels, outre la figure 1 déjà décrite, qui représente schématiquement un laser à ruban enterré connu, les figures 2 A à 2 D illustrent schématiquement diverses étapes d'un mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention. Ces diverses étapes sont décrites dans ce qui suit. On commence (figure 2 A) par former une double hétérostructure en déposant successivement, par épitaxie, sur un substrat 20 en In P dopé n+: une première couche de confinement 22 en In P dopé n, une couche active 24 en In Ga As P non dopé de 110 nm d'épaisseur, une couche de protection 28 en In P dopé p (par exemple par des atomes de zinc) de 100 nm d'épaisseur. On réalise ensuite un masquage de l'hétérostructure obtenue, au moyen, par exemple, d'une résine photosensible, de façon à former, sur la couche de protection 28, un motif 30 de cette résine, de 2 micromètres de large et de 600 nm à 1 micromètre de hauteur, ce motif étant disposé selon la direction de la couche de protection 28. On réalise ensuite (figure 2 B) une gravure sèche, de type RIBE, de l'hétérostructure ainsi masquée, jusqu'à la première couche de confinement 22, d'o l'obtention d'un ruban actif 32 à partir de la couche active 24 ainsi gravée. Cette gravure est réalisée dans un bâti équipé d'une source d'ions de type Kaufman ou d'une source d'ions cyclotronique, ou source ECR (pour "Electron Cyclotronic Resonance"). Cette gravure est réaisée dans es Cette gravure est réalisée dans les conditions expérimentales suivantes: gaz de gravure: mélange d'argon, d'hydrogène et de méthane (ce mélange permettant de graver In P, Ga As et des composés de ces derniers) énergie du faisceau d'ions 34 * 300 e V densité ionique: 0,55 m A/cm angle d'incidence de ce faisceau d'ions 34: 20 -4 pression totale: 5 x 10 torr (environ -2 7 x 10 Pa) débits respectifs des gaz: 2 sccm (cm standard par minute), pour l'argon, 20 sccm pour L'hydrogène et 7,5 sccm pour Le méthane vitesse de rotation du porte-substrat: 12 tours/minute. Etant donné que tout procédé de gravure par voie sèche est caractérisé par la création, dans le matériau gravé, de défauts induits par le faisceau ionique accéléré et que l'épaisseur de matériau perturbéeest proportionnelle à l'énergie de ce faisceau (cette épaisseur étant inférieure à 20 nm pour une énergie de 300 e V), on réalise ensuite une attaque chimique légère, c'est-à- dire de courte durée (de l'ordre de 5 secondes) de la structure ainsi gravée, dans une solution non sélective dont les proportions en volume sont: I Br( 1)H Br( 17)H 0 ( 35)| ( 1): H O ( 2), à 20 C. 2 2 On effectue ensuite un contrôle de la photo- luminescence du ruban obtenu et de la surface de la première couche de confinement en In P dopé n, pour s'assurer de la bonne qualité de la gravure. On enlève ensuite le masque de résine 30 (figure 2 C). (figure 2 C). L'enlèvement de ce masque pose un problème. En effet, l'utilisation d'un gaz réactif à base d'un hydrocarbure comme par exemple le méthane permet de graver un matériau semiconducteur tel que In P. En contre partie, lors de la gravure, un dépôt de polymère se produit sur tout matériau autre que In P ou les dérivés de celui-ci, notamment sur le masque de résine, ce qui rend ce masque difficile à enlever avec des solvants usuels comme l'acétone par exemple. L'utilisation d'un plasma d'oxygène pour l'enlèvement permet de résoudre ce prob Lème mais, malheureusement, une perte de photoluminescence de In P et du composé quaternaire In Ga As P a été constatée chaque fois qu'un tel procédé d'enlèvement de la résine a été utilisé. Pour remédier à cet inconvénient et enlever d'une façon simple le masque de résine 30 sans endommager la surface de l'hétérostructure gravée, on utilise, dans l'exemple de réalisation de l'invention, une solution d'acide fluorhydrique dans un bac à ultrasons et ce, pendant 2 minutes. On procède ensuite à un nettoyage, à l'aide de techniques classiques, de la surface de l'hétérostructure gravée. Pour ce faire, on réalise d'abord un nettoyage à chaud de cette surface, successivement dans le trichloréthy Lène, l'acétone et l'isopropanol et ce, pendant 2 minutes pour chacun de ces produits, puis on réalise une légère gravure (pendant 1 minute) de cette surface dans de l'acide sulfurique et l'on fait suivre cette gravure d'une désoxydation dans de l'acide fluorhydrique pendant 30 secondes. On réaise ensuite (figure 2 D) un deuxième On réalise ensuite (figure 2 D) un deuxième cycle d'épitaxie, appelé "reprise d'épitaxie", par exemple par une technique de type MOCVD, pour faire croltre sur la structure gravée une deuxième couche de 18 -3 confinement 36 en In P dopé p à 2 x 10 cm par des atomes de zinc (ce fort dopage étant destiné à limiter les courants de fuite latérale), ce qui enterre Le ruban actif 32, puis une couche de contact 38 en In Ga As + dopé p sur cette deuxième couche de confinement 36. Le dopage de la couche de contact 38 est réalisé avec des atomes de zinc à 1 x 10 cm On dépose ensuite sur cette couche de contact 38 une couche de platine 40 que l'on recuit à 450 C pendant 2 mn puis, sur cette couche 40, une couche d'or 42. On a démontré l'uniformité du procédé de gravure RIBE dans les conditions expérimentales décrites plus haut. Pour ce faire, on a gravé des rubans parallèles de 2 micromètres de large et de 500 nm de profondeur sur un échantillon de In P de 50 mm de diamètre. En traçant les variations de la largeur et de la profondeur de chaque ruban en fonction de sa position sur l'échantillon, on constate qu'une très bonne uniformité est obtenue sur toute la surface de cet échantillon et que la largeur du ruban après gravure est quasiment égale à la largeur de ce ruban avant gravure (de l'ordre de 2 micromètres). Ceci autorise la réalisation de rubans submicroniques avec un très bon contrôle. Par ailleurs, on a réalisé des structures lasers de type BRS à l'aide du procédé de l'exemple décrit p Lus haut et l'on a constaté que ces lasers présentaient des performances supérieures à celles que l'on obtient avec des structures lasers de type BRS 1 1 fabriquées par des procédés connus. Les caractéristiques puissance de sortie/courant injecté en impulsion (P/I) de plusieurs structures lasers BRS fabriquées comme dans l'exemple décrit plus haut ont une bonne uniformité en termes de courant de seuil et de rendement quantique externe. On a également étudié la caractéristique en continu (P/I) de l'un de ces lasers et l'on a noté une puissance maximale de sortie supérieure à 90 m W, ce qui témoigne d'une bonne efficacité des jonctions électriques en In P situées de chaque côté du ruban et confirme la bonne qualité du procédé de gravure utilisé. De plus, le comportement dynamique de ces lasers a été mis en évidence par la mesure de leurs réponses en fréquence. Une bande passante à -3 d B de 17 G Hz a été mesurée. On a d'ailleurs constaté que La courbe correspondant à cette bande passante était plane ("roll off" indiscernable), ce qui démontre que les éLéments parasites de la structure sont faibles (capacité parasite de l'ordre de 5 à 6 p F et résistance-série de l'ordre de 1,5 ohm). Ces faibles valeurs de la résistance-série et de la capacité parasite sont essentiellement does au fort dopage des couches en In P dopé p et en In Ga As dopé + 18 3 p+ (respectivement 2 x 10 et x 10 cm). Bien entendu, la couche active 24 pourrait avoir une structure de puits quantiques au lieu d'être faite d'un seul matériau semiconducteur (In Ga As P dans l'exemple décrit). Les documents ( 1) à ( 4) dont il est question au début de la présente description sont les suivants: ( 1) article de R Blondeau et a I, Electronics Letters, vol 20, p 850 et 851, 11 octobre 1984 ( 2) FR-A-2587852, "Procédé de réalisation d'un laser à semiconducteur à ruban enterré avec ou sans réseau de diffraction et laser obtenu par ce procédé", G. Chaminant, J Charil, J C Bouley voir aussi US- A-4737237 ( 3) Demande de brevet français no 8607064 du 16 mai 1986, Laser à semiconducteur à réaction distribuée et à longueur d'onde contin Oment accordable, J C. Bouley, P Correc voir aussi US-A-4802187 ( 4) FRA-2637743, Laser à semiconducteur à ruban enterré et à couche bloquante et procédé de fabrication de ce laser, J C Bouley, C Kazmierski REVENDICATIONS 1 Procédé de réalisation d'un Laser à semi- conducteur à ruban enterré dans Lequel: on forme une hétérostructure par une première épitaxie au cours de laquelle on dépose successivement sur un substrat ( 20) une première couche de confinement ( 22) ayant un premier type de dopage, une couche active ( 24) et une couche de protection ( 28), on grave La couche de protection ( 28) et la couche active ( 24) jusqu'à La première couche de confinement ( 22), de façon à former un ruban ( 32) à partir de La couche active ( 24), et on enterre le ruban ( 32), par une deuxième épitaxie, dans une couche ( 36) de semiconducteur ayant un deuxième type de dopage opposé au premier et formant une deuxième couche de confinement, ce procédé étant caractérisé par Le fait que la couche de protection ( 28) et la couche active ( 24) sont gravées par une technique de gravure sèche. 2 Procédé se Lon la revendication 1, caractérisé en ce que la technique de gravure sèche est une gravure par faisceau d'ions réactifs. 3 Procédé selon L'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la deuxième épitaxie est une épitaxie en phase vapeur. 4 Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la deuxième épitaxie est réalisée par la technique de dépôt chimique en phase vapeur aux organométal Liques. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, avant la deuxième épitaxie, une attaque chimique de courte durée des couches gravées ( 24, 26, 28) 6 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la technique de gravure sèche comprend une étape préalable de masquage, par une couche de résine ( 30), d'une partie de la couche de protection ( 28) qui est au- dessus de la zone de la couche active ( 24) correspondant au ruban ( 32) à former, et en ce que l'on enlève la résine au moyen d'acide fluorhydrique dans un bac à ultrasons, après la gravure. 7 Procédé selon l'une quelconque des revendications I à 6, caractérisé en ce que l'hétérostructure est double, la composition de la couche active ( 24) étant alors différente de la composition de la première couche de confinement ( 22) et de la composition de la couche de protection ( 28). 8 Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le substrat ( 20) est en In P dopé n+, la première couche de confinement ( 22) en In P dopé n, la couche active ( 24) en In Ga As P,la couche de protection ( 28) en In P dopé p et la deuxième couche de confinement ( 36) en In P dopé p entre 10 et 18 -3 5.10 cm 9 Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la gravure par faisceau d'ions réactifs est réalisée au moyen d'un mélange gazeux d'argon, de méthane et d'hydrogène.