FR 2678605 A1 19930108 FR 9205816 A 19920513 1 2678605 La présente invention concerne une composition céramique diélectrique et, plus particulièrement, une composition céramique diélectrique qui est utilisée comme matière pour un condensateur monolithique. Comme compositions céramiques diélectriques ayant une constante diélectrique élevée et un faible taux de la variation de la constante diélectrique avec la température, on connaît, par exemple, les compositions comportant du Ba Ti O 3 comme constituant principal et des composés du bismuth tels que Bi 2 03- Ti O 2, Bi 2 03-Sn O 2 et Bi 2 03-Zr O 2 et des éléments des terres rares qui leur sont ajoutés comme sous-ingrédients d'addition On utilise aussi largement ceux comportant du Ba Ti O 3 comme constituant principal et un composé du bismuth et Mg O, Si O 2 comme additifs. Par ailleurs, en dehors des compositions céramiques diélectriques décrites ci-dessus, on connaît aussi celles comportant du Ba Ti O 3 comme constituant principal et Nb 2 C 5, Nd 2 C 3 et des oxydes de Mn, Cr, Fe, Ni et Co comme additifs (publication du brevet japonais n 51-143899, publication du brevet japonais no 57-92575). On rapporte qu'il est possible d'obtenir un faible taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température. Les compositions céramiques diélectriques comportant Ba Ti O 3 comme constituant principal et des composés du bismuth comme additifs ont cependant une perte diélectrique élevée (tg 5) dans le cas des hautes fréquences et une faible constante diélectrique de 1000- 2000 La constante diélectrique augmentant, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température croît Au contraire, le taux de la variation de la capacitance électrostatique diminuant avec la température, la constante diélectrique diminue Par conséquent, on utilise une telle composition céramique diélectrique comme matière pour condensateur et dans ce 2 2678605 cas il est difficile d'obtenir un condensateur de faible dimension et de capacitance élevée. Les compositions céramiques diélectriques contenant des composés du bismuth comme additifs souffrent du problème de la vaporisation de Bi 203 pendant la cuisson, et il est difficile d'éviter la contrainte des céramiques frittées et la détérioration de leurs propriétés électriques par changement de la composition En outre, lorsqu'on utilise une telle composition comme matière d'un condensateur monolithique et qu'on emploie Pd ou un alliage de Ag-Pd comme électrode interne, il y a le risque que Pd et Bi 2 03 réagissent l'un avec l'autre et affectent les propriétés de l'électrode Ce fait rend inévitable l'utilisation comme matière d'électrode, de Pt coûteux ne réagissant pas avec Bi 203. La composition céramique diélectrique décrite dans la publication du brevet japonais 51-143899 a un taux de la variation de la constante diélectrique avec la température de -27 % ou plus dans la gamme comprise entre -250 C et + 850 C Par conséquent, il est difficile d'obtenir un taux de la variation de la constante diélectrique avec la température qui soit inférieur à 15 % dans la gamme comprise entre - 550 C et + 1250 C. Bien que la composition céramique diélectrique décrite dans la publication du brevet japonais 57-92575 indique un taux de la variation de la constante diélectrique avec la température inférieure à + 15 % dans la gamme comprise entre -550 C et + 1250 C, elle ne satisfait pas les conditions d'une constante diélectrique égale à 2800 ou plus, d'une perte diélectrique inférieure à 2,5 % et d'une température de frittage inférieure à 12500 C. Par ailleurs, on décrit des compositions ayant une constante diélectrique comprise entre 3000 et 5000 et un faible taux de la variation de la constante diélectrique avec la température dans la publication du 3 2678605 brevet japonais N O 64-45772 Cependant, les compositions ayant une constante diélectrique élevée doivent être cuites à une température de 1280 'C ou plus. La tendance récente est d'avoir des condensateurs céramiques, en particulier des condensateurs monolithiques céramiques de petites dimensions; il est donc nécessaire de réduire l'épaisseur de la céramique diélectrique pour qu'elle soit comprise dans la plage allant de 5 jm à 15 gm En conséquence, il faut qu'une composition céramique diélectrique ait une constante diélectrique élevée et un faible diamètre des grains et en outre, qu'elle ait une faible dépendance vis-à-vis de la tension Cependant, les compositions céramiques diélectriques ayant une constante diélectrique élevée soulèvent le problème d'une grande dépendance vis-à-vis de la tension en courant continu, et il est difficile de réduire l'épaisseur des céramiques diélectriques En conséquence, il est difficile d'obtenir un condensateur monolithique de faibles dimensions et présentant une capacitance électrostatique élevée. Par conséquent, la présente invention a pour objet principal une composition céramique diélectrique présentant une constante diélectrique de 3500 ou plus, un faible taux de la variation de la constante diélectrique avec la température, une petite perte diélectrique inférieure à 15 %, une faible dépendance vis-à-vis de la tension, un faible diamètre des grains, inférieur à 1 gm, et une température de frittage relativement basse. La présente invention concerne donc une composition céramique diélectrique comprenant 100 parties en poids de Ba Ti O 3 avec une teneur en oxyde de métal alcalin, à titre d'impureté, inférieure à 0,3 % en poids, 0,6-2,0 parties en poids de Nb 205, 0,1-0,8 partie en poids de Co 203, 0,05-0,3 partie en poids de Mn O 2 et 0,02-0,4 partie en poids d'un oxyde des terres rares, 4 2678605 choisi dans le groupe constitué de La 203, Ce O 2, Nd 203, Pr 6011, Dy 203 et Sm 203. La composition céramique mentionnée ci- dessus avec sa teneur en oxyde des terres rares portée à 0,02-0,5 partie en poids peut en outre comprendre 0,05- 1,0 partie en poids d'oxyde de verre, contenant Ba O- B 203-Li 2 O-Si O 2. Dans la composition céramique diélectrique mentionnée en premier, il est possible d'inclure aussi, à la place de l'oxyde des terres rares choisi dans le groupe constitué de La 203, Ce O 2, Nd 203, Pr 6011, Dy 203 et Sm 203, 0,02-0,3 partie en poids d'au moins un oxyde choisi dans le groupe constitué de La 203, Nd 203, Pr 6011, Dy 203 et Sm 203 et en outre 0,05-1,0 partie en poids de Si O 2. En outre, dans la composition céramique diélectrique mentionnée cidessus, il est également possible de choisir Nd 203 comme oxyde des terres rares. La composition céramique diélectrique de la présente invention présente un faible taux de la variation de la constante diélectrique avec la température, d'une valeur inférieure à 15 %, dans la gamme comprise entre -550 C et 1250 C, par rapport à sa valeur de référence à une température de 250 C, une faible perte diélectrique, et une petite dépendance vis- à-vis de la tension, inférieure à 3 % lorsqu'on la mesure en appliquant un champ électrique alternatif de V/mm La composition céramique diélectrique de la présente invention a aussi une constante diélectrique élevée, égale à 3500 ou plus, un petit diamètre des grains inférieur à 1 gm et une faible température de frittage. Selon la présente invention, il est possible pour réduire l'épaisseur de la céramique diélectrique d'utiliser 30 % en poids de Ag 70 % en poids de Pd comme électrode interne d'un condensateur céramique monolithique Ainsi, on peut fabriquer un condensateur céramique monolithique bon marché, de petites 2678605 dimensions, ayant une faible dépendance de la constante diélectrique vis-à-vis de la température. Les objets précédents ainsi que d'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée des modes de réalisation préférés de la présente invention. Exemple 1 Comme matière de départ, on prépare Ti C 14 et Ba(N 03)2 avec des puretés diverses et on les pèse de façon que le rapport molaire de l'ion Ba à l'ion Ti soit égal à 1000 On précipite la matière pesée avec de l'acide oxalique tel que Ba Ti O(C 204)4 H 20 On décompose cette matière précipitée en la chauffant à une température de 700 'C ou plus pour obtenir Ba Ti O 3 On broie cette matière jusqu'à un diamètre moyen des particules inférieur à 1 jm au moyen d'un broyeur à sec. On obtient ainsi Ba Ti O 3 avec les cinq puretés différentes, A-E, indiquées dans le tableau 1. Alors, on pèse des oxydes de verre comprenant Nb 2 05, Co 203, Mn O 2 et un oxyde de l'élément des terres rares RO pour obtenir la composition indiquée dans le tableau 2, et on procède à un mélange humide pendant 16 heures après addition d'acétate de polyvinyle comme liant. Après séchage du mélange obtenu et granulation, on tasse le mélange résultant sous forme d'un disque ayant une épaisseur de 0,5 mm et un diamètre de 10 mm sous une pression de 200 bars On cuit alors ce moulage pendant 2 heures à la température indiquée dans le tableau 3 et on obtient la céramique en forme de disque. On examine alors la surface de la céramique à un grossissement de 1:1500 au moyen d'un microscope électronique à balayage pour déterminer le diamètre des grains. On cuit ensuite des électrodes en argent sur la surface principale de la céramique obtenue afin de 6 2678605 préparer un condensateur comme échantillon à mesurer On soumet ainsi les échantillons préparés à la mesure de leur constante diélectrique (E), de leur perte diélectrique (tg 5) et du taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température. On mesure la constante diélectrique (ú) et la perte diélectrique (tg 5) à 250 C sous une fréquence de 1 k Hz et une tension efficace de 1 volt On détermine le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température (TVT, AC/C 25) au moyen des valeurs mesurées à -550 C et + 1250 C par rapport à la valeur de référence à 250 C, et on détermine le taux maximum de la variation de la capacitance électrostatique avec la température par l'équation: IAC/C 25 Imax entre -55 o C et 1250 C De plus, on détermine la perte diélectrique (tg 5) en appliquant une tension de 200 V/mm à une fréquence de 1 K Hz. On indique les résultats des tests ci-dessus dans le tableau 3. D'après les résultats indiqués dans le tableau 3, on peut voir que la présente invention permet de fabriquer une composition céramique diélectrique ayant une constante diélectrique (ú) élevée, supérieure à 3500, un faible taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température qui satisfait la caractéristique X 7 R de la norme El A, une petite perte diélectrique (tg d) inférieure à 3, 0 % sous une tension alternative de 100 volts/mm La composition céramique de la présente invention a un faible diamètre des grains, inférieur à 1,0 g Um, et en outre peut être frittée à une température relativement basse, inférieure à 12800 C. La raison pour laquelle on a limité l'addition d'oxydes comme additifs aux valeurs tombant dans les gammes respectives indiquées ci-dessus est la suivante: Si la teneur en Nb 205 est inférieure à 0,6 partie en poids, comme dans le cas de l'échantillon 7 2678605 N O 1, la température de frittage est trop élevée ainsi que la perte diélectrique La caractéristique de température de la capacitance électrostatique devient supérieure à 15 % dans la gamme comprise entre -550 C et + 1250 C Si la teneur en Nb 205 dépasse 2,0 parties en poids comme dans le cas de l'échantillon N O 4, la constante diélectrique devient faible Ainsi, on a limité la teneur en Nb 205 à la plage comprise entre 0,6 et 2,0 parties en poids. Si la teneur en C 0203 est inférieure à 0,1 partie en poids comme dans l'échantillon N O 7, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C Si la teneur en Co 203 dépasse 0,8 partie en poids comme dans le cas de l'échantillon N O 8, la perte diélectrique devient remarquablement élevée et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient élevé Ainsi, on a limité la teneur en Co 203 à la gamme comprise entre 0,1 et 0,8 partie en poids. Si la teneur en Mn O 2 est inférieure à 0,05 partie en poids comme dans l'échantillon N O 15, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient élevé Si la teneur en Mn O 2 dépasse 0,3 partie en poids comme dans l'échantillon N O 16, la constante diélectrique devient inférieure à 3500 et la perte diélectrique est élevée Ainsi, on a limité la teneur en Mn O 2 à la gamme allant de 0,05 à 0,3 partie en poids. Quant aux oxydes des éléments des terres rares RO comprenant au moins un oxyde choisi dans le groupe La 203, Ce O 2, Nd 2 03, Pr 601 l, Dy 203 et Sm 203, si la teneur en oxydes des éléments des terres rares est inférieure à 0,02 partie en poids comme dans l'échantillon N O 19, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et la dépendance vis-à-vis de la 8 2678605 tension alternative est élevée Si la teneur en élément des terres rares dépasse 0,4 partie en poids avec une grande quantité de Co 203 comme dans l'échantillon No 17, la constante diélectrique devient inférieure à 3500 En outre, si la teneur en oxyde des éléments des terres rares dépasse 0,3 partie en poids avec une petite quantité de Co 203 comme dans l'échantillon No 18, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C. Si la teneur en métal alcalin est supérieure à 0,03 % en poids comme dans l'échantillon No 20, la constante diélectrique est inférieure à 3500 Ainsi, on a limité la teneur en métal alcalin à une valeur non supérieure à 0,03 % en poids. Ainsi, s'agissant des compositions à constante diélectrique élevée du type Ba Ti O 3, Nb 205 et Co 203, on a découvert que la teneur en oxydes de métaux alcalins tels que Na 2 O, K 20 a un effet remarquable sur les propriétés électriques de ces compositions. Exemple 2 On obtient, de la même manière que dans l'exemple 1, cinq sortes de Ba Ti O 3 ayant des puretés différentes, A-E (se reporter au tableau 1). On pèse Nb 205, Co 203, Mn O 2 et Nd 203, comme cela est indiqué dans le tableau 4, pour obtenir des compositions; on ajoute alors de l'acétate de polyvinyle comme liant et on obtient des mélanges par malaxage humide d'une durée de 16 heures. On sèche, granule chaque mélange obtenu, et on le tasse pour former un disque ayant un diamètre de mm et une épaisseur de 0,5 mm sous une pression de bars On cuit le disque pendant 2 heures à la température indiquée dans le tableau 5 et on obtient une céramique en forme de disque. On observe la surface de la céramique obtenue avec un microscope électronique à balayage à un 9 2678605 grossissement de 1:1500 et on mesure le diamètre des grains. On prépare le disque en céramique ainsi obtenu sous forme d'un condensateur qu'on mesure de la même manière que dans l'exemple 1 On soumet les échantillons ainsi préparés à la mesure de la constante diélectrique (ú), de la perte diélectrique (tg 5) et du taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température dans les mêmes conditions que dans l'exemple 1. On indique dans le tableau 5 les résultats des tests individuels. Comme on le voit dans le tableau 5, les compositions céramiques entrant dans le cadre de la présente invention ont une constante diélectrique supérieure à 3500 En outre, le taux de la variation de la capacitance électrique avec la température est faible et satisfait bien les propriétés X 7 R de la norme EIA En outre, la perte diélectrique (tg a) est faible, étant inférieure à 1,2 %, et est inférieure à 3, 0 % même sous une tension alternative de 200 Volts/mm Le diamètre des grains est également faible, inférieur à 1,0 jm, et en outre, la température de frittage est basse, étant inférieure à 12800 C. La raison pour laquelle on a limité l'addition des oxydes à titre d'additifs aux valeurs tombant dans les gammes cidessus est la suivante: Si la teneur en Nb 205 est inférieure à 0,6 partie en poids, comme dans l'échantillon No 101, la température de frittage est trop élevée et il en est de même de la perte diélectrique Le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C Si la teneur en Nb 205 dépasse 2,0 parties en poids comme dans l'échantillon No 104, la constante diélectrique devient faible Ainsi, on a limité la teneur en Nb 205 à la gamme comprise entre 0,6 et 2,0 parties en poids. 2678605 Si la teneur en Co 203 est inférieure à 0,1 partie en poids comme dans l'échantillon No 107, la caractéristique de température de la capacitance électrostatique devient supérieure à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C Si la teneur en Co 203 dépasse 0,8 partie en poids comme dans l'échantillon No 108, la perte diélectrique devient élevée et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient élevé. Ainsi, on a limité la teneur en Co 203 à la gamme comprise entre 0,1 et 0,8 partie en poids. Si la teneur en Mn O 2 est inférieure à 0,05 partie en poids comme dans l'échantillon No 115, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et le taux de variation de la capacitance électrostatique avec la température devient élevé Si la teneur en Mn O 2 dépasse 0,3 partie en poids comme dans l'échantillon N O 116, la constante diélectrique devient inférieure à 3500 et la perte diélectrique devient élevée Ainsi, on a limité la teneur en Mn O 2 à la gamme comprise entre 0,05 à 0,3 partie en poids. Quant à Nd 203, si sa teneur est inférieure à 0,02 partie en poids comme dans l'échantillon N O 119, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et la dépendance vis-à-vis de la tension alternative devient élevée Si la teneur en Nd 203 dépasse 0,4 partie en poids avec une grande quantité de Co 203 comme dans l'échantillon N O 117, la constante diélectrique devient inférieure à 3500 Si la teneur en Nd 2 dépasse 0,4 partie en poids avec une petite quantité de Co 203 comme dans l'échantillon No 118, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieure à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C. Si la teneur en métal alcalin est supérieure à 0,03 % en poids comme dans l'échantillon N 120, la constante diélectrique est inférieure à 3500 Ainsi, on il 2678605 a limité la teneur en métal alcalin à une valeur inférieure à 0,03 % en poids. Exemple 3 On obtient, de la même manière que dans l'exemple 1, cinq sortes de Ba Ti O 3 ayant des puretés différentes, A-E, (voir le tableau 1). En utilisant Nb 2 05, C 0203, Mn O 2, des oxydes des éléments RO des terres rares et des oxydes de verre Ba O-B 203-Li 2 O-Si O 2, on fait les pesées indiquées dans le tableau 6 pour obtenir des compositions; on ajoute ensuite de l'acétate de polyvinyle comme liant et on obtient les mélanges par malaxage à l'état humide d'une durée de 16 heures. On sèche, granule chaque mélange obtenu, et on le tasse pour obtenir un disque ayant un diamètre de mm et une épaisseur de 0,5 mm sous une pression de bars On cuit alors le disque pendant 2 heures à la température indiquée dans le tableau 7 et on obtient une céramique en forme de disque. On observe la surface de la céramique obtenue avec un microscope électronique à balayage à un rapport de grossissement de 1:1500 et on mesure le diamètre des grains. On prépare le disque en céramique ainsi obtenu sous forme d'un condensateur qu'on mesure de la même manière que dans l'exemple 1 On soumet les échantillons préparés à des mesures de la constante diélectrique (e), de la perte diélectrique (tg 5) et du taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température. On indique dans le tableau 7 les résultats des tests individuels. Comme on le voit dans le tableau 7, les compositions céramiques entrant dans le cadre de la présente invention ont une constante diélectrique supérieure à 3500 En outre, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température est faible et satisfait bien les propriétés X 7 R requises 12 2678605 dans la norme EIA En outre, la perte diélectrique (tg ) est petite, étant inférieure à 1,2 %, et est inférieure à 3,0 % même sous une tension alternative de Volts/mm Le diamètre des grains est également faible, étant inférieur à 1,0 J m, et en outre, la température de frittage est basse, étant inférieure à 12500 C. La raison pour laquelle on a limité l'addition des oxydes sous forme d'additifs aux valeurs tombant dans la gamme précédente est la suivante: Si la teneur en Nb 205 est inférieure à 0,6 partie en poids comme dans l'échantillon N O 201, la température de frittage est trop élevée ainsi que la perte diélectrique Le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieure à 15 % dans la gamme de température comprise entre -55 c C et + 1250 C Si la teneur en Nb 2 Os dépasse 2,0 parties en poids comme dans l'échantillon N O 204, la constante diélectrique devient faible Ainsi, on a limité la teneur en Nb 205 à la gamme comprise entre 0, 6 et 2 partiesen poids. Si la teneur en Co 203 est inférieure à 0,1 partie en poids comme dans l'échantillon N O 207, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C Si la teneur en Co 203 dépasse 0,8 partie en poids comme dans le cas de l'échantillon No 208, la perte diélectrique devient élevée et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient important Ainsi, on a limité la teneur en Co 203 à la gamme comprise entre 0,1 et 0,8 partie en poids. Si la teneur en Mn O 2 est inférieure à 0,05 partie en poids comme dans l'échantillon N O 218, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient élevé Si la teneur en Mn O 2 13 2678605 dépasse 0,3 partie en poids comme dans l'échantillon N' 219, la constante diélectrique devient inférieure à 3500, et la perte diélectrique devient élevée Ainsi, on a limité la teneur en Mn O 2 à la gamme comprise entre 0,05 à 0,3 partie en poids. Quant aux oxydes des éléments des terres rares RO et les oxydes de verre, si la teneur en oxyde des éléments des terres rares est inférieure à 0,02 partie en poids et la teneur en oxydes de verre est inférieure à 0, 05 partie en poids comme dans les échantillons N' 212, 222 et 223, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et la dépendance vis-à-vis de la tension alternative devient élevée Si la teneur en oxyde de verre dépasse 1,0 partie en poids comme dans l'échantillon N' 213, la constante diélectrique devient inférieure à 3500 Si la teneur en oxyde des éléments des terres rares dépasse 0,3 partie en poids avec une grande quantité de Co 203 comme dans l'échantillon N O 220, la constante diélectrique devient inférieure à 3500 En outre si la teneur en oxydes des éléments des terres rares dépasse 0,3 partie en poids avec une petite quantité de Co 203 comme dans l'échantillon N O 221, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C. Si la teneur en métal alcalin est supérieure à 0,03 % en poids comme dans l'échantillon No 224, la constante diélectrique est inférieure à 3500 Ainsi, on a limité la teneur en métal alcalin à une valeur inférieure à 0,03 % en poids. Exemple 4 On obtient, de la même manière que dans l'exemple 1, cinq sortes de Ba Ti O 3 ayant des puretés différentes, A-E, (voir le tableau 1). Alors, en utilisant Nb 205, Co 203, Mn O 2 et Nd 2 03, et des oxydes de verre de Ba O-B 203-Li 2 O-Si O 2, on les pèse comme indiqué dans le tableau 8 pour obtenir des compositions; on ajoute alors de l'acétate de 14 2678605 polyvinyle comme liant et on obtient les mélanges par malaxage à l'état humide d'une durée de 16 heures. On sèche, granule chaque mélange obtenu, et on le tasse sous forme d'un disque ayant un diamètre de 10 mm et une épaisseur de 0,5 mm sous une pression de bars On cuit alors le disque pendant 2 heures à la température indiquée dans le tableau 9 et on obtient une céramique en forme de disque. On observe la surface de la céramique obtenue avec un microscope électronique à balayage à un rapport de grossissement de 1:1500 et on mesure le diamètre des grains. On prépare le disque en céramique ainsi obtenu sous forme d'un condensateur qu'on mesure de la même manière que dans l'exemple 1 On soumet les échantillons ainsi préparés à la mesure de la constante diélectrique (ú), de la perte diélectrique (tg a) et du taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température dans les mêmes conditions que dans l'exemple 1. On indique les résultats des tests individuels dans le tableau 9. Comme on le voit dans le tableau 9, les compositions céramiques entrant dans le domaine de la présente invention ont une constante diélectrique (E) supérieure à 3500 En outre, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température est petit et satisfait bien les propriétés X 7 R requises dans la norme EIA De plus, la perte diélectrique (tg a) est petite, inférieure à 1,2 %, et est inférieure à 3,0 % même dans le cas d'une tension alternative de 200 Volts/mm Le diamètre des grains est également faible, étant inférieur à 1,0 Im, et en outre, la température de frittage est basse, étant inférieure à 1250 'C. La raison pour laquelle l'addition des oxydes à titre d'additifs a été limitée aux valeurs tombant dans les gammes précédentes est la suivante: 2678605 Si la teneur en Nb 2 Os est inférieure à 0,6 partie en poids comme dans l'échantillon N O 301, la température de frittage est trop élevée ainsi que la perte diélectrique Le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C Si la teneur en Nb 205 dépasse 2,0 parties en poids comme dans l'échantillon No 304, la constante diélectrique devient faible Ainsi, on a limité la teneur en Nb 205 à la gamme comprise entre 0,6 et 2,0 parties en poids. Si la teneur en Co 203 est inférieure à 0,1 partie en poids comme dans l'échantillon N O 307, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -55 c C et + 1250 C Si la teneur en Co 203 dépasse 0,8 partie en poids comme dans l'échantillon No 308, la pertediélectrique devient élevée et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient important. Ainsi, on a limité la teneur en Co 203 à la plage comprise entre 0,1 et 0,8 partie en poids. Si la teneur en Mn O 2 est inférieure à 0,05 partie en poids comme dans l'échantillon No 318, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient élevé Si la teneur en Mn O 2 dépasse 0,3 partie en poids comme dans l'échantillon N O 319, la constante diélectrique devient inférieure à 3500 et la perte diélectrique est élevée Ainsi, on a limité la teneur en Mn O 2 à la plage comprise entre 0,05 et 0,3 partie en poids. Quant à Nd 203, si sa teneur est inférieure à 0,02 partie en poids comme dans les échantillons N O 322 et 323, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et la dépendance vis-à-vis de la tension alternative devient élevée Si la teneur en Nd 203 dépasse 0,5 partie en poids avec une grande quantité de Co 203 comme dans 16 2678605 l'échantillon N O 320, la constante diélectrique devient inférieure à 3500 Si la teneur en Nd 203 dépasse 0,5 partie en poids avec une petite quantité de Co 203 comme dans l'échantillon No 321, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre - 550 C et + 1250 C. Quant à l'oxyde de verre, si sa teneur est inférieure à 0,05 partie en poids comme dans le cas des échantillons No 312 et 323, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et la dépendance vis-à-vis de la tension alternative est élevée Si la teneur en oxyde de verre dépasse 1,0 partie en poids comme dans l'échantillon No 313, la constante diélectrique devient inférieure à 3500. Si la teneur en métal alcalin est supérieure à 0,03 % en poids comme dans l'échantillon N O 324, la constante diélectrique est inférieure à 3500 Ainsi, on a limité la teneur en métal alcalin à une valeur inférieure à 0,03 % en poids. Exemple 5 De la même manière que dans l'exemple 1, on prépare cinq sortes de Ba Ti O 3 ayant des puretés différentes, A-E (voir le tableau 1). Alors, en utilisant Nb 205, Co 203, Mn O 2, des oxydes des éléments RO des terres rares et Si O 2, on pèse ces métaux comme indiqué dans le tableau 10 pour obtenir des compositions; on ajoute alors de l'acétate de polyvinyle comme liant, et on obtient les mélanges par malaxage à l'état humide d'une durée de 16 heures. On sèche, granule chaque mélange obtenu, et on le tasse pour obtenir un disque ayant un diamètre de mm et une épaisseur de 0,5 mm sous une pression de 200 bars On cuit alors le disque moulé par compression pendant une durée de 2 heures à la température indiquée dans le tableau 11 et on obtient une céramique en forme de disque. 17 2678605 On observe la surface de la céramique obtenue avec un microscope électronique à balayage à un rapport de grossissement de 1:1500 et on mesure le diamètre des grains. On prépare le disque en céramique ainsi obtenu sous forme d'un condensateur qu'on mesure de la même manière que dans l'exemple 1 Ainsi, on soumet les échantillons préparés aux mesures de la constante diélectrique (E), de la perte diélectrique (tg 3) et du taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température dans les mêmes conditions que dans l'exemple 1. On indique dans le tableau 11 les résultats des tests individuels. Comme on le voit dans le tableau 11, les compositions céramiques entrant dans le cadre de la présente invention ont toutes une constante diélectrique (ú) élevée, atteignant 3500 En outre, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température est faible et satisfait bien les propriétés X 7 R requises dans la norme EIA En outre, la perte diélectrique (tg a) est petite, étant inférieure à 1,2 %, et est inférieure à 3,0 % même dans le cas d'une tension alternative de 200 Volts/mm Le diamètre des grains est également faible, étant inférieur à 1,0 Jm, et en outre, la température de frittage est basse, étant inférieure à 12500 C. La raison pour laquelle on a limité l'addition des oxydes à titre d'additifs aux valeurs tombant dans la gamme précédente est la suivante: Si la teneur en Nb 205 est inférieure à 0,6 partie en poids comme dans l'échantillon No 401, la température de frittage est trop élevée ainsi que la perte diélectrique Le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieure à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C Si la teneur en Nb 205 dépasse 2,0 parties en poids comme dans l'échantillon N O 204, la 18 2678605 constante diélectrique devient faible Ainsi, on a limité la teneur en Nb 205 à la gamme comprise entre 0,6 et 2,0 parties en poids. Si la teneur de Co 203 est inférieure à 0,1 partie en poids comme dans l'échantillon No 407, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C Si la teneur en Co 203 dépasse 0,8 partie en poids comme dans le cas de l'échantillon No 408, la perte diélectrique devient élevée et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température le devient également Ainsi, on a limité la teneur en Co 203 à la gamme comprise entre 0,1 et 0,8 partie en poids. Si la teneur en Mn O 2 est inférieure à 0,05 partie en poids comme dans l'échantillon No 418, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient élevé Si la teneur en Mn O 2 dépasse 0,3 partie en poids comme dans l'échantillon No 419, la constante diélectrique devient inférieure à 3500, et la perte diélectrique devient élevée Ainsi, on a limité la teneur en Mn O 2 à la gamme comprise entre 0,05 et 0,3 partie en poids. Si la teneur en Si O 2 est inférieure à 0,05 partie en poids comme dans les échantillons No 412 et 423, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et la dépendance vis-à-vis de la tension alternative devient élevée Si la teneur en Si O 2 dépasse 1,0 partie en poids comme dans l'échantillon No 413, la constante diélectrique devient inférieure à 3500. Quant aux oxydes des éléments RO des terres rares, si la teneur en oxyde est inférieure à 0,02 partie en poids comme dans les échantillons No 422 et 423, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et la dépendance vis-à-vis de la tension alternative devient élevée Si la teneur en oxyde des éléments RO 19 2678605 des terres rares dépasse 0,3 partie en poids avec une grande quantité de Co 203 comme dans l'échantillon No 420, la constante diélectrique devient inférieure à 3500 En outre, si cette teneur dépasse 0,3 partie en poids avec une petite quantité de Co 203 comme dans l'échantillon N O 421, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C. Si la teneur en métal alcalin est supérieure à 0,03 % en poids comme dans l'échantillon No 424, la constante diélectrique est inférieure à 3500 Ainsi, on a limité la teneur en métal alcalin à une valeur inférieure à 0,03 % en poids. Exemple 6 De la même manière que dans l'exemple 1, on obtient cinq sortes de Ba Ti O 3 ayant des puretés différentes, A-E, (voir le tableau 1). Alors, en utilisant Nb 2 05, Co 203, Mn O 2, Nd 203 et Si O 2, on pèse ces matières comme indiqué dans le tableau 12 pour obtenir des compositions; on ajoute alors de l'acétate de polyvinyle comme liant et on obtient les mélanges par malaxage à l'état humide d'une durée de 16 heures. On sèche, granule chaque mélange obtenu, et on le tasse sous forme d'un disque ayant un diamètre de mm et une épaisseur de 0,5 mm sous une pression de bars On cuit alors le disque pendant 2 heures à la température indiquée dans le tableau 13 et on obtient une céramique en forme de disque. On observe la surface de la céramique obtenue avec un microscope électronique à balayage à un rapport de grossissement de 1:1500 et on mesure le diamètre des grains. On prépare le disque en céramique ainsi obtenu sous forme d'un condensateur qu'on mesure de la même manière que dans l'exemple 1 Ainsi, on soumet les échantillons préparés aux mesures de la constante 2678605 diélectrique (ú), de la perte diélectrique (tg 5) et du taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température dans les mêmes conditions que dans l'exemple 1. On indique dans le tableau 13 les résultats des tests individuels. Comme on le voit dans le tableau 13, les compositions céramiques entrant dans le cadre de la présente invention ont une constante diélectrique (ú) supérieure à 3500 En outre, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température est faible et satisfait bien les propriétés X 7 R requises dans la norme EIA En outre, la perte diélectrique (tg ) est petite, étant inférieure à 1,2 %, et est inférieure à 3,0 % même dans le cas d'une tension alternative de 200 Volts/mm Le diamètre des grains est également faible, étant inférieur à 1,0 Lm, et en outre, la température de frittage est faible, étant inférieure à 12500 C. La raison pour laquelle l'addition des oxydes à titre d'additifs a été limitée à la gamme indiquée ci-dessus est la suivante: Si la teneur en Nb 205 est inférieure à 0,6 partie en poids comme dans l'échantillon No 501, la température de frittage est trop élevée ainsi que la perte diélectrique Le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la températur devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C Si la teneur en Nb 205 dépasse 2,0 parties en poids comme dans l'échantillon No 504, la constante diélectrique devient faible Ainsi, on a limité la teneur en Nb 205 à la gamme comprise entre 0,6 et 2,0 parties en poids. Si la teneur en Co 203 est inférieure à 0,1 partie en poids comme dans l'échantillon No 507, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C Si 21 2678605 la teneur en Co 203 dépasse 0,8 partie en poids comme dans le cas de l'échantillon N' 508, la perte diélectrique devient élevée et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient également élevé Ainsi, on a limité la teneur en Co 203 à la gamme comprise entre 0,1 et 0,8 partie en poids. Si la teneur en Mn O 2 est inférieure à 0,05 partie en poids comme dans l'échantillon N' 518, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient élevé Si la teneur en Mn O 2 dépasse 0,3 partie en poids comme dans l'échantillon N O 519, la constante diélectrique devient inférieure à 3500, et la perte diélectrique devient élevée Ainsi, on a limité la teneur en Mn O 2 à la gamme comprise entre 0,05 et 0,3 partie en poids. Quant à Nd 203, si sa teneur est inférieure à 0,02 partie en poids comme dans les échantillons N O 522 et 523, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et la dépendance vis-à-vis de la tension alternative devient élevée Si cette teneur dépasse 0,3 partie en poids avec une grande quantité de Co 203, comme dans l'échantillon N O 520, la constante diélectrique devient inférieure à 3500 Si la teneur dépasse 0,3 partie en poids avec une petite quantité de Co 203 comme dans l'échantillon N O 521, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température devient supérieur à 15 % dans la gamme de température comprise entre -550 C et + 1250 C. Si la teneur en Si O 2 est inférieure à 0,05 partie en poids comme dans les échantillons N O 512 et 523, les propriétés de frittage deviennent mauvaises et la tendance vis-à-vis de la tension alternative devient élevée Si la teneur en Si O 2 dépasse 1,0 partie en poids comme dans l'échantillon N O 513, la constante diélectrique devient inférieure à 3500. 22 2678605 Si la teneur en métal alcalin est supérieure à 0,03 % en poids comme dans l'échantillon N O 524, la constante diélectrique est inférieure à 3500. Exemple 7 On fournit des poudres de céramique diélectrique, échantillons N O 5 et 19 de l'exemple 1 On mélange ces poudres céramiques avec un solvant organique tel que du polyvinylbutyral comme liant et de l'éthanol par mélange à l'état humide dans un moulin à billes pour obtenir une bouillie céramique En utilisant cette bouillie céramique, on produit une feuille verte de céramique d'une épaisseur de 12 Jm par le procédé à lame docteur. On imprime alors une pâte conductrice à base de Pd sur cette feuille verte de céramique, afin de former une couche d'une pâte conductrice qui est nécessaire à la formation d'électrodes internes On lamine alors une multitude de feuilles vertes en céramique avec une couche de pâte conductrice sur leur dessus pour obtenir un corps laminé. On cuit le corps laminé pendant 2 heures à la température indiquée dans le tableau 14 pour obtenir un corps fritté On applique une pâte à l'argent sur les deux faces d'extrémité du corps fritté et on cuit la pâte à l'air à une température de 7500 C pour former des électrodes externes connectées à l'électrode interne. Les dimensions extérieures de ce condensateur monolithique sont 1,6 mm de large, 3,2 mm de long et 1,2 mm d'épaisseur et 8 jm pour l'épaisseur de la couche céramique diélectrique formée entre les électrodes internes adjacentes Le nombre total des couches effectives en céramique diélectrique est de 19 et la surface des électrodes opposées est par couche de 2,1 mm 2. S'agissant des échantillons du condensateur céramique monolithique ainsi obtenu, on mesure la capacitance électrostatique (C) et la perte diélectrique (tg a) à une fréquence de 1 K Hz et à une tension de 1 23 2678605 volt efficace en utilisant un instrument de mesure automatique du type pont Alors, pour la mesure de la résistance d'isolement (R) à 250 C et 1250 C, on applique une tension de 16 volts au condensateur monolithique pendant 2 minutes en employant un testeur de résistance d'isolement, et on calcule le produit de la capacitance électrostatique (C) et de la résistance d'isolement (R), c'est-à-dire le produit RC. De plus, on mesure le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température. En outre, on applique une tension de 1 K Hz, 1 volt efficace et une tension continue de 16 volts au condensateur monolithique pour mesurer le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la tension appliquée On détermine le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température (AC/C 25; TVT) au moyen des valeurs mesurées à -550 C et + 1250 C par rapport à la référence à 250 C et on détermine le taux maximum de la variation de la capacitance électrostatique avec la température par l'équation: IAC/C 2,5 Imax mesurée à -550 C et + 1250 C par rapport à sa référence à 250 C. On indique dans le tableau 14 les résultats des mesures. Comme on le voit dans le tableau 14, le condensateur céramique monolithique se rapportant à l'échantillon No 5, c'est-à-dire entrant dans le domaine de la présente invention, a une constante diélectrique élevée, un petit taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, et une faible perte diélectrique En outre, le condensateur céramique monolithique a une bonne résistance d'isolement et un faible taux de la variation de la capacitance électrostatique avec une tension continue appliquée. Avec le condensateur céramique monolithique ayant la composition de la présente invention, il est possible d'obtenir un condensateur de faible taille et de capacitance électrostatique élevée même si 24 2678605 l'épaisseur de la couche céramique diélectrique est de 8 gm En outre, comme la température de cuisson est inférieure à 12800 C, il est possible d'utiliser 30 % en poids d'Ag-70 % en poids de Pd comme électrode interne. Par opposition, le condensateur céramique monolithique n'entrant pas dans le domaine de la présente invention qui se rapporte à l'échantillon No 19 a l'avantage d'avoir une constante diélectrique élevée lorsque la couche céramique diélectrique est aussi faible que 8 jm Cependant, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température est élevé, et les propriétés X 7 R requises dans la norme EIA ne sont pas obtenues Ce condensateur céramique monolithique a également une perte diélectrique élevée, et un taux de la variation de la capacité électrostatique avec une tension continue appliquée de valeur élevée En outre, ce condensateur céramique monolithique a aussi une faible résistance d'isolement à haute température ( 1250 C), ayant également une température de cuisson élevée. Bien que, dans l'exemple mentionné ci- dessus, on ait obtenu Ba Ti O 3 par le procédé à l'acide oxalique, cela ne constitue une limitation en aucun cas, et on peut obtenir des effets identiques avec du Ba Ti O 3 obtenu par l'utilisation de poudres de Ba CC 3 et Ti O 2 On a également essayé d'ajouter des additifs tels que Nb 2 05, Co 203, Mn O 2, Si O 2 et RO sous forme de poudre d'oxyde ou de poudre de carbonate mais ceux-ci sont aussi efficaces lorsqu'on les emploie sous forme de solutions si la quantité transformée en oxyde se trouve dans les limites indiquées dans la revendication de la présente invention. Exemple 8 On fournit des poudres de céramique diélectrique comme échantillons N O 105 et 119 de l'exemple 2 On prépare des condensateurs monolithiques en employant ces poudres céramiques diélectriques de la même manière que dans l'exemple 7 On mesure la 2678605 capacitance électrostatique (C), la perte diélectrique (tg 5), la résistance à l'isolement (R), le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, également avec application d'une tension continue, pour chaque condensateur monolithique. On indique dans le tableau 15 les résultats des mesures. * Comme on le voit dans le tableau 15, le condensateur monolithique se rapportant à l'échantillon No 5, entrant dans le domaine de la présente invention, a une constante diélectrique élevée, un petit taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, et une faible perte diélectrique En outre, le condensateur céramique monolithique a une bonne résistance d'isolement et un faible taux de la variation de la capacitance électrostatique avec une tension appliquée. Avec le condensateur céramique monolithique ayant la composition de la présente invention, il est possible d'obtenir un condensateur de faibles dimensions et de capacitance électrostatique élevée, même si l'épaisseur de la couche de céramique diélectrique est de 8 gm En outre, comme la température de frittage est inférieure à 12800 C, il est possible d'utiliser 30 % en poids d'Ag-70 % en poids de Pd comme électrode interne. Par contraste, le condensateur céramique monolithique n'entrant pas dans le domaine de la présente invention relatif à l'échantillon No 119 a le mérite d'avoir une constante diélectrique élevée lorsque la couche céramique diélectrique est aussi fine que 8 gm Cependant, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température est élevé, et les propriétés X 7 R requises dans la norme EIA ne sont pas obtenues Ce condensateur céramique monolithique a également une perte diélectrique élevée, et un taux élevé de la variation de la capacité électrostatique avec une tension continue En outre, ce condensateur céramique monolithique a aussi une faible résistance d'isolement à température élevée ( 1250 C), ayant également une température de frittage ainsi qu'une température de cuisson de valeur élevée. Exemple 9 On fournit des poudres de céramique diélectrique sous forme d'échantillons N O 205 et 223 de l'exemple 3 On prépare des condensateurs monolithiques en employant ces poudres de céramique diélectrique de la même manière que dans l'exemple 7 On mesure dans chaque condensateur monolithique, la capacitance électrostatique (C), la perte diélectrique (tg 8), la résistance à l'isolement (R), le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, ainsi que lors de l'application d'une tension en courant continu. On indique dans le tableau 16 les résultats des mesures. Comme on le voit dans le tableau 16, le condensateur monolithique correspondant à l'échantillon No 5 et entrant dans le domaine de la présente invention, a une constante diélectrique élevée, un faible taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, et une petite perte diélectrique En outre, le condensateur céramique monolithique a une bonne résistance à l'isolement et un petit taux de la variation de la capacitance électrostatique avec l'application d'une tension à courant continu. Avec le condensateur céramique monolithique ayant la composition de la présente invention, il est possible d'obtenir un condensateur de petites dimensions et de capacitance électrostatique élevée, même si l'épaisseur de la couche de céramique diélectrique est de 8 Jm En outre, comme la température de cuisson est inférieure à 1250 'C, il est possible d'utiliser 30 % en poids d'Ag-70 % en poids de Pd comme électrode interne. 27 2678605 Par contraste, le condensateur céramique monolithique n'entrant pas dans le domaine de la présente invention et se rapportant à l'échantillon N O 223 a le mérite d'avoir une constante diélectrique élevée lorsque la couche de céramique diélectrique est aussi fine que 8 gm Cependant, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température est élevé, et les propriétés X 7 R requises dans la norme EIA ne sont pas obtenues Ce condensateur céramique monolithique a également une perte diélectrique élevée, et une valeur élevée du taux de la variation de la capacité électrostatique en cas d'application d'une tension à courant continu En outre, ce condensateur céramique monolithique a une faible résistance d'isolement à une température élevée ( 1250 C), ayant également une température de cuisson élevée. Exemple 10 On fournit des poudres de céramique diélectrique sous forme d'échantillons N O 305 et 323 de l'exemple 4 On prépare des condensateurs monolithiques en employant ces poudres de céramique diélectrique de la même manière que dans l'exemple 7 On mesure la capacitance électrostatique (C), la perte diélectrique (tg a), la résistance à l'isolement (R), le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, ainsi que lors de l'application d'une tension à courant continu, pour chaque condensateur monolithique. On indique dans le tableau 17 les résultats des mesures. Comme on le voit dans le tableau 17, le condensateur monolithique correspondant à l'échantillon No 305 et entrant dans le domaine de la présente invention, a une constante diélectrique élevée, un petit taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, et une faible perte diélectrique En outre, le condensateur céramique monolithique a une bonne résistance d'isolement et un 28 2678605 petit taux de la variation de la capacitance électrostatique avec l'application d'une tension. Avec le condensateur céramique monolithique ayant la composition de la présente invention, il est possible d'obtenir un condensateur de petites dimensions et de capacitance électrostatique élevée, même si l'épaisseur de la couche de céramique diélectrique est de 8 Fm En outre, comme la température de cuisson est inférieure à 12500 C, il est possible d'utiliser 30 % en poids d'Ag-70 % en poids de Pd comme électrode interne. Par opposition, le condensateur céramique monolithique n'entrant pas dans le domaine de la présente invention et se rapportant à l'échantillon N O 321 a le mérite d'avoir une constante diélectrique élevée lorsque la couche de céramique diélectrique est aussi fine que 8 gm Cependant, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température est élevé, et les propriétés X 7 R requises dans la norme EIA ne sont pas obtenues Ce condensateur céramique monolithique a également une valeur élevée pour la perte diélectrique, et pour le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec l'application d'une tension à courant continu En outre, ce condensateur céramique monolithique a une faible résistance à l'isolement à température élevée ( 1250 C),ayant également une température de cuisson élevée. Exemple 11 On fournit des poudres de céramique diélectrique sous forme des échantillons N O 405 et 423 de l'exemple 5 On prépare des condensateurs monolithiques en employant ces poudres de céramique diélectrique de la même manière que dans l'exemple 7 On mesure la capacitance électrostatique (C), la perte diélectrique (tg 8), la résistance à l'isolement (R), le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, ainsi que lors de l'application d'une tension à courant continu, pour chaque condensateur monolithique. 29 2678605 On indique dans le tableau 18 les résultats des mesures. Comme on le voit dans le tableau 18, le condensateur monolithique se rapportant à l'échantillon No 405 et entrant dans le domaine de la présente invention, a une constante diélectrique élevée, un petit taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, et une faible perte diélectrique En outre, le condensateur céramique monolithique a une bonne résistance d'isolement et un petit taux de la variation de la capacitance électrostatique avec l'application d'une tension à courant continu. Avec le condensateur céramique monolithique ayant la composition de la présente invention, il est possible d'obtenir un condensateur de petites dimensions et de capacitance électrostatique élevée, même si l'épaisseur de la couche de céramique diélectrique est de 8 rm En outre, comme la température de cuisson est inférieure à 12500 C, il est possible d'utiliser 30 % en poids d'Ag-70 % en poids de Pd comme électrode interne. Par contraste, le condensateur céramique monolithique n'entrant pas dans le domaine de la présente invention et se rapportant à l'échantillon N O 423 a le mérite d'avoir une constante diélectrique élevée lorsque la couche de céramique diélectrique est aussi fine que 8 Rm Cependant, le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température est élevé, et les propriétés X 7 R requises dans la norme EIA ne sont pas obtenues Ce condensateur céramique monolithique a également une valeur élevée pour la perte diélectrique, et pour le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec une tension continue appliquée En outre, ce condensateur céramique monolithique a une faible résistance d'isolement à température élevée ( 1250 C), ayant également une température de cuisson élevée. 2678605 Exemple 12 On fournit des poudres de céramique diélectrique selon les échantillons N O 505 et 523 de l'exemple 6 On prépare des condensateurs monolithiques en utilisant ces poudres de céramique diélectrique de la même manière que dans l'exemple 7 On mesure la capacitance électrostatique (C), la perte diélectrique (tg a), la résistance à l'isolement (R), le taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, ainsi que lors de l'application d'une tension à courant continu, pour chaque condensateur monolithique. On indique dans le tableau 19 les résultats des mesures. Comme on le voit dans le tableau 19, le condensateur monolithique se rapportant à l'échantillon N O 505 et entrant dans le domaine de la présente invention, a une constante diélectrique élevée, un petit taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température, et une faible perte diélectrique En outre, le condensateur céramique monolithique a une bonne résistance d'isolement et un petit taux de la variation de la capacitance électrostatique avec l'application d'une tension à courant continu. Avec le condensateur céramique monolithique ayant la composition de la présente invention, il est possible d'obtenir un condensateur de petites dimensions et de capacitance électrostatique élevée, même si l'épaisseur de la couche de céramique diélectrique est de 8 m En outre, comme la température de cuisson est inférieure à 12500 C, il est possible d'utiliser 30 % en poids d'Ag-70 % en poids de Pd comme électrode interne. Par contraste, le condensateur céramique monolithique n'entrant pas dans le domaine de la présente invention et se rapportant à l'échantillon No 523 a le mérite d'avoir une constante diélectrique élevée lorsque la couche de céramique diélectrique est aussi fine que 8 jm Cependant, la taux de la variation de la capacitance électrostatique avec la température est élevé, et les propriétés X 7 R requises dans la norme EIA ne sont pas obtenues Ce condensateur céramique monolithique a également une valeur élevée en matière de perte diélectrique, et du taux de la variation de la capacitance électrostatique avec une tension appliquée à courant continu En outre, ce condensateur céramique monolithique a une faible valeur de la résistance d'isolement à une température élevée ( 1250 C), ayant également une température de cuisson élevée. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de modifications et de variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art. T A B L E A U 1 * hors du domaine de l'invention SORTE DE QUANTITE D'IMPURETES (% EN POIDS) o XYDJ DE METAL Ba T i 03 ALCALIN 50 Ca O Si 02 A 1203 A 0,003 01015 0, 001 0, 021 0,005 B 0, 025 0, 090 0, 023 0, 052 0,009 C 0, 012 0,007 O 025 0, 050 0,050 D 0, 015 0, 098 0,003 0,092 0,071 E * 0, 094 0, 051 0, 025 0, 043 0, 010 w r.D "Il al (n 8 T Oú ZS 01 &O 01 '0 'OZ 8 'OE 1 001 1 I * O O O 01 '0 z'o O o 1 001 V * 61 81 O o Z 00 ' 1101 o O Z'o b '1 001 V * S 81 81 O o 9 001 01 o' o I8 'O o O 001 v *LI 81 0 ú ZS OTSà 09 b O c'O Z'I 001 V * 91 81 O o 9 01 ot'0 O ú'O 't 001 v * 91 81 O o úg O,'o O 01 O 'O oo 00 T v o 08 OL O oo Ooz"O Z 'O O't 001 ci 1 81 O o 9 O'o 01 o 'Oúo'0 8 ' 001 V Zl 81 O ú Z 9 01 81 O ú ZS 01 91 9 T OL O 'O 01 'O ú,'O V'I 001 El 9 81 O ú ZS 01 i O 01 'O Z'0 ú ' 001 v 9 t 81 O o Z 9 01 o 01 'O L 4 O S 'Z 001 V * 08 OL OZ'0 O O ' 8 'OO O Z 00 l V 8 81 O ú ZS 01 o O 01 'O c O Z 1 T 001 V Z 81 O Z 9 90 o so01 o O Z '0 9 O 001 V * c Oz AGc OWSI I 10 Ja loeo 2 p Nsa ioaS a Iod 5 a IoaSa IOCI Ra lia Na I Na Na (Su Iud Na Sa IJEI Vd) a Iâll Vdail E Yidai Jiavd a 9 L 1 a VJsa Izinafdalaos N ou au Sa Nvii LL,,,u 3 i o Suu lvaa U Nda N odau gu l o q N u -Nf H 3 i o ( srn',,,l,',',T, Snu: o',, 'u ' i Ua:L,i O,,O,m}l J'O J' OO "o'q N ' 01 L Uil -M-Zo: UOT:UOAUTI ap OUT Wulop np saoq, f nvaàI Ivi P 1.1 O t O t,. t X cn cn 6 00 p'Z Z 6 L? 8 1 'v v ( O 06 LZ 0971 I *OZ 6 '0 8 IV 8 '59 P 8 C'1 O 9 sp Op I 81* 61 L 'O 8 c 'Z 'ZZ gú' 1 v 61 6 '0 0868 08 ZI * 81 L'O I 1 'z O 'ZI S'9 O 'ZI 9 '0 O ú 6 Z OZI *LI 8 '0 S ' 6 '11 '911Z'L L'Z OLZ 09 os 1* 91 L'O 9 '8 v 'z 1 '91p'zz 1 '1 069 V o T 8 I* 91 L'O 9 'Z 8 ' L'Z L'1 9 '0 OPLC 099 Z 1 P 8 À O L'Z O '9 1 ' 8 'S 8 '0 0998 OLZI E 81 L'O v'Z Z'6 Z'6 p ' P'0 OLS 09 o Z 1Zl L 'O 9 'Z 1 '8 L 'L 9 "Z 8 '0 OLú 09 ZI 11 L,0 9 'Z o'L o 'L Z't L'O OSL OLZI o 01 8 g O 6 'Z Z'il 6 P Z TI O '1 001 08 Z 1 6 Z 41 c 9 9 Z Zp v 'L 8S'SZ Z 'Z 018 V OMZI * 8 9 '1 8 'S 8 '6, 9 S'Ivo'08 S'Z OZ 8 v o SZI * L L O L 'Z 8 9 8 'Z ú' L'0 OZ L O ZI 9 L'0 9 L'O Z Z 6 '11 ú'6 8 L O L 'ZO 'I I ú'6 O '11 L'O 096 ú 09 Z 1 Z 1 1 8 '9 I ' 'ZZ 1 'Sv 8 '1 OLOS 0981 * I ul 17/) |w9)/:)VI: o SZIDo SSQ 61 (:)o SNIV:I 9 ZH:l t U Mu"'/A OO O Sa nu aa NOIIVDI" (%)) ': afÈIs L Das -Ia Daa I In DaNOTIL -awvra-dv I aa S Wo'I Q 1-6 IQ a a V(sno)D:D/I VWL a-,a-N'H Da ra I -av, aa so 9 5 -a T-na Sa Taa T,TSNODUR Iam acia a-MM Da UO Tque AUTII ap aeuwlop np sloq* ú N var Ia E Y ui (o rx, N (o oi T A B L E A U 4 * hors du domaine de l'invention ECHAN B 1 a Ti O:, Nb 205 Co 203 Mn O 2 Nd 203 TILLON N SORTE PARTIES PARTIE PARTIE PARTIE PARTIE EN EN EN EN EN POIDS POIDS POIDS POIDS POIDS 101 * A 100 0, 5 0, 2 0, 1 0, 05 102 A 100 1,2 0,73 0,1 O 1 103 A 100 20 O 8 O O 05 O 2 104 * A 100 2, 5 0, 7 0, 1 0, 1 A 100 1, 3 0,2 O 1 0, 1 106 B 100 1) 4 O, 3 071 0, 3 107 * A 100 1, 5 O O 1 0, 1 108 * A 100 1, 5 1,70 Oy 1 0, 1 109 A 100 O, 6 O, 1 03 0, 3 A 100 1, 3 O 03 O 1 0, 05 111 C 100 1 t 2 O O 2 O, 1 O, 1 112 A 100 1, 8 Oy 3 0,1 O, 02 113 D 100 1, O 02 O 2 0, 2 114 A 100 17 2 O 4 O O 1 O, 4 * A 100 1,2 0,3 O 0, 1 116 * A 100 1, 2 03 O 5 0,1 117 * A 100 210 0,8 O, 1 1,0 118 * A 100 1,2 O t 2 0,1 1,0 119 * A 100 1, O O y 2 O, 1 O * E 100 1, 3 0, 2 O 1 0, 1 w ul "Il al (n T A B L E A U 5 hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CONSTANTE PERTE DIE tg 5 LORS DE L'AP IAMETRE TILLON DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE C/C 2, (%) PLICATION DE ES il 1 QUE 200 V/mm à 1 k Hz RAINS (OC) e tg & - 55 C + 1250 C I AC/C,, 1 (am) 101 * 1360 5100 2,0 -42)2 -26,5 42, 2 5,5 1,0 102 1260 4050 O 8 -13, 5 -1111 13, 8 2, 8 O 7 103 1230 3500 0,5 5 4 1, 0 5 7 2,1 O,7 104 * 1230 2810 0,4 3,2 8 t 9 12, 3 2,2 O 7 1260 3960 0,6 578 11,0 12 >, 1 2,8 0,7 106 1250 3690 0, 5 2,8 4, 4 5, 2 2, 5 O,9 107 * 1250 5100 1, 3 -31,1 -19, 3 40, 2 5,2 1,5 108 * 1230 4530 2, 8 -19, 8 -4574 45, 4 6,9 1, 3 109 1280 4200 1, 0 -10, 8 5,2 10, 8 2,8 0,7 1270 3850 O, 8 0, 6 6,9 7, 2 2, 6 0,7 111 1250 3710 017 4,3 8,7 0975 2,6 077 112 1250 3550 0,4 5,2 10,6 11, 0 2,4 O,7 113 1280 3760 0,8 6,9 4 > 8 6, 9 2,7 0,7 114 1260 3830 0,7 2,3 2 5 3, 4 2,7 O 7 * 1310 4740 1,0 -28,0 -15,5 28, 0 3,0 0,7 116 * 1250 3220 2,5 7,7 -10 > 8 12, 3 5,1 0,8 117 * 1230 2880 0, 5 11 ? 3 5,4 11, 5 2, O O r 7 118 * 1230 4100 076 -20,3 1,4 21, 4 2,1 0, 7 119 * 1340 4350 1,3 4,1 4,5 5, 3 4,8 0,9 * 1260 2850 O 5 4 r 6 9, 1 9,7 2,5 Oy 9 w M. o,l (n 81 OE ZS OS J 01 ' O 1 'O O O i 1 001, * lz O O O O Z'O O ' 001 V * úZZ O O' O O "O '0 Z'i 001 V * ZZ 81 O ú c O '1 01 '0 V O '0 Z'l 001 V * IZZ 81 O ú Z '1 01 '0 1 '0 8 " O 'z 001 V *OZZ 81 O E Z S 00 o O '0 S '0 c' I 001 V * 61 Z 81 O ú Z 9 50 '0 o O so O ' 001 V * 81 Z Oc 50 ' O L '0 '0 g O O '01 001 I Ll Z 81 OE S OS'o O O '0 1 Z'O '0 g'1 001 9 91 Z 81 OE g 9 go O 90 " O I'0 c O 8 'I 1001 V SIZ OS O l 01 O "o O '1 1 '0 '0 6 L O 001 V PI? 81 O O SO'0 O ' 10 O '0 ZOh T 001 V * cig 81 O ZS SO O O O Il O O Z'O 1 001 V * Zig 81 O Z 9 S 1 '0 01 00 1 '0 g O Z'T 001 V IIZ OZ 08 01 '0 OZ O O l' O '0 ú 4 i 001 V OIZ 001 OS'O 09 '0 'O 1 '0 9 '0 001 V 60 g Z 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PARTIES EN EN EN POIDS EN POIDS POIDS POIDS POIDS POIDS 301 * A 100 O O 5 O 2 0,1 0,03 007 302 A 100 1,2 0,3 O O 1 0,05 0,07 303 A 100 2, O 7,8 O 05 0,03 OY,05 304 * A 100 2,5 O 6 0,1 O 72 0, 1 305 A 100 1,3 0,2 0, 1 0,05 0,1 306 B 100 1,4 0, 3 01 0,25 O, 1 307 * A 100 175 O O 1 0,05 0,1 308 * A 100 1, 5 1,0 0,1 O O 05 0, 1 309 A 100 076 0,1 O, 03 0,3 5 310 A 100 1,3 0, 3 O y 1 0, 1 O 2 311 A 100 1,2 0, 2 0,1 0,1 O 1 312 * A 100 1,2 02 071 O,05 O 313 * A 100 1, 2 0, 2 O 1 0105 2,0 314 A 100 0,9 012 0, 1 01 1,0 315 A 100 1,8 0,3 O 1 0702 O 05 316 C 100 1, 2 0, 4 0,1 0, 5 0,)05 317 D 100 1,0 072 0,1 0, 05 01 318 * A 100 1,2 0,3 O O; 05 0,05 319 * A 100 1,2 0,3 0,5 0,05 0,05 320 * A 100 2,0 0, 8 O 1 170 071 321 * A 100 1 2 O 2 0,1 1,0 O 1 322 * A 100 1,2 O 4 O,7 1 O 0,05 323 * A 100 1,0 0, 2 O 1 O O 324 * E 100 1 3 O 2 0,11 O 005 O,1 w oc b) 0 ( cn T A B L E A U 9 * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CONSTANTE PERTE DIE tg LORS DE L'AP DIAMETREJ TILLON DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE C/C 25 () PLICATION DE ES QUE A C//C 25 M O PLICATION DE GAN N O QUE 20 /m SiRAINS V/rmy à 1 k Hz 4 ( C) tg ô -55 C + 125 C AC/C l, max i (pm) 301 * 1340 5050 2 0 -40, 2 -24,2 40, 2 5 1 O 18 302 1240 4090 018 -13,0 -11,4 13,3 2,7 0,7 303 1230 3530 015 6, 7 172 6,8 2, 3 0,7 304 * 1210 2500 O > 5 09 7,2 7,2 274 0,7 305 1240 3860 0,7 4,1 8,5 10,9 2,8 O 07 306 1240 3680 0,7 3,3 2,7 5,5 2,7 078 307 * 1220 4840 12 -32,2 -1717 3212 31 1 1 > O 308 * 1220 4430 2,4 -19,8 -42,0 4270 5,3 175 309 1230 3820 0,9 4,4 7,2 8,8 2 9 0,7 310 1230 3750 0,6 0,3 4,9 5,1 2,4 0,7 311 1240 3660 0,Y 6 2,2 6,7 8,3 2,5 0,7 312 * 1300 3840 1,0 5,3 10,2 10,2 4,1 017 313 * 1190 2670 0,5 11 3)5 3 Y 7 210 077 314 1220 3800 0,9 47 3,8 5,3 279 07 315 1230 3550 0,5 4, 5 10,5 10,5 272 0,7 316 1250 3700 0,8 3 t 5 5,2 6,5 2,5 0,7 317 1240 3670 077 2,6 2,8 4,9 2, 5 O 7 318 * 1300 4590 11 -30,1 -12, 5 30) 1 3,0 077 319 * 1230 3080 278 8,1 -11,1 11,7 5,0 0,8 320 * 1200 2830 0, 5 11, 3 63 11,3 2,0 0,9 321 * 1210 3510 0,5 -13,6 -19,0 19 y 4 2,1 0,7 322 * 1300 3900 1,4 -1119 9 /9 13,6 4,8 0,7 323 * 1340 4350 1,3 4 1 4 Y 573 4 8 079 324 * 12402760 04:,1 -45 3,3840,8 0,8 o K, "Il I 324 * 0,5 3,3 8,0 ,1 2,8 0,8 * hors du domaine de l'invention ECHAN Ba Ti O:,Nb 205 Co 203 Si 02 Mn O 2RO RAPPORT PONDERAL DES CONSTITUANTS TILLON, DE RO N SORTE PARTIES PARTIE PARTIE PARTIE PARTIEEN PARTIOIDS) EN EN EN EN EN EN POIDS POIDS POIDS POIDS POIDS POIDS La 203 Nd 2 00Pr 0,," Dy 203SM 203 401 * A 100 075 02 O,07 O 01 O '03 30 52 18 402 A 100 1,2 O 3 O 007 0,1 O 05 30 52 18 403 A 100 2,0 0,8 0,05 0,05 0703 30 52 18 404 * A 100 25 O o 6 o,10 0,1 O o 2 30 52 18 405 A 100 113 012 O,10 O 0,1 0705 30 52 18 406 B 100 144 0 3 0,10 071 0,25 100 407 * A 100 li 5 0,110 O 1 0, 05 30 52 18 408 * A 100 1 5 10 O O,10O, 1 O,05 30 52 18 409 A 100 O o, 6 O o 1 20 O o 3 O 3 70 30 410 A 100 13 0, 3 0,20 0,1 0,15 70 10 20 411 A 100 172 0,2 0110 0,1 0,1 30 52 18 412 * A 100 1) 2 0,2 O 0,l o 70 o 530 52 18 413 * A 100 112 0,2 2,0 0,1 0,05 30 52 18 414 A 100 O 09 O 2 1,0 O > 1 O,1 30 52 18 415 A 100 178 0, 3 O 05 O 1 O,02 80 10 10 416 C 100 1)4 O,2 O 07,01 O,05 100 417 D 100 1 ? O O 2 O 10 O 1 O 05 70 30 418 * A 100 1,2 O 03 0,07 O 0105 30 52 18 419 * A 100 1,2 O 3 0)07 O 5 O 05 30 52 18 420 * A 100 2 > 0 0,8 0,07 O > 1 110 l 30 52 18 421 * A 100 172 072 O > 070,1 110 30 52 18 422 * A 100 172 074 O 070,1 O 423 * A 100 1 O O,2 O 071 O 424 * E 100 1 3 0 2 01 0,1 0,05 30 52 18 Fp K, (n T A B L E A U T A B L E A U 11 * hors du domaine de ll'invention ECHAN TEMPERATURE CONSTANTE PERTE DIE tg 6 LS DE LAP DIAMETRE TILLON DES CUISSON DIELECTRI LECTQ C/CZ 5 (%) O DE DE No QUE LCCTPIQT PLICATI Or 4 v E DES 2 fn w/mm à 1 k Fz GRAINS ( C) tg 6 -55 OC 1250 C AC/C I max (i M) 401 * 1350 5070 2 t 2 -39, 6 -26, 1 41 > 2 5,0 O > 8 402 1250 4100 0 6 -12; 9 -12 1 13,2 2,7 O 7 403 1220 3550 O 5 7,11 1,2 7 1 2, 2 07 404 * 1230 2710 0,5 -1, 0 671 6,5 2, 4 0, 7 405 1250 3890 0,7 5,5 12,2 13, 5 2, 7 o 7 406 1250 3770 O 8 3,72 4,1 5 j 9 2, 4 O 09 407 * 1230 4900 172 -31, 5 -20,1 31, 5 3, O 1,2 408 * 1210 4290 2, 3 -11, 1 -42 y 3 42,3 5,5 1,4 * 409 1250 4200 1,1 6,1 9,9 13 > 3 2,8 O 07 410 1230 3710 0, 6 1,7 412 6,7 2 3 0,7 411 1250 3660 017 4,2 8,9 9,3 2 > 6 0,Y 7 412 * 1300 3890 171 3,9 1111 11 > 1 4,5 017 413 * 1200 2620 0,5 -1,0 4,5 475 2,2 0,7 414 1240 3900 019 7,2 8 ? 0 10, 0 2 9 0,7 415 1220 3640 0,6 3,2 7,6 8 1 2,2 0,7 416 1220 3590 0,7 1,0 52 818 2, 5 0,7 417 1250 3750 018 19 4,0 513 2, 6 017 418 * 1290 4310 O 9 -25,4 -21 O O 27,7 2,8 0,8 419 * 1240 3050 2,6 6 4 978 13 J 8 4,6 07 420 * 1220 2820 O 5 8,77 9) 2 9,9 1, 8 0, 7 421 * 1220 3520 015 8,7 -22,9 22,9 2,1 0,7 422 * 1300 3920 1, 3 -12,5 -10,8 14 > 3 4 1 077 423 * 1340 4350 1, 3 4,1 4) 5 5,3 4 > 8 O ? 9 424 * 1250 2700 014 29 811 8,5 2/ 5 O 9 ( 31 12 * hors du domaine de l'invention ECHAN Ba Ti O:, Nb 205 Co 20: Mn O 2 Nd 2 03 Mn O 2 TILLON Na SORTE PARTIES PARTIE PARTIE EN PARTIE EN PARTIE ïN PARTIE EN EN EN POIDS ? OIDS Pn IDS POIDS POIDS POIDS 501 * A 100 0,5 O > 2 01 0,03 0 07 502 A 100 1 2 0,73 O O 1 0705 o 007 503 A 100 20 078 0,05 0, 03 O,05 504 * A 100 2,5 Ot 6 O O 1 O > 2 O, 1 505 A 100 1 > 3 072 071 O 005 O 1 506 B 100 174 073 01 l 0, 25 O O 1 507 * A 100 1,5 O O > 1 0,05 O 1 508 * A 100 1 5 1,0 0,1 0,05 0 > 1 509 A 100 O, 6 0, 1 O > 3 0,3 O o, 2 510 A 100 1,3 O > 3 0, 1 0, 1 0,2 511 A 100 1,2 0 2 0, 1 y 0,1 0, 1 512 * A 100 1,2 07,2 O 1 o, 05 O 513 * A 100 1,2 0,2 071 0,05 2,0 514 A 100 0,9 0,2 O, 1 0,1 1 > O 515 A 100 1)8 O 3 O O 1 0702 0,05 516 C 100 1 4 O 2 0, 1 O 05 O,07 517 D 100 170 O > 2 O 1 O 005 0,10 518 * A 100 1 2 073 O O 05 0,07 519 * A 100 1 2 0, 3 O 5 0,05 0,07 520 * A 100 2 O O 8 0,1 1, O O 707 521 * A 100 1,2 0,2 O 1 1)0 0,07 522 * A 100 1,2 O 4 071 O 0,07 523 * A 100 170 0, 2 0, 1 O O 524 * 100 1 3 O 2 O l 1 0) 05 01 l w K, (n T A B L E A U TB U 13 * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CONSTANTE PERTE DIE tg È LORS DE L'AP DIAME- TILLON DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE C/2 C (%) PLICATION DE TRE DES No QUE 200 V/mm à 1 k Hz GRAINS ( C) e tg c -55 C + 125 C OI A C/C 2 I mx (mm) 501 * 1350 5090 2 1 -4015 -25, 3 43} 0 5,2 0,8 502 1250 4120 O y 8 -13,2 -11,2 13,5 2,8 0,7 503 1220 3500 O 4 675 076 6, 5 2,1 0 7 504 * 1230 2650 015 172 6,8 7, 1 2,3 0,7 505 1250 3950 O 6 4, 7 9,8 12 > 5 2, 7 0, 7 506 1250 3710 0,7 2 1 373 6 7 2 5 0,9 507 * 1230 4950 172 -29,1 -1879 29, 1 3,0 11 508 * 1220 4410 2, 5 -20,2 -41 1 43, 5 5,4 1,5 509 1250 4100 1,0 5 > 5 6 > 0 12 > 0 2,9 O 7 510 1230 3800 0 '7 O 5 572 5 6 275 O 07 511 1250 3720 076 3,2 7,5 9, 1 2, 5 0, 7 512 * 1300 3840 1 O 513 10,2 1012 4, 1 O 7 513 * 1200 2700 O > 4 013 3,2 411 2,0 O 7 514 1230 3850 0 > 9 4,2 4,0 5, 0 2,8 O 07 515 1230 3570 0)4 5,0 11; O 11,0 2, 1 0)7 516 1210 3840 0,9 3,7 873 1015 2,7 017 517 1250 3700 0,8 2,3 2,3 510 275 07 518 * 1290 4640 1 O -26 9 -14 2 26, 9 3, O O 7 519 * 1240 3120 277 7,9 -1010 12, 3 4,8 0,7 520 * 1210 2980 O > 4 9,8 6,2 072 1,9 O; 7 521 * 1210 3580 0,75 -13, 9 -18, 3 19 6 271 0) 7 522 * 1300 3920 173 -12 5 -10,3 11 i 3 4,6 O > 7 523 * 1340 4350 1 3 44 4,5 53 4,8 O o,9 524 * 1250 2780 O 5 3,5 8,9 10, 2 2,5 O 9 K, "l 0 % 0 % T A B L E A U T A B L E A U 14 * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CAPACITE CONSTANTE PERTE DIE PRODUIT RC A C/C 25 (%) TILLON DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE TVT ( L) No N (n F) UE ( F) ORS DE L'APPLICA- (C),6 -55 C 15 max 250 C 1250 C TION D'UNE TENSION ( C) e tq 6 -55 OC 125 C max 25 "C 125 C C DE 16 V. 1250 181 4100 212 8 t 6 -9 7 9,7 20000 1200 27 19 * 1340 223 5050 47 O -3 /1 -20, 5 20 /5 7900 100 51 K, ( O O= O 1 TA B L E A U 15 * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CAPACITE CONSTANTE PERTE DIE-PRODUIT RC AC/C 25 (%) TILLONI DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE TVT-(%) No (n) QUE (M Q F) Lo Rs DE L'APPLICA- TION D'UNE TENSION ( C) E tg -55 OC + 125 C max 250 C 125 OC C C DE 16 V. 1260 185 4200 2 3 9,8 -10,3 10,3 18500 1130 29 119 * 1340 223 5050 4 0 -3,1 -20 > 3 20,5 7900 100 51 Oh l 9 "I al * bos du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CAPACITE CONSTANTE PERTE DIE PRODUIT RC A C/C 25 (%) TILLON DIELEC LECTRILUE TVT (MQ *)LORS DE L'APPLICA-) NaDE CUISSON (n F,) TRIQUE (M TIy r) LORS DE L'APPLICA- Ti ON D'Ifi E TENSION (OC) e tg 6 - 55 C 125 OC max 25 C 1250 C c c DF, l Ti v I. 205 1240 177 4010 2 2 6 > 9 -11 2 11 l 2 20000 1010 24 223 * 1340 223 5050 4,0 -3 1 -20 5 20; 5 7900 100 51 -4 K, (n T A B L E A U T A B L E A U * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CAPACITE CONSTANTE PERTE DIE PRODUIT RC A C/C 25 (%) TILLON DE CUISSON DIELEC LECTRIQUE TVT (%) MQ LORS DE L'APPLICA- No ( 0) TRIQUE v ' FTION D'UNE TENSION No ( C) 6 tg 6 -55 C + 125 C max 25 C 125 C c c DE 16 W: 305 1240 176 3990 2 1 7 1 -10,0 10, 1 19500 1050 25 323 * 1340 223 5050 4,0 -3,1 -20,5 20, 5 7900 100 51 OO K, (n T A B L E A U 18 * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CAPACITE CONSTANTE, PERTE DIE PRODUIT RC A C/C 25 (%) TILLON DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE TVT (MQ * ORS DE LAPPLICA- IN O (n F) QUE (MO ' /F) LORS DE L'APPLICA- r ION D'UNE TENSION (OC) E tg 6 -55 C 125 C max 250 C 125 C - c DE 16 V. 405 1250 178 4030 210 7 > 5 -10,2 10,2 20000 1020 23 423 * 1340 223 5050 4,0 -3, 1 -20,5 20,5 7900 100 51 K, (n T A B L E A U 19 * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CAPACITE CONSTANTE PERTE DIE PRODUIT RC AC/C 25 (%) TILLON DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE TVT (%) (MQ ORS DE L'APPLICA- No (ni) QUE (M À) LORS DE L'APPLICA- r ION D'UNE TENSION No (OC) e tg ô -55 C + 125 C max 25 C 125 C CION D'UNE 16 V TENSION 505 1250 181 4100 2 2 9,0 9 8 9 8 18900 1170 25 523 * 1340 223 5050 4 O -3,1 -20,5 20,5 7900 100 51 OU on K, (n 51 2678605 REVENDICATIONS 1 Composition de céramique diélectrique comprenant 100 parties en poids de Ba Ti O 3 contenant comme impuretés moins de 0,03 % en poids d'oxydes de métaux alcalins, 0,6-2,0 parties en poids de Nb 205, 0, 1-0,8 partie en poids de Co 203, 0,05-0,3 partie en poids de Mn O 2 et 0, 02-0,4 partie en poids d'au moins un oxyde des terres rares choisi dans le groupe constitué de La 203, Ce O 2, Nd 203, Pr 6011, Dy 203 et Sm 203. 2 Composition de céramique diélectrique selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit oxyde de l'élément des terres rares est Nd 203. 3 Composition de céramique diélectrique comprenant 100 parties en poids de Ba Ti O 3 contenant comme impuretés moins de 0,03 % en poids d'oxydes de métaux alcalins, 0,6-2,0 parties en poids de Nb 205, 0,1-0,8 partie en poids de Co 203, 0,05-0,3 partie en poids de Mn 02 0,02-0,5 partie en poids d'au moins un oxyde des terres rares choisi dans le groupe constitué de La 203, Ce O 2, Nd 203, Pr 6011, Dy 203 et Sm 203, et 0,5-1,0 partie en poids d'oxyde de verre contenant Ba O-B 203-Li 20-Si O 2. 4 Composition de céramique diélectrique selon la revendication 3, dans laquelle ledit oxyde de l'élément des terres rares est Nd 203. 5 Composition de céramique diélectrique comprenant 100 parties en poids de Ba Ti O 3 contenant comme impuretés moins de 0,03 % en poids d'oxydes de métaux alcalins, 0,6-2,0 parties en poids de Nb 205, 0,1-0,8 partie en poids de Co 203, 0,05-0,3 partie en poids de Mn O 2 0,05-1,0 partie en poids de Si O 2 et 52 2678605 0,02-0,3 partie en poids d'au moins un oxyde des terres rares choisi dans le groupe constitué de La 203, Nd 203, Pr 6011, Dy 203 et Sm 203. 6 Composition de céramique diélectrique selon la revendication 5, dans laquelle ledit oxyde de l'élément des terres rares est Nd 203.