FR 2685300 A1 19930625 FR 9215232 A 19921217 L'invention concerne des dispositifs et des procédés de stockage de tranches en silicium pour la manuten- tion et l'expédition de tranches de semiconducteurs pendant qu'elles sont traitées pour former des puces à circuits5 intégrés. Avec l'application de plus en plus de circuits dans des espaces de plus en plus petits sur des puces à circuits, la nécessité de propreté et la minimisation du risque de collecte de particules deviennent de plus en plus10 importantes Précédemment, on utilisait des conteneurs destinés à renfermer des tranches de semiconducteurs pour l'expédition et le stockage Le traitement des tranches de semiconducteurs exige habituellement l'utilisation de porte- tranches, et on a utilisé des conteneurs destinés à renfermer un portetranches chargé de tranches de semiconducteurs de manière que, lorsque le stockage est achevé, on puisse retirer les tranches du conteneur en soulevant simplement le porte-tranches du conteneur, le porte-tranches et les tranches étant alors prêts à un traitement immédiat.20 Cependant, dans le passé, il était souvent nécessaire de nettoyer de nouveau les tranches en tant que première étape de la poursuite du traitement afin d'éliminer les particules et les matières organiques ayant pu s'accumu- ler pendant le stockage. Un objet de l'invention est de procurer un conteneur et un procédé perfectionnés pour expédier et stocker des tranches de semiconducteurs et des substrats utilisés dans la production de puces à circuits. Une particularité de l'invention réside dans un conteneur fermé ayant des parties séparables pour le char- gement de tranches dans le conteneur et l'accès à des tranches situées dans le conteneur, et dans lequel les parties séparables sont fermées hermétiquement et de façon amovible l'une par rapport à l'autre, le conteneur présentant un orifice à gaz et une valve afin de permettre à la pression gazeuse d'être abaissée dans le conteneur pour que ce dernier tende à rester fermé et de permettre de maîtriser l'atmos- phère dans le conteneur Dans la plupart des cas, le vide partiel est le seul moyen par lequel le conteneur est5 maintenu dans un état fermé Les parties séparables peuvent être un fond de boîte et un dessus de boîte, un couvercle articulé ou amovible, une trappe articulée ou amovible ou d'autres agencements De plus, les surfaces du conteneur peuvent être revêtues de diamant afin de rendre le conteneur chimiquement inerte et d'augmenter le pouvoir lubrifiant et d'éviter l'entrée de particules détachées dans les tranches portées. Une autre particularité de l'invention réside dans un conteneur destiné à stocker et expédier des tranches de semiconducteurs sous une pression inférieure à celle de l'atmosphère, conteneur qui est d'une construction globale- ment solide ou rigide afin de protéger les tranches et qui comprend une membrane flexible ou partie à vessie placée à proximité immédiate des bords d'un certain nombre de tranches à l'intérieur du conteneur afin d'être tirée par flexion vers l'intérieur sous l'effet de la pression inférieure à celle de l'atmosphère et contre les tranches pour maintenir et retenir les tranches immobiles à l'intérieur du conteneur. Une autre particularité encore de l'invention réside dans un procédé destiné à enfermer des tranches de semiconducteurs pour le stockage et l'expédition, dans lequel les tranches sont placées dans un conteneur formé de plu- sieurs parties, qui est particulièrement conçu pour maintenir de telles tranches Le conteneur est fermé hermétiquement, puis au moins partiellement vidé d'air, afin que les parties du conteneur soient amenées dans une relation d'étanchéité, empêchant ainsi tout accès notable de particules aux tranches stockées On peut changer l'atmosphère à l'intérieur du conteneur en la faisant passer de l'air à un gaz partiel- lement inerte qui peut également être à une pression réduite par rapport à la pression ambiante. Une autre particularité réside dans le procédé consistant à utiliser une partie à membrane flexible dans la paroi du conteneur contig e aux bords des tranches, puis à5 tirer un vide partiel dans le conteneur pour amener la membrane à fléchir et à être tirée vers l'intérieur contre les bords des tranches afin de minimiser tout risque de déplacement des tranches à l'intérieur du conteneur. Lorsque l'on se réfère ici à des tranches, le mot signifie aussi des tranches de semiconducteurs en silicium, en arséniure de gallium et d'autres matières semi- conductrices, des photomasques et d'autres substrats utilisés dans la fabrication de puces à circuits. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: la figure 1 est une vue en élévation latérale d'un conteneur d'expédition destiné à contenir un porte- tranches chargé complètement de tranches de semiconducteurs pour le stockage ou l'expédition; la figure 2 est une vue en bout du conteneur de la figure 1; la figure 3 est une vue en coupe partielle d'un détail suivant approximativement la ligne 3-3 de la fi- gure 2; la figure 4 est une vue en coupe partielle d'un détail suivant approximativement la ligne 4-4 de la figure 3; la figure 5 est une vue en coupe partielle à échelle agrandie d'un détail illustrant la tige d'écoulement de gaz et la valve et un adaptateur sur un dessus de table ou un élément de machine pour, alternativement, tirer un vide ou relâcher le vide dans le conteneur; la figure 6 est une vue en coupe partielle à échelle agrandie d'un détail suivant approximativement la ligne 6-6 de la figure 2 et illustrant la relation d'étan- chéité entre le couvercle et le fond du conteneur; la figure 6 a est une vue en coupe partielle à échelle agrandie d'un détail d'une partie du conteneur illustré sur les figures 1 à 6; la figure 7 est une vue en coupe d'un détail d'une variante du conteneur destiné à renfermer un porte- tranches et des tranches de semiconducteurs; la figure 8 est une vue en coupe partielle à échelle agrandie d'un détail montrant le joint d'étanchéité entre le couvercle et le fond du conteneur; la figure 9 est une vue de côté avec arrachement partiel d'une autre forme de conteneur d'expédition destiné à stocker des tranches de semiconducteurs conformément à la présente invention; la figure 10 est une vue en perspective d'une autre forme de conteneur destiné à stocker des tranches de semiconducteurs; la figure 11 est une vue en perspective éclatée du conteneur illustré sur la figure 9 et montrant le couver- cle retiré de la partie de base du conteneur; la figure 12 est une vue en élévation d'une boîte compatible avec une automatisation, dans laquelle un porte- tranches peut être stocké; la figure 13 est une vue en coupe à échelle agrandie d'un détail suivant approximativement la ligne 12-12 de la figure 12; la figure 14 est une élévation partielle et schématique d'un appareil de traitement de tranches et d'une enceinte à environnement maîtrisé recevant la boîte com- patible avec une automatisation pour l'alimentation en tranches du matériel de traitement; et la figure 15 est une élévation partielle d'une autre forme de matériel de traitement à enceinte à environ- nement maîtrisée destinée à être utilisée avec une telle boîte compatible avec une automatisation. La figure 1 illustre un conteneur, indiqué globalement par la référence numérique 10, qui est conçu spécialement pour le stockage de tranches de silicium dans un 5 porte-tranches, et on notera que le conteneur 10 est un conteneur en plusieurs parties ayant un fond de boîte 11 et un dessus ou couvercle de boîte 12 reliés entre eux par une structure de charnière 13 Le couvercle 12 et le fond 11 sont fermés hermétiquement l'un contre l'autre suivant des parties de bords joints 12 1, 11 1, sensiblement comme illustré sur la figure 6, de manière que l'intérieur de la boîte soit entièrement isolé de façon hermétique des conditions am- biantes régnant à l'extérieur du conteneur. Il peut être nécessaire, dans certaines con- ditions, d'utiliser une garniture "G" illustrée en traits tiretés sur la figure 6 dans le joint entre le fond et le couvercle de la boîte afin d'obtenir un joint hermétique entre les deux parties de la boîte Une telle garniture est formée d'une matière pouvant être comprimée et peut O Les parties principales du conteneur 10, c'est-à- dire le fond de la boîte et le couvercle 12, sont avantageu- sement formées d'une matière plastique pouvant être moulée, telle qu'un polyéthylène ou un polypropylène à haute densité ou une matière plastique similaire qui résiste aux détériora- tions par rupture et qui résiste à l'abrasion Les surfaces intérieures 14, 15 du fond et du couvercle de boîtier peuvent être revêtues d'un métal ou peuvent être revêtues de diamant pour empêcher le passage de gaz à travers les parois du fond ou du couvercle Par conséquent, la boîte ou le conteneur 10, lorsqu'il est fermé, est fermé de façon sensiblement herméti- que dans sa totalité. Le conteneur 10 comporte, dans l'une de ses parois, telle que la paroi inférieure 16 du fond 11 de la boîte, une tige 20 de raccordement rapide insérée de façon étanche et portée dans cette paroi, et comprenant une valve 18, pour maîtriser l'atmosphère régnant à l'intérieur 19 du conteneur La partie 16 1 de la paroi dans laquelle la tige est montée est avantageusement déportée de façon que la tige5 20 et la valve 18 soient protégées de toute détérioration physique possible La tige 20 de raccordement rapide et la valve 18 sont conçues pour recevoir télescopiquement l'extré- mité à raccord d'une conduite d'alimentation en gaz ou d'une conduite de vide 19, qui peut être montée dans un dessus de10 table ou une partie de plate-forme 21 d'un élément de matériel sur lequel le conteneur 10 peut être placé afin qu'une source de vide et de gaz d'une valve 22 puisse être raccordée à la tige 20 et la valve 18 pour changer l'atmos- phère à l'intérieur du conteneur 10 La source 22 de vide/gaz15 aspire un vide ou réduit la pression gazeuse dans l'intérieur 19 du conteneur En variante, une partie du gaz se trouvant à l'intérieur 19 du conteneur peut être éliminée puis remplacée par un gaz inerte, tel que de l'azote, ou remplacée par de l'air filtré duquel les particules en suspension ont été éliminées. La figure 3 montre que le conteneur 10 est conçu spécialement pour contenir et stocker des tranches de semiconducteurs qui sont représentées en traits tiretés indiqués par la lettre W sur la figure 3. Les tranches W sont portées, à l'intérieur du conteneur 10, dans un porte-tranches qui est indiqué de façon générale par la référence numérique 23 Un tel porte-tranches est couramment connu de l'homme de l'art et est du type général décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique No 4 817 795 et dans de nombreux autres brevets Ce porte- tranches 23 comporte de nombreuses nervures et de nombreux espaces entre les nervures dans les parois latérales du porte-tranches pour maintenir les tranches W dans une disposition espacée et en vis-à-vis les unes par rapport aux autres, et un tel porte-tranches 23 comporte aussi une extrémité 24 à barres en H qui est en particulier logée par la paroi arrière 25 du couvercle 12 du fait de la présence du déport 25 1 Le porte-tranches 23 peut être porté, à l'inté- rieur du conteneur 10, dans une position inclinée de manière5 que toutes les tranches soient inclinées pour reposer contre les nervures de support à l'intérieur du porte-tranches 23. La paroi supérieure 26 du couvercle 12 peut comprendre une partie de panneau 27 qui est d'épaisseur réduite en comparaison avec la partie principale de cette10 paroi supérieure 26 du couvercle La minceur du panneau 27 permet à celui-ci d'agir à la manière d'une membrane flexible qui fléchit dans des conditions de dépression à l'intérieur 19 du conteneur afin que le panneau ou la membrane flexible 27 soit aspiré jusqu'à porter contre les bords adjacents des tranches W et qu'il maintienne ainsi les tranches immobiles dans le porte-tranches 23 et minimise ainsi la possibilité d'un bris des tranches et la génération de particules qui pourraient autrement se produire si les tranches pouvaient se déplacer librement dans le porte-tranches Alors que les parties des parois du couvercle 12 peuvent avoir des épais- seurs comprises entre 1,270, et 1,905 mm et d'autres épais- seurs pour s'adapter aux bords, charnières et emplacement de renfort, le panneau 27 a une épaisseur beaucoup plus faible que celle de la paroi supérieure, et il peut avoir une épaisseur comprise entre 0,254 et 1, 016 mm suivant la matière utilisée D'autres épaisseurs peuvent évidemment être utilisées dans le panneau ou la membrane 27 pourvu que le panneau fléchisse sous l'effet de la différence entre la pression régnant à l'intérieur du conteneur et les conditions atmosphériques régnant à l'extérieur. La figure 6 a illustre un détail important du conteneur 10 dont au moins les surfaces intérieures des parois sont revêtues de diamant La figure 6 a illustre la paroi supérieure 26 dont la surface intérieure 26 1 est recouverte d'un revêtement ou d'une gaine 28 de matière analogue à du diamant, et il est bien entendu que toutes les surfaces intérieures de toutes les parois des conteneurs sont revêtues de diamant Bien que le revêtement 28 de diamant soit seulement illustré sur le conteneur 10 des figures 1 à5 6 et 6 a, les surfaces de toutes les formes de conteneur illustrées dans ce mémoire peuvent être revêtues de diamant. Comme illustré, le revêtement 28 de diamant recouvre le panneau flexible 27 ainsi que la paroi supérieure 26 et les autres parties de paroi du conteneur. Similairement, la surface extérieure 26 2 de la paroi supérieure peut également être recouverte, optionnel- lement, d'un revêtement ou d'une gaine 29 de diamant qui est représenté en traits tiretés pour suggérer la nature plus facultative de ce revêtement 29 de diamant.15 La matière du revêtement 28 analogue à du diamant peut être décrite autrement comme étant du diamant, du diamant polycristallin, du carbone sous forme de diamant, du diamant amorphe, du carbone sous forme de diamant hydrogéné, du diamant monocristallin hétéro-épitaxial Dans ce revête- ment analogue à du diamant, la majorité des atomes de carbone établit des liaisons du type diamant, ce qui donne un revêtement dur, chimiquement résistant presque parfait qui présente un faible coefficient de frottement et qui est pratiquement imperméable aux réactifs liquides et gazeux et d'autres produits gazeux, y compris l'air Le revêtement 28 est appliqué par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), bien que les procédés d'application du revêtement puissent varier légèrement Une technique pour déposer le revêtement de diamant utilise un faiscau ionique La source d'ions, d'un diamètre d'avantageusement environ 30 cm, avec ses grilles d'extraction masquées à 10 cm de diamètre, est utilisée pour déposer directement le film de carbone sous forme de diamant. La source d'ions utilise de l'argon gazeux dans la cathode creuse placée dans la chambre de décharge principale, ainsi que dans le neutraliseur Après qu'une décharge a été établie entre la cathode et l'anode, du méthane (CH 4) est introduit au moyen d'un distributeur dans la chambre de décharge Pour ce dépôt, le rapport molaire du méthane à l'argon était de 0,28 Le rapport s'est avéré être idéal pour générer des films conformément à un jeu de conditions Dans ces proces- sus, l'énergie totale du faisceau ionique est égale à la somme de la tension de décharge et de la tension d'écran, et elle est d'environ 16 a J Des densités typiques de courant dans ces conditions sont de 1 m A/cm 2 à une distance de 2,5 cm axialement en aval des grilles Des films sont déposés dans ces conditions et accumulés comme nécessaire. D'autres procédés de dépôt peuvent être utilisés et sont disponibles et certains d'entre eux sont décrits plus en détail dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique Ne 734 794, déposée le 23 juillet 1991. Une autre forme de conteneur est illustrée sur les figures 7 et 8 et le conteneur est indiqué globalement par la référence numérique 30 et il comporte une partie 31 de fond de boîte et une partie supérieure ou partie de couvercle 32, qui sont jointes suivant un joint 33 Le joint 33 s'étend sur toute la périphérie de la boîte et il comporte une lèvre 31.1 du fond de boîte dans une disposition télescopique et de chevauchement par rapport à une lèvre 32 1 de la partie supérieure ou couvercle 32 Une longueur de ruban d'étan- chéité 34 recouvre le joint 33 et s'étend sur toute la périphérie du conteneur 30 pour fermer hermétiquement et de façon sûre le dessus du couvercle 32 sur le fond 31 de boîte. Comme indiqué précédemment, le conteneur 30 renferme un porte-tranches 35 chargé de tranches W de semiconducteurs et du fait de la forme de la boîte et de languettes 36 de positionnement dans le fond de la boîte, qui portent contre les pieds 37 du porte-tranches, ce dernier est convenablement positionné dans le conteneur La paroi inférieure 38 du fond 31 de boîte comporte une tige et une valve 29 montées dans cette paroi et identiques à la tige et à la valve 17, 18 illustrées sur la figure 5, de manière que l'atmosphère à l'intérieur 40 du conteneur 30 puisse être changée par une baisse de la pression gazeuse dans le conteneur ou par remplacement de l'air par un gaz inerte, tel que de l'azote, de l'air filtré pouvant être, le cas échéant, introduit dans le conteneur lorsque ce dernier doit être réouvert après qu'il a été fermé hermétiquement. Une autre forme de conteneur est illustrée sur la figure 9 et est indiquée de façon générale par la référence numérique 41 Dans ce cas, le conteneur est conçu de façon unique pour contenir des tranches W de semiconducteurs à l'aide de nervures d'espacement 42, 43 qui sont formées directement dans la partie de couvercle 44 et dans le fond de boîte 45 Dans ce cas particulier, le conteneur 41 stocke les tranches de semiconducteurs sans utilisation de porte- tranches La paroi extrême 46 du couvercle ou de la partie de dessus 44 comporte une tige et une valve 47 de raccordement pour l'alimentation en gaz, analogue à la tige et à la valve 18 de la figure 5, pour introduire un gaz dans la chambre intérieure 48 du conteneur et en éliminer le gaz Comme précédemment, le joint 49 entre le couvercle 44 et le fond de boîte 45 assurent une liaison hermétique pouvant être resserrée étroitement en contact d'étanchéité lorsqu'une pression gazeuse réduite existe à l'intérieur 48 du con- teneur. Sur la figure 9, le couvercle supérieur 44 du conteneur comporte aussi une partie de paroi mince 44 1 définissant une membrane flexible à proximité immédiate des bords des tranches de semiconducteurs afin de porter contre les bords des tranches gazeuses lorsqu'une pression réduite à l'intérieur du conteneur amène la membrane flexible à être tirée vers 1 ' intérieur contre les tranches pour maintenir les tranches dans un état immobile à l'intérieur du conteneur. Dans la forme illustrée sur la figure 10, un autre conteneur, indiqué globalement par la référence il numérique 50, facilite le transport d'un certain nombre de tranches W de semiconducteurs à l'intérieur de ce conteneur. Le conteneur 50 comporte un couvercle supérieur 51 et un fond de boite 52 qui s'insèrent dans le couvercle 51 Le fond de5 boîte 52 comporte des piliers montants 53 qui sont rainurés de façon à définir des nervures et des gorges dans lesquelles les tranches de semiconducteurs sont placées et maintenues espacées face à face La partie inférieure du couvercle 51 et la partie de base 54 du fond de boîte s'engagent mutuellement10 de façon hermétique et peuvent utiliser une garniture si cela est nécessaire afin d'isoler hermétiquement l'intérieur du conteneur des conditions régnant à l'extérieur de celui-ci. Une tige 55 d'alimentation en gaz et d'évacuation est prévue dans la paroi supérieure 56 du couvercle pour être raccordée à une source de vide ou d'une autre matière gazeuse afin de réduire la pression gazeuse à l'intérieur du conteneur ou d'y introduire un gaz de remplacement tel qu'un gaz inerte comme l'azote. Les figures 12 à 15 représentent une boîte compatible avec une automatisation, pouvant être utilisée avec un matériel de traitement pour porter des tranches de semiconducteurs jusque dans le matériel de traitement La boîte apte à l'automatisation est indiquée de façon générale par la référence numérique 57 et elle comporte un couvercle ou une partie supérieure 58 et une partie de base ou de fond 59 qui s'ajustent entre elles et se ferment hermétiquement entre elles La base 59 est configurée comme indiqué en 60 de façon à positionner un porte-tranches 61 sur la partie de base afin que, lorsque cette partie de base est portée sur un élévateur 62 d'une machine de traitement, elle soit séparée du couvercle 58 et fasse descendre le porte-tranches 61 tandis que le couvercle 58 reste supporté sur une table ou une étagère 63 alors que la base et le porte-tranches sont descendus dans la machine de traitement Les tranches W de semiconducteurs dans le porte-tranches 61 sont abaissées avec la base et le porte-tranches pour être traitées. Une tige 64 de raccordement rapide pour l'alimen- tation en gaz est montée dans la paroi de la base 59 et est conçue pour être raccordée à un tube 65 d'alimentation monté sur la base élévatrice 62 afin d'être reliée à une source convenable d'air ou de gaz inerte qui peut être filtrée et sensiblement débarrassée de particules pour éliminer la pression gazeuse réduite à l'intérieur de la chambre 66 du conteneur 57. La figure 15 illustre schématiquement la machine avec laquelle on peut utiliser la boîte 57 compatible avec une automatisation La machine de traitement 67 est renfermée à l'intérieur d'une enceinte 68 dont l'étagère ou la table 63 de support fait partie La machine de traitement peut comprendre un filtre 69 à air/gaz afin de réduire le nombre de particules dans l'atmosphère dans les chambres intérieures des enceintes 68 Le tube 65 est raccordé à un mécanisme 71 de valves à air/gaz qui régule le débit d'écoulement de gaz dans la tige 64 et dans la chambre intérieure 66 de la boîte 57 compatible avec une automatisation La base éléva- trice 62 peut être abaissée après que la pression négative à l'intérieur de la boîte compatible avec une automatisation a été éliminée afin que les tranches W se trouvant dans le porte-tranches 61 puissent être descendues pour être manipu- lées par une fourchette 72 de robot et introduites dans la machine 67 de traitement pour la poursuite du traitement. Dans la forme illustrée sur la figure 14, la boîte entière 57 apte compatible avec une automatisation pénètre à l'intérieur 73 de l'enceinte 74, et un orifice d'accès est fermé par un couvercle 75 après que la boîte compatible avec une automatisation a été reçue dans l'en- ceinte Comme précédemment, la machine 76 de traitement peut comprendre un filtre 77 à air/gaz et, dans cet agencement, la boîte entière compatible avec l'automatisation est soumise à l'atmosphère réglée à l'intérieur 73 de l'enceinte Comme précédemment, une valve et une source 78 d'air/gaz sont raccordées à la tige 64 de la boîte compatible avec une auto- matisation pour éliminer la pression négative qui y règne ou établir l'atmosphère dans la boîte, comme souhaité. On voit que la présente invention procure un conteneur ayant des parties distinctes qui peuvent être séparées pour l'insertion et l'enlèvement de tranches de semiconducteurs, et une valve pour un orifice à gaz dans l'une des parties du conteneur afin de faciliter l'élimina-10 tion et l'addition partielles d'une atmosphère gazeuse dans les parties intérieures du conteneur. L'invention comprend aussi un procédé de stockage de tranches de semiconducteurs qui consiste à enfermer les tranches dans un conteneur fermé, formées de plusieurs parties, et à retenir les tranches dans une disposition espacée et face à face, à fermer hermétiquement le conteneur pour isoler l'atmosphère dans le conteneur des conditions ambiantes régnant à l'extérieur du conteneur, puis à modifier l'atmosphère à l'intérieur du conteneur par rapport à ces conditions ambiantes à l'extérieur du conteneur L'atmosphère régnant dans le conteneur est avantageusement soumise à une baisse de pression afin que les parties multiples du con- teneur soient tirées étroitement les unes contre les autres pour maintenir les tranches de semiconducteurs isolées des conditions ambiantes régnant à l'extérieur du conteneur Le procédé consiste aussi à prévoir une membrane flexible dans l'une des parois du conteneur afin que, lorsqu'une pression inférieure à celle de l'atmosphère est établie à l'intérieur du conteneur, la membrane flexible soit tirée vers l'inté- rieur et porte contre les tranches de semiconducteurs adjacentes de façon à maintenir les tranches immobiles à l'intérieur du conteneur et dans le porte-tranches se trouvant dans le conteneur. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au conteneur et au procédé décrits et représentés sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 Conteneur d'emmagasinage et d'expédition de tranches, caractérisé en ce que ce conteneur ( 10) est réalisé en une matière rigide et comporte des parties intérieures5 ayant des moyens d'espacement ( 23) supportant des tranches individuelles (W) dans une disposition espacée et en vis-à- vis, le conteneur comportant des parties distinctes ( 11, 12) qui peuvent être séparées l'une de l'autre pour permettre d'accéder auxdites parties intérieures, lesdites parties distinctes étant fermées hermétiquement et de façon amovible l'une contre l'autre, et l'une desdites parties distinctes présentant un orifice à gaz, pourvu d'une valve ( 18), qui facilite l'élimination et l'apport de portions d'une atmos- phère gazeuse dans les parties intérieures. 2 Conteneur selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il renferme un gaz sous une pression in- férieure à celle de l'atmosphère maintenant le conteneur dans un état fermé. 3 Conteneur selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il renferme un gaz sensiblement exempt de particules en suspension et de matières organiques. 4 Conteneur selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il renferme un gaz sensiblement inerte. Conteneur selon la revendication 4, carac- térisé en ce que le gaz inerte est à une pression inférieure à celle de l'atmosphère. 6 Conteneur selon la revendication 4, carac- térisé en ce que le gaz comprend une partie choisie parmi les gaz constitués de l'air atmosphérique, de l'azote et de l'argon. 7 Conteneur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que l'une des parties distinctes comprend une membrane flexible ( 27) communiquant avec lesdites parties intérieures pour porter de façon amovible contre des tranches contenues dans ces parties intérieures. 8 Conteneur selon la revendication 7, carac- térisé en ce que les parties intérieures comprennent une rangée allongée de fentes et de nervures pour maintenir un grand nombre de ces tranches dans une disposition espacée et5 en vis-à-vis les unes par rapport aux autres, ladite membrane s'étendant le long de la rangée allongée de fentes et de nervures. 9 Conteneur selon la revendication 7, carac- térisé en ce que la membrane flexible est réalisée d'une seule pièce et intégralement avec ladite partie distincte présentant un orifice. Procédé de stockage de tranches (W) de semi- conducteurs, caractérisé en ce qu'il consiste à enfermer les tranches à l'intérieur d'un conteneur fermé ( 10) formé de plusieurs parties et retenir les tranches dans une disposi- tion espacée et en saillie les unes par rapport aux autres, à fermer hermétiquement le conteneur pour isoler 1 'atmosphère gazeuse dans le conteneur des conditions ambiantes régnant à l'extérieur du conteneur, puis à modifier l'atmosphère à l'intérieur du conteneur par rapport aux conditions ambiantes régnant à l'extérieur du conteneur. 11 Procédé selon la revendication 10, carac- térisé en ce que la modification est obtenue par une baisse de la pression gazeuse à l'intérieur du conteneur, au-dessous des conditions ambiantes, fin de tirer étroitement l'une contre l'autre les parties du conteneur. 12 Procédé selon la revendication 10, carac- térisé en ce que la modification est obtenue par remplacement d'au moins une partie de l'atmosphère gazeuse par un gaz différent. 13 Procédé selon la revendicaton 12, caractérisé en ce que la modification est obtenue par remplacement d'au moins une partie de l'atmosphère gazeuse par un gaz inerte. 14 Procédé selon la revendication 13, carac- térisé en ce que l'atmosphère formée en partie d'un gaz inerte est établie à une pression gazeuse qui est inférieure à la pression atmosphérique ambiante. Procédé selon la revendication 11, carac- térisé en ce qu'une partie de membrane mince et flexible ( 27) de la paroi du conteneur est située à proximité immédiate des bords d'au moins une partie des tranches dans le conteneur, afin d'être tirée vers l'intérieur contre les tranches lorsque la pression gazeuse est abaissée dans le conteneur. 16 Procédé selon la revendication 11, carac- térisé en ce que, lorsque le stockage des tranches est sur le point de s'achever, la pression gazeuse à l'intérieur du conteneur est à nouveau élevée vers les conditions ambiantes. 17 Procédé selon la revendication 16, carac- térisé en ce que l'élévation de la pression gazeuse est obtenue par l'introduction d'un nouveau gaz duquel au moins une partie des particules en suspension a été éliminée. 18 Procédé selon la revendication 16, carac- térisé en ce que, lorsque le stockage des tranches est sur le point de s'achever et avant que la pression gazeuse soit20 élevée, le conteneur entier est enfermé dans une atmosphère formée d'un gaz duquel une partie des particules en suspen- sion a été éliminée. 19 Procédé selon la revendication 18, carac- térisé en ce que l'élévation de la pression gazeuse est obtenue par l'introduction dans le conteneur d'une quantité de gaz de laquelle les particules ont été éliminées. Conteneur selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il comporte des parties de paroi revêtues d'une gaine ( 28) analogue à du diamant.