FR 2675949 A1 19921030 FR 9105107 A 19910425 A MODULATEUR D'ONDES ET DETECTEUR OPTIQUE A PUITS QUANTIQUES L'invention concerne un modulateur d'ondes électromagnétiques à puits quantiques et un détecteur optique à puits quantiques Plus particulièrement applicable à la modulation ou à la détection de plusieurs d'ondes lumineuses. Le domaine technique dans lequel se situe l'invention est celui des modulateurs d'amplitude et de phase conçus à partir d'effets quantiques dans les semiconducteurs Pour obtenir cette modulation, on agit en général sur les indices réels et imaginaire d'un matériau traversé par l'onde à moduler. Cette action peut être obtenue, par exemple, grâce à l'application d'un champ électrique responsable d'un effet électro- optique Dans ce domaine de la modulation, les structures semiconductrices quantiques offrent de nombreuses possibilités, en particulier dans les gammes spectrales associées aux transitions électroniques qui peuvent se produire soit entre niveaux quantiques de bandes différentes, c'est-à-dire entre bande de valence et bande de conduction, soit entre niveaux quantiques de la même bande Dans ce deuxième cas, les transitions alors appelées intrabandes, sont susceptibles de provoquer des zones de dispersion très marquée du fait des résonances qu'elles mettent en jeu Une action extérieure qui permet de modifier les conditions dans lesquelles se produisent ces transitions est alors capable de modifier les parties réelle et imaginaire des indices de réfraction des matériaux mis en jeu, dans la gamme spectrale associée à ces transitions C'est ainsi que l'application d'un champ électrique à un puits quantique semiconducteur, modifie de profil de potentiel de ce puits et conduit à une variation de l'écart énergétique entre les niveaux permis qu'il recèle et offre donc une possibilité de modulation, c'est l'effet Stark tel que décrit dans le document: "Tunable Infrared Modulator and Switch using Stark Shift in Step Quantum Wells" de R P G. KARUNASIRS, Y J MII and K L WANG, IEEE Electron Device Letters, vol 11, N O 5, May 90. Pour que les transitions intrabandes qui sont à l'origine des modifications importantes des propriétés optiques des matériaux, se produisent effectivement, il faut que les niveaux quantiques à partir desquelles elles peuvent avoir lieu soient peuplés (par exemple d'électrons dans la bande de conduction) Ainsi l'action sur ce peuplement permet également de modifier les propriétés optiques des matériaux Pour ce faire, deux options principales sont envisageables La première consiste à peupler bandes de valence et de conduction par un pompage optique qui permet de faire passer les électrons de la première vers la deuxième La seconde utilise des moyens électriques tels que l'injection de porteurs C'est dans cette dernière hypothèse que nous nous plaçons, en cherchant à tirer parti à la fois de cette possibilité d'injection et de l'influence directe des paramètres des puits quantiques sur la localisation spectrale de la dispersion anormale liée aux transitions intrabandes qui se produisent au sein de ces puits. On connaît un tel modulateur dans la demande de brevet français N O 2 637 092. Partant de cette technique connue l'invention a pour but la réalisation de dispositifs optoélectroniques (modulateurs, détecteurs) fonctionnant à plusieurs longueurs d'ondes. L'invention concerne donc un modulateur d'onde électromagnétique, du type comprenant: une structure semiconductrice comportant une première alternance de couches définissant un premier puits quantique, ainsi qu'une deuxième alternance de couches accolée à la première alternance de couches et définissant un deuxième puits quantique couplé au premier puits quantique à travers une couche barrière; des moyens de peuplement d'électrons du premier puits quantique, et des moyens de commande de l'absorption par le deuxième puits quantique d'une onde à moduler; caractérisé en ce que ladite structure semiconductrice comporte une troisième alternance de couches située de l'autre côté de la deuxième alternance de couches par rapport à la première alternance et définissant un troisième puits quantique couplé au premier puits quantique à travers une autre couche barrière, et en ce que lesdits moyens de commande comportent des moyens propres à appliquer sur commande à la structure un champ électrique perpendiculaire au plan des couches. L'invention concerne également un détecteur d'onde électromagnétique appliquant le modulateur caractérisé en ce que les moyens d'applications d'un champ électrique permettent de polariser la structure dans un sens déterminé pour détecter soit une longueur d'onde soit une autre longueur d'onde, et des moyens de détection de photocourant créé par l'illumination à l'une ou l'autre des deux longueurs d'ondes. L'idée nouvelle sur laquelle repose l'invention consiste donc, à partir d'un puits central peuplé de porteurs, à injecter ces porteurs selon le sens de la polarisation, dans l'un ou l'autre de deux puits satellites différents disposés de part et d'autre de ce puits central et au sein desquels se produisent des transitions intrabandes Les deux puits satellites étant différents, on crée une dispersion autour d'une longueur d'onde À 1 ou X 2 selon le signe de la polarisation ayant permis l'injection On peut également diminuer de la même manière, la dispersion à la longueur d'onde À c correspondant à des transitions se produisant au sein du puits peuplé que l'on vide, et cela grâce à la polarisation, au profit de l'un ou l'autre des deux puits satellites. Les différents objets et caractéristiques de l'invention apparaîtront plus clairement dans la description qui va suivre et dans les figures annexées qui représentent: la figure 1, un diagramme de bande d'énergie d'un dispositif selon l'invention; la figure 2, un exemple de réalisation du dispositif de l'invention; les figures 3 et 4, des diagrammes de bande d'énergie illustrant le fonctionnement du dispositif de l'invention la figure 5, un diagramme de bande d'énergie d'un dispositif selon l'invention comprenant plusieurs empilements de couches similaires au dispositif de la figure 2; la figure 6, un exemple de réalisation du dispositif de l'invention fonctionnant avec un faisceau de pompage; la figure 7, un exemple de réalisation détaillé selon l'invention. Les dessins annexés sont destinés à être incorporés à la présente description et pourront non seulement servir à faire mieux comprendre celle-ci mais aussi contribuer à la définition de l'invention le cas échéant en complément à la description. La figure 1 décrit un exemple de configuration quantique qui illustre l'invention et qui est réalisé avec un empilement de couches tels que représenté en figure 2 Le dispositif de la figure 2 comporte sur un substrat S: une couche centrale P encadrée par deux couches barrières Bl et B 2 et constituant un premier puits quantique; de part et d'autre des couches barrières Bl et B 2, on a deux autres couches de puits quantiques Pl et P 2 encadrées par des couches barrières B 3 et B 4 et définissant respectivement un deuxième et un troisième puits quantique. La réalisation de ces différentes couches répond aux critères qui vont être décrits en relation avec la figure 1. Un puits central Pc dopé, constitue un "réservoir de porteurs" Notons que ces porteurs peuvent être des trous ou des électrons selon que le dopage utilisé est de type N ou P, la figure 1 représentant donc un profil d'énergie potentielle Deux barrières Bl et B 2 séparent ce puits central de deux puits satellites Pl et P 2 respectivement, formés également par l'existence des barrières B 3 et B 4 Les barrières Bl et B 2 doivent présenter des paramètres interdisant, en l'absence de polarisation électrique extérieure, le peuplement des puits Pl et P 2 Ces puits doivent être conçus de manière à présenter, par exemple, deux niveaux (NP 1 i et NPI 2 dans le puits Pl et NP 21 et NP 22 dans le puits P 2), les énergies séparant ces deux niveaux étant différentes dans les deux puits (El pour Pl et E 2 pour P 2) Ces énergies dépendent des épaisseurs d 1 et d 2 des puits mais aussi des dimensions db 1 et db 2 et des hauteurs 'e 11 ',Z 2 ' D,3,04 M des différentes barrières de potentiel Sur la figure 1 on a également indiqué un exemple de niveau E E de remplissage du puits central et les niveaux N Pcl' N Pc 2 >P Nc 3 >N Pc 4 > qui peuvent exister au sein de ce puits central Pc Une polarisation (Poll) telle que la montre la figure 3, permet de peupler le puits Pl par transfert des porteurs du puits central Pc vers ce puits Pi, en particulier grâce à l'effet tunnel au travers de la barrière B 1. Cette polarisation est par exemple appliquée par un générateur de tension MC connecté à des électrodes situées de part et d'autre de la structure (figure 2). Une polarisation opposée (Pol 2) telle que celle illustrée par la figure 4, permet de peupler le puits P 2 Sur ces figures 3 et 4 on n'a pas indiqué les niveaux quantiques du puits central, ni précisé l'influence de ces niveaux sur le remplissage des puits Pl et P 2 Dans le premier cas (Poll), on voit apparaître dans le spectre, une dispersion anormale autour de la longueur d'onde X 1 ( i 1 = hc/El) et dans le deuxième cas (Pol 2) cette modification notable des propriétés optiques intervient autour d'une longueur d'onde X 2 ( X 2 = hc/E 2). Avec: h: constante de Plank (h=g,62 1034 J s) c célérité de la lumière dans le vide (c= 3 108 m/s) Donc, en agissant sur le peuplement des puits (Pl et P 2, on commande l'occurrence des transitions dans ces puits, et par conséquent l'absorption de photons d'énergie proche de hl/ t 1 dans le puits Pl (figure 3) ou proche de ho/ X 2 dans le puits P 2 (figure 4). La dispersion anormale qui s'illustre aussi par une variation d'indice de réfraction, peut donc être modulée soit autour de A 1 si c'est la polarisation Poll qu'on module, soit autour de À 2 si c'est Po 12 qu'on module On peut également envisager une modulation telle que l'on puisse passer de Poll à Pol 2 alternativement, en changeant périodiquement le signe de la polarisation obtenue par voie électrique (à l'aide de MC par exemple) Il est important de noter que le caractère résonnant de la dispersion est bien plus marqué dans des puits non dopés peuplés par action externe (par exemple par voie électrique), que dans des puits dopés En particulier, la largeur à mi-hauteur de l'absorption résonante est beaucoup plus faible dans des puits peuplés par action externe que dans des puits dopés C'est ce qui a été observé dans des puits Ga As/Ga Al As o un facteur d'environ 3 a été mesuré entre les deux largeurs, ce qui correspond à une absorption au pic trois fois plus grande dans le cas du peuplement sans dopage, ceci pour une même concentration de porteurs mise en jeu Dans cet exemple les porteurs utilisés étaient les électrons et le dopage de type N. Malgré cela, il peut être intéressant d'utiliser les transitions intrabandes susceptibles de se produire au sein du puits central dopé Pc On peut alors réaliser un modulateur à trois longueurs d'onde À 1 ' 2 et A c' cette dernière valeur correspondant à un écart énergétique entre deux niveaux de ce puits central, impliqués dans des transitions intrabandes Ainsi, si l'on s'en tient à l'absorption, celle-ci passe de À c à À 1 lorsque la polarisation externe passe de O à Poll et A c à A 2 lorsque cette polarisation varie de O à Pol 2, la modulation à i c étant obtenue par "vidage" des porteurs du puits central. Il est à noter que dans la configuration à deux longueurs d'ondes, la structure est complètement transparente dans la gamme spectrale de travail en l'absence de polarisation, puisque seuls sont actifs au regard des transitions intrabandes les deux puits Pl et P 2 non peuplés sans polarisation Pour augmenter l'efficacité des modulateurs de phase et d'amplitude basés sur la modulation de la polarisation des structures quantiques, il est possible d'associer plusieurs groupes de puits tel que celui représenté sur la figure 1, dans ce cas les barrières B 3 et B 4 auront en général la même hauteur f ru= 03) C'est cette configuration qui est représentée en figure , o de plus, et ce uniquement à titre d'exemple, les barrières B équivalentes aux barrières Bl et B 2 ont été choisies identiques C Uj = et db 1 = db 2) Sur la figure 5, on a également représenté des régions extrêmes fortement dopées (RFD) favorisant la réalisation de contacts ohmiques qui peuvent être utilisés pour la polarisation de la structure Les barrières B' (équivalentes à B 3 et B 4) ont été choisies plus hautes que les barrières B afin de limiter la circulation de porteurs le long de la structure, circulation non nécessaire au bon fonctionnement du dispositif mais par contre responsable d'un courant indésirable Cette configuration o les barrières B' sont supérieures aux barrières B ne constitue cependant qu'un cas particulier. A noter également que des transitions peuvent avoir lieu entre un niveau d'un des puits Pi, P 2 ou Pc et un niveau n'appartenant pas uniquement à ces puits mais réparti dans l'ensemble de la structure Pl/Bl/Pc/B 2/P 2 ou encore dans le continuum d'états situé au dessus de la structure globale B 3/Pl/Bl/Pc/B 2/P 2/B 4 Les possibilités de modulation liées à la commande de l'occurrence de ces transitions par modification de la répartition des porteurs entre les trois puits, font également partie de l'invention. Le peuplement de porteurs du puits central Pc se fait soit par dopage des couches constituant ce puits; soit par pompage optique qui permette de créer des porteurs (électrons dans la bande de conduction et trous dans la bande de valence). Cette deuxième solution est illustrée en figure 6 o h V 1 est l'onde de pompe et h V 3 l'onde à moduler. Il est à noter que l'onde à moduler pourrait être transmise à la structure parallèlement au plan des couches. Le dispositif de l'invention permet donc la modulation d'amplitude et de phase à deux ou trois longueurs d'ondes ceci grâce à l'utilisation de puits quantiques semiconducteurs Ce dispositif permet d'injecter électriquement, à partir d'un puits central peuplé, des porteurs dans l'un ou l'autre de deux puits satellites disposés de part et d'autre de ce puits central Les paramètres de ces deux puits sont tels que les transitions électroniques ou de trous susceptibles de se produire entre niveaux quantiques et de modifier les propriétés optiques des matériaux (parties réelle et imaginaire de l'indice de réfraction), n'agissent pas à la même longueur d'onde On réalise ainsi un modulateur, soit à une première longueur d'onde, soit à une deuxième ou bien encore aux deux, selon le signe de la polarisation utilisée pour modifier la répartition des porteurs entre les trois puits Deux options sont possibles pour le puits central La première consiste à ne lui faire jouer que le rôle de réservoir de porteurs sans que des transitions intrabandes se produisant en son sein ne viennent modifier les propriétés optiques de la structure dans la gamme spectrale utilisée Dans ce premier cas, la structure est complètement transparente dans cette gamme en l'absence de polarisation Dans la deuxième configuration on cherche au contraire à faire se produire au sein du puits dopé des transitions correspondant à la gamme spectrale de travail pour conduire à un modulateur à trois longueurs d'ondes. La structure de l'invention peut également être appliquée à la détection de rayonnements électromagnétiques Un détecteur est alors connecté aux bornes de la structure et détecte la circulation d'un courant Un tel détecteur permet ainsi de détecter trois longueurs d'ondes selon la polarisation électrique appliquée au dispositif. La différentes constitution, couches. structure selon l'invention peut être réalisée de manières en ce qui concerne notamment la la composition et l'épaisseur des différentes Cependant, à titre d'exemple, on peut indiquer que la structure des figures 1 et 2 peut être réalisée de la manière suivante comme cela est représenté en figure 7: couche barrière B 3: matériau Ga, 6 AI 0, 4 As f 53 = 328 me V couche de puits quantique Pl: matériau Ga As épaisseur = 8,5 nm E 1 = 113 me V couche barrière B 1: matériau Ga 0, 75 AI 0, 25 As épaisseur = 11,3 nm = 218 me V couche de puits quantique PC: matériau Ga As dopé à 1. épaisseur = 20 nm couche barrière B 2 matériau Ga 0, 75 AI 0,25 As épaisseur = 11,3 nm 2 = 218 me V couche de puits quantique P 2 matériau Ga As épaisseur = 7,6 nm E 2 = 128 me V couche barrière B 4: matériau Ga 0, 6 A 0, 4 As O 4 = 328 me V 1018 cm -3 Une telle structure permet de fonctionner aux longueurs d'ondes X 1 = 11 Pmn et X 2 = 9,7 pnm. Il est bien évident que la description qui précède ntest faite qu'à titre d'exemple non limitatif et que d'autres variantes peuvent être envisagées sans sortir du cadre de l'invention Notamment en ce qui concerne le nombre de couches et de puits quantiques. il REVENDICATIONS 1 Modulateur d'onde électromagnétique, du type comprenant: une structure semiconductrice comportant une première alternance de couches (Bi, PC, B 2) définissant un premier puits quantique, ainsi qu'une deuxième alternance de couches (B 3, Pi, Bi) accolée à la première alternance de couches et définissant un deuxième puits quantique couplé au premier puits quantique à travers une couche barrière (Bi) des moyens de peuplement d'électrons du premier puits quantique, et des moyens de commande (MC) de l'absorption par le deuxième puits quantique d'une onde à moduler (E); caractérisé en ce que ladite structure semiconductrice comporte une troisième alternance de couches (B 2, P 2, B 4) située de l'autre côté de la deuxième alternance de couches par rapport à la première alternance et définissant un troisième puits quantique, couplé au premier puits quantique à travers une autre couche barrière (B 2), et en ce que lesdits moyens de commande (MC) comportent des moyens (Ell, E 12) propres à appliquer sur commande à la structure un champ électrique perpendiculaire au plan des couches orienté dans un sens ou dans le sens opposé. 2 Modulateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les compositions des puits sont telles que le deuxième puits admet deux niveaux d'énergie dont la différence (E 1) correspond à une longueur d'onde ( X 1) telle que: hc/ X 1 soit proche de E h étant une constante de Plank et c, la célérité de la lumière dans le vide. 3 Modulateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les compositions des puits sont telles que le troisième puits admet deux niveaux d'énergie dont la différence (E 2) correspond à une longueur d'onde ( X 2) telle que: he/ X 2 soit proche de E 2, h étant une constante de Plank, et c la célérité de la lumière dans le vide. 4 Modulateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur et la composition des couches sont telles que le deuxième et le troisième puits quantiques (Pi, P 2) possèdent chacun une largeur d'énergie de bande interdite différentes de celle du premier puits (Pi). Modulateur selon la revendication 4, caractérisé en ce que les largeurs d'énergie de bandes interdites des deuxième et troisième puits quantiques sont égales. 6 Modulateur selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens de peuplement d'électrons du premier puits quantique (PC) comportent un dopage de ce puits. 7 Modulateur selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens de peuplement d'électrons (ME) appliquent à la structure semi- conductrice une onde-pompe (h v 1), propre au peuplement en porteurs du premier puits quantique (PC) tandis que l'application du champ électrique transfère des porteurs de cedit puits quantique (PC) au deuxième ou troisième puits quantique (Pi, P 2), ladite absorption intrabande intervenant dans ce deuxième ou troisième puits quantiques. 8 Modulateur selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens de peuplement d'énergie (ME) sont actifs sur commande et sont combinés aux moyens de commande (MC) pour permettre une fonction "ET". 9 Modulateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le motif des trois puits quantiques est répété plusieurs fois. 10 Modulateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens (El, E 2) sont des contacts ohmiques réalisés de part et d'autre de la structure. 11 Détecteur d'onde électromagnétique appliquant le modulateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les moyens d'applications d'un champ électrique permettent de polariser la structure dans un sens déterminé pour détecter soit une longueur d'onde ( X 1) soit une autre longueur d'onde ( X 2)' et des moyens de détection de photocourant créé par l'illumination à l'une ou l'autre des deux longueurs d'ondes.