FR 2677290 A1 19921211 FR 9106865 A 19910606 DESCRIPTION PROCEDE DE REALISATION D'UN OUTIL DE POLISSAGE ET OUTIL OBTENU PAR CE PROCEDE La présente invention a pour objet un procé- dé de réa Lisation d'un outi L de polissage et un outil obtenu par ce procédé. L'invention trouve une application particu- ière au polissage de composants microéLectroniques intégrés dans des plaquettes de semiconducteur (en silicium par exemple) IL peut s'agir notamment, de têtes magnétiques d'écriture et de lecture. Des procédés de réalisation de telles têtes sont décrits dans de nombreux documents et notamment dans US-A-4,837,924 et US-A-4,333, 229 Le premier document se rapporte à des têtes à structure dite "horizontale" -car formée d'un empilement de couches déposées sur la face supérieure d'une plaquette semi- conductrice-et le second à des têtes à structure dite "verticale" -car formée de couches déposées sur La tranche d'une telle plaquette-. Les micro-usinages effectués sur de telles plaquettes consistent, dans Le premier cas, à nive Ler (ou "p Lanariser") et à po Lir divers sous-ensembles intermédiaires obtenus au cours du procédé de réa Lisa- tion, à définir un entrefer et à amener l'ensemble de La tête dans le plan général du substrat, dit encore plan de vo L. Dans Le second cas, Les micro-usinages ont pour but de définir un entrefer et d'ajuster La forme des patins de vol. Bien que pouvant s'appliquer éventuellement à La réalisation de têtes de la deuxième catégorie (têtes verticales), le procédé de La présente invention et L'outil obtenu sont avant tout destinés au polissage d'ensembles ou sous-ensembles correspondants à la première catégorie (têtes horizontales) car c'est 5 dans ce cas que les problèmes technologiques sont les plus ardus. La figure 1 montre, à titre d'exemple de pièce à polir, une tête magnétique d'écriture et de lecture en structure horizontale L'ensemble représenté correspondant à la dernière étape de réalisation avant polissage final Cet ensemble comprend un substrat de silicium 10 dans lequel un caisson a été gravé, un circuit magnétique 12 en alliage fer-nickel, un double bobinage en cuivre 14, une couche en silice 16 de 3 à 6 Fm d'épaisseur, un espaceur amagnétique 18 en silice de 1 Vm d'épaisseur environ et deux pièces polaires supérieures 20 en fer-nickel Le plan de polissage final est marqué en trait interrompu et20 référencé 22. L'enlèvement de matière porte sur les pièces polaires 20 et sur Les dépassements 23 en silice. Pour ne pas altérer le circuit magnétique, cet enlè- vement ne doit pas diminuer l'épaisseur de la couche uniforme de silice de plus de 0,3 pm Le plan final de polissage définit le plan de vol de La tête. Deux telles têtes sont généralement disposées côte à côte sur deux bandes parallèles dites "skis", définissant deux plans de vol, dans une structure30 générale en catamaran. Le polissage, qui consiste en un enlèvement de matière en très petite quantité, est une opération bien connue On la rencontre en métallographie, en35 optique et en microélectronique L'une ou l'autre des deux techniques suivantes est utilisée: la rectification à l'outil diamanté: i L s'agit d'un usinage dans leque L on forme un "copeau" semi-continu ou continu par deux mouvements combinés relatifs entre l'outil et la pièce à usiner (un mouvement d'avance et un mouvement de coupe); le rodage et polissage: il s'agit d'une abrasion plus ou moins fine (ou écrouis- sage) et contrôlée de la surface par frot- tement sur des disques très variés non abrasifs par nature, sur lesquels on appor- te un abrasif en pâte ou en solution aqueu- se; une variante consiste à placer, sur un plateau de polissage rotatif, un disque de film abrasif et à arroser celui-ci lors du polissage avec un liquide pour refroidir la pièce et éviter l'encras- sement. Le polissage des plaquettes semiconductrices comprenant un très grand nombre de microcomposants intégrés pose des problèmes particuliers: tout d'abord, la plaquette est déformée et déformable, par ailleurs, le rodage doit affecter simultanément plusieurs matériaux de dure- tés très différentes: silice, alumine, alliage alumine/carbure de titane, alliage fer-nickel, les pièces à roder sont de surfaces très petites par rapport à la plaquette de silicium, enfin, il s'agit d'usiner, dans leur épais- seur, des couches déposées sur une p Laquet- te, et généralement, il faut polir simulta- nément 600 excroissances correspondant à 600 têtes magnétiques, en dépassement de quelques microns, et cela avec une précision de L'ordre du nanomètre, sans diminuer L'épaisseur de La couche mince qui recouvre la plaquette de plus de 200 à 300 nm. Les machines de polissage de l'art antérieur ne permettent pas de résoudre toutes ces difficultés, en partie parce que l'outil de polissage est défec- tueux Les abrasifs en pâte ou en liquide donnent lieu à des phénomènes hydrodynamiques complexes liés à l'apparition de mouvements tourbillonnaires et à des phénomènes de cavitation, qui arrondissent les reliefs et creusent les matériaux tendres Quant aux feui L Les abrasives, collées sur disque, elles se défor- ment et se plissent sous l'effet de La pression exercée en cours de polissage, ce qui, à nouveau arrondit les profils. La présente invention a justement pour but de remédier à ces inconvénients A cette fin, l'inven- tion propose un procédé de réalisation d'un outi L de polissage et un outil de polissage obtenu par ce procédé, qui permettent d'obtenir un poli remarquable, tout en préservant Les formes des profils et ce La que L Les que soient Les duretés relatives des matériaux constituant les excroissances à travailler. Par ailleurs, l'outil de polissage obtenu selon l'invention étant un outil de polissage à sec, il se trouve compatible avec les exigences de l'indus- trie électronique, notamment avec l'emploi en salle blanche, ce qui n'est pas le cas avec Les outils tradi- tionnels. De façon plus précise, la présente invention a pour objet un procédé selon lequel: on part d'un plateau en céramique dure apte à être fracturé en surface, on dépolit ce substrat en surface pour fracturer les grains de la céramique, ce qui laisse un plateau avec un état de surface présentant une certaine rugosi- té. De préférence, on effectue l'opération de dépolissage à l'aide d'un abrasif en pâte de grains très forts et d'un plateau dur. L'invention a également pour objet un outil obtenu selon le procédé qui vient d'être défini Cet outil est constitué par un plateau en céramique dure dont la surface a été dépolie. Les céramiques utilisées dans l'invention se rangent en deux catégories, selon les résultats recherchés: 1 Rectification rapide avec état de surface médiocre: On utilisera des céramiques prises dans le groupe comprenant le nitrure de sili- cium, les alumines (sauf les alumines à structure rhomboédrique), les zircones. Les zircones sont très endurantes pour le travail de matériaux relativement tendres (métaux) Le nitrure de silicium permet le travail de matériaux très durs. 2 Microusinage fin de tous matériaux avec de *ei L Leurs résultats sur Les matériaux durs: On utilisera des céramiques prises dans le groupe comprenant l'alliage a Lumine-carbure de titane, Le carbure de silicium, le carbure de bore massif, le diborure de titane. Cette distinction en deux catégories tient à La structure cristalline du matériau et non à sa dureté Après fracture, on obtient, pour une même rugosité, des surfaces très agressives pour la première catégorie et des surfaces plus aptes à un enlèvement progressif de matière pour La seconde La dureté des céramiques n'intervient que pour l'aptitude au travail de matériaux durs et pour l'endurance des outils. On voit qu'il s'agit de céramiques très dures, dont la dureté Vickers va d'environ 1200 à environ 3000. L'état de surface de ces céramiques après dépolissage est compris entre environ Ra= 0,2 vm et environ Ra= 0,8 ym. De toute façon, les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumiè- re de la description qui va suivre Cette description porte sur des exemp Les de réalisation donnés à titre explicatif et nullement limitatif et e L Le se réfère à des dessins annexés, sur lesque Ls: la figure 1, déjà décrite, montre un exem- ple de pièce à polir correspondant à une tête magnétique d'écriture et de lecture, la figure 2 montre, en coupe, l'état de surface d'un outil conforme à l'invention, la figure 3 illustre un rainurage de l'ou- til, la figure 4 illustre un premier exemple de polissage, dans le cas d'une excrois- sance en silice, la figure 5 illustre un autre exemple de polissage, dans le cas d'un motif en deux matériaux différents. On voit, sur la figure 2, un plateau en céramique 30 dont la surface 32 est constituée de grains fracturés. La fracture de l'état de surface s'obtient en dépolissant la surface, par l'emploi d'abrasifs en pâte de grains très forts sur des plateaux durs (par exemple en fonte). Ce procédé agit par martelage microscopique de la surface, cassant les grains selon le plan de clivage des cristaux On obtient ainsi une surface plane, très rigide, revêtue de véritables micro-outils. Par ai L Leurs, cette surface microabrasive peut être régénérée aisément, en renouvelant le procédé de dépo Lissage. L'outil de la figure 3, référencé 40, présen- te un quadrillage régulier obtenu par une première famille de rainures 42 et une seconde famille de rainu- res 43 Ces rainures améliorent le contact entre l'ou- til et Les motifs à travailler Le quadrillage assure, par ailleurs, une meilleure évacuation des débris. Les dispositions qui viennent d'être décrites peuvent être avantageusement combinées avec celles qui ont fait l'objet d'une autre demande de brevet déposée par le présent Demandeur, le jour même du dépôt de la présente demande et intitulée: "Machine de polissage à table porte-échantillon perfectionnée". Avec une machine de polissage combinant ces deux dispositions, le Demandeur a obtenu des résul- tats remarquables qui sont illustrés sur les figures 4 et 5. Sur la figure 4, tout d'abord, on voit (par- tie a) un relief en silice 45 d'environ 2 vm de hauteur, sur une couche de silicium 47 d'épaisseur lym présen- tant une rugosité Ra= 50 nm. En cours de polissage (partie b), le profi L conserve ses arêtes vives. A la fin du polissage (partie c), Le relief a disparu et la couche de base a été ramenée à une épaisseur de 0,9 Vm, avec une rugosité Ra=l à 2 nm. La figure 5 est relative à une excroissance 49 mettant en jeu des matériaux de duretés différen- tes: de La silice Si O 2, de part et d'autre (référence 51) du motif et dans un espaceur 53 très mince (d'envi- ron 1 Fm) et un alliage fer-nickel Fe Ni 55 de part et d'autre de L'espaceur 53. On voit (partie a) la forme initiale du motif 49 et (partie b) la forme définitive 49 ' après polissage La rugosité du sommet est de l'ordre de Ra=l à 2 nm. REVENDICATIONS 1 Procédé de réalisation d'un outil de polissage à sec, caractérisé par le fait qu'il comprend les opérations suivantes: on part d'un plateau en céramique dure apte à être fracturée en surface, et on dépolit ce substrat en surface pour fracturer les grains de la céramique, ce qui laisse, un plateau avec un état de surface présentant une certaine rugosi- té. 2 Procédé selon la revendication 1, caracté- risé par le fait qu'on effectue l'opération de dépolis- sage à l'aide d'un abrasif en pâte de grains très forts sur un plateau dur. 3 Procédé selon la revendication 1, caracté- risé par le fait que la céramique est sélectionnée dans le groupe constitué par: le nitrure de silicium, les alumines (sauf les alumines à structure rhomboédri- que), les zircones. 4 Procédé selon la revendication 1, caracté- risé par le fait que la céramique est sélectionnée dans le groupe constitué par: l'a Lliage alumine-carbu- re de titane, le carbure de silicium, le carbure de bore massif, le diborure de titane. Procédé selon la revendication 1, caracté- risé par le fait qu'avant l'opération de dépolissage on usine des rainures dans le plateau. 6 Procédé selon la revendication 1, caracté- risé par le fait qu'on usine des rainures régulièrement espacées formant un quadrillage de la surface. 7 Outil de polissage à sec obtenu par le procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait qu'il est constitué par un plateau ( 30) en céramique dure dont la surface ( 32) est dépolie. 8 Outil de polissage à sec selon la revendi- cation 7, caractérisé par le fait que l'état de surface du plateau présente une rugosité comprise entre Ra= 0,2 et Ra= 0,8 m. 9 Outil de polissage à sec selon la revendi- cation 7, caractérisé par le fait que la céramique est sélectionnée dans le groupe constitué par le nitru- re de silicium, les alumines (sauf les alumines à structure rhomboédrique), les zircones. 10 Outil de polissage à sec selon la reven- dication 7, caractérisé par le fait que la céramique est sélectionnée dans le groupe constitué par l'alliage a Lumine-carbure de titane, le carbure de silicium, le carbure de bore massif, le diborure de titane. 11 Outil de polissage à sec selon La reven- dication 7, caractérisé par le fait que sa surface présente des rainures ( 42, 43). 12 Outil de polissage à sec selon la reven- dication 7, caractérisé par le fait que la surface présente des rainures ( 42, 43) régulièrement espacées formant quadrillage.