FR 2680913 A1 19930305 FR 9209362 A 19920729 La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur et à un procédé de fabrication de celui-ci, et plus particulièrement à un dispositif à semi-conducteur à intégration élevée ayant un condensateur avec une fiabilité élevée et une capacité importante, et à un procédé de fabrication de celui-ci. La réduction de capacité de cellule provoquée par une surface de cellule de mémoire réduite devient un obstacle sérieux à l'augmentation de la densité d'intégration dans les mémoires vives dynamiques Le problème de la capacité de cellule réduite doit ainsi être résolu afin d'obtenir une densité d'intégration plus élevée dans un dispositif de mémoire à semi- conducteur, du fait qu'il dégrade la capacité de lecture et augmente le taux d'erreur d'une cellule de mémoire et entraine une consommation d'énergie excessive lors d'un fonctionnement à basse tension en ralentissant le fonctionnement du dispositif. D'une manière générale, dans une mémoire-vive dynamique de 64 Mbit ayant une surface de cellule de mémoire de 1,5 gm 2, lorsque l'on utilise une cellule de mémoire à structure empilée bidimensionnelle, une capacité de cellule suffisante ne peut être obtenue même si un matériau à constante diélectrique élevée, par exemple de l'oxyde de tantale (Ta 2 O 5), est utilisé. Par conséquent, des condensateurs empilés ayant une structure tridimensionnelle ont été proposés afin d'améliorer la capacité de cellule La double pile, la lame, l'électrode cylindrique, la pile étalée, et les structures en boîte sont toutes destinées à une électrode de stockage ayant une structure tridimensionnelle proposée afin d'augmenter la capacité de cellule. Du fait que les surfaces extérieure et intérieure peuvent toutes deux être utilisées comme surface de condensateur efficace, la structure cylindrique est favorablement adaptée au condensateur empilé tridimensionnel et est appropriée pour une cellule de mémoire intégrée qui fait 64 Mbit ou plus. De même, un condensateur empilé amélioré avec une structure annulaire a récemment été proposé, une barre étant formée à l'intérieur du cylindre, en utilisant ainsi non seulement les deux surfaces intérieure et extérieure du cylindre mais également la surface extérieure de la barre formée à l'intérieur du cylindre comme surface de condensateur efficace ("A Stacked Capacitor Cell with Ring Structure", 22 ème conférence SSDN 1990, deuxième partie, page 833 à 836). Les figures l A à 1 G sont des vues en coupe illustrant un processus de formation d'une électrode de stockage cylindrique ayant une électrode en forme de barre à l'intérieur. Une couche intermédiaire isolante 19 et une couche de nitrure 22 sont empilées de manière séquentielle sur un substrat de semi-conducteur, un transistor ayant une source 14, un drain 16 et une électrode de grille 18, et une ligne de bit noyée 20 en contact avec la zone de drain du transistor ayant été formé (figure l A) La couche intermédiaire isolante et la couche de nitrure déposées sur la zone de source sont alors partiellement gravées, formant ainsi un trou de contact 24 (figure 1 B) De manière successive, ne première couche de silicium polycristallin 26 ayant une épaisseur prédéterminée est formée sur la couche de nitrure 22, remplissant le trou de contact 24, et une couche d'oxyde est empilée dessus et tracée de façon à former une électrode en forme de barre à l'intérieur d'un cylindre, formant ainsi un motif en couche d'oxyde 28 (figure 1 C) A la suite de cela, une profondeur prédéterminée de la première couche de silicium polycristallin 26 est regravée, en utilisant le motif en couche d'oxyde 28, de sorte qu'une électrode en forme de barre 26 a est formée, et une couche isolante avec une sensibilité à la gravure différente de celle du motif en couche d'oxyde 28 est formée sur la première couche de silicium polycristallin La couche isolante est alors enlevée par gravure anisotrope Des parties de la couche isolante restent ici sur les parois latérales du motif en couche d'oxyde 28 et de l'électrode en forme de barre 26 a, formant ainsi un élément d'espacement 30 (figure l D) Après dépôt d'une deuxième couche de silicium polycristallin sur toute la surface du substrat semi-conducteur sur lequel sont formés le motif en couche d'oxyde 28, l'élément d'espacement 30 et l'électrode en forme de barre 26 a, les première et deuxième couches de silicium polycristallin sont gravées de manière anisotrope afin de former d'autres éléments d'espacement composés du deuxième silicium polycristallin sur le côté de l'élément d'espacement 30, terminant une électrode cylindrique 32 (figure 1 E) De même, le motif en couche d'oxyde 28 et l'élément d'espacement 30 sont enlevés par gravure humide, de sorte que des électrodes de stockage S et 52 constituées par l'électrode en forme de barre 26 b et cylindrique 32 sont terminées (figure 1 F). Enfin, une couche diélectrique 34 est déposée sur toute la surface de l'électrode de stockage, un troisième silicium polycristallin est déposé sur toute la surface du substrat semi-conducteur terminant un condensateur empilé avec une structure en anneau (figure 1 G). Le dispositif de mémoire à semi-conducteur à intégration élevée décrit ci-dessus a été proposé comme modèle permettant de réaliser des cellules de mémoire vive dynamique de 64 Mbit Ceci est dû au fait qu'une électrode en forme de barre est formée à l'intérieur de l'électrode cylindrique, de sorte que les surfaces intérieure et extérieure de l'électrode cylindrique ainsi que la surface extérieure de l'électrode en forme de barre peuvent être utilisées comme zone de condensateur efficace Toutefois, le dispositif de mémoire ci-dessus constitué des électrodes cylindriques et en forme de barre présente comme problème que les électrodes cylindriques et en forme de barre sont constituées par des couches différentes d'un matériau conducteur (non pas par une unique couche), ce qui crée des inconvénients de fabrication De plus, l'électrode cylindrique est formée par gravure anisotrope de la deuxième couche de silicium polycristallin, formant ainsi des éléments d'espacement doubles sur la paroi latérale de l'élément d'espacement 30, la quantité gravée de la deuxième couche de silicium polycristallin n'étant pas constante sur toute la rondelle, de sorte que la hauteur de l'électrode cylindrique 32 varie entre sa périphérie et le centre, ce qui peut avoir pour résultat des cellules de capacités différentes, y compris sur une même rondelle De manière générale, si un objet gravé est en silicium polycristallin, une électrode de stockage au centre de la rondelle peut être formée comme cela est représenté par la vue en coupe de la figure 1 H du fait que les vitesses de gravure sont différentes de l'une à l'autre à la périphérie et au centre Par conséquent, la capacité de cellule obtenue peut être inférieure à la capacité de 2680913 cellule souhaitée De plus, du fait de la formation de l'électrode cylindrique 32 au moyen d'un élément d'espacement additionnel sur la paroi latérale de l'élément d'espacement 30, le sommet de l'électrode cylindrique devient pointu du fait de la gravure anisotrope double, ce qui est susceptible de provoquer une rupture de la couche diélectrique déposée dessus, et dégrade ainsi les caractéristiques électriques, le rendement et la fiabilité du dispositif. Par conséquent, un but de la présente invention est de procurer un dispositif de mémoire à semi-conducteur à intégration élevée ayant une structure d'électrode de stockage qui est suffisante pour permettre la capacité de cellule nécessaire pour des mémoires vives dynamiques de 64 Mbit et plus, tout en résolvant les différents problèmes de la technique conventionnelle décrite ci-dessus. Un autre but de la présente invention est de procurer un dispositif de mémoire à semi-conducteur à intégration élevée qui soit fiable. Un autre but encore de la présente invention est de procurer un procédé de fabrication adapté au dispositif de mémoire à semi-conducteur à intégration élevée. Afin d'atteindre les buts ci-dessus ainsi que d'autres de la présente invention, il est prévu un dispositif de mémoire à semi-conducteur comportant un condensateur ayant une électrode de stockage dont la paroi latérale est inclinée de manière positive par rapport à la surface horizontale. Afin d'atteindre d'autres buts de la présente invention, il est prévu un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur comportant les étapes de: formation d'une première couche conductrice sur un substrat semi-conducteur; formation d'un premier motif composé d'une première couche de première matière sur la première couche conductrice; formation d'un premier élément d'espacement de paroi latérale composé d'une première couche de deuxième matière sur la structure résultante; et gravure de la couche de matière sous le premier élément d'espacement de paroi latérale en utilisant le premier élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure. Les buts ci-dessus et d'autres avantages de la présente invention apparaîtront mieux en décrivant en détail la forme de réalisation préférée de la présente invention en se référant aux dessins annexés dans lesquels: Les figures l A à 1 G sont des vues en coupe représentant un procédé conventionnel de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur; La figure 1 H est une vue en coupe représentant le résultat lorsqu'une gravure est réalisée de manière inégale sur une rondelle dans le dispositif de mémoire à semi-conducteur fabriqué suivant le procédé illustré sur les figures l A à 1 G; Les figures 2 A à 2 D sont des vues en perspective représentant des dispositifs de mémoire à semi-conducteur fabriqués selon des formes de réalisation de la présente invention; Les figures 3 A à 3 E sont des'vues en coupe représentant une première forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; 7 2680913 Les figures 4 A et 4 B sont des vues en coupe représentant une deuxième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; Les figures 5 A à 5 E sont des vues en coupe représentant une troisième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; Les figures 6 A à 6 C sont des vues en coupe représentant une quatrième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; Les figures 7 A à 7 C sont des vues en coupe représentant une cinquième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; La figure 8 est une vue en coupe représentant une sixième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la présente invention; Les figures 9 A à 9 D sont des vues en coupe représentant une septième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; Les figures l OA à l OD sont des vues en coupe représentant une huitième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; Les figures l A à 11 D sont des vues en coupe représentant une neuvième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; Les figures 12 A à 12 E sont des vues en coupe représentant une dixième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; Les figures 13 A à 13 E sont des vues en coupe représentant une onzième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; Les 14 A et 14 B sont des vues en coupe représentant une douzième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention; et Les figures 15 A à 15 C sont des vues en coupe représentant une treizième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention. Les figures 2 A à 2 D sont des vues en perspective représentant des dispositifs de mémoire à semi-conducteur réalisés suivant des formes de réalisation de la présente invention La figure 2 A illustre ici une électrode de stockage à structure à cylindre unique sans barre dans laquelle une électrode cylindrique l O Ob et une électrode de base l O Oc sont formées La figure 2 B illustre une électrode de stockage à structure à cylindre multiple sans barre dans laquelle plusieurs électrodes cylindriques l O Ob sont formées de manière concentrique et reliées l'une à l'autre par une électrode de base l O Oc La figure 2 C illustre une électrode de stockage à structure à plusieurs barres et cylindre unique dans laquelle plusieurs électrodes en forme de barre O b Oa sont formées dans une électrode cylindrique 1 O Ob et reliées l'une à autre par une électrode de base l O Oc La figure 2 D illustre une électrode de stockage à structure à plusieurs barres et plusieurs cylindres dans laquelle plusieurs électrodes cylindriques l O Ob sont formées de manière concentrique, et plusieurs électrodes en forme de barre l O Oa sont formées à l'intérieur des électrodes cylindriques en étant toutes reliées par une électrode de base l O Oc. Chacune des formes de réalisation d'électrodes de stockage décrites ci-dessus comporte une électrode en forme de barre 1 Oa, une électrode cylindrique l O Ob et une électrode de base l O Oc, et est classée en fonction du nombre d'électrodes cylindriques et en forme de barre respectives Les parois latérales de l'électrode de stockage sont ici inclinées de façon à ne pas être négative ( E pour la capacité de cellule. Par conséquent, du fait que la surface des électrodes de stockage Sl et 52 qui sont capables de stocker une charge est agrandie par les surfaces intérieure et extérieure de l'électrode cylindrique l O Ob et la surface extérieure de l'électrode en forme de barre lo Oa dans une zone de cellule de mémoire limitée, la capacité de cellule souhaitée peut être obtenue en ajustant la hauteur et le nombre des électrodes cylindriques et en forme de barre De plus, le profil obtenu n'a pas de rebord pointu formé le long des parois intérieures de l'électrode cylindrique. Les figures 3 A à 3 E sont des vues en coupe représentant une forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la présente invention. Tout d'abord, la figure 3 A illustre un processus d'empilage séquentiel d'une couche d'aplanissement 40, d'une couche d'arrêt de gravure 42 et d'une couche d'élément d'espacement 44 sur un substrat semi-conducteur sur lequel a été formé un transistor Ce processus est réalisé comme suit Tout d'abord, une paire de transistors ayant chacun une zone de source 14 et une électrode de grille 18, partageant en commun une zone de drain 16 et une ligne de bit 20 en contact avec la zone de drain 16, est formée sur une zone active d'un substrat semi-conducteur 10 divisé en zones actives et isolantes par une couche d'oxyde de champ 12 Une couche isolante 19 est alors formée afin d'isoler le transistor sur toute la surface du substrat semi- conducteur Ensuite, la couche d'aplanissement 40 est formée sur toute la surface de la structure résultante afin d'aplanir la surface du substrat semi- conducteur dont la surface devient étagée par l'étape de formation de transistor Une matière telle que du nitrure de silicium (Si 3 N 4) est déposée sous forme d'une couche d'arrêt de gravure 42 avec une épaisseur de 30 à 300 10-10 m Finalement, une couche d'élément d'espacement 44 est formée en déposant une matière telle qu'un oxyde avec une épaisseur de 500 à 2000 10- 10 m. A ce moment là, la vitesse de gravure de la matière constituant la couche d'arrêt de gravure 42 doit être différente de celle de la matière constituant la couche d'élément d'espacement 44 par rapport à une gravure humide afin d'enlever la couche d'élément d'espacement (Par exemple, lorsque la vitesse de gravure d'une matière "B" est au- dessus de 4, pourvu que la vitesse de gravure d'une matière "A" soit à 1, on peut exprimer que la matière "A" a une vitesse de gravure différente de celle de la matière "B" par rapport à une gravure quelconque) D'une manière générale, la matière constituant la couche d'arrêt de gravure doit avoir une vitesse de gravure nettement inférieure à la matière constituant la couche d'élément d'espacement Dans la présente invention, la matière il constituant la couche d'arrêt de gravure 42 est du nitrure de silicium, et celle constituant la couche d'élément d'espacement 44 est un oxyde, comme cela a été décrit ci-dessus. La figure 3 B illustre un processus de formation d'un trou de contact 9 qui expose partiellement la zone de source d'un transistor Une première étape de formation du trou de contact est ici réalisée en enlevant partiellement la couche intermédiaire isolante 19, la couche d'aplanissement , la couche d'arrêt de gravure 42 et la couche d'élément d'espacement 44 qui sont empilées de manière séquentielle sur la zone de source Une deuxième étape est également réalisée de telle sorte que la même matière que celle constituant la couche d'arrêt de gravure, c'est-à-dire du nitrure de silicium, et la même matière que celle constituant la couche d'élément d'espacement, c'est-à-dire un oxyde, sont empilés séquentiellement sur toute la surface du substrat semi- conducteur ayant le trou de contact; et un élément d'espacement 82 est formé sur les parois latérales du trou de contact par gravure de manière anisotrope de la structure résultante. La tendance à la miniaturisation des transistors augmente la possibilité d'exposition partielle de la surface d'électrode de grille 18 ou de ligne de bit 20 par le processus de gravure destiné à former le trou de contact, en dépit de la réalisation du trou de contact sur le transistor avec une taille caractéristique minimum, ce qui entraîne ainsi un courant de fuite dans la cellule de mémoire, spécialement dans une cellule de mémoire vive dynamique Selon la deuxième étape, la cause du courant de fuite peut être éliminée en isolant l'électrode de grille ou la ligne de bit dont les surfaces peuvent être partiellement exposées du fait du processus de gravure destiné à former le trou de contact. La figure 3 C illustre un processus de formation d'une première couche conductrice 46, d'un premier motif 70 composé d'une première couche de première matière, et d'un premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a composé d'une première couche de deuxième matière, et de gravure à une profondeur prédéterminée de la première couche conductrice en utilisant le premier motif et le premier élément d'espacement de parois latérales comme masque de gravure Ce processus est réalisé comme suit La première couche conductrice 46 est formée en déposant une matière conductrice, par exemple 3000 à 6000 10-10 m de silicium polycristallin dopé avec une impureté, sur toute la surface de la structure résultante avec le trou de contact Une première couche de première matière est formée en déposant une matière, par exemple 1000 à 3000 10-10 m de photo-réserve, d'oxyde ou de nitrure, dont la vitesse de gravure est différente de celles de la première couche conductrice et d'une première deuxième matière (qui sera formée ultérieurement) par rapport à toute gravure Le premier motif 70 composé de la première couche de première matière est alors formé en définissant la première couche de première matière en une unité de cellule individuelle au moyen d'un processus de photolithographie sur la première première matière. Ensuite, la première couche de deuxième matière est réalisée par dépôt d'une matière d'environ 500 à 1500 -10 m d'épaisseur et ayant une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant la première couche conductrice par rapport à toute gravure anisotrope En d'autres termes, si la photo-réserve est utilisée comme matière constituant le premier motif, un oxyde qui peut être soumis à un dépôt sous basse pression est utilisé De la même manière, si l'oxyde est utilisé en premier, du nitrure est utilisé, et si le nitrure est utilisé en premier, de l'oxyde est utilisé De manière successive, le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a composé de la première couche de deuxième matière est formé sur la paroi latérale du premier motif par gravure anisotrope de la première couche de deuxième matière Une profondeur prédéterminée, par exemple environ 500 à 1500 10-10 m, de la première couche conductrice est alors gravée en mettant en oeuvre une gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante, en utilisant le premier motif et le premier élément d'espacement comme masques de gravure. La figure 3 D illustre un processus de formation d'un premier motif d'électrode de stockage 47 et d'un deuxième élément d'espacement de paroi latérale b Le premier motif est enlevé, et le premier motif d'électrode de stockage 47 est formé sur la première couche conductrice par gravure anisotrope de la première couche conductrice à la profondeur d'environ 1500 10-10 m, en utilisant le premier élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure. A la suite de cela, une matière ayant une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant la première couche conductrice par rapport à toute gravure anisotrope, par exemple environ 500 à 1500 10- m d'oxyde ou de nitrure, est déposée sur toute la surface de la structure résultante L'oxyde ou le nitrure déposé est alors gravé de manière anisotrope, formant ainsi le deuxième élément d'espacement de paroi latérale 80 b sur la paroi latérale du premier motif d'électrode de stockage. A ce moment là, l'étape d'enlèvement des matières constituant le premier motif et le premier élément d'espacement de paroi latérale est réalisée au moyen d'un agent de gravure adapté à la matière enlevée Par exemple, une technique' de volatilisation est utilisée lorsque la matière éliminée est la photo- réserve, un agent de gravure d'oxyde tamponné (BOE: une solution de HF et de NH 4 F mélangés dans des proportions correctes) est utilisé pour l'oxyde, ou une solution d'acide phosphorique est utilisée pour le nitrure. La figure 3 E illustre un processus de formation d'une électrode de stockage 100, d'une couche diélectrique 110 et d'une électrode en plaque 120 Une électrode de stockage 100 est tout d'abord formée par gravure anisotrope de la première couche conductrice jusqu'à atteindre la surface de la couche d'élément d'espacement, en utilisant le deuxième élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure. Ensuite, après enlèvement du deuxième élément d'espacement de paroi latérale et de la couche d'élément d'espacement, une matière diélectrique, par exemple une couche de ONO (oxyde/nitrure/oxyde) ou de Ta 2 05 ayant une épaisseur d'environ 60 10-10 m est déposée sur toute la surface de l'électrode de stockage, formant ainsi la couche diélectrique 110 A la suite de cela, l'électrode en plaque 120 est formée en déposant une matière conductrice telle qu'un silicium polycristallin dopé avec une impureté sur toute la surface de la structure résultante. Selon la première forme de réalisation ci- dessus, du fait que l'électrode de stockage est formée par une unique couche conductrice, le courant de fuite provoqué par une matière étrangère entre couches, telle qu'une couche d'oxyde naturelle, peut être empêché De même, le nombre d'électrodes cylindriques peut être doublé (structure à plusieurs cylindres sans barre), augmentant ainsi facilement la capacité de cellule. Les figures 4 A et 4 B sont des vues en coupe représentant une deuxième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention Après formation du premier motif 70 et du premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a par le procédé décrit en se référant aux figures 3 A, 3 B et 3 C, la première couche conductrice est définie en unités de cellule individuelle par gravure anisotrope de toute la surface de la structure résultante jusqu'à atteindre la couche d'élément d'espacement 44, en utilisant le premier motif et le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a comme masques de gravure (figure 4 A) A la suite de cela, le premier motif est enlevé, et une électrode de stockage 100 est formée par gravure anisotrope de la première couche conductrice jusqu'à une profondeur prédéterminée, par exemple 2000 à 5000 -10 m, en utilisant le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a (figure 4 B). Selon la deuxième forme de réalisation ci- dessus, une électrode cylindrique unique (structure à cylindre unique sans barre) peut être formée grâce à un processus simple. Les figures 5 A à 5 E sont des vues en coupe représentant une troisième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention. La figure 5 A est une vue en coupe représentant la formation du premier motif 70 composé de la première couche de première matière et du premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a sur la première couche conductrice 46, également grâce au procédé décrit en se référant aux figures 3 A, 3 B et 3 C. La figure 5 B illustre l'étape de formation d'une deuxième électrode de stockage 48 sur la première couche conductrice, qui comprend les étapes d'enlèvement du premier motif, et de formation de la deuxième électrode de stockage 48 par gravure à une profondeur prédéterminée de la première couche conductrice, en utilisant le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a comme masque de gravure La profondeur prédéterminée est de préférence d'approximativement 500 à 1500 10-10 m. La figure 5 C illustre l'étape de formation d'un troisième élément d'espacement de paroi latérale 80 c sur la paroi latérale de la deuxième électrode de stockage Le premier élément d'espacement de paroi latérale est ici enlevé et une matière ayant une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant la première couche conductrice vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un oxyde ou un nitrure, est déposée sur toute la surface de la structure résultante avec une épaisseur d'environ 500 à 1500 10-1 m L'oxyde ou le nitrure déposé est alors gravé de manière anisotrope, formant ainsi le troisième élément d'espacement de paroi latérale 80 c. La figure 5 D illustre l'étape de formation de l'électrode de stockage 100, dans laquelle l'électrode de stockage est terminée en réalisant unegravure anisotrope de la première couche conductrice sur toute la surface de la structure jusqu'à atteindre la couche d'élément d'espacement 44, en utilisant le troisième élément d'espacement de paroi latérale 80 c comme masque de gravure. La figure 5 E illustre l'étape de formation d'une couche diélectrique 110 et d'une électrode en plaque 120 Le troisième élément d'espacement de paroi latérale et la couche d'élément d'espacement sont tout d'abord enlevés La couche diélectrique 110 est alors formée en déposant une matière diélectrique, par exemple une couche ONO, sur toute la surface de l'électrode de stockage L'électrode en plaque 120 est formée en déposant une matière conductrice telle qu'un silicium polycristallin dopé avec une impureté sur toute la surface de la structure résultante. Selon la troisième forme de réalisation de la présente invention, une électrode de stockage ayant une électrode cylindrique double (-structure à plusieurs cylindres sans barre) peut être formée. Les figures 6 A, 6 B et 6 C sont des vues en coupe représentant une quatrième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention Après formation du premier motif 70 sur la première couche conductrice, (qui a déjà été décrite en se référant à la figure 3 C), la première couche conductrice est gravée à une profondeur prédéterminée, par exemple environ 1500 10-10 m, en utilisant le premier motif comme masque de gravure (figure 6 A) Le premier motif est alors enlevé, le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a est formé sur la structure résultante (qui a déjà été décrite en se référant à la figure 3 C), et l'électrode de stockage 100 (structure à un cylindre sans barre) est formée en réalisant une gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante jusqu'à atteindre la couche d'élément d'espacement 44, en utilisant le premier élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure (figure 6 C). Les figures 7 A, 7 B et 7 C sont des vues en coupe représentant une cinquième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention Le premier élément d'espacement de paroi latérale est ici formé selon le procédé décrit en se référant aux figures 6 A et 6 B (figure 7 A) Ensuite, après qu'un troisième motif d'électrode de stockage 49 ait été formé en gravant à une profondeur prédéterminée la première couche conductrice en utilisant le premier élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure, une matière ayant une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant la première couche conductrice avec une gravure anisotrope, par exemple un oxyde ou un nitrure, est déposée sur toute la surface de la structure résultante est alors gravée de manière anisotrope de sorte qu'un quatrième élément d'espacement de paroi latérale 80 d est formé sur la paroi latérale du motif de troisième électrode de stockage (figure 7 B) Ensuite, l'électrode de stockage 100 est formée en réalisant une gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante jusqu'à atteindre la couche d'élément d'espacement 44, en utilisant le quatrième élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure. A la suite de cela, le quatrième élément d'espacement de paroi latérale et la couche d'élément d'espacement sont enlevés, et la couche diélectrique 110 est formée en déposant une couche diélectrique telle qu'une couche de ONO sur toute la surface de l'électrode de stockage. Enfin, l'électrode en plaque 120 est formée en déposant une matière conductrice, telle qu'un silicium polycristallin dopé avec une impureté, sur toute la surface de la structure résultante. Selon la cinquième forme de réalisation une électrode de stockage ayant une électrode cylindrique double (structure à plusieurs cylindres sans barre) peut être formée. La figure 8 illustre un dispositif de mémoire à semi-conducteur formé par une sixième forme de réalisation d'un procédé de fabrication selon la présente invention Après réalisation du processus décrit en se référant aux figures 7 A et 7 B, une profondeur prédéterminée de la première couche conductrice est gravée en utilisant le quatrième élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure, formant ainsi un quatrième motif d'électrode de stockage (non représenté) Le quatrième élément d'espacement de paroi latérale est alors enlevé, et un cinquième élément d'espacement de paroi latérale (non représenté) est formé sur la paroi latérale du quatrième motif d'électrode de stockage L'électrode de stockage 100 est ensuite formée en réalisant une gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante jusqu'à atteindre la couche d'élément d'espacement, en utilisant le cinquième élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure. Finalement, la couche diélectrique 110 est formée sur toute la surface de l'électrode de stockage, et l'électrode en plaque 120 est formée sur toute la surface de la couche diélectrique. Selon la sixième forme de réalisation ci- dessus, une électrode de stockage avec des électrodes cylindriques quadruples (structure à plusieurs cylindres sans barre) peut être formée. Les figures 9 A à 9 D sont des vues en coupe représentant une septième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention. La figure 9 A illustre l'étape de formation d'une deuxième couche de deuxième matière 82 et d'un premier motif 70 sur la première couche conductrice. Après formation de la première couche conductrice 46 par le procédé décrit en se référant aux figures 3 A à 3 C, une matière ayant une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant la première couche conductrice vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple de l'oxyde ou du nitrure, est ici déposée sur toute la surface de la structure résultante afin d'avoir une épaisseur d'environ 100 à 300 10-10 m, formant ainsi une deuxième couche de deuxième matière 82 Une matière ayant la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à celle de la matière constituant la première couche conductrice vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un silicium polycristallin dont l'épaisseur est d'environ 1000 à 3000 10-10 tm, est alors déposée sur toute la surface de la structure résultante, de sorte qu'une première couche de première matière est formée La première couche de première matière est alors tracée afin d'être définie en unités de cellule individuelle, formant ainsi le premier motif 70. La figure 9 B illustre un processus de formation d'un premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a Sur toute la surface de la structure sur laquelle le premier motif a été formé, une matière ayant une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant la première couche conductrice 46 vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un nitrure ou un oxyde, est déposée avec une épaisseur d'environ 500 à 1500 10-10 m en formant la première couche de deuxième matière Une gravure anisotrope est ensuite réalisée afin de former un premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a sur la paroi latérale du premier motif A ce moment là, comme cela est bien connu de l'homme de métier, la deuxième couche de deuxième matière entre le premier élément d'espacement de paroi latérale est également enlevée. La figure 9 C illustre un processus de formation d'une cinquième motif d'électrode de stockage 50 Une gravure anisotrope est réalisée sur la première couche conductrice en utilisant le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a comme masque de gravure de sorte qu'une profondeur prédéterminée de la première couche conductrice, par exemple d'approximativement 500 à 1500 10-10 m, est gravée, formant ainsi le cinquième motif d'électrode de stockage 50 A ce moment là, le premier motif est enlevé au cours de la gravure afin de former le cinquième motif d'électrode de stockage, du fait qu'il a la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à celle de la matière constituant la première couche conductrice. La figure 9 D illustre un processus de formation d'une électrode de stockage 100, qui comprend les étapes d'enlèvement de toute la deuxième couche de deuxième matière qui reste sur la partie inférieure du premier élément d'espacement de paroi latérale, et de formation de l'électrode de stockage 100 en réalisant une gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante jusqu'à atteindre la couche d'élément d'espacement 44, en utilisant le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a comme un masque de gravure. Les figures l OA à l OD sont des vues en coupe représentant une huitième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention. Pour commencer, la figure l OA illustre l'étape de formation d'un motif 82 b pour la formation d'une électrode en forme de barre, et d'un premier motif 70 sur la première couche conductrice Après avoir formé le premier motif 70 au moyen du procédé décrit en se référant à la figure 9 A, une gravure anisotrope ou isotrope, ou une gravure anisotrope et isotrope, est réalisée sur la deuxième couche de deuxième matière, de sorte que la deuxième couche de deuxième matière est partiellement enlevée afin de laisser une partie de la deuxième couche de deuxième matière formée sous le premier motif, formant ainsi le motif 82 b pour la formation d'électrodes en forme de barre La deuxième couche de deuxième matière est de préférence formée avec une épaisseur d'environ 200 à 1500 1 ol O im, et l'inclinaison de la paroi latérale de premier motif ne doit pas être positive (E deuxième matière comme couche d'arrêt de gravure. La figure l OB illustre l'étape de formation d'une deuxième couche de première matière 72 et d'un premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a Une matière ayant la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à celle de la matière constituant le premier motif 70 et la première couche conductrice 46 vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un silicium polycristallin, est déposée sur toute la surface de la structure résultante avec une épaisseur d'environ 300 à 1500 1 i OîO m, formant ainsi la deuxième couche de première matière 72 Le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a est alors formée par le même procédé que celui décrit en se référant à la figure 9 B. La figure 10 C illustre un processus de formation d'une électrode de stockage 100, dans lequel une gravure anisotrope est réalisée sur la structure résultante ayant le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a dessus jusqu'à atteindre la couche d'élément d'espacement 44, en utilisant la deuxième couche de première matière 72 comme objet gravé, terminant ainsi l'électrode de stockage 100 constituée de l'électrode cylindrique l O Ob et de l'électrode en forme de barre l O Qa A ce moment là, comme cela est bien connu de l'homme de métier, du fait que le premier motif et la première couche conductrice se composent de matières ayant les mêmes vitesses de gravure ou des vitesses similaires vis-à-vis de la gravure anisotrope, le premier motif et la première couche conductrice sont enlevés ensemble pendant le processus de gravure anisotrope, et le motif 80 b destiné à former l'électrode en forme de barre est utilisé comme masque de gravure. Lorsque l'inclinaison de paroi latérale est positive, un rebord pointu (non représenté) est formé le long de la paroi intérieure (partie A) de l'électrode cylindrique, de sorte que la possibilité du courant de fuite décrit dans le procédé conventionnel (se référer aux figures l A à 1 H) est élevée Toutefois, dans cette forme de réalisation, du fait que le processus est réalisé après formation de l'inclinaison de la paroi latérale de façon à ne pas être positive, la formation du rebord est empêchée, de sorte qu'un dispositif de mémoire à semi-conducteur à fiabilité élevée peut être fabriqué. La figure l OD illustre un processus de formation couche diélectrique 110 et d'électrode en plaque 120 Le premier élément d'espacement de paroi latérale, le motif pour la formation d'électrode en forme de barre, et la couche d'élément d'espacement sont enlevés (Ici la deuxième couche de première matière 72 a restant sur la partie inférieure du premier élément d'espacement de paroi latérale peut être enlevée ou ne pas être enlevée, mais est laissée intacte, et dans ce cas, lorsque le silicium polycristallin est utilisé comme deuxième couche de première matière, n'est pas enlevée) La couche diélectrique 110 est alors formée sur toute la surface de l'électrode stockage, et l'électrode en plaque 120 est formée en déposant une matière conductrice, par exemple un silicium polycristallin dopé avec une impureté, sur toute la surface de la couche diélectrique. Selon la huitième forme de réalisation, une électrode en forme de barre unique peut être formée à l'intérieur de l'électrode cylindrique et de façon à ne pas former le rebord Par conséquent, la fiabilité et la densité d'intégration du dispositif de mémoire à semi-conducteur peuvent également être améliorées. Les figures 11 A à ll D sont des vues en coupe représentant une neuvième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention. La figure l IA illustre un processus de formation d'un motif 82 b pour la formation d'électrode en forme de barre et d'un premier motif 70, le motif 82 b pour la formation d'électrode en forme de barre étant formé par le même procédé que celui décrit en se référant à la figure 1 OA, excepté qu'ici la deuxième couche de deuxième matière est formée avec une épaisseur d'environ 500 à 1500 10-10 m, et que la seule gravure destinée à former le motif de formation d'électrode en forme de barre qui est utilisé est la gravure isotrope ou la gravure anisotrope et isotrope. La figure ll B illustre un processus de formation d'une troisième couche de matière 90 et d'une quatrième couche de matière 92 La troisième couche de matière 90 est formée en déposant une matière dont la vitesse de gravure est la même que ou similaire à celle de la matière constituant le premier motif 70 et la première couche conductrice 46 par rapport à toute gravure anisotrope, par exemple un silicium polycristallin dont l'épaisseur est d'environ 300 à 600 -10 m La quatrième couche de matière est également formée en déposant une matière ayant une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant la troisième couche de matière 90 par rapport à toute gravure anisotrope, par exemple un nitrure ou un oxyde. La quatrième couche de matière est alors gravée afin de laisser la quatrième couche de matière 92 uniquement dans l'espace sous le premier motif 70. La figure 11 C illustre l'étape de formation de la deuxième couche de première matière 72 et du premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a qui sont formés sur la structure résultante grâce au procédé décrit en se référant à la figure l OB. La figure 11 D illustre l'étape de formation d'une électrode de stockage 100 En réalisant une gravure anisotrope sur la deuxième couche de première matière, non seulement cette couche est enlevée, mais également la troisième couche de matière, le premier motif, et la première couche conductrice, terminant l'électrode de stockage 100 Il est évident ici pour l'homme de métier que le motif 82 destiné à former la quatrième couche de matière 92 et l'électrode en forme de barre fonctionne comme masque de gravure avec le premier élément d'espacement de paroi latérale. Selon la neuvième forme de réalisation, une électrode de stockage ayant une électrode en forme de barre à l'intérieur d'une électrode cylindrique double (structure à plusieurs cylindres et barre unique) peut être obtenue. Les figures 12 A à 12 E sont des vues en coupe représentant une dixième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention. Pour commencer, la figure 12 A illustre un processus de formation d'une première couche de cinquième matière 94 et d'un premier motif 70 Après formation de la première couche conductrice 46 grâce au procédé décrit en se référant aux figures 3 A à 3 C, une matière ayant une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant la première couche conductrice vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un oxyde ou un nitrure, est déposée sur toute la surface de la structure résultante avec une épaisseur d'environ 200 à 1500 1 i O O m, formant ainsi la première couche de cinquième matière 94 Une matière dont la vitesse de gravure est différente de celle de la matière constituant la cinquième couche de matière et la même que celle ou similaire à celle de la matière constituant la première couche conductrice vis-à-vis de toute gravure anisotrope, est alors déposée afin d'avoir une épaisseur d'environ 1000 à 3000 1 î 010 m. Ensuite, la matière déposée est tracée afin d'être séparée en unités de cellule individuelle, formant ainsi un premier motif 70. La figure 12 B illustre l'étape de formation d'une deuxième couche de cinquième matière 96 et d'un premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a. Tout d'abord, la première couche de cinquième matière est gravée, en utilisant le premier motif 70 comme un masque de gravure (cette étape peut être omise) La deuxième couche de cinquième matière 96 est formée en déposant une matière ayant la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à celle de la matière constituant la première couche de cinquième matière vis-à-vis de toute gravure anisotrope Une matière dont la vitesse de gravure est la même que celle de la matière constituant le premier motif 70 et la première couche conductrice 46 vis- à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un silicium polycristallin, est alors déposée sur toute la surface de la structure résultante, et est gravée de manière anisotrope en formant ainsi le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a. La figure 12 C illustre l'étape de formation d'une troisième couche de deuxième matière 84 Une matière dont la vitesse de gravure est la même que ou similaire à celle de la matière constituant le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a, le premier motif 70 et la première couche conductrice 46 vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple en silicium polycristallin, est ici déposée sur toute la surface de la structure résultante avec une épaisseur supérieure à la moitié de la deuxième couche de cinquième matière 96, formant ainsi la troisième couche de deuxième matière 84. La figure 12 D illustre l'étape de formation d'une électrode de stockage 100 En réalisant la gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante, en utilisant la troisième couche de deuxième matière comme objet gravé, et du fait que la matière constituant le premier élément d'espacement de paroi latérale, le premier motif et la première couche conductrice a la même vitesse de gravure que la matière constituant la troisième couche de deuxième matière, la première couche conductrice est également gravée par la gravure anisotrope, de sorte que l'électrode de stockage 100 est formée La première couche de cinquième matière 94 fonctionne ici comme un masque de gravure avec la deuxième couche de cinquième matière 96. La figure 12 E illustre un processus de formation d'une couche diélectrique 110 et d'une électrode en plaque 120 La première couche de cinquième matière, la deuxième couche de cinquième matière et la couche d'élément d'espacement sont tout d'abord enlevées Une matière diélectrique, par exemple une couche ONO, est alors déposée sur toute la surface de l'électrode de stockage 100 en formant la couche diélectrique 110 Une matière conductrice, par exemple un silicium polycristallin dopé avec une impureté, est alors déposée sur toute la surface de la structure résultante en formant l'électrode en plaque 120. Selon la dixième forme de réalisation, une électrode de stockage constituée par un étage unique (structure à cylindre unique et barre unique) peut être obtenue. Les figures 13 A à 13 E sont des vues en coupe représentant une onzième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention. Pour commencer, dans la structure illustrée sur la figure 13 A, la première couche conductrice 46 est formée grâce au procédé décrit en se référant aux figures 3 A à 3 C Ensuite, étant donné qu'une matière dont la vitesse de gravure est la même que ou est similaire à celle d'une matière constituant la première couche conductrice vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un silicium polycristallin, constitue une première matière, et qu'une matière ayant une vitesse de gravure différente de celle de la première couche de matière conductrice, par exemple un oxyde ou un nitrure, constitue une deuxième matière, la deuxième matière et la première matière sont empilées de manière alternée deux fois sur toute la surface de la structure résultante, de sorte qu'une quatrième couche de deuxième matière 86 (d'environ 200 à 1500 10- m d'épaisseur), une troisième couche de première matière 74, une deuxième couche de deuxième matière (d'environ 200 à 1500 10-10 m d'épaisseur), et une première couche de première matière sont formées La première couche de première matière est alors tracée afin de former un premier motif 70, et un deuxième motif 82 c est formé en gravant la deuxième couche de deuxième matière en utilisant le premier motif comme masque de gravure A la suite de cela, une matière dont la vitesse de gravure est la même que ou est similaire à celle de la première matière vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un silicium polycristallin, est déposée sur toute la surface de la structure résultante, formant ainsi une quatrième couche de première matière 76 Après dépôt d'une matière ayant la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à la deuxième matière vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un oxyde ou un nitrure, sur toute la surface de la structure résultante, la gravure anisotrope est réalisée, formant un premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a. La figure 13 B illustre l'étape de formation d'un sixième motif d'électrode de stockage 51. Lorsqu'une gravure anisotrope est réalisée sur la quatrième couche de première matière, le sixième motif d'électrode de stockage 51 est formé grâce aux premières matières restantes empilées sur le premier élément d'espacement de paroi latérale et la partie inférieure du deuxième motif Ceci est réalisé grâce au fait que la matière constituant la quatrième couche de première matière a la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à la matière constituant le premier motif et la troisième couche de première matière vis-à-vis de la gravure anisotrope, mais a une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a, le deuxième motif 82 c et la quatrième couche de deuxième matière 86. La figure 13 C illustre l'étape de formation d'un septième motif d'électrode de stockage 52, d'une cinquième couche de première matière 78 et d'un sixième élément d'espacement de paroi latérale 88 En gravant la quatrième couche de deuxième matière en utilisant le sixième motif d'électrode de stockage 51 comme masque de gravure, (qui est le même que le procédé décrit pour la figure l OA), le septième motif d'électrode de stockage 52 est formé sur la partie inférieure du sixième motif d'électrode de stockage Une matière ayant la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à celle des matières constituant le sixième motif d'électrode de stockage 51 vis-à-vis de toute gravure anisotrope est déposée afin de former la cinquième couche de première matière 78 Une matière dont la vitesse de gravure est différente de celle de la matière constituant la cinquième couche de première matière vis-à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un oxyde ou un nitrure, est alors déposée sur toute la surface de la structure résultante, formant ainsi la cinquième couche de deuxième matière Le sixième élément d'espacement de paroi latérale 88 est formé par gravure anisotrope de la cinquième couche de deuxième matière. La figure 13 D illustre l'étape de formation d'une électrode de stockage 100 En réalisant une gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante, en utilisant le sixième élément d'espacement de paroi latérale 88 comme masque de gravure et la cinquième couche de première matière 78 comme objet gravé, le sixième motif d'électrode de stockage et la première couche conductrice sont également enlevés grâce à la gravure anisotrope, formant ainsi l'électrode de stockage 100 Ceci est dû au fait que la matière constituant la cinquième couche de première matière 78 a la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à la matière constituant la première couche conductrice 46 et le sixième motif d'électrode de stockage 51 vis-à-vis de la gravure anisotrope, et a une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant le sixième élément d'espacement de paroi latérale 88 et le septième motif d'électrode de stockage 52 Le septième motif d'électrode de stockage 52 fonctionne ici comme masque de gravure avec le sixième élément d'espacement de paroi latérale 88. La figure 13 E illustre un processus de formation d'une couche diélectrique 110 et d'une électrode en plaque 120 Après enlèvement du sixième élément d'espacement de paroi latérale, de la couche d'élément d'espacement, et du septième motif d'électrode de stockage, la couche diélectrique 110 et l'électrode en plaque 120 sont formées sur toute la surface de la structure résultante grâce au même procédé décrit en se référant à la figure 12 E. Selon la onzième forme de réalisation, l'électrode de stockage ayant une électrode en forme de barre avec une électrode cylindrique quadruple (structure à plusieurs cylindres et barre unique) peut être obtenue. Les figures 14 A et 14 B sont des vues en coupe représentant une douzième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur selon la présente invention Après formation d'une rainure 7 dont la taille bidimensionnelle est inférieure à l'électrode de stockage dans la couche d'élément d'espacement (ou une couche de matière isolante) o l'électrode de stockage est formée (figure 14 A), l'électrode de stockage est formée et la couche d'élément d'espacement (ou une couche de matièreisolante) est ensuite enlevée. Selon la douzième forme de réalisation, une électrode de stockage 100 qui n'a pas de partie faible A (comme cela est désigné sur la figure 13 E) peut être obtenue. Les figures 15 A, 15 B et 15 C sont des vues en coupe représentant une treizième forme de réalisation d'un procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la présente invention Une matière ayant une vitesse de gravure différente de celle de la première couche de matière conductrice vis- à-vis de toute gravure anisotrope, par exemple un oxyde ou un nitrure, est déposée sur la première couche conductrice 46 et tracée afin de former un premier motif 70 (figure 15 A) Une matière ayant la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à celle de la matière constituant la première couche conductrice vis-à-vis de toute gravure anisotrope est également déposée sur la structure résultante, formant une sixième couche de matière 98 Une matière ayant une vitesse de gravure différente de celle de la matière constituant la sixième couche de matière 98 vis-à-vis de toute-gravure anisotrope, par exemple un oxyde ou un nitrure, est alors déposée sur toute la surface de la structure résultante, formant un premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a (figure 15 B) Une électrode de stockage 100 est finalement formée en gravant la sixième couche de matière et la première couche conductrice, en utilisant le premier élément d'espacement de paroi latérale 80 a et le premier motif comme masques de gravure (figure 15 C) A ce moment là, le premier motif 70 se compose de plusieurs motifs, et la sixième couche de matière forme une partie de l'électrode de stockage lorsque la matière constituant la sixième couche de matière est la même que la matière constituant la première couche conductrice. Selon la treizième forme de réalisation, une électrode de stockage ayant plusieurs électrodes en forme de barre à l'intérieur d'une électrode cylindrique (structure à cylindre unique et barres multiples) peut être obtenue. L'oxyde utilisé dans les formes de réalisation ci-dessus est un oxyde quelconque choisi parmi la couche d'oxyde à température élevée, une couche d'oxyde de tétra-éthyl-ortho-silicate (PE-TEOS) durcie par plasma, et une couche d'oxyde silane, et un nitrure de silicium est utilisé comme nitrure La paroi latérale de chaque électrode de stockage est également formée de préférence de façon à ne pas être inclinée de manière négative. Par conséquent, la présente invention est favorable à l'obtention d'une densité d'intégration élevée d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur grâce à des électrodes de stockage de différentes structures telles qu'une structure d'électrode à cylindre unique et barre unique, une structure d'électrode à cylindre unique et barres multiples, une structure d'électrode à cylindres multiples et barre unique, et une structure d'électrode à cylindres multiples et barres multiples En outre, l'apparition d'un rebord peut être empêchée, et l'électrode de stockage peut être réalisée sous forme d'un étage unique, de sorte qu'un dispositif de mémoire à semi- conducteur à fiabilité élevée peut être fabriqué. 34 2680913 Il est évident que différentes modifications peuvent être apportées facilement par l'homme de métier sans sortir de l'esprit ou de la portée de concepts nouveaux de la présente invention. REVENDICATIONS 1 Dispositif de mémoire à semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comporte un condensateur ayant une électrode de stockage ( 100) dont la paroi latérale a une inclinaison non négative par rapport à la surface horizontale. 2 Dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode de stockage est un cylindre ( 1 Ob). 3 Dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que des barres multiples sont formées à l'intérieur dudit cylindre. 4 Dispositif de mémoire à semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que ladite électrode de stockage est constituée par au moins un cylindre. Dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode de stockage est formée de façon à utiliser sa surface inférieure comme surface efficace destinée à fixer la capacité de cellule. 6 Dispositif de mémoire à semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 et 5, caractérisé en ce que ladite surface inférieure de ladite électrode de stockage est aplanie. 7 Dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode de stockage est constituée par une couche conductrice à un seul étage. 8 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur caractérisé en ce qu'il comprend un processus de fabrication d'un condensateur comportant les étapes de: formation d'une première couche conductrice ( 46) sur un substrat semi-conducteur ( 10); formation d'un premier motif ( 70) composé d'une première couche de première matière sur ladite première couche conductrice; formation d'un premier élément d'espacement de paroi latérale ( 80 a) composé d'une première couche de deuxième matière sur la structure résultante; et gravure de la couche de matière sous ledit premier élément d'espacement de paroi latérale, en utilisant ledit premier élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure. 9 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape d'empilage d'une couche d'arrêt de gravure ( 42) et d'une couche d'élément d'espacement ( 44) sur toute la surface dudit substrat semi-conducteur, avant ladite étape de formation de ladite première couche conductrice. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de formation d'une couche d'aplanissement ( 40) avec une surface aplanie sur toute la surface dudit substrat semi-conducteur avant ladite étape d'empilage desdites couches d'arrêt de gravure et d'élément d'espacement. 11 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, caractérisé en ce que ladite couche d'élément d'espacement ( 44) est enlevée avant de former une couche diélectrique ( 110). 12 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite couche de matière formée sur la partie inférieure dudit premier élément d'espacement de paroi latérale ( 80 a) est ladite première couche conductrice ( 46). 13 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que ladite étape de gravure de ladite première couche conductrice en utilisant ledit élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure est réalisée lorsque ledit premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière est enlevé ou laissé intact. 14 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 13, lorsque ladite première couche conductrice est gravée tout en laissant intact ledit premier motif composé de ladite première couche de première matière, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes de: enlèvement dudit premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière, après définition de ladite première couche conductrice en unités de cellule individuelle par gravure de ladite première couche conductrice lorsque ledit premier motif composé de ladite première couche de première matière est laissé intact; et gravure à une profondeur prédéterminée de ladite première couche conductrice en utilisant ledit premier élément d'espacement de paroi latérale ( 80 a) comme masque de gravure. 15 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 13, lorsque ladite première couche conductrice est gravée tout en laissant intact ledit premier motif composé de ladite première couche de première matière, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes de: enlèvement dudit premier motif composé de ladite première couche de première matière, après gravure à une profondeur prédéterminée de ladite première couche conductrice lorsque ledit premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière est laissée intacte; formation d'un premier motif d'électrode de stockage ( 47) par gravure à une profondeur prédéterminée de ladite première couche conductrice, en utilisant ledit premier élément d'espacement de paroi latérale ( 80 a) comme un masque de gravure; enlèvement dudit premier élément d'espacement de paroi latérale; formation d'un deuxième élément d'espacement de paroi latérale ( 80 b) sur la paroi latérale dudit premier motif d'électrode de stockage ( 47); et gravure de ladite première couche conductrice en utilisant ledit deuxième élément d'espacement de paroi latérale ( 80 b) comme un masque de gravure. 16 Procédé de fabrication du dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 13, lorsque ladite première couche conductrice est gravée tout en enlevant ledit premier motif composé de ladite première couche de première matière, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes de: formation d'un deuxième motif d'électrode de stockage ( 48) en gravant à une profondeur prédéterminée ladite première couche conductrice, en utilisant ledit premier élément d'espacement de paroi latérale ( 80 a) comme un masque de gravure; enlèvement dudit premier élément d'espacement de paroi latérale; formation d'un troisième élément d'espacement de paroi latérale ( 80 c) sur la paroi latérale dudit deuxième motif d'électrode de stockage ( 48); et gravure de ladite première couche conductrice en utilisant ledit troisième élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure. 17 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 8, après ladite étape de formation dudit premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière sur ladite première couche conductrice, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes de: gravure à une profondeur prédéterminée de ladite première couche conductrice en utilisant ledit premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière comme masque de gravure; et enlèvement dudit premier motif composé de ladite première couche de première matière. 18 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 17, après formation dudit troisième motif d'électrode de stockage ( 49) par gravure à une profondeur prédéterminée de ladite première couche conductrice en utilisant ledit premier élément d'espacement de paroi latérale ( 80 a) comme un masque de gravure, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes de: enlèvement des matières restant sur ledit troisième motif d'électrode de stockage ( 49); formation d'un quatrième élément d'espacement de paroi latérale 80 d sur la paroi latérale dudit troisième motif d'électrode de stockage ( 49); et gravure de ladite première couche conductrice en utilisant ledit quatrième élément d'espacement de paroi latérale comme un masque de gravure. 19 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 18, après formation d'un quatrième motif d'électrode de stockage par gravure à une profondeur prédéterminée de ladite première couche conductrice ( 46) en utilisant ledit quatrième élément d'espacement de paroi latérale ( 82) comme un masque de gravure, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes de: formation d'un cinquième élément d'espacement de paroi latérale sur la paroi latérale dudit quatrième motif d'électrode de stockage; et gravure de ladite première couche conductrice en utilisant ledit cinquième élément d'espacement de paroi latérale comme un masque de gravure. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que une matière qui a une vitesse de gravure différente de celle d'une matière constituant ladite couche conductrice par rapport à toute gravure anisotrope est utilisée comme matière constituant lesdits premier à cinquième éléments d'espacement de paroi latérale et ladite première couche de première matière. 21 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 20, caractérisé en ce que un silicium polycristallin dopé avec une impureté est utilisé comme dite matière constituant ladite première couche conductrice, une photo- réserve est utilisée comme dite première matière, et un oxyde ou un nitrure est utilisé comme dite matière constituant lesdits premier à cinquième éléments d'espacement de paroi latérale. 22 Procédé de fabrication d'un dispositif à mémoire à semi- conducteur selon l'une quelconque des revendications 14 à 19, caractérisé en ce que ladite profondeur prédéterminée est approximativement de 500 à 1500 10-10 m. 23 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite première matière est une matière ayant la même vitesse de gravure que ladite matière constituant ladite première couche conductrice vis-à-vis de toute gravure anisotrope. 24 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 23, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, avant la formation dudit premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière, l'étape de formation d'une deuxième couche de deuxième matière ( 82) sur ladite première couche conductrice ( 46) en déposant ladite deuxième matière qui a une vitesse de gravure différente de celle de ladite matière constituant ladite première couche de première matière par rapport à toute gravure anisotrope. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, après formation dudit premier motif composé de ladite premier motif ( 70), les étapes de: formation d'un motif composé de ladite deuxième couche de deuxième matière ( 82), pour la formation d'électrode en forme de barre, par gravure de ladite deuxième couche de deuxième matière ( 82) en utilisant ledit premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière; et formation d'une deuxième couche de première matière ( 72) en répétant le dépôt de ladite première matière sur toute la surface de la structure résultante, ledit motif pour la formation d'électrode en forme de barre fonctionnant également comme un masque de gravure lors de la gravure de ladite couche de matière formée sous ledit premier élément d'espacement de paroi latérale ( 80 a) en utilisant ledit premier élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure. 26 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 25, caractérisé en ce que ladite première couche conductrice ( 46) est réalisée avec une épaisseur d'approximativement 3000 à 6000 10-10 m, ladite deuxième couche de deuxième matière ( 82) fait approximativement 200 à 1500 10- 10 m, ledit premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière fait approximativement 1000 à 3000 10- 10 m, ladite deuxième couche de première matière ( 72) fait approximativement 500 à 1500 10-10 m, et ladite première couche de deuxième matière destinée à former lesdites premières parois latérales fait approximativement 500 à 1500 10-10 m. 27 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 25, caractérisé en ce que ladite étape de formation dudit motif de ladite deuxième couche de première matière ( 82) pour la formation d'électrode en forme de barre par gravure de ladite deuxième couche de deuxième matière est réalisée avec une gravure anisotrope, une gravure isotrope ou une gravure anisotrope et isotrope, qui utilise ledit premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière comme masque de gravure. 28 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 27, lorsque la gravure isotrope ou la gravure anisotrope plus la gravure isotrope est réalisée afin de former ledit motif pour la formation d'électrode en forme de barre, caractérisé en ce qu'il comporte en outre: une première étape d'empilage d'une troisième couche de matière ( 90) et d'une quatrième couche de matière ( 92) sur toute la surface de la structure résultante, après réalisation de ladite gravure isotrope ou ladite gravure anisotrope et isotrope; et une deuxième étape de gravure de ladite quatrième couche de matière ( 92) afin de laisser une partie de ladite quatrième couche de matière sous ledit motif pour la formation d'électrode en forme de barre. 29 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 28, caractérisé en ce que une matière constituant ladite troisième couche de matière ( 90) a une vitesse de gravure différente de celle de ladite deuxième matière, et la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à celle de ladite première matière par rapport à toute gravure anisotrope; et une matière constituant ladite quatrième couche de matière ( 92) a une vitesse de gravure différente de celle de ladite matière constituant ladite troisième couche de matière, et la même vitesse de gravure que ou une vitesse similaire à celle de ladite deuxième couche vis-à-vis d'une gravure anisotrope quelconque. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 28, caractérisé en ce que lesdites première et deuxième étapes sont réalisées au moins une fois après ladite étape de formation dudit motif pour la formation d'électrode en forme de barre. 31 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 28, caractérisé en ce que ladite deuxième couche de deuxième matière ( 82) est formée avec une épaisseur d'environ 500 à 1500 10-10 m, et ladite troisième couche de matière ( 90) fait environ 300 à 600 10-10 m. 32 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que la paroi latérale dudit premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière est formée de façon à avoir une inclinaison qui n'est pas négative par rapport à la surface horizontale. 33 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 23, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, avant ladite étape de formation dudit premier motif composé de ladite première couche de première matière, une étape de formation d'une première couche de cinquième matière ( 94) consistant en une matière dont la vitesse de gravure est différente de celle de ladite matière constituant ladite première couche conductrice vis-à- vis d'une gravure anisotrope quelconque. 34 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 33, caractérisé en ce que l'étape de répétition de la formation d'une deuxième couche de cinquième matière ( 96) sur toute la surface de la structure résultante est ajoutée après ladite étape de formation dudit premier motif composé de ladite première couche de première matière; ladite étape de gravure de ladite couche de matière formée sous ledit premier élément d'espacement de paroi latérale en utilisant ledit premier élément d'espacement de paroi latérale ( 80 a) composé de ladite première couche de deuxième matière comme masque de gravure est remplacé par une étape de réalisation d'une gravure anisotrope sur toute la surface de la structure résultante jusqu'à atteindre la surface de ladite première couche conductrice, en utilisant ledit premier élément d'espacement de paroi latérale et le premier motif ( 70) composé de ladite première couche de première matière comme masques de gravure; et une étape de formation d'une troisième couche de deuxième matière ( 84), et une étape de réalisation d'une gravure anisotrope sur ladite troisième couche de deuxième matière, l'élément d'espacement de paroi latérale, le premier motif et la première couche conductrice, en utilisant ladite première et deuxième couche de cinquième matière ( 96) restant sous ledit premier élément d'espacement de paroi latérale comme masque de gravure sont ensuite ajoutées. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 33, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, après ladite étape de formation dudit premier motif composé de ladite première couche de première matière, une étape de gravure anisotrope de ladite cinquième couche de matière, en utilisant ledit premier motif composé de ladite première couche de première matière comme un masque de gravure. 36 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 34, caractérisé en ce que un silicium polycristallin dopé avec une impureté est utilisé comme dite première couche conductrice, un silicium polycristallin est utilisé comme dite première et deuxième matière, et un oxyde ou un nitrure est utilisé comme matières constituant ladite cinquième couche de matière. 37 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'il comporte en outre les étapes de: empilage d'une quatrième couche de deuxième matière 86 composée de ladite deuxième couche de matière et d'une troisième couche de première matière ( 74) composée de ladite première matière sur ladite première couche conductrice, avant ladite étape de formation de ladite deuxième couche de deuxième matière ( 82); formation d'un deuxième motif composé de ladite deuxième couche de deuxième matière par gravure de ladite deuxième couche de deuxième matière, en utilisant ledit premier motif comme masque de gravure, et formation de la quatrième couche de première matière ( 76) en répétant le dépôt de ladite première matière sur toute la surface de la structure résultante, après la dite étape de formation dudit premier motif composé de ladite première couche de première matière; gravure de ladite couche de matière formée sous ledit premier élément d'espacement de paroi latérale, en utilisant ledit premier élément d'espacement de paroi latérale composé de ladite première couche de deuxième matière comme un masque de gravure; formation d'un cinquième motif d'électrode de stockage ( 50) par gravure anisotrope de ladite quatrième couche de première matière ( 76) et de ladite troisième couche de première matière ( 74), en utilisant ledit premier élément d'espacement de paroi latérale et le deuxième motif composé de ladite deuxième couche de deuxième matière ( 82) comme masques de gravure; formation d'un sixième motif d'électrode de stockage ( 51) composé de ladite quatrième couche de deuxième matière ( 86) par gravure de ladite quatrième couche de deuxième matière, en utilisant ledit cinquième motif d'électrode de stockage comme masque de gravure, et, dans le même temps, enlèvement dudit premier élément d'espacement de paroi latérale et dudit deuxième motif; formation d'une cinquième couche de première matière ( 78) et d'une cinquième couche de deuxième matière ( 88) en empilant de manière séquentielle lesdites première et deuxième matières sur toute la surface de la structure résultante; formation d'un sixième élément d'espacement de paroi latérale composé de ladite cinquième couche de deuxième matière ( 88) par gravure anisotrope de ladite cinquième couche de deuxième matière; et gravure anisotrope de ladite cinquième couche de première matière ( 78), dudit cinquième motif d'électrode de stockage, et de la première couche conductrice, en utilisant ledit sixième élément d'espacement de paroi latérale et ledit sixième motif d'électrode de stockage ( 51) comme masques de gravure. 38 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 37, caractérisé en ce que lesdits premier et deuxième motifs sont formés de façon à avoir une inclinaison de paroi latérale qui n'est pas positive par rapport à la surface horizontale. 39 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, caractérisé en ce que une rainure est formée dans ladite couche d'élément d'espacement de chaque cellule, afin d'être isolée l'une de l'autre et d'être définie comme unités de cellule individuelle. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 20, dans un lequel un silicium polycristallin dopé avec une impureté est utilisé comme dite matière constituant ladite première couche conductrice, un oxyde ou un nitrure est utilisé comme dite matière constituant ladite première couche de première matière, et un oxyde ou un nitrure est utilisé comme dite matière constituant lesdits premier à cinquième éléments d'espacement de paroi latérale. 41 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi- conducteur selon la revendication 40, caractérisé en ce que, après formation dudit premier motif composé de ladite première couche de première matière, une matière ayant la même vitesse de gravure que ladite matière constituant ladite première couche conductrice vis-à- vis d'une gravure anisotrope quelconque est de nouveau déposée sur la structure résultante. 42 Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire à semi-conducteur selon la revendication 41, caractérisé en ce que ledit premier motif est constitué par plusieurs motifs isolés l'un de l'autre.