FR 2667197 A1 19920327 FR 9011615 A 19900920 PROCEDE D'EPITAXIE SELECTIVE ET DE GRAVURE DE MATERIAU III-V OU II-VI DANS UN MEME BATI DE CROISSANCE OMCVD DESCRIPTION L'invention a pour objet un procédé d'épitaxie sélective et éventuellement de gravure de matériau III-V ou II-VI dans un bâti de croissance OMCVD permettant notamment la réalisation de structures semi-conductrices multicouches, épitaxiées, utilisables en particulier en microélectronique et en optoélectronique Ces structures sont donc destinées à la fabrication de circuits intégrés, de sources lasers enterrées, de composants intégrés laser-guide d'onde, de photodétecteurs, L'invention s'applique plus spécialement dans le domaine des télécommunications. On rappelle qu'un matériau III-V est un matériau contenant un ou plusieurs éléments de la colonne III et un ou plusieurs éléments de la colonne V de la classification périodique des éléments et qu'un matériau II-VI est un matériau contenant au moins un élément II et au moins un élément VI de cette classification. L'intégration de plusieurs composants III-V ou II-VI sur une même plaque support est un but visé par les fabricants, tant en microélectronique qu'en optoélectronique Pour cela, il est nécessaire de maîtriser les techniques de gravure et d'épitaxie sélective de ces matériaux. On appelle épitaxie sélective la technique qui permet de faire un dépôt monocristallin localisé sur un substrat monocristallin masqué partiellement par une couche de diélectrique ou une couche métallique. L'épitaxie est dite totalement sélective lorsque la croissance n'a lieu que dans les ouvertures du masque et qu'aucun dépôt n'est observé sur Le masque, quelles que soient les dimensions relatives des parties masquées et non masquées. D'autre part, si la structure finale est plane, c'est-à-dire que tous les composants sont sur le même niveau, les étapes technologiques ultérieures seront facilitées Il faut donc pouvoir graver une plaque suivant une forme voulue et déposer sélectivement les composants dans les creux ou les sillons ainsi définis. Il s'agit donc de réaliser les étapes suivantes: 1 Dépôt du masque, 2 Gravure du masque, 3 Gravure du substrat à travers les ouvertures du masque, 4 Epitaxie sélective du composant dans les ouvertu- res du masque. Actuellement, les étapes 3 et 4 se font dans des bâtis différents, ce qui peut entraîner une pollution de la surface du substrat lors du transfert de l'échantillion de la chambre de gravure à la chambre d'épitaxie Ceci est en particulier d O aux types distincts de gravure et d'épitaxie généralement utilisés. En effet, actuellement l'épitaxie de matériaux III-V se fait soit par croissance par jet moléculaire, notée MBE, opérant dans des conditions d'ultravide, soit par croissance en phase vapeur utilisant des composés organométalliques, notée OMCVD, opérant sous pression atmosphérique ou basse pression; par ailleurs la gravure de ces matériaux se fait actuellement soit par voie humide, c'est-à-dire par attaque chimique avec des mélanges d'acides en solution, à pression atmosphérique, soit par voie sèche telle qu'une gravure ionique réactive (RIE) à basse pression En particulier, Le document FR-A-2 615 655 déposé au nom de L Henry et C Vaudry enseigne une gravure RIE avec un mélange gazeux de CH 4/Ar/H 2 à des pressions de 1 à 4 Pa. De plus, les méthodes d'épitaxie et de gravure connues présentent toutes certains inconvénients. De façon générale, l'épitaxie OMCVD de Ga As se fait à pression atmosphérique en partant de triméthylgallium (TMG) et de As H ou arsine comme sources respectives de gallium et d'arsenic Pour l'épitaxie de Ga Al As, on utilise en plus du triméthylaluminium (TM Al) comme source d'aluminium. Lorsque l'épitaxie a lieu sur un substrat recouvert d'un diélectrique comme masque, la croissance de Ga As ou de Ga Al As est monocristalline dans les ouvertures du masque et généralement polycristalline sur le diélectrique Ce type de croissance n'est donc pas totalement sélectif. Pour obtenir une épitaxie totalement sélective de Ga As, c'est- à-dire sans dépôt sur le diélectrique, deux approches d'épitaxie OMCVD ont été étudiées, l'une faisant varier les conditions physiques de la croissance (pression du réacteur, température du substrat), l'autre faisant varier les conditions chimiques de la croissance (fabrication de nouvelles molécules). Ces méthodes d'épitaxie OMCVD totalement sélective connues introduisent malheureusement des contraintes spécifiques telles que la nécessité d'épitaxier à basse pression, ce qui introduit une contrainte supplémentaire du procédé qui peut être gênante (conditions de mise en oeuvre plus délicates, augmentation du coût de fabrication par exemple), ou la nécessité de synthétiser des molécules particulières pour chaque matériau à épitaxier. En particulier, l'épitaxie totalement sélective de Ga As à basse pression ( 10 torrs, soit 3 1,3 10 Pa) sur un substrat en Ga As partiellement masqué par du Si N a été décrite dans l'article Journal x of Crystal Growth 73 ( 1985) 73-76 de K Kamon et a L, "Selective epitaxial growth of Ga As by low- pressure MOVPE" Cette épitaxie est réalisée en partant du TMG et d'arsine comme sources respectives de gallium et d'arsenic. Dans l'article de T F Kuech et al, Appl. Phys Lett 54 ( 10) du 6 mars 1989, p 910-912, "Selective epitaxy in the conventional métalorganic vapor phase epitaxy of Ga As", il est décrit une épitaxie totalement sélective de Ga As en utilisant comme précurseur du gallium du chlorure de diéthylgallium (DE Ga Cl) sous basse pression ( 90 Torrs, soit 1,2 10 Pa) En plus des contraintes liées à l'utilisation de basses pressions, c'est-à-dire inférieures à la pression atmosphérique, ce procédé nécessite la fabrication de molécules particulières, non disponibles dans le commerce, compliquant le procédé et augmentant son coût. La croissance MBE et la gravure RIE connues ont, quant à elles, l'inconvénient d'utiliser des basses pressions (d'o contraintes de mise en oeuvre) et la gravure humide présente l'inconvénient d'être isotrope, ce qui ne permet pas l'obtention des motifs gravés de dimensions microniques voire submicroniques. L'invention propose donc un procédé d'épitaxie totalement sélective et éventuellement de gravure dans un bâti de croissance OMCVD permettant de remédier aux inconvénients ci-dessus En particulier, ce procédé met en oeuvre les conditions physiques classiques de croissance et les espèces chimiques généralement utilisées pour cette croissance qui sont disponibles dans le commerce Ce procédé permet en outre la gravure des substrats III-V ou II-VI dans le même bâti de croissance. De façon plus précise, l'invention a pour objet un procédé d'épitaxie sélective d'une couche semi-conductrice constituée d'au moins un élément III et d'au moins un élément V ou d'au moins un élément II et d'au moins un élément VI, comportant les étapes suivantes: a) déposer sur un matériau monocristallin respectivement III-V ou II-VI une couche de masque résistant à l'épitaxie, b) graver la couche de masque pour y former des ouvertures en regard des zones du matériau sur lesquelles doit être réalisée l'épitaxie sélective, et c) épitaxier la couche semi-conductrice sur lesdites zones dans un bâti OMCVD, caractérisé en ce que l'étape c) consiste à soumettre, sous pression atmosphérique, ledit matériau masqué à des vapeurs d'espèces chimiques d'au moins un élément III ou II et d'au moins un élément V ou VI, ainsi qu'à des vapeurs d'acide chlorhydrique ou d'au moins un halogénure d'un élément V ou VI, les éléments III et V ou II et VI des espèces chimiques et de l'halogénure étant ceux destinés à constituer la couche semi- conductrice, lesdites espèces chimiques étant des organo-métalliques et/ou des composés hydrogénés. Par matériau monocristallin, il faut comprendre un substrat massif monocristallin, une couche semi-conductrice monocristalline épitaxiée sur un substrat ou encore un empilement de couches semi- conductrices monocristallines. Le procédé se Lon l'invention s'applique à toute couche semi- conductrice et matériau III-V, binaire, ternaire ou quaternaire En particulier, l'élément III est choisi parmi le ga L Lium, L'indium, l'aluminium et leurs mélanges et l'élément V est choisi parmi le phosphore, l'arsenic, l'antimoine et leurs mélanges. L'invention s'applique particulièrement bien à l'épitaxie sélective de Ga As, de Ga AL As avec 1-x x O pour toutes les compositions en indium et/ou phosphore. De même, le procédé s'applique à toute couche semi-conductrice et matériau II-VI binaire, ternaire ou quaternaire En particulier, l'élément II est choisi parmi le zinc, le cadmium, le mercure et leurs mélanges et l'élément VI est choisi parmi le soufre, le sélénium, le tellure et leurs mélanges. La croissance des couches semi-conductrices III-V se fait soit par décomposition thermique de polyalkyle de l'élément III et de polyalkyle de l'élément V, soit par décomposition thermique de polyalkyle de l'élément III et de composés hydrogénés de l'élément V. De même, la croissance des couches II-VI se fait soit par décomposition thermique de polyalkyle de l'éLément II et de polyalkyle de l'élément VI, soit par décomposition thermique de polyalkyle de l'élément II et de composés hydrogénés de l'élément VI. Les radicaux alkyles utilisés comportent de 1 à 3 atomes de carbone. En particulier, le dép 8 t de couches semi- conductrices contenant du gallium, de l'indium ou de l'aluminium se fait respectivement par décomposition de triméthylgallium (TMG) ou de triéthylgallium (TEG); de triéthylindium (TEI) ou de triméthylindium (TMI) et de triméthylaluminium (TMAL). Le dépôt de couches semi-conductrices contenant du phosphore, de l'arsenic ou de l'antimoine se fait par décomposition respectivement de phosphine (PH 3), de triméthylphosphine (TMT) ou de triéthylphosphine (TEP); d'arsine (As H 3) ou de triméthylarsine (TM As) et d'hydrure d'antimoine (Sb H) ou de triméthylantimoine (TMS). Le dépôt de couches contenant du zinc, du cadmium ou du mercure se fait par décomposition respectivement de diéthylzinc (DEZ) ou de diméthylzinc (DMZ); de diméthylcadmium (DMC) et de diméthylmercure (DM Hg) Pour le dépôt de couches contenant du soufre, du sélénium ou du tellure, on utilise respectivement des vapeurs d'hydrogène sulfuré (H 2 S); d'hydrogène sélénié (H 2 Se) et de triméthyltellure (DM Te) ou de diéthyltellure (DE Te). L'épitaxie d'une couche semi-conductrice III- V dopée p est obtenue en soumettant en outre le matériau sur lequel doit être réalisée l'épitaxie sélective à un organométallique d'un élément II de la classification périodique des éléments Cet organométallique est en général l'un des polyalkyles métalliques cités précédemment. Pour obtenir une couche épitaxiée III-V dopée n, on soumet par ailleurs le matériau à un organométallique ou à un composé hydrogéné d'un élément de la colonne VI du tableau périodique des éléments, tel que ceux cités précédemment Il est aussi possible d'utiliser un organométallique ou un composé hydrogéné de la colonne IV du tableau périodique des éléments A cet effet, on peut utiliser le silane (Si H 4) ou le triméthylétain (DMS). Pour obtenir une couche épitaxiée II-VI dopée n, on soumet le matériau à des vapeurs d'un organométallique d'un élément de la colonne III tel que le TMG. Tous ces polyalkyles et composés hydrogénés sont ceux ordinairement utilisés pour la croissance en OMCVD de couches III-V ou II-VI, dopées ou non, et sont disponibles dans le commerce. L'halogènure de l'élément V ou VI utilisé pour l'épitaxie sélective peut être un chlorure, un bromure ou un fluorure De préférence, on utilise un chlorure. Dans le cas particulier d'une épitaxie de Ga As ou de Ga AL As avec O 3 3 une épitaxie de Hg Cd Te, on utilise H Cl. Le procédé de l'invention permet en outre, entre l'étape b) et c) une gravure des zones non masquées du matériau III-V ou II-VI sur lesquelles doit être réalisée l'épitaxie sélective, dans le même bâti de croissance OMCVD que l'épitaxie Ainsi, en éliminant le transfert du matériau III-V ou II-VI du bâti de gravure vers le bâti d'épitaxie sélective, on diminue les risques de pollution de la surface du matériau sur lequel doit être effectuée l'épitaxie De plus, cette gravure est anisotrope. Comme l'épitaxie sélective, la gravure des zones non masquées du matériau III-V ou II-VI sur lesquelles doit être réalisée l'épitaxie est réalisée à pression atmosphérique à l'aide de vapeur d'au moins un halogénure de l'éLément III, V, II ou VI constituant le matériau à graver. Pour la gravure de Ga As, on utilise avantageusement un halogénure de l'élément V et en particulier du chlorure d'arséniure Pour une gravure de Ga In As P, on peut utiliser PCL 3 ou As CL 3 et pour une gravure de Hg Cd Te, on peut utiliser du H Cl. Le procédé de l'invention peut être mis en oeuvre avec tout bâti de croissance OMCVD existant à condition de lui adjoindre une ligne d'introduction de l'halogénure de l'éLément III, V, II ou VI pour l'épitaxie et/ou la gravure du matériau III-V ou II-VI. Les températures de croissance utilisées sont celles couramment utilisées Pour l'épitaxie de Ga As, les températures de croissance généralement utilisées sont comprises dans la gamme allant de 650 C-750 C. Aussi, de préférence, on utilise cet intervalle de température pour la croissance Toutefois, il est possible de travailler en dehors de cette gamme de température sans nuire à la sélectivité du dépôt. L'épitaxie sélective et la gravure de matériau III-V se faisant à haute température, c'est-à- dire supérieure à 600 C, le matériau utilisé pour constituer le masque d'épitaxie et/ou de gravure doit être stable à cette température, ce qui exclut notamment les résines photosensibles généralement utilisées en microélectronique. Le masque de gravure est en particulier un diélectrique ou un métal et par exemple du nitrure de silicium, du dioxyde de silicium ou encore du tungstène déposé sous forme polycristalline. Selon l'invention, il est possible d'obtenir une épitaxie sélective pour toutes les valeurs du rapport R polyalkyle de l'élément III (ou II)/halogénure de l'élément V (ou VI) tel que O couche épitaxiée. Dans Le cas particulier d'épitaxie le Ga As et de Ga AL As Le rapport de As H /TMG optimum est de 20. 1-x x 3 Le procédé de l'invention peut s'appliquer à un matériau comportant n'importe quelle orientation cristallographique Toutefois, on utilise généralement la face car ce plan comporte deux plans de clivage et généralement utilisé en optoélectronique Il est à noter que cette orientation du matériau n'influe pas sur la sélectivité de la croissance. D'autres caractéritiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif en référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 illustre schématiquement les différentes étapes du procédé conforme à l'invention, la figure 2 représente schématiquement un bâti d'épitaxie pour la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention, et la figure 3 représente schématiquement la fabrication selon l'invention d'une structure laser- guide d'onde, intégrée. La description ci-après se rapporte à l'épitaxie sélective de Ga As ou de Ga Al As sur un substrat en Ga As Toutefois, comme on l'a vu précédemment, l'invention est d'application beaucoup plus générale. La figure 1 illustre schématiquement, en coupe transversale, les différentes étapes du procédé conforme à l'invention. Comme représenté sur la partie A, on part 1 1 d'un substrat monocristallin 2 de Ga As dont la surface 4 sur laquelle doit se faire L'épitaxie sélective est parallèle au plan Sur ce substrat 2 on dépose une couche 6 de nitrure de silicium (Si 3 N 4)dans laquelle on va réaliser le masque de gravure et d'épitaxie sélective. On forme alors à la surface de la couche 6 un masque de photolithographie 8 en résine photosensible par les procédés connus Ce masque 8 comporte des ouvertures 10 en regard des zones du substrat 2 sur lesquelles doit être réalisée l'épitaxie sélective. On effectue alors une gravure de la couche de masque 6 pour en éliminer les zones non masquées par la résine 8 Cette gravure est une gravure chimique utilisant une solution d'acide fluorhydrique Après élimination du masque de résine 8 de façon connue par voie chimique, on obtient la structure représentée sur la partie B de la figure 1. Les motifs 6 a de la couche de masque obtenus ainsi que les ouvertures 9 sont constitués de bandes parallèles à la direction et du substrat 2. On effectue alors une gravure des régions du substrat 2 non recouvertes de nitrure de silicium. Cette gravure est réalisée avec du As C 13 dans un bâti OMCVD de type connu auquel on a rajouté une alimentation en As C 13, comme représenté sur la figure 2 Cette gravure est réalisée à pression atmosphérique. Les trous formés dans le substrat portent la référence 12 sur la figure 1 (A). On effectue alors, dans le même bâti OMCVD, une épitaxie sélective de Ga As La structure obtenue est celle de la partie C de la figure 1 Le Ga As épitaxié dans les trous 12 du substrat 2 porte la référence 14. Cette épitaxie sélective est réalisée en chauffant le substrat 2 de 6500 C à 7500 C et en utilisant un mélange de TMG, As H 3 et As C 13 dilué dans le gaz vecteur constitué en général d'hydrogène. L'épitaxie est réalisée à pression atmosphérique. Dans ces conditions, on obtient une épitaxie totalement sélective, aucune cristallite n'apparaissant sur les motifs 6 a de nitrure de silicium, bien que la surface de diélectrique soit plus importante que la surface de Ga As exposée aux gaz de croissance De plus, les plans crystallographiques qui se développent pendant la croissance épitaxiale suivent la direction des motifs 6 a, c'est-à-dire la direction ou . Les inventeurs ont étudié l'influence du rapport TMG/As Cl sur la vitesse de croissance; ils ont constaté qu'elle augmentait avec ce rapport. Pour expliquer ces résultats, ils proposent le mécanisme réactionnel suivant: As C 13 se décompose selon la réaction ( 1) suivante: As Cl + 3/2 H = 1/4 As + 3 H Cl ( 1) 3 2 4 Le gaz chlorhydrique (H Cl) formé s'adsorbe alors sur le diélectrique, bloquant la croissance Dans les ouvertures 12, deux réactions sont en compétition, la gravure régie par l'équation ( 2) suivante: Ga As+H Cl=Ga Cl+ 1/4 As+ 1/2 H ( 2) et la croissance régie par l'équation ( 3) qui suit: Ga(CH)+As H 3 =Ga As+ 3 CH ( 3) En faisant varier le rapport TMG/As CL 3, on peut favoriser l'une ou l'autre des réactions et on peut donc faire varier la vitesse de dépôt. La valeur optimum du rapport TMG/As C 13 est celle correspondant à la plus faible valeur de As Cl car dans ces conditions, on obtient le plus bel état de surface des rubans épitaxiés 14 et des motifs 6 a du masque Cette valeur optimum est 20. Après élimination des motifs 6 a du masque par gravure chimique, on obtient la structure représentée sur la partie D de la figure 1. En jouant sur la durée de l'épitaxie et sur le débit des gaz, on peut former des zones épitaxiées 14 dont la surface affleure celle du substrat 2 On obtient ainsi une structure parfaitement plane telle que représentée. De la même façon les inventeurs ont réalisé une épitaxie sélective de Ga Al As avec x= 0,2 en 1-x x utilisant du TMAL comme gaz supplémentaire d'épitaxie. Les conditions opératoires étaient identiques de même que Les résultats obtenus. Sur la figure 2, on a représenté schématiquement un bâti OMCVD destiné à la gravure d'un substrat III-V et à l'épitaxie sélective -d'une couche semi-conductrice III-V sur ce dernier. Ce dispositif à configuration verticale comporte un réacteur en verre de silice 20, dans lequel est placé un suscepteur 22 supportant le substrat 24 monocristallin en matériau III-V masqué, à traiter. Les gaz nécessaires à la gravure du substrat et à la croissance épitaxiale sélective sont introduits à l'une des extrémités 26 du réacteur 20, l'autre extrémité étant utilisée pour l'évacuation des gaz de réaction (CH 4, Ga Cl, etc) et des gaz n'ayant pas réagi. Sur cette figure 2, on a représenté une conduite 28 destinée à l'introduction d'arsine dans le réacteur 20; une conduite 30 destinée à l'introduction d'As Cl; une conduite 32 d'introduction de TM Al et une conduite 34 d'introduction de TMG. Afin de réaliser un dopage de type N ou p des zones épitaxiées, ce dispositif comprend en outre une conduite 36 d'introduction de DEZ et une conduite 38 d'alimentation en Si H Ces différentes conduites sont équipées d'électrovannes 40 commandées de façon connue par un circuit électronique de commande 42 (du type microordinateur) On trouve en outre une conduite 41 d'introduction en gaz vecteur consistant en de l'hydrogène. Le pilotage de ce bâti OMCVD se fait de façon connue. Le réacteur en verre en silice 20 est placé dans un four à lampes à halogène, destiné au chauffage du substrat lors de la gravure et de l'épitaxie; ces lampes portent la référence 46. Avec le procédé de l'invention, on peut réaliser l'intégration d'un laser et d'un guide d'onde sur un même substrat, comme représenté schématiquement sur la figure 3. Sur un substrat 50 monocristallin de Ga As d'orientation on effectue successivement dans un bâti OMCVD l'épitaxie des différentes couches du laser en utilisant les composés organométalliques et/ou hydrogénés décrits précédemment: par exemple l'épitaxie d'une couche tampon 52 de Ga As dopée n, l'épitaxie de la couche inférieure de confinement en Ga Al As dopée N avec x= 0,30, puis l'épitaxie de la 1-x x couche active 56 en Ga As non intentionnellement dopée, l'épitaxie de la couche supérieure de confinement 58 en Ga AI As dopée p avec x= 0,30 et enfin la couche de 1-x x contact 60 en Ga As dopée p+. On réalise alors un masque 62 en nitrure de silicium comme décrit à la figure 1, fixant les dimensions latérales du laser ainsi que celles du guide d'onde à réaliser. On effectue alors avec le dispositif représenté sur la figure 2, une gravure des couches épitaxiées 60-52 jusqu'à mise à nu des régions du substrat 50 a sur lesquelles doit être réalisée l'épitaxie sélective des différentes couches du guide d'onde Cette gravure est réalisée avec du As C 13 à pression atmosphérique Le laser est ainsi réalisé. On effectue alors, dans le même bâti, une épitaxie sélective d'une couche 62 de Ga Al As avec 1-x x x= 0,30 constituant la couche inférieure de confinement du guide d'onde, puis l'épitaxie d'une couche 64 de Ga As constituant la couche guide puis l'épitaxie d'une couche 66 de Ga Al As avec x= 0,30 constituant la 1-x x couche supérieure de confinement du guide Les épaisseurs des couches 62, 64 et 66 sont telles que la couche guide 64 est située dans le prolongement de la couche active 56 du laser. Après élimination du masque de nitrure 62, on obtient une structure plane. Les conditions de dépôt et de gravure sont les mêmes que celles décrites en référence à la figure 1. Au lieu de faire croître les couches 62 à 66, on peut faire croÂtre une couche épaisse de Ga AL As 1-x x dopée p avec x= 0,35 à 0,40 On obtient alors une structure laser seule enterrée à confinement latéral. Le procédé de l'invention permet l'obtention de structures laser-guide d'onde ou structures lasers seules à surface plane contrairement aux procédés classiques de réalisation de ces structures. Au lieu de réaliser ces structures intégrées sur un substrat en Ga As, il est possible de les réaliser sur un substrat en In P Il suffit pour cela de remplacer les couches de Ga As par de l'In P et les couches de Ga AL As par des couches de Ga As In P. REVENDICATIONS 1 Procédé d'épitaxie sélective d'une couche semi-conductrice constituée d'au moins un éLément III et d'au moins un élément V ou d'au moins un élément II et d'au moins un élément VI, comportant les étapes suivantes: a) déposer sur un matériau monocristallin ( 2) respectivement III-V ou II-VI une couche de masque ( 6) résistant à l'épitaxie, b) graver la couche de masque pour y former des ouvertures ( 9) en regard des zones du matériau sur lesquelles doit être réalisée l'épitaxie sélective, et c) épitaxier la couche semi-conductrice ( 14) sur lesdites zones dans un bâti OMCVD, caractérisé en ce que l'étape c) consiste à soumettre, sous pression atmosphérique, ledit matériau masqué à des vapeurs d'espèces chimiques d'au moins un élément III ou II et d'au moins un élément V ou VI, ainsi qu'à des vapeurs d'acide chlorhydrique ou d'au moins un halogénure d'un éLément V ou VI, les éléments III et V ou II et VI des espèces chimiques et de l'halogénure étant ceux destinés à constituer la couche semi- conductrice, lesdites espèces chimiques étant des organo-métalliques et/ou des composés hydrogénés. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément III est choisi parmi le gallium, l'indium, l'aluminium et leurs mélanges et en ce que l'élément V est choisi parmi le phosphore, l'arsenic, l'antimoine et leurs mélanges. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément II est choisi parmi le zinc, le cadmium, le mercure et Leurs mélanges et en ce que l'élément VI est choisi parmi le soufre, le sélénium, Le tellure et leurs mélanges. 4 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'halogénure de l'élément V ou VI est un chlorure. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, appliqué à l'épitaxie de Ga As ou de Ga Al As, avec O utilise du chlorure d'arséniure comme halogénure. 6 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, appliqué à l'épitaxie d'une couche III-V ou II-VI dopée N ou p, caractérisé en ce qu'on soumet en outre le matériau à des vapeurs d'organométallique et/ou de composé hydrogéné d'un élément respectivement dopant N ou p. 7 Procédé selon l'une quelconque des revendications I à 6, caractérisé en ce qu'il comprend, entre l'étape b) et c), une gravure ( 12) des zones non masquées du matériau, cette gravure étant aussi réalisée à pression atmosphérique dans le bâti OMCVD utilisé pour l'épitaxie sélective, cette gravure étant réalisée à l'aide de vapeurs d'au moins un halogénure de l'élément III ou V respectivement II ou VI constituant le matériau à graver. 8 Procédé selon la revendication 7, appliqué à la gravure de Ga As, caractérisé en ce que l'on utilise du chlorure d'arséniure pour ladite gravure.