FR 2663800 A1 19911227 FR 9103962 A 19910402 La présente invention concerne des circuits et des techniques visant à réduire la distorsion dans l'étage de sortie d'amplificateurs symétriques, à empêcher une réduction de la largeur de bande lorsqu'un transistor de sortie rapide est bloqué en faveur de la conduction dans un transistor de sortie plus lent, et à rendre plus stable l'impédance de sortie de l'étage de sortie, en comparaison avec des étages de sortie d'amplificateurs symé- triques antérieurs. Les étages amplificateurs symétriques produisent de façon caracté- ristique une distorsion qui est due au fait que des transistors se bloquent au cours du fonctionnement d'un amplificateur symétrique En outre, le blocage d'un transistor de sortie rapide d'un amplificateur symétrique, en faveur d'une conduction de courant accrue dans un transistor de sortie plus lent de l'amplificateur symétrique, entraîne de façon caractéristique une réduction de la largeur de bande et un changement de l'impédance de sortie de l'amplificateur symétrique. On peut décrire le mécanisme de blocage de la sortie d'un étage am- plificateur symétrique en considérant le circuit amplificateur symétrique caractéristique 1 de la figure 1 Dans ce circuit dit complémentaire, un transistor NPN de rappel au potentiel haut, 2, et une résistance 4 sont connectés en amplificateurs à collecteur commun pour fournir un courant de sortie i O dans le conducteur 5, et un transistor PNP de rappel au po- tentiel bas, 7, est connecté avec une résistance 6 pour absorber un courant de sortie (-i 0) par le conducteur 5 Dans le but de faciliter la transition entre la condition dans laquelle le transistor de rappel au potentiel haut 2 fournit du courant de sortie, et la condition dans laquelle le transistor de rappel au potentiel bas 7 absorbe du courant de sortie, une tension de po- larisation de repos VB est appliquée entre les bases des transistors 2 et 7. La tension de polarisation VB est habituellement développée aux bornes de diodes telles que les diodes 9 et 10, qui sont elles-mêmes polarisées par une source de courant 3. Le fonctionnement du circuit décrit ci-dessus produit une distorsion des signaux à cause de la non-linéarité des transistors 2 et 7 et des dis- cordances entre leurs paramètres de fonctionnement La non-linéarité résul- te de la relation courant-tension exponentielle des jonctions émetteurbase des transistors de sortie 2 et 7 Lorsque l'un des ces transistors devient conducteur tandis que l'autre se bloque, la distorsion qui est due à la ré- ponse émetteur-base atteint son maximum, ce qui provoque la distorsion de transition Une distorsion résulte également de discordances dans les carac- téristiques des transistors 2 et 7 Par exemple, des différences entre les gains en courant des transistors 2 et 7 produisent une variation de la ré- sistance de sortie lorsque le courant de sortie i change de polarité. Pour éviter une telle distorsion, on a développé des étages de sor- tie qui assurent une polarisation continue des transistors de sortie De tels étages sont symétriques par nature, avec des sources de polarisation fixes Par conséquent, le blocage des transistors et la distorsion qui l'ac- compagne sont présents dans de tels étages de circuits de sortie symétri- ques non complémentaires. Le brevet des E U A N O 4 573 021 décrit un tel étage qui est adap- té pour la polarisation continue Dans ce cas, le courant dans l'un des transistors de sortie est détecté et il est comparé à un courant de réfé- rence On utilise la différence qui est déterminée par cette comparaison pour attaquer une boucle de réaction qui règle la polarisation pour main- tenir continuellement conducteur le transistor dont on détecte le courant. Cette technique augmente cependant considérablement la complexité de l'étage de sortie Par exemple, la mise en oeuvre de cette technique exige l'ajout d'un amplificateur différentiel, d'une source de courant de réfé- rence, d'une diode de référence et d'une diode de détection En outre, ce circuit forme une boucle de réaction contenant plusieurs étages amplifica- teurs et chacun d'eux ajoute un retard de phase et réduit la largeur de bande. Dans des circuits amplificateurs symétriques "non complémentaires" de l'art antérieur, le collecteur du transistor de rappel au potentiel bas est normalement connecté directement à la borne de sortie Dans ces condi- tions, le courant de sortie n'a aucun effet sur le courant de polarisation du transistor de rappel au potentiel haut La nécessité de bloquer l'un des transistors 2 et 7 dans le but de débloquer fortement l'autre, est illustrée par les deux courbes de courant de collecteur des transistors de sortie 2 A et 7 A sur la figure 2 L'un des dispositifs de sortie 2 ou 7 est toujours bloqué lorsqu'il existe une excursion notable du courant de sortie i 0, ce qui entraîne évidemment la distorsion de transition mentionnée ci-dessus. Il faut noter que l'étage de sortie complémentaire "classique" qui est re- présenté sur la figure 1 est difficile à réaliser en circuits intégrés, du fait qu'il est difficile de fabriquer des transistors PNP en circuits in- tégrés qui ont de bonnes caractéristiques dans des conditions de courant élevé Les amplificateurs symétriques en circuits intégrés sont donc géné- ralement des circuits non complémentaires. Ainsi, l'art antérieur le plus pertinent que l'on connaisse traite le problème du blocage des transistors de sortie en modifiant la source de po- larisation fixe, qui est soit une tension de polarisation constante pour des 1 o formes de réalisation complémentaires, soit une source de courant de pola- risation fixe pour des formes de réalisation non complémentaires. Un but de l'invention est donc de procurer un circuit amplificateur symétrique perfectionné qui réduise la distorsion de transition. Un autre but de l'invention est de procurer un circuit amplificateur symétrique simple et économique, qui réduise la distorsion de transition et qui augmente conjointement la largeur de bande par rapport à des circuits amplificateurs symétriques classiques. En résumé, selon un mode de réalisation, l'invention procure un cir- cuit de sortie symétrique qui comprend un transistor de rappel au poten- tiel haut et un transistor de rappel au potentiel bas d'un premier type de conductivité, avec un émetteur du transistor de rappel au potentiel haut connecté à un collecteur du transistor de rappel au potentiel bas Une pre- mière résistance est connectée entre un conducteur de sortie et l'émetteur du transistor de rappel au potentiel haut, et une seconde résistance est connectée entre un émetteur du transistor de rappel au potentiel bas et un premier conducteur de tension d'alimentation Un collecteur du transis- tor de rappel au potentiel haut est connecté à un second conducteur de tension d'alimentation Un circuit de polarisation comprend un transistor de séparation de phases ayant une première électrode d'acheminement de courant qui est connectée à une source de courant de polarisation constant et à une base du transistor de rappel au potentiel haut, une seconde élec- trode d'acheminement de courant qui est connectée à une base du transis- tor de rappel au potentiel bas, et une électrode de commande qui est con- nectée de façon à recevoir un signal d'entrée Une troisième résistance est connectée entre la base du transistor de rappel au potentiel haut et le conducteur de sortie Une quatrième résistance est connectée entre la base du transistor de rappel au potentiel bas et une borne de la seconde résistance qui est connectée au premier conducteur de tension d'alimenta- tion Le transistor de séparation de phases dirige une première partie du courant de polarisation constant dans un premier conducteur qui est con- necté à la base du transistor de rappel au potentiel haut et à la troisiè- me résistance, et il dirige une seconde partie restante du courant de po- larisation constant dans un second conducteur qui est connecté à la base du transistor de rappel au potentiel bas et à la quatrième résistance, sous la dépendance d'un signal d'entrée qui est appliqué à l'électrode de com- mande du transistor de séparation de phases Un changement d'un courant de sortie qui circule dans le conducteur de sortie change la tension base- émetteur du transistor de rappel au potentiel haut, par le fait que ce cou- rant circule dans la première résistance et change la tension aux bornes de la première résistance, de façon à compenser le fait qu'une partie du courant provenant de la source de courant de polarisation constant est di- rigée de manière à sortir du premier conducteur, pour maintenir la circu- lation d'une quantité minimale de courant de polarisation dans le transis- tor de rappel au potentiel haut, même lorsque le transistor de rappel au potentiel bas devient fortement conducteur, ce qui a pour effet de réduire la distorsion de transition, de maintenir une faible impédance de sortie et d'augmenter la largeur de bande du circuit de sortie symétrique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisa- tion, donnés à titre d'exemples non limitatifs La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 est un schéma d'un circuit utile à la description de lart antérieur; la figure 2 est un graphique utile à la description du circuit de l'art antérieur de la figure 1; la figure 3 est un schéma d'un mode de réalisation de la présente invention; la figure 3 A est un schéma d'un autre mode de réalisation du cir- cuit qui est représenté sur la figure 3; et la figure 4 est un graphique utile à la description du fonctionnement des circuits des figures 3 et 3 A. Pour commencer, il peut être utile de noter que les circuits de la présente invention, comme le circuit de la figure 3, diffèrent de l'art an- térieur par le fait que le collecteur du transistor de sortie 7 est con- necté à l'émetteur du transistor 2, au lieu d'être connecté à la borne de sortie 5 (Aux endroits appropriés, des références numériques semblables désignent les éléments semblables sur les figures 1, 3 et 3 A) Ceci conduit à une condition dans laquelle le courant de collecteur qui est absorbé par le transistor 7 empêche le blocage du transistor de rappel au potentiel haut 2, lorsque le transistor de rappel au potentiel bas 7 devient forte- ment conducteur Ceci est un résultat important, du fait que des étages de circuits de sortie symétriques de l'art antérieur ont une tension de po- larisation ou un courant de polarisation pour les transistors de sortie qui est utilisé de façon commune par les deux transistors de sortie La tension de polarisation ou le courant de polarisation disponible est fourni en plus grande proportion à l'un ou l'autre des transistors de sortie, conformément au courant de sortie L'art antérieur le plus proche utilise une réaction à partir de la sortie du circuit symétrique pour modifier la tension de po- larisation ou le courant de polarisation Dans la présente invention, un courant de polarisation disponible constant est "aiguillé" vers l'un ou l'autre des transistors de sortie par la source de signal d'attaque qui cons- titue un élément d'entrée pour l'étage de sortie symétrique, et on n'utili- se aucune réaction pour modifier la tension de polarisation ou le courant de polarisation disponible. Sur la figure 3, les transistors de sortie 2 et 7 utilisent en com- mun un circuit de polarisation symétrique unitaire 18 Le transistor de sor- tie 2 est un transistor NPN de rappel au potentiel haut dont le collecteur est connecté à V+ La base du transistor 2 est connectée par un conduc- teur 8 à une source de courant de polarisation constant 3 (qui produit un courant de polarisation IB), à l'émetteur d'un transistor PNP de sépara- tion de phases 21, et à une première borne d'une résistance 22 (qui a une valeur R 3) Comme mentionné ci-dessus, l'émetteur du transistor 2 est di- rectement connecté au collecteur du transistor NPN de rappel au potentiel bas 7 La base du transistor 7 est connectée par le conducteur 23 au col- lecteur du transistor de séparation de phases 21 et à une première borne d'une résistance 24 (qui a une valeur R 4) Le signal d'entrée de l'amplifi- cateur symétrique 20 est le signal e 1, qui est appliqué par le conducteur 11 à la base du transistor 21 Une seconde borne de la résistance 24 est connectée à V-. L'émetteur du transistor de rappel au potentiel haut 2 est également connecté à une borne d'une résistance de charge d'émetteur 4 A (qui a une valeur R 1) L'autre borne de la résistance 4 A est connectée à la borne de sortie 5, dans laquelle circule le courant de sortie i O Une seconde borne de la résistance 22 est également connectée à la borne de sortie 5 L'émet- teur du transistor de rappel au potentiel bas 7 est connecté à une borne d'une résistance 6 A (qui a une valeur R 2) L'autre borne de la résistance 6 A est connectée à V-. Dans le circuit de la figure 3, on utilise le courant de sortie io pour compenser la tension de polarisation qui est appliquée au transistor de rappel au potentiel haut 2 La connexion de l'émetteur du transistor de rappel au potentiel haut 2 au conducteur 5, par l'intermédiaire de la ré- sistance 4 A, et au collecteur du transistor de rappel au potentiel bas 7, polarise continuellement à l'état conducteur le transistor de rappel au po- tentiel haut 2 Le transistor de rappel au potentiel haut 2 est celui qui commande les caractéristiques de sortie critiques, comprenant l'impédance de sortie et la largeur de bande pour le circuit 20 Le transistor 7 pré- sente une impédance de sortie élevée à cause de sa configuration en émet- teur commun En maintenant continuellement le transistor 2 à l'état con- ducteur, ce transistor exerce une action prédominante sur l'impédance de sortie du circuit, en la maintenant à l'impédance de sortie de valeur ca- ractéristique faible d'un transistor à collecteur commun. Le fait de toujours maintenir à l'état conducteur le transistor de rappel au potentiel haut 2 améliore également considérablement la largeur de bande de l'amplificateur de sortie symétrique 20, du fait que la largeur de bande du circuit à collecteur commun 2, 4 A est très supérieure à celle du transistor 7 connecté en émetteur commun Le transistor de rappel au potentiel haut 2 maintient sa grande largeur de bande dans la voie de cir- cuit allant du signal d'entrée e jusqu'au signal de sortie eo, et il éta- i blit ainsi une dérivation vis-à-vis du retard de phase de la voie de cir- cuit plus lente qui passe par le transistor de rappel au potentiel bas 7. En fonctionnement, la source de courant 3 fournit un courant de po- larisation fixe IB qui est "absorbé," à des degrés variables par les deux transistors de sortie 2 et 7, en fonction des demandes de courant de sor- tie i On obtient le fonctionnement en mode symétrique par la fonction d'aiguillage de courant que réalise le transistor de séparation de phases 21, sous la dépendance de la tension ei Le transistor de séparation de phases 21 fournit des signaux d'attaque ayant des polarités opposées au transistor à collecteur commun 2 et au transistor à émetteur commun 7. Les courants i et i 2 établissent des tensions instantanées aux bornes res- pectivement du circuit à collecteur commun 2, 4 A et du transistor à émet- teur commun 7. Lorsque le courant i est égal à zéro, le courant qui circule dans le transistor de rappel au potentiel haut 2 circule également dans le tran- sistor de rappel au potentiel bas 7 Dans cette condition, le courant de polarisation 'B est divisé de façon approximativement égale entre i 1 et i 2. Des tensions approximativement égales sont alors établies sur les résis- tances 22 et 24 pour polariser les transistors 2 et 7 approximativement aux mêmes niveaux de courant. Pour des valeurs positives croissantes du courant i 0, le courant qui circule dans le transistor de rappel au potentiel haut 2 est augmenté du fait de l'augmentation de la tension aux bornes de la résistance 22 Ceci exige de fournir à i 1 une plus grande partie du courant I Dans ces con- ditions, moins de courant est disponible pour i 2, et la tension sur la ré- sistance 24 diminue à partir de son niveau de repos Par conséquent, le courant dans le transistor de rappel au potentiel bas 7 diminue au fur et à mesure que le courant dans le transistor de rappel au potentiel haut 2 augmente La poursuite de l'augmentation du courant dans le transistor à collecteur commun 2 finit par provoquer le blocage du transistor de rappel au potentiel bas 7, comme l'indique le segment 7 C de la courbe 7 A sur la figure 4. Cependant, le circuit symétrique 20 ne bloque pas le transistor de rappel au potentiel haut 2 lorsque la polarité du courant de sortie s'in- verse Pour des valeurs négatives du courant i 0, le courant i 2 est aug- menté, et ceci augmente le courant dans le transistor de rappel au poten- tiel bas 7 L'augmentation du courant dans le transistor 7 exige une dimi- nution du courant i 1 et une diminution correspondante de la tension sur la résistance 22 Normalement, cette diminution de tension devrait diminuer le courant dans le transistor 2, mais dans le circuit 20 on utilise le cou- rant de sortie 10 pour produire une augmentation de tension de polarisa- tion qui s'oppose à la diminution précitée Ceci se produit du fait que le collecteur du transistor de rappel au potentiel bas 7 est connecté à l'émet- teur du transistor de rappel au potentiel haut 2, au lieu d'être connecté à la borne de sortie 5, comme dans des circuits de l'art antérieur Le cou- rant qui provient du transistor de rappel au potentiel bas 7 circule alors dans la résistance d'émetteur 4 A du transistor à charge d'émetteur 2 La tension résultante sur la résistance 4 A réduit la tension sur l'émetteur du transistor de rappel au potentiel haut 2, et polarise donc davantage en sens direct le transistor de rappel au potentiel haut 2, pour s'opposer à la diminution de la polarisation qui est occasionnée par la diminution pré- citée du courant 12 * L'examen quantitatif de cette dernière opération porte essentiel- lement sur la tension émetteur-base du transistor de rappel au potentiel haut 2: ( 1) VBE 2 = i 1 R 3 (io -il)R ( 2) BBE 2 = il(R 3 + RI) i O R 1 En pratique, R 3 " R 1, et l'équation ( 2) se simplifie en ( 3) VBE 2 = IR 3i OR, Ainsi, un courant de sortie négatif augmente VBE 2 en même temps que la diminution de i 1 réduit cette tension En faisant en sorte que les deux ef- fets s'annulent, VBE 2 est maintenue constante en présence d'une excursion négative du courant i 0, et le courant dans le transistor de rappel au po- tentiel haut 2 est similaire de façon constante Pour produire un courant de sortie négatif, le courant de collecteur dans le transistor de rappel au potentiel bas 7 est augmenté d'une quantité égale à -o O Ceci augmente de -io R 2 la tension sur la résistance R 2, ce qui exige la même augmentation pour la tension sur la résistance R 4 Cette dernière augmentation exige que i 2 augmente d'une quantité ( 4) i 2 = -i OR 2/R 4 L'augmentation du courant i 2 provoque une diminution correspondante du courant il, mais i rétablit la polarisation du transistor de rappel au potentiel haut 2 Du fait de la diminution du courant il, la tension de polarisation sur R 3 diminue de ( 5) i 1 R 3 = i O R 2 R 3/R 4 Simultanément, la présence du courant i O augmente la tension sur la résis- tance R 1 d'une quantité i O R 1, et on a: ( 6) VBE 2 =i 1 R 3 -i O R 1 ( 7) VBE 2 = 2 R 3/R 4 i OR 1 Si ces deux variations de tension ont la même valeur absolue, la tension émetteur-base du transistor de rappel au potentiel haut 2 est inchangée. Pour avoir VBE 2 = 0, la résistances du circuit sont dans le rapport R 1/R 3 =R 2/R 4 En d'autres termes, le fait de donner des valeurs égales aux rapports des résistances d'émetteur et de polarisation pour les deux transistors 2 et 7, garantit un courant constant dans le transistor de rappel au potentiel haut 2, pour tous les niveaux négatifs du courant i On peut aisément établir cette condition, du fait que la configuration symétrique fait que l'on a R 1 =R 2 et R 3 =R 4- Dans l'étage de sortie 20, le signal présent sur l'émetteur du tran- sistor de séparation de phases 21 est en phase avec e 1, et le signal pré- sent sur le conducteur 23, au collecteur du transistor de séparation de phases 21, est en opposition de phase par rapport à ei Ceci est important du fait que le transistor de rappel au potentiel haut 2 ne produit pas d'in- version de phase par rapport au signal de sortie e 0, tandis que le col- lecteur du transistor de rappel au potentiel bas 7 produit effectivement une inversion de phase par rapport au signal de sortie e Par conséquent, le transistor de séparation de phases 21 accomplit un aiguillage de courant entre les transistors de sortie 2 et 7, et le cou- rant de polarisation fixe IB qui est disponible pour établir une tension de polarisation sur la résistance 22 ou la résistance 24, est ainsi aiguillé et divisé entre ces résistances Autrement dit, le transistor de séparation de phases 21 aiguille le courant IB entre les résistances 22 et 24 dans le but d'augmenter la conduction de courant dans le transistor de rappel au potentiel haut 2 ou dans le transistor de rappel au potentiel bas 7. La réaction de Miller dans le collecteur du transistor 7 et le gain qui est associé au transistor 7 limitent considérablement la largeur de ban- de de la voie de circuit qui comprend le transistor de rappel au potentiel bas 7, en comparaison avec la voie de circuit qui comprend le transistor de rappel au potentiel haut 2, d'un facteur d'environ trois. Le circuit amplificateur symétrique 20 A de la figure 3 A comporte deux modifications par rapport au circuit 20 de la figure 3. Le circuit de la figure 3 n'établit aucune réaction vers la source de courant de polarisation constant 3, et il ne modifie pas le courant que fournit cette dernière Dans le circuit de la figure 3, le courant de sor- tie i O ajuste la polarisation du dispositif de sortie à collecteur commun 2, par le fait que ce courant de sortie i circule dans la résistance de char- ge d'émetteur 4 A, ce qui maintient le transistor 2 dans l'état de conduc- tion A titre d'exemple, si i est positif et augmente, le transistor de rappel au potentiel haut 2 fournit l'augmentation de courant, auquel cas une plus grande partie du courant IB doit être dirigée de façon à circuler dans la résistance 22 Dans de telles conditions, un courant i 2 plus faible est fourni à la résistance 24, et le transistor de rappel au potentiel bas 7 se bloque, comme l'indique le segment 7 C de la courbe de courant de collecteur 7 A du transistor de rappel au potentiel bas, qui est représentée sur la figure 4 Ceci n'affecte cependant ni la largeur de bande ni l'impé- dance de sortie du circuit 20, qui sont définies par le transistor de rap- pel au potentiel haut 2 qui est continuellement conducteur. Pour des valeurs de plus en plus négatives du courant i 0, il est né- cessaire d'augmenter la conduction de courant dans le transistor de rap- Il pel au potentiel bas 7 Dans des circuits symétriques antérieurs, le col- lecteur d'un transistor de rappel au potentiel bas tel que le transistor 7 serait directement connecté au conducteur 5, et le courant de sortie n'au- rait aucun effet sur le courant de polarisation dans un transistor de rap- pel au potentiel haut, tel que le transistor 7 Cependant, dans le circuit de la présente invention, le courant de sortie io est dirigé par la ré- sistance 4 A vers le transistor de rappel au potentiel haut 2, et il réta- blit donc la polarisation émetteur-base résultante sur le transistor 2. Pour un courant de sortie i de plus en plus négatif, le courant i 2 est augmenté dans le but d'établir la tension nécessaire sur la résistance 6 A, qui est égale à R 2 fois i O La tension aux bornes de la résistance 24 est donc augmentée Il se produit une augmentation résultante correspon- dante du courant i 2 Pour permettre l'augmentation correspondante du cou- rant i 2, il doit y avoir une diminution similaire du courant il, du fait que la somme des courants i 1 et i 2 est la valeur constante IB* Du fait que i 1 a diminué, la tension aux bornes de la résistance 22 diminue dans un direc- tion qui réduit la tension de polarisation émetteur-base du transistor 2. Simultanément, le courant de sortie i qui circule dans la résistance 4 A a une direction qui augmente la polarisation émetteur-base du transistor 2. En définissant de façon appropriée les rapports entre les résistances R 1, R 2, R 3 et R 4, la chute de tension liée au courant de sortie, dans la résistance 4 A, s'oppose de façon appropriée à la réduction du courant de polarisation et à la réduction de la tension de polarisation que le courant i crée aux bornes de la résistance 22 On envisagera le cas caractéristi- que dans lequel R 3 = R 4 Un courant de sortie négatif produit une chute de tension dans la résistance 6 A qui est permise par une augmentation de la tension sur la résistance 24 Pour produire cette augmentation, un cou- rant est dérivé de la résistance 22 vers la résistance 24 Lorsque ces deux résistances sont égales, l'augmentation de la tension sur la résistance 24 produit une diminution égale de la tension sur la résistance 22 Par consé- quent, la variation de tension qui a commencé sur la résistance 6 A se ré- percute sur la résistance 22, mais avec une polarité opposée Pour compen- ser cette diminution, une augmentation de tension égale est produite sur la résistance 4 A par le courant de sortie qui a déclenché toutes les varia- * tions de tension ci-dessus L'augmentation de tension égale et compensatri- ce sur la résistance 4 A se produit lorsque R 1 = R 2, dans ce cas dans le- quel R 3 = R 4 * D'autres exigences de circuit peuvent imposer que la résistance 4 A et la résistance 6 A aient des valeurs différentes Par exemple, ces résis- tances sont utilisées de façon caractéristique pour la détection de courant pour permettre la limitation du courant de sortie Des moyens de limita- tion de courant différents pour des courants de sortie positifs et négatifs peuvent exiger des valeurs différentes pour ces deux résistances Dans ce cas, le rapport des résistances 22 et 24 est choisi égal au rapport des ré- sistances 4 A et 6 A Si on donne à la résistance 4 A une valeur supérieure d'un certain pourcentage à celle de la résistance 6 A, on donne alors à la résistance 22 une valeur supérieure du même pourcentage à celle de la ré- sistance 24 Dans ces conditions, lorsque le courant de sortie produit une chute de tension sur la résistance 6 A, cette chute de tension se répercute sur la résistance 22 avec la valeur absolue de la tension multipliée par un facteur de R 3/R 4 La tension de compensation correspondante qui apparaît sur la résistance 4 A est augmentée du même facteur si R 1/R 2 =R 3/R 4. En considérant la figure 3 A, on note que la conductivité du transis- tor de séparation de phases a été changée pour passer du type PNP au type NPN, comme l'indique le transistor 21 A La résistance 30 a été con- nectée entre V et les bornes inférieures des résistances 24 et 6 A, dans le but de compenser une caractéristique de transistor non idéale Le fait de changer le type de conductivité du transistor de séparation de phases 21 A permet d'attaquer par un circuit à collecteur commun la base du tran- sistor de rappel au potentiel bas 7, au lieu de celle du transistor de rap- pel au potentiel haut 2 La résistance 30 qui a une valeur R 5, compense des caractéristiques non idéales du transistor 7 Lorsqu'un courant de sor- tie négatif est absorbé par la résistance 6 A, il se produit une augmenta- tion de la tension aux bornes de la résistance 6 A Conjointement à ceci, il se produit une augmentation de la tension sur la jonction émetteur-base du transistor de rappel au potentiel bas 7, qui présente une résistance dy- namique d'émetteur en série avec la résistance 6 A, ce qui augmente la résistance d'émetteur effective Pour cette raison, l'augmentation de ten- sion qui est nécessaire aux bornes de la résistance 24 pour permettre cette chute de tension de résistance d'émetteur de valeur accrue, est supérieure à celle expliquée ci-dessus pour le circuit de la figure 3 Le courant i 2 doit être augmenté davantage que ce qui a été envisagé en relation avec le circuit de la figure 3, et le courant il doit être diminué davantage que ce qui a été indiqué ci-dessus Une correction plus importante est néces- saire pour le courant qui circule dans la résistance R l On doit modifier la valeur de la résistance 6 A, pour compenser la présence de la résistance dynamique d'émetteur dans l'émetteur du transistor 7. Le fait de diminuer la valeur de la résistance 6 A fait perdre une certaine symétrie du circuit Normalement, on souhaite avoir des chutes de tension similaires dans les circuits d'émetteur du transistor 2 et du tran- sistor 7, du fait que ces résistances sont également utilisées pour la dé- tection de courant dans la fonction de limitation de courant On utilise généralement des circuits de limitation de courant similaires pour les deux transistors de sortie, et des résistances de même valeur produisent alors des limites ayant des valeurs absolues égales pour les courants de sortie positif et négatif Le fait d'ajouter la résistance 30 comme il est repré- senté, permet de faire en sorte que la somme de la valeur de la résistan- ce 6 A et de la valeur de la résistance 30 soit égale à la valeur de la ré- sistance 4 A, ce qui maintient la symétrie désirée. Le Tableau 1 ci-dessous montre des exemples de valeurs des résistan- ces sur la figure 3 A. TABLEAU 1 RESISTANCE VALEUR R 1 30 ohms R 2 25 ohms R 3 3 kiloohms R 4 3 kiloohms R 5 5 ohms Des étages de circuits de sortie symétriques comprennent un circuit de polarisation unitaire qui est utilisé en commun par deux transistors de sortie La répartition du courant de la source de polarisation entre les deux transistors de sortie est commandée par le signal d'entrée e qui at- taque l'étage de sortie Une distinction essentielle entre la présente in- vention et l'art antérieur, consiste en ce que le circuit présent ne modi- fie pas la tension de polarisation ou le courant de polarisation constant, mais compense néanmoins la variation de la polarisation émetteur-base qui est appliquée au transistor 2, en utilisant le courant de sortie lui- même pour définir le courant qui circule dans le circuit d'émetteur du transis- tor 2. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 Circuit de sortie symétrique, caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison: (a) un transistor de rappel au potentiel haut ( 2) et un transistor de rappel au potentiel bas ( 7) d'un premier type de conductivi- té, avec un émetteur du transistor de rappel au potentiel haut connecté à un collecteur du transistor de rappel au potentiel bas; (b) une premiè- re résistance ( 4 A) qui est connectée entre un conducteur de sortie et l'émetteur du transistor de rappel au potentiel haut, et une seconde ré- sistance ( 6 A) qui est connectée entre un émetteur du transistor de rappel au potentiel bas et un premier conducteur de tension d'alimentation (V-), un collecteur du transistor de rappel au potentiel haut étant connecté à un second conducteur de tension d'alimentation (V+); (c) un circuit de po- larisation comprenant: (i) un transistor de séparation de phases ( 21) ayant une première électrode d'acheminement de courant qui est connectée à une source de courant de polarisation constant et à une base du transis- tor de rappel au potentiel haut, une seconde électrode d'acheminement de courant qui est connectée à une base du transistor de rappel au potentiel bas, et une électrode de commande ( 11) qui est connectée de façon à re- cevoir un signal d'entrée, (ii) une troisième résistance ( 22) qui est con- nectée entre la base du transistor de rappel au potentiel haut et le con- ducteur de sortie; et (iii) une quatrième résistance ( 24) qui est connectée entre la base du transistor de rappel au potentiel bas et une borne de la seconde résistance qui est connectée au premier conducteur de tension d'alimentation. 2 Circuit de sortie symétrique selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que le transistor de séparation de phases dirige une première par- tie (i 1) du courant de polarisation constant vers un premier conducteur ( 8) qui est connecté à la base du transistor de rappel au potentiel haut et à la troisième résistance ( 22), et il dirige une seconde partie restante (i 2) du courant de polarisation constant vers un second conducteur ( 23) qui est connecté à la base du transistor de rappel au potentiel bas et à la quatrième résistance ( 24), sous l'effet d'un signal d'entrée qui est appliqué à l'électrode de commande du transistor de séparation de phases. 3 Circuit de sortie symétrique selon la revendication 2, caractéri- sé en ce que le rapport entre les valeurs de la première résistance et de la troisième résistance est égal au rapport entre les valeurs de la secon- de résistance et de la quatrième résistance. 4 Circuit de sortie symétrique selon la revendication 1, caractéri- sé en ce qu'une variation d'un courant de sortie qui circule dans le con- ducteur de sortie fait varier une tension base-émetteur du transistor de rappel au potentiel haut ( 2), en circulant dans la première résistance ( 4 A) et en changeant la tension aux bornes de la première résistance, de façon à compenser le fait qu'une partie du courant provenant de la source de courant de polarisation constant est dirigée hors du premier conducteur, pour maintenir ainsi une valeur minimale de courant de polarisation cir- culant dans le transistor de rappel au potentiel haut ( 2), même lorsque le transistor de rappel au potentiel bas ( 7) est fortement conducteur, ce qui a pour effet de réduire la distorsion de transition, de maintenir une fai- ble impédance de sortie et d'augmenter la largeur de bande du circuit de sortie symétrique. Circuit de sortie symétrique, caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison (a) un transistor de rappel au potentiel haut et un tran- sistor de rappel au potentiel bas, avec un émetteur du transistor de rap- pel au potentiel haut connecté à un collecteur du transistor de rappel au potentiel bas; (b) une première résistance ( 4 A) connectée entre un con- ducteur de sortie et l'émetteur du transistor de rappel au potentiel haut, et une seconde résistance ( 6 A) connectée entre un émetteur du transistor de rappel au potentiel bas et un premier conducteur de tension d'alimen- tation (V-), avec un collecteur du transistor de rappel au potentiel haut connecté à un second conducteur de tension d'alimentation (V+); (c) un circuit de polarisation unitaire comprenant un premier circuit de polari- sation qui est connecté entre la base et l'émetteur du transistor de rap- pel au potentiel haut, pour appliquer entre eux une première tension émet- teur-base, et un second circuit qui est connecté entre la base et l'émet- teur du transistor de rappel au potentiel bas, pour appliquer entre eux une seconde tension émetteur-base, et des moyens qui sont connectés à une source de courant de polarisation constant, pour diriger respectivement vers le premier circuit et le second circuit des première et seconde par- ties d'un courant de polarisation constant qui est appliqué à ces moyens, sous la dépendance d'un signal d'entrée et de façon pratiquement indépen- dante d'un signal de sortie qui est produit par le circuit de sortie symé- trique, pour garantir qu'au moins un courant minimal soit toujours mainte- nu dans le transistor de rappel au potentiel haut, ce qui a pour effet de réduire la distorsion de transition, de maintenir une faible impédance de sortie et d'augmenter la largeur de bande du circuit de sortie symétrique. 6 Circuit amplificateur symétrique à faible distorsion, à faible im- pédance et à grande largeur de bande, caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison: (a) un premier transistor de sortie ( 2) et un second tran- sistor de sortie ( 7); (b) des moyens ( 44) destinés à faire circuler un courant de collecteur du premier transistor de sortie dans un émetteur du second transistor de sortie; (c) des moyens destinés à faire circuler une première partie d'un courant de sortie du circuit amplificateur symétrique dans une première résistance qui est connectée à l'émetteur du premier transistor de sortie, et à faire circuler une seconde partie du courant de sortie dans une seconde résistance ( 22) qui est connectée à la base du premier transistor de sortie; et (d) des moyens d'aiguillage, destinés à diriger des première et seconde parties d'un courant de polarisation respec- tivement dans des premier ( 8) et second ( 23) conducteurs, les premier et second conducteurs étant respectivement connectés aux bases du premier transistor de sortie et du second transistor de sortie, grâce à quoi il est possible d'augmenter la partie de la polarisation qui est appliquée à l'un ou l'autre des transistors, sous la dépendance d'un signal de commande qui est appliqué aux moyens d'aiguillage.