FR 2666593 A1 19920313 FR 9111219 A 19910911 PROCEDE ET DISPOSITIF POUR PILOTER LA DENSITE D'UN FLUX DE VAPORISATION ET/OU SA DISTRIBUTION La présente invention concerne un procédé de pilotage de la densité du flux de vaporisation, et/ou de sa distribution, au moyen d'un faisceau électronique, d'un matériau vaporisé et reçu par un objet à métalliser par vaporisation, dans un espace de traitement, ainsi qu'un dispositif de pilotage pour ce procédé. La distribution P/pm de la densité de puissance, prise en valeur normalisée, d'un faisceau électronique employé pour métalliser, par vaporisation, un matériel, habituellement dénommé cible, a, comme représenté sur la figure 1, sensiblement la forme d'une courbe en cloche. Dans le cas d'un faisceau modèle S d'une distribution P/pma de la densité de puissance supposée homogène et prise en valeur normalisée, la distribution de la température el/ V, prise en valeur normalisée, a également, comme représenté sur la figure 2 a, en particulier du fait de la diffusion thermique, dans la région de métallisation qui reçoit le faisceau, sensiblement la forme d'une courbe en cloche Il en résulte donc, dans le cas d'un faisceau réel, à distribution non homogène de la densité de puissance, selon la figure 1, une distribution de température, prise en valeur normalisée, qui décroît de façon très marquée sur la périphérie, comme représenté sur la figure 2 b, avec une excroissance marquée de la température dans la région médiane de la surface à métalliser par vaporisation. En plus d'une contrainte thermique élevée du matériel à métalliser par vaporisation, c'est-à-dire de la cible, ceci conduit entre autres, dans le cas d'une puissance du faisceau assez élevée, à des déformations de la surface à métalliser par vaporisation (surface de la cible), comme cela est indiqué dans l'ouvrage "Elektronenstrahltechnologie/technologie des faisceaux électroniques", s Schiller et collaborateurs, Wissenschaftliche Verlagsgesellschaft/Société des éditions scientifiques, Stuttgart, 1977, page 174 Si, en laissant inchangée la distribution de la densité de puissance, prise en valeur normalisée, on modifie la puissance du faisceau, le débit de métallisation, défini comme quantité de matériau vaporisée reçue, par unité de temps, par l'objet à métalliser par vaporisation, passe par un maximum marqué, comme cela est indiqué dans la littérature mentionnée, page 173. Le flux de vapeur, qui s'étend depuis la région d'incidence du faisceau électronique, donne dans l'espace de traitement, vu localement, des densités différentes du flux de vapeur. En fonction, d'une part, de la distribution des densités, prises en valeur normalisée, de la puissance du faisceau et en fonction, d'autre part, de la puissance du faisceau, on obtient alors ensuite les répartitions de densité, prises en valeur normalisée, du flux de vapeur dans l'espace de traitement, comme indiqué dans l'ouvrage mentionné page 142 L'ouvrage mentionné est intégré dans la présente description à titre de référence. Pour une distribution de la densité donnée, prise en valeur normalisée, l'apparition d'éclaboussures dans le cas d'une puissance du faisceau trop élevée est l'une des limites pour une augmentation du débit de vaporisation, qui serait souhaitable pour l'augmentation de la rentabilité de l'installation Une deuxième limite, de ce point de vue, se trouve dans la covariation de la distribution de la densité du flux de vapeur selon la référence de littérature mentionnée, Schiller, page 142. Tandis qu'en principe on s'efforce d'augmenter la densité du flux de vapeur pour augmenter la productivité de l'installation, le choix d'une distribution optimale de la densité du flux de vapeur dépend du type respectif d'installation et par exemple de la question de savoir comment, dans l'espace de traitement, sont disposées les pièces à revêtir par métallisation sous vaporisation d'un faisceau électronique ou bien quel profil de couche on vise. Sans les limites précitées, on pourrait, sinon, pour une installation donnée, augmenter la productivité en augmentant le débit de vaporisation ou, du point de vue de l'emplacement intéressant sur le revêtement exécuté, en augmentant le flux de vapeur ou, d'un point de vue local, en augmentant la densité du flux de vapeur, ceci, par augmentation de la puissance du faisceau appliquée, par le faisceau électronique, sur la région de la surface qui subit la vaporisation. on pourrait en outre augmenter aussi bien la qualité du revêtement que la productivité de l'installation, sur une telle installation, par une optimisation ciblée de la distribution de la densité du flux de vapeur (exploitation de l'espacel) Etant donné que, selon la page 173 de la référence de littérature mentionnée ci-dessus, le maximum du débit de vaporisation n'apparaît, généralement pas, pour une puissance du faisceau identique (pour une distribution, prise en valeur normalisée, maintenue constante de la densité de puissnce) comme une distribution de densité du flux de vapeur désirée, spécifique à l'installation, il serait souhaitable soit d'optimiser la distribution de la densité du flux de vaporisation soit de concevoir de façon spécifique à l'installation et optimale en rentabilité, la densité du flux de vaporisation et la distribution de cette densité du flux de vaporisation. Il s'agit de trouver un moyen qui puisse augmenter la puissance du faisceau que l'on peut appliquer sur une région considérée de surface à métalliser par vaporisation et qui permette de régler également la distribution de la densité du flux de vapeur et de contourner les limites connues mentionnées ci-dessus, sans exercer une contrainte thermique abusive sur l'objet à métalliser par vaporisation, et sans produire de déformations de surface non autorisées, avec formation d'éclaboussures qui se promènent. La présente invention se donne cela commme but. Dans ce but, le procédé du type mentionné au début se caractérise par le fait qu'au moyen d'une oscillation ciblée du faisceau électronique 14,26 sur l'objet 16,28 à métalliser par vaporisation, dans au moins une direction (x), autour d'une position ponctuelle de travail momentanée (x = O), on pilote la distribution de la densité de puissance, prise en moyenne dans le temps t, du faisceau sur la zone M située autour de la position ponctuelle de travail, alors que le dispositif conforme à l'invention se caractérisé par le fait qu'il comprend: un appareil de déviation 12, 24, Su pour le faisceau électronique, présentant au moins une entrée de commande, associée à l'entrée de commande, une unité de modulation 18, 26 dans laquelle peut être réglée ou prescrite la fréquence de modulation et/ou la course de modulation et/ou la forme de la courbe de modulation. Tandis qu'il est connu en soi de modifier volontairement la position de la surfae d'incidence du faisceau électronique sur la surface de l'objet à métalliser par vaporisation, pour métalliser celui-ci successivement, on se réfère dans la présente description à cette modification connue, commandée, de position au sens d'un pilotage de la course à grande échelle ou d'un pilotage du point de travail du faisceau électronique. Par contre l'oscillation, appliquée conformément à l'invention, de la position de la surface d'incidence se fait dans des ordres de grandeur d'au maximum quelques diamètres de la surface d'incidence et elle doit être considérée comme un comportement de la surface d'incidence à un signal à petite échelle, c'est-à-dire qu'elle se superpose chaque fois au point de travail modifié dynamiquement. Selon d'autres caractéristiques et développements du procédé conforme à l'invention: pour un faisceau électronique ayant subi un changement de direction d'au moins 90 , on fait osciller la position de la surface d'incidence du faisceau électronique 26 par modulation d'une tension d'accélération pour le faisceau électronique, de préférence au moyen d'une tension d'accélération appliquée entre la cathode d'émission 20 et l'anode 22; on régle la position ponctuelle de travail de la surface d'incidence sur l'objet 28 à métalliser par vaporisation en pilotant un champ magnétique de changement de direction Bu pour le faisceau électronique; l'oscillation est produite par modulation d'une tension d'accélération et/ou d'un champ magnétique de changement de direction Bu pour le faisceau, de préférence avec accord sélectif de fréquence par la tension d'accélération ou le champ magnétique de changement de direc- tion; au moyen d'une modulation en créneaux ou en escalier, on produit essentiellement avec le faisceau électronique 26 une région de vaporisation présentant deux zones focales ou plus; en plus de l'oscillation de position, on règle la distribution de la densité de puissance, prise en moyenne dans le temps, par une modulation puissance/temps ou énergie/temps du faisceau électronique; dans l'espace de traitement est prévu un détecteur, sélectivement accordé sur la fréquence de l'oscillation, pour le flux de vapeur. Selon d'autres caractéristiques et développements du dispositif, conforme à l'invention, destiné à la mise en oeuvre du procédé susmentionné: dans le cas o ce dispositif est associé à une source de faisceau électronique munie d'un champ magnétique de changement de direction assurant un changement d'au moins 90 de la direction du faisceau électronique,l'appareil de déviation est formé par un générateur 24 de tension d'accélération monté de préférence entre une anode et une cathode; l'appareil de déviation comporte un dispositif de changement de direction pour produire un champs magnétique de changement de direction pour le faisceau électronique, étant précisé que pour la déviation est prévu un dispositif électromagnétique. l'appareil de déviation comporte un dispositif électromagnétique pour produire un champ magnétique de changement de direction BU pour le faisceau électronique et un générateur 24 de tension d'accélération qui fournit de préférence une tension anode/cathode; le dispositif électromagnétique est relié à une unité de modulation prévue pour la modulation à des fréquences de modulation assez basses et que le générateur est relié à une unité de modulation prévue pour la modulation jusqu'à des fréquences de modulation assez élevées de ce point de vue; le dispositif de déviation présente, pour la déviation oscillatoire du faisceau électronique dans une direction, un dispositif électromagnétique et, pour une déviation oscillatoire dans une seconde direction, perpendiculaire à la première, un générateur de tension d'accélération modulable pour le faisceau électronique; un dispositif magnétique pour le changement de direction du faisceau d'au moins 900 est prévu dans un plan contenant la première direction; dans l'espace de traitement est prévu un détecteur de flux de vapeur ou détecteur de particules accordé sur la fréquence de modulation du dispositif de déviation. Un mode d'exécution du procédé conforme à l'invention, ainsi que des modes de réalisation du dispositif pour sa mise en oeuvre vont maintenant être décrits plus en détails, mais uniquement à titre d'exemples non- limitatifs, en référence aux dessins annexés dans lesquels: les figures 1, 2 a et 2 b ont servi à soutenir les explications relatives à la position du problème présentée au début; la figure 3 représente, pour expliquer le procédé conforme à l'invention, la coordonnée de position x, en fonction du temps t, de la surface d'incidence d'un faisceau électronique oscillatoire conforme à l'invention; la figure 4 représente la distribution de la température admise, correspondant à la représentation dans le cas du faisceau stationnaire de la figure 3, sur l'objet à métalliser par vaporisation et dans la région de la surface d'incidence du faisceau électronique, la coordonnée x étant choisie parallèle à la surface d'incidence et cette figure représente en outre, qualitativement, la distribution de la température telle qu'on l'obtient dans le cas du procédé conforme à l'invention; la figure 5 représente schématiquement, sous forme de schéma blocs, un dispositif de pilotage du faisceau, conforme à l'invention, pour un faisceau électronique rectiligne; et la figure 6 représente schématiquement le dispositif de pilotage préféré, conforme à l'invention, d'un faisceau électronique dont on change la direction. Sur la figure 3 est reportée, en fonction du temps t, par exemple sur l'axe x, avec le point zéro en une position ponctuelle de travail considérée de la surface d'incidence et dans la surface d'incidence, l'extension, dans la direction x, de la surface d'incidence Q. L'invention consiste maintenant à déplacer par oscillation la position de la surface d'incidence Q autour de la position de travail momentanée, c'est-à-dire ici autour du point zéro. Sur la figure 3, par motif de simplicité, ceci est représenté par une modulation sinusoïdale de la position. On fait se déplacer le point médian QO de la surface d'incidence Q, en oscillation, sur la courbe a Les points de bordure (vu dans la direction x), B, C, de la surface d'incidence Q idéalisée, dont on admet que les limites sont clairement définies, se déplacent sur des courbes décalées de façon correspondante, b et c. Si maintenant on considère sur la coordonnnée x une position x, correspondant par exemple à l'amplitude d'oscillation du point médian Q O de la surface d'incidence, on voit que le point de bordure supérieur B de la surface d'incidence Q passe à l'instant t 1 en cette position xo et qu'ensuite, jusqu'à ce que ce point B passe à nouveau, à l'instant t 2, en cette position x, le point xo se situe à l'intérieur de la surface d'incidence Q du faisceau. Si, au contraire, on examine maintenant par exemple la position ponctuelle de travail correspondant à x = o, on voit que le point de bordure inférieur C de la surface d'incidence Q atteint pour la première fois cette position ponctuelle de travail à l'instant t 3 et qu'à l'instant t 4 le point de bordure supérieur B de la surface visée Q quitte cette position. De la sorte, la position du point x est exposée au faisceau électronique pendant l'intervallle de temps ti qui s'étend entre les instants té et t 2 et qui est sensiblement plus long que l'intervalle de tempset 2 qui s'étend entre les instants t 3 et t 4, pendant lequel la position ponctuelle de travail est exposée au faisceau électronique. Comme on le voit donc, la densité de la puissance du faisceau, prise en moyenne dans le temps, à laquelle, en une position comme x, est exposée la surface à métalliser par vaporisation de la surface d'incidence Q du faisceau dépend de sa position relative par rapport au point de travail momentané du faisceau, ainsi que de l'amplitude de l'oscillation, ainsi que de la forme de la courbe de la modulation de position de la surface d'incidence Q. Jusqu'ici on s'est respectivement référé à la surface d'incidence momentanée Q du faisceau Mais grâce au procédé conforme à l'invention, il apparaît une surface momentanément soumise à la vaporisation, comme indiqué sur la figure 3 par M, le long de laquelle on peut, en choisissant la forme de la courbe de modulation, régler la distribution de la densité de puissance prise en moyenne dans le temps Il faut tenir compte ici de ce que l'objet à métalliser par vaporisation présente une inertie thermique spécifique au matériau Ce matériau intervient en prenant la moyenne de la puissance, étant précisé que la surface M momentanément soumise au faisceau doit être considérée comme une surface homogène d'incidence du faisceau mais avec une distribution de la densité de puissance volontairement visée. Bien entendu, le procédé représenté à l'aide de la figure 3 peut éventuellement s'exécuter en deux dimensions, c'est-à-dire que l'on fait osciller le faisceau sur la surface à métalliser par vaporisation selon deux directions perpendiculaires l'une par rapport à l'autre et que, en choisissant les modulations respectives selon les directions x et y à la façon des figures de Lissajoux, on règle pour obtenir la configuration de modulation désirée. La figure 4 représente, à titre purement qualitatif, en fonction de la coordonnée x prise à titre d'exemple, la distribution de la température V dans le cas d'un objet à métalliser par vaporisation, sur lequel tombe, de façon traditionnelle, stationnaire, un faisceau électronique. Si maintenant, comme on l'a expliqué à l'aide de la figure 3, on déplace le faisceau autour de son point de travail en le faisant osciller selon une forme de courbe donnée visée, alors on pilote la distribution de température % 9 par l'intermédiaire du pilotage de la distribution de la densité de puissance Dans le cas de la modulation sinusoïdale de la figure 3, du fait de l'augmentation de la densité de puissance dans les régions de bordure de la surface de travail M, apparaissent des pointes de température E et F, et entre elles, par exemple, des allures telles que représentées en traits mixtes. Cette distribution de la température Vt, en fonction du matériau à vaporiser, est largement déterminée par la forme de la courbe de modulation et par la fréquence de base de la modulation C'est ainsi que, suivant les données du problème, on peut, à côté d'une forme de courbe d'oscillation sinusoïdale, utiliser également des allures triangulaires, des allures en dents de scie, des allures de forme parabolique ou autre, mono ou bidimensionnelles. Grâce à l'oscillation ciblée, conformément à l'invention de la surface d'incidence Q du faisceau sur l'objet à métalliser par vaporisation, il est maintenant possible, pour une puissance donnée élevée du faisceau et donc de la vaporisation en une position considérée d'une chambre de traitement, d'obtenir une densité du flux de vapeur élevée désirée ou un rendement optimal de vaporisation au sens de la puissance du faisceau amenée pour l'action visée de métallisation, ou bien, en présence d'une configuration d'installation prescrite, on peut s'efforcer d'obtenir dans l'espace de traitement une distribution optimale de la densité du flux de vapeur. Dans le cas concret, on obtient une exploitation optimale en tenant compte de la densité du flux de vapeur, de son rendement et de la distribution de la densité du flux de vapeur Il est alors en outre possible de maintenir faible la contrainte thermique de l'objet à métalliser par vaporisation, dans le sens de gradients faibles. La figure 5 représente schématiquement un dispositif, conforme à l'invention, de pilotage d'un faisceau électronique 14 En aval d'un dispositif 10 de production du faisceau, est prévue, en tant qu'unité de déviation 12, une optique pour électrons pilotable L'action de celle-ci peut par exemple se fonder sur l'effet de déviation produit par des champs magnétiques sur des électrons en mouvement Pour réaliser sur l'objet 16 à métalliser le mouvement oscillatoire visé du faisceau électronique rectiligne 14, on ajoute à l'unité de déviation 12 un modulateur 18 qui permet de prescrire la fréquence de modulation f 1 i, l'amplitude de modulation Spp, llaforme de courbe de modulation, en fonction des besoins respectifs, en particulier en fonction du matériau respectif de l'objet 16 à métalliser par vaporisation. La figure 6 représente schématiquement une réalisation préférée d'un dispositif de pilotage conforme à l'invention. Des électrons sont émis thermiquement par une cathode 20 d'émission d'électrons, représentée ici sous forme d'un filament cathodique échauffé directement à l'aide d'un courant de chauffage I H Au-dessus de la cathode 20 est disposée, sous forme d'un diaphragme, l'anode 22 Entre la cathode 20 et l'anode 22 est connecté un générateur 24 de tension d'accélération, le côté cathode ou anode pouvant être placé à un potentiel de référence comme au potentiel de masse (non représenté). Le faisceau électronique 26, accéléré par le champ d'accélération Eh, change de direction sous l'action d'un champ magnétique de changement de direction su d'au moins 90 , de préférence de 180 à 2700, et tombe finalement sur la surface de l'objet 28 à métalliser par vaporisation. A l'aide du champ magnétique de changement de direction B, c'est-à- dire en le modulant, on peut maintenant, dans une première réalisation conforme à l'invention, moduler l'amplitude du changement de direction du faisceau 26 et donc la position de la surface d'incidence sur l'objet 28 à métalliser par vaporisation Dans ce procédé, il faut considérer en premier lieu qu'avec le champ de changement de direction Bu on effectue habituellement le réglage du point de travail du faisceau électronique et qu'il peut être souhaitable de disposer, pout piloter l'oscillation conforme à l'invention, d'une grandeur de commande qui en soit indépendante. En second lieu, il faut tenir compte de ce que les dispositifs électromagnétiques permettant la production d'un champ de changement de direction avec une composante oscillatoire présentent des fréquences limites relativement basses, de sorte que ce procédé convient pour des fréquences de modulation assez basses. En outre, le changement de direction oscillatoire donne une modulation de focalisation du faisceau qui n'est partiellement pas négligeable. C'est pour cette raison qu'en tenant compte de la limitation mentionnée, on module de préférence, comme cela reste à expliquer, la tension d'accélération entre l'anode 22 et la cathode 20, en plus ou à la place d'une modulation du champ de changement de direction Dans ce but on module le générateur 24 de la tension d'accélération, comme représenté schématiquement, autour d'une valeur de tension continue, par il exemple de 10 KV, par exemple avec une amplitude allant jusqu'à quelques centaines de Volts. En ce qui concerne la modulation de la tension d'accélération, ceci peut se faire jusqu'à des fréquences sensiblement plus élevées que dans le cas de la modulation du champ magnétique de changement de direction. Tandis que la modulation réalisée au moyen du champ magnétique de changement de direction présente par exemple une fréquence limite de quelques centaines de Hertz, cette fréquence limite est de quelques k Hz dans le cas de la modulation de la tension d'accélération. Mais si l'on doit déplacer, de façon oscillatoire, la surface d'incidence du faisceau électronique selon deux directions, alors on le réalise de préférence dans l'une des directions, au moyen de la tension d'accélération mentionnée, et dans l'autre direction, par voie électromagnétique. Pour la modulation de la tension d'accélération entre l'anode et la cathode est prévue, sur le générateur 24 de la tension d'accélération, une entrée E 24 de commande de modulation en amont de laquelle est connecté un modulateur 26 dans lequel on entre à nouveau la fréquence de modulation, l'amplitude de modulation et la forme de la courbe de modulation, les formes de courbe étant par exemple programmées de façon fixe dans des mémoires fixes programmables effaçables (EPROM). Il est apparu que la modulation de la tension d'accélération, de préférence entre l'anode et la cathode, a une influence relativement faible sur l'extension de la surface d'incidence Q au sens d'une focalisation ou d'une défocalisation et que, par conséquent, comme on le souhaitait, on dispose d'une grandeur de commande qui convient particulièrement pour cette modulation conforme à l'invention et qui est indépendante d'autres gandeurs de commande, comme le champ de changement de direction Bu ou un champ de déviation latérale pour la position du point de travail respectif du faisceau électronique 26. Le même procédé, c'est-à-dire la modulation de la tension d'accélération, de préférence entre l'anode 22 et la cathode 20, peut également se faire sous forme d'une modulation en créneaux ou d'une modulation en escalier, ce par quoi on peut, sur la surface à métalliser par vaporisation M, atteindre des pointes de température élevées en bordure ou bien, dans le cas de la modulation en escalier, réaliser plusieurs pointes de ce type ou bien, dans le cas extrême, obtenir, avec un seul faisceau électronique, une source à deux ou plus de deux zones focales. En outre, il est également possible de moduler la modulation de la tension d'accélération mentionnée sous forme de créneaux entre une valeur "en service" et une valeur "hors service, pour le faisceau électronique. La modulation mise en oeuvre selon l'invention peut en outre s'employer pour un procédé de détection sélective, en ce sens que, dans un espace de traitement indiqué sur la figure 6 par P, on prévoit pour le flux de vapeur un détecteur sélectivement accordé sur la fréquence de modulation, ce qui permet de mesurer le flux de vapeur, et ceci, indépendamment des parasites d'arrière-plan et aussi indépendamment du matériau éventuellement vaporisé, dans le même processus de traitement, par une autre source de vaporisation, pour le revêtement d'une pièce. Lors du choix de la fréquence de modulation, de l'amplitude de modulation et de la forme de courbe de modulation, il faut, comme mentionné, tenir compte de la taille de l'objet à métalliser par vaporisation, ou cible, ainsi que de son comportement thermique lors du stockage avec refroidissement. En plus de l'oscillation de position, décrite, du faisceau, on peut également influencer la distribution de la densité de la puissance par une modulation de la longueur d'impulsion de la puissance du faisceau, c'est-à-dire une modulation puissance/temps ou une modulation énergie/temps. REVENDICATIONS 1 Procédé de pilotage de la densité du flux de vaporisation, et/ou de sa distribution, au moyen d'un faisceau électronique, d'un matériau vaporisé et reçu par un objet ( 16, 28) à métalliser par vaporisation, dans un espace de traitement (P), procédé caractérisé par le fait qu'au moyen d'une oscillation ciblée du faisceau électronique ( 14,26) sur l'objet ( 16,28) à métalliser par vaporisation, dans au moins une direction (x), autour d'une position ponctuelle de travail momentanée (x = o), on pilote la distribution de la densité de puissance, prise en moyenne dans le temps (t), du faisceau sur la zone (M) située autour de la position ponctuelle de travail. 2 Procédé selon la revendication 1 pour un faisceau électronique ( 26) ayant subi un changement de direction d'au moins 90 , caractérisé par le fait que l'on fait osciller la position de la surface d'incidence du faisceau électronique ( 26) par modulation d'une tension d'accélération pour le faisceau électronique, de préférence au moyen d'une tension d'accélération appliquée entre la cathode d'émission ( 20) et l'anode ( 22). 3 Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait que l'on règle la position ponctuelle de travail de la surface d'incidence sur l'objet ( 28) à métalliser par vaporisation en pilotant un champ magnétique de changement de direction (Bu) pour le faisceau électronique. 4 Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé par le fait que l'oscillation est produite par modulation d'une tension d'accélération et/ou d'un champ magnétique de changement de direction (s B) pour le faisceau, de préférence avec accord sélectif de fréquence par la tension d'accélération ou le champ magnétique de changement de direction. 5 Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé par le fait qu'au moyen d'une modulation en créneaux ou en escalier, on produit essentiellement avec le faisceau électronique ( 26) une région de vaporisation présentant deux zones focales ou plus. 6 Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait qu'en plus de l'oscillation de position, on règle la distribution de la densité de puissance, prise en moyenne dans le temps, par une modulation puissance/temps ou énergie/temps du faisceau électronique. 7 Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait que dans l'espace de traitement est prévu un détecteur, sélectivement accordé sur la fréquence de l'oscillation, pour le flux de vapeur. 8 Dispositif pour le pilotage de la densité du flux de vaporisation, et/ou de sa distribution, au moyen d'un faisceau électronique, d'un matériau vaporisé et reçu par un objet à métalliser par vaporisation, dans un espace de traitement, dispositif caractérisé par le fait qu'il comprend: un appareil de déviation ( 12, 24, su) pour le faisceau électronique, présentant au moins une entrée de commande, associée à l'entrée de commande, une unité de modulation ( 18, 26) dans laquelle peut être réglée ou prescrite la fréquence de modulation et/ou la course de modulation et/ou la forme de la courbe de modulation. 9 Dispositif selon la revendication 8 sur une source de faisceau électronique munie d'un champ magnétique de changement de direction assurant un changement d'au moins 90 de la direction du faisceau électronique, dispositif caractérisé par le fait que l'appareil de déviation est formé par un générateur ( 24) de tension d'accélération, monté de préférence entre une anode et une cathode. Dispositif selon la revendication 8 ou 9, caractérisé par le fait que l'appareil de déviation comporte un dispositif de changement de direction pour produire un champ magnétique de changement de direction pour le faisceau électronique, étant précisé que pour la déviation est prévu un dispositif électromagnétique. 11 Dispositif selon l'une des revendications 8 à 10, caractérisé par le fait que l'appareil de déviation comporte un dispositif électromagnétique pour produire un champ magnétique de changement de direction (su) pour le faisceau électronique et un générateur ( 24) de tension d'accélération qui fournit de préférence une tension anode/cathode. 12 Dispositif selon la revendication 11, caractérisé par le fait que le dispositif électromagnétique est relié à une unité de modulation prévue pour la modulation à des fréquences de modulation assez basses et que le générateur est relié à une unité de modulation prévue pour la modulation jusqu'à des fréquences de modulation assez élevées de ce point de vue. 13 Dispositif selon l'une des revendications 8 à 12, caractérisé par le fait que le dispositif de déviation présente, pour la déviation oscillatoire du faisceau électronique dans une direction, un dispositif électromagnétique et, pour une déviation oscillatoire dans une seconde direction, perpendiculaire à la première, un générateur de tension d'accélération modulable pour le faisceau électronique. 14 Dispositif selon la revendication 13, caractérisé par le fait qu'un dispositif magnétique pour le changement de direction du faisceau d'au moins 900 est prévu dans un plan contenant la première direction. Dispositif selon l'une des revendications 8 à 14, caractérisé par le fait que dans l'espace de traitement est prévu un détecteur de flux de vapeur ou détecteur de particules accordé sur la fréquence de modulation du dispositif de déviation.