FR 2665011 A1 19920124 FR 9009301 A 19900720 TETE MAGNETIQUE DE LECTURE A EFFET MAGNETO-RESISTIF L'invention concerne les têtes magnétiques de lecture dans lesquelles est mis en oeuvre un effet magneto-résistif, à l'aide d'éléments magneto-résistifs du type multicouches. En prenant pour exemple le cas des têtes magnétiques en rotation, telles que celles encore couramment utilisées notamment dans les magnétoscopes pour constituer des têtes d'enregistrement et de lecture: la vitesse de rotation des têtes magnétiques de lecture est élevée et elle est combinée au déplacement de la bande magnétique, et dans ce cas il est possible d'extraire suffisamment de signal avec une tête de lecture purement inductive Dans une telle tête de lecture, le champ magnétique issu d'une piste de la bande magnétique, est canalisé par un circuit magnétique et engendre un courant dans un solénoïde associé au circuit magnétique. Mais les têtes magnétiques tournantes présentent des inconvénients, notamment quand au poids et à l'encombrement des pièces mécaniques qui doivent tourner à vitesse relativement élevée, et aussi en ce qui concerne la fiabilité. Une alternative aux solutions d'enregistrement à têtes tournantes consiste à enregistrer et à relire les pistes de la bande magnétique, à l'aide de dispositifs fixes par rapport à la bande magnétique: par exemple à l'aide d'un unique dispositif comportant une ou plusieurs têtes magnétiques qui fonctionnent; soit en écriture c'est-à-dire en enregistrement, soit en lecture ou encore à l'aide de deux dispositifs dont l'un est pour l'écriture et l'autre pour la lecture Mais le déplacement de la bande magnétique est lent et si les têtes magnétiques sont fixes par rapport à la bande, les variations du champ magnétique se produisent à vitesse relativement faible (typiquement quelques centimètres par seconde), et il est impossible dans ces conditions d'extraire suffisamment de signal d'une tête purement inductive. Les têtes magnétiques de lecture qui utilisent l'effet magnéto-résistif peuvent être fixes devant la bande magnétique, tout en délivrant un signal utile suffisant.5 Actuellement, des capteurs à effet magnéto-résistif sont mis en oeuvre dans divers dispositifs de lecture de piste magnétique Ces capteurs sont placés dans la zone d'influence d'une piste magnétique mobile, et l'on détecte leurs variations de résistance électrique en réponse aux variations du champ10 magnétique enregistré sur la piste magnétique de la bande. Parmi les alliages couramment utilisés pour constituer un élément ou capteur magnéto-résistif, on peut citer notamment des alliages ferromagnétiques tels que par exemple le Permalloy (Fe 80 Ni 20)' Il est à noter que l'on peut séparer les éléments magnéto- résistif en deux types: le type monocouche dans lequel la résistivité ne dépend que de l'orientation relative de l'aimantation et du courant dans le matériau, le type multicouches dans lequel l'effet magnéto- résistif est lié à une diffusion des porteurs dépendante de leur état de spin La structure multicouches est constitué par un empilement d'au moins deux couches magnétiques séparées par une couche non magnétique, les deux couches magnétiques présentant un couplage de type anti- ferromagnétique L'une des couches magnétiques appelée dans la suite de la description "couche magnétique sensible", a un champ coercitif largement plus faible que celui de l'autre couche magnétique; cette autre couche magnétique au champ coercitif plus fort est appelée dans la suite de la description "couche magnétique stable" La couche magnétique sensible étant soumise à l'influence du champ magnétique issu de la piste magnétique, son orientation magnétique bascule, de telle manière que les aimantations deux couches magnétiques passent d'un état d'arrangement anti-parallèle à un état d'arrangement parallèle; une variation de la résistivité des deux couches magnétiques se produisant à la transition entre ces deux états. On peut trouver des explications détaillées sur l'effet magnéto- résistif et la structure des éléments magnéto-résistif du type multicouches dans "Theory of geant magnetoresistance effects in magnetic layered structures with antiferromagnetie coupling", R E CAMLEY et al, Phys Rev Lett, V 63 ( 6), page 664, 1989 Il est à noter que les éléments magnéto-résistifs du type multicouches sont d'une plus grande complexité de réalisation que les éléments type monocouches, mais ils offrent l'avantage de fournir un signal utile plus important En effet, le signal utile c'est-à-dire la variation du courant qui circule dans les couches magnétiques, est lié au rapport de la variation de résistance z/ R à la résistance R entre ces deux couches: ce rapport est de l'ordre de 10 % dans le cas des éléments magnéto-résistifs du type multicouches, alors qu'il n'est que de l'ordre de 3 % dans le cas du type monocouche. La présente invention s'applique aux têtes magnétiques de lecture incorporant des éléments magnéto-résistifs du type multicouches Elle a pour but notamment de simplifier la réalisation de telles têtes afin de faciliter leur réalisation collective, aussi bien en vue d'une utilisation unitaire que pour associer un grand nombre de têtes de lecture dans un25 même dispositif magnétique, en vue par exemple de lire en parallèle un grand nombre de pistes magnétiques. Selon l'invention, un dispositif magnétique de lecture, comportant un substrat sur lequel est réalisé au moins une tête magnétique de lecture soumise à l'influence d'une piste magnétique, la tête de lecture comportant un élément magnéto-résistif du type multicouches comprenant un empilement formé d'au moins une première et une seconde couches magnétiques formant respectivement une couche magnétique stable et une couche magnétique sensible, les deux couches35 magnétique étant séparées par une couche non magnétique, un courant étant établi entre ces deux couches magnétiques en leur appliquant une tension de commande, est caractérisé en ce que la tête de lecture comporte un circuit magnétique du type en anneau dans lequel est inséré la couche magnétique sensible, le circuit magnétique étant ouvert par un entrefer situé à proximité d'un plan de défilement de la piste magnétique, et en ce que la couche magnétique stable est située à l'extérieur de l'anneau du circuit magnétique. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, faite à titre d'exemple non limitatif en référence aux trois figures annexées parmi lesquelles: la figure 1 montre schématiquement, par une vue en perspective, un dispositif magnétique de lecture selon l'invention; la figure 2 est un schéma électrique qui illustre une manière de réaliser l'adressage de têtes de lecture sélectionnées. la figure 3 montre schématiquement une autre forme de réalisation de têtes de lecture magnétiques montrées à la figure 1; La figure 1 montre un dispositif magnétique de lecture 1 comportant plusieurs têtes magnétiques de lectures TLI, TL 2, TL 3, TL 4 conformes à l'invention, réalisées sur un même substrat 2 Dans l'exemple non limitatif décrit, quatre têtes de lecture TL 1 à TL 4 sont représentées pour illustrer le fait que la structure de ces têtes de lecture se prête particulièrement bien à une réalisation collective de ces têtes sur un même substrat, soit pour les séparer ensuite par découpage pour en faire des têtes individuelles, soit pour réaliser un dispositif magnétique comprenant une pluralité de têtes de lecture Mais le dispositif 1 peut comporter un nombre plus faible de ces têtes de lecture, ou un nombre beaucoup plus grand. Chaque tête de lecture comporte un élément magnéto-résistif MR du type multicouches Dans l'exemple non limitatif décrit, chaque élément magnéto-résistif MR comporte de façon en elle-même classique deux couches magnétiques 6, 7 superposées dont l'une est une couche magnétique stable et l'autre est une couche magnétique sensible; ces deux couches magnétiques 6,7 sont séparées par une couche non magnétique 3 La première couche magnétique 6, la plus proche du substrat 2, constitue la couche magnétique stable; elle a une direction d'aimantation stable c'est-à-dire que son champ coercitif est largement plus grand que celui de la seconde couche magnétique 7 La seconde couche magnétique 7 constitue une couche magnétique sensible 7 dont la direction d'aimantation peut basculer sous l'influence d'un champ magnétique extérieur Les deux couches magnétiques 6,7 et la couche non magnétique 3 sont réalisées de manière classique afin que les deux couches magnétiques 6,7 présentent un couplage anti ferro-magnétiques. La couche magnétique stable 6 et la couche magnétique sensible 7 peuvent être constituées en un alliage ferromagnétique tel que par exemple Nickel-Cobalt Nix Coy pour la couche magnétique stable 6, et Permalloy Fe 80 Ni 20 pour la couche magnétique sensible 7; et la couche non magnétique 3 peut être en argent ou en cuivre Ou bien encore les deux couches ferro-magnétiques 6,7 peuvent être toutes les deux en un même matériau, le fer par exemple, mais avec des épaisseurs El, E 2 différentes, plusieurs fois plus grande pour l'épaisseur El de la couche magnétique stable 6 que pour l'épaisseur E 2 de la couche sensible 7: par exemple El de l'ordre de 1 pin et E 2 de l'ordre de 0,01 pm; l'épaisseur de la couche non magnétique étant par exemple de 0,001 pim. La couche sensible 7 doit être soumise à l'influence d'un champ magnétique inscrit sur une piste magnétique 8 (pour plus de clarté de la figure, une unique piste magnétique 8 est représentée en traits pointillés) A cet effet, conformément à l'invention, ce champ magnétique est conduit jusqu'à l'élément magnéto-résistif MR à l'aide d'un circuit magnétique du type en anneau, comportant un entrefer 10; l'entrefer 10 est réalisé à proximité immédiate du plan de défilement de la piste magnétique 8 Cette disposition offre l'avantage de pouvoir disposer les couches 6,7,3 de l'élément magnéto-résistif M, dans des plans parallèles au plan du substrat et au plan de défilement de la piste 8, d'o résulte à la fois, d'une part la possibilité d'utiliser un grand nombre de têtes de lecture situées très près les unes des autres pour lire simultanément un grand nombre de pistes; et d'o résulte d'autre part une disposition générale qui favorise la fabrication de ces têtes de lecture par une réalisation collective de ces têtes, notamment par la technologie des couches minces; même si, éventuellement ces têtes doivent être séparées les unes des autres après la réalisation collective, pour constituer des têtes individuelles. Le circuit magnétique comporte deux pôles magnétiques 11,12 disposées de part et d'autre de l'entrefer 10 comme montré sur la figure 1 Ces deux pôles magnétiques 11,12 sont prolongés chacun par une pièce magnétique 13,14 qui est en contact avec la couche magnétique sensible 7. En fait le circuit magnétique est constitué par les deux pôles magnétiques 11,12, les deux pièces magnétiques 13,14 et la couche magnétique sensible 7 qui est insérée entre ce deux pièces magnétiques 13,14. Les deux pôles magnétiques 11,12 sont contenus dans un plan très proche du plan de défilement de la piste 8; les deux pièces magnétiques 13,14 sont situées dans un plan plus éloigné de la piste 8 que les pôles magnétiques 11, 12; et enfin, la couche magnétique sensible 7 est située dans un plan encore plus éloigné de la piste 8 Ceci réalise la structure en anneau du circuit magnétique, le plan de l'anneau étant perpendiculaire au plan du substrat 2 et des couches 6,3,7; et la couche magnétique stable 6 étant extérieure à l'anneau, entre ce dernier et le substrat 2. Une telle structure en anneau se prête particulièrement bien à réaliser les connexions d'alimentations électriques des couches magnétiques stables et des couches magnétiques sensibles 7 par des conducteurs situés dans des plans différents. A cette fin, suivant une caractéristique de l'invention, pour chaque tête magnétique TL 1 à TL 4, d'une part un premier conducteur électrique 20 est réalisé entre le substrat 2 et la couche magnétique stable 6, avec laquelle ce premier conducteur5 est en contact; et d'autre part, un second conducteur électrique 21 est réalisé entre les têtes magnétiques 11,12 et la couche magnétique sensible 7 avec laquelle ce second conducteur est en contact Le second conducteur 21 est réalisé sensiblement dans un même plan que celui des pièces10 magnétiques 13,14, de telle sorte qu'il peut passer dans l'anneau du circuit magnétique et s'étendre dans une direction sensiblement perpendiculaire à celle du premier conducteur 20. Ainsi, le dispositif magnétique de lecture peut comporter d'une part, une pluralité de premiers conducteurs 20 constituant un réseau de conducteurs colonnes Xl,X 2 et d'autre part, une pluralité de second conducteurs 21 constituant un réseau de conducteurs lignes Y 1,Y 2 croisés avec les conducteurs colonnes. Chaque tête de lecture TL 1 à TL 4 est disposée sensiblement à une intersection d'un conducteur colonne Xl, X 2 avec un20 conducteur ligne Y 1, Y 2, et son alimentation électrique est réalisée à l'aide du conducteur colonne X 1, X 2 et du conducteur ligne Y 1, Y 2 qui forment l'intersection correspondante Il faut noter que l'appellation "ligne" ou "colonne" donnée aux conducteurs est arbitraire et ne préjuge pas de leur25 orientation, et que les colonnes ne sont pas nécessairement perpendiculaires aux lignes. Ainsi les têtes magnétiques TL 1 à TL 4 sont disposées en lignes et en colonnes auxquelles correspondent un conducteur ligne Y 1,Y 2 et un conducteur colonne Xl,X 2; chaque30 conducteur ligne Y 1, Y 2 étant en contact avec toutes les couches magnétiques sensibles 7 de la même ligne, et chaque conducteur colonne Xl, X 2 étant en contact avec toutes les couches magnétiques stables 6 de la même colonne. La structure montrée à la figure 1 peut être réalisée de différentes manières toutes connues des spécialistes, notamment par la technique de couches minces Cette technique est maintenant bien connue et n'exige pas d'être illustrée. Le substrat 2 est en un matériau non magnétique, du verre par exemple, ou du silicium isolant. Sur le substrat 2 on dépose une couche d'un matériau conducteur, par exemple du cuivre dans laquelle on réalise par gravure les conducteurs colonnes Xl, X 2 On peut également intégrer ces conducteurs dans le substrat 2, comme dans l'exemple de la figure 1, en réalisant de manière en elle-même classique des rainures qui sont ensuite remplies par le matériau conducteur. On recouvre ensuite par exemple, l'ensemble d'une couche magnétique, destinée à former les couches magnétiques stables 6. Puis on dépose une couche non magnétique destinée à former les couches non magnétiques 3 On dépose ensuite sur l'ensemble une couche magnétique destinée à former les couches magnétiques sensibles 6 Puis les trois couches 7,6,3, sont gravées en forme d'îlots constituant chacun un élément magnéto-résistif MR On dépose ensuite une couche isolante 27 pour séparer les ilôts, puis une couche d'un matériau conducteur qui est gravé pour constituer des conducteurs lignes Y 1,Y 2, c'est-à-dire des seconds conducteurs 21. On réalise ensuite les pôles magnétiques 11,12 séparés par l'entrefer, par exemple en déposant successivement plusieurs couches de "Sendust" selon une technique connue, comme par exemple décrite dans une demande de brevet français 86 14974 au nom de THOMSON-CSF. D'une manière en elle-même classique, le signal de mesure correspondant au champ magnétique inscrit sur la piste 8, consiste en une variation d'un courant de mesure qui circule entre la couche magnétique stable 6 et la couche magnétique sensible 7 quand une tension de commande est appliquée entre ces deux couches 6,7 Dans la configuration de la figure 1, la tension de commande est appliquée à l'aide d'un conducteur colonne Xl, X 2 et d'un conducteur ligne Y 1, Y 2, et le courant circule perpendiculairement au plan des couches magnétiques 6,7 dans et entre ces deux conducteurs. La structure de tête de lecture montrée à la figure 1 a été décrite en référence à une tête dans laquelle un effet magnéto-résistif est mis en oeuvre à l'aide d'une structure magnétique multicouches MR, cette structure magnétique multicouches étant du type comprenant une couche magnétique stable 6 et une couche magnétique sensible 7 séparées par une couche non magnétique 3 L'action du champ magnétique inscrit sur une piste magnétique à lire, provoque un basculement de l'orientation magnétique de la couche sensible, basculement qui donne lieu à une variation d'un courant électrique qui circule dans les deux couches magnétiques. La couche non magnétique est électriquement conductrice et elle autorise le passage du courant entre les deux couches magnétiques Le phénomène mis en oeuvre est dans ce cas purement magnéto-résistif. Il est connu (voir par exemple l'article de S MAEKAWA and U GAFVERT paru dans I E E E TRANSACTION ON MAGNETICS, Vol MAG- 18, N O 2, March 1982) qu'une telle variation d'un courant peut être obtenue également en mettant en oeuvre un effet "Tunnel", dans une structure et dans des conditions similaires à celles relatives à l'effet purement magnéto-résistif, et qui obéissent aux mêmes règles en ce qui concerne notamment le couplage antiferromagnétique de la couche magnétique stable 6 et la couche magnétique sensible 7. Dans le cas de l'effet "Tunnel", la couche non magnétique 3 est une couche isolante ou semiconductrice, par exemple en silicium d'une épaisseur de l'ordre de 0,01 pim; les couches magnétiques 6,7 étant d'une même nature que dans le cas précédent En appliquant entre les deux couches magnétiques 6 et 7 une tension, on peut observer un courant qui par effet "Tunnel" circule entre les couches magnétiques 6,7 Le basculement de l'orientation magnétique de la couche sensible 7 provoque une modification de l'amplitude de ce courant "Tunnel", d'une manière semblable à la variation d'amplitude du courant dans le cas purement magnéto-résistif. Aussi, compte tenu de ces similitudes de structure et d'effets, nous voulons que la définition "élément magnéto-résistif du type multicouches" définisse aussi bien une structure mettant en oeuvre l'effet purement magnéto-résistif qu'une structure mettant en oeuvre l'effet "Tunnel " La figure 2 montre schématiquement à titre d'exemple non limitatif, un dispositif de lecture selon l'invention, dans lequel une pluralité de tête de lecture, semblables aux têtes de lecture TL 1 à TL 4 montrées à la figure 1, sont sélectionnées par un adressage de type matriciel. Pour simplifier la description, le dispositif de lecture 1 montré à la figure 3 comporte seulement trois conducteurs lignes Y 1,Y 2,Y 3 croisés avec trois conducteurs colonnes X 1,X 2,X 3, donnant lieu à neuf intersections comportant chacune une tête de lecture TL 1 à TL 9; mais bien entendu, en pratique le nombre de conducteurs et lignes et colonnes peut être beaucoup plus grand. Les têtes de lectures TL 1 à TL 9 étant du type magnéto-résistif multicouches, elles sont représentées sous la forme de résistances Pour chaque tête de lecture, une extrémité de la résistance, constituée par exemple par la couche magnétique sensible 7, est reliée au conducteur ligne Yl à Y 3 de son intersection; et l'autre extrémité de la résistance, c'est- à-dire la couche magnétique stable 6, est reliée est reliée à l'électrode colonne Xl à X 3 de la même intersection. Ainsi par exemple une première ligne Ll de tête de lecture comprend les têtes TL 1, TL 2, TL 3 dont les couches magnétiques stables 6 sont reliées respectivement au premier, second et troisième conducteurs colonne Xl, X 2 et X 3; alors que les couches magnétiques stables 7 sont reliées au premier conducteur ligne Y 1. Les têtes de lecture des lignes L 2 et L 3 sont reliées d'une manière semblable aux conducteurs ligne et colonne de leur i 1 intersection. Le dispositif de lecture 1 comporte un générateur de tension 30 produisant une tension de commande VC (par rapport à un potentiel de référence qui est la masse par exemple); la tension de commande VC est destinée à être appliquée aux têtes de lecture TL 1 à TL 9 et plus précisément aux éléments magnéto-résistif. Le dispositif de lecture 1 comporte en outre un dispositif de portes comportant autant de portes Pl à P 3 (analogiques par exemple) qu'il y a des conducteurs lignes Y 1 à Y 3. Une sortie de chaque porte Pl à P 3 est reliée à l'un des conducteurs lignes (Yi à Y 3) et les entrées de porte sont toutes reliées à une sortie du générateur de tension 30 délivrant la tension de commande VC. Chaque porte Pl à P 3 est commandée par un circuit de synchronisation 31, qui décide de l'état "bloquant" ou de l'état "passant" de la porte considérée A l'état "passant" la tension de commande VC est appliquée au conducteur ligne Yi à Y 3, sous une faible impédance; alors qu'à l'état "bloquant" le conducteur ligne n'est pas reliée au générateur de tension 30, sauf à travers une très haute impédance; autrement dit, avec l'état "bloquant" d'une porte Pl à P 3 donnée, le conducteur ligne correspondant est en "l'air", c 'est-à-dire n'est relié à rien. Les conducteurs colonnes Xi à X 3 sont portés au potentiel de la masse, par l'intermédiaire d'un détecteur de courant Ai à A 3 permettant de détecter des variations représentant l'effet magnéto-résistif. Dans l'exemple non limitatif décrit, ces détecteurs sont des amplificateurs Ai à A 3 à faible impédance d'entrée, en eux-mêmes classiques, ayant une première entrée reliée à un conducteur colonne X 1 à X 3, et dont la seconde entrée + est reliée au potentiel de la masse afin de ramener ce potentiel (à basse impédance) sur le conducteur colonne; chaque amplificateur Ai à A 3 ayant une sortie Si à 53 reliée à sa première entrée par l'intermédiaire d'une résistance de contre-réaction Cr. Chaque sortie Si à 53 d'amplificateur Ai à A 3 est reliée à une entrée Il à I 3 d'un registre d'acquisition 44 du type registre à décalage dont chaque case peut stocker une valeur analogique, une tension par exemple. Le registre d'acquisition 44 est relié au circuit de synchronisation 31 qui décide notamment du transfert des données acquises dans le registre 44. La lecture des pistes magnétiques sélectionnées est effectuée en adressant ligne par ligne les têtes magnétiques TL 1 à TL 9 correspondantes. L'adressage de la première ligne Ll de tête de lecture est réalisé en commandant la première porte Pl par le circuit de synchronisation 31, pour la mettre à l'état "passant", alors que les portes P 2 et P 3 qui correspondent respectivement aux conducteurs lignes Y 2 et Y 3 (c'est-àdire aux lignes L 2 et L 3 de têtes de lecture) sont conservées à l'état "bloquant" Dans ces conditions, la tension de commande VC (de l'ordre par exemple de quelques volts) est appliquée (à travers une basse impédance) uniquement aux trois premières têtes de lecture TL 1, TL 2, TL 3 reliée au premier conducteur ligne Yl Un courant il, i 2, i 3 circule alors dans les colonnes X 1 à X 3. Pour chaque conducteur colonne Xi à X 3, ce courant est traduit en tension par les amplificateurs Ai à A 3, et cette tension est chargée dans les entrées Il à I 3 correspondantes du registre d'acquisition 44 La valeur du courant nominal étant connue, toute différence avec cette valeur représente un signal dû à l'effet magnéto-résistif. La première porte Pl est ensuite commandée pour être à nouveau à l'état "bloquant". Puis le circuit de synchronisation 31 commande le transfert des données accumulées dans le registre d'acquisition 44, vers un dispositif de stockage de données 45. Le registre d'acquisition 44 étant vidé, le circuit du synchronisation 31 commande la mise à l'état "passant" de la seconde porte P 2 qui est reliée au second conducteur ligne Y 2. Ceci réalise l'adressage des quatrième, cinquième et sixième têtes de lecture TL 4, TL 5, TL 6 appartenant à la seconde ligne L 2 Le fonctionnement est semblable à celui déjà décrit pour la ligne Ll, c'est-à-dire que les signaux fournis par les amplificateurs Ai à A 3 sont chargés dans le registre d'acquisition 44, puis transférés vers le dispositif de stockage de données 45. Un même fonctionnement est répété pour la troisième ligne L 3 qui regroupe les septième, huitième et neuvièmes têtes TL 7, TL 8, TL 9. Cette description d'un mode d'adressage matriciel constitue un exemple non limitatif D'autres schémas peuvent être utilisés tout en restant dans le cadre de l'invention, dès lors que la tension de commande VC est appliquée à basse impédance à une tête de lecture sélectionnée, et n'est pas appliquée sinon à travers une haute impédance aux têtes de lecture non sélectionnées. Dans le cas particulièrement d'un adressage matriciel de têtes de lecture TL 1 à TL 9 mettant en oeuvre l'effet purement magnéto-résistif, le courant délivré par chaque tête de lecture peut être ajusté et plus précisément réduit au niveau de chacune de ces têtes, en réduisant la section de conduction dans l'élément magnéto-résistif multicouches ce qui a pour effet d'augmenter sa résistance. La figure 3 montre schématiquement à titre d'exemple non limitatif, une manière de réduire la section de conduction des éléments magnétorésistifs multicouches, à l'aide d'une couche isolante 50 interposée en série avec un conducteur ligne. Il est à noter que la section de conduction est limitée déjà à une surface de croisement, formée pour chaque tête de lecture par les surfaces en regards de l'électrode colonne croisée avec l'électrode ligne Cette surface peut être encore trop importante pour la section de conduction, et cependant il n'est pas souhaitable de diminuer les dimensions des conducteurs ligne et colonnes afin de ne pas augmenter la résistance électrique qu'ils présentent, et ceci particulièrement quand un grand nombre de tête de lecture leur est connecté. La solution montrée à la figure 3 consiste à interposer la couche isolante comme indiqué ci-dessus, et à réaliser dans cette couche 50 une ouverture ou fenêtre 51 ayant sensiblement la section que l'on désire conférer à la section de conduction. La figure 3 est une vue en coupe de la structure de la figure 1, suivant un axe X-X montré à la figure 1, vue qui permet de représenter la fenêtre 51 au niveau des têtes de lecture TL 1, TL 3. D'une même manière que dans l'exemple de la figure 1, pour chaque tête de lecture le substrat 2 porte le conducteur 20 ou conducteur colonne Xl, sur lequel sont formées successivement les couches magnétiques stables 6; les couches non magnétiques 3 conductrices; les couches magnétiques sensibles 7. On trouve ensuite la couche isolante 50 qui constitue un masque entre chaque couche magnétique sensible 7 et le conducteur 21 ou conducteur Y 1, Y 2 ligne correspondant La couche isolante 50 a une épaisseur de l'ordre par exemple de 0,1 p.m L'action d'une telle couche isolante 50 est négligeable sur le champ magnétique dans le circuit magnétique, de telle sorte que les pièces magnétiques 13,14 et les pôles magnétiques 11,12 peuvent être réalisés sur cette couche isolante 50. La fenêtre 51 ayant été réalisée avant le conducteur ligne Y 1,Y 2, le matériau conducteur dont est constitué ce dernier remplit la fenêtre 51, et assure le contact électrique entre la couche magnétique sensible 7 et le conducteur ligne Y 1,Y 2. REVEND I C AT I O N S 1 Dispositif magnétique de lecture, comportant un substrat ( 2) sur lequel est réalisé au moins une tête magnétique de lecture (TL 1 à TL 9) soumise à l'influence d'une piste magnétique ( 8), la tête de lecture comportant un élément magnéto-résistif (MR) du type multicouches comprenant un empilement formé d'au moins une première et une seconde couches magnétiques formant respectivement, une couche magnétique stable ( 6) et une couche magnétique sensible ( 7), les deux couches magnétiques ( 6,7) étant séparées par une couche non magnétique ( 3), un courant étant établi entre ces deux couches magnétiques en leur appliquant une tension de commande, caractérisé en ce que la tête de lecture comporte un circuit magnétique du type en anneau dans lequel est inséré la couche magnétique sensible ( 7), le circuit magnétique étant ouvert par un entrefer ( 10) situé à proximité d'un plan de défilement de la piste magnétique ( 8), et en ce que la couche magnétique stable ( 6) est située à l'extérieur de l'anneau du circuit magnétique. 2 Dispositif magnétique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les couches magnétiques stables et sensibles ( 6,7) sont dans des plans parallèles au substrat ( 2) et au plan de défilement de la piste ( 8). 3 Dispositif magnétique selon l'un des revendications précédents, caractérisé en ce que les couches magnétiques stables et sensibles ( 6,7) sont alimentées à l'aide d'un conducteur ligne (Y 1 à Y 3) relié à la couche magnétique sensible ( 7) et d'un conducteur colonne (Xl à X 3) relié à la couche magnétique stable ( 6), le conducteur colonne étant situé entre le substrat ( 2) et la couche magnétique stable ( 6), et le conducteur ligne (Y 1 à Y 3) passant dans l'anneau du circuit magnétique. 4 Dispositif magnétique selon l'une des revendications précédents, caractérisé en ce que la couche magnétique stable ( 6) comporte une épaisseur (El) largement plus grande que l'épaisseur (E 2) de la couche magnétique sensible ( 7). Dispositif magnétique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche non magnétique ( 3) est électriquement conductrice. 6 Dispositif magnétique selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'une couche électriquement isolante ( 50) est interposée entre la couche magnétique sensible ( 7) et le conducteur ligne (Y 1 à Y 3), et en ce que la couche magnétique sensible ( 7) et le conducteur ligne sont électriquement en contact par l'intermédiaire d'une ouverture ( 51) formée dans la couche électriquement isolante ( 50). 7 Dispositif magnétique selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche non magnétique ( 3) est électriquement isolante. 8 Dispositif magnétique selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte sur le même substrat ( 2) une pluralité de tête de lecture (TL 1 à TL 9) semblables formant un réseau matriciel, un réseau de conducteurs ligne (Y 1 à Y 3) et un réseau de conducteurs30 colonnes (Xl à X 3) croisés avec les conducteurs lignes, chaque conducteur ligne (Yl à Y 3) étant relié aux couches magnétiques sensibles ( 7) d'une ligne (Ll à L 3) correspondante de têtes de lecture et chaque conducteur colonne (Xl à X 3) étant relié aux couches magnétiques stables ( 6) d'une colonne correspondante de têtes de lecture. 9 Dispositif magnétique selon la revendication 8, caractérisé en ce que chaque conducteur colonne (Xl à X 3) est relié à un potentiel (masse) de la tension de commande par l'intermédiaire d'un détecteur de courant (Ai à A 3) et en ce que chaque conducteur ligne (Y 1 à Y 3) est relié au second potentiel de la tension de commande par l'intermédiaire d'une porte (Pl à P 3) susceptible d'être mise à l'état "passant" o elle présente une faible impédance, ou d'être mise à l'état "bloquant" o elle présente une grande impédance. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens ( 31,44) pour commander l'état Itpassantfl d'une porte (Pl à P 3) correspondant à une ligne (Ll à L 3) de tête de lecture sélectionnées, en maintenant les autres portes à l'état "bloquant".