FR 2669148 A1 19920515 FR 9110348 A 19910814 La présente invention se rapporte d'une façon générale à des ensembles amplificateurs micro-ondes et plus particulièrement à un procédé et à un dispositif pour interconnexions d'ensembles modulaires qui ont un faible taux d'ondes stationnaires (VSWR) à dix-huit G Hz et au-dessus. Des amplificateurs micro-ondes à transistors à effet de champ (FET) en arseniure de gallium (Ga As), qui couvrent la bande comprise entre 0,5 G Hz et 20 G Hz et qui ont des puissances de sortie pouvant attein- dre deux watts, sont disponibles auprès de plusieurs fabricants, notamment Watkins-Johnson, Celeritek et Avantek Deux techniques d'équilibrage et de réaction sont utilisées avec des structures MIC et MMIC à films minces pour obtenir des performances en larges bandes. Des conceptions typiques d'amplificateurs sont agréées et utilisées dans les environnements correspondant à MIL-STD-884 ( espace), MIL-E-5400 (aviation), MIL-E- 16400 (marine) et MIL-E-4158 (sol) Certaines unités ont même été testées conformément au Test défini par l'expression anglaise "Hardness Assurance Lot Acceptance Test " (HALAT) en ce qui concerne les niveaux de toléran- ces à des doses de rayonnements dans l'espace et straté- giques. Watkins-Johnson (Palo Alto, CA) fabriquent de petits amplificateurs de signaux et de puissance en bande ultra- large, pour la bande de 2-18 G Hz, en utilisant un "amplificateur matriciel", ce qui est signalé dans les documents américains "IEEE MTT Transac- tions"; se référer à cet égard au Rapport de K B. Niclas, R R Pereia, A J Graven et A P Chang, "Design and Performance of a New Multi-octave High-gain Ampli- fier" ( Conception et performances d'un nouvel amplifica- teur de gain élevé multi-octaves), ce Rapport étant incorporé aux pages 829-832 du Condensé concernant le "IEEE MTT-S International Microwave Symposium" de 1987 Des connecteurs MMIC et remplaçables sont typique- ment utilisés dans de tels amplificateurs. Celeritek (San Jose, CA) vend une série de conceptions d"amplificateurs équilibrés", modèles CMA et CMT fabriqués selon la technologie MIC La conception équilibrée est proposée par Celeritek pour améliorer l'adaptation inter-étages de telle sorte que plusieurs étages de gains puissent être branchés en cascade de manière à obtenir un gain élevé tout en maintenant une réponse de gain plate Trois versions d'amplifica- teurs sont disponibles pour opérer de 18 à 26 G Hz, de 26 à 40 G Hz et dans la largeur de bande totale allant de 18 à 40 G Hz Des unités sont assemblées avec des modules de gains interchangeables, ce qui permet aux utilisateurs de choisir la valeur de gain nécessaire pour des applications particulières Deux types de transistors à effet de champ Celeritek sont utilisés dans les amplificateurs, à savoir des dispositifs de 150 Fm qui établissent un gain de 5 d B et des disposi- tifs de 300 pm qui établissent un gain d'environ 4 d B par étage Des boîtiers pour les amplificateurs CMT et CMA utilisent des joints soudés, des traversées verre-métal et des connecteurs remplaçables sur place de type "K", avec des connecteurs coaxiaux de 2,4 mm et des connecteurs d'interfaces de guides d'ondes qui sont disponibles comme options. Avantek (San Jose, CA) produit une gamme d'am- plificateurs millimétriques à large bande connus comme la série AMT/AWT Cette série opère dans des bandes à un octave (AMT) et à plusieurs octaves (AWT) Le boî- tier de la série IK de Avantek est un boîtier en alumi- nium usiné, scellé hermétiquement et comportant, sur option, un guide d'onde et des connecteurs coaxiaux de trois millimètres remplaçables sur place La longueur du boîtier varie en fonction de la valeur du gain et du nombre de fonctions incluses. Dans l'art antérieur, il a été difficile de concevoir des amplificateurs et de sous-sytèmes utilisant une "structure modulaire" à des fréquences supérieures à dix huit G Hz, à cause des difficultés d'adaptation de haute fréquence entre modules ( L'expression "Structure modulaire " signifie la construction d'une unité satisfaisant à des spécifications complètes à partir d'un ensemble de modules assemblés, accordés et testés indépendamment, les modules étant conçus pour remplir de simples fonctions génériques) Des modules se composant de substrats et d'éléments de puces montés sur un support métallique posent des problè- mes en ce qui concerne le maintien d'une impédance de cinquante ohms dans la zone située entre des modules. ( Le support métallique est la base mécanique et thermi- que, ainsi que le -plan de masse RF). Les figures l(a)-(d) représentent un boîtier coaxial typique, désigné dans l'ensemble par la référence numérique 10 Le boîtier 10 comporte une cartouche 11, un connecteur coaxial d'entrée 12, un connecteur coaxial de sortie 14 et une entrée 16 de courant continu. Sur les Figures 2 (b) et 1 (c), une série de trois modules amplificateurs 18, 20 et 22 sont disposés à l'intérieur de la cartouche 11 Le module 18 est relié au connecteur coaxial 12 et au module 20 par des fils de connexion 24 Les modules 20 et 22 ainsi que le connecteur coaxial 14 sont reliés entre eux de façon semblable par des fils de connexion 24 Les modules 18, 20 et 22 peuvent comprendre des substrats diélectriques placés sur des supports métalliques ou bien ils peuvent constituer précisément le substrat proprement dit Dans l'un ou l'autre cas, les modules 18, 20 et 22 sont fixés sur la base à l'intérieur de la cartouche 11. Sur la Figure 2, les connexions 24 entre les modules 18, 20 et 22 sont représentées de façon plus détaillée Dans l'art antérieur, les connexions 24 sont constituées par des fils métalliques ordinaires de section circulaire, bien qu'on utilise également des rubans ou des éléments maillés Les connexions 24 franchissent simplement l'intervalle existant entre les modules 18, 20 et 22 Des voies de liaison à la masse sont représentées par des flèches 26 Chacun des modules 18, 20 et 22 est composé d'un substrat 28 et d'un support 30 Au-dessus de dix huit G Hz, la structure de l'art antérieur représentée sur la Figure 2 ne fonctionne plus de façon satisfaisante Les conne- xions 24 ont une impédance excessivement élevée à cause de l'air se trouvant entre les modules et agissant comme un diélectrique, de la petite dimension des fils de connexion 24, de la distance à la masse dans la cartouche 11 et-de l'espacement entre les substrats 28. De multiples rubans ou fils de connexion 24 réduisent légèrement l'impédance mais elle reste bien supérieure à cinquante ohms Les voies 26 de connexion à la masse sont électriquement très longues et posent des problèmes, notamment celui consistant à optimiser l'épaisseur des supports 30 pour réduire la longueur des voies de liaison à la masse Une réduction d'épaisseur est favorable pour la voie de liaison à la masse mais un support 30 trop mince peut causer une fissuration du substrat 28 du fait que le support 30 ne constitue pas un élément suffisamment rigide Dans certains cas, les supports 30 ont été éliminés et les substrats 28 ont été fixés directement sur la cartouche 11 Cela réduit les voies de liaison à la masse 26 dans une certaine mesure mais l'impédance des fils de connexion 24 reste élevée Un problème se posant lors de la fixa- tion des substrats 28 directement sur la cartouche 11 à l'aide de diverses brasures consiste en ce que, si l'un quelconque des modules 18, 20 ou 22 est défec- tueux, un enlèvement et un remplacement de ce module ne peuvent pas être réalisés d'une manière pratique et l'ensemble du boîtier 10 est ainsi défectueux et doit être rebuté Si on utilise une fixation par résine époxy conductrice, il est possible d'enlever les modules mais la conductivité du joint en résine époxy prévu dans l'interface entre le substrat 28 et la cartouche 11 devient critique et il est difficile d'effectuer une fabrication correcte. En conséquence un objet de la présente inven- tion est de créer des modules qui permettent d'obtenir une structure modulaire à des fréquences supérieures à dix huit G Hz et qui ne posent pas de problèmes d'adap- tation de haute fréquence entre les modules. Un autre objet de la présente invention est de réaliser des modules comprenant des substrats et des composants de puces montés sur un support métallique qui maintiennent une impédance de cinquante ohms dans la zone entre modules. Encore un autre objet de la présente invention est de permettre d'assembler, d'accorder et de tester indépendamment des modules conçus pour remplir des fonctions génériques simples. Ainsi, une réalisation préférée de la présente invention comprend un module amplificateur comportant un support métallique de circuit microondes, pourvu de conducteurs en ruban à la fois pour la ligne de transmission de cinquante ohms et pour les connexions de masse Le support comporte un rebord faisant saillie à partir de la surface de base du support sur les lisiè- res formant interface avec l'extérieur Un conducteur en ruban est soudé entre les rebords en saillie sur des supports placés bout à bout de façon à former un plan de masse uniforme qui est accessible pour l'en- semble supérieur Un second conducteur en ruban est soudé entre des conducteurs RF sur des substrats prévus sur les supports respectifs et il passe au-dessus de l'interface et du plan de masse Par un choix correct de ( 1) la largeur du second conducteur en ruban et ( 2) la hauteur de passage au-dessus du plan de masse, il est possible de maintenir une impédance de cinquante ohms. Un avantage de la présente invention consiste en ce qu'une impédance de cinquante ohms peut être maintenue lors de la jonction de modules à l'intérieur d'un boîtier ou d'une cartouche, ce qui permet d'obtenir un faible taux d'ondes stationnaires -(VSWR). Un autre avantage de la présente invention consiste en ce que le taux d'ondes stationnaires (VSWR) n'est pas réduit lors de l'augmentation des espacements entre modules et des longueurs des rubans, ce qui rend les performances moins sensibles à des variations d'es- pacement des modules dans un ensemble et ce qui permet également d'accéder aux supports de modules pour un en- lèvement. Un autre avantage de la présente invention consiste en ce que la réalisation de l'ensemble supérieur peut être effectuée pratiquement et que par conséquent la fabrication est simplifiée. Un autre avantage de la présente invention consiste en ce qu'il est possible d'utiliser des techni- ques de conception et de fabrication de films minces standard. Un autre avantage de la présente invention consiste en ce que des supports de modules comportant des substrats de circuits peuvent être réalisés plus épais et optimisés dans des buts autres que celui du raccourcissement de la voie de retour à la masse. Un autre avantage de la présente invention consiste en ce que la fixation du support sur la cartou- che n'est plus critique à des fréquences micro-ondes puisque des courants de masse sont conduits par l'inter- médiaire des rubans entre supports. Un autre avantage de la présente invention consiste en ce qu'un accès à la masse s'effectue sur le bord supérieur d'un module, alors que cela n'était normalement pas possible, ce qui simplifie et améliore les connexions coaxiales d'entrée et de sortie ainsi que d'autres connexions. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mis en évidence dans la suite de la description, donnée à titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels: la Figure 1 représente un boîtier d'amplificateur micro- ondes à transistors à effet de champ en arseniure de gallium Ga As de l'art antérieur, cet ensemble étant représenté en (a) par une vue en plan, en (b) par une vue latérale, en (c) par une vue en plan, avec enlève- ment d'un couvercle de façon à montrer les modules situés à l'intérieur, et (d) par une vue en bout; la Figure 2 est une vue latérale détaillée des modules et des fils de connexions de la Figure l(b); la Figure 3 représente en (a) une vue latérale d'un groupe de trois modules et en (b) une vue en perspective des trois modules, qui sont tous agencés conformément à la présente invention; la Figure 4 représente en (a) une vue en plan et en (b) une vue latérale du conducteur en ruban 64 des Figures 3 (a) et 3 (b); la Fig ure 5 représente en (a) une vue en plan, en (b) une vue latérale et en (c) une vue en bout d'une réali- sation préférée d'une cartouche agencée conformément à la présente invention; la Figure 6 est une vue en coupe de la cartouche de la Figure 5, faite suivant les lignes 6-6; la Figure 7 est une vue en coupe de la cartouche de la Figure 5, faite suivant les lignes 7-7; la Figure 8 représente un ensemble supérieur interve- nant dans un tiers de la cartouche de la Figure 5 et elle montre des modules micro-ondes installés dans la cavité centrale, avec des circuits placés dans les cavités extérieures; la Figure 9 est une vue détaillée du module entouré par un cercle sur la Figure 8 et désigné par " Détail 9 "; la Figure 10 représente en (a) une vue en plan, en (b) une vue latérale et en (c) une vue en bout d'un support comprenant la présente invention; et la Figure 11 est une vue en plan d'une réalisation préférée de la présente invention pour des modules comportant des connexions d'entrée et de sortie en alignement. Une réalisation préférée de la présente inven- tion comprend un certain nombre de modules comportant un support pourvu de conducteurs en ruban à la fois pour la ligne de transmission de cinquante ohms et pour les connexions de masse entre modules Sur les Figures 3 (a) et 3 (b), un amplificateur, désigné de façon générale par la référence numérique 50, comporte un trio de modules 51, pourvus chacun d'un support 52 comportant une paire de rebords 54 faisant saillie drune surface de base 56 située sur le haut du support 52 Le support 52 est monté à l'intérieur d'une cartou- che, par exemple la cartouche 11 Les rebords 54 sont situés sur une paire de lisières 58 formant une interface avec l'extérieur Le relèvement des rebords 54 au-dessus de la surface de base 56 contribue à contrôler l'écoule- ment de la matière de brasage et améliore l'accès à la masse à partir du haut des modules 51 Un substrat , constitué d'un matériau diélectrique approprié, comme de l'alumine, une matière plastique, de l'oxyde de béryllium, une matière céramique, etc, est monté sur le support 52 Un conducteur en ruban 62 est soudé ou fixé de façon conductrice entre les rebords 54 en saillie qui existent sur les modules adjacents et placés bout à bout dans l'ensemble de modules 51 de façon à former un plan de masse uniforme dans les espaces intermédiaires Un second conducteur en ruban 64 est soudé sur des conducteurs R F prévus sur le substrat Ce conducteur en ruban 64 couvre l'interface entre bords 58 en passant à une distance critique au-dessus du conducteur en ruban 62 et en formant une micro-ligne de transmission avec un diélectrique formé par l'air. La théorie et les équations concernant ce moyen de transmission sont bien connues Par un choix correct de la largeur du conducteur en ruban 64 et de la hauteur de passage au-dessus du conducteur en ruban 62, il est possible de maintenir une impédance de 50 ohms. Un ruban d'une largeur de 0,5 mm et passant à une hauteur de 0,1 mm établit approximativement une impédance de ohms Le rebord 54 fait typiquement saillie d'une hauteur de 0,12 mm au-dessus de la surface de base 56 pour des substrats 60 d'une épaisseur de 0,25 mm. Le support 52 a typiquement une épaisseur de 0,75 mm ( y compris le rebord 54), une longueur de 0,45 mm et une largeur de 0,35 mm Le support 52 est typiquement formé d'un alliage de fer-nickel-cobalt dont la composi- tion chimique est contrôlée dans des limites étroites pour obtenir de façon sûre une adaptation précise de dilatation thermique avec des substrats en alumine ou en silice fondue, comme par exemple le matériau de désignation commerciale "Carpenter Kovare ", qui sera désigné simplement dans la suite par "Kovar". Le conducteur 62 est un ruban en or d'une largeur de 0,5 mm et il doit avoir une longueur nécessaire pour franchir l'intervalle existant entre les supports 52, etc Le conducteur en ruban 64 est formé d'or, il a une épaisseur de 0,025 mm, une largeur de 0,5 mm et il doit avoir la longueur nécessaire pour couvrir l'inter- valle existant entre les substrats 60, etc Le conducteur en ruban 64 couvre la distance existant entre les modu- les 51 selon un angle d'environ 450 pour assurer l'in- terconnexion d'amplificateurs équilibrés, qui ont leurs entrées et leurs sorties disposées en diagonale Il est possible d'adopter n'importe quel angle d'interconne-. xion, y compris O ( alignement), en modifiant l'angle du ruban, puisque l'impédance n'est pas affectée. En référence maintenant aux Figures 4 (a) et 4 (b), le conducteur en ruban 64 comporte deux coudes 66 qui contribuent à réduire les contraintes engendrées par dilatation et contraction thermique et également à faciliter l'alignement dans l'assemblage Une dimen- sion de largeur 68 est critique pour obtenir une impédan- ce de cinquante ohms du conducteur en ruban 64 passant au-dessus du conducteur en ruban 62 entre les modules 51. Un exemple de réalisation de la présente inven- tion est représenté sur les Figures 5 (a), 5 (b) et 5 (c). Une cartouche, désignée dans son ensemble par la référen- ce numérique 70, comporte trois cavités 72, 74 et 76. Une traversée d'entrée coaxiale 78 et une traversée de sortie 80 sont brasées à des extrémités opposées de la cartouche 70 Des connecteurs micro-ondes standard sont alors utilisés en adaptation avec les traversées. La cavité 74 est conçue pour contenir une série de modules qui opèrent dans la bande comprise entre 18 et 40 G Hz et qui sont supportés par une alimentation en courant de fréquence inférieure et des modules de commande, de chaque côté dans les cavités 72 et 76. La cavité 74 doit être suffisamment étroite pour ne pas agir comme un guide d'ondes pour les fréquences de service, ou autrement un matériau d'absorption de micro-ondes doit être incorporé dans la cavité Cela signifie que les modules disposés à l'intérieur de la cavité 74 auront des dimensions de l'ordre de 5,1 x 3,6 mm, ou plus petites Plusieurs encoches peu pro- fondes 82 permettent la fixation de petits condensateurs diélectriques en céramique et on les utilise pour fixer les conducteurs de fréquence inférieure entre la cavité 74 et les cavités 72 et 76 La Figure 6 montre un rebord 84 prévu dans la cartouche 70 et qui remplit une fonction semblable à celle du rebord 54 du module 51 Un certain nombre de modules 51 sont disposés à la suite du rebord 54 à l'intérieur de la cavité 74 et ils sont disposés bout à bout de telle sorte que les rubans conducteurs 62 puissent être soudés entre des rebords adjacents 84 & 54, 54 & et 54 et 54 & 84. Sur la Figure 8, la cartouche 70 contient des modules 51, opérant entre 18 et 40 G Hz et qui sont disposés bout à bout dans la cavité 74 Des circuits associés sont disposés de chaque côté dans les cavités 72 et 76 Des rubans conducteurs 64 assurent l'inter- connexion des modules 51 La Figure 9 est une vue simplifiée d'un module amplificateur 51 à transistor FET en Ga As ( des détails du module sont omis pour clarifier le dessin) et de rubans conducteurs 64 Le ruban conducteur' 64 est fixé par soudage et selon un certain angle sur le module 51 Sur la Figure 10, le support 52 comporte deux rebords 54 Le support 52 est typiquement -formé de Kovar, de molybdène ou d'autres métaux Un substrat, par exemple le substrat 60, est fixé sur le support 52 Un revêtement en or du support 52 facilite les opérations de brasage, de soudage et de liaison qui sont nécessaires lors de l'assemblage du module 51. Une autre réalisation de la présente invention est représentée sur la figure 11 Cette réalisation est préférée pour des modules comportant des entrées et des sorties qui sont en alignement Un système de connexion, désigné dans son ensemble par la référence numérique 90, comporte un ruban 92 qui a une largeur 94 approximativement la même que la largeur 68 Deux coudes 96 de détensionnement sont prévus dans le ruban 92. Bien que les performances et les possibilités de fabrication de l'amplificateur de 18-40 G Hz décrit ci-dessus soient grandement améliorées par la présente invention, de nombreux autres produits du domaine des micro-ondes bénéficieront également de tels avantages d'une façon semblable La présente invention peut être appliquée, en général, à tout module micro-ondes actif ou passif, comportant une ou plusieurs lignes de trans- mission aux entrées ou aux sorties Cela concerne, sans limitation, des amplificateurs, des atténuateurs, des limiteurs, des filtres, des commutateurs, des mélan- geurs, des diviseurs de puissance, des détecteurs, des oscillateurs, des multiplicateurs ainsi que des cascades ou des combinaisons de deux ou plusieurs des éléments précités Ces modules peuvent comporter un ou plusieurs circuits intégrés monolithiques Des sous- systèmes micro-ondes, qui constituent des cascades ou des combinaisons des modules précités, peuvent utili- ser la présente invention pour améliorer le taux d'ondes stationnaires (VSWR) entre modules à des fréquences o les techniques de l'art antérieur deviendraient marginales, ce qui permet de construire des modules dont les capacités atteignent au moins quarante G Hz. Bien entendu l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et repré- sentes, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour cela sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Module micro-ondes, caractérisé en ce qu'il comprend: un support ( 52) comportant au moins un rebord ( 54), faisant saillie vers le haut à partir de la surface de base dudit support ( 52) sur une lisière d'interface, ledit rebord en saillie étant agencé pour recevoir avec fixation un premier conducteur RF ( 62), ledit premier conducteur RF étant un conducteur de masse; et un substrat ( 60) fixé sur le support ( 52) et comportant une ligne de transmission RF agencée pour recevoir avec fixation un second conducteur RF ( 64) de telle sorte que ledit second conducteur RF ( 64) ait une impédance caractéristique inférieure à 100 ohms en raison de la disposition et du dimensionnement dudit second conducteur RF ( 64). 2. Module selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit premier conducteur RF ( 62) est un premier conducteur en ruban. 3. Module selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le support ( 52) est pourvu d'un revêtement conducteur, de manière à faciliter la fixation électriquement conductrice dudit premier conducteur RF ( 62). 4. Module selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le support ( 52) est conducteur, de sorte qu'une fixation électriquement conductrice dudit premier conducteur RF ( 62) est facilitée. 5. Module selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que ledit second conducteur RF ( 64) est fixé avec un certain angle sur le substrat ( 60) et parallèlement au plan dudit premier conducteur RF ( 62). 6. Module selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit rebord en saillie ( 54) fait saillie d'au moins 0,12 mm à partir du corps principal du support ( 52). 7 Système de connexion entre modules à circuits micro-ondes, caractérisé en ce qu'il comprend: un premier rebord en saillie ( 54) d'un premier support métallique ( 52), situé sur une lisière dudit premier support ( 52); un second rebord en saillie ( 54) d'un second support métallique ( 52), situé sur une lisière dudit second support ( 52); un premier conducteur en ruban ( 62) comportant ( 1) un premier bord fixé sur le premier rebord en saillie ( 54) et ( 2) un second bord fixé sur le second rebord en saillie ( 54) de telle sorte que la distance entre les premier et second rebords en saillie ( 54) soit couverte; un second conducteur en ruban ( 64) comportant ( 1) une première extrémité et une seconde extrémité, ladite première extrémité étant fixée sur un premier conducteur RF situé sur un premier substrat ( 60) au-dessus dudit premier support métallique ( 52), et ( 2) ladite seconde extrémité étant fixée sur un second conducteur RF situé sur un second substrat ( 60) au-dessus dudit second support métallique ( 52), le second conducteur en ruban ( 64) ayant une combinaison de largeur et de hauteur de passage au-dessus du premier conducteur en ruban ( 62) qui soit telle qu'une impédance constante soit maintenue. 8. Système selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite impédance constante est sensiblement de 50 ohms. 9. Système selon l'une des revendications 7 ou 8, caractérisé en ce que les premier et second conducteurs en ruban ( 62,64) sont fixés par un moyen de fixation conducteur. 10 Système selon l'une des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que le second conducteur en ruban ( 64) couvre la distance de passage au-dessus du premier conducteur en ruban ( 62) approximativement selon un angle de 450 par rapport au premier conducteur en ruban ( 62). 11. Système selon l'une des revendications 7 à 10, caractérisé en ce que le second conducteur en ruban ( 64) a une largeur approximativement de 0,5 mm. 12. Système selon l'une des revendications 7 à 11, caractérisé en ce que le second conducteur en ruban ( 64) est un ruban en or, ayant approximativement une épaisseur de 0,025 mm et une largeur de 0,5 mm. 13. Système selon l'une des revendications 7 à 12, caractérisé en ce que le second conducteur en ruban ( 64) comprend un moyen de flexion pour absorber les contraintes de dilatation et compression thermique entre ses points de fixation. 14. Système selon la revendication 13, caractérisé en ce que le moyen de flexion comprend des coudes ( 66) formés en au moins un endroit sur la largeur du second conducteur en ruban ( 64).