FR 2668303 A1 19920424 FR 8903311 A 19890314 CAPTEUR OPTIQUE A FAIBLE DIAPROTIE La présente invention concerne les dispositifs semiconducteurs photosensibles constitués d'au moins une ligne de points photodétecteurs, laquelle ligne est couplée à un registre de lecture du type à transfert de charges L'invention s'applique particulièrement au cas des barrettes linéaires formées de plusieurs lignes parallèles de points photodétecteurs fonctionnant en mode intégration et report de charges (en abrégé "IRC"), et elle concerne des moyens pour réduire de manière importante l'effet de diaphotie. La figure 1 montre schématiquement l'architecture classique d'une barrette photosensible BP, du type formé par plusieurs lignes LI, L 2,, Ln de surfaces élémentaires photosensibles Sln, 52 n,, S Mn Les lignes de surfaces élémentaires photosensibles sont parallèles et ces surfaces photosensibles sont juxtaposées de sorte qu'elles constituent les lignes Li à Ln et des colonnes Cl à CM perpendiculaires aux lignes. Suivant un arrangement conventionel, un registre de lecture RL (formé par un registre à décalage fonctionnant par transfert de charges) est situé du côté de l'une des extrémités des colonnes Cl à CM, formée par les surfaces élémentaires photosensibles appartenant à la première ligne Ll Chacune de ces surfaces élémentaires photosensibles SI à SM de la première ligne LI est reliée, par l'intermédiaire d'une porte Pl à PM, à une case de stockage respective CSI à CSM du registre de lecture RL D'une manière classique, le registre de lecture RL fonctionne par exemple en mode biphasé et deux entrées de commande de transfert ET 1, ET 2 auxquelles sont appliqués des signaux de commande SC 1, SC 2 ayant des phases appropriées pour transférer, vers une sortie SO du registre, des charges électriques qui ont été déversées dans ce dernier La sortie 50 est reliée à un circuit de lecture CL en lui-même classique, comportant notamment un amplificateur A qui délivre une succession de signaux (non représentés) sous forme de tension par exemple, ayant chacun une amplitude correspondant à la quantité de charges déversées dans une case C 51 à CSM. Chacune des lignes Ll à Ln comporte une entrée de commande E Ci à E Cn à laquelle sont appliqués des signaux de commande de transfert appelés signaux lignes SL 1 à S Ln; ces signaux lignes servent à transférer, dans le sens des colonnes Cl à CM c'est-à-dire de lignes en lignes, les charges stockées au niveau des surfaces élémentaires photosensibles constituant ces lignes Ll à Ln, jusqu'à déverser ces charges dans les cases de stockage C Sl à CSM du registre de lecture lIL. Le mode de fonctionnement du type "IRC" est en lui-même bien connu; il s'applique notamment dans le cas d'un mouvement linéaire relatif entre une image et la barrette photosensible BP Sur la figure 1, une flèche repérée 3 symbolise le déplacement de l'image (non représentée) par rapport à la barrette BP Le fonctionnement en mode IRC consiste à décaler les lignes Ll à Ln, ou plus précisément à transférer les charges accumulées au niveau d'une ligne Ll à Ln donnée vers une ligne suivante, en synchronisme avec le déplacement de l'image et dans le même sens Dans cette configuration, quand les surfaces photosensibles d'une ligne donnée sont éclairées, la ligne Ln par exemple, les surfaces photosensibles de cette ligne accumulent des charges pendant une durée que l'on appelle temps d'intégration Ti et qui correspond au temps de passage d'une ligne à analyser de l'image devant cette ligne de surfaces photosensibles Ensuite, avec le déplacement relatif de l'image et de la barrette photosensible, cette même ligne à analyser de l'image (non représentée) arrive au niveau de la ligne suivante de surfaces photosensibles, c'est-à-dire la ligne Lnl les charges stockées dans cette ligne Ln-i ayant été préalablement transférées dans la ligne suivante, dans le sens de transfert représenté par une flèche 5, la ligne Ln-l se trouve alors vidée de toute charge, et le signal ligne S In commande le transfert des charges qui étaient stockées dans la ligne Ln et qui sont alors transférées dans la ligne adjacente Ln-l, ensuite débute le temps d'intégration pour les éléments photosensibles de cette ligne Ln-l Ainsi pour chaque surface élémentaire photosensible de cette ligne Ln-1; chacune de ces surfaces élémentaires photosensibles engendre des charges qui s'ajoutent aux charges déjà stockées par l'illumination due au même point d'une même ligne d'image Aussi, en continuant de cette manière jusqu'à la première ligne Ll proche du registre de lecture, l'information projetée par l'image se trouve intégrée N fois plus longtemps. L'intérêt d'un capteur photosensible fonctionnant sur le mode IRC réside dans l'amélioration considérable du rapport signal/bruit, ce rapport étant un facteur déterminant pour la détection En effet, si l'on considère que le bruit dominant et le bruit photonique, le signal est multiplié par N alors que le bruit est multiplié É Le rapport signal/bruit se trouve donc augmenté du facteur Sn Pour mémoire, on rappelle d'une part, que le registre à décalage qui constitue le registre de lecture RL, et les portes commandées Pl à PM disposées entre le registre de lecture et la barrette photosensible BP, sont formés sur un même substrat semiconducteur que la barrette photosensible BP, et que, d'autre part, le registre de lecture RL et les portes commandées Pl à PM sont masquées par un écran opaque à la lumière (visible ou proche du visible), alors que les éléments photosensibles sont exposés à cette lumière pour engendrer des charges négatives (électrons) d'autant plus abondantes que l'éclairement est plus intense; l'écran opaque est matérialisé sur la figure 1 par des traits obliques référencés 14 La barrette BP comporte ainsi une surface photosensible SP partagée en surfaces élémentaires photosensibles Sl à S Mn formant les lignes L à Ln et les colonnes Cl à CM: la ligne Ll est formée des surfaces élémentaires photosensibles S 11, 521, 531, SM 1; la ligne L 2 est formée des surfaces élémentaires photosensibles S 12, 522 532 SM 2, et ainsi de suite; la colonne Ci est formée des surfaces élémentaires Sli, Si 2, Si 3,, Si; la colonne C 2 est formée des surfaces élémentaires 521, 52 2 3 S 52 N et de même pour les autres colonnes Dans le cas non limitatif montré à la figure 1 à titre d'exemple, chaque surface élémentaire photosensible S comporte de manière connue deux électrodes électriquement reliées entre elles, dont l'une présente une tension de seuil différente de la seconde afin d'orienter le transfert des charges dans le sens de la flèche 5, formant ainsi une paire d'électrodes constituée d'une électrode de transfert ET suivie d'une électrode de stockage ES (dans le sens des colonnes Cl à CM), avec l'électrode de stockage ES du côté du registre de lecture RL Ainsi chaque colonne Cl à CM comporte une succession de surfaces élémentaires photosensibles ayant chacune une électrode de stockage et une électrode de transfert de manière que chacune de ces colonnes constitue un registre à décalage à transfert de charges Si l'on considère la première colonne Cl par exemple en suivant un sens opposé à celui montré par la flèche 5, on trouve à partir de la première ligne Li: une première électrode de stockage E 51 suivie d'une première électrode de transfert ET 1 dans la première surface élémentaire Su; on trouve ensuite au niveau de la seconde ligne L 2, une seconde électrode de stockage E 52, suivie d'une seconde électrode de transfert ET 2; puis une troisième électrode de stockage E 53 suivie d'une troisième électrode de transfert ET 3; et ainsi de suite jusqu'à la dernière ligne Ln o on trouve une électrode de stockage E Sn suivie d'une électrode de transfert E Tn. L'ensemble fonctionne de manière cyclique, avec pour chaque cycle, une commande du registre de lecture RL qui entraîne dans ce dernier un transfert pas à pas, vers le circuit de lecture, des informations ou charges qui étaient stockées dans les différentes colonnes et qui ont été déversées dans les cases correspondantes du registre de lecture RL, ceci par l'intermédiaire des circuits de portes Pl à PM auxquels ont été appliquées à cet effet des impulsions d'autorisation SA autorisant le passage des charges. Le transfert des charges pour chaque colonne Cl à CM, depuis la ligne Ln jusqu'à la ligne Ll est obtenu à l'aide des impulsions de signaux lignes S Ll à S Ln Ces signaux lignes se succèdent avec des écarts de phase qui dépendent du fonctionnement de la barrette photosensible BP, ce fonctionnement pouvant être de manière classique, soit du type biphasé, ou en trois phases ou en quatre phases, ou encore ces impulsions peuvent se succéder avec une phase telle que le temps À T qui sépare deux impulsions successives appliquées à deux lignes adjacentes corresponde au rapport du temps de cycle TC au nombre de lignes N ( a T = TC/n); ce dernier type de fonctionnement est connu sous l'expression en langue anglaise "Ripple dock". La figure 2 est un chronogramme qui montre la relation de phase entre les signaux à appliquer à une barrette photosensible fonctionnant en mode IRC, à huit phases "Ripple clock", c'est-à-dire à une barrette comportant huit lignes de surfaces élémentaires photosensibles. Les lignes a à h de la figure 2 montrent respectivement les signaux lignes SL 1 à SL 8 formés d'impulsions de tension négative destinées à être appliquées respectivement à des lignes Ll à L 8. L'instant tl marque le début du signal ligne S Ll appliqué à la première ligne Ll, et l'instant t 2 marque la fin de ce signal On rappelle que la première ligne Ll à laquelle est appliqué ce signal S Ll est la ligne la plus proche du registre de lecture RL, et que l'instant t 2 marque la fin du transfert des charges stockées sous les électrodes de stockage E Si de cette ligne; ces charges étant transférées dans les cases correspondantes du registre de lecture On observe que l'on commence ainsi par vider de ses charges la première ligne Ll qui est ainsi prête à recevoir des charges provenant de la seconde ligne L 2. Le signal SL 2 appliqué à la seconde ligne L 2 débute à un instant t 3 qui succède à l'instant t 2 par un temps A t; la fin de l'impulsion SL 2 se situe à un instant t 4 et marque la fin du transfert des charges stockées au niveau de la seconde ligne L 2, ces charges étant transférées sous les électrodes de stockage de la première ligne Li; la seconde ligne L 2 étant ainsi à son tour libérée. On trouve un fonctionnement semblable pour les impulsions SL 3 à SL 8 appliquées respectivement aux lignes L 3 à L 8 et qui débutent respectivement aux instants t 7, t 9, t 1 l, t 13, ti 5; et qui s'achèvent aux instants t 8, tl O, t 12, t 14, t 16. A un instant t 17, situé après l'instant t 16, débute une seconde impulsion S Ll' appliquée à nouveau à la première ligne LI pour déverser les charges contenues dans cette dernière, dans les cases correspondantes du registre de lecture; cette impulsion SL 1 ' se terminant à un instant t 18. L'intervalle de temps compris entre l'instant t 2 et l'instant t 18 correspond à un temps d'intégration Ti de la première ligne Li On peut considérer qu'un temps de cycle Te est compris entre l'instant t 2 et l'instant t 18 qui marque la fin de la seconde impulsion S Li' appliquée à la première ligne Li. La figure 3 représente une colonne Cl à CM par une vue schématique en coupe, la première colonne Cl par exemple, et représente les profils de potentiel sous les électrodes de cette colonne, ces profils de potentiel étant engendrés par l'application des signaux lignes SL à ces électrodes; conformément à l'habitude en matière de dispositifs à transfert de charges, les potentiels positifs vont en croissant vers le bas. Dans l'exemple décrit, la première colonne Cl comporte 8 paires d'électrodes, E 51 à E 58 et ET 1 à ET 8, c'est-à-dire qu'elle appartient à une barrette comportant 8 lignes Li à L 8. Chaque paire d'électrodes symbolise une ligne Li à L 8 et comporte une électrode de stockage et une électrode de transfert, les deux électrodes d'une même paire étant reliées ensemble et commandées par un même signal ligne Ainsi on trouve successivement, en partant de la droite de la figure dans un sens opposé au sens 5 de transfert des charges une électrode E Cs 1 qui commande la première case C 51 du registre à décalage lL; puis une électrode EP qui représente les portes commandées situées entre la barrette photosensible BP et le registre de lecture RL; puis débute la zone ou surface SP photosensible de la colonne Cl, c'est-à-dire que l'on trouve la première électrode de stockage E 51 suivie de la première électrode de transfert ET 1, ces deux électrodes étant reliées et destinées à recevoir le signal ligne SL 1 On trouve ensuite une deuxième paire d'électrodes formée de la seconde électrode de stockage suivie de la seconde électrode de transfert, et ainsi de suite jusqu'à la huitième paire d'électrodes formée d'une huitième électrode de stockage Es 8 suivie d'une huitième électrode de transfert Et 8 Ces électrodes sont portées de manière classique par un substrat semiconducteur 10, par l'intermédiaire d'une couche électriquement isolante 11 qui isole les électrodes les unes des autres et du substrat 10 Le substrat semiconducteur 10 peut être du silicium par exemple dopé de type P, mais il peut comportera, sous la couche isolante 11, une couche 12 dopée du type N, destinée à constituer de manière conventionnelle un canal enterré favorisant le transfert des charges. Comme il a été indiqué précédemment, les zones correspondant au registre de lecture RL et aux portes autorisant le passage des charges vers le registre de lecture sont masquées par un écran optique 14, en aluminium par exemple qui évite toute illumination de ces zones, alors que la surface photosensible SP reste exposée à la lumière Ceci est illustré dans la figure 3 dans laquelle l'écran optique 14 opaque à la lumière s'étend au dessus d'une zone protégée de la lumière ZPL c'est-à-dire au dessus de l'électrode de passage Pl et au dessus de la première case C 51 du registre de lecture RL; les photons sont symbolisés par des flèches ondulées 16 qui peuvent pénétrer jusqu'au substrat pour y engendrer les charges; les électrodes de stockage et de transfert E 51 à E 58 et ET 1 à ET 8 étant réalisées par exemple en silicium fortement dopé, elles sont transparentes à la lumière, la couche isolante 11 étant également transparente à la lumière. Il est à noter que les électrodes de transfert ET 1 à ET 8 présentent de manière classique une tension de seuil plus élevée que les électrodes de stockage afin de définir un mur d'isolement entre lignes en vue d'orienter le sens de transfert des charges tel que représenté par la flèche 5, c'est-à-dire dans le sens de l'électrode de stockage E 58 vers la première électrode de stockage E 51 et vers le registre à décalage RL. Cette différence de seuil peut être obtenue de manière classique par exemple par une différence de dopage du matériau semiconducteur dans des zones repérées N qui sont situées sous les électrodes de transfert ET 1 à ET 8; ces zones N étant du même type de conductivité que le canal enterré 12 dopé de type N, mais moins dopées que ce dernier. La figure 3 a est à lire avec la figure 3 et elle illustre le profil des potentiels qui existe sous les électrodes de transfert et de mtockage ET 1 à ET 8 et E 51 à E 58, juste avant l'instant tl mentionné à la figure 2 c'est-à-dire en absence de signal ligne; cet instant tl marque le début de l'impulsion de signal ligne SL 1 appliquée à la première ligne Li et par conséquent appliquée aux premières électrodes de transfert et de stockage ET 1, E 51. Ainsi, juste avant l'instant tl, le potentiel qui est appliqué à toutes les électrodes est un potentiel de repos qui par exemple est positif par rapport à un potentiel de référence auquel est porté le substrat 10 Le seuil de tension précédemment mentionné que présentent les électrodes de transfert ET 1 à ET 8 engendre sous ces électrodes un potentiel V Pl plus négatif qu'un potentiel VP 2 qui est créé sous les électrodes de stockage E 51 à E 58 Il en résulte que sous chaque électrode de stockage E 51 à E 58 est créé un puits de potentiels P Ul à PU 8 dont le fond correspond au potentiel positif VP 2, et que ces puits de potentiels sont séparés par des barrières de potentiel Bl à B 7 engendrées respectivement sous les électrodes de transfert ET 1 à ET 8; les barrières Bl à B 7 permettent de séparer les charges (symbolisées sur la figure par des hachures) stockées sous les électrodes de stockage E 51 à E 58 dans les puits de potentiels correspondants P Ul à PU 8 On peut noter que dans le sens 5 du transfert des charges, chacun des puits de potentiels PU 8 à P Ul contient davantage de charges que le puits de potentiel précédent; de telle sorte que juste avant l'instant tl, le puits de potentiel P Ul situé sous l'électrode de stockage E 51 contient toutes les charges qui ont été successivement intégrées pour un même point de l'imagé durant le déplacement de cette dernière. La figure 3 b illustre le transfert, dans la case C 51 du registre de lecture RL, des charges qui étaient contenues dans le premier puits de potentiel P Ul, ce transfert de charges étant achevé à l'instant t 2 o s'achève l'impulsion de signal ligne SL 1: on observe qu'avec l'application du signal ligne SL 1 formée par une impulsion de tension négative, les potentiels sous la première électrode de transfert et la première électrode de stockage deviennent plus négatifs et passent respectivement à des valeurs VP 5, VPG, avec la valeur VP 5 plus négative que la valeur VP 6, de telle sorte que la barrière de potentiel Bl est conservée et empêche les charges qui étaient contenues dans le premier puits de potentiel P Ul de retourner dans le second puits de potentiel PU 2 Par contre, par suite d'une impulsion de tension positive appliquée aux électrodes portes EP, le potentiel de repos sous ces dernières devient plus négatif et d'une valeur par exemple VP 7 qu'il comportait avant l'instant tl o il constituait une barrière de potentiel BPP, il passe à une valeur plus positive, par exemple VP 1, de telle manière qu'il ne constitue pas un obstacle au déversement dans la case C Si du registre de lecture des charges qui étalent initialement contenues sous la première électrode de stockage E 51, c'est-à-dire dans le premier puits de potentiel P Ul. La figure 3 c montre le profil des potentiels entre l'instant t 2 et l'instant t 3 représentés à la figure 2: on note que le puits de potentiel P Ul sous la première électrode de stockage E Si a été vidé de ses charges, et par conséquent il est prêt à recevoir les charges qui sont stockées dans le puits de potentiel PU 2 précédent, situé sous la seconde électrode de stockage E 52. La figure 3 d illustre le transfert dans le premier puits de potentiel P Ul des charges qui, avant l'instant t 3, étaient contenues dans le second puits de potentiel PU 2 entre l'instant t 3 et t 4 (représenté à la figure 2), le signal SL 2 formé d'une impulsion de tension négative, est appliqué aux secondes électrodes de transfert et de stockage ET 2, E 52 et les potentiels sous ces électrodes passent à des valeurs plus négatives, respectivement de VP 2 à VP 5 et de V Pl à VP 6 comme dans le cas de l'exemple précédent Il en résulte qu'à l'instant t 4 (montré à la figure 2, les charges qui étaient initialement contenues dans le second puits de potentiel PU 2 se retrouvent stockées dans le premier puits de potentiel P Ul. La figure 3 e montre qu'à l'instant t 4 (illustrée sur la figure 2), le second puits de potentiel PU 2 est vide, et il est apte par conséquent à recevoir les charges contenues dans le puits de potentiel qui le précède, c'est-à-dire le troisième puits de potentiel PU 3 formé sous la troisième électrode de stockage E 53. La figure 3 f illustre les variations de potentiels engendrées sous les troisièmes électrodes de transfert et de stockage ET 3, E 53 par l'application de l'impulsion de tension négative que constitue le signal ligne SL 3 appliqué à ces troisièmes électrodes, et qui conduit à transférer dans le second puits de potentiel PU 2 les charges qui étaient contenues dans le troisième puits de potentiel PU 3; et ceci selon un même type de fonctionnement que dans les exemples précédents. Ces opérations sont répétées d'une manière semblable (non représentées), pour transférer successivement les charges contenues dans les puits de potentiels PU 4, PU 5, PUG, PU 7 et il PU 8 Le déversement suivant dans la case C 51 du registre de lecture RL des charges contenues dans le premier puits de potentiel P Ul est opéré, d'une manière semblable à celle montrée à la figure 3 b, entre les instants t 17 et t 18 (représentés sur la figure 2) o un nouveau signal ligne SL 1 ' est à nouveau appliqué à la première ligne Li c'est-à-dire aux premières électrodes de transfert et de stockage ET 1, E 51 Il doit être noté qu'entre ces deux opérations successives de transfert dans les cases du registre RL des charges qui étaient stockées dans les premiers puits de potentiel PU 1, le registre de lecture a été actionné de manière à acheminer pas à pas vers le circuit de lecture CL (montré en figure 1), toutes les charges qui ont été stockées dans les cases C 51 à CSM. Ce fonctionnement et cette configuration d'un dispositif photosensible fonctionnant en mode intégration et report de charges sont en eux-mêmes classiques Cette configuration cependant présente un inconvénient majeur qui consiste en un effet de diaphotie particulièrement important, et qui peut affecter toute l'image. L'auteur de la présente invention a imputé ce phénomène à une pollution du registre de lecture due à une distance trop faible entre le registre de lecture RL et la zone perméable aux photons, c'est-à-dire la surface photosensible SP L'auteur de l'invention a pensé que les photons incidents, en zone photosensible, pénètrent dans le substrat 10 o ils génèrent des paires d'électrons-trous et, alors que les trous sont recombinés dans le substrat, les électrons (symbolisés sur la figure 3 par des trajectoires en traits pointillés 20) échappent aux zones de charges d'espace (ou puits de potentiel) présentes sous les électrodes, et diffusent jusqu'à ce qu'ils soient collectés ou recombinés Par suite, ces électrons, quand ils sont générés dans la zone photosensible mais à proximité du registre de lecture, engendrent une pollution de ce dernier qui conduit à une dégradation des informations contenues dans le registre de lecture, cette dégradation étant visible sur toute la ligne d'image notamment quand le registre de lecture collecte ces charges parasites pendant que sont évacuées vers le circuit de sortie les charges d'information. Cet effet de diaphotie souvent appelé par le terme en anglais "smearing" est d'autant plus gênant bien entendu, que la quantité de charges ainsi générée dans le substrat est importante; il est à noter en outre que la plus grande dégradation intervient lorsque la longueur d'onde des photons augmente vers l'infrarouge. L'invention concerne un dispositif photosensible à semiconducteurs du type à transfert de charges et particulièrement (mais non exclusivement) du type à barrette linéaire comportant plusieurs lignes photosensibles et fonctionnant selon le mode d'intégration et report de charges. L'invention a pour objet notamment de réduire, voire de supprimer l'inconvénient de diaphotie ci-dessus mentionné sans pour autant réduire de façon significative les temps Ti d'intégration ni la vitesse de fonctionnement L'invention s'applique aussi bien à des dispositifs fonctionnant à deux phases (en biphasé) ou trois phases, quatre phases ou N phases en mode Ripple dock tel que précédemment décrit; l'invention s'applique également à des dispositifs du type transfert de trames, monocoup, interlignes, etc Selon l'invention, un dispositif photosensible comportant, sur un même substrat semiconducteur, une surface photosensible, un registre de lecture du type à transfert de charges bordant la surface photosensible, un écran opaque à la lumière interposée entre la lumière et une zone du substrat o est constitué le registre de lecture de manière à constituer une zone protégée de la lumière, la surface photosensible étant partagée en une pluralité de surfaces photosensibles élémentaires susceptibles chacune de produire des charges sous l'effet d'une exposition à la lumière, les surfaces photosensibles élémentaires étant disposées selon des colonnes et selon au moins une ligne, chaque surface élémentaire comportant au moins une électrode de stockage et une électrode de transfert disposées en série dans le sens des colonnes de manière à transférer les charges selon ces colonnes vers le registre de lecture sous la commande de signaux ligne appliqués à ces électrodes, est caractérisé en ce qu'il comporte en outre une zone intermédiaire protégée de la lumière et disposée entre le registre de lecture et la ligne de surfaces photosensibles élémentaires la plus proche de ce registre de lecture, et en ce qu'au moins un étage intermédiaire de transfert est disposé dans la zone intermédiaire entre l'extrémité de chaque colonne Cl à Cm et une case correspondante (C 51 à CSM) du registre de lecture (RL), de manière à assurer le transfert des charges dans la zone intermédiaire sous la commande d'impulsions de transfert (ST) appliquées aux étages intermédiaires de transfert. Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui suit, donnée à titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 déjà décrite montre l'organisation générale d'une barrette photosensible du type IRC; la figure 2 déjà décrite illustre des signaux qui sont à appliquer à un dispositif tel que montré sur la figure 1, et fonctionnant en mode IRC; la figure 3 déjà décrite est une vue en coupe qui d'une part, montre une zone photosensible dans le sens d'une colonne montrée à la figure 1, et qui d'autre part, permet d'illustrer des profils de potentiels obtenus dans cette zone photosensible par l'application d'impulsions montrées en figure 2; les figures 3 à 3 f représentent des profils de potentiels la figure 4 montre particulièrement une vue en coupe d'une même zone photosensible que celle montrée sur la figure 3, et illustre une forme de réalisation préférée de l'invention; la figure 5 est un chronogramme qui illustre le fonctionnement du dispositif photosensible conforme à l'invention. La figure 4 montre partiellement un dispositif photosensible 30 conforme à l'invention Dans l'exemple non limitatif décrit, le dispositif photosensible 30 est représenté par une zone ou surface photosensible SP appartenant à une barrette photosensible du type montré à la figure 1, c'est-à-dire comportant une pluralité de lignes Ll à Ln et fonctionnant par intégration et report de charges comme il a été ci-dessus expliqué; les charges engendrées par les surfaces élémentaires photosensibles étant transférées dans les cases d'un registre de lecture par l'intermédiaire d'un circuit de îO portes comme il a été précédemment mentionné. La surface photosensible SP de la barrette BP est illustrée sur la figure4 par une vue en coupe selon une colonne telle que par exemple la première colonne Cl montrée à la figure 3. Par rapport à l'agencement représenté à la figure 3, la figure 4 montre, en plus, des moyens caractéristiques de l'invention Ces moyens consistent notamment en une zone termédiaire ZI protégée de la lumière Cette zone intermédiaire ZI est située entre la zone protégée ZPL de la lumière (zone qui contient le registre de lecture RL et les portes de passage Pl à PM) et l'extrémité des colonnes Cl à CM orientées vers le registre de lecture RL, c'est-à-dire l'extrémité qui est formée par la ligne Ll de surfaces élémentaires. Ainsi sur la figure 4, on trouve le substrat 10 semblable à celui de la figure 3, portant les électrodes de transfert et de stockage de la première colonne Cl; en partant de la gauche de la figure vers la droite de celle-ci dans le sens 5 de transfert, on trouve: la huitième électrode de transfert ET 8 suivie de la huitième électrode de stockage à laquelle elle est électriquement reliée; puis ensuite les septièmes électrodes de transfert et de stockage ET 2, E 52 reliées entre elles, et ainsi de suite jusqu'à la première électrode de transfert ET 1 suivie par la première électrode de stockage E 51 Ces huit paires d'électrodes représentent la zone ou surface photosensible SP exposée aux photons 16 et chaque paire symbolise une ligne L 8, L 7, L 3, L 2, Ll, chacune de ces lignes recevant un signal ligne SL 8, SL 2, SL 1 comme précédemment expliqué On trouve ensuite, toujours suivant le sens de transfert monté par la flèche 5, la zone intermédiaire ZI non exposée à la lumière, c'est-à-dire que les photons 16 ne peuvent pénétrer dans la partie de substrat correspondant à cette zone intermédiaire et ne peuvent pas, par conséquent, y engendrer des charges susceptibles de migrer vers le registre de lecture RL et par suite de polluer ce dernier ainsi qu'il a été expliqué pour signaler le défaut de l'art antérieur Dans l'exemple non limitatif de la description, cette zone intermédiaire ZI est abritée de la lumière ou rayonnement auquel est sensible la surface photosensible SP, par un écran 25 opaque à cette lumière, en aluminium par exemple, qui est interposé entre la lumière et le substrat 10 Dans l'exemple non limitatif décrit l'écran 25 est constitué par une prolongation du premier écran opaque 14, mais bien entendu il peut être constitué de toute autre manière. La zone intermédiaire ZI comporte une ou des électrodes intermédiaires de transfert et de stockage ETI, ESI qui prolongent chaque colonne Cl à CM et qui sont destinées à réaliser le transfert des charges, depuis la première électrode de stockage E 51 jusque dans la case correspondante C 51 à CSM du registre de lecture RL, ctest-à-dire dans l'exemple de la figure 4, jusque sous l'électrode de stockage ESC 1; et ceci en traversant la zone intermédiaire ZI, puis les portes Pl à PM. Les électrodes intermédiaires ETI, ESI constituent au moins un étage de transfert intermédiaire A 51, A 52, formant un étage de séparation qui permet d'éloigner de façon significative d'une distance de séparation DS, le registre de lecture RL de la surface photosensible SP. Dans l'exemple non limitatif décrit, la distance de séparation Ds entre la surface photosensible SP et le registre de lecture RL, ou plus précisément entre la surface photosensible SP et les portes Pl à PM, est obtenue à l'aide de deux étages de transferts intermédiaires successifs A 51, A 52 fonctionnant chacun en mode biphasé Dans l'exemple non limitatif de la description, chaque étage de transfert intermédiaire A 51, A 52, comporte, suivant le sens 5 de transfert, une électrode de transfert intermédiaire ETI suivie d'une électrode de stockage intermédiaire E 51, ces deux électrodes étant reliées entre elles La première et la seconde paires P Il, PI 2 de chaque étage intermédiaire A 51, A 52 reçoivent des signaux de commande de transfert intermédiaire respectivement STI 1, STI 2, ayant une même fréquence mais des phases opposées. Compte-tenu du fait que deux étages de transfert intermédiaire A 51, A 52 sont représentés, les premières paires P Il d'électrodes des deux étages intermédiaires sont reliées entre elles pour recevoir les signaux de transferts intermédiaires ST Il ayant une phase donnée, et les secondes paires PI 2 sont reliées entre elles pour recevoir les signaux de transferts intermédiaires STI 2 ayant la phase opposée. Bien entendu, si la distance de séparation Ds est jugée insuffisante, le nombre d'étages intermédiaire SA 1, SA 2 peut être augmenté, ou encore le pas selon lequel sont disposées les électrodes de ces étages peut être modifié. Des essais ont montré qu'en insérant comme représenté à la figure 4, deux étages de transfert intermédiaire, (pour réaliser par exemple une distance DS de l'ordre de 50 à 100 micromètres) on peut éliminer quasi totalement l'effet de diaphotie qui se produit dans l'art antérieur entre la surface photosensible et le registre de lecture. Les signaux de tension comme par exemple les signaux lignes SL 1 à SL 8 sont délivrés avec la phase convenable par un dispositif de commande en lui-même classique (non représenté) qui peut également servir à délivrer les signaux de transfert intermédiaire STI 1, STI 2. Cependant ces derniers signaux peuvent être délivrés à l'aide d'un générateur différent, de manière à permettre une commande séparée des électrodes intermédiaires ETI, ESI, en vue notamment de permettre une commande indépendante de ces électrodes de la zone intermédiaire Ceci peut éviter d'introduire des temps morts entre le temps alloué au transfert entre lignes Ll à Ln, c'est-à-dire au transfert dans le sens des colonnes, et le temps alloué pour obtenir un signal vidéo en sortie, c'est-à-dire au temps alloué pour le fonctionnement du registre à décalage qui constitue le registre de lecture RL; il est alors possible également de réaliser des étages intermédiaires ayant un nombre quelconque de paires d'électrodes (une paire d'électrodes correspond à une électrode de transfert reliée à une électrode de stockage), et de faire fonctionner les électrodes de cette zone intermédiaire par un mode de commande quelconque (nous entendons par mode de commande quelconque une commande de type biphasé, ou à trois phases, ou à quatre phases ou Ripile chlock, ou même simple phase). La figure 4 illustre le cas o les impulsions de transfert intermédiaire STI 1, STI 2 peuvent être délivrées à une fréquence différente que celle des autres signaux A cet effet, dans l'exemple non limitatif de la description, les signaux lignes SL 1, appliqués aux électrodes de la première ligne Ll, c'est-à-dire aux premières électrodes de transfert et de stockage ET 1, E 51, sont également appliquées à un générateur d'impulsions 35 par l'intermédiaire d'un circuit de retard 36, de sorte que le générateur 35 délivre les impulsions STI 1, STI 2 sous la commande des signaux lignes SL 1, et avec un retard approprié défini par le circuit de retard 36. Les figures Sa à 5 f illustrent le fonctionnement d'une barrette photosensible selon l'invention, telle que représentée par exemple à la figure 4. L'instant tl marque le début du signal SL 1 (figure 5 a) appliqué aux premières électrodes de transfert et de stockage ET 1, E 51 de la ligne Li, et ce signal ligne s'achève à l'instant t 2; le temps d'intégration Til des surfaces élémentaires photosensibles de la ligne Li débute avec l'instant t 2. A la figure 5 d, on voit qu'à l'instant t 3 débute une impulsion de tension négative qui correspond au début d'un signal de transfert intermédiaire ST Il appliqué aux premières paires P Il d' électrodes des deux étages de transfert intermédiaire A 51, A 52 Au même instant t 3, débute une impulsion de tension positive (figure 5 e) qui constitue le signal de transfert intermédiaire STI 2 appliqué aux secondes paires PI 2 d' électrodes de chaque étage de transfert A 51, A 52. L'instant t 4 marque la fin des signaux STI 1, STI 2 (figures 5 d et 5 e); et l'instant t 4 marque le début de l'impulsion de commande SA des portes Pl à PM (figure 5 f) qui autorise le passage des charges vers le registre de lecture A l'instant t 5, débute une seconde impulsion ST Il et une seconde impulsion STI 2 qui s'achèvent à l'instant t 6 On peut noter d'une part que le temps Tl entre deux impulsions successives STI 1, STI 2 servant au transfert des charges dans la zone intermédiaire ZI peut être très faible, de l'ordre d'une microseconde par exemple c'est-à-dire très inférieur au temps d'intégration Ti qui sépare deux impulsions successives appliquées à une même électrode dans la zone photosensible On peut noter d'autre part qu'entre la fin du signal ligne SL 1 appliquée aux premières de transfert et de stockage ET 1, E 51 et le début des signaux intermédiaires STI 1, STI 2, il s'écoule un temps qui peut être très faible, de l'ordre de 0,5 microseconde par exemple, c'est-à-dire très inférieur au temps T 2 qui sépare la fin du signal ligne SL 1 appliquée aux premières électrodes de transfert et de stockage ET 1, E 51 du début du signal ligne SL 2 (figure 5 b) appliqué aux secondes électrodes de transfert de stockage ET 2, E 52. A l'instant t 7, les charges sont déjà stockées dans le registre de lecture RL et l'instant t 7 marque la fin du signal d'autorisation SA de passage des charges. Après chargement du registre de lecture, ce dernier peut décaler normalement les charges vers le circuit de sortie o ces charges sont lues de manière classique, le décalage des charges steffectuant durant un temps de lecture TL (figure 5 g) Le temps de lecture TL débute à un instant t 8 qui suit la fin du signal d'autorisation SA de passage des charges; le décalage des charges s'effectuant sous la commande des impulsions de décalage SC 1, SC 2, de phases opposées qui sont appliquées au registre de lecture RL et qui se succèdent à une fréquence relativement élevée pendant tout le temps de lecture TL; à titre d'exemple on a représenté seulement les impulsions SC 1 pendant le temps de lecture TL. Pendant ce temps de lecture TL, les autres lignes L 2 à Ln de la barrette photosensible reçoivent chacune successivement les signaux lignes SL 2, S Ln qui leur sont attribués: ainsi à l'instant t 9 débute le signal ligne SL 2 qui est appliqué aux secondes électrodes de transfert et de stockage ET 2, E 52 qui appartiennent à la seconde ligne L 2; cette impulsion SL 2 s'achève à un instant tl O o débute le temps d'intégration Ti 2 pour toutes les surfaces photosensibles appartenant à la seconde ligne L 2 Il en est de même pour tous les autres signaux lignes (non représentés) appliqués aux électrodes des autres lignes jusqu'à la dernière ligne Ln qui à un instant tli reçoit le signal ligne S Ln (figure 5 c) qui s'achève à un instant t 12. A un instant t 13 qui suit l'instant t 12, se termine le temps de lecture TL ou temps attribué au décalage du registre de lecture RL. On trouve ensuite (figure 5 a), entre un instant tl' et un instant t 2 ', un nouveau signal ligne SL 1 ' qui est appliqué aux premières électrodes de transfert et de stockage ET 1, ESI. L'instant t 2 ' marque la fin du temps d'intégration Til de la première ligne Ll, et cet instant t 2 ' peut être considéré comme la fin du cycle et comme le début d'un nouveau cycle semblable à celui qui vient d'être décrit. Les figures 5 a à 5 g forment un chronogramme qui montre un exemple de fonctionnement en mode IRC d'une barrette photosensible, et montre notamment que la mise en oeuvre de l'invention permet de réduire l'effet de diaphotie sans introduire de temps mort appréciable dans les transferts entre la première ligne Ll et le registre de lecture. Bien entendu l'invention peut s'appliquer à des dispositifs photosensibles différents de celui qui a été ci-dessus décrit à titre d'exemple non limitatif, et des modifications de ce chronogramme peuvent être effectués sans sortir du cadre de l'invention, par exemple quant aux positions relatives dans le temps entre les signaux SA d'autorisation de passage, les signaux de transfert intermédiaires STI 1, STI 2, les impulsions de commande de décalage S C 1, etc REVENDICATIONS 1 Dispositif photosensible comportant, sur un même substrat ( 10) semiconducteur, une surface photosensible (SP), un registre de lecture (RL) du type à transfert de charges bordant la surface photosensible (SP), le registre de lecture étant situé dans une zone protégée (ZPL) de la lumière, la surface photosensible (SP) étant partagée en une pluralité de surfaces photosensibles élémentaires (Sln à S Mn) susceptibles de produire chacune des charges sous l'effet d'une exposition à la lumière, les surfaces élémentaires (Sln à S Mn) formant au moins une ligne, chaque surface élémentaire comportant au moins une électrode de stockage (E 51 à E 58) et une électrode de transfert (ET 1 à ET 8) disposées en série de manière à constituer une colonne (Cl à CM) et à permettre un transfert des charges selon les colonnes vers le registre de lecture (RL) sous la commande de signaux lignes (SL 1 à SL 2) appliqués à ces électrodes, les charges étant transférées dans le registre de lecture (RL) dans une case (C 51 à CSM) correspondant à chaque colonne (Cl à CM), caractérisé en ce qu'il comporte des moyens pour former une zone intermédiaire (ZI) protégée de la lumière et située entre la surface photosensible (SP) et la première zone protégée (ZPL) de la lumière, et en ce qu'au moins un étage intermédiaire de transfert (A 51, A 52)comportant au moins une électrode de stockage et une électrode de transfert est disposé dans la zone intermédiaire (ZI) entre chaque colonne (Cl à Cm) et chaque case correspondante (C 51 à CSM) du registre de lecture (RL), de manière à assurer le transfert des charges entre chaque colonne et le registre de lecture sous l'action de signaux de transfert intermédiaire (STI 1, STI 2) appliqués aux électrodes de l'étage de transfert intermédiaire. 2 Dispositif photosensible selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface photosensible (SP) constitue la surface photosensible d'une barrette photosensible (BP) du type fonctionnant selon le mode intégration et report de charges. 3 Dispositif photosensible selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la surface photosensible (SP) comporte plusieurs lignes (Li à Ln) de surfaces élémentaires photosensibles (Si à Sn). 4 Dispositif photosensible selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'un écran opaque ( 25) à la lumière est interposé entre la lumière et le substrat ( 10) de la zone intermédiaire (ZI). Dispositif photosensible selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'écran opaque ( 25) est disposé au-dessus des électrodes appartenant à l'étage de séparation (A 51, A 52). 6 Dispositif photosensible selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens ( 35, 36) pour appliquer les impulsions de transfert (STI 1, STI 2) aux électrodes du ou des étages de transfert intermédiaire (A 51, A 52) selon un mode de commande indépendant de celui qui est utilisé pour appliquer les signaux lignes (SL 1 à SL 8) aux électrodes de la surface photosensible (SA). 7 Dispositif photosensible selon la revendication 6, caractérisé en ce que, entre un signal ligne (SL 1) appliqué aux électrodes (ET 1, E Sl) d'une ligne (Ll) donnée et un signal ligne (SL 2) qui suit et qui est appliqué aux électrodes (ET 2, E 52) d'une ligne (L 2) adjacente à la première, le temps (T 2) est largement supérieur au temps (Tl) qui sépare les impulsions de transfert intermédiaires (STI 1, STI 2). 8 Dispositif photosensible selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'un étage de séparation (A 51, A 52) comporte au moins une paire d'électrodes formée d'une électrode de transfert (ETI) suivie d'une électrode de stokage intermédiaire (ESI).