FR 2663168 A1 19911213 FR 9007254 A 19900606 i Procédé et dispositif de limitation des surintensités dans un circuit électrique. DESCRIPTION La présente invention est relative à un procédé et à un dispositif de limitation des surintensités dans un circuit électrique alimentant une charge. L'invention est plus particulièrement destinée aux circuits électriques alimentant une charge ayant une composante inductive ou selfique et plus généralement, les charges qui sont telles qu'une variation brutale de leur tension d'alimentation, par exemple lors de la mise sous tension de ces charges, ou en cas d'apparition de phénomènes dites de micro-coupures dans la tension d'alimentation, provoque une variation brutale et de grande amplitude de l'intensité absorbée par ces charges Ce phénomène bien connu se produit notamment au démarrage ou lors de micro-coupures, pour des charges usuelles dans beaucoup d'appareils électriques, principalement constitués par, ou comportant un moteur, un transformateur, etc Il est connu pour ce type d'appareils électriques, que lors de la mise sous tension pour le démarrage par exemple, l'intensité absorbée est très supérieure à l'intensité nominale de ces moteurs ou transformateurs, cette intensité de démarrage pouvant dépasser dix fois l'intensité nominale. Ces phénomènes connus posent un problème pour le choix des organes de protection de ces appareils tels que disjoncteurs, particulièrement; en effet, on est alors obligé de choisir des disjoncteurs dont l'intensité nominale dépasse l'intensité nominale absorbée par ces appareils électriques; par ailleurs, malgré le sur- dimensionnement des disjoncteurs par rapport aux caractéristiques de l'appareil qu'ils doivent protéger, les caractéristiques de ces disjoncteurs sont telles qu'ils ne supportent pas en cas de démarrages successifs et/ou de micro-coupure de l'alimentation, les surintensités répétées qui résultent de ces variations de tension, du fait du caractère inductif de la charge que représente ledit appareil. Par ailleurs, le surdimensionnement des disjoncteurs habituellement utilisés pour la protection de ces appareils, entraîne un surcoût important au niveau du matériel (disjoncteur lui-même, câbles d'alimentation etc), mais entraîne également un surcoût dans le dimensionnement des appareils situés en amont de ces disjoncteur, et parallèlement un surcoût dû à l'application des tarifs des sociétés de distribution d'électricité, dont la base de facturation dépend généralement des intensités (ou des puissances) nominales des appareils de protection. De nombreux appareils connus permettent de remédier partiellement à ces inconvénients, mais ils entraînent encore un surcoût non négligeable Il s'agit notamment d'appareils de limitation du courant de démarrage de moteurs. Le brevet français FR 2 401 545 décrit et revendique un branchement pour limiter le courant de démarrage d'un moteur universel, branchement comportant un commutateur qui, dans une position de démarrage, incorpore dans le circuit du moteur un circuit de limitation du courant, branchement tel que le circuit de limitation du courant comporte un dispositif redresseur à semi-conducteur, susceptible d'être commandé, un circuit de commande étant prévu à l'aide duquel ce dispositif redresseur à semi-conducteur est susceptible d'être bloqué dans chaque alternance de la tension d'alimentation, au moins jusqu'à l'apparition du maximum de tension. L'examen de ces dispositifs montrent que ceux-ci, qui sont temporairement branchés en série avec la charge, lors du démarrage, agissent par le blocage ou la coupure de l'alimentation pendant une partie de chaque alternance de la tension d'alimentation; il est clair que ces dispositifs, qui nécessitent l'emploi d'un contacteur à trois positions, engendrent de nombreuses distorsions dans le courant et la tension d'alimentation de la charge; par ailleurs, ces dispositifs sont inopérants lors d'apparition de micro-coupures dans l'alimentation. Il existe également de nombreux systèmes de protection des appareils électriques contre les micro-coupures, notamment les onduleurs; ces appareils très complexes et coûteux permettent, dans certains cas, de supprimer les micro-coupures, en utilisant par exemple l'énergie électrique reçue pour charger un accumulateur et en générant à partir de la tension disponible dans l'accumulateur, une énergie électrique sous la forme voulue, en principe exempte de micro- coupures. Le problème posé consiste donc à procurer un procédé et un dispositif de limitation des surintensités dans un circuit électrique alimentant une charge, fiable, simple, peu couteux, qui agisse aussi bien lors de la mise sous tension de la charge que lors d'apparition de microcoupures. Une solution au problème posé consiste à mettre en oeuvre un procédé de limitation des surintensités dans un circuit électrique alimentant une charge, qui comporte les opérations suivantes: on monte en série avec ladite charge, au moins un transistor à effet de champ, de type MOS à grille isolée, et au moins une résistance de source, on applique entre ladite grille isolée dudit transistor et la borne de ladite résistance de source, qui n'est pas connectée à ladite source dudit transistor, une tension continue constante, telle que, en régime normal, ledit transistor fonctionne au voisinage du point de transition de sa courbe caractéristique, de telle sorte que, lorsque l'intensité absorbée par ladite charge dépasse une valeur de seuil, ledit transistor passe automatiquement en régime de fonctionnement ohmique, sa résistance interne croît, ce qui limite l'augmentation de ladite intensité. Un dispositif permettant de mettre en oeuvre ce procédé, de limitation des surintensités dans un circuit électrique alimentant une charge, répond au problème posé, qui comporte, d'une part: au moins un premier ensemble comprenant un transistor à effet de champ, de type MOS à grille isolée, et une résistance de source, dont une borne est reliée à la source dudit transistor, lequel ensemble est monté en série avec ladite charge, et, d'autre part, au moins un générateur de tension continue et constante, dont la borne positive est connectée à ladite grille isolée dudit transistor et dont la borne négative est connectée à la borne de ladite résistance de source qui n'est pas connectée à ladite source dudit transistor, lequel générateur délivre une tension telle que, en régime normal, ledit transistor fonctionne au voisinage du point de transition de sa courbe caractéristique, de telle sorte que, lorsque l'intensité absorbée par ladite charge dépasse une valeur de seuil, ledit transistor passe automatiquement en régime de fonctionnement ohmique, sa résistance interne croît, ce qui limite l'augmentation de ladite intensité absorbée par ladite charge. Avantageusement, un dispositif selon l'invention, dans lequel ledit circuit électrique est raccordé par ses bornes à une source de tension alternative monophasée, comporte de plus au moins un deuxième ensemble comprenant un deuxième transistor à effet de champ et une deuxième résistance de source de caractéristiques respectives sensiblement identiques à celles dudit transistor à effet de champ, et de ladite résistance de source, laquelle deuxième résistance de source est reliée par une borne à la source dudit deuxième transistor, lequel deuxième ensemble étant monté tête bêche avec ledit premier ensemble, en série avec celui-ci et avec ladite charge, par la mise au même potentiel des bornes desdites résistances, qui ne sont pas connectées auxdites sources desdits transistors, lequel potentiel étant le potentiel négatif dudit générateur, et en ce qu'il comporte en parallèle sur chacun desdits premier et deuxième ensemble, respectivement une diode (D 5, D 4), dont le sens de conduction est opposé au sens de conduction respectif desdits transistor. Préférentiellement, dans un dispositif selon l'invention, les rapports respectifs entre lesdites résistances de source et les résistances internes desdits transistors au voisinage de leurs points de transition, sont compris entre 0,1 et 10 etde préférence, compris entre 0,5 et 2. Avantageusement, un dispositif selon l'invention comporte, en outre au moins deux résistances de protection respective desdits transistor, chacune desdites résistances étant connectée entre le drain et la source desdits transistors. Préférentiellement, dans un dispositif selon l'invention, les rapports respectifs entre lesdites résistances de protection et les résistances internes desdits transistors au voisinage de leurs points de transition sont compris entre 10 et 1000 et, de préférence compris entre 50 et 250. Un avantage de l'invention est de procurer un dispositif très simple, économique, de limitation des surintensités dans le circuit électrique alimentant une charge et dans la charge elle-même. Un résultat très important de l'invention est de permettre de dimensionner la plupart des composants des circuits électriques, des éléments de protection de ces circuits, pour une intensité très proche de l'intensité nominale absorbée par ladite charge, et permet donc des économies très importantes pour le constructeur, l'installateur et l'utilisateur de ces appareils électriques. Un autre avantage important d'un dispositif selon l'invention est de disposer d'un ensemble très compact, consommant très peu d'énergie, et qui est susceptible d'être intégré dans tout appareil domestique ou industriel. La description ci-après, qui se réfère aux figures annexées, explicite, sans aucun caractère limitatif, des modes de réalisation de dispositifs selon l'invention. La figure 1 est un schéma de principe de base d'un dispositif selon l'invention. La figure 2 montre les conditions préférentielles de fonctionnement d'un transistor dans un dispositif selon l'invention. La figure 3 représente un montage complet d'un mode particulier de réalisation d'un dispositif selon l'invention. Sur ces figures, les éléments repérés par les mêmes numéros, sont invariants. Sur la figure 1, on a représenté un schéma de principe d'un dispositif selon l'invention. La charge 7, qui peut être par exemple un moteur ou un transformateur, est destinée à être alimentée entre ses bornes 5 et 6 par une source (non représentée), qui délivre une tension entre les bornes 35 et 36, grâce au circuit électrique qui relie les bornes 5 et d'une part, et les bornes 6 et 36 d'autre part. Le schéma simplifié de la figure 1 pourrait être utilisé dans le cas o ladite source délivrerait entre lesdites bornes 35 et 36, une tension polarisée, c'est-à-dire telle que la différence de potentiel entre la borne 36 et la borne 35, soit toujours positive ou nulle, susceptible de variations brusques. Dans ce cas, le courant circulerait donc dans ledit circuit électrique de ladite borne 36 à ladite borne 6, de ladite borne 5 à ladite borne 35, et circulerait dans ladite charge 7 de ladite borne 6 à ladite borne 5. On voit que dans le dispositif selon l'invention, on a inséré en série avec ladite charge 7 un transistor T 4 à effet de champ, de type MOS (métal oxyde semi-conducteur) à grille isolée, monté entre les bornes 36 et 9, et une résistance de source R 6, dont une borne 9 est reliée à la source dudit transistor, et qui est monté entre les bornes 9 et 8, lequel ensemble transistor et résistance de source est monté en série avec ladite charge 7. On voit que la conduction dudit transistor T 4 est commandée en permanence par la tension positive appliquée à sa grille par un générateur 1 de tension continue et constante, la borne négative dudit générateur étant appliquée à la borne 8 de ladite résistance de source. Le dispositif comprend également une résistance R 8 de protection dudit transistor T 4, qui est connectée entre le drain et la source dudit transistor Il comprend également une diode Zener DZ 3 de protection dudit transistor T 4 contre les surtensions. Ledit générateur 1 de tension continue et constante peut être constitué de façon connue par une alimentation indépendante de l'alimentation dudit circuit électrique, ou bien peut être lui-même alimenté par ladite alimentation dudit circuit électrique, tel que représenté figure 3. Il est à noter que ledit transistor T 4 pourrait être constitué par un transistor bipolaire classique, mais cela nécessiterait une commande de conduction en courant, alors que le choix d'un transistor à effet de champ, de type MOS à grille isolée, permet une commande en tension, ce qui simplifie la conception dudit générateur 1. Le principe fondamental de fonctionnement est le suivant En régime normal, le courant d'alimentation de ladite charge 7 passe de la borne 36 de ladite source d'alimentation au drain dudit transistor T 4, circule du drain à la source (borne 9) dudit transistor, qui est maintenu conducteur par la tension délivrée par ledit générateur, traverse ladite résistance de source R 6, de la borne 9 à la borne 8, puis passe de la borne 8 de ladite résistance à la borne 6 de ladite charge, traverse ladite charge et passe par les bornes 5 puis 35. Une partie du courant d'alimentation de ladite charge passe par ladite résistance de protection R 8 qui est connectée en parallèle avec ledit transistor; cette partie du courant d'alimentation est normalement faible, compte tenu du rapport entre ladite résistance R 8 et la résistance interne dudit transistor T 4 au voisinage de son point de transition, lequel rapport peut être avantageusement choisi entre et 1000 et, de préférence entre 50 et 250. Lors d'une augmentation de l'intensité absorbée par ladite charge 7, par exemple due à la variation brutale de la tension délivrée par la source d'alimentation entre les bornes 35 et 36, la tension entre lesdites bornes 8 et 9 de ladite résistance de source augmente; comme ledit générateur 1 maintient une tension constante entre ladite grille dudit transistor T 4 et ladite borne 8 il s'ensuit automatiquement une diminution de la tension entre la grille et la source dudit transistor T 4 Compte tenu des caractéristiques dudit transistor T 4, qui sont rappelées sur la figure 2, ledit transistor passe alors en régime de fonctionnement ohmique, c'est-à-dire que sa résistance interne croît et que l'intensité le traversant entre le drain et la source décroît, ce qui limite donc la surintensité traversant ladite charge; il est évident que simultanément à l'accroissement de la résistance interne dudit transistor, ladite partie du courant d'alimentation qui passe par ladite résistance de protection R 8 augmente. Il est normalement souhaitable de monter ledit transistor et ladite résistance de protection sur un radiateur qui permette d'évacuer la chaleur produite par effet Joule dans ces deux composants lors desdites surintensités. On voit que ladite résistance de source joue en quelque sorte le rôle de capteur de mesure de surintensité, ledit transistor jouant le rôle d'actionneur, en augmentant automatiquement la résistance du circuit alimentant la charge et limitant ainsi les surintensités. Ladite diode Zener DZ 3 de protection dudit transistor contre les surintensités est choisie de sorte que sa tension de conduction soit inférieure à la tension de claquage dudit transistor, de sorte que lors d'une surtension accidentelle aux bornes dudit transistor, ladite diode Zener devient conductrice et évite la destruction dudit transistor. Sur la figure 2, on a illustré les conditions préférentielles de fonctionnement d'un transistor dans un dispositif selon l'invention. L'axe des abscisses repéré par VGS représente la tension entre la grille et la source dudit transistor à effet de champ, de type MOS à grille isolée. L'axe des ordonnées repéré par IDS représente l'intensité du courant qui circule dans ledit transistor entre son drain et sa source. Dans ce diagramme, on a représenté schématiquement la courbe caractéristique 4 connue d'un transistor de ce type. On voit que ladite courbe caractéristique comporte trois zones qui correspondent à trois régimes de fonctionnement dudit transistor: dans la zone située à droite du point de transition 3, l'intensité traversant le transistor entre le drain et la source est sensiblement constante, quelle que soit la tension de commande appliquée entre sa grille et sa source, dans la mesure o celle-ci est supérieure à V 3, valeur de la tension grille-source correspondant audit point de transition 3 de ladite courbe caractéristique 4; cette zone correspond au régime de fonctionnement saturé du transistor. dans la partie de ladite courbe 4 située entre le point 3 de transition et le point 2, une baisse de la tension de commande grille- source entraîne une baisse du courant drain-source traversant ledit transistor, ce qui correspond à une augmentation de sa résistance interne, ce qui fait que dans cette zone de la courbe, on dit que le transistor fonctionne en régime ohmique. dans la dernière partie de ladite courbe 4, située à gauche du point 2 pour des tensions de commande inférieures à une tension V 2, l'intensité traversant ledit transistor décroît très rapidement lorsque la tension grille-source décroît, jusqu'à prendre une valeur nulle; on parle alors de régime de fonctionnement bloqué dudit transistor. Il est à noter que les transistors à effet de champ de type MOS à grille isolée sont habituellement utilisés dans les zones de leur courbe caractéristique correspondant au régime bloqué et au régime saturé, notamment dans le cadre de générateur de tension alternative à partir d'une tension continue. Dans le cas du dispositif selon l'invention, au contraire, on utilise, dans le régime de fonctionnement normal de ladite charge, le transistor au voisinage de son point de transition, lequel point sépare la zone de fonctionnement saturée et la zone de fonctionnement ohmique; de la sorte, une augmentation de l'intensité absorbée par ladite charge provoquant, par l'intermédiaire de ladite résistance de source et de ladite tension constante délivrée par ledit générateur, une baisse de la tension grillesource qui entraîne une baisse du courant traversant le transistor, le point de fonctionnement de celui- ci se déplaçant entre ledit point de transition 3 et ledit point 2, dans ladite zone de fonctionnement ohmique. Sur la figure 3, on a représenté le schéma électrique d'un mode préférentiel de réalisation d'un dispositif selon l'invention. Ce montage est particulièrement adapté à toutes les charges qui sont alimentées par une tension alternative monophasée. Ce montage s'adapte très facilement pour le cas de tension polyphasée, en reproduisant le dispositif décrit ci-après, pour chacune des phases. On voit que dans ce mode de réalisation ledit générateur de tension continue constante 1 est alimenté par la même source de tension (non représentée) que ladite charge (non représentée). Le mode de réalisation du générateur 1 de tension continue constante illustré sur cette figure est particulièrement adapté dans le cas o la tension d'alimentation disponible sur les bornes 35 et 36 est susceptible de variations relativement lentes et de grandes amplitudes durant des périodes relativement longues, telles que celles qui se produisent sur certains réseaux de distribution publics ou privés (variations lentes qui sont complètement indépendantes des phénomènes de micro-coupure précédemment cités). Les composants identiques à ceux de la figure 1 ont les mêmes repères; On voit sur cette figure que, de façon connue, ledit générateur comporte un transformateur T Ri, un pont redresseur à diodes CR 1, un générateur de courant constitué par une diode Dl, une diode D 2, une résistance Ri, une résistance R 2 et un transistor Tl un générateur de tension stabilisée en température comportant le transistor T 2, une résistance R 3 et une diode D 3, qui est alimentée par ledit générateur de courant et qui délivre ladite tension continue constante. Ledit générateur de tension constitué par ledit transistor T 2, ladite résistance R 3 et ladite diode D 3, est stabilisé en température grâce à la compensation de la dérive en température des caractéristiques dudit transistor T 2 par les effets dûs à la dérive en température des caractéristiques de ladite diode D 3; ce montage connu nécessite de monter ces deux composants à proximité immédiate l'un de l'autre, afin qu'ils soient en permanence à la même température, et que la compensation des dérives de leur caractéristiques soit effective. La résistance ajustable R 3 permet de régler en usine la tension continue constante délivrée par ledit générateur 1 aux bornes de la capacité C 2, à une valeur telle que, en régime normal, les transistors à effet de champ de type MOS à grille isolée T 3 et T 4, fonctionnent au voisinage du point de transition de leur courbe caractéristique, de telle sorte que, lorsque l'intensité absorbée par ladite charge dépasse une valeur de seuil, lesdits transistors passent automatiquement en régime de fonctionnement ohmique, leur résistance interne croît, ce qui limite l'augmentation de ladite intensité. On voit sur cette figure que ledit générateur délivre une tension de commande positive sur la grille desdits transistors T 3 et T 4 et une tension négative sur la borne 8, qui est commune aux deux résistances de source R 5 et R 6 qui sont connectées par leur autre borne 9 à la source desdits transistors à effet de champ. On voit que dans le cas d'alimentation par une source de tension alternative, le dispositif comprend au moins deux ensembles comportant chacun un transistor à effet de champ (T 3 et T 4 respectivement), une résistance de source (R 5 et R 6 respectivement). Chacun de ces ensembles est susceptible d'être court cicuité pendant l'alternance o le transistor à effet de champ ne conduit pas, grâce à une diode D 4, D 5 respectivement, de sorte que lors de l'alternance de la tension d'alimentation durant laquelle la borne 36 est positive et la borne 35 est négative, le courant permettant l'alimentation de ladite charge, passe successivement par ledit transistor T 4, ladite résistance de source R 6, ladite diode D 4, puis lors de l'alternance suivante, le courant passe successivement par ledit transistor T 3, ladite résistance de source R 5 et ladite diode D 5. On voit que le dispositif comporte en outre, au moins deux diodes Zener DZ 1, DZ 3 de protection respective desdits transistors T 3, T 4 contre les surtensions, chacune desdites diodes Zener DZ 1, DZ 3 étant montée en parallèle respectivement desdites diodes D 4, D 5. il Une diode Zener DZ 2 (respectivement DZ 4) est branchée en série avec ladite diode Zener DZ 1 (respectivement DZ 3); ceci a uniquement pour but, dans le cadre d'un mode particulier de réalisation du dispositif illustré figure 3, d'ajuster la tension de conduction des ensembles constitués par (DZ 1, DZ 2) respectivement (DZ 3, DZ 4) par rapport à la tension de claquage desdits transistors T 3, T 4, qu'elles protègent respectivement. Le dispositif comporte également deux résistances R 7, R 8 de protection desdits transistors T 3, T 4, chacune desdites résistances R 7, R 8 étant connectée entre le drain et la source desdits transistors. Le dispositif comporte en outre, au moins deux capacités C 3, C 4 de filtrage qui sont respectivement connectées entre la grille et la source desdits transistors T 3, T 4. En effet, les temps de réponse des systèmes de limitation de l'intensité principalement constituée des deux ensembles (T 3, R 5) et (T 4, R 6) étant très faible (pouvant être de l'ordre de la nano seconde), il est préférable dans les applications usuelles de limiter cette dynamique pouvant constituer une cause d'oscillations indésirables, par l'adjonction de ces capacités qui permettent par exemple d'intégrer lesdites variations d'intensité pendant des durées de l'ordre de la milli seconde. On voit qu'avantageusement, ledit générateur délivre ladite tension continue et constante aux grilles desdits transistors T 3, T 4, par l'intermédiaire d'un filtre passe-bas constitué par la résistance R 4 et la capacité C 2, qui limite le retour de parasites pouvant apparaître dans ledit circuit d'alimentation, vers ledit générateur. Le domaine technique de l'invention est celui de l'alimentation électrique des appareils domestiques et industriels comportant une charge inductive. REVENDICATIONS 1 Procédé de limitation des surintensités dans un circuit électrique alimentant une charge ( 7), caractérisé en ce que: on monte en série avec ladite charge, au moins un transistor (T 4) à effet de champ, de type MOS à grille isolée, et au moins une résistance (R 6) de source, on applique entre ladite grille isolée dudit transistor et la borne ( 8) de ladite résistance de source, une tension continue constante, telle que, en régime normal, ledit transistor fonctionne au voisinage du point ( 3) de transition de sa courbe caractéristique ( 4), de telle sorte que, lorsque l'intensité absorbée par ladite charge dépasse une valeur de seuil, ledit transistor passe automatiquement en régime de fonctionnement ohmique, sa résistance interne croît, ce qui limite l'augmentation de ladite intensité. 2 Dispositif de limitation des surintensités dans un circuit électrique alimentant une charge ( 7), caractérisé en ce qu'il comporte, d'une part: au moins un premier ensemble comprenant un transistor (T 4) à effet de champ, de type MOS à grille isolée, et une résistance (R 6) de source, dont une borne ( 9) est reliée à la source dudit transistor, lequel ensemble est monté en série avec ladite charge, et, d'autre part, au moins un générateur ( 1) de tension continue et constante, dont la borne positive est connectée à ladite grille isolée dudit transistor et dont la borne négative est connectée à la borne ( 8) de ladite résistance de source qui n'est pas connectée à ladite source dudit transistor, lequel générateur délivre une tension telle que, en régime normal, ledit transistor fonctionne au voisinage du point ( 3) de transition de sa courbe caractéristique ( 4), de telle sorte que, lorsque l'intensité absorbée par ladite charge dépasse une valeur de seuil, ledit transistor passe automatiquement en régime de fonctionnement ohmique, sa résistance interne croît, ce qui limite l'augmentation de ladite intensité. 3 Dispositif selon la revendication 2 dans lequel ledit circuit électrique est raccordé par ses bornes ( 35, 36) à une source de tension alternative monophasée, caractérisé en ce qu'il comporte de plus au moins un deuxième ensemble comprenant un transistor (T 3) et une résistance (R 5) de caractéristiques respectives sensiblement identiques à celles dudit transistor (T 4) et de ladite résistance (R 6), laquelle résistance (R 5) est reliée par une borne ( 9) à la source dudit transistor (T 3), lequel deuxième ensemble étant monté tête bêche avec ledit premier ensemble, en série avec celui-ci et avec ladite charge, par la mise au même potentiel des bornes ( 8) desdites résistance (R 5, R 6), lequel potentiel étant le potentiel négatif dudit générateur ( 1), et en ce qu'il comporte en parallèle sur chacun desdits premier et deuxième ensemble, respectivement une diode (D 5, D 4), dont le sens de conduction est opposé au sens de conduction respectif desdits transistor (T 4, T 3), de sorte que, pendant une alternance, l'alimentation de ladite charge ( 7) se fait par ledit transistor (T 4), ladite résistance (R 6) et ladite diode (D 4), et pendant l'alternance suivante, l'alimentation de ladite charge ( 7) se fait par ledit transistor (T 3), ladite résistance (R 5) et ladite diode (D 5). 4 Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte, en outre, au moins deux résistances (R 7, R 8) de protection respective desdits transistors (T 3, T 4), chacune desdites résistances (R 7, R 8) étant connectée entre le drain et la source desdits transistors. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 4, caractérisé en ce qu'il comporte, en outre, au moins deux diodes Zener (DZ 1, DZ 3) de protection respective desdits transistor (T 3, T 4) contre les surtensions, chacune desdites diodes Zener (DZ 1, DZ 3) étant montée en parallèle respectivement desdites diodes (D 4, D 5). 6 Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte, en outre, au moins deux capacités (C 3, C 4) de filtrage, qui sont respectivement connectées entre la grille et la source desdits transistors (T 3, T 4). 7 Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, caractérisé en ce que les rapports respectifs entre lesdites résistances de source (R 5, R 6) et les résistances internes desdits transistors (T 3, T 4) au voisinage de leurs points de transition, sont compris entre 0,1 et 10 et,de préférence, compris entre 0,5 et 2. 8 Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, caractérisé en ce que les rapports respectifs entre lesdites résistances de protection (R 7, R 8) et les résistances internes desdits transistors (T 3, T 4) au voisinage de leurs points de transition sont compris entre 10 et 1000 et, de préférence compris entre 50 et 250. 9 Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, caractérisé en ce que ledit générateur ( 1) est alimenté par la même source de tension que ladite charge et en ce qu'il comporte un transformateur (T Ri), un pont redresseur à diodes (C Ri), un générateur de courant (Dl, D 2 Ri, R 2, Tl), un générateur de tension stabilisé en température (T 2, R 3, D 3), qui est alimenté par ledit générateur de courant et qui délivre ladite tension continue constante. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 à 9, caractérisé en ce que ledit générateur délivre ladite tension continue et constante par l'intermédiaire d'un filtre passe-bas (R 4, C 2), qui limite le retour de parasites pouvant apparaître dans ledit circuit d'alimentation, vers ledit générateur.