FR 2670634 A1 19920619 FR 9015722 A 19901214 CIRCUIT A SEUIL La présente invention concerne un circuit électronique à seuil particulièrement adapté à une intégration de type VLSI (Very Large Scale Integration) et utilisable notamment en association avec des lignes électriques de transmission de signaux entre circuits intégrés ou avec des liaisons intérieures ou extérieures de forte capacité. Les liaisons électriques reliant un circuit intégré à un composant extérieur, un autre circuit intégré par exemple, peuvent constituer de véritables lignes électriques pour les signaux de très haute fréquence actuellement utilisés Un signal, par exemple de forme rectangulaire, est susceptible d'être déformé selon la position du point de branchement sur la ligne, la longueur de celle-ci (définissant le temps de propagation e de l'onde parcourant toute la ligne) et l'équilibrage électrique de la ligne Si, à l'autre extrémité de la ligne, le signal demeure rectangulaire mais décalé du temps e, la réflexion de l'onde en bout de ligne entraîne la formation d'un gradin d'une durée maximale de 2 e pour le signal présent sur la ligne en un point intermédiaire Selon l'équilibrage de la ligne, la tension correspondante à ce gradin est susceptible de varier autour de la position à mi-hauteur du front du signal correspondant à la tension d'alimentation du circuit Cette situation est gênante en ce qu'elle entraîne une imprécision au niveau de l'instant de déclenchement des circuits récepteurs avec parfois des retards importants et inacceptables pour beaucoup d'applications actuelles des circuits intégrés En particulier, les circuits à seuil disposés à l'entrée de circuits intégrés et destinés à remettre en forme les signaux reçus avant leur exploitation ultérieure sont souvent constitués par des amplificateurs à seuil centré (c'est-à-dire dont le seuil de déclenchement est choisi à mi-hauteur de la tension d'alimentation) pour être utilisés avec la même efficacité lors d'un passage d'un front montant ou d'un front descendant d'un signal de transmission De tels circuits sont très sensibles à ce phénomène d'établissement de signal en gradin. Par ailleurs, certaines liaisons électriques peuvent présenter une capacité électrique suffisamment importante pour accroître très sensiblement la durée d'établissement des fronts (montant ou descendant) des signaux transmis Il en résulte une augmentation importante du temps nécessaire pour atteindre le seuil de déclenchement de l'amplificateur. A l'inverse, certains circuits demandent non plus un déclenchement précoce mais au contraire un déclenchement tardif Un exemple d'application de tels circuits à déclenchement tardif est donné dans la demande de brevet européen EP 0 373 043. L'invention a pour but de contrôler avec précision le niveau de seuil et par là-même l'instant de déclenchement d'un circuit à seuil. A cet effet, l'invention propose un circuit à seuil comportant un dispositif de commutation à seuil à multiples configurations de déclenchement, chaque configuration de déclenchement, correspondant à un seuil de déclenchement distinct (Sl, 52), étant activée sélectivement par un circuit pilote. Ainsi, l'activation d'un seuil parmi une multiplicité de seuils de déclenchement permet l'adaptation du circuit à seuil aux autres circuits auxquels il est associé. Chaque configuration peut correspondre à une activation sélective des transistors à effet de champ du dispositif de commutation De préférence, les valeurs de seuil sont déterminées par les rapports correspondants des largeurs électriques équivalentes des grilles des transistors à effet de champ du dispositif de commutation. Selon un mode de réalisation, les transistors à effet de champ sont disposés dans au moins deux branches parallèles et le circuit pilote commande l'activation sélective des transistors à effet de champ et/ou des branches du dispositif de commutation Celui-ci est avantageusement du type inverseur à transistors à effet de champ complémentaires. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, le dispositif de commutation à multiples configurations de déclenchement comprend une pluralité de transistors de déclenchement PMOS commandés par le signal d'entrée E et montés en parallèle sur un premier jeu de branches disposées entre une source de tension VDD et la sortie S du circuit à seuil, au moins une des branches du premier jeu étant pourvue d'un transistor de configuration PMOS commandé par le circuit pilote, et une pluralité de transistors de déclenchement NMOS commandés par le signal d'entrée E et montés en parallèle sur un second jeu de branches disposées entre la masse du circuit et la sortie S du circuit à seuil, au moins une des branches du second jeu étant pourvue d'un transistor de configuration NMOS commandé par le circuit pilote. Selon un autre aspect de l'invention, le circuit pilote est de préférence commandé par le signal d'entrée E. Avantageusement, le circuit à seuil présente deux configurations de déclenchement respectivement aux seuils 51 et 52, avec S supérieur à 52, activées alternativement par le circuit pilote, ledit circuit pilote changeant la configuration activée à chaque passage d'un front du signal E Cette caractéristique permet d'obtenir la même efficacité dans l'effet recherché (précoce ou tardif) lors du passage d'un front montant ou d'un front descendant du signal E. Selon encore un autre aspect de l'invention, le circuit pilote est du type à hystérésis, par exemple du type à bascule de Schmitt Avantageusement, le circuit pilote bascule au passage du front montant FM du signal E à un seuil "Thaut" 1 VBM supérieur au plus haut (Si) des seuils de déclenchement dudit dispositif à multiples configurations de déclenchement et au passage du front descendant FD du signal E à un seuil "bas" VBD inférieur au plus bas 52 des seuils de déclenchement dudit dispositif à multiples configurations de déclenchement. Selon encore un autre aspect de l'invention, le circuit pilote comporte une ligne de commande pour activer les configurations dudit dispositif à multiples configurations, la ligne de commande étant pourvue de moyens inverseurs de signal mis en ou hors service par un premier jeu d'interrupteurs commandés par une première ligne de commande LCB Cette caractéristique est intéressante dans le cas de conditions d'utilisation délicates et changeantes du circuit à seuil o il peut être souhaitable de changer de mode de déclenchement, mode précoce vers mode tardif ou inversement. Avantageusement le circuit à seuil comporte également un dispositif à seuil centré et des moyens de sélection constitués d'un second jeu d'interrupteurs commandés par une seconde ligne de commande LCA pour mettre en service sélectivement le dispositif à multiples configurations de déclenchement ou le dispositif à seuil centré Cette variante permet d'obtenir trois niveaux de seuils de déclenchement. Les caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre et qui se réfère aux dessins cipannexés dans lesquels: la figure 1 est une représentation schématique d'un premier mode de réalisation d'un circuit à seuil selon l'invention; et la figure 2 est une représentation schématique d'un second mode de réalisation d'un circuit à seuil selon l'invention. Le circuit à seuil de l'invention qui est illustré schématiquement dans la figure 1 comprend un dispositif de commutation à seuil à multiples configurations 10 recevant des signaux d'entrée E à partir d'une ligne d'entrée 12 et produisant des signaux de sortie S sur une ligne de sortie 14 protégée par une capacité de découplage 15 Le dispositif de commutation présente plusieurs configurations de déclenchement correspondant chacune à un seuil de déclenchement distinct et qui sont activées sélectivement, par l'intermédiaire d'une ligne de commande CP 18, par un circuit pilote 16 commandé par le signal d'entrée E issu de la ligne 12. Le dispositif de commutation à seuil 10 comprend une pluralité de transistors de déclenchement PMOS, Pl, P 2 dont les grilles sont connectées à la ligne d'entrée 12 Les transistors de déclenchement Pl, P 2 sont montés en parallèle sur un premier jeu de branches 20 a et 20 b disposées entre une source de tension VDD et la ligne de sortie 14 du circuit à seuil De plus, une des branches, la branche 20 b, est pourvue d'un transistor de configuration PMOS P 3 monté en série avec le transistor P 2 et dont la grille est connectée à la ligne de commande 18 De façon semblable, le dispositif de commutation à seuil 10 comprend une pluralité de transistors de déclenchement NMOS, Ni, N 2 dont les grilles sont connectées à la ligne d'entrée 12 Les transistors de déclenchement Nl, N 2 sont montés en parallèle sur un second jeu de branches 22 a et 22 b disposées entre la ligne de sortie 14 et la masse du circuit De plus, l'une des branches, la branche 22 b, est pourvue d'un transistor de configuration NMOS N 3 monté en série avec le transistor N 2 et dont la grille est connectée à la ligne de commande 18. Le dispositif de commutation à seuil, qui vient d'être décrit à titre d'exemple non limitatif, est conçu pour présenter deux configurations de déclenchement activées de façon sélective par l'intermédiaire de la ligne 18. Toutefois, sans sortir du cadre de l'invention, des variantes de circuits à seuil non représentées peuvent présenter un nombre plus important de configurations par addition de branches de type PMOS 20 et/ou de type NMOS 22, équipées d'un transistor de déclenchement et de moyens de configuration. Le circuit pilote 16 est du type à hystérésis tel qu'une bascule de Schmitt dans l'exemple illustré à la figure 1. Cette bascule comporte de manière classique en premier rang, entre VDD et la masse, un montage série de deux transistors PMOS appariés P 4 et P 5 suivis de deux transistors NMOS appariés N 4 et N 5 Les grilles des quatre transistors MOS de premier rang reçoivent le signal de transmission E La sortie 24 du circuit pilote prise entre les drains des transistors de premier rang PMOS P 5 et NMOS N 4 adjacents est reliée aux grilles de deux transistors respectivement PMOS P 6 et NMOS N 6 de second rang La sortie 24 est également connectée à la ligne de commande 18 Comme illustré à la figure 1, le drain de chaque transistor MOS de second rang P 6 et N 6 est connecté à la borne de jonction 26 (transistor P) et 28 (transistors N) entre les deux transistors MOS de premier rang de même polarité P ou N Leurs sources sont respectivement mises à la masse et à VDD Le fonctionnement de la bascule 16 est bien connu. Le mode opératoire du circuit représenté à la figure 1 va maintenant être présenté Au repos, le signal E est au niveau 110 Y, les transistors de déclenchement NMOS Nl et N 2 sont bloqués tandis que les transistors de déclenchement PMOS Pl et P 2 sont passants Ainsi le drain du transistor Pl est porté à la tension VDD et la ligne de sortie 14 est au niveau 1 '1 " 1 En ce qui concerne le circuit pilote 16, toutes les grilles des transistors du premier rang sont portées au niveau 110 " Il en résulte que les deux transistors P 4 et P 5 sont passants et les deux transistors NMOS sont N 4 et N 5 sont bloqués La sortie 24 du circuit pilote 16 est ainsi portée au niveau " 1 "l Dans ces conditions, les transistors P 6 et N 6 sont bloqués Cependant, le transistor N 6 est susceptible de conduire, après le déblocage du transistor N 5 lorsque le signal E est porté au niveau " 11 ' Il en résulte que jusqu'au basculement du circuit de pilotage 16, la ligne de commande 18 est maintenue au niveau Ill TT (CP = Ill") Le transistor de configuration P 3 est alors bloqué tandis que le transistor de configuration N 3 est passant. D'une façon générale, les circuits présentés ci-dessus commutent à des valeurs de seuil de déclenchement qui dépendent, outre de l'architecture même du circuit, des caractéristiques physiques des transistors MOS qui les composent, tout particulièrement des largeurs électriques des grilles des transistors Le circuit pilote à hystérésis 16 bascule à chaque passage d'un front (montant ou descendant) du signal de transmission E, pour des tensions de basculement en montée VBM et en descente VBD respectivement situées au voisinage des niveaux "Thaut"T ou " 1 ly et "Tbas T ou TYOIT du signal de transmission Pour le dispositif de commutation à seuil 10, l'état de la ligne de commande 18, CP='Tl" ou CP=TT O " 1, permet la sélection et l'activation de l'une des deux configurations Plus particulièrement pour CP=Tl"", le transistor de configuration P 3 bloqué met hors service la branche 20 b du dispositif de commutation 10, qui prend la configuration 20 a/22 a-22 b Dans cette configuration le seuil de basculement 52 est situé à un niveau de tension assez bas mais encore supérieur au niveau VBD du circuit pilote 16 Dans cette configuration, le montage en parallèle des deux branches 22 a et 22 b équipées de leurs transistors de type N présente une résistance équivalente plus faible par rapport à celle de la seule branche 22 a Ceci explique l'abaissement du seuil de commutation 52 par rapport à un circuit inverseur classique de type Pl/Nl De façon semblable, pour CP= 1011,le transistor de configuration N 3 bloqué met hors service la branche 22 b du dispositif de commutation 10, qui prend alors la configuration 20 a-20 b/22 a Dans cette configuration le seuil de basculement Si ( 51 > 52) est situé à un niveau de tension assez élevé mais encore inférieur au niveau VBD du circuit pilote 16 Dans cette configuration, le montage en parallèle des deux branches 20 a et 20 b équipées de leurs transistors de type N présente une résistance équivalente plus faible par rapport à celle de la seule branche 20 a. Ceci explique le relèvement du seuil de commutation Si par rapport à un circuit inverseur classique du type Pi/Ni. Cette disposition VBD Si et 52. Par conséquent, lors du front montant du signal E, lorsque la tension de grille connectée à la ligne 12 atteint la valeur 52, le transistor Pl se bloque tandis que les trois transistors Ni, N 2 et N 3 sont passants Le déclenchement du dispositif de commutation 10 intervient alors et la sortie S sur la ligne 14 est portée au niveau O 'V Compte tenu du niveau assez bas du seuil 52 proche du niveau "bas" du signal E, le déclenchement du dispositif de commutation 10 intervient de façon précoce au passage du front montant du signal E Comme annoncé précédemment, le circuit de pilotage 16 commute lorsque le front du signal E a atteint la valeur VBM La conduction des transistors NMOS N 4 et NS forme un pont résistif diviseur Le niveau VBM est alors très proche de VDD, en fait simplement séparé de VDD de la valeur de la tension de seuil Vt du transistor N 4 (de l'ordre de 0,5 volt) La ligne de commande 18 prend alors la valeur O 1 ", ce qui provoque le blocage du transistor N 3, la mise hors service de la branche 22 b, le déblocage du transistor P 3 et la validation du changement de configuration du dispositif35 de commutation 10 Compte tenu du niveau atteint par le signal E supérieur au seuil Si (seuil de déclenchement de la nouvelle configuration), l'état de sortie S est maintenu au niveau O "'. Lors du front descendant du signal E, le dispositif à commutation commute lorsque le niveau du signal E prend la valeur de seuil de déclenchement Si pour porter la sortie S au niveau 11 " Ici encore, compte tenu de la valeur assez élevée du seuil SI proche du niveau "haut" du signal E, le déclenchement du dispositif de commutation 10 intervient de façon précoce au passage du front descendant du signal E. Lorsque le niveau de tension VBD est atteint par le signal E (après passage au niveau 52) le circuit pilote 16 bascule pour porter la sortie 24 au niveau " 1 "l. Le circuit à seuil qui vient d'être décrit fonctionne en mode précoce Sans sortir du cadre de l'invention, la mise en place sur la ligne de commande 18 d'un inverseur de signal inverse l'activation des deux configurations du dispositif de commutation 10 Il en résulte un déclenchement sur le seuil élevé SI lors du front montant du signal E et un déclenchement sur le seuil bas 52 lors du front descendant du signal E Le circuit fonctionne alors en mode tardif Le circuit illustré dans la figure 2 montre, entre autres choses, un exemple d'application de cette variante de l'invention. Le circuit à seuil illustré dans la figure 2 reprend l'essentiel des caractéristiques techniques du circuit illustré dans la figure 1 Les éléments du circuit de la figure 2 identiques ou semblables à certains éléments du circuit de la figure 1 portent les mêmes chiffres de référence, augmentés de 100, et ne seront pas décrits à nouveau en détails Si l'on considère la figure 2, on remarque un dispositif de commutation à seuil 110 à deux configurations, analogue à celui décrit en référence à la figure 1, et un circuit de pilotage 116 à hystérésis, constitué par une bascule de Schmitt identique à celle décrit en référence à la figure 1 A ces deux sous- ensembles de base sont associés d'une part un amplificateur à seuil centré 130 monté en parallèle avec le dispositif de commutation 110 entre l'entrée E 112 et la sortie S 114 et, d'autre part, un circuit inverseur 132 et un circuit interrupteur 134 montés en parallèle sur la ligne de commande de pilotage CP 118 entre les jonctions 150 et 152. La jonction 150 est connectée à deux portes 140 et 144 présentées ultérieurement, tandis que la jonction 152 est connectée à la sortie 124 du circuit de pilotage 116 Enfin, le circuit à seuil est muni de deux lignes de commande LCA 136 et LCB 138, chacune équipée d'un montage série de deux inverseurs susceptibles de délivrer en sortie deux signaux de commande de tensions opposées respectivement Vl, V 2 et V 3, V 4 Ces signaux de commande sont transmis aux divers points d'entrée Vl, V 2, V 3, V 4 comme représenté sur la figure 2 La ligne de commande LCA 136 a pour objet de mettre en service sélectivement soit le dispositif de commutation 110, soit le dispositif à seuil 130 La ligne de commande LCB 138 a pour objet de placer sélectivement le dispositif de commutation 110 soit en mode précoce soit en mode tardif D'une façon pratique, l'utilisateur est ainsi en mesure de choisir le mode opératoire du circuit à seuil de la figure 2, (précoce, centré ou tardif) selon les conditions d'utilisation de celui-ci Le mode centré pourra être retenu dans le cas o le signal d'entrée présente des oscillations parasites d'amplitude suffisamment élevée pour déclencher des commutations indésirables sur la sortie S en fonctionnement en mode précoce. Si l'on considère à nouveau la figure 2, le dispositif de commutation 110 est pourvu, sur la branche 120 a, d'un transistor PMOS P'l faisant fonction d'interrupteur et dont la grille est commandée par le signal V 2 délivré par LCA et, sur la branche 122 a, d'un transistor NMOS N'1 faisant fonction d'interrupteur et dont la grille est commandée par le signal Vl délivré par LCA Par ailleurs, le transistor de configuration P 3 est commandé par une porte NON-ET 140 dont une entrée 142 est connectée à la jonction 150 de la ligne CP 118 (en aval de l'inverseur 132 et de l'interrupteur 134) et dont l'autre entrée reçoit le signal Vl De façon il similaire, le transistor de configuration N 3 est commandé par une porte NON-OU 144 dont une entrée 146 est connectée à la jonction 150 de la ligne CP 118 (en aval de l'inverseur 132 et de l'interrupteur 134) et dont l'autre entrée reçoit le signal V 2. Tel qu'illustré dans la figure 2, l'amplificateur à seuil se compose d'un montage série de deux transistors PMOS P 7 et P 8 disposés entre la source de tension VDD et la sortie 154 de l'amplificateur 130 (connectée à la ligne de sortie S 114 du circuit à seuil) et d'un montage série de deux transistors NMOS N 7 et N 8 disposés entre la sortie 154 et la masse Les transistors P 7 et N 7 ont leurs grilles connectées à l'entrée 112 du circuit pour recevoir le signal E tandis que les transistors P 8 et N 8 font fonction d'interrupteurs de mise en/hors service de l'amplificateur Pour ce faire, les grilles des transistors P 8 et N 8 reçoivent respectivement les signaux de tension Vl et V 2. Lorsque la ligne de commande LCA 136 est activée au niveau 'Il'' (Vl=" O '" et V 2 =" 1 "), les transistors P 8 et N 8 sont passants L'amplificateur 130 est en service et fonctionne comme un inverseur classique, le choix des caractéristiques des divers transistors P 7, N 7, P 8 et N 8 étant tel que le seuil de déclenchement de l'amplificateur 130 soit centré (c'est-à-dire avec déclenchement de l'amplificateur sur front montant ou descendant pour un niveau de seuil situé environ à mi- hauteur entre les niveaux "bas" 1 et "haut" du signal E) Par ailleurs, la mise au niveau 'Tll de la ligne de commande LCA 136 met hors service le dispositif à commutation à seuils multiples 110 En effet, P'1 et N'1 sont bloqués, leur tension de grille étant respectivement portée à V 2 =T 11 'T et V='=" O " De plus, la sortie de la porte NON-ET 140 est portée au niveau "l'" par la mise au niveau u OTT de l'entrée Vl de cette même porte, quel que soit l'état de l'entrée 142 De même, la sortie de la porte NON-OU 144 est portée au niveau " O " par la mise au niveau " 1 " de l'entrée V 2 de cette même porte, quel que soit l'état de l'entrée 146 Ainsi, dans ce mode opératoire du circuit à seuil o V 1 =" 10 " 1 et V 2 ="llt, tous les transistors P'l, N'l, P 3 et N 3 sont bloqués On peut remarquer pour finir que *la ligne LCA 136 commande le jeu d'interrupteurs constitué par les transistors P'1, N'l, P 3, N 3, P 8 et N 8. A l'inverse, la mise hors service de l'amplificateur 130 et la mise en service du dispositif de commutation 110 est obtenue par la mise au niveau " 10 du signal sur la ligne de commande LCA 136 Dans ce cas, la tension Vl = " 1 '" et la10 tension V 2 = IT O u 1, ce qui entraîne le blocage des transistors P 8 et N 8 (l'amplificateur 130 est alors hors service) et la mise à l'état conducteur des transistors P'l et N'1 Le mode opératoire (précoce ou tardif) du dispositif 110 dépend du degré d'inversion du signal de commande entre la sortie 124 du circuit pilote 116 et les grilles des transistors de commutation P 3 et N 3, c'est-à- dire de l'état d'activation du circuit inverseur 132 et de l'interrupteur 134 en fonction du signal de commande LCB Plus précisément, le circuit inverseur 132 est de structure sensiblement identique à l'amplificateur 130, ayant un montage série de deux transistors PMOS P 9 et P 10 disposés entre la source de tension VDD et la sortie 150 du circuit 132 (connecté à l'entrée 142 de la porte NON-ET 140 et à l'entrée 146 de la porte NON-OU 144) et d'un montage série de deux transistors NMOS N 9 et N 10 disposés entre la sortie 150 et la masse du circuit Les transistors P 9 et N 9 ont leurs grilles connectées par la jonction 152 à la sortie 124 du circuit de pilotage 116 tandis que les transistors P 10 et N 10 font fonction d'interrupteurs de mise en/hors service de circuit inverseur 132 Pour ce faire, les grilles de transistors P 10 et N 10 reçoivent respectivement les signaux de tension V 3 et V 4 Comme pour l'amplificateur 130, le choix des caractéristiques des divers transistors P 9 et N 9, P 10 et N est tel que le seuil de déclenchement du circuit inverseur 132 soit centré Par ailleurs, l'interrupteur 134 est constitué des deux transistors PMOS P 11 et NMOS Nll montés en parallèle entre les jonctions 150 et 152 et dont les grilles reçoivent respectivement les signaux de tension V 4 et V 3. Par conséquent, lorsque la ligne de commande LCB 136 est portée au niveau l'1 l, V 3 = 1 î O fî et V 4 =" 11 " Cette ligne LCB commande le jeu d'interrupteurs constitué par les transistors P 10, N 10, Pli et Nil Il en résulte que les deux transistors P 11 et Nll sont bloqués tandis que les deux transistors P 10 et N 10 sont à l'état passant (le circuit inverseur 132 étant alors en service) Lorsque le niveau de tension de la sortie 124 du circuit de pilotage 116 est à allô (pour E=" 10 'T, puis jusqu'au déclenchement du circuit 116 en fin de front montant du signal E), le niveau de tension à la jonction 150 est à 110 " 1 Il en résulte d'une part que l'état de sortie de la porte NON- ET 140 est à l''yl, bloquant le transistor de configuration P 3 et d'autre part que l'état de sortie de la porte NON-OU 144 est à "ltl', rendant conducteur le transistor de configuration N 3 Le dispositif de commutation 110 présente alors la configuration "seuil bas" décrite précédemment avec un seuil de déclenchement au niveau 52 lors du passage du front montant du signal E. Après le basculement du circuit de pilotage 116 (en fin de front montant du signal E), la sortie 124 passe au niveau de tension 110 " 1 et la jonction 150 au niveau de tension " 1 " Il en résulte la mise au niveau " 10 " 1 de la sortie de la porte NON-ET 140 (et la mise à l'état conducteur du transistor de configuration P 3) et la mise au niveau " 1 "'l de la sortie de la porte NON-OU 144 (et le blocage du transistor N 3) Le dispositif de commutation 110 présente alors la configuration "seuil haut" décrite précédemment avec un seuil de déclenchement au niveau Si lors du passage du front descendant du signal E. On remarque ainsi que pour le niveau de tension '1 s" de la ligne de commande LCB 138, le dispositif de commutation 110 fonctionne en mode opératoire précoce, ce qui est conforme avec le fonctionnement du dispositif de commutation 10 car la ligne de commande 118 présente deux étages de circuits inverseurs du signal de commande CP (l'inverseur 132 associé à la porte NON-ET 140 ou l'inverseur 132 associé à la porte NON-OU 144) La mise au niveau 1 '0 I de la ligne de contrôle LCB 138 entraîne le blocage des transistors P 10 et N 10 (et par là-même la mise hors service du circuit inverseur 132) et la mise à l'état conducteur des transistors P 11 et Nll. Le dispositif de commutation 110 fonctionne alors selon les configurations inversées, c'est-à-dire en mode tardif. L'invention est donc bien adaptée à la technologie des circuits intégrés utilisant des transistors à effet de champ A titre illustratif, la réalisation pratique du circuit illustré dans la figure 2 en technologie CMOS de longueur électrique de grille de 0,7 micromètre a attribué aux différents transistors les largeurs électriques suivantes, données en micromètres Pl, P'l 35 P 2, P 3 144 Nl, N'l 14 N 2, N 3 59 P 4, P 5 10 N 4, N 5 4 P 6 34 N 6 12 P 7, P 8 144 N 7, N 8 59 P 9, P 10 30 N 9, N 10 12 P 11 25 Nil 10,5 D'une manière générale, la configuration du dispositif de commutation 10, 110 peut être faite en activant sélectivement les branches et/ou directement les transistors Plus de deux branches pourraient être prévues. Le nombre de combinaisons de la sélection déterminerait alors le nombre de seuils que pourrait prendre le dispositif de commutation Dans l'exemple illustré, le dispositif de commutation est avantageusement du type inverseur à transistors à effet de champ complémentaires Les valeurs de seuil sont déterminées par les rapports correspondants des5 largeurs électriques équivalentes des grilles des transistors de l'inverseur Les largeurs électriques de grille se combinent dans les branches parallèles pour correspondre à une largeur électrique de grille équivalente. Les transistors se combinent en effet comme des résistances10 électriques Cependant, la description précédente fait clairement ressortir que le principe de l'invention n'est pas limité à ce type de dispositif de commutation et à cette forme de détermination des valeurs de seuil. REVENDICATIONS 1 Circuit à seuil caractérisé en ce qu'il présente un dispositif de commutation ( 10, 110) à seuil à multiples configurations de déclenchement, chaque configuration de déclenchement, correspondant à un seuil de déclenchement distinct (Sl, 52), étant activée sélectivement par un circuit pilote ( 16, 116). 2 Circuit à seuil selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque configuration correspond à une activation sélective des transistors à effet de champ du dispositif de commutation. 3 Circuit à seuil selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les valeurs de seuil sont déterminées par les rapports respectifs des largeurs électriques équivalentes des grilles des transistors à effet de champ du dispositif de commutation. 4 Circuit à seuil selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les transistors à effet de champ sont disposés dans au moins deux branches parallèles et le circuit pilote commande l'activation sélective des transistors à effet de champ et/ou des branches du dispositif de commutation. Circuit à seuil selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le dispositif de commutation est de type inverseur à transistors à effet de champ complémentaires. 6 Circuit à seuil selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le dispositif de commutation à multiples configurations de déclenchement ( 10, 110) comprend une pluralité de transistors de déclenchement PMOS (Pl, P 2) commandés par le signal d'entrée E et montés en parallèle sur un premier jeu de branches ( 20 a, 120 a, 20 b, 120 b) disposées entre une source de tension VDD et la sortie S ( 14, 114) dudit circuit à seuil, au moins une ( 20 b, 120 b) des branches du premier jeu étant pourvue d'un transistor de configuration PMOS (P 3) commandé par le circuit pilote ( 16, 116), et une pluralité de transistors de déclenchement NMOS (Ni, N 2) commandés par le signal d'entrée E et montés en parallèle sur un second jeu de branches ( 22 a, 122 a, 22 b, 122 b) disposées entre la masse du circuit et la sortie S ( 14, 114) dudit circuit à seuil, au moins une ( 22 b, 122 b) des branches du second jeu étant pourvue d'un transistor de configuration NMOS (N 3) commandé par le circuit pilote ( 16, 116). 7 Circuit à seuil selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le circuit pilote ( 16, 116) est commandé par le signal d'entrée E. 8 Circuit à seuil selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il présente deux configurations de déclenchement respectivement aux seuils Si et 52, avec Si supérieur à 52, activées alternativement par le circuit pilote ( 16, 116), ledit circuit pilote changeant la configuration activée à chaque passage d'un front du signal E. 9 Circuit à seuil selon l'une des revendications 7 ou 8, caractérisé en ce que le circuit pilote ( 16, 116) est du type à hystérésis, notamment du type à bascule de Schmitt. Circuit à seuil selon la revendication 9, caractérisé en ce que le circuit pilote ( 16, 116) bascule au passage du front montant FM du signal E à seuil "haut" VBM supérieur au plus haut (Si) des seuils de déclenchement dudit dispositif à multiples configurations de déclenchement ( 10, 110) et au passage du front descendant FD du signal E à seuil "bas" VBD inférieur au plus bas ( 52) des seuils de déclenchement dudit dispositif à multiples configurations de déclenchement ( 10, ). 11 Circuit à seuil selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le circuit pilote ( 16, 116) comporte une ligne de commande ( 118) pour activer les configurations dudit dispositif ( 110) à multiples configurations, la ligne de commande ( 118) étant pourvue de moyens inverseurs de signal ( 132) mis en ou hors service par un premier jeu d'interrupteurs (P 10, N 10, Pll, N 11 il) commandés par une première ligne de commande LCB ( 138). 12 Circuit à seuil selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif à seuil centré ( 130) et des moyens de sélection constitués d'un second jeu d'interrupteurs (P'1, N'i 1, P 3, N 3, P 8, N 8) commandés par une seconde ligne de commande LCA ( 136) pour mettre en service sélectivement le dispositif ( 110) à multiples configurations de déclenchement ou le dispositif à seuil centré ( 130).