FR 2661566 A1 19911031 FR 9005268 A 19900425 I LASER COMPACT A SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE A POMPAGE ELECTRONIQUE. Description La présente invention a pour objet un laser compact à semi-conducteur du type à pompage électronique Elle s'applique notamment à tous types de traitement optique de l'information; elle peut être utilisée dans les Lecteurs de disques compacts (audio ou vidéo), dans les systèmes de mémoire optique, dans les imprimantes à laser ou les lecteurs de code à barres Elle s'applique aussi à L'enregistrement optique et à l'instrumentation de laboratoire. Trois types de lasers à semi-conducteurs, utilisant des alliages semiconducteurs comme cavité laser, existent et se distinguent par leurs modes de génération de l'effet laser Ce sont les diodes lasers à injection, les lasers à pompage électronique, et les lasers à pompage optique. Les principaux produits commerciaux compacts qui existent sont les diodes lasers III-V à injection. La réalisation des diodes lasers nécessite l'utilisation de technologies complexes de dopage et de métallurgie des couches minces, qui ne sont maîtrisées que pour les semi-conducteurs de la famille des composés III-V, à base des atomes de Ga, Al, In, As, P et Sb Le principal avantage des diodes lasers III-V est leur compacité, c'est-à-dire leur faible encombrement, de l'ordre du cm 3. Cependant, l'inconvénient majeur des diodes lasers III-V est la limitation du domaine des longueurs d'onde d'émission entre 0,6 et 1,55 micromètre, qui vient de la seule possibilité d'utilisation des matériaux III-V. Parmi les autres types de lasers à semi-conducteur connus, les lasers à pompage électronique utilisent un bombardement électronique pour exciter le semi-conducteur De manière classique, Le pompage électronique est effectué à l'aide d'un canon à éLectrons Une telle réalisation est décrite dans l'article de A Nasibov, "Laser cathode ray tubes and their applications", SPIE vol 893 High power Laser Diodes and Applications p 200-202 ( 1988). L'avantage principal de ces lasers est la séparation des fonctions "source de pompage" et "cavité laser", qui permet d'utiliser tous les semi-conducteurs à gap direct, et en particulier ceux qui ne permettent pas l'injection directe, donc la réalisation de diodes laser à injection L'utilisation de tous les semi-conducteurs à gap direct permet d'étendre la gamme des longueurs d'onde de l'ultraviolet à l'infrarouge. Cependant, dans les lasers à semi-conducteur à pompage électronique, la densité de courant utilisée est de l'ordre de 10 à 100 A/cm 2; la tension d'accélération utilisée est de l'ordre de 20 à 100 k V. Ces valeurs élevées interdisent la réalisation d'un tel laser à semi-conducteur de volume réduit (de L'ordre du cm 3), et compact, ayant des dimensions et des avantages comparables à ceux des diodes lasers III-V. A cause des densités d'énergie élevées, seul le mode de fonctionnement pulsé est autorisé, et leur application est limitée au laser appliqué à l'affichage. Un but de la présente invention est la réalisation d'un laser à semiconducteur de type à pompage électronique sous forme compacte et présentant un volume réduit (de l'odre du cm 3), comparable à celui des diodes lasers III-V, et ayant les avantages spécifiques des lasers à semiconducteur à pompage électronique. Un autre but de la présente invention, lié aux avantages spécifiques des lasers à pompage électronique, est d'autoriser la réalisation de lasers délivrant des faisceaux lumineux dans une gamme de longueurs d'onde allant de l'ultraviolet à l'infrarouge moyen, et qui dépendent de la nature des matériaux semi-conducteurs utilisés. L'invention permet d'atteindre ces buts, en utilisant dans un dispositif compact, d'une part une source compacte d'électrons, d'autre part une cavité laser à semi-conducteur compacte et de structure particulière pour avoir un seuil de courant et une tension d'accélération des électrons faibles. De manière plus précise, l'invention concerne un laser à semi-conducteur comprenant un dispositif de pompage par bombardement électronique caractérisé en ce que le dispositif de pompage est une source froide d'électrons de volume inférieur au cm 3. Le dispositif de pompage peut être choisi parmi les sources froides d'électrons à jonction PN, PIN ou Schottky, à structure métal-isolantmétal à effet tunnel, ou utilisant des matériaux ferroélectriques. De manière préférée, on utilise des sources froides d'électrons réalisées par des techniques de microélectronique, ce qui facilite la fabrication en série des dispositifs. Préférentiellement, le dispositif de pompage est une source froide d'électrons à cathodes émissives à micropointes. On peut aussi utiliser avantageusement une source froide d'électrons constituée par des cathodes au silicium à jonctions PN polarisées en inverse. Ces deux derniers types de sources peuvent avoir une structure en mosaïque, matricielle, ou en matrice de mosaïques. Les semi-conducteurs utilisés sont du type à gap direct; ils sont choisis par exemple parmi les composés III-V et II-VI et permettent de couvrir l'étendue de la gamme de longueurs d'onde de l'ultraviolet à l'infrarouge. Pour obtenir des faisceaux lasers dans une grande gamme de longueurs d'onde, le semi-conducteur est préférentiellement un composé II-VI. Le semi-conducteur se présente sous forme d'une cavité résonante de type Fabry-Pérot, dont les miroirs sont fabriqués par clivage, et éventuellement par un dépôt de couches minces optiques dans le but de contrôler la réflectivité des miroirs. Eventuellement, la cavité résonante peut être de type cavité distribuée, par exemple cavité à rétroaction distribuée, ou cavité à réflecteur de Bragg distribuée. Le dispositif laser peut être de type à guidage par le gain, ou à guidage par l'indice. La cavité laser peut être fabriquée à partir du matériau semi-conducteur massif, ou en couche mince déposée sur un substrat La structrure en couche mince du semi-conducteur peut présenter plusieurs hétérostructures. Le semi-conducteur possède préférentiellement une structure présentant un effet laser pour une densité de courant de seuil électronique inférieure à 10 A/cm 2 et pour une tension d'accélération des électrons inférieure à 10 k V. On entend par "structure" la composition, le dopage du semi-conducteur et les paramètres des hétérostructures si elles existent, ainsi que les caractéristiques, les dimensions géométriques de la cavité résonante, et le type de cette cavité, Fabry-Pérot ou distribuée, et la structure de guidage, par le gain ou par l'indice. Un courant de seuil faible et une tension d'accélération faible permettent d'abaisser considérablement les densités d'énergie déposées sur Le semi-conducteur Ceci, en simplifiant l'assemblage du dispositif laser, et en utilisant une source froide d'électrons ayant un volume inférieur au cm 3, permet d'obtenir un laser compact, ayant les avantages cités précédemment. Le semi-conducteur présente avantageusement une hétérostructure. Selon une réalisation particulière de l'invention, cette hétérostructure est multiple Elle peut être composée d'alliages à base de Cd, Zn, Mn, Hg, Te, Se, S ou autre. Cette hétérostructure réalisée par une technique d'épitaxie de couches minces sur un substrat, comprend plusieurs zones: une zone de surface d'excitation électronique et de génération de paires électron-trou; une zone active pour le confinement des porteurs et pour la génération de la lumière laser résultant de la recombinaison radiative des paires électrontrou; une zone de confinement optique de la lumière laser. La zone d'excitation électronique peut avoir éventuellement un gradient de gap, avec le gap décroissant vers l'intérieur de la couche mince, pour faire migrer efficacement les porteurs générés vers la zone active. Les deux zones de confinement peuvent être séparées ou confondues Elles sont en général distinctes de la zone d'excitation, qui se trouve près de la surface La zone active se trouve en général à l'intérieur de la zone de confinement optique. La zone active peut être constituée d'un simple puits, ou d'un puits quantique, ou d'un multi-puits quantique, ou d'un super-réseau, ou d'une combinaison de ces structures. Selon un mode de réalisation particulier, le laser comprend: une enceinte sous vide munie d'une fenêtre transparente pour la délivrance d'un faisceau laser, une première face de cette enceinte supportant la source froide d'électrons, contenu dans cette enceinte, au moins un semiconducteur apte à produire un faisceau laser, contenue dans cette enceinte, fixée en regard de la source froide d'électrons, au moins une électrode apte à maintenir le semi-conducteur à une distance déterminée et en regard de la source froide d'électrons. De manière avantageuse, cette électrode présente une forme apte à la focalisation sur le semi-conducteur de lignes de champ électrique en provenance de la source froide d'électrons Cette forme peut par exemple être conique ou pyramidale, le semi-conducteur étant disposé au sommet. Dans une réalisation particulière, le laser comprend des moyens pour la focalisation suivant un ruban des électrons en provenance de la source froide d'électrons. Préférentiellement, ces moyens sont constitués par des écrans conducteurs disposés de part et d'autre du faisceau d'électrons et présentant une géométrie propre à la focalisation. Avantageusement, le laser comprend un système de refroidissement qui permet en outre une régulation des paramètres du faisceau lumineux délivré Ce système peut par exemple consister en un simple radiateur ou en un refroidisseur thermoélectrique de type à effet Peltier. Les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux après la description qui suit donnée à titre explicatif et nullement limitatif Cette description se réfère à des dessins annexés, sur lesquels: la figure 1 A représente schématiquement une hétérostructure d'un composé II-VI utilisée comme matériau actif d'un laser conforme à l'invention et l'énergie du gap de chacune des zones de l'hétérostructure; la figure l B représente la cavité Fabry-Pérot réalisée par découpe et clivage du semi-conducteur; les figures 2 A et 2 B représentent schématiquement une mosaïque et une matrice de cathodes à micropointes, respectivement, utilisées comme source froide d'électrons; la figure 3 représente schématiquement un émetteur d'une source froide d'électrons à cathodes au silicium; la figure 4 représente schématiquement une coupe d'un laser conforme à l'invention; la figure 5 représente schématiquement, en éclaté, une enceinte sous vide conforme à l'invention; la figure 6 représente schématiquement une vue partielle d'un laser conforme à l'invention; la figure 7 représente schématiquement une coupe d'une variante de réalisation d'un laser conforme à l'invention; et La figure 8 représente schématiquement une coupe d'une autre variante de réalisation d'un Laser conforme à l'invention. Conformément à l'invention, le matériau actif du laser possède une structure présentant un effet laser pour une densité de courant de seuil électronique inférieure à 10 A/cm 2 et pour une tension d'accélération des électrons inférieure à 10 k V. Une hétérostructure multiple de composé II-VI (par exemple des alliages semi-conducteurs Cd Zn Te) répond à ces critères Une telle structure peut être fabriquée par la technique de l'épitaxie par jet moléculaire Un dépôt est effectué sur un substrat massif d'alliage semi-conducteur en Cd Zn Te ou en Ga As présentant une orientation cristalline particulière, par exemple La surface du substrat est d'environ 1 cm 2. Une fois le dépôt de l'hétérostructure réalisé, le substrat est aminci et ramené à une épaisseur comprise entre 50 et 200 micromètres. On fabrique ensuite les "allumettes", c'est-à-dire des cristaux semiconducteurs rectangulaires dont deux faces parallèles servent de miroirs pour former la cavité résonante de type Fabry-Pérot du laser Ces "allumettes" sont obtenues par exemple par clivage des faces miroirs et découpe à la scie du substrat hétéroépitaxié collé sur une feuille métallique souple. Une "allumette" présente une longueur comprise entre 200 et 2000 micromètres (qui correspond à l'espacement entre deux plans de clivage) et une largeur comprise entre 50 et 2000 micromètres (espacement entre deux lignes de découpe à la scie). Les miroirs de la cavité résonante du laser sont les faces de clivage Sur ces dernières, on peut éventue L Lement déposer une ou plusieurs couches minces optiques (en A 1203, Si O 2 ou tout autre matériau approprié) pour augmenter la réflectivité et éventuellement pour qu'un des deux miroirs possède un coefficient de réflexion proche de 100 %. Les figures 1 A et l B représentent l'hétérostructure en couches minces du semi-conducteur et l'énergie du gap EG (zone d'énergie interdite entre la bande de valence et la bande de conduction de l'alliage considéré) de chaque zone en fonction de la profondeur P L'origine de la profondeur P est choisie au milieu de la zone active du semi-conducteur. Dans l'exemple représenté, le semi-conducteur , matériau actif du laser comprend: une zone d'excitation électronique 12; une zone active de confinement des porteurs 16; une zone de confinement optique formée par 14, 16 et 18; une zone de couche tampon 20; le substrat 22. La première zone 12 d'excitation va de la surface à une cote -w/2; son épaisseur est entre 0,05 et 2 micromètres. Dans cette zone 12, la composition du semi-conducteur correspond à la formule Cdz Znl-z Te o z varie de zs (à la surface) à zw/2 (à la cote w/2) A titre d'exemple, zs et zw/2 peuvent être égaux respectivement à O et 0,1 Dans cette zone 12, le gap présente une grande valeur à la surface et décroît par exemple linéairement Elle présente un gradient décroissant du gap. C'est dans cette zone 12 que s'effectue la génération des paires électrontrou, créées par le bombardement électronique Elle permet de collecter les porteurs engendrés près de la surface et de les faire migrer efficacement vers la zone active 16. La seconde zone 14 est délimitée par les cotes -w/2 et -d/2; l'épaisseur de cette zone est par exemple de 0,05 à 0,3 micromètre Dans cette zone 14 la composition du semi-conducteur correspond à la formule Cdy Znl-y Te o y varie de zw/2 à yd/2. A titre d'exemple, yd/2 peut être entre 0,2 et 0,4 La zone 14 présente un gradient décroissant de gap La décroissance peut être abrupte; la composition peut passer d'une façon abrupte de zw/z à yd/2 à la cote -w/2, et rester constante, ou au contraire décroît lentement comme c'est le cas par exemple sur la figure 1. La zone active 16 est à petit gap pour le confinement des porteurs et pour la génération de la lumière laser Cette zone 16 s'étend entre -d/2 et d/2 et a par exemple une épaisseur entre 0,002 et 0,2 micromètre La composition de semi-conducteur dans cette zone correspond à la formule Cdx Znl-x Te avec x constant et entre 0,5 et 1 par exemple. La zone active 16 peut être constituée d'un simple puits ou d'un puits quantique, comme c'est le cas dans la figure 1, ou d'un multi-puits quantique, ou d'un super-réseau, ou d'une combinaison de ces structures. La zone 18 symétrique de la zone 14 s'étend de d/2 à w/2 et présente par exemple une épaisseur entre 0,05 et 0,3 micromètre La composition du semiconducteur dans cette zone correspond à la formule Cdy Znl-y Te o y varie entre les valeurs yd/2 et zw/2 La zone 18 présente donc un gradient 1 1 de gap croissant symétrique du gap de la zone 14 Cette croissance peut être abrupte, ou lente comme c'est le cas par exemple sur la figure 1. La zone de confinement optique de la lumière laser est constituée par l'ensemble des zones 14, 16 et 18, et a une largeur totale W, par exemple entre 0,1 et 0,6 micromètre. La zone tampon 20 d'épaisseur comprise par exemple entre 0,1 et 3 micromètres est réalisée sur le substrat 22 Cette zone permet d'adapter le paramètre de maille à celui du substrat et de diminuer la densité de défauts Elle permet également de confiner la lumière dans la zone de confinement optique Ce peut être une simple couche, une structure multicouches ou du type super réseau ou encore une combinaison de ces structures Dans la réalisation représentée, la composition du semiconducteur à l'intérieur de la zone tampon correspond à Cd Zn Te Elle présente un gap plus grand que celui de la zone de confinement optique Le substrat 22 peut être par exemple du Cd Zn Te ou du Ga AS. Avec les valeurs numériques énoncées ci-dessus, l'hétérostructure excitée convenablement émet un faisceau laser centré sur une longueur d'onde entre 0,55 et 0,75 micromètre. La figure l B représente la cavité résonante de type Fabry-Pérot On peut voir une face FD de côté réalisée par découpe et une face M réalisée par clivage et servant de miroir pour le Fabry-Pérot. La structure de la cavité laser, représentée à titre d'exemple sur la figure l B, convient à un type de guidage par le gain D'autres structures connues, de type à guidage par l'indice peuvent aussi être utilisées. Conformément à l'invention, le semi-conducteur est pompé par un bombardement électronique produit par une source froide d'électrons 23, par exemple par un réseau, c'est-à-dire une mosaïque ou une matrice ou une matrice de mosaïques, de cathodes à micropointes à émission électronique froide à effet de champ On trouve une description d'un tel réseau et des exemples de procédés de fabrication dans les demandes de brevets français n 86 01 024 et 87 15 432. En référence à la figure 2 A, on rappelle brièvement la structure d'une mosaïque de cathodes à micropointes et ses caractéristiques. La mosaïque est constituée d'une couche conductrice 24 déposée sur un substrat 26, qui peut être isolant, par exemple en verre, ou semiconducteur, par exemple en silicium, d'épaisseur comprise entre 0,2 et 0, 5 millimètre Cette couche conductrice est pourvue de micropointes conductrices 28. Les micropointes ont un diamètre de base d'environ 1,5 micromètre et sont espacées par exemple de 3 ou 10 micromètres; il y a donc par exemple entre 000 et 100 000 micropointes par mm 2 L'ensemble est recouvert d'une couche isolante 30 munie d'ouvertures laissant pointer les micropointes 28 vers l'extérieur L'épaisseur de la couche isolante est de l'ordre de 1 micromètre. La couche isolante 30 est recouverte par une couche conductrice pourvue d'ouvertures en regard des pointes 28 Les ouvertures possèdent un diamètre d'environ 1,5 micromètre Cette couche conductrice forme la grille d'extraction. Lors de l'application de potentiels adéquats sur les couches conductrices 24 et 32, les micropointes 28 émettent des électrons par effet de champ. La figure 2 B représente une variante matricielle du réseau de micropointes, qu'on appelle matrice de micropointes Dans cette structure, les couches conductrices 24 et 32 sont disposées en colonnes et lignes isolées les unes des autres Au croisement de chaque ligne 32 et de chaque colonne 24, il peut y avoir une ou plusieurs micropointes. Lors de l'application de potentiels adéquats sur les conducteurs de colonne 24, et les conducteurs de ligne 32, les micropointes 28 situées au croisement d'une ligne et d'une colonne portées à ces potentiels émettent des électrons Ainsi, par application sélective de ces potentiels sur les lignes et les colonnes, on peut choisir la zone d'émission des électrons. La densité électronique émise est fonction des valeurs des potentiels appliqués La densité de courant peut aller de 1 à 10 m A/mm 2 Le courant émis est compris par exemple entre 0,1 et 5 m A Le courant total dépend d'une part des potentiels appliqués, d'autre part du nombre et de la densité des micropointes ainsi que de la surface du réseau de micropointes. Le réseau présente par exemple une surface rectangulaire comprise entre 0,1 et 0,5 mm 2. La source froide d'électrons 23 peut aussi être constituée par un réseau d'émetteurs à cathodes au silicium La figure 3 représente schématiquement en coupe un tel émetteur On trouve une description complète de tels émetteurs par exemple dans l'article de G G P Van Gorkom et M Moeberechts, Philips Technical Review, vol 43, n 3, p 49 à 57 ( 1987). Sur un substrat 25 en Si de type p+ et d'épaisseur 400 micromètres repose une couche épitaxiée 27 de Si de type p d'épaisseur 6 micromètres Pour les contacts électriques, du phosphore est diffusé pour former une couche 29 de type n+ d'épaisseur 3 microns La zone active 31 cylindrique, de diamètre d inférieure à 10 micromètres, de type p+, est réalisée par implantation de bore Sa concentration typique est de 5 x 1017 cm-3 Sur cette zone 31, une couche n++ très mince 33 d'épaisseur 10 nm environ, est réalisée par implantation d'arsenic ou d'antimoine. Cette couche n++ est très dopée, typiquement 4 x 1019 cm-3 La zone d'émission correspondant à la jonction P-N, à l'interface des zones référencées 31 et 33, a une symétrie cylindrique, et un diamètre inférieur à 10 micromètres. L'ensemble réalise deux diodes à jonctions P-N, constituées respectivement par les zones référencées 27, 29 et 31, 33, connectées en parallèle. Un isolant 35, par exemple en Si O 2, d'épaisseur I micromètre, formant un plot cylindrique, sur lequel repose une couche conductrice 39, d'épaisseur 0,5 micromètre, par exemple en aluminium, permet d'écranter les champs électriques, de limiter le chargement de l'isolant, et de servir éventuellement comme électrode dans un système d'optique électronique. On décrit maintenant, succinctement, un mode de fonctionnement d'une telle cathode. On polarise les jonctions P-N en inverse, à l'aide de la tension Vd Un très fort champ électrique, de l'ordre de 106 V/cm, est créé Ce champ fort dans la zone de déplétion de la diode réalisée par la jonction p+/n++ des zones 31, 33, accélère les électrons de la zone p+ 31 vers la zone n++ 33. Ces électrons "chauds" accélérés créent un "effet d'avalanche", en créant, par collision avec les électrons de valence, d'autres paires électron-trou. Une partie des électrons (environ 1,5 %), arrivant du côté n++ 33, ont une énergie cinétique supérieure au travail de sortie, et sont émis Vd est typiquement entre 6 et 9 V Le courant de la diode est de quelques m A La densité de courant, et le courant d'émission électronique, pour un diamètre de 1 micromètre (jonction p+/n++ réalisée par les couches 31, 33) , sont respectivement de 1 500 A/cm 2 et de 10 microampères. En général, pour abaisser le travail de sortie des électrons, une couche monoatomique de césium est déposée en surface Pour des diamètres entre 1 et 6 micromètres des zones actives 31, 33, le courant d'émission varie entre 10 microampères et 60 microampères. Les procédés de fabrication utilisent la technologie microélectronique, et permettent de fabriquer des puces comportant plusieurs cathodes formant un réseau. En référence aux figures 4 et 5, on décrit maintenant un exemple de réalisation d'un laser conforme à l'invention. Le semi-conducteur 10, taillé et traité comme indiqué précédemment, est maintenu en regard de la source froide d'électrons 23, par exemple un réseau de cathodes à micropointes, à une distance déterminée, par exemple entre 1 et 10 mm Dans cet exemple, le pompage est transversal et le semiconducteur 10 émet un faisceau laser par l'une de ses faces parallèles au plan de la feuille, support de la figure. L'ensemble formé par le semi-conducteur et le dispositif de pompage 23 est maintenu dans une enceinte 34 sous vide secondaire Cette enceinte 34 est réalisée par un microtube 36 par exemple à faces rectangulaires fermé en deux côtés opposés par deux plaques en matériau isolant 26, 38 en verre, par exemple. L'enceinte 34 possède au moins une fenêtre transparente à la longueur d'onde du faisceau laser. Dans la réalisation représentée, le microtube 36 est en verre de qualité optique et joue donc le rôle de fenêtre Les plaques 26, 38 sont soudées au microtube 36 par des soudures 37, par exemple en verre fusible, grâce à un chauffage local par laser, ou autre chauffage. Le réseau 23 est par exemple directement réalisé sur une plaque 26 Comme on peut le voir sur la figure 4, des pistes conductrices 40, en cuivre par exemple, permettent la polarisation des conducteurs du réseau 23 Une piste conductrice supplémentaire 42 de la géométrie appropriée permet la fixation et la polarisation de moyens de focalisation 44, 46. Sur la figure 4, on voit que la plaque 26 déborde du microtube 36 de manière à permettre un raccordement électrique sur les pistes conductrices , 42. Les moyens de focalisation sont constitués par deux écrans conducteurs 44, 46, en cuivre par exemple, soudés sur la piste conductrice 42 de part et d'autre du réseau 23. Sur la figure 5, on peut voir qu'une piste conductrice 48, par exemple en cuivre, est déposée sur l'autre plaque 38 Cette piste 48 permet la soudure d'une électrode 50, par exemple en cuivre Cette électrode 50 maintient le semi-conducteur 10 à une distance déterminée et en regard du réseau 23. L'électrode 50 présente une géométrie apte à la focalisation sur le semiconducteur 10 des lignes de champ électrique en provenance du réseau 23 Dans l'exemple représenté figure 4, l'électrode 50 a la forme d'un cône; Le substrat du semi-conducteur 10 est collé à l'indium par exemp Le, au sommet de ce cône; les couches épitaxiées sont donc en regard du réseau 23 L'électrode 50 peut aussi avoir la forme d'une pyramide ou toute autre forme permettant la focalisation des lignes de champ. L'électrode 50 permet aussi l'évacuation de la chaleur emmagasinée dans le semi-conducteur 10 lors du bombardement électronique. La plaque 38 déborde du microtube 36 de manière à permettre un raccordement électrique sur La piste 48. Les différents éLéments sont assemblés sous vide secondaire L'ensemble est étuvé (sous vide) à une température comprise entre 150 C et 200 C. Eventuellement, la plaque 26 munie du réseau 23 et des écrans 44, 46 est étuvée séparément à plus haute température. Les plaques 26 et 38 sont positionnées l'une par rapport à l'autre par une méthode optique. Le laser comprend dans cet exemple de réalisation un dispositif de refroidissement 52 comportant un radiateur 54 en cuivre, d'une part en contact avec la face extérieure de la plaque 38 et d'autre part, en contact avec un refroidisseur thermoélectrique 56 miniature à effet Peltier La température à L'intérieur de l'enceinte 34 peut être régu Lée mais aussi contrôlée Or, on sait que La longueur d'onde d'émission laser dépend de la température On peut ainsi légèrement faire varier ou stabiliser la longueur d'onde d'émission en faisant varier ou enstabilisant La température de l'enceinte 34 et du semi-conducteur 10 Le refroidissement permet également d'évacuer l'excès de chaleur qui peut être déposée par l'excitation électronique. La figure 6 représente schématiquement une vue partielle du dispositif de la figure 4 Les écrans de focalisation 44, 46 sont disposés de part et d'autre du réseau 23 et du semi-conducteur 10 Ils présentent une géométrie adaptée à la focalisation des électrons sur un ruban 58 de la surface du semi-conducteur 10 lorsqu'ils sont portés à un potentiel adéquat Cela permet de contrôler la largeur du ruban d'excitation, et donc de contrôler la surface et aussi la densité de courant d'excitation électronique; ce contrôle de la focalisation permet ainsi d'obtenir des densités de courant suffisamment élevées, au-delà du seuil de génération du faisceau laser, tout en gardant des courants faibles, et d'énergie déposée faible. Cela permet également de contrôler la largeur de la bande d'émission du faisceau lumineux et par conséquent les caractéristiques géométriques de ce dernier. Dans la réalisation représentée, ces écrans 44, 46 sont trapézoïdaux. On donne maintenant un exemple de valeurs numériques propres au fonctionnement d'un laser tel que celui de la figure 4. Les micropointes sont mises à la masse. Les grilles 32 sont polarisées entre O et 150 V Le potentiel de grille contrôle le courant d'électrons. L'émission des électrons est provoquée par un champ électrique d'environ 107 V/cm au niveau des micropointes. Les écrans 44, 46 sont polarisés entre -500 et + 500 V Le semi-conducteur est polarisé à une valeur de potentiel positive comprise entre 3 et 10 k V Les lignes de champ créées par la différence de potentiel entre les grilles 32 et le semi-conducteur 10 font converger les électrons émis par les micropointes sur une surface rectangulaire du semi-conducteur 10. La cavité laser ainsi définie présente une longueur comprise entre 200 et 500 micromètres (longueur de l'"a Llumette" d'alliage semi-conducteur) et une largeur comprise entre 10 et 300 micromètres (avec focalisation par les écrans 44, 46) Cette largeur dépend de la focalisation du faisceau, qui dépend de la forme des écrans 44, 46, et des potentiels appliqués Dans cet exemple, la structure de guidage est du type guidage par le gain, c'est-à-dire que la lumière laser sera confinée dans la zone définie par le ruban d'excitation 58. Les électrons arrivant sur la surface du semi-conducteur 10 pénètrent peu dans la couche de surface (dans une épaisseur inférieure au micron). Ils créent des paires électron-trou avec un rendement maximum d'environ 30 % Le gradient de gap (zones 12 et 14, fig 1) fait migrer les porteurs vers la zone active (référencée 16, fig 1) o ils sont confinés La recombinaison des porteurs donne naissance à une lumière dont la longueur d'onde dépend des caractéristiques des alliages et de la structure constituant la zone active. L'effet laser est obtenu pour un seuil de densité de courant inférieur à 10 A/cm 2 Le faisceau laser est délivré à travers une face du microtube 36. La puissance déposée par le bombardement électronique est inférieure à quelque 10 k W/cm 2, dont une grande partie se transforme en chaleur Celle-ci est évacuée par l'électrode 50 vers l'extérieur. La figure 7 représente schématiquement une coupe d'un laser conforme à l'invention mais dont le pompage est longitudinal Les composants identiques à ceux de la figure 4 portent les mêmes références. Dans cette réalisation, l'électrode 60 qui supporte le semi-conducteur 10 est percée d'un tunnel 64 (elle peut aussi être creuse) débouchant sur la plaque 62 fermant le microtube 36 La piste conductrice 48 présente une géométrie telle qu'elle n'obture pas la sortie du tunnel 64. La plaque 62 est en matériau isolant et transparent à la longueur d'onde du faisceau laser. Elle doit être de qualité optique. Dans cette réalisation, les faces en regard du semi-conducteur 10 font office de miroirs réalisant la cavité résonante du laser Les miroirs sont réalisés par des dépôts de couches minces optiques. La figure 8 représente schématiquement en coupe une autre réalisation d'un laser conforme à l'invention Les composants identiques à ceux de la figure 4 portent les mêmes références. Dans cette réalisation, le laser comporte trois semi-conducteurs 10 a, 10 b, 10 c de structures identiques ou différentes et aptes à émettre des faisceaux lasers de longueurs d'onde identiques ou différentes Ces trois semi-conducteurs 10 a, 10 b, 10 c sont respectivement fixés au sommet de trois électrodes 50 a, 50 b, 50 c qui les maintiennent à une distance déterminée et en regard de la matrice 23 de cathodes à micropointes. Grâce à la possibilité d'adressage sélectif des lignes et des colonnes d'une matrice de cathodes émissives à micropointes 23, on peut exciter l'un ou l'autre des semi-conducteurs 10 a à 10 c ou encore tous à la fois. Un laser conforme à l'invention n'occupe qu'un volume réduit qui peut être de l'ordre du cm 3. IL est compact et ne nécessite pas une importante alimentation électrique L'utilisation d'un réseau de cathodes à micropointes comme dispositif de pompage autorise des utilisations continues, pulsées ou modulées Il suffit pour cela de commander de manière adéquate les conducteurs du réseau. L'invention ne se limite nullement aux exemples de réalisation décrits et représentés; elle en admet toutes les variantes On peut par exemple ajouter au laser un boîtier de protection possédant une fenêtre de sortie On peut aussi utiliser d'autres sources froides d'électrons et d'autres procédés et matériaux d'assemblage du dispositif laser, en respectant les principes et les avantages de l'invention Le semi-conducteur peut également être fabriqué en d'autres alliages, d'autres hétérostructures, en matériau massif ou en couches minces La cavité peut être de type FabryPérot ou distribuée, la structure de guidage-peut être de type par le gain ou par l'indice Les électrodes de focalisation et leur nombre peuvent être modifiés. Le dispositif peut fonctionner en mode continu, pulsé ou modulé, entre 77 et 300 K, ou autour de la température ambiante. Revendications 1 Laser à semi-conducteur comprenant un dispositif de pompage par bombardement électronique, caractérisé en ce que le dispositif de pompage ( 23) est une source froide d'électrons de volume inférieur au cm 3. 2 Laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de pompage ( 23) est une source froide d'électrons à cathodes émissives à micropointes. 3 Laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de pompage ( 23) est une source froide d'électrons constituée par des cathodes au silicium à jonctions P-N polarisées en inverse. 4 Laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que le semiconducteur ( 10) est du type à gap direct. Laser selon la revendication 4, caractérisé en ce que le semi-conducteur ( 10) est un composé II-VI. 6 Laser selon la revendication 4, caractérisé en ce que le semiconducteur ( 10) possède une structure présentant un effet laser pour une densité de courant de seuil électronique inférieure à 10 A/cm 2 et pour une tension d'accélération des électrons inférieure à 30 k V. 7 Laser selon la revendication 6, caractérisé en ce que le semi-conducteur ( 10) présente une hétérostructure. 8 Laser selon la revendication 6, caractérisé en ce que le semi-conducteur ( 10) présente une hétérostructure multiple. 9 Laser selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite hétérostructure multiple comprend au moins trois zones: une première zone d'excitation électronique ( 12); une deuxième zone active de confinement des porteurs ( 16); une troisième zone de confinement optique ( 14, 16, 18). Laser selon la revendication 9, caractérisé en ce que la zone d'excitation électronique ( 12) présente un gradient de gap décroissant. 11 Laser selon la revendication 9, caractérisé en ce que les deuxième et troisième zones sont confondues. 12 Laser selon la revendication 9, caractérisé en ce que la zone de confinement optique ( 14, 16, 18) présente un gradient d'indice. 13 Laser selon la revendication 9, caractérisé en ce que la zone de confinement optique ( 14, 16, 18) présente une variation d'indice abrupte. 14 Laser selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend: une enceinte ( 34) sous vide munie d'une fenêtre transparente ( 36) pour la délivrance d'un faisceau laser, une première face ( 26) de cette enceinte ( 34) supportant La source froide d'électrons, contenu dans cette enceinte ( 34), au moins un semi-conducteur ( 10) apte à produire un faisceau laser, contenue dans cette enceinte ( 34) fixée sur une seconde face ( 38) de l'enceinte ( 34) en regard de la première, au moins une électrode ( 50) apte à maintenir un semi-conducteur ( 10) à une distance déterminée et en regard de la source froide d'électrons ( 23). Laser selon la revendication 14, caractérisé en ce que chaque électrode ( 50) présente une forme apte à la focalisation sur le semi-conducteur ( 10) des électrons en provenance de la source froide d'électrons ( 23). 16 Laser selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend un système de refroidissement ( 52). 17 Laser selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour la focalisation des électrons en provenance de la source froide d'électrons ( 23) suivant un ruban ( 58). 18 Laser selon la revendication 17, caractérisé en ce que lesdits moyens pour la focalisation suivant un ruban sont constitués par des écrans conducteurs ( 44, 46). 19 Laser selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs semi-conducteurs ( 10 a, 10 b, 10 c) supportés par des électrodes ( 50 a, 50 b, 50 c). Laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que la source froide d'électrons ( 23) est une matrice à adressage sélectif.