FR 2653937 A1 19910503 FR 9013461 A 19901030 La présente invention concerne un photodétecteur du type à réception de la lumière par la surface arrière, qui comporte des éléments de réception de lumière accom- plissant une conversion photoélectrique qui sont disposés en un réseau. L'invention porte plus particulièrement sur un dispositif photodétecteur qui détecte aisément si la température de la matière qui émet la lumière est élevée ou basse. On décrira ci-après un photodétecteur de l'art antérieur qui est présenté dans la publication de brevet japonais n Sho.63-16027. La figure 5(a) montre une vue en plan du photo- détecteur de l'art antérieur précité, et la figure 5(b) montre une coupe selon la ligne A-A' de la figure 5(a). Sur la figure 5(a), la référence 1 désigne un substrat semi- isolant à résistance élevée consistant en CdTe. La référen- ce 11 désigne une première couche de semiconducteur consis- tant en Cd0 3Hg0 7Te de type p. La référence 12 désigne une seconde couche de semiconducteur consistant en Cd0,2Hgo 8Te de type p. La référence 13 désigne une couche dopée avec une impureté de type n. La référence 14 désigne une jonc- tion pn dans la première couche de semiconducteur 11. La référence 15 désigne une couche dopée avec une impureté de type n. La référence 16 désigne une jonction pn dans la seconde couche de semiconducteur. La référence 17 désigne une électrode commune du côté p. La référence 18 désigne une électrode du côté N. La référence 19 désigne une élec- trode du côté n. Les figures 6(a) - 6(c) montrent des diagrammes de bandes d'énergie d'une hétérojonction dans l'élément de détection infrarouge du photodétecteur. La figure 6(a) mon- tre un diagramme de bandes d'énergie dans une plage corres- pondant à la couche dopée avec une impureté de type n, 15, et à la seconde couche de semiconducteur 12, et la figure 6(b) montre un diagramme de bandes d'énergie dans une plage correspondant à la couche dopée avec une impureté de type n , à la seconde couche de semiconducteur 12 et à la pre- mière couche de semiconducteur 11. La figure 6(c) montre un diagramme de bandes d'énergie dans une plage correspondant à la couche dopée avec une impureté de type N. 13, à la première couche de semiconducteur 11 et à la seconde couche de semiconducteur 12. Parmi les rayons infrarouges qui tombent sur l'élément détecteur infrarouge ayant une telle structure, ceux qui sont compris dans une bande de longueur d'onde de 3 à 5 microns sont absorbés par la première couche de semi- conducteur 11 ayant une bande d'énergie interdite large, et ceux qui sont compris dans une bande de longueur d'onde de microns traversent la première couche de semiconducteur 11 et sont absorbés par la seconde couche de semiconducteur 12, ayant une bande d'énergie interdite plus étroite. Les porteurs qui sont créés par les rayons infrarouges dans une bande de longueur d'onde de 3 à 5 microns, absorbés par la première couche de semiconducteur 11 au-dessous de l'élec- trode du côté n 19, sont détectés entre l'électrode du côté n 19 et l'électrode commune du côté p 17, après avoir par- couru le chemin qui est représenté sur la figure 6(b). Les porteurs qui sont créés par le rayonnement infrarouge dans la bande de longueur d'onde de 10 microns qui est absorbé par la seconde couche de semiconducteur 12, au-dessous de l'électrode du côté n 19, sont détectés dans une région comprise entre l'électrode du côté n 19 et l'électrode commune du côté p 17, après avoir parcouru le chemin qui est représenté sur la figure 6(a). Les porteurs qui sont créés par le rayonnement infrarouge dans une bande de lon- gueur d'onde de 3 à 5 microns, qui est absorbé par la pre- mière couche de semiconducteur 11 au-dessous de l'électrode du côté N 18, sont détectés dans une région comprise entre l'électrode du côté N 18 et l'électrode commune du côté p 17, après avoir parcouru le chemin qui est représenté sur la figure 6(c). Le rayonnement infrarouge d'une longueur d'onde de 10 microns qui tombe au-dessous de l'électrode du côté N 18, traverse la première couche de semiconducteur 11 et n'est pas détecté. D'après ce qui précède, on voit qu'au-dessous de l'électrode du côté n 19, le rayonnement infrarouge dans la bande de longueur d'onde de 10 microns et le rayonnement dans la bande de longueur d'onde de 3 à 5 microns sont dé- tectés, tandis qu'au-dessous de l'électrode du côté N 18, seul le rayonnement dans la bande de longueur d'onde de 3 à microns est détecté. Un tel dispositif photodétecteur est combiné avec des dispositifs à couplage de charge au silicium pour pro- duire un dispositif de génération d'image à l'état solide de typehybride, et il est utilisé dans un appareil de pour- suite d'image infrarouge. On notera qu'à titre de mesure destinée à éviter la poursuite d'image infrarouge, il exis- te un procédé consistant à émettre un leurre qui est cons- titué par une matière chauffée à une température élevée. Sur la figure 7, la référence 9 désigne une cible et la ré- férence 10 désigne une matière autre que la cible qui est utilisée à titre de leurre. La figure 8 est un diagramme montrant le degré de dispersion du rayonnement du corps noir qui est calculé d'après la loi de Planck. D'après cette figure, on comprend que la matière au voisinage de la température normale (en- viron 300 K) ainsi que la matière chauffée à une températu- re élevée (environ 1000 K) émettent un rayonnement infra- rouge dans la bande de longueur d'onde de 10 microns. Par conséquent, lorsqu'on utilise un élément détecteur infra- rouge fonctionnant dans une bande de longueur d'onde de 10 microns, qui consiste en Cd0,2Hg0,8Te, il est impossible de distinguer la cible 9 et l'autre matière 10. Contrairement à ceci, et comme on peut le comprendre en observant la fi- gure 8, le rapport entre l'intensité infrarouge à la lon- gueur d'onde de 5 microns et à la longueur d'onde de 10 mi- crons est de 1:3 dans la cible à 300 K, tandis que le rap- port entre l'intensité infrarouge à la longueur d'onde de 5 microns et à la longueur d'onde de 10 microns est de 10:1 dans l'autre matière, à 1000 K, ce qui fait qu'il est pos- sible de distinguer la cible 9 et l'autre matière 10 en calculant le rapport entre le signal de sortie de l'élément détecteur infrarouge dans la bande de longueur d'onde de 3 à 5 microns et celui de la bande de longueur d'onde de 10 microns. Dans le dispositif photodétecteur de l'art anté- rieur, du fait qu'il est nécessaire de produire la première couche de semiconducteur 11 et la seconde couche de semi- conducteur 12, on doit employer une technique de croissance cristalline d'un niveau plus élevé que dans le cas dans lequel il n'y a qu'une seule couche. En outre, dans le but d'améliorer le degré d'intégration de pixels dans la struc- ture décrite ci-dessus, une épaisseur de couche supérieure à 10 microns est exigée pour améliorer suffisamment le coefficient d'absorption, en prenant en considération le 3 -1 coefficient d'absorption (10 cm) de la seconde couche de semiconducteur vis-à-vis de la lumière d'une longueur d'on- de de 10 microns, dans le cas o des pixels respectifs sont formés avec un pas de 50 microns. Il est donc impossible de fabriquer le dispositif en n'utilisant que la technique de fabrication qui est utilisable à l'heure actuelle pour les dispositifs à semiconducteur. Un but de l'invention est de procurer un disposi- tif photodétecteur comprenant une seule couche de semicon- ducteur qui est formée par une technique de fabrication de semiconducteur récente, et qui améliore aisément le degré d'intégration et permet de reconnaître aisément si la ma- tière qui émet le rayonnement est à haute température ou à basse température. Un autre but de l'invention est de procurer un dispositif photodétecteur capable de reconnaître aisément si la matière qui émet le rayonnement est à une température élevée ou à la température normale, dans le cas o la dé- pendance, vis-à-vis de la longueur d'onde, du coefficient d'absorption de la lumière de la couche de semiconducteur est élevée. D'autres buts et avantages de l'invention ressor- tiront de la description détaillée qui est donnée ci-après; il faut cependant noter que la description détaillée et le mode de réalisation spécifique ne sont donnés qu'à titre d'illustration, du fait que divers changements et modifica- tions entrant dans le cadre de l'invention apparaîtront à l'homme de l'art, à la lecture de cette description détail- lée. Selon un premier aspect de l'invention, un dispo- sitif photodétecteur comprend une couche de semiconducteur d'un premier type de conductivité qui est transparente pour la lumière incidente arrivant par la surface arrière, cette couche étant formée sur un substrat semi-isolant, une cou- che de semiconducteur d'un second type de conductivité qui est incorporée sous la forme d'un réseau dans la couche de semiconducteur du premier type de conductivité, des régions d'absorption de lumière formées en alternance sur la couche de semiconducteur du second type de conductivité, une élec- trode en métal à réflectance élevée qui est formée sur la couche d'absorption de lumière et sur la couche de semi- conducteur du second type de conductivité, et une pellicule de protection qui est formée sur la couche de semiconduc- teur du premier type de conductivité. Selon un autre aspect de l'invention, l'épaisseur de la couche de semiconducteur du second type de conducti- vité, correspondant à la distance que parcourt la lumière incidente dans la direction de l'axe de la lumière, sur la- quelle une couche d'absorption de la lumière est formée, est inférieure à celle de l'autre couche de semiconducteur du second type de conductivité, ce qui produit une diffé- rence de longueur de chemin optique. Conformément à l'invention, un dispositif photo- détecteur comprend seulement une couche de semiconducteur, grâce à quoi un dispositif à haut degré d'intégration peut être fabriqué par une technique de fabrication de semicon- ducteur classique, et on peut reconnaître aisément si la matière qui émet la lumière est à une température élevée ou à la température normale. Conformément à l'invention, la couche dopée avec une impureté de type n sur laquelle est formée une couche d'absorption de la lumière, cette couche correspondant à la distance que parcourt la lumière dans la direction de l'axe de la lumière incidente, a une épaisseur inférieure à la partie de l'autre couche dopée par une impureté de type n, et des longueurs de chemin optique différentes sont éta- blies entre les couches dopées avec une impureté de type n. La possibilité de reconnaissance est améliorée, et même lorsqu'il n'y a ni différence dépendant de la longueur d'onde dans les coefficients d'absorption de la couche de semiconducteur, ni différence de température de la matière lorsqu'on utilise le dispositif dans la poursuite d'image infrarouge, on peut reconnaître aisément si la matière qui émet la lumière est à une température élevée ou à la tempé- rature normale. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui va suivre de modes de réalisa- tion, données à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans les- quels: Les figures 1(a) et l(b) sont respectivement une vue en plan et une coupe montrant un dispositif photodé- tecteur conforme à un premier mode de réalisation de l'in- vention; La figure 2 est une coupe montrant un second mode de réalisation de l'invention; La figure 3 est une coupe qui est destinée à exemplifier le fonctionnement du premier mode de réalisa- tion de l'invention; La figure 4 est un graphique destiné à exempli- fier la variation du coefficient d'absorption en relation avec le fonctionnement de l'invention; Les figures 5(a) et 5(b) sont respectivement une vue en plan et une coupe d'un dispositif photodétecteur de l'art antérieur; Les figures 6(a) - 6(c) sont des diagrammes de bandes d'énergie destinés à exemplifier le fonctionnement du dispositif photodétecteur de l'art antérieur; La figure 7 est un schéma montrant une mesure que l'on peut prendre pour éviter la poursuite d'image infra- rouge; La figure 8 est un graphique montrant le degré de dispersion de l'émission du corps noir; et Les figures 9(a) - 9(i) représentent la séquence de fabrication de l'invention. Les figures l(a) et l(b) montrent un dispositif photodétecteur conforme à un premier mode de réalisation de l'invention. Sur ces figures, on utilise les mêmes réfé- rences numériques que sur les figures 5(a) et 5(b) pour dé- signer les parties identiques ou correspondantes. La réfé- rence 20 désigne une couche conductrice d'absorption de lumière et la référence 21 désigne une pellicule de protec- tion. Dans ce mode de réalisation, la couche d'absorption de lumière 20 est formée sur la couche 15 dopée avec une impureté de type n, sur des parties alternées de cette dernière. En outre, la région du second type de conductivi- té qui doit devenir une région principale de réception de lumière est constituée comme le montre la figure 3. On décrira la fabrication du dispositif photodé- tecteur de ce premier mode de réalisation en se référant aux figures 9(a) - 9(i). En premier lieu, comme le montre la figure 9(a), on forme une couche épitaxiale 12 en CdHgTe de type P sur un substrat semi-isolant 1 en CdTe, et on introduit sélec- tivement des impuretés de type n dans la couche épitaxiale 12 en CdHgTe de type P sur le substrat 1 en CdTe, par im- plantation ionique ou par diffusion d'impuretés, pour pro- duire ainsi des régions en CdHgTe de type n, 15, comme re- présenté sur la figure 9(b). Ensuite, comme le montre la figure 9(c), on forme une pellicule de protection 21 sur la totalité de la surface, après quoi on enlève la pellicule de protection 21 sur la région en CdHgTe de type n, 15, pour obtenir ainsi l'état qui est représenté sur la figure 9(d). Ensuite, comme le montre la figure 9(e), on forme une couche d'absorption de lumière 20 sur la totalité de la surface. Lorsqu'on utilise HgTe pour cette couche d'absorp- tion de lumière 20, une couche de ce type d'environ 3 mi- crons d'épaisseur permet d'absorber suffisamment le rayon- nement infrarouge au-dessous de 10 microns. Comme le montre la figure 9(f) , on forme une couche de résine photosensible 22 sur une partie concave de la surface de la couche d'absorption de lumière 20, formée en alternance sur cette dernière, et cette partie concave correspond à l'ou- verture dans la pellicule de protection 21. On effectue ensuite une attaque isotrope, par exemple par érosion ioni- que, en utilisant la résine photosensible comme masque, pour enlever des parties de la couche d'absorption de lu- mière 20 sur lesquelles la résine photosensible 22 n'a pas été déposée. On enlève ensuite la résine photosensible. Ainsi, comme le montre la figure 9(g), la couche d'abeorption de]lmière 20 n'est formée qu'en alternance sur la région en CdHgTe de type n 15. Ensuite, comme le montre la figure 9(h), on forme une électrode métallique 19 sur la totalité de la surface du dispositif et, comme le montre la figure 9(i), on forme une couche de résine photosensible 22 sur l'élec- trode métallique 19, sur la totalité de la région en CdHgTe de type n 15, indépendamment de la présence de la couche d'absorption de lumière 20. Enfin, on grave l'électrode métallique 19 et on enlève la résine photosensible 22, ce qui donne un dispositif photodétecteur dans lequel on trou- ve une région en CdHgTe de type n 15 sur laquelle sont for- mées la couche d'absorption de lumière 20 et l'électrode métallique 19, et une région en CdHgTe de type n 15 sur laquelle seule l'électrode métallique est formée. On va maintenant décrire le fonctionnement du dispositif photodétecteur qui est fabriqué de la manière décrite ci-dessus. La figure 3 montre que la lumière incidente hV 1 est réfléchie par l'électrode métallique 19 dans la région du second type de conductivité 15a, dans laquelle la ré- gion d'absorption de lumière 20 n'est pas formée. Dans ce cas, lorsque l'épaisseur de la couche de semiconducteur du premier type de conductivité 12 est égale à d, la longueur du chemin optique qui peut absorber la lumière devient 2d, à cause de la réflexion de la lumière. En outre, du fait que la lumière est absorbée par la couche d'absorption de lumière 20 dans la région de semiconducteur du second type de conductivité 15b, dans laquelle la couche d'absorption de lumière 20 est formée, la longueur du chemin optique qui peut absorber la lumière devient d. Du fait d'une telle différence dans les longueurs de chemin optique, les carac- téristiques de coefficient d'absorption de la lumière inci- dente en fonction de la longueur d'onde varient comme le montre la figure 4. En outre, comme le montre la figure 8, le rayonnement provenant de la source thermique à tempéra- ture élevée, telle que 1000 K, présente un maximum au voi- sinage de 3 microns. D'autre part, le coefficient d'absorp- tion au voisinage de 3 microns ne présente pratiquement aucune différence sous l'effet de longueurs de chemins op- tiques différentes qui résultent des régions du second type de conductivité 15a et 15b, comme le montre la figure 4, et il n'apparaît donc pas de différence dans les grandeurs de sortie électriques des deux régions 15a et 15b. Cependant, le rayonnement à la température norma- le d'environ 300 K présente un maximum au voisinage de 10 microns, et il existe une différence élevée de coefficient d'absorption, ce qui fait apparaître une différence dans les grandeurs de sortie électriques des régions de semicon- ducteur du second type de conductivité 15a et 15b. Par conséquent, en détectant les grandeurs de sortie électri- ques des deux régions adjacentes de semiconducteur du se- cond type de conductivité, il est possible de déterminer si la matière qui émet le rayonnement est à une température élevée ou non. On va maintenant décrire le fonctionnement du dispositif photodétecteur ayant la structure décrite ci- dessus. En premier lieu, lorsqu'on utilise un cristal de Cd0,2Hgo 8Te pour la couche de semiconducteur de type p 12, le rayonnement infrarouge ayant une longueur d'onde infé- rieure à environ 10 microns est absorbé pour créer des por- teurs. Dans la couche 15 dopée avec une impureté de type n, qui doit être une section de réception de lumière, le rayonnement infrarouge qui arrive par la surface arrière est absorbé par la couche dopée avec une impureté de type n, 15a, mais le rayonnement infrarouge qui n'est pas absor- bé est réfléchi par l'électrode métallique 19 et il est ensuite absorbé par la couche dopée avec une impureté de type n, 15a. Cependant, bien que le rayonnement infrarouge incident 7 soit absorbé par la couche dopée avec une impu- reté de type n, 15b, dans la partie correspondant à la cou- che dopée avec une impureté de type n. 15b, le rayonnement qui a atteint la couche de semi-métal 20 consistant par exemple en HgTe, qui remplit la fonction de la couche d'absorption de lumière, est presque absorbé par la couche d'absorption de lumière 20, ou bien les porteurs corres- pondants disparaissent à cause de leur courte durée de vie. Ils ne contribuent donc plus à un signal électrique. De ce fait, la couche dopée par une impureté de type n, 15a, a une longueur de chemin optique pour l'absorption du rayon- nement infrarouge 7 qui est approximativement égale au dou- ble de celle de la couche dopée avec une impureté de type n b. Non seulement le cristal de Cd0, 2Hgo 2Te, mais presque tous les cristaux semiconducteurs ont une caracté- ristique qui consiste en ce que le coefficient d'absorption pour la lumière, y compris pour l'infrarouge, est d'autant plus faible que la longueur d'onde de la lumière est plus grande, et le coefficient d'absorption de la lumière de plus grande longueur d'onde est inférieur lorsque la lon- gueur du chemin optique sur lequel l'absorption peut avoir lieu est plus courte, comme le montre la figure 4. Ainsi, lorsque la lumière qui provient de la matière à 100 K illumine le dispositif photodétecteur de l'invention, le pic de longueur d'onde est à environ 3 microns, comme on le voit sur la figure 8, qui ne montre pratiquement pas de différence de coefficient d'absorption entre la couche do- pée avec une impureté de type n, 15a, et la couche dopée avec une impureté de type n, 15b, au voisinage d'environ 3 microns. Par conséquent, les grandeurs de sortie électri- ques qui sont produites par la couche dopée avec une impu- reté de type n sont toutes les mêmes. Cependant, lorsque le dispositif photodétecteur reçoit la lumière qui provient de la matière à la température normale de 300 K, comme il res- sort des figures 4 et 8, le pic de longueur d'onde est à environ 10 microns, et le coefficient d'absorption au voi- sinage de 10 microns pour les couches dopées avec une impu- reté de type n, 15a et 15b, est différent, ce qui fait que les signaux électriques qui sont émis par les deux couches dopées avec une impureté de type n sont différents. Par conséquent, on peut aisément déterminer si la température de la matière à détecter est élevée ou basse, en comparant les signaux de sortie électriques qui sont émis par les couches adjacentes dopées avec une impureté de type n. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, on utilise HgTe pour la couche d'absorption de lumière 20, mais l'invention n'est pas limitée à ce matériau. La couche d'absorption de lumière peut être constituée par un maté- riau ayant une bonne conductivité électrique, un coeffi- cient d'absorption de lumière élevé, une courte durée de vie des porteurs qui sont créés, et d'excellentes proprié- tés de contact ohmique avec la couche dopée avec une impu- reté de type n. En outre, le dispositif photodétecteur de l'in- vention présente un avantage en ce qui concerne le problème suivant que l'on rencontre dans le dispositif de l'art an- térieur. Lorsque la matière à température normale est la matière d'une cible dans le dispositif de l'art antérieur des figures 5(a) et 5(b), bien que la couche dopée avec une impureté de type n, 15, présente une certaine sensibilité vis-à-vis de la matière à température normale, la couche dopée avec une impureté de type n, 13, n'est pas sensible à la matière à la température normale, et elle constitue une région insensible vis-à-vis de la matière à la température normale. Par conséquent, lorsqu'on l'utilise à titre d'élé- ment de génération d'image à l'état solide, on n'obtient pas une bonne sensibilité, sauf si le pas de la couche do- pée avec une impureté de type n est faible et si la couche est formée avec une densité élevée, et lorsqu'on utilise à titre de pixels les couches dopées avec une impureté, on n'obtient pas une image ayant une résolution élevée. Cependant, dans l'invention, il n'y a pas de ré- gions insensibles vis-à-vis de la matière à la température normale, et toutes les régions sont sensibles à la matière à la température normale, grâce à quoi on obtient aisément une image présentant une résolution très élevée. Dans le mode de réalisation qui est considéré ci- dessus, la couche d'absorption de lumière 20 est formée sur la couche dopée avec une impureté de type n prédéterminée, 15, et la longueur du chemin optique de la lumière inciden- te qui est absorbée est de 1/2. Par conséquent, si le ma- tériau qui constitue la couche de semiconducteur est rem- placé par un matériau ne présentant pas une aussi grande différence de coefficient d'absorption en fonction de la longueur d'onde de la matière émettrice, ou s'il n'y a qu'une faible différence entre la matière de la cible et l'autre matière, il est difficile de distinguer la matière concernée. On va maintenant décrire un second mode de réa- lisation de l'invention qui peut faire face à une telle si- *tuation. Sur la figure 2, qui représente ce second mode de réalisation, l'épaisseur de la couche de semiconducteur du second type de conductivité 15b sur laquelle est formée la couche d'absorption de lumière, est faible de façon à être approximativement égale à la moitié (d/2) de l'épaisseur d de l'autre couche de semiconducteur du second type de con- ductivité 15a, et une différence est introduite entre les couches de semiconducteur du second type de conductivité , en ce qui concerne la distance dans la direction de l'axe optique de la lumière incidente. Comme le montre la figure 4, en ce qui concerne la relation entre le coefficient d'absorption et la lon- gueur d'onde de la lumière incidente, la courbe donnant le coefficient d'absorption dans un cas dans lequel la lon- gueur du chemin optique est inférieure à d, présente une différence d'inclinaison beaucoup plus grande que dans le cas o la longueur du chemin optique est égale à d. Ainsi, en adoptant la structure décrite cidessus, la différence de coefficient d'absorption est encore augmentée, comme le montre la figure 4, et la possibilité de reconnaissance est améliorée, et même lorsque la différence de température est faible, il est possible de distinguer aisément la matière de la cible et l'autre matière, ce qui signifie que la pos- sibilité de reconnaissance est encore améliorée. Bien que dans le mode de réalisation envisagé ci- dessus, les couches de semiconducteur du second type de conductivité soient disposées dans chaque colonne conformé- ment à la présence de la couche d'absorption de lumière, comme le montre la figure l(a), l'invention n'est pas limi- tée à ce cas. Ces couches peuvent ainsi être disposées de façon à comparer les courants de sortie mutuels. Comme il résulte de façon évidente de la descrip- tion précédente, et conformément à l'invention, un disposi- tif photodétecteur comprend des régions de semiconducteur d'un premier type de conductivité sur un substrat semi-iso- lant qui est transparent pour la lumière incidente, des ré- gions de semiconducteur d'un second type de conductivité qui sont formées sur le substrat semi-isolant, en alternan- ce avec les régions de semiconducteur du premier type de conductivité, une couche d'absorption de lumière superposée sur la couche de semiconducteur du second type de conducti- vité, une électrode métallique ayant une réflectance élevée vis-à-vis de la lumière incidente, formée sur la couche d'absorption de lumière et sur la région de semiconducteur du second type de conductivité, et une couche de protection formée sur la région de semiconducteur du premier type de conductivité. Le dispositif comprend donc une seule couche de semiconducteur, et on peut obtenir un dispositif dans lequel il est aisé d'améliorer le degré d'intégration, même avec le processus de fabrication de semiconducteur classi- que. En utilisant ce dispositif, on peut distinguer aisé- ment une matière à température élevée et une matière à tem- pérature normale, pour la matière qui émet le rayonnement. Conformément à l'invention, l'épaisseur de couche correspondant à la distance dans la direction de l'axe optique de la lumière incidente, pour la couche dopée avec une impureté de type n dans laquelle la couche d'absorption de lumière est formée, est inférieure à l'épaisseur de l'autre partie de couche dopée avec une impureté de type n, et une différence de longueur de chemin optique est établie entre les deux sortes de semiconducteurs du second type de conductivité, ce qui améliore l'aptitude à la reconnaissan- ce. Par conséquent, même lorsqu'il n'y a pas de différence entre les coefficients d'absorption de la couche de semi- conducteur en fonction de la longueur d'onde de la lumière incidente, ou même lorsqu'il y a une plus faible différen- ce de température de la matière émettant la lumière, lors- que le dispositif est utilisé dans un appareil de poursuite d'image vidéo infrarouge, on peut aisément distinguer une matière à température élevée et une matière à température normale. REVENDICATIONS 1. Dispositif photodétecteur du type recevant la lumière par une surface arrière, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semi-isolant (1) qui est transparent vis-à-vis de la lumière qui est reçue par la surface ar- rière; des régions de semiconducteur d'un second type de conductivité (15), disposées, en un certain nombre, dans une couche de semiconducteur d'un premier type de conducti- vité (12), sur la totalité de la surface du substrat semi- conducteur (1); une couche conductrice d'absorption de lu- mière (20), disposée sur des régions alternées parmi les régions de semiconducteur du second type de conductivité (15); des électrodes métalliques (19) ayant une réflectance élevée vis-à-vis de la lumière incidente, qui sont dispo- sées sur la couche d'absorption de lumière (20) et sur la couche de semiconducteur du second type de conductivité (15); et des couches de protection (21) qui sont disposées sur les régions de semiconducteur du premier type de con- ductivité (12). 2. Dispositif photodétecteur selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de semiconducteur du second type de conductivité (15b) corres- pondant à la distanceque parcourt la lumière incidente dans la di- rection de l'axe de la lumière sur laquelle se trouve la couche conductrice d'absorption de lumière (20), est infé- rieure à celle de l'autre couche de semiconducteur du se- cond type de conductivité (15a), pour produire ainsi une différence entre les longueurs des chemins optiques des deux sortes de couches de semiconducteur du second type de conductivité (15a, 15b). 3. Dispositif photodétecteur selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que le substrat semi-isolant (1) consiste en CdTe, la région de semiconducteur du premier type de conductivité consiste en CdHgTe de type p, la ré- gion de semiconducteur du second type de conductivité (15) consiste en CdHgTe de type n, et la couche conductrice d'absorption de lumière (20) consiste en HgTe. 4. Procédé de fabrication d'un dispositif photo- détecteur du type recevant la lumière par la surface ar- rière, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivan- tes: on forme une couche de semiconducteur d'un premier type de conductivité (12) sur la totalité de la surface d'un substrat semi-isolant (1) qui est transparent vis-à- vis de la lumière qui est reçue par la surface arrière; on introduit sélectivement dans la couche de semiconducteur du premier type de conductivité (12) des impuretés d'un second type de conductivité, pour produire une couche de semicon- ducteur du premier type de conductivité et un ensemble de régions de semiconducteur du second type de conductivité (15a, 15b), disposées sur le substrat semiconducteur semi- isolant (1); on forme sélectivement une pellicule de pro- tection (21) sur la surface de la région de semiconducteur du premier type de conductivité (12); on forme une couche conductrice d'absorption de lumière (20) sur la totalité de la surface du dispositif partiellement fabriqué; on forme une couche de résine photosensible (22) sur des parties convexes alternées de la surface de la couche d'absorption de lumière (20), ces parties étant formées en utilisant les ouvertures de la pellicule de protection (21) se trouvant sur la couche de semiconducteur du premier type de conduc- tivité (12); on enlève la couche conductrice d'absorption de lumière (20) sur laquelle la résine photosensible (22) n'est pas déposée, en procédant par attaque isotrope; on forme une électrode métallique (19) qui a une réflectance élevée vis-à-vis de la lumière incidente, sur la totalité de la surface du dispositif partiellement fabriqué; on forme une couche de résine photosensible (22) sur l'élec- trode métallique (19), sur toutes les régions de semicon- ducteur du second type de conductivité (15a, 15b); on enlè- ve l'électrode métallique (19) par gravure en utilisant la résine photosensible à titre de masque; et on enlève la ré- sine photosensible (22). 5. Procédé de fabrication d'un dispositif photo- détecteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que le substrat semi-isolant (1) consiste en CdTe, la couche de semiconducteur du premier type de conductivité (12) con- siste en CdHgTe de type p, la région de semiconducteur du second type de conductivité (15) consiste en CdHgTe de type n, et la couche conductrice d'absorption de lumière (20) consiste en HgTe.