FR 2655433 A1 19910607 FR 8915909 A 19891201 La présente invention concerne un procédé et un dispositif de modulation électro-optique Elle trouve notamment des applications dans le domaine des télécommunications optiques, par exemple pour les liaisons numériques de haut débit et sur une longue distance, ainsi que dans le domaine de la commutation électro-optique. L'invention fait partie des techniques de modulation de l'intensité d'un faisceau lumineux, qui utilisent Le phénomène d'électro-absorption Ce phénomène, qui se manifeste dans un matériau semiconducteur, consiste en la variation d'absorption optique de ce matériau sous l'effet d'un champ électrique. Ce dernier est -appliqué au matériau par exemple au moyen d'une diode 2 de type PIN (figure 1), ou de type Schottky, qui est polarisée grâce à un moyen approprié 4 et dans laquelle la région intrinsèque I (non intentionnellement dopée) contient le matériau électro-absorbant. Certaines techniques utilisent une configuration de type "perpendiculaire" (figure 1-A) dans laquelle La lumière est envoyée sur la diode suivant l'axe de croissance Z de ce L Le-ci D'autres techniques utilisent'une configuration de type "ondes guidées" (figure 1-B) dans laquelle la lumière est injectée dans la région intrinsèque I, parallèlement au plan des couches P, I et N. Vis-à-vis de la configuration de type "perpendiculaire", cette configuration de type "ondes guidées" permet d'augmenter la longueur d'interaction sur laquelle La lumière est absorbée par le matériau semiconducteur, La majeure partie de la lumière guidée se situant dans la région I. Les différentes techniques de modulation de l'intensité d'un faisceau Lumineux, qui utilisent une configuration de type "ondes guidées", se différencient par l'effet physique mis en oeuvre pour obtenir La variation d'absorption optique sous l'effet d'un champ électrique. Jusqu'à présent, trois effets physiques ont été proposés: l'effet Franz-Keldysh, l'effet Stark confiné quantiquement et L'effet de décalage vers le bleu ("blue shift") du seuil d'absorption dans les super-réseaux très couplés. L'effet Franz-Ke Ldysh est un décalage vers le rouge ("red shift") du seuil d'absorption d'un matériau semiconducteur massif en présence d'un champ électrique. On voit sur la figure 2-A la bande de valence BV et La bande de conduction BC du matériau semiconducteur, qui sont séparées par une bande interdite BI de largeur Eg, en l'absence de champ électrique (E=O). On voit sur la figure 2-B que L'application d'un champ électrique au matériau semiconducteur (E*O) rompt la périodicité du matériau dans la direction de ce champ, périodicité qui créait des bandes interdites. Cette rupture de périodicité rend possible La présence d'électrons et de trous dans la bande "ex- interdite", dans laquelle La densité de probabilité de présence des électrons De et La densité de probabilité de présence des trous Dt ne sont pas nulles. Il apparait alors une possibilité de transition à une énergie Ef K inférieure à Eg, ce qui correspond à un décalage vers le rouge du seuil d'absorption. Ceci est schématiquement illustré par la figure 3 o l'on voit Le spectre d'absorption d'un matériau semiconducteur massif (courbe des variations de l'absorption optique a en fonction de la longueur d'onde l) en présence d'un champ électrique (EÉO) et en l'absence de champ électrique (E=O). Ce décalage vers Le rouge permet d'obtenir des variations d'absorption da (typiquement de l'ordre -1 de 100 cm pour une tension électrique de 5 V appliquée à une épaisseur de 0,5 micromètre) dans le domaine des Longueurs d'onde o le matériau est transparent, et donc de réaliser un modulateur fonctionnant à la longueur d'onde Lo indiquée sur la figure 3. Un exemple de réalisation d'un modulateur utilisant l'effet Franz-Keldysh dans une configuration de type "ondes guidées" est donné dans l'article de Y. NODA et al, publié dans IEEE Journal of Lightwave Technology, vol LT-4, n 10, octobre 1986, p 1445 à 1553. L'effet Stark confiné quantiquement est un effet de décalage vers le rouge du seuil d'absorption d'une structure à multipuits quantiques ("multiple quantum-well structure"). Pour simplifier, on a représenté sur la figure 4 la structure de bande d'un puits quantique en l'absence de champ électrique (figure 4-A) et en présence d'un champ électrique (figure 4-B). On voit, sur la figure 4-A, qu'en l'absence de champ électrique, le niveau fondamental d'énergie Ee des électrons et le niveau fondamental d'énergie Et des trous sont séparés par une énergie Ee-t. En présence d'un champ électrique (figure 4-B), ces niveaux d'énergie dans les puits quantiques se déplacent et l'énergie de transition électron-trou (Ee-t) est diminuée d'une quantité d E, d'o un décalage vers le rouge du spectre d'absorption. Ceci est schématiquement illustré par La figure 5 o l'on voit le spectre d'absorption d'une structure à mu Ltipuits quantiques en présence d'un champ électrique (E#O) et en l'absence de champ électrique (E=O). Le spectre d'absorption de cette structure à multipuits quantiques a une allure de marche d'escalier à laquelle viennent s'ajouter les pics d'absorption excitonique dont l'origine est l'interaction hydrogéno;de électron-trou L'ensemble du spectre se décale vers Le rouge par effet Stark confiné quantiquement. On peut ainsi obtenir des variations d'absorption da très importantes dans le domaine des longueurs d'ondes o la structure est transparente -1 (typiquement de l'ordre de 1000 cm pour une tension électrique de 5 V appliquée à une épaisseur de 0,5 micromètre) . Un exemp Le de réalisation d'un modulateur utilisant L'effet Stark confiné quantiquement dans une configuration de type "ondes guidées" est donné dans l'article de K WAKITA et a L, publié dans Electronics Letters, 13 octobre 1988, vo L 24, N 021, p 1324 et 1325. L'effet de décalage vers le bleu du seuil d'absorption dans les superréseaux très coup Lés est décrit dans L'article de J BLEUSE, G BASTARD et P. VOISIN publié dans Phys Rev Lett, vol 60, n 3, 18 janvier 1988, p 220 à 223, dans l'article de J. BLEUSE, P VOISIN, M ALLOVON et M QUILLEC, publié dans Applied Physics Letters 53 ( 26), 26 décembre 1988, p 2632 à 2634, et dans La demande de brevet français n 8616576 du 27 novembre 1986 auxquels on se reportera. On rappelle qu'une structure à multipuits quantiques est une succession de puits et de barrières de potentiel, dans laquelle l'épaisseur des barrières est suffisamment importante pour que les puits ne soient pas couplés les uns avec les autres. Au contraire, un super-réseau très couplé est une succession de puits et de barrières de potentiel, dans laquelle les épaisseurs respectives des puits et des barrières sont très faibles, de sorte que les puits sont très couples les uns avec Les autres, par l'effet tunnel résonnant. Ce fort couplage entraîne la création de minibandes d'énergie de largeurs d Ee et d Et (figure 6- B), respectivement autour des niveaux d'énergie quantifiés d'électrons et de trous que présenteraient les puits sans couplage (figure 6-A). On rappelle à ce propos qu'un super-réseau très couplé est tel que: d Ee + d Et > 10 me V. Par application au super-réseau d'un faible champ électrique selon la direction de croissance de ce super-réseau, on brise le couplage (il y a suppression de l'effet tunnel résonnant) et le seuil d'absorption se décale vers les hautes énergies (c'est-à-dire vers le bleu) d'une valeur égale à la demi-somme des largeurs respectives des minibandes d'électrons et de trous. Ainsi, l'énergie de ce seuil passe d'une valeur Es à une valeur Ee-t telle que: Ee-t = Es + ((d Ee+d Et)/2). On rappelle ci-après trois paramètres essentiels pour évaluer les performances d'un dispositif de modulation de l'intensité d'un faisceau lumineux Ces paramètres sont le taux d'extinction, l'atténuation à l'état passant ("on") et la tension de commande du dispositif. Le taux d'extinction est le rapport de l'intensité lumineuse sortant du modulateur à l'état passant, à l'intensité lumineuse sortant du modulateur à l'état éteint ("off") Ce taux d'extinction peut être exprimé en X ou en d B Il doit être le plus éLevé possible (typiquement de l'ordre de 20 d B) IL est directement relié à la variation d'absorption. L'atténuation à l'état passant est le rapport de l'intensité lumineuse sortant du modulateur à l'état passant, à l'intensité lumineuse entrant dans le modulateur Cette atténuation à L'état passant peut être exprimée en d B Elle doit être La plus faib Le possible (typiquement inférieure ou éga Le à environ 3 d B) Elle est directement reliée à l'absorption résiduelle dans le domaine de longueurs d'onde o le matériau électroabsorbant du modulateur est transparent. La tension de commande du dispositif doit être aussi faible que possible Elle est directement reliée au champ électrique à appliquer au matériau électro-absorbant que comporte Le dispositif. Vis-à-vis de ces trois paramètres, les techniques qui utilisent respectivement les trois effets mentionnés plus haut présentent les inconvénients suivants: Les modulateurs utilisant l'effet Franz- Keldysh et les modulateurs utilisant l'effet Stark confiné quantiquement nécessitent l'application de champs électriques importants, typiquement de l'ordre de 10 V par micromètre, soit une tension de 5 V appliquée à une épaisseur de 0,5 micromètre De telles tensions de commande entraÂnent une dissipation d'énergie importante en cas de modulation rapide (fréquences de quelques G Hz). Les modulateurs utilisant l'effet de décalage vers le bleu présentent une importante atténuation à l'état passant (c'est-à-dire lorsque le champ électrique n'est pas nul) Cela tient à deux raisons: le point de fonctionnement d'un modulateur de ce genre se situe à une longueur d'onde très proche du seuil d'absorption; les élargissements liés à la température et aux imperfections du super- réseau font apparaître une queue d'absorption qui se situe vers les basses énergies et dont les effets sont importants au voisinage du seuil d'absorption; simultanément au décalage vers le bleu apparait une transition "oblique" à basse énergie que l'on a représentée sur la figure 8 décrite plus loin. Il est d'ailleurs indiqué à la page 1551, colonne gauche, lignes 6 à 11 de l'articte de R H YAN et a L, publié dans Applied Physics Letters 54 ( 16), 17 avril 1989, p 1549 à 1551, que cette atténuation à l'état passant est très importante. La présente invention vise un procédé et un dispositif de modulation de l'intensité d'un faisceau lumineux qui n'ont pas Les inconvénients précédents et qui présentent à la fois un taux d'extinction élevé (par exemple de l'ordre de 20 d B), une tension de commande faible (par exemple de l'ordre de 1 V) et une faible atténuation à l'état passant (par exemple de l'ordre de 3 d B). A cet effet, La présente invention utilise l'un des phénomènes qui pénalisent l'atténuation à l'état passant dans le cas du décalage vers le bleu, à savoir L'apparition de la transition oblique à basse énergie (c'est-à-dire à grande longueur d'onde). De façon précise, La présente invention a tout d'abord pour objet un procédé de modulation de l'intensité d'un faisceau Lumineux, ce procédé comprenant: L'injection du faisceau Lumineux dans un élément semiconducteur électro-absorbant, et l'application, à cet élément, d'un champ électrique dont on fait varier L'amplitude au cours du temps afin de faire varier L'intensité du faisceau lumineux, procédé caractérisé en ce que l'éLément électro- absorbant comprend un super-réseau très coup Lé dont Les couches sont empilées suivant une direction qui constitue La direction de croissance du super-réseau, en ce que Le faisceau lumineux est injecté dans le superréseau parallèLement au plan des couches de ce super-réseau, en ce que ce dernier est prévu pour guider le faisceau lumineux ainsi injecté, en ce que le champ électrique est faible et appliqué suivant la direction de croissance du super-réseau, ce qui provoque L'apparition d'une transition oblique à basse énergie dans un domaine de longueurs d'ondes o Le superréseau est transparent en l'absence de champ électrique, et en ce que le super-réseau est tel que la longueur d'onde du faisceau Lumineux soit contenue dans ce domaine. Dans la présente invention, étant donné une longueur d'onde de travail Il (longueur d'onde du faisceau Lumineux que l'on veut moduler), on utilise donc un super-réseau fortement couplé dont le front d'absorption, en l'absence de champ électrique, se trouve à une longueur d'onde inférieure à Il; le super-réseau est donc transparent à cette longueur d'onde Il en l'absence de champ électrique. Au contraire, dans la technique de modulation utilisant Le décalage vers Le b Leu, étant donné une longueur d'onde de travail Lo, on utilise un super- réseau dont le front d'absorption, en l'absence de champ électrique, se trouve à une Longueur d'onde supérieure à Lo; le super-réseau est donc opaque à cette longueur d'onde Lo en l'absence de champ électrique. Par "faible champ électrique" on entend un champ électrique E tel que La quantité 6.1 EI D d Ee + d Et o e est la charge électronique élémentaire et D est La somme de La largeur d'un puits et de la Largeur d'une barrière, ne dépasse pas 1 environ. L'épaisseur du super-réseau et la tension de commande peuvent ainsi être respectivement de l'ordre de 0,5 micromètre et de L'ordre de 1 V. Selon un mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de L'invention, le super-réseau est compris dans le coeur d'un guide d'ondes lumineuses, ce guide d'onde comportant deux couches entre lesquelles se trouve le coeur et dont les indices optiques respectifs sont inférieurs à l'indice optique du super- réseau. La longueur du guide d'onde est choisie en fonction des besoins (entre autres: taux d'extinction et atténuation à l'état passant souhaités) El Le est ajustable par clivage. Le guide d'onde peut être une diode de type PIN que l'on polarise, dont la région intrinsèque I contient le super-réseau et dont les régions P et N ont des indices optiques inférieurs à l'indice optique du super-réseau. Avec un faisceau lumineux dont La Longueur d'onde est de l'ordre de 1,5 micromètre, on peut par exemple utiliser un super-r Eseau résultant de l'empilement de couches alternées de Ga In As et de AL In As, ou de l'empilement de couches alternées de Ga In As et de In P. Avec un faisceau lumineux dont la longueur d'onde est de l'ordre de 0,8 micromètre, on peut par exemple utiliser un super-réseau résultant de l'empilement de couches alternées de Ga As et de Ga AL As. Bien entendu, pour d'autres fen&tres spectrales, il est possible de trouver d'autres matériaux semiconducteurs pour fabriquer des super- réseaux permettant la mise en oeuvre de L'invention. L'invention a également pour objet un dispositif de modulation de l'intensité d'un faisceau lumineux, ce dispositif comprenant: un élément semiconducteur éLectro-absorbant destine à recevoir le faisceau lumineux, et des moyens de commande prévus pour appliquer à cet élément une tension électrique et pour faire varier l'amplitude de la tension au cours du temps, afin de faire varier l'intensité du faisceau lumineux, dispositif caractérisé en ce que l'éLément électro- absorbant comprend un super-r Eseau très couple dont les couches sont empilées suivant une direction qui constitue la direction de croissance du super-réseau, en ce que le super-réseau est prévu pour guider Le faisceau Lumineux Lorsque celui-ci est injecté dans Le super-réseau paral Lèlement au p Lan des couches de ce super-réseau, en ce que Les moyens de commande sont prévus pour appliquer une tension électrique qui engendre, dans le super-réseau, un champ électrique faib Le et parallèle à La direction de croissance du super-réseau, ce qui provoque l'apparition d'une transition oblique à basse énergie dans un domaine de longueurs d'ondes o Le super-réseau est transparent en L'absence de champ électrique, et en ce que Le super- réseau est tel que La Longueur d'onde du faisceau Lumineux soit contenue dans ce domaine. La présente invention sera mieux comprise à La Lecture de La description d'exemples de réalisation donnés ci-après à titre purement indicatif et nullement Limitatif en référence aux dessins annexés sur Lesque Ls: la figure 1 représente schématiquement une diode de type PIN dont La région intrinsèque I contient un matériau éLectro-absorbant qui interagit avec un faisceau Lumineux dans une configuration de type "perpendiculaire" (A) et dans une configuration de type "ondes guidées" (B), et a déjà été décrite, La figure 2 il Lustre schématiquement la structure de bande d'un matériau semiconducteur massif en l'absence de champ électrique (A) et en présence d'un champ électrique (B), et a déjà été décrite, la figure 3 représente Le spectre d'absorption d'un matériau semiconducteur en L'absence de champ électrique (E= 0) et en présence d'un champ électrique (E* 0), et a déjà été décrite, la figure 4 représente La structure de bande d'un puits quantique en L'absence de champ électrique (A) et en présence d'un champ électrique (B), et a déjà été décrite, la figure 5 représente le spectre d'absorption d'une structure à puits quantiques en l'absence de champ électrique (E= 0) et en présence d'un champ électrique (E#0), et a déjà été décrite, la figure 6 représente les structures de bande respectives d'un puits quantique isolé (A) et d'un super-réseau très couplé (B), et a déjà été décrite, la figure 7 représente la structure de bande d'un superréseau très couplé en présence d'un faible champ électrique dirigé selon la direction de croissance du super-réseau, la figure 8 représente le spectre d'absorption d'un super-réseau très couplé en l'absence de champ électrique (E= 0) et en présence d'un faible champ électrique (EúO), la figure 9 illustre schématiquement un dispositif de modulation conforme à l'invention (A), ce dispositif comprenant une diode PIN, et montre également le profil d'indice optique correspondant (B- I) et le profil de l'intensité de la Lumière guidée par la zone I de la diode PIN (B-II), et la figure 10 représente les variations de l'intensité lumineuse Is à la sortie d'un dispositif du genre de celui de la figure 9, en fonction de la tension de polarisation inverse V appliquée à ce dernier. Sur la figure 7, on a représenté la structure de bande d'un super-réseau très couplé en présence d'un faible champ électrique appliqué selon la direction de croissance du super-réseau Ce dernier a par exemple une épaisseur de l'ordre de 0,5 micromètre et il est soumis à une tension de 1 V, apte à engendrer le champ électrique. L'application du champ électrique entraîne un décalage vers Le bleu du seuil d'absorption du super- réseau Simultanément, des transitions obliques entre puits quantiques voisins apparaissent à plus haute énergie (E) et à plus basse énergie (E) que La + 1 -1 transition fondamentale (E) du super-réseau. O On voit aussi sur la figure 7 les densités de probabilité de présence respectives De et Dt des électrons et des trous, qui autorisent ces transitions obliques. Le spectre d'absorption du super-réseau (variation du coefficient d'absorption a en fonction de la longueur d'onde l) est représenté sur la figure 8, en l'absence de champ électrique (E=O) et en présence du faible champ électrique (EOO). On voit sur cette figure 8 la transition oblique à haute énergie TH et la transition oblique à basse énergie TB qui apparaissent en présence du faible champ électrique. Selon La présente invention, pour réaliser un dispositif de modulation (ou modulateur) d'intensité lumineuse, on utilise, en tant que matériau éLectro- absorbant, un super-réseau très couplé et l'on fait interagir avec ce dernier un faisceau lumineux dans une configuration de type "ondes guidées". A cet effet, on peut réaliser un guide d'ondes dont le coeur contient Le super-réseau, ce dernier étant réalisé de façon que la longueur d'onde If, correspondant au front d'absorption du super-réseau en l'absence de champ électrique, soit inférieure à la longueur d'onde L 1 du faisceau lumineux (longueur d'onde de fonctionnement), et en outre que l'intervalle de longueurs d'onde correspondant à la transition oblique à basse énergie susceptible de se produire dans le super-réseau contienne 11. La longueur d'onde de fonctionnement est donc dans la zone de transparence du super-réseau au repos, c'est-à-dire en l'absence de champ électrique. Par application d'un faible champ électrique selon la direction de croissance du super-réseau, la transition à basse énergie apparalt et rend le super- réseau opaque à la longueur d'onde de fonctionnement Li. Les variations d'absorption obtenues par apparition de la transition oblique à basse énergie -1 sont relativement faibles (quelques centaines de cm). Elles sont nettement moins importantes que celles obtenues par effet Stark confiné quantiquement ou par décalage vers le bleu Néanmoins elles présentent plusieurs avantages: Elles apparaissent dans une région o l'absorption à l'état passant est très faible En utilisant une Longueur de guide d'onde adéquate, on peut donc obtenir un bon taux d'extinction tout en conservant une atténuation à l'état passant faible. EL Les apparaissent pour des champs électriques faibles et donc pour des tensions de commande faibles (typiquement 1 V appliqué à une épaisseur de 0,5 micromètre). Elles permettent un fonctionnement sur une plage spectrale relativement large et permettent donc une grande tolérance de fabrication de modulateurs conformes à l'invention ainsi qu'une optimisation aisée de tels modulateurs. L'utilisation d'un super-réseau très couplé avec une configuration du type "ondes guidées" permet donc de réaliser un modulateur d'intensité lumineuse utilisant la transition oblique à basse énergie et présentant les caractéristiques suivantes simultanément: taux d'extinction élevé, faible atténuation à l'état passant et faible tension de commande. Les matériaux semiconducteurs et les techniques de croissance correspondantes permettant de réaliser un dispositif de modulation conforme à l'invention sont choisis en fonction de La Longueur d'onde de fonctionnement désirée. A titre purement indicatif et nullement Limitatif, pour un fonctionnement autour de 0,8 micromètre, le système de matériaux (puits/barrière) choisi est par exemple Le système (Ga As/Ga Al As) épitaxié par jets moléculaires (MBE) ou par croissance par organo-méta Lliques en phase vapeur (MOCVD) sur un substrat en Ga As; et pour un fonctionnement dans les fenêtres spectrales situées respectivement autour de 1,3 micromètre et de 1,5 micromètre, on peut par exemple choisir Le système (Ga In As/In P) épitaxié par MOCVD sur un substrat en In P, ou bien le système (Ga In As/AL In As) épitaxié par MBE sur un substrat en In P. Dans tous Les cas, on peut optimiser Le composant obtenu, pour un fonctionnement à une Longueur d'onde donnée, par un choix adéquat des épaisseurs et compositions des puits et des barrières. On donne ci-après un exemple de modulateur conforme à L'invention, réalisé dans le système (Ga In As/AL In As). Le schéma de La structure épitaxiée de ce modulateur, le profil d'indice optique correspondant à cette structure et le profit de L'intensité Lumineuse de L'onde guidée sont représentés sur la figure 9 respectivement en A, B-I et B-II. Le modulateur conforme à l'invention, qui est schématiquement représenté sur la figure 9-A comprend une diode 5 de type PIN qui est obtenue par épitaxie et dont La région intrinsèque I comprend un super-réseau très couple, réalisé avec le système (Ga In As/AL In As). La région N de La diode comprend un substrat + 6 en In P-n dont l'épaisseur est par exemple de 80 micromètres et, sur ce substrat, une couche-tampon 8 en AL In As-n de 0,1 micromètre d'épaisseur. Le super-réseau a, dans la diode 5, l'indice optique le plus élevé et comprend 10 couches de Ga In As non intentionnellement dopé de 6 nm d'épaisseur chacune, qui alternent avec 10 couches de AL In As non intentionnellement dopé de 1,5 nm d'épaisseur chacune. La région I comprend aussi deux multicouches 12 et 14 identiques, entre lesquelles est placé le super-réseau et dont l'indice optique est inférieur à celui du super-réseau mais supérieur à ceux des régions N et P, ces derniers indices étant identiques. Chacune des multicouches 12 et 14 comprend 12 couches de Ga In As non intentionnellement dopé de 2,7 nm d'épaisseur chacune, qui alternent avec 12 couches de AL In As non intentionnellement dopé de 3,7 ne d'épaisseur chacune. La région P de La diode comprend une couche de confinement 16 en AL In Asp de 2 micromètres d'épaisseur La région P comprend en outre, sur La couche 16, une couche de contact 18 en Ga In As-p+ de 0,1 micromètre d'épaisseur. On a indiqué sur la figure 9-A la direction Z de croissance du superréseau Cette direction Z est perpendiculaire au plan des couches du super-réseau. Des couches métalliques 20 et 22, par exemple en or, sont respectivement déposées sur la face Libre du substrat 6 et sur la face libre de la couche 18 Des moyens de commande 24 appropriés sont prévus pour appliquer, entre les électrodes constituées par les couches métalliques 20 et 22, une tension électrique variable v. Dans la diode 5, le champ électrique dans la région I non intentionnellement dopée n'est pas nu L lorsque v=O mais est égal au champ électrique auto- construit Il devient nul pour une tension de polarisation vl égale ici à 0,5 V Un champ faible, parallèle à Z, est appliqué à La région I en faisant varier la tension v de v 1 =-0,5 V à v 2 =+ 0,5 V, ce qui correspond à une excursion de 1 V Par convention, les tensions de polarisation sont comptées positivement dans le régime inverse ela diode. Dans le domaine de la transmission de signaux numériques sous forme optique, les moyens 24 sont prévus pour faire passer v de vl à v 2 et inversement. La structure représentée sur la figure 9-A est adaptée à la modulation d'un faisceau lumineux 26 polarisé rectilignement dans le plan des couches (fonctionnement TE), dont la longueur d'onde est de l'ordre de 1, 5 micromètre Ce faisceau 26 est produit par un moyen approprié, par exemple une diode-Laser (non représentée), et injecté, perpendiculairement à la direction Z et au niveau du super-réseau 10, dans L'une des faces de la diode 5, face qui est parallèle à cette direction Z, de telle sorte que le maximum de l'intensité lumineuse injectée se situe au niveau de ce super-réseau (figure 9-B-II). Lorsque v est égale à vl, te super-réseau est transparent et La lumière injectée le traverse, avec une très faible absorption Au contraire, lorsque v est égale à v 2, le super-réseau devient opaque. Les deux couches 12 et 14 permettent ici d'augmenter le confinement optique c'est-à-dire le pourcentage de l'énergie lumineuse contenue dans le super-réseau, dans la configuration "ondes guidées". Cependant, le super-réseau (électro- absorbant) pourrait aussi bien occuper toute La région intrinsèque I et les couches 12 et 14 seraient alors supprimées. On a réalisé des guides d'ondes plans en forme de rubans d'une largeur de 100 micromètres en gravant jusqu'au substrat une structure massive PIN du genre de celle de La figure 9-A Des électrodes ont ensuite été déposées du côté P et du côté N Ceci a permis d'obtenir par clivage, en plusieurs exemplaires, un guide d'onde d'une Longueur de 560 micromètres. Les caractéristiques de ce guide d'onde utilisé en tant que dispositif de modulation sont données sur la figure 10 o l'on voit la courbe des variations de l'intensité lumineuse Is en sortie de ce dispositif, exprimée en unités arbitraires, en fonction de la tension inverse V que l'on applique à la diode PIN du dispositif pour polariser cette diode. Un taux d'extinction de 20 d B ( 99 X) a été obtenu avec un faisceau lumineux polarisé rectilignement dans Le plan des couches du super-réseau (TE), de Longueur d'onde égale à 1,55 micromètre, et une tension électrique de commande éga Le à IV. L'atténuation à l'état passant, qui a été mesurée par ailleurs, est inférieure à 3 d B. Des guides-rubans étroits (à confinement bidimensionnel) peuvent être aisément obtenus en réduisant La Largeur des rubans qui ont été gravés. REVENDICATIONS 1 Procédé de modulation de l'intensité d'un faisceau lumineux, ce procédé comprenant: l'injection du faisceau lumineux dans un élément semiconducteur électro-absorbant, et l'application, à cet élément, d'un champ électrique dont on fait varier l'amplitude au cours du temps afin de faire varier l'intensité du faisceau Lumineux, procédé caractérisé en ce que l'élément électro- absorbant comprend un super-réseau ( 10) très couplé dont les couches sont empilées suivant une direction (Z) qui constitue la direction de croissance du super- réseau, en ce que le faisceau lumineux est injecté dans le super-réseau paral Lèlement au plan des couches de ce super-réseau, en ce que ce dernier est prévu pour guider le faisceau lumineux ainsi injecté, en ce que le champ électrique est faible et appliqué suivant la direction de croissance du super-réseau, ce qui provoque l'apparition d'une transition oblique à basse énergie dans un domaine de longueurs d'ondes o Le superréseau est transparent en l'absence de champ électrique, et en ce que le super-réseau ( 10) est tel que la Longueur d'onde ( 11) du faisceau lumineux soit contenue dans ce domaine. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur du super-réseau est de l'ordre de 0,5 micromètre et en ce que le champ électrique est obtenu pour une tension de commande de l'élément de l'ordre de 1 V. 3 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le super- réseau ( 10) est compris dans le coeur (I) d'un guide d'ondes lumineuses, ce guide d'onde comportant deux couches (P, N) entre Lesquelles se trouve le coeur et dont Les indices optiques respectifs sont inférieurs à L'indice optique du super-réseau ( 10). 4 Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que Le guide d'onde est une diode de type PIN que l'on polarise, dont la région intrinsèque I contient le super-réseau et dont les régions P et N ont des indices optiques inférieurs à l'indice optique du super-réseau ( 10). 5 Procédé selon l'une quelconque des revendications I à 4, caractérisé en ce que la longueur d'onde du faisceau lumineux est de l'ordre de 1,5 micromètre et en ce que Le super-réseau est un empilement de couches alternées de Ga In As et de AL In As. 6 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que La Longueur d'onde du faisceau Lumineux est de L'ordre de 1,5 micromètre et en ce que Le super-réseau est un empilement de couches alternées de Ga In As et de In P. 7 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la longueur d'onde du faisceau lumineux est de L'ordre de 0,8 micromètre et en ce que le super-réseau est un empilement de couches alternées de Ga As et de Ga AL As. 8 Dispositif de modulation de l'intensité d'un faisceau lumineux, ce dispositif comprenant: un élément semiconducteur électro-absorbant destiné à recevoir Le faisceau lumineux, et des moyens de commande ( 24) prévus pour appliquer à cet élément une tension électrique et pour faire varier L'amp Litude de La tension au cours du temps, afin de faire varier l'intensité du faisceau lumineux, dispositif caractérisé en ce que l'élément électro- absorbant comprend un super-réseau ( 10) très couplé dont Les couches sont empilées suivant une direction (Z) qui constitue la direction de croissance du super- réseau, en ce que Le super-réseau est prévu pour guider le faisceau lumineux Lorsque celui-ci est injecté dans Le super-réseau para LlèLement au plan des couches de ce super-réseau, en ce que Les moyens de commande ( 24) sont prévus pour appliquer une tension électrique qui engendre, dans Le super-réseau, un champ électrique faible et parallèle à la direction de croissance du super-réseau, ce qui provoque l'apparition d'une transition oblique à basse énergie dans un domaine de Longueurs d'ondes o le super-réseau est transparent en l'absence de champ électrique, et en ce que le super- réseau ( 10) est tel que la longueur d'onde (L 1) du faisceau lumineux soit contenue dans ce domaine.