FR 2659810 A1 19910920 FR 9003508 A 19900316 INTERRUPTEUR STATIQUE MOYENNE TENSION. L'invention concerne un interrupteur statique moyenne tension comportant une pluralité de semi-conducteurs de puissance commandables en tension, comportant chacun une grille, une source et un drain, connectés en série avec une impédance de charge aux bornes d'une tension d'alimentation, et un dispositif de commande constituant avec lesdits semi-conducteurs une pluralité d'étages comportant chacun un des semi-conducteurs. Les dispositifs connus constitués par la mise en série de transistors MOS de puissance sont commandés par l'intermédiaire de transformateurs d'impulsions Ce type de commande n'est pas adapté à la commande en statique, c'est à dire à très faible fréquence. L'invention a pour but un interrupteur statique moyenne tension pouvant fonctionner aussi bien en statique qu'à moyenne fréquence (jusqu'à 1 M Hz environ) et ne possédant qu'une seule commande et une seule alimentation. Selon l'invention ce but est atteint par le fait que le dispositif de commande comporte une entrée de commande unique constituée par des première et seconde bornes de commande respectivement connectées à la source et à la grille du semi- conducteur d'un premier étage, de rang un, un condensateur et une diode étant connectés en parallèle entre les grilles de deux semi-conducteurs de puissance adjacents, lesdites diodes étant polarisées en inverse lorsque l'interrupteur est ouvert. Un tel interrupteur, à ligne de commande capacitive constituée par lesdits condensateurs et la capacité interne grille-drain du semi- conducteur du dernier étage, permet de commuter très rapidement des tensions relativement élevées, la vitesse de commutation étant très proche de celle d'un transistor individuel Le nombre de semi-conducteurs, de préférence de type MOS, connectés en série est fonction de la tension d'alimentation et de la tension drain-source Vds maximale admissible A titre d'exemple deux semi-conducteurs seront utilisés pour une tension d'alimentation de 380 V, trois pour une tension de 1500 V, cinq pour une tension de 2000 à 2500 V si la tension Vds maximale est de 500 V. Selon un perfectionnement de l'invention, chaque étage de rang supérieur à un comporte un circuit de détection à l'entrée duquel est appliquée une tension représentative de la tension drain-source du semi-conducteur de puissance de l'étage de rang inférieur adj acent, la sortie du circuit de détection étant connectée à la grille d'un premier semi-conducteur connecté entre la source et la grille du semi-conducteur de puissance dudit étage de rang supérieur à un, de manière à bloquer ce dernier semi- conducteur de puissance lorsque ladite tension drain-source dépasse un seuil prédéterminé. Un tel circuit de détection comporte de préférence des première et seconde résistances connectées en série entre les grilles des semi- conducteurs de puissance dudit étage de rang supérieur à un et de l'étage de rang inférieur adjacent, un condensateur étant connecté en parallèle sur la première résistance et une diode Zener en parallèle sur la seconde résistance, la tension aux bornes de la seconde résistance constituant la tension de sortie du détecteur. Lorsque le nombre d'étages augmente, le courant dans la charge est limité par la tension de commande Selon un perfectionnement de l'invention, pour permettre la commutation d'un courant du même ordre de grandeur que le courant nominal acceptable par les semi-conducteurs de puissance, chaque étage comporte un régulateur de tension destiné à limiter la tension grille-source appliquée au semi-conducteur de puissance dudit étage. Un tel régulateur de tension comporte de préférence une première borne d'entrée, connectée à la cathode de la diode associée à l'étage pour les étages de rang supérieur à un, et à la seconde borne de commande pour l'étage de rang un, une seconde borne, d'entrée-sortie, connectée au drain du semi-conducteur de puissance de l'étage considéré, et une troisième borne, de sortie, connectée à la grille du semi-conducteur de puissance de l'étage considéré. Afin d'égaliser les tensions drain-source des semi-conducteurs de puissance des différents étages une résistance est de préférence connectée en parallèle sur le condensateur et la diode connectant les grilles de deux semi-conducteurs de puissance adjacents, et une résistance additionnelle est connectée entre la grille et le drain du semi-conducteur de puissance de l'étage de rang le plus élevé. D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modeeparticuliers de réalisation de l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 illustre un interrupteur selon l'invention. La figure 2 représente une variante de l'interrupteur selon l'invention. La figure 3 représente un mode particulier de réalisation d'un détecteur de tension d'un interrupteur selon la figure 2. La figure 4 représente un perfectionnement à l'interrupteur selon la figure 3. La figure 5, illustre un mode particulier de réalisation d'un régulateur de tension d'un interrupteur selon la figure 4. La figure 6 représente un module standard de commande d'un étage d'un interrupteur. Les figures 7 et 8 illustrent un mode particulier de réalisation des condensateurs Ci et des résistances ri de chaque étage. La figure 9 représente un mode particulier de réalisation d'un interrupteur à cinq étages utilisant des modules standards selon la figure 6. Sur les figures 1 i A et 1 OL sont représentées les formes d'onde de divers signaux d'un interrupteur selon la figure 9 lors de sa fermeture, les figures 11 A à 11 L illustrent les formes d'onde des mêmes signaux lors de l'ouverture de l'interrupteur. Sur la figure 1, l'interrupteur comporte trois transistors de puissance MO 51, MO 52 et MO 53, de type MOSFET, connectés en série avec une résistance de charge Rc entre la masse et une tension d'alimentation U Un condensateur C 2 est connecté entre les grilles des transistors MO 51 et MO 52 des premier et second étages, et un condensateur C 3 entre les grilles des transistors MO 52 et MO 53 des second et troisième étages Une diode D 2 est connectée en parallèle sur le condensateur C 2 et une diode D 3 en parallèle sur le condensateur C 3 Sur la figure, les transistors sont des MOS de type N, la tension d'alimentation U est positive par rapport à la masse et l'anode de la diode D 2 est connectée à la grille du transistor MO 51, l'anode de la diode D 3 étant connectée à la grille du transistor MO 52 Des bornes 1 et 2 de commande de l'interrupteur sont respectivement connectées à la source et à la grille du transistor MO 51. L'interrupteur étant ouvert, les transistors MO 51,MO 52 et MO 53 bloqués, l'application d'une tension de commande Vco positive entre les bornes de commande provoque la conduction des transistors et, en conséquence, la fermeture de l'interrupteur. En effet, l'impulsion de commande est transmise aux grilles des transistors par la ligne de commande capacitive, constituée par les condensateurs C 2 et C 3 et par la capacité interne grille- drain du transistor MO 53, et l'application d'une tension grille- source Vgs supérieure a sa tension de seuil S rend conducteur le transistor concerné Le transistor MO 51 conduisant, le condensateur C 2 se décharge à travers la capacité interne grille-source du transistor MO 52 et la jonction drain-source du transistor MO 51 Il en va de même pour les étages supérieurs, le condensateur C 3 se déchargeant à travers la capacité interne grille-source du MO 53 et les jonctions drain-source des MO 52 et MO 51 Le potentiel de la source de chacun des transistors est ramené sensiblement à la masse du fait de la conduction des étages inférieurs. Les capacités grille-source des transistors des étages supérieurs sont ensuite maintenus chargées, à une tension grille-source Vgs suffisante pour garantir la conduction des transistors, par un courant traversant la diode D 2 pour le MO 52, et les diodes D 2 et D 3 pour le MO 53 En effet, après la période transitoire de fermeture de l'interrupteur, les tensions grille-source des transistors MO 52 et MO 53 sont respectivement fixées par: Vgs 2 = Vco Vd 2 Vdsl ( 1) Vgs 3 = Vco Vd 2 Vd 3 Vdsl Vds 2 ( 2) Vdsl et Vds 2 étant respectivement les tensions drain-source des transistors MO 51 et MO 52, Vd 2 et Vd 3 les tensions aux bornes des diodes D 2 et D 3. Pour bloquer les transistors et ouvrir l'interrupteur, la tension Vco de commande est ramenée à zéro le transistor MO 51, dont la tension grillesource est ramenée à zéro, se bloque Les tensions grille-source des transistors MO 52, et MO 53 sont alors données par: Vgs 2 = Vc 2 Vdsl ( 3) Vgs 3 = Vc 2 + Vc 3Vdsl Vds 2 ( 4) Vc 2 et Vc 3 étant respectivement les tensions aux bornes des condensateurs C 2 et C 3. Or, à l'instant du blocage les condensateurs C 2 et C 3, qui étaient court-circuités respectivement par les diodes D 2 et D 3, sont chargés à des tensions Vc 2 et Vc 3 voisines de -0,7 V, tandis que les capacités internes drain-source des transistors MO 51 et MO 52 sont chargées à des tensions Vdsl et Vds 2 qui sont typiquement voisines de 5 V Une tension grille-source négative (-5,7 V) est donc appliquée aux transistors MOS des étages supérieurs qui se bloquent. En raison des tolérances des différents composants, tous les transistors ne se bloquent pas vraiment simultanément Si l'un des transistors se bloque plus rapidement que les autres, il voit la totalité de la tension d'alimentation entre ses électrodes drain et source Si la tension d'alimentation est supérieure à sa tension de claquage, une diode Zener de puissance (Zl,Z 2,Z 3, figure 2), de type transit, est disposée en parallèle entre le drain et la source du transistor de puissance associé de manière à le protéger Ces diodes servent également à écrêter les surtensions produites par l'ouverture de l'interrupteur dans le cas d'une charge inductive La diode Zener peut être remplacée par un circuit d'aide à la commutation constitué par un réseau RCD. Le circuit de commande à ligne de commande capacitive selon la figure 1, permet d'ouvrir et de fermer très rapidement l'interrupteur Cependant son immunité aux fortes variations de la tension d'alimentation n'est pas parfaite et cette immunité peut être améliorée de la manière décrite en référence aux figures suivantes. Selon un premier perfectionnement du circuit selon la figure 1, représenté à la figure 2, le blocage du transistor de puissance de chaque étage supérieur (ikl) est assuré par un transistor MOS,T 1, connecté en parallèle sur la jonction grille-source du transistor de puissance associé Lorsque le transistor Tl conduit, il court-circuite la grille et la source du transistor de puissance associé qui se bloque La grille du transistor Tl est connectée à la sortie d'un détecteur de tension 3 Ce dernier reçoit en entrée une tension représentative de la tension drain- source Vds de l'étage inférieur (i-1). Dans le mode particulier de réalisation du détecteur 3 représenté a la figure 3, une tension d'entrée Ve, représentative de la tension Vds de l'étage inférieur, est appliquée aux bornes d'entrée du détecteur Un diviseur de tension, comportant deux résistances Rl et R 2 en série, est connecté entre ces bornes d'entrée La tension aux bornes de l'une des résistances, R 2 sur la figure, forme la tension de sortie du détecteur appliquée entre la grille et la source du transistor Tl Le transistor Tl devient conducteur dès que sa tension grille-source dépasse sa tension seuil, c'est à dire des que la tension Ve appliquée à l'entrée du détecteur dépasse un seuil prédéterminé Une diode Zener DZ 1, disposée en parallèle sur la résistance R 2, protège la jonction grille-source du transistor Tl Un condensateur Cd, en parallèle sur la résistance Rl, améliore la réponse dynamique du détecteur. Dans le mode de réalisation selon la figure 2, le transistor Tl est un transistor MOS de type P dont la source et le drain sont respectivement connectés à la grille et à la source du transistor de puissance, MO 52 ou MO 53, associé Les bornes d'entrée du détecteur 3 du second étage, associé au transistor de puissance MO 52, sont connectées respectivement à la grille du transistor MO 52 et à la source du transistor MO 51 de l'étage inférieur La tension Ve d'entrée du détecteur est donnée par: Ve = Vdsl + Vgs 2 ( 5) Lorsque l'interrupteur est fermé, les transistors MO 51 et MO 52 conduisent La tension Vdsl est de l'ordre du volt, la tension Vgs 2 voisine de 15 V Le diviseur de tension du détecteur est tel que la tension aux bornes de la résistance R 2 est alors inférieure au seuil de déclenchement du transistor Tl qui est donc bloqué Lorsque la tension de commande Vco est ramenée à zéro, le transistor de puissance MO 51 du premier étage se bloque et sa tension Vdsl augmente très rapidement Il en va de même de la tension Ve et dès que celle-ci dépasse un seuil prédéterminé correspondant au dépassement de la tension de déclenchement du transistor Tl par la tension de sortie du détecteur 3, le transistor Tl devient conducteur et court-circuite le transistor de puissance MO 52 qui se bloque La tension Vds 2 augmente alors très rapidement et cette augmentation est détectée par le détecteur 3 du troisième étage, associé au transistor de puissance MO 53 le détecteur du troisième étage rend conducteur le transistor Tl associé, qui court-circuite la grille et la source du transistor MO 53, le bloquant à son tour En position d'ouverture de l'interrupteur, les transistors Tl restent conducteurs et bloquent en permanence les transistors de puissance des étages supérieurs. Le nombre d'étages de l'interrupteur est fonction de la tension d'alimentation U A titre d'exemple, pour une tension U de 1200 V, un interrupteur à trois étages peut être réalisé avec des transistors MOS de puissance dont la tension Vds maximum est de l'ordre de 500 V Pour une tension d'alimentation de 2000 V à 2500 V on utilisera cinq étages en série. Lorsqu'un échelon de tension est appliquée à l'entrée de commande Vco, il est transmis par la ligne capacitive aux étages supérieurs avec une atténuation d'amplitude Si les capacités des condensateurs de la ligne capacitive sont égales, pour un interrupteur à trois étages, l'atténuation est telle que la tension Vgsl appliquée au 1 er étage est égale à Vco, la tension Vgs 2 est 2 Vco/3 et la tension Vgs 3 de Vco/3 A titre d'exemple, si Vco= 15 V, lors de l'application de la tension de commande on obtient Vgsl= 15 V, Vgs 2 = 10 V et Vgs 3 = 5 V En pratique, l'atténuation est légèrement supérieure à sa valeur théorique et la tension Vgs 3 peut être encore plus faible, de l'ordre de 3 V. Pour propager par la ligne capacitive une tension non négligeable non seulement sur le 2 ème étage, mais également sur les étages supérieurs, il faut donc une tension de commande Vco élevée. Par ailleurs, après la période transitoire de fermeture, lorsque tous les transistors de puissance sont conducteurs, la tension Vgsi du transistor de puissance du ième étage est donné par: Vgsi = Vco (Vd + Rdson Ich) (i-1) ( 6) ou Rdson est la résistance drain-source d'un transistor de puissance à l'état passant, Ich le courant de charge traversant l'interrupteur et Vd= 0,7 V la tension aux bornes de la diode Di (D 2,D 3) associée à l'étage. Pour maintenir conducteurs les transistors de puissance de tous les étages, il est indispensable que la tension Vgsi du dernier étage soit supérieure à la tension grille-source minimum de déclenchement du transistor de puissance considéré Pour un transistor de puissance de type donné, le courant de charge et la tension d'alimentation U, fixant le nombre minimum d'étages, étant prédéterminés, ceci implique l'utilisation d'une tension de commande Vco minimum, conformément à l'équation ( 6). A titre d'exemple, si Rdson= 0,4 Ohms, Vgs= 8 V pour Ich= 13 A, la tension de commande Vco minimum à appliquer à un interrupteur à cinq étages est de 32 V Or, cette tension qui est appliquée à la grille du premier étage est supérieure à la tension Vgsl admissible par le transistor MO 51. Si la tension Vco de commande est limitée à une tension admissible par le transistor de puissance MO 51 du premier étage, par exemple 15 V, le courant de charge maximal pouvant être obtenu tout en maintenant la tension Vgs 5 du cinquième étage à une valeur suffisante, par exemple 6 V, est, selon l'équation ( 6), de 3,8 A. La tension de commande Vco doit donc être suffisamment élevée pour permettre l'obtention d'un courant de charge prédéterminé 1 O avec un nombre minimum d'étages fixé par la tension d'alimentation. Lorsque la tension de commande Vco nécessaire est supérieure à la tension Vgsl admissible par le premier étage, il est nécessaire de protéger la jonction grille-source du transistor de puissance du premier étage Cette protection pourrait être réalisée au moyen d'une diode Zener appropriée interposée entre la grille du transistor MO 51 et la borne de commande 2 de l'interrupteur, une résistance étant connectée entre la grille et la source du transistor MO 51. Cependant, dans les étages supérieurs la tension Vgs est fonction du courant de charge, conformément cà l'équation ( 6) Si l'on reprend l'exemple d'un interrupteur à cinq étages pour lequel la tension de commande Vco est de 32 V, on a, pour un courant de charge de 13 A, Vgs 5 = 8,4 V Par contre, à vide (Ich=o), Vgs 5 = 29,2 V, Vgs 4 = 29,9 V, Vgs 3 = 31,4 V et Vgs 2 = 31,3 V Dans ce cas, il est nécessaire de protéger également les jonctions grille- source des transistors de puissance de tous les étages supérieurs pour des courants de drain faibles, sans limiter la tension Vgs pour des courants de drain forts On ne peut alors utiliser une diode Zener seule. Selon un perfectionnement de l'invention chaque étage, y compris le premier, comporte un régulateur de tension 4 destiné à réguler la tension grille-source de commande appliquée au transistor de puissance de l'étage (figure 4). Un mode de réalisation particulier du régulateur 4 est illustré à la figure 5 La tension d'entrée Ven du régulateur est appliquée entre une première borne 5 d'entrée et une seconde borne 6, d'entrée-sortie, au montage en série d'une résistance R 3 et d'une diode Zener DZ 2 La première borne 5 est connectée à une troisième borne 7, de sortie, par l'intermédiaire d'un transistor T 2, dont l'électrode de commande est reliée au point commun à la résistance R 3 et à la diode Zener DZ 2 Le transistor T 2 est de préférence un transistor de type MOSFET Tant que la tension d'entrée Ven est inférieure à la tension Vz de la diode Zener DZ 2, la tension Vgs de sortie suit sensiblement linéairement la tension d'entrée, la différence entre les deux tensions correspondant sensiblement à la tension grille-source, par exemple 5 V, du transistor T 2 Lorsque la tension d'entrée atteint ou dépasse la tension Vz, la tension de sortie reste constante et égale à la différence entre la tension Vz et la tension grille-source du transistor T 2 Pour améliorer le dynamique du régulateur, un condensateur Cr peut être disposé en parallèle sur la résistance R 3. Comme représenté sur la figure 4, la borne d'entrée 5 du régulateur 4 du premier étage est connectée à la borne de commande 2 et pour les étages de rang supérieur à un, à la cathode de la diode associée à cet étage: cathode de D 2 pour le second étage comportant le transistor MO 52, cathode de D 3 pour le troisième étage comportant le transistor MO 53 Les bornes 6 d'entrée-sortie et 7 de sortie du régulateur sont respectivement connectées à la source et à la grille du transistor de puissance de l'étage. La figure 6 illustre un module 8 standard de commande d'un étage supérieur d'un interrupteur, combinant un détecteur de tension selon la figure 3 et un régulateur selon la figure 5, et la figure 9 représente un interrupteur à cinq étages comportant un tel module standard pour la commande de ses second, troisième, quatrième et cinquième étages, le premier étage ne comportant pas de détecteur mais uniquement un régulateur 4. Le module standard 8 comporte deux bornes de contrôle destinées à être connectées respectivement à la source et à la grille du transistor de puissance MO Si de l'étage correspondant, d'ordre i, i étant supérieur à 1 Ces bornes de contrôle sont respectivement connectées aux bornes de sortie 6 et 7 du régulateur 4 ainsi qu'au drain et à la source du transistor Tl. Une résistance R 4 et une diode Zener DZ 3 sont, de manière classique, disposées en parallèle entre ces bornes de contrôle pour protéger le transistor de puissance associé contre les surtensions et contre les perturbations extérieures Chaque module comporte une borne d'entrée 9 connectée à une borne de sortie 10 par la diode Di de l'étage correspondant La borne d'entrée 9 du module 8 d'un étage est connectée à la borne de sortie 10 du module 8 de l'étage inférieur, la borne d'entrée du module du second étage étant connectée à l'entrée de commande 2. Un module standard comporte une seconde borne de sortie 11, connectée à la première borne de sortie 10 par l'intermédiaire d'une résistance R 5 Cette borne de sortie 11 est utilisée, en remplacement de la borne de sortie 10, pour le module de l'étage le plus élevé Ainsi sur la figure 9, la sortie 11 du module 8 du cinquième étage est connectée au drain du transistor de puissance MO 55 On pourrait bien entendu concevoir des modules différents pour les étages intermédiaires (deuxième, troisième et quatrième étages sur la figure 9) et pour l'étage supérieur (cinquième étage sur la figure 9), mais la prévision des deux bornes de sortie 10 et 11 permet de n'avoir qu'un seul module, standard, pour tous les étages, sauf le premier. Dans le module 8, la tension d'entrée Ve du détecteur de tension 3 n'est pas, comme dans les figures 2 et 4, mesurée directement entre la grille du transistor de puissance de l'étage et la source du transistor de puissance de l'étage inférieur adjacent. En effet, le détecteur 3 de l'étage i intervenant pour détecter une augmentation de la tension Vds (i-1) du transistor de puissance de l'étage inférieur adjacent lorsque celui-ci se bloque, c'est à dire lorsque la tension Vgs (i-1) s'annule, la tension entre grilles des transistors de puissance de deux étages adjacents est également représentative de la tension Vds (i-1) et peut être utilisée comme tension d'entrée Ve du détecteur Dans le mode de réalisation particulier des figures 6 et 9, comportant de plus un régulateur 4 par étage, on utilise comme tension d'entrée du détecteur 3 d'un étage i (i 1)>, la tension entre les grilles des transistors de puissance des étages i et i- 1 diminuée de la tension drain-source, sensiblement constante, du transistor T 2 du régulateur 4 de l'étage i-i Cette disposition permet à chaque module de n'avoir qu'une borne d'entrée ( 9) destinée à être connectée au module de l'étage inférieur, tout en intégrant dans le module la diode Di de l'étage De plus, lors de la fermeture de l'interrupteur, il est nécessaire que les transistors Tl se bloquent le plus rapidement possible Or, avec le mode de réalisation représenté sur les figures 6 et 9, le condensateur Cd du détecteur 3, qui en position d'ouverture de l'interrupteur, est chargé à une tension élevée, se décharge à travers la résistance R 2 lorsqu'une tension de commande Vco positive est appliquée à l'interrupteur, appliquant ainsi une impulsion négative de tension aux bornes de la résistance R 2, qui bloque instantanément le transistor Tl. Le module standard 8 comporte pour chaque étage i (ie 1) non seulement le détecteur 3, le régulateur 4 et la diode Di, mais également le condensateur Ci et une résistance ri disposée en parallèle sur le condensateur Ci et la diode Di (figure 8). En effet, comme illustré sur la figure 7, dans chaque module, le condensateur Ci est réalisé par la combinaison des condensateurs Cd et Cr et des capacités internes des transistors Tl et T 2 De même des résistances ri sont réalisées par la mise en série des résistances Rl R 2 et de la diode interne du transistor T 2 (transistor de type MOSFET). Les résistances ri forment avec la résistance R 5 du dernier étage un pont diviseur destiné à égaliser les tensions appliquées sur les différents étages Leurs valeurs, de l'ordre du mégohm, sont suffisamment grandes pour que le courant de fuite soit négligeable. Les figures 10 A à 1 OL représentent les formes d'onde à la fermeture de l'interrupteur des tensions Vgsl à Vgs 5, Vdsl à Vds 5 et de la tension Vi aux bornes de l'interrupteur à cinq étages selon la figure 9, alimenté par une tension d'alimentation U de 2500 V et commandé par une tension Vco passant de OV à 1 ' instant to à 30 V en 100 ns. Les figures 11 A à 11 L représentent les formes d'onde des mêmes tensions lors de l'ouverture de l'interrupteur, lorsque la tension de commande Vco est ramenée à zéro en 100 ns. A la fermeture de l'interrupteur (figures 1 OA à 1 OL), la tension de commande Vco est transmise par la ligne capacitive avec une atténuation d'amplitude d'autant plus importante que l'étage est élevé La tension Vgsl augmente donc plus rapidement que les tensions Vgs 2 à Vgs 5 et atteint la première, à l'instant ti, la tension de seuil S du transistor de puissance correspondant, provoquant ainsi l'enclenchement du transistor MO 51 à l'instant t 2, avec t 2-tl=td(on) Les transistors de puissance des étages supérieurs s'enclenchent successivement lorsque leur tension Vgs atteint la tension de seuil S Les tensions Vgsl a Vgs 5 sont limitées à 15 V par les régulateurs 4. A l'ouverture de l'interrupteur (figures 11 A à 11 L), la diminution de la tension de commande Vco à partir de l'instant t 3 entraîne une diminution correspondante de la tension Vgsl à partir de l'instant t 4 (retard du au régulateur 4) Lorsque celle-ci passe au-dessous du seuil S à l'instant t 5, le transistor MO 51 se bloque L'augmentation de la tension Vdsl est détectée par le détecteur 3 du second étage, et lorsque la tension Vds 1 atteint un seuil s, le détecteur commande l'enclenchement du transistor Ti associé qui court-circuite la jonction grille-source du MO 52 A l'instant t 6, Vgs 2 passe au dessous du seuil S et bloque le transistor MO 52 Ce processus continue jusqu'au blocage de tous les transistors de puissance. Entre l'instant t 4 et l'enclenchement du transistor Ti de l'étage, les capacités grille-source des transistors de puissance des étages supérieurs se déchargent lentement dans la résistance R 4 associée. L'invention permet de commuter très rapidement des tensions importantes pour un courant élevé A titre d'exemple, un interrupteur à cinq étages selon la figure 9, réalisé en composants discrets, comportent des transistors de puissance MOSFET de type IRF 450, alimenté par une tension d'alimentation de 2000 V, a permis de commuter un courant de 13 A avec un temps de fermeture de l'interrupteur de 200 ns et un temps d'ouverture de 320 ns. Pour réduire l'influence des inductions parasites dues aux longueurs des pattes des composants et à la longueur des pistes de circuit imprimé, eten conséquence obtenir des meilleures performances en ce qui concerne les temps de commutation, le dispositif de commande de l'interrupteur sera de préférence réalisé en circuit hybride Le module standard selon la figure 6 a plus particulièrement été étudié en vue de sa réalisation en circuit hybride. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-dessus En particulier les transistors de puissance peuvent être constitués par tout type de semi-conducteur commandé en tension, par exemple par des transistors de type IGBT. De même, les transistors de puissance peuvent être constitués par des MOS de type P et non des MOS de type N comme dans les modes particuliers de réalisation représentés, le premier étage étant alors connecté à la borne positive de la tension d'alimentation. La résistance de charge Rc peut, quant à elle, être connectée entre la borne négative de la tension d'alimentation et la source du transistor MO 51, la tension Vco de commande restant appliquée entre la grille et la source du MO 51. Un condensateur, de même valeur que les condensateurs C 2 à C 5 des différents étages peut être connecté entre la grille et la source du semiconducteur de puissance du dernier étage pour compléter la ligne capacitive et équilibrer les tensions Dans la pratique un tel condensateur n'est pas nécessaire, la capacité interne grille-drain du semi-conducteur de puissance du dernier étage s'avérant suffisante. REVENDICATIONS 1 Interrupteur statique moyenne tension comportant une pluralité de semiconducteurs de puissance commandables en tension (MO 51-MO 55), comportant chacun une grille, une source et un drain, connectés en série avec une impédance de charge (Rc) aux bornes d'une tension d'alimentation (U), et un dispositif de commande constituant avec lesdits semi- conducteurs une pluralité d'étages comportant chacun un des semi- conducteurs, interrupteur caractérisé en ce que le dispositif de commande comporte une entrée de commande unique constituée par des première et seconde bornes de commande ( 1,2) respectivement connectées à la source et à la grille du semi-conducteur (MO 51) d'un premier étage, de rang un, un condensateur (C 2-C 5) et une diode (D 2-D 5) étant connectés en parallèle entre les grilles de deux semi-conducteurs de puissance adjacents, lesdites diodes étant polarisées en inverse lorsque l'interrupteur est ouvert. 2 Interrupteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une diode Zener (Z 1-Z 5) est connectée en parallèle entre la source et le drain de chaque semi-conducteur de puissance (MO 51- MO 55). 3 Interrupteur selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que chaque étage de rang (i) supérieur à un comporte un circuit de détection ( 3) à l'entrée duquel est appliquée une tension (Ve) représentative de la tension drain- source (Vds) du semi-conducteur de puissance (MO Si-1) de l'étage de rang inférieur (i-1) adjacent, la sortie du circuit de détection ( 3) étant connectée à la grille d'un premier semi- conducteur (Tl) connecté entre la source et la grille du semi- conducteur de puissance (MO Si) dudit étage de rang supérieur à un, de manière à bloquer ce dernier semi-conducteur de puissance (MO Si) lorsque ladite tension drain-source (Vds) dépasse un seuil (s) prédéterminé. 4 Interrupteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le circuit de détection ( 3) comporte des première (Ri) et seconde (R 2) résistances connectées en série entre les grilles des semi-conducteurs de puissance (MO Si et MO Si-1) dudit étage de rang (i) supérieur à un et de l'étage de rang inférieur adjacent, un condensateur (Cd) étant connecté en parallèle sur la première résistance et une diode Zener (DZ 1) en parallèle sur la seconde résistance (R 2), la tension aux bornes de la seconde résistance constituant la tension de sortie du détecteur. Interrupteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que chaque étage comporte un régulateur de tension ( 4) destiné à limiter la tension (Vgs) grille-source appliquée au semi-conducteur de puissance dudit étage. 6 Interrupteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le régulateur de tension ( 4) comporte une première borne ( 5), d'entrée, connectée à la cathode de la diode (Di) associée à l'étage pour les étages de rang (i) supérieur à un, et à la seconde borne de commande ( 2) pour l'étage de rang un, une seconde borne ( 6), d'entrée-sortie, connectée au drain du semi- conducteur de puissance de l'étage considéré, et une troisième borne ( 7), de sortie, connectée à la grille du semi-conducteur de puissance de l'étage considéré. 7 Interrupteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que le régulateur de tension ( 4) comporte un second semi-conducteur (T 2) connecté entre ses première ( 5) et troisième ( 7) bornes, une troisième résistance (R 3) connectée en série avec une diode Zener (DZ 2) entre ses première ( 5) et seconde ( 6) bornes, l'électrode de commande du second semi-conducteur (T 2) étant connectée au point commun à ladite diode Zener (DZ 2) et à la troisième résistance (R 3), de manière à limiter la tension (Vgs) entre les seconde ( 6) et troisième ( 7) borne du régulateur. 8 Interrupteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'il comporte une résistance (ri) en parallèle sur le condensateur (C 2-C 5) et la diode (D 2-D 5) connectant les grilles de deux semi-conducteurs de puissance adjacents, et une résistance additionnelle (R 5) connectée entre la grille et le drain du semiconducteur de puissance (MO 55) de l'étage de rang le plus élevé. 9 Interrupteur selon les revendications 4 et 7 prises ensemble caractérisé en ce que, chaque étage de rang (i) supérieur à un comportant un circuit de détection ( 3) et un régulateur ( 4), le condensateur (Ci) connecté entre les grilles des semi- conducteurs de puissance dudit étage et de l'étage de rang inférieur adjacent est constitué par la mise en série du premier condensateur (Cd) du circuit de détection ( 3) dudit étage (i), des capacités internes des premier et second semi-conducteurs (T 1,T 2), de type MOS, du détecteur ( 3) etdurégulateur ( 4) dudit étage, et d'un second condensateur (Cr) connecté en parallèle sur la troisième résistance (R 3) dudit régulateur ( 4), une résistance (ri) connectée en parallèle sur ledit condensateur (Ci) étant constituée par la mise en série des première (Ri> et seconde (R 2) résistances du détecteur ( 3) et de la diode interne du second semiconducteur (T 2) du régulateur ( 4), une résistance additionnelle (R 5) étant connectée entre le drain du semi- conducteur de puissance de l'étage de rang le plus élevé et la borne d'entrée ( 5) du régulateur ( 4) de l'étage de rang le plus élevé. Interrupteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que les semi-conducteurs de puissance sont des transistors de type MOSFET.