FR 2649265 A1 19910104 FR 9006180 A 19900517 La présente invention concerne de façon générale des circuits amplificateurs-séparateurs d'entrée, et elle porte plus particulièrement sur un amplificateur-séparateur d'entrée destiné à convertir des signaux de niveau bas en signaux de niveau plus élevé. Dans de nombreux circuits intégrés à semiconduc- teursn modernes, il est nécessaire de convertir un signal d'entrée logique de niveau bas en un signal logique de sor- tie ayant un niveau plus élevé. Par exemple, il est souvent nécessaire de convertir un signal d'entrée TTL, qui varie de façon caractéristique entre 0 et 3,0 volts pour un "0" logique et un "1" logique, de façon à obtenir une excursion CMOS de niveau plus élevé, qui est comprise entre 0 et 5 volts. Pour que des circuits TTL soient capables de fonc- tionner avec des circuits CMOS, il est nécessaire d'incor- porer une interface ou un amplificateur-séparateur entre les deux circuits, pour convertir les niveaux logiques TTL relativement bas, pour donner des niveaux plus élevés aux- quels des circuits CMOS peuvent fonctionner de façon fiable. Un amplificateur-séparateur de conversion TTL- CMOS relativement simple consiste en un inverseur CMOS qui reçoit un signal d'entrée de niveau TTL et qui fournit un signal de sortie de niveau CMOS. Cet amplificateur-sépara- teur inverseur TTL-CMOS comprend un transistor NMOS qui est approximativement cinq fois plus large que le transistor PMOS, au lieu d'avoir une largeur égale à la moitié de cel- le du transistor PMOS, comme il est habituel dans un inver- seur CMOS de type caractéristique. Par conséquent, en sup- posant qu'on utilise une tension d'alimentation de +5 volts, cet inverseur CMOS commutera de façon caractéristique son signal de sortie en le faisant passer par la totalité de la plage CMOS de 5 volts, lorsque son signal d'entrée passe par environ 1,5 volt, au lieu d'environ 2,5 volts, corres- pondant au point de commutation dans un inverseur CMOS nor- mal. On connaît également des circuits amplificateurs-sépa- rateurs plus complexes qui remplissent cette fonction, et des exemples de tels circuits sont décrits dans les brevets des E.U.A. n 3 755 690 et 4 048 518. Un point de commutation de 1,5 volts pour cet inverseur convient pour le fonctionnement avec un signal d'entrée TTL, du fait que la convention TTL consiste en ce qu'un niveau de tension de 2,0 volts ou plus est considéré comme un "'1" logique, tandis qu'un niveau de tension de 0,8 volt, ou moins, est considéré comme un "0" logique. Cepen- dant, ces limites TTL de 0,8 volt et de 2,0 volts sont une spécification en courant continu. On fait habituellement fonctionner un circuit TTL dans des conditions de courant alternatif, avec une excursion de 0 à 3 volts, qui place le point de commutation de 1,5 volts de l'amplificateur-sépa- rateur simple au milieu de la plage du signal TTL d'entrée. Si l'amplificateur-séparateur d'entrée a un point de commutation de 1,5 volt, et si la tension d'entrée varie normalement entre 0 volt et 3 volts, on dit que l'amplifi- cateur-séparateur a une marge de bruit d'environ 1,5 volts de part et d'autre du point de commutation. Autrement dit, si on suppose que le signal d'entrée est à 0 volt, on peut tolérer une impulsion de bruit de courte durée de sens po- sitif, dont le niveau s'élève presque jusqu'à 1,5,lts;aucune erreur n'est donc introduite dans le niveau de sortie de l'amplificateur-séparateur si une impulsion de bruit de ce niveau apparaît à l'entrée. De façon similaire, si on sup- pose que le signal d'entrée est à 3,0 volts, on peut tolé- rer dans cet amplificateur-séparateur une impulsion de bruit de sens négatif d'environ 1,5 volts seulement. Par conséquent, cet amplificateurséparateur d'entrée connu ne peut pas tolérer des impulsions de sens positif ou de sens négatif supérieures à 1,5 volts, ce qui fait que des impul- sions de bruit à ces niveaux provoquent l'apparition d'un niveau CMOS incorrect sous l'effet d'un des niveaux d'en- trée TTL, ou des deux. Un but de la présente invention est de procurer un amplificateurséparateur TTL-CMOS perfectionné, avec une marge de bruit plus élevée, c'est-à-dire un amplificateur- séparateur qui soit capable de tolérer des impulsions de bruit de niveau plus élevé. L'amplificateur-séparateur de l'invention est ca- pable de tolérer des impulsions de bruit de sens positif d'environ 2,4 volts superposées sur un signal d'entrée de 0 volt, et de tolérer des impulsions de bruit de sens négatif d'environ 1,8 volts, superposées sur un signal d'entrée de 3,0 volts. L'amplificateur-séparateur de la présente inven- tion satisfait la spécification TTL en courant continu de 0,8 volt pour un "0" logique et de 2,0 volts pour un "1" logique. L'amplificateurséparateur de l'invention permet d'atteindre ces objectifs apparemment contradictoires en tirant parti du fait que le bruit d'entrée est de façon ca- ractéristique de courte durée (quelques nanosecondes à quelques dizaines de nanosecondes), tandis que les tensions d'entrée correspondant à la spécification TTL en courant continu ont une durée beaucoup plus longue. Le circuit amplificateur-séparateur d'entrée de la présente invention comprend deux chemins séparés entre son entrée et sa sortie. Le premier est un chemin à courant alternatif rapide qui commute entre les états logiques "0" et "1" à une tension de commutation élevée d'environ 2,5 volts, sur un signal d'entrée croissant qui s'élève de 0 à 3 volts, et qui commute entre les états logiques "1" et "0" à une tension de commutation basse d'environ 1,1 volts sur un signal d'entrée décroissant qui descend de 3 à 0 volts. Le second chemin, qui. commande le fonctionnement du premier chemin, est un chemin à courant continu travaillant à une vitesse inférieure, qui a une tension de commutation basse d'environ 1,1 volts aussi bien pour les signaux d'entrée croissants que pour les signaux d'entrée décroissants. En établissant des tensions de commutation différentes en cou- rant alternatif et en courant continu, et en créant un ef- fet d'hystérésis pour le chemin à courant alternatif, l'am- plificateur-séparateur TTL-CMOS de l'invention présente une meilleure aptitude à la réjection de pointes de bruit d'en- trée de fréquence élevée, en comparaison avec des amplifi- cateurs-séparateurs classiques. Pour atteindre les buts ci-dessus ainsi que des buts supplémentaires qui pourront apparaître par la suite, l'invention consiste en un amplificateur-séparateur d'en- trée TTL-CMOS de type perfectionné qui est défini en subs- tance dans les revendications annexées et qui est décrit dans la description qui suit, considérée conjointement aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est un schéma d'un amplificateur-sé- parateur d'entrée TTL-CMOS conforme à un mode de réalisa- tion de la présente invention; La figure 2 représente une courbe de transfert en courant alternatif entre la tension d'entrée Vin et la ten- sion de sortie Vout pour l'amplificateur-séparateur d'en- trée de l'invention; et La figure 3 représente une courbe de transfert en courant continu entre la tension d'entrée Vin et la tension de sortie Vout pour l'amplificateur-séparateur d'entrée de l'invention. De façon générale, l'amplificateur-séparateur TTL-CMOS de l'invention, qui est exemplifié par son mode de réalisation représenté schématiquement sur la figure 1, comprend un premier chemin rapide ou à courant alternatif, , et un second chemin plus lent, ou à courant continu, 12. Les deux chemins 10 et 12 sont connectés entre un noeud d'entrée 14, qui reçoit un signal de niveau TTL d'entrée Vin, et un noeud de sortie 16, sur lequel on obtient un si- gnal de sortie de niveau CMOS, Vout. Le premier chemin 10 comprend un inverseur d'en- trée qui comporte des transistors PMOS P3 et Pi et un tran- sistor NMOS Ni, connectés en série entre une tension d'ali- mentation, qui est représentée ici par une tension de +5 volts, et unpotentiel de référence, qui est représenté ici par la masse. Plus le rapport largeur/longueur (W/L) d'un transistor est grand, plus le courant de drain que ce tran- sistor peut faire circuler pour la même tension de grille est élevé. Les rapports largeur/longueur (W/L) préférables, avec des dimensions exprimées en microns, sont indiqués sur la figure 1 pour chacun de ces transistors MOS, ainsi que pour tous les autres transistors MOS qui sont incorporés dans le circuit amplificateur-séparateur de la figure 1. Il faut cependant noter que ces rapports de dimensions sont donnés exclusivement à titre d'exemple et ne limitent en rien le cadre ou la portée de l'invention. A titre d'exem- pie, ces rapports changeraient si l'on employait des para- mètres de processus électriques différents. Les rapports W/L pour l'inverseur constitué par les transistors N1, P1 et P3 sont sélectionnés de façon que sa tension de commutation pour Vin soit d'environ 2,5 volts si la grille du transistor P3 est à 0 volt. Les grilles des transistors P1 et Ni sont connectées au noeud d'entrée de Vin, 14, et un noeud d'inverseur 18 est établi à leur con- nexion de drain commune. Le noeud 18 est connecté aux gril- les des transistors P2 et N2, qui sont connectés entre l'alimentation à + 5 volts et la masse. Les transistors P2 et N2 forment un second étage inverseur. Un noeud d'inver- seur 20 à la connexion de drain commune des transistors P2 et N2 est connecté au noeud de sortie de Vout, 16. Le chemin à courant continu moins rapide, 12, comprend un étage inverseur d'entrée constitué par des transistors P4 et N3 qui sont connectés entre l'alimenta- tion à +5 volts et la masse. Les rapports W/L pour l'inver- seur N3, P4 sont inférieurs aiuxrapportscorrespondantspour l'inverseur P1, Ni, et ils sont sélectionnés pour établir un point de commutation de l'inverseur N3, P4 à une tension Vin d'environ 1,1 volts. Les grilles des transistors P4 et N3 sont connectées au noeud de Vin, 14, et un noeud d'in- verseur 22 est formé à leur connexion de drain commune. Le noeud 22 est connecté aux grilles des transistors P5 et N4, qui sont connectés entre l'alimentation à +5 volts et la masse. Le noeud de sortie d'inverseur 24 à la connexion de drain commune des transistors N4 et P5 est connecté à la grille du transistor P3 et à un côté d'un condensateur Cl, dont l'autre côté est connecté à la masse. Cl représente la capacité parasite plus la capacité d'entrée du transistor P3, et sa valeur peut être de façon caractéristique de l'ordre de 0,1 pF. Le chemin moins rapide 12 comprend également un second inverseur constitué par des transistors P6 et N5 connectés entre l'alimentation à + 5 volts et la masse. Les grilles des transistors P6 et N5 sont connectées au noeud de sortie Vout, 16. Un noeud d'inverseur de sortie 26 à la connexion de drain commune des transistors N5 et P6 est connecté à la grille du transistor P7. La source du tran- sistor P7 est connectée à +5 volts et son drain est connec- té au noeud de sortie 24 de l'étage inverseur qui est cons- titué par les transistors P5 et N4, ainsi qu'au condensa- teur Cl et à la grille du transistor P3. On peut maintenant décrire le fonctionnement du circuit amplificateurséparateur de la figure 1 en se référant en outre aux courbes de transfert en courant alternatif et en courant continu des chemins rapide et lent 10 et 12, qui sont respectivement représentées sur les figures 2 et 3. Il y a quatre cas à considérer: 1) la tension Vin est soumise à une impulsion qui la fait passer de 0 volt à 3,0 volts et la ramène à 0 volt, pour représenter un signal réel; 2) la tension Vin est soumise à une impulsion qui la fait passer de 0 volt à 2,4 volts et qui la ramène à 0 volt pour repré- senter un bruit de sens positif; 3) la tension Vin est soumise à une impulsion qui la fait passer de 3,0 volts à 1,2 volts et la ramène à 3,0 volts, pour représenter un bruit de sens négatif; et 4) la tension Vin est commutée entre 0,8 et 2,0 volts dans des conditions de courant con- tinu. Pour le cas 1), si la tension Vin passe de 0 à 3,0 volts, les noeuds 18 et 22 passent immédiatement au ni- veau bas, du fait que le signal d'entrée de 3,0 volts est supérieur aux points de commutation des deux inverseurs, et est donc suffisamment élevé pour commuter à la fois l'in- verseur N1, P1, P3 et l'inverseur N3, P4. Un niveau bas au noeud 18 fait passer au niveau haut les noeuds 20 et Vout, ce qui commute l'inverseur P6, N5 et fait passer le noeud 26 au niveau bas. Un niveau bas sur le noeud 22 bloque le transistor N4, et un niveau bas sur le noeud 26 débloque le transistor P7. Lorsque le transistor P7 est ainsi débloqué, le noeud 24 passe immédiatement à +5 volts, ce qui bloque le transistor P3. Lorsque Vin retourne à 0 volt, le tran- sistor P4 devient conducteur et le noeud 22 passe au niveau haut, mais du fait que le transistor P3 est bloqué, le noeud 18 reste au niveau bas bien que le transistor P1 soit conducteur. Le niveau haut au noeud 24 débloque le transis- tor N4, et le noeud 24 passe au niveau bas, du fait qu'à cause de son rapport W/L supérieur à celui du transistor P7, le transistor N4 exerce une action prépondérante sur celle du transistor P7 qui est également conducteur à ce moment. Une fois que le noeud 24 est.au niveau bas, le transistor P3 devient conducteur, et du fait que le tran- sistor P1 est conducteur, le noeud 18 passe au niveau haut. Le niveau présent sur le noeud 18 est inversé dans l'inver- seur P2, N2 et Vout passe au niveau bas, tandis que le noeud 26 passe au niveau haut, ce qui bloque le transistor P7. Pour le cas 2), si Vin passe de 0 à 2,4 volts, la tension d'entrée n'est pas suffisamment élevée pour commu- ter immédiatement le noeud 18 au niveau bas, mais le noeud 22 de l'inverseur P4, N3 commute immédiatement vers le ni- veau bas, du fait que son point de commutation est seule- ment d'environ 1,1 volts. Un niveau bas sur le noeud 22 bloque le transistor N4 et débloque le transistor P5. Le transistor P5 est relativement long et étroit, ce qui fait que bien qu'il soit conducteur, il constitue une source de courant faible et il ne charge que lentement le noeud 24 à un potentiel positif. Si Vin est à 2,4 volts pendant seulement quelques nanosecondes avant de retourner à 0 volt, comme ce serait le cas de façon caractéristique pour une impulsion de bruit, le noeud 24 ne s'élève pas jusqu'à un potentiel positif no- table avant d'être ramené vers la masse par le déblocage du transistor N4. Si le noeud 18 ne passe pas au niveau bas, la tension Vout, qui est la tension de sortie de l'inver- seur N2, P2, ne passe pas au niveau haut. Si Vin restait à 2,4 volts pendant une longue durée, ce qui n'est pas le cas pour une impulsion de bruit, la grille du transistor P3 passerait finalement à l'état bloqué et un niveau d'entrée de 2,4 volts serait suffisant pour commuter le noeud 18 au niveau bas et Vout au niveau haut. Dans le cas 3), si Vin est à 3,0 volts, ceci si- gnifie que la grille du transistor P3 est à 5,0 volts et que le transistor P3 est bloqué. Si Vin tombe ensuite à 1,2 volts, le transistor Pl devient conducteur, mais du fait que le transistor P3 est bloqué et est connecté en série avec le transistor Pi, le noeud 18 ne passe pas au niveau haut, et la tension Vout reste au niveau haut. Si Vin tombe seulement à 1,2 volts, cette tension ne sera pas suffisam- ment basse pour commuter le noeud 22 au niveau haut, ce qui serait nécessaire pour commuter le noeud 24 au niveau bas et pour débloquer le transistor P3. Pour ce cas d'une im- pulsion de sens négatif, même un signal de bruit de longue durée ne commutera pas Vout au niveau bas, sauf si l'impul- sion d'entrée tombe au-dessous de 1,1 volts. Pour le cas 4) correspondant à des conditions de courant continu, l'inverseur N3, P4 commande la situation. Pour une tension Vin inférieure à 0,8 volt, le noeud 22 est au niveau haut, le noeud 24 est au niveau bas, le transis- tor P3 est conducteur, le transistor P1 est conducteur, le nooeud 18 est au niveau haut, et Vout est au niveau bas. Pour un niveau de Vin supérieur à 2,0 volts, le transistor Ni est conducteur, le transistor P1 est partiellement con- ducteur, le noeud 22 est au niveau bas, le noeud 24 est au niveau haut (au bout d'une durée suffisante), le transistor P3 est bloqué, le noeud 18 est au niveau bas et les noeuds et Vout sont au niveau haut. Outre le fait qu'il réduit efficacement l'effet du bruit sur Vin, l'amplificateur-séparateur d'entrée de l'invention atténue également le bruit de la masse. Les re- tours de-masse qui sont représentés sur la figure 1 sont des retours idéaux. De façon caractéristique, à cause de l'inductance, une puce fonctionnant à vitesse élevée aura des retours de masse qui seront bruyants et qui ne seront pas exactement à zéro volt. Par exemple, une impulsion de bruit de masse de sens positif dans le circuit amplifica- teur-séparateur de la figure 1 serait équivalente à une im- pulsion de bruit de sens négatif sur Vin. Si Vin doit cor- respondre à un "1" logique à 3,0 volts, le circuit peut supporter un bruit de masse positif s'élevant jusqu'à 1,8 volts, avant de commuter de façon erronée. De façon simi- laire, si Vin correspond à un "0" logique de 0 volt, un bruit de masse de sens négatif s'élevant jusqu'à 2,4 volts ne provoquera toujours pas un fonctionnement logique in- correct. On voit donc que l'amplificateur-séparateur d'en- trée TTL-CMOS de l'invention empêche effectivement une com- mutation logique incorrecte qui serait occasionnée par des signaux de bruit s'élevant jusqu'à 2,4 volts. Il faut éga-- lement noter qu'on peut apporter des modifications au mode de réalisation de l'invention qui est décrit ici de façon spécifique, sans sortir nécessairement de l'esprit et du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Amplificateur-séparateur comprenant une entrée (14) et une sortie (16), caractérisé en ce qu'il comporte un premier circuit (10) connecté entre l'entrée (14) et la sortie (16), et comprenant au moins un élément de commuta- tion (P3), et un second circuit (12) qui est connecté entre l'entrée et la sortie, ainsi qu'au premier circuit (10), et qui commande le fonctionnement de l'élément de commutation (P3). 2. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de charge (C1) connectés à l'élément de commutation (P3) 'et au second circuit (12), ce second circuit compre- nant des moyens (P5, N4) destinés à fournir un courant de charge aux moyens de charge (C1), pour charger les moyens de charge à une tension haute ou à une tension basse. 3. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 2, caractérisé en ce que le premier circuit comprend un premier inverseur (Pi, Ni, P3) ayant une entrée connec- tée à l'entrée (14) de l'amplificateur-séparateur, et com- prenant l'élément de commutation précité (P3), et un second inverseur (P2, N2) ayant une entrée connectée à la sortie (18) du premier inverseur (Pi, N1, P3), et une sortie (20) connectée à la sortie (16) de l'amplificateur-séparateur. 4. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 3, caractérisé en ce que le premier inverseur (P1, Ni, P3) comprend des premier et second transistors (P1, N1) dont les chemins de sortie sont connectés en série et dont les grilles sont connectées à l'entrée précitée (14), l'élément de commutation (P3) ayant un circuit de sortie qui est connecté entre une tension d'alimentation et les circuits de sortie des premier et second transistors (P1, Ni). 5. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 4, caractérisé en ce que les moyens fournissant un courant comprennent un troisième transistor (P5) qui, lors- qu'il est conducteur, charge les moyens de charge (C1) à l'une des tensions précitées, avec une première vitesse faible, et un quatrième transistor (N4) qui, lorsqu'il est conducteur, charge les moyens de charge (Cl) à une seconde tension avec une seconde vitesse plus élevée. 6. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 5, caractérisé en ce que le quatrième transistor (N4) a un rapport largeur/longueur, ou W/L, plus élevé que celui du troisième transistor (P5). 7. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 6, caractérisé en ce que les circuits de sortie des troisième et quatrième transistors (P5, N4) sont connectés entre une source de tension et un potentiel de référence, un noeud de sortie (24) est établi au point de connexion des circuits de sortie, et ce noeud de sortie (24) estoon- necté aux moyens de charge (Cl). 8. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 7, caractérisé en ce que le second circuit (12) com- prend un troisième inverseur (P4, N3) qui est connecté à l'entrée précitée (14), et un quatrième inverseur (P5, N4) qui est connecté à la sortie du troisième inverseur (P4, N3), et qui comprend les troisième et quatrième transistors (P5, N4). 9. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un cin- quième inverseur (P6, N5) dans le second circuit (12), dont l'entrée est connectée à la sortie (16) de l'amplificateur- séparateur, et un cinquième transistor (P7) dont la grille est connectée à la sortie (26) du cinquième inverseur (P6, N5), et dont une borne de sortie est connectée aux moyens de charge (Cl) et au noeud de sortie (24) du quatrième in- verseur (P5, N4). 10. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 2, caractérisé en ce que les moyens fournissant un courant comprennent un premier transistor (P5) qui, lors- qu'il est conducteur, charge les moyens de charge (Cl) à une première tension, avec une première vitesse relative- ment faible, et un second transistor (N4) qui, lorsqu'il est conducteur, charge les moyens de charge (C1) à une se- conde tension, avec une seconde vitesse plus élevée. 11. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 10, caractérisé en ce que le second transistor (N4) a un rapport largeur/longueur, ou W/L, plus élevé que celui du premier transistor (PS). 12. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 11, caractérisé en ce que les chemins de sortie des premier et second transistors (P5, N4) sont connectés en série entre une source de tension et un potentiel de réfé- rence, un noeud de sortie (24) est établi à leur point de connexion de sortie commun, et ce noeud de sortie de l'in- verseur est connecté aux moyens de charge (Cl). 13. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que le premier circuit (10) com- prend un premier inverseur (P1, Ni, P3) ayant une entree connectée à l'entrée (14) de l'amplificateur-séparateur, et comprenant l'élément de commutation précité (P3), et en ce que le second circuit (12) comprend des moyens qui sont connectés à l'élément de commutation (P3) pour commander son fonctionnement, pour empêcher ainsi le fonctionnement du premier inverseur (P1, N1, P3) sous l'effet d'un signal de bruit de courte durée présent à l'entrée (14). 14. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 13, caractérisé en ce que les moyens de commande com- prennent des moyens (C1) connectés entre l'élément de com- mutation (P3) et le second circuit (12), ce dernier com- prenant en outre des moyens destinés à établir à un niveau parmi deux niveaux de tension une tension de commande pré- sente sur les moyens de commande. 15. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 14, caractérisé en ce que les moyens de commande com- prennent des moyens de charge (Cl), et les moyens d'éta- blissement de tension comprennent des moyens (P5, N4) des- tinés à fournir du courant aux moyens de charge (Cl), pour charger ces moyens de charge à l'un des niveaux de tension avec une première vitesse élevée, et pour charger les moyens de charge (Cl) à un second niveau de tension avec une seconde vitesse faible. 16. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 15, caractérisé en ce que les moyens qui fournissent un courant comprennent un premier transistor (PS) qui, lorsqu'il est conducteur, charge les moyens de charge (C1) à l'une des tensions précitées, avec une première vitesse, et un second transistor (N4) qui, lorsqu'il est conducteur, charge les moyens de charge (Cl) à une seconde tension avec une seconde vitesse. 17. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 16, caractérisé en ce que le second transistor (N4) a un rapport largeur/longueur, ou W/L, supérieur à celui du premier transistor (P5). 18. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 17, caractérisé en ce que les chemins de sortie des premier et second transistors (P5, N4) sont connectés entre une source de tension et un potentiel de référence, un noeud de sortie d'inverseur (24) est établi au point de connexion des chemins de sortie précités, et ce noeud de sortie d'inverseur (24) est connecté aux moyens de charge (Cl). 19. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 14, caractérisé en ce que le premier inverseur (Pl, N1, P3) comprend des premier et second transistors (P1, Ni) dont les chemins de sortie sont connectés en série et dont les grilles sont connectées à l'entrée (14), et l'élément de commutation (P3) ayant un chemin de sortie connecté en- tre une tension d'alimentation et le chemin de sortie des premier et second transistors (Pi, Ni). 20. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 3, caractérisé en ce que le second circuit (12) com- prend un troisième inverseur (P4, N3) ayant une entrée con- nectée à l'entrée (14) de l'amplificateur-séparateur, le premier inverseur (P1, N1, P3) comprenant des premier et second transistors (Pi, Ni), le troisième inverseur (P4, N3) comprenant des troisième et quatrième transistors (P4, N3), et les premier et second transistors (Pi, N1) ayant des rapports largeur/longueur, ou W/L, supérieurs à ceux des troisième et quatrième transistors (P4, N3), grâce à quoi le premier inverseur (Pi, N1, P3) a un point de commu- tation supérieur à celui du troisième inverseur (P4, N3). 21. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 20, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un qua- trième inverseur (P5, N4) ayant une entrée connectée à la sortie du troisième inverseur (P4, N3) et une sortie (24) connectée à l'élément de commutation (P3). 22. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 21, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un cin- quième inverseur (P6, N5) ayant une entrée connectée à la sortie (20) du second inverseur (P2, N2), et un cinquième transistor (P7) ayant un chemin de sortie connecté entre une source de tension et la sortie (24) du quatrième inver- seur (P5, N4), et une grille de commande connectée à la sortie du cinquième inverseur (P6, N5). 23. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que le premier circuit (10) com- prend un premier inverseur (Pi, N1, N3) ayant une entrée connectée à l'entrée.(14) de l'amplificateur-séparateur, et ayant une première tension de commutation, et le second circuit (12) comprend un second inverseur (P4, N3) ayant également une entrée connectée à l'entrée (14) de l'ampli- ficateur-séparateur, et ayant une seconde tension de commu- tation inférieure à la première tension de commutation. 24. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 23, caractérisé en ce que les premier et second inver- seurs (Pi, Ni, N3; P2, N2) comprennent respectivement une paire de transistors complémentaires, et les rapports lar- geur/longueur, ou W/L, des transistors du premier inverseur (Pi, Ni, N3) sont supérieurs à ceux du second inverseur (P2, N2). 25. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 23, caractérisé en ce que l'élément de commutation (P3) fait partie du premier inverseur (P1, Ni, N3). 26. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 25, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de charge (Cl) connectés à l'élément de commutation (P3) et au second circuit (12), et en ce que le second cir- cuit (12) comprend des moyens (P5, N4) destinés à fournir un courant de charge aux moyens de charge (Ci), pour char- ger les moyens de charge à une tension haute ou à une ten- sion basse. 27. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 25, caractérisé en ce que le premier inverseur (Pi, Ni, N3) comprend des premier et second transistors (Pi, Ni) dont les circuits de sortie sont connectés en série et dont les grilles sont connectées à l'entrée (14), et en ce que l'élément de commutation (P3) comporte un circuit de sortie qui est connecté entre une tension d'alimentation et les circuits de sortie des premier et second transistors (Pi, Ni). 28. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 27, caractérisé en ce que les moyens fournissant un courant (P5, N4) comprennent un troisième transistor (P5) qui, lorsqu'il est conducteur, charge les moyens de charge (Ci) à l'une des tensions précitées, avec une première vi- tesse faible, et un quatrième transistor (N4) qui, lors- qu'il est conducteur, charge les moyens de charge (C1) à une seconde tension, avec une seconde vitesse plus élevée. 29. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 28, caractérisé en ce que le quatrième transistor (N4) a un rapportlargeur/longueur, ou W/L, supérieur à celui du troisième transistor (P5). 30. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 29, caractérisé en ce que les circuits de sortie des troisième et quatrième transistors (P5, N4) sont connectés entre une source de tension et un potentiel de référence, un noeud de sortie (24) est établi au point de connexion de ces circuits de sortie, et le noeud de sortie (24) est con- necté aux moyens de charge (C1). 31. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion.30, caractérisé en ce que le second circuit (12) com- prend un troisième inverseur (P4, N3) connecté à l'entrée (14), et un quatrième inverseur (P5, N4) connecté à la sor- tie du troisième inverseur (P4, N3) et comprenant les troi- sième et quatrième transistors (P5, N4). 32. Amplificateur-séparateur selon la revendica- tion 31, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un cin- quième inverseur (P6, N5) dans le second circuit (12), dont l'entrée est connectée à la sortie (16) de l'amplifi- cateur-séparateur, et un cinquième transistor (P7) dont la grille est connectée à la sortie (26) du cinquième inver- seur (P6, N5), et dont une borne de sortie est connectée aux moyens de charge (C1) et au noeud de sortie (24) du quatrième inverseur (P5, N4).