FR 2659144 A2 19910906 FR 9002677 A 19900302 Â 4 2659144 Dispositif électronique de test d'un réseau de composants, notamment un circuit électronique. L'invention concerne le test d'un réseau de composants, notamment mais non exclusivement un circuit électronique. Dans la Demande de Brevet français No 89 09523 (Brevet prin- cipal) dont le contenu est incorporé à la présente descrip- tion, la Demanderesse a décrit un dispositif de test d'un circuit électronique, qui est un mode de réalisation parti- culier d'un dispositif électronique de test d'un réseau de composants comprenant: des moyens d'interface comportant des moyens pour définir des instants d'échantillonnage dans un intervalle temporel choisi, des moyens pour identifier au moins un composant du ré- seau, une sonde pour capter une grandeur physique, par exemple une différence de potentiel, relative à l'état de fonction- nement de ce composant, et des moyens coopérant avec la sonde pour délivrer une série d'échantillons de cette grandeur physique à l'intérieur de l'intervalle temporel choisi, une mémoire de modèle fonctionnel comprenant des expres- sions-composant portant sur des grandeurs physiques relati- ves à au moins une espèce particulière de composant, une mémoire de valeurs, propre à stocker plusieurs séries d'échantillons de grandeurs physiques, correspondant au même intervalle de temps, mais relatives à différents compo- sants du réseau, et des moyens de traitement reliés à ces mémoires et aux moyens d'interface, aptes à effectuer un traitement compor- tant l'estimation, sur ledit intervalle temporel, de gran- deurs physiques, par exemple des valeurs de courant, compte tenu d'expressions contenues dans lesdits modèles et d'échantillons captés, et leur stockage dans la mémoire de valeurs ainsi que des tests sur des valeurs contenues dans la mémoire de valeurs, par exemple prenant en compte la nullité présumée du courant total en une borne commune du circuit électronique. La présente Demande de Certificat d'Addition vient proposer ici un nouveau mode de réalisation d'un tel dispositif de test, permettant de tenir compte des précisions de capture des différentes grandeurs physiques au sein du réseau, ainsi que des incertitudes liées notamment aux caractéristiques fonctionnelles des composants. Un autre but de l'invention est de proposer un dispositif électronique de test comportant des moyens de traitement aptes à proposer à l'utilisateur du dispositif une stratégie efficace de capture de grandeurs physiques et d'estimation d'autres grandeurs physiques pour aboutir, en un nombre minimum de captures, au diagnostic d'un ou de plusieurs composants défectueux. A partir de la structure générale du dispositif de test déjà décrite, l'invention est alors remarquable en ce sens que: la mémoire de modèles fonctionnels comprend en outre des expressions-lois représentant des relations générales entre là grandeurs physiques, certains au moins des échantillons captés sont stockés en mémoire avec des fourchettes de précision, les modèles fonctionnels sont au moins en partie affectés de fourchettes d'incertitude, toute estimation est stockée en mémoire avec sa fourchette d'incertitude estimée, résultant de certaines au moins des- dites fourchettes d'incertitude et desdites fourchettes de précision, lorsque la mémoire contient, sur certains au moins des instants d'échantillonnage, une première et une deuxième fourchette d'origines différentes pour une même grandeur physique, établies à partir de la contribution d'un ensemble primaire de composants, ces deux fourchettes sont rappro- chées pour en déduire une première information sur le fonc- tionnement des composants de cet ensemble primaire. Comme détaillé plus loin, un principe du test selon l'inven- tion repose sur le fait que, lorsque lesdites première et deuxième fourchettes sont disjointes sur au moins une frac- tion significative de l'intervalle temporel, cette première information est représentative d'un fonctionnement incorrect d'au moins un composant dudit ensemble primaire de compo- sants ayant contribué à l'établissement de ces deux four- chettes. Les deux fourchettes rapprochées peuvent être une fourchette de précision et une fourchette d'incertitude estimée, ou bien deux fourchettes d'incertitude estimées, ou bien une fourchette de précision et une fourchette de référence tirée d'un modèle de composant, ou bien encore une fourchette d'incertitude estimée et une fourchette de référence. Pour aboutir rapidement à la mise en évidence d'un composant défectueux, le traitement comprend avantageusement la mise en oeuvre d'un automate de décisions, relié à la structure du réseau, et comportant: un premier mécanisme portant sur la détermination du choix et de l'ordre des composants relativement auxquels seront capturées les différentes grandeurs physiques, et un deuxième mécanisme portant sur les estimations de gran- deurs physiques. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention appa- raitront à l'examen de la description détaillée ci-après et des dessins annexés sur lesquels: les figures 1 à 5 illustrent différents modèles fonction- nels, la figure 6 est un organigramme de fonctionnement schéma- tique d'un dispositif selon l'invention, la figure 7 est un organigramme de fonctionnement schéma- tique d'une partie de l'organigramme de la figure 1, la figure 8 illustre plus en détail l'organigramme de la figure 6, les figures 9 à 11 illustrent plus en détail des parties de l'organigramme de la figure 8, la figure 12 illustre un exemple d'un circuit électronique à tester, et les figures 13 à 15 illustrent un organigramme de fonc- tionnement du dispositif dans le cas particulier du circuit de la figure 12. Les dessins comportent pour l'essentiel des éléments de caractère certain A ce titre, ils font partie intégrante de la description et pourront, au même titre que les dessins du Brevet principal, non seulement servir à mieux faire comprendre la description détaillée ci-après mais aussi contribuer, le cas échéant, à la définition de l'invention. La structure du dispositif a été décrite dans le Brevet principal et illustrée sur les figures 1 et 2 de ce Brevet principal On en rappelle ici les principales caractéristi- ques. Ce dispositif comprend donc des moyens de traitement reliés à une mémoire ainsi qu'à des moyens d'interface avec le réseau à dépanner d'une part, et avec l'utilisateur d'autre part. L'interface avec l'utilisateur est réalisée au moyen d'un clavier et de moyens d'affichage tels qu'un écran Le cla- vier permet notamment, si la structure du réseau n'est pas déjà mémorisée, d'identifier au moins un composant du réseau et de définir également des instants d'échantillonnage dans un intervalle temporel choisi. Quant à l'écran, il permet notamment l'affichage du ou des composants défectueux révélés par le dispositif lors du test. Pour assurer l'interface avec le réseau de composants, il est prévu une sonde apte à capter une grandeur physique d'un type choisi relative à l'état de fonctionnement d'un composant ainsi que des moyens coopérant avec cette sonde pour délivrer une série d'échantillons de cette grandeur phyisque à l'intérieur de l'intervalle temporel choisi. La mémoire du dispositif peut être découpée fonctionnelle- ment en: une mémoire de modèles fonctionnels, comprenant des ex- pressions-composant portant sur des grandeurs physiques relatives à au moins une espèce particulière de composant, ainsi que des expressionslois représentant des relations générales entre grandeurs physiques, une mémoire de valeurs, propre à stocker plusieurs séries d'échantillons de grandeurs physiques, correspondant au même intervalle de temps mais relatives à différents compo- sants du réseau, éventuellement, une mémoire propre à stocker la configura- tion du réseau de composants, et une mémoire logeant notamment l'algorithme de fonctionne- ment du dispositif ainsi que diverses autres données ou instructions relatives à son utilisation. Matériellement, il peut être prévu une seule mémoire regrou- pant l'ensemble de ces mémoires fonctionnelles, ou bien des mémoires séparées affectées à certaines au moins de celles-ci. Pratiquement, dans le cas d'une application électronique prévue pour environ cent composants électroniques, les mo- yens de traitement du dispositif peuvent être logés au sein d'un microordinateur classique associé à un clavier et à un écran alphanumérique Il est alors avantageux que ce micro-ordinateur dispose d'une mémoire de masse, telle qu'une disquette, d'une capacité de 1,44 megaoctets, conte- nant notamment l'algorithme de fonctionnement du dispositif ainsi que les différents modèles, ainsi que d'une mémoire centrale de travail d'environ 4 megaoctets. Un oscilloscope numérique, séparé, peut incorporer la sonde utilisée dans ce cas pour capter une différence de potentiel entre deux bornes du réseau, et peut être utilisé pour défi- nir l'intervalle temporel choisi, les instants d'échantil- lonnage, et délivrer la série d'échantillons de la grandeur physique captée à l'unité centrale du dispositif par l'in- termédiaire par exemple d'un bus numérique. D'une façon générale, les moyens de traitement, reliés à ces mémoires et aux moyens d'interface, sont aptes à effec- tuer un traitement comportant: l'estimation, sur ledit intervalle temporel, de grandeurs physiques, compte tenu d'expressions contenues dans la mé- moire de modèles et d'échantillons captés, leur stockage dans la mémoire de valeurs, ainsi que des tests sur des valeurs contenues dans cette mémoire de valeurs. Dans l'exemple pratique évoqué, la mémoire centrale de tra- vail incorpore cette mémoire de valeurs. Selon une caractéristique générale de l'invention, le dispo- sitif permet de prendre en compte la précision de la sonde ainsi que les incertitudes sur les caractéristiques des divers composants. Aussi, certains au moins des échantillons captés, en prati- que tous, sont stockés en mémoire avec des fourchettes de précision Cette précision peut être indiquée au dispositif par l'utilisateur ou bien être directement incorporée de façon automatique compte tenu des caractéristiques de la sonde Concrètement, si l'intervalle temporel choisi s'étend entre O et 40 microsecondes, en étant échantillonné en 400 instants d'échantillonnage espacés de 0,1 microseconde, et si de l'instant O à l'instant 0,2 microseconde, la sonde capte une différence de potentiel V de 4 volts, les deux premiers échantillons captés relatifs à cette différence de potentiel seront affectés de la fourchette de précision (Vm; VM) = ( 3,99; 4,01). De la même façon, les modèles fonctionnels sont, au moins en partie, affectés de fourchettes d'incertitude. Les figures 1 à 4 illustrent ainsi des modèles relatifs à quatre espèces particulières de composants Ces modèles comprennent des expressions-composant portant sur des gran- deurs physiques relatives à l'espèce particulière correspon- dante de composant et relatives, de préférence, à un fonc- tionnement correct de ces composants. Ainsi, pour une résistance (figure 1), le modèle MODRIO prend en compte une fourchette d'incertitude (Rm; RM) rela- tive à la valeur R de cette résistance Ce modèle définit également la relation existant entre la différence de poten- tiel V(R,a,b) prise entre les bornes a et b de cette résis- tance et le courant I(R,a) rentrant dans la borne a de cette résistance (loi d'ohm) Le modèle fonctionnel définit égale- ment la relation inverse permettant d'obtenir le courant à la borne a à partir de la différence de potentiel prise entre les bornes a et b. Dans la mesure o la différence de potentiel est une gran- deur physique captée, la mesure du courant I apparaît ici comme une grandeur physique estimée à partir du modèle de cette résistance Bien entendu, on aurait pu supposer effec- tuer une capture directe du courant I en la borne a, ce qui aurait conduit à une différence de potentiel V estimée. Etant donné que la différence de potentiel V est stockée en mémoire avec une fourchette de précision et que la valeur de la résistance R est affectée d'une fourchette d'incerti- tude (Rm; RM), il en résulte une fourchette d'incertitude estimée (Im; IM) pour le courant I. D'une façon générale, pour toute grandeur estimée, la four- chette d'incertitude estimée correspondante est déterminée dans le cas le plus défavorable En d'autres termes, on cherchera à obtenir la plus grande fourchette d'incertitude estimée à partir des fourchettes associées aux grandeurs physiques utilisées dans la formulation permettant de déter- miner la grandeur estimée. Concrètement, dans le cas présent, la valeur Im est obtenue par le rapport Vm/RM et la valeur IM est obtenue par le rapport VM/Rm. Cependant, d'une façon générale selon l'invention, afin d'éviter un élargissement excessif des fourchettes d'incer- titude estimées, pour une grandeur physique estimée obtenue à partir d'une formulation faisant intervenir une pluralité de grandeurs physiques différentes, ladite formulation est agencée pour ne mentionner qu'une seule fois chaque grandeur physique différente. En ce qui concerne le modèle MODC 10 d'un condensateur C (figure 2), la valeur de celui-ci est affectée d'une four- chette d'incertitude (Cm; CM) et le courant I en sa borne a est estimé à partir de la valeur C et de la dérivée tempo- relle de la différence de potentiel captée entre les bornes a et b. Certains modèles de composants peuvent comporter des f our- chettes de référence portant sur des grandeurs physiques particulières relatives à ces composants C'est le cas par exemple des diodes et des transistors. En ce qui concerne un transistor Q (figure 3), il est possi- ble de prévoir des modèles de fonctionnement de complexités différentes Ainsi, un premier modèle simple MODQ 10, dit de rang 1, prévoit que le courant collecteur doit être posi- tif tandis que le courant émetteur doit être négatif, avec les conventions des signes de cette figure, remarque étant faite qu'il s'agit ici d'un transistor NPN La condition de positivité de ces courants se traduit par leurs apparte- nances respectives à des fourchettes de référence définies par l'intervalle f-10-4 A, + DEû o le symbole + désigne + l'infini, tandis que la fourchette de référence relative à la négativité du courant est: Y, + 10-4 Al Les sous-intervalles l-10-4 A, 03 et L 0, 10-4 Al des interval- les respectifs L-10-4 A, + ò letl -X + 10-4 Al ont pour rôle de tenir compte des capacités parasites du transistor sans nécessiter de modèles fonctionnels plus complexes. Un autre modèle simple peut prévoir que la tension base- émetteur V(T,b,e) du transistor doit être inférieure à une limite choisie, par exemple 3 Volts Un tel modèle est par- ticulièrement avantageux car il permettra éventuellement, comme expliqué plus en détail ci-après, de rapprocher cette fourchette d'incertitude avec la fourchette de précision la différence de potentiel captée V(T,b,e) pour en déduire il directement une information relative au transistor. Il est également possible de prévoir un modèle MODQ 20 de complexité supérieure, dit de rang 2 Un tel modèle pourra par exemple traduire qu'un transistor "n'est un amplifica- teur de courant avec un gain beta connu que s' il est pas- sant" Ceci se traduit alors par les conditions mathémati- ques définies sur la figure 3 avec une fourchette d'incerti- tude (BET Am,BETAM) sur la valeur BETA du gain en courant. En ce qui concerne une diode D (figure 4), un modèle simple de fonctionnement MODD 10 montre encore que, lorsque la dif- férence de potentiel entre l'anode a et la cathode k de la diode est supérieure ou égale à 0,6 volt, alors le cou- rant I en l'anode doit être compris à l'intérieur de la fourchette de référence l-10-4 A; + traduisant encore que ce courant doit être positif. Outre les expressions-composants, la mémoire de modèles comprend également des expressions-lois représentant des relations générales entre grandeurs physiques. Ainsi, comme illustré sur la figure 5, dans le cas d'une application électronique, ces expressions permettent de déterminer, en utilisant une règle prenant en compte la nullité du courant total en un noeud N d'un circuit électro- nique, d'estimer la valeur I(C Pl,a) du courant en la borne a d'un composant C Pl reliée à ce noeud, à partir des valeurs connues I(CP 2,a) et I(CP 3,a) des courants en d'autres bornes a d'autres composants CP 2 et CP 3, reliées à ce noeud. De même, une autre expression-loi utilise une règle tradui- sant le fait que la différence de potentiel V(CP 4,a,b) prise entre les bornes a et b d'un composant CP 4 est égale à l'op- posé V(CP 4,b,a) de la différence de potentiel prise entre les bornes b et a de ce même composant. Enfin, la règle édictant que la somme des différences de potentiels longs d'une maille M est nulle permet d'estimer la différence de potentiel V(CP 5,a,b) aux bornes d'un compo- sant CP 5 de cette maille en connaissant les autres différen- ces de potentiel V(CP 6,a,b) et V(CP 7,a,b) aux bornes des autres composants CP 6 et CP 7 de cette même maille. Bien que, comme on le verra ci-après, l'utilisateur puisse utiliser manuellement le dispositif selon l'invention, c'est-à-dire décider luimême au niveau de quel composant capturer les grandeurs physiques, l'invention prévoit une assistance de l'utilisateur quant à la stratégie de capture des différentes grandeurs physiques dans le but d'arriver le plus rapidement possible à la localisation du composant défectueux Cette assistance se traduit par la mise en oeu- vre d'un automate de décisions 1 comportant un premier méca- nisme 11 portant sur la détermination du choix et de l'ordre des composants relativement auxquels seront effectuées les captures des différentes grandeurs physiques, ainsi qu'un deuxième mécanisme 12 portant sur les estimations de gran- deurs physiques (figures 6 et 7) La mise en oeuvre de cet automate de décisions, relié à la structure du réseau, ne- cessite la connaissance de la configuration de ce dernier disponible dans la mémoire de configuration. D'une façon générale, après la capture 12 d'une grandeur physique relativement à un composant indiqué, par exemple à l'écran, par le premier mécanisme de l'automate, le méca- nisme d'estimation 13 permet d'estimer une grandeur physique qui peut être: soit une grandeur physique d'un type différent de celle déjà captée pour le composant correspondant, soit la grandeur physique déjà captée pour ce composant, par exemple à partir d'autres grandeurs physiques captées pour d'autres composants et/ou d'autres grandeurs physiques estimées. Pour effectuer cette estimation, les moyens de traitement utilisent les données contenues dans la mémoire de valeurs. Ainsi, une grandeur estimée, d'un type différent de celui d'une grandeur captée, peut être déterminée à partir de l'échantillon capté et d'un modèle fonctionnel, ou bien à l'aide de fourchettes d'incertitude estimées déjà présen- tes dans la mémoire de valeurs et relatives à d'autres gran- deurs estimées L'estimation d'une grandeur physique, qui a par ailleurs déjà été captée, peut également résulter de la combinaison d'autres grandeurs physiques estimées, elles-mêmes résultant à l'origine d'une autre grandeur phy- sique captée. Plus particulièrement, lorsque le réseau de composants com- rend une pluralité de mailles, comme ce peut être le cas par exemple pour un circuit électronique, le mécanisme d'es- timation comporte: * pour un composant d'une maille ayant donné lieu à une capture de grandeur physique d'un type choisi, par exemple une différence de potentiel, une estimation d'au moins une grandeur physique d'un type différent dudit type choisi, par exemple une valeur de courant, tirée d'un modèle fonc- tionnel dudit composant et des échantillons de ladite gran- deur physique captée, et, * pour un composant n'ayant pas donné lieu à une grandeur physique captée d'un type choisi, et appartenant à ladite maille ou directement connectée à un composant de ladite maille, une estimation d'au moins une grandeur physique, de même type que le type choisi, par exemple une différence de potentiel, ou d'un type différent, par exemple une valeur de courant, obtenue à partir de valeurs déjà stockées dans la mémoire de valeurs et associées à au moins un composant de ladite maille. Concrètement, toujours dans le cas d'un circuit électroni- que, le traitement d'estimation comporte * pour certains au moins des composants du circuit, à partir de la capture d'une différence de potentiel entre une pre- mière et une deuxième borne de l'un de ces composants, les estimations des courants à chacune des deux bornes et, éven- tuellement en outre, l'estimation de la différence de poten- tiel entre les deuxième et première bornes de ce composant, * pour un composant appartenant à une maille dont les diffé- rences de potentiel aux bornes des autres composants de cette maille sont connues, et n'ayant pas donné lieu à une capture de différence de potentiel à ses bornes, l'estima- tion de cette différence de potentiel à partir des autres différences de potentiels relatives aux autres composants, * pour un composant dont une borne est connectée à un noeud du circuit auquel sont également connectées les bornes res- pectives d'autres composants pour lesquels les courants respectifs en ces bornes sont connus, l'estimation du cou- rant en la borne dudit composant. L'homme du métier remarque donc que, après mise en oeuvre de cet automate de décisions 1, les grandeurs physiques ayant fait l'objet d'une capture et/ou d'une estimation sont affectées de fourchettes de précision et/ou d'incerti- tudes estimées Un principe général du dispositif selon l'invention consiste alors, lorsque la mémoire de valeurs contient, sur certains au moins des instants d'échantillon- nage, une première et une deuxième fourchette d'origines différentes pour une même grandeur physique, en le rappro- chement de ces deux fourchettes pour en déduire une première information sur le fonctionnement de l'ensemble des compo- sants ayant contribué à l'établissement de ces deux four- chettes L'ensemble de ces composants sera dans la suite désigné sous la dénomination "ensemble primaire" EP Ri. La première fourchette peut être par exemple une fourchette d'incertitude estimée obtenue par exemple: à partir d'une fourchette de précision relative à une grandeur physique captée associée à un premier composant, d'un modèle fonctionnel de ce premier composant, et d'une fourchette d'incertitude estimée associée à une grandeur physique estimée relative à un deuxième composant. Ces premier et deuxième composants forment alors un premier groupe ayant contribué à l'établissement de cette première fourchette. La deuxième fourchette peut être également une fourchette d'incertitude estimée, pour la même grandeur physique que celle relative à la première fourchette, mais obtenue de façon différente à partir d'un deuxième groupe de compo- sants. * L'ensemble primaire de composants ayant contribué à l'éta- blissement de ces deux fourchettes est alors la réunion des premier et deuxième groupes de composants. D'autres cas peuvent se produire. Ainsi, les deux fourchettes d'origines différentes peuvent être une fourchette de précision et une fourchette d'incer- titude estimée, ou bien une fourchette d'incertitude estimée et une fourchette de référence contenue dans un modèle fonc- tionnel de composant, ou encore une fourchette de précision et une fourchette de référence. Lorsque ces première et deuxième fourchettes sont disjointes sur au moins une fraction significative de l'intervalle temporel, alors, cet ensemble primaire de composants EP Ri est suspect en ce sens qu'il contient au moins un composant ayant un fonctionnement incorrect On peut parler alors de "conflit". L'obtention immédiate d'un ensemble primaire suspect de composants réduit à un seul composant, donc au composant défectueux CD, est très improbable Aussi, est-il néces- saire de réitérer le traitement de façon à obtenir au moins un autre ensemble primaire suspect différent ayant conduit à l'obtention de deux fourchettes disjointes, remarque étant faite que ces deux autres fourchettes disjointes peuvent être ou ne pas être relatives à la même grandeur physique que les deux fourchettes disjointes précédentes Alors, le ou les composants suspectés d'un fonctionnement incorrect appartiennent à l'intersection de deux ensembles primaires. Le traitement est en conséquence effectué au moins jusqu'à l'obtention de deux ensembles primaires dont l'intersection comporte un seul composant et sera arrêté à ce stade dans l'hypothèse d'une panne unique. Cet algorithme de fonctionnement est résumé plus en détail sur la figure 8 et fait apparaître une étape supplémentaire 14 d'analyse de l'ensemble primaire suspect de composant, comportant, lorsque cet ensemble primaire de composants satisfait une condition prédéterminée, une capture sélective de grandeurs physiques relatives à certains composants de cet ensemble primaire On reviendra plus en détail sur cette analyse ultérieurement. Comme évoqué ci-avant, l'information déduite du rapproche- ment des deux fourchettes est représentative d'un fonction- nement incorrect d'au moins un composant de l'ensemble pri- maire lorsque ces deux fourchettes sont disjointes sur une fraction significative de l'intervalle temporel Une frac- tion est significative lorsqu'elle comporte un nombre prédé- terminé d'instants d'échantillonnages successifs, par exem- ple supérieur ou égal à deux Une telle précaution vise à éviter le diagnostic de conflits illicites, notamment lorsque les fourchettes d'incertitude estimées résultent de calculs de dérivées temporelles En effet, il importe de remarquer que les fonctions à dériver n'étant pas connues a priori et cela d'autant moins que le réseau de compo- sants considéré est en panne la valeur de la dérivée ris- que d'être mal estimée et par conséquent d'engendrer un conflit illicite Par contre, un véritable conflit n'appa- raitra en général que pendant plusieurs instants d'échantil- lonnages successifs Bien entendu, si par exemple, lors d'un premier découpage de l'intervalle temporel, la fraction significative est réduite à un seul instant d'échantillon- nage, l'utilisateur a toujours la possibilité, puisque les moyens de définition de l'intervalle temporel sont commanda- bles, de modifier le découpage temporel de l'intervalle en des instants d'échantillonnage plus rapprochés de façon à mettre en évidence éventuellement le conflit sur plusieurs instants d'échantillonnages successifs révélant alors une véritable fraction significative. y Lorsque les première et deuxième fourchettes d'origines différentes pour une même grandeur physique présentent une fourchette d'intersection non vide, cette fourchette d'in- tersection est affectée en priorité à ladite grandeur physi- que En d'autres termes, l'obtention de ces deux fourchettes non disjointes ne révèle pas un ensemble primaire suspect de composants et permet tout au plus d'affirmer que les hypothèses ayant conduit à l'établissement de ces deux four- chettes sont consistantes Les moyens de traitement, en affectant en priorité la fourchette d'intersection à la grandeur physique, pourront éventuellement comparer ulté- rieurement cette fourchette d'intersection à une autre four- chette d'origine différente obtenue pour cette grandeur physique à partir d'un autre groupe de composants pour déce- 1 er éventuellement un autre conflit Par ailleurs, le méca- nisme d'estimation se poursuit, éventuellement, à partir de cette fourchette d'intersection. La figure 9 illustre plus en détail le mécanisme du choix et de l'ordre des composants relativement auxquels seront effectuées les captures de grandeurs physiques On suppose ici que le réseau de composants comporte une pluralité de mailles. Ce premier mécanisme comporte tout d'abord un premier critè- re de décision portant sur la sélection d'une maille au sein de laquelle sera effectuée au moins une capture de grandeur physique d'un type choisi Ce premier critère in- clut un premier sous-critère 110 portant sur l'analyse du nombre de grandeurs physiques, par exemple des différences de potentiels, déjà connues (c'est-à-dire captées ou esti- mées) au sein de chaque maille. En cas de sélection possible 111 d'au moins deux mailles selon le premier sous-critère, il est prévu un deuxiè- me sous-critère 113 portant sur le nombre des composants de chaque maille sélectionnable 112 Selon ce deuxième sous- critère, les moyens de traitement sélectionneront préféren- tiellement une maille en fonction de son nombre de compo- sants pris dans l'ordre 3, 4, 2. En cas de sélection possible d'au moins deux mailles selon le deuxième sous-critère (étape 114), il est prévu un troi- sième sous-critère 116 portant sur la nature des compo- sants de ces mailles sélectionnables 115. Ainsi, lorsqu'il s'agit d'un circuit électronique, la maille sélectionnée selon le troisième sous-critère est celle pré- sentant le plus grand nombre de composants passifs (résis- tance, condensateur, inductance et autres multipôles pas- sifs). Si plusieurs mailles sont encore sélectionnables par le troisième sous-critère ( 117, 118), il est procédé à une sélection arbitraire d'une de ces mailles (étape 119-1), de façon à obtenir la maille sélection MSE. Une fois cette maille sélectionnée MSE obtenue, le premier mécanisme comporte un deuxième critère de décision 119-2 portant sur la nature du composant de cette maille Ainsi, dans le cas d'un circuit électronique, la capture d'une différence de potentiel sera préférentiellement effectuée aux bornes d'un composant passif et préférentiellement en- core aux bornes d'un dipôle. Ce premier mécanisme de décision permet alors l'affichage sur l'écran d'un composant sélectionné CPS relativement auquel l'utilsateur devra effectuer la capture 12 de la grandeur physique (figure 10). A partir de là, les moyens de traitement procèdent, comme illustré sur la figure 10, à l'estimation 13 des diverses grandeurs physiques évoquées ciavant, à partir des modèles, des règles et autres grandeurs physiques stockées dans la mémoire MM du dispositif, plus particulièrement dans la mémoire de valeurs et dans la mémoire de modèles. Ce deuxième mécanisme d'estimation estime toutes les gran- deurs physiques possibles à partir de la structure du réseau et des données contenues dans la mémoire de valeurs et les moyens de traitement peuvent en déduire, au cours de cette estimation, un ensemble primaire suspect EP Ri par l'obten- tion de deux fourchettes disjointes FD Il convient de re- marquer que l'obtention d'un ensemble primaire suspect n'in- terrompt pas forcément le traitement d'estimation si d'au- tres grandeurs physiques peuvent être encore estimées. Ainsi, de même qu'il était possible de procéder à de nou- velles estimations à partir d'une fourchette d'intersection de deux fourchettes non disjointes, il est possible de pour- suivre le traitement d'estimation à partir de l'une au moins de deux fourchettes disjointes aux fins de l'obtention éven- tuelle d'un autre conflit. En présence d'un tel ensemble primaire suspect, il est pro- cédé, comme évoqué ci-avant, à une analyse de ce dernier (figure 11) Les moyens de traitement déterminent tout d'a- bord si cet ensemble primaire de composants satisfait à la condition prédéterminée d'un ensemble dit "minimum" (éta- pe 140) Concrètement, dans le cas d'un circuit électro- nique par exemple, un ensemble minimum de composants se caractérise par des composants tous connectés à une même borne commune Si cette condition est satisfaite, il n'est procédé à aucun traitement supplémentaire sur cet ensemble. Dans le cas contraire, il est procédé à une capture d'une différence de potentiel aux bornes des composants de l'en- semble primaire suspect EP Ri pour lesquels cette capture n'a pas déjà été effectuée (étapes 141-142) A partir de ces captures éventuelles, il est procédé à de nouvelles estimations (étape 143) pour aboutir éventuellement à un autre ensemble primaire suspect de composants. Un exemple précis d'utilisation du dispositif selon l'inven- tion va maintenant être illustré sur le cas particulier d'un circuit électronique, en se référant plus particulière- ment aux figures 12 à 15. Le circuit à dépanner CI, illustré sur la figure 12, ne diffère du circuit CI illustré sur la figure 5 du Brevet principal que par la suppression de la diode D 2 pour des raisons de simplification. L'intervalle temporel choisi pour les différences de poten- tiel captées dans le circuit CI est compris entre O et 40 microsecondes, échantillonnés toutes les 0,1 microseconde. Comme dans le Brevet principal, le composant défectueux est le condensateur Cl. L'homme du métier pourra se référer à l'annexe 1 du Brevet principal en ce qui concerne les caractéristiques des diffé- rents composants du circuit A des fins de simplification, on décrira ici principalement le déroulement de l'algorithme de fonctionnement en ne citant que quelques valeurs numéri- ques pour les diverses fourchettes de précision, d'incerti- tude et d'incertitude estimée. Les grandeurs physiques captées seront ici des différences de potentiels, remarque étant faite qu'il aurait été bien sûr possible de prévoir des sondes propres à capter des courants Les grandeurs estimées seront donc des courants, mais également des différences de potentiel. Au début du test, aucune différence de potentiel n'est con- nue puisqu'aucune différence de potentiel n'a été captée. En conséquence, le choix de la maille sélectionnée MSE s'ef- fectue en fonction des deuxième et troisième sous-critères pour aboutir à la sélection de la maille Ml comportant trois composants passifs R 2, Cl et R 3. Le composant sélectionné CPS est la résistance R 2 entre les bornes a et b de laquelle est captée la différence de potentiel V(R 2,a,b) (étape 12). A partir de cette différence de potentiel captée, du modèle de la résistance et des règles générales contenues dans la mémoire de modèles, sont estimés les courants I(R 2,a) et I(R 2,b) aux deux bornes de la résistance ainsi que la différence de potentiel V(R 2,b,a) entre les bornes b et a de cette même résistance. Etant donné qu'à ce stade du traitement, il n'est plus pos- sible d'estimer une grandeur physique avec les données pré- sentes dans la mémoire de valeurs, il convient de choisir une autre maille pour la capture d'une différence de poten- tiel La maille Ml est à nouveau choisie puisque c'est celle qui présente le plus grand nombre de différences de poten- tiels déjà connues. Le composant sélectionné CPS est alors le condensateur Cl entre les bornes b et a duquel est captée une différence de potentiel Il est rappelé ici que la capture de cette différence de potentiel s'effectue dans les mêmes conditions de fonctionnement du circuit que celles effectuées pour la capture précédente, c'est-à-dire entre l'instant de mise en route du circuit ( O microseconde) et 40 microsecondes. A partir de cette différence de potentiel, sont successive- ment estimés: la différence de potentiel V(Cl,a,b) entre les bornes a et b, le courant I(Cl,a) en la borne a, le courant I(Cl,b) en la borne b, puis, en supposant un courant total nul au noeud N 2, le courant de base I(Ql,b) du transistor Q 1 à partir du courant estimé en la borne b de la résistance R 2 et du cou- rant estimé en la borne a du condensateur Cl, puis la différence de potentiel V(R 3,a,b) entre les bornes a et b de la résistance R 3, à partir des deux différences de potentiels précédemment captées, dont la fourchette d'in- certitude estimée à l'instant 10,2 Vs vaut environ ( 4,848; 4,969), le courant I(R 3,a) en la borne a de la résistance R 3, le courant I(R 3, b) en la borne b de la résistance R 3, puis, avec l'hypothèse du courant nul au noeud N 4 du cir- cuit, le courant I(Q 2,c) de collecteur du transistor Q 2. A ce stade de l'estimation, il apparaît deux fourchettes disjointes pour le courant de collecteur du transistor Q 2 (référence FD 1) sur les quatre instants d'échantillonnage successifs suivants: 16,4 is; 16,5 ps; 16,6 ps; 16,71 is La première de ces fourchettes disjointes est une fourchette d'incertitude estimée et le groupe de composants ayant con- triubé à son établissement comporte le transistor Q 2, la résistance R 3, la résistance R 2 et le condensateur Cl A titre d'exemple, la fourchette d'incertitude estimée à l'instant 16,4 Us vaut (-0,03 A; -0,006 A) environ. La deuxième de ces fourchettes est une fourchette de réfé- rence contenue dans le modèle du transistor Q 2 et précisant que ce courant collecteur doit ère positif, c'est-à-dire la fourchette l-10-4 A, + rl Bien entendu, seul le transis- tor Q 2 est à l'origine de cette fourchette de référence et constitue alors, en quelque sorte, le deuxième groupe de composants ayant contribué à l'établissement de cette fourchette de référence. En conséquence, un premier ensemble primaire suspect de composants EPR 1, résultant de la réunion des deux groupes de composants ci-avant, comporte le transistor Q 2, la résis- tance R 3, la résistance R 2 et le condensateur Cl. Bien que les moyens de traitement doivent maintenant analy- ser (étape 14) cet ensemble primaire de composants EPR 1, le mécanisme d'estimation permet encore l'estimation 13 de la différence de potentiel V(R 3,b,a) entre les bornes b et a de la résistance R 3. L'analyse de cet ensemble primaire de composants EP Rl révèle qu'il ne s'agit pas là d'un conflit minimum puisque les quatre composants de cet ensemble ne sont pas tous connectés à une même borne En conséquence, il convient d'examiner aux bornes de quel composant de cet ensemble une capture de différence de potentiel n'a pas déjà été effectuée Il s'agit là des composants R 3 et Q 2 La résistance R 3 étant un composant passif, la capture de la différence de poten- tiel s'effectuera préférentiellement à ses bornes, ce qui est réalisé dans l'étape 142 entre les bornes b et a. A partir de là sont successivement estimées: la différence de potentiel V(R 3,a,b) entre les bornes a et b de la résistance R 3, le courant I(R 3,a) en la borne a de la résistance en uti- lisant le modèle de celle-ci, puis le courant I(R 3,b) en la borne b et enfin le courant collecteur I(Q 2,c) du transistor Q 2 en utili- sant à nouveau le courant en la borne b du condensateur Ci, le courant en la borne b de la résistance R 3 et le fait que le courant est nul au noeud N 4. L'homme du métier remarque ici qu'en ce qui concerne la différence de potentiel V(R 3,a,b) aux bornes de la résis- tance R 3, on obtient une deuxième fourchette d'incertitude estimée qui vaut environ ( 4,870; 4,962) à l'instant 10,2 us. En effet, cette grandeur avait déjà été estimée auparavant à partir de la capture de la différence de potentiel aux bornes du condensateur Cl Cependant, ces deux fourchet- tes n'étant pas disjointes, les moyens de traitement ne concluent pas à l'existence d'un ensemble primaire suspect de composants La fourchette d'intersection ( 4,870; 4,962) à l'instant 10,2 V Is entre ces deux fourchettes est alors stockée dans la mémoire de valeurs pour être affectée en priorité à cette grandeur physique lors d'une comparaison ultérieure éventuelle et être utilisée par le mécanisme d'estimation pour d'autres estimations. Par contre, on obtient (référence FD 2) une autre fourchette d'incertitude estimée en ce qui concerne le courant de col- lecteur du transistor Q 2 qui, rapprochée à nouveau avec la fourchette de référence du modèle, révèle une intersec- tion vide sur deux instants d'échantillonnage. Les moyens de traitement concluent donc à l'existence d'un deuxième ensemble primaire de composants EPR 2 comportant le transistor Q 2, le condensateur Cl et la résistance R 3. L'intersection des deux ensembles primaires EPRI et EPR 2 est réduite à l'ensemble primaire EPR 2 Le traitement doit donc être poursuivi puisque, à ce stade, on ne peut pas discerner parmi ces trois composants Q 2, Cl, R 3 lequel pré- sente un fonctionnement incorrect. L'étape 14 d'analyse de l'ensemble primaire EPR 2 est effec- tuée et révèle que cet ensemble primaire traduit un conflit minimum puisque les trois composants sont tous connectés au noeud N 4 Aucune capture supplémentaire de différence de potentiel n'est alors effectuée sur cet ensemble pri- maire. La maille suivante sélectionnée selon le premier mécanisme est la maille M 2 constituée des composants Rl, Ql et R 2, puisque, mise à part la maille Ml, il s'agit de la maille présentant le plus fort nombre de différences de potentiels déjà connues. Le composant sélectionné CPS est la résistance Rl entre les bornes b et a de laquelle est effectuée une capture 12 de différence de potentiel. A partir de cette grandeur physique captée, sont successive- ment estimés: la tension V(Rl,b,a) aux bornes de cette résistance prise entre les bornes b et a, le courant I(Rl,a) en la borne a et le courant I(Rl,b) en la borne b en utilisant le modèle de résistance, le courant d'alimentation I(ALIM+) en la borne positive de cette alimentation ALIM en utilisant la règle du courant nul au noeud N 3 du circuit et les courants estimés I(Rl,a), I(R 2,a), I(R 3,a) en les bornes a des résistances Rl, R 2 et R 3, le courant I(ALIM-) en la borne moins de l'alimentation, la tension base collecteur V(Ql,bc) du transistor Ql connaissant les différences de potentiels captées aux bornes des résistances Rl et R 2 ainsi que la règle de nullité de la somme des différences de potentiels le long de la maille M 2. Aucune autre estimation n'étant possible, il convient de sélectionner un autre composant aux bornes duquel sera cap- tée une différence de potentiel. La maille sélectionnée est alors la maille M 3 constituée du transistor Ql, de la résistance R 4, du transistor Q 2 et du condensateur Cl. Le composant sélectionné est la résistance R 4 entre les bornes a et b de laquelle est captée la différence de poten- tiel (étape 12). A partir de là sont successivement estimés la différence de potentiel V(R 4,b,a) entre les bornes b et a de cette résistance, les courants en les deux bornes de cette résistance, le courant de collecteur (I(Ql,c) du transistor Ql en utilisant les courants aux bornes a et b des résistances R 4 et Rl ainsi que la règle du courant nul au noeud Nl, le courant émetteur I(Ql,e) du transistor Ql à partir du courant de collecteur de ce transistor, du courant de base de ce transistor et de la règle spécifiant un courant nul au niveau de la jonction des trois bornes de ce transis- tor, remarque étant faite que le courant de base de ce tran- sistor Ql est estimé à partir du courant en la borne b de la résistance R 2, du courant en la borne a du condensateur Cl et de la règle spécifiant un courant nul au noeud N 2. On obtient alors, pour ce courant émetteur du transistor Q 1, une première fourchette d'incertitude estimée qui, rap- prochée avec la fourchette de référence du modèle spécifiant que ce courant doit être négatif, révèle une intersection vide et donc un troisième ensemble primaire suspect de com- posants EPR 3 comportant le transistor Ql, la résistance Ri, la résistance R 4, la résistance R 2 et le condensateur Cl. A titre indicatif, le conflit apparaît aux instants 10 ps et 10,1 lis et la première fourchette d'incertitude estimée vaut environ, à ce dernier instant ( 0,02 A; 0,05 A). La comparaison des trois ensembles primaires obtenus (étape 2) révèle une intersection réduite à un seul composant, à savoir le composant défectueux (qui est ici le condensa- teur Cl), ce qui met fin au programme de diagnostic dans l'hypothèse d'une panne unique. L'homme du métier remarque ainsi que seules deux captures de différences de potentiels ont été nécessaires pour l'ob- tention du premier ensemble primaire suspect de composants et que cinq captures de différences de potentiels ont été nécessaires au total pour l'établissement du diagnostic révélant le condensateur Cl en tant que composant défec- tueux. Bien qu'il soit particulièrement avantageux d'utiliser la mise en oeuvre de l'automate de décisions, le dispositif de test ici décrit permet également à l'utilisateur de choi- sir lui-même les composants relativement auxquels il effec- tuera des captures de grandeurs physiques, par exemple dans des cas simples ou lorsque celui-ci a déjà une idée précon- çue sur la panne qu'il recherche Dans ce cas, la suite du traitement reste analogue à celle décrite précédemment, notamment en ce qui concerne le mécanisme d'estimation et le rapprochement des fourchettes. L'utilisateur peut également modifier l'automate de décision par l'adjonction de critères particuliers, par exemple spé- cifiques au réseau de composants en cours de test, ou pour remplacer la sélection arbitraire d'une maille. Il convient encore de remarquer que, comme dans le Brevet principal, la notion de composant n'est pas limitée à celle habituellement attribuée à une résistance ou à un transistor par exemple, mais peut désigner également un noeud ou une liaison du circuit inaccessible aux sondes, notamment dans le cas de circuits multicouches présentant des liaisons intercouches physiquement inaccessibles aux sondes. Les avantages du dispositif selon l'invention sont les sui- *vants, outre ceux déjà évoqués le diagnostic du circuit n'est pas limité aux pannes con- tinûment observables et permet la mise en évidence de pannes apparaissant par exemple lors de régimes transitoires, par l'utilisation d'un diagnostic sur un intervalle temporel de durée modulable, le comportement nominal du réseau de composants n'a pas à être décrit ni même sa fonctionnalité ni même le symptôme de panne, il n'est pas nécessaire de prévoir une description préala- ble des pannes probables du réseau, le recours à une modélisation numérique améliore la fines- se des pannes détectables et élimine l'hypothèse qu'une panne doit entraîner une variation significative du compor- tement du réseau, les pannes provenant d'un changement de structure tel qu'un court-circuit et les fautes de fabrication telles qu'une erreur de composant, sont traitées comme les autres pannes,, le dispositif permet bien évidemment le traitement des pannes multiples, les modèles de composants ainsi que les expressions lois générales peuvent porter sur des grandeurs non-mesurables qui pourront être estimées. Il convient encore de remarquer que l'utilisation de four- chettes de précision, d'incertitude estimées et de réfé- rence n'est pas incompatible avec le test sur l'ensemble des expressions de courant estimées par le dispositif décrit dans le Brevet principal, d'une condition prenant en compte la nullité présumée du courant total en une borne commune du réseau. Enfin, bien qu'avantageusement utilisé dans le domaine de l'électronique, le dispositif de test ici décrit peut être utilisé dans d'autres domaines. L'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation ci- dessus décrits mais en embrasse toutes les variantes défi- nies dans le cadre des revendications ci-après. Ainsi ont été estimées ici des valeurs de courants On pour- rait également estimer des expressions *de courant telles qu'un gain en courant par exemple, ou bien d'autres gran- deurs physiques à partir d'autres modèles et expressions- lois appropriés. Par ailleurs, l'une des grandeurs physiques sur laquelle est susceptible de s'effectuer le rapprochement des deux fourchettes peut être le courant traversant une jonction semi-conductrice telle qu'une diode, ou bien encore la dif- férence de potentiel aux bornes d'un composant passif, tel qu'une résistance. Le dispositif n'est pas incompatible avec l'utilisation d'expressionscomposant relatives à des fonctionnements incorrects de composants (modèles de fautes) qui peuvent être employées, par exemple, pour confirmer ou affiner un diagnostic obtenu à partir de modèles relatifs à un fonc- tionnement correct des composants. Bien entendu, certains des moyens décrits ci-dessus peuvent être omis dans les variantes o ils ne servent pas. Revendications. 1 Dispositif électronique de test d'un réseau de compo- sants, selon l'une des revendications du Brevet principal, comprenant l des moyens d'interface comprenant: des moyens pour définir des instants d'échantillonnage dans un intervalle temporel choisi, des moyens pour identifier au moins un composant du ré- seau, une sonde pour capter une grandeur physique, relative à l'état de fonctionnement de ce composant, et des moyens coopérant avec la sonde pour délivrer une série d'échantillons de cette grandeur physique à l'intérieur de l'intervalle temporel choisi, une mémoire de modèles fonctionnels, comprenant des ex- pressions-composant portant sur des grandeurs physiques relatives à au moins une espèce particulière de composant, une mémoire de valeurs, propre à stocker plusieurs séries d'échantillons de grandeurs physiques, correspondant au même intervalle de temps, mais relatives à différents compo- sants du réseau, des moyens de traitement reliés à ces mémoires et aux moyens d'interface, aptes à effectuer un traitement compor- tant l'estimation, sur ledit intervalle temporel, de gran- deurs physiques, compte tenu d'expressions contenues dans lesdits modèles et d'échantillons captés, et leur stockage dans la mémoire de valeurs ainsi que des tests sur des va- leurs contenues dans la mémoire de valeurs, caractérisé en ce que la mémoire de modèles fonctionnels comprend en outre des expressions-lois représentant des relations générales entre grandeurs physiques, en ce que certains au moins des échantillons captés sont stockés en mémoire avec des fourchettes de précision, en ce que les modèles fonctionnels (MODR 10, MODC 10, MODQ 10) sont au moins en partie affectés de fourchettes d'incerti- tude, en ce que toute estimation est stockée en mémoire avec sa fourchette d'incertitude estimée, résultant de certaines au moins desdites fourchettes d'incertitude et desdites fourchettes de précision, en ce que, lorsque la mémoire contient, sur certains au moins des instants d'échantillonnage, une première et une deuxième fourchette d'origine différente pour une même gran- deur physique, établies à partir de la contribution d'un ensemble primaire de composants (EP Ri), ces deux fourchettes sont rapprochées pour en déduire une première information sur le fonctionnement des composants de cet ensemble pri- maire. 2 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacune des première et deuxième fourchettes appartient au groupe de fourchettes comprenant les fourchettes de pré- cision, et les fourchettes d'incertitude estimées. 3 Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que certains au moins des modèles de composants (MODQ 10) comportent au moins une fourchette de référence portant sur des grandeurs physiques particulières relatives à ces composants, et en ce que ledit groupe de fourchettes comporte en outre la(les) fourchette(s) de référence. 4 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les expressions-composants contenues dans la mémoire de modèles portent sur un fonctionnement correct des composants. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que, lorsque lesdites première et deuxième fourchettes (F Di) sont disjointes sur au moins une fraction significative de l'intervalle temporel, ladite première information est représentative d'un fonctionnement incorrect d'au moins un composant dudit ensemble primaire de compo- sants. 6 Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que, en présence d'un ensemble primaire de composants ayant conduit à l'obtention de deux fourchettes disjointes et satisfaisant une condition prédéterminée, le traitement comporte une capture sélective ( 14) de grandeurs physiques relatives à certains composants de cet ensemble primaire. 7 Dispositif selon l'une des revendications 5 et 6, carac- térisé en ce que, en présence de deux ensembles primaires différents ayant conduit à l'obtention de deux fourchettes disjointes, le(s) composant(s) suspecté(s) d'un fonctionne- ment incorrect (CD) appartient à l'intersection des deux ensembles primaires. 8 Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que le traitement est effectué au moins jusqu'à l'obtention de deux ensembles primaires dont l'intersection comporte un seul composant (CD). 9 Dispositif selon l'une des revendications 5 à 8, caracté- risé en ce que ladite fraction significative de l'intervalle temporel comporte un nombre prédéterminé d'instants d'échan- tillonnage successifs. 10 Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit nombre prédéterminé est supérieur ou égal à deux. 11 Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, carac- térisé en ce que, lorsque lesdites première et deuxième fourchettes présentent une fourchette d'intersection non vide, cette fourchette d'intersection est affectée en prio- rité à ladite grandeur physique. 12 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les moyens de définition des instants d'échantillonnage sont commandables. 13 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les moyens de traitement sont aptes à estimer, pour certains au moins des composants, au moins une grandeur physique appartenant au groupe comportant: * les grandeurs physiques d'un type différent de celles déjà captées respectivement pour ces composants, * les grandeurs physiques déjà captées respectivement pour ces composants, et en ce que cette estimation est obtenue à partir d'au moins une valeur de la mémoire de valeurs. 14 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que, pour une grandeur physique estimée obtenue à partir d'une formulation faisant intervenir une pluralité de grandeurs physiques différentes, ladite formu- lation est agencée pour ne mentionner qu'une seule fois chaque grandeur physique différente. 15 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une mémoire propre à mémoriser la configuration du réseau. 16 Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que le traitement comprend la mise en oeuvre d'un automa- te de d Scisions ( 1), relié à la structure du réseau, et comportant un premier mécanisme ( 11) portant sur la détermi- nation du choix et de l'ordre des composants relativement auxquels seront effectuées les captures des différentes grandeurs physiques, ainsi qu'un deuxième mécanisme ( 13) portant sur les estimations de grandeurs physiques. 17 Dispositif selon la revendication 16, caractérisé en ce que le réseau de composants comprend une pluralité de mailles, et en ce que le deuxième mécanisme comporte * pour un composant d'une maille ayant donné lieu à une capture de grandeurs physiques d'un type choisi, une estima- tion d'au moins une grandeur physique d'un type différent dudit type choisi, tirée d'un modèle fonctionnel dudit com- posant et des échantillons de ladite grandeur physique cap- tée, * pour un composant n'ayant pas donné lieu à une grandeur physique captée d'un type choisi, et appartenant à ladite maille ou directement connecté à un composant de ladite maille, une estimation d'au moins une grandeur physique, de même type que le type choisi ou d'un type différent, obtenue à partir de valeurs déjà stockées dans la mémoire de valeurs et associées à au moins un composant de ladite maille. 18 Dispositif selon la revendication 11 prise en combinai- son avec l'une des revendications 16 et 17, caractérisé en ce que le deuxième mécanisme est susceptible d'utiliser ladite fourchette d'intersection pour d'autres estimations de grandeurs physiques. 19 Dispositif selon l'une des revendications 16 à 18, ca- ractérisé en ce que le réseau de composants comprend une pluralité de mailles, et en ce que le premier mécanisme comporte un premièr critè- re de décision ( 110) portant sur la sélection d'une maille au sein de laquelle sera effectuée au moins une capture de grandeurs physiques. 20 Dispositif selon la revendication 19, caractérisé en ce que le premier critère comporte un premier sous-critère portant sur le nombre de grandeurs physiques déjà connu au sein de chaque maille. 21 Dispositif selon la revendication 20, caractérisé en ce que, en cas de sélection possible d'au moins deux mailles ( 112) selon le premier sous-critère ( 113), le premier critè- re comporte un deuxième sous-critère portant sur le nombre de composants de ces mailles ( 112). * 2659144 22 Dispositif selon la revendication 21, caractérisé en ce que le deuxième sous-critère comporte la sélection préfé- rentielle d'une maille en fonction de son nombre de compo- sants pris dans l'ordre: 3, 4, 2. 23 Dispositif selon l'une des revendications 21 et 22, caractérisé en ce que, en cas de sélection possible d'au moins deux mailles ( 115) selon le deuxième sous-critère, le premier critère comporte un troisième sous-critère ( 116) portant sur la nature des composants de ces mailles ( 115). 24 Dispositif selon l'une des revendications 17 à 23, ca- ractérisé en ce que, au sein d'une maille sélectionnée (MSE), le premier mécanisme comporte un deuxième critère de décision ( 119-2) portant sur la nature des composants de cette maille (MSE). Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le réseau de composants est un circuit électronique (CI). 26 Dispositif selon la revendication 25, caractérisé en ce que les grandeurs physiques captées appartiennent au groupe comportant des expressions de courant et des diffé- rences de potentiel. 27 Dispositif selon la revendication 26, caractérisé en ce que les grandeurs physiques estimées appartiennent au groupe comportant des expressions de courant et des diffé- rences de potentiel. 28 Dispositif selon la revendication 20, prise en combinai- son avec l'une des revendications 25 et 26, caractérisé en ce que la maille sélectionnée selon le troisième sous- critère est celle présentant le plus grand nombre de compo- sants passifs. 29 Dispositif selon la revendication 24, prise en combinai- son avec l'une des revendications 25 et 26, caractérisé en ce que le deuxième critère comporte la capture d'une différence de potentiel préférentiellement aux bornes d'un composant passif. Dispositif selon la revendication 29, caractérisé en ce que, en présence de plusieurs composants passifs, la capture d'une différence de potentiel est effectuée préfé- rentiellement aux bornes d'un dipôle. 31 Dispositif selon la revendication 6, prise en combinai- son avec l'une des revendications 25 et 26, caractérisé en ce que la capture ( 142) d'une différence de potentiel est effectuée aux bornes des composants de l'ensemble pri- maire pour lesquelles cette capture n'a pas déjà été effec- tuée, sauf si cet ensemble primaire ( 140) ne comporte que des composants connectés à une même borne commune. 32 Dispositif selon l'une des revendications 25 à 31, ca- ractérisé en ce que le traitement comporte: * pour certains au moins des composants du réseau, à partir de la capture d'une différence de potentiel entre une pre- mière et une deuxième borne de l'un de ces composants, l'es- timation de la différence de potentiel entre les deuxième et première bornes, les estimations des courants en chacune de ces deux bornes, * pour un composant dont une borne est connectée à un noeud du réseau auquel sont également connectées les bornes res- pectives d'autres composants pour lesquelles les courants respectifs en ces bornes sont connus, l'estimation du cou- rant en la borne dudit composant, * pour un composant appartenant à une maille dont les diffé- rences de potentiel aux bornes des autres composants de cette maille sont connues, l'estimation de la différence de potentiel aux bornes de ce composant. 33 Dispositif selon l'une des revendications 25 à 32, ca- ractérisé en ce que lesdites expressions-lois prennent en compte au moins une règle prise parmi: * la nullité du courant total en un noeud du circuit, et * la nullité de la somme des différences de potentiels le long d'une maille. 34 Dispositif selon l'une des revendications 25 à 33, ca- ractérisé en ce que l'une des grandeurs physiques sur la- quelle est susceptible de s'effectuer le rapprochement des deux fourchettes appartient au groupe comportant les cou- rants d'émetteur, de base et de collecteur d'un transistor et les différences de potentiel entre deux de ses trois bornes. Dispositif selon l'une des revendications 25 à 34, ca- ractérisé en ce que l'une des grandeurs physiques sur la- quelle est susceptible de s'effectuer le rapprochement des deux fourchettes est le courant traversant une jonction semi-conductrice, en particulier une diode. 36 Dispositif selon l'une des revendications 25 à 35, ca- ractérisé en ce que l'une des grandeurs physiques sur la- quelle est susceptible de s'effectuer le rapprochement des deux fourchettes est la différence de potentiel aux bornes d'un composant passif, en particulier une résistance.