FR 2654870 A1 19910524 FR 9003111 A 19900312 Dispositif semi-conducteur, notamment dispositif de mémoire à condensateur, et procédé pour sa fabrication. La présente invention a pour objet un dispositif semi-conducteur et un procédé pour sa fabrication, notamment un dispositif de mémoire à semi- conducteur et condensateur ainsi qu'un procédé pour sa fabrication avec lesquels les défauts produits pendant l'opération de fabrication de condensateur du dispositif de mémoire peuvent être réduits le plus possible. Récemment, suivant les progrès des techniques de fabrication des semi-conducteurs et l'extension du champ d'application des dispositifs de mémoire, le développement des dispositifs de mémoire de grande capacité a été favorisé On a, notamment, effectué un progrès remarquable en accroissant la densité des mémoires DRAM (mémoires dynamiques à accès direct) par fabrication d'une cellule de mémoire individuelle constituée d'un condensateur unique et d'un transistor unique. En ce qui concerne la structure des cellules de mémoire, pour accroître le degré d'intégration des mémoires DRAM, on est passé d'un élément de condensateur de type planaire classique à une structure à trois dimensions telle qu'une structure d'élément de condensateur du type à couches superposées et du type à cavité. Lors de la fabrication d'un condensateur du type à cavité le substrat est soumis à une attaque chimique anisotrope, de sorte que les zones des parois latérales étendues sont utilisées pour constituer une région de condensateur L'effet obtenu est que l'on peut avoir ainsi une plus grande capacité de l'intérieur d'une région étroite Cela est en outre avantageux pour la mise en application du procédé planaire par comparaison avec un condensateur du type à couches superposées qui sera décrit plus loin. Cependant, au cours de l'opération de réalisation d'un condensateur du type à cavité, on rencontre des difficultés dues notamment au problème des petites erreurs dues aux particules alpha ainsi qu'au courant de fuite entre les cavités qui peut se produire au cours d'un travail à petite échelle. D'autre part, le condensateur du type à couches superposées est fabriqué en déposant un condensateur sur un substrat en silicium Ce condensateur a pour avantage d'être dans une large mesure à l'abri des petites erreurs dues à une petite région de diffusion En outre, le procédé de fabrication est relativement simple Cependant, au cours de la fabrication de ce condensateur du type à couches superposées, on rencontre des problèmes de recouvrement de gradins dus à la structure à couche superposées du condensateur sur un transistor Une autre difficulté consiste a faire croître un film diélectrique. Pour que la structure à trois dimensions du condensateur puisse être mise en application dans un dispositif de mémoire UVLSI à très grande échelle d'intégration, dont l'ordre de grandeur est voisin d'un demi-micromètre et inférieur, on a proposé un condensateur du type à topologie présentant une grande hauteur de superposition ou un condensateur du type à couches superposées et à cavité combinées Le procédé de fabrication d'un condensateur du type à couches superposées et à cavité combinées est représenté sur les figures l A à 1 D et est décrit ci-après en détail. La figure l A représente un procédé pour former un transistor et une cavité 10 sur un substrat semi-conducteur 100 On commence par former une région active en faisant croître une couche d'oxyde de champ 101 sur le substrat semi-conducteur 100 Puis on forme sur la région active une électrode de commande 2, une région de source 3 et une région de drain 4 du transistor qui fait partie de la cellule de mémoire On forme ensuite une première couche conductrice 5, par exemple une première couche de silicium polycristallin dopé avec des impuretés Cette couche est formée de manière à être raccordée à l'électrode de commande de la cellule de mémoire qui est disposée au voisinage d'une partie prédéterminée quelconque de la couche d'oxyde d'un champ 101 Puis on forme une couche isolante 6 sur la surface de l'ensemble de la structure décrite ci-dessus. Ensuite, une cavité 10 est formée à travers la couche isolante 6, entre la couche d'oxyde de champ 101 et l'électrode de commande 2, en appliquant un masque Après cela, on arrondit les angles vifs de cette cavité 10 On forme en même temps une couche d'oxyde de protection 11, ayant une épaisseur de 100 A à 1000 A sur l'intérieur de la cavité ainsi que sur la couche isolante 6 pour supprimer les dommages qui auraient pu être causés pendant la formation de la cavité 10. La figure 1 B représente un procédé pour former une deuxième couche conductrice 12 utilisée en tant que première électrode du condensateur La couche d'oxyde de protection 11 est éliminée et on forme ensuite la deuxième couche conductrice 12, par exemple une deuxième couche de silicium polycristallin dopé avec des impuretés, suivant une épaisseur de 500 À à 3000 A sur l'intérieur de la cavité 10 ainsi que sur la couche isolante 6 Cette deuxième couche conductrice 12 est utilisée en tant que première électrode du condensateur. On effectue ensuite sur la deuxième couche conductrice 12 des opérations telles que revêtement en matière photorésistante, exposition d'un masque et développement pour former finalement un modèle photorésistant 20. La figure 1 C représente un procédé pour former un premier modèle d'électrode 12 a et un film diélectrique 13 On attaque la deuxième couche conductrice 12 par gravure en utilisant le modèle photorésistant 20 pour former le premier modèle d'électrode 12 a On forme ensuite le film diélectrique l O 13 de manière à recouvrir la surface du premier modèle d'électrode 12 a. La figure 1 D représente un procédé pour former une troisième couche conductrice 14, par exemple une troisième couche de silicium polycristallin dopé avec des impuretés, sur la structure qui a été formée jusqu'à maintenant Cette troisième couche conductrice 14 est destinée à être utilisée en tant que deuxième électrode du condensateur Le condensateur du type à couches superposées et à cavité combinées est ainsi terminé. Suivant le procédé de fabrication classique du condensateur du type à couches superposées et à cavité combinées, tel qu'il est décrit plus haut, on forme la deuxième couche conductrice utilisée en tant que première électrode du condensateur, puis on forme le premier modèle d'électrode en utilisant un procédé d'attaque par photogravure Par conséquent, les sous- produits (principalement des polymères contenant des atomes de carbone en tant qu'élément principal) formés pendant le processus de photogravure viennent adhérer sur les parois latérales de la cavité Il en résulte qu'on ne peut pas former aisément un film diélectrique uniforme En outre, quand le condensateur est formé en déposant la troisième couche conductrice sur le film diélectrique, les caractéristiques électriques du condensateur sont affectées défavorablement, ce qui met en cause la fiabilité du condensateur. Par conséquent, la présente invention a pour but de créer un condensateur ayant une structure du type à couches superposées et à cavité combinées, dans lequel, pour résoudre les problèmes exposés plus haut en ce qui concerne les techniques classiques, on superpose de façon continue une deuxième couche conductrice, un film diélectrique et une troisième couche conductrice sur l'intérieur de la cavité ainsi que sur le transistor pour former un modèle de condensateur, puis on forme une quatrième couche conductrice de manière qu'elle soit isolée de la deuxième couche conductrice du modèle de condensateur. Un autre but de la présente invention est de créer un procédé de fabrication qui convienne pour fabriquer de façon efficace le condensateur ayant la structure mentionnée plus haut. A cet effet, la présente invention concerne un dispositif semi-conducteur comportant une couche d'oxyde de champ sélectivement formée pour constituer une région active sur un substrat semi-conducteur ayant un premier type de conductivité, une électrode de commande isolée électriquement et formée sur la région active, une région de source et une région de drain formées sur le substrat semi-conducteur d'un côté et de l'autre de l'électrode de commande, une première couche conductrice formée pour être reliée à une électrode de commande de la cellule de mémoire disposée au voisinage d'une partie prédéterminée quelconque de la couche d'oxyde de champ, une cavité formée dans le substrat semi- conducteur et dans la région de source, une première couche isolante pour isoler l'électrode de commande ainsi que la première couche conductrice, une deuxième couche conductrice dont la partie centrale s'étend sur l'intérieur de la cavité et dont les parties périphériques sont disposées sur la première couche isolante qui est disposée sur l'électrode de commande ainsi que sur la première couche conductrice, caractérisé en qu'un film diélectrique est formé de façon continue sur la deuxième couche conductrice, une troisième couche conductrice étant formée de façon continue sur ce film diélectrique, une deuxième couche isolante étant formée le long des parois latérales de la deuxième couche conductrice du film diélectrique et de la troisième couche conductrice, et une quatrième couche conductrice étant formée de manière à recouvrir la troisième couche conductrice ainsi que la deuxième couche isolante. En outre, pour atteindre les buts indiqués plus haut, le procédé de fabrication du condensateur du type à couches superposées et à cavité combinées suivant la présente invention comporte: une première opération pour former une couche d'oxyde de champ sur un substrat semi-conducteur ayant un premier type de conductivité et constituer une région active, une deuxième opération pour former sur la région active une électrode de commande, une région de source et une région de drain d'un transistor constituant un composant de la cellule de mémoire, pour former une première couche conductrice sur une partie prédéterminée quelconque de la couche d'oxyde de champ, et pour former une première couche isolante sur la structure obtenue par les opérations ci-dessus, une troisième opération pour former une cavité dans le substrat semi-conducteur entre la couche d'oxyde de champ et l'électrode de commande, caractérisé en ce qu'il comporte: une quatrième opération pour superposer de façon continue un deuxième couche conductrice, un film diélectrique et une troisième couche conductrice sur l'intérieur de la cavité et la première couche isolante, une cinquième opération pour former un modèle de condensateur par attaque chimique de certaines parties de la deuxième couche conductrice, du film diélectrique et de la troisième couche conductrice formés sur la première couche isolante, une sixième opération pour former une deuxième couche isolante le long des parois latérales du modèle de condensateur et, une septième opération pour former une quatrième couche conductrice sur la structure obtenue par les opérations ci-dessus. L'invention est décrite plus en détail ci- après en se référant aux dessins annexés, dans lesquels: les figures l A à 1 D représentent des procédés de fabrication d'un condensateur classique du type à couches superposées et à cavité combinées; la figure 2 est une vue en coupe d'un condensateur suivant l'invention du type à couches superposées et à cavité combinées; les figures 3 A à 3 F représentent un exemple de réalisation du procédé de fabrication d'un condensateur suivant l'invention du type à couches superposées et à cavité combinées et le figures 4 A à 4 D représentent un autre exemple de réalisation du procédé de fabrication d'un condensateur suivant l'invention du type à couches superposées et à cavité combinées. Le condensateur suivant l'invention du type à couches superposées et à cavité combinées représenté sur la figure 2 est fabriqué en formant sélectivement une couche d'oxyde de champ 101 sur un substrat semi- conducteur 100 ayant un premier type de conductivité pour constituer une région active Une électrode de commande 2 est formée sur la région active en étant isolée de cette région Une région de source 3 et une région de drain 4 sont formées sur le substrat semi- conducteur d'un côté et de l'autre de l'électrode de commande 2 Une première couche conductrice 5 est formée de manière à être raccordée à une électrode de commande de la cellule de mémoire disposée au voisinage d'une partie prédéterminée quelconque de la couche d'oxyde de champ lo O Une cavité 10 est formée dans la région de source 3 Une couche isolante de grille 6 a est formée sur l'électrode de commande 2 ainsi que sur la première couche conductrice 5 Une couche d'arrêt d'attaque chimique 6 b est formée sur la couche isolante de grille 6 a Une deuxième couche conductrice 12 est formée sur l'intérieur de la cavité 10 ainsi que sur une partie de la couche d'arrêt d'attaque chimique 6 b. Un film diélectrique 13 est formé sur la deuxième couche conductrice 12 Une troisième couche conductrice 14 est formée sur le film diélectrique 13 Une deuxième couche isolante 19 est formée le long des parois latérales de la deuxième couche conductrice 12, du film diélectrique 13 et de la troisième couche conductrice 14 Une quatrième couche conductrice 15 est formée de manière à recouvrir la troisième couche conductrice 14 ainsi que la deuxième couche isolante 19 On termine ainsi la fabrication du condensateur du type à couches superposées et à cavité combinées suivant la présente invention. Les figures 3 A à 3 F sont des vues en coupe montrant les opérations successives d'un exemple de réalisation du procédé de fabrication d'un condensateur du type à couches superposées et à cavité combinées. La figure 3 A représente une opération pour former un transistor et une cavité 10 sur un substrat semi-conducteur 100 On commence par faire croître une couche d'oxyde de champ 101 sur le substrat semi- conducteur 100 ayant un premier type de conductivité, en utilisant un procédé d'oxydation sélective, pour constituer un région active Une couche d'oxyde de grille 1 est formée avec une épaisseur de 100 À à 200 A sur la région active Puis, sur cette couche d'oxyde de grille 1, on forme une couche de silicium polycristallin dopé en impuretés pour servir d'électrode de commande 2 d'un transistor En même temps, une première couche conductrice 5, par exemple une première couche de silicium polycristallin dopé en impuretés, est formée de manière à être reliée à une électrode de commande de la cellule de mémoire qui est disposée au voisinage d'une partie prédéterminée quelconque de la couche d'oxyde de champ 101. On forme ensuite une région de source 3 et une région de drain 4 sur la surface du substrat semi- conducteur, d'un côté et de l'autre de l'électrode de commande 2, par implantation d'ions Puis, sur toute la surface de la structure décrite cidessus, on forme une première couche isolante 6 constituée d'une couche isolante de grille 6 a et d'une couche d'arrêt d'attaque chimique 6 b. On utilise ensuite un masque pour former une cavité 10, l'application de ce masque étant effectuée de façon telle qu'une partie de la région de source 3 et de la couche d'arrêt d'attaque chimique 6 b soit recouverte par ledit masque La cavité 10 est formée dans le substrat semi-conducteur 100 Puis, on arrondit les parties d'angles vifs de la cavité 10 et on forme en même temps une couche d'oxyde de protection 11, suivant une épaisseur de 200 A à 1000 À sur l'intérieur de la cavité 10 ainsi que sur la couche d'arrêt d'attaque chimique 6 b pour éliminer les dommages occasionnés à la surface du substrat semi-conducteur pendant la formation de la cavité 10 On utilise ici la couche d'arrêt d'attaque chimique 6 b en tant que masque pour constituer la cavité 10. La figure 3 B représente une opération de formation d'une deuxième couche conductrice 12 servant de première électrode du condensateur d'un film diélectrique 13 et d'une troisième couche conductrice 14 servant de première couche de la deuxième électrode du condensateur On commence par éliminer la couche d'oxyde de protection Il et on forme en cet emplacement de façon continue une deuxième couche conductrice 12, par exemple une couche de silicium polycristallin dopé en impuretés ayant une épaisseur de 100 A à 3000 A. Cette troisième couche est destinée à constituer la première couche de la deuxième électrode du condensateur. La figure 3 C représente une opération de formation d'un modèle photorésistant 30 On commence par effectuer le revêtement en matériau photorésistant, l'exposition d'un masque et le développement sur la troisième couche conductrice 14 On forme ensuite le modèle photorésistant 30 de manière que ce modèle photorésistant 30 recouvre certaines parties de l'électrode de commande 2 et de la première couche conductrice 5. La figure 3 D représente une opération de formation d'un modèle de condensateur 18 en utilisant une procédé d'attaque chimique Par une attaque chimique effectuée en utilisant le modèle photorésistant 30, on attaque simultanément la troisième couche conductrice 14, le film diélectrique 13 et la deuxième couche conductrice 12 On forme ainsi le modèle de condensateur 18 Pendant cette opération d'attaque chimique, l'électrode de commande 2, la première couche conductrice 5 et la couche d'oxyde de champ 1 o O sont protégées par la couche d'arrêt d'attaque chimique 6 b. La figure 3 E représente une opération de formation d'une deuxième couche isolante 19 Sur toute la surface de la structure obtenue par les opérations décrites plus haut, on dépose alors une deuxième couche il isolante 19 telle qu'une couche LTO (oxyde à basse température) ou une couche HTO (oxyde à haute température) Puis on forme une entretoise de paroi latérale 19 le long de la paroi latérale du modèle de condensateur 18 en faisant usage d'un procédé d'attaque ou gravure en retrait L'entretoise de paroi latérale 19 intervient alors pour isoler l'une de l'autre la première électrode et la deuxième électrode du condensateur. La figure 3 F représente une opération de dépôt d'une quatrième couche conductrice 15, par exemple d'une quatrième couche de silicium polycristallin dopé en impuretés sur la structure obtenue par les opérations décrites plus haut Cette quatrième couche conductrice 15 est utilisée en tant que deuxième couche de la deuxième électrode du condensateur On réalise ainsi le condensateur du type à couches superposées et à cavité combinées. Le condensateur du type à couches superposées et à cavité combinées fabriqué suivant le procédé décrit plus haut peut aussi ne comporter que la couche de grille isolante 6 a de la figure 3 A en tant que première couche isolante 6. Les figures 4 A à 4 D sont des vues en coupe représentant un autre exemple de réalisation du procédé de fabrication du condensateur du type à couches superposées et à cavité combinées suivant la présente invention. Les opérations du procédé de fabrication qui précédent celles de la figure 4 A sont les mêmes que les opérations suivant les figures 3 A à 3 B. La figure 4 A représente une opération de formation d'une couche d'arrêt d'attaque chimique 16 et une cinquième couche conductrice 17 Quand l'intérieur de la cavité est rempli par la troisième couche conductrice 14, servant de première couche de la deuxième électrode du condensateur, on dépose, pour éviter la formation de vides à l'intérieur de la cavité, une couche d'arrêt d'attaque chimique 16 Cette couche est constituée d'une couche LTO ou d'une couche HTO déposée avec une faible épaisseur sur la troisième couche conductrice 14 On forme ensuite une cinquième couche conductrice 17, par exemple une cinquième couche de silicium polycristallin dopé en impuretés On évite ainsi la formation de vides à l'intérieur de la cavité. La figure 4 B représente un procédé d'aplanissement de la surface de la structure obtenue par les opérations décrites plus haut Après avoir formé la cinquième couche conductrice 17, on effectue une opération d'attaque en retrait jusqu'à ce que la couche d'arrêt d'attaque chimique 16 soit dégagée La surface mentionnée plus haut est ainsi aplanie Puis, la couche d'arrêt d'attaque chimique ainsi dégagée est éliminée en utilisant un procédé BOE (Attaque d'oxyde tampon) On effectue ensuite successivement un revêtement en matériau photorésistant, l'exposition d'un masque et le développement On forme ainsi un modèle photorésistant 40, de manière à recouvrir une partie d'électrode de commande 2 et une partie de la première couche conductrice 5. Les opérations suivant les figures 4 C et 4 D sont les mêmes que les opérations suivants les figures 3 D à 3 F. Au cours de la fabrication du condensateur suivant la présente invention, tel qu'il est décrit plus haut, on dépose successivement la deuxième couche conductrice utilisée en tant que première électrode du condensateur, le film diélectrique et la troisième couche conductrice utilisée en tant que première couche de la deuxième électrode du condensateur On effectue ensuite une opération de photogravure pour former le modèle de condensateur en réalisant ainsi un film diélectrique uniforme En d'autres termes, pour être sûr que le film diélectrique ne soit pas dégagé, de film diélectrique est disposé entre la deuxième couche conductrice et la troisième couche conductrice, ces couches étant formées l'une après l'autre et de façon continue Il en résulte que l'on peut éviter la formation de sous-produits pendant la formation du modèle de la première électrode, ce qui n'est pas le cas avec le procédé classique On évite donc la contamination correspondante. En outre, la couche d'arrêt d'attaque chimique et la cinquième couche conductrice sont formées successivement sur la troisième couche conductrice utilisée en tant que première couche de la deuxième électrode du condensateur On peut éviter ainsi la formation de vides à l'intérieur du remplissage de la cavité pendant la formation de la troisième couche conductrice Tout cela contribue à relever les caractéristiques électriques du condensateur et à en accroître la fiabilité. REVENDICATIONS 1 Dispositif semi-conducteur, notamment dispositif de mémoire à condensateur, comportant: une couche d'oxyde de champ ( 101) sélectivement formée sur un substrat semi-conducteur ( 100) ayant un premier type de conductivité pour constituer une région active, une électrode de commande ( 2) isolée électriquement et formée sur la région active, une région de source ( 3) et une région de drain ( 4) formées sur le substrat semi-conducteur d'un côté et de l'autre de l'électrode de commande, une première couche conductrice ( 5) formée sur une partie prédéterminée quelconque de la couche d'oxyde de champ de manière que cette première couche conductrice soit reliée à une électrode de commande d'une cellule de mémoire adjacente, une cavité ( 10) formée dans le substrat semi-conducteur et la région de source, une première couche isolante ( 6) pour assurer l'isolement sur l'électrode de commande ainsi que sur la première couche conductrice, une deuxième couche conductrice ( 12) dont la partie centrale s'étend sur l'intérieur de la cavité et dont les parties périphériques sont disposées sur la première couche isolante ( 6) qui est disposée sur l'électrode de commande ( 2) ainsi que sur la première couche conductrice ( 5), caractérisé en ce qu'un film diélectrique ( 13) est formé de façon continue que la deuxième couche conductrice ( 12), une troisième couche conductrice ( 14) étant formée de façon continue sur ce film diélectrique ( 13), une deuxième couche isolante ( 19) étant formée le long de parois latérales de la deuxième couche conductrice, du film diélectrique et de la troisième couche conductrice et une quatrième couche conductrice ( 15) étant formée de manière à recouvrir la troisième couche conductrice ( 14) ainsi que la deuxième couche isolante ( 19). 2 Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche isolante ( 6) est constituée d'une couche isolante de grille ( 6 a) et d'un couche d'arrêt d'attaque chimique ( 6 b) formée sur la couche isolante de grille pour limiter la cavité ( 10). 3 Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la deuxième couche isolante ( 19) est constituée sous forme d'une 1.0 entretoise de paroi latérale. 4 Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première ( 5), la deuxième ( 12) et la quatrième ( 15) couches conductrices sont constituées de couches de silicium polycristallin dopé en impuretés. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la troisième couche conductrice ( 14) est munie d'une couche d'arrêt d'attaque chimique ( 16) et d'une cinquième couche conductrice ( 17) dans sa partie centrale critique, pour permettre de l'aplanir. 6 Dispositif semi-conducteur selon la revendication 5, dans lequel la couche d'arrêt d'attaque chimique ( 16) est constituée d'une couche d'oxyde telle que couche LTO (oxyde à basse température) ou couche HTO (oxyde à haute température). 7 Dispositif semi-conducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que la cinquième couche conductrice est constituée d'une couche de silicium polycristallin dopé en impuretés. 8 Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 comportant: une première opération pour former une couche d'oxyde de champ ( 101) sur un substrat semi-conducteur ( 100) ayant un premier type de conductivité et constituer une région active, une deuxième opération pour former sur la région active une électrode de commande ( 2), une région de source ( 3) et une région de drain ( 4) d'un transistor, pour former une première couche conductrice ( 5) sur une partie prédéterminée quelconque de la couche d'oxyde de champ, et pour former une première couche isolante ( 6) sur la structure obtenue par les opérations ci-dessus, une troisième opération pour former une cavité ( 10) dans le substrat semi-conducteur entre la couche d'oxyde de champ ( 101) et l'électrode de commande ( 2), caractérisé en ce qu'il comporte: une quatrième opération pour superposer de façon continue une deuxième couche conductrice ( 12), un film diélectrique ( 13) et une troisième couche conductrice ( 14) sur l'intérieur de la cavité ( 10) et la première couche isolante ( 6), une cinquième opération pour former un modèle de condensateur par attaque chimique de certaines parties de la deuxième couche conductrice ( 12), du film diélectrique ( 13) et de la troisième couche conductrice ( 14) formés sur la première couche isolante ( 6), une sixième opération pour former une deuxième couche isolante ( 19) le long des parois latérales du modèle de condensateur, et une septième opération pour former une quatrième couche conductrice ( 15) sur la structure obtenue par les opérations ci-dessus. 9 Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que la deuxième opération comporte en outre une étape de formation d'une couche d'arrêt d'attaque chimique ( 6 b) sur la couche isolante ( 6) pour limiter la cavité. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'après avoir effectué la quatrième opération, on effectue une opération supplémentaire d'aplanissement après le dépôt d'une couche d'arrêt d'attaque chimique ( 16) et d'une cinquième couche conductrice ( 17). 11 Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche d'arrêt d'attaque chimique ( 16) est constituée d'une couche d'oxyde telle que couche LTO (oxyde à basse température) ou couche HTO (oxyde à haute température). 12 Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'aplanissement est effectué en utilisant un procédé d'attaque en retrait. 13 Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche d'arrêt d'attaque chimique ( 16) dégagée par l'opération d'aplanissement est éliminée en utilisant un procédé BOE (attaque d'oxyde tampon). 14 Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on forme la deuxième couche isolante ( 19) de la sixième opération en utilisant un procédé d'attaque en retrait. Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 8 et 14, caractérisé en ce que la deuxième couche isolante ( 19) de la sixième opération est constituée d'une couche d'oxyde telle que couche LTO (oxyde à basse température) ou couche HTO (oxyde à haute température).