FR 2651068 A1 19910222 FR 8911228 A 19890816 PCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR MS MESA DE TYPE SILICIIL SUR ISOLANT La présente invention concerne les transistors MPS fabriqués & partir d'une couche mince de silicium monocristallin sur isolant et plus particulièrement les transistors de type mésa, c'est-à-dire les tra nsistors formés à partir de pavés indi- viduels découpés dans la couche minre de silicium. La figure 1A représente un tel pave de silicium. Ce pavé 1 est formé sur un substrat isolant 2 et l'on a représenté au-dessus du pavé de silicium 1 la portion de couche de masquage 3 qui a servi à le délimiter. Coura.mmnt, l'isolant 2 est consti- tué d'une couche d'oxyde de silicium formée sur une tranche de silicium et la couche de masquage 3 est constituée d'un sandwich d'oxyde de silicium et de nitrure de silicium ou d'oxyde-nitrure- oxyde de silicium (OND). Dans la représentation de la figure 1A, on a présupposé que le pavé de silicium 1 avait été délimité par une gravure anisotrope (par exemple en préseonce d'un plasmna fluoré) d'o il résulte que chaque pavé présente des flancs rectilignes et que le pavé a une forme parallélépip dique. La figure lB représente une strxucture analogue à oelle de la figure lA mais dans laquelle la gravure a été réalisée par un procédé de gravure humide par un acide tel que de -l'hydroxyde de potassium (KOH). On préfère généralement utiliser le procédé de la figure lA car en oe cas la cote du pavé de silicium 1 correspond avec une grande précision à la cote de masquage 3 alors que, dans le cas d'une gravure isotrope, il se présente une perte de cote et les dimensions du pavé ne sont pas nettement déterminées. En outre l'utilisation de NOH présente des incnénients liés à la présence éventuelle de résidus de potassium. Mais, dans le cas de la gravure anisotrope, l'angle entre la surface supérieure d'un pavé et le départ des flancs est sensiblement droit. La figure 2A représente une vue de dessus d'un transistor MS, obtenu à partir d'un pavé à flancs droits à une étape inte:rédiaire de fabrication, et les figures 2B et 2C représentent des vues en coupe selon les plans BB e-: C, respectivement, de la figure 2A. Ces figures onsidrent une étape de fabrication dans laquelle la couche de masquage 3 a été éliminée, une oeuche mince d'oxyde de grille 5 a été déposée, et une couche de silicium polycristallin de grille 6 a été déposée puis gravée selon la forme de grille souhaitée. Après cette étape, de façon classique, on procera à un premier dopage de drain et de source, à la formatiou d'espaoeurs de part et d'autre de la grille, à une secoode implantation de drain et de souroe et à la réalisation de contacts. Une telle réalisation souffre de divers inconvénients. D'abord, si l'on considére ccmme cela est vis]_ en figure 2B la oeuche d'oxyde de grille 5, oelle-ci présentera inévitablement des défaillances au niveau des coins droits 7, d'o il résulte des points à faible tenue de claquage aux angles supérieurs des mésas. Un deuxième inconvénient est que, quanid on grave la grille de silicium polycristallin 6, oeci est effectué par gravure anisotrope pour conserver la cote du masque ayant se.:vi à définir la grille. Il en résulte qu'il demeure des résdus 8 visibles en figures 2A et 2C à la périphérie du pavé. Ces résidus sont susoeptibles de provoquer des courts-circuits et pour les élimndrer on est amenx à surgraver la grille et les dimensions de masque ne sont plus respectées ce qui constitue un inconvénient rédhibitoire dans le cas -o l'on atteint des dimensions inférieures au micromtre. Troisinememnt, quarnd on réalise un transistor MDS,.on souhaite ggénéralement surdoper (selon le type de dopage inverse de celui des drains-sources) la périphérie du pavé pour supprimer tout effet de transistor parasite le long des bords du transis- tor. Un tel surdopage par implantation ne peut être effectué à partir d'un pavé à flarncs raides tel que celui illustre en figure 1A. On est donc amené à mettre en oeuvre des techniques plus compliquées, consistant, après formation des plots de masquage 3 et avant gravure des pavés 1, à implanter la tranche de silicium puis à effectuer un recuit pour obtenir une pénétration latérale dans les flancs du pavé. Après gravure on obtient bien des pavés à flanos surdopés. Cette technique présente l'ironvenient de rajouter de nombreuses étapes de fabrication et d'être relati- veent imprci se. Tous les inxcvénients susmentionnés des transistors de l'art antérieur proviennent du choix de paves à flancs raides. Ainsi, la présente invention prévoit de fabriquer des transistors MDS formés dans des pavés de silicium gravés dans une couche mince de silicium sur isolant dans lesquels chaque pavé présente des flancs arrondis convexes. La présente invention prévoit un procédé de fabrication d'un tel transistor MS consistant initialement à découper un pavé de silicium dans une couche mince de silicium monrocristallin sur isolant, la découpe du pavé comprenant les étapes suivantes: - former à l'emplacement o l'on veut obtenir le pavé une portion de couche de masquage d'une épaisseur légèrexment supérieure à celle de la couche mince de silicium sur isolant; - déposer une deuxième couche de silicium d'une épaisseur predéterminée; et - soumettre le système à une gravure anisotrope jusqu'à ce que ledit isolant soit apparent en dehors de la portion de couche de masquage. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le masque est constitué d'un sandwich oxyde de silicium/nitrure de silicium/oxyde de silicium..-n peut alors prévoir l'étape consistant à réaliser une implantation dans le pavé de silicium tandis qu'il est encore masqué, pour surdoper ses flancs. Selon un autre mode de réalisation de la présente invention, le masque est constitué d'un sandwich oxyde de silicium/silicium/oxyde de silicium. L'étape de gravure aniso- trope peut alors être subdivisée en les étapes suivantes: graver le silicium jusqu'à ce que la couche supérieure du masque soit apparente; graver l'oxyde de silicium supérieur du masque; et graver le silicium jusqu'à oe que ledit isolant soit apparent en dehors de la portion de couche de masquage. On montrera dans la description détaillée ci-après comment la structure selon la présente invention permet d'éviter tous les incornvénients sumentionrnés de l'art antérieur. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposes plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures lA à 2C destinées à illustrer l'état de la technique et le problème posé ont été décrites précédenment; les figures 3A à 3C représentent des étapes sucoessi- ves de fabrication d'un pavé de transistor MDS selon la présente invention. On notera dans les diverses figures que les éepaisseurs et dimensions latérales des diverses couches ou portions de couches ne sont pas tracées à l'échelle ni à l'intérieur d'une figure donnéer ni -d'une figure à l'autre. Ces dimensions, coexf cela est classique dans le domaine de la représentation des circuits intégrés ont été arbitrairement dilatées pour améliorer la lisibilité des figures. La figure 3A représente une vue en coupe d'une tranche comprenant un substrat isolant 2, par exemple une plaquette de silicium dont la surface supérieure est oxydée, sur laquelle a été forméne une couche mince de silicium mnocristallin 10. Au dessus de cette couche, apparaît une portion de couche de masquage 3 à un emplacemnt o l'con veut former un pavé de silicium monocristallin. Selon l'invention, l'ensemble de la structure est revêtu d'une couche de silicium 11, qui sera couramment du silicium polycristallin ou du silicium amorphe déposé par voie chimique en phase vapeur (CVD). La couche de masquage 3 sera par exemple constituée d'un sandwich comprenant une couche mince d'oxyde de silicium, une couche de nitrure de silicium et uns couche plus épaisse d'oxyde de silicium (0ND). On procède ensuite à une gravure anisotrope du sili- cium, par exemple en présence d'un plasma de SF6 ou d'un plasma chloré tels qu'on les utilise pour la formation d'espaceurs en silicium polycristallin dans les technologies CMDS utilisant des drains étendus sous la grille (LDD). La figure 3B représente un stade interCédiaire de la gravure, dans lequel la couche de silicium polycristallin a été complètement éliminée dans ses parties planes mais demeure sur les bords de la portion de couche de masquage 3, là o elle était plus épaisse. Ainsi, quand la gravure se poursuit jusqu'a ce que l'on atteigne le substrat isolant 2, comme le représente la figure 3C, on obtient un pavé de silicium 14 présentant des flancs arrondis convexes 15 en dé- bordement par rapport à la région de coucbe de masquage 3. Pour que le motif des espaceurs soit reproduit sur les flancs du pavé sans apparition de marche, il convient que l'épaisseur de la coudhe mince soit égale ou légèrement supérieure à celle de la couche mince de silicium 2. L'épaisseur de la couche de silicium 11 déterminera l'étendue latérale des espaoeurs. On peut ainsi résoudre tous les in énients mention- rnés de l'art antérieur. Plus particulièrement 26 5 1068 - il est facile de proceéder à une implantation ui at- teindra seulement les parties en débordement du pavé 14 et permettba ainsi de réaliser un surdopage à un niveau précisment choisi des bords du pavé; - du fait du profil arrondi des paves 14, la couche d'oxyde mince de grille 5 que l'on déposera ensuite ne présentera pas d'irrégularités; toujours du fait de cet aspect arrondi des bords du pave, quarnd on déposera un silicium polycristallin de grille, celui-ci ne présentera pas de surépaisseur et se déposera de façrn sensiblement conforme au profil du substrat isolant 2 et du pavé 14 et pourra dorc être gravé de façon anisotrope sans laisser de résidus. Dans un premier exemple de mise en oeuvre de l'inven- tion, dans le cas d'une couche minoe de silicium sur isolant 10 d'une épaisseur de 150 rin, on pourra utiliser un masque 3 compre- nant des couches successives de Si02; Si3N4 et SiO2 d'épaisseurs respectives 15 nm, 125 nm et 30 rin. La oouche de silicium poly- cristallin 11 pourra avoir une épaisseur de 300 'rn. En ce cas, à la fin du processus de formation du pavé 14, comne cela est re- presenté en figure 3C, le masque 3 est toujours en place. Ceci présente un avantage pour l'implantation latérale du pavé mais présente un inovénient car il faut ensuite éliminer oe masque, opération qui peut être quelque peu traumatisante pour la structure. Dans un deuxième exemple de rmise en oeuvre de l'inven- tion, dans le masque 3, la couche de nitrure est remplacée par une ouche de silicium polycristallin. Dans ce cas, on arrêtera la gravure du silicium 11 au stade illustré en figure 3B, on éli- minera la couche d'oxyde supérieure du masque et on continuera la gravure de la couche de silicium 10 et des espaceurs 12 tandis que, simultanémnt, la couche de silicium du masque s'éliminera pour ne laisser en place que la couce d'oxyde de silicium infé- rieure du masque. Ci présente l'avantage que le reste du masque (la couche d'oxyde) est alors très facile à éliminer, mais il faut alors procéder initialement à l'implantaticn latérale, immédiatement apres formation du masque 3. les exemples ci-dessus ont éte donnes à titre illustra- tif seulaement des nobreuses possibilités et variantes que la présente invention offre à l'homme de l'art qui pourra selon son expérience choisir divers matériaux et dimnensionnements. 265 1068 R EVEDICATI0ff 1. Procédé de fabrication d'un transistor MOS formé dans un pavé de silicium sur isolant dans lequel ledit pavé présente des flancs arrondis convexes, consistant initialement à découper le pavé dans une couche mince de silicium monocristalli sur isolant, caractérisé en oe que la découpe du pavé comprend les étapes suivantes: - formear à l'emplacement o l'on veut obtenir le pavé une portion de couche de masquage (3) d'une épaisseur légareint supérieure à celle de la couche mince de silicium sur isoia - déposer une deuxième couche de silicium (11) a une épaisseur prédétermine; et - soumetLe le système à une gravure anisotrope jusqu'à ce que ledit isolant soit apparent en dehors de la portion de couche de masquage. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'isolant sur lequel est formée la couche mince de silicium est constitué d'une couche d'oxyde de silicium formée sur une plaquette de silicium. - 3. Procdé selon la revendication 1, caractérisé en Ce que le masque est constitué d'un sandwich oxyde de silicium/ nitrure de silicium/oxyde de silicium. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en oe que le masque est constitué d'un sandwich oxyde de silicium/ silicium. 5. Procédé selon la revendication.3, caractérisé en ce qu'il comprend en cutre l'étape consistant à réaliser une implan- tation dans le pavé de silicium tandis qu'il est encore masque, pour surdoper ses flancs. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en oe que le masque est constitué d'un sandwich oxyde de silicium/ silicium/oxyde de silicium. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape consistant à réaliser une implan- tation après formation de la portion de couche de masquage (3). 8. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en oe que l'étape de gravure anisotrope selon la revendication 1 se subdivise en les étapes suivantes: - graver le silicium jusqu'à ce que la couche supé- rieure du masque soit apparente; - graver l'oxyde de silicium supérieur du masque; - graver le silicium jusqu'à ce que ledit isolant soit apparent en dehors de la portion de couche de masquage.