FR 2658362 A1 19910816 FR 9001531 A 19900209 PROCEDE DE REALISATION PAR AUTOALIGNEMENT, D'UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR INTEGRE, COMPRENANT AU MOINS LA FORMATION D'UN PREMIER CONTACT D'ELECTRODE ENCAPSULE ET MUNI D'ESPACEURS ET D'UN SECOND CONTACT D'ELECTRODE AUTOALIGNE SUR CELUI-CI" L'invention concerne un procédé de réalisation par autoalignement d'un dispositif semiconducteur intégré com- prenant la réalisation sur des couches semiconductrices res- pectives d'un premier contact d'électrode encapsulé et muni d'espaceurs, et d'un second contact d'électrode autoaligné sur le premier contact ainsi équipé. L'invention concerne en outre un procédé de réali- sation par autoalignement, d'un dispositif semiconducteur in- tégré qui comporte un transistor bipolaire à hétérojonction non planaire. Il est connu de la demande de brevet européen EP O 322 960 un procédé d'autoalignement pour réaliser un transistor bipolaire à hétérojonction planaire Dans cette demande, le procédé comporte d'abord la réalisation des deux contacts de base du transistor sur la surface supérieure du dispositif Ces contacts sont ensuite encapsulés et munis d'espaceurs La distance entre les bords externes des espa- ceurs définit la dimension du contact d'émetteur qui est réalisé dans l'ouverture formée par les espaceurs, entre les contacts de base La dimension latérale des espaceurs définit aussi la distance qui sépare chacun des contacts de base, du contact d'émetteur. Mais, selon ce procédé connu, les couches d'émet- teur de base et de collecteur forment une structure de couches semiconductrices superposées, alors que tous les contacts d'électrodes sont réalisés sur la surface supérieure du dispo- sitif Ce procédé inclut donc des étapes de réalisation d'im- plantations localisées d'espèces propres à relier les contacts d'électrode avec les couches d'électrodes respectives. Or, les implantations localisées s'avèrent à ce jour coûteuses parce que difficile à mettre en oeuvre avec précision; et il est préféré, pour la réalisation en grand nombre de circuits intégrés, de ne pas avoir recours à ces techniques Dans ces conditions, le problème se pose de réaliser les contacts directement sur les couches appropriées, par un procédé aussi simple que possible, tout en réalisant les électrodes aussi rapprochées les unes des autres que possible, de manière à obtenir des dispositifs performants et occupant une surface aussi faible que possible du circuit in- tégré En effet, lorsque les contacts d'émetteur et de base sont éloignés les uns des autres, il apparaît lors du fonc- tionnement des éléments parasites qui diminuent les perfor- mances du transistor comme il est connu de l'homme du métier. Un objet de la présente invention est donc de pro- poser un procédé d'autoalignement -mettant en oeuvre des étapes de réalisation d'un premier contact d'électrode encap- sulé et muni d'espaceurs, et l'autoalignement d'un ou plu- sieurs autres contacts sur ce premier contact qui peut être appliqué à la réalisation de dispositifs non planaires. Un autre objet de l'invention est de proposer un procédé de réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonc- tion, mettant en oeuvre ce procédé d'autoalignement, pour ob- tenir un dispositif plus performant, plus compact, plus simple à réaliser, donc plus intéressant et plus prometteur sur le plan industriel. Ces buts sont atteints au moyen d'un procédé tel que décrit dans le préambule de la revendication 1, ce procédé comprenant au moins: a 0) la formation d'une première et d'une seconde couches semiconductrices pour recevoir respectivement le premier et le second contact d'électrode; bo) la formation, par une méthode dite d'inver- sion d'image, d'une ouverture dite à flancs renversés, dans une couche de photorésist déposée sur la première couche semi- conductrice; co) le dépôt d'une dite première couche métal- lique formant, dans cette ouverture, le premier contact d'électrode, lequel a des flancs de hauteur inférieure à ceux de la couche de photorésist, flancs dont les bords supérieurs arrivent latéralement à une dite petite distance des flancs renversés de l'ouverture, laissant ainsi une lumière autour de l'embase du premier contact; do) le dépôt d'une dite première couche diélec- trique d'une épaisseur supérieure à la grandeur de ladite petite distance, cette couche diélectrique encapsulant le pre- mier contact sans emplir la lumière; eo) l'arrachage (en anglais: liftoff) des couches diélectriques et métalliques autour du premier contact restant encapsulé; fo) la réalisation d'espaceurs autour du premier contact encapsulé. Ce procédé présente, entre autres les avantages suivants: il permet d'obtenir dans un dispositif semicon- ducteur, undit premier contact d'électrode qui présente des dimensions transversales très faibles, ceci est dû à l'utili- sation de la méthode d'inversion d'image; il permet d'obtenir que, lors de la formation de l'encapsulant de ce contact, encapsulant avantageux pour la protection du contact durant les étapes ultérieures du pro- cédé, il n'apparaisse aucun bourrelet ou irrégularité autour de l'encapsulant: ceci est dû à la formation de la lumière autour de l'embase du contact, lumière grâce à laquelle, lors du 'lift-off" des couches diélectriques et métalliques, la se- conde couche diélectrique casse facilement au niveau de ladite petite distance séparant les bords du contact des flancs de l'ouverture, laissant un encapsulant de forme pratiquement parfaite, ce qui permet ensuite de réaliser des espaceurs avec une grande précision; il permet d'obtenir ce résultat d'une manière rapide, sûre, performante et répétitive, car le procédé d'inversion d'image est bien maîtrisable et les autres étapes sont simples pour un homme du métier il est applicable entre autres, à la réalisation d'un transistor non planaire très performant, du fait qu'il permet de réaliser en premier lieu le contact d'électrode dont les dimensions sont les plus critiques, premier contact d'électrode sur lequel vont être autoalignés lesdits seconds contacts d'électrodes, dont la distance avec le premier con- tact est en fait aussi un élément critique; ce procédé permet de lever toutes les difficultés dues à la réalisation de ces dimensions ou distances critiques. Dans les étapes déjà citées du procédé et dans des étapes ultérieures du procédé, décrites plus loin, un autre avantage réside dans le fait que durant toute la réalisation du dispositif intégré les éléments sensibles aux gravures, comme les contacts d'électrodes, ou les flancs de couches d'électrodes, sont toujours protégés. Un autre avantage réside encore dans le fait qu'à l'issue du procédé, non seulement les électrodes sont séparées par des distances très précises qui augmentent les perfor- mances, mais encore elles ne restent pas munies de couches de séparation en matériau diélectrique, telles qu'il en existe dans certains dispositifs connus de l'homme du métier pour éviter les courts-circuits, et qui créent en revanche des éléments parasites. L'invention sera mieux comprise au moyen de la description suivante illustrée par les figures annexées dont la figure la qui représente un transistor bipo- laire à hétérojonction, en coupe, réalisé en utilisant le pro- cédé selon l'invention; la figure lb qui représente ce même transistor vu du dessus, dans un exemple de réalisation, l'axe I-I étant celui selon lequel la coupe de la figure la précédente a été réalisée; les figures 2 a à 2 j qui illustrent les étapes pour réaliser ce transistor au moyen du procédé selon l'inven- tion; les figures 3 a et 3 b qui illustrent les étapes de réalisation d'espaceurs autour d'un contact encapsulé. les figures 4 a à 4 c qui illustrent le procédé de réalisation d'une ouverture à flancs renversés, dans une couche de photorésist par une méthode d'inversion d'image con- forme à l'invention; la figure 4 d qui montre la formation de la pe- tite distance d et de la lumière A pour obtenir un premier contact conforme à l'invention. L'invention propose un procédé de réalisation d'un dispositif semiconducteur intégré qui comprend au moins la réalisation sur des couches semiconductrices de deux contacts d'électrode Pour éviter la réalisation d'implantations loca- lisées, on réalisera de préférence le dispositif sous la forme d'une structure de couches superposées sur lesquelles les con- tacts d'électrode seront réalisés directement. L'invention trouvera alors une application parti- culièrement intéressante dans la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction, mais il n'est pas exclu d'appli- quer l'invention à des transistors planaires par exemple On décrira ci-après l'invention dans une de ses formes de réali- sation les plus complexes, c'est-à-dire la réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction non planaire. Tel que représenté sur la figure la, dans un exemple de mise en oeuvre, un transistor bipolaire à hétéro- jonction réalisé au moyen de l'invention comprend d'abord sur un substrat lisse, par exemple semi-isolant, une couche 2 d'un premier type de conductivité ou couche collecteur; une couche 3 d'un second type de conductivité ou couche de base; et une couche 5 a du premier type de conductivité ou couche d'émet- teur. Dans une forme de réalisation particulière favo- rable le transistor sera réalisé en un matériau du groupe G III-VI par exemple en arséniure de gallium (Ga As) Dans ce cas le substrat sera semiisolant en arséniure de gallium Ga As, la couche de collecteur 2 pourra être formée de deux sous-couches 2 a et 2 b, la couche 2 a étant de type de conductivité N+ et la couche 2 b de type de conductivité N La couche de base 3 sera de type de conductivité P+ en arséniure de gallium, et la couche d'émetteur sera en arséniure de gallium et d'aluminium (Ga Al As) de type de conductivité N formant une hétérojonction avec la couche de base En surface de la couche 5 a d'émetteur, pour permettre la prise des contacts, on formera de préférence une couche épitaxiale 5 b d'arséniure de gallium de type de conductivité N+. Dans cet exemple de réalisation, o le transistor est en arséniure de gallium, le contact métallique d'émetteur est réalisé directement en surface de la couche 5 b, une gra- vure est pratiquée autour du contact métallique d'émet- teur E 9 de manière à dégager la couche de base 3 pour pou- voir réaliser des contacts de base B 16 Enfin une gravure est pratiquée autour des contacts de base jusqu'à la couche de collecteur 2 a sur laquelle sont déposés les contacts de col- lecteur C 19. Dans cette réalisation, le contact de base peut être réalisé au moyen de métaux tels Au-Mn ou Au-Be Les con- tacts d'émetteur et de collecteur au moyen de métaux tels que Au Ge/Ni/Ti/Au On décrit ci-après un procédé pour réaliser l'auto-alignement des divers contacts d'électrode les uns sur les autres Selon ce procédé, on pourra particulièrement ob- tenir que le contact de base B soit très proche du plot d'émetteur E sans pour autant risquer de court-circuits avec le contact d'émetteur E On pourra également obtenir que le contact d'émetteur soit de dimension transversale très faible. La figure lb représente ce transistor bipolaire à hétérojonction vu du dessus, la figure la décrite précédemment étant une coupe selon l'axe I-I de cette figure lb. Tel que représenté vu du dessus sur la figure lb, dans cet exemple de réalisation, le transistor a une structure interdigitée à deux doigts de base B et un doigt d'émetteur E Il montre aussi deux plots de contact de collecteur C. Dans le procédé décrit ci- après les doigts de base sont auto-alignés sur le doigt d'émetteur Et les plots de collecteur sont ensuite alignés sur les doigts de base. Ce procédé permet d'obtenir les dimensions trans- verses extrêmement faibles, précises et répétitives et donc des transistors de très faibles dimensions dont les perfor- mances sont améliorées Ceci fait que la densité d'intégration peut être augmentée et que les performances des circuits sont aussi améliorées. Le procédé selon l'invention comprend essentiel- lement la réalisation sur des couches semiconductrices respec- tives 5,3 d'un premier contact d'électrode E 9 encapsulé et muni d'espaceurs, et d'un second contact d'électrode B 16 autoaligné sur le premier contact ainsi équipé, selon la série d'étapes suivantes incluant ao) la formation d'une première et d'une seconde couches semiconductrices 3 et 5 pour recevoir respectivement le premier et le second contacts d'électrode 9 et 16; bo) la formation, par une méthode dite d'inver- sion d'image, d'une ouverture Bo dite à flancs Fj renversés, dans une couche de photorésist 8 déposée sur la première couche semiconductrice 5, ou couche semiconductrice supérieure (voir la figure 2 b), cette couche semiconductrice pouvant éventuellement être formée de deux sous-couches 5 a et 5 b co) le dépôt d'une dite première couche métal- lique formant, dans cette ouverture Bo, le premier contact d'électrode E, lequel a des flancs F 2 de hauteur inférieure à ceux Fj de la couche de photorésist 8, flancs F 2 dont les bords supérieurs arrivent latéralement à une dite petite distance d des flancs F 1 renversés de l'ouverture, laissant ainsi une lumière A autour de l'embase du premier contact E, en métal 9 (voir la figure 2 e); do) le dépôt d'une dite première couche diélec- trique 10 d'une épaisseur supérieure à la grandeur de ladite petite distance d, cette couche diélectrique 10 encapsulant le premier contact E sans emplir la lumière A (voir la figure 2 c) et formant un plot 11; e 0) l'arrachage des couches diélectriques et métalliques 8, 9, 10 par la méthode connue sous le nom anglais de 'lift-off", autour du premier contact E restant encapsulé du diélectrique 10 (voir la figure 2 d); fo) la réalisation d'espaceurs 12 autour du pre- mier contact E encapsulé, (voir la figure 2 e). Dans l'étape bo), on peut former par un procédé d'inversion d'image, les flancs F 1 renversés de l'ouverture Bo, soit plans, soit avec une convexité tournée vers l'ouver- ture Bo (voir la figure 2 b). Dans ce cas, les bords supérieurs des flancs F 2 du premier contact métallique E arrivent à ladite petite distance latérale d des flancs renversés F 1 de l'ouverture Bo dans la partie o ces derniers sont convexes. De préférence, on réalisera les flancs F 1 de l'ouverture Bo, avec une partie supérieure F'j sensiblement verticale et une partie inférieure F"j montrant une convexité tournée vers l'ouverture Bo Le procédé pour arriver à ce résultat est décrit plus loin. Dans ce dernier cas, les bords supérieurs des flancs F 2 arrivent à ladite petite distance d des flancs renversés FI de l'ouverture Bo dans la zone o l'on trouve le changement de pente entre la partie supérieure F'j sensible- ment verticale et la partie inférieure convexe F"j (voir la figure 4 c). Pour réaliser un dispositif non planaire, et en particulier un transistor HBT comme décrit plus loin, on forme la première couche 5 ( 5 a, 5 b), en surface de la seconde couche 3 Ces couches présentent des types de conductivité opposés. Pour autoaligner le second contact B sur le pre- mier E, on reprend le procédé au stade o l'on a formé le plot 11, constitué du contact E du métal 9 et de l'encapsulant 10, et muni-des espaceurs 12, et l'on poursuit ce procédé par go) la gravure de la première couche semiconduc- trice dite couche supérieure 5 ( 5 a, 5 b) autour du premier con- tact E d'électrode encapsulé et muni d'espaceurs 12, ce con- tact ainsi équipé servant de masque, avec sous-gravure sous les espaceurs 12, jusqu'à atteindre la seconde couche semicon- ductrice sous-jacente 3 (voir la figure 2 f); ho) le dépôt d'une seconde couche métallique 16 pour constituer le second contact d'électrode B, ce dernier étant délimité d'une part par le premier contact encapsulé 11 et muni d'espaceurs 12 et d'autre part par les bords de l'ouverture d'un masque (voir les figures 2 g et 2 h); i.) l'élimination de l'encapsulant 10, des espaceurs 12, du masque et de la portion de couche métallique 16 déposée sur l'encapsulant 10, les espaceurs 12 et le masque lors de l'étape précédente (voir la figure la). L'élimination des éléments indésirables dans l'étape go), peut se révéler dangereuse pour les matériaux constituant les couches semiconductrices et pour les contacts métalliques C'est pourquoi selon l'invention, on préconise de réaliser l'étape io) selon la suite d'étapes comprenant: i 1) le dépôt d'une dite troisième couche diélec- trique 17 d'un matériau différent de celui de l'encapsulant et des espaceurs, avec une surface supérieure sensiblement plane, laissant découverte la partie de la seconde couche métallique 16 qui couvre le premier contact d'électrode encapsulé Il et muni d'espacteurs 12 (voir la figure 2 i), i 2) l'élimination de la partie de la seconde couche métallique 16 qui couvre le premier contact d'électrode encapsulé 11, ce premier contact E étant protégé par les couches 10, 12 et le second contact d'électrode B étant pro- tégé par la troisième couche diélectrique 17 (voir la figure 2 j), i 3) l'élimination des espaceurs 12 et de l'encap- sulant 10 du premier contact d'électrode (voir la figure 2 j), i 4) l'élimination de ladite troisième couche diélectrique 17 et le 'lift-off" du masque ayant servi à déli- miter le second contact B, et de la partie de couche métal- lique 16 qui le couvre (voir la figure la). Il est évident pour l'homme du métier que l'on pourrait aussi utiliser le plot 11 formé d'un contact E encap- sulé par la couche 10, et muni des espaceurs 12, pour réaliser une seconde électrode B autoalignée sur E, les deux électrodes étant réalisées sur des couches adjacentes dont le niveau su- périeur est dans un même plan Dans ce cas, l'avantage prin- cipal vient de l'utilisation du procédé d'inversion d'image pour obtenir d'une façon simple un premier contact bien déli- mité Un autre avantage vient du fait que le plot 11 formé du premier contact encapsulé présente une forme sans défaut, per- mettant de réaliser des espaceurs avec une grande précision. On va montrer ci-après comment appliquer ces étapes essentielles à la réalisation particulière d'un HBT. Le procédé de réalisation d'un tel transistor HBT comprend au moins les étapes suivantes: a) formation d'un substrat 100 en un matériau semiconducteur monocristallin par exemple du groupe III-V pré- sentant une face supérieure orientée, par exemple selon une direction cristallographique l 1 O O l Ce substrat est choisi de préférence semiisolant pour que le procédé se trouve en synergie de fabrication avec les procédés de réalisation des circuits intégrés les plus courants Le substrat sera comme on l'a dit favorablement en arséniure de gallium (Ga As) Ce substrat est obtenu semi-isolant par exemple par dopage au moyen d'ions fer (Fe) Ce substrat pourra aussi être réalisé en arséniure de gallium dopé à l'indium (In) et recuit, ce qui permet d'obtenir des matériaux dépourvus de dislocations et compatibles avec la croissance ultérieure de couches épitaxiales du groupe III-V; b) réalisation de deux couches épitaxiales planes d'arséniure de gallium pour former le collecteur successive- ment une couche 2 a de type de conductivité N+ et une couche 2 b de type de conductivité N La croissance épitaxiale de ces couches peut être réalisée en phase vapeur ou en phase li- quide Elle sera réalisée de préférence par une méthode aux organo-métalliques dite MOCVD, ou par MBE La couche 2 a pré- sentera une épaisseur de 0,2 à 1 Pm, et de préférence 0,5 pm. Cette couche 2 a de type de conductivité N+ est obtenue par exemple par un dopage au moyen de l'ion silicium (Si) à environ 3 à 5 1018 ions par cm 3 L'épaisseur de la couche 2 b est de l'ordre de 0,3 Pm et le type de conductivité N est obtenu par exemple par dopage au moyen de l'ion silicium Si à 516 ions par cm 3. c) réalisation en surface des deux couches précé- dentes d'une couche épitaxiale plane 3 d'un matériau ternaire ou binaire du groupe III-V, par exemple l'arséniure de gal- lium (Ga As), de type de conductivité P+ formant la couche de base La croissance de cette couche épitaxiale sera réalisée par le même procédé choisi pour la croissance des couches 2 a et 2 b de collecteur. La couche 3 de base aura une épaisseur de l'ordre de 0,1 Pm et sera dopée à l'aide d'ions par exemple Zn ou Mg à une concentration supérieure ou égale à 1019 par cm 3 d) réalisation de deux couches épitaxiales planes superposées, la première 5 a d'un matériau ternaire du groupe III-V, par exemple l'arséniure de gallium et d'aluminium (Ga Al As), de type de conductivité N formant la couche d'émet- teur, et la seconde 5 b d'un matériau binaire ou ternaire, par exemple Ga As ou Ga In As, de type de conductivité N+ pour per- mettre la prise du contact E d'émetteur La croissance épita- xiale de ces couches sera réalisée par le même procédé choisi pour la croissance des couches précédentes (voir la figure la). La couche d'émetteur 5 a aura une épaisseur de l'ordre de 0,15 Pm et la couche de contact 5 b aura une épais- seur de l'ordre de 0,15 Pm La couche d'émetteur 5 a sera dopée à l'aide d'ions par exemple Si à une concentration de l'ordre de 5 1017 cm 3, et la couche de contact 5 b à l'aide d'ions Si à une concentration de l'ordre de 2 1018 par cm 3. La couche d'émetteur 5 a en arséniure de gallium et d'aluminium (Ga Al As) présentera de préférence une concentra- tion de 0,25 en aluminium (Al); e) A ce stade du procédé, le dispositif est illus- tré en coupe par la figure 2 a Cette étape comprend l'implan- tation d'ions bore (B+) pour délimiter la zone active du tran- sistor Les ions sont implantés avec une énergie et une dose suffisante pour rendre les couches épitaxiées isolantes dans les zones périphériques 7 Ceci sera réalisé de préférence avec une succession de quatre implantations, d'énergie crois- sante, avec une valeur maximum de 490 Ke V, de façon à obtenir dans le matériau une valeur de concentration en bore constante avec la profondeur Durant l'implantation, la zone active est protégée par un masque MK 1 réalisé par exemple en silice (Si O 2) de 2 pm d'épaisseur Ce masque est enlevé à l'issue de l'opération. La figure lb montre vu du dessus en pointillés la région active du transistor délimitée par le masque MK 1, les zone externes aux pointillés sont isolées (régions 7); f) Réalisation d'une ouverture Bo dans une couche 8 de photorésist par photolithographie Cette ouverture Bo est réalisée par une méthode dite d'inversion d'image Selon cette méthode, on obtient une ouverture dite à flancs renversés qui est particulièrement bien adaptée à l'opération de double lift-off qui va suivre L'ouverture Bo présente la forme du motif de contact d'émetteur E, et par exemple dans la coupe selon l'axe I-I de la figure la, une dimension transversale D. La méthode dite d'inversion d'image est particu- lièrement connue de deux publications dans "Proceedings of SPIE', Vol 771 "Advances in resist technology and processing IV" 2-3 mars 1987 Santa Clara, California La première publi- cation est intitulée w Image reversai: a practical approach to submicron lithography' par Vic Marriot and César M Garsaand alii Cette publication se trouve à la page 221 du SPIE Vol 771 La seconde publication est intitulée "Image rever- sal: a practical approach to lift-off" par Susan K Jones and Richard C Chapman Cette publication se trouve à la page 231 du SPIE Vol 771 Le procédé d'inversion d'image est fondé sur les faits suivants A ce jour, on a réussi en employant la photolithographie à obtenir des détails submicroniques, mais la demande pour des géométries de l'ordre de 0,5 à 0, 8 pm est proche dans le futur et il ne faudra pas attendre longtemps avant que l'on recherche à obtenir des géométries de l'ordre de 0,4 pm Un certain nombre de techniques sont déjà mises en oeuvre dans l'industrie, par exemple les méthodes par faisceaux d'électrons, rayons X et photorésist multicouches cependant la photolithographie avec une simple couche est la plus attractive d'un point de vue industriel Des progrès ont été accomplis en accroissant l'ouverture numérique des len- tilles ou en utilisant des sources lumineuses de longueur d'onde plus courtes On arrive ainsi avec des photorésists conventionnelles à des longueurs d'onde de 365 nanomètres, mais l'absorption à ces longueurs d'onde limite le contraste et la résolution. Il a été suggéré que la méthode dite "par inver- sion d'image" devrait produire un meilleur contraste, ce qui conduirait à une meilleure profondeur de mise au point et un meilleur contrôle de la définition Le procédé d'inversion d'image à déjà été cité dans la littérature depuis 1960 Un grand nombre d'approches ont été publiées dans les années sui- vantes En général la méthode d'inversion d'image comprend l'utilisation d'une amine incorporée dans la photorésist soit avant le revêtement par la photorésist ou bien dans la phase gazeuse après que la résist ait été déposée sur la couche se- miconductrice par exemple et exposée à la source lumineuse Les amines forment un sel d'amines avec un acide carboxilique d'indène qui est formé par l'exposition à la source lumi- neuse A hautes températures, il se forme un indène insoluble d'alcali aqueux Après exposition, la surface préalablement non-exposée est soluble dans un développeur d'alcali aqueux, de sorte que l'image se trouve inversée lors du dévelop- pement Avec un tel procédé, la première publication citée indique que l'on peut obtenir des ouvertures de très faibles dimensions notamment submicroniques Et la seconde publication citée indique que, sous différentes conditions de mise en oeuvre, les flancs de l'ouverture peuvent être, comme montré sur la figure 5 de cette seconde publication, soit positifs, soit verticaux, soit renversés. Dans la présente invention, on utilisera unique- ment les procédés décrits dans les publications citées pour obtenir une ouverture Bo à flancs renversés F 1 dans la couche 8 de photorésist déposée sur la couche supérieure semiconduc- trice 5 b. Selon l'invention, on pourra employer directement le procédé de la seconde publication citée qui donne des flancs inversés, mais de préférence, on emploiera un procédé particulier permettant d'obtenir des flancs renversésFl qui présentent une concavité dont la partie renflée est tournée vers l'ouverture Bo, et de préférence un procédé qui permet d'obtenir une ouverture Bo dont la partie supérieure F'j des flancs Fj est sensiblement verticale, et dont la partie infé- rieure F" 1 est convexe avec des parties renflées tournées vers l'ouverture Bo (voir la figure 4 c). L'ensemble des étapes préférées pour obtenir un tel profil est illustré par les figures 4 a à 4 c Pour obtenir ledit profil voulu on procédera de la façon suivante: on nettoie d'abord la surface semiconductrice 5 b au moyen d'alcool chaud, par exemple, on étuve le dispositif pendant environ 10 minutes à 1350 C, on enduit la surface 5 b d'une couche de AZ 5214 E, qui est une résine positive au départ et inversable par traitements, par un procédé dit à la tournette à 7000 tours par minute pendant 40 secondes puis, on réalise une cuisson de 30 minutes à 90 'C, une insolation sous ultraviolets à une longueur d'onde Àj de 31 O'nm, avec une puissance de 80 m J par cm 2, de la partie externe à l'ouverture Bo, en masquant cette dernière au moyen d'un masque MK 2 de dimension transversale D (voir la figure 4 a J Cette opération permet l'insolation de la résine, en dehors de la région Bo couverte par MK 2, sur une épaisseur el correspondant à la hauteur voulue ultérieurement, pour les parties F'1 sensiblement verticales des flancs de l'ouverture Bo Puis le masque MK 2 est éliminé, un recuit d'inversion de 15 mn à 1200 C, une insolation aux rayons ultraviolets à une longueur d'onde À 2 de 365 nm (À 2 > Àl) avec une puissance de 150 m J, qui permet d'insoler toute l'épaisseur e 2 de la résine dans la région Bo, alors que les régions externes ont été durcies au cours des opérations précédentes (voir la figure 4 b), un développement pendant 2 mn 15 dans une solu- tion formée du mélange de 200 ml de MF 312 + 250 ml de H 202. * Cette opération élimine la résine dans la région Bo (voir la figure 4 c) La partie supérieure d'épaisseur el de la résine 8 qui a été durcie par les premières opérations, forme des flancs F'l pratiquement verticaux La partie inférieure de la résine 8 qui a seulement été insolée, forme par sous-gravure des flancs FN 2 convexes dont la partie renflée est tournée vers l'ouverture Bo Donc l'ouverture Bo a une dimension transversale D dans sa partie supérieure On peut se procurer dans le commerce la résine AZ 5214 E chez HOECHST Celanese Corp Route 202-206 North P 0-Box 2500, Sommerville, New Jersey 08876 On peut d'autre part se procurer dans le commerce le MF 312 chez le fabricant SHIPLEY COMPANY INC. NEWTON-MASSACHUSETTS, désoxydation au moyen de NH 40 H à 5 % pendant 1 mn + un premier rinçage suivi d'un second rinçage dans l'eau 18 MQ. g) Dépôt d'une couche métallique 9 destinée à la formation d'un contact ohmique E sur la couche d'émetteur et qui sera constituée de préférence de la façon suivante Au Ge 85 nm/Ni 10 nm/Ti 100 nm/Au 200 nm, soit au total environ 395 nm (voir la figure 4 d) On constate que lors du dépôt de la couche métallique 9, la base du dépôt correspond exactement à la dimension transversale D Mais au fur et à mesure que la couche métallique 9 croît, elle tend à étrécir l'ouverture Bo, en sorte que lorsque l'épaisseur voulue pour cette couche, qui est e 3 = e 2-el, est atteinte, la partie supérieure de l'ouver- ture Bo est inférieure à la valeur D primitive Il en résulte que les flancs F 2 du plot E de métal 9 qui se dépose dans l'ouverture Bo sont légèrement inclinés, que la partie supé- rieure du plot E est de dimension inférieure à son embase et que l'arête supérieure du plot E se trouve séparée des flancs Fj de l'ouverture Bo par une petite distance d (voir la figure 4 d). Cette petite distance d ainsi formée est la clé de la suite du procédé dit de double lift-off. Bien entendu, la manière de réaliser la petite distance d a été décrite ici avec des matériaux particuliers, à titre d'exemple, et des étapes exemplatives Mais l'homme du métier peut trouver facilement des matériaux équivalents pour mettre ces étapes en oeuvre d'une manière similaire. De même, comme on l'a dit ce procédé n'est pas exclusif d'un HBT. Quelle que soit la méthode, il est important pour cette étape que le profil Fi de laque 8 et l'épaisseur du dépôt métallique 9 soient choisis de façon que la distance d entre le flanc renversé F 1 de la couche de laque 8 et l'arête supérieure du dépôt métallique 9 soit très petite et qu'à l'issue de cette étape, vu la forme respective des flancs Fi et F 2, il existe une lumière A entre les flancs F 1 renversés de la couche de laque 8 et les flancs F 2 du plot métallique 9 d'émetteur E. h) Dépôt d'une couche de silice (Si O 2) 10 d'une épaisseur de l'ordre de 350 nm par la technique de dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma (PECVD) à 80 'C. Comme la distance d entre les flancs renversés Fi de la couche de laque 8 et l'arête supérieure du dépôt métallique 9 dans l'ouverture Bo est très petite, cet intervalle se bouche rapi- dement lors du dépôt de la silice 10, ce qui fait que la quan- tité de silice présente dans la lumière A, tel qu'illustré sur la figure 2 c, est très limitée. i) Elimination de la couche de métal 9, et de silice 10, dans les zones situées en dehors du contact d'émet- teur E, par dissolution de la résine 8 dans l'acétone, ce qui est la technique dite de lift-off A l'issue de cette opéra- tion, on conserve le contact d'émetteur E en métal 9 encapsulé par une couche de silice 10 formant un plot dit de contact d'émetteur encapsulé 11 Du fait de la présence des lumières A non comblées par la couche de silice 10 lors du dépôt de cette dernière, cette opération de lift-off est facilitée et notam- ment des liserés qui risquaient d'apparaître en bordure du motif 11 sont évités Ainsi le motif d'émetteur encapsulé présente une forme quasi-parfaite. Eventuellement, la couche de silice 10 ' de faible épaisseur entourant les flancs du contact d'émetteur peut être éliminée par une légère gravure en voie sèche faite par une méthode RIE au moyen des gaz CHF 3- SFG A ce stade du procédé le dispositif est illustré par la figure 2 d Si l'on choisit de conserver la couche 10 ', il faut savoir qu'elle est de l'ordre de 20 à 30 nm, soit 10 fois plus fine que les épaisseurs de couches de matériau diélectrique mises en jeu pour réaliser les espaceurs Il suffira alors, lors de l'étape suivante de prolonger très légèrement la gravure résultant dans la formation des espaceurs 12, pour obtenir ces dernières de dimension voulue. j) Réalisation autour des contacts d'émetteur 11, comprenant la métallisation 9 et la couche d'encapsulation 10, d'espaceurs 12 par exemple en silice Si O 2 Cette étape est illustrée par la figure 2 e Une technique pour la réalisation d'espaceurs est décrite par exemple dans la demande de brevet européen N O O 322 960 Ai Ce document fait référence à une technique décrite dans la publication intitulée "Edge-defined Patterning of Hyperfine Refractory Metal Silicide Mos Structure par SHINIJI OKAZAKI dans IEEE Transactions on Electron Devices, Vol ED 28, N 11, Novembre 1981, pp 1364-1368 Dans le brevet cité, les espaceurs 12 étaient réalisés au moyen de nitrure de silicium Dans la présente application, on choisira de préférence la silice (Si O 2), c'est-à-dire le même matériau diélectrique que la couche d'encapsulation 10 du contact d'émetteur E formant le plot 11 déjà réalisé La technique de réalisation d'espaceurs sera mieux comprise en considérant les figures 3 a et 3 b. Telle que représentée sur la figure 3 a une couche 12 de matériau diélectrique Si O 2 est déposée de façon uniforme sur le dispositif et d'une épaisseur spécifique très précise hi choisie pour la dimension dont doit être séparée l'élec- trode de base B, ultérieurement façonnée, du contact d'émetteur E Le dépôt uniforme de la couche 12 fait qu'elle suit très précisément les détails et reliefs du dispositif tel que réalisé dans les étapes précédentes L'épaisseur totale des couches 9, 10, 12 est h 2 On pratique ensuite sur le dispositif une gravure uniforme, par exemple une gravure ionique réactive RIE telle qu'une épaisseur identique de matériau 12 est enlevée en chaque point. L'épaisseur de matériau 12 étant pratiquement égale à h 2 le long des flancs du plot 11, comme il est montré sur la figure 3 a, après cette gravure, il reste, le long de ces flancs, une portion de la couche diélectrique 12 qui est appuyée le long de ces flancs et qui a pour dimension latérale perpendiculairement à ces flancs F 2 la dimension spécifique hl A l'issue de cette gravure le dispositif est tel qu'illustré par la figure 3 b La portion de couche 12 restante appuyée le long des flancs du plot 11 prend le nom d'espaceur. L'espaceur remplit ici deux fonctions: éviter que les réactifs utilisés pour la gravure du doigt d'émetteur E n'entrent en contact avec la couche métallique 9 de contact d'émetteur, et qu'ainsi la réaction de gravure des couches d'émetteur 5 a et 5 b ne soit perturbée, éviter que le plot 11 lui-même ne surplombe le flanc de gravure des couches 5 a, 5 b, c'està-dire qu'il se produise dans les étapes ultérieure une sous-gravure du con- tact d'émetteur lui-même, éloigner les contacts d'émetteur et de base l'un de l'autre pour réduire les risques de court-circuits, délimiter avec précision la distance entre le contact d'émetteur E et le ou les contacts de base B réa- lisé(s) ultérieurement La dimension h 1 des espaceurs est choisie en fonction du procédé de gravure des couches d'émet- teur 5 a et 5 b utilisées Dans l'exemple de réalisation décrit ici, la gravure est réalisée en voie humide; dans ces condi- tions la gravure latérale est très voisine de la profondeur de gravure, ce qui impose que les espaceurs aient une épaisseur de l'ordre de 0,5 pm Cette épaisseur peut être réduite; par exemple être de l'ordre de 0,1 pm, si l'on choisit au con- traire de réaliser la gravure par voie sèche, par exemple par RIE, de façon anisotrope. La gravure de la couche 12 dans l'étape de réali- sation des espaceurs eux-mêmes est réalisée de préférence par voie sèche par RIE au moyen des gaz CHF 3 et SF 6 k) Gravure des couches d'émetteur Sa et 5 b jusqu'à découvrir la couche de base 3, le plot 11 avec les espaceurs 12 servant de masque Cette gravure se fait en deux étapes dans le mode de réalisation présenté ici, mais d'autres pos- sibilités existent, faisant appel à des solutions de gra- vure différentes La couche de surface 5 b est gravée de façon sélective par rapport à la couche 5 a à l'aide d'une solution Na OH ( 20 ml 0,5 N) /H 202 ( 200 ml) La couche 3 de base est gravée à l'aide de la solution NH 4 OH ( 30 ml)/H 202 ( 1 ml)/H 20 ( 500 ml) à température ambiante Cette étape est illustrée par la figure 2 f; 2) Définition du motif de métallisation de base B ou contact de base B dans une couche de résine photosensible par un procédé de photolithographie connu en soi de l'homme du mé- tier Cette étape est illustrée par la figure 2 g On utilisera de préférence un système tricouche composé de: une couche de résine 13 (PMMA 9 % 496 K) (Polyméthylmétacrylate de concentration 9 % et poids moléculaire 496), une couche de nitrure (Si 3 N 4)14, une couche de résine AZ 407015, du même fabricant que la résine AZ 5214 E citée précédemment, le motif est d'abord défini dans la couche 15 par photolithographie Ensuite la couche 14 est gravée par RIE, la couche 15 servant de masque La couche de résine 13 est insolée à travers l'ouverture développée Cette technique permet de définir un profil en surplomb qui est indispensable pour obtenir une bonne découpe du film métallique, notamment au niveau du passage de la marche constituée par le doigt d'émetteur surmonté du plot métal-silice comme montré sur la figure 2 g Par doigt d'émetteur il y lieu d'entendre les couches 5 a et 5 b qui forment l'émetteur, la couche métallique 9 étant le contact E d'émetteur m) Dépôt d'une couche métallique 16 appropriée à former les contacts de base B La couche métallique 16 pourra être favorablement composée d'Or- Manganèse (Au-Mn), d'Or-Béryllium (Au-Be), d'Or-Zinc (Au-Zn) Ce sera de préfé- rence Au-Mn à 4 % qui permet d'obtenir un contact de faible résistivité Le motif de métallisation de base B est délimité par l'ouverture dans le tricouche 13, 14, 15 décrit précédem- ment et par le doigt d'émetteur surmonté de l'encapsulant en silice 10 et muni des espaceurs 12 Le métal en dehors de ce motif est éliminé ensuite par une technique connue en soi de 'lift-off" comme montré sur la figure 2 h. n) Dépôt d'une couche de résine 17 positive de l'ordre de 1 pm d'épaisseur par exemple en AZ 4110 et plana- risation de cette couche par une succession d'expositions aux rayonnements ultraviolets dans les longueurs d'onde 310 nm suivis de recuits à haute température dans le domaine 150 à 1800 C, étapes qui font fluer la résine Une légère gravure par RIE permet d'éliminer la couche de résine restant en surface du plot 11 et permet ainsi de dégager la surface de la couche métallique 16 comme il est montré sur la figure 2 i; o) Gravure dans la zone découverte de la couche métallique 16, à l'aide d'une solution de KI-I 2 et gravure de la couche de silice sio 2 formant l'encapsulant 10 et les espa- ceurs 12 à l'aide d'une solution tampon d'acide fluorhy- drique La résine 17 est ensuite éliminée par dissolution dans l'acétone Cette étape est illustrée par la figure 2 j. Par ce procédé, les métallisations 9,16 de contact d'émetteur E et de base B sont constamment protégées durant les opérations de même que les couches 5 a et 5 b formant l'émetteur. p) Définition du motif de contact de collecteur C dans une couche de résine positive d'une épaisseur environ 2 pm, par exemple d'AZ 4210, par photolithographie On effectue ensuite dans les ouvertures du masque ainsi obtenu, la gravure des couches de base 3 et de collecteur 2 b pour atteindre la couché de contact de collecteur 2 a Cette étape n'est pas illustrée. La gravure est faite par exemple en voie humide, par un mélange acide citrique dilué/eau oxygénée (H 202) dans les proportions lkg/2; q) dépôt d'une couche métallique 19 propre à for- mer les contacts de collecteur C Le métal déposé en dehors du motif de collecteur est éliminé par "lift-off M en dissolvant la couche de résine dans l'acétone, comme montré sur la figure la Le métal pour constituer la couche 19 de contact C sera de préférence le multicouche déjà utilisé pour réaliser le contact E d'émetteur, c'est-à-dire Au-Ge ( 85 nm)/Ni ( 10 nm)/Ti ( 100 nm)/Au ( 200 nm) L'ensemble des contacts E,B,C des électrodes sera recuit en même temps en fin de procédé à une température de 370 C pendant environ 30 secondes. Comme on l'a dit précédemment la figure lb repré- sente vu du dessus un exemple de réalisation du transistor HBT utilisant le procédé de réalisation selon l'invention La ligne en traits discontinus représente les bords du masque MK 1 qui couvrait la zone active durant l'étape e) et qui délimite de ce fait la zone active D'autres formes de transistor sont possibles et notamment d'autres configurations des élec- trodes D'autres matériaux peuvent aussi être envisagés pour réaliser un transistor, la structure pouvant comporter ou non une ou plusieurs hétérojonctions. On a vu d'autre part que la réalisation décrite du plot de contact d'émetteur encapsulé et entouré d'espaceurs pouvait être utilisée pour réaliser un dispositif planaire par exemple un HBT planaire de la structure de celui qui était connu du brevet européen EP O 322 960 Ai. Un transistor bipolaire à hétérojonction réalisé selon l'invention présente de nombreux avantages, en effet il présente un auto-alignement des contacts B de base sur le con- tact E d'émetteur, ce qui permet de réduire les résistances d'accès de base et est essentiel pour améliorer la fréquence d'utilisation de ce type de transistor. Le type de procédé selon l'invention est particu- lièrement avantageux car il permet d'éviter en protégeant le contact d'émetteur durant le procédé que cette métallisation d'émetteur induise dans la solution de gravure des effets électrochimiques qui perturberaient le profil de gravure, alors qu'un contrôle parfait de ce profil est nécessaire pour l'auto-alignement du contact de base Selon l'invention également les électrodes d'émetteur et de base sont très proches sans que la métallisation d'émetteur ou celle de base risque d'entrer en court-circuit On a évité aussi que la métallisation d'émetteur ne soit en surplomb au-dessus du flanc de gravure, ce qui lors du recuit de contact ohmique pourrait induire le métal à fluer ou à diffuser le long de ce flanc Ceci tendrait à créer des courants de fuite et à ré- duire la tension de claquage émetteur-base. Revendications 1 Procédé de réalisation par autoalignement d'un dispositif semiconducteur intégré comprenant la réalisation sur des couches semiconductrices respectives d'un premier con- tact d'électrode E encapsulé et muni d'espaceurs, et d'un second contact d'électrode B autoaligné sur le premier contact ainsi équipé, ce procédé comprenant au moins: a 0) la formation d'une première et d'une seconde couches semiconductrices pour recevoir respectivement le pre- mier et le second contacts d'électrode; bo) la formation, par une méthode dite d'inversion d'image, d'une ouverture Bo dite à flancs renversés, dans une couche de photorésist déposée sur la première couche semiconductrice; co) le dépôt d'une dite première couche métallique formant, dans cette ouverture, le premier contact d'électrode E, lequel a des flancs F 2 de hauteur inférieure à ceux FI de la couche de photorésist, flancs dont les bords supérieurs arrivent latéralement à une dite petite distance d des flancs renversés de l'ouverture, laissant ainsi une lumière autour de l'embase du premier contact; do) le dépôt d'une dite première couche diélec- trique d'une épaisseur supérieure à la grandeur de ladite petite distance, cette couche diélectrique encapsulant le pre- mier contact sans emplir la lumière eo) l'arrachage (en anglais: "liftoff") des couches diélectriques et métalliques autour du premier contact E restant encapsulé; fo) la réalisation d'espaceurs autour du premier contact E encapsulé. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans l'étape bo) , on forme les flancs renversés de l'ouverture Bo dans la couche de photorésist avec une partie supérieure F'l sensiblement verticale et une partie inférieure F"l ayant une convexité dont la partie renflée est tournée vers l'ouverture Bo. 3 Procédé de réalisation selon la revendication 2, caractérisé en ce que, pour obtenir que les flancs de l'ouver- ture Bo présentent une partie supérieure F'l sensiblement ver- ticale et une partie inférieure F'i ayant une convexité tour- née vers l'ouverture Bo on procède par inversion d'image selon au moins les étapes suivantes: on enduit la surface supérieure de la première couche semiconductrice, au moyen d'une photorésist de type positif inversable par traitements, dans laquelle on se propose de réaliser l'ouverture Bo à flancs renversés, et on fait subir à cette photorésist un premier recuit, on réalise un masque pour protéger la surface de la région de la photorésist destinée à former ultérieurement l'ouverture Bo; on insole la photorésist, sur une épaisseur el inférieure à son épaisseur totale, et environ égale à la hauteur voulue pour la partie F'l des flancs verticaux de l'ouverture Bo, au moyen d'un premier rayonnement ultraviolet on élimine le masque précédent et on recuit la photorésist pour la durcir dans les régions insolées; on insole la totalité de la photorésist sur toute son épaisseur, les régions extérieures à la région de la future ouverture Bo étant devenues, par les opérations précé- dentes, un masque pour l'opération présente, au moyen d'un rayonnement ultraviolet X 2 > Xl; on développe la photorésist dans un agent apte à dissoudre les régions insolées non ultérieurement recuites, c'est-à-dire la région de l'ouverture Bo, résultant en une ouverture à flancs F'i sensiblement verticaux dans la partie insolée sur une faible épaisseur et recuite après insolation, et des flancs Fnl sous-gravés dans la partie insolée sur toute l'épaisseur sans cuisson ultérieure à l'insolation. 4 Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que dans l'étape co), les bords supérieurs des flancs F 2 du premier contact métallique E arrivent à la- dite petite distance d latérale des flancs renversés F 1 de l'ouverture Bo dans la partie o ces derniers présentent leur changement de pente entre F'1 et Ful. 5 Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que dans l'étape fo), on forme les espaceurs par dépôt d'une dite seconde couche diélectrique d'une épaisseur uniforme spécifique hl, puis on grave cette seconde couche diélectrique uniformément d'une hauteur égale à la grandeur spécifique hl, cette seconde couche diélectrique étant par exemple d'un matériau identique à celui de la première. 6 Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que dans l'étape a 0), on forme la première couche en sur- face de la seconde couche, et en ce que la première couche est d'un premier type de conductivité et la seconde couche du type de conductivité opposé. 7 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: go) la gravure de la première couche semiconduc- trice dite couche supérieure, autour du premier contact d'électrode E encapsulé et muni d'espaceurs, ce contact ainsi équipé servant de masque, avec sous-gravure sous les espa- ceurs, jusqu'à atteindre la seconde couche semiconductrice sous-jacente; ho) le dépôt d'une seconde couche métallique pour constituer le second contact d'électrode B, ce dernier étant délimité d'une part par le premier contact E encapsulé et muni d'espaceurs et d'autre part par les bords de l'ouverture d'un masque; io) l'élimination de l'encapsulant, des espa- ceurs, du masque et de la portion de couche métallique déposée sur l'encapsulant, les espaceurs et le masque lors de l'étape précédente. Procédé de réalisation selon la revendication 7, 8 - caractérisé en ce que dans l'étape io), l'élimination des éléments indésirables comprend: il) le dépôt d'une dite troisième couche diélec- trique d'un matériau différent de celui de l'encapsulant et des espaceurs, avec une surface supérieure sensiblement plane, laissant découverte la partie de la seconde couche métallique qui couvre le premier contact E d'électrode encapsulé, i 2) l'élimination de la partie de la seconde couche métallique qui couvre le premier contact E d'électrode encapsulé, ce premier contact étant protégé par son encapsu- lant et le second contact d'électrode B étant protégé par la troisième couche diélectrique, i 3) l'élimination des espaceurs et de l'encapsu- lant du premier contact d'électrode E, i;) l'élimination de ladite troisième couche diélectrique et le %lift-off" du masque et de la partie de couche métallique qui le couvre. 9 Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que dans l'étape il, la troisième couche diélectrique est réalisée par une méthode de planarisation, par exemple en pho- torésist ou en polyimide. Procédé selon l'une des revendications 8 ou 9, caractérisé en ce que dans l'étape i 2), l'élimination de la portion de couche métallique est faite par voie chimique. 11 Procédé selon l'une des revendications 5 à 10, caractérisé en ce que, dans l'étape fo) la grandeur spécifique hl est prévue égale à la distance voulue entre le premier et le second contacts d'électrodes. 12 Procédé de réalisation par autoalignement d'un dispositif semiconducteur intégré, qui comporte un transistor bipolaire à hétérojonction non planaire, ce procédé comprenant pour réaliser ce transistor au moins la formation de trois couches semiconductrices superposées de types de conductivité alternés, respectivement de la couche inférieure à la couche supérieure une couche de collecteur, une couche de base et une couche d'émetteur, avec au moins une hétérojonction, par exemple entre la couche de base et d'émetteur, caractérisé en ce que les contacts d'émetteur et de base, dits respectivement premier contact E et second contact B sont réalisés sur leur couche respective par une méthode selon l'une des revendica- tions 5 à 11. 13 Procédé de réalisation selon la revendication 12, caractérisé en ce que, pour former les contacts de collecteur C du transistor bipolaire à hétérojonction, dit troisième con- tact d'électrode, il comprend en outre: ji) la formation d'un masque avec des ouvertures coïncidant avec les régions prévues pour les contacts de collecteur C, ko) la gravure des couches semiconductrices dans ces ouvertures jusqu'à la couche de collecteur, 2 O) le dépôt d'une dite troisième couche métal- lique pour former les contacts de collecteur, Mo) le "lift-off" du masque et de la portion de troisième couche métallique indésirable qui le recouvre.