FR 2649247 A1 19910104 FR 8908799 A 19890630 - 2649247 DETECTEUR INFRAROUGE A BASE DE MATERIAU PYROELECTRIQUE La présente invention concerne le domaine général de l'imagerie infrarouge et plus particulièrement celui de l'imagerie infrarouge réalisée à température ambiante. Le principe de fonctionnement de l'imagerie infrarouge est le suivant. Un rayonnement infrarouge absorbé par une couche de matériau pyroélectrique génère une élévation de température A T dans la couche qui génère ellemême une quantité Q de charges électriques en surface, telle que Q = A. py. T A représentant la surface de la couche recevant le rayonnement et py étant son coefficient pyroélectrique. En règle générale, la lecture du relief de charges électriques induit dans une couche pyroélectrlque par un rayonnement incident est réalisée soit à l'aide d'un faisceau d'électrons dans un tube sous vide (décrit dans l'article "Le Pyricon: un tube de prise de vues pour le domaine infrarouge thermilque" de M. BLAMOUTIER, P. CUNIBERTI, P. FELIX et S. VERON, paru dans la revue L'Onde Electrique, 1981, vol. 61, n 10, p. 25 à 38), soit à l'aide d'une matrice plan de commutateurs associés à des lignes de transfert de charges (détecteurs deux dimensions tels que ceux décrits dans GB 2 246 et dans l'article "Ambient temperature solid state pyroelectric IR Imaging arrays" de N. BUTLER, J. McCLELLAND et S. IWASA, paru dans SPIE, vol. 930, Infrared Detectors and Arrays, 1988, p. 151 à 163). Cette technologie de détecteurs deux dimensions utilise des structures hydrides difficilement réalisables et fort coûteuses. La difficulté de réalisation et le prix élevé de ces détecteurs 2 dimensions sont dus à la complexité de ces structures. En effet, au lieu d'utiliser une couche pyroélectrique uniforme comme dans le tube Pyricon, les détecteurs 2 dimensions comportent autant d'éléments pyroélectriques qu'il y a d'éléments d'image ou pixels. Ces éléments pyroélectriques sont en outre placés sur des plots conducteurs de l'électricité mais isolants thermiques qui assurent la liaison électrique entre les éléments pyroélectriques et un substrat semiconducteur sous-jacent. Les faibles dimensions des éléments pyroélectriques (environ 200 g x !l) et des plots de liaison (environ 50 [i x 50 u de section) rendent d'autant plus difficile la réalisation de ces structures lorsque l'on désire un nombre de pixels élevé. Afin de pallier ces inconvénients, la présente invention propose de remplacer les éléments pyroélectriques par une couche de matériau pyroélectrique répondant à certains critères permettant qu'on la dispose directemenIt sur le substrat semiconducteur sous-jacent. L'invention présente l'avantage de simplifier la conception du détecteur en réalisant une structure monolithique tout en simplifiant la technologie de mise en oeuvre. En effet, un tel détecteur infrarouge peut être réalisé par des procédés courants en microélectronique. L'invention a donc pour objet un détecteur infrarouge à base de matériau pyroélectrique, du type associé à un circuit de lecture élaboré sur un substrat semiconducteur, ledit substrat supportant également des plots conducteurs destinés à transmettre les signaux électriques générés par le matériau pyroélectrique vers le circuit de lecture, chaque plot conducteur correspondant à un élément d'image ou pixel, caractérisé en ce que le détecteur est constitué d'une couche de matériau pyroélectrique déposée sur le substrat semiconducteur côté plots conducteurs, le matériau pyroélectrique possédant une conductivité thermique K opposé aux plots conducteurs. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre non limitatif, et grâce aux dessins annexés parmi lesquels - la figure 1 est une vue en coupe transversale d'un détecteur infrarouge selon l'art connu. - la figure 2 est une vue schématique du détecteur Infrarouge selon l'invention, - la figure 3 est une vue en perspective d'un circuit de lecture associé au détecteur selon l'invention, - la figure 4 représente un détecteur infrarouge selon l'invention associé à son circuit de lecture, - les figures 5 à 7 représentent des circuits de lecture en cours de traitement avant de recevoir le détecteur infrarouge selon l'invention. La figure 1 représente un détecteur infrarouge à base de matériau pyroélectrique selon la demande de brevet GB 2 200 246 citée plus haut. Ce détecteur comprend des éléments 1 en matériau pyroélectrique, à raison d'un élément par pixel, compris entre une électrode commune 5 et des électrodes élémentaires 9. Des plots conducteurs 13 relient électriquement les électrodes élémentaires 9 aux entrées 15 de circuits de traitement élaborés sur le substrat semiconducteur 11. Une couche 3, de faible conductivité thermique est placée au-dessus de l'électrode commune 5 et supporte, côté interne, des pistes conductrices 7 assurant la continuité électrique entre les différentes parties de l'électrode commune 5. Côté externe, la couche 3 supporte des parties 17 absorbant le rayonnement destiné aux éléments pyroélèctrlques 1 et représenté par la flèche. Sur la figure 1 on n'a représenté que trois pixels mais le détecteur peut en comprendre beaucoup plus. Etant donné la très faible dimension de ces pixels et la façon dont les différentes parties du détecteur sont assemblées entre eux, on comprend la difficulté de réalisation d'une telle structure. Le matériau pyroélectrique constituant les éléments 1 est choisi parmi un groupe de matériaux A fortes conductivités thermiques (K > 1 W/m. K) tels que: - le tantalate de lithlum LiTaO3 pour lequel K = 4,2 W/m. oK, - le zirconate de plomb PZT pour lequel K = 1,7 W/m. K, - le titanate de plomb PbTiO3 pour lequel K = 3,2 W/m. K, 1 5 - le niobate de baryum et de strontium SrBaNb206 pour lequel K = 3,8 W/m. K. Dans de tels matériaux, l'énergie thermique absorbée en surface se propage très vite dans l'épaisseur. Si les éléments pyroélectriques 1 étaient disposés directement sur le substrat 11, l'énergie thermique se dissiperait rapidement par effet de conduction dans le substrat. Si ce substrat est bon conducteur thermique comme le silicium (pour lequel K = 140 W/m. K) l'effet est encore amplifié. De ce fait, il est nécessaire d'isoler thermiquement les éléments pyroélectriques du substrat qui se comporte comme un puits thermique. Cela implique l'utilisation de la technologie hybride A base de plots conducteurs de l'électricité mais isolants thermiques. Selon l'invention, et pour pallier les Inconvénients de l'art antérieur, on dépose sur le substrat semiconducteur, sur lequel ont été élaborés les circuits de traitement et contenant la matrice 2 dimensions de commutateurs de lecture et les lignes de transfert de charges, une couche de matériau pyroélectrique. Cette couche peut être déposée par centrifugation pour les polymères et par sérigraphie pour les matériaux composites. 264924? Selon l'invention, on choisit des matériaux pyroeélectriques possédant de faibles conductivités thermiques (K vinylidène (PVDCN - VDF). On peut également utiliser des matériaux composites (pour lesquels K d'environ 0,9 W/m. K. Après avoir déposé la couche de matériau pyroélectrique, on métallise la face supérieure de cette couche. Ensuite, pour polariser cette couche, on appliquera une tension permettant d'obtenir environ 1 MV/cm de champ électrique, soit 1000 volts pour 10!l d'épaisseur de couche de matériau pyroélectrique. Une couche de matériau absorbant infrarouge est ensuite déposée sur la couche pyroélectrique métallisée. La structure obtenue a alors la forme représentée schématiquement à la figure 2: une couche 21 de matériau pyroélectrique reposant sur le substrat semiconducteur 20 et recouverte d'une couche 22 d'absorbant Infrarouge. La couche d'absorbant infrarouge peut être réalisée soit par évaporation de noirs métalliques (or, aluminium.ou argent) ou de métaux absorbants tels qu'un alliage nickel-chrome, soit par dépôt en centrifugeant une solution contenant du polymère absorbant entre 3 et 14 lt. 264924? Par rapport à l'art antérieur, la structure selon l'invention est beaucoup plus simple car elle ne comporte pas de plots isolants thermiques et conducteurs de l'électricité, lesquels servaient à isoler thermiquement la couche détectrice du substrat et à collecter les charges électriques correspondant à l'information thermique reçue. Le fait d'utiliser des matériaux à conductivité thermique K comme il est habituellement fait dans l'art antérieur. Deux exemples de réalisation vont maintenant être décrits. Le premier exemple concerne le cas découlant directement de l'invention et o le polymère pyroélectrique est déposé directement sur le circuit de lecture. Le deuxième exemple concerne le cas o, dans des cas limites, on désire quand même déposer une couche d'isolant thermique entre le polymère pyroélectrique et le circuit de lecture. Premier exemple de réalisation': Le circuit de lecture (CCD, transistor à effet de champ, etc.) a été préalablement fabriqué sur un substrat de silicium, suivant Ies techniques habituelles connues de l'homme de l'art. L'épalsseur de ce substrat est par exemple comprise entre 0,5 et 1 mm. La figure 3 représente, vu en perspective, un tel substrat référencé 30 et comportant sur sa partie supérieure un jeu d'électrodes en forme de plots conducteurs 32. Ces plots sont répartis régulièrement à la surface du substrat 30 et correspondent à autant de pixels qu'il est désiré. Ils peuvent être répartis de façon à former un arrangement matriciel. Les plots 32 peuvent avoir 250 g de côté et peuvent être séparés de p. Il est possible de les obtenir par une évaporation de métal de 1000 angstroms d'épaisseur. Une couche 31 de matériau pyroélectrique répondant aux conditions de l'invention est ensuite déposée sur la face supérieure du substrat 30 (voir la figure 4). Le dépôt peut être réalisé par centrifugation d'une solution de polymère dans un solvant par exemple, un copolymère PVDF-TrFE 75/25 (75 % en moles de PVDF pour 25 % en moles de TrFE) dans le diméthylformamide (DMF). Cette méthode de dépôt est habituellement désignée sous le nom de "méthode de la tournette". Plusieurs couches de polymère pyroélectrique peuvent être déposées pour obtenir une épaisseur comprise entre et 60 li, par exemple 30 g. Sur la couche 31, on dépose ensuite une électrode continue 33 pour constituer une contre-électrode, par exemple sous forme d'une couche d'aluminium de 1000 angstr ms d'épaisseur, par évaporation sous vide. On peut alors polariser la couche de polymère 31. La polarisation peut se faire en mettant toutes les électrodes du circuit de lecture A la masse, et plus particulièrement tous les plots conducteurs du circuit de lecture, et en appliquant une tension + V sur l'électrode continue 33 (par exemple, V = 3000 volts si l'épaisseur de polymère est égale à 30 ti). Une couche d'absorbant infrarouge 34 est ensuite déposée, par exemple du noir d'aluminium par évaporation d'aluminium sous atmosphère d'azote selon une technique connue. Le détecteur est alors prêt à fonctionner. L'absorbant infrarouge peut être déposé avant l'opération de polarisation. La polarisation peut aussi être effectuée avant le dépôt de l'électrode continue 33. La polarisation se fait alors par effet Corona. Deuxième exemple de réalisation 264924? Le substrat utilisé est celui représenté à la figure 3. On dépose sur le substrat 30 recouvert de plots conducteurs 32, une couche 35 d'isolant thermique (voir la figure 5). Cette couche d'isolant thermique peut être un polymère déposé à la tournette (par exemple 10! de polylmide). Dans ce cas un recuit à 300 - 400 C pendant 1 heure est alors nécessaire pour obtenir l'imidisation complète du polylmide. Il faut ensuite reprendre les contacts électriques sur les plots du circuit de lecture. Plusieurs méthodes sont possibles. On peut, à I'aide d'un faisceau laser de longueur d'onde inférieure à 500 nm, pyrolyser le polyimide sur une surface d'environ 10 g 2 et au-dessus des plots 32, comme le montre la figure 5 o le faisceau laser, focalisé par la lentille 41, est représenté sous la référence 40. On erée ainsi -1 de petits fils conducteurs - = 1 S.cm) A travers le polyimide. On peut aussi, comme le montrent les figures 6 et 7, faire une ablation de matière par laser pour réaliser de petits trous 37, par exemple grâce à un laser Eximère délivrant un faisceau de longueur d'onde inférieure à 300 nm. Il suffit ensuite de déposer localement des métallisations 38 matérialisant Ies pixels pour. prendre contact avec Ies plots conducteurs 32 et disposer d'une réplique du jeu d'électrodes qui sont présentes sur le circuit de lecture. D'autres méthodes connues peuvent encore être utilisées pour graver le polyimide. Le substrat est alors prêt à recevoir la couche de matériau pyroéleetrique selon le procédé développé dans la description du premier exemple de réaIisation. Résultats obtenus: Un polymère pyroélIectrique formé de PVDF-TrFE (75/25) possède un coefficient pyroélectrique p de 5.109 2 y C/cm. K, un coefficient K de 0,0013 W/cm. K et une constante diélectrique relative ú = 7. Pour une structure selon l'invention comportant une surface de pixel de 250 g de côté et pour une épaisseur de couche pyroélectrique de 30 y, le coefficient NETD (Noise Equivalent Temperature Difference) est - pour le premier exemple de réalisation: NETD = 0, 5 K pour une cadence de détection de 50 Hz et pour une ouverture numérique de l'objectif de visée N = 1, - pour le deuxième exemple de réalisation NETD = 0,3 K dans les mêmes hypothèses que précédemment REVENDICATIONS 1 - Détecteur Infrarouge à base de matériau pyroélectrique, du type associé à un circuit de lecture élaboré sur un substrat semiconducteur (30), ledit substrat supportant également des plots conducteurs (32) destinés à transmettre les signaux électriques générés par le matériau pyroélectrique vers le circuit de lecture, chaque plot conducteur correspondant à un élément d'image ou pixel, caractérisé en ce que le détecteur est constitué d'une couche de matériau pyroélectrique (31) déposée sur le substrat semiconducteur côté plots conducteurs, le matériau pyroélectrique possédant une conductivité thermique K de matériau pyroélectrique du côté opposé aux plots conducteurs. 2 - Détecteur infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce que les plots conducteurs (32) sont disposés de façon à former un arrangement matriciel. 3 - Détecteur infrarouge selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le matériau pyroélectrique est un polymère. 4 - Détecteur infrarouge selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit polymère est du polyfluorure de vinylidène, du polyfluorure. de vinylidène-trifluoroéthylène, du. polycyanure de vinylidène-vinylacétate ou du polycyanure de vinylidène-fluorure de vinylidène. - Détecteur infrarouge selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le matériau pyroélectrique est un matériau composite constitué de charges minérales pyroélectriques de conductivité thermique élevée mélangées dans une matrice polymère de faible conductivité thermique. 6 - Détecteur infrarouge selon la revendication 5, caractérisé en ce que le matériau composite est formé de 60 % en poids de zirconate de plomb mélangé à du polylmide. 7 - Détecteur Infrarouge selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'à la couche de matériau pyroélectrique (31) est associée une couche d'isolant thermique (35) disposée entre le substrat semiconducteur (30) et la couche de matériau pyroélectrlque, des moyens de conduction électrique (38) étant disposés entre les plots conducteurs et la face de la couche de matériau pyroélectrique adjacente à la couche d'isolant thermique et au travers de cette couche d'isolant thermique. 8 - Détecteur infrarouge selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une couche d'absorbant infrarouge (34) est déposée sur la contre-électrode (33).