FR 2648224 A1 19901214 FR 9006454 A 19900523 La présente invention concerne un circuit convertis- seur de signal et, plus particulièrement, un circuit conver- tisseur qui transforme un paramètre en un autre tout en fournissant une amplification. Il existe des besoins pour un circuit pouvant générer un signal électrique proportionnel à un paramètre physique, tel que la température, signal qui puisse être transmis sur une certaine distance entre un emplacement éloigné et éventuellement hostile en matière de rayonnement et un endroit plus hospitalier. Par exemple, l'emplacement éloigné peut se trouver à l'extrémité étendue du bras d'un manipula- teur dans un engin spatial et/ou dans le réacteur d'une centrale nucléaire. Dans la technique antérieure, on a utilisé des thermocouples en conjonction avec des amplifica- teurs linéaires à gain élevé dans lesquels, et cela est fâcheux, la dérive de l'amplificateur ne peut être distinguée de la force électromotrice du thermocouple. Ces amplifica- teurs ne peuvent être employés dans des environnements hostiles. En outre, les thermocouples ne sont pas compatibles avec l'emploi de circuits en pont et avec les techniques d'excitation par courant alternatif qui pourraient, et cela est souhaitable, minimiser certains des effets indésirables du courant continu, tels que les dérives des amplificateurs et les effets thermoélectriques. La présente invention concerne un circuit pour pro- -2- duire un signal électrique de sortie proportionnel à la différence entre une température présentant de l'intérêt et une température de référence. Le circuit comprend, en combinaison, un transformateur différentiel à trois enroule- ments, quatre transistors à effet de champ (FET) et des premier et second moyens pour mesurer une température. Le transformateur différentiel comprend des premier, second et troisième enroulements, chaque enroulement ayant des première et seconde extrémités. Les premier, second, troisième et quatrième transistors à effet de champ (FET) ont chacun une borne de drain, une borne de source et une borne de grille. L'une des bornes de drain et de source du premier FET est accouplée à la première extrémité du premier enroulement. L'une des bornes de drain et de source du second FET est accouplée à la première extrémité du second enroule- ment. L'une des bornes de drain et de source du troisième FET est accouplée à la seconde extrémité du premier enroulement, et l'une des bornes de drain et de source du quatrième FET est accouplée à la seconde extrémité du second enroulement. L'autre des bornes de drain et de source, des premier et second FET et les bornes de grille des premier et second FET sont accouplées ensemble ainsi qu'à une borne destinée à recevoir une source de courant alternatif. L'autre des bornes de drain et de source des troisième et quatrième FET est accouplée à une borne de référence du circuit. Le premier moyen comporte des première et seconde bornes pour mesurer une température ayant de l'intérêt et présente un paramètre à ses bornes qui est fonction de la température. Les bornes du premier moyen sont accouplées entre une borne de référence du circuit et la grille du troisième FET ou la borne de source ou de drain accouplée à la borne de référence afin d'établir un courant limite pour le troisième FET en fonction de la température présentant de l'intérêt. Le second moyen comporte des première et seconde -3. bornes pour mesurer une température de référence et présente un paramètre à ses bornes qui est fonction de la température. Les bornes du second moyen sont accouplées entre la borne de référence du circuit et la grille du quatrième FET ou la borne de source ou de drain est accouplée -à la borne du circuit afin d'établir un courant limite pour le quatrième FET en fonction de la température de référence. Les première et seconde bornes du troisième enroule- ment sont reliées aux bornes de sortie. Lorsqu'un signal alternatif est reçu par le circuit, le signal de sortie du troisième enroulement est proportion- nel à la différence entre la température présentant de l'intérêt et la température de référence. La suite de la description se réfère aux figures annexées qui représentent respectivement: figure 1, un circuit convertisseur de signal utilisant un capteur à thermocouple selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, figure 1A, un jeu de formes d'onde alternatives qui peuvent être appliquées au circuit de la figure 1; figure 2, le circuit convertisseur de signal de la figure 1 avec une nouvelle amplification selon un mode de réalisation préféré de la présente invention; figure 3, une version multiplexée du circuit conver- tisseur de signal de la figure 1; et figure 4, un circuit convertisseur de signal semblable à celui de la figure 1 mais avec un élément différent de détection de la température. En liaison tout d'abord avec la figure 1, le circuit 10 a pour objet de produire un signal électrique à des bornes de sortie 12 et 14, qui est proportionnel à-la température à la jonction 20 d'un thermocouple, ait un gain fiable et puisse être transféré d'un environnement hostile o se trouve le circuit à un endroit plus hospitalier. Au centre du circuit de la figure 1 un transformateur -4- différentiel 30 à trois enroulements comporte un premier enroulement 32 ayant N1 spires et un second enroulement 34 bobiné dans le sens opposé et comportant généralement N1 spires également, et un troisième enroulement 36 ayant N2 spires, troisième enroulement qui peut être bobiné dans l'un ou l'autre sens par rapport aux enroulements 32 et 34. Les sens de bobinage sont indiqués par des points 32- 1, 34-1, et 36-1. Une valeur typique pour N1 est de 10 spires, pour N3 de 100 spires. Le transformateur doit être conçu pour fonctionner à la fréquence d'une tension d'excita- tion Ex qu'on discutera ci-après et doit avoir un niveau de saturation supérieur au flux de fonctionnement produit par les courants fournis par des transistors à effet de champ à jonction (JFET) qu'on discutera ci-après. Le but du transfor- mateur 30 est de fournir l'amplification du signal. Les extrémités de l'enroulement 36 sont reliées, respectivement, aux bornes de sortie 12 et 14 qui sont, à leur tour, accouplées à une charge 16 (représentée en tirets) ayant une impédance Z. En général, le courant de sortie, I2, circulant dans la charge Z est lié à la différence des courants I32 - I34 traversant l'enroulement 32 et l'enroulement 34, par l'expression suivante: I = (I32 - I34) x N1/N2 (1) z Par conséquent, le courant de sortie est amplifié par le rapport entre spires N1/N2. En pratique, ce rapport est limité par les pertes internes dans le transformateur et peut être optimisé en procédant à une étude minutieuse du transformateur. Quatre JFET sont reliés au transformateur 30 de la façon suivante. Les drains (ou les sources car les drains et les sources sont généralement interchangeables) de transis- tors 40 et 42 sont reliés, respectivement, à une extrémité des enroulements 32 et 34 du transformateur, alors que deux autres transistors 44 et 46 sont accouplés aux extrémités opposées des enroulements 32 et 34, respectivement. Les -5- sources (ou drains) des transistors 40 et 42 sont accouplées resistivement par l'intermédiaire de résistances de réaction et 52, respectivement, ayant chacune une valeur R, à la masse 60 du circuit, alors que les sources (ou les drains) des transistors 44 et 46 sont accouplées resistivement à une borne 62 via des résistances de réaction 54, 56, respective- ment, ayant une valeur R. Les grilles des transistors 44 et 46 sont également reliées directement à la borne 62. Une tension d'excitation Ex, qu'on discutera ultérieurement, est appliquée entre la borne 62 et la masse du circuit en 60. Un transistor JFET est, à titre d'exemple, le type 2N4416 fabriqué par un certain nombre de sociétés dont la société dite Intersil. Des valeurs, données à titre d'exemple, pour R sont comprises entre 10 et 1000 ohms. Une valeur de 10 ohms pour R se traduit par une réaction plus faible et par conséquent par des performances plus élevées pour les JFET du circuit, ce qui est souhaitable dans un environnement non rayonnant. Cependant, dans un environnement au rayonnement élevé, des performances élevées pour les JFET ne sont pas souhaitables car le rayonnement dégrade les performances. Ainsi, dans un environnement au rayonnement élevé, il est préférable d'uti- liser une valeur de 1000 ohms pour R. Le thermocouple à distance 20 utilisé pour mesurer la température présentant de l'intérêt est monté entre la grille du transistor 40 et la masse 60. Un thermocouple local 64 est monté entre la grille du transistor 42 et la masse 60 du circuit. A l'exception du thermocouple 20, tous les éléments du circuit qu'on a représentés en figure 1 sont à la même température. La figure 1A représente diverses formes d'onde du signal Ex qui peuvent être appliquées à la borne 62 de la figure 1. La condition principale concernant la forme d'onde est qu'elle alterne entre des amplitudes positive et négative du potentiel en fonction du temps, de manière à agir en -6- signal de porteuse qui doit être modulé par le signal du thermocouple dans le circuit 10. Une tension de pointe, donnée à titre d'exemple, est 20 volts; une fréquence, donnée à titre d'exemple, et 100 kHz. Comme représenté en figure 1A, la forme d'onde peut être carrée comme indiqué par la référence 70, sinusoïdale comme indiqué par la référence 72, ou triangulaire comme indiqué par la référence 74. Le fonctionnement du circuit de la figure 1 est le suivant. ET, à savoir la tension produite par le thermocouple 20, est fonction de la température de ce thermocouple. Le thermocouple 20 est disposé de manière appropriée de façon à mesurer la température présentant de l'intérêt telle que, par exemple, la température du réfrigérant d'un réacteur. La tension ET établit le courant limite du JFET 40. En d'autres termes, le courant limite varie en fonction de la valeur ET. Le thermocouple 64 se trouve dans les mêmes conditions thermiques que le reste du circuit 10 à l'exception du thermocouple 20. La tension ER produite par le thermocouple 64 lui-même, à l'exclusion des connexions à la grille du JFET et à la masse, est fonction de la température de ce thermocouple. On remarquera que le potentiel entre la grille du transistor 42 et la borne 60 est toujours nul car le thermocouple 64 et sa jonction de référence (ses connexions au circuit 10) se trouvent à la même températurre. La raison de l'utilisation d'un thermocouple pour l'élément 64 est de maintenir le matériau du thermocouple et ses connexions en symétrie avec le thermocouple connecté à la grille du transistor 40. Ce degré de symétrie sert à améliorer l'immunité du circuit 10 vis-à-vis des effets du rayonnement nucléaire (gamma et neutrons). La tension ER établit le courant limite pour le transistor JFET 42. En d'autres termes le courant limite varie en fonction de la valeur ER. La tension Ex est la tension d'excitation, laquelle est fonction de la fréquence, qui commande les quatre transistors 40, 42, 44 et 46 pour les faire passer à leur mode de limitation du -7- courant. Lorsque les JFET se trouvent dans le mode de limitation du courant, la variation de l'amplitude de Ex n'a aucun effet sur la sortie EO présente entre les bornes 12 et 14. Le transformateur différentiel 30 soustrait le flux magnétique du aux courants communs circulant dans les transistors 40, 42, 44 et 46, laissant seulement le flux provoqué par la différence entre les courants due à la différence de tension entre ET et ER. On remarquera que la différence de tension entre ET et ER n'est provoquée que par la différence des températures auxquelles les thermocouples respectifs 20 et 64 sont soumis. Le courant de différence est multiplié par le rapport des spires N1/N2 pour augmenter le courant de sortie et par conséquent la tension de sortie présente aux bornes de la charge Z. Ainsi, pour une température donnée à laquelle le thermocouple 20 est soumis par rapport à celle du thermo- couple 64 (et des autres composants de la figure 1), la tension de sortie E a une amplitude donnée ayant une fréquence égale à celle du signal Ex. La température du thermocouple s'élevant, ET croît et un courant limite plus élevé est établi dans le transistor 40 et par conséquent la tension de sortie EO0 s'élève. La relation entre la tempéra- ture du thermocouple 20 et la tension de sortie E est donnée par la formule suivante: EO = (N1/N2) x (Z/R) x (E1-E2); pour R>300 ohms (2) dans laquelle: E0 est une approximation pour simplifier (elle ne tient pas compte de la transconductance des JFET, des pertes dans le transformateur, ou des résonances dans le circuit. Si on optimisait les résonances, la sortie EO aurait une relation différente avec le rapport du nombre de spires); N1/N2 = rapport des nombres de spires du transforma- teur; Z/R = rapport entre la résistance de la charge et celle de réaction; et -8- (ET-ER) = différence entre les tensions ET et ER des thermocouples. On remarquera que dans tout thermocouple la tempéra- ture indiquée ne concerne que la température de la jonction de référence (température du circuit de mesure auquel il est connecté); dans ce cas, la température du circuit 10. Pour mesurer la température réelle du thermocouple 20, la tempéra- ture du circuit 10 doit être mesurée par un circuit de mesure de température absolue. Un tel circuit de mesure est tel que représenté en figure 4, qu'on discutera ultérieurement, circuit qui emploie un thermomètre à résistance Rt. On attend de tous les composants de la figure 1 qu'ils présentent un degré élevé de résistance aux rayonnements (> 100 megarads de rayons gamma et > 1014 neutrons/centimètre carré). Bien que le circuit de la figure 1 fournisse une amplification raisonnable du signal, il peut être souhaitable d'avoir une amplification plus grande dans certains cas. Le circuit de la figure 2, bien qu'ayant toutes les propriétés souhaitables du circuit 1 en termes de précision de fonction- nement dans des environnements hostiles, fournit une nouvelle amplification. Le premier étage 10 est identique au circuit de la figure 1 et ne sera pas décrit de nouveau. L'étage A est identique à l'étage 10 à l'exception de trois éléments. Tout d'abord, la grille du transistor 40A (qui est lui-même identique au transistor 40) est montéede manière à recevoir le signal EO sortant de l'étage 10 au lieu d'être couplée à un thermocouple 20 comme dans le cas de l'étage 10. En second lieu, la grille du FET 42A (qui est lui-même identique au transistor 42) est reliée directement à la masse 60 au lieu de l'être par l'intermédiaire d'un thermocouple 64 comme dans l'étage 10. Enfin, le signal EXl, bien qu'étant similaire à Ex, présente une fréquence plus élevée que celle de EX comme décrit en liaison avec la figure lA. L'étage 10B est identique à l'étage 10A, recevant entre la grille de son transistor 40B et la masse 60 du -9- système, la sortie de l'étage 10A. Le signal EX2 est identique à la tension appliquée EXl sauf qu'il a une fréquence plus élevée que celle de cette tension. En figure 2, la sortie de l'étage 10B peut être appliquée soit à un câble coaxial 70, par exemple, soit à une antenne 72 pour radiodiffusion vers une zone plus hospitalière de l'environnement que celle dans laquelle se trouve le circuit de la figure 2. On doit remarquer qu'un commutateur 74 n'est pas en réalité présent mais il indique simplement qu'on pourra choisir entre le câble coaxial 70 et l'antenne 72. On doit en outre remarquer que la ligne en tirets 76 a pour objet d'indiquer que d'autres étages tels que 10A et 10B pourraient être utilisés si l'on souhaite une amplification supérieure à celle donnée par le circuit de la figure 2. Com lasriEes Comme la sortie EM est isolée par le couplage du transforma- teur, sa connexion à la masse peut être introduite dans la connexion à la masse du système suivant (non représenté) sans avoir d'effet sur la masse 60. Sinon, elle peut être connectée à la masse 60. Le signal de sortie en EM par rapport à la tension présente dans le thermocouple 20 est défini par la formule suivante: EM = [Eo/(ET-ER)]2 x [EO] (3) dans laquelle on suppose que tous les transformateurs ont le même rapport entre nombres de spires et les mêmes résistances de charge et de réaction. Le circuit de la figure 2 fonctionne d'une manière virtuellement identique à celle de la figure 1, dans lequel chaque section 10A et 10B reçoit à ses transistors respectifs 40 une tension agissant pour limiter le courant des transistors 40A et 40B à des points différents en fonction de l'amplitude du signal reçu. Là encore, l'amplification est assurée par les transformateurs A et 30B de la même manière qu'elle l'est en figure 1. par le transformateur 30. la figure 3 est une version multiplexée du circuit de - 10 - la figure 1, identique dans son ensemble au circuit de la figure 1 à l'exception de la présence de plusieurs thermo- couples, à savoir trois thermocouples 20A, 20B et 20C. Les bornes de sortie du thermocouple 20A sont reliées aux drains de JFET de commutation 80A1 et 80A2. D'une façon similaire, le thermocouple 20B est relié aux drains de JFET 80B1 et B2, alors que le thermocouple 20C est relié aux drains de JFET 80ci et 80C2, respectivement. Les sources des JFET 80A1, B1 et 80C1 sont reliées à la grille du JFET 40C correspon- dant au JFET 40 de la figure 1. Les sources des JFET 80A2, B2 et 80C2 sont reliées à la masse 60 du système. Les transistors 80A1, 80B1' 80Ci, 80A2, 80B2 et 80C2 font partie d'un multiplexeur 82. Le multiplexeur 82 comprend un circuit de commande 84 qui rend séquentiellement conducteurs les transistors 80A1- A2' 80B1 80B2, et 80C1-80C2 de manière à accoupler, dans l'ordre, les thermocouples 20A, 20B et 20C entre la grille du JFET 40C et la masse 60 du circuit. On remarquera que les connexions réelles entre le contrôleur multiplex 84 et les grilles des divers transistors 80 ne sont pas représentées pour rendre le dessin plus clair. A d'autres égards, le fonctionnement du circuit de la figure 3 est identique à celui de la figure 1. Là encore, à cause de la nature de tous les composants utilisés en figure 3 et plus particulièrement de l'emploi de transistors JFET, le circuit est plus facilement aguerri contre les rayonnements que si l'on utilisait des CMOS ou autres semi-conducteurs. La fréquence avec laquelle les divers commutateurs à transistor sont rendus conducteurs est beaucoup plus faible que celle du signal Ex représenté en figure 1A. La fréquence d'échantil- lonnage des thermocouples doit être au moins le double de la largeur de bande de fréquence du signal du thermocouple, de manière à inclure toute l'information disponible. La fré- quence d'échantillonnage augmentant, le contenu spectral en fréquence du signal E0 augmente et nécessite des largeurs de 26t8224 - 11 - bandes plus grandes dans les étages suivants. Cette plus grande largeur de bande diminue le rapport signal/bruit à la sortie, ce qui n'est pas souhaitable. La figure 4, à laquelle on se reportera maintenant, représente un circuit identique à celui de la figure 1, sauf en ce qui concerne le remplacement du thermocouple 20 (figure 1) par 'un thermomètre à résistance 21. Etant donné la nature du fonctionnement d'un thermomètre à résistance par rapport a celui d'un thermocouple, il y a un léger changement dans la connexion des circuits en ce.qui concerne les JFET 40D et 42D par rapport au JFET 40 et 42 de la figure 1. Les JFET eux- mêmes sont identiques aux JFET 40 et 42 de la figure 1. Ainsi, le thermomètre à résistance 21 est monté entre la source du JFET 42 et la masse 60 du circuit. D'une façon similaire, un thermomètre factice 63 est monté entre la source (ou le drain) du JFET 42D et la masse 60, alors que la grille du JFET 42D est reliée directgement à la masse 60. La tension VGS de limitation du courant, du transistor JFET D, par exemple, est la tension entre la grille et la source. Par conséquent, la chute de tension du thermomètre 21 est la tension de limitation du courant dans le JFET. De fait, elle est donnée par la relation: VG-S = (Egrille-Emasse (Esource-E masse (4) Par conséquent, la tension de limitation du courant pour le thermomètre à résistance est juste (E sourceE), et comme sourcemasse il s'agit de la tension aux bornes de la résistance RT' du thermomètre, la tension de limitation du courant varie avec la valeur de la résistance RT, laquelle est fonction de la température. Par ailleurs, le fonctionnement du circuit de la figure 4 est identique à celui du circuit de la figure 1. On remarquera que la sortie EOO du circuit 10D de la figure 4 peut être monté à la place du circuit 10 de la figure 2, par exemple. Bien qu'on ait décrit le circuit avec l'utilisation de - 12 - transistors à effet de champ à jonction, d'autres types de transistors à effet de champ fonctionneront. Cependant, dans. le cas o il est nécessaire de travailler avec un environne- ment comportant des rayonnements, le transistor à effet de champ à jonction donne le résultat les meilleurs,. à savoir une sortie plus précise en ce qui concerne les variations de la température dans le thermocouple ou le thermomètre à résistance. - 13 - REVENDICATIONS 1. Circuit (10) pour produire un signal électrique de sortie proportionnel à la différence entre une température présentant de l'intérêt et une température de référence, caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison: un transformateur différentiel (30) ayant des premier (32), second (34) et troisième (36) enroulements, chaque enroulement ayant des première et seconde extrémités; des premier (40), second (42) troisième (44) et quatrième (46) transistors à effet de champ (FET) ayant chacun une borne de drain, une borne de source et une borne de grille, l'une des bornes de drain et de source du premier FET étant reliée à la première extrémité du premier enroule- ment, l'une des bornes de drain et de source du second FET étant reliée à la première extrémité du second enroulement, l'une des bornes de drain et de source du troisième FET étant reliée à la seconde extrémité du premier enroulement, et l'une des bornes de drain et de source du quatrième FET étant reliée à la seconde extrémité du second enroulement, l'autre borne de drain et de source des premier et second FET et les bornes de grille des premier et second FET étant reliées ensemble et à une borne destinée à recevoir une source de courant alternatif, l'autre borne de drain et de source des troisième et quatrième FET étant reliées à une borne de référence du circuit; un premier moyen (20) ayant des première et seconde bornes pour mesurer une température présentant de l'intérêt et présentant un paramètre à ces bornes qui est fonction de la température, lesdites bornes étant accouplées entre la borne de référence du circuit et la grille du troisième FET ou la borne de source ou de drain reliée à la borne de référence pour établir un courant limite du troisième FET en fonction de la température présentant de l'intérêt; et un second moyen (64) ayant des première et seconde bornes pour mesurer une température de référence et présen- - 14 - tant un paramètre à ces bornes qui est fonction de la température, lesdites bornes du second moyen étant accouplées entre la borne de référence du circuit et la grille du quatrième FET ou la borne de source ou de drain reliée à la borne du circuit pour établir un courant limite pour le quatrième FET en fonction de la température de référence; les première et seconde bornes du troisième enroule- ment sont reliées aux bornes de sortie, d'o il résulte que, lorsqu'un signal alternatif est reçu par le circuit, le signal sortant du troisième enroulement est proportionnel à la différence entre la température présentant de l'intérêt et la température de référence. 2. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premier (32) et second (34) enroulements du transfor- mateur sont bobinées dans des sens opposes. 3. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premier (20) et second (64) moyens pour mesurer la température sont des thermocouples. 4. Circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que les thermocouples sont montés entre les grilles des troisième et quatrième FET respectivement et la borne de référence du circuit. 5. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premier, second, troisième et quatrième transistors à effet de champ sont des transistors à effet de champ à jonction. 6. Circuit selon la revendication 4, caractérisé en ce que les premier, second, troisième et quatrième transistors à effet de champ sont des transistors à effet de champ à jonction. 7. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premier et second moyens pour mesurer la température sont des thermomètres à résistance (21), (63) montés entre l'autre des bornes de source et de drain des troisième et quatrième FET respectivement et la borne du circuit de - 15 - référence, et en ce que les grilles des troisième et quatrième FET sont connectées à la borne de référence du circuit. 8. Circuit selon la revendication 7, caractérisé en ce que les premier, second, troisième et quatrième transistors à effet de champ sont des transistors à effet de champ à jonction. 9. Circuit selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend-en outre: un second transformateur différentiel (30A) ayant des premier, second et troisième enroulements, chaque enroulement ayant des première et seconde extrémités; des cinquième, sixième, septième et huitième transis- tors à effet de champ (FET) ayant chacun une borne de drain, une borne de source et une borne de grille, l'une'des bornes de drain et de source du cinquième FET étant reliée à la première extrémité du premier enroulement du second transfor- mateur, l'une des bornes de drain et de source.du sixième FET étant reliée à la première extrémité du second enroulement du second transformateur, l'une des bornes de drain et de source du septième FET étant reliée à la seconde extrémité du premier enroulement du second transformateur, et l'une des bornes de drain et de source du huitième FET étant reliée à la seconde extrémité du second enroulement du second trans- formateur, l'autre des bornes de drain et de source des cinquième et sixième FET et les bornes de grille des cinquième et sixième FET étant reliées ensemble et à une seconde borne destinée à recevoir une seconde source de courant alternatif, l'autre des bornes de drain et de source des septième et huitième FET et la grille du huitième FET étant reliées à la borne de référence du circuit, les première et seconde extrémités du troisième enroulement du second transformateur différentiel étant montées entre la grille du septième FET et la borne de référence du circuit; - 16 - les première et seconde bornes du troisième enroule- ment du second transformateur étant reliées aux bornes de sortie. 10. Circuit selon la revendication 9, caractérisé en ce que les premier, second, troisième et quatrième transis- tors à effet de champ sont des transistors à effet de champ à jonction.