FR 2639137 A1 19900518 FR 8814806 A 19881115 lTETE MAGNETIQUE A ENTREFER SATURABLE ET DISPOSITIF MATRICIEL COMPORTANT UN ENSEMBLE DE TELLES TETES L'invention est relative à une tête magnétique destinée, notamment, à faire partie d'un dispositif d'enregistrement à pluralité de têtes. Une tête magnétique est un dispositif d'inscription et/ou de lecture des informations sur un support magnétique. L'inscription est réalisée en faisant varier localement l'aimantation du support. Une telle tête comprend deux pôles magnétiques séparés par un entrefer amagnétique. Pour l'enregistrement d'informations un champ magnétique est induit dans un circuit magnétique comprenant les deux pôles et le support magnétique est appliqué contre les extrémités des pôles et contre l'entrefer. De ce fait le circuit magnétique se ferme par le support au droit de l'entrefer, ce qui permet l'aimantation (ou la désaimantation) du support à cet endroit; La lecture d'informations inscrites sur le support est obtenue par un signal électrique qui résulte d'une force électromotrice induite par la variation de flux magnétique dans le circuit magnétique fermé par le support. Cette variation de flux provient de la variation de l'aimantation sur le support quand ce dernier se déplace par rapport à la tête ou, inversement, quand la tête se déplace par rapport au support. - Pour certaines applications on considère qu'un signal est inscrit sur le support magnétique seulement quand l'aimantation de ce support dépasse un seuil déterminé. Les aimantations du support inférieures au seuil provoquent, lors de la lecture, des signaux parasites qu'il est préférable d'éliminer par des dispositions particulières du circuit de lecture. La tête magnétique selon l'invention permet de n'aimanter le support que lorsque le flux magnétique dépasse un seuil déterminé, ce qui éelrnie les parasites lors de la lecture. A cet effet cette tête est caractérisée en ce que l'entrefer comporte un matériau magnétique à saturation inférieure à ceUlle du matériau constituant les pôles et tel que, lorsque ce matériau n'est pas saturé, le champ magnétique reste dans l'entrefer et ne passe donc pas par le support. C'est seulement quand l'entrefer est saturé que le support peut être aimanté car, alors, le flux magnétique peut s'échapper du matériau d'entrefer. Quand l'excitation du circuit magnétique est faible, l'entrefer n'est pas saturé et la réluctance du circuit magnétique est faible; il en résulte que le matériau de l'entrefer peut se saturer aisément. Dans certains cas cette propriété s'oppose au but recherché Ici, à savoir éviter l'inscription d'informations sur le support magnétique pour les faibles excitations. Pour diminuer l'effet de la variation de réluctance introduite par l'entrefer saturable, dans une réalisation de l'invention on prévoit dans le circuit magnétique de la tête, en-dehors de l'entrefer, un élément non magnétique qui augmente d'une valeur importante la réluctance totale du circuit. Dans une réalisation cette réluctance est obtenue en disposant une couche de matériau non magnétique entre le circuit magnétique auquel sont associés les fils d'excitation et l'ensemble formé par les deux pôles et l'entrefer. Une tête magnétique selon l'invention est, quel que soit son mode de réalisation, particulièrement utile pour réaliser un dispositif à pluralité de têtes magnétiques dans lequel les têtes sont disposées sous forme d'un réseau matrlciel et, pour l'excitation des têtes, on prévoit un réseau de fils conducteurs associés à ce réseau matriciel de façon que chaque tête soit couplée à un fil de ligne et un fil de colonne. L'intensité du courant électrique dans chacun des deux conducteurs d'une tête inscrivant une information sur le support présente une première valeur; les tétes ne devant pas inscrire d'i, formations sont Osocoées à au moirs un conducteur parcouru par un courant d'une intensité ayant une seconde valeur déterminée, Inférieure en valeur absolue à la première valeur. Par exemple la première valeur est un courant d'intensité I et la seconde valeur est un courant d'intensité - I/3. Dans ce cas on choisit les caractéristiques de chaque tête magnétique de façon telle que le support soit aimanté seulement lorsque la somme des intensités dans les deux fils d'une tête est supérieure à la valeur 2I/3. Pour l'adressage, en variante, un conducteur associé à une tête inscrivant une information sur le support est parcouru par deux impulsions successives de polarités opposées et l'autre conducteur associé à la tête est parcouru par un courant d'intensité constante, la somme de cette intensité constante et de l'intensité de l'impulsion de même signe que ce courant constant étant suffisante pour inscrire une information tandis que la somme de l'intensité constante et de l'impulsion de polarité opposée est insuffisante pour Inscrire une information, c'est-à-dire aimantir le support. Dans cette variante l'intensité du courant constant est par exemple environ la moitié de l'intensité d'une impulsion dans un sens. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront avec la description de certains de ses modes de réalisation, celle-ci étant effectuée en se référant aux dessins ciannexés sur lesquels - la figure 1 est une vue schématique en perspective d'un dispositif matriciel à pluralité de têtes magnétiques auquel s'applique l'invention, - la figure 2 est un schéma montrant un adressage d'un dispositif matriciel, - la figure 3 correspond à une variante de la figure 2, - la figure 4 est un schéma d'une tête magnétique selon l'invention, et - les figures 5 à 8 sont des schémas et diagramrnes illustrant je fonctionnement Jep la tête magnétique de la figure 4. On a représenté sur la figure 1 un dispositif matriciel à têtes magnétiques pour l'enregistrement d'informations sur un support magnétique tel qu'une bande (non montrée) à pluralité de pistes. Ce dispositif matriciel comporte une plaque en matériau magnétique, par exemple en ferrite, de laquelle sont en saillie des blocs 101, 102, 103, 104, 105, etc... de section rectangulaire et séparés par des rainures 111, 112... 121, 122... Les rainures 121, 122, etc sont parallèles entre elles et perpendiculaires aux rainures 111, 112... Dans les rainures 11 de ligne sont disposés des fils conducteurs rectilignes 131, 132... Dans les rainures 12 de colonne sont également disposés des fils conducteurs rectilignes 141, 142.... La surface libre d'extrémité de chaque bloc magnétique 101 rectangulaire est recouverte par une couche 15 d'un matériau magnétique qui se prolonge à un coin, dans la direction d'une diagonale du rectangle, selon une bande 16 séparée par un entrefer 17 d'une bande correspondante 18 prolongeant une autre couche magnétique 19 sur un bloc voisin 105 dont la diagonale de la surface rectangulaire prolonge la diagonale correspondante du bloc 101. Les conducteurs 131, 141 qui sont au droit de l'entrefer 17 produisent un champ magnétique pour l'inscription d'une information sur un support magnétique qui, bien entendu, est disposé au voisinage de l'entrefer 17. Dans un premier exemple (figure 2) certains des conducteurs sont parcourus par un courant d'intensité I et d'autres conducteurs sont parcourus par un courant d'intensité -I/3. Une tête magnétique inscrit une information sur le support magnétique quand les deux conducteurs associés à cette tête sont parcourus par un courant d'intensité I. Par contre si l'un des deux conducteurs, ou les deux conducteurs, est (sont) parcouru(s) par un courant d'intensité -I/3 il n'y a pas d'informatUon Inscrite par la tête magnétique correspondante 263913?7 sur le support magnétique. On voit ainsi que lorsque le courant d'excitation a la valeur 2I, une information est inscrite; par contre quand ce courant d'excitation a la valeur 2I/3 ou -2I/3 aucune information n'est inscrite sur le support. On comprend donc que pour un courant d'excitation d'intensité + 2I/3, il est préférable que la tête magnétique ne provoque aucune aimantation du support alors que pour un courant d'excitation d'intensité 21 il est préférable que l'aimantation du support magnétique soit maximum. Ce but est atteint, conformément à l'invention, grâce à la tête qui sera décrite plus loin en relation avec la figure 4. Dans un autre exemple (figure 3) pour l'inscription d'informations binaires (1 ou O) chaque ligne est parcourue par deux impulsions successives: une impulsion positive, c'est-à-dire un courant d'intersité + 21/3, suivie par une impulsion négative, c'est-à-dire un courant d'intensité -2I/3. Si on désire inscrire un chiffre "1", la colonne correspondante est parcourue par un courant *I/3 tandis que si on désire inscrire le chiffre "0" on fait passer un courant d'intensité -I/3 dans la colonne correspondante. Ainsi quand la eolonne est parcourue par un courant d'intensité +I/3 au cours de l'impulsion positive 2I/3 de la ligne, le courant d'excitation a l'intensité I suffisante pour inscrire une information, tandis qu'au cours de l'impulsion négative -2I/3 sur la ligne, le courant d'excitation est -I/3, insuffisant pour inscrire une information. De même quand une colonne est parcourue par un courant d'intensiLé -I/3 au cours de l'impulsion positive 2I/3 sur la ligne, le courant d'excitation de la tête correspondante est I/3, insuffisant pour inscrire une information tandis qu'au cours de l'impulsion négative le courant d'excitation est -I, ce qui permet l'inscription d'un "O". B5en entendu dans le mode de réalisation de la fsute %3 les lignes sont adressées une par uVxe pour l'inscription d'informations. Dans cette réalisation, comme dans la précédente, il est préférable qu'une excitation correspondant à une intensité de courant de +I/3 ou - I/3 ne provoque aucune aimantation du support alors qu'une excitation correspondant à un courant d'intensité I devra produire une aimantation maximum du support magnétique. Pour obtenir ce résultat, le matériau 20 d'entrefer de la tête magnétique 21 selon l'invention (figure 4) est un matériau magnétique saturable à valeur de saturation inférieure à celle du matériau, ou des matériaux, constituant les pâles magnétiques 22 et 23. Pour améliorer encore l'effet de l'entrefer 20 en matériau saturable, l'ensemble formé par les pôles 22 et 23 et l'entrefer 20 est séparé des blocs en ferrite 101 et 105 par une couche 25 en matériau non magnétique. Le fonctionnement est le suivant Lorsque la valeur absolue de la somme des courants d'excitation dans les conducteurs 131 et 141 est inférieure au tiers d'une valeur I0 prédéterminée, le flux du champ magnétique, circule comme représenté par les flèches F sur la figure 5, dans le circuit magnétique comprenant: le substrat 26 en ferrite avec ses blocs en saillie 101 et 105, la couche non magnétique 25, les pôles 22 et 23 et l'entrefer 20. Dans ce cas (intensité inférieure à Io/3) le matériau magnétique de l'entrefer 20 n'est pas saturé et, ainsi, le champ magnétique reste confiné dans cet entrefer. Par contre quand la valeur absolue de la somme des intensités des courants circulant dans les conducteurs 131 et 141 dépasse la valeur Io/3, le matériau constituant l'entrefer 20 est saturé et ainsi, comme représenté sur la figure 6, le champ magnétique ne reste pas confiné dans l'entrefer Une partie F1 passe dans la couche non magnétique 25 et une autre partie F2 s'éloigne de cet entrefer à l'opposé de la couche 25. C'est cette partie F2 du champ magnétique qui est utilisée pour l'écriture sur un support magnétique (non représenté). On obtient bien le résultat recherché: le support magnétique n'est pas aimanté quand la valeur absolue de la somme des courants dans les conducteurs 131et 141 ne dépasse pas Io/3. Par contre l'aimantation du support magnétique intervient dès que ladite valeur absolue de la somme des intensités dépasse IO0/3, valeur à partir de laquelle le matériau de l'entrefer 20 est saturé. Dans l'exemple les pâles 22 et 23 sont en sendust, c'est-à-dire en un alliage de fer, d'aluminium et de silicium comprenant par exemple en pourcentage atomique 74 % de fer, 9 96 d'aluminium et 17 % de silicium. Par contre le matériau de l'entrefer 20 est un sendust dégradé, c'est-àdire un matériau à aimantation à saturation plus faible par exemple dont la proportion d'aluminium est supérieure à celle audit sendust. Ce sendust dégradé contient en pourcentage atomique par exemple 64 % de fer, 15 % d'aluminium et 21 % de silicium. En variante le matériau de l'entrefer 20 est une ferrite ou un autre matériau magnétique. Il est également possible de réaliser l'entrefer dans le même matériau que les pôles 22 et 23, mais à condition de lui conférer une section plus faible que celle des pôles. Dans ce cas, c'est par exemple la profondeur (dimension perpendiculaire au support) de l'entrefer qui est plus petite que la profondeur des pôles. La couche non magnétique 25 introduit dans le circuit magnétique une réluctance de forte valeur qui contribue à l'obtention du résultat recherché, à savoir la non saturation pour des intensités de courant qui, en valeur absolue, sont inférieures à I0/3 et la saturation du matériau 2, 1 pour des excitations de courant correspondant à des valeurs absolues supérieures a I0/3. Bien entendu la valeur de cette réh]etance dépend des dimensions et de la géométrie du circuit magnétique ainsi que de la nature du matériau de l'entrefer. Le fait que la saturation du matériau 20 intervienne pour un courant I0/3 se traduit par la relation suivante R t = 1 i (1) lsat -3'sa Dans cette formule Rsat représente la réluctance qu'introduit la couche non magnétique 25. Cette réluctance présente, dans l'exemple, deux parties d'égaIes valeurs i Rsat, l'une entre le bloc 101 et le pôle 22 et l'autre entre le bloc 105 et le pôle 23. On peut, jusqu'à la saturation du matériau 20, négliger la reluctance introduite par les autres éléments du circuit magnétique. -'sat représente le flux circulant dans le circuit magnétique. Ce flux est proportionnel à l'épaisseur e de l'entrefer 20 et à l'aimantation du matériau magnétique dans cet entrefer. Pour obtenir une valeur maximum de flux d'écriture F2 pour I = I0 on se base sur les considérations suivantes L'équivalent électrique du circuit magnétique de la figure 6 est représenté sur la figure 7: le générateur 30 est un générateur de force magnétomotrice correspondant à un courant d'excitation I compris entre I0/3 et I0. Les éléments 31 et 32 sont les deux éléments correspondant aux réluctances i Rsat. L'élément 33 en série entre les éléments 31 et 32 correspond à la réluctance du matériau d'entrefer non saturé. Sur cette réluctance 33 sont en parallèle trois autres réluctances 34, 35 et 36. La réluctance 34 correspond à la partie du flux dépassant la valeur de saturation qui passe dans l'entrefer 20. La réluctance 35 correspond au flux F2 tandis. que la réluctance 36 est la réluctance s'opposant au passage du flux F1l Le circuit représenté sur la figure 7 traduit le fait que, pour une intensité I comprise, en valeur absolue, 263913 7 entre I0/3 et Io, la partiesat0 du flux qui provoque la 0 Sat saturation volt le matériau magnétique saturé, donc à faible perméabilité, tandis que le reste du flux Q-Sat (engendré par le courant I - I0/3) circule dans le circuit comme avec un -entrefer classique rempli d'un matériau non magnétique. Dans ce cas la réluctance équivalente aux réluctances 33, 34, 35 et 36 en parallèle n'est pas petite devant la valeur des réluctances 31 et 32. Le flux d'écriture F2 est maximum pour I =I0 si, pour ce courant, les pôles 22 et 23 se saturent. Au-delà de la saturation le champ magnétique d'écriture n'augmente plus. Cette propriété est représentée sur le diagramme de la figure 8 o l'on a porté, en abscisses, l'intensité I du courant d'excitation qui représente la somme des intensités dans les conducteurs 131 et 141 et, en ordonnées, le champ magnétique Hécr d'écriture. On voit sur cette figure 8 que si [I| Imax (Imax = I) le champ magnétique d'écriture reste pratiquement constant. On pourra comprendre de façon plus précise le comportement du circuit magnétique à partir d'un exemple pour lequel Rsat =R (2) Dans cette formule Rgap représente la réluctance équivalent aux réluctances 34, 35 et 36 en parallèle. On suppose que la valeur Rsat (et donc Rgap) est connue; il faut d'ailleurs noter que la valeur Rgap est imposée par la largeur de piste à gap inscrire, la largeur e de l'entrefer et l'épaisseur de la couche de matériau magnétique formant les pôles 22 et 23. On cherche alors à calculer,0sat et I0 = Imax (figure 8) Le flux total correspond au flux maximal permis pour une excitation d'intensité T. 2639137 La considération du circuit de la figure 7 permet d'écrire la formule suivante I - 1/3 I -À' -.4':0 sat (3) R +R Rsat gap Pour I =I,: max' ainsi: Max'1ais 2 - 2/31 2/3 1 I () max sat:= 3i =. =: (4) Rsat+R gap 2 Rap 3 Ra gp gap gap soit: 1 3R (Q - IO:gap (max sat) (5) On voit donc que le champ d'écriture maximal, qui correspond à Omax - Osat, demande trois fois plus de courant que la valeur minimum du champ permettant une inscription. Des formules (1) et (5) ci-dessus on déduit 0sat = { max (6) Ainsi la moitié de la valeur de saturation du matériau des pôles 22 et 23 est disponible pour la création du champ magnétique d'écriture si, pour l'entrefer 20 et pour les pôles 22 et 23, on utilise des matériaux et configurations qui satisfont à la relation (2) ci-dessus. Dans l'exemple o les pôles 22 et 23 sont en sendust, la densité maximale de flux correspondant à 0max est d'environ 000 G. Si Rsat = Rgap on peut donc profiter de 5 000 G pour l'écriture. L'intensité du courant I0 est alors de l'ordre de 5 A. Dans le cas généraI si on augmente la réluctance Rsat introduite par la couche non magnétique 25 on augmente la proportion du flux magnétique qui est utilisable pour inscrire une information par rapport au flux 0sat servant à saturer l'entrefer. En effet le flux maximum utile pour l'inscriptiorn est OmaX - e0 çt et ladite proportion est donc: ll 2639137 a _ s:t ú1 2/3io 1 21tRs 2Rsat sat sat satRap sat Rsat+Ra Ra tR sa. p sat Rsa gR Ce rapport est dautant plus grand que isat eat grand par rapport à R gap. Toutefols sl Rsat augmente il faut augmenter IO. Bien que l'exemple décrit se rapporte à un dispositif à pluralité de têtes magnétlques, l'invention s'applique aussi à un dispositif à tête magnétique unique permettant d'aimanter un support magnétique à partir d'une valeur déterminée du courant d'excitation. REVENDICATIONS 1. Dispositif à tête magnétique d'enregistrement comprenant deux pôles (22, 23) séparés par un entrefer (20), caractérisé en ce que l'entrefer (20) comporte un matériau magnétique à saturation plus faible que la saturation des pôles et tel que, lorsque ce matériau n'est pas saturé, le champ magnétique reste dans l'entrefer. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau de l'entrefer (20) est une ferrite. 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau de l'entrefer (20) est un alliage de fer, d'aluminium et de silicium. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le matériau constituant les pôles (22, 23) est un alliage de fer, d'aluminium et de silicium à teneur en aluminium inférieure à celle du matériau de l'entrefer. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le matériau de l'entrefer est le même que le matériau des pôles et en ce que la section de l'entrefer est plus faible que celle des pôles. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le circuit magnétique dans lequel se trouvent les pôles (22, 23) et l'entrefer (20) comprend une réluctance (25) de valeur beaucoup plus importante que celle des réluctances des autres éléments du circuit quand le matériau de l'entrefer (20) n'est pas saturé. 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite réluctance (25) de forte valeur ost constituée par une couche d'un matériau non magnétique. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche (25) en matériau non magnétique est disposée entre les pôles (22, 23) et le reste du circuit magnétique. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractéïisé en ce que ie matériau de 263913 7 l'entrefer (20) est saturé à partir d'une intensité déterminée (Io/3) du courant d'excitation et en ce que les pôles (22, 23) sont saturés à partir d'une seconde intensité (Io) déterminée du courant d'excitation qui est environ égale au triple de la première intensité. 10. Dispositif matriciel à pluralité de têtes magnétiques, caractérisé en ce que chacune des têtes magnétiques comporte un entrefer (20) à matériau magnétique à saturation inférieure à celle du matériau constituant les pôles (22, 23) de cette tête et tel que, lorsque ce matériau n'est pas saturé, le champ magnétique reste dans l'entrefer. 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat (26) en matériau magnétique dont sont en saillie des blocs (101, 102,...) formant des parties de circuit magnétique de chaque tête, et en ce que les pôles et l'entrefer sont déposés sur les extrémités des blocs. 12. Dispositif selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce qu'il comprend,. pour l'excitation des têtes,des conducteurs rectilignes (13, 14) s'étendant suivant des directions de lignes et des directions de colonnes. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que la saturation de chaque entrefer (20) Intervient pour une première valeur (Io/3) des sommes des' intensités des courants dans les deux conducteurs associés à cet entrefer, et la saturation des pôles (22, 23) de chaque tête intervient pour une seconde valeur (Io) de ladite somme des intensités, cette seconde valeur étant environ le triple de la première. 14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que pour l'inscription d'informations, les lignes sont adressées par des impulsions successives de polarités opposées, la valeur absolue de chaque impulsion de courant étant environ le double de ladite première valeur d'intensité alors que les colonnes sont parcourues par des courant d'intensité égale à ladite première valeur (t0/3), le sens du courant dépendant de la nature de i'intormation à inscrire.