FR 2643193 A1 19900817 FR 9001536 A 19900209 PROCEDE POUR FABRIQUER DES CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS La présente invention concerne un procédé pour fabriquer des circuits intégrés à semiconducteurs et plus particulièrement un procédé pour fabriquer des circuits MMIC (circuits intégrés monolithiques à micro-ondes), aux- quels on peut donner une forme compacte. Dans des circuits intégrés à micro-ondes, on a utilisé jusqu'alors des techniques des. circuits intégrés hybrides pour la mise en place d'un dispositif actif et d'un dispositif constitué d'un circuit passif sur un sub- strat diélectrique. Cependant, ces dernières années, on a utilisé dans la pratique des circuits MMIC appropriés du point de vue de leur caractère compact et pour une fabrica- tion en grandes séries. Les circuits intégrés MMIC utili- sant un transistor HEMT (transistor dans lequel la mobilité des électrons est élevée), un transistor GaAs MES FET (transistor à effet de champ GaAs métal-semiconducteur), un transistor HBT (transistor hétéro-bipolaire) ou analogue sont plus favorables du point de vue de leur caractère com- pact et de leur faible poids par rapport aux circuits inté- grés hybrides comme par exemple les circuits MIC (circuits intégrés à micro-ondes). En outre, les circuits MMIC s'avèrent supérieurs pour la fabrication en grandes séries et du point de vue fiabilité. C'est pourquoi, on s'attend à ce que les circuits MIIC soient des dispositifs clés de différents équipements à micro-ondes. Les éléments d'un circuit M4IC incluent un dispo- sitif actif comme par exemple H1ET, un transistor GaAs MES FET ou un transistor HBT, et un dispositif constitué d'un circuit passif comme par exemple une ligne de transmission (une ligne à microbande, une ligne coplanaire ou analogue), un condensateur, une inductance ou un coupleur. Comme pro- cédé de formation des dispositifs, il est nécessaire d'utiliser des techniques de conception pour les micro- ondes, afin d'améliorer l'adaptation des deux dispositifs. Comme procédé d'adaptation en micro-ondes, les caractéristiques du dispositif constitué d'un circuit pas- sif sont en général adaptées à celles du dispositif actif au moyen d'une simulation utilisant un circuit permanent concentré ou un circuit permanent réparti. Habituellement on déterminait tout d'abord une configuration de circuit d'un dispositif constitué d'un circuit passif, au moyen d'une simulation basée sur la valeur moyenne des caracté- ristiques en courant continu et/ou à haute fréquence de plusieurs dispositifs actifs formés sur le substrat ou bien au moyen d'une simulation basée sur une valeur de consigne des caractéristiques en courant continu et/ou à haute fré- quence. On formait préalablement un photomasque ou analogue sur la base de cette configuration de circuit. Dans le cadre de la fabrication réelle d'un circuit intégré, on forme tout d'abord un dispositif actif sur un substrat, puis on forme un dispositif constitué d'un circuit passif er. utilisant ce photomasque. D'une manière générale, si les dispcsitifs actifs sont formés respectivement sur des sub- strats dans les memes conditions de formation, les caracté- ristiques des dispositifs actifs diffèrent en fonction des substrats en raison d'une variation dans le processus de formation. D'autre part, même si on forme des dispositifs actifs sur le même substrat, les caractéristiques des dis- positifs actifs diffèrent en fonction des positions dans lesquelles ils sont formes. C'est pourquoi, dans le procédé classique d'adaptation utilisant une structure de photo- masque uniforme, le dispositif actif et le dispositif for- mant circuit passif ne peuvent pas être adaptés l'un à l'autre. Dans un tel cas, une désadaptation des deux dispo- sitifs n'apparaît pas de façon évidente avant l'instant o le circuit M"IC est réellement fabriqué, ce qui pose un problème résidant dans un faible rendement de fabrication. En outre, il faut des jours pour fabriquer le photomasque, ce qui pose le problème de nécessiter beaucoup trop de temps avant de pouvoir effectuer la mesure d'une seule caractéristique du circuit. En résumé, - conformément à la présente invention, on forme un dispositif actif sur un substrat. On mesure les caractéristiques du dispositif actif formé, de manière à simuler une configuration de circuit d'un dispositif constitué d'un circuit passif sur la base des résultats de cette mesure. On trace directement la configuration de cir- cuit obtenue au moyen de la simulation. Conformément à un autre aspect de la présente in- vention, on mesure les caractéristiques d'un dispositif ac- tif formé sur un substrat de manière à sélectionner la configuration de circuit la plus appropriée parmi un en- semble de configurations de circuits d'un dispositif constitué d'un circuit passif, préalablement conçu sur la base des résultats de cette mesure, et on trace directement ladite configuration de circuit. Confor.mément. à un autre aspect de la présente in- vention, on forme un dispositif actif et un dispositif formé de circuits passifs sur un substrat. On mesure les caractéristiques du dispositif actif formé de manière à si- muler une configuration de circuit du dispositif constitué d'un circuit passif, sur la base des résultats de cette me- sure. On compare une configuration de circuit obtenue au moyen de cette simulation à la configuration de circuit du dispositif constitué d'un circuit passif, qui a déjà été formé sur le substrat indiqué précédemment, de manière à déterminer une partie devant être modifiée. On trace direc- tement la configuration de circuit fournie par la simula- tion indiquée précédemment, en -rapport avec cette partie devant être modifiée. Conformément à un autre aspect de la présente in- vention, on forme un dispositif actif et un dispositif constitué d'un circuit passif sur un substrat. On évalue l'adaptation ou la concordance entre les deux dispositifs. Si l'adaptation est mauvaise, on mesure les caractéris- tiques du dispositif actif formé de manière à simuler une configuration de circuit du dispositif constitué d'un cir- cuit passif, sur la base des résultats de cette mesure. On compare une configuration de circuit fournie par la simula- tion à la configuration de circuit du dispositif constitué d'un circuit passif, qui a déjà été formée sur le substrat indiqué précédemm.ent, pour déterminer une partie devant être modifiée. On trace directement la configuration de circuit fournie par la simulation indiquée précédemment, en rapport avec cette partie devant être modifiée. Conformément à un autre aspect de la présente in- vention, on forme une pluralité de dispositifs sur un sub- strat et on mesure, à l'aide d'un premier moyen de mesure, des caractéristiques en courant continu de chacun des dis- positifs actifs formés. A partir des résultats de cette me- sure, or. mesure, a l'aide d'un second moyen de mesure, des caractéristicues telles que des paramètres S de tous les diszcsitifs actifs correspondant à une caractéristique standard en courant continu. Sur la base des résultats de 2C cette mesure, un système de simulation simule des configu- rations de circuits de dispositifs formés de circuits pas- sifs, de manière à déterminer respectivement des configura- tions désirées de circuits pour les dispositifs actifs. On trace directement les configurations déterminées de cir- cuits sur une résine photosensible déposée sur le substrat de manière à former respectivement les dispositifs formés de circuits passifs. Conformément à un autre aspect de la présente in- vention, on prend pour base l'épaisseur d'un substrat pour déterminer des configurations de circuits de dispositifs formés de circuits passifs. Ainsi, un but principal de la présente invention est d'établir une adaptation. et une correspondance fiables entre un dispositif actif et un dispositif constitué d'un circuit passif, formés en conformité avec les caractéris- tiques du dispositif actif pour une microplaquette, ce qui fournit un procédé de fabrication d'un circuit intégré à semiconducteurs, dans lequel le rendement de fabrication peut être fortement accru. Un avantage principal de la présente invention réside dans le fait qu'on mesure les caractéristiques d'un dispositif actif formé et qu'on trace une configuration de circuit d'un dispositif constitué d'un circuit passif sur la base des résultats de cette mesure, ce qui permet de former le dispositif constitué d'un circuit passif confor- mément aux caractéristiques du dispositif actif pour une microplaquette et par conséquent on peut fabriquer un cir- cuit à semiconducteurs (ERIC), pour lequel l'adaptation des deux dispositifs est supérieure, en supprimant la variation des caractéristiques du dispositif actif, ce qui conduit à un rendement de fabrication fortement accru. Un autre avantage de la présente invention réside darns le fait qu'on sélectionne la configuration de circuit la plus appropriée d'un dispositif constitué d'un circuit passif, préalablement formé, parmi une pluralité de confi- gurations de circuits de ce dispositif, sur la base des ré- sultats de mesure de caractéristiques d'un dispositif actif formé, ce qui permet de fabriquer un circuit à semiconduc- teurs, pour lequel l'adaptation des deux dispositifs est supérieure, en un bref intervalle de temps et sans nécessi- ter une simulation. Un autre avantage de la présente invention réside dans le fait qu'on forme tout d'abord un dispositif actif et un dispositif formant circuit passif et qu'on modifie une configuration de circuit uniquement en rapport avec une partie ne convenant pas, ce qui permet de fabriquer des dispositifs actifs et des dispositifs formés de circuits passifs, en une série d'étapes opératoires en rapport avec un ensemble de circuit. Un autre avantage de la présente invention réside dans le fait qu'on forme des dispositifs formés de circuits passifs convenrant respectivement pour une pluralité de dis- positifs actifs, sur un substrat, pour former un circuit intégré présentant une adaptation supérieure sur le sub- strat, et qu'on ne forme aucune configuration de circuit de dispositifs formés de circuits passifs, pour des disposi- tifs actifs, qui ne correspondent pas à la caractéristique standard en courant continu, ce qui permet de former d'une manière précise et rapide uniquement un circuit intégré utilisant des dispositifs actifs de bonne qualité. Un autre avantage de la présente invention réside dans le falt que non seulement des caractéristiques d'un dispcsitif actif, mais également l'épaisseur d'un substrat sont ajoutées en tant que données pour la détermination d'une configuration de circuit d'un dispositif constitué d'un circuit passif, ce qui permet d'accroître plus encore le rendement de fabrication. autres caractéristiques et avantages de la pré- serte inven.ter.. ressortircnt de la description donnée ci- après prise en référence aux dessins annexés, sur les- quels: - la figure 1 représente une vue en coupe trans- versale représentant un dispositif actif d'un amplificateur HE.I 24IC fabriqué conformérment à la présente invention; - la figure 2A est un histogramme montrant des caractéristiques de l'amplificateur HEMT MMIC fabriqué conformément aà la présente invention et la figure 2B est un histogrammre montrant les caractéristiques d'un amplifica- teur HEMT i2.:C fabriqué selon le procédé classique; - la figure 3 est un diagramme montrant le schéma équivalent d'un circuit FET M4IC fabriqué conformément à la présente invention; - les figures 4A,4B et 4C sont des diagrammes montrant une configuration d'une ligne de transmission agencée sur la base des caractéristiques d'un transistor FET représenté sur la figure 3 - les figures 5A et 5B sont des histogrammes mcn- trant des caractéristiques d'un circuit FET MMIC fabriqué conformément à la présente invention; - les figures 6A et 6B sont des histogrammes mon- trant des caractéristiques d'un circuit FET M4IC fabriqué selon le procédé classique; - les figures 7A et 7B représentent respective- ment une vue en coupe transversale et une vue en plan mon- trant une structure à recouvrement d'un condensateur fabri- qué conformément à la présente invention; - la figure 8 représente une vue en coupe trans- versale montrant un condensateur utilisant une diode à bar- rière de Schottky; - la figure 9 représente une vue en coupe trans- versale montrant un condensateur utilisant une diode à jonction pn; - la figure 10 représente une vue en coupe trans- versale montrant une structure d'un condensateur utilisant une diode varactor; - les figures Il et 12 sont des diagrammes repré- sentant de façon- typique les étapes d'un procédé de fabri- cation conforme à la présente invention; - la figure 13 est un graphique montrant la rela- ticn entre l'épaisseur d'un substrat et l'impédance carac- téristique dans une ligne à microbande; - la figure 14 est un graphique montrant la rela- tion entre l'épaisseur d'un substrat et des caractéris- tiques d'un filtre passe-bande; - la figure 15 représente un schéma-bloc servant à expliquer un procédé de fabrication conforme à la pré- sente invention; et - la figure 16 est une vue en coupe transversale illustrant les étapes du procédé de fabrication conforme à la présente invention. On va décrire une première forme de réalisation de la présente invention en prenant à titre d'exemple un amplificateur HEMT CIC utilisant un transistor HEMT comme dispcsitif actif. La figure 1 représente une vue en coupe transver- sale montran- une structure d'un transistor HEMT-formé sur un substrat 1 en GaAs sem-.i-isolé. Sur la figure 1, une couche 2 de GaAs non dopé, une couche 3 de AlGaAs non dopé, une couche 4 de AlGaAs de type n', une couche 5 de GaAs de type n et une couche 6 de GaAs de type n- sont superposées et formées dans cet ordre sur le substrat i en GaAs. Une électrode de grille 7 est formée sur la couche 5 en GaAs de type n, qui est partiel- iement éliminée par corrosion conjointement avec la couche 6 de GaAs de type n-, et on forme une électrode de source 8 et une électr-ode de grille 9 sur la couche 6 en GaAs de type n-. Le transistor HE-.T possède la structure décrite précédemr.enz. On va maintenant décrire les étapes d'un procédé pour fabricuer cet amplificateur HE'- MLIC. Co.r=e cela est représenté sur la figure i, on fcrme tout d'abord un transistor HE.-.T sur un substrat 1 en GaAs. On mesure, au moyen d'un appareil servant à tester les pastilles, des caractéristiques en courant continu et des caractéristicues à haute fréquence de ce transistor Er'c. Les dimensions d'une configuration d'électrodes d'un dispositif constitué d'un circuit passif sont calculées par simulation sur la base des résultats des caractéristiques mesurées. Les résultats de ce calcul sont ensuite envoyées en tant que données CAD (c'est-à-dire formées par concep- tion assistée par ordinateur) à un dispositif d'exposition à un faisceau d'électrons ou à un dispositif d'exposition à un faisceau d'ions focalisé. Cette configuration est tracée moyennant l'utilisation des dispositifs d'exposition de me- nière à exposer directement une résine photosensible appli- quée sur le substrat 1 par irradiation au moyen d'un fais- ceau d'électrons ou d'un faisceau d'ions focalisé, pour former le dispcsitif constitué d'un circuit passif sur le substrat 1. Dans ce cas, on peut accroître la vitesse des opérations de fabrication dans le cas o la configuration de circuit du dispositif constitué d'un circuit passif n'est pas tracée en rapport avec une microplaquette, dans laquelle des caractéristiques mesurées sur un dispositif actif ne satisfont pas à la norme. La figure 2A représente un graphique montrant une distribution de fréquences de caractéristiques de l'amplificateur HEMT MIC ainsi fabriqué. A titre d'exemple comparatif, la figure 2B représente un graphique montrant une distribution de fréquence de caractéristiques d'un am- plificateur HEMT 14IC semblable fabriqué selon le procédé de fabrication classique. -Sur les deux graphiques, on a porté sur l'axe des abscisses une valeur de bruit minimale NFmin (en dB) dans 12 GHz et sur l'axe des ordonnées, on a porté la fréquence (le nombre) lorsque la valeur NF- min 1,7 dB est réglée comme valeur de consigne dans 12 GHz, les parties hachurées sur la figure 2 correspondent à des articles défectueux. Dans la forme de réalisation de la présente invention, le pourcentage d'articles défectueux est réduit à environ 20 pour cent, par rapport à l'exemple classique, dans lequel le pourcentage de produits défec- tueux est égal à 40 pour cent ou plus. Par conséquent, on comprendra que le rendement de fabrication peut être accru. On va décrire maintenant un second mode d'exécu- tior. de la présente invention, à l'aide duquel on peut fa- briquer un amplificateur MMIC à faible bruit possédant une bande d'une largeur de 12 GHz et en utilisant un transistor FET en tant que dispositif actif,. Dans ce mode d'exécution, on considère à titre d'exemple un amplificateur simple al- ternance comportant un circuit tel que représenté sur la figure 3. On forme tout d'abord un transistor FET sur un substrat de manière à mesurer des caractéristiques en cou- rant continu et des caractéristiques à haute fréquence du transistor FEI formé, en utilisant un appareil pour tester les pastilles. Les formes des dispositifs constitués de circuits passifs, c'est-à-dire des lignes à microbandes sé- rie (a et c sur la figure 3), des lignes à microbandes pa- rallèles (b et d sur la figure 3), des condensateurs shunt (CG et C- sur la figure 3) et un condensateur de coupure de courant continu (C. sur la figure 3), sont obtenues par si- mulation sur la base des résultats des caractéristiques me- surées. La figure 4A représente un diagramme illustrant une configuration de circuit obtenu par simulation. Sur la fi- gure 3, G,S et D désignent respectivement une électrode de grille, une électrode de source et une électrode de drain et VG et V- désignent respectivement une polarisation de grille et une polarisation de drain. L'électrode de source S du transistor FE est raccoroée à la masse par i'i.termédiaire d'un trou. Les données relatives à La configuration de cir- cuit la pius appropriée, telle que représentée sur la fi- gure 4A, scnt envoyées en tant que données CAD à un dispo- sitif d'exposi-tion à faisceaux d'électrons ou à un disposi- tif d'exposition à faisceaux d'ions. Cette configuration de circuit est tracée moyennant l'utilisation des dispositifs d'exposition permettant d'exposer directement une résine photosensible appliquée sur un substrat, au moyen de l'irradiation appliquée par un faisceau d'électrons ou un faisceau d'ions focalisé sur la base de ces données, de ma- nière à former les dispositifs constitués de circuits pas- sifs, décrits précédemment. Dans ce cas, la longueur et la largeur de la ligne à microbandes sont réglées respective- ment sur les valeurs les plus appropriées en fonction des caractéristiques à haute fréquence des transistors FET. Par ailleurs, les condensateurs shunt Cs et CD et le condensateur C- de coupure de courant continu peuvent être constitués par un condensateur MIM ou peuvent utiliser une couche d'appauvrissement formée par la jonction pn et le contact Schottky. En outre, lorsque la capacité à l'intérieur du substrat est modifiée, les condensateurs shunt CG et Co et le condensateur Cc de coupure du courant continu peuvent être également formés simultanément lorsque le dispositif actif (FET) est formé, et les capacités des condensateurs shunt CG et CD et le condensateur Cc de cou- pure du courant continu peuvent être également mesurées si- multanément lors de la mesure des caractéristiques du dis- positif actif (FET), de manière à obtenir les formes des lignes à microbandes série a et c et les lignes à micro- bandes parallèles b et d par simulation, de manière qu'elles soient adaptées aux condensateurs shunt et au condensateur de coupure du courant continu. On va maintenant décrire de façon plus détaillée la simulation d'une configuration de circuit conforme à la présente invention. On mesure les paramètres S de transistors MESFET 1 et MESFET 2 formés respectivement sur des substrats, en utilisant un appareil d'essai à haute fréquence. On ob- tient, comme résultats de la mesure, des données représen- tées dans les tableaux 1 et 2. Les configurations de cir- cuits obtenus par simulation sur la base de ces données, sont représentées respectivement sur les figures 4B et 4C. Cette configuration de circuit intégré est celle d'un amplificateur 14IC à un étage, dans lequel des' cir- cuits d'adaptation sont prévus au niveau d'une entrée et d'une sortie du transistor MESFET. Comme représenté dans les tableaux 1 et 2, les paramètres S des transistors MESFET 1 et MESFET 2 sont identiques, hormis que les phases dans Sll diffèrent l'une de l'autre. Sur la figure 4C, on obtient une simulation telle que l'amplificateur utilisant le transistor MESFET 2 pos- sède les mêmes caractéristiques que celles de l'amplificareur utiisant le transistor MESFET 1 représernté sur la figure 4-. Dans un circuit d'adaptation d'entrée représenté sur la figure 4C, la distance (une flèche A sur la figure 4C) séparant l'entrée du transistor FET est réduite d'envi- ron 0,1 rzzr par rapport à celle présente dans un circuit d'adaptation d'entrée représenté sur la figure 4B. D'autre part, les circuits d'adaptation de sortie, représentés sur les figures 4_ et 4C, possèdent tous la même configuration. Tableau I: Paramètre S du transistor MESFET 1 FREQ. Sll S21 512 S22 (GHz) 'ALEUE PHASE JALEUI PHASL VALE PHASEVALEU PHAS 1,8 -2 0,80 -88- 1,82 106* 0,15 37 0,59 -4 il 0,77 -93' 1,72 101' 0,15 34' 0,57 -46' 12 0,76 -97' 1,62 95' 0,16 30' 0,56 -49' _ 13 0,74 -101' 1,53 92' 0,16 27' 0,55 -51' 14 0,73 -104' 1,46 88' 0,16 23' 0,53 -52' 0,72 -107' 1,40 84' 0,16 23' 0,53 -54' Tableau 2: Paramètres S du transistor MESFET 2 FREQ. Sl S21 S12 S22 (GHz) VALEU PHAS PHAS LEU PHASEALEUR PHAS VALERPHAS 0,80 -98' 1,82 106' 0,15 37' 0,59 -44' 11 0,77 -103- 1,72 101' 0,15 34 0,57 -46 * 12 0,76 -107' 1,62 95' 0,16 30' 0,56 -49' 13 0,74 -ll' 1,53 92' 0,16 27 0,55 -51 14 0,73 -114' 1,46 88' 0,16 23* 0,53 -52' 0,72 -117' 1,40 84 0,16 23' 0,53 -54' Les f iures 5A et 5E sont des graphiques montrant chacun une disrribution de fréquences d'une valeur de bruit NF et du gain Ga à 12 GHz de l'amplificateur simple alter- nance représenté sur la figure 3, ainsi fabriqué. A titre d'exemple cor. paratif, on a préparé un amplificateur simple alternance semblable, réalisé conformément au procédé de fabricatirn classique et dans lequel un dispositif consti- tué cdun circuit passif est formé conformément à une confi- guration de circuit fixe et uniforme. Les figures 6A et 6E sont des graphiques montrant chacun une distribution de fréquences d'une valeur de bruit NF et d'un gain Ga à 12 GEHz de cet amplificateur simple alternance préparé à titre d'exemple comparatif. En comparant les figures 5 et 6, on cor.-renura que la valeur moyenne des caractéristiques est aréliorée, que la dispersion est plus faible et que la pression de fabrication est accrue dans l'amplificateur fa- r cc or-...e....e-t à la présente invention, par rapport l'amiif:cateur fabriouê selon le procédé classique. Ceci est dQ au fait qu un dispositif constitué d'un circuit pas- sif, co=e par exemple une ligne particulière à microbande, est forme en conformité avec les résultats de la mesure des caractéristiques d'un transistor FET (dispositif actif) formé sur chaque substrat, dans le cadre de la présente in- venzicn. C- va maintenant décrire un troisième mode d'exé- cution, iors duquel on fabrique un circuit uniplanar E4IC Le circuit 12iC unipianar est une ligne copla- naire servant de ligne de transmission de base. L'adap- tation de cette ligne copianaire utilisée comme dispositif constitué d'un circuit passif et d'un transistor FET uti- lisé commre dispositif actif pose un problème. La ligne co- planaire comporte un conducteur central et un conducteur de masse s'étendant sur son pourtour. Les caractéristiques de ia ligne ccpla.air.e peuvent être modifiées en fonction de la largeur et de la longueur du conducteur central et de la distance entre le conducteur central et le conducteur de masse. Com.,e transistor à micro-ondes, on forme un tran- sistor HEMT possédant une longueur de grille de 0,5 pm et une largeur de grille de 200 pm sur un substrat en GaAs. La valeur de bruit NF et le gain Ga à 12 GHz du transistor HEMT sont alors égaux respectivement à 1 dB et à 10 dB. Ensuite, on forme le conducteur de masse dans la ligne coplanaire en fonction de la longueur ou de la forme de la ligne coplanaire, que l'on a préalablement trouvée au moyen-d'un calcul approché. On mesure alors des caractéristiques tels qu'un paramètre S, un cercle de bruit constant et un cercle de gain constant du transistor HEMT formé, en utilisant un dispositif d'essai à micro-ondes ou un analyseur réseau. A cette occasion, il est souhaitable de former également un conducteur de masse autour du transistor HEMT, étant donné que la pression de mesure est accrue. L'impédance d'un circuit d'adaptation correspon- dant au résultat des caractéristiques mesurées est alors mesurées par simulation. Le conducteur central situé dans la ligne coplanaire est formé en conformité avec cette configuration calculée moyennant l'utilisation d'un procédé de tracé direct comme par exemple une exposition à un fais- ceau d'électrons. Alors, on prend en compte la largeur et la longueur de la ligne coplanaire et la distance entre le conducteur de masse et la ligne coplanaire. On fabrique un circuit >4IC uniplanar présentant une adaptation supé- rieure, de la manière décrite précédemment. On va maintenant décrire un mode d'exécution, se- lon lequel le procédé conforme à l'invention est appliqué à la formation d'un condensateur possédant une structure à recouvrement (MIM) en tant que dispositif constitué d'un circuit passif. On peut former un condensateur de faible capacité, qui possède une structure interdigitée, au cours d'un seul tracé direct sur la base des caractéristiques dé- crites précédemment du dispositif actif. D'autre part, on ne peut pas former un condensateur de grande capacité, qui possède une structure à recouvrement, au moyen d'un seul tracé direct. Par conséquent, on répète ce tracé direct de manière à former un tel condensateur. On va décrire le procédé de formation du conden- sateur possédant une telle structure à recouvrement, en re- férence aux figures 7A et 7B, qui montrent respectivement la coupe transversale de la structure à recouvrement (fi- gure 7A) et la surface supérieure de cette structure (fi- gure 7B). Tou. d'abord, on forme un dispositif actif comme par exemple un transistor HEMT ou un transistor MESFET, de manière à mesurer des caractéristiques (caractéristiques en courant continu et caractéristiques à haute fréquence) de chaque discsitif actif. On commande une série de configu- raticns, dev.anz être tracées directement comme cela va être décrit ci-après, en. fonction des résultats de cette mesure. Onr. forme une couche inférieure métallique 11 sur un subs- trat 10 en GaAs semi-isolé, en utilisant un procédé de tracé direct sur une résine photosensible, en même temps que l'on fcrme une autre ligne ou une résistance. On dépose alors la résine photosensible puis on trace directement une configuration d'un diélectrique sur cette résine photosen- sible pour former une pellicule mince diélectrique 12 constituée par du SiO2, du SiN ou analogue en utilisant cette cronfiguration. Enfin, on forme une couche métallique supérieure 13 sur la pellicule mince diélectrique 12 en utilisant le même procédé de tracé direct que celui utilisé lorsque l'on forme la couche métallique inférieure 11. Corme cela a été décrit précédemment, on peut former un condensateur possédant une structure à recouvre- ment, présentant une adaptation supérieure avec le disposi- tif actif. Par ailleurs, on connaît un condensateur utili- sant une diode, en plus du condensateur décrit précédemment comportant une structure à recouvrement. La figure 8 repré- sente une vue-en coupe transversale montrant un condensa- teur utilisant une diode à barrière de Schottky. Sur la fi- gure 8, le condensateur comporte un substrat 10 en GaAs semi-isolé, un métal 21, une électrode ohmique 22 et une couche 23 de type n. On forme préalablement la couche 23 de type n au moyen d'une implantation ionique dans le substrat 10 en GaAs lors de la formation d'un dispositif actif. Après avoir formé le dispositif actif, on forme un conden- sateur possédant une capacité qui s'adapte à ce dispositif actif. On détermine la capacité C du condensateur comme cela est représenté par la relation (1) suivante. Par conséquent, on peut adapter la capacité C du condensateur formé au dispositif actif en réglant une zone de jonction (zone de diode) S du métal 21 et de la couche 23 de type n: - C = S le. s. .. ns / 2 (V + Vsl).. () e: charge d'un électron ú: constante diélectrique relative d'un semiconducteur A: constante diélectrique dans le vide n.: concentration en impureté. VE: tension interne V: polarisation inverse. En outre, on a représenté sur la figure 9 un exemple de condensateur utilisant une diode à jonction pn et sur la figure 10 un exemple d'un condensateur utilisant une diode varactor. Sur la figure 9, le condensateur utili- sant la diode à jonction pn comporte un substrat 10 en GaAs semi-isolé, un métal 31, une couche 32 de type p et une couche 32 de type n. Sur la figure 10, le condensateur uti- lisant la diode varactor comporte un substrat 10 en GaAs semi-isolé, un métal 41, une couche 42 de type p-, une couche 43 de type n, une couche 44 de type n- et une couche de type n-. Dans de tels exermples, la capacité du condensa- teur est déterminée par la zone de jonction de la diode. Par conséquent, on forme préalablement une pluralité de condensateurs et on met en oeuvre un procédé de raccorde- ment des condensateurs à un circuit (le nombre des conden- sateurs et leurs connexions en parallèle ou en série ou analogues) pour obtenir une adaptation supérieure au dispo- sitif actif. Dans le procédé de fabrication tel que décrit précédemment de façon détaillée, on mesure des caractéris- tiques de chaque dispositif actif. On calcule une configu- ration de circuit d'un dispositif constitué d'un circuit passif, par simulation sur la base des résultats de cette mesure. OCr. forme le dispositif constitué d'un circuit pas- sif pour chaque dispositif actif sur la base des résultats du calcul de manière que l'adaptation des deux dispositifs soit la plus appropriée. Par conséquent, l'adaptation du dispositif act.f au dispositif constitué d'un circuit pas- sif est tou-curs bonne dans chaque microplaquette, de sorte que le rendement de fabrication est amélioré. En particu- lier, lorsqu'on essaie de fabriquer un article d'essai, c'est-à-dire lorsqu'on fabrique progressivement des modules présentant un grand nombre de qualités sur le même sub- strat, un tel procédé de fabrication est très efficace. Cependant, dans ce procédé de fabrication, la configuration de circuit la plus appropriée pour le dispo- sitif constitué d'un circuit passif est calculée par simu- lation pour chaque dispositif actif, puis la configuration du dispositif constitué d'un circuit passif est tracée di- rectement sur la résine photosensible pour chaque disposi- tif passif. Par conséquent, le procédé de fabrication pré- sente l'inconvénient consistant en ce qu'il faut un long intervalle de temps pour fabriquer un circuit. Afin d'éliminer un tel inconvénient, il est prévu des procédés de fabrication conformément à des quatrième, cinquième et 2643 1 93 sixième modes de mise en oeuvre de la présente invention. Conformément au procédé de fabrication selon le quatrième mode d'exécution, une pluralité de configurations de circuits d'un dispositif constitué d'un circuit passif, calculées par simulation, ont été préparées-au préalable. On forme un dispositif actif sur un substrat. On sélec- tionne la configuration de circuit la plus appropriée parmi les configurations de circuits préparées sur la base des résultats de mesure de caractéristiques du dispositif actif formé. On trace directement cette configuration de circuit sélectionnée sur une résine photosensible déposée sur le substrat pour former le dispositif constitué d'un circuit passif. Un procédé de tracé direct dans ce cas est iden- tique à celui indiqué dans le premier mode d'exécution dé- crit précédemment. Ce quatrième mode d'exécution peut être appliqué à tous les modes d'exécution décrits en tant que premier, second et troisième modes d'exécution. Le procédé de fabrication conforme à ce quatrième mode d'exécution fournit une performance légèrement infé- rieure concernant l'adaptation dans chaque dispositif ac- tif, par rapport aux procédés de fabrication conforme aux premier, second et troisième modes d'exécution. Cependant, une simulation n'est pas nécessaire après la formation du dispositif actif. C'est pourquoi, ce procédé de fabrication présente l'avantage consistant en ce que l'on peut fabri- quer un circuit présentant une adaptation supérieure, en un bref intervalle de temps. En outre, comme dans les procédés de fabrication conformes aux premier, second et troisième modes d'exécution, l'intervalle de temps requis pour la fa- brication peut être raccourci de façon supplémentaire pourvu que le dispositif constitué d'un circuit passif ne soit pas formé pour un dispositif actif; dont les caracté- ristiques sont mauvaises, en tant que résultat de mesure. La dégradation de l'adaptation peut être réduite à un degré important dans le cas o l'on prépare un ensemble de confi- gurations de circuits conformément à une classification fine des caractéristiques. Dans le procédé de fabrication conforme au cin- quième mode d'exécution, on forme tout d'abord un disposi- tif actif et un dispositif constitué d'un circuit passif sur un sub strat. Ensuite, on mesure les caractéristiques du dispositif actif formé. La configuration de circuit la plus appropriée du dispositif constitué d'un circuit passif est calculée par simulation sur la base du résultat de cette mesure. On compare une configuration du dispositif consti- tué d'un circuit passif, qui a déjà été formé, au résultat de cette simulation de manière a tracer directement une configuration ce circuit devant être modifiée, sur une ré- sine photosensible appliquée sur le substrat, uniquement en rapport avec une partie dans laquelle la modification est nécessaire. Er.suite, on applique une corrosion lorsqu'il faut réd e des configurations, tout en exécutant une éva- pcralon., a la suite de quci on met en oeuvre une opération de décollement lorsqu'il faut ajouter des configurations. On va.maintenant décrire un exemple spécifique du cinzuiêmse mode d'exécution. Tout d'abord, on va décrire un exemple, dans le- quel on augamenrte les dimensions d'une inductance qui est un dispositif constitué d'un circuit passif d'un circuit IIC, en référence à 'a figure i1, qui illustre les étapes de mise en oeuvre. Sur la figure 11, les schémas de gauche sont des vues en plan et les schémas de droite sont des vues en coupe transversale. On forme un dispositif actif et un dispositif constitué d'un circuit passif du circuit MMIC sur un sub- strat 50 en GaAs, puis on mesure les caractéristiques du dispositif actif. On calcule la configuration de circuit la plus apprcpriée du dispositif constitué d'un circuit passif sur la base des résultats de cette mesure. En comparant cette confiuraticn de circuit la plus appropriée à une configuration de circuit du dispositif constitué d'un cir- cuit passif, qui a été formé, il apparaît à l'évidence que les dimensions d'une inductance 51 doivent être accrues de manière à obtenir une meilleure adaptation des deux dispo- sitifs (voir figure i1A). On applique une résine photosen- sible 52 comme par exemple du PIeMA (polyméthylméthacrylate) sur le substrat 50 en GaAs, tout en faisant tourner ce sub- strat (voir figure 11B). On expose une résine photosensible 52a dans une zone correspondant à une partie o les dimen- sions de l'inductance sont accrues, en utilisant des tech- niques de tracés mettant en oeuvre un faisceau d'électrons, puis on développe cette résine (voir figure 11C). On dépose ensuite par évaporation une couche métallique 53 constituée de Ti/Pd/Au (voir figure 11D). Enfin, on élimine la couche métallique 53, ainsi que la résine photosensible 52, en utilisant un solvant organique pour achever l'accroissement des dimensions de l'inductance 51 (voir figure liE). -On va décrire un exemple, dans lequel on réduit les dimensions de l'inductance, en référence à la figure 12 iliustrant les étapes opératoires. Sur la figure 12, les schémas de gauche sont des vues en plan et les schémas de droite sont des vues en coupe transversale. Après avoir formé un dispositif actif et un dis- positif constitué d'un circuit passif d'un circuit MMIC sur un substrat 50 en GaAs, il apparaît à l'évidence, au moyen d'une simulation basée sur les résultats de la mesure des caractéristiques du dispositif actif, que les dimensions d'une inductance 51 doivent être réduites de manière à ob- tenir une meilleure adaptation des deux dispositifs (voir figure 12A). Tout d'abord, on dépose une résine photosen- sible 52 comme par exemple du PMMA (polyméthylméthacrylate) sur le substrat 50 en GaAs, tout en faisant tourner cette résine (voir figure 12B). On expose une résine 52b située dans une zone correspondant à une partie o les dimensions d'inductance sont réduites, en utilisant des techniques de tracés mettant enr oeuvre un faisceau d'électror.s, puis on la développe (voir figure 12C). On élemine ensuite par cor- rosion une inductance 5La constituée de Ti/Pd/Au dans une zone dans laquelle il faut réduire les dimensions de l'in- ductance, en mettant en oeuvre un procédé RIE (abréviation de l'anglais Reactive Ion Etching, c'est-à-dire corrosion ionique réactive) en utilisant un gaz formé de CF4 + 02 (02: 4%). Enfin, on élimine la résine photosensible 52 restante en utilisant un solvant organique, ce qui permet d'achever la réduction des dimensions de l'inductance 51 (voir figure 12E). Bien que dans ce cinquième mode d'exécution, la description ait porté sur un exemple, dans lequel on modi- fie les dimensions de l'inductance, on peut modifier abso- lument de La même manière les dimensions de l'autre dispo- sitif constitué d'un circuit passif, comme par exemple une ligne de ransmission, un condensateur ou un coupleur. On peut appl iuer ce cinquième mode d'exécution aux premier, second et troisième modes d'exécution décrits précédemment. Dans un tel procédé de fabrication conforme au cinquième mcce d'exécution, on modifie une configuration de circuit unfquement en rapport avec une partie dans laquelle la modification est requise après la formation simultanée préalable du dispositif actif et du dispositif constitué d'un circuit passif. Par conséquent, si la modification n'est pas nécessaire, on peut former le dispositif actif et le dispositif constitué d'un circuit passif au cours d'une série d'opérations. En outre, si aucune modification n'est requise, l'adaptation est bonne à l'état initial. C'est pourquoi, l'intervalle de temps requis pour la fabrication est réduit par rapport à celui intervenant dans les pre- mier, second et troisième modes d'exécution, du point de vue global de la fabrication.d'un ensemble de circuit. On. va décrire maintenant le procédé de fabrica- tion conforme au sixi-èrme mode d'exécution de la présente invention. Dans ce sixième mode d'exécution, on forme tout d'abord un dispositif actif et un dispositif constitué d'un circuit passif sur un substrat, puis on évalue l'adaptation des deux dispositifs. Si l'adaptation ne convient pas, on mesure des caractéristiques du dispositif actif formé, conme dans le cinquième mode d'exécution décrit précédem- ment. La configuration de circuit la plus appropriée du dispositif constitué d'un circuit passif est calculée par simulation sur la base des résultats'de cette mesure. On expose de façon sélective une résine photosensible à une lumière en utilisant un procédé de tracé direct en rapport avec seulement une partie dans laquelle la modification doit être exécutée, du dispositif constitué du circuit pas- sif, qui a déjà été formé. Ensuite, on met en oeuvre une corrosion s'il faut réduire les dimensions des configura- tions, tandis qu'on met en oeuvre une évaporation suivie d'un décollement s'il faut ajouter des configurations. Ce sixième mode d'exécution peut être appliqué dans le cas des premier, second et troisième modes d'exécution décrits pré- cédemment. Lors d'un tel procédé de fabrication conforme au sixième mode d'exécution, on évalue l'adaptation. réelle du dispositif actif et du dispositif constitué d'un circuit passif, formé. C'est pourquoi, on n'est plus certain que l'adaptation des deux dispositifs dans un circuit intégré à semiconducteurs fabriqué est bonne par rapport aux procédés conformes aux premier, second, troisième, cinquième modes d'exécution décrits précédemment. En outre, si l'adaptation évaluée est bonne, aucune modification n'est requise. C'est pourquoi, dans un tel cas, le dispositif actif et le dispo- sitif constitué d'un circuit passif peuvent être formés au cours d'une série d'étapes opératoires comme dans le cin- quième mode d'exécution décrit précédemment, et que la du- rée de mise en oeuvre de la fabrication peut être réduite dans son ensemble par rapport aux procédés conformes aux premier, seccnd et trcisiîeme modes d'exécution. On va décrire un procédé de fabrication conforme à un septi-ème mode d'exécution en référence à la figure 15. On dispose sur le plateau d'un dispositif d'es- sai, une pastille 100 e.n GaAs comportant des transistors HEMT utilisés à titre de dispositifs actifs formés sur cette pastille. Les microplaquettes situées dans la pas- tille 100 scnt testées au moyen d'un dispositif d'essai à courant continu 101. Les caractéristiques en courant conti- nu (Idss, gm, Vp, Vr, Vf, n ou analogue) de chacune des mi- croplaquettes sont mesurées par un système 102 de mesure de caractéristicues en courant continu. Les données mesurées sont envoyées à une partie 103 de traitement des données mesurées a courant continu. Le système 102 de mesure des caractéristiques à courant continu comprend un analyseur de paramètres de semiconducteurs, un analyseur d'impédance et analogue. Les données délivrées par ces équipements font i'cbjet d'une ccllecte et d'une cormande du système et des données par un circuit de commande comprenant un ordina- teur, qui déiivre des données mesurées. La partie 103 de traitement des données mesurées en continu mémorise des données introduites concernant les caractéristiques en cou- rant continu de la microplaquette. Toutes les micropla- que.tes, qui ont satisfait à l'essai exécuté en référence à une norme en courant continu sont signalées à un système de mesure à haute fréquence 105. Ce système de mesure à haute fréquence 105 déclenche un dispositif d'essai à haute fré- quence 104 pour qu'il teste toutes les microplaquettes qui ont satisfait à l'essai en référence à la norme à courant continu, et mesure des caractéristiques comme par exemple un paramètre S, une valeur de bruit NF et un gain Ga, de manière à introduire la caractéristique mesurée dans une partie 106 de traitement des données mesurées. Le système de mesure à haute fréquence 106 com- porte un ana:vseur de réseaux servant a mesurer les para- mètres S de réseaux à un accès et à deux accès, un appareil de mesure de la valeur NF servant à mesurer la valeur de bruit NF et le gain Ga, un dispositif de balayage synthé- tisé servant à délivrer une puissance par balayage de la fréquence, un synthoniseur servant à adapter une entrée et une sortie, un appareil de mesure de la puissance et ana- logue. Les données fournies par les appareils sont soumises à une collecte et à une commande du système et des données par un circuit de commande comprenant un ordinateur, qui délivre des données de sortie mesurées. La partie 107 de simulation du circuit à micro-ondes simule des dispositifs constitués de circuits passifs sur la base des résultats de mesure des caractéristiques de chacune des microplaquettes, introduites et mémorisées dans la partie 106 de traitement des données mesurées. La partie 107 de simulation à micro- ondes définit les formes d'une ligne à microbande série, d'une ligne à microbande parallèle, d'un condensateur shunt et d'un condensateur de coupure du courant continu par si- mulation, cormme représenté sur la figure 4. Un diagramme de circuit pour chacune des microplaquettes, obtenu par cette simulation, est converti en des données CAD dans une partie 1CG de production de données CAD, de manière à être envoyé à un système 109 de commande d'un dispositif d'exposition. Ce système de commande 109 trace des configurations de cir- cuilts respectivement adaptées aux microplaquettes, en exé- cutant une exposition directe (110) d'une résine photosen- sible disposée sur la pastille 100, par irradiation avec un faisceau d'électrons ou un faisceau d'ions focalisé. On va décrire les étapes opératoires du procédé de fabrication d'un circuit 4IC conforme au septième mode d'exécution décrit précédemment de la présente invention en référence à-la figure 16. La figure 16 est une vue en coupe transversale montrant le circuit &IC au cours des étapes opératoires. Comme représenté sur la figure 16A, on fait tout d'abord crctre une couche active (GaAs de type n-/GaAs de type n / AiGrnAs de type n-) d'un transistor HEM-, sur un substrat 62 en GaAs semi-isolé, en utilisant un procédé MBE. On fait croître respectivement le GaAs de type ni, le GaAs de type n et le AlGaAs de type n' et on les forme avec comme caractéristiques dose 2 x 10 s cm-3, épaisseur 20 nm, dose 5 x i!:- cmr--, épaisseur 50 nm et dose 2 x 10:8 cm-3, épaisseur 50 nm., au moyen du processus MBE. Corie cela est représenté sur la figure 16B, on met alors en oeuvre une corrosion mesa à une profondeur de 0,5 Pm en utilisant une résine photosensible (par exemple la résine CGR-83 fabriquée par la société dite Tokyo Ohka Kogyo Corporation) pour réaliser l'isolation. L'agent cor- rosif utilisé pour cette corrosion est une solution formée 1; par la combinaison d'une solution d'hydroxyde de sodium et de peroxyde d'hydrogène. Ensuite, comnre représenté sur la figure 16C, on for.e une eetrode ohm. ique 62 dans une partie constituant le transistor.HElT et dans une partie constituant une re- sistance, au moyen du procédé de décollement en utilisant par exemrce une résine photosensibie LMR fabriquée par la société dite Fuji Yakuhin Kogyo Corporation. Un métal à dé- poser est du Au.Ge (80 nm)/Ni (10 nm)/Au (200 nm) et on le recouvre d'un ailiage ohmique à une température de 420 C pendant 9À secondes après l'opération de décollement. A ce moment, la fabrication de la partie formant résistance est presque achevée, de sorte que l'on peut déterminer des caractéristique ohmiques. En outre, comme cela est représenté sur la figure 16D, on forme une électrode Schottky dans la partie du transistor HEMT, cette électrode constituant une électrode de grille 63. Tout d'abord, on dépose une résine photosen- sible portant la désignation OEBR-.O., fabriquée par la société dite Tokyo Chka Kogyo Corpcration, sur une épais- * seur de i pm, pour obtenir une configuration d'une largeur de 0,4 pm en utilisant un rayonnement ultraviolet lointain. On met en oeuvre une corrosion de renfoncement de manière à obtenir une valeur Idss désirée. Un agent corrosif est formé par une solution combinée d'acide phosphorique, de peroxyde d'hydrogène et d'eau. La corrosion est mise en oeuvre de manière que l'épaisseur de la pellicule restante devienne égale à environ 35 nm. Ensuite, à l'aide d'un dé- pôt évaporation utilisant un faisceau d'électrons, on forme du Ti sur une épaisseur de 50 nm/du Al sur une épaisseur de 600 nm, en tant que matériau d'électrode qui doit être en- suite décollé. On mesure un paramètre s et un paramètre de bruit dans la partie formant le transistor HENT, sur la pastille, en utilisant le dispositif d'essai à haute fréquence. Les valeurs numériques et les formes de configurations d'une liagne à microbande et d'une capacité MIM nécessaire pour l'obtenticn de caractéristiques désirées du circuit MMIC sont déterminées à partir de la simulation, sur la base des résultats de cette mesure. Comme cela est représenté sur la figure 16E, si les formes de configurations sont déterminées, les configu- rations de la ligne à microbande 65 et d'une couche métal- lique inférieure 64 de la capacité MIM sont formées. Lors de cette formation de configurations, on emploie le procédé de décollement en utilisant une résine photosensible pou- vant être traitée avec un faisceau d'électrons pour amener un faisceau d'électrons à balayer la résine photosensible appliquée sur le substrat. Les couches métalliques 64 et 65 sont formées par Ti, épaisseur 100 nm/Pt, épaisseur 200 nm/Au, épaisseur 300 nm. Ensuite, on réalise une passi- vation des couches métalliques en utilisant une pellicule 66 de SiN possédant une épaisseur de 200 nm. Enfin, comme cela est représenté sur la figure 16F, on forme une couche métallique supérieure 67 de la ca- pacité MIN, de la même manière que cela a été décrit précé- deLment. En outre, on applique a une partie formant ligne à rr.icrobande un piacage d'or 68 permettant de réduire la perte de cette ligne. Par conséquent, on forme un circuit 2IIC comportant un transistor HEI.T 70, une capacité MIM 71, une résistance 72 et une ligne à microbande 73. Bien que dans les modes d'exécution décrits pré- cédemmnent, une configuration de circuit d'un dispositif constitué d'un circuit passif soit calculée au moyen d'une simulation basée sur les résultats de la mesure des carac- téristiques de chaque dispositif actif formé, dans certains cas, on ne peut pas obtenir une bonne adaptation des deux dispositifs. La raison en est que l'effet de l'épaisseur du substrat, cc.ae par exemple un substrat en GaAs, pose un problème. De façon plus spécifique, même dans la même configuration de circuit, l'impédance caractéristique dif- fère en fcnc-tion de l'épaisseur du substrat. En outre, lcrsqu'cn utilise un trou traversant, les conditions de racccrdemen. à a masse different en fonction de l'épais- seur du substrat, ce qui affecte les caractéristiques d'un élément court cu analogue. On va maintenant décrire l'effet de l'épaisseur d'un substrat sur les caractéristiques du circuit. On forme une ligne à m:-crobande sur un substrat en GaAs (constante diéiectrique î.r = 12,5). La figure 13 montre la relation entre l'épaisseur p(m) du substrat en GaAs et l'impédance caractéristique (rd) dans le cas o la largeur (72,3 pm) de cette ligne est fixée. Par exemple, lorsque l'épaisseur du substrat en GaAs est égale à 100 pm, l'impédance caracté- ristique est écgale à environ 50 a. Cependant, si l'épais- seur du substrat est modifiée d'environ 50 %, l'impédance caractéristique est modifiée d'environ 10 Q. En outre, la figure 14 représente des caractéris- tiques d'un filtre passe-bande formé sur un substrat en GaAs. Sur la figure 14, (a) représente le cas o l'épais- seur du substrat en GaAs est égale à 120 pm, et (b) indique le cas o l'épaisseur du substrat en GaAs est égale à pm. A partir des résultats représentés sur la figure 14, on comprendra que les caractéristiques, comme par exemple la valeur Q ou la perte de transmission du filtre passe- bande varient fortement si on modifie l'épaisseur du substrat. En général, un substrat reste épais lorsqu'on tient compte de la performance de fonctionnement au moment de la formation des dispositifs. Cependant, dans un circuit MMiC, il faut réduire l'épaisseur du substrat pour per- mettre un fonctionnement dans une région à micro-ondes en raison du problème lié au caractère compact ou aux caracté- ristiques. C'est pourquoi, pendant les opérations de fabri- cation du circuit M4IC, on corrode en général la face in- verse du substrat après avoir formé un dispositif actif. Par conséquent, même dans la même pastille, l'épaisseur du substrat peut varier. Sinon, on peut réduire l'épaisseur de paroi de l'ensemble de la pastille. Dans les processus réels de fabrication, l'erreur de l'épaisseur du substrat et égale à environ 20 pm. Comme cela a été décrit précédemment, la varia- tion de l'épaisseur du substrat apparaît au cours des pro- cessus de fabrication. En outre, cette variation affecte fortement les caractéristiques des circuits comme décrit précédemment. C'est pourquoi, il faut calculer une configu- ration de circuit d'un dispositif constitué d'un circuit passif, au moyen d'une simulation basée non seulement sur les caractéristiques du dispositif actif, mais également sur l'épaisseur du substrat. A partir de telles conditions, on a imaginé un procédé de fabrication conforme à un neuvième mode d'exécu- tion de la présente- invention. Selon ce procédé, on mesure des caractéristiques d'un dispositif actif formé ainsi que l'épaisseur d'un substrat, on calcule la configuration de circuit d'un dispositifconstitué d'un circuit passif au moyen d'une simulatior. basée sur les deux données obtenues, et on trace directemer.t la configuration de circuit sur une résine phctosensible en fonction de cette configuration de circuit. Il va sans dire que ledit neuvième mode d'exécu- tion peut être appliqué aux premier, second, troisième, quatrième, cinquième, sixième et septième modes d'exécution décrits précédemment. Dans un tel procédé de fabrication conforme au neuvième mode d'exécution, une simulation est obtenue en tenant compte de l'épaisseur. Par conséquent, dans chacun des procédés de fabrication conformes aux premier, second, troisième, quarièe, cinquième, sixième et septième modes d'exécution décrits précédement, auxquels est appliqué ce i5 neuvième mode d'exécution, on peut accroître plus encore le rendement par rapport à chacun des premier, second, troi- sie.e, quatrièm.e, cinquième, sixième et septième modes d'exécuticn. ELen que!a présente invention ait été décrite et représentée de façon détaillée, on comprendra que cette description et cette représentation sont données uniquement à titre d'ilustration et d'exemple et n'ont aucun carac- tère limit=t. REVENDICATIONS 1. Procédé pour fabriquer un circuit intégré à semiconducteurs comportant un dispositif actif (FET,MESFET) et un dispositif constitué d'un circuit passif (a,c;b,d;CG, CD;C,;52;MIM;65;71,72,73) sur un substrat (1), caractérisé en ce qu'il inclut les étapes consistant à: former ledit dispositif actif (FET,MESFET) sur ledit substrat (1); mesurer des caractéristiques dudit dispositif ac- - tif formé; simuler une configuration de circuit dudit dispo- sitif constitué d'un circuit passif (a,c;b,d;CG,CD;Cc;52; MI:M;65;71,72, 73) sur la base des résultats de la mesure; et tracer directement ladite configuration de cir- cuit fournie par la simulation sur ledit substrat (1), de manière à former ledit dispositif constitué d'un circuit passif. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on mesure l'épaisseur dudlt substrat (1) et qu'on ajoute cette valeur mesurée aux résultats de ladite mesure. 3. Procédé selon la revendication 1, selon lequel ledit circuit intégré comprend un circuit intégré monoli- thique uniplanar à micro-ondes. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit dispositif constitué d'un circuit passif comporte une ligne coplanaire. 5. Procédé pour fabriquer un circuit intégré à semiconducteurs comportant un dispositif actif (PFET,MESFET) et un dispositif constitué d'un circuit passif (a,c;b,d;CG, CD;Cc;52;MIM;65;7l,72,73) sur un substrat (1), incluant les étapes consistant à: former ledit dispositif actif (FET, MESFET) sur ledit substrat (1); mesurer les caractéristiques dudit dispositif ac- tif formé; et séect4ionner la configuration de circuit la plus appropriée parmi-- une pluralité de configurations de cir- cuits pour le dispositif constitué d'un circuit passif (a, c;b,d;C, C-;CC; 52;IiM;65;7',72,73), conçu préalablement sur la base des résultats de cette mesure, et tracer cette configuration de circuit sur ledit substrat (1) de manière à former ledit dispositif constitué d'un circuit passif. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'on mesure l'épaisseur dudit substrat (1) et qu'on ajoute cette valeur mesurée aux résultats de ladite mesure. 7. Procédé selon la revendication 5, selon lequel ledit circuit intégré comprend un circuit intégré monoli- thique uniplanar à micro-ondes. B. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le-dit dispositif constitué d'un circuit passif commorte une ligne coplanaire. 9. Procédé pour fabriquer un circuit intégré à semi.conduc-eurs ccmportant un dispositif actif (FET,MESFE) et un disrcs.tif constitué d'un circuit passif (a,c;b,d;C, Cz;C2;52;I-i;65;71,72,73) sur un substrat (1), caractérisé en ce qu'il inclut les étapes consistant a: former ledit dispositif actif (FET,MESFET) sur ledit substrat (i); mesurer des caractéristiques dudit dispositif ac- tf formé; simuler une configuration de circuit dudit dispo- sitif con.sttué d'un circuit passif (a,c;b,d;C,,CD;Cc;52; MIM;65;71,72,73) sur la base des résultats de cette mesure; comparer une configuration de circuit obtenue au moyen de la sirulation avec la configuration de circuit dudit dispositif constitué d'un circuit passif, qui a déjà été formé sur ledit substrat, de manière à déterminer une par- tie devant etre modifiée; et tracer directement la configuration de circuit fournie gar ladite simulation sur ledit substrat (1) en rapport avec ladite partie devant être modifiée, pour for- mer ledit dispositif constitué d'un circuit passif. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'on mesure l'épaisseur dudit substrat (1) et qu'on ajoute cette valeur mesurée aux résultats de ladite mesure. 11. Procédé selon la revendication 9, selon le- quel ledit circuit intégré comprend un circuit intégré mo- nolithique uniplanar à micro-ondes. 12. Procédé selon la revendication 11, caracté- risé en ce que ledit dispositif constitué d'un circuit pas- sif comporte une ligne coplanaire. 13. Procédé pour fabriquer un circuit intégré à sem.conducteurs comportant un dispositif actif (FET,MESFET) et un dispositif constitué d'un circuit passif sur un sub- strat (1), caractérisé en ce qu'il inclut les étapes consistant à: former ledit dispositif actif (FET,MESFET) et le- dit dispositif constitué d'un circuit passif (a,c;b,d;C., C-;C2:;52;MIIj; 65;71,72,73) sur ledit substrat (1); évaluer l'adaptation entre les deux dispositifs formés; mesurer les caractéristiques dudit dispositif ac- tif formé lorsque l'adaptation est mauvaise en tant que ré- sultat de cette évaluation; simuler une configuration de circuit dudit dispo- sitif constitué d'un circuit passif sur la base des résul- tats de cette mesure; comparer une configuration de circuit obtenue au moyen de la simulation avec la configuration de circuit du- dit dispositif constitué d'un circuit passif, qui a déjà été formé sur ledit substrat (1) de manière à déterminer une partie devant être modifiée; et tracer directement la configuration de circuit obtenue par ladite simulation sur ledit substrat (1) en rapport avec ladite partie devant être modifiée, pour for- mer ledit dispositif constitué d'un circuit passif sur le- dit substrat. 14. Procédé selon la revendication 13, caracté- risé en ce qu'on mesure l'épaisseur dudit substrat (1) et qu'on ajoute cette valeur mesurée aux résultats de ladite mesure. 15. Procédé selon la revendication 13,caractérisé en ce que lest c_rcuit intégré comprend un circuit intégré mo- nolithique uniplanar à micro-ondes. !1. Procédé selon la revendication 15, caracté- risé en ce que ledit dispositif constitué d'un circuit pas- sif comporte une ligne coplanaire. 17. Procédé pour fabriquer un circuit intégré à semconducteurs comportant une pluralité de dispositifs ac- tifs (FE:,1ESFE:) et des dispositifs formés de circuits passifs (a,c;b,;C,C;,;52;I,..;65;71,72,73) sur un subs- trat (1), caractérisé en ce qu'il inclut les étapes consis- former lesdits dispositifs actifs (FET,MESFEI) sur ledit substrat (1); mesurer les caractéristiques en courant continu de chacun desdits dispositifs actifs formés, à l'aide d'un premier mcer. de mesure; mesurer les caractéristiques telles que des para- metres S, des valeurs de bruit NF et/ou le gain Ga de tous les dispositifs actifs correspondant à la valeur standard de la caractéristique en courant continu, par un second moyen de mesure, à partir des résultats de cette mesure; simuler des configurations de circuits desdits dispositifs formés de circuits passifs (a,c;b,d;CG,CD;C_; 52;MIM;65;71,72,73), par un système de simulation sur la base des résultats de cette mesure; déterminer une configuration de circuit désiré pour chacun desdits dispositifs actifs (FET,MESFET); et tracer ladite conficuration de circuit déterminée sur une résine photosensible appliquée sur ledit substrat (1) de manière à former chacun desdits dispositifs formés de circuits passifs. 18. Procédé selon la revendication 17, caracté- risé en ce qu'on mesure l'épaisseur dudit substrat (1) et qu'on ajoute cette valeur mesurée aux résultats de ladite mesure. 19. Procédé selon la revendication 17, selon le- quel ledit circuit intégré comprend un circuit intégré mo- nolithique uniplanar à micro-ondes. 20. Procédé selon la revendication 19, caracté- risé en ce que ledit dispositif constitué d'un circuit pas- sif comporte une ligne coplanaire.