FR 2646557 A1 19901102 FR 9005447 A 19900427 L'invention concerne un perfectionnement apporté au procédé de dépôt chimique en phase vapeur d'un plasma obtenu par micro-ondes ou hyperfréquences (procédé appelé ci-après "procédé CVD par plasma hyperfréquence") pour former un film de semiconducteur polycristallin sur un substrat isolant. La présente invention concerne plus particulièrement un procédé CVD par plasma hyperfréquence perfectionné pour former un film de semiconducteur polycristallin sur un substrat isolant, dans lequel un gaz de matière brute est décomposé sous l'action de l'énergie de microondes dans la chambre de génération de plasma pour générer un plasma, suivi d'un passage à travers une électrode de grille perforée vers l'intérieur de la chambre de formation de film renfermant un substrat isolant disposé sur un porte-substrat comprenant une matière électriquement conductrice, en même temps qu'une tension à haute fré- quence, dans la gamme de 20 à 500 MHz, est appliquée entre l'électrode de grille et le porte-substrat, afin qu'un profil ionique souhaitable soit formé au voisinage de la surface du substrat isolant et que la formation dudit film de semiconducteur polycristallin soit provoquée sur la surface. Au cours des dernières années, l'attention générale s'est concentrée sur l'affichage à cristaux liquides car il est capable de remplacer le tube de Braun, étant donné qu'il peut être réalisé à une épaisseur aussi faible qu'il est concevable et qu'on peut le faire fonctionner avec une faible consommation d'énergie. Compte tenu de ceci, pour améliorer les fonctions d'un tel affichage à cristaux liquides, on a mis en évidence les transistors à couche mince en silicium polycristallin (appelés ci- après "TFT au silicium polycristallin") et diverses études ont porté sur ces transistors. Ces études portant sur les transistors à couche mince en silicium polycristallin visaient à former de façon efficace un film semiconducteur en silicium polycristallin sur un substrat isolant disponible dans le commerce tel que du verre sodocalcique à une faible température de dépôt. Cependant, à l'heure actuelle, on n'a pas encore mis au point un procédé de formation de film applicable de façon industrielle, rendant possible de former de façon stable et répétée un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité sur un tel substrat isolant disponible dans le commerce. A ce propos, un certain nombre de propositions ont porté sur le procédé de dépôt chimique de plasma en phase vapeur utilisant une décharge d'effluves radio- fréquence, lequel est généralement appelé procédé de décomposition par décharge d'effluves RF en d'autres termes. Conformément au procédé de décomposition par décharge d'effluves RF, il est possible de former un film de semiconducteur polycristallin sur un substrat isolant à une température de dépôt relativement élevée en utilisant une décharge d'effluves RF dans un gaz de matière brute pour décomposer le gaz de matière brute et produire un plasma provoquant le dépôt d'un film. Cependant, des inconvénients du procédé de décomposition par décharge d'effluves RF sont que l'ef- ficacité d'utilisation d'un gaz de matière brute formant un film n'est pas satisfaisante; qu'il existe un certain nombre de paramètres de formation de films qui sont liés entre eux organiquement et qu'il est extrêmement difficile de les généraliser; et donc qu'il est difficile d'obtenir de façon stable et répétée, avec un rendement élevé, un film de semiconducteur polycristallin souhaitable. Pour éliminer ces inconvénients affectant le procédé de décomposition par décharge d'effluves RF, on a reporté son attention sur le procédé de dépôt d'une vapeur à plasma obtenu par micro-ondes (procédé CVD par plasma hyperfréquence) utilisant de l'énergie hyperfréquence à la place de l'énergie radiofréquence (énergie à haute fréquence), procédé dans lequel un gaz de matière brute est décomposé par l'action de l'énergie hyperfréquence ou de micro-ondes pour produire un plasma provoquant la formation d'un film déposé sur un substrat. Il est possible de former un film de semiconducteur polycristallin sur un substrat isolant par ce procédé CVD par plasma hyperfréquence. Pour ce procédé, les avantages sont que le plasma provoquant la formation d'un film déposé est produit à une densité plus élevée et qu'un film est formé à une vitesse de dépôt plus élevée, respectivement en comparaison avec la densité et la vitesse obtenues dans le cas du procédé de décomposition par décharge d'effluves RF. Cependant, de même que dans le cas du procédé à décomposition par décharge d'effluves RF, le procédé CVD par plasma hyperfréquence présente des inconvénients. Autrement dit, il existe un certain nombre de paramètres de formation de film qui sont liés entre eux organiquement et qu'il est extrêmement difficile de généraliser, et il est difficile d'obtenir de façon stable et répétée, avec un rendement élevé, un film de semi- conducteur polycristallin souhaitable. Pour améliorer le procédé CVD par plasma hyperfréquence ci-dessus, on a proposé un procédé de dépôt chimique en phase vapeur de plasma utilisant une résonance cyclotronique d'électrons (procédé appelé ci-après "procédé CVD par plasma ECR") qui consiste à appliquer un champ magnétique au procédé CVD par plasma hyperfréquence. Pour le procédé CVD par plasma ECR, il est indiqué qu'il est possible de former un film de semiconducteur polycris- tallin présentant des défauts réduits, de façon plus efficace, à une plus basse température de dépôt et à une vitesse de dépôt accrue en comparaison avec le cas du procédé CVD par plasma hyperfréquence. Cependant, dans la situation actuelle concernant le procédé CVD par plasma ECR, il reste des problèmes à résoudre car, pour obtenir un film de semi-conducteur polycristallin souhaitable, il faut ajuster convenablement non seulement les conditions de génération du plasma à partir d'un gaz de matière brute, avec l'action de l'énergie de micro- ondes, mais aussi les conditions pour commander l'énergie ionique dans le plasma par l'application d'un champ magnétique; il est difficile de régler convenablement les deux types précédents de conditions pour placer dans un état souhaité la relation organique mutuelle permettant la formation d'un tel film de semiconducteur polycristallin souhaitable et, de ce fait, il est difficile d'obtenir defaçon stable et répétée un film de semiconducteur polycristallin souhaitable. Un exemple du procédé CVD par plasma ECR est décrit dans la colonne 31P-K2 de "Advance Summary for 1985 Spring Meeting of Applied Physics Society". Ce document décrit un procédé CVD par plasma ECR pour former un film de silicium polycristallin ou un film de silicium monocristal- lin sur une tranche de silicium monocristallin en utilisant l'appareil de dépôt par faisceau ionique réactif (RIBD) ayant la constitution montrée sur la figure 6. L'appareil montré sur la figure 6 comprend une chambre 601 de génération de plasma présentant un espace de génération de plasma, et une chambre 602 de dépôt présentant un espace de formation de film. La paroi supérieure de la chambre 601 de génération de plasma est munie hermétiquement d'une fenêtre 603 d'introduction de micro-ondes reliée à un guide d'ondes 604 partant d'une source d'énergie à micro-ondes (non représentée). La référence numérique 612 désigne une paroi inférieure de la chambre 601 de génération de plasma, qui est constituée par un élément isolant et qui est traversée d'un trou par lequel le plasma produit dans l'espace de génération de plasma de la chambre 601 passe dans l'espace de formation de film de la chambre 602 de dépôt. - La référence numérique 611 désigne une électrode de grille comprenant une plaque en toile métallique pour l'application d'un champ électrique, qui est placée sur la paroi inférieure 612 de manière que le trou de la paroi inférieure soit ainsi apparemment fermé. La référence numérique 605 désigne un conduit d'alimentaiton en gaz partant d'un réservoir de gaz (non représenté) dans lequel est contenu un gaz de matière brute. La référence numérique 610 désigne une unité de refroidissement comportant la paroi extérieure de la chambre 601 de génération de plasma. La référence numérique 610' désigne un conduit d'amenée d'une eau de refroidissement dans l'unité 610 de refroidissement et la référence numérique 610" désigne un conduit pour recycler l'eau de refroidissement provenant de l'unité 610 de refroidissement. La référence numérique 609 désigne un aimant qui est prévu de façon à entourer la chambre 601 de génération de plasma. La paroi supérieure de la chambre 602 de dépôt présente un trou par lequel le plasma généré dans l'espace de génération du plasma de la chambre 601 peut pénétrer dans l'espace de formation de film de la chambre 602 de dépôt. La chambre 602 de dépôt est munie d'un conduit d'évacuation raccordé par une valve d'évacuation à une pompe à vide (cette pièce n'est pas représentée). La référence numérique 613 désigne un substrat conducteur comprenant une tranche de silicium monocristallin placée sur un porte-substrat conducteur 608. La référence numérique 607 désigne un flux de plasma provenant de l'espace de génération de plasma. La référence numérique 600 désigne une source d'alimentation en courant continu connectée électriquement à l'électrode de grille 611. La source d'énergie 600 est connectée électriquement, aussi, au porte-substrat 608 tout en étant électriquement à la masse. Le procédé à mettre en pratique par l'utilisa- tion de l'appareil montré sur la figure 6, qui est décrit dans le document précité, consiste à former un film de silicium polycristallin sur la tranche 613 de silicium monocristallin placée sur le porte- substrat conducteur 608 en introduisant du SiH4 gazeux par le conduit 605 d'alimen- tation en gaz dans la chambre 601 de génération de plasma, en appliquant de l'énergie à micro-ondes à travers la fenêtre 603 d'introduction de micro-ondes dans l'espace de génération de plasma tout en établissant un champ magné- tique dans l'espace de génération de plasma au moyen de l'aimant 609 et en appliquant une tension continue de polarisation entre l'électrode de grille 611 et le porte- substrat conducteur 608 à l'aide de la source 600 de courant continu pour provoquer une décharge par micro-ondes de type ECR générant un plasma qui pénètre, en passant à travers l'électrode de grille, dans l'espace de formation de film de la chambre 602 de dépôt, afin qu'un film de silicium polycristallin soit formé sur la tranche 613 de silicium monocristallin maintenue à 200 C. De la même manière, le document précité décrit la formation d'un film de silicium cristallin par croissance homoépitaxiale sur une tranche de silicium monocristallin maintenue à 400 C. On a utilisé dans la présente invention une plaque de verre disponible dans le commerce (désignation commerciale: plaque de verre N 7059, produite par Corning Glass Works) au lieu de la tranche précitée 613 de silicium monocristallin et on a essayé de former un film de silicium polycristallin sur ladite plaque de verre maintenue à 400 C en répétant les processus de formation de film décrits dans le document précité. Il est apparu, comme résultat, qu'un film de silicium polycristallin, acceptable en pratique, est difficilement formé sur le substrat isolant (plaque de verre). La raison pour laquelle on ne peut pas obtenir, dans ce cas, un film de silicium polycristallin acceptable en pratique, semble être due au fait qu'aucune tension 264 557 continue de polarisation n'a été appliquée de façon effective entre l'électrode de grille 611 et le substrat 613, car le substrat était isolant. Un autre facteur est considéré du fait qu'aucune concordance de réseau n'était provoquée pour un film pendant sa formation, car le substrat 613 n'était pas une tranche de silicium monocris- tallin, mais une plaque de verre isolante. Compte tenu de ce qui précède, il est difficile de former de façon stable et répétée un film de semi- conducteur polycristallin de haute qualité, de grande étendue, sur un substrat isolant tel qu'une plaque de verre qu'il est souhaitable d'utiliser dans un transistor & couche mince, par l'un quelconque des procédés connus de formation de film par dépôt chimique en phase vapeur de plasma. A présent, on a proposé un transistor à couche ou film mince comportant une couche semiconductrice constituée d'un film de silicium polycristallin à utiliser dans un affichage liquide d'un système de matrice active (ce transistor TFT est appelé ci-après "transistor TFT au silicium polycristallin à matrice active"). Ce transistor TFT au silicium polycristallin à matrice active est généralement préparé de la manière suivante. A savoir, une électrode transparente, comprenant un film d'oxyde d'indium et d'étain (ITO) est formée sur un substrat transparent isolant de haute qualité tel qu'une plaque de verre de quartz et, ensuite, un film de silicium polycristallin devant être la couche semiconductrice est formé sur ladite électrode transparente. Lorsque le procédé LP-CVD (procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression), qui est considéré comme efficace pour la formation d'un film de silicium polycristallin de haute qualité, est utilisé pour la formation de ladite couche semiconductrice, un silane gazeux est utilisé en tant que gaz de matière brute de formation de film et la formation du film est effectuée à une température de dépôt de film de 700 C ou plus. Durant la formation du film, le silane gazeux est décomposé pour générer des radicaux hydrogène, ce qui conduit inévitable- ment au maintien du film d'ITO à une température élevée, à laquelle les radicaux hydrogène réagissent avec les atomes d'oxygène constitutifs du film d'ITO pour rendre ce dernier opaque. Dans ce cas, le film d'ITO ainsi rendu opaque ne peut plus fonctionner en tant qu'électrode transparente. En conséquence, le transistor TFT au silicium polycristallin à matrice active ainsi obtenu devient inutilisable en pratique. A cet égard, le procédé LP-CVD ne peut pas être appliqué en pratique & la formation d'un film de silicium polycristallin devant être la couche semiconductrice du transistor TFT au silicium polycristallin pour matrice active. Un autre problème se pose aussi dans le cas de la formation de la couche semiconductrice comprenant un film de silicium polycristallin dudit transistor TFT par le procédé LP-CVD car, étant donné que la formation du film est effectuée à une température élevée, de 700 C ou plus, comme décrit ci-dessus, une matière peu coûteuse, moins résistante à la chaleur, telle que du verre sodocalcique, un film de résine synthétique, etc., ne peut pas être utilisée en tant que substrat. Il est proposé de former un film de silicium polycristallin devant constituer la couche semiconductrice du transistor TFT au silicium polycristallin de matrice active ou émissive par le procédé d'évaporation par faisceau moléculaire, dans lequel ledit film est formé sur un substrat isolant transparent à une température de dépôt de 400 C et dans une condition de vide extrêmement poussée, d'environ 133.10-10 Pa, en utilisant du silicium monocris- tallin ou du silicium polycristallin en tant que source d'évaporation. Le transistor TFT au silicium polycristallin pour matrice active ou émissive obtenu est tel qu'il présente un rapport des courants électriques état conduc- teur/état bloqué compris entre 103 et 104 et une mobilité de porteurs dans la gamme de 2 à 10 cm2/V.s, valeurs inacceptables en pratique (voir "THIN FILM HANDBOOK", page 625, publié le 10 décembre 1983 par KABUSHIKI KAISHA Ohm Sha, Japon). La présente invention vise- à éliminer les problèmes précédents affectant le procédé connu pour former un film de semiconducteur polycristallin, qui est mis en pratique dans un appareil comprenant une chambre de génération de plasma et une chambre de formation de film, appareil dans lequel un plasma est généré dans la chambre de génération de plasma et est transporté jusque dans la chambre de formation de film pour former ledit film de semiconducteur polycristallin sur un substrat placé dans cette dernière chambre, l'invention ayant également pour but de proposer un procédé CVD par plasma hyperfréquence perfectionné capable de former efficacement divers types de films de semiconducteurs polycristallins de haute qualité utilisables en tant qu'éléments constitutifs dans divers dispositifs semiconducteurs et dispositifs électroniques. Un autre objet de l'invention est de proposer un procédé CVD par plasma hyperfréquence perfectionné qui rend possible de former de façon stable et répétée un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité sur un substrat peu coûteux, disponible dans le commerce, qui est utilisable en tant qu'élément constitutif dans divers dispositifs semiconducteurs et dispositifs électroniques. Un autre objet de l'invention est de proposer un procédé CVD par plasma hyperfréquence perfectionné qui rend possible de former un film de semiconducteur en silicium polycristallin de haute qualité utilisable en tant que couche semiconductrice d'un TFT de matrice active ou émissive et de fournir un TFT en silicium polycristallin pour matrice active, pouvant être appliqué en pratique. Un autre objet de l'invention est de fournir un procédé CVD par plasma hyperfréquence perfectionné qui rend possible de former de manière stable et répétée un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité sur un substrat isolant peu coûteux, disponible dans le commerce, procédé dans lequel un gaz de matière brute filmogène -est mis en contact avec une énergie hyperfréquence ou énergie de micro-ondes pour produire un plasma dans une chambre de génération de plasma et le plasma résultant est introduit à travers une électrode de grille dans une chambre de formation de film contenant le substrat isolant placé sur un porte- substrat conducteur, en même temps qu'une tension à haute fréquence est appliquée, avec une fréquence spécifique, entre l'électrode de grille et le porte- substrat pour former un profil souhaitable d'énergie ionique au voisinage de la surface du substrat, provoquant ainsi la formation d'un film de semiconducteur polycristal- lin de haute qualité sur le substrat isolant maintenu à une température souhaitée. Un autre objet de l'invention est de proposer un procédé CVD par plasma hyperfréquence perfectionné qui rend possible de former de manière stable et répétée un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité sur un substrat isolant peu coûteux, disponible dans le commerce, à une basse température de dépôt, procédé dans lequel un gaz de matière brute filmogène est mis en contact avec une énergie hyperfréquence pour produire un plasma dans une chambre de génération de plasma et le plasma résultant est introduit à travers une électrode de grille perforée dans une chambre de formation de film contenant le substrat isolant placé sur un porte-substrat conducteur, en même temps qu'une tension à haute fréquence, ayant une fréquence spécifique, est appliquée entre l'électrode de grille et le porte-substrat pour commander de façon souhaitable l'énergie ionique et la distribution de l'énergie ionique dans le plasma au voisinage de la surface du substrat isolant, provoquant ainsi la formation d'un film polycristallin de haute qualité sur le substrat isolant maintenu à une température basse souhaitée. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: - la figure l(A) est une vue en coupe illus- trant schématiquement la constitution de l'appareil destiné à mesurer l'énergie ionique dans un plasma, qui a été utilisé dans les essais 1, 3 et 4 de la présente inven- tion; - la figure 1(B) est une vue en coupe illus- trant schématiquement la constitution d'une modification de l'appareil montré sur la figure 1(A), qui a été utilisé dans l'essai 2 de la présente invention; - les figures 2(A) à 2(D) sont des graphiques illustrant respectivement les profils d'énergie ionique obtenus dans l'essai 1; - les figures 2(E) et 2(F) sont des graphiques illustrant respectivement des profils d'énergie ionique obtenus dans l'essai 2; - la figure 2(G) est un graphique illustrant les rapports entre les fréquences des tensions à haute fréquence appliquées et les demi-largeurs des énergies ioniques de crête obtenues dans l'essai 3 de la présente invention; - la figure 3(A) est un graphique illustrant les relations mutuelles entre les tensions à haute fréquence appliquées et les cristallinités des films déposés qui ont été obtenus dans l'essai 5 de la présente invention; - la figure 3(B) est un graphique illustrant les relations mutuelles entre les pressions intérieures au moment de la formation des films et les cristallinités des films déposés qui ont été obtenus dans l'essai 6; - la figure 3(C) est un graphique illustrant les relations mutuelles entre les températures du substrat au moment de la formation du film et les cristallinités des films déposés qui ont été obtenus dans l'essai 7 de la présente invention; - la figure 3(D) est un graphique illustrant les relations mutuelles entre les températures de substrat au moment de la formation du film et les dimensions de grain des films déposés qui ont été obtenus dans l'essai 7; - la figure 4 est une vue partielle en coupe illustrant schématiquement un exemple de la constitution de la chambre de formation de film à laquelle une chambre de génération de plasma doit être raccordée à travers une électrode de grille qui convient à la mise en pratique du procédé CVD par plasma hyperfréquence de la présente invention; - les figures 5(A) à 5(G) sont des vues en coupe illustrant schématiquement un exemple de la constitu- tion de la chambre de génération de plasma devant être raccordée à la chambre de formation de film montrée sur la figure 4; - la figure 6 est une vue en coupe illustrant schématiquement la constitution de l'appareil RIBD connu; - la figure 7 est une vue en coupe illustrant schématiquement un exemple de 1 'appareil comprenant la chambre de formation de film représentée sur la figure 4 et la chambre de génération de plasma montrée sur la figure (B), qui convient à la mise en pratique du procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention; - la figure 8(A) est une vue en coupe illus- trant schématiquement un exemple de l'appareil comprenant la chambre de formation de film représentée sur la figure 4 et la chambre de génération de plasma représentée sur la figure 5(C), qui convient à la mise en pratique du procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention; - la figure 8(B) est une vue en coupe illus- trant schématiquement une modification partielle de l'appareil représenté sur la figure 8(A), o le porte- substrat est installé de façon à placer un substrat parallèlement au courant de plasma dans la chambre de formation de film; et - la figure 9 est une vue en coupe transversale illustrant schématiquement un transistor TFT à couche mince comportant la couche semiconductrice comprenant un film de silicium polycristallin formé par le procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention, qui a été préparé dans l'exemple 6 ou dans l'exemple 7 de l'invention. On a procédé à de larges études au moyen d'expériences ou d'essais qui seront décrits ci-après pour résoudre les problèmes posés dans les procédés classiques précités pour former un film d'un semiconducteur polycris- tallin et pour atteindre les objectifs ci-dessus de l'invention. Les essais ont été menés en visant à trouver une manière de pouvoir former un film de semiconducteur polycristallin souhaitable de haute qualité sur un substrat isolant peu coûteux, disponible dans le commerce, tel qu'un verre sodocalcique, etc., par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur par plasma hyperfréquence, appelé procédé CVD par plasma hyperfréquence. Le résultat a abouti aux constatations suivantes. Ainsi, lorsque le substrat isolant ci-dessus est placé sur un portesubstrat réalisé en une matière conductrice dans une chambre de formation de film, lorsqu'un gaz de matière brute de formation de film est mis en contact avec une énergie hyperfréquence ou énergie de micro-ondes pour produire un plasma dans une chambre de génération de plasma, et lorsque le plasma résultant, dans cette chambre, est introduit ensuite dans la chambre de formation de film en même temps qu'une tension de haute fréquence spécifique est appliquée entre la chambre de génération de plasma et le porte-substrat conducteur, des ions du plasma devant être conduits vers la surface du substrat isolant sont commandés dans un état souhaitable en étant dans une faible largeur de distribution d'énergie pour provoquer la formation d'un profil ionique souhaitable au voisinage de la surface du substrat isolant et, en conséquence, un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité se forme sur la surface du substrat isolant. On a trouvé en outre que, lorsqu'un champ magnétique est établi dans la chambre de génération de plasma dans le cas ci-dessus, la densité des ions, étant faible en largeur de distribution d'énergie, est accrue pour former un profil ionique extrêmement souhaitable au voisinage de la surface du substrat isolant et, en conséquence, un film de semiconducteur polycristallin de qualité encore plus haute est formé sur le substrat isolant. L'invention a découlé de la base des consta- tions ci-dessus. La présente invention comprend deux aspects. Le premier aspect de l'invention est de fournir un procédé CVD par plasma hyperfréquence perfectionné pour former un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité, qui consiste à utiliser un appareil mettant en oeuvre un procédé CVD par plasma hyperfréquence comprenant une chambre de génération de plasma pourvue d'un moyen d'introduction de micro-ondes et une chambre de formation de film reliée à travers une électrode de grille à la chambre de génération de plasma, la chambre de formation de film contenant un substrat isolant placé sur un porte- substrat réalisé en une matière conductrice installée dans cette chambre, ladite chambre de formation de film étant isolée électriquement de la chambre de génération de plasma, à produire un plasma par mise en contact d'un gaz de matière brute formant un film avec une énergie hyperfré- quence appliquée par l'intermédiaire desdits moyens d'introduction de micro-ondes dans la chambre de génération de plasma et à introduire le plasma dans la chambre de formation de film en même temps qu'une tension à haute fréquence, ayant une fréquence dans la gamme de 20 à 500 MHz, est appliquée entre l'électrode de grille et le porte-substrat conducteur, de manière à provoquer la formation d'un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité sur le substrat isolant maintenu à une température souhaitée. Le second aspect de la présente invention porte sur un procédé CVD parplasma hyperfréquence perfectionné pour former un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité, qui consiste à utiliser un appareil CVD par plasma hyperfréquence comprenant une chambre de génération de plasma pourvue de moyens d'introduction de micro-ondes et de moyens d'établissement d'un champ magnétique, et une- chambre de formation de film reliée à travers une électrode de grille à la chambre de génération de plasma, ladite chambre de formation de film contenant le substrat isolant placé sur un porte-substrat réalisé en une matière conductrice et installé dans cette chambre, la chambre de formation de film étant isolée électriquement de la chambre de génération de plasma, à produire un plasma par mise en contact d'un gaz de matière brute de formation de film avec une énergie hyperfréquence appliquée à l'aide des moyens d'introduction de micro-ondes dans la chambre de génération de plasma, tout en établissant un champ magnétique dans la chambre de génération de plasma à l'aide des moyens d'établissement de champ magnétique et à introduire le plasma dans la chambre de formation de film tout en appliquant une tension à haute fréquence, ayant une fréquence comprise entre 20 et 500 MHz, entre l'électrode de grille et le porte-substrat afin de provoquer la formation d'un film de semiconducteur polycristallin de 26465D57 haute qualité sur le substrat isolant maintenu à une température souhaitée. L'invention permet de former de façon stable et répétée un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité sur un substrat isolant de grande étendue, qui n'est pas à une température élevée de dépôt, de 700 C ou plus, mais à une basse température de dépôt, de 4000C ou moins, et qui n'est pas dans un état de vide extrêmement poussé, mais sous une condition de pression intérieure raisonnable. - En plus de l'avahtage ci-dessus, la présente invention présente d'autres avantages selon lesquels il n'y a pas de risque que des matières étrangères contenues dans un substrat isolant soient libérées et contaminent un film polycristallin devant être formé sur le substrat durant la formation du film, car cette dernière est effectuée alors que le substrat isolant est maintenu à une basse tempéra- ture ne permettant pas à de telles matières étrangères d'être libérées du substrat. De ce fait, il n'est pas nécessaire d'utiliser un substrat coûteux, hautement résistant à la chaleur, par exemple un verre de quartz. Il est possible d'utiliser une matière peu coûteuse dis- ponible dans le commerce, telle que du verre sodocalcique, des films de résine synthétique, etc., en tant que substrat. L'invention rend donc possible de produire des dispositifs semiconducteurs tels que des transistors TFT, des dispositifs de conversion photoélectrique tels que des piles solaires, etc., dans lesquels la couche semi- conductrice comprend un film de semiconducteur polycristal- lin, à un coût réduit. En particulier, l'invention rend possible de réaliser un transistor TFT souhaitable en silicium polycristallin à utiliser dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides d'un système de matrice active ou émissive (le transistor TFT en silicium polycris- tallin pour matrice active précité) qui était difficile à réaliser dans le passé. En fait, un transistor TFT en silicium polycristallin pour matrice émissive ou active, ayant la couche semiconductrice comprenant un film de semiconducteur en silicium polycristallin formé sur une matière isolante transparente peu coûteuse, disponible dans le commerce, utilisée en tant que substrat, présente un rapport élevé des courants état conducteur/état bloqué, le niveau de ce rapport étant de 105, et une grande mobilité des porteurs, de 50 cm2/V.s ou plus. On expliquera ci-après des essais ou expé- riences menés conformément &à-l'invention. ESSAI 1 Dans cet essai, on a observé l'état d'un profil d'énergie ionique au voisinage de la surface d'une matière isolante devant être le substrat sur lequel un film doit être déposé dans le cas du dépôt d'un film sur ladite matière isolante par production d'un plasma par décomposi- tion d'un gaz de matière brute sous l'action d'une énergie hyperfréquence dans une chambre de génération de plasma, et introduction du plasma dans une chambre de formation de film contenant le substrat placé sur un portesubstrat réalisé en une matière conductrice, une tension à haute fréquence étant appliquée entre la chambre de génération de plasma et le porte-substrat. On a procédé à I'observation ci-dessus en faisant varier la fréquence de la tension à haute fréquence devant être appliquée. Dans cet essai, on a observé aussi la dépen- dance de la tension à haute fréquence à appliquer vis-à-vis de la fréquence de cette tension. Pour mener à bien l'essai, on a utilisé un appareil à des fins expérimentales, ayant la constitution montrée sur la figure 1(A). L'appareil montré sur la figure 1(A) comprend une chambre 111 de génération de plasma et 264655? une enceinte à vide 115 correspondant à une chambre de formation de film qui est reliée par l'intermédiaire d'un élément isolant 109 à la chambre de génération de plasma de manière que l'enceinte à vide 115 soit isolée électrique- ment de la chambre 111 de génération de plasma. La référence numérique 103 désigne une électrode de commande d'énergie ionique ayant une partie centrale comprenant un élément en toile métallique, qui est installée dans la direction perpendiculaire à un courant 117 de plasma dans l'enceinte à vide 115. La référence numérique 107 désigne une plaque isolante placée sur l'électrode 103 de commande d'énergie ionique, dont la partie centrale présente un trou corres- pondant à la partie en toile de l'électrode 103. La référence numérique 104 désigne une électrode de grille de réflexion d'ions ayant une partie centrale comprenant un élément en toile métallique, qui est installée en arrière et parallèlement à l'électrode 103 de commande d'énergie ionique dans l'enceinte à vide 115. La référence numériqule 105 désigne une électrode collectrice d'ions qui est installée en arrière de l'électrode de grille 104 de réflexion des ions dans l'enceinte à vide 115. Chacune de l'électrode 103 de commande d'énergie ionique, de l'élec- trode 104 de grille de réflexion des ions et de l'électrode 105 de collecte des ions est connectée électriquement à un circuit (circuit de mesure de l'énergie ionique) contenant un condensateur 101, un générateur radiofréquence variable (comprenant un oscillateur RF et un amplificateur) , une source d'énergie 106 à courant continu destinée à appliquer une tension pour empêcher l'entrée d'un électron, un électromètre 108 à microcourant et une source d'énergie 102 à courant continu pour appliquer une tension de grille. L'enceinte à vide 115 est munie d'un conduit d'évacuation raccordé par l'intermédiaire d'une valve d'évacuation (non représentée) à une pompe à vide (non représentée). La chambre 111 de génération de plasma est munie d'un conduit 116 d'alimentation en gaz arrivant d'un réservoir de gaz contenant un gaz de matière brute (non représenté). La référence numérique 113 désigne une antenne hélicoidale d'introduction de micro-ondes placée dans la chambre 111 de génération de plasma. La référence numérique 112 désigne un électro-aimant qui est prévu de façon à entourer la paroi extérieure de la chambre 111 de généra- tion de plasma. La référence numérique 114 désigne un guide d'ondes muni d'un élément d'accord 119 arrivant d'une source d'énergie hyperfréquence (non représentée). L'antenne hélicoidale 113 est connectée par l'intermédiaire d'un tube coaxial à vide 120 en verre et du guide d'ondes 114 à un élément d'accord 118. La chambre 111 de génération de plasma est mise électriquement à la masse par l'inter- médiaire d'une électrode de terre 110. Dans la chambre 111 de génération de plasma, un gaz de matière brute fourni par le conduit 116 d'alimentation en gaz est décomposé sous l'action de l'énergie de microondes appliquée par l'antenne hélicoidale 113 pour produire un plasma qui s'écoule ensuite dans l'enceinte à vide 115 comme indiqué par la flèche 117 (illustrant le courant de plasma). Ainsi qu'il ressort de ce qui est décrit ci-dessus, le circuit précité de mesure de l'énergie ionique est isolé électri- quement de la chambre 111 de génération de plasma par l'électrode de terre 110. L'électrode de grille 114 fonctionne de façon à guider un ion sélectionné, à haute énergie (un ion ayant une haute énergie d'une valeur spécifiée ou d'une valeur supérieure), vers l'électrode 105 de collecte d'ions et à renvoyer par réflexion les autres ions. L'électrode collectrice d'ions 105 fonctionne de manière à collecter les ions ayant traversé l'électrode de grille 104. L'application d'une tention à haute fréquence depuis le générateur RF 100 à la plaque isolante 107 et à la chambre 111 de génération de plasma s'effectue par l'intermédiaire de l'électrode 103 de commande de l'énergie ionique et de l'électrode de terre 110. L'électro-aimant 112 sert à stabiliser la décharge hyperfréquence et à favoriser la génération d'un plasma dans la chambre 111 de génération de plasma. A présent, la chambre 111 de génération de plasma et l'enceinte à vide 115 ont été suffisamment vidées d'air au moyen du conduit d'évacuation. Du H2 gazeux a été introduit à l'aide du conduit 116 d'alimentation en gaz dans la chambre 111 de génération de plasma à un débit d'écoulement de 4 cm3/minute, dans les conditions normales. La pression gazeuse (pression intérieure) dans la chambre de génération de plasma et dans l'enceinte à vide 115 a été maintenue à environ 665 mPa par réglage de la valve d'évacuation du conduit d'évacuation. Puis l'électro-aimant 112 a été mis en action pour établir un champ magnétique dans la chambre de génération de plasma. Simultanément, la source d'énergie hyperfréquence a été mise en marche pour appliquer une énergie hyperfréquence, ou énergie de micro- ondes, de 100 watts dans la chambre 111 de génération de plasma par l'intermédiaire du guide d'ondes 114 et de l'antenne hélicoïdale 113, afin de décomposer le gaz H2 et de produire un plasma qui a ensuite été introduit dans l'enceinte à vide 115. Le potentiel électrique de l'élec- trode collectrice d'ions 105 a été réglé à -50 V. On a fait varier la tension positive devant être appliquée à l'électrode de grille 104 et la tension crête-à-crête (V p) d'une haute fréquence devant être appliquée à l'électrode 103 de commande d'énergie ionique. On a mesuré à l'aide de l'électromètre 108 la valeur d'un courant ionique arrivant dans l'électrode collectrice d'ions 105. On a calculé un profil de l'énergie ionique sur la base de la valeur mesurée ci-dessus du courant ionique et de la valeur de la tension appliquée à l'électrode de grille 104. On a ainsi obtenu plusieurs profils d'énergie ionique mesurés aux fréquences respectives de 13,56 MHz, MHz, 25 MHz et 40,7 MHz pour la tension à haute fréquence appliquée à l'électrode 103 de commande de l'énergie ionique. Les profils d'énergie ionique résultants sont montrés sur les figures 2(A), 2(B), 2(C) et 2(D). D'après les-résultats montrés sur les figures 2(A), 2(B), 2(C) et 2(D), on déduit les fait suivants. Ainsi, une crête d'énergie ionique devient effilée lorsque la fréquence de la tension à haute fréquence appliquée augmente. En fait, comme cela ressort de la figure 2(B), dans le cas d'une fréquence de 13,56 MHz pour la tension à haute fréquence appliquée, il apparaît qu'une dispersion de l'énergie ionique est notable. Il apparaît aussi que lorsque la tension V p de la fréquence p-p devant être appliquée est élevée à 40 V, plusieurs crêtes d'énergie apparaissent et la dispersion de l'énergie ionique est apparemment importante. Par contre, comme on le voit sur la figure 2(A), dans le cas d'une valeur de 40,7 fMHz pour la fréquence de la tension à haute fréquence appliquée, il apparait que la crête d'énergie ionique est très effilée et, même dans le cas d'une valeur de 40 V pour la tension Vpp, la crête d'énergie ionique est isolée. Ces faits suggèrent qu'il est possible d'établir les conditions pour qu'une crête d'énergie ionique devienne isolée et effilée en optimisant la fréquence d'une tension à haute fréquence à appliquer dans le cas o l'on souhaite commander l'énergie ionique fournie vers la surface d'un substrat isolant sur lequel un film doit être déposé, qui est placé sur un porte-substrat conducteur en appliquant une énergie à haute fréquence sur le substrat conducteur dans le procédé CVD par plasma hyperfréquence de formation d'un film. Ceci signifie que la dispersion de l'énergie ionique provoquée par la sous- réaction dans la réaction de dépôt de film peut être évitée. ESSAI 2 Dans cet essai, on a observé l'influence d'un champ magnétique sur le profil de l'énergie ionique appliquée à une plaque isolante en utilisant l'appareil montré sur la figure 1(A) et l'appareil montré sur la figure 1(B). L'appareil de la figure 1(B) est une modifica- tion partielle de l'appareil de la figure 1(A), et le premier diffère du second par. le fait que le mécanisme de mesure de l'énergie ionique est installé en parallèle avec le courant 117 de plasma dans l'enceinte à vide 115. Dans cet essai, on a procédé à deux séries d'essais (A) et (B) comme décrit ci-dessous. (Essai A) On a répété les opérations de l'essai 1 en utilisant l'appareil montré sur la figure 1(B) pour obtenir ainsi plusieurs profils d'énergie ionique plongés verti- calement dans le champ magnétique. Il en est ressorti que l'effet de l'application d'une tension à haute fréquence n'est pas produit de manière aussi évidente que dans l'essai 1. (Essai B) (1) On a répété les opérations de l'essai 1 dans le cas de l'application d'une tension à haute fréquence, ayant une fréquence de 40, 7 MHz, en utilisant l'appareil montré sur la figure 1(A), sans mettre en action l'électro-aimant 112 pour mesurer ainsi un profil d'énergie ionique. On a ainsi obtenu les résultats montrés sur la figure 2(E). (2) On a répété les opérations de l'essai 1 dans le cas de l'application d'une tension à haute fréquence, ayant une fréquence de 40,7 MHz, en utilisant l'appareil montré sur la figure 1(B), sans mettre en action l'électro-aimant 112 pour mesurer ainsi un profil d'énergie ionique. On a alors obtenu les résultats montrés sur la figure 2(F). La raison pour laquelle un effet marqué n'a pas été produit dans l'essai (A) peut être expliquée de la manière suivante. A savoir, lorsque le champ électrique à appliquer sur l'électrode de commande d'ions est désigné E et lorsque la densité de flux du champ magnétique provoqué par l'électro-aimant 112 est désignée B, le champ électri- que E finit par être orthogonal au champ magnétique et une particule chargée dérive avec une valeur de E x B dans le cas o le mécanisme de mesure de l'énergie ionique est disposé parallèlement au courant 117 du plasma. De ce fait, on n'obtient pas un effet aussi marqué que dans le cas o le mécanisme de mesure de l'énergie ionique est placé dans la direction perpendiculaire au courant 117 de plasma. Ainsi qu'il ressort des résultats montrés sur les figures 2(E) et 2(F), il a été reconnu qu'en ce qui concerne les profils d'énergie ionique, on ne trouve aucune différence notable quelconque entre les deux cas. En conclusion, d'après les résultats obtenus dans cet essai, on a constaté les faits suivants: la direction d'application d'une tension à haute fréquence pour commander une énergie ionique dans le cas o un champ magnétique existe est plus efficace lorsque cette direction est établie de façon à être perpendiculaire au champ magnétique et lorsqu'un plasma est traité en même temps que l'énergie ionique est commandée, il est plus souhaita- ble de placer un article à traiter avec le plasma dans la direction perpendiculaire au champ magnétique à appliquer dans le cas de l'utilisation de l'électro-aimant. ESSAI 3 Dans cet essai, l'observation a porté sur la situation dans laquelle l'effet par l'application d'une tension à haute fréquence est produit de façon marquée en fonction de la fréquence utilisée pour commander la dispersion d'une énergie ionique. On a répété les opérations de l'essai 1 en utilisant l'appareil montré sur la figure 1(A), sauf que la tension Vpp de la haute fréquence à appliquer à l'élec- trode 103 de commande d'énergie ionique a été rendue constante et que l'on a fait varier la fréquence. On a observé la relation mutuelle entre le rapport (AEH/EM) d'une demi-largeur [LEH(eV)] d'énergie ionique à une valeur de crête [EM(eV)] d'énergie ionique en fonction d'une fréquence [f(MHz)] à appliquer. On a obtenu les résultats montrés sur la figure 2(G). Il ressort de ce qui est montré sur la figure 2(G) que le rapport AEH/EM commence à diminuer brusquement à partir d'environ 20 MHz pour la fréquence de la tension à haute fréquence devant être appliquée et, ensuite, la dispersion de l'énergie ionique devient plus faible. Compte tenu de cette constatation et des résultats montrés sur la figure 2(D) obtenus dans l'Essai 1 o la crête d'énergie ionique obtenue avec la fréquence de MHz n'est pas isolée dans le cas o la tension Vpp est établie à une valeur élevée, il apparait que pour diminuer de façon souhaitable la dispersion de l'énergie ionique devant être fournie vers une plaque isolante, il est souhaité d'appliquer une tension à haute fréquence ayant une fréquence de 25 MHz ou plus, qui satisfait la relation AEH/EM0, 5. ESSAI 4 Dans le cas de la formation d'un film déposé de haute qualité sur un substrat isolant par l'utilisation d'une décharge hyperfréquence dans un gaz de matière brute de formation de film, il faut toujours maintenir de façon stable la décharge hyperfréquence dans un état souhaité. Dans cet essai, on a observé l'état d'une décharge hyperfréquence en utilisant l'appareil montré sur la figure 1(A) dans lequel la fréquence de micro-ondes utilisée pour la génération de plasma a été établie à une valeur constante de 2,45 GHz et la valeur de la tension à haute fréquence à appliquer a été rendue constante, mais on a fait varier la fréquence de cette tension à haute fréquence comme montré dans le tableau 1. On a répété les opérations de l'Essai 1, sauf que l'on a utilisé du H2 gazeux ou un mélange de H2 gazeux et de Ar gazeux aux débits d'écoulement respectifs indiqués dans le tableau 1 pour chacun des cas montrés dans le tableau 1. Pour chaque cas, on a examiné la stabilité de la décharge, la puissance hyperfréquence inverse, la puissance hyperfréquence minimale demandée pour maintenir la décharge et l'acuité du profil d'énergie ionique. Les résultats obtenus sont montrés dans le tableau 1. Comme montré dans le tableau 1, lorsque la fréquence de la tension à haute fréquence appliquée était proche des 2,45 GHz des micro-ondes utilisées, la décharge est devenue instable et le profil de l'énergie ionique n'a pas pu être mesuré. On considère que ceci s'est produit en raison de l'interférence mutuelle entre la puissance en hyperfréquence et la puissance en haute fréquence. Il y a à présent une tendance de la décharge dans un gaz de formation de film tel que SiH4, etc., à se maintenir dans un état plus stable que dans le cas d'une décharge dans du H2 gazeux ou du Ar gazeux. A cet égard, on peut affirmer que, lorsque l'on obtient un bon résultat dans l'essai de décharge avec du H2 gazeux et du Ar gazeux, le résultat est aussi efficace dans le cas de l'utilisation d'un tel gaz de matière brute de formation du film. * Les études portant sur les résultats montrés dans le tableau 1, prenant en considération la situation ci-dessus, ont donné pour résultat les faits que, dans le 2646557i 26- cas de l'utilisation d'une puissance en hyperfréquence, ayant une fréquence de 2,5 GHz pour la génération d'un plasma, la limite supérieure de la fréquence d'une tension à haute fréquence à appliquer est souhaitée d'une valeur telle qu'elle ne produit aucune influence négative quelconque sur la décharge en hyperfréquence. En particulier, il est souhaitable qu'elle soit avantageusement de 500 MHz ou moins, ou plus avantageuse- ment de 100 MHz ou moins. En conclusion et en résultat des essais précédents 1 à 4, il a été établi que la fréquence de la tension à haute fréquence devant être appliquée à un porte- substrat conducteur portant un substrat isolant, pour maîtriser la dispersion de l'énergie ionique dans un plasma produit par décomposition de H2 gazeux, de Ar gazeux ou d'un mélange de ceux-ci sous l'action d'une énergie hyperfréquence ayant une fréquence de 2,45 GHz, appliquée vers la surface du substrat, est avantageusement comprise dans la gamme de 20 à 500 MHz, et plus avantageusement dans la gamme de 25 à 100 MHz. ESSAIS 5 à 7 Dans les essais précédents 1 à 4, on a utilisé du H2 gazeux ou du Ar gazeux qui ne provoque pas de dépôt de film sur l'électrode collectrice d'ions pour observer avec précision l'état d'une énergie ionique. - Pour confirmer l'efficacité des résultats obtenus dans les Essais 1 à 4 dans le cas de la formation d'un film déposé sur une plaque isolante (substrat isolant) en utilisant un gaz de matière brute de formation de film tel que du SiH4 gazeux, etc., par le procédé CVD par plasma hyperfréquence, on a procédé aux Essais 5 à 7 suivants. ESSAI 5 Dans cet essai, on a observé la relation entre la fréquence d'une tension à haute fréquence appliquée et la cristallinité d'un film de silicium déposé, formé par 2646557, l'utilisation de SiH4 gazeux en tant que gaz de matière brute de formation de film, provoquant le déclenchement d'une décharge dans le gaz de matière brute de formation de film avec l'utilisation d'une énergie hyperfréquence ayant une fréquence de 2,45 GHz pour produire un plasma dans une chambre de génération de plasma, et l'introduction du plasma dans une chambre de formation de film contenant un substrat isolant placé sur un porte-substrat conducteur installé à l'intérieur de la chambre, en même temps qu'une tension ayant une haute fréquence prédéterminée est appliquée entre la chambre de génération de plasma et le porte-substrat pour extraire des ions du plasma vers la surface du substrat isolant, provoquant ainsi la formation d'un film de silicium déposé sur le substrat isolant maintenu à une température souhaitée. Pour effectuer la formation d'un film, on a utilisé un appareil de CVD par plasma hyperfréquence ayant la constitution montrée sur la figure 7. L'appareil représenté sur la figure 7 comprend une chambre 701 de génération de plasma présentant un espace de génération de plasma, et une chambre 702 de formation de filmin présentant un espace de formation de film. La chambre 701 de génération de plasma est reliée par un élément isolant 712 à la chambre 702 de formation de film afin que la chambre 701 soit isolée électriquement de la chambre 702. L'espace de génération de plasma est relié directement par le trou formé au centre de la paroi inférieure de la chambre 701 du générateur de plasma et le trou formé au centre de la paroi supérieure de la chambre 702 de formation de film. Le trou de la paroi inférieure de la chambre 701 de génération de plasma a été muni d'une électrode de grille 711 constituée d'un élément en toile métallique afin de fermer apparemment l'espace de généra- tion de plasma. La paroi supérieure de la chambre 701 de génération- de plasma est pourvue hermétiquement d'une fenêtre 703 d'introduction de micro-ondes formée d'une matière diélectrique telle que du quartz, reliée à un guide d'ondes 704 partant d'une source d'énergie hyperfréquence (non représentée). La référence numérique 705 désigne un conduit d'alimentation en gaz partant d'un réservoir de gaz (non représenté) dans lequel un gaz de matière brute est contenu. La référence numérique 710 désigne une unité de refroidissement comprenant la paroi extérieure de la chambre 701 de génération de plasma. La référence numérique 710' désigne un conduit pour amener une eau de refroidissement dans l'unité 710 de refroidissement et la référence numérique 710" désigne un conduit pour recycler l'eau de refroidissement provenant de l'unité 710 de refroidissement. La référence numérique 709 désigne un électro-aimant qui est prévu de façon à entourer la chambre 701 de génération de plasma. La chambre 702 de formation de film est munie d'un conduit d'évacuation raccordé par une valve d'évacuation (non représentée) à une pompe à vide (non représentée). La référence numérique 706 désigne un conduit d'alimentation en gaz équipant la chambre 702 de formation de film. Le conduit 706 d'alimentation en gaz part d'un réservoir de gaz (non représenté) dans lequel est contenu un gaz de matière brute. La référence numérique 707 désigne un courant formé par le plasma fourni à travers l'électrode de grille 711 à toile métallique à partir de la chambre 701 de génération de plasma. La référence numérique 708 désigne un portesubstrat réalisé en une matière conductrice, dans lequel est logé un élément chauffant électrique (non représenté). La référence numérique 713 désigne un substrat isolant tel qu'une plaque de verre, sur lequel un film doit être formé, qui est placé sur le porte-substrat 708. La référence numérique 700 désigne un générateur radiofré- quence variable comprenant un oscillateur radiofréquence et un amplificateur. Le générateur RF variable est connecté électriquement à l'électrode de grille 711. Le générateur RF variable est connecté électriquement, par l'inter- médiaire d'un circuit 714 d'adaptation d'impédance, au porte-substrat conducteur. Dans l'appareil ci-dessus, l'électro-aimant 709 sert à établir un champ magnétique dans l'espace de génération de plasma après qu'une décharge de micro-ondes a été établie pour produire un plasma lorsqu'il est utilisé, afin de maintenir la décharge de micro-ondes dans un état plus stable. L'unité de refroidissement 710 sert à empêcher une surchauffe de l'électro-aimant 709. En outre, dans l'appareil, il est possible d'introduire un gaz de matière brute formant un film par l'intermédiaire du conduit 705 d'alimentation en gaz dans l'espace de génération 'de plasma. En variante, il est possible d'introduire un gaz de matière brute de génération de plasma au moyen du conduit 705 d'alimentation en gaz dans l'espace de génération de plasma et d'introduire un gaz de matière brute de formation de film, au moyen du conduit 706 d'alimentation en gaz, dans l'espace de formation de film. La formation d'un film en utilisant l'appareil ci-dessus a lieu de la manière suivante, dans cet essai. On utilise en tant que substrat isolant 713 une plaque de verre de quartz. Premièrement, la plaque de verre de quartz a été placée sur le portesubstrat conducteur 708. L'élément chauffant électrique installé dans le porte- substrat a été mis en action pour chauffer la plaque de verre de quartz à 400 C et il a été maintenu à cette température. Simultanément, la chambre 701 de génération de plasma et la chambre 702 de formation de film ont été vidées d'air à un vide d'environ 133 x 10-7 Pa par la mise en action de la pompe à vide (non représentée). Puis du SiH4 gazeux a été introduit au moyen du conduit 705 d'alimentation en gaz dans l'espace de génération de plasma, à un débit d'écoulement de 4 cm3/minute, dans des conditions normales. La pression gazeuse dans l'espace de formation de film a été réglée à environ 400 x 10-5 Pa par réglage de la valve d'évacuation (non représentée). L'électro-aimant 709 a été actionné pour établir un champ magnétique dans l'espace de génération de plasma. Simul- tanément, la source d'énergie hyperfréquence a été mise en marche pour appliquer une puissance en hyperfréquence de 300 watts (2,45 GHz) dans l'espace de génération de plasma. Simultanément, le générateur RF 700 a été mis en marche - pour appliquer une tension ayant une haute fréquence prédéterminée entre l'électrode de grille 711 et le porte- substrat conducteur 708. De cette manière, on a provoqué une décharge hyperfréquence dans le SiH4 gazeux pour produire un plasma dans l'espace de génération de plasma et le plasma résultant a été ensuite introduit dans l'espace de formation de film pour provoquer la formation d'un film de silicium déposé sur la plaque de verre de quartz maintenue à 400 C. On a ainsi obtenu plusieurs échantillons de film de silicium déposé avec l'application d'une tension à haute fréquence, de O à 600 V, avec une fréquence de 13,56 MHz, 40 mHz et 100 MHz. Pour chacun des échantillons de film de silicium déposé ainsi obtenus, on a examiné la cristallinité par diffraction d'électrons à haute énergie réflective (RHEED). L'examen par RHEED a été effectué par l'utilisation d'un microscope à balayage électronique de type JEM-100 SX disponible dans le commerce (produit par JEOL Ltd.). Les résultats obtenus sont montrés de façon qualitative sur la figure 3(A). Comme illustré- sur la figure 3(A), la cristallinité de chaque échantillon de film de silicium déposé a été examinée sur la base de la configuration RHEED obtenue, que le film soit amorphe, polycristallin ou monocristallin, selon que le film fasse partie de l'une quelconque des configurations en halo, en anneau, en points et en raies. Ainsi, l'évaluation de chacun des films de silicium déposé résultants, sur la base de la configuration RHEED, a été effectuée avec 10 témoins classés, établis précédemment entre la configuration en halo et la confi- guration en raies. La marque "o" sur la figure 3(A) est associée à l'échantillon de film de silicium déposé préparé de manière précitée, utilisant une tension continue. D'après les résultats montrés sur la figure 3(A), il est apparu que le film devant être formé sur un substrat isolant par l'application d'une tension à haute fréquence au porte-substrat conducteur portant ledit substrat, durant sa formation par le procédé CVD par plasma hyperfréquence, a tendance à être cristallisé plus aisément que le film devant être formé par l'application d'une tension continue et que cette tendance devient notable dans le cas o une tension à haute fréquence est utilisée. Il est également apparu que, lorsqu'une tension à haute fréquence, de valeur excessivement élevée, est appliquée, la cristallinité d'un film de silicium déposé devant être formé a tendance à être réduite, et que la tension à haute fréquence devant être appliquée pour former un film de silicium déposé souhaitable ayant une bonne cristallinité sur un substrat isolant devrait être comprise dans la gamme de 100 à 500 V, en général. ESSAI 6 Dans cet essai, on a observé l'influence de la pression intérieure sur la cristallinité d'un film déposé devant être formé sur un substrat isolant placé sur le porte-substrat conducteur, par le procédé CVD par plasma hyperfréquence, en même temps qu'une tension à haute fréquence est appliquée audit porte-substrat conducteur. 26465$7 On a préparé plusieurs échantillons de films de silicium déposé en répétant les opérations de l'exemple 5, sauf que la tension à haute fréquence de 200 V, ayant une fréquence de 13,56 MHz, 40 MHz ou 100 MHz, a été utilisée et que l'on a fait varier la pression intérieure de la chambre de formation de film. Pour chacun des échantillons résultants de film de silicium déposé, on a examiné la cristallinité de la même manière que dans l'exemple 5. Les résultats obtenus sont montrés qualitative- ment sur la figure 3(B). Il apparaît, d'après ce qui est montré sur la figure 3(B), que le film devant être formé sur un substrat isolant, placé sur le porte-substrat conducteur, dans les conditions de 665 x 10-3 Pa ou moins pour la pression intérieure de la chambre de formation de film, par le procédé CVD par plasma hyperfréquence, en même temps qu'une tension à haute fréquence est appliquée au porte-substrat conducteur, a tendance à être aisément cristallisé et que cette tendance devient plus notable dans le cas o une tension ayant une fréquence accrue est utilisée. Dans cet essai, on n'a pas effectué de formation de film avec une pression intérieure de moins de 133.10-6 Pa, du fait qu'une décharge hyperfréquence est difficile à provoquer avec une telle pression intérieure, car la densité du gaz est excessivement faible. ESSAI 7 Dans cet essai, on a observé l'influence de la température du substrat sur la cristallinité d'un film déposé devant être formé sur un substrat isolant placé sur le porte-substrat conducteur, par le procédé CVD par plasma hyperfréquence, en même temps qu'une tension à haute fréquence est appliquée au porte-substrat conducteur. On a préparé plusieurs échantillons de film de silicium déposé en répétant les opérations de l'exemple 5, sauf qu'une tension à haute fréquence de 200 V, ayant une fréquence de 40 MHz, et une tension à haute fréquence de 300 V, ayant une fréquence de 40 MHz, ont été utilisées, et que l'on a fait varier la température du substrat dans la gamme de 100 à 600 C. On a examiné la cristallinité de chacun des échantillons de film de silicium déposé résultants, de la même manière que dans l'exemple 5. Les résultats obtenus sont montrés qualitativement sur la figure 3(C). En outre, on a examiné la dimension moyenne des grains contenus dans le film de chacun des échantillons de film de silicium déposé, obtenus par l'application d'une tension à haute fréquence de 300 V, ayant une fréquence de MHz, à une température de substrat dans la gamme de 200 à 600-C. Chaque échantillon de film déposé a été soumis à une diffraction de rayons X et la dimension moyenne des grains a été obtenue par l'équation de Sherrer. Les résultats obtenus sont montrés sur la figure 3(D). D'après les résultats montrés sur les figures 3(C) et 3(D), il est apparu que le film ainsi formé sur un substrat isolant, placé sur le portesubstrat conducteur, à une température de dépôt (température du substrat) dans la gamme de 200 à 400 C, par le procédé CVD par plasma hyperfréquence, en même temps qu'une tension à haute fréquence est appliquée, a tendance à être aisément cristallisé. Il est en outre apparu que ces films de silicium déposé sont satisfaisants en ce qui concerne la dimension moyenne des grains. On a effectué des études sur la base des constatations obtenues dans les essais précédents et elles ont abouti au fait suivant. Il est possible de former de façon stable et répétée un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité, même sur un isolant à une basse température de dépôt par le procédé CVD par plasma hyperfréquence, dans le cas o la décharge en hyperfréquence est provoquée dans un gaz de matière brute dans une chambre de génération de plasma, le plasma résultant étant ensuite introduit dans une chambre de formation de film contenant le substrat isolant placé sur un porte-substrat conducteur installé dans cette chambre, en même temps qu'une tension à haute fréquence, de 100 à 500 V, ayant une fréquence de 20 à 500 MHz, est appliquée entre la chambre de génération de plasma et le porte-substrat conducteur et que la pression intérieure de la chambre de formation de film est maintenue de façon à constituer un vide de l'ordre de 133 x 10-6 à 665 x 10-3 Pa, le substrat isolant étant maintenu à une température dans la gamme de 200 à 400 C. Dans ce cas, on obtient un profil d'énergie ionique souhaitable au voisinage de la surface du substrat isolant et des réactions chimiques souhaitables de formation de film y sont provoquées. Il se forme ainsi un film souhaitable de semiconducteur polycristallin de haute qualité sur un substrat isolant. Un autre fait mis en lumière par l'invention est que, lorsqu'un champ magnétique est établi dans la chambre de génération de plasma dans le cas ci-dessus, la décharge en hyperfréquence est mieux stabilisée et le film précité de semiconducteur polycristallin de haute qualité est formé de façon plus efficace sur un substrat isolant. La présente invention a été établie sur la base des constatations précédentes et elle fournit un procédé CVD par plasma hyperfréquence perfectionné pour former un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité sur un substrat isolant, à une basse température de dépôt. La base du procédé CVD par plasma hyperfré- quence selon l'invention consiste à utiliser un appareil CVD par plasma hyperfréquence comprenant une chambre de génération de plasma munie d'un moyen d'introduction de micro-ondes et une chambre de formation de film reliée à travers une électrode de grille à la chambre de génération de plasma, la chambre de formation de film contenant un substrat isolant placé sur un porte-substrat réalisé en une matière conductrice et installé dans cette chambre, la chambre de formation de film étant isolée électriquement de la chambre de génération de plasma, un plasma étant produit par mise en contact d'un gaz de matière brute de formation de film avec une énergie hyperfréquence appliquée par des moyens d'introduction de micro-ondes pour décomposer le gaz de matière brute de formation de film dans la chambre de génération de plasma, et le plasma étant introduit dans la chambre de formation de film en même temps qu'est appliquée une tension à haute fréquence, de 100 à 500 V, ayant une fréquence avantageusement comprise entre 20 et 500 MHz, ou plus avantageusement comprise entre 25 et 100 MHz, afin de former un film de semiconducteur polycristallin sur le substrat isolant maintenu à une température souhaitée. Dans le procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention, on souhaite que le substrat isolant soit agencé dans la direction perpendiculaire à la direction d'un champ électrique formé par l'application d'une tension à haute fréquence. Dans ce cas, on obtient l'effet le plus souhaitable en appliquant une tension à haute fréquence. En outre, dans le procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention, il est possible d'appli- quer un champ magnétique dans la chambre de génération de plasma à la suite de la production d'un plasma dans cette chambre. Dans ce cas, une décharge hyperfréquence provo- quant un plasma dans la chambre de génération de plasma est mieux stabilisée dans un état souhaitable et, en consé- quence, on forme plus efficacement sur le substrat isolant un film souhaitable de semiconducteur polycristallin de haute qualité. En ce qui concerne la pression intérieure de la chambre de formation de film lors de la formation du film de semiconducteur polycristallin par le procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention, il est souhaitable qu'elle soit avantageusement dans la plage de 133 x 10-4 à 665 x 10-3 Pa dans le cas o aucun champ magnétique n'est appliqué. Dans le cas o un champ magnétique est appliqué, il est souhaitable que la pression soit avantageusement dans la gamme de 133 x 10-o6 à 665 x 10-3 Pa. En ce qui concerne la température du substrat lors de la formation du film de semiconducteur polycristal- lin par le procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention, il est souhaitable qu'elle soit avantageuse- ment comprise entre 200 et 400 C, et plus avantageusement comprise entre 250 et 350 C. Conformément à l'invention, il est possible de former divers films de semiconducteur polycristallin sur un substrat peu coûteux, disponible dans le commerce, par exemple des films en verre sodocalcique, en résine synthétique, etc. On peut mentionner, pour de tels films de semiconducteur polycristallin, des films de semiconducteur polycristallin d'éléments du Groupe IV du Tableau Périodi- que (appelés ci-après "film de semiconducteur polycristal- lin du Groupe IV"), des films de semiconducteur polycris- tallin d'éléments des Groupes II et VI (appelés ci-après "film de semiconducteur polycristallin des Groupes II-VI") et des films de semiconducteur polycristallin d'éléments des Groupes III et V (appelés ci-après "film de semiconduc- teur polycristallin des Groupes III-V"). Des exemples spécifiques du film de semicon- ducteur du Groupe IV sont un film semiconducteur de Si polycristallin, un film semiconducteur de Ge polycristal- lin, un film semiconducteur de SiGe polycristallin, un film semiconducteur de SiC polycristallin, etc. Des exemples spécifiques d'un film de semicon- ducteur des Groupes II-VI sont un film semiconducteur de ZnO polycristallin, un film semiconducteur de ZnS polycris- tallin, un film semiconducteur de ZnSe polycristallin, un film semiconducteur de CdS polycristallin, un film semiconducteur de CdSe polycristallin, etc. Des exemples spécifiques du film de semicon- ducteur des Groupes III-V sont un film semiconducteur de AlAs polycristallin, un film semiconducteur de AlSb polycristallin, un film semiconducteur de GaN polycristal- lin, un film semiconducteur de GaP polycristallin, un film semiconducteur de GaSb polycristallin, un film semiconduc- teur de InP polycristallin, un film semiconducteur de InAs polycristallin, un film semiconducteur de InSb polycristal- lin, etc. En ce qui concerne le substrat isolant à utiliser pour former l'un quelconque de ces films de semiconducteur polycristallin dans la présente invention, on peut utiliser l'un quelconque des substrats non monocristallins connus. Des exemples de tels substrats comprennent du verre de quartz, du verre sodocalcique, du verre d'alumine, du verre au nitrure de bore, et des films de résine synthétique tels qu'un film de polyimide, un film de résine siliconée, etc. En ce qui concerne la matière brute de formation de film à utiliser pour former l'un quelconque des films précités de semiconducteur cristallin selon l'invention, on peut utiliser l'un quelconque des composés connus qui sont dans un état gazeux à la température et à la pression atmosphérique normales, ou qui peuvent être aisément gazéifiés. Dans le cas de l'utilisation d'un composé qui n'est pas dans un état gazeux à la température normale et à la pression atmosphérique, ce composé est soumis à un traitement thermique dans un four ou il est soumis à un bouillonnement pour générer un gaz de matière brute, le gaz étant ensuite introduit dans la chambre de génération de plasma ou dans la chambre de formation de film. Hormis le gas de matière brute de formation de film, il est possible d'utiliser un ou plusieurs gaz choisis dans le groupe constitué de H2, Ar, He, Ne, Kr, Xe, F2, C12, HF et HC1 pour stabiliser la décharge hyperfréquence ou pour favoriser une réaction chimique de formation de film. On peut utiliser en particulier, comme matière brute de formation de film pour la formation d'un film de semiconducteur polycristallin du Groupe IV, par exemple, des composés contenant du silicium tels que SiH4, Si2H6, SiF4, SiHF3, SiH2F2, SiH3F, Si2F6, SiCl4, SiH2Cl2, SiH3Cl, etc., des composés contenant du germanium tels que GeH4, GeF4, etc., et des composés contenant du carbone tels que CH4, C2H2, C2H4, C2H6, etc. On peut utiliser, comme matière brute contenant un élément du Groupe II pour la formation d'un film de semiconducteur polycristallin des Groupes II-VI, par exemple, des composés contenant du zinc, tels que Zn(CH3)2, Zn(C2H5) 2, etc., et des composés contenant du cadmium tels que Cd(CH3)2, Cd(C2H5) 2, etc. De la même manière, on peut utiliser, en tant que matière brute contenant un élément du Groupe VI pour la formation d'un film de semiconducteur polycristallin des Groupes II-VI, par exemple, des composés contenant du soufre tels que H2S, S(CH3)2, S(C2H5)2, S(CH3)(C2H5) , etc., et des composés contenant du sélénium tels que H2Se, Se(CH3)2, etc. On peut utiliser, comme matière brute contenant un élément du Groupe III pour la formation du film de semiconducteur polycristallin des Groupes III-V, par exemple, des composés contenant de l'aluminium tels que Al(CH3)3, Al(C2H5)3, Al(C4H9)3, etc., des composés contenant du gallium tels que Ga(CH3)3, Ga(C2H5)3, etc., et In(CH3) 3- Le procédé CVD par plasma hyperfréquence pour former le film de semiconducteur polycristallin précédent sur un substrat isolant conforme à l'invention peut être mis en oeuvre dans un appareil CVD par plasma hyperfré- quence approprié. On peut mentionner, en tant que tel appareil, les appareils à CVD par plasma hyperfréquence comprenant une chambre de formation de film ayant la constitution montrée sur la figure 4 et une chambre de génération de plasma ayant la constitution montrée sur l'une des figures 5(A) à 5(G). Des exemples spécifiques sont ceux montrés sur la figure 7, la figure 8(A) et la figure 8(B). - La figure 4 montre schématiquement une constitution de base représentative de la chambre de formation de film. En référence à la figure 4, la référence numérique 402 désigne un portesubstrat réalisé en une matière conductrice, qui est installé dans une chambre 404 de formation de film. La référence numérique 403 désigne un substrat isolant placé sur le porte-substrat conducteur. La référence numérique 408 désigne une chambre de génération de plasma reliée par l'intermédiaire d'un élément isolant à la chambre 404 de formation de film. La référence numérique 407 désigne une électrode de grille comprenant un élément en toile métallique conductrice, destiné à fermer apparem- ment la chambre 408 de génération de plasma. La référence numérique 400 désigne un générateur radiofréquence variable comprenant un oscillateur radiofréquence et un amplifica- teur. Le générateur RF variable 400 est connecté électri- quement à l'électrode de grille. Le générateur RF variable 400 est connecté électriquement par un circuit 401 d'adaptation d'impédance au porte-substrat conducteur 402. La référence numérique 409 désigne un conduit d'alimenta- tion en gaz partant d'un réservoir de gaz (non représenté). Les figures 5(A) & 5(G) sont des vues schémati- ques illustrant des exemples représentatifs de la constitu- tion de base de la chambre de génération de plasma. Sur les figures 5(A) à 5(G), la référence numérique 500 désigne une microonde. La référence numérique 501 désigne un guide d'ondes, la référence numérique 502 désigne une chambre de génération de plasma, la référence numérique 503 désigne une fenêtre d'introduc- tion de micro-ondes, la référence numérique 504 désigne un aimant, la référence numérique-505 désigne une électrode de grille (ou électrode de terre), la référence numérique 506 désigne une bobine de Lisitano, la référence numérique 507 désigne une antenne hélicoïdale, la référence numérique 508 désigne une antenne à tige coaxiale, la référence numérique 509 désigne une antenne à onde de fuite, la référence numérique 510 désigne un plongeur variable d'un résonateur à cavité, et la référence numérique 511 désigne un conduit d'alimentation en gaz. La constitution montrée sur la figure 5(A) est du type dans lequel une décharge dans un gaz de matière brute est provoquée par introduction directe d'une micro- onde, à travers la fenêtre 503 d'introduction de micro-onde réalisée en matière diélectrique, dans la chambre de génération de plasma ayant la structure d'un résonateur à cavité. La constitution montrée sur la figure 5(B) est celle d'un système à résonance cyclotronique d'électrons à décharge non polaire, dans lequel la chambre 502 de génération de plasma possède la structure d'un résonateur à cavité. La constitution montrée sur la figure 5(C) est du type dans lequel une décharge dans un gaz de matière brute est provoquée pendant que l'impédance est adaptée par variation de la longueur axiale du résonateur à cavité de la chambre 502 de génération de plasma au moyen du plongeur variable 510. La constitution illustrée sur la figure 5(D) est celle d'un système de génération de plasma à résonance cyclotronique d'électrons, utilisant la bobine 506 de Lisitano. La constitution illustrée sur la figure 5(E) est celle d'un système de génération de plasma à résonance cyclotronique d'électrons dans lequel des micro-ondes sont introduites par l'antenne hélicoïdale 507. La constitution illustrée sur la figure 5(F) est celle d'un système de génération de plasma par résonance cyclotronique d'électrons dans lequel des micro- ondes sont introduites par l'antenne 508 à tige coaxiale. La constitution illustrée sur la figure 5(G) est du type dans lequel une décharge dans un gaz de matière brute est provoquée par l'introduction de micro-ondes au moyen de l'antenne 509 à onde de fuite. Dans chacun des cas ci-dessus, la constitution principale de la chambre 502 de génération de plasma comprend un moyen d'introduction de microondes et un moyen d'alimentation en gaz de matière brute. Les constitu- tions précédentes pour la chambre 502 de génération de plasma peuvent être classées en deux types en ce qui concerne le système de génération de plasma: l'un est du type à décharge non polaire et l'autre est du type & antenne. Dans chacun des cas des figures 5(A) à 5(C), un plasma est généré au moyen d'une décharge non polaire et l'avantage est que le plasma ainsi produit n'est pas contaminé par des matières étrangères. De ce fait, ces constitutions conviennent au cas de la décomposition d'une grande quantité de gaz de matière brute par l'application d'une énergie hyperfréquence importante pour produire une grande quantité de plasma. En ce qui concerne les autres cas des figures 5(D) à 5(G), ils ne conviennent pas à l'application d'une énergie hyperfréquence importante, mais chacun d'eux a pour avantage de provoquer de façon stable une décharge. Pour provoquer de façon plus stable une décharge de micro-ondes dans un gaz de matière brute et pour produire plus efficacement un plasma à une densité élevée, il est possible de réaliser la génération de plasma en appliquant un champ magnétique dans la chambre de génération de plasma de la manière représentée, par exemple, sur les figures 5(B), 5(D), 5(E) ou 5(F). Dans le cas de l'application d'un champ magnétique dans la chambre de génération de plasma, l'intensité du champ magnétique à appliquer est avantageusement comprise entre 2 et 20.10-2 T, et plus avantageusement entre 6 et 1.10-2 T. Dans ce cas, il est souhaitable d'établir une zone d'intensité de champ magnétique capable de provoquer une résonance cyclotronique d'électrons dans la chambre de génération de plasma afin d'utiliser efficacement l'énergie hyperfréquence. La chambre de génération de plasma peut être formée de l'une quelconque des constitutions ci-dessus suivant le cas. L'appareil montré sur la figure 7 est un appareil CVD par plasma hyperfréquence représentatif, convenant à la mise en pratique du procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention, ayant la constitution de la figure 4 en ce qui concerne la chambre de formation de film et la constitution de la figure 5(B) en ce qui concerne la chambre de génération de plasma. L'appareil montré sur la figure 8(A) est un autre appareil CVD par plasma hyperfréquence représentatif, convenant à la mise en pratique du procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention, ayant la constitution de la figure 4 en ce qui concerne la chambre de formation de film et la constitution de la figure 5(C) en ce qui concerne la chambre de génération de plasma. L'appareil montré sur la figure 8(B) est un autre appareil CVD par plasma hyperfréquence représentatif, convenant à la mise en pratique du procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention, qui est une modification partielle de l'appareil montré sur la figure 8(A) et qui possède la même constitution que celui-ci, sauf que le porte-substrat conducteur est disposé parallèlement à la direction du courant de plasma dans la chambre de formation de film. On ne décrira pas l'appareil CVD par plama hyperfréquence montré sur la figure 7, car il a été utilisé dans chacun des essais 5 à 7 précédents et sa description détaillée a été donnée dans l'Essai 5 précédent. Par conséquent, on ne décrira que les appareils CVD par plasma hyperfréquence représentés sur les figures 8(A) et 8(B). Chacun des appareils CVD par plasma hyperfré- quence représentés sur les figures 8(A) et 8(B) comprend une chambre A de génération de plasma ayant la structure d'un résonateur à cavité et une chambre B de formation de film reliée par l'intermédiaire d'un élément isolant 806 à la chambre A de génération de plasma. Par conséquent, la chambre B de formation de film est isolée électriquement de la chambre A de généra- tion de plasma par l'élément isolant 806. La référence numérique 802 désigne un porte-substrat réalisé en une matière conductrice dans laquelle un élément chauffant électrique (non représenté), destiné à chauffer un substrat isolant 803 placé sur la surface du porte-substrat, est disposé. La chambre B de formation de film est munie d'un conduit d'évacuation raccordé par une valve d'évacua- tion (non représentée) à une pompe à vide (non représen- tée). La chambre B de formation de film est munie d'un conduit d'alimentation en gaz partant d'un réservoir de gaz dans lequel est contenu un gaz de matière brute. La référence numérique 800 désigne un générateur radiofré- quence variable comprenant un oscillateur radiofréquence et un amplificateur. Le générateur RF 800 est connecté électriquement par un circuit 801 d'adaptation d'impédance au porte-substrat conducteur 802. Le générateur RF 800 est connecté électriquement aussi à une électrode degrille (ou électrode de terre) 807 comprenant un élément en toile métallique qui est placé à la partie extrême de la chambre A de génération de plasma. La référence numérique 811 désigne une cloche à vide réalisée en quartz, qui est prévue pour former un espace 808 de génération de plasma avec l'électrode de grille 807. La référence numérique 813 désigne un conduit d'alimentation en gaz destiné à l'introduction d'un gaz de matière brute dans l'espace 808 de génération de plasma. La chambre de génération de plasma est munie d'un guide d'ondes 810 partant d'une source d'énergie hyperfréquence (non représentée), qui sert à introduire une micro-onde 809 dans la chambre A de génération de plasma. La référence numérique 812 désigne un plongeur variable permettant de modifier la longueur axiale du résonateur à cavité. Dans la structure du résonateur à cavité de la chambre A de génération de plasma, une micro- onde est introduite au moyen du guide d'ondes 810 et à travers la cloche à vide 811 dans l'espace 808 de généra- tion de plasma, en même temps que la longueur du résonateur à cavité est réglée au moyen du plongeur 812 et la micro- onde est mise en contact avec le gaz de matière brute introduit dans cet espace pour produire un plasma qui est ensuite introduit dans la chambre de formation de film à travers l'électrode de grille 807, dans un état indiqué par la référence numérique 805, en même temps qu'une tension à haute fréquence est appliquée par le générateur RF, provoquant ainsi la formation d'un film de semiconducteur polycristallin sur le substrat isolant 803 maintenu à une température souhaitée. Dans le cas de la mise en pratique du procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention à l'aide de l'un des appareils CVD par plasma hyperfréquence précé- dents, lorsque l'on utilise un gaz de matière brute de formation de film qui n'est pas aisément décomposé, il est souhaitable d'introduire directement ce gaz dans la chambre de génération de plasma. En variante, il est possible d'introduire un gaz de matière brute de génération de plasma dans la chambre de génération de plasma et d'intro- duire un gaz de matière brute de formation de film dans la chambre de formation de film. Ces deux procédés peuvent être utilisés sélectivement suivant le type de gaz de matière brute de formation de film utilisé ou suivant d'autres conditions. Le second procédé est particulièrement efficace dans le cas de l'utilisation-d'un gaz de matière brute de formation de film pouvant être aisément décomposé par la chaleur. Dans la présente invention, il est possible d'appliquer de l'énergie thermique ou de l'énergie lumineuse à la surface du substrat isolant pour favoriser davantage les réactions chimiques de formation de film durant la formation d'un film. On décrira plus particulièrement, en référence à des exemples, indiqués à titre non limitatif, des formes avantageuses de réalisation de l'invention. EXEMPLE 1 On a formé sur un substrat isolant un film de semiconducteur en silicium polycristallin en utilisant l'appareil CVD par plasma hyperfréquence r -. tré sur la figure 7, de la même manière que dans l'Essai. On a utilisé, pour le substrat isolant, une plaque de verre Corning N 7059 (produit par la firme Corning Glass Works). La plaque de verre a été placée sur la surface du porte-substrat conducteur 708 et elle a été chauffée à 300 C et maintenue à cette température. La chambre 701 de génération de plasma et la chambre 702 de formation de film ont été vidées d'air jusqu'à un vide d'environ 266.10-7 Pa par la mise en action de la pompe à vide (non représentée). Du H2 gazeux et du SiH4 gazeux ont été introduits par le conduit 705 d'alimentation en -gaz dans la chambre 701 de génération de plasma à des débits d'écoulement respectifs de 50 cm3/minute et 5 cm3/minute, dans des conditions normales. La pression intérieure de la chambre 702 de formation de film a été réglée et maintenue à un vide d'environ 266 x 10- 5 Pa. Puis on a excité l'électro-aimant 709 afin d'appliquer un champ magnétique de 875.10-4 T et, dans le même temps, la source d'énergie hyperfréquence a été mise en marche pour appliquer une puissance d'hyperfré- quence de 300 watts à travers la fenêtre 703 d'introduction de micro-ondes dans la chambre 701 de génération de plasma. Simultanément, le générateur RF 700 a été mis en marche pour appliquer une tension à haute fréquence de 300 V, ayant une fréquence de 100 MHz, au porte-substrat conduc- teur 708 par l'intermédiaire du circuit 714 d'adaptation d'impédance. On a ainsi procédé à la formation d'un film. On a obtenu, comme résultat, un film de silicium polycris- tallin de 2,5 Nm d'épaisseur, formé sur la plaque de verre à une vitesse de dépôt de 0,15 nm/s. La cristallinité du film résultant a été examinée par la méthode RHEED. De plus, une électrode a été disposée sur la surface du film résultant par évaporation sous vide, et son effet Hall a été examiné par la méthode Van der Pauw. Le film présentait une configuration en points, en diffraction RHEED, indiquant une meilleure cristallinité, et présentait une mobilité Hall de 64 cm2/V.s à l'examen de l'effet Hall. * 47 - I1 est donc apparu que le film résultant était un film de semiconducteur en silicium polycristallin de haute qualité. Exemple comparatif 1 On a répété les opérations précédentes de formation de film en utilisant l'appareil montré sur la figure 6 dans lequel du H2 gazeux et du SiH4 gazeux ont été utilisés à des débits respectifs d'écoulement de 50 cm3/min et 5 cm3/min, dans des conditions normales, et une tension continue de -400 V a été appliquée pour former ainsi un film déposé de 1,8 gm d'épaisseur sur une plaque de verre Corning N 7059, à une vitesse de dépôt de 1,3 nm/s. On a examiné le film résultant de la même manière que dans l'exemple 1. Il présentait, en tant que résultat obtenu par la méthode de diffraction RHEED,. une configuration en anneau indiquant une infériorité en ce qui concerne la cristallinité, et il présentait aussi une mobilité Hall de 4 cm2/V.s. Il est apparu que le film résultant était un film de silicium polycristallin inacceptable en pratique. EXEMPLE 2 On a répété les opérations de l'Exemple 1, sauf que l'on a porté à 266 x 10-3 Pa la pression intérieure de la chambre de formation de film, afin de former un film de silicium polycristallin de 2,5 gm d'épaisseur sur une plaque de verre Corning N 7059, à une vitesse de dépôt de 1,7 nm/s. On a examiné le film résultant de la même manière que dans l'Exemple 1. Le résultat obtenu par la méthode de diffraction RHEED était une configuration en points indiquant une meilleure cristallinité et le film présentait une mobilité Hall de 56 cm2/V.s. Il est apparu que le film résultant était un film de semiconducteur en. silicium polycristallin de haute qualité. EXEMPLE 3 On a répété les opérations de l'Exemple 1, sauf que l'électro-aimant n'a pas été utilisé, afin de former un film de silicium polycristallin de 2,5 gm sur une plaque de verre Corning N 7059, à une vitesse de dépôt de 1,1 nm/s. On a examiné le film résultant de la même manière que dans l'Exemple 1. Le résultat obtenu avec la méthode de diffraction RHEED a été une configuration en points présentant une supériorité en ce qui concerne la cristallinité et a donné une mobilité Hall de 43 cm2/V.s. Il est apparu que le film résultant était un film de semiconducteur en silicium polycristallin de haute qualité. Exemple comparatif 2 On a répété les opérations de l'Exemple 1, sauf que l'on a fait passer à une valeur de 400 V, avec une fréquence de 13,56 MHz, la tension à haute fréquence devant être appliquée, afin de former un film déposé de 1,6 pm d'épaisseur sur une plaque de verre Corning N 7059, à une vitesse de dépôt de 1,1 nm/s. On a examiné le film résultant de la même manière que dans l'exemple 1. La méthode de diffraction RHEED a donné comme résultat une configuration en anneau indiquant une infériorité en ce qui concerne la cristal- linité et a donné une mobilité Hall de 1 cm2/V.s. Il est apparu que le film résultant était un film de silicium polycristallin inacceptable en pratique. EXEMPLE 4 On a formé un film de semiconducteur polycris- tallin sur un substrat isoiant en utilisant l'appareil CVD par plasma hyperfréquence montré sur la figure 8(A). On a utilisé comme substrat isolant une plaque de verre Corning N 7059. La plaque de verre a été placée sur la surface du porte-substrat conducteur 802 et elle a été chauffée et maintenue à 300 C. La chambre 804 de formation de film a été vidée d'air à un vide d'environ 133.10-6 Pa par la mise en action de la pompe à vide (non représentée). Du H2 gazeux et du Ar gazeux ont été introduits au moyen du conduit 813 d'alimentation en gaz dans l'espace 808 de génération de plasma à des débits d'écoulement respectifs de 10 cm3/min et 5 cm3/min, dans les conditions normales. Simultanément, du SiH4 gazeux a été introduit au moyen du conduit 814 d'alimentation en gaz dans la chambre 804 de formation de film à un débit d'écoulement de 10 cm3/min dans les conditions normales. La pression intérieure a été réglée à un vide d'environ 0,665 Pa par réglage de la valve d'évacuation (non représentée). Puis la source d'énergie hyperfréquence (non représentée) a été mise en marche pour appliquer une puissance hyperfréquence de 300 watts au moyen du guide d'ondes 810 et de la cloche à vide 811 dans l'espace 808 de génération de plasma. Simultanément, le générateur RF 800 a été mis en marche pour appliquer une tension à haute fréquence de 100 V, ayant une fréquence de MHz, au porte-substrat conducteur 802. On a ainsi formé un film de silicium polycristallin de 1,5 Mm d'épaisseur sur la plaque de verre, à une vitesse de dépôt de 1,7 nm/s. On a examiné le film résultant de la même manière que dans l'exemple 1. Le résultat, obtenu par la méthode de diffraction RHEED, a montré une configuration en points indiquant une supériorité en ce qui concerne la cristallinité et a donné une mobilité Hall de 20 cm2/V.s. Il est apparu que le film résultant était un film de semiconducteur en silicium polycristallin de haute qualité. Exemple comparatif 3 On a répété les opérations de l'Exemple 4, sauf que le générateur RF a été arrêté et que, par conséquent, aucune tension à haute fréquence n'a été appliquée au porte-substrat conducteur 802, afin que soit formé un film déposé sur une plaque de verre Corning N 7059. On a examiné le film résultant de la même manière que dans l'Exemple 1. Le résultat obtenu par diffraction RHEED a présenté une configuration en halo indiquant une absence de cristallinité (caractère amorphe) et a donné une mobilité Hall de 0,7 cm2/V.s. Il est apparu que le film résultant était un film de silicium amorphe dont les caractéristiques en tant que semiconducteur sont inférieures. EXEMPLE 5 On a formé un film de semiconducteur en ZnSe polycristallin sur un substrat isolant en utilisant l'appareil CVD par plasma hyperfréquence montré sur la figure 7. On a utilisé, comme substrat isolant, une plaque de verre Corning N 7059. Cette plaque de verre a été placée sur la surface du porte-substrat conducteur 708 et elle a été chauffée et maintenue à 350 C. La chambre 701 de génération de plasma et la chambre 702 de formation de film ont été vidées d'air à un vide d'environ 1067.10-7 Pa par la mise en action de la pompe à vide (non représentée). Du H2 gazeux et du Se(CH3)2 gazeux ont été introduits au moyen du conduit 705 d'alimen- tation en gaz dans la chambre 701 de génération de plasma aux débits d'écoulement respectifs de 8 cm3/min et 3 cm3/min dans les conditions normales. Simultanément, du Zn(CH3)2 gazeux a été introduit au moyen du conduit 706 d'alimentation en gaz dans la chambre 702 de formation de film à un débit d'écoulement de 1 cm3/min dans les conditions normales. La pression intérieure de la chambre 702 de formation de film a été réglée à un vide d'environ 266.10-3 Pa par réglage de la valve d'évacuation (non représentée). Puis l'électro-aimant a été mis en marche pour appliquer un champ magnétique de 0,1 T dans la chambre 701 de génération de plasma et, simultanément, la source d'énergie hyperfréquence a été mise en marche pour appliquer une puissance hyperfréquence de 200 watts à travers la fenêtre 703 d'introduction de micro-ondes dans la chambre 701 de génération de plasma. Simultanément, le générateur RF a été mis en marche pour appliquer une tension à haute fréquence de 200 V, ayant une fréquence de 50 MHz, au moyen du circuit 714 d'adaptation d'impédance au porte-substrat conducteur 708. On a ainsi procédé à la formation d'un film pour obtenir un film de ZnSe polycris- tallin de 2,6 Am d'épaisseur sur la plaque de verre. On a examiné le film résultant de la même manière que dans l'Exemple 1. Le résultat, obtenu par la méthode de diffrac- tion RHEED, a présenté une configuration en points indiquant une supériorité en ce qui concerne la cristal- linité, et a donné une mobilité Hall de 45 cm2/V.s. Il est apparu que le film résultant était un film de semiconducteur en ZnSe polycristallin de haute qualité. EXEMPLE 6 On a préparé un transistor TFT ayant la constitution montrée sur la figure 9, qui comporte une couche semiconductrice formée par le procédé CVD par plasma hyperfréquence selon l'invention. Sur la figure 9, la référence numérique 900 désigne un substrat isolant transparent, la référence numérique 901 désigne une couche de semiconducteur polycristallin, la référence numérique 902 désigne une couche dopée avec une impureté (couche dopée), la référence numérique 903 désigne une électrode de source, la référence numérique 904 désigne une électrode de drain, la référence numérique 905 désigne un film isolant de grille et la référence numérique 906 désigne une électrode de grille. Le transistor TFT précédent a été préparé de la manière suivante. A savoir, on a d'abord formé un film de semiconducteur en silicium polycristallin de 30 nm d'épaisseur devant constituer la couche 901 de semiconduc- teur polycristallin sur une plaque de verre Corning N 7059 utilisée en tant que substrat isolant transparent 900, en répétant les opérations précédentes de formation de film de l'exemple 1. Sur la couche semiconductrice 901 ainsi formée, on a formé un film dopé de type n+ en tant que couche dopée 902 en répétant les opérations précédentes de formation de film de l'exemple 1, dans lesquelles du PH3 gazeux a été introduit de façon additionnelle dans la chambre 702 de formation de film. Sur la couche dopée 902, on a formé un film d'aluminium de 100 nm d'épaisseur par le procédé classique d'évaporation par faisceau d'électrons. Le film dopé et le film d'Al ont été soumis à une opération de formation de dessins par photolithographie. On a ainsi formé l'électrode de source 903 et l'électrode de drain 904. Puis un film de nitrure de silicium de 250 nm d'épaisseur, constituant le'film 905 d'isolation de grille, a été formé par le procédé CVD par plasma classique dans lequel du SiH4 gazeux et du NH3 gazeux ont été utilisés. Sur le film d'isolation de grille ainsi formé, on a réalisé un film d'Al de 500 nm d'épaisseur par le procédé classique d'évaporation par faisceau d'électrons. Le film d'Al a été soumis à un façonnage de dessins par photolithographie pour former l'électrode de grille 906. On a ainsi obtenu un TFT en silicium polycristallin. Le transistor TFT résultant a été évalué par le procédé classique. Le résultat a montré un rapport des courants état conducteur/état bloqué de 8 x 105 et une mobilité de porteurs de 52 cm2/V.s. Il est donc apparu que ce transistor TFT était excellent en ce qui concerne les caractéristiques d'un tel transistor et qu'il pouvait être utilisé de façon souhaita- ble en pratique. EXEMPLE 7 On a répété les opérations de l'Exemple 6, sauf que la plaque de verre Corning NI 7059 a été remplacée par un verre sodocalcique pour que l'on obtienne un TFT en silicium polycristallin. Le résultat d'une évaluation de ce transistor TFT a montré un rapport des courants état conducteur/état bloqué de 4 x 105 et une mobilité de porteur de 31 cm2/V.s. Il est donc apparu que ce transistor TFT était excellent en ce qui concerne les caractéristiques d'un tel transistor et qu'il pouvait être utilisé de façon souhai- table en pratique. TABLEAU 1 Gaz utilisé et.Stabilité Puissance Piuissance hyperfré- Acuité:.du pro- Fréquence son débit d'é- de h rfé quence minimale deman- fil d'énergie Evaluation f 9eee mniaedmnonegÀ totale ^ À!coulement (crn- décharge dne ' f ée pour maintenir la ionique totale _ _it__s,n____..,.. l'.nve.rse _ __hr_ -.,........ H2 cm:3o o o x x H23r O O O X X ca3/min 13?,MUl[zH2/Ar 0. X X 4/1' cm3/min,,,, H2/Ar O O O x x 2,.5/2,5 ca3/min.............. H2 O O 0 O cm3/min ,t111H:/A' O O O A A. 4/1' cm3/nir.... , /.. ' 2,5/2',5 cman3/min I4. O.0 O O O cm3/min 26,Bll.lzt!J/*' 0 0 0 4/1' cm3/minO 11PA.. Or0... 0 I{: 0 ' 'O0OO cm3/min 4/1 cmS/min . . ..... I Ha/'.OO O O O N _ Z,_5/2,5 x l 3/lin-.n.b n,. ,__ _ _ __puatps__ _ _ _r Note: iOl excellent O: bon A| acoep'a])le X: nonr acoepable - pe pouvait pas être'mnsuré un T A B L E A U 1 (suite) = az utlztse'et: rquen utI dle et tabilité Puissance Puissae'hverfré- Acuité du pro- |Fréqu en tli d'u-de. Ihyperf qence mihimale deman fil-d'.énergie toEvaluatioe t]mr (nondi-) k]acharge.uence çIe pour maintenir la ionue ___ticks i_ _inversedch.arqe on_____,_=__ - H -|-i -- q 0 0 O 0. 0 0 cm3/min _ _ OO)mllz H1/; O O 0 O O À4/l an-Y n... H./Ar O 0 0 0 O O 2,5/2,35 cmÀ in., , , ,_. ....... ,, NanH/ A O O O A o 0 Cn H..A.... 2OUMI11z H2/Aî O O O O O 4/1 an /min Ln 2,5/2,5 cm/min H2 A O A O A 500o1IIz 11/A, A O O O A 4/1 an3/ni. ___.. 112ii/Ar A A O o A 2,5/2,5cm3AMn _ _ _ _ _,.. À,__ _,,, Hw X O X _x x x x :/,in 1, OGIIzH/A,. X O A x 4/1 aTmil. H2/Ar X O X Note: _:O2,5/2,5 _ ___ _ _n.aceal.ct a.r su Noto: 0: excellent O: 0 A: accaptablo X: rm acceptablc -. repovait pas être mesuré Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour former un film de semiconduc- teur polycristallin sur un substrat isolant (713), carac- térisé en ce qu'il consiste à utiliser un appareil CVD par plasma hyperfréquence comprenant une chambre (701) de génération de plasma pourvue d'un moyen (703) d'introduc- tion de micro-ondes, et une chambre (702) de formation de film reliée par une électrode de grille (711) à la chambre de génération de plasma, la chambre de formation de film contenant ledit substrat isolant placé sur un porte- substrat (708) réalisé en matière conductrice et installé dans cette chambre, le procédé consistant en outre à produire un plasma (707) par mise en contact d'un gaz de matière brute de formation de film avec une énergie hyperfréquence appliquée à l'aide dudit moyen d'introduc- tion de micro-ondes dans la chambre de génération de plasma et à introduire le plasma dans la chambre de formation de- film en même temps qu'une tension à haute fréquence, ayant une fréquence comprise entre 20 et 500 MHz, est appliquée entre l'électrode de grille et le porte-substrat pour provoquer ainsi la formation d'un film de semiconducteur polycristallin sur le substrat isolant maintenu à une température souhaitée. 2. Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la tension à haute fréquence est de 100 à 500 V. 3. Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la pression intérieure de la chambre de formation de film est maintenue à un vide compris entre 133 x 10-4 et 665 x 10-3 Pa. 4. Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce que le substrat isolant est maintenu à une température comprise entre 200 et 400 C. 5. Procédé pour former un film de semiconduc- teur polycristallin sur un substrat isolant (713), caractérisé en ce qu'il consiste à utiliser un appareil CVD par plasma hyperfréquence comprenant une chambre (701) de génération de plasma munie d'un moyen (703) d'introduction de micro-ondes et d'un moyen (709). d'établissement d'un champ magnétique, et une chambre (702) de formation de film reliée par une électrode de grille (711) à la chambre de génération de plasma, la chambre de formation de film contenant le substrat isolant placé sur un porte-substrat (708) réalisé en une matière conductrice et installé dans cette chambre, le procédé consistant en outre à produire un plasma (707) par mise en contact d'un gaz de matière brute de formation de film avec une énergie hyperfréquence appliquée à l'aide dudit moyen d'introduction de micro- ondes dans la chambre de génération de plasma, en même temps qu'un champ magnétique est établi dans la chambre de génération de plasma par ledit moyen d'établissement d'un champ magnétique, et à introduire le plasma dans la chambre de formation de film en même temps qu'une tension à haute fréquence, ayant une fréquence comprise entre 20 et 500 MHz, est appliquée entre l'électrode de grille et le porte- substrat, pour provoquer ainsi la formation d'un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité sur le substrat isolant maintenu à une température souhaitée. 6. Procédé selon la revendication 5, carac- térisé en ce que la tension à haute fréquence est de 100 à 500 V. 7. Procédé selon la revendication 5, carac- térisé en ce que la pression intérieure de la chambre de formation de film est maintenue à un vide compris entre 133 x 10-6 et 665 x 10-3 Pa. 8. Procédé selon la revendication 5, carac- térisé en ce que le substrat isolant est maintenu à une température comprise entre 200 et 400 C.