FR 2643509 A1 19900824 FR 9002126 A 19900221 L'invention concerne un dispositif semi- conducteur, et un dispositif à semi-conducteurs l'utilisant et ayant une fonction de conversion photo-électrique, et elle a trait plus particulièrement à un dispositif à semi- conducteurs dans lequel plusieurs moyens de commutation, destinés à transférer des signaux à la suite d'une commutation, et plusieurs câblages matriciels connectés, respectivement, aux moyens de commutation, sont formes sur un substrat unique. Il convient de noter que le dispositif à semi-conducteurs ayant la fonction de conversion photo- électrique selon l'invention est convenablement utilisé dans un appareil de lecture d'images servant de section d'entrée dans, par exemple, un système de télécopie, un lecteur d'images, une image de copie numérique, un tableau électronique et analogue. Au cours des dernières années, pour réaliser un appareil de lecture d'images compact et à haute perfor- mance, tel qu'un système de télécopie, un lecteur d'images ou analogue, on a mis au point un capteur allongé de ligne ayant un système optique à grossissement égal, en tant qu'appareil de conversion photo-électrique. Classiquement, dans un capteur en ligne de ce type, plusieurs éléments de conversion photo-électrique sont alignés en un réseau ou une rangée, et des circuits intégrés de traitement de signaux, comprenant des éléments de commutation, sont connectés aux éléments de conversion photo-électrique. Cependant, 1728 éléments de conversion photo-électrique sont nécessaires pour un format A4 afin de satisfaire aux normes de télécopie G3 et, par conséquent, il faut également un grand nombre de circuits intégrés de traite- ment de signaux. C'est la raison pour laquelle le nombre d'étapes de montage est également accru, ce qui a pour résultat un coût de fabrication élevé et une mauvaise fiabilité. Par conséquent, on adopte des câblages matri- ciels pour diminuer le nombre de circuits intégrés de traitement de signaux et pour diminuer le nombre d'étapes de montage. La figure 1 des dessins annexés et décrits ci- après est une vue schématique permettant d'expliquer la structure d'un appareil de conversion photo-électrique possédant une structure de câblage matriciel. L'appareil de conversion photo-électrique de la figure 1 comprend une unité 101 d'éléments de conversion photo-électrique, une unité 102 d'analyse, une unité 103 de traitement de signaux et une unité 104 de câblage matri- ciel. La figure 2A est une vue en plan d'une unité de câblage matriciel classique, et les figures 2B et 2C sont des vues en coupe suivant, respectivement, les lignes A-A' et B-B' de la figure 2A. L'unité de câblage matriciel montrée sur les figures 2B et 2C comprend un substrat 201, des électrodes individuelles 202 à 205, une couche isolante 206, des lignes communes 207 à 209 et un trou 210 de traversée destiné à connecter électriquement chaque électrode individuelle à la ligne commune. De cette manière, dans l'appareil de conversion photo-électrique possédant une structure de câblage à matrice m x n, le nombre de circuits de traitement de signaux dans l'unité 103 de traitement de signaux peut être abaissé de façon à être égal au nombre (n) de lignes de sortie de la matrice. L'unité de traitement de signaux peut donc être réalisée sous une forme compacte et le coût de l'appareil de conversion photo- électrique peut être abaissé. Par contre, dans un appareil de conversion photo-électrique utilisant un semi-conducteur à film mince, des éléments de conversion photo-électrique et des transistors à film mince (désignés ci-après par l'abrévia- tion TFT) servant de circuits de transfert sont formés sur un substrat unique en un seul processus pour réaliser un appareil compact et peu coûteux de conversion photo- électrique. Pour réaliser un appareil encore plus compact et moins coûteux, un appareil de conversion photo- électrique du type dit sans lentille, dans lequel un capteur détecte directement la lumière réfléchie par un original à travers un élément transparent d'espacement, tel que du verre, sans utiliser de réseau de lentille à fibre de grossissement égal, est également proposé. Cependant, un appareil classique de conversion photo-électrique comportant une structure de câblage matriciel décrite ci-dessus impose de résoudre les problèmes techniques suivants. Etant donné qu'un très faible signal de sortie est lu au moyen de câblages matriciels sur chaque élément de conversion photo-électrique, une diaphonie apparaît entre les signaux de sortie à moins d'abaisser suffisamment une capacité parasite formée aux intersections entre des électrodes individuelles de sortie et des lignes communes dans la matrice. Cet inconvénient impose des limitations strictes quant au choix d'une matière d'une couche intermédiaire isolante, et quant aux dimensions nominales de la structure du câblage matriciel. Etant donné que les lignes communes de la matrice sont formées de façon à s'étendre le long d'une direction d'extension de l'appareil, un capteur de ligne, ayant une largeur correspondant, par exemple, & un format A4, présente une longueur de 210 mm. Pour cette raison, une diaphonie apparaît aussi entre les signaux de sortie à moins que l'on diminue aussi suffisamment la capacité entre les lignes communes. Si l'on doit s'opposer de façon simple à cet inconvénient, l'unité de câblage matriciel prend des dimensions exagérément importantes. En outre, le pas entre deux électrodes individuelles adjacentes de sortie des éléments de conversion photo-électrique descend, par exemple, jusqu'à gm dans un appareil de conversion photo-électrique ayant une résolution de 8 lignes/mm. C'est la raison pour laquelle une diaphonie apparaît aussi entre des signaux de sortie à moins que la capacité entre lignes entre les électrodes individuelles soit également suffisamment abaissée. Pour réaliser un appareil de conversion photo- électrique qui puisse éliminer les inconvénients ci-dessus, qui ne présente pas de diaphonie entre les signaux de sortie et qui comprenne une structure compacte de câblage matriciel, il est proposé un appareil de conversion photo- électrique tel que représenté sur la figure 3. Cet appareil- est décrit, par exemple, dans la demande de brevet japonais N 62-87864, dans le brevet européen N 0256850 et analogue. La figure 3 est une vue en coupe montrant une partie d'un appareil de conversion photo-électrique comportant une unité de câblage matriciel conformément à la proposition mentionnée ci-dessus. Dans ce cas, des éléments de conversion photo- électrique, des transistors TFT et des câblages matriciels sont formés sur un substrat unique, au cours du même processus, en utilisant un semi-conducteur à film mince. La structure montrée sur la figure 3 comprend une unité 1 d'élément de conversion photo-électrique, une unité 2 de condensateur d'accumulation, une unité 3 à transistors TFT, une partie 4 comportant une fenêtre d'éclairage (non représentée), une unité 5- de câblage matriciel, un élément d'espacement transparent 6, un original 7 et un substrat 8. L'unité 1 d'élément de conversion photo-électrique, l'unité 2 de condensateur d'accumulation, l'unité 3 à transistor TFT et l'unité 5 de câblage matriciel désignent des régions qui sont, respec- tivement, occupées par un élément de conversion photo- électrique, un condensateur d'accumulation, un transistor TFT et un câblage matriciel formés sur le substrat. La lumière incidente indiquée par une flèche 9 se propage à travers la fenêtre d'éclairage (non représentée) et atteint l'unité 1 à élément de conversion photoélectrique, en tant que lumière réfléchie 10. L'information lumineuse arrivant sur l'unité 1 à élément de conversion photo-électrique est convertie en un courant photo-électrique et celui-ci est accumulé dans l'unité 2 à condensateur d'accumulation, sous forme de charges. Au bout d'une période-de temps prédéterminée, les charges accumulées dans l'unité 2 à condensateur d'accu- mulation sont transférées par l'unité 3 à transistor TFT vers l'unité 5 de câblage matriciel. Sur le substrat 8, une première couche conductrice 12 d'Al, de Cr ou analogue, une première couche isolante 13 de SiN, SiO2 ou analogue, une couche 14 d'un hydrure de silicium amorphe (désigné ci-après par l'abré- viation a-Si:H), une couche 15 de dopage en a-Si:H de type n+, une seconde couche conductrice 16 de A1, Cr ou analogue, une seconde couche isolante 17 formée d'un film de polyimide ou d'un film de SiN ou SiO2, et une troisième couche conductrice 18 d'Al, de Cr ou analogue, sont formées les unes à la suite des autres. L'unité 5 de câblage matriciel comprend des câblages de signaux individuels 19 et des câblages de signaux communs 18. Une couche conductrice 20, pouvant conserver un potentiel constant, est formée à chaque intersection entre les câblages de signaux individuels et communs 19 et 18 afin d'être prise verticalement en sandwich entre eux à travers les couches isolantes 13 et 17. Pour former l'appareil de conversion photo- électrique, la première couche conductrice 12 d'Al, de Cr ou analogue est déposée sur le substrat transparent 8, par exemple en verre, par pulvérisation ou par dépôt, et est façonnée en une forme souhaitée. La première couche isolante 13 de nitrure de silicium (SiN), la couche 14 de a-Si:H et la couche 15 de dopage de a-Si:H de type n+ sont formées sur la structure résultante par une technique connue, par exemple par déposition chimique en phase vapeur de plasma. Ensuite, ces trois couches 13, 14 et 15 sont façonnées en une forme souhaitée. En outre, la deuxième couche conductrice 16 d'Al, de Cr ou analogue est formée par pulvérisation, dépôt ou analogue, et est façonnée en une forme souhaitée. Dans ce cas, la couche 15 de dopage de a-Si:H de type n+ est formée dans la partie à intervalle de l'élément de conversion photo-électrique et la partie formant canal du transistor TFT est enlevée par attaque chimique. Ensuite, la seconde couche isolante 17 constituée d'un film de polyimide ou d'un film de SiN est formée sur le deuxième film conducteur 16, et un trou de contact est ensuite formé. La structure résultante est configurée en une forme souhaitée, comme demandé. Enfin, la troisième couche conductrice 18 d'Al, de Cr ou analogue est formée sur la seconde couche isolante 17 par pulvérisation, dépôt ou analogue, et est façonnée en une forme souhaitée. Dans l'appareil de conversion photo-électrique fabriqué lors des étapes ci-dessus, la couche conductrice 20, qui peut conserver un potentiel constant, est formée à chaque intersection entre les câblages de signaux indi- viduels et communs 19 et 18, à l'exclusion du trou de traversée, afin d'empêcher la formation d'une capacité parasite entre les câblages de signaux individuels et communs. De plus, bien que cela ne soit pas représenté, une couche de câblage, qui peut conserver un potentiel constant, est formée entre les câblages de signaux individuels et communs afin que la formation de capacités entre lignes, entre les câblages de signaux individuels et entre les câblages de signaux communs, puisse être empêchée. Par conséquent, on peut empêcher l'établissement d'un couplage capacitif entre les lignes et on peut éviter une diaphonie entre les signaux de sortie. Cependant, même dans un appareil de conversion photo-électrique ayant la structure ci-dessus dans laquelle une couche conductrice, pouvant conserver un potentiel constant, est formée à chaque intersection entre des câblages de signaux individuels et communs, il reste encore à résoudre les problèmes techniques suivants. Dans cette structure, une capacité parasite entre les câblages de signaux individuels et communs peut être supprimée. Cependant, une nouvelle capacité parasite se forme entre la couche conductrice pouvant conserver un potentiel constant et chaque câblage de signal individuel, et entre la couche conductrice et chaque câblage de signal commun. Etant donné que la couche conductrice pouvant conserver un potentiel constant est formée sur toute la surface de l'unité de câblage matriciel des signaux à l'exclusion des parties présentant un trou de traversée, la capacité parasite est formée dans toutes les parties entre les câblages de signaux individuels et la couche conduc- trice et entre les câblages de signaux communs et la couche conductrice, et elle n'est pas négligeable dans une application pratique pour la réalisation d'un appareil à hautes performances. Ce problème sera décrit ci-dessous en référence à la figure 4. Celle-ci montre un circuit équivalent d'un appareil de conversion photo-électrique du type à accumula- tion utilisant une structure de câblage matriciel ayant la couche conductrice destinée à maintenir un potentiel constant. Par exemple, lorsque les câblages de signaux matriciels sont utilisés du côté de la sortie de l'appareil de conversion photo-électrique du type à accumulation montré sur la figure 4, une capacité parasite 404, qui n'est pas négligeable en comparaison avec la valeur d'un condensateur de charge 405, est générée et l'efficacité du transfert peut être amoindrie. Par contre, le rapport signal/bruit, la gamme dynamique et analogue peuvent être améliorés par un accroissement de la capacité d'un condensateur d'accumula- tion 403. Cependant, les dimensions du substrat de l'appareil de conversion photo-électrique augmentent par suite d'un accroissement de la capacité d'accumulation et le nombre de substrats par lot de fabrication décroit. Il convient de noter que la référence numérique 401 désigne une source de signal et la référence 402 désigne un moyen de commutation. La figure 5 et les figures 6A, 6B et 6C sont des vues schématiques en coupe données dans la demande de brevet européen N 0296603. Une capacité d'accumulation et une unité de câblage sont formées sur la même partie d'un substrat pour diminuer la largeur du substrat de l'appareil de conversion photo-électrique. Une configuration d'un appareil de conversion photo-électrique sera décrite ci-dessous en référence à la figure 5. Sur la figure 5, un dessin de câblage d'une première couche, constituant une couche inférieure, est indiqué en trait tireté, un dessin de câblage d'une deuxième couche est indiqué en trait plein et un dessin de câblage d'une troisième couche, constituant une couche supérieure, est indiqué en hachures. Le dessin montré sur la figure 5 comprend une unité 613 de câblage matriciel à ligne de signaux, des capteurs 614, des capacités d'accumulation 616 formées dans l'unité 613 de câblage matriciel à ligne de signaux et une unité 619 de câblage de déclenchement, des transistors TFT 617 de transfert, des transistors TFT 618 de restauration et des fenêtres 620 d'éclairage. La figure 6A est une vue en coupe suivant une ligne A-A' de la figure 5, la figure 6B est une vue en coupe suivant une ligne B-B' de la figure 5, et la figure 6C est une vue en coupe suivant la ligne C-C' de la figure 5. La structure montrée sur les figures 6A à 6C comprend un substrat 301 de verre, une couche isolante 303, une couche 304 de a-Si:H, une couche dopante 305 en a-Si:H de type n+, une seconde couche d'électrodes 306 pour former des électrodes de grilles, des électrodes de grilles de capteurs des condensateurs d'accumulation et analogues. La structure comprend aussi une seconde couche isolante 308, une troisième couche 309 d'électrodes pour dériver un câblage dans une direction longitudinale du substrat, et une couche transparente 310 de protection. Dans l'appareil classique de conversion photo- électrique, les épaisseurs de la première couche isolante, de la couche de a-Si:H et de la couche dopante de a-Si:H de type n+ sont établies de façon à être des valeurs permet- tant d'obtenir de manière satisfaisante des caractéristi- ques de conversion photo-électrique dans l'unité à élément de conversion photo-électrique, des caractéristiques de commutation dans l'unité à transistor TFT, des caractéris- tiques de capacité dans l'unité à condensateur d'accumula- tion. Les épaisseurs de ces couches sont, respectivement, d'environ 0,3 pm, 0,6 Mm et 0,15 pm. La seconde couche conductrice doit avoir une épaisseur d'environ 1 pm, car un signal provenant de l'élément de conversion photo- électrique doit être transféré à un câblage de signal individuel dans l'unité de câblage matriciel de signaux à travers les trois couches ayant les épaisseurs de film décrites ci-dessus. Par conséquent, la seconde couche isolante doit avoir une épaisseur d'environ 2 à 3 Mm pour recouvrir et aplanir les gradins de l'unité à élément de conversion photo-électrique, de l'unité à transistor TFT et de l'unité de câblage matriciel de signaux. Cependant, dans l'appareil classique de conversion photo-électrique comportant l'unité de câblage matriciel, il reste à résoudre les problèmes techniques suivants. Plus particulièrement, lorsque la seconde couche isolante comprend un film isolant inorganique de SiN, des microfissures se forment sur l'unité à élément de conversion photo-électrique, l'unité à transistor TFT et en particulier dans les parties en gradins de l'unité de câblage matriciel. Lorsque l'épaisseur des films augmente, la contrainte interne dans le film croît et le film risque de se détacher par pelage. Lorsque la seconde couche isolante comprend un film isolant organique de polyimide, elle peut être formée en recouvrant bien les gradins sans provoquer la formation de microfissures. Cependant, il est difficile de former des trous de contact. Des procédés pour former des trous de contact peuvent être globalement classés en une gravure au mouillé et une gravure à sec. (1) Gravure au mouillé Un procédé d'hydrazinolyse a pour caractéristi- que d'attaquer un film de résine à base de polyimide, totalement durcie, et peut former des microtrous de contact avec une bonne reproductibilité. Cependant, une solution aqueuse d'hydrazine risque d'endommager des couches semi- conductrices ou analogues dans l'unité de conversion photo- électrique et dans l'unité à transistor TFT. Des procédés utilisant une solution de développement d'une réserve comprennent deux processus 1l différents utilisant des réserves photosensibles positives et négatives. Lorsqu'une réserve positive est utilisée, un film de polyimide semi-durci est formé lors d'un pré- traitement, et le film de résine polyimide est gravé simultanément au développement de la réserve par l'utilisa- tion du fait que la solution de développement peut graver ou attaquer le film semi-durci. C'est la raison pour laquelle le nombre d'étapes peut être avantageusement diminué. Cependant, la vitesse d'attaque dépend largement de la température de prétraitement et il est difficile de maîtriser strictement le processus. De plus, le film semi- durci, les couches semi-conductrices et autres risquent d'être endommagés par un produit d'enlèvement de la réserve. Par contre, lorsque la réserve négative est utilisée, étant donné que le contact entre le film semi- durci et la réserve est meilleur qu'avec la réserve positive, on améliore légèrement l'aptitude à la maîtrise du processus. Cependant, l'influence nuisible du produit d'enlèvement de la réserve subsiste. (2) Gravure à sec Avec un procédé de gravure à sec par plasma à 02, on peut former des microtrous de contact. Cependant, ce procédé pose le problème d'une vitesse instable d'attaque ou de gravure et, par conséquent, la maîtrise du processus n'est pas aisée. Dans certains procédés, pour faire face à un tel problème, on peut former un film de réserve plus épais que le film de résine polyimide en utilisant une réserve positive en tant que masque. Dans ce cas, le film de réserve doit avoir une épaisseur d'environ 5 Mm, et il est très difficile d'effectuer de manière stable des microdessins - On peut utiliser du SiN ou du SiO2 en tant que masque. Cependant, le film de SiN ou de SiO2 doit être dessiné, ce qui rend le processus long. Un objet de l'invention est de proposer un dispositif à semi-conducteurs pouvant résoudre les problèmes techniques ci-dessus, ne présentant pas de diaphonie entre les signaux de sortie et ayant un rapport signal/bruit élevé et une large gamme dynamique. Un autre objet de l'invention est de proposer un dispositif compact à semi-conducteurs ayant une haute stabilité, obtenu par un procédé de fabrication simple. L'invention a également pour objet un dis- positif à semi-conducteurs dans lequel plusieurs moyens de commutation destinés à transférer des signaux à la suite d'une commutation, et plusieurs câblages matriciels connectés, respectivement, aux moyens de commutation, sont formés sur un seul substrat, les câblages matriciels étant constitués par une structure multicouche d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conductrice, dans l'ordre de leur citation. Un autre objet de la présente invention est de proposer un dispositif à semi-conducteurs assumant une fonction de conversion photo-électrique, dans lequel des moyens de commutation sont connectés en unités de plusieurs éléments de conversion photo-électrique, tous les éléments de conversion photo-électrique sont divisés en plusieurs blocs pour former des câblages matriciels, et les moyens de commutation sont commandés pour chaque bloc afin de délivrer en sortie un signal d'image, les câblages matriciels étant constitués par une structure multicouche d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semiconductrice et une troisième couche conductrice. L'invention a pour autre objet un dispositif à semi-conducteurs dans lequel des moyens d'accumulation de charges, des moyens de commutation connectés aux moyens d'accumulation de charges et des câblages matriciels connectés aux moyens de commutation sont formés sur un substrat unique, les câblages matriciels et les moyens d'accumulation de charges étant constitués par une structure multicouche d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conductrice dans l'ordre de leur citation, chaque couche correspondante des câblages matriciels et chaque couche des moyens d'accumulation de charges étant formées par la même couche. Un autre objet encore de la présente invention est de proposer un dispositif à semi-conducteurs ayant une fonction de conversion photoélectrique, dans lequel des éléments de conversion photo-électrique, des moyens d'accumulation de charges destinés à accumuler des charges de signaux provenant des éléments de conversion photo- électrique, des moyens de commutation connectés aux moyens d'accumulation de charges et des câblages matriciels connectés aux moyens de commutation sont formés sur un substrat unique, les câblages matriciels et les moyens d'accumulation de charges étant constitués par une structure multicouche d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conductrice dans l'ordre de leur citation, chaque couche des câblages matriciels et chaque couche correspondante des moyens d'accumulation de charges étant formées par la même couche. Un autre objet encore de la présente invention est de proposer un dispositif à semi-conducteurs dans lequel des moyens d'accumulation de charges, des moyens de commutation connectés aux moyens d'accumulation de charges et des câblages matriciels connectés aux moyens de commutation sont formés sur un substrat unique, les câblages matriciels étant constitués par une structure multicouche d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conductrice dans l'ordre de leur citation, chacun des moyens d'accumulation de charges étant formé par au moins la première couche conductrice, la première couche isolante et la deuxième couche conductrice, et les premières couches conductrices, les premières couches isolantes et les deuxièmes couches conductrices des câblages matriciels et des moyens d'accumulation de charges sont formées par les mêmes couches, respectivement. Un autre objet encore de la présente invention est de proposer un dispositif à semi-conducteurs ayant une fonction de conversion photoélectrique, dans lequel des éléments de conversion photo-électrique, des moyens d'accumulation de charges destinés à l'accumulation de la charge d'un signal provenant des éléments de conversion photo-électrique, des moyens de commutation connectés aux moyens d'accumulation de charges et des câblages matriciels connectés aux moyens de commutation sont formés sur un substrat unique, les câblages matriciels étant constitués d'une structure multicouche d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conductrice dans l'ordre de leur citation, chacun des moyens d'ac- cumulation de charges étant formé par au moins la première couche conductrice, la première couche isolante et la deuxième couche conductrice, et les premières couches conductrices, les premières couches isolantes et les deuxièmes couches conductrices des câblages matriciels et des moyens d'accumulation de charges étant formées par les mêmes couches, respectivement. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels-: la figure 1 est une vue schématique simplifiée pour expliquer une structure d'un appareil de conversion photo-électrique; la figure 2A est une vue en plan d'une unité de câblage matriciel classique; les figures 2B et 2C sont des vues en coupe suivant les lignes A-A' et B-B' de la figure 2A; la figure 3 est une vue en coupe d'une partie d'un appareil de conversion photoélectrique comportant une unité de câblage matriciel selon la forme de réalisation précitée; la figure 4 est un schéma d'un circuit équivalent d'un appareil de conversion photo-électrique du type à accumulation utilisant une structure de câblage matriciel; la figure 5 est une vue en plan montrant un exemple d'un agencement de dessin d'un appareil de conversion photo-électrique de l'art antérieur; les figures 6A, 6B et 6C sont des vues en coupe suivant, respectivement, les lignes A-A', B-B' et C-C' de la figure 5; la figure 7 est une vue en coupe d'un appareil de conversion photo-électrique selon une première forme de réalisation del'invention; les figures 8A à 8H sont des vues en coupe montrant des étapes de la fabrication de la forme de réalisation représentée sur la figure 7; la figure 9 est un schéma d'un circuit équivalent de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'invention; la figure 10 est une vue en coupe montrant une deuxième forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'invention; la figure 11 est un schéma d'un circuit équivalent d'une troisième forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'inven- tion; la figure 12 est un diagramme des temps d'un exemple d'un appareil de conversion photo-électrique; la figure 13 est un schéma d'un circuit équivalent d'une quatrième forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'inven- tion; la figure 14 est un organigramme d'un exemple d'un appareil de conversion photo-électrique; la figure 15 est une vue en coupe d'une cinquième forme de réalisation de l'appareil de conversion photoélectrique selon l'invention; la figure 16 est une vue schématique en coupe d'un appareil de télécopie utilisant la présente inven- tion; la figure 17 est une vue en coupe d'une sixième forme de réalisation de l'appareil de conversion photo- électrique selon l'invention; les figures 18A à 18H sont des vues en coupe montrant des étapes de la fabrication de la forme de réalisation représentée sur la figure 17; la figure 19A est une vue en plan d'une septième forme de réalisation de l'appareil de conversion photoélectrique selon l'invention; les figures 19B, 19C et 19D sont des vues en coupe longitudinale suivant les lignes B-B', C-C' et D-D' de la figure 19A; la figure 20 est une vue en coupe pour expliquer les structures des unités structurelles respec- tives de l'appareil de conversion photo-électrique; et les figures 21A à 21H sont des vues en coupe montrant des étapes de la fabrication de la forme de réalisation représentée sur la figure 20. Dans un dispositif classique à semi- conducteurs, des câblages matriciels sont constitués par la superposition successive d'une première couche conductrice, d'une première couche isolante, d'une couche semi- conductrice, d'une deuxième couche conductrice, d'une deuxième couche isolante et d'une troisième couche conductrice, et le deuxième film isolant doit avoir au moins une épaisseur prédéterminée du fait de la présence de gradins formés par les couches se trouvant sous la seconde couche isolante, et des trous de contact doivent être formés dans la seconde couche isolante, ce qui pose donc divers problèmes. Compte tenu de ceci, dans un dispositif à semi-conducteurs selon l'invention, des câblages matriciels sont constitués de façon à avoir une structure multicouche formée d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une seconde couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conductrice dans l'ordre de leur citation, de manière à atténuer les gradins de couches situés sous la seconde couche isolante et à diminuer l'épaisseur du film formant la seconde couche isolante pour faciliter ainsi la formation de trous de contact. Dans un appareil de conversion photo-électrique selon l'invention, le dispositif à semi-conducteurs mentionné ci-dessus est utilisé dans un appareil de conversion photo-électrique dans lequel les. moyens de commutation sont connectés en unités de plusieurs éléments de conversion photo-électrique, tous les éléments de conversion photo-électrique sont divisés en plusieurs blocs pour former des câblages matriciels, et les moyens de commutation sont commandés, pour chaque bloc, de façon à délivrer en sortie un signal d'image. Dans un dispositif à semi-conducteurs selon l'invention, les câblages matriciels et les moyens d'accumulation de charges sont formés par une structure multicouche d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conductrice dans l'ordre de leur citation, et chaque couche des câblages matriciels et chaque couche correspondante de la couche d'accumulation de charges sont formées par la même couche, de façon que des gradins de couches situés sous la seconde couche isolante soient atténués, que l'épaisseur du film formant la seconde couche isolante soit abaissée pour faciliter la formation de trous de contact, et que les moyens d'accumulation de charges soient constitués en une structure à deux niveaux pour former des connexions parallèles, ce qui augmente la capacité des moyens d'accumulation de charges sans accroissement de la dimension du substrat. Dans un appareil de conversion photo-électrique selon l'invention, le dispositif à semi-conducteurs mentionné ci-dessus est utilisé dans un tel appareil de conversion photo-électrique dans lequel des éléments de conversion photo-électrique, des moyens d'accumulation de charges destinés à accumuler des charges de signaux provenant des éléments de conversion photo-électrique, des moyens de commutation connectés aux moyens d'accumulation de charges et des câblages matriciels connectés aux moyens de commutation sont formés sur un substrat unique. Dans un dispositif à semi-conducteurs selon la présente invention, les câblages matriciels sont constitués par une structure multicouche formée d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conductrice, dans l'ordre de leur citation, chaque moyen d'accumulation de charges est formé par au moins la première couche conductrice, la première couche isolante et la deuxième couche conductrice, et les premières couches conductrices, les premières couches isolantes et les deuxièmes couches conductrices des câblages matriciels et des moyens d'accumulation de charges sont formées par les mêmes couches, respectivement, de manière que des gradins de couches situés sous la deuxième couche isolante soient atténués, que l'épaisseur du film constituant la seconde couche isolante soit diminuée pour faciliter la formation de trous de contact, qu'une partie diélectrique des moyens d'accumulation de charges soit constituée par la première couche isolante sans augmentation de la dimension du substrat, et que l'épaisseur de la partie diélectrique soit diminuée pour accroître la capacité des moyens d'accumula- tion de charges. Dans un appareil de conversion photo-électrique selon l'invention, le dispositif à semi-conducteurs mentionné ci-dessus est utilisé dans un appareil de conversion photo-électrique dans lequel des éléments de conversion photo-électrique, des moyens d'accumulation de charges destinés à accumuler des charges de signaux provenant des éléments de conversion photo-électrique, des moyens de commutation connectés aux moyens d'accumulation de charges et des câblages matriciels connectés aux moyens de commutation sont formés sur un substrat unique. On décrira ci-dessous en référence aux dessins annexés la première forme de réalisation de la présente invention. Il convient de noter qu'un dispositif à semi- conducteurs selon l'invention n'est pas toujours limité à un appareil de conversion photo-électrique. Ce dernier sera donné ci-dessous à titre d'exemple en tant que forme de réalisation avantageuse. La figure 7 est une vue en coupe d'une première forme de réalisation de l'appareil de conversion photo- électrique selon l'invention. Dans cette forme de réalisa- tion de l'appareil de conversion photo-électrique, une unité de conversion photo-électrique, une unité à conden- sateur d'accumulation, une unité à transistor TFT, une unité de câblage matriciel et autre sont formées de façon intégrée sur un substrat isolant, dans le même processus, en utilisant une matière amorphe du type a-Si:H en tant que couche semi-conductrice. Les mêmes références numériques désignent, sur la figure 7, les mêmes parties que sur la figure 3. La structure montrée sur la figure 7 comprend une unité 1 à élément de conversion photo-électrique, une unité 2 à condensateur d'accumulation, une unité 3 à transistor TFT, une partie 4 présentant une fenêtre d'éclairage (non représentée) pour la lumière incidente, une unité 5 de câblage matriciel, un élément transparent 6 d'espacement, un original 7 et un substrat 8. La lumière incidente désignée par une flèche 9 éclaire l'original 7 à travers la fenêtre d'éclairage (non représentée) et atteint l'unité 1 à élément de conversion photo-électrique, en constituant la lumière réfléchie 10 (c'est-à-dire l'infor- mation lumineuse). L'information lumineuse arrivant sur l'unité 1 à élément de conversion photo-électrique est convertie en un courant photo-électrique et celui-ci est accouplé dans l'unité 2 à condensateur d'accumulation, sous forme de charges. Au bout d'une période de temps prédéterminée, les charges accumulées dans l'unité 2 à condensateur d'accu- mulation sont transférées par l'unité à transistor TFT vers l'unité 5 à câblage matriciel constituant une unité de câblage multicouche. Sur le substrat 8, une première couche conductrice 22 d'Al, Cr ou autre, une première couche isolante 23, par exemple en SiN, une deuxième couche conductrice 24 d'Al, Cr ou autre, une deuxième couche isolante 25, par exemple en SiN, une couche semi- conductrice 26 en a-Si:H, une couche 27 de contact ohmique a-Si:H de type n+, fortement dopée par une impureté, une troisième couche conductrice 28 d'Al, Cr ou analogue, et une couche protectrice 29, par exemple en polyimide, sont formées. L'unité 1 à élément de conversion photo- électrique comprend des couches de câblage d'électrodes supérieures 30 et 31. La lumière 10 réfléchie par la surface d'un original fait varier la conductivité du semi- conducteur photoconducteur a-Si:H, faisant ainsi varier le courant circulant entre les couches de câblage d'électrodes supérieures 30 et 31 opposées de façon imbriquée. Il convient de noter que la référence numérique 32 désigne une couche métallique de protection contre la lumière. La couche 32 peut être connectée à une source d'attaque ou d'excitation appropriée pour servir d'électrode de grille en tant qu'électrode de commande pour les électrodes principale 30 (côté source) et 31 (côté drain). L'unité 2 à condensateur d'accumulation est constituée par: une couche de câblage d'électrode inférieure 33; un diélectrique constitué par la seconde couche isolante 25 formée sur la couche de câblage d'électrode inférieure 33 et par la couche 26 à semi- conducteur photoconducteur; et des couches de câblage formées sur la couche 26 à semi-conducteur photoconducteur et contiguës à la couche 31 de câblage d'électrode supérieure de l'unité 1 à élément de conversion photo- électrique. L'unité 2 à condensateur d'accumulation possède une structure de condensateur dite MIS (métal-isolant-semi- conducteur). On peut utiliser une polarisation positive ou négative. L'unité 2 est utilisée; tandis que la couche de câblage d'électrode inférieure 33 est maintenue polarisée négativement, ce qui permet d'obtenir des caractéristiques stables de capacité et de fréquence. L'unité 3 à transistor TFT comprend une couche 34 de câblage d'électrode inférieure servant d'électrode de grille, la seconde couche isolante 25 constituant une couche d'isolation de grille, la couche semi-conductrice 26, une couche 35 de câblage d'électrode supérieure servant d'électrode de source, une couche 36 de câblage d'électrode supérieure servant d'électrode de drain, et autre. Cette unité à transistor TFT est un transistor à effet de champ (TEC) du type à circuit décalé à grille inférieure. Dans l'unité 5 de câblage matriciel, des câblages de signaux individuels 22, formés chacun de la première couche conductrice, de la première couche isolante 23 recouvrant la couche de câblage de signaux individuels, la seconde couche conductrice 24 dont le potentiel est maintenu constant par une source de tension (non repré- sentée), la seconde couche isolante 25 formée sur la - seconde couche conductrice, la couche semi-conductrice 26, la couche de contact ohmique 27 en a-Si:H fortement dopée et les câblages de signaux communs 37 qui croisent les câblages de signaux individuels et qui sont formés sur la troisième couche conductrice, sont superposés les uns à la suite des autres sur le substrat 8. La référence numérique 38 désigne un trou de contact pour la formation d'un contact ohmique entre les câblages individuels 22 et les câblages de signaux communs 37. La référence numérique 39 désigne des câblages de blindage entre lignes qui sont formés entre des câblages adjacents de signaux communs et sur deux côtés de chaque câblage de signal commun, et qui sont maintenus à un potentiel constant par une source de tension (non représentée). Comme décrit précédemment, dans cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique, toutes les unités constitutives, c'est-àdire l'unité à élément de conversion photo-électrique, l'unité à conden- sateur d'accumulation, l'unité à transistor TFT et l'unité à câblage matriciel possèdent la structure multicouche constituée du semiconducteur photoconducteur, des couches isolantes, des couches conductrices et autres, et ces unités peuvent être formées simultanément dans le même processus. La deuxième couche conductrice, qui peut maintenir un potentiel constant, est formée sur l'inter- section entre les câblages de signaux individuels et communs de sortie, ce qui élimine toute capacité parasite formée à l'intersection entre les câblages de signaux individuels et communs. En outre, les câblages de blindage, qui peuvent conserver un potentiel constant, sont formés entre les câblages adjacents de signaux communs et sur deux côtés de chaque câblage de signal commun, empêchant ainsi la formation d'une capacité entre des câblages adjacents de signaux communs. Il convient de noter que les câblages de blindage, qui peuvent maintenir un potentiel constant, peuvent être formés entre les câblages adjacents de signaux communs afin que la formation d'une capacité entre des câblages adjacents de signaux individuels puisse être également empêchée. Les figures 8A à 8H sont des vues en coupe montrant des étapes de la fabrication de la forme de réalisation représentée sur la figure 7. Les étapes de fabrication de cette forme de réalisation sont décrites ci- dessous en référence aux figures 8A à 8H. Comme montré sur la figure 8A, une première couche conductrice 22 d'Al, de Cr ou analogue, d'une épaisseur de 0,1 gm, a été déposée sur un substrat transparent 8, par exemple en verre, par pulvérisation ou par dépôt, et a été dessinée suivant une forme souhaitée. Comme montré sur la figt_:e 8B, une première couche isolante 23 de nitrure de silicium (SiN), de 0,3 nm d'épaisseur, a été formée sur la structure montrée sur la figure 8A par une technique connue, telle que le dépôt chimique en phase vapeur sous plasma. Comme montré sur la figure 8C, une deuxième couche conductrice 24 d'Al, de Cr ou analogue, de 0,1 pm d'épaisseur, a été déposée par pulvérisation ou par dépôt et a été dessinée suivant une forme souhaitée. Comme montré sur la figure 8D, une seconde couche isolante 25 de SiN, de 0,3 Mm d'épaisseur, une couche 26 de a-Si:H de 0,6 pm d'épaisseur et une couche dopante 27 de a-Si:H de type n+, de 0,15 Mm d'épaisseur, ont été formées par une technique connue, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur sous plasma, et ces trois couches 25, 26 et 27 ont été dessinées pour former des trous de contact. Comme montré sur la figure 8E, une troisième couche conductrice 28 d'Al, de Cr ou analogue, a été formée par pulvérisation ou par dépôt et a été dessinée *suivant une forme souhaitée. Comme montré sur la figure 8F, les couches dopantes de a-Si:H de type n+ situées sur la partie à intervalle de l'unité 1 à élément de conversion photo- électrique et sur la partie de canal de l'unité à transis- tor TFT 3 ont été enlevées par gravure. Comme montré sur la figure 8G, une couche semi-conductrice inutile a été enlevée pour diviser la structure afin que des éléments respectifs soient isolés électriquement les uns des autres en unités de bits, c'est-à-dire qu'une isolation des éléments a été effectuée. Ensuite, comme montré sur la figure 8H, une troisième couche isolante 29 formée d'un film de polyimide ou d'un film de SiN, constituant une couche protectrice, a été formée sur la troisième couche conductrice 28. Comme décrit ci-dessus, dans cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique, dans laquelle l'unité à élément de conversion photo- électrique, l'unité à transistor TFT et l'unité à câblage matriciel sont formées sur un seul substrat, l'unité de câblage matriciel est constituée d'une structure multi- couche formée de la première couche conductrice, de la première couche isolante, de la deuxième couche con- ductrice, de la deuxième couche isolante, de la couche semi-conductrice et de la troisième couche isolante qui sont empilées les unes à la suite des autres sur le substrat. Parmi ces couches, la deuxième couche conductrice est formée par la même couche que celle constituant l'électrode de grille, la seconde couche isolante est formée par la même couche que celle constituant le film d'isolation de grille du transistor TFT, la couche semi- conductrice est formée par la même couche que celle constituant la couche de semi-conducteur photoconducteur de l'unité à élément de conversion photo-électrique et que celle constituant la couche semi-conductrice de l'unité à transistor TFT, et la troisième couche conductrice est formée par la même couche que celle constituant l'électro- de source/drain de l'unité à transistor TFT. Conformément à la structure de la présente invention, la seconde couche isolante, qui nécessite un film d'une épaisseur d'environ 2 à 3 pm dans une structure classique, doit seulement avoir une épaisseur lui permet- tant de recouvrir une partie en gradin de la deuxième couche conductrice et de maintenir de bonnes caractéristi- ques de commutation du transistor TFT. Par conséquent, étant donné que la seconde couche isolante présente normalement une épaisseur de film d'environ 0,3 pm, elle peut constituer un bon film sans microfissures. Il est classiquement difficile de former un trou de contact pour réaliser un contact ohmique entre les troisième et première couches condctrices. Cependant, selon la structure de la présente invention, on peut utiliser le même processus que dans l'étape de formation d'un trou de contact pour réaliser un contact ohmique entre les deuxième et première couches conductrices, et on peut obtenir un microdessin stable par un processus simple. L'opération de lecture de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'invention sera décrite ci-dessous. La figure 9 est un schéma d'un circuit équivalent de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'invention. Une information lumineuse arrivant sur les éléments de conversion photoélectrique est convertie en tensions de sortie à 48 bits en parallèle à travers les condensateurs d'accumulation, les transistors TFT de transfert, les transistors TFT de restauration et les câblages matriciels. Les tensions de sortie à 48 bits en parallèle sont ensuite converties en signaux en série par un commutateur IC, et les signaux en série sont délivrés en sortie à un circuit extérieur. Dans cette forme de réalisation, les éléments de conversion photoélectrique de 1728 bits (total de pixels) sont divisés en m, c'est-à-dire 36 blocs d'unité de n, c'est-à-dire 48 bits, pour permettre des opérations de commande ou d'excitation d'une matrice m x n. Chaque opération est effectuée dans des unités de blocs. L'information lumineuse arrivant sur des éléments de conversion photoélectrique Sl-l à Sl-48 est convertie en courants photo-électriques et est accumulée dans des condensateurs d'accumulation CSl-1 à CS1-48, sous forme de charges. Au bout d'une période de temps prédéter- minée, une impulsion de tension est appliquée à une ligne G1 d'attaque de grille pour valider les transistors TFT de transfert Ti-1 à T1-48. Ainsi, les charges se trouvant dans les condensateurs d'accumulation CSl-l à CS148 sont transférées vers des condensateurs de charges CLl-1 à CL1- 48 en passant par des lignes matricielles de signaux. Dans ce cas, comme décrit précédemment, des câblages de blindage destinés à maintenir un potentiel constant sont formés entre des câblages matriciels communs adjacents, afin que les câblages ne puissent pas se coupler capacitivement entre eux et qu'aucune diaphonie n'apparaisse entre les signaux de sortie. En outre, les câblages de blindage sont formés sur deux côtés des câblages communs matriciels, ce qui élimine l'apparition de variations dans les câblages. Ensuite, les signaux de sortie du premier bloc, qui sont transférés aux condensateurs de charges CLl-l à CL1-48, sont convertis en signaux en série par un commu- tateur IC, puis ils sont délivrés en sortie à un circuit extérieur après conversion d'impédance. Simultanément, les charges se trouvant dans les condensateurs de charges CL1-1 à CL1-48 sont restaurées. Une impulsion de tension est appliquée à une ligne G2 d'attaque de grille, déclenchant ainsi une opération de transfert du deuxième bloc. Similairement, les transistors TFT de restauration Rl-l à Rl-48 sont validés, et les charges se trouvant dans les condensateurs d'accu- mulation CSl-l à CS1-48 sont restaurées pour préparer l'accès de lecture suivant. Les lignes d'attaque de grille G3, G4,... sont commandées séquentiellement pour délivrer des données d'une ligne. La figure 10 est une vue en coupe montrant la deuxième forme de réalisation dé l'appareil de conversion photo-électrique selon l'invention. Les mêmes références numériques désignent sur la figure 10 les mêmes éléments que dans la première forme de réalisation montrée sur la figure 7. La caractéristique de cette forme de réalisa- tion est que. les câblages 40 de Lindage entre lignes formés entre les lignes adjacentes 37 de signaux communs et les câblages 41 de blindage d'intersection formés sur des intersections entre les câblages de signaux individuels 22 et les lignes de signaux communs 37 sont amenés en contact ohmique mutuel à travers des trous de contact 42. Comme décrit précédemment, selon la présente invention, une seconde couche isolante 25 doit satisfaire une fonction de film d'isolation de grille d'une unité à transistor TFT 3, et une fonction d'une couche inter- médiaire isolante d'une unité de câblage matriciel 5, en même temps. Par conséquent, la seconde couche isolante 25 doit avoir une structure en film mince ayant une épaisseur d'environ 0,3 Mm, sans microfissures. Une structure pour diminuer l'épaisseur du film d'une deuxième couche conductrice à l'origine de parties en gradin est donc nécessaire pour minimiser la partie en gradin. La deuxième couche conductrice doit effectuer une fonction de câblages 41 de blindage d'intersection pour éliminer un couplage capacitif des câblages de signaux individuels 22 et des câblages de signaux communs 37 à leurs intersections mutuelles. Cependant, lorsque l'épais- seur de la deuxième couche conductrice est diminuée, la fonction de blindage peut être dégradée par suite d'une augmentation de la résistance du câblage. Cette forme- de réalisation a pour but de s'opposer à de tels problèmes. Dans cette forme de réalisation, les câblages 41 de blindage d'intersection et les câblages 40 de blindage entre lignes adjacentes sont amenés en contact ohmique mutuel à travers les trous de contact 42. La figure 11 est un schéma d'un circuit équivalent d'une troisième forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'inven- tion. Cette forme de réalisation constitue un exemple d'un cas dans lequel l'appareil comporte 12 éléments de conversion photo-électrique. La structure en coupe de cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique est la même que celle de la première ou de la deuxième forme de réalisation. Dans l'appareil de conversion photo-électrique de cette forme de réalisation, une unité à élément de conversion photo-électrique, une unité à transistor TFT et une unité de câblage matriciel sont formées sur un seul substrat. L'unité de câblage matriciel comporte une structure multicouche formée d'une première couche conductrice, d'une première couche isolante, d'une deuxième couche conductrice, d'une deuxième couche isolante, d'une couche semi-conductrice et d'une troisième couche conduc- trice, superposées les unes à la suite des autres sur le substrat. La deuxième couche conductrice est formée par la même couche qu'une électrode de grille de l'unité à transistor TFT, la deuxième couche isolante est formée par la même couche qu'un film d'isolation de grille de l'unité à transistor TFT, la couche semi-conductrice est formée par la même couche qu'une couche semi-conductrice photo- conductrice de l'unité à élément de conversion photo- électrique et qu'une couche semi-conductrice de l'unité à transistor TFT, et la troisième couche conductrice est formée par la même couche qu'une électrode source/drain de l'unité à transistor TFT. Sur la figure 11, les éléments de conversion photo-électrique El à E12 sont divisés en blocs comprenant chacun trois éléments. Deux blocs constituent un groupe. Par exemple, les éléments de conversion photo-électrique El à E3 appartiennent à un premier bloc, les éléments de conversion photoélectrique E4 à E6 appartiennent à un deuxième bloc et donc les éléments de conversion photo- électrique E1 à E6 appartiennent à un premier groupe. Il en est de même des condensateurs Cl à C12 d'accumulation du courant photo-électrique, des transistors TFT DT1 à DTl2 de décharge et des transistors TFT T1 à T12 de transfert, qui sont connectés en correspondance avec les éléments de conversion photo-électrique El à E12. Une électrode (électrode commune) de chacun des éléments de conversion photo-électrique El à E12 est connectée à une source d'énergie 411 et reçoit une tension constante. L'autre électrode (électrode individuelle) de chacun des éléments El à E12 de conversion photo-électrique est connectée à une électrode principale de l'un, cor- respondant, des transistors TFT Tl à T12 de transfert, est mise à la masse par l'intermédiaire de l'un, correspondant, des condensateurs Cl à C12 et est mise à la masse par l'intermédiaire de l'un, correspondant, des transistors TFTde décharge DTl à DTl2. Les électrodes de grilles des transistors TFT DT1 à DTl2 de décharge sont connectées en commun en unités de trois transistors TFT, c'est-à-dire en unités de blocs. Chaque bloc est connecté à l'une, correspondante, de plusieurs bornes de sortie en parallèle S13 à S16 d'un registre à décalage 410. Etant donné que des signaux de niveau haut sont délivrés séquentiellement en sortie à partir des bornes de sortie en parallèle à des temps prédéterminés, les transistors TFT de décharge DT1 à DT12 sont validés séquentiellement dans des unités de blocs. Les électrodes de grilles des transistors TFT T1 à T12 de transfert sont également connectées en commun en unités de blocs. Chaque bloc est connecté à l'une, correspondante, de bornes Sl à S4 de sortie en parallèle d'un registre à décalage 401. L'autre électrode principale de chacun des transistors TFT Tl à T12 de transfert est connectée à l'un, correspondant, de câblages de signaux communs 402 à 407 par l'intermédiaire de l'un, correspondant, de câblages de signaux individuels 301 à 312. Dans-ce cas, les électrodes principales des transistors TFT ayant le même numéro d'ordre dans les groupes correspondants sont connectées en commun à un câblage de signal commun. Par exemple, les deuxièmes transistors TFT T2 et T8 de transfert se trouvant dans les groupes correspondants sont connectés à la ligne de signal commun 403, respectivement, par l'intermédiaire des câblages de signaux individuels 302 et 308. Les câblages de signaux communs 402 à 407 sont connectés à une borne d'entrée d'un amplificateur 412, respectivement, par l'intermédiaire de transistors de commutation ST1 à ST6. L'électrode de grille de chacun des transistors de commutation ST1 à ST3 et ST4 à ST6 est connectée à l'une, correspondante, de bornes S5 à S10 de sortie en parallèle de registres à décalage 408 et 409. Lorsque des signaux de niveau haut sont délivrés en sortie à partir de ces bornes de sortie en parallèle, les transistors des commutateurs ST1 à ST6 sont validés séquentiellement. Les câblages de signaux communs 402 à 407 sont mis à la masse par l'intermédiaire de condensateurs CCl à CC6 d'accumulation de charges de transfert, et ils sont également mis à la masse par l'intermédiaire de transistors CT1 à CT6 de commutation de décharge. Les capacités des condensateurs CCl à CC8 sont établies de façon à être suffisamment plus grandes que celles des condensateurs C1 à C12. Les électrodes de grilles des transistors de commutation CT1 à CT6 sont connectées en commun en unités de trois transistors, et elles sont connectées à des bornes Sll et S12, respectivement. Par conséquent, lorsqu'un signal de niveau haut est appliqué à la borne Sll ou S12, les transistors de commutation CT1 à CT3 ou CT4 à CT6 sont validés, et les câblages de signaux communs 402 à 404 ou 405 à 407 sont mis à la masse pour éliminer les charges résiduelles. - Le fonctionnement de cette forme de réalisation ayant la structure mentionnée ci-dessus sera décrit ci- dessus en référence aux diagrammes des temps représentés aux lignes a à p de la figure 12. Lorsque de la lumière arrive sur les éléments de conversion photoélectrique El à E12, des charges s'accumulent dans les condensateurs Cl à C12 en provenance de la source 411 d'énergie, en fonction de son intensité. Un signal de niveau haut est délivré en sortie de la borne Sl de sortie en parallèle du registre à décalage 401 pour valider les transistors TFT de transfert T1 à T3 [figure 12(a)]. Lorsque les transistors TFT de transfert T1 à T3 sont validés, les charges accumulées dans les conden- sateurs Cl à C3 du premier bloc sont transférées vers les condensateurs de charges CCl à CC3, respectivement. Lorsqu'une information du premier bloc est transférée, un signal de niveau haut est délivré en sortie de la borne S2 de sortie du registre à décalage 401 pour valider les transistors TFT de transfert T4 à T6 [figure 12(b)]. Par conséquent, les charges accumulées dans les condensateurs C4 à C6 du deuxième bloc sont transférées, respectivement, aux condensateurs de charges CC4 à CC6. En parallèle avec l'opération de transfert du deuxième bloc, des signaux de niveau haut sont délivrés séquentiellement en sortie à partir des bornes S5 à S7 de sortie du registre à décalage 408 [figure 12(e) à 12(g)]. Les transistors de commutation ST1 à ST3 sont validés séquentiellement et l'information lumineuse du premier bloc, accumulée dans les condensateurs CC1 à CC3, est extraite en série, dans le temps, par l'intermédiaire de l'amplificateur 412. Lorsque l'information du premier bloc est extraite, un signal de niveau haut est appliqué à la borne Sil pour valider simultanément les transistors de commuta- tion CT1 à CT3 [figure 12(k)]. Les charges résiduelles se trouvant dans les condensateurs CCl à CC3 d'accumulation de charges de transfert sont totalement déchargées. En parallèle avec les opérations précitées de lecture et de décharge des charges de transfert [figures 12(e) à 12(g et 12(k)], un signal de niveau haut est délivré à partir de la borne S13 de sortie en parallèle du registre à décalage 410 [figure 12(m)]. Les transistors TFT de décharge DT1 à DT3 sont alors validés, et les charges résiduelles se trouvant dans les condensateurs C1 à C3 d'accumulation de charges dues à la lumière, faisant partie du premier bloc, sont totale- ment déchargées. De cette manière, l'opération de transfert d'une information pour le deuxième bloc, et l'opération de lecture d'information, l'opération de décharge des charges de transfert résiduelles et l'opération de décharge des charges résiduelles du courant photo-électrique pour le premier bloc sont exécutées mutuellement en parallèle. A la fin de ces opérations, le registre à décalage 401 est décalé et un signal de niveau haut est délivré à partir de la borne S3 de sortie en parallèle [figure 12(c)]. Les transistors TFT T7 à T9 de transfert sont validés, et les charges accumulées dans les condensateurs C7 à C9 du troisième bloc sont transférées vers les condensateurs CC1 à CC3. En parallèle avec l'opération de transfert d'information pour le troisième bloc, des signaux de niveau haut sont délivrés séquentiellement à travers des bornes de sortie en parallèle S8 à S10 du registre à décalage 409 [figures 12(h) à 12(i)]. Par conséquent, les transistors de commutation ST4 à ST6 sont validés séquentiellement, et une information du deuxième bloc transférée vers et accumulée dans les condensateurs CC4 à CC6 est extraite ou lue en série dans le temps. Lorsque l'information du deuxième bloc est extraite, un signal de niveau haut est appliqué à la borne S12 pour valider simultanément les transistors de commuta- tion CT4 à CT6 [figure 12(1)]. Les charges résiduelles se trouvant dans les condensateurs CC4 à CC6 d'accumulation de charges de transfert sont totalement déchargées. En parallèle avec l'opération de lecture d'une information et l'opération de décharge des charges résiduelles de transfert pour le deuxième bloc, un signal de niveau haut est délivré à partir de la borne S14 de sortie en parallèle du registre à décalage 410 [figure 12(n)], validant ainsi simultanément les transistors de commutation ST4 à ST6. De cette manière, les charges résiduelles se trouvant dans les condensateurs C4 à C6 d'accumulation de charges dues à la lumière sont déchargées. Similairement, en parallèle avec l'opération de transfert d'une information pour le quatrième bloc, l'opération de lecture d'une information, l'opération de décharge des charges résiduelles de transfert et l'opéra- tion de décharge des charges résiduelles du courant photo- électrique pour le troisième bloc sont exécutées. L'opéra- tion de lecture d'une information, l'opération de décharge des charges résiduelles de transfert et l'opération de décharge des charges résiduelles du courant photo- électrique pour le quatrième bloc sont exécutées en parallèle avec l'opération de transfert d'une information du premier bloc. Les opérations mentionnées ci-dessus sont répétées afin que l'information lumineuse soit lue ou extraite en série dans le temps. De cette manière, en parallèle avec l'opération de transfert d'une information du bloc suivant, l'opération de lecture d'une information, l'opération de décharge des charges résiduelles de transfert et l'opération de décharge des charges résiduelles du courant photoélectrique pour le bloc précédent sont exécutées. Selon cette forme de réalisation, des câblages de blindage, destinés à maintenir un potentiel constant, sont formés entre des câblages de signaux adjacents des câbles de signaux matriciels, afin que des câblages de signaux adjacents ne puissent pas se trouver en couplage capacitif mutuel. Par conséquent, on peut obtenir à une vitesse élevée un bon accès de lecture sans diaphonie entre les signaux de sortie. La figure 13 est un schéma d'un circuit équivalent de la quatrième forme de réalisation d'un appareil de conversion photo-électrique selon l'invention. La structure en coupe de cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique est la même que celle de la première ou de la deuxième forme de réalisation. Dans cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photoélectrique, une unité à élément de conversion photo-électrique, une unité à transistor TFT et une unité à câblage matriciel sont formées sur un substrat unique. L'unité de câblage matriciel comporte une structure multicouche formée d'une première couche conductrice, d'une première couche isolante, d'une deuxième couche conduc- trice, d'une deuxième couche isolante, d'une couche semi- conductrice et d'une troisième couche conductrice qui sont superposées séquentiellement sur le substrat. La deuxième couche conductrice est formée de la même couche qu'une électrode de grille de l'unité à transistor TFT, la deuxième couche isolante est formée de la même couche qu'un film d'isolation de grille de l'unité à transistor TFT, la couche semi-conductrice est formée de la même couche qu'une couche semiconductrice photoconductrice de l'unité à élément de conversion photoélectrique et qu'une couche semi-conductrice de l'unité & transistor TFT, et la troisième couche conductrice est formée de la même couche qu'une électrode source/drain de l'unité à transistor TFT. Les agencements d'éléments de conversion photo- électrique El à E18, de condensateurs Cl à C18 d'accumula- tion de charges dues à la lumière et de transistors TFT T1 à T18 de transfert sont sensiblement les mêmes que ceux de la figure 11, et le nombre de ces éléments est simplement augmenté pour passer de 12 à 18. Par conséquent, on ne décrira pas en détail ces éléments. Sur la figure 13, une partie du circuit n'est pas représentée pour plus de clarté. Dans cette forme de réalisation, trois blocs forment un groupe. Les électrodes principales des transis- tors TFT de transfert ayant les mêmes numéros d'ordre dans les groupes correspondants sont connectées à des câblages de signaux communs correspondants 602 à 610. Les électrodes de grilles des transistors TFT de transfert T1 à T18 sont connectées en commun en unités de blocs, et sont connectées à des bornes de sortie en parallèle correspondantes B1 à B6 d'un registre à décalage 601. Similairement, les électrodes de grilles des transistors TFT de décharge DT1 à DT18 sont également connectées à des bornes de sortie en parallèle correspon- dantes S13 à S18 d'un registre à décalage 611. Les câblages de signaux communs 602 à 610 sont mis à la masse par l'intermédiaire de condensateurs CCl à CC9 d'accumulation de charges de transfert, et ils sont également mis à la masse par l'intermédiaire de transistors TFT de décharge CTl à CT9. Les électrodes de grilles des transistors TFT de décharge CT1 à CT9 sont connectées en commun en unités de trois transistors TFT, et elles sont connectées à des bornes correspondantes H1 à H3. Les câblages de signaux communs 602 à 610 sont connectés à un amplificateur 412 par l'intermédiaire de transistors de commutation ST1 à ST9, et les électrodes de grille des transistors de commutation ST1 à ST9 sont connectées à des bornes de sortie en parallèle correspon- dantes D1 à D9 de registres à décalage 611' à 613. Le fonctionnement de cette forme de réalisa- tion, ayant l'agencement mentionné ci-dessus, sera décrit ci-dessous en référence aux organigrammes montrés sur les lignes a à x de la figure 14. Un signal de niveau haut est délivré à partir de la borne de sortie B1 du registre à décalage 601 pour valider les transistors TFT T1 à T3 de transfert [figure 14(a)]. Lorsque les transistors TFT T1 à T3 de transfert sont validés, les charges accumulées dans les condensateurs Cl à C3 du premier bloc sont transférées, respectivement, vers les condensateurs CC1 à CC3. Lorsqu'une information du premier bloc est transférée, un signal de niveau haut est délivré à partir de la borne de sortie B2 du registre à décalage 601 pour valider les transistors TFT de transfert T4 à T6 [figure 14(b)]. Par conséquent, les charges accumulées dans les condensateurs C4 à C6 du deuxième bloc sont transférées, respectivement, vers les condensateurs CC4 à CC6. En parallèle avec l'opération de transfert pour le deuxième bloc, des signaux de niveau haut sont délivrés séquentiellement à partir des bornes de sortie D1 à D3 du registre à décalage 611' [figures 14(g) à 14(i)]. Par conséquent, les transistors de commutation ST1 à ST3 sont validés séquentiellement, et une information lumineuse du premier bloc, transférée et accumulée-dans les condensateurs CC1 à CC3, est lue ou extraite en série dans le temps par l'intermédiaire d'un amplificateur 412. En parallèle avec l'opération de transfert pour le deuxième bloc, un signal de niveau haut est délivré à partir de la borne S13 de sortie du registre à décalage 611 [figure 14(s)] pour valider les transistors TFT de décharge DT1 à DT3. En conséquence, des charges résiduelles dues à la lumière, se trouvant dans les condensateurs Cl à C3 du premier bloc, sont déchargées. A la fin de l'opération de lecture d'une information et de l'opération de décharge des charges lumineuses résiduelles pour le premier bloc, un signal de niveau haut est appliqué à la borne Hi pour valider simultanément les transistors de commutation CT1 à CT3 [figure 14(p]. Par conséquent, les charges résiduelles -se trouvant dans les condensateurs CC1 à CC3 sont totalement déchargées. En parallèle avec cette opération de décharge, un signal de niveau haut est délivré à partir de la borne de sortie B3 du registre à décalage 601 [figure 14(c)]. De cette manière, les transistors TFT de transfert T7 à T9 sont validés, et des charges accumulées dans les condensateurs C7 à C9 du troisième bloc sont transférées, respectivement, vers les condensateurs CC6 à CC9. En parallèle avec les opérations de décharge et de transfert, des signaux de niveau haut sont délivrés séquentiellement à partir des bornes de sortie D4 à D6 du registre à décalage 612 [figures 14(j) à 14(1)], validant ainsi séquentiellement les transistors de commutation ST4 à ST6. En conséquence, une information du deuxième bloc est lue ou extraite en sérié dans le temps. En outre, en parallèle avec les opérations de décharge et de transfert, un signal de niveau haut est délivré à partir de la borne de sortie S14 du registre à décalage 611 [figure 14(t)], déchargeant ainsi les charges lumineuses résiduelles des condensateurs C4 à C6 du deuxième bloc. Ensuitey l'opération de transfert d'une information du quatrième bloc [figure 14(d)], l'opération de lecture en série dans le temps d'une information du troisième bloc [figures 14(s) à 14(o)], l'opération de décharge des charges résiduelles de transfert dans les condensateurs CC4 à CC6 [figure 14(q)] et l'opération de décharge des charges lumineuses résiduelles des conden- sateurs C7 à C9 [figure 14(u)] sont exécutées mutuellement en parallèle afin qu'une information lumineuse des éléments de conversion photo-électrique El à E18 soit lue similaire- ment de façon répétitive. De cette manière, selon cette forme de réalisation, étant donné qu'un groupe est formé de trois blocs, l'opération de transfert d'une information d'un bloc donné, les opérations de lecture et de décharge des charges lumineuses résiduelles d'un bloc immédiatement précédent et l'opération de décharge des charges résiduelles de transfert d'un bloc précédant le bloc immédiatement précédent peuvent être exécutées en parallèle, et on peut obtenir un fonctionnement d'ensemble à vitesse élevée. Des câblages de blindage destinés à maintenir un potentiel constant sont formés entre des câblages de signaux adjacents des câblages matriciels de signaux, afin que des câblages de signaux adjacents ne puissent pas entrer en couplage capacitif mutuel. On peut ainsi parvenir à un bon accès de lecture sans diaphonie entre les signaux de sortie. La figure 15 est une vue en coupe d'une cinquième forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'invention. Les mêmes références numériques que celles des formes de réalisation précédentes désignent les mêmes éléments dans cette forme de réalisa- tion. La caractéristique de cette forme de réalisa- tion est que des couches 40 et 41 formant écran à la lumière sont formées sur le substrat dans une unité 1 à élément de conversion photo-électrique et une unité 3 à transistor TFT pour prendre en sandwich une couche isolante 23 avec des couches 32, 33 et 34. Les couches 40 et 41 formant écran à la lumière peuvent empêcher que la lumière d'éclairage 9 arrive directement ou indirectement, sous forme de lumière parasite, sur une couche semi-conductrice 26 de l'unité 1 à élément de conversion photo-électrique ou sur l'unité à transistor TFT 3 pour perturber les caractéristiques de conversion photo-électrique ou de commutation. Une application détaillée de la forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'invention est donnée ci-dessous. La figure 16 est une vue schématique en coupe d'un appareil de télécopie utilisant une forme de réalisa- tion de la présente invention. Sur la figure 16, dans un mode d'émission d'un original, un original 505 est plaqué contre un capteur 511 d'image à proximité du type à lentille par un cylindre 503 et est déplacé dans le sens d'une flèche par le cylindre 503 et un rouleau d'entraînement 504. Une surface de l'original est éclairée avec une lampe 502 au xénon, constituant une source de lumière, et la lumière réfléchie par la surface de l'original arrive sur le capteur 501 correspondant à l'appareil de conversion photo-électrique de cette forme de réalisation. La lumière réfléchie est convertie par le capteur 501 en un signal électrique correspondant à une information d'image portée par l'original, et le signal électrique est transmis. Dans un mode en réception, une feuille 506 d'enregistrement est transportée par un cylindre 507 d'enregistrement, et une image correspondant à un signal reçu est reproduite par une tête thermique 508. L'ensemble de l'appareil est commandé par un dispositif de commande se trouvant sur une plaquette 509 de commande du système, et les systèmes d'entraînement et les circuits respectifs sont alimentés par une source 510 d'énergie. Les références numériques 511 et 512 désignent, respectivement, un organe de décollement et un tableau de commande. Comme décrit précédemment, conformément à un dispositif à semi-conducteurs et à un appareil de conver- sion photo-électrique, l'utilisant, de la présente invention, on peut fournir un dispositif à semi-conducteurs et un appareil de conversion photo-électrique dont les signaux de sortie des câblages matriciels sont exempts de diaphonie, et dont les câblages matriciels sont formés par un processus simple de fabrication et présentent un faible taux d'erreur car une unité de câblage matriciel est formée de façon à avoir une structure multicouche constituée d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conductrice, dans l'ordre de leur citation. La figure 17 est une vue en coupe d'une sixième forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'invention. Dans cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photoélectrique, une unité de conversion photo-électrique, une unité à condensateur d'accumulation, une unité à transistor TFT, une unité de câblage matriciel et autre sont formées de façon intégrée sur un substrat isolant, dans le même processus, en utilisant une matière amorphe du type a-Si:H en tant que couche semi-conductrice. Les mêmes références numériques désignent, sur la figure 17, les mêmes éléments que sur la figure 3. La structure montrée sur la figure 17 comprend une unité 1 à élément de conversion photo-électrique, une unité 2 à condensateur d'accumulation, une unité 3 à transistor TFT, une partie 4 présentant une fenêtre d'éclairage (non représentée) pour la lumière incidente, une unité 5 de câblage matriciel, un élément transparent 6 d'espacement, un original 7 et un substrat 8. La lumière incidente, désignée par une flèche 9, atteint l'unité 1 à élément de conversion photo-électrique sous forme de lumière réfléchie 10 (c'est-à-dire d'une information lumineuse) en passant par l'original 7. L'information lumineuse arrivant sur l'unité 1 à élément de conversion photo-électrique est convertie en un courant photo-électrique qui est accumulé dans l'unité 2 à condensateur d'accumulation, sous forme de charges. Au bout d'une période de temps prédéterminée, les charges accumulées dans l'unité 2 à condensateur d'accumulation sont transférées par l'unité à transistor TFT 3 vers l'unité 5 de câblage matriciel. Sur le substrat 8, une première couche conductrice 22 d'Al, de Cr ou analogue, une première couche isolante 23 de SiN, par exemple, une deuxième couche conductrice 4 d'Al, de Cr ou analogue, une deuxième couche isolante 25 de SiN, par exemple, une couche semi-con- ductrice 26 de a-Si:H, une couche 27 de contact ohmique en a-Si:H de type n+, fortement dopée, une troisième couche conductrice 28 d'Al, de Cr ou analogue et une couche protectrice 29, par exemple en-polyimide, sont formées. L'unité 1 à élément de conversion photo- électrique comprend des couches de câblages d'électrodes supérieures 30 et 31. La lumière 10 réfléchie par la surface d'un original fait varier la conductivité du semi- conducteur photoconducteur en a-Si:H 26, ce qui fait varier le courant circulant entre les couches de câblages d'électrodes supérieures 30 et 31 qui sont opposées de façon imbriquée. Il convient de noter que la référence numérique 32 désigne une couche métallique faisant écran à la lumière. La couche 32 peut être connectée à une source appropriée de commande ou d'excitation pour servir d'électrode de grille en tant qu'électrode de commande pour les électrodes principale 30 (côté source) et 31 *(côté drain). L'unité 2 à condensateur d'accumulation est constituée d'une première couche 40 de câblage d'électrode, d'un diélectrique formé d'une première couche isolante 23 réalisée sur la première couche 40 de câblage d'électrode, d'une seconde couche 33 de câblage d'électrode formée sur la première couche isolante 23, d'un diélectrique formé d'une seconde couche isolante 25 réalisée sur la seconde couche 22 de câblage d'électrode et d'une couche semi- conductrice photoconductrice 26, et d'une troisième couche de câblage d'électrode formée sur la couche semi- conductrice 26 et contiguë à la couche de câblage d'élec- trode supérieure 31 de l'unité à élément de conversion photo-électrique. Les première et troisième couches 40 et 31 de câblages d'électrodes sont en contact ohmique mutuel à travers un trou 41 de contact. L'unité 2 à condensateur d'accumulation possède une structure de condensateur dite à deux niveaux, et elle permet d'augmenter la capacité d'accumulation sans accroissement de la dimension du substrat. Une polarisation positive ou négative peut être utilisée. L'unité 2 est utilisée, tandis que la seconde couche 33 de câblage d'électrode est maintenue polarisée négativement, ce qui permet d'obtenir des caractéristiques stables de capacité et de fréquence. L'unité à transistor TFT 3 comprend une couche 34 de câblage d'électrode inférieure servant d'électrode de grille, la seconde couche isolante 25 constituant une couche d'isolation de grille, la couche semi-conductrice 26, une couche 35 de câblage d'électrode supérieure servant d'électrode de source, une couche 36 de câblage d'électrode supérieure servant d'électrode de drain, et analogue. Dans l'unité 5 de câblage matriciel, des câblages de signaux individuels sont formés chacun de la première couche conductrice 22, de la première couche isolante 23 recouvrant la couche de câblage de signaux individuels, de la deuxième couche conductrice 24 pour maintenir un potentiel constant, de la deuxième couche isolante 25 formée sur la deuxième couche conductrice, de la couche semi-conductrice 26, de la couche de contact ohmique 27 et des câblages 37 de signaux communs qui croisent les câblages de signaux individuels et qui sont formés de la troisième couche conductrice, sont séquentiel- lement empilés sur le substrat 8. La référence numérique 38 désigne un trou de contact pour former un contact ohmique entre les câblages individuels 22 et les câblages de signaux communs 37. La référence numérique 39 désigne des câblages de blindage entre lignes qui sont formés entre des câblages de signaux communs adjacents. Comme décrit précédemment, dans cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique, toutes les unités constitutives, c'est-àdire l'unité à élément de conversion photo-électrique, l'unité à conden- sateur d'accumulation, l'unité à transistor TFT et l'unité de câblage matriciel possèdent la structure multicouche du semi-conducteur photoconducteur, des couches isolantes, des couches conductrices et autres, et ces unités peuvent être formées simultanément dans le même processus. La deuxième couche conductrice, qui peut maintenir un potentiel constant, est formée à l'inter- section entre les câblages de signaux individuels et communs de sortie, ce qui élimine la capacité parasite formée à l'intersection entre lescâblages de signaux individuels et communs. En outre, les câblages de blindage, qui peuvent maintenir un potentiel constant, sont formés entre les câblages de signaux communs adjacents et sur deux côtés de chaque câblage de signaux communs, empêchant ainsi la formation d'une capacité entre des câblages de signaux communs adjacents. Il convient de noter que les câblages de blindage, qui peuvent maintenir un potentiel constant, peuvent être formés entre les câblages de signaux communs adjacents afin que la formation d'une capacité entre câblages de signaux individuels adjacents puisse également être empêchée. Les figures 18A à 18H sont des vues en coupe montrant des étapes de la fabrication de la forme de réalisation représentée sur la figure 17. Les étapes de fabrication de cette forme de réalisation seront décrites ci-dessous en référence aux figures 18A à 18H. Comme montré sur la figure 18A, une première couche conductrice 22 d'Al, de Cr ou analogue, de 0,1 Dm d'épaisseur, a été déposée sur un substrat transparent 8, par exemple en verre, par pulvérisation ou par dépôt, puis a été dessinée suivant une forme souhaitée. Comme montré sur la figure 18B, une première couche isolante 23 de nitrure de silicium (SiN), de 0,3 gm d'épaisseur, a été formée sur la structure représentée sur la figure 18A par une technique connue, telle qu'un dépôt chimique en phase vapeur sous plasma. Comme montré sur la figure 18C, une deuxième couche conductrice 24 d'Al, de Cr ou analogue, de 0,1 gm d'épaisseur, a été déposée par pulvérisation ou par dépôt, et a été dessinée suivant une forme souhaitée. Comme montré sur la figure 18D, une deuxième couche isolante 25 de SiN, de 0,3 gm d'épaisseur, une couche 26 de a-Si:H de 0,6 Sm d'épaisseur, et une couche dopante 27 de a-Si:H de type n+, de 0,15 gm d'épaisseur, ont été formées par une technique connue, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur sous plasma, et ces trois couches 25, 26 et 27 ont été dessinées de façon à former des trous de contact. Comme montré sur la figure 18E, une troisième couche conductrice 28 d'Al, de Cr ou analogue a été formée par pulvérisation ou par dépôt et a été dessinée suivant une forme souhaitée. Comme montré sur la figure 18F, les couches dopantes en a-Si:H, de type n+ , situées sur la partie à intervalle de l'unité 1 de conversion photoélectrique et sur la partie formant canal de l'unité à transistor TFT 3, ont été éliminées par gravure. Comme montré sur la figure 18G, une couche semi-conductrice inutile a été enlevée pour réaliser une isolation des éléments en unités de bits. Ensuite, comme montré sur la figure 18H, une troisième couche isolante 29 formée d'un film de polyimide ou d'un film de SiN, constituant une couche protectrice, a été formée sur la troisième couche conductrice 28. Comme décrit précédemment, dans un appareil de conversion photoélectrique de cette forme de réalisation comprenant l'unité à élément de conversion photo- électrique, l'unité à condensateur d'accumulation, l'unité à transistor TFT et l'unité de câblage matriciel qui sont formées sur le substrat unique, l'unité à condensateur d'accumulation et l'unité de câblage matriciel possèdent une structure multicouche comprenant la première couche conductrice, la première couche isolante, la deuxième couche conductrice, la couche semi-conductrice, la troisième couche conductrice qui sont superposées séquen- tiellement sur le substrat. Dans cette structure, la deuxième couche conductrice est formée de la même couche qu'une électrode de grille de l'unité à transistor TFT, la deuxième couche isolante est formée de la même couche qu'un film d'isolation de grille de l'unité à transistor TFT, la couche semi-conductrice est formée de la même couche que la couche semi-conductrice photoconductrice de l'unité à élément de conversion photo-électrique et que la couche semi-conductrice de l'unité à transistor TFT, et la troisième couche conductrice est formée de la même couche qu'une électrode source/drain de l'unité à transistor TFT. Par conséquent, l'unité à condensateur d'accumulation peut être formée de connexions en parallèle d'une structure à deux niveaux, et la capacité du conden- sateur d'accumulation peut être augmentée sans accroisse- ment de la dimension du substrat de l'appareil de conver- sion photo-électrique. On peut donc réaliser un appareil de conversion photo-électrique qui n'est pas influencé par une composante de bruit telle qu'une capacité parasite formée entre la couche conductrice pour maintenir un potentiel constant et les câblages de signaux. Le circuit de lecture de cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique est le même que celui montré sur la figure 9 et son fonctionnement est également le même. Une application détaillée de cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique est également la même que celle montrée sur la figure 6 et elle ne sera pas de nouveau décrite. Dans le dispositif à semi-conducteurs et l'appareil de conversion photoélectrique l'utilisant, conformément à la forme de réalisation décrite cidessus, un câblage matriciel et des moyens d'accumulation de charges sont formés de façon à avoir une structure multicouche constituée d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conduc- trice, dans l'ordre de leur citation, et les couches du câblage matriciel et les couches correspondantes des moyens d'accumulation de charges sont formées par les mêmes couches. Par conséquent, on peut fournir un dispositif à semiconducteurs et un appareil de conversion photo- électrique qui sont exempts de diaphonie entre les signaux de sortie des câblages matriciels, et qui comportent des câblages matriciels formés par un processus simple de fabrication et qui présentent un faible taux d'erreur. De plus, la capacité des moyens d'accumulation de charges peut être augmentée sans accroissement de la dimension du substrat, et les moyens d'accumulation de charges peuvent être formés par un processus simple. On peut donc produire un dispositif à semi-conducteurs et un appareil de conversion photo-électrique pouvant améliorer le rapport signal/bruit, la gamme dynamique et autre, permettant d'obtenir des caractéristiques stables et pouvant être réalisé sous une forme compacte. La septième forme de réalisation de l'invention sera décrite ci-dessous en référence aux dessins annexés. Un dispositif à semi-conducteurs de la présente invention n'est pas toujours limité à un appareil de conversion photo-électrique. Dans ce cas, l'appareil de conversion photo-électrique sera décrit à titre d'exemple ci-dessous d'une forme avantageuse de réalisation. La figure 19A est une vue en plan de la septième forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique selon l'invention, et les figures 19B, 19C et 19D sont des vues en coupe longitudinale suivant, respectivement, les lignes B-B', C-C' et D-D' de la figure 19A. La figure 20 est une vue en coupe pour expliquer les structures des unités structurales respec- tives de l'appareil de conversion photo-électrique. Il convient de noter que la vue en coupe de l'appareil de conversion photo-électrique montrée sur la figure 20 est utilisée pour expliquer les structures en couche des unités constitutives, et qu'elle ne correspond pas parfaitement aux unités constitutives de l'appareil de conversion photo-électrique montré sur les figures 19A à 19D. Les structures en couche sont les mêmes que celles montrées sur les figures 19B à 19D. Dans la forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique montrée sur les figures 19A à 19D et sur la figure 20, une unité de conversion photo- électrique, une unité à condensateur d'accumulation, une unité à transistor TFT, une unité de câblage matriciel et analogue sont formées de façon intégrée sur un substrat isolant, lors du même processus, en utilisant une matière amorphe du type a-Si:H en tant que couche semi-conductrice. Les mêmes références numériques désignent, dans cette forme de réalisation, les mêmes éléments que ceux sur la figure 3. Sur la figure 19A, le dessin d'une première couche de câblage est représenté en trait tireté, le dessin d'une deuxième couche de câblage est représenté en trait plein et le dessin d'une troisième couche de câblage est représenté en hachures. La structure montrée sur la figure 19A comprend une unité 5 de câblage matriciel de signaux, une unité 1 a élément de conversion photo-électrique, un condensateur d'accumulation 2 formé dans des couches inférieures de l'unité de câblage matriciel de signaux, un transistor TFT de transfert 3a, un transistor TFT de restauration 3b et une fenêtre 4 d'éclairage. La figure 19B est une vue en coupe longitudinale de l'unité à élément de conversion photo-électrique, la figure l9C est une vue en coupe longitudinale de l'unité de câblage matriciel de signaux et du condensateur d'accumulation, et la figure 19D est une vue en coupe longitudinale de l'unité à transistor TFT de transfert. La structure montrée sur la figure 20 comprend un élément transparent 6 d'espacement, un original 7 et un substrat 8. La lumière incidente, indiquée par une flèche 9, atteint l'unité 1 à élément de conversion photo- électrique en tant que lumière réfléchie 10 (c'est-à-dire information lumineuse) en passant par l'original 7. L'information lumineuse arrivant sur l'unité 1 à élément de conversion photo-électrique est convertie en un courant photo-électrique qui est accumulé dans le condensateur 2 d'accumulation sous forme de charges. Au bout d'une période de temps prédéterminée, les charges accumulées dans le condensateur 2 d'accumulation sont transférées par l'unité 3a à transistor TFT de transfert vers l'unité 5 de câblage matriciel. Sur les figures 19B à 19D et sur la figure 20, une première couche conductrice 22 d'Al, de Cr ou analogue, une première couche isolante 23, par exemple en SiN, une deuxième couche conductrice 24 d'Al, de Cr ou analogue, une deuxième couche isolante 25, par exemple en SiN, une couche 26 à semi-conducteurs a-Si:H, une couche 27 de contact ohmique en a-Si:H de type n+, une troisième couche conductrice 28 d'Al, de Cr ou analogue, et une couche protectrice 29, par exemple en polyimide, sont formées sur le substrat 8. L'unité 1 à élément de conversion photo- électrique, montrée sur les figures 19B et 20, comprend des couches 30 et 31 de câblage d'électrodes supérieures. La lumière 10 réfléchie par la surface d'un original fait varier la conductivité du semi-conducteur photoconducteur 26 en a-Si:H, ce qui fait varier le courant circulant entre les couches de câblage d'électrodes supérieures 30 et 31, opposées de façon imbriquée. Il convient de noter que la référence numérique 32 désigne une couche métallique faisant écran à la lumière. La couche 32 peut être connectée à une source de commande ou d'attaque appropriée pour servir d'électrode de grille en tant qu'électrode de commande pour des électrodes principale 30 (côté source) et 31 (côté drain). - Le condensateur 2 d'accumulation montré sur les figures 19C et 20 est constitué d'une couche 33 de câblage d'une première électrode formée de la première couche conductrice sur le substrat 8, d'un diélectrique constitué de la première couche isolante 23 sur le premier câblage d'électrode 33, et d'une couche 34 de câblage de seconde électrode formée par la seconde couche conductrice 24 sur le diélectrique. Le second câblage d'électrode 34 est toujours maintenu à un potentiel constant. L'unité à transistor TFT 3 montrée sur les figures 19D et 20 comprend la couche de câblage d'électrode inférieure 34 servant d'électrode de grille, la seconde couche isolante 25 constituant une couche d'isolation de grille, la couche semi-conductrice 26, une couche de câblage d'électrode supérieure 35 servant d'électrode de source, une couche de câblage d'électrode supérieure 36 servant d'électrode de drain, et analogue. Dans l'unité 5 de câblage matriciel montrée sur les figures 19C et 20, des câblages de signaux individuels 22, formés chacun de la première couche conductrice, de la première couche isolante 23 recouvrant la couche de câblages de signaux individuels, de la seconde couche conductrice 24 destinée à maintenir un potentiel constant, de la seconde couche isolante 25 formée sur la deuxième couche conductrice, de la couche semi-conductrice 26, de la couche de contact ohmique 27 et des câblages de signaux communs 37, qui croisent les câblages de signaux indi- viduels et qui sont formés de la troisième couche con- ductrice, sont empilés séquentiellement sur le substrat 8. La référence numérique 38 désigne un trou de contact pour la formation d'un contact ohmique entre les câblages individuels 22 et les câblages de signaux communs 37. La référence numérique 39 désigne des câblages de blindage entre lignes qui sont formés entre des câblages de signaux communs adjacents. Comme décrit précédemment, dans cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique, toutes les unités constitutives, c'est-àdire l'unité à élément de conversion photo-électrique, le condensateur d'accumulation, l'unité à transistor TFT et l'unité de câblage matriciel, ont une structure multicouche formée de la couche semi-conductrice photoconductrice, des couches isolantes et des couches conductrices. Ces unités peuvent donc être formées simultanément dans le même processus. Etant donné que la deuxième couche conductrice, qui maintient un potentiel constant, est formée à des intersections entre les câblages de signaux individuels de sortie et les câblages de signaux communs, on élimine la capacité parasite formée à l'intersection entre les câblages de signaux individuels et les câblages de signaux communs. De plus, le câblage de blindage, qui peut maintenir un potentiel constant, est formé entre des câblages de signaux communs adjacents, empêchant ainsi la formation d'une capacité entre les câblages de signaux communs. Il convient de noter que le câblage de blindage, qui peut maintenir un potentiel constant, peut être formé entre les câblages de signaux individuels, ce qui permet d'éviter la formation d'une capacité entre des câblages de signaux individuels adjacents. De cette manière, la seconde couche de câblage d'électrode, destinée à maintenir à un potentiel constant le condensateur d'accumulation, et le câblage de blindage, destiné à maintenir un potentiel constant aux intersections entre les câblages de signaux matriciels, sont formés en commun par la deuxième couche conductrice, afin que le condensateur d'accumulation et l'unité de câblage matriciel de signaux soient formés sur la même partie du substrat, ce qui réduit la largeur du substrat de l'appareil de conversion photo-électrique. Les figures 21A a 21H sont des vues en coupe montrant des étapes de la fabrication de la forme de réalisation représentée sur la figure 20. Il convient de noter que, l'appareil de conversion photo-électrique représenté sur les figures 19A à 19D est également fabriqué lors des mêmes étapes. Le processus de fabrication sera décrit ci-dessous en référence aux figures 21A à 21H. Comme montré sur la figure 21A, une première couche conductrice 22 d'Al, de Cr ou analogue, de 0,1 gm d'épaisseur, a été déposée sur un substrat transparent 8, par exemple en verre, par pulvérisation ou par dépôt, et a été dessinée suivant une forme souhaitée. Comme montré sur la figure 21B, une première couche isolante 23 en nitrure de silicium (SiN), de 0,3 Mm d'épaisseur, a été formée sur la structure représentée sur la figure 21A, par une technique connue telle qu'un dépôt chimique en phase vapeur sous plasma. Comme montré sur la figure 21C, une deuxième couche conductrice 24 d'Al, de Cr ou analogue, de 0,1 Mm d'épaisseur, a été déposée par pulvérisation ou par dépôt, et a été dessinée suivant une forme souhaitée. Comme montré sur la figure 21D, une deuxième couche isolante 25 en SiN, de 0,3 Mm d'épaisseur, une couche 26 en a-Si:H de 0,6 Mm d'épaisseur et une couche dopante 27 de a-Si:H de type n+, de 0,15 Am d'épaisseur, ont été formées par une technique connue, par exemple un dépôt chimique en phase vapeur sous plasma, et ces trois couches 25, 26 et 27 ont été dessinées de façon à former des trous de contact. Comme montré sur la figure 21E, une troisième couche conductrice d'Al, de Crou analogue a été formée par pulvérisation ou par dépôt et a été dessinée suivant une forme souhaitée. Comme montré sur la figure 21F, les couches dopantes en a-Si:H de type n+ situées sur la partie à intervalle de l'unité 1 de conversion photoélectrique et sur la partie formant canal de l'unité à transistor TFT 3, ont été éliminées par gravure. Comme montré sur la figure 21G, une couche semi-conductrice inutile a été éliminée pour réaliser l'isolation des éléments en unités de bits. Ensuite, comme montré sur la figure 21H, une troisième couche isolante 29 formée d'un film de polyimide ou d'un film de SiN, constituant une couche protectrice, a été formée sur la troisième couche conductrice 28. Comme décrit précédemment, dans cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique, dans laquelle l'unité de conversion photoélectrique, le condensateur d'accumulation, l'unité à transistor TFT et l'unité de câblage matriciel sont formés sur le substrat unique, l'unité de câblage matriciel est formée de façon à avoir une structure multicouche comprenant la première couche conductrice, la première couche isolante, la deuxième couche conductrice, la deuxième couche isolante, la couche semi-conductrice et la troisième couche con- ductrice qui sont superposées séquentiellement sur le substrat. Le condensateur d'accumulation possède une structure dans laquelle la première couche conductrice, la première couche isolante et la deuxième couche conductrice sont superposées séquentiellement sur les mêmes parties que celles o se trouve l'unité de câblage matriciel de signaux sur le substrat. Parmi ces couches, la deuxième couche conductrice est formée par la même couche qu'une électrode de grille de l'unité à transistor TFT, la deuxième couche isolante est formée par la même couche qu'une couche d'isolation de grille de l'unité à transistor TFT, la couche semi-conductrice est formée par la même couche que la couche semiconductrice photoconductrice de l'unité à élément de conversion photoélectrique et que la couche semi-conductrice de l'unité à transistor TFT, et la troisième couche conductrice est formée par la même couche qu'une électrode source/drain de l'unité à transistor TFT. Le deuxième film isolant, qui doit avoir une épaisseur d'environ 2 à 3 pm dans une structure classique, doit seulement avoir une épaisseur assez grande pour recouvrir des parties en gradin de la deuxième couche conductrice et pour maintenir de bonnes caractéristiques de commutation des transistors TFT. La deuxième couche conductrice peut avoir une épaisseur de film d'environ 0,3 pm pour constituer un bon film sans microfissures. Il est classiquement difficile de former des trous de contact pour réaliser un contact ohmique entre les troisième et première couches conductrices. Cependant, conformément à la structure de la présente invention, les trous de contact peuvent être formés par l'utilisation du même processus que celui pour former des trous de contact destinés à réaliser un contact ohmique entre les deuxième et première couches conductrices dans la structure classique. On peut ainsi réaliser un microdessin stable par un processus simple. La partie électrique est formée seulement de la première couche isolante, sans accroissement de la dimension du substrat de l'appareil de conversion photo- électrique, ce qui diminue l'épaisseur de la partie diélectrique et augmente la capacité du condensateur d'accumulation. En conséquence, on peut réaliser un appareil de conversion photo-électrique qui n'est pas influencé par une composante de bruit telle qu'une capacité parasite formée entre la couche conductrice destinée à maintenir un potentiel constant et les câblages de signaux. Le circuit de lecture de cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique est le même que celui montré sur la figure 9, et son fonctionnement est également le même. Une application détaillée de cette forme de réalisation de l'appareil de conversion photo-électrique est également la même que celle montrée sur la figure 6 et sa description ne sera pas reprise. Dans un dispositif à semi-conducteurs et un appareil de conversion photoélectrique l'utilisant conformément à l'invention telle que décrite cidessus, une unité de câblage matriciel est formée de façon à avoir une structure multicouche constituée d'au moins une première couche conductrice, une première couche isolante, une deuxième couche conductrice, une deuxième couche isolante, une couche semi-conductrice et une troisième couche conductrice, dans l'ordre de leur citation; des moyens d'accumulation de charges sont formés de façon à avoir une structure multicouche constituée d'au moins la première couche conductrice, la première couche isolante et la deuxième couche conductrice; et la première couche conductrice, la première couche isolante et la seconde couche conductrice de l'unité de câblage matriciel et des moyens d'accumulation de charges sont formés en commun par les mêmes couches. En conséquence, on peut produire un dispositif à semi-conducteurs et un appareil de conversion photo- électrique ne présentant aucune diaphonie entre les signaux de sortie des câblages matriciels, et comportant des câblages matriciels qui sont formés par un processus de fabrication simple et qui présentent un faible taux d'erreur. De plus, la capacité des moyens d'accumulation de charges peut être augmentée sans accroissement de la dimension du substrat, et les moyens d'accumulation de charges peuvent être formés en un processus simple. On peut donc produire un dispositif à semi-conducteurs et un appareil de conversion photo-électrique pouvant améliorer le rapport signal/bruit, la gamme dynamique et autre, pouvant parvenir à des caractéristiques stables et pouvant être rendus peu volumineux. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et à l'appareil décrits et représentés sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semi-conducteurs, caractérisé en ce que m x n moyens (3) de commutation, connectés à m x n éléments fonctionnels pour transférer des signaux par commutation, et une partie (5) de câblage matriciel comportant un câblage connecté respectivement auxdits m x n moyens de commutation, sont formés sur un substrat commun (8), la partie de câblage matriciel comprenant une structure stratifiée formée par superposition d'au moins une première couche conductrice (22), une première couche isolante (23), une deuxième couche conductrice (24), une deuxième couche isolante (25), une couche semi-conductrice (26) et une troisième couche conductrice (28) dans cet ordre. 2. Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que des électrodes principales des moyens de commutation et ladite troisième couche conductrice comprennent une couche conductrice commune (37). - 3. Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de commutation comprennent un transistor à grille isolée comportant une structure stratifiée formée par superposi- tion d'au moins une électrode de commande, une couche isolante, une couche semi-conductrice et une électrode principale, dans cet ordre, et chaque couche de la structure superposée comprend la couche commune à ladite deuxième couche conductrice, ladite deuxième couche isolante, ladite couche semi-conductrice et ladite troisième couche conductrice du câblage matriciel. 4. Dispositif à semi-conducteurs ayant une fonction de conversion photoélectrique, caractérisé en ce qu'il comporte m x n éléments (1) de conversion photo- électrique et m x n moyens (3) de commutation connectés aux éléments de conversion photo-électrique, et une partie (5) de câblage matriciel comportant un câblage connecté aux moyens de commutation, les éléments de conversion photo- électrique, les moyens de commutation et le câblage matriciel étant formés sur un substrat commun (8), les moyens de commutation étant activés par chaque groupe de m blocs pour la lecture d'un signal de conversion photo- électrique, la partie à câblage matriciel comprenant une structure stratifiée formée par superposition d'au moins une première couche conductrice (22), une première couche isolante (23), une deuxième couche conductrice (24), une deuxième couche isolante (25), une couche semiconductrice (26) et une troisième couche conductrice (28). 5. Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 4, caractérisé en ce que des électrodes principales des moyens de commutation, des électrodes des éléments photo-électriques et ladite troisième couche conductrice constituent une couche conductrice commune. 6. Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens de commutation comprennent un transistor à grille isolée comportant une structure stratifiée formée par superposi- tion d'au moins une couche d'électrode de commande, une couche isolante, une couche semi-conductrice et une couche d'électrode principale, dans cet ordre, chaque couche de la structure stratifiée comprenant des couches communes à la deuxième couche conductrice, la deuxième couche isolante, la couche semi-conductrice, la troisième couche conductrice du câblage matriciel et une couche semi-conductrice photoconductrice des éléments de conversion photo-électri- que et une couche semi-conductrice du câblage matriciel constituent une couche commune. 7. Dispositif à semi-conducteurs dans lequel m x n moyens (2) d'accumulation de charge, m x n moyens (3) de commutation connectés respectivement aux m x n moyens d'accumulation de charge, et une partie (5) de câblage matriciel comportant un câblage connecté aux m x n moyens de commutation sont formés sur un substrat commun (8), caractérisé en ce que la partie de câblage matriciel et les moyens d'accumulation de charge comprennent une structure stratifiée formée par la superposition d'au moins une première couche conductrice (22), une première couche isolante (23), une deuxième couche conductrice (24), une deuxième couche isolante (25), une couche semi-conductrice (26) et une troisième couche conductrice (28), dans cet ordre, et chaque couche de la partie de câblage matriciel et chaque couche des moyens d'accumulation de charge comprennent une couche commune. 8. Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens de commutation comprennent un transistor à grille isolée comportant une structure stratifiée formée par la super- position d'au moins une électrode de commande, une couche isolante, une couche semi-conductrice et une électrode principale, dans cet ordre, chaque couche de la structure stratifiée comprenant une couche commune à chacune desdites deuxième couche conductrice, deuxième couche isolante, couche semi-conductrice et troisième couche conductrice de la partie à câblage matriciel et des moyens d'accumulation de charge. 9. Dispositif à semi-conducteurs dans lequel m x n éléments (1) de conversion photo-électrique, des moyens (2) d'accumulation de charge destinés à accumuler des charges de signaux obtenues par conversion photo- électrique par les éléments de conversion photo-électrique, m x n moyens (3) de commutation connectés aux moyens d'ac- cumulation de charge, et une partie (5) de câblage matriciel comportant un câblage connecté aux moyens de commutation sont formés sur un substrat commun (8), le dispositif étant caractérisé en ce que la partie de câblage matriciel et les moyens d'accumulation de charge compren- nent une structure stratifiée formée par la superposition d'une première couche conductrice (22), d'une première couche isolante (23), d'une deuxième couche conductrice (24), d'une deuxième couche isolante (25), d'une couche semi-conductrice (26), d'une troisième couche conductrice (28), dans cet ordre, et chaque couche du câblage matriciel et chaque couche des moyens d'accumulation de charge sont formées par une couche commune. 10. Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 9, caractérisé en ce que les moyens de commutation comprennent un transistor à grille isolée comportant une structure stratifiée formée par la super- position d'au moins une électrode de commande, une couche isolante, une couche semi-conductrice et une électrode principale, dans cet ordre, l'électrode de commande est formée par une couche commune à la deuxième couche conductrice, la couche isolante est formée par une couche commune à la deuxième couche isolante, et la couche semi- conductrice des moyens de commutation et la couche semi- conductrice de l'élément de conversion photo-électrique sont formées par une couche commune à la couche semi- conductrice du câblage matriciel et continue avec cette couche semi-conductrice. 11. Dispositif à semi-conducteurs dans lequel m x n moyens (2) d'accumulation de charge, m x n moyens (3) de commutation connectés aux moyens d'accumulation de charge et une partie (5) de câblage matriciel comportant un câblage connecté aux moyens de commutation, sont formés sur un substrat commun (8), le dispositif étant caractérisé en ce que la totalité ou une portion de la partie de câblage matriciel comprend une structure stratifiée formée par la superposition d'une première couche conductrice (22), d'une première couche isolante (23), d'une deuxième couche conductrice (24), d'une deuxième couche isolante (25), d'une couche semi-conductrice (26) et d'une troisième couche conductrice (28), dans cet ordre, les moyens d'accumulation de charge comprennent au moins la première couche conductrice, la première couche isolante et la deuxième couche conductrice, la première couche con- ductrice, la première couche isolante et la deuxième couche conductrice de la partie de câblage matriciel et des moyens d'accumulation de charge étant formées par des couches communes. 12. Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 11, caractérisé en ce que, sur la deuxième couche conductrice des moyens d'accumulation de charge, la deuxième couche isolante, la couche semi-conductrice, la deuxième couche isolante réalisée à partir de la troisième couche conductrice de la partie de câblage matriciel sont superposées, et au moins la troisième couche conductrice constitue une partie du câblage matriciel. 13. Dispositif à semi-conducteurs selon la revendication 11, caractérisé en ce que les moyens de commutation comprennent un transistor à grille isolée comportant une structure stratifiée formée par superposi- tion d'une électrode de commande, d'une couche isolante, d'une couche semi-conductrice, d'une couche d'électrode principale, dans cet ordre, la couche d'électrode de commande étant formée par une couche commune à la seconde couche conductrice, la couche isolante étant formée par une couche commune à la seconde couche isolante, et la couche semi- conductrice des moyens de commutation étant formée par une couche commune à la couche semi-conductrice du câblage matriciel. 14. Dispositif de conversion photo-électrique dans lequel un élément (1) de conversion photo-électrique, des moyens (2) d'accumulation de charge destinés à accumuler la charge d'un signal provenant de l'élément de conversion photo-électrique, un moyen (3) de commutation connecté aux moyens d'accumulation de charge, et un câblage matriciel (5) connecté aux moyens de commutation sont formés sur un substrat commun (8), le dispositif étant caractérisé en ce que le câblage matriciel comprend une structure stratifiée formée par superposition d'au moins une première couche conductrice (22), une première couche isolante (23), une deuxième couche conductrice (24), une deuxième couche isolante (25), une couche semi-conductrice (26) et une troisième couche conductrice (28), dans cet ordre, et les moyens d'accumulation de charge comprennent au moins une première couche conductrice, une première couche isolante et une deuxième couche conductrice, la première couche conductrice, la première couche isolante et la deuxième couche conductrice du câblage matriciel et des moyens d'accumulation de charge étant formées par des couches communes. 15. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que la deuxième couche conductrice des moyens d'accumulation de charge, la deuxième couche isolante, la couche semi-conductrice, la deuxième couche isolante réalisée à partir de la troisième couche con- ductrice, la couche semi-conductrice et la troisième couche conductrice sont superposées, et au moins la troisième couche conductrice forme une partie du câblage matriciel. 16. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que les moyens de commutation comprennent un transistor a grille isolée comportant une structure stratifiée formée par superposition d'au moins une électrode de commande, une couche isolante, une couche semi- conductrice et une électrode principale, dans cet ordre, l'électrode de commande étant formée à partir de la deuxième couche conductrice, la couche isolante étant formée à partir de la deuxième couche isolante, la couche semi-conductrice des moyens de commutation et une couche photo- conductrice photosensible de l'élément de conversion photo-électrique étant formées à partir d'une couche commune contiguë à la couche semi- conductrice du câblage matriciel. 17. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4, 9 et 14, caractérisé en ce que l'élément de conversion photo-électrique, les moyens de commutation et la partie de câblage matriciel sont disposés côte à côte sur le substrat. 18. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4, 9 et 14, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice comprend un silicium amorphe. 19. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4, 9 et 14, caractérisé en ce que la première couche isolante est formée par une matière choisie entre un oxyde de silicium et un nitrure de silicium. 20. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4, 9 et 14, caractérisé en ce que la deuxième couche isolante est formée par une matière choisie entre un polyimide, un nitrure de silicium et un oxyde de silicium. 21. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4, 9 et 14, caractérisé en ce que la partie de câblage matriciel comporte un câblage (32) formant écran. 22. Dispositif selon l'une des revendications 4 et 9, caractérisé en ce que l'élément de conversion photo- électrique, les moyens d'accumulation de charge, les moyens de commutation et la partie de câblage matriciel sont placés côte à côte sur le substrat. 23. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'un câblage matriciel constituant ladite partie de câblage matriciel est prévu sur les moyens d'accumulation de charge. 24. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4, 9 et 14, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un dispositif semi-conducteur ayant une fonction de conversion photo-électrique, servant de partie d'entrée, et une source d'énergie pour commander ledit dispositif semi-conducteur. 25. Appareil de lecture d'images, caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif (501) à semiconducteurs selon l'une quelconque des revendications 4, 9 et 14, une tête (508) pour l'enregistrement d'une image et une source d'énergie pour la commande du dispositif à semi-conducteurs et de la tête.