FR 2636079 A1 19900309 FR 8911675 A 19890906 La présente invention concerne un procédé de revête- ment de substrats essentiellement plans par dépôt chimique en phase vapeur induit par un plasma, un plasma étant créé dans un espace réactionnel, dans une atmosphère formée d'un mélange de gaz réactionnels, à l'aide d'une électrode de formation de plasma, dans une zone dont la position et la dimension sont prédéterminées dans l'espace réactionnel par la position et la dimension de l'électrode de formation du plasma, un matériau diélectrique de revêtement étant dé- posé, à partir du mélange des gaz réactionnels, sur une zone d'au moins un substrat qui doit être revêtue, dans une région de revêtement placée dans la région formée par le plasma. L'article "Thin Solid Films", 118 (1984) pages 203 à 210 décrit un procédé de polymérisation dans un plasma dans lequel, de manière connue, de minces revêtements d'hydro- carbures sont déposés sur des substrats plans à partir d'un mélange de gaz réactionnels, par activation d'un plasma. Dans ce procédé, les substrats sont serrés dans un cadre et placés dans une chambre réactionnelle dans une zone de formation de plasma qui est activée par un champ d'hyper- fréquences, pénétrant dans la chambre réactionnelle par une fenêtre transparente aux hyperfréquences. Dans ce disposi- tif, la dimension de la fenêtre détermine l'étendue de la zone du plasma de revêtement dans l'espace réactionnel. On connaît aussi, d'après la demande publiée de brevet allemand n 3 326 020, un procédé à impulsions de plasma dans lequel une électrode de formation de plasma est déplacée en translation linéairement au-dessus de la sur- face à revêtir afin que des surfaces relativement grandes de substrats plans soient revêtues. Le procédé décrit précédemment est très proche d'un procédé de revêtement présenté dans l'article de Kieser, Maschinenmarkt 37/86, pages 3 à 7, qui concerne aussi la polymérisation dans un plasma en hyperfréquences. Dans ce procédé, une palette ayant plusieurs substrats placés à proximité les uns des autres est conduite devant une fenêtre transparente aux hyperfréquences. Un ensemble de structures de guidage d'hyperfréquences est placé au-dessus de la fenêtre et est connecté à plusieurs fils d'alimenta- tion en hyperfréquences et plusieurs fils de masse. Les champs d'hyperfréquences traversant la fenêtre créent dans l'espace réactionnel placé au-dessous une zone de plasma délimitée dans l'espace et dans laquelle les substrats dirigés peuvent être revêtus. Un inconvénient des procédés précédents est que le revêtement de substrats sur de grandes surfaces est tribu- taire du déplacement relatif vulnérable du générateur de plasma et du substrat. Comme ce n'est qu'a un prix très élevé que des mécanismes de précision utilisés pour le déplacement des substrats sont compatibles avec les tempé- ratures élevées des substrats, les températures des sub- strats sont limitées à des valeurs qui sont trop faibles pour de nombreuses applications. En outre, un déplacement des substrats pendant l'opération de dépôt dans l'espace réactionnel provoque souvent la formation indésirable de particules. Un autre inconvénient aussi important est que, dans le procédé décrit précédemment, il n'est pas possible de former un revêtement ayant des propriétés prédéterminées à chaque emplacement du substrat. Ainsi, dans le procédé décrit précédemment par exemple, il n'est pas possible d'obtenir le revêtement de substrat de grande surface avec une uniformité d'épaisseur, de structure et de composition sur toute la surface A revêtir puisque les intensités des champs sont normalement plus élevées aux bords des sub- strats, si bien que les vitesses de dépôt sont plus élevées aux bords par comparaison au milieu des substrats. Comme un seul substrat de grande surface ou plusieurs substrats de petite surface sont revêtus dans chaque cas, les procédés précités sont en outre coQteux et peu rentables, pour le revêtement de substrats plans de grande surface. L'invention concerne un procédé du type indiqué au début du présent mémoire et permettant facilement le revê- tement simultané de plusieurs substrats, notamment des substrats de grande surface, chaque substrat pouvant avoir des propriétés de revêtement déterminées précisément à chaque emplacement de la zone à revêtir. L'invention concerne un procédé de revêtement de substrats essentiellement plans, par dépôt chimique en phase vapeur induit par un plasma, un plasma étant créé dans un espace réactionnel, dans une atmosphère formée d'un mélange de gaz réactionnels, à l'aide d'une électrode for- mation de plasma placée dans une zone dont la position et la dimension sont prédéterminées, dans l'espace réaction- nel, par la position et la dimension de l'électrode de formation de plasma, un matériau diélectrique de revêtement étant déposé, à partir du mélange des gaz réactionnels, sur une zone d'au moins un substrat qui doit être revêtue et qui est placée dans une région de revêtement disposée dans la zone du plasma, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend l'utilisation de plusieurs électrodes de formation de plasma pour le revêtement simultané de toute la surface à revêtir d'un ou plusieurs substrats diélectriques, le nombre et la disposition des électrodes de formation de plasma dépendant du nombre et de la disposition des sub- strats présents dans l'espace réactionnel, et de la dimen- sion et de la configuration géométrique de la surface à revêtir sur chaque surface, les colonnes de plasma créées par les électrodes individuelles de formation de plasma se recouvrant mutuellement, et en ce que les électrodes de formation de plasma sont commandées de manière que le revê- tement déposé sur un substrat au moins ait des propriétés prédéterminées de structure de revêtement à chaque emplace- ment du substrat. Dans le procédé selon l'invention, on met en oeuvre le fait que plusieurs électrodes de formation de plasma peuvent être disposées si pi.s les unes des autres que les colonnes de plasma créées par les électrodes se recouvrent mutuellement, sans cependant qu'il apparaisse une influence mutuelle perturbatrice, par exemple par des effets d'inter- férences des champs à haute fréquence. En conséquence, les électrodes de formation de plasma peuvent être commutées et commandées indépendamment les unes des autres. Selon l'in- vention, les électrodes de formation de plasma sont commu- tées et commandées à l'aide de l'énergie électrique qui leur est fournie. Le procédé selon l'invention présente l'avantage de permettre l'utilisation d'électrodes de formation de plasma de type connu qui se distinguent par une réalisation simple et peu encombrante, une faible vulnérabilité et aussi une manutention simple et peu compliquée et qui cependant, étant donné leurs faibles dimensions, ne sont pas normale- ment utilisées pour le revêtement de substrats de grande dimension. La formation d'ondes stationnaires, qui est souvent observée dans le cas des électrodes de formation de plasma de grande surface et qui provoque des inhomogénéités du plasma de revêtement et aussi en conséquence du revête- ment déposé, n'apparaissent pas dans le procédé selon l'invention. Comme le nombre d'électrodes adjacentes utilisées pour la formation de plasma peut être choisi, la dimension et la configuration géométrique des surfaces à revêtir sont pratiquement illimitées. Tous les matériaux diélectriques peuvent être utilisés comme substrats. On utilise de préfé- rence un verre de quartz. Il est possible d'utiliser, pour le revêtement, tous les matériaux diélectriques qui peuvent être déposés à l'aide d'un procédé de formation d'un plasma. De préférence, les revêtements vitreux formés d'un ou plusieurs oxydes choisis dans le groupe qui comprend SiO2, B203, Geo2, P205, TiO 2, ZrO2, HfO2, Sn02, ZnO, A1203 et SiOxNy sont déposés, avec utilisation de préférence, comme gaz réactionnels, de chlorures dépourvus de OH- et/ou, étant donné leur tension de vapeur relativement élevée, de composés organométalliques des substances A déposer. Selon l'invention, les électrodes de formation de plasma et le substrat ou les substrats sont fixés dans le boîtier. Les inconvénients décrits précédemment, connus dans la technique antérieure et qui sont dus à un déplace- ment relatif du substrat et des électrodes de formation du plasma, sont ainsi évités. Par exemple, le chauffage du substrat peut être réalisé de manière connue car l'ensemble du dispositif est réalisé sous forme d'un four ou est entouré par un four. Selon l'invention, la température du substrat peut être réglée entre 200 et 1200 OC. Une température de sub- strat aussi élevée que possible pendant le revêtement -par exemple d'environ 1100 OC pour les substrats de verre de quartz et un revêtement contenant une quantité importante de SiO2- garantit le dépôt de revêtements analogues à un verre, dépourvus d'hydrogène et ayant une qualité optique élevée (absorption et dispersion très faibles, structure uniforme). Dans un mode de réalisation préféré, un plasma d'hy- perfréquences est utilisé. Les hyperfréquences, c'est-&- dire celles qui sont comprises entre quelques centaines de MHz et quelques GHz, parfois appelées microondes, sont -par rapport au ondes à basse fréquence- particulièrement favo- rables pour l'excitation d'un plasma car des vitesses éle- vées de revêtement peuvent être obtenues, pour une plage de pressions exprimée en millibars, parce que les plasmas en hyperfréquences sont très stables, parce qu'une quantité d'énergie relativement faible doit être dépensée pour un volume prédéterminé de plasma, et parce que le rendement de couplage du générateur et du plasma est élevé. Pour la création d'un plasma en hyperfréquences, il est préférable d'utiliser des antennes à hyperfréquences, choisies parmi des antennes diélectriques, des radiateurs de grande surface ou des combinaisons de telles antennes. Parmi les radiateurs de grande surface, ce sont en particu- lier les antennes en forme de cornet et, parmi les antennes diélectriques, les radiateurs à barreaux qui conviennent. Ces types d'électrodes de formation de plasma, dont les possibilités de revêtement de substrat de grande dimension par formation de plasma n'étaient pas connues jusqu'à présent, se distinguent à la fois par une réalisation simple et peu encombrante et une bonne caractéristique d'émission et aussi par un fonctionnement peu compliqué. Cependant, le procédé selon l'invention n'est pas limité è l'utilisation d'un type spécial d'électrode de formation de plasma. En principe, les modes de réalisation les plus divers d'électrodes de formation de plasma peuvent être envisagés. Dans un mode de réalisation préféré de l'invention, les électrodes de formation de plasma sont séparées de l'espace réactionnel par un boîtier ayant une plaque diélectrique, et l'espace entouré par le boîtier, contenant la disposition des électrodes de formation de plasma, est évacué à une pression telle qu'il n'existe aucune décharge disruptive dans cet espace. Le même effet est aussi obtenu par exemple par remplissage de l'espace du boîtier par SF6, indépendamment de la pression de SF6. Les champs en hyper- fréquences atteignent un substrat après avoir traversé la plaque du boîtier, cette plaque pouvant aussi être utilisée comme substrat, et activent plusieurs rangées de colonnes de plasma dans l'espace réactionnel délimité entre la plaque diélectrique du boîtier et le substrat. Dans un autre mode de réalisation préféré de l'in- vention, plusieurs substrats sont placés les uns au-dessus des autres afin qu'ils subissent un revêtement simultané dans l'espace réactionnel. Comme une plaque diélectrique n'empêche pas la propagation des champs générateurs de plasma à haute fréquence, il suffit que les électrodes soient disposées dans un plan au-dessus et/ou au-dessous des substrats, en direction sensiblement parallèle aux surfaces A revêtir ou légèrement inclinées par rapport à ces surfaces, car il faut que la propagation du plasma s'effectue perpendiculairement à ces plans. La même dispo- sition d'électrodes de formation de plasma peut aussi être utilisée pour le revêtement d'un substrat unique. Il est particulièrement commode, lors du revêtement de plusieurs substrats, d'aligner ces derniers de manière que, dans tous les cas, les surfaces des deux substrats à revêtir soient disposées en regard et délimitent des chambres réactionnelles dans l'espace réactionnel. A cet égard, les surfaces arrière correspondantes de deux substrats dans chaque cas peuvent être disposées l'une contre l'autre avec correspondance de leurs configurations, ou elles peuvent être séparées et peuvent délimiter d'autres chambres qui sont exposées à un gaz non réactif. Un gaz utilisé de préférence est 02 qui, lorsqu'un plasma est activé, émet un rayonnement ultraviolet qui peut être utilisé pour le chauffage des substrats délimitant les chambres, à la température que-doivent avoir les substrats. Les distances comprises entre les zones à revêtir doivent être comprises entre 1 et 300 mm. Il peut être commode, pour un meilleur réglage des propriétés de revêtement, que d'autres électrodes de forma- tion de plasma soient placées dans un plan compris entre deux zones à revêtir, la propagation du plasma associée à ces électrodes étant réalisée parallèlement à ces plans. Lorsqu'un revêtement doit avoir des propriétés uni- formes d'épaisseur, de composition et de structure, il est possible, selon le procédé selon l'invention, d'assurer la compensation des effets perturbateurs des bords, qui sont dus aux inhomogénéités précitées de l'intensité du champ, par comparaison avec les valeurs obtenues au milieu d'un substrat, les électrodes placées aux bords étant exposées à des puissances différentes et étant commutées à des moments différents. Dans un autre mode de réalisation préféré de l'in- vention, une plaque diélectrique peut être placée d'un côté ou des deux côtés d'un substrat ou d'un ensemble de sub- strats du type décrit précédemment, en direction essentiel- lement parallèle à la zone ou aux zones à revetir ou légè- rement inclinées par rapport à cette zone ou à ces zones, et des électrodes de formation de plasma sont placées dans des plans compris entre les zones des substrats qui doivent être revêtues, les substrats étant placés les uns au-dessus des autres et/ou au-dessus d'une surface qui doit être revêtue et d'une plaque diélectrique de manière que la propagation du plasma s'effectue parallèlement à ces plans. Il est possible de cette manière d'activer des plasmas ayant des propriétés différentes de revêtement dans chacune des chambres réactionnelles délimitées par les substrats ou par un substrat et une plaque diélectrique. Le procédé utilisé est de préférence un procédé de dépôt chimique en phase vapeur avec des impulsions de plasma. A cet égard, dans le cas le plus simple, l'espace réactionnel ou les chambres individuelles de réaction sont remplis d'un mélange neuf de gaz réactionnels, et les ouvertures d'entrée et de sortie de gaz sont fermées. Les électrodes de formation de plasma sont alors commutées, et les plasmas sont excités si bien que le matériau de revête- ment se dépose sur les zones qui doivent être revêtues & partir du mélange des gaz réactionnels présent dans l'es- pace réactionnel ou dans les chambres réactionnelles. Apres un court temps d'action du plasma, le mélange des gaz réac- tionnels est consommé et le plasma devient inopérant. Ensuite, les ouvertures d'entrée et de sortie de gaz sont ouvertes et le mélange des gaz réactionnels qui a été con- sommé est remplacé par un mélange neuf de gaz réactionnels afin qu'un nouveau revêtement commence. Cependant, il est préférable en pratique d'utiliser une circulation continue du gaz. A cet égard, le temps compris entre deux impulsions de plasma est rendu égal au temps de remplacement d'un mélange usé de gaz réactionnels par un mélange neuf dans l'espace réactionnel ou dans les chambres réactionnelles. Pour que l'exploitation des gaz réactionnels qui peuvent être coûteux soit importante, il faut essayer de permettre la circulation d'une proportion aussi élevée que possible de gaz dans l'espace réactionnel ou dans les chambres réactionnelles entre les zones à revé- tir, et de régler le procédé de manière que, après l'impul- sion de plasma, le mélange des gaz réactionnels qui est contenu soit entièrement épuisé en matériau de revêtement. La vitesse locale de revêtement ne dépend alors plus de la quantité d'énergie électrique couplée au plasma, dans la mesure o une valeur de seuil de puissance, qui dépend par exemple de la composition et de la pression des gaz, est dépassée, mais elle dépend plus spécialement du nombre de molécules des gaz réactionnels par rapport à la surface à revêtir. En conséquence, une autre action sur la vitesse locale de revêtement et ainsi sur les propriétés de revête- ment est possible car les substrats peuvent être disposés avec leurs zones A revêtir sous forme inclinée les unes par rapport aux autres ou par rapport à une plaque diélec- trique, si bien que la quantité du mélange des gaz réac- tionnels enfermée dans l'espace réactionnel ou dans les chambres réactionnelles varie le long de la zone à revêtir. L'angle d'inclinaison qui doit être nettement inférieur à 300, dépend à cet égard des propriétés de revêtement qui sont cherchées. Par exemple, on obtient une augmentation importante de l'uniformité locale de l'épaisseur du revêtement des substrats, dans un mode de réalisation préféré de l'in- vention, lorsque l'angle d'inclinaison donne une ouverture dans la direction de circulation des gaz, suivant la relation: = arcsin [(Pi/Po) i].a/2L Pi étant la pression à l'extrémité du substrat placée du côté d'entrée de gaz pour p = 0, P0 étant la pression à l'extrémité du substrat du côté de la sortie du gaz pour p = O, L étant la longueur du substrat et a étant la plus petite distance comprise entre le substrat et la plaque disposée en regard, cette relation devant être satisfaite approximativement. En outre, la dépendance étroite entre la vitesse de revêtement et la distance comprise entre les zones opposées des substrats peut être utilisée avantageusement pour la formation d'éléments optiques dans lesquels le revêtement ou les revêtements ont une forme en coin, par exemple des filtres en coin ou des filtres interférentiels progressifs ou continus. Lors de la fabrication de filtres interféren- tiels progressifs, l'angle d'inclinaison est donné approxi- mativement, indépendamment de la direction d'ouverture, par la relation suivante: a = arcsin [(tX2/) - l].a/2L t2 étant la plus grande longueur d'onde et 1 la plus petite longueur d'onde du filtre progressif, L étant la longueur du filtre progressif et a étant la plus petite distance comprise entre le substrat et la plaque en regard. On suppose que la diminution de pression entre l'extrémité placée du côté d'entrée et l'extrémité placée du côté de sortie de gaz est égale à zéro. En outre, il est possible d'obtenir des revêtements différents sur les substrats individuels, pendant le revê- tement simultané de plusieurs substrats, car les distances comprises entre les substrats individuels sont choisies différemment. Selon l'invention, les courants d'entrée et de sor- tie du mélange des gaz réactionnels circulent par au moins une ouverture d'entrée et au moins une ouverture de sortie de gaz dans l'espace réactionnel ou dans les chambres réac- tionnelles. Lorsque plusieurs ouvertures d'entrée de gaz sont présentes, le débit de gaz transmis est divisé en plusieurs courants élémentaires. Dans un autre mode de réalisation préféré de l'in- vention, plusieurs ouvertures d'entrée de gaz sont asso- ciées & des électrodes de formation de plasma placées dans un plan qui se trouve au-dessus de la zone à revêtir sur au moins un substrat, le débit de gaz et la propagation du plasma ayant la même direction perpendiculaire à la surface des substrats. Comme un mélange neuf de gaz réactionnels est transmis en permanence sur toute la surface du sub- strat, il est possible, grâce à cette disposition, même sans application d'impulsions, de résoudre le problème qui se pose lorsque le courant de gaz est conduit le long de la surface à revêtir, et qui est relatif à l'épuisement du mélange des gaz réactionnels en matériau de revêtement à l'extrémité de la région de revêtement qui est placée du côté de sortie du gaz, pendant l'opération de revêtement. Le réglage des débits massiques individuels du gaz indépen- damment les uns des autres, à l'aide de soupapes conve- nables, permet cependant la variation à volonté des pro- priétés locales de revêtement. Bien entendu, le procédé selon l'invention peut aussi s'appliquer à des substrats qui, comme les électrodes de formation de plasma placées dans des plans, sont dispo- sés verticalement au lieu d'être disposés horizontalement. D'autres caractéristiques et avantages de l'inven- tion seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est une représentation schématique en coupe verticale d'un dispositif destiné à la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, par dépôt chimique en phase vapeur en présence d'impulsions de plasma, plusieurs élec- trodes de formation de plasma étant placées dans un plan au-dessus d'un substrat et la propagation du plasma ayant lieu perpendiculairement à la surface à revêtir; la figure 2 représente le même dispositif que la figure 1 mais en plan et en coupe suivant la ligne II-II de la figure 1; la figure 3 représente, en coupe verticale, un dis- positif destiné à la mise en oeuvre du procédé selon l'in- vention, avec plusieurs substrats, disposés séparément les uns au-dessus des autres et portés à la température néces- saire pendant le revêtement par chauffage par le plasma; la figure 4 est une coupe verticale d'une autre disposition de substrats utilisée selon l'invention et permettant un revêtement simultané de plusieurs substrats; la figure 5 est une coupe par un plan horizontal d'un mode de réalisation préféré de l'invention, les élec- trodes de formation de plasma étant disposées dans des plans compris entre les substrats et le plasma se propa- geant parallèlement à ces plans; la figure 6 est une vue partielle en plan, en coupe suivant la ligne VI-VI de la figure 5; la figure 7 représente un mode de réalisation pré- féré d'appareil selon 1l'invention dans lequel le mélange des gaz réactionnels s'écoule dans l'espace réactionnel par plusieurs ouvertures d'entrée de gaz et le plasma et le mélange des gaz réactionnels se propage dans la même direc- tion; et la figure 8 représente un mode de réalisation pré- féré de l'invention dans lequel le substrat et une plaque diélectrique d'un boîtier sont inclinés l'un par rapport à l'autre. On se réfère à la figure 1; une source i de gaz est reliée par une ouverture 2 d'entrée de gaz, formée dans une paroi d'un boîtier 3, & un espace réactionnel 4 délimité dans le boîtier 3. Une ouverture 6 de sortie de gaz est placée dans la paroi opposée du boîtier 3 et, par l'inter- médiaire d'une soupape 6 d'étranglement, elle assure la liaison entre l'espace réactionnel 4 et une pompe à vide 7. Les performances de la pompe à vide 7 et le réglage de la soupape d'étranglement 6 sont déterminés de manière qu'un débit massique prédéterminé de gaz circule dans l'espace réactionnel 4 à une pression réduite voulue comprise entre 0,1 et 20 mbar, convenant à la création de charges pulsées de plasma. Un substrat 8 est maintenu dans l'espace réac- tionnel 4 par un support 9 de substrat. Plusieurs élec- trodes 10 de formation de plasma présentées sous forme d'antennes à cornet de platine ou d'un autre métal thermi- quement stable, sont placées dans un plan au-dessus du substrat 8, dans l'espace réactionnel 4. L'ensemble des électrodes 10 de formation de plasma est séparé de l'espace réactionnel 4 par un boîtier ayant une plaque diélectrique 11 afin que des décharges disruptives soient évitées. L'es- pace délimité dans le boîtier peut être évacué par une pompe à vide 12. Les électrodes 10 sont reliées à un géné- rateur 14 d'hyperfréquences par des ensembles 13 de commande grâce auxquels elles peuvent être commutées et réglées séparément. Pour que le substrat 8 soit chauffé, l'ensemble du dispositif est entouré par un four 15, de préférence destiné à améliorer la qualité du revêtement. Lors du fonctionnement, les champs d'hyperfréquences traversent la plaque diélectrique 11 et activent plusieurs rangées de colonnes 16 de plasma qui se recouvrent mutuel- lement, dans l'espace réactionnel 4, entre la plaque 11 et la surface de substrat à revêtir. A chaque impulsion de plasma, une couche d'un revêtement 17 se dépose sur la surface à revêtir et sur-la plaque diélectrique 11, les propriétés de revêtement étant réglées à chaque endroit du substrat par réglage séparé des électrodes individuelles 10 placées au-dessus de l'emplacement particulier. La dimen- sion et la configuration géométrique des surfaces à revêtir sont déterminées par le nombre et la disposition des élec- trodes de formation de plasma. Sur la figure 2, les électrodes 10 de formation de plasma sont disposées sous forme d'une grille au-dessus du substrat, comme indiqué en traits interrompus 18. Toute autre disposition dans laquelle les colonnes de plasma se recouvrent convient aussi. Dans la disposition de la figure 3, plusieurs sub- strats 8 sont disposés séparément les uns au-dessus des autres. Les surfaces des deux substrats qui doivent être revêtus sont tournées les unes vers les autres et déli- mitent des chambres réactionnelles 19 dans l'espace réac- tionnel 4, le revêtement étant réalisé dans ces chambres. Chaque chambre réactionnelle 19 a sa propre ouverture 2 d'entrée de gaz et sa propre ouverture 5 de sortie de gaz. Les électrodes 10 sont fixées dans tous les cas dans un plan qui se trouve au-dessus ou au-dessous de l'ensemble des substrats, et elles créent descolonnes 16 de plasma qui traversent les substrate. Les chambres 20 délimitées par les surfaces arrière des substrats 8 ont aussi des ouvertures 21 et 22 d'entrée et de sortie de gaz respecti- vement. Les chambres 20 peuvent être évacuées par une pompe à vide 23, par l'intermédiaire des ouvertures 22 de sortie de gaz. Le gaz non réactif, qui émet un rayonnement ultra- violet dans le plasma, de l'oxygène dans ce mode de réali- sation, est introduit dans les chambres 20 par l'ouverture 21 d'entrée de gaz. Pendant le fonctionnement, les colonnes 16 de plasma traversent les chambres 19 et 20. L'oxygène gazeux est excité dans le plasma et émet un rayonnement ultraviolet qui est absorbé par les substrats voisins, et il chauffe ces derniers à la température nécessaire. Dans la disposition des substrats représentés sur la figure 4, les substrats 8 sont placés les uns contre les autres par leurs faces arrière. Par rapport à la disposi- tion de la figure 3, cette disposition présente l'avantage d'occuper moins d'espace, et de permettre le revêtement simultané de plusieurs substrats. Pour que les vitesses de revêtement soient différentes, les paires de substrats sont séparées par des distances différentes. Le chauffage des substrats est réalisé dans ce cas depuis l'extérieur, par exemple par un four. Dans le mode de réalisation de la figure 5, les électrodes 10 sont fixées dans un plan qui se trouve entre les surfaces de deux substrats 8 qui doivent être revêtues de manière que les colonnes 16 de plasma soient parallèles à ce plan. La disposition en couches des substrats et des zones de plasma est indiquée sur la figure 6. Dans le mode de réalisation représenté sur la figure 7, le mélange des gaz réactionnels s'écoule par plusieurs ouvertures 2 d'entrée de gaz qui sont placées dans un plan qui se trouve au-dessus du substrat 8, vers l'espace réac- tionnel 4, les électrodes 10 étant parallèles à la direc- tion de propagation du plasma. Chaque débit massique indi- viduel de gaz est réglé séparément à l'aide de soupapes d'étranglement 3. La figure 8 montre comment la réduction de pression du courant du mélange de gaz réactionnels dans la chambre réactionnelle est compensée afin qu'un revêtement uniforme soit obtenu par disposition du substrat 8 en direction faisant un angle 2a par rapport à la plaque diélectrique opposée 11. On décrit maintenant un exemple de revêtement d'un substrat plan de grande dimension, par un revêtement très réfléchissant, par mise en oeuvre du procédé selon l'inven- tion à l'aide de la disposition représentée sur la figure 1. Le procédé utilisé mettait en oeuvre un plasma en hyper- fréquences sous forme pulsée. Le substrat était formé d'un * verre de quartz. La surface à revêtir était une zone circu- laire de 45 cm de diamètre. La distance à la plaque diélec- trique, placée en face du substrat et qui a été revêtue de la même manière, était de 1,5 cm, les épaisseurs du sub- strat et de la plaque diélectrique étaient de 1 cm. Les électrodes destinées à créer le plasma en hyperfréquences étaient sous forme d'antennes à cornet de platine, avec un diamètre de cornet de 15 cm. Sept antennes & cornet ont été placées au-dessus de la surface à revêtir de manière que les colonnes de plasma créées par les antennes indivi- duelles se recouvrent mutuellement dans la région de revê- tement. A cet effet, six des antennes ont été regroupées autour d'une antenne à cornet centrale, toutes les antennes étant en contact mutuel. La fréquence utilisée était de 2,45 GHz, la durée de l'impulsion de 1 ms et la période d'impulsion de 50 ms. Les électrodes de formation de plasma ont toutes fonctionné avec une puissance moyenne de 500 W et ont été commutées en même temps. L'espace séparant les électrodes de formation de plasma dans le boftier de la plaque diélectrique a été évacué à une pression de 10-4 mbar afin que les décharges disruptives soient évitées. Les gaz réactionnels suivants ont été utilisés comme mélange de gaz réactionnels, avec les débits massiques indiqués suivants: SiC14 200 (556) cm3/min 02 800 (2224) cm3/min CC12F2 4 (11) cm3/min 2 2 3 GeCl4 24 (67) cm3/min (au maximum) (les chiffres placés entre parenthèses concernent l'exemple 2). Le débit massique de GeC14 a été modulé de façon sinusoïdale avec une période de 11 s, afin qu'une variation sinusoïdale de l'indice de réfraction soit obtenue dans le sens de l'épaisseur du revêtement. La fréquence atteignait 500. La vitesse de dépôt était de 0, 72 pm/min, et une épaisseur de revêtement de 0,6 nm a été déposée à chaque impulsion de plasma. Pendant l'opération de revêtement, une pression de 3 mbar a été réglée dans l'espaoe réactionnel, et la température du substrat atteignait 1000 'C. Le revêtement réalisé au cours de l'opération décrite précédemment était très réfléchissant à 520 nm et avait une très bonne uniformité d'épaisseur de revêtement sur une zone circulaire de 35 cm de diamètre, à la fois sur le substrat et sur la plaque diélectrique. L'épaisseur du revêtement a un peu diminué vers le bord. Cependant, selon le procédé de l'invention, cet effet peut être évité par réglage différent des électrodes externes et interne de formation de plasma. Dans un autre mode de réalisation, une surface cir- culaire de substrat de 75 cm de diamètre a été revêtue comme dans l'exemple précédent. A cet effet, douze élec- trodes supplémentaires ont été serrées intimement autour des électrodes décrites précédemment. Les paramètres ont été choisis comme indiqué précédemment. Seuls les plus grands débits massiques de gaz indiqués entre parenthèses ont été utilisés. Dans cet exemple, on a obtenu une très bonne uniformité d'épaisseur de la couche dans une zone circulaire de 65 cm de diamètre. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux procédés qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de revêtement de substrats essentiel- lement plans, par dépôt chimique en phase vapeur induit par un plasma, un plasma étant créé dans un espace réactionnel, dans une atmosphère formée d'un mélange de gaz réaction- nels, à l'aide d'une électrode formation de plasma placée dans une zone dont la position et la dimension sont prédé- terminées, dans l'espace réactionnel, par la position et la dimension de l'électrode de formation de plasma, un maté- riau diélectrique de revêtement étant déposé, à partir du mélange des gaz réactionnels, sur une zone d'au moins un substrat qui doit être revêtue et qui est placée dans une région de revêtement disposée dans la zone du plasma, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend l'utilisa- tion de plusieurs électrodes de formation de plasma pour le revêtement simultané de toute la surface à revêtir d'un ou plusieurs substrats diélectriques, le nombre et la disposi- tion des électrodes de formation de plasma dépendant du nombre et de la disposition des substrats présents dans l'espace réactionnel, et de la dimension et de la configu-- ration géométrique de la surface à revêtir sur chaque sur- face, les colonnes de plasma créées par les électrodes individuelles de formation de plasma se recouvrant mutuel- lement, et en ce que les électrodes de formation de plasma sont commandées de manière que le revêtement déposé sur un substrat au moins ait des propriétés prédéterminées de structure de revêtement à chaque emplacement du substrat. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les électrodes individuelles de formation de plasma sont commutées et commandées, indépendamment les unes des autres, par la puissance électrique qui leur est appliquée. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le plasma est un plasma d'hyperrré- quences et les électrodes de formation de plasma sont des antennes pour hyperfréquences. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les antennes pour hyperfréquences sont choisies dans le groupe qui comprend des radiateurs de grande surface, des antennes diélectriques et des combinaisons des antennes et radiateurs précités pour hyperfréquences. 5. Procédé selon l'une des revendications 3 et 4, caractérisé en ce que les antennes utilisées sont des antennes à cornet ou des radiateurs à barreaux ou une com- binaison de telles antennes. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les électrodes de formation de plasma sont placées dans un plan qui se trouve au-dessus d'un substrat ou d'un ensemble de substrats ou dans un plan qui se trouve au-dessous d'un substrat ou d'un ensemble de substrats, en direction parallèle à la surface ou aux sur- faces à revêtir ou faiblement inclinée par rapport à ces surfaces, et la propagation du plasma est perpendiculaire à ce plan. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel plusieurs substrats sont revêtus simultanément, caractérisé en ce que les substrats sont placés les uns au-dessus des autres de manière que leurs surfaces à revêtir se cor- respondent. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les substrats sont placés les uns au-dessus des autres de manière qu'ils soient séparés les uns des autres, et les surfaces à revêtir de deux substrats sont tournées l'une vers l'autre et délimitent des chambres réaction- nelles qui sont exposées au mélange des gaz réactionnels, et en ce que les chambres délimitées par les surfaces arrière sont exposées à un gaz supplémentaire qui, lors- qu'un plasma est active, chauffe les substrats à la tempé- rature voulue par émission d'un rayonnement ultraviolet. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que 02 excité est utilisé Tomme émetteur d'ultraviolets. 10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que deux substrats sont disposés l'un au-dessus de l'autre de manière que les faces opposées aux zones à revê- tir soient appliquées l'une contre l'autre, et les paires de substrats ainsi formées sont disposées les unes au- dessus des autres de manière que les zones à revêtir de deux substrats soient séparées mutuellement et délimitent des chambres réactionnelles qui sont exposées au mélange des gaz réactionnels. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 8 à 10, caractérisé en ce que des électrodes supplé- mentaires de formation de plasma sont placées dans des plans disposés entre les substrats séparés ou les paires séparées de substrats, et la propagation du plasma est réalisée parallèlement à ces plans à partir des électrodes. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 5, caractérisé en ce qu'une plaque diélectrique est disposée d'un côté ou des deux côtés d'un substrat ou d'un ensemble de substrats formé de plusieurs substrats placés de manière que leurs surfaces à revêtir soient dis- posées les unes au-dessus des autres, la plaque diélec- trique étant parallèle aux surfaces à revêtir ou légèrement inclinée par rapport à elles, et d'autres électrodes de formation de plasma sont fixées dans un plan disposé entre une plaque diélectrique et une surface à revêtir d'un sub- strat ou dans un plan placé entre deux substrats disposés séparément l'un au-dessus de l'autre, de manière que la propagation du plasma soit parallèle à ce plan. 13. Procédé selon la revendication 12, destiné au revêtement de plusieurs substrats, caractérisé en ce que deux substrats sont disposés l'un audessus de l'autre de manière que les faces arrière, opposées aux surfaces à revêtir, soient placées l'une contre l'autre, et les paires de substrats ainsi formées sont placées les unes au-dessus des autres de manière que les surfaces à revêtir des deux substrats soient disposées en face les unes des autres et séparées de manière qu'elles délimitent des chambres réac- tionnelles qui sont exposées au mélange des gaz réac- tionnels. 14. Procédé selon la revendication 12, destiné au revêtement de plusieurs substrats, caractérisé en ce que les substrats sont placés les uns audessus des autres de manière qu'ils soient séparés, et les surfaces à revêtir de deux substrats sont placées en regard et délimitent des chambres réactionnelles qui sont exposées au mélange des gaz réactionnels, et en ce que les chambres délimitées par les surfaces arrière sont exposées à un gaz supplémentaire qui, lorsqu'un plasma est activé, chauffe les substrats à la température voulue par émission d'un rayonnement ultra- violet. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'émetteur d'un rayonnement ultraviolet est 02 excité. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 15, caractérisé en ce que les électrodes de for- mation de plasma sont séparées de l'espace réactionnel ou des chambres réactionnelles par au moins un boîtier muni d'une plaque diélectrique. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'espace séparé par le boîtier est évacué à une pression telle qu'aucune décharge disruptive n'est créée dans cet espace. 18. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'espace délimité par le boîtier est rempli de SF6. 19. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 16 à 18, caractérisé en ce que la plaque diélectrique du boîtier est utilisée comme substrat. 20. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions précédentes, caractérisé en ce que le mélange des gaz réactionnels est introduit par au moins une ouverture d'en- trée de gaz dans l'espace réactionnel ou dans chaque chambre réactionnelle individuelle, et sort par au moins une ouverture de sortie de gaz débouchant dans l'espace réactionnel ou dans chaque chambre réactionnelle indi- viduelle. 21. Procédé selon la revendication 20, dans lequel le mélange des gaz réactionnels est introduit par plusieurs ouvertures d'entrée de gaz, caractérisé en ce que le débit de gaz provenant de la source de gaz est divisé en plu- sieurs courants élémentaires transmis aux ouvertures indi- viduelles d'entrée de gaz. 22. Procédé selon l'une des revendications 20 et 21, caractérisé en ce que le courant de gaz est conduit le long de la surface ou des surfaces à revêtir. 23. Procédé selon l'une des'revendications 20 et 21, dans lequel un substrat est revêtu et la propagation du plasma est perpendiculaire à la surface du substrat, carac- térisé en ce que plusieurs ouvertures d'entrée de gaz sont disposées avec les électrodes de formation de plasma dans un plan qui se trouve audessus de la surface du substrat à revêtir, et la circulation du gaz introduit et la propaga- tion du plasma ont une même direction perpendiculaire à la surface du substrat. 24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que des débits massiques différents de gaz sont transmis par les ouvertures individuelles d'entrée de gaz. 25. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 22, caractérisé en ce que le plasma est de type pulsé, et, au cours d'une impulsion de plasma, la totalité du mélange des gaz réactionnels, placé entre la surface de substrat à revêtir ou une plaque diélectrique et la surface du substrat à revêtir, est totalement épuisée en matériau de revêtement. 26. Procédé selon la revendication 25, dans lequel plusieurs substrats sont placés les uns au-dessus des autres et sont revêtus simultanément, caractérisé en ce que la quantité du matériau de revêtement déposée pendant une impulsion de plasma sur chaque surface individuelle de substrat à revêtir est déterminée par la distance la sépa- rant du substrat voisin ou de la plaque diélectrique voisine. 27. Procédé selon l'une des revendications 25 et 26, caractérisé en ce que, après chaque impulsion de plasma, le mélange usé des gaz réactionnels est évacué de l'espace réactionnel ou des chambres réactionnelles, et un mélange neuf de gaz réactionnels est introduit, et en ce que, pen- dant une impulsion de plasma, les ouvertures d'entrée et de sortie de gaz sont fermées. 28. Procédé selon l'une des revendications 25 et 26, caractérisé en ce que le courant d'entrée et le courant de sortie du mélange de gaz réactionnels sont continus, et le débit massique de gaz est tel que, entre deux impulsions de plasma, la totalité du mélange usé des gaz réactionnels est évacuée, et l'espace réactionnel ou les chambres réaction- nelles sont remplis à nouveau totalement d'un mélange neuf de gaz réactionnels. 29. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 25 à 28, caractérisé en ce que deux substrats opposés ou un substrat et une plaque diélectrique sont inclinés l'un par rapport à l'autre d'un angle inférieur à 300. 30. Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que, au cours de la formation d'un filtre progressif, le demi-angle d'inclinaison a est donné approximativement par la relation suivante: a = arcsin [(X2/Xl) - 1] .a/2L t2 et k1 étant la plus grande et la plus petite des lon- gueurs d'onde du filtre progressif, L étant la longueur du filtre progressif et a étant la plus petite distance com- prise entre le substrat et la plaque disposée en face. 31. Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que, pour que la variation de l'épaisseur du revête- ment soit uniforme, le demi-angle d'inclinaison p d'ouver- ture dans la direction d'écoulement du gaz est donné ap- proximativement par la relation suivante: - arcsin [(Pi/P0) - 1].a/2L Pi et P0 étant les pressions & l'extrémité du substrat du côté d'entrée et du côté de sortie respectivement pour p = 0, L étant la longueur du substrat et a étant la plus petite distance comprise entre le substrat et la plaque disposée en face. 32. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions précédentes, caractérisé-en ce que le revêtement est réalisé à une pression comprise entre 0,1 et 20 mbar dans l'espace réactionnel ou dans les chambres réactionnelles individuelles. 33. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions précédentes, caractérisé en ce que la distance com- prise entre les substrats ou entre un substrat et une plaque diélectrique est comprise entre i et 300 mm. 34. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions précédentes, caractérisé en ce que les substrats sont chauffés à une température comprise entre 200 et 1200 OC pendant l'opération de revêtement. 35. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions précédentes, caractérisé en ce que, pendant la forma- tion d'un revêtement de structure, de composition et d'épaisseur uniformes, les électrodes de formation de plasma qui sont placées aux bords d'une zone à revêtir sur un substrat reçoivent une plus grande quantité d'énergie électrique que les électrodes de formation de plasma pla- cées à l'intérieur et sont commutées à des moments diffé- rents de ceux de ces électrodes placées à l'intérieur.