FR 2643148 A1 19900817 FR 8901988 A 19890215 26 4 3 1 48 -1 - CAPTEUR DE PRESSION DU TYPE SEMICONDUCTEUR SUR ISOLANT La présente invention concerne un capteur de pression du type semi-conducteur sur isolant. C5 Les capteurs de pression du type à jauges diffusées sont bien connus. La demande de brevet européen 109,992 décrit un tel capteur. Dans une pastille de semiconducteur, par exemple du silicium, on réalise par usinage un diaphragme très mince déformable et on laisse subsister autour du diaphragme un rebord plus épais pour fixer le diaphragme au corps du capteur. Pour mesurer la pression, ou la différence de pression appliquée au diaphragme on réalise dans le diaphragme des jauges piézorésistives par dopage localisé du matériau semi conducteur. On a en général quatre jauges diffusées montées en pont de Wheatstone. Une solution possible d'implantation des jauges est la suivante: deux des jauges sont disposées dans des zones du diaphragme o les contraintes dues à la pression sont positives, les deux autres étant disposées dans des zones o les contraintes dues à la pression sont négatives. Un des problèmes soulevés par les capteurs à jauges diffusées réside dans le fait qu'il est très difficile de réaliser une isolation électrique poussée entre les jauges puisque celles-ci sont réalisées par implantation ou diffusion de type P dans le substrat de silicium de type N et que l'isolation entre chaque jauge et le substrat de silicium est réalisée par une jonction P-N. Ce défaut d'isolation est encore accru lorsque la température à laquelle est soumis le capteur augmente. Typiquement ces capteurs sont limités à une température de 130 C. La technique du silicium sur isolant(eh anglais Silicon on 2643 1 4 -2- Insulator - SOI) permet de résoudre ce probleme d'isolation entre le substrat et les jauges. L'article de E. Obermeier publié dans IEEE Transducers 1985, p. 430 à 433 décrit un tel capteur de pression. Le substrat de silicium est recouvert d'une couche isolante, par exemple de la silice, et les jauges piézo-résistives sont formées individuellement sur la couche isolante. Comme dans le cas des jauges diffusées, le capteur comporte quatre jauges: deux jauges centrales et deux jauges périphériques. Au centre du diaphragme la courbe de contraintes est "plate" c'est à dire que la zone de contraintes maximales est relativement "longue". Les deux jauges disposées dans cette région sont du type en I, c'est à dire qu'elles sont en une seule partie qui a une longueur plus importantes. A la i5 périphérie du diaphragme au contraire la courbe de contraintes est très "pointue", c'est à dire que la zone de contraintes maximales a une longueur réduite. C'est pourquoi on y place des jauges en U qui sont constituées chacune par deux demi-jauges de longueur réduite (formant Dû les branches du U) raccordées à l'une de leurs extrémités par une liaison conductrice. Un des problèmes pour la réalisation de ces capteurs réside dans le fait que les jauges en U et les jauges en I ont des formes très différentes. De plus les jauges en U comportent deux zones de contact ohmique supplémentaires qui introduisent en série des résistances additionnelles. Il est donc très difficile de donner aux 4 jauges des résistances identiques. En outre la résistance des jauges proprement dites et la résistance du contact métal-semiconducteur (zone de contact ohmique) ne varient pas de la même façon en température, ce qui rend impossible l'équilibre à vide du pont pour toutes les températures dans une plage de températures donnée (effet d'offset). Il faut ajouter que si les conducteurs électriques qui relient -3 - entre elles les jauges n'ont pas tous la même résistance électrique, l'effet des variations de la température sur ces conducteurs peut également induire des dérivés du désequilibre du pont. La compensation d'offset est réalisée généralement par des éléments externes de compensation, par exemple des résistances, qui n'ont pas le même coefficient de température que les jauges du pont. Il est donc d'autant plus difficile de corriger l'offset de façon satisfaisante dans une plage donnée de températures que l'offset initial à compenser est plus grand. Une autre difficulté réside dans le fait que, pour obtenir une mesure correcte, il est nécessaire de protéger les jauges vis-a-vis des charges électrostatiques qui peuvent se développer à la surface des jauges en matériau semi-conducteurs, ou plus précisément à la surface de la couche de protection des jauges. Ces charges ont pour effet, directement ou indirectement, de modifier de façon variable et aléatoire la section de passage effective pour le courant circulant dans chaque jauge. Dans le cas o la jauge est réalisée en silicium polycristallin dopé, l'effet d"'écrantage" par les charges électrostatiques peut se faire sentir sur une profondeur allant jusqu'à 100 A. Pour éviter cet effet, on réalise sur chaque jauge un écran électrostatique qui évite ainsi la formation des charges électrostatiques. La réalisation de ces écrans et la connexion de ces écrans au reste du circuit sont délicates et risquent a leur tour d'introduire dans le pont de mesure formé par les quatre jauges des dissymétries conduisant à un déséquilibre du pont et induisant des dérives de température. Un objet de l'invention est de fournir un capteur de pression sur support isolant pouvant fonctionner à 3.. tempratire élevée (par exemple.20.C), qui présente un -4- pont de jauges piezorésistives semi-conductrices ayant une géométrie plus symétrique que les ponts de l'art antérieur ce qui permet de supprimer ou au moins de réduire tres sensiblement la tension de déséquilibre du pont à vide simplifiant ainsi considérablement la réalisation des éléments de compensation. Selon l'invention, le capteur de pression comprenant un support isolant, quatre jauges piezorésistives réalisées iC sur le support isolant en un matériau semi-conducteur, deux jauges ayant une forme de U et deux autres une forme de I, se caractérise en ce que chacune des quatre jauges est constituée par deux demi-jauges, chaque demi-jauge comprenant une zone sensible allongée en matériau semi-conducteur de largeur réduite dans le plan du support, deux zones de contact ohmique disposées aux extrémités de la demi-jauge, et deux zones de raccordement de largeur plus importante en matériau semi-conducteur disposées entre ladite zone sensible et lesdites zones de contact ohmique, -2 la forme des deux zones de raccordement étant la même pour les huit demi-jauges. Grâce à ces caractéristiques la structure globale de l'élément sensible constitué par les quatre jauges piézorésistives est plus symétrique que dans les modes de réalisation de l'art antérieur. En outre la disposition particulière des jauges permet de diminuer la surface des parties conductrices servant à relier les jauges entre elles et au reste du pont de mesure. De préférence ledit capteur comprend en plus huit électrodes "écran" en matériau conducteur, chaque électrode "écran" surmontant une desdites demi-jauges, une extrémité de chaque électrode écran étant reliée électriquement à une zone de contact de la demi-jauge correspondante. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description qui suit de modes de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs. La description se réfère au dessin annexé sur lequel: La figure 1 est une vue en coupe verticale d'un élément de silicium préparé pour réaliser un capteur selon l'invention; La figure 2 est une vue de dessus de l'élément de silicium illustrant la première étape de gravure du silicium polycristallin; La figure 3 est une vue de dessus montrant la deuxième étape de dépôt et de gravure d'une couche de passivation; La figure 4 est une vue de dessus montrant la troisième étape de dépôt et de gravure d'une première couche de métallisation; La figure 4a est une vue en coupe verticale selon la ligne AA de la figure 4; La figure 5a est une vue de dessus illustrant les étapes de dépôt et de gravure d'une couche épaisse d'isolant et de dépôt et de gravure d'une deuxième couche de métallisation; - La figure 5b est une vue en coupe verticale selon la Iigne B-B de la figure 5a; Les figures 6a et 6b sont des vues de dessus montrant une variante des étapes illustrées par les figures 3 et 4; et -6- La figure 7 montre une autre variante de l'étape représentée sur la figure 5b. En se référant d'abord aux figures 1 à 5, on va décrire un mode préféré de réalisation d'un capteur de pression du type silicium sur isolant selon l'invention. Comme le montre la figure 1 on part d'un substrat de silicium 10 dont la face arrière 12 est ultérieurement gravée pour former une cavité 14. Le silicium monocristallin a de préférence l'orientation [100] et le substrat a une épaisseur de l'ordre de 500 micromètres. Sur la face avant 16 du substrat 10 on réalise, par exemple par oxydation du silicium, une couche 18 de silice SiO2. La 1 couche 18 a de préférence une épaisseur de l'ordre de 5000 A. Sur la couche 18 de SiO2, on réalise une couche 20 de silicium polycristallin. La couche 20 a une épaisseur comprise entre 2000 et 5000 A. Le silicium polycristallin est dopé au bore avec des concentrations de bore de 1019 a 1020 cm-3 Plusieurs techniques peuvent être utilisées pour réaliser la couche 20 de silicium polycristallin. On peut citer en particulier la technique dite LPCVD (Low Pressure chemical Vapor Deposition). Dans l'étape suivante illustrée par la figure 2, on grave la couche 20 de polysilicium dopé sur toute son épaisseur pour ne laisser subsister que la forme repérée globalement par la référence 22. La partie restante 22 a la forme générale d'un rectangle présentant deux grands cotés A et B disposés selon deux directions parallèles XX' et YY'. Les grands cotés A et B sont raccordés par des petits cotés C et D perpendiculaires aux cotés A et B. Les petits cotés C et D ont une largueur constante a. Les grands cotés A et B sont identiques. YRS -7- La partie gravée restante 22 du polysilicium est formée de quatre éléments 24, 26, 28, 30 correspondant respectivement aux jauges en U, U1 et U2 et aux jauges en I, Il et 12. Les éléments 24 et 26 sont identiques et les éléments 28 et 30 sont également identiques. Comme on l'a déjà indiqué, selon l'invention, chaque jauge est formée par deux demi-jauges. Les jauges U1 et U2 sont formées respectivement par les demi-jauges J1, G1 et J4, G4 et les jauges Il, et 12 sont formées respectivement par les demi-jauges J2, J3 et G2, G3. Comme le montre la figure 2, les éléments de polysilicium formant les demi-jauges J1 à J4 sont disposées selon l'axe XX' alors que les demi-jauges G1 à G4 sont disposées selon l'axe YY'. Chaque demi-jauge est constituée par une zone sensible ou utile, par deux zones de raccordement, et par deux zones de contact ohmique. Au niveau du polysilicium, la zone sensible se présente sous la forme d'un barreau allongé de longueur 1 et de largeur c. Les zones de raccordement des demi-jauges sont définies dans des portions de largeur b des éléments 24 à 30 du polysilicium. La jauge Il, pour ce qui concerne le polysilicium, comprend les zones sensibles 32 et 34 et les portions d'extrémité 36, 38 et 40, la portion 38 étant commune aux demi-jauges J2 et J3. La jauge 12 a exactement la même forme. La jauge U1 comprend également deux zones sensibles 42 et 44 de largeur c et de longeur 1, et trois portions d'extrémité 46, 48 et 50. La portion d'extrémité intermédiaire 48 a une forme particulière puisqu'elle est formée par l'ensemble du petit côté C et par deux portions 52 et 54 disposées respectivement selon les directions XX' et YY'. Dans l'étape suivante, illustrée par la figure 3 on réalise sur l'ensemble de la pièce un dépôt d'une couche de 3b passivation 56, typiquement un nitrure de silicium -8 - Si3N4 d'epaisseur environ lO0A. La couche 56 recouvre aussi bien les parties restantes 24 à 30 de polysilicium que la couche isolante 18. Puis on ménage dans la couche 56 des fenêtres. Ces fenêtres référencées 60 à 82 sont aménagées au dessus de chaque portion de polysilicium de largeur a ou b, c'est à dire au dessus de chaque portion d'extrémité. Pour la jauge Il, les fenêtres 82, 80 et 78 sont ménagees au dessus des portions d'extrémité 36, 38 et 40. Pour la jauge Ut les fenêtres 66, 68 et 70 sont iD ménagées au dessus des portions d'extrémité 46, 48 et 50. Pour les jauges 12 et U2 on a des dispositions identiques. Les fenêtres ont toutes une largeur d légèrement inférieure aux largeurs a ou b des portions correspondantes de polysilicium. L'extrémité de chaque fenêtre se trouve exactement à une distance e de l'extrémité de la zone sensible correspondante. Par exemple les deux bords de la fenêtre 62 disposée au dessus de la portion de connexion 38 de la jauge Il sont disposés respectivement à la distance e des extrémités des portions sensibles 32 et 34 de cette même jauge. Il en va de même pour les autres fenêtres des autres jauges qui sont référencées 66 à 82. Dans l'étape suivante illustrée par la figure 4 on effectue le dépôt d'une première couche de métallisation 84. Cette première métallisation consiste, par exemple, en une couche d'une alliage Titane-Tungstène d'épaisseur 1000 à 1500A. La première couche de métallisation est gravée pour ne laisser subsister que les parties représentées sur la figure 4. La figure 4 montre que la couche de première métallisation 84 est constituée en fait par 12 zones séparées les unes des autres Z1 à Z12. Chacune des zones de métallisation Z1 à Z4 est disposée au dessus des zones sensibles et de la portion de connexion intermédiaire d'une jauge. Par -9- exemple, pour la jauge Il, la zone de métalisation Z1 recouvre la portion de connexion 38 et les zones sensibles 32 et 34. La métallisation Z1 est reliée par sa partie centrale directement au polysilicium a travers ia fenêtre 62. Le reste de la métallisation est isolé du polysilicium par la couche de passivation. Les zones de métallisation Z5 a Z12 permettent de relier chaque extrémité de chaque jauge aux autres éléments du pont. Elles seront appelées métallisation d'interconnexion. Une extrémité de chacune de ces métallisations Z5 à Z12 est disposée en regard d'une fenêtre de telle manière qu'il y ait une liaison électrique entre cette métallisation et le polysilicium. Par exemple, pour la jauge Il, la métallisation Z5 est en partie en regard de la fenêtre 60 alors que la métallisation Z6 est en partie en regard de la fenêtre 64. Les métallisations Z1 à Z4 constituent des électrodes "écran" respectivement pour les jauges Il, 12 et U1, U2. Le point milieu d'une électrode "écran" est donc reliée électriquement au point milieu d'une jauge, c'est à dire à la portion de connexion-intermédiaire qui relie les zones sensibles des deux demi-jauges formant la jauge. On peut également considérer que chaque métallisation Z1 à Z4 constitue deux électrodes "écran" surmontant les deux demi-jauges d'une même jauge. La partie médiane de chacune de ces métallisations sert alors à relier électriquement chaque électrode au point milieu de la jauge considérée. Fonctionnellement l'élément sensible est terminé avec ses deux jauges en U (U1 et U2), ses deux jauges en I (Il et I2) et ses électrodes écran Zl, Z2, Z3 et Z4 et ses connexions au pont Z5 à Z12. En se référant plus particulièrement à la figure 4a, on comprendra mieux comment ces différentes parties sont -10- définies avec une grande précision grâce au procédé selon i'invention. Si l'on considère une demijauge, par exemple la demi-jauge JS 3, elle comprend une zone sensible de largeur c et de longueur -1. Ces dimensions ont éte définies avec précision lors de la gravure de la couche 20 de polysilicium. La demijauge J3 comprend également deux zones de raccordement de largeur b, cette largeur ayant également été définie lors de la gravure du polysilicium avec une grande précision. Chaque zone de raccordement a une longueur e qui est définie également avec une grande précision pour la raison suivante: Lors de la réalisation des fenêtres 62 et 64 (voir figure 3) les extrémités de celles-ci ont été réalisées avec une grande précision à la distance e des extrémités de la zone sensible 32 d'extrémité. Or le polysilicium, dans les fenêtres 62 et 64 est directement en contact avec la couche de métallisation 80. Du point de vue de la circulation du courant 2g électrique, le métal ayant une conductibilité électrique très supérieure à celle du polysilicium, la totalité du courant s'écoule dans le métal, et tout se passe comme s'il n'y avait pas, en dessous,.de polysilicium. Les zones du polysilicium recouvertes directement par la première métallisation forment la zone de contact ohmique. On obtient ainsi huit demi-jauges J1 à J4 et Gl à G4 en polysilicium qui ont exactement la même forme, en particulier à la transition entre la zone utile et les zones de contact ohmique (fenêtres 66 et 68). -En effet cette transition est réalisée par la zone de raccordement et les seize zones de raccordement sont identiques. Par exemple, la demi-jauge J2 est reliée à la demi-jauge i1 par la portion de la métallisation Z1 limitée par la renetre 62; la demi-jauge G2 est reliée à la demi-jauge -11- G3 par la portion de la métallisation Z3 qui est limitée par la fenêtre 74; et la demi-jauge J1 est reliée à la demi-jauge G1 par la portion de la métallisation Z4 limitée par la fenêtre 80. Selon S l'exemple de réalisation les dimensions a et b sont égales à 100 microns; 1 est égale à 100 microns; c est égale à microns et e est de l'ordre de 20 microns. La longueur des grands côtés est égale à 1400 microns et la longueur des petits côtés est égale à 300 microns. On va maintenant décrire comment ont été réalisées les électrodes "écran". La métallisation Z3 constitue l'électrode écran pour les demi-jauges J2 et J3. En effet la métallisation Z3 recouvre ces deux demi-jauges en étant séparée de celles-ci par la couche de passivation 50. Cette électrode écran est reliée au reste du circuit électrique par le contact entre la couche de métallisation et le polysilicium à travers la fenêtre 66. Ainsi, du point de vue électrique, le point milieu de cette électrode écran est relié au point milieu de la jauge 12 formée par les demi-jauges J2 et J3. On comprend que la partie de la métallisation Z1 qui pénètre dans la fenêtre 62 joue un triple rôle: Elle constitue une des zones de contact ohmique pour les demi-jauges J2 et J3; elle forme la liaison électrique entre ces deux demi-jauges, et elle relie au pont les électrodes "écran" recouvrant les demi-jauges J2 et J3. Si l'on considère maintenant -la jauge U1 en U, on retrouve une disposition similaire. La métallisation Z1 qui recouvre les demi-jauges Il et G1 forme l'électrode écran de cette jauge. La liaison électrique entre l'électrode écran et le reste du circuit électrique est réalisée à travers la fenêtre 60. La liaison électrique entre les demi-jauges J1 et G1 est réalisée par la 264314a -12- portion de la métallisation Z1 limitee par la fenêtre 60. Cette portion de la métallisation Z1 joue donc le double rôle déjà énoncé lors de la description précédente de la jauge Il. Dans l'étape suivante, illustrée par la figure 5a, on réalise un dépôt d'isolant épais 100. Il s'agit par exemple d'un dépôt de silice d'une épaisseur d'environ 6000 A. Ce dépôt recouvre l'ensemble de l'élément sensible. Il est ensuite gravé pour former huit fenêtres 102 à 116 qui sont disposées en regard des portions de métallisation 80 référencées Z5 à Z12. Dans ces fenêtres 102 à 116 la première métallisation 84 est apparente. l; Dans la dernière étape on réalise un deuxième dépôt métallique 120 (par exemple de l'aluminium) qui pénètre dans les fenêtres 102 à 116. Ce dépôt 120 est gravé pour ne laisser subsister que les zones L1 à L8. Ces zones conductrices servent à relier les quatre jauges de ^C l'élément sensible du capteur au reste du pont de mesure. On voit qu'ainsi on peut insérer les composants que l'on veut entre deux jauges du pont, par exemple, pour réaliser une compensation à l'aide de résistances. La superposition des différents dépôts est mieux visible sur la figure 5b qui est une coupe dans la zone de deuxième métallisation 104. Il est important de souligner les nombreux avantages que présente l'invention par rapport aux techniques de l'art antérieur. En premier lieu, grâce au fait que les jauges en I sont formées par deux demi-jauges qui sont elles-mêmes strictement identiques aux demi-jauges formant les jauges en U, les quatre jauges ont exactement la même forme quant -13- aux portions piezorésistives qu'elles comprennent. En particulier les singularités (passage de la zone utile, d'une demi-jauge a la zone decontact ohmique) sont en nombre égal (quatre) dans les quatre jauges, et la forme de ces singularités est toujours la même. Il résulte de cette disposition parfaitement symétrique et régulière que les effets de ces singularités se compensent rigoureusement si l'on considère l'ensemble de l'élément sensible. Un capteur conformeà l'invention peut fonctionner dans une plage de température de -50 à 200 C avec une tension d'offset inférieure à 0,3mV par volt appliqué au pont de Wheatstone. Un autre avantage de la disposition des jauges selon l'invention est que la longueur des interconnexions entre les jauges est très réduite par rapport aux solutions de l'art antérieur. En conséquence les effets thermiques différentiels sont -également très réduits. Le mode de réalisation préféré des électrodes "écran" présente également de nombreux avantages. Chaque électrode écran a son point milieu qui est électriquement relié au point milieu de chaque jauge (à la liaison des deux demi-jauges formant la jauge). On comprend cependant qu'on pourraiten fait réaliser des électrodes "écran" différemment: chaque électrode écran ne recouvre d'une demi-jauge (en tout huit électrodes écran). L'électrode est alors reliée par une de ses extrémités à la zone de contact ohmique de la demi-jauge qui n'est pas en même temps une zone de contact ohmique pour l'autre demi-jauge de la jauge considérée. -14- Dans la description précédente, chaque jauge a ses deux extremités qui se terminent par une liaison électrique permettant d'insérer dans le pont entre deux jauges les composants que l'on souhaite. Cependant, comme on l'a indiqué grâce a la structure particulière des jauges, la tension d'offset est très réduite. Il est donc possible, pour certaines applications de n'introduire aucun élément de compensation de la tension de déséquilibre. Dans ce cas la réalisation du capteur peut être légèrement modifiée. C'est ce qu'illustrent les figures 6a et 6b. La différente essentielle réside dans la façon dont on réalise la liaison électrique entre les jauges. Comme le montre la figure 6a, il n'y a pas de séparation, au niveau du polysilicium, entre les différentes jauges. Par exemple entre les zones sensibles 32 et 34 des demi-jauges J1 et J2 (de la figure 2) on a une portion de connexion unique référencée 36'. De même entre les zones sensibles des demi-jauges J3 et J4 on a une portion de connexion unique 40'. En ce qui concerne les fenêtres ouvertes dans la couche de passivation, on en trouve une au dessus de chaque portion de connexion. Par exemple on trouve la fenêtre 130 au dessus de la portion de connexion 36' et la fenêtre 132 au dessus de la zone de connexion 40'. Lors de l'étape de première métallisation (figure 6b), on réalise huit zones de métallisation Z'1 a Z'8. Les métallisation Z'1 à Z'4 qui recouvrent les jauges sont identiques aux métallisations Z1 à Z4 de la figure 4 et jouent le rôle d'électrodes "écrans". Les métallisations Z'5 à Z'8 sont des métallisations de liaison. Elles jouent un double rôle d'une part elles relient entre elles des extrémités de deux jauges voisines, d'autre part elles permettent de relier les jauges au reste du pont. Par -15- exemple la métallisation Z'5 relie la jauge I1 à la jauge Ul. Les figures 1 a 5 illustrent un premier mode de réalisation du capteur dans lequel les jauges du capteur ne sont pas initialement reliées entre elles. Au contraire les figures 6 montrent un deuxième mode de réalisation dans lequel les quatre jauges du capteur sont toutes interconnectées. Il est clair qu'entre ces deux solutions extrêmes toutes les solutions intermédiaires peuvent être adoptées. Par exemple seule la liaison entre les jauges U1 et 12 est ouverte. L'interconnexion entre deux jauges peut se faire comme dans le cas des figures 6a et 6b. Elle peut également être réalisée à partir du mode de gravure du polysilicium représenté sur la figure 2. C'est ce que montre la figure 7 annexée. -16- REVENDICATIONS 1. Capteur de pression comprenant un support isolant, quatre jauges piezorésistives réalisées sur le support isolant en un matériau semiconducteur, deux jauges ayant une forme de U et deux autres une forme de 1, caractérisé en ce que chacune des quatre jauges est constituée par deux demi-jauges, chaque demi-jauge comprenant une zone sensible allongée en matériau iC semiconducteur de largeur réduite dans le plan du support, deux zones de contact ohmique disposées aux extrémités de la demi-jauge, et deux zones de raccordement de largeur plus importante que celle de la zone sensible disposées entre la zone sensible et les zones de contact ohmique la forme des zones de raccordement étant la même pour les huit demi-jauges. 2. Capteur de pression selon la revendication 1 caractérisé en ce que les jauges en I sont parallèles 2 entre elles et les branches des jauges en U sont parallèles augî jauges en I, en ce que les extrémités libres des jauges en U sont tournées vers les jauges en I et les branches des jauges en U alignées 2 à 2, chacune des jauges en I étant disposées sur une des deux droites parallèles sur lesquelles sont disposées lesdites branches. 3. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comprend en plus huit électrodes "écran" en matériau conducteur, chaque électrode "écran" surmontant une desdites demi-jauges, une extrémité de chaque électrode écran étant reliée électriquement à une zone de contact ohmique de la demi-jauge correspondante. -17- 4. Capteur de pression selon la revendication 3, caractérisé en ce que la zone sensible d'une demi jauge est disposée entre deux portions d'extremité réalisées avec ledit matériau semiconducteur, en ce que ladite zone sensible et lesdites portions d'extremité sont recouvertes par une couche de passivation, en ce qu'une fenêtre est ménagée dans la couche de passivation au droit de chaque portion d'extrémité, en ce que des métallisations sont réalisées sur la couche de passivation au droit de ladite zone sensible et au droit desdites fenêtres la métallisation dans lesdites fenêtres formant lesdites zones de contact ohmique, la métallisation au droit de ladite zone sensible formant une électrode écran, et en ce que la métallisation formant l'électrode écran est reliée électriquement à une des zones de contact ohmique. 5. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que ledit o support isolant est en silicium oxydé. 6. Capteur de pression selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ledit matériau semi-conducteur est du silicium polycristallin dopé.