FR 2640811 A1 19900622 FR 8916412 A 19891212 La présente invention concerne une bande support utilisée pour assembler des semiconducteurs. Des films pour bandes supports conventionnels comprennent deux types de films: ceux du type dit structure à trois couches illustré en (a) - (d) de la Fig.1l, obtenus par dépat d'un adhésif 2 sur un film de polyimide 1, puis perforation de trous d'empreinte 3 et dt'un trou de dispositif 4, fixaticn par contact d'une feuille de cuivre 5 sur ledit film par chauffage, et formation d'un conducteur 6 selon un procédé photolithographique, et ceux du type dit structure à deux couches illustré en (b) - (d) de la Fig.2, obtenus par dépSt et cuisson d'un vernis de polyimide sur une feuille de cuivre 5 pus formation d'un troudediitif 4 pargravure de la surface 1 de polyimide selon un procédé lithographique, et formation d'un conducteur 6 à la surface du cuivre, toujours selon un procédé lithographique. Cependant, dans la structure à trois couches illustrée Fig.1, la résistance à la chaleur de la O0 couche adhésive ((2) sur la Fig.1) placée entre le film et la feuille de cuivre est inférieure à celle du film de polyimide; il s'ensuit qu'il y a une déviation du conducteur, due au chauffage lors de la fixation du conducteur interne par contact thermique, à la tête du circuit intégré (IC), si bien qu'il peut se produire des rejets. En particulier, plus l'intégration du IC devient grande, plus les bandes supports ont de broches; ainsi, plus le nombre de broches augmente, plus le procédé de fixation conventionnelle des fils métalliques nécessite de temps, et la probabilité est grande que la liaison devienne impossible en fonction du nombre de broches. On a donc proposé un mode de fixation collectif (mode TAB), qui utilise un support de film. Mais, au fur et à mesure que le nombre de broches augmente, la largeur du conducteur devient aussi plus petite; ainsi la stabilité de la précision dimensionnelle au moment de la fixation s'est-elle révélée très importante. Dans ces conditions, puisqu'une couche adhésive ayant une résistance à la chaleur limitée est présente, une déviation ou une torsion du conducteur se manifeste par suite de la détérioration ou du ramollissement de l'adhésif, causée par la chaleur lors de la fixation 1i- dudit conducteur interne, si bien que le positionnement au moment de ladite fixation devient difficile, ou bien on obtient une fixation médiocre. De plus, il y a des cas o les impuretés contenues dans l'adhésif induisent un déplacement aberrant de Y l'IC, ou bien une partie de l'adhésif adhère aux perforations en dérangeant ainsi le positionnement du conducteur et de la t te de I'IC. D'autre part, il existe une bande support à structure bicouche sans couche adhésive qui obvie à 2': l'inconvénient de la bande support tricouche ci-dessus. Comme l'illustrent les stades (b) à (d) de la Fig.2, on fabrique la bande support de ladite structure par dép6t et cuisson d'un vernis de polyimide sur une feuille de cuivre continue, pour former une bande bicouche doublée de cuivre, puis par dépSt d'un résist sur la surface de polyimide, développement par exposition à la lumière du matériau résultant, par l'intermédiaire d'un masque, et corrosion du film de polyimide pour former un trou. Toutefois, la vitesse de corrosion du film de polyimide est si faible que le produit ne peut Etre appliqué seulement sur une bande support d'un film mince de polyimide. Dans le cas d'un tel film mince de polyimide, la rigidité de la bande résultante est si faible que des problèmes sont à même de surgir lors des stades suivants qui nécessitent de la rigidité, p.ex. lors de la gravure ou de la galvanoplastie de la feuille de cuivre, et lors du stade ultérieur de fixation du conducteur interne. En outre, étant donné que s'ajoute l'opération de photolithographie, les stades sont si longs que le produit est médiocre, économiquement parlant. De plus, il existe un procédé pour former une mince couche de film de cuivre sur un film de polyimide In0 par dépSt par faisceau électronique, une projection, ou une non-électrolyse et électrolyse, mais le film de cuivre résultant formé selon le procédé a une souplesse inférieure; ainsi, quand un fin conducteur est formé, il y a risque de rupture du i produit lors de la manipulation. En outre, le procédé est de faible rendement et économiquement trop cher. Compte tenu des problêmes mentionnés ci-dessus, le but de la présente invention est de fournir une bande support bon marché à structure bicouche présentant une résistance à la chaleur élevée et ne provoquant que difficilement un déplacement aberrant d'IC par suite des impuretés. La présente invention est caractérisée par un procédé de production d'une bande support, comprenant les stades suivants: - dépSt d'un vernis de polyimide sur une feuille métallique électroconductrice continue, suivi de cuisson du matériau; -perforation de la bande bicouche résultante com- prenant ladite feuille métallique et le film de polyimide pour former des trous d'empreinte, - découpe et enlèvement dudit film de polyimide au moyen d'un outil de coupe, pour former un trou de dispositif; 2U 6 4 0 8 11 - dép8t d'un résist à la surface de ladite feuille métallique; exposition à la lumière du résist résultant,par l'intermédiaire d'un masque, pour séparer, des parties perforées, une configuration de circuit et un circuit; - développement du résist résultant et gravure de ladite feuille métallique par l'intermédiaire d'un masque dudit résist; enlèvement du résist; et - dépôt électrolytique sur la feuille métallique résultante. Les Fig. 1 et 2 représentent chacune un schéma opératoire illustrant un procédé de production d'une bande support conventionnelle (de profil et en coupe). La Fig. 3 représente un schéma opératoire illustrant un procédé de production d'une bande support selon la présente invention. Dans ces figures, 1: film de polyimide 2: couche adhésive 3: trou d'empreinte 4: trou de dispositif : feuille de cuivre 6: conducteur Afin de résoudre les problèmes mentionnés ci- dessus, on réalise la présente invention selon les illustrations de la Fig.3 ((a), (b), (c), Cd) et Ce)). On dépose en fait un vernis en polyimide directement sur une feuille de cuivre 5 sans utiliser } d'adhésif, puis on effectue une cuisson pour former un film de polyimide 1; on perfore la feuille bicouche doublée de cuivre résultante pour former des trous d'empreinte, ensuite, on forme un trou de dispositif 4 au moyen d'une machine à découper, on dépose un résist sur la feuille de cuivre; on soumet le résist résultant à une exposition à la lumière, par l'intermédiaire d'un masque, pour séparer, des perfora- tions, une configuration de circuit et un circuit, on corrode la feuille métallique, retire le résist pour former un fil 6 et effectue un dépôt électrolytique sur la feuille de métal pour obtenir une bande support bon marché possédant une résistance à la chaleur élevée, une faible susceptibilité aux impuretés et une bonne souplesse du conducteur. i,:: Comme machine à découperservant à formerletrcudedipsitif nécessaire à l'efficacité de la présente invention, on donne, comme exemple de type de machines à contrSle numérique, un robot à contr8le numérique, et, comme mode de contrSle, on donne comme exemple un robot à servocommande, tandis que, comme mécanisme opératoire, on donne comme exemple un robot à coordonnées perpendiculaires. Dans un exemple du procédé de la présente invention, on dépose un vernis sur une feuille de 2 cuivre coupée à une largeur définie pour obtenir une épaisseur définie. Comme vernis précurseur de polyimide utilisé ici, on préfère un vernis ayant une très bonne adhérence à la feuille de cuivre comme celui décrit dans la demande de brevet japonaise publiée N 61- 287926/1986. Ce vernis est une solution d'un acide polyamique contenant du silicium préparé en faisant réagir un dianhydride tétracarboxylique (A moles) de formule (1), une diamine (B moles) de formule (2) et un composé ' aminosilicique (C moles) de formule (3), les expressions (4) et (5) reliant A, B et C, et il a une viscosité intrinsèque comprise entre 0,05 et 5 dl/g, mesurée à 30 + 0,01 OC dans un solvant tel qu 'exemplifié plus loin et à une concentration de 0,5%. en poids: CO 0c/ - O R CR o0 (1) NH2-R2- NH2..- (2) NH2 - R3 - SiR43-kXk ' " (3) C iA - B. 1.8 *-- (4) O.1 *... (5) BC -B+ C (5) Dans les formules (1), (2) et (3), RI représente un groupe carbocyclique aromatique tétravalent; R2 représente un groupe aliphatique ayant de 2 à 12 atomes de carbone, un groupe alicyclique ayant de 4 à 30 atomes de carbone, un groupe araliphatique ayant de 6 à atomes de carbone, un groupe aromatique carbocyclique ayant de 6 a 30 atomes de carbone, un groupe pc.lysiloxane de formule (6) R6 R6 t I I I -RÉ S- 0 t Si - R5 -...(6 R6 R6 dans laquelle FR est, indépendamment, formules dans lesquelles s représente un entier de 1 à 4, RI représente, indépendamment, un groupe alkyle de 1 à 6 atomes de carbone, un groupe phényle ou un groupe phényle substitué par alkyle ayant de 7 à 12 atomes 26408 11 de carbone, et 1 est une valeur telle que 1 1 1 c 100, ou un groupe représenté par la formule -c c- Ul I N C N l R8 dans laquelle Rn est un groupe aliphatique à 8 atomes de carbone ou moins, un groupe araliphatique ou un IC) atome d'hydrogène; R3 est -(CH2), - (C-2) s -(CH2) -0 ou -e o s est un entier de i à 4; R4 est, indépendamment, un groupe alkyle de 1 à 6 atomes de carbone, un groupe phényle ou un groupe phényle substitué par alkyle ayant de 7 à 12 atomes de carbone; X est, indépendamment, un groupe alcoxy, acétoxy ou un atome d'halogène; et k est tel que: 1 i k c 3. 2:C Des exemples de solvants de la solution ci-dessus sont: N-méthyl-2pyrrolidone, N,N-diméthylacétamide, N,N-diméthylformamide, diméthylsulfoxyde, tétraméthylurée, pyridine, diméthylsulfone, hexaméthylphosphoramide, méthyformamide, N-acétyl-2- pyrrolidone, toluène, xylène, méthylcellosolve, éthylcellosolve, butylcellosolve, monométhyléther de diéthylèneglycol, diméthyléther de diéthylèneglycol, cyclopentanone, cyclohexanone, mélanges des composés précédents. On durcit, à une température définie, une feuille de cuivre revêtue d'un vernis, puis on y crée des trous d'empreinte= au moyen d'une machine à perforer, on positionne lesdis trous d'empreinte ainsi qu'un trou de dis- positif, et on découpe la couche de polyimide sous une forme définie à l'aide d'une machine à contr$le numérique pour former un trou de dispositif. Ensuite, on dépose un résist à la surface de la feuille de cuivre, puis on soumet la surface résultante à l'exposition à la lumière, par l'intermédiaire d'un masque, pour séparer, des trous d'empreinte, un dessin de circuit et un circuit; cn forme une configuration de circuit sur la feuille de cuivre par gravure, on retire le résist et dépose de l'étain ou de l'or par électrolyse à la surface du cuivre pour obtenir une bande support. Selon la présente invention, il est possible, en mettant en oeuvre la structure ci-dessus, d'obtenir une bande support bon marché ayant une résistance à la chaleur élevée, une faible susceptibilité aux impuretés et une grande souplesse. REVENDICATIONS 1. Procédé de production d'une bande support, caractérisé en ce qu'il comprend les stades suivants: - dép8t d'un vernis de polyimide sur une feuille métallique électroconductrice continue, suivi de cuisson du matériau; - perforation de la bande bicouche résultante comprenant ladite feuille métallique et le film de polyimide pour former des trous d'empreinte: - découpe et enlèvement dudit film de polyimide au moyen d'un outil de coupe, pour former un trou de dispositif; - dépôt d'un résist à la surface de ladite feuille métallique; - exposition à la lumière du résist résultant, par l'intermédiaire d'un masque, pour séparer, des parties perforées, une configuration de circuit et un circuit; développement du résist résultant et gravure de ladite feuille métallique par l'intermédiaire d'un masque dudit résist; - enlèvement du résist; et dépôt électrolytique sur la feuille métallique résultante.