FR 2638892 A1 19900511 FR 8815728 A 19881109 PROCEDE DE MODULATION DE LA QUANTITE D'OR DIFFUSEE DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM ET DIODE RAPIDE OBTENUE PAR CE PROCEDE La présente invention concerne le domaine des semicon- ducteurs et notamment des procédés de diffusion de métaux tels que l'or dans du silicium. Dans de nombreux types de composants semiconducteurs, et notamment dans des composants de puissance, on cherche à réduire la durae de vie des porteurs minoritaires dans une couche semicon- ductrice particulière. Pour cela, on crée dans ces couches des centres de recombinaison des porteurs. De tels centres de recom- binaison peuvent correspondre à des sites dans lesquels on a effectué des diffusions d'or ou de platine, ou à des sites dans lesquels on a créé des dislocations, par exemple par implantation d'électrons, de protons, d'ions... Avec les procédés du type implantation ionique proto- nique..., il est théoriquement possible d'obtenir des densités de dislocation plus importantes à des profondeurs choisies dans une couche ou tranche semiconductrice en sélectionnant le mode d'im- plantation. Néanmoins, de tels procédés ne permettent pas d'atteindre des durées de vie très faibles. Ainsi, pour l'obten- tion de durées de vie très faibles, on est classiquement amené à utiliser des procédés du type diffusion d'or, mais il n'est pas possible avec les procédés connus de moduler la concentration en or dans le sens de l'épaisseur de la couche ou tranche semicon- ductrice dans laquelle la diffusion est effectuée. À m/Sagole çi01 E 7OIO ap aipioj ap aoqdsoqd ad uoTl ú -eiuauov aun fOAe + d aqAnoz eT ap ago np aqDnov-snos amWTxnap aun la úmo/semo3e tiO t ú101 ep aipio[l ap aSedop ap nteaTu un oaAs ievasqns np -oa np aqanoz-enos ai$maid aun aoua;ag d ap puaidmoo aeTxeTTdg aqvnoz el *anuaiqo ainazBnas eT suep agSTTea Isesa jop so p sa3p UOTSnjTP aun la PNN+ obtenue par le procdé susmentionné. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1A représente schématiquement une vue en coupe d'une structure semiconductrice N NN; les figures lB et 1C représentent des courbes de concen- tration de phosphore, de concentration d'or et de durée de vie relatives à la structure de la figure 1A; les figures 2 à 6 sont destinées à décrire l'état de la technique et les problèmes qui se posent pour la réalisation d'une diode rapide et correspondent aux figures 1 à 5 du brevet français 82 05435 du 30 mars 1982 déposé au nom de Thomson CSF et dont l'inventeur est Yoland Collumeau; la figure 7 représente une vue en coupe d'une structure selon la présente invention; et les figures 8 et 9, représentent des profils de dopage correspondant à la figure 7. Ainsi, la figure lA représente une vue en coupe schéma- tique d'un substrat semiconducteur comprenant en superposition-une couche NI, c'est-à-dire une couche N à faible niveau de dopage, une couche N et une couche N-. La courbe 10 de la figure lB représente le profil de dopage de cette structure dans la direction de la flèche x de la figure 1A. On suppose que les couches N ont une concentration de porteurs indiquée par la courbe 10 de l'ordre de 1014 atomes/cm3 et la couche N une concentration de porteur de l'ordre de 1015 atomes/ cm3 et que le dopant conférant la conductivité de type N est du phosphore. Dans ce cas, si l'on réalise dans la structure de la figure 1A une diffusion d'or, on constate que cette diffusion présente un profil correspondant a celui de la courbe 20 à savoir que la diffusion d'or présente des centres actifs, c'est-à-dire des centres o l'or est placé dans des positions substitution- nelles et non pas dans des supositions interstitielles réparties. Comme le montrent les courbes 10 et 20, la concentration en atomes d'or disposés de façon substitionnelle suit le profil de la concentration en phosphore. Les essais effectués par la deman- deresse montrent que cette relation reste vraie dans le mesure o la concentration de phosphore varie entre 1013 et 1015 atomes/cm3. On dispose ainsi d'un moyen pour moduler la concentration en centres de recombinaison par diffusion d'or en ayant réalisé au préalable des gradients de diffusion de phosphore. On notera que, de façon classique, la concentration d'or est plus élevée vers les faces de la structure. La figure 1C représente par la courbe 11 le profil de concentration d'une structure du même type o l'on trouve une cou- che inférieure de type N dont le niveau de dopage est de l'ordre de 1014 atomes/cm3 et une couche supérieure qui présente une concentration de l'ordre de 1015 at./cm3, la couche intermédiaire présentant un niveau de dopage au phosphore variant graduellement entre 1014 et 1015. De même, la concentration d'atomes d'or pré- sentée par la courbe 21 suit cette concentration. Dans les figures lB et 1C, les courbes 30 et 31 représentent les durées de vie cor- respondantes dans les diverses couches après la diffusion d'or, ces durées de vie étant inversement proportionnelles à la concen- tration en atomes d'or substitutionnels. Cette possibilité de modulation dans le sens de l'épaisseur d'une tranche semiconductrice de la concentration en atomes d'or, c'est-à-dire de la concentration en centres de recom- binaison et donc de modulation de la durée de vie des porteurs, peut présenter de nombreuses applications dans le domaine des com- posants semiconducteurs et notamment des composants de puissance. On va décrire ci-après, une application inventive particulière aux diodes rapides, cette application n'étant pas limitative des ap- plications possibles de la présente invention. Une étude détaillée des paramètres influant sur la fabrication des diodes rapides est exposée dans le brevet français 82 05 435 déposé le 30 mars 1982 au nom de Thomson CSF, l'inven- teur étant Yoland Collumeau. Les problèmes posés par la réalisation de diodes rapides sont exposés en relation avec les figures 2 à 6 de la présente demande qui correspondent aux figures 1 à 5 de la demande de bre- vet susmentionnée. Comme le montre la figure 2, une diode rapide comprend classiquement une structure P+NN+. La figure 3 indique en traits plein la concentration des atomes dopants dans une telle diode. Comme l'indique la courbe en tirets longs de cette figure 3, lorsqu'un courant direct passe dans cette diode, une certaine quantité de charges est injectée dans la zone faiblement dopée de type N. Cette quantité de charges ou de porteurs injectés dépend au courant traversant la diode. La quantité de charges emmagasinée pendant la conauction directe et demeurant 3 l'instant to du cycle de commutation est couramment désignEe par le symbole QO et est appelée charge stockée. Elle s'exprime par une relation du type: QO TIF ou Q0 2 dIF/dt selon la valeur de la durée tO - tF par rapport à la valeur de C ou X est la durée de vie des porteurs minoritaires dans la zone de type N de la diode et o IF est le courant direct dans la diode. Quand on inverse la tension aux bornes du circuit com- prenant la diode ou que le courant est dérivé dans une autre par- tie du circuit, on ne retrouve pas immédiatement aux bornes de cette diode une tension de valeur égale à celle de la tension inverse appliquée. Au contraire, il s'écoule un certain temps durant lequel la diode peut être assimilée à un court-circuit en inverse, avant qu'elle ne retrouve son pouvoir de blocage. En effet, pendant la commutation, pour une diode rapide, une partie de la charge QO disparaît spontanément par recombinai- son interne (liée à la durée de vie des porteurs minoritaires), Z638892 mais l'autre partie, appelée charge recouvrée QR, qui intervient essentiellement dans le phénomène étudié est évacuée par le cou- rant inverse circulant dans la diode. C'est cette charge recouvrée qui produit le courant inverse de recouvrement et induit tous les phénomènes de commutation (surtension, &chauffement, parasites, etc...). Le recouvrement inverse peut être décomposé en deux par- ties (voir aussi la figure 4). Dans la première partie, dès l'instant de fermeture tF de l'interrupteur du circuit de commutation, le courant direct commence à décrottre, s'annule et un courant inverse irr s'éta- blit. La vitesse de décroissance du courant direct, puis de croissance du courant inverse, est en général exclusivement impo- sée par le circuit dans lequel est insérée la diode. Pendant cette première partie, une quantité de charges Q1 est évacuée. A partir de l'instant t1, la diode retrouve son pouvoir de blocage. Le courant inversé va commencer à décroître. Les abords de la jonction deviennent libres de porteurs (création d'une zone déserte ou zone de charge d'espace). Il reste à &vacuer une charge Q2 correspondant à la zone hachurée en figure 4 tandis que le courant inverse décrolt et s'annule. Finalement, après l'instant t2, la variation de courant étant nulle, il ne reste aux bornes de la diode que la tension inverse appliquée. Pour déterminer plus exactement le fonctionnement, il convient d'examiner à quels paramètres physiques correspondent les charges Q1 et Q2. On considérera l'allure de la zone déserte ou zone de charge d'espace dans la diocde dans deux cas particuliers. En figure 3, on a reporté en pointillés serrés des courbes EA et EB indiquant la distribution du champ électrique quand la diode est dans l'état bloqué. Dans le cas de la courbe EA, l'épaisseur de la zone N est supérieure à la largeur WE de la zone déserte. Dans le cas de la courbe EB, la zone déserte s'étend sur toute l'épaisseur de la courbe N. Pendant la période s'étendant entre les instants t0 et tl, on élimine notamment tous les porteurs injectés qui se trou- vent dans la région dans laquelle se développe la zone de charge d'espace. Dans le cas de la courbe EA (couche N épaisse devant l'étendue de la zone déserte) il va rester des porteurs injectés après cette première phase et la charge Q2 correspond à des por- teqrs qui se trouvaient dans la zone hachurge de la figure 2. Dans le cas de la courbe EB, la charge Q2 est pratiquement nulle et en conséquence la durée s'écoulant entre les instants t1 et t2 est très brave: le courant inverse passe très vite de son amplitude maximale IRM à une valeur nulle. Il résulte de cette variation très rapide du courant la création de surtensions VRN importantes et la naissance d'oscillations en courant et en tension. Pour réaliser en pratique une diode rapide pour laquelle la charge d'espace a la configuration indiquée par la courbe EA, on part de la tension inverse à obtenir. Celle-ci détermine la résistivité du siLicium N à utiliser. Cette donnée étant acquise, on calcule l'extension de la charge d'espace WE et on choisit l'épaisseur de la couche N, WN, supérieure à WE. On procède en fi- nal à une réduction de la durée de vie X des porteurs minoritaires (diffusion d'or, de platine: bombardement électronique...); c'est en effet cette donnée physique qui, pour des conditions IF et dIF/dt données, gère la quantité de charges stockées Q0 et, à partir de là, la rapidité de commutation de la diode (tl-t0, t2-tO, IKM). On ne peut pas réduire à volonté la durée de vie. Pour que la diode conserve des caractéristiques correctes à l'état conduc- teur (caractéristiques VF = f(IF)) on est tenu de maintenir la durée de vie au dessus d'une valeur minimale qui dépend essentiel- lement de l'épaisseur WN de la couche N centrale et dont la valeur minimale est proportionnelle à WN2. On ne peut donc réduire au- delà d'un certain seuil la charge QO TIF et partant le temps de recouvrement de la diode. Ainsi pour réduire Q0, il faut pouvoir réduire la durée de vie et donc l'épaisseur de la couche N de la diode et passer à une configuration correspondant à la courbe EB de la figure 2. On utilise maintenant pour une même tenue en tension inverse une ré- sistivité de silicium beaucoup plus élevée. Sous tension inverse, la décroissance du champ à partir de la jonction sera lente (courbe EB) et on détermine l'épaisseur de la couche N, WN,, pour obtenir la tenue en tension visée. On peut réduire cette épaisseur dans un rapport pratiquement égal à 2 par rapport au cas précé- dent. Ceci permettra donc de réduire la durée de vie à un niveau considérablement plus faible (en principe 4 fois plus faible) et donc d'obtenir des diodes beaucoup plus rapides pour lesquelles la valeur d'IRM est beaucoup plus faible que dans le cas précédent. Mais, comme on l'a vu, l'inconvénient est que la charge Q2 est alors très faible et qu'il se produit de fortes surtensions à la commutation. Pour résoudre les problèmes posés, il était proposé dans la demande de brevet susmentionnée une structure telle qu'illus- trée en figure 5. La diode proposée est élaborée à partir d'un substrat de type N+ et comprend les couches classiques de type N et de type P+. En outre, cette diode comprend une couche intermé- diaire de type N, dite Ni, entre le substrat de type N+ et la cou- che faiblement dopée de type N. Comme cela est classique, les couches de type N+ et P+, ont des niveaux de dopage aussi élevés que possible, supérieurs à 1018 atomes/cm3. La couche N, quasiment intrinsèque, a un niveau de dopage de l'ordre de 1013 à quelques 1014 atomes/cm3. Dans une configuration courante, la couche N1 a un niveau de dopage de l'ordre de quelques 1014 à 1016 atomes/cm3, mais on verra que ce niveau de dopage est fonction des caractéris- tiques de fonctionnement nominal de la diode. Les couches N1 et N sont de préférence formées par épitaxies successives sur le subs- trat N+. La couche P+ est par exemple formée par diffusion dans la couche N. La figure 6 représente en trait plein la variation de concentration de dopants dans la diode en fonction de l'épaisseur. En tiretés longs, on a indiqué la concentration de por- teurs libres en excès à l'instant t0 du cycle de commutation. Cette quantité de porteurs dépend du courant nominal dans la diode et/ou de la vitesse de commutation imposée par le circuit. La courbe en tiretés serrés indique la distribution du champ électrique quand la diode est dans l'état bloqué, WE dési- gnant l'extension de la zone déserte quand la diode est dans l'état bloquE pour la tension nominale qu'elle est amenée à sup- porter. En reprenant les notations de la figure 4, lors du blo- cage de la diode, entre les instants tO et tl, les porteurs injectés se trouvant dans la zone qui va être désertée à l'instant t1 sont éliminés, et c'est une partie des porteurs situés dans la zone hachurée de la figure 6 qui va correspondre à la charge Q2 évacuée entre les instants tl et t2. Selon le brevet susmentionné, il est essentiel que ces porteurs soient en nombre suffisant pour que la transition entre les instants tl et t2 ne soit pas trop courte et que l'on ne pro- voque pas ainsi une surtension VRM trop importante. Pour ajuster la durée s'écoulant entre les instants tl et t2, on joue sur l'épaisseur et sur le niveau de dopage de la couche N1. Ce niveau de dopage, intermédiaire entre les niveaux de dopage des couches N et N+, devra Etre inférieur à la densité de charge injectée lors de la conduction directe. Un inconvénient de la structure proposée en figure 6, correspondant au brevet susmentionné est que l'on est amené, par rapport à la structure de diode de la figure 3 d'augmenter la lar- geur de la région N et donc d'augmenter la résistance à l'état passant de la diode. La présente invention propose une autre solution, basée sur la possibilité de moduler la concentration en atomes d'or et doncla source de vie, telle que mentionnée précédemment. Pour ce faire, la présente invention propose une struc- ture PN telle qu'illustr&e en figure 7 dans laquelle la zone N présente une concentration d'atomes de porteurs telle qu'illustrée en figure 8 ou 9, c'est-à-dire une structure à plus haut niveau de dopage, selon un palier ou un gradient, du côté de la région P+. Comme dans le brevet susmentionné, la couche N comprend une zone à très faible niveau de dopage (de l'ordre de 1013 à 1014 atomes/cm3) et une zone à plus fort niveau de dopage (1014 à 1015 atomes/cm3) mais la position de ces zones par rapport aux couches N+ et P+ est inversée. Et la fonction de ces zones et le phénomène mis en oeu- vre sont distincts. Le niveau de dopage au phosphore n'a pas d'effet direct mais est seulement utilisé pour moduler la concen- tration d'or et donc la durée de vie. En effet, quand on réalise une diffusion d'atomes d'or, la concentration en atomes d'or substitutionnels sera plus élevée dans la région de la zone de type N présentant une concentration en phosphore plus élevée. Il en résulte qu'à la coupure, les por- teurs stockés seront déchargés très rapidement dans la région plus dopée (plus faible durée de vie) et moins rapidement dans la région moins dopée (plus forte durée de vie), à la droite des fi- gures 8 et 9. On dispose ainsi d'un réservoir de charge correspon- dant aux charges Q2 de la figure 4 permettant d'éviter les suroscillations lors du blocage. L'épaisseur totale de la couche de type N sera choisie égale ou très légèrement supérieure à l'étendue de la zone déserte pour la tension nominale de blocage de la diode. La couche N à palier ou à gradient pourra être réalisée classiquement par épitaxte sur un substrat N+, comme cela a été indiqué dans le brevet susmentionné. La présente invention a Eté décrite dans le cas parti- culier oh l'on souhaite moduler la concentration d'or au moyen de phosphore. On pourra envisager d'autres métaux que l'or, par exemple le platine, et d'autres dopants que le phosphore, par exemple le bore. REVENDICATIONS 1. Procédé de modulation de la quantité d'un métal tel que l'or diffusé dans un substrat de silicium, caractérisé en ce qu'il consiste, préalablement à la diffusion d'or, à réaliser une diffusion d'un dopant tel que le phosphore variant dans une plage de 1013 et 1015 atomes/cm3, la concentration de phosphore étant augmentée aux emplacements o l'on souhaite augmenter la concen- tration d'or. 2. Procédé de modulation de la quantité d'or diffusée dans un substrat de silicium selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat est de type N quasi-intrinsèque dopé au phosphore à un niveau de l'ordre de 1014 atomes/cm3 et en ce qu'on élève la concentration de phosphore vers 1015 atomes/cm3 aux emplacements o l'on souhaite augmenter la concentration d'or. 3. Procédé de modulation de la quantité d'or diffusge dans un substrat de silicium selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que l'on forme dans l'épaisseur du substrat une région à gradient de dopage au phosphore. 4. Procédé de modulation de la quantité d'or diffusée dans un substrat de silicium selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que l'on forme dans l'épaisseur du substrat une région à palier de dopage au phosphore. 5. Procédé de modulation de la quantité d'or diffusée dans un substrat de silicium selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 4, caractérisé en ce que la région à concentration de phosphore variable est formée par épitaxie sur un substrat non- dopé ou différemment dopé. 6. Procédé de fabrication d'une diode rapide PNN+ com- prenant, sur un substrat de type N+, une couche épitaxiée de sili- cium de type N et une couche de type P+ à haut niveau de dopage, l'épaisseur de la couche épitaxiée étant telle que, pour la ten- sion nominale de fonctionnement à l'état bloqué, la zone déserte s'étend sensiblement sur toute cette couche épitaxiée, caractérisé en ce que: la couche épitaxlée est dopée par des atomes de phospho- re avec un niveau de dopage plus élevé du côté de la couche P, et une diffusion d'atomes d'or est réalisée dans la struc- ture obtenue. 7. Procédé de fabrication d'une diode rapide selon la revendication 6, caractérisé en ce que la couche épitaxiée com- prend une première sous-couche du c8té du substrat avec un niveau de dopage de l'ordre de 1013 à 1014 atomes/cm3 et une deuxième sous-couche du c5té de la couche P+ avec une concentration de phosphore de l'ordre de 1014 à 1015 atomes/cm3. 8. Procédé de fabrication d'une diode rapide selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche épitaxiée com- prend une première sous-couche d'épaisseur sensiblement moitié de son épaisseur totale dopée au phosphore et sensiblement intrin- sèque et une deuxième sous-couche dans laquelle la concentration varie linéairement en augmentant depuis l'emplacement o elle rejoint la première sous-couche jusqu'à l'emplacement de la jonc- tion avec la couche de type Pt. 9. Diode rapide PNN+ comprenant un substrat de type N+, une couche épitaxiée de siliciumde type N d'une épaisseur telle que, pour la tension nominale de fonctionnement à l'état bloqué, la zone déserte s'étend sensiblement sur toute cette couche, et une couche de type P à fort niveau dopage, caractérisée en ce qu'elle est dopée à l'or et en ce que la couche épitaxiée de type N comprend une région dopée au phosphore à plus haut niveau de dopage du côté de la couche P+ que du c8té de la couche N+.