FR 2639474 A1 19900525 FR 8915429 A 19891123 L'invention concerne un appareil perfectionné de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro- ondes qui permet de former un film déposé à grande surface, utilisable dans des dispositifs semi-conducteurs ou analogues, à une vitesse de déposition élevée. La formation d'un film d'un semi-conducteur à grande surface ou analogue à une vitesse de déposition élevée et à un coût réduit est essentielle à l'amélioration de la productivité de la chaine de production et à la réduction du coût de fabrication de dispositifs semi- conducteurs comprenant des dispositifs photovoltaïques, des capteurs optiques, des photoconducteurs électrophotogra- phiques et des circuits de commande pour cristaux liquides. Les procédés de déposition chimique en phase vapeur par plasma sont les procédés les plus généraux et les plus appréciés pour former un film semiconducteur à grande surface par déposition. Le procédé de déposition chimique en phase vapeur par plasma consiste à décomposer une matière première gazeuse pour produire un plasma provoquant la formation d'un film déposé sur un substrat. Parmi les divers procédés de déposition chimique en phase vapeur par plasma, le procédé de décomposition par décharge luminescente ou décharge d'effluves (appelé ci-après "procédé DL") a été le plus largement utilisé en raison de son comportement satis- faisant dans la maîtrise du plasma et de sa capacité satisfaisante à former relativement aisément un film à grande surface. Dans le procédé DL, des ondes à haute fréquence sont appliquées à une matière première gazeuse pour la décomposer en un état de plasma et un film est déposé sur un substrat. Cependant, la vitesse de déposition du procédé DL n'est pas suffisamment élevée; par exemple, la vitesse de déposition du procédé DL est de l'ordre de 2 nanomètres/seconde au maximum lors de la déposition d'un film de silicium amorphe hydrogéné (appelé ci-après film de "a-SI:H") . Un problème accompagnant le procédé DL est que, lorsque l'on augmente l'énergie d'alimentation pour accroître la vitesse de déposition au-delà de la limite précédente, dans la plupart des cas, la qualité du film se détériore brusquement avec l'accroissement de l'énergie d'alimentation. En outre, l'accroissement de l'énergie d'alimentation accélère excessivement la réaction en phase vapeur, entraînant la déposition d'une grande quantité de substances poudreuses sur des surfaces, telles que les parois de la chambre de formation de film, autres que la surface du substrat. Ces substances poudreuses fuyant de la chambre de formation de film risquent de brûler et de tomber sur le substrat pour former un film défectueux. Bien que cela dépende du type de matière première gazeuse et de la forme et de la distance entre les électrodes d'applica- tion d'une tension à haute fréquence à la matière première gazeuse, l'une des causes de ce problème est que la baisse de la pression du gaz audessous de 0,0133 Pa dans le procédé DL est difficile, et que, par conséquent, l'appli- cation d'une énergie importante risque d'accélérer excessivement la réaction en phase vapeur. En outre, la densité du plasma dans le procédé DL est de l'ordre de 1010/cm3 au maximum, car le plasma est intercepté. Récemment, on a utilisé de façon croissante le procédé de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro-ondes qui décompose la matière première gazeuse par l'énergie de micro-ondes pour produire un plasma de la matière première gazeuse afin d'entraîner la formation d'un film déposé sur un substrat. Etant donné que le procédé de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro- ondes utilise des micro-ondes de fréquences supérieures à celles des ondes à haute fréquence utilisées dans le procédé DL, une décharge se produit à une tension relative- ment basse et la densité du plasma peut s'élever jusqu'à 1012/cm3. Dans le procédé de déposition chimique en phase vapeur par plasma a microondes, une décharge peut aisément apparaître même si la pression de la matière gazeuse est, par exemple, de l'ordre de 1,33 Pa, de sorte que la réaction en phase vapeur n'est pas accélérée de façon excessive et que, par conséquent, aucune substance poudreuse ne se dépose, même dans le cas de l'application d'une grande puissance. Par conséquent, un film semi- conducteur de qualité satisfaisante peut être formé a une vitesse de déposition élevée. Par exemple, la vitesse de déposition du procédé de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro-ondes pour former un film de a-Si:H est de 10 nanomètres/seconde ou plus. Dans le procédé de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro-ondes, la transmission de micro- ondes à haute énergie à travers un guide d'ondes et une fenêtre diélectrique pour les faire entrer dans une chambre de formation de film est le moyen le plus répandu et le plus pratique. Cependant, lorsque des micro-ondes à haute énergie sont transmises à travers la fenêtre diélectrique, des problèmes apparaissent dans ce procédé de transmission de micro-ondes; ainsi, la matière gazeuse décomposée forme un film sur la fenêtre diélectrique, le film tombe de la fenêtre diélectrique sur un substrat sur lequel un film doit être formé, ce qui a pour effet de former des défauts dans un film déposé sur le substrat, le film adhérant à la fenêtre diélectrique est chauffé par les micro-ondes au point de fissurer la fenêtre diélectrique, ou bien le film formé sur la fenêtre diélectrique réduit l'aptitude à la transmission des micro-ondes de la fenêtre diélectrique, entraînant une variation de la vitesse de déposition. Ces problèmes sont accentués en particulier lorsque l'énergie des micro-ondes est augmentée et que la durée de l'opération de formation de film est prolongée. Dans certains cas, l'intérieur de la chambre de formation de film est attaqué après l'achèvement de l'opération de formation d'un film pour éviter la rupture de la fenêtre diélectrique et empêcher une baisse de la vitesse de déposition, ce qui, cependant, nécessite un temps supplémentaire augmentant la durée du cycle de formation d'un film, et il existe un risque de mélange des constituants du gaz d'attaque dans un film déposé lors du cycle suivant de formation de film, au point de détériorer la qualité du film déposé. En conséquence, un objet de la présente invention est de proposer un appareil perfectionné de déposition chimique en phase vapeur par plasma a micro- ondes, capable de résoudre les problèmes ci-dessus que l'on rencontre dans les appareils classiques de déposition chimique en phase vapeur par plasma et capable de fonction- ner pendant une longue durée en utilisant une puissance électrique élevée. On a trouvé, conformément à l'invention, à la suite d'études poussées pour atteindre l'objectif de l'invention, que, lorsqu'un appareil de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro-ondes est muni de plusieurs fenêtres d'introduction de micro-ondes, com- prenant une fenêtre mobile d'introduction de micro-ondes, exposée à un espace de formation de film, la formation d'un film sur les fenêtres d'introduction des micro-ondes peut être empêchée par déplacement de la fenêtre mobile vers un élément d'attaque isolé de la chambre de formation de film et enlèvement du film formé sur la fenêtre mobile par attaque durant l'opération de formation de film, afin que l'appareil de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro-ondes puisse fonctionner en continu, pendant une période de temps prolongée, pour une opération de formation de films. La présente invention a été menée à bien à la suite d'autres études basées sur la constatation précé- dente. Selon un aspect de l'invention, il est proposé un appareil de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro-ondes (appelé ciaprès "appareil MW-PCVD") destiné à former un film déposé fonctionnel sur un substrat, l'appareil comportant une chambre à vide de formation de film ayant un espace de formation de film et un support de substrat dans l'espace, la chambre étant munie d'un ensemble à fenêtres d'introduction de micro- ondes pour l'introduction de micro-ondes dans l'espace de formation de film afin d'exciter une matière première gazeuse telle que fournie avec l'énergie des micro-ondes afin qu'un film soit déposé sur un substrat placé sur le support de substrat, et une chambre d'attaque présentant un espace d'attaque isolé de l'espace de formation de film. L'ensemble à fenêtres d'introduction de micro-ondes comprend plusieurs fenêtres superposées d'introduction de micro-ondes, l'une de ces fenêtres, exposée à l'espace de formation de film, étant rendue mobile entre la chambre de formation de film et la chambre d'attaque, et un film déposé sur la fenêtre mobile d'introduction de micro-ondes est enlevé par attaque pendant l'exécution de l'opération de formation de film dans la chambre de formation de film. L'appareil MW-PCVD de la présente invention réduit remarquablement la déposition d'un film sur la fenêtre d'introduction de micro-ondes et il permet d'effectuer en continu le processus de formation de film en utilisant une grande puissance électrique pendant une période de temps longue souhaitée, sans entraîner de détérioration pour la fenêtre d'introduction de micro- ondes. L'appareil MW-PCVD de la présence invention n'est pas affecté du phénomène par lequel un film est déposé sur la fenêtre d'introduction de micro-ondes et le film déposé sur la fenêtre en est enlevé de manière à contaminer un film devant être déposé sur le substrat. En outre, conformément à l'appareil MW-PCVD selon l'invention, l'aptitude à la transmission des micro- ondes de la fenêtre d'introduction des micro-ondes reste toujours constante et, de ce fait, la vitesse de déposition d'un film est stabilisée. En outre, conformément à l'appareil MW-PCVD selon l'invention, étant donné que la chambre d'attaque est située séparément de la chambre de formation de film et que l'attaque de la fenêtre d'intro- duction de micro-ondes n'est pas effectuée dans la chambre de formation de film, mais dans la chambre d'attaque, les constituants du gaz d'attaque n'ont pas la possibilité d'être incorporés dans un film devant être déposé sur le substrat. Les fenêtres d'introduction de micro-ondes utilisées dans la présente invention sont formées avanta- geusement d'une matière diélectrique ayant une capacité élevée à transmettre des micro-ondes, telle que du quartz ou du A1203. La forme des fenêtres d'introduction de micro- ondes peut être cylindrique ou circulaire suivant le mode de transmission des micro-ondes. Dans tous les cas, l'ensemble à fenêtres d'introduction de micro-ondes selon l'invention comprend au moins une première fenêtre ayant une partie étanche au vide et une seconde fenêtre pouvant se déplacer dans le vide. L'épaisseur de l'intervalle entre la fenêtre pouvant se déplacer dans le vide et la fenêtre adjacente est de façon souhaitable et avantageusement de mm ou moins, plus avantageusement de 2, 5 mm ou moins, et de préférence de 1 mm ou moins pour empêcher la matière première gazeuse de pénétrer par fuite dans l'intervalle. Dans le cas ou l'on craint que la matière première gazeuse n'entre dans l'intervalle, il est possible de faire circuler dans ce dernier de l'hydrogène gazeux (H2) ou un gaz inerte tel que du He, Ne ou Ar gazeux. Un film formé sur la fenêtre qui se déplace dans le vide (appelée ci- après "fenêtre mobile") est enlevé par attaque à sec dans l'espace d'attaque, tandis que la fenêtre mobile se déplace alternativement à travers la chambre de formation de film et la chambre d'attaque isolée de la précédente. Par conséquent, il est difficile à un film de se former sur les fenêtres d'introduction de micro-ondes, y compris la fenêtre mobile, ce qui permet à l'appareil MW-PCVD de fonctionner en continu pendant une longue période de temps en utilisant une grande puissance électrique, à une vitesse stable de déposition, sans entraîner la fissuration des fenêtres d'introduction de micro-ondes. La chambre de formation de film et la chambre d'attaque peuvent être isolées l'une de l'autre de manière que la matière première gazeuse et le gaz d'attaque ne soient pas mélangés, au moyen de gaines d'isolation comme montré sur la figure 3 ou d'une valve d'isolation comme montré sur la figure 7 des dessins annexés et décrits ci- après. Les gaines d'isolation peuvent être balayées, comme montré sur la figure 3, par de l'hydrogène gazeux ou par un gaz inerte tel que du He, du Ne ou de l'Ar gazeux. La fenêtre mobile peut être déplacée en continu ou par intermittence à travers la limite entre la chambre de formation de film et la chambre d'attaque. Pour enlever le film déposé sur la fenêtre d'introduction de micro-ondes (fenêtre mobile) par attaque utilisant un gaz d'attaque dans la chambre d'attaque, il est possible de produire le gaz d'attaque en utilisant les micro-ondes devant être introduites dans la chambre de formation de film. A part cette énergie d'activation, on peut utiliser au choix de l'énergie d'activation de micro- ondes, des ondes à radiofréquence ou de la lumière. En outre, de l'énergie thermique ou l'énergie d'un courant de particules chargées telles que des ions peut également être utilisée sélectivement. En ce qui concerne la manière d'introduire des micro-ondes dans la chambre de formation de film, dans la présente invention, on peut mentionner, par exemple, une manière d'introduire des micro-ondes à travers une fenêtre d'introduction de micro-ondes à partir d'un guide d'ondes, dans la chambre de formation de film, une manière d'intro- duire des micro-ondes par l'intermédiaire d'une fenêtre cylindrique d'introduction de micro-ondes, depuis un barreau d'antenne sortant d'un guide d'ondes jusque dans la chambre de formation de film, comme montré sur la figure 1 des dessins annexés et décrits ci-après, etc. Ces façons de procéder peuvent être utilisées sélectivement comme souhaité dans la présente invention. Une matière gazeuse souhaitée et un gaz d'attaque souhaité peuvent être utilisés sélectivement dans la présente invention. Lorsque les gaines d'isolation comme montré sur la figure 3 sont utilisées, leur profondeur, à savoir la distance entre une plaque de cloisonnement et la fenêtre mobile, est avantageusement de 10 mm ou moins, plus avantageusement de 5 mm ou moins, et de préférence de 3 mm ou moins. Les plaques de cloisonnement des gaines d'isolation peuvent être formées en métal, par exemple en acier inoxydable, ou en une matière diélectrique. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: - la figure 1 est une vue schématique en coupe transversale d'un appareil MW-PCVD typique d'une forme de réalisation selon l'invention; - la figure 2 est une vue schématique en perspective d'un mécanisme destiné à faire tourner une fenêtre mobile conformément à l'invention; - la figure 3 est une vue partielle avec coupe aidant à expliquer la fonction d'une gaine d'isolation selon l'invention; - la figure 4 est un graphique montrant la variation de la vitesse de déposition avec le nombre de cycles de formation de film lors du fonctionnement d'un appareil MW-PCVD selon l'invention; - la figure 5 est une vue schématique en coupe transversale d'une autre forme de réalisation d'un appareil MW-PCVD selon l'invention; - la figure 6 est une vue schématique en coupe transversale partielle montrant la configuration d'un dispositif fabriqué par l'utilisation de l'appareil MW-PCVD de la figure 5; - la figure 7 est une vue partielle en perspective d'une autre forme de réalisation d'un appareil MW-PCVD selon l'invention; et - la figure 8 est une vue en coupe schématique transversale de l'appareil MW-PCVD de la figure 7. L'invention sera décrite ci-après en référence à un appareil MW-PCVD selon l'invention et aux résultats d'une opération de formation de film effectuée par un tel appareil, cependant à titre nullement limitatif. En référence aux figures 1 à 4, un appareil MW-PCVD d'une première forme de réalisation selon l'inven- tion comprend un barreau d'antenne 101 d'émission de micro- ondes réalisé en acier inoxydable, une fenêtre cylindrique fixe en quartz (appelée ci-après "fenêtre fixe") 102 et une fenêtre cylindrique mobile en quartz (appelée ci-après "fenêtre mobile") 103. L'appareil MW-PCVD, ou appareil de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro- ondes, comprend une chambre de formation de film présentant un espace 104 de formation de film et une chambre d'attaque présentant un espace 105 d'attaque. La référence numérique 109 désigne un tuyau d'évacuation s'ouvrant dans l'espace 104 de formation de film par une extrémité et qui est raccordé par une valve d'évacuation à un dispositif d'évacuation (non représenté). Dans une opération de formation de film, des micro-ondes générés par un oscillateur hyperfréquence (non représenté) sont guidées par un guide d'ondes (non représenté) de façon à se propager et sont transmises à travers la fenêtre fixe 102 et la fenêtre mobile 103 dans l'espace 104 de formation de film et l'espace 105 d'attaque par le barreau 101 d'antenne à micro-ondes pour former une région de décharge. Une matière première gazeuse est introduite dans l'espace 104 de formation de film par l'intermédiaire de distributeurs 111 d'alimentation en gaz partant d'un réservoir de gaz (non représenté) et la matière première gazeuse telle qu'introduite est décomposée pour provoquer la formation d'un film sur des substrats 106 chauffés par des éléments électriques chauffants 107. La fenêtre mobile 103 exposée à l'espace 104 de formation de film est tournée au moyen d'un mécanisme tel que montré sur la figure 2. En référence à la figure 2, la fenêtre mobile 203 est tournée par l'intermédiaire de roues dentées 205 disposées à l'extérieur de l'espace 104 de formation de film et de roues dentées 206 disposées à l'intérieur de l'espace 104 de formation de film, sous l'action de moteurs 204. Les jours entre les arbres 208 et la paroi de l'enceinte à vide définissant l'espace 104 de formation de film sont obturés hermétiquement. La fenêtre mobile 203 est disposée à l'intérieur de l'enceinte à vide. L'espace entre la fenêtre fixe 202 et la fenêtre mobile 203 est obturé de façon hermétique par une bague torique montée sur la fenêtre fixe 202, en une position 207. En référence maintenant à la figure 1, l'espace 105 d'attaque est isolé de l'espace 104 de formation de film par des plaques de cloisonnement 108 et des gaines d'isolation comme représenté à échelle agrandie sur la figure 3. En référence à la figure 3, de l'hydrogène gazeux est fourni par l'intermédiaire d'un distributeur 101 d'alimentation dans la gaine d'isolation 302 pour empêcher l'écoulement de la matière première gazeuse de formation de film vers l'intérieur de l'espace d'attaque 105 et l'écoulement du gaz d'attaque vers l'intérieur de l'espace 104 de formation de film. Le gaz d'attaque est introduit dans l'espace d'attaque 305 par l'intermédiaire de distributeurs 306 d'alimentation en gaz d'attaque. Le gaz d'attaque est excité dans l'espace d'attaque 305, par exemple par des micro-ondes, afin d'enlever un film déposé sur la circonférence de la fenêtre mobile 303 par l'action d'attaque du gaz d'attaque excité. En référence de nouveau & la figure 1, la fenêtre mobile 103 est mise en rotation en continu pour enlever le film qui s'y dépose, dans l'espace 104 de formation de film, par le gaz d'attaque se trouvant dans l'espace d'attaque 105 afin d'empêcher un dépôt cumulatif de film sur la circonférence de la fenêtre mobile 103; par conséquent, l'appareil MWPCVD est capable de fonctionner de manière stable pendant une longue période de temps en utilisant des micro-ondes à haute énergie. On a fait fonctionner expérimentalement de la manière suivante l'appareil MW-PCVD tel que décrit ci- dessus, pour former un film de a-Si:H sur quatre substrats 106 d'aluminium respectivement aux dimensions de mm x 300 mm. On a introduit du SiH4 gazeux et du H2 gazeux par l'intermédiaire des distributeurs 111 d'alimentation en gaz dans l'espace de formation de film aux débits d'écoule- ment respectifs de 300 cm3 par minute et 100 cm3 par minute dans des conditions normales de température et de pression. La pression gazeuse de l'espace de formation de film a été réglée à 2 Pa. Tous les substrats 106 ont été maintenus à 250'C. Puis on a introduit des micro-ondes à 2 kW à partir du barreau d'antenne 101, à travers la fenêtre fixe 102 et la fenêtre mobile 103, dans l'espace 104 de formation de film afin de provoquer une décharge luminescente dans un mélange gazeux composé des deux gaz précités dans l'espace entre les substrats 106 et la fenêtre mobile 103 dans l'espace 104 de formation de film, de manière qu'un film de a-Si:H de 30 Mm d'épaisseur soit formé sur chacun des substrats 106. Pendant le processus ci-dessus de formation de film, la fenêtre mobile 103 a été tournée en continu à une vitesse de rotation de deux tours par minute. On a introduit du CF4 gazeux et du 02 gazeux par l'intermédiaire des distributeurs 306 d'alimentation en gaz (voir figure 3) dans l'espace d'attaque 105 aux débits d'écoulement respectifs de 200 cm3 par minute et 20 cm3 par minute dans des conditions normales de température et de pression. Puis, la pression gazeuse de l'espace d'attaque 105 a été maintenue à 2 Pa par des moyens d'évacuation comprenant un conduit d'évacuation raccordé par l'inter- médiaire d'une valve d'évacuation à un dispositif d'évacua- tion qui est placé sur le côté indiqué par la référence numérique 110 de l'espace d'attaque 105 (cette partie n'est pas représentée sur la figure 1). Un mélange gazeux composé des deux gaz précités a été excité par l'action des micro- ondes introduites dans l'espace d'attaque 105 à partir du barreau d'antenne précité à travers la fenêtre fixe 102 et la fenêtre mobile 103, et le film déposé sur la fenêtre mobile 103 a été enlevé par attaque par le gaz d'attaque excité. De plus, l'espace 104 de formation de film et l'espace d'attaque ont été isolés l'un de l'autre par l'introduction de H2 gazeux dans les gaines d'isolation 302 (voir figure 3) à un débit d'écoulement de 50 cm3 par minute dans des conditions normales de température et de pression. Dans ce cas, la fenêtre cylindrique mobile 103 a été réalisée à un rayon de 70 mm, une épaisseur de 4 mm et une longueur de 400 mm, la largeur de l'intervalle entre la fenêtre fixe 102 et la fenêtre mobile 103 a été établie à 1 mm et la dimension des intervalles entre la circon- férence de la fenêtre mobile 103 et les gaines d'isolation 301 a été établie à 2 mm. La figure 4 illustre les situations résultantes en ce qui concerne la variation des vitesses de déposition de film dans les cas de mise en oeuvre des processus ci- dessus pour former 25 fois un film de a-Si:H de 30 gm d'épaisseur. Sur la figure 4, les courbes représentées par des cercles indiquent les résultats obtenus lorsque l'appareil MW-PCVD de la présente invention a été utilisé, et celles représentées par des croix indiquent les résultats -obtenus par la mise en oeuvre du processus précédent de formation de film en utilisant un appareil MW- PCVD sensiblement de la même constitution, sauf qu'il ne comportait ni la fenêtre mobile 103, ni l'espace d'attaque , à titre de comparaison. Comme montré sur la figure 4, dans le cas de l'appareil utilisé pour la comparaison, qui n'est muni ni de la fenêtre mobile ni de l'espace d'attaque, la vitesse de déposition de film diminuait avec l'accroissement du nombre de cycles de formation de film, et la fenêtre fixe (tube de quartz) s'est rompue lors du quatorzième cycle de formation de film en raison de l'effet nuisible du film déposé sur la circonférence de cette fenêtre fixe. Par contre, dans le cas de-l'appareil MW-PCVD de l'invention, la vitesse de déposition de film est restée sensiblement constante et ni la fenêtre mobile ni la fenêtre fixe ne se sont rompues. La figure 5, avec les figures 6 et 7, repré- sente une deuxième forme de réalisation de l'appareil MW- PCVD selon l'invention, pour former en continu un film fonctionnel déposé sur une bande de substrat, lequel appareil comprend plusieurs chambres de formation de film dont au moins l'une comporte l'appareil MW-PCVD selon l'invention ayant sensiblement la même constitution que celle montrée sur les figures 1 a 3. L'appareil MW-PCVD montré sur la figure 5 comprend une chambre 501 d'alimentation en substrats, une première chambre MW-PCVD 503, une deuxième chambre MW-PCVD 504, une troisième chambre MW-PCVD 505 et une chambre 507 de déchargement, disposées dans cet ordre. La chambre 501 d'alimentation en substrats contient une bobine débitrice 508 sur laquelle est enroulée une bande de substrat 510, et un rouleau d'avance 508'. La chambre de déchargement contient une bobine réceptrice et un rouleau d'avance 509'. Le substrat 510 sous forme de bande est déroulé en continu de la bobine débitrice 508, avancée dans les première, deuxième et troisième chambres de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro-ondes, o des première, deuxième et troisième couches constitutives sont formées respectivement sur ce substrat, et il est finalement introduit dans la chambre 507 de déchargement o il est enroulé sur la bobine réceptrice en passant par le rouleau 509' d'avance. Les chambres adjacentes sont séparées l'une de l'autre par une gaine 517 de séparation à gaz comportant une vanne à gaz 518 à travers laquelle on fait circuler un gaz inerte pour empêcher chacun des gaz des chambres adjacentes de refouler l'un dans l'autre. Il est prévu une chambre 502 de préchauffage destinée à chauffer la bande de substrat 510 à l'avance, avant son entrée dans la première chambre MWPCVD, à une température souhaitée. La chambre de préchauffage 502 contient des moyens destinés à chauffer la bande de substrat 510. La chambre de préchauffage 502 est munie d'un conduit d'évacuation qui est raccordé à une pompe à vide afin de maintenir la pression à l'intérieur de cette chambre à une valeur souhaitée (non montrée sur la figure). L'intérieur de la chambre de préchauffage 502 est rempli du gaz inerte précité. De la même manière, la chambre 501 d'alimentation en substrat et la chambre 507 de décharge- ment sont munies chacune d'un conduit d'évacuation (non représenté) et sont remplies du gaz inerte précité. Il est prévu une chambre 506 de refroidissement entre la troisième chambre MW-PCVD 505 et la chambre de déchargement 507, laquelle chambre est munie de moyens destinés à refroidir la bande de substrat 510, sur laquelle sont formées plusieurs couches, jusqu'à la température ambiante ou à une température inférieure.La chambre 506 de refroidissement est munie d'un conduit d'évacuation raccordé à une pompe à vide afin que la pression soit maintenue à l'intérieur de cette chambre à une valeur souhaitée (non montrée sur la figure). La chambre de refroidissement 506 est remplie du gaz inerte précité. Chacune des première et troisième chambres MW- PCVD présente un espace cylindrique de formation de film autour duquel la bande de substrat forme un cercle en étant supportée par deux rouleaux extérieurs d'avance (503', 504' ou 505') et plusieurs rouleaux intérieurs d'avance (503", 504" ou 505"). Dans le cas de chacune des première et troisième chambres MW-PCVD, au centre de l'espace cylindri- que de formation de film, est prévu un moyen d'introduction de microondes comprenant une antenne 511 ou 513 d'émission de micro-ondes et une fenêtre cylindrique fixe 514 ou 516 en quartz, de même que dans le cas de la première forme de réalisation précédente. Chacune des première et troisième chambres MW-PCVD est munie de moyens destinés à chauffer extérieurement la bande de substrat et d'un conduit d'évacuation raccordé par l'intermédiaire d'une valve d'évacuation à un dispositif d'évacuation (non représen- tés). Chacune des première et troisième chambres MW-PCVD est munie de moyens destinés à introduire une matière première gazeuse dans l'espace de formation de film (non représenté). La deuxième chambre MW-PCVD est munie d'un moyen d'introduction de micro-ondes comprenant une antenne 512 d'émission de micro-ondes, une fenêtre cylindrique fixe 515 en quartz et une fenêtre cylindrique mobile 520 en quartz dans la position centrale de l'espace de formation de film, lesquels moyens d'introduction de microondes communiquent avec une chambre d'attaque présentant un espace d'attaque 521 pour attaquer la fenêtre mobile 520 au moyen d'un gaz d'attaque, lequel espace est défini par des plaques de cloisonnement 522. Cette situation est la même que celle existant dans la première forme de réalisation précédente. La deuxième chambre MW-PCVD est munie de moyens destinés à chauffer extérieurement la bande de substrat 510 et d'un conduit d'évacuation raccordé par l'intermédiaire d'une valve d'évacuation à un dispositif d'évacuation (non représenté). La chambre MW- PCVD est munie de moyens destinés à introduire une matière première gazeuse dans l'espace de formation de film (non représenté). En utilisant l'appareil ci-dessus à titre expérimental, on a préparé une pile solaire du type PIN ayant la configuration montrée sur la figure 6. Sur la figure 6, sont représentés un substrat 101, qui fonctionne aussi à la manière d'une électrode inférieure), une couche 602 de type N, une couche 603 de type I, une couche 604 de type P. une électrode supérieure 605 et une électrode collectrice 606. Dans cette expérience, on a utilisé une bande d'aluminium en tant que bande de substrat. Tout d'abord, un rouleau formé d'une bande d'aluminium enroulée sur la bobine débitrice 508 a été utilisé. Il a été mis en place dans la chambre 501 d'alimentation en substrat. La bande d'aluminium a été déroulée, passée à travers la chambre de préchauffage 502, la première chambre MW-PCVD 503, la deuxième chambre MW- PCVD 504, la troisième chambre MW-PCVD 505 et la chambre de refroidissement 506, puis fixée à la bobine réceptrice 509 dans la chambre de déchargement 507. Puis l'air occupant la totalité des espaces intérieurs de l'appareil a été remplacé par un gaz inerte et la bande d'aluminium 510 qui avait été exposée à l'air a été enroulée sur la bobine réceptrice 509. Au cours de cette opération, un gaz inerte a été introduit sous une pression gazeuse souhaitée dans chacune des vannes à gaz 518, dans la direction perpendiculaire, et le tronçon de la bande d'aluminium 510 devant être placé dans la première chambre MW-PCVD 503 a été chauffé à une température de 280 C par la mise en action des moyens chauffants 519, comprenant une lampe à infrarouge, de la chambre 502 de préchauffage. Du SiH4 gazeux, du H2 gazeux et du PH3 gazeux (dilués avec du H2 gazeux à raison de 3000 millionièmes) ont été introduits dans la première chambre MW-PCVD 503 aux débits d'écoulement respectifs de 100 cm3 par minute, cm3 par minute et 50 cm3 par minute, dans des condi- tions normales de température et de pression, en même temps que la bande d'aluminium était maintenue en place dans la première chambre MW-PCVD à 280 C. Une fois stabilisés les débits d'écoulement de tous les gaz, la pression gazeuse intérieure a été ajustée à 1,33 Pa par réglage de la valve d'évacuation du conduit d'évacuation. Puis des micro-ondes à 300 watts ont été appliquées par l'intermédiaire des moyens d'introduction de micro-ondes dans l'espace de formation de film pour provoquer ainsi une décharge luminescente, afin de former un film de a-Si:H, de type N. d'environ 30 nanomètres d'épaisseur, en tant que couche 602 de type N, sur la bande d'aluminium. Ensuite, la bande 510 d'aluminium a été de nouveau déplacée afin que son tronçon sur lequel a été formé le film de a-Si:H de type N, ci-dessus, soit placé dans la deuxième chambre MW-PCVD 504. La bande d'aluminium a été maintenue a une température de 280'C. Puis du SiH4 gazeux et du H2 gazeux ont été introduits dans la deuxième chambre MW-PCVD aux débits d'écoulement respectifs de 400 cm3 par minute et 100 cm3 par minute dans des condi- tions normales de température et de pression. Une fois que les débits d'écoulement des deux gaz se sont stabilisés, la pression gazeuse intérieure de l'espace de formation de film a été ajustée a 2 Pa et des micro-ondes de 2 kW ont été appliquées par l'intermédiaire des moyens d'introduc- tion de micro-ondes dans l'espace de formation de film afin de provoquer une décharge luminescente. Durant ce proces- sus, la fenêtre mobile 521 était tournée à une vitesse de rotation de 1,5 tour par minute, et du NF3 gazeux a été introduit dans l'espace d'attaque 521 à un débit d'écoule- ment de 150 cm3 par minute, dans des conditions normales, et la pression intérieure gazeuse de l'espace d'attaque a été maintenue à 2 Pa pour enlever ainsi par attaque un film déposé sur la fenêtre mobile. Puis on a formé, en tant que couche 603 de type I, un film de a-Si:H de type I, non dopé, d'environ 450 nanomètres d'épaisseur, sur la couche de type P formée précédemment. Puis on a déplacé la bande d'aluminium 510 afin que son tronçon portant les deux couches ci-dessus, superposées l'une à l'autre, soit placé dans la troisième chambre MW-PCVD 505. La bande d'aluminium a été maintenue à une température de 250C. Puis du SiH4 gazeux, du H2 gazeux et du B2H6 gazeux (dilués avec du H2 gazeux à 1 %) ont été introduits dans l'espace de formation de film à des débits d'écoulement respectifs de 50 cm3 par minute, 200 cm3 par minute et 50 cm3 par minute dans des conditions normales de température et de pression. Apres que les débits d'écoule- ment de tous les gaz se sont stabilisés, la pression intérieure gazeuse de l'espace de formation de film a été ajustée à 0,931 Pa et des micro- ondes de 700 watts ont été appliquées dans l'espace de formation de film pour provoquer une décharge luminescente. On a ainsi formé, en tant que couche 604 de type P. un film de Si:H micro- cristallin de type P, d'environ 10 nanomètres d'épaisseur, sur la couche de a-Si:H de type I formée précédemment. Ensuite, le tronçon de la bande d'aluminium 510 portant les trois couches ci-dessus, superposées les unes aux autres, a été introduit dans la chambre 506 de refroidissement afin d'être refroidi à la température ambiante, et le tronçon ainsi refroidi a été introduit dans la chambre 507 de déchargement. Puis ce tronçon a été coupé et transféré dans une chambre de déposition chimique en phase vapeur classique o un film d'oxyde d'indium et d'étain d'environ nanomètres d'épaisseur a été formé, en tant qu'électrode collectrice 605, sur la couche 604 de type P. Un film de Cr d'environ 1 gm d'épaisseur a été déposé en tant qu'élec- trode supérieure 606 sur l'électrode collectrice 605. On a ainsi obtenu une pile solaire ayant la configuration montrée sur la figure 6. Les processus ci-dessus ont été répétés en continu pour que l'on obtienne plusieurs piles solaires ayant respectivement la configuration montrée sur la figure 6. Les piles solaires résultantes ont été évaluées et il est apparu, en -tant que résultat, que les piles solaires obtenues jusqu'à ce que 24 heures s'écoulent, 24 heures pendant lesquelles les processus ci-dessus ont été répétés en continu, présentaient un rendement de conversion photo-électrique d'environ 10 % ou d'au moins 9 % et étaient acceptables pour une mise en pratique. Cependant, les piles solaires obtenues ensuite n'étaient pas acceptables pour une mise en pratique, car elles ne présentaient pas un rendement de conversion photo-élec- trique satisfaisant, et leurs couches de type N et de type P étaient contaminées par des matières étrangères et d'une qualité inférieure en ce qui concerne le film. Indépendamment, les processus précédentes de formation de film ont été répétés en continu pour préparer plusieurs piles solaires ayant respectivement la configura- tion montrée sur la figure 4, la fenêtre 514 d'introduction de microondes de la première chambre MW-PCVD 503 et la fenêtre 516 d'introduction de micro-ondes de la troisième chambre MW-PCVD 505 étant remplacées par des fenêtres neuves en arrêtant les processus de formation de film au bout de 24 heures. On a ainsi obtenu de façon continue des piles solaires acceptables en pratique. Une troisième forme de réalisation de l'ap- pareil de déposition chimique en phase vapeur par plasma à micro-ondes, MW-PCVD, selon l'invention, montrée sur les figures 7 et 8, est caractérisée par deux fenêtres mobiles planes 701 et 702 ayant des formes identiques et reliées respectivement aux extrémités opposées d'un bras oscillant supporté de façon a effectuer un mouvement oscillant, par son milieu, sous l'action d'un arbre tournant 703. L'une des deux fenêtres mobiles 701 et 702 est disposée dans un espace de formation de film, tandis que l'autre fenêtre est disposée dans un espace d'attaque. En se référant à la figure 8 ainsi qu'à la figure 7, des micro-ondes générées par un oscillateur à micro-ondes, non représenté, pénètrent en se propageant dans une cavité 808 (708) au moyen d'un guide d'ondes 801 (701). Les micro-ondes sont transmises à travers une fenêtre fixe 804 (704) en alumine et une fenêtre mobile 801 (701) en alumine dans un espace 809 (709) de formation de film afin d'exciter et de décomposer une matière première gazeuse pour former un film déposé sur un substrat 810 (710) chauffé par un élément chauffant 814. Après l'achève- ment d'un cycle de formation de film, une vanne mobile 806 (706) est abaissée, l'arbre tournant 803 (703) est tourné d'un angle de 180 pour remplacer la fenêtre d'alumine 801 (701) par la fenêtre d'alumine 802 (702) afin de placer la fenêtre d'alumine 801 (701) a l'extérieur de l'espace 809 (709) de formation de film, a savoir dans l'espace d'attaque 811, et de placer la fenêtre d'alumine 802 (702) dans l'espace 809 (709) de formation de film, puis la vanne mobile 806 (706) est élevée vers sa position initiale. Durant le cycle suivant de formation de film, la fenêtre d'alumine 801 (701) est soumise à l'action d'attaque d'un gaz d'attaque excité par des ondes radiofréquences appliquées entre des électrodes planes et parallèles 812 et 813 dans l'espace d'attaque 811 séparé de l'espace 809 (709) de formation de film par la vanne mobile 806 (706) et une vanne fixe 805 (705) pour enlever un film formé sur la surface de la fenêtre d'alumine 801 (701). Par conséquent, cet appareil MW-PCVD ne nécessite pas un temps supplémen- taire d'attaque, de sorte qu'il peut fonctionner a une cadence de travail élevée. Etant donné que l'espace 809 (709) de formation de film et l'espace d'attaque 811 sont isolés parfaitement l'un de l'autre, la contamination par les constituants du gaz d'attaque dans le film formé sur le substrat 810 (710) est empêchée. On a formé à titre expérimental, en utilisant l'appareil MW-PCVD cidessus, un film de a-Si:H de la manière suivante. Du SiH4 gazeux et du H2 gazeux ont été introduits par l'intermédiaire d'une conduite 817 d'alimen- tation en gaz dans l'espace 809 de formation de film à des débits d'écoulement respectifs de 300 cm3 par minute et cm3 par minute dans des conditions normales de température et de pression et la pression gazeuse de l'espace 809 de formation de film a été maintenue a 1,33 Pa. Puis des micro-ondes de 1,5 kW ont été appliquées à travers la fenêtre fixe en alumine et la fenêtre mobile en alumine à l'intérieur de l'espace 809 de formation de film afin de provoquer une décharge de plasma pour former un film de a-Si:H de 20 Nm d'épaisseur sur un substrat d'aluminium maintenu à 250'C. Durant cette opération, du ClF3 gazeux a été introduit dans l'espace d'attaque 811 à un débit d'écoulement de 300 cm3 par minute dans des conditions normales de température et de pression et la pression gazeuse de l'espace d'attaque 811 a été maintenue à 0,08 Pa. Puis des ondes radiofréquences de 150 watts ont été appliquées entre les électrodes plates et parallèles 812 et 813 pour provoquer une décharge de plasma et exciter le ClF3 gazeux, afin que le film déposé sur la fenêtre mobile en alumine, précédemment utilisée, soit enlevé par attaque sous l'action du C1F3 gazeux excité. De cette manière, on a formé de façon répétée plusieurs films de a-Si:H de 20 Mm d'épaisseur. Dans chaque cas, la vitesse de déposition du film de a-Si:H était de 7 nanomètres/se- conde 3 %. On a mis en oeuvre le même appareil MW-PCVD, sans utiliser les fenêtres mobiles 802 et 805 en alumine, à titre de comparaison. Dans ce cas, la fenêtre fixe en alumine devait être nettoyée par attaque en utilisant du gaz C1F3 d'attaque après chaque cycle de formation de film pour maintenir la vitesse de déposition à 7 nanomètres/se- conde 3 %. De cette manière, on a formé de façon répétée plusieurs films de a-Si:H de 20 Nm d'épaisseur. - Les films formés par l'appareil MW-PCVD comportant les fenêtres mobiles en alumine et le film formé par l'appareil MW-PCVD ne comportant pas les fenêtres mobiles en alumine ont été analysés au moyen d'un appareil SIMS. On a détecté du chlore dans les films formés par l'appareil MW-PCVD démuni des fenêtres mobiles en alumine, alors que l'on n'a pas détecté de chlore dans les films formés par l'appareil MW-PCVD selon l'invention. On a formé de façon répétée plusieurs films de a-Si:H de 20 pm d'épaisseur en répétant les processus ci-dessus, sauf que l'on a utilisé un mélange gazeux de CF4 et de 02 pour l'attaque. Chacun des films résultants a été examiné de la même manière que ci-dessus. Il est apparu, comme résultat, que chacun des films de a-Si:H formé dans le cas de l'appareil utilisé à titre de comparaison contenait à la fois du carbone et de l'oxygène, respectivement, avec une concentration d'environ 5 x 1017 cm-3 et que la densité de spin d'électron de chaque film, mesurée par ESR, était d'environ 5 x 1016/cm-3, tandis que chacun des films a-Si:H formé par l'appareil MW-PCVD selon l'invention contenait du carbone et/ou de l'oxygène à une concentration négligeable, et que sa densité de spin d'électron ne dépassait pas 5 x 1015/cm-3. En outre, les films de a-Si:H formés par l'appareil MW-PCVD selon l'invention ne présentaient que peu de liaisons instables. Ainsi qu'il ressort de la description précé- dente, l'appareil MW-PCVD selon l'invention est muni de la fenêtre fixe et de la fenêtre mobile exposées à l'espace de formation de film, et la fenêtre mobile est nettoyée dans l'espace d'attaque qui est isolé de l'espace de formation de film, durant l'opération de formation d'un film. En conséquence, la capacité initiale de transmission de micro- ondes de la fenêtre mobile est maintenue dans un état souhaitable, si bien que l'appareil MW-PCVD permet de conduire en continu l'opération de formation de film pendant une période de temps souhaitée. En outre, étant donné que la capacité initiale de transmission de micro- ondes de la fenêtre mobile est maintenue, la vitesse de déposition est stabilisée à une valeur souhaitée. L'ap- pareil MW-PCVD selon l'invention ne permet pas que le film formé sur la fenêtre transmettant les micro-ondes tombe sur le substrat pour être à l'origine de défauts dans le film formé sur le substrat. En outre, étant donné que la fenêtre mobile est attaquée dans l'espace d'attaque qui est isolé de l'espace de formation de film durant l'opération de formation d'un film, l'appareil MW-PCVD ne nécessite pas de temps supplémentaire pour le nettoyage de la fenêtre mobile et peut fonctionner à une cadence de travail élevée. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées à l'appareil décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Appareil de déposition chimique en phase vapeur par plasma à microondes pour former en continu un film fonctionnel déposé sur un substrat (106), comprenant une chambre sensiblement fermée (104) de formation de film qui contient des moyens destinés à porter le substrat, la chambre étant munie de moyens destinés à introduire une matière première gazeuse de formation de film dans l'espace de formation de film, la chambre comportant une fenêtre d'introduction de micro-ondes reliée à une source d'énergie à micro-ondes et des moyens (109) destinés à évacuer l'espace de formation de film, la chambre de formation de film étant munie d'une chambre d'attaque pour le nettoyage de la fenêtre d'introduction de microondes à l'aide d'un gaz d'attaque, ladite chambre d'attaque présentant un espace d'attaque (105) et étant munie de moyens destinés à introduire une matière première gazeuse d'attaque dans cet espace d'attaque,la chambre d'attaque comportant en outre des moyens destinés à appliquer une énergie d'activation à l'intérieur de l'espace d'attaque pour exciter la matière première gazeuse d'attaque afin qu'elle constitue le gaz d'attaque, l'appareil étant caractérisé en ce que la fenêtre d'introduction de microondes comprend plusieurs fenêtres (102, 103) transmettant les micro-ondes et superposées, l'une (103) des fenêtres, qui doit être exposée dans l'espace de formation de film, étant rendue mobile entre la chambre-de formation de film et la chambre d'attaque afin que la fenêtre de transmission des micro- ondes précédemment utilisée dans la chambre de formation de film soit nettoyée par enlèvement par attaque du film déposé sur cette fenêtre à l'aide du gaz d'attaque dans la chambre d'attaque tandis qu'une opération de formation de film est exécutée à l'intérieur de ladite chambre de formation de film. 2. Appareil selon la revendication 1, carac- térisé en ce que les fenêtres de transmission des micro- ondes sont superposées en une forme cylindrique. 3. Appareil selon la revendication 2, carac- térisé en ce qu'il comporte des moyens (204, 205, 206, 208) destinés a déplacer l'une des fenêtres de transmission des micro-ondes qui est exposée a l'espace de formation de film. 4. Appareil selon la revendication 2, carac- térisé en ce qu'une zone de génération de plasma, devant être formée autour des diverses fenêtres cylindriques de transmission de micro-ondes superposées, est entourée par la surface d'un substrat (510) sur lequel un film doit être formé. 5. Appareil selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la fenêtre d'introduction de micro-ondes comprend plusieurs plaques de fenêtres (701, 702, 704) de transmission des microondes comprenant plusieurs plaques mobiles (701, 702; 801, 802) de fenêtres de transmission des micro-ondes pouvant être exposées à l'espace de formation de film. 6. Appareil selon la revendication 5, carac- térisé en ce que les plaques mobiles de fenêtres de transmission des micro-ondes sont disposées autour d'un axe de rotation de manière qu'au moins l'une des plaques de fenêtres mobiles soit placée à l'intérieur de la chambre d'attaque (811) tandis qu'au moins l'une des plaques de fenêtres mobiles restantes de transmission des micro-ondes soit placée à l'intérieur de la chambre (809, 709) de formation de film.