FR 2636078 A1 19900309 FR 8911571 A 19890905 La présente invention concerne un procédé de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur (défini par l'abréviation CVD) pour la réalisation de couches, selon lequel une matière de formation de couches est produite - 5 dans une chambre de réaction à partir d'un gaz de réaction s'écoulant sur une surface d'un substrat à revêtir et qui est traité, au moyen d'une décharge gazeuse qui est engendrée dans une pré- chambre par un rayonnement de haute fréquence, en vue d'une précipitation réactive sur la surface du substrat à revêtir, la pré-chambre étant reliée par l'intermédiaire d'une ouverture avec la chambre de réaction et le substrat étant revêtu dans la zone de l'ouverture. L'invention concerne également un appareillage pour la mise en oeuvre du procédé précité, comportant une chambre de réaction dans laquelle est situé un substrat à revêtir, une pré-chambre dans laquelle peut être introduit un rayonnement électro-magnétique, la pré-chambre étant reliée avec la chambre de réaction par l'intermédiaire d'une ouverture, un dispositif pour l'introduction d'un gaz de réaction, une pompe à vide pour produire la dépression nécessaire pour la réaction et pour décharger les gaz de réaction usés. Des couches minces, comme celles existant par exemple sur des systèmes optiques réfléchissants polarisants ou transparents, sont réalisées habituellement par des techniques de dépôt par vaporisation ou par pulvérisation cathodique. Les couches ainsi réalisées présentent cependant l'inconvénient que les propriétés des couches, par exemple en ce qui concerne l'indice de réfraction, l'absorption ou la compacité, sont différentes des propriétés de la matière première utilisée et en conséquence des propriétés déterminées des couches ne peuvent être obtenues que difficilement. Des procédés de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur par effetphoto (défini par l'abréviation photo-CVD) et le dépôt chimique en phase vapeur par plasma (défini par l'abréviation Plasma CVD), tels que ceux qui ont été conçus pour la fabrication et l'utilisation de guides d'ondes lumineuses, ne présentent pas ces inconvénients car les couches, qui sont obtenues par précipitation réactive à partir d'un plasma ou bien par excitation par un rayonnement ultra-violet, ont une structure analogue à celle d'un verre fondu de même composition. Dans ces procédés, un gaz de réaction réagit chimiquement en formant une précipitation solide sur un substrat. Ces procédés ont cependant été utilisés de façon optimale jusqu'à maintenant seulement pour des profils géométriques circulaires et des couches minces ayant des dimensions inférieures à 100 nm car elles ne peuvent être réalisées que très difficilement avec les procédés précités. Ainsi le brevet EP-36 191 décrit un procédé de revêtement "Plasma-CVD", au moyen duquel il est possible de réaliser des couches très minces, mais cependant seulement à l'intérieur d'un tube. Un autre procédé de revêtement "Plasma-CVD", à l'aide duquel on peut également revêtir des surfaces planes, est connu d'après le brevet EP-17 226. Les substrats a revêtir sont alors introduits dans un tube en verre au quartz, dans lequel on fait passer ensuite les gaz de réaction. La grandeur du substrat est limitée par le tube en verre au quartz. Le revêtement est réalisé extérieurement sur la surface désirée du substrat pratiquement en totalité dans le tube, de sorte qu'on doit utiliser un grand excès de gaz de réaction. En outre, en fonction de l'ébauche utilisée de sa grosseur et de sa forme, il n'est pas toujours possible d'obtenir un écoulement parfaitement approprié de gaz de réaction, de sorte que le revêtement n'est pas réalisé uniformément. Depuis peu, il est connu d'après la demande de brevet Allemand DE-OS 37 26 775 un autre procédé de revêtement "Plasma-CVD" de surfaces planes. Dans ce cas, on fait passer un gaz de réaction au travers d'une plaque perforée en-dessous de laquelle est située parallèlement la surface à revêtir. Entre la plaque perforée et la surface à revêtir, on produit un plasma par lequel la réaction est engendrée. Ce procédé présente) par rapport au précédent, l'avantage de mieux utiliser les gaz de réaction et également de pouvoir revêtir de plus grandes surfaces. Un inconvénient consiste cependant en ce que les gaz brûlés lors de la réaction ne peuvent pas être déchargés uniformément et il en résulte la création de couches non uniformes. Du fait que l'activation du plasma est réalisée entre la plaque perforée et le substrat, il existe le risque que le plasma passe au travers de la plaque perforée et produise également dans cette zone un dépôt, ce qui peut obstruer les buses. Des appareillages semblables sont également connus d'après le brevet EP74 212 et le brevet US-4 434 742. Dans ces appareillages, le gaz de réaction s'écoule au travers d'une plaque à une seule ou plusieurs perforations, en arrière de laquelle est située, soit parallèlement soit perpendiculairement, la surface à revêtir. A la différence du procédé précédent, le plasma est déjà produit dans le gaz de réaction au-dessus, ou bien au-dessus et en-dessous, de la plaque perforée. Egalement dans ces appareillages, les gaz de réaction usés ne peuvent pas toujours être déchargés uniformément. En outre, la pré-chambre de réaction et les ouvertures de sortie du plasma sont revêtues à un degré important de sorte qu'il se produit une grande perte de matière et qu'il est nécessaire d'effectuer de temps en temps un nettoyage de la pré-chambre de réaction et des ouvertures de passage. L'invention a pour objet de créer un procédé de revêtement "CVD" pour la réalisation de couches, ce procédé devant également permettre de réaliser des couches minces et d'effectuer les revêtements aussi bien sur des substrats plans que sur des substrats incurvés. Le revêtement doit être autant que possible réalisé uniformément et on doit éviter autant qu'il est possible des dépôts formés par les gaz de réaction dans les passages d'admission ainsi que dans les canalisations du rayonnement micro-ondes. En outre, le revêtement doit pouvoir également être réalisé sur de très grandes surfaces. Ce problème est résolu en ce qui concerne le procédé en faisant en sorte qu'au moins une partie du gaz de réaction.. soit canalisée jusqu'à l'ouverture en contour- nant la pré-chambre. En ce qui concerne l'appareillage, le problème est résolu en ce que l'admission d'au moins une partie du gaz de réaction est effectuée jusqu'à l'ouverture à l'extérieur de la pré-chambre. Le procédé convient en particulier pour un processus de revêtement "Plasma-CVD" et, à cet égard, il est particulièrement avantageux d'utiliser le procédé de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur par impulsions de plasma (PICVD) car, dans les pauses entre impulsions, les gaz de réaction usés peuvent être évacués de la manière la plus simple de sorte que chaque nouvelle impulsion de plasma agit à nouveau sur des gaz de réaction frais. En dehors du procédé de revêtement par dépôt de phase vapeur avec plasma il est également possible d'effectuer une activation du gaz de réaction par un rayonnement ultra-violet, ce rayonnement ultra-violet étant à nouveau produit dans un plasma Ce procédé de revêtement "Photo-CVD" peut également être combiné avec le procédé de revêtement "Plasma-CVD", o la séparation à partir des gaz de réaction est effectuée dans un plasma. Le rayonnement ultraviolet assiste à cet égard la formation du plasma du gaz de réaction de telle sorte que, pour l'activation du plasma, une puissance de champ plus faible du rayonnement électromagnétique, de préférence un rayonnement micro- ondes, soit suffisante. Dans le procédé conforme à l'invention, il est important que l'activation du gaz de réaction soit effectuée à partir d'unepré-chambre, qui est reliée à la chambre de réaction proprement dite par l'intermédiaire d'une ouverture et qu'une telle partie du gaz de réaction soit canalisée jusqu'à l'ouverture dans la zone de laquelle s'effectue la réaction, afin d'éviter un dépôt dans la pré- chambre de réaction. A cet égard, il existe différentes possibilités: ainsi par exemple un composant du gaz de réaction, par exemple le composant-oxygène dans le cas d'un mélange d'un tétrachlorure de silicium et d'oxygène servant de gaz de réaction, peut être canalisé au travers de la pré-chambre jusqu'à la zone de réaction, c'est-à-dire l'ouverture, tandis que l'autre partie du gaz de réaction, c'est-à-dire le composant-tétrachlorure de silicium, sont canalisés jusqu'à l'ouverture en contournant la pré-chambre. Du fait que le composé-oxygène n'est pas capable de produire une précipitation, il ne se forme aucun dépôt dans la pré- chambre. L'oxygène peut alors être déjà- activé dans la pré- chambre sous forme d'un plasma, qui rejoint alors dans l'ouverture le composant-tétrachlorure de silicium et qui permet dans cette zone une précipitation réactive. La partie du gaz de réaction, qui est canalisée, en contournant la préchambre, jusqu'à la zone de réaction est alors orientée avantageusement de manière à s'écouler parallèlement ou laminairement par rapport au substrat. On obtient ainsi un revêtement particulièrement uniforme. Cet écoulement peut par exemple être obtenu en disposant les conduits d'admission desdits composants, entre la chambre de réaction et la préchambre, avec une orientation dirigée vers la zone de réaction. Le gaz de réaction sortant des conduits d'admission s'écoule ainsi dans une large mesure parallèlement à la surface à recouvrir. Différentes variantes sont possibles en ce qui concerne l!admission du gaz de réaction; ainsi par exemple la totalité du gaz de réaction peut être canalisée jusqu'à la zone de réaction en contournant la pré-chambre. Lorsqu'une partie du gaz de réaction, qui ne doit faire l'objet d'aucune précipitation réactive, est canalisée au travers de la pré-chambre jusqu'à l'ouverture et ainsi jusqu'à la zone de réaction, un plasma peut déjà être produit dans cette partie du gaz de réaction et ce plasma sera canalisé avantageusement à l'intérieur de la pré- chambre de manière à agir comme un guide interne pour le rayonnement de haute fréquence à activer. Comme pré-chambre, on utilise avantageusement un tube métallique, de préférence un tube en platine, qui comporte avantageusement une ouverture en forme de fente. La réaction peut alors se dérouler en-dessous de toute l'étendue de la fente. Lorsque la précipitation réactive est effectuée à partir d'un plasma, alors la grandeur de la ou des ouvertures ou bien de la fente doit être égale à au moins X/40 du rayonnement haute-fréquence de l'énergie micro- ondes qui sont introduits. Ainsi, dans la zone de l'ouverture ou de la fente, il est possible d'obtenir une puissance de champ suffisamment élevée pour que le gaz de réaction soit activé sous la fo-me d'un plasma. Lorsque l'activation du gaz ae réaction est effectuée seulement par l'intermédiaire d'un rayonnement ultra-violet, il est alors possible d'utiliser également des ouvertures plus petites. Dans la pré-chambre, on peut également faire passer un gaz auxiliaire qui est activé sous forme d'un plasma et cette activation peut être transmise par l'intermédiaire de l'ouverture au gaz de réaction. Ainsi il est possible à nouveau que le rayonnement ultra-violet produit dans le plasma du gaz auxiliaire assiste l'activation du gaz de réaction. Pour la canalisation du gaz auxiliaire ou de la partie du gaz de réaction qui passe dans la pré-chambre, il existe plusieurs possibilités. Ainsi par exemple il est possible de disposer à l'intérieur d'une pré-chambre de forme tubulaire, avantageusement ou concentriquement à celle-ci, un écran de forme tubulaire, constitué d'un matériau électriquement non conducteur, par exemple du quartz, qui comporte, au-dessus de l'ouverture en forme de fente avantageusement prévue dans la pré-chambre, également une ouverture en forme de fente. Le gaz canalisé par cet écran peut avantageusement être introduit aux deux extrémités de l'écran de telle sorte qu'on soit assuré d'obtenir une sortie aussi uniforme que possible de gaz ou de plasma à partir de l'ouverture en forme de fente. Avantageusement, un plasma est alors produit également aux deux extrémités de l'écran. Le plasma est amorcé dans ce cas à l'aide d'une bague métallique qui est disposée à l'extrémité de l'écran et il se propage à l'intérieur de l'écran. Le plasma agit alors comme un guide interne pour le rayonnement electro-magnétique agissant également dans la pré-chambre. Lorsqu'il est prévu à l'intérieur de la pré- chambre métallique une gaine formée d'un matériau diélectrique, le gaz canalisé au travers de la pré-chambre peut également s'écouler entre l'écran et la gaine, de sorte que l'écran ne nécessite alors pas d'ouverture en forme de fente. Dans la pré-chambre, on peut également prévoir des fermetures diélectriques, qui canalisent le gaz introduit dans la pré-chambre jusqu'à l'ouverture de cette dernière ou bien qui empêchent dans une large mesure une pénétration de gaz de réaction frais ou de gaz de réaction usés dans la pré-chambre. Pour obtenir une précipitation du gaz de réaction sur une grande surface du substrat, ce substrat peut être déplacé par rapport à l'ouverture. Il est également possible de déplacer la pré-chambre, avec le conduit d'admission de gaz de réaction, par rapport au substrat. Ces déplacements peuvent être adaptés au contour de la surface à revêtir. A l'aide de plusieurs déplacements du substrat, par exemple, la surface à revêtir peut être revêtue plusieurs fois. Il est ainsi possible d'obtenir également des couches plus épaisses. La grandeur de la surface sur laquelle s'effectue directement la précipitation peut être modifiée par un déplacement du substrat perpendiculairement à l'ouverture. Ainsi également l'épaisseur de la couche précipitée est modifiée de sorte qu'avec ce mouvement il est possible d'obtenir une adaptation de l'épaisseur de couche et par conséquent également un revêtement très uniforme. Pour un revêtement de grandes surfaces, il est possible également d'utiliser plusieurs pré-chambres avec une chambre de réaction, ces préchambres pouvant être utilisées alternativement ou ensemble. A la différence de ce qu'on connait d'après l'art antérieur, l'invention permet d'appliquer également le procédé de revêtement "CVD" pour le revêtement de grandes surfaces pouvant être exprimées en mètres carrés, le revêtement n'étant pas limité à des surfaces planes. Avec le procédé conforme à l'invention, il est possible de réaliser des couches diélectriques et métalliques, qui sont utilisables par exemple dans des appareils optiques ou des guides d'ondes lumineuses. Ainsi par exemple il est possible de réaliser des appareils optiques réfléchissants, transparents ou polarisants à l'aide desdites couches. Egalement on peut fabriquer des guides d'ondes lumineuses, tels que ceux décrits par exemple dans les brevets DE-35 36 780 et DE-35 36 781. Il est avantageux que les substrats puissent être traités, après le revêtement, comme du verre fondu classique. En principe, tous les procédés de revêtement "Photo-CVD-" et "Plasma-CVD" sont appropriés. Le procédé "PICVD" est particulièrement approprié, de même que la décharge en mode continu. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mis en évidence dans la suite de la description, donnée a titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est une vue en coupe verticale d'un appareillage conforme a l'invention pour un revêtement de substrats plans, cette coupe étant faite selon la ligne I-I de la figure 2. La figure 2 est une vue en coupe verticale, faite selon la ligne II-II de la figure 1, de l'appareillage de la figure 1. La figure 3 représente une variante de la réalisation de la figure 1, comportant deux pré-chambres de réaction. La figure 4 représente une variante de la réalisation de la figure 1 pour des revêtements extérieurs sur des barres ou des tubes. La figure 5 représente une variante de la réalisation de la figure 1 pour des revêtements intérieurs de substrats incurvés. L'appareillage représenté sur les figures 1 et 2 contient une chambre de réaction 1 dans laquelle est situé un substrat 2. Le substrat 2 est déplaçable par translation horizontalement et verticalement (doubles flèches). La chambre de réaction 1 est reliée à une canalisation extérieure 3 de forme tubulaire par l'intermédiaire d'une ouverture 4 en forme de fente, on peut disposer axialement le long de la canalisation extérieure. La canalisation extérieure 3 est formée d'un matériau électriquement conducteur et elle forme l'écran extérieur d'un système à micro-ondes. A l'intérieur, la canalisation extérieure 3 peut comporter un revêtement 5 formé d'un matériau diélectrique, chimiquement résistant et n'absorbant pas ou seulement peu les micro-ondes, de préférence du verre au quartz ou de la céramique. Le volume intérieur de la canalisation extérieure 3 constitue une préchambre 6, qui peut être divisée au moyen d'un écran 7, qui est également formé d'un matériau diélectrique, chimiquement résistant et n'absorbant pas ou seulement peu les micro-ondes. L'écran 7 est de préférence disposé circulairement et concentriquement à la canalisation extérieure 3 et il comporte, radialement par rapport à l'ouverture 4, également une ouverture 8 en forme de fente. Des fermetures diélectriques 9, formées d'un matériau n'absorbant pas ou seulement peu les micro-ondes et qui sont orientées à partir du bord inférieur de l'écran 7, sensiblement parallèlement à l'ouverture 4, peuvent isoler hermétiquement une partie de la pré-chambre 6 par rapport à la chambre de réaction 1. Aux deux extrémités de l'écran 7, il est prévu des guides intérieurs 10 de forme annulaire, auxquels est appliquée une énergie micro-ondes sous la forme d'impulsions micro-ondes provenant d'un ou plusieurs résonateurs 16 de génération de micro-ondes. Il se produit ainsi avec un gaz, canalisé par l'écran 7, un plasma qui agit, pour le rayonnement électromagnétique appliqué, comme un guide interne approprié en direction de la canalisation extérieure 3. Des deux côtés de la zone de liaison entre la chambre de réaction 1 et la canalisation extérieure 3, il est prévu des admissions transversales de gaz de réaction 11, qui sont mutuellement décalées et disposées de telle sorte que le gaz de réaction introduit s'écoule, dans la zone de l'ouverture 4, laminairement au-dessus du substrat 2. L'écoulement de gaz de réaction (flèches) se propage au- dessus du substrat 2 jusqu'à des tubulures d'aspiration 12, par l'intermédiaire desquelles les gaz de réaction usés qui sont produits dans la réaction soient aspirés au moyen d'une pompe à vide. Le plasma se trouvant à l'intérieur de l'écran 7 entre en contact, par l'intermédiaire de l'ouverture 8, et avec le gaz de réaction arrivant par les orifices d'admission 11 et s'écoulant en direction de l'ouverture 8, et il forme, dans la zone de l'ouverture 8, sur le substrat 2 un plasma de réaction 17. La totalité du plasma s'étend en correspondance, à partir des guides internes 10, au- dessus et en-dessous de l'ouverture 4 en forme de fente et le long de celle-ci jusqu'au substrat 2, de sorte qu'il peut se produire une précipitation réactive à partir du plasma dans la zone du plasma de réaction 17 et par conséquent dans l'essentiel seulement sur le substrat 2. Le substrat 2 peut être chauffé jusqu'à la température de réaction au moyen d'un dispositif de chauffage à résistance 13. Le dispositif de chauffage à résistance 13 est réglable de telle sorte que la température de réaction puisse être adaptée aux conditions de réaction, par exemple aux gaz de réaction. Sur la figure 3 est représentée une forme de réalisation comportant deux système & micro-ondes qui peuvent fonctionner en parallèle. La structure de cette forme de réalisation qui est en principe identique à la forme de réalisation des figures 1 et 2, excepté que les orifices 11 d'admission de gaz de réaction sont respectivement situés seulement sur un côté de la canalisation extérieure 3 tandis que l'écran 7 est fermé en direction de la chambre de réaction 1. Dans ce cas, il est engendré dans l'écran 7 un plasma qui active par son rayonnement ultra-violet les gaz de réaction ou bien qui assiste la formation d'un plasma de réaction dans la zone de grande puissance de champ dans l'ouverture 4. Sur la figure 4 est représentée une forme de réalisation pour le revêtement d'un substrat 14 en forme de barre. La structure du système à micro-ondes correspond à nouveau à celle des figures 1 et 2 excepté que l'écran 7 est fermé en direction de la chambre de réaction 1 et que la pré-chambre de réaction 6 ne comporte aucune fermeture 9. Dans cette forme de réalisation, la pré-chambre 6 est fermée en direction de l'atmosphère extérieure et un gaz de réaction, comme par exemple de l'oxygène ou bien un gaz auxiliaire est introduit dans la pré-chambre 6. Le gaz auxiliaire, par exemple de l'argon, ne doit pas entraver la réaction mais il peut cependant former, & partir des guides internes l1Oun plasma qui peut alors activer la r6action. La figure 5 représente une forme de réalisation concernant le revêtement intérieur d'un substrat 15 pourvu d'une surface intérieure incurvée. La structure du système à micro-ondes correspond à nouveau à celle des figures 1 et 2. Les exemples de réalisation des figures 1 & 5 sont appropriés pour le processus de revêtement #CVD", les équipements, les formes et les dimensions des appareillages ainsi que la puissance des résonateurs à micro-ondes 16 peuvent être adaptés aux conditions existantes et également d'autres procédés de revêtement par plasma ou également des procédés de revêtement "Photo-CVD" peuvent être adaptés dans de larges domaines. Les variantes représentées sur les figures 1 à 5 ne sont pas limitées aux ébauches représentées. Par des modifications correspondantes de la chambre de réaction 1, il est possible de revêtir par exemple également des cubes, aussi bien à l'intérieur qu'à l'extérieur, des ébauches de lunettes, des surfaces d'incurvations irrégulières, etc.; à la place des substrats, également la pré-chambre peut être déplacée en même temps que s'effectue l'introduction et l'activation du gaz de réaction. La pré-chambre 6 peut, pour autant qu'elle soit pourvue de fermetures comme indiqué sur les figures 1 à 3 et 5, être remplie par de l'air environnant ou également par d'autres gaz. La pré-chambre peut, pour autant qu'il soit prévu un revêtement diélectrique 5 à l'intérieur de la canalisation extérieure 3, également contenir un gaz auxiliaire qui peut aussi être activé pour former un plasma Ce gaz auxiliaire, par exemple de l'argon, peut être inclus de façon fixe ou bien il peut avantageusement s'écouler axialement au travers de la pré- chambre de réaction 6. Les fermetures diélectriques 9 peuvent, pour autant que cela soit souhaité, empêcher un contact du gaz auxiliaire avec le gaz de réaction et éviter en correspondance des réactions indésirables de ces gaz. Lorsque le gaz auxiliaire doit participer à la réaction ou bien lorsqu'il s'agit d'un gaz de réaction nécessaire, on peut alors supprimer les fermetures 9. Dans le cas d'une pré-chambre de réaction 6 comportant des fermetures diélectriques 9, la pression du gaz auxiliaire peut être réglée de façon optimale indépendamment de la pression du gaz de réaction. Lorsqu'aucun plasma iest produit entre la canalisation extérieure 3 et l'écran 7, le revêtement 5 peut alors être également supprimé, ce revêtement 5 empêchant un court-circuit entre un plasma situé à l'extérieur de l'écran 7 et la canalisation extérieure 3. Le volume intérieur de l'écran 7 peut, comme décrit, être également rempli d'un gaz auxiliaire ou bien d'une partie du gaz de réaction qui ne doit pas produire de précipitation. Le gaz auxiliaire ou bien la partie du gaz de réaction qui s'écoule au travers de la pré-chambre 6 ou bien dans l'écran 7, forment facilement, par exemple par activation par un rayonnement micro-ondes, un plasma et ils transmettent leur activation au gaz de réaction dans la zone de l'ouverture 8. Lors de l'utilisation de l'utilisation d'oxygène par exemple, cette transmission est assistée par un rayonnement ultra-violet riche en énergie, la transmission au gaz de rédaction étant produite avantageusement directement au travers d'une ouverture. Dans les exemples de réalisation des figures 1, 2 et 5, la transmission est effectuée au travers de l'ouverture 8 en forme de fente. L'exemple de réalisation de la figure 3 convient également pour une décharge en mode continu. Le système à micro-ondes opère alors alternativement avec la direction de translation du substrat 2. Le gaz de réaction est à chaque fois introduit par l'intermédiaire des orifices il d'admission de gaz de réaction, qui sont orientés dans la direction de translation et qui retiennent le plasma jusqu'au changement de la direction de translation. Le gaz de réaction usé est alors évacué par aspiration en relation avec la direction de translation de l'ébauche. Lorsque la totalité du gaz de réaction est introduite par l'intermédiaire des conduits 11 d'admission de gaz de réaction, alors les différents composants du gaz de réaction sont avantageusement canalisés par l'intermédiaire de conduits différents d'admission 11 de telle sorte qu'il se produise un mélange du gaz de réaction seulement a l'extérieur des conduits 11 d'admission de gaz de réaction. On évite ainsi une précipitation réactive dans la zone des conduits 11 d'admission de gaz de réaction. Du fait du grand nombre de conduits d'admission 11 qui sont prévus et également du fait de leur disposition mutuellement décalée, on est assuré d'un mélange intégral des différents composants du gaz de réaction pendant l'écoulement jusqu'à l'ouverture 4 et par conséquent jusqu'au Plasma de réaction 17. Le revêtement est réalisé de façon homogène le long de l'ouverture 4 en forme de fente. Grâce aux conduits transversaux particuliers 11 d'admission de réaction, on obtient que le gaz de réaction ne précipite pas sur la paroi intérieure de la canalisation extérieure 3 mais en premier lieu sur le substrat 2. L'écoulement de gaz de réaction est continu et il est entretenu par une pompe à vide. Dans le cas d'un procédé "PICVD", il est possible d'établir une relation entre la vitesse d'écoulement et la pause entre impulsions micro-ondes de telle sorte que, avant l'amorçage d'un nouveau plasma, le substrat soit sollicité, dans la zone de l'ouverture 4 en forme de fente, par du gaz de réaction frais et qu'également la surface du substrat revêtue continue à être déplacée en translation. La durée des impulsions micro-ondes est réglée de telle sorte qu'il puisse se produire une réaction complète du mélange de gaz de réaction introduit.Par une sélection appropriée des conditions de réaction, comme la pression, les compositions de gaz de réaction, la séquence d'impulsions, il est possible de déposer des couches minces pouvant même se présenter sous forme de couches monomoléculaires. Augmenter l'homogénéité de la précipitation, il est possible, comme indiqué sur la figure 2, d'appliquer l'énergie micro-ondes des deux côtés et de déplacer le substrat perpendiculairement à l'intervalle (double flèche). Le déroulement des mouvements et leurs vitesses sont adaptés aux conditions de revêtement de manière a obtenir un revêtement homogène et uniforme. Et également les conduits d'admission de gaz de réaction, qui sont mutuellement décalés des deux côtés (figure 1, 4 et 5) augmentent l'homogénéité de la précipitation. En fonction du gaz de réaction utilisé, on doit chauffer le substrat à une température de réaction déterminée pour éviter l'apparition de produits de réaction indésirables. Ainsi, lorsqu'on utilise du tétrachlorure de silicium et de l'oxygène, la température de réaction s'élève à environ 100 C ou bien, lors de l'utilisation de silane avec du dioxyde d'azote et de l'ammoniac comme gaz de réaction, la température s'élève à plus de 300C. En fonction des conditions de réaction et de la composition du substrat, le revêtement peut être effectué à des températures de par exemple 70"C à 1600'C. Le chauffage du substrat peut, en dehors du dispositif de chauffage à résistance 13 représenté sur les figures 1 à 5, être également effectué avec d'autres dispositifs de chauffage, par exemple avec une énergie optique, thermique ou électrique. Le revêtement peut être réalisé sur des corps solides, comme par exemple du verre, du verre-céramique, de la céramique, des matières plastiques de forme stable avec pas ou seulement peu d'émollient, par exemple CR 39. Pour augmenter la vitesse de précipitation, il est possible, comme indiqué par exemple sur la figure 3, de faire fonctionner en parallèle plusieurs systèmes à micro- ondes. L'espacement mutuel des systèmes à micro-ondes, la grosseur du substrat et son mouvement doivent alors être adaptés mutuellement. Comme indiqué sur les figures 1 à 5, il est possible de revêtir des substrats plans et des substrats de formes différentes. Le mouvement du substrat peut alors être adapté en correspondance à sa forme, par exemple comme un mouvement de rotation ou un mouvement oscillant. En dehors des procédés "PICD" ou "a mode continu" décrits ci-dessus et faisant intervenir un plasma opérant sur une voie donnée, il est également possible d'utiliser d'autres procédés de revêtement par plasma faisant intervenir par exemple un plasma ur petite surface. Dans ce cas, le substrat est déplacé avantageusement dans le plan situé en-dessous du plasma de manière & obtenir à nouveau un revêtement de surface homogène. Dans un exemple de réalisation, on a effectué le revêtement d'un disque en verre au quartz ayant les dimensions suivantes: 400 mm x 400 mm x 5 mm. La forme de réalisation de l'appareillage correspond dans l'essentiel aux figures i et 2. La chambre de réaction 1 est constituée de verre au quartz et elle a des dimensions intérieures de 800 mm x 600 mm x 10 mm (longueur x largeur x hauteur). Sur toute la largeur s'étend un intervalle, centré au milieu par rapport à la longueur et au-dessus duquel est fixée la canalisation extérieure 3 de forme tubulaire en platine, qui est ouverte aux deux extrémités. La longueur de la canalisation extérieure 3 s'élève & 700 mm, son diamètre intérieur est de 40 mm. L'ouverture 4 en forme de fente de la canalisation extérieure 3 a les dimensions suivantes: 600 mm x 5 mm. Entre la canalisation extérieure 3 et la chambre de réaction 1 sont disposés les conduits 11 d'admission de gaz de réaction, formés de verre au quartz. Il est prévu concentriquement dans la canalisation extérieure 3 l'écran 7 formé de verre au quartz et ayant les dimensions suivantes: 1250 mm x 20 mm x 2 mm (longueur x diamètre extérieur x épaisseur de paroi). L'écran 7 est agencé des deux côtés comme indiqué sur les figures 3 et 4, il est obturé en bas et il est rempli d'argon. La pression de l'argon de remplissage peut être comprise entre 5 x 102 Pa et 5 x 104 Pa; à la place d'argon, on peut également utiliser d'autres gaz auxiliaires dans l'écran. Le volume situé entre l'écran 7 et la canalisation extérieure 3 est relié à l'atmosphère extérieur. Les extrémités de l'écran 7 dépassent de la même distance de la canalisation extérieure 3. Les fermetures diélectriques 9 séparent la majeure partie du volume de la pré-chambre 6 de la chambre de réaction 1. Les guides internes 10 sont formés de platine et ont les dimensions suivantes: 100 mm x 25 mm (longueur x diamètre intérieur). Les guides internes 10 pénètrent concentriquement, à partir des extrémités de la canalisation extérieure 3, à l'intérieur de la pré-chambre 6. Le gaz de réaction se compose de tétrachlorure de silicium et d'oxygène, dans un rapport molaire de 1:4, auquel cas il est possible d'échanger jusqu'à 14% mol. de tétrachlorure de silicium par du tétrachlorure de germanium. L'oxygène est introduit, séparément des tétrachlorures, par l'intermédiaire des conduits 11 d'admission de gaz de réaction. Le gaz de réaction a un débit pondéral total de 600 ml/min. à une pression de 5 x Pa et une température de 20C. Le mélange complet des gaz de réaction est effectué à l'extérieur des conduits 11 d'admission de gaz de réaction. Comme cela a été décrit en référence aux figures, l'introduction de l'oxygène pourrait également être effectuée par l'intermédiaire de l'écran 7, comme indiqué par exemple sur la figure 1. Le revêtement par le procédé conforme à l'invention est effectué avec un résonateur à micro-ondes opérant à une fréquence de 2,45 GHz, une énergie micro- ondes moyenne de 1,5 kW, une fréquence de génération d'impulsions de 100 Hz, pour une longueur d'impulsion de 1,5 ms et une pause entre impulsions de 8,5 ms. La pression de gaz dans la chambre de réaction s'élève à 15 x 102 Pa, la température du disque 2 en verre au quartz s'élève à 1100 C. La vitesse de déplacement du disque 2 en verre au quartz parallèlement à l'ouverture 4 en forme de fente est de 50 mm/s. On a obtenu une vitesse de revêtement d'environ 225 nm/min sur un côté du disque en verre au quartz. -20 REVENDICATIONS 1. Procédé de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur pour la réalisation de couches, selon lequel une matière de formation de couches est produite dans une chambre de réaction à partir d'un gaz de réaction s'écoulant vers une surface à revêtir d'un substrat, ce gaz étant activé au moyen d'une décharge gazeuse, qui est engendrée par un rayonnement de haute fréquence dans une pré-chambre, pour produire une précipitation réactive sur la surface à revêtir du substrat, la pré-chambre étant reliée par l'intermédiaire d'une ouverture avec la chambre de réaction et le substrat étant revêtu dans la zone de l'ouverture, caractérisé en ce qu'au moins une partie du gaz de réaction est canalisée jusqu'à l'ouverture en contournant la pré-chambre. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz de réaction est activé sous forme d'un plasma et le substrat est revêtu à partir de ce plasma. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz de réaction est activé par un rayonnement ultra-violet engendré lors de la décharge gazeuse. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz de réaction est activé sous forme d'un plasma et cette activation est assistée par le rayonnement ultra-violet produit dans la pré-chambre lors de la décharge gazeuse. 5. Procédé selon une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le substrat est déplacé par rapport à l'ouverture. 6. Procédé selon une des revendications i à 4, caractérisé en ce que la pré-chambre pourvue de l'ouverture est déplacée par rapport au substrat. 7. Procédé selon une des revendications i à 6, caractérisé en ce qu'une fente est utilisée comme ouverture. 8. Procédé selon une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'on utilise un grand nombre d'ouvertures, notamment un grand nombre d'ouvertures disposées dans une rangée. 9. Procédé selon une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'ouverture a un diamètre ou une longueur correspondant à au moins A/40 du rayonnement de haute fréquence. 10. Procédé selon une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le gaz de réaction est canalisé jusqu'à une zone de réaction entre la chambre de réaction et la pré-chambre. 11. Procédé selon une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'au moins une partie de la pré-chambre est séparée de la chambre de réaction par une fermeture diélectrique. 12. Procédé selon une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'une partie du gaz de réaction est canalisée vers l'ouverture autour d'un écran situé à l'intérieur de la pré-chambre. 13. Procédé selon une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce qu'une partie du gaz de réaction est canalisée par un écran, qui est disposé dans la pré-chambre au-dessus de l'ouverture de telle sorte que cette partie du gaz de réaction parvienne dans l'essentiel dans la chambre de réaction. 14. Procédé selon une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce qu'un gaz auxiliaire est activé dans la pré-chambre. 15. Procédé selon une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que la précipitation réactive est répartie, par déplacement du substrat parallèlement à l'ouverture, uniformément sur la surface à revêtir du substrat. 16. Procédé selon une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce qu'une surface extérieure périphérique du substrat est revêtue par rotation du substrat en-dessous de l'ouverture. 17. Procédé selon une des revendications 15 ou 16, caractérisé en ce que la surface du substrat est revêtue plusieurs fois notamment par un mouvement de va-et- vient. 18. Procédé selon une des revendications 1 à 17, caractérisé en ce que la surface à revêtir est modifiée en grandeur en déplaçant le substrat perpendiculairement à l'ouverture. 19. Procédé selon une des revendications 1 à 18, caractérisé en ce que les décharges gazeuses sont produites dans plusieurs pré-chambres, qui sont reliées à la chambre de réaction par l'intermédiaire d'ouvertures. 20. Appareillage pour la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1, comportant une chambre de réaction dans laquelle est situé un substrat à revêtir, une pré-chambre à laquelle peut être appliqué un rayonnement électromagnétique, la pré-chambre étant reliée à la chambre de réaction par l'intermédiaire d'une ouverture, un dispositif pour l'introduction d'un gaz de réaction, une pompe à vide pour produire la dépression nécessaire pour la réaction et pour évacuer les gaz de réaction usés, caractérisé en ce que l'admission d'au moins une partie du gaz de réaction est effectuée jusqu'à l'ouverture à l'extérieur de la pré-chambre. 21. Appareillage selon la revendication 20, caractérisé en ce que la préchambre 6 a une forme allongée et l'ouverture 4 a une forme de fente. 22. Appareillage selon une des revendications 20 ou 21, caractérisé en ce qu'un écran 7 est disposé dans la pré-chambre 6 au-dessus de l'ouverture 4. 23. Appareillage selon une des revendications 20 à 22, caractérisé en ce que le substrat 2 est déplaçable en translation dans la chambre de réaction 1. 24. Appareillage selon une des revendications 20 à 23, caractérisé en ce que le substrat 14 est déplaçable en rotation dans la chambre de réaction 1. 25. Appareillage selon une des revendications 20 à 24, caractérisé en ce qu'il est prévu au-dessus de l'ouverture 4 une fermeture diélectrique 9 qui sépare une partie de la pré-chambre 6 de la chambre de réaction 1. 26. Appareillage selon une des revendications 20 à 25, caractérisé en ce que plusieurs pré-chambres 6 sont reliées à la chambre de réaction 1 par l'intermédiaire d'ouvertures 4.