FR 2645344 A1 19901005 FR 8904010 A 19890328 La présente invention concerne la technique du vide, et plus particulièrement des dispositifs pour le dépôt de films sur des supports sous vide, par pulvérisa- tion ionique à plasma. L'invention peut trouver une application dans la technique d'obtention de dépôts sous vide à partir d'un plasma ionique, comprenant notamment: le dépôt, le décapage, le durcissement, la fusion de matériaux (conduc- teurs, résistifs, diélectriques) pour pièces à revêtements et de compositions compliqués. Les pièces traitées à l'aide du dispositif pour le dépôt de films peuvent trouver une large application dans les industries électroniques, de construction mécanique et métallurgique, ou bien dans la technique optique. Pour l'obtention de dépôts de films sous vide à partir d'un plasma ionique, les conditions qui suivent ont une grande importance pour obtenir une haute qualité et un bon rendement: l'utilisation d'un gaz inerte pur (argon) pour la composition (sans impuretés); de larges possibilités de modification de la composition quantitative des gaz de travailetl'évacuation forcée des gaz de la chambre de travail o a lieu le dépôt. Tout dépend de la construction du dispositif pour le dépôt de films. Il existe un dispositif pour le dépôt sous vide de films sur des supports faisant partie d'une installation pour l'obtention par pulvérisation ionique, à plasma, de dépôts de films minces, Z-600 (B. Heind LeiboldHerus, GmbH, Ganau, RFA. "Technologie de pulvérisation par magnétron pour fabriquer des films minces pour l'industrie électronique"). Ce dispositif comporte une chambre de travail à vide avec un porte-supports et au moins un ensemble de pulvérisation des matériaux par magnétron, communiquant par une tuyauterie avec une source de gaz, une chambre d'évacuation communiquant avec la chambre de travail par une soupape, comportant une pompe à diffusion ou turbomoléculaire et une pompe à vide primaire raccordée par une tuyauterie à la chambre de travail via une soupape. Dans le cas de l'utilisation de ce dispositif pour le dépôt de films, on emploie, pendant le dépôt, de l'argon contenant des impuretés telles que des gaz actifs qui influent d'une façon négative sur la qualité des revê- tements (adhérence, composition chimique des films), ce qui provoque un rebut et, par conséquent, la chute du rendement. Ce dispositif est également caractérisé par l'instabilité de la concentration des gaz dg travail lors d'un dépôt réactif parce que les pompes à diffusion ou turbomolécu- laires aspirent tous les gaz (y compris l'argon). Par suite, les paramètres du processus de formation du plasma, la vitesse-de dépôt, la composition chimique du film se trouvent altérés, ce qui provoque le rebut et la diminution du rendement. Les régimes forcés d'aspiration des gaz, de la chambre de travail, pendant le dépôt, provoquent un rebut des films par suite de l'instabilité des paramètres du processus de formation du plasma. Il existe également un dispositif pour le dépôt sous vide de films sur des supports (USA 4 606 929) qui comporte une chambre de travail avec un porte-supports et au moins un ensemble de pulvérisation des matériaux par magnétron, une chambre de pompage pour l'évacuation, communiquant avec la chambre de travail via une soupape, munie d'une pompe à magnétron et communiquant par une première tuyauterie à soupape avec une source de gaz, et une pompede vide primaire dont la cavité communique avec la chambre de travail par une deuxième tuyauterie. Dans ce dispositif connu, lors d'un dépôt réactif (d'une longue durée et critique par la composition chimique des films obtenus), lorsqu'il faut ajouter de l'argon pour maintenir les paramètres technologiques (pendant le dépôt, la pression de l'argon diminue), on utilise de l'argon technique contenant des gaz actifs ce qui est nocif à la composition chimique voulue des films, ainsi qu'à l'adhérence des films aux supports. Après avoir ajouté de l'argon, dans la chambre de travail, il faut un certain temps pour évacuer les gaz actifs contenus dans l'argon par une pompe à magnétron mais, pendant ce temps, dans le plasma,ont lieu des processus chimiques qui peuvent provoquer un rebut des films. Dans ces conditions, les films doivent être soumis à des contrôles supplémentaires pour corriger les paramètres des procédés ultérieurs de photolithographie. En plus, il faut noter qu'à l'aide de ce dispositif, il est difficile de réaliser des procédés réactifs de dépôt du fait que la soupape faisant communi- quer la chambre de travail avec la chambre d'évacuation ne peut travailler qu'en deux positions, "ouverte"-"fermée", ce qui rend très difficile le maintien de la composition en pourcentage des gaz de travail parce que la pompe à magnétron ne peut évacuer les gaz qu'à une vitesse maximale ce qui modifie la pression totale requise des gaz dans la chambre de travail et exige de ce fait une fréquente correction. Dans le dispositif considéré, il n'y a aucune possibilité d'assurer une évacuation forcée des gaz actifs de la chambre de travail parce que la pompe à magnétron a une vitesse constante de pompage des gaz. Le dispositif ne peut fonctionner lors de réparations préventives de la pompe à magnétron ou de la pompe à vide primaire et la préparation aux opérations d'obtention du dépôt est relativement longue. L'invention vise à créer un dispositif pour le dépôt sous vide de films sur des supports dont la struc- ture des ensembles permettrait l'amenée du gaz inerte (argon) dans une chambre de travail, assurant l'amenée de ces gaz débarrassés des impuretés, notamment des gaz actifs, et permettrait également de réaliser, dans de larges limites,une régulation progressive de la composi- tion quantitative des gaz de travail lors d'un dépôt réactif de films ainsi que de réaliser une évacuation forcée des gaz actifs de la chambre de travail pendant le processus très rapide de dépôt, assurant ainsi l'améliora- tion des films déposés et augmentant le rendement. Le problème posé est résolu par le fait qu'un dispositif pour le dépôt sous vide de films sur des supports, qui comporte une chambre de travail à vide avec un porte-supports et au moins un ensemble de pulvérisation des matériaux par magnétron, une chambre d'évacuation, communiquant via une soupape avec la chambre de travail munie d'une pompe à magnétron et raccordée à l'aide d'une première tuyauterie munie d'une soupape à une source de gaz, une pompe à vide primaire dont la cavité communique par une deuxième tuyauterie avec la chambre de travail, selon l'invention, comporte une chambre d'évacuation auxiliaire qui est munie d'une pompe à magnétron et qui communique avec la chambre de'travail à l'aide d'une soupape, une source auxiliaire de gaz et un système de tuyauteries auxiliaires comprenant une troisième tuyaute- rie équipée d'une soupape et faisant communiquer la source auxiliaire de gaz avec la chambre auxiliaire d'évacuation, et des quatrième et cinquième tuyauteries dont chacune est munie d'une soupape et qui font communiquer la source de gaz respective avec la deuxième tuyauterie. Il est utile de munir le dispositif d'une sixième et d'une septième tuyauterie,dont chacune est pourvue d'un dispositif d'admission des gaz, lesquelles sont mises en parallèle avec les quatrième et cinquième tuyauteries auxiliaires, respectivement. Il est souhaitable que les soupapes mettant la chambre de travail en communication avec les chambres principale et auxiliaire d'évacuation, respectivement, soient réglables. Le dispositif pour le dépôt sous vide de films sur des supports réalisé conformément à la présente invention assure une haute qualité du film et un bon rendement. L'introduction, dans le dispositif selon l'inven- tion, d'une chambre auxiliaire d'évacuation avec pompe à magnétron, permet d'amener,dans la chambre de travail,du gaz inerte (argon) débarrassé des gaz actifs, d'évacuer d'une façon forcée les gaz actifs lors de processus rapides de dépôt, de ne pas interrompre le dépôt pendant les réparations préventives de la pompe à magnétron (principale) et de la pompe à vide primaire ainsi que de réaliser de longs processus de dépôt et des processus réactifs de dépôt tout en assurant une haute qualité des films obtenus. La mise en communication de la chambre d'évacua- tion auxiliaire avec la chambre de travail via une soupap- réglable assure la possibilité de réglage de la vitesse d'évacuation des gaz, de la chambre de travail ainsi que la possibilité d'amener le gaz (argon) purifié par doses réglables dans la chambre de travail. L'introduction, dans le dispositif, d'une source de gaz auxiliaire élargit les possibilités technologiques du dispositif pour le dépôt et permet de réaliser le dépôt avec l'amenée simultanée de plusieurs gaz actifs dans la chambre de travail. Le fait d'équiper le dispositif d'une sixième et d'une septième tuyauterie mises en parallèle avec les quatrième et cinquième tuyauteries, respectivement assure l'amenée des gaz à travers le dispositif d'admission,de ces tuyauteries dans la chambre de travail, ce qui permet de faire un dosage précis des gaz. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en se référant au dessin schématique annexé donné uniquement à titre de référence illustrant un mode de réalisation de l'invention,dans lequel: - la figure unique montre une vue d'ensemble d'un dispositif pour le dépôt sous vide de films sur des supports selon l'invention. Le dispositif pour le dépôt sous vide de films sur des supports comporte une chambre de travail à vide 1, abritant un porte-supports 2, des ensembles 3 de pulvéri- sation par magnétron (dans la variante décrite du dispositif, il y a quatre ensembles 3 de pulvérisation par magnétron) La chambre de travail 1 est reliée d'un côté à une chambre principale d'évacuation 4 par une pompe 5 à magnétron qui communique avec la chambre de travail par une soupape réglable 6 dont l'organe mobile est rigidement lié à l'élément de sortie d'une commande 7. De l'autre côté, la chambre de travail 1 est reliée à une chambre auxiliaire d'évacuation 8 avec une pompe à magnétron 9 identique, qui communique avec la chambre de travail 1 par une soupape réglable 10 dont l'organe mobile est rigidement relié à l'élément de sortie d'une commande 11. Le dispositif comporte, outre cela, des sources de gaz prin- cipale 12 et auxiliaire 13. La source de gaz 12 communique, à l'aide d'une tuyauterie 14 munie d'un détendeur de gaz , d'une soupape 16 et d'un capteur de pression 17, avec la chambre d'évacuation 4. La source 13 communique, à l'aide d'une tuyauterie 18, munie d'un détendeur de gaz 19, d'une soupape 20 et d'un capteur de pression de gaz 21, avec la chambre d'évacuation 8. Outre cela, le dispositif comporte une pompe primaire à vide 22 dont la cavité communique par une tuyauterie 23 munie d'une soupape 24, d'un capteur de pression de gaz 25 et d'un accumulateur d'air 26, avec la chambre de travail 1. Chacune des sources de gaz 12 et 13 communique avec la tuyauterie 23 à l.'aide de tuayteries auxiliaires 27 et 28, chaque tuyauterie 27 et 28 comportant une soupape 29 ou 30 respectivement. Des tuyauteries 31 et 32 sont parallèles aux tuyauteries 27 et 28, et chacune est munie d'une dispositif d'admission de gaz 33, 34, respectivement. En tant que soupapes 16, , 24, 29 et 30, on utilise des soupapes de by-pass. Sur le dessin, le dispositif est représenté avec des supports qui sont fixés au porte-supports 2 dans la chambre de travail 1. Le dispositif pour le dépôt sous vide de films sur des supports fonctionne de la façon suivante. Au début, ni la chambre de travail 1, ni la chambre principale d'évacuation 4,ni la chambre auxiliaire d'évacuation 8 n'est étanche. Les soupapes 6, 10, 16, 20, 24, 29 et 30, les dispositifs d'admission 26, 33 et 34 ainsi que les détendeurs de gaz 15 et 19 sont fermés. Toutes les sources d'alimentation sont débranchées. Pour mettre le dispositif en fonctionnement, on met les pompes -10 à magnétron 5 et 9 en marche, à cet effet on met la pompe à vide primaire 22 en marche, on ouvre les soupapes 16, , 24, 29 et 30 et on évacue les gaz de la chambre de travail 1, de la chambre principale d'évacuation 4 et de la chambre auxiliaire d'évacuation 8 jusqu'a une pression de 0,3 à 1 Pa. Ensuite, on ferme les soupapes 16, , 24, 29 et 30 puis on arrête la pompe à vide primaire 22. On ouvre le détendeur de gaz 15 de la source de gaz principale (argon) 12, on ouvre au maximum les soupapes 6 et 10, on ouvre le dispositif d'admission 33 et on.admet le gaz inerte dans la chambre de travail 1, la chambre principale d'évacuationtet la chambre auxiliaire d'évacua- tion 8 jusqu'à une pression de 1 à 10 Pa. Ensuite, on ferme le dispositif d'admission de gaz 33. On ferme de détendeur 15. La pression des gaz dans la chambre de travail 1, dans la chambre principale d'évacuation 4 et dans la chambre supplémentaire d'évacuation 8 est contrôlée par les capteurs de pression 25, 21 et 17 respectivement. Si nécessaire, l'amenée d'argon peut se faire de la source de gaz auxiliaire 13 via le dispositif d'ad- mission de gaz 34. Ensuite, on met les pompes à magnétron et 9 en marche. Pendant le démarrage des pompes à magnétron, il y a un débit partiel d'argon par suite de l'emprisonnement des ions d'argon sur les surfaces des chambres d'évacuation 4 et 8. Pendant le démarrage des pompes à magnétron 5 et 9, la pression de l'argon dans la chambre de travail 1, dans la chambre principale d'évacuation 4 et dans la chambre auxiliaire d'évacuation 8 diminue jusqu'à 0,05 à 0,1 Pa. A la fin du démarrage des pompes 5 et 9, on ferme la soupape 10, on ouvre la soupape 20 et à l'aide du détendeur 19 de la source de gaz 12, on règle la pression de l'argon à une valeur de 10 Pa dans la chambre auxiliaire d'évacuation 8. Ensuite; on ferme la soupape 20, le détendeur 19 et on débarrasse l'argon des gaz actifs dans la chambre d'évacuation auxiliaire 8 pendant 10 à 15 minutes, en fonction de la qualité de l'argon. Après purification de l'argon, on arrête la pompe à magnétron 9 et on ouvre, pour une courte durée, la soupape réglable 10 en la mettant en position intermédiaire jusqu'à l'obtention d'une pression de travail de l'argon dans la chambre de travail 1 et dans la chambre d'évacuation 4 égale à 0,3-0,6 Pa. On met les ensembles 3 de pulvérisation par magnétron en marche et on réalise le dépôt des matériaux sur les supports 35 qui sont placés sur les porte-supports 2. Pendant les longs processus de dépôt et en cas de nécessité d'ajouter de l'argon pendant le dépôt, la soupape réglable 19 peut être ouverte pendant une courte durée. Le dépôt fini, on arrête les ensembles 3 de pulvérisation par magnétron, on ferme la soupape réglable 6, on arrête la pompe à magnétron 5. La chambre de travail 1 est mise à l'air et on décharge les supports 35 sur lesquels est déposé le revêtement. Pour la réalisation des processus suivants de dépôt, il n'est pas nécessaire de faire démarrer les- pompes à magnétron 5 et 9 parce qu'elles sont prêtes à fonctionner et se trouvent toujours en milieu d'argon sous une pression de 0,3 à 10 Pa (en fonction de l'étan- chéité dans la chambre principale d'évacuation 4 et dans la chambre auxiliaire d'évacuation 8 ainsi que de la durée de leur état inactif). Dans le cas de processus de dépôt de courte durée exigeant une grande rapidité d'évacuation des gaz (pour l'obtention de films chimiquement purs, films très minces) le dispositif, objet de l'invention, fonctionne de la façon suivante. On charge les supports 35 dans la chambre de travail 1. On met la pompe à vide primaire 22 en marche, on ouvre la soupape 24 et on évacue les gaz pour obtenir dans la chambre de trava-il, une pression de 66 Pa. Ensuite, on ferme la soupape 24, on arrête la pompe à vide primaire 22. On met la pompe principale à magnétron 6 en marche, on ouvre la soupape réglable 5 (au maximum) et on établit, dans la chambre de travail 1, une pression de 0,05 à 0,1 Pa. De la chambre auxiliaire d'évacuation 8 on introduit, par ouverture de courte durée de la soupape 10, de l'argon débarrassé des gaz actifs jusqu'à obtenir, dans la chambre de travail 1 et dans la chambre d'évacuation 4, une pression de 0,6 Pa. On met la pompe à vide primaire 22 en marche, on ouvre les soupapes 24, 30 et 20 et on évacue l'argon de la chambre auxiliaire d'évacuation 8 jusqu'à obtenir une pression de 0,6 Pa. On ouvre les soupapes 24 et 30, on met la pompe à vide primaire 22 en marche, ainsi que la pompe à magnétron 9 et si besoin est, on épure encore l'argon dans la chambre auxiliaire d'évacuation 8. On ouvre la soupape 10 au maximum. L'évacuation des gaz de la chambre de travail 1 se fait par les deux pompes à magnétron 5 et 9 ce qui assure une évacuation forcée des gaz. On met les ensembles 3 de pulvérisation par magnétron en marche et on réalise le dépôt de matériaux sur les supports 35. Le dépôt fini, on arrête les ensembles 3, on ferme les soupapes 6 et 10. On arrête les pompes à magnétron 5 et 9, la chambre de travail 1 est désétanchéifiée à l'aide du dispositif d'admission 26 et on décharge les supports 35. Au dépôt réactif de matériaux sur les supports 35, le dispositif, objet de l'invention, fonctionne de la façon suivante. On met la pompe à vide primaire 22 en marche, on ouvre la soupape 24 et à l'aide de la tuyau- terie 23, on évacue les gaz de la chambre de travail 1 jusqu'à obtenir une pression de 66 Pa. Ensuite, on ferme la soupape 24, on arrête la pompe à vide primaire 22. On met la pompe à magnétron 5 en marche, on ouvre la soupape 6 et on évacue les gaz de la chambre de travail 1 jusqu'à obtenir une pression de 0,05 à 0,1 Pa à l'aide de la pompe à magnétron 5, ensuite on met la soupape 6 en position intermédiaire pour assurer la vitesse voulue d'évacuation des gaz actifs. On ouvre les détendeurs 15 et 19 des sources de gaz principale 12 et auxiliaire 13, respectivement,et par la tuyauterie 23, on introduit les gaz actifs dans la chambre de travail 1. Le débit d'air à travers le dispositif d'admission d'air est déterminé par le réglage de ce dernier. De la chambre auxiliaire d'évacuation 8, par la soupape réglable 10 ouverte pendant une courte durée, on admet, par portions, l'argon purifié dans la chambre de travail 1. Dans cette chambre 1 s'installe une pression de travail d'un mélange de gaz, par exemple Ar, 02 et N2 qui est égale à 0,6-0,9 Pa. La pression de travail dans la chambre 1 s'installe, par exemple de la façon suivante: si, dans la chambre 1, la pression,après évacuation à l'aide de la pompe à magnétron 5, est égale à 0,05-0,1 Pa, on y ajoute de l'argon via la soupape réglable 10 jusqu'à atteindre une pression de 0,6 Pa, puis, à l'aide des dispositifs d'admission de gaz 33 et 34 ou de l'un d'entre eux et par le réglage de la soupape -6, on assure une pression totale des gaz dans la chambre de travail 1 égale à 0,9 Pa. Comme la vitesse d'évacuation assurée par la pompe à magnétron 5 est constante (pour une position invariable de la soupape 6) et que la vitesse d'admission des gaz réactifs par les dispositifs d'admission 33 et 34 est également constante, il suffit simplement, pendant le dép6t, de régler l'amenée d'argon en commandant le degré d'ouverture de la soupape 10. Après cela, on met les ensembles 3 de pulvérisation par magnétron en marche et on réalise le dépôt des matériaux sur les supports 35 en présence de gaz réactifs. Après le dépôt, on ferme la soupape 6, les détendeurs 15 et 19, les dispositifs l1 d'admission de gaz 33 et 34, et on arrête les ensembles 3 de pulvérisation poz magnétron. La chambre de travail 1 est désétanchéifiée par l'intermédiaire du dispositif d'admission d'air 26 puis on décharge les supports prêts. Ce dispositif permet de réaliser aussi bien un dépôt réactif avec trois gaz actifs qu'avec un seul, en utilisant le dispositif d'admission d'air 26 pour l'admission d'un troisième gaz actif lofsqu'on utilise trois gaz. La mise sous vide préalable de 66 Pa dans la chambre de travail 1 du dispositif de dépôt sous vide de films sur des supports peut se faire à la façon suivante, sans utiliser la pompe à vide primaire 22. On règle l'orifice de la soupape 6 de façon à permettre le débit optimal de gaz, on met la pompe à magnétron 5 de la chambre principale d'évacuation 4 en marche. On évacue les gaz de la chambre de travail 1, jusqu'à établir une pression de 66 Pa, à l'aide ce la pompe à magnétron 5. Ensuite, on ferme la soupape 6, on la met à la position de passage maximal de gaz et on l'ouvre de nouveau. Après cela, la chambre de travail 1 est portée à une pression de 0,05 à 0,1 Pa à l'aide de la pompe à magnétron 5. La chambre de travail 1 est prête au dépôt. Si besoin est, la mise de la chambre de travail 1 à la pression du vide primaire de 66 Pa peut se faire parles deuxpompes à magnétron 5 et 9 via les soupapes 6 et respectivement. Le dispositif de dépôt sous vide de films sur des supports lors de la réparation ou de travaux préventifs sur l'une des pompes à magnétron 5 ou 9 ou la pompe à vide primaire 22, sans purification de l'argon, se fait de la façon suivante. On met la pompe à magnétron 5 ou 9 en marche, la soupape 6 ou 10 est réglée sur la valeur minimale de passage et ensuite on ouvre cette soupape et on évacue les gaz de la chambre de travail 1 jusqu'à obtenir la pression de 66 Pa. Ensuite, la soupape 6 ou 10 est fermée et on la règle sur la valeur maximale de passage. La soupape 6 ou 10 est ouverte et on évacue les gaz de la chambre de travail 1 jusqu'à obtenir une pression de 0,05 à 0,1 Pa. On ouvre le détendeur 15 de la source de gaz 12 (ou bien le détendeur 19 de la source de gaz 13) et, via le dispositif d'admission 33 ou 34, on admet de l'argon jusqu'à obtenir une pression de 0,3 à 0,6 Pa dans la chambre de travail 1. On met les ensembles 3 de pulvérisation par magnétron en marche et on réalise le dépôt. Après le dépôt, on arrête les ensembles 3, on ferme le dispositif d'admission de gaz 33 ou 34 ainsi que le détendeur 15 ou 19. On arrête la pompe à magnétron ou 9. La chambre de travail 1 est désétanchéifiée à l'aide du dispositif d'admission d'air 26 et on décharge les supports 35. Ainsi, le dispositif selon l'invention pour le dépôt sous vide de films sur des supports permet: -d'obtenir des revêtements de haute qualité grâce au fait que l'argon amené dans la chambre de travail pour le dépôt (long, réactif ou rapide) est débarrassé des gaz actifs, -de réaliser des régimes forcés d'évacuation lors d'un fonctionnement simultané de deux pompes à magnétron, -de réaliser les processus des dépôts avec un argon non purifié dans le cas d'une panne simultanée de l'une des pompes à magnétron et de la pompe à vide primaire et -de réaliser un dosage précis des gaz actifs lors du dépôt réactif de films. R E V E N D I C A T I ON S 1.- Dispositif de dépôt sous vide de films sur des supports du type comportant une chambre à vide de travail avec un porte-supports et au moins un ensemble de pulvérisation de matériaux par magnétron, une chambre d'évacuation, communiquant avec la chambre de travail via une soupape, munie d'une pompe à magnétron et communiquant par une tuyauterie munie d'une soupape avec une source de gaz, une pompe à vide primaire dont la cavité communique via une tuyauterie avec la chambre de travail, caractérisé en ce qu'il comporte une chambre auxiliaire d'évacuation (8) munie d'une pompe à magnétron (9) et qui communique avec la chambre de travail (1) via une soupape (10), une source de gaz auxiliaire (13) et un systèmes de tuyauteries auxiliaires (18, 27, 28) contenant la tuyauterie (18) vers une soupape (20) et mettant la source de gaz auxiliaire (13) en communication avec la chambre d'évacuation auxiliaire (8), les tuyauteries (27, 28) étant chacune pourvues de sa soupape (29, 30) et mettant chaque source de gaz (12, 13) respective en communication avec la tuyauterie (23). 2.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte des tuyauteries auxiliaires (31, 32) dont chacune est pourvue d'un disposi- tif d'admission de gaz (33, 34) et qui sont mises en parallèle avec une tuyauterie auxiliaire (27, 28) respective. 3.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les soupapes (6 et 10) reliant la chambre de travail (1) aux chambres d'évacuation principale et auxiliaire (4 et 8) sont réglables.