FR 2636174 A1 19900309 FR 8900329 A 19890112 La présente invention se rapporte à un mécanisme de connexion entre une borne ou analogue d'un ordinateur personnel ou un système en ligne et une carte à mémoire qui lui est connectée de manière détachable. La figure 1 illustre schématiquement une configuration d'un mécanisme conventionnel de connexion pour une carte à mémoire, et un état dans lequel une carte à mémoire 21 est connectée à un équipement terminal (non représenté). La carte à mémoire 21 comprend une mémoire à semiconducteurs 10, un circuit tampon 1, un circuit de détection de tension d'alimentation 11, une diode 12 de prévention de charge inverse, une résistance de limitation de courant 13, une batterie 14 et un connecteur 16 côté carte. Une mémoire à accès aléatoire statique est utiliséeen tant que mémoire à semiconducteurs 10 et le circuit tampon i est constitué d'un circuit intégré. Le connecteur 16 côté carte monté sur la carte à mémoire 21 a des bornes 16a-16n de connecteur côté carte. Toutes les bornes 16a à 16n sont de la même longueur. Par ailleurs, un connecteur 17 côté équipement terminal est monté du côté de l'équipement terminal et comprend des bornes de connecteur côté équipement terminal 17a à 17n. Toutes ces bornes 17a à 17n sont de la même longueur. Une ligne d'entrée de courant côté équipement terminal 18 fournit de l'énergie à la carte à mémoire 21 et la tension d'une ligne de mise à la masse 20 constitue une tension de référence pour l'équipement terminal et la carte à mémoire 21 et est normalement de 0 volt. Des lignes d'entrée/sortie 19b à 19n_1 sont utilisées pour les signaux d'entrée et de sortie pour écrire dans et lire de la mémoire à semiconducteurs 10. De plus, des résistances d'abaissement 7b à 7n_2 respectiverment connectées aux lignes de sortie 19b à 19n_2 entre le connecteur 16 côté carte et le circuit tampon 1 ainsi qu'une résistance d'augmentation 7n 1 connectée à une ligne 19n_1 de signaux de validation de carte parmi les lignes d'entrée/sortie sont conçues pour stabiliser les niveaux des lignes d'entrée/sortie l9b à 19n_1 du c8té de la carte 21 à un niveau bas (B) ou haut (H). On décrira maintenant le fonctionnement du mécanisme de connexion de l'art antérieur. Sur la figure 1, lorsque la carte à mémoire 21 est connectée à l'équipement terminal et que la tension de la ligne d'entrée de courant 18 atteint un niveau prédéterminé, le circuit de détection de tension d'alimentation 11 fournit, à une ligne d'énergie interne 15, l'énergie de la ligne d'entrée 18, fournit un signal marche/arrêt lla au circuit tampon 1 et établit le tampon 1 à un état connecté. De plus, lorsque la tension de la ligne d'entrée 18 baisse en dessous d'un niveau prédéterminé, le circuit 11 de détection de tension d'alimentation coupe la ligne d'entrée 18 électriquement et établit également le circuit tampon 1 à un état coupé au moyen du signal marche/arrêt lia. Lorsque la tension de la ligne d'entrée 18 atteint un niveau prédéterminé ou plus, l'énergie de la ligne d'entrée 18 est fournie à la ligne interne 15 et le circuit tampon 1 est établi à un état connecté. La tension Vbb de la batterie 14 est normalement de 3V, mais aucun courant ne s'écoule de la ligne interne 15 par l'action de la diode 12 de prévention de charge inverse. A cet état, l'écriture et la lecture de données par rapport à la mémoire à semiconducteurs 10 de l'équipement interne sont possibles par les lignes d'entrée/sortie l9b à 19n_1 Les lignes d'entrée/sortie l9b à 19n_1 comprennent un bus d'adresses, un bus de données, une ligne de signaux de commande (comprenant la ligne de signaux de validation de carte 19n 1) et analogues. Comme le fonctionnement de la mémoire à semiconducteurs 10 est généralement connu, sa description sera omise. Ensuite, lorsque la tension de la ligne d'entrée 18 a atteint un niveau prédéterminé ou moins, l'énergie de la ligne d'entrée 18 du côté de l'équipement terminal est coupée par fonctionnement du circuit 11 de détection de tension d'alimentation et en même temps, le circuit tampon 1 est établi à un état coupé par l'action du signal marche/arrêt lla. En conséquence, l'énergie de la batterie 14 est fournie à la ligne interne 15 par la résistance 13 de limitation de courant et la diode 12 de prévention de charge inverse, donc la donnée stockée dans la mémoire à semiconducteurs 10 est retenue. La tension de la ligne d'entrée 18 est généralement de 4,5 à 5,5V tandis qu'un niveau prédéterminé auquel le circuit 11 de détection de tension d'alimentation effectue une commutation de l'énergie est à proximité de 3,9 à 4,2 V. Dans ce qui précède, on a décrit l'opération de base de la carte à mémoire 21. On décrira maintenant le cas o la carte à mémoire 21 est insérée dans ou enlevée de l'équipement terminal. Plus particulièrement, on décrira le cas o la carte à mémoire 21 est sortie à un état dans lequel l'énergie est fournie de l'équipement terminal à la carte à mémoire 21 via la ligne d'entrée 18 et o l'énergie est fournie à la ligne interne 15 au moyen du circuit 11 de détection de tension d'alimentation ainsi qu'à un état activé en ligne dans lequel un signal au niveau "H" est appliqué à la ligne 19n1 de signaux de validation de carte (o la carte à n-i mémoire 21 est à un état non opératif), qui est l'une des lignes d'entrée/sortie de l'équipement terminal tandis qu'un signal arbitraire est appliqué aux autres lignes d'entrée/sortie 19 à 19n 2. Lorsque la ligne 20 de mise à la masse est séparée à l'avance des autres bornes et lorsque l'un des signaux des lignes d'entrée/sortie l9b à 19n_2 est au niveau "H" et qu'un autre est au niveau "B", un courant en boucle I1 (voir figure 2) s'écoule qui passe par la carte à mémoire 21, de l'équipement terminal puis retourne à l'équipement terminal. Par suite, comme le montre la figure 1, un courant normal I s'écoule de la batterie 14 via la résistance 13 de limitation de courant, la diode de prévention de charge inverse 12, la ligne interne 15, le circuit tampon 1 et la mémoire à semiconducteurs 10. Si l'on suppose que la valeur de ce courant anormal I est I, que la tension de la batterie 14 est Vbb, et que la valeur de la résistance de limitation de courant 13 est R, la tension Vdd de la ligne interne baisse instantanément à la valeur montrée par la formule (1) qui suit: Vdd = Vcc - R.I + (tension directe de la diode 12) (1) La valeur de R est généralement d'environ 1,5 kilohms. Par ailleurs, comme la tension minimale de maintien de la donnée stockée dans la mémoire à semiconducteurs 10 est de 2V, si l'on suppose que le courant anormal I est de 1 mA, et que la tension directe de la diode 12 de prévention de charge inverse est de 0,6 V, la tension Vdd de la ligne interne 15 devient de 0,9 V et devient plus faible que la tension minimale de maintien pour maintenir la donnée stockée dans la mémoire à semiconducteurs 10. Par conséquent, la donnée stockée dans la mémoire à semiconducteurs 10 disparaît. La valeur de ce courant anormal I devient supérieure à 1 mA. En se référant maintenant à la figure 2, on décrira le mécanisme de formation du courant en boucle ci-dessus décrit. La figure 2 montre deux éléments dans le circuit tampon 1 afin de faciliter la compréhension du mécanisme de formation du courant en boucle. Pour faciliter la description, les structures internes des éléments tampons lb, lc sont respectivement montrées sous la forme de circuits équivalents ne comprenant que des circuits d'entrée tels que des diodes 2b, 2c et des portions tampons 3b, 3c. De plus, la figure 2 montre les lignes de signaux d'entrée 5b, 5c du connecteur 16 c8té carte et les lignes de signaux de sortie 6b, 6c de la mémoire à semiconducteurs 10. Comme on l'a décrit ci-dessus, le circuit tampon 1 est constitué d'un circuit intégré, tel qu'un circuit intégré CMOS (métal oxyde semiconducteur complémentaire), un circuit intégré TTL (logique transistor-transistor) ou un circuit intégré LSTTL (logique transistortransistor à grande échelle) mais l'on emploie naturellement les transistors parasites 4b, 4c montrés en pointillé à la figure 2. Comme on l'a décrit ci-dessus, si pendant le retrait de la carte à mémoire 21, la ligne 20 de mise à la masse est séparée avant les autres bornes, et si l'un des signaux des lignes d'entrée/sortie 19b à 19n_2 est au niveau "H" et qu'un autre est au niveau "B", le signal au niveau H à l'entrée de l'équipement terminal via la ligne d'entrée b s'écoule de la résistance d'abaissement 7b à la masse. Ce courant s'écoule de la ligne interne de la mise à la masse 9 jusqu'entre la base et l'émetteur du transistor parasite 4c et constitue un courant de base, et passe de plus par la ligne 5c de signaux d'entrée pour retourner a l'équipement terminal, constituant ainsi le courant Il. En conséquence, un excès de courant I2 s'écoule de la ligne d'entrée interne 8 jusqu'entre le collecteur et l'émetteur du transistor parasite à la ligne d'entrée 5c. Chaque ligne interne d'entrée 8 est connectée à la ligne interne 15 montrée à la figure 1. En conséquence, comme on l'a décrit ci-dessus, le courant anormal I s'écoule vers la ligne interne d'énergie 15 via la batterie 14, la résistance 13 de limitation de courant et la diode 12 de prévention de charge inverse. Dans les cas o la ligne 20 de mise à la masse effectue un contact un retard par rapport aux autres bornes pendant l'insertion de la carte à mémoire 21, ce courant anormal I se présente par un mécanisme similaire. Actuellement, pour les bornes 17a à 17n du connecteur 17 c8té équipement terminal, on utilise ceux qui ont la même longueur ou ont certaines différences de longueur. Cependant, il y a des tolérances de fabrication sur les dimensions des bornes 17a à 17n. De plus, une séquence électrique pour tenir compte de l'insertion et du retrait en diagonale n'est pas prévue, permettant à la borne de mise à la masse d'être en contact avant les autres bornes pendant l'insertion et d'être séparée après les autres bornes pendant le retrait. Par conséquent, il y a possibilité que les données stockées dans la mémoire à semiconducteurs 10 puissent disparaître. Par ailleurs, comme le montre la figure 3, pendant l'insertion et le retrait de la carte à mémoire 21, il se produit un bruit dans un signal (a) des bornes autres que la borne de mise à la masse et un signal (b) de mise à la masse de la borne de mise à la masse, respectivement. Pour la période de production de ce bruit, aucune séquence électrique n'a été adoptée en tenant compte des tolérances de fabrication ci-dessus mentionnées de la longueur des bornes et de l'insertion en diagonale. De plus, ce bruit exerce souvent un effet néfaste sur l'équipement terminal, ayant éventuellement pour résultat un mauvais fonctionnement d'une unité centrale de traitement du c8té équipement terminal. La séquence électrique indiquée ici signifie que la borne de mise à la masse est toujours en contact avant les autres bornes pendant l'insertion et est touJours libérée après les autres bornes pendant le retrait. Comme on l'a décrit ci-dessus, dans le mécanisme conventionnel de connexion, une séquence électrique n'est pas nécessairement adoptée dans les bornes 16a à 16n et 17a à 17n des connecteurs c8té carte et équipement terminal 16, 17. En conséquence, pendant l'insertion et le retrait avec les lignes de la carte à mémoire 21 maintenues à un état actif, le courant en boucle peut s'écouler de l'équipement terminal et retourner à l'équipement terminal via le circuit tampon 11 de la carte à mémoire 21. Par suite, un courant anormal peut s'écouler de la borne de mise à la masse via la batterie 14, la résistance 13 de limitation de courant et la diode 12 de prévention de charge inverse. Par conséquent, comme ce courant anormal force la tension sur la ligne interne 15 à baisser, il y a une possibilité que la donnée stockée dans la mémoire à semiconducteurs 10 disparaisse et que le circuit tampon 1 ou la mémoire à semiconducteurs 10 puisse être détruit. Par ailleurs, en ce qui concerne l'équipement terminal, si l'unité centrale de traitement du côté équipement terminal et la carte à mémoire 21 sont directement connectées l'une à l'autre, cela pose un problème par le fait qu'un mauvais fonctionnement peut se produire dans l'unité centale de traitement de l'équipement terminal étant donné le bruit qui se produit pendant l'insertion ou le retrait de la carte à mémoire 21. En conséquence, la présente invention a pour objet un mécanisme de connexion pour une carte à mémoire capable d'établir une séquence électrique positive en prévoyant une différence de longueur entre une borne de mise à la masse et les autres bornes des connecteurs qui se trouvent des côtés carte et équipement terminal et en établissant des conditions pour un guide de la carte, relativement à l'insertion ou au retrait en diagonale de la carte à mémoire, pour ainsi surmonter les inconvénients ci-dessus décrits de la technique conventionnelle. La présente invention a pour autre objet un mécanisme deconnexion pour une carte à mémoire qui soit capable d'éliminer l'effet du bruit qui se produit pendant l'insertion ou le retrait sur l'équipement terminal en insérant un circuit tampon unilatéral ou bilatéral côté équipement terminalspar rapport à toutes les lignes d'entrée/sortie à l'exclusion d'une ligne d'entrée d'énergie et d'une ligne de mise à la masse du côté équipement terminal, permettant ainsi l'insertion ou le retrait de la carte à mémoire à un état dans lequel les signaux de puissance et/ou d'énergie sont appliqués de l'équipement terminal, c'est-à-dire à un état activé en ligne (avec une ligne de signaux de validation de carte maintenue à un état non opératif). A cette fin, selon la présente invention, on prévoit un mécanisme de connexion pour une carte à mémoire pour connecter une carte à mémoire détachable à un équipement terminal, comprenant: un moyen connecteur comprenant un connecteur côté carte et un connecteur côté équipement terminal, o une différence de longueur des bornes est prévue entre une borne de mise à la masse et des bornes autres que la borne de mise à la masse de manière à établir une séquence électrique dans laquelle, pendant l'insertion de la carte à mémoire, la borne de mise à la masse est en contact électrique avant les autres bornes et est électriquement séparée en retard par rapport aux autres bornes; un moyen formant guide de la carte qui est prévu sur le coté équipement terminal et qui a des dimensions prédéterminées pour restreindre l'angle d'inclinaison de la carte à mémoire pendant son insertion ou son retrait afin d'obtenir la séquence électrique; et un circuit tampon côté équipement terminal, unilatéral ou bilatéral, prévu pour toutes les lignes d'entrée/sortie à l'exclusion d'une ligne d'entrée d'énergie et d'une ligne de mise à la masse dans l'équipement terminal, l'insertion ou le retrait de lignes activées étant ainsi rendu possible par rapport aux lignes d'entrée/sortie à l'exclusion d'une ligne de signaux de validation de carte. Dans la présente invention, une différence de longueur entre les bornes respectives de connecteur côté carte et équipement terminal est prévue en tenant compte des tolérances de fabrication des bornes et de l'insertion ou du retrait en diagonale. Par suite, il est possible d'établir une séquence électrique positive. De plus, pour la présence du bruit lors de l'insertion ou du retrait, le circuit tampon unilatéral ou bilatéral est inséré dans toutes les lignes d'entrée/sortie à l'exclusion de la ligne d'entrée d'énergie et de la ligne de mise à la masse du c8té équipement terminal. Par conséquent, la donnée stockée dans la mémoire à semiconducteur peut être protégée positivement pendant l'insertion ou le retrait des lignes activées, et aucun effet de bruit, pouvant autrement se produire pendant l'insertion ou le retrait de la carte à mémoire, ne s'exerce. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et dans lesquels - la figure 1 est un schéma illustrant la configuration d'un mécanisme conventionnel de connexion pour une carte à mémoire; - la figure 2 est un diagramme illustrant un mécanisme de formation d'un courant en boucle du fait de l'utilisation d'un transistor parasite; - la figure 3 est un diagramme illustrant l'état des signaux pendant l'insertion et le retrait de la carte à mémoire dans le mécanisme de connexion des figures 1 et 2, sur la figure 3, A indique le signal d'une borne autre que la borne de mise à la masse, B indique le bruit pendant l'insertion, C indique le bruit pendant le retrait et D montre le signal de la borne de mise à la masse (0 V); - la figure 4 est un schéma illustrant la configuration d'un mécanisme de connexion pour une carte à mémoire selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 5 est un diagramme illustrant l'état des signaux pendant l'insertion et le retrait de la carte à mémoire dans le mécanisme de connexion montré à la figure 4, et sur cette figure 5, A indique le signal d'une borne autre que la borne de mise à la masse, B indique pendant l'insertion, C indique pendant le retrait et D le signal de la borne de mise à la masse (0 V); - la figure 6 est un diagramme illustrant l'insertion et le retrait en diagonale de la carte à mémoire; et - la figure 7 est un diagramme illustrant la différence de longueur des bornes dans le cas o la carte à mémoire est insérée dans ou retirée d'un guide de la carte, orthogonalement par rapport à lui. En se référant maintenant aux dessins joints, une description sera donnée d'un mode de réalisation de la présente invention. La figure 4 est un schéma illustrant la configuration d'un mécanisme de connexion pour une carte à mémoire selon un mode de réalisation de la présente invention. Sur ce dessin, la longueur d'une borne 22 de mise à la masse du connecteur 17 côté équipement terminal est plus grande que la longueur de ses autres bornes 17a à 17n_1 d'une valeur 1, de manière qu'une séquence électrique puisse être établie positivement malgré les tolérances de fabrication du connecteur 17 côté équipement terminal et du connecteur 16 côté carte (en particulier les tolérances de fabrication sur les dimensions des bornes de collecteur) ainsi que l'insertion et le retrait en diagonale de la carte à mémoire 21. De plus, un circuit tampon 23 côté équipement terminal prévu par rapport aux lignes d'entrée/sortie côté équipement terminal 19b à 19n_1 est conçu pour éliminer l'effet du bruit qui se produit lors de l'insertion ou du retrait de la carte 21, par exemple, sur une unité centrale de traitement (non représentée) de l'équipement terminal. Les autres agencements sont à la base similaires à ceux du mécanisme conventionnel de connexion montré à la figure 1, donc l'illustration de tels agencements et leur description seront omises. On décrira le fonctionnement. Dans le mécanisme de connexion entre la carte à mémoire et l'équipement terminal que l'on peut voir à la figure 4 selon la présente invention, comme la borne 22 de mise à la masse est plus longue que les autres bornes 17a à 17n_1 de 1, lorsque la carte à mémoire 21 est retirée de l'équipement terminal à un état activé en ligne (le signal de validation de carte étant constamment maintenu à un état non opératif), la borne 22 de mise à la masse n'est pas séparée de la borne 16n avant que les autres bornes l7a à 17n_1 ne soient séparées des bornes 16a à 16n_1 du connecteur 16 c8té carte. Cet état est montré à la figure 5. En effet, comme le montre la figure 5, même si des formes d'onde de bruit résultant de la séparation des bornes se produisent dans le signal (a) des bornes autres que la borne de mise à la masse lorsque la carte à mémoire 21 est retirée de l'équipement terminal, le signal (b) de la borne de mise à la masse reste à O V. Par ailleurs, pendant l'insertion de la carte à mémoire 21 également, la borne 22 de mise à la masse est toujours en contact avant les autres bornes 17a à 17n 1 En conséquence, comme le niveau de mise à la masse de O V entre l'équipement terminal et la carte à mémoire 21 est à un niveau stable pendant les durées respectives T1 et T2 de l'insertion et du retrait de la carte à mémoire 21, cela permet d'ignorer l'effet des transistors parasites 4b, 4c montrés à la figure 2. En effet, le courant en boucle I1 montré à la figure 2 s'écoule de la résistance d'abaissement 7b à la masse, mais ce courant ne s'écoule pas vers le transistor parasite 4c et retourne à l'équipement terminal via la borne normale 22 de mise à la masse montrée à la figure 4. En conséquence, le courant anormal I montré à la figure 1 ne se présente pas et comme la tension de la ligne interne 15 (voir figure 1) ne baisse pas à une valeur prédéterminée ou en dessous pendant l'insertion et le retrait, les données stockées dans la mémoire à semiconducteurs 10 peuvent être retenues positivement. De plus, du c8té équipement terminal, comme le circuit tampon c8té équipement terminal 23 est inséré pour les lignes d'entrée/sortie 19b à 19n 1' aucun effet du bruit provoqué par l'insertion et le retrait ne s'exerce. On décrira maintenant un moyen pour obtenir une séquence électrique telle que celle montrée à la figure 5. Pour obtenir une séquence électrique positive, il est nécessaire de compenser les toléranoes de fabrication des dimensions des bornes 16a à 16n, 17a à 17n 1 et 22 des connecteurs c8té carte et c8té équipement terminal 16, 17, ainsi qu'une différence de longueur équivalente des bornes impliquées dans l'insertion et le retrait en diagonale de la carte à mémoire 21, comme le montre la figure 6. Cependant, dans la pratique, les dimensions externes de la carte à mémoire 21 sont très petites, avec une largeur de 54mm, une longueur de 86mm et une épaisseur de 2-4mm ou environ. Au contraire, le nombre de bornes est très important, entre 30 et 68 plots, et la taille totale de la carte doit être aussi mince et compacte que possible. Par conséquent, il est difficile d'assurer la séquence électriquetelle que celle expliquée en se référant à la figure 5, en utilisant le connecteur c8té carte 16 seul. De plus, il est difficile d'assurer la séquence électrique, en utilisant les bornes 17a à 17n_1 du connecteur c8té équipement terminal 17 seul. Pour cette raison, le mécanisme de connexion selon la présente invention est pourvu d'un guide 24 de la 2636 1 74 carte ayant des dimensions prédéterminées, comme le montre la figure 6, pour ainsi obtenir une différence réalisable de longueur des bornes. On décrira maintenant les variations de longueur des bornes du fait des tolérances de fabrication sur les dimensions des bornes. Comme le montre la figure 7, les forces d'insertion et de retrait de la carte sont prises en considération relativement à la configuration des portions extrêmes distales des bornes de connecteur c8té équipement terminal 17a à 17n_1 et de la borne de mise à la masse 22, et les portions d'ouverture aux extrémités distales des bornes de connecteur c8té carte 16a à 16n sont légèrement dilatées, tandis que les portions extrêmes des bornes de connecteur c8té équipement terminal 17a à 17n1 sont légèrement arrondies. Pour cette raison, les tolérances des matrices et les tolérances pendant l'assemblage sont, sans faute, très précisément en rapport avec l'agencement de ces bornes. La figure 7 montre la différence de longueur des bornes quand la carte à mémoire 21 est insérée orthogonalement dans le guide 24 de la carte (voir figure 6) sur le côté équipement terminal. Si l'on suppose qu'une tolérance cumulative de fabrication est M, la différence de longueur des bornes, en tenant compte de ce facteur, peut être exprimée par la formule (2): Différence de longueur des bornes = (B A) + M (2) On décrira maintenant la réduction de la différence de longueur équivalente des bornes. On considère un cas o la borne 22 de mise à la masse ayant une longue borne est placée par exemple près du centre du connecteur, comme le montre la figure 6. Un écart i'de la position du contact par rapport au guide 24 de la carte en direction verticale peut être déterminé comme suit: = (PW/2).sin....... (3) o \- est un angle d'inclinaison de la carte; PW est la distance entre les bornes 16a à 16n. Si l'on suppose que le pas entre des bornes adjacentes est de 1,27 mm, et que le nombre de plots est de 30, on a PW = 1,27 x 29 = 36,83 Comme on l'a décrit ci-dessus, comme il est nécessaire que les connecteurs c8té carte et côté équipement terminal 16 et 17 soient compacts, la différence de longueur des bornes (= B - A) ne peut être suffisamment grande d'une manière sans retenue et physiquement restreinte. Pour cette raison, il est nécessaire de déterminer une différence réalisable de longueur des bornes après avoir déterminé l'écart È-de la position du contact relativement à l'angle y d'inclinaison de la carte, dans le cas o la borne 22 de mise à la masse est adjacente au centre du connecteur 17 c8té équipement terminal, comme le montre la figure 6. Un exemple des relations entre l'écart Cj de la position de contact par rapport à l'angle V d'inclinaison de la carte est montré au tableau 1. TABLEAU 1. ( degrés) mm 0,5 0,1662 1,0 0,3324 1,5 0,4986 2,0 0,6649 2,5 0,8313 3,0 0,9979 Il est nécessaire de déterminer une différence réalisable de longueur des bornes en tenant compte de la valeur de l'angle Y de l'inclinaison de la carte et de la tolérance de fabrication M. La longueur L du guide 24 de la carte qui est nécessaire lorsque l'angle tj d'inclinaison est prescrit peut s'exprimer par la formule (3) ci-dessous. a = CGtan k- b = (CG/cos t) - CW En conséquence, nous avons L = [(b/a).(CW + b)3 - a... ......(3) o a est un écart longitudinal lorsque la carte à mémoire est insérée ou retirée en diagonale, b est un écart transversal lorsque la carte à mémoire est insérée ou retirée en diagonale, CG est la largeur du guide 24 de la..DTD: carte et CW est la largeur de la carte à mémoire 21. Ainsi, en déterminant la largeur CG du guide et la longueur L du guide 24 de la carte que l'on peut réaliser, à partir de l'angle Y d'inclinaison de la carte à mémoire et d'autres facteurs ci-dessus mentionnés, il est possible d'établir positivement une séquence électrique par rapport à l'insertion et au retrait en diagonale, comme le montre la figure 6. Un exemple d'une différence possible de longueur sera décrit en tenant généralement compte de l'usage réel de la carte à mémoire. Si l'on suppose que la tolérance de fabrication est de + 0,47 mm et que l'angle t d'inclinaison de la carte à mémoire est de 1,0 , l'écart O de la position de contact peut être déterminé à partir du tableau 1 comme étant de.0,3324 mm. Par conséquent, nous avons Différence requise de longueur des bornes = 0,3324 + 0,47 = 0,8024 mm. De plus, un minimum de 1 mm est nécessaire en tant que différence réalisable de longueur des bornes. Au pire, la différence qui suit de longueur des bornes reste comme suit: Différence de longueur des bornes au pire = 1,0 - 0,3324 - 0,47 = 0,1976 = environ 0,2 mm. Dans ce cas, la longueur L du guide de la carte devient de 16,76mm et sa largeur CG devient de 54,0 - 54,3 mm. Comme ce sont des valeurs réalisables, cela ne pose aucun problème. De plus, pour la dérive ci-dessus mentionnée de 0,2 mm, si l'on suppose que la carte à mémoire est insérée ou retirée à raison de 1 m/s, il y a une dérive électrique de 200 ps. Cela correspond aux durées T1', T2 pendant lesquelles sont produits des signaux de forme d'onde de bruit dans la ligne (b) de signaux de forme d'onde de bruit dans la ligne (b) de mise à la masse et les lignes (a) d'entrée/sortie autres que la ligne (b) de mise à la masse, que l'on peut voir à la figure 5, au moment de l'insertion et du retrait de la carte à mémoire et cette valeur est suffisante pour empêcher l'écoulement d'un courant anormal. Par ailleurs, pour le bruit, il est possible d'en réduire la quantité à un niveau extrêmement petit par les améliorations apportées à la configuration des portions extrêmes distales des bornes de connecteur c8té carte 16a à 16n, des bornes de connecteur côté équipement terminal 17a à 17n_1 et de la borne de mise à la masse 22. De plus, même si un bruit se produit, l'unité centrale de traitement (non représentée) de l'équipement terminal est empêchée de mal fonctionner en vertu de l'opération du circuit tampon 23 connecté aux lignes d'entrée/sortie côté équipement terminal 19b à 19n 1 Dans ce qui précède, on a décrit la différence de longueur des bornes pour établir une séquence électrique positive ainsi que les conditions dimensionnelles du guide de la carte. En vertu d'un tel agencement, les données stockées dans une mémoire à semiconducteurs constituée d'une telle mémoire à accès aléatoire statique ou analogue ne disparaissent pas lorsque les lignes activées du connecteur côté carte à mémoire sont insérées dans ou retirées du connecteur côté équipement terminal, donc les données stockées peuvent être positivement protégées. On peut ainsi noter que, si la différence entre la longueur d'une longue borne (borne de mise à la masse) et la longueur des bornes courtes (autre que la borne de mise à la masse) est établie à un minimum de 1 mm, la longueur L du guide de la carte est établie à 16,72 mm ou plus et la largeur CG du guide est établie à 54,0 - 54,3 mm, une séquence électrique positive peut être établie, même si l'on prend en considération les tolérances de fabrication du connecteur et l'insertion et le retrait en diagonale. Il faut noter que bien que la description ci-dessus ait été donnée relativement à une carte à mémoire, la présente invention peut s'appliquer à tous les types d'appareils compacts et portables de stockage. De même, la portion de stockage, c'est-à-dire la mémoire à semiconducteurs n'est pas restreinte à une mémoire à accès aléatoire statique, et d'autres types de dispositifs semiconducteurs peuvent être utilisés. Dans le mode de réalisation ci-dessus décrit, on a décrit deux types de longueur, mais la présente invention peut s'appliquer à des bornes ayant trois longueurs différentes ou plus. De plus, bien qu'une différence de longueur soit prévue entre la borne de mise à la masse et les autres bornes dans les bornes mâles du connecteur côté équipement terminal, la différence de longueur peut être prévue sur les bornes femelles du connecteur côté carte. De même, la position de la borne longue, c'est-à-dire la borne de mise à la masse n'est pas restreinte à la proximité du centre du connecteur et peut être ailleurs dans le connecteur. Par exemple, si la borne de mise à la masse est placée à une extrémité du connecteur, les expressions ci-dessus décrites de calcul diffèrent. Cependant, dans un tel cas, comme les bornes de mise à la masse sont dans de nombreux cas placées des deux côtés du connecteur, les conditions peuvent être plus clémentes que celles déterminées par les expressions de calcul ci-dessus décrites. Par ailleurs, la présente invention démontre un effet similaire dans une application à un mécanisme de connexion pour une carte à mémoire o des bornes femelles sont prévues sur le connecteur côté équipement terminal et des bornes mâles sur le connecteur côté carte. Comme on l'a décrit ci-dessus, avec la présente invention, la longueur de la borne de mise à la masse est plus grande que celle des bornes autres que la borne de mise à la masse, donc cette dernière est connectée en premier pendant l'insertion et est séparée en dernier pendant le retrait. En même temps, la longueur et la largeur du guide de la carte côté équipement terminal sont restreintes, donc une séquence électrique positive peut être établie. Par ailleurs, un circuit tampon pour empêcher l'effet du bruit se produisant pendant l'insertion ou le retrait de la carte à mémoire est prévu pour les lignes d'entrée/sortie côté équipement terminal. En conséquence, il est possible d'empêcher la présence d'un courant en boucle qui s'écoule de l'équipement terminal et retourne à celui-ci via la carte à mémoire et qui introduit un courant anormal s'écoulant via la batterie de la carte à mémoire. Par conséquent, il est possible d'obtenir l'avantage de pouvoir créer un mécanisme de connexion pour une carte à mémoire o les données stockées dans la carte à mémoire peuvent être positivement protégées car un courant anormal ne peut s'écouler dans cette carte, et aucune destruction ou dégradation n'a lieu dans les dispositifs semiconducteurs tels que les dispositifs de stockage et l'unité centrale de traitement des côtés carte à mémoire et équipement terminal. 2 636174 REVENDICATIONS 1. Mécanisme de connexion pour une carte à mémoire, pour connecter une carte à mémoire détachable et un équipement terminal, caractérisé en ce qu'il comprend: un moyen connecteur comprenant un connecteur (16) côté carte et un connecteur (17) côté équipement terminal, o une différence de longueur des bornes est prévue entre une borne de mise à la masse et des bornes autres que ladite borne de mise à la masse de façon à établir une séquence électrique dans laquelle, pendant l'insertion de ladite carte à mémoire, ladite borne de mise à la masse est en contact électrique avant les autres bornes et est électriquement séparée après les autres bornes; un moyen (24) de guidage de la carte prévu du côté équipement terminal et ayant des dimensions prédéterminées pour restreindre l'angle d'inclinaison de ladite carte à mémoire pendant son insertion ou son retrait afin d'obtenir ladite séquence électrique; et un circuit tampon unilatéral ou bilatéral (23) côté équipement terminal qui est prévu pour toutes les lignes d'entrée/sortie à l'exclusion d'une ligne d'entrée d'énergie et d'une ligne de mise à la masse dans ledit équipement terminal, ainsi l'insertion ou le retrait de lignes activées est rendue possible par rapport auxdites lignes d'entrée/sortie à l'exclusion d'une ligne de signaux de validation de carte. 2. Mécanisme de connexion selon la revendication 1, caractérisé en ce que les dimensions externes de la carte à mémoire (21) sont d'environ 54 x 86 x (2 - 4) mm en termes de largeur x longueur x épaisseur, la longueur dudit moyen de guidage est de 16,72 mm ou plus, sa largeur de guidage étant d'environ 54,0 - 54,3mm et la différence de longueur des bornes de connecteur dans le moyen connecteur est de 1,0 mm ou plus. 3. Mécanisme selon la revendication 1, caractérisé en ce que les bornes du connecteur (17) côté équipement terminal sont les bornes mâles et les bornes du connecteur (16) côté carte sont les bornes femelles, lesdites bornes mâles dudit connecteur c8té terminal ayant la différence de longueur. 4. Mécanisme de connexion selon la revendication 1, caractérisé en ce que les bornes du connecteur (17) c8té terminal sont des bornes mâles et les bornes du connecteur (16) c8té carte sont des bornes femelles, les bornes femelles dudit connecteur cSté carte ayant la différence de longueur. 5. Mécanisme de connexion selon la revendication 1, caractérisé en ce que les bornes du connecteur (17) côté terminal sont les bornes femelles et les bornes du connecteur (16) c8té carte sont les bornes mâles, les bornes mâles dudit connecteur c8té carte ayant la différence de longueur. 6. Mécanisme de connexion selon la revendication 1, caractérisé en ce que les bornes du connecteur (17) c8té équipement terminal sont les bornes femelles et les bornes du connecteur (16) c8té carte sont les bornes mâles, lesdites bornes femelles ayant la différence de longueur.