FR 2636176 A1 19900309 FR 8811744 A 19880908 2636 1 7 6 La présente invention concerne le domaine des sources lasers à semiconducteur. Elle a pour objet principal un procédé de réalisation d'un laser à semiconducteur à forte puissance d'émission et à grande bande passante, à partir d'une structure dite à ruban enterré du type BRS (Buried Ridge Stripe). La présente invention peut trouver tout particulièrement application en télécommunication optique, par fibres optiques, à haut débit et à longue distance, notamment sur fibre monomode à 1,3 ou 1,55 pm. On a déjà proposé de nombreuses structures laser à ruban enterré. Dans ces structures, la partie active du laser est un petit ruban rectangulaire en matériau InGaAsP o sont confinés à la fois les porteurs injectés et le rayonnement laser. La section du ruban de InGaAsP est typiquement- de l'ordre de 0,2 x 21pm2. Le problème général posé est d'obtenir une localisation efficace du courant à partir des contacts métalliques vers le ruban enterre. Les structures laser connues à ruban enterré peuvent être classées en deux catégories suivant la technique de localisation du courant utilisée. Selon une première catégorie, la localisation du courant est obtenue à l'aide d'un empilement de couches d'InP alternativement de type n et de type p de part et d'autre du ruban enterré, destiné à bloquer le passage du courant dans ces régions. L'état de la technique correspondant à cette catégorie de lasers a été assez largement décrit dans le document FR-A-2 581 801. On a illustré sur la figure 1 annexée une structure typique de cet état de la technique. Cette structure est appelée DCPBH (pour Double Channel Planar Buried Heterostructure). Elle est décrite par I. MITO et al dans le document Elect. Letters, vol. 18, no 22, (1982), p 953. 2636 1 76 La structure connue illustrée sur la figure I annexée comprend les couches suivantes: - 10: substrat en InP de type n+, - I1:couche de confinement en InP de type n, - 12:couche de InGaAsP, - 13:couche de confinement en InP de type p, - 14: couche bloquante en InP de type p, - 15:couche bloquante en InP de type n, - 16: couche de confinement en InP de type p, - 17:couche de contact en InGaAsP de type p+. Sur la figure 1, la région active en InGaAsP est référencée 18. La structure illustrée sur la figure I est réalisée selon le processus suivant. Une double hétérostructure classique correspondant aux couches 11, 12 et 13 en InP de type n, en InGaAsP et en InP de type p, est réalisée en cours d'une première épitaxie, sur le substrat 10. Des rubans ayant la forme de mésas, et correspondant à la région active 18 en InGaAsP recouverte par la couche de confinement 13 en InP de type p sont ensuite définis dans cette double hétérostructure. Les quatre couches 14, 15, 16 et 17 en InP de type p, InP de type n, InP de type p et InGaAsP de type p+ sont ensuite réalisées au cours d'une seconde épitaxie, les couches 14 et 15 au moins étant réalisées par épitaxie en phase liquide. Le confinement électrique est dû à l'empilement des couches 11, 14, 15, 16: n - p - n -p. On obtient avec les structures laser du type illustré sur la figure I annexée, un courant de seuil voisin de 10mA et une puissance optique émise supérieure à 50mW. Malheureusement, ces structures connues du type illustré sur la figure 1, possèdent une bande passante faible (2 à 3 GHz). La bande passante est limitée par les capacités parasites que constituent les jonctions InP du type p et n de blocage du courant. 2636 1 76 Pour tenter d'améliorer cette bande passante, K. KIHARA et ai ont proposé dans le document Elect. Letters, vol 23, no 18 (1987), p 942, d'isoler la partie centrale du laser du reste de la puce par des gravures profondes de part et d'autre du ruban enterré, très près de celui-ci. Cette solution exige cependant la mise en oeuvre d'une technologie compliquée. On notera que la plupart des structures du type illustré sur la figure I annexée sont réalisées en deux cycles d'épitaxie, voire 3 pour certaines d'entre elles, et que la seconde épitaxie est presque systé- matiquement une épitaxie en phase liquide pour planariser la surface. On a illustré sur la figure 2 annexée, un autre type de structure connue qui peut être classée dans la première catégorie précitée. La structure illustrée sur la figure 2 annexée est décrite et représentée sur la figure 2 dans le document FR-A-2 587 852. Cette structure est appelée SBH (pour Strip Buried Heterostructure) dans le document précité, mais est plus communément appelée BRS (Buried Ridge Stripe) dans la littérature. Elle comprend les couches suivantes - 20: substrat en InP de type n+, 21:couche de confinement en InP de type n, - 22: couche de InGaAsP, -23: couche de guidage en InGaAsP ou de protection en InPp, -24: couche de InP dopé p, -25: couche de GainAs, -26: couche de titane, -27: couche d'or. Elle est réalisée selon le processus suivant. Les couches 21, 22, 23 en InP et InGaAsP sont réalisées au cours d'une première épitaxie sur le substrat 20. Les couches 22 de InGaAsP et 23 de InGaAsP ou InP sont ensuite gravées en forme de ruban, par attaque sélective. Puis les couches 24 et 25 de InP dopé p et de GaInAs sont réalisées au cours d'une seconde épitaxie. 2636 1 7 6 Dans cette structure le confinement électrique est assuré par une seule jonction p-n dans le matériau InP, polarisée en direct et située de part et d'autre de la région active. Cette jonction p-n est formée par les couches 21 et 24. Le confinement est assuré par la différence positive entre le potentiel de diffusion d'une homojonction InP p-n et celui de l'hétérojonction laser InP n/lnGaAsP p. Cette structure permet d'obtenir un faible courant de seuil de l'ordre de 10 à 15 mA, mais une puissance optique émise limitée à mW (pour une longueur d'onde d'émission de 1,3 pm) . En effet, au-delà d'un certain courant (typiquement 3 à 4 fois le courant de seuil) les homojonctions InP p-n latérales deviennent conductrices car polarisées en direct au-dessus de leur potentiel de diffusion. Les mêmes jonctions constituent des capacités parasites qui limitent fortement la bande passante. On peut tenter de limiter les capacités parasites et donc d'améliorer cette bande passante par implantation de protons dans les régions latérales au ruban enterré des couches 24, 26, 27, au plus près du ruban. Dans ces conditions, la bande passante peut atteindre 7 à 8 GHz. L'implantation de protons exige cependant, là encore, la mise en oeuvre d'une technologie assez compliquée. Par ailleurs, même après une telle implantation, il reste une région non implantée de part et d'autre du ruban enterré (largeur d'environ 2 pm de chaque côté) à l'origine de courants de fuite au-delà de 3 à 4 fois le courant de seuil. Selon une deuxième catégorie, la localisation du courant est assurée par la présence de couches semi-isolantes, ou a tout le moins très résistantes, de part et d'autre du ruban. Ces couches semi-isolantes sont le plus souvent réalisées par croissance épitaxiale en phase vapeur. La plus performante de ces structures est celle décrite par 3.E. BOWERS et al dans Elect Letters, vol 23, no 24, (1987), p 1265. Cette structure est dénommée SIPBH (pour Semi Insulating Planar Buried Heterostructure). Elle est illustrée schématiquement sur la figure 3 annexée. La structure connue, illustrée sur la figure 3 annexee comprend les couches suivantes: - 35: substrat en InP de type n+, - 31: couche active en InGaAsP gravée en ruban, - 32: couche de confinement en InP semi isolant, disposée de part et d'autre de la couche active 31; - 33: couche de InP de type p gravée en ruban superposé au ruban actif 31 en InGaAsP, - 34: couche de SiO2 sur la couche de confinement 32 et sur les flancs du ruban 33, - 35: couche de polyimide de part et d'autre du ruban 33, - 36: couche de recouvrement. La struture illustrée sur la figure 3 annexée nécessite 3 cycles d'épitaxie et la mise en oeuvre d'une technologie assez compliquée. Cette complexité peut entraîner une mauvaise reproducti- bilité et réduire la fiabilité de la structure. Cette structure connue permet d'obtenir un courant de seuil de 15 à 25 mA, une puissance émise de 20 mW et selon les auteurs du document précité, une bande passante proche de 20 GHz. Une autre structure laser comprenant des couches semi-isolantes et répondant par conséquent à la seconde catégorie précitée, est décrite par D.P. WILT et al dans le document Appl. Phys. Lett. 44(3) 1984, p 290. Cette structure est illustrée sur la figure 4 annexée. Elle est dénommée CSBH (pour Channel Substrate Buried Heterostructure). Selon le document précité, la couche semi-isolante est réalisée par implantation d'atomes de fer dans une couche de type n. La structure illustrée sur la figure 4 annexée comprend les couches suivantes: - 40: substrat en InP de type n, - 41:couche de confinement de InP implantée de Fe, - 42: couche de InP de type n, - 43:couche de InGaAsP, - 44: couche de InP de type p, - 45: couche de InGaAs de type p. Sur la figure 4, la région active en InGaAsP est référencée 46. La structure illustrée sur la figure 4 est réalisée selon le processus suivant, représenté schématiquement sur les figures 4A, 4B et 4C. Des ions Fe sont implantés dans le substrat InP 40 de type n (figure 4A) pour produire une couche 41, correspondant à la couche supérieure du substrat, qui présente une résistivité élevée (figure 4B). Selon le document précité, le dopage du substrat est n = 6 x 1017 cm3 et l'implantation d'ions Fe est réalisée en deux temps sous forme d'une dose de 1,25 x 1014 cm-2 respectivement à 275 kev et 400 kev. Un masque 47 de SiO2 possédant des ouvertures 48 d'une largeur de 2,8 pj est placé sur la couche 41 en vue d'une gravure à l'aide de HCI: H3PO4. On obtient des canaux 49 dans la couche 41 et le substrat 40. L'ensemble est recuit à 720 C pendant 15 minutes. Puis une double hétérostructure correspondant aux couches 42, 43, 44 et 45 en InP de type n, en InGaAsP, en InP de type p et en InGaAs de type p est réalisée sur la couche 41 et le substrat 40, par épitaxie en phase liquide. La couche 42 en InP de type n est dopée à l'étain. La couche 43 en InGaAsP est non intentionnellement dopée. Les couches 44 et 45 en InP de type p et en InGaAs de type p sont dopées en zinc. Des couches métalliques de contact (AuZnAu, AuSn et TiPtAu) sont ensuite déposées. Comme le montre la figure I du document précité, page 291, la région active 46 en InGaAsP réalisée sur la couche 42 en InP de type n a la forme générale d'un croissant. Le passage du courant est théoriquement bloqué par les empilements des couches 40, 41 et 42 en InP de type n - InP semi-isolant - InP de type n formés de part et d'autre de la région active 46. Les performances obtenues avec cette structure sont cependant moyennes: courant de seuil 22 mA, puissance optique 12 mW. Ces performances moyennes montrent que des courants de fuite subsistent de part et d'autre de la région active 46, là o les empilements InP de type n - InP semi-isolant - InP de type n sont quasi inexistants. Comme indiqué précédemment, les structures laser à ruban enterré ne donnent donc pas entière satisfaction. Les inconvénients de la technique antérieure peuvent être résumés comme suit. Les structures de la première catégorie de type DCPBH (localisation du courant par empilement de couches InP p-n-p-n) souffrent de deux inconvénients majeurs: d'une part, leur fabrication nécessite l'utilisation de l'épitaxie en phase liquide, elles ne peuvent donc bénéficier des atouts de technique de croissance plus récentes comme la MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy), d'autre part, leurs performances en modulation sont médiocres et ne peuvent être améliorées qu'au prix d'une technologie complexe [cf Elect. Letters vol 23, n. 18 (1987)]. La structure de type SBH répondant également à la première catégorie souffre de l'inefficacité de la jonction InP p-n pour bloquer le contact au delà d'une certaine polarisation correspondant à 2 ou 4 fois le courant de seuil. Sa bande passante est également limitée par les capacités parasites. 2636 1 76 Les structures de la deuxième catégorie ont pour la plupart de bonnes performances mais au prix d'une technologie complexe, entre autres 3 étapes d'épitaxie sont nécessaires. Cette complexité peut entraîner une mauvaise reproductibilité de leurs caractéristiques et réduire leur fiabilité. La dernière structure (CSBH) a l'inconvénient de ne pouvoir être réalisée que par épitaxie en phase liquide. De plus, ses performances moyennes montrent que des courants de fuite subsistent de part et d'autre de la région active, là o les compléments InP de type n - InP semi-isolant - InP de type n sont inexistants. La présente invention a pour but d'améliorer sensiblement l'injection des porteurs et leur confinement latéral dans le ruban enterré en supprimant les jonctions latérales InP de type p - InP de type n polarisées en direct afin de supprimer l'effet de "shunt" de ces jonctions tant en régime continu qu'en régime de modulation sans introduire d'empilements InP p-n-p-n qui génèrent des capacités parasites élevées et donc limitent la bande de modulation. On sait en effet que les courants de seuil, la puissance optique et la largeur de bande de modulation dépendent directement de l'efficacité de la localisation du courant. Un autre but auxiliaire de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication de structure laser à ruban enterré qui ne requiert qu'un nombre d'épitaxies limité à 2. Ces buts sont atteints dans le cadre de la présente invention grâce à un procédé comprenant de façon connue en soi les étapes qui consistent à: i) opérer une implantation ionique d'une impureté dans un matériau destiné à encadrer le ruban actif enterré, pour rendre semi-isolant ce matériau, et - ii) déposer par épitaxie au moins une hétérostructure comprenant au moins une couche de matériau actif, sur le substrat, le procédé 2636 1 76 étant caractérisé selon l'invention par le fait qu'il comprend les étapes, dans l'ordre suivant, consistant à: - a) déposer par épitaxie au moins l'hétérostructure comprenant au moins la couche de matériau actif, sur le substrat, puis - b) déposer un masque diélectrique sur la structure ainsi obtenue, et - c) graver celle-ci à travers le masque pour obtenir des rubans dans la couche de matériau actif et la ou les couche(s) éventuellement déposée(s) préalablement par épitaxie sur la couche de matériau actif, puis - d) opérer l'implantation ionique d'impureté dans la structure, en protégeant les rubans de matériau actif et ia ou les couche(s) éventuellement déposée(s) sur ce matériau à l'aide d'un masque non transparent à l'implantation ionique. La réalisation de l'implantation ionique d'impureté après À15 la gravure du ruban en matériau actif, permet d'obtenir un meilleur autoalignement des couches de confinement sur les flancs du ruban que selon la technique antérieure évoquée dans le document précité Appl. Phys. Lett 44(3) 1984, p 290, qui préconise de réaliser l'implantation ionique avant dépôt du matériau actif par épitaxie. Selon l'invention, l'impureté implantée à l'étape d) est de préférence Fe. Selon une autre caractéristique avantageuse de l'invention, le masque utilisé lors de l'étape d) d'implantation ionique d'impureté est le masque déposé à l'étape b) et utilisé à l'étape c) pour l'opération de gravure. Selon une autre caractéristique avantageuse de l'invention, à l'étape a) une couche de matériau dopé n-, avec un dopage relativement faible, est déposée avant la couche de matériau actif, de sorte que l'implantation ionique d'impureté est opérée dans cette couche de matériau dopé n- à l'étape d). La mise en oeuvre d'une couche de matériau dopé n-, de dopage relativement faible, spécialement adaptée à l'implantation des 2636 1 76 impuretés permet d'utiliser un substrat plus fortement dopé que selon la technique antérieure évoquée dans le document précité Appl. Phys. Lett. 44(3), 1984, p 290; La présente invention concerne également un laser à semiconducteur à ruban enterré du type comprenant - un substrat, - une région de matériau actif, et - des régions de confinement placées de part et d'autre de la région de matériau actif et rendues semi-isolantes par implantation ionique d'impureté, caractérisé par le fait que les régions de confinement sont formées dans une couche de matériau dopé n à dopage relativement faible sous-jacente au matériau actif. D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre et en- regard des dessins annexés, donnés à titre d'exemple non limitatif et sur lesquels, les figures 1, 2, 3, 4, 4A, 4B, 4C qui illustrent l'état de la technique ayant déjà été decrites; les figures 5A à 5E illustrent 5 étapes successives du procédé conforme à la présente invention. Le procédé conforme à la présente invention met en oeuvre 2 épitaxies. Celles-ci peuvent être obtenues avec l'une quelconque des techniques existantes: LPE (Liquid Phase Epitaxy), MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) et MBE (Molecular Beam Epitaxy). La première épitaxie illustrée schématiquement sur la figure 5A consiste en la croissance de 4 couches 51, 52, 53, 54, sur un substrat 50. Le substrat 50 est avantageusement en InP de type n fortement dopé. Le dopage du substrat peut être typiquement de l'ordre de 6 x IO I8cm-. La première couche 51 est une couche tampon d'lnP de type n+. Son dopage est avantageusement de l'ordre de I à 3 x 1018 cm'3. Son épaisseur est typiquement de l'ordre de 2p. La couche 52 constituel'une des caractéristiques impor- tantes de l'invention. Elle est formée d'InP de type n assez faiblement dopée. Son dopage est avantageusement de l'ordre de 1 à 5 x 1017 cm 3. Son épaisseur est typiquement de l'ordre de 0,5pim. La couche 52 peut cependant être plus épaisse. Son épaisseur dépend en fait de la profondeur d'implantation d'impureté Fe qu'elle subit ultérieurement. L'épaisseur de la couche 52 doit être à peu près égale à la profondeur d'implantation d'impureté Fe. La couche 53 est formée du matériau actif en InGaAsP non dopé ou dopé n. Son épaisseur est typiquement de l'ordre de O,15pm. La couche 54 est une couche d'InP de type p. Le dopage de la couche 54 est avantageusement de l'ordre de 3 à 4 x 1017 cm-'. Son épaisseur est typiquement de l'ordre de O,2pm. Après la première épitaxie, un ruban étroit est gravé dans les deux couches supérieures 53 et 54 en InGaAsP et InP de type p. La largeur des rubans gravés est typiquement de 2 trm. Comme illustré sur la figure 5B, pour la gravure on utilise un masque 55 par exemple un diélectrique de type Si3N4. L'épaisseur e du masque doit être suffisante pour empêcher les ions Fer implantés ultérieurement, de pénétrer dans la couche 54 sous-jacente en InP p. On procède ensuite, comme illustré schématiquement sur la figure 5C, à l'implantation de Fer sur l'ensemble de la structure; cette implantation est de préférence réalisée en conservant en place, le 26 3 6 1 7 6 masque 55 utilisé préalablement pour la gravure du ruban. Le cas échéant, l'implantation Fe pourrait être réalisée après avoir superposé un autre masque à la structure précitée, en veillant cependant à aligner soigneusement le masque et le ruban gravé. L'implantation de Fer a pour effet de rendre semi-isolante la couche 52 en InP de type n-, de part et d'autre du ruban et ce, de façon autoalignée, c'est-à-dire au plus près des bords du ruban. L'implantation de fer dans la couche 52 est schématisée par des croix sur les figures annexées. A titre d'exemple, les conditions d'implantation peuvent être les suivantes: énergie 400 kev, dose 1013 atomes/cm2, température C. De préférence l'implantation de fer est suivie d'une opération de recuit, par exemple 15 mm à 700 C. On procède ensuite à une seconde épitaxie. Celle-ci permet la croissance de deux couches 56, 57, schématiquement sur la figure 5D. La première couche 56 est une couche d'InP non inten- tionnellement dopée. Le dopage résiduel obtenu sera typiquement n _5. 1015 cm-3. L'épaisseur de la couche 56 est typiquement de 1 à 1,5 pm. La deuxième couche 57 est une couche en InGaAs non dopée. Le dopage résiduel obtenu sera typiquement n -5.1013 cm-3. Son épaisseur typique est de l'ordre de 0,5 pm. - Après la seconde épitaxie, on opère une diffusion localisée d'un dopant de type p, en l'espèce de préférence de zinc. Cette diffusion de zinc est réalisée à travers un masque 58, avantageusement en Si3N4, déposé sur la couche 57. Le masque 58 possède une ouverture 59. Celle-ci doit être superposée au ruban gravé (couches 53 et 54). Sur la figure 5E, on a schématisé en traits interrompus la zone 60 d'implantation de zinc. La diffusion du zinc est contrôlée de telle sorte que cette zone 60 vienne contacter la couche 54 en InP de type p située juste au-dessus du ruban enterré 53 en InGaAsP. On obtient ainsi un laser à semi-conducteur et à ruban enterré dans lequel la région active 53 est entourée de part et d'autre d'InP semi- isolant 52 obtenue par implantation de Fer. L'implantation de Fer dans la couche 52 étant réalisée après la gravure de la région active ou garantit un autoalignement du matériau semi-isolant sur la régions active 53. Le matériau InP semi-isolant est pris en sandwich entre 2 couches d'InP faiblement dopées n (base de 52 et 56). Cet empilement: InPn- (n 1 I à 3. 1017 cm-3)/InP semi-isolant/InPn- ( n n 5.1015 cm 3) assure un confinement très efficace sous polarisation directe de la diode jusqu'à 4V. De plus, la capacité parasite introduite par cette structure [nPn=/InP semJ-isolant/InPn- InPn/InP semi-isolant/InPn est faible. Ceci permet d'obtenir une bande de modulation élevée. Par rapport à la technique antérieure, la structure laser conforme à la présente invention présente en outre les avantages suivants. Selon le procédé décrit dans Appl. Phys. Lett. 44(3) 1984 p 290, l'implantation de fer est effectuée directement dans le substrat InP. Le dopage de type n de ce substrat doit donc être le plus faible possible pour que cette implantation soit efficace. Il en résulte inévitablement une augmentation de la résistance d'accès entre le contact métallique de type n et la région active du laser. Selon le document précité, le dopage du substrat est n * 6 x 1017 cm 3. Par contre, selon l'invention, il est prévu une couche 52 de type n spécialement adaptée à l'implantation de Fer. Ceci permet de choisir un dopage faible pour la couche implantée (n, 5.1017 cm-3) tout en conservant un substrat 50 fortement dopé n (ns 6.1018 cm 3). Il est à noter que la réalisation de cette couche spécifique d'implantation 52 n'entraîne pas de cycle d'épitaxie supplémentaire. L'utilisation d'une couche 56 non intentionnellement dopée permet d'optimiser l'efficacité du blocage. R E V E N D I C A T I O NS I. Procédé de réalisation de laser à semiconducteur à ruban enterré comprenant les étapes qui consistent à: - i) opérer une implantation ionique d'une impureté dans un matériau destiné à encadrer le ruban actif enterré, pour rendre semi-isolant ce matériau, et - ii) déposer par épitaxie au moins une hétérostructure comprenant au moins une couche de matériau actif, sur le substrat, le procédé caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes, dans l'ordre suivant, consistant à: - a) déposer par épitaxie au moins l'hétérostructure (51, 52, 53, 54)comprenant au moins la couche de matériau actif (53), sur le substrat (50), puis - b) déposer un masque diélectrique (55) sur la structure ainsi obtenue, et - c) graver celle-ci à travers le masque (55) pour obtenir des rubans dans la couche de matériau actif (53) et la ou les couche(s) (54) eéventuellement déposée(s) préalablement par épitaxie sur la couche de matériau actif (53) , puis d) opérer l'implantation ionique d'impureté dans la structure, en protégeant les rubans de matériau actif (53) et la ou les couche(s) (54) éventuellement déposées sur ce matériau à l'aide d'un masque (55) non transparent à l'implantation ionique. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'impureté implantée à l'étape d) est Fe. 3. Procédé selon l'une des revendications I ou 2, caractérisé par le fait que le masque (55) utilisé lors de l'étape d) d'implantation ionique d'impureté est le masque déposé à l'étape b) et utilisé à l'étape c) pour l'opération de gravure. 4. Procédé selon l'une des revendications I à-3, caractérisé par le fait qu'à l'étape a) une couche (52) de matériau dopé n-, avec un dopage relativement faible, est déposée avant la couche de matériau 2636 176 actif (53), de sorte que l'implantation ionique d'impureté est opérée dans cette couche de matériau dopé (52) n- à l'étape d). 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé par le fait que la couche de matériau (52) dopé n est de l'InP. 6. Procédé selon l'une des revendications 4 et 5, caractérisé par le fait que le dopage de la couche de matériau dopé (52) n est de l'ordre de 1 à 5 x 1017 cm 3. 7. Procédé selon l'une des revendications 4 à 6, caractérisé par le fait que l'épaisseur de la couche de matériau dopé (52) n- est au minimum de 0,5 pm. 8. Procédé selon l'une des revendications 4 à 7, caractérisé par le fait qu'à l'étape a) une couche tampon (51) de matériau dopé ni est déposée avant la couche de matériau (52) dopé n-. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé par le fait que le matériau (51) dopé n+ est de l'InP. 10. Procédé selon l'une des revendications 8 et 9, caractérisé par le fait que le dopage de la couche (51) de matériau dopé n+ est de l'ordre de 1 à 3 x 1018cm 3. 11. Procédé selon l'une des revendications 8 à 10, caractérisé par le fait que l'épaisseur de la couche (51) de matériau dopé n+ est de l'ordre de 2Jm. 12. Procédé selon l'une des revendications I à 11, caractérisé par le fait que le matériau actif (53)déposé à l'étape a) est de l'InGaAsP. 13. Procédé selon l'une des revendications I à 12, caractérisé par le fait que la couche de matériau actif (53) a une épaisseur de l'ordre de 0,15p. 14. Procédé selon l'une des revendications I à 13, caractérisé par le fait qu'une couche (54) de matériau dopé p est déposée à l'étape a) après la couche de matériau actif (53). 26361 76 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé par le fait que le matériau dopé p (54) est de l'InP. 16. Procédé selon l'une des revendications 14 et 15, caractérisé par le fait que le dopage du matériau dopé p (54) est de l'ordre de 3 à 4 x 1017 cm-3. 17. Procédé selon l'une des revendications 14 à 16, caractérisé par le fait que l'épaisseur du matériau dopé p (54) est de l'ordre de 0,2 pm. 18. Procédé selon l'une des revendications I à 17, caractérisé par le fait que l'implantation ionique d'impureté à l'étape d) est opérée à une dose de l'ordre de 1013 atomes/cm2. 19. Procédé selon l'une des revendications I à 18, caractérisé par le fait que l'étape d) d'implantation ionique d'impureté est suivie d'une étape de recuit. 20. Procédé selon l'une des revendications I à 19, caractérisé par le fait que l'étape d) est suivie d'une étape e) consistant à réaliser une seconde épitaxie (56, 57). 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé par le fait qu'une couche d'InP (56) non intentionnellement dopée est déposée à l'étape e). 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé par le fait qu'une couche (57) en InGaAs non dopée est déposée à l'étape e) sur la couche (56) d'InP non intentionnellement dopée. 23. Procédé selon l'une des revendications 1 à 22, caractérisé par le fait qu'il comprend l'étape ultime f) de diffusion localisée"d'un dopant (60) de type p au-dessus des rubans enterrés (53, 54). 24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé par le fait que le dopant (60) de type p est du zinc. - 25. Procédé selon l'une des revendications 23 ou 24 prise en combinaison avec l'une des revendications 14 à 17, caractérisé par le 2636 176 fait que la diffusion localisée de dopant (60) de type p contacte la couche de matériau dopé p (54) déposée par épitaxie à l'étape a). 26. Laser à semiconducteur à ruban enterré du type comprenant: - un substrat (50), - une région de matériau actif (53), et - des régions de confinement (52, 56) placées de part et d'autre de la région de matériau actif (53) et rendues semi isolantes par implantation ionique d'impureté, caractérisé par le fait que les régions de confinement sont formées dans une couche (52) de matériau dopé- n- à dopage relativement faible sous-jacente au matériau actif (53). 27. Laser selon la revendication 26, caractérisé par le fait que les régions de confinement (52) sont réalisées par implantation ionique d'impureté après gravure de la région de matériau actif en forme de ruban dans une couche (53) préalablement déposée par épitaxie. 28. Laser selon l'une des revendications 26 ou 27, caractérisé par le fait que l'impureté implantée dans les régions de confinement (52) est Fe. 29. Laser selon l'une des revendications 26 à 28, caractérisé par le fait que la couche (52) de matériau dopé n est de l'InP. 30. Laser selon l'une des revendications 26 à 29, caractérisé par le fait que le dopage de la couche (52) de matériau dopé n est de l'ordre de I à 5 x 1017 cm 3. 31. Laser selon l'une des revendications 26 à 30, caractérisé par le fait que l'épaisseur de la couche de matériau (52) dopé n- est au minimum de 0,5 pm. 32. Laser selon l'une des revendications 26 à 31, caractérisé par le fait qu'une couche tampon (52) de matériau dopé n+ est déposée sur le substrat (50) avant la couche (52) de matériau dopé n-. 33. Laser selon la revendication 32, caractérisé par le fait que le matériau (51) dopé n+ est de l'InP. 2636 1 76 34. Laser selon l'une des revendications 32 et 33, caractérisé par le fait que le dopage de la couche (51) de matériau dopé n+ est de l'ordre de 1 à 3 x l0- 8cm 3. 35. Laser selon l'une des revendications 32 à 34, caractérisé par le fait que l'épaisseur de la couche (51) de matériau dopé n+ est de l'ordre de 2p. 36. Laser selon l'une des revendications 26 à 35, caractérisé par le fait que le matériau actif (53) est de l'InGaAsP. 37. Laser selon l'une des revendications 26 à 36, caractérisé par le fait que la couche (53) de matériau actif a une épaisseur de l'ordre de 0,151pm. 38. Laser selon l'une des revendications 26 à 37, caractérisé par le fait qu'une couche (54) de matériau dopé p est déposée sur la couche (53) de matériau actif et gravée en même temps que celle-ci. 39. Laser selon la revendication 38, caractérisé par le fait que le matériau (54) dopé p est de l'InP. 40. Laser selon l'une des revendications 38 et 39, caractérisé par le fait que le dopage du matériau (54) dopé p est de l'ordre de 3 à 4 x 1017 cm-3. 41. Laser selon l'une des revendications 38 à 40, caractérisé par le fait que l'épaisseur du matériau (54) dopé p est de l'ordre de 0,2 pm. 42. Laser selon l'une des revendications 38 à 41, caractérisé par le fait qu'une couche (56) d'InP non intentionnellement dopée est déposée sur la couche (54)de matériau dopé p. 43. Laser selon la revendication 42, caractérisé par le fait qu'une couche (57) en InGaAs non dopée est déposée sur la couche (56) d'InP non intentionnellement dopée. 44. Laser selon l'une des revendications 26 à 43, caractérisé par le fait qu'il comprend une diffusion localisée d'un dopant (60) de type p au-dessus des rubans enterrés (53, 54). 2636 1 7 6 45. Procédé selon la revendication 44, caractérisé par le fait que le dopant (60)de type p est du zinc. 46. Laser selon l'une des revendications 43 à 45 prise en combinaison avec l'une des revendications 38 à 42, caractérisé par le fait que la diffusion localisée de dopant (60) de type p contacte la couche (54) de matériau dopé p déposée par épitaxie.