FR 2642238 A1 19900727 FR 8900752 A 19890123 La présente invention est relative à un modulateur biphase équilibré pour signal électromagnétique hyperfréquence. Les modulateurs pour signaux électromagnétiques hyper- fréquences sont largement utilisés dans le domaine des télécommunications par satellites. Ils sont en particulier, utilisés de façon non limitative, dans les satellites géostationnaires pour régénérer, à la réception, les signaux hyperfréquences modulés selon deux -états de phase de l'onde porteuse hyperfréquence, ou plus. De tels modulateurs ont déjà fait l'objet d'études avancées et de publications correspondantes, notamment dans la revue Electronics letters du 12 mars 1987 vol. 23 n 6. Pour des signaux électromagnétiques dont la fréquence est supérieure à I GHZ, ces modulateurs peuvent être réalisés en technologie planaire par couplage de lignes à ruban et de lignes à fentes, des diodes de commutation commandées par un signal de commande de modulation permettant de commander la transmission sélective de l'onde électroma- gnétique hyperfréquence selon deux trajets différents jusqu'à un port de sortie du signal hyperfréquence modulé, l'un des trajets appliquant à l'onde électromagnétique transmise un déphasage de Tr par rapport à l'autre trajet. De tels modulateurs donnent entière satisfaction, quant à leur fonctionnement, mais de par leur réalisation en technologie planaire, le circuit de modulation étant essentiellement constitué par une ligne. fente en forme de boucle fermée, les deux branches supérieure et inférieure de la boucle constituant les deux trajets précités, la commande des diodes de commutation n'est pas indépendante. Bien que le signal de commande de rhodulation, consistant dans le mode de réalisation décrit dans la publication précitée en une succession d'impulsions rectangulaires d'amplitude positive respectivement négative, permette alternativement la mise en conduction et le blocage de l'une ou l'autre diode de commutation, ou réciproquement, les diodes étant connectées en antiparallèle sur la ligne à fente, l'amplitude de la tension de l'onde électromagnétique à moduler doit être inférieure à la tension de conduction directe des diodes, car, bien entendu, l'onde électromagnétique à moduler ne doit, en aucun cas, provoquer de changement d'état de conduction ou de non conduction des diodes. En conséquence, les signaux hyperfréquences modulés régénérés par ce type de modulateur ne peuvent excéder une puissance de I mW environ, compte tenu des caractéristiques diélectriques des circuits imprimés utilisés pour la réalisation de ces types de modulateurs. La présente invention a pour but de remédier aux inconvé- nients précités par la mise en oeuvre d'un modulateur biphase équilibré pour signal électromagnétique hyperfréquence dans lequel la commande des diodes de commutation est totalement séparée. Un autre objet de la présente invention est, en conséquence, la mise en oeuvre d'un modulateur biphase équilibré dans lequel la puissance du signal électromagnétique hyperfréquence peut atteindre des valeurs très élevées, de l'ordre de quelques watts, en fonction des caractéristiques des diodes de commutation utilisées, tension inverse, courant direct maxima. Un autre objet de la présente invention est également la mise en oeuvre d'un modulateur biphase équilibré dans lequel les risques de modulation parasite des tensions d'alimentations positives et négatives, nécessaires à la mise en oeuvre d'un signal de commande de modulation des modulateurs de l'art antérieur, sont supprimes. Un autre objet de la présente invention est la mise en oeuvre d'un modulateur quadriphase équilibré de puissance. Le modulateur biphase équilibré pour signal électroma- gnétique hyperfréquence objet de l'invention est remarquable en ce qu'il comprend un circuit imprimé double face comprenant une première face comportant un circuit d'entrée du signal à moduler et un circuit de sortie du signal modulé. Les circuits d'entrée et de sortie sont chacun formés par une ligne à ruban. Une deuxième face du circuit imprimé comporte un circuit de modulation de phase formé par une ligne à fente comprenant une branche d'entrée du signal électrique à moduler couplée au circuit d'entrée du signal à moduler, une jonction Y prolongeant la branche d'entrée et comportant deux branches symétriques, une ligne à fente en forme de boucle reliant les branches symétriques, la ligne à fente en forme de boucle étant couplée au circuit de sortie du signal modulé. Des premiers et deuxièmes moyens de commutation sont connectés en parallèle sur une branche symétrique de la jonction Y. Le modulateur comporte en outre des moyens de commande séparée des premiers et deuxièmes moyens de commutation délivrant aux premiers et deuxièmes moyens de commutation un signal de commande de commutation indépendant. Le modulateur biphase équilibré objet de l'invention trouve application dans tout domaine technique mettant en oeuvre les ondes électromagnétiques hyperfréquences et notamment dans la technique des radars, de l'interrogation IFF, les télécommunications par satellites. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description et à l'observations des dessins ci-après dans lesquels la figure la représente une vue générale d'un modulateur biphase équilibré conforme à l'objet de la présente invention, la figure lb représente un schéma électrique équivalent du modulateur associé au schéma du circuit pilote, la figure lc représente différents chronogrammes aux points de test de la figure lb, 20. la figure 2a représente une vue générale d'un modulateur biphase équilibré conforme à l'objet de la présente invention selon une variante de réalisation non limitative, la figure 2b représente un schéma électrique équivalent du modulateur associé au schéma du circuit pilote, 25. la figure 3a représente, en plan, un deuxième mode de réalisation d'un circuit de modulation pour un modulateur conforme à l'objet de l'invention, la figure 3b représente un détail de réalisation de la figure 3a. 30. la figure 4a représente, de manière générale, l'utilisation de modulateurs biphase équilibrés selon l'invention dans un modulateur quadriphase, la figure 4b représente une implantation perpendiculaire d'un modulateur quadriphase tel que représenté en figure 4a, la figure 4c représente une implantation parallèle d'un modulateur quadriphase tel que représenté en figure 4a. Le modulateur biphase équilibré objet de l'invention sera tout d'abord décrit en liaison avec la figure la. Selon la figure précitée, le modulateur biphase équilibré objet de l'invention comporte un circuit imprimé I double face sur lequel est réalisé le circuit de modulation 120. La première face Il du circuit imprimé 1 comprend un circuit d'entrée 110 du signal à moduler. A titre d'exemple non limitatif, le signal à moduler est noté OL en référence, donnée à titre d'exemple, à la régénération de signaux électromagnétiques reçus par des satellites de télécommunication et dans lesquels le signal d'un oscillateur local OL est destiné à reconstituer le signal reçu. La première face 11 du circuit imprimé I comporte également un circuit de sortie 111 du signal modulé, ce signal modulé étant référencé RF et constituant le signal radiofréquence. Selon une technique classique, les circuits d'entrée 110 et de sortie 111 sont constitués chacun par une ligne à ruban. A titre d'exemple non limitatif, le circuit imprimé I peut être constitué par un circuit imprimé, dont le matériau diélectrique est constitué par de l'alumine, ce matériau présentant de meilleure qualité de rigidité mécanique que les matériaux de type diélectrique classique et possédant une constante de permittivité électrique relative élevée, E r = 10. Bien entendu, sur la figure la, on a représenté les lignes à ruban 110 et 111 en traits pointillés, car ces lignes sont disposées sur la face 11 opposée à la face représentée par le plan du dessin. Le circuit imprimé I comporte également une deuxième face 12 comprenant un circuit de modulation de phase 120. Le circuit de modulation de phase est formé par une ligne à fente LF comprenant une branche d'entrée 1200 permettant d'assurer l'entrée du signal électrique à moduler OL dans le circuit modulateur 120. La branche d'entrée 1200 est couplée au circuit d'entrée 110 du signal à moduler OL. Une jonction Y 1201 prolonge la branche d'entrée 1200 et comporte deux branches symétriques 1201A et 1201B. Une ligne à fente en forme de boucle ouverte ou de U renversé est notée 1202 et relie les branches symétriques de la jonction Y pour former un circuit fermé comportant la première branche 1201A, la boucle ouverte 1202 et la deuxième branche symétrique 1201B. Bien entendu, la ligne à fente en forme de boucle 1202 est couplée au circuit 111 de sortie du signal modulé RF. Le couplage, entre la branche d'entrée 1200 de la ligne à fente et la ligne à ruban 110 constituant ligne d'entrée du signal à moduler OL, d'une part, et entre la ligne en forme de boucle ouverte 1202 et le circuit de sortie 111 du signal radiofréquence RF modulé, d'autre part, est optimal lorsque la ligne microruban considérée présente un court- circuit au niveau de la transition entre les deux lignes et lorsque la ligne à fente LF présente un circuit ouvert. Les lignes à ruban constituant les circuit d'entrée 110 et circuit de sortie 111 sont de préférence constituées par des lignes à microruban d'impédances caractéristiques 50 ohms. En outre, ainsi qu'on l'a représenté également en figure la, des premiers 121 et deuxièmes 122 moyens-de commutation sont connectés respectivement en parallèle sur une branche symétrique 1201A et 1201B de la jonction Y précitée. Bien entendu, la position optimale des moyens de commuta- tion 121 et 122 est déterminée sur chaque branche symétrique 1201A, 1201B de la jonction Y de façon à ramener un court-circuit dans le plan anti-principal de la jonction Y précitée. Ainsi qu'on l'a, en outre, représenté en figure la, le modulateur biphase équilibré objet de l'invention comporte également des moyens 2 de commande séparée des premiers 121 et deuxièmes 122 moyens de commutation. Les moyens 2 de commande séparée délivrent aux premiers et deuxièmes moyens de commutation 121, 122 un signal de commande de commutation indépendant. Ainsi qu'on l'a en outre représenté en figure la, le couplage, entre le circuit d'entrée 110 du signal à moduler OL et la branche d'entrée 1200 de la ligne à fente, d'une part, et entre le circuit de sortie 111 du signal modulé RF et la ligne à fente en forme de boucle 1202, est formé bien entendu par le plan de tension de référence ou plan de masse 1203 de la ligne à fente LF, lequel constitue en outre le plan de tension de référence des lignes à ruban formant respectivement le circuit d'entrée 110 du signal à moduler et le circuit 111 du signal modulé. Afin d'obtenir un modulateur équilibré particulièrement performant, la branche d'entrée 1200 de la ligne à fente LF, la jonction Y 1201, la zone conductrice centrale 1204 contenue entre les branches symétriques 1201A et 1201B de la jonction Y et la ligne à fente en forme de boucle 1202, et la ligne à ruban constituant un circuit de sortie 111 du signal modulé RF admettent, pour même axe de symétrie, constituant axe de symétrie du circuit de modulation 120, l'axe de symétrie L longitudinal de la ligne à ruban constituant le circuit de sortie 111 du signal modulé RF. Bien entendu, les premiers et deuxièmes moyens de commuta- tion 121, 122 et, en particulier, leur plan équivalent de court-circuit ayant été disposés et positionnés convenablement, ainsi que déterminé précédem- ment par rapport au plan anti-principal de la jonction Y, la longueur correspondante de la demi-boucle, formée par une partie de chaque branche symétrique 1201A, 1201B et par la moitié supérieure ou inférieure de la ligne à fente en forme de boucle 1202, est choisie égale à un multiple impair de quarts de longueur d'onde de la longueur d'onde du signal électromagnétique hyperfréquence se propageant dans la ligne à fente LF, de manière à ramener un circuit ouvert au niveau de la transition de sortie par inversion de l'impédance du court circuit obtenu alternativement au rythme de la modulation par l'un ou l'autre des deux moyens de commutation 121 ou 122. Le fonctionnement du modulateur, tel que représenté en figure la, est le suivant Le signal de commande de commutation SCC est délivré par exemple sous forme d'un signal alternatif de commande de modulation SCM, lequel présente par exemple une suite d'alternances de polarités positives et négatives. Ce signal SCC est appliqué par les moyens 2 de commande séparée aux premiers et aux deuxièmes moyens de commutation 121, 122. Un changement d'état du signal de commande de commutation, +V, -V, entraîne un changement d'état des diodes, celles-ci étant placées respectivement en court-circuit ou en circuit ouvert. Le signal hyper- fréquence OL à moduler passe dans la branche de la jonction Y dont la diode est en circuit ouvert. Ainsi, le champ électrique créé au niveau de la sortie radiofréquence RF présente deux états de phase possibles séparés de suivant le chemin parcouru. La symétrie géométrique du montage permet d'obtenir une très bonne symétrie de phase. Afin d'assurer la transmission de signaux hyperfréquences de puissance convenablement modulés en phase en l'absence de tout fonctionnement intempestif des diodes 121 et 122, c'est-à-dire pour éviter que les diodes ne soient contrôlées par le signal hyperfréquence, ainsi qu'on l'a représenté notamment en figure la, les moyens de commande 2 com- prennent une partition 12040 de la zone conductrice centrale 1204 en deux zones conductrices adjacentes 12041, 12042. Bien entendu, la partition 12040 constitue un circuit ouvert pour le signal de commande de commutation SCC délivré aux premiers et deuxièmes moyens de commutation ou diodes 121, 122 et un court-circuit pour le signal hyperfréquence à moduler OL ou modulé RF. En outre, un premier 21 et un deuxième 22 circuit de commande séparée des diodes 121 et 122 permettent, à partir du signal de commande de commutation SCC, le premier et le deuxième circuit 21, 22, étant respectivement connectés à l'une et l'autre zones conductrictes adjacentes 12041, 12042, de délivrer un signal de commande de commuta- tion SCC à partir du même signal de modulation SCM. Chaque diode, constituant les premiers et deuxièmes moyens de commutation 121, 122, est montée sur chacune des branches 1201A, 1201B de la jonction Y entre le plan de tension de référence et l'une des zones conductrices adjacentes, de façon telle que les deux diodes, étant sur la ligne à fente formée par les deux branches symétriques 1201A, 1201B de la jonction Y, soient montées en anti-parallèle. On comprendra que le montage anti-parallèle précité des deux diodes 121 et 122, pour une onde hyperfréquence de polarisation donnée se propageant dans la branche d'entrée 1200 de la ligne à fente LF, permet d'obtenir sur chaque branche symétrique de la jonction Y une direction de conduction de chacune des diodes 121, 122, c'est-à-dire direction anode- cathode simultanément parallèle ou anti-parallèle à la direction corres- pondante du champ électrique de l'onde électromagnétique se propageant sur la branche symétrique correspondante 1201A ou 1201B de la jonction Y précitée. Dans le mode de réalisation de la figure la, le signal de commande de commutation SCC est formé par un signal alternatif dont les alternances sont successivement positives et négatives d'amplitude +V, -V par exemple, par rapport à la tension de référence ou tension de masse du modulateur. Un schéma électrique équivalent au modulateur, représenté en figure la avec le schéma du circuit pilote associé, est donné en figure lb. Bien entendu, afin d'assurer, pour la partition 12040, une impédance équivalente à un court-circuit à la fréquence de l'onde électromagnétique hyperfréquence, une pluralité de condensateurs Ci et, plus particulière- ment, Cl à Cn est connectée de façon à relier les deux zones conductrices adjacentes 12041, 12042. Bien entendu, chaque condensateur Ci est choisi de façon à présenter à la fréquence considérée de l'onde hyperfréquence une impédance sensiblement nulle. Le schéma électrique équivalent de la figure lb est représenté, les deux diodes 121 et 122 étant connectées en anti-parallèle et reliées par la capacité équivalente à l'ensemble des capacités Ci. Les circuits de commande séparée 21 et 22 peuvent alors être constitués par des résistances RI et R2, lesquelles sont alimentées à partir d'un amplificateur 100, lequel, à partir de tensions d'alimentations -V et -V, délivre sur déclenchement par le signal SCM le signal SCC égal à +V ou -V à la borne commune des résistances R1 et R2. Ainsi qu'on pourra le constater, et tel qu'il a été représenté en figure lb, les diodes 121 et 122 sont montées en opposition vis-à-vis du signal de commande de modulation SCC. La présence des résistances R1 et R2 permet de limiter le courant en direct dans les diodes. On indiquera également que la somme des capacités Ci doit être suffisamment faible afin, compte tenu de la présence des résistances R1 et R2, de ne pas provoquer d'effets néfastes de filtrage sur le signal modulant SCC tout en conservant une valeur suffisamment importante pour cette capacité résultante, afin que celle-ci soit assimilable à un court-circuit vis-à- vis du signal hyperfréquence. Il est alors possible, conformément au mode de réalisation de la figure la, d'appliquer une forte tension en inverse sur les diodes 121 et 122, cette tension n'est pas limitée par la tension de conduction des diodes en direct puisque chaque diode est maintenant séparée du point de vue de la commande de commutation. Le circuit précédemment décrit est parfaitement symétrique et la symétrie doit être parfaitement conservée en ce qui concerne la création des tensions +V et -V de commande de commutation. Celles-ci peuvent être délivrées par deux alimentations symétriques, l'une positive, l'autre négative par rapport à la tension de référence ou masse du modulateur. Sur la figure lc, on a représenté différents signaux aux points de test A, B, C de la figure lb. Le signal +V, -V étant appliqué au point A de la figure lb, ce signal constitue le signal de commande de modulation SCM des figures lb et la pour lequel les états de modulation des diodes 121 et 122 sont obtenus. Les diodes étant montées en opposition vis-à-vis du signal de modulation SCM ou de chaque signal de commande de commutation SCC, il existe cependant, suivant l'état de la modulation, soit un appel de courant sur l'alimentation positive, soit un appel de courant sur l'alimentation négative. Dans ce cas, ainsi que représenté en figure lc, les tensions positives et négatives délivrées par les alimentations symétriques précitées sont alors susceptibles de subir une modulation parasite par le signal modulant, la valeur vrai de l'amplitude de tension délivrée par chaque alimentation symétrique variant légèrement en raison même de la modulation de phase ou de la commutation des diodes. Afin de remédier au problème de la modulation parasite des alimentations symétriques permettant d'engendrer les signaux de commu- tation SCC relatifs aux deux diodes 121 et 122 de la figure la, il peut être avantageux, en fonction des applications considérées, de réaliser le modulateur objet de l'invention tel que représenté en figure 2a et dont la description sera donnée ci-après. Sur la figure précitée, les mêmes éléments sont désignés par les mêmes références que dans le cas de la figure la. Cependant, et bien que la partition 12040 soit aussi ménagée de façon à subdiviser la zone conductrice centrale 1204 en deux zones adjacentes 12041, 12042, chaque diode 121, 122, constituant les premiers et deuxièmes moyens de commutation, ainsi que représenté en figure 2a, est montée sur chacune des branches 1201A, 1201B de la jonction Y entre le plan de tension de référence 1203 et l'une des zones conductrices adjacentes 12041 ou 12042, de façon que les deux diodes soient, sur la ligne à fente formée par les deux branches symétriques 1201A et 1201B de la jonction Y, montées en parallèle. Dans ce cas, et contrairement au mode de réalisation de la figure la, pour une direction de polarisation déterminée de l'onde électromagnétique hyperfréquence se propageant sur la branche d'entrée 1200 de la ligne à fente LF, les deux diodes précitées 121 et 122 présentent une direction de conduction, c'est-à-dire une direction anode-cathode, opposée par rapport au champ électrique auquel ces diodes Il sont soumises sur la branche symétrique 1201A ou 1201B de la jonction Y correspondante. Dans ce cas, la direction.de conduction de l'une des diodes 121 et 122 est la même que celle de la direction du champ électrique de l'onde électromagnétique se propageant sur la branche symétrique 1201A ou 1201B de la jonction Y correspondante ou opposée à celle-ci réciproquement. Dans une telle configuration, les diodes 121 et 122 sont montées dans le même sens vis-à-vis du signal de commande de commutation SCC ou du signal de commande de modulation SCM et la commande des diodes 121 et 122 peut alors être effectuée séparément en complémentaire, les tensions d'alimen- tations n'ayant plus à présenter une polarité symétrique. Dans ce cas, le signal de commande de modulation SCM alimente par exemple le premier circuit de commande 21, alors que le deuxième circuit de commande 22 est commandé séparément par le signal de commande de modulation complémenté M Ainsi qu'on l'a représenté en figure 2b, le circuit électrique équivalent correspond à celui de deux diodes 121 et 122 connectées en parallèle et reliées par les capacités ou condensateurs équivalents égales à la somme des capacités Ci. Deux résistances RI et R2 peuvent alors être reliées directement à un circuit logique 101, lequel, à partir d'un signal de commande de modulation SCM, permet de délivrer, d'une part, ce même signal SCM à l'une des diodes, la diode 121 par exemple, et le signal de commande de modulation complémenté 3 à la diode 122. Les résistances RI et R2 jouant le même rôle que dans le cas de la figure la, les alimentations destinées à engendrer les tensions de commande SCM et TM ne sont pas soumises à la modulation parasite précédemment décrite dans le cas de la figure la et il est, en outre, possible d'appliquer une forte tension en inverse sur les diodes 121 et 122, tout en ayant une bonne protection en courant lorsque les diodes sont polarisées en direct. Bien entendu, dans ce cas également, une forte puissance de signal hyperfréquence peut alors transiter par le modulateur, tel que décrit en figure 2a. Ainsi qu'on l'aura noté, relativement aux figures la et 2a, la partition 12040 est sensiblement symétrique par rapport à l'axe de symétrie L du circuit de modulation 120. Ceci, bien entendu, permet de conserver le caractère de symétrie du montage et du modulateur et, en conséquence, le caractère équilibré de la modulation de phase obtenue au niveau de l'onde hyperfréquence modulée. La partition 12040 est constituée selon un mode de réalisation non limitatif par une fente centrale FC symétrique par rapport à l'axe de symétrie L du circuit de modulation et par une pluralité de condensateurs Ci régulièrement répartis le long de la fente FC précitée. Ces condensa- teurs assurent la liaison en court-circuit des deux bords de la fente FC à la fréquence du signal à moduler ou du signal modulé. Bien entendu, ces condensateurs peuvent être répartis uniformément et présenter des valeurs adaptées en fonction de leur position des condensateurs de plus forte valeur étant interconnectés en extrémité de la fente centrale FC. De préférence, la fente centrale FC présente une largeur ou dimension dans une direction perpendiculaire à l'axe longitudinal A du circuit de modulation 120, largeur 9., o X représente la longueur d'onde du signal à moduler OL ou du signal modulé RF. Bien entendu, d'autres modes de réalisation du modulateur objet de l'invention peuvent être envisagés sans sortir du cadre de l'objet de la présente invention. En particulier, des réalisations, dans lesquelles la partition 12040 est réalisée de façon que celle-ci présente une quasi- symétrie par rapport à l'axe longitudinal A du circuit de modulation 120, peuvent être envisagées, la partition précitée étant alors désignée comme sensiblement symétrique. Un mode de réalisation non limitatif d'une partition sensiblement symétrique sera donnée en liaison avec les figures 3a et 3b. Dans le mode de réalisation des figures précitées, la partition 12040 est formée par une première zone électriquement conductrice 12041P formant presqu'île vis-à-vis de la zone centrale conductrice 1204, la fente centrale FC étant supprimée. La première zone électriquement conductrice 12041P formant presqu'île est destinée à recevoir l'une des bornes de l'une des diodes, la diode 121 par exemple. Une deuxième zone électriquement conductrice 12042 forme îlot vis-à-vis de la zone centrale conductrice 1204 et est destinée à recevoir l'une des bornes de l'autre diode, la diode 122 par exemple. Bien entendu la première et la deuxième zone électriquement conductrice formant respectivement presqu'île 12041P et îlot 12042 vis-à-vis de la zone centrale 1204 conductrice sont sensiblement symé- triques par rapport à l'axe A de symétrie du circuit modulateur 120. Dans ce cas, la zone électriquement conductrice 12042 formant îlot est reliée électriquement à la zone centrale conductrice 1204 par au moins un condensateur C, tel que représenté en figure 3a formant court-circuit à la fréquence du signal à moduler ou du signal modulé. Bien entendu, afin d'assurer un maximum de symétrie pour le mode de réalisation des figures 3a et 3b, de préférence, la plus grande dimension de définition des zones électriquement conductrices formant presqu'île 12041P ou îlot 12042, est choisie inférieure ou égale à X 10 o À représente la longueur d'onde du signal à moduler ou du signal modulé. Ainsi qu'on l'a représenté de façon plus détaillée en figure 3b, la zone électriquement conductrice formant presqu'île 12041P est reliée par exemple à la zone électriquement conductrice centrale 1204 par au moins un isthme 12043P. De la même manière, l'intervalle, séparant la zone électrique- ment conductrice formant îlot 12042 de la zone électriquement conductrice centrale 1204, est muni d'au moins un isthme tronqué 12044. Les isthmes tronqués et les isthmes sont disposés symétriquement par rapport à l'axe de symétrie A du circuit modulateur 120. On comprendra, bien entendu, que la seule différence de symétrie entre les zones électriquement conductrices formant presqu'île 12041P ou îlot 12042 réside en fait dansla présence de la troncature de chaque isthme tronqué, ces troncatures pouvant être rendues aussi faibles que possible grâce à l'utilisation de la technique des circuits imprimés. L'utilisation des modulateurs précédemment décrits n'est pas limitée à la modulation biphase. Une utilisation des modulateurs biphase équilibrés précédemment décrits pour la réalisation de modulateurs quadriphase, sera décrite en liaison avec les figures 4a, 4b, 4c. De manière générale, la réalisation de modulation quadriphase de type parallèle à partir de deux modulateurs biphase, tel que décrit précédemment, peut être obtenue à partir d'un coupleur d'hybride 0 -90 et d'un additionneur de puissance. Sur la figure 4a, le coupleur hybride 0 -90 est noté 3 et deux modulateurs biphase équilibrés, tel que précédemment décrit, sont utilisés et notés 4 et 5 pour réaliser une modulation biphase à partir des deux sorties symétriques du coupleur hybride 3. Le choix des circuits réalisés en ligne microbande par exemple, sur la face I du circuit imprimé, du coupleur hybride 3, permet d'avoir une connexion directe avec les entrées et les sorties des modulateurs biphase 4 et 5. L'ensemble peut ainsi être intégré sur le même circuit. L'additionneur de puissance 6 peut être par exemple un additionneur de type Wilkinson. Dans tous les cas, le signal à moduler OL est introduit sur l'une des entrées du circuit coupleur hybride 3, l'entrée symétrique étant chargée par une impédance égale à l'impédance caractéristique. Les deux sorties symétriques du coupleur hybride 3 sont alors couplées à la branche d'entrée de la ligne à fente 1200 de modulateurs biphase 4 et 5 représentés en figure 4a. Les lignes de circuit de sortie 111 de chaque modulateur biphase équilibré 4 et 5 sont alors reliées directement au port d'entrée de l'additionneur de puissance de Wilkinson 6. Bien entendu, l'implantation des différents éléments du modulateur quadriphase correspond à une implantation perpendiculaire, par exemple, l'axe longitudinal Ades modulateurs ou des circuits modulateur ou des modulateurs 4 et 5 étant perpendiculaire, ainsi que représenté en figure 4b, ou au contraire parallèle, ainsi que représenté en figure 4c. On notera que dans les deux cas précités et représentés en figures 4b et 4c, les résultats sont sensiblement identiques en ce qui concerne les pertes d'insertion de l'ordre de 5,5 dB et la modulation d'amplitude résiduelle de plus ou moins 0,1 B, chaque état de phase étant obtenu à plus ou moins 1 . L'implantation perpendiculaire offre comme principal avantage d'éliminer des fréquences de résonance de boîtier qui se trouvent au voisinage du spectre du signal de sortie RF. On a ainsi décrit un modulateur biphase équilibré particu- lièrement performant, lequel permet de régénérer un signal hyperfréquence reçu par un satellite de télécommunication par exemple. Ces dispositifs sont particulièrement avantageux dans le cadre des liaisons numériques à fréquence de rythme élevé, via un satellite de relais de données ou de télécommunications. En outre, l'utilisation de ces modulateurs biphase n'est pas limitée à la seule modulation biphase, mais peut être avantageusement envisagée pour la modulation quadriphase, moyennant les adaptations précédemment décrites. REVENDICATIONS 1. Modulateur biphase équilibré pour signal électromagnétique hyperfréquence, caractérisé en ce qu'il comporte a) un circuit imprimé (1) double face comprenant: 5. une première face (11) comprenant un circuit d'entrée (110) du signal à moduler (OL) et un circuit de sortie (111) du signal modulé (RF), lesdits circuits d'entrée (110) et de sortie (111) étant chacun formé par une ligne à ruban, une deuxième face (12) comprenant un circuit de modulation de phase (120), ledit circuit de modulation de phase étant formé par: - une ligne à fente (LF) comprenant une branche d'entrée (1200) du signal électrique à moduler (OL) couplée audit circuit d'entrée (110) du signal à moduler, une jonction Y (1201) prolongeant ladite branche d'entrée et comportant deux branches symétriques (1201A, 1201B), une ligne à fente en forme de boucle (1202) reliant lesdites branches symétriques, ladite ligne à fente en forme de boucle (1202) étant couplée audit circuit (111) de sortie du signal modulé (RF), - des premiers (121) et deuxièmes (122) moyens de commutation connectés respectivement en parallèle sur une branche symétrique (1201A, 1201B) de la jonction Y, ledit modulateur comportant en outre b) des moyens (2) de commande séparée desdits premiers (121) et deuxièmes (122) moyens de commutation, délivrant auxdits premiers et deuxièmes moyens de commutation un signal de commande de commutation indépendant. 2. Modulateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le couplage entre le circuit d'entrée (110) du signal à moduler (OL) et la branche d'entrée (1200) de la ligne à fente, d'une part, et entre le circuit de sortie (111) du signal modulé (RF) et la ligne à fente en forme de boucle (1202), d'autre part, est formé par le plan de tension de référence (1203) de la ligne à fente (LF), lequel constitue en outre le plan de tension de référence des lignes à ruban formant respectivement lesdits circuit d'entrée (110) du signal à moduler et circuit de sortie ( 111) du signal modulé, la branche d'entrée (1200) de la ligne à fente, la jonction Y (1201), la zone conductrice centrale (1204) contenue entre les branches symétriques (1201A, 1201B) de la jonction Y et la ligne à fente en forme de-boucle (1202), et la ligne à ruban constituant circuit de sortie (111) du signal modulé admettant pour même axe de symétrie, constituant axe de symétrie du circuit de modulation (120), l'axe de symétrie longitudinal (A) de la ligne à ruban constituant ledit circuit de sortie (111) du signal modulé. 3. Modulateur selon l'une des revendications i ou 2, caractérisé en ce que lesdits premiers et deuxièmes moyens de commu- tation (121, 122) sont constitués chacun par une diode. 4. Modulateur selon les revendications 2 et 3, caractérisé en ce que lesdits moyens de commande sont constitués par: une partition (12040) de la zone conductrice centrale (1204) en deux zones conductrices adjacentes (12041, 12042), ladite partition (12040) constituant un circuit ouvert pour le signal de commande de commuta- tion (SCC) délivré auxdits premiers et deuxièmes moyens de commuta- tion (121, 122) et un court-circuit pour le signal hyperfréquence à moduler (OL) ou modulé (RF), 20. un premier (21) et un deuxième (22) circuit de commande séparée desdits diodes, respectivement connectés à l'une et l'autre zone conductrice adjacente (12041, 12042) et délivrant un signal de commande de commutation (SCC) à partir d'un même signal de modulation (SCM). 5. Modulateur selon la revendication 4, caractérisé en ce que chaque diode constituant les premiers (121) et deuxièmes (122) moyens de commutation est montée sur chacune des branches (1201A, 1201B) de la jonction Y entre le plan de tension de référence et l'une des zones conductrices adjacentes, les deux diodes étant sur la ligne à fente formée par les deux branches symétriques (1201A, 1201B) de la jonction Y montées en anti-parallèle. 6. Modulateur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le signal de commande de commutation (SCC) est formé par un signal alternatif dont les alternances sont successivement positives et négatives (+V, -V) par rapport à la tension de référence du modulateur. 7. Modulateur selon la revendication 4, caractérisé en ce que chaque diode (121, 122), constituant les premiers et deuxièmes moyens de commutation, est montée sur chacune des branches (1201A, 1201B) de la jonction Y entre le plan de tension de référence (1203) et l'une des zones conductrices adjacentes (12041, 12042), les deux diodes étant sur la ligne à fente formée par les deux branches symétriques (1201A, 1201B) de la jonction Y montées en parallèle. 8. Modulateur selon la revendication 7, caractérisé en ce que le signal de commande de modulation de phase (SCM) est formé par un signal alternatif, les signaux de commande de commutation (SCC) de l'une et l'autre diodes étant complémentés (SCM, (). 9. Modulateur selon l'une des revendications 4 à 8, caractérisé en ce que ladite partition (12040) est sensiblement symétrique par rapport à l'axe de symétrie ( A) du circuit de modulation. 10. Modulateur selon la revendication 9, caractérisé en ce que ladite partition (12040) est constituée par: - une fente centrale (FC) symétrique par rapport à l'axe de symétrie dudit circuit de modulation, - une pluralité de condensateurs (Ci) régulièrement répartis le long de la fente et assurant la liaison en court-circuit des deux bords de ladite fente à la fréquence du signal à moduler ou modulé. 11. Modulateur selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite fente centrale (FC) présente une largeur Z représente la longueur d'onde du signal à moduler (OL) ou modulé (RF). 12. Modulateur selon l'une des revendications 4 à 8, caractérisé en ce que ladite partition (12040) est formée par: une première zone électriquement conductrice (12041P) formant presqu'île visà-vis de la zone centrale conductrice (1204) et destinée à recevoir l'une des bornes de l'une des diodes, À une deuxième zone électriquement 'conductrice (12042) formant îlot vis-à-vis de la zone centrale conductrice et destinée à recevoir l'une des bornes de l'autre des diodes, la première et la deuxième zone électriquement conductrice, formant respectivement presqu'île (12041P) et îlot (12042) vis-à-vis de la zone centrale conductrice, étant sensiblement symétriques par rapport à l'axe (A) de symétrie du circuit modulateur, ladite zone électriquement conductrice (12042) formant îlot étant reliée électriquement à la zone centrale conductrice (1204) par au moins un condensateur (C) formant court-circuit à la fréquence du signal à moduler ou du signal modulé. 13. Modulateur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la plus grande dimension de définition des zones électriquement conductrices (12041P, 12042) formant presqu'île ou îlot est inférieure ou égale à > o A représente la longueur d'onde du signal à moduler ou du signal modulé. 14. Modulateur selon la revendication 13, caractérisé en ce que ladite zone électriquement conductrice, formant presqu'île (12041P), est reliée à ladite zone électriquement conductrice centrale (1204) par au moins un d'isthme (12043P), l'intervalle séparant la zone électriquement conductrice formant îlot de la zone électriquement conductrice centrale étant muni d'au moins un isthme tronqué (12044), les isthmes tronqués et les isthmes étant disposés symétriquement par rapport à l'axe de symétrie () du circuit modulateur. 15. Modulateur équilibré pour signal hyperfréquence, caracté- risé en ce que ledit modulateur comporte un circuit coupleur hybride (3), deux modulateurs biphase équilibrés (4, 5) selon l'une des revendications précédentes et un circuit connecteur de puissance (6) de type Wilkinson.