FR 2636792 A1 19900323 FR 8812383 A 19880922 DIVISEUR DE FREQUENCE POUR MICRO-ONDES La présente invention se rapporte à un diviseur de fréquence par deux, destiné au domaine des hyperfrequences. On connaît, en matiere de diviseurs de fréquences utilisables en microondes, des diviseurs logiques et des diviseurs analogiques. Les diviseurs logiques rapides, qui sont généralement à composants monolithiques à l'Arsiéniure de Gallium ou au Silicium, ont pour inconvénients d'être onéreux, sensibles aux tensions d'alimentation, et de présenter une dérive non négligeable en température. Les diviseurs analogiques à diodes varactor ou à diodes de commutation rapide ont pour inconvénients de nécessiter des puissances d'entrée relativement élevées, généralement supérieures à 30 milliwatts, de couvrir une bande assez étroite, et de manquer de dynamique d'entrée du fait que les variations possibles du niveau d'entrée sont assez limitees. Ces diviseurs doivent en outre être placés dans un boîtier fraisé qui leur est propre. Il est possible dans certains cas d'utiliser un oscillateur subharmonique synchronisé, mais la presence permanente d'un signal de sortie de fréquence libre peut être préjudiciable au bon fonctionnement de l'équipement dans lequel il est inséré. L'invention vise à remédier à ces inconvénients. Elle se rapporte à cet effet à un diviseur de frequence par deux pour onde hyperfréquence, ce diviseur étant de type analogique. Ce diviseur de fréquence comporte un transistor monté en amplificateur, avec son point de fonctionnement situé dans la partie non linéaire de sa caractéristique. Son circuit d'entrée prévue pour définir, en combinaison avec la capacité parasi- -te entre l'électrode de commande et l'électrode de sortie du transistor, une boucle de retour sélective dont la fréquence de filtrage est réglée sur la frequence moitié de la fréquence d'entrée. La seconde self est réglée pour que la phase du signal réinjecté par la boucle de retour précitée soit telle que ce signal reinjecté est soustrait du signal d'entrée. Avantageusement en outre, un filtre adaptateur de sortie est placé dans le circuit de sortie du transistor, ce filtre étant réglé sur la fréquence moitié du signal d'entrée. Ce filtre de sortie est avantageusement un filtre de bande centré sur cette fréquence moitié et dont la largeur de bande permet de couvrir environ une octave. Il est préférentiellement constitué d'une capacité branchée entre l'électrode de sortie du transistor et la masse, et de deux selfs réalisées sous forme de ruban, ou "microstrip": - une première self branchée entre cette électrode de sortie et la borne de sortie hyperfréquence du diviseur; - une deuxieme self branchée entre cette borne de sortie et la masse. De toute façon, l'invention sera bien comprise, et ses avantages et autres caractéristiques ressortiront, au cours de la description suivante d'un exemple non limitatif de réalisation, en réference au dessin schematique annexe dans lequel: Figure 1 est le schéma de principe utilisé pour ce diviseur de fréquence; -Figure 2 est un schéma électrique de ce diviseur de fréquence; et Figure 3 illustre la réalisation et le réglage des deux selfs placées dans le circuit d'entrée du transistor utilisé pour ce diviseur de fréquence. La figure 1 est un schema-blocs d'un diviseur de fréquence par deux, connu en soi et dont le principe général de fonctionnement est utilise dans la réalisation conforme à l'invention. Sur cette figure, la référence 1 désigne un amplifi- -cateur a grand gain comportant un filtre réglé sur la frequence moitié du signal d'entrée. Cet amplificateur est alimenté par le signal d'entrée à fréquence fe (borne d'entrée 3) à travers un additionneur 2. Le signal de sortie de cet amplificateur 1 alimente la borne de sortie 5 du diviseur de fréquence. Sur la sortie de cet amplificateur 1 est aussi branché un coupleur 6 qui forme l'entrée d'une boucle de retour comportant un circuit 7 qui est à la fois un filtre très lO sélectif réglé sur la fréquence fe/2 et un circuit a déphasage réglable. En sortie du circuit 7, on trouve donc un signal à fréquence fe/2 qui est appliqué, avec un déphasage réglé à la valeur ni, à l'additionneur 2. Ce circuit constitue un diviseur de fréquence à boucle de retour, et c'est son principe général, en soi connu, qui est utilise pour le diviseur hyperfréquence conforme à l'invention, selon la figure 2 à laquelle on se référera maintenant. Ce circuit comporte un transistor bipolaire 8, du type hyperfréquence grand public tel que celui disponible dans le commerce sous la réference NE 64535. Ce transistor 8 est monté en émetteur commun. Il possède une capacité parasite collecteur-base 9, dont la valeur varie en fonction de l'amplitude instantanée du signal hyperfréquence d'entrée à fréquence fe, appliqué à la borne d'entrée 3. Entre la borne 3 et la base 10 du transistor 8 est branchée une première self 11, réalisée en microstrip, qui, en combinaison avec la capacité 9, forme un filtre de boucle de retour sélectif et réglé sur la fréquence moitié fe/2. Une seconde self 12, également réalisée en microstrip, est branchée entre la borne 3 et la masse. Cette self 12 a pour rôle d'ajuster la phase du signal de retour, afin de la rendre égale a '1', comme pour le circuit de la figure 1. Le transistor 8 est polarisé et chargé pour que son point de fonctionnement soit situe dans la zone non linéaire (parabo- -lique) de sa caracteristique base-émetteur In, V., o li est le courant de base et Vum la tension base-émetteur. A sa sortie apparaissent donc les deux produits d'intermodulation, à fréquences fe+fe/2 et fe-fe/2, qui sont réinjectés vers l'entrée 3 de l'amplificateur à grand gain que constitue le transistor 8 par l'intermédiaire du filtre ajustable que constitue la capacité parasite 9 et la self 11. Ce filtre ayant sa fréquence de passage réglée sur fe/2, il s'ensuit qu'il ne laisse passer que cette composante, de sorte que, la phase de retour étant réglée à IY par ajustement de la self 12, on retrouve sensiblement dans ce circuit très simple, le schéma de principe de la figure 1, o les circuits 6 et 7 sont remplacés par les éléments réactifs 9,11 et 12. Un signal à fréquence fe/2 apparait finalement sur la borne de sortie 13 du transistor 8. Afin de n'obtenir sur la sortie 5 que ce signal à fréquence fe/2, un filtre 4 centré sur fe/2 est inséré entre les bornes 13 et 5. Ce filtre 4 comporte une capacité 14, branchée entre le collecteur du transistor 8 et la masse et réalisée sous forme de composant discret, et deux selfs 15 et 16 réalisées en microstrip, dont une self 15 entre les bornes 13 et 5 et une self 16 entre la borne 5 et la masse. Le filtre 4 est avantageusement un filtre de bande conçu pour, bien qu'il soit centré que la fréquence fe/2, avoir une largeur de bande lui permettant de couvrir une octave. La figure 3 montre comment sont réalisées les deux selfs d'entrée 11 et 12 au moyen d'une ligne à ruban 17 grossièrement en forme de S. La self 11 est formée par la branche horizontale supérieure du S, tandis que la self 12 est formée par sa partie restante, et voit sa valeur ajustée (afin de procurer un dephasage égal à tî) au moyen d'un trait de court- circuit 18 réalisé à la laque d'Argent. Comme il va de soi, l'invention n'est pas limitée à l'exemple de réalisation qui vient d'être décrit. Il est par exemple possible d'effectuer, au moyen d'un transistor auxiliaire de commande, un contrôle du point de fonctionnement par miroir de courant, ce qui permet d'obtenir un fonctionnement correct dans une plage allant de -30 C & +60 C. Ce diviseur peut être réalisé de la même manière à l'aide d'un transistor a effet de champ, la base du transistor 8 devenant la grille de ce transistor FET, et l'émetteur et le collecteur du transistor 8 devenant respectivement la source et le drain de ce transistor FET. REVENDICATIONS 1- Diviseur de fréquence par deux pour onde hyperfréquence, caractérisé en ce qu'il comporte un transistor (8) monté en amplificateur, avec son point de fonctionnement situé dans la partie non-lineaire de sa caractéristique, le circuit de commande (de base 10 ou de grille) de ce transistor (8) comportant deux selfs à ruban (11,12), dont une première self (11) placée un série, entre la borne d'entrée (3) du signal hyperfréquence (fe) et l'électrode de commande (base 10 ou grille) du transistor (8), et une seconde self (12), ajustable et branchée en parallèle, entre cette borne d'entrée (3) et la masse, la première self (11) étant prévue pour définir, en combinaison avec la capacité parasite (9) entre l'électrode de commande (10) et l'électrode de sortie (13) du transistor (8), une boucle de retour sélective dont la fréquence de filtrage est réglée sur la fréquence moitié de la fréquence d'entrée (fe), et la seconde self (12) étant ajustée pour que la phase du signal réinjecté par cette boucle de retour soit telle que ce signal réinjecté est soustrait du signal d'entrée. 2- Diviseur de fréquence selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux self (11, 12) sont formées à partir d'une ligne à ruban (17) grossièrement en forme de S. 3- Diviseur de fréquence selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un filtre adaptateur de sortie (4) qui est régle sur la fréquence moitié du signal d'entrée (fe). 4- Diviseur de fréquence selon la revendication 3, caractérisé en ce que le filtre adaptateur de sortie (4) a une largeur de bande lui permettant de couvrir environ une octave. S- Diviseur de fréquence selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérise en ce que ce filtre adaptateur de sortie est constitué d'une capacité (14) branchée entre l'électrode de sortie (13) du transistor (8) et la masse, et de deux selfs realisées sous forme de ruban, dont: - une première self (15) branchée entre cette électrode de sortie (13) et la borne de sortie hyperfréquence (5) du diviseur; et - une deuxième self (16) branchée entre cette borne de sortie (5) et la masse.