FR 2639158 A1 19900518 FR 8914980 A 19891115 2639 1 58 DISPOSITIF MAGNETIQUE ET CIRCUIT DE SUPPRESSION DU COURANT DE SURCHARGE L'UTILISANT DESCRIPTION La présente invention se rapporte à un dispositif magnétique de suppression du courant de surcharge yénéré par une capacité de dispersion entre une alimentation élec- trique DC à haute tension et une charge (source d'ions) au moment du claquage de la décharge de la source d'ions dans un injecteur de faisceau neutre pour un réacteur de fusion nucléaire, etc. et à un circuit de suppression du courant de surcharge comprenant un tel dispositif magnétique. Un injecteur de faisceau neutre comprend un accélérateur pour accélérer les ions dans un gaz de plasma pour les neutraliser et les injecter dans un autre plasma, etc. Dans cet injecteur de faisceau neutre, l'accélérateur doit avoir une fonction pour supprimer le courant circulant comme une surintensité à partir de l'alimentation électrique DC à haute tension du côté d'une source d'ions au moment du claquage de la décharge de la source d'ions qui est une charge dans ce dispositif, évitant de ce fait à la source d'ions d'être détruite et évitant aussi un claquage de la décharge continu. Spécifiquement, l'accélérateur est constitué par un circuit comme montré en Figure 1. Quand le claquage de la décharge est provoqué dans la source d'ions 4, une tétrode 42 à haut niveau (ciLaprès désignée comme "tube régulateur ") fournie entre une alimentation électrique DC à haute tension instable 41 et une source d'ions 4 pour conduire la régu- lation èst interrompue en 20 ps ou moins, évitant de ce fait à l'énergie de s'écouler à partir de l'alimentation électrique DC à haute tension 41 vers La source d'ions 4 De plus, pour absorber l'énergie stockée dans une capacité de dispersion 1 existant par hypothèse du côté charge à partir du tube régulateur 42, un circuit de suppression du courant de surcharge, qui est appelé " dispositif limi- teur de surcharge ", montré par le bloc "A" dans la Figure est fourni. Le dispositif limiteur de surcharge " A " com- prend un noyau magnétique 2 constitué par une ferrite toroi- dale etc., un enroulement primaire 3, et un enroulement secondaire 8 fourni avec une résistance 9 pour supprimer l'oscillation du courant de décharge id fourni à partir de la capacité de dispersion 1 au moment de la mise en court- circuit de la source d'ions 4 et pour consommer l'énergie du courant de décharge id a Incidemment, en Figure 1, 5 désigne une inductante à fil ( inductance de dispersion générée par le câblage) , et 6 désigne un interrupteur décrit comme un modble pour montrer un phénomène de mise en court - circuit de la source d'ions 4. Quand l'interrupteur 6 est mis en circuit, la source d'ions 4 est en court-circuit. 7 désigne une source de tension pour montrer une décroissance de la tension au moment de la mise en court-circuit de la source d'ions 4 La Figure 2 montre schématiquement une boucle d' hystérésis B-H de fonctionnement du noyau magnétique 2 après la mise en court-circuit de la source d'ions 4 dans le circuit de la Figure 1. Le fonctionnement du circuit de suppression du courant de surcharge pour l'alimentation électrique DC à haute tension sera expliqué en se référant aux Figures 1 et 2. D'abord, avant la mise en court-circuit de la source d'ions 4, k savoir dans l'état de fonctionnement normal, un point de fonctionnement du noyau magnétique 2 est à une densité de flux magnétique BB' déterminée par l'aimantation DCHBs générée par le courant DC 18' circulant localement à partir de l'alimentation électrique DC à haute tension 41 via le tube régulateur 42. Ici, HB' est déterminé par l'équation suivante: Np. I'1 HB' = (A/m),. 4) e Np: Nombre de spires dans l'enroulement pri- maire. te: Longueur (m) du parcours magnétique moyen du noyau magnétique, Quand la source d'ions 4 est mise en court-circuit, à savoir quand l'interrupteur 6 est branché, le tube régula- teur 42 est coupé de sorte que le courant IB' fourni à partir de l'alimentation électrique à haute tension est empêché de circuler dans la source d'ions 4. Cependant, par la charge électrique stockée dans la capacité de disper- sion 1, le courant de décharge id est entralné à circuler dans la source d'ions 4 en un temps t. Ce courant est appelé "courant de surcharge ". Le dispositif limiteur "A" évite au courant de surcharge de circuler dans la source d'ions 4. Le noyau magnétique 2 dans le dispositif lifiteur de surcharge A sert à éviter au flux de courant de surchar- ge d'atteindre le niveau montré par un produit tension. temps déterminé par l'équation suivante: ct N -Aet *à (V es) Vp: Tension dans l'enroulement primaire Ae: Section transversale effective (m2) du noyau magnétique, et B: Intervalle de la densité du flux magnétique de fonctionnement et supprime le courant de surcharge à une hauteur d'onde de courant exprimée par la formule suivante s I D Hm (A), (3) a... Np qui est déterminée par l'aimantation maximale H: m B +HB'1 (A/m). (4) Hm B mrp HB': Aimantation DC correspondant BB', et rp Perméabilité relative impulsionnelle. aimantation maximale ci-dessus Hm correspond à la densité de flux magnétique maximale: Bm = B + BB' (T)..* (5) Fondé sur le principe cidessus, pour maintenir le courant de surcharge ID égal ou inférieur à un niveau permis IDp qui dépend du circuit, les formules suivantes (6) et (7) doivent être satisfaites: v -dt 3B B B (6) |,^ Np - Dp B' La formule (6) est dérivée des formules (2) et (5) dans lesquelles 4B représente un intervalle de densité de flux magnétique de fonctionnement; et Bmp représente une densité de flux magnétique maximale à laquelle le noyau ma- gnétique est capable ce fonctionner. La formule (7) est dérivée des formules (1), (3) et (4), dans lesquelles)Krp représente une perméabilité relative effective impulsioinelle. En ce qui concerne la perméabilité relative impulsionnelle ALrp, prière de se référer au JIS Handbook, Electronics, " Tests Methods of Coil and Transformer Ferrite Magnétique Cores C2562 ", publié par la Japan Standard Association. Dans le projet d'un dispositif limiteur de sur: charge réel, le produit tension. temps IR' et B8' sont déterminés par les spécifications d'un injecteur de faisceau neutre. De plus, pour l'objectif de miniaturisation des noyaux magnétiques à Np = 1 tour, Bmp doit être aussi grand que possible. Cependant, Bmp est limité de façon inhérente aux matériaux des noyaux magnétiques. B8' etorp sont aussi des valeurs déterminées par les matériaux du noyau magné- tique. En conséquence, les matériaux appropriés du noyau magnétique doivent être sélectionnés. Pour réaliser le projet de noyau magnétique satis- faisant à la fois les formules (6) et (7), il est important de choisir les matériaux convenables et de déterminer les Ae et Ae appropriés. Comme il est clair à partir de la formule (6), plus grande est (Bmp-BB'), plus petite est Ae, permettant la miniaturisation du noyau magnétique. La Figure 3 montre une amélioration dans laquelle l'intervalle de densité de flux magnétique de fonctionnement A B est augmenté par rapport au système de la Figure 1. Dans la Figure 3, 10 désigne une alimentation électrique DC de polarisation, et 11 et 12 un condensateur et une inductance pour supprimer la surtension induite dans l'en- roulement secondaire au moment de la mise en court-circuit de la source d'ions. Dans ce circuit, puisque le courant de polarisation I. peut être entralné à circuler dans la direction indiquée par la flèche, l'intervalle de densité de flux magnétique de fonctionnement A B peut être accru comme montré en Figure 4, permettant la miniaturisation supplémentaire du noyau magnétique 2. Incidemment, dans la Figure 4, H = Np.IB' -NSIB (A/m) *.. (8) B Le N5: Nombre de spires dans l'enroulement secondaire BB: représente une densité de flux magné- tique à HB déterminé par la formule ci-dessus. Incidemment, relativement aux détails de l'ac- célératéer pour l'injecteur de faisceau neutre, prière de se référer à, par exemple, Watanabe et coll., "Composi- tion of the Power Supply System of 3JT-60 ActiVe Beam Source and Suppression of Surge Current, "The Japan Atomic Energy Research Institute, JAERI- M 86-104, JUillet 1986. Dans le dispositif magnétique de suppression du courant de surcharge dans l'accélérateur ci-dessus, un ac- célérateur de faisceau neutre ayant une tension d'accéléra- tion relativement faible de 100 KeV et 100A est utilisé parce que le réacteur de fusion nucléaire lui-même est encore au stade de la recherche. A présent, le noyau magnétique est fait de ferrite Ni-Zn montrant une densité de flux magnétique à saturation aussi basse que 0,35 Tenv;ie. et un grand nombre de noyaux magnétiques à ferrite NZ-Zn d'environ 500 mm de diamètre sont empilés. Cependant,un injecteur de faisceau neutre qui doit être utilisé dans le 26 9158 réacteur de fusion nucléaire expérimental futur est prévu pour fonctionner à une tension d'accélération élevée de 1 MeV et 50A. Dans ce cas,si le dispositif limiteur de surcharge est constitué par des moyaux magnétiques empilés de ferrite Ni-Zn, la longueur totale des noyaux magnétiques empilés deviendrait supérieure à 20 m, En conséquence, du point de vue du poids et de l'encombrement, il est totale_ ment irréalisable d'utiliser des noyaux magnétiques de ferrite N-Zn, o10 D'une autre manière, pour minimiser la dimension du noyau magnétique, ilest possible d'augmenter AB en fournis- sant un circuit de polarisation montré en Figure 3. Cepen- dant, puisque la ferrite Ni-Zn montre un taux de rectangu- larité de 0,6 ou moins dans une courbe magnétique DC et une force magnétique coercitive de plusieurs dizaines d'A/m ou plus, le courant de polarisation IB est inévitablement grand. En conséquence, le circuit de polarisation est fait grand,limi- tant de ce fait un intervalle de densité de flux magnétique fonctionnant en pratique à 0,3 T ou environ. Ainsi, cela n'est pas une voie prometteuse pour la réduction de la taille du noyau magnétique. En ce qui concerne les matériaux du noyau magné- tique, sont connus des matériaux d'alliages amorphes montrant des perméabilités plus élevées (décrits dans la Publication du Brevet du Japon Na 55-19976) et des alliages finement cristallisés à base de fer montrant des perméabilités plus hautes et des densités de flux magnétique à saturation plus élevées (décrits dans le Brevet Européen 87114568.6) que les alliages cristallins. Cependant, ils n'ont jamais été utilisés dans des dispositifs magnétiques pour suppression de courant de surcharge dans l'accélérateur pour l'injecteur de faisceau neutre. Ainsi, leurs fonctionnements réels ont été tot4le- ment imprévisibles. 263 9 158 BUT ET RESUME DE L'INVENTION En conséquence, un but de la présente invention est de fournir un dispositif magnétique pour supprimer le courant de surcharge dans l'accélérateur, qui montre une fonction suffisante de suppression de courant de surcharge et soit extrêmement miniaturisé si on le compare aux disposi- tifs classiques. Un autre but de la présente invention est de four- nir un circuit de suppression du courant de surcharge compre- nant un tel dispositif magnétique. Comme résultat d'une intense recherche en vue des buts ci-dessus, les inventeurs ont trnuvé qu'en utilisant un noyau magnétique constitué par un ruban mince isolé entre les lames d'un alliage magnétique amorphe ou d'un alliage magnéti- que doux finement cristallisé à base de fer, le courant de surcharge dans l'accélérateur peut *tre fortement supprimé La présente invention est fondée sur ces découvertes. Le dispositif magnétique pour supprimer le courant de surcharge dans un accélérateur en accord avec un mode de réalisation de la présente invention est inséré entre une alimentation électrique DC b haute tension et une charge pour supprimer le courant de surcharge généré quand la charge électrique stockée dans une capacité de dispersion existant entre l'alimentation électrique DC b haute tension et la charge est libérée au moment de la mise en court-circuit de la charge, le dispositif magnétique comprenant un noyau magnétique constitué par des rubans minces isolés entre les lames d'un alliage magnétique amorphe. Le dispositif magnétique pour supprimer le cou- rant de surcharge dans un accélérateur selon un autre mode de réalisation de la présente invention est inséré entre une alimentation électrique DC à haute tension et une charge pour supprimer le courant de surcharge généré quand la char- ge électrique stockée dans une capacité de dispersion exis- tant entre l'alimentation électrique DC b htaute tension et la charge est libérée au moment de la mise en court-circuit de la charge, le dispositif magnétique comprenant un noyau magnétique constitué par des rubans minces isolés entre les lames d'un alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer ayant la composition représentée par la formule générale: (Fe -aM) 100-x-y-z-" Cu xSiyB M dans laquelle M est Co et/ou Ni, M' est au moins un élé6- ment choisi parmi le groupe comprenant Nb,W, Ta,Zr,HfTi et Moet ca, x, y, z et e satisfont respectivement OCA de chaque grain cristallin. Le circuit de suppression du courant de surcharge pour un accélérateur selon un mode supplémentaire de réalisa- tion de la présente invention comprend un dispositif magné- tique inséré entre une alimentation électrique DC à haute tension et une source d'ions pour supprimer le courant de surcharge généré quand la charge électrique stockée dans une capacité de dispersion existant entre l'alimentation électri- que DC à haute tension et la charge est libérée au mo- ment de la mise en court-circuit de la charge, le dispo- sitif magnétique comprenant un noyau magnétique constitué par des rubans minces isolés entre les lames d'un alliage magnétique amorphe. Le circuit de suppression du courant de surcharge pour un accélérateur selon un mode supplémentaire de réali- sation de la présente invention comprend un dispositif magnétique inséré entre une alimentation électrique DC à = haute tension et une source d'ions pour supprimer le courant de surcharge généré quand la charge électrique stockée dans une capacité de dispersion existant entre l'alimentation électrique DC à haute tension et la charge est libérée, au moment de la mise en court-circuit de la charge, le dispositif magnétique comprenant un noyau magnétique constitué par des rubans minces isolés entre les lames d'un alliage magnétique doux finement cristallin à base de fer ayant la composition représentée par la formule générale: (Fel aM) l00-x-y-z- CuxsiyBzMIc dans laquelle M est Co et/ou Ni, M' est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Nb, W, Ta,Zr,Hf, Ti et Mo, et a,x,y,z, et " satisfont respectivement 0 4 & _ O,5, O, tfl w de chaque grain cristallin. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La Figure 1 est une vue schématique montrant un circuit de suppression du courant de surcharge n'incluant aucun circuit de polarisation; La Figure 2 est un graphe montrant la boucle d'hystérésis B-H de fonctionnement du noyau magnétique utilisé dans le circuit de la Figure 1; La Figure 3 est une vue schématique montrant un circuit de suppression du courant de surcharge incluant un circuit de polarisation; La Figure 4 est un graphe montrant la boucle d'hystérésis B-H de fonctionnement du noyau magnétique utilisé dans le circuit de la Figure 3; La Figure 5 est une vue schématique montrant un circuit n'incluant aucun circuit de polarisation pour évaluer un dispositif magnétique de suppression de courant de surcharge; et La Figure 6 est une vue schématique montrant un circuit incluant un circuit de polarisation pour éva- luer un dispositif magnétique de suppression du courant de surcharge. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Dans la présente invention, le noyau magnétique dans le dispositif magnétique est constitué par un ruban d'alliage magnétique amorphe ou un ruban d'alliage magnéti- que doux finement cristallisé à base de fer parce qu'ils montrent des densités de flux magnétiques à saturation plus élevées que la ferrite NiZn, permettant de ce fait la miniaturisation du noyau magnétique. De plus, parce qu'ils montrent des perméabilités relatives impulsionnelles Prp plus grandes que la ferrite Ni-Zn, des effets plus grands sur la suppression du courant de surcharge peuvent être obtenus. Les rubans minces d'alliages magnétiques amorphes ou d'alliages magnétiques finement cristallisés à base de fer sont isolés dans les noyaux magnétiques. L'isolation entre les lames des dispositifs magnétiques peut être réalisée par des techniques classiques connues telles que l'insertion de films d'isolation ou de dépôts entre les couches de rubans adjacents. Quant aux rubans d'alliage magnétique amorphe, pour atteindre la miniaturisation des noyaux magnétiques, ils sont faits de préférence d'alliages magnétiques amorphes à base de fer ayaht de hautes densités de flux magnétique à satu- ration. L'alliage magnétique amorphe à base de fer préféré a la composition représentée par la formule: (Fei aMa) 100_y_z_ wiyBzM f - dans laquelle M est Co et/ou Ni, M' est au moins un élé- ment métallique de transition, X est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant C,Ge,P,Ga,Sb,In,Be et As et a,y, z, " et satisfont respectivement OaoI O$y 2Sy I çs Z 435 Aoy+z S 435eo Autrement, le noyau magnétique dans le dispositif magnétique selon la présente invention peut tre constitué par des rubans minces d'alliages magnétiques doux à base de fer. L'alliage magnétique doux finement cristallisé è base de fer qui est préféré a la composition représentée par la formule- générale: (Fel-aMa) 100-x-y-z-" CUxSiyBzM dans laquelle M est Co et/ou Ni, M' est au moins un élé- ment choisi parmi le groupe comprenant Nb,WTa,Zr,Hf,Ti et Mo, et a,x,y,z et fer est décrit dans le Brevet Européen 87114568.6. Cet alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer peut contenir au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant V,Cr, Mn, Al, éléments du groupe platine Sc, Y, éléments de terres rares Au,Zn, Sn et Re dans une quantité de 10% atomique ou moins, pour améliorer sa résistance à la corrosion et ses propriétés magnétiques. De plus, pour faciliter la production de phases amorphes et pour controler sa température de Curie, 1' alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer peut contenir en outre au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant C,Ge,P,Ga,Sb,In,Be et As dans une teneur de 10% atomique ou moins. Ainsi, l'alliage magnétique doux finement cris- tallisé à base de fer de plus grande préférence a la composition représentée par la formule générale: (Fel-ama)lOO1-x-y-z- " _ CuxSiyBz" M. i dans laquelle M est Co et/ou Ni, M' est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Nb,W,Ta,Zr,Hf, Ti et Mo, M" est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant V,Cr,Mn,Al, Les éléments du groupe platine, Sc,Y, les éléments des terrs rares, Au,Zn,Sn,et Re, X est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant C, Ge,P,Ga,Sb,In,Be et As, et a,x,y,z, e, r et y satisfont res- pectivement OsCas O,,A, A S 3x 0; y 0) 0 02 e25j S +ze30 o,0tv.o, o ture de l'alliage étant des grains cristallins fins ayant une taille moyenne des grains cristallins de 1O0 nm ou moins. Le noyau magnétique constitué de ruban d'alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer montre, comparativement à la ferrite Ni-Zn cl assique, une densité de flux magnétique à saturation plus grande, permettant de ce fait la miniaturisation du noyau magnétique, et aussi une perméabilité relative impỈsionnelle vrp plus grand, présen- tant de ce fait des effets plus grands sur la suppressiop du courant de surcharge. De plus,puisque le ruban d'al- liage magnétique doux finement cristallisé à base de fer montre une magnétostriction plus petite que le ruban d'al. liage amorphe à base de fer,le noyau magnétique constitué par le ruban d'allilage magnétique doux finement cristallise à base de fer subit - moins de détérioration des proprié- tés magnétiques due à une contrainte externe dans l'assem- blage du dispositif magnétique que l'équivalent amorphe. Pour maintenir faible la hauteur d'onde du courant de surcharge, il est préférable que le dispositif magnétique montre une perméabilité relative imp1sionnelle P rp de 1000 ou plus pour une largeur d'impulsion de 1 ps et un inter- valle de densité de flux magnétique de fonctionnement (A B) de 0,2 T. De plus, en vue d'augmenter l'intervalle de densité de flux magnétique de fonctionnement PB par addition du circuit de polarisation, il est préférable que le dispositif magnétique montre un taux de rectangularité de 0,7 ou plus dans une courbe magnétique DC. La présente invention sera décrite avec plus de détails en se référant à l'Exemple suivant sans intention de restreindre le champ de la présente invention. EXEMPLE 1 La Table 1 montre des échantillons de noyaux magnétiques élémentaires constitués par des rubans d'alliage magnétique amorphe isolés par des films de polyimide, avec ceux constitués de ferrite Ni-Zn relativement à leurs compo- sitions et à leurs propriétés magnétiques. La Table 2 montre les formes des échantillons de noyaulmagnétiques élémen- taires listés en Table 1. Dans cet exemple, le circuit montré en Figure 5 a été utilisé pour évaluer les effets de suppression du courant de surcharge d'un accélérateur. Dans la Figure 5, 21 désigne une alimentation électrique DC à hate tension, 22 une résistance pour charger le condensateur 23, 24 un l'éclateur à déc.enchement, 25 un échantillon, 26 un enroule- ment primaire pour l'échantillon, 27 une résistance sur le côté du primaire, 28 un enroulement secondaire pour l'échantillon, 29 une résistance sur le côté du secon- daire pour supprimer le courant oscillant déterminé par le condensateur 23,une inductance de l'enroulement primaire 26 et la résistance 27 et consommant son énergie après la mise en circuit de l'éclateur à déclenchement 24 La Table 3 montre les nombres de noyaux magnétiques élémentaires ayant les formes montrées dans la Table 2 nécessaires pour supprimer la hauteur d'onde ID du courant de surcharge id (généré après mise en circuit de l'éclateur à déclenchement 24 dans les condi- tions de mesure montrées dans la Table 3 dans le circuit d'évaluation cidessus) à 5 kA ou moins (à savoir la hauteur d'onde du courant permise IDp = 5 kA) avec les poids totaux des noyaux magnétiques et les hau- teurs d'onde réelles ID atteintes sous de telles condi. tions. Comme montré par les formules (6) et (7), puisque le produit tension.temps et le nombre d'entoule- ments sont déterminés par la structure du circuit, Ae doit être changé relativement à B déterminé par le matériau du noyau pour atteindre la hauteur d'ônde ID de 5 kA ou moins. Ainsi, la section transversale effec- tive Ae du noyau magnétique dans la formule (2) est exprimée comme At éléitent x Nombre de noyaux magnétiques élémentaires, o Aelélément est une section transversale effective d'un noyau magnétique élémentaire. En conséquence la réduction du nombre de noyaux magnétiques élémentaires conduit à la miniaturisatioh du noyau magnétique global. 263 9 158 Il est clair à partir de la Table 3 que la taille du noyau magnétique est nettement plus petite dans la présente invention que dans l'exemple comparatif pour atteindrc la wime performance. Table 1 (3) (5) Masse Echantillon Composition B800(2) B8 Prp rp (5) Spécifique e(1) 13 No.(1) (atomiqnut) ( T) T) (10 ps) ( US) U/3) 1 Fe8B135i3 5$ 1J43 0,36 4,700 1,500 713 x 103 l 3 2 Fee78B13Si9 1)41 0,29 4,300 1,600 712 x 10 3 Fe 7B16Si5 1,42 0 30 3,400 1,200 712 x 103 4 Fe70 Ni 7P5si 13,5B9 1?37 0133 3,900 1,100 7t2 x 103 Fe77Ni25Si 589 1,43 0t41 4,200 1,300 712 x 103 C-1 Ni-Zn Ferrite 048 0117 1,400 1,100 5 1 x 103 _ Note (1): EchantillonsN s.l -5: Echantillons de la 'présente invention Echantillon N . C-1: Echantillon comparatif Echantillons N s.1-5: Sont constitués par des rubans minces d'alliage magnétique, amorphes isoldée par des films de polyimide entre couches de rubans adjacents. (2)tDensité do flux magnétique b aimantation DC de 800 A/m. (3)sDenaité de flux magnétique b aimantation DC de 8 A/m. (4):Perméabilité relative impulsionnelle pour une largeur d'impulsion de 10 pe et AB de 0,2 T. r (5):Perméabilité relative impulsionnelle pour une largeur d'impulsion de 1 ps et a B de 0,2 T. ul Co Table 2 Longue ur Section Moyqnne du Taille du transversaLe Pareóours Echantillon Composition Noyau magnétiqueeffectve M5 que Poids (1) effecti've NO.() (atomieX) (mm) Ae (m) le (-n) W (kg) 1 FeelB135Si35C2 500'x260px25 2,0 x 10-3,119 1714 2 Fe78B13Si9 500ox260fx25 2,0 x 10-3 1 19 17wl 3 Fe79B16Si5 500x260ox25 2t0 x 10- 3 1119 17,1 4 Fe70mi7 5Si13 5B9 500ox260ox25 2tO x 10 3 119 17 1 7 20 7x1035 1)9 1y1 Fe77Ni25Si 859 500Ox260fx25 2 0 x 3 119 17 1 e77 215 511,589 2? 3 10- C-1 Ni-Zn Ferrite 500*x260ox25 3t0 x 10-3 1119 1812 C Note (1) s Echantillons N s 1-5 s Echantillons de la prdsente invention Echentillon N . C-1 s Echantillon comparatif Echantillon N s.l-5 s sont constitués par des rubans d'alliage magnétique, amorphe, isolés par des films de polyimide entre couches de rubans adjacents r> %O Co oo 19 2639158 Table 3 Po;dS.Hauteur Nombre de total d'onde du EchantillorComposition Noyaux Magnétiques qagtue courant de No.1) (atomiqg) Elémentaires (kq) surc Ne) D 6 Fe81B1315Si35C2 18 313 4X7 7 Fe7sB13Si9 18 308 4t8 8 Fe79B 6Si 18 308 416 9 Fe70Ni7,,si13,5B9 20 342 419 Fe77Ni2t5Sil15 9 20 342 4 8 C-2 Ni-Zn Ferrite 43 783 4;7 Note (1): Echantillons N s.6-10:Echantillons de la présente invention Echantillon N .C-2: Echantillon de comparaison Echantillons N s.6-lO:sont constitués par des rubans minces d'alliagemagnétique amorphe isolés avec des films de polyimide entre couches de rubans adjacents. Conditions de mesure: Tension d'entrée de l'alimentation électrique DC E = 100 kV Résistance 27 (côté enroulement primaire) Rp = 0.05 J.L. Enroulements primaire et secondaire: un tour pour les deux Capacité: C = 20 nF Résistance 29 (côté enroulement secondaire) Rs - 20 I. 2639158 Table 4 Hauteur d'onde du courant Echantillon Composition rp de surcharge ID No.(atomique) (1 us) (kA) il Fe81B13;5Si35C2 430 6,9 12 Fe81B1315Si35C2 640 5,9 13 Fe81Bl3 _Si3 5C 830 5r4 14 Fe78B13 i9 440 6t9 Fe78B13Si9 700 5r8 16 Fe78B13Si9 930 5r3 17 Fe70Ni7!5Si13 5B9 460 71 18 Fe70Ni75si1315 B9 670 66 19 Fe70Ni7 si3 5i3 B14 Note (1): Echantillons N s. 11-19: Echantillons de la présente invention Les échantillons N s 11-19 étaient constitués par des rubans minces d'alliage magnétique amorphe isolés par des films de polyimide entre couches de rubans adjacents. En ce qui concerne les formes et les nombres de noyaux magnétiques élémentaires et les conditions de mesure, elles sont les mêmes que dans la Table 3. (2):Perméabilité relative impulsionnelle pour une largeur d'impulsionde 1 ps et AB de 0,2T. N'importe lequel des échantillons N's 1-5 dans cet Exemple montrait une perméabilité relative impulsionnelle Prp (1 ls) de 1000 ou plus pour une] argevr d'impulsion de 1 s etAB de 0,2T (voir Table 1). Quand les échantillons montrant une perméabilité relative impulsionnelle flrp plus petite préparés sous des conditions de traitement thermique différentes ont été utilisés comme montré dans la T able 4> seulement de petits effets de suppression de la hauteur d'onde du courant de surcharge ont pu être obtenus même bien que des rubans d'alliage amorphe de même composition soient uti- lisés. En conséquence, il est souhaité que la perméabilité relative impuisionnelle Fp (1 ms) soit 1000 ou plus. EXEMPLE 2 Dans cet Exemple, un circuit montré en Figure 6 a été utilisé pour évaluer les effets de suppression du courant de surcharge dans l'alimentation électrique DC à haute tension ci-dessus. Ce circuit est constitué par addition d'un circuit de polarisation au circuit d'évalua- tion montré en FIgure 5 utilisé dans l'Exemple 1. En - Figure 6, 30 désigne une alimentation électrique DC de polarisation, 31 et 32 un condensateur et une inductance pour éviter à une pointe de tension induite dans l'enrou- lement secondaire 28 de l'échantillon 25 après mise en circuit de l'clateur à déclenchement 24 d'êtreappliquée à l'alimentation électrique DC de polarisation 30. La Table 5 montre les nombres de noyaux magné- tiques élémentaires montrés dans les Tables 1 et 2 néces- saires pour supprimer la hauteur d'onde ID du courant de surcharge id (généré après la mise en circuit de l'éclater à déclenchement 24 dans les conditions de mesure montrées dans la Table 5 dans le circuit d'évaLuation ci-dessus) jusqu'à kA ou moins (à savoir, la hauteur d'onde de courant per- mise IDp = 5 kA),avec les poids des noyaux magnétiques totaux et les hauteurs d'onde réelles ID atteintes dans ces conditions 23 2639158 Table 5 Nombre de Poids total Hauteur d&0nde Nombrende du Courant Echantillor omposition Noyaux Magnétiques du Noyau de Surcharge 1 No.( (atomique) Elémentaires Ma)Zt que (k) Fe81B13 5Si3.5C2 12 209 46 21 Fe78B13Si9 12 205 4f7 22 Fe,9B,6Si9 12 205 4 9 23 Fe70Ni75 i135B9 13 222 47 24 Fe77Ni 25 i115B9 12 205 418 C-3 Ni-Zn Ferrite 22 400 478 Note (1): Echantillons N s 20-24: Echantillons de la présente Invention. Echantillon Ns.C-3: Echantillon de comparaison Les échantillons N s. 20-24 sont constitués par des rubans minces d'alliage magnétique amorphe isolés par des films de polyimide entre couches de rubans adjacents. Conditions de mesure: Tension d'entrée de l'alimentation électrique DC E = 100 kV. Résistance 27 (côté enroulement primaire) Rp = 0,05.. Aimantation de polarisation: HB = -8 A/m. Capacité: C= 20 nF Résistance 29(côté enroulement secondaire) Rs = 20 _o. Enroulements primaire et secondaire I 1 tour pour les deux. 2639 15 8 Il est clair, à partir de la Table 5, que la taille du noyau magnétique est trbs nettement plus petite dans la présente invention que dans l'exemple comparatif pour atteindre la même performance Aussi, il est clair que dans cet Exemple,une perméabilité relative impulsionnelle Prp (1 ys) pour une largeur d'impulsion de 1 rs et AB de O,2T est de façon souhaitable 1000 ou plus pour réduire la hauteur d'onde du courant de surcharge ID EXEMPLE 3 * En utilisant les noyaux magnétiques élémentaires de 500 mm x 260 mm x 25 mm constitués par des rubans minces isolés entre les lames d'alliages magnétiques amorphes mon- trant des taux de rectangularité différents, les effets de suppression du courant de surcharge ont été examines dans' le circuit en Figure. 6. Les résultats sont montrés dans la Table 6. Les conditions de mesure sont indiquées dans la Table 6, dans lesquelles la hauteur d'onde du courant de surcharge ID a été maintenue au maximum à 5 kA. 2639158 Table 6 Nombre de Hauteur d'Onde Noyaux Magnétiques du courant Echantil(1onComposition E2)lémentaires de SurchargeID No.(l (atomique%) Br/B800(2) (kA) Fe81B13,Si3 5C2 0181 7 4i7 26 Fet7Si4 26 Fe81l3> si35C2 074 418 27 Fea81B.355i3,5C2 0t61 9 4,8 28 Fe78B13Si9 0177 7 46 29 Fe78B13Si9 0r73 7 4j7 9 0r56 104]9 Fe78B13 Si 056 10 419 31 Fe70Ni7,Si, 3, 5B9 0183 7 416 32 Fe70Ni7e5sil35B9 0171 8 457 33 Fe70Ni7t5sil3159 063 10 4S9 C-3 Ni-Zn Ferrite 030 22 4,8 Note (1): Echantillons N s 25-33: Echantillons de la présente invention. Echantillon N C-3: Echantillon de comparaison Les échantillons N s.2533ont été constitués par des rubans minces d'alliage magnétique namorphe isolés par des films de polyimide entre couches de rubans adjacents. (2): Taux de rectangularité mesuré à aimantation DC de 800 A/m. Conditions de mesure: Tension d'entrée de l'alimentation électrique DC E = 100 kV Capacité: C: 20 nF Résistance 27 (côté enroulement primaire): Rp = 0,05.n.. Résistance 29 (côté enroulement secondaire): Rs = 20 à%. Aimantation de polarisation: HB = -8 A/m. Enroulements primaire et secondaire: 1 tour pour les deux. Il est clair, à partir de la Table 6, que le taux de rectangularité le plus grand Br/B800 dans une courbe magné- tique' DC, côrrespond au nombre le plus petit de noyaux magné- tiques élémentaires, facilitant la miniaturisation des noyaux magnétiques entiers. Particulièrement, dans le cas d'un Br/B800 de 0,7 ou plus, AB peut être augmenté même à une aimanta.tion de polarisation aussi petite que -8 A/m, signifiant fue la miniaturisation des moyens magnétiques entiers peut effectivement être réalisée EXEMPLE 4 La Table 7 montre la comparaison dans les proprié- tés magnétiques entre des noyaux magnétiques toroidaux consti- tués par des rubans d'alliage magnétique doux finement cristal- lisè à base de fer ayant une taille moyenne de grains cris- tallins de 100 nm ou moins quand mesurés en taille maximale et isolés avec MgO entre les couches de rubans aidjacents et un noyau magnétique comparatif fait de ferrite Ni-Zn. N'importe lequel des noyaux magnétiques élémentaires était de forme toroidale de 500 mm de diamètre extérieur, 260 mm de diamètre intérieur et de 25 mm en hauteur. Dans cet Exemple, le circuit montré en Figure 6 a été utilisé pour évaluer les effets de suppression du courant de surcharge dans l'accélérateur. La Table 8 montre les nombres de noyaux magné- tiques élémentaires ayant la forme ci-dessus (500 mm x 260 mm x 25 mm) nécessaires pour supprimer la hauteur d'onde ID du courant de surcharge id (généré après mise en circuit de l'éclateur à déclenchement 24 sous les conditions de mesures indiquées dans la Table 8 dans le circuit d'évaluation ci- dessus) jusqu'à 5 kA ou moins (à savoir, la hauteur d'onde de courant permise IDp = 5 kA), avec les poids totaux des noyaux magnétiques et les hauteurs d'onde réelles atteintes sous de telles conditions. Il est clair à partir de la Table 8 que la taille des noyaux magnétiques est très nettement plus petite dans la présente invention que dans l'exemple comparatif pour atteindre la même perForm.ance. Table 7 Echantillon omposton B (2) B(3) (4) (5) Composition rY o.) 1 rp No. (atomiqut) (T) (T) It Ova) _l us) 34 (Fe. 959Co 0 04073pCusi B3t5$B 9Nb 3 b1?300143 12,000 3,100 Fe70 5Cu1si20585Nb3 10 0 1826 14,000 2,900 36 (Fe0173Co 027)7315 Cu1s 135 9Nb3 123 0131 9,900 2,800 37 Fe PCu Si J8 N 31 33 0C24 13,000 3,300 ?5 1 13,5 7 3 173 01 38 Fe72Cu1 Si19B5Nb3 1,14 0128 14,000 3,200 39 (F 006Co0t4)73t5Cu1s 135B9Nb3 1127 0134 11,000 2,900 Fe177 Cu1siB 913 b142 0J31 10,000 2,300 C1 Ni-Zn Ferrite 0148 0,17 1,400 1,100 Note (1) s Echantillons N s. 3440:s Echantillons de la présente invention Echantillon N .C-1 s Echantillon de compearaiton Les Echantillons N s. 34-40 sont constituée par des rubans d'alliage magnétique doux finement cristallisé à beae de fer isoldés par MgO entre couches de rubans adjacent. t2)s Densitd de flux magnétique à aimantation DC de 800 A/m. (3)s Densité de flux magnétique à aimentation DC de 8 A/m. (4): Perméabilité relative impulsionnelle pour une largeur d'impulsion ru3 de 10 8 et A B de 0,2 T. o (5): Perméabilité relative impulsionnelle pour une largeur d'impulsion %O de 1 s et AB de 0,2 T. Co Table 8 Nombrede Poids total Hauteur d'onde h o.oiti Noyaux Magnétiquesdu Noyau du courant de EchanillonComposition Echantillon)ComposElémentaires Mégnétique Surcharge-I- No., (atomiqe%) (kc (kA) 41 (Fe0O959Co0)041)7315CulSi135 B9Nb3 13 211 49 42 Fe05Cu si2,5B5 3 16 272 4p7 e7015Ul1 20ps 5BN3 43 (Fe0973Co0,t27) 73p5CUlSi135 9Nb3 14 241 45 44 Fe75 5CulSi 135B87Nb3 14 239 416 Fe72CulSi 19B5Nb3 15 256 4,5 46 (Fe 0,6Co0t 4) 735CuSi1315B9Nb3 14 240 48 47 Fe77CulSi0B9Nb3 13 210 419 C-3 Ni-Zn Ferrite 22 400 4t8 Note(1) s Eehantillons N el 41-47 s Echantillonde la présente invention Eehantillon N . C-3: Echantillon de comparaison Les échantillons N s. 41-47 sont constitués par des rubana d'alliages magnétique doux finement cristallisé a base de fer isolés avec MgO entre couches derubans adjacents o Co n Conditions de mesure: Tension d'entrée de l'alimentation électrique DC: E = 100kV Résistance 27 (côté enroulement primaire): Rp = 0,05.n.. P Aimantation de polarisation: HB = -8 A/m Capacité: C = 20 nF Résistance 29 (côté enroulement secondaire): R; = 20 I.. Enroulements primaire et secondaire: 1 tour pour les deux. De plus, les rubans d'alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer constituant les noyaux magnétiques de la présente invention montraient des magnéto- strictions à saturation X d'environ + 10 x 10-6 ou moins, S quisont beaucoup plus petites que cel[es des rubans d'alLiage magnétique amorphe à base de fer. En conséquence, il est clair que les noyaux magnétiques constitués par des rubans d'alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer subissent seulement une dégradation extrêmement petite des propriétés magnétiques en présence d'une contrainte externe. EXEMPLE 5 La Table 9 montre les nombres de noyaux magné- tiques élémentaires ayant les formes ci-dessus nécessaires pour supprimer la hauteur d'onde ID du courant de surcharge id (généré après la mise en circuit de l'éclateur à déclen- chement 24 sous les conditions de mesure indiquées dans la Table 9 dans le circuit d'évaluation montré en Figure 5 utilisant les noyaux magnétiques de l'Exemple 4) jusqu'à 2kA ou moins (à savoir, la hauteur d'onde de courant permise IDp = 2 kA), avec les poids des noyaux magnétiques totaux Dp et les hauteurs d'onde réelles ID atteintes soUS de telles conditions. Table 9 Nombre de Noyaux Poids Total Hauteur d'Onde Magnétiques du Noyau du Courant Echantillon Compoaition Elémentaires Magnétique de Sur harge I NO. (1) (atomiqgu) kqg) D(kA) 48 F si 25 A35 118 4 Fe81B13tS35C2 25 3t535 18 49 Fe78 f13 si9 26 446 lt9 Fe7916 i5 28 481 1>9 51 Fe70HNi75S i13t 5B9 29 97 118 52 Fe77Ni 2eSil.5 9 29,96 lr8 53 (FeO 99Co C41)3CSi 39Nb 16 2:61 1X9 [Fe0t959CO0to41 73?5CUlS13159b 54 Fe70 5Cu1si205B5Nb3 19 323 18 (Fe 073Co027)735Cu18s135B 9Nb3 17 294 1)8 56 Fe75 5uSlSil3p5B7Nb3 16 273 117 57 Fe72CulSi1l9B5Nb3 18 307 1,9 58 (Fe06Co04)73;5Cu1si13t5B9Nb3 18 309 1, 9 59 Fe77Culsi10B9Nb3 18 292 18 C-4 NI-Zn Ferrite 80 1455 19 p %O w o vo Note (1): Echantillons N s 48-59: Echantillons de la présente invention Echantillon NO C-4: Echantillon de comparaison Conditions de Mesure: Tension d'entrée de l'alimentation électrique DC: E = 100 kV Capacité: C = 20 nF Résistance 27 (côté d'enroulement primaire: R = 0,05 L, Résistance 29 (côté enroulement secondaire): Rp = 50 n. Enroulements primaire et secondaire: 1 tour pour les deux. Il est clair à partir de la Table 9 que la taille des noyaux magnétiques est très nettement plus petite dans la présente invention que dans l'exemple comparatif pour attein- dre la même performance. De plus, puisque les rubans d'alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer montrent des perméabilités relatives impulsionnelles Arp plus grandes que les rubans d'alliage magnétique amorphe à base de fer, les noyaux magnétiques constitués par des rubans d'alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer peuvent être plus miniaturisés que ceux des équivalents amorphes. EXEMPLE 6 En utilisant des noyaux magnétiques élémentaires de 500 mm x 260 mm x 25 mm constitués par des rubans d'alliage magnétique doux finement cristallisé b base de fer ayant les compositions indiquées dans la Table 10 et isolés par MgO0 entre les couches de rubans adjacents (montrant différents taux de rectangularité), les effets de suppression 263 9 158 du courant de surcharge ont été examinés dans le circuit montré en Figure 6. Les résultats sont indiqués dans la Table 10. Les conditions de mesure sont données dans la Table 10, dans lesquelles la hauteur d'onde du courant de surcharge ID a été maintenue à 5 kA maximum Table 10 Nombre de Hauteur d'onde Echantillon Composition Noyaux MagnétiquesdeCourant No. (1) (atomicque%) r/B_800 _kA SucharenID No. ____ ________ _______ ________ ___ L... 800....(kA) Surcharge ID (Feo?959Cooto41)7315CulSi1359Nb3 093 7 47 61 (t0e 959Co0o041)735SCUlSi13, 589Nb3 0,76 7 49 62 (F us b0j53 10 4 7 62 (e959Co0O041)735CUi13 5B9Nb3 0, 53 10 417 63 Fe75 5Cu si B 088 7 48 64 Fe75 5Culsil3p5B97b3 0>71 7 4,8 Fe75 5CulSi13sB7Nb3 056 9 47 e75?15CulS3sB7 b3 66 Fe77Culsil0B9Nb3 0187 7 4,7 67 Fe77Cusi 10B9Nb3 0177 7 4,9 68 Fe77CuiSi10B9Nb3, O063 9 4r8 C-3 NiZn Ferrite 0130 22 4,8 LMt uo Co 2639 1 58 Note (1): Echantillons N s. 60-68: Echantillons de la présente invention. Echantillon NO C-3: Echantillon de comparaison Les échantillons N s. 6068 ont été constitués par des rubans d'alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer isolés avec MgO entre les couches de rubans adjacents. (2): Taux de rectangularité mesuré à aimantation DC de 800 A/m. Conditions de Mesure: Tension d'entrée de l'alimentation électrique DC: E = 100 kV. Capacité: C = 20 nF Résistance 27 (côté enroulement primaire): Rp = O,05. -. Résistance 29 (côté enroulement secondaire): R s = 20f -l-. Aimantation de polarisation ' HB = -8 A/m. Enroulements primaire et secondaire: 1 tour pour les deux. Il est clair, b partir de la Table 10 que le taux de rectangularité le plus grand Br/B800 dans une courbe magnétique DC correspond au nombre plus petit de noyaux magnétiques élémentaires. En particulier dans le cas d'un Br/B800 de,7 ou plus, AB peut *tre augmenté même à une aimantation de polarisation aussi petite que - 8A/m, signifiant que la miniaturisation des noyaux magnétiques entiers peut etre effectivement atteinte. EXEMPLE 7 En ce qui concerne les échantillons présentant différents taux de rectangularité comme montré en Tables 6 et 10, le circuit d'évaluation montré en Figure 6 a été utilisé pour connaitre les nombres de noyaux magnétiques élé- mentaires ayant la forme ci-dessus nécessaires pour supprimer la hauteur d'onde ID du courant de surcharge id (généré aprbs mise en circuit de l'éclateur à déclenchement 24 sous les conditions de mesures indiquées dans la Table 11) jusqu'à 2 kA ou moins (à savoir, la hauteur d'onde de courant permise IDp = 2 kA), ainsi que les poids totaux des noyaux magnétiques et les hauteurs d'onde réelles ID atteintes dans de telles conditions. Les résultats sont montrés dans la Table. Table 11 Nombre de Poids Hauteur d'onde Noyaux Magnétiques Total du de Courant de Echantillon Composition EldmentairesNoyau.MagndtiqueSurcharge ID No. (1) (atomiiquc) __ (kg) (kA) Fe81B135 i3 5C2 13 226 1 9 61 Fe81B135 i35C2 14 241 1,9 62 Fe.1B13t5Si 35C2 17 291 118 63 Fe78B13Si9 14 239 l8 14 238 119 64 Fe78B13sig 14 238 19 78B13Si 19 325 1 9 e7sB13Si 19 66 Fe70Hi7 tsi 39 15 257 19 7t5 l358 9 67 Fe70Ni7t58sil35B9 15 3258 19 68 Fe70Ni75sil359 20 342 19 69 (e CCus aNb9 145 lie 69 (Fe01959Co01041)735CuiS 1315B9Nb3 9 45 1 (Fe0 959Co0 041)735CUlSi3,5B9 Nb3 9 146 19 71 1 3 21 P 71 (Fe0 959CoP0041)73 5Cul113S59N3 13 211 1l8 72 Fe75 5CUlSi 3t5B7Nb3 153 17 Co uLc Table 11 Nombre de Poids Total Hauteur d'onde EchantillonComposition Noyaux Magnétiques du Noyau du Courant,de Nch l ( l) (atompiqtio)n Elémentaires Mayytq D 73 Fe75,5Cu1si1357 3 10 171 1.9 ,r1 171 13.9 74 Fe75,Cu Si 3 a5BNb3 13 210 1.8 7 5.Y 3 Fe77Cu1si10a9Nb3 9 147 1.8 76 pFe77Cu1Si 10B9Nb3 10 172 1.9 77 e77Cu s10 9 Nb3 14 226 1.9 e77C 1i 10B9Nb3 C-5 Hi-Zn Ferrite 43 782 1.9 Note (1)1 Echantillone N s. 60-77: Echantillons de la présente invention Echantillon NO C-5: Echantillon de comparaison de Ferrite Ni-Zn Conditions de Mesure: Tension d'entrée de l'alimentation électrique DC: E = 100 kV. Capacité: C = 20 nF Résistance 27 (côté enroulement primaire): R = 0,05J.. Rp Résistance 29 (côté enroulement secondaire): Rs = 50 L-. Aimantation de polarisation: HB. = -8 A/m, Enroulements primaire et secondaire: 1 tour pour les deux. Il est clair à partir de la Table 11, que la taille des noyaux magnétiques est très nettement plus petite dans la présente invention que dans l'exemple comparatif pour atteindre la même performance. Particulièrement, puisque les rubans d'alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer présen- tent des perméabilités relatives impulsionnelles Frp plus grandes que les rubans d'alliage amorphe à base de fer, les noyaux magnétiques constitués par des rubans d'alliage magné- tique doux finement cristallisé à base de fer peuvent être davantage miniaturisés que ceux des équivalents amorphes. De plus, même dans la composition identique, dans le cas d'un Br /B800 de 0,7 ou plus, BB peut être augmenté même à une aimantation de polarisation HB aussi petite que -8 A/m signifiant que la miniaturisation des noyaux magnétiques entiers peut être effectivement atteinte. Comme décrit ci-dessus,en détail, selon la présente invention, la taille des noyaux magnétiques du dispositif magnétique pour supprimer le courant de surcharge dans l'accé- 2639 1 58 lérateur peut être grandement réduite par rapport au noyau magnétique constitué- par de la ferrite Ni-Zn, réalisant de ce fait une remarquable miniaturisation de l'accélérateur 263 9 158 REVENDICATIONS 1. Un dispositif magnétique pour suppression d'un courant de surcharge dans un accélérateur, qui est inséré entre une alimentation électrique DC à haute-tension (41) et une charge'(4) pour supprimer le courant de surcharge généré quand la charge électrique stockée dans une capacité de dispersion (1) existant entre ladite alimentation électrique DC à haute tension 91) et ladite charge est libérée au moment de la mise en courtcircuit de ladite charge, ledit dispositif magnétique comprenant un noyau magnétique t 2) constitué par des rubans minces isolés entre les lames d'un alliage magné- tique amorphe. 2. Le dispositif magnétique selon la revendica- tion 1,dans lequel ledit noyau magnétique est constitué par des rubans d'alliage magnétique amorphe à base de fer. 3. Le dispositif magnétique selon la revendica- tion 2 dans lequel ledit alliage magnétique amorphe à base de fer a la composition représentée par la formule: (Fe -aMae) 100-y-z- ci- SiyBz àX dans laquelle M est Co et/ou Ni, M' est au moins un élément de transition, X est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant C, Ge,P,Ga, Sb,In,Be et As,et a,y,z," et P satisfont respectivement 0e4S0,I 0 o4'p 25, S charge électrique stockée dans une capacité de dispersion (1) exis- tant entre ladite alimentation électrique DC à haute tension (41) et ladite charge est libérée au moment de la mise en court-circuit de ladite charge, ledit dispositif magnétique comprenant un noyau magnétique (2) constitué par des rubans minces isolés entre lames. d'un alliage magnétique doux finement cristallisé à base de fer ayant la composition représentée par la formule générale: (Fela Ma)laoxy.z=" CuxSiyBzM' dans laquelle M est Co et/ou Ni, M' est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Nb,W,Ta,Zr,Hf, Ti, et Mo, et à,x,y,z et a satisfont respectivement 0ú v {O.S, O,^ XX Oy% déterminée à partir de La taille maximale de chaque grain cristallin. 5. Le dispositif magnétique selon la revendi- cation 1, dans lequel ledit noyau magnétique présente une perméabilité relative impulsionnelle rp de 1000 ou plus pour une largeur d'impulsion de 1 ps et une densité de flux magnétique de fonctionnement de 0,2T. 6. Le dispositif magnétique selon la revendi- cation 4, dans lequel ledit noyau magnétique présente une perméabilité relative i;.pulsionnelle Prp de 1000 ou plus pour une largeur dimpulsion del s et une densité de flux magnétique de fonctionnement de 0,2 T. 7. Le dispositif magnétique selon la reven- dication 1, dans lequel ledit noyau magnétique montre un taux de rectangularité de 0,7 ou plus dans une courbe d'aimantation DC 8. Le dispositif magnétique selon la revendi- catioon 4, dans lequel ledit noyau magnétique montre un taux de rectangularité de 0,7 ou plus dans une courbe d'aimantation DC. 9 U n circuit de suppression du courant de surcharge pour un accélérateur comprenant un dispositif magnétique inséré entre une alimentation électrique DC à haute tension (41)et unesource d'ions pour supprimer le courant de surcharge généré quand la charge (4) électrique stockée dans une capacité de dispersion () existant entre ladite alimentation électrique à haute tension et ladite charge est libérée au moment de la mise en court-circuit de ladite charge, ledit dispositif magnétique comprenant un noyau magnétique (2) constitué par des rubans minces isolés entre lames d'un alliage magnétique amorphe. 10. Un circuit de suppression du courant de surcharge pour un accélérateur comprenant un dispositif magnétique inséré entre une alimentation électrique DC à haute tension (41) et une source d'ions pour supprimer le courant de surcharge généré quand la charge (4) électrique stockée dans une capacité de dispersion (1) existant entre ladite alimentation électrique à haute tension et ladite' charge est libérée au moment de la mise en court-circuit de ladite charge, ledit dispositif magnétique comprenant un moyaumagnétique(2) constitué par des rubans minces isolés entre lames d'un alliage magnétique doux finement cristallisé 0WR 5.$ A.. L/ZC_ à base de fer ayant la composition représentée par la formule générale: (Fel-aMa 100-x-y-z- CuXSiyBzM Es dans laquelle M est Ce et/ou Ni, fM' est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Nb,W,TaZr,Hf, Ti et Mo, et a,x,y,z et " satisfont respectivement 044 , o)s ex, cubique centré ayant une taille moyenne des grains cristal- lins de 100 nm ou moins quand eLLe est déterminée à partir de la taille maximale de chaque grain cristallin.