FR 2641416 A1 19900706 FR 8817483 A 19881230 26 4 1 4 1 6 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A TRANSFERT DE CHARGES DESCRIPTION La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à transfert de charges. Elle s'applique notamment aux systèmes vidéo dans lesquels les charges résultant de l'absorption de photons sont collectées dans des puits de potentiel. On sait que les dispositifs à transfert de charges utilisent généralement des signaux de commande à deux ou à quatre phases pour effectuer un transfert de charges d'un puits de potentiel à un autre. Ces signaux sont appliques à des électrodes formées sur un substrat semi-conducteur de silicium dopé d'un premier type, recouvert par une couche semiconductrice de silicium dopé d'un deuxième type, elle-même recouverte d'une couche isolante d'oxyde de silicium. Tout dispositif à transfert de charges comporte donc des groupes successifs et identiques d'électrodes. Ces dispositifs sont dits à deux ou quatre phases selon qu'il est nécessaire d'appliquer aux électrodes d'un groupe, des signaux présentant deux ou quatre phases différentes, pour que Les charges stockées dans un puits de potentiel correspondant au groupe d'électrodes condiséré passent dans un puits de potentiel correspondant à un groupe d'électrodes adjacent au groupe considéré. Les dispositifs à transfert de charges peuvent aussi être classés selon le nombre de niveaux de silicium polycristalLin utilisés dans Leur fabrication. Si au cours de la fabrication du dispositif deux couches de silicium polycristallin sont nécessaires pour constituer les électrodes, le dispositif à transfert de charges est Qualifié de dispositif à transfert de charges à deux niveaux d'électrodes. Si trois couches sont nécessaires pour constituer les électrodes, le dispositif est alors qualifié de dispositif à trois niveaux d'électrodes. Les électrodes du premier niveau correspondent généralement à la fonction de stockage des charges, tandis que les électrodes de deuxième niveau et éventuellement de troisième niveau, correspondent à la fonction de transfert des charges d'un puits de potentiel à un autre. Un autre paramètre essentiel permettant de définir un dispositif à transfert de charges est le pas élémentaire. Ce pas correspond à la largeur de chaque groupe d'électrodes qui comporte généralement quatre électrodes, -permettant d'assurer la fonction de stockage de charges dans un puits de potentiel et la fonction de transfert de ces charges vers le puits de potentiel d'un groupe d'électrodes voisin. Un moyen de réduire le pas d'un dispositif à transfert de charges, est l'utilisation de paires d'électrodes successives. Les électrodes de chaque paire assurent la double fonction de stockage et de transfert des charges. Ces électrodes sont dites mixtes. Un dispositif à transfert de charges comprenant des électrodes mixtes est décrit notamment dans la demande de brevet européen N00207328. La réduction du pas d'un dispositif à transfert de charges est liée aux performances de photolithogravure qui permettent de déterminer avec précision les emplacements de zones implantées de troisième type dans la couche semi-conductrice de deuxième type recouvrant le substrat semiconducteur de premier type. La demande de brevet précitée décrit en particulier un dispositif à transfert de charges présentant un pas réduit, grâce à L'utilisation de deux niveaux d'électrodes mixtes et grâce à des opérations de photolithogravure permettant de définir avec une assez grande précision, les dimensions des zones implantées de troisième type. Les figures 1, 2 et 3 permettent de mieux comprendre les divers types de dispositifs à transfert de charges, connus dans l'état de la technique. 1G La figure 1 représente schématiquement et en coupe un dispositif à transfert de charges à deux niveaux d'électrodes. Ce dispositif comporte un substrat semi-conducteur I de silicium dopé d'un premier type (de type P par exemple) sur lequel est réalisée une couche 2 semi-conductrice de silicium dopé d'un deuxième type (type N par exemple), elle-mrme recouverte par une couche isolante 3 d'oxyde de silicium. Des électrodes telles que 4, 5, 6 sont réalisées dans une première couche de silicium polycristallin, déposée sur la couche isolante 3. Ces électrodes sont dites de premier niveau. Elles sont recouvertes d'une couche isolante 7 d'oxyde de silicium. D'autres électrodes telles que 8, 9, 10, dites de deuxième niveau, sont réalisées dans une deuxième couche de silicium polycristallin, déposée sur Les électrodes de premier niveau et entre ces électrodes de premier niveau. Préalablement au dépôt de la deuxième couche de silicium polycristallin permettant de réaliser les électrodes de deuxième niveau, des zones semi-conductrices d'un troisième type (N- par exemple) sont implantées dans la couche semi- conductrice 2 de deuxième type. Ce dispositif peut être à deux ou à quatre phases de signaux de commande. Le dispositif est à deux phases si on applique le mime signal de commande à deux électrodes successives telles que 4, 9 de deux niveaux différents. Il est à quatre phases si on applique quatre signaux de commande de phases différentes respectivement à quatre électrodes successives teLles que 4, 9, 5, 10 pour faire passer les charges stockées dans un puits de potentiel situé dans La couche semiconductrice 1 de premier type, en regard de L'électrode 4, à un puits de potentiel situé dans cette couche en regard de l'électrode 6. Dans Le cas d'un transfert à quatre phases, l'implantation N n'est pas nécessaire. Le pas p d'un dispositif de ce type, à deux niveaux d'électrodes et à deux ou quatre phases correspond donc à l'encombrement de quatre électrodes. La figure 2 représente schématiquement et en coupe, un autre dispositif à transfert de charges connu dans l'état de la technique. Ce dispositif comporte, comme le précédent, un substrat semi-conducteur 1 de silicium dopé d'un premier type (type P par exemple), surmonté d'une couche semiconductrice 2 de silicium dopé d'un deuxième type (type N par exemple), elle-même recouverte par une couche isolante 3 d'oxyde de silicium. Sur cette couche d'oxyde sont formées des électrodes telles que 11, 12, 13 d'un premier niveau, découpées dans une première couche de silicium polycristallin. Des zones semi-conductrices d'un troisième type (type N par exemple) sont alors implantées entre ces électrodes, dans la couche semi- conductrice 2 de deuxième type. Les électrodes de premier niveau sont recouvertes d'une couche isolante 14 d'oxyde de silicium. Ensuite, des électrodes telles que 15, 16, de deuxième niveau, sont réalisées par gravure d'une deuxième couche de silicium polycristallin, déposée sur les électrodes de premier niveau. Enfin, des électrodes telles que 17, 18, de troisième niveau sont réalisées dans une troisième couche de silicium polycristallin déposée sur les électrodes de premier niveau et entre ces électrodes. Ce type de dispositif peut être à deux ou quatre phases et son pas p correspond à un encombrement de Quatre électrodes telles que 11, 17, 12, 16. En effet, des charges stockées dans un puits de potentiel situé dans la couche semi-conductrice 2 de deuxième type, en regard de l'électrode 11 de premier niveau, peuvent être amenées dans un puits de potentiel situé en regard de l'électrode 13 de premier niveau, en appliquant aux électrodes 11, 17, 12, 16 des potentiels présentant deux ou Quatre phases différentes. Le pas des dispositifs des figures 1 et 2 correspond donc à quatre électrodes et leur encombrement est donc important. L'intérêt d'un procédé à trois niveaux d'électrodes de la figure 2 est de réduire Le pas: en effet, l'intervalle B entre deux électrodes supérieures est défini par deux photogravures, ce qui n'est pas le cas de la figure 1 o "A" est défini par une seule photogravure et est donc limité par les performances de cette seule photogravure. Une manière de réduire le pas d'un dispositif à transfert de charges est de réaliser des électrodes dites mixtes à deux phases de signaux de commande, permettant d'assurer en même temps la fonction de stockage de charges dans un puits de potentiel et la fonction de transfert de ces charges vers un puits de potentiel adjacent. La figure 3 représente schématiquement et en coupe transversale un dispositif à transfert de charges, connu dans l'état de ta technique, à électrodes mixtes et à deux phases de signaux de commande. Un dispositif à transfert de charges de ce type est décrit dans La demande de brevet européen 2641416. N00207328. Ce dispositif comporte comme Les précédents, un substrat semiconducteur 1' de silicium dopé d'un premier type (type P par exemple) surmonté d'une couche semi-conductrice 2 de silicium dopé d'un deuxième type (type N par exemple), elle-même recouverte par une couche isolante d'oxyde de silicium 3. Le dispositif comporte des électrodes de premier niveau telles que , 21, 22, réalisées dans une première couche de silicium polycristallin et recouvertes par une couche isolante d'oxyde de silicium 23. Ce dispositif comporte aussi des électrodes telles que 24, 25, 26 de deuxième niveau, réalisées dans une deuxième couche de silicium polycristallin. Enfin, il comporte des zones semi- conductrices de silicium dopé de troisième type (N- par exemple); ces zones sont implantées dans la couche semi-conductrice 2 de deuxième type, en regard de portions de surface d'électrodes du premier niveau et d'électrodes du deuxième niveau. La délimitation des zones semiconductrices 27 de troisième type en regard de portions de surface des électrodes 25 de deuxième niveau, peut être définie avant le dépôt de la deuxième couche de silicium polycristallin sur les électrodes 20 de premier niveau. En effet, avant ce dépôt, Les électrodes 20 de premier niveau étant déjà réalisées, pour délimiter les zones semi-conductrices 27 de troisième type (implantées ioniquement par exemple), it suffit, comme indiqué dans la demande de brevet précitée, de réaliser entre les électrodes 20 et 21 de premier niveau, le long de l'électrode 20, un remblai isolant, d'oxyde de silicium par exemple, délimitant la zone à implanter entre le bord de ce remblai et le bord de l'électrode 21. La délimitation des zones implantées 28 de troisième type, en regard de portions de surface d'électrodes 20 de premier niveau est plus délicate et nécessite de nombreuses opérations de masquage, telles que décrites dans la demande de brevet précitée. Ce type de dispositif a cependant pour avantage de fonctionner avec deux phases de signaux de commande et de présenter un pas P qui est réduit à l'encombrement de deux électrodes. En effet, comme indiqué dans la demande de brevet précitée, il suffit de deux électrodes respectivement d'un premier niveau et d'un deuxième niveau, pour faire passer des charges stockées dans un puits de potentiel situé en regard d'une électrode de premier niveau, à un puits de potentiel situé en regard d'une électrode suivante de premier niveau. Malgré cet avantage, ce type de dispositif a pour inconvénient supplémentaire de présenter des électrodes de dimensions différentes. L'invention est relative à un dispositif de transfert de charges à électrodes mixtes et à pas réduit. Elle a pour but de remédier aux inconvénients de fabrication de ce type de dispositif et permet notamment de réduire sensiblement le nombre d'opérations nécessaires à la délimitation des zones semi-conductrices de troisième type, réalisées dans la couche semi-conductrice de deuxième type. Ces buts sont atteints grâce à un procédé de réalisation dans lequel les électrodes mixtes sont réalisées dans trois couches différentes de silicium polycristallin. Le premier niveau de silicium polycristallin définit une partie de la zone de stockage des charges dans des puits de potentiel. Le deuxième niveau définit à la fois te complément de cette zone de stockage et la zone de transfert. Le troisième niveau sert dans un dispositif obtenu selon un premier mode de mise en oeuvre du procédé, de complément à l'électrode pour assurer le recouvrement de celle-ci audessus de la zone de transfert. Ce procédé permet aussi de définir des électrodes de mêmes 26 4 1 4 1 6 dimensions, ce qui n'est pas du tout Le cas du dispositif connu par la demande de brevet précitée. En effet, dans cette demande de brevet, le procédé utilisé nécessite deux implantations différentes pour deux électrodes successives. Ces implantations différentes exigent quatre niveaux de masquage et donc des positionnements très délicats des masques utilisés. Ces niveaux de masquage définissant les largeurs actives des électrodes, un défaut de positionnement de l'un des masques entraîne des défauts de positionnement des zones implantées de troisième type. La solution proposée dans le procédé de l'invention résout ce problème de positionnement grâce à l'utilisation d'un seul niveau de masquage à positionnement délicat. Le dispositif obtenu grâce au procédé de l'invention présente de plus des zones de transfert de charges de dimensions plus faibles que Les zones de stockage, et permet ainsi d'accroître la quantité de charges stockées. L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif à transfert de charges consistant à utiliser un substrat semi-conducteur de silicium dopé d'un premier type recouvert par une couche semi-conductrice de silicium dopé d'un deuxième type, eLLe-méme recouverte d'une première couche isolante principale, caractérisé en ce qu'il consiste ensuite: - à former une première couche de silicium polycristallin sur la première couche isolante principale, puis à découper des bandes à flancs parallèLes dans cette première couche de silicium polycristaLlin, en mettant à nu la couche semi- conductrice de deuxième type, entre ces bandes, - à former au moins une deuxième couche isolante principale entre lesdites bandes, à la surface de chaque bande et sur au moins l'un des flancs de chaque bande, puis à déposer une deuxième couche de silicium polycristallin sur la deuxième couche isolante principale, - à découper la deuxième couche de silicium polycristallin, par gravure à travers un masque, pour laisser subsister au moins un remblai de la deuxième couche de silicium polycristallin sur le flanc de chaque bande recouvert de la deuxième couche isolante principale, pour creuser au moins une rainure mettant à nu la deuxième couche isolante principale le long de chaque remblai de la deuxième couche de silicium polycristallin et pour mettre à nu la deuxième couche isolante principale au moins partiellement à la surface de chaque bande, - à effectuer une implantation ionique pour former des zones semi- conductrices dopées de troisième type dans la couche semi-conductrice dopée de deuxième type, respectivement en regard d'un ensemble de rainures, - à former une troisième couche de silicium polycristalLin sur les parties subsistantes de la deuxième couche de silicium polycristallin et sur les parties mises à nu de la deuxième couche isolante principale, puis à effectuer une planarisation et une gravure de la troisième couche de silicium polycristallin pour ne laisser subsister cette troisième couche de silicium polycristallin que dans lesdites rainures. Selon un premier mode de mise en oeuvre de ce procédé, le découpage des bandes parallèles dans la première couche de silicium polycristallin, en mettant à nu la couche semi-conductrice de deuxième type entre ces bandes, consiste: - à découper lesdites bandes parallèles par gravure sélective à travers un masque, de la première couche de silicium polycristallin, - à former sur ces bandes et sur La première couche isolante principale entre ces bandes, une première couche isolante intermédiaire de nitrure de silicium recouverte par une deuxième couche isolante intermédiaire d'oxyde de silicium, - à effectuer une gravure anisotrope de la deuxième couche isolante intermédiaire pour Laisser subsister des remblais de la deuxième couche isolante intermédiaire, Le long des flancs de chaque bande, - à effectuer une attaque chimique à travers un masque, d'un remblai de chaque bande, les remblais subsistants à la suite de cette attaque étant situés d'un même côté de chaque bande, - à effectuer une gravure de la deuxième couche isolante intermédiaire et des remblais subsistants pour ne Laisser subsister que des zones de cette deuxième couche intermédiaire, en regard des emplacements desdits remblais, - à effectuer une attaque chimique de la première couche principale d'isolant, non protégée par chaque bande et non protégée par les zones subsistantes de La première couche isolante intermédiaire. Selon un autre mode de mise en oeuvre de ce procédé, le découpage des bandes parallèles dans la première couche de silicium polycristallin, en mettant à nu la couche semi-conductrice de deuxième type entre ces bandes consiste: - à découper lesdites bandes parallèles par gravure sélective à travers un masque, de la première couche de silicium polycristallin, - à former sur ces bandes et sur la première couche isolante principale, entre ces bandes, une première couche isolante intermédiaire de nitrure de silicium, il recouverte par une deuxième couche isolante intermédiaire d'oxyde de silicium, - à effectuer une gravure anisotrope de La deuxième couche isolante intermédiaire, pour laisser subsister des remblais de La deuxième couche isolante intermédiaire, Le long des flancs de chaque bande, - à effectuer une attaque chimique des remblais et une gravure de La première couche isolante intermédiaire, - à effectuer une attaque chimique de La première couche principale d'isolant non protégée pour chaque bande. Les caractéristiques et avantages du procédé de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre donnée en référence aux dessins annexes dans Lesquels: -Les figures 1 à 3, déjà décrites, représentent schématiquement des dispositifs à transfert de charges, connus dans l'état de La technique, - Les figures 4A à 15A représentent schématiquement les étapes successives du procédé de fabrication du dispositif de l'invention, pour un premier mode de mise en oeuvre de ce procédé, - les figures 4B à 15B représentent schématiquement les étapes successives du procédé de fabrication de l'invention, pour un second mode de mise en oeuvre de ce procédé. Ce procédé consiste tout d'abord comme représenté sur les figures 4A et 4B à utiliser un substrat semi-conducteur 31 de silicium dopé de premier type (de type P par exemple), recouvert par une couche semi-conductrice 32 dopée d'un deuxième type (de type N par exempte), elle-mime recouverte d'une première couche isolante principale 33 d'oxyde de silicium par exemple. Le procédé consiste ensuite à former une première couche de silicium polycristallin 34 sur la première couche isolante principale 33. Des bandes 35 à flancs parallèles, telles aue repésentées sur les figures SA et 5B, sont ensuite découpées dans la première couche de silicium polycristallin 34 en mettant à nu la couche semi-conductrice 32 du deuxième type, dans des zones 36 (figure 10A) ou 37 (figure lOB), entre ces bandes 35. Les différentes étapes du procédé de l'invention qui permettent de mettre à nu des zones 36 ou 37 de la surface de la couche semi-conductrice de deuxième type, sont représentées schématiquement sur les figures 5A à 9A pour le premier mode de mise en oeuvre du procédé de l'invention et sur les figures 5SB à 9B pour le deuxième mode de mise en oeuvre de ce procédé; ces étapes seront décrites plus loin en détail. Le procédé consiste alors à former au moins une deuxième couche isolante principale 38 (figure 11A) ou 39 (figure 11B) entre lesdites bandes, de manière à recouvrir les zones 36 ou 37 de la surface mise à nu de la deuxième couche semi-conductrice 32. Cette couche isolante est aussi formée à la surface de chaque bande 35 et sur au moins l'un des flancs de chaque bande. On enlève le reste de nitrure 61 situé sur un flanc de chaque bande 35. Comme représenté sur les figures 12A et 12B, le procédé consiste ensuite à déposer une deuxième couche de silicium polycristallin 40 sur la deuxième couche isolante 38. Cette deuxième couche de silicium polycristallin recouvre bien entendu, dans le premier mode de mise en oeuvre et tel que représenté sur la figure 12A, le flanc de chaque bande 35 non recouvert par la deuxième couche isolante principale 38. 2 6 4 1 4 1 6 Le procédé consiste alors à découper la deuxième couche de silicium polycristallin 40 par gravure à travers un masque 41 (figure 1ZA) ou 42 (figure 12B). Cette gravure permet de laisser subsister au moins un remblai de la deuxième couche 40 de silicium poLycristaLin. C'est ainsi que dans le premier mode de mise en oeuvre, La gravure à travers le masque 41 laisse subsister un remblai 43 (figure 13A) sur le flanc de la bande 35 qui est recouvert par la deuxième couche isolante principale 38. De la même manière, dans le deuxième mode de mise en oeuvre de l'invention, comme représenté sur la figure 13B, la gravure à travers le masque 42 laisse subsister deux remblais 44, 45 de la deuxième couche de silicium polycristallin, sur le flanc de chaque bande recouvert de la deuxième couche isolante principale 39. Dans les deux modes de mise en oeuvre du procédé de l'invention, la gravure à travers un masque, tel que représenté sur les figures 12A ou 12B, est de type anisotrope. Dans le premier mode de mise en oeuvre, la gravure à travers le masque 41 laisse aussi subsister (tel que représenté sur la figure 13A) des portions de la deuxième couche de silicium polycristallin; ces portions recouvrent partiellement la deuxième couche isolante principale 38 entre les bandes 35, ainsi qu'une partie de cette couche isolante, à la surface des bandes 35. Cette gravure permet également de creuser des rainures telles que 46 qui mettent à nu la deuxième couche isolante 38 le long de chaque remblai 43 de la deuxième couche 40 de silicium polycristallin. Dans le deuxième mode de mise en oeuvre du procédé de l'invention, tel que représenté sur la figure 13B, la gravure à travers le masque 42 permet de Laisser subsister, outre les remblais 44, 45 de la deuxième couche de silicium polycristallin 40, des bandes 47 de cette deuxième couche de silicium polycristallin, entre chacune des bandes 35 de La première couche de silicium polycristallin. Cette gravure permet également de mettre à nu la deuxième couche isolante principale 39, à la surface de chaque bande 35 de la première couche de silicium polycristallin, ainsi qu'en regard de rainures 48, 49, creusées par cette gravure le long des remblais 44, 45. Le procédé consiste ensuite à effectuer une implantation ionique pour former des zones semi- conductrices dopées d'un troisième type (de type N- par exemple) dans la couche semi-conductrice 32 dopée de deuxième type, en regard d'un ensemble de rainures. Ces zones dopées de troisième type sont représentées en 50 sur la figure 13A, pour le premier mode de mise en oeuvre du procédé. Pour le second mode de mise en oeuvre, sur la figure 13B, l'utilisation d'un masque est nécessaire pour ne pas effectuer d'imoLantation en regard de chaoue rainure. Enfin, le procédé consiste à former une troisième couche de silicium polycristallin 52 sur les parties subsistantes de La deuxième couche 40 ainsi que sur les parties mises s nu de la deuxième couche isolante principale 38 (figure 14A) ou 39 (figure 148). Les rainures sont ainsi comblées par cette troisième couche 52 de silicium polycristallin. Cette couche 52 est gravée sans masque, en mode isotrope, de manière à obtenir les structures représentées sur les figures 15A et 158, respectivement pour les deux modes de mise en oeuvre du procédé de l'invention. Les électrodes 53 obtenues dans le premier mode de mise en oeuvre du procédé de l'invention sont identiques et les zones implantées de troisième type 50 sont bien délimitees grâce au procédé utilisé. De plus, le recouvrement 54 de chaque électrode, à la suite de la gravure de la deuxième couche de silicium polycristallin 40, permet d'obtenir un bon transfert des charges. Le dispositif obtenu est à deux phases, à deux niveaux d'électrodes identiques, et à pas réduit. Le dispositif obtenu selon le deuxième mode de mise en oeuvre du procédé de l'invention, représenté schématiquement sur la figure 15B, est un dispositif à quatre phases. Les électrodes sont identiques deux à deux. En effet, en quatre phases l'implantation N- n'est pas nécessaire, mais l'enchainement des opérations communes aux dispositifs à deux et quatre phases réalisées sur le mime substrat, nécessite l'utilisation d'un masque dans le cas de la figure 13B. Seules subsistent après la gravure de la troisième couche 52 de silicium polycristallin, les parties de cette couche qui remplissent les rainures 46 (de la figure 13A) ou les rainures 48, 49 (de la figure 13B). On va maintenant décrire les étapes initiales du procédé; celles-ci permettent de réaliser le découpage des bandes parallèles 35 de la première couche de silicium polycristallin 34, en mettant à nu la couche semi-conductrice 32 de deuxième type, tel que représenté sur la figure 10A pour le premier mode de mise en oeuvre de l'invention, ou sur la figure 10B pour le deuxième mode de mise en oeuvre. Les étapes illustrées par les figures 5A à 8A et 5B à 8B, dans les deux modes de mise en oeuvre, sont identiques. Les bandes parallèles 35 sont découpées par gravure sélective à travers un masque 55 de la première couche 34 de silicium polycristallin, tel que représenté schématiquement sur les figures 5A et 5B. Ensuite, après élimination du masque 55 et comme représenté sur les figures 6A et 6B, on forme sur Les bandes 35 de la première couche 34 de silicium polycristallin, ainsi qu'entre ces bandes, sur La première couche isolante principale 33 d'oxyde de silicium, une première couche isolante intermédiaire 56 de nitrure de silicium; celui-ci est alors recouvert, comme représenté sur les figures 7A et 7B, par une deuxième couche isolante intermédiaire 57 d'oxyde de silicium. On effectue ensuite une gravure anisotrope de la deuxième couche isolante intermédiaire 57 d'oxyde de silicium, de manière à laisser subsister des remblais tels que 58, 59 (figures 8A et 8B) de la deuxième couche isolante intermédiaire 57, le long des flancs de chaque bande; ces remblais sont séparés de ces flancs par la deuxième couche isolante intermédiaire 56 de nitrure de silicium. Ensuite, pour mettre à nu la couche semi- conductice 33 de deuxième type, et selon le deuxième mode de mise en oeuvre du procédé de l'invention, on effectue une attaque chimique des remblais, telle que représentée sur La figure 9B; cette attaque chimique est suivie d'une gravure chimique de la deuxième couche isolante intermédiaire de nitrure de silicium 56; on effectue ensuite une gravure de la première couche isolante principale 33, non protégée par les bandes 35, pour obtenir comme représenté sur la figure 9B, la mise à nu de la couche semi-conductrice 32 de deuxième type, entre les bandes 35. Dans le premier mode de mise en oeuvre de l'invention, on protège par un masque 60, tel que représenté sur la figure 9A, l'un des remblais 59 de Ladeuxième couche isolante intermédiaire d'oxyde de silicium 57. On effectue alors une attaque chimique des remblais tels que 58, non protégés par le masque 60, de manière à ne Laisser subsister que les remblais protégés par le masque et situés d'un même côté de chaque bande 35. On effectue alors (figure 10A), une gravure de la deuxième couche isolante intermédiaire 56 pour ne laisser subsister que des zones 61 de cette deuxième couche intermédiaire de nitrure de silicium, qui sont situées en regard des emplacements des remblais 59. Enfin, tel que représenté sur la figure 10A, on effectue une attaque chimique de la première couche isolante principale 33, non protégée par chaque bande et non protégée par les zones subsistantes 61 de la deuxième couche isolante intermédiaire 56. Cette attaque permet de mettre à nu la couche semi- conductrice 32 entre les bandes 35. Le procédé qui vient d'ttre décrit permet bien de localiser avec une grande précision les zones implantées de troisième type, dans un dispositif à transfert de charges présentant des électrodes de type mixte, à pas réduit. IL permet en outre de réaliser, grâce à un ensemble d'opérations communes à deux modes de mise en oeuvre, et sur le même substrat semi- conducteur, un dispositif à transfert de charges à pas réduit présentant trois niveaux d'électrodes et pouvant fonctionner soit en deux phases, soit en quatre phases. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à transfert de charges, consistant à utiliser un substrat semi-conducteur (31) de silicium dopé d'un premier type recouvert par une couche semi-conductrice (32) de silicium dopé d'un deuxième type, elle-même recouverte d'une première couche isolante principale (33), caractérisé en ce qu'il consiste ensuite: - à former une première couche (34) de silicium polycristaLlin. sur la première couche isolante principale (33), puis à découper des bandes (35) à flancs parallèles dans cette première couche de silicium polycristallin, en mettant à nu la couche semi-conductrice de deuxième type, entre ces bandes (35), - à former au moins une deuxième couche isolante principale (38 ou 39) entre lesdites bandes (35), à la surface de chaque bande et sur au moins l'un des flancs de chaque bande, puis à déposer une deuxième couche (40) de silicium polycristallin sur La deuxième couche isolante principale (38 ou 39), - à découper La deuxième couche (40) de silicium polycristallin, par gravure à travers un masque, pour laisser subsister au moins un remblai (43 ou 44, 45) de la deuxième couche (40) de silicium polycristallin sur le flanc de chaque bande (35) recouvert de La deuxième couche isolante principale (38 ou 39), pour creuser au moins une rainure (46 ou 48, 49) mettant à nu la deuxième couche isolante principale (38 ou 39) le Long de chaque remblai (43 ou 44, 45) de La deuxième couche de silicium polycristallin et pour mettre à nu la deuxième couche isolante principale (38 ou 39) au moins partiellement à la surface de chaque bande (35), - à effectuer une implantation ionique pour former des zones semi-conductrices (50) dopées de troisième type dans La couche semi-conductrice (32) dopée de deuxième type, respectivement en regard d'un ensemble de rainures (46), - à former une troisième couche (52) de silicium polycristallin sur les parties subsistantes de la deuxième couche (40) de silicium polycristallin et sur les parties mises à nu de la deuxième couche isolante principale (38 ou 39), puis à effectuer une planarisation et une gravure de la troisième couche (52) de silicium polycristallin pour ne laisser subsister cette troisième couche de silicium polycristallin Que dans lesdites rainures (46 ou 48, 49). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le découpage des bandes parallèles (35) dans la première couche (34) de silicium polycristallin, en mettant à nu la couche semi-conductrice (32) de deuxième type entre ces bandes, consiste: - à découper lesdites bandes parallèles (35) par gravure sélective à travers un masque, de la première couche (34) de silicium polycristallin, - à former sur ces bandes (35) et sur la première couche isolante principale (33) entre ces bandes, une première couche isolante intermédiaire (56) de nitrure de silicium recouverte par une deuxième couche isolante intermédiaire (57) d'oxyde de silicium, - à effectuer une gravure anisotrope de la deuxième couche isolante intermédiaire (57) pour laisser subsister des remblais (58, 59) de la deuxième couche isolante intermédiaire, le long des flancs de chaque bande (35), - à effectuer une attaque chimique à travers un masque, d'un remblai (58) de chaque bande, les remblais (59) subsistants à la suite de cette attaque étant situés d'un même côté de chaque bande (35), - à effectuer une gravure de la deuxième couche isolante intermédiaire (56) et des remblais (59) subsistants pour ne laisser subsister que des zones (61) de cette deuxième couche intermédiaire, en regard des emplacements desdits remblais, - à effectuer une attaque chimique de la première couche principale (33) d'isolant, non protégée par chaque bande (35) et non protégée par les zones subsistantes (61) de la première couche isolante intermédiaire. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le découpage des bandes parallèles (35) dans la première couche (34) de silicium polycristallin, en mettant à nu la couche semi- conductrice (32) de deuxième type entre ces bandes consiste: - à découper lesdites bandes parallèles (35) par gravure sélective à travers un masque, de la première couche de silicium polycristallin (35), - à former sur ces bandes (35) et sur la première couche isolante principale (33), entre ces bandes, une première couche isolante intermédiaire (56) de nitrure de silicium, recouverte par une deuxième couche isolante intermédiaire (57) d'oxyde de silicium, -'à effectuer une gravure anisotrope de la deuxième couche isolante intermédiaire (57), pour Laisser subsister des remblais (58, 59) de la deuxième couche isolante intermédiaire, Le long des flancs de chaque bande (35), à effectuer une attaque chimique des remblais (58, 26 4 1 4 1 6 59) et une gravure de La première couche isolante intermédiaire (56), - à effectuer une attaque chimique de la première couche principale (33) d'isolant non protégée pour chaque bande (35).