FR 2629235 A1 19890929 FR 8903863 A 19890323 La présente invention se rapporte à un agencement perfectionné d'un convolutionneur monolithique à ondes acoustiques de surface consistant encouches piézo- électrique et semi-conductrice. Les figures 13 et 14 montrent des premier et se- cond agencements de l'art antérieur. Sur les figures 13 et 14, le chiffre de référence 1 indique un film piézo- électrique, 2 un isolant, 3 une couche semi-conductrice épitaxiée, 4 un semi-conducteur du type p ou du type n, 5 un semi-conducteur dutype n ou du type p, 6 un substrat + semi-conducteur dutype n ou du type p, 7 une électrode de porte, 8 une électrode de fond, 9 une électrode en forme de peigne, 10 une source de polarisation, 11 une borne d'entrée et 12 une borne de sortie. Le premier convolutionneur de l'art antérieur est d'une structure monolithique, qui est facile à fabri- quer et a une assez haute efficacité de convolution. Ses détails sont donnés dans le document qui suit: DOCUMENT [3] S. Minagawa, et al. "Efficient ZnO-Si02-Si Sezawa Wave Convolver", IEEE Trans. Sonics Ultrason., volume Su-32, NI 5, Septembre 1985, pages 670-674. Ce convolutionneur présente une haute efficacité de convolution quand sa surface de semi-conductrice est en conditiond'appauvrissement ou encondition faible inversée. Par conséquent, dans son usage pratique, une tension con- tinue de polarisation doit être appliquée à l'électrode de porte 7 de manière que la surface du semi-conducteur atteigne ladite condition. Une telle tension de polarisa- tion est affectée par la densité des impuretés du semi- conducteur, la densité du niveau d'interface et la tempé- rature ambiante. L'influence de la température est parti- culièrement importante et la -plage de polarisation de fonc- tionnement provoquant une haute valeur d'efficacité de convolution varie largement avec la température dans la plupart des cas. Par exemple, même lorsque la plage de polarisation de fonctionnement est au-delà de plusieurs volts, sous une haute température de l'ordre de 80 C, la plage de polarisation de fonctionnement devient quelque-' fois de 1 volt ou moins. Par ailleurs, le second agencement de l'art anté- rieur est un convolutionneur à ondes acoustiques de sur- face fonctionnant à une polarisation zero (que l'on appel- lera ci-après convolutionneur à ondes acoustique de sur- face du type à polarisation zéro). Il a un agecement semi- conducteur du type p/semi-conducteur du type n/semi-conducteur + du type n ou un agencement semi-conducteur du type n/ + semi-conducteur du type p/semi-conducteur du type p du côté semi-conducteur et la densité des impuretés et l'épais- seur de film de la couche semi-conductrice la plus haute 4 (semiconducteur du type p dans le premier agencement et semi-conducteur du type n dans le dernier agencement) sont choisies pour changer toute la couche semi-conductrice 4 en une couche d'appauvrissement sous unepolarisation zéro (VB = OV). Comme un convolutionneur monolithique à ondes acoustiques de surface consistant en un élément piézo- électrique et un semi-conducteur présente en général une haute efficacité de convolution quand la surface du semi- conducteur est en une condition d'appauvrissement ou en con- dition faible inversée, ladite condition de la couche semi-conductrice 4 permet d'activiter le convolutionneur de la figure 14 à une haute efficacité de convolution également sous une polarisation zéro. La nature le rendant actif à une polarisation zéro indique que la source de pola- risation extérieure 10 n'est sensiblement pas requise et que la structure de l'art antérieur de la figure 14 con- tribue à une réduction d'échelle du circuit périphérique et à une réduction de prix. Une explication détaillée.est donnée par les documents qui suivent: DOCUMENT il[ Demande de Brevet au Japon NO 60-202845 "Surface-Acoustic-Wave Convolver" Inventeur: Syuichi Mitsutsuka Démanderesse: Clarion Co., Ltd. DOCUMENT [2l Mitsutsuka, et autres "Experimental Trial of Zero-bias Operative Type Monolithic ZnO/SiO2/Si Convolver" Automne 1976, Preliminary Manuscripts for Applied Physics Academy Lecture, Page 905. Quand la polarisation VB de la figure 14 change, B l'efficacité de convolution du convolutionneur varie éga- lement en conséquence, et la plage de polarisation provo- quant une haute efficacité de convolution (que l'on appel- lera ci-après "plage de polarisation ppérative") corres- pond à une polarisation qui change la surface du semi-con ducteur à une condition d'appauvrissement ou une condi- tion faible inversée. Quand la surface du semi-conducteur devient en condition d'accumulation, l'efficacité non- linéaire du semi-conducteur baisse, et l'efficacité de convolution baisse également en conséquence. Quand la surface du semi-conducteur devient une condition inversée, le courant dans la couche de charges inversées provoque de la chaleur de Joule et par conséquent augmente la perte par propagation des ondes acoustiques de surface, ce qui a pour résultat une grande chute de l'efficacité de convo- lution. Comme la plage de polarisation opérative dépend de la condition de surface du semi-conducteur comme on l'a décrit ci-dessus, elle est affectée par la densité des impuretés du semi-conducteur, la densité du niveau d'interface et la température ambiante. Par conséquent, afin de réaliser un tel fonctionnement à polarisation zéro de l'agencement de la figure 14, il est essentiel que la polarisation zéro (VB = OV) soit maintenue dans la plage de polarisation opérative, quelsque soient les changements possibles de la plage de polarisation opérative avec lesdits facteurs. Dans ce but, le semi-conducteur 4 doit avoir une densité appropriée d'impuretés et une épaisseur déterminée de manière appropriée étant donné cesfacteurs.L'effet de la température est particulièrement importante. Par exem- ple, dans l'agencement de ZnO/SiO2/Si, la plage de pola- risation opérative est quelquefois diminuée sous une haute température d'environ 80 C, même lorsque la plage de polarisation opérative est audelà de plusieurs volts à la température ambiante. Par conséquent, afin d'assurer le fonctionnement à polarisation zéro dans une large plage de température, il est nécessaire d'imposer une condition plus stricte sur la couche de semi-conducteur 4 de la figure 14. Par ailleurs, comme une tension continue de pola- risation doit être appliquée à l'électrode de porte 7 du premier agencement de l'art antérieur de la figure 13, qui provoque une infiltration des charges électriques dans le film piézo-électrique 1, il faut quelquefois longtemps pour stabiliser la caractéristique du dispositif. On com- prend que cela est dû au fait que des charges dans le film piézoélectrique sont attrapées ou déchargées du fait de l'existence des pièges ou du niveau d'interface dans le film piézo-électrique ou le long de l'interface entre le film piézo-électrique et l'isolant et qu'il faut longtemps jusqu'à ce que toute la distribution de charges soit équilibrée. Afin de surmonter ces inconvénients, il y a une proposition pour appliquer directement une tension de po- larisation au substrat semi-conducteur 3 et non pas à travers le film piézo-électrique. C'est un procédé pro- posé par Arimoto et autres,du Tokyo Institute of Techno- logy. Les figures 23 et 24 montrent de tels agencements de Arimoto et autres. Leur explication détaillée est don- née par le document suivant: DOCUMENT [4] Y. Arimoto, et autres "ZnO/Si SAW convolver with surface-controlling jonctions" Applied Physics Letters, Volume 31 No 2, Juillet 1977, pages 63-65. Sur les figures 23 et 24, le film piézo-électrique 1 est fait de ZnO, l'isolant 2 est fait de SiO2 et le substrat semi-conducteur 3 est fait de Si du type p. Le chiffre de référence 20 désigne des électrodes de commande (n+ -Si) et 21 indique une source de polarisation de com- mande. Dans les agencements des figures 23 et 24, dans une portion entre l'isolant et-le semi-conducteur, sont prévues des électrodes de commande à des intervalles pré- déterminés et une tension de polarisation V est appliquée aux électrodes de commande pour contrôler directement la condition de surface du semiconducteur. Arimoto et autres utilisent des électrodes de commande 20 sous la forme de t n -Si obtenues par diffusion dans un substrat de Si du type p. La sortie de convolution est extraite de l'élec- trode de porte 7 qui est placée sous le film piézo-élec- -trique (film de ZnO) comme dans les premières technolo- gies. Dans cet agencement, comme une polarisation n'est pas appliquée à travers le film piézo-électrique (film de ZnO) 1, les inconvénients indiqués ci-dessus sont supprimés, la sortie du convolutionneur a une carac- téristique de réponse immédiate à une polarisation de commande et la caractéristique du dispositif est stabi- lisée en un court temps. Comme on l'a décrit ci-dessus, aussi bien dans le premier que dans le second agencement de l'art anté- rieur, la plage de polarisation opérative est affectée par la densité des impuretés du semi-conducteur et la densité du niveau d'interface. Par conséquent, il est souvent difficile de réaliser une polarisation active souhaitée, et le rendement de fabrication est diminué dans de nom- breux cas. Par conséquent, le premier agencement de l'art antérieur de la figure 13 présente des inconvénients par le fait que le rendement de fabrication diminue en parti- culier lors de la fabrication d'éléments actifs sous une polarisation zéro dans une large plage de température et, que le prix de fabrication est accru en conséquence. Dans les agencements des figures 23 et 24, la condition de surface du semi-conducteur 3 est facilement inversée, et une couche de chargesde porteurs minoritaires est souvent produite le long de la surface du semi- conducteur. L'existence d'une telle couche de porteurs mino- ritaires force un courant à la traverser et provoque une perte par chaleur de Joule, qui,à son tour,provoque une augmentation de la perte de propagation des ondes acous- tiques de surface traversant le convolutionneur. Par con- séquent, ces agencements ne peuvent empêcher une diminution de l'efficacité de convolution du convolutionneur et il est difficile de réaliser une efficacité aussi haute que celle obtenue dans l'agencement de la figure 3. Par conséquent, aucun des agencements de l'art antérieur ci-dessus ne satisfait à la fois une haute ef- ficacité de convolution et une réponse immédiate à une polarisation. La présente invention a par conséquent pour premier bbjet un convolutionneur monolithique à ondes acoustiques de surface qui ait une large plage de polar risation opérative et qui permette d'améliorer le rende- ment de fabrication, pour ainsi surmonter les inconvénients du premier art antérieur. La présente invention a pour second objet un con- volutionneur monolithique à ondes acoustiques de surface qui soit opératif en polarisation zéro et ait une large plage de polarisation sur une large plage de température, pour ainsi surmonter les inconvénients du second art antérieur. La présente invention a pour troisième objet un convolutionneur à ondes acoustiques de surface qui ait une haute efficacité de convolution et dont la caractéris- tique soit stabilisée en un court temps par rapport à une polarisation. Afin d'atteindre ces objectifs, -un premier mode de réalisation de l'invention concerne un convolutionneur à ondes acoustiques de surface comprenant un agencement multi-couche élément piézo-électrique/isolant/semi-con- -ducteur comprenant au moins une électrode en forme de peigne et une électrode de porte sur l'élément piézo- électrique, ledit convolutionneur étant particulièrement caractérisé en ce qu'il contient une interface en méandre ou déchiquetée ou dentelée entre l'isolant et le semi- conducteur. Un second mode de réalisation concerne un con- volutionneur à ondes acoustiques de surface comprenant un agencement multi-couche élément piézo-électrique/iso- lant/semi-conducteur premier type de conduction/semi-con- -ducteur second type de conduction à haute concentration comprenant au moins une électrode en forme de peigne et une électrode de porte se trouvant sur l'élément piézo- électrique, ledit convolutionneur étant caractérisé en ce qu'il comprend une interface en méandre ou déchiquetée ou dentelée entre l'isolant et le semi-conducteur. Un troisième agencement selon l'invention d'un convolutionnneur à ondes acoustiques de surface est caractérisé en ce qu'il comprend une interface en méandre ou dentelée entre un isolant et un semi-conducteur, et une serie d'électrodes de commande consistant en électro- des formées le long de l'interface dans des portions o l'isolant est mince. La plage de polarisation active des agencements de l'art antérieur des figures 13 et 14 correspond à une condition o la surface du semiconducteur est changée pour une condition d'appauvrissement ou une condition faible et inversée. Lorsqu'une polarisation est appliquée de manière que la surface du semi-conducteur soit en une condition inversée dans les agencements de l'art anté- rieur, une couche de charges uniforme ou même inversées 13 est produite le long de la surface du semi-conducteur comme le montre la figure 4, et un courant s'écoule dans la couche inversée du fait d'un potentiel d'onde de sur- face. Par suite, une perte due à la chaleur de Joule se produit dans la couche inversée et la perte de propaga- tion des ondes de surface est fortement accrue. Par consé- quent, l'efficacité de convolution est largement diminuée dans la condition inversée des agencements de l'art anté- rieur. La figure 4 montre un exemple dans le cas d'un semi- conducteur du type n. Par ailleurs, dans la structure en méandre ou déchiquetée de l'invention, la distribution des charges inversées dans la condition inversée n'est pas uniforme dans toute la surface du semi-conducteur mais présente la configuration de la figure 4B o les charges inversées sont emprisonnées dads des portions décalées de l'isolant. En particulier, lorsque l'intervalle P de méan- dre est petit, l'effet d'emprisonnement est grand et les charges sont profondément sollicitées vers le côté inversé, donc,même à une température supérieure, la couche inversée est formée dans les portions décalées d'isolant et on obtient une large plage de polarisation opérative. L'une des grandes différences entre l'invention et l'art antérieur de la figure 24 réside dans la façon d'arranger les électrodes de commande. Plus particulière- ment, dans l'agencement de l'art antérieur de la figure 24, des électrodes périodiques de commande sont prévues sous l'isolant (film de SiO2),d'une épaisseur uniforme. Au contraire, la présente invention est caractérisée en ce que les électrodes de commande sont prévues sous l'isolant ayant une marge périodique de méandre et en des portions minces de l'isolant (en des portions o l'isolant est dé- calé vers le film piézo-électrique en regardant à partir du semiconducteur). Comme on le décrira ultérieurement, la structure en méandre ou déchiquetée de l'invention permet d'éliminer efficacement les porteurs minoritaires qui sont produits le long de la surface du semi-conducteur et par conséquent de réaliser une plus haute efficacité de convolution que celle de l'agencement de l'art anté- rieur. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention, et dans lesquels: - la figure 1 est une vue en perspective d'un convolutionneur à ondes acoustiques de surface selon l'invention; - la figure 2 est une vue en coupe transversale expliquant la théorie du mode de réalisation de la figu- re 1; - - les figures 3A, B et C montrent une vue en coupe transversale d'une configurationen méandre ou déchi- quetée de l'interface entre un isolant et un semi-conduc- -teur du même mode de réalisation; - les figures 4A et B et 5A, B et C sont des vues en coupe transversale qui montrentla façon dont est produite une couche de charges inversées; - la figure 6 est un graphique qui montre la perte de la couche de charges inversées; - la figure 7 est un graphique qui montre l'ef- ficacité de convolution et la capacité relativement à une tension de polarisation; - la figure 8 est une vue en coupe transversale d'un convolutionneur à ondes acoustiques de surface en tant que second mode de réalisation de l'invention; - les figures 9A et B et 1OA, B et C sont des vues en coupe transversale qui présentent la. façon dont la couche de charges inversées est produite dans le mode de réalisation de la figure 8; - la figure 11 est un graphique qui montre l'ef- ficacité de convolution et la-capacité par rapport à une tension de polarisation dans le mode de réalisation de la figure 8; - les figures 12A, B et C montrent une vue en coupe transversale d'une configurationen méandre ou dé- chiquetée de l'interface entre un isolant et un semi- conducteur,dans le mode de réalisation de la figure 8; - la figure 13 est une vue en perspective d'un convolutionneur à ondes acoustiques de surface de l'art antérieur; - la figure 14 est une vue en coupe transversale d'un autre convolutionneur à ondes acoustiques de surface de l'art antérieur; la figure 15 est une vue en coupe transversale fragmentaire d'un convolutionneur à ondes acoustiques de surface en tant qu'autre mode de réalisation de l'inven- tion; - la figure 16 est une vu, du dessus du même convolutionneur; - la figure 17 est une vue en coupe transversale fragmentaire d'un convolutionneur à ondes acoustiques de surface en tant qu'autre mode de réalisation de l'inven- tion; - la figure 18 est une vue en coupe transversale fragmentaire d'un convolutionneur à ondes acoustiques de surface en tant qu'autre mode de réalisation de l'inven- tion; - la figure 19 est une vue de dessus d'un convo- lutionneur à ondes acoustiques de surface en tant qu'- autre mode de réalisation de l'invention; - les figures 20A et B montrent des circuits équi- valents aux électrodes de commande d'un convolutionneur à ondes acoustiques de surface selon l'invention; - la figure 21 est un graphique qui montre la relation entre la résistance de couplage et l'efficacité de convolution FT; - les figures 22A et B montrent une vue en coupe transversale expliquant la façon dont une couche inversée est produite; et - la figure 23 et 24 sont une vue supérieure et une vue en coupe transversale d'un autre convolutionneur à ondes acoustiques de surface de l'art antérieur. L'invention sera décrite ci-dessous en détail, en se référant à certains modes de réalisation illustrés sur les dessins. La figure 1 est une vue en coupe transversale d'un convolutionneur à ondes acoustiques de surface cor- respondant au premier mode de réalisation de l'invention. Sur le dessin, les mêmes chiffres de référence que ceux de la figure 13 désignent des éléments identiques ou équi- valents à ceux de la figure 13. Sur la figure 1, une différence par rapport au premier agencement de l'art antérieur réside dans le fait que l'épaisseur de l'isolant 2 varie de façon que l'inter- face entre l'isolant et le semi-conducteur présente un état déchiqueté 2a. L'état déchiqueté 2a est formé sous l'électrode de porte 7 du convolutionneur et est en méan- dre le long de la même direction que la direction de par- cours des ondes de surfaces. Les intervalles de déchique- tage 2a ne doivent pas nécessairement être constants sur l'élément. Cependant, on les établit à lavaleur suivante rela- tivement la longue d'onde. A d'une onde de surface sur le convolutionneur. m. A 2 2 (m= 0, 1, 2, 3.............) o P est l'intervalle de déchiquetage. L'expres- sion (1) est une condition pour empêcher q'une onde de sur- face sur l'élément soit réflechie intensivement par le déchiquetage. Divers matériaux peuvent être utilisés pour le film piézo-électrique 1, l'isolant 2 et le semi-conducteur utilisé dans l'invention 3, comme dans l'agencement de l'art antérieur. Par exemple, on peut utiliser pour le film piézo-électrique 1, ZnO, AlN, etc...., pour l'isolant, Sio2, SiNx etc.... et pour le semi-conducteur, Si, GaAs, etc. Le substrat semi-conducteur 3 peut être un subs- trat épitaxié (substrat n/n+ ou substrat p/p+) qui est formé par la croissance epitaxiée d'un semi-conducteur à faible concentration sur un semi-conducteur à forte con- centration comme le montre la figure 2. La perte de propa- gation des ondes de surfaces traversant le convolutionneur est plus faible dans l'utilisation du substrat épitaxié montré à la figure 2 que dans l'utilisation d'un substrat en masse, et par suite, l'efficacité de convolution est plus importante lorsque l'on utilise le substrat epitaxié. Par conséquent, l'utilisation du substrat epitaxié tel que montré sur la figure est plus avantageuse dans la prati- que. La configuration de l'état déchiqueté 2a peut être prise parmi les diverses configurations montrées aux figures 3A, 3B et 3C. Dans la plupart des procédés normaux de fabrication, on obtient plus facilement la con'- figuration telle que montrée à la figure 3C que les con- figurations enligne droite montrée.s aux figures 3A et 3B. Il faut noter que toute configuration autre que celle montrée à la figure 3, qui définit une interface déchi- quetée ou en méandre entre l'isolant et le semi-conduc- -teur, peut être employée pour le schéma déchiqueté 2a, par exemple en meurtrière, en dents de scie ou.en ondes. Le mode de réalisation ci-dessus décrit fonctionne comme décrit ci-dessous. La première explication est dirigée vers la rai- son pour laquelle l'interface entre l'isolant et le semi- conducteur est en configuration déchiquetée ou en méandre. Comme on l'a décrit ci-dessus, la plage de pola- risation opérative de l'agencement de l'art antérieur de la figure 13 correspond à une condition d'appauvrisse- ment. ou condition faible inversée de la surface du semi- conducteur. Dans cet agencement de l'art antérieur, lors- qu'une polarisation pour changer la surface du semi-con- -ducteur en une condition inversée est appliquée, une cou- che de charges uniforme inversée est produite le long de la surface du semi-conducteur 3 comme le montre la figure 4A, et un courant s'écoule dans la couche inversée du fait i5 d'un potentiel d'une ondede surface. Parsuite, une perte se produit dans la couche inversée, provoquée par la cha- leur de Joule, et la perte de propagation de l'onde de surface augmente fortement. Par conséquent, dans 17'agence- ment de l'art antérieur de la figure 13, l'efficacité de convolution est significativement diminuée dans la condi- tion inversée. Il faut noter que la figure 4 montre un exemple dans le cas d'un semi-conducteur du type n. Par ailleurs, dans la configuration déchiquetée telle qu'utilisée dans le mode de réalisation ci-dessus, il faut reconnaître que la distribution des charges in- versées dans la condition inversée n'est pas une distri- bution régulière le long de la surface du semi-conducteur mais se présente comme si les charges étaient emprisoniées dans des portions choisies o l'isolant est mince ou déca- * lé comme le montre la figure 4B. Comme exemple particulier la figure 5 montre différentes formes de distribution dei charges inversées d'un convolutionneur à ondes acousti- ques de surface d'une structure Al/SiO2/n-Si que l'on a obtenues parsuite d'une simulation. Chacune des figures 5B et 5C montre une portion d'une période lorsque l'on sup pose que la structure déchiquetée est périodique et que l'on suppose quela densité des donneurs de n-Si est de 14 -3 2x1014cm 3 Comme on peut le comprendre en comparant la figure 5A de l'art antérieur et les figures 5B et 5C ayant des structures déchiquetées, les charges inversées (porteurs minoritaires) dans chaque structure déchiquetée sont distribuées comme si elles étaient emprisonnées dans des portions choisies o l'isolant 2 (SiO2) est décalé et mince. En particulier, lorsque l'intervalle déchiqueté P est petit comme le montre la figure 5C, l'effet d'emprison- nement est grand c'est-à-dire que les charges sont profon- dément sollicitées vers le côté inversé. De même, à une température supérieure, la couche inversée est principale- ment formée dans les portions o l'isolant 2 est décalée et mince.-Bien qu'un convolutionneur pratique compren- ne un film piézo-électrique i entre l'isolant (tel que SiO2) et le métal (tel que Al) de la figure 5, l'effet d'emprisonnement est sensiblement égal à la figure 4. Lorsque les charges inversées sont emprisonnées comme décrit ci-dessus, il leur est difficile de se dépla- cer par rapport au potentiel de surface et, par suite, la chaleur de Joule produite dans la couche de charges inver- sées est diminuée en comparaison de l'agencement de l'art antérieur. La figure 6 montre le résultat de la comparai- son entre la perte (Sp) dans une structure déchiquetée et la perte (Su) dans l'agencement de l'art antérieur, les deux produites dans des couches respectives de charges inversées. Plus particulièrement, la figure 6 montre la relation entre l'intervalle déchiqueté P et le rapport des pertes Sp/Su dans un exemple o la longueur a de chaque région o sont emprisonnées les charges inversées est a = 0, les charges inversées sont des trous positifs, le semi-conducteur est Si, la fréquence de l'onde de surface est de 215MHz, et la longueur d'onde est de 24 ym. Comme le montre la figure 6, la perte Sp dans la structure déchi- quetée est plus faible que la perte Su dans l'agencement de l'art antérieur et Sp/Su est diminué tandis que l'inter- valle déchiqueté P diminue. Cela indique que la perte produite dans la couche inversée peut être diminuée en diminuani l'intervalle déchiqueté P. La figure 7 montre la relation entre la tension de polarisation et l'efficacité de convolution F dans une T structure de ZnO/Si02/n-Si qui est le résultat de la si- mulation pour obtenir la caractéristique de polarisation de l'efficacité de convolution. FT d'un convolutionneur, en considérant une tellediminution de la perte. Sur le même dessin, est également montrée, pour la comparaison, la caractéristique C-V (caractéristique capacité-tension) de l'électrodedeporte dans l'agencement de l'art antérieur. Dans cet exemple, la densité des donneurs de Si est de 14 -3 2x1014cm 3 et la longueur de l'électrode de porte est de 40 mm. Par ailleurs, l'onde de surface est une onde Sezawa et sa fréquence est de 215 MHz. L'efficacité de convolution FTest définie par l'expression suivante: F =P sor - P - P2.. (2) T I 2' dans laquelle P1 et P2 sont la puissance d'en- trée vers deux électrodes en peigne et Psor est la puis- sance de sortie de l'électrode de porte. Toutes les quan- tités sont montrées en dBm. Sur la figure 7, Q indique la caractéristique de l'agencement de l'art antérieur, O indique la caractéristique d'une structure déchi- quetée dans laquelle a = 1 Pm et p = 2 ym, et G indique la caractéristique d'une structure déchiquetée dans la- quelle a = 0,5 pm et p = 1 >m. Il est évident, sur la figure 7, que chaque structure déchiquetée selon l'inven- tion a une haute efficacité de convolution, même sous une tension de polarisation VB qui est profonde dans le côté inversé, en comparaison avec l'agencement de l'art anté- rieur, et qu'une valeur élevée de FT est maintenue sous une polarisation plus profonde tandis que l'intervalle déchiqueté diminue. Par conséquent, l'interface déchiqueté de l'invention entre l'isolant et le semi-conducteur per- met d'agrandir significativement la plage de polarisation opérative en comparaison avec l'agencement de l'art anté- rieur. Lorsque la plage de polarisation s'étend, l'adjuste- ment de la polarisation est facile même quand le disposi- tif fonctionne dans une large plage de température et l'ajustement strict de polarisation requis dans l'agence- ment de l'art antérieur n'est plus nécessaire. Par ailleurs, la nature selon laquelle la plage de polarisation opérative est large donne un avantage par le fait que la sortie en convolution n'est pas fortement changée lors de changements de circonstances autres que la température, changements de l'élément avec le temps, changements de la sortie du circuit externe de polarisation etc.... Par conséquent, les structures déchiquetées non seulement facilitent les processus d'adjustement de la polarisation mais contribuent également à la stabilisation de la sortie de convolution. Comme on l'a décrit ci-dessus, divers matériaux peuvent être choisis pour le film piézo-électrique, l'iso- lant et le semi-conducteur utilisés dans le mode de réa- lisation ci-dessus. Cependant, afin d'augmenter le coeffi- cient de couplage électromécanique d'une onde de surface se déplaçant à travers le convolutionneur et d'augmenter l'efficacité de convolution en consequence, on préfère un agencement de ZnO/SiO2/n-Si o le mode de propagation de l'onde de surface est l'onde Sezawa.- Dans ce cas, la sur- face (110) de Si avec la direction de propagation [100] de l'onde accoustique de surface est assez avantageuse par- ce que cela augmente particulièrement le coefficient de couplage électromécanique. La surface (100) de Si avec la direction de propagation t110 d'une onde de surface établit également un coefficient assez grand de couplage électromécanique, et c'est par conséquent une condition avantageuse après cette condition. La figure 8 montre un convolutionneur à ondes acoustiques de surface en tant que mode de réalisation 2629Z35 correspondant à la seconde invention o l'agencement du côté semi-conducteur se compose d'un agencement semi- conducteur du type p/semi-conducteur du type n/semi- conducteur du type n ou se compose d'un agencement semi-conducteur du type n/semi-conducteur du type p/semi- conducteur du type p comme dans l'agencement de l'art antérieur de la figure 14. Cependant, dans le mode de réalisation de la figure 8, contrairement à l'agencement de l'art antérieur, l'épaisseur de l'isolant 2 varie pour configurer l'interface entre l'isolant et le semi-conduc- -teur sous la forme d'un déchiquetage 2b et la couche de semi-conducteur la plus haute 4 est prévue le long du déchiquetage 2b. Le déchiquetage est formé sous l'élec- trode de porte 7 du convolutionneur afin d'être en méandre le long de la même direction que la direction de déplace- ment de l'onde de surface. L'intervalle déchiqueté ne doit pas nécessairement être constant sur l'élément mais il est établi à une valeur montrée à l'expression(1)par rappoort à la longueur d'onde. d'une onde de surface sur le convolutionneur. Chacun du film piézo-électrique, de l'isolant et du semi-conducteur dans le mode de réalisation ci- dessus indiqué peut être fait de 'l'un des divers matériaux de l'agencement de l'art antérieur de la figure 14. La configuration déchiquetée peut être choisie parmi diverses configurations comme le montrent les figu- res 12A,'B et C. Le mode de réalisation ci-dessus indiqué fonc- tionne comme on le décrira ci-dessous. Comme on l'a décrit ci-dessus, la plage de polarisation opé rative de l'agencement de l'art antérieur (figure 14) correspond à unE condition d'appauvrissement ou une condition faible in- versée de la surface du semi-conducteur. Là, l'inversion indique une inversion par rapport à la couche 5 du semi- conducteur de la figure 14 mais non pas à une inversion par rapport à la couche 4 de semi-conducteur qui est la 2629Z35 plus haute. Par exemple, dans le cas o le semi-conducteur est d'une structure p/n/n, la production d'une couche de charges de trous positifs le long de la surface du semi-con- -ducteur est appelée "inversion" (dans ce cas, c'est une inversion pour la couchen mais non pas pour la couche p la plus haute). Cette situation s'applique également à ' l'explication de l'agencement de l'invention sur la figu- re 8. Lorsqu'une polarisation pour changer la surface du semi-conducteur en une condition inversée est appliquée dans l'agencement de l'art antérieur, il se produit une couche uniforme de charges inversées le long de la surface du semi-conducteur comme le montre la figure 9A. Comme on l'a décrit ci-dessus, dans ce cas, il se produit,dans la couche inversée, une perte provoquée par la chaleur de Joule, et cela a pour résultat une augmentation de la per- te de propagation de l'onde de surface et une diminution de l'efficacité de convolution. Le semi-conducteur-utilisé + à la figure 9 a la structure p/n/n+. Par ailleurs, dans la configuration déchiquetée utilisée dans le mode de réalisation ci-dessus, on recon- naît que la distribution des charges inversées dans la condition inversée n'est pas une distribution régulière le long de la surface du semiconducteur mais se présente comme si les charges étaient emprisonnées dans des por- tions choisies o l'isolant est -décalé et mince comme le montre la figure 9B. Comme exemples particuliers, la figure 10 montre différentes formes de distribution de charges inversées dans un con- volutionneur à ondes acoustiques de surface de la struc- ture Al/SiO2/p-Si/n-Si que l'on a obtenues par suite d'une simulation. Les figures lOB et 10C montrent chacune une portion d'une période en supposant que la structure déchi- quetée est périodique, et le chiffre 14 désigne une extré- mité d'appauvrissement. Dans ce cas, on suppose que la densité des donneurs de n-Si est de 2x1014cm3. Par ail- leurs, l'épaisseur de la couchedep-Si est de 0,2 1m, et la densité des accepteurs est une valeur qui change toute la couche p en une condition d'appauvrissement sous une polarisation zéro. Comme on peut le comprendre en compa-- rant la figure 10A de l'art antérieur et les figures lOB et O10C des structures déchiquetées, les charges inversées (trous positifs) dans chaque structure déchiquetée sont distribuées comme si elles étaient emprisonnées dans des portions choisies o l'isolant (Si02) est décalé et mince. En particulier, lorsque l'intervalle déchiqueté P est pe- tit comme le montre la figure 10C, l'effet d'emprisonne- ment est grand et même quand les charges sont profondé- ment sollicitées vers le côté inversé, la couche inversée est principalement formée dans les portions o l'isolant est mince. Bien qu'un convolutionneur pratique comprenne un film piézo-électrique. entre l'isolant(SiO) et le métal (Al) de la figure 10, l'effet d'emprisonnement est sensible- ment égal à celui de la figure 10. Lorsque des charges inversées sont emprisonnées comme on l'a décrit cidessus, il est difficile à ces charges inversées de se déplacer par rapport au potentiel de surface et par suite, la chaleur de Joule produite dans la couche de charges inversées 13 est diminuée en compa- raison avec l'agencement de l'art antérieur. La figure 11 montre les caractéristiques de pola- risation en fonction de l'efficacité de convolution FT du convolutionneur que l'on obtient par suite d'une simulation. Sur la figure 11, la courbe C-V (courbe capa- cité-tension) de l'électrode de porte 7 est également mon- trée pour la comparaison. la figure 11 montre un exemple de la caractéristique de polarisation d'un convolution- neur ayant l'agencement ZnO/SiO2/p-Si/n±Si. Dans cet exemple, la densité des donneurs de la couche den-Si est de 2xlO14cm3, et le produit dela densité des accepteurs et de l'épaisseur de la couche de p-Si (que l'on appellera ci-après "quantité de dose") est différent pour et(msur la figure 11. Sur ce même dessin, indique leschange- mentsde l'efficacité de convolution FT dans l'agencement T 10 -2 de l'art antérieur (quantité de dose: 3xlO0cm) et Q indique les mêmes changements dans une structure déchiquetée (a = 0,5 ym, p = 1 ym et quantité de dose-= il-2y 1x10 cm 2) Par ailleurs, l'onde de surface est une onde de Sezawa, la fréquence est de 215 MHz, et la longueur de la porte est de 40 mm. L'efficacité de convolution FTest définie par l'expression ( 2). Il est évident, sur la figure 11, que la struc- ture déchiquetée du second mode de réalisation de la pré- sente invention permet non seulement d'activiter le dis- positif sous une polarisation zéro comme dans l'agencement de l'art antérieur mais augmente également la plage de po- larisation opérative au-delà de l'agencement de l'art an- térieur. Cela est dû au fait que, contrairement à l'agen- cement de l'art antérieur, la perte dans la couche inver- sée, si elle se forme le long de la surface du semi-conduc- -teur, est faible, et une valeur élevée de FT est mainte- nue même sous une polarisation qui est profonde dans le coté inversé. Le fait que la plage de polarisation opéra- tive soit large indique qu'il est facile d'établir la con- dition d'un fonctionnement à polarisation zéro de l'élé- ment. Plus particulièrement, afin de faire fonctionner l'agencement de l'art antérieur de la figure 14 à une pola- risation zéro, la densité des impuretés et l'épaisseur de la couche la plus haute 4 du semi-conducteur doivent être établies à des valeurs qui changent toute la couche 4 la plus haute pour une condition d'appauvrissement sous une polarisation zéro. Au contraire, dans le second mode de réalisation de la figure 8, une condition pour inverser des portions o l'isolant est décalé et mince comme le montre la figure 9B est également acceptable en tant que condition pour effectuer un 'fonctionnement en polarisation zéro au lieu d'une condition pour changer la couche la plus haute 4 du semi-conducteur en une condition d'appauvrisse- ment. Cela est dû au fait que la plage de polarisation opérative est étendue jusqu'à une polarisation qui est profonde du côté inversé dans la structure déchiquetée comme on l'a décrit ci-dessus. Un tel relâchement de la condition indique que la condition stricte requise dans l'art antérieur pour obtenir un élément opératif en pola- risation zéro dans une large plage de température n'est pas nécessaire, et cela conduit à un relâchement de la condition de fabrication et à une amélioration du rende- ment de fabrication. Il faut noter que l'extension de la plage de polarisation opérative dans la structure déchi- quetée se produit dans le côté inversé et non pas dans le côté d'accumulation. Par conséquent, afin d'effectuer une opération en polarisation zéro, l'existence de la cou- che la plus haute 4 du semi-conducteur est indispensable comme dans l'agencement de l'art antérieur. Les figures 15 et 16 montrent un mode de réali- sation correspondant à la troisième invention. Sur le dessin, les mêmes chiffres de références que ceux utilisés à la figure 23 indiquent des éléments identiques ou équi- valents à ceux de la figure 23 et le chiffre 24 indique une résistance. Une autre différence entre le convolutionneur à ondes acoustiques de surface de l'invention et l'agence- ment de l'art antérieur des figures 23 et 24, outre celles indiquées ci-dessus, estque,dans l'invention, les électro- des respectives d'une série d'électrodes de commande 22 sont connectées par la résistance 24 et sont connectées à une source de polarisation 23 via la résistance 24. L'élec- trode de commande dans la présente invention peut être un semi-conducteur très concentré d'un type de conduction différent du type de conduction du substrat semi-conducteur 3 ( semi-conducteur du type p+ quand le substrat semi-conducteur est dl + type n, et semi-conducteur du type n quand le substrat semi-conducteur est du type p) comme dans l'agencement de l'art antérieur (figure 23) c peut être faite en métal. Quand du métal est utilisé pour l'électrode de commande, la con- nexion par la résistance 24 est indispensable comme dans la présente invention. la raison en sera expliquée dans la description ultérieure concernant le fonctionnement. Il faut noter que la jonction entre l'électrode de commande et le substrat semi-conducteur est une jonction p/n lors- que l'on utilise un semiconducteur très concentré comme électrode de commande tandis que c'est une jonction de Schottky lorsque l'on utilise du métal pour l'électrode de commande. Divers matériaux peuvent être utilisés pour le film piézo-électrique, l'isolant, le semi-conducteur, les électrodes de commande et la résistance de la présente invention. Par exemple, on peut utiliser ZnO ou AlN pour le film piézo-électrique,.SiO2 ou SiNx pour l'isolant, et Si ou GaAs pour le semi-conducteur. Par ailleurs, dans le cas o l'électrode de commande est en métal, on peut utiliser Al, Al/Ti, Au, etc... et la résistance peut être formée en étalant des impuretés dans le substrat semi-conducteur ou en acccumulant une couche mince de Si amorphe. Le substrat semi-conducteur peut être un substrat epitaxié produit par croissance épitaxiée d'un semi- conducteur faiblement concentré 25 sur un substrat semi- conducteur fortement concentré 26 comme le montre la figu- re 17 (substrat n/n ou substrat p/p). La perte de pro- pagation d'une onde de surface se déplaçant dans le con- volutionneur est plus faible dans l'utilisation du subs- trat épitaxié de la figure 17 que dans l'utilisation d'un substrat en masse et par suite, l'efficacité de convolu- tion est plus grande lorsque l'on utilise le substrat épitaxié. Par conséquent, l'utilisation du substrat épi- taxié est plus avantageuse dans la pratique. La surface du substrat semi-conducteur en des portions n'ayant pas le film piézo-électrique 1 peut être induite par l'isolant 2 comme le montre la figure 18. On peut utiliser un agencement selon la figure 19 au lieu de l'agencement de la figure 17 pour appliquer une tension de polarisation Vb à la séri-e 22 d'électrodes de commande. L'agencement de la figure 19 est une modification dans laquelle la tension de polarisation Vb de la source de polarisation 23 est appliquée aux extrémités opposées de la série 22 d'électrodes de commande via la résistance 24. Le mode de réalisation ci-dessus décrit fonction- ne comme suit. Ce convolutionneur est un perfectionnement de l'agencement de l'art antérieur de la figure 13 qui a été amélioré pour établir une réponse immédiate à la pola- risation de commande et également une haute efficacité de convolution. Dans le convolutionneur à ondes coustiques de surface selon l'invention qui est montré aux figures 17 et 18, la source de polarisation de commande 23 applique une tension de polarisation Vb à la série d'électrodes de commande 22 pour commander la condition de surface du semi-conducteur 3 directement et non via le film piézo- électrique 1. Par conséquent, tout en conservant la nature de la réponse immédiate à l'application de la tension de polarisation de commande comme dans l'agencement de l'art antérieur, la caractéristique du dispositif se stabilise en un court temps. Par ailleurs, l'établissement d'une efficacité supérieure de convolution dans le convolutionneur ci- dessus par rapport à l'agencement de l'art antérieur, est le résultat de deux perfectionnements: l'utilisa- tion de la configuration déchiquetée de l'isolant 2 et la connexion de la série d'électrodes de commande 22 via la résistance 24. Les passages qui suivent expliqueront la façon dont ces améliorations servent à augmenter l'ef- ficacité de convolution. Dans les agencements de l'art antérieur et selon l'invention ayant une série d'électrodes de commande, la résistance rb de l'élément conducteur connectant les élec- trodes, la résistance rc provoquée par le porteur de sur- face du semi-conducteur et la résistance ra des électro- a des elles mêmes sont présentes entre des électrodes adja- centes comme le montre la figure 20A et les électrodes adjacentes dans leur ensemble et peuvent être considérées comme étant liées par une résistance de couplage R comme s le montre la figure 20B. Sur la figure 20, 27 indique un porteur de surface, 28 une résistance de couplage, (a) est un circuit équivalent indiqué par les éléments respec- tifs et (b) est un circuit équivalent indiqué par la ré- sistance de couplage. Là: rc (ra + rb) R...c...a... (3) s r +r b+ +r ar c En étudiant l'influence de la résistance de couplage Rs, il faut reconnaître que Rs a une grande in- fluence sur l'efficacité de convolution FT. La figure 21 montre la relation entre Rset FT. C'est un exemple de la caractéristique d'un convolutionneur ayant la structure ZnO/SiO2/n-Si. Dans cet exemple, la densité des donneurs de Si est de 2x10 14cm -3, la longueur de la porte est de 40 mm, la largeur de l'électrode de commande est de 2,5 Pm et la période ou intervalle de l'électrode de commande est de 5 pm. Par ailleurs, l'onde de surface est l'onde de Sezawa, et la fréquence est de 215 MHz. Il faut noter que FT est définie par l'équation suivante: T FT Psor - P1 - P2.........(4) dans laquelle P1 et P2 indiquent la puissance d'entrée vers deux électrodes en peigne et Psor est la puissance de sortie d'e l'électrode de porte. Toutes les quantités sont montrées en dBm. Il est évident de la figure 21. que FT est au minimum quand R est de plusieurs kA,environ. Par ail- S leurs, il faut reconnaître qu'afin d'obtenir une haute valeur de FT,audelà de -50dBm sous une porte de 40 mm, il faut une grande résistance audelà de 100k4L en tant que.résistance de couplage.Rs. Par conséquent, afin d'aug- menter l'efficacité de convolution FT, il est préferable d'utiliser un agencement o R est aussi grande que possi- s ble. L'invention emploie la configuration déchiquetée de l'isolant et relie les électrodes de commande par la résis- tance. uniquement pour augmenter Rs autant que possible. L'un des facteurs donnant une grande influence à Rs est la résistance rc due aux porteurs de surface du semi-conducteur comme le montrent la figure 20 et l'expres- sion (3). Afin d'augmenter rc autant que possible, il est nécessaire de changer la surface du semi-conducteur en une i5 condition d'appauvrissement et d'empêcher la production d'une couche inversée provoquée par les porteurs minori- taires. Dans le mode de réalisation ci-dessus, on emploie la configuration déchiquetée de l'isolant 2 et la'série d'électrodes de commande 22 est localisée en des portions o l'isolant est mince (ou en des portions o l'isolant est décalé vers le film piézo-électrique en regardant du côté semi-conducteur) parce que l'agencement est avan- * tageux pour l'élimination des porteurs minoritaires de la surface du semi-conducteur. La figure 22 montre le résul- tat de la comparaison entre la distribution d'une couche inversée due aux porteurs minoritaires dans l'agencement (A) de l'art antérieur et celle de la structure déchique- tée de l'invention (B), les deux 'obtenues par simulation. Sur la figure 22, le chiffre de référence 29 désigne une couche inversée et 30 une couche d'appauvrissement. La figure 22 montre un exemple o l'électrode de commande en p -Si (densité d'accepteurs de 1018cm 3et épaisseur de 0,4 ym) est prévue sur un substrat en Si d'une densité 14 -3 de donneurs de 2xlO14cm 3 Il est évident sur la figure 22 qu'aucune couche inversée n'est produite entre les élec- trodes de la structure déchiquetée même dans le cas o une couche inversée-est formée entre les électrodes de commande dans l'agencement de l'art antérieur. Si une couche inversée est formée entre les électrodes, r bais- c se facilement en dessous de plusieurs kSA et Rs baisse également en dessous de plusieurs kiL comme cela est évident par l'expression (3). Cela a pour résultat une grande diminution de l'efficacité de convolution FT comme le montre la figure 21. Par conséquent, l'utilisation de la structure déchiquetée de l'invention est plus avanta- geuse pour l'élimination des porteurs minoritaires que l'utilisation de l'agencement de l'art antérieur et l'in- vention permet par conséquent d'augmenter l'efficacité FT par rapport à l'agencement de l'art antérieur. T C'est pour les raisons ci-dessus que l'invention emploie la structure déchiquetée de l'isolant. Bien que la figure 22 montre un exemple sous la forme d'une jonction p/n, une jonction de Schottky utilisant un métal comme élec- trode de commande est identique qualitativement. Dans ce cas également, la structure déchiquetée de l'invention peut augmenter l'efficacité 'FT plus que l'agencement de l'art antérieur. D'autres facteurs qui affectent R sont r et r s a b sur la figure 20et dans l'expression (3). La résistance r a de l'électrode de commande elle même dépend de ce que l'on choisit comme matériau pour l'électrode. Lorsqu'un semi-conducteur très concentré est choisi pour l'électro- de de commande, il est possible d'augmenter raà 100 ki_ ou plus en choisissant une densité appropriée des impure- tés et une épaisseur appropriée de l'électrode de commande. Par suite, R peut être accrue à une valeur suffisamment s importante comme cela est mis en évidence par l'équation (3). Cependant, lorsque l'on choisit Al ou un autre métal pour l'électrode de commande, r diminue à plusieurs l_ a moins et Rs ne peut être accrue suffisamment à moins que la valeur de rb du conducteur ne soit accrue, comme cela est mis en évidence par l'expression (3). Afin d'augmenter rb, il faut utiliser une résistance au lieu du conducteur. Par conséquent, en particulier lorsque l'on utilise du métal pour l'électrode de commande, il est indispensable de connecter les électrodes respectives par la résistance 24. Ce sont des raisons majeures pour lesquelles,dans le mode de réalisation ci-dessus, on relie les électrodes 22 par la résistance 24. Si un semi-conducteur très concen- tré est employé pour l'électrode de commande 22 et que la résistance de l'électrode elle-même est accrue suffisam- ment, les électrodes respectives peuvent être connectées par un conducteur de faible résistance comme du métal, sans utiliser une résistance. Cependant, afin d'augmenter la résistance de l'électrode de commande, il est nécessai- re de diminuer un peu la densité des impuretés ou de dimi- nuer l'épaisseur de l'électrode et cela diminue souvent le rendement de fabrication. Dans ce cas, cependant, même lorsqu'on choisit un semiconducteur très concentré pour l'électrode de commande 22, la connexion entre les élec- trodes respectives par la résistance permet d'augmenter R en conséquence, et la condition de fabrication du semi- s conducteur très concentré peut être relâchée. Par consé- quent, dans le mode de réalisation ci-dessus, la connexion des électrodes de commande 22 par la résistance 24 est indispensable non seulement lorsque le métal est choisi pour les électrodes de commande mais également lorsque l'on choisit un semi-conducteur très concentré. Comme on l'a décrit ci-dessus, divers matériaux peuvent être choisis pour le film piézo-électrique, l'iso- lant et le semi-conducteur utilisés dans le mode de réali- sation ci-dessus. Cependant, afin d'augmenter le coeffi- cient électromécanique d'une onde de surface traversant le convolutionneur, il est préferable d'utiliser un agen- cement de ZnO/SiO2/Si et d'employer une onde de Sezawa en tant que mode de propagation de l'onde de surface. Dans ce cas, la surface (110) de Si avec la direction L10| de propagation d'une onde de surface est assez avanta- geuse parce que cela permet d'augmenter en particulier le coefficient électromécanique. De plus, la surface (100) de Si avec la direction [110] de propagation d'une onde de surface établit un coefficient de couplage électro- mécanique assez important et c'est par conséquent une con- dition avantageuse en plus de la condition ci-dessus. L'invention peut être utilisée dans tous les dis- positifs utilisant les convolutionneurs à onde acoustique de surface. Plus particulièrement, on peut l'utiliser dans les corrélateurs, transmetteurs, SSC, radars, proces- seurs d'images, transformateurs de Fourier etc... Comme on l'a décrit ci-dessus, selon le premier mode de réalisation de l'invention, il est possible d'a- grandir significativement.la plage de polarisation opéra- tive en comparaison avec l'agencement de l'art antérieur. Une extension de la plage de polarisation opérative faci- lite l'ajustement de la polarisation même lorsque le dis- positif fonctionne sur une large plage de température, et l'ajustement strict de la polarisation requis d'un agence- ment de l'art antérieur n'est plus nécessaire. Par ail- leurs, une telle large plage de polarisation opérative diminue leschangementsde la sortie de convolution dus aux changements des circonstances autres que la température, changements de l'élément avec le temps, changements la sortie du circuit externe de polarisation etc... Selon le second mode de réalisation, comme un convolutionneur fonctionne à une polarisation zéro et a une large plage de polarisation opérative, aucune source externe de polarisation n'est requise et le rendement de fabrication est amélioré. Selon le troisième mode de réalisation, comme un convolutionneur répond immédiatement à une polarisation et a une excellente efficacité, il est possible de produire un système utilisant le convolutionneur qui ne nécessite aucun temps d'échauffement et dont la consommation d'éner- gie est diminuée. R E V E N DI C A T I 0 N S 1. Convolutionneur à ondes acoustiques de surface caractérisé en ce qu'il comprend:. - une structure multicouche consistant-en une couche piézo-électrique (1), une couche d'isolement (2) et une couche de semi-conducteur (3); - au moins une électrode en peigne (9), et une élec- trode de porte (7),toutes deux prévues sur ladite couche piézo-électrique; et - une interface formée entre ladite couche d'iso- lement et ladite couche de semi-conducteur sous la forme d'un déchiquetage (2a). 2. Convolutionneur à ondes acoustiques de sur- face caractérisé en ce qu'il comprend: - une structure multicouche consistant en une couche piézo-électrique (1), une couche isolante (2), une couche de semi-conducteur (4) d'un premier type de con- duction et une couche de semi-conducteur d'un second type de conduction (5); - au moins une électrode en peigne (9) et une élec- trode de porte (7)toutes deux prévues sur ladite couche piézo-électrique; et - une interface formée entre ladite couche d'iso- lement et ladite couche de semi-conducteur du premier type de donduction sous la forme d'un déchiquetage (2a). 3. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le déchique- tage (2a) est formé sous l'électrode de porte (7) et est périodiquement en méandre dans la direction de propagation de l'onde. 4. Convoultionneur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la période P du déchiquetage (2a) a la relation suivante avec la longueur de l'onde X d'une onde de surface: m.-- 2 2 o m indique un nombre entier positif y compris 0. 5. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le déchi- quetage (2a) a la forme de meurtrières. 6. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendication 1 à 4, caractérisé en ce que le déchiquetage (2a) a la forme de dents de scie. 7. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le déchiquetage (2a) a la forme d'ondes. 8. Convolutionneur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le premier type de conduction est le type p et le second type de conduction est le type n. 9. Convolutionneur selon la revendication.2, caractérisé en ce que le premier type de conduction est le type n et le second type de conduction est le type p. 10. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le semi-conducteur est Si et l'on utilise comme ondes de surface une onde de Sezawa. 11. Convolutionneur selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'orientation de surface de Si est (110) et la direction de propagation est El00. 12. Convolutionneur selon la revendication 10,, caractérisé en ce que l'orientation de surface de Si est(100) et la direction de propagation est 110. 13. Convolutionneur à ondes acoustiques de stsrface caractérisé en ce qu'il comprend: - une structure multicouche consistant en une couche piézo-électrique (1), une couche isolante (2), et une couche de semiconducteur (3); - au moins une électrode en forme de peigne (9) et une électrode de porte (7) toutes deux prévues sur la couche piézo-électrique; - une interface formée entre la couche isolante (1) et la couche semiconducteur sous la forme d'un déchi- quetage (2a): et - une série d'électrodes de commande (22) consis- tant en électrodes formées le long de l'interface dans des portions o l'isolement est décalé et mince. 14. Convolutionneur selon la revendication 13, caractérisé en ce que les électrodes de la série d'élec- trodes de commande (22) sont faites en un semi-conducteur très concentré du même matériau et d'un type différent de conduction que la couche de semi-conducteur. 15. Convolutionneur selon la revendication 13, caractérisé en ce que les électrodes de la série d'élec- trodes de commande (22) sont-faites en métal pour former une jonction de Schottky entre la couche de semi- conducteur et elles-même. 16. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendications 14 ou 15 caractérisé en ce que des élec- trodes respectives de la série (22) sont connectées par une résistance (24) à la couche du semi-conducteur. 17. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendications 13 à 16 caractérisé en ce que la couche de semi-conducteur a la forme d'un agencement semi-conduc- -teur type n/semi-conducteur type n ou a la forme d'yn + agencement semiconducteur type p/semi-conducteur type p. 18. Convolutionneur selon la revendication 17, caractérisé en ce que le semi-conducteur est fait de Si. 19. Convolutionneur selon la revendication 17, caractérisé en ce que le semi-conducteur est fait de GaAs. 20. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendications 18 ou 19, carâctérisé en ce que l'isole- ment est fait de SiO2. 3.2 21. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendications 18 ou 19 caractérisé en ce que l'isolement est fait de SiNx. 22. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendications 20 ou 21, caractérisé en ce que la couche piézo-électrique (1) est faite de ZnO. 23. Convolutionneur selon l'une quelconque des revendications 20 ou 21, caractérisé en ce que la couche piézo-électrique (1) est faite de AlN. 24. Convolutionneur selon la revendication 22, caractérisé en ce que le semi-conducteur est fait de Si et l'onde de Sezawa est utilisée comme onde de sur- face. 25. Convolutionneur selon la revendication 24, caractérisé en ce que l'orientation de surface de Si est (110) et la direction de propagation est -10I. 26. Convolutionneur selon la revendication 24, caractérisé en ce que l'orientation de surface de Si est (100) et la direction de propagation est Lo10]