FR 2628985 A1 19890929 FR 8803689 A 19880322 RÉPUBLIQUE FRAN AISE N' de publication: 2 628 985 (à n'utiliser que pour lee INSTITUT NATIONAL commandes de reproduction) DE LA PROPRIÉTÉ INDUSTRIELLE N' d'enregistrement national: 88 03689 PARIS Int CI': B 01 J 19/20; H 01 L 21/205. DEMANDE DE BREVET D'INVENTION Ai Date de dépôt: 22 mars 1988. Demandeur(s): LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE ET DE PHYSIQUE APPLIQUEE LE.P., Société Anonyme. - ) Priorité: FR. Inventeur(s): Peter Frijlink. Date de la mise à disposition du public de la demande: BOPI Références à d'autres documents nationaux appa- rentés: (t Titulaire(s) ( Mandataire(s) Jean Caron, Société Civile S.P.I.D. Réacteur d'épitaxie à paroi protégée contre les dépôts. Réacteur d'épitaxie pour traiter des plaquettes 1 de maté-.3 riau semiconducteur en les exposant à un courant gazeux 26 réactif. Une paroi 8 disposée à faible distance de la plaquette ou du groupe de plaquettes qui est exposé au gaz réactif est une paroi double, avec un espace 34 très mince entre les deux 22 20 Il 4 8 9 parois, et cet espace est rempli d'un mélange dont la composi- 20 34,3y#// lion est réglable et dont, par conséquent, la conductibilité f-1 thermique peut être ajustée. tm Le mélange utilisé est un mélange d'hydrogène et d'argon,.. la proportion de chacun dans le mélange étant ajustable. 1 44 17 6 1 3 s 3 4J 4 38 ' 43 _38 r38 La paroi intérieure 8 de la double paroi est une plaque de 39,>32 quartz et la paroi extérieure 9 est en métal. eo N cc N oe LL Vente des fascicules à rl'MPRIMERIE NATIONALE. 27. rue de le Convention -- 75732 PARIS CEDEX 15 OREACTEUR D'EPITAXIE A PAROI PROTEGEE CONTRE LES DEPOTS". L'invention concerne un réacteur d'épitaxie pour traiter une ou plusieurs plaquettes de matériau semi-conduc- teur en les exposant à un courant gazeux réactif, une paroi de l'enceinte du réacteur étant disposée à faible distance de la plaquette ou du groupe de plaquettes qui est exposé au gaz ré- actif. Les parois des réacteurs d'épitaxie ont tendance à être salies par des dépôts provoqués par une réaction entre les produits réactifs employés Une telle salissure, qui est particulièrement gênante à proximité des faces utiles des plaquettes, peut être évitée si les parois sont portées à une température bien déterminée. Un moyen évident pour y arriver serait de prévoir un chauffage régulé des parois. Néanmoins un tel moyen serait complexe et coûteux. L'invention fournit un moyen simple et économique d'obtenir une paroi à la température désirée. L'invention est basée sur l'idée que la paroi, située à proximité des plaquettes portées à haute température, est chauffée par ces dernières, et qu'il suffit donc de régler la fuite thermique vers l'extérieur pour obtenir toute températu- re de paroi désirée, inférieure à la température des plaquet- tes. Pour mettre en oeuvre ce moyen, le réacteur selon l'invention est remarquable en ce que la susdite paroi est une paroi double, avec un espace très mince entre les deux parois, et en ce que cet espace est rempli d'un mélange dont la compo- sition est réglable et dont, par conséquent, la conductibilité thermique peut être ajustée. Dans le cas o les plaquettes sont disposées horizon- talement, le problème des dépôts est particulièrement aigu, car ces dépôts ont tendance à s'écailler sous l'influence des différences de coefficients de dilatation et à laiser tomber des débris sur les plaquettes, chacun de ces débris entrainant la défectuosité d'un des multiples circuits en cours de réali- sation (chaque plaquette est subdivisée en un grand nombre de circuit). Dans ce cas, la paroi double est avantageusement un couvercle globalement plat disposé immédiatement au dessus de la ou des plaquette(s). Le mélange utilisé est avantageusement un mélange de gaz, le mélange préféré étant un mélange d'hydrogène et d'ar- gon, la proportion de chacun dans le mélange étant ajustable. Dans une forme de réalisation avantageuse, la paroi intérieure de la double paroi est une plaque de quartz, qui est bien appropriée pour être en contact avec les gaz réac- tifs, et la paroi extérieure est en métal. Cette paroi exté- rieure est donc bonne conductrice de la chaleur, et ainsi la résistance thermique de l'ensemble dépend surtout des caracté- ristiques du mélange introduit entre les parois. Afin d'obtenir un profil thermique qui fournit des dépôts d'épaisseur constante, l'espace entre les deux parois est divisé en plusieurs parties alimentées en gaz indépendam- ment les unes des autres. La description qui va suivre, en regard des dessins annexés décrivant des exemples non limitatifs fera bien com- prendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 est une demi-vue latérale en coupe (se- lon la ligne AA de la figure 2) d'un réacteur selon l'inven- tion. La figure 2 est une vue de dessus du même réacteur, avec le couvercle enlevé, à une échelle réduite d'environ moi- tié par rapport à celle de la figure 1. Afin de pouvoir réaliser un dessin à plus grande échelle, la figure 1 ne représente qu'un peu plus de la moitié d'un réacteur. Avec l'aide de la figure 2, la partie non re- présentée se déduit aisément à partir des éléments représen- tés. Le support des plaquettes est constitué d'un disque fixe 5 en graphite percé de trous pour amener un gaz qui per- met de soulever légèrement et de mettre en rotation les dis- ques supports de plaquettes. Le disque 5 porte un disque prin- cipal rotatif 4 d'environ 25 cm de diamètre et ce disque porte à son tour plusieurs disques rotatifs secondaires 3 sur chacun desquels est posée une plaquette ou tranche de semiconducteur 1. Un tube 21 d'amenée de gaz de sustentation pénètre dans le disque fixe 5. Ce dispositif est décrit plus en détail dans le document FR-A-2 596070 qui peut être consulté à titre d'exem- ple de réalisation. L'enceinte du réacteur est constituée d'un corps cylindrique 19 d'axe vertical 32 de section circulaire sur le- quel sont appliqués hermétiquement un couvercle 8 et un fond 7. Ce corps est refroidi par un serpentin constitué de tubes 12 qui lui sont soudés et dans lequel circule de l'eau. Le corps est réalisé en acier inoxydable. Le fond du réacteur est constitué par une simple plaque de quartz circulaire 7 dont l'épaisseur est d'environ 4 mu. L'étanchéité est assurée par 2 joints toriques 44 entre lesquels est creusée une gorge-43 dans laquelle on fait le vi- de. Sous le fond 7 sont disposées des lampes infrarou- ges tubulaires 38 munies de réflecteurs 39, fournissant un rayonnement infrarouge qui traverse le fond 7 et chauffe le support de graphite 5. L'utilisation d'une pluralité de lampes permet de moduler leur puissance relative pour obtenir une ré- gularité parfaite du chauffage depuis le centre jusqu'à l'ex- térieur du disque. Le couvercle est constitué d'un disque de quartz 8 (figure 1) dont l'épaisseur est d'environ 4mm, appliqué sur des joints toriques 20 entre lesquels est prévue une gorge 33 comme la gorge 43 à la partie inférieure. La partie centrale du couvercle est relevée en forme d'entonnoir 28. Du gaz réac- tif peut être amené dans cet entonnoir par le tube 38. A l'in- térieur de l'entonnoir 28 sont prévus deux autres volumes 26 et 27 concentriques dont la partie inférieure est en forme d'entonnoir avec la partie-évasée vers le bas. Chacun des vo- lumes 26 et 27 communique avec une source de.gaz réactif par un tube respectivement 36, 37. Le tube intérieur 36 permet d'amener par exemple de l'arsine ou du phosphine prédilué dans l'hydrogène; le second conduit 37 amène par exemple de l'hy- drogène, et le conduit extérieur 38 peut amener un mélange de corps organo-métalliques dilués dans de l'hydrogène. Les gaz réactifs passent dans l'espace 2 entre les plaquettes 1 et le couvercle 8, puis par des fentes 40 ménagées dans une couronne de quartz 17 qui entoure le support 5, puis par un espace an- nulaire entre la couronne 17 et une autre couronne de quartz 18, et sortent enfin par des tubes (29 sur la figure 2). Ces gaz réactifs provoquent un dépôt sur les pla- quettes, ce qui est souhaité, mais aussi sur la paroi interne du couvercle 8. A la longue ces dépôts s'accumulent puis s'é- caillent et des particules tombent sur les plaquettes en cours de traitement, entraînant un grand nombre de défauts à leur surface. En ce qui concerne la partie métallique 19 du corps et le dessous en graphite du support des plaquettes, les dé- pôts, qui d'ailleurs y sont moins gênants que sur le couver- cle, peuvent être évités en empêchant le contact avec les gaz réactifs. A cet effet le corps 19 est doublé par une paroi de quartz 18, et de l'hydrogène est amené dans une gorge cylin- drique 42 et entre dans l'enceinte en passant par l'interstice entre le corps 19 et la paroi 18, créant un contre-flux d'hy- drogène. De même un tube débouchant en 14 vers le dessous du support 5 y pousse un contre flux d'hydrogène qui balaie le dessous du support. Sur la figure 2, qui représente le réacteur couver- cle enlevé on peut voir la disposition des différents tubes traversant le corps 19: le tube 21 d'amenée des gaz de sus- tentation qui débouche dans le bloc de graphite 5,1e tube 31 débouchant en 14 pour débiter du gaz sous l'ensemble support de plaquettes, le tube 30 qui débouche en 13 pour fournir le gaz de sustentation du disque principal 4, le tube 16 creusé dans la partie fixe du support de plaquettes et qui amène le gaz destiné aux disques secondaires, le tube 41 amenant du gaz dans la gorge annulaire 42, et les tubes 29 d'évacuation des gaz réactifs. Le disque principal représenté ici porte cinq disques secondaires 3 de 7,62cm de diamètre. En ce qui concerne le couvercle 8, qui délimite l'espace o se produit l'épitaxie, il n'est pas question, bien évidement, d'en éliminer les gaz réactifs! Il est néanmoins possible d'y éviter les dépôts, car on a remarqué que ces der- niers se produisent à certaines températures et pas à d'au- tres. Pour des températures basses de la surface intérieure du couvercle, il y a par exemple, avec les gaz indiqués plus haut, des dépôts d'arsenic ou de phosphore. Si par contre la température est élevée il y a des dépôts d'arséniure de gal- lium, ou d'autres composés III-V. On a constaté par contre que, pour une température intermédiaire, de l'ordre de 450 , de la surface intérieure, il ne se produit plus que très peu de dépôt, ceci dans le cas des composés III-V. L'ensemble support des plaquettes 5, 4, 3 et les plaquettes 1 elles-mêmes sont chauffés (par les lampes 38) et par conséquent rayonnent de la chaleur; ce rayonnement est suffisant pour porter le couvercle 8, qui est très proche, à haute température, et c'est pourquoi en général des moyens sont prévus pour le refroidir, sans qu'on n'y attache autre- ment d'importance. L'invention, au contraire, se propose de contrôler ce refroidissement et de lui donner une valeur opti- male. Le couvercle 8 (figure 1) est maintenu par une piè- ce métallique 9 qui l'appuie contre le corps 19. Entre la piè- ce métallique 9 et le disque 8 est ménagé un espace 34 que l'on peut, pour régler la température du couvercle, remplir d'un fluide adapté, au moyen de tuyaux 10, 11 et dont l'étan- chéité est réalisée par des joints toriques 22, 23, 24. Une pièce annulaire 25 pouvant coulisser légèrement par rapport à la pièce 9 est prévue pour éviter de briser le couvercle en quartz lors du montage. La pièce métallique 9 est refroidie par des moyens non représentés, qui peuvent être par exemple des tubes d'eau analogues aux tubes 12, ou bien des passages creux ménagés dans la pièce 9 et dans lesquels est prévue une circulation d'eau. Le couvercle est donc constitué d'une paroi interne 8 en quartz, chauffée par le rayonnement des pièces 1, 3, 4, et d'une paroi externe 9 bonne conductrice de la chaleur, et refroidie par circulation d'eau. L'espace 34 qui sépare ces deux parois a une épaisseur d'environ 0,3 à 0,5 mm: il est très mince et de ce fait le transfert de chaleur vers l'exté- rieur au travers de cet espace s'effectue essentiellement par conduction et non par convection et dépend du coefficient de conduction thermique du fluide dont il est rempli. Le fluide utilisé est ici un mélange de gaz. Comme l'argon est environ dix fois moins conducteur que l'hydrogène, un mélange de ces deux gaz peut avoir une conduction thermique variant dans un rapport dix selon la proportion utilisée pour le mélange. Il suffit donc de faire varier le débit relatif d'une source d'argon et d'une source d'hydrogène (non repré- sentées) reliées ensemble aux tubes de remplissage 10, 11 pour obtenir une conduction thermique réglable qui permet d'ajuster aux alentours de 450 la température de la surface intérieure du couvercle. Il faut remarquer que le fluide en question n'est pas un fluide de refroidissement (qui emporte des calories grâce à sa capacité calorifique associée à un débit de fluide) mais constitue seulement une paroi à conductibilité variable. Il est donc inutile de prévoir un débit de ce fluide, sauf pour le remplacer quand on veut faire varier sa composition. A cet effet une sortie de fluide doit être prévue de préférence dans une situation diamétralement opposée à celle des tubes , 11, c'est-à-dire dans le cas de la figure 1, dans la par- tie de droite non représentée. Afin d'améliorer l'homogénéité de l'épaisseur des dépôts, l'espace 34 est divisé en plusieurs parties. Dans le présent exemple, la paroi métallique 9 porte une nervure cir- culaire 35 qui vient toucher le dessus de la paroi de quartz 8 et sépare l'espace 34 en deux parties concentriques, chacune alimentée par un tube distinct 10 ou 11. On peut donc fournir un mélange ayant une conductibilité thermique différente dans chacune de ces parties. Ceci permet de moduler le profil de température le long d'un diamètre de la paroi de quartz 8. En outre, si des gaz qui ont été chauffés à haute température par un contact préalable avec le support 4 remon- tent ensuite vers le couvercle, ils risquent d'y former un dé- pôt. Pour éviter cela, le bord inférieur de la paroi qui sépa- re les entonnoirs d'introduction de gaz 27 et 28 est aplati en forme de couronne 45, de façon à empêcher le flux issu de l'entonnoir 28 d'être amené directement sur le support 4. Cet- te couronne 45 pourrait aussi être réalisée en métal (molybdè- ne) et rapportée sur le cône en quartz. REVENDICATIONS: 1. Réacteur d'épitaxie pour traiter une ou plusieurs plaquettes de matériau semi-conducteur en les exposant à un courant gazeux réactif, une paroi de l'enceinte du réacteur étant disposée à faible distance de la plaquette ou du groupe de plaquettes qui est exposé au gaz réactif, caractérisé en ce que cette paroi est une paroi double, avec un espace très min- ce entre les deux parois, et en ce que cet espace est rempli d'un mélange dont la composition est réglable. 2. Réacteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que, la ou les plaquette(s) étant posée(s) sur un support horizontal, la paroi double est un couvercle globalement plat disposé immédiatement au-dessus de la ou des plaquette(s). 3. Réacteur selon l'une des revendications 1 ou 2, ca- ractérisé en ce que le mélange est un mélange de gaz. 4. Réacteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le mélange est un mélange d'hydrogène et d'argon. 5. Réacteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la paroi intérieure de la double paroi est une plaque de quartz et la paroi extérieure est métallique. 6. Réacteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit espace est divisé en plusieurs parties alimentées en mélange indépendamment les unes des autres. 7. Réacteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit espace est circulaire et est divisé en parties circulaires concentriques. 1/1 36 - 37 1944418V1671 '5 3; 4 43 38 210. 18 7 6C7 r16 153, 4" " 4/1 FIG. 2 -'3 2" :,