FR 2630258 A1 19891020 FR 8805155 A 19880419 DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA DE PLAQUETTES CONDUCTRICES. DESCRIPTION La présente invention se rapporte à un dispositif de traitement par plasma de plaquettes conductrices ou semi-conductrices, destiné notamment à L'oxydation ou la nitruration de plaquettes de siLi- cium, au dépôt de couches isolantes ou semi-conductri- ces par la technique de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PCVD) sur des plaquettes de sili- cium ou de matériaux III-V et à la gravure du type ionique réactive (GIR) de plaquettes semi-conductrices. Ces plaquettes conductrices ou semi-conductrices sont destinées à la fabrication de circuits intégrés. Il est connu du document EP-A-O 039 406 un dispositif d'oxydation d'une plaquette conductrice, comportant un tube étanche de forme allongée, destiné à recevoir la plaquette à oxyder et parcouru par un courant d'oxygène, des moyens de création et d'excita- tion d'un plasma à l'une des extrémités du tube étan- che. La plaquette à traiter est disposée perpendiculai- rement au courant de plasma et proche de la zone de création de celui-ci. Dans- une variante, il est possi- ble de traiter plusieurs plaquettes simultanément, mais ces dernières se trouvent dans un même plan trans- versal du tube. Ce dispositif présente un certain nombre d'inconvénients. En particulier, il ne permet pas de maîtriser la croissance de l'oxyde et par consé- quent, son épaisseur et sa régularité sur toute la surface de la plaquette. En outre, la plaquette à oxyder se trouve près de la zone d'excitation du plas- ma, ce qui entraîne une possibilité de dépôt, sur la plaquette, de particules oxydées provenant du tube lui-même dans la zone d'excitation du plasma et donc une pollution de La plaquette ou la création de défauts par interaction avec les espèces énergétiques issues du plasma. En outre, dans la variante multi-plaquettes, ces dernières sont placées les unes à côté des autres dans un même plan transversal du tube entraînant ainsi un encombrement excessif du dispositif si l'on désire traiter un grand nombre de plaquettes simuLtanément. Il a été proposé dans le document FR-A-2 555 360 un dispositif d'oxydation ou de nitrura- tion de plaquettes de silicium permettant de remédier aux inconvénients ci-dessus. Il est apparu que ce dispositif nécessite l'utilisation d'un nouveau moyen de support des plaquettes permettant leur polarisation et qui soit simple et très efficace, bien qu'étant soumis à l'ambiance très agressive du plasma. Par ailleurs, compte tenu de l'évolution actuelle de la microélectronique et de la polarisation maintenant possible des plaquettes semi-conductrices, on cherche à mettre en oeuvre de plus en plus de réactions chimiques nouvelles en vue du dépôt ou de la gravure de nouveaux matériaux. Aussi, l'invention a justement pour objet un perfectionnement du dispositif de traitement décrit dans ce document français afin de permettre le dépôt ou la gravure d'un grand nombre de matériaux sur des plaquettes semi-conductrices, pas forcément en sili- cium, et de bien maîtriser l'épaisseur du dépôt, de la croissance de la couche ou de gravure. En outre, dans le cas d'un dépôt ou d'une croissance, ceux-ci présentent une très grande homogénéité et une excel- lente qualité. De façon plus précise, l'invention a pour objet un dispositif de traitement par plasma de pla- quettes conductrices comportant: - une enceinte étanche de traitement, - un premier et un second bras porte-plaquet- tes, solidaires l'un de l'autre et destinés à être placés en porte-à-faux dans l'enceinte, ces bras comportant respectivement un premier et un second matériaux conducteurs de l'électricité gainés par respectivement un premier et un second matériaux iso- lants de l'électricité pourvus d'encoches, chaque encoche du premier matériau isolant étant associée à une encoche du second matériau isolant pour former une paire d'encoches destinée à supporter une seule plaquette transversalement aux premier et second bras, l'une au moins des encoches de chaque paire d'encoches étant pratiquée sur toute l'épaisseur du matériau isolant correspondant afin d'assurer une mise en con- tact des plaquettes avec le matériau conducteur d'au moins un bras, - une source d'alimentation électrique pour appliquer une tension de polarisation aux plaquettes, via les premier et second matériaux conducteurs, et, - des moyens pour créer le plasma dans l'en- ceinte. Par plaquettes "conductrices", il faut comprendre des plaquettes conductrices (en métal ou en oxyde conducteur) ou des plaquettes semiconductrices. Le dispositif selon l'invention peut être utilisé pour un grand nombre de dépôts, de croissance ou de gravures par plasma sur des plaquettes en silicium ou en matériau III-V (GaAs, InP, GaAlAs, etc.). Dans le cas de plaquettes en silicium, on utilise avantageusement comme premier et second matériaux conducteurs du silicium polycristallin ou monocristallin et comme premier et second matériaux isolants de l'o.xyde de silicium (SiO2), du nitrure de silicium (Si3N4) ou de L'alumine (AL203) en vue de Limiter au maximum La pollution des plaquettes principalement à haute température. En outre, le silicium présente des qualités remarquables de résistance mécanique, résistance mécanique nécessaire du fait du porte-à-faux des bras porte-plaquettes. Toutefois, il est possible d'utiliser comme premier et second matériaux conducteurs de l'électricité de l'inox ou du carbone recouvert d'une couche épaisse de silicium polycristallin ou de tout autre matériau conducteur compatible avec le silicium (par exemple matériau utilisé pour le dopage n ou p du silicium). De façon avantageuse, pour chaque paire d'encoches, une seule encoche est pratiquée sur toute l'épaisseur du matériau isolant correspondant; par exemple une sur deux des encoches du premier matériau isolant est pratiquée sur toute l'épaisseur du premier matériau isolant et une sur deux des encoches du second matériau isolant est pratiquée sur toute l'épaisseur du second matériau isolant. Cet agencement permet en particulier d'appliquer sur les premier et second matériaux conducteurs des potentiels différents V1 et V2 afin de créer des décharges capacitives entre deux plaquettes consécutives, créant ainsi le plasma; le passage du courant, du premier matériau conducteur au second matériau conducteur ou inversement est assuré par les plaquettes en vis-à-vis et par le plasma situé dans cet espace. Dans un autre mode de réalisation, toutes les encoches des premier et second matériaux isolants sont pratiquées sur toute l'épaisseur du matériau isolant correspondant, assurant ainsi une mise en contact de chaque plaquette avec respectivement les premier et second matériaux conducteurs. Dans ce cas, la différence de potentiel appliquée aux plaquettes est La même pour toutes assurant ainsi un dépôt, une croissance ou une gravure uniforme sur toutes les plaquettes. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre purement illustratif et non limitatif, en référence aux dessins annexes, dans lesquels: - la figure 1 est une vue schématique, en coupe, d'un dispositif de traitement conforme à l'invention, - - la figure 2 est une vue schématique, de dessus, des bras porte-plaquettes du dispositif de la figure 1, - la figure 3 est une vue en bout montrant le support d'une plaquette par les deux bras porte- plaquettes selon l'invention, - la figure 4 est une vue schématique de côté, montrant le système d'accouplement des bras porte-plaquettes et des bras support mobiles de l'invention, et - les figures 5 à 7 illustrent trois variantes de réalisation des encoches porte-plaquettes selon la tension appliquée à chacun des matériaux conducteurs des bras porte-plaquettes de l'invention. En référence à la figure 1, le dispositif selon l'invention comporte une enceinte de traitement étanche de forme tubulaire, réalisée en quartz et équipée d'une alimentation en gaz 4 et d'une sortie de gaz 6 destiné à constituer un plasma. Le gaz est en particulier de l'oxygène ou de l'ammoniac pour la croissance l des composés volatils du silicium pour le dépôt ou des gaz halogénés pour la gravure. L'enceinte 2 est équipée, au voisinage de l'alimentation en gaz, de moyens de création d'un plasma qui peuvent consister en une électrode capacitive 8 reliée à un générateur haute fréquence 10. Les plaquettes 12 à traiter sont placées sur un support-plaquettes, de référence générale 14, et situées dans une zone de l'enceinte 2 chauffée par des moyens extérieurs 18 du type résistance électrique. Un sas de chargement 20 des plaquettes est prévu en aval de la sortie 6 du courant gazeux. Conformément à l'invention, le support-plaquettes 14, du type en porte-àfaux ou du type "cantilever" en terminologie anglo-saxonne, est constitué, comme représenté sur la figure 2, de deux bras porte-plaquettes respectivement 22 et 24 de forme tubulaire disposés parallèlement et selon l'axe longitudinal 25 de l'enceinte 2. Les deux bras 22 et 24 sont rendus solidaires l'un de l'autre à l'aide d'une plaque d'extrémité 27, située du côté de la sortie de gaz 6. Les plaquettes 12 à traiter sont disposées parallèlement entre elles et perpendiculairement à l'axe longitudinal 25 de l'enceinte 2, et donc aux bras porte-plaquettes 22, 24. Une première série d'encoches 26 est prévue sur le bras 22 porteplaquettes et une seconde série d'encoches 28 est prévue sur le bras 24 porte-plaquet- tes; les encoches 26 et 28 sont en nombre égal. Le maintien de chaque plaquette à traiter 12 est alors assuré par une paire d'encoches formée d'une encoche 26 et d'une encoche 28 situées en regard l'une de l'autre, comme représenté sur la figure 3. Conformément à l'invention, un système mobile (figure 1) assure le déplacement du support-plaquettes 14, du sas 20 vers l'enceinte 2 en vue d'un traitement par plasma ou de l'enceinte 2 vers le sas 20, en vue du déchargement des plaquettes 12 traitées. Ce système mobile 30 comporte deux bras support respectivement 32 et 34 (figure 2), de forme tubulaire, orientés parallèlement à l'axe longitudinal 25 de l'enceinte 2. Une plaque d'extrémité 36 permet de rendre solidaires les deux bras support 32 et 34, du côté de l'enceinte 2. La plaque d'extrémité 36 est destinée à être plaquée sur la plaque d'extrémité 27, comme représenté sur les figures 2 et 3, afin de faire abouter respectivement le bras porte-plaquettes 22 et le bras support 32 d'une part, et d'autre part, le bras porte-plaquettes 24 avec le bras support 34. Afin d'assurer le déplacement du support-plaquettes 14, du sas de chargement 20 dans l'enceinte 2 et inversement (figure 1), les bras support 32 et 34 sont solidaires d'un chariot mobile 38, situé du côté opposé à la plaque d'extrémité 36 et dont le déplacement est par exemple assuré à l'aide d'un système 39 tige filetée-trou taraudé qui peut être activé manuellement ou automatiquement (à l'aide d'un moteur pas-à-pas). * Un soufflet 40 disposé en aval du sas d'introduction 20 et solidaire du chariot mobile 38, assure l'étanchéité de l'enceinte de traitement 2, lorsque cette dernière est placée sous vide, et empêche sa pollution par l'extérieur tout en permettant le déplacement du support-plaquettes 14 dans l'enceinte 2. Comme représenté sur les figures 4 à 7, les bras portepLaquettes 22 et 24 sont constitués d'une âme centrale respectivement 42 et 44 réalisées en un matériau conducteur de l'électricité et en parti- culier en un barreau de silicium monocristallin; ces barreaux conducteurs sont gainés respectivement d'un matériau isolant 46 et 48 en particulier en SiO2 ou en Si3N4. De même, les bras-support 32 et 34 sont constitués, comme représenté sur les figures 2 et 4, d'une âme centrale respectivement 50 et 52 réalisées en un matériau conducteur et en particulier en un barreau de silicium monocristallin. Le barreau conducteur 50 est pourvu d'une gaine 54 en matériau isolant et le barreau 52 est pourvu d'une gaine 56 isolante; les gaines 54 et 56 sont en particulier réalisées en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium. Selon l'invention, une source d'alimentation électrique 58, continue ou alternative et située en dehors de l'enceinte 2 (figures 1, 5-7), est connectée aux barreaux conducteurs 50 et 52, euxmêmes connectés aux barreaux conducteurs 42 et 44 en vue de polariser les plaquettes 12 à traiter. Afin d'assurer le contact électrique entre les barreaux conducteurs 50, 52 et respectivement 42 et 44, la plaque d'extrémité 36 de support des bras-support 32 et 34 est pourvue, comme représenté sur les figures 2 et 4, de deux alésages 60 et 62 destinés à recevoir respectivement deux doigts conduc- teurs 64 et 66 en matériaux conducteurs, et en particu- lier en silicium monocristallin, prolongeant respecti- vement les barreaux conducteurs 50 et 52. Ces doigts conducteurs 64 et 66 sont destinés respectivement à venir abouter l'âme conductrice 42 et 44 des bras porte-plaquettes 22 et 24. SeLon l'invention, la plaque d'extrémité 36 est réalisée en un matériau isolant de l'électricité et notamment en Si02 ou Si3N4. Pratiquement, la plaque d'extrémité 36 et les gaines isolantes 54 et 56 sont fabriquées dans le même bloc isolant. Par ailleurs, la plaque d'extrémité 27 supportant les bras porte-plaquettes 22 et 24 compor- tent une partie centrale 68 destinée à être plaquée sur la face 70 de la plaque d'extrémité 36 et un bord replié comportant une partie 72 destinée à venir s'appuyer sur la face 74 de la plaque 36, opposée à la face 70. Le bord replié constitue un crochet (ou un U à l'envers) venant s'accrocher sur la partie supérieure de la plaque d'extrémité 36. Un doigt de centrage 75 et une fente 77 correspondante assurent l'immobilisation latérale. Selon l'invention, la plaque d'extrémité 27 est constituée en un matériau isolant par exemple en SiO2 ou Si3N4. Pratiquement, la plaque d'extrémité 27 et les deux gaines isolantes 42 et 44 sont réalisées dans le même bloc isolant. Afin d'assurer le passage du courant électri- que entre les barreaux conducteurs 42 et 50 d'une part, et 44 et 52 d'autre part, la plaque d'extrémité 27 (figures 2, 4) est pourvue de deux alésages 76 et 79 destinés à recevoir respectivement l'extrémité des barreaux conducteurs 42 et- 44 devant être appliquée respectivement sur les doigts conducteurs 64 et 66. Par ailleurs, comme représenté sur la figure 1, le barreau conducteur 50 du bras-support 42 est constitué de deux parties 50a et 50b conductrices couplées par une zone élastique 78 conductrice telle qu'un ressort de rappel soudé sur les deux parties a et 50b du barreau conducteur 50. Ce ressort est réalisé en un matériau conducteur de l'électricité et en particuLier en acier. De même, Le barreau conducteur 52 est formé de deux parties coupLées par un ressort soudé sur Lesdites parties. En position comprimée, les ressorts 78 assurent le contact électrique des doigts conducteurs 64 et 66 avec respectivement les barreaux 42 e-t 44 conducteurs des bras porte-plaquettes. Dans une première variante représentée sur les figures 1 et 5, une électrode de référence 80 est placée à l'intérieur de l'enceinte de traitement 2 en regard du système porte-plaquettes 14. Cette électrode est reliée à la source d'alimentation électrique continue 58 et doit présenter une surface de contact avec le plasma compatible avec l'intensité de courant traversant les plaquettes, courant augmen- tant avec le nombre de plaquettes à traiter. Ceci explique la forme particulière de l'électrode de référence. Dans ce premier mode de réalisation, un seul barreau conducteur par exemple 44 des bras porte- plaquettes est relié à la source d'alimentation électrique 58, via le barreau conducteur du bras-support correspondant, par exemple 52. Le potentiel V2 appliqué au barreau conducteur 44 peut être positif ou négatif par rapport à la tension de référence V1 appliquée à l'électrode de référence 80 ou appliquée directement au sas 20 si celui-ci est métallique, suivant la nature du dépôt ou de la gravure à effectuer sur les plaquettes 12. Le potentiel de référence V1 est par exemple le potentiel de la masse. Par exemplee, si l'on désire une oxydation des plaquettes de silicium 12, l'enceinte 2 est parcou- rue par un courant d'oxygène et le barreau conducteur 44 est porté à un potentiel V2 positif par rapport à L'électrode de référence. De même, si l'on désire réaliser une nitruration des plaquettes de silicium 12, l'enceinte 2 est parcourue par un courant d'azote et le barreau conducteur 44 est porté à un potentieL électrique V2 négatif par rapport à celui de l'électro- de de référence. Dans ce premier mode de réalisation, les encoches 28 du bras porte-plaqueztes 24 sont pratiquées sur toute l'épaisseur du matériau isolant 48, comme représenté sur la figure 6, afin d'assurer un contact physique et donc un contact électrique entre le barreau conducteur 44 et la plaque 12 placée dans l'encoche 28. En outre, afin d'éviter un court-circuit au niveau de la plaquette 12, l'encoche correspondante 26 du bras porte-plaquettes 22 est pratiquée sur une faible épaisseur de l'isolant 46. Aussi, une zone 82 d'isolant est prévue entre le barreau conducteur 42 et la plaquette 12, évitant ainsi la mise en contact électri- que du barreau conducteur 42 avec la plaquette 12. Pour assurer un dépôt ou une gravure d'un matériau, simultanément sur toutes les plaquettes disposées dans l'enceinte de traitement 2, toutes les encoches 28 du bras 24 sont pratiquées sur toute l'épaisseur de l'isolant 48 alors que toutes les encoc- hes 26 du bras 22 sont pratiquées sur une partie seulement de l'épaisseur de l'isolant 46. Afin de permettre une meilleure polarisation des plaquettes 12 à traiter, et donc un meilleur contrôle de l'épaisseur de dépôt ou de gravure, il est possible, comme représenté sur la figure 6, de brancher la source d'alimentation électrique 58 continue ou alternative aux deux barreaux conducteurs 42 et 44 via respectivement les barreaux conducteurs et 52. Dans ce second mode de réalisation, toutes les encoches par exemple 28 du bras porte-plaquettes 24 sont pratiquées sur toute l'épaisseur de l'isolant 48 afin de mettre en contact physique, donc électrique, le barreau conducteur 44 et la plaquette 12. De même, toutes les encoches 26 du bras porte-plaquettes 22 sont pratiquées sur toute l'épaisseur de l'isolant 46 afin de mettre en contact physique le barreau conducteur 42 et ta plaquette 12 correspondante. Dans ce cas, le passage du courant entre le barreau conducteur 42 et le barreau conducteur 44 est assuré par les plaquettes 12. Si V1 constitue le potentiel de référence, par exemple le potentiel de la masse, V2 peut être un potentiel négatif ou positif suivant le type de réaction chimique envisagée. Comme dans le mode de réalisation de la figure 5, le mode de réalisation représenté sur la figure 6 ne permet le dépôt ou la gravure d'un matériau que de façon homogène et simultanée sur toutes les plaquettes 12 placées à l'intérieur de l'enceinte. Dans un autre mode de réalisation représenté sur la figure 7, une encoche sur deux 28 du bras 24 porte-plaquettes est pratiquée sur toute l'épaisseur de l'isolant 48 afin d'assurer un contact physique donc électrique entre le barreau 44 et l'électrode 12 située dans l'encoche 28. De même, une sur deux des encoches 26 du bras porte-plaquettes 22 est prati- quée sur toute l'épaisseur de l'isolant 46 afin d'assu- rer un contact physique entre le barreau conducteur 42 et la plaquette 12 située dans l'encoche 26. Dans ce troisième mode de réalisation, lorsqu'une encoche 28 est pratiquée sur toute l'épais- seur de l'isolant 48, l'encoche 26 qui lui est appairée pour supporter la même plaquette 12 n'est pratiquée que sur une partie seulement de l'isolant 46 afin de laisser une zone isolante 88 entre la plaquette 12 et Le barreau conducteur 42. Inversement, Lorsqu'une encoche 26 est pratiquée sur toute l'épaisseur de L'isolant 46, l'encoche 28 qui Lui est appairée n'est pratiquée que sur une partie de L'isolant 48 afin qu'une zone isolante subsiste entre le barreau conduc- teur 44 et la pLaquette 12 disposée dans cette encoche 28. Dans ce troisième mode de réalisation, les barreaux conducteurs 42 et 44 sont connectés, via respectivement les barreaux conducteurs 50 et 52, aux deux bornes de la source d'alimentation électrique 58. L'application d'un potentiel V1 positif continu et L'application d'un potentiel V2 positif supérieur à V1 permettent La polarisation d'une plaquette sur deux à une tension plus éLevée. Le courant est alors transmis du barreau conducteur 42 au barreau conducteur 44 à L'aide de deux plaquettes 12 consécutives. IL est ainsi possible de déposer ou de graver le même matériau avec des épaisseurs différentes d'une plaquette à l'autre. En outre, le courant traversant chaque plaquette d'un même traitement peut être mieux contrôLé assurant ainsi une épaisseur uniforme du dépôt ou de la gravure d'une même plaquette. Afin de connaître à coup sûr, l'épaisseur de dépôt ou de gravure, la source 58 peut être équipée d'un système de mesure de la quantité de courant fourni aux plaquettes. A titre d'exemple, il est possible de faire croître une couche de SiO2 de 600 nm sur 200 plaquettes de silicium avec un débit d'oxygène de 50 cm3/min, une pression de 3 Pa dans l'enceinte 2, une tension V2 positive de 200 volts par rapport à la masse pendant min, pour les modes de réalisation des figures et 6. Il est possible aussi d'effectuer successivement, dans un même bâti et avec les mêmes gaz, une gravure puis un dépôt ou une croissance. Par exempLe, on peut obtenir une première opération de nettoyage plasma, en poLarisant négativement Les plaquettes, puis obtenir un dépôt ou une croissance en laissant le potentiel flottant (électrode de référence) ou en polarisant positivement les plaquettes. REVENDICATIONS 1. Dispositif de traitement par plasma de plaquettes conductrices comportant.: - une enceinte (2) étanche de traitement, - un premier (22) et un second (24) bras porte-plaquettes, solidaires l'un de l'autre et desti- nés à être placés en porte-à-faux dans l'enceinte (2), ces bras (22, 24) comportant respectivement un premier (42) et un second (44) matériaux conducteurs de l'électricité gainés par respectivement un premier (46) et un second (48) matériaux isolants de l'électri- cité pourvus d'encoches (26, 28), chaque encoche (26) du premier matériau isolant étant associée à une encoche (28) du second matériau isolant pour former une paire d'encoches (26, 28) destinée à supporter une seule plaquette (12) transversalement aux premier et second bras, l'une au moins des encoches (28) de chaque paire d'encoches étant pratiquée sur toute l'épaisseur du matériau isolant correspondant afin d'assurer une mise en contact des plaquettes avec le matériau conducteur (48) d'au moins un bras, - une source d'alimentation électrique (58) pour appliquer Une tension de polarisation aux plaquet- tes (12), via les premier et second matériaux conduc- teurs (42, 44) et, - des moyens (8, 10) pour créer le plasma dans l'enceinte (2). 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des troisième (32) et quatrième (34) bras aptes à se déplacer longi- tudinalement, formés respectivement d'un troisième (50) et quatrième (52) matériaux conducteurs de L'élec- tricité gainés par respectivement un troisième (54) et un quatrième (56) matériaux isolants de l'électrici- té et des moyens (27, 36) d'accouplement des différents bras afin de faire abouter les premier et troisième matériaux conducteurs (52, 54) d'une part et les second et quatrième matériaux conducteurs (44, 52) d'autre part, les troisième et quatrième bras (32, 34) étant intercalés entre la source d'alimentation (58) et respectivement les premier et second bras (22, 24). 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que toutes les encoches (26, 28) des premier et second matériaux isolants (46, 48) sont pratiquées sur toute l'épaisseur du matériau isolant correspondant, assurant ainsi une mise en contact de chaque plaquette (12) avec respectivement les premier et second matériaux conducteurs (42, 44). 4. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'une seule encoche (26, 28) de chaque paire d'encoches est pratiquée sur toute l'épaisseur du matériau isolant (46, 48) correspondant, une sur deux des encoches (26) du premier matériau isolant (46) étant pratiquée sur toute l'épaisseur du premier matériau isolant et une sur deux des enco- ches (28) du second matériau isolant (48) étant prati- quée sur toute l'épaisseur du second matériau isolant. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les plaquettes (12) à traiter sont en silicium. 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que les premier et second matériaux conducteurs (42, 44) sont en silicium. 7. Dispositif selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que les premier et second matériaux isolants (46, 48) sont en dioxyde ou nitrure de silicium ou en alumine (A1203). 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le premier matériau conducteur (42) est porté à un potentiel V1 et le second matériau conducteur (44) à un potentiel V2 différent de V1. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que la source d'alimentation éLectri- que (48) est une source d'alimentation alternative. 10. Dispositif seLon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que les moyens d'accouplement comportent une première plaque d'extré- mité (36) en un cinquième matériau isolant de l'élec- tricité, solidaire des troisième et quatrième bras (32, 34), une seconde plaque d'extrémité (27) en un sixième matériau isolant de l'électricité, solidaire des premier et second bras (22, 24) et pourvue d'une partie centrale (68) destinée à être plaquée sur une face (70) de la première plaque (36) et pourvue d'une partie repliée (72) destinée à venir s'appuyer sur l'autre face (74) de la première plaque (36), la première plaque (36) et ladite partie centrale (68) comportant chacune des alésages (60, 62; 76, 79) pour assurer respectivement le passage d'un premier et d'un second doigts conducteurs (64, 66) prolongeant respectivement les trbisième et quatrième matériaux conducteurs (50, 52), doigts destinés à être plaqués sur une extrémité respectivement du premier et du second matériaux conducteurs. 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que les troisième et quatrième maté- riaux conducteurs (50, 52) comportent une partie élastique (78) conductrice de l'électricité, assurant le placage des premier et second doigts (64, 66) sur une extrémité respectivement du premier et du second matériaux conducteurs (42, 44).