FR 2629636 A1 19891006 FR 8804437 A 19880405 PROCEDE DE REALISATION D'UNE ALTERNANCE DE COUCHES DE MATERIAU SEMICONDUCTEUR MONOCRISTALLIN ET DE COUCHES DE MATERIAU ISOLANT L'invention concerne un procédé de réalisation d'une alternance de couches de matériau semiconducteur monocristallin et de couches de matériau Isolant, plus particulièrement un procédé de réalisation d'au moins une eouehe mince d'un matériau semiconducteur sur une couche d'isolant elle même déposée sur une couche de substrat monocristallin. L'invention a pour but d'obtenir l'intégration à trois dimensions de composants électroniques actifs. Elle. permet ainsi de réaliser à partir d'un substrat semiconducteur monocristallin (silicium monocristallin par exemple), un empilement de couches minces de semiconducteur monocristallin, chaque couche étant isolée de la précédente par une couche d'isolant telle que, par exemple, une couche de silice ou de diélectrique approprié dans le cas de couches en silicium monocristallin. On connait dans la technique, des structures de silicium monocrlstallin sur isolant (SOI pour Siliconr On Insulator en terminologie anglo-saxonne) à un seul niveau. Cependant dans ces structures, aucune contrainte thermique n'est imposée lors de la réalisation de la seule' couche de silicium sur Isolant. On connaît aussi des dispositifs à plusieurs couches de silicium monocristallin sur isolant mais dans ce cas, il faut que lors du dépôt et de la recristallisation de la couche semiconductrice numéro j, la couche j-1 déjà réalisée et processée ne soit pas affectée thermiquement, ce qui impose une contrainte supplémentaire. Pour la réalisation de ces couches de silicium monocristallin sur isolant différentes techniques sont disponi- bles telles que a) la technique d'hétéroépitaxie de silicium sur sa- phir (SOS ou Silicon On Saphire) b) la technique dite SIMOX qui consiste en la forma- tion d'une couche de SiO2 enterrée dans du silicium monocristallin par implantation d'oxygène à très forte dose c) la technique dite FIPOS qui consiste en la forma- tion de SiO2 enterrée par oxydation dtii silicium poreux; d) les méthodes par recristaillisation de couches de silicium amorphe ou polycristallin, soit en phase solide, soit après fusion (par lampes ou par faisceau laser ou par faisceau d'électrons); e) la méthode d'épitaxie latérale de silicium sur isolant (méthode ELO ou Epitaxial Lateral Overgrowth) par dépôt en phase vapeur CVD (Chemical Vapor Deposition). Les trois premières méthodes (a, b, et c) permettent de réaliser des dispositifs dans une structure à un seul niveau de semiconducteur monocristallin mais ne permettent pas de réaliser les dispositifs à trois dimensions parce qu'il faut trop chauffer pour réaliser les niveaux supérieurs et/ou pour supprimer les défauts et on risque alors de détériorer les dispositifs dans les couches de semiconducteur monocristallin sous jascentes. De toutes ces méthodes, ce sont les deux dernières (d et e) qui se prêtent en principe le mieux à l'intégration des circuits actifs en trois dimensions, d'une part grâce à la faci- lité relative de répéter la formation des couches de silicium sur Isolant sur plusieurs niveaux successifs, d'autre part, grâce à la compatibilité thermique qui permet potentiellement de former une couche monocristalline sans détériorer les dispositifs dans la couche inférieure, à l'exception toutefois de la méthode de fusion par lampes qui n'est que peu localisée en comparaison des méthodes par faisceau laser ou faisceau d'électrons. Toutefois, la recristallisation par fusion par fais- ceau laser ou par faisceaux d'électrons pose des problèmes déli- cats de contrôle de l'échauffement excessif des couches sous-jacentes dans lesquelles des dispositifs ont été déjà réalisés. On trouvera un état de ces techniques dans le docu- ment "SOI Materials and Processing Towards 3D Integration" de D.CHAPUIS et Coll publié dans Proceeding of the 4th Annual ESPRIT conférence, Septembre 1987, page 55. La technique par épitaxie en phase vapeur (CVD) est en principe plus adaptée du point de vue thermique à la réalisation de structures à trois dimensions parce que la croissance monocristalline peut s'effectuer à des températures aussi basses que 850 -900 C. Une telle technique est décrite dans le document "Advanced Dielectric Isolation Through Selective Epitaxial Growth Techniques" de J.O. BORLAND et C.I. DROWLEY publié dans Solid State Technology, Août 1985, page 141 ainsi que dans le document "Sélective Epitaxial Growth of Si and in-situ Deposition of Amorphous or Poly-Si for Recrystallisation Purposes", de L. KARAPIPERIS et Coll. publié dans Proceedings, 18th Intl. Conference on Solid State Devices and Materials, TOKYO 1986, page 713". L'inconvénient de cette technique d'épitaxie en phase vapeur réside dans la difficulté de faire croître latéralement des couches minces de silicium monocristaUllin sur isolant. Cette difficulté est liée à l'impossibilité d'obtenir des vitesses de croissance latérale (parallèlement au plan de l'isolant) sensi- blement supérieures à la vitesse de croissance verticale perpen- diculaire au même plan. Les travaux les plus avancés ont été effectués à la Société RCA par L. JASTRZEBSKI et ses Collaborateurs. Les meilleurs résultats ainsi obtenus consistaient en des couches continues de silicium monocristallin avec des bandes de germina- tion d'une largeur de 6 micromètres répétées tous les 12 micromètres. L'épaisseur initiale de la couche de silicium monocristallin sur SiO2 était de 6 micromètres et cette dernière a été réduite à 0,6 micromètre par oxydation et attaques répétées. Une telle technique a été décrite dans le document "Preparation of Thin (O, 6 micromètre) Continuous Monocrystalline Silicon over SIO2" de L.JASTRZEBSKI et Coll, publié dans le Journal of the Electro-Chemical Society, 132(12), 1985, page 3056. Par ailleurs, amincir des couches plus épaisses à l'échelle d'une plaquette de 4 pouces ne serait pas réaliste. Les difficultés et les inconvénients de la méthode d'épitaxie latérale (ELO) démontrent qu'elle n'est pas applicable pour l'obtention de bandes de silicium sur isolant compatibles avec la réalisation de composants actifs pour circuits intégrés dont la largeur nécessaire doit être au minimum de 40 micromètres. C'est ainsi, comme cela est représenté en figure 1, qu'une croissance de silicium monocristallin sur un substrat de silicium monocristallin muni sur sa face principale de zones d'isolants (silice SiO2) s'effectue de façon telle que la croissance verticale, perpendiculaire à la face principale du substrat, présente une vitesse (vitesse verticale) sensiblement égale à la vitesse latérale correspondant à la croissance laté- rale parallèle à la face principale du substrat. On obtient une croissance telle que représentée en pointillés sur la figure 1. Il est alors impossible d'obtenir une couche mince (de l'ordre du micron) uniforme de silicium monocristallin recouvrant la couche de silice sur une grande surface. L'invention concerne un procédé qui permet d'obtenir des couches minces de semiconducteur monocristallin en bandes de largeur supérieure à 100 micromètres. L'invention concerne un procédé de réalisation par croissance en phase vapeur d'au moins une couche mince monocristalline d'un matériau semiconducteur, caractérisé en ce que la croissance est initiée sur un germe d'un matériau monocristallin du même type que le matériau semiconducteur de la couche mince à obtenir et est confinée entre deux couches en matériau distinct du matériau semiconducteur de telle façon que dans les conditions de dépôt utilisées, il ne peut y avoir ni nucléation ni dépôt de matériau semiconducteur sur les surfaces exposées de ce ou de ces matériaux distincts, l'intervalle entre les deux couches du ou des matériaux distincts définissant l'épaisseur de la couche mince monocristalline à obtenir. L'invention concerne également un procédé de réalisa- tion d'au moins une couche de matériau semiconducteur monocristallin sur une première couche d'un matériau isolant réalisée sur un substrat semiconducteur monocristallin, caracté- risé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: a) une première étape de réalisation sur le substrat semiconducteur monocristallin de ladite première couche de maté- riau isolant présentant une sélectivité d'attaque chimique par rapport aux couches adjacentes et ne permettant ni nucléation, ni dépôt à partir des espèces de ladite phase vapeur sur sa surface exposée à la phase vapeur; b) une deuxième étape de gravure de premières ouver- tures dans la première couche de matériau isolant; c) une troisième étape de réalisation dans les premiè- res ouvertures, et sur les parties de la couche d'isolant res- tant après I'étape de gravure précédente, d'une couche d'un matériau semiconducteur, cette couche étant monocristalline dans les ouvertures et polycristalline sur l'isolant; d) une quatrième étape de réalisation d'une deuxième couche d'un matériau isolant sur la couche de matériau semiconducteur; e) une cinquième étape de gravure dans la deuxième couche de matériau isolant d'au moins une deuxième ouverture aboutissant sur une partie polycristalline de la couche de maté- riau semiconducteur; f) une sixième étape d'attaque chimique du matériau semiconducteur polycristallin de façon à supprimer tout le maté- riau semiconducteur polycristallin et éventuellement de façon a légèrement attaquer le matériau monocristallin g) une septième étape de croissance sélective à partir d'une phase vapeur d'un matériau semiconducteur monocristallin dans le ou les espaces laissés libres par la disparition du matériau polycristallin. Les différents objets et caractéristiques de l'inven- tion apparaîtront plus clairement dans la description qui va suivre faite à titre d'exemple en se reportant aux figures an- nexées qui représentent - la figure 1, un exemple de réalisation de structure selon l'art connu; - les figures 2 à 13, différentes étapes d'un exemple de procédé de réalisation selon l'invention; - la figure 14, un exemple de réalisation de couches alternées de silicium monocristallin et d'isolant sur un sub- strat monocristallin; - les figures 15 à 19 les étapes d'une amélioration du procédé de réalisation selon l'invention; - la figure 20, la croissance latérale et la crois- sance verticale d'un matériau monocristallin selon le procédé de l'invention; - la figure 21, une croissance sur un substrat monocristallin type semiconducteur composé III-V; - les figures 22 à 31, une application du procédé selon l'invention à une réalisation sur un substrat semiconducteur de type.III-V; - la figure 32, une étape d'isolation de couches monocristallines obtenues selon l'invention; - les figures 33 à 41, différentes étapes d'une va- riante du procédé selon l'invention - les figures 42 à 45, une autre variante du procédé selon l'invention - les figures 46 à 48, une variante du procédé selon l'invention dérivée de la variante représentée par les figures 42 à 45 - les figures 49- à 51, une autre variante du procédé selon l'invention. En se reportant aux figures 2 à 13 on va tout d'abord décrire un exemple de procédé de réalisation selon l'invention. On dispose -d'une plaque de substrat 1 en silicium monocristallin d'orientation cristallographique (100) par exem- ple telle que représentée en figure 2. Dans le cadre des techni- ques de circuits semiconducteurs, la plaque de substrat 1 peut être de dimensions relativement grande. Par exemple elle peut avoir un diamètre standard de 4 pouces ou plus. La figure 3 représente la première étape du procédé selon l'invention au cours de laquelle on réalise une couche d'isolant 2 sur la face 10 de la plaque de substrat 1. Dans le cas d'un substrat silicium, la couche d'isolant est de la silice SiO2 qui est obtenue soit par dépôt, soit par oxydation de la surface de la plaque de substrat 1. A titre d'exemple l'épais- seur de la couche d'isolant 2 est comprise entre 0,1 et 3 micro- mètres typiquement. Au cours d'une deuxième étape représentée en figure 4, on définit par gravure de la couche d'isolant 2 des éléments , 21, 22 d'isolant. Ces éléments sont des rubans d'isolant 20, 21, 22 séparés par des bandes 23, 24 ou le substrat monocristallin est mis à nu. Ces bandes peuvent avoir une largeur de 20 à 100 micromètres par exemple séparées par des espaces de 1 à 20 micromètres. La gravure de la couche d'isolant 2 peut se faire par tout procédé approprié tel que la photolithographie et attaque humide ou sèche. La gravure est telle que dans les espaces 23, 24, le matériau isolant 2 est complètement enlevé et que les espaces 23, 24 ne comportent que le silicium monocristallin du substrat exempt d'impuretés superficielles. Au cours d'une troisième étape représentée en figure 5 on dépose une couche de silicium sur la structure précédente. Ce dépôt peut se faire en phase vapeur ou Chemical Vapor Deposition (CVD). Le silicium 33, 34 sera alors monocristallin d'orientation (100) sur le substrat monocrlstallin également d'orientation (100) situé dans les espaces 23, 24. Par contre, il sera polycrystallin 30, 31, 32 sur les bandes d'isolant 20, 21, 22. Ce dépôt peut se faire à pression atmosphérique (APCVD = Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) avec un mélange de silane (SiH4) et d'hydrogène (H2) à une température d'environ 950 C. Ce dépôt peut également se faire à pression réduite (RPCVD: Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition) avec un mélange de dichlorosilane et d'hydrogène SiH2Cl2+H2 à une température d'environ 850 C. Cette dernière façon de procéder est thermiquement plus avantageuse. D'autre part, la vitesse de croissance dans une direc- -tion perpendiculaire au plan du substrat étant plus importante sur les bandes de monocristal que sur la silice, on arrive après un certain temps de dépôt (qui dépendra de l'épaisseur des bandes de silice) à un dépôt d'épaisseur uniforme sur la totalité de la plaquette. (On appellera cette opération la "planarisation" du dépôt). Afin d'obtenir une meilleure planarisatlon, on peut tout d'abord remplir les espaces 23, 24 de silicium monocristallin (100) en contact avec le substrat, sans réaliser de dépôt sur les bandes d'isolant 20, 21, 22, (conditions de dépôt et d'épitaxie sélectifs), puis faire un dépôt uniforme de silicium sur les bandes d'isolant 20, 21,. 22 et les espaces 23, 24 préalablement remplis de silicium monocristallin. Le remplis- sage sélectif des espaces 23, 24 de silicium monocristallin (100) se fait soit par CVD à pression atmosphérique (APCVD) à une température comprise entre 1000 et 1060 C en utilisant un mélange gazeux SiH4/HCI/H2, soit encore par CVD à pression réduite (RPCVD) à une température comprise entre 850 et 900 C en utilisant un mélange gazeux SiH2C12/HCl/H2. (Voir les articles de BORLAND, de CHAPUIS et de KARAPIPERIS déjà cités). Cette méthode de dépôt sélectif s'appuie sur un méca- nisme de nucléation sélective, par lequel la croissance du silicium est possible sur des surfaces à faible barrière de nueléation (silicium (100) par exemple) tandis qu'aucune nucléation n'a lieu sur des surfaces étrangères comme la silice par exemple. Pour obtenir cette sélectivité, il faut travailler en conditions de sursaturation très légère et en utilisant des mélanges gazeux appropriés. Au cours d'une quatrième étape représentée en figure 6, on réalise sur la structure ainsi obtenue une couche d'iso- lant 4 telle que de la silice (SiO2) si le matériau utilisé dans ce qui précède est du silicium. Cette couche de silice peut être formée soit par oxydation thermique, soit par dépôt, soit par une approche mixte de type thermique et de dépôt combinés. Pour le dépôt on préférera utiliser une méthode haute tempéra- ture (HTO); par exemple une pyrolyse de SiH2CI2 et N20 à 850 -900 C de façon à obtenir une silice de bonne qualité. L'épaisseur de cette couche de silice sera par exemple comprise entre 0,5 et 3 micromètres.- Au cours d'une cinquième étape représentée en figure 7, on réalise, dans la couche d'isolant 4, des ouvertures 43, 44, 45 situées aux dessus des zones de matériau polycristallin , 31, 32. En application de l'exemple de réalisation précédent o les éléments isolant 20, 21, 22 sont sous forme de bandes, les ouvertures 43, 44, 45 sont également faites sous forme de bandes de largeur nettement inférieure A la largeur des bandes d'isolant 20, 21, 22. C'est ainsi que, par exemple, les bandes d'isolant 20, 21, 22 ayant une largeur de 20 à 100 micromètres, la largeur d'ouvertures 43, 44, 45 pourra être comprise entre 1 et 20 micromètres. Dans ces ouvertures 43, 44, 45 l'isolant est complètement enlevé et laisse apparaître des bandes de silicium polyeristallin situées sensiblement et préférentiellement au centre des zones en matériau po]ycristallin 30, 31, 32. Au cours d'une sixième étape représentée en figure 8, le silicium polycristallin 30, 31, 32 est enlevé par attaque chimique en utilisant les ouvertures 43, 44, 45 pratiquées dans la couche 4 d'isolant. L'attaque est arrêtée lorsque le silicium monocristallin des parties 33 et 34 est mis à nu. Cette sixième étape d'attaque peut être complétée par une phase de décapage de façon a enlever toute impureté ou imperfection qui pourrait subsister. Au cours d'une septième étape représentée en figure 9, on fait ' croître latéralement en conditions d'.épitaxie sélective (conditions décrites précédemment), à partir des germes de silicium monocristallin précédemment mis à nu (38 et 39), un ruban de silicium monocristallin. Les conditions opéra- toires pour cette croissance sont similaires à celle de la deuxième partie de la troisième étape telle que décrite précédem- ment. La croissance monocristalline ne peut s'effectuer que latéralement et non verticalement, car elle est canalisée dans chaque cavité (30, 31, 32) par le chapeau d'isolant (couches de silice 40, 41, 42) et les bandes de silice sous-Jacentes (20, 21, 22). Lorsque le ruban de silicium commence à déborder des chapeaux de silice dans les ouvertures 43, 44, 45, la croissance s'effectue aussi perpendiculairement au plan du substrat comme indiqué par les traits pointillés de la figure 9. On remplit ainsi les différents intervalles laissés vides après l'attaque du silicium polycristallin. Pour certaines applications, on peut envisager de ne remplir l'espace sous le "chapeau d'isolant" que jusqu'au bord, sans déborder et sans faire joindre les deux fronts de Silicium monocristallin avançant en direction opposées. Si les ouvertures 43, 44 45 entre les bandes de silice supérieures 40, 41, 42 sont de largeur trop importante, la jonc- tion entre les deux fronts de cristallisation ne s'opérera qu'au prix d'une croissance verticale aussi trop importante (voir figure 20). Il deviendra alors difficile de "planariser" la structure par des méthodes simples. Pour pallier cet inconvé- nient, on peut introduire un certain nombre d'étapes supplémen- i1 taires qui seront décrites ultérieurement dans une variante du procédé de réalisation de l'invention. Au cours d'une huitième étape représentée en figure , on oxyde le dépôt de silicium monocristaLlin qui vient d'être déposé. Cette oxydation n'affecte pratiquement que le silicium monocristallin situé dans les ouvertures 43, 44, 45. Cette oxydation est faite en profondeur de façon à ce que les faces inférieures de silicium oxydé dans les bandes 43, 44 et 45 affleurent les faces inférieures des couches 40, 41, 42. On obtient ainsi, comme représenté en figure 10, une face 46 sensi- blement continue et plane. De plus, selon la hauteur de silicium monocristallin obtenu, lors de la septième étape, dans les ouvertures 43, 44, , la face supérieure de silicium oxydée n'est pas obligatoire- ment plane et peut, par exemple, comme représenté en figure , présenter des protubérances de silicium oxydé à l'endroit des ouvertures 43, 44, 45. Cependant ces irrégularités de sur- face n'ont pas d'influence sur la qualité du composant qui sera obtenu dans la suite du procédé, puisque la couche de silicium oxydé sera éliminée. Au cours d'une neuvième étape représentée en figure 11, on enlève la silice sur toute la surface de la plaquette de façon à obtenir une couche uniforme de silicium monocristallin (30, 31, 32). L'épaisseur de cette couche de silicium monocristallin peut être typiquement de 0,1 à 2 micromètres sur les bandes de silice 20, 21, 22 (de largeur 20 à 100 micromè- tres). On peut ainsi réaliser, sur chaque bande de silice, des composants en silicium sur isolant (SOI). L'isolation de bandes silicium SOI peut être effectuée de deux façons au cours d'une dixième étape. Au cours d'une dixième étape, on isole donc les unes des autres les bandes de silicium monocristallin 30, 31, 32 correspondant chacune à une bande d'Isolant 20, 21, 22. Selon l'exemple de la figure 12 on procède à une oxyda- tion localisée du silicium situé au dessus des ouvertures précé- dentes 33, 34 ainsi que du silicium situé dans ces ouvertures. On obtient ainsi des bandes 30, 31, 32 de silicium monocristallin isolées entre elles ainsi que du substrat 1 par de la silice. Selon l'exemple de la figure 13 pour réaliser des bandes de silicium monocristallin, on complète l'oxydation loca- lisée réalisée en figure 12 par une gravure chimique ou sèche des bandes de silice réalisées. On obtient ainsi, comme cela est réalisé en figure 13, des bandes de silicium monocristallin 30, 31, 32 distinctes les unes des autres et isolées du substrat 1 par une couche de silice; ou bien, dans une variante, à partir de l'état de la figure 11, on grave le silicium sur les bandes 33, 34 et ce, jusqu'à la moitié de l'épaisseur des bandes d'iso- lant en silice et l'on pratique ensuite une oxydation localisée du silicium dans ces bandes de façon à obtenir une bande de silice continue. Selon l'exemple de réalisation de la figure 14, on peut, en répétant le procédé décrit précédemment, réaliser sur la structure de la figure 11, une deuxième, puis une troisième structure similaire, et ainsi de suite. On peut ainsi obtenir une alternance de couches de silicium monocristallin et d'iso- lant (silice). Un réseau de bandes de silicium sur isolant peut donc être réalisé, les zones de germination pouvant être superposées ou décalées. En réalisant sur le substrat initial et successivement sur chaque niveau de silicium des composants actifs, on obtient un circuit intégré à trois dimensions, l'élaboration de la cou- che j de Si se faisant sans dégradation de la couche j-1 déjà réalisée et comprenant des composants actifs, du fait de la relativement basse température utilisée dans le procédé CVD. La succession des étapes précédentes a été décrite en s'appuyant sur un diélectrique qui était de la silice. Ce diélectrique peut être remplacé par tout autre matériau isolant polycristallin ou amorphe (Si3N4; A1203... ) étant entendu que l'on peut obtenir les conditions de dépôt et d'épitaxie sélectifs précédemment décrites ou par une combinaison de plusieurs de ces matériaux (par exemple silice pour la couche 2 et nitrure de silicium pour la couche 4). Selon une variante du procédé de l'invention, si les ouvertures 43, 44 et 45 obtenues à l'issue de la cinquième étape dans la couche 4 d'isolant (figure 7) sont trop larges, la crois- sance du silicium, lorsque le ruban monocristallin va échapper à la contrainte du chapeau d'isolant, va s'effectuer aussi vertica- lement et la jonction entre les deux fronts de cristallisation ne va s'opérer qu'au prix d'une croissance verticale dans les ouvertures 43, 44, 45 trop importante qui rendra la "planarisa- tion" ultérieure du dépôt délicate (voir figure 20). En effet, pour que le flux de gaz permettant l'épitaxie par CVD pénètre aisément dans une cavité telle que 30 de la figure 8, il faut que l'ouverture 43 soit en rapport avec les dimensions de cette cavité. De plus, l'épaisseur de la couche 4 d'isolant est relati- vement faible (0,2 à 5 micromètres). Le porte à faux des extré- mité des bandes d'isolant 40, 41, 42 ne doit pas être trop impor- tant, sinon on risque une déformation de ces bandes sous leur propre poids et on n'obtiendra pas alors des couches de silicium monocristallin d'épaisseur uniforme. Ceci limite donc l'exten- sion potentielle latérale du cristal. Pour pallier ces diffé- rents inconvénients, on peut être amené a pratiquer au cours de la cinquième étape des ouvertures 43, 44, 45 relativement larges. Cependant, comme nous l'avons vu, la largeur des ouvertures 43, 44, 45 conduit à avoir des fronts de croissance verticale qui provoquent des inégalités de surface dans les ouvertures 43, 44, 45 après dépôt (voir figure 20). Pour éviter ces inégalités et ce sans limiter pour autant l'extension laté- rale du cristal, l'invention propose des variantes de réalisation. Selon une première variante, on prévoit lors de la septième étape précédemment décrite de laisser déborder la crois- sance du silicium après dépassement des bandes de silice 40, 41, 42 et d'effectuer, après jonction des fronts de cristallisation (obtenue au prix d'une croissance verticale locale non négligea- ble comme le montre la figure 20), un polissage mécanochimique qui s'arrêtera lorsque le plan supérieur de la silice aura été atteint, par sélectivité du réactif utilisé lors de l'opération de polissage (silice coloidale en particulier). Selon une deuxième variante, on prévoit, au cours de la septième étape précédemment décrite, d'arrêter le dépôt de silicium lorsque la croissance atteint les flancs des ouvertures 43, 44. On obtient ainsi une structure telle que représentée en figure 15. Au cours d'une première phase auxiliaire représentée en figure 16, on enlève alors les couches supérieures 40, 41 de silice en masquant préalablement les couches inférieures 20, 21. Au cours d'une deuxième phase auxiliaire représentée en figure 17 et après enlèvement du produit de masquage de la silice 20, 21 on "planarise" la structure à l'aide d'un dépôt type polyimide effectué à la tournette par exemple (machine à déposer les résines photosensibles), employant une étape d"etch back", si nécessaire. Au cours d'une troisième phase auxiliaire représentée en figure 18, on dépose une couche d'oxyde (SiO2) 5 ou de nitrure (Si3H4) à basse température (LTO) par pyrolyse de SiH4+N20 assistée par plasma à 250 C (par exemple) sur la structure précédemment planarisée. Au cours d'une quatrième phase auxiliaire on découpe dans cette dernière couche de silice ou de nitrure 5 des ouvertu- res 53 de façon à se ramener à une structure identique à celle obtenue lors de la description de la cinquième étape précédente. L'ouverture dans la silice est à présent compatible avec un remplissage correct (sans débordement vertical pour obtenir la jonction des deux fronts de cristallisation) des bandes vides comprises entre les bandes de silice. On dissout au cours d'une cinquième phase auxiliaire le polyimide à l'aide d'un solvant approprié et on répète l'opération de croissance latérale dé- crite dans la septième étape tel que cela est représenté en figure 19; on est ainsi ramené au cas de la figure 9 à partir duquel on peut répéter l'étape 8 et les suivantes précédemment décrites. Cette série d'étapes auxiliaires peut éventuellement être reproduite plusieurs fois si nécessaire. Le procédé de l'invention permet ainsi, à titre géné- ral, de réaliser une couche mince d'un matériau semiconducteur monocrlstallin en effectuant une croissance, en phase vapeur de ce matériau semiconducteur, entre deux couches (20, 40, 41) d'un matériau (voir figure 8) différent du semiconducteur et sur lequel on n'observe ni nucléation ni dépôt du matériau semiconducteur en question durant la croissance. Les couches , 40, 41 définissent un volume vide 30 dont l'épaisseur détermine l'épaisseur de la couche de matériau semiconducteur à obtenir. Les extrémités 38, 39 (figure 8) du volume 30 sont composées de matériau semiconducteur identique au matériau semiconducteur utilisé pour la croissance. Le matériau semiconducteur aux extrémités 38, 39 sert ainsi de germes pour la croissance latérale de la couche mince de matériau semiconducteur monocristallin. Dans ce qui précède, l'application de l'invention à une structure à base de silicium -n'a été fournie qu'à titre d'exemple. L'invention est également applicable à titre général à une structure à base de semiconducteurs de type quelconque, pourvu que la sélectivité de dépôt entre une surface étrangère (pas nécessairement diélectrique) et la surface du semiconducteur puisse être atteinte. Ainsi, l'invention peut être appliquée aux composés III-V de type GaAs, InP etc.... moyennant quelque aménagements technologiques particuliers. Le problème est d'obtenir des conditions de dépôt sélectif. En ce qui concerne les composés III-V et le GaAs en particulier, on utilisera de préférence pour obtenir cette sélec- tivité de dépôt, une méthode permettant de se placer près de l'équilibre thermodynamique en conditions de légère sursatura- tion. Ainsi, la méthode d'épitaxie en phase vapeur à partir de chlorures (VPE), permet d'opérer dans de telles conditions; on utilise d'une part AsCl3 et éventuellement HCI dilués dans H2 en tant que sources gazeuses et d'autre part Ga comme source solide. On opère dans un four o la température de la source de Ga est par exemple de l'ordre de 800 C, tandis que l'échantillon sur lequel on travaille est maintenu à une température inférieure, de l'ordre de 650 - 700 C, ce qui donne la qondition de sursaturation légère annoncée. En ce qui concerne InP on travaille avec une source gazeuse PH3 et HCl dans H2 et une source solide In. L'échantillon est placé autour de 700 C et la source d'In est chauffée à température supérieure de même que précédemment. En utilisant les paramètres précités, on obtient une nueléation sélective sur les parties cristallines exposées du substrat (surfaces à faibles barrières de nucléation); par suite, on observe un dépôt sur ces mêmes parties exposées et aucun dépôt sur des surfaces étrangères à barrière de nucléation plus élevée (surfaces diélectriques par exemple, mais * aussi surfaces métalliques tel que tungstène). Des exemples de cette sélectivité de dépôt entre GaAs et SIO2 et InP et SiO2 peuvent être trouvés à titre indicatif dans un article récent de M. ERMAN et Collaborateurs, SPIE.Vol. 651, Integrated Optical Circuit Engineering III (1986) p. 75. Selon les conditions d'orientation des bandes ouvertes dans la silice déposée et selon la fraction molaire de AsCI3 dans le mélange gazeux on obtient des facettages différents pour le dépôt monocristallin (voir par exemple l'article de N.VODJANI et Collaborateurs, dans Journal of Crystal Growth 71, 1985,p. 141). On a cité GaAs et InP à titre d'exemple, mais on peut aussi déposer, de façon sélective, des alliages ternaires ou quaternaires (GalnAsP) en utilisant des sources gazeuses As H3, PH3 et HCI dans H2 et des sources solides Ga et In et toujours en se plaçant près de l'équilibre thermodynamique en conditions de légère sursaturation. Si (toujours concernant les composés III-V) l'on utl- lise une méthode de dépôt fonctionnant à pression atmosphérique et très loin de l'équilibre thermodynamique, telle que la MOCVD par exemple (de l'anglais Metal Organic Chemical Vapour Deposition) on dépose du matériau semiconducteur monocristallin sur les surfaces de germination exposées du substrat monocristallin et du matériau polycristallin sur les surfaces étrangères (diélectriques ou métalliques) comme le représente la -figure 21 (voir par exemple l'article de R. AZOULAY et Collaborateurs dans Journal of Crystal Growth 55, 1981,p.229). Dans cette méthode MOCVD, la source de composé III est organométallique (triméthylgallium, triéthylgallium, trinméthylindium, trléthylindium, etc. ) tandis que la source du composé V est un hydrure (AsH3, PH3..). Précisons tout de même que dans certaines conditions et toujours en travaillant à pression atmosphérique, on peut obtenir une certaine sélectivité de dépôt en travaillant avec des bandes de silice ou de tungstène de largeur inférieure A 40 pmin, ce qui est toutefois très limitatif et difficilement exploitable (voir K.YAMAGUCHI et Collaborateurs, Japanese Journal of Applied Physics, vol.24, n ..DTD: 12 1985, p. 1666). Par contre, en travaillant à pression réduite (10mm de colonne de Hg) et toujours en utilisant la méthode MOCVD, K.KAMON et Collaborateurs (Journal of Crystal Growth 73, 1985, p.73) ont démontré, récemment, que l'on pouvait aussi obtenir une excellente sélectivité de dépôt entre une surface (001) de GaAs exposée et un film de nitrure de silicium (SiNX) déposé par CVD plasma à 250 C. Bien que la méthode utilisée (MOCVD) se situe hors de l'équilibre thermodynamique, la sélectivité est obtenue du fait d'une plus grande diffusivité superficielle, sur les surfaces diélectriques, des produits de décomposition du triméthylgallium (ou du triméthylindium) dans les conditions de pression réduite utilisées. Finalement, il convient de noter qu'en utilisant la technique de l'épitaxie par jet moléculaire (ou MBE de l'anglais Molecular Beam Epitaxy) à partir de composés organo métalliques du gallium ou de l'indium (triméthylgallium ou triéthylIndium, etc...) on obtient aussi la même sélectivité de dépôt, bien qu'étant très loin de l'équilibre thermodynamique, ceci probablement pour les même raisons de diffusivité superficielle accrue sur les surfaces diélectriques lorsque la pression environnante est faible (voir par exemple l'article de E.TOKUMITSU et Collaborateurs dans Journal of Applied Physics, 55, 1984, 3163). En résumé, on sait maîtriser l'épitaxie sélective de composés III-V divers (GaAs, InP, GaInAs, GainAsP, etc...) par plusieurs techniques distinctes, à savoir: - (1) épitaxie en phase vapeur par la méthode des chlorures (VPE), - (ii) épitaxie en phase vapeur et à basse pression par la méthode des organo métalliques (LP.MOCVD) et - (lit) épitaxie par jet moléculaire par la méthode des organo métalliques (MOMBE). De plus, la méthode MOCVD à pression atmosphérique permet de déposer des couches continues polycristallines sur les surfaces diélectriques et monocristallines sur les surfaces exposées d'un substrat aussi monocristallin. Si l'on garde ce résumé en mémoire, on voit que l'on peut tout d'abord effectuer en homoépitaxie (ou en hétéroépitaxie d'un composé présentant le même paramètre de maille) des empilements de couches III-V monocristallines iso- lées par des couches diélectriques. Une façon de réaliser cet empilement est décrit dans ce qui suit. Pour mettre en oeuvre le procédé de l'invention en ce qui concerne des composés semiconducteurs III-V, on effectuera les différentes étapes décrites dans ce qui suit Etape 1: On part d'une plaquette standard 1 en GaAs ou lnP de diamètre 2 ou 3 pouces, d'orientation (100) ou (110). (Figure 22). Etape 2: On dépose, par les moyens connus de l'homme de l'art. (Pulvérisation cathodique, évaporation sous vide, CVD; CVD plasma, etc...) une couche mince 2 d'un matériau diélectrique qui peut par exemple être du nitrure de silicium Si3N4, de la silice SiO2, des oxydes tels que A1203..., ou des fluorures tels que CaF2, etc... L'épaisseur de ce dépôt est comprise entre I0 typiquement 5 102 et quelques micromètres. On grave ensuite dans ce diélectrique par les moyens connus de lthomme de l'art un ensemble de bandes 23, 24 de largeur 0,5 à quelques microns et espacées de quelques microns à quelques centaines de microns qui mettent ainsi périodiquement à nu le substrat monocristallin. (Figures 23 et 24). L'orientation des bandes de substrat 23 mises à nu sera effectuée de telle façon que, compte tenu des conditions de dépôt sélectif ultérieurement utilisées (par exemple fraction molaire de AsCI3 en VPE), la facette de croissance latérale ne soit pas limitante. Ainsi, si l'on utilise un substrat de GaAs d'orientation (110), les bandes seront orientées entre 0 et 40 de la direction (110) ceci correspondant à des vitesses de croissance latérale importantes (voir par exemple l'article de C.O BOZLER et Col]. dans Journal of Vacuum Science and Technology 20, Mars 1982, p.720). Etape 3: On dépose, par exemple par MOCVD à pression atmo- sphérique ou bien en MBE classique, une couche mince de composé III-V de maille accordée au substrat sur la structure précédente. Cette couche sera monocristalline sur les endroits exposés du substrat et polycristalline sur le diélectrique. L'épaisseur de cette couche sera de quelques 10 à quelques microns. La planarisation est obtenue soit naturellement (la vitesse de croissance est plus rapide sur les parties monocristallines que sur le diélectrique) soit, si l'épaisseur de diélectrique est grande, en effectuant préalablement un dépôt sélectif en travaillant par exemple en MOCVD sous pression ré- duite, ce qui a pour effet de remplir les ouvertures pratiquées dans le diélectrique avec du matériau monocristallin sans que l'on observe de dépôt sur ce même diélectrique. (Figure 25). Etape 4: On redépose sur la structure planarisée précédente une _2 deuxième couche de diélectrique d'épaisseur quelques 10 à quelques micromètres. (Figure 26). Etape 5: On grave de même que précédemment des ouvertures dans cette deuxième couche de diélectrique; ces ouvertures sont décalées par rapport aux précédentes, ce décalage pouvant va- rier entre quelques micromètres et quelques centaines de micromè- tres. (Figure 27). Ces ouvertures sont situées dans la partie centrale du matériau polycristallin. Etape 6: A partir de ces ouvertures, on enlève le matériau III-V polycristallin par attaque chimique, de façon à mettre à nu le germe monocristallin. (Figure 28). Etape 7: On fait croître à partir du germe précédemment mis à nu et en conditions d'épitaxie sélective (VPE, L.P MOCVD ou MOMBE) un ruban de matériau III-V qui va s'étendre latérale- 2G ment de part et d'autre du germe. On obtient ainsi une couche mince de matériau III-V monocristallin comprise entre deux cou- ches de diélectrique. (Figure 29). On peut ainsi remplir complètement les ouvertures dans le diélectrique supérieur (si toutefois leur largeur est compati- ble avec cette opération), de façon â ce que les deux fronts de cristallisation issus de deux germes adjacents se rejoignent. Etape 8: On effectue la planarisation du dépôt précédent (au niveau des ouvertures 43, 44, 45), par exemple par attaque sélective dans un plasma à base de CF4 ou CF4 + He etc..., de façon à obtenir une surface supérieure du dépôt monocristallin sensiblement plane. (Figure 30). Etape 9: On enlève le diélectrique supérieur, sur toute la surface de la plaquette, de façon à obtenir une couche mince monocristalline de semiconducteur, isolée du substrat par les bandes de diélectrique inférieur et communiquant avec ce même substrat par des puits monocristallins. (Figure 31). Etape 10: On peut effectuer l'isolation complète de la couche mince 30, 31, 32 en gravant localement cette dernière dans des zones 38, 39, de façon à désolidariser la couche mince 30, 31, 32 des puits monocristallins 33, 34 communiquant avec le sub- strat comme cela est représenté en figure 32. On peut répéter à partir de l'étape 9 précédente l'en- semble des étapes 3 à 8 précédemment décrites de façon à obte- nir un empilement tel que celui représenté à la figure 14. De même que précédemment, lorsque la largeur des bandes 43, 44 et 45 ouvertes dans le diélectrique supérieur est trop importante, la croissance va déborder du plan supérieur du diélectrique comme cela est représenté sur la figure 20. On introduit donc pour pallier cet inconvénient une variante qui est la même que celle représentée par les figures 15 à 19. D'autre part, on peut trouver des variantes à l'exem- ple de réalisation présenté sur les figures 22 à 32. Ainsi une première variante du procédé décrit selon les Etapes 1 à 7 est commenté dans ce qui suit en se reportant aux figures 33 à 41. Etape 11: De même que précédemment on part d'un substrat de composé III-V, GaAs ou InP représenté en figure 33. Etape 12: On dépose et on grave des bandes 70, 71 par exemple métalliques (Au, Pt, etc...) ou bien organiques (résine, polymère, PMMA, polyimide...) . Ces bandes vont essentiellement servir de masque de gravure pour l'étape suivante. La largeur de ces bandes est de 0,5 à quelques microns et elles sont espacées de quelques microns à quelques centaines de microns. Une telle structure est représentée en figure 34. Etape 13: On grave dans le substrat 1, en utilisant comme masque les bandes 70, 73 précédemment déposées, un réseau de mésas aussi en bandes. Les dimensions caractéristiques sont bien sur les mêmes que précédemment, c'est à dire de 0,5 à quelques microns pour la largeur des bandes de mésas et de quelques microns à quelques centaines de microns pour l'espacement entre bandes de mésas. La profondeur de gravure est typiquement de quelques 10 à quelques microns. (Figure 35). Etape 14: On dépose par les moyens connus de l'homme de l'art un diélectrique 90 à 93 (SiO2, Si3N4..) sur la structure précédente. L'épaisseur de ce diélectrique sera aussi de _2 quelques 10 à quelques micromètres, mais dans tous les cas elle sera Inférieure à la profondeur de la gravure effectuée lors de l'étape 13. (Figure 36). Etape 15: Comme représenté en figure 37, on élimine par 'lift off"l les couches de diélectriques 90, 93 sur les mésas (et uniquement sur les mésas), en attaquant les bandes métalliques ou de résine déposées lors de l'étape 12. Etape 16: On planarise la structure précédente à l'aide d'un matériau type polyimique 101, 102 déposé à la tournette. (Figure 38). Etape 17: On dépose à basse température, par les moyens connus de l'homme de l'art, une couche diélectrique 110 d'épais- seur 10 à quelques microns. (Figure 39). Etape 18: On grave des ouvertures 43, 44 (sous forme de bandes) dans le diélectrique précédent, celles-ci étant décalées par rapport aux mésas et disposées dans la partie centrale de l'évidement abritant le polyimide; on élimine le polyimide par dissolution à l'aide d'un solvant approprié. Cette opération a pour effet de remettre à nu le germe monocrlstallin sur les flancs latéraux des mésas. On obtient ainsi une structure telle que représentée en figure 40. Etape 19: De même que précédemment (Etape 7), on fait croître en conditions de dépôt et d'épitaxie sélectifs (VPE, LP MOCVD, MOMBE).la couche mince (de composé III-V par exemple) à partir des germes formés par les flancs des mésas, comme cela est représenté en figure 41. On pourra, ainsi que précédemment, lorsque les ouver- tures (43, 44) dans la deuxième couche diélectrique sont trop larges, opérer selon la méthode décrite sur les figures 15 à 19 afin d'éviter le débordement dans le plan supérieur du diélectri- que de la couche en cours de croissance. Dans tous les cas, on arrive à une situation comparable à celle représentée à la fi- gure 29, ce qui permet d'effectuer ensuite les étapes représen- tées aux figures 30, 31, 32 et 14 de même que précédemment décrit. Au cours de l'étape 3 (représentée sur la figure 5) du procédé précédemment décrit, on a prévu un dépôt de matériau semiconducteur qui est monocristallin sur les zones de germina- I0 tion 23 et 24 et polycristallin sur les zones diélectriques 20, 21, 22. Pour diverses raisons, il peut être souhaitable de décou- pler les deux parties de ce dépôt simultané. On propose dans ce qui suit deux façons différentes d'effectuer ce découplage. Selon une première version, on réalise l'étape de dépôt d'un premier diélectrique 2 décrite précédemment (étape 1 du procédé général), avec des substrats de départ soit Si soit GaAs ou InP etc..., d'orientation appropriée, par exemple (100). L'étape 2 de gravure n'est pas effectuée. Etape A-3: On dépose une deuxième couche 200 d'un matériau non nécessairement diélectrique, mais de nature différente de celle du matériau déposé lors de l'étape 1 (par exemple, si la couche déposée lors de l'étape 1 est de la silice, la couche déposée lors de cette étape 3 pourra être du nitrure de silicium Si3N4 ou bien du tungstène W ou bien tout autre matériau susceptible de présenter une sélectivité d'attaque chimique par rapport à la couche déposée lors de l'étape 1, en l'occurence la silice). L'épaisseur de cette deuxième couche sera du même ordre de grandeur que la première. On obtient donc la structure représentée sur la figure 42. A partir de cette situation, on peut envisager quatre sous variantes. -Une première sous variante, concerne spécifiquement un substrat 1 en silicium. Etape A-4-1: On dépose une couche de silice SI02 d'épaisseur 235 10 à quelques microns. 1O à/ quelques microns. Etape A-5-1: On grave dans la structure multicouche précédem- ment obtenue, un ensemble de bandes 301 de largeur 0,5 à quel- ques micromètres et espacées de quelques micromètres à quelques centaines de micromètres, qui mettent périodiquement à nu le substrat monocristallin comme cela est représenté en figure 43. Etape A-6-1: On remplit, par dépôt CVD sélectif de silicium jusqu'au niveau du milieu de la couche supérieure de silice les ouvertures 301 précédemment obtenues et ce, en utilisant des conditions d'épitaxie sélective telles que décrites précédemment (voir figure 44). Etape A-7-1: On oxyde le silicium déposé lors de l'étape précé- dente de façon à "planariser" la structure (voir figure 45). Etape A-8-1: On grave dans la silice supérieure des ouvertures décalées par rapport aux précédentes de façon à obtenir une structure similaire à celle obtenue au cours de la cinquième étape du procédé principal décrit précédemment et représentée en figure 7. A partir de là, on reproduit la sixième étape précé- dente en dissolvant par attaque chimique sélective la couche 200, de façon à mettre à nu les germes de silicium monocristallin. On répète ensuite la septième étape de crois- sance latérale décrite précédemment, de façon à obtenir une structure similaire à celle de la figure 9; on réalise ensuite aisément les étapes correspondant aux figures 10 à 14 incluses. Selon une deuxième sous variante on réalise les étapes suivantes Etape A4-2: On grave dans la structure sandwich représentée en figure 42 un ensemble de bandes, de même que lors de l'étape A-5-1 précédente. On obtient une structure du type représentée en figure 46. Etape A-5-2: On remplit les bandes obtenues à l'étape précé- dente par épitaxie sélective du semiconducteur voulu (Si, GaAs, InP, etc...) de façon à planariser la structure. Etape A-6-2: On dépose sur la structure précédente une couche uniforme 4 d'un matériau diélectrique ou non, mais qui présente les caractéristiques suivantes: - il permet l'attaque sélective de la couche n 2. - il permet le dépôt sélectif du matériau semiconducteur voulu, c'est-àdire qu'il présente a priori vis à vis de la phase gazeuse mère une barrière du nucléation plus élevée que les germes de matériau semiconducteur monocristallin obtenus lors de l'étape A-5-2. La structure obtenue est représentée sur la figure 45 o le substrat 1 est un semiconducteur monocristallin quelconque et ou I'on remplace la couche 4 de silice supérieure par une couche de matériau dont on a énoncé les caractéristiques ci-dessus. A partir de cette étape, on répète les cinquième (ouverture de bandes type 43, 44, 45), sixième (dissolution de la couche 200), septième étapes (croissance latérale forcée en conditions d'épitaxie sélective) et suivantes du procédé princi- pal de façon à obtenir des couches minces et des empilements de couches minces isolées. comme représenté par exemple sur les figures 31, 32 et 14. Selon une troisième sous variante,pour diverses raisons de planéité et de rugosité superficielle optimales, il peut être intéressant de déposer lors de l'étape A-3 du silicium amorphe comme couche 200, en particulier si le substrat monocristallin est à même de supporter des températures élevées (températures d'oxydation du Si). Après ce dépôt, on opère une oxydation de la partie supérieure du silicium amorphe, de façon à obtenir après gravure de bandes une structure similaire à celle représentée sur la figure 47. On remarquera sur cette figure 47 que l'on a légère- ment sous gravé la structure en silicium amorphe. En effet, lors de l'opération dioxydation (à typique- ment 1000 C) de la couche de silicium amorphe (déposée typique- ment à 450 C) cette dernière recristallise, pour donner du silicium polycristallin, l'interface Si/SiO2 conservant toutefois une très faible rugosité. Ainsi, lors de l'opération de remplissage sélectif des bandes de germination (étape A-6-1 ou étape A-5-2), afin d'évi-. ter une croissance latérale parasite gênante à partir des germes de silicium amorphe transformé en polycristallin on préfère sous graver légèrement la couche de silicium amorphe 200 transformé en polyeristallin. De cette façon, la croissance verticale dans les bandes de germination n'est pas géné par des excroissances latérales à partir des germes polycristallins, étant entendu que la sous gravure est effectuée de façon telle que le front de croissance verticale arrive à l'interface Si/Si02 de la couche 300 avant que le front de croissance latéral issu des germes polycristallins n'ait rejoint les parois latérales des bandes de germination. Après avoir rempli sélectivement les bandes de germination avec du matériau monocristallin, on répète les étapes A-7-1, etc... décrites précédemment si le matériau semiconducteur voulu est du silicium. La quatrième sous variante généralise la précédente à tout autre semiconducteur que du silicium, avec utilisation de silicium ou un autre semiconducteur amorphe comme couche 200. On dépose sur la structure de la figure 42 (o la couche 200 est du silicium ou du semiconducteur amorphe) une couche 300 de matériau présentant d'une part une excellente sélectivité d'attaque par rapport au silicium ou autre semiconducteur amorphe et d'autre part permettant le dépôt sélectif du matériau semiconducteur voulu, c'est-à-dire présentant a priori une barrière de nucléation plus élevée que la surface ou les principaux plans cristallographiques du substrat semiconducteur 1. On grave ensuite des bandes de germination pour obtenir une structure similaire à celle de la figure 47 dans laquelle le silicium ou le semiconducteur amorphe aura aussi été sous gravé. On dépose par épitaxie sélective le matériau semiconducteur de nature différente de celle du substrat dans les bandes de germination, de façon à ne remplir que très par- tiellement la partie correspondant à la couche 300. Une struc- ture similaire est représentée à la figure 44. On redépose sur l'ensemble une couche passivante 500, qui peut être du matériau tel que celui de la couche 300 ou bien tout autre matériau per- mettant d'obtenir des conditions de non nucléation superfi- cielle. On ouvre enfin des bandes dans le matériau de la couche 500 (de même que lors de la cinquième l'étape du procédé géné- ral), de façon telle qu'elle soient décalées par rapport aux bandes de germination (voir figure 48). A partir de là, on peut réaliser de même que précédem- ment décrit, les opérations de dissolution chimique du silicium ou du semiconducteur amorphe (couche 200) et de croissance latérale du semiconducteur monocristallin de nature différente ou non de celle du substrat à partir des germes mis à nu (sixième et septième étapes du procédé général). Selon une autre version, on commence par réaliser les première et deuxième étapes du procédé général. On réalise ensuite les étapes suivantes: Etape B-3: On dépose une couche 200 uniforme d'un matériau qui présente une excellente sélectivité d'attaque chimique par rapport au diélectrique d'une part et à la couche 300 (dont la description va suivre) d'autre part. Cette couche 200 peut être du silicium amorphe, un diélectrique, un métal ou bien du' polyimide ou équivalent. Etape B-4: On grave dans la couche précédente un système de bandes, de façon à mettre le substrat à nu dans les espaces laissés libres par la gravure du premier système de bandes. La situation est représentée sur la figure 49. On s'est arrangé pour que les ouvertures effectuées dans la couches 200 soient de largeur inférieure à celle des premières et symétriquement disposées au milieu de ces mêmes premières. Etape B-5: On redépose sur la structure précédente une couche 300 uniforme d'un matériau présentant une excellente sélectivité d'attaque chimique avec le matériau 200 et présentant de plus vis à vis de la phase gazeuse "mère" une barrière de nucléation plus élevée que les principaux plans cristallographiques du substrat. La situation est schématisée sur la figure 50. A partir de cette situation, on répète la cinquième étape du procédé général. On dissout la couche 200 selon la sixième étape du procédé général et on refait croître en condi- tions d'épitaxie sélective, à partir du germe constitué par la face supérieure du substrat, une couche mince du matériau semiconducteur voulu selon la septième étape de ce même procédé général (voir figure 51). Il est bien évident que la description qui précède n'a été faite qu'à titre d'exemple non limitatif. D'autre variantes peuvent être envisagées sans sortir du cadre de l'invention. Les valeurs numériques et les types de matériaux semiconducteurs n'ont été fournies uniquement que pour illustrer la description. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation par croissance en phase vapeur d'une couche mince monocristalline d'un matériau semiconducteur, caractérisé en ce que la croissance est initéle sur un germe d'un matériau monocristallin du même type que le matériau semiconducteur de la couche mince à obtenir et est confinée entre deux couches en matériau distinct du matériau semiconducteur de telle façon qu' il ne peut y avoir ni nucléation ni dépôt de matériau semiconducteur sur les surfaces exposées de ce ou de ces matériaux distincts, l'intervalle entre les deux couches du ou des matériaux distincts définissant l'épaisseur de la couche mince monocristalline à obtenir. 2. Procédé de réalisation d'une couche de matériau semiconducteur monocristallin sur une première couche d'un maté- riau Isolant (2) réalisée sur un substrat (1)semiconducteur monocristallin, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes a) une première étape de réalisation sur le substrat (1) semiconducteur monocristallin de ladite première couche de matériau isolant (2) présentant une sélectivité d'attaque 2G chimique par rapport aux couches adjacentes et ne permettant ni nucléation, ni dépôt à partir des espèces de ladite phase vapeur sur sa surface exposée à la phase vapeur; b) une deuxième étape de gravure de premières ouver- tures (23, 24) dans la première couche (2) de matériau isolant; c) une troisième étape de réalisation dans les premiè- res ouvertures (23, 24), et sur les parties de la couche d'iso- lant (20, 21, 22) restant après l'étape de gravure précédente, d'une couche d'un matériau semiconducteur (30 à 34), cette cou- che étant monocristalline dans les ouvertures (23, 24) et polycristalline sur l'isolant (20, 21, 22) d) une quatrième étape de réalisation d'une deuxième couche (4) d'un matériau isolant sur la couche de matériau semiconducteur (30 à 34); e) une cinquième étape de gravure dans la deuxième couche (4) de matériau isolant d'au moins une deuxième ouverture (43, 44) aboutissant sur une partie polycristalllne (30, 31, 32) de la couche de matériau semiconducteur (30 à 34); f) une sixième étape d'attaque chimique du matériau semiconducteur polycristallin (30, 31, 32) de façon à supprimer tout le matériau semiconducteur polycristaUllin et éventuellement de façon a légèrement attaquer le matériau monocristallin; g) une septième étape de croissance sélective à partir d'une phase vapeur d'un matériau semiconducteur monocristallin dans le ou les espaces (30, 31, 32) laissés libres par la disparition du matériau polycristallin. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte: - une huitième étape d'oxydation ou de gravure locali- sée du matériau semiconducteur monocristallin situé dans la ou les deuxièmes ouvertures (43, 44) situées dans la deuxième cou- che de matériau isolant (4) présentant une sélectivité d'attaque chimique par rapport aux couches adjacentes et ne permettant ni nucléation, ni dépôt à partir des espèces de ladite phase vapeur sur ses surfaces exposées à la phase vapeur - une neuvième étape de retrait de la couche de maté- riau isolant (40, 41, 42) et du matériau semiconducteur monocristallin oxydé (43, 44). 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte: une dixième étape d'oxydation localisée du matériau semiconducteur monocristallin (30, 31) dans des zones correspon- dant aux premières ouvertures (33, 34). 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte; une onzième étape d'attaque du matériau semiconducteur oxydé au cours de la dixième étape. 6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la septième étape (g) de croissance de matériau semiconducteur monocristallin est arrêtée lorsque ce matériau atteint les flancs des deuxièmes ouvertures (43, 44) et en ce qu'il comporte les phases suivantes après la septième étape: - une première phase d'attaque et d'élimination de l'isolant de la deuxième couche de matériau isolant (4); - une deuxième phase de dépôt d'un matériau intercalaire, présentant une sélectivité d'attaque chimique par rapport à la première couche de matériau isolant (2) et à une troisième couche d'isolant (5) qui sera déposée ultérieurement, dans les ouvertures (43) existant dans la couche de matériau monocristallIn (30, 31, 32), et une planarisation de la structure obtenue - une troisième phase de dépôt d'une troisième couche d'isolant (5) - une quatrième phase de gravure de troisièmes ouver- tures (53) dans la troisième couche d'isolant (5) au dessus du matériau intercalaire - une cinquième phase d'enlèvement du matériau intercalaire par les troisièmes ouvertures (53); - une sixième étape de croissance et d'épitaxie sélectives de matériau semiconducteur monocristallin par les troisièmes ouvertures (53). 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites ouvertures sont réalisées sous forme de bandes. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que chaque étape ou phase d'attaque ou d'enlèvement est suivie d'une étape de décapage. 9. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le substrat est du silicium de l'arséniure de gallium (GaAs) du phosphure d'indium (InP), un composé III-V ou un composé II-VI et que le matériau semiconducteur est de même nature. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'isolant est de la silice (Si 02) ou du nitrure de silicium (Si3 N4) 11. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que lors de la septième étape, est réalisée de façon à ce qu'il y ait débordement du matériau semiconducteur au dessus du matériau isolant et que cette septième étape est suivie d'une phase de polissage mécano-chimique du semiconducteur jusqu'à atteindre la surface du matériau isolant, le polissage s'arrêtant alors automatiquement par sélectivité du réactif chimique utilisé. 12. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que les ouvertures (23, 24) réalisées lors de la troisième étape sont orientées de façon à ce que la facette de croissance latérale réalisée lors de la septième étape ne soit pas limitante. 13. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte une dixième étape de gravure localisée du matériau semiconducteur monocristallin (30, 31) dans des zones correspondant sensiblement aux premières ouvertures (33, 34). 14. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes - une première étape de réalisation de mésas (80, 83) d'une hauteur déterminée dans un substrat semiconducteur monocristallin; une deuxième étape de dépôt, sur le substrat entre les mésas (80) d'un matériau diélectrique (91, 92) dont l'épais- seur est Inférieure à la hauteur des mésas - une troisième étape de dépôt sur le matériau diélectrique (91, 92) d'un matériau intercalaire (101, 102) présentant une sélectivité d'attaque chimique par rapport au matériau diélectrique (90, 91, 92) et à la couche (110) de matériau supérieur qui sera déposée ultérieurement dont l'épaisseur est telle que son addition A l'épaisseur du matériau diélectrique (91, 92) permet d'égaler la hauteur des mésas; - une quatrième étape de dépôt sur l'ensemble des mésas (80, 83) et du matériau intercalaire (101, 102) d'une couche (110) d'un matériau encapsulant présentant une sélectivité d'attaque chimique par rapport à la couche de matériau organique et ne permettant ni nucléation, ni dépôt à partir des espèces de ladite phase vapeur sur les surfaces exposées dudit matériau eneapsulant; - une cinquième étape de réalisation d'ouvertures (43, 44) dans la couche (110) de matériau encapsulant dans des zones aboutissant sur du matériau intercalaire (101, 102) -une sixième étape d'élimination, par les ouvertures (43, 44), du matériau intercalaire (101, 102) - une septième étape de croissance sélective en phase vapeur par les ouvertures (43, 44), d'un matériau semiconducteur monocristallin de même'nature que le substrat. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le substrat est en silicium (Si), en arséniure de galllum (GaAs), ou en phosphure d'indium (InP), ou est un composé de type III-V ou un composé de type II-VI. 16. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: -une première étape de réalisation sur un substrat semiconducteur monocristallin d'au- moins une bande constituée d'une couche d'un matériau diélectrique (2), d'une couche d'un matériau intercalaire semiconducteur (200) et d'une couche d'un matériau encapsulant (300) isolant présentant une sélectivité d'attaque chimique par rapport aux couches adjacentes et ne permettant ni nueléation, ni dépôt à partir des espèces de ladite phase vapeur sur ses surfaces exposées à la phase vapeur - une deuxième étape de croissance sur le substrat (1), dans les zones (301) non occupées par ladite bande, d'un matériau semiconducteur monocristallin; - une troisième étape d'oxydation de ce matériau semiconducteur monocristallin - une quatrième étape de réalisation d'ouvertures dans la couche encapsulante (300) présentant une sélectivité d'attaque chimique par rapport aux couches adjacentes et ne permettant ni.nucléation, ni dépôt à partir des espèces de ladite phase vapeur sur sa surface exposé à la phase vapeur - une cinquième étape d'élimination par lesdites ouver- tures de la couche de matériau intercalaire semiconducteur (200) - une sixième étape de croissance sélective, par lesdites ouvertures d'un matériau semiconducteur monocrlstallin. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que la première étape prévoit la réalisation sur le substrat d'une bande ne comportant qu'une couche d'un matériau diélectri- que (2) et d'une couche d'un matériau intercalaire semiconducteur (200) et que la troisième étape, prévoit le dépôt d'une couche encapsulante (300) présentant une sélectivité d'attaque chimique par rapport aux couches adjacentes et ne permettant ni nucléation, ni dépôt à partir des espèces de ladite phase vapeur sur sa surface exposée à la phase vapeur 2 sur l'ensemble de la structure. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la deuxième étape prévoit une phase préalable de gravure de la couche de matériau intercalaire semiconducteur (200). 19. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes - une première étape de réalisation, sur un substrat (1), d'au moins une bande de matériau diélectrique (2); - une deuxième étape de revêtement de ces bandes (2) par un matériau Intercalaire semiconducteur (200) présentant une sélectivité d'attaque chimique par rapport aux autres matériaux - une troisième étape de revêtement de l'ensemble ainsi obtenu par un matériau encapsulant (300) présentant une sélectivité d'attaque chimique par rapport aux couches adjacentes et ne permettant ni nucléation, ni dépôt à partir des espèces de ladite phase vapeur sur sa surface exposée à la phase vapeur;- - une quatrième étape de réalisation d'ouvertures dans le matériau encapsulant (300) au dessus de la bande de matériau diélectrique 2 - une cinquième étape d'élimination, par les ouvertu- res (301), du matériau intercalaire semiconducteur (200); - une sixième étape de croissance et d'épitaxie sélectives par les ouvertures (301), d'un matériau I 0 semiconducteur monocristallin. 20. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 a 5, caractérisé en ce qu'il comporte ensuite la réalisation d'au moins une cavité (3000) de volume limité par un matériau distinct du matériau semiconducteur laquelle cavité communique avec une couche de matériau semiconducteur (30) déjà réalisée de façon à réaliser au moins une autre croissance d'une couche mince monocristalline d'un matériau semiconducteur à partir de la couche de matériau semiconducteur (30) déjà réalisée. 21. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le matériau intercalaire (101, 102) est organique. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que le matériau intercalaire (101, 102) est un polyimide ou un polymère. 23. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le matériau intercalaire (101, 102) est minéral.