FR 2633087 A1 19891222 FR 8907804 A 19890613 La présente invention concerne une mémoire magnétique à l'état solide et plus particulièrement un dispositif de mémoire à lignes de Bloch, convenant pour obtenir une mémoi- re de fichiers de grande capacité. Une mémoire à lignes de Bloch est un dispositif de mé- moire, auquel on s'est intéressé de plus en plus dans les domaines de l'information, de la communication,rde la mesure et analogues, en tant que mémoire magnétique améliorant for- tement la haute densité de la mémoire à bulles magnétiques, qui est une mémoire magnétique rémanente. Le dispositif de mémoire à lignes de Bloch conforme à la présente invention peut être également appliqué de façon appropriée à un dispo- sitif de mémoire de données d'un panneau de commande élec- tronique, d'une machine-outil à commande numérique, d'un or- dinateur personnel, d'un système d'exploitation de base, d'un appareillage médical, d'un satellite, etc. Le dispositif de mémoire à lignes de Bloch utilise un grenat magnétique comme milieu de mémorisation, de la même manière que le dispositif de mémoire à bulles magnétiques, mais son système de mémoire est nettement différent de celui de ce dispositif. Dans le dispositif classique à bulles magnétiques, l'existence et l'absence de domaines à bulles correspondent -à l'information respective '"" et 0 D'autre part, dans le dispositif de mémoire à lignes de Bloch, l'existence et l'absence d'un couple de lignes de Bloch verticales -à l'in- térieur de la paroi entourant un domaine en forme de bande formé par l'extension du domaine à bulle correspond à "1" et "0". Ci-après, on va expliquer le principe de la mémoire à lignes de Bloch. La figure 4, annexée à la présente demande, représente schématiquement - le domaine en forme de bande dans la pelli- cule magnétique dans le dispositif de mémoire à lignes de Bloch et la structure située sur sa périphérie. Sur le des- sin, la flèche 413 dirigée vers le haut à l'intérieur du do- maine en forme de bande 402 représente la direction d'aiman- tation dans ce domaine. De façon similaire, la flèche 411, qui s'étend le long de la ligne centrale dans la paroi ma- gnétique 401, représente la direction d'aimantation située au centre de la paroi 401 et une flèche située dans une di- rection perpendiculaire à la ligne centrale de la paroi ma- gnétique représente une ligne de Bloch verticale 403 (qui sera désignée ci-après simplement sous le terme de "ligne de Bloch"). La mémoire à lignes de Bloch mémorise l'informa- tion en supposant que la partie 404a, o deux lignes de Bloch existent en formant un couple, correspond à l'information "1" et que la partie 404b, o ces lignes n'existent pas, cor- respond à l'information "0". Comme cela a été décrit précédemment, la ligne de Bloch utilisée en tant que support d'informations est une structu- re d'aimantation très fine qui existe dans la paroi magnéti- que 401 entourant le domaine en forme de bande 402. La ligne de Bloch existe de façon stable dans la paroi magnétique 401 et peut se déplacer librement à l'intérieur de cette paroi. C'est pourquoi, si un grand nombre de domaines en forme de bandes 402 sont disposés parallèlement dans une position pré- déterminée et que des lignes de Bloch 403 sont présentes dans la paroi magnétique du domaine, elle représente le même comportement que le domaine à bulle qui se dé- place dans la boucle secondaire d'un dispositif de mémoire à bulle magnétique. C'est pour cette raison que le disposi- tif de mémoire à lignes de Bloch peut posséder une structure de dispositif de mémoire du type registre à décalage, de la même manière que le dispositif de mémoire à bulle magnétique. L'existence de la ligne de Bloch est connue depuis long- temps et des expériences et leurs analyses ont montré à l'évi- dence que la vitesse de déplacement du domaine, dans lequel la ligne de Bloch existe, devient inférieure à celle du do- maine ne contenant pas la ligne de Bloch. Par conséquent, dans le dispositif de mémoire à bulle magnétique requérant le déplacement du domaine, le domaine de la bulle contenant la ligne de Bloch est désigné sous le terme de "bulle dure" et des dispositions ont été mises au point pour empêcher son ' apparition. Au contraire, le dispositif de mémoire à lignes de Bloch utilise efficacement l'existence de cette ligne de Bloch. La taille physique de la ligne de Bloch est égale en- viron à 1/10 de la largeur du domaine en forme de bande, dans laquelle elle existe, et on peut s'arranger pour qu'il exis- te un grand nombre de lignes de Bloch dans.un domaine en for- me de bande. Dans le cas d'un grenat magnétique possédant un domaine en forme de bande d'une largeur de 1 jm, qui a été développé actuellement pour un dispositif de mémoire à bulle magnétique, on peut prendre des dispositions pour qu'il existe 5 x.10 lignes de Bloch pour 1 cm2. Par conséquent, si on prépare un support d'informations en utilisant deux lignes de Bloch en tant que,couple, on peut fabriquer.un dis- positif de mémoire possédant une capacité de mémoire de la classe de 256 Mbits/cm2. Comme cela a été décrit précédemment, la ligne de Bloch peut se déplacer librement autour de la paroi du domaine en forme de bande et est à même de mémoriser l'information (pos- sède une fonction de mémoire). Cependant il faut créer la fonction d'enregistrement et la fonction de lecture de I'in-- formation afin de constituer un dispositif de mémoire. Pour obtenir la fonction d'enregistrement, on connais- sait d'une manière générale un système, qui amène un courant à circuler dans un conducteur situé à l'extrémité du domaine en forme de bande et applique un champ local à la partie ter- minale du domaine en forme de bande de manière à inverser le champ de 180 . En d'autres termes, on peut comprendre ce phénomène en considérant qu'une partie de la zone correspon- dant à l'état d'aimantation 404b représenté par "0" sur la figure 4 est inversé et passe à l'état représenté par la zone 404a et correspondant à "1". A cet instant, la limite entre la zone inversée et la zone non inversée produit l'.état, qui est modifié de 90 par rapport à la paroi magnétique, étant donné que l'aimantation varie continûment. C'est la ligne de Bloch 403. A cet égard,' étant donné que cet état est toujours obtenu lorsque deux lignes de Bloch 403,403' existent sous la forme d'un couple,on peut amener l'informa- tion binaire à correspondre à l'existence et à l'absence d'un couple de lignes de Bloch. L'opération de lecture de l'information est exécutée au moyen d'une conversion de l'existence et de l'absence de lignes de Bloch en l'existence et l'absence de domaines à bulles. Un procédé de conversion faisant passer de la ligne de Bloch au domaine à bulle est décrit par Konishi dans IEEE Transactions on Magnetics, MAG-19, N'5, 1983, pp. 1838-1843. Sur la figure 4, si la ligne de Bloch 403 existe dans la pa- roi 401 du domaine en forme de bande 402, la direction d'ai- mantation dans la paroi 401 s'inverse, la ligne de Bloch 403 formant la limite. En raison de telles modifications de la structure d'aimantation, il apparaît une variation dans la facilité de découpage de la partie terminale du domaine ma- gnétique entre le cas o une ligne de Bloch 403 se déplace en direction de la partie terminale du domaine en forme de bande 402, et le cas o aucune ligne de Bloch 403 n'est pré- sente dans cette partie terminale. En utilisant cette pro- priété, il est possible de découper un domaine magnétique à bulle à partir de la partie terminale du domaine en forme de bande 402 uniquement lorsqu'une ligne de Bloch 403 existe dans une partie terminale du domaine en forme de bande 402, en faisant circuler un courant prédéterminé dans un conduc- teur de découpage disposé sur ou à proximité de la partie terminale du domaine en forme de bande 402. Le domaine à bul- le ainsi découpé est transféré selon le même procédé en tant que ligne de mesure du dispositif de mémoire à bulle et est converti en un signal électrique et, de cette manière, il est possible de lire-l'existence de la ligne de Bloch. Comme cela a été décrit-précédemment, on peut réaliser le dispositif de mémoire à lignes de Bloch en formant les parties fonctionnelles des opérations d'enregistrement, de mémorisation et de lecture sur le même dispositif. Les opérations d'enregistrement et de lecture indiquées ci-dessus sont décrites par exemple dans la demande de bre- vet japonais mise à l'inspection publique sous le N 151374/ 1984. La figure 5, annexée à la présente demande, représente une vue en plan du dispositif de mémoire à lignes de Bloch. Sur ce dessin, la partie de mémorisation de l'information est formée au moyen de l'alignement d'un grand nombre de do- maines en forme de bandes 502. Une structure de transfert 507 servant à transférer de façon stable les couples des li- gnes de Bloch et à les retenir est disposée de manière à croi- ser perpendiculairement les domaines en forme de bandes 502. La structure de transfert est formée au moyen d'une corro- sion-sélective de la surface d'un matériau magnétique ou d'un grenat magnétique. Une partie fonctionnelle de lecture 521 ést disposée sur le côté droit du dispositif, tandis qu'une partie fonctionnelle d'enregistrement -520 est disposée sur le côté gauche. La partie fonctionnelle d'enregistrement 520 enregistre le couple de lignes de Bloch de la manière décri- te ci-dessus. S'il n'est pas souhaitable de réaliser un en- registrement (ou d'enregistrer "0" lorsque le couple de li- gnes de Bloch est réglé de manière a correspondre à "1" par exemple) dans un domaine en forme de bande donné, on fait apparaître une bulle magnétique 510 dans une position située sur le prolongement de la partie terminale dé ce domaine en forme de bande. Si la bulle magnétique est présente, sa for- ce répulsive magnétostatique agit sur la partie terminale du domaine en forme de bande, et la partie terminale du do- maine en forme de bande, dans laquelle -il n'est pas souhai- table de réaliser l'opération d'enregistrement, peut être séparée de la porte d'enregistrement (vers la droite sur le dessin), comme représenté sur le dessin. De cette manière le conducteur constituant la partie fonctionnelle d'enregis- trement 520 et le domaine en forme de bande peuvent être li- bérés et le couple de lignes de Bloch n'est pas enregistré dans le domaine en forme de bande même si l'impulsion de cou- rant est apliquée au conducteur pour réaliser l'enregistre- ment. (En d'autres termes, "0" est enregistré dans la forme de réalisation décrite précédemment). Pour obtenir la fonc- tion désirée précédemment, un trajet 523 de transfert de bul- les magnétiques et un générateur 512 de bulles magnétiques sont disposés dans la partie fonctionnelle d'enregistrement 520. D'autre part, l'opération de lecture dans le disposi- tif de mémoire à lignes de Bloch est exécutée dans la partie fonctionnelle de lecture 521. L'existence de la bulle magné- tique séparée par découpage lors de l'opération de lecture est convertie en le signal électrique par le détecteur de bulles magnétiques 511, par l'intermédiaire du trajet de transfert de lecture 522. L'existence et l'absence de ce si- gnal électrique correspondent à l'existence et l'absence de la bulle magnétique ou, en d'autres termes, au fait que la ligne de Bloch existe ou non dans la partie terminale d'un domaine en forme de bande prédéterminé. L'opération de lec- ture peut être mise en oeuvre de cette manière. Afin d'améliorer la stabilité du couple de lignes de Bloch, la demande de brevet japonais mise à l'inspection pu- blique sous le N 101092/1984 décrit un procédé appliquant un champ de polarisation magnétique dans une direction si- tuée dans le plan d'une pellicule magnétique et amenant l'état d'aimantation du domaine en forme de bande dans l'état S = 0. Ici, le symbole S est un nombre qui représente le nom- bre de rotations de l'aimantation au centre de la paroi lors- que le domaine tourne une fois autour de la paroi magnétique. Si le couple de lignes de Bloch se maintient de façon stable lors de la mise en oeuvre de ce procédé, trois lignes de Bloch existent au niveau de la tête du domaine en forme de ban- 7 ' de si l'information "1" est présente en cet endroit, et une ligne de Bloch existe si "0" est présent, lorsque l'on fait correspondre l'information "1" à "l'existence" du couple de lignes de Bloch, par exemple. Conformément à ce procédé, la ligne de Bloch est tou- jours présente au niveau de la tête du domaine en forme de bande indépendamment de l'information "1" et "0", et l'opé- ration de lecture d'informations ne peut pas être mise en oeuvre au moyen du seul procédé déjà décrit. ' La demande de brevet japonais mise à l'inspection pu- blique sous le N 248296/1986 décrit un procédé qui résoud ce problème et permet de réaliser l'opération de lecture. Ce procédé consiste à disposer deux conducteurs de- prépara- tion de lecture au niveau de la partie terminale du domaine de forme annulaire, l'application d'un champ magnétique de transfert et le passage d'une impulsion de courant prédéter- minée dans ces conducteurs. Conformément à cette opération, on peut faire apparaître une ligne de Bloch au niveau de la tête du- domaine en forme de bande uniquement lorsque l'in- formation "1" est transférée, et son existence et son absen- ce peuvent être converties en l'existence et -l'absence de la bulle et peuvent être lues au moyen du procédé déjà dé- crit par Konishi. Le procédé décrit précédemment met en oeuvre des opé- rations de traitement préalables à l'opération de lecture moyennant l'utilisation du champ magnétique de transfert. Par conséquent, une ligne de Bloch, qui existe au niveau de la tête du domaine en forme de bande dans le cas de l'infor- mation "0" se déplace en permanence dans la direction de transfert. C'est pourquoi, si la direction de transfert est la direction de gauche en direction du conducteur-de décou- page à partir de l'autre extrémité du domaine en forme de bande lorsqu'on regarde à partir de la surface de la pelli- cule, sur laquelle le conducteur de découpage est disposé ou, en d'autres termes, si la direction-de transfert de la ligne de Bloch tourne vers la gauche lorsqu'on regarde à par- tir de la surface de la pellicule, sur laquelle le conduc- teur de découpage est disposé, l'aimantation de la paroi ma- gnétique au niveau de la tête du domaine en forme de bande est tournée vers la gauche lorsque l'opération de prépara- tion pour la lecture est mise en oeuvre. Par conséquent, étant donné que l'aimantation de la paroi magnétique est tournée vers la gauche depuis l'autre extrémité du domaine en forme de bande en direction du conducteur de découpage, en d'au- tres termes dans la direction de rotation vers la gauche dé- crite précédemment, lorsqu'on regarde à partir de la surface de la pellicule, sur laquelle le conducteur de découpage est disposé, les lignes de Bloch horizontales apparaissent à par- tir de la surface supérieure de la pellicule équipée du con- ducteur de découpage. Conformément à un aspect de la présente invention, il est prévu une mémoire à lignes de Bloch, caractérisée en ce qu'elle comporte: une pellicule magnétique, dont l'axe d'ai- mantation facile s'étend dans la direction de la normale à une surface de la pellicule; une partie fonctionnelle de mémoire utilisant, comme support d'informations, un couple de lignes de Bloch apparaissant dans la paroi magnétique au- tour d'un domaine en forme de bande formé dans la pellicule magnétique; une partie fonctionnelle d'enregistrement ser- vant à produire le couple de lignes de Bloch en tant que sup- port d'informations dans la partie fonctionnelle de la mé- moire; une partie fonctionnelle de lecture comportant un con- ducteur servant a découper le domaine en forme de bande, dis- posé à proximité de la partie terminale du domaine en forme de bande, et convertir la présence et l'absence du couple de lignes de Bloch en l'existence et l'absence d'un domaine à bulle de manière à lire l'information; et des moyens d'ai- mantation/servant à convertir la direction d'aimantation de la paroi magnétique, dans laquelle est présente l'informa- tion "0" (qui correspond à l'absence du couple de lignes de 263308? - 9 Bloch), dans la partie terminale du domaine-en forme de ban- de en une direction tournée vers la droite lorsqu'on regarde à partir de la surface de la pellicule, sur laquelle ledit conducteur est disposé. Les moyens d'aimantation/de rotation décrits précédem- ment peuvent orienter en permanence, dans une direction pré- déterminée, la direction d'aimantation de la paroi magnéti- que au niveau de la partie terminale du domaine en forme de bande lorsque le couple de lignes de Bloch n'existe pas au niveau de la partie terminale. En d'autres termes, la direc- tion est toujours la direction de rotation vers la droite lorsqu'on regarde à partir de la surface de la pellicule, sur laquelle le conducteur de la partie fonctionnelle de dé- coupage est disposé. Par conséquent, l'apparition d'un fonc- tionnement ou d'un découpage erroné du domaine à bulles au niveau de la partie fonctionnelle de découpage devient ex- trêmement difficile. Selon une caractéristique particulière de la présente inven- tion, il est prévu une mémoire à lignes de Bloch, dans la- quelle les moyens 'd'aimantation/de rotation décrits précédem- ment comportent un conducteur de préparation pour la lecture, servant à produire un champ dans le plan pour écarter le cou- plie de lignes de Bloch au niveau de la partie terminale du domaine en forme de bande. Lorsqu'on fait passer un courant dans le conducteur de préparation pour la lecture de manière à produire le champ dans la direction permettant d'écarter le couple de lignes de Bloch, si ce couple de lignes de Bloch n'existe pas au niveau de la partie terminale du domaine en forme de bande ou, en d'autres termes; si une ligne de Bloch existe et que cette ligne de Bloch est déplacée à.partir de la partie terminale du domaine en forme de bande en raison du champ dans le plan, décrit précédemment; la direction d'ai- mantation de la paroi est la direction de rotation à droite - comme cela a été décrit précédemment. Cette ligne de Bloch se déplace depuis la partie d'extrémité du domaineen forme de bande en direction de sa partie latérale comme si elle était repoussée par l'aimantation dans la direction de rota- - tion vers la droite.Le déplacement de la ligne de Bloch se produit en raison de l'existence du champ produit par le con- ducteur de préparation pour la lecture,autour de lui-même.La ligne de Bloch,qui existe au niveau de la partie terminale du domaine en forme de bande est soumise à une force de gira- tion dans la direction d'une vis tournant à droite,en raison du champ appliqué dans la direction de la perpendiculaire à la surface de la pellicule,et se déplace vers la partie laté- rale du domaine en forme de bande sous l'effet du champ dans le plan produit par le passage du courant dans le conducteur de préparation pour la lecture,comme indiqué précédemment.La direction de déplacement est déterminée par la direction du champ dans le plan produit par le conducteur et par la direc- tion du champ s'étendant dans la direction normale. Pour déplacer la ligne de Bloch de manière que la di- rection d'aimantation de la paroi magnétique devienne la di- rection s'étendant vers la droite,le conducteur de prépara- tion pour le découpage est de préférence disposé de manière qu'au moins sa ligne centrale et le domaine en forme de bande soient superposés au moment de la lecture de l'information. De cette manière,le champ,qui s'étend dans la direction de la perpendiculaire à la surface de la pellicule et est pro- duit au niveau du bord du conducteur, agit sur la ligne de Bloch unique existant au niveau de la tête du domaine en for- me de bande. Etant donné que la ligne de Bloch se déplace dans la direction. de la force de giration appliquée par ce champ à la ligne de Bloch, la direction d'aimantation de la paroi magnétique peut être réglée de manière à s'étendre vers la droite. On peut amener la ligne de Bloch à commencer à se déplacer dans la direction prédéterminée, à l'aide d'au- tres moyens (comme cela sera décrit plus loin). Selon une autre caractéristique particulière de la présente invention, il est prévu un dispositif de mémoire à lignes de Bloch, dans lequel les moyens d'aimantation/de rotation décrits précédemment sont des moyens servant à appliquer un champ dans le plan à la partie terminale du domaine en forme de bande dans la direction visant à séparer le couple de li- gnes de Bloch, après le démarrage du déplacement de la ligne de Bloch sous l'effet de la rotation du champ de polarisa- tion dans le plan, qui doit être appliqué dans la direction longitudinale du domaine en forme de bande. La rotation du champ dans le plan, servant à faire démarrer le déplacement de la ligne de Bloch et l'application du champ dans le plan servant à écarter le couple de lignes de Bloch peuvent être mis en oeuvre à l'aide d'un seul moyen d'application/de ro- tation du champ dans le plan. Selon une autre caractéristique de la présente invention, il est prévu une mémoire à lignes de Bloch, dans laquelle les moyens d'aimantation/de rotation décrits pré- cédemment incluent des moyens pour appliquer un champ dans la direction de la normale à la surface de la pellicule et une pel.icule d'aimnantationdans le plan présentant une force coer- * citive élevée pour retenir la ligne de Bloch existant au ni- veau de la partie terminale du domaine en forme de bande, dans la partie latérale de ce domaine. Selon encore une autre caractéristique de la présente inOen- tion, il est prévu une mémoire à lignes de Bloch, caractéri- sée en ce qu'elle comporte: des moyens for- mant..mémoire d'informations, qui utilisent des lignes de Bloch formées dans la paroi magnétique autour d'un domaine en for- me de bande formé dans une pellicule magnétique en tant que support d'informations; des moyens d'enregistrement d'infor- mations servant à produire les lignes de Bloch dans les mo- yens formant mémoire d'informations; et des moyens de lectu- re d'informations incluant des moyens servant à faire tour- ner la direction de l'aimantation de la paroi au niveau de la partie terminale du domaine en forme de bande, au moment du découpage de ce domaine, vers une direction prédéterminée par déplacement de la ligne'de Bloch existant dans la partie -35 terminale du domaine en forme de bande dans une direction prédéterminée. Une telle mémoire à lignes de Bloch comporte un conducteur de découpage servant à découper le domaine en forme de bande. Si la direction prédéterminée décrite pré- cédemment est choisie de manière à être une direction de ro- tation à droite, le découpage du domaine en forme de bande devient extrêmement difficile lorsque ce découpage n'est pas exécuté, et la marche de fonctionnement pour la lecture de l'information peut être améliorée de façon remarquable. Selon une caractéristique de la présente inven- tion, il est prévu une mémoire à lignes de Bloch, dans la- quelle le domaine en forme de bande décrit précédemment est disposé de manière à entourer une structure à gorges ménagée dans la pellicule magnétique. Cette structure à gorges est de préférence formée par creusement à 100 % de la pellicule magnétique dans le sens de la profondeur, et peut retenir de façon stable le domaine en forme de bande. Selon une autre caractéristique de la présente invention, il est prévu une mémoire à lignes de Bloch, dans laquelle les moyens servant à faire tourner la direction de l'aimantation de la paroi dans la partie terminale du domai- ne en forme de bande vers une direction prédéterminée in- cluent des moyens pour produire un champ de déclenchement servant à déplacer la ligne de Bloch existant dans la partie terminale du domaine en forme de bande dans une direction prédéterminée et des moyens pour produire un champ dans le plan servant à retenir la ligne de Bloch ainsi déplacée, dans la partie latérale du domaine en forme de bande. Les moyens pour produire le champ de déclenchement sont à même de ga- rantir la rotation à droite de la direction d'aimantation de la paroi magnétique au niveau de la partie terminale du domaine en forme de bande, lorsqu'un découpage n'est pas né- cessaire. Les moyens permettant de produire le champ dans le plan peuvent maintenir la rotation à droite au moment de.l'opé- ration de découpage. Un conducteur disposé à proximité du domaine en forme de bande est disponible en tant que moyen pour produire le champ dans le plan. Il est possible de fai- re circuler un courant dans ce conducteur de manière à pro- duire le -champ dans le plan possédant la direction désirée (rotation vers la droite de la direction d'aimantation de la paroi-magnétique). Il est judicieux de disposer le con- ducteur de découpage servant à lire l'information et les mo- yens servant. à produire le- champ dans le plan de manière qu'ils soient superposés moyennant l'interposition d'une pel- -licule isolante par exemple à proximité de la partie termi- nale du domaine en forme de bande. De préféêrence une struc- ture de guidage servant à stabiliser la position de la par- tie terminale du domaine en forme de bande est disposée à proximité de la partie terminale de manière à maintenir de façon stable la position de la partie terminale au moment du découpage. Un avantage de la présente invention réside dans le fait que la marge de fonctionnement lors de l'opération de lecture de l'information dans la mémoire à lignes de Bloch peut être améliorée de façon remarquable. De façon plus pré- cise, la gamme du courant de découpage du domaine au moment de la lecture pour la conversion de l'existence de la ligne de Bloch en l'existence de la bulle peut être accrue d'un facteur allant jusqu'à cinq, par rapport à la technique de l'art antérieur. Un autre avantage de la présente invention réside dans le fait que, étant donné que la direction d'aimantation de la paroi magnétique lorsqu'aucun couple de lignes de Bloch n'existe dans la partie terminale du domaine en forme de ban- de, peut être dirigée vers la droite en direction du conduc- teur de découpage à partir de l'autre extrémité du domaine en forme de bande lorsqu'on regarde à-partir de la surface de la pellicule, sur laquelle le conducteur de découpage du domaine en forme de bande est disposé, le découpage de ce domaine, lorsqu'aucun couple de lignes de Bloch n'existe (ce qui correspond à l'information "0" par exemple) devient plus difficile, de sorte qu'il devient extrêmement facile de dis- tinguer ce cas du cas o le couple de lignes de Bloch existe (correspondant à l'information "1" par exemple). D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après pri- se en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 représente une vue en perspective en cou- pe partielle d'un dispositif de mémoire & lignes de Bloch conforme à une forme de réalisation de la présente invention; - la figure 2, formée des figures partielles 2A à 2E, représente une vue en plan théorique d'une partie de lecture d'un dispositif de mémoire à lignes de Bloch conforme à la présente invention; - la figure 3, formée des figures 3(a)-(d) et (a')- (d'), est une vue permettant d'expliquer une forme de réali- sation de la présente invention; - la figure 4 est une représentation théorique de do- maines en forme de bandes et de lignes de Bloch existant dans une pellicule de grenat magnétique; - la figure 5 est une représentation théorique selon une vue en plan du dispositif de mémoire à lignes de Bloch; et - la figure 6 représente un diagramme caractéristique montrant la relation entre l'état d'aimantation et la condi- tion de découpage du domaine en forme de bande, moyennant l'utilisation, comme paramètres, de la montée et de la retom- bée d'une impulsion de courant. La figure 6 représente un diagramme montrant un exem- ple de la caractéristique de découpage et de la relation en- tre le temps de montée et le temps de retombée d'une impul- sion de courant de découpage, et sur ce diagramme on a re- présenté l'amplitude de l'impulsion de courant. Sur ce dia- gramme, un cercle noir (O) représente le cas o une ligne de Bloch est présente au niveau de la partie terminale d'un domaine en forme de bande (ce cas correspond à l'information "1"), un cercle: blanc O (a) représente le cas. o l'aimanta- tion de la paroi magnétique est tournée vers la droite lors- qu'aucune ligne de Bloch n'est présente à l'extrémité du do- 5. maine en forme de bande (qui correspond à l'information "0") et un symbole X(b) représente le cas o l'aimantation de la paroi magnétique est tournée vers la gauche. Comme on peut le comprendre à partir du diagramme, dans le cas (a) o l'aimantation est tournée vers la droite, la ligne de Bloch horizontale, qui peut entraîner un fonction- nement erroné, apparaît à partir de la- surface inférieure de la pellicule, lorsque le champ magnétique est faible, de sorte qu'un fonctionnement erroné peut difficilement appa- raître même sous l'action d'une impulsion de courant intense 'et que les domaines en forme de bandes ne peuvent pas être aisément séparés. On peut obtenir une différenciation par rapport au domaine en forme de bande correspondant à l'in- formation '"1" au moyen d'une largeur d'une gamme de courants 0. D'autre part, dans le cas (b), o le domaine est tourné vers la gauche, la iigne de Bloch horizontale apparaît à par- tir de la surface supérieure de la pellicule, à l'endroit o le champ magnétique est intense de sorte qu'un fonction- nement erroné est susceptible de se produire et qu'on ne peut établir une différenciation par rapport au domaine en forme de bande correspondant à l'information "1" uniquement dans. une gamme de courants f, qui est nettement inférieure à la valeur indiquée précédemment. Par conséquent, lorsque l'aimantation de la paroi est orientée vers la gauche à partir de la surface de la pelli- cule, sur laquelle le conducteur de découpage est disposé conformément à la direction de transfert, un fonctionnement erroné est susceptible d'apparaître au moment du découpage et il n'est pas possible d'obtenir une caractéristique sa- tisfaisante de lecture. 235 Dans la description de la figure 6, le cas, o aucun couple de lignes de Bloch n'existe dans la partie terminale du domaine en forme de bande, correspond à l'information "O" et le cas o le couple de lignes de Bloch existe, correspond à l'information "1", mais l'explication est également vraie dans le cas o la relation de correspondance est inverse. Comme cela a été décrit précédemment, la valeur du cou- rant de découpage est différente en fonction de la direction de l'aimantation de la paroi, lorsque le couple de lignes de Bloch n'existe pas dans la partie terminale du domaine en forme de bande (l'état de l'information "0" dans l'expli- cation donnée précédemment) et notamment lorsque la direc- tion de l'aimantation de la paroi est tournée vers la droite, un découpage du domaine en forme de bande devient plus dif- ficile que dans le cas o le couple de lignes de Bloch exis- te (l'état de l'information "1" dans l'explication donnée ci-dessus). Par conséquent, si la direction de l'aimantation de la paroi, lorsque le couple de lignes de Bloch n'existe pas dans la partie terminale du domaine en forme de bande, est toujours dirigée vers la droite indépendamment de la di- rection de transfert comme dans le cas de la présente inven- tion, la gamme correspondant à l'opération de lecture (la gamme du courant de découpage dans le cas o l'existence des lignes de Bloch peut être convertie en l'existence des bul- les) peut être élargie. On va expliquer de façon détaillée le fonctionnement de la présente invention en référence à sa forme de réalisa- tion représentée sur la figure 3. Dans la description qui va suivre, le cas o le couple de lignes de Bloch n'existe pas dans la partie terminale du domaine en forme de bande correspond à l'information "0", et le cas o il existe, cor- respond à l'information "1". Les figures 3(a) à 3(d) représentent toutes les combi- naisons du champ de polarisation, situé dans le plan, Hip, pour un maintien stable du couple de lignes de Bloch et-la direction d'aimantation du domaine en forme de bande. Sur les figures 3(a) à 3(d), cette information "0" pré- sente dans la partie terminale du domaine en forme de bande 302, une ligne de Bloch 302 est présente dans la partie ter- minale, avant l'opération de préparation pour la lecture. Dans cet' état, si un conducteur 321 de préparation pour-la lecture est disposé de manière à être strictement superposé sur le domaine en forme de bande 302 (ou en d'autres termes de telle sorte qu'au moins le centre du conducteur est su- perposé au domaine en forme de. bande 302) et si un champ Hy possédant- la direction opposée à Hip est produit par l'appli- cation d'un courant au conducteur de préparation pour la lec- ture 321, un champ vertical &HB agit sur chaque ligne 'de Bloch 303 présente dans la partie terminale du domaine en forme de bande, dans la direction représentée sur le dessin. En raison de ce champ HB, la ligne de Bloch 303 reçoit la force de giration dans la direction venant à droite et se déplace pour venir dans les directions repérées par (a') (d'). Sous l'effet de ce mouvement. de la ligne de Bloch 303, l'aimantation de la paroi au niveau de la tête du domaine en forme de bande est tournée-vers la droite dans tous les exemples, comme représenté sur le dessin. Ce conducteur de préparation pour la lecture constitue les moyens d'aimanta- tion/de rotation de la présente invention. On peut écare:- la ligne de Bloch de la tête du domai- ne en forme de bande à l'aide du champ vertical produit par ce conducteur de préparation pour la lecture 321 et au moyen du champ dans le plan, sans utiliser le champ de transfert, et la direction de l'aimantation de la paroi dans le cas de l'information "0", dans toutes les conditions, peut être orientée dans la direction tournée vers la droite au moyen d'une superposition stricte du conducteur de préparation pour la lecture avec la tête du domaine en forme de bande. C'est pourquoi, comme cela est décrit en référence à la figure 6, le domaine en forme de bande ne peut pas être aisément décou- pé et peut être discerné par rapport à la tête du domaine en formne de bande portant l'information "1", dans une gamme étendue de courants de découpage. C'est pourquoi, la marge de fonction- nement augmente et on peut obtenir une bonne caractéristique de lecture. Bien que l'explication du fonctionnement indiqué ci- dessus concerne le cas o le conducteur de préparation pour la lecture est utilisé en tant que moyen d'aimantation/de rotation, il est également possible que la direction de l'ai- mantation de la paroi soit dirigée vers la droite dans le cas de l'information "0" dans toutes les conditions, de la même manière qu'indiqué précédemment et d'obtenir de ce fait une bonne caractéristique de lecture, comme cela apparaîtra d'une manière plus évidente dans les formes de réalisation indiquées ci-après. La figure 1 représente une vue en perspective en coupe partielle d'une forme de réalisation de la présente inven- tion et représente la structure d'une partie terminale d'un domaine en forme de bande 102 constituant une partie de la mémoire, et sa partie périphérique. Sur la figure 1, un substrat amagnétique 125 est cons- titué par exemple par une plaque formée d'un grehat de ga- dolinium-gallium d'une épaisseur de 0,4 mm, et sur ce subs- trat se trouve formée une pellicule 106 formée d'un grenat magnétique (par exemple une pellicule mince formée d'un gre- nat magnétique du type CaGe et possédant une épaisseur de um). Un domaine en forme de bande 102 contenant un couple de lignes de Bloch 103 en tant que support d'informations est présent de telle sorte qu'il entoure une structure en forme de gorge 108 disposée dans la pellicule 106 de grenat magnétique. Cette structure en forme de gorge 108 a pour rô- le de fixer le domaine en forme de bande 102 et est disposée de telle sorte qu'un nombre important de domaines en forme de bandes 102 peuvent être disposés en parallèle (voir la figure 5 par exemple). La structure en forme de gorge 108 est formée par creusement à 100 % de la pellicule de grenat magnétique 106. Une structure 107 formant trajet de trans- fert (qui est également désignée sous le terme de "structure binaire") est constituée par une pellicule d'aimantation dans le plan, possédant une force coercitive élevée et est dispo- sée sur le domaine en forme de bande 102 de manière à le croi- ser à angle droit. Un conducteur 121 de préparation pour la lecture est constitué par exemple par une pellicule de Au possédant une épaisseur d'environ 0,5 Mm. De préférence, ce conducteur 121 est formé dans une position, dans laquelle au moins son centre est superposé à. la tête du domaine ma- gnétique 102. Le conducteur 122 servant à produire un champ dans le plan est formé à l'extérieur du conducteur 121 de préparation pour la lecture et est constitué par une pelli-. cule de Au, de la même manière que ce conducteur. Un conduc- teur de découpage 120 est formé sur le conducteur 122 de pro- duction du champ dans le plan, moyennant l'interposition d'une pellicule isolante, non représentée, et est constitué par une pellicule de Au de la même manière que les conduc- teurs 121 et 122 décrits précédemment. Une structure de gui- dage 124 est formée par creusement de la pellicule de grenat magnétique 106 sur une profondeur d'environ 0,5 à 0,1 Pm, au-dessous du conducteur 122 de production du champ dans le plan. Les figures 2A à 2E sont des vues en plan conceptuel- les du dispositif représenté sur la figure 1 et représentent le fonctionnement de la partie de lecture du dispositif de mémoire à lignes de Bloch. Sur les figures 2A à 2E, le domaine en forme de bande 202 existe dans la pellicule de grenat magnétique 106 repré- senté sur la figure 1 et est installé et fixé dans la struc- ture en forme de gorge 208. Une structure de guidage 224, qui agit en tant que guide au moment de l'extension du domai- ne en forme de bande 202, est disposée entre un conducteur sinueux 223 de manière à transférer- la bulle apparaissant après la lecture (non représentée sur la figure 1) et la structure en forme de gorge 208. Le conducteur 221 de prépa- ration pour la lecture est disposé dans la partie terminale du domaine en forme de bande 202, et le conducteur 222 de production du champ dans le plan et le conducteur de décou- page 220 sont disposés entre les conducteurs 221 et 223. A cet égard, le couple de lignes de Bloch 203 (de support d'in- formations) est transféré dans la paroi magnétique autour du domaine en forme de bande 202, la partie située directe- ment au-dessous de la structure 207 à trajet de transfert et la partie terminale du domaine en forme de bande 202 se trouvant dans leur position de stabilité. Ci-après, on va décrire le fonctionnement du disposi- tif représenté sur la figure 1, en référence à la figure 2. A cet égard, sur chacun des dessins 2A à 2E, (a) représente l'état correspondant à la formation "0" et (b) représente l'état correspondant à la formation "1". Tout d'abord, sur la figure 2A, (a) représente l'état, dans lequel l'information "0" est transférée dans la partie terminale du domaine en forme de bande 2 et (b) représente l'état, dans lequel l'information "1" est transférée dans la partie terminale du domaine en forme de bande 2. Ci-après, comme représenté sur la figure 2B, lorsqu'un courant Ia est amené à circuler dans le conducteur 221 de préparation pour la lecture, la ligne de Bloch 203, qui exis- te au niveau de la pointe, se déplace et n'existe plus au niveau de la partie terminale du domaine en forme de bande 202, en raison de la présence du champ dans le plan résul- tant Hy et du champ vertical H dans le cas (a) de l'infor- mation "0". D'autre part, dans le cas de l'information "1" dans l'état (b) de la figure 2A, la ligne de Bloch 203 exis- tant au niveau de la pointe et le couple de lignes de Bloch 204a formant support d'informations sont soumises à la force de gyration de sorte qu'elles tournent légèrement vers la droite au début de l'envoi du courant Ia, mais étant donné que le champ Hy agit dans une direction permettant de sépa- J2.- 21 rer le couple de lignes de Bloch 204a, une ligne 204a-2 du couple de lignes de Bloch 204a est maintenue sur le côté du domaine en forme de bande, mais l'autre ligne 204a-1 est ra- menée dans la partie terminale du domaine en forme de bande 202, comme représenté en (b). Par conséquent, la ligne de Bloch 203 ne peut pas se déplacer en direction de la paroi magnétique supérieure et on obtient une séparation de ces trois lignes. Sous l'effet de cette séparation, l'aimanta- tation de la paroi dans la partie terminale du domaine en forme de bande 202 est dirigée dans la direction Hy et l'état de séparation des trois lignes peut être maintenu. Ensuite, lorsqu'un courant Ib est amené à circuler dans le conducteur 222 de production du champ dans le plan et qu'un champ de polarisation Hz est appliqué de manière à étendre le domaine en forme de bande 202 en direction du con- ducteur de forme sinueuse 223 comme représenté sur la figure 2C, la ligne de Bloch 204a-1 se déplace en direction de la pointe au-delà du conducteur de découpage 220, par suite du champ dans le plan Hyb produit par le courant Ib. Si cet état est conservé, une ligne de Bloch 204a-1 peut être présente au niveau de la tête du domaine magnétique 202 uniquement dans le cas de l'information "1". Si le champ dans le plan Hyb n'existe pas, la ligne de Bloch 204a-1 ne peut pas pas- ser au-delà du conducteur de découpage 220, étant-donné que le champ Hip est appliqué. Ci-après, comme représenté sur la figure 2D, on peut séparer par découpage une bulle 210 uniquement dans le- cas (b) o la ligne de Bloch existe au niveau de la tête du do- maine en forme de bande 202 par suite de'la circulation d'un courant Ic dans le conducteur de découpage 220. A cet ins- tant, une nouvelle;ligne de Bloch 204a-3 apparaît au niveau de la tête du domaine en forme de bande 202 et l'information peut être conservée. - La bulle 210 séparée par découpage reste dans le con- *35 ducteur sinueux 223 lorsque le champ de polarisation Hz est interrompu, comme représenté sur la figure 2E. Ensuite, la bulle 210 est transférée le long du conducteur sineux 223 et est convertie en un signal électrique par un détecteur de bulles non représenté. L'opération de lecture de l'infor- mation peut être réalisée de cette manière. Le conducteur 221 de préparation pour la lecture et le conducteur 222 de production du champ dans le plan, dé- crits précédemment, sont importants pour produire principa- lement le champ dans le plan. C'est pourquoi, leur largeur est aussi importante que possible et, conformément aux expé- riences exécutées par les auteurs à la base de la présente invention, une largeur d'environ 100 Pum s'avère être excel- lente eu égard à la largeur du domaine en forme de bande 202. L'existence du conducteur 222 de production du champ dans le plan est importante pour la ligne de Bloch 204a-1 de manière que cette ligne dépasse le conducteur de découpa- ge 220, et cette opération ne peut pas être réalisée au mo- yen du conducteur 221 de préparation pour la lecture. En d'au- tres termes, pour obtenir le déplacement décrit plus haut, il faut augmenter la largeur du conducteur 221 de prépara- tion pour la lecture de sorte qu'une composante inutile de champ vertical augmente lorsqu'un champ Hyb prédéterminé est produit, et l'information mémorisée est détruite. Cependant, le conducteur 221 de préparation pour la lecture et le con- ducteur de production du champ dans le plan peuvent être uti- lisés en commun, au moyen d'une extension graduelle du do- * maine en forme de bande, lorsqu'on permet à l'information de lecture d'être présente dans la partie terminale du do- maine en forme de bande 202, puis qu'on sépare le couple de lignes de Bloch au moyen du conducteur 222 de production du champ dans le plan. Dans ce cas également, la relation de position entre la partie terminale du domaine en forme de bande avant la séparation du couple de lignes de Bloch et du conducteur 222 doit être choisie identique à la relation de position existant entre la partie terminale du domaine en forme de bande et le conducteur 221. Si on utilise ce pro- cédé, on peut mettre en oeuvre la présente invention sans qu'il soit nécessaire de disposer délibérément le conducteur dans la position, dans laquelle il est superposé à la par- tie terminale de la partie de mémoire. Conformément au fonctionnement décrit précédemment, on peut faire apparaître une ligne de Bloch au niveau de la partie terminale du domaine en forme de bande 202 uniquement lorsque l'information "1" est présente dans- la partie termi- nale, et on peut régler-la direction de l'aimantation de la paroi de manière qu'elle soit tournée vers la droitedans le cas de l'information "0". De façon correspondante, l'infor- mation "1" peut être convertie de façon stable en "l'existen- ce" de la bulle en fonction du procédé de découpage. L'état décrit précédemment peut être établi dans tou- tes les conditions même lorsque la direction du champ Hip -ou la direction du champ de polarisation Hz n'est pas la mê- me que dans la forme de réalisation indiquée précédemment, comme cela a déjà été expliqué en référence à la figure 3. C'est pourquoi, on peut obtenir des caractéristiques de lec- ture stable. Les auteurs à la base de la présente invention ont con- firmé que la présente invention peut être mise en oeuvre dans des mémoires à lignes de Bloch utilisant comme milieu de mé- morisation des grenats du système basé sur le Ga à la place d'un grenat du type CaGe. Pour la mise en oeuvre de la présente invention, il est important que la ligne de Bloch correspondant à l'infor- mation "0" commence à se déplacer dans la direction prédé- terminée. Dans le cas de la présente forme de réalisation, le champ vertical produit par le conducteur de préparation pour la lecture est utilisé en tant que système de déclen- chement pour le: démarrage du déplacement, mais la présente invention peut être.-mise en oeuvre également en exécutant une légère rotation du - champ de polarisation dans le plan devant être appliqué dans la direction longitudinale du do- maine en forme de bande, à partir de la direction prédéter- minée. En d'autres termes, la position, stable du point de vue énergie, de la ligne de Bloch dans la partie terminale du domaine en forme de bande est obtenue lorsque cette ligne est tournée dans la direction du champ de polarisation dans le plan. C'est pourquoi, lorsque le champ de polarisation dans le plan tourne légèrement, la ligne de Bloch commence à se déplacer dans le sens de rotation. C'est pour cette rai- son, qu'on peut mettre en oeuvre la présente invention de la même manière que la forme de réalisation indiquée précé- demment, en choisissant le sens de rotation de manière que l'aimantation de la paroi soit dirigée vers la droite (ou que chaque ligne de Bloch soit déplacée dans la direction déterminée par la condition du champ vertical de polarisa- tion et représentée sur les figures 3(a')-(3d')). De façon plus précise, le champ de polarisation dans le plan pivote dans la gamme de 10 à 45 par rapport à la direction longi- tudinale du domaine en forme de bande et cette rotation est utilisée pour déclencher le démarrage du déplacement de la ligne de Bloch. Ensuite, le champ dans le plan est appliqué à la partie terminale du domaine en forme de bande de maniè- re à séparer le couple de lignes de Bloch. De cette manière, on peut faire tourner l'aimantation de la paroi vers la droi- te lorsque l'information est "0". Lorsque trois lignes de Bloch correspondant à'l'infor- mation "1" sont présentes dans la partie terminale du do- maine en forme de bande, elles commencent à se déplacer de façon similaire lorsque le champ de polarisation dans le plan tourne. Cependant il existe seulement deux lignes de Bloch positionnées dans la direction de déplacement, qui suivent ce déplacement. La ligne de Bloch restante est positionnée à proximité de la partie terminale du domaine en forme de bande, sous l'effet de la composante longitudinale du'domai- ne en forme de bande dans le champ de polarisation dans le plan. De ce fait, ces lignes de Bloch peuvent être séparées de la même manière que dans la forme de réalisation décrite précédemment, moyennant l'application du champ dans la di- rection, qui entraine une séparation du couple de lignes de Bloch. La présente invention- peut être mise en oeuvre de cette manière sans aucun problème. Les spécialistes de la technique comprendront aisément que la présente invention peut être mise en oeuvre en dispo- sant la pellicule d'aimantation dans le plan, présentant une force coercitive élevée, f la place du conducteur de produc- tion du champ dans le plan, utilisé dans la présente inven- tion, dans la position de ce conducteur ét en produisant un champ dans le plan, prédéterminé. Les auteurs à la base de la présente invention ont confirmé ce fait au moyen -d'expé- riences. La ligne de Bloch peut être déplacée dans une direc- tion prédéterminée, et de ce fait on peut mettre en oeuvre la présente invention en disposant -la pellicule d'aimanta- tion dans le plan, fournissant une force coercitive élevée, sur ou audessous ou à la place du conducteur de préparation pour la lecture, dans la position de ce dernier, et en appli- quant le champ vertical produit par la partie terminale du conducteur ou un champ vertical équivalent Hz introduit de l'extérieur, en plus du champ- dans le plan Hy, produit par la pellicule d'aimantation dans le plan fournissant une for- ce coercitive élevée. Il est nécessaire de déterminer la direction de dépla- cement de la ligne de Bloch. à partir des directions du champ de polarisation dans le plan-Hip et du champ vertical de po- larisation Hb, réglé par avance pour la mise en oeuvre de la forme de réalisation de la présente invention, de manié- re à faire tourner vers la droite l'aimantation de la-paroi (dans le cas de l'information "0"). Il existe deux procédés pour déclencher le démarrage de ce déplacement. Le premier consiste en la production du champ vertical et le second con- siste en une rotation du champ dans le plan. La présente in- vention peut être mise en oeuvre sans aucun problème grâce à l'utilisation de l'un ou l'autre de ces procédés, soit de ces procédés. Une force coercitive élevée peut être maintenue à l'in- térieur du plan grâce à l'utilisation d'une pellicule d'ai- mantation contenant au moins les éléments choisis parmi le groupe constitué par Co-Pt, Co-Ni, Co-Zr, Co-Ni-Zr, Co-Cr, Sm-Co et Nd-Fe-B, en tant que pellicule d'aimantation dans le plan présentant une force coercitive élevée, décrite pré- cédemment. Bien que la présente invention ait été décrite en ré- férence à la forme de réalisation, dans laquelle le cas o le couple de lignes de Bloch n'existe pas dans la partie ter- minale du domaine en forme de bande correspond à l'informa- tion "0" et le cas o le couple de lignes de Bloch existe correspond à l'information "1", l'information peut être éga- lement applicable dans les cas inverses. Bien que l'on ait décrit la présente invention en se référant à des formes de réalisation préférées, de nombreu- ses modifications et variantes apparaîtront à l'évidence aux spécialistes ordinaires de la technique. C'est pourquoi la présente invention est censée inclure toutes les modifica- tions et changements de ce type. 263.3087 REVENDICATIONS 1. Mémoire à lignes de Bloch, caractérisée en ce qu'elle comporte: une pellicule magnétique (106), dont l'axe d'aimanta- tion facile s'étend dans la direction de la normale à une surface de la pellicule; une partie fonctionnelle de mémoire utilisant, comme support d'informations, un couple de lignes de Bloch (103; 203,204a) apparaissant dans la paroi magnétique autour d'un domaine en forme de bande (102;202) formé dans ladite pelli- cule magnétique; - une partie fonctionnelle d'enregistrement servant à produire ledit couple de lignes de Bloch en tant que support d'informations dans ladite partie fonctionnelle de la mé- moire; une partie fonctionnelle de lecture comportant un con- ducteur (120,220) servant àdécouper ledit domaine en-forme de bande, disposé a proximité de la partie terminale dudit domaine en forme de bande, et convertir la présence et l'ab- sence dudit couple de lignes de Bloch en l'existence et l'ab- sence d'un domaine à bulle de manière à lire l'information;et des moyens d'aimantation/servant à convertir la direc- tion d'aimantation de ladite paroi magnétique,.dans laquelle est présente l'information "0" (qui correspond à-l'absence dudit couple de lignes de Bloch), dans la partie terminale dudit domaine en forme de bande en une direction tournée vers la droite lorsqu'on regarde à partir de la surface de la.pel- licule, sur laquelle ledit conducteur est disposé. - 2. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 1, caractérisée en ce que lesdits moyens d'aimantation/de rotation produisent un champ dans le plan dans une direction servant à écarter ledit couple de lignes de Bloch (204a), dans Lequel l'information "1" est présente au niveau de la partie terminale dudit domaine en forme de bande (202). *35 3. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdits moyens d'aimantation/de ro- tation sont constitués par un conducteur (122,222) et pro- duisent ledit champ dans le plan lorsqu'on fait circuler un courant dans ce conducteur. 4. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 3, caractériséeen ce que ledit conducteur (122,222) est te- nu de fonctionner dans l'état, dans lequel au moins sa li- gne centrale et ledit domaine en forme de bande sont super- posés. 5. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 1, caractérisée en ce que lesdits moyens d'aimantation/ro- tation incluent des moyens pour faire démarrer le déplace- ment de ladite ligne de Bloch par rotation d'un champ de po- larisation, dans le plan, appliqué dans la direction longi- tudinale dudit domaine en forme de bande et des moyens pour appliquer ledit champ dans le plan dans une direction per- mettant d'écarter ledit couple de lignes de Bloch en direc- tion de la partie terminale dudit domaine en forme de bande. 6. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 5, caractérisée en ce que lesdits moyens servant à faire dé- marrer le déplacement de ladite ligne de Bloch et lesdits moyens servant à appliquer ledit champ dans le plan dans la direction séparant ledit couple de lignes de Bloch sont des moyens communs d'application d'un champ. 7. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 1, caractérisée en ce que lesdits moyens d'aimantation/ro- tation incluent des moyens servant à appliquer un champ dans la direction de la normale à la surface de ladite pellicule magnétique,et une pellicule d'aimantation dans le plan à force coercitive élevée, servant à déplacer ladite ligne de Bloch existant dans la partie terminale du domaine en forme de ban- de vers la partie latérale de ce domaine. 8. Mémoire à lignes de Bloch, caractérisée en ce qu'elle comporte: des moyens formant mémoire d'informations, qui utilisent des lignes de Bloch formées dans la paroi magnétique autour d'un domaine en forme de bande (102;202) formé dans une pellicule magnétique en tant que support d'in- *formations; des moyens d'enregistrement d'informations servant à produire lesdites lignes de Bloch dans lesdits moyens for- mant mémoire d'informations; et des moyens de lecture d'informations servant à lire l'information desdits moyens formant mémoire d'informations; lesdits moyens-de lecture d'informations incluant des moyens servant à faire tourner la direction de l'aimantation de la paroi au niveau de la partie terminale dudit domaine en forme de bande, au moment du découpage de ce domaine, vers une direction prédéterminée par déplacement de ladite ligne de Bloch existant dans la partie terminale dudit domaine en forme de bande dans une direction-prédéterminée. 9. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 8, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre un conduc- teur (120,220) servant à découper ledit domaine en forme de bande (202). 10. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 8, caractérisée en ce que ledit domaine en forme de bande (102,202) est disposé de manière à enserrer des structures à gorges (108) ménagées dans ladite pellicule magnétique. 11. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 9, caractérisée en ce que lesdits moyens servant à faire tour- ner la direction de l'aimantation de la paroi dans la partie terminale dudit domaine en forme de bande vers une direc- tion prédéterminée incluent des moyens pour produire un champ de déclenchement servant à déplacer ladite ligne de Bloch - existant dans la partie terminale dudit domaine en forme de bandes dans une direction prédéterminée et des moyens pour produire un champ dans le plan servant- à retenir ladite li- gne de Bloch ainsi déplacée, dans la partie latérale dudit domaine en forme de bande. 12. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 11, caractérisée en ce que lesdits moyens servant à produire ledit champ dans le plar. sont un conducteur (122,222) disposé & proximité de la partie terminale dudit domaine en forme de bande. 13. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 11, caractérisée en ce que ledit conducteur servant à décou- per lesdits domaines en forme de bande et lesdits moyens servant à produire ledit champ dans le plan sont disposés de manière à être situés à proximité de la partie termina- le dudit domaine en forme de bande, moyennant l'interposi- tion d'une pellicule isolante. 14. Mémoire à lignes de Bloch selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre des moyens pour guider la partie terminale dudit domaine en forme de bande