FR 2626082 A1 19890721 FR 8800357 A 19880114 DISPOSITIF D'OPTIQUE INTEGREE PERMETTANT DE SEPARER LES COMPOSANTES POLARISEES D'UN CHAMP ELECTROMAGNETIQUE GUIDE ET PROCEDE DE REALISATION DU DISPOSITIF. DESCRIPTION L'invention concerne un dispositif d'optique intégrée permettant de séparer les composantes polarisées d'un champ électromagnétique guidé et un procédé de réalisation du dispositif. Il est usuel d'utiliser des dispositifs d'optique intégrée dans le cas, par exemple o l'on désire faire passer un faisceau Lumineux transporté par une fibre optique vers une autre fibre optique. Le cas le plus simple d'un tel transfert consiste à effectuer un raccord bout à bout de deux fibres optiques. On peut également procéder au transfert de tout ou partie de l'énergie transportée en intercalant un dispositif d'optique intégrée entre deux fibres optiques. Le dispositif le plus simple représenté sur la figure 1 consiste en une structure de guidage qui comprend une couche de guidage mince 10 appelée coeur, intercalé entre deux couches 20, , l'ensemble étant déposé sur un substrat 40. L'indice de réfraction du coeur est toujours supérieur aux indices de réfraction des couches adjacentes 20, 30. Le faisceau lumineux se propage dans cette couche de guidage 10, avec une partie évanescente dans chacune des couches adjacentes. La figure 1 représente une coupe transversale suivant te sens de propagation. Dans une telle structure, un champ électromagnétique peut se propager suivant deux types de modes de propagation: un premier type de modes dits transverses ou quasi-transverses électriques (notés TE), pour lesquels le champ électrique associé à L'onde électromagnétique est dans le plan de la couche de guidage, et un deuxième type de modes dits transverses ou quasi- transverses magnétiques (notés TM), pour lesquels c'est le champ 2 2626082 magnétique qui est dans le plan de La couche. En général, les dispositifs d'optique intégrée sont réalisés de façon à ne permettre la propagation que d'un seul mode de chaque type; ces modes sont appelés modes fQndamentaux. Dans le reste de la description on considérera pour plus de simplicité le cas de structures ne permettant la propagation que de ces modes fondamentaux. Toute onde inclinée par rapport à ces deux modes se décompose nécessairement en deux composantes, l'une de type TE, l'autre de type TM. Un dispositif d'optique intégrée également connu permet d'effectuer des transferts par couplage. Un exemple d'un tel circuit a été représenté, vu en coupe transversale perpendiculaire au sens de propagation, sur la figure 2, et vu de dessus sur la figure 3. La structure du coupleur d'ondes électromagnétiques en optique intégrée représenté sur ces figures comprend deux couches 3, 4 généralement identiques entre lesquelles ont été placées deux couches 1, 2 disjointes, d'indice plus fort que ceux des couches 3 et 4 et identique pour les deux couches, ces couches se trouvant sur un même plan comme on peut le voir à partir de la coupe représentée sur la figure 2. Les couches 1 et 2 associées aux couches adjacentes 3 et 4 forment des guides optiques parallèles. L'ensemble est déposé sur un substrat 5. Le choix de l'intervalle e entre les deux couches formant chacun des coeurs 1, 2 proprement dit, permet d'agir sur les coefficients de couplage K et K entre les deux guides. Ces E M coefficients sont également fonction des paramètres caractérisant les guides. K et K représentent respectivement les coefficients E M de couplage des modes TE et TM (modes guidés). Lorsque l'on injecte une onde électromagnétique dans le guide de coeur 1, la totalité de l'énergie de cette onde peut passer dans le guide de coeur 2 au bout de distances de propagation fonctions des coefficients de couplage K, K, à E M condition que les vitesses de propagation des modes guidés de même type soient identiques dans chacun des guides pris indépendamment. Dans le cas o les vitesses de propagation ne 3 2626082 sont pas égales, le transfert d'énergie sera partiel, mais atteindra un maximum au bout de distances qui sont fonctions des coefficients de couplage K et KM, mais aussi de la diffrence E M, mais aussi de La différence entre ces vitesses. On utilise classiquement des structures guidées ayant une faible différence d'indice An entre le coeur et les deux couches entre lesquelles il est intercalé, car ainsi la structure de guidage est très peu dépendante du type de la polarisation de l'onde. Ceci est un avantage, on peut en effet guider une onde lumineuse avec une telle structure sans se préoccuper de sa polarisation, les modes TE et TM ayant alors des profils de champs et des indices effectifs très voisins (on rappelle que l'indice effectif est le rapport entre la vitesse de la lumière et la vitesse du mode guidé). Par ailleurs, ce type de structures permet un rendement de couplage élevé entre une fibre optique monomode et les guides de lumière. - Or, il s'est avéré nécessaire dans certaines applications d'utiliser des structures de guidage à faibles différences d'indices (faibles zn) de manière à ce qu'au moins un des guides soit très peu sensible à la polarisation et possède un bon rendement de connexion avec une fibre monomode, et de pouvoir en même temps séparer les composantes polarisées du champ électromagnétique guidé. C'est le cas par exemple lorsque l'on cherche à réaliser un récepteur à polarisation multiple (en terminologie anglo-saxonne "Polarization diversity receiver), c'est aussi le cas lorsque l'on cherche à réaliser des capteurs optiques utilisant la polarisation lumineuse. Aucun des dispositifs d'optique intégrée existants ne permet d'être à la fois très peu sensible à la polarisation d'une onde lumineuse tout en permettant la séparation des deux composantes polarisées TE et TM. La présente invention permet de résoudre ce problème. EtlLe concerne un dispositif d'optique intégrée du type coupleur qui par sa structure particulière et ses caractéristiques optiques permet d'obtenir les deux fonctions désirées. 4 2626082 L'invention a donc pour objet un dispositif d'optique intégrée comportant une première et une deuxième structures de guidage d'ondes électromagnétiques comprenant chacune un coeur, ces coeurs étant espacés par un intervalle prédéterminé de manière à permettre un couplage de l'énergie de l'une des structures vers l'autre et ces structures admettent des modes guidés qui ont des indices effectifs différents pour une première composante polarisée du champ électromagnétique et égaux pour une deuxième composante polarisée de ce champ, l'intervalle entre ces deux coeurs étant constant sur une distance L également prédéterminée voisine d'une distance au bout de laquelle un transfert total de l'énergie relative à la deuxième composante polarisée a lieu, d'une structure guidée vers l'autre, l'intervalle séparant les deux structures augmentant au-delà de cette distance de sorte que l'on obtienne ainsi une séparation des composantes polarisées du champ. Le dispositif est réalisé de manière avantageuse au moyen d'une première structure de guidage dans laquelle le coeur est constitué par une bande de matériau d'indice nl comprise entre une deuxième et une troisième couches de matériau d'indices respectivement n3 et n4 et d'une deuxième structure de guidage dans laquelle le coeur est constitué par une bande d'un matériau d'indice n2 comprise entre une deuxième et une troisième couches de matériau d'indices respectivement n4 et n5 (ou n3, n4), l'indice nl étant supérieur aux indices n3 et n4 et l'indice n2 étant supérieur aux indices n4 et n5. De façon avantageuse, les bandes comportent, soit dans un même plan, soit dans deux plans parallèles, une partie rectiligne espacée par un intervalle constant et une partie courbée réalisée dans le prolongement de la partie rectiligne correspondante, espacées d'un intervalle croissant de manière à diminuer jusqu'à l'annuler le couplage entre les deux structures. Apres annulation du couplage, l'intervalle entre les deux bandes peut redevenir constant. La séparation des modes par deux structures de guidage est réalisée par augmentation de l'intervalle de couplage au-delà de la distance de couplage d'un des modes, les dimensions des bandes restant constantes, et/ou en modifiant éventuellement les dimensions des bandes. Le dispositif est réalisé de manière avantageuse à partir de deux structures de guidage ayant des couches superposées, les bandes constituant les coeurs étant superposées et/ou juxtaposées dans deux couches différentes et éventuellement juxtaposées dans une même couche. On peut réaliser la bande de guidage d'indice nl au moyen d'oxyde de silicium faiblement dopé, les deuxième et troisième couches des deux structures étant réalisées par de l'oxyde de silicium, et la bande de guidage d'indice n2 au moyen d'oxyde de silicium fortement dopé. On peut également réaliser la bande d'indice nl au moyen d'oxyde de silicium faiblement dopé, la bande d'indice n2 étant constituée soit de nitrure de silicium, soit d'alumine, soit d'oxynitrure de silicium, les deuxième et troisième couches des deux structures étant constituées d'oxyde de silicium. L'invention a également pour objet un procédé de réalisation d'un dispositif d'optique intégrée comprenant les étapes suivantes: - dépôt sur un substrat d'une couche d'indice n5, d'épaisseur h8, - dépôt d'une couche d'indice n2, d'épaisseur h2 - gravure de cette couche de manière à obtenir une bande de guidage de largeur prédéterminée formant le coeur, la bande de guidage ayant une première partie sensiblement rectiligne et une seconde partie, - dépet d'une couche d'indice n4, d'épaisseur h7, - dépôt d'une couche d'indice nl, d'épaisseur hl, - gravure de cette couche de manière à obtenir une bande de Largeur prédéterminée L formant le coeur ayant une première partie sensiblement rectiligne parallèle à la première partie rectiligne de l'autre bande de guidage sur la longueur prédéterminée L et une deuxième partie, les deuxièmes parties des bandes d'indice n2 et nl s'écartant l'une de l'autre, au moins une de ces deuxièmes parties étant courbée, - dépôt d'une couche d'indice n3 sur toute la surface et d'épaisseur h6. Les couches d'indice n5, n4, n3 étant de façon avantageuse en oxyde de silicium dopé ou non, on dépose par exemple ces couches par une technique dénommée PECVD correspondant à un dépôt par décomposition chimique en phase vapeur assistée par plasma. De toute façon, les caractéristiques de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre. Cette description porte sur des exemples de réalisation qui n'ont naturellement rien de limitatif. Des dessins sont annexes à cette description sur lesquels: - la figure 1 représente une structure de guidage vue en coupe selon un plan parallèle au sens de propagation des ondes selon l'art antérieur; la figure 2 représente un coupleur vu en coupe selon un plan perpendiculaire au sens de propagation des ondes selon l'art antérieur; la figure 3 représente un coupleur selon la figure 2 en vue de dessus selon l'art antérieur; - la figure 4 représente un exemple de dispositif d'optique intégrée selon l'invention en vue de dessus; - la figure 5 représente le dispositif selon l'invention vu selon une coupe transversale V-V dans la partie rectiligne; - la figure 6 représente le dispositif selon l'invention vu selon une coupe transversale VI-VI dans la partie courbée; - la figure 7 représente le dispositif selon l'invention vu selon une coupe longitudinale correspondant au sens de propagation des ondes, relatif à un premier mode de réalisation; - la figure 8 représente une coupe longitudinale du 7 2626082 dispositif selon L'invention relative à une deuxième, une troisième et une quatrième variantes de réalisation; - la figure 9 représente les courbes caractéristiques des guides de coeurs 1 et 2 traduisant les variations des indices effectifs pour chacun des modes en fonction des variations de L'épaisseur de ces coeurs; - Les figures 10 à 14 représentent chacune une étape du procédé de réalisation du dispositif selon l'invention. Une structure de guidage classique et un coupleur ont été représentés respectivement sur les figures 1, 2 et 3 et déjà décrites dans la partie introductive. La figure 4 représente donc un exemple de réalisation du dispositif selon t'invention. Cette vue représente une vue de dessus du dispositif. Le dispositif comprend deux bandes de guidage 1 et 2 qui se trouvent selon cet exemple particulier superposées puis juxtaposées, mais non dans le même plan. Les bandes comportent une partie A, partie dans laquelle elles sont sensiblement rectilignes, et une partie B, partie dans laquelle elles sont écartées et courbées. Une couche 7 d'indice de réfraction plus faible est placée entre les deux bandes constituant les coeurs des deux structures guidées selon ce mode particulier de réalisation. D'autres détails de réalisation seront précisés au fur et à mesure de la description. L'onde lumineuse est par exemple reçue par la bande de guidage 1, c'est pourquoi on peut prévoir que cette bande présente un prolongement par rapport à la bande 2 de manière à recevoir cette onde sans que celle-ci soit reçue également par la bande de guidage 2. Les bandes de guidage telles que la bande 1 ou La bande 2 sont classiquement dénommées coeur dans une structure de guidage. Ces coeurs prennent une forme courbée au bout d'une longueur commune prédéterminée qui ext légèrement inférieure à la longueur de couplage Lc, c'est-à-dire à la Longueur au bout de laquelle l'énergie d'un des modes transportée par le coeur I a été transférée dans le coeur 2. Les coeurs 1 et 2 sont ensuite suffisamment écartés et espacés de manière à ce 8 2626082U qu'il n'y ait plus interaction entre eux. Pour des questions de géométrie, il peut être utile de récupérer l'énergie sur chacun des coeurs 1 et 2 au moyen d'un coeur qui a Les mêmes dimensions que le coeur de départ. C'est pourquoi, à titre d'exemple, on a représenté sur cette figure un tronçon de coeur 1 superposé au coeur 2 qui permet de récupérer par couplage toute l'énergie provenant de ce coeur 2. Ce tronçon de coeur 1 est superposé à l'extrémité du coeur 2 sur une longueur égale à la longueur de couplage. Comme on peut le voir à partir des figures 5 et 6, qui correspondent respectivement à une coupe V-V et à une coupe VI-VI prises selon un plan perpendiculaire au sens de propagation des ondes, le dispositif selon l'invention comporte deux structures de guidage. Une première structure comprend le coeur 1 d'indice de réfraction nl intercalé entre deux couches 6, 7, d'indice de réfraction n3, n4. La deuxième structure de guidage comporte le coeur 2 d'indice de réfraction n2 intercalé entre deux couches 7, 8, d'indice n4, n5, la couche 7 étant commune aux deux structures. Ces deux structures sont déposées sur un substrat 9. Le substrat 9 est avantageusement du silicium et les couches 6, 7, 8 sont avantageusement de l'oxyde de silicium et telles que n3=n4=n5=n. Bien entendu, le substrat pourrait être également du verre ou de la silice ou tout autre matériau sur lequel on peut réaliser des dépôts et les couches 6, 7, 8 peuvent être constituées par des matériaux différents, ces derniers devant avoir cependant respectivement un indice de réfraction inférieur à celui du coeur qu'ils entourent. On choisit pour l'une des deux structures des matériaux tels que la différence d'indice de réfraction entre le coeur et les couches entre lesquelles il est intercalé soit assez faible, et on choisit pour l'autre structure des matériaux tels que la différence d'indice de réfraction entre l'autre coeur et les couches entre lesquelles il est intercalé soit forte. On choisit par exemple avec des couches 6, 7, 8 en -3 oxyde de silicium un coeur 1 en silice (n1-n=5.10) et un coeur -1 2 en alumine (n2-n=1,5.10) ou en nitrure de silicium (n2- 9 2626082 -1 n=5,5.10) ou en oxynitrure de silicium n2-n pouvant varier -1 -2 entre quelques 10 et quelques 10 L'indice effectif pour un faisceau lumineux se propageant dans une structure guidée dépend a la fois de l'indice réel des couches traversées, des dimensions de celles-ci et de la nature du mode de propagation. Comme les modes TE et TM n'ont pas la même répartition spatiale, on conçoit qu'ils n'aient pas Les mêmes indices effectifs. L'une des structures ayant une faible variation d'indice va, permettre donc d'avoir des indices effectifs pour les modes TE et TM sensiblement identiques, l'autre structure ayant une forte variation d'indice va permettre d'avoir des indices effectifs différents pour les deux modes. Ainsi, ces deux structures de guidage ont des indices effectifs différents pour l'une des composantes polarisées du champ électromagnétique et égaux pour l'autre composante, l'intervalle e entre leurs coeurs étant tel qu'il permet un couplage des énergies entre le guide de coeur 1 et le guide de coeur 2. Seuls les modes pour lesquels les indices effectifs sont identiques vont passer d'un coeur à l'autre, et plus précisément d'une structure de guidage à l'autre, l'énergie transportée par le mode du guide dont l'indice effectif est différent de celui du mode correspondant dans l'autre guide n'étant pas transférée. Il suffit donc au bout de la longueur Lc, c'est-à-dire au bout de la distance pour laquelle toute l'énergie de l'un des deux modes a été transférée, que les- coeurs des structures de guidage soient suffisamment séparés de manière à ce qu'il n'y ait plus d'interaction entre eux et plus de couplage possible. En pratique, pour tenir compte de la décroissance progressive du couplage après la séparation des deux structures de guidage, on prendra comme distance rectiligne commune aux deux structures une distance L inférieure à la longueur de couplage Lc; la valeur de L est calculée de telle façon que toute l'énergie du mode transférable soit effectivement transférée, elle dépend en particulier de la façon dont 2626082 s'effectue la séparation entre les deux structures. On choisit donc par exemple une structure de guidage comportant le coeur 1 pour laquelle l'indice effectif du mode TE, nl TE, est très elff voisin de l'indice effectif du mode TM,nJ TM, lui-même étant elff égal à l'indice effectif du mode TM, n2 TM de la structure elff comportant le coeur 2. La structure de guidage comportant le coeur 2 est telle que l'indice effectif du mode TE, n2 TE soit eff au contraire assez différent de l'indice effectif du mode TM, n2 TM. Ainsi, l'énergie provenant de la propagation du mode TM eff dans le liquide de coeur 1 pourra être complètement transférée dans le guide de coeur 2, tandis que l'énergie provenant de la propagation du mode TE restera dans le guide de coeur 1. Les composantes des modes TE et TM sont donc séparées. La coupe représentée sur la figure 6 permet de mettre en évidence la séparation entre les deux coeurs 1 et 2, les deux coeurs n'étant plus superposés mais s'écartant spatialement selon ce mode de réalisation et transversalement d'une valeur a qui augmente au fur et à mesure que l'on s'éloigne du point de séparation entre ces guides, puis qui devient constante. Sur la figure 7, on a représenté une coupe longitudinale du dispositif selon l'invention effectuée dans la partie A. Cette coupe est donc faite dans le sens de propagation des ondes. Elle permet d'illustrer un premier mode de réalisation de l'invention. On retrouve par conséquent les différentes couches de la structure. En premier lieu, un support 9 en silicium, une couche d'oxyde de silicium 8 d'indice de réfraction n, le coeur 2 d'indice de réfraction n2 qui est réalisé selon cette première variante de réalisation au moyen d'une couche d'oxyde de silicium (SiO) fortement dopé (N). On retrouve également la couche d'oxyde de silicium 7 d'indice n et en-dessus le coeur 1 d'indice nl réalisé selon cette première variante de réalisation au moyen d'une couche d'oxyde de silicium faiblement + dopé (N) et au-dessus la couche fine d'oxyde de silicium 6 d'indice de réfraction n. Sur la figure 8 on a également représenté la structure 11 2 2626082 vue en coupe suivant un plan parallèle au sens de propagation des ondes, pris dans la partie A. Cette coupe permet également de mettre en évidence la structure superposée des couches suivant la deuxième, la troisième et la quatrième variantes de réalisation. Cette figure se distingue de la figure 7 dans le mode de réalisation de la couche 2, c'est-à-dire du coeur 2 qui peut être réalisé soit à partir de nitrure de silicium (Si N), soit à 3 4 partir d'alumine Al203, soit à partir d'oxynitrure de silicium (SiON). D'autres matériaux d'indice de réfraction et de qualité optique convenables pouvant être obtenus par dépôt peuvent être utilisés. Les couches 6, 7, 8 peuvent être réalisées, tout comme celles qui figurent sur la figure 7, à partir d'oxyde de silicium, et le substrat 9 à partir de silicium. Ainsi, en prenant un coeur en oxyde de silicium faiblement dopé, on peut obtenir une variation d'indice de réfraction assez faible, c'est- à-dire un nl-n faible et en prenant soit du silicium fortement dopé, soit de l'.alumine, soit du nitrure de silicium, soit de l'oxynitrure de silicium, on peut obtenir une variation d'indice élevé, c'est-à-dire un n2-n élevé. Si l'on choisit une variation nl-n de l'ordre de -3 quelques 10 qui correspond aux variations d'indice rencontrées dans les fibres, une hauteur hl de l'ordre de 5/l m, l'indice nl étant égal à 1,46 et si l'on cherche à obtenir une égalité entre L'indice effectif nl TE, nl TM et n2 TM et une différence eff eff eff entre les indices effectifs n2 TE et nl TE, on choisit un n2- eff eff n assez fort de l'ordre de 0,55, mais on peut également choisir un n2-n un petit peu plus faible, de l'ordre de 0,15, ce qui correspond à un indice de réfraction réel n2=1,61 (alumine). On choisira dans ce cas pour réaliser les conditions souhaitées une hauteur de coeur 2, h2, comprise entre 300 et 500 A et on pourra également obtenir une égalité entre l'indice nl TM et n2 TM eff eff et une différence entre l'indice nl TE et n2 TE en eff eff choisissant unn2-n de l'ordre de 0,07, ce qui correspond à un indice n2=1,52, en prenant une hauteur h2 de coeur 2 comprise entre 2000 à 5000 A et cela en choisissant pour le coeur 2 de 12 2 o626082 l'oxyde de silicium fortement dopé (par exemple avec du phosphore ou du titane ou du germanium). On peut obtenir une précision suffisante dans l'égalité entre les indices effectifs de l'un des deux modes (TE ou TM) par le contrôle de l'épaisseur et de l'indice de réfraction réel des structures. On a représenté sur la figure 9 la variation des indices effectifs pour chacun des modes TE, TM d'une part pour le coeur 1 et d'autre part pour le coeur 2 en fonction de l'épaisseur de ces coeurs. n représente l'indice de réfraction s du substrat, nl et n2 représentent les indices de réfraction réels respectivement des coeurs 1 et 2. Pour un matériau donné et pour une bande de fréquence donnée, on trace de manière classique la courbe de l'indice effectif pour le mode TE et pour le mode TM pour chacun des deux coeurs. Puis on choisit sur les courbes correspondant à l'évolution de l'indice effectif des modes TE, TM, deux points pour lesquels l'indice effectif pour les modes TE ou TM est le même pour les deux coeurs. On repère à partir de ces deux points la valeur correspondante des épaisseurs de chaque bande constituant les coeurs 1 et 2. Le coeur 1 aura donc une 20. épaisseur h2 et un indice effectif nl f TE qui est très voisin de elff l'indice effectif nl TM et qui est égal à l'indice effectif clff n2 TE, l'indice effectif n2 TM étant différent de l'indice eff eff effectif nl TM et de l'indice effectif n2 TE du coeur 2 qui eff eff aura donc une épaisseur h2. Les figures 10 à 14 représentent chacune une étape d'un exemple de procédé de réalisation du dispositif selon l'invention. On part donc d'un substrat en silicium 9 sur lequel on procède à un dépôt d'une couche 8 d'oxyde de silicium, l'épaisseur h8 de la couche 8 étant de l'ordre de 8 à l104m. On procède ensuite au dépôt de la couche 2 d'oxyde de silicium fortement dopé d'une épaisseur h2 sensiblement égale à 0,2 m. Le dopage se fait lors du dépôt et le dépôt se fait par une technique classique dénommée PECVD qui correspond à un dépôt par décomposition chimique en phase vapeur assistée par plasma. 13 6? 2 Le dopage se fait de manière classique et correspond à un dosage de l'ordre de 18% de phosphore en poids. Bien entendu, le dépôt de la couche 2 peut se faire par toute autre méthode équivalente et le dopage utilisé peut être du germanium, du titane ou d'autres dopants appropriés. Sur la figure 11, on procède à une gravure partielle de la couche 2 d'oxyde de silicium fortement dopé afin d'obtenir une bande 2 telle que représentée sur la figure 4. La largeur W2 de la bande 2 est généralement de l'ordre de 3 à 6,/m suivant la valeur de l'indice de réfraction n2. La figure 12 représente une étape du dépôt de la couche d'oxyde de silicium 7 recouvrant la couche d'oxyde de silicium 8 et le coeur 2, cette couche ayant une hauteur h7 de l'ordre de 1 à 3 m. On a également représenté sur cette figure 12 l'étape de dépôt de la couche d'oxyde de silicium faiblement dopé 1 recouvrant la couche d'oxyde de silicium 7. Le dépôt a également été effectué par exemple par la technique classique PECVD, la couche présente une hauteur hl sensiblement égale à 5p m (cette hauteur est comparable au diamètre des fibres monomodes classiques par exemple). Le dopage est effectué lors du dépôt et il correspond par exemple à un dosage de 0 à 1% en phosphore. (Comme précédemment, le dopage peut être obtenu avec d'autres types de dopants). Sur la figure 13, on a représenté l'étape qui correspond à la gravure de la couche 1 permettant d'obtenir le coeur I ayant la forme d'une bande telle que représentée sur la figure 4. La largeur Wl de cette bande sera en général de l'ordre de 4 à 6em en accord avec les diamètres de coeurs des fibres optiques. Sur la figure 14, on a représenté la dernière étape du procédé consistant en un dépôt de la couche 6 d'oxyde de silicium qui recouvre toute la surface mise à nue de la couche 7 et la surface du coeur 1, la hauteur h6 de cette couche est sensiblement égale à, 10 m. Dans ces conditions, la variation d'indice n-n est égale à 7.1 et la variation d'indice nn d'indice n2-n est égale à 7.10 et la variation d'indice nl-n 14 2626082 -3 est égale à 5.10. Ces valeurs ont été définies pour une longueur d'onde de l'onde se propageant dans le dispositif égaLe -3 à 1,3p m, un coefficient de couplage pour le mode TM K=3.10, une longueur Lc de 500 m et des rayons de courbure de l'ordre de quelques mm. Bien entendu, les valeurs qui sont données correspondent à une application particulière. Les valeurs de l'ensemble de ces paramètres ne seront pas les mêmes si par exemple on utilise du nitrure de silicium ou de l'alumine ou de l'oxynitrure de silicium pour réaliser le coeur 2. L'exemple de réalisation particulier qui a été donné, dont un procédé de réalisation a été décrit, correspond à une structure ayant des couchessuperposées notamment dans la partie A o s'effectue la majeure partie du couplage. Une structure dans laquelle les deux coeurs 1, 2 seraient placés sur une même couche, c'est-à-dire dans un même plan, au lieu d'être dans deux plans parallèles, reste bien évidemment dans le cadre de la présente invention. En effet, il suffit dans un premier temps de disposer ces deux guides à une distance qui permette le couplage pendant une longueur prédéterminée et de réaliser des bandes telles que représentées par exemple sur la figure 4 avec une partie courbée s'écartant l'une de l'autre mais tout en restant sur ce même plan, plan sur lequel le dépôt des couches 1 et 2 a été effectué. On procèdera bien entendu en prenant des précautions,pour obtenir les deux coeurs sur une même couche. On procédera par exemple en plusieurs étapes avec un choix de masques appropriés et de couches de protection, ces techniques étant du domaine connu. Par ailleurs, les bandes de la partie B des deux structures guidantes sont respectivement courbées dans la représentation de la figure 4, mais bien entendu il suffit qu'une seule de ces bandes soit courbée et écartée suffisamment de l'autre bande qui peut rester rectiligne, pour éviter tout couplage. 26260G2 REVENDI CATIONS 1. Dispositif d'optique intégrée, caractérisé en ce qu'il comprend un coupleur comprenant une premiere et une deuxième structures de guidage d'ondes électromagnétiques comprenant chacune un coeur (1, 2), espacés par un intervalle prédéterminé de manière à permettre un couplage de l'énergie de l'une des structures vers l'autre et en ce que ces structures admettent des modes guidés qui ont des indices effectifs différents pour une première composante polarisée (TE ou TM) du champ électromagnétique et égaux pour une deuxième composante polarisée (TM ou TE) de ce champ, l'intervalle entre ces deux coeurs étant constant -sur une distance (L) également prédéterminée sensiblement égale à une distance (Lc) au bout de laquelle un transfert total de l'énergie a eu lieu pour l'énergie relative à la deuxième composante polarisée, de l'une des structures vers l'autre, l'intervalle séparant les deux structures augmentant au-delà de cette distance de sorte que l'on obtienne ainsi une séparation des composantes polarisées du champ. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le coeur (1) de la première structure de guidage est constitué d'une bande de matériau d'indice réel nl comprise entre une deuxième et une troisième couches de matériau d'indices respectifs n3, n4 et en ce que le coeur (2) de la deuxième structure de guidage est constitué d'une bande de matériau d'indice réel n2 comprise entre une deuxième et une troisième couches de matériau d'indices respectifs n4, n5 (ou n3, n4). 3. Dispositif selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que les bandes comportent une partie rectiligne (A) espacée par un intervalle (e) constant soit dans un même ptan, soit dans deux plans parallèles et une partie courbée (B), chaque partie courbée étant dans le prolongement de la partie rectiligne correspondante, espacée d'un intervalle croissant de manière à ce qu'il n'y ait plus aucun couplage entre les deux structures. 16 2626082 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications I à 3, caractérisé en ce que les première et deuxième structures de guidage sont réalisées au moyen de couches superposées (6, 7, 8), les bandes (1, 2) constituant chacun des coeurs étant dans leur partie rectiligne (A) superposées et logées dans des couches (6, 7) distinctes. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les structures de guidage sont réalisées par des couches superposées (6, 7, 8), les bandes constituant chacun des coeurs étant placées sur une même couche. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la bande de matériau d'indice nl formant le coeur (1) est constituée d'oxyde de silicium faiblement dopé, et en ce que la bande de matériau d'indice n2 formant le coeur (2) est constituée d'oxyde de silicium fortement dope, les première, deuxième et troisième couches de ces structures étant constituées d'oxyde de silicium. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la bande (1) de matériau d'indice nl est constituée d'oxyde de silicium faiblement dopé et en ce que la bande (2) de matériau d'indice n2 est constituée de nitrure de silicium ou d'alumine, les première et deuxième couches de la structure étant constituées d'oxyde de silicium. 8. Procédé de réalisation d'un dispositif d'optique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il comprend successivement les étapes suivantes: dépôt sur un substrat (9) d'une couche d'indice nS, d'épaisseur h8 - dépôt d'une couche (2) d'indice n2, d'épaisseur h2, sur la couche précédente, gravure de cette couche (2) d'indice n2 de manière à obtenir une bande de guidage de largeur prédéterminée formant le coeur (2) d'indice n2, la bande de guidage ayant une partie sensiblement rectiligne et une partie courbée s'écartant de la direction 17 d2626082 dans Laquelle se trouve la partie rectiligne, - dépôt d'une couche (7) d'indice n4 au-dessus des couches d'indices n5 et n2, - dépôt d'une couche (1) d'indice nl, d'épaisseur hl, - gravure de cette couche d'indice nl de manière à obtenir une bande formant le coeur (1) ayant une première partie sensiblement rectiligne de longueur prédéterminée (L) située en-dessus de la partie rectiligne de l'autre bande sur la longueur prédéterminée (L) de guidage et une deuxième partie, les deuxièmes parties des bandes d'indices n2, nl s'écartant L'une de l'autre, au moins une de ces deuxièmes parties étant courbée, - dépôt d'une couche (6) d'indice n3 sur toute la surface.