FR 2629200 A1 19890929 FR 8903513 A 19890317 Dispositif de détection pour mesurer l'intensité d'un rayonnement électromagnétique et interféromètre4corPp- rant un tel dispositif. La présente invention concerne un dispositif de détection pour mesurer l'intensité d'un rayonnement électromagnétique. Il est connu d'utiliser un dispositif à couplage de char- ges, ou "CCD" (de "charge-coupled device", type de dispositif à transfert de charges), pour produire un signal électrique représentatif de la répartition de l'intensité de la lumière dans le plan image d'un objectif. Une forme de CCD imageur comprend une plaquette, ou "puce", de silicium qui a été trai- tée en utilisant le procédé MOS (de "metal-oxide-semiconduc- tor") classique pour former une pluralité de canaux enterrés sous sa surface antérieure (c'est-à-dire 1a surface à travers laquelle la puce est traitée). Chaque canal est formé d'un alignement de zones élémentaires semblables. Une structure à électrodes de cadencement recouvre la surface antérieure de la puce et, par l'application de potentiels sélectionnés à la structure à électrodes de cadencement, une charge pré- sente dans une zone élémentaire donnée d'un canal peut être déplacée le long de l'alignement de zones élémentaires, de la même manière que dans un registre à décalage, et être ex- traite du canal. Dans un CCD imageur, les charges sont créées dans les canaux par effet photoélectrique. C'est ainsi que si un photon pénètre dans la puce, il peut provoquer la géné- ration d'électrons de conduction, et ces électrons de conduc- tion peuvent pénétrer dans une couche formant canal et être ensuite confinés dans une des zones élémentaires du canal. Le CCD imageur est disposé de telle manière qu'une de ses surfaces se trouve au niveau du plan focal d'une caméra de - 2 - manière que l'objectif de la caméra forme une image d.'une scè- ne sur cette surface. Le CCD peut comprendre, par exemple, 64 canaux parallèles ayant chacun 64 zones élémentaires, et la matrice résultante de 64 x 64 zones élémentaires divise la surface de la puce recevant l'image en 64 x 64 éléments d'image, ou "points d'image". La caméra a un obturateur qui est ouvert pendant un intervalle de temps d'exposition déter- miné, pendant lequel toutes les électrodes de la structure à électrodes de cadencement restent à des potentiels constants. L'obturateur est ensuite fermé et la charge accumulée dans les zones élémentaires du canal est transférée à la sortie du CCD par les impulsions d'horloge. L'intensité de l'énergie optique incidente sur un point d'image donné pendant l'inter- valle d'exposition peut influer sur la population en électrons de la zone élémentaire associée de la couche formant canal, et c'est ainsi que le nombre d'électrons qui sont transférés de la zone élémentaire et finalement extraits du CCD est re- présentatif de l'intensité de la lumière incidente sur le point d'image. De cette manière, le CCD peut être utilisé pour pro- duire un signal électrique échantillonné suivant deux dimen- sions représentatif de la répartition de l'intensité de la lumière sur la surface du CCD qui reçoit l'image, c'est-à-dire de l'image formée par l'objectif de la caméra. Un CCD imageur du type décrit ci-dessus est utile pour fournir un signal qui représente une image quelconque. Toute- fois, un tel CCD imageur est complexe en ce qui concerne sa structure et est difficile à fabriquer. Quand un étalon Fabry-Pérot est illuminé par une lumière monochromatique collimatée et que les faisceaux transmis sont focalisés, des franges d'interférences sont observées dans le plan focal. Les franges sont circulaires et concentriques et l'espacement entre franges est fonction de la longueur -3- d'onde de la lumière illuminante et de l'écartement entre les plaques étalons. En conséquence, l'image produite par une tel- le source de lumière avec utilisation d'un étalon Fabry-Pérot n'est pas quelconque. Dans un CCD classique, dans lequel les électrodes de por- tes de cadencement voisines sont isolées électriquement l'une de l'autre, des barrières de potentiel peuvent exister entre des électrodes de portes de cadencement voisines, et ces bar- rières de potentiel peuvent interférer avec le transfert des charges dans le dispositif sous la commande des électrodes de portes de cadencement. Le brevet américain n 3 728 590 délivré le 17 avril 1973 à Kim et autres décrit un CCD dans lequel une matière résistive est prévue entre les électrodes de portes de cadencement voisines et leur est connectée élec- triquement. L'emploi de cette matière résistive élimine les barrières de potentiel qui existent entre les électrodes de portes de cadencement. Dans un article intitulé "The Resistive Gate CTD Area-Image Sensor" (Le capteur d'images bidimension- nel à CTD à grilles résistives)(CTD = "charge-transfer devi- ce", c'est-à-dire dispositif à transfert de charges) publié par H. Heyns et J.C. Van Santen dans la revue américaine "IEEE Transactions - Transactions on Electron Devices" (Comptes- rendus de l'Institut américain des ingénieurs électriciens et électroniciens - Comptes-rendus du Comité sur les disposi- tifs à électrons), ED-25, février 1978, pages 135 à 139, les auteurs décrivent l'utilisation d'une porte résistive pour commander le transfert des charges dans un CCD imageur. Dans un article intitulé "Resistive Gate GaAs Charge Coupled Devi- ces" publié par J.A. Higgins, R.A. Milano, E.A. Sovero et R. Sahai dans les comptes-rendus du "GaAs IC Symposium, IEEE" (Conférence de 1'IEEE sur les circuits intégrés à l'arséniure de gallium), (1982), pages 49 à 52, les auteurs décrivent un CCD à portes résistives fabriqué avec de l'arséniure de gal- lium. -4- Une forme de réalisation préférée de l'invention sous un premier aspect est un dispositif de détection pour mesurer l'intensité d'un rayonnement électromagnétique, comprenant un corps en matière semiconductrice ayant une zone d'un pre- mier type de conductibilité et un canal ayant un deuxième ty- pe, opposé, de conductibilité, formée au niveau d'une surface du corps et limité par la zone du premier type de conductibi- lité. La matière semiconductrice répond à un rayonnement élec- tromagnétique dans un domaine spectral donné en produisant des porteurs de charge. Les porteurs de charge qui sont créés dans le canal ou qui diffusent dans celui-ci sont confinés dans le canal. Un dispositif à couplage de charges est formé dans le corps en matière semiconductrice et a un puits collec- teur de charges voisin d'une extrémité du canal. Un couche de matière résistive est disposée sur la surface du corps en matière semiconductrice, cette couche ayant deux zones formant bornes telles que lorsque les bornes opposées d'une source de potentiel continu sont connectées à ces zones formant bor- nes, un champ électrique qui s'étend dans la direction longi- ,. tudinale du canal est créé, de sorte que les porteurs de char- ge qui se trouvent dans le canal diffusent le long de celui-ci vers le dispositif à couplage de charge. Un mode de réalisation préféré de l'invention dans un deu- xième aspect est un interféromètre comprenant un système opti- que pour produire un motif de franges. d'interférence à confi- guration déterminée dans un plan focal de l'interféromètre, et un dispositif de détection pour mesurer la répartition de la puissance optique dans ce plan focal. Le dispositif de dé- tection comprend un corps en matière semiconductrice ayant des première et deuxième surfaces principales opposées dont une est située sensiblement dans le plan focal de l'interféro- mètre. Le corps en matière semiconductrice a une zone d'un premier type de conductibilité et un canal d'un deuxième type, opposé, de conductibilité au niveau de la première surface de ce corps et limité par la zone du premier type de conduc- tibilité. La configuration du canal suit sensiblement la con- figuration déterminée du motif de franges d'interférence. La matière semiconductrice répond à un rayonnement électromagné- tique dans un domaine spectral donné en produisant des por- teurs de charge. Les porteurs de charge qui sont créés dans le canal ou qui diffusent dans celui-ci sont confinés dans le canal. Une couche de matière dielectrique est formée sur la première surface du corps en matière semiconductrice et recouvre le canal. Une couche de matière résistive est dispo- sée sur la couche de matière diélectrique, cette couche résis- tive ayant deux zones formant bornes telles que lorsque les 15. bornes opposées d'une source de potentiel continu sont connec- tées à ces zones formant bornes, un champ électrique qui s'é- tend dans la direction longitudinale du canal est créé, de sorte que les porteurs de charge sont transportés le long du canal jusqu'à une zone d'extrémité de celui-ci. Un dispositif de sortie a une zone collectrice de charges voisine de la zone d'extrémité du canal. L'invention sera mieux comprise, ainsi que la manière de la réaliser, d'après la description de formes de réalisation préférées donnée ci-après à titre d'exemple en relation avec les dessins annexés, dans lesquels: -. la figure 1 représente schématiquement un interféromètre, comportant un étalon Fabry-Pérot et un dispositif de détec- tion; - la figure 2 est une vue de dessus partielle du disposit.if de détection; - la figure 3 est une vue en coupe suivant le plan défini par la ligne III-III de la figure 2; - la figure '4 est une vue en coupe suivant la ligne IV-IV de la figure 2; et - la figure 5 est une vue en coupe suivant la ligne V-V de la figure 2. -6- L'interféromètre représenté sur la figure 1 comprend un étalon Fabry-Pérot 50 qui reçoit un faisceau de lumière colli- maté 52 issu d'une source de lumière (non représentée). Par des réflexions partielles successives sur les surfaces oppo- sées de l'étalon, le faisceau de lumière incident 52 est divi- sé en faisceaux réfléchis multiples 54 et en faisceaux trans- mis multiples 56. Les faisceaux transmis 56 sont focalisés par une lentille 58 au niveau d'un plan focal 60 et le motif de franges d'interférence de Fabry-Pérot bien connu est formé au niveau du plan focal. Un dispositif de détection 62 est positionné de telle manière qu'une surface réceptrice d'image se trouve au niveau du plan focal 60. Comme on le voit sur la figure 3, le dispositif de détec- tion 62 comprend un substrat 2 de silicium du type P ayant une couche 4 de dioxyde de silicium sur sa surface antérieure. Des canaux enterrés 6 (voir figures 2 et 4) à conductibilité du type N sont formés dans le substrat 2 sous la surface anté- rieure. Les canaux 6 ont chacun une forme partiellement annu- laire (figure 2), ont un centre commun 7 et ont la même éten- due angulaire. Les rayons des canaux sont toutefois différents. La figure 2 représente une électrode de porte résistive 8, ayant deux extrémités opposées 8A et 8B, au-dessus de chaque canal 6. Les électrodes 8 sont formées par dépôt de InSnO et sont en conséquence transparentes. Les électrodes de portes résistives 8 ont latéralement sensiblement la même étendue que les canaux 6 respectifs. Les extrémités 8A des électrodes 8 sont connectées ensemble par une bande de conducteur métal- lique 10A qui se termine par une plage de connexion 11A et, de même, les extrémités 8B sont connectées ensemble par une bande de conducteur métallique 108 qui se terminepar une plage de connexion 118. En conséquence, un gradient de potentiel peut être établi le long de chaque électrode de porte résis- -7- tive 8. La résistivité des électrodes de portes résistives est, de préférence, nettement élevée pour réduire au minimum la circulation du courant dans ces électrodes. Comme autre solution, représentée sur la figure 4, une électrode de porte résistive partiellement annulaire unique et connectée simplement 8' peut s'étendre sur tous les canaux 6. Quand les extrémités de l'électrode 8' sont reliées aux bornes opposées d'une source de potentiel continu, les lignes de champ électrique résultantes sont circulaires. Comme cela est représenté sur la figure 3, chacun des ca- naux enterrés partiellement annulaires 6 se termine par une zone de transfert 12. Une électrode de transfert 14, qui peut être en silicium polycristallin, ou "polysilicium", et se ter- mine par une plage de connexion 15, est disposée au-dessus des zones de transfert 12. Un canal enterré rectiligne 16 (figure 3) à conductibilité du type N s'étend sensiblement radialement par rapport aux canaux partiellement annulaires 6 et communique avec les zones de transfert 12. Des zones d'arrêt de canal 22 (figures 3 et 4) de conductibilité du type P+ délimitent les canaux 6 et 16 latéralement. Une structure à électrodes de' portes de ca- dencement 20, qui n'est représentée que de manière générale sur la figure 2, est disposée au-dessus du canal enterré 16. Le canal enterré 16 et la structure à électrodes de portes de cadencement 20 forment un registre à décalage à CCD. A ti- tre d'exemple, la figure 5 représente la structure à électro- des de portes de cadencement comme comprenant trois groupes d'électrodes de portes de cadencement 201, 202 et 203. Des potentiels respectifs différents peuvent être appliqués à cha- que groupe d'électrodes au moyen de plages de connexion res- pectives (non représentées). Un puits de potentiel est défini dans le canal 16 au-dessous de chaque électrode de porte de cadencement, la profondeur de potentiel de chaque puits dépen- dant du potentiel de l'électrode correspondante. Par l'appli- cation de potentiels appropriés aux électrodes de portes de cadencement, un échantillon de charge contenu dans le puits de potentiel situé sous une électrode déterminée peut être déplacé le long du canal 16 de manière ordonnée jusqu'à un point de sortie 24 o il peut être appliqué à l'électrode de grille d'un amplificateur à transistor à effet de champ 26 et permettre ainsi à un signal de sortie d'être fourni à une plage de connexion 28. Comme cela est représenté sur la figure 5, sur laquelle les zones de transfert 12 sont représentées en trait interrom- pu parce qu'elles sont en dehors du plan de coupe, les élec- trodes de portes de cadencement 201, 202 et 203 sont position- nées le long du canal 16 de telle manière qu'il y a une élec- trode 201 au-dessus du canal 16 o il communique avec une zone de transfert 12. La surface antérieure du dispositif de détection représen- té sur les figures 2 à 5 est sa surface réceptrice d'images. En conséquence, les faisceaux transmis de l'étalon sont foca- lisés sur la surface antérieure du dispositif et un motif de franges d'interférence concentriques est formé sur cette sur- face antérieure. Le dispositif est positionné de telle manière que le centre du motif de franges d'interférence soit situé au point 7. Le rayon moyen de chaque canal partiellement annu- laire 6, c'est-à-dire la moyenne du rayon Ri de sa périphérie intérieure et du rayon R de sa périphérie extérieure, est égal au rayon du lieu circulaire des points auxquels l'un des anneaux du motif de franges d'interférence a l'intensité maxi- male lorsque l'étalon est illuminé par une lumière de longueur d'onde déterminée. Lorsque l'étalon est illuminé de cette ma- nière, les franges d'interférence ont leur image formée sur les canaux 6 respectifs et provoquent la génération d'élec- trons de conduction dans le substrat. -9- Le cycle de fonctionnement du dispositif de détection com- prend trois périodes: une période d'intégration, une période de transfert et une période de lecture. Pendant la période d'intégration, les extrémités 8A et 8B des électrodes 8 (ou de l'électrode unique 8') sont maintenues respectivement à 0 volt et à un potentiel positif, par exemple +O10 volts, les électrodes 201, 202 et 203 de la structure à électrodes de portes de cadencement 20 sont maintenues à 0 volt, et l'élec- trode de porte de transfert 14 est maintenue à un potentiel plus positif que celui de l'extrémité 8B, par exemple +15 volts Les électrons de conduction qui sont produits dans le substrat 2 diffusent dans les canaux enterrés 6 et sont confinés dans ceux-ci, et le gradient de potentiel qui existe le long des électrodes 8 (ou de l'électrode 8') a pour effet que les élec- trons de conduction sont transportés le long des canaux 6 dans le sens des aiguilles d'une montre sur la figure 2. Puisque l'électrode de porte de transfert 14 est à un potentiel plus positif que l'extrémité 8B, les électrons de conduction qui sont transportés le long des canaux s'accumulent dans les zo- nes de transfert 12 sous la forme d'échantillons de charge respectifs. La période de transfert se produit après la période d'in- tégration. Dans la période de transfert, l'extrémité 88 de chaque électrode de porte résistive 8 (ou de l'électrode uni- que 8') est mise à 0 volt et les électrodes 201 du registre à décalage à CCD sont portées à +15 volts (les électrodes 202 et 203 restent à 0 volt) et l'électrode de porte de transfert 14 est portée à +10 volts. L'échantillon de charge accumulé dans une zone de transfert donnée 12 est ensuite transféré au puits de potentiel situé sous l'électrode correspondante 20. - 10 - Dans la période de lecture, les électrodes de portes de cadencement sont excitées successivement par des impulsions d'horloge et les échantillons de charge sont déplacés le long du canal 16 jusqu'au point de sortie du registre à. décalage à CCD en fournissant ainsi un signal de sortie échantillonné dont l'amplitude dépend de l'intensité avec laquelle les ca- naux 6 ont été illuminés pendant la période d'intégration. Le flux d'énergie d'une frange du motif de franges d'in- terférence produit par l'étalon Fabry-Pérot est le même pour toutes les franges et, par conséquent, si l'étalon est illu- miné par une lumière ayant la longueur d'onde déterminée, l'é- chantillon de charge qui s'est accumulé dans une zone de trans- fert 12 pendant la période d'intégration est le même pour tou- tes les zones et l'amplitude du signal de sortie fourni par le registre à décalage à CCD pendant la période de lecture est constante. Cependant, lorsque l'étalon est illuminé par une lumière ayant une longueur d'onde légèrement différente, les maximums d'intensité des franges d'interférence ne sont pas centrés sur les canaux 6 et, en conséquence, l'amplitude du signal de sortie du registre à décalage pendant la période de lecture a une composante alternative, et la fréquence de cette composante alternative dépend de la différence entre la longueur d'onde déterminée et la longueur d'onde de la lu- mière avec laquelle le système optique a été illuminé. On comprend que certains détails classiques des structures des CCD n'ont pas été représentés sur les figures pour facili- ter la mise en évidence des particularités propres à l'inven- tion. Par exemple, dans une forme.de réalisation pratique de l'invention, l'électrode de porte de transfert 14 chevauche les électrodes de porte de cadencement, et les électrodes de portes de cadencement se chevauchent afin d'éviter la création de barrières de potentiel entre la zone de transfert 12 et le canal 16 et le long du canal 16. - l1 - On comprend aussi que l'invention n'est pas limitée à la forme de réalisation particulière qui a été décrite et illus- trée, et que des modifications peuvent lui être apportées sans sortir du cadre de l'invention tel qu'il est défini dans les revendications annexées. Par exemple, il n'est pas essentiel pour l'invention que le dispositif soit illuminé sur sa surfa- ce antérieure. La puce peut être amincie à partir de sa surfa- ce postérieure (la surface opposée à la surface antérieure) et illuminée sur sa surface postérieure. L'illumination de la surface postérieure évite la nécessité d'utiliser une ma- tière transparente pour l'électrode de porte résistive, mais risque de donner naissance à une erreur due aux électrons de conduction diffusant dans le canal enterré du registre à déca- lage pendant la période d'intégration. Cette source d'erreur peut être éliminée en prévoyant une couche de matière opaque telle que l'aluminium, par exemple, sur la surface postérieure de la puce, sauf sur les canaux enterrés 6. De même, l'inven- tion n'est pas limitée à l'utilisation d'un registre à déca- lage à CCD ayant une structure à électrodes de portes de ca- dencement comprenant trois groupements d'électrodes de portes de cadencement puisque des structures à électrodes de portes de cadencement ayant un nombre de groupements d'électrodes différent de trois conviennent également. En outre, il n'est pas essentiel pour l'invention qu'une zone de transfert soit utilisée pour recevoir la charge qui a été transportée le long des canaux enterrés partiellement annulaires pendant la pénio- de d'intégration puisque la charge peut être placée directe- ment dans le canal enterré du registre à décalage à CCD. Bien entendu, cela nécessite que les électrodes de portes de caden- cement du registre à décalage soient maintenues à des poten- tiels appropriés pendant la période d'intégration. L'invention n'est pas non plus limitée aux dispositifs à canaux de trans- - 12 - fert de charge qui sont enterrés dans la puce puisque des ca- naux en surface peuvent être employés à la place. Le canal prévu à chaque position radiale n'a pas besoin d'être réalisé sous la forme d'un secteur unique. Chaque canal peut être di- visé en secteurs multiples alimentant des registres à décalage à CCD respectifs. Enfin, l'invention n'est pas limitée aux utilisations avec un système optique qui produit des franges d'interférences circulaires. - 13 - Revendications 1. Dispositif de détection pour mesurer l'intensité d'un rayonnement électromagnétique dans un domaine spectral donné, caractérisé en ce qu'il comprend: - un corps en matière semiconductrice qui répond à un rayonne- ment électromagnétique dans ledit domaine spectral donné par la génération de porteurs de charge, ce corps en matière semi- conductrice ayant une zone (2) d'un premier type de conducti- bilité et un canal (6) d'un second type, opposé, de conducti- bilité au niveau d'une de ses surfaces et limité par la zone du premier type de conductibilité, le canal ayant une confi- guration partiellement circulaire; - une couche de matière diélectrique (4) sur ladite surface du corps en matière semiconductrice et recouvrant le canal; - une couche de matière résistive (8, 8A, 8B; 8') sur le des- sus de la couche de matière diélectrique (4), cette couche résistive ayant deux zones formant bornes (8A, 8B) telles que lorsque les bornes opposées d'une source de potentiel continu sont. reliées à ces zones formant bornes, un champ électrique qui s'étend dans la direction longitudinale du canal (6) est créé, de sorte que les porteurs de charge sont transportés le long du canal jusqu'à une zone d'extrémité de celui- ci; e.t - un dispositif de sortie ayant une zone collectrice de char- ges (12) voisine de ladite zone d'extrémité du canal. 2. Dispositif de détection selon la revendication 1, carac- térisé en ce que le canal (6) est un canal enterré. 3. Dispositif de détection selon la revendication 1, caracté- - 14 - risé en ce que le dispositif de sortie est un registre à déca- lage à dispositif à couplage de charges ayant un canal (16) dudit second type de conductibilité, le canal de ce registre à décalage communiquant avec le canal (6) et étant disposé transversalement par rapport à la zone d'extrémité de celui- ci. 4. Dispositif de détection selon la revendication 3, carac- térisé en ce que le canal (16) du dispositif à couplage de charges est un canal enterré. 5. Dispositif de détection selon la revendication 3, carac- térisé en ce que le canal (6) se termine à ladite zone d'ex- trémité par une zone de transfert (12), et en ce qu'il com- prend en outre une électrode de transfert (14) qui recouvre la zone de transfert (12). 6. Dispositif de détection selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la couche de matière résistive comprend une bande (8) qui a sensiblement la même étendue que le canal. 7. Dispositif de détection selon la revendication 1, carac- térisé en ce que le corps en matière semiconductrice a une pluralité de canaux (6) au niveau de ladite surface de ce corps, chacun des canaux ayant une configuration partiellement circu- laire et ces canaux étant concentriques et d'étendue angulaire sensiblement égale, et que la couche de matière résistive (4) recouvre la pluralité de canaux. 8. Dispositif de détection selon la revendication 7, carac- térisé en ce que le dispositif de sortie a une pluralité de zones collectrices de charges voisines de zones d'extrémité des canaux respectifs. - 15 - 9. Dispositif de détection selon la revendication 8, carac- térisé en ce que le dispositif de sortie est un registre à décalage à dispositif à couplage de charges ayant un canal (16) dudit second type de conductibilité, ce canal communi- 5.quant avec les canaux (6) et étant disposé transversalement par rapport aux zones d'extrémité respectives de ces canaux. 10. Dispositif de détection selon la revendication 7, carac- térisé en ce que la couche de matière résistive (8, 8A, 8B; 8') comprend une pluralité de bandes qui ne sont pas connec- tées simplement et qui recouvrent les canaux respectifs. 11. Dispositif de détection selon la revendication 7, carac- térisé en ce que la couche de matière résistive (8, 8A, 8B; 8') comprend une couche connectée simplement (8') qui recouvre tous les canaux. 12. Interféromètre caractérisé en ce qu'il comprend: - un système optique (50, 58) pour produire un motif de fran- ges d'interférence de configuration déterminée dans un plan focal (60) de l'interféromètre; et - un dispositif de détection (62) pour mesurer la répartition de la puissance optique dans le plan focal (60), ce dispositif de détection étant caractérisé en ce qu'il comprend: - un corps en matière semiconductrice ayant des première et seconde surfaces principales opposées, une de ces surfaces étant située sensiblement dans le plan focal (60), la matière semiconductrice répondant à un rayonnement électromagnétique dans un domaine spectral donné en produisant des porteurs de charge, et le corps ayant une zone (2) d'un premier type de conductibilité et un canal (6) d'un second type, opposé, de - 16 - conductibilité au niveau de la première surface de celui-ci et limité par la zone du premier type de conductibilité, et la configuration du canal (6) suivant sensiblement ladite con- figuration déterminée; - une couche de matière diélectrique (4) sur ladite première surface du corps en matière semiconductrice et recouvrant le canal (6); - une couche de matière résistive (8, 8A, 8B; 8') sur le des- sus de la couche de matière diélectrique (4), cette couche résistive ayant deux zones formant bornes (8A, 88) telles que lorsque les bornes opposées d'une source de potentiel continu sont reliées à ces zones formant bornes, un champ électrique qui s'étend dans la direction longitudinale du canal (6) est créé, de sorte que les porteurs de charge sont transportés le long du canal (6) jusqu'à une zone d'extrémité de celui-ci; - un dispositif de sortie ayant une zone collectrice de char- ges (12) voisine de la zone d'extrémité du canal. 13. Interféromètre selon la revendication 12, caractérisé û en ce que le canal (6) est un canal enterré. 14. Interféromètre selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche de matière résistive (8, 8A, 8B; 8') com- prend une bande (8) qui a sensiblement la même étendue que le canal (6): 15. Interféromètre selon la revendication 12, caractérisé en ce que le système optique (50,.58) comporte un étalon Fa- bry-Pérot (50), grâce auquel un motif de franges d'interféren- ce de configuration circulaire est formé, et que le canal (6) a une configuration partiellement circulaire et est sensible- ment concentrique à ce motif de franges d'interférence. - 17 - 16. Interféromètre selon la revendication 15, caractérisé en ce que le corps en matière semiconductrice a une pluralité de canaux (6) formés au niveau de ladite première surface de celui-ci, ces canaux ayant une configuration partiellement circulaire, et que les canaux partiellement circulaires (6) sont concentriques et ont une étendue angulaire sensiblement égale. 17. Interféromètre selon la revendication 16, caractérisé en ce que les rayons moyens des canaux partiellement circulai- res (6) sont sensiblement égaux aux rayons des maximums d'in- tensité des franges respectives du motif de franges d'inter- férence produit par la lumière d'une longueur d'onde détermi- née comprise dans ledit domaine spectral déterminé. 18. Interféromètre selon la revendication 16, caractérisé en ce que la couche de matière résistive (8, 8A, 8B; 8') com- prend une pluralité de bandes (8) qui ne sont pas connectées simplement et qui recouvrent les canaux (6) respectifs. 19. Interféromètre selon la revendication 16, caractérisé en ce que la couche de matière résistive (8, 8A, 88; 8') com- prend une couche connectée simplement qui recouvre tous les canaux (6). 20. Interféromètre selon la revendicaiton 12, caractérisé, en ce que le dispositif de sortie est un registre à décalage à dispositif à couplage de charges ayant un canal (16) à con- ductibilité dudit second type, ce canal communiquant avec le canal (6) et étant disposé transversalement par rapport à la zone d'extrémité de celui-ci. - 18 - 21. Interféromètre selon la revendication 20, caractéri- sé en ce que le canal du registre à décalage à dispositif à couplage de charges est un canal enterré.