FR 2625333 A1 19890630 FR 8718155 A 19871224 PROCEDE DE FABRICATION DE MICROGUIDES DE LUMIERE A FAIBLES PERTES DE PROPAGATION OPTIQUE PAR DEPOT DE MULTICOUCHES DESCRIPTION La présente invention se rapporte aux microguides de lumière qui sont des structures dans lesquelles de l'énergie électromagnétique est enfermée et circule selon des modes propres au champ électromagnétique qui dépendent à la fois des dimensions et des indices de réfraction du microguide et de la longueur d'onde de la radiation électromagnétique véhiculée. Bien entendu, l'appellation microguide de lumière n'est pas Limitée à la lumière visible et peut s'étendre aux radiations infrarouges ou ultraviolettes. La principale qualité d'un tel microguide de lumière est de fonctionner avec les pertes optiques les plus faibles possibles, en d'autres termes de restituer à la sortie une énergie électromagnétique aussi voisine que possible de celle qui a été injectée à l'entrée. La présente invention concerne plus spécialement, parmi les microguides, ceux que l'on réalise par dépôt de couches multiples. Ces microguides comportent au moins trois couches superposées de matériaux dont une (la couche centrale dans le cas de trois couches) comporte un indice de réfraction supérieur aux deux autres, cette couche sera appelée dans le reste du texte couche guide. Ces différentes couches sont réalisées de façon connue, par exemple à l'aide d'un dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma notamment quand il s'agit de silice SiO, (technique connue en terminologie anglo-saxonne sous le sigle PECVD) ou par d'autres procédés de dépôts chimiques en phase vapeur telle que l'hydrolyse à la flamme et le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression notamment lorsqu'il s'agit de nitrure de silicium Si N (technologie désignée en terminologie anglo-saxonne par le sigle LPCVD). L'invention concerne également les structures multicouches que l'on peut obtenir par 262 5 333 pulvérisation cathodique ou par évaporation sous vide. Par ailleurs, de manière générale, lorsque ces couches ont le même constituant de base, par exemple la silice, pour avoir une différence d'indice de réfraction, on effectue un dopage d'une, de plusieurs, ou de toutes ces couches par des méthodes connues parmi lesquelles on peut citer l'utilisation de réactions chimiques en présence de gaz réactifs, l'implantation ionique et la diffusion d'ions ou d'atomes divers. On commencera, pour la bonne compréhension de l'invention, par un rappel des procédés classiques de fabrication de microguides de lumière en prenant l'exemple d'un microguide réalisé à partir de silice SiO et l'on expliquera ensuite les défauts de ces microguides que le procédé objet de l'invention permet précisément de pallier. La description de l'art antérieur connu dans ce domaine de la fabrication de microguides sera rappelée en se référant aux figures 1 à 5 ci-jointes qui représentent les différentes étapes successives d'une telle fabrication connue. Sur la figure 1, on a représenté schématiquement un substrat 1 par exemple en silicium sur lequel sont déposées, de façon également connue, deux couches successives de silice SiO, à savoir par exemple une première couche de silice naturelle 2 et une seconde couche de silice dopée 3. La couche de silice 3 devant avoir un indice de réfraction supérieur à celui de la couche 2, la couche 3 est dopée par un dopant permettant d'augmenter l'indice de la silice tel que par exemple, du phosphore ou du germanium ou encore du titane. Par ailleurs, le substrat 1 en silicium peut être remplacé par un substrat en verre ou en silice ou par tout autre matériau sur lequel on peut réaliser des dépôts. L'étape suivante connue de réalisation du microguide est visible sur la figure 2 sur laquelle on retrouve les couches précédentes 1, 2 et 3 et o l'on illustre la réalisation d'un masque protecteur 4 sous forme d'une bande de largeur W à la surface de la couche de silice 3 permettant la gravure ultérieure de cette dernière. Le matériau constituant ce masque peut être notamment en résine photosensible ou en métal. L'étape suivante représentée sur la figure 3 consiste à graver la couche 3 de SiO2 dopée au travers du masque protecteur 4, ce qui conduit à la réalisation de la couche guide proprement dite du microguide sous la forme d'un barreau 3 de section rectangulaire en silice dopée, et à éliminer le masque. Dans les trois figures 1, 2, et 3, la couche 2 a un indice de réfraction n et la couche 3, un indice n+ An. Sur la figure 4 suivante, on a représenté la dernière étape de fabrication qui consiste à recouvrir l'ensemble de la structure de la figure 3 d'une couche 5 de silice SiO2 d'indice de réfraction n+rn2, avec hn2 réfraction n - n, avec dans ce cas n >Ln. Le plus souvent d'ailleurs, les couches de silice 2 et 5 ont le même indice n et le microguide 3 a l'indice de réfraction n+An; l'essentiel est, dans tous les cas de figures envisageables, que la couche 3 servant effectivement de couche guide ait un indice de réfraction supérieur à la fois à celui de la couche 2 et à celui de la couche 5, de façon à réaliser le piégeage recherché de l'onde électromagnétique lumineuse. En d'autres termes, les couches 2 et 5 peuvent être simplement des couches de silice non dopées ou si ce sont des couches de silice dopées, elles doivent l'être de façon plus faible que ne l'est la couche 3 constituant le microguide. Les microguides de lumière connus ainsi réalisés présentent des pertes de propagation optique d'intensité diverse selon leur constitution, mais souvent trop élevée pour certaines applications. En particulier, les pertes de tels microguides augmentent très fortement lorsque la largeur W de la couche guide 3 décroît et l'on peut dire notamment que lorsque la variation d'indice n1 entre la couche guide et les couches adjacentes est -3 de quelques 10, les pertes augmentent très vite lorsque W est égal ou inférieur à une valeur de 5 à 6 micromètres. La raison de cette augmentation importante des pertes est connue et elle a deux causes essentielles qui sont les suivantes: - d'une part, les processus de gravure de la couche guide conduisent à des défauts de surface des couches 2 et 3 qui peuvent être d'ailleurs plus ou moins importants selon les modes de gravure utilisés (gravure ionique, gravure ionique réactive, gravure chimique, etc.), selon également les conditions de gravure, (nature des gaz utilisés lors d'une gravure ionique réactive, nature de La solution chimique d'attaque utilisée lors d'une gravure chimique) ainsi que selon les types de matériaux protecteurs utilisés pour la réalisation du masque 4. - d'autre part, la diminution de la dimension W de la couche guide 3 entraîne une évolution de fonctionnement du système vers un mode guidé dont le nombre de réflexions totales dans le cas du guide augmente. Il s'ensuit par conséquent davantage d'interactions avec les défauts de surface précédemment mentionnés et par conséquent une augmentation relative des pertes optiques. Pour illustrer les défauts de surface de l'art connu dont on vient de parler, on voudra bien se référer à la figure 5 qui représente la même structure que celle de la figure 4 mais sur laquelle on a fait figurer par des ondulations réparties sur les surfaces latérales de la couche guide 3 et sur l'interface entre les couches 2 et 5, les irrégularités de jonction entre ces différentes couches qui traduisent en fait le résultat final réellement obtenu par les procédés qui viennent d'être décrits. La présente invention a précisément pour objet un procédé de fabrication de microguides de lumière à plus faible perte de propagation optique par dépôt de multicouches qui permet, par une méthode simple et efficace de minimiser l'importance des conséquences des défauts de gravure précédemment décrits et représentés sur la figure 5. Ce procédé de fabrication de microguides de lumière à faibles pertes de propagation optique par dépôt de multicouches, 2625333. comprenant, déposées dans cet ordre sur un substrat, une première couche d'indice n, une deuxième couche guide proprement dite, d'indice n+ n et une troisième couche de couverture des deux précédentes, d'indice n+ n2, avec n n ou n - n2, se caractérise en ce que la deuxième couche guide est déposée en deux étapes successives comportant: - une première étape de dépôt suivi d'une gravure partielle d'une première sous-couche à travers un masque approprié de façon que la partie non masquée de la première sous-couche ait une épaisseur, comptée à partir de l'interface situé entre la première couche et la première sous-couche égale à h compatible avec la précision de la gravure de façon à ne pas atteindre l'interface première couche-deuxième couche, - une deuxième étape de dépôt d'une deuxième sous-couche en un matériau ayant le même indice n+ n que la sous- couche précédente, et surmontant celle-ci d'une hauteur h' suffisante pour ne pas reproduire les défauts de gravure de cette sous- couche précédente, l'épaisseur totale h + h' de la partie gravée de la deuxième couche devant être compatible avec le fonctionnement du microguide. Autrement dit, l'épaisseur h + h' doit être assez faible pour que l'énergie lumineuse pouvant être éventuellement guidée dans cette région ne puisse pas se propager. (Cela signifie que l'épaisseur h + h' est soit inférieure à l'épaisseur de coupure associée au guide planaire ainsi constitué, soit que l'onde évanescente associée au mode guidé de ce guide planaire peut être absorbée par le substrat si celui-ci n'est pas transparent à la longueur d'onde de travail ou absorbée par une couche absorbante (métallique) déposée intentionnellement sur la structure terminée au-dessus de la couche 5. Pour l'essentiel, on aura compris que le procédé objet de l'invention repose sur la fabrication de la deuxième couche guide 3 en deux étapes successives correspondant à deux sous- couches superposées de même indice, identifiables et séparées précisément par les défauts de gravure que l'on veut minimiser (sauf bien entendu sur la partie masquée de la couche 3a). Selon l'invention, La première étape de gravure de la couche 3 est celle de la première sous-couche 3a qui s'arrête à R Q592.3 PV une hauteur h au-dessus de la surface de la couche 2, La surface gravée de cette sous-couche 3a présentant les mêmes défauts que Les couches 2 et 3 de l'art antérieur. Conformément à L'invention, on s'affranchit des défauts de surface précédents en venant déposer sur la sous-couche 3a, une deuxième souscouche 3b dans un matériau de même indice n+hn1 que la sous-couche 3a. Cette deuxième sous-couche 3b est dotée d'une épaisseur h' suffisante pour absorber sans les reproduire les défauts de gravure situés à l'interface des sous-couches 3a et 3b, l'épaisseur h + h' étant suffisamment faible par ailleurs pour être compatible avec le fonctionnement du micro-guide. Enfin, l'ensemble précédent est recouvert d'une couche d'indice de réfraction inférieur à celui des sous-couches 3a et 3b, comme c'était le cas de la couche 5 dans l'art antérieur décrit sur les figures 1 à 5. De toute façon, l'invention sera mieux comprise en se référant à la description qui suit d'un exemple de mise en oeuvre particulier, donné à titre indicatif et non limitatif, du procédé de fabrication de microguides objet de l'invention. Cette description sera faite en se référant aux figures schématiques 6 à 9 suivantes, dans lesquelles: - la figure 6 montre le dépôt de la première sous- couche dopée du microguide de lumière, - la figure 7 montre le dépôt de la deuxième sous- couche du micro-guide de lumière, - la figure 8 montre le dépôt de la troisième couche de couverture 5 du microguide de lumière, et - la figure 9 explique l'application du procédé selon l'invention à la réalisation d'une couche guide de largeur W et de hauteur H. La figure 10 montre enfin le dépôt d'une couche absorbante métallique supplémentaire par rapport aux structures des figures 8 et 9. Dans l'exemple de mise en oeuvre décrit en se référant aux figures 6 à 9, le substrat 1 est par exemple en silicium et les couches 2, 3a, 3b et 5 en silice SiO, les couches 2 et 5 2' ayant un indice n et les sous- couches 3a et 3b ayant un indice n+ *n1 Il s'agit bien entendu d'un cas particulier intéressant de mise en oeuvre de la présente invention, mais comme il sera exposé plus loin, d'autres triades de matériaux ou de dopages peuvent également être utilisées selon les cas particuliers d'application de l'invention. Sur la figure 6, on a représenté le substrat de silicium 1 sur lequel sont déposées successivement la première couche 2 de silice SiO d'indice n et la première sous-couche 3a d'indice n + A n 1. Cette couche 3a a été gravée partiellement par tout moyen connu à travers un masque approprié. L'épaisseur restante de la partie gravée de la couche 3a, comptée à partir de l'interface couche 2 - couche 3a est égale à h. Dans le cas particulier décrit, la valeur de h peut être par exemple comprise entre 0, 1 et 0,5 micromètre; l'essentiel est, en fait que l'on soit sûr de ne pas atteindre l'interface entre les couches 2 et 3a lors de la gravure précédente. La précision de ce type de gravure étant, compte tenu des inhomogénéités des dépôts, de l'ordre de 5% de l'épaisseur de la couche 3a, on peut choisir pour h une valeur égale à 0,25 micromètre lorsque l'épaisseur de la première sous-couche 3a est égale à 5 micromètres. Sur la figure 6, on a représenté schématiquement par des ondulations graphiques les défauts de surface inévitables, existant à ce stade de la réalisation, sur les régions gravées de la première couche 3a. La figure 7 représente ensuite la seconde étape de dépôt d'un matériau de même indice que celui de la première couche 3a et qui recouvre cette dernière d'une hauteur h'. Dans l'exemple décrit, cette deuxième souscouche 3b est réalisée, comme la première sous-couche 3a, en silice SiO dopée, d'indice n+t4n. Le choix de l'épaisseur h' résulte d'un compromis entre deux exigences opposées, à savoir la nécessité pour h' d'être suffisante pour absorber et effacer les défauts de surface de la première sous-couche 3a, et la nécessité pour h + h' de ne pas être trop élevée pour être compatible avec le fonctionnement du microguide 3. Dans L'exemple décrit, L'épaisseur h' est comprise -3 entre 0,5 et 2 micromètres et An est de l'ordre de 5.10. La I hauteur h de la partie gravée de la première sous-couche 3a est de l'ordre de 5% de l'épaisseur de la première sous-couche 3a. La figure 8 représente enfin l'étape finale de fabrication qui consiste en un dernier dépôt d'une couche 5 de silice SiO2 du même type que celle décrite figure 4, dont l'épaisseur est en général de quelques micromètres, l'exigence principale quant à cette épaisseur résultant de la nécessité qu'elle soit plus épaisse que la profondeur de L'onde évanescente associée au mode guidé. En se référant maintenant à la figure 9, on va décrire les modalités pratiques de mise en oeuvre du procédé objet de l'invention lorsque L'on veut réaliser une couche-guide dont les dimensions sont W pour La largeur et H pour la hauteur. Comme on le comprendra en se référant à cette figure 9, les opérations nécessaires consistent: a) - à déposer sur la première couche 2 d'indice de réfraction n, une sous-couche 3a d'indice n+ 4n, d'épaisseur H-h'; b) - à graver partiellement la première sous- couche 3a en matériau d'indice n+An sous forme d'un motif de largeur W- 2h' jusqu'à ce que la partie gravée ait une épaisseur h; c) - à déposer la seconde sous-couche 3b en matériau de même indice de réfraction que le matériau de la couche 3a et, d'épaisseur générale h'; d) - à compléter l'ensemble des dépôts précédents par une couche de matériau d'indice de réfraction n + An inférieur à celui des couches 3a et 3b, par dessus la seconde sous- couche 3b. Selon l'invention, les matériaux constitutifs des trois couches 2, 3 et 5 peuvent être choisis notamment parmi les triades de corps suivants: + SiO2, SiO dopé, SiO; 2 2 2 SiO dopé-, SiO2, SiO dopé; 2 32 SiO, si 3N4, SiO; SiO, ZnO, SiO; 2 ' 2 SiO, Si N, A 203 Si02, SION, SiO2. 2 2' Dans ces exemples, les sous-couches 3a et 3b de la couche 3, sont de même nature. Par ailleurs, on entend par "dopé " un dopage qui conduit à une augmentation de l'indice de réfraction du matériau de base et "dopé-", un dopage qui conduit à une diminution de l'indice de réfraction du matériau de base. Lorsque le matériau constitutif de la couche guide est du nitrure de silicium Si N ou de l'oxyde de zinc ZnO, intercalé entre deux couches de silice, il est avantageux de choisir pour la hauteur H de la couche guide une valeur comprise entre 0,05 et 0,2 micromètre, une épaisseur h entre 0, 02 >m et O,08>km, la différence d'indice An étant voisine de 0,55. Parmi les avantages du procédé de fabrication objet de l'invention, on peut noter les points suivants: a) - l'importance des défauts de gravure de la première sous- couche 3a qui sont bien entendu inévitables, se trouve minimisée, car à l'interface des sous-couches 3a et 3b, la variation d'indice de réfraction est nulle puisque les deux sous-couches ont le même indice de réfraction; b) - la couche guide 3 a des angles arrondis et possède un profil de mode guidé plus proche de celui des fibres optiques monomodes à symétrie circulaire, ce qui permet un couplage plus facile entre les microguides obtenus par le procédé objet de l'invention et les fibres optiques monomodes précédentes; c) - pour une dimension donnée H de hauteur de La couche guide, la profondeur de la gravure à effectuer n'est que de H-h-h', au lieu de H correspondant à la profondeur de gravure nécessaire dans les méthodes de l'art antérieur, ce qui conduit à un gain de temps non négligeable et à une pollution réduite du bâti. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, on choisit pour la couche guide de lumière une largeur W sensiblement égale à sa hauteur H, ce qui est un choix spécialement bien adapté au cas o l'on utilise les microguides de lumière sous forme couplée avec des fibres optiques. La figure 10 montre enfin l'utilisation d'une couche absorbante (métallique) complémentaire 6 pour éviter de propager de la lumière parasite en dehors du microguide (dont la couche guide est d'épaisseur H) dans le guide planaire d'épaisseur h + h'. L'épaisseur d'une telle couche est liée à l'invention, dans la mesure o dans l'art antérieur h + h' = 0 et la lumière ne peut donc se propager dans le guide planaire qui de ce fait n'existe pas. La couche absorbante (métallique) 6 peut être limitée aux régions 6a situées à gauche et à droite de la figure 10, au- dessus du guide planaire 7 d'épaisseur h + h' ou ne pas être limitée du tout et être alors continue. Dans ce dernier cas, cela suppose bien sûr que l'épaisseur de la couche 5 de SiO surplombant la couche guide 3 soit suffisante pour que la lumière guidée dans cette couche guide 3 ne soit pas absorbée dans la couche absorbante 6. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication de microguides de lumière à faibles pertes de propagation optique par dépôt de multicouches, comprenant, déposées dans cet ordre sur un substrat (1), une première couche (2) d'indice n, une deuxième couche guide (3) proprement dite, d'indice n+ An et une troisième couche (5) de couverture des deux précédentes, d'indice n+ A n, avec An2 pour ne pas reproduire les défauts de gravure de cette sous- couche précédente (3a), l'épaisseur totaLe h + h' de la partie gravée de la deuxième couche devant être compatible avec le fonctionnement du microguide. Autrement dit, l'épaisseur h + h' doit être assez faible pour que l'énergie lumineuse pouvant - être éventuellement guidée dans cette région ne puisse pas se propager. (Cela signifie que l'épaisseur h + h' est soit inférieure à l'épaisseur de coupure associée au guide planaire ainsi constitué, soit que l'onde évanescente associée au mode guidé de ce guide planaire peut être absorbée par le substrat si celui-ci n'est pas transparent à la longueur d'onde de travail ou absorbée par une couche absorbante (métallique) déposée intentionnellement sur la structure terminée au-dessus de la couche 5. 2. Procédé de fabrication de microguides de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (1) est en silicium et les trois couches (2, 3, 5) en silice, les première (2) et troisième couches (5) ayant le même indice n et la deuxième couche guide (3) étant dopée et ayant l'indice -3 n+àn, avec t.n de l'ordre de 5.10, h étant de l'ordre de 5% de l'épaisseur de la première sous-couche (3a) et h' compris entre 0,5 et 2 m. 3. Procédé de fabrication de microguides de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on choisit les matériaux constitutifs des trois couches (2, 3, 5) parmi les triades de corps suivants: SiO2, SiO2 dopé 2 Sio2; SiO2 dopé-, SiO2, SiO dopé; 2 2 SiO Si N SiO; 2' 3 4 2 SiO2, ZnO, SiO; SiO, Si N, Al203, SiO2, SiON, SiOe. 4. Procédé de fabrication de microguides de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que les trois couches (2, 3, 5) sont en silice, la couche guide de lumière ayant une largeur W sensiblement égal à sa hauteur H. 5. Procédé de fabrication de microguides de lumière selon la revendication 5, caractérisé en ce que le matériau de la couche guide (3) étant choisi parmi le nitrure de silicium Si N ou de l'oxyde de zinc ZnO, la hauteur H de la couche guide (3) est comprise entre 0,05 et 0,2 À,-m, l'épaisseur h entre 0,02 "m et 0,08 Dkm. 6. Procédé de fabrication de microguides de lumière selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'on compLète la structure par te dépôt d'une couche métallique absorbante (6) sur la troisième couche (5) de couverture.