FR 2634905 A1 19900202 FR 8809084 A 19880705 DesciDiti2n "Dispositif semiconducteur optoélectronique intégré incluant un séparateur des polarisations TE/TM. L'invention concerne un dispositif semiconducteur -optoélectronique intégré incluant un séparateur des polarisa- tions TE/TN, ce séparateur comprenant deux guides de lumière parallèles et monomodes, dont l'un reçoit & l'entrée un signal lumineux, et comprenant des moyens pour effectuer la sépara- tion de ce signal en ses deux composantes TE et TM, dont l'une TE est transportée en sortie par l'un des guides et l'autre TN est transportée en sortie par l'autre guide. L'invention trouve, entre autres, son application dans la réalisation de dispositifs destinés & la détection homodyne ou hétérodyne. Notamment, la détection homodyne a pour but le mélange d'un signal au signal d'un oscillateur local de fré- quence donnée pour en extraire la fréquence intermédiaire. A cet effet, il est indispensable de disposer & la fois de la composante TE (transverse électrique) et de la composante TM (transverse magnétique) du signal. En effet, dans la détection homodyne, on est amené & mesurer l'intensité du champ résul- tant qui s'exprime par le carré de la somme du champ du signal et du champ de l'oscillateur local. Dans l'expression de l'in- tensit6 du champ résultant, intervient le produit scalaire du champ du signal et du champ de l'oscillateur local. On voit que lorsque le vecteur champ électrique du signal est ortho- gonal au vecteur champ électrique de l'oscillateur local, il ne peut y avoir détection, car l'information est contenue dans le produit scalaire. Ceci explique qu'il est nécessaire de dé- composer aussi bien le signal à traiter que le signal de l'os- cillateur local en leurs deux composantes TE et TN, car dans ces conditions, on'se trouve toujours dans le cas o au moins un des deux produits scalaires que l'on effectue alors, est non nul. Un dispositif séparateur des polarisations TE/TM est connu de l'état de la technique par la publication inti- tulée 'LiNbO3 coupled-waveguided TE/TM Mode Splitter' par OSAMU MIKAMI dans 'Appl.Phys.Lett.36 (7), 1 April 1980, 1980 American Institute of Physics, pp.491-492. Ce dispositif comprend deux guides parallèles en- terrés complètement dans un substrat en niobate de lithium, réalisés par diffusion localisée d'ions titane (Ti). En surface de l'un des guides et sur une certaine longueur L1, dite longueur de couplage, est réalisée une couche métallique directement sur ledit guide. En surface de l'autre guide est réalisée, sur la même longueur, une seconde couche métallique, mais dans ce cas, une couche diélectrique est interposée entre cette couche métallique et la surface su- périeure du guide. Une différence de potentiel peut éventuel- lement être appliquée entre les deux couches métalliques qui forment alors des électrodes. Le fonctionnement de ce dispositif est fondé sur les faits suivants: On sait que, lorsque deux guides sont disposés parallèlement sur une certaine longueur, si l'un des guides transporte un certain mode, ce mode va complètement passer dans le second guide pourvu que la longueur sur laquelle les deux guides sont parallèles corresponde à la longueur de cou- plage pour ledit mode. Cette longueur de couplage est liée à l'inverse de la différence des constantes de propagation des modes symé- triques et antisymétriques qui peuvent se propager dans cette structure, formant alors un coupleur. Or, pour chacune des polarisations TE et TM, les constantes de propagation des modes symétrique et antisymé- trique sont respectivement pratiquement identiques. Il en ré- sulte que si l'on voulait réaliser la séparation des polarisa- tions TE et TM par un coupleur formé de guides identiques, cela nécessiterait une longueur de couplage presque infinie. c'est pourquoi, le document cité présente un sé- parateur des polarisations TE et TM fondé sur une structure dissymétrique, dans laquelle le coupleur est symétrique pour la polarisation TE et dissymétrique pour la polarisation TM, du point de vue des constantes de propagation des polarisa- tions TE et TN pour chaque guide pris individuellement. Cette réalisation est fondée sur les propriétés de la polarisation TM qui différent de celles de la polarisation TE. Il est appa- ru que lorsque l'on place une couche métallique directement en surface d'un guide de lumière, la constante de propagation de la polarisation TN est fortement modifiée par la présence de cette couche métallique, alors que la constante de propagation de la polarisation TE est peu affectée par cette présence. D'autre part, on sait que pour que deux guides mo- nomodes soient couplés, il faut que les constantes de propa- gation du mode fondamental dans chaque guide soient prati- quement identiques dans le guide d'entrée ou-premier guide, et dans le guide de sortie ou second guide, dans lequel ledit mode passe par couplage. Lorsque ces constantes sont identiques, ou prati- quement identiques, pour le mode donné, dans les deux guides, il y a transfert total ou pratiquement total de ce mode d'un guide dans l'autre. Le coupleur est considéré comme symétrique pour ledit mode. Lorsque ces constantes sont, au contraire, diffé- rentes le transfert est seulement partiel, voir nul; et le coupleur est dit dissymétrique pour ce mode. Il résulte des propriétés respectives des polari- sations TE et TM citées précédemment, que du fait de la pré- sence d'une couche métallique sur le guide de sortie ou second guide, la constante de propagation dans le guide muni de la couche métallique va devenir très différente de la constante de propagation dans le premier guide non muni de la couche mé- tallique pour ce qui concerne la polarisation TM. En revanche, les constantes de propagation dans l'un et l'autre guide vont rester sensiblement identiques en ce qui concerne la polarisa- tion TE. Il ne pourra donc pas y avoir transfert de la po- larisation TM du guide d'entrée ou premier guide vers le guide de sortie ou second guide; et la polarisation TM restera dans le guide d'entrée o elle continuera à se propager; alors que ce transfert pourra avoir lieu pour la polarisation TE, qu va donc passer dans le guide de sortie ou second des deux guides parallèles. Les différences de propriétés entre la polarisa- tion TE et la polarisation TM dans le niobate de lithium sont dues entre autres à un phénomène physique qui apparaît plus particulièrement dans ce matériau. Ce phénomène consiste en l'apparition d'un mode plasma de nature TM, qui montre un in- dice effectif de propagation beaucoup plus grand que tous les autres indices de la structure et qui dissymétrise le couplage lorsque la couche métallique existe sur le guide d'entrée. Dans le dispositif connu, la seconde couche mé- tallique est disposée sur une couche diélectrique afin de ne pas influencer le phénomène. Les couches métalliques peuvent ainsi servir d'électrodes afin d'ajuster la longueur de cou- plage de la polarisation TE à une longueur voulue pour le dispositif. Mais si le dispositif décrit dans le document cité présente des avantages, notamment du fait que les guides d'en- trée et de sortie du séparateur TE/TM sont parallèles, il pré- sente en revanche l'inconvénient d'être réalisé en niobate de lithium qui n'est pas un matériau permettant de réaliser des circuits optoélectroniques en synergie de fabrication avec les circuits intégrés qui leurs sont généralement adjoints. C'est pourquoi la présente invention a pour but de proposer un séparateur des polarisations TE/TM qui est réali- sable et intégrable sur un matériau III-V et qui est en parti- culier: - miniaturisé, - en synergie de fabrication avec les circuits in- tégrés ultra-rapides ou hyperfréquences, - intégrable sur le même substrat que ces cir- cuits, - qui fonctionne & des longueurs d'onde répondant aux standards des télécommunications, - qui présente des pertes minimales. Ainsi, un matériau III-V tel que GaxInlxAsy P--y dans lequel x et y sont les concentrations, est un ma- tériau particulièrement bien adapté pour atteindre ces buts. Mais il se trouve que, à ce jour, on ne sait pas dominer, et donc transposer dans les matériaux III-V le phé- nomène d'apparition du mode plasma qui permet de dissymétriser la structure du séparateur TE/TM à guides parallèles connu de l'état de la technique en niobate de lithium. Un autre séparateur de polarisations TE/TM est encore connu de l'état de la technique par la publication in- titulée Guided-wave polarization splitter based on two-mode interference' par A. Neyer, D. Dang dans 'IGW0-88 conference NE3-1 pp.107-110. Ce document décrit un dispositif, qui comme le précédent est réalisé en niobate de lithium mais qui repose sur un principe physique différent. Ce dispositif séparateur comprend une partie centrale constituée par un guide de lu- mière qui a des dimensions transverses suffisamment grandes pour être bimode, c'est-à-dire pour véhiculer à la fois un mode symétrique et un mode antisymétrique. Ce dispositif com- prend en outre deux guides d'entrée monomodes qui font entre eux un petit angle, et deux guides de sortie de même struc- ture. Le signal d'entrée décomposable en TE/TM est transporté par l'un des guides d'entrée dans la partie cen- trale, o il se produit une première décomposition en la con- posante symétrique et antisymétrique du guide central pour chaque composante TE et TM. Le long de la partie centrale, il se produit un battement pour chaque polarisation entre le mode symétrique et le mode antisymétrique. Si la longueur.du guide central est telle qu'elle est égale & la longueur de couplage de la pola- risation TM, et que cette dernière longueur de couplage elle- même est le double de celle de la polarisation TE, alors le mode symétrique et le mode antisymétrique de la polarisation TM se retrouveront, au bout de la longueur du guide central en opposition de phase par rapport à l'état o ils se trouvaient à l'entrée de la partie centrale; il en résulte que la pola- risation TM pourra sortir par le guide situé du côté opposé au guide d'entrée par rapport à l'axe optique du système. Alors que pour la polaristion TE, les modes symétrique et antisymé- trique se retrouveront en phase à l'extrémité de la partie centrale et la polarisation TE sortira par le guide situé du même côté que le guide d'entrée par rapport & l'axe optique. De ce document, on peut retenir l'enseignement qu'un point de fonctionnement est trouvé en fonction de la largeur de la partie centrale et de l'angle entre les guides, pour une longueur de couplage de la polarisation TE égale à Q0,5 fois la longueur de couplage de la polarisation TM. Un tel dispositif, serait par son principe trans- posable aux matériaux III-V. Mais il présente de par sa struc- ture des inconvénients. Notamment l'angle entre les guides est assez critique. Si l'angle est petit, l'onde évanescente cor- respondant à l'une des polarisations destinée à être trans- portée par l'un des guides de sortie passe dans l'autre guide de sortie et il en résulte que la séparation est imparfaite. si l'angle est grand, alors la conversion de mode pour passer de la région centrale aux guides de sortie est difficile et il y a des pertes importantes. Donc, d'une façon générale, du fait que les guides font un angle critique entre eux dans ce système séparateur connu, on rencontre des problèmes de dia- phonie et d'isolation des deux voies de sortie. Ces problèmes de structures sont évités et les buts de l'invention cités plus haut sont atteints au moyen d'un dispositif tel que décrit dans le préambule et en outre caractérisé en ce que - les guides sont formés d'au moins une hétéro- structure S/C1 et de deux rubans R de guidage parallèles éri- gés en surface de dimension transversale I et de hauteur h sé- parés par une distance bord à bord d, - et les moyens pour effectuer la séparation des composantes TE et TM consistent en une couche métallique -s'étendant entre les rubans de guidage en surface de la struc- ture sur une longueur D dont la valeur est liée à la longueur de couplage de la composante TE par la relation D = Lc (TE) les paramètres des grandeurs physiques du dispositif étant choisis pour que la relation Lc (TE) = 2 Lc(TM) soit vérifiée. Le dispositif selon l'invention présente notamment l'avantage de conserver la structure de guides parallèles, et donc d'éviter la réalisation d'angles critiques, lié & l'avan- tage d'être réalisable en matériau III-V au moyen d'une tech- nologie de guides à faibles pertes. L'invention sera mieux comprise au moyen de la description suivante illustrée par les figures schématiques annexées dont - la figure la qui représente le dispositif sépa- rateur des polarisations TE/TM selon l'invention, vu du dessus, - la figure lb qui représente symboliquement le trajet des faisceaux liés & ces polarisations dans ce même dispositif; - la figure 2a qui représente ce dispositif, en coupe selon l'axe I-I de la figure la dans un premier mode de réalisation; - la figure 2b qui représente le mêne dispositif que celui de la figure 2a, en coupe selon l'axe II-II de la figure la; - la figure 2c qui représente la courbe de varia- tion du rapport des longueurs de couplage des polarisations TE et TM, Lc(TE)/Lc(TM), en fonction de la distance bord à bord a des guides,'dans ce mode de réalisation et pour des va- leurs préférentielles des différents paramètres de la struc- ture; - la figure 2d qui montre les courbes isoénergies dans un guide d'une telle structure; - la figure 3a qui représente le dispositif selon l'invention, en coupe selon l'axe I-I de la figure la, dans un second mode de réalisation; - la figure 3b qui représente le même dispositif que celui de la figure 3a, en coupe selon l'axe II-II de la figure la; - la figure 3c qui représente le courbe de varia- tion du rapport des longueurs de couplage des polarisations TE et TM, Lc(TE)/Lc(TM), en fonction de la distance bord à bord d des guides, dans ce second mode de réalisation; - la figure 3d qui montre les courbes isoénergies dans un guide d'une telle structure. Tel que représenté, schématiquement, vu du desss sur la figure la, le séparateur des polarisations TE/TM selon l'invention, comprend, réalisés sur un substrat s en matériau III-V: - deux guides de lumière parallèles, respective- ment G1 et G2, intégrés sur ce substrat ô, de dimension trans- verse y, séparés par une distance bord à bord d, eux-mêmes réalisés en matériau III-V, - et, disposée entre les deux guides de lumière G1 et G2, une couche métallique 10. Cette couche présente comme dimension transverse d, identique à la distance qui sépare les guides bord à bord, et comme dimension longitudinale D, dimen- sion dont la valeur sera définie plus loin. Les dimensions et caractéristiques des guides G1 et G2 sont choisies pour qu'ils soient monomodes, c'est-à-dire que, pour une longueur d'onde donnée, ils transportent le mode fondamental, ou d'ordre O. OS Un faisceau de lumière étant appliqué à l'entrée I1 du guide G1, le but de l'invention est d'obtenir que l'une des composantes TE ou TM soit disponible à la sortie 01 du guide G1 pour continuer à être transportée par ce guide G1, et que l'autre composante soit alors disponible à la sortie 02 du guide G2 pour continuer à être transportée par ce guide G2, ces composantes TE et TM du signal initial étant ainsi sépa- rées. L'ensemble des figures 2, et l'ensemble des fi- gures 3 illustrent chacun une méthode pour réaliser les guides de lumière intégrés sur matériau III-V et aptes à constituer un séparateur de polarisations TE/TM selon l'invention. Les figures 2a et 2b représentent en coupe, selon l'axe I-I et l'axe IIII de la figure la respectivement le dispositif selon l'invention dans le premier mode de réalisa- tion. Les figures 3a et 3b représentent en coupe selon l'axe 1-I et l'axe II-II de la figure la respectivement le disposi- tif selon l'invention dans le second mode de réalisation. Dans l'un et l'autre de ces modes de réalisation, les guides de lumière sont constitués d'une couche guidante C1 surmontée pour chaque guide d'un ruban R, de section rectangu- laire, érigé au-dessus du dispositif sur une hauteur h faible devant sa dimension transversale X Dans le premier mode de réalisation illustré par l'ensemble des figures 2a, 2b et 2d en coupe le dispositif est formé d'une double h6térostructure, comprenant un substrat bi- nsire S, une couche guidante CI quaternaire, et une couche de confinement C2 binaire dans laquelle sont formés les rubans de guidage R. Dans le second mode de réalisation illustré par l'ensemble des figures 3a, 3b et 3d en coupe, le dispositif est formé d'une simple hétérostructure, comprenant un substrat binaire S, une couche guidante C1 quaternaire, en surface de laquelle sont formés les rubans de guidjage R. Les figures 2e et 3d représentent respectivement en coupe selon l'axe II-II de la figure la, un guide, G1 ou G2, dans l'un et dans l'autre des deux modes de réalisation, ainsi que la section du faisceau, symbolisée par les lignes isoénergie. On voit que, en dehors de la région séparatrice, dans chaque guide, le faisceau se propage principalement dans la couche guidante, mais que le rôle du ruban R est cependant essentiel pour le guidage. Ce type de structure de guide à ruban supérieur est celui qui à ce jour, montre le moins de pertes. Cependant, on doit noter que le système à double hétérostructure corres- pondant à l'ensemble des figures 2, montre encore moins de pertes que le système à simple hétérostructure correspondant à l'ensemble des figures 3. Le dispositif séparateur des polarisations TE et TM fonctionne cependant dans l'un et l'autre des modes de réa- lisation selon le même principe. Dans l'un et l'autre cas, la couche métallique 10 qui est réalisée entre les guides G1 et G2 dans l'intervalle des rubans R, présente un indice de réfraction complexe, qui est une fonction de la longueur d'onde du faisceau et qui a une influence sur les indices effectifs de propagation des polarisations dans le matériau situé sous la couche métal- lique. Selon l'invention, comme on ne peut séparer les polarisations TE et TM, dans l'état actuel des connaissances en technologie III-V, en utilisant l'enseignement du premier document cité au titre d'état de la technique, enseignement fondé sur l'apparition d'un mode plasma, et comme d'autre part, on veut éviter la structure du second document cité, pour les inconvénients qu'elle entraîne, on a été amené à chercher de nouvelles propriétés, différenciant les polarisa- tions TE et TM, et utilisables en technologie III-V. Il apparaît que, du fait de la disposition de la couche métallique entre les guides G1 et G2 selon l'invention, la MR&ij _ él de l'indice effectif de propagation de la composante TE décroît davantage que ne décroît la partie réelle de l'indice effectif de propagation de la composante Il. C'est cette propriété que l'on va utiliser pour réaliser le dispositif selon l'invention. On voit donc ici que le dispositif selon l'inven- tion utilise une toute autre propriété que la propriété qui était utilisée dans le premier document cité, à savoir, en plus de l'effet du mode plasma déjà décrit, le fait que la couche métallique placée en surface du guide de sortie, agissait davantage sur la Partie imaginaire de l'indice effec- tif de propagation de la polarisation TM que sur la partie imaginaire de l'indice effectif de propagation de la polarisa- tion TE. Or la partie imaginaire de l'indice effectif de pro- pagation est liée directement à l'absorption de la composante - par la couche métallique. Il en résultait que dans le dispo- sitif connu, la couche métallique agissant sur la partie ia- ainaire de l'indice effectif de propagation de la polarisation TM, provoquait l'absorption de cette composante par la couche métallique. Dans ces conditions, la polarisation TM ne pouvait pas se propager dans le guide couvert d'une couche métallique, alors que la polarisation TE, qui n'était que très faiblement absorbée, pouvait se propager dans ce guide. Selon l'invention, on agit donc sur les parties réelles et non sur les parties imaginaires, et dans ce cas, contrairement à l'état de la technique, c'est la polarisation TE qui est la plus affectée. L'effet sur chacune des polarisations, en tenant compte du fait que cet effet est plus grand sur TE dépend: - de la structure (simple ou double hétérostruc- ture); - de l'épaisseur de la couche guidante C1; - de l'épaisseur de la couche de confinement C2 lorsqu'elle existe (cas de la double hétérostructure); - de la dimension transverse W du ruban R des guides G1 et G2; - de la distance bord & bord A des guides ou di- mension transverse de la couche métallique; - de la hauteur h du ruban R; --de l'indice complexe de la couche métallique 10. Les longueurs de couplage Lc de chacune des po- larisations TE ou TM sont liées aux constantes de propagation OS et PA pour les modes symétriques et antisymétriques de chacune de ces polarisations TE, TM par les relations 1 et 2 du tableau I. Pour la détermination de ces constantes de propa- gation 0 par le calcul, en fonction de la longueur d'onde de fonctionnement A0 et du profile d'indice de réfraction de la structure étudiée, on lira avec profit l'ouvrage intitulé Tropics in Applied Physics, Vol.7, Integrated Optics, chap- ter: Theory of dielectric waveguides (H.Wagelnik)", T.TAMIR Editeur. Ces différents paramètres vont conduire au fait que chacune des composantes TE, TM, d'un signal appliqué à l'entrée I1 du guide G1 par exemple va passer dans l'autre guide G2 au bout de longueurs de couplage Lc(TM) pour la composante TM et Lc(TE) pour la composante TE, différentes. Comme on l'a mentionné plus haut, c'est la partie réelle de la constante de propagation de la polarisation TE qui se trouve plus affectée que celle de TM, ce résultat est encore applicable aux modes symétrique et antisymétrique dans la région de couplage. Selon l'invention on pourra obtenir Lc(TE) = 2.Lc(TM) en jouant préférentiellement sur la longueur de couplage TE plutôt que sur celle de TM, puisque les longueurs de couplage dans un telle structure à guides parallèles (coupleur direc- tionnel) dépendent directement de l'inverse des différences des parties réelles des constantes de propagation des modes symétrique et antisymétrique. En fixant les différents paramètres pour obtenir que la relation Lc(TE) u 2 Lc(TM) soit respectée, on ob- tient que dans la structure selon l'invention, au bout de la longueur Lc(TN), la composante TM est passée entièrement dans le guide G2, alors que la composante TE est passée seu- lement partiellement dans le guide G2. Au bout de la longueur 2 Lc(TM), la composante TM est revenue dans le guide d'entrée G1. Le but de l'inven- * tion est atteint et les polarisations TE et TM sont séparées du fait que, à ce moment là, la composante TE est entièrement passée dans le guide G2. Pour maintenir chacune des polarisations séparées, l'extrémité de la couche métallique 10 doit coïncider avec la longueur de couplage Lc(TE), de telle façon que D = Lc(TE) - 2 Lc(T). La propagation des polarisation TE et TM se fait alors comme il est représenté symboliquement sur la figure lb. On décrira ci-après des exemples de mise en oeuvre des deux types de structures (simple hétérostructure et double hétérostructure) décrites précédemment. ExemuDle I = mise en oeuvre d'une double hétérostructure Dans cette aise en oeuvre illustrée par les fi- gures 2a et 2b en coupe, le dispositif selon l'invention com- prend d'abord un substrat Sen InP qui peut être soit de type de résistivité n+, soit semi-isolant. Ce substrat peut être obtenu par tronçonnage d'une plaquette dans un lingot massif d'InP, ce dernier étant lui- Mmêe réalisé par la méthode Czochralski par encapsulation li- quide par exemple. Ce dispositif comprend ensuite une couche guidante Ci, d'épaisseur el en un matériau III-V quaternaire tel que GaxInlx ASyPly dans lequel les concentrations x et y sont liées par les relations: y = 0,5 x = 0,435y. La longueur d'onde associée à l'énergie de bande interdite est de 1,22 pm. Le dispositif conçu selon cet exemple de réalisation est prévu pour fonctionner à la lon- gueur d'onde Ao = 1,55 pm correspondant au standard actuel en télécommunications, donc assez loin de la longueur d'onde critique. Le dispositif comprend ensuite une couche binaire C2 en InP, d'épaisseur e2, dans laquelle les rubans R de hau- teur h des guides G1 et G2 sont formés. La réalisation des couches C1 et C2 sur le substrat S1 peut être faite par croissance épitaxiale selon l'une des méthodes dites MOCVD ou CVD. la réalisation des ru- bans R, peut être faite au moyen d'une gravure de type dit RIE, à partir de la surface supérieure de la couche de confi- nement C2, sur une profondeur h. La couche quaternaire C1 est la couche guidante comme le montre les isoénergies représentées sur la figure 2d. Le choix de l'épaisseur el de cette couche C1 est fondé sur les faits que: - il faut qu'elle soit suffisamment épaisse pour permettre la propagation du mode fondamental (ordre 0), - il faut qu'elle ne soit pas trop épaisse, pour éviter la propagation des modes d'ordre supérieur. Ces conditions imposent une épaisseur el telle que 0,15 pm Mais plus el est grande et plus la partie éva- nescente de l'onde qui se propage dans la couche guidante est grande. De plus, si l'épaisseur el est importante, l'influence de la couche métallique bar la composante TM diminue. Ces observations ont amené à considérer que l'épaisseur el de la couche C1 est optimale lorsque: el = 0,25 pm. De même, pour minimiser les pertes sur la compo- sante TM, tout en ménageant un effet suffisant sur cette com- posante, on a été amené à considérer l'épaisseur el-h, qui est la distance entre la couche guidante et la couche métallique 10, comme optimale lorsque e2-h 0,15 mm. On a vu précédemment que tous les paramètres de la structure séparatrice des polarisations TE/TM avaient une in- fluence sur la détermination des longueurs de couplage Lc(TE) et Lc(TM), c'est pourquoi tous ces paramètres opti- misés ont été rassemblés dans le tableau II à la ligne A. Dans ces conditions la courbe de la figure 2c, qui donne le rapport des longueurs de couplage Lc(TE) à Lc(TM) indique que la condition recherchée Lc(TE) = 2 Lc(TM) est remplie pour une distance bord à bord des guides d X 2,65 um c'est-à-dire 2,5 pum D = Lc(TE) = 3600 um. Ces résultats ont été obtenus en choisissant pour réaliser la couche métallique, une couche d'or déposée par exemple par évaporation sous vide. Cette couche d'or aura de préférence une épaisseur de 0,2 & 0,3 pnm. L'or a un indice complexe qui s'écrit n= 0,14 + i x 8,52 à la longueur d'onde de 1,55 pm qui est la longueur d'onde Ao de fonctionnement. D'autres métaux peuvent être utilisés s'il montrent une partie réelle d'indice qui ne soit pas trop grande. Pour montrer que les performances du dispositif dépendant des différents paramètres cités, ne peuvent être op- timisées que si ces paramètres sont également optimisés, la ligne B du tableau II, donnent les longueurs de couplage Lc(TE) et Lc(TM) remplissant la condition Lc(TE) = 2 Lc(TM) dans le cas o la couche guidante C1 est rendue plus épaisse (el a 0,4 pm) et la couche de confinement plus mince (e2 * 0,1 2 h). On constate que dans ces conditions les dimensions du dispositif sont très augmentées car D devra atteindre D = 15.000 pU ExemDle II = mise en oeuvre d'une simple hétérostructure Dans cet exemple, le substrat S, et la couche C1 peuvent être réalisés exactement avec la même technologie et les mêmes matériaux que dans l'exemple I. La couche de confinement C2 n'existe pas (e2 = O) et les rubans R sont gravés par exemple par RIE directement dans la couche quaternaire C1. La figure 3d montre les lignes isoénergie dans un guide ayant une telle structure. La ligne C du tableau II donne les longueurs de couplage LC(TE) et Lc(TM) en fonction des différents para- mètres optimisés pour remplir la condition imposée entre les longueurs de couplage. La courbe de la figure 3e montre que la condition est remplie pour d 2 2, 45 pum, c'est-à-dire 2,25 pz dimension plus petite (3600 pm devant 9800 pz) donc plus faci- lement intégrable, et de pertes beaucoup moins grandes. - l'hétéostructure simple est plus facile à mettre en oeuvre, elle ne présente pas d'épaisseur critique à réa- liser en épitaxie, mais en revanche, ses dimensions sont plus grandes, elle est moins facilement intégrable et les pertes sont plus importantes. Un procédé de réalisation pour les croissances de couches et les gravures de couches de matériaux III-V peut être appris par exemple des demandes de brevet français enre- gistrées sous les n' 88 8503 et nô 88 8504. Ln or o CD oN D 006f 0086 z ú S'O l' 0 s'0 I z OOSL 000S SPI C "'O 1'0 l'O S'O _ V z 0081 009ú S9' Z S '001l '0S0 S'0 (Ni) (md) Oâ(u) (d) (ci) (md) (mid)(tari) _ L) sI (NI)Di (3)Du p A [a q _ _ -1. I Ifil (M) (V _ $) / L = (i) N.L HA (1) (Vd - sU)/. = (3Z)DI 3A 3& - 19 Revendications 1. Dispositif semiconducteur optoélectronique intégré incluant unséparateur des polarisations TE/TM, ce séparateur comprenant deux guides de lumière parallèles et monomodes G1 et G2 dont l'un reçoit à l'entrée un signal lumineux, et com- prenant des moyens pour effectuer la séparation de ce signal en ses deux composantes TE et TM, dont l'une TE est transpor- téé en sortie par l'un des guides, et l'autre TM est transpor- tée en sortie par l'autre guide, caractérisé en ce que - les guides sont formés d'au moins une hétéro- structure S/C1 et de deux rubans R de guidage parallèles éri- gés en surface, de dimension transversale X et de hauteur h séparés par une distance bord à bord g, - et les moyens pour effectuer la séparation des composantes TE et TM consistent en une couche métallique s'étendant entre les rubans R de guidage en surface de la structure sur une longueur dont la valeur est liée à la longueur de couplage de la composante TE par la relation D = Lc (TE), les paramètres des grandeurs physiques du dispositif étant choisis pour que la relation Lc(TE) = 2 Lc(TM) soit vérifiée. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les guides sont formés d'une double hétérostructure S/CJtC2. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la(les) hétérostructure(s) comprennent une couche quaternaire de composé III-V pour former la couche guidante C1 d'épaisseur e1,,et une (des) couche(s) binaire(s) de composé III-V pour former la (les) couche(s) de confinement (S,Cz). 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le composé quaternaire présente la formule générale GaxInlxAsyPly dans laquelle x et y sont des concen- trations, et en ce que le composé binaire est InP. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que la concentration y = 0,5 et x = 0,435 y. 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche métallique est une couche d'or (Au) d'épaisseur em. 7. Dispositif selon l'une des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que dans la simple hétérostructure la hau- teur h des rubans R est d'épaisseur faible devant celle de la couche quaternaire C1 dans laquelle ces rubans sont formés. 8. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que pour obtenir que la condition D = Lc(TE) = 2 Lc(TM) soit vérifiée, à la longueur d'onde de fonctionnement Ao = 1,55 pm les paramètres de la structure vérifient les données sui- vantes: e1 = 0,50 Pm h = 0,1 Pm e2 = 0 w = 3 pm 2,25 Um 9. Dispositif selon l'une des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce que dans la double hétérostructure, la couche supérieure de confinement C2 en matériau binaire est d'épaisseur e2 à peu près équivalente à l'épaisseur el de la couche guidante Cl en matériau quaternaire, en ce que la hau- teur h des rubans R formés dans la couche supérieure C2 de confinement est inférieure à la moitié de l'épaisseur e2 de cette couche de confinement C2. 10. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que pour obtenir que la condition: D = Lc(TE) = 2 Lc(TM) soit vérifiée, A la longueur d'onde de fonctionnement AX = 1,55 um les paramètres de la structure vérifient les données sui- vantes: el = 0,25 pm h = 0,1 pm - - e2 =0,25 pm W = 3 pm 2,5 pu des revendications précédentes comprenant au moins les étapes suivantes a) formation d'un substrat S en phosphure d'indium InP, seaiisolant ou de type de conductivité n+, par exemple sous la forme d'une plaquette obtenue par le tronçonnage d'un lingot massif d'InP, lui-méme obtenu par tirage par la méthode Czochralski par encapsulation liquide; b) formation d'une couche Cl de formule GaxInl-xAsy P1-y dans laquelle x et y sont les concen- trations telles que y = 0,5 et x = 0,435 y, par une méthode de croissance épitaxiale par exemple du type NOCVD ou CVD sur une épaisseur el. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes suivantes c) gravure par une méthode telle que par exemple RIE de la couche épitaxiale supérieure pour obtenir en relief sur cette dernière, deux rubans R de dimension transversale W, parallèles, séparés par une distance bord à bord d et de hauteur h; d) dépôt, par exemple par évaporation sous vide, d'une couche d'or (Au) disposée entre les rubans R, sur une longueur d et une épaisseur eu. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que, pour obtenir un dispositif selon la revendication 8, la couche épitaxiale C1 a pour épaisseur el = 0,5 pl en ce que la gravure des rubans est pratiquée dans cette der- nière couche, sur une profondeur h = 0,1 pu et de telle sorte que V = 3 pm 2,25 n et pour épaisseur em t 0,2 à 0,3 pm. 14. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que, entre l'étape b) et l'étape c), il comprend une étape: b') formation d'une couche C2 de formule InP par une méthode de croissance épitaxiale, par exemple du type MOCVD ou CVD. 15. procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que, pour obtenir un dispositif selon la revendication 10, la couche épitaxiale CI a pour épaisseur el = 0,25 pm, la couche épitaxiale C2 a pour épaisseur e2 = 0,25 pm, la gravure des rubans R est pratiquée dans cette dernière couche sur une profondeur h 0,1 pm et de telle sorte que: W = 3 pm 2,5 pm et pour épaisseur em À 0,2 à 0,3 pm.