FR 2632145 A1 19891201 FR 8906931 A 19890526 263214S La présente invention concerne un tube de prise de vues de type photoconducteur et un tube de prise de vues radiographiques, et plus particulièrement un procédé pour fabriquer un tube de prise de vues comportant une section formant cible, et convenant en tant que tube de prise de vues, avec lequel on utilise la section formant cible particulière et dans lequel la tension de la cible est accrue. D'une manière générale, un tube de prise de vues de type photoconducteur ou un type de prise de vues radiographiques (désignés ci-après d'une manière générale sous le terme de "tube de prise de vues") comporte une section formant cible servant à convertir une image optique d'arrivée ou une image radiographique en une configuration de charges et à la stocker, et une section de production d'un faisceau d'électrons de balayage servant à lire une configuration de charges stockées, en tant que courant de signal, le potentiel de la surface tournée du côté du balayage étant équilibré par le potentiel de la cathode dès que la cible est balayée par le faisceau d'électrons. Habituellement, on utilise un tube de prise de vues avec une tension comprise entre 300 et 2000 V, appliquée à une électrode maillée, par rapport à une cathode, et une tension de cible comprise entre quelques volts et 100 V et appliquée à une pellicule conductrice transparente. En fonctionnement, le potentiel de surface sur le côté d'une région de balayage peut devenir supérieur au potentiel de la cathode, et ce d'une valeur correspondant à. une tension prédéterminée par un courant de signal et par la capacité de stockage de la section formant cible. Cependant, dans le cas d'une pénétration du faisceau d'électrons de balayage dans la surface, le potentiel de cette"dernière commence à chuter jusqu'à ce qu'il devienne égal au potentiel de la cathode, aussitôt après le balayage. Lors du fonctionnement, une partie du faisceau d'électrons de balayage pénètre dans la surface du côté balayé de la cible et forme un courant de signal, tandis que la partie restante du faisceau d'électrons revient du côté du canon à électrons et devient ce que l'on appelle un faisceau d'électrons de retour. Une partie de ce faisceau d'électrons de retour est réfléchie par la paroi de l'électrode et est dispersée, de telle sorte qu'il pénètre dans la région de balayage de la cible ou autour de cette région. D'autre part, à l'extérieur de la région de balayage, le faisceau d'électrons n'est pas capté, contrairement au cas de la région de balayage, et par conséquent le potentiel de surface, situé sur le côté balayé, est en général considéré comme étant en équilibre avec le potentiel de la cible. Lors du fonctionnement normal, le taux d'émission d'électrons secondaires à l'extérieur de la région de balayage est maintenu à une valeur inférieure à l'unité, et donc lors de la pénétration d'électrons diffusés ou d'autres électrons de fuite à l'intérieur du tube dans une zone située à l'extérieur de la région de balayage, le potentiel de surface de cette région tend à varier bien que faiblement, en direction du potentiel de la cathode. Au contraire, s'il apparaît un courant d'obscurité ou un courant optique dû à une pénétration indésirable de lumière, ces courants agissent de manière à accroître le potentiel de la surface, de sorte que le potentiel de la surface à l'extérieur de la région de balayage effectif tend à augmenter et à être à nouveau en équilibre avec le potentiel de la cible. C'est pourquoi, pendant le fonctionnement du tube de prise de vues, on considère qu'en ce qui concerne le potentiel de la surface, tournée du côté du balayage, à l'extérieur de la région balayée, il existe deux facteurs de modification, qui se contrebalancent. De façon spécifique, ces deux facteurs de modification du potentiel de la surface tournée du. côté balayé, à l'extérieur de la région de balayage, incluent le courant circulant dans une pellicule photoconductrice et agissant de manière à accroître le potentiel de surface sur le côté balayé, et les électrons diffusés pénétrant dans la surface tournée du côté balayé et provoquant une réduction du potentiel de surface sur le côté balayé. Le courant circulant dans la pellicule photoconductrice ne peut y circuler que lorsqu'il existe une différence de potentiel aux bornes de cette pellicule, et c'est pourquoi, même si le potentiel de surface situé sur le côté balayé, à l'extérieur de la région de balayage, est accru par le courant pénétrant dans la pellicule photoconductrice, il ne prend pas une valeur supérieure au potentiel de la cible. Tant que le tube de prise de vues est en fonctionnement, le potentiel de surface sur le côté balayé, à l'extérieur de la région de balayage, est maintenu à une valeur inférieure au potentiel de la cible et, sauf si le taux d'émission d'électrons secondaires dans cette partie dépasse l'unité, le fonctionnement du tube de prise de vues reste stable. Les tubes de prise de vues classiques fonctionnent dans de telles conditions. Ces tubes de prise de vues classiques sont décrits par exemple dans "Image Pick-up Engineering" de Ninomiya et consorts, publié par Corona en 1975, pp. 109 à 116, IEEE Electron Device Letters, EDL-8, N 9 (1987), pp. 392 à 394, et "A Collection of Drafts for Speeches Before National Conference of Television Society (1982)", par Kawamura et consorts, pp. 81 et 82. Dans ces tubes de prise de vues classiques, si la surface située sur le côté balayé est susceptible d'émettre des électrons secondaires sous l'effet du faisceau d'électrons de balayage, le fonctionnement normal, mentionné précédemment, d'un tube de prise de vues devient impossible. C'est pourquoi, comme moyens pour améliorer la caractéristique d'impact du faisceau d'électrons tout en réduisant le taux d'émission des électrons secondaires de la surface située sur le côté balayé, il a été suggéré un procédé pour former une couche d'impact du faisceau d'électrons, formée par du Sb2S3 poreux sur la surface de la cible, située sur le côté balayé, au moyen d'un dépôt en phase vapeur dans un gaz inerte (JP-A- 52-40809). En outre, afin d'obtenir un signal de sortie possédant un rapport signal/bruit élevé moyennant une atténuation des signaux parasites, qui, sinon, pourrait être produits par un faisceau d'électrons de retour extérieur réfléchi sur l'électrode située dans le tube et pénétrant à nouveau dans la cible pendant le balayage du faisceau d'électrons dans ces tubes de prise de vues, il a été décrit un procédé consistant à prévoir une électrode additionnelle à l'extérieur de la région de balayage du faisceau d'électrons sur la surface de la cible, située sur le côté balayé (JP-A-61-131349), ou de séparer la pellicule conductrice transparente située sur le côté de la cible, par lequel pénètre la lumière, en deux parties correspondant à la région de balayage effectif du faisceau d'électrons et à la région restante, qui sont commandées en étant raccordées respectivement à des alimentations en énergie indépendantes (JP-A-63-72037). S'il faut épaissir la pellicule photoconductrice située sur la section formant cible afin d'améliorer la sensibilité ou de réduire l'image résiduelle capacitive ou bien s'il faut obtenir une multiplication par avalanche dans la pellicule photoconductrice pour améliorer plus encore la sensibilité de ces tubes classiques de prise de vues, il est nécessaire d'augmenter la tension entre l'électrode formant cible et la cathode du tube de prise de vues (tension désignée ci-après sous le terme de "tension de la cible"). Cependant, lorsque la tension de la cible augmente, l'énergie d'impact d'électrons diffusés augmente, ce qui accroît le taux d'émission d'électrons secondaires en le faisant passer à une valeur supérieure à l'unité, ce qui a pour effet que le potentiel de la surface, situé sur le côté balayé, à l'extérieur de la région de balayage, commence à dépasser le potentiel de la cible. Cet accroissement du potentiel de surface, qui facilite de façon supplémentaire l'émission d'électrons secondaires, augmente de façon permanente le potentiel de surface, sur le côté balayé, à l'extérieur de la région de balayage, jusqu'à ce que ce potentiel soit égal à un potentiel d'électrode supérieur au potentiel de la cible, par exemple un potentiel de l'électrode maillée. Un accroissement du potentiel de la surface, situé du côté balayé, à l'extérieur de la région de balayage affecte le trajet de déplacement d'un faisceau d'électrons balayant les parties périphériques de la région de balayage, ce qui empêche une pénétration perpendiculaire du faisceau d'électrons de balayage dans la cible. Il en résulte que l'émission d'électrons secondaires produits par le faisceau d'électrons de balayage augmente autour de la région de balayage et que le balayage instable en résultant provoque ce que l'on désigne par "effet d'ondulation" sur l'écran ou un phénomène d'inversion par transfert à un balayage à grande vitesse. Comme cela a été mentionné précédemment, le phéno- mène d'ondulation ou d'inversion est un défaut imputable au fonctionnement instable provoqué par l'accroissement du potentiel de surface sur le côté balayé à l'extérieur de la région de balayage effectif, qui se manifeste dans le cas ou la tension de la cible et la tension du treillis augmentent pendant le fonctionnement. La raison du phénomène d'ondulation va être décrite de façon plus détaillée en référence à la vue en coupe partiellement arrachée des parties situées au voisinage de la section formant cible d'un tube de prise de vues représenté sur la figure lA, annexée à la présente demande, et d'une pellicule photoconductrice, en référence au diagramme de la distribution de potentiel à la surface de cette pellicule, représentée sur la figure lB, annexée à la présente demande. Le potentiel de surface situé à l'intérieur de la région de balayage est rendu sensiblement égal au potentiel de la cathode, par le faisceau de balayage tel que représenté sur la figure lB. D'autre part, le potentiel à l'extérieur de la région de balayage est égal à la tension de cible appliquée à une pellicule NESA (électrode transparente). Lorsque des électrons de fuite (désignés sous l'appellation faisceau de retour) pénètrent dans la zone située à l'extérieur de la région de balayage et que le taux d'émission d'électrons secondaires de la surface dépasse l'unité, par rapport à sa valeur à l'intérieur de la région de balayage, le potentiel de surface à ce niveau augmente graduellement sous l'effet de la tension de l'électrode en forme de treillis, au voisinage de cette dernière, jusqu'à être finalement égale à la tension de l'électrode maillée. Il en résulte que le potentiel de surface augmente à partir du niveau initial, ce qui aggrave plus encore l'ondulation. Afin de résoudre ce problème, l'ensemble de la pellicule située sur le côté, balayé par le faisceau d'électrons, de la section formant cible peut être réalisé en un matériau possédant un degré élevé de porosité, comme cela est représenté sur la figure 2A, annexée à la présente demande, ou bien on peut accroître l'épaisseur du Sb2S3, ce qui élimine le phénomène d'ondulation comme cela est indiqué clairement par la marque & sur la figure 2B, annexée à la présente demande, bien que le phénomène de l'image résiduelle s'en trouve altéré. Comme on peut le voir dans la description qui précède, l'utilisation d'un tube de prise de vues, dans lequel la tension de la cible est élevée, peut être le siège d'un changement anormal de la configuration, comme par exemple une ondulation, autour de l'écran de reproduction du moniteur (désignée ci-après simplement sous le terme de "phénomène d'ondulation") ou bien l'inversion de polarité d'un signal de sortie d'un tube de prise de vues en tant que partie correspondant aux parties périphériques de l'écran (phénomène désigné ci-après simplement sous le terme de "phénomène d'inversion"), ce qui rend impossible l'obtention d'une image satisfaisante. Un procédé classique pour atténuer la production de ces phénomènes défectueux consistait à accroître le degré de porosité ou l'épaisseur de la pellicule d'un tube de prise de vues comportant une couche d'impact du faisceau d'électrons, constituée par du Sb2S3 poreux. Cependant ce procédé présente l'inconvénient consistant en ce que la valeur résistive augmente pour une image résiduelle intensifiée. C'est pourquoi le but de la présente invention est de fournir un tube de prise de vues comportant une section formant cible, qui permet d'empêcher le phénomène nuisible mentionné précédemment, en vue de l'obtention d'une qualité d'images satisfaisante stable, sans détérioration des caractéristiques incluant l'image résiduelle, même lorsque la tension de la cible est augmentée. Conformément à un aspect de la présente invention, il est prévu un tube de prise de vues, dans lequel une couche atténuant l'émission des électrons secondaires est formée au moins dans une partie de la zone située à l'extérieur de la région de balayage effectif de la surface de la cible, tournée vers le côté balayé par le faisceau d'électrons, ce qui permet de réduire le taux d'émission d'électrons secondaires de l'ensemble de la surface ou d'une partie de cette surface à l'extérieur de la région de balayage effectif, à une valeur inférieure au taux d'émission d'électrons secondaires à l'intérieur de la région de balayage effectif. Selon un autre aspect de la présente invention, comme cela a été établi par les auteurs de la présente invention, bien que la surface de la région, balayée effectivement par le faisceau d'électrons, de la cible puisse être constituée de la même manière que dans l'art antérieur, il est possible d'atténuer le phénomène d'ondulation ou d'inversion en réduisant le taux d'émission d'électrons secondaires d'au moins une partie de la zone située à l'extérieur de la région de balayage effectif, par rapport au taux d'émission d'électrons secondaires dans cette région de balayage effectif. Conformément à un autre aspect de la présente invention, il est prévu un tube de prise de vues et un procédé pour sa fabrication, selon lequel on réalise au moins une partie de la zone située à l'extérieur de la région de balayage effectif de la surface sur le côté, balayé par le faisceau d'électrons, de la section formant cible d'un tube de prise de vues, en un matériau possédant des grains d'une taille supérieure à celle présente dans la région de balayage effectif de ce tube, ou bien on augmente l'épaisseur de la pellicule de cette région et/ou on réalise au moins une partie de la zone située à l'extérieur de la région de balayage effectif, avec une pellicule mince constituée par un élément spécifique, ce qui permet de réaliser la cible sous la forme d'une couche atténuant l'émission des électrons secondaires. D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci- après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - les figures 1A et lB, dont il a déjà été fait mention, montrent respectivement une vue en coupe d'une section formant cible d'un tube de prise de vues classique, et un diagramme représentant la distribution du potentiel de surface dans ce tube; - la figure 2A, dont il a déjà été fait mention, représente un schéma de la surface du côté, balayé par le faisceau d'électrons, d'une cible d'un tube de prise de vues classique, et la figure 2B, dont il a déjà été fait mention, représente un exemple de caractéristiques d'ondulation/ d'image résiduelle/d'épaisseur de la pellicule d'une telle cible; - les figures 3A et 3B sont des schémas montrant respectivement la surface du côté, balayé par le faisceau d'électrons, d'une section formant cible d'un tube de prise de vues conforme à l'invention et une vue en coupe longitudinale d'un tube de prise de vues utilisant une telle cible; - les figures 4A à 4F sont des schémas servant à expliquer des procédés de fabrication du premier exemple d'une structure de cible utilisée sur les figures 3A et 3B; - la figure 4G montre une vue en coupe d'une forme de réalisation d'une partie formant cible; - la figure 4H représente une forme de réalisation d'une pellicule photoconductrice; - la figure 4I représente une autre forme de réalisation de la pellicule photoconductrice; - les figures 4J,K représentent des caractéristi- ques du taux d'émission d'électrons secondaires/de l'image résiduelle; la figure 4L représente la relation entre la pression d'un gaz et la taille des grains lors du dépôt en phase vapeur; - les figures 5A à 5F représentent des schémas permettant d'expliquer des procédés de fabrication d'un second exemple d'une structure de cible utilisée sur les figures 3A et 3B; - les figures 6A à 6E sont des schémas servant à expliquer des procédés de fabrication d'un troisième exemple d'une structure de cible utilisée sur les figures 3A et 3B; - la figure 7 est un schéma montrant une structure maillée utilisée dans les procédés de fabrication illustrés sur les figures 6A à 6E; - les figures 8A à 8G sont des schémas servant à expliquer les procédés de fabrication d'un quatrième exemple d'une structure de cible utilisée sur les figures 3A et 3B; - les figures 9A et 9B sont respectivement une vue en plan d'une forme de cible selon une seconde forme de réalisation et une vue en coupe des parties essentielles d'un tube de prise de vues utilisant cette forme de cible; les figures 10A à 10P sont des schémas illustrant des procédés de formation d'une cible conformément à une seconde forme de réalisation représentée sur les figures 9A et 9B; - les figures 11A et llB sont respectivement une vue en plan montrant une forme de cible conforme à une troisième forme de réalisation et une vue en coupe des 15. parties essentielles d'un tube de prise de vues utilisant une telle forme de cible; - les figures 12A et 12B sont respectivement une vue en plan montrant une forme de cible conforme à une quatrième forme de réalisation et une vue en coupe des parties essentielles d'un tube de prise de vues utilisant une telle forme de cible; - les figures 13A à 13R sont des schémas illus- trant des procédés de formation d'une cible conformément à une quatrième forme de réalisation représentée sur les figures 12A et 12B; - la figure 14 est un schéma montrant une forme de cible conforme à une cinquième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 15 est un schéma représentant la structure d'une caméra de télévision "à vision intensifiée" utilisant un tube de prise de vues réalisé conformément à la présente invention; et - la figure 16 est un schéma représentant l'agen- cement d'un système d'analyse à rayons X utilisant un tube de prise de vues à rayons X, fabriqué conformément à la présente invention. On va expliquer ci-après une forme de réalisation de la présente invention en se référant aux dessins. L'agencement d'un tube de prise de vues conforme à une forme de réalisation de la présente invention est représenté schématiquement sur les figures 3A et 3B. La figure 3A représente une vue en plan de la surface de la cible d'un tube de prise de vues, vue à partir du côté balayé par le faisceau d'électrons, et la figure 3B représente -une vue en coupe montrant schématiquement les parties essentielles d'un tube de prise de vues. Ce tube de prise de vues possède une section formant cible constituée par un substrat transparent 1, une pellicule conductrice transparente 2, une pellicule photoconductrice 3, une couche 104 d'impact du faisceau d'électrons, un morceau de métal 10 formé d'indium en contact avec la pellicule conductrice transparente 2 et une bague métallique 11. La couche 104 d'impact du faisceau d'électrons est subdivisée en une couche superficielle située sur le côté balayé, dans la région 4 effectivement balayée par un faisceau d'électrons (région désignée ci- après simplement, à titre de simplification, par "zone superficielle située dans la région de balayage effectif") et une couche superficielle 5, située sur le côté balayé, à l'extérieur de la région de balayage effectif (désignée ci- après, à titre de simplification simplement par "zone superficielle située à l'extérieur de la région de balayage effectif"). Une bobine électromagnétique 8.servant à faire dévier et converger un faisceau d'électrons est contenue dans une section de déviation-convergence, et une cathode servant à émettre un faisceau d'électrons 9 et une électrode en forme de treillis 6 constituent une section à électrodes. Un signal d'image est prélevé de la bague métallique et est délivré au moyen d'une section 42 de lecture du signal, comportant un condensateur de couplage et un préamplificateur. La cathode 9 et l'électrode en forme de treillis 6 sont alimentées par une tension de fonctionnement désirée délivrée par une source prédéterminée. 40 d'alimentation en énergie de l'électrode. De façon similaire, la bobine électromagnétique 8 est alimentée par une tension appropriée de déviation/ convergence à partir d'une source 41 d'alimentation en énergie pour la bobine de déviationconvergence de manière à amener le faisceau d'électrons 7 à balayer la zone superficielle 4 située dans la région de balayage effectif. On va expliquer successivement, en référence aux figures 4A à 4F, un procédé de fabrication d'une première structure de la section formant cible d'un tube de prise de vues représenté sur les figures 3A et 3B. On forme une pellicule conductrice transparente 3, constituée par de l'oxyde d'indium en tant que constituant principal, sur un substrat en verre transparent 1 (figure 4A) possédant une largeur atteignant 2,54 cm, au moyen du procédé de dépôt par évaporation utilisant le faisceau d'électrons ou au moyen du procédé de dépôt par pulvérisation en phase vapeur (figure 4B). Dans l'ensemble résultant, on forme, au moyen d'un dépôt par évaporation sous vide, une couche réduisant l'injection de trous, possédant une épaisseur de 0,02 pm et formée d'oxyde de cérium, et une pellicule photoconductrice 3 possédant une épaisseur de 4 à 10 pm et constituée par du Se, du As et du Te, déposés successivement (figures 4C, 4D), à la suite de quoi on forme une couche de Sb2S3 en deux étapes au moyen d'un dépôt par évaporation. Lors de la première étape, on dépose du Sb2S3 par évaporation dans un environnement formé de gaz azote à une pression de 27 Pa, de manière à former une couche poreuse de Sb2S3 possédant une épaisseur de 0,1 pm sur l'ensemble de la surface de la pellicule photoconductrice (figure 4E). La seconde étape consiste à placer un masque à l'opposé de la zone correspondant à la région de balayage effectif du faisceau d'électrons et à déposer du Sb2S3 dans une atmosphère de gaz hydrogène placé à une pression de 40 Pa. On forme ainsi une couche poreuse de Sb2S3 possédant une épaisseur de 0,2 pm uniquement dans la zone correspondant à l'extérieur de la région de balayage effectif sur la pellicule photoconductrice, ce qui permet d'obtenir une cible d'un tube de prise de vues (figure 4F). On a décrire une structure de la partie formant cible conformément -aux figures 4G,4H,4I, comme indiqué ci- après. Une vue en coupe de la partie formant cible dans la direction de l'épaisseur de la pellicule est représentée sur la figure 4G, et une forme de réalisation d'une pellicule photoconductrice est représentée sur la figure 4H. Dans cette forme de réalisation, on dépose uniformément du As avec une densité de 2 % en poids dans la direction d'épaisseur de la pellicule. Dans une autre forme de réalisation, comme représenté sur la figure 4I, on dépose du Te sur une épaisseur de 60 nm dans une région située à proximité immédiate de la pellicule conductrice transparente 2, et ce avec une densité de 15 % en poids. La première étape de dépôt du Sb2S3 permet d'obtenir une couche poreuse formée de Sb2S3 possédant des grains d'une taille comparativement faible sur l'ensemble de la surface située sur le côté balayé par le faisceau d'électrons. Lors de la seconde étape de dépôt, on superpose une couche poreuse constituée par du Sb2S3 possédant des grains d'une taille relativement importante, uniquement sur la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif, ce qui permet de réaliser une couche d'impact du faisceau d'électrons incluant une zone superficielle (4) située dans la région de balayage effectif d'une couche poreuse, dont les grains possèdent une petite taille, et une zone superficielle (5) située à l'extérieur de la zone de balayage effectif et possédant des grains d'une taille plus importante et formant une couche réduisant l'émission des électrons secondaires. Dans la couche d'impact du faisceau d'électrons de la cible ainsi construite, on a constaté que le taux d'émission des électrons secondaires au niveau de la zone superficielle 4 située à l'extérieur de la zone de balayage effectif est plus faible que pour la zone superficielle 4 située dans la région de balayage effectif pour la taille des grains (la taille des grains à l'extérieur de la région de balayage effectif est de préférence comprise entre 120 nm-.. 1000 nm) constituant des couches poreuses respectives. Dans ces formes de réalisation, comme cela est visible à partir des figures 4A et 4F, le fait que la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif soit formée avec une épaisseur supérieure à celle de la zone superficielle 4 située dans la zone de balayage effectif contribue également à réduire le taux d'émission d'électrons secondaires. On va indiquer ci-après une relation entre le taux d'émission d'électrons secondaires, l'épaisseur de la pellicule à l'extérieur de la zone de balayage effectif et la taille des grains. Sur la figure 4J, on a représenté des caractéristiques du rapport d'émission des électrons secondaires/de l'image résiduelle pour une porosité constante (en supposant que la pression du gaz N2 est constante pendant un dépôt en phase vapeur), en fonction de l'épaisseur de la pellicule. Le taux 6 d'émission d'électrons secondaires est nettement inférieur à 1 lorsque la tension de la cible (Esj) est égale à environ 50 V, ce qui correspond à des conditions normales de fonctionnement de tubes antérieurs de prise de vues, le taux 6 d'émission d'électrons augmente lorsqu'on augmente la tension de la cible pour obtenir un fonctionnement avec une grande sensibilité, et le taux 8 dépasse 1 lorsque l'épaisseur de la pellicule de Sb2S3 se situe dans une gamme 0,1 0,1 pm. Bien que le taux 6 prenne une valeur faible lorsqu'on augmente l'épaisseur de la pellicule de Sb2S3, l'indice de l'image résiduelle (LAG) ou de 3 trames devient mauvais. Bien que, sur la figure 4K, on ait représenté la caractéristique du rapport d'émission d'électrons secondaires/de l'image résiduelle dans le cas d'une variation de la porosité (la pression du gaz N2 varie pendant le dépôt en phase vapeur de Sb2S.. Bien que le taux d'émission d'électrons secondaires diminue lorsque la porosité augmente, la caractéristique de l'image résiduelle s'en trouve altérée. Sur la figure 4L, on a représenté la relation entre la pression du gaz lors du dépôt en phase vapeur et la taille des grains de la couche déposée. Le taux a d'émission d'électrons secondaires pour la tension de fonctionnement ne dépasse pas 1 à l'intérieur ou à l'extérieur de la région de balayage effectif, et est défini par: taux d'émission d'électrons secondaires à l'extérieur de la région de balayage effectif a = - taux d'émission d'électrons secondaires à l'intérieur de la région de balayage effectif Cette valeur doit se situer dans la gamme satisfaisant à 1 > a > 0,2 ou de façon plus préférentielle 0,8 > a > 0,2. Un second exemple de structure de cible est repré- sentée sur les figures 5A à 5F. Une pellicule conductrice transparente et une pellicule photoconductrice formée de Se,As et Te (figures 5B à 5D) sont formées, de la même manière que dans le premier exemple de réalisation décrit précédemment, sur un substrat en verre transparent (figure SA) d'une dimension de 2,54 cm. Sur l'ensemble obtenu, on forme une couche poreuse de Sb2S3 possédant une épaisseur de 0,1 pm au moyen d'un dépôt par évaporation dans une atmosphère de gaz azote placé à une pression de 27 Pa (figure 5E). Cette opération est suivie par la formation d'une pellicule mince de C possédant une épaisseur de 0,01 pm au moyen d'un dépôt par évaporation et pulvérisation dans une atmosphère de gaz argon placé à une pression de 1, 3 Pa (figure 5F). Lors de cette opération, on dépose le pellicule mince de C par évaporation en utilisant un masque situé à l'opposé de la région effectivement balayée par le faisceau d'électrons. Par conséquent, une pellicule mince de C est formée uniquement dans des parties correspondant à la zone superficielle située à l'extérieur de la région de balayage effectif, de sorte qu'une couche réduisant l'émission des électrons secondaires est constituée par la couche de Sb2S3 et par la partie sur laquelle est déposée la pellicule mince de C. On accouple une cible d'un tube de prise de vues correspondant au premier ou au second exemple de réalisation et formée de la manière mentionnée précédemment au boîtier de ce tube de prise de vues, dans lequel est incorporé un canon à électrons, au moyen d'indium, et on place sous vide l'intérieur de ce tube, d'une manière étanche, ce qui fournit un tube de prise.de vues de type photoconducteur. En installant le tube de prise de vues fabriqué de la manière mentionnée précédemment sur une caméra de télévision et en le faisant fonctionner, on peut obtenir une image stable et satisfaisante présentant une faible image résiduelle et une haute sensibilité, sans aucune ondulation ni aucun phénomène d'inversion même pour une tension de la cible égale à 400 V. Ci-après, on va expliquer un troisième exemple de cadencement de la cible, en référence aux figures 6A à 6E et à la figure 7. Sur un substrat en verre transparent d'une taille de 1,69 cm (figure 16A), on forme une pellicule électrique transparente (figure 6B), une couche (figure 6C) atténuant l'injection des trous positifs et une pellicule photoconductrice (figure 6D), en utilisant le procédé mentionné précédemment dans le premier exemple de réalisation. On dispose un treillis, représenté sur la figure 7, servant à commander la quantité de dépôt en phase vapeur, à proximité immédiate de la surface de la pellicule photoconductrice, et on le dépose par évaporation dans une atmosphère de gaz azote placé à une pression de 27 Pa, de manière à former une partie centrale possédant une épaisseur de 0,1 pm. Le treillis de commande du dépôt en phase vapeur, qui possède un support 17 et est représenté sur la figure 7, comprend un treillis 15 possédant un faible coefficient de transmission, dont la partie centrale est suffisamment étendue pour recouvrir la région de balayage effectif, et une partie périphérique de ce treillis est constituée par un treillis 16 possédant un coefficient élevé de transmission, quatre fois supérieur au coefficient de transmission présent dans la partie centrale (par exemple 100 - 1000 lignes pour une étendue de 2,54 cm dans la partie centrale et 25 - 250 lignes pour une étendue de 2,54 cm dans la partie périphérique. Il en résulte qu'en utilisant ce processus de dépôt en phase vapeur, on quadruple l'épaisseur de la pellicule de la partie périphérique, ce qui permet d'obtenir, en une seule étape de dépôt en phase vapeur, une pellicule de Sb2S3 poreuse constituant une couche atténuant l'émission des électrons secondaires et possédant une partie périphérique située à l'extérieur de la région de balayage effectif, possédant un taux d'émission d'électrons secondaires inférieur à celui de cette région de balayage effectif. Cette section formant cible est montée sur le boîtier d'un tube de prise de vues, dans lequel est incorporé un canon à électrons et à l'intérieur duquel un vide est établi de façon hermétique, ce qui permet d'obtenir un tube de prise de vues de type photoconducteur. Bien que dans cette forme de réalisation, une surface, qui n'émet pas aisément d'électrons secondaires, ne soit pas placée sur toute l'étendue à l'extérieur de la région de balayage effectif, mais uniquement dans une partie périphérique à l'extérieur de cette région de balayage effectif, le tube de prise de vue ainsi réalisé ne fournit aucune ondulation ni phénomène d'inversion et produit une image de haute qualité lorsqu'on le fait fonctionner avec une tension de cible de 300 V. Ci-après, on va expliquer un quatrième exemple d'un agencement d'une cible convenant pour un tube de prise de vues radiographiques, en se référant aux figures 8A à 8G. On polit une face d'une plaque de Be possédant une épaisseur de 0,5 mm et des dimensions de un pouce, pour lui donner un poli optique (figure 8A), et on dépose par évaporation de l'oxyde de germanium et de l'oxyde de cérium sur une épaisseur de 0,01 pm chacune pour former une couche atténuant l'injection des trous, sur la surface polie (figures 8B et 8C), et on dépose par évaporation du Se contenant 2 % de As, sur une épaisseur de 20 à 30 pm (figure 8D). On dépose du CdTe par évaporation sur toute la surface de l'ensemble obtenu, dans une atmosphère de gaz argon placé à une pression de 54 Pa de manière à former une pellicule poreuse d'une épaisseur de 1 pm (figure 8E). On place l'ensemble ainsi préparé dans un dispositif de corrosion ionique et on élimine la partie du CdTe correspondant à la région de balayage effectif, au moyen d'une corrosion ionique plasmatique en utilisant un masque (figure 8F). Ensuite on introduit l'ensemble dans un dispositif de dépôt en phase vapeur de Sb2S3, et on dépose par évaporation du Sb2S3 sur toute la surface de l'ensemble, dans une atmosphère de gaz azote située à une pression de 27 Pa, de manière à obtenir une pellicule poreuse de Sb2S3 possédant une épaisseur de 0,3 pm (figure 8G). On installe le composant ainsi obtenu sur un boîtier du tube de prise de vues, dans lequel est incorporé un canon à électrons, de manière à former un tube de prise de vues radiographiques. Dans ce cas également, la zone superficielle située à l'extérieur de la région de balayage effectif agit en tant que couche atteignant l'émission des électrons secondaires. Il n'est pas obligatoire que la pellicule conductrice transparente recouvre toute la surface du substrat comme dans le cas de la figure 3 et, au contraire, cette pellicule peut ne recouvrir qu'une partie correspondant à la région de balayage effectif sur le côté balayé par le faisceau d'électrons. Ce qui est nécessaire, c'est de s'assurer que le taux d'émission d'électrons secondaires dans la partie correspondant à la zone superficielle située à l'extérieur de la région de balayage effectif de la cible est plus faible que le taux d'émission des électrons secondaires dans la région de balayage effectif. Sur les figures 9A et 9B, la taille de la pellicule conductrice transparente est réduite en vue de l'obtention d'un signal de sortie au niveau d'une broche 12 de transmission d'un signal, et par conséquent on obtient un rapport signal/bruit élevé avec une faible capacité de fuite de l'électrode de transmission du signal, et les ondulations et le phénomène d'inversion sont supprimées. Conformément à la forme de réalisation représentée sur les figures 9A et 9B, un signal de sortie est lu à partir d'une section 42 de lecture du signal, par l'intermédiaire de la broche 12, et la bague métallique est raccordée à la masse par l'intermédiaire d'un circuit 43 de raccordement à la masse. Les figures 10A à 10H illustrent un procédé de fabrication de la cible des figures 9A et 9B. Un substrat est constitué par un verre transparent possédant une taille de 1,69 cm et on forme sur ce substrat une pellicule conductrice transparente rectangulaire en utilisant de l'oxyde d'indium, au moyen d'un dépôt par pulvérisation à travers un masque (figures 10C,D). On aménage dans la plaque de verre avant un trou (figures 10E, F), dans lequel on introduit une broche de transmission d'un signal et on la soude à une extrémité d'oxyde d'indium (figures 10G,H). On forme sur cette plaque avant une couche d'oxyde de cérium possédant une épaisseur de 0,02 pm et formant couche d'atténuation de l'injection des trous positifs (figures 10I,J), à la suite de quoi on dépose par évaporation sous vide une pellicule photoconductrice amorphe de Si-As, possédant une épaisseur comprise entre 2,4 pm et possédant un diamètre de 14 mm (figures 10K,L). Sur l'ensemble obtenu, on dépose par évaporation du As2Se3 dans une atmosphère de gaz azote placée à une pression de 135 Pa de manière à former une pellicule poreuse de As2Se3 possédant une épaisseur de 0,1 pm (figures 10M,N). Pendant le dépôt en phase vapeur, on recouvre la région de balayage effectif (dimensions 6,6 x 8,8 mm) par un masque afin d'empêcher le dépôt de As2Se3. Puis on dépose en phase vapeur une pellicule de Sb2S3 sur une zone d'un diamètre de 14 mn, sous une pression de 27 Pa de gaz N2, de manière à réaliser le dépôt d'une pellicule poreuse Sb2S3 sur une épaisseur de 0,1 pm (figures 100,P). Ensuite, on accouple l'ensemble au boîtier d'un tube de prise de vues, dans lequel est incorporé un canon d'électrons, ce qui permet d'obtenir un tube de prise de vues de type photoconducteur. On a fait fonctionner ce tube de prise de vues avec une tension de cible correspondant à une intensité de champ électrique -égale à 1,2 x 108 V/cm de la pellicule photoconductrice, ce qui a permis d'obtenir une image possédant une sensibilité extrêmement élevée et une grande qualité, avec une réduction avantageuse des ondulations et du phénomène d'inversion. De même, dans cette forme de réalisation, les pellicules poreuses de As2Se3 et de Sb2S3 agissent en tant que couches atténuant l'émission des électrons secondaires. D'autres formes de réalisation de la section formant cible d'un tube de prise de vues conforme à la présente invention sont représentées sur les figures 11A,11B et 12A,12B. Les figures 11A et l1B sont des vues en plan de la surface de la cible vue partir du côté balayé par le faisceau d'électrons, et les figures liB et 12B sont des vues en coupe d'une réalisation d'un tube de prise de vues utilisant des cibles respectives. Dans ces formes de réalisation, on forme une pel- licule conductrice 2 située entre un substrat 1 et une pellicule photoconductrice 3, sous la forme de parties 2 et 13 isolées d'une manière indépendante en étant espacées et opposées par rapport à la zone superficielle 4 située dans la région de balayage effectif et dans la zone superficielle située à l'extérieur de la région de balayage effectif du faisceau d'électrons. La partie 2 de la pellicule conductrice transparente, située à l'opposé de la zone superficielle 4 à l'intérieur de la région de balayage effectif est raccordée à une broche 12 de transmission du signal, insérée dans le substrat 1, et un signal de sortie est lu par l'intermédiaire de cette broche 12. De même, conformément à la forme de réalisation des figures llA et liB, la partie 13 de la pellicule conductrice transparente, située à l'opposé de la zone superficielle 5 à l'extérieur de la région de balayage effectif est raccordée à une bague métallique 11 par l'intermédiaire du métal 10, constitué par de l'indium, la bague métallique 11 étant à son tour raccordée à une source d'alimentation en énergie 44. D'autre part, sur les figures 12A et 12B, une partie 13 de la pellicule conductrice transparente, située à l'opposé de la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la zone de balayage effectif, est raccordée à une broche formant électrode 14, qui traverse le substrat 1 est à son tour raccordée à une source d'alimentation en énergie 45. Les surfaces 4 et 5, balayéespar le faisceau, de ces cibles peuvent posséder n'importe lequel des agencements de cibles, utilisés sur les figures 3A,3B ou 9A,9B mentionnées précédemment. En outre, conformément à la forme de réalisation considérée, la partie 13 de la pellicule conductrice transparente, située à l'opposé de la zone 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif, est raccordée aux sources d'alimentation en énergie 44,45, de manière à alimenter la partie 13 avec une tension indépendante inférieure à la tension de cible, envoyée à la partie 2 située à l'opposé de la zone superficielle 4 située dans la région de balayage effectif. Il résulte de cet agencement que le potentiel présent au niveau de la zone superficielle 5 à l'extérieur de la région de balayage effectif de la surface balayée par le faisceau d'électrons est maintenu à une valeur inférieur au potentiel de la zone superficielle 4 située à l'intérieur de la région de balayage effectif. Cette disposition maintient le potentiel au niveau de la zone superficielle située à l'extérieur de la zone de balayage effectif à une valeur inférieure à celle présente au niveau de la zone superficielle 4 située à l'intérieur de la région de balayage effectif, ce qui permet le fonctionnement de ces régions en tant que couches atténuant l'émission des électrons secondaires. Dans ce cas, les ondulations et le phénomène d'inversion sont remarquablement atténués. En outre, si la partie 13 de la pellicule conductrice transparente, située à l'opposé de la zone superficielle située à l'extérieur 'de la région de balayage effectif est raccordée à une autre source d'alimentation en énergie comme mentionné précédemment, la lumière pénétrant par la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif est masquée, ce qui favorise de façon supplémentaire l'effet d'atténuation des ondulations et du phénomène d'inversion. Les formes de réalisation des figures 12A et 12B concernent en outre une source 46 d'alimentation en énergie du treillis 6, servant à appliquer une tension prédéterminée à ce dernier par l'intermédiaire de la bague métallique 11, ce qui facilite l'obtention d'une commande indépendante de la tension appliquée au treillis. La seule différence entre les formes de réalisation expliquées en référence aux figures 11A et 11B et aux figures 12A,12B réside dans le fait qu'une ou deux broches 12,14 sont utilisées lors de la fabrication, et c'est pourquoi on va expliquer ci-après le procédé de fabrication d'une section formant cible utilisée dans la forme de réalisation des figures 12A,12B, à titre d'illustration en référence aux figures 13A à 13R. Sur un substrat en verre transparent possédant une taille de 2,54 cm, on a formé une électrode correspondant à une pellicule conductrice 4 formée de Cr-Au au moyen d'un dépôt en phase vapeur, utilisant un masque (figures 13A à 13D). Puis on forme par pulvérisation, en utilisant un masque, une pellicule conductrice transparente 2 contenant de l'oxyde d'indium comme composant principal (figures 13E et 13F). Puis on aménage dans la plaque avant en verre (figures 13G et 13H), un trou, dans lequel on insère une broche 12 d'application du signal et une broche formant électrode 14 et on les soude respectivement à la pellicule transparente 2 et à la pellicule conductrice 13 (figures 13I et 13J). On forme, au moyen d'un dépôt sous vide, une couche atténuant l'injection des trous positifs (figures 13K et 13L) formée d'oxyde de cérium possédant une épaisseur de 0,03 pm et une pellicule semiconductrice amorphe de Se,As et Te, possédant une épaisseur comprise entre 2 et 6 pm (figures 13M et 13N), dans une zone possédant un diamètre de mm sur la plaque avant. On dépose par évaporation du Sb2S3 sur l'ensemble obtenu, dans une atmosphère de gaz azote située à une pression de 27. Pa, ce qui permet d'obtenir une pellicule poreuse de Sb2S3 possédant une épaisseur de 0,1 pm (figures 130 et 13P). Lors de l'étape suivante, on recouvre par un masque la partie correspondant à la région de balayage effectif et on dépose par évaporation du Sb2S3 dans les mêmes conditions que précédemment, dans la zone située à l'extérieur de la région de balayage effectif (figures 13Q et 13R), ce qui permet d'obtenir l'épaisseur totale de 0,2 pm pour la pellicule poreuse de Sb2S3. On accouple l'unité ainsi obtenue au boîtier d'un tube de prise de vues, dans lequel est incorporé un canon à électrons, puis on y établit le vide d'une manière étanche, ce qui fournit un tube de prise de vues de type photoconducteur. Dans la forme de réalisation expliquée en référence aux figures 13A à 13R, l'ensemble de la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de la cible, effectivement balayée par le faisceau d'électrons, est constitué par une couche atténuant l'émission des électrons secondaires constituée de telle sorte qu'un moins grand nombre d'électrons secondaires sont susceptibles d'être émis par cette couche que par la région de balayage effectif 4. Il n'est cependant pas nécessaire qu'une telle couche (partie superficielle), à partir de laquelle des électrons secondaires sont susceptibles d'être émis, s'étendent sur l'ensemble de la surface 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif. Comme cela est représenté par 5' sur la figure 14 par exemple, seule la partie 5' de la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif, qui est située au voisinage de la zone superficielle 4 de la région de balayage effectif, peut être réalisée sous la forme d'une couche atténuant l'émission des électrons secondaires, à partir de laquelle un moins grand nombre d'électrons secondaires sont émis avec le même effet. Les ondulations et le phénomène d'inversion sont, de cette manière, atténués avec un effet identique. La partie 5' de la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif représentée sur la figure 14 peut être la même que celle des formes de réalisation de la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif, expliquée précédemment. Afin de réduire le taux d'émission d'électrons secondaires par la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif par rapport au taux d'émission d'électrons secondaires de la zone superficielle 4 située à l'intérieur de la région de la surface de la cible, balayée par le faisceau d'électrons, comme expliqué précédemment, on dépose par évaporation du Sb2S3 dans une atmosphère de gaz inerte placée à une pression égale à 13,5 Pa ou plus de manière à former une pellicule mince poreuse comportant un taux de remplissage inférieur (taille de grains supérieure) à celui de la zone superficielle 4 située dans la région de balayage, dans une partie correspondant à la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage sur la pellicule photoconductrice 3, comme cela est représenté dans les formes de réalisation des figures 4A à 4F, 5A à 5F et 8A à 8G, ce qui permet d'obtenir une couche atténuant l'émission des électrons secondaires. Le taux d'émission d'électrons secondaires peut être réduit soit au moyen d'une réduction du taux de remplissage de la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif, moyennant une pression accrue du gaz inerte pour le dépôt par évaporation, soit au moyen d'un accroissement de l'épaisseur de la pellicule poreuse. Les matériaux de la pellicule mince poreuse, dont le taux de remplissage ou l'épaisseur de la pellicule est réglable entre la zone superficielle 4 située à l'intérieur de la région de balayage effectif et la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif incluent, en dehors de ceux décrits précédemment, pour les procédés de fabrication, l'un quelconque des composés constitués par au moins l'un des éléments Zn,Cd,Ga,In,Si,Ge, Sn,As,Sb et Bi et au moins l'un des éléments S,Se et Te. On peut ajuster le taux d'émission d'électrons secondaires entre la zone superficielle 4 et la zone superficielle 5 située respectivement à l'intérieur et à l'extérieur de la région de balayage effectif, constituée par ces matériaux, en choisissant l'épaisseur des parties 4 et 5 de la pellicule poreuse formée par le matériau mentionné précédemment au moyen d'une évaporation dans un gaz inerte ou bien la pression du gaz inerte au moment du dépôt par évaporation, de manière que cette épaisseur ou cette pression soit variable. En outre, on peut utiliser une pluralité de pellicules minces poreuses superposées constituées par l'un quelconque des composés mentionnés précédemment. Comme autre procédé, tel qu'illustré sur la figure 5F, on peut former une pellicule mince comprenant au moins l'un des éléments C,Ag et Pb, qui n'est pas susceptible d'émettre des électrons secondaires, sur la zone superficielle 5 située à l'extérieur de la région de balayage effectif, ou bien on peut former une pellicule mince poreuse possédant un taux élevé de remplissage de manière à améliorer la caractéristique d'impact du faisceau sur la zone superficielle 4 située à l'intérieur de la zone de balayage effectif, comme mentionné précédemment, à la suite de quoi on forme une pellicule mince représentée sur la figure 5F pour atténuer de façon supplémentaire l'émission des électrons secondaires. Des procédés efficaces pour former une couche d'inhibition d'émission d'électrons secondaires présentant un faible taux d'émission d'électrons secondaires, sur au moins une partie de la zone superficielle 5 de la région de balayage effectif de la surface de la cible, balayée par le faisceau, incluent le dépôt par évaporation uniquement dans une partie prédéterminée moyennant l'utilisation d'un masque comme représenté sur la figure 9F, un dépôt par évaporation utilisant un treillis métallique servant à régler le dépôt par évaporation et possédant un coefficient de transmission plus faible dans une partie de ce treillis, située à l'opposé de la région balayée effectivement par le faisceau d'électrons qu'en d'autres parties de cette région, comme représenté sur la figure 6E, et la formation d'une pellicule déposée en phase vapeur, sur l'ensemble de la surface, suivie par l'élimination de l'ensemble ou d'une partie au moins du matériau déposé en phase vapeur dans la région de balayage effectif, au moyen d'une corrosion plasmatique ou d'autres traitements physiques. Le procédé utilisant un treillis métallique ne requiert qu'une opération de dépôt en phase vapeur, et le procédé de corrosion ionique présente l'avantage consistant en ce que la limite de la pellicule peut être traitée avec une grande précision. L'explication précédente concerne principalement un exemple d'un tube de prise de vues photoconducteur utilisant un substrat transparent en tant que cible. Cependant, la présente invention peut être également appliquée, avec un effet identique, à un tube de prise de vues à rayons X comportant une pellicule photoconductrice formée sur une face d'une plaque mince de Be ou Ti, qui doit être également balayée par un faisceau d'électrons. Un tube de prise de vues radiographiques requiert une pellicule photoconductrice plus épaisse pour-une tension de cible plus élevée de manière à accroître la quantité de rayons X absorbée pendant le fonctionnement et par conséquent des ondulations ou un phénomène d'inversion peuvent se développer aisément. En dépit de ce fait, de tels effets nuisibles peuvent être remarquablement atténués grâce à l'utilisation de la présente invention. En outre par ailleurs, si on applique la présente invention a différents tubes de prise de vues du type à multiplication interne et utilisant une tension de cible suffisamment élevée pour provoquer une multiplication par avalanche dans la pellicule photoconductrice, on obtient une caractéristique de très haute sensibilité d'un tube de prise de vues, dans lequel les ondulations et le phénomène d'inversion sont réduits. La présente invention, qui n'impose aucune limitation à la pellicule photoconductrice de la cible d'un tube de prise de vues, convient de façon appropriée dans différents tubes de prise de vues possédant des pellicules photoconductrices différentes. L'effet de la présente invention est particulièrement accusé dans le cas o on l'utilise pour améliorer la tension de cible d'un tube de prise de vues du type à inhibition, comportant une pellicule photoconductrice, dont au moins une partie est réalisée en un semiconducteur amorphe formé de Se ou d'un hybride amorphe de Si comme composant principal. Conformément à la présente invention, comme représenté sur la figure 3A, au moins une partie de la zone superficielle située à l'extérieur de la région de balayage effectif de la surface de la cible forme une couche atténuant l'émission des électrons secondaires, ce qui réduit le taux d'émission d'électrons secondaires de cette couche à une valeur inférieure au taux d'émission d'électrons secondaires fournis par la zone superficielle située dans la région de balayage effectif, de sorte qu'une quantité moins importante d'électrons secondaires sont émis par la surface balayée par le faisceau et située à l'extérieur de la région de balayage effectif, avec pour résultat le fait que l'accroissement du potentiel de la surface, qui est balayée et située à l'extérieur de la région de balayage effectif, est commandé de manière à atténuer les ondulations ou le phénomène d'inversion. Bien que les formes de réalisation mentionnées précédemment portent sur un tube de formation d'images comportant une section de production d'un faisceau d'électrons de balayage du type à déviation électromagnétique et à convergence électromagnétique, la présente invention n'est pas nécessairement limitée à un tel type de tube de prise de vues et, au contraire, est applicable, avec un même effet, également à l'unité de production d'un faisceau d'électrons de balayage, connu d'une manière générale, du type à déviation électrostatique et du type à convergence électromagnétique, du type à déviation électromagnétique et à convergence électrostatique ou du type à déviation électrostatique et à convergence électrostatique. La figure 15 est un schéma montrant l'agencement principal d'une caméra en couleurs à trois tubes à vision intensifiée utilisant un tube de prise de vues conforme à la présente invention. Les lettres R,G et B désignent des tubes de prise de vues pour les canaux respectifs R,G et B, la référence 34 désigne un système optique de décomposition des couleurs, la référence 27 un circuit d'alimentation enénergie, la référence 28 un circuit de déplacement du faisceau d'électrons selon un balayage, la référence 29 un circuit amplificateur du signal vidéo, la référence 30 le viseur de la caméra, la référence 31 un moniteur couleurs de reproduction vidéo, la référence 32 l'unité de commande de la caméra et la référence 33 une lentille à zoom. Lorsque le circuit d'alimentation en énergie a envoyé à chaque type de vue une tension de cible permettant de maintenir le champ électrique de la pellicule photoconductrice à 1,25 x 106 V/cm pour avoir un fonctionnement à 1125 lignes de balayage, on a pu obtenir une image ultrasensible à vision intensifiée, dont la sensibilité est plus de dix fois supérieure à celle d'une caméra vidéo classique, sans aucune ondulation et sans le phénomène d'inversion. Un agencement du système d'analyse à rayons X utilisant un tube de prise de vues radiographiques conforme à la présente invention est représenté schématiquement sur la figure 16. La référence 19 désigne une source de rayons X, la référence 20 un tube de prise de vues radiographiques conforme à la présente invention, la référence 21 une unité de commande de la caméra, la référence 22 une mémoire d'images, la référence 23 un processeur de traitement des images, la référence 24 un moniteur, la référence 25 une source d'alimentation en énergie de la cible et la référence 26 un objet, dont l'image doit être formée. Lorsque ce système a été activé au moyen d'une tension appliquée au tube de prise de vues par la source d'alimentation en énergie de la cible, on a pu obtenir une image satisfaisante d'analyse aux rayons X sans aucune ondulation ni phénomène d'inversion, même en augmentant la cible jusqu'à une valeur aussi élevée que 600 V. Comme on le comprendra de la description qui pre- cède, conformément à la présente invention, on réalise un tube de prise de vues, qui peut fonctionner avec une tension accrue appliquée à la cible ou au treillis, sans aucune ondulation ni phénomène d'inversion, ce qui permet d'améliorer d'une manière remarquable les différentes caractéristiques incluant la sensibilité, la résolution et l'image résiduelle d'un tube de prise de vues. Un tube de prise de vues de type photoconducteur conforme à la présente invention est utilisé de façon appropriée avec une caméra de télévision ou notamment une caméra à haute définition. Un tube de prise de vues conforme à la présente invention, qui peut fonctionner avec une haute sensibilité, garantit un traitement des signaux avec un rapport signal/bruit élevé, dans le cas o il est appliqué à un système d'analyse de radiographies. REVENDICATIONS 1. Tube de prise de vues comportant une section formant cible incluant au moins une pellicule conductrice (2) et une pellicule photoconductrice (3) sur un substrat (1) pour la conversion photoélectrique, et un système de déplacement d'un faisceau d'électrons (7) par balayage pour lire un signal à partir de la section formant cible, caractérisé en ce qu'au moins une partie de la zone superficielle (5), située à l'extérieur de la région de balayage effectif du côté de la section formant cible, balayée par le faisceau d'électrons, est constituée par une couche atténuant l'émission des électrons secondaires. 2. Tube de prise de vues selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche atténuant l'émission des électrons secondaires est une couche poreuse. 3. Tube de prise de vues selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface de ladite cible sur le côté balayé par le faisceau d'électrons est formée d'une couche poreuse, et ladite couche atténuant l'émission des électrons secondaires est formée par une couche présentant une porosité supérieure à la couche poreuse dans la région balayée effectivement par le faisceau d'électrons. 4. Tube de prise de vues selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite couche atténuant l'émission des électrons secondaires est formée par un composé constitué par au moins un élément choisi parmi les éléments incluant Zn,Cd,Ga,In,Si,Ge,Sn,As,Sb et Bi d'une part et par au moins un élément sélectionné parmi les éléments incluant S, Se et Te d'autre part. 5. Tube de prise de vues selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite couche atténuant l'émission des électrons secondaires est formée par un composé constitué par au moins un élément choisi parmi les éléments incluant Zn,Cd,Ga,In,Si,Ge,Sn,As,Sb et Bi d'une part et par au moins un élément sélectionné parmi les éléments incluant S, Se et Te d'autre part. 6. Tube de prise de vues selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche atténuant l'émission des électrons secondaires est formée par une pluralité de couches poreuses, dont l'une au moins est réalisée en un matériau choisi parmi lesdits composés. 7. Tube de prise de vues selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche atténuant l'émission des électrons secondaires est formée par une pluralité de couches poreuses, dont l'une au moins est réalisée en un matériau choisi parmi lesdits composés. 8. Tube de prise de vues selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche atténuant l'émission des électrons secondaires est constituée par au moins l'un des éléments Ag,Pb et C sur au moins une partie de la zone superficielle (5) située à l'extérieur de ladite région de balayage effectif. 9. Tube de prise de vues selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins une partie de ladite pellicule photoconductrice est formée par un semiconducteur amorphe en tant que matériau principal. 10. Tube de prise de vues selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins une partie de ladite pellicule conductrice correspondant à ladite couche atténuant l'émission des électrons secondaires est formée séparément de la partie de la pellicule conductrice, qui correspond à la zone superficielle (4) à l'intérieur de ladite région de balayage effectif. 11. Tube de prise de vues selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite partie de la pellicule conductrice formée séparément et correspondant à la zone superficielle située dans la région de balayage effectif est raccordée à une broche formant électrode (14) disposée de manière à traverser ledit substrat. 12. Tube de prise de vues selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite partie de la pellicule conductrice formée séparément et correspondant à la couche atténuant l'émission des électrons secondaires est placée à une tension inférieure à une tension prédéterminée de la cible. 13. Tube de prise de vues selon la revendication , caractérisé en ce que ladite partie de ladite pellicule conductrice formée séparément et correspondant au moins à la couche atténuant l'émission des électrons secondaires est supprimée. 14. Tube de prise de vues selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit substrat est un substrat de cible, réalisé en un matériau tel que Be ou Ti, qui transmet les rayons X. 15. Tube de prise de vues selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens pour le faire fonctionner dans un champ électrique en vue d'accroître les charges à l'intérieur de ladite pellicule photoconductrice. 16. Tube de prise de vues selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens pour le faire fonctionner dans un champ électrique en vue d'accroître les charges à l'intérieur de ladite pellicule photoconductrice. 17. Caméra de télévision, caractérisée en ce qu'elle utilise un tube de prise de vues selon la revendication 1. 18. Caméra de télévision, caractérisée en ce qu'elle utilise un tube de prise de vues selon la revendication 15. 19. Système d'analyse d'images à rayons X, carac- térisé en ce qu'il utilise un tube de prise de vues selon la revendication 14. 20. Système d'analyse d'images à rayons X, carac- térisé en ce qu'il utilise un tube de prise de vues selon la revendication 16. 21. Procédé pour fabriquer une section de cible de tube de prise de vues comprenant au moins une oellicule conductrice (2) et une pellicule photoconductrice (3) sur un substrat (1) pour réaliser la conversion photoélectrique, caractérisé en ce qu'il inclut les étapes consistant à former une couche poreuse prédéterminée sur l'ensemble de la surface du côté de la pellicule photoconductrice de ladite cible, balayé par un faisceau d'électrons (7), et à superposer une couche poreuse présentant une porosité supérieure à celle de ladite couche poreuse prédéterminée, sur au moins une partie de la zone superficielle située à l'extérieur de la région balayée effectivement par le faisceau d'électrons, sous la forme d'une couche située au-dessus de ladite couche prédéterminée de manière à former une couche atténuant l'émission des électrons secondaires. 22. Procédé pour fabriquer une section de cible de tube de prise de vues comprenant au moins une pellicule conductrice(2)et une pellicule photoconductrice (3) sur un substrat (1) pour réaliser la conversion photoélectrique, caractérisé en ce qu'il inclut les étapes consistant à former une couche poreuse prédéterminée sur l'ensemble de la surface du côté de la pellicule photoconductrice, balayée par un faisceau d'électrons (7), et à superposer une pellicule mince formée d'au moins l'un des éléments incluant C,Ag et Pb sur au moins une partie de la zone superficielle située à l'extérieur de la région, balayée effectivement par le faisceau d'électrons, de ladite couche poreuse prédéterminée de manière à former une couche atténuant l'émission des électrons secondaires. 23. Procédé pour fabriquerune section de tubede prise de vues incluant une pellicule conductrice (2) et une pellicule photoconductrice (3) sur un substrat (1) pour réaliser une conversion photoélectrique, caractérisé en ce qu'il inclut les étapes consistant à former une couche poreuse en disposant, sur ladite pellicule photoconductrice, un masque en forme de treillis, dont une partie correspond au moins à une partie de la zone superficielle située à l'extérieur de la région de balayage effectif et possède un coefficient de transmission supérieur à celui de la région de balayage effectif du faisceau d'électrons, et à former une couche atténuant l'émission des électrons secondaires sur ladite partie possédant un coefficient de transmission supérieur. 24. Procédé pour fabriquer une sectionde cible de tube de prise de vugs incluant au mins une pellicule conductrice(2)et une pellicule photoconductrice (3) sur un substrat (1) pour réaliser une conversion photoélectrique, caractérisé en ce qu'il inclut les étapes consistant à former une couche poreuse prédéterminée sur l'ensemble de la zone superficielle de ladite pellicule photoconductrice, à retirer une partie de ladite couche poreuse correspondant à la zone superficielle située à l'intérieur de la région balayée effectivement par un faisceau d'électrons (7), et à superposer une couche poreuse différente sur l'ensemble de la surface du côté balayé par le faisceau d'électrons, de manière à former une couche atténuant l'émission des électrons secondaires sur la zone superficielle située à l'extérieur de la région de balayage effectif.