FR 2624653 A1 19890616 FR 8717782 A 19871214 - d- PROCEDE DE-FABRICATION D'UN CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT DES TRANSISTORS MOS MOYENNE TENSION La présente invention concerne le domaine 'des circuits intégrés et plus particulièrement des circuits intégrés comprenant des transistors MOS moyenne tension, c'est-à-dire des transistors MOS sur les drains desquels peuvent être appliquées des tensions de l'ordre de 25 à 50 volts.. Les figures 1, 2A à 2D.et 3A, 3B illustrent divers aspects d'un transistors MOS basse tension classique. La figure 1 représente une vue de dessus d'un tel tran- sistor MOS. Ce transistor comprend une zone de drain 1 munie d'un contact de drain 2, une zone de canal 3 revêtue d'une grille con- ductrice 4 disposée sur un isolant et une zone de source 5 munie d'un contact de source 6. Les figures 2A à 2D sont des vues en coupe selon la ligne A-A de la figure 1 de quelques unes des étapes de fabrica- tion d'un transistor MOS tel que celui de la figure 1. Dans l'étape de la figure 2A, on forme sur un substrat semiconducteur 10 un masque anti-oxydation 11, couramment un masque comprenant une couche mince d'oxyde de silicium (SiO2) revêtue de nitrure de silicium (dans la suite de la description, on parlera simplement d'une couche d'oxyde et d'une couche de nitrure). Ce masque 11 est utilisé pour délimiter une implantation du même type de conductivité que le substrat, pour former ce que l'on appelle l'implantation de champ ou d'isolement. On obtient ainsi une zone implantée 12, par exemple de type P dans un subs- trat P-. A l'étape suivante, illustrée en figure 2B, on procède à une oxydation thermique pour former des zones d'oxyde de champ 13. Comme cela est connu, ces zones d'oxyde de champ se développent selon une forme dite en bec d'oiseau représentée pour souci de simplification dans la figure par une pointe triangulaire qui soulève les bords de la couche de nitrure. Pendant cette étape de croissance thermique de l'oxyde 13, les dopants implantés l'étape précédente diffusent sous l'oxyde de champ pour former la zone dite d'implantation de champ 12 destinée à contribuer à un meilleur isolement entre transistors adjacents. A l'étape suivante illustrée en figure 2C, on élimine la couche de nitrure 11 et l'on forme à la surface du substrat 10 dans les ouvertures entre les zones d'oxyde de champ une implan- tation 14 dite implantation de canal dont le rôle sera exposé ultérieurement. La figure 2D représente une étape ultérieure de fabrica- tion, après réalisation de nombreuses étapes intermédiaires. On retrouve dans cette figure le substrat 10 de type P-, la zone d'implantation de champ 12 de type P et l'oxyde de champ 13. Il a été formé et délimité une grille isolée comprenant une couche mince d'oxyde 15 revêtue d'une couche conductrice 16 correspondant à la grille'4 de la figure 1. La couche conductrice de grille peut classiquement être constituée d'aluminium, de silicium polycris- tallin dopé, d'une combinaison de silicium polycristallin et d'un siliciure de métal réfractaire, etc. En se servant comme masque de la couche d'oxyde de champ 13 et de la grille 16, on procède alors au dopage des régions de source et de drain. Couramment, ceci est réalisé par implantation successive de dopants de type N (type opposé à celui du substrat) par exemple une première implantation d'arsenic et de phosphore, ou de phosphore seul, permettant d'obtenir après recuit une zone diffusée 17 et une deuxième im- plantation, par exemple d'arsenic permettant d'obtenir une zone surdopée en surface 18. C'est sur ces zones 18 de drain et de source que sont formés les contacts de drain et de source 2 et 6 illustrés en figure 1. Ces contacts ne sont pas représentés dans la vue en coupe de la figure 2D. La figure 3A représente. une vue agrandie quoique toujours schématique de la limite entre le bec d'oiseau de l'oxyde de champ et une partie de la zone de drain. Dans une technologie classique de MOS basse tension, l'épaisseur de la couche d'oxyde de champ est de l'ordre de 0,8 à 1,5 micromètre, la profondeur de diffusion de la couche d'implantation de champ 12 est de l'ordre de 0,5 micromètre, c'est-à-dire qu'elle va se déplacer latérale- ment également sur une longueur de l'ordre de 0,5 micromètre vers la pointe du bec d'oiseau. La profondeur de diffusion de la couche 17 est de l'ordre de 0,5 à 0,8 micromètre et la profondeur de dif- fusion de la couche 18 est de l'ordre de 0,3 micromètre. I1 en ré- sulte que la distance e de la zone possible d'extension de charge d'espace, quand le drain 18 est soumis à une tension, est de l'ordre du micromètre. Cette distance est insuffisante pour per- mettre une tenue en tension drain/substrat supérieure à une valeur de l'ordre de 25 volts. En conséquence, pour fabriquer des transistors MOS moyenne tension pouvant supporter entre leur drain et leur subs- trat des tensions de l'ordre de 25 à 50 volts, on a généralement recouru dans l'art antérieur'à des technologies nettement distinc- tes de la'technologie classique de fabrication de MOS basse ten- sion illustrée dans les figures 1 à 3. La figure 3B représente une vue en coupe selon la ligne B-B de la figure 1, c'est-à-dire une coupe selon la largeur de la zone de canal. On retrouve dans cette figure les mêmes références numériques que dans les figures précédentes. On notera le rôle de la zone dopée 14 sous la grille dite zone d'implantation de canal. Quand on réalise un circuit intégré comprenant plusieurs transis- tors MOS, on cherche généralement à obtenir des transistors MOS de différents types. Dans des transistors MOS dits naturels, aucune implantation 14 n'existe. Dans des transistors à appauvrissement ou déplétés, l'implantation de canal est du type opposé à celui du substrat pqur fournir une couche 14 de type N très. légèrement dopée (type NI); de tels transistors déplétés sont normalement conducteurs en l'absence de tension de grille. On peut également former des transistors à enrichissement ou transistors enrichis dans lesquels la zone 14 est plus fortement dopée que le substrat et du même type de conductivité que celuici, de type P dans l'exemple de la figure. De tels transistors fonctionnent comme des transistors naturels mais ont des tensions de seuil plus élevées. Ainsi, étant donné une technologie classique et éprouvée de fabrication de transistors MOS basse tension telle que décrite précédemment, un objet de la présente invention est de prévoir un procédé de fabrication de transistors MOS moyenne tension impli- quant un nombre minimum de modifications par rapport au procédé antérieur. Un avantage recherché par la présente invention est de permettre d'utiliser un processus de fabrication existant et bien éprouvé pour lequel on connait les fluctuations des paramètres et les modes de test pour réaliser pratiquement sans modification une structure de transistors MOS moyenne tension. L'un des principaux avantages du procédé décrit est de pouvoir faire cpexister sur une même puce des éléments prévus pour apporter une moyenne tension (ayant typiquement des dimensions élémentaires de l'ordre de plusieurs microns) et d'autres éléments prévus pour traiter des signaux logiques à faible tension (ayant typiquement des dimensions élémentaires de l'ordre du micron). L'invention permet, en utilisant les mêmes étapes principales de 5. procédé, de réaliser sur une même puce ces deux types d'éléments (transistors). Ces objets sont atteints selon la présente invention par un procédé de fabrication d'un circuit intégré comprenant des transistors MOS moyenne puissance consistant à utiliser pour déli- miter l'implantation de champ un masque en débordement par rapport au masque utilisé pour délimiter les zones d'oxyde de champ. Selon un autre aspect de la présente invention, ce procédé de fabrication comprend les étapes suivantes: - former sur un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivité un masque anti-oxydation pour délimiter les emplacements o seront formés des transistors MOS; - former au dessus du premier masque un deuxième masque de résine en débordement par rapport au premier sur les transis- tors à moyenne tension; - procéder à une implantation de champ du premier type de conductivité; - enlever les premiers et deuxièmes masques et procéder à une oxydation thermique; et - procéder aux étapes classiques de fabrication de tran- sistors MOS. Selon un mode de réalisation de la présente invention, appliqué à un circuit intégré comprenant des transistors MOS à enrichissement dans lesquels la zone de canal est surdopée selon le premier type de conductivité, le masque d'implantation de champ est dessiné pour ne pas déborder au-delà du masque des zones d'oxyde de champ dans le sens de la largeur du canal des transis- tors à enrichissement. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le masque antioxydation comprend un sandwich Si02/nitrure sur lequel on a maintenu une couche de résine qui a été durcie par traitement thermique sous ultraviolets avant le dépSt du deuxième masque de résine. Selon un mode de réalisation de la présente invention les drains et sources des transistors MOS à effet de champ sont formés par un, deux ou plusieurs dopages successifs du deuxième type de conductivité, le deuxième dopage entraînant l'obtention d'une haute concentration en impuretés dans les zones de surface de source et de drain. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que *d'autres de la présente invention seront exposes plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1, 2A à 2D, et 3A, 3B décrites ci-dessus représentent sous diverses vues et à diverses étapes de fabrica- tion un transistor MOS basse tension selon l!art antérieur; la figure 4 représente une vue en coupe longitudinale d'une étape de fabrication d'un transistor MOS selon la présente invention; la figure 5A représente une vue en coupe d'un transistor MOS. selon la présente invention à la limite entre une zone de drain et l'oxyde de champ, de façon analogue à la figure 3A; et la figure 5B représente une vue en.coupe transverse de la zone de grille d'un transistor MOS selon la présente invention, selon une représentation analogue à celle de la figure 3B. Dans les diverses figures, de mêmes références désignent de même éléments ou de mêmes couches. En outre, de façon générale, et comme cela est habituel dans la représentation des circuits intégrés, on notera que les diverses figures ne sont pas représen- tées à l'échelle ni d'une figure à l'autre ni à l'intérieur d'une même figure et notamment que les épaisseurs, longueurs et largeurs des couches sont dessinées arbitrairement dans le but de faciliter la lecture des figures. La figure 4 décrit une étape de base du procédé selon la présente invention, en partant du procédé de fabrication habituel, et après avoir obtenu comme cela est représenté en figure 2A un masque anti-oxydation 11 sur un substrat 10. Ce masque 11, couram- ment constitué d'une couche mince d'oxyde revêtue d'une couche de nitrure ou d'oxynitrure de silicium, a été formé par photolitho- gravure à partir d'un masque d'un produit photosensible tel qu'une résine 20. Selon l'invention, on n'enlève pas ce masque 20 mais au contraire on le soumet à un traitement de durcissement, par exem- ple en présence d'un rayonnement ultra-violet puis on dépose une couche de résine. supplémentaire 22 qui est gravée par une seconde étape de photolithogravure de la façon représentée en figure 4, c'est-à-dire de façon à déborder par rapport au masque 11. On se sert ensuite des masques 11 et 22 comme masque de délimitation de l'implantation de champ 12. Selon un avantage de ce procédé, toutes les autres étapes de fabrication, après enlèvement du masque 22 et de la couche de résine 20, sont identiques à celles utilisées classi- quement dans le procédé de fabrication antérieur dont des étapes sont représentées schématiquement en figures 2B à 2D et ont été décrites précédemment. Si l'on considère les figures 5A et 5B qui représentent des vues en coupe similaires a celles des figures 3A et 3B mais obtenues à la suite de la mise en oeuvre de l'étape selon l'inven- tion décrite en relation avec la figure 4, on peut mieux voir les résultats obtenus grâce à cette mise en oeuvre. En se référant à la figure 5A, on voit que la distance d'extension de charge d'espace e entre la couche N+ de drain 18 et la couche P+ d'im- plantation de champ 12 est augmentée, cet agrandissement résultant du débordement entre les masques 11 et 22. Ainsi, on peut simple- ment passer à des valeurs de la distance e supérieures à 2 micro- mètres, selon la tension que l'on veut pouvoir supporter entre le drain et le substrat. Cette augmentation de l'éloignement de la zone d'implan- tation de champ 12 par rapport à la pointe du bec d'oiseau de la couche d'oxyde de champ i3 se retrouve également dans la vue en coupe transversale de la zone de canal illustrée en figure 5B. On a plus particulièrement représenté dans cette figure, par la référence 24 et des hachures, la zone située sous le canal à la limite du bec d'oiseau entre l'implantation de canal 14 et l'implantation de champ 12. L'existence de cette zone de type P peut présenter un avantage ou un inconvénient selon les cas. En particulier, si le transistor MOS représenté est un transistor du type à enrichissement, c'est-à-dire que la diffusion 14 est un surdopage de type P, il pourra se produire au début de l'applica- tion d'une tension sur la grille 16 que la zone 24 s'appauvrisse avant la zone de canal 14 proprement dite, c'est-à-dire qu'il se peut que cette zone apparaisse comme une zone de type N avant la zone de canal et qu'il se produise donc des fuites entre le drain et la source pour une tension inférieure à la tension de seuil normale du transistor MOS. C'est peut être cette raison qui a entrainé que le procédé apparamment simple selon la présente invention n'ait pas pu être mis en oeuvre dans l'art antérieur. Ainsi, selon un aspect de la présente invention, il est prévu, lors de la formation du masque 22 au dessus du masque 11, de laisser déborder ce masque partout sauf au delà des zones correspondant à la largeur du canal des transistors enrichis à former. Ainsi, dans les zones de canal des transistors à enrichissement, on garde la structure illustrée en figure 3B. On notera d'ailleurs qu'il n'est généralement pas essentiel, mais seulement préférable pour éviter des défauts de fonctionnement d'adopter la procédure d'éloignement de la zone d'implantation de champ dans les zones de source qui, normalement, ne sont pas soumises à des tensions élevées. Mais il est néanmoins préférable de le faire car, lors de la fabrication des transistors MOS, l'attribution de la zone de drain par rapport à la zone de source n'est pas toujours fixée. La présente invention a été décrite ci-dessus dans le cadre d'un mode de réalisation particulier, mais il est clair qu'elle couvre les diverses variantes et modifications qui pour- raient apparaître à l'homme de l'art. Notamment, des exemples ont été donnas dans le cadre d'un transistor MOS sur substrat P et la présente invention pourrait s'appliquer à des transistors. MOS sur substrat N en modifiant tous les types de conductivité. On notera d'ailleurs que dans les structures de type CMOS, il apparaîtra si- multanément des transistors MOS sur substrat N et des transistors MOS sur substrat P. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un circuit intégré compre- nant des transistors MOS moyenne tension caractérisé en ce qu'il consiste à utiliser pour délimiter l'implantation de champ un masque (22) en débordement par rapport au masque (11) utilisé pour délimiter les zones d'oxyde de champ. 2. Procédé selon la revendication 1, appliqué à un cir- cuit intégré comprenant des transistors MOS à enrichissement, caractérisé en ce que le masque d'implantation de champ est dessiné pour ne pas déborder au-delà du masque des zones d'oxyde de champ dans le sens de la largeur du canal des transistors à enrichissement. 3. Procédé de fabrication d'un circuit intégré compre- nant des transistors MOS moyenne tension caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: - former sur un substrat semiconducteur (10) d'un pre- mier type de conductivité un masque anti-oxydation (11) pour déli- miter les emplacements o seront formés' des transistors MOS; - former au dessus du premier masque un deuxième masque (22) de résine en débordement par rapport au premier; - procéder à une implantation de champ (12) du premier type de conductivité; - enlever le deuxième masque et procéder à une oxydation thermique (13); et - procéder aux étapes classiques de fabrication de tran- sistors MOS. 4. Procédé selon la revendication 3, appliqué à un cir- cuit intégré comprenant des transistors MOS à enrichissement dans lesquels la zone de canal (14) est surdopée selon le premier type de conductivité, caractérisé en ce que le masque d'implantation de champ (22) est dessiné pour ne pas déborder au-delà du masque (11) 11, des zones d'oxyde de champ. dans le sens de la largeur du canal des transistors à enrichissement. 5. Procédé selon l'une des revendications 3 ou 4, carac- térisé en ce que le masque anti-oxydation (11) comprend un sand- wich SiO2/nitrure sur lequel on a maintenu une couche de résine (20) qui a été durcie par traitement thermique sous ultra-violets avant le dép8t du deuxième masque de résine (22). 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 3 à , caractérisé en ce que les drains et sources des transistors MOS à effet de champ sont formés par deux dopages successifs du deuxième type de conductivité, le deuxième dopage entraînant l'obtention d'une haute concentration en impuretés dans les zones de surface de source et de drain.