FR 2619926 A1 19890303 FR 8810995 A 19880818 PROCEDE ET APPAREIL DE DIAGNOSTIC DE DEFAUTS SUR UNE CARTE DE CIRCUIT La présente invention concerne un équipement de test automatique destiné à déterminer quel est le dispositif, parmi urn ensemble de dispositifs électriques connectés à un noeud d'une carte sous test, qui provoque un défaut à ce noeud. Lorsqu'on teste un circuit en utilisant un système de test automatique, on applique des signaux d'entrée au cir- cuit sous test, et on détecte les signaux de sortie résultants et on les compare avec des signaux de sortie attendus. Dans un test du type appelé "in situ", les circuits électroniques du système accèdent à chaque conducteur des composants indivi- duels sur une carte sous test au moyen d'une structure de test du type "planche à clous", et les composants individuels sont testés tour à tour. Le but du test in situ est d'isoler électriquement chaque dispositif visà-vis des circuits qui l'environnent, de façon à pouvoir le tester individuellement. En plus de l'application directe de signaux d'entrée aux bro- ches d'entrée du composant particulier qui est testé, on ap- plique des signaux d'entrée à d'autres composants qui affec- tent les conditions sur des entrées du composant particulier qui est testé. Lorsqu'un ensemble de dispositifs sont connectés à un noeud, comme par exemple dans le cas d'un bus, un seul dispositif défectueux pourrait faire apparaître des condi- tions de défaut sur le noeud pendant le test de plusieurs dispositifs, et une analyse supplémentaire est nécessaire pour identifier le dispositif défectueux parmi ceux qui sont connectés au noeud. On peut citer à titre d'exemple de causes de défauts sur des noeuds une sortie qui est collée à un état haut ou bas, un fonctionnement défectueux de la valida- tion d'un dispositif à trois états, une entrée qui est court- circuitée de façon interne, et le court-circuit ou l'absence d'un élément de rappel au potentiel d'alimentation haut. La détermination du dispositif qui est défectueux peut être compliquée par le fait que des technologies de dis- positifs différentes présentent des caractéristiques de sor- tie différentes. Chaque dispositif connecté à un bus comporte un étage de sortie qui peut attaquer le bus pour le placer à l'état haut ou à l'état bas,ou qui peut passer dans un mode hors fonction. A titre d'exemple, les dispositifs en techno- logie Schottky améliorée (ou AS pour "Advanced Schottky"), ont une faible impédance de sortie et peuvent attaquer le bus avec un courant élevé. Au contraire, des dispositifs du type métal-oxyde-semiconducteur complémentaire (CMOS) ont des pos- sibilités d'attaque en courant faibles ou nulles. Chaque technologie possède également une tension de limitation aussi bien pour les conditions d'attaque correspondant à l'état haut que pour celles correspondant à l'état bas. Du fait de la plage de possibilités d'attaque pour différentes technolo- gies, il est difficile de distinguer le dispositif défectueux seulement par la mesure. L'établissement du diagnostic de défauts sur un noeud correspondant à un bus peut encore être compliqué davantage par certains modes de défaillance de dis- positifs. Par exemple, des dispositifs CMOS de type combina- toire peuvent devenir séquentiels, et ne provoquer des dé- fauts qu'à certains moments. La plupart des systèmes de test in situ existants utilisent une technique de forçage/mesure de courant et une ou deux règles simples pour diagnostiquer des défaillances affectant un bus. A titre d'exemple, dans l'article "Bus Architectures - A Practical Solution to Component-Level Fault Diagnostics", IEEE 1984 Proceedings of the ATE Central Confe- rence, pages II-10 à II-15, Busch décrit un système qui tente cie trouver le dispositif défectueux en mesurant l'intensité du courant que le dispositif défectueux fournit au noeud. Chaque dispositif est amené tour à tour dans l'état défec- tueux auquel le noeud est collé, et le courant est mesuré à nouveau. L'hypothèse de base consiste en ce que le dispositif défectueux n'apportera aucun courant supplémentaire, par rap- port à celui qu'il produit pendant qu'il est collé, et pourra être localisé de cette manière. On a découvert qu'on pouvait avantageusement déter- miner l'identité du dispositif électrique qui provoque un défaut, parmi un ensemble de dispositifs électriques connec- tés à un noeud d'une carte sous test, en effectuant des mesu- res de tension passives lorsque des dispositifs individuels attaquent le noeud, et en analysant les mesures pour identi- fier le dispositif qui provoque le défaut. L'utilisation de mesures passives élimine tout risque de destruction de dispo- sitifs, associé à l'injection d'un courant dans le noeud. La mesure est rapide et précise et on peut donc l'utiliser pour mesurer des défauts dynamiques qui auraient pu ne pas être détectés par une technique de mesure plus lente. Dans des modes de réalisation préférés, on trouve des phases de déclenchement, de mesure, de transformation et d'analyse. La phase de déclenchement provoque le déclenchement des mesures de tension passives lorsqu'une sortie défectueuse est apparue dans un dispositif pendant le test, et lorsque d'autres conditions, indiquant de façon générale un défaut relatif à un bus, ont été satisfaites. Le déclenchement com- prend l'établissement de la liste des sorties défectueuses du dispositif, avec une information concernant la broche défec- tueuse, pour l'utilisation au cours de la mesure. En déclen- chant ces mesures spéciales seulement en cas de défaillance d'un noeud, on minimise le temps-système du test. Dans la phase de mesure, on effectue la mesure pas- sive en injectant un courant faible dans le noeud et en mesu- rant le changement de tension résultant; avant d'effectuer la mesure, des vecteurs de test antérieurs à une période d'hor- loge au cours de laquelle un défaut est apparu, sont appliqués au dispositif, et les signaux d'entrée affectant le dispositif sont maintenus dans un état prédéterminé pendant la mesure, pour stabiliser le signal qui est mesuré; les mesures passives comprennent l'accomplissement d'un ensemble de mesures de ten- sion à un noeud, avec différents courants injectés, pendant que la broche est attaquée pour être placée dans chaque état parmi un ensemble d'états de sortie; le courant est réduit si une mesure antérieure a utilisé un courant qui a conduit à la saturation du dispositif; la gamme de l'instrument de mesure de tension est réglée si une mesure antérieure a produit une tension mesurée à l'extérieur de sa gamme; la valeur des cou- rants injectés est incrémentée entre des mesures successives, la valeur de l'incrémentation dépendant du type de technologie du dispositif; et les mesures sont effectuées sur un nouveau noeud après qu'un nombre prédéterminé de mesures satisfaisan- tes ont été effectuées sur un noeud. De cette manière, on ob- tient l'information la plus utile concernant un noeud, avec le plus petit nombre possible de mesures. La phase de transformation consiste à transformer les mesures de tension pour les exprimer selon une échelle normalisée, afin de permettre la comparaison de mesures pour des dispositifs différents connectés au noeud (ces dispositifs pouvant appartenir à des technologies différentes et avoir des caractéristiques de sortie différentes). La transformation comprend: le calcul d'une tension et d'une impédance équiva- lentes de Thévenin; le calcul d'une impédance équivalente de Thévenin pour un dispositif collé hypothétique connecté au noeud; le calcul de la différence entre les tensions mesurées lorsqu'un dispositif exerce une action d'attaque correspondant à un état haut et lorsqu'il exerce une action d'attaque cor- respondant à un état bas; et l'intégration de la différence entre l'état hors farmtin et l'état opposé à l'état collé. La phase d'analyse comprend l'application de règles aux données transformées, pour identifier des dispositifs dé- fectueux. Apres un diagnostic sommaire pour identifier des candidats potentiels pour le dispositif défectueux, on utili- se des règles supplémentaires pour choisir entre plusieurs dispositifs qui ont été identifiés comme étant des candidats. L'analyse comprend: l'identification en tant que dispositif défectueux du dispositif ayant l'impédance la plus élevée; l'identification en tant que dispositif défectueux du dispo- sitif ayant la plus faible impédance des dispositifs collés hypothétiques; l'identification en tant que dispositif défec- tueux du dispositif ayant la plus faible différence des ten- sions aux états haut et bas; l'identification en tant que dispositif défectueux du dispositif ayant la plus faible va- leur intégrée; et l'utilisation de règles supplémentaires pour choisir entre plusieurs dispositifs identifiés comme défectueux par les règles ci-dessus. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre d'un mode de réalisation préféré, donné à titre d'exemple non limitatif. La suite de la des- cription se réfère aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 est un schéma d'un système conforme à l'invention pour le diagnostic de défauts de bus pendant le test in situ d'une carte sous test. La figure 2 est un schéma synoptique de l'appareil de mesure du système de la figure 1. La figure 3 est un schéma d'un circuit équivalent de dispositifs à trois états, connectés à un bus qui est testé par le système de la figure 1. La figure 4 est un organigramme d'une procédure de déclenchement de mesure du système de la figure 1. Les figures 5A et 5B sont un organigramme d'une procédure de mesure du système de la figure 1. Les figures 6A-6C sont des diagrammes séquentiels qui illustrent un procédé pour maintenir les états d'un dis- positif pendant des mesures de tension qui sont effectuées par le système de la figure 1. Les figures 7A-7C sont des représentations graphi- ques du courant en fonction de la tension qui illustrent un procédé de transformation de tensions mesurées dans le sys- tème de la figure 1. Structure En considérant la figure 1, on voit un système de diagnostic de défaut de bus 10, qui est incorporé dans un système de test in situ qui teste une "carte sous test" (ou en abrégé CST) 12, qui porte un ensemble de dispositifs 13. Le système 10 comprend une planche à clous 14 pour éta- blir un contact électrique avec des noeuds de la CST 12, et un appareil de mesure associé 16, qui applique des signaux d'entrée à la CST 12, détecte des signaux de sortie prove- nant de cette dernière et effectue également des mesures de tension passives, conformément à l'invention, pour diagnos- tiquer des défauts de bus. L'appareil de mesure 16 fonction- ne sous la commande d'un logiciel de système expert (c'est- à-dire d'intelligence artificielle), utilisant un moteur d'inférence 18, qui se réfère à des bases de données stati- ques 20, 22, des règles 24, 26 et des bases de données dyna- miques 28, 30, 31, 32, 34. L'information de sortie du moteur d'inférence 18 est un diagnostic qui indique les dispositifs de la CST 12 qui ont produit des défauts de bus. Le logiciel est centré sur le compilateur BLISS, décrit dans l'article de W. Wulf et col., "The Design of an Optimizing Compiler", American Elsevier, New York, NY (1975); la syntaxe associée permet la programmation à un niveau relativement élevé, et le compilateur permet d'inclure des bibliothèques prédéfi- nies de constantes, de définitions et de macros. Le langage de règles de Génération est développé dans une certaine me- sure sur le modèle défini par OPS5, qui est décrit dans le document: C.L. Forgy, "OPS5 User's Manual", Department of Computer Science, CarnegieMellon University, 1981, mais il corsiste en macros pour BLISS, au lieu d'être un langage interprété destiné à des systèmes basés sur des règles. Le système expert de diagnostic de bus est intégré dans un sys- tème expert existant pour le diagnostic in situ, qui est dé- crit dans les articles suivants: L. Apfelbaum, "An Expert System for In-Circuit Fault Diagnosis", IEEE 1985 Procee- dings of The International Test Conference, pages 868-874 et L. Apfelbaum, "Imroving In-Circuit Diagnosis of Analog Net- works with Expert Systems Techniques",IEEE 1986 Proceedings cf the International Test Conference, pages 947-953. La base de données 20 pour les données de test in situ comprend des numéros d'identification de configurations caractéristiques pour les noeuds de dispositifs de la CST 12 qui sont connectés à des bus sur la CST 12; les configura- tions caractéristiques sont les points dans la séquence de signaux d'entrée appliqués et de signaux de sortie attendus (enregistrés dans une mémoire vive de configurations, non re- présentée) obtenus au moyen de broches de test de la planche à clous 14 qui sont associées à un dispositif 13 donné sur la carte 12, pendant un test de ce dispositif. La base de données de description de circuit 22 comprend une description détaillée de la topologie de circuit de la CST 12. Les règles de mesure 24 comprennent des règles de système expert concer- nant le relevé de mesures de tension sur des noeuds particu- liers de la CST 12, qui dépendent de la technologie du dispo- sitif 13 qui est testé (par exemple CMOS, AS, etc.) et de l'instant exact auquel une mesure est effectuée. Les règles d'analyse 26 comprennent les règles de système expert qu'on emploie pour analyser les mesures de tension obtenues, et pour identifier des dispositifs défectueux qui provoquent des défauts de bus. La base de données de modèles de dispositifs 28 comprend des modèles mathématiques pour les divers dispo- sitifs 13 sur la CST 12; ces modèles comprennent les attri- buts des étages de sortie des différentes technologies, et ces derniers sont mis à jour au fur et à mesure que l'expé- rience acquise au cours de tests indique que les modèles existants peuvent être améliorés, sur la b se de valeurs me- surées, avec une technique d'intelligence artificielle dite de "recuit simulé", qui est décrite dans l'article de S. Kirkpatrick, et col., Optimization by Simulated Annealing", Science, vol. 220, pages 671-680 (1983). La base de données de défauts de dispositifs 30 contient une information con- cernant les défauts générés au cours du test in situ de la CST 12. La base de données de demandes de mesures 31 est une base de données temporaire qui est créée pour un dispositif 13, pour établir la liste des demandes de mesures. La base de données de mesures 32 contient les mesures de tension ef- fectuées sur des broches défectueuses de dispositifs 13 de la CST 12 pendant le test de défauts de bus. La base de don- nées transformées 34 contient des transformations des mesures se trouvant dans la base de données 32, qui sont faites dans le but de permettre la comparaison de mesures sur des dispo- -sitifs 13 différents de la CST 12. La figure 2 montre le matériel pertinent de l'ap- pareil de mesure 16. Le noeud 38 de la CST 12 est connecté par la broche de test 40 (il y a en réalité un grand nombre de broches de test, comme le montre la figure 1), à la carte de canaux 42 qui se trouve à proximité immédiate de la plan- che à clous 14. La carte de canaux 42 comprend un ensemble de détecteurs et de circuits d'attaque qui sont commandés par le générateur d'information temporelle 44, pour appliquer les signaux d'entrée désirés à la CST 12, et pour détecter les signaux de sortie résultants. Une broche de test 40 peut éga- lement être connectée directement à des instruments analogi- ques, par exemple au système de mesure 46. Dans la configura- tion qui est représentée, la broche de test 40 est connectée par un interrupteur sur la carte de canal 42 et une ligne 48 à une matrice de relais 45, qui connecte la ligne 48 à la ligne 50 dirigée vers le système de mesure 46, qui est employé pour mesurer des tensions utilisées dans le diagnostic de dé- fauts de bus dans le système 10. La ligne 50 est connectée à un circuit échantillonneur-bloqueur 52 et à une source de courant variable 56. Le signal de sortie analogique du circuit échantillonneur-bloqueur 52 est appliqué à un convertisseur analogique-numérique 54, qui fournit un signal de sortie de mesure numérique qu'utilise le logiciel du système 10. Le con- vertisseur analogique-numérique 54 remplit donc la fonction d'un voltmètre pour mesurer la tension au noeud 38, et il com- porte différentes gammes de mesure. La source variable 56 est cepable de fournir des courants de sortie de faible intensité devant être injectés dans le noeud 38, en fonction du réglage de courant qu'elle reçoit à partir du logiciel du système 10. Fonctionnement En fonctionnement, pendant le test in situ de dis- positifs isolés, le système de diagnostic de défaut de bus 10 est déclenché sous l'effet de certaines conditions de défaut, pour effectuer des mesures de tension incrémentielles concer- nant le dispositif 13 particulier qui est isolé, et après le test in situ de tous les dispositifs, toutes les mesures de tension qui ont été déclenchées sont transformées pour per- mettre la comparaison, et elles sont ensuite analysées pour identifier pour chaque noeud un dispositif qui est celui qui provoque le défaut. Le test in situ se déroule de façon générale de la manière normale, de façon à tester tour à tour chaque dispo- sitif sur la CST 12. Le test in situ de chaque dispositif 13 utilise celles des broches de test 40 qui viennent en contact avec les noeuds 38 auxquels les conducteurs du dispo- sitif sont connectés. Le test utilise également les broches de test 40 qui sont en contact avec des noeuds situés aux entrées des autres dispositifs qui commandent les entrées du dispositif 13 particulier qui est testé. Des vecteurs de test sont appliqués aux entrées des dispositifs numériques, tandis que les signaux de sortie sont détectés et comparés avec des réponses attendues. Des composants analogiques reçoivent des signaux d'entrée analogiques spécifiques, et les signaux de sortie sont analysés de façon similaire par des instruments analogiques. En plus, on peut effectuer un contrôle pour dé- terminer si un signal d'entrée appliqué a été reçu sur la broche d'entrée du dispositif, ce qui pourrait ne pas être le cas s'il existait un défaut associé à une broche d'entrée. Phase de déclenchement En considérant maintenant la figure 4, on voit la procédure qui intervient dans le déclenchement du système de diagnostic de défaut de bus 10 pour effectuer une mesure de tension passive. La phase de déclenchement du système de diagnostic de défaut de bus 10 est activée en cas d'appari- tion d'un défaut d'un dispositif numérique 13 quelconque sur un noeud 38. En utilisant une série de règles de test, le système 10 détermine alors si des mesures supplémentaires portant sur des bus sont justifiées. La première règle de test, qui est employée lors- que le test in situ d'un dispositif 13 est terminé, consiste à déterminer s'il existe des configurations caractéristiques pour le dispositif. On appelle configuration caractéristique une configuration de test exacte, dans la séquence nécessaire pour produire un état de sortie spécifique. Dans certaines circonstances, la configuration de test peut consister en un ensemble de signaux d'entrée différents qui déclenchent dif- férents points à différents instants, pour produire ainsi un signal de sortie désiré. S'il n'y a pas de configurations ca- ractéristiques Pour un dispositif, on ne peut pas effectuer de mesures conformément à l'invention. La règle de test suivante consiste à déterminer si la broche particulière qui a fait apparaître un défaut est une sortie qui est connectée à un noeud. Cette étape déter- mine si le dispositif défectueux est susceptible de provoquer un défaut affectant un bus. Cette étape détermine également si la broche particulière possède une configuration caracté- ristique. Si la broche n'a pas de configurations caractéris- tiquez, le système 10 ne peut pas effectuer la mesure. Une fois que le système 10 a déterminé qu'il pou- vait tester ce dispositif 13, la base de données de demandes de mesures 13 est construite au moyen d'une liste de demandes de mesures. La liste est une bibliothèque des états à tester pour chaque broche à tester. Les états possibles à tester sont les suivants: état haut, état bas, état inactif (pour un dispositif à trois états) et état défectueux; l'état dé- fectueux est le premier état qu'a pris le dispositif en de- venant défectueux; il est en réalité identique à l'un des trois autres états. Pour chaque sortie défectueuse à tester, on enregistre dans la bibliothèque une information concernant le noeud qui est testé, la broche qui est testée, les incré- ments de courant à utiliser, et le numéro d'identification de configuration caractéristique pour la broche particulière. L'incrément de courant à utiliser pour un dispositif 13 par- ticulier dépend de la technologie du dispositif, comme l'in- dique le tableau ci-après. Technologie du dispositif Incrément de courant AS, TTL, S, F 16 mA CMOS, HC, LS, ALS, MOS, L 2 mA Autre technologie 7 mA La base de données de demandes de mesures 31 est dynamique du fait que l'information de défaut est produite au moment du test de chaque dispositif 13. Une fois que la base de données de demandes de me- sures 31 a été construite pour le dispositif défectueux, le système 10 passe à la phase de mesure du test, pour exécuter les demandes de mesures qui figurent dans la base de données de demandes de mesures 31. Phase de mesure La procédure de mesure qu'on utilise pour effectuer des mesures de tension passives emploie les règles indiquées 2 61 9 926 sur les figures 5A et 5B. Ces règles sont conçues pour obtenir l'information la plus utile concernant le noeud, avec le plus petit nombre possible de mesures. Cette procédure ajuste de façon dynamique l'échelle de mesure de l'appareil de mesure 16, et elle détermine l'instant exact auquel la mesure doit être effectuée, en figeant les états de toutes les broches du dispositif pendant la mesure. Lorsque le système commence une passe dans la phase de mesure, il effectue tout d'abord un contrôle pour détermi- ner s'il reste des mesures à effectuer pour le dispositif. Il détermine ceci en se référant à l'indicateur d'état de test dans la bibliothèque de demandes de mesures qui se trouve dans la base de données de demandes de mesures 31. S'il ne reste aucune mesure à effectuer, le système retourne pour effectuer le test in situ du dispositif suivant, comme indiqué sur la figure 4. S'il reste des mesures à effectuer, des étapes d'initialisation sont accomplies. Ces étapes comprennent: la mise sous tension de la CST 12; le réglage d'instruments dans l'appareil de mesure 16, conformément aux échelles et aux in- créments qui sont enregistrés dans la bibliothèque de demandes de mesures; et la connexion du système de mesure de continuité 46 au noeud 38. Les vecteurs de test que le générateur d'information temporelle 44 doit appliquer au dispositif 13 sont ensuite établis, sur la base de l'information contenue dans la liste de demandes de mesures dans la base de données de demandes de mesures 31, de manière à stabiliser la sortie à l'instant in- téressant précis, c'est-à-dire à l'instant o un défaut est apparu, pendant une période d'horloge. En se référant aux figures 6A-6C, on voit l'information temporelle de broches du dispositif pour la période d'horloge au cours de laquelle une sortie est apparue défectueuse sur la broche de mesure. Cette information temporelle est obtenue à partir du générateur d'information temporelle 44, avec l'identification établie par le numéro d'identification de configuration caractéristi- que, et on l'utilise pour déterminer le moment auquel le dis- positif doit être stabilisé et auquel une mesure de tension doit ensuite être effectuée. La figure 6A montre ainsi les signaux d'entrée et les signaux de sortie d'un dispositif 13 pour une période d'horloge. La figure 6B montre les fenêtres dans lesquelles une mesure valide pourrait être effectuée pour un signal particulier; c'est-à-dire que le défaut sur une broche de mesure est probablement apparu lorsque la bro- * che était supposée passer au niveau haut, et la fenêtre se trouve pendant l'intervalle de temps au cours duquel le si- gnal de sortie aurait dû avoir le niveau haut. Le début de cette fenêtre est désigné par la légende "instant intéres- sant". La figure 6C montre l'information temporelle changée que doit employer le générateur d'information temporelle 44. Comme on peut le voir, tous les états sont figés après l'instant intéressant, qui peut être spécifié avec une réso- lution élevée (par exemple 1 ns). Les états peuvent être fi- gés pendant une durée beaucoup plus longue qu'une période d'horloge (par exemple 20 ps). Lorsque la mesure de tension passive est réellement effectuée, le générateur d'information temporelle 44 fonctionne à la vitesse normale au cours de périodes d'horloge antérieures à celle dans laquelle le dé- faut est apparu, et il fige les états à l'instant approprié pendant cette période, comme le montre la figure 6C. Ceci permet l'analyse de défauts dynamiques. Le signal de sortie intéressant reste donc inchangé, ce qui permet de stabiliser le signal sur la broche de mesure (qui est électriquement commune avec la ligne 50), et permet donc au système de mesu- re 46 d'effectuer une mesure valide. En considérant la figure 3, on note que la mesure de tension passive fait intervenir une mesure de tension pendant qu'un petit courant de sonde (par exemple moins de mA, et de façon caractéristique environ 5 mA, selon la technologie) peut être injecté au noeud 38 (c'est-à-dire ap- 26 1 9926 pliqué à ce noeud ou absorbé à partir de lui). Du fait qu'on n'utilise ce courant que pour déplacer suffisamment la ten- sion pour obtenir une différence de tension mesurable, et non pour changer l'état du dispositif 13, il n'y a aucun risque d'endommager des dispositifs 13 quelconques, quelle que soit leur technologie. La première mesure de tension est effectuée sans aucun courant injecté. Pendant lesmesures suivantes, on change de façon incrémentielle l'intensité du courant injecté, comme décrit ci-après. Apres que la mesure a été effectuée, l'information temporelle est rétablie à la condition qui existait avant la mesure, et l'alimentation de la CST 12 est coupée. Ceci ga- rantit que si la mesure suivante est faite à un instant ul- térieur dans le train de signaux d'entrée (c'est-à-dire si elle porte sur un défaut dans une période d'horloge ultérieu- re), les signaux simuleront toujours correctement le train d'entrée. Une fois que la mesure a été effectuée, des tests de la procédure de la figure 5B sont accomplis pour vérifier que la mesure est valide et pour déterminer la mesure suivan- te à effectuer. Les premiers tests tentent de rejeter des mesures invalides et de diriger l'instrument de façon à obtenir ra- pidement une valeur valide. Le premier test détermine si la mesure a été effectuée avec succès, c'est-à-dire si une mesu- re valide a été reçue à partir de l'appareil de mesure 16. Ce test appréhende des situations dans lesquelles l'appareil de mesure est arrêté ou émet des messages d'erreur. Le test sui- vant vise à déterminer si un trop grand nombre de mesures ont été faites pour la même demande. Si plus de cinq mesures ont été faites, le système 10 suppose qu'il dispose d'une infor- mation suffisante pour cette demande de mesure particulière. Dans ces situations, si les réponses aux questions sont res- pectivement non et oui, la demande de mesure est retirée de la liste, et le système recommence la procédure de mesure pour la demande suivante. Le test suivant consiste à détermi- ner si un courant trop élevé a été appliqué au noeud, entraî- nant ainsi sa saturation. Si le courant était trop élevé, la valeur de l'incrément de courant et l'intensité du courant appliqué au noeud sont réduits conformément au type de dispo- sitif,et le système accomplit à nouveau la procédure de me- sure. A titre d'exemple, les incréments indiqués précédemment sont réduits de moitié. Le test suivant consiste à déterminer si la valeur mesurée était trop élevée pour la gamme infé- rieure de l'instrument (convertisseur analogique-numérique :]. Dans l'affirmative, la gamme est augmentée, et la procé- du"e de mesure est répétée. Le test suivant consiste à déterminer si l'instru- ment a effectué une mesure dans une gamme supérieure alors qu'une gamme inférieur aurait été plus appropriée, par exem- ple du fait que la gamme inférieure aurait donné des valeurs plus précises. Dans l'affirmative, l'instrument est commuté vers la gamme plus précise, et le système recommence la pro- cédure de mesure. Les tests restants visent à obtenir une mesure va- lide après l'autre. Par exemple, le test suivant consiste à déterminer s'i. s'agit de la première mesure pour cette de- mande de mesures. Si c'est le cas, le sens de l'incrément de courant est fixé de façon à obtenir le plus grand nombre de mesures significatives. Par exemple, si les mesures étaient à la limite basse d'un résultat attendu, les incréments sont fixés de façon à augmenter la valeur du courant injecté. Si les mesures étaient à la limite haute du résultat attendu, les incréments sont fixes de façon à réduire la valeur du courant injecté. Une fois que le sens est fixé, le courant est incrémenté; la mesure précédente est sauvegardée et la mesure suivante est relevée. Si la mesure qui vient d'être faite n'est pas la première, le niveau de courant est contrôlé pour déterminer si le changement incrémentiel suivant donnera un courant su- périeur au niveau de courant minimal de 0,25 mA. Dans l'affir- mative, le courant est incrémenté; la mesure précédente est sauvegardée, et la mesure suivante est relevée. Dans la néga- tive, et s'il s'agit de la dernière mesure de la demande, la mesure est sauvegardée, et la mesure suivante est relevée. Dans la négative, et s'il ne s'agit pas de la dernière mesure de la demande, la demande est marquée comme étant invalide, et le système passe à la demande suivante. Comme indiqué ci-dessus, les demandes de mesures pourraient comprendre des demandes pour des mesures portant sur la même broche de sortie, dans différents états. Après que les mesures pour un dispositif 13 particulier ont été effectuées, le système 10 retourne à son test in situ normal pour un nouveau dispositif 13. Phase de transformation Apres que tous les dispositifs ont été testés dans le test in situ, ce test comprenant la mesure de tension pas- sive décrite ci-dessus, les données de mesures brutes qui se trouvent dans la base de données de mesures 32 sont transfor- mées, de façon à pouvoir effectuer des comparaisons utiles entre des mesures sur différents dispositifs. On emploie qua- tre procédés de transformation. Ces procédés sont les sui- vants, par ordre d'importance, en ce qui concerne la probabi- lité de génération d'une information utile pour l'identifica- tion de dispositifs défectueux: (1) calcul de l'impédance et de la tension équivalentes de Thévenin, (2) calcul de l'impé- dance estimée d'un dispositif collé hypothétique, (3) calcul de la différence entre des signaux de sortie à l'état haut et à l'état bas d'un dispositif, et (4) comparaison de l'état de sortie hors fonction avec l'état de sortie opposé à l'état collé. Pour chaque jeu de mesures de tension sur une broche dans un état de sortie particulier (haut, bas, inactif), on utilise une ou plusieurs de ces quatre transformations pour transformer les mesures. On va examiner tour à tour chaque transformation. Dans la première transformation, on calcule l'impé- dance équivalente de Thévenin ZTH, et la tension équivalente de T!venin, VTH, en effectuant une régression par la méthode des moindres carrés sur les courants injectés, ix, et les tensions mesurées résultantes, vx, pour l'ensemble des N pai- res de cette information, pour une broche de sortie donnée, lorsqu'elle est attaquée pour être placée dans le même état, conformément aux équations: n n n n 1 ix 2V _ v -,Zix À_ V Xy _ x=l x=l x=1 x=1 1 TH = n n () x=l x=l x=l nn n n n ixVx i- Zix -vÀ V x=l x=l x =l (2) VTH= n2 n n (2) n'z i-ix i x x=l x=1 x=l ZTH est la pente d'une courbe représentavive de v en fonction de i; et V est l'ordonnée à l'origine de la fonction (ix = x TH 0). On calcule séparément ces transformations pour chacun des états de sortie auxquels des mesures ont été effectuées. La transformation faisant intervenir le calcul de l'impédance estimée d'un dispositif collé hypothétique, s'ef- fectue en utilisant l'équation (1) et en remplaçant i par x ix moins le courant à la sortie de la broche dans l'état par- ticulier, cette information étant obtenue à partir de la base de données de modèles de dispositifs 28. (Ceci suppose qu'un dispositif fonctionne correctement et attaque le noeud en même temps que le dispositif collé.) Cette transformation est effectuée séparément pour les différents états de sortie pour lesquels des mesures de tension ont été effectuées. La transformation relative à la différence entre les états haut et bas consiste simplement à prendre la diffé- rence entre les tensions mesurées (sans courant injecté) lors- que le dispositif est commandé de façon à produire un signal de sortie à l'état haut et un signal de sortie à l'état bas. Ceci ne donne donc qu'une seule valeur transformée par broche. Les figures 7A-7C illustrent la transformation qui concerne la comparaison entre l'état de sortie hors fonction et l'état de sortie opposé à l'état collé. La figure 7A montre une représentation graphique de paires comprenant un courant injecté et la tension mesurée résultante, lorsque le disposi- tif a été mis hors fonction; elle contient donc une informa- tion concernant le dispositif collé. La figure 7B représente la même information lorsque le dispositif a été commandé de façon à produire un état de sortie qui est l'opposé de l'état collé (c'est-à-dire l'état haut si l'état collé est bas, et l'état bas si l'état collé est haut). On calcule ensuite l'aire entre les deux, représentée sur la figure 7C, et on l'utilise en tant que données transformées pour cette broche du dispositif. Il y a donc une seule valeur transformée par broche. Toute l'information transformée est placée dans la base de données transformées 30, et étiquetée pour indiquer la broche et l'état du dispositif, lorsque cette information est applicable. Phase d'analyse Après que les données mesurées ont été transfor- mées, le stade d'analyse utilise les données transformées pour établir un diagnostic indiquant quel est le dispositif le plus défectueux parmi ceux branchés sur un bus, c'est-à- dire le dispositif qui est le plus probablement la cause du défaut constaté sur le bus. Les règles pour cette phase finale d'analyse et de diagnostic sont ordonnées par finesse croissante, de fa- çon à trier les candidats en ce qui concerne l'origine du défaut, c'est-àdire les dispositifs qui sont connectés à un noeud particulier. On effectue en premier le diagnostic le plus grossier et le plus général, donnant une idée grossière des candidats potentiels. On utilise des règles de plus en plus fines pour effectuer un choix entre des discordances, pour grouper ensemble des défauts liés, et finalement pour sélectionner le dispositif défectueux le plus probable parmi tous les candidats pour le défaut. Le diagnostic le plus général utilise directement et compare les données transformées. Par ordre de priorité, cotte phase utilise les règles suivantes: Règle 1: On compare l'impédance équivalente de Thévenin de chaque dispositif, et on sélectionne en tant que dispositif défectueux celui qui a l'impédance la plus élevée. Règle 2: On compare les impédances estimées du dispositif collé hypothétique, et on sélectionne pour le dis- positif défectueux celui auquel est associée la plus faible impédance à l'état collé. Règle 3: On compare les différences entre les états de sortie haut et bas des dispositifs, et on sélection- ne pour le dispositif défectueux celui qui présente la plus faible différence. Règle 4: On compare les résultats de la comparai- son des sorties hors fonction avec les sorties à l'état oppo- sé à l'état collé, et on sélectionne pour le dispositif dé- fectueux celui qui présente la plus faible différence de puissance. Ces règles sont pondérées de façon que la combinai- son des diagnostics (2), (3) et (4) ait priorité sur le dia- gnostic (1), et que la combinaison des diagnostics (3) et (4) ait priorité sur le diagnostic (2). Dans certains cas, l'une de ces comparaisons ne donnera pas un dispositif défec- tueux désigné, du fait que des conditions de validité de com- paraison décrites ci-après ne sont pas satisfaites. Le dispositif ayant l'impédance équivalente de Thévenin la plus élevée est choisi conformément à la Règle 1, du fait que le dispositif collé aura toujours une impédance plus élevée que le dispositif collé en parallèle avec un au- tre dispositif. Le résultat de l'application de cette règle n'est pas pris en compte et est considéré comme invalide, lorsque la différence entre l'impédance la plus élevée et la seconde impédance par ordre décroissant, ne dépasse pas d'au moins 40% la différence entre la seconde impédance par ordre décroissant et la troisième impédance par ordre décroissant. Dans ce cas, les impédances sont trop proches les unes des autres pour indiquer deux dispositifs en parallèle avec l'impédance la plus élevée. Cette règle prévoit également une décision pour le cas o il n'y a que deux dispositifs sur le noeud. Dans cette situation, le dispositif ayant l'im- pédance la plus élevée sera considéré comme un dispositif défectueux probable à condition qu'il ait une impédance supé- rieure à 20 ohms et que son impédance soit supérieure d'au moins 10 ohms à celle du dispositif ayant l'impédance infé- rieure. Le raisonnement qui est à la base de la comparaison des impédances du dispositif collé (Règle 2) est presque l'opposé. Lorsqu'on calcule l'impédance du dispositif collé hypothétique, on soustrait de l'impédance totale l'impédance théorique du dispositif connu. Plus cette différence est faible, plus grande est la probabilité qu'il n'existe aucun autre dispositif contribuant à l'impédance totale. S'il n'y a pas d'autres dispositifs contribuant à l'impédance, il est probable que le dispositif qui a produit cette impédance hypothétique faible est le dispositif collé. Cette règle prévoit également une décision dans le cas o il n'y a que deux dispositifs sur le noeud. Dans cette situation, le sys- tème 10 examine la plus élevée et la plus basse des impédan- ces hypothétiques. Si la plus élevée est supérieure à 400 ohms, on considère qu'il s'agit d'un dispositif défectueux probable, tandis que sinon, et si l'impédance la moins éle- vée est inférieure à 5 ohms, on considère que l'impédance la moins élevée correspond à un dispositif défectueux probable. Le raisonnement qui est à la base de la comparaison des différences entre les signaux de sortie supérieur et in- férieur (Règle 3) consiste à considérer que le dispositif collé ne serait pas capable de commuter entre un état haut et un état bas. Le raisonnement qui est à la base de la comparaison des sorties hors fonction avec des sorties à l'état opposé à l'état collé (Règle 4) consiste à considérer que le disposi- tif collé ne serait pas capable de passer dans la condition opposée à l'état collé. Il n'y aurait donc théoriquement aucune différence entre les deux courbes. Les comparaisons relatives aux deux premières rè- gles générales sont effectuées pour des mesures faites lors- que les dispositifs étaient dans les mêmes états. En plus des règles de diagnostic générales, il existe un ensemble de règles de diagnostic plus fines qu'on utilise pour renforcer le diagnostic du dispositif défectueux identifié unique, résultant de la comparaison grossière, ou pour choisir entre un ensemble de noeuds qui ont été identi- fiés comme étant défectueux dans l'analyse grossière (par exemple l'un étant choisi pour la comparaison de mesures dans des états haut et un autre étant choisi pour dee mesures dans des états bas). Ces règles comprennent, par ordre de priorité: Règle 5: choisir le dispositif défectueux le plus probable, exclusivement sur la base des résultats des mesures effectuées sur les états pertinents. Avec l'équivalent de Thévenin, l'état pertinent est l'état défectueux; avec l'équivalent hypothétique du dispositif collé, l'état opposé à l'état défectueux est le plus pertinent. La considération théorique qui est à la base de cette règle consiste en ce que l'état le plus pertinent fournira des données plus fiables. Règle 6: Si tous les dispositifs connectés au noeud sont devenus défectueux, sauf un, choisir en tant que dispositif défectueux le plus probable le dispositif qui sem- ble "non défectueux". Ceci vient du fait que le dispositif "non défectueux" présente probablement une validation interne défectueuse, ce qui fait que ce dispositif particulier n'ap- paraîtra pas défectueux, mais fera apparaître tous les autres dispositifs sur le bus comme s'ils étaient défectueux. Règle 7: Si la plupart des dispositifs connectés à un noeud apparaissent défectueux et si parmi les disposi- tifs qui semblent normaux, un seul possède des configurations caractéristiques, choisir ce dispositif comme étant le dispo- sitif défectueux le plus probable. Le raisonnement qui est à la base de cette règle est le même que pour la Règle 2. Règle 8: Incriminer les composants analogiques qui sont connectés au noeud et qui ont des modes de défaillance susceptibles de provoquer un défaut du bus. Le raisonnement qui est à la base de cette règle consiste en ce que des dis- positifs analogiques incorrects pourraient provoquer un dé- faut sur un bus sans affecter les résultats de test de dispo- sitifs individuels. Règle 9: Rechercher des dispositifs qui ont donné des résultats non satisfaisants à des tests de ligne de va- lidation au cours du test in situ. Le raisonnement qui est à la base de cette règle consiste en ce qu'un dispositif avec une ligne de validation défectueuse est susceptible de pro- voquer la défaillance d'un dispositif complet. Règle 10: Analyser les différences de courant projetées, basées sur les données obtenues par la transfor- mation (4). Le raisonnement qui est à la base de cette règle consiste en ce que le changement de courant pour le disposi- tif collé sera plus faible que pour les dispositifs corrects. Cette règle diffère de la règle générale utilisant la trans- formation (4) par le fait qu'elle projette le courant sur une plage plus étendue et utilise ensuite cette plage plus étendue pour effectuer son analyse. Règle 11: Si aucun dispositif avec des sorties connectées au bus n'a été diagnostiqué comme défectueux, et si un seul dispositif comporte une entrée connectée au bus, choisir en tant que dispositif défectueux le plus probable le dispositif ayant l'entrée connectée au bus. Le raisonne- ment correspondant à cette règle relève d'un processus d'élimination. Règle 12: Si un certain nombre de dispositifs comportent des entrées connectées au bus, mais si un seul de ces dispositifs présente des sorties défectueuses qui ne sont pas liées au noeud défectueux, choisir ce dispositif comme étant le dispositif défectueux le plus probable. Le raisonnement correspondant à cette règle consiste en ce que si des sorties non liées sont défectueuses, ce dispositif est probablement un dispositif défectueux. Règle 13: Rechercher le dispositif auquel sont associés la majorité des défauts, et choisir ce dispositif comme étant le dispositif défectueux le plus probable. Si toutes les autres règles échouent, cette règle réduit le diagnostic à un seul dispositif présentant le défaut le plus sévère. D'autres modes de réalisation de l'invention.en- trent dans le cadre des revendications qui suivent. A titre d'exemple, le procédé s'applique à d'autres techniques de test dynamique de circuit, par exemple le test fonctionnel. De plus, si pendant la phase d'analyse on détermine qu'on ne dispose pas d'une connaissance suffisante pour sélectionner un dispositif clairement défectueux, et s'il existe plusieurs dispositifs connectés au noeud qui n'ont pas été mesurés (du fait qu'ils ne présentaient pas un défaut), on pourrait alors effectuer des mesures sur ces dispositifs, et ces me- sures seraient ensuite transformées et analysées avec l'in- formation antérieure. Des configurations caractéristiques pourraient être pré-calculées, comme ci-dessus, ou élaborées en temps réel pendant le test, soit à partir de données de matériel soit à partir d'une autre information de configura- tion enregistrée. Il va de soi que de nombreuses autres modifications peuvent être apportées au procédé et à l'appareil décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour déterminer quel est le dispositif, parmi un ensemble de dispositifs électriques (13) connectés à un noeud (38) d'un circuit sous test (12), qui provoque un défaut à ce noeud, caractérisé en ce que: on commande des dispositifs individuels de façon qu'ils attaquent le noeud (38), un dispositif à la fois; on effectue des mesures de tension passives au noeud (38), à des instants séparés, lorsque des dispositifs individuels sont commandés de façon à attaquer le noeud (38); et on analyse des tensions mesu- rées résultantes, lorsque différents dispositifs (13) atta- quent le noeud (38), pour identifier le dispositif qui pro- voque le défaut. 2. Procédé pour déterminer quel est le dispositif, parmi un ensemble de dispositifs électriques (13) connectés à un noeud (38), qui provoque un défaut à ce noeud, caracté- risé en ce que: on effectue des mesures de tension à ce noeud (38) lorsqu'un dispositif qui attaque le noeud est dans différents états; et on analyse des tensions mesurées pour déterminer si le dispositif (13) est défectueux. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la mesure de la tension au noeud (13) lorsqu'il n'est attaqué par aucun dispositif, et dans lequel l'opération d'analyse comprend la comparaison de la tension mentionné9 en dernier avec les mesures de ten- sion de dispositif obtenues lorsque différents dispositifs (13) attaquent le noeud (38). 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'accomplissement des mesures de tension comprend l'injection d'un courant faible dans le noeud (38), et la mesure du changement de tension résultant. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que, avant l'opération d'injection, on applique des configurations d'entrée au dispositif (13), à une cadence qui simule des conditions de fonctionnement normales, et pendant l'injection et la mesure, on maintient dans une con- figuration d'états prédéterminée des signaux d'entrée qui affectent le dispositif (13). 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il fait partie d'un procédé de test de circuit et comprend en outre les opérations suivantes: on accomplit le test de circuit de la carte sous test (12); ce test de cir- cuit comprenant l'identification de signaux de sortie incor- rects des dispositifs (13); et on déclenche l'accomplisse- ment des mesures passives au noeud considéré, sous l'effet de l'apparition d'un signal de sortie incorrect d'un dispo- sitif (13) à ce noeud (38). 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'opération de déclenchement comprend l'établisse- ment d'une liste de signaux de sortie incorrects pendant le test de circuit d'un dispositif (13), et l'accomplissement des mesures de tension passives après le test de circuit du dispositif (13). 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'opération d'établissement d'une liste comprend l'établissement d'une liste de demandes de mesures pour le noeud (38), concernant le courant à injecter pendant la me- sure de tension. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la préparation d'une biblio- thèque comprenant une information de configurations carac- téristiques pour les dispositifs (13) connectés à des bus, et en ce que l'établissement de la liste précitée s'effectue en n'incorporant dans la liste que les broches pour lesquel- les la bibliothèque précitée contient une information de configuration caractéristique. 10. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'accomplissement des mesures de tension passives comprend l'accomplissement d'un ensemble de mesures de ten- sion à un noeud (13), avec des courants injectés différents pour une broche donnée d'un dispositif (13) qui est connecté à ce noeud. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'on effectueun ensemble de mesures de tension pour une broche lorsqu'elle est attaquée de façon à prendre chaque état parmi un ensemble d'états de sortie. 12. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'on accomplit une mesure de tension lorsqu'aucun courant n'est injecté, et on accomplit des mesures de tension suivan- tes à des niveaux de courant incrémentés, qui sont choisis de façon à définir une gamme de tensions de mesure. 13. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'on règle le courant entre deux mesures de façon à réduire le courant si les mesures antérieures ont fait circu- ler un courant qui a provoqué une saturation d'un dispositif (13). 14. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'on ajuste la gamme de l'instrument de mesure de ten- sion si une mesure antérieure a produit une tension mesurée située à l'extérieur de sa gamme. 15. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'on incrémente la valeur des courants injectés entre des mesures successives. 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que la valeur de l'incrémentation dépend du type de technologie du dispositif (13). 17. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que les courants injectés ne sont pas changés de façon incrémentielle si le courant résultant est inférieur à une valeur minimale ou supérieur à une valeur maximale. 18. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'on effectue des mesures sur un nouveau noeud après avoir effectué avec succès un nombre prédéterminé de mesures sur un noeud. 19. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, avant l'opération d'analyse, l'opération qui consiste à transformer la tension mesurée pour un dispositif (13) donné, pour la faire correspondre à une échelle normalisée, de façon à permettre la comparaison de dispositifs différents. 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'opération de transformation comprend le calcul d'une impédance équivalente de Thévenin pour un ensemble de mesures de tension, pour un dispositif donné. 21. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'accomplissement d'une analy- se par régression sur un ensemble de mesures de tension à des courants injectés différents, pour obtenir une valeur d'impédance moyenne. 22. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'opération de transformation comprend le calcul d'un équivalent de Thévenin pour un dispositif collé hypo- thétique au noeud considéré (13), en utilisant l'impédance pour un ensemble de mesures de tension, et des courants es- timés associés de dispositif collé, basés sur le courant de l'instrument (16) moins le courant estimé d'un dispositif qui attaque le noeud (38). 23. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'il comprend en outre le calcul d'une tension équi- valente de Thévenin. 24. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la mesure de la tension lors- qu'un dispositif donné (13) attaque le noeud dans un état haut et lorsqu'un dispositif donné attaque le noeud dans un état bas, et le calcul de la différence entre les deux. 25. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'accomplissement de mesures de tension passives comprend la mesure à des états de sortie haut, à des états de sortie bas et à des états hors fonction, et l'opération de transformation comprend la détermination de l'état collé, et l'intégration de la différence entre l'état hors fonction et l'état opposé à l'état collé. 26. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 19 à 22, caractérisé en ce qu'on accomplit la transfor- mation pour des mesures dans un état particulier sur une bro- che de-sortie particulière d'un dispositif (13). 27. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération qui consiste à transformer en une impédance la tension mesurée pour un dis- positif donné (13), avant l'opération d'analyse. 28. Procédé selon la revendication 27, caractérisé en ce que l'opération d'analyse comprend la comparaison des impédances de différents dispositifs (13) attaquant le même noeud. 29. Procédé selon la revendication 28, caractérisé en ce qu'on analyse les impédances précitées, et on identifie l'impédance la plus élevée comme étant celle qui est la cause du défaut. 30. Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que le dispositif (13) ayant l'impédance la plus élevée n'est identifié comme étant la cause du défaut que si la différence entre l'impédance la plus élevée et la seconde im- pédance par ordre décroissant, est supérieure à la différence entre la seconde impédance par ordre décroissant et la troi- sième impédance par ordre décroissant. 31. Procédé selon la revendication 29, caractérisé en ce que, si deux dispositifs (13) seulement ont des impé- dances à comparer, on identifie l'impédance la plus élevée comme étant l'impédance défectueuse si elle est supérieure à une valeur fixée. 32. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'on identifie l'impédance la plus élevée comme étant défectueuse si elle est supérieure à une limite supérieure fixée, tandis que dans le cas contraire, on identifie l'im- pédance la plus faible comme étant défectueuse si elle est inférieure à une limite inférieure. 33. Procédé selon la revendication 32, caractérisé en ce que la limite supérieure est de 400 ohms et la limite inférieure est de 5 ohms. 35. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'on identifie en tant que dispositif défectueux le dispositif (13) ayant la plus faible différence. 35. Procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce qu'on identifie en tant que dispositif défectueux le dispositif (13) ayant la plus faible valeur intégrée. 36. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 29 à 33, caractérisé en ce qu'on effectue l'opération d'analyse pour des mesures portant sur différents dispositifs (13), lorsqu'on a actionné ces dispositifs de façon à faire passer leurs sorties dans le même état. 37. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 28 ou 29, caractérisé en ce qu'on effectue l'opération d'analyse sur la base de mesures effectuées lorsque les dis- positifs (13) ont été actionnés pour donner l'état dans le- quel ils ont présenté un défaut. 38. Procédé selon la revendication 32, caractérisé en ce que les tensions mesurées sont celles relevées lorsque le dispositif (13) est actionné pour prendre l'état qui est opposé à l'état dans lequel il a présenté un défaut. 39. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'analyse comprend l'opération qui consiste à dé- terminer si un dispositif (13) ayant une sortie connectée à un noeud n'a pas présenté un défaut alors que tous les autres dispositifs ayant des sorties connectées à ce noeud ont ef- fectivement présenté un défaut, et, si cette condition est remplie, ce dispositif est identifié comme étant le disposi- tif défectueux. 40. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on effectue les mesures de tension passives dans des états séparés, et l'analyse des tensions mesurées com- prend l'identification du dispositif (13) qui apparaîtrait défectueux pour des mesures dans les états séparés, et com- prend en outre, si plus d'un dispositif a été identifié com- me étant défectueux, une analyse supplémentaire destinée à réduire le nombre de dispositifs identifiés comme étant dé- fectueux. 41. Procédé selon la revendication 40, caractérisé en ce que l'analyse supplémentaire comprend les opérations qui consistent à déterminer si des composants analogiques défectueux sont connectés au noeud et, dans l'affirmative, à les identifier comme étant défectueux. 42. Procédé selon la revendication 40, caractérisé en ce que l'analyse supplémentaire comprend les opérations qui consistent à déterminer s'il existe un dispositif (13) qui n'a pas été invalidé lorsqu'il en a reçu l'ordre et, dans l'affirmative, à identifier ce dispositif comme étant le dispositif défectueux. 43. Procédé selon la revendication 40, caractérisé en ce que l'analyse supplémentaire comprend le calcul du courant fourni par chaque dispositif (13), sur la base des tensions mesurées, et l'identification du dispositif défec- tueux comme étant le dispositif qui présente la plus faible différence de courant pour des états différents sur la même broche. 44. Procédé selon la revendication 40, caractérisé en ce que l'analyse supplémentaire comprend les opérations qui consistent à déterminer si une entrée a été collée et, dans l'affirmative, à identifier le dispositif (13) ayant cette entrée comme étant le dispositif défectueux. 45. Procédé selon la revendication 40, caractérisé en ce que l'analyse supplémentaire comprend les opérations qui consistent à déterminer si plusieurs dispositifs (13) avaient des entrées connectées au noeud, mais un seul dispo- sitif présentait un défaut sur ses sorties qui ne sont pas liées au noeud défectueux, et, dans l'affirmative, à identi- fier ce dispositif comme étant le dispositif défectueux. 46. Appareil pour déterminer quel est le dispositif parmi un ensemble de dispositifs électriques (13) connectés à un noeud (38) d'un circuit sous test (12), qui provo- que un défaut à ce noeud, caractérisé en ce qu'il comprend: des moyens qui commandent des dispositifs (13) individuels de façon à attaquer ce noeud, un dispositif à la fois; des moyens (16) destinés à effectuer des mesures de tension pas- sives au noeud (38), à des instants séparés, lorsque des dis- positifs individuels sont commandés de façon à attaquer le noeud, et des moyens (18) destinés à analyser des tensions mesurées qui sont obtenues lorsque différents dispositifs attaquent le noeud (38), pour identifier le dispositif qui provoque le défaut. 47. Appareil pour déterminer quel est le dispositif qui provoque un défaut à un noeud (38), parmi un ensemble de dispositifs électriques (13) connectés à ce noeud, caractéri- sé en ce qu'il comprend: des moyens (16) destinés à effec- tuer des mesures de tension à ce noeud (38) pendant qu'un dispositif (13) qui attaque le noeud est dans des états dif- férents; et des moyens (18) destinés à analyser les tensions mesurées pour déterminer si le dispositif est défectueux.