FR 2613843 A1 19881014 FR 8704890 A 19870407 /i GUIDE D'ONDE ISOLATEUR MONOMODE INTEGRE ET APPLICATION A UN LASER A SEMICONDUCTEURS L'invention concerne un isolateur monomode intégré et notam- ment un dispositif de guidage permettant de coupler une diode laser à des circuits optiques. tout en interdisant efficacement le retour d'énergie lumineuse vers la diode laser. A titre d'exemple. pour illustrer l'état de la technique, la figure 1 représente le schéma d'un isolateur et son fonctionnement. Ce dispositif est composé d'un tronçon non-réciproque I et de deux polariseurs' P1, P2 correctement orientés. Dans la section non- réciproque 1, constituée d'un tronçon de YIG. le plan de polarisation de la lumière incidente tourne de 45 par effet Faraday. Toute lumière réfléchie aura, après un second passage dans ce tronçon, une polarisation croisée avec le polariseur d'entrée. L'effet d'isolation est alors obtenu. En optique intégrée, la lumière se propage dans une couche mince de grenat d'yttrium et de fer dopé. par exemple, avec des ions gadolinium et gallium. sous forme de modes propres de type TE et TM (guide plan) ou E et H (guide bidimensionnel). L'effet Faraday couple les modes TE et TM ou E et H. Ainsi pour un guide plan monomode. en supposant que l'onde incidente à l'entrée du guide a une polarisation parallèle au mode TEo. l'intensité R convertie de façon non-réciproque en TMo en un point situé à une distance Lx de l'entrée du guide aura pour expression ITMo (L) 4K 2 2 s R 1TEo(o) 4K2+ B2 s 2 (1) TEo L #K2+ B2 o K est la constante Faraday: 21r A _ 2=- ANavec AN = N - N N et N X TEo TMo TEo TMo étant respectivement les indices effectifs des modes TEo et TMo. La figure 2 représente la variation de R en fonction de L. La relation (1) montre que pour K constant, la conversion n'est com- plète (R = 1) que si à B= 0. Dans ce cas, les modes sont dégénérés et on obtient une conversion totale pour une distance de propagation 5 - telle que Zo- 2-k Pour A 6=/ 0 le taux de conversion maximum R donné par (1) satisfait: 4K2 (2) RM v-a7- -- (2) 4K +U8 Ainsi, pour une couche de grenat d'yttrium et de fer (YIG) substitué par des ions gadolinium et gallium de 3 im d'épaisseur dont l'indice de réfraction n = 2,15 et la rotation Faraday K = 206 /cm à X = 1.15 m. A B = 1633 /cm, ce qui donne RM, 1,6%. Par analogie avec l'optique non guidée, un isolateur en optique intégrée utilise un tronçon non-réciproque dont la longueur corres- pond à une conversion de 5oeb dans le sens ALLER et 50% dans le sens RETOUR. Cette section est complétée par un polariseur à l'entrée et un polariseur à la sortie. Un seul polariseur peut suffire. C'est le cas par exemple des lasers à semiconducteurs que l'on veut protéger des réflexions parasites. On a en effet montré que ces r sources sont pratiquement insensibles à des réflections parasites dont la polarisation est perpendiculaire à leur propre polarisation. Dans ce cas, une version intégrée de l'isolateur, constituée d'une couche métallique séparée du grenat par un diélectrique, peut être envisagée. L'inconvénient, dans ce cas. provient de la non- coïncidence entre les plans du laser et du grenat. Mais dans tous les cas, l'isolateur, en optique intégrée, néces- site une conversion totale entre les deux modes couplés après un allerretour dans la section non-réciproque. Il est donc impératif d'annuler i B donc AN. Différentes solutions ont été envisagées pour résoudre ce problème. L'article "Effets magnétooptiques dans les grenats et leur application à la réalisation d'un isolateur et d'un circulateur optique" de 3.P. CASTERA et al. publié dans la Revue Technique THOMSON- CSF - volume 18 - N 2 de juin 1986. pages 255 à 300 décrit ces différentes solutions. Deux types de solutions ont été envisagées: - une modulation de l'interaction magnétooptique, donc de la constante de couplage des modes de transmission tel que cela est décrit par exemple dans: - l'article P.K. TIEN et al publié dans Applied Physic Letters, volume 21, de 1972, page 394; - l'article de R.D. HENRY publié dans Applied Physic Letters, volume 26. de 1975, page 408; - une égalisation des constantes de propagation des deux modes couplés tel que décrit dans: - l'article de G. HEPNER et al publié dans Applied Optic, volume 13, 1974, page 2007 - l'article de G. HEPNER et al publié dans Applied Optic, volume 14, 1975, page 1479. Cependant, toutes les méthodes qui viennent d'être décrites ne sont pas pleinement satisfaisantes, car s. elles permettent de diminuer considérablement A, en revanche leur précision rend impossible l'accord de phase parfait entre les modes couplés. C'est ainsi, par exemple que pour obtenir une isolation par- faite, il faut R = i donc A B=AN = O dans l'expression (2). Toute variation de l'écart entre les paramètres de maille de la couche et du substrat par rapport à cette situation idéale entraînera une variation de l'isolation. Le tableau suivant donne pour plusieurs valeurs de Aa = a a. la biréfringence An correspondante et les s e performances d'isolement du dispositif. O Aa (A) Anep I (dB) _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ep 2,4 10-5 8,6 10-7 40 7,5 10-5 2,7 io0-6 30 -43 2,4 10.-4 8,7 10-6 20 8,1 10-4 2,9 10-5 10 Or, l'incertitude sur l'écart de paramètre de maille relatif que 26 13143 permet le processus d'épitaxie en phase liquide des grenats de type Gd Ga YIG est au mieux: 6a/a = 10-5 soit da = 6.2 10-4A.Le tableau précédent montre que dans ces conditions, un isolateur ainsi conçu présentera un taux d'isolation de l'ordre de 10 dB, ce qui est nettement insuffisant pour les applications. Par ailleurs, notre calcul suppose que tous les autres paramètres intervenant sur le taux de conversion sont parfai- tement maitrisés, ce qui n'est pas toujours le cas. Parmi ces grandeurs, on peut citer: l'épaisseur du ou des couches minces épitaxiées, l'indice respectif de ces dépôts ainsi que la longueur du guide. Cela pour les guides plans. Dans le cas des guides bidimen- sionnels, il faut ajouter à ces paramètres la profondeur de l'usinage ionique partiel ainsi que la forme de la section de ces guides. Il apparat donc que les exigences imposées à l'épitaxie des grenats pour la réalisa:ion d'un isolateur présentant, par exemple, 50 dB d'isolation ne sont pas applicables dans la pratique. même en supposant des conditions idéales de croissance des matériaux. Pour- tant, la maîtrise de l'épitaxie des grenats ferrimagnétiques est remarquable comparée à l'élaboration de matériaux dans d'autres disciplines. La solution doit donc faire appel à un paramètre ajustable p générant une biréfringence et tel que a soit suffi- samment élevé pour obtenir l'accord de phase des deux modes couplés et suffisamment petit pour que la précision sur p permette de conserver un taux d'isolation élevé en toutes circonstances. L'invention apporte donc une solution à ce problème en agis- sant sur la température du guide. lequel paramètre "température" a. selon l'invention, un effet sur la biréfringence. L'invention concerne donc un guide d'onde isolateur monomode intégré comprenant une couche de guidage implantée sur un substrat d'indice de réfraction supérieur à celui du substrat, possédant une entrée et une sortie, au moins un dispositif de polarisation placé à l'entrée de la couche de guidage et orienté de manière à éliminer un mode de polarisation d'un faisceau entrant, après retour dans le guide d'onde à partir de la sortie, caractérisé en ce qu'il comporte 26 13843 au moins un moyen de chauffage associé à la couche de guidage. Les différents objets et caractéristiques de l'invention appa- raîtront plus clairement dans la description qui va suivre, faite à titre d'exemple en se reportant aux figures annexées qui représen- tent: - la figure 1, un guide d'onde selon les techniques connues; - la figure 2, une courbe de fonctionnement du guide de la figure 1; - la figure 3, un exemple de réalisation d'un guide plan monocouche selon l'invention; - la figure 4, un exemple de réalisation d'un guide plan bicouche selon l'invention; - la figure 5. une variante d'un exemple de réalisation d'un guide plan bicouche selon l'invention; - la figure 6, un exemple de réalisation d'un guide bidimen- sionnel et bicouche selon l'invention; - la figure 7, un exemple de réalisation d'une diode laser et d'un isolateur intégré associés selon l'invention. Comme il a été décrit précédemment en se reportant notam- ment au guide tel que représenté en figure 1. la structure d'un guide entraîne une biréfringence ANST entre les modes couplés. La ST présente invention a pour objet de compenser cet écart de phase entre modes par une biréfringence ANTE de signe opposé et d'égale amplitude. due à une élévation de température. Si l'on considère qu'en plus de ces biréfringences, on peut également avoir un terme ANEp généré par l'écart entre les paramètres de maille de la couche et du substrat et éventuellement un terme ANCR qui est dû à la croissance, la biréfringence totale a pour expression: AN= ANT - ANTE+ + ANEp +NCR ANCR peut être annulé par un recuit. Dans le cas contraire, il faut en tenir compte dans les calculs. ANsT vérifie la relation: ^ANST = T NTo-NTMo S ST-À TEo -NTMo o NTEo et NTMo sont les indices effectifs des modes propres couplés du guide. ANEp, est donné par la réaction: af -as QNE = N 3 f - a ANEP [N p44 a s dans laquelle p44 est un coefficient photoélastique propre au maté- riau du guide. Quant à ANTE' il satisfait l'égalité 3_ _ AN =-N 1 (a- as) AT TE N p44 -1 v f -s ou v est le coefficient de Poisson ( v = 0,3). af et as les coefficients de dilatation thermique, respectivement de la couche et du substrat et AT = T - TO. Test la température à laquelle est chauffée le grenat et T la température ambiante. o Pour avoir une isolation parfaite, il faut AN = o. L'invention prévoit donc de chauffer le grenat à une température T telle que: 1= T11- =v I (AN +AN +AAN) T o+ 3 1 V ar-C ST EP CR o p44 s (a - as) dépend des grenats utilisés. p Typiquement, on a: aCf a en figure 3, un guide plan monocouche muni d'un moyen de chauf- fage. Sur cette figure, on trouve un substrat 2 portant une couche de guidage 1 avec un moyen de chauffage 3. Selon ce mode de réali- sation, le moyen de chauffage est un dispositif à effet Peltier disposé de façon à chauffer la couche de guidage 1. Le guide d'onde 1 possède une entrée 10 et une sortie 11. A la sortie 11 est associé un polariseur 4. Ce polariseur 4 peut être réalisé sous forme d'une métallisation située au-dessus de la sortie du guide. Selon l'exemple de réalisation représenté en figure 3, le substrat 2 est associé thermiquement, par collage par exemple, à un dispositif à effet Peltier 3. A titre d'exemple la couche de guidage peut être réalisée en grenat d'yttrium et de fer (YIG) substitué par du gadolinium et du gallium et obtenue par épitaxie en phase liquide sur un grenat de gadolinium et gallium (GGG). L'échauffement apporté par le dispositif de chauffage 3 permet de créer une biréfringence qui permet d'améliorer l'effi- cacité de l'isolateur ainsi réalisé. Selon l'invention, on prévoit également une structure telle que représentée en figure 4 et prévoyant une couche de guidage inter- médiaire 5, placée entre la couche de guidage 1 et le substrat 2. Il s'agit d'une couche, réalisée par exemple par épitaxie, présentant un indice légèrement plus faible qui servira de nouveau substrat. L'écart d'indice de réfraction entre cette couche 5 et la couche de guidage 1 est faible (-- 5.10) car on souhaite un guide monomode d'épaisseur compatible avec le diamètre du coeur des fibres monomodes. Cette couche est obtenue en modifiant légère- ment le dopage en gallium. Dans ce cas. ANsT est beaucoup plus faible. Ainsi. considérons l'exemple représenté sur la figure 4. Les indices à X = 1.15 im et X = 1.52 lim vérifient: X (ilm) 1,15 1.52 Ga Gd YIG i 2,157 2,160 0.8 GaO Gd YIG 2,148 2.151 Le guide (Ga 8Gd YIG) est monomode et ANST satisfait: X (l.m) 1,15 1,52 _51 -5 ANST 8,3 10-51 15 10-5 Ces valeurs sont considérablement plus faibles que pour le guide plan monocouche. La mesure de ANTE (T) sur ce type de composition donne une première approximation une droite de pente: a = - 0,25 10 3/oC. On en déduit l'écart de température que l'on doit appliquer au grenat pour avoir une conversion totale. (Uiim) 1.15 1,52 A T ( C) 33,2 60 L'invention prévoit donc, comme représenté en figure 5, un dispositif de chauffage 3 associé à un guide tel que celui qui vient d'être décrit. Le chauffage est effectué à l'aide d'un dispositif à effet Peltier régulé. Les températures nécessaires à l'adaptation de phase sont compatibles avec les dispositifs électroniques (en effet, il est en général souhaitable, si l'on doit réguler la température, de travailler à une température supérieure à la température ambiante). Par ailleurs, on peut changer ce point de fonctionnement en ajoutant une biréfringence d'épitaxie (légère modification de la composition). Le calcul qui vient d'être fait suppose ANEp = 0, ce qui est pratiquement le cas pour Ga0,8 Gd YIG. Un calcul plus rigoureux montre qu'il existe une légère désadaptation de maille: La = af as = 8.10 A qui conduit à ANEp 28 -5 s EP=+ 2.81l-5 Une telle structure a été expérimentée. Les mesures de AN à température ambiante ont montré qu'il existe une biréfringence résiduelle, vraisemblablement de croissance, AN'R = 4.10. A CR température ambiante AN = 16,5 10, et une conversion totale (99,4%6 mesuré) soit AN= 0 a été obtenue pour un échauffement AT = C, valeur en très bon accord avec les résultats qui précédent. Pour changer la température de fonctionnement, il faudrait modifier légèrement la composition de la couche de guidage 1, mais également celle de la couche intermédiaire 5, de manière à ce que la lumière se propage toujours dans la couche guidage 1. Ainsi, pour diminuer la température de fonctionnement, on compensera ANST par ANEP en augmentant la substitution en gallium. Avec une structure GalO Gd YIG / Gal,1 Gd YIG/GGG, en supposant qu'il n'y ait aucune biréfringence de croissance, l'élévation de température ne serait plus que de AT = 3,5 C. La température permet d'annuler AN et d'obtenir un taux d'isolation I élevé, mais en contrepartie, toute variation de T s'accompagnera d'une dégradation des performances du dispositif. Le tableau suivant donne les écarts maximum de température à respecter afin de conserver un taux d'isolation donné I dB AT ( C) 0,34 30 1,08 3,48 11,60 L'invention est applicable à un guide bidimensionnel. La section d'un tel guide est représentée sur la figure 6. Ces guides sont obtenus par usinage partiel de la couche supérieure. Comparé au guide plan double couche, l'usinage du guide 2D a pour effet de rapprocher les courbes de dispersion des modes propres du guide et donc de diminuer ANST. Cela aura pour effet de diminuer AT et donc d'abaisser la température de fonctionnement. Pour stabiliser la température de fonctionnement de façon efficace, l'invention prévoit d'associer au guide un dispositif à effet Peltier. Comme cela est représenté sur la figure 6, un dispositif à effet Peltier 3 est placé sous le substrat 1 du guide. Ces dispositifs à effet Peltier sont maintenant compacts et simples de mise en oeuvre et utilisés dans de nombreuses appli- cations (par exemple pour stabiliser les lasers à semiconducteurs). Selon l'invention. on prévoit également dans une réalisation, telle que représentée en figure 7, dans laquelle un guide d'onde isolateur est placé à proximité d'un laser à semiconducteurs 8 pour conduire la lumière qu'il émet, de réaliser le laser 7 et le guide d'onde isolateur 1 sur un même substrat 2. De plus, le guide d'onde est réalisé comme cela est décrit précédemment pour que sa température de fonctionnement soit sensiblement la même que celle du laser. On prévoit alors pour le laser et le guide d'onde un même dispositif à effet Peltier. Un polariseur 4 est placé au-dessus de la sortie 11 du guide d'onde isolateur 1. Le plan de la partie émettrice du laser fait un angle de 45 degrés avec le plan guide d'onde isolateur 1 de façon à fonctionner comme cela est décrit précé- demment. Il est bien évident que la description qui précède n'a été faite qu'à titre d'exemple non limitatif et que d'autres variantes peuvent être envisagées sans sortir du cadre de l'invention. Les exemples numériques. notamment, les exemples de compositions et la position du dispositif de chauffage 3 par rapport au guide n'ont été fournis que pour illustrer la description. Il REVENDICATIONS 1. Guide d'onde isolateur monomode intégré comprenant une couche de guidage (1) implantée sur un substrat (2), d'indice de réfraction supérieur à celui du substrat, possédant une entrée et une sortie, un dispositif de polarisation (4) placé à une extrémité (11) de la couche de guidage (1) et orienté de manière à éliminer un mode de polarisation d'un faisceau entrant après retour dans le guide d'onde à partir de la sortie, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un moyen de chauffage (3) associé à la couche de guidage. 2. Guide d'onde isolateur monomode intégré selon la reven- dication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une couche inter- médiaire de guidage (5) située entre la couche de guidage (1) et le substrat (2) et d'indice de guidage très légèrement inférieur à celui de la couche de guidage, de façon à assurer un guidage monomode et d'épaisseur compatible avec le diamètre d'un coeur de fibre mono- mode pouvant lui être couplée. 3. Guide d'onde isolateur selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte un moyen de chauffage (3) associé à la couche de guidage. 4. Guide d'onde isolateur selon l'une des revendications I ou 3. caractérisé en ce que le moyen de chauffage (3) est un dispositif à effet Peltier. 5. Guide d'onde isolateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche de guidage (1) et la couche intermédiaire (5) sont réalisées en grenat d'Yttrium et de fer dopé en gallium, le dopage de la couche de guidage (1) étant légèrement plus faible que celui de la couche intermédiaire (5). 6. Laser à semiconducteur et isolateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, ledit laser (8) et ledit guide isola- teur (1) étant associés et réalisés sur un même substrat, caractérisé en ce qu'ils comportent une source de chauffage commun. 7. Laser à semiconducteur et isolateur associés selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dispositif de chauffage (3) est un dispositif à effet Peltier couplé thermique au substrat (2). des revendications précédentes, ledit laser (8) et ledit guide isola- teur (1) étant associés et réalisés sur un même substrat, caractérisé en ce qu'ils comportent une source de chauffage commun. 7. Laser à semiconducteur et isolateur associés selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dispositif de chauffage (3) est un dispositif à effet Peltier couplé thermique au substrat (2).