FR 2621738 A1 19890414 FR 8714155 A 19871008 262 1738 STRUCTURE DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE METALLIQUE ISOLEE ET PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne les circuits intégrés, etplus particulièrement les circuits qui comportent des transistors à effet de champ à grille isolée. Ces circuits sont généralement réalisés selon une tech- nologie dite "technologie MOS", (Métal-Oxyde-Semiconducteur), dans laquelle l'isolant de grille du transistor à grille isolée est constitué par une couche mince d'oxyde de silicium. Les technologies "MOS" peuvent se diviser en tech- nologies "NMOS", dans lesquelles les transistors ont une source, un drain, et un canal de type N, en technologies "PMOS", dans lesquelles les transistors ont une source, un drain, et un canal de type P, et enfin en technologies "CMOS", dans lesquelles on rencontre sur le même substrat de circuit intégré des transistors des deux types. La présente invention présente un intérêt tout par- ticulier dans le cas des technologies CMOS mais elle est appli- cable aussi aux autres technologies. La figure 1 représente en coupe la structure habituelle d'un couple de transistors de types opposés réalisés en tech- nologie CMOS. Les transistors sont désignés par T1 (transistor à canal N) et T2 (transistor à canal P). Chaque transistor est réalisé dans une zone active respective isolée des zones actives voisines par de l'oxyde de silicium épais désigné par la référence 10. Le transistor T1 est formé directement dans un substrat semi- conducteur 12 de type P, tandis que le transistor T2 est formé à l'intérieur d'un caisson 14 de type N diffusé à partir de la sur- face du substrat 12. 262 1738 Le transistor T1 comporte une région de source 16 de type N+ diffusée dans le substrat 12, une région de drain 18 également de type N+ diffusée dans le substrat et séparée de la région de source, et, entre les régions de drain et de source, une région de canal 20. La région de canal est recouverte par une couche isolante mince 22 qui est en pratique réalisée par de l'oxyde de silicium; cette couche isolante est elle-même recouverte par une grille de commande 24. Enfin, les régions de source et de drain sont le plus souvent raccordées à des conduc- teurs métalliques déposés 26 qui servent à réaliser les intercon- nexions nécessaires entre les divers éléments du circuit intégré. De la même façon, le transistor T2 comporte une région de source 28 et une région de drain 30, toutes deux de type P, diffusées dans le caisson 14, et, entre elles, une région de canal 32. La région de canal est recouverte d'une couche isolante mince 34 (oxyde de silicium) elle-même recouverte d'une grille de com- mande 36. Les régions de source et de drain sont également en principe raccordées à des conducteurs métalliques d'interconnexion désignés par la référence 26. L'invention concerne plus spécialement la constitution des grilles de commande 24 et 36. Dans les technologies les plus courantes que l'on uti- lise aujourd'hui, les grilles de commande sont réalisées par une couche de silicium polycristallin fortement dopée de type N, déposée sur la couche mince d'oxyde isolant (22, 34 sur la figure 1). Le silicium polycristallin présente beaucoup d'avantages pour la réalisation des grilles et on maltrise bien aujourd'hui les techniques de dépôt et de gravure de ce matériau. Parmi les avantages qui sont essentiels pour la réalisation d'un circuit intégré, il y a le fait que ce matériau est bien compatible méca- niquement et chimiquement avec l'oxyde de silicium sur lequel il repose. Par ailleurs il résiste bien aux traitements à température 262 1738 élevée que subit le circuit intégré après le dépôt du silicium po- lycristallin (notamment au cours de la diffusion des régions de source et de drain). D'autre part, il peut servir de masque lors de l'implantation d'impuretés destinées à la formation des régions de source et de drain, ce qui permet de réaliser des transistors dont les régions de source et de drain sont automatiquement ali- gnées avec la grille de commande. Ces caractéristiques sont essentielles pour la réalisa- tion de circuits intégrés de bonnes performances et tout matériau de grille devrait les posséder. Malheureusement le silicium polycristallin présente deux types d'inconvénients. Le premier inconvénient est lié à sa conductivité électrique qui n'est pas très élevée: si la grille présente une certaine longueur, elle aura une résistance non négligeable qui nuit notamment à la rapidité de fonctionnement du circuit; en effet, la grille du transistor présente une capacité importante du fait que, pour le bon fonctionnement du transistor, elle n'est isolée du substrat que par la couche isolante très mince; la com- binaison de cette résistance et de cete capacité entraIne l'apparition de constantes de temps non négligeables ralentissant le fonctionnement du circuit. Ceci est d'autant plus sensible que le matériau de grille sert aussi à réaliser localement des inter- connexions entre cette grille et d'autres éléments de circuit. Ces interconnexions ne font qu'augmenter les résistances présentes dans le circuit. Pour augmenter la conductivité du matériau de grille, on dope fortement le silicium avec des impuretés de type N, mais l'amélioration n'est que partielle. On a aussi proposé de recouvrir le silicium polycris- tallin d'une couche de siliciure métallique (siliciure de tungstè- ne, de titane, de platine, etc.); l'amélioration est très sensi- ble mais, là encore, elle n'est que partielle. De plus, certains 262 1738 siliciures tels que le siliciure de tungstène ne sont pas inertes vis-àvis de l'oxyde de silicium sous la grille. Or, l'inertie physico-chimique du matériau de grille vis-à-vis de l'isolant de grille d'un transistor à effet de champ est essentielle pour le bon fonctionnement de ce dernier. On a également proposé d'utiliser comme matériau de grille des métaux purs tels que du tungstène dont la conductivité est très bonne, mais ce métal s'adapte mal à un dépôt sur de l'oxyde de silicium; des tentatives ont d'ailleurs été faites pour améliorer son adhérence en bombardant l'oxyde de silicium avant le dépôt du tungstène pour crier des défauts facilitant l'accrochage. Mais cela détériore de manière inacceptable l'oxyde de grille. Un deuxième inconvénient apparalt par ailleurs lorsqu'on réalise une grille de commande de transistor: c'est le problème de la tension de seuil que présente le transistor, c'est-à-dire la tension minimale nécessaire entre grille et source pour que le transistor devienne conducteur. Cette tension dépend entre autres choses du matériau utilisé pour la grille de commande, et plus précisément de la nature du matériau qui est en contact avec l'oxyde isolant situé sous la grille. Dans les technologies CMOS courantes avec un oxyde de grille de 250 angstrî5ms d'épaisseur environ, la tension de seuil naturelle des transistors à canal N serait très voisine de zéro volt pour les transistors à canal N à grille de silicium poly- cristallin fortement dopé de type N+ et elle serait d'environ -1,2 volt pour les transistors à canal P ayant le même matériau de grille (ces valeurs sont données à titre indicatif car elles dépendent de beaucoup de paramètres, mais c'est celles que l'on rencontre fréquemment). Il serait souhaible pourtant que la tension de seuil des transistors à canal N soit légèrement positive pour que ces tran- sistors ne soient pas conducteurs en présence d'une tension nulle sur leur grille (sauf cas particuliers o l'on réalise volon- tairement des transistors déplétés dont la tension de seuil est même rendue négative). Pour parvenir à ce résultat, on adopte le plus souvent la solution consistant à surdoper légèrement avec une impureté de type P la région de canal des transistors à canal N. Si ce sur- dopage est effectué sur toute la surface du substrat semiconduc- teur, c'est-à-dire aussi bien sur les transistors à canal N que sur les transistors à canal P (ce qui évite une opération de masquage), on peut aboutir à un compromis acceptable dans lequel les transistors à canal N ont une tension de seuil positive de + 0,8 volt et les transistors à canal P ont une tension de seuil de - 0,8 volt. Dans ces conditions, pour une tension grille-source nulle, ces transistors ne conduisent pas de courant. Cependant, on constate que l'implantation d'une impureté (de type P) dans la région de canal des transistors à canal P entraIne l'apparition d'un courant de fuite entre drain et source, courant de fuite qui était négligeable en l'absence de cette implantation mais qui peut devenir inacceptable en présence de cette implantation, no- tamment lorsque le canal est très court ( et on cherche à réduire toujours plus les dimensions des transistors pour miniaturiser les circuits) et si la tension entre drain et source est importante (par exemple 5 volts, ce qui est très classique dans les circuits de technologie CMOS). Pour résoudre ce problème, on pourrait réaliser la grille en silicium polycristallin dopé de type P; mais alors on reporte sur les transistors à canal N le problème qui vient d'être mentionné pour les transistors à canal P, car il devient néces- saire de contre-doper le canal des transistors à canal N, c'est- à-dire qu'il devient nécessaire d'implanter une impureté de type N dans ce canal, ce qui augmente le courant de fuite à tension grille-source nulle. Bien entendu on comprendra qu'il est souhaitable d'uti- liser le même matétiau de grille pour les transistors à canal P et les transistors à canal N réalisés sur un même substrat (techno- logie CMOS), faute de quoi on augmenterait fâcheusement le nombre d'étapes nécessaires à la réalisation de circuits intégrés dans cette technologie. La présente invention a pour but de résoudre au mieux le problème de la conductivité des grilles de commande ainsi que le problème des tensions de seuil des transistors en technologie CMOS et des courants de fuite engendrés par les opérations d'ajustement de seuil, ceci tout en conservant l'ensemble des caractéristiques qui faisaient l'intérêt pratique des grilles à base de silicium polycristallin et de siciliures métalliques, et notamment: la facilité de dépôt et de gravure, la compatibilité mécanique, physi- que et chimique avec l'oxyde de silicium, le caractère réfractaire pour les traitements à haute température, la possibilité de servir de masque lors de l'implantation de source et de drain. Pour y parvenir, la présente invention propose d'utiliser comme matériau de grille une couche de tungstène superposée à une couche de chrome. Cette superposition résout de manière très satisfaisante non seulement le problème de l'amélioration de la conductivité de la grille prise en tant qu'élément de connexion électrique mais surtout l'ensemble des problèmes spécifiques aux grilles prises en tant qu'électrodes de commande de transistors à effet de champ, problèmes dont on a exposé ci-dessus la complexité. De préférence, la couche de chrome est beaucoup plus mince que la couche de tungstène. Par exemple, la couche de chrome peut avoir une épaisseur de quelques centaines d'angstrëms au plus tandis que la couche de tungstène peut avoir une épaisseur de plusieurs milliers d'angstrdms. Des valeurs typiques seraient par exemple de 300 angstrUms et 4000 angstrbms, respectivement, pour la couche de chrome et la couche de tungstène. Bien entendu, pour une structure en technologie CMOS, les grilles des transistors à canal N comme les grilles de transistors à canal P seraient réalisées au moyen de cette superposition. La réalisation se ferait par la succession d'opérations suivantes: - dépôt d'une couche de chrome sur la structure sur laquelle a été formé au préalable l'isolant de grille, le dépôt se faisant par exemple par pulvérisation; - dépôt d'une couche de tungstène immédiatement après, de préférence aussi par pulvérisation et si possible dans le même bâti de pulvérisation que celui qui a servi pour le chrome, la structure de circuit intégré n'étant pas mise à l'air libre entre les deux dépôts pour éviter toute oxydation de la couche de chrome; - masquage photolithographique et gravure du tungstène, en principe dans une machine à gravure ionique réactive, en présence d'un plasma n'attaquant pas le chrome par exemple un plasma fluoré tel qu'un plasma d'hexafluorure de soufre SF6); - gravure du chrome (sans nécessité d'un masquage photo- lithographique) là o il n'est plus recouvert par le tungstène, le motif de tungstène qui subsiste servant alors de masque de gravure protégeant le chrome présent sous ce motif. Les étapes suivantes de la fabrication peuvent être les étapes classiques utilisées pour les circuits à grille en silicium polycristallin, et notamment l'étape d'implantation ionique, masquée par le motif de tungstène/chrome, d'impuretés servant à la formation de régions de source et de drain autoalignées par rap- port à la grille. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaltront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels: - la figure 1, déjà décrite, représente simplement la structure classique d'un couple de transistors de types opposes formes sur un même substrat semiconducteur; - les figures 2 à 6 représentent la structure de circuit intégré selon l'invention à différents stades de sa fabrication; - les figures 7 à 9 représentent une variante du procédé selon l'invention; et la figure 10 représente une résistance fabricable lors de la mise en oeuvre de la variante illustrée en figures 7 à 9. On notera que les diverses figures, conformément à l'usage dans la représentation des circuits intégrés, ne sont pas tracées à l'échelle, ni à l'intérieur d'une figure, ni d'une figu- re à l'autre. En effet, les diverses dimensions ont été arbitrai- rement dilatées et retrécies pour faciliter la lisibilité et simplifier la représentation. On va décrire un procédé pratique de réalisation de transistors à effet de champ selon l'invention, à partir d'un exemple en technologie CMOS. On part d'un substrat semiconducteur 40 qui peut être par exemple un substrat de silicium ou une couche de silicium déposée sur un substrat isolant. Dans l'exemple choisi, le subs- trat est de type P. On implante des impuretés de type N aux endroits o devront être formes des transistors à canal P; cette implantation et les diffusions thermiques ultérieures aboutissent à la for- mation de caissons 42 de type N dans le substrat 40. Puis, on délimite classiquement des zones actives séparées par de l'oxyde de silicium épais 44. Sur la figure 2, on a représenté la structure de circuit intégré à ce stade de la fabrication, avec une première zone acti- ve désignée par T1 pour contenir un transistor à canal N, et une deuxième zone active désignée par T2 pour contenir un transistor à canal P; la deuxième zone T2 est située à l'intérieur d'un cais- son 42 de type N. On fait croltre par oxydation thermique une couche mince 46 d'oxyde de silicium (épaisseur de 250 angstrëms par exemple); cette couche recouvre uniformément les zones actives, aussi bien à la surface des caissons 42 qu'en dehors des caissons. On dépose uniformément une couche mince de chrome 48, par exemple de 300 angstrëms d'épaisseur, sur toute la surface de la structure. Ce dép8t est suivi d'un dépôt uniforme, également sur toute la surface du substrat, d'une couche de tungstène 50, dont l'épaisseur est par exemple de 4000 angstrdms environ. La figure 3 représente la structure de circuit-intégré à ce stade de la fabrication. Le dép8t est effectué par exemple dans un bâti de pulvé- risation cathodique à deux cibles, l'une de chrome et l'autre de tungstène, la première cible étant utilisée dans un premier temps et la deuxième dans un deuxième temps; la structure n'est pas sortie du bâti entre les deux phases de pulvérisation si on désire minimiser les risques d'oxydation de la surface supérieure de la couche de chrome déposée pendant la première phase. On effectue alors une photogravure de la double couche tungstène/chrome pour définir le motif de grilles et d'inter- connexions à réaliser à l'aide de cette double couche. Pour cela on dépose classiquement une résine photosensible que l'on isole à travers un masque correspondant au motif désiré et que l'on déve- loppe pour laisser subsister la résine seulement aux endroits o l'on désire conserver la double couche de tungstène/chrome. On élimine le tungstène là o il n'est pas protégé par la résine; cette opération est effectuée par exemple dans une machine de gravure ionique réactive en présence d'un plasma fluoré (SF6 notamment). Le chrome n'est pas attaqué par cette opération de sorte qu'on détermine facilement le moment o la gravure de tungstène est terminée. On élimine alors le chrome là o il a été dénudé, dans un bain chimique n'attaquant pas le tungstène ni l'oxyde de sili- cium de la couche mince 46, par exemple du sulfate de cérium. Il subsiste alors des flots de matériau conducteur en double couche correspondant d'une part aux grilles des transistors à réaliser et d'autre part à certaines interconnexions conductri- ces (soit pour connecter les grilles à d'autres éléments de cir- cuit, soit pour connecter d'autres éléments de circuit entre eux). La figure 4 représente la structure de circuit intégré à ce stade de la fabrication; on n'a représenté que deux Ilots G1 et G2 correspondant respectivement à la grille du transistor T1 et à la grille du transistor T2. On procède alors à l'implantation d'impuretés pour for- mer les régions de source et de drain autoalignées par rapport aux grilles des transistors. Dans une première phase, on peut masquer les transistors à canal P par une résine et implanter une impureté de type N pour former les régions de source 52 et de drain 54 des transistors à canal N; dans une deuxième phase, après avoir enlevé la résine, on masque par une nouvelle couche de résine les transistors à canal N et on implante une impureté de type P pour former les régions de source 56 et de drain 58 des transistors à canal P. Pendant ces étapes d'implantation, les grilles de tungstène/chrome constituent un excellent masque de sorte que les régions de source et de drain peuvent être auto-alignées par rap- port aux bords des grilles. Par un recuit thermique on fait diffuser les régions im- plantées à l'intérieur du substrat 40 et du caisson 42. Les gril- les se comportent très bien pendant ce recuit car les matériaux utilisés supportent les hautes températures habituellement attein- tes lors des diffusions d'impuretés. La figure 5 représente le circuit intégré à ce stade de la fabrication après enlèvement de l'autre couche de résine. Le reste du procédé de fabrication est classique et ne sera pas décrit en détail; il peut comprendre le dép8t d'une couche d'oxyde de silicium 60 et la gravure de cette couche pour former des ouvertures de contact d'accès aux régions de source et de drain et éventuellement des ouvertures de contact d'accès à certains Ilots de la double couche de tungstène/chrome. Puis on dépose et on grave une couche conductrice d'interconnexion 62 qui peut être de l'aluminium mais qui peut être aussi une couche à base d'autres matériaux, y compris si on le désire une double couche tungstène/chrome similaire à celle utilisée pour les grilles. La figure 6 représente la structure de circuit intégré à ce stade de la fabrication. Enfin, on dépose une couche isolante de protection sur l'ensemble de la structure (couche de passivation non représentée) et il ne reste plus qu'à ouvrir dans cette couche des ouvertures correspondant aux plots de soudure de fils de connexion. Les grilles de transistors à effet de champ ainsi réalisées sont très bien compatibles, du point de vue mécanique et aussi du point de vue de réactions physico-chimiques, avec l'oxyde de silicium sous-jacent. Leur conductivité est excellente: la résistivité de couche, évaluée en ohms par carré est environ dix fois plus faible que celle du couple siliciure de tungstène/silicium polycristallin (pour des épaisseurs équivalentes). On peut facilement envisager d'augmenter le nombre d'interconnexions réalisées par la couche servant à la réalisation des grilles: auparavant, certaines interconnexions ne pouvaient pas être réalisées à ce niveau à cau- se de la conductivité trop faible des matériaux utilisés. Enfin, les propriétés physiques du chrome, et notamment son "potentiel d'extraction d'électrons vers le vide" qui est de 4,8 électron-volts, sont telles qu'on peut obtenir une tension de seuil des transistors à canal N d'environ + 0,45 volt et une ten- sion de seuil des transistors à canal P d'environ - 0,75 volt, ceci sans opération de dopage du canal, et surtout sans opération de dopage qui introduirait dans le canal une impureté du même type que la source et le drain (contre-dopage). On a décrit ci-dessus un exemple simplifié de réalisa- tion complète d'un circuit intégré avec des grilles selon l'inven- tion, mais on comprendra que des procédés plus complexes puissent être utilisés sans sortir du cadre de l'invention; par exemple, il est classique de prévoir que les régions de source et de drain des transistors comprennent à la fois une partie profonde et très fortement dopée éloignée des bords de la grille et une partie peu profonde et moins dopée immédiatement adjacente aux bords de la grille. Pour obtenir une telle allure de diffusion de source et de drain, en partant de la structure de la figure 3, on attaque comme cela a été indiqué ci-dessus la couche de tungstène 50. Mais, au lieu de procéder immédiatement après à une attaque correspondante de la couche de chrome 48, on procède à une implantation ionique à travers cette couche de chrome très mince d'un dopant à une concentration moyenne, par exemple 1013 atomes par cm3. Une telle implantation peut être réalisée de façon classique en raison de la très faible épaisseur de la couche de chrome 48 qui est par exemple d'une épaisseur de l'ordre de 300 A comme cela a été indiqué précédemment. En outre, le plot de tungstène 50 constitue une excellente barrière à l'encontre de l'implantation. On obtient ainsi la structure illustrée en figure 7 dans laquelle on peut voir les couches implantées peu profondes et moyennement dopées 70. Ensuite, comme le représente la figure 8, on réalise des espaceurs en oxyde de silicium 72 par des techniques classiques de dép8t de SiO2 et de contre-gravure. En utilisant la couche de tungstène restante 50 et les espaceurs 72 comme masques, on élimine alors la couche de chrome 48 et éventuellement la couche mince d'oxyde de silicium 46. On procède alors à une implantation plus profonde dans les zones o seront formés les contacts de source et de drain pour fournir la structure finalement illustrée en figure 9 comprenant les zones d'implantation plus profondes 74 et les zones moins profondes et moins dopées 70. 2621 738 On notera que le procédé illustré en figures 7 à 9 res- semble à des procédés similaires réalisés dans le cas de grilles polycristallines. Toutefois, par rapport à ces procédés classi- ques, le procédé selon l'invention présente des avantages nota- bles. Un premier avantage est que, dans le cas d'une grille en silicium polycristallin, on était amené, pour avoir une structure similaire à celle de la figure 7, à former des plots de silicium polycristallin épais en laissant en place une couche mince de silicium polycristallin. Une telle étape est complexe technologi- quement en fabrication industrielle car la durée d'attaque doit être minutée avec précision et varie avec divers paramètres technologiques. Par contre, selon la présente invention, l'attaque du tungstène s'arrête automatiquement quand on arrive sur la cou- che de chrome. D'autre part, les procédés utilisant des grilles de si- licium polycristallin nécessitaient pour l'étape susmentionnée de gravure partielle de silicium polycristallin de prévoir des mas- ques de nitrure à l'emplacement de la grille o l'on veut mainte- nir en place le silicium polycristallin épais et ceci constitue toujours une étape technologique complexe. Un troisième avantage du procédé de la présente inven- tion réside dans le fait que ce procédé permet de former simulta- nément des résistances de forte valeur en d'autres emplacements du circuit intégré comme ceci est illustré en figure 10. A la figure 10, on a représenté, par exemple au dessus d'une zone d'oxyde épais 44, la couche mince de chrome 48 revêtue de la couche de tungstène 50. Lors de l'étape de gravure sélective du tungstène, correspondant à l'étape de la figure 7, on a laissé en place des plots ou bandes de tungstène 80 gravés pour laisser en place entre eux une bande de chrome 82 de dimensions choisies. Etant donné la forte résistivité du chrome liée à sa faible épais- seur (de l'ordre de 300 A) on peut ainsi réaliser avec précision des résistances de valeurs élevées. On notera que cette forte ré- sistivité du chrome qui constitue un avantage pour cette fabrica- tion d'une résistance ne constitue pas un inconvénient au niveau des grilles puisque, dans ce cas là, la couche de chrome très min- ce est utilisée dans le sens transverse et n'est pas parcourue par un courant notable. REVENDICATIONS 1. Struture de circuit intégré comportant des tran- sistors à effet de champ à grille isolée, caractérisée en ce que la grille (G1, G2) de ces transistors est constituée d'une couche de tungstène (50) superposée à une couche de chrome (48). 2. Structure de circuit intégré selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comporte des transistors à canal P (T2) et des transistors à canal N (T1) sur un même substrat, ces deux types de transistors ayant des grilles constituées d'une cou- che de tungstène superposée à une couche de chrome. 3. Structure de circuit intégré selon l'une des reven- dications 1 et 2, caractérisée en ce que la couche de chrome (48) est beaucoup plus mince que la couche de tungstène (50). 4. Structure de circuit intégré selon la revendication 3, caractérisée en ce que la couche de chrome (48) a une épaisseur de quelques centaines d'angstrfms au plus et la couche de tungstè- ne (50) une épaisseur d'environ quelques milliers d'angstrbms. 5. Procédé de réalisation d'une structure de circuit intégré comportant des transistors à effet de champ à grille iso- 16e, caractéris6 en ce que l'on effectue la succession d'opéra- tions suivantes pour la réalisation -des grilles (G1, G2) de ces transistors: a) dépôt d'une couche de chrome (48) sur la structure sur laquelle a 6t6 préalablement form6 un isolant de grille (46), b) dép8t d'une couche de tungstène (50) immédiatement après, c) masquage photolithographique et gravure du tungstène selon un motif correspondant aux grilles de transistors à effet de champ à réaliser et à certaines interconnexions, et d) élimination du chrome là o il n'est plus recouvert de tungstène par suite de l'opération précédente. 262 1738 6. Procédé de réalisation d'une structure de circuit intégré selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il com- prend, entre les étapes c) et d), les étapes suivantes: - implanter un premier dopant (70), - former latéralement des espaceurs (72), par exemple en oxyde de silicium. 7. Procédé de réalisation d'une structure de circuit in- tégré selon l'une des revendications 5 ou 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes consistant à prévoir, en dehors des zones de transistors à effet de champ à grille isolée, des bandes dans lesquelles le tungstène est gravé localement et le chrome laissé en place pour former des résistances (82).