FR 2618013 A1 19890113 FR 8809082 A 19880705 L'invention concerne un procédé pour transférer des lignes de Bloch présentes dans la paroi magnétique d'une section magnétique formée dans un film mince magnétique le long de la paroi magnétique. De nos jours, divers dispositifs à mémoire tels que des bandes magnétiques, des disques Winchester, des disques souples, des disques optiques, des disques magnéto-optiques et des mémoires à bulles magnétiques sont utilisés en tant que mémoires, telles que des mémoires extérieures pour ordinateurs, des mémoires pour fichiers électroniques et des mémoires pour fichiers photogra- phiques. Parmi ces dispositifs à mémoire, les mémoires autres que les mémoires à bulles magnétiques nécessitent de déplacer la tête d'enregistrement-reproduction par rapport à la mémoire pendant l'enregistrement et la reproduction d'une information. Autrement dit, avec ce mouvement relatif de la tête, des rangées d'informations sont enregistrées fixement sur des pistes d'informations par la tête, ou bien les rangées d'informations enregistrées fixement sur les pistes d'informations sont reproduites par la tête. Cependant, étant donné qu'au cours des dernières années il a été de plus en plus demandé d'aug- menter le degré de densité d'enregistrement, divers problèmes sont apparus, à savoir que la commande du suivi ou du centrage pour amener la tête à suivre avec précision les pistes d'informations est devenue compliquée, la qualité des signaux enregistrés et reproduits s'est détériorée du fait de l'insuffisance de cette commande, la qualité des signaux enregistrés et reproduits s'est détériorée sous l'effet des vibrations du mécanisme déplaçant la tête ou de la poussière ou autre, adhérant à la surface de la mémoire et, en outre, dans le cas d'une mémoire dans laquelle l'enregistrement et la reproduction sont effectués alors que la tête est en contact avec une bande magnétique ou analogue, une abrasion a été provoquée par le glissement et, dans le cas d'une mémoire telle qu'un disque optique, dans laquelle l'enregistrement et la reproduction sont effectués alors que la tête n'est pas en contact avec le disque, une commande de focalisation hautement précise est devenue nécessaire, et la qualité des signaux enregistrés et reproduits s'est détériorée du fait de l'insuffisance de cette commande. Par ailleurs, la mémoire à bulles magnétiques, telle que décrite dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n 801 401, peut effectuer l'enregistrement d'une information dans une position prédéterminée et transférer l'information enregistrée, et peut reproduire l'information en une position prédéterminée tout en trans- férant l'information, et elle n'exige donc pas le mouvement relatif de la tête pendant l'enregistrement et la reproduc- tion. Les problèmes tels qu'indiqués ci-dessus ne se posent donc pas, même lorsque l'on effectue l'enregistrement à un degré de densité plus élevé, et on peut parvenir à une fiabilité élevée. Cependant, la mémoire.à bulles magnétiques utilise, comme bits d'informations, des sections magné- tiques circulaires (bulles) engendrées par l'application d'un champ magnétique à un film mince magnétique tel qu'un film de grenat magnétique ayant un axe naturel magnétisable dans une direction perpendiculaire à la surface du film et, par conséquent, même si l'on utilise une bulle minimale (diamètre de 0,3 pm) limitée par les caractéristiques de la matière du film de grenat actuel, la limite de la densité d'enregistrement est de plusieurs dizaines de M bits/cm2 et il est difficile de parvenir à un degré plus élevé de densité d'enregistrement. Aussi, récemment, on a pris en considération une mémoire à lignes de Bloch, en tant que mémoire ayant une densité d'enregistrement dépassant la limite de la densité d'enregistrement de la mémoire à bulles magnétiques décrite précédemment. Cette mémoire à lignes de Bloch, telle que décrite dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 583 200, utilise, en tant que bits d'informations, deux structures de parois magnétiques en lames (lignes de Bloch) interposées entre des structures de parois magné- tiques de Bloch existant autour d'une section magnétique engendrée dans un film mince magnétique, et elle permet donc d'élever d'un facteur d'environ 100 la densité d'enregistrement en comparaison avec la mémoire à bulles magnétiques décrite précédemment. Par exemple, lorsque l'on utilise un film de grenat d'un diamètre de bulles de 0,5 Hm, on peut atteindre une densité d'enregistrement de 1,6 G bits/cm2. La figure 1 des dessins annexés et décrits ci- après montre une vue schématique en perspective d'un exemple de la structure de la matière magnétique cons- tituant une mémoire à lignes de Bloch. Sur la figure 1, la référence numérique 2 désigne un substrat formé d'un grenat non magnétique tel que GGG ou NdGG, et un film mince 4 de grenat magnétique - est appliqué sur le substrat 2. Le film 4 peut être formé, par exemple par un procédé de croissance épitaxiale en phase liquide (procédé LPE), et son épaisseur est de l'ordre de 5 pm. La référence numérique 6 désigne une section magnétique analogue à une bande formée dans le film mince 4 de grenat magnétique, et une paroi magnétique 8 est formée en tant que limite avec l'autre zone de la section magnétique 6. La largeur de la section magnétique 6 analogue à une bande est, par exemple, de l'ordre de 5 pm, et sa longueur est, par exemple, de l'ordre de 100 pm. L'épaisseur de la paroi magnétique 8 est de l'ordre de 0,5 pm, par exemple. Comme indiqué par des flèches, le sens de magnétisation de la section magnétique 6 est orienté vers le haut tandis que, par contre, le sens de magnétisation à l'extérieur de la section magnétique 6 est orienté vers le bas. Le sens de magnétisation dans la paroi magnétique 8 tourne comme s'il passait progressivement du côté de la surface intérieure (c'est-à-dire la surface adjacente à la section magnétique 6) vers le côté de la surface extérieure. Cette rotation est de sens contraire sur les -côtés opposés de la paroi magnétique 8, des lignes de Bloch étant présentes verticalement dans la paroi magnétique 8 en tant que limite. Sur la figure 1, le sens de magnétisation de la partie centrale dans la direction de l'épaisseur de la paroi magnétique 8 est indiqué par des flèches, et le sens de magnétisation dans les lignes de Bloch 10 est indiqué de la même manière. Un champ magnétique HB de polarisation orienté vers le bas est appliqué depuis l'extérieur à la structure de la matière magnétique telle que décrite ci-dessus. Comme représenté, il y a deux types de lignes de Bloch 10 qui diffèrent par le sens de magnétisation et la présence et l'absence de la paire de lignes de Bloch sont établies de façon à correspondre respectivement à une information "1" et à une information "0". La paire de lignes de Bloch existe dans des puits de potentiel formés à une certaine période le long de la paroi magnétique 8. De plus, les paires de lignes de Bloch sont transférées successivement vers le puits de potentiel adjacent par l'application d'un champ magnétique pulsé perpendiculaire à la surface du substrat. Par conséquent, l'enregistrement d'une information dans la mémoire à lignes de Bloch (écriture de la paire de lignes de Bloch dans la paroi magnétique 8) et la reproduction de l'information en- registrée dans la mémoire à lignes de Bloch (lecture de la paire de lignes de Bloch dans la paroi magnétique 8) peuvent être réalisés dans des positions prédéterminées respectives, tandis que la paire de lignes de Bloch est transférée dans la paroi magnétique 8. L'enregistrement et la reproduction de ladite information peuvent être effectués par l'application à la partie extrême de la section magnétique 6 analogue à une bande d'un champ magnétique pulsé d'une intensité prédéterminée, perpen- diculaire à la surface du substrat et, bien que cela ne soit pas représenté, des structures conductrices, destinées à l'application d'impulsions, sont formées, en tant que moyens d'application du champ magnétique pulsé pour l'enregistrement et la reproduction, sur la surface du film mince magnétique 4, dans une disposition prédéterminée par rapport à la section magnétique 6 analogue à une bande. Dans la mémoire à lignes de Bloch telle que décrite ci-dessus, la formation du puits de potentiel pour la paire de lignes de Bloch est obtenue par la présence de structures régulières périodiques sur la surface du film mince magnétique afin de croiser la paroi magnétique. La figure 2 des dessins annexés est une vue partielle en plan de la mémoire à lignes de Bloch montrant un exemple de telles structures ou configurations. Sur la figure 2, un certain nombre de struc- tures 9 analogues à des lignes, s'étendant en travers de la section magnétique 6 analogue à une bande et parallèles entre elles, sont prévues sur la surface du film mince magnétique 4. Ces structures comprennent chacune une couche d'un conducteur tel que Cr, Al, Au ou Ti, dont la largeur est, par exemple, de l'ordre de 0,5 Dm et dont le pas d'agencement est, par exemple, de l'ordre de 1 pm. Par une contrainte magnétique basée sur la formation de telles couches conductrices analogues à une configuration ou structure, on peut former des puits de potentiel dans la paroi magnétique 8 et, de plus, ieur agencement peut être rendu régulier et périodique. En ce qui concerne les con- figurations ou structures 9, outre les couches conductrices mentionnées ci-dessus, on peut utiliser des couches de matière magnétique ou des ions tels que les ions H, les ions He ou les ions Ne amenés au voisinage de la surface du film mince magnétique 4 sous la forme desdites structures. De plus, les puits de potentiel formés par ces structures sont symétriques par rapport à la direction de transfert des lignes de Bloch indiquée par des flèches. A présent, le transfert des lignes de Bloch est effectué par l'application d'un champ magnétique pulsé perpendiculaire à la surface du film mince magnétique 4 et par un déplacement des lignes de Bloch vers le puits de potentiel adjacent par l'utilisation du mouvement de précession de la magnétisation ainsi provoquée. A ce moment, un champ magnétique pulsé asymétrique, comme montré sur la figure 3 des dessins annexés, est utilisé en tant que champ magnétique pulsé perpendiculaire Hp pour transférer ainsi de façon irréversible les lignes de Bloch dans une direction particulière. Comme décrit ci-dessus, dans le transfert classique de lignes de Bloch, on utilise la caractéristique de réponse transitoire de la magnétisation par l'applica- tion d'un champ magnétique pulsé perpendiculaire, et il apparaît donc le problème qu'il devient difficile de transférer avec précision les lignes de Bloch si la forme d'onde du champ magnétique pulsé est légèrement perturbée ou si le film mince magnétique 4 présente un défaut. L'invention est conçue pour tenir compte du problème indiqué ci-dessus, propre à l'art antérieur, et elle a donc pour objet de proposer un procédé de transfert de lignes de Bloch qui permet de transférer toujours avec précision des lignes de Bloch. Pour réaliser l'objet ci-dessus, l'invention propose un procédé de transfert de lignes de Bloch présentes dans la paroi magnétique d'une section magnétique formée dans un film mince magnétique, le long de ladite paroi magnétique, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à distribuer sur le film mince magnétique une structure de couche en matière magnétique douce prédéter- minée, à donner à ladite structure une magnétisation parallèle à la surface du film mince magnétique afin de former un puits de potentiel dans le film mince magnétique, à positionner lesdites lignes de Bloch dans le puits de potentiel, à faire varier la direction de la magnétisation de la structure dans un plan parallèle à la surface du film pour déplacer ainsi le puits de potentiel le long de la paroi magnétique et donc transférer lesdites lignes de Bloch. Dans la présente invention, le puits de potentiel est un lieu qui forme une valeur extrême du potentiel magnétique formé dans au moins la partie de paroi magnétique du film mince magnétique et il se réfère à un lieu ayant la possibilité de piéger ou retenir les lignes de Bloch (une paire de lignes). L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemple nullement limitatif et sur lesquels: la figure 1 est une vue schématique en perspective d'une structure de matière magnétique cons- tituant une mémoire à lignes de Bloch; la figure 2 est une vue partielle en plan d'une mémoire à lignes de Bloch de l'art antérieur, et elle montre des configurations ou structures pour former des puits de potentiel; la figure 3 est un graphique montrant la forme d'onde d'un champ magnétique pulsé utilisé dans le transfert classique de lignes de Bloch; la figure 4 est une vue partielle en plan d'une mémoire à lignes de Bloch utilisait le procédé de transfert de l'invention; la figure 5 est une coupe transversale de la partie X-X de la mémoire à lignes de Bloch montrée sur la figure 4; les figures 6A à 6D sont des graphiques illustrant une variation de la composante Hx de direction X, d'un champ magnétique produit dans la paroi magnétique; et la figure 7 est une vue schématique simplifiée d'un appareil à mémoire magnétique pour transférer des lignes de Bloch par le procédé de transfert selon l'inven- tion. La figure 4 est une vue partielle en plan montrant une forme de réalisation d'une mémoire à lignes de Bloch utilisant le procédé de transfert selon l'invention, et la figure 5 est une vue en coupe de la partie X - X de la figure 4. Sur ces figures, la référence numérique 2 désigne un substrat en grenat non magnétique et la référence numérique 4 désigne un film mince en grenat magnétique. Une section magnétique 6 de forme plane, analogue à une bande, est formée dans le film mince 4 en grenat magnétique. La référence numérique 8 désigne une paroi magnétique autour de la section magnétique 6 analogue à une bande. Ces éléments sont similaires à ceux décrits ci-dessus en regard de la figure 1. Le sens de magnétisation dans la section magnétique 6 analogue à une bande est orienté vers le haut, et le sens de magnétisation dans la partie du film mince magnétique 4 qui se trouve à l'extérieur de la section magnétique 6 est orienté vers le bas. Un champ magnétique de polarisation vers le bas est appliqué depuis l'ex- térieur. Une structure, comprenant des couches 12 de matière magnétique douce, est distribuée sur la surface du film mince magnétique 4. La matière magnétique douce peut être, par exemple, un alliage du type Permalloy. Dans la présente forme de réalisation, des couches 14 d'espacement s'intercalent entre les couches 12 de matière magnétique douce et le film mince magnétique 4. Les couches 14 d'espacement peuvent être formées d'une matière non magnétique telle que du SiO2. La description portera à présent sur le transfert des lignes de Bloch dans la présente forme de réalisation. Les figures 6A à 6D montrent une variation (potentiel) de la composante HX d'un champ magnétique dans une direction X, engendrée dans la partie L de la paroi magnétique 8 sur la base de la magnétisation induite dans les couches 12 de matière magnétique douce lorsque, sur la figure 4, un champ magnétique dans la surface, tournant dans le sens des aiguilles d'une montre dans la surface du film mince magnétique 4,. comme indiqué par A -> B -> C -> D est appliqué. Les figures 6A à 6D indiquent Hx lorsque les directions du champ magnétique dans la surface sont respectivement A, B, C et D sur la figure 4. On suppose ici que la magnétisation des couches 12 de matière magnétique douce est de 800 emu/cm3, que l'épaisseur des couches 12 de matière magnétique douce est de 800 manomètres et que l'épaisseur des couches 14 d'espacement est de 2 pm. Les couches 14 d'espacement sont utilisées pour ajuster -le rapport de la composante du champ magnétique formé dans le film mince magnétique 4, sur la base de la magnétisation dans la couche 12 de matière magnétique douce, qui est dans une direction perpendiculaire à la surface du film, à la composante du champ magnétique qui est dans une direction parallèle à la surface du film, et ce rapport est ajusté par réglage de l'épaisseur des couches 14 d'espacement, afin que l'on puisse parvenir à une stabilisation des lignes de Bloch. Comme on peut le voir sur les figures 6A à 6D, pendant que la direction du champ magnétique tourne dans le sens des aiguilles d'une montre, la position de valeur maximale et la position de valeur minimale de Hx se déplacent progressivement vers la gauche. Comme montré sur les figures 1 et 2, la paire de lignes de Bloch possède une magnétisation de direction X entre elles et, par consé- quent, elle devient stable à la position de valeur maximale ou à la position de valeur minimale de HX, et les lignes sont déplacées successivement vers la gauche avec le mouvement de ladite valeur extrême (puits de potentiel), de façon à réaliser le transfert des lignes de Bloch. Sur la figure 4, sur le côté opposé à celui de la partie L de la paroi magnétique 8, la structure ou configuration des couches 12 de matière magnétique douce est inverse de celle présente sur le côté de la partie L et, par conséquent, dans la partie L' de la paroi magné- tique 8, le sens du mouvement de la position de la valeur extrême de HX, sous l'application dudit champ magnétique tournant, dans la surface, dans le sens des aiguilles d'une montre, est orienté vers la droite et, surtout, la valeur extrême se déplace dans le sens inverse de celui des aiguilles d'une montre sur la totalité de la paroi magnétique 8, comme indiqué par une flèche T sur la figure 4, et le transfert des lignes de Bloch est donc réalisé. Dans la forme de réalisation décrite ci-dessus, la structure montrée sur la figure 4 est utilisée en tant que structure des couches 12 de matière magnétique douce, mais dans la présente invention, on peut également utiliser une autre structure ou configuration pourvu qu'elle produise un potentiel magnétique dont la valeur extrême se déplace le long de la paroi magnétique 8 vers la surface du film mince magnétique dans la paroi magnétique 8, sur la base de la magnétisation induite dans les couches 12 de matière magnétique douce par r'application d'un champ magnétique tournant dans la surface. Cette configuration ou struture est formée de manière que, comme montré sur la figure 4, elle soit divisée en une structure.supérieure et en une structure inférieure par la ligne centrale (ligne X- X) de la section magnétique 6 analogue à une bande, les structures supérieures et inférieures pouvant prendre des formes similaires lorsqu'elles sont tournées de 180'. Ainsi, le puits de potentiel peut être déplacé dans une direction le long de la paroi magnétique. Comme décrit précédemment, le potentiel pour commander la position d'une ligne de Bloch dont la valeur extrême, établissant le puits de potentiel, se déplace, est établi le long de la paroi magnétique et le transfert des lignes de Bloch est réalisé par le champ magnétique tournant dans la surface et, par conséquent, un transfert stable et fiable des lignes de Bloch devient possible. La figure 7 est un schéma simplifié montrant un exemple d'un appareil à mémoire magnétique pour transférer une ligne de Bloch, qui est un support d'informations, par l'utilisation du procédé de transfert de l'invention et pour effecter l'écriture et la lecture d'une information. Sur la figure 7, la référence numérique 101 désigne un substrat de mémoire à lignes de Bloch. Sur le substrat 101, comme représenté, plusieurs sections magnétiques 6 analogues à des bandes sont agencées à un pas prédéterminé dans une direction orthogonale à la direction longitudinale des sections magnétiques analogues à des bandes. Une configuration ou structure, comprenant des couches de matière magnétique douce comme montré sur la figure 4, est distribuée sur le film mince magnétique comprenant les sections magnétiques 6 analogues à des bandes,. et les couches de matière magnétique douce sont magnétisées dans une direction prédéterminée par l'action d'un champ magnétique dans la surface, qui sera décrit ciaprès, et un potentiel magnétique prédéterminé est formé sur le film mince magnétique, en particulier la paroi magnétique des sections magnétiques 6 analogues à des bandes. Des lignes de Bloch sont positionnées dans le puits de potentiel dans ledit potentiel et une information enregistrée est mémorisée sous forme d'un signal en série dans le temps, représenté par la distribution des lignes de Bloch. La référence numérique 102 désigne un généra- teur de bulles magnétiques qui génère des bulles magnéti- ques en série dans le temps, conformément à une information d'entrée. Les bulles magnétiques générées en série dans le temps sont transférées les unes à la suite des autres vers la position extrême de la section magnétique correspondante 6 analogue à une bande, par un circuit 105 d'attaque d'écriture. Ces bulles magnétiques sont utilisées pour l'écriture des lignes de Bloch. Par ailleurs, la référence numérique 106 désigne un circuit d'attaque de lecture qui convertit les lignes de Bloch en bulles magnétiques pour la reproduction de l'information, et qui transfère ensuite ces bulles magnétiques vers un détecteur 107 de bulles. Le détecteur 107 détecte les bulles magnétiques qui lui sont transférées par le circuit 106 d'attaque de lecture en utilisant l'effet de résistance magnétique ou analogue, et il délivre un signal (électrique) en série dans le temps correspondant à l'information enregistrée. La référence numérique 103 désigne une source de courant d'écriture destinée à fournir un courant aux conducteurs 111 d'écriture lorsque les lignes de Bloch sont écrites dans la partie extrême de la section magnétique 6 analogue à une bande, et la référence numérique 104 désigne une source de courant de lecture destinée à fournir un courant à des conducteurs 114 de lecture lorsque les lignes de Bloch sont lues dans la partie extrême de chaque section magnétique 6 analogue à une bande. La référence numérique 110 désigne un généra- teur de champ magnétique tournant dans la surface qui forme un champ magnétique parallèle à la surface du film mince magnétique du substrat 101 de mémoire à lignes de Bloch et il fait également varier la direction de ce champ magné- tique comme décrit en regard de la figure 4. Autrement dit, il fait tourner la direction du champ magnétique pour déplacer ainsi le long de la paroi magnétique le puits de potentiel formé dans cette paroi magnétique, de façon à réaliser le transfert des lignes de Bloch. La référence numérique 109 désigne un circuit de commande des circuits d'attaque 105, 106, des généra- teurs 102, 110, du détecteur 107 et des sources 103, 104, conformément à un signal d'entrée EN. Un procédé de formation de lignes de Bloch dans la paroi magnétique des parties extrêmes des sections magnétiques 6 analogues à des bandes, dans l'appareil à mémoire magnétique de la figure 7, et un procédé de conversion des lignes de Bloch dans les parties extrêmes des sections magnétiques 6 analogues à des bandes sont décrits en détail dans le brevet n 4 583 200 précité, et il est donc inutile de décrire ces procédés ici. Le transfert des lignes de Bloch (une paire de lignes) par le générateur 110 de champ magnétique et l'écriture des lignes de Bloch par les conducteurs 111 d'écriture ou la lecture des lignes de Bloch par les conducteurs 114 de lecture sont exécutés en synchronisme entre eux par le circuit 109 de commande. En transférant les lignes de Bloch par le procédé de transfert selon l'invention, on peut déplacer avec précision les lignes de Bloch (une paire de lignes) et on améliore notablement les performances d'enregistrement/reproduction de l'informa- tion. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé et à la mémoire décrits et représentés sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de transfert de lignes de Bloch (10) présentes dans la paroi magnétique (8) d'une section magnétique (6) formée dans un film mince magnétique (4) le long de ladite paroi magnétique, caractérisé en ce qu'il consiste à distribuer une couche (12) de matière magnétique douce prédéterminée formant une structure ou configuration sur le film mince magnétique, à donner à cette structure de la couche de matière magnétique douce une magnétisation parallèle à la surface du film mince magnétique pour former dans ce dernier un puits de potentiel, à positionner lesdites lignes de Bloch dans le puits de potentiel, et à faire varier la direction de la magnétisation de la structure de la couche de matière magnétique douce dans un plan parallèle à la surface du film pour déplacer le puits de potentiel le long de la paroi magnétique et transférer les lignes de Bloch. 2. Procédé de transfert selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape consistant à faire varier la direction de la magnétisation comprend une rotation d'un champ magnétique pour donner à la structure de la couche de matière magnétique douce une magnétisation dans un plan parallèle à la surface du film. 3. Procédé de transfert selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de distribution comprend la formation de la structure de la couche de matière magnétique douce sur une couche (14) d'espacement d'une épaisseur prédéterminée, formée sur le film magnétique mince. 4. Procédé de transfert selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche d'espacement est formée de SiO2. 5. Mémoire à lignes de Bloch pour effectuer l'enregistrement/la reproduction d'informations par l'utilisation de lignes de Bloch (10) présentes dans la paroi magnétique (8) d'une section magnétique (6) formée dans un film mince magnétique (4), caractérisée en ce qu'elle comporte une couche (12) de matière magnétique douce prédéterminée formant une configuration.ou structure distribuée sur le film magnétique mince, et un moyen (110) de génération d'un champ magnétique destiné à appliquer un champ magnétique parallèle à la surface du film mince magnétique, à ladite structure de la couche de matière magnétique douce, un puits de potentiel étant formé dans le film mince magnétique par un déplacement de la structure de la couche de matière magnétique douce magnétisée, le long de la paroi magnétique, par variation de la direction du champ magnétique par ledit moyen de génération, ce mouvement ayant pour effet de transférer les lignes de Bloch retenues dans le puits de potentiel. 6. Mémoire à lignes de Bloch selon la reven- dication 5, caractérisée en ce qu'une couche (14) d'espace- ment est formée sur le film mince magnétique et en ce que la structure de la couche de matière magnétique douce est formée sur cette couche d'espacement. 7. Mémoire..à lignes de Bloch selon la reven- dication 6, caractérisée en ce que la couche d'espacement est formée de SiO2.