FR 2621930 A1 19890421 FR 8714245 A 19871015 26219!0 L'invention concerne un procédé pour conduire un appareil destiné à produire toutes sortes de couches minces à usage électronique et/ou optoélectronique telles notamment que des couches minces semiconductrices amorphes ou cristallines à l'aide d'un processus de dépôt par plasma. L'invention se rapporte également à l'appareil en lui-même. On connait déjà, en se référant notamment à la demande de brevet 85 15910, déposée le 25 octobre 1985 par le présent demandeur, des appareils de cette catégorie comprenant - une enceinte dans laquelle peut régner une pression inférieure à la pression atmosphérique - des moyens pour créer une zone de plasma dans l'enceinte, ces moyens comprenant au moins une électrode reliée à une source haute puissance, au moins un substrat et des moyens pour introduire des gaz réactifs dans la zone de plasma, - des moyens pour évacuer vers l'extérieur de l'enceinte une partie résiduelle des gaz réactifs après séjour dans la zone de plasma - et une chambre étanche dans laquelle est logée ladite enceinte et o peut régner une pression inférieure à celle de l'enceinte. Malgré les avantages procurés par l'évacuation de la partie résiduelle des gaz réactifs et par le différentiel de pression établi entre la chambre extérieure et l'enceinte de dépôt, ce type d'appareil n'est cependant pas apparu, en l'état, comme susceptible de limiter suffisamment les problèmes de contamination ou d'altération des propriétés électroniques des matériaux en formation. 262 1 930 En effet, si L'aspiration vers l'extérieur de la zone de dépôt d'une partie importante des impuretés présentes dans son atmosphère s'est avéré efficace, le problème de base relatif à la formation des flux de matières contaminantes provoqués essentiellement, compte tenu des conditions de fonctionnement de l'appareil, par l'émission gazeuse des parois de l'enceinte, (mais également des substrats et autres supports) n'a pas été élucidé. Or, il est apparu que cette "décomposition" de surface ou dégazage, des éléments constitutifs de l'appareil, à proximité de cette zone de dépôt (appelée aussi zone de plasma) pouvaient venir altérer les propriétés électroniques des semi-conducteurs, et ce malgré toutes les précautions de fonctionnement prises. Ces problèmes ont été résolus, conformément au procédé de la présente invention en prevoyant de venir chauffer les parois de l'enceinte intérieure tout en maintenant les parois de la chambre extérieure à une température inférieure à celle de l'enceinte. En effet, il est apparu que le fait de chauffer les parois de cette enceinte, pendant et avant la phase de dépôt des couches a priori entre 150 et 250'C (pouvant aller jusqu'à 350eC au cours du préchauffage) permettait de limiter largement la diffusion par dégazage des matières contaminantes dans ou à proximité de l'atmosphère de l'enceinte de dépôt, facilitant d'autant leur évacuation. En outre, en maintenant les parois de la chambre extérieure étanche à une température (au maximum 80'C environ) inférieure à celle de l'enceinte, on pouvait conserver autour de l'appareil un environnement acceptable, tout en évitant d'avoir recours à des mécanismes d'étanchéité, de mise sous vide, de protection thermique..., très sophistiqués et qu'il aurait été en pratique indispensable de prévoir compte tenu du vide poussé (10-6 à 10-7 Pa environ) nécessaire pour éviter une contamination des matériaux déposés par plasma. Dans l'invention ces conditions d'élévation de la 262 1930 température de L'enceinte jusqu'à un niveau suffisant pour Limiter notablement Les flux de dégazage seront assurés par des moyens de chauffage qui seront disposés dans L'espace intermédiaire qui sépare L'enceinte de la chambre extérieure étanche. Quant au maintien à une température convenable, c'est-à-dire de toute façon inférieure à 80'C environ, des parois de la chambre extérieure étanche, celui-ci pourra être assuré par des moyens formant écran thermique et venant recouvrir La plus grande partie au moins de la face intérieure des parois de la chambre. IL s'agit Là d'avantages importants par rapport aux machines du type "à uLtravide" (UHV) actuellement utilisées pour La fabrication de certains semi-conducteurs. En effet, de façon à limiter Les flux de dégazage, la technique UHV prévoit d'étuver jusqu'à 250eC, voire 450 C, l'ensemble de la machine que L'on doit pouvoir soumettre à un vide inférieur à 10 5 Pa (régulièrement de l'ordre de -7 Pa). Compte tenu des conditions de pression et de température à supporter, toutes les parois de la machine doivent être réalisées en matériaux hautement résistants (acier inoxydable éLectropoli, molybdène...) et tous Les joints d'étanchéité doivent être métalliques (cuivre, or...) et ne peuvent donc être utilisés qu'une seule fois. Par ailleurs, les problèmes de dilatation thermique et de jeu entre les pièces, sont, comme on Le comprend aisément, particulièrement difficiles à contrôler. Les contraintes de fonctionnement des machines UHV sont donc sans commune mesure avec celles de l'appareil de L'invention. L'invention, ses caractéristiques et avantages apparaîtront plus clairement à l'aide de la description qui va suivre faite en référence aux dessins annexés dans Lesquels: - la figure 1 montre schématiquement et en coupe transversale médiane l'appareil de l'invention, 26219 30 - la figure 2 montre, à plus petite échelle, une variante de réalisation de ce même appareil. Sur ces figures, l'appareil de production de couches amorphes qui fonctionne selon un processus de dépôt par plasma, est du même type que celui qui a été décrit dans la demande française précitée n. 85 15910 à laquelle on pourra se reporter. On rappelera que l'appareil comprend une chambre extérieure étanche 2 qui peut supporter un-vide partiel d'environ 10-4 à 10-5 Pa et à l'intérieur de laquelle est logée une enceinte intérieure 3 relativement allongée et plus ou moins étanche. Dans cette enceinte, peut être créée une double zone de plasma 4, 4' entre une électrode centrale et deux substrats 7 et 7'. L'électrode 5 s'étend sensiblement dans l'axe général 6 de l'enceinte et est reliée par sa tête 5' à une source haute tension, tandis que les substrats 7, 7' sont logés, par l'intermédiaire de porte-substrats 17, 17' dans les parois latérales 13, 23 de l'enceinte en s'étendant sensiblement parallèlement l'un à l'autre. Un conduit 8 qui débouche à une extrémité longitudinale arrière de l'enceinte après avoir traversé, en 12, de façon étanche, la paroi de la chambre 2 alimente en gaz réactifs de production de couches la zone de plasma. Sur la figure 1, on a repéré par les lettres AV et AR, les côtés respectivement avant et arrière de l'enceinte en faisant référence à la circulation des gaz réactifs dans l'appareil, telle que schématisée par la flèche 9. Au niveau de l'extrémité arrière de l'enceinte, les gaz réactifs rencontrent sur leur chemin un premier étranglement 10 ou répartiteur, destiné à améliorer la distribution des gaz dans l'enceinte. Après que ces gaz aient séjourné en présence du plasma généré par la mise sous tension de l'électrode 5 et se soient pour partie déposée sur les substrats, la partie résiduelle non déposée est évacuée vers l'extérieur de L'enceinte par un conduit 11 relié à L'enceinte au niveau de son extrémité longitudinale avant et qui traverse de façon étanche, en 22, une paroi de la chambre 2. Une pompe, telle qu'une pompe à dépression, pourra être utilisée pour aspirer la matière résiduelle à évacuer. On notera que de façon à maintenir un débit et une pression de pompage relativement limitée, les gaz en circulation rencontrent, vers l'extrémité avant de l'enceinte, un second niveau d'étranglement repéré 14. Comme connu en soi, la matière de production des couches sera un support, en général un gaz admis à une pression d'environ 10 Pa qui fournira aux régions de plasma les constituants élémentaires lesquels, après décomposition du support par décharge électrique, viendront se déposer sur les substrats, sous la forme de films minces. A titre d'exemple, le tétrafluorure de silicium et le silane pourraient être utilisés en tant que matière de production de couches. Par ailleurs, différents types de dopants pourraient être retenus. Si l'on examine à nouveau la figure 1, on voit que la mise sous vide de la chambre extérieure étanche 2 qui entoure l'enceinte de dépôt est assurée par un conduit 15, lequel est relié à une pompe à vide (non représentée) de puissance adaptée pour assurer un vide d'environ 104 à 10 5Pa. Malgré, comme on l'a vu, les avantages qu'elles procurent, toutes ces caractéristiques connues ne permettent pas de limiter le flux de dégazage de l'enceinte 3 et des différents éléments qui y sont intégrés (substrats, électrode...). C'est donc pour résoudre ce problème dans des conditions industriellement acceptables que l'invention prévoit d'élever la température de l'enceinte par des moyens tels que des résistances en forme de rampe logées dans l'espace intermédiaire 18 qui sépare l'enceinte de la chambre. Ces résistances 16 sont reliées à des sources électriques adaptées et leurs fils d'alimention repérés 16' traversent de façon étanche La chambre 2. Les éléments chauffant retenus devront pouvoir porter les parois de l'enceinte 3 à une température comprise entre 100 et 300 C environ pendant la phase de dépôt des films minces. En pratique, dans des conditions habituelles de travail, la gamme des températures sera en fait comprise entre 150 et 250'C environ. Néanmoins, la limite supérieure pourrait être dépassée. En effet, plus on chauffera l'enceinte (sans aller bien entendu jusqu'à l'endommager par surchauffage), plus le flux de dégazage nocif pour la qualité électronique des semi-conducteurs en formation diminuera. On notera que dans un certain nombre de cas, il pourra être utile d'effectuer un préchauffage de l'enceinte, à une température d'environ 300 à 350'C, avant d'y amener la ma- tière de dépôt, laquelle pourrait avoir été également préchauffée à une température d'environ 50eC supérieure à la température nominale de dépôt. Un tel préchauffage de l'enceinte permettra notamment d'assurer un décapage de surface limitant encore davantage le dégazage ultérieur des parois. Afin de renvoyer vers l'enceinte la chaleur rayonnée par les élements chauffant 16 et de protéger thermiquement les parois de la chambre extérieure 2, de façon à la maintenir au maximum à une température d'environ 80'C, on prévoit dans l'invention de recouvrir la plus grande partie, sinon la totalité, des faces intérieures des parois de cette chambre 2 par des écrans thermiques 19. Ces écrans pourront notamment être réalisés en aluminium poli et présenter leur face de "miroir" dirigée vers l'intérieur de la chambre. Eventuellement, d'autres types de moyens de refroidissement des parois de la chambre (par exemple par circulation d'un liquide de refroidissement le long de ces parois) pourraient venir compléter l'écran thermique, voire s'y substituer. On aurait également pu prévoir des parois de chambre en matériaux réfractaires. Néanmoins, la combinaison des écrans thermiques et de parois de chambre métalliques (acier traité) est apparue comme techniquement et industriellement la plus intéressante et la plus rentable. Bien entendu, ce maintien à une température peu élevée des parois de la chambre ne va pas Limiter particulièrement leur flux de dégazage. Cet "inconvénient" n'en est cependant pas un, du fait du différentiel de pression qui est établi entre l'enceinte et la chambre au cours du processus de dépôt. Pour clore le chapitre concernant l'évolution des flux de dégazage, on notera qu'à sa sortie de la chambre 2, le conduit 11 d'évacuation des matières résiduelles pourra être lui-même chauffé par des résistances 20, toujours de préférence à une température comprise entre 150 et 250C environ. Reportons nous maintenant à la figure 2 o l'on voit illustrée une variante de réalisation de l'appareil de l'invention. Dans cette variante, l'enceinte 3 débouche, vers son extrémité longitudinale avant directement dans le volume intérieur de la chambre 2. Il n'existe plus de conduit 11 d'évacuation de la matière résiduelle vers l'extérieur de la chambre. En d'autres termes, le conduit 15 de mise sous vide aspire ici non seulement les fuites de gaz de l'enceinte vers la chambre et les flux de degazage de leurs parois, mais également la matière résiduelle qui circule dans l'enceinte. Sur cette figure 2, on a également représenté un moyen de réglage de l'étranglement 14 de sortie de l'enceinte. Il s'agit ici d'un obturateur 21 en forme de tronc de cône pouvant venir s'engager sur des portées 22 de forme coopérante ménagées dans une pièce 23 fixée vers l'extrémité avant de l'enceinte. Une tige 24 de manoeuvre prolonge l'obturateur 21 vers l'extérieur de la chambre dont il traverse en 25 la paroi de façon étanche. Bien entendu, d'autres moyens de réglage, tels que des dispositifs à 262 1930 clapet pouvant être manoeuvrés de l'extérieur de la chambre par une tringlerie de commande auraient pu être envisagés. On comprend aisément que l'on aurait pu aussi prévoir ces mêmes moyens pour le réglage de l'étranglement 10 d'entrée dans l'enceinte. On notera également que, même si seule une disposition des substrats et de l'électrode, avec deux substrats et une électrode, a été envisagée, cela n'exclue en aucun cas d'autres dispositions, par exemple avec un double substrat central et de part et d'autre une électrode, ou une configuration non symétrique de l'enceinte du réacteur. Parmi des exemples de couches qui peuvent être déposées dans un réacteur à plasma du type ci-dessus décrit on peut citer en particulier: Semi-conducteurs: Silicium, germanium, carbone, et alliages des précédents. Eventuellement arseniure de Galium. La morphologie des couches semi-conductrices peut être suivant les conditions de dépôt et la nature du substrat - amorphe microcristalline - monocristalline (épitaxie) Isolants Oxyde de silicium, nitrure de silicium Conducteurs (dans certains cas): - Aluminium, tungstène - Siliciure de tungstène Les gaz d'apport sont des organométalliques, des fluorures volatils ou encore des métalcarbonyls. REVENDICATIONS 1. Procédé pour conduire un appareil destiné à produire dans une enceinte o la pression est inférieure à la pression atmosphérique toutes sortes de couches minces à usage électronique et/ou optoélectronique telles notamment que des couches minces semi-condutrices amorphes ou cristallines, à l'aide d'un processus de dépôt par plasma, du type dans lequel - on place ladite enceinte (3) dans une chambre (2) étanche - et on réalise un vide plus poussé dans la chambre que dans l'enceinte dans laquelle sont amenés des gaz réactifs de production des couches et d'o est évacuée, après un séjour en présence du plasma de déposition, la partie résiduelle et non déposée de ces mêmes gaz caractérisé en ce que, de façon à améliorer les propriétés électroniques des couches déposées, on chauffe les parois de l'enceinte (3) - et on maintient les parois de la chambre (2) à une température inférieure à celle de l'enceinte. 2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que, pendant la phase de dépôt des couches, on maintient la température de l'enceinte (3) entre 100 et 300 C environ, et de préférence, entre 150 et 250 C. 3. Procédé selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce qu'on chauffe l'enceinte (3) avant d'y amener la matière de production des couches. 4. Appareil pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 du type comprenant - une enceinte (3) dans laquelle peut régner une pression inférieure à la pression atmosphérique - des moyens (5, 7, 7', 8) pour créer une zone (4, 4') de plasma dans l'enceinte, ces moyens comprenant au moins une électrode (5) reliée à une source haute puissance, au moins un substrat (7, 7') et des moyens (8) pour 262 1 930 introduire des gaz réactifs de production des couches dans la zone (4, 4') de plasma - des moyens (11, 15) pour évacuer, vers l'extérieur de l'enceinte (3) et après séjour dans la zone de plasma, la partie résiduelle de gaz réactifs qui ne s'est pas déposée, - et une chambre (2) étanche dans laquelle est logée ladite enceinte (3) et o peut régner une pression inférieure à celle de l'enceinte caractérisé en ce qu'il comprend, en outre, des moyens (16) de chauffage de l'enceinte, ces moyens étant disposés dans l'espace (18) intermédiaire qui sépare l'enceinte de la chambre. 5. Appareil selon la revendication 4 caractérisé en ce que des moyens (19) formant écran thermique recouvrent la plus grande partie au moins de la face intérieure des parois de la chambre (2) de façon à maintenir ces parois à une température inférieure à celle de l'enceinte. 6. Appareil selon la revendication 4 ou la revendication 5 du type dans lequel l'enceinte (3) comprend deux étranglements de limitation de l'écoulement dans l'enceinte des gaz réactifs de production des couches, cesdits étranglements étant situés vers deux extrémités sensiblement opposées de l'enceinte au niveau desquelles les gaz réactifs sont respectivement amenés et évacués, caractérisé en ce que l'un au moins desdits étranglements (10, 14) est réglable et peut-être commandé de l'extérieur de la chambre (2).