FR 2601804 A1 19880122 FR 8709879 A 19870710 La présente invention concerne une carte d'enregistrement optique d'information utilisant un mélange de polymères qui présente une séparation de phase par chauffage comme matériau d'enregistrement dans lequel 5 l'information peut être écrite par un faisceau laser à semiconducteur. Avec l'avance rapide des lasers à semiconducteur ces dernières années, un développement remarquable a été accompli dans les mémoires optiques qui sont avantageuses 10 par rapport aux mémoires magnétiques au niveau de la possibilité d'un enregistrement de très haute densité et également excellentes sur le plan de la durabilité en raison d'un enregistrement et d'une reproduction sans contact. Pour des applications civiles, des mémoires à disque optique du type ROM enregistréesavec des signaux vidéo et/ou audio ont déjà été commercialisées sous les noms de compact disque, disque laser et disque optique. A côté de cela, des mémoires à disque optique pouvant être enregistrées mais non effaçables du type WORM (inneffaçables à 20 lecture très fréquente) ont été produites et sont en utilisation pratique dans certains bureaux et institutions publiques. Des efforts ont également été consacrés à l'application de la technologie des mémoires optiques aux cartes plastiques représentées par des cartes de crédit et des 25 cartes bancaires pour amélioration de la densité d'enregistrement et augmentation de la capacité d'enregistrement. Dans les cartes d'enregistrement d'information traditionnelles utilisant des caractères gravés en relief ou des bandes magnétiques pour l'enregistrement, la capacité d'enregistrement ne suffit pas toujours pour les besoins. Une manière d'améliorer la capacité d'enregistrement est de noyer ou enfouir un circuit intégré dans la carte. Actuellement, les ci-nommées cartes à circuit intégré ayant une capacité d'enregistrement de 16 Kilo-bits sont 35 d'une utilisation peu pratique. Cependant, la capacité d'enregistrement des cartes plastiques peut être de plus augmentée en utilisant une technique optique d'enregistrement. Dans des laboratoires, les cartes d'enregistrement optique d'information du type ROM de plus de 200 K-bits en capacité d'enregistrement ont déjà été produites. A côté de la densité d'enregistrement très élevée, la modicité du coût d'enregistrement par bit devient un mérite important des cartes d'enregistrement optique d'information. Des cartes d'enregistrement optique d'informationspouvant être réenregistrées et des cartes d'enregistrement optique d'informationsdu type WORM sont également en développement. 10 Des matériaux d'enregistrement optique connus comprennent des matériaux organiques colloïdaux dans lesquels des particules d'argent sont dispersées et des sels métalliques sont utilisés pour précipitation des particules métalliques par une sorte de procédé de dépôt ou de revêtement autocatalytique. Dans le cas d'utilisation d'un faisceau laser à semiconducteur pour l'enregistrement d'information, le faisceau laser est focalisé à un très petit point sur la surface d'une couche d'enregistrement optique et est guidé afin d'écrire unidimensionnellement l'information dans la couche d'enregistrement. Dans un tel cas le matériau ou la matière de la couche d'enregistrement est habituellement un alliage ou un composé intermétallique qui est fondamentalement composé de Al, Te, Bi, Se, Sn, Tb, Co, Fe et/ou In. A côté de cela, il existe des'projets 25 pour l'utilisation de pigments organiques du type cyanine. Quant au matériau d'enregistrement métallique susmentionné, un inconvénient est que la plupart des métaux essentiels ont une toxicité et, de ce fait, doivent être manipulés avec précaution. Ceci devient un problème 30 particulièrement sérieux dans les cas de cartes d'enregistrement d'information avec lesquelles des corps humains peuvent très fréquemment être en contact direct. A côté de cela, le matériau métallique est sujet à oxydation ou corrosion et ne possède pas une bonne capacité de stockage. 35 A présent, on vient à bout de ces inconvénients en prévoyant un film protecteur sur la couche d'enregistrement. Néanmoins, la couche d'enregistrement se détériore graduellement par oxydation ou corrosion partielle et en conséquence devient faible en sensibilité d'enregistrement et/ou sensibilité de lecture. Des matériaux d'enregistrement optique utilisant des pigments organiques impliquent encore des problèmes variés comprenant une stabilité et durabilité insuffisantes. Cependant, le brevet US N 4 617 350 décrit une composition de résine thermoplastique qui est essentiellement un mélange d'un polymère d'ester acrylique et un copolymère de fluorure de vinylidène et d'hexafluoropropane et qui présente une séparation de phase par chauffage et sert comme matériau thermochromique. La demande de brevet japonais NI 61-27910 propose une carte d'enregistrement optique d'information utilisant un mélange de polymères 15 du type décrit dans le brevet US N 4 617 350 comme matériau d'enregistrement dans lequel l'information peut être écrite ou enregistrée par un faisceau laser à semiconducteur. Ce matériau d'enregistrement optique est libre de détérioration par oxydation ou corrosion. Cependant, ce matériau d'enregistrement est plutôt faible en efficacité d'absorption de lumière dans la gamme de longueur d'onde de lasers à semiconducteur et, de ce fait, est insuffisant en sensibilité d'enregistrement. La présente invention a pour but de réaliser une 25 carte d'enregistrement optique d'information qui utilise un mélange de polymères contenant du fluor comme matériau d'enregistrement et qui a une sensibilité d'enregistrement améliorée à un faisceau laser à semiconducteur. Selon l'invention, on prévoit une carte d'enregis30 trement optique d'information comprenant un substrat, une couche d'enregistrement qui est formée sur un cOté du substrat et qui est formée d'un mélange de polymères comprenant un copolymère de fluorure de vinylidène et au moins un comonomère contenant du fluor comme premier composant et un polymère d'ester méthacrylique ou acrylique comme second composant, et une couche d'absorption de lumière qui est interposée intimement entre. le substrat et la couche d'enregistrement et qui absorbe la lumière émise d'un laser à semiconducteur et transforme la lumière en énergie de chaleur. En utilisant un laser à semiconducteur, une information est écrite ou enregistrée dans cette carte d'enregistrement par le procédé suivant. La lumière laser incidente sur la couche d'enregistrement entre dans la couche d'absorption de lumière sous-jacente. Alors la lumière est efficacement absorbée et transformée en énergie de chaleur. La couche d'enregistrement reçoit de la chaleur de la couche d'absorption de lumière de sorte que le mélange de polymères qui constitue la couche d'enregistrement présente une séparation de phase locale en deux microphases différentes en réfringence, de façon 15 que l'information soit enregistrée. La séparation de phase peut être fixée par refroidissement rapide. Cependant, la séparation de phase est réversible par refroidissement lent de sorte que l'information écrite est effaçable si souhaité. Le mélange de polymères utilisé comme matériau d'enregistrement dans la présente invention n'est pas toxique et est d'une grande stabilité. Dans une carte d'enregistrement optique d'information selon l'invention, la possibilité de détérioration du matériau d'enregistre25 ment diminue de plus car la lumière laser utilisée pour l'enregistrement est à peine absorbée dans la couche d'enregistrement. Par ailleurs, il est possible de réduire la puissance du laser à semiconducteur pour l'enregistrement en vertu de l'absorption efficace de la lumière laser 30 dans la couche d'absorption de lumière. Un copolymère de fluorure de vinylidène et d'hexafluoroacétone est particulièrement préféré comme premier composant du mélange de polymères comme matériau d'enregistrement. Comme matériau principal de couche absorbante de lumière, on préfère particulièrement utiliser au moins le bismuth, le tellurium et le carbone. Un mode de réalisation préféré de la couche absorbante de lumière est un film métallique en Bi ou Te. Un autre mode de réalisation préféré de la même couche est une fine couche d'une composition de résine comprenant des particules fines de Bi, Te et/ou C dispersées dans une matrice de résine. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins 10 schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention et une figure unique laquelle figure est une illustration en section et schématique d'une carte d'enregistrement optique d'information selon l'invention. La figure représente la construction d'une carte d'enregistrement optique d'information 10 selon l'invention. La carte 10 est formée d'un substrat 12, d'une couche d'enregistrement optique 16 formée sur sensiblement toute la surface ou une surface partielle choisie du substrat 12, 20 d'une couche d'absorption de lumière qui est interposée intimement entre le substrat 12 la couche d'enregistrement 16 et d'une couche de protection transparente 8 qui couvre intimement la surface externe de la couche d'enregistrement 16. Le matériau du substrat 12 n'est pas particulièrement limité. Il est d'usage d'utiliser une résine synthétique dans des buts généraux, telle qu'une résine de chlorure de polyvinyle, une résine de polystyrène, une résine acrylique ou fluororésine. La couche d'enregistrement optique 16 est formée d'un mélange de polymères comme défini ci-après. Le premier composant du mélange de polymères est un copolymère de fluorure de vinylidène (VDF) et au moins un comonomère contenant du fluor. Il est souhaitable de choisir le ou 35 les comonomères à partir du trifluoroéthylène, du tétrafluoroéthylène, du chlorotrifluoroéthylène, de l'hexafluoroisobutène, de l'hexafluoropropène, du fluorure de vinyle et de l'hexafluoroacétone. Usuellement, un copolymère binaire est utilisé et dans chaque cas le VDF occupe au moins 50% en moles du copolymère. Le degré de polymérisation du copolymère peut s'étendre d'environ 10 à environ 10.000. 5 Dans l'invention, on préfère utiliser un copolymère binaire de VDF et d'hexafluoroacétone (HFA), et on préfère également que le copolymère VDFHFA comprenne 0,1-20 % en moles de HFA. Le second composant du mélange de polymères est un polymère d'ester méthacrylique ou acrylique qui peut 10 être soit un homopolymère soit un copolymère. On préfère choisir le ou les monomères méthacryliques ou acryliques à partir de l'acrylate de méthyle ou méthacrylate, de l'acrylate d'éthyle ou méthacrylate, de l'acrylate de n-propyle ou méthacrylate, de l'acrylate d'isopropyle ou 15 méthacrylate, de l'acrylate de n-butyle ou méthacrylate, de l'acrylate d'isobutyle ou méthacrylate et de l'acrylate de t-butyle ou méthacrylate. Les degrés de polymérisation du polymère d'ester méthacrylique ou acrylique peuvent s'étendre d'environ 10 à environ 10.000. En mélangeant les premier et second composants du polymère ci-dessus décrits, la proportion du premier composant au second composant est largement variable sur l'intervalle d'environ 10:90 à environ 90:10. Dans le cas préféré o le premier composant est un copolymère de VDF-HFA, 25 il est souhaitable que le copolymère VDF-HFA occupe 20 à % en poids, et de préférence 30-75% en poids du mélange de polymères car le mélange de polymères ainsi composé est plutôt faible en température de séparation de phase. Un mélange de polymères pour utilisation comme matériau d'enregistrement peut être préparé et conformé en forme de feuille ou de film en utilisant des méthodes conventionnelles de mélange et de formage de résines thermoplastiques conventionnelles. Par exemple, les deux polymères sont mélangés et malaxés sous chauffage approprié 35 dans un mélangeur conventionnel tel qu'un mélangeur d'Henschel, un mélangeur du type en V, un mélangeur à ruban, un mélangeur planétaire ou tambours et le mélange de polymères obtenu est conformé en forme de feuille par extrusion, moulage par injection, calandrage ou formage par presse. Un revêtement ou une couche de solution ou un procédé de moulage de solution est également praticable et est plutôt avantageux pour obtenir une feuille fine uniforme ou film du mélange de polymères souhaité. Dans cette méthode, le mélange des polymères est accompli en dissolvant les deux polymères dans un solvant organique commun aux deux polymères. Un solvant convenable peut être 10 choisi, par exemple, à partir d'esters, de cétones et d'éthers cycliques. Dans la présente invention, on préfère utiliser au moins le bismuth, le tellurium et le carbone comme matériau principal de la couche absorbante de lumière 14. 15 Plus particulièrement, un mode de réalisation préféré de la couche d'absorption de lumière 14 est un film fin en bismuth ou tellurium. Dans ce cas, une épaiso seur convenable du film métallique 14 est d'environ 50 A No à environ 1.000 A. - La couche d'absorption de lumière 14 du type à film métallique peut être formée en déposant du bismuth ou du tellurium sur la surface du substrat 12 par une technique connue telle qu'une déposition par vapeur ou pulvérisation. Après cela, une feuille fine d'un mélange de polymères employé comme matériau d'enregistrement est placée sur la couche d'absorption de lumière 14 et est rendue unitaire avec le substrat 12 par une méthode de liaison ou de fixation convenable telle que le formage par pression à chaud, le soudage par chaleur, le soudage ultrasonique ou le soudage à haute fréquence. En général, la température de travail dans l'opération de fixation est d'un intervalle de 80 à 300 C bien qu'elle dépende de la méthode employée. De cette manière, la couche d'enregistrement optique 16 est pourvue de la couche d'absorption de lumière 14. Alternativement,la couche d'enregistrement 16 est formée en appliquant une solution du mélange de polymères au substrat 12 déjà revêtu du film métallique d'absorption de lumière 14 en utilisant une méthode de revêtement convenable telle qu'un revêtement par force centrifuge, un revêtement par écoulement, par pulvérisation ou balayage. Il est également possible d'utiliser un applicateur de film. Un autre mode de réalisation préféré de la couche d'absorption de lumière 14 est une couche fine en forme de film d'une composition de résine comprenant une poudre fine d'au moins l'un des matériaux comprenant le bismuth, le tellurium et le carbone dispersée uniformément 10 dans une matrice de résine. La résine comme matériau de matrice est soit une résine thermoplastique telle qu'un chlorure de polyvinyle, de l'acétate de polyvinyle, du polystyrène, du polyéthylène, du polypropylène ou une résine acrylique ou une résine thermodurcissable ayant un groupe réactif dans sa chaîne moléculaire. Par exemple, le groupe réactif peut être un groupe hydroxyle, un groupe amino ou groupe époxy. La résine thermodurcissable peut être soit du type en une seule partie ou du type en deux parties. La poudre fine de bismuth', tellurium et/ou de 20 carbone doit être aussi petite ou fine que possible en dimension de particuleset ne doit pas être supérieure à 2 microns en dimension de particules. Lorsque la dimension de particules est supérieure, l'absorption de lumière (transformée en chaleur) dans la couche de composition de résine 14 peut ne pas être uniforme au sens microscopique de sorte que les trous d'information formés dans la couche d'enregistrement 16 peuvent devenir irréguliers en dimension. Il est souhaitable que la quantité de poudre fine de bismuth, tellurium et/ou carbone dans la composition 30 de résine soit dans l'intervalle de 20 à 75% en poids. Si la quantité de poudre est inférieure à 20% en poids, la couche de composition de résine 14 sera insuffisante dans la capacité d'absorber la lumière, et si la quantité de poudre est supérieure à 75% en poids, la couche de composition de résine 14 deviendra non satisfaisante en égalité de surface. Une épaisseur convenable de la couche d'absorption de lumière 14 formée de la composition de 260 1 8 0 4 o résine est d'environ 800 A à environ 10 microns. Un procédé convenable pour disperser une poudre fine de bismuth, tellurium et/ou carbone dans une résine dépend du type de la résine. Dans le cas d'utilisation d'une résine thermoplastique, la poudre est uniformément dispersée dans la résine en utilisant un moyen de malaxage et de mélange convenable tel que le mélangeur d'Henschel, le mélangeur du type en V, le mélangeur à ruban, le mélangeur planétaire ou à tambour, et le mélange est conformé en une feuille fine par, par exemple, extrusion, moulage par injection, calandrage ou formage par pression. Ensuite, la couche d'absorption de lumière 14 est étendue sur le substrat 12 en soudant la feuille de la composition de résine contenant la poudre au substrat 12. Après cela, 15 la couche d'enregistrement 16 est réalisée par une méthode de liaison par soudage. Egalement, il est possible d'accomplir la liaison par soudage de la feuille 14 de composition de résine d'absorption de lumière et de la feuille 16 du mélange de polymères d'enregistrement simultanément. Dans 20 le cas d'utilisation d'une résine thermodurcisaable dans la couche d'absorption de lumière 14, une poudre fine de bismuth, tellurium et/ou carbone est dispersée dans une solution de la résine, et la dispersion résultante est revêtue sur le substrat 12 suivie par vulcanisation du film de revêtement. La couche d'absorption de lumière 14 formée par ce procédé est supérieure en résistance aux solvants et également en résistance à la chaleur, de sorte que l'opération de revêtir la couche d'absorption de lumière 14 de la couche d'enregistrement 16 par soit 30 une méthode de liaison par soudage soit une méthode de revêtement peut être facilement et efficacement accomplie. L'épaisseur de la couche d'enregistrement 16 est d'environ 0,05 pm à environ 30 pm, et un intervalle préféré s'étend de 0,5 à 10 ym. Le matériau de la couche de protection 18 est une résine synthétique qui est élevée en transmittance de lumière. Par exemple, une résine de chlorure de polyvinyle, une résine de polystyrène, une résine acrylique ou une fluorésine est utilisée. La couche de protection 18 peut être réalisée soit par un procédé de revêtement soit par un procédé de soudage par chaleur. L'invention est de plus illustrée par les exemples suivants non limitatifs. EXEMPLES 1 à 4 Dans chacun de ces exemples, une carte d'enregistrement optique d'information de la construction connue dans 10 la figure a été produite en utilisant une feuille de chlorure de polyvinyle comme le substrat 12. Dans chaque exemple, la couche d'absorption de lumière 14 a été formée en déposant un film de bismuth sur la surface de substrat à une épaisseur de 500 A par une 15 technique de déposition par vapeur. Le matériau de la couche d'enregistrement 16 était un mélange de 35 parties en poids d'un copolymère de VDF (91% en moles) et de HFA (9% en moles) et de 65 parties en poids d'un polymère'méthacrylique ou acrylique indiqué 20 ci-dessous. Exemple 1: méthacrylate-de polyméthyle Exemple 2: acrylate de polyéthyle Exemple 3: copolymère de méthacrylate de méthyle et de méthacrylate de nbutyle Exemple 4: copolymère de méthacrylate de méthyle et de méthacrylate de t-butyle. Dans chaque exemple, le mélange de polymères a été dissous dans un acétate de butyle pour obtenir une solution dans laquelle la quantité'totale de polymères a été de 5% 30 en poids. La solution a été dispersée ou étalée sur la surface du film de bismuth 14, et le solvant a pu s'évaporer à température ambiante en atmosphère déshumidifiée pour former ainsi un film de mélange de polymères ayant une épaisseur de 5 pm comme couche d'enregistrement 16. Ensuite, 35 la couche de protection transparente 18 a été réalisée par fixation par pression d'un film de chlorure de polyvinyle. EXEMPLE 5 La carte d'enregistrement optique d'information de l'exemple 1 a été modifiée seulement en ce que le tellurium a été utilisé comme matériau de couche d'absorp5 tion de lumière 14 à la place du bismuth dans l'exemple 1. o L'épaisseur du film en tellurium 14 était de 500 A. Les cartes d'enregistrement des exemples 1-5 ont été soumises à un test d'enregistrement optique en utilisant un laser à semiconducteur (longueur d'onde 830 nm). Le faisceau laser a été focalisé sur la carte d'enregistrement en utilisant un collimateur, un diviseur de faisceau, une lame quart d'onde et une lentille d'objectif (ouverture=O,5). La puissance lumineuse sur la carte d'enregistrement était d'environ 7 mW. Comme résultat, des trous d'enregistrement 15 circulaires ont été produits dans la couche d'enregistrement 16 de chaque carte d'enregistrement. Dans les cartes des exemples 1, 2 et 5, les trous d'enregistrement avaient un diamètre de 3 mm. Dans les cartes des exemples 3 et 4, les trous d'enregistrement avaient un diamètre de 5 mm. 20 EXEMPLES 6 à 8 Dans chacun de ces exemples, une carte d'enregistrement optique d'information a été produite à peu près comme dans l'exemple 1. Comme seul point de différence, la couche d'absorption de lumière 14 a été formée en utilisant une composition de résine contenant une poudre de bismuth. C'est-à-dire, la couche d'absorption de lumière 14 a été formée par les étapes de disperser une poudre fine de bismuth (d'environ 0,1 pm en dimension des particules) dans une solution d'une résine choisie, revêtir la disper30 sion résultante sur le substrat 12 et de séchage et, lorsqu'une résine thermodurcissable a été utilisée, vuicaniser la résine dans le film de revêtement. L'épaisseur de la couche d'absorption de lumière ainsi formée 14 était de 2 pm danschaque exemple. La résine dans laquelle la 35 poudre de bismuth était dispersée était une résine de polystyrène thermoplastique (radicalement polymérisée) dans l'Exemple 6, une résine polyol-acrylate thermodurcissable dans l'exemple 7 et une résine de polyuréthane thermodurcissable dans l'exemple 8. EXEMPLES 9 et 10 La carte d'enregistrement optique d'information de l'exemple 8 a été modifiée seulement en ce que, à la place de la poudre de bismuth dans l'exemple 8, une poudre fine de tellurium (d'environ 0,1 pm en dimension-des particules) a été utilisée dans l'exemple 9 et une poudre fine de carbone (environ 0,1 pm en dimension des particules) 10 dans l'exemple 10. Les cartes d'enregistrement produites dans les exemples 6 à 10 ont été soumises au test d'enregistrement optique ci-dessus décrit. Comme résultat, des trous d'enregistrement circulaires ont été produits dans la couche d'enregistrement 16 de chaque carte d'enregistrement. Dans les cartes des exemples 6, 7, 8 et 10, les trous d'enregistrement avaient un diamètre de 2 mm. Dans la carte d'enregistrement de l'exemple 9, les trous d'enregistrement avaient un diamètre de 3 mm. 20 EXEMPLE 11l Dans ce cas, le matériau de la couche d'enregistrement 16 était un mélange de 50 parties en poids du copolymère VDF-HFA utilisé dans l'exemple 1 et 50 parties en poids de méthacrylate de méthyle. Excepté ce changement, le procédé 25 de fabrication de carte d'enregistrement de l'exemple 1 a été répété. La carte d'enregistrement obtenue a été testée par le procédé ci-dessus décrit. Comme résultat, des trous d'enregistrement circulaires ayant un diamètre de 3 mm 30 ont été produits dans la couche d'enregistrement 16. R E V E N D I C A T I 0 N S 1.- Carte d'enregistrement optique d'information, caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat (12); une couche d'enregistrement (16) qui est formée sur un côté dudit substrat (12) et est formée d'un mélange de polymères qui comprend un copolymère de fluorure de vinylidène et au moins un comonomère contenant du fluor comme premier composant et un polymère d'ester-méthacrylique 10 ou acrylique comme second composant; et une couche d'absorption de lumière (14) qui est intimement interposée entre le substrat (12) et la couche d'enregistrement (16) et qui absorbe la lumière émise d'un laser à semiconducteur et transforme la lumière en 15 énergie de chaleur. 2.- Carte selon la revendication 1, caractérisée en ce que le premier composant précité du mélange de polymères précité est un copolymère de fluorure de vinylidène et d'hexafluoroacétone. 3.- Carte selon la revendication 2, caractérisée en ce que le copolymère précité comprend 0,1-20% en moles d'hexafluoroacétone. 4.- Carte selon la revendication 2, caractérisé en ce que le mélange de polymères précité comprend 20-80% 25 en poids du copolymère précité. 5.- Carte selon la revendication 4, caractérisée en ce que le mélange de polymères précité comprend -75% en poids du copolymère précité. 6.- Carte selon la.revendication 1, caractérisée 30 en ce que la couche d'absorption de lumière précitée comprend un matériau d'absorption de lumière choisi à partir du groupe comprenant le bismuth, le tellurium et le carbone. 7.- Carte selon la revendication 1, caractérisée 35 en ce que la couche d'absorption de lumière précitée est un film d'un métal choisi dans le groupe comprenant le bismuth et le tellurium. 8.- Carte selon la revendication 7, caractérisée en ce que l'épaisseur du film précité est dans l'intervalle o d'environ 50 A à environ 1.000 A. 9.Carte selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche d'absorption de lumière est formée d'une composition de résine comprenant u*n composant de résine et des particules fines d'au moins un matériau d'absorption de lumière choisi dans le groupe comprenant le bismuth, le tellurium et le carbone et dispersées dans le composant de polymères. 10.- Carte selon la revendication 9, caractérisée en ce que les particules fines précitées ne sont pas 15 supérieures à 2 pm en dimension. 11.- Carte selon la revendication 10, caractérisée en ce que la quantité de particules fines précitées dans la composition de résine précitée est dans l'intervalle de 20 à 75% en poids. 12.- Carte selon la revendication 9, caractérisée en ce que l'épaisseur de la couche d'absorption de lumière o précitée est dans l'intervalle d'environ 800 A à environ pm. 13.- Carte selon la revendication 1, caractérisée 25 en ce que le second composant précité du mélange de polymères précité est choisi dans le groupe comprenant des homopolymères et copolymères d'acrylate de méthyle, de méthacrylate de méthyle, d'acrylate d'éthyle, de méthacrylate d'éthyle, d'acrylate de n-propyle, de 30 méthacrylate de n-propyle, d'acrylate de n-butyle, de méthacrylate de n-butyle, d'acrylate d'isobutyle, de méthacrylate d'isobutyle, d'acrylate de t-butyle et de méthacrylate de t-butyle. 14.- Carte selon la revendication 1, caractérisée 35 en ce que l'épaisseur de la couche d'enregistrement est dans l'intervalle de 0,5 à 10 pm.