FR 2598233 A1 19871106 FR 8706144 A 19870428 PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT A CIRCUITS INTEGRES COMPRENANT DIFFERENTS DES INDEPENDANTS La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat à circuits intégrés comprenant différents dés indépendants à circuits intégrés, chaque dé étant répété plusieurs fois sur le substrat. On peut fabriquer des circuits intégrés en diffusant ou en implantant des dopants d'une manière sélective dans des zones de la surface d'un matériau semi-conducteur tel que le silicium, afin de modifier la conductivité des zones dopées. On dépose ensuite successivement sur cette surface des couches de matière isolante telle que l'oxyde de silicium, et de matière 10 conductrice telle que l'aluminium, pour isoler et interconnecter différentes zones. A chaque étape du processus de fabrication, les zones dans lesquelles on place les dopants et les couches superficielles sont définies au moyen d'un revêtement photosensible. Des zones choisies du revêtement photosensible sont exposées à un rayonnement électromagnétique, puis déve15 loppées ou lavées de manière qu'il ne reste que les zones exposées ou les zones non exposées, selon le type de revêtement. Ces zones restantes du revêtement masquent les zones sous-jacentes du substrat durant le processus de dopage ou autre, si bien que seules les zones du substrat apparaissant dans les ouvertures du revêtement sont soumises au dopage ou à un autre 20 traitement. Le revêtement photosensible peut être exposé au rayonnement de deux manières différentes. Un procédé utilise un faisceau d'électrons qui est focalisé sur un petit point de la tranche ou plaquette de silicium et qui 25 balaye celle-ci suivant une trame, en étant modulé en tout ou rien pour exposer les zones voulues. L'autre procédé, employé plus couramment, utilise un masque qui porte la configuration voulue et qui est placé sur le revêtement photosensible. On utilise un rayonnement électromagnétique tel que le rayonnement ultraviolet pour illuminer le masque, si bien que seules 30 les zones du revêtement situées sous des zones transparentes du masque sont exposées au rayonnement. Le masque est ensuite enlevé et il peut être réutilisé. -2 Le circuit intégré typique est beaucoup plus petit que le substrat semi-conducteur, lequel se présente sous la forme d'une tranche ou plaquette circulaire d'un diamètre compris approximativement entre 50 mm et 100 mm. Le circuit formé sur le substrat a la forme d'un dé rectangulaire, 5 chaque substrat porte généralement plusieurs centaines de dés disposés en rangées parallèles à travers le substrat. Cependant, ce nombre dépend de la taille des dés et de la plaquette et il peut aller d'environ trente à plusieurs milliers. Le coût des matériaux intervenant dans la fabrication de ces circuits est relativement bas et les principaux frais de fabrication viennent de la préparation du masque. On prépare celui-ci en transférant optiquement à une échelle réduite une configuration d'intégration dessinée à grande échelle sur papier, sur un masque formé par une plaque transparente.15 pourvue d'une couche d'émulsion photographique. Afin de réduire les frais de fabrication, on répète ce processus de transfert optique en parcourant des bandes parallèles sur la largeur du masque de manière à exposer une configuration d'intégration identique sur des zones adjacentes du masque. Ainsi, tous les dés d'un substrat seront identiques. Il faut noter que, si des 20 dés différents doivent être mélangés sur un masque, cela renchérit considérablement la production du masque puisqu'il sera nécessaire de changer plusieurs fois la configuration servant à l'exposition du masque durant sa fabrication. Le coût et les difficultés de ces opérations sont si grands qu'il est généralement préférable de préparer des masques séparés 25 pour chaque type de dé, même si cela entraîne beaucoup de déchets quand on n'a besoin que d'un petit nombre de l'un des dés. En compromis, on a produit des masques dans lesquels une ou plusieurs rangées ont des dés de configuration différente de ceux des autres rangées, bien que tous les dés d'une rangée soient identiques. Toutefois, même cette solution entraîne une 30 complication accrue du processus de fabrication du masque et conduit à des frais supplémentaires. En outre, quand on n'a besoin que de petites quantités de l'un des types de dés, on aura tout de même des déchets importants si chaque substrat ne comprend qu'un petit nombre de dés différents, ou des frais excessifs si il y a un grand nombre de rangées formées de dés 35 respectifs différents. Puisque chaque substrat est soumis durant la fabrication à plusieurs étapes différentes de traitement, dont chacune nécessite d'exposer le substrat à -3 différentes configurations pour le dopage, l'isolation, l'interconnexion etc. chacune de ces étapes nécessite un masque différent qui lui est spécifique. Ceci augmente le coût de fabrication des circuits intégrés dans une mesure spécialement importante quand on ne veut fabriquer qu'un petit nombre de circuits. La présente invention a pour but de permettre une réduction de ces coûts de fabrication particulièrement dans la production en petites quantités. Dans ce but, l'invention fournit un procédé de fabrication d'un substrat à circuits intégrés du type spécifié plus haut, caractérisé en ce qu'une représentation de la configuration d'intégration de différents dés est produite sous la forme d'une représentation combinée de plusieurs dés, en ce que la représentation combinée est transférée sur un masque de manière 15 répétée pour reproduire la représentation combinée et chaque dé dans une zone du masque différente à chaque transfert, et en ce que l'ensemble de ces représentations combinées sur le masque est transféré sur le substrat simultanément pour reproduire la configuration d'intégration des dés en plusieurs emplacements du substrat. De cette manière, on peut produire un masque comportant plusieurs dés différents sans augmenter son coût, puisqu'on transfère toujours la même représentation composée sur le masque. De préférence, la surface du masque couverte par les représentations combinées est plus grande que la surface utilisable du substrat, de sorte que pour au moins deux représentations combinées seule une portion des représentations combinées est reproduite sur le substrat, et au moins l'un des dés non reproduits de l'une de ces deux représentations combinées est 30 reproduit sur le substrat dans l'autre représentation combinée. Le masque peut comporter sur sa surface deux régions associées à différentes étapes respectives de traitement, les configurations d'intégration dans les deux régions étant transférées simultanément sur des zones 35 respectives du substrat, le substrat étant soumis ensuite à la première des différentes étapes de traitement associées à l'une des régions, et le masque ou un masque identique étant utilisé pour transférer la configuration d'intégration de l'autre région sur un substrat qui est soumis ensuite à - 4 - l'autre étape de traitement. Le masque ou un masque identique peut être réorienté après la première étape et utilisé pour transférer la configuration d'intégration de l'autre région sur le même substrat. -5 En utilisant le même masque pour différents traitement, on peut réduire le coût de fabrication spécialement quand on n'a besoin que d'un petit nombre.ó; de circuits. Dans des formes de réalisation particulières, les dés peuvent être pourvus de plots de contact, ces plots étant placés dans la même position pour chaque dé. Les dés d'une représentation combinée peuvent avoir des tailles différentes. Un ensemble de représentations combinées peut englober des représentations différentes les unes des autres. Au moins certaines des représentations combinées différentes peuvent être de différentes tailles. 1 5 Des reproductions de représentations combinées identiques sur le masque peuvent être alignées les unes avec les autres, et des dés correspondants dans des représentations combinées identiques alignées peuvent être comparés optiquement au moyen de systèmes optiques respectifs. Chaque dé peut être codé électriquement de manière à être identifié. On décrira ci-dessous à titre d'exemples divers procédés de fabrication de substrat à circuits imprimés et divers masques utilisés pour cette fabrication I selon la présente invention, en référence aux dessins annexés, dans lesquels La fig. I est une vue en perspective illustrant schématiquement la préparation d'un masque, la fig. 2 est une vue en plan représentant schématiquement comment l'on peut contrôler le masque, la fig. 3 est une vue en élévation représentant une étape de la fabrication du substrat, la fig. 4- est une vue en plan illustrant l'étape représentée en fig. 3, et les fig. 5 à 10 sont des vues en plan illustrant différentes configurations du masque et du substrat. -5 L'exemple de procédé décrit ci-dessous concerne la production de neuf dés différents sur un substrat à circuits intégrés. Un masque I pour la première étape de fabrication du substrat est réalisé 5 de la manière suivante. Comme le montre la fig. 1, la configuration d'intégration des neuf dés A à I pour la première étape est dessinée sur une surface 2 sous la forme d'une représentation combinée 20. Les configurations des différents dés sont de forme rectangulaire et elles sont disposées côte à côte en trois rangées A à C, D à F et G à I. Chaque dé est 10 complètement indépendant des autres et il a une configuration d'intégration différente. Sur la surface 2, la configuration figure à une échelle considérablement plus grande que celle des circuits réels à fabriquer. On éclaire la surface 2 par un rayonnement approprié et l'on focalise une 15 image de la représentation combinée 20 sur un coin du masque I au moyen d'un groupe optique réducteur 3. L'image formée sur le masque 1 est plus petite que la configuration de la surface 2 et elle a la même taille que la configuration du dé à fabriquer. A ce stade, le masque I a la forme d'une plaque transparente 10 qui est revêtue, du côté du groupe optique 3, d'une 20 émulsion photographique au chrome à haute définition 11 qui est exposée par l'image formée sur lui par le groupe optique. Quand cette région du masque I a été exposée pendant la durée voulue, on arrête l'exposition et l'on déplace le masque I latéralement comme l'indique la flèche 12, sur une distance égale à la largeur de la première image exposée de la représen25 tation combinée. On focalise ensuite une image de la représentation combinée 20 sur une seconde région du masque, adjacente à la première et indiquée en traits interrompus sur la fig. I. On répète ensuite ce processus d'exposition en déplaçant le masque longitudinalement et vers le haut pour produire en tout neuf expositions identiques CRI à CR9 de la représen30 tation combinée, disposées côte à côte en trois rangées. On voit donc que le masque porte l'image de quatre-vingt-un modèles de dés, c'est-à-dire neuf copies de chaque configuration A à I. Le masque ainsi exposé est développé de la manière habituelle pour fixer les images sur le masque sous forme de zones transparentes et de zones opaques. 35 Le masque est alors contrôlé optiquement au moyen d'un dispositif de contrôle optique traditionnel 70 représenté schématiquement en fig. 2. Ce dispositif 70 comporte deux systèmes optiques séparés 71 et 72 qui sont -6. positionnés de manière à visionner simultanément des zones respectives théoriquement identiques de représentations combinées différentes. Les images produites par chaque système optique 71 et 72 sont comparées dans un comparateur photoélectrique 73 pour détecter toute différence entre les 5 zones respectives et délivrer un signal de sortie en conséquence. Ce signal peut être employé pour rejeter le masque ou pour le corriger, par exemple en dirigeant un évaporateur à laser afin d'éliminer sélectivement des zones indésirables. Les dés théoriquement identiques sont espacés l'un de l'autre de la largeur des représentations combinées, cet écart permettant de 10 comparer les dés de représentations combinées adjacentes, alors que l'écart minimal entre les deux systemes optiques 71 et 72 dans le dispositif de contrôle 70 empêche normalement de comparer l'un à l'autre des dés adjacents dans une rangée formée d'un seul type de dés. Une fois terminé, le masque I est utilisé pour transférer les configurations d'intégration sur un substrat semi-conducteur 30, comme on l'a représenté sous une forme simplifiée dans les fig. 3 et 4. La surface supérieure 31 du substrat 30 est tout d'abord revêtue d'une couche 32 de matière photosensible. Le masque I est installé sur le substrat 30 et il est illuminé par une 20 source de rayonnement 33 de manière à exposer les zones de la couche photosensible 32 qui se trouvent sous des zones transparentes du masque. Le masque I peut être placé en contact avec la couche photosensible 32, ou être éclairé par un rayonnement collimaté de manière que l'image transférée sur la couche 32 ait les mêmes dimensions que celles du masque. 25 Cependant, il faut noter qu'on peut utiliser divers systèmes optiques pour produire sur le substrat 30 une image agrandie ou réduite du masque. Après exposition à travers le masque 1, on développe la couche photosensible 32 de la manière habituelle pour éliminer sélectivement soit les zones exposées, soit les zones non exposées de la couche, selon sa nature. 30 L'étape suivante consiste à soumettre le substrat à un processus classique de dopage, dans lequel un dopant est diffusé dans les zones du substrat qui sont apparentes dans les ouvertures de la couche 32. Après cela, le substrat est traité au cours de processus successifs pouvant comprendre l'emploi d'autres couches photosensibles dont chacune est exposée à un rayonnement à travers d'autres masques qui ont différentes configurations d'intégration, mais dont chacune comprend plusieurs -7 représentations combinées identiques les unes aux autres. Ces traitements successifs peuvent être de types connus pour réaliser le circuit intégé de chaque dé. Une fois que le substrat est complètement fabriqué, il comprend neuf copies de chacun des neuf différents dés. Ceuxci peuvent alors être testés, découpés et montés sur des supports comme d'habitude. Ainsi, il est possible de produire un masque de fabrication d'un substrat qui comprend plusieurs dés différents, mais qui peut être réalisé par exposition répétée de la même image, à savoir une image d'une représentation 10 combinée de l'ensemble des différents dés. On remarquera que chaque représentation combinée peut englober un nombre quelconque de dés de deux ou plusieurs types et que la représentation combinée peut être transférée sur le masque un nombre quelconque de fois, sur deux ou plusieurs emplacements. La fig. 4 montre un modèle de neuf représentations combinées CRI-CR9 sur le masque 1, ces représentations tombant entièrement à l'intérieur de la circonférence du substrat sous-jacent 30, si bien que chaque configuration de dé représentée sur le masque donne un dé utilisable sur le substrat. 20 Toutefois, ceci n'aboutit pas nécessairement à l'usage le plus économique de la surface utile du substrat, puisqu'il reste sur celui-ci quatre segments 34 qui se trouvent en dehors de la surface de l'image des représentations combinées sur le substrat. Une disposition plus économique est illustrée en fig. 5. Dans ce cas, la surface de l'image des représentations combinées CRI' à CR9' formée sur le substrat est plus grande que la surface utilisable du substrat. Dans la disposition illustrée en fig. 5, il en résulte qu'une partie de chacune des quatre représentations combinées CRI', CR3', CR7' et CR9' tombe en 30 dehors du substrat. Par conséquent, certains dés de ces quatre représentations ne seront pas reproduits complètement sur le substrat et ne seront donc pas utilisables. Cependant, on peut généralement s'arranger pour que les dés qui ne sont pas reproduits sur le substrat par une représentation combinée soient reproduits par une autre. Dans la disposition de la fig. 5, 35 les représentations combinées qui ne sont pas reproduites complètement sur le substrat reproduisent néanmoins en entier les dés suivants: 15 20 25' - 8 - CRI' CR3' CR7' CR9' : C, E,: A, D,: A, B,: A, B, F, G, H, I E, G, H, I C, E, F, I C, D, E, G Ces quatre représentations combinées suivants, au total: reproduisent donc les nombres de dés A- 3 B -2 C- 3 D-2 E -4 F - 2 3A 2B 2D 4E 3G 2H 3C 2F 31 G- 3 H -2 1 -3 Par conséquent, une telle disposition permet d'obtenir sur un substrat un plus grand nombre de dés dans certaines circonstances. Pour certaines applications, il peut être souhaité de produire plus de copies d'un dé que d'un autre. On peut le faire au moyen d'un masque ayant une représentation combinée dans laquelle le premier dé figure en plus grand nombre d'exemplaires que le second, si bien qu'on obtient plus d'une copie du premier dé pour chaque représentation combinée reproduite sur le substrat. On peut produire une grande variété de dés différents en reproduisant deux ou plusieurs représentations combinées différentes sur le même substrat. Ceci augmente évidemment le coût final des circuits, mais c'est nettement moins cher que de reproduire successivement chaque dé différent sur le masque. Les différentes représentations combinées sont disposées en rangées sur le masque pour faciliter la fabrication comme le montre la fig. 6. Dans cette disposition, les représentations combinées sont disposées en trois - 9 - rangées verticales. Les représentations CR61 à CR66 forment un premier groupe de deux rangées verticales de représentations identiques, tandis que les trois représentations CR67 à CR69 forment sur la troisième rangée un second groupe de représentations qui sont différentes de celles du premier 5 groupe, mais identiques entre elles. Si chaque représentation combinée comprend neuf dés différents, on constatera qu'en utilisant deux représentations combinées différentes il est possible d'avoir dix-huit dés différents en ne changeant qu'une seule fois la configuration utilisée pour créer le masque. En pratique, à cause de divers facteurs tels que des défauts non corrigés dans le masque, des défauts dans le substrat de silicium et des défauts survenant au cours des traitements, chaque dé produit sur le substrat n'est pas utilisable. Un rendement typique peut être d'un dé utilisable pour trois 15 à six dés sur le substrat. Pour assurer que le substrat produise au moins un dé utilisable, il est souhaitable que chaque dé soit reproduit environ cinq fois sur le substrat. La configuration illustrée en fig. 6 assure une reproduction à au moins cinq exemplaires. Si les représentations combinées CR61 à CR66 du premier groupe comprennent neuf dés différents, on 20 obtiendra au moins cinq copies de chaque dé, puisque les deux représentations partiellement reproduites CR61 et CR63 se combinent pour donner une représentation combinée complète. Dans le second groupe de représentations CR67 à CR69, les représentations partiellement reproduites CR67 et CR69 produisent ensemble une représentation combinée complète, ce qui 25 donne deux représentations combinées au total dans le second groupe. Si chaque dé se répète trois fois dans chacune des représentations combinées CR67 à CR69, il en résulte six copies de chaque dé dans le second groupe, ce qui assure le rendement voulu pour chaque dé sur le substrat avec un minimum de déchets. Là o l'on utilise des représentations combinées différentes, celles-ci n'ont pas besoin d'avoir toutes la même taille ou la même forme. La fig. 7 montre un masque 74 comportant deux types différents de représentations combinées, et ayant des tailles différentes. Les plus petites représentations 35 CR70 à CR73 sont disposées en une rangée verticale de quatre représentations se trouvant entièrement à l'intérieur du pourtour du substrat 75. Les plus grandes représentations CR74 à CR79 sont disposées en deux autres rangées verticales CR74 à CR76 et CR77 à CR79 comprenant chacune trois - 10 unités. Les rangées extérieures ont la même hauteur que la rangée centrale, mais seules leurs unités CR75 et CR78 tombent entièrement dans les limites du substrat 75. Toutefois, en combinant les dés de CR74 et CR79 qui sont reproduits sur le substrat et ceux de CR76 et CR77, il est possible -5 d'obtenir l'équivalent de deux autres représentations combinées. Cette disposition fournit donc quatre exemplaires de la petite représentation combinée et quatre de la grande. Pour faciliter la connexion ultérieure des dés sur leurs supports respectifs, 10 il est préférable que les différents dés aient des plots de contact 80 disposés le long de leurs bords sur des emplacements identiques, comme le montre la fig. 8. Ceci rend possible d'assembler différents dés sur leurs supports au moyen d'une machine de connexion automatisée sans avoir à régler celle-ci pour chaque dé différent. De préférence, la configuration d'intégration de 15 chaque dé sur chacun des différents masques comporte une ou plusieurs marques de repérage qui, dans le cas de la fig. 8, se présentent sous la forme d'une croix 81 dans deux coins opposés de chaque dé. Ceci permet un positionnement précis de chaque masque pour les processus successifs de la fabrication. Après découpage du substrat pour séparer les dés les uns des autres avant l'assemblage sur leurs supports respectifs, il y a un risque de mélange des différents dés produits sur un seul et même substrat. Il est donc conseillé de marquer les dés d'une façon qui facilite l'identification et le tri. Ceci peut 25 se faire de différentes façons, mais de préférence d'une façon qui permet une identification à la machine. En particulier, le circuit formé sur chaque dé peut englober un (ou plusieurs) élément de circuit qui caractérise uniquement ce dé et qui peut être identifié électroniquement. Ce peut être par exemple un registre à décalage dans lequel est stocké un code 30 d'identification du dé. Ce registre peut être lu automatiquement pendant le processus d'assemblage, et des étapes de ce processus, par exemple le câblage, peuvent être modifiées automatiquement en fonction de la nature du dé. 35. Comme mentionné plus haut, la fabrication d'un substrat a circuits intégrés nécessite d'employer plusieurs masques différents pour produire les différentes configurations de couches photosensibles nécessaires pour les étapes successives de traitement, un circuit ordinaire exigeant douze - l1 masques différents. Le coût de fourniture de ces masques augmente le coût du circuit fini tout particulièrement quand on ne fabrique qu'un petit nombre de dés. Cependant, le nombre de masques nécessaires peut être réduit de la manière décrite ci-dessous. En référence aux fig. 9 et 10, un masque 100 comporte une configuration symétrique de douze représentations 101 à 112 composées de dés, tombant dans les limites d'un substrat semi-conducteur 200 sur lequel on veut reproduire la configuration. La partie de gauche L de la configuration, lU comprenant les représentations combinées 101 à 106, concerne les configurations de dés nécessaires pour la première étape de traitement, tandis que la moitié de droite R, comprenant les représentations combinées 107 à 112, concerne les configurations de dés nécessaires pour la seconde étape de traitement. La configuration complète du masque 100 est transférée sur le substrat 200 à la couche photosensible, qui est développée de la manière habituelle, puis le substrat est soumis à la première étape de traitement, par exemple la diffusion d'un dopant. Comme la configuration reproduite sur la partie de 20 droite du substrat concerne la seconde étape de traitement plutôt que la première, cette partie du substrat sera en général inutilisable après la première étape de traitement. Cependant, la partie de gauche du substrat aura subi le processus voulu. On fait ensuite tourner le masque 100 de 180 , comme le montre la fig. 10, de sorte que les représentions combinées 107 à 112 concernant la seconde étape de traitement, qui se trouvaient à l'origine dans la partie de droite du masque, se trouvent maintenant à gauche. Les représentations combinées 112, 111, 110, 109, 108 et 107 recouvrent ainsi les emplacements précédents 30 des représentations 101, 102, 103, 104, 105 et 106 respectivement. Après avoir recouvert le substrat 200 d'une autre couche photosensible, on peut l'exposer à travers le masque 100 tourné pour que la configuration d'intégration pour le second traitement soit transférée sur les représentations combinées de la partie de gauche du substrat. On remarquera que les 35 représentations combinées concernant le second traitement sont reproduites de manière inversée par rapport à celles qui concernent le premier traitement. Durant le transfert du modèle pour le second traitement, la partie de droite du substrat aura subi le transfert d'une configuration pour - 12 - le premier traitement. Ceci permet d'utiliser un masque pour deux traitements différents. Il en résulte évidemment que la moitié du substrat constitue un déchet, mais cela n'a toutefois pas d'importance quand on fabrique les dés en petites quantités. Un même masque pourrait porter des 5 configuration d'intégration pour plus de deux traitements, quoique les quantités de déchets augmentent avec ce nombre de traitements. Il faut noter que le masque ne doit pas nécessairement tourner pour être positionné en vue du transfert de la configuration pour le second 10 traitement, mais qu'il pourrait par exemple être déplacé latéralement ou retourné. Dans certaines circonstances, au lieu d'utiliser le même masque pour le second traitement, il pourrait être plus indiqué d'utiliser un autre masque, mais qui soit identique au premier. D'autre part, au lieu d'utiliser un masque donné pour reproduire des configurations pour différents 15 traitements sur un substrat donné, on pourrait utiliser un masque ayant par exemple une région concernant un traitement pour un substrat et une autre région concernant un autre traitement sur un autre substrat. Toutes, ces différentes dispositions permettent de réduire le coût de 20 préparation des masques, - 13 Revendications 1. Procédé de fabrication d'un substrat à circuits intégrés comprenant différents dés indépendants à circuits intégrés, chaque dé étant répété plusieurs fois sur le substrat, caractérisé en ce qu'une représentation de la configuration d'intégration des différents dés (A à 1) est produite sous la 5 forme d'une représentation combinée (CR) de plusieurs dés, en ce que la représentation combinée est transférée sur un masque (1, 74, 100) de manière répétée pour reproduire la représentation combinée et chaque dé dans une zone du masque différente à chaque transfert, et en ce que l'ensemble de ces représentations combinées (CRI à CR9, CRI' à CR9', 10 CR61 à CR69, CR70 à CR79, CR101 à CR112) sur le masque est transféré sur le substrat (30, 75, 200) simultanément pour reproduire la configuration d'intégration des dés en plusieurs emplacement du substrat. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface du 15 masque (74) couverte par les représentations combinées (CR61 à CR69, CR70 à CR79) est plus grande que le surface utilisable du substrat (75), de sorte que pour au moins deux représentations combinées (CR61, CR63, CR67, CR69; CR74, CR76, CR77 et CR79) seule une portion des représentations combinées est reproduite sur le substrat, et en ce qu'au 20 moins l'un des dés non reproduits de l'une de ces deux représentations combinées (CR61, CR67; CR74, CR77) est reproduit sur le substrat (30, 75, ) dans l'autre représentation combinée (CR63, CR69; CR76, CR79). 3. Procédé selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que le masque 25 (100) comporte sur sa surface deux régions (107 à 112 et 101 à 106) associées à différentes étapes respectives de traitement, en ce que la configuration d'intégration dans les deux régions est transférée simultanément sur des zones respectives du substrat (200), en ce que le substrat est soumis ensuite à la première des deux étapes différentes de traitement 30 associées à l'une des régions (101 à 106), et en ce que le masque (100) ou un masque identique est utilisé pour transférer la configuration d'intégration de l'autre région (107 à 112) sur un substrat (200) qui est ensuite soumis à l'autre étape de traitement. - 14 4. Procédé selon la revendication 3, caractérise en ce que le masque (100) ou un masque identique est réorienté après ladite première étape de traitement et en ce qu'il est utilisé pour transférer la configuration d'intégration de l'autre région (107 à 112) sur le même substrat (200). 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les dés (A à 1) sont pourvus de plots de contact (80), et en ce que les plots de contact (80) sont placés dans la même position pour chaque dé. 6. Procédé selon l'une des revendications! à 4, caractérisé en ce que les dés d'une représentation combinée ont des tailles différentes. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'un ensemble de représentations combinées (CR61 à CR66 et CR67 à 15 CR69; CR70 à CR73 et CR74 à CR79; CR10I à CR106 et CR107 à CRI12) englobe des représentations combinées différentes les unes des autres. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'au moins certaines des représentations combinées différentes (CR70 à CR73 et CR74 à CR79) 20 sont de taille différente. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que des reproductions de représentations combinées identiques (CRI, CR2, CR3) sur le masque sont alignées les unes avec les autres, et en ce que des dés 25' correspondants dans des représentations combinées identiques alignées sont comparés optiquement au moyen de systèmes optiques respectifs (71 et 72). 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que chaque dé est codé électriquement de manière à être identifié.