FR 2601502 A1 19880115 FR 8610141 A 19860709 La présente invention concerne les dispositifs électroniques à semi- conducteur et plus précisément ceux qui ont besoin d'être munis d'un système de refroidissement comme par exemple les transistors de puissance ou les circuits qui comprennent de tels transistors. On connait actuellement différentes solutions pour dissiper la chaleur dégagée par un composant ou un circuit électronique réalisé sur une microplaquette de matériau semi-conducteur. La plus courante consiste à faire appel à un radiateur et à le placer à l'extérieur de. l'enveloppe de protection de la puce, c'est-a-dire de la microplaquette. Lorsque cette enveloppe est un boîtier métallique ce radiateur est généralement mis simplement en contact avec elle, directement ou par l'intermédiaire.d'une feuille de matière électriquement isolante. Par contre, lorsqu'il s'agit d'un boîtier en plastique ou d'un 15 simple enrobage de résine époxyde ou d'une autre matière du même genre on monte le plus souvent celui-ci sur une pièce métallique qui le relie à la face arrière de la puce et qui peut parfois jouer aussi un rôle électrique. Il arrive également que le radiateur soit placé directement en 20 contact avec cette face arrière. C'est le cas notamment lorsque la puce n'est que partiellement enrobée mais cela est rare. Comme autre solution connue on peut citer par exemple celle qui consiste à enfermer dans le boîtier qui contient la puce non pas un gaz inerte comme on le fait généralement mais une matière ou un 25 fluide frigorifique comme le Freon (marque déposée) qui transmet beaucoup mieux la chaleur du composant ou du circuit à ce boîtier. Le but de l'invention est d'offrir une nouvelle possibilité à la fois simple et efficace pour améliorer ces solutions que l'on connait déja, ou tout au moins la plupart d'entre elles, ou les 30 remplacer avantageusement. Cela dépend de la quantité de chaleur que le composant ou le circuit peut produire et de la façon dont la puce qui le contient est conditionnée. 2 601502 Ce but est atteint grâce au fait qu'un dispositif selon l'invention, qui comporte une plaquette de matériau semi-conducteur dont une face présente au moins une zone active et porte des métallisations et des plots de contact pour former un composant électronique intégré et une couche de'matière isolante de protection qui recouvre cette face de la plaquette sauf aux endroits des plots, comporte également un élément métallique placé au contact de la couche de protection et qui couvre au moins une partie de la zone active de ce composant. Par ailleurs, le mieux est que cet élément métallique soit une plage formée sur la couche de protection et que le dispositif comporte en plus un radiateur et une liaison métallique entre cette plage et ce radiateur. L'invention sera mieux comprise à ta lecture de la description 15 qui suit d'une forme particulière de mise en oeuvre, choisie à titre d'exemple, et à la vue du dessin annexé à cette description, sur lequel: - la figure 1 est une vue en perspective schématique et partielle de cette forme d'exécution, et - les figures 2A et 2B des vues en coupe également partielles et agrandies, suivant les lignes A-A et B-B de la précédente. Tel qu'il est représenté sur le dessin le dispositif électronique selon l'invention comprend une puce 1 avec un substrat en silicium 2 sur lequel a été formé seulement un transistor de puis25 sance de type MOS 3. Cette situation n'est pas rare vu la surface que peut occuper un tel transistor. Pour simplifier les figures ne montrent de ce transistor 3 que les métallisations de drain 4, de source 5 et de grille 6 avec leurs plages respectives de connexion 4a' 5a et 6a. Les autres parties, 30 c'est-àdire au moins la diffusion de source, la diffusion de drain, le canal et la couche mince d'oxyde de silicium (SiO2) située sous la métallisation de grille sont seulement figurées sur la'vue en coupe du dispositif par une zone 7, délimitée par une ligne en traitillés, dans laquelle elles se trouvent et qui constitue dans ce 35 cas la zone active dont on a parlé. Pour la même raison la couche d'oxyde de silicium de protection que l'on a l'habitude de former à la surface du silicium en premier lieu, c'est-adire avant même de réaliser le transistor, n'a pas elle non plus été représentée. Par contre, on peut voir sur ces figures la deuxième couche isolante de protection 8 souvent en verre mais qui peut être aussi 5 par exemple en nitrure de silicium (Si3N4) ou en polyimide et qui présente au droit des plages de connexion 4a' 5a et 6a des métallisations des fenêtres 9 par lesquelles sortent des plots de contact 10, par exemple en or, qui sont reliés par l'intermédiaire de pattes de connexion 11 à des bandes conductrices 12 portées par un support 10 non représenté. Ce support peut être par exemple le substrat d'un circuit imprimé dont les bandes 12 constituent des pistes ou le fond d'un bottier. On constate également qu'au-dessus de la zone active 7 du transistor la couche de protection 8 porte une plage 14 formée du 15 même métal et de même épaisseur que les plots 10 mais de surface beaucoup plus grande qu'eux et que cette plage est elle aussi reliée par une patte de connexion 15 à une bande métallique 16 portée par le même support que les autres. Comme on le verra par la suite cette bande peut constituer elle- même le radiateur dont on a parlé ou 20 simplement prolonger la patte 15 pour transmettre la chaleur captée par la plage 14 à celui-ci. Le fait de choisir le même métal pour la plage 14 que pour les plots 10 n'est évidemment pas une obligation mais il a le gros avantage de permettre de réaliser les deux en même temps et ceci 25 très facilement. En effet, pour former les plots de contact d'un composant ou d'un circuit intégré et en particulier d'un transistor comme celui dont il est question ici on procède généralement de la manière suivante: Lorsque le transistor se trouve encore avec beaucoup d'autres sur la plaque de silicium dont on est parti et après qu'une couche isolante de protection comme la couche 8 dont on a parlé ait été déposée sur toute la face avant de celle-ci et que des fenêtres y aient été percées aux endroits o les plots de contact doivent se 35 situer on crée sur cette face, par évaporation sous vide, une couche métallique qui n'est pas forcément homogène. Par exemple, lorsque les métallisations du transistor sont en aluminium et qu'on a l'intention d'utiliser effectivement de l'or pour les plots, ce qui arrive très fréquemment, cette couche peut être constituée par deux couches plus minces, l'une de titane-tungstène et l'autre d'or. Apres que cette couche métallique ait été déposée on recouvre 5 la face avant de la plaque et souvent aussi sa face arrière de résine photosensible, on éclaire la face avant à travers un masque, on effectue l'opération de développement qui permet d'ouvrir dans la résine des fenêtres centrees sur celles de la couche de protection et, après un nettoyage soigneux de la plaque pour faire disparaître 10 toute trace de résine sur la couche métallique aux endroits o elle a été mise à nu, on place cette plaque dans une cuve électrolytique contenant un ou plusieurs sels du métal dont les plots doivent être constitués. Lorsque la plaque est restée suffisamment longtemps dans la 15 cuve pour que les plots aient atteint l'épaisseur voulue on la sort, on la sèche, on enlève la résine qui reste sur sa face avant et, éventuellement, celle que l'on avait mise aussi sur sa face arrière pour éviter un dépôt de métal sur celle-ci et on fait disparaître la couche métallique ailleurs qu'aux emplacements des plots. Par conséquent, pour obtenir en plus de ces plots une plage comme la plage 14, il suffit de prévoir un masque qui permet de percer dans la résine une fenêtre supplémentaire à l'endroit voulu. Cela explique que la plage 14 ait la même épaisseur que les plots 10 et que l'on trouve sur les figures 2A et 2B la même couche 25 métallique intermédiaire 13 entre cette plage et la couche isolante 8 et entre ces plots et les plages de connexion 4a, 5a et 6a des métallisations du transistor 3. D'autre part, ce que l'on vient de dire à propos de la plage 14 et des plots 10 est également valable d'une certaine manière pour la 30 patte de connexion 15 et les autres 11. En effet, si l'on utilise la technique connue sous l'abréviation T.A.B. de l'expression anglaise "Tape Automated Bondirig", on peut très bien former en même temps, sur le ruban souple de matière isolante dont on se sert dans cette technique, des groupes non pas 35 de trois mais de quatre bandes conductrices, de formes et de dimensions adequates, -et souder ensuite les bandes de chaque groupe simultanément sur les plots de contact et la plage métallique d'un 260 15 02 transistor puis sur d'autres bandes conductrices comme les bandes 12 et 16. Pour cela il suffit que la patte de connexion supplémentaire, associée à la plage, puisse être constituée de la même manière que les autres. Or rien ne s'y oppose car, comme pour les plots, les 5 métaux qui sont employés pour réaliser les pattes de connexion d'un composant ou d'un circuit intégré en général font partie de ceux qui présentent une très bonne conductibilité thermique. Très souvent ces pattes sont, en grande partie tout au moins, en cuivre. On va voir maintenant, grâce à quelques exemples, comment 10 l'ensemble que l'on vient de décrire peut se suffire a lui-même ou être complété pour former un dispositif conforme à l'invention, en fonction de la puissance du transistor 3, de ce que sont les bandes conductrices 12 et 16 et des moyens de protection que l'on peut associer à cet ensemble. Ceci permettra également de montrer que le 15 but de l'invention qui est, rappelons-le, de fournir une solution pour remplacer ou améliorer certaines au moins de celles que l'on connait déjà pour refroidir un composant ou un circuit intégré est bien atteint. Supposons tout d'abord que la puissance du transistor ne soit 20 pas très élevée, que les bandes conductrices 12 et 16 soient effectivement les pistes d'un circuit imprimé et qu'avant de souder les pattes de connexion 11 et 15 sur celles-ci on ait enrobé la puce 1 de résine. Dans ce cas, si cela peut suffire et si l'on dispose d'assez de place sur le circuit imprimé, il est facile de donner à 25 la bande 15 la surface nécessaire, par exemple en la faisant serpenter, en l'élargissant ou en la ramifiant, pour qu'elle forme elle-même un radiateur capable de dissiper convenablement la chaleur qui lui est apportée par la plage 14 et la patte 15 et qui représente la plus grande partie de celle dégagée par le transistor vu que 30 ces éléments sont faits de métaux qui présentent une conductibilité thermique nettement supérieure à celle du silicium et de la résine. Sinon, on peut souder un radiateur classique sur la bande, erès de la patte 15. L'une ou l'autre de ces solutions permet de remplacer avanta35 geusement celle qui consisterait à mettre un radiateur en contact avec une pièce métallique qui traverserait la résine et qui serait fixée sous la puce ou avec la face arrière de cette dernière si elle était laissée à nu. Naturellement, ce serait encore mieux si il n'y avait pas la couche isolante 8 entre la plage 14 et le transistor mais on ne peut 5 évidemment pas la supprimer et il faut bien voir que son épaisseur est en réalité très faible. Par ailleurs, si une patte devait être ajoutée à l'ensemble représenté sur le dessin, pour relier le substrat 2 du transistor à la masse du circuit dont il est sensé faire partie, il est probable 10 que rien n'empêcherait de la souder elle aussi sur la bande 16 qui serait connectée à cette masse. Une autre possibilité consisterait à fixer cette patte sur une autre piste qui pourrait former un second radiateur ou être en contact avec le même que la bande 16. Dans les deux cas on pourrait considérer l'invention comme une nette amélio15 ration de la solution déjà connue de la pièce métallique dont on. vient de parler. Admettons maintenant qu'il n'y ait pas de matière d'enrobage autour de la puce et que les bandes 12 ne soient pas des pistes conductrices d'un circuit imprimé mais des pattes qui sortent d'un 20 boîtier. Si ce boîtier est en matière plastique et si la bande 16 est elle aussi une patte, mise en contact avec un radiateur extérieur on se retrouve pratiquement dans la même situation que précédemment, c'est-adire que la technique antérieure de la pièce métallique 25 fixée sous la puce et qui traverse le boîtier est amélioree. Si, au contraire, le boîtier est métallique on peut mettre alors, directement ou par une soudure, sa base ou son capot en contact avec la bande 16 et créer de cette manière une voie plus facile et plus rapide pour la transmission de la chaleur du transis30 tor au boîtier que le substrat de silicium et, par exemple, le gaz contenu dans ce bottier. Là encore, suivant la puissance du transistor, cette s'olution peut se suffire à elle-même ou être combinée avec d'autres, par exemple le remplissage du bottier par un fluide ou un produit 35 spécial ou l'utilisation d'un radiateur. D'autre part, dans le cas o l'on doit quand même prévoir un radiateur, il est préférable que la bande 16 soit, elle aussi, une patte externe pour pouvoir être mise en contact avec celui-ci plutôt qu'avec le boîtier, surtout si l'on doit prévoir entre ce radiateur et ce boîtier une feuille de matière isolante. Evidemment, l'invention n'est pas limitée à ce mode d'exécution 5 que l'on a décrit ni aux différentes possibilités que l'on vient d'envisager pour l'adapter aux moyens de conditionnement qui peuvent lui être associés. Par exemple, on peut très bien prévoir deux pattes de connexion comme la patte 15 ou plus, soudées d'un côté sur une plage métalli10 que ou sur plusieurs et, de l'autre, sur des bandes conductrices respectives, si l'on estime que le refroidissement du transistor peut grâce à cela être plus efficace. Pour la même raison on peut aussi imaginer de faire déborder assez largement les plots de contact électrique sur la couche 15 isolante de protection et les faire participer ainsi, avec les pattes de connexion et les bandes conductrices qui leur sont associées à l'évacuation de la chaleur dégagée' par le transistor, principalement lorsque les bances conductrices en question sont des pistes d'un circuit imprimé. Par ailleurs, dans le cas d'une puce enfermée dans un boîtier métallique rempli par exemple d'un fluide frigorifique, on pourrait, à la limite, se contenter d'une plage métallique recouvrant la plus grande partie de la couche isolante car, de cette façon, on améliorerait l'échange de chaleur entre la puce et ce fluide. En effet, 25 cette chaleur aurait moins de peine à traverser tout de suite la couche isolante au-dessus du transistor pour atteindre la plage métallique et se répandre ensuite très rapidemment dans celle-ci qu'elle n'en aurait normalement à se propager dans le substrat de silicium Dans la même hypothèse et toujours dans le même but on pourrait souder sur la plage une pièce métallique qui formerait un petit radiateur interne au boîtier ou remplacer cette plage et cette pièce par un autre élément métallique, placé directement au contact de la couche isolante et fixé par de la colle déposée autour de lui. Bien 35 entendu, de tels modes d'exécution seraient moins faciles à réaliser que celui qui a été décrit, sans forcément pouvoir donner de meilleurs résultats. 260 1 502 Enfin, compte tenu de ce qui a été dit jusqu'à présent on voit très bien comment l'invention peut être étendue à des circuits de type MOS ou autre qui comprennent plusieurs composants capables de dégager une quantité de chaleur relativement importante. Par exemple, si l'on regarde à nouveau la figure 1 et si l'on imagine qu'il y a sur le substrat de silicium un autre transistor à côté de celui qui a été représenté, on se rend compte immédiatement que, pour refroidir ce transistor supplémentaire, on peut simplement augmenter la surface de la plage métallique pour qu'elle recouvre 10 également la plus grande partie de sa zone active ou prévoir une autre plage au-dessus de cette dernière et lui associer une autre patte de connexion. Ensuite, on a le choix entre relier les deux pattes à une bande conductrice commune ou à des bandes séparées. D'autre part, il est évident que l'on pourrait aussi n'avoir qu'une 15 seule plage et deux pattes de connexion ou plus si cela était utile. REVENDICATIONS 1. Dispositif électronique comportant une plaquette de matériau semiconducteur (1) dont une face présente au moins une zone active (7) et porte des métallisations (4, 5, 6) et des plots de contact (10) pour former un composant électronique intégré (3), et 5 une couche (8) de matière isolante de protection qui recouvre ladite face de la plaquette sauf aux endroits desdits plots, caractérisé par le fait qu'il comporte également un élément métallique (14) placé au contact de ladite couche de protection et qui couvre au moins une partie de ladite zone active pour refroidir ledit compolO sant. 2. Dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé par le fait que ledit élément métallique est une plage (14) formée sur ladite couche de protection (8) et qu'il comporte en plus un radiateur (16) et une liaison métallique (15) entre ladite plage 15 et ledit radiateur. 3. Dispositif électronique selon la revendication 2, caractérisé par le fait que ladite plage (14) est en contact avec ladite couche de protection (8) par l'intermédiaire d'une couche métallique (13). 4. Dispositif électronique selon la revendication 2 ou 3, caractérisé par le fait que ladite plage (14) et lesdits plots de contact (10) sont constitués par un même métal. 5. Dispositif électronique selon la revendication 4, caractérisé par le fait que ladite plage (14) et lesdits plots de contact 25 (10) sont en or. 6. Dispositif électronique selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, caractérisé par le fait qu'il comporte également des pattes de connexion (11) pour relier électriquement lesdits plots de contact (10) à des bandes conductrices (12) portées par un support 30 et que ladite liaison métallique comprend elle-même une patte de connexion (15), de même constitution que les autres et qui est fixée, d'une part, sur ladite plage (14) et, d'autre part, sur une bande conductrice supplémentaire (16) que porte ledit support. 26015 0 2 7. Dispositif électronique selon la revendication 6, caractérisé par le fait que ladite bande conductrice supplémentaire (16) forme ledit radiateur.