FR 2610443 A1 19880805 FR 8801314 A 19880204 La présente invention concerne une tête magnétique pour l'enregistrement et la reproduction sur un milieu d'enregistrement magnétique à force coercitive élevée ou à partir dudit milieu, tel qu'une bande dénommée métallique. Plus particulièrement, elle concerne une tête magnétique dans laquelle les portions principales de la moitié du noyau magnétique ou des moitiés du noyau magnétique sont formées d'un matériau magnétique du type oxyde et le voisinage de l'entrefer magnétique est formé d'un ou de plusieurs films minces d'alliage magnétique doux. Dans les appareils d'enregistrement et de reproduction magnétique, tels que les appareils enregistreurs à bande vidéo ou VTR, des tentatives ont été faites pour accroître la densité d'enregistrement des signaux d'information. A cet effet, des bandes dénommées métalliques dans lesquelles des poudres de métaux magné- tiques telles que Fe, Co et Ni sont utilisées comme poudres magné- tiques, ou des bandes dénommées évaporées dans lesquelles le maté- riau métallique précédent est déposé directement par évaporation, sont utilisées de façon croissante comme milieu d'enregistrement magnétique. Ce type de milieu d'enregistrement magnétique présente une force coercitive supérieure et une densité de flux magnétique résiduelle supérieure de sorte qu'une densité de flux magnétique de saturation suffisamment élevée compatible avec la force coercitive du milieu d'enregistrement est requise pour le matériau du noyau de la tête magnétique adaptée à la conversion électromagnétique des signaux d'information. Par-dessus tout, lorsqu'une seule et même tête magnétique assure à la fois l'enregistrement et la reproduc- tion, non seulement la densité de flux magnétique de saturation mentionnée ci-dessus mais également une perméabilité magnétique suffisamment élevée pour l'intervalle de fréquences de travail sont requises pour le matériau de noyau de la tête magnétique. Toutefois, il est impossible avec la tête conventionnelle en ferrite d'obtenir des caractéristiques d'enregistrement suffi- santes pour le milieu d'enregistrement magnétique mentionné ci- dessus, car La tête en ferrite a une perméabilité magnétique éLevée 2610 4 4 3 mais une faible densité de flux magnétique de saturation. Par ailleurs, la tête magnétique constituée d'un alliage magnétique doux tel qu'un alliage du système Fe-Al-Si a une densité de flux magnétique de saturation supérieure et exhibe de bonnes caractéris- tiques d'enregistrement pour le milieu d'enregistrement magnétique à force coercitive élevée, mais elle a une faible perméabilité magnétique efficace pour l'intervalle de fréquences de travail pour l'épaisseur de noyau appropriée à la forme courante de la tête de sorte que ses caractéristiques de reproduction sont détériorées. Compte tenu de ce qui précède, on a développé et utili- sé une tête magnétique dans laquelle les moitiés de noyau magné- tique sont formées d'un matériau magnétique composite de ferrite et d'alliage du système Fe-Al-Si et les surfaces d'about des films minces de l'alliage Fe-Al-Si sont utilisées comme entrefer magné- tique. Par-dessus tout, la tête magnétique dans laquelle les films minces d'alliage du système Fe-Al-Si mentionné ci-dessus sont prévus seulement dans le voisinage des surfaces d'about des portions en ferrite, et dans laquelle les surfaces limites entre la ferrite et l'alliage Fe-Al-Si sont substantiellement parallèles aux surfaces de l'entrefer magnétique, est avantageuse du fait que la largeur de piste peut être réglée indépendamment de l'épaisseur de l'alliage Fe-Al-Si et que le procédé de fabrication est pratique- ment le même que celui pour la tête conventionnelle en ferrite de sorte que la productivité et le rendement de production sont supé- rieurs. Toutefois, avec ce type de tête magnétique, une couche affectée par la réaction entre la ferrite et l'alliage du système Fe-Al-Si tend à se former sur les surfaces de ferrite, c'est-à-dire sur les surfaces o le film mince d'alliage Fe-Al-Si est formé, durant le temps pendant lequel un tel film est formé par exemple par pulvérisation cathodique. Dans la tête magnétique précédente, la surface limite comprise entre la ferrite et le film mince d'alliage Fe-Al-Si est pratiquement parallèle aux surfaces de l'entrefer magnétique dans le voisinage dudit entrefer magnétique, de sorte que la couche affectée mentionnée ci-dessus agit comme un pseudoentrefer ou un faux entrefer pour affecter à son tour les caractéristiques de reproduction de la tête magnétique. Ainsi le pseudoentrefer provoque la déformation des caractéristiques de fréquence de la sortie de reproduction et détériore la qualité de l'image repro- duite. De plus, avec une tête magnétique dans laquelle les demi- noyaux mentionnés précédemment sont constitués d'un matériau magné- tique composite par exemple de ferrite de Mn-Zn ayant un coeffi- cient de dilatation thermique de 115 à 130 x 10-7/OC et d'un film - mince d'alliage du système Fe-AL-Si ayant un coefficient de dila- tation thermique de 150 à 160 x 107/ C, les portions en ferrite tendent à gauchir en raison de la différence de coefficients de dilatation thermique entre les différents matériaux entraînant ainsi le pelage du film et favorisant l'effet désavantageux du pseudoentrefer tandis que la résistance mécanique de la tête magné- tique ne peut pas être aussi élevée qu'on puisse le désirer. Afin d'éliminer l'effet désavantageux propre au pseudo- entrefer, il a été proposé une tête magnétique dans laquelle la surface limite au voisinage de l'entrefer magnétique est inclinée d'un angle prédéterminé par rapport à l'entrefer magnétique pour éviter les pseudosignaux en tirant profit de la perte dénommée azimuthale. Toutefois, dans sa production, ce type de tête magné- tique présente un certain nombre de désavantages, par exemple l'usinage de la tête est compliquée, l'opération de formation du film de Fe-Al-Si est longue étant donné que la largeur de piste dépend de l'épaisseur du film mince d'alliage Fe-Al-Si et la productivité et par conséquent le rendement de production sont abaissés. Compte tenu de ce qui précède, la présente invention a pour objet une tête magnétique exempte d'effets désavantageux du pseudoentrefer et ayant d'excellentes caractéristiques d'enregis- trement et de reproduction. Un autre objet de la présente invention concerne une tête magnétique dont la productivité et le rendement de production sont avantageux et qui peut être adaptée afin d'obtenir une réduction des coûts de production. Comme résultat des recherches soutenues afin de réaliser les objets précités, les présents inventeurs ont acquis l'information selon laquelle le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si réagit difficilement avec les matériaux magnétiques du type oxyde tels que la ferrite et présente une densité de flux magnétique de saturation élevée de sorte qu'il peut être utilisé avantageusement comme matériau principal pour noyau pour la tête magnétique. La présente invention fournit une tête magnétique dans laquelle les moitiés de noyau magnétique sont constituées par un matériau magnétique du type oxyde et par des films minces d'alliage magnétique doux, et dans laquelle les surfaces limites entre les films minces d'alliage magnétique doux et le matériau magnétique du type oxyde sont rendues parallèles l'une à l'autre et dans laquelle des films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si sont utilisés comme films minces d'alliage magnétique doux men- tionnés précédemment, permettant de remédier à l'effet désavanta- geux du pseudoentrefer et d'améliore les caractéristiques d'enre- gistrement et de reproduction ainsi que la productivité et le rendement de production. Le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si exhibe une faible réactivité vis-à-vis des matériaux magnétiques du type oxyde et par conséquent la couche affectée mentionnée précédemment ne tend pas à se produire sur les surfaces limites entre le matériau magnétique du type oxyde et les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si. De même, le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si a un coefficient de dilatation thermique de l'ordre de 120 x 10-7 /C proche de celui du matériau magnétique du type oxyde qui est de 115 à 120 x 10 I/C pour la ferrite de Mn-Zn de sorte que le pelage du film dû au gauchissement du matériau magnétique du type oxyde est éliminé. Comme résultat, l'écoulement des flux magnétiques sur la surface limite devient uniforme de sorte que l'effet désavantageux du pseudoentrefer peut être éliminé. De plus, la tête magnétique selon la présente invention présente des surfaces limites comprises entre le film mince magné- tique doux du système Fe-Ga-Si et le matériau magnétique du type oxyde dans le voisinage de l'entrefer magnétique et s'étendant pratiquement parallèlement à l'entrefer magnétique, de sorte qu'elle peut être produite par un nombre d'étapes comparable à celui pour la production de la tête en ferrite conventionnelle et présente des avantages en ce qui concerne la productivité, la production en masse et les coûts de production. Sur les dessins ci-joints: - les figures 1A et lB montrent un premier mode de réalisation de la présente invention, la figure 1A étant une vue en perspective schématique de la tête magnétique et la figure lB étant une vue plane agrandie de la surface de contact par glissement avec le milieu d'enregistrement magnétique. - la figure 2 est un graphique montrant la relation entre la quantité de Ru ajoutée et la profondeur d'abrasion dans une tête magnétique utilisant un film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si en mélange avec du Ru. - les figures 3A et 3B montrent un second mode de réali- sation de la présente invention, la figure 3A étant une vue plane agrandie montrant les parties essentielles de la surface de contact par glissement avec le milieu d'enregistrement magnétique et la figure 3B étant une vue schématique montrant l'état de l'usure provoquée dans le voisinage de l'entrefer magnétique. - la figure 4 est une vue plane agrandie montrant les parties essentielles et la surface de contact par glissement avec le milieu d'enregistrement magnétique conformément à un troisième mode de réalisation de la présente invention. - les figures 5A et 5B montrent un quatrième mode de réalisation de la présente invention, la figure SA étant une vue plane agrandie montrant les parties essentielles et la surface de contact par glissement avec le milieu d'enregistrement magnétique et la figure 5B étant une vue schématique montrant la section transversale de la tête magnétique de la figure 5A au voisinage de l'entrefer magnétique. - la figure 6 est un graphique montrant les caractéris- tiques de reproduction, c'est-à-dire la relation entre la fréquence et le niveau de sortie de reproduction dans la tête magnétique montrée sur les figure 1A et 1B et de celle montrée dans les figures 5A et 5B. - la figure 7 est un graphique montrant les caractéristi- ques d'enregistrement, c'est-à-dire la relation entre le courant d'enregistrement et le niveau de sortie de reproduction de la tête magnétique montrée dans les figures 1A et lB et de celle montrée dans les figures 5A et 5B. - la figure 8 est une vue en coupe schématique montrant un cinquième mode de réalisation de la présente invention. - les figures 9A et 9B sont des vues en perspective schématiques montrant un sixième mode de réalisation de la présente invention. On décrit maintenant les modes de réalisation préférés de la présente invention en référence aux dessins, sur lesquels certains modes de réalisation illustrés selon la présente invention seront expliqués en détail. Premier mode de réalisation Dans le présent premier mode de réalisation de la tête magnétique, montré dans les figures 1A et 1B, les noyaux magné- tiques 1, 11, sont formés d'un matériau magnétique du type oxyde tel que ferrite de Mn-Zn. Dans le voisinage des surfaces d'about, de ces noyaux magnétiques, sont formées des gorges 2, 12 sous forme de découpures sensiblement en forme d'arc sur les deux côtés des noyaux magnétiques pour délimiter ou contrôler la largeur de piste. Sur ces surfaces d'about des noyaux magnétiques 1, 11, des films minces magnétiques doux 3, 13, formés d'un alliage à flux magné- tique de saturation élevé, alliage du type Fe-Ga-Si selon la présente invention, sont déposés de façon à être situés dans les gorges de contrôLe de la largeur de piste 2, 12 mentionnées ci- dessus et à s'étendre depuis la surface formant le front de l'entrefer jusqu'à la surface formant l'arrière de l'entrefer pour former une paire de demi-noyaux magnétiques. Un entrefer magnétique g ayant une largeur de piste Tw montrée à la figure 1B est délimité par les portions parallèles d'about 3a, 13a formées sur les surfaces d'about des films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si 3, 13 mentionnés ci-dessus. IL est à noter que les gorges de contrôle de la largeur de piste 2, 12 mentionnées ci-dessus sont remplies de matériaux non magnétiques à l'état fondu 22, 22, pour contrôler la largeur de piste et empêcher l'usure des films minces magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si. Dans la moitié d'un noyau magnétique 1 est percée une ouverture d'enroulement 21 pour l'enroulement d'une bobine, non montrée. Dans la tête magnétique décrite ci-dessus, la largeur de piste Tw ne dépend pas de l'épaisseur de film I des films minces magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si, de sorte que l'épais- seur de film I de ces films 3,.13 peut être réglée à une valeur extrêmement petite. Ceci est favorable du point de vue de la pro- ductivité et de la production en masse étant donné que la formation des films magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si peut être complète en un temps plus court. La tête magnétique précédente est également désirable compte tenu de l'usinabilité et des coûts de fabrication et d'un rendement de fabrication supérieur étant donné qu'elle peut être préparée par un nombre d'étapes de procédé comparable à celui nécessaire pour la production de la tête en ferrite convention- nelle. Ainsi, La tête magnétique du présent mode de réalisation peut être préparée facilement par dépôt des films minces magné- tiques doux 3, 13 sur les noyaux magnétiques 1, 11 dans lesquels des gorges de contrôle de largeur de piste 2, 12 sont usinées con- formément à la pratique conventionnelle et par unification de ces moitiés de noyau 1, 11 ensemble, par exemple avec du verre fondu. Dans la mesure o les ingrédients de base des films minces magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si, à savoir Fa, Ga et Si, sont concernés, les films 3, 13 sont constitués de 1 à 23 % atomiques de Ga, 9 à 31 % atomiques de Si et le restant est du Fe, à la condition que la teneur en Fe soit dans l'intervalle de 68 à 84 % atomiques. Si les teneurs en ces ingrédients de base dévient de l'intervalle précédent, il sera difficile de maintenir les propriétés magnétiques, telles que la densité du flux magnétique de saturation, la perméabilité magnétique ou la force coercitive. Ceci veut dire que, lorsque la composition du film mince magnétique doux mentionné précédemment est exprimée par Fea, Gab, Sic, o a, b, c désignent la composition relative ou les rapports de composition en pourcent atomique, les relations suivantes 68 doivent être satisfaites. Dans les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si mentionnés cidessus, une partie du Fe peut être substituée par du Co. Dans ce cas, non seulement la densité du flux magnétique de saturation mais également la résistance à la corrosion et à l'usure sont améliorées. Toutefois, avec une substitution excessive de Co, non seulement la densité du flux magnétique de saturation est détériorée d'une manière plus aigue, mais également les propriétés magnétiques douces sont diminuées. En conséquence, il est préférable que la quantité de substitution du Fe par du Co soit dans l'intervalle de 0 à 15 % atomiques. Ainsi, lorsque la composition du film mince magnétique doux du système FeGa-Si mentionné ci-dessus est exprimée par Fed, COe, Gaf, Sig, o d, e, f et g désignent la composition relative ou les rapports de composition en pourcent atomique, les relations suivantes de la composition relative doivent être satisfaites: 68 j d + e du flux magnétique de saturation. Ainsi, on peut mentionner un film mince magnétique doux du système Fe-GaSi dans lequel lorsque la composition du film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si est exprimée par Feh CoGaj Sik M' o h, i, j, k et m désignent la composition relative C iGj ik n ou les rapports de composition en pourcent atomique et M' désigne au moins l'un des éléments Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt et Ni, les relations suivantes de la composition relative sont satisfaites: 68 h + i + j + k + m = 100. Avec une quantité d'addition m de l'élément d'addition M' inférieure à 0, 1 % atomique, on ne peut pas s'attendre à un effet suffisant d'amélioration de la résistance à l'usure, de sorte qu'il est préférable de fixer la quantité d'addition de façon à ne pas être inférieure à 4 % atomique. De même, avec une quantité d'addition m de l'élément d'addition M' supérieure à 15 % atomiques, la densité du flux magnétique de saturation est détériorée de manière aigue, de sorte qu'il est préférable que la quantité d'addition soit fixée de façon à ne pas dépasser 10 % atomiques. Les éléments Ti, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Ta, W, Re, Hf et V des éléments d'addition précédents doivent de préférence être ajoutés en une quantité inférieure à la quantité d'addition m des éléments d'addition M' car l'addition de ces éléments provoque une détérioration plus aiguë de la densité du flux magnétique de satu- ration que celle des éléments d'addition M'. Ainsi, la quantité d'addition des éléments Ti, Cr, Mn, Zn, Nb, Mo, Ta, W, Re, Hf ou V est fixée de façon à être dans l'intervalle de 0,05 à 6 % atomique. Ainsi, on peut mentionner un film mince magnétique doux système Fe-Ga-Si dans lequel, lorsque la composition du système Fe-Ga-Si précédent est exprimée par Feh Coi Gaj Sik Mn', o h, i, j, k et n désignent la composition relative ou les rapports de composition en pourcent atomique et M" désigne au moins l'un des éléments Ti, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Ta, W, Re, Hf et V, les relations suivantes de la composition relative sont satisfaites: 68 h + i + j + k + n = 100. Il est à noter que la quantité d'additionn de l'élément d'addition M" inférieure à 0,05 % atomique n'est pas désirable car seulement une amélioration insuffisante de la résistance à l'usure peut alors être obtenue. Par ailleurs, la quantité d'addition n supérieure à 6 % atomiques n'est pas désirable non plus car la détérioration de la densité du flux magnétique de saturation devient plus aig e. L'effet de l'élément d'addition est recherché en prenant comme exemple le Ru. Ainsi, plusieurs têtes magnétiques du présent mode de réalisation sont produites avec diverses compositions différentes de films minces magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si et le milieu d'enregistrement magnétique est effectivement amené à se dérouler sur ces têtes et au contact de ceLles-ci pour rechercher le moment de l'apparition de la formation des gradins sur les surfaces limites entre les noyaux magnétiques 1, 11 et les films minces magnétiques doux du système Fe-GaSi sur les surfaces de contact par glissement avec le milieu d'enregistrement magné- tique. IL est à noter qu'un film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si en mélange avec du Ru est utilisé comme film mince magné- tique doux du système Fe-Ga-Si mentionné ci-dessus avec différentes quantités d'addition de Ru, pour la préparation de la tête magné- tique, tandis qu'une bande métallique est utilisée comme milieu d'enregistrement magnétique. La profondeur ou la hauteur du gradin précédent causée par L'abrasion différentielle entre le film mince et la portion de ferrite est mesurée après que la bande s'est déroulée pendant 1 h à la vitesse relative entre la bande métalli- que et la tête fixée à 3,8 m/s. Les résultats sont montrés dans la figure 2. D'après cette figure, on peut voir que le gradin précé- dent est réduit lorsque la quantité d'addition de Ru augmente jusqu'à environ 8 % et que ledit gradin croit ensuite graduellement avec l'accroissement de l'addition de Ru, avec la limite critique entre l'accroissement et la diminution de la quantité d'addition de Ru étant d'environ 8 %. Ainsi, on peut voir que la tête magnétique montre une résistance à l'usure prédominante au voisinage de la quantité d'addition de Ru de 8 % environ et qu'une telle résistance à l'usure se détériore graduellement lorsque la quantité d'addition de 8 % est dépassée. Toutefois, lorsque le Ru est utilisé en remplacemnet du Fe, par exemple, la densité du flux magnétique de saturation est légèrement abaissée, à un taux d'environ 0,138 kG (kilogauss) (0,0138 Tesla) pour un pourcent atomique de substitution du Ru au Fe. Etant donné que la densité du flux magnétique de saturation pour la composition du film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si montrant des propriétés magnétiques douces optimales est d'environ 13 kG (1,3 Tesla), la densité du flux magnétique de satu- ration est inférieure à 11 kG (1,1 Tesla) lorsque la quantité de substitution du Ru au Fe dépasse 15 % atomique, de sorte que l'avantage concernant la densité du flux magnétique de saturation n'est pas obtenu par rapport à l'alliage du système Fe-Al-Si. Ainsi, il a été confirmé que, dans le film mince magné- tique doux du système Fe-Ga-Si, la réduction du gradin après le déroulement soutenu du milieu d'enregistrement magnétique et l'accroissement de la densité du flux magnétique de saturation peuvent être satisfaits simultanément lorsque la quantité d'addi- tion de Ru est réglée de façon à être dans l'intervalle de 0,1 à % atomiques. Il est à noter que, dans le film mince magnétique doux du système Fe-GaSi précédent, une partie du Ga dans la composition peut être substituée par du Al, et une partie du Si peut être substituée par du Ge. Pour former les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si, on peut employer diverses méthodes conventionnelles. Parmi celles-ci, la technologie de formation du film mince sous vide est préférée. Les méthodes de la technologie de formation de film mince sous vide peuvent inclure la pulvérisation cathodique, le plaquage ionique, le dépôt sous vide et le faisceau ionique en amas. Par- dessus tout, il est préférable que la pulvérisation cathodique soit conduite dans une atmosphère de gaz inertes, tels que l'argon, les gaz contenant de l'oxygène ou de l'azote, pour améliorer davantage les propriétés, telles que la résistance à la corrosion du film mince magnétique doux. Les artifices suivants sont utilisés pour ajuster la com- position en éléments d'ingrédientsrespectifs: i) Les éléments d'ingrédients respectifs sont pesés pour donner les rapports prescrits et les éléments d'ingrédients pesés sont préalablement fondus, par exemple dans un four de fusion à haute fréquence pour produire un lingot d'alliage, qui peut ensuite être utilisé comme source d'évaporation. ii) La source d'évaporation est préparée pour chaque élément d'ingrédient de sorte que la composition sera contrôlée par le nombre de sources d'évaporation. iii) La source d'évaporation est préparée pour chaque élément d'. ingrédient et la composition sera contrôlée par le contrôle du niveau de sortie applique à ces sources d'évaporation ou de la tension imprimée pour contrôler à son tour la vitesse d'évapora- tion. iv) L'alliage est évaporé en tant que source d'évaporation pendant que d'autres éléments sont implantés. Il est à noter que le film mince magnétique doux obtenu par la technologie de formation de film mince sous vide mentionnée ci-dessus montre une valeur légèrement supérieure de force coerci- tive lorsqu'il est formé de sorte qu'il est désirable d'éliminer la contrainte du film par un traitement thermique approprié pour amé- liorer ses propriétés magnétiques douces. Les noyaux magnétiques 1, 11 formant la portion majeure des moitiés de noyaux magnétiques I et II peuvent être formés de matériau magnétique du type oxyde, tel que la ferrite du système Mn-Zn ou du système Ni-Zn. Le matériau magnétique du type oxyde peut être un matériau magnétique du type oxyde monocristallin ou polycristallin, ou un matériau composé de matériaux magnétiques du type oxyde monocristallins et polycristallins réunis ensemble par exemple par travail à chaud. La tête magnétique employant le film mince magnétique doux constituée essentiellement de Fe, Ga et Si comme ingrédients principaux présente la caractéristique selon laquelle une couche affectée ne se forme pas sur les surfaces des noyaux magnétiques 1, 11 durant la formation du film mince magnétique doux. En consé- quence, malgré le fait que certaines portions des surfaces limites la, 11a entre les noyaux magnétiques 1, 11 et les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si 3, 13 soient sensiblement parallèles à l'entrefer magnétique g, comme dans le présent mode de réalisation, ces surfaces limites la, 11a n'agissent pas comme entrefer virtuel ou pseudoentrefer, de sorte que l'on obtient de bonnes caractéristiques de reproduction. De cette manière, la couche affectée mentionnée ci-dessus et le gradin principalement responsable du pseudoentrefer peuvent être éliminés dans la tête magnétique du présent mode de réalisa- tion, de sorte que l'on obtient des caractéristiques de reproduc- tion supérieures. De même, étant donné que l'état de contact intime entre le milieu d'enregistrement magnétique et la tête est amélioré par l'élimination dudit gradin, les pertes par écartement peuvent être réduites, tandis que les dommages causés au milieu peuvent être minimisés. Il est à noter que, pour supprimer intensivement la formation de la couche affectée sur les surfaces limites de jonction entre les films magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si mentionnés ci-dessus et les noyaux magnétiques 1, 11 du matériau ma- gnétique du type oxyde,de l'oxygène peut être introduit dans ces fiLms dans le voisinage de ces surfaces limites de jonction avec les noyaux magnétiques 1, 11. Toutefois, l'oxygène peut être introduit naturellement dans les films minces magnétiques doux 3, 13 dans leur totalité au lieu du seul voisinage des surfaces limites avec les noyaux magnéti- ques 1, 11. Alternativement, pour supprimer la réaction de l'oxygène avec le matériau non magnétique 22 rempli dans les gorges de con- trôle de largeur de piste 2, 12, l'oxygène peut être introduit seulement durant l'étape finale de formation du film de sorte que l'oxygène peut être introduit seulement dans le voisinage des surfaces des films minces magnétiques doux 3, 13 au contact du matériau non magnétique 22. Dans l'introduction de l'oxygène dans les films minces magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si, l'oxygène peut être introduit dans l'atmosphère de pulvérisation cathodique lorsque ces films 3, 13 sont formés par pulvérisation cathodique. De cette manière, l'oxygène est fixé dans les films minces magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si formés par pulvé- risation cathodique dans l'atmosphère contenant de l'oxygène. Les teneurs en oxygène dans les films sont de préférence dans l'inter- valle de 0,05 à 10 % atomiques. Avec des teneurs en oxygène inférieures à 0,05 % atomique, l'effet de suppression de la réac- tion n'est pas suffisamment exhibé. Au contraire, avec des teneurs en oxygène supérieures à 10 % atomiques, les propriétés magnétiques des films minces magnétiques doux 3, 13 peuvent être détériorées.Les teneurs en oxygène dans l'intervalle précité sont désirables non seulement pour supprimer la réaction mais également vis-à-vis des propriétés magnétiques douces de sorte que l'on obtient une force coercitive faible et une perméabilité magnétique élevée. Alternativement, l'oxygène peut être introduit de la manière décrite précédemment simultanément avec l'addition de l'un au moins des éléments Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Sc, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo et W. IL est à noter toutefois qu'il y a des valeurs optimales d'addition ou d'introduction des éléments précédents et de l'oxygène, selon le type d'éléments employés. Par exemple, lorsque l'on ajoute des éléments du groupe du platine tels que Ru, Rh, Pd, Os, Ir ou Pt, la quantité d'addition de ces éléments est de préfé- rence dans l'intervalle de 1 à 20 % en poids. La quantité d'oxygène introduite dans ce cas b en pourcent en poids est de préférence fixée de façon à avoir 12/a d'addition des éléments du groupe du platine en pou'rcent en poids. Lorsqu'on ajoute des éléments du groupe des terres rares tels que Sc, Y ou La, des éléments du groupe du titane tels que Ti, Zr ou Hf, des éléments du groupe du vanadium tels que V, Nb ou Ta ou d'autres éléments tels que Cr, Mo ou W, il est préférable de les ajouter dans un intervalle de 0,05 à 4 % en poids. La quantité d'oxygène introduite dans ce cas est de préférence dans l'inter- valle de 0,1 à 2,5 % en poids. Il est également envisagé d'utiliser des éléments du groupe du platine comme éLéments d'addition simultanément avec les autres éléments. La quantité d'addition de ces éléments, exprimée par (e + f) o e désigne ta quantité d'addition des éléments du groupe du platine en pourcent en poids et f désigne celle des autres éLéments en pourcent en poids, est de préférence dans 26 10 4 43 l'intervalle de 0,05 à 22 % en poids. La quantité d'oxygène intro- duite dans ce cas est dans l'intervalle de 0,1 à 2,5 % en poids. Les recherches conduites par les présents inventeurs ont révélé que la couche affectée précitée est produite non seulement S05 comme un résultat de la diffusion de l'oxydation durant la forma- tion du film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si, mais égale- ment durant le rodage des surfaces limites la, 11a des noyaux magnétiques 1, 11 par les roues abrasives. Ainsi, il a été confirmé que les couches affectées sont produites à partir des surfaces précédentes durant l'opération de meulage dans la séquence de la couche d'oxyde, la structure fibreuse, la couche amorphe et la couche affectée par la contrainte provoquée par l'usinage. Il est donc préférable que, pour éliminer ces couches affectées provoquées par l'usinage, la surface limite précédente la, 11a soit préalablement soumise à un polissage dénommé mécano- chimique ou à un polissage dénommé flottant pour éliminer la couche d'oxyde mentionnée ci-dessus, la structure fibreuse et la couche amorphe, suivi par la formation des films minces magné- tiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si. De plus, après les opéra- tions de polissage mentionnées précédemment, les surfaces précé- dentes peuvent être soumises à un recuit sous une pression par- tielle d'oxygène appropriée,c'est-à-dire une pression partielle d'oxygène équilibrée, pour éliminer la contrainte provoquée par l'usinage et pour restaurer la perméabilité magnétique efficace de la tête magnétique. Par les opérations de traitement précédentes, la couche affectée provoquée par les opérations d'usinage peuvent être réduites à moins de quelques dizaines de nanomètres, de sorte que tout effet nuisible du pseudoentrefer sur les caractéristiques de reproduction peut être pratiquement éliminé, en même temps que les couches affectées mentionnées précédemment et le gradin sont éliminés. En outre, le coefficient de dilatation thermique du film mince magnétique doux du type Fe-Ga-Si est de l'ordre de 130 x 10 I/C qui est approximativement égal au coefficient de dilatation thermique du noyau magnétique, par exemple la ferrite de Mn- Zn, de 120 x 10-7/OC, de sorte que l'apparition du pelage du film mentionné ci-dessus est réduite. Pour supprimer le phénomène de diffusion de l'oxydation durant la formation de films minces magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si, des films inhibant la réaction appropriés peuvent être formés entre ces films et les noyaux magnétiques 1, 11. Les matériaux formant ces films d'inhibition de réaction peuvent inclure les nitrures non magnétiques tels que nitrure de silicium (Si3N4), nitrure de molybdène, nitrure d'aluminium ou nitrure de bore. L'épaisseur du film inhibant la réaction est de préférence réglée dans l'intervalle non inférieure à 0,5 nm et non supérieure à 1/10 de la longueur optique de l'entrefer. Avec une épaisseur de film inférieure à l'intervalle mentionné, un effet suffisant d'inhibition de réaction n'est pas obtenu. Inversement, avec une épaisseur de film supérieure à l'intervalle mentionné, des effets désavantageux peuvent être produits en raison du pseudo- entrefer. Les films inhibant la réaction peuvent également être des films minces d'oxydes de Si, Ti, Cr, Al, Ta, Zr, Mg, Mn ou Zn. L'épaisseur du film inhibant la réaction à cet instant est de préférence de 2 à 20 nm. * Les matériaux mentionnés ci-dessus sont hautement effi- caces pour inhiber la réaction même lorsqu'ils sont formés en films d'épaisseur extrêment faible de sorte qu'il n'y a aucun risque que le film inhibant La réaction agit lui-même comme pseudoentrefer. Conformément à la présente invention, comme décrit ci- dessus, la formation de gradin sur la surface de contact par glis- sement du milieu d'enregistrement magnétique, le phénomène de diffusion d'oxydation durant la formation des films minces magné- tiques doux 3, 13 et les couches affectées provoquées durant l'usinage des noyaux magnétiques 1, 11 principalement responsables du pseudoentrefer ainsi que le pelage du film peuvent être éliminés, de sorte que, malgré le fait que les surfaces limites la, 11a soient sensiblement parallèles à l'entrefer magnétique g, l'effet du pseudoentrefer peut être éliminé complètement. Pour remédier à l'effet du pseudoentrefer, la pratique conventionnelle consiste à prévoir un film inhibant la réaction sur les surfaces limites la, 11a ou à prévoir des surfaces limites la, 11a inclinées selon un angle prescrit par rapport à l'entrefer magnétique g. Conformément au présent mode de réalisation, la sortie de reproduction des pseudosignaux peut être efficacement limitée sans qu'il soit nécessaire de prendre des mesures compliquées et incommodes. Second mode de réalisation Les figures 3A et 3B illustrent un mode de réalisation modifié selon lequel les films minces magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si sont formés par au moins deux types différents de films minces magnétiques 3A, 3B, 13A, 13B qui diffèrent les uns les autres par les éléments d'addition ou par les quantités d'addition. Dans ce cas, dans la mesure o le gradin mentionné ci-dessus est concerné, il est nécessaire d'utiliser un film mince magnétique doux hautement résistant à l'usure comme films minces magnétiques doux 3A, 13A du système Fe-Ga-Si s'étendant dans la direction des surfaces limites la, 11a de jonction avec les noyaux magnétiques 1, 11. Par exemple, les films minces magnétiques doux 3A, 13A du système Fe-GaSi enmélange avec 8 % de Ru peuvent être prévus dans la direction des surfaces limites 1a, '11a avec les noyaux magné- tiques 1, 11 tandis que les films minces magnétiques doux 3B, 13B du système Fe-Ga-Si en mélange avec4 % de Ru peuvent être prévus dans la direction de la surface formant l'entrefer magnétique, avec les autres caractéristiques de construction identiques à celles du premier mode de réalisation précédent. De cette manière, en formant les films minces magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si en au moins deux couches, et en prévoyant des films minces 3A, 13A de résistance à l'usure supé- rieure dans la direction des noyaux magnétiques 1, 11, la formation de gradin peut être contrâlée conformément aux caractéristiques des films minces magnétiques doux hautement résistants à l'usure 3A, 2610 443 13A, tandis que la forme de surface de glissement pour le milieu d'enregistrement magnétique peut être modérée en comparaison de la structure de film à couche simple des films minces 3B, 13B. Il est également avantageux que la couche affectée ne tende pas à se produire dans le voisinage des surfaces limites la, 11a. De plus, L'entrefer magnétique g est constitué de films minces ayant une densité de flux magnétique de saturation élevée, c'est-à-dire des films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si avec une quantité moindre d'addition de Ru 3B, 13B, de sorte que la densité d'enregistrement ainsi que la formation du gradin ou de la couche affectée peuvent être améliorées. En conséquence, la tête magnétique des présents modes de réalisation donne une sortie de reproduction moindre des pseudo- signaux et des caractéristiques de reproduction excellentes tout en ayant des caractéristiques d'enregistrement supérieures. Troisième mode de réalisation La figure 4 montre une tête magnétique conformément à un troisième mode de réalisation selon lequel le film mince d'alliage magnétique doux employé comme noyau principal a une structure multicouche incluant les films minces magnétiques doux mantionnés ci-dessus du système Fe-Ga-Si 3, 13 et d'autres films minces d'alliage magnétique doux teLs qu'un film mince d'alliage du système Fe- Al-Si 20. Dans ce cas, les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga- Si 3, 13 ayant une excellente résistance à l'usure sont formés sur les surfaces limites la, 11a des noyaux magnétiques 1, 11. En fournissant les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si 3, 13 montrant une stabilité vis-à-vis de la diffusion relative du matériau magnétique du type oxyde ou de L'oxydation, et une résistance à L'usure excellente au voisinage des surfaces limites la, 11a des noyaux magnétique 1, 11, il est possible de contrôler la formation du gradin mentionné précédemment ou de la couche affectée principalement responsabe de la formation du pseudoentrefer. IL est également avantageux que le film mince 2610 4 43 d'alliage magnétique doux 20 se trouvant au voisinage de la surface formant l'entrefer magnétique g puisse être sélectionné librement. Il est à noter que le film mince d'alliage magnétique doux 20 mentionné ci-dessus peut inclure par exemple un alliage Fe-Al-Si, un alliage Ni-Fe, un alliage Fe-Al-Ge ou un alliage magnétique amorphe. Le film mince 20 peut être un film à une seule couche ou un film combiné avec un film isolant à résistance à l'usure élevée tel qu'un film de SiO2 ou de Si3N4. Quatrième mode de réalisation Les figures 5A et 5B montrent un autre mode de réalisa- tion de la présente invention selon lequel le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si 13 est formé seulement sur la moitié II du noyau magnétique et l'autre moitié I du noyau magnétique est formé d'un matériau magnétique du type oxyde. Dans ce cas, le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si 13 est formé sur la moitié II du noyau magnétique sur le côté antérieur du milieu d'enregistre- ment magnétique se déplaçant dans la direction de la flèche X. Habituellement, le film mince d'alliage magnétique doux qui doit être le noyau principal est formé par pulvérisation catho- dique dans la direction perpendiculaire à la surface du noyau magnétique, c'est-à-dire aux surfaces limites la, 11a. En consé- quence, la perméabilité magnétique dans la direction de l'épaisseur du film mince d'alliage magnétique doux ou dans la direction normale audit film ne peut pas être facilement augmentée même si la perméabilité magnétique dans la direction dans le plan du film mince peut être augmentée, de sorte qu'il y a suffisamment de quoi améliorer l'efficacité de la reproduction. Il est à noter que, dans le présent mode de mise en oeuvre, le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si 13 est prévu seulement sur la moitié II du noyau magnétique s'étendant sur le côté antérieur du milieu d'enregistrement magnétique, tandis que le film mince magnétique doux qui pourrait détériorer la perméa- bilité magnétique n'est pas formé sur l'autre moitié I du noyau magnétique, et de la sorte, une excellente efficacité de reproduc- tion peut être obtenue même dans un intervalle de fréquences de plusieurs dizaines de mégahertz. Simultanément, durant L'enregis- trement, la distribution du milieu magnétique d'enregistrement ou la perte de flux devient plus importante au niveau du côté anté- rieur du milieu comme montré en trait discontinu P à la figure 5B, de sorte que des caractéristiques d'enregistrement excellentes avec seulement une faible démagnétisation d'enregistrement peuvent être obtenues de façon similaire à la tête magnétique du premier mode de réalisation. Les présents inventeurs ont conduit des recherches sur les caractéristiques de reproduction et d'enregistrement d'une tête magnétique montrée sur les figures 5A et 5B (échantillon 1) et d'une tête magnétique montrée sur les figures 1A et lB (échantil- lon 2). Les résultats sont montrés sur les figures 6 et 7. Dans les têtes magnétiques des échantillons 1 et 2, des films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si en mélange avec du Ru, avec une densité du flux magnétique de saturation de 1,3 Tesla et une épaisseur de film de 5 pm sont utilisés. Comme milieu d'enregistrement magnétique, une bande métallique ayant une force coercitive de 119,3 kA/m est utilisée, tandis que la vitesse relative entre le milieu d'enregistement magnétique et la tête magnétique est réglée à 3,8 m/s. Dans la conduite de la mesure mentionnée ci-dessus, une tête magnétique dans laquelle des films minces d'alliage magnétique doux sont prévus obliquement par rapport à la direction de déplacement du milieu d'enregistrement magnétique, est utilisée comme tête de reproduction pour la mesure des caractéristiques d'enregistrement, et une tête similaire est utilisée comme tête d'enregistrement pour la mesure des caracté- ristiques de reproduction. Comme on peut le voir à la figure 6, la tête magnétique dans laquelle le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si est prévu seulement sur la moitié II du noyau magnétique s'étendant sur le côté antérieur du milieu d'enregistrement magnétique (échantil- lon 1) présente une perméabilité magnétique efficace élevée pour la tête globale comparativement à la tête magnétique dans laquelle les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si sont prévus sur les deux moitiés I et II du noyau magnétique, de sorte que de bonnes caractéristiques de reproduction sont obtenues même pour l'intervalle de fréquences élevées de plusieurs dizaines de méga- hertz. De même, comme on peut le voir d'après la figure 7, dans la mesure o les propriétés d'enregistrement sont concernées, des prpriétés excellentes comparables à celles de la tête dans laquelle les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si sont prévus à la fois sur les deux moitiés I et II du noyau magnétique (échantillon 2) sont obtenues avec la tête dans laquelle le film mince magnétique doux du système Fe-Ga- Si est prévu seulement sur la moitié II du noyau magnétique s'étendant sur le côté antérieur du milieu d'enregistrement magnétique. La tête magnétique selon le présent mode de réalisation est également avantageuse en ce qui concerne la productivité et la production en nasse étant donné qu'une seule moitié I du noyau magnétique est formée de matériau magnétique du type oxyde, pour ne rien dire de la réduction du pseudoentrefer provoquée par la formation du gradin et de la couche affectée. Cinquième mode de réalisation Le présent mode de réalisation est destiné à réduire la sortie de reproduction des pseudosignaux dus à l'effet dénommé de forme, en plus des pseudosignaux résultant du gradin mentionné ci-dessus ou des couches affectées. La figure 8 montre le présent mode de réalisation selon lequel un revêtement résistant à l'usure 23 est formé sur la surface de contact par glissement avec le milieu d'enregistrement magnétique de la tête magnétique composée d'une paire de moitiés de noyau magnétique I et II réunies en une seule pièce dans laquelle les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si 3, 13 sont prévus au niveau des portions d'about des noyaux magnétiques I et II et selon lequel le milieu d'enregis- trement magnétique est agencé pour être en contact glissant avec une surface 23a du revêtement 23. Dans ce cas, le rayon de courbure R de la surface 23a du revêtement résistant à l'usure 23 est réglé de façon à être plus grand que le rayon de courbure R' de la surface de la tête 24, tandis que le rayon de courbure R précité est réglé à une valeur qui donnera un aboutement optimal avec le milieu d'enregistrement. L'épaisseur de film du revêtement résis- tant à l'usure 23 dans le voisinage de l'entrefer magnétique g est de préférence fixéede façon à ne pas dépasser 300 nmen vue d'éviter le5 pertes parécartement provoquées par te film 23. Comme revêtement résistant à l'usure 23, des films à dureté élevée tels que des films de diamant, de nitrure ou de carbure sont préférés. Dans la présente tête magnétique, l'épaisseur de film du revêtement 23 augmente en direction des bords lb, 11b du noyau magnétique. Les bords lb, 11b agissant comme source pour générer des pseudosignaux sont séparés du milieu d'enregistrement magné- tique par le revêtement résistant à l'usure 23 de sorte que les pseudosignaux causés par l'effet de forme sont réduits par la perte par écartement. Il y a également un avantage du fait que la résistance à l'usure de la tête magnétique est améliorée de façon significative et, comme résultat, la profondeur D1 peut être réduite pour améliorer l'efficacité de reproduction. En général, les pseudosignaux dus à l'effet de forme mentionnés ci-dessus sont générés à une fréquence correspondant à 1/n de la largeur de noyau L le long de la direction de déplacement X du milieu d'enregistrement magnétique, n désignant un nombre entier. En général, l'effet de réduction des pseudosignaux est évalué par la formule Ls(d/X) = 54,6 d/X. Dans ladite formule, Ls désigne la perte par écartement en dB, d est la distance en micro- mètre entre les bords lb, 11b et le milieu, et X est la longueur d'onde de reproduction en mégahertz. Par exemple, dans la tête magnétique montrée à la figure 8, lorsque d est fixé à 0,1 pm, les pseudosignaux peuvent être réduits de 1,4 dB pour 1 MHz et de 7,2 dB pour 5 MHz. Sixième mode de réalisation Dans le présent mode de réalisation, le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si formant le noyau principal est formé seulement sur rune portion des surfaces d'about des moitiés I et - 2610 4 43 II du noyau magnétique, c'est-à-dire sur une portion nécessaire comme circuit magnétique, pour améliorer la résistance mécanique de la tête magnétique. Dans les précédents modes de réalisation, les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si sont formés sur les surfaces d'about totales et sur les parois internes totales des gorges de contrôle de la largeur de piste 2, 12 des noyaux magné- tiques 1 et 11, de sorte que la résistance mécanique de la tête est assurée par la force de liaison intime entre les noyaux magnétiques 1, 11 et les films minces magnétiques doux 3, 13 du système Fe-Ga-Si et la force d'adhérence entre les films minces magnétiques doux du système Fe- Ga-Si 3, 13 et le matériau non magnétique 22. Il est extrêmement difficile d'assurer la résistance mécanique de la tête magnétique avec seulement La force de liaison intime et la force d'adhérence, lorsqu'on prend en ligne de compte l'améliora- tion de la vitesse relative entre la tête et le milieu atteinte ces dernières années. Ainsi, comme montré dans les figures 9A et 9B, les portions des films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si qui ne sont pas absolument nécessaires comme circuit magnétique, telles que la totalité ou une partie de la paroi interne des gorges de contrôle de la largeur de piste 2, 22, l'ouverture d'enroulement 21 ou une portion de la région de profondeur arrière sont de préfé- rence éliminées par pulvérisation cathodique utilisant un masque, par gravure ou pard'autres moyens mécaniques, en vue de la résistance mécanique de la tête magnétique. De cette manière, il se forme un joint rigide dans lequel les noyaux magnétiques 1 et 11 et le matériau non magnétique 22 adhèrent directement à une portion des surfaces d'about des moitiés I et II de noyau magnétique. Ceci conduit à une résistance mécanique améliorée de la tête magnétique de sorte que la tête peut être suffisamment adaptée elle-même à la vitesse relative améliorée tandis que les divers avantages de la tête magnétique employant les films minces magnétiques doux du système Fe-Ga-Si sont retenus et ainsi la tête convient pour accroître la densité d'enregistrement. 2610 4 43 Il est préférable que, dans la tête magnétique montrée à la figure 9B, la longueur M du film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si dans la région de profondeur arrière soit réglée à environ 20 fois la profondeur Dp de la portion de profondeur frontale, en vue de l'efficacité magnétique. D'après ce qui précède, on peut voir que, avec la tête magnétique de la présente invention, les portions principales des moitiés de noyau magnétique sont formées de matériau magnétique du type oxyde et le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si est utilisé comme matériau de noyau principal, de sorte que l'on peut obtenir une amélioration dela distance entre la hauteur du gradin de la surface de contact par glissement et le milieu d'enregis- trement magnétique ou de la couche affectée provoquée par la réaction avec le matériau magnétique du type oxyde, conduisant ainsi à l'élimination de la perte par écartement ou de l'effet adverse dû au pseudoentrefer. Ainsi, la tête magnétique a des caractéristiques de reproduction supérieures. De plus, étant donné que le film mince magnétique doux mentionné précédemment du système Fe-Ga-Si a une densité de flux magnétique de saturation plus grande que celle du film mince magné- tique doux conventionnel, la tête magnétique ayant le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si comme noyau principal exhibe de bonnes caractéristiques d'enregistrement pour le milieu d'enregis- trement magnétique à force coercitive élevée qui s'adapte lui-même à l'accroissement de la densité d'enregistrement. En outre, étant donné que la surface limite entre le matériau magnétique du type oxyde et le film mince magnétique doux est sensiblement parallèle à la surface de l'entrefer dans le voisinage de l'entrefer magnétique, la tête magnétique peut être produite par un procédé de fabrication simple comparable à celui de la tête en ferrite. En conséquence, la présente invention présente un grand nombre d'avantages concernant la productivité, la produc- tion en masse et le rendement de production. Grâce à ces avantages et propriétés de la tête magné- tique, tels que la facilité de la réduction des dimensions, la productivité et la fiabilité supérieureset l'accroissement de la densité d'enregistrement, il est possible d'avoir une tête magné- tique ayant une performance améliorée et une valeur pratique supé- rieure. REVENDICATIONS 1. Une tête magnétique caractérisée en ce qu'elle com- porte une paire de moitiés de noyaux magnétiques (1, 11, I, II), en butée l'une par rapport à l'autre, l'une au moins de ces moitiés de noyaux magnétiques étant formée d'un matériau magnétique du type oxyde et d'un film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si (3, 13'., ledit film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si définis- sant un entrefer magnétique (g), la surface limite (la, 11a) comprise entre le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si et ledit matériau magnétique du type oxyde étant sensiblement paral- lèle à la surface de l'entrefer dans le voisinage de l'entrefer magnétique. 2. Une tête magnétique conformément à la revendication 1, caractérisée en ce que la composition du film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si est Fea Gab Sic o a, b et c désignent les rapports respectifs de composition en terme de pourcents ato- miques, avec 68 3. Une tête magnétique selon la revendication 1, carac- térisée en ce que le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si contient 0,1 à 15 % atomiques de Ru. 4. Une tête magnétique selon la revendication 1, carac- térisée en ce que le film mince magnétique doux du système Fe-Ga-Si est constitué par au moins deux films ayant des quantités de Ru ajoutées différentes.