FR 2601357 A1 19880115 FR 8709838 A 19870710 La présente invention concerne un condensateur à corps céramique ayant des phases multiples de titanate de baryum, plus particulièrement un procédé d'obtention d'un corps céramique diélectrique dans lequel deux poudres formées 5 de titanates de baryum différemment dopés sont mélangées, façonnées en un corps et frittées jusqu'à maturité avec une réaction seulement partielle entre les deux types de grains de titanates de baryum. Le titanate de baryum polycristallin pur a une constante diélectrique qui reste relativement inchangée lorsque 10 la température varie, excepté un plc accentué à la température de Curie de 125 o C. La constante diélectrique peut atteindre jusqu'à 10 fois sa valeur à la température ambiante. Il est bien connu de doper le titanate de baryum avec des substances décalant le point de Curie de manière à déplacer le pic et le point de Curie vers une température désirée à laquelle une grande constante diélectrique est nécessaire, par exemple 25 C. De tels corps déplaçant le point de Curie à la baisse sont le niobium, le lanthane, le strontium, le zirconium, etc. En revanche, le dopage du 20 titanate de baryum par l'addition d'une petite quantité de plomb ou d'yttrium élève le point de Curie. On peut préparer un tel corps formé de titanate de baryum polycristallin dopé destiné à être utilisé comme diélectrique pour condensateur en mélangeant les poudres de 25 titanate de baryum pur (ou bien à titre de variante des précurseurs de titanate de baryum tels que BaCO3 et TiO2) et une poudre d'un précurseur, par exemple Nb205, du cation dopant, par exemple Nb 5+, puis en comprimant le mélange dans un moule ou en façonnant autrement un corps du mélange 30 de poudres, et en exposant le corps à la cuisson de manière à faire réagir le dopant avec les grains cristallins du titanate de baryum et à le faire pénétrer par substitution dans ces derniers. Le "petit" cation Nb5+ en tant que dopant déplace les petits cations de titane (Ti4+) dans le réseau cristallin. Le "grand" cation La3 en tant que dopant déplace les grands cations de baryum (Ba 2+) dans le réseau cristallin. Ces substitutions de dopants et leurs effets sont expliqués avec plus de détails, par exemple, dans le brevet des EtatsUnis d'Amérique N 4 283 753 délivré le 11Août 1981 au nom de Burn Lorsque la durée et la température de la cuisson sont suffisantes pour permettre une pénétration totale et homogène du dopant dans la totalité des grains de titanate de baryum, une haute constante diélectrique (K) peut être atteinte, mais le coefficient de température (CT) de la constante diélectrique K varie grandement dans les plages de température présentant un intérêt industriel. Une valeur beaucoup plus plate du CT est souvent nécessaire, comme cela se reflète dans le standard industriel 15 largement utilisé, qui est désigné par X7R et qui ne nécessite pas de variation de + 15 % de la constante diélectrique autour de la valeur de 25 C, dans l'intervalle de température de -55 C à 125 C. Des compositions céramiques principalement formées de titanate de baryum qui satisfont à cette norme 20 ont été réalisées. L'une des premières compositions de XR 7 est décrite dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N 3 231 799 délivré le 25 Janvier 1966 au nom de Prokopowicz, o un dopant, par exemple le niobium, a été amené à réagir avec 25 du titanate de baryum à une température de frittage de 1271 C pendant une heure, sans utiliser de substance auxiliaire de frittage contenant du verre. Il est admis que la réaction (sans fondant) à la température de frittage dans le brevet de Prokopowicz était incomplète, le mélange réaction30 nel n'ayant pas été chauffé assez longtemps ou bien n'étant pas assez chaud pour permettre une dispersion homogène du dopant au niobium dans chaque grain, et, en outre, il n'y a essentiellement pas eu de croissance des grains. On présume que chacun des petits grains de Prokopowicz a une forte concentration en dopant au niobium près de sa surface, concentration qui s'abaisse rapidement vers le centre du grain o elle est essentiellement nulle. Dans ce modèle, le point de Curie de la surface du grain est à sa valeur la plus basse et la température de Curie présente une croissance centripète. Par conséquent, chacun des grains de titanate de baryum est dopé de la même façon et chacun a la même constante diélectrique qui varie faiblement en fonction de sa température. Cette composition présente, toutefois, l'inconvénient que le CT particulier qui est atteint dépend 10 fortement des conditions de frittage et du diamètre initial des grains de titanate de baryum. Une autre composition XR 7 révélée récemment par Chu et Coll. dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 540 676 est tout à fait semblable à celle de Prokopowicz, 15 excepté l'adjonction d'une substance auxiliaire de frittage qui permet d'abaisser la température de frittage. L'addition d'un fondant ou d'une substance auxiliaire de frittage est un procédé connu pour favoriser le frittage d'une phase liquide de telle sorte que le titanate de baryum se dissolve 20 dans le fondant liquide et se recristallise simultanément. Une telle substance auxiliaire ou fondant permet un frittage à une température plus basse ou accélère autrement le processus de frittage. Là encore, manifestement, tout grain de titanate de baryum à la mome constante diélectrique variant légè25 rement en fonction de la température. Une autre approche antérieure pour l'obtention d'une céramique X7R est décrite par Layton dans le brevet des EtatsUnis d'Amérique n 4 283 752 délivré le 11 Août 1981, qui propose un corps céramique qui est un mélange de deux types dif30 férents de grains céramiques dont on présume qu'ils ont des points de Curie différents. Un exemple connu est constitué d'un mélange d'une matière cristalline à phase rhomboédrique avec une matière cristalline à phase tétragonale précipitée à partir d'un fondant liquide à la température de frittage, dans un mélange de matières de départ comprenant des composés de baryum, de strontium, de plomb, de niobium et un fondant. La présente invention a par conséquent pour objet de trouver une matière diélectrique céramique ayant partiel5 lement réagi, qui présente une haute constante diélectrique et un coefficient de température uniforme et dont on puisse mieux prédire et mieux maitriser la fabrication. Conformément à l'invention, on réalise un corps diélectrique en mélangeant une première poudre A de titanate 10 de baryum ayant un point de Curie supérieur à 100 C, une seconde poudre B de titanate de baryum ayant un point de Curie inférieur à 0 C, une moindre quantité, de préférence inférieure à 4 % en poids, d'une poudre C de verre au borate et de préférence moins de 2,5 % en poids d'un agent inhibi15 teur de frittage D en poudre; en façonnant un corps du mélange et en frittant le corps jusqu'à maturité. L'inhibiteur D peut être un oxyde de bismuth, de titane, d'antimoine, de zirconium, d'hafnium, et des mélanges de ces oxydes. L'inhibiteur a pour effet de gêner et de limiter la réaction entre les grains adjacents des différentes poudres pour parvenir en outre à ce que la réaction limitée produise des grains céramiques ayant un large spectre continu de compositions intermédiaires dans un corps ayant un coefficient de température relativement uniforme de la constante 25 diélectrique dans une large plage de températures. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description détaillée qui va suivre, faite en regard du dessin annexé sur lequel: la figure 1 est une représentation en coupe laté30 rale d'un condensateur céramique du type en plaquette ou en disque de la présente invention. La figure 2 est une représentation en coupe latérale d'un condensateur céramique monolithique de la présente invention. Les figures 3 à 7 sont des représentations graphiques de la variation, en fonction de la température, de l'écart K de constante diélectrique par rapport à la valeur à la température ambiante (25 C), pour diverses matières céramiques. Toutes les courbes sont construites à la même échelle en ce qui concerne tant la valeur K% que la température. Plusieurs condensateurs expérimentaux du type en plaquette ont été réalisés comme représenté sur. la figure 1. Les plaquettes ont tout d'abord été formées par les opérations classiques consistant à réunir des poudres de précurseurs céramiques de 10 départ et, le cas échéant, un fondant en poudre dans un véhicule organique et un milieu servant de liant, à broyer ce mélange en suspension pour distribuer les particules de façon homogène dans la suspension, à couler cette dernière en utilisant la technique d'application à la racle pour former une feuille coulée, à découper la feuille en plaquettes carrées ayant des dimensions à l'état vert d'environ 1 cm x 1 cm x 0,5 mm d'épaisseur et à sécher les plaquettes par chauffage à 800 C pendant environ..une demi-heure. Les plaquettes carrées ont ensuite été exposées à la cuisson 20 à 1100 C (sauf spécification contraire) dans un creuset fermé. Une pâte à l'argent tenant lieu d'électrode a ensuite été appliquée sur les deux faces principales de chaque plaquette céramique à maturité et elle a été soumise à la cuisson à 800 C pour former les deux électrodes 11 et 12 25 du condensateur. Quelques condensateurs monolithiques expérimentaux ont été réalisés ocme représenté sur la Fig.2 par les opérations classiques suivantes. Les poudres de précurseurs formées de titanate de baryum à haute température de cuisson ont été mélangées avec un 30 fondant vitreux à basse température de cuisson dans un véhicule. Le véhicule consistait fondamentalement en un mélange de 70 % en poids de xylène et de 30 % en poids d'acétate d'amyle, auquel avaient été ajoutés 4 % en poids de méthacrylate de butyle et 1 % de lécithine. Cette suspension contenant environ 70 % en poids de matières solides a été broyée pendant environ 6 heures. On a appliqué des revêtements successifs de la suspension broyée sur un substrat de verre, en séchant chaque couche de revêtement à tour de rôle et en appliquant au pochoir une pâte servant d'électrode formée de 70 % d'argent et de 30 % de palladium, sur chaque couche séchée. Avant d'appliquer la couche diélectrique suivante, le motif tramé de la pâte d'électrode a été séché. Le corps 20, représenté sur la figure 2 avec des électrodes 21 et 22:encastrées, a été découpé de la pile, chauffé à 800 C et cuit jusqu'à maturité à 1100 C pendant 2,5 heures dans un creuset fermé. Une pâte à l'argent a ensuite été appliquée à chacune des extrémités du corps 20 o les bords des électrodes encastrées étaient apparents. Le corps a été chauffé à 750 C pendant quelques 15 minutes pour former des extrémités 25 et 26 en argent. Du titanate de baryum en poudre de qualité pour condensateur, de grande pureté, ayant un diamètre moyen des particules d'environ 1 micromètre,a été mélangé avec 4 % en poids d'un fondant en poudre consistant en un verre au20 borate CdO'2ZnO'B203. Ce mélange en poudre de départ a été utilisé pour réaliser des condensateurs en plaquettes conformément au mode opératoire indiqué ci-dessus. Des mesures des capacités de ces condensateurs en fonction de la température ont conduit à la courbe 32 de la figure 3 représentant 25 le pourcentage d'écart de la constante diélectrique de la céramique en fonction de la température de travail. On considère que la dissolution et la recristallisation des titanates de baryum dans le fondant ont été limitées à la surface du grain, tandis que le coeur du grain est resté inchangé. La valeur bien connue de 125 C de la température de Curie du titanate de baryum est la température au- dessus de laquelle la structure du cristal est cubique et au-dessous de laquelle elle est tétragonale. La température de Curie(T) c correspond à la température maximale sur la courbe 32. On a réalisé un second groupe de condensateurs en plaquettes de la Fig. 1 à partir d'un titanate de baryum en poudre dopé au niobium et de 4 % en poids du même fondant au borate que celui du premier groupe. Le titanate de baryum dopé a été préparé en mélangeant de l'oxyde de baryum, de l'oxyde de 5 titane et du carbonate de niobium en une quantité correspondant à 5,3 % en poids de pentoxyde de niobium (Nb205). Ce mélange a été calciné à une température de 1230 C. A la température de calcination, chaque atome de niobium pénètre dans le réseau de titanate de baryum et déplace un atome de 10 titane. On a constaté que la température de calcination devait être limitée de manière qu'elle se situe entre 1190 C et 1275 C pour produire une poudre dopée dont les particules ont un diamètre moyen de 0,5 à 1,0 micromètre. Les condensateurs en plaquettes résultants présentent un écart 15 de K relativement à la température de travail tel que représenté par la courbe 34 de la figure 3. La température de Curie de ce titanate de baryum dopé au niobium a été décalée et abaissée à environ -30 C. Dans les deux diélectriques au titanate de baryum 20 décrits ci-dessus, le fondant auborate estdevenu une petite phase vitreuse secondaire aux limites des grains de la phase dominante de titanate de baryum. Il y a manifestement la même réaction limitée lors du frittage entre la phase cristalline dominante et la phase vitreuse, par exemple 25 aucun effet n'est exercé sur la température de Curie. Dans un troisième essai, les matières de départ en poudre des condensateurs du premier groupe (BaTiO3 pur et 4 % en poids de fondant) ont été mélangées avec les matières de départ en poudre des condensateurs du second groupe (BaTiO3 dopé au niobium et 4 % en poids de fondant). La quantité en poids de BaTiO3 pur en poudre (A) et la quantité en poids de poudre >)dopée au niobium ont été choisies de manière que le rapport A/(A+B+F) soit égal à 0,60 ou 60 % et que le rapport B/(A+B+F) soit égal à 0,36 ou 36 %, rapports 35 dans lesquels F représente le poids du fondant (4 %). Ce mélange de poudres à trois composants a été utilisé comme matière de départ pour la réalisation du troisième groupe de condensateurs. L'écart caractéristique de K, en pourcent en fonction de la température de travail, est représenté par la courbe 43 sur la figure 4. La courbe 43 révèle une température de Curie d'environ +35 C, intermédiaire entre les températures de Curie des deux poudres de titanate de baryum des matières de départ. Cela représente un décalage vers le bas des températures de 10 Curie d'environ 50 C pour chaque mole de niobium qui a réagi avec le titanate de baryum et qui a dopé ce dernier. Il est donc clair que le niobium s'est dispersé également dans chacun des grains de titanate de baryum en la quantité d'environ 1,4 mole % de niobium ou environ 1,9 % en poids de pentoxyde 15 de niobium. Le titanate de baryum ne se fritte pas à 1100C en l'absence de fondant. Le mécanisme par lequel un fondant vitreux facilite le frittage est connu sous le nom de frittage en phase liquide dans lequel se produisent simulta20 nément la dissolution du titanate de baryum dans le fondant en fusion et sa recristallisation dans ce dernier. Au cours du frittage en phase liquide, le niobium utilisé comme dopant diffuse à travers le fondant liquide dans les grains au fur et à mesure qu'ils se recristallisent. On a réalisé un quatrième groupe de condensateurs, appelés condensateurs monolithiques, dans lequel les matières de départ étaient pratiquement le même nélange 67 % en poids de BaTio3pur, % en poids de BaTiO3 dopé au niobium et-2 % en poids de fondant au borate, avec en plus l'addition d'une petite quantité d'oxyde de titane en poudre (1 % en poids). Une variation spectaculaire de l'écart caractéristique de la constante diélectrique K en fonction de la température de travail s'est manifestée, comme le montre la courbe 45 de la figure 4. Dans un cinquième groupe de condensateurs mono- lithiques, une autre addition de 1% en poids de Bi203 aux matières de départ de la quatrième expérience a en outre été effectuée. L'écart de la constante diélectrique K dans ces condensateurs est encore plus faible dans la plage de tempé5 ratures de travail de -55 C à 125 C. L'oxyde de titane et le trioxyde de bismuth inhibent la réaction entre les deux phases de titanate de baryum au moment du frittage. On considère que sous l'influence d'un ou plusieurs de ces inhibiteurs, des grains de titanate de 10 baryum fritté séparés par un fondant au borate, sont créés, ces grains ayant un spectre de concentrations moyennes de dopage au niobium grain -à-grain entre 0 et 5 %. On s'attend à ce que des composés qui renferment de l'antimoine, du tantale, de l'hafnium et du zirconium constituent d'autres composés inhibiteurs. Toutefois, il est clair que le composé contenant du titane, le titanate de baryum, ne joue pas le rôle d'un inhibiteur. Dans une expérience séparée, il a également été montré que le titanate de bismuth utilisé comme additif n'exerçait pas d'effet inhibiteur. En général, un inhibiteur doit être sous la forme de l'oxyde, du carbonate, de l'oxylate et d'un autre équivalent d'oxyde qui est capable de se décomposer au cours du frittage en libérant l'atome inhibiteur de manière que l'"'élément inhibiteur", par exemple Bi, puisse réagir librement avec la surface des grains de titanate 25 de baryum. Dans une série d'un sixième, septième et huitième condensateur expérimental à plaquette, on a utilisé pour chaque condensateur un mélange de poudres de départ formé de % en poids du titanate debaryum dopé à 5 % de niobium, 2,5 % 30 en poids du fondant au borate et 1 % en poids d'oxyde de titane. Dans les poudres de départ des sixième, septième et huitième condensateurs, les quantités ajoutées de Bi203 ont été respectivement de 0 % en poids, 1,5 % en poids et 3,0 % en poids. Le reste des mélanges de départ était formé 35 de titanate de baryum pur (en quantités respectives de 66,5, 65 et 63,5 % en poids). Les courbes correspondantes de variation de AK/K en fonction de T portent respectivement les numéros 57, 55 et 53 sur la figure 5. On constate que l'effet inhibiteur qu'exerce le bismuth sur la réaction est très puissant. La courbe 60 de la figure 6 est celle d'un neuvième groupe de condensateurs de type monolithique, réalisés catoe les condensateurs monolithiques de la fig.2, présentant un ensemble particulièrement intéressant de caractéristiques de performance. La constante diélectrique 10 ne varie pas de plus de 11 % dans toute la plage de températureset la constante diélectrique à 25 C est égale à 2230. Le grand cation La3+ est utilisé comme dopant abaissant la température de Curie. Il déplace l'ion Ba2 au niveau des sites des grands cations dans le cristal de titanate de baryum. En outre, du plomb est utilisé comme dopant pour élever la température de Curie. Le plomb déplace également les ions Ba2+ en tant qu'ion covalent Pb2+. Le neuvième groupe de condensateurs monolithiques de la Fig.2 comporte un mélange de poudres de départ formé (A) de 60 % 20 en poids de titanate de baryum en poudre dopé avec 5 % en poids de PbO, (B) de 37,5% en poids d'un titanate de baryum en poudre dopé avec 7,5 % en poids d'oxyde de lanthane,(C) de 1,5 % en poids d'une poudre de fondant au borate et (D) de 1,0 % en poids de Bi203. Au cours de la calcination, chacun 25 des titanates de baryum a été additionné de 0,1 % en poids de carbonate de manganèse en vue d'améliorer la résistance de fuite du condensateur. Mais, pour être efficace, ce manganèse a dû être incorporé par calcination dans les poudres A et B. Il n'exerce essentiellement aucun effet sur 30 la température de Curie. Le dixième groupe de condensateurs monolithiques, de la fig.2 également, oomprend un mélange de poudres de départ formé (A) de 59,4 % en poids d'un titaate de baryn pur (excepté une très faible quantité de manganèse), (B) de 37,5% en poids d'un titanate 35 de baryum en poudre dopé avec 7,5 % en poids d'oxyde de 1 1 lanthane, (C) de 1,5% en poids d'un fondant au borate en poudre et (D)de 1,6% en poids de Bi203. Les deux phases A et B renfermaient également 0,1 % de carbonate de manganèse, etc. Comme le montre la courbe 70 de la figure 7, la capacité et la constante K de ces condensateurs ne varient pas de plus de 8 % sur toute la plage des températures de travail et, à 25 C, la constante diélectrique est d'environ 2000. Ces condensateurs étaient très petits,avec de minces couches diélectriques actives de 15 micromètres et 40 électrodes encastrées. Certains de ces condensateurs, au lieu d'être frittés à 1100 C pendant 2,5 heures, ont été frittés à 1100 C pendant 18 heures. La constante diélectrique K àla température ambiante de ces condensateurs à longue durée de frittage a 15 augmenté de 7 %, et la variation de AK/K% n'est pas aussi régulière que le montre la courbe 73 de la figure 7. Cela démontre une stabilité surprenante des propriétés des condensateurs en dépit d'une variation extrême des conditions de frittage. Ces condensateurs, de même que ceux des groupes 20 4 à 9, renferment une matière céramique avec d'innombrables phases, qui nécessite simplement une réaction partielle pour acquérir l'uniformité désirée de capacité en fonction de la température de travail. Cette stabilité assure la maîtrise du procédé de production et permet ainsi de prédire les propriétés de capacité du produit final. Le fait qu'une composition céramique ayant partiellement réagi telle que celle de la présente invention puisse présenter une valeur faible et stable de CT et de K même 30 lorsqu'on fait varier la durée de frittage dans un large intervalle parait remarquable. Mais on a constaté le fait surprenant qu'avec un temps de frittage constant de 2,5 heures, on observait une stabilité similaire pour des échantillons de la même formulation que dans l'exemple 10 (excepté 35 l'utilisation de 1,4 % en poids d'oxyde de bismuth) qui avaient été frittés respectivement à 1050 C, 1075 C, 1100 c et 12200C. La constante diélectrique a présenté une variation d'un maximum de 12 % seulement par rapport à la valeur de l'échantillon fritté à 1100 C et la valeur de CT a varié, par rapport à la valeur de frittage à 1100 C, de 3 % seulement à -55 C et de 2 % seulement à 125 C. La valeur CT n'a pratiquement pas varié, ce qui est un fait incroyable. Ces indications d'insensibilité en fonction de paramètres de fabrication sont inexpliqées, mais elles représentent des particu10 larités exceptionnelles et avantageuses, notamment pour une céramique du type X7R. Dans la pratique de la présente invention, on peut utiliser des dopants abaissant le point de Curie autres que le niobium et le lanthane, tels que l'arsenic, le bismuth et 15 l'antimoine. De même, on peut utiliser d'autres fondants vitreux de bas point de fusion, bien que l'on préfère les fondants au borate (par rapport aux silicates par exemple) en raison de leur plus basse température de fusion et de ce qui parait être leur imprégnation plus efficace des grains 20 de titanate de baryum pendant le frittage. Des condensateurs des groupes trois à dix, représentant des condensateurs à corps céramiques de la présente invention, présentent des coefficients de température de leur capacité beaucoup plus plats que des condensateurs des 25 groupes un et deux. Dans les dix essais décrits ci-dessus, les corps frittés étaient tous à environ 95 % de la densité théorique et avaient d'excellentes propriétés. Des températures élevées donnent en général des corps plus denses, mais au-dessus de 1150 C, la réactivité des deux phases de titanate de baryum croit à un point difficile à contenir par d'autres additions d'agents inhibiteurs tels que Bi203. Il est bien établi que par une plus grande addition d'un fondant vitreux de frittage, on réduit la température de frittage 35 à laquelle d'aussi hautes densités peuvent être atteintes. Toutefois, de plus grandes quantités de fondant créent une plus grande phase vitreuse intergranulaire de faible constante diélectrique, et la constante diélectrique globale est de ce fait sérieusement abaissée, et l'utilité en tant que corps du type X7R est réduite dans la même mesure. En conséquence, les températures de frittage dans le procédé de la présente invention sont cantonnées à l'intervalle de 1000 à 1150 C et le fondant est de préférence limité à l'intervalle de 1 à 4 % en poids. La réactivité des deux phases de titanate de baryum de départ utilisées pour préparer la céramique de la présente invention dépend des diamètres de particules de ces poudres de départ. Cette dépendance est également facile à maîtriser. Par exemple, chacun des deux mélanges de poudres de départ 15 a été préparé à partir de 59,5 % en poids de titanate de baryum pur, 37,5 % en poids du titanate de baryum dopé au lanthane mentionné ci-dessus et 1,5 % en poids de verre. Les deux poudres de titanate de baryum ont également été dopées au cours de la calcination en utilisant 0,1 % en poids de 20 carbonate de manganèse. Les poudres de titanate de baryum de départ du premier mélange avaient été calcinées à une température plus haute que pour le second mélange, et avaient une surface spécifique de 2,20 mètres carrés par gramme, en contraste avec la surface spécifique de 1,86 mètre carré par 25 gramme du second mélange. Etant donné que la réactivité au moment du frittage devrait être plus grande pour les poudres en grains plus petits, on a ajouté 1,9 % en poids d'inhibiteur de réactivité Bi203 au premier mélange de départ tandis qu'on n'a ajouté que 1,4 % en poids de Bi203 au second mélange de 30 départ. Des corps frittés à maturité, réalisés à partir du premier mélange, ont eu une constante diélectrique à la température ambiante de 2050, avec 2 % de moins à -55 C et 11 % de moins à +1250C. Des corps obtenus avec le second mélange dans 35 des conditions exactement les mêmes ont eu une constante diélectrique égale à 2000 avec 1 % de moins à -55 C et 10 % de moins à +125 C. Ces résultats sont à peine différents et illustrent l'efficacité de Bi203 comme inhibiteur de frittage pour influencer la croissance des grains même lorsqu'une substance vitreuse auxiliaire de frittage est utilisée pour abaisser 'la température de frittage à laquelle le corps à maturité est formé. Bien que la quantité d'agent inhibiteur de frittage utilisé pour atteindre l'uniformité désirée du coefficient 10 de température de la constante diélectrique pour les corps céramiques de la présente invention dépende de la grosseur des grains des poudres du titanate de baryum de départ, on estime qu'une quantité supérieure à environ 2,5 % en poids de bismuth rend le corps poreux, même à des températures de 15 cuisson atteignant 1150 C. 260 1357 REVENDICATIONS 1. Procédé de production d'un corps céramique didiélectrique, caractérisé en ce qu'il consiste: a) à préparer un mélange de départ en mélangeant une première poudre A de titanate de baryum ayant une température de Curie supérieure à 120 C, une seconde poudre B de titanate de baryum ayant une température de Curie inférieure à 0 C, une moindre quantité d'une poudre C de verre au borate et moins de 2,5 % en poids d'un agent inhibiteur 10 de frittage D en poudre; b) à former un corps (10) dudit mélange de départ; et c) à fritter ledit corps (10). 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé 15 en ce que l'agent inhibiteur de frittage D est un oxyde ou un équivalent d'un oxyde en poudre choisi parmi les éléments titane, bismuth et leurs mélanges. 3. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'agent inhibiteur de frittage D est un oxyde ou un équivalent d'un oxyde en poudre choisi parmi les éléments zirconium, hafnium, antimoine, titane, bismuth et leurs mélanges. 4. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le verre au borate C en poudre est en quantité 25 inférieure à 4 % en poids du mélange de départ. 5. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la poudre A de titanate de baryum est essentiellement pure et a une température de Curie de 125 C. 6. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé 30 en ce que la poudre A de titanate de baryum est dopée au plomb et a une température de Curie supérieure à 125 C. 7. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la poudre B de titanate de baryum est dopée avec un cation choisi entre le niobium et le lanthane. 8. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la poudre B de titanate de baryum est dopée avec un cation choisi entre niobium, tantale, bismuth, antimoine, arsenic, l'un des éléments des terres rares de la série du lanthane, et leurs mélanges. 9. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le frittage est effectué à une température dont le maximum se situe dans l'intervalle de 1000 à 1150 C. 10. Corps céramique diélectrique, caractérisé en ce qu'il comprend un titanate de baryum polycristallin et une 10 quantité secondaire d'un verre au borate intergranulaire, et en ce qu'il a été formé à partir d'un mélange de départ d'une première poudre A de titanate de baryum ayant une température de Curie supérieure à 120 C, d'une seconde poudre B de titanate de baryum ayant une température de Curie 15 inférieure à 0 C, d'une moindre quantité d'une poudre C de verre au borate et de moins de 2, 5 % en poids d'un agent inhibiteur de frittage D en poudre. 11. Corps céramique suivant la revendication 10, caractérisé en ce que la quantité de titanate de baryum polycristallin est supérieure à 94 % en poids dudit corps. 12. Corps céramique suivant la revendication 10, caractérisé en ce que le titanate de baryum polycristallin renferme un dopant,ayant réagi avec lui, choisi entre les éléments bismuth, titane, plomb et leurs mélanges. 13. Corps céramique suivant la revendication 10, caractérisé en ce que la constante diélectrique ne s'écarte pas de plus del5 % de sa valeur à 25 C dans la plage de températures de travail de -55 C à 125 C.