FR 2609575 A1 19880715 FR 8800307 A 19880113 La présente invention concerne un dispositif de détection de la lumière ou photodétecteur servant à convertir une lumière en un signal-électrique et plus particulièrement un photodétecteur qui, de façon interne, multiplie des char- ges en mettant à profit l'effet produit par un champ électri- que appliqué de l'extérieur, pour améliorer la sensibilité. Le photodétecteur conforme à la présente inven- tion est un photodétecteur qui convertit une lumière inciden- te en un signal électrique et multiplie les charges en met- tant à profit l'effet produit par un champ électrique appli- qué de l'extérieur, de manière à améliorer la sensibilité. Un tel photodétecteur inclut une photodiode à avalanche (APD), un tube photomultiplicateur, un tube analyseur d'images du type à intensificateur de brillance et un tube analyseur d'ima- ges photoconducteur. Dans un photodétecteur de l'art antérieur tel que le tube analyseur d'images photoconducteur décrit cans la demande JP-A-49-24619, on utilise une cible du type réali- sant un blocage, pour bloquer une injection de charge à par- tir d'une électrode de transmission d'un signal et d'une uni- té à faisceau électronique d'exploration par balayage. Un avan- tage de ce type de photodétecteur réside dans le fait qu'il présente une faible persistance. Cependant on ne connaît pas de tube analyseur d'images qui comporte une cible du type réa- lisant un blocage, possédant un gain supérieur à l'unité et une sensibilité élevée. On connaît un tube analyseur d'images qui utili- se une cible du type à injection, dans laquelle des charges sont injectées à la fois à partir de l'électrode de transmis- sion de signal et du faisceau électronique d'exploration par balayage ou à partir de l'un de ces éléments. Dans un tel tu- be analyseur d'images, qui utilise la cible du type à injec- tion, il est possible en principe de prélever un nombre de porteurs (électrons) supérieur au nombre de photons incidents pour les envoyer à un circuit extérieur, et par conséquent on peut obtenir un tube analyseur d'images possédant un gain supérieur à l'unité. Comme tube analyseur d'images qui utilise des cibles du type à injection, il a été proposé un tube analy- seur d'images de haute sensibilité possédant une cible réali- sée en un monocristal np (JP-B-43-18643) et un tube analyseur d'images de haute sensibilité possédant une couche de recom- binaison réalisant une injection d'électrons et disposée sur la face, tournée vers le faisceau d'exploration par balayage, d'une couche photoconductrice de manière à permettre l'injec- tion d'électrons d'exploration par balayage et la recombinai- son d'électrons et de trous d'exploration par balayage (1985 National Convention Record of the Institute of Television En- gineers of Japan, pages 25 et 26). Cependant un tel photodétecteur possédant un gain accru supérieur à l'unité est très sensible à l'environnement même si la tension appliquée de l'extérieur est toujours main- tenue constante. Dans le tube analyseur d'images photoconduc- teur qui utilise une cible du type réalisant un blocage, une partie des électrons d'exploration par balayage sont injectés dans la cible. Par conséquent la capacité de stockage de la cible augmente en principe et la persistance augmente. Un but de la présente invention est de fournir un photodétecteur qui supprime les problèmes que l'on rencon- tre dans le photodétecteur de l'art antérieur et fonctionne avec une caractéristique de sensibilité stable et élevée. Un autre but de la présente invention est de four- nir un photodétecteur convenant pour être utilisé en tant que photodétecteur mettant en oeuvre une multiplication de la charge. Un autre but de la présente invention est de four- nir un photodétecteur possédant une excellente caractéristi- que de persistance. Un autre but de la présente invention est de four- nir un photodétecteur qui convertit de façon stable une lu- 2609S75 mière mesurée en un signal électrique, et ce avec une repro- ductibilité élevée. Un autre but de la présente invention est de four- nir un photodétecteur dont la caractéristique de sensibilité varie très peu avec une condition de fonctionnement de la ci- ble autre qu'une tension appliquée, comme par exemple la tem- pérature alentour, la longueur d'onde de la lumière ou la du- rée de fonctionnement. Afin d'atteindre les objectifs indiqués plus haut, le photodétecteur conforme à la présente invention comporte: une unité de conversion photoélectrique servant à convertir une lumière en une charge; une source d'alimentation en éner- gie servant à appliquer un champ électrique à ladite unité de conversion photoélectrique; une source de lumière servant à appliquer une lumière incidente à ladite unité de conver- sion photoélectrique; des moyens de détection de signaux, servant à détecter une charge correspondant à la lumière in- cidente délivrée par ladite source de lumière et cJnvertie par ladite unité de conversion photoélectrique: et des moyens de maintien de signaux, servant à commander ladite source d'alimenta- tion en énergie pour régler le champ électrique appliqué à ladite unité de conversion photoélectrique de manière à main- tenir un signal de sortie desdits moyens de détection de si- gnaux, à un niveau prédéterminé. Conformément à la présente invention, le photo- détecteur peut fonctionner de façon stable avec une reproduc- tibilité élevée, sans aucune variation de sa caractéristique de sensibilité. Lorsque la présente invention est appliquée à un tube analyseur d'images présentant la fonction de multi- plication interne, il n'existe aucune variation du niveau du noir et le signal d'image est délivré avec une haute repro- ductibilité. -- D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 représente une structure d'une ci- ble d'un tube analyseur d'images photoconducteur, qui possède une fonction de multiplication de la charge et est applicable de façon appropriée à un photodétecteur conforme à la présen- te invention; - la figure 2 représente une caractéristique de variation d'un champ électrique appliqué en fonction d'un cou- rant de signal de la cible représentée sur la figure 1; - la figure 3 représente des caractéristiques du champ électrique appliqué, de la persistance et d'un cou- rant d'obscurité de la cible représentée sur la figure 1; - la figure 4 représente une forme de réalisa- tion, dans laquelle le photodétecteur conforme à la présente invention est appliqué à un tube analyseur d'images; - la figure 5 montre une autre forme de réalisa- tion, dans laquelle le photodétecteur conforme à la présente invention est appliqué à un tube analyseur d'images; - les figures 6A,6B et 6C représentent des struc- tures de cibles dans une forme de réalisation de la figure 7, dans laquelle le photodétecteur conforme à la présente in- vention est appliqué à un tube analyseur d'images; - la figure 7 montre une autre forme de réalisa- tion, dans laquelle le photodétecteur conforme à la présente invention est appliqué à un tube analyseur d'images; et - la figure 8 montre une forme de réalisation, dans laquelle le photodétecteur conforme à la présente inven- tion est appliqué à une photodiode à avalanche. Dans une unité de conversion photoélectrique du photodétecteur, la caractéristique de conversion photoélec- trique dépend de l'intensité du champ électrique appliqué. Lorsque le photodétecteur est un photodétecteur de haute sen- sibilité utilisant une fonction de multiplication de la char- ge, la relation entre le champ électrique appliqué et un cou- rant de signal produit par une lumière à mesurer est très sen- sible. Un tel photodétecteur est décrit dans la demande de brevet US, N de série 69 156 cédée au déposant de la pré- sente demande. Ce dispositif utilise une fonction de multiplica- tion de la charge, créée dans une couche semiconductrice amor- che constituée principalement par du Se, grâce à l'applica- tion d'un champ électrique relativement intense à la couche semiconductrice amorphe. On va expliquer la relation existant entre un courant de signal et l'intensité du champ électrique appliqué, dans un tel photodétecteur. La figure 1 représente une structure d'une cible d'un tube analyseur d'images, possédant une couche transpa- rente 12 conductrice du type n, et une couche 13 de Se amor- phe et une couche 14 de Sb2S3, ces couches étant empilées suc- cessivement sur un substrat en verre transparent 11. La figure 2 représente la relation entre un cou- rant de signal de sortie de la cible et une tension de la ci- ble. On voit que la relation entre le courant de signal de sortie (en ordonnées) et la tension appliquée (en abscisses) lorsque la lumière 15 est appliquée alors que se trouve appli- quée une tension telle cue la couche 12 conductrice du type n est à un potentiel positif par rapport à la couche 14 de Sb2S3. La tension appliquée est représentée par l'intensité du champ électrique. L'interface située entre la couche transparente 12 conductrice du type n et la couche 13 en Se amorphe a une fonction de redressement, qui sert à bloquer l'injection de trous, et la couche 14 en Sb2S3 a pour rôle d'empêcher les électrons d'exploration par balayage de pénétrer dans la cou- che 13 en Se amorphe. Par conséquent la cible du présent tube analyseur d'images agit à la manière d'une cible du type réa- lisant un blocage. Comme cela est visible sur la figure 2, la caractéristique de variation du courant du signal en-fonc- tion de la tension appliquée comporte trois régions A,B et C. Dans la région A, la lumière incidente 15 est absorbée par la couche 13 en Se amorphe, ce qui crée des cou- ples électron-trou, dont une partie est séparée par la ten- sion appliquée, et les électrons sont envoyés en direction de la couche transparente 12 conductrice du type n, tandis que les trous atteignent la couche 14 de Sb2S3 et sont détec- tés par un faisceau électronique d'exploration par balayage (non représenté). Dans cette région du champ électrique, le courant de signal augmente lorsque le champ électrique aug- mente, mais étant donné que l'effet de recombinaison des élec- trons et des trous est intense, le gain de la cible est infé- rieur à l'unité. Lorsqu'on augmente la tension appliquée à la ci- ble en passant dans la région B, la majorité des couples élec- tron-trou produits par la lumière incidente sont séparés par le champ électrique et se déplacent respectivement en direc- tion de la couche transparente 12 conductrice du type n et de la couche 14 de Sb2S3, sans recombinaison. Dans cette ré- gion, le courant de signal tend à atteindre l& saturation. Le courant de signal est maximum lorsque la lumière incidente a été entièrement convertie en couples électron-trou et pré- levée en tant que courant de signal. Par conséquent le gain de la cible est égal au maximum à l'unité. La cible du type réalisant un blocage, décrite dans la description de l'art antérieur associé, fonctionne dans la région A ou B. Lorsque la couche photoconductrice est réalisée en un matériau semiconducteur amorphe tel que du Se amorphe, si l'on accroit plus encore le champ électrique à partir de la région B, le courant de signal augmente brusquement de sor- te que le gain augmente au-delà de l'unité. La figure 3 repré- sente la relation entre le champ électrique appliqué à la ci- ble, le courant d'obscurité et la persistance. La persistance dans la région C, dans laquelle le gain est supérieur à l'uni- té, n'augmente pas par rapport à la persistance présente dans la région B, et le courant d'obscurité est faible hormis dans une zone dans laquelle le champ électrique est intense, dans la région C, o le signal augmente de façon extrême. Lorsque l'épaisseur du Se amorphe augmente de façon supplémentaire, le facteur multiplicatif du courant de signal pour l'intensi- té constante du champ électrique appliqué augmente. Par con- séquent il s'avère que la fonction de multiplication de la charge, que présente la cible photoconductrice conforme à la présente invention, n'est pas la fonction d'amplification pro- duite par la charge d'injection décrite dans la description de l'art antérieur, mais est une fonction de multiplication de la charge intervenant dans la couche de Se amorphe et que l'on ne connaissait pas dans l'art antérieur. Le tube analyseur d'images de haute sensibilité, qui possède un gain supérieur à l'unité, peut être réalisé sans accroissement de la persistance, si l'on met à profit le phénomène selon lequel la fonction de multiplication de la charge intervient dans la pellicule de Se amorphe, lors- qu'un champ électrique intense lui est appliqué, et en réali- sant la cible de manière que la fonction de multiplication de la charge soit effectivement obtenue. La haute sensibilité obtenue en utilisant la fonc- tion de multiplication de la charge dans la région C repré- sentée sur la figure 2 est très élevée vis-à-vis de la ten- sion appliquée, comme le montre la figure 2. Après une analy- se détaillée de la caractéristique de fonctionnement de la cible du tube analyseur d'images de la figure 1, il s'est avé- ré que le facteur de multiplication varie également avec des conditions facultatives autres que la tension appliquée,comme par exemple la température, la longueur d'onde de la lumière et la durée de fonctionnement. Par conséquent, même si l'on maintient constante la tension appliquée à la cible du tube analyseur d'images, on n'obtient pas toujours un signal d'ima- ge stable. Les auteurs à la base de la présente invention ont analysé de façon détaillée le fonctionnement de la cible du tube analyseur d'images, qui utilise la fonction de multi- plication de la charge et ont trouvé qu'elle est très effica- ce pour commander la tension appliquée de manière que le cou- rant du signal de sortie multiplié, qui est fourni par la lu- mière possédant une intensité sensiblement constante appli- quée à la cible du tube analyseur d'images, séparément de l'ob- jet, soit maintenu constant. De cette manière il est possible de convertir de façon stable la lumière mesurée, comme par exemple l'image d'un objet, en un signal électrique, et ce avec une reproductibilité élevée. La figure 4 représente un schéma de conception théorique d'une forme de réalisation du tube analyseur d'ima- ges conforme à la présente invention. Il comporte une cible possédant un substrat transparent 41, une pellicule conductri- ce transparente 42, une couche 44 de Se amorphe et une couche 45 réalisant un blocage de l'injection des électrons, une uni- té de commande à faisceau électronique d'exploration par ba- layage servant à produire et commander un faisceau électroni- que pour qu'il balayage la cible, une source d'alimentation en énergie 46 servant à appliquer un champ électrique à la cible, des moyens 4- de détection de signaux servant à détec- ter un courant de signal de sortie de la cible, un amplifica- teur 51, une résistance de charge 52, un circuit 48 de com- mande de la tension, servant à régler le champ électrique ap- pliqué à la cible au moyen de la commande de la source d'ali- mentation en énergie 46, et une source de lumière 40 servant à appliquer une lumière 49 possédant une intensité constante à la cible, qui est une unité de conversion photoélectrique permettant d'obtenir un signal de commande servant à comman- der le champ électrique appliqué à la cible. L'unité de com- mande du faisceau électronique d'exploration par balayage com- porte des électrodes permettant de focaliser et de faire dé- vier le faisceau électronique et un boîtier qui est une encein- te sur laquelle les électrodes sont disposées, bien qu'elles ne soient pas représentées sur la figure 4. Si un contact re- dresseur suffisant n'est pas obtenu entre la couche 44 de Se amorphe et la pellicule transparente conductrice 42 de la ci- ble, on installe une couche 43 d'amélioration du contact re- dresseur servant à améliorer la fonction de contact redresseur. La source d'alimentation en énergie 46 est rac- cordée à l'unité de conversion photoélectrique (cible) du pho- todétecteur (tube analyseur d'images) de la figure 4, de sor- te que la pellicule conductrice transparente 42 possède un potentiel positif par rapport à la couche 45 réalisant un blo- cage de l'injection d'électrons. Un champ électrique corres- pondant à la région C de la figure 2 est appliqué à la couche 44 de Se amorphe de la cible. Dans ces conditions, la lumière incidente 49 possédant l'intensité prédéterminée est appli- quée par la source de lumière 40 au substrat transparent 41. Il en résulte que la lumière incidente 49 est absorbée par la couche 44 de Se amorphe de la cible de sorte que les cou- ples électron-trou, qui sont des photoporteurs, sont produits. Le flux d'électrons pénétrant dans la pellicule conductrice transparente 42 sous l'effet du champ électrique apfliqué et les trous traversent la couche 44 en Se amorphe, en direction de la couche 45 réalisant un blocage de l'injection d'élec- trons. Lorsque les trous se déplacent dans la couche 44 de Se amorphe sous l'action du champ électrique relativement in- tense, une fonction de multiplication de la charge est créée. En effet les trous produisent de nouveaux couples électron- trou (porteurs) qui produisent des couples électron-trou sup- plémentaires. Par conséquent, si la couche 44 de Se amorphe est suffisamment épaisse pour garantir l'obtention d'une ca- ractéristique désirée, ceci fournit une multiplication dési- rée de la charge et on obtient un tube analyseur d'images de haute sensibilité possédant un gain supérieur à l'unité. Une lumière devant être mesurée, c'est-à-dire une lumière à mesurer 50, transmise depuis l'objet à la cible, est convertie par conversion photoélectrique, au moyen de la couche 44 en Se amorphe, comme cela est exécuté pour la lumiè- re incidente 49, et les charges du signal sont multipliées * par la fonction de multiplication de la charge. Le courant de signal prélevé de la cible est am- plifié par un amplificateur et ensuite (ou avant l'amplifica- tion) le signal de sortie produit par la lumière incidente 49 est séparé par les moyens 47 de détection du signal de sor- tie. La source d'alimentation en énergie 46 est commandée par le circuit 48 de commande de la tension de sorte que l'ampli- tude du signal de sortie est maintenue constante. Les moyens 47 de détection du signal déterminent si le courant de signal délivré par la cible est dû à la lumière incidente 49 ou à la lumière à mesurer 50, par division dans le temps du signal de sortie et détection de ce dernier en synchronisme avec le signal de sortie produit par la lumière incidente. L'autre signal de sortie, qui est séparé par les moyens 47 de détec- tion du signal, c'est-à-dire le signal de sortie dû à la lu- mière à mesurer 50 est délivré sous la forme d'un signal de sortie normal (signal d'image de l'objet). Comme cela a été décrit précédemment, grâce au fait de prévoir la source de lumière 40 qui produit la lumiè- re incidente 49 possédant une intensité constante, et de com- mander la source d'alimentation en énergie 46 pour obtenir le renvoi par réaction du signal de sortie produit par les charges de signal générées par l'unité de conversion photo- électrique à partir de la source de lumière 40 sous l'action de la lumière incidente 49, la lumière à mesurer 50 émanant de l'objet peut être convertie en le signal électrique avec une grande stabilité et une grande reproductibilité. Sur la figure 4, la lumière incidente 49 possé- dant l'intensité constante est appliquée au substrat transpa- rent 41, bien que le même effet soit obtenu lorsque la lumiè- re incidente est appliquée dans une autre direction par exem- ple à partir du côté o s'effectue l'exploration par balayage réalisée par le faisceau électronique. Ce qui est ici important c'est que l'intensité de la lumière incidente 49 absorbée par l'unité de conversion photoélectrique est constante et que la direction de la lumiè- re incidente n'est pas un élément essentiel. Dans la présente forme de réalisation, la couche photoconductrice 44 de la cible du tube analyseur d'images est la couche de Se amorphe. Il est efficace d'ajouter du As et/ou du Ge dans la couche de Se amorphe de manière à accroî- tre la stabilité thermique et d'ajouter du Te de manière à améliorer la sensibilité du Se amorphe aux grandes longueurs d'onde. La couche photoconductrice 44 n'est pas nécessaire- ment une couche unique du matériau semiconducteur formé de Se amorphe, mais peut être un empilage de deux ou plusieurs couches semiconductrices possédant des fonctions de multipli- cation de la charge semblables à celles de la couche de Se, ou bien une pile formée d'une couche semiconductrice cristal- line et d'une couche semiconductrice amorphe. Bien que l'on ait expliqué l'agencement de la cible photoconductrice, la présente invention peut être égale- ment appliquée à un autre photodétecteur, comme par exemple un dispositif analyseur d'images du type à amplificateur de brillance, un tube photomultiplicateur ou une photodiode à avalanche, qui utilise un semiconducteur cristallin. On va expliquer ci-après de façon détaillée des formes de réalisation de la présente invention. Forme de réalisation 1 Comme représenté sur la figure 5, on forme une pellicule conductrice transparente 42 constituée principale- ment par de l'oxyde d'indium sur un substrat en verre 41, on forme successivement une couche 43 en CeO2, qui réalise un blo- cage de l'injection des trous et possède une épaisseur de 0,03 mm, et une couche semiconductrice amorphe 44 constituée principalement par du Se et possédant une épaisseur de 0,5- 6 pm, sur la pellicule conductrice transparente 42, au moyen d'un procédé de dépôt par évaporation sous vide. On dépose par évaporation une couche de Sb2S3, qui possède une épaisseur de 0,1 um et agit en tant que couche 45 servant à bloquer l'in- jection d'électrons, sur la couche semiconductrice amorphe dans un environnement de gaz inerte à une pression de 26,6 Pa de manière à former une cible, du type réalisant un blocage, du tube analyseur d'images photoconducteur. Ensuite on incorpore la cible dans le tube analyseur d'images photoconducteur, qui contient un canon à électrons, de manière à former le tube analyseur d'images photoconducteur. On applique un champ électrique de 8 x 10 V/m ou plus au tube analyseur d'images au moyen du montage représen- té sur la figure 5, c'est-à-dire au moyen de la source d'ali- mentation en énergie 46, la pellicule conductrice 42 étant plus positive que la couche 45 servant à réaliser le blocage de l'injection d'électrons. Dans ces conditions, les charges sont multipliées dans la couche semiconductrice amorphe. Puis on ferme un obturateur 54 tout en appliquant la lumière inci- dente 49 possédant une intensité constante. L'obturateur ar- rête les lumières autres que la lumière incidente 49 prove- nant de la source de lumière 40, de manière à dmpêcher que de telles lumières soient absorbées par la couche 44 en Se amorphe, qui est la couche photoconductrice située dans la cible. Ensuite on actionne le commutateur 47, qui constitue les moyens de détection du signal de sortie, de manière à en- voyer le courant de signal correspondant à la lumière inciden- te 49 au circuit 48 de commande de la tension de manière à commander la source d'alimentation en énergie 46 afin de ré- gler par exemple à 10 le gain par rapport à la lumière inci- dente 49. Ensuite on utilise l'obturateur 54 pour appliquer la lumière 50 émanant de l'objet (lumière à mesurer) au tube analyseur d'images, et on actionne le commutateur 47 de ma- nière à envoyer le courant de sortie correspondant à la lu- mière à mesurer 50 à une borne de sortie. En exécutant l'opé- ration indiquée ci-dessus de temps à autre comme cela s'avè- re requis, l'image de l'objet peut être détectée d'une maniè- re très sensible avec un gain stable et une haute reproducti- bilité. Forme de réalisation 2 On va se référer aux figures 6A,6B,6C et 7. On dépose une pellicule de masquage 62 en Cr sur un substrat transparent 41 comme par exemple un substrat en verre, au mo- yen du procédé de dépôt sous vide en phase vapeur. On aménage, par masquage, une ouverture représentée sur les figures 6B et 6C dans le substrat 41. La zone hachurée 61 bloque le pas- sage de la lumière. On forme sur l'ensemble une pellicule con- ductrice transparente 42 constituée principalement par de l'oxyde d'indium. On forme successivement une couche 43 ser- vant à bloquer l'injection des trous, une couche photocon- ductrice 44 et une couche 45 servant à bloquer l'injection des électrons, au moyen du même procédé que celui utilisé dans la forme de réalisation 1 pour former la cible d'un tube ana- lyseur d'images photoconducteur. On insère ensuite la cible dans un boîtier dans lequel on dispose une unité à faisceau èlectronique d'exploration par balayage de manière à former le tube analyseur d'images. A l'aide du dispositif représenté sur la figure 7, un champ électrique égal à 8 x 107 V/m ou plus est appliqué à la cible du tube analyseur d'images. Dans la présente forme de réalisation, la lumière incidente 49 est appliquée à la cible à partir du côté o se trouve le faisceau électronique d'exploration par balayage. Si la partie de la cible corres- pondant à la zone entourée par une ligne formée de tirets et représentée sur les figures 6B et 6C est balayée par le fais- ceau d'électrons, on obtient un courant de signal combiné mul- tiplié correspondant à la lumière à mesurer 50 et à la lumiè- re incidente 49 d'intensité constante. Lorsque le faisceau élec- tronique d'exploration par balayage balaye la surface corres- pondant à l'ouverture ménagée dans la surface entourée par une ligne formée de tirets, on obtient un courant de signal pour la lumière à mesurer 50, et lorsque le faisceau électro- nique d'exploration par balayage explore la zone correspon- dant à la zone hachurée située dans la zone entourée par une ligne formée de tirets, la lumière à mesurer 50 ne pénètre pas dans la couche photoconductrice 44 en raison de la pré- sence de la pellicule de masquage 42 représentée sur la figu- re 6A, et le courant de signal est produit uniquement sur la base de la lumière incidente 44 émanant de la source de lu- mière 40. Le courant de signal combiné est divisé d'une maniè- re séquentielle dans le temps en les composantes pour la lu- mière incidente 49 et la lumière à mesurer 50 par le circuit de détection 47, qui constitue les moyens de détection du si- lo gnal de sortie. La source d'alimentation en énergie 46 est commandée par le courant de signal correspondant à la lumière incidente 49, par l'intermédiaire du circuit 48 de commande de la tension, ou bien est automatiquement commandéede telle sorte que le courant de signal correspondant à la lumière in- cidente 49 est maintenu en permanence constant. De cette ma- nière, l'image de l'objet peut être détectéed'une manière très sensible avec une grande stabilité et une haute reproductibi- lité. Forme de réalisation 3 La figure 8 représente une forme de réalisation, dans laquelle le photodétecteur conforme à la présente inven- tion est appliqué à une diode à avalanche. Une lumière pul- sée continue à haute fréquence possédant une intensité cons - tante et une fréquence constante est appliquée, en tant que lumière incidente 49, à une diode à avalanche 81 à partir d'une source de lumière 40 telle qu'un laser à semiconducteurs. La période de l'impulsion est suffisamment supérieure à la période de la lumière à mesurer. Seule la composante multi- pliée du courant de sortie pour la lumière pulsée continue 49 est séparée par un filtre passe-haut qui constitue les mo- yens de détection de signaux, et la source d'alimentation en énergie 46 est commandée par le circuit 48 de commande de la tension de telle sorte que le courant de signal est toujours maintenu constant. De cette manière le courant de signal cor- respondant à la lumière à mesurer 50 peut être obtenu au mo- yen d'un filtre passe-bas et ce avec une grande stabilité et une haute reproductilibité. Dans les formes de réalisation décrite ci-dessus, le signal de sortie présent sur la borne de sortie est obtenu soit uniquement au moyen de la lumière à mesurer, soit au mo- yen de la combinaison de la lumière à mesurer de la lumière incidente. On peut sélectionner ces dernières en fonction du fait qu'elles conviennent ou non pour le photodétecteur et ne constituent pas un élément essentiel de la présente inven- tion. REVENDICATIONS 1. Photodétecteur caractérisé en ce qu'il com- porte: - une unité de conversion photoélectrique (41- 45) servant à convertir une lumière en une charge; - une source d'alimentation en énergie (46) ser- vant à appliquer un champ électrique à ladite unité de conver- sion photoélectrique; - une source de lumière (40) servant à appliquer une lumière incidente à ladite unité de conversion photoélec- trique; - des moyens (47) de détection de signaux, ser- vant à détecter une charge correspondant à la lumière inci- dente délivrée par ladite source de lumière et convertie par ladite unité de conversion photoélectrique; et - des moyens (48) de maintien de signaux, ser- vant à commander ladite source d'alimentation en énergie pour régler le champ électrique appliqué à ladite unité de conversion pho- toélectrique de manière à maintenir un signal de sortie des- dits moyens de détection de signaux, à un niveau prédéterminé. 2. Photodétecteur selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que ladite unité de conversion photoélectri- que comporte un substrat (41), une pellicule conductrice (42) formée sur ce substrat et une couche photoconductrice (44) formée sur la pellicule conductrice de manière à convertir la lumière mesurée en un signal électrique. 3. Photodétecteur selon la revendication 2, ca- ractérisé en ce que ladite couche photoconductrice possède une couche (45) servant à bloquer l'injection d'une première charge formée sur cette couche. 4. Photodétecteur selon la revendication 2, ca- ractérisé en ce qu'une couche servant à bloquer l'injection d'une seconde charge est formée entre ladite pellicule conduc- trice et ladite couche photoconductrice. 5. Photodétecteur selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que ladite unité de conversion photoélectri- que multiplie la charge produite par la conversion photoélec- trique. 6. Photodétecteur selon la revendication 3, ca- ractérisé en ce que ladite couche photoconductrice est réali- sée en un matériau semiconducteur amorphe apte à réaliser une multiplication de la charge. 7. Photodétecteur selon la revendication 6, ca- ractérisé en ce que ledit matériau semiconducteur amorphe con- tient essentiellement du Se. 8. Photodétecteur selon la revendication 7, ca- ractérisé en ce que ledit matériau semiconducteur amorphe con- tient au moins un élément choisi parmi un groupe d'éléments incluant As et Ge. 9. Photodétecteur selon la revendication 7, ca- ractérisé en ce que ledit matériau semiconducteur amorphe con- tient du Te. 10. Photodétecteur selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que la lumière incidente possède une intensi- té sensiblement constante. 11. Photodétecteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la lumière incidente est une lumière pulsatoire possédant une fréquence constante. 12. Photodétecteur selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que ladite source de lumière est une lampe au tungstène. 13. Photodétecteur selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que ladite source de lumière est un laser à semiconducteurs. 14. Photodétecteur caractérisé en ce qu'il com- porte: - un tube analyseur d'images comportant une uni- té de conversion photoélectrique servant à réaliser la conver- sion photoélectrique d'une lumière extérieure à mesurer en un signal électrique, une unité à faisceau électronique d'explo- ration par balayage servant à produire et déplacer selon un. mo- de d'exploration par balayage un faisceau électronique d'explo- ration pour lire, d'une manière successive dans le temps, une charge produite par ladite unité de conversion photoélectrique, et un boîtier servant à loger ladite unité de conversion pho- toélectrique et ladite unité à faisceau électronique d'explo- ration par balayage; - ledit tube analyseur d'images comportant un substrat transparent (41), une pellicule conductrice transpa- rente (42) formée sur ledit substrat transparent et une cou- che photoconductrice (44) formée sur ladite pellicule conduc- trice transparente, pour multiplier la charge produite par la lumière mesurée, au moyen d'un champ champ électrique ap- pliqué à ladite couche photoconductrice; - une source d'alimentation en énergie (46) bran- chée entre ladite pellicule conductrice transparente dudit tube analyseur d'images et ladite unité à faisceau électronique d'exploration par balayage et servant à appliquer le champ électrique à ladite couche photoconductrice; - une source de lumière (40) servant à appliquer une lumière incidente à ladite unité de conversion photoélec- trique; - des moyens (47) de détection de signaux, rac- cordés à ladite pellicule conductrice transparente de manière à détecter un signal produit par ladite unité de conversion photoélectrique sous l'effet de la lumière incidente appliquée par ladite source de lumière; et - des moyens (48) de,maintien de signaux servant à contrôler ladite source d'alimentation en énergie pour régler le champ électrique appliqué à ladite couche photoconductrice afin de maintenir le signal de sortie délivré par lesdits mo- yens de détection de signaux, à un niveau constant. 15. Photodétecteur selon la revendication 14, caractérisé en ce que ladite unité de conversion photoélectri- que comporte une pellicule de masquage comportant une ouver- ture et située entre ledit substrat transparent et ladite pel- licule transparente, que ladite source de lumière applique la lumière incidente à ladite unité de conversion photoélec- trique à partir de la face opposée à la face d'incidence de la lumière à mroesurer, et qu'une zone d'exploration du faisceau électronique déplacé selon un mode d'exploration par ladite unité à faisceau électronique d'exploration par balayage coin- cide en partie avec la forme de l'ouverture de sorte que le signal de sortie fourni par la lumière incidente est inclus, d'une manière séquentielle dans le temps, dans le signal de sortie délivré par ledit tube analyseur d'images, et que les- dits moyens de détection de signaux détectent le signal de sortie obtenu pour la lumière incidente, en synchronisme avec le signal de sortie dudit tube analyseur d'images. 16. Photodétecteur selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit matériau semiconducteur amorphe contient principalement du Se. 17. Photodétecteur selon la revendication 14, caractérisé en ce que le matériau semiconducteur amorphe con- tient au moins un élément choisi parmi un groupe d'éléments incluant As ou Ge. 18. Photodétecteur selon la revendication 14, caractérisé en ce que ledit matériau semiconducteur amorphe contient du Te. 19. Photodétecteur selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'intensité du champ électrique appli- qué à ladite couche photoconductrice est égale à 8 x 107 V/m ou plus. 20. Photodétecteur selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que la lumière incidente est une lumière pul- sée possédant une intensité sensiblement constante et une pé- riode sensiblement constante, et que lesdits moyens de détec- tion de signaux sont constitués par un filtre permettant de détecter, d'une manière sélective en fonction de la fréquence, le signal de sortie produit par la lumière incidente, à par- tir du signal de sortie de ladite unité de conversion photo- électrique. 21. Photoconducteur selon la revendication 20, caractérisé en ce que la lumière incidente est une lumière pulsée continue à haute fréquence délivrée par un laser à se- miconducteurs et que ledit filtre est un filtre passe-haut.