FR 2606880 A1 19880520 FR 8614032 A 19861002 La présente invention a trait en général au dépôt épitaxial de matériaux sur un substrat et plus particulièrement au dépôt épitaxial de matériaux sur un substrat dans un système axialement symétrique. En raison de cette disposition axialement symétrique, la chambre de dépôt doit être spécialement conçue afin d'assurer un chauffage uniforme du substrat. Il est connu que la qualité du matériau déposé dans une chambre de dép8t épitaxial peut dépendre, parmi d'autres facteurs, de l'unifor- mité de la température du substrat et de la répartition uniforme du ma- tériau à déposer qui se trouve dans le gaz porteur. C'est tout récem- ment que l'on a pu mettre en évidence les avantages que procure le dé- p8t épitaxial dans un système axialement symétrique. On ne peut réaliser totalement ces avantages dans un contexte industriel qu'au prix d'un chauffage rapide et uniforme du substrat. Dans l'art antérieur, on a chauffé des récepteurs ou supports massifs soit avec des batteries de lampes linéaires, soit en utilisant des champs à haute-fréquence, l'uni- formité de la température étant assurée en partie par la masse thermique importante et par la conductibilité thermique élevée d'un récepteur as- socié au substrat. Toutefois, la masse thermique considérable que repré- sente le récepteur se traduit par une inertie thermique qui prolonge la durée des cycles de chauffage et de refroidissement que comporte le pro- cessus de dépôt épitaxial. Par conséquent, il existe une demande pour un appareil et un pro- cédé qui permettent de chauffer rapidement et uniformément une puce et, plus particulièrement, de chauffer uniformément un récepteur et/ou une puce à faible masse thermique dans un système axialement symétrique. Dans ces conditions, l'un des buts de la présente invention con- siste à prévoir un appareil et un procédé perfectionnés pour la mise en oeuvre du processus de dép8t épitaxial. Un autre but de l'invention consiste à prévoir un appareil et un procédé de chauffage qui, dans un contexte de dépôt épitaxial, utilisent un écoulement gazeux axialement symétrique. Par ailleurs, la présente invention a également pour objet de pré- voir un procédé et un appareil capables d'assurer le chauffage uniforme d'un substrat de semi-conducteur dans un appareil de dépôt épitaxial o l'écoulement gazeux et le substrat ont une symétrie axiale. Plus particulièrement, un but de l'invention consiste à assurer le chauffage uniforme d'un ensemble comprenant un ou plusieurs substrats semi-conducteurs et un récepteur, associés entre eux, en utilisant des -2lampes de chauffage disposées au-dessus et au-dessous de cet ensemble, les deux séries de lampes de chauffage étant disposées en substance per- pendiculairement entre elles. Cependant, suivant un autre but caractéristique de la présente in- vention, il est prévu d'assurer le chauffage uniforme de l'ensemble substrat semi-conducteur et récepteur ou support en utilisant une première chambre équipée d'un groupe de lampes de chauffage et une seconde cham- bre dans laquelle les moyens réflecteurs disposés sur le côté opposé de l'ensemble présentent une forme prédéterminée et comprennent au moins deux zones ayant des coefficients de réflexion différents. En outre, la présente invention a pour but de prévoir un ensemble substrat-récepteur disposé à l'intérieur de deux chambres de chauffage de forme sensiblement carrée. Plus particulièrement.encore, la présente invention a pour but d'enfermer un ensemble substrat-récepteur dans deux chambres de chauf- fage de forme sensiblement carrée, chaque chambre étant équipée de lampes de chauffage dont le rayonnement est focalisé par des réflecteurs para- boliques disposés suivant un angle d'environ 900 par rapport aux lampes de chauffage qui se trouvent dans l'autre chambre. Enfin, un autre but de la présente invention consiste à enfermer un ensemble substrat-récepteur dans deux chambres à l'intérieur desquelles on produit un rayonnement à l'aide de lampes chauffantes, ce rayonnement étant focalisé par des réflecteurs paraboliques, les lampes de chauffage de chaque chambre étant disposées à 90 environ par rapport à celles de l'autre chambre, tandis que plusieurs lampes chauffantes intérieures qui se trouvent dans l'une au moins de ces chambres sont associées à une sur- face réfléchissante plane. Ces différentes caractéristiques ainsi que d'autres encore sont réalisées, suivant la présente invention, par l'adoption d'un réacteur épitaxial composé en substance d'une chambre supérieure et d'une cham- bre inférieure qui renferment un ensemble substrat-récepteur. Dans la chambre supérieure, une série de lampes de chauffage s'étend à travers la chambre et engendre au moins une partie de l'énergie thermique à ap- pliquer à l'ensemble substrat-récepteur. Ces lampes de chauffage sont généralement parallèles entre elles et peuvent être disposées à des in- tervalles égaux, et si l'on utilise une chambre circulaire les parties des lampes qui s'étendent à travers la chambre peuvent avoir des lon- gueurs différentes. On choisit le pouvoir réfléchissant des parois de la chambre de façon à compléter le chauffage assuré par les lampes de chauf- - 3 - fage et à assurer une répartition uniforme du rayonnement thermique l'intérieur du réacteur. Suivant un mode particulier de réalisation de l'invention, une chambre inférieure, de forme circulaire, du réacteur est conçue de façon analogue à celle de la partie supérieure. Cependant, les lampes de chauffage qui se trouvent dans la chambre inférieure sont disposées en général perpendiculairement par rapport aux lampes de chauf- fage de la chambre supérieure. Suivant un second mode de réalisation de l'invention, la chambre inférieure du réacteur forme une enceinte cir- culaire dans laquelle l'énergie réfléchie par la chambre circulaire supé- rieure est utilisée pour alimenter en énergie thermique la partie infé- rieure de l'ensemble substrat-récepteur. Une partie centrale de la paroi de la chambre inférieure possède un pouvoir réfléchissant choisi de fa- çon à assurer un chauffage uniforme de l'ensemble substrat-récepteur, tout en ayant un pouvoir réfléchissant différent de celui du restant de la chambre. Selon un autre mode possible de réalisation de l'invention, des lampes de chauffage situées dans les chambres supérieure et inférieure sont associées à des réflecteurs paraboliques de façon à produire un rayonnement sensiblement parallèle qui vient frapper l'ensemble substrat- récepteur. Dans ce mode de réalisation, les chambres ont de préférence une forme carrée. Suivant un autre mode possible de réalisation, dans l'une au moins des chambres on peut remplacer les réflecteurs paraboliques par une surface réfléchissante plane pour certaines lampes sélectionnées de chauffage. Les parois des réflecteurs sont recouvertes d'un matériau réfléchissant approprié. Pour améliorer davantage l'uniformité du chauf- fage de l'ensemble substrat-récepteur, les lampes de chauffage peuvent avoir une énergie d'excitation supérieure ou être davantage rapprochées entre elles, attendu que l'on peut éventuellement augmenter l'écart entre les lampes centrales pour compenser, par exemple, les pertes de chaleur qui se produisent à travers des lumières indispensables pour introduire, s'il y a lieu, des composants du courant gazeux dans le réacteur. Ces différentes caractéristiques de l'invention ainsi que d'autres encore seront mieux comprises à la lecture de la description qui suit et se réfère au dessin annexé, sur lequel: La FIGURE 1 est un schéma montrant en perspective l'écoulement du gaz vers un substrat afin de conférer une symétrie axiale à cet écoule- ment gazeux; La FIGURE 2 est une vue en perspective montrant une chambre du ré- acteur que traversent des lampes de chauffage; La FIGURE 3 est une coupe transversale montrant schématiquement un -4 - agencement destiné à assurer le chauffage uniforme d'un ensemble substrat- récepteur et qui utilise des lampes de chauffage disposées au-dessus et au-dessous de l'ensemble; La FIGURE 4 est une coupe transversale schématique montrant une disposition dans laquelle l'ensemble substratrécepteur est chauffé par un groupe de lampes situées au-dessus de l'ensemble ainsi que par l'é- nergie réfléchie par le c8té opposé de l'ensemble; La FIGURE 5 est une vue en perspective montrant une forme diffé- rente de chambre de chauffage traversée par des lampes de chauffage, et La FIGURE 6 montre schématiquement en section transversale une disposition dans laquelle un ensemble substrat-récepteur est chauffé par plusieurs lampes auxquelles sont associés des réflecteurs paraboliques et plats. Si l'on se réfère tout d'abord à la Figure 1 du dessin, on y voit, représentée schématiquement, la disposition générale prévue pour effec- tuer un dépôt épitaxial et axialement symétrique. Dans le mode préféré de réalisation de l'invention, le procédé technique consiste à projeter un gaz porteur des matériaux à déposer, et cela à une vitesse uniforme, dans une direction perpendiculaire à l'ensemble du substrat 10 et du ré- cepteur 15. A l'aide d'un appareil approprié (non représenté) le gaz est dirigé vers l'extérieur du bord de l'ensemble circulaire substrat-récep- teur, ce qui produit un dispositif pour réaction chimique qui est géné- ralement appelé "système d'écoulement à point de stagnation". L'expres- sion "écoulement à point de stagnation" signifie qu'il s'agit d'un cou- rant gazeux dirigé vers un substrat circulaire, qui a une température uniforme et une composante de vitesse uniforme en direction du substrat placé à une distance déterminée. Si l'on observe la Figure 2, on voit que celle-ci montre en pers- pective une chambre 49 de réacteur, laquelle est traversée par des lampes de chauffage 50. Dans ce mode de réalisation, la chambre de chauffage 49 est circulaire, vue en plan. Si l'on se reporte à la Figure 3, on y voit, représenté en coupe verticale, le réacteur prévu pour chauffer le substrat 10 et le récep- teur 15 y associé. L'appareil représenté dans cette coupe transversale n'est évidemment pas complet. Par exemple, on a omis l'appareil qui sert à engendrer l'écoulement ou jet uniforme de gaz porteur vers le substrat, ainsi que les structures indispensables pour supporter le substrat. Tou- tefois, les composants essentiels de l'appareil en ce qui concerne le chauffage du récepteur 15 et le substrat 10 sont représentés. Le réacteur - se compose de deux chambres circulaires 49 superposées. Le but de cet agencement est de réaliser un milieu capable, dans la mesure du possible, d'assurer un rayonnement uniforme pour le substrat et le récepteur y as- socié. Lorsque ce rayonnement est uniforme, la température de l'ensemble substrat-récepteur est également uniforme dans la mesure o les pertes ou dissipations de chaleur le sont également. La partie supérieure pré- sente une surface circulaire et des côtés cylindriques. La partie cy- lindrique de la chambre 49 est traversée par une série de lampes paral- lèles de chauffage 50. La surface de la chambre supérieure est enduite d'un matériau réflecteur à diffusion, par exemple une couche de dorure, tandis que les côtés de la chambre sont enduits d'un matériau réfléchis- sant à diffusion ou spéculaire. Dans ce même mode de réalisation, la chambre inférieure 49 est analogue à la chambre supérieure, sauf que les lampes 50 sont disposées en substance perpendiculairement par rapport à celles de la chambre supérieure. Les surfaces du fond et latérales de la chambre 60 sont revêtues de matériaux semblables à ceux décrits en se ré- férant à la chambre supérieure. Des ouvertures 71 prévues entre les deux chambres servent à introduire le gaz dans l'enceinte et éventuellement à d'autres fonctions; cette disposition est importante car cette zone in- termédiaire est thermiquement froide et tend à engendrer des pertes ca- loriques non-uniformes à partir de la circonférence du substrat. Si l'on examine maintenant la Figure 4, on voit que cette variante de réalisation présente une forme analogue à celle de la chambre supé- rieure du mode de réalisation représenté Figure 2. Les lampes 50 de la chambre supérieure sont présentes et la surface supérieure (ou plafond) est enduite d'un matériau réfléchissant à diffusion 52, tandis que les surfaces latérales peuvent être enduites d'une couche réfléchissante soit à diffusion, soit du type spéculaire, désignée en 53. Au-dessous de la chambre supérieure 49 se trouve la chambre inférieure 61 dont une surface interne 54 est enduite sur les c8tés ainsi que sur une partie du fond avec un matériau réfléchissant à diffusion, ce matériau ayant par exemple un pouvoir réfléchissant de l'ordre de 0,95. Au centre du fond circulaire de cette chambre, une zone circulaire 55 est enduite d'un ma- tériau réfléchissant à diffusion dont le pouvoir réfléchissant est in- férieur à celui des autres parties, le pouvoir réfléchissant de cette zone étant par exemple de 0,8 dans le cas particulier représenté. La chambre inférieure 61 est utilisée pour chauffer l'ensemble substrat- récepteur en exploitant le rayonnement émanant de la chambre supérieure. Ici aussi, il est prévu une ouverture 71 qui contribue à former un champ 6- de rayonnement non-uniforme. Sur la Figure 5 il est prévu une disposition différente pour les chambres de chauffage. Dans cette variante, la cham- bre est de forme sensiblement carrée. Là aussi, les lampes de chauffage traversent la chambre de façon à chauffer par rayonnement l'ensemble substrat-récepteur. Cette disposition présente cependant l'inconvénient de ne pas assurer la symétrie de l'ensemble substrat-récepteur dans la chambre. Malgré ce défaut de symétrie axiale, on constate cependant que cette disposition peut assurer un chauffage combiné uniforme de l'ensem- ble substrat-récepteur. Sur la Figure 6, on a représenté une disposition conçue pour chauffer un ensemble substrat-récepteur, laquelle utilise le type de chambre que montre la Figure 5. En outre, le rayonnement produit par les lampes de chauffage 50 est réfléchi par des réflecteurs paraboliques 53. Dans la pratique, ces réflecteurs paraboliques peuvent être réalisés avec une certaine approximation en adoptant d'autres formes de surfaces géométriques. Un réflecteur parabolique produit la réflexion parallèle du rayonnement, ce qui renforce l'uniformité du rayonnement qui vient- frapper des zones sélectionnées de l'ensemble substrat-récepteur. Comme dans le cas représenté Figure 3, les lampes de chauffage qui se trouvent dans la chambre inférieure sont disposées en substance perpendiculaire- ment par rapport aux lampes de chauffage de la chambre supérieure, pour réduire à la valeur moyenne une partie de la structure qui agit sur le rayonnement qui frappe l'ensemble substrat-récepteur, et cela grâce à l'usage de sources discrètes de chaleur. L'ouverture thermique 71 est prévue ici comme dans les modes de réalisation précédents, et compromet l'uniformité du champ de rayonnement. Comme on le voit, dans la chambre supérieure 49 on peut remplacer les réflecteurs paraboliques par une surface plane pour les lampes de chauffage qui se trouvent à l'intérieur de la chambre. De plus, le réflecteur parabolique extérieur de la série de réflecteurs utilisés peat 9tre monté de façon à pouvoir basculer, ce qui offre la possibilité d'un contr8le supplémentaire du milieu o se trouve l'ensemble substrat-récepteur. Fonctionnement du mode préféré de réalisation La fonction dévolue aux chambres du réacteur épitaxial consiste à présenter, pour le substrat et le récepteur y associé, une enceinte com- portant un champ de rayonnement uniforme pour chauffer l'ensemble substrat- récepteur. En raison de la nécessité d'introduire et d'extraire le gaz destiné à véhiculer les matériaux devant former le dépôt, et aussi de la nécessité d'introduire et d'extraire ce même ensemble, le réacteur ne peut -7- avoir une source de rayonnement véritablement uniforme, étant donné la présence des ouvertures nécessaires pour pouvoir exécuter les fonctions qu'impliquent ces phases d'introduction et de retrait. L'ouverture 71 peut, par conséquent, se révéler critique dans tous les efforts visant à créer un environnement à température uniforme pour l'ensemble substratrécepteur, car les pertes thermiques qui se produisent à travers cette ouverture refroidissent cet ensemble d'une manière non-uniforme. Toute- fois, les zones qui ne possèdent pas de source de rayonnement peuvent être réduites à des dimensions relativement faibles. Les zones dépourvues de toute source de rayonnement sont les plus proches de la périphérie de l'ensemble substrat-récepteur. Afin de corriger ce défaut d'uniformité du champ de rayonnement, les lampes extérieures ou d'extrémité du réseau peuvent être alimentées à des niveaux d'énergie supérieurs, de manière à dégager davantage de chaleur, donc obtenir une plus forte intensité de rayonnement, par rapport aux autres lampes. Ce chauffage supplémentaire peut compenser l'intensité, par ailleurs inférieure, relevée à la péri- phérie du substrat. Afin d'assurer davantage un rayonnement axialement uniforme, les lampes de chauffage qui se trouvent dans la chambre infé- rieure formeront un angle plus grand, par exemple d'environ 90 degrés, par rapport aux lampes qui se trouvent dans la chambre supérieure. De plus, pour obtenir un environnement thermique encore plus uniforme, on disposera un réflecteur à diffusion dans les différentes parties de la chambre en dehors des autres réflecteurs paraboliques, de manière à si- muler autant que possible une zone à température constante, en comparai- son de n'importe quelle autre zone du substrat. De plus, à l'aide d'un dispositif non représenté on peut faire tourner l'ensemble substrat-ré- cepteur afin de ramener davantage à la valeur moyenne les écarts qui se produisent par rapport à l'observation stricte d'un environnement à température uniforme pour l'ensemble substrat-récepteur précité. Toujours en se référant à la Figure 4, seule la chambre supérieure est équipée d'un ensemble particulier de lampes génératrices de chaleur. Dans cette disposition, la chambre inférieure ne produit pas d'énergie directement mais réfléchit le rayonnement provenant de la chambre supé- rieure de chauffage. On a constaté, par simulation effectuée à l'aide d'un ordinateur, que pour obtenir une température uniforme dans cette disposition, il est indispensable de prévoir une zone centrale 55 ayant un pouvoir réfléchissant de valeur intermédiaire ou moyenne. Cette zone permet au centre de l'ensemble substrat-récepteur de recevoir un rayonnement réfléchi dont l'intensité est inférieure par rapport à celle 8 - reçue par la zone périphérique, ce qui compense le défaut d'uniformité du rayonnement dont il a été question plus haut. Ainsi qu'il a déjà été indiqué, les zones 54 sont pourvues d'un réflecteur à diffusion dont le pouvoir réfléchissant est de l'ordre de 0,95, tandis que la zone 55 com- porte un réflecteur à diffusion dont le pouvoir réfléchissant est de l'ordre de 0,80. Le diamètre de la zone 55 est approximativement égal aux deux tiers du diamètre de l'ensemble substrat-récepteur. Toutefois, cette relation est aussi fonction des- dmensions du substrat, de la distance entre le substrat et la surface réfléchissante, et d'autres dimensions de la structure. Il est évident que l'on peut obtenir une énergie thermique accrue dans les zones extérieures de la chambre en adoptant une plus grande den- sité de lampes dans ces zones extérieures. En outre, on peut accro tre les dimensions de la chambre afin de réduire l'influence des ouvertures 71 sur le champ de rayonnement non-uniforme auquel est exposé l'ensemble substrat-récepteur. L'adoption de chambres de chauffage de forme carrée engendre une situation dans laquelle les coins de la chambre de chauf- fage agrandissent le domaine efficace de cette chambre et peuvent réduire au minimum l'influence des ouvertures 71. Il est évident pour tout spécialiste dans l'art que les différents gaz qui réagissent avec le substrat devront généralement être canalisés lorsqu'ils s'écoulent au voisinage du substrat. Cette canalisation peut être assurée en utilisant des matériaux,tels que le quartz,qui permettent la transmission d'une grande partie du rayonnement à travers leur masse. Cependant, des propriétés, telles que le pouvoir absorbant ou d'émission du quartz ou d'autres matériaux de guidage ou de confinement, devront 9tre prises en compte dans la détermination de l'environnement thermique de l'ensemble substrat-récepteur. La description ci-dessus a pour r8le d'expliquer le mode de fonc- tionnement d'un mode préféré de réalisation de.'invention, sans limiter celle-ci à des cas particuliers. Il est évident que, d'après la descrip- tion qui précède, de nombreuses variantes pourront venir à l'esprit des spécialistes dans l'art sans s'écarter cependant des principes de base de l'invention. - 9- R E V E N D I C A T I ONS 1. Appareil pour chauffer un substrat circulaire, caracté- risé en ce qu'il comprend: a) une chambre disposée en substance le long de l'axe du substrat (10) et sur un côté ou face de celui-ci; b) plusieurs lampes de chauffage (50) qui traversent cet- te chambre (49), et c) un revêtement (63) capable de réfléchir le rayonnement provenant des lampes (50) dans ladite chambre (49). 2. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une secon- de chambre (61 disposée sur l'autre coté ou face du sub- strat (10), les lampes (50) qui traversent cette seconde chambre (61) étant orientées sensiblement à 900 par rapport aux lampes de la première chambre (49). 3. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 2, caractérisé par un réflecteur parabolique (53) associé à chacune desdites lampes (50). 4. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 2, caractérisé en ce que des lampes de chauf- fage sélectionnées (50) sont associées à des réflecteurs pa- raboliques (53). 5. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 2, caractérisé en ce que lesdites chambres (49, 61) ont une forme sensiblement carrée. 6. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une se- conde chambre (61) située sur un second côté du substrat (10) le long de l'axe de celui-ci, cette seconde chambre (61) étant pourvue d'un revêtement (54) à pouvoir réflé- chissant élevé et comportant une zone (55) munie d'un re- vêtement ayant un pouvoir réfléchissant inférieur, cette zone entourant l'axe du substrat (10), 7. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 2, caractérisé en ce que l'énergie qui alimente les lampes de chauffage (50) est fonction de la position de celles-ci. 8. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 2, caractérisé en ce que la distance qui sé- - 10 - pare les lampes (50) est fonction de la position de celles- ci par rapport audit substrat (10). 9. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 3, caractérisé en ce que l'on fait tourner le substrat (10). 10. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 1, caractérisé par le fait que l'on place le- dit substrat (10) dans un réacteur épitaxial, tandis que les lampes de chauffage (50) sont disposées et alimentées de façon à maintenir une température uniforme sur ledit sub- trat (10). 11. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 10, caractérisé par le fait qu'on applique un revêtement réfléchissant (54) sur une paroi interne de la- dite seconde chambre (61), ce revêtement (54) comprenant une zone axialement symétrique (55) dont le pouvoir réflé- chissant est inférieur à celui du restant dudit revêtement (54). 12. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 10, caractérisé en ce que ladite seconde cham- bre (61) comprend plusieurs moyens de rayonnement (50, 52, 53, 54, 55) situés et alimentés de façon à assurer une ré- partition uniforme de la température dans la zone formée par les deux chambres (49, 61). 13. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 12, caractérisé en ce que chacun des moyens de rayonnement (50, 52, 53, 54, 55) précités comprend une source de rayonnement (50) à laquelle est associé un réflec- teur parabolique (53). 14, Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon l' Revendication 10, caractérisé en ce que ledit substrat ciz- culaire (10) est entraîné en rotation. 15. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 1, caractérisé en ce que ledit revêtement est constitué par un matériau à haut coefficient de réflexion, qu'une seconde chambre (61) est prévue sur l'autre coté du substrat circulaire (10), les parois de cette seconde cham- bre (61) étant revêtues d'un matériau ayant un haut coef- ficient de réflexion, les deux chambres (49, 61) formant - 11 - une cavité destinée à recevoir ledit substrat (10), de fa- çon que lesdites lampes de chauffage (50) puissent assurer le chauffage uniforme dudit substrat (10) dans ladite ca- vité. 16. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 11, caractérisé en ce que lesdites lampes de chauffage (50) sont disposées à travers ladite seconde chambre (61) de façon qu'elles soient sensiblement perpen- diculaires aux lampes de la première chambre (49). 17. Appareil pour chauffer un substrat circulaire selon la Revendication 16, caractérisé par un réflecteur parabolique associé à chacune des lampes de chauffage des deux séries (50) de lampes disposées dans les première et seconde cham- bres (49, 61). 18. Appareil selon la Revendication 16, caractérisé par le fait que l'on obtient une température davantage uniforme par une ou les deux mesures suivantes: a) on dispose les lampes de chauffage (50) dans les chambres (49, 61) selon une relation mutuelle pré-établie par rapport les unes aux autres, et/ou b) on fait varier l'intensité de l'énergie appliquée à ces lampes (50). 19. Appareil selon la Revendication 15, caractérisé en ce qu'il comprend une zone en substance axialement symétrique (55) dont le pouvoir réfléchissant est inférieur à celui du restant (54) de la zone réfléchissante de la seconde chambre (61). 20. Appareil selon la Revendication 15, caractérisé en ce que des moyens sont prévus pour faire tourner le substrat (10). 21. Procédé pour le chauffage uniforme d'un substrat cir- culaire selon la Revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend les phases qui consistent: a) à prévoir une chambre (49, 61) de part et d'autre dudit substrat (10); b) à disposer lesdites lampes de chauffage (50) de fa- çon qu'elles traversent les parois de la chambre, dans au moins l'une des chambres (49, 61), et c) à régler l'énergie appliquée aux lampes de chauffage - 12 - (50) de façon à assurer un chauffage uniforme dudit sub- strat (10). 22. Procédé de chauffage d'un substrat circulaire selon la Revendication 21, caractérisé par la phase qui consiste à régler le pouvoir réfléchissant des parois d'une seconde chambre (61) de façon qu'une partie symétrique de ce pou- voir réfléchissant ait une valeur différente de celle du restant de ladite seconde chambre. 23. Procédé de chauffage d'un substrat circulaire selon la Revendication 21, caractérisé en ce que lesdites première et seconde chambres (49, 61) sont traversées par des lampes de chauffage (50), ce procédé comportant une phase complé- mentaire qui consiste à disposer cette seconde chambre (61) de telle sorte que les lampes de chauffage (50) qu'elle comporte soient orientées de manière à former un angle d'en- viron 900 par rapport aux lampes de la première chambre (49). 24. Procédé de chauffage d'un substrat circulaire selon la Revendication 23, caractérisé par la phase qui consiste à faire tourner le substrat (10).