FR 2609347 A1 19880708 FR 8717911 A 19871222 -1 La présente invention se rapporte de façon géné- rale aux dispositifs à ondes acoustiques superficielles et concerne plus particulièrement le réglage des carac- téristiques en fréquence d'un dispositif à ondes acousti- ques superficielles. Comme cela est connu dans la technique, des dis- positifs à ondes acoustiques superficielles comme des résonateurs, des lignes à retard, des filtres et des transducteurs de pression sont utilisés dans toute une variété d'applications. En général, un dispositif à ondes acoustiques superficielles comporte au moins un transducteur comprenant un ensemble de pièces conductri- ces qui est disposé sur ou en retrait à la partie de surface supérieure d'un substrat piézo-électrique. Umnrouveau type de boîtier a été développé, qui enferme hermétiquement le substrat du dispositif à on- des acoustiques superficielles. Ce nouveau boîtier com- porte deux substrats piézo-électriques qui sont scellés ensemble par un frittage de verre, comme cela est décrit dans un article intitulé "Saw Resonator Frit Bonded Pressure Transducer" par D. Weirauch et al, Proceedings of the IEEE Ultrasonic Symposium, 1979, page 874 et dans un article intitulé "Long Term Aging, A Mechanical Stability of 1,4 GHz SAW Oscillators" par M. Gilden et al, Proceedings of the IEEE Ultrasonic Symposium, I980, page 184; un second type de boîtier est décrit dans le Brevet des Etats Unis d'Amérique N 4 270 107, de Parker et al, délivré le 26 Mai I98I et intitulé "Stabilized Surface Wave Device" et assigné à la demanderesse. Bien que ces boîtiers apportent un conditionne- ment amélioré et des possibilités de manutention des dispositifs à ondes acoustiques superficielles, un pro- blème qui leur est associé est que, pendant la fabri- cation du boîtier, les caractéristiques en fréquence du dispositif à ondes acoustiques superficielles sous -2- boitier sont changées par rapport à celles d'un dispo- sitif avant sa mise sous boitier. Par exemple, pour des résonateurs à ondes acoustiques superficielles fonc- tionnant aux environs de 350 MHz, ce décalage de fré- quence peut être en moyenne d'environ 45 ppm et peut présenter un écart standard aussi élevé que + 15 ppm. Pour d'autres types de dispositifs qui sont conçus pour fonctionner à des fréquences plus élevées, l'amplitude et l'écart standard de ce décalage augmentent, de sorte qu'un réglage précis des caractéristiques en fréquence du dispositif à ondes acoustiques superficielles est plus difficile. Dans de nombreuses applications, une possibilité de réglage précis de la fréquence de + 1 ppm serait souhaitable. Une solution à ce problème consiste à utiliser des composants électriques extérieurs pour régler les caractéristiques en fréquence des circuits utilisant le dispositif à ondes acoustiques superficielles. Le problème posé par cette solution est que ce type de ré- glage de fréquence extérieur prend beaucoup de temps, est relativement coûteux car le nombre des composants nécessaires pour une application particulière c'un dis- positif à ondes acoustiques superficielles est accru et en outre, les composants eux-mêmes peuvent contri- buer à des variations de fréquence dans des circuits qui comportent les dispositifs de ce genre. L'invention concerne donc un procédé de change- ment de la caractéristique de vitesse d'une onde super- ficielle sur une surface qui supporte une propagation d'ondes superficielles, consistant à diriger de l'éner- gie à travers un premier d'une base et d'un couvercle, enfermant ladite surface, vers une première matière dis- posée sur ladite surface pour former une couche d'une seconde matière sur ladite surface afin de modifier la caractéristique de vitesse de cette surface. Avec cette -3- disposition particulière, la couche de seconde matière sur la base produit une petite variation localisée de la caractéristique de vitesse d'une onde superficielle de la surface qui supporte la propagation de cette onde superficielle, permettant ainsi le réglage des caracté- ristiques en fréquence de dispositifs à ondes acoustiques superficielles sous boîtier. Selon un autre aspect, l'invention concerne un procédé de changement de la vitesse d'une onde superfi- cielle d'un dispositif à ondes acoustiques superficiel- les sous boîtier consistant à diriger de l'énergie inci- dente à travers un couvercle du dispositif sous boîtier pour enlever une partie d'une couche de matière disposée sur une surface de propagation d'ondes superficielles du dispositif à ondes acoustiques superficielles. Avec cette disposition particulière, la matière éliminée produit une petite variation localisée des propriétés acoustiques de la surface de propagation d'ondes super- ficielles, assurant ainsi une variation concomitante des caractéristiques en fréquence du dispositif à ondes acoustiques superficielles. Selon un autre aspect encore, l'invention con- cerne un procédé de modification de la vitesse d'une onde superficielle d'un dispositif à ondes acoustiques superficielles sous boîtier consistant: à disposer un couvercle sur le dispositif à ondes superficielles, for- mant une enceinte sur ce dispositif à ondes superficiel- les avec au moins l'un du couvercle et de la base cons- titué par une matière qui est pratiquement transparente à l'énergie dans une plage sélective de longueur d'onde. Une couche de matière est disposée sur une partie de surface intérieure du couvercle. De l'énergie est diri- gée vers cette couche de matière à travers le couvercle ou la base transparents pour éliminer des parties déter- minées de la matière de la couche, et ces parties dé- -4- terminées qui sont éliminées se déposant à nouveau, sur la surface de propagation d'une onde superficielle. Avec cette disposition particulière, la caractéristique de vitesse d'une onde superficielle et par conséquent, les caractéristiques en fréquence d'un dispositif à ondes acoustiques superficielles sous boitier peuvent être réglées après la mise sous boitier du dispositif à ondes acoustiques superficielles. La matière qui s'est à nou- veau déposée produit une petite modification localisée des propriétés acoustiques de la surface piézo-électri- que, changeant ainsi la vitesse des ondes superficiel- les en propagation. Par conséquent, cette modification de vitesse d'ondes superficielles produit une variation associée des caractéristiques en fréquence du disposi- tif à ondes acoustiques superficielles. Selon un autre aspect encore de l'invention, la partie de couvercle de la matière est en quartz et ce quartz est transparent à l'énergie lumineuse prove- nant d'un laser ayant une longueur d'onde dans la pla- ge d'environ 0,185 micrométre à 4 micrométres. Sur la partie intérieure du couvercle de quartz est disposé un tampon consistant en une première couche d'une ma- tière faisant tampon thermiquement, une seconde couche d'une matière de conversion d'énergie et une troisième couche d'une matière pouvant être éliminée ou évaporée. L'énergie optique incidente est dirigée vers ce tampon. Le couvercle de quartz et la première couche consti- tuant la matière de tampon thermique sont pratiquement transparents à l'énergie optique incidente. Mais cette énergie incidente échauffe la couche intermédiaire de conversion d'énergie entre la couche faisant tampon thermique et la couche pouvant être éliminée. La cha- leur développée dans la couche de conversion d'énergie entraine que la couche pouvant être éliminée ou évapo- rée s'élimine ou s'évapore et se dépose à nouveau sur - des parties sous-jacentes de la surface piézo-électri- que. La première couche diélectrique est prévue pour faire tampon sur le couvercle de quartz par rapport à la chaleur associée avec la couche de conversion d'é- nergie. Avec cette disposition particulière, les carac- téristiques en fréquence d'un dispositif à ondes acous- tiques superficielles peuvent être réglées en utili- sant un laser qui redépose sélectivement une partie pré- déterminée de la couche pouvant être éliminée ou éva- porée sur la surface de propagation d'ondes superficiel- les du dispositif à ondes acoustiques superficielles, réglant ainsi la caractéristique de vitesse d'une onde superficielle et par conséquent, les caractéristiques en fréquence du dispositif à ondes acoustiques superfi- cielles. Selon un autre aspect encore, l'invention con- cerne un procédé de modification de la caractéristique de vitesse d'une onde superficielle d'un dispositif à ondes acoustiques superficielles sous boîtier, consis- tant à disposer un couvercle constitué d'une matière qui est transparente à de l'énergie électromagnétique, dans une plage de longueur d'onde déterminée, le cou- vercle étant disposé de manière à enfermer une surface de propagation d'ondes superficielles. Un faisceau hautement convergent ou une paire de faisceaux, chacun sous un angle d'incidence déterminé pour converger sur ladite surface, est dirigé vers cette dernière pour produire un faisceau d'une intensité suffisante pour éliminer sélectivement des parties de la surface de pro- pagation. Avec cette disposition particulière, en éli- minant sélectivement des parties de la surface de pro- pagation piézo-électrique, une petite modification lo- calisée des propriétés acoustiques et, par conséquent de la caractéristique de vitesse d'une onde superficiel- le est produite. Les caractéristiques en fréquence du dispositif à ondes acoustiques superficielles sont donc également modifiées. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaitront au cours de la description qui va suivre. Aux dessins annexés donnés uniquement à ti- tre d'exemples nullement limitatifs: la figure 1 est une vue en plan d'un résona- teur à ondes acoustiques superficielles sous boitier avant le réglage de fréquence selon l'invention, la figure 2 est une coupe suivant la ligne 22 de la figure 1, la figure 2A est une vue à plus grande échelle suivant la ligne 2-2 de la figure 2, la figure 3 est une vue en plan d'un résona- teur à ondes acoustiques superficielles sous boitier après le réglage de fréquence selon l'invention, la figure 4 est une coupe suivant la ligne 44 de la figure 3, la figure 4A est une vue à plus grande échelle d'une partie de la figure 4, suivant la ligne 4A-4A de la figure 4, la figure 5 est une coupe d'un autre mode de réalisation de l'invention utilisant des paires convergentes de faisceaux d'énergie dirigés, la figure 5A est une vue à plus grande échelle suivant la ligne 5A-5A de la figure 5, la figure 6 est une coupe d'un autre mode de réalisation de l'invention utilisant des paires convergentes de faisceaux d'énergie dirigés pour éli- miner un tampon déposé sur une surface de propagation d ondes superficielles, la figure 6A est une vue à plus grande échelle -7- suivant la ligne 6A-6A de la figure 6, la figure 7 est une coupe d'un autre mode de réalisation dans lequel un mélange gazeux est enfermé dans le boitier, avec de l'énergie incidente dirigée vers ce mélange pour produire une couche de matière sur la surface de propagation d'ondes superficielles, et la figure 7A est une vue à plus grande échel- le suivant la ligne 7A-7A de la figure 7. Comme lemontrent les figures 1, 2 et 2A, un dispositif à ondes acoustiques superficielles sous boîtier, dans le cas présent un résonateur 10, compor- te une base 12 avec une surface 12a qui supporte une propagation d'ondes superficielles, un couvercle 14 et un joint 16 en frittage de verre. La base 12 est cons- tituée dans ce cas d'un quartz de coupe ST ou de cou- pe ST tournée, avec, disposés sur sa surface 12a, deux transducteurs imbriqués 20 et 24 (IDT) et des réseaux réflecteurs 27, 29. Les transducteurs imbriqués 20 et 24 sont couplés avec des barres omnibus 18a et 18b, et 19a et 19b respectivement. Sur la base 12 est disposé le couvercle 14, également constitué d'un quartz de coupe ST ou de coupe ST tournée. Le quartz est généra- lement transparent entre 85% et 95% à de l'énergie ayant des longueurs d'onde dans la plage d'environ 0, 185 micrométre à 4,0 micromètres pour des échantil- lons d'une épaisseur de 1 à 3 mm. En variante, la base 12 et le couvercle 14 peuvent être constitués par d'au- tres matières transparentes, comme du niobate de lithium. La base 12 et le couvercle 14 sont scelles ensemble en utilisant un joint approprié 16 en frittage de verre. Le couvercle 14 a une largeur wc inférieure à la lar- geur wb de la base 14, de sorte que, lorsque le couver- cle est scellé sur la base, les barres omnibus 18a et 18b, et 19a et 19b sont exposées sur la partie périphé- -8- rique de la base, pour établir des contacts électriques avec des coposants extérieurs. Comme le montre plus particulièrement la figure 2A, la surface intérieure 14a du couvercle 14 porte sur une de ses parties, une couche faite de préférence d'une couche composite 26 constituée par une couche 26a de tampon thermique ou d'absorption de choc, une couche 26b d'absorption thermique ou de conversion d'énergie et une couche 26c d'évaporation ou d'élimination ther- mique. Dans cette disposition préférée, la couche 26a d'absorption de choc thermique consiste en une matière diélectrique qui est pratiquement transparente à l'é- nergie incidente qui est dirigée à travers le couvercle 14 du dispositif à ondes acoustiques superficielles d'une manière qui sera décrite par la suite, mais qui présente une résistance thermique suffisante pour assu- rer un tampon thermique du couvercle 14 par rapport à la chaleur développée dans la couche d'absorption ther- mique 26b, comme cela sera décrit. La couche de conver- sion d'énergie 26b est faite d'une matière qui absorbe l'énergie incidente dirigée à travers le couve cle 14 et la couche de choc thermique 26a et elle convertit cette énergie incidente dirigée en énergie de rayonne- ment ou en chaleur. La couche d'élimination ou d'éva- poration thermique 26c est disposée au-dessus de la cou- che de conversion 26b et elle absorbe une partie de l'énergie de rayonnement développée dans la couche 26b et, si cette énergie a une intensité suffisante, la pellicule 26c est éliminée sélectivement, en particu- lier éliminée ou évaporée du couvercle pour se déposer ou se condenser sur la surface 12a, comme le montre la figure 4. La quantité de cette masse déposée est choisie pour modifier suffisamment la caractéristique de vites- se d'ondes superficielles du dispositif à ondes acous- tiques superficielles et pour modifier par conséquent g9- les caractéristiques en fréquence du dispositif à on- des acoustiques superficielles, selon les besoins. Comme le montrent les figures 3, 4 et 4A, l'é- nergie incidente 30 est dirigée à travers le couvercle 14 vers le tampon de réglage 26. L'énergie incidente traverse la couche tampon transparente 26a et elle est absorbée par des parties sous-jacentes déterminées de la couche de conversion d'énergie 26b. La couche 26b convertit l'énergie dirigée en chaleur. La chaleur dans la couche 26b entraîne l'élimination ou l'évaporation de parties de la couche 26c. Selon la durée des impul- sions, le niveau de puissance, la longueur d'onde et la fréquence de répétition de cette énergie, la couche 26c est évaporée à de faibles niveaux d'énergie ou éli- minée à des niveaux d'énergie plus élevés. En outre, à des niveaux suffisamment élevés, des parties détermi- nées de chacune des couches 26a-26c peuvent être éli- minées. La matière éliminée, soit par ablation, soit par évaporation, se condense et se dépose sous forme d'une couche 34 sur la partie de base 12 du dispositif à ondes acoustiques superficielles 10. La présence de la couche 34 sur la surface 12a de la base 12 réduit la vitesse des ondes superficielles dans cette région en raison des effets de charge de masse, quand l'onde superficielle se propage. En augmentant le nombre de ces couches 34 et leur largeur ainsi que la masse tota- le, la plage de réglage de la caractéristique de vites- se d'ondes superficielles est augmentée. Des exemples spécifiques de dispositifs fabri- qués selon l'invention seront maintenant décrits. Com- me le montrent les figures 3, 4 et 4A, de l'énergie incidente, dans le cas présent sous forme de faisceaux lumineux, provenant de sources laser comme l'indique le tableau, sont formés avec des longueurs qui fran- chissent pratiquement la longueur de la surface de pro- -1O- pagation d'ondes acoustiques et avec des largeurs qui sont généralement de l'ordre de la longueur d'onde du dispositif à ondes acoustiques superficielles (c'est à dire dans la plage de 2,5 micromètres à 50 micromè- tres). Autrement dit, une longue ligne étroite sui- vant la longueur de la surface de propagation acousti- que, centrée et parallèle à l'ouverture acoustique des éléments transducteurs imbriqués est dirigée vers le couvercle en quartz. Cette énergietraverse le couver- cle en quartz 14 et elle est absorbée par le tampon de réglage composite disposé sur la surface intérieure 14a du couvercle 14. Avec cette configuration de fais- ceau laser, la couche d'aluminium 26b est chauffée sélectivement dans des régions qui reçoivent le fais- ceau laser incident. En réponse à ce chauffage locali- sé de la couche d'aluminium, des parties 26c sont éva- porees ou éliminées de la couche et se déposent sur la surface sous-jacente 12a de propagation d'ondes su- perficielles. En particulier, étant donné que la va- leur du réglage de fréquence est liée à la masse de la matière déposée sur la surface de propagation d'ondes superficielles, la valeur de réglage de fréquence par ligne du laser peut être contrôlée par la largeur et la densité d'énergie du faisceau ainsi que par la quan- tité de matière déposée sur la partie intérieure du couvercle 14. Il semble que la valeur maximale du dé- placement de fréquence puisse dépasser 10.000 parties par million si la surface totale disposée entre les transducteurs imbriqués est utilisée. Mais il apparait également que des déplacements de cet ordre dégrade- raient les pertes d'insertion et le facteur Q à vide du dispositif. Mais étant donné que environ 25 à 50 parties par million suffisent généralement pour tenir compte de l'incertitude de fréquence après le scelle- ment du boîtier, une petite partie seulement de la surface du tampon est généralement déposée sur la sur- face active entre les IDT. Quatre dispositifs fonctionnant à 402 MHz ont été accordés selon la technique décrite ci-dessus. Une pellicule à trois niveaux, telle que présentée sur la figure 4, consistant en une couche d'oxyde d'alumi- nium Al203 d'une épaisseur de 400K correspondant à la couche 26a, une couche d'aluminum d'une épaisseur de o100oÀ correspondant à la couche 26b et une couche d'oxyde d'aluminum d'une épaisseur de 250K correspon- dant à la couche 26c a été déposée sur la partie inté- rieure du couvercle 14. Les épaisseurs des couches dé- posées 12a à 12c peuvent être choisies pour apporter différentes valeurs de chargement de masse par impul- sion de lumière incidente. Par conséquent, la couche 26a peut avoir une épaisseur généralement dans la plage de 200 à 1000X, la couche 26b peut avoir une épaisseur dans la plage de 25 à 200K et la couche 26c peut avoir une épaisseur dans la plage de 50 à 500X. Le niveau de puissance, le nombre des impul- sions et le nombre des lignes déposées prévus pour les quatre exemples de l'invention ainsi que la fréquence initiale, la fréquence finale et le déplacement de fréquence de ces dispositifs apparaissent dans le ta- bleau, exemples 1 à 4. En variante, le faisceau laser incident peut être dirigé à travers la base 12 vers le tampon de réglage 26. L'énergie laser incidente peut alors être utilisée pour éliminer des régions du tampon de régla- ge sur le couvercle, par exemple en retournant le dis- positif à ondes acoustiques superficielles, pour chan- ger à nouveau le chargement de masse dans cette région et par conséquent, la caractéristique de vitesse d'on- des superficielles du dispositif à ondes acoustiques superficielles. TABLEAU DISPOSITIF TECHNIQUE DE LASER LONGWEJR DENSITE DUREE FREQUENCE LARGEUR NOMBRE DE LIGES fo REGLAGE A f I.D. REGLAGE D'ONDE D'ENERGIE D'IMPL- DE LIGNE FREQUENCE f PAR SION IMPULSION }v m J/cmn2 ns hz Pm MHz MHz PPM 1. PELLICULE Excimer 0,193 5 15 1 7 5 401,831 401,817 -35 3 niveaux sur couvercle 2. 5 15 1 7 5 401,840 401,828 -30 3. Nd:YAG 1,06 0,0025 250 1024 50 5 402,178 402,166 - 30 4. Nd:YAG 1,06 0, 00325 250 1024 60 1 402,219 402,203 -40 5. ELIMINATION cEbimnr 0,193 7 15 50 50 0,1 402,174 402,170 -10 DE SURFACE DIU DISPOSITIF 6. C(1IVCSIMQ Exciner 0,193 5 15 10 100 5 401,962 401,955 -17 CHIMIQUE de AL-O Cerme t Qo Cl -13- La figure 5 représente un autre mode de réali- * sation de l'invention pour modifier sélectivement les caractéristiques en fréquence d'un dispositif à ondes acoustiques surperficielles sous boitier. Dans ce cas, le dispositif à ondes acoustiques superficielles sous bottier 10' comporte la base précitée 12 et un couver- cle 14 comme cela a été décrit de façon générale en re- gard des figures 1 et 2. Selon cet aspect de l'inven- tion, de l'énergie dirigée, sous la forme de l'énergie lumineuse d'un laser excimer est dirigée à travers le couvercle de quartz 14 vers la base 12. Dans ce cas, deux faisceaux de lumière laser excimer sont dirigés à travers le couvercle de quartz 14 sous un angle d'in- cidence déterminé de manière à converger sur la base de quartz 12 et éliminer sélectivement une partie de cette base 12 dans l'une de ses régions, disposée en- tre les deux transducteurs imbriqués comme le montre particulièrement la figure 5A. En variante, trois fais- ceaux ou davantage, ou encore un faisceau hautement convergent peuvent convenir. La densité de puissance au point o le ou les faisceaux convergent doit être suffisante pour éliminer des quantités déterminées de matière. Etant donné que le couvercle en quartz d'une épaisseur généralement de 1 à 2 mm transmet la lumière à environ 85%-95%, la densité de puissance au point de convergence doit être suffisante pour éliminer le quartz dans cette région. Avec cette disposition parti- culière, étant donné que les propriétés acoustiques de la surface de propagation d'ondes superficielles en- tre les deux transducteurs 20 et 24 sont modifiées par l'émimination sélective de matière, les caractéristi- ques de vitesse d'ondes superficielles entre les deux transducteurs sont également modifiées. Ainsi, la fré- quence du dispositif avec cette disposition est modi- fiée sélectivement. Egalement, le nombre, la largeur -14- et la profondeur de ces r6gions 12c disposées dans la partie de surface de propagation d'ondes superficielles de la base 12 peuvent être choisis pour assurer un dé- placement déterminé de fréquence acoustique, et par con- séquent de la caractéristique en fréquence du disposi- tif à ondes acoustiques superficielles. En général, la profondeur des rainures est environ 0,5 micromètre et leur largeur est de l'ordre de la longueur d'onde de propagation de l'onde superficielle (2 à 50 micromètres). Avec cette disposition particulière, l'intensité des faisceaux 30a et 30b dirigés à travers le couvercle de quartz 14 est insuffisante pour rompre ou perturber la matière de ce couvercle. Mais étant donné qu'au point de convergence des deux faisceaux, l'intensité de ces derniers est additionnée, l'intensité du faisceau est alors suffisante pour éliminer une partie déterminée 12c de la surface de propagation d'ondes superficielles 12a. Etant donné que la masse et le trajet de propaga- tion de la surface de propagation d'ondes superficiel- les sont modifiés par cette disposition, la vitesse de propagation d'ondes superficielles et par conséquent la fréquence du dispositif sont également modifiées. L'exemple 5 du tableau montre les résultats d'un dispo- sitif réglé selon cette technique. La figure 6 représente un autre mode encore de réalisation de l'invention qui comporte un tampon de réglage 26 disposé sur la base dans l'ouverture acousti- que des transducteurs imbriqués. Dans ce-cas, un fais- ceau ou, de préférence, deux faisceaux laser convergents peuvent convenir pour irradier sélectivement une partie du tampon de réglage 26 et pour modifier les liaisons moléculaires de cette partie du tampon. Là également, étant donné que la charge de masse dans la région o la composition de la matière est changée, les proprié- tés acoustiques et, par conséquent, la vitesse superfi- -15- cielle et les caractéristiques en fréquence du disposi- tif sont également modifiées. Plusieurs solutions peuvent convenir pour chan- ger lesliaisons moléculaires de la matière du tampon de réglage. Par exemple, un cermet aluminium-oxygène tel que décrit conjointement avec un article intitulé "Submicron Patterning by Projecting Excimer-Laser-Beam Induced Chemistry" par Ehrlich et al, J.Vac. Sci. Tech. B 3 (1) Jan/Févr. I985 peut être utilisé. Dans ce cas, une couche de cermet est déposée sur le tampon de ré- glage 26. L'énergie d'excimer est dirigée vers le tampon de réglage et en réponse les liaisons Al-0 sont rompues et une croissance localisée de A1203 dans le tampon de réglage se produit. Egalement, l'écartement et le nom- bre des régions localisées de croissance de A1203 sont choisis en fonction de la valeur voulue de changement de vitesse d'ondes superficielles. Un exemple de cette technique de réglage est représentée par l'exemple 6 dans le tableau. En variante, des couches de Al203, Al peuvent être prévues comme tampon de réglage 26 et ce dernier est également soumis dans des régions sélectives à de la lumière d'excimer et les liaisons Al-Al et Al-0 sont rompues et une nouvelle phase Al20x est formée, o x représente une composition non stoechiométrique. Une autre technique consiste à déposer une cou- che d'aluminium comme tampon de réglage 26. La cavité du boîtier 10 est remplie d'un gaz réagissant 02 ou NO3 par exemple, sous une pression généralement dans la pla- ge de 2 X 10- 6 torr à 1 X 10- 4 torr. L'énergie inciden- te est également dirigée vers le tampon de réglage 26 o des liaisons Al-Al sont rompues entraînant une for- mation pyrolytique de A1203. En contrôlant la valeur de la zone irradiée, la valeur voulue de la variation de vitesse d'ondes superficielles est obtenue. Les figures 7, 7A représentent un autre mode -16- encore de réalisation de l'invention. Dans ce cas, le dispositif à ondes acoustiques superficielles sous boitier constitué par le couvercle 14 et la basel2 con- tient des gaz réagissant 32 enfermés hermétiquement. Un faisceau laser, comme de la lumière d'excimer, Nd-YAG, etc, est dirigé à travers le dispositif pour rompre photolytiquement les liaisons de ces gaz réagissants et pour déposer à partir de cette réaction photolytique une matière sur la surface de propagation d'ondes super- ficielles. Dans ce cas, des configurations déterminées de lumière d'excimer sont prévues pour déposer des con- figurations déterminées de la matière sur la surface. Les gaz réagissants peuvent comporter l'oxygène et une source d'un métal approprié comme l'aluminium, le sili- cium, etc. Par exemple, du TMAl(triméthylaluminium), de la silam SiH4, etc peuvent convenir. Le gaz particu- lier choisi pour la source de métal par exemple doit être stable pendant l'opération de fermeture hermétique du frittage de verre dans les types de boitier utili- sant ce joint. La lumière laser d'excimer peut être dirigée vers ces gaz déterminés et rompre photolytiquement les liaisons du gaz source de métal. Le métal libre réagit alors avec l'oxygène et une couche d'oxyde métallique 34' se dépose depuis la vapeur sur le substrat. Ainsi, une région localisée de A1203 peut aussi être formée par croissance sur la surface de propagation d'ondes superficielles. Après avoir décrit des modes préférés de réali- sation de l'invention, il apparaît maintenant à l'hom- me de l'art que d'autres modes de réalisation incorpo- rant ses concepts peuvent être utilisés. En outre, il apparait également qu'un faisceau ou une paire de fais- ceaux convergents peuvent convenir pour éliminer selec- tivement un tampon disposé entre les deux transducteurs -17- imbriqués sur la base 12, comme le montre la figure 6, ou pour éliminer ou déposer à nouveau des parties d'un tampon de réglage disposé sur la partie intérieure du couvercle 12, par exemple en dirigeant les faisceaux à travers la base 12 ou le couvercle 14. Il apparait ainsi queles modes de réalisation ne sont pas limités à ceux qui ont été décrits mais ne le sont que par le cadre et l'esprit des revendications annexées. 2-609347 -18- REVENDICATIONS 1. Procédé de réglage des caractéristiques d'un dispositif à ondes acoustiques superficielles, caracté- risé en ce qu'il consiste essentiellement à diriger de l'énergie (30) vers une matière (26) disposée sur une surface (12a) de propagation d'ondes superficielles d'un dispositif (10O) à ondes acoustiques superficielles sous boîtier, à travers une première d'une partie de couver- cle (14) et d'une partie de base (12) du dispositif à ondes acoustiques superficielles sous boîtier, pour dé- poser une seconde matière (34) sur ladite surface de propagation d'ondes superficielles afin de changer les propriétés acoustiques de ladite surface. 2. Procédé selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que ladite première matière (26) est disposée sur une première d'une surface intérieure du couvercle (14) ou de la base (12). 3.Procèdé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite première matière (26) est disposée sur le couvercle et l'énergie incidente (30) est dirigée sur ladite première matière pour en éliminer une partie sélectionnée pour former ladite seconde matière (34) sur ladite surface. 4. Procédé selon la revendication 2, caractéri- sé en ce que ladite première matière (26) est disposée sur une surface intérieure de ladite base (12), ladite surface intérieure (12a) étant la surface qui supporte une propagation d'ondes superficielles et ladite éner- gie dirigée étant sélectionnée pour éliminer une par- tie sélectionnée de ladite première matière de ladite surface pour former ladite seconde matière (34) sur la- dite surface. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé -19- en ce que ladite première matière est ladite surface (12a) de propagation d'ondes superficielles et ladite énergie (30) est dirigée vers ladite surface pour élimi- ner une partie sélectionnée de ladite surface et former ladite seconde matière. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que laditepremière matière (26) est disposée sur ladite surface (12a) et l'énergie (30) est dirigée vers ladite première matière pour changer les liaisons chi- miques de ladite première matière et la convertir en la- dite seconde matière (34). 7. Procédé selon la revendication 6, caractéri- sé en ce que ladite première matière comporte une cou- che (26c) de matière disposée sur ladite surface et un gaz réagissant disposé au-dessus de ladite surface, l'énergie (30) étant dirigée vers ladite première matiè- re pour incorporer ledit gaz réagissant dans ladite couche de matière et former ainsi ladite seconde matiè- re. 8. Procédé selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que ladite première matière consiste en des gaz réagissants (32) enfermés entre ladite base (12) et ledit couvercle (14), ladite énergie (30) étant dirigée vers lesdits gaz réagissants pour rompre photolytique- ment les liaisons desdits gaz et produire ainsi la se- conde matière à partir desdits gaz réagissants. 9. Procédé selon la revendication 8, caractéri- sé en ce que lesdits gaz réagissants contiennent de l'oxygène et un gaz avec un ion métallique. 10. Procédé de réglage des caractéristiques d'un dispositif à ondes acoustiques superficielles, ca- ractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à dispo- ser une base (12) avec une surface (12a) qui supporte une propagation d'ondes superficielles, à disposer une première matière (26) sur ladite surface de propagation -20- d'ondes superficielles, à disposer un couvercle (14) sur ladite surface de propagation d'ondes superficiel- les et ladite première matière et à diriger un fais- ceau d'énergie laser (30) à travers un premier dudit couvercle et de ladite base vers une partie sélection- née de ladite première matière pour former une seconde matière (34) sur ladite base et changer ainsi les pro- priétés acoustiques de la surface de propagation d'on- des superficielles. 11. Procédé selon la revendication 10, carac- térisé en ce que ladite première matière est disposée sur une première surface intérieure du couvercle ou de la base. 12. Procédé selon la revendication 11, caracté- risé en ce que ladite première matière (26) est dispo- sée sur le couvercle et l'énergie laser (30) est diri- gée vers ladite première matière pouren enlever une partie sélectionnée et former ainsi ladite seconde ma- tière (34) sur ladite surface. 13. Procédé selon le revendication 11, carac- térisé en ce que ladite première matière (26) est dis- posée sur une surface intérieure de ladite base, ladite surface intérieure étant la surface (12a) qui supporte une propagation d'ondes superficielles et ladite éner- gie laser étant sélectionnée pour éliminer une partie sélectionnée de ladite première matière de ladite sur- face pour former ladite seconde matière (34) sur ladi- te surface. 14. Procédé selon la revendication 10, carac- térisé en ce que ladite première matière est ladite surface de propagation d'ondes superficielles et la- dite énergie laser est dirigée vers ladite surface pour en enlever une partie sélectionnée et former la- dite seconde matière. 15 Procédé selon la revendication 1, caracté- -21- risé en ce que ladite première matière est disposée sur ladite surface et ladite énergie laser est dirigée vers ladite première matière pour changer les liaisons chimiques de ladite première matière et la convertir en ladite seconde matière. 16. Procèdé selon la revendication 6, caractéri- sé en ce que ladite première matière comporte une cou- che de matière disposée sur ladite surface et un gaz réagissant (32) disposé au-dessus de ladite surface, l'énergie laser (30) étant dirigée vers ladite matière pour incorporer ledit gaz réagissant dans le couche de matière et former ainsi ladite seconde matière. 17. Procédé selon la revendication 10, carac- térisé en ce que ladite base et ledit couvercle enfer- ment ladite surface de propagation d'ondes superficiel- les et ladite matière consiste en des gaz réagissants (32) enfermés entre ladite base et ledit couvercle, la- dite énergie laser (30) étant dirigée vers lesdits gaz réagissants pour rompre photolytiquement les liaisons desdits gaz et pour former la seconde matière à partir desdits gaz réagissants. 18. Procédé selon la revendication 17, carac- térisé en ce que lesdits gaz (32) contiennent de l'oxy- gène et un gaz contenant de l'aluminium. 19. Procédé de réglage des caractéristiques de vitesse d'ondes superficielles d'un dispositif à ondes acoustiques superficielles sous boîtier, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à disposer un cou- vercle (14) fait d'une matière qui est transparente dans une plage de longueurs d'onde d'énergie électroma- gnétique sur une surface (12a) de propagation d'ondes superficielles, sur une partie intérieure de laquelle est disposée une couche de matière (26) et à diriger de l'énergie (30) dans ladite plage de longueurs d'onde vers ladite couche de matière, à travers le couvercle, -22- pour éliminer une partie sélectionnée de ladite matière de la couche et pour que ladite partie éliminée sélec- tionnée se dépose sur la surface sous-jacente de propa- gation d'ondes superficielles. 20. Procédé selon la revendication 19, caracté- risé en ce que la couche (26) disposée sur la partie intérieure du couvercle est une couche composite, com- portant: une première couche (26a) consistant en une matière de tampon thermique disposée sur le couvercle de quartz, une seconde (26b) d'une matière qui absorbe l'énergie électromagnétique incidente et convertit la- dite énergie absorbée en énergie de rayonnement, ladite couche étant disposée sur la couche de tampon thermique et une troisième couche (26c) disposée sur ladite secon- de couche, réagissant à l'énergie libérée par la couche de conversion thermique dans des parties sélectionnées, éliminées, déposées sur la surface de propagation d'ondes superficielles. 21. Procédé selon la revendication 20, caracté- risé en ce que la première couche (26a) consiste en de l'oxyde d'aluminium, la seconde couche (26b) consiste en aluminium et la troisième couche (26c) consiste en oxyde d'aluminium. 22. Procédé selon la revendication 21, caracté- risé en ce que l'épaisseur de la première couche d'oxyde d'aluminium se situe dans la plage de 200 R à 1000, l'épaisseur de la couche d'aluminium se situe dans la plage de 25 e à 200 R et l'épaisseur de la couche d'oxy- de d'aluminium se situe dans la plage de 50 f à 500 R. 23. Procédé selon la revendication 19, caracté- risé en ce que l'énergie (30) est fournie sous la forme d'impulsions de lumière laser. 24. Procédé selon la revendciation 23, caracté- risé en ce que la lumière laser est produite par un la- ser excimer ayant une longueur d'onde de 193 nanométres. -23- 25. Procédé selon la revendication 24, caracté- risé en ce que plusieurs impulsions de ladite lumière laser excimer sont dirigées vers la couche de matière disposée sur la partie intérieure du couvercle pour for- mer plusieurs régions déposées de matière sur la surface de propagation d'ondes superficielles. 26. Procédé selon la revendication 22, caracté- risé en ce que l'énergie est de la lumière provenant d'un laser excimer. 27. Procédé selon la revendication 26, caracté- risé en ce que plusieurs faisceaux de ladite lumière excimer sont dirigés vers la couche composite (26) pour former, en réponse à ladite lumière laser, plusieurs lignes déposées de la matière éliminée sur la surface de propagation d'ondes superficielles. 28. Procédé selon la revendication 24, caracté- risé en ce que le laser est un laser à Nd:YAG. 29. Procédé selon la revendication 28, caracté- risé en ce que plusieurs impulsions de ladite lumière laser Nd:YAG sont dirigées vers la couche de matière disposée sur la partie intérieure du couvercle pour for- mer plusieurs régions déposées de matière sur la surfa- ce de propagation d'ondes superficielles. 30. Procédé selon la revendication 22, caracté- risé en ce que l'énergie est de la lumière provenant d'un laser Nd:YAG. 31. Procédé selon la revendication 30, caracté- risé en ce que plusieurs faisceaux de ladite lumière Nd:YAG sont dirigés vers la couche composite pour for- mer, en réponse à ladit lumière laser, plusieurs lignes déposées de la matière éliminée sur la surface de pro- pagation d'ondes superficielles. 32. Dispositif à ondes acoustiques superficiel- les, caractérisé en ce qu'il comporte une base (12) avec une surface (12a) qui supporte une propagation -24- d'ondes superficielles, comprenant au moins un trans- ducteur (20,24) couplé avec ladite surface de propaga- tion d'ondes superficielles, un couvercle (14) dispo- sé sur ladite base, pour fermer ladite surface de pro- pagation d'ondes superficielles, ledit couvercle étant fait d'une matière qui est transparente optiquement à de l'énergie électromagnétique dans la plage de lon- gueurs d'onde d'environ 0,185 micromètre à 4 micromètres et une couche de matière (26) disposée sur ladite sur- face de propagation. 33. Dispositif selon la revendication 32, carac- térisé en ce que ladite couche de matière est une cou- che composite comportant une première couche (26a) d'une matière de tampon thermique, une seconde couche (26b) d'une matière d'absorption thermique et une troisième couche (26c) d'une matière pouvant être éli- minée thermiquement. 34. Dispositif selon la revendication 33, carac- térisé en ce que ladite couche composite (26) de matié- re est disposée sur une partie intérieure dudit couver- cle (14). 35. Dispositif selon la revendication 34, carac- térisé en ce qu'une partie de ladite couche de matière est disposée sur la surface (12a) de propagation d'ondes superficielles. 36. Dispositif selon la revendication 33, carac- térisé en ce que ladite base (12) et ledit couvercle (14) sont scellés ensemble par un frittage de verre (16). 37. Dispositif selon la revendication 35, carac- térisé en ce que ladite base et ledit couvercle sont scellés ensemble par un frittage de verre (16). 38. Dispositif selon la revendication 37, carac- térisé en ce que le couvercle et ladite base sont cons- titués chacun d'un quartz de coupe ST ou de coupe ST -25- tournée. 39. Dispositif selon la revendication 38, ca- ractérisé en ce que ladite couche de matière (26) com- porte une première partie disposée sur ledit couvercle (14) et une seconde partie sélectionnée disposée sur ladite surface (12a) de propagation d'ondes superficiel- les. 40.Dispositif selon la revendication 39, carac- térisé en ce que ladite couche de matière consiste en de l'aluminium. 41. Dispositif selon la revendication 32, carac- térisé en ce que ladite couche de matière comporte une première partie disposée sur ledit couvercle (14) et une seconde partie sélectionnée disposée sur ladite surface (12a) de propagation d'ondes superficielles. 42. Dispositif selon la revendication 41, carac- térise en ce que ladite couche de matière consiste en de l'aluminium. 43. Dispositif selon la revendication 32, carac- térisé en ce que ladite couche de matière est une pre- mière couche consistant en un gaz réagissant (32) en- fermé par ledit couvercle et ladite base et une couche de matière étant disposée sur ladite surface de propa- gation d'ondes superficielles. 44. Dispositif selon la revendication 43, carac- térisé en ce qu'une seconde matière consistant en un gaz réagissant (32) et une couche de matière est dispo- sée sur ladite surface de propagation d'ondes superfi- ciel les. 45. Dispositif selon la revendication 32, carac- térisé en ce que la couche de matière est une première couche et consiste en une paire de gaz réagissant (32) enfermé par ledit couvercle et la base. 46. Dispositif selon la revendication 45, carac- térisé en ce qu'une seconde couche de matière est' le -26- produit de la réaction de ladite paire de gaz réagis- sant, disposé sur ladite surface de propagation d'on- des superficielles. 47. Dispositif selon la revendication 46, ca- ractérisé en ce que ledit produit est un oxyde métal- lique. 48. Procédé de réglage de la caractéristique de vitesse d'ondes superficielles d'un dispositif à ondes acoustiques superficielles, caractérisé en ce qu'il consiste essentiellement à disposer un boVtier comprenant une partie de couvercle (14) et une partie de base (12) dont l'un au moins est fait d'une matié- re qui est transparente à de l'énergie électromagné- tique dans une plage de longueurs d'onde sélectionnée, ladite base et ledit couvercle étant disposés pour en- fermer une surface (12a) de propagation d'ondes super- ficielles et à diriger une paire de faisceaux (30a,30b) d'énergie laser vers ladite surface de propagation d'ondes superficielles à travers un premier de ladite base et du couvercle pour que lesdits faisceaux conver- gent sur la surface de propagation d'ondes supcrficiel- les afin d'éliminer sélectivement des parties de la- dite surface. 49.Procédé selon la revendication 48, caracté- risé en ce que ledit premier de la base et du couver- cle est fait d'un quartz de coupe ST ou ST tournée et lesdits faisceaux d'énergie laser provenant d'un la- ser excimer. 50. Dispositif à ondes acoustiques superficiel- les, caractérisé en ce qu'il comporte une base (12) avec une surface (12a) qui supporte une propagation d'ondes superficielles, comprenant au moins un transduc- teur (20,24) couplé avec ladite surface de propagation d'ondes superficielles, ladite surface de propagation d'ondes superficielles comprenant un logement dans la- -27- dite surface, un couvercle (14) disposé sur ladite base pour enfermer ladite surface de propagation d'on- des superficielles et dans lequel l'un au moins de la- dite base et dudit couvercle est transparent à l'éner- gie optique. 51. Dispositif selon la revendication 50, ca- ractérisé en ce que ledit logement est une ligne étroi- te formée dans ladite surface. 52. Dispositif selon la revendication 51, ca- ractérisé en ce que ladite base comporte une paire desdits transducteurs (20,24) et ladite ligne étroite est formée en travers et parallèlement à une partie d'une ouverture acoustique de ladite paire de transduc- teurs. 53. Dispositif selon la revendication 50, ca- ractérisé en ce que ladite base est faite d'un quartz de coupe ST ou ST tournée. 54. Dispositif selon la revendication 50, ca- ractérisé en ce que ledit couvercle est fait d'un quartz de coupe ST ou ST tournée.