FR 2604021 A1 19880318 FR 8613010 A 19860917 PROCEDE DE REALISATION DE TETES MAGNETIQUES EN COUCHES MINCES ET A STRUCTURE PLANAIRE ET TETE OBTENUE PAR CE PROCEDE DESCRIPTION La présente invention a pour objet un procédé de réalisation de tites magnétiques en couches minces et à structure planaire et une tête obtenue par ce procédé. On connaÂt deux types de tètes magnétiques à couches minces: celles qui sont montées perpendiculairement à la couche magnétique à lire ou à enregistrer et celles qui sont montées parallèlement à cette couche. La figure 1 montre par exemple une tête formée de deux pièces polaires P1 et P2 définissant un entrefer E, un bobinage B entourant ces pièces polaires. La couche d'enregistrement C passe devant l'entrefer E. Une telle tête est décrite par exemple dans l'abrégé de brevet japonais vol. 5, n 150, (P-81) (822) du 22 septembre 1981. Le gradient de champ produit par une telle tête est élevé et engendre des champs démagnétisants intenses dans la 2 couche d'enregistrement, ce qui rend l'écriture difficile. Par ailleurs, à la lecture, on obtient un signal V tel que celui de la figure 2: à l'aplomb des angles extérieurs des pièces polaires, il apparaît des inversions de polarité de la tension, ce qui entraîne de sérieux problèmes dans le traitement de l'information lue. Pour ces raisons, on préfère utiliser des têtes montées horizontalement, comme celle qui est représentée sur la figure 3. Une telle tête est décrite dans la demande de brevet européen 85400136.9 publiée sous le n 0 152 326. On y voit une première couche magnétique 1, dans laquelle est formé un bobinage 2, une seconde couche magnétique 3 divisée en deux parties par un espaceur amagnétique 4. Une couche dure 5 protège l'ensemble et assure la planéité de la couche. La figure 4 illustre un procédé connu de fabrication d'une tète horizontale. Ce procédé est décrit dans l'abrégé de brevet japonais vol. 5, n 5, (P-44) (677), 14 janvier, 1981. Sur un substrat 6, on dépose une première couche magnétique M1 puis une couche isolante 7 et un bobinage B (partie a); on dépose ensuite une couche isolante 8 et L'on grave deux puits P1, P2 (partie b). On dépose alors une seconde couche magnétique M2 qui vient en contact avec la première grâce aux deux puits P1 et P2 (partie c). Puis L'on forme un entrefer. On dépose ensuite une couche en verre (partie d) et L'on planifie l'ensemble (partie e). Bien que donnant satisfaction à certains égards, ces dispositifs et procédés de l'art antérieur présentent des inconvénients. Dans le cas de la tète de la figure 3, on a encore des extrémités extérieures de pièces polaires qui peuvent engendrer des inversions du signal de lecture. Dans le procédé illustré sur la figure 4, on évite la finesse de l'extrémité des pièces polaires mais l'entrefer est ouvert et relativement large: il se comble peu à peu de particules magnétiques, qui court-circuitent magnétiquement la tête. Enfin, le flux C0 magnétique engendré par le bobinage suit un circuit de section quasi-constante et il n'y a donc aucune concentration de flux au niveau de l'entrefer. Par ailleurs, dans le procédé de la figure 4 le bobinage B n'est pas dans un plan unique mais dans deux plans distincts: un plan correspondant à la partie centrale, au- dessus de la première pièce polaire, et un plan, plus bas, correspondant aux deux parties latérales (une seule est représentée sur la droite de la figure 4a). Les parties latérales permettent de refermer l'enroulement autour des pièces polaires. De plus, on voit que la pièce polaire M1 n'est pas enterrée dans le substrat 6, ce qui conduit à une tête qui présente un relief important. Enfin, Les parties de la pièce polaire M2 non recouvertes par la couche de protection 9 sont très larges (puisqu'elles sont sensiblement aussi larges que le bobinage), ce qui rend la tête très fragile. La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients. A cette fin, elle propose un procédé de fabrication qui permet d'obtenir un entrefer étroit formé d'une couche amagnétique et des pièces polaires de forme telle qu'elles conduisent à une concentration de flux au voisinage de l'entrefer et offrent une faible surface sans protection. Par ailleurs, le procédé de l'invention permet d'obtenir une structure enterrée dans un substrat, donc sans relief. On peut ajouter encore que le procédé de l'invention ne nécessite pas la dernière opération de polissage qui est nécessaire dans le procédé de l'art antérieur. Le procédé de l'invention met en oeuvre des opérations de dép8t de couches minces et de gravures qui sont usuelles dans la technologie des circuits intégrés ainsi que des opérations de dépôt éLectrolytiques de diverses couches magnétiques. L'invention a également pour objet une tête magnétique obtenue par le procédé en question. On comprendra mieux l'invention à la lumière de la description qui va suivre. Cette description se réfère à des dessins annexés sur lesquels: - La figure 1, déjà décrite, montre une tête magnétique 2C connue montée verticalement, - la figure 2, déjà décrite, montre l'allure du signal délivré par la tête précédente, - la figure 3, déjà décrite, représente une tète magnétique connue montée horizontalement, - la figure 4, déjà décrite, illustre un procédé connu de réalisation d'une tête horizontale, - la figure 5 illustre 13 étapes (a à m) du procédé de fabrication conforme à l'invention, - la figure 6 montre la tête magnétique obtenue finalement. La figure 5 montre les étapes principales du procédé selon L'invention. Les opérations effectuées selon l'invention sont les suivantes: - sur un substrat isolant 10 (par exemple en silicium) on forme une première couche isolante 12 (par exemple d'oxyde de silicium), (partie a), - on grave la couche isolante 12 et le substrat 10 pour former un premier caisson 13, (partie b), - on dépose sur l'ensemble une première couche conductrice 14 que l'on grave sélectivement ensuite de telle sorte qu'elle ne subsiste qu'au fond du premier caisson 13, (partie b), - on dépose, par une première électrolyse prenant la couche conductrice 14 comme électrode, une première couche magnétique 16 qui remplit le caisson 13, cette première couche magnétique 16 affleurant à la surface de la première couche isolante 12, (partie c); cette couche magnétique se trouve donc enterrée dans le substrat; - on dépose sur l'ensemble une deuxième couche isolante 18, (partie e) - on forme dans cette deuxième couche isolante 18 un bobinage électrique 20; une telle opération est décrite dans le brevet européen cité plus haut (figures 3 et 4 de ce brevet); on observera que ce bobinage se referme par des parties latérales (une seule est représentée) 20' qui sont dans le même plan que la partie centrale 20; - on grave dans la deuxième couche isolante 18, de part et d'autre du bobinage 20, deux ouvertures 21, 22 atteignant la première couche magnétique 16, (partie f), - on comble, par une seconde électrolyse utilisant la première couche conductrice 14 comme électrode, ces ouvertures pour constituer des plots magnétiques 23, 24, ces plots étant en bonne continuité magnétique avec la première couche magnétique 16 et affleurant à la surface de la deuxième couche isolante 18, (partie g), - on dépose sur l'ensemble une troisième couche isolante 26, (partie h), par exemple en SiO2 ou AL 203, en résine polyimide, 2 23' etc..., - on grave un deuxième et un troisième caissons 27, 28 dans cette troisième couche isolante 26 au-dessus des plots magnétiques 23, 24, en laissant subsister, entre le deuxième et le troisième caissons, un ÂLot central isolant 32, (partie h), - on dépose sur l'ensemble une deuxième couche conductrice 33 que l'on grave ensuite sélectivement pour ne la laisser subsister qu'au fond des deuxième et troisième caissons 27, 28, (partie h), - on comble, par une troisième électrolyse prenant cette deuxième couche conductrice 33 comme électrode, le deuxième et le troisième caissons par une deuxième couche magnétique séparée en deux parties 30, 31 disposées de part et d'autre de l'Ilot central isolant 32, cette couche affleurant à la surface de la troisième couche isolante 26, (partie i), - on dépose sur l'ensemble une quatrième couche isolante dure de protection 34, (partie j), - on grave dans cette quatrième couche 34 un quatrième caisson 36 au-dessus de l'ilot central isolant 32 et atteignant la deuxième couche magnétique 30, 31, (partie j), - on réalise, dans ce quatrième caisson 36, un espaceur amagnétique mince centré sur l'Ilot central isolant 32; un tel espaceur peut être obtenu comme décrit dans la demande de brevet européen citée plus haut par dépôt d'un isolant 38, gravure de cet isolant pour lui donner la forme d'une marche, dépôt d'une couche amagnétique 40, (partie k), puis gravure des parties horizontales et maintien de la paroi verticale 42, (partie l), - on dépose sur l'ensemble une troisième couche conductrice 43 que l'on grave ensuite sélectivement pour ne la laisser subsister qu'au fond du quatrième caisson 36, de part et d'autre de l'espaceur 42, (partie l), - on comble, par une quatrième électrolyse prenant la troisième couche conductrice 43 comme électrode, le quatrième caisson 36 par une troisième couche magnétique séparée en deux parties 46, 48 situées de part et d'autre de l'espaceur amagnétique 42, cette troisième couche magnétique affleurant à la surface de la couche dure de protection 34, (partie m). Il est donc inutile d'effectuer un polissage de la pièce comme dans l'art antérieur. Dans ce procédé, les couches conductries 14, 33, 43 peuvent être en cuivre, en chrome ou en tungstène, par exemple. Les couches magnétiques 16, 23, 24, 30, 31, 46, 48 peuvent être en Fe Ni de composition 80/20 par exemple pour obtenir une forte perméabilité magnétique. L'épaisseur de la couche magnétique 16 peut Etre de 1 à 5,m-. La paroi verticale 42 peut avoir une largeur comprise entre 0,05 et 1Jgm. La largeur X du plot central 32, (partie a), est comprise entre 1 et 5/,m. L'épaisseur de la couche dure 34 peut être comprise entre 1 et 5sm. La largeur Y de la gravure est comprise entre 5 et 15Àm, (partie j). La figure 6 montre en coupe l'ensemble de la tète obtenue, avec les lignes de champ magnétique qui permettent de distinguer nettement la concentration du flux près de l'entrefer. La largeur U de l'ensemble des pièces 46 et 48 est de l'ordre de ,im alors que le bobinage 18 a une largeur comprise entre 120 à 200 m. La partie non protégée des pièces polaires est donc très étroite. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de têtes magnétiques en couches minces à structure planaire, caractérisé par Le fait qu'il comprend les opérations suivantes: - sur un substrat isolant (10) on forme une première couche isolante (12), - on grave La couche isolante (12) et le substrat (10) pour former un premier caisson (13), - on dépose sur l'ensemble une première couche conductrice (14) que l'on grave sélectivement ensuite de telle sorte qu'elle ne subsiste qu'au fond du premier caisson (13), - on dépose, par une première électrolyse prenant la couche conductrice (14) comme électrode, une première couche magnétique (16) qui remplit le caisson (13), cette première couche magnétique (16) affleurant à la surface de la première couche isolante (12), - on dépose sur l'ensemble une deuxième couche isolante (18), - on forme dans cette deuxième couche isolante (18) un bobinage électrique (20), - on grave dans la deuxième couche isolante (18), de part et d'autre du bobinage (20), deux ouvertures (21, 22) atteignant la première couche magnétique (16), - on comble, par une seconde électrolyse utilisant la première couche conductrice (14) comme électrode, ces ouvertures pour constituer des plots magnétiques (23, 24), ces plots étant en bonne continuité magnétique avec la première couche magnétique (16) et affleurant à la surface de la deuxième couche isolante (18), - on dépose sur l'ensemble une troisième couche isolante (26), - on grave un deuxième et un troisième caissons (27, 28) dans cette troisième couche isolante (26) au- dessus des plots magnétiques (23, 24), en laissant subsister, entre le deuxième et le troisième caissons, un Slot central isolant (32), - on dépose sur l'ensemble une deuxième couche conductrice (33) que l'on grave ensuite sélectivement pour ne La laisser subsister qu'au fond des deuxième et troisième caissons (27, 28), - on comble, par une troisième électrolyse prenant cette deuxième couche conductrice (33) comme électrode, le deuxième et le troisième caissons par une deuxième couche magnétique séparée en deux parties (30, 31) disposées de part et d'autre de l'Ilot central isolant (32), cette couche affleurant à la surface de la troisième couche isolante (26), - on dépose sur l'ensemble une quatrième couche isolante dure de protection (34), - on grave dans cette quatrième couche (34) un quatrième caisson (36) au-dessus de l'Ilot central isolant (32) et atteignant la deuxième couche magnétique (30, 31), - on réalise, dans ce quatrième caisson (36), un espaceur amagnétique mince (42) centré sur l'Ilot central isolant (32), - on dépose sur l'ensemble une troisième couche conductrice (43) que l'on grave ensuite sélectivement pour ne la laisser subsister qu'au fond du quatrième caisson (36), de part et 2^ d'autre de l'espaceur, - on comble, par une quatrième électrolyse prenant la troisième couche conductrice (43) comme électrode, le quatrième caisson (36) par une troisième couche magnétique séparée en deux parties (46, 48) situées de part et d'autre de l'espaceur amagnétique (42), cette troisième couche magnétique affleurant à la surface de la couche dure de protection (34). 2. Tête magnétique en couches minces à structure planaire, obtenue par le procédé de la revendication 1, caractérisée par Le fait qu'elle comprend: - un substrat isolant (10), - une première couche magnétique (16) enterrée dans le substrat (10) et affleurant à la surface de celui-ci, - deux plots magnétiques (23, 24) reposant aux deux extrémités de la première couche magnétique, - un bobinage électrique (20) situé dans une couche isolante (18) et entourant les deux plots (23, 24), - un ilôt isolant (32) disposé au-dessus de la partie'centrale du bobinage, - une deuxième couche magnétique séparée en deux parties (30, 31) par le plot isolant (32), une troisième couche magnétique séparée en deux parties (46, 48) reposant sur les deux parties (30, 31) de la deuxième couche magnétique, ces deux parties (46, 48) étant séparées par un espaceur amagnétique (42), cette troisième couche étant enterrée dans une couche isolante dure de protection (34).