FR 2605801 A1 19880429 FR 8614740 A 19861023 Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice susceptible d'effet laser multi-longueurs d'onde, et dispo- sitif obtenu. L'invention concerne les semi-conducteurs, plus particuliè- rement ceux qui sont susceptibles d'applications en optique. On sait que lorsqu'une jonction P-N est excitée électrique- ment, par une tension de commande correspondante à une énergie supérieure à son énergie de bande interdite, elle va répondre par un rayonnement. On appelle ici "semi-conducteurs possédant des propriétés optiques radiatives" ceux pour lesquels ce rayonnement est essentiellement de nature optique, plutôt qu'acoustique. De tels semi-conducteurs sont actuellement obtenus à partir des matériaux dits "alliages III-V", c'est-à-dire réunissant au moins un élément de la colonne III et au moins un élément de la colonne V de la classification périodique de Mendeldeev. En fait, il s'agit des colonnes IIIA et VA, dans la version actuelle de cette classification. Plus précisément encore, on considère d'une part l'aluminium, le gallium et l'indium, d'autre part le phosphore, l'arsenic et l'antimoine. De manière connue, ces matériaux peuvent avoir ou se voir conférer une conductivité de type N, ou bien de type P. en recevant des impuretés appropriées en faible quantité. La conductivité initiale des alliages III-V est due à leurs propriétés semi-conductrices intrinsèques, ainsi qu'aux impuretés résiduelles dues à leur procédé de fabrication. En ce qui concerne le type de conductivité acquis, on cite- ra par exemple le zinc, le cadmium, le magnésium et le béryllium, qui sont susceptibles de conférer le type P à de l'arseniure de gallium dont la conductivité initiale est de type N. Plus généralement, les impuretés à choisir dans chaque cas étant connues, ou déterminables, elles ne seront pas précisées à chaque fois. Enfin, l'homme de l'art sait que les structures semi-conductrices sont en général monocristallines, sauf mention contraire. Parmi d'autres usages, les alliages III-V servent à fabri- quer des lasers à semi-conducteurs, ou diodes lasers, qui ont pris une importance considérable depuis la découverte de la diode laser à double hétérostructure. Les diodes la- sers s'appliquent notamment aux télécommunications par fi- bres optiques, ainsi qu'aux lecteurs optiques de disques. Le mot "laser" vise ci-après ces lasers à semi-conducteurs. Pour augmenter la capacité de transmission de ces systèmes, il est intéressant de recourir à un multiplexage en longueur d'onde, donc de disposer d'un laser "multi-longueurs d'ondes". Mais, alors que les études sur les lasers "mono-longueur d'onde" sont très nombreuses, celles sur les lasers multi-longueurs d'ondes sont beaucoup moins importantes. Il a été proposé tout d'abord de constituer un empilement de double hétérostructure à couches actives différentes: - W.T. TSANG, "New Multiwavelength Transverse-Junction Stripe Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy Operating Predominantly in Single-Longitudinal Modes", Appl. Phys. Lett. 36(6), 15 mars 1980, pp 441-443; - S. SAKAI, T. AOKI, M. TOBE, M. UMENO et Y. AMEMIYA, "Integrated Light Emitters and Photodetectors for Dual- Channel Optical Communication", ECOC, Sixth European Confe- rence on Optical Communication, Conference Publication 190 pp 230,233; - T.P. LEE,C.A. BURRUS, A.G. DENTAI, "Dual Wavelength Sur- face Emitting InGaAsP L.E.D.S." Electronics Letters, 23 octobre 1980, Vol. 16, N 22. Ces propositions ont l'inconvénient majeur que toutes les longueurs d'ondes y sont excitées en même temps. Par ailleurs, le multiplexage en fréquence est permis par des diodes lasers intégrant un réseau optique de sélection de longueurs d'ondes, également dénommées diodes lasers à réaction répartie ("distributed feedback"), et décrites dans l'article suivant: K. AIKI, M. NAKAMURA et J. UMEDA, "Frequency Multiplexing Light Source with Monolithically Integrated Distributed Feedback Diode Lasers", Applied Physics Letters, Vol. 29, N 8, 15 octobre 1976. Cependant, la haute technologie nécessaire pour la réalisa- tion d'un réseau intégré compromet l'usage industriel à grande échelle de ce procédé. I1 a aussi été suggéré de réaliser des lasers dont la cou- che active présente un gradient de composition: ZH.I. ALFEROV, E.N. ARUTYUNOV, S.A. GUREVITCH, E.L. PORTNOY, N.V. PRONINA et V.B. SMIRNITSKY, "Wavelength Multiplexing DM A1 Ga As Injection Laser Source with a Graded Composition along the Active Layer", IEEE Jour- nal of Quantum Electronics, Vol. QE-17, N 8, Août 1981. Comme ci-dessus, la technologie de fabrication est extrême- ment délicate. Enfin, ont encore été proposés des lasers obtenus avec des couches actives de compositions différentes, situées dans le même plan: N. BOUADMA, J.C. BOULEY, J. RIOU, "Dual Wavelength (GaAl) As Laser", Electronics Letters, 30 septembre 1982, Vol. 18, N 20, PP 871-873. Cette fois, les moyens de fabrication impliqués sont en eux-mêmes assez bien maîtrisés. Mais il faut un décapage suivi d'une reprise d'épitaxie, pour chacune des longueurs d'ondes supplémentaires souhaitées. Il s'avère qu'après deux ou trois séquences de décapage et de reprise d'épita- xie, les défauts de structure cristalline créés à chacune de ces opérations s'additionnent, ce qui entraîne des dif- ficultés insurmontables. L'invention vient apporter une solution plus satisfaisante. L'un des buts de l'invention est de permettre la réalisa- tion d'un laser o chaque longueur d'onde peut être excitée indépendamment, ou simultanément à l'une des autres. Un autre but de l'invention est de n'utiliser qu'une seule épitaxie multicouches (fabrication de la double hétérostructure en une seule fois), quel que soit le nombre de longueurs d'onde recherché. L'invention propose une procédé de fabrication d'une struc- ture semi-conductrice, en particulier d'une structure sus- ceptible d'effet laser, remarquable en ce qu'il comporte les opérations suivantes: a) on dépose sur un substrat un empilement en double hété- rostructure monocristalline, constitué de couches actives de compositions différentes, possédant des propriétés opti- ques radiatives, et encadrées chacune par deux couches de confinement, possédant une dimension de mailles monocris- tallines voisine de celle des couches actives, toutes ces couches étant du même type de conductivité (type n); b) on décape sélectivement le dessus de l'empilement, selon des bandes parallèles, adjacentes les unes aux autres, pour y mettre à nu des couches de confinement de rangs diffé- rents, au moins sur deux bandes adjacentes, les couches de confinement ainsi mises à nu définissant des terrasses parallèles, séparées les unes des autres par des transi- tions; c) lors d'une deuxième étape d'épitaxie, on dépose sur ces terrasses une couche semi-conductrice dite de contact pour faciliter la prise d'un contact ohmique sur la structure. On peut également arrêter l'attaque de l'étape b) au niveau supérieur de chacune des zones actives; cette zone active qui, comme décrit plus loin, est à moins de 10% d'Al, peut remplacer la couche de contact. d) dans une bande incluse dans chaque terrasse, on forme, à travers la couche de contact, par introduction d'impuretés correspondant au même type de conductivité que celle-ci, une région localisée de quelques pm de large (4- 5) ou non localisée (région de type inversé), jusqu'au voisinage de la couche active sous-jacente, pour constituer avec celle-ci une jonction PN; e) on effectue un dépôt métallique pour contacter indivi- duellement chaque région de type inversé; f) on effectue un dépôt métallique de contact commun, sur la semelle du substrat; g) on isole électriquement les régions de type inversé les unes des autres, au niveau des transitions qui les sépa- rent, pour former des rubans de structure semi-conductrice; et h) on prépare optiquement les extrémités opposées de ces rubans, transversalement à la plus grande dimension des terrasses. A l'heure actuelle, les matériaux susceptibles de consti- tuer une telle double hétérostructure sont des alliages III-V, plus précisément des alliages comprenant d'une part au moins un matériau du groupe: aluminium, gallium et in- dium, et d'autre part au moins un matériau du groupe: phosphore, arsenic, antimoine. Dans un mode de réalisation particulier, les couches acti- ves, de type N, ont pour composition Galx Alx As, x dif- férant à chaque fois, et étant inférieur à 10% environ, tandis que les couches de confinement ont pour composition Galy Aly As, y étant sensiblement le même pour tous, et égal à 30% environ. Les couches de la double hétérostructure sont avantageuse- ment déposées par épitaxie, en particulier par épitaxie en phase liquide, ou encore par épitaxie à jet moléculaire, ou bien par dépôt en phase vapeur de composés organo-métal- liques. Pratiquement, l'épaisseur des couches actives est de l'or- dre du dixième de micromètre, tandis que celle des couches de confinement est de l'ordre du micromètre. Pour sa part, la couche de contact peut être avantageuse- ment constituée elle aussi d'un alliage III-V, comme par exemple l'arséniure de gallium de type P, pour le mode de réalisation particulier mentionné plus haut. La couche de contact peut elle aussi être épitaxiée, et d'une épaisseur de 0,2 micromètre. La région précitée est formée à l'aide d'impuretés dans le groupe comprenant le zinc, le cadmium, le magnésium, le béryllium, et éventuellement le silicium. Elle peut être formée par diffusion, notamment pour le zinc et le cadmium, ou bien par implantation ionique suivie de recuit, ce qui peut s'appliquer à l'ensemble des matériaux indiqués plus haut. Par ailleurs, cette région peut être réalisée sur la ma- jeure partie de la surface de la terrasse, ou bien loca- lisée seulement à une petite partie de cette surface. De son côté, l'opération g), pour l'isolation des régions de type inversé, peut être réalisée par un décapage locali- sé, par voie sèche ou humide, gravant des sillons jusqu'au substrat. Dans une variante, l'opération g) peut être réalisée par implantation protonique. Enfin, l'opération h) de préparation optique peut être ef- fectuée soit par clivage, soit par un usinage par voie hu- mide ou sèche. Le substrat peut être un alliage III-V fortement dopé N, ou bien du silicium. Dans la mesure o le procédé défini ci-dessus est réalisé sur une plaquette semi-conductrice (wafer) de grandes di- mensions, comprenant plusieurs circuits élémentaires, il y aura bien sûr lieu de compléter le procédé par l'opéra- tion supplémentaire suivante: i) séparer la structure semi-conductrice en puces indivi- duelles comprenant chacune au moins deux rubans adjacents. Bien entendu, l'invention couvre également les dispositifs semiconducteurs obtenus par le procédé qui vient d'être exposé. En leur structure générale, de tels dispositifs comprennent: - un substrat, - au moins deux empilements de double hétérostructure en forme de rubans allongés, disposés côte à côte, et isolés électriquement l'un de l'autre, sur le substrat, ces deux empilements possédant un nombre différent de couches acti- ves, de composition différente, tandis que les petites ex- trémités de ces rubans sont préparées optiquement, - deux régions, présentes respectivements dans les deux couches de confinement supérieures, chacune jusqu'au voi- sinage de la couche active sous-jacente, pour former avec celle-ci une jonction P-N, - deux couches de contact respectivement disposées sur les deux couches de confinement supérieures, - deux dépôts de contact sur ces deux couches de contact, et - un dépôt de contact sur le substrat. Un pareil dispositif peut notamment s'appliquer en tant que laser à semi-conducteurs multi-longueurs d'ondes. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention appa- raitront à l'examen de la description détaillée ci-après, ainsi que des dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 illustre schématiquement une double hétéro- structure épitaxiée de départ; - la figure 2 illustre une double hétérostructure ayant subi une première étape de décapage; - la figure 3 illustre la double hétérostructure de la figure 2, maintenant revêtue d'une couche de contact; - la figure 4 illustre la double hétérostructure de la figure 3, dans laquelle ont été créées des régions et des jonctions; - la figure 5 illustre la double hétérostructure de la figure 4, maintenant revêtue de dépôts métalliques de contact; et - la figure 6 illustre la forme finale du dispositif semi- conducteur selon l'invention. Sur la figure 1, on part d'un substrat S qui peut, de ma- nière générale, être constitué d'un semi-conducteur de type N, ou bien de silicium. Dans la suite de la présente description, on se limitera au cas dit "système Ga As", dans lequel le semi-conducteur de base est donc l'arséniure de gallium. Dans cette hypothèse, le substrat S est de l'arséniure de gallium, de type N+, c'est-à-dire manifestant une forte conductivité de type N. La double hétérostructure va être réalisée par épitaxie sur ce substrat, en empilant différentes couches. Diffé- rentes techniques d'épitaxie sont connues. On utilisera de préférence l'épitaxie en phase liquide (LPE pour Liquid Phase Epitaxy). En variante, on peut utiliser le dépôt en phase vapeur à partir de composés organiques métalliques (MOCVD, pour Metallo Organic Chimical Vapour Deposition), ou encore l'épitaxie par jet moléculaire (MBE, pour Mole- cular Beam Epitaxy). Dans un mode de réalisation particulier, les couches de confinement sont toutes en matériau de type N, de formule générale: Galy AlyAs, c'est-àdire qu'il s'agit d'un alliage arsé- niure d'aluminium-gallium, o la proportion d'aluminium est y et celle de gallium 1-y. Typiquement, y est de l'or- dre de 30%, et l'épaisseur des couches de confinement CC est d'environ 1,5 micromètre. Après l'épitaxie de la première couche de confinement CC1 sur le substrat S, on procède à l'épitaxie de la première couche active CAl, dont la composition est par exemple: Gal-xl, Alxl, As, c'est-à-dire qu'il s'agit d'un al- liage d'arséniure de gallium aluminium, o la proportion des atomes d'aluminium est xl, tandis que celle de gallium est l-X1. L'épaisseur de la couche est typiquement de 0,2 ici tre. La proportion X est choisie entre 0 et 10%, ivai. - longueur d'onde désirée, comme on le verra ci-a- ps. Ensuite, une st 'de couche de confinement CC2 est épita- xiée sur la premie. couche active CAl. On procède alors à l'.-itaxie de la seconde couche active CA2, dont l'épaisseur est à nouveau d'environ 0,2 micromè- tre, mais la proportion x2 d'aluminium et de gallium est différente. Une troisième couche de confinement CC3 est alors réalisée, puis une troisième couche active CA3, avec une proportion x3, et enfin une dernière couche de confinement CC4, qui termine l'empilement en double hétérostructure. Bien entendu, le nombre de couches de confinement et de couches actives peut être plus ou moins important, suivant le nombre de fréquences différentes que l'on souhaitera pouvoir exciter dans le dispositif laser. L'invention sup- pose qu'il existe deux couches actives différentes empi- lées, au moins. A partir de la double hétérostructure de la figure 1, le procédé selon l'invention est suivi d'une étape de photogravure, suivant laquelle on décape, par voie sèche ou humide, les couches épitaxiées de façon à y réaliser des terrasses T1, T2, T3, comme illustré sur la figure 2. En pratique, on fait en sorte que la face supérieure de chaque terrasse se situe à environ 1 micromètre de la zone active, c'est-à-dire que l'on décape environ 0,5 micromètre de la dernière couche de confinement attaquée dans le cas o il y a épitaxie d'une couche de contact. Dans l'autre cas, o les couches actives elles-mêmes servent de couches de contact, le décapage s'arrête au niveau supérieur e chaque couche active. Il s'agit là d'une photogravure sélective, - squ'eile ne s'exercera pas de la même manière, -on des bandes parallèles, adjacentes les unes aux cres, et définies à partir de la face supérieure l'empilement de la figure 1. En pratique, le décapage a._r but de définir une sorte d'escalier, possédant autant de marches qu'il y aura de couches actives différentes à mettre en oeuvre dans le dis- positif laser final. Pour obtenir cela, on peut commencer par une photogravure intéressant seulement la bande située au niveau de la ter- rasse T1, puis une photogravure intéressant simultanément les bandes situées au niveau des terrasses T1 et T2, puis une troisième photogravure intéressant l'ensemble des ban- des. On obtient alors le profil en escalier illustré sur la figure 2. Ces photogravures peuvent se faire avec des agents de gra- vure identiques, ou différents, à chacune des sous-étapes que comporte l'opération générale de photogravure. La figure 2 fait encore apparaître des transitions M12 en- tre les terrasses T1 et T2 et M23 entre les terrasses T2 et T3. Il n'est pas nécessaire d'attacher un soin particu- lier à la régularité de ces transitions, du moins dans la mesure o elles sont enlevées à l'étape finale, comme on le verra ci-après. L'étape suivante du procédé (figure 3) consiste à déposer sur l'ensemble des terrasses et des transitions une couche de contact CP, qui est formée d'un semi-conducteur mono- cristallin d'un type de conductivité opposé à celui de la double hétérostructure. Le plus simple est de réaliser cet- te couche de contact en arsénure de gallium de type P, par épitaxie, d'une épaisseur d'environ 0,2 micromètre. On décrira maintenant en référence à la figure 4 la réali- sastion de la jonction laser P/N, qui est essentielle pour le fonctionnement du dispositif selon l'invention en laser. Au centre de chaque palier ou terrasse, on réalise une im- plantation ionique localisée de type P, qui peut donc s'ef- fectuer à travers la couche de contact CP. Les impuretés ainsi "prédéposées" vont migrer pendant une opération de recuit à l'intérieur de la couche de confinement supérieur, CC4 au niveau de la terrasse T3, CC3 au niveau de la ter- rasse T2, et CC2 au niveau de la terrasse T1. On réalise alors des régions R3, R2 et Rl qui s'étendent à chaque fois dans la couche de confinement supérieure (CC4, CC3, CC2 respectivement), jusqu'au voisinage de la couche active sousjacente (CA3, CA2, CAl, respectivement). Chaque région R3, R2, Rl constitue une jonction PN avec la couche active respectivement CA3, CA2, CAL. Ces jonctions J3, J2, J1 sont illustrées sur la figure 4, bien qu'elles ne soient pas en pratique repérables optiquement. Une variante du procédé consiste à réaliser les régions R3, R2, Ri par une diffusion localisée de type P. Le mot 'localisée" signifie simplement que la région est diffusée à l'intérieur de la surface de chaque terrasse T3, T2, Tl. Cette région peut couvrir la majeure partie ou la quasi- totalité de la surface de la terrasse, ou bien au contraire être réduite à une petite portion centrale de celle-ci, comme illustré ici sur la figure 4. Comme déjà indiqué, le matériau constitutif est jusqu'à present toujours du système arsénure de gallium. Les allia- ges constitutifs des couches actives et de confinement pourront être obtenus par un léger dopage de type P d'un matériau initialement de type N+, par exemple par addition d'impuretés comprises dans le groupe: zinc, cadmium, magnésium, béryllium et silicium. Le zinc et le cadmium sont susceptibles d'être amenés par diffusion ou par implantation ionique. En principe, le bé- ryllium, le manganèse et le silicium ne sont amenés que par implantation ionique, lorsqu'il s'agit de construire une région bien limitée. Il est maintenant fait référence à la figure 5. Celle-ci montre qu'on effectue des dépôts métalliques de prise de contact. Il peut s'agir par exemple d'un dépôt d'alliage or-germanium (Au,Ge), sur la semelle du substrat S. Des dépôts de prise de contact individuels sont effectués en DM1, DM2, DM3, au-dessus de chacune des régions Rl, R2, R3. Ces dépôts sont effectués par exemple en alliage or-zinc (Zn, Au). Il reste alors à délimiter et isoler chaque bande suscepti- ble de fonctionner en diode laser. Comme illustré sur la figure 6, cela peut se faire en creu- sant des vallées V10, V21, V32, respectivement à droite de la terrasse T1 et de la région R1 qu'elles logent, entre les terrasses T1 et T2, faisant ainsi disparaître la tran- sition M12, et entre les terrasses T2 et T3, faisant ainsi disparaître la transition M23. Ces vallées peuvent être obtenues de différentes manières, notamment par voie humide, c'est-à-dire par simple attaque chimique, ou bien par voie sèche, à savoir: - gravure ionique réactive (RIE, pour Reactive Ion Etching); - gravure réactive par faisceau d'ions (RIBE pour Reactive Ion Beam Etching); - gravure ionique excitée par magnétrons (MIE, pour Magne- tron Ion Etching); ou - usinage ionique classique (UI). Le dispositif ainsi obtenu est susceptible d'un effet laser, et ce avec une longueur d'onde différente pour chacune des régions Rl, R2, et R3, dans la mesure o la couche active adjacente n'a pas la même composition dans ces trois cas. On peut donc émettre sélectivement trois longueurs d'ondes différentes à l'aide des trois dispositifs illustrés sur la figure 6, et ce d'une manière qui peut être commandée indépendamment. Pour manifester l'effet laser, il est nécessaire de prépa- rer optiquement les extrémités opposées des rubans de la figure 6, c'està-dire celles que l'on voit en coupe et l'extrémité opposée. Cette preparation peut être effectuée de manière connue par clivage, ou encore par usinage par voie humide ou voie sèche. Selon une autre variante de l'invention, l'isolation élec- trique entre les différentes diodes lasers peut être réali- sée par implantation protonique, au lieu de constituer des vallées telles que V10, V21 et V32. Bien entendu, l'invention n'est pas limitée au mode de réa- lisation décrit. On peut par exemple réaliser des structu- res multi-longueurs d'ondes non seulement dans le système dit GaAs, mais aussi dans le système dit InP (phosphure d'indium), avec des alliages ternaires convenables, ou en- core sur tout autre matériau semi-conducteur doué de pro- priétés optiques radiatives. Dans la mesure o l'on aura voulu préparer plusieurs dis- positifs lasers multi-longueurs d'ondes sur une même pla- quette semi-conductrice, le procédé de fabrication compren- dra bien sûr une étape supplémentaire, pour la séparation de la structure semi-conductrice en puces individuelles comprenant chacune au moins deux rubans adjacents. * Comme visible sur la figure 6, le dispositif terminal com- prend: - un substrat S; _- au moins deux empilements de double hétérostructure en forme de rubans allongés, disposés côte à côte, isolés électriquement l'un de l'autre, sur le substrat, ces deux empilements possédant un nombre différent de couches actives (CA1, CA2, CA3), et des couches actives supérieures (CA1, CA2, CA3) à l'opposé du substrat S, qui sont de composition différente. Les petites extrémités opposées de ces rubans sont préparées optiquement; - deux régions au moins (Ri, R2, R3) présentent respecti- vement dans les deux couches de confinement supérieures, chacune jusqu'au voisinage de la couche active sous-jacente (CA1, CA2, CA3) pour former avec celle-ci une jonction P-N; - au moins deux couches de contact (CPl, CP2, CP3) respec- tivement disposées sur les deux couches de confinement su- périeures; - au moins deux dépôts de contact (DM1, DM2, DM3) sur ces deux couches de contact; et - un dépôt de contact commun (DMS), sur la semelle du subs- trat. Un tel dispositif est particulièrement intéressant pour augmenter la capacité de transmission en télécommunications par fibres optiques, ou bien dans les lecteurs de disques otpiques. Revendications. 1. Procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice, en particulier d'une structure susceptible d'effet laser, caractérisé en ce qu'il comporte les opérations suivantes: a) on dépose sur un substrat (S) un empilement en double hétérostructure monocristalline, constitué de couches acti- ves (CA) de compositions différentes, possédant des propriétés optiques radiatives, et encadrées chacune par deux couches de confinement (CC), possédant une dimension de maille monocristalline voisine de celle des couches actives, toutes ces couches étant du même type de conductivité, b) on décape sélectivement le dessus de l'empilement, selon des bandes parallèles, adjacentes les unes aux autres, pour y mettre à nu des couches de confinement (CC) qui sont de rangs différents, au moins sur deux bandes adjacentes, les couches de confinement (CC) ainsi mises à nu définissant des terrasses parallèles (T1, T2, T3), séparées les unes des autres par des transitions (M12, M23), c) on forme sur ces terrasses une couche de contact (CP), d) dans une bande incluse dans chaque terrasse, on forme à travers la couche de contact, par introduction d'impure- tés correpondant au même type de conductivité que celle-ci, une région (R1, R2, R3) de type inversé qui s'étend dans la couche de confinement supérieure (CC2, CC3, CC4), jus- qu'au voisinage de la couche active sous-jacente (CAl, CA2, CA3), pour constituer avec celle-ci une jonction P-N (J1, J2, J3), e) on effectue un dépôt métallique de contact individuel (DM1, DM2, DM3), sur chaque région de type inversé, f) on effectue un dépôt métallique de contact commun (DMS), sur le substrat, g) on isole électriquement les régions de type inversé les unes des autres (V10, V21, V32), au niveau des transitions qui les séparent, pour former des rubans de structure se- mi-conductrice, et h) on prépare optiquement les extrémités opposées de ces rubans transversalement à la plus grande dimension des ter- rasses. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les matériaux constituant la double hétérostructure sont des alliages III-V. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que les matériaux constituant la double hétérostructure sont des alliages d'au moins un matériau du groupe: aluminium, gallium, et indium; et d'au moins un matériau du groupe: phosphore, arsenic, antimoine. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les couches actives, de type N, ont pour composition Ga1_ x Alx As, x différant à chaque fois, et étant inférieur à 10% environ, tandis que les couches de confinement ont pour composition Galy Aly As, y étant sensiblement le mê- me pour toutes, et égal à 30% environ. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, ca- ractérisé en ce que les couches de la double hétérostructu- re sont déposées par épitaxie, en particulier par épitaxie en phase liquide, ou encore par épitaxie par jet moléculai- re, ou bien par dépôt en phase vapeur de composés organo-métalliques. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, ca- ractérisé en ce que l'épaisseur des couches actives est de l'ordre du dixième de micromètre, tandis que celle des couches de confinement est de l'ordre du micromètre. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, ca- ractérisé en ce que l'opération b) de décapage, réalisée par photogravure, écarte une partie de l'épaisseur de la couche de confinement à laquelle elle s'arrête, et en ce que l'opération c) consiste à déposer une couche de contact par épitaxie. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'épaisseur résiduelle de ladite couche de confinement est d'environ 1 micromètre. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, ca- ractérisé en ce que la couche de contact est également un alliage III-V. 10. Procédé selon la revendication 9, prise en combinaison avec la revendication 4, caractérisé en ce que la couche de contact est en arséniure de gallium de type P. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caracté- risé en ce que l'étape b) de décapage est arrêtée au niveau supérieur de chacune des couches actives, celles-ci servant alors de couches de contact. 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite région est formée à l'aide d'impuretés choisies dans le groupe comprenant: zinc, cad- mium, magnésium et Béryllium. 13. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite région est formée par implantation ionique suivie de recuit. 14. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caracté- risé en ce que ladite région est formée par diffusion. 15. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ladite région est localisée, n'inté- ressant qu'une petite partie de la surface de la terrasse. 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'opération g) d'isolation des ter- rasses est réalisée par un décapage localisé, par voie sè- che ou humide, gravant des sillons jusqu'au substrat. 17. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, caracté- risé en ce que l'opération g) d'isolation des terrasses est réalisée par implantation protonique. 18. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'opération h) de préparation optique comprend un clivage. 19. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'opération h) de préparation optique comprend un usinage par voie humide ou sèche. 20. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat est un alliage III-V for- tement dopé N ou bien du Silicium. 21. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération supplémentaire suivante: i) séparer la structure semi-conductrice en puces indivi- duelles comprenant chacune au moins deux rubans adjacents. 22. Dispositif semi-conducteur obtenu par le procédé de l'une des revendications précédentes. 23. Dispositif selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'il comprend: - un substrat, - au moins deux empilements de double hétérostructure en forme de rubans allongés, disposés côte à côte, isolés é- lectriquement l'un de l'autre, sur le substrat, ces deux empilements possédant un nombre différent de couches acti- ves, de composition différente, et les petites extrémités opposées de ces rubans étant préparées optiquement; - deux régions, présentes respectivement dans les deux cou- ches de confinement supérieures, chacune jusqu'au voisinage de la couche active sous-jacente, pour former avec celle-ci une jonction P-N, - deux couches de contact respectivement disposées sur les deux couches de confinement supérieures, - deux dépôts de contact sur ces deux couches de contact, et - un dépôt de contact sur le substrat. 24. Application du dispositif selon la revendication 22, en tant que laser à semi-conducteur multi-longueurs d'onde.