FR 2601816 A1 19880122 FR 8708637 A 19870619 La présente invention se rapporte de manière générale à des techniques de croissance épitaxiale, et plus particulièrement & la croissance de matériaux cristallins semi-conducteurs à éléments des groupes II et VI. Comme est cela est connu dans la technique, les matériaux semiconducteurs épitaxiaux à éléments des groupes II et VI, tels que le tellurure de cadmium et le tellurure de cadmium et de mercure, ont des 10 applications importantes comme éléments photodétecteurs pour la détection de l'énergie électromagnétique dans le domaine spectral d'environ 0,8 lm à 30 rm. En ajustant une composition d'alliage de cadmium et de mercure, on peut fabriquer des 15 éléments photodétecteurs comprenant du tellurure de cadmium et de mercure pour couvrir des plages de longueurs d'ondes choisies à l'intérieur de la bande de longueur d'onde de 0,8 rm à 30 um. Pour des applications avec une longueur d'onde courte, c'est20 à-dire les longueurs d'onde voisines de 0,8 lm, on utilise en général du tellurure de cadmium (CdTe). Pour des longueurs d'onde plus longues, supérieures à environ 0,8 p, on utilise un tellurure de cadmium et de mercure (HglxCdxTe) dans lequel x représente la 25 composition de l'alliage du cadmium par rapport au tellure. En ajustant la composition de l'alliage, on fournit un matériau épitaxial qui est sensible à des parties choisies de l'ensemble du domaine spectral de 0,8 pm à plus db 30 rm. C'est-à-dire que l'on peut 30 fabriquer des éléments photodétecteurs sensibles à des plages de longueurs d'onde particulières d'énergie électromagnétique infrarouge. On a proposé plusieurs techniques différentes pour former des couches épitaxiales de tellurure de 35 cadmium et de tellurure de cadmium et de mercure, appropriées pour être utilisées dans des photodétecteurs. Un procédé proposé pour la croissance de couches 5 épitaxiales de HgCdTe et de CdTe, consiste en l'épitaxie de composés organométalliques en phase vapeur (MOVPE) également désignée par le dépôt de vapeur de produits chimiques organométalliques (MOCVD). La technique MOCVD met en oeuvre 10 l'acheminement de vapeurs de dérivés àgraealkyle primaire d'éléments du groupe II et du groupe VI dans un réacteur et la réaction chimique des composés organométalliques pour fournir le matériau épitaxial à éléments des groupes II et VI. Comme cela est 15 décrit dans un article intitulé "The Growth of CdxHgl,xTe Using Organometallics" par J.B. Mullin et al., "Journal of Vacuum Science Technology", volume 21, n1l, mai-juin 1982 (1), et comme cela est décrit dans un article intitulé "Vapor Phase Epitaxy of 20 CdxHgl,xTe using Organometallics" par J.B. Mullin et al., "Journal of Applied Physics", volume 14, 1981, pages L149-151 (2), la qualité des films épitaxiaux obtenus, n'est pas adaptée pour être utilisée dans des photodétecteurs, bien que jusqu'à maintenant, la 25 croissance épitaxiale de films épitaxiaux de tellurure de cadmium et de mercure a été mise en évidence, comme cela a été décrit dans ces articles. Ces matériaux ne sont pas adaptés dans la mesure o ils ont des concentrations relativement importantes 30 en porteur et o la mobilité des électrons du matériau est relativement faible-. Ces deux propriétés sont importantes dans les éléments détecteurs photoconducteurs, dans la mesure o ces éléments agissent comme résistances sensibles aux infrarouges, 35 ayant une conductivité prédéterminée entre deux bornes qui changent en réponse à l'énergie infrarouge incidente. Si la concentration en porteur est trop élevée, ou que la mobilité des électrons est trop faible, les porteurs produits en réponse à la 5 radiation infrarouge incidente, se recombinent sans que la conductivité du dispositif change entre les bornes. La croissance MOCVD de matériaux à éléments des groupes II et VI, par exemple HgCdTe, comprend les 10 étapes consistant à diriger des dérivés à gmxea ay primaire de cadmium et de tellure, par exemple du diméthylcadmium ou du tellurure de diéthyle, et une source de mercure dans un réacteur dans lequel ces matériaux réagissent et forment le composé HgCdTe. La 15 source de mercure est fournie soit par un composé organométallique à base de mercure, tel que du diméthylmercure, du diéthylmercure ou du mercure élémentaire. Le mercure élémentaire est la source préférée puisqu'il est en général plus pur que 20 n'importe laquelle des sources organométalliques, et il est en général moins coûteux. En outre, le mercure élémentaire est moins toxique que les sources organométalliques connues puisque le mercure élémentaire a une pression partielle i vapeur, 25 plusieurs dizaines de milliers de foispisfaibleque la pression de vapeur des sources organométalliques à base de mercure connues. Un problème rencontré pendant la croissance des couches épitaxiales de HgCdTe, repose sur les 30 températures de croissance relativement élevées qui sont nécessaires et sur les vitesses de croissance relativement lentes que l'on a obtenues jusqu'à maintenant. Dans un troisième article intitulé "The Growth By MOVPE And Characterization of CdxHgl,xTe,', 35 par J.C. Irvine et al., "Journal of Crystal Growth", volume 55 (1981), pages 107-115 (3), on a décrit que, pendant la croissance des couches épitaxiales de HgCdTe, la régulation de la pression partielle de mercure sur la région de croissance & une température 5 élevée de 400' & 500C est très difficile. La régulation de la pression partielle de mercure à l'équilibre est très importante dans la mesure o c'est la concentration du mercure interstitiel dans - les couches épitaxiales qui fournit les porteurs et 10 qui commande donc les propriétés électriques des matériaux. On a en outre, mentionné dans la référence (3) que la pression partielle du mercure doit être au moins deux fois plus importante que la pression partielle du tellure afin de permettre à la réaction 15 de produire efficacement du HgCdTe. A 400'C, la pression partielle du mercure minimum pour la croissance de HgCdTe est de 1,013.103 Pa. De manière spécifique, cette pression partielle de mercure est fournie en chauffant la smoe- liquide de mercure élémentaire et en dirigeant un gaz vecteur à travers le mercure pour obtenir un courant de vapeur de mercure. Une technique de régulation du mercure est décrite dans le brevet US-A-4. 568.379 déposée le 12 25 septembre 1984 par William E. Hoke, Richard Traczewski et Peter J. Lemonias et cédée au même cessionnaire que celui de la présente invention. Ainsi, la pression partielle du mercure et donc les propriétés électriques des couches épitaxiales de 30 HgCdTe, ont-été régulées en maintenant la température du mercure dans le courant de vapeur entrant, en chauffant les parois du réacteur à une température de moins 240'C. Bien qu'une telle technique permette de réguler la pression partielle du mercure sur la 35 région de croissance en empêchant la condensation prématurée du mercure à partir du courant de vapeur sur les parois du réacteur, on a également observé qu'à cette température, les réactifs peuvent réagir préalablement. Bien que l'on n'ait pas déterminé si 5 une réaction préalable a un effet quelconque sur la qualité des couches épitaxiales, il apparaît néanmoins que la réaction préalable réduit la concentration des réactifs dans le courant de vapeur en réduisant ainsi encore plus la vitesse de 10 croissance. Il a également été mentionné dans la référence (3) que la faible limite de température pour la croissance de HgCdTe par MOCVD est due à la stabilité relativement élevée ou au faible rendement de 15 craquage des réactifs organiques formés par le diméthylcadmium (DMCd) et le tellure de diéthyle (DeTe) qui procurent les sources de Cd et de Te. On a également trouvé que DeTe est le composé le plus stable des deux et que le rendement en tellure a été 20 particulièrement tributaire de la température à laquelle se dissocie le DeTe. A des températures d'environ 400C, la quantité de tellure libérée par le DeTe était relativement faible. En conséquence, la vitesse de croissance de HgCdTe à 400'C, est très 25 faible. Différents autres problèmes ont également été mis en évidence avec la croissance par MOCVD de HgCdTe. Une concentration élevée des réactifs est nécessaire pour procurer une vitesse de croissance 30 appropriée de HgCdTe. Puisque le rendement de craquage des réactifs est faible, il y a un rejet important de réactifs; en revanche, les réactifs et en particulier les sources organométalliques de Cd et de Te, sont très coûteuses. 35 En conséquence, les résidus importants de réactifs, rendent relativement coûteuse la croissance épitaxiale de ces couches. En outre, les produits résiduels sont très toxiques et en conséquence, le 5 volume important des réactifs résiduels produits par les procédés antérieurs classiques, pose un problème important pour le rejet sûr des produits résiduels toxiques. En outre, à des températures de croissance de 10 400'C, il y a une inter-diffusion importante et l'alliage des couches voisines des différents matériaux épitaxiaux. Ce problème complique la croissance de structures hétérogènes bien d6finie4 et de jonctions électriques P-N à transition brusque. Conformément & la présente invention, on forme une couche cristalline d'éléments des groupes II et VI sur un substrat cristallin. On dirige un premier courant comprenant un métal du groupe II vers le substrat. On dirige également vers le substrat un 20 deuxième courant d'un dérivé organique d'un élément du groupe VI. Le dérivé organique de l'élément du groupe VI comprend un groupe organique ayant une relativement faible énergie d'activation par comparaison à l'énergie d'activation d'un dérivé 25 àgro-ealkyleprimaire de l'élément du groupe VI pour la formation d'un radical libre au cours de la dissociation du radical.-- de l'élément du groupe VI. L'énergie d'activation inférieure est due à la délocalisation de la charge d'électron non apparié 30 sur la molécule radicalaire. Grâce à cela, un tel groupe organique fournit une délocalisation accrue de la charge électronique sur l'ensemble de la molécule par comparaison aux dérivés àgrc.ealky1 primaire de l'élément du groupe VI, en fournissant ainsi un 35 groupe organique à base d'un élément du groupe VI - 2601816 ayant une énergie d'activation inférieure ou une stabilité inférieure et en conséquence un rendement de craquage plus élevé à une température donnée que les dérivés à groupe alkyle primaire connus de 5 l'élément du groupe VI. Cette stabilité inférieure accroit le rendement de craquage du dérivé organique de l'élément du groupe VI et permet la croissance d'un matériau épitaxial & base d'un élément du groupe VI à des températures de croissance inférieures et à 10 des vitesses de croissance supérieures à celles dans les techniques antérieures. Avec un rendement accru, on a également une réduction simultanée du volume de produits résiduels fournis pendant la croissance épitaxiale du matériau à base d'un élément du groupe 15 VI, et en outre, puisque les dérivés organiques des éléments du groupe VI sont relativement chers, la réduction des résidus de produits non réactifs et l'accroissement simultané de la vitesse de croissance, réduisent le coût global pour faire 20 croître des couches épitaxiales de matériaux à éléments des groupes Il et VI. Selon encore un autre aspect de la présente invention, on fait croître une couche cristalline d'éléments des groupes Il et VI sur un substrat en 25 dirigeant plusieurs courants de vapeur vers le substrat. Les courants de vapeur comprennent un dérivé organométallique d'un élément du groupe II, une vapeur d'un dérivé organique d'un élément du groupe VI, comprenant au moins un groupe organique 30 choisi parmi un groupe allyle, un groupe benzyle et un groupe cycloallyle lié à l'élément du groupe VI, et une vapeur métallique d'un élément du groupe II. La source du métal du groupe II est chauffée à une température de 100'C à 250'C, de préférence de 150C 35 à 180'C tout en dirigeant l'énergie rayonnante vers le réacteur pour chauffer les parois du réacteur entre la source du métal du groupe II et le substrat jusqu'à une température de 100C à 250'C, de préférence de 150C à 180'C. La zone au-dessus du 5 substrat est chauffée à une température d'au moins 'C, de préférence de 120C à 400'C, plus particulièrement de 150C à 300C et plus particulièrement de 160C à 120'C. On fait ensuite réagir chimiquement les courants dirigés de vapeur de 10 dérivés organométalliques des éléments du groupe II, de vapeur de dérivés organométalliques des éléments du groupe VI et de vapeur de métal d'éléments du groupe II pour former la couche d'éléments des groupes II et VI. Selon la présente invention, en 15 fournissant l'élément du groupe VI à partir d'un dérivé organique de l'élément du groupe VI comportant un groupe organique choisi parmi un groupe allyle, un groupe benzyle et un groupe cycloallyle, une charge d'électrons libres délocalisés, est répartie sur 20 l'ensemble de la chaîne carbonée. Dans le cas du radical allyle, la molécule peut être représentée par les structures équivalentes illustrées ci-dessous: CH2 CH - CH2 a CH CH2 - CH - CH2 L'électron non-apparié est donc délocalisée sur l'ensemble de la molécule pour former une double liaison partielle stabilisante. L'énergie d'activation pour la formation d'un radical libre à partir de molécules comportant des groupes allyle ou cycloallyle, est inférieure à l'énergie d'activation pour des molécules comportant des groupes alkyle primaires. De manière analogue, avec le groupe benzyle, la charge électronique délocalisée sur l'ensemble de la chaîne carbonée, réduit l'énergie d'activation pour la formation du radical libre & partir de la molécule hydrocarbonée initiale comportant le groupe benzyle. Le radical benzyle peut être représenté par les quatre structures équivalentes mentionnées cidessous. CHM2 CH2 CH2 CHM2 I II III H X H H H H H H H H H - H H H H H H Ainsi, une autre représentation du radical benzyle est: CH2 t I, H H H Les caractéristiques du cycle benzénique dues 30 aux doubles liaisons, permet ladlocalisation de la charge électronique non appariée sur le cycle benzénique. Le troisième exemple d'un groupe pour fournir une molécule à élément du groupe VI, ayant une plus faible stabilité, c'est-à- dire une plus 35 faible énergie d'activation, est le groupe H cycloallyle. La molécule comportant le groupe cycloallyle est déstabilisée par la présence des groupes alkyle ainsi que par la tension du cycle. Les molécules cycliques cycloallyliques ont la structure générale mentionnée ci-dessous: Y Y Y - C - C - Te - C - C- Y ó C I I Y Y dans laquelle Y peut être un atome d'hydrogène ou 15 n'importe quel autre groupe organique. En conséquence, la croissance d'un matériau épitaxial à éléments des groupes Il et VI, peut être effectuée à des tempértures de croissance plus basses que dans les techniques antérieures. Les températures 20 de croissance inférieures tendent & réduire l'interdiffusion entre des couches épitaxiales voisines différentes, et avec une inter-diffusion réduite, on peut obtenir des jonctions P-N et des structures hétérogènes plus nettes et mieux définies. Selon encore un autre aspect de la présente invention, la source organique de l'élément du groupe VI, est choisie parmi le tellurure de méthyle et de benzyle, le tellurure de dibenzyle, le tellurure de di(2- propen-l-yle), le tellurure de méthyle et de (230 propen-l-yle), le tellurure de di(2-cyclopropen-l-yl) et le tellurure de méthyle de (2-cyclopropen-l-yl). La source organométallique de l'élément du groupe II est du diméthylcadmium et la source de l'élément du groupe II est du mercure élémentaire. Pour la 35 croisance dans un réacteur ayant un diamètre de 50 mm et ayant un débit total de vecteur d'environ 2,0 1/mn, on estime que les plages spécifiques suivantes de fractions molaires des réactifs, sont appropriées. Le diméthylcadmium a une fraction 5 molaire en général de 5 x 10,5 x 5 x 10,3. Le dérivé organique de l'élément du groupe VI a une fraction molaire de 5 x 10,4 x 10,3 et la vapeur de mercure a une fraction molaire en général de 1 x 10, 3 x 10,2. La source de mercure est chauffée à une température 10 de 100C à 250C et la zone de réaction entre la source métallique de substrat est chauffée à une température de 100*'C à 250'C. Les courants du dérivé organique de l'élément du groupe VI choisi, de diméthylcadmium et de mercure, sont dirigés vers le 15 substrat qui est disposé dans une région qui est à une température d'au moins 120C. On fait réagir le dérivé organique de l'élément du groupe VI, le diméthylcadmium et le mercure pour former une couche épitaxiale de HgCdTe. Avec ce procédé particulier, on 20 peut faire croitre des couches cristallines de tellurure de cadmium et de mercure ayant des concentrations relativement faible en pxtar et de mobilités électroniques relativement élevées. Puisque la température à laquelle la croissance a lieu, se 25 situe à des températures inférieures à celles dans les techniques antérieures, on a moins d'interdiffusion entre les couches épitaxiales des différents matériaux. En conséquence, on peut faire croître des structures hétérogènes, telles que des 30 couches alternées de CdTe, de HgTe et de HgCdTe sans inter-diffusion ou alliage important. En outre, quand on fait croître des couches pour obtenir des jonctions P-N, il y a nettement moins d'interdiffusion et on obtient donc des jonctions plus 35 nettes et plus brusques. En outre, à ces températures de croissance inférieures, la pression partielle de mercure à l'équilibre est inférieure, et donc moins de. mercure est nécessaire. Puisque la pression partielle de mercure & l'équilibre est plus faible 5 aux températures de croissance inférieures, la concentration en mercure interstielle (donc la concentration en porteur est plus facile à commander. La présente invention a ainsi pour objet un 10 procédé pour former une couche comprenant un matériau à1baed'é"étsdes groupes II et VI sur un substrat, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant: à diriger un courant comprenant au moins un 15 él é m e n t du groupe IIvslesimtat à diriger un courant d'un dérivé organique d'un élément- du groupe VIvrsle substrat, ledit dérivé organique comportant au moins un groupe organique ayant une énergie d'activation pour la formation d'un 20 radical libre par dissociation du groupe de l'élément du groupe VI qui est inférieure à l'énergie d'activation des déèivés à groupe alkyle primaire de l'élément du groupe VI. La présente invention a également pour objet un 25 procédé pour former une couche sur un substrat, caractérisé en ce qu'il conmiste: à diriger un courantd'u3dzivémedquad'unélément du groupe VI vers le substrat, ledit dérivé organique comportant au moins un groupe lié à l'élément du 30 groupe VI choisi parmi un groupe allyle, un groupe benzyle ou un groupe cycloallyle. La présente invention a également pour objet un procédé pour former une couche comprenant un matériau à éléments des groupes II et VI sur un substrat, caractérisé en ce qu'il consiste: & diriger un courant comprenant au moins un dérivé d'un élément du groupe II vres leatat; à diriger un courant du dérivé organique d'un élément du groupe VI vers le. substrat, ledit dérivé 5 organique comportant au moins un groupe organique choisi parmi le groupe comprenant un groupe allyle, un groupe benzyle et un groupe cycloallyle, lié à l'élément du groupe VI, et à faire réagir chimiquement les courants dirigés 10 pour former la couche. La présente invention a également pour objet un procédé pour former une couche comprenant un matériau à ase d',é1ies des groupes II et VI sur un substrat, caractérisé en ce qu'il consiste: à diriger le courant d'une vapeur d'un composé organométallique d'un élément du groupe II versW le substrat; à diriger un courant d'un dérivé organique d'un élément du groupe VI vers le substrat, ledit dérivé 20 organique de l'élément du groupe VI comportant au moins un groupe organique choisi parmi un groupe allyle, un groupe benzyle et un groupe cycloallyle, lié à l'élément du groupe VI; et à faire réagir chimiquement les courants dirigés 25 du composé organométallique de l'élément du groupe II et du dérivé organométallique de l'élément du groupe VI pour former la couche. La présente invention a encore pour objet un procédé pour former une couche d'éléments des groupes 30 II et VI sur un substrat, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant: à diriger un courant d'un composé organométallique d'un élément du groupe II vers le substrat; i diriger un courant d'un dérivé organique d'un élément du groupe VI vers le substrat, ledit dérivé organique de l'élément du groupe VI ayant la formule générale Ri-,X.R2, o R1 et R2 peuvent être identiques ou différentseta au moins un des groupes e est Un groupe choisi parmi un groupe allyle, benzyle et cycloallylel, et X est un élément du groupe VI, et à faire réagir lesdits courants pour former la couche d'éléments des groupes II et VI. La présente invention va être mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels, La figure 1 est une vue en plan d'un élément photodétecteur, dans lequel un élément i5 photoconducteur comprend des couches cristallines de matériaux semiconducteurs à éléments des groupes II et VI; La figure 2 est une vue en coupe transversale prise le long de ia ligne II de la figure 1; La figure 3 est un schéma illustrant la relation entre les figures 3A et 3B; et Les figures 3A et 3B, sont des schémas d'un appareil de croissance destiné à être utilisé pour faire croître la couche épitaxiale illustrée sur la 25 figure 1. En se référant maintenant aux figures 1 et 2, un élément photoconducteur spécifique 10, adapté pour être utilisé dans un ensemble photoconducteur (non représenté), est illustré et il comprend un substrat 30 11 réalisé ici en tellurure de cadmium (CdTe), en arséniure de gallium (GaAs), en antimoniure d'indium (InSb), en un autre matériau de substrat approprié à éléments des groupes II et VI ou des groupes III et V ou en saphir (A1203) . Une couche tampon épitaxiale 35 12a à éléments des groupes II et VI réalisée ici en tellurure de cadmium (CdTe) et une couche épitaxiale 12b en tellurure de cadmium (CdTe) ou de tellurure de cadmium ou de mercure (HgCdTe) ou d'un autre matériau approprié à élément du groupe II et & élément du 5 groupe VI, sont déposées sur le substrat 11. Une paire de contacts électriques 13 de type ohmique est disposée sur une partie épitaxiale 12b, chacun de ceux-ci étant formé d'une couche composite comprenant des couches successives 13a, 13b et 13c G respectivement d'indium (In) de 10 000 A d'épaisseur, de chrome (Cr) de 500 A et d'or (Au) de 5000 A d'épaisseur. Des pastilles d'or 14 ayant chacune une épaisseur de 1,5 M sont disposées sur les contacts 13 pour fournir un point de liaison avec des 15 composants externes. Une couche de passivation 16a est disposée dans une partie 15 formant un canal entre les contacts ohmiques 13, réalisée ici en un oxyde anodique in situ à partir d'une partie de la couche 12b de HgCdTe 20 comme cela est connu en soi avec une épaisseur de 800 e A et il est également prévu une couche 16b de revêtement anti-reflecteur. Les couches 16a, 16b sont utilisées pour protéger la région 15 formant un canal et pour ménager une fenêtre 16 à couche composite 25 transparente de manière générale à l'énergie électromagnétique dans la plage de longueur d'onde d'environ 0,8 vm à 30 Ym. Une radiation électromagnétique incidente 17 en général dans la plage de 0,8 ym à 30 pm, est dirigée 30 vers la fenêtre 16. En réponse à cette radiation incidente 17, la conductivité de la couche épitaxiale 12b change en permettant ainsi à l'élément photoconducteur 10 de détecter la présence de la radiation électromagnétique incidente 17. En outre, 35 le rapport x de cadmium par rapport au tellure, peut être ajusté de façon connue en soi pour couvrir de manière sélective différentes plages de longueur d'onde dans la bande d'environ 0,8 Pm à 30 Pm. En se référant maintenant aux figures 3, 3A et 5 3B, on a représenté de manière schématique un dispositif 20 d'épitaxie en phase vapeur (figure 3) utilisé pour la croissance des couches épitaxiales 12a, 12b ou couche 12 de tellurure de cadmium ou de tellurure de mercure et de cadmium comme cela est 10 décrit en référence aux figures 1 et 2 ci-dessus, et il comprend un appareil producteur de vapeur 20a (figure 3A) comportant un distributeur 26 équipé de régulateurs de débit massique 26a-26g et de dispositifs de barbotage 39 et 55 comme cela est 15 illustré. En fonctionnement, de l'hydrogène est introduit dans le distributeur 26 par l'intermédiaire d'un purificateur d'hydrogène 22 et d'une vanne 24 tandis que de l'hélium est fourni dans le dispositif 20 quand le dispositif 20 n'est pas en fonctionnement 20 et est exposé à l'air. le dispositif 20 à phase vapeur comprend également un réacteur 20b d'épitaxie en phase vapeur (figure 3B) gui comporte ici un réacteur tubulaire ouvert en quartz 60 comme cela est illustré. Il suffit de préciser ici qu'un organe 25 sensibilisateur 63 en graphite est disposé dans le réacteur tubulaire 60 en quartz et que l'organe sensibilisateur est chauffé par induction à l'aide d'une bobine 62 à haute fréquence. La bobine 62 à haute fréquence est disposée autour de la périphérie 30 du réacteur tubulaire 60 en quartz et elle est activée pour élever la température de l'organe sensibilisateur 63, du substrat 11 disposé sur l'organe sensibilisateur 63 et de la région 61 voisine du substrat jusqu'à une température 35 prédéterminée. La température de l'organe sensibilisateur 63 est contrôlée par l'intermédiaire d'un thermocouple (non représenté) incoporé dans l'organe sensibilisateur 63. Avant de chauffer l'organe sensibilisateur 63 et le substrat 11, on 5 purge toutefois le dispositif des gaz atmosphériques enhmisatt de l'hélium et on introduit ensuite de l'hydrogène à l'intérieur du four tubulaire 60 et du dispositif de production de vapeur 20a. Ensuite, des vapeurs provenant de conduites 27e- 27g, 31c et 47c, 10 sont introduites dans le tube o elles réagissent pour former les couches épitaxiales 12a, 12b. Le réacteur tubulaire 60 en quartz comprend également un couvercle 72 au niveau de l'extrémité opposée aux conduites 27e-27g, 31c et 47c. Le couvercle 72 est 15 relié à une conduite 74 d'évacuation en quartz qui est utilisée pour évacuer les gaz du tube 60 et pour fournir ces gaz à un four de craquage (non représenté). En se référant maintenant en particulier à la 20 figure 3A, le dispositif de production de vapeur 20a est muni de tubes 31c, 37c et 27e-27g qui fournissent des vapeurs au réacteur tubulaire 60 en quartz (figure 3B) comme cela est illustré. Le tube 31c qui est le tube à diméthylcadmium 25 +H2 (DMCd + H2), est alimenté à partir d'un organe de raccordement 32. L'organe de raccordement 32 est utilisé pour mélanger les courants des deux sources gazeuses fournie au niveau d'une paire d'orifices de celui-ci, et il dirige ledit courant gazeux jusqu'à 30 un troisième orifice de celui-ci qui est reliéau tube de quartz 31c. Le premier orifice de l'organe de raccordement 32 est alimenté à partir du dispositif de barbotage 39. Le dispositif de barbotage 39 comprend une paire d'électrovannes 28 et 30. Une 35 desdites électrovannes, ici l'électrovanne 28, comporte un premier orifice relié à un premier - régulateur de débit massique 26a par l'intermédiaire d'un tube 27a et il comporte un deuxième orifice relié à un barboteur 36 par l'intermédiaire d'un tube 29a. Le barboteur 37 comporte ici le diméthylcadmium (DMCd) 37. Le barboteur 36 est muni d'un bain de régulation de température 40 par recirculation qui délivre un 'débit constant d'un liquide réfrigérant autour du barboteur 36 pour maintenir le 10 diméthylcadmium 37 contenu dans le barboteur 36 à une température prédéterminée qui est ici de 18,5'C. Un deuxième tube 29c est disposé dans le barboteur 36 mais au-dessus de la surface du diméthylcadmium liquide et il est relié à un orifice de 15 l'électrovanne 30. Un troisième tube 29b est raccordé entre les orifices restants des électrovannes 28 et 30. L'état normalement désactivé des électrovannes 28 et 30 permet à de l'hydrogène gazeux de passer de 20 la source d'hydrogène, ici le régulateur de débit massique 26a par l'intermédiaire d'un tube 27a dans le tube 29b et à travers le tube 31c pour purger le réacteur des gaz atmosphériques comme cela a été décrit ci-dessus. Pendant la croissance épitaxiale 25 du tellurure de cadmium ou du tellurure de cadmium et de mercure sur le substrat 11, les vannes 28 et 30 sont placées dans leur état actif en permettant à de l'hydrogène gazeux de passer à travers le tube 29a dans le barboteur 36 qui contient le diméthylcadmium 30 liquide 37. L'hydrogène gazeux barbote dans le diméthylcadmium liquide 37 et entraîne des molécules de diméthylcadmium 37. En conséquence, un mélange de diméthylcadmium et d'hydrogène (DMCd + H2) sort du barboteur 36 par l'intermédiaire de la conduite 29c 35 -et il est acheminé par l'électrovanne 30 vers la conduite 31a. Un deuxième régulateur de débit massique 26b est activé pour fournir un débit prédéterminé de gaz vecteur, ici de l'hydrogène, à travers une vanne 34 et une conduite 31b jusqu'à 5 l'organe de raccordement 32. En conséquence, un courant de vapeur diluéede diméthylcadmium et de gaz vecteur, ici de l'hydrogène, sort de la conduite 31c. Un tube 47c, le tube à dérivé organique de tellure, est alimenté à partir d'un organe de 10 raccordement 48. L'organe de raccordement 48 est utilisé pour mélanger les courants des deux sources gazeuses et pour fournir ledit courant de gaz mélangés à un troisième orifice raccordé au tube 47c. Le premier orifice de l'organe de raccordement 48 est 15 alimenté à partir du dispositif de barbotage 55. Le dispositif de barbotage 55 comprend une paire d'électrovannes 44, 46. Une desdites électrovannes, ici l'électrovanne 44, comporte un premier orifice raccordé à un troisième régulateur de débit massique 20 26c par l'intermédiaire d'un tube 27c et il comporte un deuxième orifice raccordé & un barboteur 52 par l'intermédiaire d'un tube 45a. Le barboteur 52 comprend ici un dérivé organique de tellure 53 comme cela va être décrit ci-après. Il suffit de préciser 25 ici que le dérivé organique de l'élément du groupe VI, ici un dérivé organique du tellure, a une énergie d'activation pour former un radical par dissociation du dérivé organique de tellure qui est inférieure à l'énergie d'activation par la distdin des déivé à grn aikle primairel de tellure. Le barboteur 52 est associé & un bain de régulation de température par recirculation 56 qui fournit un débit constant d'un liquide autour du barboteur 52 pour obtenir le dérivé organique de tellure 53 dans le barboteur 52 à 35 une température prédéterminée suffisante pour fournir une pression de vapeur appropriée. Cette température peut être comprise mais ne pas être nécessairement limitée dans la plage de -20'C à +100*C. Un deuxième tube 45c est disposé dans le barboteur 52, mais au5 dessus de la surface du dérivé organique de tellure, et il est raccordé à un orifice de l'électrovanne 46. Un troisième tube 45b est raccordé entre les orifices restants des électrovannes 44 et 46. L'état normalement désactivé des électrovannes 10 44 et 46 permet à de l'hydrogène gazeux de passer à partir de la source d'hydrogène, ici le régulateur de débit massique 26c, dans le tube 45b par l'intermédiaire du tube 27c et à travers le tube 47c pour purger le réacteur des gaz atmosphériques comme 15 cela est décrit ci-dessus. Pendant la croissance épitaxiale du tellurure de cadmium ou du tellurure de cadmium et de mercure sur le substrat, les vannes 44 et 46 sont activées permettant à de l'hydrogène gazeux de passer par l'intermédiaire du tube 45a dans 20 le barboteur 52 qui contient le dérivé organique de tellure 53. L'hydrogène gazeux barbote dans le dérivé organique de tellure 53 et entraîne des molécules du dérivé organique de tellure 53. En conséquence, un mélange du dérivé organique de tellure et d'hydrogène 25 (dérivé organique de tellure + H2), sort du bain de dérivé organique de tellure organique 53 par l'intermédiaire de la conduite 45c et il est acheminé vers la conduite 47a par l'électrovanne 46. Un quatrième régulateur de débit massique 26d est activé 30 pour fournir un débit prédéterminé de gaz vecteur, ici de l'hydrogène, jusqu'à l'organe de raccordement 48 par l'intermédiaire d'une vanne 50 et à travers une conduite 47b. En conséquence, un courant de vapeur de dérivés organiques de tellure diluée en fonction de la concentration du gaz vecteur, ici de l'hydrogène, sort de la conduite 47c. Le tube 27e est alimenté à partir d'un cinquième régulateur de débit massique 26e et il s'étend 5 jusqu'à un réservoir en quartz 66 (figure 3B) contenant du mercure liquide. De l'hydrogène gazeux est dirigé sur la surface du mercure liquide et des molécules de vapeurs de mercure présentes au-dessus de la surface du mercure liquide, sont entrainées par 10 le courant d'hydrogène gazeux en fournissant ainsi un courant de vapeur de mercure et d'hydrogène (Hg + H2). Le courant de vapeur est introduit dans un organe de raccordement 70 en quartz (figure 3B). Un deuxième orifice d'entrée de l'organe de raccordement 15 en quartz 70 est alimenté par l'intermédiaire d'un tube en quartz 71a qui est relié à un sixième régulateur de débit massique 26f par l'intermédiaire d'une vanne 72 et du tube 27f. En conséquence, un courant dilué de vapeur de mercure et d'hydrogène, 20 sort de l'organe de raccordement 70 par l'intermédiaire d'un tube 71b et pénètre dans le tube 60. En se référant maintenant en particulier à la figure 3B, comme cela a été décrit précédemment, 25 l'organe sensibilisateur 63 est chauffé par une bobine à haute fréquence disposée autour du réacteur tubulaire en quartz 60. Le réservoir en quartz 66 contenant le mercure liquide et la région voisine de celui-ci, sont 30 chauffés, comme cela est illustré, par effet joule à l'aide d'une source de chaleur à résistance 68 jusqu'à une température d'au moins 100'C, mais en général inférieure à 250'C, de préférence de 150 C à 180'C. La zone située immédiatement après le 35 réservoir 66 s'étendant au-delà du substrat 11 est ensuite chauffée par des groupes de lampes infrarouges 64 jusqu'à une tempérture de 100'C à 250C, une plage de températures de 150 C à 180'C étant préférée. Le chauffage des parois empêche la 5 condensation prématurée du -mercure à partir du courant de vapeur. Toutefois, le chauffage dans la plage de températures préférée, est effectué endessous de la température à laquelle le DMCd, le dérivé organique de tellure et-le mercure réagissent, 10 en limitant ainsi la chute de concentration des réactifs au-dessus de la région de croissance. On forme ainsi des films épitaxiaux de haute qualité puisque les courants dilués dudérivé organique: de tellure, de DMCd et de mercure dans le gaz vecteur 15 d'hydrogène, diminuent en outre les réactions prématurées entre le mercure et le dérivé organique de tellure, et entre le dérivé organique de tellure et le diméthylcadmium. La surface du substrat 11 exposée vers 20 l'extérieur, est dégraissée et nettoyée en utilisant des solvants appropriés et elle est ensuite polie en utilisant un matériau approprié qui décape le matériau du substrat. On utilise par exemple une solution de brome dans du méthanol pour polir 25 di m. CdTe ou GaAs avant la croissance des diverses couches épitaxiales. Le substrat 11 est ensuite disposé sur l'organe sensibilisateur 63 qui est ensuite placé dans le réacteur tubulaire en quartz 60. - En fonctionnement, le four tubulaire 60 est purgé des gaz atmosphériques par introduction d'hélium et ensuite d'hydrogène 62 comme cela a été décrit ci-dessus. L'organe sensibilisateur 63 est ensuite chauffé par induction à l'aide de la bobine à 35 haute fréquence 62, le réservoir 66 par l'organe de chauffage à résistance 68, et le réacteur tubulaire par les lampes à infrarouge 64. On laisse ensuite chacun de ceux-ci atteindre les températures de croissance. Quand le dispositif 5 20b a atteint les températures de croissance, les vannes 28, 30, 34, 44, 46, 50 et 72 sont activées en permettant aux mélanges dilués d'hydrogène gazeux et de diméthylcadmium, d'hydrogène gazeux et de dérivés organiques de tellure, et d'hydrogène gazeux et de 10 mercure, de sortir respectivement des tubes 31c, 47c, 71b en amont du substrat 11. L'hydrogène et les vapeurs organométalliques, sont à la température de fonctionnement requise gr&ce au chauffage uniforme du substrat 11 et de la région 61 autour du substrat 11. 15 Les vapeurs dirigées se décomposent en hydrocarbures gazeux, en cadmium et en tellure élémentaire selon les réactions chimiques suivantes: (CH3)2 Cd --> (CH3)2 Cd + Cd + hydrocarbures dérivé organique de tellure ----> dérivé organique de tellure + Te + hydrocarbures Le mercure élémentaire, le cadmium et le tellure réagissent ensuite pour former: 25 (1-x)Hg + (x)Cd + Te -------> Hgl_xCdxTe La composition x est ajustée en régulant le débit de H2 dans le réservoir de mercure, la 30 température du réservoir de mercure et la concentration de DMCd et de dérivé organique de tellure. Les fractions molaires (C), (c'est-à-dire les concentrations de DMCd, de dérivé organique de 35 tellure et de mercure) sont calculées de la manière suivante: C (DMCd) = H2 & travers le barboteur débit total de H2 dans le tube 60 pression de vapeur (Pa) 1,013.105 (Pa) C (dérivé organique H2 & travers le barboteur de tellure) = débit total de H2 dans le tube 60 pression de vapeur du dérivé organique de tellure 15 (Pa) 1, 013 x 105 (Pa) C (Hg) = H2 au-dessus du réservoir débit total de H2 dans le tube 60 20 pression de vapeur de H2 (Pa) X 1,013.105 (Sa) Seule une partie des vapeurs organométalliques 25 qui sont dirigées sur le substrat 11 réagit effectivement. En revanche, en raison du rendement relativement élevé suivant lequel ie dérivé organique de tellure est craqué par rapport au DeTe, la quantité de Cd, de Te et de Hg qui n'ont pas 30 réagi, ainsi que les vapeurs organométalliques de Cd et de Te présentes dans le courant de vapeur, est notablement inférieure & celle lorsqu'on utilise du DeTe de source de tellure. En conséquence, les vapeurs de dérivé organométallique n'ayant pas réagi, 35 sont évacuées du réacteur tubulaire 60 par l'intermédiaire de la conduite d'évacuation 74 et elles sont dirigées vers un four de craquage de résidus (non représenté) qui fonctionne à une température de 800'c à 900'C. Le four est utilisé pour craquer les gaz organométalliques restants en éléments et il fournit un courant gazeux qui comprend principalement de l'hydrogène et diverses hydrocarbures. Comme cela est mentionnée dans la demande 10 pendante Serial n' 838 192 déposée le 7 mars 1986 qui est une continuation de la Serial n' 749 851 déposée le 28 juin 1985 par W.E. Hoke et P.L. Lemonias qui est abandonnée, et comme cela est mentionnée dans la demande pendante Serial n' 844 489, déposée le 26 mars 1986 par W.E. Hoke et P.L. Lemonias, chacune de celles-ci étant cédée au cessionnaire de la présente invention, on obtient des vitesses de croissance élevées de HgCdTe ou autres matériaux à éléments des groupes II et VI en 20 utilisant du tellurure du diisopropyle et du tellurure de ditertbutyle dans la technique de MOCVD. La formule chimique générale du tellurure du diisopropyle est donnée cidessous: CH3 CH3 CH - Te - CH CH3 CH3 Ainsi, le tellurure de diisopropyle a une structure correspondant 2 la formule générale R2 - X - R2 dans laquelle les deux groupes alkyle R2 peuvent être identiques ou différents, dans laquelle au moins 35 un des groupes R2 est un groupe alkyle secondaire de formule générale (r2 CH-) dans laquelle r2 comprend deux atomes de carbone liés à l'atome de carbone du groupe CH. Le tellure de diisopropyle a une stabilité plus faible et donc, un rendement de craquage plus 5 important par comparaison au rendement de craquage du DeTe. Le tellurure de diisopropyle (DIPTe) est un exemple préféré d'un dérivéàgrae alky secondaire du tellure comme élément du groupe VI. Ceci est dû au fait que l'atome de carbone qui est lié à l'atome de 10 tellure dans chaque groupe CH, est lui-même lié à deux autres atomes de carbone. Une énergie moins importante est nécessaire pour rompre la liaison entre un tel atome de carbone-et l'atome de tellure, et en conséquence, le DIPTe est plus efficacement 15 craqué que le DeTe connu de l'art antérieur. La formule chimique générale du tellurure de diéthyle (DeTe) est: CH3-CH2Te-CH2-CH3 L'atome de carbone de chaque groupe CH2 est lié à l'atome de tellure, etstlui-même lié & un seul autre atome de carbone. Ce composé a donc une stabilité élevée et il est craqué à une température 25 donnée & une vitesse plus faible que le DIPTe. Des vitesses de croissance plus importantes du tellurure de cadmium et de mercure ou d'autres matériaux à éléments des groupes Il et VI ont été obtenues en utilisant du tellurure de ditertbutyle 30 dans la technique de MOCVD. La formule chimique générale du tellurure de ditertbutyle, est donnée cidessous: CH3 CH3 I I CH3 C Te - C CH3 I I CH3 CH3 Le tellurure de diterbutyle a ainsi une structure correspondant à la formule générale R3 - X - R3 dans laquelle les groupes alkyle R3 peuvent être identiques ou différents et dans laquelle au moins un des groupes R3 est un groupe alkyle tertiaire de 10 formule générale (r3 C-) dans laquelle r3 comprend trois atomes de carbone liés à l'atome de carbone C-. Le tellurure de diterbutyle a une stabilité plus faible et donc un rendement de craquage plus important comparativement au rendement de craquage du 15 tellurure de diéthyle et du tellurure de diisopropyle. Ceci est d au fait que l'atome de carbone C- est lié à l'atome de tellure,etstlui-même lié à trois atomes de carbone. Une énergie plus faible est donc nécessaire pour rompre la liaison 20 entre cet atome de carbone et l'atome de tellure, et le tellurure de diterbutyle (DTBTe) est donc plus efficacement craqué à une température donnée que le DeTe antérieur connu et le DIPTe décrit cidessus. Le tellurure de ditertbutyle est un exemple préféré d'un 25 dérivé du tellure comme élément du groupe VI. Le mécanisme responsable de la diminution de l'énergie d'activation pour la formation de radicaux libres est la délocalisation de la charge électronique non-appariée. Les groupes organiques qui 30 accroissent la délocalisation de cette charge sur la molécule du radical libre, diminuent l'énergie du radical libre et ils réduisent en conséquence l'énergie d'activation. Dans les tellurures alkyliques tels que mentionnés ci-dessus, la 35 délocalisation de la charge non appariée est due au recouvrement de l'orbitale p de l'électron nonapparié avec les orbitales sigma des groupes alkyle liés aux atomes de carbone liés à l'atome de tellure. En conséquence, en fixant des groupes alkyles sur les 5 atomes de carbone liés à l'atome de tellure, la délocalisation est accrue et l'énergie d'activation pour la formation du radical libre est en conséquence diminuée. Les couples d'atomes carbone-tellure sont 10 classés en fonction du nombre de groupes alkyle liés à ceux-ci. En conséquence, le mécanisme de délocalisation rend comptedeLIoedestabilité suivant: DMTe 0', supérieure à DeTe 1' supérieure à DIPTe 2', supérieure à DTBTe 30. Conformément à un autre aspect de la présente invention, on obtient une délocalisation plus importante et en conséquence des énergies d'activation plus faibles en utilisant le recouvrement de l'orbitale p de l'électron non20 apparié avec des doubles liaisons plutôt qu'avec des simples liaisons. Dans le radical allylique (CH2CHCH2') et le radical benzylique (C6H5,CH2'), l'électron libre est délocalisé sur l'ensemble de la chaîne carbonS -.. Dans le cas du radical allylique, 25 le radical peut être représenté par les structures équivalentes illustrées ci- dessous: CH2 w CH - CH2! 4- 'CH2 - CH - CH2 Une autre représentation du radical allylique est en conséquence la suivante: [CH2--- CH --- CH2 Les lignes en traits interrompus dans la représentation ci-dessus indiquent que l'électron non-apparié est délocalisé sur le radical pour former des doubles liaisons partielles. Les dérivés organiques allyliquesde l'élément du groupe VI (Te) ont une structure générale indiqué cidessous: X - Te - Y dans laquelle X est un groupe allyle tel que cidessus et Y est un atome d'hydrogène ou un groupe organique qui peut être identique ou différent d'un groupe allyle. La situation avec le radical benzylique est analogue à celle du radical allylique dans la mesure o les caractéristiques des doubles liaisons du cycle benzénique permettent la délocalisation de l'électron non-apparié sur l'ensemble du cycle benzénique. Le radical benzénique peut être représenté par les structures équivalentes illustrées ci-dessous: CH2 ' CH2 CH2 CH2 ItI II I l 11 i11 il H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H H En conséquence, une autre représentation du radical benzylique est: CH2 Il, H O H H. S, H Le dérivé benzylique de l'élément du groupe VI (Te) a une structure générale illustrée ci-dessous: X - Te - Y dans laquelle X est un groupe benzyle et Y est un 10 atome d'hydrogène ou un groupe organique qui peut être identique ou différent d'un groupe benzyle. Le troisième exemple de groupe pour former une molécule & élément du groupe VI ayant une stabilité diminuée, c'est-&-dire une plus faible énergie 15 d'activation, est le groupe cycloallyle. La molécule comprenant le groupe cycloallyle est déstabilisée par la présence des groupes allyle ainsi que la par la déstabilisation produite par la contrainte du cycle. Les molécules cycliques cycloallyliques, ont une 20 structure générale telle que celle mentionnée cidessous: Y Y I 1 Y - C - Te - C - C - Y C C I I Y Y dans laquelle Y peut être un atome d'hydrogène ou un 30 autre groupe organique quelconque. Des exemples de composés organotelluriques ayant de faibles énergie d'activation, sont mentionnés dans le tableau. Comme cela est mentionné ci-dessus dans les formules générales décrites, il est seulement 35 nécessaire que le composé organotellurique, comporte un seul groupe déstabilisant par formation d'un radical libre. En conséquence, le composé organotellurique formé par le tellurure de méthyle et de benzyle (CH3)Te(CH2)C6H5, a presque la même 5 stabilité et donc une énergie d'activation analogue à celle du tellurure de dibenzyle. D'autres considérations peuvent conduire à l'utilisation de certains de ces matériaux. Le tellurure de méthyle et de benzyle a par exemple une pression de vapeur 10 supérieure à celle du tellurure de dibenzyle. En conséquence, en choisissant la source du matériau à élément du groupe VI de façon à ce qu'elle soit formée par un composé organique ayant au moins un groupe organique choisi parmi des groupes alkyle 15 tertiaire et secondaire, un groupe allyle, un groupe cycloallyle et un groupe benzyle, on obtient un rendement de craquage accru du dérivé organique de l'élément du groupe VI & des températures réactionnelles plus faibles. En outre, en raison du 20 craquage accru du dérivé organique de l'élément du groupe VI, on peut obtenir des vitesses de croissance élevées.des matériaux d'éléments des groupes II et VI et à un coût réduit en raison de l'utilisation plus efficace des réactifs. De plus, puisque la croissance 25 peut avoir lieu à des températures de croissance plus faibles, la quantité de mercure utilisée pendant la croissance par exemple de HgTe ou HgCdTe, est réduite. Ceci permet d'ajuster et de réduire la concentration en mercure intertistiel et la 30 concentration de trous. Ceci réduit également la quantité de résidus toxiques produits pendant la croissance. w (a w o n tn O o (a o S" O) tn TABLEAU Formule (C6H5CI12) 2Te C13 (C6H5C12)Te (CI12CIICH2) 2Te C113(CH2CHCH2)Te (C3113)2Te ClI3(C3H3)Te Representation C6H5-CH2-Te-CI12-C6115 C1l 3-TeC12-C6115 C112=CH-CI12-Te-CI12-Cll=CH2 C11 3-Te-CI1 2-CIiCH2 I I H-C-C-Te-C-C- H %1 \11 C C * I,I Il H il I CII 3-Te--C-H C I H H Nom tellure de dibenzyle tellure de benzyle et de méthyle tellure de di(2-propèn-1-yle) tellure de méthyle et de (2-propèn-1-yl1 teilure de di(2-cyclopropèn-1-yle) tellure de méthyle et de (2-cyclopropèn-1-yle) tu e4, r M' c\ -% o (. co D'autres modifications et variantes sont bien entendu susceptibles d'être apportées à la présente invention telle qu'elle vient d'être décrite sans pour cela sortir du cadre des revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'une couche (12) 5 comprenant un matériau à basd. é]ets des groupes II et VI sur un substrat (11), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant: à diriger un courant comprenant au moins un é 1 é m e n t. du groupe II sle-sstat; & diriger un courant d'un dérivé organique d'un élément du groupe VIvrsle substrat, ledit dérivé organique comportant au moins un groupe organique ayant une énergie d'activation pour la formation d'un radical libre par dissociation du groupe de l'élément 15 du groupe VI qui est inférieure & l'énergie d'activation des groupes alkyliques primaires de l'élément du groupe VI. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'énergie d'activation -inférieure dudit 20 groupe organique, est conférée par la délocalisation d'une charge électronique non appariée sur le groupe organique choisi. 3. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que le groupe organique lié à 1'élé25 ment du groupe VI est choisi parmi un groupe allyle, un groupe benzyle et un groupe cycloallyle. 4. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que l'élément du groupe VI, est du tellure. 5. Procédé de formation d'une couche (12) sur un substrat (11), caractérisé en ce qu'il consiste: & diriger unc ratdudcivaéekqoe d'un élément du groupe VI vers le substrat, ledit dérivé organique comportant au moins un groupe lié & l'élément du groupe VI choisi parmi un groupe allyle, un groupe benzyle ou un groupe cycloallyle. 6. Procédé de formation d'une couche (12) comprenant un matériau à base d'éléments des groupes II et 5 VI sur un substrat (11), caractérisé en ce qu'il consiste: à diriger un courant comprenant au moins un élément du groupe II vers le substrat; à diriger un courant d'un dérivé organique d'un 10 élément du groupe VI vers le substrat, ledit dérivé organique comportant au moins un groupe organique choisi parmi le groupe comprenant un groupe allyle, un groupe benzyle et un groupe cycloallyle, lié à l'élément du groupe VI; et à faire réagir chimiquement les courants dirigés pour former la couche. 7. Procédé de formation d'une couche (12) comprenant un matériau à base d'éléments des groupes II et VI sur un substrat (11), caractérisé en ce qu'il 20 consiste: à diriger le courant d'une vapeur d'un composé organométallique d'un élément du groupe II vers le substrat; & diriger un courant d'un dérivé organique d'un 25 élément du groupe VI vers le substrat, ledit dérivé organique de l'élément du groupe VI comportant au moins un groupe organique choisi parmi un groupe allyle, un groupe' benzyle et un groupe cycloallyle, lié à l'élément du groupe VI; et à faire réagir chimiquement les courants dirigés du composé organométallique de l'élément du groupe II et du dérivé organométallique de l'élément du groupe VI pour former la couche. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé 35 en ce que le dérivé organique de l'élément du groupe VI est choisi parmi: du tellurure de Xbenzyle, du tellurure de X-(2-propen-l-yl), du tellurure de X(2cyclopropen-l-yl) o X est un atome d'hydrogène ou un groupe organique qui peut être identique ou différent 5 groupe organique choisi, lié à l'atome de tellure. 9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape consistant: à diriger un courant d'un métal du groupe II vers le 10 substrat et dans lequel l'étape réactionnelle comprend la réaction du métal du groupe II avec le composé organométallique de l'élément du groupe Il et le dérivé organique de l'élément du groupe VI. 10. Procédé suivant la revendication 9, 15 caractérisé en ce que la vapeur de composé organométallique de l'élément du groupe Il comprend du diméthylcadmium, le dérivé organique de l'élément du groupe VI comprend du tellurure de Xbenzyle, du tellurure de X-(2-propen-l-yl), du 20 tellurure de X-(2-cyclopropen-l-yl), o X est un atome d'hydrogène ou un groupe organique identique ou différent du groupe organique choisi, lié à l'atome de tellure, et en ce que la vapeur de métal du groupe II comprend du mercure. 11. Procédé suivant la revendication 8, caractérisé en ce qu'on fait réagir les vapeurs à une température de 120'C à 400C. 12. Procédé suivant la revendication 8, caractérisé en ce qu'on fait réagir les vapeurs à une 30 température de 150C à 300'C. 13. Procédé suivant la revendication 8, caractérisé en ce qu'on fait réagir les vapeurs à une température de 160'C à 220'C. 14. Procédé de formation d'une couche (12) 35 d'éléments des groupes II et VI sur un substrat (11), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant: à diriger un courant d'un composé organométallique d'un élément du groupe II vers le substrat; à diriger un courant d'un dérivé organique d'un élément du groupe VI vers le substrat, ledit dérivé organique de l'élément du groupe VI ayant la formule générale Rl-,XR2, o R1 et R2 peuvent être identiques ou différents et et au moins un des groupes D, R2, etun groupe choisi parmi un groupe allyle, benzyle et cycloallyle, et X est un élément du groupe VI, et à faire réagir lesdits courants pour former la couche d'éléments des groupes Il et VI. 15. Procédé suivant la revendication 14, caractérisé en ce que la vapeur de composé organométallique d'élément du groupe II comprend du diméthylcadmium et en ce que le dérivé organique de l'élément du groupe VI est choisi parmi du tellurure 20 de X-benzyle, du tellurure de X-(2propen-l-yl), du tellurure de X-(2-cyclopropen-l-yl), o X est un atome d'hydrogène ou un groupe organique lié à l'atome de tellure qui peut être identique ou différentdu groupe organique choisi, lié à l'élément 25 du groupe VI. 16. Procédé suivant la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape consistant à diriger un courant d'un métal du groupe II 30 vers le substrat et dans lequel l'étape réactionnelle comprend la réaction du métal du groupe II avec le composé organométallique de l'élément du groupe Il et le dérivé organique de l'élément du groupe VI. 17. Procédé suivant la revendication 16, 35 caractérisé en ce que la vapeur de composé organométallique de l'élément du groupe II, comprend du diméthylcadmium, en ce que le dérivé organique de l'élément du groupe VI comprend un dérivé organique choisi parmi du tellurure de X-benzyle, du tellurure 5 de X-(2-propen-l-yl), du tellurure de X-(2cyclopropen-l-yl), o X est un atome d'hydrogène ou un groupe organique lié & l'atome de tellure. 18. Procédé suivant la revendication 15, caractérisé en ce qu'on fait réagir les vapeurs à une 10 température de 120'C à 400C. 19. Procédé suivant la revendication 15, caractérisé en ce qu'on fait réagir les vapeurs & une température de 150C & 300C. 20. Procédé suivant la revendication 15, 15 caractérisé en ce qu'on fait réagir les vapeurs à une température de 160*C à 220QC. 21. Procédé suivant la revendication 17, caractérisé en ce qu'on fait réagir les vapeurs à une température de 120'C à 400C. 22. Procédé suivant la revendication 17, caractérisé en ce qu'on fait réagir les vapeurs à une température de 150'C à 300C. 23. Procédé suivant la revendication 17, caractérisé en ce qu'on fait réagir les vapeurs à une 25 température de 160'C à 220'C.