FR 2593632 A1 19870731 FR 8601084 A 19860127 Ecran d'affichage à matrice active et procédés de réalisation de cet écran La présente invention a pour objet un écran d'affichage à matrice active et des procédés de réalisa- tion de cet écran. D'une façon générale, un écran d'affichage à matrice active est constitué de points d'image (appelés encore "pixels" ou "eldims") ranges sous forme matri- cielle et situés aux croisements de lignes et de colon- nes d'adressage. Chaque point d'image comprend un tran- sistor en couches minces (TCM en abrégé) et un condensa- teur. Les armatures de ce condensateur sont constituées par un pavé conducteur disposé sur L'une des plaques de La ceLlule et par une contre électrode disposée sur L'autre pLaque de La cellule. La demande de brevet français FR-A-2 533 072 décrit un dispositif de ce genre. Sur l'une des plaques de L'écran sont déposés des pavés conducteurs transpa- rents reliés chacun à un appendice et formant chacun une des armatures du condensateur. Sur cette plaque sont également déposées des Lignes et des colonnes conductri- ces. Les Lignes passent au-dessus des appendices des pavés et croisent les colonnes conductrices. Les zones de recouvrement d'une ligne respectivement avec une co- tonne et un appendice, définissent la source et le drain d'un TCM. La grille de ce transistor est constituée par la partie de La ligne qui est située entre l'appendice et te conducteur colonne. Sur l'autre plaque de L'écran est déposé un matériau conducteur transparent formant L'autre armatu- re des condensateurs. L'inconvénient de ce genre de dispositif est qu'à chaque croisement d'une ligne et d'une colonne, il faut assurer un isolement électrique entre Les conduc- teurs. Or, ceci constitue un problème technologique dif- ficile. Des courts-circuits peuvent se produire à ces croisements, qui rendent en partie inutiLisable l'écran d'affichage. Pour résoudre ce problème, la demande de bre- vet français FR-A-2 553 218 propose un écran d'affichage à matrice active sans croisement des lignes et des co- lonnes d'adressage, grâce à une disposition qui est re- présentée sur La figure 1. L'une des deux plaques de l'écran d'affichage est constituée d'une matrice de paves conducteurs E11, E12,..., de transistors T11 T12, etc..., de lignes de commande 14 et de lignes de réfé- rence 16. Les grilles de tous Les transistors d'une même ligne sont reLiées à une même ligne 14. Un circuit 12 commande séquentieLttement Les Lignes. La source de cha- que transistor est reliée aux lignes de référence por- tées à un potentiel de référence constant Vs. La seconde plaque de l'écran d'affichage (non représentée sur La figure), porte des conducteurs disposés en coLonnes et recevant une tension vidéo de commande. Ces conducteurs colonnes comprennent des pavés conducteurs disposés en regard des pavés portés par La première plaque. Un point image ou pixel est alors défini par La zone de recouvre- ment de deux pavés conducteurs situés en regard L'un de L'autre. Dans un tel écran d'affichage, les courts-cir- cuits entre Lignes et colonnes d'adressage se trouvent bien supprimés, puisque ces Lignes et ces coLonnes se trouvent sur deux plaques différentes, séparées L'une de L'autre par Le cristal Liquide. Néanmoins, iL subsiste encore des risques de court-circuit dans le TCM, ce qui peut endommager une ligne de points d'image. En effet, en se référant à La figure 1, on voit que Lors d'un court-circuit entre la grille et La source d'un transistor, toute une Ligne sera portée au potentiel Vs, ce qui rend défectueuse une ligne entière de pixels. La présente invention a justement pour but de remédier à cet inconvénient. A cette fin, eLle préconise de relier la source d'un transistor, dont La grille est reliée à une certaine ligne, à la ligne suivante, et ceci par une résistance. Dans ces conditions, La Ligne de référence de l'art antérieur se trouve supprimée et il n'existe plus qu'une Ligne de commande par ligne de pixels. Par ail- leurs, si un transistor se trouve être en court-circuit, il ne gêne en rien le fonctionnement des autres transis- tors. De toute façon, Les caractéristiques et avan- tages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre, d'exemples de réalisation donnés à titre explicatif et nullement limitatif. Cette description se réfère à des dessins annexés sur les- quels: - la figure 1, déjà décrite, représente un écran d'affichage à matrice active selon l'art anté- rieur, - Les figures 2a et 2b représentent, de maniè- re schématique, un écran d'affichage selon l'invention, - la figure 3 représente un schéma électrique équivalent, - la figure 4 représente une suite de tensions apparaissant en divers points de l'écran, - la figure 5 représente un mode particulier de réalisation de l'invention, - la figure 6 représente un schéma équivalent correspondant au mode de réalisation de La figure précé- dente, - la figure 7 montre un détail de l'écran dans une première variante, - la figure 8 montre, en coupe, La structure de la première plaque en divers endroits, - la figure 9 montre encore deux variantes de réalisation des transistors, - la figure 10 montre l'allure générale des deux plaques d'un écran conforme à l'invention, - la figure 11 montre un arrangement particu- lier des points d'affichage, dans Le cas d'affichage en couleur. Sur La figure 2a, on voit un pavé conducteur Pij échancré et muni d'un appendice rectangulaire dans la partie supérieure, une bande conductrice Bij épousant la forme de l'échancrure, longeant le pavé et se termi- nant à la hauteur de l'appendice, et diverses Lignes d'adressage Li-1, Li, Li+1. La ligne Li chevauche l'ex- trémité supérieure de La bande Bij et l'appendice Lié au pavé. Cette Ligne forme, dans cette zone de recouvre- ment, un transistor en couches minces Tij. On voit enfin un pont conducteur Kij qui reLie L'extrémité inférieure de la bande Bij à La Ligne Li+1. Sur La figure 2b, on voit des colonnes Cj-1, Cj, Cj+1 qui, Lorsque Les deux plaques sont superposées, recouvrent Les colonnes de pavés. La figure 3 représente un schéma électrique équivalent correspondant au dispositif des figures 2a et 2b. Le transistor Tij comprend une griLLe G, un drain D et une source S. La griLLe est reliée à la ligne Li, Le drain à l'armature constituée par le pavé Pij, L'autre armature étant reliée à La colonne Cj. La source est reliée à la ligne Li+1 par une résistance Rij. Par aiL- Leurs, Les lignes Li sont reliées à un circuit de com- mande lignes CCL et Les colonnes Cj à un circuit de commande colonnes CCC. Avec une telle structure, si un transistor présente un court-circuit griLLe-source, La résistance Rij évite tout court-circuit entre Les lignes Li et Li+1. Un court-circuit griLLe-drain ne met pas non plus en court-circuit La ligne et la colonne à cause de l'isolement gaLvanique procuré par le condensateur d'af- fichage; enfin, un court-circuit ligne-colonne est im- possible car ces lignes et ces colonnes sont physique- ment séparées puisqu'appartenant à deux plaques diffé- rentes. Avec une telle structure, la tension appliquée à la ligne Li+1 doit être liée à la tension appliquée à la ligne Li, pour que le transistor Tij soit correcte- ment alimenté pendant l'affichage de tous les éléments d'image de la ligne Li. Un exemple de tension de comman- de est représenté sur la figure 4. Ces tensions corres- pondent au cas particulier o le transistor est en sili- cium amorphe à canal n, ce qui correspond à une tension de seuil positive. Sur la ligne a, on voit La tension appliquée sur la ligne Li, c'est-àdire, en définitive, sur les grilles G des transistors reliés à cette ligne. Cette tension est d'abord négative et égale à une valeur Vbl, puis égale à 0, puis égale à une tension positive Vde, puis elle revient à la valeur Vbl. La tension ap- pliquée à la ligne suivante Li+1 présente la même forme mais est décalée d'une période T égale à la durée totale de commande de l'écran divisée par le nombre de lignes. Cette tension est celle des sources des transistors re- liées à la ligne Li+1. Tant que la source et la grille du transistor sont au même potentiel et que ce potentiel est inférieur àlatensiondedrain, le transistor est bloqué. Lorsque la tension de grille devient supérieure à la tension de source, le transistor devient passant. C'est ce qui est schématisé sur la figure 4 par la colonne hachurée. Lorsque le transistor est bloqué, le drain est isolé et son potentiel suit le potentiel de la colonne associée. La tension appliquée à la colonne Vj est représentée sur la ligne c et le potentiel de drain sur la ligne d. Lorsque Le transistor est passant, le potentiel de drain devient égal au potentiel de source. Pour connaître l'excitation appliquée au cristal liquide, il faut dé- terminer la différence de potentiel des deux armatures du condensateur, c'est-à-dire, en définitive, la diffé- rence entre le potentiel de la colonne Vj et le poten- tiel du drain Vdr. C'est ce qui est représenté sur la dernière ligne e sous forme de la tension Vcl. On voit que cette tension est établie en permanence sur le point commandé correspondant à la ligne Li et à la cotonne Cj et qu'en outre, cette tension est de polarité alternée, tantôt négative (pour une trame), tantôt positive (pour la trame suivante). Cette disposition est habituelle dans les écrans d'affichage à cristaux liquides. Elle est destinée à éviter des effets parasites d'accumula- tion de charge qui seraient préjudiciables au cristal liquide. Pour que la résistance qui relie la source à la ligne ne perturbe pas le fonctionnement des circuits de commande, il faut que cette résistance soit très su- périeure à L'impédance de sortie desdits circuits. Par ailleurs, pour que cette résistance ne modifie pas trop le comportement du transistor, il faut qu'elle soit très inférieure à la résistance du transistor lorsque celui- ci est passant. Des exemples de résistances seront don- nés plus loin. On peut imaginer des tensions de Lignes plus complexes que celles qui sont représentées sur la figure 4 pour éviter de mettre en danger le transistor. En ef- fet, si Vmax est la valeur absolue de la plus grande tension Vcl, on peut montrer que le potentiel de drain Vdr prend ses valeurs sur une plage de largeur 4 Vmax. La tension Vmax pouvant atteindre 7 V, la tension Vdr pourrait donc atteindre environ 30 V, ce qui est consi- dérable. On peut alors imaginer des tensions de ligne plus sophistiquées, à plus de trois niveaux (par exemple 4 ou 6), qui limitent cette valeur. Sur la figure 5, on voit une variante de réa- lisation dans laquelle les transistors et les pavés sont montés de manière symétrique, deux à deux. Plus précisé- ment, les pavés Pi,j et Pi, j-1 sont tournés de telle sorte que leurs appendices soient situés dans le coin supérieur gauche pour le premier et dans le coin supé- rieur droit pour le second. Les transistors Ti,j-1 et Ti,j ont alors une source commune, qui est reliée à la ligne Li+1 par une bande résistive unique Bi,j-1,j et un pont unique Ki,j-1,j. Le schéma électrique équivalent est représen- té sur la figure 6. Les deux transistors Ti,j-1 et Ti,j ont leurs sources respectives Si,j-1 et Si,j reliées entre elles et à La résistance Ri,j-1,j. Pour réaliser les structures qui viennent d'être décrites, on peut mettre en oeuvre un procédé à trois niveaux de masquage et s'y prendre comme suit: - tout d'abord, dépôt sur un substrat isolant (en verre par exemple) d'une couche conductrice transparente (par exemple en oxyde d'indiumétain ou ITO), - première photogravure de cette couche pour définir les pavés conducteurs Pij munis de leur appendice et les bandes conductrices Bij longeant chaque pavé et chaque appendice, - dépôt d'un empilement formé d'une couche de silicium amorphe hydrogéné, d'une couche d'isolant et d'une couche métallique, - deuxième photogravure appliquée à l'empilement précé- dent pour former les lignes d'adressage Li chevauchant l'une des extrémités des bandes conductrices Bi,j et les appendices des pavés, les transistors Ti,j étant constitués dans ces zones de chevauchement, - dépôt d'une couche métallique et troisième photogravu- re appliquée à cette couche pour laisser subsister les ponts conducteurs Ki,j établissant la connexion entre l'autre extrémité des bandes conductrices Bi,j et la ligne Li+1. Dans les variantes qui viennent d'être illus- trées les appendices reliés aux pavés sont situés à la partie supérieure de ceux-ci, de sorte que c'est la li- gne d'adressage elle-même qui, chevauchant ces appendi- ces, forme les diverses grilles des transistors. Mais ces appendices peuvent être situés aussi bien sur les parties latérales des pavés, dans la partie médiane de ceux-ci. Dans ce cas, il est nécessaire de former une bande supplémentaire destinée à relier la ligne à la grille des transistors. C'est ce qui est représenté sur la figure 7. On y voit deux pavés Pi,j et Pi,j-1 possé- dant deux appendices latéraux, et une bande Gi,j-1,j que l'on peut qualifier de "descendante", en ce sens qu'elle part de la ligne Li située au-dessus des pavés, descend entre deux pavés et se termine par une extrémité élargie qui recouvre les appendices latéraux. La bande Bi,j-1,j peut être qualifiée de "montante" car elle part de la Ligne Li+1 qui passe sous les pavés et monte entre les pavés pour se terminer sous la grille commune des tran- sistors. Cette structure présente un certain nombre d'avantages dont le premier est qu'elle peut être obte- nue par un procédé à deux niveaux de masquage (au Lieu de trois comme dans les variantes précédentes). Ces deux niveaux apparaissent sur la figure 7 grâce à la conven- tion suivante: les zones dessinées en tirets et hachu- rées à 45 à l'aide de hachures allant du haut à droite en bas à gauche correspondent au premier niveau de mas- quage (pavés, appendices, bandes montantes, et lignes); les zones dessinées en trait plein et hachurées à 45e avec des hachures allant du haut à gauche en bas à droi- te correspondent au second niveau de masquage (bandes descendantes et lignes). Pour réaliser une telle structure, on peut s'y prendre de la manière suivante: - tout d'abord, dépôt sur un substrat isolant (verre par exemple) d'une couche conductrice transparente (en ITO par exemple) et d'une couche d'un premier métal (par exemple en aluminium), - première photogravure définissant les pavés Pi,j les lignes d'adressage Li et les bandes conductrices mon- tantes Bi,j-1,j, - dépôt d'un empilement formé d'une couche de silicium amorphe hydrogéné, d'un isolant (par exemple SiO2 ou Si3N4) et d'un second métal (par exemple de l'alumi- nium), la couche de silicium amorphe hydrogéné et la couche d'isolant s'interrompant en bout de ligne avant la couche de second métal, - seconde photogravure appliquée à cet empilement pour laisser subsister cet empilement sur Les lignes et sous forme de bandes descendantes Gi,j-1, j partant d'une ligne et chevauchant la seconde extrémité de la bande conductrice montante, et les appendices des pavés, cette seconde photogravure dégageant la couche conductrice transparente des pavés et de partie média- ne des bandes Bi, J-1, J. Avec un tel procédé, on aboutit à des lignes d'adressage qui comprennent une couche conductrice transparente et deux couches métalliques superposées en contact l'une avec l'autre en bout de ligne. Cette structure, redondante, permet de réduire considérable- ment les risques de coupure de lignes. En effet, même s'il existe une coupure d'une des couches métalliques, l'une ou l'autre des deux autres couches assurera un état équipotentiel à toute la ligne. La figure 8 permet de préciser encore cette structure. Il s'agit de coupes faites en diverses zones de la première plaque. La coupe a correspond aux zones o il n'y a aucun dépôt conducteur, c'est-à-dire entre les lignes et les pavés; on y voit un substrat 10 re- couvert d'une couche de passivation 11. La coupe b est faite au-dessus des pavés: elle montre le substrat 10, une couche 12 en ITO et une couche de passivation 14 (par exemple en SiO2). La coupe c est faite dans la zone du canal des transistors: elle montre le substrat 10, une couche 16 de aSi:H,une couche 18 d'isolant de gril- le, par exemple en SiO2, une couche 20 métallique (en aluminium par exemple) et enfin une couche 22 de passi- vation (en SiO2). La coupe d enfin est faite Le long d'une ligne d'adressage: elle montre le substrat 10, la couche 12 d'ITO, une couche du premier métal 13, la cou- che 16 de aSi:H, la couche isolante 18 (en SiO2), la couche 20 en second métal et la couche de passiva- tion 22. La figure 9 montre encore deux variantes de réalisation des transistors. Sur La partie a on se pré- munit contre les désalignements des masques dans le sens vertical en donnant à la bande montante Bi,j-1,j une extrémité rectangulaire de largeur supérieure à la lar- geur de la bande descendante. Sur la partie b on se prémunit, en outre, contre les désalignements dans le sens horizontal, en dégageant une ouverture dans les pavés. On évite ainsi l'apparition de transistors pa- rasites qui résulteraient de débordements de la bande descendante par rapport à la bande montante. On observera que, dans les modes de réalisa- tion qui viennent d'être décrits en liaison avec les figures 7 et 9, il existe un transistor parasite s'éten- dant entre la zone médiane o l'on trouve les deux tran- sistors à source commune et la ligne supérieure Li. Mais W un tel transistor présente un rapport L de la largeur à la longueur très petit, de l'ordre de 0,1, ce qui le rend pratiquement inoffensif. i Dans tous Les modes de réalisation qui vien- nent d'être décrits, la résistance reliant La source des transistors à La Ligne suivante est constituée par La première couche conductrice déposée, qui est par exemple en ITO. Cette couche peut présenter une valeur supérieu- re à 10 kJlpar carré, et par exemple 20 k-ipar carré. La bande peut avoir une longueur égale à 10 fois sa lar- geur, ce qui correspond à 10 carrés, soit une résistance totale de 200 kJlL. La figure 10, partie a, représente une plaque inférieure conforme aux dernières variantes illustrées (une partie seulement des points d'affichage sont repré- sentés par souci de simplification). Les lignes impaires sont reliées à des plots de connexion 31, 33, 35, etc... situés à gauche de la zone d'affichage et les lignes paires à des plots 32, 34, 36, etc... situés à droite de cette zone. Les plots 40 situés en haut et 50 situés en bas de la zone d'affichage servent au report des con- nexions des colonnes. Celles-ci sont illustrées sur la partie b de la figure 10. Elles sont constituées, comme les pavés, par un conducteur transparent, par exemple en ITO à 100J. par carré. L'invention qui vient d'être décrite peut être combinée avec une autre disposition qui fait l'objet d'une autre demande de brevet au nom du même inventeur, et déposée à la même date que la présente demande, et qui préconise de relier les lignes entre elles par des résistances appropriées. De cette manière, si une ligne est coupée, la partie isoLée de la ligne n'est pas flot- tante mais portée à un potentiel égal à la demi-somme des potentiels des lignes adjacentes auxquelles elle est reliée. Pour terminer, il faut souligner que la posi- tion des éléments d'affichage n'est pas nécessairement la même d'une ligne à la suivante. On peut décaler cest éléments d'un demi-pas, comme illustré sur la figure 11. Les éléments peuvent correspondre alors à L'affichage de trois couleurs primaires, rouge (R), vert (V) et bleu (B). Naturellement, les colonnes doivent épouser cette disposition en quinconce et présenter des décrochements appropriés d'une demi-période, comme représenté en ti- rets sur la figure 11. REVENDICATIONS 1. Ecran d'affichage à matrice active compre- nant une première plaque sur laquelle sont déposés des pavés conducteurs (Pij), des transistors de commande (Tij) ayant un drain (D), une grille (G) et une source (S) et des lignes conductrices d'adressage (Li) aptes à être reliées à un circuit de commande ligne (CCL), les grilles (G) des transistors (Tij) étant reliées aux li- gnes (Li) et les drains (D) aux pavés (Pij), une seconde plaque comprenant des colonnes conductrices d'adressage (Cj) recouvrant les pavés (Pij) de la première plaque, et un cristal liquide inséré entre les deux plaques, cet écran étant caractérisé par Le fait que La source (S) d'un transistor (Tij) dont la grille (G) est reLiée à une Ligne (Li) de rang i est reLiée à La Ligne suivante (Li+1) de rang i+1 par une résistance (Ri-j). 2. Ecran d'affichage selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la résistance (Rij) a une valeur très supérieure à l'impédance de sortie des cir- cuits de commande lignes (CCL) et très inférieure à La résistance des transistors (Tij) Lorsqu'ils sont pas- sants. 3. Ecran d'affichage selon la revendication 1, caractérisé par le fait que La résistance qui relie une source d'un transistor à une ligne est constituée par une bande (Bij) de matériau conducteur déposée sur la première plaque et s'étendant le long d'un pavé. 4. Ecran d'affichage selon la revendication 1, caractérisé par le fait que Les pavés (Pij) et les transistors (Tij) sont disposés symétriquement deux à deux, deux transistors symétriques (Ti,j-1, Ti,j) ayant une source commune, une seule bande conductrice (Bi,j-1,j) reliant cette source commune à la ligne cor- respondante (Li+1) et s'étendant entre deux pavés symé- triques. 5. Ecran selon la revendication 4, caractérisé par Le fait que les transistors (Ti,j-1 et Ti,j) asso- ciés à deux pavés symétriques sont disposés entre ces deux pavés, dans leur partie médiane, les grilles des deux transistors étant reliées à la Ligne (Li) de rang i par une première bande conductrice (Gij) s'étendant en- tre les deux pavés et La source commune de ces deux transistors étant reliée à la ligne (Li+1) de rang i+1 par une seconde bande (Bij) s'étendant entre les deux pavés. 6. Procédé de réaLisation d'un écran d'affi- chage conforme à La revendication 1, caractérisé par Le fait que, pour réaliser La première plaque, on effectue les opérations suivantes: - dépôt sur un substrat isolant (10) d'une couche con- ductrice transparente (12), - première photogravure de cette couche définissant des pavés conducteurs (Pij) aunis d'un appendice et des bandes conductrices (Bij) longeant chaque pavé et cha- que appendice, - dépôt d'un empilement formé d'une couche de silicium amorphe hydrogéné (16), d'une couche d'isolant (18) et d'une couche métallique (20), - deuxième photogravure appliquée à L'empitement précé- dent pour former des lignes chevauchant L'une des ex- trémités des bandes conductrices et les appendices, des transistors étant constitués dans ces zones de chevauchement, - dépôt d'une couche métallique et troisième photogravu- re appliquée à cette couche laissant subsister des ponts conducteurs (Kij) établissant une connexion entre l'autre extrémité des bandes conductrices (Bij) et la ligne adjacente (Li+1). 7. Procédé de réalisation d'un écran d'affi- chage conforme à la revendication 1, caractérisé par le fait que, pour réaliser La première plaque on effectue les opérations suivantes: - dépôt sur un substrat isolant (10) d'une couche con- ductrice transparente (12) et d'une couche d'un pre- mier métal (13), - première photogravure définissant des pavés (Pij), des lignes d'adressage (Li) et des bandes conductrices (Bij) longeant chaque pave, ces bandes étant reliées à une première extrémité à une des lignes (Li+1), - dépôt d'un empilement formé d'une couche de silicium amorphe hydrogéné (16), d'un isolant (18) et d'un second métal (20), la couche de silicium amorphe hydrogéné (16) et la couche d'isolant (18) s'interrom- pant en bout de ligne avant la couche de second métal, de sorte que celleci vient en contact avec la couche du premier métal, - seconde photogravure de cet empilement laissant subsister cet empilement sur les lignes et sous forme de bandes de connexion (Gij) partant d'une ligne (Li) et chevauchant la seconde extrémité de la bande con- ductrice (Bij) et l'appendice des pavés, cette seconde photogravure dégageant la couche conductrice transpa- rente des pavés et de la partie médiane des bandes (Bij), chaque ligne comprenant ainsi une couche con- ductrice transparente et deux couches métalliques superposées et en contact l'une avec l'autre en bout de ligne.