FR 2588277 A1 19870410 FR 8613803 A 19861003 La présente invention concerne de façon générale la formation de couches minces de tungstène sur des substrats. Elle porte plus précisément sur un procédé pour déposer des couches adhérentes de tungstène sur des surfaces diélectriques telles que du dioxyde de silicium et du nitrure de silicium. Dans la fabrication de dispositifs à semiconducteurs, il est souvent souhaitable de déposer des couches ou des pel- licules minces de métal sur diverses surfaces diélectriques, pour former les éléments de circuits intégrés. On appelle sou- vent métallisation le processus de dépôt de pellicules de mé- tal. Du fait que des contraintes variables sont associées aux couches résultant de la métallisation, et du fait que les in- terfaces entre ces couches présentent des degrés variables de liaison chimique, on a constaté que certains métaux n'adhèrent pas très bien sur des diélectriques. C'est le cas pour le tungstène déposé par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur du dioxyde de silicium, comme indiqué par C.M. Melliar-Smith, et col., dans "Chemical Vapor Deposited Tungsten for Semicon- ductor Metallizations", Journal of the Electrochemical Society Vol. 121, N .2, pages 298-303. Il est cependant souhaitable de former des pellicu- les de tungstène adhérentes sur des surfaces diélectriques, dans la mesure o le tungstène présente une conductivité éle- vée et ne donne pas lieu à une migration dans des zones à densité de courant élevée dans lesquelles la pellicule est mince, comme c'est le cas pour l'aluminium. On appelle souvent ce phénomène "électromigration", et il peut entraîner la sépa- ration de parties de la couche de métallisation. De plus, le silicium est soluble dans l'aluminium et lorsque ces corps sont encontact, le silicium pénètre à travers la surface de l'aluminium, en laissant un vide entre les deux surfaces. Ce phénomène est quelquefois appelé "spiking". Le silicium n'est pas soluble dans le tungstène et du fait de sa conductivité élevée et de sa résistance élevée à la migration, on a tenté d'emplir avec du tungstène les trous de contact et les passages formés dans des circuits in- tégrés, comme dans le procédé décrit dans la demande de bre- vet des E.U.A. n 733445, déposée en mai 1985 et cédée à la demanderesse. Dans de tels traitements, on dépose sélective- ment du tungstène sur des surfaces métalliques et semiconduo- trices, sur lesquelles l'adhérence est satisfaisante. On ne désire pas dans ces traitements effectuer un dépôt sur les surfaces diélectriques. Il serait avantageux de déposer du tungstène d'une manière permettant d'emplir les trous de contact et les pas- sages simultanément à la formation d'une couche de métallisa- tion. Le rendement de fabrication serait amélioré et le nom- bre d'interfaces de contact serait réduit, améliorant ainsi les performances du dispositif. On a habituellement surmonté les problèmes liés à l'adhérence de couches de métallisation par l'utilisation d'un agent favorisant l'adhérence ou d'une "couche d'adhéren- ce" entre les matières non adhérentes. Il a été cependant difficile d'obtenir des agents d'ahdérence convenant pour des pellicules de tungstène déposées par dépôt chimique en phase vapeur. Les siliciures de tungstène sont des agents d'adhé- rence connus pour le tungstène obtenu par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Il est cependant difficile de déposer des couches de siliciure de tungstène (WSi2). Un équipement spé- cial est nécessaire pour former ces couches par réaction de SiH4 et WF6. Dles eouches d'adhérence déposées par pulvéri- sation cathodique sont beaucoup plus simples à former et ne nécessitent pas un équipement complexe. On a suggeré l'utili- sation de titane et de chrome déposés par pulvérisation ca- thodique, à titre d'agents d'adhérence pour le tungstène dé- posé par CVD. On a cependant trouvé que ces matières n'étaient pas satisfaisantes. Dans le document intitulé "A Study of the Adherence of Tungsten and Molybdenum Coatings", par J.J. Federer, et col. Proceedings of the International Conference on Chemical Vapor Deposition, 3ième édition, pages 591-599, les auteurs citent en tant que raison pour une mauvaise adhé- rence l'existence d'une réaction de déplacement entre le chrome et les gaz de dépôt chimique en phase vapeur. Cette réaction de déplacement attaque et fait disparaître la couche de chrome. Le brevet des E.U.A. n 4404 234 déposé par M.L. Tarng et col. décrit un procédé pour déposer des pellicules de tungstène par pulvérisation cathodique sur une surface diélectrique. Tarng et col. favorisent l'adhérence de couches de métallisation formées par pulvérisation cathodique en re- couvrant partiellement une surface diélectrique en dioxyde de silicium avec du tungstène ou du molybdène déposé par CVD. Les dépôts partiels de tungstène ou de molybdène forment de petits Flots sur la surface diélectrique, ce qui rend la surface ru- gueuse pour favoriser l'adhérence. Malheureusement, ce proces- sus ne convient pas pour la fabrication de circuits intégrés ayant une densité de composants élevée et des rapports de for- me élevés, comme c'est nécessaire dans des applications à ni- veau d'intégration très élevé (VLSI) et extrêmement élevé (ULSI). Des couches de métallisation formées par pulvérisa- tion cathodique ne procurent pas l'uniformité qu'on obtient avec des couches de métallisation formées par CVD, et elles ne se conforment pas aussi bien à la surface sous-jacente. I.A. Blech et H.A. Vander Plas illustrent ceci dans leur ar- ticle intitulé "Step Coverage Simulation and Measurement in a dc Planar Magnetron Sputtering System", J. Appli. Phys., 2588277_ Vol. 54(6), juin 1983, qui est incorporé ici par référence. Plus précisément, Blech et Plas examinent la couverture de régions non planes par des couches formées par pulvérisation cathodique, qui est appelée "couverture de marche" dans l'ar- ticle précité. Ce défaut de conformité de couches formées par pulvérisation cathodique est dû au fait que la pulvérisation cathodique est un traitement de projection dans lequel la source de métal est éloignée de la surface, ce qui fait qu'il est difficile d'obtenir un défaut uniforme. Dans des traite- ments de dépôt chimique en phase vapeur, la source de métal est un gaz qui vient en contact avec la surface de la couche sous-jacente, ce qui permet d'avoir une possibilité de dépôt uniforme en chaque point de la surface. Il en résulte qu'il est difficile de remplir avec des traitements de pulvérisa- tion cathodique des régions non planes ayant des rapports de forme élevés (ayant un rapport hauteur/largeur supérieur à 1/2). L'invention a été faite dans le but de satisfaire le besoin qui existe dans la technique concernant un procédé commode pour former des couches de métallisation adhérentes en tungstène, obtenues par dépôt chimique en phase vapeur et convenant pour l'utilisation dans des applications à des cir- cuits VLSI et ULSI. Dans son aspect le plus large, l'invention consiste en un procédé de fabrication de pellicules de tungstène adhé- rentes déposées sur une surface diélectrique par dépôt chimi- que en phase vapeur. On obtient de telles couches par l'uti- lisation d'un agent d'adhérence ou d'une couche d'adhérence en molybdène. Cette couche d'adhérence en molybdène n'est pas attaquée par les gaz réactifs du dépôt chimique en phase vapeur de tungstène, et elle favorise une excellente adhéren- ce du tungstène sur le dioxyde de silicium à la fois dans des régions planes et des régions non planes ayant des rapports de forme (hauteur/largeur) élevés, en particulier lorsque les valeurs de rapport de forme sont supérieures à 1. Plus préci- 2-588277 ment, l'invention porte sur un procédé pour déposer une pel- licule de tungstène conforme et continue sur une surface diélectrique consistant en dioxyde de silicium ou en nitrure de silicium, qui comprend les opérations suivantes: on dé- pose du molybdène sur une surface diélectrique, par pulvéri- sation cathodique, pour former une couche continue sur cette surface; et on dépose ensuite du tungstène sur la couche adhérente en molybdène, par dépôt chimique en phase vapeur. Le but principal de l'invention est de procurer un procédé pour améliorer l'adhérence de pellicules de tungstène formées par CVD sur du dioxyde silicium, afin d'obtenir une couche de métallisation conforme et continue, convenant pour l'utilisation dans des circuits intégrés. D'autres buts res- sortiront de la description détaillée qui suit. Les surfaces diélectriques qu'on peut traiter con- formément à l'invention comprennent des surfaces de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium. De telles surfaces sont très courantes dans les transistors et les circuits in- tégrés qu'utilise l'industrie électronique. Ces surfaces peu- vent être formées par pulvérisation cathodique sur un substrat tel que la surface de semiconducteur d'une tranche ou d'une puce de silicium, pour établir une couche isolante sur le substrat. On peut également former une couche de dioxyde de silicium en oxydant la surface semiconductrice en silicium du substrat. De plus, on peut déposer la couche de dioxyde de si- licium sur un substrat par dépôt chimique en phase vapeur ou par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, par la réaction d'homologues du silane, c'est-à-dire SiH4 et SiCl2H2, avec une source d'oxygène, c'està-dire 02 et N20. Pour le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, un généra- teur RF crée un plasma qui renforce l'activité du gaz, ce qui permet d'effectuer le dépôt à de plus faibles temprétaures. Les surfaces diélectriques peuvent être des surfaces planes continues, ou bien elles peuvent être des surfaces non planes dans lesquelles on a défini des motifs, telles que les 2588277.. surfaces d'une tranche de silicium dans laquelle on a formé des trous de contact et des passages au niveau desquels le substrat sous-jacent est à nu. On peut obtenir ces surfaces diélectriques comportant des motifs par des procédés bien connus dans la technique, comme un traitement de photolitho- graphie dans lequel la surface est traitée avec une matière de réserve photographique, masquée et exposée à de l'énergie rayonnante. Lorsque la surface diélectrique comportant un motif est obtenue par photolithographie, la profondeur des trous de contact est de préférence comprise entre environ 1 nanomètre et 3 microns, et elle est plus préférablement com- prise entre environ 50 nanomètres et 1 micron. On dépose sur cette surface diélectrique une cou- che d'ahdérence ou un agent d'adhérence, consistant en mo- lybdène, en procédant par pulvérisation cathodique. On uti- lise ici le terme "pulvérisation cathodique" pour désigner un procédé de dépôt de pellicules métalliques dans lequel on extrait des atomes de métal d'une électrode en une matière source, en bombardant l'électrode avec les ions d'un gaz inerte, tel que de l'argon. On produit ces ions argon en ir- radiant l'argon avec un rayonnement radiofréquence. On fait passer un courant continu dans l'électrode pour attirer les ions argon. Les ions argon qu'on utilise pour le bombardement arrachent alors par choc des atomes de métal sur l'électrode et ils produisent une pression de vapeur des atomes de métal. Lorsque le système est saturé d'atomes de métal, ces derniers se condensent sur des surfaces froides, parmi lesquelles cel- les du substrat. On poursuit la génération du plasma jusqu'à ce que les atomes de métal qui se condensent sur le substrat forment une couche ayant une épaisseur désirée. Pratiquement n'importe quel procédé de pulvérisa- tion cathodique connu dans la technique convient pour pro- duire la couche d'adhérence en molybdène. Ces procédés com- prennent la pulvérisation cathodique par décharge lumines- cente, la pulvérisation cathodique par magnétron en configu- ration cylindrique, la pulvérisation cathodique par magnétron en configuration plane, la pulvérisation cathodique par ma- gnétron à canon s et le dépôt par faisceau d'ions, plus parti- culièrement décrit par Vossen et Kern, dans Thin Film Proces- ses, Academic Press (1978), pages 12-204. On peut employer pratiquement n'importe quel appareil approprié pour la pulvé- risation cathodique de la couche d'adhérence en molybdène. De tels dispositifs sont décrits plus spécialement par Vossen et Kern. Ces dispositifs diffèrent généralement par le magnétron utilisé qui peut être circulaire, plan, cylindrique, etc. La pulvérisation cathodique de la couche de molyb- dène n'expose pas la surface diélectrique à des gaz réactifs agressifs, comme dans le dépôt chimique en phase vapeur. Il ne se produit pas de déplacement des matières de la surface diélectrique en présence du plasma et de la vapeur de molyb- dène et, par conséquent, les surfaces diélectriques restent intactes. Dans la mesure o les procédés de pulvérisation ca- thodique reposent sur une configuration géométrique de pro- jection, les procédés actuels de pulvérisation cathodique n'emplissent pas uniformément des trous de contact, des pas- sages et d'autres régions ayant un rapport de forme élevé. Cependant, la pulvérisation cathodique forme une couche d'adhérence en molybdène continue sur la surface diélectrique. On utilise ici le terme "continu" pour désigner un revêtement qui, au minimum, recouvre complètement les surfaces hautes du diélectrique, c'est-à-dire les surfaces planes au- tres que les surfaces se trouvant à l'intérieur de trous de contact, de passages et d'autres régions ayant un rapport de forme élevé. L'expression "régions non planes ayant un rapport de forme élevé" désigne des zones dans lesquelles les surfaces hautes sont enlevées par attaque, comme par photolithographie, ce qui forme un trou ou un passage ayant un rapport hauteur/ largeur élevé, qui est généralement supérieur à 1/2. Ainsi, il n'est pas nécessaire que les parois latérales et de fond de trous de contact soient recouvertes par la couche d'adhérence en molybdène. Aussi longtemps que le molybdène recouvre les surfaces hautes entourant les trous de contact, le résultat sera satisfaisant dans la mesure o le tungstène emplira les trous au cours d'une étape de traitement suivante. Bien qu'il ne soit pas nécessaire que le molybdène déposé par pulvérisation cathodique recouvre les surfaces se trouvant à l'intérieur des trous de contact, des passages, etc, les couches de molybdène déposées par pulvérisation ca- thodique peuvent recouvrir ces surfaces sans sortir du cadre de l'invention. En fait, lorsque c'est possible, il est pré- férable de déposer une couche de molybdène uniforme qui se conforme à toutes les surfaces du diélectrique, y compris les surfaces non planes. On choisit l'épaisseur de la couche d'adhérence en molybdène de façon à minimiser les contraintes auxquelles la couche est soumise, tout en maintenant la continuité de la couche sur la surface du diélectrique. Une couche d'adhérence en molybdène ayant une épaisseur d'environ 25-100 nanomètres est préférable, et des couches d'environ 50 nanomètres sont les plus avantageuses. Cependant, lorsqu'on peut déposer de façon uniforme des couches continues plus minces, de telles couches peuvent être souhaitables. Le procédé de l'invention 4X ne fixe pas une limite supérieure pour l'épaisseur de la cou- -. che d'adhérence en molybdène déposée par pulvérisation catho- dique; cependant si la couche de molybdène déposée par pul- vérisation cathodique est trop épaisse, elle peut boucher les trous de contact et les passages. Après le dépôt de la couche continue de molybdène, on applique sur le substrat une couche de métallisation en tungstène, par dépôt chimique en phase vapeur. La couche de métallisation en tungstène sera à la fois continue et confor- me. On désigne par le terme "conforme" une couche qui recou- vre la totalité de la surface sous-jacente, comprenant les zones planes hautes et les zones non planes ayant un rapport de forme élevé. Le tungstène emplit les trous de contact, les passages et d'autres régions ayant des rapports hauteur/largeur élevés. Ceci est dû au fait que le dépôt chimique en phase va- peur est un procédé de synthèse de matière dans lequel les constituants sont en phase vapeur et réagissent pour former une pellicule à la surface. Le dépôt chimique en phase vapeur ne repose pas sur une configuration géométrique de projection. Tout point sur la surface qui est en contact avec le gaz est un site pour la croissance de la pellicule. Lorsqu'on utilise l'invention, on peut obtenir des épaisseurs de couches de métallisation en tungstène s'élevant jusqu'à 3 microns. On considère que des pellicules plus épaisses souffrent d'un niveau de contraintes trop élevé. La plage préférée est d'environ 50 nanomètres à 2 microns. Pratiquement n'importe quel procédé de dépôt chimi- que de tungstène en phase vapeur convient pour l'utilisation dans l'invention. Les procédés de CVD les plus courants pour déposer du tungstène sont ceux qui réduisent WF6 ou WC16. Les procédés de CVD pour le dépôt de tungstène qui mettent en oeuvre la réaction WF6+3H!W4+6HF4 conviennent particulièrement pour l'invention. Des descriptions plus détaillées de procédés " de dépôt chimique en phase vapeur sont données par Kirk-Othmer 4 > dans Encyclopedia of Chemical Technology, 3ième Edition, Vol. 13, page 636 et par Vossen et Kern dans Thin Film Processes (1978), pages 257-319 (ouvrage précité). Ces deux publications sont incorporées ici par référence. Les procédés de dépôt chimique en phase vapeur qui conviennent assurent: (1) le transport (avec des dosages et des durées dé- terminés) des gaz réactifs et des gaz de dilution jusqu'au réacteur, pour qu'ils viennent en con- tact avec la surface du substrat et permettent l'adsorption des réactifs sur la surface, (2) le chauffage nécessaire pour la réaction des gaz réactifs et la diffusion des gaz réactifs sur la surface, et (3) le transport à partir du substrat des sous-pro- duits gazeux qui résultent d'une désorption à partir de la surface. Les procédés de CVD appropriés comprennent les procédés de CVD à basse température, de CVD à haute température, de CVD à bas- se pression, de CVD assisté par plasma et de CVD à la pression atmosphérique. Le procédé préféré est le CVD à basse tempéra- ture. Pratiquement n'importe quel dispositif approprié pour réaliser un dépôt chimique de tungstène en phase vapeur convient pour l'utilisation dans l'invention. Ces dispositifs comprennent à la fois des réacteurs à murs chauds et à murs froids, de configuration horizontale, à piedestal, en tonneau et en disque, comme décrit par Vossen et Kern dans Thin Film Processes. Les conditions préférées pour le traitement de dépôt chimique en phase vapeur correspondent à des températures dans la plage d'environ 300 à 700 C et à des pressions d'environ 13 Pa à environ 105 Pa. Les températures préférées sont com- prises dans la plage d'environ 400-500 C et les pressions préférées sont d'environ 130 à 270 Pa. Le rapport entre l'hy- drogène et l'hexafluorure de tungstène peut être compris en- tre environ 3:1 et 1000:1. Les rapports préférés sont compris dans la plage de 5:1 à 20:1, et des rapports voisins de 20:1 sont les plus préférables. Lorsqu'on met en oeuvre ce procédé, l'article obtenu convient pour un traitement ultérieur. Lorsqu'on dépose du tungstène sur le substrat par le procédé décrit ici, il forme une couche de métallisation ayant une bonne adhérence et une excellente couverture de trous de contact et de passages, avec peu ou pas de dégradation de la matière du substrat diélectri- que. Les exemples suivants sont donnés pour illustrer des modes de réalisation particuliersde l'invention. On n'entend pas limiter le cadre de l'invention aux modes de réalisation décrits. EXEMPLES 1-18 Dans ces exemples, on a utilisé un réacteur à murs froids fabriqué par Materials Research Corp. pour former une couche d'adhérence sur la tranche de silicium, par pulvérisa- tion cathodique. On a essayé trois types de couches d'adhé- rence en métal, comprenant du molybdène, du titane et du chrome. On a en outre testé l'adhérence sur du silicium poly- cristallin obtenu par dépôt chimique en phase vapeur. On a déposé les métaux ci-dessus avec une épaisseur d'environ 50 nanomètres, tandis qu'on a déposé le silicium polycristallin avec une épaisseur d'environ 100 nanomètres. On a déposé du tungstène avec des épaisseurs variables sur les couches d'adhérence en métal et sur le silicium polycristallin. Les épaisseurs sont comprises entre environ 0,5 et 2,5 microns. On a déposé le 'tungstène dans un réacteur à murs froids fonc- tionnant à environ 450 C, avec un mélange d'hydrogène et de tungstène dans un rapport d'environ 10-20:1. On a effectué le dépôt pendant environ 10-25 minutes. On a testé l'adhérence des structures multicouches obtenues, conformément aux tests décrits ci-après au paragraphe intitulé "Expérimentation". Le Tableau I ci-après indique les détails concernant l'épais- seur du tungstène, l'identité de la couche d'adhérence et le niveau d'adhérence. L'Exemple 1 montre le niveau d'adhérence qu'on ob- tient pour du tungstène sur une surface semiconductrice (non diélectrique) et l'Exemple 2 montre le niveau d'adhérence qu'on obtient pour le tungstène sur une surface diélectrique, consistant en dioxyde de silicium. Les Exemples 1 et 2 n'en- trent pas dans le cadre de l'invention. On les mentionne pour étalonner le niveau d'adhérence des articles produits par l'invention. TABLEAU I Niveaux d'adhérence comparatifs obtenus avec diverses couches d'adhérence Couche tranche de Si néant4 Mo Mo Mo Mo Mo Ti Ti Ti Ti Cr Cr Cr Cr Si poly. Si poly. Si poly. Epaisseur de W déposé par CVD 2,63 1,4 2,5 0,78 1,9 1,46 1,65 2,1 0,65 1, 3 1,01 2,4 0,54 tf i 1,7 1,4 1,3 Niveau d'adhérence 6,0 2,0 6,0 6,0 6,0 6, 0 6,0 6,0 2,0 2,0 2,0 2,0 2,0 2,0 4,0 2,0 Im Fm Fm }um am }um Fm )m }m Fm Fm )am X Dépôt direct de tungstène sur SiO2 Ad Aucun dépôt n'a été obtenu Exemple N 5 10 15 Ce Tableau montre que le molybdène constitue une excellente couche d'adhérence pour toutes les épaisseurs de tungstène déposé par CVD. Une seule combinaison d'une couche d'adhérence de titane de 50 nanomètres et d'une couche de métallisation de tungstène de 2,1 microns a permis d'égaler le niveau d'adhérence obtenu pour toutes les combinaisons molybdène-tungstène. Avec le chrome, l'adhérence a toujours été mauvaise et occasionnellement, aucun dépôt n'a eu lieu. Expérimentation On a utilisé les tests d'adhérence progressifs dé- crits ci-après dans le Tableau II pour évaluer l'adhérence des couches d'adhérence pour du tungstène déposé par CVD. La "bande" utilisée était une bande de Cellophane de 1,9 cm de largeur, n 6100, commercialisée par LePages, Inc.,Pittsburgh, PA; E.U.A. Dans le cas de "l'attaque", on a masqué la couche de tungstène avec de la cire jaune en plaçant une rangée de points sur la surface. On a appliqué un agent d'attaque par voie humide sur la surface masquée, pour enlever le tungstène non recouvert. L'agent d'attaque par voie humide comprend 30 g de K3Fe(CN)6, 10 g de NaOH et 100 ml de H20. On a enlevé la cire et on a déterminé l'adhérence du tungstène restant. Dans le cas de la "rayure", on a utilisé un style à pointe en diamant pour tracer 6 à 8 lignes dans la couche de tungstène. On a déterminé l'adhérence au niveau des rayu- res. TABLEAU II Niveaux d'adhérence Si l'échantillon satisfait.... Il est classé dans la catégorie.... Rien, décollement spontané 0 Pas de décollement spontané 1 Brosse en fils de laiton (brosse) 2,0 Echec au test d'arrachement par la bande, succès au test de la brosse sur les bords 2,2 Succès au test d'arrachement par la bande, pas d'attaque 3,0 Attaque; cire, attaque par voie humide 3,1 Test de la brosse (2) sur des lignes d'attaque 4,0 Test d'arrachement par la bande sur des lignes d'attaque 5,0 Rayure 5,1 Brosse 6,0 Test d'arrachement par la bande sur les lignes de rayure 7,0 On peut faire varier dans une large mesure l'épais- seur de la couche d'adhérence en molybdène et de la couche de tungstène déposée par CVD. Ces modifications du procédé ainsi que des mQdifications similaires apparaltront de façon éviden- te à l'homme de l'art d'après la description et on considère qu'elles entrent dans le cadre de l'invention. 2588277. REVENDICATIONS 1. Procédé de dépôt d'une pellicule de tungstène conforme continue sur une surface diélectrique consistant en dioxyde de silicium ou en nitrure de silicium, caractérisé en ce que: on dépose du molybdène par pulvérisation catho- dique, pour former une couche continue sur la surface dié- lectrique, et on dépose ensuite du tungstène sur la couche continue de molybdène, par dépôt chimique en phase vapeur, pour former une couche continue et conforme d'environ 3 mi- crons ou moins. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface diélectrique comporte des régions non planes ayant un rapport de forme élevé correspondant à un rapport hauteur/largeur de valeur supérieure à 1/2. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la surface diélectrique présente un motif formé par photoli- thographie et la couche sous-jacente est à nu dans les ré- gions non planes, caractérisé en ce qu'on sélectionne la couche sousjacente parmi le groupe comprenant le silicium, le tungstène, l'aluminium et le molybdène. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la surface diélectrique présentant un motif fait partie d'un circuit intégré et les régions ayant un rapport de forme élevé sont des trous de contact et des passages. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on dépose le molybdène avec une épaisseur comprise entre approximativement 25 et 100 nanomètres. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on dépose le tungstène avec une épaisseur comprise entre approximativement 50 nanomètres et 2 microns. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on réalise le dépôt chimique de tungstène en phase vapeur en faisant réagir un mélange gazeux de WF6 et de H2. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on dépose le molybdène avec une épaisseur d'environ 2588277. nanomètres, on dépose le tungstène avec une épaisseur emprise entre environ 50 nanomètres et 2 microns, et on effectue le dépôt chimique de tungstène en phase vapeur à une température d'environ 400 -500 C, à une pression d'environ 130-270 Pa, et avec un rapport de H2 à WF6 d'environ 10:1 à 25:1.