FR 2596922 A1 19871009 FR 8604858 A 19860404 RESISTANCE INTEGREE SUR UN SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR. La présente invention concerne une résistance intégrée sur un substrat semiconducteur et notamment une résistance susceptible d'avoir l'une de ses extrémités connectée à un point du substrat soumis à un potentiel élevé. Dans de nombreuses applications concernant les structures semiconductrices associant un transistor de puissance et sa iogique de commande et/ou de protection, encore désignées sous l'appellation "commutateurs de puissance intelligents", I est souhaitable de pouvoir disposer de résistances connectées au "-" 10 ou au collecteur du transistor de puissance. Si le transistcr de puissance est du type VD MOS ou bipoelaire à conduc-lon verticales la face arrière du substrat supportant le contact de drain ou de collecteur est donc au potentiel de ce drain ou de ce collecteur. Un circuit d'allumage électronique pour l'automobile réalisé sous forme 15 monolithique peut nécessiter un pont iviseur de tens1cn ' résistances supportant une tension de l'ordre de 400 V pour commander la remise en conduction du transistor de puissance en cas de surtension. La réalisation d'une telle résistance se heurte a >le sérieuses difficultés d'isolement si l'on ne veut pas mettre en cCuvre2 20 dans le procédé de fabrication, certaines étapes particulières destinées à assurer un isolement par écran physique. De façon générale, on connaît différentes méthodes d'intégration d'une résistance sur un substrat semiconducteur de polarité déterminée. On peut utiliser la résistance propre d'une 25 couche épitaxiée, mais ceci conduit à des valeurs de résistance difficiles à contrôler et ne permet pas de faire des ponts diviseurs. On peut également réaliser cette résistance grâce à un caisson diffusé de polarité opposée au substrat. Si cette solution permet un contrôle précis de la valeur de la résistance, elle nécessite par 30 contre la mise en oeuvre d'étapes particulières destinées à assurer son isolement physique et ces étapes ne sont pas désirées. Sans cet isolement physique, une telle résistance entraînerait, dans le cas d'un dispositif fonctionnant en haute tension (par exemple 400 ), un claquage de la jonction existant entre le substrat et le caisson et dû à la courbure excessive des équipotentielles. En effet, la connexion de la résistance ainsi constituée à la face arrière du substrat mis au 5 potentiel de la haute tension implique une remontée des équipotentielles jusqu'à la face avant du substrat et certaines de ces équipotentielles présentent un rayon de courbure très faible. Afin de pallier ces inconvénients, l'invention propose de réaliser une résistance intégrée par un caisson de polarité inverse à 10 celle du substrat, ayant la forme d'un ruban enroulé autour de l'une de ses extrémités qui est rattachée à un pôle conducteur. Ce pôle conducteur permet la liaison électrique avec la face arrière du substrat à travers celui-ci. Le ruban fait à la fois office de résistance et d'anneaux répartiteurs de champ, ce qui permet d'éviter 15 la courbure excessive des équipotentielles. L'invention a donc pour objet une résistance intégrée sur un substrat semiconducteur de polarité donnée, la résistance étant élaborée sur la première face du substrat et devant être connectée à une tension disponible sur la seconde face du substrat, la résistance 20 étant constituée par un caisson de polarité inverse à celle du substrat, caractérisée en ce que: - le caisson constituant la résistance a la forme d'un ruban enroulé sur lui-même autour d'un pôle conducteur auquel l'une de ses extrémités est reliée électriquement, - la connexion avec la face arrière du substrat s'effectue à travers l'épaisseur du substrat par l'intermédiaire du pôle conducteur. Le ruban est avantageusement prolongé et entouré, à partir de son autre extrémité, d'une partie constituée par le même caisson et 30 destinée à répartir autour du ruban le potentiel de cette autre extrémité. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront au moyen de la description qui va suivre et des figures annexées parmi lesquelles: - la figure 1 est un schéma électrique d'un circuit d'allumage électronique selon l'art connu, - les figures 2 et 3 sont des vues respectivement de dessus et de profil d'une résistance selon l'invention, - la figure 4 est une vue de détail d'une résistance selon l'invention et possédant un point intermédiaire. Un exemple de dispositif ou l'intégration de résistances serait le bienvenu est constitué par un circuit d'allumage électronique pour l'automobile. Un tel circuit comprend une bobine d'allumage en série avec un transistor de puissance. Ce circuit doit également 10 comporter un dispositif permettant lJ'écrêtage des surtensiorns. Un écrêtage par diode Zener est difficilement envisageable à cause de la difficulté que présente cet élément à l'intégration. Une autre solution consiste en un pont diviseur de tension à résistances ass cL6 à un comparateur. C'est ce que représente le schéma de la figure ô 15 La bobine d'allumage L et le transistor T sont disposés en série ei branchés aux bornes de la batterie 1. Aux bornes du transistor T, entre émetteur et collecteur, sont branchées deux résistances 2 es montées en série. Le point commun à ces deux résistances est connecté à l'une des entrées d'un comparateur 4 qui reçoit sur sa 20 seconde entrée la tension de référence VREF. La sortie du comparaeur 4 attaque la base du transistor T. Le dispositif constitué par les résistances 2 et 3 et par le comparateur 4 permet la remise en conduction du transistor T pour écrêter les surtensions. Bien que la tension de batterie soit relativement faible, le pont diviseur doit 25 pouvoir supporter des tensions élevées (de l'ordre de 400 V) dues à la présence de la bobine d'allumage L. Les résistances constituant le pont diviseur doivent donc être des résistances haute tension. Si le comparateur ne pose pas de problème d'intégration, il n'en est pas de même pour le pont diviseur pour les raisons exposées plus haut. Une résistance selon l'invention est obtenue par diffusion ou par implantation d'un caisson de polarité opposée au substrat. Ce caisson est formé principalement d'un ruban de largeur réduite par rapport à sa longueur ce qui permet d'obtenir la valeur de résistance désirée. Il a avantageusement la forme d'une spirale à grand nombre de tours. La répartition des équipotentielles dépendra à la fois du nombre de tours ou de spires et de la distance séparant deux spires consécutives. Dans le cas d'un pont diviseur de tension a résistances, il est possible de disposer d'une connexion intermédiaire. La suite de la description portera sur l'intégration de 5 résistances haute tension dans le cas d'un substrat en silicium de type N mais l'invention s'applique également à d'autres types de substrats. Les figures 2 et 3 sont des vues respectivement de dessus et de profil d'un substrat semiconducteur supportant une résistance selon 10 l'invention. On part d'un substrat 10 en silicium, par exemple de type N+ possédant une couche épitaxiée de type N. Sur ce substrat, on a diffusé, grâce à un masque de forme appropriée, un caisson il de type P+ afin de réaliser la résistance selon l'invention. Sur la figure 2, on n'a représenté que quelques spires pour des commodités de 15 représentation, mais la résistance peut en comporter beaucoup plus. Le caisson P+ comporte donc une partie 12 en spirale qui est de préférence prolongée et entourée d'une partie 13 assurant une continuité électrostatique autour de la spirale 12. On peut ensuite diffuser un caisson 14 de type N+ au centre de la spirale pour former 20 le p8le conducteur. La résistance intégrée ayant une forme en spirale, le caisson 14 sera de préférence en forme de disque pour que les équipotentielles puissent se répartir de façon symétrique. Le caisson 14 permet une liaison électrique peu résistive avec la face arrière du substrat 10 sur laquelle une haute tension sera disponible. 25 La figure 3 est une coupe selon l'axe AA du substrat de la figure 2. Sur la figure 3, un plot conducteur 15 de forme circulaire a été déposé au centre de la spirale et sur le caisson 14 en débordant sur l'extrémité de la spirale. Il permet la liaison électrique entre le caisson 14 de type N+ et la spirale 12 de type P+. Sur la figure 3 on 30 a également représenté les équipotentielles en traits pointillés pour une tension de 400 V appliquée sur la face arrière du substrat et pour une tension nulle appliquée sur la partie 13 du caisson P+. La spirale fait à la fois office de résistance et d'anneaux répartiteurs de champ. En effet, le potentiel varie linéairement de l'extérieur vers l'intérieur de la spirale. Sur la partie gauche de la figure, on a représenté des équipotentielles qui varient par bond de 50 V entre 0 et 400 V. D'autres équipotentielles ont été représentées sur la partie droite de la figure sans préciser la valeur des tensions auxquelles elles correspondent. La différence de potentiel entre deux tours 5 consécutifs n'est donc qu'une fraction de la haute tension et la remontée des équipotentielles se fait graduellement selon des rayons de courbure élevés permettant d'éviter le claquage. Un élément important intervient dans la conception de la spirale: c'est la distance d séparant chaque spire ou la dernièïe 10 spire de la partie 13. Cette distance d ne doit pas être supérieure une distance limite qui peut être calculée d'après les règles de lart connu en tenant compte de certains paramètres: -tension maximale admissible, nature et qualité de l'isolement de surface, dimensions ou caisson P+ envisagé, etc. Si la distance d est supérieure a cette 15 distance limite, la courbure des équipotentielles sera telle qu'elle entraînera un claquage en surface ou en volume pour une tenson inférieure à la tension maximale admissible. La partie 13 du caisson P+ constitue l'autre extrémité de la résistance et est alors connectée au point désiré. Dans l'exemple de 20 l'application schématisée en figure 1, ce caisson P+ est connecté à l'émetteur du transistor de puissance par un cordon métallie déposé au- dessus d'un diélectrique assurant l'isolement. Il est possible de se connecter à un endroit quelconque de la spirale pour réaliser un pont diviseur de tension. C'est ce que montre la figure 4 25 qui est un agrandissement d'une partie de la figure 3. Sur la face avant du substrat 10 dans lequel on a diffusé la résistance selon l'invention, on a déposé une couche 16 d'un isolant de passivation tel que l'oxyde de silicium SiO2. Un trou de contact a été gravé dans la couche 16 afin de permettre l'accès à un point de la spirale 12. Une 30 couche 17 en matériau conducteur permet de réaliser la prise de contact intermédiaire avec la spirale 12. Il entre dans le cadre de l'invention de réaliser la résistance par des opérations d'implantation ou de diffusion. Il faut remarquer que son élaboration peut bénéficier des opérations nécessaires à la fabrication sur le même substrat de transistors bipolaires ou du type b VD MOS de même que d'autres éléments de circuits logiques. Enfin, si la description a porté sur une résistance en forme de spirale, on peut très bien concevoir d'autres formes d'enroulements par exemple en forme de grecque. REVENDICATIONS. 1. Résistance intégrée sur un substrat semiconducteur de polarité donnée (10), la résistance étant élaborée sur la première face du substrat et devant être connectée à une tension disponible sur la seconde face du substrat, la résistance étant constituée par un 5 caisson de polarité inverse à celle du substrat, caractérisée en ce que: - le caisson (11) constituant la résistance a la forme d'un r;.--n (12) enroulé sur luimême autour d'un pôle conducteur (1() aquqeI l'une de ses extrémités est reliée électriquement, b - la connexion avec la face arrière du substrat s'effectue travers l'épaisseur du substrat par l'intermédiaire du pô1e conduc-teur (14). 2. Résistance intégrée selon la revendication 1, $aracterise en ce que, à partir de son autre extrémité, le ruban (12) est p'-,ot n 15 et entouré d'une partie (13) constitué,e par le même caisson:i) ec destinée à répartir autour du ruban le potentiel de cette utre extrémité. 3. Résistance intégrée selon l'une des revendications 1 - bi caractérisée en ce que Je ruban (12) est une spirale. 4. Résistance intégrée selon la revendication 3, caractèri_éen ce que le pôle conducteur (14) a une forme circulaire5. Résistance intégrée selon l'une quelconque des revendications I à 4, caractérisée en ce que le pôle conducLeur 1!; est formé par un caisson fortement dopé et de nmême polarité que ie 25 substrat (10). 6. Résistance intégrée selon la revendication 5, caractérisée en ce que la liaison électrique entre l'extrémité du ruban (12) et le pôle conducteur (14) se fait par l'intermédiaire d'un plot conducteur (15). 7. Résistance intégrée selon!'une quelconque des revendications I à 6, caractérisée en ce que le substrat (10) est de type N+ à couche épitaxiée du type N, le caisson (11) constituant la résistance étant de type P+ et le pÈle conducteur (14) étant un caisson de type N+. 8. Résistance intégrée selon l'une quelconque des revendications I à 7, caractérisée en ce qu'au moins une prise 5 intermédiaire (17) permet une prise de ccntact sur le ruban (12) pour réaliser un pont diviseur.