FR 2590808 A1 19870605 FR 8616981 A 19861204 L'invention concerne un dispositif de com- mande d'écoulement destiné au soufflage de particules fines et qu'il est prévu d'utiliser, par exemple, pour une opération de formation de film,. la formation d'une matière composite, une opération de dopage avec des particules fines ou un domaine nouveau pour la formation de particules fines. Dans le présent mémoire, l'expression "parti- cules fines" désigne des atomes, des molécules, des particules ultrafines et des particules globalement fines. Les particules ultrafines sont des particules d'une dimension d'environ 0,5 pm ou moins, en général, obtenues par un procédé d'évaporation dans un gaz, un procédé d'évaporation de plasma, un procédé réalisant une réaction chimique gazeuse, etc., utilisant une réac- tion en phase gazeuse, ainsi qu'un procédé de précipita- tion colloïdale, un procédé de pyrolyse par pulvérisation d'une solution, etc., utilisant une réaction en phase liquide. Les particules globalement fines sont des par- ticules obtenues par un procédé général tel qu'un broyage mécanique, un traitement de sédimentation par précipita- tion, etc. Le terme "faisceau" désigne un courant-Jet s'écoulant dans un certain sens avec une directivité à plus forte densité que celle de l'espace environnant, quelle que soit sa forme en section transversale. Dans l'art antérieur, par exemple la demande de brevet japonais N 114387/1981, il est décrit un dispositif dans lequel une chambre de réaction de plasma est cloisonnée en un certain nombre de chambres pour la formation des couches respectives d'un film dans les chambres séparées respectives, le dispositif étant utilisé pour la formation de couches de silicium amorphe du type hétéro-jonction. Dans ce dispositif, un substrat est placé sur un transporteur et la formation d'un film est effec- tuée par déplacement du substrat à travers différents types d'atmosphères à plasma. Le dispositif permet d'éviter l'entraînement d'impuretés dans les couches respectives, mais son incon- vénient est que la formation d'un film demande beaucoup de temps, ce qui empêche de -former efficacement un film stratifié constitué de différentes matières. Un objet de l'invention est de proposer un dispositif capable de produire efficacement un film stratifié constitué de différentes matières, et notamment un dispositif capable de former avec une bonne efficacité un film, en particulier sur un substrat de grande surface. Dans une première forme de réalisation de l'invention, il est proposé un dispositif pour le souf- flage de particules fines, comprenant un certain nombre de chambres d'amont destinées à projeter des particules fines contre un substrat mobile. Dans une deuxième forme de réalisation de l'invention, il est proposé un dispositif pour le souf- flage de particules fines, comprenant un certain nombre de chambres d'amont possédant chacune des moyens d'exci- tation de gaz et projetant des particules fines, activées par lesdits moyens d'excitation, contre un substrat mobile. Dans une troisième forme de réalisation de l'invention, il est proposé un dispositif pour le souf- flage de particules fines, comprenant un certain nombre de chambres d'amont destinées à projeter des particules fines contre un substrat mobile, et des moyens destinés à communiquer de l'énergie au substrat. Dans une quatrième forme de réalisation de l'invention, il est proposé un dispositif pour le soufflage de particules fines, comprenant un certain nombre de chambres d'amont possédant chacune des moyens d'excitation de gaz et projetant des particules fines, activées par lesdits moyens, contre un substrat mobile, ainsi que des moyens destinés à communiquer de l'énergie au substrat. Dans une cinquième forme de réalisation de l'invention, il est proposé un dispositif pour le soufflage de particules fines, comprenant un certain nombre de chambres d'amont destinées à projeter des particules fines contre un substrat mobile, ces chambres d'amont étant disposées de façon à être déplacées les unes par rapport aux autres longitudinalement et trans- versalement par rapport au substrat. Dans une sixième forme de réalisation de l'invention, il est proposé un dispositif pour le souf- flage de particules fines, comprenant un certain nombre de chambres d'amont possédant chacune des moyens d'exci- tation de gaz et projetant des particules fines, activées par lesdits moyens, contre un substrat mobile, les cham- bres d'amont étant disposées de façon à être déplacées les unes par rapport aux autres longitudinalement et transversalement par rapport au substrat. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexes à titre d'exemples nulle- ment limitatifs et sur lesquels: la figure 1 est une vue schématique d'un exemple du dispositif selon l'invention utilisé pour la formation d'un film; la figure 2 est une vue à échelle agrandie partielle d'une chambre d'amont et d'une chambre de réglage de pression du dispositif selon l'invention; les figures 3A à'3C sont deux coupes longi- tudinales et une vue en perspective d'un exemple de forme d'une buse ou tuyère convergente-divergente les figures 4 à 6 sont des coupes longitu- dinales schématiques montrant un autre exemple d'une chambre d'amont; et les figures 7 et 8 sont une vue schématique en plan et une vue en perspective d'un autre exemple du dispositif selon l'invention. La buse ou tuyère à utiliser dans la présente invention peut être un tube à parois globalement paral- lèles, une buse ou tuyère convergente, une buse ou tuyère convergente-divergente, etc. Parmi celles-ci, une tuyère convergente-divergente est particulièrement avantageuse, car elle produit un faisceau supersonique de fines parti- cules. La présente invention telle que décrite ci-après utilise une tuyère convergente-divergente. La tuyère convergente-divergente 1 peut accélérer l'écoulement des gaz projetés par réglage du rapport P/P0 de la pression P régnant en aval à la pression P0 régnant en amont et du rapport A/A* de l'aire A de la section transversale de l'ouverture lc de sortie à l'aire A* de la section transversale de la gorge lb. Si le rapport P/P0 des pressions d'amont et d'aval est supérieur au rapport critique des pressions, l'écoule- ment obtenu présente une vitesse de sortie de la tuyère convergentedivergente 1 inférieure à celle du son, ou encore plus basse, de sorte que le gaz est projeté à une vitesse réduite. Par ailleurs, si le rapport ci- dessus des pressions est inférieur au rapport critique, la vitesse de sortie de la tuyère convergente-divergente devient supersonique, de sorte que les particules fines sont projetées à une vitesse supersonique. Le rapport critique des pressions, telles que mentionnées dans le présent mémoire, est une valeur telle que définie ci-dessous. Ainsi, lorsque la vitesse d'écoulement coin- cide avec la vitesse acoustique, le rapport de la pres- sion Pn régnant dans la gorge de la tuyère à la pression P0 régnant dans la chambre d'amont coincide idéalement avec la valeur représentée par la formule suivante: y 2 Y Rm + R-( y+1) Y+1 Cette valeur de R est appelée le rapport critique des pressions. y est le rapport des chaleurs spécifiques. Dans ce cas, la vitesse du courant de parti- cules fines est définie comme étant u, la vitesse acoustique, en ce point, est a et le rapport des chaleurs spécifiques du courant gazeux est y, et si le courant gazeux est supposé être détendu de façon adiabatique à la façon d'un courant unidimensionnel de compression, le nombre de Mach M que le courant gazeux atteint est donné par la formule suivante d'après la pression PO ré- gnant en amont et la pression P régnant en aval, et M devient égal à 1 ou plus, en particulier lorsque P/P0 est inférieur au rapport critique des pressions. u-' 1/2 a -- i....(1) La vitesse acoustique a est donnée par la formule sui- vante en fonction de la température locale T et de la constante R du gaz. a = y R T Il existe la relation suivante entre l'aire A de la section transversale de l'ouverture lc de sortie et l'aire A* de la section transversale de la gorge lb et le nombre de Mach M: y +1 A 1 2 y - 1 2 l 2(y- 1) As M [ r=- 1 + M.. (2) A* M y + 1 2 En conséquence, en fixant le rapport A/A* des aires des sections transversales, correspondant au nombre de Mach M déterminé d'après la formule (1) par le rapport P/P0 de la pression P régnant en aval à la pression P0 régnant en amont, ou en ajustant le rapport P/P0 correspondant à une valeur M déterminée d'après la formule (2) par A/A*, on peut projeter de façon stable le courant gazeux sortant de la tuyère convergente-divergente. La vitesse u du courant gazeux à cet instant est donnée par la formule suivante: u = M R (1 + 21 M... (3) Lorsque les particules fines sont projetées dans une certaine direction en formant le courant super- sonique détendu de façon optimale comme décrit ci- dessus, le courant de particules fines avance en ligne droite tout en conservant sensiblement sa section trans- versale immédiatement après avoir été éjecté pour former un faisceau. En conséquence, l'écoulement de particules fines se forme également en un faisceau, ce qui lui permet d'être transporté à travers l'espace du côté d'aval avec une diffusion minimale, dans un état spatiale- ment indépendant, sans interférence avec la surface de paroi du côté d'aval et à une vitesse supersonique. Par conséquent, étant donné que les particu- les fines sont transportées sous la forme d'un fais- ceau et que la diffusion reste minimale pendant le transport, même dans le cas o des particules fines différentes sont projetées au même moment à partir d'un certain nombre de tuyères convergentes-divergentes 1, elles ne se mélangent pas entre elles. Par ailleurs, dans la présente invention, le substrat 3 est mobile et les-- tuyères convergentes- divergentes 1 sont en outre disposées le long de la direction de déplacement du-substrat 3. Par conséquent, on peut déposer les unes sur les autres des couches de différents types de particules fines en déplaçant seulement le substrat 3 en même temps que des particules fines différentes sont projetées des tuyères convergentes- divergentes respectives 1. On peut utiliser, comme moyens d'excitation de gaz dans la présente invention, les moyens du type faisant appel à des micro-ondes, à un laser, à un canon à ions, à un canon à électrons, etc. Comme dispositif utilisant des micro-ondes ou hyperfréquence, en plus de ceux émettant des micro- ondes tels qu'une antenne à pavillon ou une antenne fendue, on trouve ceux à cavité résonante, le dispositif de décharge sans électrode tel que le dispositif à réso- nance cyclotron, etc., ainsi que d'autres dispositifs tels qu'un dispositif de décharge thermo-électronique, un dispositif de décharge bipolaire, un dispositif à convergence de champs magnétiques (dispositif de décharge à magnétron), etc. La figure 1 représente schématiquement un exemple dans lequel la présente invention est utilisée pour un dispositif de formation de films, la référence numérique 1 désignant une tuyère convergente-divergente, chaque référence 2 désignant une chambre d'amont, la référence 3 désignant un substrat, la référence 4 dési- gnant des chambres de réglage de pression et la référence 5 désignant une chambre d'aval. La chambre d'aval 5 est de forme cylindrique et les trois chambres d'amont 2, comportant des tuyères convergentes-divergentes 1, sont reliées par les chambres respectives 4 de réglage de pression à la partie circon- férentielle de la chambre d'aval. Les tuyères conver- gentes-divergentes 1 sont dirigées vers le substrat 3 dans les chambres d'aval 5, respectivement, qui commu- niquent avec les chambres d'amont 2 par l'intermédiaire des chambres 4 de réglage de pression. Le substrat 3 placé dans la chambre d'aval se présente sous la forme d'une bande et, pendant qu'il est débité de l'un d'un jeu de rouleaux tournants 6a, 6b, il est reçu sur l'autre de ces rouleaux en pas- sant par un rouleau 7 de support disposé en avant des deux rouleaux précédents. Les tuyères convergentes- divergentes précédentes 1 sont alignées en une rangée dans la direction du mouvement du substrat 3 qui se déplace entre les rouleaux tournants 6a et 6b, chaque tuyère étant dirigée vers le substrat 3 au passage sur le rouleau 7 de support. Ce dernier supporte le substrat 3 par sa face arrière et le soutient contre la force de soufflage des particules fines par les tuyères conver- gentes-divergentes 1. Le vide est établi à l'intérieur des chambres d'amont 2 et des chambres 4 de réglage de pression par des pompes 8a agissant par l'intermédiaire de robinets 9a, 9b de réglage de pression, ce qui permet de régler les pressions en amont et en aval des tuyères convergen- tes-divergentes 1. Les chambres 4 de réglage de pression sont équipées d'une manière permettant un réglage plus aisé des pressions, et il est avantageux qu'elles commu- niquent par des ouvertures aussi petites que possible, comprises dans la plage permettant le passage du courant- jet provenant des tuyères convergentes-divergentes 1. Le dispositif peut également être simplifié par la sup- pression des chambres 4 de réglage de pression et le raccordement des tuyères convergentes-divergentes 1 directement à la chambre d'aval 5. Il est prévu d'établir le vide à l'intérieur de la chambre d'aval 5 au moyen d'une pompe 8b afin que les gaz superflus ou produits de réaction se trouvant dans cette chambre d'aval 5 puissent être déchargés directement du circuit. Bien que des dispositifs 11 de génération de micro-ondes soient connectés par des guides d'ondes aux chambres 2 d'amont, il est également prévu qu'un gaz non filmogène et qu'un gaz filmogène puissent être introduits par l'intermédiaire de robinets 12a et 12b d'alimentation. En introduisant un gaz non filmogène en même temps que des micro-ondes, on génère un plasma et le gaz filmogène est activé en entrant en contact avec le plasma, ce qui est suivi d'une projection à partir des tuyères convergentes-divergentes. L'expression gaz non filmogène désigne ici un gaz qui ne présente pas de lui-même la possibilité de former un film, tel que N2, H2, Ar, Ne, etc. Par ailleurs, un gaz filmogène est un gaz capable de présenter une possibilité de forma- tion de films par une activation, tel que du méthane gazeux, un silane gazeux, un disilane gazeux, etc. Le gaz filmogène activé est projeté de la tuyère convergente-divergente 1 afin d'être soufflé contre le substrat 3. A ce moment, alors que le substrat 3 se déplace, les différentes matières projetées par les trois tuyères convergentes-divergentes 1 sont dé- posées en trois couches. De plus, en animant d'un mouve- ment alternatif le substrat 3, on peut déposer jusqu'à six couches, neuf couches, etc. Le dépôt des couches peut être alternativement une couche de matière filmogène souhaitée et sa couche de liant, ou une stratification hétérogène dans laquelle la couche donneuse et la couche accepteuse sont déposées alternativement. En outre, en référence à la figure 2, la chambre d'amont 2 et la chambre 4 de réglage de pres- sion seront à présent décrites. Dans la chambre d'amont 2, une cavité réso- nante 14 présentant une ouverture 13 est placée dans la position opposée à la tuyère convergentedivergente 1. Sur le côté arrière de la cavité résonante 14, il est prévu une fenêtre 15 d'introduction de micro-ondes constituée d'une matière pouvant transmettre des micro- ondes, telle que des lames quart d'onde, etc., afin que les micro-ondes puissent être introduites par l'inter- médiaire du guide d'onde 10 raccordé à cette fenêtre. De plus, à partir de la surface arrière de la cavité résonante 14, un gaz non filmogène est introduit par l'intermédiaire du robinet 12a d'alimentation. Lorsqu'une micro-onde est introduite en même temps qu'un gaz non filmogène, un plasma est généré dans la cavité résonante 14. Un aimant 16 fait sortir le plasma par l'ouverture 13 et le dirige vers la tuyère convergente-divergente 1. La cavité résonante 14 doit avantageusement être d'un type satisfaisant une condition de résonance cyclotron afin que le plasma puisse être produit avec une grande efficacité. L'aimant 16 peut être supprimé. Par ailleurs, immédiatement avant la tuyère convergente-divergente 1, il est prévu un tuyau 17 d'ali- mentation de forme annulaire raccordé au robinet 12 d'alimentation, et un gaz filmogène est introduit en passant par les petits trous ménagés dans le tuyau 17 d'alimentation afin d'être mis en contact avec le plasma. Par ailleurs, un vide est établi dans la chambre d'amont 2 et dans la chambre 4 de réglage de pression par l'inter- médiaire des robinets 9a, 9b de réglage de pression afin que la pression du côté de la chambre d'amont 2 puisse devenir supérieure et que le gaz filmogène activé par contact avec le plasma soit projeté directement de la tuyère convergente-divergente 1. L'ouverture d'entrée la de la tuyère conver- gente-divergente 1 débouche vers la chambre d'amont 2 et son ouverture de sortie lb débouche vers la chambre 4 de réglage de pression. : La tuyère convergente-divergente 1 peut être d'une section d'ouverture qui diminue progressive- ment de l'ouverture d'entrée la jusqu'à une gorge lb, puis qui augmente progressivement jusqu'à une ouverture de sortie lc, comme décrit ci-dessus, mais il est préfé- rable que la surface circonférentielle intérieure, à proximité de l'ouverture de sortie lc, soit sensiblement parallèle à l'axe central, comme représenté à échelle agrandie sur la figure 3A. Il en est ainsi car la direc- tion d'écoulement du gaz projeté peut être alors rendue parallèle aussi loin que possible, de façon aisée, étant donné qu'elle est influencée à un certain degré par la direction de la surface circonférentielle intérieure à proximité de l'ouverture de sortie lc. Cependant, comme montré sur la figure 3B, en donnant à l'angle a formé entre la surface circonférentielle intérieure de la gorge lb vers l'ouverture de sortie lc et l'axe central, une valeur de 7 ou moins, avantageusement ou moins, on évite au phénomène de décollement d'appa- raître aisément et on maintient sensiblement uniforme l'écoulement du gaz projeté et, par conséquent, dans ce cas, il n'est pas particulièrement nécessaire de former une partie parallèle telle que mentionnée ci- dessus. En supprimant la formation de la partie parallèle, on peut réaliser plus aisément la fabrication de la tuyère convergente-divergente 1. De plus, en donnant à la tuyère convergente-divergente une forme rectangu- laire comme montré sur la figure 3C, on peut projeter le gaz sous la forme d'un pinceau. De plus, on peut utiliser une tuyère présentant un rapport inversé de la dimension longitudinale à la dimension transversale, comme montré sur la figure 3C, ce qui permet la formation d'une large gamme de films. Le phénomène de décollement mentionné ci- dessus signifie ici le phénomène qui se produit lorsque, pendant une projection, etc., sur la surface intérieure de la tuyère convergentedivergente 1, la couche limite entre la surface intérieure de la tuyère convergente- divergente 1 et le fluide passant dans la tuyère croit au point de rendre l'écoulement non uniforme, ce qui se produit plus fréquemment lorsque la vitesse du courant- jet est plus grande. L'angle î mentionné ci-dessus de- vrait être avantageusement plus petit, car la précision de la finition intérieure de la tuyère convergente- divergente est inférieure pour empêcher le phénomène de décollement. La surface intérieure de la tuyère conver- gente-divergente devrait avantageusement avoir une fini- tion correspondant à au moins trois marques triangulaires inversées, de façon optimale à quatre marques ou plus, ces marques représentant la précision de la finition de la surface telle que définie par la norme JIS B 0601. En particulier, étant donné que le phénomène de décolle- ment dans la partie divergente de la tuyère convergente- divergente 1 affecte notablement l'écoulement subséquent du gaz non filmogène et des particules ultrafines, en déterminant la précision de finition ci-dessus principa- lement dans la partie divergente, on peut préparer plus aisément la tuyère convergente-divergente 1. Pour empê- cher le phénomène de décollement, il faut que la gorge lb présente une surface arrondie et douce afin que la dérivée du rythme de variation de l'aire de la section transversale ne puisse pas devenir infinie. On peut largement utiliser, comme matière pour former la tuyère convergente-divergente 1, des métaux tels que du fer, de l'acier inoxydable et autres, ou par ailleurs des résines synthétiques telles que le polytétrafluoréthylène, des résines acryliques, du polychlorure de vinyle, du polyéthylène, du polystyrène, du polypropylène, etc., des matières. céramiques, du quartz, du verre, etc. Le choix de la matière peut être effectué en tenant compte de l'inertie vis-à-vis des particules ultrafines à former, de l'aptitude au façon- nage, de l'aptitude à libérer des gaz dans un circuit à pression réduite. La surface intérieure de la tuyère convergente-divergente 1 peut être plaquée ou revêtue d'une matière sur laquelle il est difficile pour les particules ultrafines d'adhérer ou de réagir. Un exemple typique est un revêtement de polytétrafluoréthylène, etc. La longueur de la tuyère convergente-diver- gente 1 peut être choisie comme souhaité suivant la dimension de l'appareil, etc. Au passage dans la tuyère convergente-divergente 1, l'énergie calorifique que l'écoulement possède est convertie en énergie cinétique. Dans le cas en particulier d'une projection à une vitesse supersonique, l'énergie calorifique deviendra notable- ment moindre pour donner un état de surfusion. Lorsque l'écoulement contient des constituants se condensant, ils peuvent être condensés notablement par l'état refroi- di ci-dessus, afin que des particules fines puissent également être formées. En permettant à l'écoulement de traverser la tuyère convergentedivergente 1 ci-dessus sous un réglage approprié de la relation entre le rapport de la pression P régnant dans la chambre 4 de réglage de pression, qui se trouve du côté d'aval, à la pression PO régnant dans la chambre d'amont 2, qui se trouve du côté d'amont, et le rapport de l'aire A de la section transversale de l'ouverture de sortie lc à l'aire A* de la section transversale de la gorge lb, on donne à l'écoulement la forme d'un faisceau s'écoulant donc à une vitesse supersonique de la chambre 4 de réglage de pression vers la chambre 5 d'aval. De plus, les consti- tuants filmogènes sont projetés contre le substrat 3 en constituant un écoulement mis en forme de faisceau pour réaliser la formation d'un film. o10 Dans cet exemple, un plasma est généré par une cavité résonante 21. A sa place, comme montré sur la figure 4, une antenne fendue 18 peut être connectée au guide d'onde 10 par l'intermédiaire de la fenêtre d'introduction des micro-ondes ou, comme montré sur la figure 5, une antenne à pavillon 19 peut être connec- tée. Dans ces cas aussi, un aimant peut être prévu à proximité de la sortie pour retirer efficacement le plasma produit. En introduisant des micro-ondes par l'intermédiaire d'une antenne fendue 18 ou d'une antenne 19 à pavillon, étant donné que l'on peut régler librement la longueur de ces antennes, on peut aisément retirer le plasma en une position plus rapprochée de la tuyère convergente-divergente 1. La figure 6 montre un exemple dans lequel la chambre d'amont 2 elle-même est conçue pour être une cavité résonante 21 et est équipée directement de la tuyère convergente-divergente 1, e quiest particulière- ment efficace pour la réaction de produits de courte durée de vie et d'une substance nécessaire à une étape de stratification. Dans ce cas, le gaz filmogène et le gaz non filmogène peuvent également être précédemment mélangés et introduits par l'intermédiaire du robinet 12a d'alimentation. Dans cet exemple, le plasma généré par les micro-ondes est utilisé pour activer le gaz filmogène et la réaction se déroulant dans la chambre d'amont 2, mais il est également possible d'utiliser un plasma par une onde électromagnétique autre que de la lumière, de la chaleur, des micro-ondes ou un rayonnement conte- nant des rayons X, un faisceau d'électrons. De plus, dans cet exemple, le substrat 3 se présente sous la forme d'une bande et il est enroulé et déroulé à partir des rouleaux tournants 6a, 6b, mais le substrat peut également être mis en forme de tambour, ou bien, en variante, en forme de plaque plate, et les tuyères convergentes-divergentes 1 des chambres d'amont 2 peuvent être alignées dans la direction du mouvement. En outre, les chambres d'amont 2 peuvent également com- prendre deux ou quatre chambres, ou plus. La figure 7 représente schématiquement un autre exemple de la présente invention. Le substrat 3 se trouvant dans la chambre d'aval 5 est mis en forme d'une bande et, pendant qu'il est débité du rouleau tournant 6a, il s'enroule sur le rouleau de réception 6b en passant sur des rouleaux de support 7a et 7b, sur un rouleau chauffant 7c de support, sur deux rouleaux presseurs 20a et sur deux autres rouleaux presseurs 20b placés plus en avant. Les tuyères convergentes-divergentes 1 ci- dessus sont alignées dans la direction du mouvement du substrat 3 qui se déplace du rouleau tournant 6a vers le rouleau récepteur 6b, chaque tuyère étant dirigée vers le substrat 3 dont le déplacement est guidé par les rouleaux respectifs. Chaque rouleau supporte le substrat par sa face arrière et le soutient contre la force avec laquelle les particules fines sont soufflées par la tuyère convergente-divergente 1, et il sert égale- ment de moyen destiné à conférer de l'énergie exté- rieure, telle qu'une pression, de la chaleur, de la lumière, etc. Entre le rouleau tournant 6a et le rouleau 7a de support, il est prévu une lampe émettant des. rayons infrarouges pour le chauffage, cette lampe constituant un moyen 21a d'application d'énergie, et entre les rou- leaux 7a et 7b de support, il est également prévu une lampe à vapeur de mercure irradiant une lumière à courte longueur d'onde et constituant un moyen 21b de communication d'énergie. De plus, le rouleau chauffant 7c de -support chauffe le substrat à sonpassage et il assume également la fonction d'un moyen 22c communiquant de l'énergie. La référence numérique 23 désigne une plaque de protection empêchant le rayonnement lumineux du moyen 21b de commu- nication d'énergie d'arriver sur le substrat 3 entre le rouleau 7b de support et le rouleau chauffant 7c de support. Dans la chambre d'aval 5, il est également possible de mettre en oeuvre un processus de stratifica- tion en faisant avancer une matière de stratification par l'utilisation, par exemple, des rouleaux presseurs 20a, 20b. * La figure 8 illustre schématiquement un autre exemple de la présente invention. La chambre d'aval 5 est de forme cylindrique et trois chambres d'amont 2 comportant des tuyères con- vergentes-divergentes 1 lui sont reliées, à sa circon- férence. Les tuyères convergentes-divergentes respectives 1 sont dirigées vers le substrat 3 dans la chambre d'aval , faisant communiquer, respectivement, la chambre d'amont 2 avec la chambre d'aval 5. Lesbstrat3préentdnsladsbred'aval5 présentesous lafore d'un tambour cylindrique et est monté de façon à pouvoir tourner. Les chambres d'amont 2 sont disposées le long d'une courbure hélicoidale imaginaire entourant la cham- bre d'aval 5 comme représenté en trait mixte sur la figure, la chambre d'amont adjacente 2 étant disposée de façon à être déplacée longitudinalement et transver- salement vers la direction du mouvement de rotation du substrat 3. Par conséquent, en prévoyant un certain nombre de chambres d'amont 2 disposées de façon que les chambres d'amont adjacentes soient déplacées longi- tudinalement et transversalement vers la direction du mouvement du substrat 3, même avec une zone de soufflage limitée formée en un faisceau, il est possible d'effec- tuer un soufflage sur l'ensemble d'une grande surface en récupérant la plus grande partie de cette surface limitée. De plus, dans cet exemple, le substrat 3 se présente sous la forme d'un tambour pouvant tourner, autour duquel les chambres d'amont 2 sont disposées le long d'une courbe hélicoïdale imaginaire. Il est égale- ment possible de donner au substrat 3 une forme plane et de disposer les chambres d'amont 2 en zigzag ou d'une façon décalée sur la paroi de la chambre d'aval. Dans ce cas, le substrat 3 se déplace en ligne droite le long d'un plan horizontal. Comme substrat à utiliser dans la présente invention, on peut choisir, suivant l'utilisation, toute forme souhaitée telle qu'une bande, une plaque, un cylin- dre, etc. On peut utiliser, comme matière pour le substrat, un métal, un polymère, un papier, etc., en particulier de l'aluminium, du téréphtalate de polyéthy- léne, un polyimide, un polyamide, un polycarbonate, un polyacétate, du polyméthacrylate de méthyle, etc. Comme décrit ci-dessus, conformément à la présente invention, il devient possible d'effectuer le soufflage de particules fines, uniformément contre un substrat 3 de grande surface, avec une bonne effi- cacité. De plus, des films déposés de bonne qualité peuvent être produits en grande quantité, car la forma- tion de films déposés en différentes matières peut être effectuée efficacement et, cependant, au moyen d'un seul dispositif. Il est préférable d'utiliser, comme métaux, de l'aluminium, du nickel, du bronze, de l'acier inoxy- dable, du molybdène et analogue. Tous polymères pouvant former un film flexible conviennent pour le polymère. Des polymères plus avantageux sont ceux pouvant former un film résistant à la chaleur et flexible. Les polymères préférables comprennent le téréphtalate de polyéthylene, des polyamides, des polyamides, du polycarbonate, du polyacétate, du polyméthacrylate de méthyle et analogue. En outre de ce qui a été mentionné ci-dessus, on peut déposer un film électriquement conducteur, transparent à la lumière. Le film électroconducteur peut être formé par tout procédé de dépôt en phase vapeur, de pulvérisa- tion et d'enduction. La présente invention est donc prévue pour être mise en oeuvre pour la production en grande série de tambours photosensibles électrophotographiques, de bandes magnétiques d'enregistrement, de bandes d'enregis- trement magnéto-optique, etc. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif de soufflage de particules fines, caractérisé en ce qu'il comporte un certain nombre de chambres d'amont (2) destinées à projeter des parti- cules fines contre un substrat mobile (3). 2. Dispositif de soufflage de particules fines, caractérisé en ce qu'il comporte un certain nombre de chambres d'amont (2) possédant chacune des moyens (10) d'excitation de gaz et projetant des parti- cules fines, activées par lesdits moyens d'excitation, contre un substrat mobile (3). 3. Dispositif de soufflage de particules fines, caractérisé en ce qu'il comporte un certain nombre de chambres d'amont (2) destinées à projeter des particules fines contre un substrat mobile (3), et des moyens (7c) destinés à communiquer de l'énergie au substrat. 4. Dispositif de soufflage de particules fines, caractérisé en ce qu'il comporte un certain nombre de chambres d'amont (2) comportant chacune des moyens (10) d'excitation de gaz et projetant des particules fines, activées par lesdits moyens, contre un substrat mobile (3), et des moyens (7c) destinés à communiquer de l'énergie au substrat. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens de communication d'éner- gie comprennent un élément (7c) de chauffage, de mise sous pression ou d'irradiation lumineuse. 6. Dispositif de soufflage de particules fines, caractérisé en ce qu'il comporte un certain nombre de chambres d'amont (2) destinées à projeter des particu- les fines contre un substrat mobile (3), les chambres d'amont étant disposées de façon à être décalées les unes par rapport aux autres longitudinalement et trans- versalement par rapport au substrat. 7. Dispositif de soufflage de particules fines, caractérisé en ce qu'il comporte un certain nombre de chambres d'amont (2) comportant chacune des moyens (10) d'excitation de gaz et projetant des particules fines, activées par lesdits moyens, contre un substrat mobile (3), lesdites chambres d'amont étant disposées de façon à être décalées les unes par rapport aux autres longitudinalement et transversalement par rapport au substrat. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1, 2, 3, 4, 6 et 7, caractérisé en ce que les particules fines sont projetées au moyen d'une tuyère (1). 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que la tuyère est une tuyère conver- gente-divergente. 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2, 4 et 7, caractérisé en ce que les moyens d'excitation de gaz utilisent une décharge de micro-ondes. 11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1, 2, 3, 4 et 7, caractérisé en ce que le substrat comprend un métal ou un polymère. 12. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que le métal est choisi dans le groupe constitué de l'aluminium, du nickel, du bronze, de l'acier inoxydable et du molybdène. 13. Dispositif selon la revendication 11 prise avec les revendications 2 et 3, caractérisé en ce que le polymère est capable de former un film flexible et résistant à la chaleur. 14. Dispositif selon la revendication liprise avec la revendication 1, caractérisé en ce que le poly- mère est capable de former un film flexible. 15. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que le polymère est choisi dans le groupe constitué du téréphtalate de polyéthylene, de polyimides, de polyamides, de polycarbonate, de poly- acétate et de polyméthacrylate de méthyle.