FR 2595025 A1 19870828 FR 8602582 A 19860225 4. DETECTEUR D'IMAGES A MEMOIRE L'invention concerne un détecteur d'image à mémoire et plus particulièrement un détecteur d'images à lecture par effet ther- mique. Le domaine de la demande de brevet est celui des détecteurs d'images à mémoire associant un photoconducteur et un diélec- trique, dans lesquels l'adressage à la lecture se fait par balayage d'un faisceau laser, lequel engendre, dans un circuit contenant le détecteur, un photocourant proportionnel à l'illumination reçue par le point adressé. Deux publications sont pertinentes dans ce do- maine. Il s'agit de: 1) "A ferroelectric Image Memory" de F. MICHERON, J. M. ROUCHON and M. VERGNOLLE (THOMSON-CSF) publié dans Ferroelectrics 10, 15 (1976) 2) Brevet américain N 4 446 365 déposé le 1 mai 1984, ayant pour titre "Electrostatic Imaging Method", de P.S. ONG, A.ZERMENO, L.M. MARSH and 3.M. HEVEZI. La première publication décrit un détecteur d'images dans lequel le photoconducteur est associé à un diélectrique ferro- électrique. A l'enregistrement, le ferroélectrique étant initialement dans l'état macroscopiquement dépolarisé, bien qu'en dessous de sa température de Curie (orientation aléatoire des axes polaires des microcristaux le constituant), il est soumis simultanément à l'appli- cation via le photoconducteur, d'une tension supérieure à la tension coercitive et à la projection de l'image à enregistrer. Dans les zones très éclairées, la tension est en totalité appliquée au ferro- électrique, et les cristallites s'orientent. Dans les zones de gris, le taux d'orientation est fonction de l'éclairement reçu. Il en résulte dans le ferroélectrique une réplique de l'image enregistrée sous forme de répartition spatiale de polarisation, laquelle est perma- nente, tant que le ferroélectrique n'est pas chauffé à sa température de Curie, ou soumis à la tension coercitive. La lecture est effectuée par balayage d'un faisceau laser, soit du côté photoconducteur, alors il circule dans le circuit extérieur un photocourant dû au dépla- cement des photoporteurs qui viennent neutraliser la charge d'es- pace créée par le ferroélectrique à l'interface; soit du côté ferroélectrique, alors il circule dans le circuit un courant d'origine pyroélectrique et photoferroélectrique. Ces courants constituent le signal vidéo envoyé à un dispositif d'affichage à tube à rayons cathodiques balayé en synchronisme avec le balayage laser, d'o la restitution de l'image; on notera que dans ce type de mémoire d'images, la lecture n'est pas destructive. La seconde publication concerne le même principe, excepté que le diélectrique n'a pas de propriété de mémoire, et que la lecture ne fait intervenir que le mode de neutralisation de la charge d'espace par le photoconducteur éclairé. Dans ce cas, le temps de stockage de l'image enregistrée est fonction des constantes de temps de décharge naturelle (relaxation de Maxwell) du photo- conducteur et du diélectrique. Enfin, la lecture est destructive. Le senseur d'image proposé dans la présente demande de brevet est intermédiaire entre les deux précédents, puisque la lecture peut n'être pas destructive et que le temps de stockage est contrôlé par les temps de relaxation de Maxwell du photoconducteur et du diélectrique; la lecture est effectuée via la variation d'impé- dance induite thermiquement dans le diélectrique. Les fondements physiques de ce mode de lecture sont exposés dans la publication suivante: 3) "Propriétés et Applications des diélectriques polarisés: électrets, polymères orientés et ferroélectriques" de F. MICHERON publié dans la Revue Technique THOMSON CSF N 10, p. 445 (1978). L'invention concerne donc un détecteur d'images à mémoire, caractérisé en ce qu'il comporte: - une première électrode en matériau conducteur; - une première couche d'un matériau photoconducteur en contact 1. avec la première électrode - une deuxième couche transparente d'un matériau dont l'impédance est variable avec la température, ladite deuxième couche étant juxtaposée à la première couche de matériau photoconducteur; - une deuxième électrode transparente en matériau conducteur en contact avec ladite deuxième couche, un générateur de tension d'enregistrement connectable auxdites première et deuxième élec- trodes; - un amplificateur de charge dont deux entrées sont connectables auxdites première et deuxième électrodes et dont une sortie est connectée à un détecteur de charges; un premier commutateur permettant de connecter au choix, auxdites première et deuxième électrodes, le générateur de tension d'enregistrement ou l'ampli- ficateur de charges; - ainsi qu'un 'moyen de chauffage permettant de chauffer la deuxième couche au moins à l'emplacement situé entre les deux dites électrodes. L'invention concerne également un procédé de détection d'images à mémoire dans lequel le détecteur a été exposé à des rayonnements déterminant dans la première couche de matériau photoconducteur une répartition de charges caractérisé en ce que la lecture de cette répartition de charges se fait par chauffage de la deuxième couche de matériau à impédance variable. Les différents objets et caractéristiques de l'invention appa- raitront plus clairement dans la description qui va suivre, faite à titre d'exemple en se reportant aux figures annexées qui repré- sentent: -. - la figure 1, un exemple de réalisation du détecteur de l'invention; - les figures 2 à 4, des circuits électriques équivalents possibles du détecteur de l'invention; - les figures 5 et 6, des schémas électriques de fonctionnement du détecteur de l'invention dans une phase d'enregistrement; - les figures 7 et 8, des schémas électriques de fonctionnement du détecteur de l'invention dans une phase de lecture; - la figure 9, des courbes de variation de la permittivité en fonction de la température, de matériaux diélectriques ferrô- électriques; - la figure 10, un exemple de réalisation d'un détecteur d'images selon l'invention réalisé sous la forme d'un écran; - la figure 11, une variante de réalisation du détecteur d'images selon l'invention, dans lequel une électrode de chauffage sert également d'électrode de lecture; - la figure 12, une autre variante de réalisation du détecteur d'images selon l'invention, dans lequel l'électrode de chauffage est séparée d'une électrode de lecture par une couche d'isolant. Selon l'invention, l'élément photosensible est un matériau photoconducteur et l'élément de lecture un matériau à impédance dépendant de la température associé à un moyen de chauffage. Le détecteur peut être de type ponctuel, ou associer en ligne des éléments ponctuels pour former une barette, ou associer en matrice les éléments ponctuels pour former une rétine ou un plan. Dans ce dernier cas, le moyen de chauffage est spatialement sélectif, la zone adressée thermiquement pouvant être déplacée à la surface de la rétine pour permettre la sortie en parallèle des informations contenues dans la dite zone. Le matériau photoconducteur est choisi selon l'énergie du rayonnement à détecter, de l'infrarouge, en passant par le visible et les rayons X, jusqu'aux particules de hautes énergies (MeV). Sur la figure 1, on trouve donc un détecteur selon l'invention qui comprend: - une couche 2 d'un matériau photoconducteur; - une couche 3 d'un matériau dont l'impédance est variable avec la température; - deux électrodes 1 et 4 situées de part et d'autre des couches 2 et 3 en contact chacune avec l'une de ces couches. Le détecteur est éclairé, lors d'un enregistrement, par un rayonnement indiqué par la flèche R. L'électrode 4 qui reçoit ce 1 1 rayonnement est transparente à la longueur d'onde du rayonnement ainsi que la couche 3 de matériau à impédance variable. La couche photoconductrice 2 pour le rayonnement considéré est métallisée sur la face inférieure (non soumise au rayonnement) par l'électrode 1. Sa face supérieure est revêtue de la couche 3 de matériau dont l'impédance varie avec la température. Le matériau de la couche 3 et l'électrode supérieure 4 ainsi obtenue sont transparents au rayonnement considéré. Dans un mode de réalisation préféré de l'invention, le matériau de la couche 3 est un diélectrique, dont la permittivité varie fortement avec la température, tels que des ferroélectriques ou d'autres diélectriques (camphre et ses dérivés) portés au voisinage de transitions structurales. On obtient alors un détecteur dont le schéma électrique équivalent est représenté en figure 2 avec le photoconducteur 2 représenté par la résistance RI et le conden- sateur C I en parallèle, et la couche 3 de matériau diélectrique représentée par un condensateur variable C2. Selon un autre mode de réalisation, c'est la conductivité du diélectrique qui peut varier (augmenter) avec la température. On obtient ainsi, comme représenté en figure 3, pour la couche 3, un condensateur C2 et une résistance variable R2. Selon un troisième mode de réalisation, la couche 3 de maté- riau diélectrique peut avoir sa permittivité et sa conductivité qui augmentent de pair avec la température. On obtient alors un schéma électrique équivalent avec la couche 3 représentée par un conden- sateur variable C2 et une résistance variable R2. Dans tous les cas, la couche 3 de matériau diélectrique est considérée comme ayant une conductivité nulle à la température d'enregistrement de l'image. Dans ce qui suit, c'est le mode thermodiélectrique (variation de permittivité avec la température) qui sera considéré tout d'abord. On admettra de même que la conductivité du photoconducteur est nulle sauf pendant l'illumination. Le principe d'enregistrement, connu en soi, consiste à obtenir à l'interface diélectrique/photoconducteur une densité de charges fonction de l'illumination. Plusieurs modes sont possibles tels que décrits par exemple dans le livre: "Electrophotography" de R.M. SCHAFFERT, Ed. Focal Press 1971, ainsi que dans le brevet américain N 4 446 365 cité précédemment. L'un consiste à appli- quer une tension V à l'ensemble pendant l'exposition, puis à le court- circuiter après l'exposition. A l'état initial représenté en figure 5 le potentiel appliqué étant V, le potentiel d'interface peut s'écrire: C2 u = V C1+C2 Cependant, en utilisant d'autres moyens, il est possible de rendre ce potentiel u plus élevé. Lorsque le photoconducteur 2 est soumis au rayonnement R (figure 6) la tension V étant appliquée, le potentiel u décroit, du fait de la conductivité o (I) du photoconducteur; on a: a (I) = cx i Tp N avec: x: coeff. d'absorption du photoconducteur au rayonnement X. pI et T: respectivement mobilité et temps de vie des P photoporteurs. ri: Vrendement de photoconductivité équivalent au nombre de photoporteurs/nombre de photons absorbés. N: densité surfacique de photons incidents par seconde équivalent à I/h v(I en Watts par mètre carré). La constante de temps T de décroissance est égale au rapport des capacités en parallèle et de la conductance G du photo- conducteur. Les couches de matériaux thermodiélectrique et pho- toconducteur ont la même surface; leurs épaisseurs et permittivité sont respectivement el, E 1 et e2, ú2 d'o ó 2 e1 u = V e2 1 el c2+e2 E1 1+ 2 e2cel2 1 = - =e2 T (!) Le potentiel à l'interface après exposition pendant un temps t est alors t ut = u exp - t = x u. Après exposition, les électrodes sont mises en court-circuit. La charge des deux condensateurs se répartit dans -la capacité somme, d'o la tension ux à l'interface: C2(V-ut) - Cut = - (c1 + C2)ux C2V C 2V soit ux (-X=)- Ci 2 t!+C2 Selon un deuxième mode d'enregistrement, ce potentiel V est appliqué à l'ensemble, qui est exposé uniformément pendant un temps suffisant pour que le potentiel u tombe à 0; le potentiel V est ramené à 0. Il s'ensuit qu'à l'interface, le potentiel est: C2V u' 2 = u (o C + C2 x (0 Le senseur est exposé pendant un temps t au rayonnement de sorte que le potentiel à l'interface devient: G2V _t/T u'x = - C + Il apparatt donc que ux et u'x sont complémentaires: C V u + u' = 2 C'est à dire que les deux images correspondant aux deux modes d'enregistrement cités sont de contrastes inversés. On choisira par exemple dans la suite de la description, le premier mode d'enre- gistrement. Aux faibles temps d'exposition, on obtient: XC2V t u = _ x C 1+ C 2T En introduisant les valeurs de T et de u, lI | (1C2) I Uxl = u (c1+c2)2 GVt = Gut Ci+C2 Or Gu est le courant de photoconduction i, et i. t la charge électronique Qx déplacée sous irradiation pendant le temps t. On vérifie donc que quelles que soient C1 et C (C1 + C2) Ux = Qx On a ainsi décrit comment le détecteur de l'invention permet d'enregistrer une image. En se reportant aux figures 7, 8 et 9, on va maintenant décrire le procédé de lecture thermodiélectrique du détecteur de l'inven- tion. L'image latente est enregistrée sous forme d'une distribution spatiale de charges à l'interface, soit qx = (C1 + C2) ux ou qx = - C2 V(L - x). Dans le cas du senseur ponctuel, le dispositif est connecté à un amplificateur de charge. Supposons que l'on fasse varier la capacité C2 du diélectrique (par variation d'épaisseur ou de permittivité) le calcul effectué dans le document "Propriétés et Applications des diélectriques polarisés = électrets, polymères orientés et ferroélectriques" de F. MICHERON, précédemment cité, montre que la charge mesurée est propor- tionnelle à la variation relative de la capacité. Ce mode de lecture tel que représenté en figure 7 s'apparente à l'amplification para- mètrique, le gain provenant de la source d'énergie nécessaire pour faire varier la capacité. On voit que ce mode de lecture n'est pas destructif: si la capacité C2 varie alternativement autour de sa valeur moyenne, la charge collectée varie à la même fréquence. Il s'ensuit qu'en redressant en deux alternances le signal issu de l'amplificateur de charge, ce signal redressé peut charger une capacité réservoir CR proportionnellement au nombre de cycles de la capacité variable, d'o un gain de rapport signal à bruit. Un tel fonctionnement est obtenu avec le circuit de la figure 8 o un pont redresseur 9 connecté à l'amplificateur 8 permet de charger le condensateur CR. Plutôt que de faire varier la capacité C2 électriquement (diode Varicap, diélectrique ferroélectrique à proximité de sa température de Curie ou du champ coercitif) ou mécaniquement, nous proposons de la faire varier thermiquement, par échauffement: cet échauffement peut être obtenu par absorption d'énergie lumi- neuse ou par effet 3oule. L'avantage de la commutation thermo- diélectrique tient à ce que circuits d'enregistrement et circuits de lecture sont bien découplés. De plus, le bruit de commutation peut être réduit par rapport à une commutation électrique d'un élément non linéaire (plasma, varistance, etc...). Des variations importantes de permittivité par échauffement peuvent être obtenues dans les diélectriques ferroélectriques; accroissement lorsque Ta Tc ainsi que cela est représenté par les courbes I et 2 de la figure 9. Ces diélectriques devant être transparents au rayonnement à détecter, des polymères tels que P(VF2/TrFE) sont bien adaptés (rapport de permittivité maxi à mini de 5 à 10), d'autant plus que l'on peut les obtenir en grandes surfaces homogènes. Le calcul précédemment cité et publié dans "Propriétés et applications des diélectriques polarisés: électrets, polymères orien- tés et ferroélectriques" de F. MICHERON, étant un calcul varia- tionnel, n'est pas adapté au cas des grandes variations de capacités considérées ici. La charge des deux condensations CI et C2 est constante soit Qx = (CI + C2) ux soient Uxm et uxM les tensions d'interface correspondant respecti- vement aux valeurs mini C2m et maxi C2M de la capacité Qx = (C +u m> m = (C1+C 2M)uxM La charge lue par variation du condensateur C2 est m M 2 C1 u m 22 x Cl[ux Mx 1X C1 + C2 m M m M 22 C1 ux C +C m e r e2 Le rapport de la charge lue qxà la charge stockée Qx est C1 S - C1 + 2m C M-C m 2 2 C + M Pour optimiser la valeur du rapport S, on choisira la valeur de la capacité du condensateur C1, en posant C M 0 c2m et Cm 2m B -c B3 o - 1 S = + B 1 +a - dS dB = (a-l) l a2 (1+8)2 (,+aB)2 Dans ces conditions, S est maximum pour o B2 = I d'o la Il 2 m M valeur correspondante de C1 est donnée par C1 opt = C2 C2M o-1 et S max = - (1+,/-2 La fluctuation ds max avec celle de o est dS max 2 do (1+e-3 d'o le tableau donnant les valeurs de S max (o) et ds max (o) dot a 1 2,5 7 10 25 100 s max 0 0,225 0,45 0,52 0,67 0,82 1 ds max 0,25 0,12 0,04 0,03 0, 01 1,5 10-3 0 do Il ressort de ce. tableau que le rendement de lecture est d'autant plus grand et qu'il est d'autant moins affecté par une fluctuation'de a que a est plus grand. On supposera maintenant dans la suite de la description que le détecteur n'est pas ponctuel et a des dimensions par exemple de x40 cm2. Il peut alors être considéré comme comportant un ensemble d'éléments détecteurs quasi-ponctuels disposés sous la forme d'une matrice, chaque élément détecteur étant situé au croisement d'une ligne et d'une colonne. La résolution d'un tel détecteur peut être de 200 llm et peut comporter 2000 lignes déposées sous le photoconducteur et 2000 colonnes, déposées sur le diélectrique. On trouve sur la figure 10 un exemple de réalisation d'un tel détecteur. Ce détecteur comporte une couche plane d'un matériau photoconducteur 2, et une couche 3 d'un matériau dont l'impédance varie avec la température. La face libre de la couche 2 possède des électrodes, telles que 1, linéaires et parallèles entre elles. On appellera ces électrodes 1, électrodes de lignes. La face libre de la couche 3 possède des électrodes, telles que 4, linéaires et orthogonales aux électrodes 1. On appellera ces électrodes 4, électrodes de colonnes. A chaque électrodes de ligne (1) est connecté un amplificateur de lecture. A chaque électrode de colonne 4 est connecté un commutateur 10 permettant de connecter ladite colonne soit à un potentiel de référence tel que le potentiel 0, soit un générateur de tension 7 fournissant un potentiel V. A l'enregistrement, toutes les électrodes de lignes sont au potentiel zéro, et toutes les colonnes au potentiel V. A la lecture, chaque ligne est reliée à un amplificateur de charges, et toutes les colonnes sont au potentiel zéro. On remarquera que dans cette disposition, toutes les lignes peuvent être connectées sans commu- tations aux amplificateurs de charge, pourvu que le potentiel d'entrée de ces amplificateurs soit nul, et que les amplificateurs supportent les variations de charges correspondant aux changements de potentiels imposés aux colonnes. Pour la lecture, les moyens d'adressage thermique d'un élé- ment détecteur seront décrits ultérieurement. La charge engendrée par adressage thermodiélectrique d'un élément détecteur apparaît sur la capacité C égale à la somme des capacités des éléments détecteurs d'une même ligne. Pour un élément détecteur de 200 x 200 1im2, le nombre minimum de photons X à détecter est environ 10. En supposant un rendement global du photoconducteur de 1000 électrons par photons X absorbé, la charge minimale est: Qxmin = 10 e, soit Qxmin = 1,6 10-15C. La quantité de charges lue est qxmin = s Qxmin' A tempé- rature ambiante, la capacité aux bornes de laquelle cette charge est i égale à la fluctuation efficace de charge, vaut, pour s = 0,5 q x Min C KT = 1,6 10-1 F. En supposant qu'une ligne telle que 1, comporte N = 2000 éléments détecteurs, la capacité par élément détecteur est: C = 8.10-14 F. P 3 Le cas le plus défavorable pour le bruit correspond au maximum de la capacité d'un élément détecteur qui est celle du photoconducteur pour une valeur C2 voisine de l'infini. Pour une épaisseur e1 = 200 Dam, la constante diélectrique maximale du photoconducteur est: Cp e1 8.10-14 lmax Eo = 200.10-6 d'o lmax = 40. La valeur de s = 0,5 correspond au rapport: M M - 2- 10. c2m E2m En utilisant la relation d'optimisation C2 C c2m C12, on obtient comme indiqué dans le tableau ci-dessous, pour les photo- conducteurs X à permittivités inférieures ou sensiblement égales à , les caractéristiques souhaitées pour le thermodiélectrique. Pour BSO et PbO, la gamme de constantes diélectriques convient aux polymères ferroélectriques de la famille P(VF2/VF3), alors que pour CdTe et a-Se, de permittivités plus faibles, ces polymères ne conviendraient qu'en épaisseurs supérieures, ce qui limitera la vitesse de lecture. Cependant, on peut prendre une épaisseur inférieure à l'épais- seur optimale sans perdre de façon notable en sensibilité. Par exemple, dans les exemples précédents, prendre une épaisseur de la couche 3 de matériau diélectrique, de e = 30 um au lieu de 100 atm, fait baisser la sensibilité d'environ 0,5 à 0,4. Par contre, cela procure l'avantage de gagner d'un facteur 9 sur le temps de lecture. Le diélectrique ayant une face libre et une face en contact avec le photoconducteur, on procédera à l'apport de chaleur par la face libre. La durée de l'impulsion de chauffage du diélectrique est choisie en première approximation comme égale au temps de propagation de l'onde thermique dans son épaisseur, soit: e tc = 4[1yT e2 = 200 ltm e2 = 1001m m M m M Photoconducteur E 1 E2 E2 ú 2 Bil2 Si 02o(BSO) 50 16 160 8 80 Cd Te Il 3, 5 35 1,7 17 PbO 24 7,6 76 3,8 38 a-Se 7 2,2 22 1,1 il o DT est la diffusivité thermique DT - 5 10-8 m2 s'1 pour un polymère ferroélectrique DT -3 10-7 m2 s'1 pour un oxyde ferroélectrique. En prenant par exemple un polymère ferroélectrique de 100 pm d'épaisseur, on a: -8 t 8 50 ms c 4xSx108 On en déduit que dans ce cas, le temps de lecture, pour les 2000 colonnes est t2 = 2000 tc = 100 s. L'énergie nécessaire au chauffage d'un élément d'image est W = v. C T o v = volume d'un élément détecteur C = chaleur spécifique volumique et AT l'élévation de température pour un volume (100)3 lm3 = 1012m3 1 C = 2,4 1063.m'3K-1 (polymère) C et AT = 100 , Wc = 2,4 10 43 La puissance nécessaire est Wc Pc = t= 5 10'3W soit pour une colonne P = 2000 Pc = 10W. Quel que soit le type de couche à impédance variable avec la température, deux modes de chauffage sont envisagés: chauffage par absorption de photons, ou chauffage par effet Joule. Compte tenu de la durée de propagation de l'onde thermique dans le matériau à impédance variable, on choisira une excitation thermique collective colonne par colonne plutôt que point par point. Dans le premier mode de chauffage, les colonnes sont revêtues d'une couche absorbante à la longueur d'onde d'excitation; un laser défléchi en x (lignes) et y (colonnes) vient balayer successivement chaque colonne. Chaque colonne est balayée entre 10 et 100 fois pendant le temps de propagation de l'onde thermique dans la couche à impédance variable, de façon à procurer un échauffement homo- gène le long de cette colonne. Ce mode de fonctionnement peut être obtenu avec l'exemple de réalisation représenté en figure 10. La couche 3 et les électrodes de colonnes 4 sont éclairées par un rayonnement R délivré par une source non représentée. Les électrodes de colonnes 4 sont revêtues par une couche absorbante qui permettent d'absorber les photons du rayonnement R et de chauffer dans la couche 3, le matériau voisin de ces électrodes. Selon une autre variante de réalisation, il est également possible de prévoir un matériau de la couche 3 absorbant le rayon- nement R. Il n'est alors pas obligatoire de recouvrir les électrodes de colonnes 4 par un matériau absorbant. Dans le second mode de fonctionnement, les électrodes de colonnes 4 sont conductrices et sont chauffées par effet Joule, en les faisant traverser par un courant issu d'une source capable de délivrer la puissance nécessaire par ligne (10 W dans l'exemple précédent). Cette variante nécessite un accès et une commutation à chaque extrémité des électrodes de colonnes. Cependant, ce double accès aux colonnes peut être évité en couvrant chaque colonne d'une autre colonne de chauffage, ces deux colonnes superposées étant séparées par un diélectrique mince. En se reportant à la figure 11, on va décrire la variante de réalisation prévoyant une commutation à chaque extrémité des conducteurs de colonnes. Sur cette figure, on retrouve le détecteur de la figure 10 dans lequel on a représenté qu'une seule électrode de ligne 1 et une seule électrode de colonne 4 pour simplifier la représentation. Un premier commutateur Il permet de connecter une extré- mité 40 de l'électrode de colonne 4 soit à un potentiel nul, soit à un potentiel V fourni par le générateur 7. Un deuxième commutateur 12 permet soit de connecter l'autre extrémité 41 de l'électrode de colonne 4 à un générateur courant 8, soit de l'isoler. Lors d'un enregistrement, le commutateur Il connecte I'extré- mité 40 de l'électrode de colonne 4 au générateur 7 qui porte ainsi l'électrode 4 au potentiel V. Le commutateur 12 isole l'extrémité 41 de l'électrode 40. L'enregistrement par illumination du détecteur peut alors être réalisée sur toute la colonne située sous l'élec- trode 4. Lors d'une lecture, le commutateur 12 connecte l'extrémité 41 au générateurl8. Un courant circule dans l'électrode de colonne 4 qui s'échauffe et élève la température du matériau de la couche 3. La lecture du point de détection situé au croisement de l'électrode de colonne 4 et de l'électrode de ligne 1 peut être réalisée par l'ampli- ficateur 8. En se reportant à la figure 12, on va décrire la variante de réalisation dans laquelle l'électrode de chauffage est séparée de l'électrode de colonne 4. Dans cette réalisation, on retrouve une électrode de ligne 1, la couche 2 de matériau photoconducteur, la couche 3 de matériau à impédance variant avec la température, une électrode de colonne connectable par un commutateur 10, comme dans l'exemple de réalisation de la figure 10, soit à un potentiel nul, soit à un générateur 7 fournissant un potentiel V. Une couche mince 6 d'un matériau diélectrique recouvre la couche 3 et les électrodes. de colonne 4. Sur cette couche 6 est arrangée une électrode de chauffage (5). Cette électrode 5 dont une extrémité est à un potentiel nul, à son autre extrémité connectable à un générateur de courant 48 par l'intermédiaire d'un commu- tateur 11. Lors d'un enregistrement, le commutateur 10 connecte l'élec- trode 4 au générateur 7 et l'électrode 5 est déconnectée du. générateur 8. Lors d'une lecture, le commutateur 10 connecte l'électrode 4 au potentielnul tandis que le commutateur 11 connecte l'électrode 5 au générateur 8 qui fournit un courant provoquant l'échauffement de l'électrode 5. Il est à noter que selon d'autres variantes de réalisation non représentées, il est possible de prévoir des électrodes qui recouvre toute la surface du détecteur. Notamment, dans l'exemple de réalisation de la figure 10 o le chauffage par le rayonnement R peut se faire de manière sélective, ou bien dans l'exemple de réalisation de la figure 12 o les électrodes de chauffage 5 sont séparées des électrodes de colonnes 4, il est possible au lieu de prévoir une série d'électrodes de colonnes 4 parallèles entre elles, une électrode recouvrant toute la surface de la couche 3 de maté- riau à impédance variable. REVENDICATIONS 1. Détecteur d'images à mémoire, caractérisé en ce qu'il comporte: - une première électrode (1) en matériau conducteur - une première couche (2) d'un matériau photoconducteur en contact avec la première électrode; - une deuxième couche (3) transparente d'un matériau dont l'impé- dance est variable avec la température, ladite deuxième couche (3) étant juxtaposée à la première couche (2) de matériau photo- conducteur; - une deuxième électrode (4) transparente en matériau conducteur en contact avec ladite deuxième couche (3), un générateur de tension d'enregistrement (7) connectable auxdites première et deuxième électrodes (1,4); - un amplificateur de charge (8) dont deux entrées sont connectables auxdites première et deuxième électrodes et dont une sortie est connectée à un détecteur de charges (9); un premier commutateur (10) permettant de connecter au choix, auxdites première et deuxième électrodes, le générateur de tension d'enregistrement (7) ou l'amplificateur de charges (8); - ainsi qu'un moyen de chauffage permettant de chauffer la deuxième couche (3) au moins à l'emplacement situé entre les deux dites électrodes (1,4). 2. Détecteur d'images à mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen de chauffage comporte une source laser émettant un faisceau vers la deuxième couche (3) située entre la première et la deuxième électrode et le matériau de ladite deuxième couche (3) est de nature à absorber l'échauffement pro- voqué par le faisceau de la source laser. 3. Détecteur d'images à mémoire selon la revendication 2, caractérisé en ce que le moyen de chauffage comporte au moins une électrode de chauffage (5). 4. Détecteur d'images à mémoire selon la revendication 3, caractérisé en ce que le moyen de chauffage comporte en outre une source laser émettant un faisceau vers l'électrode de chauffage et que celle-ci est revêtue d'une couche absorbante (50) à la longueur d'onde dudit faisceau. 5. Détecteur d'images à mémoire selon la revendication 3, caractérisé en ce que le moyen de chauffage comporte en outre une source de courant électrique de chauffage connectée à l'électrode de chauffage et que celleci est en matériau conducteur et est chauffée par effet 3oule lorsqu'elle est alimentée en courant éler- trique. 6. Détecteur d'images à mémoire selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'électrode de chauffage (5) est superposée à la deuxième électrode (4) avec une couche (6) d'un matériau diélectrique séparant l'électrode de chauffage (5) et la deuxième électrode (4). 7. Détecteur d'images à mémoire selon la revendication 3, caractérisé en ce que la deuxième électrode (4) est utilisée comme électrode de chauffage. 8. Détecteur d'images à mémoires selon la revendication 5, caractérisé en ce que: - la deuxième électrode (4) est utilisée comme électrode de chauf- fage; - un deuxième commutateur (11) permet de connecter une première borne (40) de cette deuxième électrode (4) soit à une borne du générateur de tension d'enregistrement (7) durant une opération d'enregistrement, soit à une borne de la source de courant électrique (8) durant une opération de lecture; - un troisième commutateur (12) permet soit d'isoler une deuxième borne (41) de la deuxième électrode (4) durant un enregistrement, soit de la connecter à une autre borne de la source de courant électrique (8) durant une lecture. 9. Détecteur d'images à mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce que la deuxième couche (3) est en matériau diélectrique ferroélectrique. 10. Détecteur d'images à mémoire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdites première et deuxième électrodes (1,4) ainsi que lesdites électrodes de chauf- fage (5) sont rectilignes et parallèles. 11. Détecteur d'images à mémoire selon la revendicatiQn 10, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité d'électrodes des différents types toutes parallèles entre elles. et parallèles aux première et deuxième couches (2,3) faisant ainsi un écran d'enre- gistrement et de lecture. " 12. Détecteur d'images à mémoire selon l'une quelconque des revendications I à 9, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité de premières électrodes parallèles entre elles et une pluralité de deuxième électrodes orthogonales aux premières électrodes, un amplificateur de charges (8) et un détecteur de charges (9) étant connecté à chaque première électrode et un premier commutateur (10) étant associé à chaque deuxième électrode (4) pour connecter au choix la deuxième électrode correspondante soit à un générateur de tension d'enregistrement (7) commun à tous les commutateurs, soit aux amplificateurs de charges (8). 13. Procédé de détection d'images à mémoire dans lequel le détecteur selon l'une quelconque des revendications précédentes a été exposé à des rayonnements déterminant dans la première couche (2) de matériau photoconducteur une répartition de charges carac- térisé en ce que la lecture de cette répartition de charges se fait par chauffage de la deuxième couche (3) de matériau à impédance variable.