FR 2590066 A1 19870515 FR 8611401 A 19860806 Elément de mémoire à bulles magnétiques La présente invention a en principe pour objet un élément de mémoire à bulles magnétiques présentant une configuration de matériau magnétique doux sur une configuration de conducteur, avec une couche isolante intermédiaire stratifiée, et plus particulièrement une couche isolante intermédiaire stratifiée permettant d'obtenir une excellente caractéristique de transfert des bulles dans un élément de haute densité utilisant des bulles présentant un diamètre extrêmement petit inférieur à 1,2 pm. Dans l'élément de mémoire à bulles magnétiques, la configuration de matériau magnétique doux est formée sur une pellicule de grenat à bulles, et on applique un champ magnétique rotatif dans une direction dans le plan de façon à produire des pâles magnétiques dans les zones d'extrémité de la configuration. Le transfert des bulles est réalisé en utilisant ces pâles. D'autre part, la configuration de matériau magnétique doux est formée sur la configuration de conducteur, avec une pellicule isolante intermédiaire stratifiée. De ce fait, si la différence de niveau du conducteur est transférée telle quelle au matériau magnétique doux, la différence de niveau apparaît aussi dans le matériau magnétique doux, et les pôles magnétiques sont produits dans la portion présentant la différence de niveau par le champ magnétique rotatif et par un champ magnétique polarisé dans une direction verticale. Les pâles de cette zone de diffé- rence de niveau exercent des influences contraires sur le transfert des bulles, détériorant ainsi les caractéristiques de transfert. Afin de résoudre ce problème, une méthode a été proposée, telle que décrite dans la demande de brevet japonais ouverte au pulbic N 22293/1980, par exemple, dans laquelle on utilise une résine thermodurcissable comme pellicule isolante intermédiaire stratifiée entre la configuration de conducteur et le matériau magnétique doux. Cette méthode consiste en une enduction d'une solution de résine thermodurcissable et à durcir à chaud la résine pour former une pellicule isolante en résine. On peut estimer que cette méthode est une méthode très simple d'égalisation, présentant une reproductibilité élevée, du fait qu'elle peut égaliser la différence de niveau du conducteur en utilisant la fluidité de la solution de résine thermodurcissable. Lorsqu'une voie de transfert pour bulles ultrafines présentant un diamètre inférieur à 1,2 pm est formée par cette méthode, les caractéristiques de transfert ne se sont pas révélées toutefois satisfaisantes. En d'autres termes, il s'est avéré que les caractéristiques de transfert chutent dans la zone de différence de niveau du conducteur, dans ce cas. La Figure 3 des dessins annexés est un schéma montrant la relation entre les caractéristiques de transfert de cette zone de différence de niveau et le diamètre des bulles. Chacun des échantillons utilisés pour déterminer cette relation fut obtenu en formant une première pellicule isolante, une configuration de conducteur, une seconde pellicule isolante et une configuration de matériau magnétique doux sur une pellicule magnétique présentant un diamètre de bulles correspondant. De la polyimide-isoindolo- quinazolinedione, appartenant au groupe des résines poly- imides, fut utilisée comme seconde pellicule isolante. D'après ce schéma, il apparaît que la marge de transfert (la hauteur de champ magnétique polarisé nécessaire pour le transfert régulier des bulles) est d'au moins 10 % pour des bulles présentant un diamètre supérieur à 1,2 pm, et chute de façon drastique lorsque le diamètre des bulles devient inférieur à 1,2 pm. En d'autres termes, une marge de transfert d'au moins 10 % est nécessaire en vue d'atteindre un fonctionnement de mémoire satisfaisant. Ainsi il s'est avéré que plus petit est le diamètre des bulles, plus insuffisant est l'effet d'égalisation selon la méthode de l'art antérieur. On peut considérer que, lorsque le diamètre des bulles est réduit, le champ magnétique de polarisation nécessaire pour permettre l'existence des bulles s'accroît, de sorte qu'il se produit un important pôle magnétique non nécessaire par rapport à une différence de niveau seulement limitée de la configuration de matériau magnétique doux. En relation avec la différence du niveau qui provoque le pôle magnétique non nécessaire, l'angle d'inclinaison (8) dans la zone d'extrémité du conducteur, représenté sur la Figure 4 des dessins annexés, est plus important que la valeur de la différence de niveau elle-même. En d'autres termes, la magnétisation à l'intérieur du matériau magnétique doux tend à présenter une distribution aussi parallèle et aussi continue que possible du fait de l'interaction d'échange. Pour cette raison, la magnétisation à l'intérieur du matériau magnétique doux dans la zone de différence de niveau décrite ci-dessus est pratiquement en regard de la direction de l'angle d'inclinaison. On pense donc que plus grand sera l'angle d'inclinaison (e), plus important sera le pôle magnétique non nécessaire. En outre, l'influence du champ magnétique de polarisation tend à diriger la direction de magnétisation dans la zone de différence de niveau vers la direction verticale de sorte que la composante verticale de magnétisation croît avec le champ magnétique de polarisation et donc, le pôle magnétique non nécessaire augmente également. La Figure 5 est un schéma illustrant la relation entre l'angle d'inclinaison (e) nécessaire pour assurer une marge de transfert de 10 % et le diamètre des bulles. Les échantillons utilisés pour déterminer cette relation furent les mêmes que ceux utilisés à la Figure 3, la seconde pellicule isolante étant toutefois formée. A partir de la Figure 5, il est clair que l'angle d'inclinaison doit être de à 0 lorsque le diamètre des bulles est aussi faible qu'inférieur à 1,2 pm, afin d'assurer une marge de transfert de 10 %. Un objet de la présente invention est d'obtenir de bonnes caractéristiques de transfert dans un élément de mémoire à bulles magnétiques utilisant des bulles présentant un très petit diamètre inférieur à 1,2 pm. Cet objet de l'invention peut être réalisé en stipulant que l'angle d'inclinaison de la seconde pellicule isolante présentant une épaisseur prédéterminée dans la zone d'extrémité du conducteur soit de 20 à 0 . Selon la présente invention, on utilise pour au moins une partie de la seconde pellicule isolante une résine qui subit une fluidisation après traitement thermique. En d'autres termes, la présente invention utilise non seulement la fluidisation de la solution de résine au moment de l'enduction, mais également sa fluidisation à l'état fondu après traitement thermique afin de réduire de façon importante l'angle d'inclinaison dans la zone d'extrémité dul conducteur. En conséquence, l'objet de la présente invention peut être atteint en faisant fondre un précurseur de poly- imide représenté par la formule générale suivante (I) ou (II) par chauffage, et en laissant durcir la résine fondue: O H Il I Ri - C N - Ar' C -OH Il H I - N - Iol C ArZ HO- C Il o H H 0 À> I I 1 1 N-Ar' - N- C-R I o Il C /I C -OH Il n 0 / (I) C -OH Il o (o R1 est au moins un groupe choisi parmi HC- C ' N =C J (Y etó. CHo Ar est au moins un groupe choisi parmi 0 O,/s/0a I 0O Soz OS Oz @ SOz et CHz et 1g O _e Ar6 est au moins un groupe choisi parmi Ar2 est au moins un groupe choisi parmi o o o) Il -NX C ON N"Z oj 0etAiC / et n est un nombre entier de 1 à 20); et Rzm 0O I 11 (R'O) 3 - mSi - R: - NH C HO= o -C 1 - C Arz OH- C Il O ' Il x C -NH-Ar'NH / - Ar- /\ C C =OH Il 11 O O n G RZnm il I C -NH - R3 -Si (OR') 3- m ( I) C -OH Il o (o Ar est au moins un groupe choisi parmi N\ZNZO o, O O 1 - o o o o, o X SOz 0 C zSOz, N"so Z o o CH2 ot t2 /E,( S Oz O Ar est au moins un groupe choisi parmi o Il / / C 0 o o J R1 est un groupe méthyle, éthyle, propyle, butyle ou phényle; R2 est un groupe méthyle, éthyle, butyle, phényle, méthoxy, éthoxy, propoxy, butoxy ou phénoxy; R3 est un groupe méthylène, éthylène, propylène, butylène ou phénylène; m est 0,1 ou 2; et n est un nombre entier de 1 à 100). Puisque le précurseur de polyimide représenté par la formule générale (I) ou (II) présente une solubilité élevée dans un solvant et forme un vernis homogène à concentration élevée d'acide polyamique, des pellicules présentant diffé- rentes épaisseurs peuvent être formées facilement. Les solvants préférés sont des solvants polaires tels que la N-méthyl-2pyrrolidone, la benzylpyrrolidone, le N,N-diméthyl- acétamide, le diméthylformamide et le diméthylsulfoxyde. Plus particulièrement, lorsque l'on réalise un revêtement par filage comme décrit dans ce qui suit, le solvant est de préférence la N-méthyl-2-pyrrolidone ou le N,N-diméthyl- acétamide. Ces solvants sont utilisés seuls ou en mélange. La pellicule isolante intermédiaire stratifiée de l'élément de mémoire à bulles magnétiques est obtenue en appliquant le vernis d'acide polyamique décrit ci-dessus sur un substrat non-uniforme sur lequel est disposée la configuration de conducteur et à soumettre ce substrat à un traitement de thermodurcissement pour former une pellicule en résine polyimide. Bien que les méthodes de revêtement comprennent le revêtement par filage, le revêtement au r3uleau, le revêtement par immersion, le revêtement par impression et analogues, la méthode de revêtement par filage est la plus avantageuse pour former la pellicule de façon uniforme sur la surface entière du substrat avec une capacité de production élevée. Le traitement de thermodurcissement est réalisé à une température de l'ordre de 140 à 400 C, et de préférence de 250 à 400 C, pendant 10 à 180 minutes, et de préférence de 30 à 120 minutes. L'atmosphère utilisée est une atmosphère de gaz inerte de Ar, N2 ou analogues, ou bien un état de pression réduite de 0,1 Pa ou inférieure. Les précurseurs de polyimides de formules (I) et (II) décrits ci-dessus présentent en commun les propriétés suivantes. (1) Ils fondent et provoquent la fluidisation à une température appropriée au-dessous de la température de durcissement du polymère. (2) Ils peuvent réduire de façon intéressante l'angle d'inclinaison e dans la zone d'extrémité de la configuration de conducteur du fait de leur fluidisation à l'état fondu. (3) Lorsqu'ils sont traités thermiquement au-dessus d'une température à laquelle ils provoquent la fluidisation à l'état fondu, ils sont durcis en un polymère présentant un poids moléculaire important. Une méthode d'égalisation de la surface du substrat, utilisant ces résines qui provoquent la fluidisation à chaud après chauffage, est décrite dans la demande de breve: japonais ouverte au public N 121064/1982. Toutefois, cette invention de référence concerne une inégalité de la surface du substrat et est destinée à réduire la valeur absolue de la différence de niveau. En conséquence, il est en principe difficile d'appliquer cette méthode aux problèmes inhérents de l'élément de mémoire à bulles magnétiques traité par la présente invention. En d'autres termes, le premier point caractéristique de la présente invention est d'obtenir une seconde couche isolante qui conserve l'angle d'inclinaison de la zone d'extrémité du conducteur dans la plage de 0 à 20 au moyen d'une épaisseur de pellicule prédéterminée. Ici, 1' "épaisseur de pellicule prédéterminée" est de 100 à 500 nm et de préférence de 200 à 300 nm, par rapport à des bulles présentant un diamètre inférieur à 1,2 pm. Bien que cette valeur dépende de la forme de la configuration de matériau magnétique doux, l'épaisseur de pellicule se situe de préférence dans la plage spécifiée ci-dessus dans la voie de transfert du matériau magnétique doux traversant transversalement le conducteur. La Figure 5 illustre l'angle d'inclinaison nécessaire pour que la marge de transfert soit au-dessus de % par rapport à un diamètre de bulle donné. Comme cela apparaît clairement sur le schéma, l'angle d'inclinaison doit être inférieur à 20 lorsque le diamètre des bulles est inférieur à 1,2 pm. La Figure 6 est un schéma illustrant la relation entre l'épaisseur de la seconde pellicule isolante formée sur le conducteur et l'angle d'inclinaison dans la zone d'extré- mité de ce conducteur. Le schéma illustre comparativement la courbe de la pellicule de résine selon la présente invention et celle de la pellicule de résine de la technique antérieure. Lorsque l'épaisseur de pellicule pour ajuster l'angle d'inclinaison au-dessous de la valeur susmentionnée est déterminée à partir de la Figure 6, elle est d'au moins 300 nM dans le cas de la pellicule isolante en résine de la technique antérieure et d'au moins 150 nm dans la pellicule isolante en résine de la présente invention. Par ailleurs, la seconde pellicule isolante a de préférence une épaisseur de 200 à 300 nm pour la raison déjà spécifiée. De ce fait, il est clair qu'afin d'obtenir de bonnes caractéris- tiques de transfert, on doit utiliser la pellicule isolante en résine de la présente invention. Le second point caractéristique de la présente invention réside dans le fait que l'angle d'inclinaison de la zone terminale du conducteur est réduit par l'emploi du précurseur de polyimide de formule générale (I) ou (II), qui est fondu par chauffage puis durci comme les couches inférieures de la seconde pellicule isolante, et forme une pellicule présentant une température de transition vitreuse d'au moins 250 C et de préférence de 300 à 400 C sur la couche supérieure de la seconde pellicule isolante de façon à assurer une grande marge de température de formation pour le matériau magnétique doux qui doit être formé plus tard sur la seconde pellicule isolante. En d'autres termes, la seconde pellicule isolante en tant que base ne sera pas durcie thermiquement même dans la technique de formation du matériau magnétique doux par dépôt sous vide à une température supérieure à 300 C, de sorte que les déformations de la pellicule, par exemple par formation de rides, ne se produisent pas. Parmi les matériaux pouvant produire un tel effet, on citera les diélectriques inorganiques, par exemple l'alumine, le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium, ainsi qu'une résine polyimide préparée en chauffant et en durcissant un précurseur de polyimide représenté par la formule générale suivante (III). Parmi ceux-ci, la résine polyimide est utilisée de préférence. Lorsque la résine poly- imide est utilisée, la résine est du même type que celle de la couche inférieure et peut être gravée par la même technique de gravure lorsqu'un trou traversant y est formé. / O II II - C C - N - Ar4 -N - (It) \ / Ar3 H0 - C C -OH il il n O O (o Ar3 est au moins un groupe choisi parmi o o o Ar4 est au moins un groupe choisi parmi Ar est au moins un groupe choisi parmi -" soz 19 o P.- i S 07 0 o. !SOz X o et n est un nombre entier de 10 à 500). Les Figures la à ld sont des schémas illustrant des stades de production d'un élément de mémoire à bulles magnétiques selon la première forme de réalisation de la présente invention; Les Figures 2a à 2d sont des schémas illustrant les stades de production d'un élément de mémoire à bulles magnétiques selon la cinquième forme de réalisation de la présente invention; La Figure 3 est une courbe illustrant la relation entre le diamètre des bulles et la marge de transfert dans un élément de mémoire à bulles magnétiques utilisant une pellicule isolante classique en résine; La Figure 4 est une vue en coupe schématique de l'élément de mémoire à bulles magnétiques; La Figure 5 est une courbe illustrant la relation entre le diamètre des bulles et l'angle d'inclinaison e qui sont nécessaires pour assurer une marge de transfert d'au moins 10 %; La Figure 6 est une courbe illustrant la relation entre l'épaisseur (h) de la pellicule de résine et l'angle d'inclinaison (e); et et La Figure 7 est une courbe illustrant la relation entre le champ magnétique rotatif et le champ magnétique polarisé. Dans ce qui suit, la présente invention sera décrite plus en détail en référence à certaines de ses formes de réalisation préférées. Forme de réalisation 1 Une pellicule en dioxyde de silicium (SiO2) 2 comme première pellicule isolante et une configuration de conducteur 3 utilisant Au/Mo sont formées sur une pellicule en grenat à bulles (diamètre des bulles de 0,9 pm) comme illustré sur la Figure la. Les épaisseurs de SiO2 et Au/Mo sont de 100 nm et 350 nm, respectivement, et Mo est utilisé comme couche de jonction entre SiO2 et Au et a une épaisseur de 20 nm. Ensuite, une solution dans le N,N-diméthylacétamide d'un précurseur de polyimide (concentration en résine de 10 % en poids) représenté par la formule suivante (correspondant à la formule générale (I)) est appliquée par filage comme représenté sur la Figure lb, puis chauffée et fondue sous atmosphère d'azote et durcie par la suite pour former une pellicule isolante 4-1 comme représenté sur la Figure 1C. O O O Il il il C- C NH HO-C C-OH HC=C O O N x N -)0 o. CIII 0 0o NXH N 0 -oHO-C C=CH X NH-C X Il 0 (n - 5) Un traitement thermique est réalisé à 200 C pendant minutes et ensuite à 350 C pendant 30 minutes. Dans ce cas, l'évaporation du solvant, la fluidisation à l'état fondu et l'imidation se produisent à 250 C, et le durcissement par réticulation se produit à 350 C. Par la suite, une pellicule de matériau magnétique doux (350 nm d'épaisseur) est formée sur cette pellicule isolante 4-1 par pulvérisation à haute fréquence et, après formation d'une configuration de résist, le matériau magnétique doux est gravé par voie ionique, de façon à former une configuration de matériau magnétique doux comme représenté sur la Figure ld. Dans l'élément de mémoire à bulles magnétiques résultant, l'angle d'inclinaison de la partie terminale du conducteur est d'environ 10 et la marge de transfert est améliorée à 10 à 12 % par comparaison avec la marge de transfert classique de 4 à 5 %. Forme de réalisation 2 Un élément de mémoire à bulles magnétiques est produit selon le même mode que dans la forme de réalisation 1 à l'exception que le revêtement isolant 4-1 est formé en utilisant chacun des précurseurs de polyimides (correspondant à la formule générale (I)) représentés par les N s 1 à 6 dans le Tableau 1, et l'on détermine la marge de transfert de chacun des éléments de mémoire à bulles magnétiques résultants. La marge de transfert est améliorée jusqu'à 10 à 12 % comme indiqué pour les N s 1 à 6 dans le Tableau 1, par rapport à la valeur classique de 4 à 5 %. TABLEAU 1 (1) Formue structurae Solvant Concentr.Marge de No. ___ stucurl de résinetransfert i o..............._ - O il C i NH C-OH Il O ' NH NQ O O v 02 N-H - O -C C-O C - OH C-OH Il n O H-Il S 0. NH -C CC O0 ICJNH C-OH L Il O - C-OHI Il 0 n (nl + O) NH-C HO=C l n+15) (n+ 1 5) Ns N-méthyl- 2-pyrro- lidone i, 8 %en poids % en poids ' 12% HC: H o ", i i U-i rO O o %O c, C> X-- NH -, c TABLEAU 1 (2) Solvant Concentr. Marge de No. Formule structurale de résine transfert 0 /0 0 0 C NIFI s N II C SQ -mthyl- Ccsf',C YN( C 2-pyrro- C-O1 "" C-H lidone/N, C-OHl N -didoneN J10 % en 10 % 12% Il Il N dimthy1od 0 O n acétamide 3 O (mélange1:1) - NHi so 50., INH-C 0 (n + 4) ', a! 0 f II HC-=CC il - -- C NH C-OH Il O o O Il yyCH a 'z N:H-C \x HO-C Il O - NH y CH O Il O f C - "" C-OH Il O n o O Il NH-C CECH HO-C / II O (n + 5) I. ________________________ _______________.1 J rm g'> u1. o o 0% TABLEAU 1 (3) Solvant Concentr. Marge de No. Formule structurale de résinetransfert 0 C O O N. II Il II C N HN0. Oy HO-OY (S CO C-OH NH -C C il |. Il il NN - OII o o diméthyl 10 % en 10 ' 12% O. ac4tamide po i d s _ NQZ0N H -CM NH H/ HO-C 0 (n 5) HCC i.CUl _ I B o Il C C. CCI NH 0HO-C zC-OH NH-C ')' C/v"'C i il L Il i 6 " 0 0 0. 6 0 Il / /0 ' NH-C)'/'C=CH À O HO-C NH Il O (n 5) F-J rla Ln %0 0o oC Forme de réalisation 3 Un élément de mémoire à bulles magnétiques est produit selon le même mode que pour la forme de réalisation 1, sauf que la pellicule isolante 4-1 (Figures la à 1 c) est formée en utilisant une solution dans le N,N-diméthyl- acétamide (concentration de résine, 8 % en poids) d'un précurseur de polyimide représenté par la formule suivante (correspondant à la formule générale (II)) pour déterminer la marge de transfert. Cette dernière améliore, jusqu'à 10 à 12 %, en comparaison de la valeur classique de 4 à 5 %. CH3C 0 0 l- il Il H (CzHs0z-)z-Si-(-CHz-)3-NI{' CC- j NH |HO COH O O0 0 O CH3 C C-NH-(-CHZ-)3-Si-(-OH3Cz)z HOC COH Il Il 0 O (n+5) Forme de réalisation 4 Un élément de mémoire à bulles magnétiques est produit selon le même mode que pour la forme de réalisation 1 sauf que la pellicule isolante 4-1 (Figures la à lc) est formée en utilisant une solution dans le N,N-diméthyl- acétamide ou la N-méthyl-2-pyrrolidone (teneur en solide de 5 à 10 % en poids) de chacun des précurseurs de polyimide (correspondant à la formule générale (II)) représentés par les N s 1 à 8 dans le Tableau 2 pour déterminer la marge de transfert. Cette dernière s'est accrue jusqu'à 10 à 12 %, en comparaison de la valeur classique de 4 à 5 %, comme le montrent les NOs 1 à 8 sur le Tableau 2. TABLEAU 2 (1) Teneur en Solvant Marge de lo. Formule structurale résine transfert en poids) _ (CH3)z 0 O Il I{ H C2 HS OS i - (- CH2 F T NH- C C-N NH---' HOC Z C COH il il N,N - O O n 5 diméthyl 10 12% I acétamide HOC. COHl 0 0 _ O 0 O. (C4 H, 0)2- S i - NF I C C Cl-N 0 C C C-N [ 10 HOC O CO N H O O, aN-methyl- 2 8 2-pyrro- 0 0 lidone Il Il "HOC C-NH S i-4 OH C,). C, O CO H O 0 0 c) CD r-la Un o %0 0 C% CY TABLEAU 2 (2) Teneur en Solvant Marge de No Formule structurale résine transfert (%en poids) C fl x0 0 ii H I ___ ii (C2 HIs O)2 -S i ('-'N H Ni C HOCo N[- - X II O Ol nO /o C IN-mgthyl- 8 2-pyrro- 10 % 12% lidone O O (CH)2 - C C-NH { S i ( O11. Ci), HOC.O COH II II O O ( <>-O) - S i - (C HZ)3- Nil LO1 C HlOC / " il O O II - a; - - - C Il H CN O NH-- /.'n COH Il O C- N "- C tI)r" S i --' 0 n N,N - diméthyl acétamide N.) ri n 0% 0s- -1 "",& -,e I T - i-t.t. (spodue %) tv o au TsuJ lUg^lOS, ua _noue 0 0 Il i1 HOO, 0 u X HN, , zOS N H Il -" HOD O HiO-! S c( tHO -) - HN-O (CI'lD) 0 u U/HN ---HN \ Il DOH.. Il 0 0, 00)Q e 0N -O O O, Il Il Il O O O Il DOH O OS HOD N-o H' il O. Il DOH Il 0 " HN -- 'HO -) - I S-O 'H 'O I T(cliO) aleJnlonJls alnwJoj ( E) nvaY Yi , o o CD tn Nu N N auopTT -T=2W-Z -1znaux -Z GPTnwZDV - IAtqmTp - N'N OI OT %ZIT M 01 aJasuei; ap abJeW J r - I i C ( 1 0 Il il 0 _ i s 0__- Il N - 0 _ HN - ' O, 1 S -'(0 'Il'O) ZO 1_ e ro'L 0 TABLEAU (4) Formule structurale CH: (C2 Hs 0)z -S i NH O !l fc - 1 r1 n O o il C HOC Il' o Il OC 1 1 - il. Il C Rli -X C il H C-N SO2 COH' ' " o v n O CH3 Il I C-N}H - {- S i -( O1ls C) 0 f COH Il o Il Il O C-N CH2 NH It I n C-NH -(CH -s i (o -,O HOC Teneur en résine (% en poids) rn I Solvant N-mèthyl - 2-pyrro- lidone ! i _ I N,N - dim9thyl - *acetamide Marge de transfert ' 12% No,. w IN3 Ln o O 1 C CK 1 - ' i i i I 11 1111\1 Forme de réalisation 5 La pellicule isolante 4-1 est formée selon le même mode que pour la forme de réalisation 1 (Figures 2a et 2b), après quoi une solution dans le N,N-diméthylacétamide (teneur en résine de 5 % en poids) d'un précurseur de polyimide représenté par la formule suivante (correspondant à la formule générale (III)) est appliquée par filage, chauffée puis durcie dans une atmosphère d'azote pour former une pellicule isolante supérieure 4-2 d'épaisseur 100 nm) (Figure 2c). Par la suite, un matériau magnétique doux d'une épais- seur de 350 nm est formé sur cette pellicule isolante supérieure 4-2 par dépôt sous vide à une température du substrat de 330 C. Une configuration de résist est formée sur la couche en matériau magnétique doux, qui est ensuite gravée par traitement ionique pour former une configuration de matériau magnétique doux (Figure 2d). O O O II II II H H _-C CCC X yC -N a N HO-C COH O II II n 0 O 0(n L'élément de mémoire à bulles magnétiques résultant présente une bonne marge de transfert de 10 à 12 % de la même façon que ceux des formes de réalisation précédentes. La température de transition vitreuse de la pellicule isolante supérieure est de 350 C. Forme de réalisation 6 Une pellicule isolante supérieure 4-2 est formée selon le même mode que pour la forme de réalisation 1 en utilisant chacun des précurseurs de polyimide (correspondant à la formule générale (III)) représentés par les Ns 1 à 6 du Tableau 3. Par la suite, chaque élément de mémoire à bulles magnétiques est produit exactement selon le même mode que dans la forme de réalisation 4, et l'on détermine leur marge de transfert. Cette dernière est améliorée jusqu'à 10 à 12 %, à comparer avec la valeur classique de 4 à 5 %, comme représenté par les NOs 1 à 6 du Tableau 3. TABLEAU 3 (1) Solvant Concentr.Temp. de trans. Marge de No de résinevitr. aprèstransfert Formule structurale durcissement thermique O O N-m&thyl-2- II iI pyrrolidone / | _ -N*'C- N,N -d imthyl-8% en> 310oC 10 % 12% l'[ [ acetamido poids IIO-0C 1 C0-OINH (mélange 1:1) il Jil (n 4,300 O O O Vo o1 1 [r Il Il 2 C 3 C-NH ( NH - > 310 C HliO-C C-OH II II o 0 o n (n *200) o O O 1,. ' t C,oC-NH,SNH -2 0 go Nil 0310ac 3.. . . >310 C " | O-C /-C-OH 0 0 1 / n (n,250)" O O 0 1. or tn vrr o o' o' TABLEAU 3 (2) r---I __ Solvant Concentr.Temp. de trans.Marge de No Formule structurale de résinevitr. aprèstransfert durcissement thermique n O O 0 _ ! 11 li N-mêthyl-2- - C sv C-NH pyrrolidone/ 1 |o | 1é,ls &. N,N -diméthyl-5 % en 305 C 10 % 12% -C C 01{ NIl-_ acetamido poids È) n (n *300)(mélange 1:1) " 0 O O _/ O O- O -' il Il'I I I_ - C X s_ C C-NHl N^.,' NH.t- 1i ToC I QI loN ll 0 MI 5% en 280 C. I'[JI O D)v / CO0- n 0 H..03Opoids l( 11 1 t 6 5 % en 2803C . II __ _(.....0 0 10 /,0 0 0 (n-.. ro Ln o o o C 0% Exemple comparatif Un élément de mémoire à bulles magnétiques est produit exactement selon le même mode que pour la forme de réalisation 1 sauf que la pellicule isolante 4-1 est formée en utilisant une solution dans le N,N-diméthyl- acétamide (teneur en résine de 8 % en poids) d'un précurseur de polyimide représenté par la formule suivante (Figures la à 1c). La marge de transfert est de 4 à 5 %, ce qui estbeaucoup plus bas que celle des éléments de la présente invention décrits dans les Formes de réalisation N s 1 à 5. /O O O il il Il H H _C > C X C -N X N HO-C.o C-OH O II II / n n l O O (n1OO Selon la présente invention, l'angle d'inclinaison dans la zone terminale du conducteur est réduit dans une large mesure, et un effet remarquable d'amélioration des caractéristiques peut être observé particulièrement avec les éléments de mémoire à bulles magnétiques présentant un très faible diamètre des bulles (inférieur à 1,2 pm). La Figure 7 est une courbe montrant la relation entre la marge de transfert et le champ magnétique rotatif dans les lignes de transfert du matériau magnétique doux transversales par rapport au conducteur, pour une pellicule magnétique présen- tant un diamètre des bulles de 0,9 pm, et la courbe illustre le résultat de la comparaison entre la pellicule isolante en résine de la présente invention et la pellicule isolante en résine classique. Ces pellicules en résine ont toutes les deux une épaisseur de 300 nm. Il est clair sur cette courbe que, puisque la marge de transfert, lorsque l'on utilise une pellicule isolante en résine classique, est de 4 % pour un champ magnétique rotatif de 60 Oe, elle est améliorée d'un facteur trois, c'està-dire jusqu'à 12 %, en utilisant la pellicule isolante de résine de la présente invention. Comme décrit ci-dessus, la présente invention rend possible de former de façon hautement précise la seconde pellicule isolante par la simple méthode d'enduction et de traitement à chaud, et de produire des éléments de mémoire à bulles magnétiques présentant d'excellentes caractéristiques avec une reproductibilité élevée. REVENDICATIONS 1. Elément de mémoire à bulles magnétiques comportant au moins une pellicule magnétique apte à retenir une bulle magnétique, une première pellicule isolante, une configuration de conducteur, une seconde pellicule isolante et une configuration de matériau magnétique doux, qui sont déposées et stratifiées sur un substrat non magnétique et dans lequel le diamètre des bulles va jusqu'à 1,2 pm au maximum, caractérisé en ce que cette seconde pellicule isolante comprend une résine polymère présentant une fluidité à chaud, au cours d'un processus de durcissement. 2. Elément de mémoire à bulles magnétiques selon la revendication 1, dans lequel cette seconde pellicule isolante est formée par chauffage et durcissement d'un précurseur de polyimide représenté par la formule générale (I) ou (II): O HH o o O Il I I Ii I1 Rl- C -- N -Ar - N - C C - / C -OH Arz Il / \ O 110 -C C - OH O O H H O I I Il N -Ar' -N - C -Rl..... ( I) I C -0H Il on 3O (o R est au moins un groupe choisi parmi HC-C N EC11 o Afes aumins'ech Ar est au moins un groupe choisi parmi 1o o,-Xo O 0)o o soz 1 o o9 O' o o. Soz o oe eL o - CHz Ar2 est au moins un groupe choisi parmi O o -Io: et n est un nombre entier de I à 20); ou o oI soz - C I Rzm 0O I Il / (R'O) -mS i -R 3-NII -- C-A r 2 / \ O = C Il -C Il C -NH- O Il C -NH-Ar'-NH C =OH Il / R m I R:-Si (OR'): - m Arz OH- C Il O C -OH Il O (1I) (O Ar est au moins un groupe choisi parmi \/ 0o oL J / SO2 -. Sa "& So Oz @ eL. o 0 Ar2 est au moins un groupe choisi parmi Il o.o. C O JOD e 'O "" o 0oN S02 o. o CHz o.Il, J R1 est un groupe méthyle, éthyle, propyle, butyle ou phényle; R2 est un groupe méthyle, éthyle, butyle, phényle, méthoxy, éthoxy, propoxy, butoxy ou phénoxy; R3 est un groupe méthylène, éthylène, propylène, butylène ou phénylène; m est 0, 1 ou 2; et n est un nombre entier de 1 à 100). 3. Elément de mémoire à bulles magnétiques selon la revendication 2, caractérisé en ce que cette seconde pellicule isolante est constituée de deux couches, la couche inférieure étant préparée par chauffage et durcissement d'un précurseur de polyimide représenté par la formule générale suivante (I) ou (II), tandis que la couche supérieure présente une température de transition vitreuse d'au moins 250 C; O H H O Il I I Il R --C N -Ar' -N- C C -OH Il O HO-C Il o ArZ / O Il) X C C - OH Il n o H H 0 I I Il N -Ar -N - C -Ri...... ( I) I C -OH Il 1o R1 est au moins un groupe choisi parmi NC-C CH3 Ar est au moins un groupe choisi parmi 0 Qé ffONQ\ c - -; e a ", OU a -,'jSOZ o9 SOZ 0 o SQ et CHz (9 t Jé Ar2 est au moins un groupe choisi parmi O il 3 g 1 1 C =- C K / 0 ' il Rzm 0O C-NH-Ar'-NH I fIl. / (R'O) -mSi -R3-NH - C -Ar I /\ HO= C C =OH Il Il o o n, 0 0 n: o o R:in X. Il il - C C - N - - Si (OR') - m - C C-' N H-R'-S i( OR '):,-m Ar*-z OH- C Il o () C -OH Il o (o Ar est au moins un groupe choisi parmi o o 0s-, 9)o O o o 1 0 i $ SOz et X C, CH z Ar est au moins un groupe choisi parmi N/Nzs. -z o ol o Il 1 r-,1 0 et 10' J /$S02 o. o.: o0 R1 est un groupe méthyle, éthyle, propyle, butyle ou phényle; R2 est un groupe méthyle, éthyle, butyle, phényle, méthoxy, éthoxy, propoxy, butoxy ou phénoxy; R3 est un groupe méthylène, éthylène, propylène, butylène ou phénylène; m est 0, 1 ou 2; et n est un nombre entier de 1 à 100). 4. Elément de mémoire à bulles magnétiques selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche supérieure de la seconde pellicule isolante est préparée par chauffage et durcissement d'un précurseur de polyimide représenté par la formule générale (III): /.O o II C HO - C I1 QO Ar' O o C -NH-Ar4 - Nl - () C -OH Il/ n oU (o Ar est au moins un groupe choisi parmi O Il -x C -, o o ):aO Ar est au moins un groupe choisi parmi 1_ et 1 C 1 1_1 o9 zy/ S oz o o9 o o o9 o O o ""eSOz ",X et Ogi n est un nombre entier de 10 à 500). et ""Icof 0 11'0')l''