FR 2586505 A1 19870227 FR 8612090 A 19860826 La présente invention concerne un conducteur en couche mince qui contient du silicium et du germanium comme principaux ingrédients et qui est utilisé comme matériau d'un circuit électronique et plus précisément dans des dispositifs microélectroniques jouant- le rôle de capteurs, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel conducteur. On connaît déjà divers métaux, alliages, semi- conducteurs élémentaires, semi-conducteurs composites et substances submétalliques ou amorphes jouant le rôle d'un matériau à électrons mobiles destiné à des dispositifs microélectroniques ayant une fonction de capteur. Parmi ces matériaux, on connaît des semi-conducteurs qui possèdent un pouvoir thermoélectrique important (c'est-à-dire un coefficient élevé de Seebeck)ou un coefficient élevé d'éta- lonnage dépendant d'un effet piézorésistif, mais ayant une faible conductivité ainsi qu'un important coefficient de variation avec la température (vitesse de variation de la conductivité électrique, du coefficient de Seebeck ou du facteur d'étalonnage lors d'un changement de tempéra- ture). Au contraire, les matériaux à base des métaux sont connus comme possédant une conductivité élevée, un faible coefficient de variation avec la température et un faible pouvoir thermoélectrique ou un faible coefficient d'étalon- nage. Par exemple, le silicium de type p, constituan- un semi-conducteur élémentaire, a un facteur d'étalonnage élevé, 100 fois supérieur à celui d'un alliage nickel- chrome, mais il a un coefficient important de variation de résistance électrique avec la température qui est 1000 fois supérieur.à celui de l'alliage. Lorsque ces matériaux classiques sont utilisés dans un capteur, par exemple un capteur d'énergie destiné à mesurer del'énergie électrique ou un capteur dynamomé- trique, les caractéristiques obtenues sont mauvaises. La présente invention concerne un conducteur en couche mince qui présente à la fois les avantages d'un semi-conducteur, c'est-à-dire qui possède un pouvoir thermoélectrique élevé et un effet piézorésistif élevé, et ceux d'un métal, c'est-à-dire une conductivité élevée et un faible coefficient de variation avec la température. L'invention concerne aussi un procédé de fabrica- tion d'un conducteur en couche mince tel que le conducteur qui a les avantages précédents peut être déposé sur un substrat isolant d'un matériau voulu, avec la dimension et la configuration plane voulues. Plus précisément, selon l'invention, un conducteur en couche mince a une composition qui contient, comme principaux ingrédients, du silicium et du germanium, et qui possède une structure dans laquelle des phases amorphe et microcristalline sont toutes deux présentes. L'invention concerne aussi la fabrication du conducteur en couche mince par un procédé de dép8t chimique en phase vapeur en présence d'un plasma ou de dépôt chi- mique en phase vapeur à photoexcitation. D'autres caractéristiques et avantages de l'inven- tion seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est un graphique représentant des diagrammes de diffraction des rayons X de conducteurs en couche mince selon la présente invention préparés avec différentes densités de puissance de la décharge dans le plasma, comme indiqué dans le tableau qui suit; la figure 2 est un graphique représentant la relation entre la cristallinité d'une couche mince et la densité de puissance de la décharge dans un plasma; la figure 3 est un graphique représentant les spectres de conducteurs en couche mince selon l'invention par effet Raman au laser, dans les conditions de préparation du tableau; la figure 4 représente un élément destiné à la mesurede la conductivité à l'obscurité et du coefficient de Seebeck d'un conducteur à couche mince préparé dans les conditions du tableau; la figure 5 est un graphique représentant les variations avec la température de la conductivité- à l'obscu- rité de la couche mince selon la présente invention, obte- nue à l'aide de l'élément de mesure de la figure 4; la figure 6 est un graphique représentant la relation entre la conductivité à l'obscurité et le coeffi- cient de Seebeck pour le film mince selon l'invention, mesurée avec l'élément représenté sur la figure 4; la figure 7 représente une jauge de contrainte destinée à la mesure d'un facteur d'étalonnage, comprenant les conducteurs en couche mince préparés dans les conditions du tableau; la figure 8 est un schéma d'un appareil de fabri- cation d'un conducteur en couche mince selon l'invention; et les figures 9A à 9C sont des graphiques permettant la description successive d'un procédé d'obtention d'une certaine cristallinité dans le conducteur à couche mince selon l'invention, à partir des diagrammes de diffraction des rayons X. Dans le présent mémoire, l'expression "conducteur en couche mince ayant une structure dans laquelle des phases amorphe et microcristalline sont toutes deux pré- sentes" est composée d'un matériau excluant les liquides et les gaz, et forme un conducteur qui ne présente pas de périodicité tridimensionnelle au point de vue de la cristallographie, c'est-à-dire qui est un conducteur amorphe irrégulier, contenant une phase microcristalline qui a une dimension de 5 à 50 nm et qui peut être déterminée par le diagramme de diffraction des rayons X. Le diagramme. de diffraction des rayons X de la structure dans laquelle les phases amorphe et microcristalline sont toutes deux présentes comporte.une courbe nette de diffraction étant donné la présence de la phase microcristalline et une courbe large de diffraction étant donné la présence de la phase amorphe. Lorsque le diagramme de diffraction des nyons X de cette couche mince est examiné avec l'arrêt de Cu-Kt à 0,1541 nm de rayons X incidents, les angles de diffraction 28 de 28 , 46,3 et 54,8 correspondent aux plans (111), (220) et (311) de l'eutectique Si-Ge, et les courbes nettes de diffraction apparaissent à ces angles. Les angles de diffraction diffèrent avec le rapport de composition de Si et Ge. Lorsque la couche est riche en silicium, ces angles sont d'environ 28, 4 , 47,3 et 56,1 . Lorsque la couche est riche en germanium, ces angles sont d'environ 27,3 , 45,3 et 53,7 . Un conducteur en couche mince selon la présente invention a une composition qui contient, comme principaux ingrédients, Si et Ge, et une structure dans laquelle les phases amorphe et microcristalline sont toutes deux présentes. Bien que ce conducteur en couche mince ait une composition de semi-conducteur, il a des propriétés d'un métal, c'est-à- dire une conductivité élevée, un faible coefficient de variation avec la température, et un effet piézorésistif important (résistance en présence de force d'élasticité), en plus d'une. caractéristique de corps semi-conducteur, c'est-à-dire d'un effet Seebeck important. Ces phénomènes ont été découverts par l'inventeur. Le conducteur en couche mince est composé de liaisons Ge-Ge, Si-Ge et SiSi. Le rapport de composition de Si et Ge dans le conducteur à couche mince est tel que Si/Ge = 100 % en poids ou moins (sauf zéro), de préfé- rence entre 0,5 et 2 % en poids. La cristallinité de la couche mince a tendance à diminuer lorsque la teneur en germanium diminue. Inversement, la cristallinité de la couche mince augmente lorsque la teneur en germanium augmente. Le conducteur à couche mince utilisé comme conduc- teur de type p contient du bore ajouté comme matière de dopage, et le conducteur à couche mince formant un conducteur de type n contient du phosphore ou de l'arsenic ajouté comme matière de dopage. Le conducteur à couche mince a de préférence une structure comprenant 10 à 90 % de phase microcristal- line et le reste de phase amorphe et de préférence 30 à 90 % de phase microcristalline et le reste de phase amorphe. La couche mince selon la présente invention a une conductivité au moins égale à 1 S/cm et un coefficient de variation de la conductivité avec la température infé- rieur ou égal à 1 %/K. En outre, le conducteur a un pouvoir thermoélectrique (coefficient de Seebeck) d'au moins gV/K, et un coefficient d'étalonnage (pente de la courbe résistance/contrainte, indiquant un effet piézo- résistif ou de résistance sous l'application de force élastique) au moins égal à 4. La couche mince est normalement formée sur un substrat isolant et comporte deux électrodes destinées à assurer l'entrée et la sortie d'un courant aux deux extré- mités afin qu'une structure permettant l'utilisation des caractéristiques propres au matériau pour la formation d'un capteur soit formée. Divers matériaux isolants tels qu'un substrat de verre, du mica, un film de polyimide, une plaque métallique couverte d'une mince couche isolante ou analogue peuvent être utilisés comme substrats isolants. De préférence, une mince couche d'oxyde de silicium et une mince couche d'oxyde d'aluminium sont utiles pour le recouvrement de la plaque métallique, et sont déposées successivement sur un substrat de verre par un dépôt de revêtement à l'état d'ion. Une mince couche multiple constituée d'une mince couche d'oxyde de silicium et d'une mince couche d'oxyde d'aluminium n'est pas corrodée par une solution sous forme d'un mélange contenant de l'acide fluorhydrique qui constitue une solution d'attaque du conducteur à couche mince selon la présente invention. Pour cette raison, lorsque le conducteur à couche mince selon l'invention subit une attaque chimique destinée à former un dessin, la surface du substrat de verre peut être protégée contre une attaque chimique et un bord du dessin peut être protégé contre la formation d'une gorge profonde. Les procédés de dépôt du conducteur en couche mince sur un substrat isolant comportent un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à l'aide d'un plasma, un procédé de dépôt chimique en phase vapeur avec photoexcita- tion et analogue. Lors de l'utilisation du procédé de dépôt chimique en phase vapeur en présence d'un plasma, le substrat isolant est conservé dans une chambre sous vide et est maintenu à une température prédéterminée comprise de préférence entre 300 et 500 C. Ensuite, un mélange gazeux contenant un silane et un germane est transmis à la chambre sous vide avec un rapport prédéterminé des débits, de préférence tel que SiH4/GeH4 = 100 ou moins (sauf zéro), avec maintien de la chambre sous vide à une pression prédéterminée, de préférence comprise entre 0,5 et 10 torr. Lors de la formation d'un conducteur de type p par exemple, du diborane B2H6 dilué par de l'hydrogène est ajouté au mélange gazeux. Lors de la formation d'un conducteur de type n, la phosphine PH3 ou l'arsine AsH3, diluée dans de l'hydrogène, est ajoutée au mélange gazeux. Ensuite, une décharge dans un plasma est réalisée entre deux électrodes placées dans la chambre sous vide avec circulation du mélange gazeux. La densité de puissance de la décharge dans le plasma et comprise de préférence entre 0, 1 et W/cm2. En présence de -la décharge dans le plasma, le silane SiH4 et le germane GeH4 réagissent chimiquement de la manière suivante, et Si et Ge se déposent sur le substrat isolant. SiH4 - SiH3* + H* SiH3* - SiH2** + H* SiH2** - SiH*** + H* GeH4 + GeH3* + H* GeH3* + GeH2** + H* GeH2** + GeH*** + H* (Dans les formules qui précèdent, les molécules ouatomes ayant un astérisque sont activés). B2H6, PH3 et AsH3 réagis- sent chimiquement de la manière indiquée précédemment. Dans le procédé de l'invention, comme le rapport de composition du conducteur à couche mince varie propor- tionnellement au rapport des débits de gaz, la composition 25865(65 du conducteur est réglée par réglage du rapport des débits des gaz. Comme une augmentation de la densité de puissance de la décharge accroît la cristallinité du conducteur à couche mince, un réglage de la densité de puissance dans la décharge règle la structure du conducteur à couche mince. Lorsqu'un conducteur à couche mince se dépose sur un substrat isolant, par mise en oeuvre du procédé de dépôt chimique en phase vapeur avec photoexcitation, des rayons ultraviolets ayant une énergie de décomposition suffisante pour le silane SiH4 et le germane GeH4, par exemple les rayons ultraviolets à 185 nm, sont émis afin qu'ils excitent la réaction chimique précédente avec circulation du mélange gazeux dans la chambre sous vide. Dans le procédé de dépôt chimique en phase vapeur avec photoexcitation la température du substrat isolant peut être inférieure à celle du -procédé de dépôt chimique en phase vapeur en présence d'un plasma (par exemple de 200 C). D'autres conditions sont presques les mêmes que celles du procédé de dépôt chimique en phase vapeur dans un plasma. Lorsque le substrat isolant est maintenu à une température d'environ 900 C, un conducteur à couche mince d'alliage Si-Ge peut se déposer sur le substrat isolant par simple transmission du mélange gazeux sans utilisation du procédé de dépôt chimique en phase vapeur avec photo- excitation ou en présence d'un plasma. (1) Une résistance de petite dimension peut être formée sur un substrat isolant par mise en oeuvre du conducteur à couche mince préparé par le procédé de l'inven- tion, car ce conducteur a une conductivité élevée à l'obscu- rité, de 1 S/cm (valeur maximale 700 S/cm). (2) Comme le conducteur à couche mince selon l'invention a un coefficient de Seebeck compris entre 100 et 160 pV/K ou plus, et une conductivité à l'obscurité de S/cm ou plus, une thermopile de caractéristiques poussées, un capteur d'énergie destiné à la région des hautes fréquences, un détecteur infrarouge, un capteur de température et analogue peuvent être réalisés. (3) Comme le conducteur à couche mince selon la présente invention a un coefficient élevé d'étalonnage compris entre 4 et 10 ainsi qu'une conductivité à l'obscu- rité de 100 S/cm, un capteur de déformation, un capteur -de.rc.ion, uncce-llu-le--- dynamométrique, un capteur de touche et analogue peuvent être réalisés avec des caracté- ristiques élevées. (4) Comme le conducteur à couche mince selon la présente invention a un coefficient très faible de variation de la conductivité à l'obscurité avec la tempéra- ture de 1 %/K, une résistance, un capteur de puissance à haute fréquence, un détecteur infrarouge, un détecteur de déformation, un capteur de pression, une jauge dynamo- trique et analogue peuvent 6tre réalisés sans qu'une compensation de température soit nécessaire. (5) Lors de la mise en oeuvre du procédé de l'invention, le conducteur A couche mince ayant les caracté- ristiques précédentes peut être réalisé par mise en oeuvre d'un procédé relativement simple (par exemple un procédé de dépôt chimique en phase vapeur avec photoexcitation ou décharge dans un plasma ou analogue). Lorsque les conditions de fabrication sont réglées, par exemple le rapport des débits de gaz, la pression atmosphérique, la densité de puissance de la décharge, la température d'un substrat isolant et analogue, la cristallinité du conducteur en couche mince ou le rapport de composition de Si et Ge peuvent être réglés et donnent alors la conductivité voulue à l'obscurité et un pouvoir thermoélectrique au conducteur en couche mince selon l'invention. (6) Comme le procédé de l'invention peut être mis en oeuvre pendant un procédé de fabrication de circuits intégrés, un capteur de température, une jauge dynamomé- trique, un capteur de pression et analogue peuvent être facilement montés dans des circuits intégrés classiques. En conséquence, le circuit intégré obtenu peut avoir des carac- téristiques élevées. Comme le conducteur en couche mince est formé dans un procédé mis en oeuvre à basse tempéra- ture, tel que le dépôt chimique en phase vapeur, un capteur de température, une jauge dynamométrique et analogue peuvent être combinés sous une forme tridimensionnelle. (7) Comme le conducteur à couche mince est formé par dépôt chimique en phase vapeur, un conducteur de forme et de taille voulues peut être formé sur un plan arbitraire du substrat isolant. La figure 8 représente un appareil destiné à la fabrication d'un conducteur en couche mince de type p par dép6t chimique en phase vapeur. Dans cet appareil, un orifice 12 d'alimentation en mélange gazeux et un orifice 13 d'évacuation sont formés dans une chambre sous vide 11. Un orifice 13 d'évacuation est relié à une pompe 14 d'aspi- ration et un dispositif 15 destiné à extraire un gaz toxique contenu dans les gaz évacués est raccordé à l'orifice de sortie de la pompe d'évacuation 14. Des électrodes 16 et 18 en forme de disque sont placées dans les parties supérieure et inférieure de la chambre sous vide Il et une tension à haute fréquence est appliquée entre elles par une alimentation à haute fréquence 18. Les faces supé- rieure et latérale de l'électrode supérieure 16 sont pro- tégées par un couvercle 19 d'acier inoxydable. Un substrat isolant 20 destiné au dépôt d'une couche mince sur lui est placé à la face supérieure de l'électrode inférieure 17. Un dispositif 2 de chauffage est incorporé à l'électrode inférieure 17 afin qu'il assure le chauffage du substrat 20. Dans ce cas, une température de chauffage est réglée à une valeur prédéterminée par un organe 22 de réglage de température. Une soupape 23 de réglage est montée sur l'orifice 13 d'évacuation de la chambre sous vide 11 et est manoeuvrée afin qu'elle évacue la chambre sous vide 11 à une pression prédéterminée à la suite d'un signal de détection provenant de la jauge de pression 24 et destiné à la détection de la pression à l'intérieur de la chambre 11. Dans ce cas, dans les conditions de dépôt A, B et C représentées dans le tableau qui suit, le silane, le germane et une petite quantité de diborane dilué par de l'hydrogène sont transmis à l'intérieur de la chambre sous vide 11. Un conducteur en couche mince auquel du silicium, du germanium et une petite quantité de bore ont été ajoutés, s'est déposé sur le substrat isolant de verre 20. La figure 1 représente les résultats mesurés à l'aide des diagrammes de diffraction des rayons X des conducteurs résultants en couche mince. Sur la figure 1, les abscisses représentent l'angle de diffraction 28 et les ordonnées représentent l'intensité de diffraction. En outre, la réglette placée sous les abscisses indique les pics obtenus avec des échantillons cristallins de silicium et de germanium et les références A, B et C cor- respondent aux échantillons correspondants du tableau qui suit. Comme l'indique la figure 1, la couche mince de l'échantillon A est uniquement composée de phase amorphe. Les couches minces des échantillons B et C sont composées à la fois de phases amorphe et microcristalline. Cependant, lorsque les conditions de dépôt varient de l'échantillon B à l'échantillon C, c'est-à-dire lorsque la densité de puissance de la décharge augmente de 0,11 à 0,40 W/cm2, les pics qui apparaissent dans le diagramme sont plus nets. En conséquence, le rapport des phases microcristalline et amorphe de la couche mince peut être réglé par réglage de la densité de puissance de la décharge. Le rapport des phases microcristalline et amorphe dans la couche mince peut être obtenu de manière que le diagramme de diffraction des rayons X se répartisse entre les phases amorphe et microcristalline, et les surfaces des parties prédéterminées des diagrammes séparés sont calculées. TABLEAU Condition de dépôt d'alliage Si-Ge Le rapport des phases dans la couche mince selon l'invention est obtenu de la manière suivante. On sait que l'intensité totale de dispersion des rayons X et plus précisément l'intensité de la dispersion cohérente à l'exclusion de l'effet Compton, est toujours constante même lorsque le rapport des phases amorphe et microcristal- line varie. Ainsi, la cristalli.nité x est obtenue à partir de l'intensité de dispersion IalOO d'un échantillon de référence composé de 100 % de phase amorphe et de l'inten- sité de dispersion Ia d'un échantillon à mesurer, suivant la relation: x = (1 - ZIa/ZIa100) x 100 On suppose, à propos du profil de l'intensité de dispersion par rapport à la phase amorphe, que, lorsque la teneur en phase microcristalline change, l'intensité change en proportion, mais la configuration du profil ne change pas. L'intensité de dispersion d'après la phase amorphe a été séparée de l'intensité totale de dispersion et l'intensité de dispersion de la phase microcristalline a été mesurée. Plus précisément, le coefficient K qui fait colncider les intensités de dispersion de l'échantillon à mesurer et de l'échantillon de référence, suivant la méthode des moindres carrés, est obtenu dans une plage d'angle de dispersion qui n'est pas facilement influencée par la queue du pic de la phase microcristalline. L'inten- sité de dispersion de l'échantillon de référence est alors multipliée par K et l'intensité résultante de l'échan- Rapport des Pression Puissance Densité de Ts Echan- gaz totale (W) puissance (OC) tillons (SiH4/GeH4) (torr) (W/cm2) A 1 2 15 0,02 380 B 1 2 80 0,11 380 C 1 2 300 0,40 380 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _I__ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ j tillon de référence est soustraite de celle de l'échantillon à mesurer, si bien que l'intensité de dispersion dépendant de la phase amorphe est séparée et mesurée. Les figures 9A à 9C représentent les opérations de mesure, la figure 9A représentant l'intensité de dispersion de l'échantillon à mesurer, la figure 9B l'intensité de dispersion de l'échan- tillon de référence multipliée par K, et la figure 9C l'intensité de dispersion obtenue par soustraction de l'intensité de dispersion de la figure 9B de celle de la figure 9A. Les pics des diagrammes de diffraction des échan- tillons en couche mince B et C correspondent aux valeurs des pics de diffraction (111), (220) et (311) de Si et Ge. Ceci indique que ces films minces sont composés d'un mélange de Si et Ge. La figure 2 représente les résultats d'une expe- rience dans laquelle la relation entre la densité de puissance de la décharge et la cristallinité (en %) de la couche mince (teneur en phase microcristalline), au cours de la fabrication de la couche mince selon l'invention, a été examinée d'après les diagrammes de diffraction des rayons X représentés sur la figure 1. Comme l'indique la figure 2, lorsque la densité de puissance de la décharge dépasse 0,1 W/cm2, la cristallinité de la couche mince augmente immédiatement. La figure 3 représente les résultats de la mesure des spectres Raman réalisés au laser avec des échantillons à couche mince A, B et C. L'échantillon a été mesuré par _ un procédé de dispersion orthogonale. Sur la figure 3, les abscisses représentent le décalage Raman (cm 1) et les ordonnées représentent l'intensité Raman. Comme l'indique la figure 3, le diagramme de l'échantillon A est large et indique que l'échanti]llon A est composé de la phase amorphe. Les diagrammes des échantillons B et C sont nets et indiquent que les phases microcristalline et amorphe sont mélangées. Ces résultats correspondent bien à ceux qui sont obtenus avec les diagrammes de diffraction des rayons X indiqués sur la figure 1. Comme l'indique la figure 3, les pics Raman des diagrammes des échantillons B et C sont obtenus près de 290 cm 1, 400 cm-1 et 490 cm 1. Ceci indique que ces couches minces sont composées d'une forme de liaison Ge-Ge, Si-Ge et Si-Si. En outre, d'après les diagrammes de diffraction des rayons X de la figure 1 et des spectres Raman de la figure 3, on peut déterminer que, dans la couche mince selon l'invention, la phase microcristalline ne contient pas de microcristauxde silicium ou de germanium seul mais est constituée d'un cristal d'un mélange de sulicium et de germanium. La figure 4 représente un élément 4 destiné à la mesure de la conductivité à l'obscurité et du coefficient de Seebeck des couches minces selon l'invention, formées sur un substrat de verre dans les conditions indiquées dans le tableau. La référence 1 désigne un substrat isolant formé de verre et la référence une couche mince (ayant une épaisseur d'environ 1 lm) selon l'invention, formant un dessin obtenu par une technique de photolithographie. Lors de l'utilisation de cette technique, lorsqu'un fil protecteur d'une réserve photographique a été formé sur la couche mince, la structure résultante est trempée dans une solution d'attaque chimique, par exemple un mélange contenant de l'acide fluorhydrique, de l'acide nitrique et de l'acide acétique (rapport volumique 1/26/33), si bien qu'une partie superflue du film est retirée. Un procédé d'attaque chimique en présence d'un plasma, en atmosphère de CF4+O2 ou NF3 peut aussi être utilisé comme procédé d'attaque. La référence 3 désigne une mince couche de platine formée par évaporation sous vide. T + AT indiquent un emplacement de jonction chaude et T indique un empla- cement de jonction froide. La figure 5 représente les caractéristiques de variation avec la température de la conductivité à l'obscu- rité des couches minces selon l'invention, mesurée avec l'élément 4 représenté sur la figure 4. Sur la figure 5, les abscisses représentent l'inverse de la température absolue 1/T et les ordonnées la conductivité à l'obscurité 0D. Chaque diagramme A, B et C correspond à un échantillon A, B et C du tableau. Le diagramme de l'échantillon A est proportionnel à (1/T)1/4 dans la plage des basses tempera- tures et est proportionnel à 1/T dans la plage des tempéra- tures élevées. Ceci indique que le transport des électrons est dominé par le mécanisme de conduction par sauts dans la plage des basses températures et par le mécanisme de conduction dans les bandes dans la gamme des températures élevées. Ces caractéristiques sont les mêmes que celles d'une couche classique de silicium amorphe. Cependant, la valeur absolue de la conductivité à l'osbcurité peut être augmentée de 10 à 100 fois par rapport à celle d'une couche classique. La conductivité à l'obscurité des échan- tillons B et C contenant respectivement 30 % et 90 % de la phase microcristalline est égale à 100 S/cm et est pra- tiquement égale à celle d'une substance submétallique. En outre, les échantillons B et C ont un coefficient extrême- ment faible de variation avec la température, inférieur à 1 %/K. Comme la conductivité à l'obscurité n'est pas facilement influencée par la température, les couches minces des échantillons B et C sont très efficaces pour la forma- tion d'une petite résistance sur une pastille de circuit intégré. Bien que cela ne soit pas représenté, il a été confirmé que, parmi les couches minces préparées par l'inventeur, lorsque l'échantillon, a une conductivité à l'obscurité qui dépasse 1 S/cm, son coefficient de variation avec la température est faible et inférieur ou égal à 1 %/K. La figure 6 représente la relation entre la conductivité à l'obscurité et le coefficient de Seebeck des couches minces selon l'invention, mesurés avec l'élément 4 représenté sur la figure 4. Sur la figure 6, les abscisses représentent le cdurant à l'obscurité aD en S/cm, et les ordonnées représentent le coefficient de Seebeck a en pV/K. Les cercles blancs correspondent à la relation donnée par la couche mince selon l'invention et les cercles noirs celle d'un film classique de silicium amorphe. Les couches minces selon l'invention ayant une conductivité à l'obscurité aD au moins égale à 100 S/cm ont un coeffi- cient de Seebeck qui est important, compris entre 100 et aV/K. Lorsque la conductivité à l'obscurité du film de silicium amorphe augmente, le coefficient de Seebeck a tendance à diminuer. Les valeurs précédentes obtenues selon l'invention sontsupposées au moins égales à 10 fois celles du film de silicium amorphe ayant la même conducti- vité. En conséquence, lorsque la couche mince selon l'inven- tion, ayant un coefficient de Seebeck élevé et une conduc- tivité élevée est utilisée, divers capteurs, par exemple une thermopile, un capteur de puissance pour la région des hautes fréquences, un détecteur infrarouge, un capteur de température ou analogue, peuvent être réalisés, et on peut prévoir une large gamme d'applications pour ces capteurs. La figure 7 représente un élément 9 formant une jauge dynamométrique. La référence 5 désigne un substrat de verre, la référence 6 une couche mince selon l'invention, les références 7 et 7' des électrodes ohmiques formées de couches multiples d'alliage de nickel et de chrome d'une part et d'or d'autre part, et les références 8 et 8' dé- signent des fils constitués par des rubans d'or. Les flèches de la figure 7 représentent la direction d'une force appliquée extérieurement lors d'une mesure réalisée par la jauge dynamométrique. Un facteur d'étalonnage de 4 à 10 ou plus peut être obtenu, lors d'une mesure réalisée à l'aide de l'élément 9. -'9>t REVENDICATIONS 1. Conducteur à couche mince, caractérisé en ce qu'il a une composition contenant du silicium et du germa- nium comme ingrédients essentiels et une structure dans laquelle des phases amorphe et microcristalline sont présentes. 2. Conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche mince ne contient pas plus de 100 par- ties en poids de silicium (à l'exclusion d'absence de silicium) pour une partie en poids de germanium. 3. Conducteur selon la revendication 1, caracté- risé en ce que la couche mince est composée de liaison germanium-germanium, silicium-germanium et silicium- silicium. 4. Conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche mince contient 10 à 90 % de phase micro- cristalline qui a une dimension moyenne de grain de 5 à nm. 5. Conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche mince contient 30 à 90 % de phase microcristalline qui a une dimension moyenne de grain de à 50 nm. 6. Conducteur selon la revendication 1, caracté- risé en ce que la couche mince est formée sur un substrat isolant (5) et comporte deux électrodes (7, 7') d'entrée et de sortie. 7. Conducteur selon la revendication 1, caracté- risé en ce qu'un substrat isolant est formé par dépôt successif d'une mince couche d'oxyde de silicium et d'une mince couche d'oxyde d'aluminium sur un substrat de verre. 8. Conducteur selon la revendication 1, caracté- risé en ce que la couche mince a une conductivité à l'obs- curité au moins égale à 1 S/cm. 9. Conducteur selon la revendication 1, caracté- risé en ce que la couche mince a un pouvoir thermoélectrique au moins égal à 10 pV/K. 10. Conducteur selon la revendication 1, caracté- risé en ce que la couche mince a une conductivité à l'obs- curité qui n'est pas inférieure à 100 S/cm et un pouvoir thermoélectrique qui n'est pas inférieur à 100 pV/K. 11. Conducteur selon la revendication 1, caracté- risé en ce que la couche mince a une conductivité à l'obscu- rité qui n'est pas inférieure à 100 S/cm et un facteur d'étalonnage compris entre 4 et 10. 12. Conducteur selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 11, caractérisé en ce que la couche mince a un coefficient de variation de conductivité avec la tempéra- ture qui ne dépasse pas 1 %/K. 13. Procédé de fabrication d'un conducteur à couche mince, caractérisé en ce qu'il comprend: - la disposition d'un substrat isolant (20) sur l'une de deux électrodes (16, 17) placées en regard dans une chambre sous vide (11), la transmission d'un mélange gazeux contenant un silane et un germane comme ingrédients essentiels,dans la chambre sous vide, avec un rapport prédéterminé de débits et avec maintien de l'intérieur de la chambre sous vide à une pression prédéterminée, et avec maintien du substrat isolant à une température prédéterminée, et la création d'une décharge dans un plasma entre les électrodes afin que les ingrédients du mélange gazeux se décomposent, si bien que les ingrédients de silane et de germane décomposés se déposent sur le substrat isolant et forment un conducteur en couche mince dont la composition contient du silicium et du germanium comme ingrédients essentiels et qui a une structure dans laquelle des phases amorphe et cristalline sont toutes deux présentes. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le rapport des débits de silane et de germane SiH4/GeH4, dans le mélange gazeux, ne dépasse pas 100 (à l'exclusion de zéro). 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la faible pression à l'intérieur de la chambre sous vide (11), lors de la transmission du mélange gazeux, est comprise entre 0,5 et 10 torr. 16. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la densité de puissance de la décharge formant la décharge dans un plasma est comprise entre 0,1 et W/cm2. 17. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que la températue du substrat isolant est maintenue entre 300 et 500 C. 18. Procédé de fabrication d'un conducteur à couche mince caractérisé en ce qu'il comprend: la disposition d'un substrat isolant dans une chambre sous vide, la transmission d'un mélange de gaz contenant un silane et un germane comme ingrédients essentiels, dans la chambre sous vide avec un rapport prédéterminé de débits, la chambre sous vide étant maintenue à une faible pression prédéterminée et le substrat isolant étant maintenu à une température prédéterminée, et la projection de rayons ultraviolets d'énergie suffisamment élevée pour que les ingrédients du mélange gazeux se décomposent si bien que les ingrédients de silane et de germane décomposés se déposent essentiellement sur le substrat isolant et forment le conducteur à couche mince dont la composition contient du silicium et du germanium comme ingrédients essentiels et qui a une struc- ture dans laquelle des phases amorphe et microcristalline sont présentes.