FR 2597884 A1 19871030 FR 8606107 A 19860428 úgocdet-diS 2sitif de contr8le en continu de la surfusion du frontdesojidifia Ction d'un monocristal en cours d'élaboration l_eRiication au _contrôle de la croissance d'un cristal. La présente invention a pour objet un procédé et un 5 dispositif pour mesurer en continu la surfusion au front de solidification d'un monocristal en cours d'élaboration et trouve une application intéressante au contrôle de la croissance cristalline, notamment au contrôle de la composition d'un monocristal dopé au cours de l'élaboration de celui-ci. La croissance cristalline à partir d'un bain fondu est l'une des techniques les plus utilisées pour l'élaboration de cristaux métalliques ou semi-conducteurs de qualité. Les deux propriétés les plus recherchées sont la qualité cristalline et l'homogénéité de composition, ce qui 15 implique le contrôle du dopage ou de la répartition des impuretés résiduelles. Les méthodes de croissance cristalline les plus répandues sont la méthode de tirage de Czochralski, les méthodes de Bridgman, de Stockbarger horizontale ou verticale, la méthode de zone flottante et la fusion de zone. Cependant, à L'heure 20 actuelle, aucune de ces méthodes ne permet de suivre en continu la concentration du cristal qui se forme lorsque le matériau est opaque (ce qui est le cas des métaux et des semi-conducteurs lorsqu'ils se trouvent à l'état liquide). Les analyses sont obligatoirement faites a posteriori par une méthode destructive, 25 telle que les analyses chimiques ou électriques. La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients en proposant un procédé et un dispositif qui permettent de contrôler la composition d'un cristal au fur et à mesure de son élaboration sans perturber cette dernière. Pour cela, l'invention propose un procédé de contrôle en continu de la surfusion du front de solidification d'un monocristal en cours d'élaboration à partir d'une masse de matériau, ce procédé comprenant les étapes suivantes consistant à: (a) - mesurer la différence de potentiel entre deux points de la masse de matériau situés de part et d'autre du front de solidification, et (b) - déterminer La surfusion à partir de la différence de potentiel ainsi mesurée. On rappelle que, du fait que le front de solidification d'un cristal en cours d'élaboration est mobile, il règne à cette interface une surfusion, c'est-à-dire que la température de l'interface est inférieure à la température de fusion/solidification du matériau. La différence entre la température réelle du front et la température de fusion/solidification s'appelle "surfusion". L'expression "interface mobile" signifie que celle-ci (c'est-à-dire le front de solidification) est mobile par rapport à un point de la masse de matériau déjà solidifiée. En effet, cette interface peut être mobile par rapport au creuset si on déplace celui-ci dans un four o règne un gradient thermique de sorte que le front de solidification se trouve toujours au même emplacement dans le four (méthode de Bridgman) ou si on déplace les moyens de 20 chauffage par rapport au creuset (fusion de zone). Cependant, dans des méthodes telles que la méthode de tirage de Czochralski, L'interface peut être fixe à la fois par rapport au creuset et par rapport aux moyens de chauffage permettant de créer un gradient thermique. Cependant, comme la longueur de la partie 25 solide ne cesse d'augmenter, la distance entre un point du cristal déjà formé (ou un point du germe) et l'interface ne cesse d'augmenter: on peut donc considérer que l'interface est mobile par rapport à un point du cristal déjà formé. La surfusion AT au front de solidification est reliée à la différence de potentiel 30 mesurée entre deux points situés de part et d'autre de l'interface par la relation V=4AT dans laquelle est le coefficient Seebeck de la jonction liquide-solide. Il est donc facile de déterminer 8T à partir de AV connaisant le coefficient Seebeck du matériau. Le procédé peut comporter une étape supplémentaire, effectuée après l'étape (b) consistant à déterminer La température T du front de solidification à partir de la surfusion en utilisant la relation T=T - àT dans Laquelle T est la température de fusion du matériau. On peut également agir sur les paramètres d'élaboration pour amener la surfusion AT à la valeur désirée. Les paramètres sur Lesquels on peut agir sont essentiellement la température et Le gradient thermique régnant à L'intérieur du four et la vitesse de croissance du cristal, c'est-à-dire la vitesse à laquelle 10 l'interface se déplace par rapport à un point du cristal déjà formé. Dans un mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de L'invention, l'un des deux points entre lesquels on mesure la différence de potentiel se trouve dans le liquide, 15 tandis que l'autre est soit dans le cristal, soit dans une partie de la masse de matériau se trouvant au même potentiel que le cristal. Cette façon de procéder convient dans le cas o l'on éLabore un cristal en un semi-conducteur ayant un fort coefficient Seebeck. En effet, le coefficient Seebeck des semi20 conducteurs est généralement très élevé, de l'ordre de plusieurs centaines de microvolts par Kelvin (AV/K). De plus, dans le cas des semiconducteurs, le pouvoir thermoélectrique du liquide est très faible. La prise de tension dans le liquide peut se faire directement ou à travers une barrière chimique mais conductrice, 25 par exemple à l'aide d'une électrode en un métal réfractaire insoluble dans ce liquide ou en graphite. Dans un autre mode de mise en oeuvre du procédé, applicable notamment au cas o le cristal est métallique, l'un des deux points entre lesquels on mesure la différence de 30 potentiel est toujours situé dans le cristal ou en un point de la masse de matériau se trouvant au même potentiel que celui-ci, tandis que l'autre se trouve dans une partie solide de la masse de matériau différente du cristal et séparée du liquide par une interface fixe différente du front de solidification. Cette 35 deuxième interface, qui sera appelée "interface de référence" dans La suite de La présente description, se trouve b La température de fusion/sotidification Tf du matériau parce qu'ellte est fixe. Selon un autre aspect du procédé objet de L'invention, 5 on contr8te en continu La différence de température entre Les deux points entre lesquels on mesure la différence de potentiel, ces points étant appeLés "points de prise de potentiel" dans ta suite de la présente description. De préférence, on fait en sorte que ces deux points soient à La mime température, c'est-à-dire 10 que La différence mesurée soit nulle. Cependant, s'il y a une différence de température entre ces deux points, ceci n'est pas ginant et on en tient compte dans la détermination de La surfusion à partir de la différence de potentiel mesurée. L'invention a également pour objet un procédé de contr8te de La croissance d'un monocristal en cours d'élaboration à partir d'une masse de matériau, applicable essentieltement au cas o te matériau contient un élément d'addition, par exemple un dopant. Selon La principale caractéristique de ce procédé, celuici comprend Les étapes suivantes consistant à: déterminer La surfusion par Le procédé décrit ci-dessus, - déterminer La concentration en dopant à partir de La surfusion ainsi déterminée, et agir sur les paramètres d'élaboration afin d'amener la surfusion à la valeur désirée. Si l'on désigne par CC l'écart de concentration en dopant entre le cristal en train de se formeret la concentration qu'il aurait s'il était à la température de fusion, on a ETm tC, m étant la pente du liquidus dans le diagramme de phase. Le procédé permet donc de connaître la concentration en 30 dopant ou en élément d'addition du cristal qui se forme par la détermination de la différence de potentiel 4V de part et d'autre du front de solidification. En effet, à partir de aV, on peut déterminer la surfusion.&T connaisant Le coefficient Seebeck du matériau et, à partir de 6T, on peut déterminer 35 l'écart de concentration grâce au diagramme de phase. On peut donc agir sur les paramètres d'élaboration du cristal (température, gradient thermique, vitesse d'élaboration...) afin de modifier &T, et donc &C. On peut ainsi maîtriser en continu la concentration du crital en agissant sur les paramètres 5 d'élaboration pour que cette concentration ait la valeur désirée. Suivant les cas, on peut soit la maintenir constante, soit la faire varier d'une extrémité à l'autre du monocristal. L'invention a également pour objet un dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé, ce dispositif comprenant, de 10 manière connue, des moyens pour créer un front de solidification dans la masse de matériau. Selon l'invention, ce dispositif comporte en outre des moyens pour mesurer la différence de potentiel entre deux points de la masse de matériau situés de part et d'autre du front de solidification. Suivant un mode de réalisation particulier de ce dispositif, celui-ci peut comporter en outre des moyens pour créer une interface fixe, différente du front de solidification, entre le liquide et une partie solide de la masse de matériau. Ces moyens pour créer une interface fixe peuvent comprendre: 20 - un premier four fixe, - un creuset, fixe par rapport à ce premier four, et contenant la masse de matériau, ce creuset traversant une paroi du premier four de sorte qu'une partie du creuset se trouve à l'intérieur du premier four et une autre à l'extérieur, - des moyens de chauffage équipant le premier four et aptes à chauffer la partie du creuset située à l'intérieur de ce premier four, et - des premiers moyens de refroidissement pour refroidir la partie du creuset située à l'extérieur du premier four. Dans ce cas, les moyens pour créer un front de solidification peuvent comprendre: - un deuxième four, mobile par rapport au premier et par rapport au creuset, ce dernier traversant une paroi du deuxième four de sorte qu'une partie du creuset se trouve à l'intérieur du 35 deuxième four et une autre partie à l'extérieur du deuxième four, - des moyens de chauffage équipant le deuxième four et aptes à chauffer la partie du creuset située à L'intérieur de ce deuxième four, - des deuxièmes moyens de refroidissement pour refroidir la partie du creuset située à l'extérieur du deuxième four, et - des moyens d'entraînement simultané du deuxième four et des deuxièmes moyens de refroidisement. De péférence, dans ce cas, L'agencement est tel que La 10 partie du creuset se trouvant à L'intérieur du premier four est la même que ceLLe se trouvant à l'intérieur du deuxième four; les deux fours et les moyens de chauffage sont agencés de sorte que la partie de La masse de matériau contenue dans cette partie du creuset soit entièrement liquide. De plus, dans ce mode de 15 réalisation préféré, la partie du creuset située à l'extérieur du premier four et la partie du creuset située à l'extérieur du deuxième four sont différentes et situées de part et d'autre de la partie contenant la masse liquide. Le réglage convenabLe des différents moyens de chauffage et de refroidissement permet de 20 créer un gradient thermique dans La masse de matériau contenue dans le creuset et, en particulier, de régler la position du front de solidification et de la deuxième interface fixe. Selon un autre aspect de ce dispositif, Les moyens d'entraînement simultané du deuxième four et des deuxièmes moyens 25 de refroidissement comprennent: - un support sur lequel reposent le deuxième four et les deuxièmes moyens de refroidissement, - une tige filetée mobile en rotation et immobilisée en translation, - un écrou, solidaire du support, par l'intermédiaire duquel le support est monté sur La tige filetée, cet écrou étant immobilisé en rotation et mobile en translation, et - des moyens de mise en rotation de la tige filetée. Les moyens de mise en rotation de la tige fiLetée 35 peuvent comprendre un moteur relié à celle-ci par un système 7 2597884 d'engrenages. Toujours dans le mode de réaLisation décrit ici, le dispositif peut comporter en outre des moyens, montés sur Le support, pour faire varier La position relative du deuxième four et des deuxièmes moyens de refroidisement. Ainsi, en éloignant ou en rapprochant le deuxième four et Les deuxièmes moyens de refroidissement, on peut modifier te gradient thermique du matériau se trouvant à L'intérieur du creuset et faire varier la position du front de solidification. Selon un autre aspect de ce dispositif, celui-ci peut comprendre des moyens pour contrôler La différence de température entre les points de prise de potentiel, ces moyens de contrôle comprenant par exemple: - un premier microfour contenant La partie de La masse de 15 matériau o se trouve L'un des points de prise de potentieL, - un premier thermocouple mesurant La température de ce point, - un deuxième microfour contenant La partie de la masse de matériau o se trouve l'autre point de prise de potentiel, - un deuxième thermocouple mesurant la température de ce deuxième 20 point, et - des moyens de régulation de la température de chaque microfour. De préférence, les thermocouples sont montés en opposition de sorte qu'ils fournissent un signal correspondant à La différence de température entre les points de prise de 25 potentiel. De préférence, on règle Les moyens de chauffage des microfours afin que les deux points de prise de potentiel soient à la mime température, c'est-à-dire que le signal fourni soit nul. Cependant, le procédé de l'invention peut encore être mis en oeuvre même si les deux points ne sont pas à la même température: dans ce cas, on tient compte de cette différence dans le calcul de la surfusion car le coefficient de SEEBECK entre le matériau et le métal de la connexion de mesure de potentiel est soit connu, soit mesurable. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la 35 description qui va suivre, donnée à titre d'exemple purement illustratif et nullement limitatif, en référence aux dessins 8 2597884 annexes dans Lesquels: - La figure la est une vue schématique en coupe verticale d'un mode de réalisation du dispositif objet de l'invention, la figure lb est un graphique montrant le profil Longitudinal de température à l'intérieur de la masse de matériau, - la figure 2 est une courbe représentant L'évolution de la surfusion au front de solidification en fonction du temps 10 au cours de l'élaboration du cristal, - la figure 3 est un graphe donnant, en fonction du temps, la température de l'un des fours utilisés dans le dispositif d'élaboration et celle du front de solidification, montrant comment on peut réduire les variations parasites de la 15 température du front de solidification en modifiant la température du four, - la figure 4 est une vue schématique en coupe montrant comment on peut mettre en oeuvre l'invention avec un point de prise de potentiel dans le cristal et un dans le liquide, et - la figure 5 est une vue schématique en coupe verticale montrant l'application de l'invention à la méthode de tirage de Czochralski, l'un des points de prise de potentiel étant dans le cristal et l'autre dans le liquide. Si l'on se reporte à la figure la, on voit que le 25 dispositif de l'invention, portant la référence générale 10, se compose d'abord d'un premier four 12 de forme sensiblement cylindrique et d'axe horizontal. Le four 12 se compose d'une première partie 14 comprenant les moyens de chauffage 16 et fermée, du côté gauche en regardant la figure, par une paroi 30 isolante 18. La partie 14 du four se prolonge du côté droit en regardant la figure par un manchon 20 cylindrique de même axe que le four mais ouvert à son extrémité opposée aux moyens de chauffage 16, ces derniers se trouvant tout près de la paroi 18. Cette dernière est percée d'un orifice 22 disposé sensiblement 35 suivant l'axe du four 12 et permettant le passage d'un creuset 24, lequel contient la masse de matériau 26 servant à l'élaboration du monocristal. On voit donc qu'une partie du creuset 24 se trouve à l'intérieur du four 12 et est chauffée par les moyens de chauffage 16, tandis qu'une autre partie du creuset se trouve à l'extérieur du four et elle est refroidie par des premiers moyens de refroidissement 28. Ceux-ci peuvent consister 5 en une boite à eau 30 entourant le creuset et étant en contact thermique avec lui, la boite à eau 30 étant parcourue par de L'eau ou un autre fluide de refroidissement arrivant par une canalisation 32 et partant par une canalisation 34. Les moyens de chauffage 16 permettent d'obtenir à l'intérieur du four une 10 température telle que la partie de la masse de matériau 26 se trouvant à cet endroit fonde et constitue la masse liquide 36 tandis que les moyens de refroidissement 28 permettent de maintenir à l'état solide une autre partie 38 du matériau. Il se crée donc un gradient thermique dans la masse de matériau entre 15 l'intérieur du four 12 et l'extérieur de celui-ci, ce qui permet d'obtenir l'interface de référence 40 qui, dans l'exemple décrit ici, se trouve dans la partie du creuset située dans l'orifice 22. Un deuxième four 42, de forme sensiblement cylindrique, 20 est placé à l'intérieur du premier four 12, plus précisément à l'intérieur du manchon 20, les axes des deux fours étant sensiblement confondus. Le deuxième four 42 est équipé de moyens de chauffage 44. Ce four 42 présente, à sa partie la plus éloignée de la paroi 18 constituant le fond du four 12, une paroi 25 46 elle-même percée d'un orifice 48 sensiblement suivant l'axe du four 42. L'orifice 48 permet le passage du creuset 24 de sorte qu'une partie de celui-ci se trouve à l'intérieur du four 42 et une autre partie à l'extérieur de ce dernier. La partie du creuset 24 se trouvant à l'extérieur du four 42 est différente de 30 celle qui se trouve à l'extérieur du four 12. Elle peut être refroidie par un dispositif de refroidissement 50 identique au dispositif 28 déjà décrit. L'action combinée des moyens de chauffage 44 du four 42 et du dispositif de refroidissement 50 permet de créer un gradient thermique dans la masse de matériau 35 26. Il est possible de faire en sorte que la partie située à l'intérieur du four 42 soit à l'état liquide et que la partie située à l'extérieur et refroidie par le dispositif 50 soit à L'état solide. Il est à remarquer que les parties Liquides se trouvant à l'intérieur des fours 12 et 42 respectivement ne forment qu'une seule et même masse liquide 36. En effet, on peut voir sur la figure que la partie du creuset située entre les moyens de chauffage 16 et 44 n'est pas directement chauffée par ceux-ci. De plus, la longueur correspondante du creuset est variable puisque l'ensemble constitué par le four 42 et le 10 dispositif de refroidissement 50 est mobile par rapport au premier four. Cependant, cette zone est entourée par le manchon isolant 20 et elle est chauffée indirectement par les moyens de chauffage 16 et 44. La température du matériau à cet endroit est Inférieure à ce qu'elle est au niveau des moyens de chauffage 16 15. et 44. Cependant, on peut régler ces derniers de sorte que, même si La partie intermédiaire du creuset est à une température inférieure à ce qu'elle est au voisinage immédiat des moyens de chauffage, le matériau soit encore liquide à cet endroit. On voit encore sur La figure la que le four mobile 42 et le 2û dispositif de refroidissement 50 reposent l'un et L'autre sur un support 52. Celuici est équipé d'un écrou 54 monté sur une tige filetée 56. Cette dernière est immobilisée en translation mais mobile en rotation tandis que l'écrou 54 (et donc le support 52) est immobilisé en rotation mais mobile en translation. La tige 56 25 est entranée en rotation grâce à un moteur 58 par L'intermédiaire d'un mécanisme d'entraînement placé à l'intérieur d'un boitier 60,par exemple un mécanisme à engrenages. Une autre tige filetée 61, munie d'un écrou 62, permet d'éloigner plus ou moins te four 42 et le dispositif de refroidissement 50 l'un de 30 L'autre. Ceci permet de faire varier la position du front de solidification 64. Il est à noter que le support 52 se trouve à L'extérieur du manchon 20 du four 12. On a prévu, sensiblement suivant la génératrice inférieure du manchon 20, une fente permettant le passage des pieds 53, 55 par lesquels le four 42 et le dispositif de refroidissement 50 reposent sur le support 52. Cependant, les déperditions de chaleur sont limitées car la Largeur de la fente est faible par rapport au diamètre du manchon 20. On voit encore sur la figure que les extrémités, 5 opposées à la masse liquide 36, de la partie solide 38 d'une part et du cristal 66 d'autre part, se trouvent à l'intérieur de deux microfours 68 et 70 respectivement, ces derniers étant représentés schématiquement en traits mixtes-sur Le dessin. C'est à L'intérieur de ces microfours que se trouvent les points de 10 prise de potentiel 72 et 74. Deux thermocouples 76 et 78 permettent de connaître la température en chacun de ces points. La figure lb repésente le profil de température à L'intérieur de La masse de matériau. Du c8té gauche de la figure, une première partie 80 de la courbe correspond à un palier 15 horizontal et donc à une température constante et relativement basse qui est celle de la masse solide 38 refroidie par le dispositif 28. Puis, La température augmente réguLièrement (partie 82 de la courbe) et passe par la température de fusion T f du matériau au niveau de l'interface 40. On a ensuite un palier 20 84 à-une température supérieure à T. Le palier 84 comporte un creux 86 correspondant à une chute de température dans la partie de la masse liquide 36 située entre les moyens de chauffage 16 et 44 des fours 12 et 42 respectivement. Cette chute est d'autant plus importante que les deux fours sont plus éloignés L'un de 25 L'autre. Cependant, on règle les moyens de chauffage pour que la totalité de la masse 36 reste liquide quelle que soit la position relative des deux fours. La température diminue ensuite (partie 88 de la courbe) et passe, au niveau de l'interface 64, par une valeur T qui n'est pas égale à la température de fusion du 30 matériau, mais à T -A T, &T étant la surfusion. On arrive f ensuite à un palier 90, qui peut être à la même température que le palier 80, et qui correspond au cristal 66 déjà formé, celuici étant refroidi par le dispositif 50. Le fonctionnement du dispositif de la figure 1 est le 35 suivant: Au départ, on dépLace Le support 52 vers La droite en regardant La figure afin d'éloigner le four 42 des moyens de chauffage 16 du four 12. Le dispositif de refroidissement 50 occupe aLors la position 50a représentée en traits mixtes sur Le 5 dessin. On introduit alors Le creuset dans Les orifices 22 et 48 des deux fours ainsi que dans Les orifices centraux des boîtes à eau des moyens de refroidissement 30 et 50. On introduit Le matériau à éLaborer à L'état soLide (par exempLe sous la forme d'une barre, de sorte qu'il rempLisse complètement Le creuset et 10 dépasse chacune des extrémités de celui-ci. On place ensuite Les microfours 68 et 70 de sorte qu'iLs contiennent Les extrémités du creuset et du matériau à éLaborer et on instaLle Les thermocouples 76 et 78. On met en route Les moyens de chauffage 16 et 44 jusqu'à ce que la partie du matériau se trouvant à 15 L'intérieur des deux fours soit entièrement à L'état Liquide. Puis, Le moteur 58 est mis en action afin que Le support 52 se dépLace de La droite vers La gauche en regardant La figure la. Come Le four 42 et Le dispositif de refroidissement 50 sont fixes par rapport au support 52, ceci a pour effet de provoquer 20 Le déplacement de L'interface 64 et de provoquer La croissance du cristal 66. La détermination de la surfusion à L'interface 64 se fait de la manière suivante: On mesure la différence de potentiel entre Les points 25 72 et 74 situés dans La masse soLide 38 et dans le cristal 66 respectivement. IL est à remarquer que le point 74 n'est pas nécessairement dans le cristal, mais peut être dans une partie solide non critallisée du matériau, le cristaL ne commençant qu'à partir de l'endroit o se trouvait L'interface 64 lorsque Le 30 dispositif était en position de départ. De toute façon, le point 74 est au même potentiel que le cristal. A partir de La différence de potentiel ainsi mesurée, iL est posibLe de déterminer la surfusion connaissant le coefficient Seebeck du matériau. D'autre part, connaissant La surfusion, il est possible 35 de connaître L'écart de concentration du dopant si on connaît La pente du Liquidus du diagramme de phase à la température considérée. On peut donc agir sur la concentration du dopant en modifiant les paramètres d'élaboration (par exemple la vitesse d'élaboration, c'est-à-dire la vitesse de déplacement du support 5 52) afin de modifier la surfusion et, par voie de conséquence, la concentration du dopant. On peut également, en ajustant la température des fours 12 et 42 éviter les bruits de fond sur la surfusion, ce qui conduit à des stries indésirables dans le cristal terminé, comme 10 cela sera exposé plus en détail ci-après. Sur la figure 2, on a représenté, en fonction du temps t, l'évolution du signal Seebeck àV (courbe 92) et l'évolution de la surfusion AT au front de solidification (courbe 94). Il est à noter que, la surfusion étant proportionnelle au signal Seebeck, les deux courbes ont la même allure. Au départ, Lorsque le matériau contenu dans la partie centrale du creuset 24 est à l'état liquide, mais avant que le tirage ne soit commencé, le signal de Seebeck est nul et correspond au palier 96 sur la courbe 92. A partir de l'instant t correspondant au début du tirage, ce signal évolue jusqu'à atteindre un palier 98 sensiblement horizontal et correspondant à une valeur constante pendant toute la durée du tirage si les paramètres d'élaboration restent constants. Le tirage est arrêté à l'instant t et le signal décrolt progressivement, ce qui correspond à la partie 100 25 de la courbe. Il se peut, dans certains cas, qu'on note un bruit de fond important sur le signal de Seebeck. Ceci correspond à des variations de la température du front de solidification dues à des mouvements convectifs dans le liquide. Ces mouvements peuvent 30 se produire aussi bien au sol qu'en microgravité spatiale et ils provoquent des variations de la concentration moyenne du liquide ainsi que des fluctuations locales de la concentration au nieau du front de solidification. La figure 3 représente, à échelle agrandie, deux 35 courbes donnant respectivement, en fonction du temps, le signal Seebeck j&V (courbe 102) et La température du four 12 (courbe 104). La courbe 102 comporte une première zone 106 correspondant au début de L'expérience dans laquelle te bruit de fond est relativement important. On s'est aperçu qu'en modifiant La 5 température T du four 12, on pouvait diminuer considérablement ce bruit de fond (partie 108 de La courbe 102). Des essais ont été réalisés avec te dispositif de La figure la sur un atliage d'étain et de plomb contenant 800 ppm de plomb en-atomes. On a réalisé un cristal de diamètre 4 mm et de 10 60 mm de Longueur. La température de fusion/soLidification du matériau est de 2320c, mais Les fours 12 et 42 étaient réglés de manière à avoir une température de L'ordre de 6880c dans La zone centrate du creuset afin que te matériau reste Liquide, même au moment de L'étoignement maximum des moyens dechauffage 16 et 44 des deux fours. Le gradient à L'interface de solidification était 15 de 1200C par centimètre et La vitesse de tirage de 12 cm par heure. Les courbes de ta figure 3 correspondent à cette expérience-Là, et on s'est aperçu qu'au début du tirage on avait un bruit de fond important (partie 106 de La courbe 102) 20 correspondant à des variations de l'ordre de 0,35OK sur la surfusion AT. Ces variations peuvent être détectées grâce à un amplificateur du signal Seebeck. La température initiate du four 12 était de 687,30C. A partir de L'instant t, on a modifié Le régLage des moyens de chauffage du four afin d'augmenter sa 25 température de lc. Lorsque La nouvelte température de 688,30c a été atteinte (instant t), Le bruit de fond sur AV a considérablement diminué (partie 108 de la courbe 102) et La surfusion est restée constante à 0, 010K près jusqu'à La fin de t'éLaboration. Une fois Le cristal terminé, on a constaté que la 30 zone de celui-ci correspondant à La zone 106 de La courbe 102, dans laqueLLe Le bruit de fond était important, présentait des striations importantes correspondant à une accumulation de défauts. L'autre zone de L'éLément, correspondant à La partie 108 de La courbe 102, était exempte de striations. La figure la illustre le cas o Les points de prise de potentieL se trouvent l'un dans Le cristal, l'autre dans une partie solide de la masse de matériau séparée de la partie Liquide par l'interface de référence. Cependant, on ne sortirait pas du cadre de L'invention en plaçant L'un des points de prise de potentiel dans le cristal et L'autre dans le liquide. Ceci est surtout valabLe Lorsque le matériau à élaborer est un semiconducteur car les semi-conducteurs ont un coefficient de Seebeck très élevé à l'état solide et très faible à l'état liquide. La figure 4 illustre le principe de cette méthode dans 10 le cas d'un creuset 110 contenant à sa partie inférieure le cristal déjà formé 112 et à sa partie supérieure la partie liquide 114. Un tel creuset peut être utilisé pour réaliser des monocristaux par une méthode telle que la méthode de Bridgman dans laquelle le creuset est déplacé verticalement à l'intérieur 15 d'un four o règne un gradient de température,de sorte que le front de solidification reste au même endroit dans le four au fur et à mesure que le creuset se déplace. On voit sur la figure 4 que Les deux points de prise de potentiel 116 dans le cristal et 118 dans le liquide sont reliés à un voltmètre 120. Cette variante de l'invention dans laquelle l'un des deux points de prise de potentiel se trouve dans le Liquide peut aussi être utilisée avec une méthode de tirage telle que la méthode de CzochraLski, comme cela est illustré à la figure 5. On part d'une masse liquide 122 contenue dans un creuset 124 en 25 plaçant un germe en contact avec la surface du liquide. Le germe est progressivement tiré vers le haut dans une zone ou règne un gradient de température de sorte que le liquide se solidifie progressivement au fur et à mesure du tirage. La figure 5 illustre la situation en cours de tirage o l'on voit le germe 30 126 prolongé vers le bas par le cristal déjà formé 128, celui-ci étant séparé du liquide par l'interface 130. Un voltmètre 132 est relié d'une part à un point 134 placé dans le germe ou dans te cristal et d'autre part à une électrode 136 qui plonge dans le liquide. Bien entendu, celle-ci doit être insoluble dans le 35 liquide et chimiquement inerte vis-à-vis de celui-ci, com me cela est le cas pour l'électrode 118 de la figure 4. L'invention présente des avantages particulièrement intéressants dont le principal est de permettre de contr8ler en continu la croissance d'un cristal, notamment la composition de celui-ci lorsqu'il y a un dopant ou un élément d'addition, alors 5 que les méthodes actuelles ne permettent pas ce contr8le. La méthode de l'invention ne perturbe pas te phénomène de solidification et de croissance cristalline car les points de prise de potentiel sont éloignés du front de solidification, et il n'est pas nécessaire d'introduire une sonde dans le cristal. 10 On peut vérifier la stationnarité de la croissance et, en particulier, visualiser les régimes transitoires de croissance qui sont souvent longs et conduisent à des macroségrégations. On peut aussi mesurer les fluctuations instantanées de la température du front de cristallisation qui sont liées aux 15 instabilités hydrodynamiques dans le liquide ou qui sont d'origine cinétique. Ces variations sont à l'origine de striations ou de bandes dans les cristaux. On peut donc, en modifiant les conditions de croissance (température du four, gradient de température et vitesse de tirage) éviter ces 20 striations et obtenir des cristaux homogènes. On peut enfin visualiser les instabilités morphologiques qui se développent à l'interface et sont à l'origine de ségrégations radiales dans les cristaux conduisant à des structures cellulaires et dendritiques. On peut les éviter, par exemple en augmentant le gradient de 25 température au front de solidification. De plus, l'invention s'applique aussi bien pour des études en laboratoire que pour des réalisations industrielles. On peut par exemple prévoir une boucle de régulation qui asservit la température du four en la modifiant de quelques degrés dès que 30 des instabilités telles que celles précédemment décrites sont signalées par l'amplificateur du signal Seebeck. Par exemple, comme on l'a montré précédemment, on peut, en modifiant la température du four d'une valeur faiblede l'ordre de 10C, éviter l'installation d'un mode convectif oscillant dans le liquide. Ces 35 mouvements convectifs sont à l'origine d'oscillations du signal de Seebeck et conduisent à La formation de bandes dans le cristaL. Cette méthode de mesure et de régulation de La température du front de solidification permet d'optimiser Les 5 conditions de croissance des cristaux métalliques et semiconducteurs et s'applique à toutes les techniques connues de croissance cristalline, notamment pour réaliser des cristaux homogènes. L'invention s'applique aussi bien au sol qu'en microgravité spatiale, par exemple dans un sateLLite. Enfin, 10 l'anaLyse de la concentration axiale Le long des cristaux élaborés peut se faire à la simple lecture du signal Seebeck en cours d'élaboration si La diffusion à L'état solide n'a pas conduit à une évolution de profil. C'est en général Le cas puique les coefficients de diffusion à l'état solide sont en général de 'orre e 1-9} 1-11 2 l'ordre de 109 à 10_ cm /s. La méthode de l'invention est donc aussi une méthode d'analyse non- destructive de la concentration en dopant du cristal au fur et à mesure de l'élaboration de celui-ci. REVENDICATIONS 1. Procédé de contrôle en continu de la surfusion du front de solidification (64) d'un monocristal (66) en cours d'élaboration à partir d'une masse de matériau, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant à: (a) - mesurer la différence de potentiel entre deux points (72, 74) de la masse de matériau situés de part et d'autre du front de solidification (64), et (b) - déterminer la surfusion à partir de la différence de 10 potentiel ainsi mesurée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une étape supplémentaire, effectuée après l'étape (b), consistant à déterminer la température du front de solidification (64) à partir de la surfusion. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comporte une étape supplémentaire, effectuée après l'étape (b), consistant à agir sur les paramètres d'élaboration pour amener la surfusion à la valeur désirée. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 20 à 3, caractérisé en ce que l'un (118) des deux points entre lesquels on mesure la différence de potentiel se trouve dans le liquide tandis que l'autre (116) se trouve au même potentiel que le cristal (112). 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'un (74) des deux points entre lesquels on mesure la différence de potentiel se trouve au même potentiel que le cristal (66) et l'autre (72) au même potentiel qu'une partie solide (38) de ladite masse de matériau séparée du liquide (36) par une interface fixe (40) différente du front de solidification (64). 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'on contrôle en continu la différence de température entre les deux points de prise de potentiel (72, 74). 7. Procédé de contrôle de la croissance d'un monocristal en cours d'élaboration à partir d'une masse de matériau, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes consistant à-: - déterminer la surfusion par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, - déterminer la concentration en dopant à partir de la surfusion ainsi déterminée, et - agir sur les paramètres d'élaboration afin d'amener la surfusion à la valeur désirée. 8. Dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant des moyens pour créer un front de solidification (64) dans la masse de matériau, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens pour mesurer la différence de potentiel entre deux points (72, 15 74) de la masse de matériau situés de part et d'autre du front de solidification (64). 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens pour créer une interface fixe (40) différente du front de solidification (64). 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que lesdits moyens pour créer une interface fixe (40) comprennent: - un premier four fixe (12), - un creuset (24) contenant la masse de matériau et traversant 25 une paroi (18) du premier four de sorte qu'une partie du creuset se trouve à l'intérieur du premier four et une autre à l'extérieur, - des moyens de chauffage (16) équipant le premier four et aptes à chauffer la partie du creuset située à l'intérieur du premier 30 four, et -des premiers moyens de refroidissement (28) de la partie du creuset située à l'extérieur du premier four. 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que les moyens pour créer un front de solidification (64) 35 comprennent: - un deuxième four (42) mobile par rapport au premier et par rapport au creuset (24), le creuset traversant une paroi (46) de ce deuxième four (42) de sorte qu'une partie du creuset se trouve à L'intérieur, du deuxième four (42) et une autre partie à L'extérieur du deuxième four, - des moyens de chauffage (44) équipant le deuxième four (42) et aptes à chauffer la partie du creuset située à l'intérieur du deuxième four, - des deuxièmes moyens de refroidissement (50) de la partie du 10 creuset située à l'extérieur du deuxième four (42), et - des moyens d'entraînement simultané du deuxième four (42) et des deuxièmes moyens de refroidissement (50). 12. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que lesdits moyens d'entraînement comprennent: - un support (52) sur lequel reposent le deuxième four (42) et Les deuxièmes moyens de refroidissement (50), une tige filetée (56) mobile en rotation et immobilisée en translation, un écrou (54), solidaire du support (52), par L'intermédiaire 20 duquel Le support (52) est monté sur la tige fiLetée (56), cet écrou étant immobilisé en rotation et mobile en translation, et - des moyens de mise en rotation de la tige filetée (56). 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens, montés sur le support 25 (52), pour faire varier la position relative du deuxième four (42) et des deuxièmes moyens de refroidissement (50). 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 9 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour contrôler la différence de température entre les 30 points (72, 74) de prise de potentiel. 15. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que lesdits moyens pour contrôler la différence de température entre les points (72, 74) de prise de potentiel comprennent: - un premier microfour (68) contenant la partie de la masse de matériau o se trouve L'un (72) des points de prise de potentiel, - un premier thermocouple (76) mesurant la température de ce premier point, - un deuxième microfour (70) contenant la partie de la masse de matériau o se trouve l'autre point de prise de potentiel (74), - un deuxième thermocouple (78) mesurant la température de ce deuxième point, et - des moyens de régulation de la température de chaque microfour.