FR 2591800 A1 19870619 FR 8518771 A 19851218 Procédé de fabrication d'un caisson et éventuellement de zones d'isolation électriques d'un circuit intégré, notamment de type MOS La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un caisson dans un substrat, de con- ductivité différente de celle du substrat, et éventuel- lement de zones d'isolation électriques servant à isoler les composants actifs d'un circuit intégré les uns des autres. Ce procédé peut être utilisé dans le domaine de la microélectronique chaque fois que l'on désire modifier la conductivité d'une région d'un substrat semi-conducteur en vue d'y réaliser des composants ac- tifs particuliers et que l'on souhaite isoler électri- quement les uns des autres les composants actifs réali- sés dans ce substrat semi-conducteur. Les composants actifs peuvent être des transistors, des diodes, des dispositifs à transfert de charge, etc... En particulier, l'invention s'applique aux circuits intégrés utilisant le silicium monocristallin comme substrat, tels que les circuits intégrés MOS ou bipolaires et plus spéciale- ment les circuits intégrés CMOS, comportant à la fois des transis- tors à canal n et des transistors à canal p. Comme procédés de fabrication d'un caisson et de zones d'isolation électriques d'un circuit intégré actuellement connu, on peut notamment citer ceux décrits dans l'ouvrage "Semi- conductor technology handbook" publié le 15 avril 1982 par TECH- NOLOGY ASSOCIATES. Sur la figure 1 annexée, on a schématisé en coupe longitudinale, les principales étapes d'un procédé connu de fa- brication d'un caisson et de zones d'isolations électriques d'un circuit intégré MOS; les parties a-e de la figure 1 représentent df4ererts stades de la fabrication. Le caisson est destiné à ece:or jn transistor OS du circuit. La première étape de ce procédé connu consis- te, ccmme représenté sur la partie a de la figure 1, à faire croltre thermiquement sur un substrat en silicium monocristallin 12 de type p, une couche d'oxyde de si- Licium 14 présentant une épaisseur de l'ordre de 1 pm. Par photolithographie, on réalise ensuite un masque de résine photosensible 16, représentant L'image du cais - son n à réaliser dans Le substrat 12. Ensuite, on éLi- mine Les régions de la couche d'oxyde de silicium 14 non masquées par La résine 6 puis on dissout la résine. On effectue alors une implantation d'ions de phosphore 18 suivie d'un recuit à haute température de L'ordre de 1000 C afin de permettre la diffusion des ions de phosphore dans Le substrat 12 et former ainsi un caisson 20 de type n. La couche d'oxyde 14 gravée sert de masque à cette implantation. Après élimination de la co.uche d'oxyde 14, comme représenté sur la partie b de La figure 1, on fait croître thermiquement une couche d'oxyde de sili- cium 22 de faible épaisseur, notamment de l'ordre de 0,01 pm, dans Lequel sera réalisé ultérieurement l'oxy- de de grille du transistor logé dans le caisson 20. On dépose ensuite une couche de nitrure de silicium 24 d'environ 0,08 pm sur laquelle on réalise un masque de résine 26 par photolithographie. Ce masque 26 recouvre uniquement la région du substrat 27 dans Laquelle sera réalisé ultérieurement le transistor du circuit intégré Logé dans le caisson 20; le masque de résine 26 est centré au-dessus du caisson. On effectue ensuite l'élimination des ré- gions de La couche de nitrure 24 non recouvertes de résine. Après dissolution du masque de résine 26, on réalise un autre masque de résine photosensible 18, comme représenté sur la partie c de la figure 1. Ce masque de résine 28 comporte une ouverture 29 dont le diamètre est égal au diamètre maximum du caisson 20. On effectue ensuite une implantation 30 d'ions d'arsenic dans le caisson 20, la résine 28 et la couche de nitrure de silicium gravée 24 servant de mas- que à cette implantation. On forme ainsi deux régions + latérales 32 et 34 de type n dans le caisson 20. Dans le cas d'un substrat de type n, les im- plantations de phosphore et d'arsenic sont remplacées respectivement par des implantations de bore et de di- fluorure de bore. Apres élimination du masque de résine 28, comme représenté sur la partie d de la figure 1, on 1O réalise deux isolations électriques 36 et 38, situées de part et d'autre de la région 27 du substrat dans laquelle sera réalisé le transistor du circuit intégré. Ces isolations latérales sont obtenues par oxydation thermique localisées des régions du substrat en sili- cium non recouvertes de la couche de nitrure gravée 24, cette oxydation se faisant à une température supérieure à 900 C. Cette technique d'isolation est appelée tech- nique LOCOS. Les deux régions d'oxyde de silicium obte- nues 36 et 38 présentent une épaisseur généralement comprise entre 0,6 et 1,0 pm. Le procédé de fabrication connu d'un caisson et de zones d'isolations se termine en éliminant le restant de la couche de nitrure. La structure finale obtenue est celle représentée sur la partie e de la figure 1. Ce procédé de fabrication bien que couramment utilisé présente un certain nombre d'inconvénients. En particulier, ce procédé comporte un grand nombre d'étapes critiques telles que les étapes de fa- brication des trois masques de résine 16, 26, 28 par photolithographie et deux étapes de traitement thermi- que, cettlle après l'implantation de phosphore et celle iors de la réalisation du LOCOS. Ces étapes de masquage et de traitemrent t ermiqJe présentent l'inconvénient majeur de limiter la densité d'intégration des circuits intégrés. En effet, Le positionnement correct des mas- ques de résine est critique, ce qui nécessite l'emploi de marches de tolérance dans leur positionnement laté- rat; en particulier le centrage du masque 26, définis- sant l'emplacement et Les dimensions du transistor à réaliser dans le caisson, au-dessus du caisson et l'alignement des côtés de L'ouverture 29 du masque 28 avec ceux du caisson sont difficiles à réaliser. De même, les traitements thermiques distincts conduisent à une diffusion latérale trop importante des ions implan- tés. La présente invention a justement pour objet un procédé de fabrication d'un caisson et éventuelle- ment de zones d'isolation électriques dans un circuit intégré, notamment de type MOS, permettant de remédier aux différents inconvénients ci-dessus. En particu- lier, ce procédé permet de diminuer le nombre des étapes de masquage par photolithographie. Ceci conduit à une simplification notoire du procédé ainsi qu'à une augmentation de la densité d'intégration du circuit in- tégré. De façon plus précise, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un caisson d'un pre- mier type de conductivité dans un substrat semiconduc- teur d'un second type de conductivité, ce caisson étant destiné à recevoir au moins un composant actif d'un circuit intégré réalisé dans ledit substrat, ce procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suc- cessives suivantes: (1) dépôt d'une couche d'un premier matériau sur l'en- semble du substrat, (2) gravure de cette couche de premier matériau afin de ne garder du premier matériau qu'au-dessus de la zone du substrat Jans laqueLe on va réaliser ledit composant actif, 259-1800 (3) réalisation d'un masque en un second matériau com- portant une ouverture définissant les dimensions du caisson à réaliser, cette ouverture étant si- tuée en regard du premier matériau restant et dé- bordant de chaque côté dudit premier matériau, (4) implantation d'ions d'une première sorte, dans une première région du substrat non recouverte du se- cond matériau, modifiant localement la conducti- vité du substrat, (5) élimination du masque de second matériau, (6) recuit du substrat implanté pour faire diffuser les ions dans ledit substrat et former le cais- son, et (7) élimination du premier matériau restant. Le procédé selon l'invention n'est nullement critique en ce qui concerne le positionnement correct du composant actif dans le caisson, étant donné que le caisson est réalisé après définition de l'emplacement du composant; le premier matériau restant servant à cette définition, faisant saillie hors du substrat, permet un repérage aisé. De préférence, on effectue, entre l'implan- tation d'ions d'une première sorte et l'élimination du masque de second matériau, une implantation d'ions d'une seconde sorte dans des secondes régions du subs- trat non masquées par le premier matériau restant et le second matériau, ces secondes régions présentant le premier type de conductivité. Par rapport à L'art antérieur décrit précé- demment, on constate que le procédé de l'invention per- met de n'utiliser qu'un seul masque pour réaliser deux imlantations successives d'ions de sortes différentes. L'implartation de cette seconde sorte, utilisée aussi dans l'état de La technique, permet en particu- Lier de diminuer la résistance moyenne latérale du caisson. Cette diminution permet d'éviter le phénomène de "transistor parasite vertical" connu sous le nom de "latch up" en terminologie anglo-saxonne. Le procédé selon l'invention s'applique à tout substrat semi-conducteur comme par exemple les substrats en GaAs, en InP ou en silicium. Toutefois, il s'applique plus spécialement aux substrats en silicium. Les ions de première et seconde sortes utili- sables dans l'invention sont des ions permettant de changer le type de conductivité du substrat. Par ail- leurs, les ions de la première sorte sont des ions dont la profondeur de pénétration dans un matériau donné est inférieure à celle des ions de la seconde sorte. Dans le cas d'un substrat en silicium de type p, les ions de la première sorte sont avantageusement des ions de phosphore et les ions de la seconde sorte des ions d'arsenic. De même, dans le cas d'un substrat en sili- cium de type n, les ions de la première sorte sont des ions de bore et les ions de la seconde sorte sont des ions de difluorure de bore (BF2). De façon avantageuse, on réalise entre l'im- plantation d'ions de première sorte et l'élimination du masque de second matériau une gravure partielle des se- condes régions du substrat non masquées par le premier matériau restant et le second matériau. Comme premier et second matériaux on peut utiliser tout matériau pouvant être gravé sélectivement par rapport au matériau sous-jacent. De préférence, le premier matériau est du ni- trure de silicium et le second matériau une résine pho- tosensible, positive ou négative. Le procédé selon L'invention permet, en plus de la fabrication d'un caisson, la fabrication de zones d'isolation électriques adjacentes aux composants ac- 259 1800 tifs logés dans le caisson. Ces zones d'isolation sont formées entre l'élimination du second matériau et l'élimination du premier matériau. De façon avantageuse, on forme les zones d'isolation successivement au recuit, par oxydation thermique des régions du substrat non recouvertes du premier matériau restant. La réalisation successive du recuit du subs- trat, pour faire diffuser les ions, et de l'oxydation thermique de ce substrat, pour former les zones d'iso- lation, permet de limiter la diffusion latérale des ions implantés dans le substrat. En effet, tout se passe comme si la structure semi- conductrice n'était soumise qu'à un seul traitement thermique. Selon un premier mode de réalisation du pro- cédé selon l'invention, la gravure des secondes régions du substrat est réalisée sur une hauteur égale à la profondeur de pénétration des ions de la première porte dans le substrat, lors de leur implantation. Selon un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention, on réalise entre la gravure de la couche de premier matériau et la réalisation du masque en second matériau une implantation d'ions d'une troi- sième sorte dans des troisièmes régions du substrat, situées en-dessous des zones d'isolation, ces troisiè- mes régions présentant le second type de conductivité. Dans ce cas, on réalise de préférence la gravure des secondes régions du substrat sur une hauteur égate à la profondeur de pénétration des ions de la troisième sor- te dans le substrat, lors de leur implantation. Ces deux gravures des secondes régions du substrat permettent de supprimer la diffusion latérale des inis im.lantés, permettant ainsi de raccourcir la oistarice séparant les zones d'isolation et par consé- quent d'augmenter la densité d'intégration des circuits intégrés. Les ions de la troisième sorte utilisables dans l'invention sont des ions qui ne changent pas le type de conductivité du substrat. Dans le cas d'un substrat en silicium de type n, les ions de la troisième sorte sont des ions d'arse- nic. De même, dans le cas d'un substrat en silicium de type p, les ions de la troisième sorte sont des ions de difluorure de bore. Le procédé selon l'invention s'applique avantageusement à la fabrication d'un circuit intégré MOS, et notamment de type CMOS, dans un substrat en silicium. Dans ce cas, on interpose entre la couche de premier matériau et le substrat une couche d'oxyde de silicium dans laquelle sera réalisé ultérieurement l'oxyde de grille du composant actif logé dans le cais- son. Dans cette application particulière, il est nécessaire d'éliminer les régions de la couche d'oxyde de silicium non masquées par le premier matériau res- tant et le second matériau, avant de réaliser la gravu- re du substrat. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif en référence aux figures annexées, dans lesquelles: - la figure 2 illustre en coupe longitudina- le, les différentes étapes d'un procédé de fabrication d'un caisson et de zones d'isolation électriques d'un circuit intégré, conformement à l'invention, les par- ties a-d de cette figure 2 représentant différents sta- des du procédé, - La figure 3 représente, en coupe longitudi- nale, un perfectionnement du procédé illustré sur la figure 2, les parties a et b de cette figure 3 corres- 9 1800 pondant à des stades différents de ce perfectionne- ment, et - la figure 4 illustre en coupe longitudina- le, un second perfectionnement du procédé illustré sur la figure 2, les parties a-d correspondant à différents stades de ce second perfectionnement. La description ci-après se réfère à la fabri- cation d'un circuit intégré MOS dans un substrat semi- conducteur en silicium monocristallin de type p. Mais bien entendu, comme on l'a vu précédemment, le procédé selon l'invention est d'application beaucoup plus géné- rale. En se référant à la partie a de la figure 2, la première étape du procédé selon l'invention consiste à déposer sur un substrat en silicium monocristallin de type p 42 une couche d'oxyde de silicium 44 d'environ nm d'épaisseur. Cette couche d'oxyde de silicium 44 est obtenue par oxydation thermique du substrat, sous une atmosphère d'oxygène, à une température de l'ordre de 950'C. Sur cette couche d'oxyde de silicium 44, on dépose ensuite une couche 46 d'un matériau pouvant être gravé sélectivement par rapport à l'oxyde de silicium. Cette couche 46 est par exemple une couche de nitrure de silicium d'environ 80 nm. Elle peut être déposée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, à 800 0C à partir d'un gaz contenant du SiH4 et du N2. On réalise ensuite par les procédés classi- ques de photolithographie un masque de résine photosen- sible 48 représentant l'image du composant actif à réa- liser à l'intérieur du caisson. En particulier; la ré- sine ne masque que la zone 49 du substrat dans laquelle sera réalisé le composant actif logé dans le caisson. On élimine ensuite les régions de la couche de nitrure de silicium 46 non recouvertes de résine 48. Cette élimination est réalisée par une gravure plasma du type ionique réactive avec de l'hexafluorure de sou- fre comme agent de gravure. Après élimination du masque de résine 48, par dissolution dans l'acétone, on forme un second masque de résine 50 par les procédés classiques de photolitho- graphie. Ce masque 50, comme représenté sur la partie b de la figure 2 représente l'image du caisson n à réali- ser dans le substrat 42 de type p. En particulier, ce masque 50 comporte une ouverture 51 délimitant le cais- son n à réaliser; cette ouverture 51 est située en regard du plot restant de la couche 46 et déborde de chaque côté de ce plot. On réalise ensuite une implantation ionique de phosphore à travers la couche de nitrure 46 gravée et l'oxyde de silicium 44, pour former une région 52 de type n. La résine 50 sert de masque à cette implanta- tion de phosphore qui peut être réalisée à une énergie de 200 keV et à une dose allant de 1012 à 13 2 10 atomes/cm. On effectue ensuite une implantation d'ions d'arsenic entraînant la formation de deux régions laté- + rales 54 et 56 de type n dans la région n 52. Cette implantation d'arsenic est réalisée en utilisant comme masque d'implantation le masque de résine 50 et la cou- che de nitrure 46 gravée. Elle est effectuée avec une énergie de 80 keV et à une dose allant de 1013 à 1014 atomes/cm2. Les régions 54 et 56 de type n+ servent à améliorer l'isolation latérale du composant actif (transistor) à réaliser dans la région 49 du substrat ainsi qu'à diminuer la résistance d'accès dans le cais- son 58, améliorant ainsi le "latch up". La différence de profondeur de pénétration dans le substrat entre le phosphore et l'arsenic est 1 1 Liée aux différences de taille des atomes correspon- dants; l'atome de phosphore étant plus petit que l'atome d'arsenic pénètre plus profondément dans tous les matériaux et en particulier dans Le silicium. L'étape suivante du procédé consiste à élimi- ner le masque de résine 50 notamment par dissolution dans de l'acétone. On effectue ensuite un recuit du substrat implanté afin de faire diffuser Les ions de phosphore dans le substrat pour former, comme représen- té sur la partie c de la figure 2, le caisson n 58, cette diffusion de phosphore s'accompagne d'une faible diffusion des ions d'arsenic implantés. Le recuit est réalisé à une température de 1150 C pendant quelques heures (2-4 heures) sous atmosphère d'azote. Consécutivement au recuit, on effectue une oxydation thermique des régions du substrat non recou- vertes de la couche nitrure de silicium 46 gravée afin de former deux isolations latérales électriques 60 et 62, situées de part et d'autre de la région 49 dans laquelle sera réalisé ultérieurement le composant ac- * tif. Les deux régions d'oxyde de silicium 60 et 62 sont obtenues en chauffant le substrat à 1000 C pendant quelques heures (2-3 heures) dans une atmosphère d'oxy- gène et de vapeur d'eau. L'épaisseur de l'oxyde locali- sé obtenu est de 800 nm. Suite à ce traitement thermique, recuit plus oxydation, la hauteur du caisson n 58 obtenue est d'en- viron 3000 nm. La dernière étape du procédé consiste à éLi- miner la couche de nitrure de silicium 46 gravée, no- tamment par une attaque plasma avec de l'hexafluorure de soufre. La structure finale obtenue est représentée sir La partie d de la figure 2. Sur la figure 3, on a représenté un perfec- tionnement du procédé selon l'invention, décrit en ré- férence à la figure 2. Ce perfectionnement consiste à réaliser, juste après l'implantation ionique de phosphore et com- me représenté sur la partie a de la figure 3, l'élimi- nation des régions de la couche d'oxyde 44 non recou- vertes par le masque de résine 50 et la couche de ni- trure de silicium gravée 46. Cette élimination peut être effectuée par une gravure plasma du type ionique réactive en utilisant du CHF3 comme agent de gravure. Ensuite, on effectue une gravure sur une hau- teur h des régions du substrat mises à nu, c'est-à-dire des régions non recouvertes de la résine 50 et de la couche 46 gravée. La profondeur h de la gravure est égale à la profondeur de pénétration des ions de phos- phore dans le substrat, lors de leur implantation. En particulier la hauteur h est voisine de 200 nm pour une énergie d'implantation de 200 keV. La gravure du subs- trat peut être réalisée par une gravure plasma du type gravure ionique réactive en utilisant comme agent d'at- taque de l'hexafluorure-de soufre. On effectue ensuite, dans Les mêmes condi- tions que précédemment, l'implantation d'ions arsenic dans le substrat donnant naissance aux deux régions 54a + et 56a de type n, situées en contrebas de la région 52 du substrat implantée en phosphore. La structure finale, après formation du cais- son n 58a par recuit du substrat et des isolations électriques 60a et 62a par oxydation thermique dudit substrat, est représentée sur la partie b de la figu- re 3. Ce premier perfectionnement du procédé de l'invention est destiné à limiter l'extension latérale du caisson n 58a entrainant ainsi une diminution de la longueur l séparant 'es deux zones d'isolation é0a et 62a, et donc une augmentation de la densité d'intégra- tion du circuit intégré correspondant. En effet, la gravure du substrat permet d'en- lever les régions de ce substrat implantées en phospho- re, situées autour de la région 49 dans laquelle doit être réalisé le composant actif ou autrement dit les régions du substrat non masquées par la couche de ni- trure 46 gravée. Sur la figure 4, on a représenté un second perfectionnement du procédé selon l'invention. Ce per- fectionnement est décrit dans le cas de la réalisation de deux composants actifs isolés électriquement l'un de l'autre, l'un des composants devant être réalisé dans le caisson n, l'autre en-dehors dudit caisson. Ce perfectionnement consiste, après dép6t de la couche d'oxyde 44 sur l'ensemble du substrat 42, à déposer une couche de nitrure 46, puis à graver cette couche afin de ne garder du nitrure qu'au-dessus des zones du substrat 49 et 59, dans chacune desquelles sera réalisé un composant actif du circuit intégré, comme représenté sur la partie a de la figure 4. Le dépôt et la gravure de cette couche 46 sont réalisés dans les mêmes conditions que précédemment (figure 2.a). La zone du substrat 49 sera logée ultérieurement dans un caisson n. On effectue ensuite une implantation ionique d'ions de difluorure de bore dans les régions du subs- trat non masquées par la couche 46 gravée. Cette im- plantation ionique conduit à la formation de régions 64 + de type p. Cette implantation de BF2 peut être réali- sée avec une énergie de 30 keV et à une dose allant de 13 14 2 103 à 1014 atomes/cm2 On réalise ensuite, comme représenté sur la partie b de la figure 4, un masque de résine 50a selon les procédés classiques de photolithographie, repré- sentant l'image du caisson n à réaliser. En particu- lier, les régions 59 du substrat sont masquées par la résine. On élimine ensuite les régions de la couche d'oxyde 44 non recouvertes soit par le masque de résine a, soit par du nitrure de silicium 46 gravé. Cette élimination d'oxyde est réalisée par une gravure ioni- que réactive avec un plasma de CHF3. On effectie ensui- te une gravure des régions du substrat mises à nu sur une hauteur h' égale à la profondeur de pénétration, dans le silicium, des ions de difluorure de bore im- plantés. Cette hauteur h' est voisine de 50 nm pour une énergie d'implantation de 30 keV. Comme précédemment, on effectue ensuite à travers Le masque de résine 50a une implantation d'ions de phosphore donnant naissance à une région de type n 52a, cette implantation étant réalisée avec une énergie de 400 keV et une dose allant de 1012 à 1013 ato- mes/cm2. On réalise ensuite l'implantation d'ions d'ar- senic, dans les mêmes conditions que précédemment, don- nant naissance aux deux régions latérales n 54a et 56a. Après élimination du masque de résine 50a par dissolution avec de l'acétone, on effectue un recuit à une température de l'ordre de 950 C pendant 30 min., entraînant la diffusion des ions de phosphore implantés et par conséquent la formation d'un caisson n 58b, comme représenté sur la partie c de la figure 4. On effectue ensuite sous atmosphère d'oxygè- ne et de vapeur d'eau et à une température de 950 C une oxydation des régions mises à nu du substrat pour for- mer les zones d'isolation électrique 60b et 62b. Ces zones d'isolation ont une épaisseur de 0,8 lim. On élimine ensuite la couche de nitrure de silicium gravée. La structure finale est représentée sur La partie d de la figure 4. Sur cette figure, la région 66 du substrat, +qui constitue une juxtaposition de zones n et p +est qui constitue une juxtaposition de zones n et p, est entourée par le caisson n. Cette région 66 est très efficace pour éviter le phénomène de "transistor para- site vertical" ou phénomène de "latch up" en terminolo- gie anglo-saxonne. Dans ce second perfectionnement, les régions de typen+, p et n se positionnent automatiquement les unes par rapport aux autres. Le procédé selon L'invention présente l'avantage d'être plus simple que ceux de l'art anté- 0 rieur du fait de la suppression d'étapes critiques telles que les réalisations de masques de résine par photolithographie. Par ailleurs, 'il est bien adapté à la fabrication de circuits CMOS. La description donnée précédemment n'a bien entendu été donnée qu'à titre illustratif, toute modi- fication, sans pour autant sortir du cadre de l'inven- tion, pouvant être envisagée. En particulier, la nature et l'épaisseur des différentes couches de matériau ainsi que leurs techni- ques de dépôt et de gravure peuvent être modifiées. La couche d'oxyde 44 peut notamment être remplacée par une couche de nitrure de silicium et la couche de nitrure de silicium 46 par de l'oxyde de silicium ou du sulfure de zinc. De même, le substrat de type p peut être rem- (25 placé par un substrat de type n; dans ces conditions, les implantations de phosphore, d'arsenic et de difluo- rure de bore seront remplacées respectivement par des implantations de bore, de difluorure de bore et d'arse- nic. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un caisson d'un premier type de conductivité dans un substrat (42) semi-conducteur d'un second type de conductivité, ce caisson étant destiné à recevoir au moins un composant actif d'un circuit intégré réalisé dans ledit substrat, ce procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives suivantes: (1) dépôt d'une couche d'un premier matériau (46) sur l'ensemble du substrat (42), (2) gravure de cette couche de premier matériau (46) afin de ne garder du premier matériau qu'au-dessus de la zone (49) du substrat dans laquelle on va réaliser ledit composant actif, (3) réalisation d'un masque (50) en un second matériau comportant une ouverture (51) définissant les di- mensions du caisson à réaliser, cette ouverture (51) étant située en regard du premier matériau restant (46) et débordant de chaque côté dudit premier matériau, (4) implantation d'ions d'une première sorte, dans une première région (52) du substrat non recouverte du second matériau (50) modifiant localement la con- ductivité du substrat, (5) élimination du masque de second matériau (50), (6) recuit du substrat implanté pour faire diffuser les ions dans ledit substrat et former le cais- son (58), et (7) élimination du premier matériau restant (46). 2. Procédé selon la revendication 1, caracté- risé en ce que l'on réalise entre les étapes (4) et (5) une implantation d'ions d'une seconde sorte dans des secondes régions (54, 56) du substrat non masquées par le premier matériau restant (46) et le second matériau (50), ces secondes régions (54, 56) présentant le pre- mier type de conductivité. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, ca- ractérisé en ce que l'on réalise, entre les étapes (4) et (5), une gravure partielle des secondes régions du substrat non masquées par le premier matériau restant (46) et le second matériau (50). 4. Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 3, caractérisé en ce que le substrat (42) étant du silicium de type p, les ions de la première sorte sont des ions de phosphore. 5. Procédé selon la revendication 4, caracté- risé en ce que les ions de la seconde sorte sont des ions d'arsenic. 6. Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 3, caractérisé en ce que le substrat (42) étant du silicium de type n, les ions de la première sorte sont des ions de bore. 7. Procédé selon la revendication 6, caracté- risé en ce que les ions de la seconde sorte sont des ions de difluorure de bore. 8. Procésé selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 7, caractérisé en ce que le premier maté- riau (46) est du nitrure de silicium. 9. Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 8, caractérisé en ce que le second maté- riau (50) est de la résine photosensible. 10. Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 9, servant aussi à la fabrication de zo- nes d'isolation électrique adjacentes audit composant actif, caractérisé en ce que l'on forme lesdites zones d'isolation (60, 62) entre les étapes (5) et (7). 11. Procédé selon la revendication 10, carac- térisé en ce que l'on forme les zones d'isolation (60, 62) successivement au recuit par oxydation thermique des régions du substrat non recouvertes du premier ma- tériau restant (46). 12. Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 3 à 11, caractérisé en ce que l'on réalise la gravure des secondes régions du substrat sur une hau- teur (h) égale à la profondeur de pénétration des ions de la première sorte dans Le substrat, lors de leur implantation. 13. Procédé selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que l'on réalise, entre les étapes (2) et (3), une implantation d'ions d'une troisième sorte dans des troisièmes (64) régions du substrat, si- tuées en-dessous des zones d'isolation, ces troisièmes régions présentant le second type de conductivité. 14. Procédé selon la revendication 13, carac- térisé en ce que l'on réalise la gravure des secondes régions du substrat sur une hauteur (h') égale à la profondeur de pénétration des ions de la troisième sor- te, dans le substrat, lors de leur implantation. 15. Procédé selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que le substrat étant du silicium de type p, les ions de la troisième sorte sont des ions de difluorure de bore. 16. Procédé selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que le substrat étant du silicium de type n, les ions de la troisième sorte sont des ions d'arsenic. 17. Procédé selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 16 appliqué à la fabrication d'un circuit intégré MOS dans un substrat en silicium, caractérisé en ce que l'on interpose entre la couche de premier matériau (46) et le substrat (42) une couche d'oxyde de silicium (44). 18. Procédé selon la revendication 17, carac- térisé en ce que l'on élimine les régions de la couche d'oxyde de silicium non masquées par le premier maté- riau restant (46) et le second matériau (50) avant de réaliser la gravure du substrat.