FR 2582862 A1 19861205 FR 8508162 A 19850530 -1 CAPTEUR A EFFET MAGNETO RESISTIF LINEAIRE, SON PROCEDE DE REALISATION ET SON APPLICATION DANS UN DETECTEUR DE DOMAINES MAGNETIQUES. L'invention concerne un capteur à effet magnéto résistif, son procédé de réalisation et son application à un détecteur de domaines magnétiques. Un tel détecteur peut être utilisé pour la lecture de supports d'informations magnétiques et permet de lire simulta- nément un ensemble d'informations. Les capteurs utilisant l'effet magnéto résistif linéaire (MRL) sont connus. On considère une couche mince de semiconducteur (quelques microns) dans laquelle circule un fort courant. Lorsqu'ils sont soumis à un champ magnétique perpendiculaire au courant dans le plan de la couche, les porteurs (électrons et trous) sont défléchis perpen- diculairement à la couche et dans le même sens. L'effet Hall classique suppose que les courants des deux porteurs sont différents. Les forces appliquées aux porteurs majoritaires sont annulées par le champ de Hall. Dans l'effet MRL les courants sont équilibrés, aucun champ ne s'oppose à la déflexion des porteurs qui s'amassent sur l'une des surfaces délimitant la couche. Les vitesses de recom- binaison sur chacune de ces surfaces sont choisies très différentes de manière à ce que la concentration moyenne de porteurs dans la couche soit augmentée ou diminuée suivant le sens du champ magnétique. La résistance de la couche au courant injecté varie linéairement avec le champ magnétique. Actuellement, cet effet est trop faible pour pouvoir réaliser la lecture d'informations enregistrées sur des supports magnétiques, tels qu'une bande magnétique, dont les bits inscrits développent des champs magnétiques de trop faible valeur. En effet, un champ de fuite de quelques dizaines de Gauss à une distance de 3 lim à 511m ne suffit pas à induire un courant suffisant dans la couche de semi- conducteur. Il faut un champ de plusieurs centaines de Gauss. C'est pourquoi l'invention fournit un capteur permettant d'amplifier et de lire des informations magnétiques donc les champs magnétiques de faibles intensités telles que des informations enre- gistrées sur bandes magnétiques ou dans des mémoires à bulles magnétiques. L'invention concerne donc un capteur à effet magnéto résistif linéaire, caractérisé en ce qu'il comprend: une couche d'un matériau semiconducteur comportant une première face et une deuxième face; une couche d'un matériau ferrimagnétique recouvrant la première face de la couche de matériau semi-conducteur; au moins un couple d'électrodes disposé sur la deuxième face de la couche de matériau semi-conducteur. L'invention concerne également un procédé de réalisation d'un capteur à effet magnéto résistif, caractérisé en ce qu'il comporte les différentes phases suivantes: a) une première phase de dépôt d'une couche d'un matériau ferrimagnétique sur un premier substrat; b) une deuxième phase de dépôt d'une couche d'un matériau semi-conducteur sur la couche de matériau ferrimagnétique; c) une troisième phase de dépôt d'électrodes sur la couche de matériau semi-conducteur; d) une quatrième phase de fixation du composant obtenu sur un deuxième substrat en matériau isolant par la face portant les électrodes; e) une cinquième phase d'enlèvement de tout ou partie du premier substrat. Enfin, l'invention concerne également un détecteur de domai- nes magnétiques comportant un support magnétique comportant au moins un domaine induisant un champ magnétique selon une pre- mière direction déterminée, caractérisé en ce qu'il comporte éga- lement un capteur comprenant principalement: - une couche d'un matériau semi-conducteur comportant une première et une deuxième face; - une couche d'un matériau ferrimagnétique déposée sur la première face du matériau semi-conducteur; - au moins un couple de deux électrodes disposées sur la deuxième face du matériau semi-conducteur, selon une deuxième direction; ledit capteur étant disposé de telle façon que sa face portant la couche de matériau ferrimagnétique soit à proximité du support magnétique et que la deuxième direction des deux élec- trodes soit perpendiculaire à la première direction du champ magné- tique. Les différents objets et caractéristiques seront détaillés dans la description qui va suivre, faite en se reportant aux figures annexées qui représentent: - les figures I à 5 un exemple de procédé de réalisation d'un capteur à effet magnéto résistif linéaire selon l'invention, - la figure 6, un exemple de détecteur selon l'invention; la figure 7, une variation de réalisation d'un détecteur selon l'invention; - la figure 8, une autre variante de réalisation d'un détecteur selon l'invention. Un capteur réalisé selon l'invention comporte, comme cela est représenté en figure 5, une couche d'un matériau semi-conducteur 3, portant sur l'une de ses faces, une couche d'un matériau ferri- magnétique 2 et, sur la face opposée à la première, des couples tels que 4 d'électrodes 41, 42. Les connexions des électrodes 41 et 42 vers des circuits d'utilisation tels que des circuits à transfert de charge (CCD ou Charge Coupled device par exemple, en termi- nologie anglo-saxonne), ne sont pas représentées. L'ensemble est monté collé sur une pièce support 5 assurant une rigidité et un maintien du composant ainsi décrit. En se reportant aux figures 1 à 5, on va maintenant décrire un exemple de procédé de réalisation d'un capteur selon l'invention. Au cours d'une première phase, sur un substrat 1 de forme plane réalisé dans du grenat de gadolinium et gallium (GGG) on effectue une croissance d'un matériau ferrimagnétique tel qu'un grenat d'Yttrium et de Fer (YIG). Cette croissance peut se faire soit par épitaxie en phase liquide à une température de 980 degrés Celsius à la pression atmosphérique, soit par épitaxie en phase vapeur à une température comprise entre 400 et 700 degrés Celsius sous une pression de 50 à 500 millibars, soit enfin, par pulvérisation cathodique également désignée par "SPUTTERING" en terminologie anglo-saxonne. L'épaisseur hl de la couche de matériau ferrimagnétique 2 ainsi obtenue doit être d'environ 3 microns. On obtient ainsi une plaquette telle que représentée en figure 1. Au cours d'une deuxième phase, on réalise un dépôt d'une couche d'un matériau semi-conducteur 3 sur la couche 2 précédente, (figure 2). On choisira un matériau semi-conducteur constitué d'éléments des classes III et V (ou Il et VI) de la classification périodique des éléments. Le paramètre de maille sera un sous- multiple de celui du matériau ferrimagnétique 2 ou présentera une surface de maille compatible avec celle de ce matériau. Ce dépôt peut se faire par un procédé d'épitaxie en phase vapeur (CVD ou Chemical Vapor Deposition en terminologie anglo- saxonne) et plus précisément par épitaxie en phase vapeur d'orga- nométalliques désigné par MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) en terminologie anglo-saxonne. L'épitaxie se fait à une température comprise entre 450 et 700 degrés Celsius sous une pression comprise entre 50 millibars et 500 millibars. La vitesse de dépôt pour que l'adaptation entre le matériau épitaxié et la couche 2 se fasse correctement est choisie de préférence entre 20 Angs- troems et 300 Angstroems par minute l'épaisseur h2 de la couche obtenue doit être comprise entre 5 et 10 microns. On obtient ainsi une plaquette telle que représentée en figure 2. Au cours d'une troisième phase on dépose, par tout procédé connu dans la technique, sur la surface libre de la couche 3, des électrodes métalliques telles que les électrodes 41 et 42 repré- sentées sur la figure 3. Ces électrodes sont disposées par couples tel que 4 pour les électrodes 41 et 42. A titre d'exemple de réalisation, ces couples d'électrodes ont été déposées, comme montré sur la figure 3, selon une ligne. La distance el entre deux électrodes d'un même couple est d'environ 10 microns. La distance e2 entre axes de deux couples d'électrodes est comprise entre 3 et 5 microns. Au cours d'une quatrième phase, un substrat isolant et rigide 5 est fixé sur la surface de la couche 3 portant les électrodes 41, 42. Cette fixation peut se faire par tout procédé connu tel qu'un collage. On obtient ainsi un composant tel que représenté en figure 4. Au cours d'une cinquième phase, on procède à l'enlèvement du substrat 1 par un procédé adapté à la nature du substrat 1 tel qu'un usinage mécanique ou chimique. L'enlèvement total du substrat I n'est pas obligatoire mais il conviendra que l'épaisseur de substrat restant éventuellement n'excède pas 0,5 microns. On obtient alors un capteur tel que représenté en figure 5. Il est à noter que l'enlèvement du substrat I aurait pu se faire entre la deuxième ou troisième phase ou entre la troisième et la quatrième phase. Selon une variante du procédé de réalisation selon l'invention, le substrat I peut être un sel de Baryum et de Fluor (BaF2). Dans ce cas, le dépôt de la couche de matériau ferrimagnétique se fait par pulvérisation cathodique (SPUTTERING). Il convient de plus de prévoir une cristallisation par recuit après ce dépôt et avant le dépôt du matériau semi-conducteur 3. L'enlèvement du substrat I se fera par la suite par dissolution du sel dans une solution adaptée. On obtient ainsi comme précédemment un capteur tel que représenté en figure 5. Un tel capteur peut être utilisé comme détecteur d'infor- mations magnétiques enregistrées sur un support magnétique. Ce support peut être une bande magnétique, une carte magnétique, des mémoires à bulles, etc. A titre d'exemple, sur la figure 6, une bande magnétique 6 portant des informations magnétiques 70, 71, 72, etc, arrangées selon une ligne telle que 7 transversale à la bande 6. La bande 6 se déplace selon la flèche F sous le capteur décrit précédemment. Les informations telles que 70, 71, 72 sont disposées régulièrement selon un pas égal au pas (e2) des couples d'électrodes. Lorsque la bande 6 se déplace, la ligne d'informations 7 passe à proximité de la couche 2 du capteur, à environ 2 à 3 microns, chaque information telle que 71 se trouvant sous un couple d'électrodes tel que 4. Chaque couple d'électrodes est orientée selon un axe OX. La ligne de couples d'électrodes est orientée selon un axe OY perpen- diculaire à l'axe OX. Une ligne d'informations 7 est donc orientée également selon l'axe OY. Une information, telle que 7I, induit un champ magnétique qui dans la couche 3, à proximité du couple d'électrodes 4, est parallèle à l'axe OY. La couche de YIG reporte au niveau du semiconducteur le champ magnétique à la surface de la bande avec un facteur d'échelle qui dépend directement de l'aimantation du grenat. En effet, à une distance d'environ la largeur de piste, la valeur du champ est d'environ 400 G, elle serait dix fois moindre si la couche de YIG n'était pas présente. On peut analyser la reproduction d'un motif aimanté dans un support magnétique par la configuration des domaines dans une couche de grenat. Si on compare les champs de fuite de la bande et du grenat, on met donc en évidence un facteur d'échelle. En soumettant la couche de semi-conducteur 3 épitaxiée sur la couche 2 à un champ magnétique par effet MRL (Magnéto Résistif Linéaire) on détecte le champ de fuite des domaines magnétiques de la bande. La forte anisotropie du YIG permet d'augmenter et de canaliser le champ magnétique de fuite des bits à lire. Dans le cas d'une application à la lecture d'un support magné- tique se déplaçant sous le capteur on aura intérêt, lors de l'enlè- vement de la couche 1 de substrat d'en laisser une faible épaisseur (0,5 microns par exemple). Cette couche de substrat jouera le rôle de couche résistante mécanique et protégera la couche ferrima- gnétique 2. Selon une variante de réalisation représentée en figure 7, on associe à la --ligne de couples d'électrodes 4, une ligne à transfert de charge (LTC ou CCD) 8 comportant autant de cellules 80 à 81 qu'il y a de couples d'électrodes, une cellule étant couplée à chaque couple d'électrodes. Une telle structure permettra de faciliter la lecture simultanée d'une ligne d'informations. Selon une autre variante de réalisation de l'invention, repré- sentée en figure 8, on associe plusieurs capteurs tels que décrits précédemment ce qui permet de lire simultanément une matrice d'informations disposées sur un support d'informations. Selon cet exemple de réalisation, les capteurs ainsi associés sont en fait réalisés en une seule pièce ce qui permet de fabriquer économi- quement une tête de lecture adaptée à une utilisation spécifique. C'est ainsi que sur la figure 8, on a représenté une tête de lecture comportant 4 rangées de couples d'électrodes (telles que 4 et 9), disposées sur une même couche de matériau semi-conduteur 3, mais il peut y en avoir beaucoup plus. Une telle réalisation permet d'être adaptée à la lecture de bits d'informations d'environ 3 microns sur 3 microns, soit des domaines magnétiques détectables de 10 microns au carré de surface. REVENDICATIONS 1. Capteur à effet magnéto résistif linéaire, caractérisé en ce qu'il comprend: une couche d'un matériau semi-conducteur (3) comportant une première face et une deuxième face; une couche d'un matériau ferrimagnétique (2) recouvrant la première face de la couche de matériau semi-conducteur (3); au moins un couple d'électrodes (4) disposé sur la deuxième face de la couche de matériau semi-conducteur (3). 2. Capteur à effet magnéto résistif linéaire selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que la couche de matériau semi- conducteur (3) est constituée de composés des groupes III et V de la classification périodique des éléments. 3. Capteur à effet magnéto résistif linéaire selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que la couche de matériau semi- conducteur (3) est constitué de composés des groupes II et VI de la classification périodique des éléments. 4. Capteur à effet magnéto résistif linéaire selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que la couche de matériau ferri- magnétique (2) est une couche de grenat d'Yttrium et de Fer. 5. Capteur à effet magnéto résistif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte une couche d'un substrat (1) recouvrant la couche de matériau ferrimagnétique (2). 6. Capteur à effet magnéto résistif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche de substrat (1) est un grenat de Gadolinium et Gallium. 7. Capteur à effet magnéto résistif selon la revendication 6, dans lequel le grenat de Gallium Gadolinium est dopé au Calcium, Magnésium et Zirconium. 8. Capteur à effet magnéto résistif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend des couples d'électrodes (4, 9) disposés de façon matricielle sur la deuxième couche de matériau semi-conducteur (3). 9. Procédé de réalisation d'un capteur à effet magnéto résistif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte les différentes phases suivantes: a) une première phase de dépôt d'une couche d'un matériau ferrimagnétique (2) sur un premier substrat (1); b) une deuxième phase de dépôt d'une couche d'un matériau semi-conducteur (3) sur la couche de matériau ferrimagnétique (2); c) une troisième phase de dépôt d'électrodes (4) sur la couche de matériau semi-conducteur (3); d) une quatrième phase de fixation du composant obtenu sur une deuxième substrat en matériau isolant (5) par la face portant les électrodes; e) une cinquième phase d'enlèvement de tout ou partie du premier substrat (1). 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la cinquième phase (e) peut être prévue entre la deuxième phase (b) et la troisième phase (c). 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la cinquième phase (e) peut être prévue entre la troisième phase (c) et la quatrième phase (d). 12. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le premier substrat est un grenat de gadolinium et gallium et que la couche de matériau ferrimagnétique (2) est une couche de grenat d'Yttrium et de Fer (YIG). 13. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le premier substrat est un grenat de gadolinium et gallium dopé au Calcium, magnésium et zirconium et que la couche de matériau ferrimagnétique est une couche de grenat d'Yttrium et de fer (YIG) dopé au bismuth. 14. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la première phase de dépôt (a) est réalisée par épitaxie en phase liquide. - 15. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la première phase de dépôt (a) est réalisée par épitaxie en phase gazeuse. 16. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la première phase de dépôt (a) est réalisée par pulvérisation catho- dique. 17. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la cinquième phase (e) d'enlèvement du premier substrat (1) est réali- sée par abrasion. 18. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la deuxième phase de dépôt est réalisée par épitaxie en phase vapeur d'organométalliques. 19. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur (3) est constitué d'éléments des groupes III et V de la classification périodique des éléments. 20. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le matériau semi-conducteur (3) est constitué d'éléments des groupes Il et VI de la classification périodique des éléments. 21. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le premier substrat (1) est un sel à base de Baryum et de Fluor et qu'il est prévu entre la première phase et la deuxième phase une phase de recuit. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que la première phase de dépôt se fait par épitaxie en phase liquide du matériau ferrimagnétique. 23. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que la première phase de dépôt se fait par pulvérisation cathodique. 24. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que la cinquième phase (e) d'enlèvement du premier substrat se fait par dissolution du sel. 25. Détecteur de domaines magnétiques comportant un support magnétique (6) comportant au moins un domaine (70) induisant un champ magnétique selon une première direction déterminée, carac- térisé en ce qu'il comporte également un capteur réalisé selon l'une quelconque des revendications 1 à 24, comprenant principalement: - une couche d'un matériau semi-conducteur (3) comportant une première et une deuxième faces; - une couche d'un matériau ferrimagnétique (2) déposée sur la première face du matériau semi-conducteur (3); - au moins un couple de deux électrodes (4) disposées sur la deuxième face du matériau semi-conducteur (3), selon une deuxième direction; ledit capteur étant disposé de telle façon que sa face portant la couche de matériau ferrimagnétique soit à proximité du support magnétique et que la deuxième direction des deux élec- trodes soit perpendiculaire à la première direction du champ magné- tique. 26. Détecteur de domaines magnétiques selon la revendication , dans lequel le support magnétique comporte une série de domaines magnétiques ayant une disposition déterminée, caractérisé en ce que ladite deuxième face du matériau semi-conducteur comporte une série de couples d'électrodes ayant une disposition identique à celle des domaines magnétiques. 27. Détecteur de domaines magnétiques selon la revendication 26, caractérisé en ce qu'une électrode des deux de chaque couple d'électrodes sont reliées ensemble de façon à former une électrode commune. 28. Détecteur de domaines magnétique selon la revendi- cation 25, caractérisé en ce que les domaines magnétiques sont disposés à intervalles réguliers selon une ligne et que les couples d'électrodes sont également disposés selon le même intervalle selon une ligne. 29. Détecteur de domaines magnétiques selon la revendication 28, caractérisé en ce qu'il comporte une ligne à transfert de charge disposée parallèlement à la ligne de couples d'électrodes et chaque élément de la ligne à transfert de charge est couplé à un couple d'électrodes.