FR 2574212 A1 19860606 FR 8517693 A 19851129 257421i La présente invention concerne un procédé d'enre- gistrement et de reproduction optique pour une mémoire à l'état solide, en particulier une mémoire à lignes de Bloch. On utilise à l'heure actuelle divers dispositifs de mémoire tels que des bandes magnétiques, des disques Winchester, des disquettes, des disques optiques, des disques optomagnétiques ou des mémoires à bulles magnétiques, en tant que mémoires externes d'ordinateur, que mémoires de fichiers électroniques ou que mémoires de fichiers d'images fixes. Tous ces dispositifs de mémoire, à l'exclusion des mémoires à bulles magnétiques, font intervenir un mouvement relatif entre un support d'enregistrement tel qu'une bande ou un dis- que, et une tête d'enregistrement/reproduction. De ce fait, avec la tendance à l'augmentation de la densité d'enregistre- ment, on rencontre de nombreux problèmes parmi lesquels le problème du suivi de la piste, le problème du déplacement et de l'usure de la tête, le problème de la poussière et des vi- brations et, dans le cas des disques optiques et optomagnéti- ques, le problème de la focalisation. Les mémoires à bulles magnétiques n'exigent pas une section d'entraînement mécanique et ont une fiabilité élevée. Ceci fait qu'on considère que les mémoires à bulles magnéti- ques sont avantageuses pour l'enregistrement à haute densité. Cependant, dans une mémoire à bulles magnétiques, on utilise pour 1 bit un domaine magnétique circulaire (bulle) qui est formé dans une pellicule de grenat magnétique ayant un axe d'aimantation facile perpendiculaire à la surface de la pel- licule. Par conséquent, même si on utilise la plus petite bulle (diamètre: 0,3 pm) qu'on peut obtenir compte tenu des propriétés de la matière de la pellicule de grenat, la densi- té d'enregistrement maximale par puce est de quelques dizai- nes de mégabits. Ainsi, à moins d'utiliser une autre matière telle que l'hexaferrite ou un alliage amorphe à la place du grenat, on ne peut pas obtenir une densité plus élevée avec une mémoire à bulles magnétiques. Une mémoire à lignes de Bloch fait l'objet d'un grand intérêt en tant que mémoire capable de fonctionner avec une densité d'enregistrement plus élevée que celle qu'on peut atteindre avec une mémoire à bulles magnétiques. Une mémoire à lignes de Bloch utilise pour 1 bit une région de transition pour la direction de torsion de l'aimantation à l'intérieur des parois de domaine, c'est-à-dire une région (une ligne de Bloch) formée par une structure de paroi de domaine de Néel définie par des parois de domaine de Bloch, dans un domaine magnétique enfermé à l'intérieur des parois de domaine formées dans une pellicule de grenat magnétique. En comparaison avec une mémoire à bulles magnétiques utilisant un domaine magné- tique circulaire (bulle) pour 1 bit, une mémoire à lignes de Bloch permet d'effectuer un enregistrement avec une densité 100 fois plus élevée. A titre d'exemple, lorsqu'on utilise une pellicule de grenat ayant un diamètre de bulles de 0,5 pm, il est possible d'obtenir une capacité de mémoire de 1,6 gigabit par puce. La figure 1 montre une structure schématique d'une mémoire à lignes de Bloch classique. Un substrat 1 consiste en un grenat non magnétique, tel qu'un grenat GGG ou NbGG. Une pellicule de grenat magnétique 2 est formée sur le subs- trat 1 par épitaxie en phase liquide. Des domaines magnéti- ques en bande 3 sont formés dans la pellicule 2, et des mo- tifs de lignes conductrices 4 sont formés sur la pellicule 2. Un champ magnétique de polarisation HB est appliqué à l'en- semble de la mémoire dans la direction indiquée par la flèche, c'est-àdire vers le bas. Des données sont enregistrées dans les parois de domaine de chaque domaine magnétique en bande 3, conformément à la présence ou à l'absence d'une paire de li- gnes de Bloch. Lorsque la paire de lignes de Bloch est pré- sente, les données correspondent à un "1", et dans le cas contraire elles correspondent à un "0". La paire de lignes de Bloch est correctement présente à un point -stable ou un puits de potentiel dans le domaine magnétique en bande 3. Lorsqu'un champ magnétique sous forme d'impulsions est appliqué perpen- diculairement à la surface du substrat, les données sont transférées séquentiellement vers les puits de potentiel ad- jacents. On décrira brièvement ci-après un procédé classique d'enregistrement et de reproduction de données s'appliquant à une telle mémoire à lignes de Bloch classique. La représentation de la figure 2 est destinée à ex- pliquer un procédé d'enregistrement classique dans une mémoi- re à lignes de Bloch. La mémoire à lignes de Bloch comporte des bulles magnétiques 5 sur une ligne majeure, une ligne conductrice 6, et des domaines magnétiques en bande 3, comme dans le dispositif de mémoire qui est représenté sur la figu- re 1. Une flèche A indique la direction de circulation du courant dans la ligne conductrice 6. On notera qu'un champ magnétique de polarisation (HB sur la figure 1) est appliqué vers le haut à partir de la surface de la feuille et que l'aimantation des domaines magnétiques en bande 3 et des bul- les magnétiques 5 est dirigée dans cette direction. Dans la configuration qui est représentée sur la figure 2, une combi- naison d'une ligne majeure en tant que chemin de transfert de bulles, et d'une boucle mineure formée par les parois des do- maines magnétiques en bande 3, constitue une boucle majeure- mineure, comme dans le cas d'une mémoire à bulles magnétiques. Dans le système de transfert qui est utilisé dans une mémoire à bulles magnétiques, par exemple dans un système de champ magnétique à rotation interne ou dans un système d'attaque en courant, les bulles magnétiques 5 sont transfé- rxes sur la ligne majeure le long de la ligne conductrice 6. Ainsi, les bulles magnétiques 5 ne sont pas disposées face aux motifs en bande 3 qui introduisent une paire de lignes de Bloch, et elles sont disposées face aux motifs en bande 3 n'introduisant pas la paire de lignes de Bloch. Il en résulte que du fait de la force de répulsion entre une bulle magnéti- que 5 donnée et le domaine magnétique en bande 3 correspon- dant, la distance entre la ligne conductrice 6 et le domaine magnétique en bande 3 diffère en fonction de la présence ou de l'absence d'une paire de lignes de Bloch, c'est-à-dire de la présence ou de l'absence de la bulle magnétique 5. Ainsi, le domaine magnétique en bande 3 en face duquel est disposée la bulle magnétique 5 est placé à une plus grande distance de la ligne conductrice 6. Lorsque dans cet état un courant sous forme d'im- pulsion est appliqué à la ligne conductrice 6 dans la direc- tion de la flèche A, un champ magnétique local ayant une di- rection opposée à celle de l'aimantation du domaine magnéti- que en bande 3 est généré près de l'extrémité distale du do- maine magnétique en bande 3. Le domaine magnétique en bande 3 qui est le plus proche de la ligne conductrice 6 se con- tracte alors et une paire de lignes de Bloch est formée à l'extrémité distale du domaine magnétique en bande 3. Les figures 3(A) à 3(C) sont destinées à expliquer le procédé de reproduction dans la mémoire à lignes de Bloch classique décrite cidessus. Sur les figures 3(A) à 3(C), les éléments identiques à ceux des figures 1 et 2 sont dési- gnés par les mêmes références, et on ne les décrira pas en détail. Un domaine magnétique en bande 31 comporte une ligne de Bloch 8 à son extrémité distale, et il est entouré par des parois de domaine 7. La flèche dans la paroi de domaine 7 indique la direction d'aimantation au centre de la paroi de domaine, et la flèche dans les lignes conductrices 4 in- dique la direction de circulation du courant dans ces lignes. En considérant la figure 3(A), on note que le domaine magné- tique en bande 31 est formé sur une pellicule de grenat ma- gnétique 2, et que la ligne de Bloch 8 est présente dans la paroi de domaine 7. Un puits de potentiel tel que ceux dé- crits ci-dessus n'est pas représenté sur les figures 3(A) à 3(C). Deux lignes conductrices 4 traversent le domaine ma- gnétique en bande 31. Lorsqu'on fait circuler des courants sous forme d'impulsions ayant des directions opposées, comme 257421; le montre la figure 3(A), un champ magnétique formé par les courants circulant dans les lignes conductrices 4 prend une direction opposée à la direction d'aimantation du domaine magnétique en bande 31. Par conséquent, le domaine magnéti- que délimité entre les deux lignes conductrices 4 se contrac- te et les parois de domaine 7 se déplacent de la manière in- diquée par les lignes en pointillés. Lorsqu'on augmente les courants, les parois de domaine se confondent, comme le mon- tre la figure 3(B). Dans ces conditions, la partie du domaine magnétique en bande 31 qui se trouve à l'intérieur des parois de domaine confondues forme une bulle magnétique 5 et est sé- parée de la partie restante du domaine magnétique en bande 31. Après l'interruption de l'application du courant, une li- gne de Bloch 8 similaire à celle formée avant la séparation de la bulle magnétique 5 se forme à l'extrémité distale du domaine magnétique en bande 31 restant, et la taille du do- maine est rétablie à la taille d'origine. La figure 3(C) mon- tre un cas dans lequel la ligne de Bloch 8 n'est pas présente. Lorsqu'on applique des courants aux lignes conductrices 4 dans cet état, si la ligne de Bloch 8 est préétablie comme sur la figure 3(A), on peut déplacer vers l'intérieur les pa- rois de domaine se trouvant entre les deux lignes conductrices 4, et on peut faire en sorte qu'elles se confondent, en aug- mentant les courants. Cependant, sur les figures 3(A) et 3(C) sur lesquelles la ligne de Bloch est respectivement présente et absente, les directions d'aimantation dans les parois de domaine entre les deux lignes conductrices sont les mêmes sur la figure 3(A) mais sont opposées sur la figure 3(C). Par conséquent, la force mutuelle agissant entre l'aimantation des parois de domaine au moment o les parois se confondent est différente dans les deux cas. Ainsi, le courant nécessaire pour que les parois de domaine se confondent est plus faible lorsque la ligne de Bloch 8 est présente. Par conséquent, si on sélectionne pour les courants appliqués aux lignes conduc- tricesI4 une valeur comprise entre les valeurs de courant né- * 35 cessaires pour que les parois des domaines se confondent lors- que la ligne de Bloch 8 est présente, et les valeurs de cou- rant nécessaires lorsque la ligne de Bloch 8 n'est pas pré- sente, on peut faire en sorte que la présence ou l'absence de la ligne de Bloch 8 corresponde à la présence ou à l'absence de la bulle magnétique 5 séparée. On peut ainsi déterminer la présence ou l'absence de la ligne de Bloch 8 en détectant la bulle magnétique 5 par un procédé similaire à celui employé dans la mémoire à bulles magnétiques classique. Comme décrit ci-dessus, le procédé classique d'en- registrement et de reproduction d'une mémoire à lignes de Bloch utilise des bulles à la fois pour l'enregistrement et la reproduction. Du fait que ceci exige la formation et le transfert de bulles, la structure d'ensemble devient complexe. La cadence de bits pour les opérations d'enregistrement/re- production reste à une valeur qui-correspond à celle d'une mé- moire à bulles magnétiques. Ainsi, malgré sa densité d'enre- gistrement relativement élevée, une mémoire à lignes de Bloch classique ne peut pas procurer une vitesse d'enregistrement/ reproduction (cadence de bits) suffisamment élevée. L'invention a pour but de procurer un procédé d'en- registrement et/ou de reproduction pour une mémoire à lignes de Bloch qui procure une structure simple et une cadence de bits élevée. On atteint le but précité de l'invention grace à un procédé d'enregistrement-et/ou de reproduction pour une mémoire à lignes de Bloch, qui comprend l'opération consis- tant à rayonner ou à guider de la lumière près d'une extré- mité distale d'un domaine magnétique, ou sur une ligne s'étendant à partir de ce domaine, et qui comprend l'opération qui consiste à utiliser des moyens optiques employant un faisceau laser ou un élément analogue, ce qui permet d'obte- nir une vitesse élevée d'enregistrement et/ou de reproduc- tion. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 est un schéma montrant la structure d'une mémoire à lignes de Bloch classique; La figure 2 est un schéma illustrant un procédé d'enregistrement classique dans une mémoire à lignes de Bloch; Les figures 3(A) à 3(C) sont des schémas destinés à expliquer un procédé de reproduction classique pour une mé- moire à lignes de Bloch; La figure 4 est un schéma illustrant un procédé d'enregistrement dans une mémoire à lignes de Bloch conforme à un mode de réalisation de l'invention; Les figures 5 et 6(A) - 6(C) sont des schémas des- tinés à expliquer un procédé d'enregistrement dans une mé- moire à lignes de Bloch conforme à l'invention; Les figures 7(A) et 7(B) sont des coupes montrant la structure d'un puits de potentiel; La figure 8 est un schéma illustrant un procédé de - reproduction pour une mémoire à lignes de Bloch conforme à l'invention; La figure 9 est une représentation schématique de la structure d'un dispositif destiné à mettre en oeuvre le procédé de reproduction qui est représenté sur la figure 8; La figure 10 est un graphique montrant une repré- sentation en fonction du temps du signal de sortie électrique qui est obtenu dans le procédé représenté sur la figure 8; Les figures 11 et 12 sont des schémas destinés à expliquer une application du procédé de reproduction repré- senté sur les figures 8 et 9; La figure 13 est un schéma montrant une version mo- difiée du procédé de reproduction représenté sur les figures 8 et 9; La figure 14 montre-la structure d'une mémoire à lignes de Bloch à laquelle on peut appliquer l'invention, et dans laquelle une pellicule réfléchissante est formée sur une surface d'enregistrement; La figure 15 est un schéma montrant un dispositif destiné à reproduire l'information enregistrée dans la mé- moire à lignes de Bloch représentée sur la figure 14; Les figures 16(A) à 16(C) sont des schémas montrant d'autres moyens destinés à détecter des variations de champ magnétique conformément à des variations de l'aire d'un do- maine magnétique; La figure 17 est une représentation schématique montrant la structure d'un dispositif destiné à mettre en oeuvre un autre procédé de reproduction pour une mémoire à lignes de Bloch conforme à l'invention; Les figures 18 et 19 sont des schémas d'un procédé de reproduction mis en oeuvre dans le dispositif représenté sur la figure 17; Les figures 20 et 21 sont des schémas montrant des exemples d'un dispositif destiné à échantillonner et à détec- ter la lumière d'un faisceau laser provenant d'une pellicule de grenat magnétique; et Les figures 22 et 23 sont des schémas montrant des versions modifiées du dispositif de reproduction qui est re- présenté sur la figure 17. La figure 4 est un schéma illustrant un procédé d'enregistrement dans une mémoire à lignes de Bloch conforme à l'invention. Les éléments de la figure 4 qui sont identi- ques à ceux de la figure 1 sont désignés par les mêmes réfé- rences numériques et on ne les décrira pas de façon détail- lee. Une lentille collimatrice 12 collimate en un faisceau parallèle un faisceau laser qui est émis par un laser à se- miconducteur 11. Un polariseur optique 13 communique au faisceau une polarisation linéaire, et une lentille de foca- lisation 10 forme un faisceau 9 soumis à un mouvement de ba- layage. On balaie le faisceau près des extrémités distales d'un ensemble de domaines magnétiques en bande d'une pelli- cule de grenat magnétique 2, à travers un substrat de grenat non magnétique 1. Comme le montre la figure, le polariseur optique 13 est attaqué par une onde en dents de scie, et le laser à semiconducteur 11 est attaqué par un signal sous forme d'impulsions. La figure 5 et les figures 6(A) - 6(C) sont des schémas détaillés destinés à l'explication d'un procédé d'en- registrement dans une mémoire à lignes de Bloch conforme à l'invention. La figure 5 montre la structure de la mémoire à lignes de Bloch et le faisceau laser accomplissant un balaya- ge, et les figures 6(A) - 6(C) illustrent la formation d'une ligne de Bloch. En considérant la figure 5, on note qu'une pelli- cule d'absorption de lumière 14 est formée sur une couche 15 obtenue par implantation ionique. Les éléments de la figure 5 identiques à ceux de la figure 2 sont désignés par les mê- mes références numériques. La pellicule de grenat magnétique 2 est formée par épitaxie en phase liquide sur le substrat 1 consistant en NdGG ou GGG monocristallin. On applique à la pellicule 2 un champ magnétique de polarisation vertical HÉ, dans la direction indiquée par la flèche, et on forme des do- maines magnétiques en bande 3. On forme des lignes conductri- ces 6 en Al ou en Cu et on forme une pellicule d'absorption de lumière 14 en Sb ou en Te sur la surface de la pellicule 2, dans une direction perpendiculaire à la direction longitu- dinale des domaines 3. On forme des couches 15 soumises à im- plantation ionique, sous la forme de puits de potentiel dans la pellicule 2, au-dessous de la pellicule d'absorption de lumière 14, par implantation d'ions H ou He+. Les couches 15 formées par implantation ionique sont des régions d'aimanta- tion horizontale et elles forment deux positions stables par rapport aux extrémités distales des domaines magnétiques en bande 3. On fait accomplir au faisceau lumineux 9 un mouve- ment de balayage le long de la pellicule d'absorption de lu- mière 14 de la mémoire à lignes de Bloch ayant la configura- tion décrite ci-dessus. Les parties de pellicule d'absorption de lumière qui se trouvent face aux domaines magnétiques en bande 3 destinés à l'introduction de la ligne de Bloch sont balayées, et les domaines 3 correspondants sont allongés. On décrira en détail le procédé d'introduction de ligne de Bloch en se référant aux figures 6(A) à 6(C). La figure 6(A) montre un état avant l'irradiation avec le faisceau lumineux effectuant un balayage, la figure 6(B) montre un état après l'irradiation avec le faisceau lumineux effectuant un balaya- ge et la figure 5(C) montre-un état du domaine magnétique en bande 3 après l'application d'un courant sous forme d'impul- sions. La flèche dans la pellicule de grenat magnétique 2 in- dique la direction d'aimantation. Le symbole de référence Hp désigne un champ magnétique sous forme d'impulsion; et i dé- signe un courant circulant dans les lignes conductrices. Avant l'irradiation avec le faisceau 9 effectuant un balayage, l'extrémité distale du domaine magnétique en bande 3 est emprisonnée par la partie droite du puits de po- tentiel formé par les deux couches d'implantation ionique 15. La ligne de Bloch n'est pas présente dans une paroi de do- maine 17 à l'extrémité distale du domaine 3, et l'aimantation au centre de la paroi de domaine 7 est perpendiculaire à la feuille du dessin. Dans cet état, lorsque le faisceau 9 ac- complit un mouvement de balayage à partir du côté du substrat et est focalisé sur la pellicule de grenat magnétique 2 et sur la pellicule d'absorption de lumière 14, la température dans la région irradiée de la pellicule de grenat magnétique 2 est augmentée. Le potentiel magnétique (potentiel de paroi de do- maine) dans la pellicule de grenat magnétique 2 varie en fonction inverse de la température. Par conséquent, sous l'effet du gradient de température formé dans la pellicule de grenat magnétique 2, le domaine magnétique en bande 3 est tiré vers le côté à température élevée et il est étendu dans la région irradiée par le faisceau 9 soumis à un balayage. il Ainsi, comme le montre la figure 6(B), l'extrémité distale du domaine magnétique en bande 3 est emprisonnée dans le puits de potentiel à gauche des couches d'implantation ionique 15. Dans ce processus, comme le montre la figure 4, lorsque le faisceau laser est soumis à un balayage perpendiculairement au domaine magnétique en bande 3 et est modulé (par tout ou rien) conformément aux données d'enregistrement, le domaine magnétique en bande 3 qui doit introduire la ligne de Bloch est étendu vers la ligne conductrice 6, et le domaine magné- tique en bande 3 qui ne doit pas introduire la ligne de Bloch reste à la position d'origine. Lorsqu'on fait circuler le courant i dans la ligne conductrice 6 après le balayage avec le faisceau laser, un champ magnétique sous forme d'impulsion Hp est généré et l'aimantation près de l'extrémité distale du domaine magnétique en bande 3 qui s'est étendu près de la li- gne conductrice 6 est inversée. Par conséquent, l'extrémité distale du domaine magnétique en bande 3 se contracte vers la position d'origine, c'est-à-dire vers le puits de potentiel de droite, et une paire de lignes de Bloch est formée. Comme décrit ci-dessus, on peut décaler la paire de lignes de Bloch le long de la paroi du domaine magnétique en bande 3 en appliquant un champ magnétique vertical sous forme d'impulsion sur l'ensemble de la pellicule de grenat magnéti- que 2, ce qui permet un enregistrement continu. Dans le mode de réalisation ci-dessus, le faisceau lumineux soumis à un balayage est rayonné à partir du côté du substrat. On peut cependant rayonner le faisceau lumineux soumis à un balayage à partir du côté de la pellicule de gre- nat magnétique 2, et on peut effectuer diverses autres modi- fications. De plus, on peut générer des bulles au moyen d'un faisceau lumineux soumis à un balayage, en utilisant une structure classique décrite ci-dessus, et on peut définir la distance entre le domaine magnétique en bande et la ligne conductrice. Dans le mode de réalisation ci-dessus, on améliore la cadence de bits pendant l'enregistrement par l'utilisation d'un système optique à balayage. Cependant, le système opti- que à balayage comprend une source lumineuse telle qu'un la- ser, un polariseur optique utilisant un effet électro-optique, un effet acousto-optique ou un effet magnéto-optique, un pola- riseur optique mécanique tel qu'un miroir polygonal, et une lentille de focalisation. Ce système permet de balayer avec de la lumière une mémoire à lignes de Bloch comprenant un en- semble de domaines magnétiques en bande et il permet l'in- troduction rapide de données sous la forme de paires de lignes de Bloch, au moyen de signaux optiques correspondant à des signaux d'entrée. On réalise un enregistrement rapide en établissant un gradient de température près des extrémités distales des domaines magnétiques en bande capables de former des paires de lignes de Bloch. Le dispositif de la figure 4 n'est qu'un exemple, et on peut irradier la pellicule 2 avec un ensemble de faisceauxlumineux parallèles dont le nombre correspond aux domaines magnétiques en bande. En ce qui concerne les moyens destinés à établir un gradient de température dans la pellicule magnétique, on peut employer un autre procédé, au lieu d'employer des moyens optiques comme dans le mode de réalisation ci-dessus. Ainsi, à titre d'exemple, une résistance produisant de la chaleur peut être définie à la position de la trace du faisceau sou- mis à un balayage, en étant connectée à une alimentation. On établit un gradient de température en utilisant la chaleur que la résistance produit par effet Joule. On peut former les paires de lignes de Bloch par d'autres procédés de con- traction, à la place du procédé de contraction utilisant une ligne conductrice. Les figures 7(A) et 7(B) montrent une autre struc- ture d'un puits de potentiel, pour stabiliser un domaine ma- gnétique en bande. Une région d'implantation ionique 15 est formée dans une pellicule de grenat magnétique 2, et un motif en Permalloy 16 est formé sur la pellicule 2. On stabilise normalement un domaine magnétique en bande 3 par un procédé dans lequel on forme un motif de pellicule magnétique sous forme de ligne mince, ou par un procédé dans lequel on grave une surface d'une pellicule de grenat magnétique, jusqu'à une faible profondeur, le long du domaine 3. Le domaine 3 doit également être stabilisé après l'extension/contraction. Dans l'exemple qui est représenté sur la figure 7(B), un puits de potentiel est formé par le motif de Permalloy 16. Le domaine magnétique en bande étendu 3 est em- prisonné au-dessous du motif de Permalloy 16. Sur la figure 7(C), l'énergie d'implantation ionique dans la pellicule de grenat magnétique 2 varie en direction du domaine 3, de façon à établir un gradient modéré dans le puits de potentiel, par changement dans l'état de la région d'implantation ionique 15. La présence du puits de potentiel stabilise la position étendue ou contractée du domaine magnétique en bande 3, et elle permet également d'étendre le domaine 3. On notera que le puits de potentiel n'est pas toujours nécessaire, et qu'on peut stabiliser le domaine magnétique en bande par d'autres moyens. Les figures 8, 9 et 10 montrent des schémas et des graphiques destinés à l'explication d'un procédé de repro- duction pour une mémoire à lignes de Bloch conforme à l'in- vention. La figure 8 montre un état d'un domaine magnétique en bande lorsqu'une paire de lignes de Bloch est détectée, la figure 9 montre une configuration d'un système optique destiné à la détection d'une paire de lignes de Bloch et la figure 10 montre un signal de sortie d'un photodétecteur * utilisé dans ce procédé. On notera que les éléments des fi- gures 8, 9 et 10 qui sont similaires à des éléments des fi- gures 1 à 4 sont désignés par les mêmes références numéri- ques. Une section d'émission de lumière 11 consiste en une couche semiconductrice ou en une photodiode. Une lentille collimatrice 12 convertit la lumière divergente issue de la section 11 en un faisceau parallèle. Une lentille de focali- sation 10 focalise le faisceau sortant d'une lame de polari- sation 17, pour former une trace 21 en une position prédéter- minée d'un domaine magnétique en bande 3. Une lentille de fo- calisation 18 focalise sur un photodétecteur 20 la lumière qui est transmise par un analyseur 19. Le photodétecteur 20 produit un signal de sortie 22 lorsqu'une paire de lignes de Bloch 8 est présente dans la trace optique 21, et il pro- duit un signal de sortie 23 lorsqu'une telle paire de lignes de Bloch n'est pas présente dans la trace 21. En considérant la figure 8, on note qu'un champ magnétique de polarisation vertical HB est appliqué en sens descendant (dans une direction perpendiculaire à la feuille du dessin) à une pellicule de grenat magnétique 2, telle qu'une pellicule de (YSmLuCa)3(FeGe)5012 ou de (YSmLuCd)3 (FeGa)5012, de façon à former un domaine magnétique en bande 3. Des lignes de Bloch 8 sont présentes dans des parois de domaine 7 entourant le domaine magnétique en bande 3. Deux lignes conductrices sont formées sur la pellicule 2, de façon à être situées de part et d'autre d'au moins une ligne de Bloch 8. Les puits de potentiel maintiennent les lignes de Bloch 8 de façon stable entre les lignes conductrices 4. Lorsqu'on fait circuler des courants dans les lignes conduc- trices 4, dans les directions indiquées par les flèches, si les directions des champs magnétiques induits par les cou- rants sont identiques à la direction d'aimantation du domaine magnétique en bande 3, les parois de domaine intercalées en- tre les deux lignes conductrices 4 sont déplacées vers l'ex- térieur. Cependant, lorsque les directions des courants sont opposées à celles indiquées sur la figure 8, les parois de domaine se trouvant entre les lignes conductrices 4 sont dé- placées vers l'intérieur. En considérant la figure 9, on note que la lumière divergente émise par la section d'émission de lumière 11 est convertie en un faisceau lumineux parallèle par la lentille - collimatrice 12, et est polarisée de façon linéaire par la lame de polarisation 17. Ensuite, la lentille de focalisation forme une trace 21, représentée sur la figure 8, dans une position de domaine magnétique prédéterminée. Le faisceau lu- mineux transmis à travers la pellicule de grenat magnétique 2 et le substrat 1 subit une rotation du plan de polarisation par l'effet Faraday, à cause de l'aimantation du domaine ma- gnétique en bande 3. L'angle de rotation du plan de polarisa- tion est proportionnel à la valeur de l'aimantation du domai- ne magnétique en bande 3. On fait passer à travers l'analy- seur 19 le faisceau lumineux transmis et ce faisceau tombe sur le photodétecteur 20 après avoir traversé la lentille de focalisation 18. Le signal de sortie du photodétecteur 20 dépend de la valeur de l'aimantation ou de l'aire aimantée du domaine magnétique en bande 3. Par conséquent, si on fait varier de façon sinusoidale les courants qui sont appliqués aux lignes conductrices 4, le signal de sortie du photodétec- teur 20 varie également de façon sinusoidale. Si une ligne de Bloch 8 est présente entre les deux lignes conductrices 4, lorsque les parois de domaine 7 oscillent, l'intervalle de paroi de domaine devient plus étroit que dans le cas o au- cune ligne de Bloch n'est présente entre les deux lignes con- ductrices 4. Par conséquent, la force d'amortissement qui s'oppose au mouvement de la paroi de domaine est plus grande dans le premier cas. Ainsi, du fait que l'inertie magnétique est grande. les variations de l'aire du domaine magnétique en bande 3 sont faibles. L'oscillation du signal de sortie du photodétecteur 20 devient faible, par rapport au cas dans le- quel aucune ligne de Bloch n'est présente entre les lignes conductrices 4. Comme le montre la figure 10, on obtient des signaux de sortie différents lorsque la ligne de Bloch est présente entre les lignes conductrices et lorsqu'elle est absente. De cette manière, on peut détecter la présence ou l'absence de la ligne de Bloch. Du fait qu'on peut détecter directement la paire de lignes de Bloch en utilisant le procédé ci-dessus, il est possible d'effectuer une détection rapide Du fait qu'il n'est pas nécessaire de segmenter le domaine magnétique en bande, on peut réduire les courants qui doivent être appli- qués aux lignes conductrices. Les figures 11 et 12 montrent des applications du mode de réalisation décrit ci-dessus. La figure 11 montre un exemple de la structure d'une mémoire à lignes de Bloch com- portant un ensemble de domaines magnétiques en bande. La fi- gure 12 montre un exemple de la structure d'un système de détection optique pour la mémoire à lignes de Bloch repré- sentée sur la figure 11. Les éléments similaires des figures 11 et 12 sont désignés par les mêmes références numériques. Le polariseur optique 13 peut être un polariseur A/O ou un polariseur E/O. En utilisant le système de détection optique qui est représenté sur la figure 12, on irradie continuellement des positions prédéterminées d'un ensemble de domaines ma- gnétiques en bande 3, avec de la lumière soumise à un ba- layage et provenant du côté du substrat 1. Le principe de détection correspondant au mode de réalisation décrit ci-des- sus permet d'effectuer une reproduction rapide de l'informa- tion contenue dans la mémoire à lignes de Bloch. On peut transférer séquentiellement des lignes de Bloch dans des pa- rois de domaine 7 en appliquant un champ magnétique vertical sous forme d'impulsions à l'ensemble de la mémoire. Le sys- tème optique peut comprendre un ensemble de paires d'éléments d'émission de lumière et d'éléments de réception de lumière. La figure 13 représente d'autres moyens destinés à modifier l'aire d'un domaine magnétique prédéterminé. Les éléments de la figure 13 identiques à ceux des modes de réa- lisation précédents sont désignés par les mêmes références numériques. On change l'aire d'un domaine magnétique par l'effet opto-thermique. Lorsqu'on irradie une pellicule de grenat magnétique 2 avec un faisceau de lumière polarisé de façon linéaire, par le même procédé que dans le mode de réa- lisation ci-dessus, la température de la partie irradiée ou d'une trace 21 augmente. La largeur d'un domaine magnétique en bande 3 dans la partie irradiée change en fonction des caractéristiques de température de la matière de la pellicule 2. Lorsqu'on fait varier dans le temps l'intensité lumineuse d'une section d'émission de lumière telle qu'un laser à se- miconducteur, on peut faire varier dans le temps l'aire du domaine magnétique en bande. Avec ce procédé, il n'est pas nécessaire d'employer des lignes conductrices. La structure de la mémoire est donc simplifiée et la consommation d'éner- gie est réduite. La figure 14 est une coupe montrant encore une au- tre structure d'une mémoire à lignes de Bloch. Une pellicule de réflexion de la lumière, 24, est formée sur une pellicule de grenat magnétique 2, par dépôt ou par une technique simi- laire. La mémoire à lignes de Bloch ayant cette structure peut détecter une paire de lignes de Bloch par le procédé du mode de réalisation ci-dessus, en utilisant un système opti- que tel que celui représenté sur la figure 15. Sur la figure 15, les références numériques iden- tiques à celles du mode de réalisation précédent désignent les mêmes éléments, sauf en ce qui concerne un diviseur de faisceau 25. Une lentille collimatrice 12 convertit en un faisceau lumineux parallèle un faisceau lumineux qui provient d'une section d'émission de lumière 11. Une lame de polari- sation 17 polarise le faisceau lumineux de façon linéaire. Le faisceau lumineux provenant de la lame de polarisation 17 traverse le diviseur de faisceau 25 et il est projeté sur une position prédéterminée d'un domaine magnétique en bande 3, formé dans une pellicule de grenat magnétique 2. Le fais- ceau lumineux incident qui a été modulé conformément à la présence ou à l'absence d'une paire de lignes de Bloch est réfléchi et modulé par la pellicule de réflexion de lumière 24, de façon à retourner vers le chemin d'origine. Le fais- ceau lumineux est ainsi soumis à deux rotations de Faraday. Le diviseur de faisceau 25 change le chemin optique du fais- ceau lumineux réfléchi qui a été converti en faisceau paral- lèle en traversant la lentille de focalisation 10. Le fais- ceau lumineux est ensuite dirigé de façon à traverser un analyseur 19 et une lentille de focalisation 18, et il est projeté sur un photodétecteur 20. La configuration dé- crite ci-dessus améliore le rapport signal/bruit, du fait qu'il y a deux rotations de Faraday. Les figures 16(A) à 16(C) montrent un autre mode de réalisation d'un procédé de reproduction pour une mémoire à lignes de Bloch. Plus précisément, la figure 16(A) montre une vue de dessus d'une mémoire à lignes de Bloch, la figure 16(B) montre une coupe de cette mémoire et la figure 16(C) montre une vue latérale de celle-ci. Les électrodes 26 sont destinées à détecter une capacité. Une matière à-magnétos- triction 27 est disposée en une position prédéterminée sur une pellicule de grenat magnétique 2. Les références numéri- ques identiques à celles du mode de réalisation précédent désignent les mêmes éléments dans ce mode de réalisation. Sous l'effet d'un champ magnétique qui est produit au moment de l'application de courants aux lignes conductri- ces 4, les parois de domaine 7 entre les lignes conductrices 4 oscillent avec des amplitudes différentes en fonction de variations des courants appliqués aux lignes 4. L'aire du domaine magnétique en bande 3 qui est contenu entre les li- gnes conductrices 4 change, et la répartition du champ magné- tique change de la manière indiquée par les flèches en poin- tillés sur la figure 16(C). Dans ces conditions, la réparti- tion d'un champ magnétique appliqué à la matière à magnétos- triction 27 entre les électrodes 26 varie, et la capacité varie conformément aux variations de l'intervalle effectif entre les électrodes 26. On peut déterminer la présence ou l'absence d'une paire de lignes de Bloch en détectant de telles variations de capacité. Avec le procédé cidessus, du fait qu'il ntest pas nécessaire de détecter une paire de li- gnes de Bloch en formant une bulle, on peut réaliser une dé- tection rapide, et il n'est pas nécessaire d'employer un sys- tème optique tel que celui qui est utilisé dans le mode de réalisation cidessus. On peut employer un système optique ayant une structure simple. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, du fait qu'on détecte une difference d'aire (variations de champ magnétique) d'une région correspondant à un domaine magnéti- que prédéterminé, en fonction de la présence ou de l'absence d'une paire de lignes de Bloch, il n'est pas nécessaire d'utiliser des bulles magnétiques comme dans des mémoires classiques, et on peut accomplir une reproduction rapide. De plus, on peut simplifier la structure de la mémoire lorsqu'on rayonne un faisceau lumineux polarisé de façon linéaire, ob- tenu en polarisant de façon linéaire un faisceau laser, et lorsqu'on détecte une différence d'angle de rotation du plan de polarisation. On peut améliorer notablement la cadence de bits de reproduction en soumettant un faisceau laser à un balayage couvrant un ensemble de domaines magnétiques en ban- de, à l'aide de moyens prédéterminés. Le système de détection optique qui est utilisé dans le mode de réalisation ci-dessus n'est qu'un exemple, et on doit choisir des moyens de détection optiques ayant une structure appropriée pour un dispositif de mémoire particu- lier utilisé. La figure 17 est une représentation schématique de la structure d'un dispositif destiné à mettre en oeuvre un autre procédé de reproduction pour une mémoire à lignes de Bloch. Comme dans le mode de réalisation ci-dessus, le dis- positif comporte un laser à semiconducteur 11, des lentilles de focalisation 10, 12 et 18, un polariseur optique 13 et un photodétecteur 20. Le dispositif comporte un outre un prisme en rutile 28. La lentille de focalisation 12 convertit en un faisceau lumineux parallèle un faisceau laser qui est émis par le laser à semiconducteur 11, et le polariseur 13 polarise ce faisceau. Le faisceau lumineux qui sort du polariseur 13 est projeté avec un mouvement de balayage, à travers la len- tille de focalisation 10, sur les extrémités distales d'un ensemble de domaines magnétiques en bande qui sont formés dans une pellicule de grenat magnétique 2. Des guides d'ondes se présentant sous la forme de canaux sont formés dans la pelli- cule 2 le long des domaines magnétiques en bande respectifs. Le faisceau lumineux incident se propage dans les guides d'ondes et il lit les données enregistrées dans chaque do- maine magnétique en bande, sous la forme d'une paire de lignes de Bloch, conformément à un changement physique du faisceau lumineux incident, c'est-à-dire une rotation du plan de pola- risation. Ensuite, le faisceau lumineux sort de la pellicule 2 en traversant le prisme en rutile 28 et il est reçu par le photodétecteur 20. On décrira en détail le procédé de détec- tion d'une paire de lignes de Bloch en se référant aux dessins annexes. La figure 18est une vue en perpsective d'une pelli- cule de grenat magnétique dans laquelle se trouve un domaine magnétique en bande. La figure 19 est une vue en plan de cette pellicule. Les références numériques identiques à celles du mode de réalisation précédent désignent les mêmes éléments dans ce mode de réalisation, sauf en ce qui concerne un fais- ceau lumineux incident 29 et un sillon 30. Comme le montre la figure 18, le sillon 30 est formé par érosion ionique'autour de chaque domaine magnétique en bande 3. Des domaines magné- tiques en bande 31 et 32 sont formés dans des guides d'ondes sous forme de canaux entourés par les sillons 30. Par consé- quent, lorsqu'on utilise une pellicule de grenat magnétique dans laquelle sont formés des domaines magnétiques en bande 31 et 32 de 2 pm de largeur, la largeur des guides d'ondes en forme de canaux est également d'environ 2 pm. On notera que la largeur des guides d'ondes n'est jamais inférieure à celle des domaines magnétiques en bande 31 et 32. En consi- dérant la figure 19, on note que le domaine magnétique en ban- de 31 qui est défini par le guide d'ondes en forme de canal comporte une ligne de Bloch à son extrémité distale, tandis que le domaine magnétique en bande 32 ne comporte pas de ligne de Bloch. Les flèches sur la figure 19 indiquent la direction d'aimantation centrale. Les parois de domaine 7 du domaine ma- gnétique 31 ayant une ligne de Bloch 8 sont aimantées dans la même direction, et les parois de domaine 7 du domaine magnéti- que 32 n'ayant pas de ligne de Bloch sont aimantées dans des directions opposées. Du fait que la direction de propagation du faisceau laser 29 qui se propage dans le guide d'ondes en forme de canal est perpendiculaire à la direction d'aimanta- tion, le faisceau laser 29 ne subit pas une rotation du plan de polarisation. Cependant, le faisceau laser 29 est soumis à l'effet Faraday par les parois de domaine 7 et 71, et le plan de polarisation est soumis à une rotation. Lorsque le faisceau laser 29 en mode TE se propage dans le guide d'ondes, dans le cas du domaine magnétique 31 les déphasages de rota- tion Faraday dus à l'aimantation dans les parois de domaine opposées sont les mêmes, ce qui fait que le plan de polarisa- tion tourne et une composante TM est produite. Cependant, dans le cas du domaine magnétique 32, du fait que la direc- tion de rotation Faraday change pour prendre des phases op- posées dans les parois de domaine opposées, le plan de pola- risation ne tourne pas et aucune composante TM n'est produite. Par conséquent, la distance L dans le guide d'ondes est fixée de façon que-le plan de polarisation du faisceau lumineux in- cident 29 subisse une rotation de Faraday d'un angle prédéter- miné, dans la condition dans laquelle aucune autre ligne de Bloch n'est présente dans l'intervalle allant de l'extrémité distale du domaine magnétique 31 ou 32 jusqu'à la position du primse en rutile 28, c'est-à-dire dans le guide d'ondes pré- cité. A titre d'exemple, lorsqu'on désire obtenir une rotation de 90 , L=45 pm pour une pellicule de grenat magnétique ayant un angle de rotation de Faraday de 2000 /crm. La figure 20 montre le principe de détection d'un faisceau lumineux 29 qui sort de la pellicule 2. Le faisceau lumineux 29 comprend une onde TE 33 et une onde TM 34. Lors- que le faisceau lumineux s'est propagé à travers le domaine magnétique 31 ou 32 et a été modulé conformément à la pré- sence ou à l'absence de la ligne de Bloch 8, comme décrit ci- dessus, il sort de la pellicule 2 en traversant le prisme en rutile 28. La biréfringence du prisme en rutile 28 ( -11 TE = 2,903, ITM = 2,616) sépare complètement l'onde TE 33 et l'onde TM 34. Par conséquent, lorsque le photodétecteur re- goit seulement l'onde TM 34, on peut obtenir des données con- cernant la présence ou l'absence de la ligne de Bloch. Dans la configuration ci-dessus, environ 10% de la lumière de sor- tie pour le domaine magnétique en bande ayant une ligne de Bloch sont convertis en onde TM. Lorsqu'un faisceau laser ayant une fréquence de balayage de 100 kHz rayonne une onde TE dans un guide d'ondes en forme de canal ayant 250 domaines magnétiques en bande d'une largeur de 2 pm, si on suppose qu'une durée de 1 ps est nécessaire pour transférer 1 bit correspondant à une ligne de Bloch, au moment de l'applica- tion d'un champ de polarisation vertical sur l'ensemble de la mémoire, la cadence de bits de reproduction est d'environ 23 mégabits/seconde. Cette cadence de bits de reproduction est très élevée par rapport à la cadence de 1 mégabit/seconde qu'on obtient avec le procédé classique. La figure 21 montre une autre structure d'un sys- tème de détection optique comprenant un coupleur à réseau de diffraction 36 et un analyseur 19. Dans cette structure, on utilise le coupleur à réseau de diffraction 36 pour faire sortir d'une pellicule de grenat magnétique 2 un faisceau lumineux d'un guide d'ondes. La lumière de sortie comprenant une onde TE 33 et une onde TM 34 est focalisée sur une sur- face de détection d'un photodétecteur 20, par une lentille de focalisation 18, en traversant l'analyseur 19 qui a la même direction de polarisation que l'onde TM. Le photodétec- teur 20 ne reçoit donc que l'onde TM, et on peut lire la pré- sence ou l'absence de la ligne de Bloch, conformément au principe mentionné ci-dessus. La figure 22 montre une autre structure destinée à la mise en oeuvre d'un procédé de reproduction pour une mé- moire à lignes de Bloch conforme à l'invention. Cette struc- ture comprend un coupleur à prisme pour guider un faisceau lumineux vers chaque domaine magnétique en bande défini par un guide d'ondes. Un faisceau laser émis par un laser à se- miconducteur 11 est projeté sur un polariseur optique 13 à travers une lentille de focalisation 12. Le polariseur 13 polarise le faisceau laser et on communique à ce dernier un mouvement de balayage sur le polariseur à prisme 281, à un emplacement predéterminé, en faisant en sorte que le faisceau traverse une lentille de focalisation 10. Le coupleur à pris- me 281 guide le faisceau laser vers un guide d'ondes qui cor- respond à chaque domaine magnétique en bande. Le faisceau lu- mineux lit les données enregistrées dans la paroi du domaine magnétique en bande (c'est-à-dire qu'il est modulé par ces données), sous l'effet de la rotation du plan de polarisa- tion. Le faisceau lumineux est ensuite émis par la face d'ex- trémité de la pellicule de grenat magnétique 2 et il est reçu par un photodétecteur 20, après avoir traversé la lentille de focalisation 18 et l'analyseur 19. La figure 23 montre une structure du système de dé- tection optique. Dans cette structure, le procédé de guidage d'un faisceau laser vers chaque domaine magnétique en bande est le même que dans le mode de réalisation représenté sur la figure 22. Un domaine magnétique en bande 31 ou 32 émet un faisceau lumineux 38. Une lentille à couche mince 37 peut consister en une lentille de type "diodisk" ou de type simi- laire. La lentille à couche mince 37 formée dans une pelli- cule de grenat magnétique 2 focalise sur un photodétecteur 20 en contact avec une mémoire à lignes de Bloch,le faisceau lu- mineux 38 qui a lu les données dans le domaine magnétique en bande 31 ou 32. L'analyseur 19 est intercalé entre le photodé- tecteur 20 et la mémoire à lignes de Bloch. L'analyseur 19 sélectionne le faisceau lumineux 38 que reçoit le photodétec- teur 20. Avec ce mode de réalisation, on peut détecter une ligne de Bloch avec une structure de faibles dimensions. Sur la figure 23, la mémoire et le détecteur sont formés en un seul ensemble. On peut cependant former en un seul ensemble la mémoire et une source lumineuse telle qu'un laser à semiconducteur. Pour moduler un faisceau lumineux d'un guide d'ondes par l'aimantation dans des parois de do- maine, on doit respecter une longueur de guide d'ondes pré- déterminée. La position d'un puits de potentiel doit donc - être à une distance prédéterminée de l'extrémité distale d'un domaine magnétique en bande pour emprisonner (stabili- ser) la ligne de Bloch dans une paroi de domaine. Dans ce mode de réalisation, un faisceau lumineux de détection de ligne de Bloch, constitué par un faisceau- lumineux polarisé de façon linéaire, tel qu'un faisceau la- ser, est rayonné sur l'extrémité distale d'un domaine magné- tique en bande constituant une mémoire. On détecte le chan- gement d'état du faisceau lumineux correspondant à l'aiman- tation de la paroi de domaine à l'extrémité distale, de fa- çon à déterminer la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch. Comme décrit ci-dessus, lorsqu'une ligne de Bloch n'est pas présente, les directions d'aimantation dans les parois de domaine en regard entre lesquelles se trouve le domaine magnétique dans lequel se propage le faisceau lumi- neux, sont mutuellement opposées. Par conséquent, les rota- tions du plan de polarisation du faisceau lumineux s'annu- lent mutuellement et le faisceau lumineux de sortie présente la même direction de polarisation que la lumière d'entrée. Lorsqu'une ligne de Bloch est présente à l'extrémité distale du domaine magnétique en bande, les directions d'aimantation dans les parois de domaine situées de part et d'autre du do- maine magnétique sont mutuellement parallèles et sont diri- 257421; gées du même côté. Par consequent, le faisceau lumineux sort après avoir subi une rotation du plan de polarisation par l'effet Faraday. On peut déterminer la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch en séparant et en détectant deux compo- santes de lumière de sortie par un procédé prédéterminé. Le procédé prédéterminé est par exemple dans ce cas un procédé consistant à intercaler une substance biréfringente ou une lame de polarisation, comme décrit dans les modes de réali- sation précédents. Comme décrit ci-dessus, dans le procédé d'enregis- trement et/ou de reproduction pour une mémoire à lignes de Bloch conforme à l'invention, on utilise des moyens optiques pour former et pour détecter une ligne de Bloch. La structure de la mémoire est ainsi simplifiée et on peut effectuer un * enregistrement et une reproduction rapides, sans contact. Comme on peut le voir dans les modes de réalisation précé- dents, un faisceau laser est particulièrement efficace. L'in- vention procure ainsi un procédé totalement nouveau pour for- mer et détecter une ligne de Bloch, en utilisant les proprié- tés d'encombrement réduit, d'énergie élevée et de polarisa- tion, ainsi que les propriétés magnétiques, d'un faisceau la- ser. De plus, pour une mémoire de grande capacité comportant un ensemble de domaines magnétiques en bande, on soumet le faisceau lumineux à un balayage pour améliorer la cadence de bits. Il va de soi que de nombreuses modifications peu- vent être apportées au procédé décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé d'enregistrement et/ou de reproduction pour une mémoire à lignes de Bloch, caractérisé en ce qu'il comprend l'opération consistant à rayonner ou à guider un faisceau lumineux (9) jusqu'au voisinage d'une extrémité distale d'un domaine magnétique (3) capable de former une ligne de Bloch (8) à l'intérieur de lui-même ou sur une li- gne partant de ce domaine. 2. Procédé d'enregistrement dans une mémoire à lignes de Bloch, caractérisé en ce qu'il comprend les opéra- tions suivantes: on irradie avec un faisceau lumineux (9) le voisinage d'une extrémité distale d'un domaine magnétique (3) capable de former une ligne de Bloch (8) à l'intérieur de lui-même ou sur une ligne partant de ce domaine, pour dé- placer ainsi l'extrémité distale du domaine magnétique (3) vers le voisinage d'une position irradiée; et on contracte l'extrémité distale au voisinage de la position irradiée, de façon à la ramener pratiquement à la position d'origine, pour former une ligne de Bloch (8) au voisinage de l'extrémité distale du domaine magnétique (3). 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération consistant à ba- layer avec un faisceau lumineux (9) un ensemble de mémoires alignées dans une direction d'alignement, le faisceau lumi- neux étant mis en fonction ou hors fonction conformément à un signal d'enregistrement, et le domaine magnétique ayant une forme en bande (3). 4. Procédé de reproduction pour une mémoire à li- gnes de Bloch, caractérisé en ce qu'il comprend les opéra- tions suivantes: on rayonne un faisceau lumineux polarisé vers une région de domaine magnétique prédéterminée d'un domaine magnétique (3) contenant une paire de lignes de Bloch (8); on déplace une paire de parois de domaine (7) formant la région de domaine magnétique prédéterminée; et on détecte un changement d'un plan de polarisation du fais- ceau lumineux polarisé qui a été'transmis au moins une fois par la région de domaine magnétique, ce qui permet de dis- criminer entre la présence et l'absence d'une paire de li- gnes de Bloch (8) dans la paire de parois de domaine (7). 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'opération de déplacement de la paire de parois de domaine (7) comprend l'opération qui consiste à établir une variation locale de champ magnétique dans la région de domaine magnétique (3). 6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'opération de déplacement de la paire de parois de domaine (7) comprend l'opération consistant à irradier la région de domaine magnétique (3) avec un faisceau lumi- neux qui est modulé en intensité en fonction du temps. 7. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'opération consistant à rayonner le faisceau lu- mineux polarisé comprend l'opération consistant à balayer le faisceau lumineux (29) sur une région de domaine magné- tique prédéterminée d'un ensemble de domaines magnétiques en bande alignés (31, 32), dans une direction d'alignement. 8. Procédé de reproduction pour une mémoire à lignes de Bloch, caractérisé en ce qu'il comprend les opé- rations suivantes: on rayonne un faisceau lumineux polari- sé dans une pellicule magnétique (2) formant un domaine ma- gnétique (3), avec une ligne de Bloch (8) formée dans ce domaine, à partir d'une position prédéterminée du domaine magnétique; on fait propager le faisceau lumineux polarisé dans le domaine magnétique (3), dans une direction longitu- dinale de celui-ci; et on détecte un état du faisceau lu- mineux polarisé dans lequel un plan de polarisation a été changé en fonction de la présence ou de l'absence d'une li- gne de Bloch (8) à une extrémité distale du domaine magné- tique (3), et on discrimine entre la présence et l'absence de la ligne de Bloch (8). 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'opération consistant à rayonner le faisceau lu- mineux polarisé comprend l'opération consistant à irradier continuellement une position prédéterminée d'un ensemble de domaines magnétiques en bande alignés (31, 32) en faisant en sorte que le faisceau lumineux (29) tombe sur chaque domaine magnétique en bande (31, 32). 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'opération consistant à discriminer entre la pré- sence et l'absence de la ligne de Bloch (8) comprend l'opé- ration qui consiste à détecter un état de polarisation du faisceau lumineux polarisé qui sort d'un prisme biréfringent (28). 11. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'opération consistant à discriminer entre la pré- sence et l'absence de la ligne de Bloch (8) comprend l'opé- ration consistant à détecter la fraction du faisceau lumi- neux qui traverse un analyseur (19).