FR 2578670 A1 19860912 FR 8603143 A 19860306 La présente invention concerne un panneau d'affi- chage utilisant un dispositif de modulation optique et un procédé d'attaque de celui-ci, et elle porte plus particu- lièrement sur un dispositif à cristaux liquides ferroélec- triques ayant une structure de matrice active et un procédé d'attaque de celui-ci. Parmi les systèmes d'affichage à cristaux liqui- des, il existe un système d'affichage matriciel. Ce système comporte un grand nombre d'éléments d'image pour afficher une image ou une information. Les éléments d'image sont constitués par un groupe d'électrodes de balayage et par un groupe d'électrodes de signal disposées sous la forme d'une matrice, et par un composé à cristaux liquides placé entre les deux groupes d'électrodes. Dans ce système, si on augmente la densité d'éléments d'image de l'affichage ou la taille de l'écran d'affichage, des nombres extrêmement éle- vés d'électrodes de balayage et d'électrodes d'affichage deviennent nécessaires. Il en résulte que la vitesse de réponse des cristaux liquides est réduite. De plus, il se produit un phénomène appelé "diaphonie", du fait de l'appli- cation d'une tension à des éléments d'image autres que les éléments d'image à l'état actif. Divers procédés ont été proposés pour éliminer ces deux défauts, par exemple un procédé de moyenne de tension, un procédé d'attaque à deux fréquences, un procédé à matrice divisée et un procédé à matrice multiplexée. Il est cependant difficile avec ces procédés de résoudre le problème de l'augmentation du nom- bre de lignes de balayage accompagnant l'augmentation du nombre d'éléments d'affichage, pour permettre l'augmenta- tion de la taille de l'écran d'affichage ou de la densité d'éléments d'image. On a récemment envisagé et utilisé en pratique un système d'affichage à matrice active. Dans ce système, les cristaux liquides sont directement attaqués par un ensemble d'éléments de commutation tels que des transistors à effet de champ, qui sont placés en correspon- dance avec des éléments d'image respectifs et sont disposés sous la forme d'une matrice. Ce système à matrice active peut résoudre le pro- blème de la diaphonie. Cependant, lorsqu'on utilise des dispositifs à cristaux liquides classiques (nématiques), la vitesse d'affichage est limitée. De plus, la taille de l'écran d'affichage présente une limite supérieure qui est imposée par la fréquence de répétition. On peut améliorer l'insuffisance qui se manifeste dans le cas des cristaux liquides nématiques en utilisant des cristaux liquides ferroélectriques pour le dispositif à cristaux liquides. Cependant, dans ce cas, la simplification de la structure du circuit qui accompagne l'augmentation de la densité d'éléments d'image de l'affichage est insuffisante, et une amélioration supplémentaire est désirée à cet égard. L'invention vise à résoudre les problèmes envisa- gés ci-dessus qui existent dans l'art antérieur, et son but est de réduire considérablement le nombre de lignes de signal et de simplifier le circuit, par une amélioration de la structure de circuit d'électrodes d'affichage, avec une matrice active. L'invention procure un dispositif de modulation optique comprenant: un ensemble de premières lignes de signal (S1-Sn-SN); un ensemble de secondes lignes de signal (Gi-G -GL) coupant les premières lignes de signal; un ensemble de transistors à effet de champ disposés à cha- que intersection des premières et des secondes lignes de signal, chaque transistor à effet de champ comprenant une grille connectée à une seconde ligne de-signal, une première borne autre que la grille connectée à une première ligne de signal, et une seconde borne autre que la grille; une - électrode d'élément d'image connectée à la seconde borne; une contreélectrode disposée face à l'électrode d'élément d'image et connectée à une troisième ligne de signal; et une matière de modulation optique présentant un premier état stable et un second état stable, intercalée entre l'électro- de d'élément d'image et la contre-électrode. D'autres caractéristiques et avantages de l'inven- tion ressortiront de la description qui suit de modes de réalisation préférés, faite en relation avec les dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est un schéma de circuit illustrant un principe fondamental de l'invention; les figures 2 et 3 sont des représentations sché- matiques en perspective illustrant le principe de fonction- nement fondamental d'un dispositif à cristaux liquides ferroélectriques utilisé conformément à l'invention; la figure 4 est un schéma montrant des coordonnées d'éléments d'image; la figure 5 est un schéma destiné à illustrer une configuration d'affichage d'éléments d'image; les figures 6A à 6C montrent des représentations graphiques de signaux électriques appliqués à des lignes de balayage et des lignes de signal; la figure 7 est un diagramme destiné à l'explica- tion d'une opération d'écriture; la figure 8 est une coupe montrant une structure stratifiée d'un TM (transistor à couches minces) qui est utilisé dans l'invention; -la figure 9 est une coupe partielle d'une cellule Z5 à cristaux liquides ferroélectriques utilisant un TCM; la figure 10 est une vue en plan montrant un substrat de TCM, dont une coupe partielle selon la ligne A-A est représentée sur la figure 8; et la figure 11 est une coupe partielle selon la ligne B-B de la figure 10. On présentera tout d'abord une explication relati- ve à la matière de modulation optique. La matière de modula- tion optique qui est utilisée dans le dispositif de modula- tion optique conforme à l'invention peut être une matière présentant un premier état stable et un secord état stable sous la dépendance d'un champ électrique qui lui est appli- qué, et elle consiste de préférence en une matière à cris- taux liquides présentant un état ou l'autre parmi des pre- mier et second états optiquement stables. La matière de modulation optique ayant la pro- priété décrite ci-dessus qui peut être utilisée dans l'in- vention est constituée le plus avantageusement par des cristaux liquides smectiques chiraux. Parmi les cristaux liquides smectiques chiraux, ceux présentant la phase smectique chirale C (SmC*) ou la phase H (SmH*) sont spé- cialement préférés. Ces cristaux liquides ferroélectriques sont décrits par exemple dans les documents suivants: "LE JOURNAL DE PHYSIQUE" 36 (L69), 1975 "Ferroelectric Liquid Crystals"; "Applied Physics Letters" 36 (11) 1980, "Submi- cro Second Bistable Electrooptic Switching in Liquid Crystals", Kotai Butsuri (Solid State Physics)" 16 (141), 1981 "Liquid Crystal", etc. Les cristaux liquides ferro- électriques décrits dans ces publications peuvent être utilisés dans l'invention. Plus précisément, on peut citer à titre d'exemples de composés à cristaux liquides ferroélectriques utilisables dans le procédé de l'invention: le cinnamate de décyloxybenzylidène-p'- amino-2-méthylbutyle (DC0BMPC), le cinnamate d'hexvloxybenzyli- dène-p'-amino-2-chloropropyle (HOBACPC), - la 4-o- (2-méthyl)-butylrésorcylidène-4'-octylaniline (MBRA8), etc. Lorsqu'on fabrique un dispositif en utilisant ces matières, on peut supporter le dispositif par un bloc de cuivre, etc, dans lequel est noyé un élément chauffant, pour obtenir une condition de température dans laquelle les composés à cristaux liquides prennent une phase smectique chirale. En considérant la figure 2, on voit une représen- tation schématique d'un exemple de cellule à cristaux liqui- des ferroélectriques, destinée à l'explication de son fonc- tionnement. Les références 24 et 24a désignent des plaques de base (plaques de verre) sur lesquelles sont respective- ment disposées des électrodes transparentes, consistant par exemple en In203, SnO2, oxyde d'indium-étain, etc. Une matière à cristaux liquides ayant une phase SmC* ou SmH*, dans laquelle des couches moléculaires de cristaux liquides 25 sont orientées perpendiculairement aux surfa- ces des plaques de verre, est enfermée hermétiquement entre ces plaques. Une ligne continue 26 représente les molécules de cristal liquide. Chaque molécule de cristal liquide 26 possède un moment dipolaire (P.L) 27 dans une direction perpendiculaire à son axe. Lorsqu'une tension supérieure à un certain niveau de seuil est appliquée entre des électro- des formées sur les plaques de base 24 et 24a, une structu- re en hélice de la molécule de cristal liquide 26 est desserrée ou déroulée, ce qui change la direction d'aligne- ment des molécules de cristal liquide respectives 26 de façon que tous les moments dipolaires (Pli) 27 soient diri- gés dans la direction du champ électrique. Les molécules de cristal liquide 26 ont une forme allongée et présentent une anisotropie de réfraction entre leur grand axe et leur petit axe. On comprend donc aisément que lorsque, par exemple, des polariseurs disposés à la manière de nicols croisés, c'est- à-dire avec leurs directions de polarisation mutuellement croisées, sont placés sur les surfaces supérieure et infé- rieure des plaques de verre, la cellule à cristaux liquides ainsi formée se comporte comme un dispositif de modulation optique à cristaux liquides, dont les caractéristiques optiques varient en fonction de la polarité d'une tension appliquée. En outre, lorsque l'épaisseur de la cellule à cristaux liquides est suffisamment faible (par exemple lpm), la structure en hélice des molécules de cristal liqui- de est desserrée même en l'absence d'un champ électrique, ce qui fait que le moment dipolaire prend l'un ou l'autre des deux états, c'est-à-dire P dans une direction montante 27 ou Pa dans une direction descendante 27a, comme le montre la figure 3. Lorsque des champs électriques E ou Ea supérieurs à un certain niveau de seuil et ayant des polarités mutuel- lement différentes, comme il est représenté sur la figure 3, sont appliqués à une cellule ayant les caractéristiques mentionnées ci-dessus, le moment dipolaire est dirigé soit dans la direction montante 27,soit dans la direction descendante 27a, selon le vecteur du champ électrique E ou Ea. En correspondance avec ceci, les molécules de cristal liquide sont orientées dans un premier état stable 28 ou dans un second état stable 28a. Lorsqu'on utilise le cristal liquide ferroélec- trique précité en tant qu'élément de modulation optique, il est possible d'obtenir deux avantages. Premièrement, la vitesse de réponse est très élevée. Secondement, l'orienta- tion du cristal liquide présente un caractère bistable. On expliquera de fagon plus détaillée le second avantage en se référant par exemple à la figure 3. Lorsque le champ élec- trique E est appliqué aux molécules de cristal liquide, celles-ci sont orientées dans le premier état stable 28. Cet état demeure stable même si on supprime le champ élec- trique. D'autre part, lorsqu'on applique le champ électri- que Ea dont la direction est opposée à celle du champ élec- trique E, les molécules de cristal liquide sont orientées dans le second état stable 28a, ce qui change les direc- tions des molécules. Cet état demeure également stable même si on supprime le champ électrique. En outre, aussi longtemps que l'intensité du champ électrique E ou Ea qui est appliquée ne dépasse pas une certaine valeur de seuil, les molécules de cristal liquide sont placées dans les états d'orientation respectifs. Pour obtenir effectivement une vitesse de réponse élevée et un caractère bistable, il est préférable que l'épaisseur de la cellule soit aussi faible que possible, et de façon générale de 0,5 à 20 pm, et en particulier de 1 à 5 pim. Un dispositif électro-optique à cristaux liquides ayant une structure d'électrodes matri- cielle qui utilise le cristal liquide ferroélectrique de ce type est proposé par exemple dans le brevet des E.U.A. nO 4 367 924. La figure 1 est un schéma de circuit illustrant un principe fondamental de l'invention. Comme le montre la figure, un ensemble de TEC (c'est-à- dire des transistors à effet de champ) sont disposés à chaque intersection entre des lignes de signal de balayage M et des lignes de signal d'affichage, disposées de façon à former une matri- ce. Les grilles de l'ensemble de TEC sont connectées en commun à une ligne de signal d'affichage, et des premières bornes faisant fonction de sources ou de drains pour l'en- semble de TEC sont connectées en commun à une ligne de signal de balayage (. Chaque borne parmi des secondes bornes faisant fonction de drains ou de sources de l'ensem- ble de TEC est connectée à une électrode d'élément d'image. Il existe en outre un nombre correspondant de contre- électrodes qui sont respectivement disposées face aux élec- trodes d'élément d'image. L'attaque du panneau d'affichage s'effectue de la manière suivante. On applique un signal de balayage aux lignes de signal de balayage D dirigées vrers les premières bornes qui constituent les sources ou les drains des TEC, et on applique également un signal de balayage à des lignes à balayage t qui sont disposées parallèlement aux lignes de balayage Q et qui sont diri- gées vers l'ensemble de contre-électrodes. D'autre part, on applique un signal d'affichage aux lignes de signal d'affichage disposées perpendiculairement aux lignes de signal de balayage ( et aux lignes de signal de balayage . Lorsqu'il y a n éléments d'image pour l'afficha- ge, le nombre de lignes conductrices nécessaires est géné- ralement de r' x 2, tandis que le nombre de lignes conduc- trices nécessaires conformément à l'invention est d'environ tn x 3. Lorsqu'il n'existe pas de nombre naturel correspon- dant à la racine cubique de n, il est nécessaire d'augmen- ter légèrement le nombre de lignes conductrices par rapport à l'estimation ci-dessus. Comme le montre la structure de circuit représen- tée sur la figure 1, et conformément à l'invention, on effectue l'opération d'affichage d'une image en utilisant deux groupes de lignes de signal parmi trois en tant que groupes de lignes de signal de balayage pour la sélection de lignes d'écriture, tandis qu'on applique un signal d'affichage au groupe de lignes de signal restant. Plus précisément, on applique une tension de signal à la grille d'un TEC de façon que ce dernier soit dans un état conduc- teur, tout en établissant simultanément un champ électrique entre la source et le drain du TEC, c'est-à-dire les bornes autres que la grille, et on commande la polarité du champ de façon à commuter lrétat d'affichage entre deux états, c'est-à-dire un premier état d'orientation et un second état d'orientation du cristal liquide. Par conséquent, con- formément à l'invention, on utilise de préférence un cris- tal liquide ferroélectrique qui peut prendre sélectivement un état quelconque parmi deux états optiquement stables, c'est-à-dire un premier état et un second état, en fonction de la polarité du champ électrique. On utilise donc de pré- férence un cristal liquide ferroélectrique ayant un carac- tère bistable par rapport au champ électrique. En utilisant un TEC en tant qu'élément actif, le choix de celle des deux bornes autres que la borne de grille qui fait fonction de source, tandis que l'autre fait fonction de drain, dépend de la polarité de la tension appliquée, indépendamment du fait que le TEC soit du type p ou du type n. Dans le cas d'un TEC de type n, la borne qui est à un potentiel infé- rieur est la source, tandis qu'avec un TEC de type p, la borne qui est à un potentiel supérieur constitue la source. On peut fixer à des valeurs désirées les niveaux de tension sur les électrodes de signal individuelles, et ces valeurs ne sont pas limitées aux valeurs des exemples donnés ci-dessous, à condition de conserver certaines différences de potentiel entre les signaux. On va maintenant décrire en relation avec les figures 1 et 4 à 7 un exemple spécifique de l'opération d'affichage d'une image au moyen du dispositif d'affichage à cristaux liquides conforme à l'invention. Dans le circuit de la figure 1, les éléments actifs ou d'attaque sont des TEC de type n, de préférence des TCM (transistors à couches minces), et le cristal liquide est un cristal liquide ferroélectrique. Diverses tensions destinées à l'écriture d'une configuration d'affichage prédéterminé, représentée sur la figure 5, sont fixées à des valeurs désirées capables de satisfaire les conditions suivantes. (1) Cas dans lequel un état "lumineux" est écrit à une position pour laquelle n=a parmi les lignes de signal de balayage t_, m=b parmi les lignes de signal de balayage O et l=c parmi les lignes de signal d'affichage: V m+VL C e VSn (n=a, m=b) un état "lumineux" est V(m=b, l=c) ecrit sur les lignes Q, VGl-Vp > Vcm+VLc (m=b, l=c) sélectionnées VGlVP C VCm+VLC (m=b, lc)} points non sélectionnés sur les lignes (D, () 1 sélectionnées VGl-Vp z Vcm+VLc (m4b, I=toutes) lignes Q sélectionnées ou VCm+VLc > VSn (n=a, m4b) lignes non sélectionnées VCm-VLC Vsn (m=b, nCa) lignes Q sélectionnées Vcm-VLc C VSn (mCb, nCa) lignes G non sélectionnées et VCm+ VLC > VSn (mb, n4a) ou VGl-VP VSn (n4a, l=toutes)llignes C non sélectionnées VG-VP Vsn (n=a, m=b) un état "sombre est écrit sur les lignes Q, VGl-VP > VSn (n=a, lÉc) sélectionnées VGl-Vp les lignes, D sélec- J tionnées VCm-VLC VSn (n=a, m4b) J lignes C non sélectionnées VGVp 4 VSn (nia, 1=toutes) 'lignes n non sélectionnées ou i VCm-VLC L VSn (-n-a, m=b) j lignes sélectionnées VCm VLC 4 VSn (mb, n4a) lignes O non sélectionnées et VCm+ VLC > VSn (m4b, n4a) lignes non sélectionnées ou VGl-Vp VSn (nia, l=toutes) VGl-VP Vcm+VLc (m4b, l=toutes) Dans ce qui précède, les symboles respectifs ont les significations suivantes: VLC: valeur absolue de la tension de seuil d'un cristal liquide ferroélectrique, Vp: tension de seuil de grille des TEC consti- tuant la matrice active, ll VSn: tension sur la ligne de signal de balayage C, VCm: tension sur la ligne de signal de balayage O, et VGl: tension sur la ligne de signal d'affichage. La figure 6 montre les formes de diverses tensions de signal pendant les phases t1 à t8. Dans les graphiques de la figure 6, la tension est portée en ordonnée et le temps est porté en abscisse. La figure 7 illustre une opération d'écriture qui utilise les signaux électriques représentés sur la figure 6. Dans les graphiques de la figure 7, l'état d'affichage est porté en ordonnée, avec le côté supérieur représentant un état "conducteur" (sombre) et le côté infé- rieur représentant un état "bloqué" (lumineux), et le temps est porté en abscisse. Les graphiques montrent que les élé- ments d'image sont "sombres" ou "lumineux" à diverses pha- ses ou intervalles de temps. Sur la figure, QN-1 indique que l'état de signal dans le cycle de balayage précédent est conservé. Les positions ou coordonnées des éléments d'image individuels indiqués sur la figure 7 sont représen- tées sur la figure 4. La configuration d'affichage désirée représentée sur la figure 5 est obtenue par les opérations indiquées ci-dessus, aux phases t1 à t8. Bien qu'on ait expliqué en relation avec la figu- re 6 un mode de réalisation dans lequel Vp=O, on peut déca- ler VG (c'est-à-dire la tension de grille) d'une valeur égale à Vp dans un cas dans lequel Vp4O. Lorsqu'on utilise la matière "DOBAMBC" pour le cristal liquide ferroélectri- que dans l'exemple ci-dessus, VLC=l à 20 V, la température de fonctionnement est de 75 à 85 C, et le temps nécessaire pour l'écriture d'un élément d'image est d'environ 50 ls. Le panneau à cristaux liquides conforme à l'in- vention comprend une matrice active utilisant des TEC, ce qui permet d'éliminer un problème de diaphonie qui se mani- feste dans un système d'affichage à matrice passive de type classique. A titre d'exemple, un ensemble de TEC connectés en commun à un point d'intersection de la matrice sont pla- cés simultanément à l'état conducteur ou bloqué. Néanmoins, si le potentiel des contre-électrodes (par exemple les lignes de signal de balayage ) correspondant à des élé- ments d'image non sélectionnés est amené à un niveau identi- que à celui des lignes de signal de balayage O lorsque les TEC respectifs sont placés à l'état conducteur, aucune ten- sion n'est appliquée aux éléments d'image non sélectionnés. En d'autres termes, lorsque les TEC sont placés à l'état conducteur, aucune tension n'est appliquée à la couche de cristal liquide aux éléments d'image non sélectionnés, du fait qu'il n'y a pas de différence de potentiel entre les lignes de balayage Q et. D'autre part, lorsque les TEC sont dans l'état bloqué, du fait que les TEC sont for- més indépendamment pour des éléments d'image respectifs, aucune tension n'est appliquée à la couche de cristal liqui- de au niveau des éléments d'image respectifs, indépendam- ment des tensions appliquées aux lignes de signal de bala- yage. Ainsi, une tension déterminée n'est appliquée qu'à des éléments d'image sélectionnés, ce qui fait qu'il n'apparat pas de diaphonie. Dans le mode de réalisation ci-dessus, une seule contre-électrode est placée face à une électrode d'éléments d'image. On peut cependant également placer plusieurs contre-électrodes face à une électrode d'éléments d'image. Dans une telle configuration, le nombre d'éléments d'image sur un panneau peut être supérieur au nombre de TEC sur le panneau. Dans ce cas, une diaphonie peut se produire entre plusieurs éléments d'image formés en correspondance avec une seule électrode d'élément d'image. On peut cependant minimiser suffisamment la possibilité de diaphonie si le nombre d'éléments d'image correspondant à une électrode d'élément d'image est faible. La figure 8 est une coupe partielle d'un substrat de TCM prévu pour être utilisé dans l'invention, la figure 9 est une coupe partielle montrant une cellule à cristaux liquides ferroélectriques comportant un substrat de TCM représenté sur la figure 8, avec une forme légèrement modi- fiée, la figure 10 est une vue en plan du substrat de TCM, la figure 8 correspondant à une coupe selon la ligne A-A de la figure 10, et la figure 11 est une coupe selon la ligne B-B de la figure 10. L'explication faite ci-après, en se référant essentiellement à la figure 9, permet de compren- dre la structure du dispositif à cristaux liquides et du substrat de TCM qui est utilisé dans ce dispositif. La figure 9 montre un mode de réalisation du dis- positif à cristaux liquides conforme à l'invention. Comme il est représenté, des TCM sont formés sur une plaque de base 8, en verre, en matière plastique, etc, et chacun d'eux comprend une électrode de grille 9 connectée à une ligne de signal 6', une couche semiconductrice 10 (en sili- cium amorphe dopé avec des atomes d'hydrogène) formée sur l'électrode de grille avec interposition d'une couche iso- lante 6 (par exemple une couche de nitrure de silicium dopée avec des atomes d'hydrogène), et deux bornes 1 et 4 disposées de façon contiguë à la couche semiconductrice 10, avec interposition facultative d'une couche n+ 3 (non représentée sur la figure 9). Des électrodes d'élément d'image 5 (en oxyde d'indium-étain) sont également formées sur la plaque de base 8, et chacune d'elles est connectée à la borne 4 de chaque TCM. Une électrode transparente 11 (non représentée sur la figure 9) peut ête interposée facultativement au-dessous de la grille 9. Les éléments décrits ci-dessus sont recouverts par une couche isolante 7 d'une matière telle qu'un polyimide,un polyamide, l'alcool polyvinylique, le polyparaxylylène, SiO et SiO2. Des couches 2 empêchant le passage de la lumière, en une matiè- re telle que l'aluminium ou le chrome, sont formées sur la couche isolante 7. Des contre-électrodes 15 (en oxyde d'in- dium-étain) sont formées sur la surface en regard de l'autre plaque de base 8a. Il existe également une couche isolante 16 qui fait fonction de couche de commande d'orientation. Comme indiqué ci-dessus, un cristal liquide ferroélectrique 17 est placé entre les plaques de base 8 et 8a. Une matière d'étanchéité 19 est placée le long de la périphérie des pla- ques de base 8 et 8a pour enfermer de façon étanche le cristal liquide ferroélectrique 17. Des polariseurs 13 et 13a sont placés dans la con- figuration de nicols croisés sur des faces opposées du dis- positif à cristaux liquides ayant la structure de cellule ci-dessus. En outre, un réflecteur 12 consistant en une feuille ou une plaque d'aluminium dispersant la lumière est placé derrière le polariseur 13a, de façon qu'un observateur A puisse reconnaître l'état d'affichage par la lumière réfléchie Il qui résulte de la lumière incidente Io. Sur les figures ci-dessus, les électrodes de sour- ce et de drain d'un TEC ne portent cette dénomination que lorsqu'un courant circule du drain vers la source. Il est possible que la source fonctionne en drain, selon la fonc- tion du TEC. Conformément à l'invention et à la description qui précède, on peut réduire considérablement le nombre de lignes de signal par rapport à la structure de circuit de l'art antérieur. On obtient donc une amélioration remarqua- ble en ce qui concerne la simplification de la structure de circuit. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif de modulation optiquecaractérisé en ce qu'il comprend: un ensemble de premières lignes de signal (S1-Sn-SN); un ensemble de secondes lignes dé signal (G1-G-GL) rencontrant les premières lignes de signal; un ensemble de transistors à effet de champ disposés à chaque intersection des premières et secondes lignes de signali chaque transistor à effet de champ comprenant une grille (9) connectée à une seconde ligne de signal, une première borne (1) autre que la grille (9) connectée à une première ligne de signal, et une seconde borne (4) autre que la grille (9); une électrode d'élément d'image (5) connectée à la seconde borne (4); une contre-électrode (15) disposée face à l'électrode d'élément d'image ( 5) et connectée à une troi- sième ligne de signal (C1-Cm-CM); et une matière de modu- lation optique (17) présentant un premier état stable et un second état stable, intercaléeentre l'électrode d'élément d'image (5) et la contre-électrode (15). 2. Dispositif de modulation optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premières lignes de signal (S1-Sn-SN) connectées aux premières bornes (1) constituent les sources ou les drains des transistors à effet de champ, et les troisièmes lignes de signal (C1-Cm- CM) connectées aux contre-électrodes sont disposées mutuellement en parallèle, et les bornes de grille (9) de l'ensemble de transistors à effet de champ disposés à cha- que intersection sont connectées en commun à une seconde ligne de signal (Gi-G -GL), avec la seconde ligne de signal disposée perpendiculairement aux premières et troisièmes lignes de signal. 3. Dispositif de modulation optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que plusieurs contre- électrodes (15) sont disposées face à une électrode d'élé- ment d'image (5). 4. Dispositif de modulation optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière de modu- lation optique est un cristal liquide ferroélectrique (17). 5. Dispositif de modulation optique selon la revendication 4, caractérisé en ce que le cristal liquide ferroélectrique (17) est un cristal liquide smectique chi- ral. 6. Dispositif de modulation optique selon la revendication 4, caractérisé en ce que le cristal liquide ferroélectrique (17) est un cristal liquide smectique chi- ral à structure non hélicoidale. 7. Dispositif de modulation optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transistor à effet de champ est un transistor à couches minces. 8. Procédé d'attaque pour un dispositif de modula- tion optique, caractérisé en ce que: on établit un disposi- tif de modulation optique comprenant un ensemble de premiè- res lignes de signal (S1-Sn-SN); un ensemble de secondes lignes de signal (G1-G-GL) rencontrant les premières lignes de signal; un ensemble de transistors à effet de champ disposés à chaque intersection des premières et secondes lignes de signal, chaque transistor à effet de champ comprenant une grille (9) connectée à une seconde ligne de signal, une première borne (1) autre que la grille (9) connectée à une première ligne de signal, et une secon- de borne (4) autre que la grille (9); une électrode d'élément d'image (5) connectée à la seconde borne (4); une contre-électrode (15) disposée face à l'électrode d'élément d'image (15) et connectée à une troisième ligne de signal (Ct-Cm-CM); et une matière de modulation optique (17) présentant un premier état stable et un second état stable, intercaléeentre l'électrode d'élément d'image (5) et la contre-électrode (15); on applique des signaux de balayage aux premières lignes de signal (S1-Sn-SN) connec- tées aux premières bornes (1) des transistors à effet de champ, et aux troisièmes lignes de signal (Cl-Cm-CM) connec- tées aux contre-électrodes (15); et on applique des signaux d'information aux secondes lignes de signal (G1-G-GL). 9. Procédé d'attaque selon la revendication 8, caractérisé en ce que les premières lignes de signal (S1-Sn-SN) sont connectées aux sources ou aux drains des transistors à effet de champ, et les secondes lignes de signal (Gl-Ge-GL) sont connectées aux grilles (9) des transistors à effet de champ. 10. Procédé d'attaque selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend: une première phase dans laquelle on applique un signal pour orienter la matière de modulation optique (17) dans le premier état stable, pour des éléments d'image connectés à des premières lignes de signal (Sl-Sn-SN) sélectionnées, à des secondes lignes de signal (G1-G.GL) sélectionnées et à des troisièmes lignes de signal (C1-Cm-CM) sélectionnées, et une seconde phase dans laquelle on applique un signal pour orienter la matiè- re de modulation optique (17) dans le second état stable pour des éléments d'image connectés à des premières lignes de signal sélectionnées, à des troisièmes lignes de signal sélectionnées et à des secondes lignes de signal non sélec- tionnées. 11. Procédé d'attaque selon la revendication 10, caractérisé en ce que les première et seconde phases de fonctionnement sont accomplies simultanément. 12. Procédé d'attaque selon la revendication 8, caractérisé en ce que plusieurs contre-électrodes (15) sont disposées face à une électrode d'élément d'image (5). 13. Procédé d'attaque selon la revendication 8, caractérisé en ce que la matière de modulation optique est un cristal liquide ferroélectrique (17). 14. Procédé d'attaque selon la revendication 13, caractérisé en ce que le cristal liquide ferroélectrique (17) est un cristal liquide smectique chiral. 15. Procédé d'attaque selon la revendication 13, caractérisé en ce que le cristal liquide ferroélectrique (17) est un cristal liquide smectique chiral ayant une structure non hélicoidale. 16. Procédé d'attaque selon la revendication 8, caractérisé en ce que le transistor à effet de champ est un transistor à couches minces.