FR 2579816 A1 19861003 FR 8504824 A 19850329 "MEMOIRE A ACCES SELECTIF A CHARGE ACTIVE" L'invention concerne une mémoire à accès sélectif (RAM) à charge active pour le stockage d'informations binaires, et com- portant une pluralité de cellules organisées en lignes et en co- lonnes, chaque cellule comportant un premier et un deuxième transistor d'un premier type comportant chacun d'une part un premier et un deuxième émetteur, les premiers émetteurs étant connectés entre eux et les deuxième émetteurs étant connectés chacun à un conducteur de sélection de colonne, d'autre part, une base connectée au collecteur respectivement d'un troisième et d'un quatrième transistor du deuxième type opposé audit pre- mier type et enfin un collecteur connecté à la base respective- ment du troisième et du quatrième transistor, le collecteur du troisième transistor étant connecté à la base du quatrième tran- sistor et vice-versa, et les émetteurs du troisième et du qua- trième transistor étant connectés entre eux et à un conducteur de sélection de ligne. Des mémoires à semiconducteur du type indiqué sont bien connues des spécialistes, tant en ce qui concerne leur organisa- tion générale que le fonctionnement de chacune des cellules él1- mentaires ou se trouve stockée l'information sous la forme de deux états possibles de conduction, un état de conduction dans une demi-cellule, (par exemple, premier et troisième transis- tor), cet état imposant le blocage de l'autre demi-cellule qui lui est associée (dans ce cas, deuxième et quatrième transis- tor). Une cellule du type à transistors complémentaires est dé- crite notamment dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 257 059. On sait que, lorsqu'une demi-cellule est dans l'état pas- sant, les deux transistors complémentaires de cette demi-cellule sont saturés au point que le produit de leur gain respectif soit égal à 1. Ceci est vrai indépendamment de la valeur du courant -2 - qui y circule de sorte que, même aux bas niveaux de courant tels qu'ils sont utilisés pour le maintien de l'information, de l'or- dre de quelques microampères, les transistors de la demi-cellule en question sont encore fortement saturés. Le phénomène de saturation entraîne un inconvénient sur lequel il convient de s'expliquer plus en détail. Dans ce qui suit, pour simplifier et en se référant à la pratique courante, les premier et deuxième transistors du premier type de conduc- tion, multi-émetteurs, seront choisis du type NPN et les tran- sistors du second type seront des PNP. Considérons, parmi une colonne de cellules, la sélection d'une cellule particulière, par exemple en vue de la lecture. Cette sélection a été déterminée par une élévation de la tension du conducteur de sélection de ligne qui est connecté à cette cellule particulière. Au sein de la cellule, particulière, l'une des demi-cellules est passante de sorte que le conducteur cor- respondant de lecture/écriture ou conducteur de sélection de co- lonne voit également son potentiel se relever puisque le deuxiè- me émetteur de son transistor NPN, (par exemple le premier tran- sistor), débite le courant de sélection sur ce conducteur de lecture/gcriture. Les autres cellules de la même colonne, qui ne sont pas sélectionnées à cet instant, sont seulement soumises au courant de maintien. Certaines de ces autres cellules ont leur demi-cellules à l'état passant du même cSté que la cellule par- ticulière sélectionnée. Le deuxième émetteur de leur premier transistor NPN, est rappelons-le connecté au même conducteur de lecture/9criture. Il s'ensuit que pour ces autres cellules de la colonne, chaque deuxième émetteur se trouve polarisé en inverse, ou bien en direct sous une tension inférieure à une tension di- recte de diode (Vbe). Ces transistors fonctionnent en inverse, étant donné que le premier émetteur met en saturation ceux-ci et donc ouvre leur jonction base-collecteur. Il s'ensuit un courant inverse indésirable qui circule dans ces émetteurs, qui jouent le r8le de collecteurs. Outre que le courant inverse mentionné peut s'élever, pour une seule cellule, à une fraction très notable de la valeur -3- du courant de maintien risquant ainsi de perturber gravement le fonctionnement de cette cellule, ce courant se trouve également cumulé le long d'un conducteur de lecture/9criture et peut être ainsi multiplié par un nombre qui peut atteindre le nombre de cellules (moins une) contenues dans une colonne. Dans le cas de mémoires de grande capacité, le courant de fuite total sur une colonne peut devenir ainsi une fraction non négligeable du cou- rant de sélection lui-même créant de ce fait, des désordres im- portants notamment au niveau des circuits périphériques de lec- ture/gcriture. De plus, la valeur du courant inverse mentionné dépend de la valeur du gain inverse des transistors NPN, gain inverse que l'on maîtrise difficilement en pratique, et qui peut fluctuer d'un lot de fabrication à un autre. L'invention a pour but de remédier aux difficultés men- tionnges plus haut, au moins dans une large mesure. Une mémoire à accès sélectif selon l'invention se carac- térise en ce que, afin de diminuer le courant inverse des cellu- les non sélectionnées, une diode est connectée en parallèle sur la jonction émetteur-base de chacun des troisième et quatrième transistors de chaque cellule et dans le même sens que ladite jonction. La modification des cellules selon l'invention telles que définies ci-dessus non seulement est compatible avec le perfec- tionnement connu en soi du brevet GB 1 405 285 (FERRANTI), dans le contexte assez différent des cellules à charge r9sistive, mais encore elle permet d'obtenir avec celui-ci un cumul d'ef- fets sur le courant inverse. Ledit perfectionnement consiste rappelons-le, à munir les premier et deuxième transistors de chaque cellule d'un troisième émetteur court-circuité avec la base du transistor correspondant. Ceci ne diminue pas la valeur totale du courant inverse dans la demi-cellule concernée, mais une part importante de celui-ci est générée à partir du courant de base du transistor correspondant diminuant d'autant le cou- rant indésirable dans le conducteur de colonne. Selon une variante, ladite diode est constituée par la -4 jonction cnllecteur-base d'un transistor de dérivation du pre- mier type, eont l'émetteur et la base sont court-circuités entre eux et connectés audit conducteur de sélection de ligne. Selon un mode de réalisation de cette variante, chacun des premier et deuxième transistors multi-imetteurs de chaque cellule est un transistor vertical dont le collecteur est cons- titué par une couche enterrée dont la base est constituée par une première région superficielle dans laquelle sont ménagés lesdits émetteurs, chacun des troisième et quatrième transistors de chaque cellule est un transistor latéral dont le collecteur est constitué par ladite première région superficielle, dont l'émetteur est constitué par une deuxième région superficielle séparée de la première par une première portion superficielle étroite prolongeant localement en surface la couche enterrée et qui constitue la base du transistor latéral, et le transistor de dérivation est un deuxième transistor vertical dont la région d'émetteur est ménagé dans la deuxième région superficielle qui constitue sa base et dont le collecteur est constitué par ladite couche enterrée. Ce mode de réalisation permet de mettre en oeu- vre l'invention sans augmenter la dimension des cellules. La région d'émetteur du deuxième transistor vertical peut etre disposée au moins partiellement en dessous du conducteur de sélection qui assure ainsi le court-circuit entre son émetteur et sa basse. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la des- cription qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif en liaison avec les dessins qui représentent: - la figure 1, un schéma de l'organisation des cellules au sein d'une mémoire selon l'art antérieur, - la figure 2, un schéma électrique d'une cellule selon l'inven- tion, et la figure 3 un schéma de celle-ci incorporant ledit perfec- tionnement connu, - les figures 4 et 5, deux variantes du schéma électrique de l'invention, la figure 7 incorporant ledit perfectionnement con- nu, --5-- - les figures 6 et 7 respectivement en vue de dessus et en coupe verticale AA un mode de réalisation du schéma des figures 4 et 5. La figure 1 est un schéma d'une partie d'une mémoire à semiconducteurs selon l'art antérieur. Les rectangles la, lb, lc... représentent chacun une des cellules d'une colonne, tandis que les rectangles 2a, 2b et 2c... représentent les cellules de la colonne suivante. Les cellules d'une ligne, la, 2a... sont connectées en parallèle entre un conducteur de sélection de li- gne 10a et une source de courant de maintien 20a. De même, les cellules lb 2b... de la ligne suivante sont connectées entre un conducteur de sélection de ligne lOb et une source de courant de maintien 20b. La même disposition se répète encore pour les li- gnes suivantes de cellules telles que lc, 2c... les conducteurs de sélection de ligne tels que 10c et les sources de courant de maintien telles que 20c. On a fait figurer, à propos de la cellule la, les 5lé- ments constitutifs d'une cellule à savoir un premier transistor Tla de type NPN à deux émetteurs, le premier de ces deux émet- teurs, dit "émetteur de maintien", étant relié à la source de courant de maintien 20a. La base et le collecteur du transistor Tla sont connectés respectivement au collecteur et à la base du transistor T3a, de type PNP, pour former une demi-cellule. L'é- metteur du transistor T3a est connecté au conducteur de sélec- tion de ligne 10a. Le deuxième émetteur, dit "émetteur de sélec- tion" du transistor Tla est relié à un conducteur de lectu- re/écriture 15 pour la lecture ou l'écriture de la mémoire. L'ensemble formé à partir des transistor Tla et T3a constitue une première demi-cellule, tandis qu'un transistor T2a de type NPN, à deux émetteurs est associé à un transistor T4a, de type PNP, pour former une seconde demi-cellule identique à la pre- mière demi-cellule. Ces deux demi-cellules se trouvent ainsi connectées en parallèle entre le conducteur de sélection de li- gne 10a et la source de courant de maintien 20a. La première et la seconde demi-cellule sont interconnectées entre elles de ma- nière connue par couplage croisé, la base et le collecteur du -6 transistor T1a étant connectés respectivement au collecteur et à la base du transistor T2a. L'émetteur de maintien du transistor T2a est relié à la source de courant de maintien 20a, alors que l'émetteur de sélection du même transistor est relié à un autre conducteur de lecture/9criture 16, pour la lecture ou l'écriture d'une information d'état qui est l'inverse de celle du conduc- teur 15. Les autres cellules de la mémoire sont constituées d'élé- ments semblables. Au sein des cellules lb et 1c, on a seulement fait figurer les transistors NPN multi-émetteurs T1b, Tlc, et T2b, T2c, dont la fonction est respectivement similairede celle des transistors Tla et T2a. Aux conducteurs 15 et 16 de la première colonne, sont connectés respectivement les transistors de lecture/écriture T151 et T161 associés à cette colonne. De même, pour les colon- nes suivantes, telles que celle représentée par les cellules 2a, 2b, 2c..., d'autres transistors de lecture/écriture sont connec- tés aux conducteurs de colonnes, transistors représentés par T152 et T162 sur la figure. Dans l'ensemble des transistors T151, T152..., les bases sont réunies entre elles et les collec- teurs également. Une disposition similaire est utilisée en ce qui concerne l'ensemble des transistors T161, T162... On va maintenant préciser, à l'aide des valeurs numéri- ques relevées sur un exemple pratique, la difficulté qui se pré- sente lorsqu'on utilise une telle m6moire de l'art antérieur, difficulté à laquelle l'invention se propose de remédier. On supposera que l'on a sélectionné la ligne 1Oa et que l'on cherche à faire la lecture de la colonne la, lb, lc par les conducteurs 15 et 16. Supposons encore qu'à cet instant, toutes les demi-cellules sont à l'état passant du côté gauche de la fi- gure, c'est-à-dire que les transistors Tla, T3a, Tlb, Tlc con- duisent (la base de Tla, Tlb... est au niveau haut H et celle de Tlb, T2b. au niveau bas B). Selon une pratique courante en technique ECL, le niveau haut H est à -1,6 V et le niveau bas B..DTD: est à -2,4V. Les courants de maintien, par demi-cellule, ont été choi- -7- sis de 25uA environ tandis que le courant de lecture est prévu de l'ordre de 1000jA. Les conducteurs de sélection o10b, O10c des lignes non sélectionnées sont portés à -2,6 volt alors que le conducteur sélectionné 10a est porté à un potentiel de -1,6 volt. Le conducteur de colonne 15 se trouve à -2,4 volt, soit 0,8 volt plus bas que H, l'essentiel de cette chute de tension étant représenté par le Vbe du transistor Tla dont l'émetteur débite sur le conducteur de colonne 15. Le niveau de lecture H+ B H est présent sur la base du transistor T151. La tension des conducteurs de sélection de ligne 10b et 1Qc de -2,6 volt est reportée avec une légère chute de tension sur la base du transistor Tlb et sur celle du transistor Tic puisque, par hypothèse, ces transistors sont dans un état pas- sant par leur émetteur de maintien. Comme les transistors Tlb et Tlc sont par ailleurs dans un état saturé provoqué par le cou- rant de maintien débité par leur émetteur de maintien, leur jonction basecollecteur se trouve polarisée au voisinage du sens direct de ces jonctions. Les conditions défavorables sont alors réunies pour que les transistors Tlb et Tlc travaillent en fonctionnement inver- se, cette fois-ci non sature, au niveau de leurs émetteurs de sélection E2, c'est-à-dire que les rôles des émetteurs de sélec- tion E2 et des collecteurs se trouvent inversés par rapport à leur désignation habituelle. On peut constater qu'en pratique, il entre effectivement un courant indésirable, dit "inverse", dans l'émetteur de sélec- tion E2 de chacun des transistors Tlb et Tlc, courant dont la valeur est de l'ordre de plusieurs uA par émetteur. Outre qu'au niveau d'une cellule, ce courant n'est pas négligeable par rap- port au courant de maintien et-qu'il peut compromettre le fonc- tionnement des transistors PNP associés, du fait que ceux-ci sont appelés à travailler sous un courant beaucoup plus faible que prévu, les courants inverse des cellules lb, -c, etc... d'une même colonne s'additionnent sur un conducteur de colonne tel que le conducteur 15. Dans le cas d'une mémoire de forte ca- pacité, ayant par exemple 64 cellules par colonne, la somme des - 3 courants i*-erse peut devenir une fraction non négligeable du courant de sélection lui-meme, entraînant ainsi des perturbation sérieuses dans le fonctionnement des circuits de lecture/ecritu- re d'une colonne. On a représenté à la figure 2 une cellule particulière, référencée lb, et qui n'est autre que la cellule lb de la figure 1 modifiée selon l'invention, les élements communs avec l'art antérieur conservant par ailleurs la même référence. Selon l'n- vention, on dispose une diede (D1, D2) en paralilèe dans chacun des trajets émetteur-base des transistors resPectivement T3b et T4b et dans le meme sens. En d'autres termes, pour des transis- tors T3b et T4b du type PNP, les diodes Dl et D2 sont dans le sens direct entre le conducteur de sélection de ligne lob et la base desdits transistors. On pourrait penser a priori que cette adjonction serait pénalisante du fait que ces diodes D1 et D2, du fait qu'elles dérivent du courant devant passer dans le transistor, ont pour effet de faire chuter le gain, l'ensemble diode-transistor asso- ci ayant en effet un gain nettement plus faible que le transis- tor seul et d'autant plus faible que les diodes dérivent plus de -courant. L'invention repose tout d'abord sur le fait que, tant que le produit des gains des deux transistors reste suffisamment su- périeur à l'unité, il est possible de conserver la stabilité de la cellule. Le deuxième point important est la constatation par la Demanderesse que le paramètre qui détermine directement la va- leur du courant inverse n'est pas un paramètre de courant, comme l'enseigne l'art antérieur, mais un paramètre de tension: il s'agit de la valeur de la tension collecteur-base Vbc de transistor Tlb ou T2b, selon le cas, et la variation du courant inverse est très rapide (division par deux pour une diminution de la tension Vbc de 18 mV). Le troisième point important est l'utilisation du fait que, si c'est le transistor Tlb par exemple qui est traversé par ledit courant inverse, l'autre transistor T3b de la même demi- -9- cellule est à l'état saturé. Dans ce cas, la diode D1 produit une dérivation du cQurant d'émetteur Ie du transistor T3b et la tension émetteur-base Vbe diminue. (de 18mV pour une division par deux du courant Ic). La tension émetteur-collecteur Vce déjà faible (de l'or- dre de 50 mV) diminue également, mais d'une quantité inférieure à la diminution du Vbe de T3b car l'état saturé du transistor T3b n'est que faiblement modifié. La tension du collecteur du transistor Tlb étant plus basse que celle de sa base, (la jonc- tion base-collecteur est presque ouverte) la tension collecteur- base Vbc du transistor Tlb diminue, ce qui produit une diminu- tion du courant de fuite. A titre d'exemple on prend une diode D1 dérivant 60% du courant d'émetteur du transistor T3b soit une division du cou- rant Ie par 2,5, la tension de la base de T2b remonte de 25mV, et donc celle du collecteur de Tlb, et la tension du collecteur de T2b remonte de lOmV seulement, et donc celle de la base de Tlb. Globalement, la tension Vcb des transistors Tlb diminue de -10=15mV. Il en résulte une diminution du courant de fuite dans un rapport égal à peu près à 1,79. Selon la figure 3, les transistors Tlb et T2b sont chacun pourvus d'un troisième émetteur respectivement E3 et E'3 court- circuités avec la base, ainsi qu'il est connu en soi du brevet GB 1 405 285 (FERRANTI) précité. On obtient de manière remarqua- ble un cumul des résultats procurés par les diode D1 et D2 d'une part et les émetteur E3 et E'3 d'autre part. En effet, ainsi qu'il a été mentionné ci-dessus, c'est la tension collecteur- base Vbc des transistors Tlb et T2b qui est déterminante pour la valeur du courant de fuite. L'émetteur supplémentaire E3, si c'est la demi- cellule de gauche qui est saturée, fournit une partie du courant de fuite, par exemple 50% de celui-ci si les émetteurs E2 et E3 ont la même surface, la valeur totale du cou- rant de fuite restant la même que dans le cas de la figure 2. Dans l'exemple ci-dessus, le courant de fuite dans le conducteur de colonne 15 est encore divisé par 2 par rapport au cas de la figure 2. - 10 - Selon les figures 4 et 5 dans lesquelles les mêmes élé- ments portent les mêmes références que dans les figures 3 et 4, les diodes D1 et D2 sont constituées par la jonction collecteur- base respectivement de transistors T5b et T6b du type opposé à celui des transistors T3b et T4b. L'émetteur et la base des transistors T5b et T6b sont court-circuités et connectés au con- ducteur de sélection de ligne 10. Le collecteur des transistors T5b et T6b est connecté à la base respectivement des transistors T3b et T4b. Dans le cas o les transistors T3b et T4b sont du type PNP, sa désaturation est facilitée dans une large messure par la présence de la jonction collecteur-base des transistors T5b et T6b qui est intrinsèquement plus rapide. Selon les figures 6 et 7, chaque demi-cellule est réali- sée en surface d'un substrat 50 dans un caisson isolant respec- tivement 51 et 52, délimité par une couche isolante 33 par exem- ple en SiO2. Le caisson 51 comporte, par exemple pour un subs- trat de type p, une couche de contact fortement dopée N+ formant le fond du caisson 51, surmontée d'une couche semi-conductrice enterrée 34 dopée N formant le collecteur du transistor Tlb. A partir de la surface sont réalisées une première région superfi- cielle 36 du type P+ constituant la base du transistor Tlb pré- sentant des régions d'émetteur E1, E2 et éventuellement E3, du type n+ et une deuxième région superficielle 35 également p+ se- parée de la première par une première portion superficielle étroite 31 prolongeant localement en surface la couche enterrée de collecteur 34. En d'autres termes, les transistors Tlb et T2b (E1, E2, E3, 36, 34) sont verticaux et les transistors T3b et T4b (35, 31, 36) sont latéraux. La figure 6 montre plus particulièrement comment sont disposées les métallisations. Il est a remarquer que les dessins des figures 6 et 7 ne sont que schématiques et que les proportions ne sont pas respec- t5es volontairement pour plus de clarté. On n'a pas représenté sur ces figures certaines couches isolantes de surface. Pour la commodité, les bandes métalliques servant aux contacts sur les 2 5 7 9816 - 11 différentes régions du corps semiconducteur ont été représentées plus étroites que les régions correspondantes alors qu'en pratique, elles sont réalisées plus larges que les fenêtres de contact et reposent partiellement sur une couche isolante. Sur la figure 6 donc, on remarquera tout d'abord que les couches enterrées 30 et 40, qui s'étendent respectivement sous les ilôts 51 et 52 se prolongent sous des prises de contact col- lecteur C et C'. L'oxyde profond 33 a en effet une épaisseur telle qu'il laisse subsister une part importante de la couche enterrée dans les zones o l'un et l'autre sont prévus simulta- nément, notamment dans lesdites zones de contact collecteur C et C'. L'émetteur E1 est réalisé en deux parties, un conducteur 11 de source de courant de maintien interconnectant les émet- teurs E1 et E'1 des cellules d'une même ligne étant isolé de la région de base 36, entre ces deux parties, par une couche iso- lante par exemple d'oxyde. Cette disposition est connue du bre- vet français n 2 413 782 au nom de la demanderesse. L'autre interconnexion de ligne 10 est réalisée par un conducteur de sélection de ligne connectant électriquement les régions d'émetteur 35 et 45 des cellules d'une même ligne. Les connexions de colonne sont réalisées par les métal- lisation 25 et 26 de sélection de colonne, lesquelles intercon- nectent les émetteurs E2 d'une même colonne pour la métallisa- tion 25 et les émetteurs E'2 d'une même colonne pour la métalli- sation 26. Les connexions électriques internes de la cellule sont réalisées par des métallisations 130 et 140. La métallisation connecte la base 36 du transistor T1b au collecteur C' du transistor T2b et la métallisation 140 la base 46 du transistor T2b au collecteur C du transistor Tlbo Les emetteurs E3 et E'3, éventuellement présents, sont disposés sous des régions 133 et 143 des métallisations 130 et qui les court-circuitent avec la base respectivement 36 et 46 des transistors T1b et T2b. Les régions d'émetteur E3 et E'3 sont gén- ralement plus étroites que les régions respectivement - 12 - et 113, qui débordent de part et -d'aure respectivement en 131 et 132, et 141 et 142. De ce fait, le fonctionnement des transistors Tlb et T2b ne se trouve pas perturbé, en ce qui concerne ses émetteurs El et k2, par sa résistarnce de base pincée par l'émetteur supplé- *mentaire E-. Les transistors a5i et T6b sont des transistors verticaux dont l'émetteur est constitué par une région de type n+ respec- tivement 135 et 145, dont la base est constituée respectivement par les régions 35 et 45 c'est-à-dire l'émeteur des transistors T3b et T4b et le collecteur est constitu par les régions 34 et précitées. Les rag ons 135 et 145 sont situées au moins par- tiellement en-dessous de la métallisation 10 laquelle réalise le court-circuit émetteur-base des transistors T'b et T6b. De pré- férence les régions 135 et 145 sont situées compl!tement en des- sous de la métallisation 10, dans les mêmes conditions que les régions d'émetteur E3 et E'3. Elles occupent une fraction de la surface des régions 35 et 45 et leur dopage peut avantageusement être le même que celui des régions d'émetteur E1 à E3. Le procédé de réalisation d'une mémoire à semiconducteur intégrant une pluralité de cellules telles que décrites aux fi- gures 6 et 7 ne présente pas de difficulté particulière et a re- cours aux techniques connues utilisées dans la fabrication de circuits intégrés à isolement latéral par oxyde profond, notam- ment de circuit ECL. On peut se reporter, par exemple, aux in- formations données dans la demande de brevet français n 2 413 782, déjà citée, incorporées ici par référence, pour ce qui est des techniques générales de fabrication. Lorsqu'on désire utiliser un procédé d'auto-alignement et que, notamment, les fenêtres de contact des émetteurs servent également à l'implantation ionique de ces émetteurs, il y a lieu pour réaliser des émetteurs ou régions supplémentaires, de prévoir une fenêtre de la largeur du contact de base, puis de la réduire par un masque de laque photosensible aux dimensions désirées pour l'émetteur ou la région supplémentaire, et d'effectuer alors son implantation. En retirant le masque de - 13 - laque, on a alors une fenêtre de contact de base qui inclut l'é- metteur ou la région supplémentaire. En utilisant un conducteur qui déborde de tous côtés à la périphérie des fenêtres de con- tact, on est asssur5 de réaliser le court-circuit recherché en- tre la base et l'émetteur supplémentaire. - 14 - REVENDICATIONS: 1. Mémoire à accès sélectif à charge active pour le stockage d'informations binaires et comportant une pluralité de cellules organisées en lignes et en colonnes, chaque cellule comportant un premier et un deuxième transistor d'un premier type compor- tant chacun, d'une part un premier et un deuxième émetteur, les premiers émetteurs étant connectés entre eux et les deuxièmes émetteurs étant connectés chacun à un conducteur de sélection de colonne, d'autre part une base connectée au collecteur respec- tivement d'un troisième et d'un quatrième transistor du deuxième type opposé au premier type, et enfin un collecteur connecté à la base respectivement du troisième et du quatrième transistor, le collecteur du troisième transistor étant connecté à la base du quatrième transistor et vice-versa, et les émetteurs du troi- sième et du quatrième transistor étant connectés entre eux et à un conducteur de sélection de ligne caractérisée en ce qu'elle comporte une diode (D1, D2) connectée en parallèle sur la jonc- tion 5metteur-base de chacun des troisième (T3a, T3b...) et qua- trième (T4a, T4b...) transistors de chaque cellule, et dans le même sens que ladite jonction. 2. Mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que le premier type de transistor est NPN et le second PNP. 3. Mémoire selon une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que les premier (Tla, T2a...) et deuxième (T2a, T2b...) transistors de chaque cellule sont chacun pourvus d'un troisième émetteur (E3, E'3) court-circuité avec la base du transistor correspondant. 4. Mémoire selon une des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que ladite diode (D1, D2) est constituée par la jonction collecteur-base d'un transistor de dérivation (T5b, T6b) du pre- mier type dont l'émetteur et la base sont court-circuités entre eux et connectés audit conducteur de sélection de ligne. 5. Mémoire selon la revendication 4, caractérisée en ce que chacun des premier et deuxième transistors multi-5metteurs (Tla, T2a, Tlb, T2b...) de chaque cellule est un transistor vertical - 15 -,- dont le collecteur est constitué par une couche enterr5e(34), dont la base est constituée par une première région superficiel- le (36) dans laquelle sont ménagés lesdits émetteurs, (E1..E3), en ce que chacun des troisième et quatrième transistors (T3a, T4a, T3b, T4b...) de chaque cellule est un transistor latéral dont le collecteur est constitué par ladite première région su- perficielle (36), dont l'émetteur est constitué par une deuxième région superficielle (35) séparée de la première par une premiè- re portion superficielle étroite (31) prolongeant localement en surface la couche enterrée (34) et qui constitue la base du transistor latéral et en ce que le transistor de dérivation (T5b, T6b) est un deuxième transistor vertical dont la région d'émetteur (135) est ménagée dans la deuxième région superfi- cielle (35) qui constitue sa base et dont le collecteur est constitué par ladite couche enterrée (34). 6, Mémoire selon la revendication 5, caractérisée en ce que la région d'émetteur (135) du deuxième transistor vertical (Tsb, T6b) est disposée au moins partiellement en-dessous du conduc- teur de sélection de ligne (10) qui assure ainsi le court-cir- cuit entre son émetteur (135) et sa base (35).