FR 2581801 A1 19861114 FR 8507210 A 19850513 PROCEDE DE REALISATION DE LASERS A SEMICONDUCTEURS A JONCTIONS BLOQUANTES ASSURANT UN CONFINEMENT ELECTRIQUE Le domaine technique de l'invention est celui des Lasers à semiconducteurs et à géométrie à ruban. L'une des principales applications de ces la- sers est d'être utilisés comme émetteur de lumière dans les télécommunications par fibres optiques. En particulier pour les liaisons optiques à haut débit et à longue distance, ces lasers doivent posséder un cer- tain nombre de caractéristiques: faible courant de seuil, puissance optique émise d'une dizaine à quel- ques dizaines de milliwatts, fonctionnement stable sur le mode fondamental transverse, bonne linéarité de la caractéristique puissance- courant au-dessus du seuil, grande bande passante etc... Pour remplir ces conditions, la recombinai- son des électrons et des trous assurant l'émission laser doit s'opérer dans une région, dite région acti- ve, o Les porteurs (électrons et trous) et l'émission lumineuse sont confinés. Le type général de lasers répondant à ces critères est dénommée "laser enterré". Dans ce type de laser, le matériau semiconducteur constituant la zone active est entouré d'un matériau de plus faible indice de réfraction, ce qui permet d'assurer Le confinement optique du faisceau laser, et de plus grande bande interdite, ce qui permet d'assu- rer le confinement électrique des porteurs injectés dans la région active. Pour parfaire ce confinement électrique, il est, de plus, nécessaire de guider les porteurs depuis Les contacts métalliques jusque dans la région active. Ce guidage est en général assuré par une ou plusieurs jonctions pn polarisées en inverse, réalisées dans le matériau semiconducteur de grande bande interdite entourant la région active et posi- 25818O1 tionnées de part et d'autre de cette région active. Pour bien comprendre le procédé de L'inven- tion il est nécessaire d'exposer quelques procédés de réalisation de Lasers de ce type. Depuis quelques années, un grand nombre de structures de type "laser enterré" ont été décrites dans la littérature, que ce soit pour L'émission à 0,85pm (laser GaAs-GaAlAs) ou pour l'émission à 1,3 et 1,55pm (taser InP-GaInAsP). Ces différentes structu- res peuvent être classées en deux grandes familles: - celles qui sont réalisées en un seul cycle d'épitaxie liquide à partir d'un substrat gravé (gra- vure de sillons ou de mésas), - celles qui sont réalisées en deux cycles d'épitaxie (reprise d'épitaxie Liquide ou vapeur sur une mésa gravée dans la première épitaxie obtenue par croissance en phase liquide ou vapeur). Dans la première famille des structures obtenues en un seul cycle d'épitaxie liquide, on peut distinguer tout d'abord les structures obtenues à partir de sillons gravés dans le substrat avant épita- xie. Les meilleurs résultats obtenus avec cette structure ont été publiés par H. ISHIKAWA et al. dans la revue J. Appl. Phys. 53(4), 1982, p.2851. IL s'agit de lasers InP-InGaAsP émettant à 1,3pm. Les propriétés de l'épitaxie en phase liquide font que la couche active en InGaAsP ne croît pas sur les plans cristal- lographiques formant les flancs du sillon. On obtient ainsi une croissance séparée de cette couche dans le fond du sillon d'une part et sur les parties planes non gravées d'autre part. Cette structure a été "bap- tisée" "V-groove Substrate Buried Heterostructure" (en abrégé V.S.B.). Elle est illustrée sur la figure 1 annexée. La structure comprend des couches 10 à 16 dont La composition est La suivante: : couche de contact InGaAsP de type p 14:couche de confinement InP de type p 13 et 16: couche InGaAsP 12: couche de confinement InP de type n 11: couche InP de type p obtenue par diffusion dans le substrat : substrat InP de type n. La région active 16 se trouve ainsi enterrée par la première couche de confinement 12 en InP de type n, en-dessous, par le substrat dopé p, sur les cotés (11), et par la couche de confinement InP de type p 14, audessus. Le blocage du courant de part et d'autre de La région active est obtenu par La succes- sion de couches n-p-n-p dont l'une (La couche référen- cée 11 sur la figure 1) est obtenue par diffusion d'un dopant p (zinc ou cadmium) dans le substrat avant gravure des sillons. Les caractéristiques obtenues avec cette structure laser sont: un courant de seuil en un régi- me continu compris entre 10 et 20 mA, un fonctionne- ment en continu jusqu'à 100 C, une puissance optique maximale de 30 mW à la température ambiante, dont 20 mW sur le mode fondamental transverse, et une bande passante d'environ 4GHz. Toujours dans la première famiLLe, on dis- tingue encore les structures obtenues à partir de mésas gravées dans le substrat avant épitaxie. Très peu de structures de ce type ont été décrites dans la Littérature. Les meilleurs résultats ont été obtenus par H. NOMURA et aL., selon la commu- nication présentée à la "Fifth Topical Meeting on Optical Fibers", Phoenix, Avril 1982. Ces résultats concernent des lasers InP-InGaAsP émettant à 1,3pm. Ces auteurs ont baptisé cette structure "Current Con- finement Mesa Substrate-Buried Heterostructure" (en abrégé C.C.M.). Elle est schématiquement représentée sur La figure 2. Les différentes couches représentées ont La composition suivante 26: couche de contact en InGaAsP de type p : deuxième couche de confinement en InP de type p 24: couche de blocage en InP de type n 23: première couche de confinement en InP de type p 22 et 27: couche en InGaAsP 21: couche de confinement en InP de type p + : substrat en InP de type n. Comme pour La structure précédemment décri- te (structure Laser VSB), L'épitaxie en phase Liquide permet une croissance séparée de La couche en InGaAsP, sur Le sommet de La mésa d'une part 27 et sur Les parties planes du substrat d'autre part 22. Dans cette structure, La succession de couches en InP de type p-n-p-n est obtenue en intercalant, au cours du cycle d'épitaxie, entre deux couches de confinement en InP de type p 22 et 25, une couche de blocage en InP de type n 24. NOMURA et al. affirment, dans leur communi- cation, qu'il est possible de faire croîte cette cou- che 24 de part et d'autre de la région active enterrée 27, mais pas sur le sommet de la mésa, en utilisant, pour cette croissance, un bain liquide très faiblement sursaturé. Avec cette structure, Le meilleur courant de seuil obtenu est de 16 mA. Le laser peut fonctionner en régime continu jusqu'à 125 C. La puissance maximale obtenue à 30 C en régime continu est proche de 70 mW dont à peu près 20 mW sur le mode fondamental trans- verse. Aucune valeur n'a été publiée concernant la bande passante. Dans la seconde famille des structures lasers obtenues en deux cycles d'épitaxie, on peut distinguer tout d'abord la structure la plus connue et la plus ancienne des structures type lasers enterrés et qui est appelée B.H. (pour "Buried Heterostructu- re"). Dans une première épitaxie on réalise une double hétérostructure (D.H.) classique; par exemple, pour les lasers émettant à 1,3pm, on fait croître successi- vement une couche InP de type n, une couche active en InGaAsP, une couche InP de type p et une couche de + contact en InGaAsP de type p. On réalise ensuite dans cette double hétérostructure, généralement par atta- que chimique, des rubans ayant la forme de mésas in- versées et ce, jusqu'à la couche InP de type n. Lors de la deuxième épitaxie, on fait croÂtre successive- ment une couche InP de type p et une couche InP de type n de part et d'autre de la mésa protégée par un masque diélectrique. Ces deux couches forment les jonctions bloquantes. Cette structure est schématiquement repré- sentée sur la figure 3 annexée. Elle comprend les couches suivantes: 31: substrat en InP 32: couche en InP de type n 33:couche active en InGaAsP 34:couche en InP type p + : couche en InGaAsP de type p 36: couche en InP de type p + 37: couche en InP de type n. Pour cette structure, les meilleurs courants de seuil publiés à 1,3 pm sont autour de 10 mA. Par contre, la puissance maximale obtenue en régime conti- nu est relativement faible: 20 à 30 mW. La températu- re maximale de fonctionnement en continu est de 80 à C, la bande passante est comprise entre 3 et 4 GHz. A titre d'exemples, on peut citer deux pu- blications concernant ces structures: l'une de M. HIRAO et al., dans J. Appl. Phys. 51(8); p.4539 (1980) et l'autre de S.ARAI et al., IEEE dans J. of Quant. Elect. QE-1715), p.640 1981). Toujours dans la seconde famille des struc- tures obtenues en deux cycles d'épitaxie on peut dis- tinguer la structure baptisée DC-PBH pour "Double- Channel Planar Buried Heterostructure". Selon cette technique une double hétéro- structure classique est d'abord réalisée au cours d'une première épitaxie (par exemple à l'aide de InP n, InGaAsP, InP p sans couche de contact). Comme pour la structure enterrée BH, des rubans ayant La forme de mésas sont ensuite définis dans cette double hétérostructure. La différence avec la structure pré- cédente réside dans le fait que ces mésas sont bordées de chaque côté par un "canal". La deuxième épitaxie permet la croissance de quatre couches successives + InP p, InP n, InP p, couche de contact en InGaAsP p, sans protection de la mésa à l'aide d'une couche di- électrique durant cette croissance; c'est la diffé- rence essentielle avec la structure enterrée. La structure est représentée sur La figure 4. Elle comprend les couches suivantes: 48:couche de contact InGaAsP p 47:deuxième couche de confinement InP p 46:couche bloquante InP n :couche bloquante InP p 44:première couche de confinement InP p 43:couche en InGaAsP 42:couche de confinement InP n 41:susran d yp + 41:substrat en InP de type n ú!O.I Les couches 42 à 44 sont déposées lors de La première épitaxie et les couches 45 à 48 lors de la seconde. Une telle structure est décrite dans l'arti- cle de I. MITO et al., dans IEEE J. of Lightwave Technol., LT1, p195 (1983). D'après les auteurs, Le cycle d'épitaxie liquide utilisé permet de limiter La croissance des deux premières couches InP p et InP n (dites couches bloquantes 45 et 46) de la seconde épi- taxie aux régions situées de part et d'autre de la mésa. Les deux autres couches, InP p (couche de confi- nement 44) et InGaAsP p (couche de contact 48) recou- vrant ensuite l'ensemble de la structure qui devient ainsi de type planar. Cette technique de croissance a l'avantage d'aligner automatiquement la jonction bloquante n-p dans l'InP de part et d'autre de la mésa avec la région active enterrée, ce qui n'est pas Le cas dans la structure enterrée BH -o cet alignement est particulièrement délicat. Du point de vue des caractéristiques, cette structure enterrée se place très certainement parmi les meilleures: courant de seuil de l'ordre de 20 mA (valeur la plus faible, 10 mA), fonctionnement sur le mode fondamental transverse jusqu'à 50 mW, fonction- nement en régime continu jusqu'à 130 C. De plus, ces lasers montrent une très bonne stabilité dans le temps (plus de 6000 h à 50 C-20mW sans dégradations). Les articles publiés sur cette structure ne donnent, par contre, aucune caractéristique concernant la bande passante. Toutes ces techniques,si elles conviennent bien à certains égards, présentent néanmoins certains inconvénients. En ce qui concerne la première famille des structures réalisées en un cycle d'épitaxie, les in- convénients sont Les suivants. Pour ce qui est tout d'abord de la structure VSB, bien que présentant l'intérêt d'être réalisée en un seut cycle d'épitaxie, cette structure ne permet pas La fabrication de Lasers à réseau type DFB. En effet, Le fond du siltlon n'étant pas plan, il est im- possible d'y graver un réseau avant l'épitaxie. Un autre inconvénient de cette structure est La plus faible efficacité (comparativement aux autres ' structures) des jonctions bloquantes p-n-pn. Ceci résulterait de La faible épaisseur (environ 0,3pm) de la première couche épitaxiée (couche de confinement InP n référencée 12 sur la figure 1). L'épaisseur de cette couche ne peut être augmentée, car elle contrôle simultanément La position verticale (très critique) de la région active 16 dans Le siltlon. Cette moindre efficacité des couches bloquantes pourrait expliquer la pLus faible puissance optique maximale obtenue (30 mW contre 50 à 70mW obtenus avec Les autres struc- tures décrites). Pour ce qui est de la structure CCM, la croissance de La couche bloquante 24 de type n (voir figure 2) pose un probLème de reproductibilité, le contr te précis du degré de sursaturation d'un bain en épitaxie Liquide étant, en effet, délicat. En ce qui concerne maintenant La seconde famille des structures réatisées en deux cycles d'épi- taxie, l'inconvénient majeur est leur complexité d'élaboration Liée à L'utitisation de ces deux cycles. Cette complexité conduit à un faibLe rendement de fa- brication et à un coût élevé. De plus, La réalisation de Lasers plus sophistiqués teLs que les Lasers à réseau du type DFB (Distributed Feedback Laser) avec une structure ruban enterré du type DC.PBH nécessitent trois cycles d'épitaxie (cf. L'article de KITAMURA et aL. publié dans Electr. Letters vol.19 n 20, p.840, Sept.1983), ce qui augmente d'autant La complexité de fabrication. Le but de l'invention est justement de remé- dier à ces inconvénients. L'invention consiste en un procédé simple de réalisation de couches bloquantes p-n-p-n ou d'une couche isolante assurant Le confine- ment électrique dans un laser à semiconducteur du type enterré. Cette technique présente comme principal in- térêt d'être compatible avec la fabrication de lasers à région active enterrée, y compris les lasers à ré- seau (type DFB) en un seul cycle d'épitaxie. Plus pré- cisément, ce procédé de réalisation des couches blo- quantes ou isolante permet d'aboutir à une structure laser proche de la structure CCM précédemment décrite, tout en évitant le contrôLe délicat de la sursatura- tion d'un bain d'épitaxie liquide comme c'est le cas pour cette structure. Le procédé de réalisation objet de l'inven- tion, peut également être compatible avec des structu- res lasers enterrées réalisées en deux cycles d'épi- taxie. Le laser obtenu par le procé.dé de l'inven- tion est un laser à semiconducteurs dont la région active est enterrée et dont le guidage des porteurs, depuis les contacts métalliques jusqu'à la région ac- tive, est assuré par l'effet de couches semiconductri- ces p-n-p-n bloquantes ou par la présence d'une couche isolante, situées de part et d'autre de la région ac- tive enterrée, ces couches étant autoalignées avec la région active. Trois moyens essentiels caractérisent l'in- vention: - une gravure permettant de définir des re- liefs sur un substrat ou une couche épitaxiée, en L'occurrence des rubans ayant un profil en forme de mesa, - une épitaxie en phase Liquide, - une technique de diffusion ou d'impLanta- tion ionique d'un dopant p ou d'une impureté rendant Le matériau semi-isotant dans un substrat ou une cou- che de type n (Le substrat peut être de type p dans Le cas de L'imptantation d'une impureté "semi-isoLan- te"). Les opérations d'épitaxie en phase Liquide et de diffusion (ou d'implantation ionique) sont réa- Lisées dans un ordre quelconque. L'invention repose essentieLLement sur L'association de La diffusion ou de L'impLantation qui, pour un matériau donné, est isotrope et de l'épi- taxie en phase Liquide qui, au contraire, conduit à une croissance anisotrope sur un substrat (ou une cou- che) sur LequeL a été défini un relief. En effet, L'épitaxie en phase liquide permet, d'une part, une croissance LocaLisée (par exempLe sur Le sommet d'une mésa ou dans Le fond d'un sillon), et d'autre part, d'aboutir à une surface pLane à partir d'un substrat avec relief. Les autres techniques d'épitaxie (phase vapeur par organo-métaLtiques ou jets moLécuLaires) ne possèdent pas ces propriétés. De toute façon Les caractéristiques de L'in- vention apparaîtront mieux après La description qui suit de deux exempLes de réaLisation donnés à titre - explicatif et nultLement Limitatif. Cette description se refère à des dessins annexés sur LesqueLs: - La figure 1, déjà décrite, est une coupe schématique d'un Laser enterré InP-InGaAsP obtenu par épitaxie Liquide dans un sillon gravé dans un substrat d'InP (structure VSB); - La figure 2, déjà décrite, est une coupe schématique d'un Laser enterré InP-InGaAsP obtenu par 1 1 épitaxie liquide sur une mésa gravée dans un substrat d'InP (structure CCM); - la figure 3, déjà décrite, est une coupe schématique d'un laser enterré InP-InGaAsP obtenu en deux cycles d'épitaxie (structure BH); - la figure 4, déjà décrite est une coupe schématique d'une structure laser enterrée InP- InGaAsP (structure DC-PBH); - la figure 5 montre diverses étapes d'un procédé selon l'invention dans un premier mode de réa- lisation; - la figure 6 montre diverses étapes d'un procédé selon L'invention dans un second mode de réa- lisation. Si la première étape du procédé est toujours la gravure de rubans ayant un profil en forme de mésas, les étapes d'épitaxie en phase liquide et de diffusion (ou d'implantation) peuvent être permutées, la diffusion pouvant être effectuée avant ou après l'épitaxie. La figure 5 illustre un premier mode de réa- Lisation dans Lequel l'implantation est effectuée en premier. On a aLors la suite des opérations suivan- tes: 1. Gravure de rubans ayant un profil en for- me de mésas (figure 5 partie a): des rubans 52 en matériau diélectrique (par exemple Si3N4) sont formés + à la surface d'un substrat 54 en InP de type n; ces rubans ont une largeur de quelques microns (2 à 10 pm); en dehors des régions protégées par ces ru- bans qui constituent un masque, le substrat 54 est attaqué à l'aide d'une solution chimique appropriée et l'on obtient des mésas 56; ces mésas ont une largeur au sommet et une hauteur de quelques microns (typi- quement 2 pm); l'attaque chimique peut être remplacée par une autre technique de gravure; un usinage ioni- que ou une gravure ionique réactive (R.I.E.) par exem- pLe; Le profiL des mésas obtenues dépend à La fois de La direction cristaLLographique suivant LaqueLLe Les rubans sont alignés, de la nature du masque utilisé, de la technique et des conditions de gravure utiLi- sées. 2. Implantation d'un dopant de type p (figu- re 5, partie b): L'impLantation est réalisée en con- servant Le masque constitué par Les rubans 52; on forme ainsi, sur Les flancs et de part et d'autre des mésas, une couche de type p référencée 58 sur La par- tie b de La figure 5 et, par conséquent, une jonction + pn avec le substrat qui est de type n; L'ion dopant p peut être remplacé par un ion rendant Le matériau semi-isoLant (par exempte Le fer dans le cas d'un substrat en InP). 3. Epitaxie en phase Liquide d'une double hétérostructure InP-InGaAsP (figure 5, partie c): dans Le cas d'une émission à 1,55 pm, La succession des couches est La suivante: - une couche Q1 en InGaAsP (Xg d'environ 1,3 pm) o Xg est La Longueur d'onde correspondant à L'énergie de La bande interdite du matériau considéré; cette couche sert de tampon; eLLe est dopée n; son épaisseur est de 0,10 pim; cette couche croit sépa- rément sur le sommet des mésas et dans Le fond pLat des intervaLLes séparant les mésas mais pas sur Les flancs obliques de ceLle-ci; - une couche active Q2 en InGaAsP (Xg d'environ 1,55 pm) non intentionnellement dopée, d'épaisseur environ 0,2 pm; La croissance de cette couche est identique à ceLLtte de la couche précédente; - une couche Q3 en InGaAsP (Xg d'environ 1,3 pm) non dopée ou dopée p; cette couche est appeLée couche antiredissolution; son épaisseur est d'environ 0,1.m; sa croissance est la même que celle des deux couches précédentes. 4. Epitaxie en phase liquide de deux couches supplémentaires: - une couche Q4 en InP de type p, dite de confinement, la croissance se fait uniformément sur toute la sur- face; l'épaisseur de cette couche doit être suffi- sante pour combler les intervalles séparant les mésas et obtenir une surface supérieure plane; elle est de 3 à 5pm suivant la hauteur des mésas; - une couche Q5 en InGaAsP (ig d'environ 1,2 pm) dopée + p et appelée couche de contact. La structure finalement obtenue est repré- sentée en coupe sur la figure 5, partie c. De part et d'autre des mésas, on trouve un empilement de couches n-p-n-p qui bloquent les por- teurs et les guident vers le sommet des mésas, c'est- à-dire vers la couche active Q2. Dans le deuxième mode de réalisation du pro- cédé de l'invention, La diffusion intervient après La formation de la double hétérostructure. Ce mode de réalisation est illustré sur la figure 6. Les étapes essentielles sont alors les suivantes: 1. Gravure de mésas 56 comme dans la varian- te précédente (figure 6, partie a). 2. Epitaxie en phase liquide d'une double hétérostructure InP-InGaAsP comprenant: - trois premières couches quaternaires R1, R2, R3 identiques aux couches Q1' Q2' Q3 de la séquence précédente. 3. Epitaxie en phase liquide de trois autres couches: - une quatrième couche R4 en InP de type p, suffisam- ment fine pour conserver la forme des mésas; con- trairement à la couche Q4 de La séquence précédente, l'épaisseur de R4 est comprise entre 0,2 et 0,5 pm sur le sommet des mésas, - une cinquième couche R5 en InP présentant un dopage résiduel de type n suffisamment épaisse pour combler les intervalles séparant les mésas et donnant à l'ensemble une surface supérieure plane; son épais- seur est de 3 à 5pm; - une sixième couche quaternaire R6 en InGaAsP dite de + contact, dopée p. La structure obtenue est représentée en coupe sur la figure 6, partie b. 4. Diffusion d'un dopant p: la caractéris- tique essentielle de cette étape de diffusion est d'être non localisée (pas de masque de diffusion); le front de diffusion 60 doit au moins atteindre la cou- che R4 en InP de type p au-dessus des mésas afin de supprimer la jonction p-n au-dessus de chaque mésa; Le front de diffusion 60 ne doit pas dépasser la cou- che R3 afin de ne pas détériorer la région active en- terrée. Dans ce cas également, la diffusion peut être remplacée par l'implantation d'une impureté dopante p. On obtient, dans ces conditions, un empilement de cou- ches p-n-p-n de part et d'autre des mésas, ce qui per- met le blocage des porteurs et leur confinement à tra- vers les mésas. La structure définitive'obtenue est repré- sentée en coupe sur la figure 6, partie c. Naturellement, on sépare ensuite des diffé- rentes structures formées en parallèle pour obtenir autant de Lasers. On comprendra aisément que, dans les deux exemptes qui viennent d'être décrits, les matériaux, les épaisseurs, etc... ne sont donnés qu'à titre il- lustratif et que l'homme de l'art pourra modifier ces données selon le but qu'il poursuit, Fans pour cela *sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de lasers à semi- conducteurs de type à région active enterrée et à jonctions bloquantes ou à couche isolante assurant un confinement électrique, procédé dans Lequel on part d'un substrat (54) ou d'une couche de type n, on gra- ve dans ce substrat ou cette couche des mésas (56) à sommet plat et à flancs obliques, ce procédé étant caractérisé par Le fait qu'on réalise ensuite, dans un ordre quelconque, les deux opérations suivantes a) un dopage de type p par diffusion ou im- plantation ionique d'une impureté de type p; ou im- plantation ionique d'une impureté rendant le matériau semi-isolant, b) une épitaxie en phase liquide d'une dou- ble hétérostructure, cette double hétérostructure se formant uniquement sur Le sommet des mésas et sur Le fond plat des-intervaLLes séparant ceLLes-ci, mais non sur les flancs obliques des mésas, cette double hété- rostructure comprenant au moins trois couches (Q1, Q2' Q3/R1, R2, R3) successivement dopée n, non dopée et constituant la couche active et non dopée ou dopée p, dans le cas d'une implantation ionique d'une impureté rendant le matériau semi-isolant, l'opération d'épi- taxie en phase liquide s'effectuant après l'implanta- tion. 2. Procédé selon la revendication 1, carac- térisé par le fait qu'il comprend la suite des opera- tions suivantes: a) dépôt sur un substrat (54) en InP de type + n d'un masque diélectrique en forme de rubans (52), b) gravure du substrat (54) à travers ce masque pour obtenir des mésas (56) à sommet plat et à flancs obliques, ces mésas étant séparées par des in- tervalles à fond plat, c) implantation d'un dopant de type p à tra- vers Le masque (52) utilisé pour la gravure des mésas, ce qui donne maissance à une couche (58) de type p sur Les flancs des mésas et sur Les parties planes situées entre Les mésas et crée ainsi une première jonction pn sur toute La structure à L'exception du sommet des mésas; si L'impureté de type p est rempLacée par une impureté rendant le matériau semi-isoLant, La couche (58) devient semi-isolante, d) élimination du masque (52), e) épitaxie en phase liquide d'une doubLe hétérostrucre comprenant trois couches croissant sur Le sommet des mésas et sur les parties planes des in- tervalles séparant Les mésas mais non sur Les flancs obliques des mésas, ces trois couches comprenant: + - une couche Q1 en InGaAsP dopée n servant de couche tampon, - une couche Q2 en InGaAsP non dopée, constituant La région active, - une couche Q3 non dopée ou dopée p, f) épitaxie en phase liquide d'une quatrième couche Q4 en InP de type p, dite de confinement, d'épaisseur suffisamment grande pour que l'intervalle séparant Les mésas soit comblé et que La surface supé- rieure de la couche obtenue Q4 soit plane, g) dépôt d'une cinquième couche Q5 en InGaAsP dopée p constituant une couche de contact. 3. Procédé selon la revendication 1, carac- - térisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: a) dépôt sur un substrat (54) en InP de type + n d'un masque diélectrique en forme de rubans (52), b) gravure du substrat (54) à travers ce masque pour obtenir des mésas (56) à sommet plat et à flancs obliques, ces mésas étant séparées par des in- tervaLLes à fond plat, c) élimination du masque (52), d) épitaxie en phase Liquide d'une double hétérostructure comprenant trois couches croissant sur le sommet des mésas et sur les parties planes des intervalles séparant les mésas, mais non sur Les flancs obliques des mésas, ces trois couches compre- nant: + - une couche R en InGaAsP dopée n, - une couche R2 en InGaAsP non dopée constituant la couche active, - une couche R3 en InGaAsP non dopée ou dopée p, e) épitaxie en phase liquide d'une quatrième couche R4 en InP dopée p, déposée sur l'ensemble de la structure y compris sur les flancs obliques des mésas, cette couche étant suffisamment fine pour que soient conservés les profils en forme de mésa, f) épitaxie liquide d'une cinquième couche R5 en InP dopé n suffisamment épaisse pour combler les intervalles séparant les mésas et donner à l'ensemble une face supérieure plane, g) dépôt d'une sixième couche R6 en InGaAsP + de type p formant couche de contact. h) dopage de la totalité de la partie super- ficielle de la structure par diffusion ou implantation ionique d'une impureté de type p, ce dopage affectant la partie supérieure de la cinquième couche R5 en InP jusqu'à atteindre la quatrième couche R4 en InP de type p, dans la zone située au-dessus des mésas, une jonction bloquante pn étant maintenue entre les qua- trième et cinquième couches (R4, R5) dans les inter- valles compris entre les mésas mais supprimée au-des- sus des mésas.