FR 2578682 A1 19860912 FR 8603349 A 19860310 -1 Procédé et appareil d'attaque au plasma La présente invention se rapporte à la fabrica- tion de dispositifs semi-conducteurs et, plus particulié- rement, à un procédé et à un appareil perfectionnés pour effectuer l'attaque par plasma. Dans la fabrication de dispositifs semi-conduc- teurs, il est habituel de définir des configurations par attaque dans une ou plusieurs couches sur une pastille ou substrat, pour la création de configurations de dispositifs semi-conducteurs spécifiques, ou en préparation pour la mo- dification ultérieure d'une couche existante ou l'applica- tion d'une autre couche. Ainsi, par exemple, dans la fabri- cation de circuits intégrés, il est habituel d'attaquer ou graver un dessin choisi dans une couche isolante (par exemple une couche de SiO2) ou une couche semi-conductrice (par exemple une couche N+),de manière à découvrir des sur- faces distinctes de la pastille (ou une couche intérieure de la pastille) qui doivent être métallisées par l'applica- tion d'un revêtement d'aluminium ou d'un autre métal conduc- teur. Parfois, des parties de la couche à attaquer peuvent être recouvertes d'une couche de matière photorésistante qui doit également être enlevée par attaque avant qu'on puisse procéder à la métallisation. Fréquemment, la pastille ou le substrat à métalli- ser comportent des gorges attaquées étroites et la métalli- sation comprend un étagement du dépôt du métal, c'est-à- dire qu'il est prévu de déposer le métal dans les gorges et également sur les surfaces surélevées adjacentes. La possibilité de métalliser correctement la pastille ou le substrat dépend de la configuration des gorges en section transversale. Si l'attaque d'une couche n'est pas effectuée de façon adéquate, les gorges peuvent être de dimension in- suffisante,ou imparfaites. De toute façon, ies gorges étroi- tes sont habituellement définies par des surfaces de bord latéral qui s'étendent sensiblement perpendiculairement au substrat, de sorte que les angles extérieurs des gorges sont des angles droits à arête vive. Par conséquent, une opération ultérieure de métallisation par dépôt est souvent non satisfaisante car la couche de métal présente des dis- continuités ou des variations excessives d'épaisseur aux endroits o la couche de métal s'étend sur les surfaces supérieures adjacentes de la couche attaquée, autour des angles extérieurs des gorges. Eventuellement, l'étroitesse, combinée aux angles extérieurs vifs,provoque une métalli- sation incorrecte des fonds des gorges. De tels défauts de métallisation peuvent rendre inutilisables certaines parties d'un dispositif à circuit intégré ou, si les défauts sont étendus, l'ensemble du dispositif à circuit intégré peut être inutilisable. Par exemple, une partie ou la totalité des cellules d'un dis- positif de mémoire du type à transistor peuvent être rendues inutilisables à cause de ces défauts de dépôt. Les défauts du type décrit plus haut peuvent se produire indépendam- ment du mode d'exécution de la métallisation, par exemple par dépôt par évaporation, pulvérisation ou placage non électrique ou à immersion. On peut rencontrer des difficul- tés analogues lorsqu'une couche d'une matière isolante ou semiconductrice est déposée dans les gorges et sur les parties adjacentes de la surface supérieure d'une couche attaquée. La présente invention a pour objet un procédé et un appareil perfectionnés pour l'attaque de gorges, qui évitent ou limitent les défauts de métallisation provo- qués par une attaque incorrecte des gorges ou par la diffi- culté de dépôt sur les angles extérieurs vifs des gorges. La présente invention a également pour objet un procédé et un appareil d'attaque perfectionnés, pour les raisons décrites plus haut, qui peuvent être incorporés dans un processus de fabrication de dispositifs semi- conducteurs sans nécessiter aucune modification matérielle de ce processus. Un objectif spécifique de l'invention est de four- nir un nouvel appareil et un nouveau procédé pour la produc- tion de gorges à angles chanfreinés, par attaque au plasma. Un autre objectif spécifique de l'invention est de fournir un procédé et un appareil d'attaque perfectionnés, pour les raisons décrites plus haut, qui sont (a) relative- ment faciles à exécuter ou à utiliser, (b) sûrs à la fois en fonctionnement et en constance des résultats et (c) re- lativement économiques à utiliser. Ces divers objectifs de l'invention sont atteints par un nouveau procédé et un nouvel appareil pour l'attaque de pastilles ou substrats semiconducteurs de manière à chanfreiner les angles des bords extérieurs des gorges qui doivent être métallisées ou revêtues de la manière dé- jà décrite. Le nouveau procédé comporte une attaque au plas- ma caractérisée par un flux de gaz d'attaque suivant deux ou plusieurs angles choisis,par rapport aux pastilles. Even- tuellement, le flux de gaz d'attaque peut être modifié en un mode circonférentiel, pour effectuer une attaque sélecti- ve à différentes positions de quadrant. Si on le désire, l'utilisation de l'appareil d'attaque peut comprendre des variations de la composition du gaz d'attaque, pour l'atta- que sélective de couches de pastille. Le nouvel appareil comporte l'emploi de nouveaux moyens de distribution de gaz, disposés à angle aigu par rapport au plan d'une pastille ou d'un substrat à attaquer, et des moyens pour que le gaz d'attaque soit éjecté sélectivement par les nouveaux moyens de distribution de gaz de manière à former des angles chan- freinés au bord extérieur de gorges engendrées dans la pas- tille ou le substrat. Le chanfreinage facilite la forma- tion subséquente de couches de métal dans les gorges avec une épaisseur de métal adéquate aux angles extérieurs des gorges. D'autres objets et avantages de l'invention appa- rattront aux hommes de l'art à la lecture de la descrip- tion ci-après de son mode préféré de mise en oeuvre, avec référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 illustre schématiquement une machine d'attaque de pastille unique utilisant la présente inven- tion; la figure 2 est une coupe partielle à plus grande échelle-d'un nouveau dispositif d'électrode supérieure con- forme à la présente invention, pour l'utilisation dans un système d'attaque de pastille, par exemple pour l'utilisa- tion dans une machine du type représenté sur la figure 1; les figures 3A et 3B sont des coupes à plus grande échelle de parties d'un substrat semiconducteur attaqué, qui montrent la façon dont les angles extérieurs des gorges sont chanfreinés conformément à la présente invention et la façon dont les angles chanfreinés facilitent un dépôt correct d'une couche de métal dans les gorges et sur les parties adjacentes de la surface supérieure du substrat. On se reporte maintenant à la figure 1 qui il- lustre une machine d'attaque au plasma pour pastille unique, d'un type bien connu dans la technique, par exemple le sys- tème d'attaque de pastille unique du type cassette-à-casset- te Balzers Modèle SWE654, vendu par Balzers, Hudson, New Hampshire et Balzers AG, Balzers, Liechtenstein. La machine illustrée comprend une chambre 20 d'émission de pastille, une chambre 22 d'attaque au plasma et une chambre 24 de ré- ception de pastille. Un gaz choisi, par exemple un gaz iner- te tel qu'azote, hélium ou argon ou un mélange de ces gaz, est envoyé à la chambre d'émission 20 et à la chambre de réception 24 par l'intermédiaire de vannes 21 et 25 de ré- glage de débit. Les chambres d'émission et de réception de pastille sont raccordées à une pompe 26 à ailettes ro- tatives qui sert à purger ces chambres et à les maintenir à un niveau de vide approprié, généralement à une pression de l'ordre de 2 à 5 torr. La chambre d'attaque 22 est re- liée, par l'intermédiaire d'une vanne d'étranglement 28, à une pompe turbo-moléculaire 30 et à une deuxième pompe à ailettes rotatives 32. Les pompes 30 et 32 servent à mettre sous vide la chambre d'attaque à une pression inférieure à celle des chambres d'émission et de réception, typiquement à une pression de 2x10 6 torr environ. La chambre d'attaque 22 contient une électrode su- périeure 34 et une électrode inférieure 36. L'électrode s- périeure 34 comporte une cavité interne, indiquée en 38, qui est reliée par un passage 40 à un dispositif 41 de ré- glage de gaz de travail prévu pour commander l'introduction, à partir d'une source de gaz appropriée 45, d'un mélange d'un ou plusieurs gaz d'attaque choisis et d'un gaz porteur ou de dilution. La face inférieure de l'électrode 34 opposée à l'électrode 36 comporte une pluralité de pores ou d'orifi- ces (non représentés sur la figure 1) qui permettent au gaz d'attaque de sortir de la cavité 38 et de déboucher dans l'espace ouvert entre les deux électrodes. Les deux électrodes sont raccordées à une source d'énergie de radiofréquence 42 de sorte que l'électrode in- férieure est à la masse de radiofréquence et l'électrode supérieure est à.un potentiel positif. Lorsque l'alimenta- tion est branchée de façon à exciter électriquement les électrodes, le mélange gazeux introduit de la cavité 38 dans la région comprise entre les deux électrodes est transformé en un plasma, engendrant une ou plusieurs sub- stances gazeuses réactives qui éliminent activement, par attaque, des parties choisies d'une pastille supportée sur l'électrode inférieure. Les chambres 20 et 26 d'émission et de réception de pastille sont raccordées à la chambre de traitement 22 par des vannes d'isolement au vide, représentées schémati- quement en 46 et 48, qui sont prévues pour permettre le transport de la pastille à travers le système sans perte du vide dans la chambre d'attaque. La chambre d'émission contient une cassette 50 comportant une pluralité de cellules ou compartiments de maintien de pastille, de ma- nière à contenir un nombre choisi de pastilles à attaquer, par exemple 25 pastilles à raison d'une par cellule. La chambre de réception 24 contient une cassette semblable 52 comportant des cellules ou compartiments de réception et de maintien d'un nombre correspondant de pastilles, extrai- tes de la chambre.de traitement 22. Bien que cela ne soit pas représenté, il est entendu que la chambre d'émission 20 et la chambre de réception 24 sont munies d'un disposi- tif élévateur de cassette pour élever et abaisser sélecti- vement les cassettes 50 et 52, sur ordre, afin de facili- ter le transfert des pastilles à destination et en prove- nance de la chambre de traitement 22, comme décrit plus loin. Bien que cela ne soit pas représenté, il est éga- lement entendu que la machine d'attaque de pastille unique comprend un système de transport approprié pour (a) extrai- re une pastille de la cassette 50 de la chambre d'émission 22 et l'amener à l'espace situé entre les électrodes 34 et 36, (b) déposer la pastille sur la surface supérieure de l'électrode inférieure 36, et (c) enlever la pastille de l'électrode inférieure et l'amener à la cassette 52 dans la chambre de réception 24. La machine comporte également un organe de serrage (non représenté) qui est disposé et actionné de sorte qu'il bloque une pastille contre l'élec- trode inférieure pendant l'opération d'attaque et, lors- que cette opération d'attaque est terminée, il libère la pastille pour la délivrer au transporteur vers la chambre de réception 24. Le fonctionnement de la machine est commandé par une unité de commande programmable, par exemple un ordina- teur (non représenté), qui est programmée pour que la ma- chine fonctionne de sorte que des pastilles sont attaquées une par une dans la chambre d'attaque 22, dans des condi- tions de travail déterminées. Dans une opération d'attaque, on soumet une pas- tille à une attaque au plasma dans la chambre d'attaque 22 au moyen d'une composition de gaz d'attaque choisie, par exemple (1) un mélange de C2F6, CHF3 et He peut être uti- lisé pour attaquer une couche de SiO2 sur le substrat (et toute couche photosensible recouvrant cette couche), et (2) un mélange de Cl2, SF6 et He peut être utilisé pour atta- quer un substrat de polysilicium. Le mélange gazeux d'atta- que est envoyé à l'électrode supérieure pendant la phase d'attaque au plasma, la chambre d'attaque étant maintenue à une pression réduite appropriée (comme décrit ici) pen- dant cette opération. Un gaz inerte, tel qu'azote, hélium, ou argon ou un mélange de ces gaz, est envoyé continuelle- ment à la chambre d'émission et à la chambre de réception de pastille et évacué de ces chambres, par l'intermédiaire des vannes 21 et 25 de commande de débit et de la pompe à ailettes 26. Au début d'une opération d'attaque, la cassette 50 est chargée de pastilles à attaquer tandis que la cassette 52 ne contient pas de pastilles. Ensuite, séquentiellement, une pastille est amenée par le système transporteur (non représenté) de la cassette 50 à la chambre de traitement 22, pour être attaquée, puis lorsque l'attaque a été ef- fectuée la même pastille est amenée à la cassette 52. Cha- que fois que le transporteur est actionné (a) il transporte une pastille attaquée de la chambre d'attaque 22 à la cas- sette 52 et (b) il amène simultanément une nouvelle pas- tille non attaquée de la cassette 50 à la chambre d'atta- que 22. A titre d'exemple, au début d'un travail d'attaque multipastilles, la cassette 50 complètement chargée se trouve à une première position (la plus haute) dans laquelle la pastille de sa cellule inférieure est en position d'ex- traction et de transport dans la chambre d'attaque. Simul- tanément, la cassette 52 se trouve dans une première posi- tion (la plus basse) dans laquelle sa cellule supérieure de réception de pastille est en position de recevoir une pastille extraite de la chambre d'attaque. Après enlève- ment d'une pastille de la cassette 50, cette dernière est déplacée vers le bas par son dispositif élévateur, d'une quantité suffisante pour amener la pastille suivante en position d'envoi à la chambre d'attaque. De même, lorsqu'une pastille a été enlevée de la chambre d'attaque et reçue par la cassette 52, celle-ci est déplacée vers le haut par son dispositif élévateur, d'une quantité juste suffisante pour amener sa cellule vide suivante en position de recevoir la pastille suivante extraite de la chambre d'attaque. L'unité de commande programmable pour la machine actionne les vannes d'isolement sous vide 46 et 48 (a) pour les ouvrir automatiquement sur ordre afin de permettre aux pastilles d'entrer dans la chambre de traitement et d'en sortir, et (b) pour les fermer automatiquement lorsque le transfert a été effectué, après quoi la machine est prête à exécuter une autre opération d'attaque. La machine com- prend également des moyens (non représentés) pour égaliser la pression dans les chambres d'émission et de réception à une valeur égale à celle de la pression dans la chambre de traitement 22, ce qui est nécessaire pour effectuer le transfert des pastilles à destination et en provenance de la chambre de traitement. Conformément à la présente invention, un appareil d'attaque du type représenté sur la figure 1 peut être mo- difié par remplacement de l'électrode supérieure avec un dispositif d'électrode 100 représenté sur la figure 2, qui est concu pour éjecter le gaz d'attaque dans au moins deux directions distinctes dont l'une est perpendiculaire à la surface supérieure de la pastille supportée par l'électrode inférieure et dont l'autre est inclinée suivant un angle aigu par rapport à la surface supérieure de la pastille. Le mode préféré de réalisation de l'invention comporte un dispositif d'électrode sensiblement comme représenté sur la figure 2. On voit sur la figure 2 que l'électrode supérieure modifiée 100 comprend une pièce d'électrode supérieure 34A sous la forme d'une tige cylindrique 70,prévue pour être raccordée à une source 42 d'énergie de radiofréquence, et d'une bride 72 présentant une surface inférieure plane qui est parallèle à la surface supérieure plane de l'électrode inférieure 36 lorsqu'elle est insérée à la place de l'élec- trode 34. Un anneau d'espacement métallique 74 et un anneau support en métal 76 sont fixés de façon séparable à la bride 72, au moyen de vis. Une plaque 78 en acier inoxydable fritté mince, ayant une porosité moyenne comprise entre 20 Nm envi- ron et 50 Nm environ, et de préférence 35 Nm environ (c'est- à-dire que la plaque 78 comporte des pores d'un diamètre moyen compris entre 20 et 50 Nom et de préférence de l'ordre de 35 gm),est soudée à l'anneau 76. Une pièce 82 de dis- tribution de gaz, en graphite poreux et en forme de disque, d'une porosité non inférieure à 20 gm et non supérieure à Nm et d'une porosité moyenne comprise entre 25 et 35 gm et de préférence de l'ordre de 32 gm, est bloquée contre la partie périphérique-de la plaque 78 en acier poreux, au moyen d'un anneau de-retenue 80 en matière électriquement isolante. Un manchon cylindrique 84 en aluminium, appliqué à l'intérieur de la pièce 82,sert à renforcer cette pièce et améliore également sa liaison de conduction avec la plaque poreuse 78 en acier. Un manchon 86 en matière électriquement isolante entoure-la tige cylindrique 70 de l'électrode 34A et un collier 88 en matière électriquement isolante entoure le bord extérieur de la bride 72 et les surfaces des bords extérieurs des anneaux 74 et 76. Des passages communicants 90 et 92 prévus dans le manchon isolant 86 et l'électrode 34A servent à intro- - duire le gaz d'attaque dans la chambre peu profonde 100 délimitée entre la bride 72 et la plaque poreuse 78. Sous l'influence du vide existant dans la chambre d'attaque 22, le gaz contenu dans la chambre 100 diffuse facilement à travers la plaque 78 et pénètre dans la chambre plus profon- de 102 délimitée entre la plaque 78 et la pièce 82 de dis- tribution de gaz en graphite. La chambre 102 sert de col- lecteur principal de gaz pour la pièce 82 de distribution de gaz. Le gaz contenu dans la chambre d'alimentation 102 s'échappe à travers les pores de la partie inférieure 104 de la pièce 82 de distribution de gaz. Les pores de la surface extérieure 105 de la région 104 agissent comme des orofices de sortie individuels ou des buses, de sorte que le gaz qui traverse la pièce 82 de distribution de gaz est éjecté à la surface extérieure 105 en une myriade de fins jets qui sont perpendiculaires à cette surface et éga- lement perpendiculaires à la surface supérieure plane de l'électrode inférieure 36. Conformément à la présente invention, le disposi- tif d'électrode supérieure 100 comprend une gaine électri- quement isolée qui fonctionne comme un organe auxilaire de distribution de gaz, prévu pour diriger du gaz d'attaque vers l'électrode inférieure36 suivant un angle d'inclinai- son par rapport à la surface supérieure plane de l'électro- de inférieure.Essentiellement, comme décrit plus loin, la gaine isolée constitue un organe de distribution de gaz qui est caractérisé par une pluralité de pores ou orifices d'éjection de gaz agencés en cone concentriquement sur l'a- xe principal commun des électrodes supérieure et inférieure. Les pores ou orifices d'éjection de gaz dans l'organe de distribution de gaz de la gaine isolée ont un diamètre mo- yen compris entre 20 et 50 gm environ. On se reporte à nouveau à la figure 2. Le mode pré- féré de réalisation de la gaine isolée comprend un organe de distribution auxiliaire de gaz sous la forme d'une gaine 106 conique en graphite poreux comportant une partie supé- rieure de corps 108, qui entoure et s'ajuste à frottement doux sur les surfaces supérieures et extérieures de la piè- ce isolante 88, et une partie inférieure de corps 112 qui se prolonge audessous de la pièce 82 de distribution de gaz en graphite et qui présente une surface intérieure co- nique 114 concentrique à la partie inférieure 104 de la piè- ce en graphite 82 et espacée radiaiement de celle-ci. La gaine 106 de distribution auxiliaire de gaz a une porosité moyenne comprise entre 20 et 50 Um environ, de sorte qu'elle peut servir d'organe de distribution auxiliaire de gaz. La gaine 106 de distribution de gaz comporte une chambre d'a- limentation sous la forme d'une cavité aveugle 116. La cavi- té est formée de sorte qu'une paroi mince poreuse 118 sépa- re la chambre d'alimentation de l'espace entouré par la surface intérieure conique 114 de la gaine de distribution de gaz. La paroi 118 a de préférence une épaisseur comprise entre 5 mm environ et 20 mm environ, de façon à ce qu'elle ait une résistance mécanique adéquate, et elle est égale- ment assez mince pour permettre le passage rapide du gaz d'attaque de la chambre d'alimentation 116 à l'espace situé entre les électrodes supérieure et inférieure. A la surface intérieure 114 de la gaine 106, les pores de la paroi mince 118 agissent comme des orifices de sortie individuels ou des buses, de sorte que le gaz est éjecté de la chambre d'alimentation à travers cette surface intérieure, sous la forme d'une myriade de fins jets qui sont perpendiculaires à la surface intérieure 114. Puisque la surface intérieure 114 de l'organe 106 de distribution de gaz en forme de gaine est inclinée suivant un angle aigu à la fois par rapport à la surface supérieure plane de l'é- lectrode inférieure 36 et à l'axe principal de l'électro- de supérieure, les jets de gaz sortant de la surface 114 sont dirigés vers la surface supérieure de l'électrode in- férieure 36 (et vers une pastille fixée sur cette surface supérieure) suivant un angle d'inclinaison. Le gaz est amené à la chambre d'alimentation 116 par un ou plusieurs passages 122 ménagés dans l'organe 106 de distribution de gaz et par un ou plusieurs conduits 124 qui sont raccordés, à une extrémité, aux passages 122 et, à l'autre extrémité, à la source de gaz par l'intermé- diaire des moyens 41 de commande de gaz de traitement. Des vannes appropriées 43, interposées dans les conduites d'ame- née de gaz des moyens 41 de commande de gaz de traitement, permettent l'application sélective du gaz d'attaque à tra- vers la pièce en graphite 82 ou la gaine 106. L'organe 106 de distribution auxiliaire de gaz est entouré d'une gaine protectrice 130 en matière électrique- ment isolante. En outre, les conduits 124 sont de préféren- ce entourés par des manchons 132 en matière électriquement isolante. La fonction des éléments isolants 130 et 132 est d'empêcher la formation d'une décharge d'effluve le long des surfaces extérieures de la pièce conductrice 106 de distribution de gaz en forme de gaine, de sorte que, lors- que les électrodes supérieure et inférieure sont excitées par l'alimentation RF, la formation de plasma est limitée à la région située directement entre les deux électrodes. Grâce à cette limitation de la décharge d'effluve, il faut moins de puissance pour effectuer une attaque effec- tive au plasma d'une pastille bloquée sur l'électrode in- férieure 36. La pièce 106 de distribution de gaz en forme de gaine est en une matière qui résiste au gaz d'attaque du substrat ou de la.couche à attaquer et qui ne réagit pas avec ce substrat ou cette couche (ou qui est au moins sen- siblement résistant et ne réagit pas rapidement). A titre d'exemple, dans le cas o le substrat semi-conducteur est du silicium et le système doit être utilisé pour attaquer le substrat ou une couche de silice ou de verre ou de métal sur le substrat, la gaine est de préférence en graphite po- reuxcomme indiqué plus haut,mais on peut utiliser de l'a- lumine ou du titane poreux à la place du graphite. * Il faut également noter que le gaz ou le mélange gazeux réactif d'attaque peut être un agent d'attaque iso- trope ou anisotrope. A titre d'exemple, un gaz d'attaque isotrope pour un substrat de silicium ou une couche de silice peut comprendre C2F6 dans de l'hélium porteur ou de dilution, tandis qu'un gaz d'attaque anisotrope pour les mêmes matières peut comprendre un mélange de 100 parties en volume de C2F6 et 10 parties en volume de CHF3 dilué avec de l'hélium. On donne ci-après un exemple de la façon dont on peut attaquer des gorges chanfreinées dans un substrat de silicium, au moyen de la présente invention. EXEMPLE Sur une pluralité de tranches ou pastilles de si- licium, on applique une couche de SiO2, puis on applique une couche de vernis photosensible sur la couche de SiO2. Ensuite, la couche photosensible est exposée à une image et développée de manière à former un masque qui définit des ouvertures ou des gorges exposant des zones choisies de la couche de SiO2, pour l'attaque. Les ouvertures ou gorges dans la couche photosensible sont définies par des surfaces de bord latéral qui s'étendent sensiblement per- pendiculairement aux pastilles. On place les pastilles dans une cassette d'émission, dans la chambre d'émission d'une Machine d'Attaque au Plasma de Pastille Unique du Type Cassette-à-Cassette SWE 654 de Balzers, comme représen- té sur la figure 1, et on les maintient dans cette chambre sous atmosphère d'hélium à une pression de 0,5 torr environ à 1,5 torr environ. Ensuite, on enlève chaque pastille suc- cessivement de la chambre d'émission et on la transporte à la chambre de réaction sous vide 22 o elle est soumise à l'attaque au plasma dans les conditions décrites plus loin, après quoi elle est retirée de la chambrede réaction et transportée à une cassette dans la chambre de réception 24. Chaque pastille introduite dans la chambre de ré- action est fixée à l'électrode inférieure 36 et maintenue à cet endroit pendant l'opération d'attaque. La chambre de réaction 22 est maintenue à une pression de 750 millitorr environ pendant l'opération d'attaque. En outre, on fait circuler de façon continue un fluide d'échange de chaleur dans un passage sinueux (non représenté) prévu dans l'élec- trode inférieure 36, de manière à maintenir l'électrode in- férieure et la pastille fixée à une température choisie de 10 C pendant l'opération d'attaque. Lors de la mise en place d'une pastille sur l'électrode inférieure, une alimentation de radiofréquence à 13,6 MHzbranchée entre les électrodes est mise en service,de manière à créer un champ de radio- fréquence entreles deux électrodes,et on introduit simulta- nément C2F6, CHF3 et de l'hélium par les moyens 41 de com- mande de gaz de traitement dans la chambre d'alimentation 102 (par l'intermédiaire de la chambre 100), à des débits 3 3 3 de 200 cm3, 20 cm3 et 50 Ncm environ, respectivement. Les deux électrodes sont espacées l'une de l'autre d'une dis- tance de 7 mm environ à 14 mm environ et la source d'énergie électrique est réglée à un niveau de puissance de l'ordre de 150 à 250 watts. On arrête l'envoi de gaz à la chambre d'alimentation 102 après 120 secondes environ. Environ une seconde après le début de l'envoi de gaz à la chambre d'ali- mentation 102, C2F6, CHF3 et l'hélium sont introduits par les moyens 41 de commande de gaz de traitement dans la gaine de distribution 116 par les conduits 124, à des débits de cm3, 20 cm3 et 50 cm3 environ, mesurés dans les condi- tions normales, respectivement. On arrête l'envoi de gaz à la gaine de distribution 106 en même temps que l'envoi de gaz à l'organe d'alimentation 102. On interrompt l'ali- mentation électrique en même temps qu'on arrête l'envoi de gaz aux deux organes de distribution. La pastille est ensuite retirée de l'électrode in- férieure 36 et transportée dans la chambre de réception 24 o elle est reçue par la cassette de réception 52. Simul- tanément, une nouvelle pastille est retirée de la cassette d'émission 50, transportée dans la chambre d'attaque et pla- cée sur l'électrode inférieure 36 de la manière déjà dé- crite. Ensuite, on met à nouveau en service l'alimentation électrique et les admissions de gaz aux distributeurs 102 et 116, pour attaquer la deuxième pastille pendant la même durée que la pastille précédente. On répète le processus jusqu'à ce que toutes les pastilles de la cassette d'émis- sion ait été attaquées et transportées à la cassette de réception 52. La cassette de réception est maintenue dans une atmosphère d'hélium sous une pression de 0,5 torr en- viron à 1,5 torr environ, jusqu'à ce que toutes les pas- tilles aient été attaquées. L'inspection subséquente des pastilles dans la chambre de réception montre que, partout o le masque de vernis photosensible définit une ouverture ou une gorge, la couche de SiO2 en alignement avec l'ouverture ou la gor- ge a été éliminée par attaque de manière à former des ou- vertures ou gorges correspondantes,sauf en ce que les an- gles extérieurs des ouvertures ou gorges dans les couches de SiO2 et également les angles extérieurs des ouvertures ou gorges correspondantes dans la couche photosensible sont chanfreinés de la manière illustrée sur les figures 3A et 3B, du fait de l'action d'attaque du gaz sortant à travers lasurface intérieure 114 de l'organe 1Q6 de distribution auxiliaire de gaz, en forme de gaine. Les figures 3A et 3B illustrent la façon dont (a) les angles extérieurs de la couche photosensible et d'une couche de SiO2 revêtue par la couche photosensible sont chanfreinés du fait de l'utilisation de la présente invention et (b) le chanfreinage améliore la métallisation subséquente. La figure 3A est une vue partielle à plus grande échelle d'un substrat 140 en silicium portant une couche 142 de SiO2 recouverte d'une couche photosensible 144. Dans une opération normale d'attaque au plasma, la couche photo- sensible et les couches de substrat sont attaquées de ma- nière à former des gorges ou ouvertures 146,dans la couche 142 de SiO2 et dans la couche photosensible 144.qui sont caractérisées par des surfaces de bord 148 (représentées en pointillé) qui sont sensiblement perpendiculaires au substrat. Grâce à l'utilisation de la présente invention, les angles vifs de la couche photosensible et de la couche de SiO2 qui interviennent dans la définition des gorges ou ouvertures dans la couche de SiO2 sont éliminés par at- taque de manière à engendrer des surfaces de bord chanfrei- nées comme représenté en 150. La figure 3B illustre la façon dont les surfaces de bord chanfreinées 150 facilitent le dépôt d'une couche de métal 154. Puisque les angles vifs produits par l'attaque normale au plasma sont évités et remplacés par les surfaces chanfreinées 150, le dépôt sub- séquent d'une couche de métal 154, par exemple une couche d'aluminium, peut être effectué de sorte que la couche de métal ne présente pas de discontinuités indésirables, rem- plit complètement les gorges ou ouvertures dans la couche de SiO2 et a également une épaisseur qui est sensiblement plus constante que dans le cas o la métallisation est ef- fectuée sans chanfreinage suivant la présente invention. En outre, la machine peut être modifiée de manière à comporter des moyens de commande sélective du flux de gaz d'attaque à travers différentes parties des moyens d'éjec- tion de gaz. De préférence, les moyens 106 de distribution au- xiliaire de gaz, en forme de gaine, sont conçus de manière à constituer un distributeur unique qui s'étend sur la to- talité des 360 autour de l'axe principal commun des deux électrodes. Toutefois, en variante, l'organe 106 de distri- bution de gaz peut être réalisé en quatre quadrants (90 ) ou groupes de buses de sortie, comportant chacun sa propre chambre de distribution 116. Dans ce cas, chaque chambre de distribution 116 possède son propre passage 122, relié à la source de gaz d'attaque par l'intermédiaire du dispo- sitif 41 de commande de gaz de traitement, de conduits sé- parés 124 et de vannes de réglage de débit séparées (non représentées). Dans une telle disposition, les quadrants adjacents présentent des parois d'extrémité planes verti- cales et ces parois d'extrémité sont en butée les unes contre les autres, de la manière représentée par la ligne sur la figure 2. Pour la modification de l'invention, décrite ci- dessus, un mode possible et préféré de fonctionnement com- prend les opérations suivantes. On introduit le mélange de gaz d'attaque par les orifices d'un groupe ou quadrant sé- lectionné des moyens 106 de distribution auxiliaire de gaz, on distribue le mélange de gaz d'attaque à travers les ori- fices ou buses de groupes ou quadrants successifs sur une base groupe par groupe ou quadrant par quadrant et (en sé- quence de temps avec l'opération précédente) on arrête l'envoi de gaz d'attaque aux orifices ou buses d'autres groupes ou quadrants sur une base groupe par groupe ou quadrant par quadrant. Par exemple, on peut envoyer le mé- lange gazeux d'attaque à un premier groupe et à un deuxième groupe desdits orifices ou buses séquentiellement en série et l'envoi de gaz d'attaque au premier groupe peut être ar- rêté: (a) avant, (b) après, ou (c) en même temps que le début de l'envoi de gaz d'attaque au deuxième groupe ou quadrant de buses. Avec ce mode de fonctionnement, il est possible de modifier la durée pendant laquelle du gaz d'at- taque est éjecté par chaque groupe ou quadrant d'orifices de sortie et cette variation des durées de fonctionnement de chaque groupe ou quadrant d'orifices de sortie permet de modifier le degré de chanfreinage,à divers endroits autour de la périphérie,d'ouvertures attaquées dans les surfaces exposées de couches sur un substrat ou d'ouvertures dans une couche de SiO2 sur le substrat (et éventuellement d'ou- vertures dans une couche photosensible recouvrant la cou- che de SiO2). L'électrode de la figure 2 peut bien entendu être modifiée de manière à procurer un deuxième organe de dis- tribution auxiliaire de gaz, pour éjecter un gaz d'attaque vers l'électrode inférieure suivant un angle différent de l'angle auquel le gaz d'attaque est éjecté par l'organe 106 de distribution auxiliaire de gaz. De plus, bien que les organes 82 et 106 de distri- bution de gaz aient été décrits comme des pièces poreuses, il est entendu qu'ils peuvent être en une matière impermé- able au mélange gazeux d'attaque, pourvu qu'ils soient traités de manière à comporter des orifices de la taille du micron qui peuvent fonctionner comme orifices de sortie de gaz conformément à la présente invention. De tels orifi- ces de la taille du micron peuvent être formés au.moyen d'un laser. Une autre variante de l'invention consiste à di- riger le gaz vers l'un ou les deux organes 82 et 106 de distribution de gaz, par courtes impulsions répétitives. Il est entendu que des gaz différents peuvent être envoyés aux organes 82 et 106 de distribution de gaz. Par exemple, un gaz d'attaque à action isotrope peut être éjec- té par l'organe 82 de distribution de gaz et un gaz d'atta- que à action anisotrope peut être éjecté par l'organe 106 de distribution de gaz. D'autre part, on peut modifier le cadencement de l'envoi des gaz aux organes 82 et 106 de distribution de gaz. Par exemple, on peut envoyer le gaz à l'organe 106 de distribution de gaz avant ou en même temps que l'envoi de gaz à l'organe 82 de distribution de gaz. Bien que l'invention ait été décrite avec réfé- rence à une machine d'attaque de pastille unique du type cassette-àcassette représenté sur la figure 1, il est entendu qu'elle s'applique à d'autres systèmes d'attaque au plasma. Sauf indication contraire, il est entendu que l'expression "élément semiconducteur à usiner" désigne des tranches ou pastilles semi-conductrices, des puces, des substrats et éléments analogues, tels qu'ils apparaissent à l'un quelconque des divers stades de production intervenant dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Autre- ment dit, un "élément semi-conducteur à usiner"' doit être considéré comme comprenant le substrat de départ pour un dispositif semi-conducteur (par exemple une tranche ou pastille de silicium) ainsi que toute addition ou modifica- tion, le cas échéant, (par exemple, la formation d'une jonc- tion PN ou l'addition de couches isolantes de verre ou de SiO2) qui a été faite pendant les stades antérieurs de la fabrication. D'autre part; l'expression "dispositifs semi- conducteurs" s'entend comme englobant divers types de dis- positifs à circuit intégré, tels que processeurs centraux unités de mémoire, unités arithmétique, etc. Il est entendu que des modifications de détail peuvent être apportées dans la forme et la mise en oeuvre du procédé et de l'appareil suivant l'invention, sans sor- tir du cadre de celle-ci. Revendications 1. Appareil pour l'exécution de l'attaque au plas- ma de pastilles semi-conductrices, qui comprend une chambre de traitement (22), une première (34) et une deuxième (36) électrodes montées dans cette chambre et disposées de sorte qu'au moins une pastille peut être placée entre elles pour l'attaque, des moyens de mise sous vide de cette chambre, des moyens d'alimentation en gaz (45) pour l'introduction d'au moins un gaz réactif d'attaque dans la chambre de trai- tement, et des moyens d'alimentation en énergie de radio- fréquence (42) reliés aux électrodes de manière à ioniser ledit au moins un gaz réactif d'attaque et à engendrer un plasma qui frappe et attaque une pastille placée entre les électrodes, ledit appareil étant caractérisé en ce que la première électrode (34)comprend (1)un premier organe (82) de distribution de gaz, comportant une pluralité de premiers orifices de sortie agencés de manière à éjecter ledit au moins un gaz réactif d'attaque en une pluralité de jets de gaz orientés dans une direction sensiblement perpendicu- laire au plan d'une pastille supportée sur la deuxième électrode(36),et (2) un deuxième organe (106) de distribu- tion de gaz comportant une pluralité de deuxièmes orifices de sortie agencés chacun de manière à éjecter ledit au moins un gaz réactif d'attaque dans une direction qui forme un angle aigu avec le plan d'une pastille supportée sur la deuxième électrode; et en ce que les moyens de commande de l'envoi de gaz comprennent (a) des premiers moyens (90,92, 43) pour relier sélectivement le premier organe (82) de dis- tribution de gaz aux moyens d'alimentation en gaz (45) de sorte que ledit au moins un gaz réactif d'attaque est dis- persé par l'intermédiaire des premiers orifices de sortie en une pluralité de jets dirigés vers la deuxième électrode, perpendiculairement à celle-ci, et (b) des deuxièmes moyens (122,124,43) pour relier sélectivement le deuxième organe (106) de distribution de gaz aux moyens d'alimentation en gaz de sorte que ledit au moins un gaz réactif d'attaque est dispersé par l'intermédiaire des deuxièmes orifices de sortie en une pluralité de jets dirigés vers la deuxième électrode suivant un angle aigu par rapport à celle-ci. 2. Appareil suivant la revendication 1, caracté- risé en ce que le deuxième organe (106) de distribution de gaz est prévu de sorte que ledit au moins un gaz d'attaque peut être envoyé à des orifices différents parmi lesdits deuxièmes orifices, suivant une séquence prédéterminée. 3. Appareil suivant la revendication 1, caracté- risé en ce que le deuxième organe (106) de distribution de gaz entoure le premier organe (82) de distribution de gaz. 4. Appareil suivant la revendication 1, caracté- risé en ce que le deuxième organe (106) de distribution de gaz comporte un élément poreux (118) qui possède des passa- ges continus permettant audit au moins un gaz de traverser cet élément. 5. Appareil suivant la revendication 4, caracté- risé en ce que le deuxième organe (106) de distribution de gaz est sous la forme d'une gaine entourant la première électrode (34). 6. Appareil suivant la revendication 5, caracté- risé en ce qu'il comporte des moyens (130,132) qui isolent électriquement une partie choisie de la gaine, de manière à limiter le plasma à la région située entre les électrodes. 7. Appareil suivant la revendication 4, caracté- risé en ce que le premier organe (82) de distribution de gaz comprend une plaque poreuse (104) de distribution de gaz, fixée à la première électrode. 8. Appareil suivant la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens (41) de commande d'admission de gaz sont prévus pour que le gaz soit introduit dans lesdites parties choisies de la gaine, séquentiellement, en fonc- tion de leurs positions respectives autour de la circonfé- rence de la première électrode. 9. Procédé d'exécution de l'attaque d'une pièce semi-conductrice de manière à engendrer des dépressions qui présentent des angles chanfreinés, comprenant les opé- rations de: (a) préparation d'un élément semi-conducteur à usiner qui comporte sur une de ses faces un masque définissant au moins une ouverture d'attaque; (b) mise en place dudit élément à usiner entre une première et une deuxième électrodes situées dans une chambre de traitement de sorte que ledit élément est proche de la deuxième électrode et sadite face est tournée vers la pre- mière électrode et (c) branchement d'une source d'énergie de radio-fré- quence entre les électrodes de manière à engendrer un champ électrique de radiofréquence entre ces électrodes; ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend: (d) la distribution sélective d'un gaz réactif d'at- taque à travers un premier organe de distribution de gaz prévu pour éjecter ce gaz en une pluralité de jets di- rigés vers la deuxième électrode, perpendiculairement au dit côté de l'élément à usiner; et (e) la distribution sélective d'un gaz réactif d'at- taque à travers un deuxième organe de distribution de gaz prévu pour éjecter ce gaz en une pluralité de jets dirigés vers la deuxième électrode suivant un angle aigu par rap- port audit côté de l'élément à usiner; de sorte que les jets de gaz sortant du premier et du deu- xième organes de distribution de gaz sont ionisés et accé- lérés vers la deuxième électrode de manière à traverser la dite au moins une ouverture d'attaque, les jets de gaz du premier organe de distribution de gaz traversant ladite au moins une ouverture d'attaque sensiblement perpendiculaire- ment audit côté de l'élément afin d'engendrer une dépres- sion,dans l'élément à usiner,comportant des angles exté- rieurs vifs, et les jets de gaz du deuxième organe de dis- tribution de gaz traversant ladite au moins une ouverture d'attaque suivant un angle aigu par rapport audit côté de l'élément afin de chanfreiner lesdits angles extérieurs. 10. Procédé suivant la revendication 9, carac- térisé en ce que le masque de l'élément à usiner comporte une pluralité d'ouvertures d'attaque et les premier et deuxième organes de distribution de gaz comportent chacun une pluralité d'orifices de sortie de gaz. 11. Procédé suivant la revendication 10, carac- térisé en ce qu'on envoie le gaz au deuxième organe de dis- tribution de gaz après l'avoir envoyé au premier organe de distribution de gaz. 12. Procédé suivant la revendication 9, carac- térisé en ce que le deuxième organe de distribution de gaz comprend une pluralité d'orifices de sortie disposés en un agencement qui s'étend autour de la périphérie de l'élément à usiner. 13. Procédé suivant la revendication 12,caracté- risé en ce que le gaz est envoyé aux premier et deuxième organes de distribution de gaz suivant une séquence prédé- terminée, pendant de courtes durées. 14. Procédé suivant la revendication 13, caracté- risé en ce que le gaz est envoyé simultanément aux premier et deuxième organes de distribution de gaz. 15. Appareil pour effectuer l'attaque auplasma de pastilles semiconductrices, qui comprend une chambre de traitement (22), une première (34) et une deuxième (36) électrodes montées dans cette chambre et disposées de sorte qu'au moins une pastille peut être placée entre elles pour l'attaque, des moyens (30,32) de mise sous vide de cette chambre, des moyens (41,45) d'alimentation en gaz pour l'in- troduction d'au moins un gaz réactif d'attaque dans la cham- bre de traitement, et des moyens (42) d'alimentation en é- nergie de radiofréquence reliés aux électrodes de manière à ioniser ledit au moins un gaz réactif d'attaque et à engen- drer un plasma qui frappe et attaque une pastille placée entre les électrodes, ledit appareil étant caractérisé en ce que la première électrode (34) comprend un premier or- gane de distribution de gaz, pour diriger un gaz réactif d'attaque vers la deuxième électrode suivant un premier angle par rapport à cette deuxième électrode, et un deuxième organe de distribution de gaz pour diriger un gaz réactif d'attaque vers la deuxième électrode suivant un deuxième angle par rapport à cette deuxième électrode; et en ce qu'il comprend des moyens de raccordement sélectif des pre- mier et deuxième organes de distribution de gaz auxdits moyens d'alimentation en gaz de sorte qu'un gaz réactif d'attaque peut être dirigé sur la deuxième électrode par ledit premier et/ou ledit deuxième organe(s) de distribution de gaz.