FR 2573548 A1 19860523 FR 8417794 A 19841122 DISPOSITIF POUR LE DEPOT D'UNE COUCHE D'ORIENTATION D'UNE CELLULE A CRISTAL LIQUIDE La présente invention a pour objet un dispo- sitif pour le dépôt d'une couche d'orientation d'une cellule à cristal liquide. Les cellules à cristal liquide sont utili- sées notamment dans les systèmes d'affichage pour mon- tres, calculateurs, appareils de mesure, en péri-in- formatique pour la visualisation de caractères alpha- numériques, ou encore dans le traitement optique de signaux électriques. Au sein du cristal liquide, les molécules sont en général orientées perpendiculairement aux parois de la cellule en l'absence de champ électrique créé entre les électrodes. Une telle orientation est dite homéotrope. Lorsque les électrodes sont portées à un potentiel électrique, il apparaît un champ électri- que au sein du cristal liquide. Ce champ électrique provoque le basculement des molécules qui s'orientent parallèlement aux parois de la cellule. Si, avant l'application du champ électrique, les molécules de cristal liquide ont une orientation homéotrope, sous l'action d'un champ électrique, elles basculent indif- féremment de manière à être parallèles ou anti-paral- lèles à une direction contenue dans le plan des parois de la cellule. L'apparition de zones de basculement inverse, séparées des zones de basculement correct par des lignes de discontinuité, perturbe gravement l'aspect de l'afficheur. Cette indétermination sur le sens de bascu- lement des molécules de cristal liquide peut être levée si, au voisinage des parois, les molécules de cristal liquide possèdent, en l'absence d'un champ électrique, une orientation quasi-homéotrope, l'angle que font les molécules de cristal liquide avec la nor- male aux parois étant faible, par exemple compris entre 1 et 10 . Lors de l'application du champ élec- trique, les molécules de cristal liquide basculent alors dans le même sens; les zones de basculement inverse disparaissent. On connaît de nombreuses méthodes pour obtenir une orientation quasi-homéotrope des molécu- les de cristal liquide d'une cellule. Ces procédés concernent des traitements de l'état de surface des parois internes des faces de la cellule. Dans la suite du texte, le terme "substrat" désignera L'une des parois de la cellule et le terme "la surface du substrat" désignera la face interne de chaque paroi de la cellule en contact avec le cristal liquide. Pour traiter une surface de substrat, l'homme de l'art utilise un procédé qui consiste en un dépôt sur la surface du substrat, par évaporation oblique, d'un matériau tel que SiO suivi d'un traite- ment homéotrope par un agent de surface tel qu'un surfactant organique. Le procédé est notamment décrit dans l'arti- cle "Large-area quasihomeotropic orientation of liquide crystal and its application to guest-host po- sitive display" de Nobuyoski Koshida paru dans Journal of Applied Physics, n 59-9, septembre 1981, pp 5534- 5536. Les figures la et lb représentent de façon schématique un dispositif pour la mise en oeuvre de la première étape de ce procédé connu. La figure la est une vue du dispositif dans un plan parallèle au plan du substrat 2 tel que le plan xy et la figure lb est une vue du même dispositif dans un plan perpendiculai- re à l'axe x. Les axes x et y sont pris parallèles aux côtés du substrat 2 et se coupent en son centre. La source d'évaporation comprend un réci- pient 4 de forme allongée et étroite, de L'ordre de mm de Long pour 3 mm de Large, contenant des grains 6 de SiO de diamètre d'environ 2 mm et disposé sur une seule ligne sur toute la longueur du récipient 4. Celuici est placé dans le plan xy' à environ 40 cm du substrat. L'angle entre les directions y et y' est de L'ordre de quelques degrés. La source d'évaporation comprend également des moyens (non représentés) pour évaporer les grains 6 de SiO. Le dispositif comprend enfin un obturateur 8 qui permet de contrôler la durée d'exposition du substrat 2 à La source d'évaporation. La deuxième étape du procédé est de manière classique le dépôt d'un agent de surface. On peut ci- ter parmi les agents actifs de surface (surfactants), la résine polyamide Versamide 100 et la Lécithine pour les composés hydrocarbonés, ou le potytétrafluor- éthyLène (PTFE) pour les composés fluorocarbonés, et parmi les agents de couplage de surface, Les organosi- lanes teLs que DMOAP polymérisé. Tous ces composés sont connus et utilisés par l'homme de l'art. Dans la première étape de ce procédé connu, on dépose une couche d'orientation par évaporation sous vide sous incidence oblique. On connaît également des procédés o L'on dépose une couche sous plusieurs angles d'évaporation différents. Dans la demande de brevet DE-A-2605690 déposée le 13 février 1976 au nom de BBC AG, on utilise deux angles d'évaporation per- pendiculaires entre eux, une première couche étant dé- posée sous un premier angle d'évaporation, puis une seconde couche sous un second angle d'évaporation. Dans la demande de brevet DE-A-2817348 déposée le 20 avril 1978 au nom de CITIZEN WATCH Co, Ltd, on utilise simultanément deux angles d'évaporation coplanaires. Dans chacun de ces procédés connus, les an- gles d'évaporation sont fixes et Leurs valeurs résul- tent d'un choix judicieux par l'homme de l'art en fonction de nombreux paramètres. Le procédé de dépôt par évaporation sous vide utilisé dans ces méthodes connues n'est pas sans inconvénient. Il faut tout d'abord concilier le carac- tère sensiblement ponctuel d'une telle source avec le désir d'avoir un angle d'évaporation identique en tout point du substrat. Ceci conduit à disposer la source à grande distance du substrat (40 cm dans l'exemple des figures la et lb), donc à augmenter L'encombrement du dispositif d'évaporation sous vide. Ceci limite égale- ment la taille des substrats qui peuvent être traités, car à partir d'une certaine dimension du substrat, l'angle d'évaporation ne peut être maintenu identique en tous tes points de ce substrat. Ainsi, il n'est pas facile de traiter par évaporation sous vide des subs- trats dpnt les dimensions excèdent 200 mm. Par ailleurs, l'évaporation sous vide se prête mal à une production de substrats en grande sé- rie. On sait, en effet que la couche d'orientation doit avoir une épaisseur minimale de l'ordre de nm. On sait également que l'épaisseur de la couche d'orientation croît d'autant plus rapidement que la direction d'évaporation est proche de la normale au substrat. Or, le dépôt de la couche d'orientation se fait sous une incidence importante, l'angle entre la normale au substrat et la direction d'évaporation étant compris entre 60 et 80 ; l'épaisseur de la cou- che déposée croît donc lentement. Le procédé est encore ralenti par les mani- pulations nécessaires au positionnement de chaque substrat devant la source d'évaporation et par le fait que l'autonomie de la source d'évaporation est faible, celle-ci devant être rechargée environ toutes les heu- res. L'invention a pour but Le dép8t d'une couche d'orientation sur un substrat pour induire une orien- tation quasi-homéotrope des molécules d'un cristal liquide palliant les inconvénients des techniques con- nues. Elle a pour objectif la production de tels substrats à un débit élevé. Elle a également pour objectif le traitement de substrats de grande dimen- sion, par exemple supérieur à 300 mm. L'invention consiste d'une part à remplacer la source d'évaporation sous vide par une source de pulvérisation cathodique et d'autre part à déposer la couche d'orientation sous une incidence variant conti- nûment, l'intervalle de variation de l'angle d'inci- dence contenant l'incidence normale. L'utilisation de la pulvérisation cathodi- que présente deux avantages essentiels * première- ment, la source n'est plus ponctuelle mais étendue, ce qui permet de traiter des substrats de grande dimen- sion; deuxièmement, l'autonomie de cette source est très supérieure à celle d'une source d'évaporation sous vide, ce qui limite les arrêts du dispositif et accélère le débit de production des substrats. Un autre avantage réside en ce que la pulvé- risation cathodique permet un meilleur contrôle de la matière déposée tant du point de vue de la quantité de la matière déposée que de sa pureté. Le deuxième élément de l'invention, à savoir le dépôt de la couche d'orientation sous une incidence variant continûment, permet d'atteindre un débit com- patible avec une production en grande série par le défilement d'un train de substrats sous la source de pulvérisation. Il faut noter que le dépôt de la couche d'orientation sous une incidence variant entre deux angles disposés de part et d'autre de la normale se démarque totalement de l'art antérieur dans lequel l'(les) angles(s) d'évaporation est (sont fixe(s) et choisi(s) de manière précise par l'homme de l'art en fonction de divers paramètres. De manière précise, l'invention a pour objet un dispositif de dépôt d'une couche d'orientation sur la paroi d'une cellule à cristal liquide, ou substrat, pour induire une orientation quasi-homéotrope des mo- lécules de cristal liquide comprenant un support Li- néaire plan apte à recevoir un ensemble de substrats alignés suivant un axe d'alignement et une source de pulvérisation cathodique disposée audessus dudit support et centrée sur ledit axe d'alignement, Lesdits substrats et ladite source étant animés d'un mouvement relatif de translation suivant ledit axe d'alignement pendant Le dépôt de la couche d'orientation, ledit mouvement faisant varier continûment l'angle d'inci- dence des particules déposées en chaque point d'un substrat dans un intervalle contenant l'incidence nor- male. De manière préférée, la source de pulvérisa- tion cathodique est étendue dans le plan du support suivant un axe perpendiculaire à l'axe d'alignement. La dimension de la source suivant cet axe perpendicu- laire à l'axe d'alignement est au moins égal à La dimension des substrats suivant cet axe. De manière préférée, le mouvement relatif de translation est continu et à vitesse constante. Selon un mode de réalisation avantageux, la source de pulvérisation cathodique est fixe et le dispositif comprend un tapis roulant sur lequel sont disposés les substrats. Selon un autre mode de réalisation avanta- geux, les substrats sont fixes et la source de pulvé- risation cathodique est animée d'un mouvement de translation. Les caractéristiques et avantages de l'in-_ vention apparaîtront mieux après la description- qui suit, d'exemples de réalisation donnés à titre expli- catif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexes sur lesquels: - les figures la et lb, déjà décrites, re- présentent de façon schématique un dispositif connu pour le dépôt d'une couche d'orientation sur une paroi de cellule à cristal liquide, afin d'obtenir un ali- gnement quasi-homéotrope des moltécules de cristal li- quide, Les figures 2a et 2b représentent respecti- vement une vue de face et une vue de côté du disposi- tif de l'invention pour le dépôt d'une couche d'orien- tation sur une paroi de cellule à cristal liquide, afin d'obtenir un alignement quasi-homéotrope des mo- lécules de cristal liquide, - la figure 3 représente schématiquement, en coupe, un substrat recouvert d'une couche d'orienta- tion déposée au moyen du dispositif de l'invention, - la figure 4 représente schématiquement une coupe d'une cellule à cristal Liquide obtenue au moyen du dispositif de l'invention montrant l'orientation quasi-homéotrope des molécules de cristal liquide. On a représenté sur les figures 2a et 2b un dispositif selon un mode de réalisation de l'inven- tion, respectivement en vue de face et en vue de côté. Ce dispositif comprend essentiellement une source 10 du corps à déposer, le dépôt se faisant par pulvérisation cathodique, et un tapis roulant 12 dont la bande supérieure forme un support 14 linéaire plan apte à recevoir un ensemble de substrats 2 alignés. La source 10 est disposée en regard des substrats ali- gnés; elle est centrée sur L'axe d'aLignement des substrats. On connaît Les dispositifs de puLvérisation cathodique. Un tel dispositif comprend une enceinte empLie d'un gaz- inerte, par exemple l'argon, sous une pression de L'ordre de 0,01 mmHg. Par application d'une haute tensions on crée une décharge entre une cathode, constituée par La source 10 et une anode. Cette décharge produit L'ionisation du gaz neutre et les ions formés viennent frapper La cathode, provo- quant L'arrachement des moLécules de la source. Ces moLécutes ont alors une vitesse suffisante pour at-- teindre Le substrat et s'y déposer. Ce dispositif étant bien connu de L'homme de L'art et sa représentation n'étant pas nécessaire à La compréhension de L'invention, on a simplement indiqué sur Les figures 2a et 2b La source 10 du corps à dépo- ser sur laqueLLe sont précipités les ions du gaz iner- te. IL est clair toutefois que L'ensemble du disposi- tif représenté sur Les figures 2a et 2b est contenu dans une enceinte empLie d'un gaz inerte. Dans Le mode de réalisation représenté sur Les figures 2a et 2b, la source 10 est fixe et Les substrats défilent devant ladite source, entraÂnés par Le moteur 16 du tapis roulant 12. Ce défiLement est fait de préférence en continu à une vitesse constante. Bien entendu, un dispositif comprenant une source mobile en translation devant un ensemble de substrats fixes constitue également un mode de réali- sation conforme à l'invention. Le dispositif de l'invention réalise le dé- pôt d'une couche d'orientation sous un angle d'inci- dence variant continûment au cours du dépôt en chaque point du substrat. Cet angle, mesuré entre la direc- tion de défilement d et la direction d'incidence des particules issues de la source, varie d'un angle 61, inférieur à 90 , à un angle 62/ supérieur à 90 . La valeur de l'angle 61, peut être quelcon- que dans l'intervalle t0 ,90 J; en pratique, une valeur de quelques degrés peut être retenue. De même, la valeur de l'angle e2 peut être quelconque dans l'intervalle 190 ,1803; en pratique une valeur de près de 180 peut être retenue. Il est important de noter qu'à la difference des procédés connus, il n'est pas nécessaire de choisir ici des angles d'incidences précis, ce qui simplifie le dispositif de dépôt de la couche d'orientation (moins d'éléments, réglages supprimés,...). De plust le dép8t selon l'invention d'une couche d'orientation sous une incidence varia- ble, traversant l'incidence normale, s'écarte totale- ment des procédés connus dans lesquels l'angle d'inci- dence est fixe. Le demandeur a déposé une couche d'orienta- tion sur un substrat au moyen d'un dispositif conforme aux figures 2a et 2b et a constaté, après avoir déposé un surfactant dans une étape ultérieure, que les molé- cules de cristal liquide déposées sur ce substrat avaient une orientation quasi-homéotrope. Bien que le mécanisme du dépôt de la couche d'orientation soit mal compris, on peut cependant avancer l'explication que Les particules déposées sous incidence sensiblement normale contribuent pour environ 90% à l'épaisseur de la couche et que les par- ticules déposées sous les autres incidences contri- buent seulement pour environ 10% à l'épaisseur de la couche mais sont à l'origine de la texture de la couche qui induit l'orientation des molécules de cris- tal liquide. Les paramètres essentiels de réglage du dis- positif sont la vitesse de défilement des substrats relativement à la source et la puissance de ladite source. On sait en effet que la couche d'orientation doit avoir une épaisseur minimale, de l'ordre de Onm, pour que l'adsorption du surfactant déposé dans l'étape suivante soit suffisante. En général, on dépose une couche dont l'épaisseur est comprise entre et 750 nm. Le dispositif de l'invention présente L'avantage par rapport aux dispositifs connus, de se prêter à une production en grande série. Ceci est rendu possible d'une part par le défilement continu des substrats devant la source et, d'autre part, par L'utilisation d'une source de pulvérisation cathodi- que dont l'autonomie est très supérieure à celle d'une source d'évaporation. Enfin, le procédé de dépôt de la couche d'orientation est considérablement accéléré dans l'invention car une grande partie de l'épaisseur de cette couche est déposée sous incidence sensiblement normale, o la vitesse de croissance est importante, aLors que dans les procédés connus la totalité de la couche d'orientation est déposée sous une incidence fixe sensiblement rasante, o la vitesse de croissance est faible. On peut également ajouter que le dispositif de l'invention permet de traiter des substrats de grande dimension. A titre d'exemple, dans un mode de réalisation de l'invention, la source 10 est une pla- quette dont le côté dans le sens de défilement, a une longueur de 10 à 15 cm et dont l'autre côté a une longueur de 45 cm. Avec une telle source, on peut traiter des substrats d'environ 30x30 cm, l'altitude de la source au-dessus du support véhiculant les substrats étant de l'ordre de 5 cm. La dimension des substrats est limitée, dans le sens perpendiculaire au défilement, par la longueur de La source suivant cette direction. En revanche, dans le sens du défilement, il n'existe pas de limitation liée au dispositif. On a représenté sur la figure 3 une coupe schématique d'un substrat traité au moyen du disposi- tif de L'invention. Le substrat 20 est recouvert d'une couche d'orientation 22. Cette couche d'orientation peut être réalisée dans un matériau isolant tel que SiO, SiO2, A1203. Elle peut être aussi réalisée dans un matériau conducteur tel que In203 ou NiCr si on désire graver les électrodes dans la couche d'orienta- tion. L'épaisseur de cette couche est de l'ordre de 150 à 750 nm. Cette couche 22 peut être représentée comme étant constituée d'une superposition de couches, chacune déposée sous une incidence particulière, l'in- cidence de dépôt de chaque couche croissant d-'un angle 61 à un angle 62 de la première couche à la dernière couche déposée. La représentation de la surface 24 obtenue illustre l'orientation des corps constituant la surface du substrat. Cette représentation n'est bien sûr qu'un modèle et ne prétend pas être une pho- tographie de la réalité. La deuxième étape connue du procédé de traitement d'un substrat pour induire une orientation quasi-homéotrope de molécules de cristal Liquide con- siste à recouvrir la surface 24 de ce substrat d'un surfactant, organique ou non, ou d'un agent de coupla- ge de surface. A titre d'exemple, on va décrire le procédé connu, de dépôt d'une couche monomoléculaire de DMOAP sur le substrat. Le substrat est d'abord plongé dans une solution aqueuse de DMOAP pendant 20 minutes. Cette solution aqueuse contient typiquement 0,1% de DMOAP. Le substrat est ensuite rincé à L'eau distillée pendant 20 minutes, puis séché à température ambiante. Il est enfin chauffé à 130 C pendant 20 minutes. On a représenté sur ta figure 3 une molécule de DMOAP adsorbée sur la surface 24. La partie 26 de cette molécule fixée sur la surface 24 comprend un groupement tripropyL lié à un atome de silicium. La partie 28 est composée d'une chaÂne carbonée octadecyl. C'est l'orientation de cette chaîne qui induit une orientation quasi-homéotrope des molécules de cristal liquide. Sur la figure 4, on a représenté une coupe schématique d'une cellule à cristaL liquide. Le substrat 20a forme la paroi supérieure de la cellule. Sur sa face intérieure, sont disposées des électrodes parallèles telles que l'électrode 30 visible en coupe Longitudinale. Une couche d'orientation 22a déposée au moyen du dispositif de l'invention recouvre la surface interne de ce substrat 20a. L'autre paroi de la cellu- le est constituée de la même manière d'un substrat 20b sur lequel sont disposées des électrodes parallèles 32 visibles en coupe transversale, la surface de ce substrat 20b étant recouverte d'une couche d'orienta- tion 22b obtenue déposée au moyen du dispositif de l'invention. Une couche d'agent de couplage (non re- présentée) recouvre chaque couche d'orientation. On a représenté entre ces deux substrats, des molécules de cristal liquide 34 ayant une orienta- tion quasi-homéotrope. L'angle a d'inclinaison de ces molécules par rapport à la normale aux parois de la cellule a été exagéré pour la clarté du dessin. En fait, cet angle est en pratique compris entre 1 et 10 . Il est souvent de 1 ou 2 . REVENDICATIONS 1. Dispositif de dépôt d'une couche d'orien- tation sur la paroi d'une cellule à cristal liquide, ou substrat (2), pour induire une orientation quasi- homéotrope des molécules de cristal Liquide caractéri- sé en ce qu'il comprend un support (12) linéaire plan apte à recevoir un ensemble de substrats (2) alignés suivant un axe d'alignement et une source (10) de pulvérisation cathodique disposée au-dessus dudit support et centrée sur ledit axe d'alignement, lesdits substrats et ladite source étant animés d'un mouvement relatif de translation suivant ledit axe d'alignement pendant le dépôt de la couche d'orientation, ledit mouvement faisant varier continûment l'angle d'inci- dence des particules déposées en chaque point d'un substrat dans un intervalle contenant l'incidence nor- male. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la source de pulvérisation ca- thodique est étendue dans le plan du support suivant un axe perpendiculaire à l'axe d'alignement. 3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le mouve- ment relatif de translation est continu. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le mouve- ment relatif de translation est un mouvement à vitesse constante. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la source de pulvérisation cathodique est fixe. 6. Dispositif selon la revendication 5, ca- ractérisé en ce qu'il comprend un tapis roulant (14) dont le support constitue le plan supérieur. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les substrats sont fixes et la source de pulvérisation ca- thodique mobile.