FR 2575317 A1 19860627 FR 8518960 A 19851220 U575317l Etage d'entrée pour des composants à couplage de charge ". L'invention concerne un étage d'en- trée pour des composants à couplage de charge. De façon plus particulière, l'invention concerne un étage d'en- trée pour des composants à couplage de charge (CCD) qui trouvent de multiples applications dans la micro- électronique et notamment sous la forme de lignes ou encore sous la forme de lignes regroupées suivant des éléments de surface. Pour les composants à couplage de charge (encore appelés composants CCD), on connaît deux types d'étagés d'entrée. D'une part, les entrées de signaux électriques et d'autre part les générateurs de charges de référence. Un exemple caractéristique du premier groupe est l'étage d'entrée travaillant selon le procédé "remplissage et évacuation" (fill and spill). Dans ce cas, un domaine de diode est adjacent à la pre- mière électrode d'un registre à décalage de type CCD. Une tension continue est appliquée à cette première électrode. La seconde électrode est l'électrode d'entrée proprement dite. Celle-ci reçoit le signal électrique et on génère des paquets de charges proportionnels à ce signal et qui sont alors décalés de cellule à cellule au rythme de la fréquence de cadence (horloge) dans le registre CCD en aval, avec la troisième, la quatrième et toutes les autres,lectrodes. Pour la mise en oeuvre, 25753 1 on applique une impulsion de tension à la zone de la diode d'entrée, tension dont la fréquence est égale à la fréquence de cadence et par laquelle le niveau de blocage suffisamment élevé de la zone de diode est abaissé à une tension de blocage plus faible, définie, et cela pendant une courte durée. Cela ne se fait que pendant "une courte durée", car après le "remplissage" (fill) de l'auge de potentiel sous la seconde électrode (électrode d'entrée), ce qui se produit pendant l'appli- cation de la tension de blocage réduite, on a suffisam- ment de temps pour le passage en retour (spill) de la charge en excèdent hors de l'auge de potentiel sous la seconde électrode à travers la barrière de potentiel sous la première électrode en retour dans la zone de la diode d'entrée, avant que la charge ne soit transférée de l'auge de potentiel à la cellule de registre suivante. Ce'passage en retour" ne peut se faire que si la zone de la diode d'entrée est à un niveau de blocage suffi- samment élevé. Un exemple caractéristique du second groupe est un générateur de valeur de blanc tel qu'utilisé dans des lignes de capteur CCD de type optique (par exemple le composant CCD 133 de Fairchild et le composant L 133 de VEB WF). Le générateur de valeur de blanc est commandé par l'impulsion qui déclen- che le transfert des charges de signal d'origine optique des capteurs vers le registre à décalage CCD. Cette impulsion est appliquée aux électrodes du générateur de valeur de blanc pendant que la zone de diode adjacente à la première électrode est maintenue à un niveau de tension continue, constant. Habituellement, un registre CCD ne comporte qu'un circuit d'entrée de l'un des deux groupes. Dans la demande de brevet DQ>WP H 01 L/2 53669/1 on a proposé un circuit d'entrée complexe permettant à la fois une introduction de signaux électriques et la génération de signaux blancs. Cela permet un traitement simultané de signaux électriques et de signaux optiques. Pour la fonction de l'entrée de signaux électriques, il faut dans ce cas que la tension impulsionnelle particulière mentionnée ci-dessus dans la zone de diode d'entrée, s'applique par l'impulsion de transfert ci-dessus au cours de l'obtention de'la valeur de blanc. Dans les générateurs de Valeur de blanc connus, on dispose pour le retour de la charge excédentaire uniquement de la durée d'un flanc de cadence de l'impulsion de transfert. De cette manière dans le cas d'impulsions très raides, l'intensité de la charge - de référence, générée, n'est pas très précise. Le but de l'invention est de remé- dier aux inconvénients de l'art antérieur. L'invention se propose de réaliser un circuit ou étage d'entrée pour des composants à couplage de charge qui peut s'utiliser à la fois pour l'introduction de signaux électriques ainsi que pour générer des charges de référence sans nécessiter de tension impulsionnelle particulière et générant des charges de référence de grande précision. Pour résoudre ce problème, l'inven- tion prévoit un étage d'entrée mettant en oeuvre le concept inventif de l'introduction de charges. De plus, ce circuit assure une séparation géométrique des zones ou domaines destinés au "remplissage" d'une auge de potentiel avec les charges par rapport aux domaines ou zones destinés à l'évacuation des charges en excédent. Les caractéristiques principales de l'invention seront décrites en supposant que le registre à décalage CCD soit un registre biphase (ou un registre quadriphase) dans lequel une phase correspond à la suite des impulsions de cadence et l'autre phase est maintenue à un niveau de tension continue. On englobe ainsi en même temps le mode de fonctionnement d'un registre monophase. Si les caractéristiques de l'inven- tion doivent être appliquées à un registre triphase ou à un registre biphase (registre quadriphase) dans lequel on applique des suites d'impulsions de cadence aux deux phases, on obtient pour les tensions de commande des différentes électrodes du circuit d'entrée certains décalage de niveau qui n'ont pas à être explicités de façon plus détaillée aux spécialistes. Selon l'invention, le-circuit d'en- trée est réalisé comme suit: Au début du registre à décalage CCD, il est prévu une zone de signal qui n'est séparée de la zone de commande qui se trouve en-dessous que par une électrode de commande; dans cette zone de commande qui est de préférence commandée par une électrode de signal, on a une auge de potentiel. Lorsqu'il y a une électrode de signal, la profondeur de cette auge est proportionnelle à la tension qui lui est appliquée. Entre la zone de signal et une zone de diode, il y a une zone d'évacuation qui peut être contrôlée par une électrode d'évacuation ayant sensiblement la même largeur que la zone de signal (le terme "largeur" signifie la dimension géométrique perpendiculairement à la direction de transport du regis- tre CCD). Perpendiculairement à la direction de transport lu registre CCD, la zone de signal est adjacente a une zone d'alimentation qui peut être contrôlée par une électrode d'alimentation à laquelle est adjacente une zone d'émission au-dessus de laquelle se trouve l'élec- trode d'émission. Cette dernière est séparée par une zone de transfert audessus de laquelle se trouve une électrode de transfert par rapport à une zone de diode cette zone de diode est de préférence reliée électrique- ment à la zone d'évacuation. Lorsqu'on classe les élec- trodes mentionnées selon les concepts habituels aux composants CCD biphases, l'électrode de signal et l'électrode d'émission servent d'électrodes de mémoire c'est-à-dire qu'en-dessous de celles-ci se forment des auges de potentiel dans lesquelles on peut accumuler des charges. L'électrode d'évacuation l'électrode d'alimentation, l'électrode de transfert et l'électrode de commande sont des électrodes de transfert c'est-à-dire qu'en-dessous de ces électrodes se forment des barrières de potentiel par rapport aux zones de mémoire, et les charges des signaux ne passent dans ces zones que pendant le transfert d'une zone de mémoire à une autre ou pen- dant le transfert entre les zones de diode et les zones de mémoire. La première électrode de registre CCD adja- cente à l'électrode de commande est une électrode de mémoire à laquelle est appliquée une suite d'impulsions de cadence. L'introduction de signaux électri- ques se réalise de la manière suivante: L'électrode de transfert, l'électrode d'émission et l'électrode de commande servent à la suite des impulsions de cadence (horloge) nécessaire au regis- tre CCD. Dans le ce o la zone d'alimentation est con- trIlée par une éle:r-,ode, cette électrode d'alimentation reçoit alors une tension cnntinue et de préférence elle est reliée pour cela à la seconde phase du registre CCD qui est à un niveau de tension continue. Les deux zones de diode qui sont de préférence reliées, sont polarisées dans le sens de blocage par une tension continue d'inten- sité suffisante; des explications plus détaillées seront données ultérieurement. Normalement, le signal d'entrée, électrique est appliqué à l'électrode de signal. Au cas o la zone d'évacuation est contrôlée par une électrode, cette électrode d'évacuation est maintenue à un niveau de tension continue et pour cela on prend de préférence la tension continue qui commande la seconde phase du registre CCD. Il est toutefois également possible de travailler en échangeant les alimentations de ces deux électrodes c'est-à-dire en appliquant le signal d'entrée à l'électrode d'évacuation et la tension continue mentionnée ci-dessus à l'électrode de signal. La tension de blocage de la zone de diode adjacente à l'électrode de transfert est choisie suffisamment élevée pour qu'au niveau haut de ia suite d'impulsions de cadence, la barrière de potentiel soit suffisamment abaissée en-dessous de l'électrode de transfert pour que les charges (pour le support, il s'agit de porteurs minoritaires) puissent sans être gênées sortir de la zone de diode et passer dans l'auge de potentiel en- dessous de l'électrode d'émission. Le niveau de potentiel de la zone de diode doit toutefois être inférieur dans tous les cas à la valeur extrême du potentiel dans la zone d'alimentation totalement appau- vrie en porteurs minoritaires, de sorte que pendant le niveau haut, les porteurs de charges provenant de la zone de diode ne puissent passer que dans l'auge en- dessous de l'électrode d'émission. Au cours du niveau bas suivant de la suite d'impulsions de cadence, on élève le potentiel sous l'électrode de transmission et d'émission et cela jusqu'à ce que l'auge de potentiel en-dessous de l'élec- trode d'émission devienne toujours plus plate même lorsque cette zone est totalement appauvrie en porteurs minoritaires, par rapport -au point bas du potentiel dans la zone d'alimentation. Tous les porteurs minori- taires s'écoulent ainsi pendant le niveau bas hors de l'auge de potentiel sous l'électrode d'émission à tra- vers la zone d'alimentation dans l'auge de potentiel sous l'électrode de signal. Sous l'électrode de commande se trouvant également au niveau bas, il y a une barrière de potentiel, ce qui interdit tout transfert de charges dans le registre CCD en aval. La barrière de potentiel de la zone d'évacuation est notablement plus petite que celle de la zone de commande. Tous les porteurs de charges en excédent s'écoulent de la zone de signal en passant par la barrière de la zone d'évacuation dans la zone de diode adjacente jusqu'à ce que le potentiel de la zone de signal atteigne la valeur de la barrière dans la zone d'évacuation. Proportionnellement à l'am- plitude du signal électrique appliquée aux électrodes de signal, il subsiste dans la zone de signal un paquet de charges qui passe dans le registre CCD lors du niveau haut, suivant dans la suite d'impulsions de cadence. La tension de cadence alimente l'électrode de commande et la première électrode de mémoire du registre CCD. Il en résulte la suppression de la barrière de potentiel sous l'électrode de commande et les porteurs de charges peu- vent passer sans être gênés de la zone de signal (en- dessous de l'électrode de signal) dans l'auge de poten- tiel en-dessous de la première électrode de mémoire de registre CCD. Pendant ce niveau haut, des porteurs de charges s'écoulent de nouveau de la zone de diode par la zone de transmission contrôlée par l'électrode de transmission dans l'auge de potentiel sous l'électrode d'émission et l'ensemble de l'opération ainsi décrite pour l'entrée de charge se répète de cette manière. Du fait que la zone d'évacuation présente selon la structure de l'invention sensiblement la largeur de la zone de signal, cela garantit que le potentiel dans la zone de signal atteint la valeur fixée par la barrière de potentiel de la zone d'évacuation du fait de l'évacuation des porteurs de charges en excédent. L'importance des paquets de charges qui restent dans la zone de signal, puis qui s'écoulent dans le registre CCD peut ainsi être définie de façon précise par la tension appliquée à l'électrode de signal. En outre, il est à mentionner que dans le mode de fonctionnement selon l'invention, tel que décrit, la durée de l'ensemble d'une impulsion de cadence avec niveau bas et niveau haut 'est disponible pour le remplissage et l'évacuation. Dans le procédé connu de remplissage et d'évacuation, il faut que le remplissage et l'évacuation en retour se déroulent pendant la seule durée de la phase de niveau bas, ce qui détériore la précision de l'introduction des charges en particulier aux fréquences de cadence élevées, par compa- raison avec le procédé selon l'invention. Un avantage particulier du procédé selon l'invention est qu'il n'est pas nécessaire d'avoir une tension impulsionnelle particulière pour le circuit d'entrée. Le circuit d'entrée, tel que proposé, utilise la tension impulsionnelle disponible pour le registre CCD et les diodes d'entrée reçoivent une tension continue. L'utilisation de l'étage d'entrée pour introduire une charge de référence (par exemple une "valeur de blanc") pour les lignes de capteurs CCD optiques se fait selon l'invention de la manière suivante. L'let( o de %rmi$ison9 e.e:e ' nission et celle de commande reçoivent les impulsfions de transfert nécessaires à la réalisation du transport des charges entre la cellule de eapteur et le registre CCD. Les autres électrodes sont alimentées exactement comme pour l'introduction du signal électrique. La ten- sion appliquée à l'électrode de signal détermine l'am- plitude de la charge de référence. La suite des impul- sions de transfert se compose d'une suite de courtes phases de niveau haut qui se produisent pendant la phase de niveau haut d'une impulsion de cadence et dont la durée est inférieure ou égale a celle de la phase de niveau haut d'une impulsion de cadence. Le niveau bas de l'impulsion de transfert dure pendant toute la phase d'intégration de lumière de la ligne de capteur. La charge de référence est générée en principe exactement comme ci-dessus comme cela a été décrit pour l'introduction du signal électrique. La seule différence est que le paquet de charges généré par une impulsion de transfert n'est pas transmis immédiatement au registre CCD mais par la phase d'intégration de lumière et ainsi la phase de niveau bas de la suite d'impulsions de transfert reste enregistrée dans la zone de signal et n'est transmise au registre CCD que pour l'impulsion de transfert suivante. Ainsi, la charge de référence ne change pas de valeur puisque tous les porteurs de charges supplémentaires qui s'ajoutent comme par exemple ceux d'origine thermique s'écoulent en permanence par la zone d'évacuation dans la diode d'entrée. Comme indiqué, le montage d'entrée 1o selon l'invention, peut par une commutation correspondante de l'alimentation pour l'électrode de transfert, celle d'émission et celle de commande, servir soit à l'intro- duction de signaux électriques, soit à l'obtention de charges de référence. Dans un mode de réalisation parti- culier de l'invention, il est possible simultanément d'introduire un signal électrique et d'obtenir une charge de référence. Pour cela en plus du montage d'entrée tel que décrit ci-dessus, on utilise un autre montage, ana- logue. Le montage décrit ci-dessus et qui est placé avant la première électrode de registre CCD sert dans ce cas de préférence à l'introduction de signal électrique. Le montage supplémentaire est appliqué latéralement au registre CCD et sert de préférence à obtenir une charge de référence; il ne doit pas nécessairement transmettre les charges ainsi générées à la première électrode de mémoire de registre CCD. Suivant la réalisation construc- tive, la charge obtenue peut se mettre dans la seconde, la troisième ou même dans une autre électrode de mémoire du registre CCD. L'expression " disposition latérale ou à côté" signifie que la zone d'évacuation, la zone de signal et celle de commande et qui dans la disposition de base décrite ci-dessus se trouvent dans le prolonge- ment de l'"axe" du registre CCD sont dans ce cas prévues avec les autres zones du circuit d'entrée, perpendicu- lairement écartées de "l'axe". Ce montage entraîne que la zone d'évacuation peut ne plus être aussi large que le montage de base. Dans le cas o l'on obtient un niveau de référence avec l'impulsion de transfert (géné- ration de la valeur de blanc), la phase d'évacuation de la charge en excédent est très longue à savoir qu'elle correspond à toute la phase d'intégration de lumière. De ce fait, malgré la zone d'évacuation de largeur réduite, on a une grande précision du niveau de référence (valeur de blanc). Il La disposition latérale peut être multipliée. Dans le cas d'une référencé de blanc, il est recommandé de faire passer successivement deux valeurs de blanc à travers le registre CCD. Dans ce cas, la pre- mière valeur de blanc peut être de hauteur réduite à l'extrémité du registre du fait de la perte par trans- fert alors que la seconde valeur peut atteindre prati- quement sans être faussée la sortie de ligne et consti- tuer le niveau de référence proprement dit. D'autres détails du dispositif à niveau de référence, complémentaire, prévu latéralement seront donnés dans l'exemple de réalisation correspondant. L'invention sera décrite plus en détail à l'aide d'un exemple de réalisation représenté schématiquement dans les dessins annexés, dans lesquels: - la figure 1 est un schéma de l'étage d'entrée selon l'invention. - la figure 2a est une coupe trans- versale selon la la ligne AA' de la figure 1. - les figures 2b, c sont des diagrammes de potentiel. - la figure 3a est une coupe trans- versale suivant la ligne BB' de la figure 1. - les figures 3b, c sont des dia- grammes de potentiel. - la figure 4 est un dessin d'im- plantation d'un mode de réalisation pratique de l'étage d'entrée selon les figures 1-3. - la figure 5 est un schéma d'im- plantation d'un mode de réalisation de l'étage d'entrée avec un double niveau de référence. L'invention peut s'appliquer à la fois à des composants CCD de surface ainsi qu'à des composants CCD à canaux noyés. Dans l'exemple de réali- sation, on utilise un composant BCCD biphase comportant un support à conduction p. Il est clair que l'invention peut également se réaliser avec un support à conduction de type n. La figure 1 est un schéma de montage de l'étage d'entrée selon l'invention. Les potentiels dans les différentes zones sont contrôlés par des élec- trodes placées au-dessus de celles-ci. Ainsi: la référence 18 concerne l'électrode de transfert, la référence 19 l'électrode d'émission, la référence 20 l'électrode d'alimtnentatlon,la référence 21 l'électrode d'é- vacuation, la référence 22 l'électrode de signal, la -75317 eerehce 23 lélectrode de commande la référence 24 R première électrode de mémoire de registre BCCD, la référence 25 l'électrode de transfert de la seconde cellule de registre, la référence 26 l'électrode de mémoire de la seconde cellule de registre, les références 27 et 28 l'électrode de transfert et de mise en mémoire de la troisième cellule de registre, les références 29 et 30 respectivement l'électrode de transfert et l'élec- trode de mémoire de la quatrième cellule de registre; la référence 31 désigne l'électrode de transfert de la cinquième cellule de registre. Les diodes reliées à l'électrode de transfert 18 et à l'électrode de sortie 21 sont concues comme domaine commun 17 alimen- té par la tension continue U1 à l'aide de la ligne 10. Les électrodes 24, 27, 28 et 31 sont alimentées par la ligne d impulsions de cadence 13 avec la suite d'impul- sions de cadence U3. Les électrodes 25, 26, 29 et 30 sont reliées à la tension continue U4 par la ligne de tension continue 14. L'électrode d'alimentation 20 reçoit la tension continue U6 et l'électrode d'évacuation 21 reçoit la tension continue U7. De façon préférentielle, on peut prendre la même tension continue U4 nécessaire pour le registre BCCD pour les tensions U6 et U7. La ten- sion'U5qui est appliquée à l'électrode de signal 22 par la ligne 11 détermine l'importance du paquet de charges généré. Les électrodes de transfert,d'émission et de commande (18, 19 et 23) reçoivent la tension impulsion- nelle d'entrée U2 par la ligne de tension impulsionnelle d'entrée 12. Pour U2, on prend la tension impulsionnelle de cadence U3 pour l'entrée de signaux électriques, ten- sion qui est utilisée pour obtenir un niveau de référence pour les lignes de c-pteurs optiques (génération de la valeur de blanc) commea U2 pour la suite d'impulsions de transfert. A la figure 2a, on a représenté une coupe verticale suivant la ligne AA'. Aux figures 2b et 2c, on a représenté les courbes de potentiel pour les étapes décisives correspondant à la formation d'un paquet de charges sous l'électrode de signal 22. Les zones de mémoire à canal noyé portent la référence 15; les dopages générant les barrières de potentiel portent la référence 16, le support la référence 32, l'isolant de porte la référence 33 et l'isolant de champ la réfé- rence 34. Le domaine 17 de type n est main- tenu au potentiel de blocage 36 (figure 2b). Dans le domaine d'arrêt de canal 28 sous l'isolant de champ 34, le potentiel atteint la valeur du support 35. Lorsqu'un niveau de potentiel élevé égal à U2 est appliqué aux électrodes 18 et 19, les électrons sortent de la zone 17 + n dans la direction de la flèche 42 dans l'auge de potentiel 46 sous l'électrode d'émission 19 jusqu'à ce que le potentiel sous les électrodes 18 et 19 atteigne la valeur 36. Dans la zone totalement appauvrie en électrons endessous de l'électrode de transfert 18, le potentiel atteint le niveau 37. Pour le niveau bas suivant de la tension U2 (figure 2c), la charge sous l'électrode d'émission 19 s'écoule dans la direction de la flèche 44 à travers la barrière de potentiel 39 qui est maintenue en-dessous de l'électrode d'alimentation , dans l'auge de potentiel 40 sous l'électrode de signal 22. Comme tout d'abord l'auge 46 (figure 2b) est "saturée" d'électrons, suivant la pente du flanc impulsionnel haut-bas, une petite partie de la charge s'écoule dans la direction de la flèche 43 pour revenir dans le domaine 17 de type n. Dans les zones finale- ment appauvries en électrons sous les électrodes 18 et 19, le potentiel prend la forme 48 et 49. La possibilité de l'auge de potentiel 40 est déterminée par sa profondeur relative par rapport à la barrière de potentiel 41 sous l'électrode d'évacuation 21. Tous les électrons excéden- taires s'écoulent dans la direction de la flèche 45 dans ia zone 17 de type n+ jusqu'à ce que le potentiel sous l'électrode de signal 22 ait atteint la valeur de barrière 41. La figure 3a est une coupe verti- cale suivant la ligne BB'; les figures 3b et 3c montrent les courbes de potentiel pour les étapes décisives lors de l'introduction du paquet de charges localisé sous l'électrode de signal 22 dans le registre BCCD. La figure 3b correspond au même instant que celui fixé à la figure 2c. Sous l'électrode de commande 23, s'est établie la barrière de potentiel 48, car la tension impulsionnelle U2 se trouve à ce moment à son niveau bas. Si l'étage d'entrée était utilisé pour l'introduction du signal électrique, on aurait U2 égal U3 et on obtiendrait sous les électrodes 24, 27 et 28 (pour un appauvrissement total en électrons) les tracés de potentiel 50 et 52 ainsi que de nouveau 50. Sous les électrodes alimentées par la tension continue U4, il s'établit (pour un appauvrissement total en électrons) dans la zone de transfert, le potentiel 39 et dans la zone de mémoire le potentiel 51. Dans le cas- o on génère une valeur de blanc, la figure 3b représente l'instant pendant la phase d'intégration de l'intensité lumineuse, instant auquel la suite d'impul- sions de cadence atteint précisément le niveau bas. Pour le niveau U2 qui serait la suite d'impulsions de transfert lors de la génération de la valeur de blanc, il règne alors pendant toute la phase d'intégration de lumière, le niveau bas. Sous l'électrode de signal 22, le potentiel passe à la valeur 47 du fait de la charge mise en mémoire. La figure 3c-montre l'instant lors- que la tension impulsionnelle U2 prend le niveau haut. A la fois pour une introduction électrique de signal et pour l'obtention d'un niveau de référence, les phases de niveau haut pour U2 et U3 coïncident dans le temps. Sous les électrodes 27 et 28 s'établissent les potentiels 53 et 54 dans le cas d'un appauvrissement en électrons. La charge localisée sous l'électrode de signal 22 s'écoule dans la direction de la flèche 56 par-dessus la barrière 37 abaissée, dans l'auge 54, de sorte que le potentiel sous la première électrode de mémoire 24 du registre CCD augmente au niveau 55. En même temps que l'opération représentée à la figure 3c, des électrons sortent de nouveau de la zone 17 de type + n dans l'auge de potentiel 46 (voir figure 2b) et l'ensemble de- l'opération représentée se répète. La figure 4 est un schéma d'implan- tation des plans principaux d'une réalisation pratique de l'étage d'entrée selon les figures 1, 2 et 3. Les électrodes de mémoire 24, 26, 28 du registre BCCD ont pour dimensions 10 x 30 microns2. Les différentes lignes signifient: la référence 60 désigne la frontière entre l'isolant de champ (zone d'arrêt de canal plus) et l'isolant de porte, la référence 61 désigne les électro- des du premier plan d'électrode (par exemple une couche de polysilicium); la référence 62 désigne des électro- des du second plan d'électrode (par exemple la seconde couche de polysilicium), la référence 63 désigne le plan des chemins conducteurs (par exemple A1); la référence 64 désigne une fenêtre de contact. L'électrode d'alimentation 20 ainsi que- l'électrode d'évacuation 21 ont reliées selon la figure 4 directeent à l'lectrode ?5 et sont ainsi raccordées à la tension continue U4. Pour le fonctionnement du circuit de la figure 4, on appliquera la description faite à propos des figures 1, 2 et 3. La figure 5 montre le schéma de conception des plans principaux d'un modede réalisation du circuit d'entrée, qui est prévu à côté du registre CCD et sert de préférence à obtenir un niveau de référence. La figure 5 est un extrait de la partie initiale d'une ligne de capteur BCCD caractéristique. Les directions de transport des deux registres BCCD indiquées en haut et en bas à la figure 5 sont symbolisées par lesflèches et 81. Les électrodes de transfert 69, 73 et 77 sont comme les électrodes de mémoire 70, 74 et 78 alimentées par la suite d'impulsions de cadence U3. Les électrodes de transfert 71 et 75 ainsi que les électrodes de mémoire 72 et 73 sont alimentées par la tension continue U4. De la même manière, les électrodes d'alimentation, d'évacua- tion et de signal 20, 21 et 22 sont reliées à la tension u4. Dans chacun des deux-registres BCCD, on introduit successivement deux valeurs de blanc et comme U2 on obtient la suite d'impulsions de transfert. Comme cela découle de la figure 5, l'électrode d'évacuation 21 peut ne plus être aussi large que dans la réalisation de base de la figure -1. Comme la phase de niveau bas de l'impulsion de transfert et ainsi le temps d'évacua- tion de la charge en excédent est très long, à savoir une durée qui correspond à l'ensemble de la phase d'in- tégration de lumière, on génère les valeurs de blanc avec une grande précision. Par les fenêtres de contact 82 et 84, on applique l'impulsion de tension U2 aux électrondes 18 et 19 le domaine 17 de type n reçoit la tension continue UI par la fenêtre de contact 83. Les chemins Ai correspondants ne sont pas représentés à la figure 5 pour une meilleure lisibilité. Le coin portant la référence 86 de la zone d'arrêt de canal passe en- dessous de l'électrode de signal 22 de façon qu'en cas de décalage des plans les uns par rapport aux autres du fait des tolérances d'ajustage et de préparation, on compense tout changement de la surface efficace des électrodes de signal par la zone d'arrêt de canal 85 qui passe également sous l'électrode 22. 36. Par ailleurs, on a utilisé à la figure 5 les mêmes références qu'aux figures 1 à 4. La description du fonctionnement faite pour les figures I à 3 s'applique au fonctionnement du circuit de la figure 5. 257531 7 Liste des références: ligne de tension continue 11 ligne de tension de signal 12 ligne de tension impulsionnelle d'entrée 13 ligne d'impulsions de cadence 14 ligne de tension continue zone de mémoire à canal noyé 16 dopage engendrant une barrière de potentiel + 17 zone de type n 18 électrode de transfert 19 électrode d'émission électrode d'alimentation 21 électrode d'évacuation 22 électrode de signal 23 électrode de commande 24 première électrode de mémoire de registre BCCD électrode de transfert de la seconde cellule de registre 26 électrode de mémoire de la seconde cellule de registre 27 électrode de transfert de la troisième cellule de registre 28 électrode de mémoire de la troisième cellule de registre 29 électrode de transfert 30 électrode de mémoire quatrième cellule de registre 2 5 31 électrode de transfert de la cinquième cellule de registre 32 support 33 isolant de porte 34 isolant de champ 35 potentiel du support 36 potentiel de barrage 37 potentiel 38 zone d'arrêt de canal 39 barrière de potentiel 40 auge de potentiel Liste des références (suite) : 41 barrière de potentiel 42 direction d'écoulement des électrons 43 direction d'écoulement des électrons 44 direction d'écoulement des électrons direction d'écoulement des électrons 46 auge de potentiel 47 valeur du potentiel 48 tracé du potentiel 49 tracé du potentiel tracé du potentiel 51 tracé du potentiel 52 tracé du potentiel 53 tracé du potentiel 54 auge de potentiel valeur de potentiel 56 direction d'écoulement des électrons frontière entre l'isolant de champ et l'isolant de porte 61 électrodes du premier plan d'électrodes 62 électrodes du second plan d'électrons 63 chemins conducteurs 64 fenêtre de contact 69 électrode de transfert électrode de mémoire 71 électrode de transfert 72 électrode de mémoire 73 électrode de transfert 74 électrode de mémoire électrode de transfert 76 électrode de mémoire 77 électrode de transfert 78 électrode de mémoire 7 5 3 17 Liste des références (suite) direction de transport du registre DCCD 81 direction de transport du registre BCCD 82 fenêtre de contact 83 fenêtre de contact 84 fenêtre de contact zone d'arrêt de canal 86 coin de la zone d'arrêt de canal U1 tension continue U2 tension impulsionnelle d'entrée U3 suite d'impulsions de cadence U4 tension continue U tension U6 tension continue U7 tension continue 2575 317 R E Y E Ni I CA T IONS ) Etage d'entrée pour des compo- sants à couplage de charge caractérisé en ce qu'à un premier domaine de diode polarisé dans le sens du blo- cage, on a en série une zone de transmission, une zone d'émission, une zone d'alimentation et une zone de signal et en ce qu'à cette zone de signal s'adjoignent deux au- tres zones à savoir une zone d'évacuation et une zone de commande, la zone d'évacuation séparant la zone de signal d'une seconde zone de diode polarisée dans le sens du blocage et en ce que la zone de commande est suivie par un registre à décalage CCD qui commence de son côté par une zone de mémoire, et en ce que les électrodes (18, 19, 23) qui contrôlent la zone de transmission, la zone d'émission et la zone de commande sont reliées à la même tension impulsionnelle d'entrée (U2) et en ce que le premier et le second domaine de diode sont de préférence reliés entre eux et en ce qu'au cas o la zone d'alimen- tation, la zone d'évacuation et la zone de signal sont contrôlées par les électrodes, ces électrodes sont de préférence reliées à des tensions continues et en ce que pour réaliser l'introduction d'un signal électrique, on relie la ligne des impulsions de tension d'entrée à la ligne de tension impulsionnelle de cadence du regis- tre à décalage CCD qui contrôle la zone de mémoire (24) qui fait suite à la zone de commande, et en ce que pour réaliser une introduction de niveau de référence, on relie la ligne de tension impulsionnelle d'entrée à la * ligne d'impulsions de transfert du montage à capteur CCD. 2 ) Etage d'entrée pour composants à couplage de charge selon la revendication 1, caracté- risé en ce que les zones de commande, de signal et d'évacuation sont prévues dans le prolongement de l'axe du registre CCD, la zone d'évacuation ayant sensiblement la même largeur que la zone de signal alors que les zones de trdnsmission,d'émission et d'alimentation étant prévues latéralement par rapport au registre CCD. 3 ) Etage d'entrée pour des compo- sants à coupilaGe de charge selon les revendications 1 et 2, caractérisé en ce que pour un composant CCD biphase dans lequel une phase est alimentée par la suite des impulsions de cadence et l'autre phase par une tension continue, les électrodes (20, 21) qui contrôlent la zone d'alimentation et la zone d'évacuation sont raccor- dées à la ligne de tension continue du registre à déca- lage CCD. 4 ) Etage d'entrée pour des compo- sants à couplage de charge selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que pour réali- ser une introduction de niveau de référence double, l'ensemble du circuit est prévu à côté du registre CCD et est réalisé suivant la disposition de la figure 5.