FR 2576164 A1 19860718 FR 8500522 A 19850115 CIRCUIT DE COMMUTATION UTILISANT UNE DIODE RAPIDE ET POURVU DE MOYENS D'AMORTISSEMENT DES OSCILLATIONS A L'OUVERTURE La présente invention concerne les circuits de commutation tels que les convertisseurs, les alimentations à découpage, les hacheurs, les onduleurs etc...). Ces circuits comprennent souvent des diodes de redressement en série avec des charges inductives et il est nécessaire d'utiliser des diodes dites rapides, c'est-à-dire des diodes se bloquant rapi- dement lors de l'inversion de la tension à leurs bornes. Mais, compte tenu des inductances et capacités du circuit dans lequel sont placées ces diodes, il apparaît souvent, au moment du blocage, des oscillations de courant et de tension. Ces oscillations créent des perturbations du circuit comme par exemple une remise en conduction anormale de transistors ou des signaux parasites affectant la logique de commande du circuit. Elles créent aussi des parasites sur la tension de sortie des circuits (alimentations, ondu- leurs etc...) et des perturbations radioélectriques. La figure I montre à titre d'exemple un circuit de redres- sement placé aux bornes de l'enroulement secondaire ES du transfor- mateur de sortie TS d'une alimentation à découpage (l'enroulement primaire EP étant en série avec un commutateur Tp actionné a la fréquence de découpage). Ce circuit comprend par exemple une diode rapide de redressement Di en série entre l'enroulement secondaire ES et la charge inductive L, R et une autre diode D2 en parallèle avec la charge seule. On a représenté en pointillés sur la figure I une inductance parasite (inductance de câblage) et une capacité parasite (de la diode Dl). 2576 1 6 4 La figure 2 montre les formes d'onde du courant Il dans la diode de redressement DI et la tension VI à ses bornes au moment de la commutation, c'est-a-dire au moment de la transition de passage d'un courant direct Id important à un courant nul et d'une tension directe faible Vd à une tension inverse négative élevée Vi. Cette transition présente des oscillations importantes qu'il faudrait amortir fortement sans toutefois créer des pertes trop importantes et sans utiliser un nombre de composants important. Ce que l'on a fait jusqu'à maintenant c'est de brancher en parallèle sur la diode DI un réseau RC série, comme le représente la figure 3. Ceci a cependant plusieurs défauts: - l'inductance de cablage du circuit crée un réseau RLC série qui n'est pas suffisamment amorti, surtout pour des oscillations i5 haute fréquence, étant donné qu'on ne peut pas augmenter la valeur du condensateur C (pour augmenter l'amortissement) sans créer des pertes importantes (car la capacité C est chargée et déchargée à travers la résistance R à chaque alternance), - une augmentation de la capacité C, outre les pertes impor- tantes créées réduit l'effet de redressement, - les composants rajoutés, résistance et capacité, sont relati- vement volumineux, et nécessitent une certaine longueur de conduc- teurs de connexion, ce qui empêche une réduction de l'inductance de cablage, - enfin, la résistance et la capacité ne peuvent être intégrées sur une puce semiconductrice avec les diodes DI et D2. Pour résoudre ces différents problèmes, la présente invention propose de mettre en parallèle sur la diode rapide de redressement DI une diode "lente" D3. Cette diode D3 a une surface de jonction nettement plus faible que celle de la diode rapide Dl et une rapidité de commutation vers l'état bloqué également nettement plus faible que celle de la diode D 1. On décrira ci-après plus en détail les caractéristiques de l'invention en référence aux dessins annexés dans lesquels: - pour mémoire les figures l à 3 représentent l'état de la technique, - la figure 4 représente un schéma d'alimentation selon l'inven- tion, - les figures 5a à 5c représentent des formes d'onde de courants, les figures 6 et 7 représentent deux exemples de montage pratique de diodes. La figure 4 est identique à la figure 3 à l'exception du fait que l'ensemble de la résistance R et de la capacité C est remplacé par une diode D3, plus lente et de plus faible surface de jonction que la diode Dl, en parallèle sur la diode D I. Lors de la commutation à l'ouverture la diode Dl rapide se bloque la première. La diode D3 recouvre son état bloqué plus lentement, avec un courant de recouvrement IRD3 qui est d'abord une fraction du courant de recouvrement IRDI de la diode DI. Ce courant de -recouvrement négatif diminue progressivement, plus lentement que celui de la diode DI, et amortit les oscillations de ce dernier. En effet, lorsque le courant dans la diode D l tend a redevenir positif, il est compensé par le courant dans la diode D3 qui au même moment est négatif. L'addition algébrique des deux courants suit une forme d'onde beaucoup plus amortie que celle du courant dans la diode Dl seule. Or c'est cette addition qui constitue le courant. La figure 5 a représente la forme d'onde du courant dans la diode DI supposée seule (courant initial Id i, courant de recou- vrement IRDI). La figure 5b représente la forme d'onde du courant dans la diode DI supposée seule (courant initial Id3, courant de recou- vrement IRD3). La figure 5c représente le courant global qui résulte de la mise en parallèle des deux diodes et l'amortissement important qui en résulte. - A titre d'exemple on peut utiliser une diode lente de courant nominal dix fois plus faible que le courant nominal de la diode rapide, le temps de recouvrement de la diode lente étant typi- quement de quelques microsecondes alors que celui de la diode rapide est de quelques dizaines de nanosecondes (temps entre le premier pic négatif de courant et le premier passage à zéro qui suit ce pic). Les pertes ne sont pratiquement pas augmentées par rapport aux pertes avec une diode rapide seule. La figure 6 représente un mode de réalisation simple: les diodes sont constituées par des pastilles semiconductrices distinctes soudées sur un même support de sorte qu'elles peuvent être montées dans un boîtier unique (permettant ainsi une limitation des induc- tances de cablage). La diode DI est dopée à l'or ou au platine pour accélérer la recombinaison des porteurs présents dans les régions semiconduc- trices juste avant le blocage. La diode D3 n'est pas dopée avec de l'or ou du platine, ou elle ne l'est que faiblement. La figure 7 propose une autre réalisation: les deux diodes sont réalisées sur un même substrat semiconducteur. La zone centrale constitue la diode Di rapide, la zone périphérique constitue la diode D3 plus lente. La surface de zone centrale est plus importante que celle de la zone périphérique pour que le courant principal passe dans la diode DlI. L'épaisseur de zone N la moins dopée est plus importante à la périphérie que, dans la zone centrale, de sorte que la durée de vie des porteurs est plus longue dans la zone corres- pondant à la diode D3. Pour réaliser cette diode combinée DI + D3 il suffit de prévoir que le dopage de la région de contact ohmique (de type Ni) de la cathode de la diode est diffusé en deux étapes dont l'une consiste en une diffusion profonde localisée dans la zone centrale avec un masque de diffusion protégeant la zone périphé- rique, l'autre étape étant une diffusion non localisée de la même impureté ou d'une impureté de même type. On peut envisager d'autres modes de réalisation de la diode D3 sous forme intégrée ou non, y compris un mode de réalisation dans lequel la dinde D3 est constituée par la jonction base collecteur d'un transistor dont l'émetteur est relié directement à une métallisation d'anode de la diode: le recouvrement dans ce transistor monté en diode est plus lent que dans la diode principale. REVENDICATIONS 1. Circuit de commutation utilisant au moins une diode rapide (Dl), caractérisé en ce que, pour amortir les oscillations suscep- tibles de se produire au moment du passage de la diode d'un état de conduction direct à un état de blocage, une diode supplémentaire (D3), de plus faible rapidité de blocage, et de plus petite section de passage de courant que la diode rapide, est placée en parallèle sur cette dernière, avec la même polarité. 2. Circuit de commutation selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la diode rapide est une puce semiconductrice dopée avec des centres de recombinaison (or, platine, etc...) et la diode supplémentaire est une diode non dopée avec des centres de recombinaison. 3. Circuit de commutation selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la diode rapide et la diode supplémentaire sont réalisées sur une même puce semiconductrice, l'épaisseur de région de cathode N peu dopée entre une région N+ de contact ohmique de cathode et une région P d'anode étant plus grande dans la région de la diode supplémentaire que dans la région de la diode rapide.