FR 2564232 A1 19851115 FR 8407110 A 19840509 CIRCUIT DE COMMANDE D'UN SOLENOIDE BISTABLE. La présente invention concerne un circuit de commande d'un solénoide bistable utilisable notamment, mais non exclusi- vement, dans un relais électromagnétique, dans un électro- aimant de commande magnétique par exemple pour le verrouil- lage ou le déverrouillage d'une serrure, ou même dans une électrovanne bistable. On rappelle qu'un solénoide bistable se compose habituelle- ment d'un circuit magnétique agissant sur une palette mobile pour l'amener dans l'une ou l'autre des deux positions stables suivantes: - une première position R correspondant à une reluctance maximum du circuit magnétique, et - une deuxième position S correspondant à une reluctance minimum du circuit magnétique. Ces deux positions sont habituellement désignées par les termes "RESET" pour la première et "SET" pour la deuxième. Le circuit magnétique permettant d'obtenir ces deux posi- tions comprend généralement: - un aimant permanent qui polarise le champ magnétique dans le circuit, en l'absence de champ extérieur, et - 2 - - au moins une bobine qui, lorsqu'elle est traversée par un courant, crée un champ qui se retranche ou s'ajoute à celui créé par l'aimant. La commande de ces solénoides bistables s'effectue au moyen d'impulsions dont la durée doit être suffisante pour que la palette mobile ainsi que l'équipement mobile qui lui est associé, prennent la position stable recherchée. Dans le cas o le solénoide bistable ne comprend qu'une seule bobine, il est nécessaire d'inverser les polarités aux bornes de cette bobine pour obtenir les deux positions stables S et R recherchées. Par contre dans le cas o le solénoide comprend deux bobines montées en série et raccordées l'une à l'autre par un point milieu, l'impulsion destinée à obtenir la position S est appliquée aux bornes de l'une des bobines, tandis que l'impulsion destinée à obtenir la position R est appliquée aux bornes de l'autre bobine, le point milieu entre les deux bobines pouvant être relié en permanence à l'une des deux bornes de l'alimentation. Il s'avère que ces circuits, bien que couramment utilisés, présentent un certain nombre d'inconvénients. Dans le cas o ils comprennent une seule bobine, ils néces- sitent un croisement des connexions en vue d'obtenir, à partir des deux fils d'alimentation, une inversion du courant traversant la bobine. Dans le cas o ils comprennent deux bobines avec point médian, ils font intervenir au moins trois bornes de raccor- dement et deux sources d'impulsions de commande pour obtenir les positions S et R. En outre, ces solutions ne conviennent pas pour la réalisa- tion de circuits de commande de structure matricielle, -3- en effet: - la solution à une bobine ne permet pas d'insérer dans le circuit de cette bobine une diode anti-retour, - la solution à deux bobines nécessite, quant à elle, de doubler soit le nombre de lignes, soit le nombre de colonnes de la matrice. L'invention a donc pour but de supprimer ces inconvénients. Elle propose à cet effet un circuit de commande d'un solé- noide bistable dans lequel un circuit électronique de com- mande active est associé à l'ensemble circuit magnétique, aimant permanent, bobines, de manière à permettre la comman- de de la bobine par des impulsions de tension délivrées sur deux fils et sans inversion de polarité. Selon l'invention, ce circuit de commande est plus particulièrement caractérisé en ce qu'il comprend, d'une part, deux bornes de commande sur lesquelles peuvent être appliquées des impulsions de commande d'au moins deux types différents, à savoir, un premier type d'impulsions S destinées à obtenir la position S du solénoide, qui présentent un premier niveau d'amplitude et un deuxième type d'impulsions R destinées à obtenir la position R du solenoide et qui présentent un deuxième niveau d'amplitude différent de celui des impulsions S du premier type, et de même polarité, et, d'autre part, un circuit de discrimination des impulsions R, S de ces deux types en fonction de leurs niveaux d'amplitude, ce circuit de discrimination étant relié à un circuit. de commutation commandant l'alimentation du solénoide, de manière à obtenir une reluctance minimum du circuit magnétique en réponse aux impulsions S du premier type et une reluctance maximum en réponse aux impulsions R du deuxième type. Bien entendu, le circuit de commande de solénoide s'applique aussi bien aux solénoides comprenant une bobine qu'aux solé- noides comprenant deux bobines séparées ou à point médian commun. -4- Par ailleurs, selon une autre caractéristique de l'invention le susdit circuit de discrimination comprend des moyens permettant de comparer l'amplitude des impulsions appliquées aux susdites bornes de commande par rapport à trois zones de tension de référence prédéterminées successives, a savoir: - une première zone de tension incluant le niveau de tension des impulsions S du premier type, - une deuxième zone de tension incluant le niveau de tension des impulsions R du second type, et - une troisième zone de tension comprise entre les niveaux des deux types d'impulsions R, S, et dans laquelle l'amplitude desdites impulsions ne doit jamais se situer. Dans ce cas, les moyens de commutation associés au circuit de discrimination commandent l'alimentation de la bobine, de manière à obtenir une reluctance minimum du circuit magnéti- que lorsque l'amplitude des impulsions fournies par le géné- rateur est comprise dans la première zone de tension et une reluctance maximum du circuit magnétique lorsque l'amplitu- de des impulsions fournies par le générateur est comprise dans la deuxième zone de tension de référence. Des modes de réalisation de l'invention seront décrits ci- après, à titre d'exemples non limitatifs, avec référence aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est un diagramme représentant la forme des deux types d'impulsions utilisées pour la commande du solénoide ainsi que les trois zones de tension de référence utilisées par le circuit de commande. La figure 2 est un schéma théorique d'un circuit de commande d'un solénoide à un- seule bobine. La figure 3 est un schéma théorique d'un circuit de commande à deux bobines. - La figure 4 est un diagramme permettant d'illustrer l'incidence des temps de montée et de descente des impul- sions de commande sur le fonctionnement des circuits représentés sur les figures 2 et 3. La figure 5 est un mode de réalisation d'un circuit de commande d'un solénoïde à une bobine réalisé selon une technologie à transistors. La figure 6 est un schéma partiel d'un circuit de commande du type de celui représenté figure 2 mais dans lequel l'écrèteur est réalisé d'une façon différente. La figure 7 est un mode de réalisation d'un circuit de commande d'un solénoide à deux bobines réalisé selon une technologie à transistors. La figure 8 est le schéma d'un système de commande par commutateur statique et décodeur. La figure 9 est le schéma d'un système de commande de type matriciel. Comme précédemment mentionné, le dispositif de commande d'un solénoide bistable selon l'invention nécessite l'emploi d'un générateur permettant de délivrer, sur ses bornes de commande Sl, S2 des impulsions à deux niveaux d'amplitude, à savoir, un premier type d'impulsions S pour commander le passage du solénoide à l'état stable S et un deuxième type d'impulsions R pour commander le passage du solénoide à l'état stable R. Ces deux types d'impulsions se trouvent illustrés sur la figure 1 sur laquelle figurent: - une impulsion I1 de type S qui présente une amplitude VS située dans une zone de tension ZS comprise entre une tension VSm ("Vset minimum") et une tension VSM ("Vset maximum"), et -6- - une impulsion 12 de type R qui présente une amplitude VR située dans une zone de tension ZR comprise entre une tension VRm ("VReset minimum") et une tension VR ( La zone comprise entre la tension VSM et la tension VRm est une zone neutre ZN dans laquelle l'amplitude des impulsions ne doit jamais se situer car, dans cette zone, le discrimi- nateur ne pourra pas déterminer avec certitude si l'impul- sion est de type S ou de type R. A titre d'exemple, la valeur nominale de l'amplitude des im- pulsions Il de type S pourra être égale à 12 V, la valeur VSm égale à 9 V et la valeur VSM égale à 14 Volts. De même la valeur nominale de l'amplitude des impulsions 12 de type R pourra être égale à 24 Volts, la valeur VRm égale à 16 Volts et la valeur VRM égale à 30 Volts. La zone ZS aura alors une largeur de 5 Volts, la zone ZR une largeur de 14 Volts et la zone ZN une largeur de 2 V. Dans l'exemple représenté sur la figure 2, le solénoide bis- table comprend une seule bobine B connectée aux bornes de de commande S1 et S2 du circuit, par l'intermédiaire d'un cir- cuit de commutation destiné à inverser le sens du courant circulant dans la bobine B selon le niveau d'amplitude des impulsions appliquées aux bornes Sl et S2. A cet effet, chacune des extrémités de la bobine B se trouve raccordée aux bornes Sl et S2 du générateur par l'intermé- diaire de deux commutateurs commandables, à savoir, les com- mutateurs CS et CR' pour l'une des extrémités de la bobine B et les commutateurs CR et CS' pour l'autre extrémité. Ces commutateurs CS, CS', CR, CR' sont commandés par un cir- cuit discriminateur de type comprenant un pont diviseur de tension constitué par deux résistances Rl, R2 montées en série entre les deux bornes de commande Sl et S2 -7 et dont le point de jonction est relié à la borne inverseuse d'un comparateur A dont l'entrée directe est portée à une tension de référence VREF. La sortie de ce comparateur A est reliée, d'une part, par une liaison directe aux organes de commande des commutateurs CS et CS' et, d'autre part, par l'intermédiaire d'un inverseur Io aux organes de commande des commutateurs CR et CR'. Ce circuit fait en outre intervenir une résistance R'e montée en série avec le commutateur CR', une résistance Re montée en série avec le commutateur CR, un écrêteur E monté en parallèle sur la bobine B et une diode D1 montée dans la liaison entre la borne de commande Sl et l'ensemble formé par le discriminateur et le circuit de commutation pilotant la bobine B. Il convient de noter que dans ce circuit, la tension VSm, c'est-à-dire la tension minimum de la zone ZS, est détermi- née par la tension minimum d'action de la bobine B provo- quant le passage à l'état S du bistable. La tension VRm est quant à elle déterminée par la valeur de la tension VREF appliquée au comparateur. Ainsi, le fonctionnement de ce circuit peut s'annoncer comme suit: - dans le cas o le générateur d'impulsions délivre sur les bornes S1, S2 une impulsion de tension VS, la tension appliquée à l'entrée inverseuse du comparateur sera inférieure à la tension de référence VREF, de sorte que la sortie du comparateur A délivrera un signal de commande (état logique 1) entraînant la fermeture des commutateur CS et CS' et, en raison de l'inverseur I, l'ouverture des commutateurs CR, CR'. La bobine B se trouve donc portée à une tension VS orientée dans un un premier sens entraînant le passage à l'état S du - 8 - solénoide, - dans le cas o le générateur d'impulsions délivre une impulsion de tension VR, la tension appliquée à l'entrée inverseuse du comparateur A sera supérieure ou égale à la tension de référence VREF, de sorte que la sortie de ce comparateur A délivrera un signal de commande (état logi- que O) entraînant l'ouverture des commutateurs CS et CS' et, en raison de l'inverseur I, la fermeture des commuta- teurs CR et CR'. La bobine se trouvera alors portée à une tension VR orientée dans un second sens entrainant le passage à l'état R du solénoïde. Les résistances Re et Re' utilisées dans le circuit précé- demment décrit jouent deux rôles. Tout d'abord elles permet- tent de protéger les commutateurs en cas de chevauchement dans la conduction CS, CR' ou CR, CS'. En outre, la bobine B étant définie pour agir à partir de la tension VSm, les résistances Re et Re', qui se trouvent alors en série, limitent le courant dans la bobine B lorsque l'on applique l'impulsion de tension VR, en particulier lorsque la tension VR est égale à la tension VRM. De même, la diode D1 utilisée joue deux rôles: elle assure une protection contre les inversions de polarité et elle sert de diode antiretour dans le cas d'une commande matri- cielle. Le circuit de commande représenté sur la figure 3 fait intervenir une diode D1 et un discriminateur composé des résistances R1, R2 et d'un comparateur A montés d'une façon identique à celle de la figure 2. Toutefois à l'inverse du précédent, ce circuit comprend deux bobines BS et BR shun- tées par deux diodes respectives D2, D3 et connectées par l'une de leurs extrémités à la borne de commande S2 et par leurs autres extrémités à la diode D1, par l'intermédiaire de deux commutateurs commandables respectifs CS et CR. Dans ce cas, la sortie du comparateur A se trouve directement reliée à l'organe de commande du commutateur CS et, par - 9 - l'intermédiaire d'un inverseur Il'o à l'organe de commande du commutateur CR. Selon ce circuit, l'émission d'une impulsion de tension VS provoquera la fermeture du commutateur CS et l'ouverture du commutateur CR de sorte que seule la bobine BS sera alimentée. Le solénoide passera en conséquence à l'état S. A l'inverse, l'émission d'une impulsion de tension VR provoquera l'ouverture du commutateur CS et la fermeture du commutateur CR de sorte que seule la bobine BR sera ali- mentée. Le solénoide passera donc à l'état R. Il convient de noter que dans ce circuit, la tension VSm est déterminée par la tension minimum d'action de BS, et la tension VRm est déterminée par la tension de référence VREF. Toutefois la bobine BR doit être dimensionnée pour que son action fasse passer le solénoïde de l'état S à l'état R pour une tension VBR inférieure ou égale à VRm. De préférence, la bobine BR peut être dimensionnée de manière à supporter la tension VRM sans consommer trop de courant. Toutefois, pour obtenir une telle limitation de courant il est éventuellement possible de disposer une résistance Re en série avec la bobine BR. Dans les circuits représentés sur les figures 2 et 3, le temps de montée tm des impulsions de types S et R (figure 4) n'a pas d'influence sur le fonctionnement de ces circuits. Par contre, le temps de descente td doit être inférieur au temps de réponse du solénoide bistable. En effet, pendant la descente de l'impulsion de type R, la tension traverse la zone ZS pendant un temps tds. Il est indispensable que le passage à l'état S du bistable ne soit pas activé pendant cette durée. Ce résultat peut être obtenu en diminuant autant que - 10 - possible le temps de descente td et/ou en augmentant le temps de réponse du solénoide bistable à une impulsion de type S par exemple en retardant par une constante de temps Rc les fermetures du contacteur CS ou des contacteurs CS- CS'. Ce problème peut être résolu en prévoyant des temps de réponse du solénoïde bistable à une impulsion de type S (temps de réponse tBS) et à une impulsion de type R (temps de réponse tBR) ainsi que des durées d'impulsions tS pour le type S et tR pour le type R qui répondent aux conditions suivantes: 2 tBS BB avec tBS t TBR % quelques ms tS ttR 10 ms et td f Les circuits de commande représentés figures 5 et 7 concer- nent des exemples de réalisation utilisant un nombre minimum de composants et, de ce fait, très économiques. Les transis- tors bipolaires utilisés dans ces circuits peuvent être rem- placés, moyennant quelques légères modifications par des transistors MOS de puissance. La mise en oeuvre de ces cir- cuits peut faire appel aux technologies de connectiques bien connues telles que, par exemple: - à circuits imprimés rigides ou souples, - à circuits hybrides couches épaisses, - à circuit intégré spécifique de type Mos, C Mos ou-bipolaire (CUSTOM). Le circuit représenté sur la figure 5 s'applique à un solénoide à une seule bobine B.et présente une structure similaire à celle du circuit représenté figure 2. En consé- quence, ce circuit comprend d'une façon analogue une diode D1, un pont diviseur de tension R1, R2, quatre transistors - il - TS1, TS'1, TR1, TR'1 jouant respectivement le rôle des commutateurs commandables CS, CS', CR, CR', des résistances R9 et R10, analogues aux résistances Re, Re', qui se trouvent montées dans les circuits reliant les collecteurs des transistors TR' et TR aux deux extrémités de la bobine B, et un écréteur E monté en parallèle sur la bobine B. Les transistors TS1 et TR1 sont de type PNP et ont leurs émetteurs connectés à la diode Dl, directement, pour ce qui concerne le transistor TR et par l'intermédiaire d'une diode D3' pour ce qui concerne le transistor TS1. Les transistors TR'1 et TS'1 sont de type NPN et sont connectés par leur émetteur à la borne de commande S2. Les collecteurs des transistors TS1 et TS'1 sont respectivement reliés aux deux extrémités de la bobine B. La base du transistor TS1 est connectée au point de jonction des résistances Ri et R2 du pont diviseur de tension ainsi qu'au collecteur du transistor TR1 par l'intermédiaire d'une diode D'2. La base du transistor TR1 est connectée, par l'intermédiaire d'une résistance R3, au point de jonction d'une résistance R4 reliée par ailleurs à la diode Dl et d'une diode zener DZ1 par exemple de 15 Volts dont l'anode est reliée à la borne de commande S2. La base du transistor TR'1 est connectée au point de jonction de deux résistances R5 et R6 qui constituent un pont diviseur de tension entre le collecteur du transistor TS'1 et la borne de commande S2. La base du transistor TS'1 est connectée au point de jonction de deux résistances R7 et R8 qui constituent un pont diviseur de tension entre le collecteur du transistor TR'1 et la borne de commande S2. Un condensateur C destiné à retarder par une constante de temps la conduction - 12 - du transistor TS'1 est monté en parallèle sur la résistance R8. Selon ce circuit, lorsque le générateur d'impulsions délivre une impulsion de type S, par exemple de 12 Volts, le transistor TS1 dont la base se trouve polarisée par le pont RI, R2 devient conducteur puis, après la charge du condensa- teur C le transistor TS'1 dont la base se trouve polarisée par le circuit comprenant la diode D'3, le transistor TS1 et les résistances RIO, R7 et R8 devient à son tour conducteur. Du fait de la conduction du transistor TS'1, le transistor TR'1 est maintenu à l'état bloqué. Il en est de même pour le transistor TR1 dont la base se trouve portée à une tension voisine de sa tension émetteur. La bobine B se trouve donc traversée par un courant qui circule dans un premier sens convenant pour amener le solénoide bistable à l'état S. Par contre, lorsque le générateur d'impulsions délivre une impulsion de type R par exemple de 24 Volts, la différence de potentiel émetteur/base du transistor TR1 qui est alors d'environ de 9 Volts en raison de la diode zener DZ1, est suffisante pour provoquer la conduction du transistor TR1. Cette conduction entraîne le blocage, grâce à la diode D' du transistor TS1 et par l'intermédiaire du circuit compre- nant les résistances R9, R5 et R6, la conduction du transis- tor TR'1. La bobine B se trouve donc traversée par un cou- rant qui circule dans un second sens convenant pour amener le solénoide bistable à l'état R. - Il apparait donc que dans ce mode de réalisation la tension VRm est déterminée par la diode zener DZ1. Bien entendu, l'invention ne se limite pas aux modes de réalisation précédemment décrits. Ainsi, par exemple, l'écrêteur E pourrait être remplacé, comme représenté sur la figure 6, par quatre diodes D4, D5, D6 et D7 montées en antiparallèle sur les transistors TS1, TS'1 et TR1, TR'1 et une diode zener DZ2 connectée entre la diode D1 et la borne - 13 - de commande S2. Le circuit représenté figure 7 comprend deux bobines BS et BR connectées aux bornes de l'alimentation par l'intermé- diaire de deux transistors TS2 et TR2 respectifs et d'une diode commune D1. La base du transistor TS2 est reliée à son émetteur par l'intermédiaire d'un condensateur C et au collecteur du transistor TR2 par l'intermédiaire d'une résistance R10. La base du transistor TR2 est quant à elle connectée au point de jonction d'une résistance R13 reliée aux collecteurs des transistors TS2 et TR2 et d'une diode zener DZ2 reliée à la borne de commande S2. Dans le circuit reliant le collecteur du transistor TR2 à la bobine BR peut en outre être disposée une résistance R12. Ainsi, lorsque le générateur d'impulsions délivre une impul- sion de type S, le transistor TS2 est rendu conducteur après une légère temporisation (polarisation de sa base par le circuit C, Ro10, BR) tandis que le transistor TR2 demeure bloqué du fait que la tension de l'impulsion est inférieure à la tension de seuil de la diode zener DZ2. Seule la bobine BS sera donc traversée par un courant. Par contre, lorsque le générateur d'impulsions délivre une impulsion de type R, le transistor TR2 devient conducteur et provoque le blocage du transistor TS2 (polarisation de la base par R13, DZ2 et Rll), seule la bobine BR sera donc traversée par un courant. Comme précédemment mentionné, les circuits de commande selon l'invention peuvent avantageusement équiper des relais bistables utilisables dans des circuits de commande classi- ques. La figure 8 montre un exemple de réalisation d'un circuit de commande par commutateur statique et décodeur qui comprend une pluralité de relais bistables actifs RBA1, - 14 - RBA2... RBAn. Ces relais utilisent chacun un- circuit de commande non représentés tels que ceux précédemment décrits qui présentent chacun deux bornes de commande. Les bornes S1 de ces relais sont connectées à un générateur d'impulsions de type S et R qui comprend, de façon classi- que, un commutateur CC raccordé à deux sources de tension, l'une à une tension de V + 12 Volts pour les impulsions de type S et l'autre de V + 24 Volts pour les impulsions de type R, et commandé par un circuit inverseur 13 recevant un signal logique à deux niveaux, à savoir un signal logique de type S (par exemple de niveau 1) et un signal logique de type R (par exemple de niveau 0). Les bornes S2 des relais RBA1... RBAn sont reliées à une source de tension de référence Vy, par exemple la masse, par l'intermédiaire de transistors respectifs T1, T2... Tn, dont les bases sont pilotées par un décodeur DEC. Ce déco- deur DEC comprend entre entrée logique par exemple à quatre bornes el, e2, e3, e4 et une entrée de validation ev qui permet notamment de définir la durée des impulsions appli- quées aux relais bistables RBA1, RBA2... RBAn- Ainsi, pour une combinaison logique déterminée appliquée aux entrées el, e2, e3, e4 du décodeur DEC et pendant la durée de l'impulsion de validation, un relais bistable RBA corres- pondant sera soumis- à une impulsion dont le type sera défini par le niveau logique appliqué au commutateur CC. La figure 9 illustre un exemple d'application de l'invention à la réalisation d'un système de commande matricielle. Ce système comprend, de façon classique, un réseau maillé de conducteur à n lignes et m colonnes aux intersections desquelles sont branchés, de façon classique, les relais bistables actifs: - 15 - RBAll.... RBAlm * À RBAnl J.... RBAnm Chacune des lignes de ce réseau se trouve connectée, par l'intermédiaire d'un commutateur L1, L2... Ln_1, Ln, à un générateur d'impulsions de type S et R qui comprend, de façon classique, un commutateur CC raccordé à deux sources de tension, l'une à V + 12 Volts pour les impulsions de type S et l'autre de V + 24 Volts pour les impulsions de type R. Ce commutateur est commandé par un inverseur 14 recevant un signal logique à deux niveaux, à savoir: un signal logique de type S (par exemple de niveau 1) et un signal logique de type R (par exemple de niveau 0). Par ailleurs, les colonnes de ce réseau sont connectées à la tension de référence VO, par exemple OV, par l'intermédiaire de commutateurs C1, C2.. . Cml, Cm, Les commutateurs de ligne L1, L2... Ln-l, Ln sont pilotés par un décodeur de ligne DEC1 qui comprend autant de sorties LL', '2. L' qu'il y a de commutateurs L1, L2... Ln L 2 I u'i' 1 2... n'' De même, les commutateurs de colonne C1, C2... Cn sont pilotés par un décodeur de colonne DECC qui comprend autant de sorties C'1, C'2... C'n qu'il y a de commutateurs C1, C2... Cn Ces décodeurs de ligne DECL et de colonne DECC reçoivent respectivement sur leurs entrées des signaux logiques d'adressage de ligne et de colonne. En outre, le décodeur de colonne DECC comprend une entrée de validation ev qui permet notamment de définir le temps des impulsions de type S et de type R appliquées aux relais bistables RBA. - 16 - Ainsi, pour une adresse de ligne donnée appliquée au déco- deur de ligne et pour une adresse de colonne donnée appli- quée au décodeur d'adresse et pendant la durée du signal de validation, un relais bistable du réseau sera activé selon l'état du commutateur CC, par un signal de type S ou par un signal de type R. I1 convient de noter que, dans ce type d'application, des diodes anti-retour Dl devront être prévues dans chaque relais bistable RBA. L'avantage du système précédemment décrit consiste en ce qu'il peut faire intervenir un grand nombre de relais à fonctionnement tout ou rien. Il est donc particulièrement adapté dans le domaine des automatismes industriels. - 17 - Revendications de brevet 1. Circuit de commande d'un solénoide bistable du type comprenant un circuit magnétique comportant un aimant perma- nent qui polarise le champ magnétique dans le circuit, en l'absence de champ extérieur et au moins une bobine (B) qui, lorsqu'elle est traversée par un courant, crée un champ qui se retranche ou s'ajoute à celui créé par l'aimant, de manière à amener un organe mobile alternativement dans deux positions stables (R) et (S) correspondant à une reluctance maximum et à une reluctance minimum du circuit magnétique, caractérisé en ce qu'il comprend, d'une part, deux bornes de commande (Sl, S2) sur lesquelles peuvent être appliquées des impulsions de commande d'au moins deux types différents, à savoir, un premier type d'impulsions (S) destinées à obtenir la position (S) du solénoïde, qui présentent un premier niveau d'amplitude, et un deuxième type d'impulsions (R) destinées à obtenir la position (R) du solénoide, et qui présentent un deuxième niveau d'amplitude différent de celui des impulsions (S) du premier type, et de même polarité, et, d'autre part, un circuit de discrimination (R1, R2, A) des impulsions (R, S) de ces deux types en fonction de leur niveau d'amplitude, ce circuit de discrimination (R1, R2, A) étant relié à un circuit de commutation (CS, CS', CR, CR') commandant l'alimentation du solénoide de manière à obtenir une reluctance minimum du circuit magnétique en réponse aux impulsions (S) du premier type et une reluctance minimum en réponse aux impulsions (R) du deuxième type. 2. Circuit de commande selon la revendication 1, caractérisé en ce que le susdit circuit de discrimination (R1, R2, A) comprend des moyens (A), permettant de comparer l'amplitude des impulsions appliquées sur les bornes (S1, S2) par rapport à trois zones de tension de référence prédéterminées successives, à savoir: - une première zone de tension incluant le niveau de tension des impulsions (S) du premier type, - 18- - une deuxième zone de tension incluant le niveau de tension des impulsions (R) du second type, et - une troisième zone de tension comprise entre les niveaux des deux types d'impulsions (R, S) et dans laquelle l'amplitude desdites impulsions ne doit jamais se situer, et en ce que ledit circuit de discrimination (R1, R2, A) agit sur les moyens de commutation (CS, CS', CR, CR') commandant l'alimentation de la bobine (B) de manière à obtenir une reluctance minimum du circuit magnétique lorsque l'amplitude des impulsions appliquées sur les bornes (S1, S2) est comprise dans la première zone de tension et une reluctance maximum du circuit magnétique lorsque l'amplitude des impulsions appliquées sur les bornes (Si, S) est comprise dans la deuxième zone de tension de référence. 3. Circuit de commande d'un solénoïde bistable com- prenant une seule bobine'( B), caractérisé en ce que ladite bobine (B) est connectée aux bornes de commande (S1, S2) du circuit par l'intermédiaire d'un circuit de commutation (CS, CS', CR, CR') apte à inverser le sens du courant circulant dans la bobine (B) selon le niveau des impulsions. 4. Circuit de commande selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit circuit de commutation comprend un premier et un deuxième commutateurs commandables (CS, CR') reliant respectivement l'une des extrémités de la bobine (B) aux deux bornes de commande (S1, S2) du circuit, et un troisième et un quatrième commutateurs commandables (CR et CSt) reliant respectivement l'autre extrémité de la bobine (B) aux deux bornes (Si, S2), et en ce que lesdits commutateurs (CS, CS', CR, CR') sont commandés par un circuit discriminateur comprenant un pont diviseur de tension constitué par deux résistances (R1, R2) montées en série entre les deux bornes de commande (S1, S2) et dont le point de jonction est relié à l'entrée d'un - 19 - comparateur (A) qui compare la tension audit point de jonction à une tension de référence (VREF), la sortie de ce comparateur (A) étant reliée, d'une part, par une liaison directe, aux organes de commande des premier et quatrième commutateurs (CS, CS') et, d'autre part, par l'intermédiaire d'un circuit inverseur (Io) aux organes de commande des deuxième et troisième commutateurs (CR) et (CR'). 5. Circuit de commande selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des résistances (R'e) et (Re) respectivement montées en série avec les deuxième et troisième commutateurs (C'R) et (CR). 6. Circuit de commande selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un écrêteur (E) monté en parallèle sur la bobine (B). 7. Circuit de commande selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une première diode (D1) montée dans la liaison entre l'une (Si) des-deux bornes de commande et l'ensemble formé par le discriminateur et le circuit de commutation pilotant la bobine (B). 8. Circuit de commande selon l'une des revendications 4 à 7, dans lequel les sudits commutateurs commandables (CS, CS', CR, CR') consistent en des premier, deuxième, troisième et quatrième transistors (TS1, TS'1, TR1, TR'1i), caractérisé en ce que: - le premier transistor (TS1) est de type PNP et a son émetteur connecté à la première diode (D1) par l'intermédiaire d'une deuxième diode (D'3,) - le toisième transistor (TR1) est de type PNP et a son émetteur directement connecté à la première diode (D1,) - les deuxième et quatrième transistors {TS'1) et (TR'I) - 20 - sont de type NPN et sont connectés par leurs émetteurs à la borne de commande (S2) du circuit, - les collecteurs des premier et troisième transistors (TSl) et (TS'1) sont respectivement reliés aux extrémités de la bobine (B), - - les collecteurs des deuxième et quatrième transistors (TR1) et (TR'1) sont respectivement reliés aux deux extrémités de la bobine de jonction des résistances (R1, R2) du susdit pont divi- seur de tension ainsi qu'au collecteur du troisième transistor (TR1) par l'intermédiaire d'une troisième diode (D'2), - la base du troisième transistor (TRl) est connectée par l'intermédiaire d'une résistance (R3) au point de jonction d'une résistance (R4) reliée par ailleurs à la diode (Dl) et d'une diode-Zener (DZ1) dont l'anode est reliée à la borne de commande (S2), - la base du second transistor (TS'1) est connectée au point de jonction de deux résistances (R7) et (R8) qui constituent un pont diviseur de tension entre le collecteur du quatrième transistor (TR'i) et la borne de commande (S2), - un condensateur (C) est monté en parallèle sur la résis- tance (R8). 9. Circuit de commande selon l'une des revendications 4 à 8, caractérisé en ce que le susdit écrêteur consiste en quatre diodes (D4, D5, D6) montées respectivement en antiparallèle sur les susdits premier, deuxième, troisième et quatrième transistors (TS1, TS'il, TR1, TR'1). 10. Circuit de commande d'un solénoide bistable comprenant deux bobines (BS, BR,) - 21 - caractérisé en ce que ces deux bobines (B1, B2) sont connec- tées aux bornes (S1, S2) du circuit par l'intermédiaire d'un circuit de commutation apte à alimenter l'une ou l'autre des bobines {BS, BR), selon le niveau des impulsions appliquées aux bornes de commande (Sl, S2). 11. Circuit de commande selon la revendication 10, caractérisé en ce que le susdit circuit de commutation comprend deux commutateurs commandables (CS) et (CR) montés respectivement en série avec les bobines (BS) et (BR), et, en ce que lesdits commutateurs commandables (CS) et {CR) sont commandés par un circuit discriminateur comprenant un pont diviseur de tension constitué par deux résistances {R1, R2) montées en série entre les deux bornes de commande (S1, S2), et dont le point de jonction est relié à l'entrée d'un comparateur (A) qui compare la tension audit point de jonction à une tension de référence (VREF), la sortie de ce comparateur (A) étant reliée, d'une part, par une liaison directe à l'organe de commande de l'un des deux commutateurs commandables (CS), et à l'organe de commande de l'autre commutateur commandable (CR) par l'intermédiaire d'un inverseur (I'o). 12. Circuit de commande- selon l'une des revendica- tions 10 et 11, caractérisé en ce qu'une diode (D2, D3) est montée en paral- lèle sur chacune des bobines {BR, BS). 13. Circuit de commande selon l'une des revendica- tions 10 à 12, caractérisé en ce qu'une résistance (Re) est montée en série avec la bobine (BR). 14. Circuit de commande selon l'une des revendica- tions 10 à 13, caractérisé en ce qu'il comprend une diode (D1) montée dans la liaison entre l'une (Si) des deux bornes de commande et -22 - l'ensemble formé par le discriminateur et le circuit de com- mutation pilotant les bobines (BS) et (BR). 15. Circuit de commande selon l'une des revendica- tions 10 à 14, caractérisé en ce que les deux susdites bobines (BS) et (BR) sont connectées aux susdites bornes de commande par l'inter- médiaire de deux transistors (TS2) et (TR2) respectifs et d'une diode commune (D1), en ce que la base du transistor (TS2) est reliée à son émet- teur par l'intermédiaire d'un condensateur (C) et au collec- teur du transistor (TR'2) par l'intermédiaire d'une résistance (R10), et en ce que la base du transistor (TR2) est connectée au point de jonction d'une résistance (R13) reliée aux collecteurs des transistors (TS2) et (TR2) et d'une diode Zener (DZ2) reliée à la borne de commande (S2).