FR 2570516 A1 19860321 FR 8513617 A 19850913 La présente invention concerne un élément optique à couche mince et un procédé de fabrication de celui-ci. Diverses recherches ont été effectuées dans le but d'appliquer des éléments optiques à couche mince, c'est-à-dire des éléments optiques utilisant un guide de lumière à couche mince, à un déflecteur de lumière, un modulateur de lumière, un analyseur de spectre, un commuta- teur de lumière, etc. Dans un tel élément optique à-couche mince, on fait varier l'indice de réfraction du guide de lumière par un effet externe tel qu'un effet acousto- optique ou un effet électro-optique, pour moduler ou pour dévier la lumière qui se propage dans le guide de lumière. Le substrat d'un tel élément optique est souvent constitué par un cristal de niobate de lithium (LiNbO3) ou de tanta- late de lithium (LiTaO3), qui présente d'excellents effets piezoélectrique, acousto-optique et électro-optique, et une faible atténuation de propagation de la lumière. Dans un procédé représentatif de fabrication d'un guide de lumière à couche mince avec un tel substrat cristallins, on effectue une diffusion thermique de titane (Ti), à une tem- pérature élevée, dans la surface du substrat cristallin, ce qui forme une couche de guide de lumière ayant un indice de réfraction légèrement supérieur à celui du substrat. Le guide de lumière à couche mince qui est ainsi préparé pré- sente cependant souvent un défaut optique, ce qui fait qu'il ne permet l'entrée que d'un niveau de lumière correspondant à une très faible puissance. On entend par défaut optique un phénomène par lequel l'intensité de la lumière prélevée en sortie du guide de lumière après pro- pagation dans celui-ci n'augmente pas proportionnellement, du fait de la diffusion, avec l'intensité de la lumière qui entre dans le guide de lumière. A titre d'autre procédé visant à éviter un tel défaut optique, on connaît le procédé d'échange d'ions dans lequel on soumet un substrat cristallin, par exemple en LiNbO3 ou LiTaO3, à un traitement thermique à basse température dans un sel fondu tel que du nitrate de thallium (TEN03), du nitrate d'argent (AgN03) ou du nitra- te de potassium (KNO3), ou dans un acide faible tel que l'acide benzoique (C6H5COOH), pour échanger l'ion lithium (Li+) dans le substrat cristallin avec un ion tel qu'un proton (H+) de l'acide faible, ce qui permet d'obtenir un guide de lumière présentant une différence élevée d'indice de réfraction ( Ah = 0,12). La valeur de seuil à laquelle se manifeste le défaut optique du guide de lumière à cou- che mince préparé avec un tel procédé d'échange d'ions est plusieurs dizaines de fois supérieure à celle qu'on obtient par diffusion de titane, mais ce traitement -d'échange d'ions dégrade les propriétés piezoélectriques et l'effet électro-optique spécifiques au cristal de LiNbO3 ou LiTaO3, ce qui réduit le rendement de diffraction dans l'utilisation en tant que déflecteur de lumière. Dans la réalisation d'un déflecteur de lumière ou d'un modulateur de lumière utilisant l'effet acousto- optique ou électro-optique, il est essentiel d'améliorer l'efficacité d'un tel effet. Un exemple représentatif utilisant l'effet acousto- optique consiste à appliquer des champs électriques de haute fréquence entre des élec- trodes en peigne formées par photolithographie sur un guide de lumière, ce qui induit une onde élastique de sur- face dans ce guide de lumière. Dans une telle structure, on sait déjà que l'interaction entre l'onde élastique de surface induite sur le guide de lumière et la lumière guidée dans le guide de lumière augmente si la distribution d'énergie de la lumière guidée est limitée au voisinage de la surface du substrat (C.S.Tsai, IEEE Transactions on Circuits and Systems, Vol. Cas.-26, 12, 1979). D'autre part, l'entrée ou la sortie de lumière entre un laser à semiconducteur ou une fibre optique et un tel guide de lumière s'effectue à travers la face d'extré- mité de celui-ci, ce qui fait qu'il est nécessaire d'élar- gir la distribution d'énergie de la lumière guidée dans la direction de l'épaisseur du substrat, en correspondance avec la distribution d'énergie dans la fibre optique ou un élément analogue, afin d'améliorer le rendement de la con- nexion optique. Il en résulte qu'avec un élément optique à couche mince de type classique, il est impossible d'obtenir en même temps un rendement de modulation ou de déflexion éle- vé et un rendement élevé pour la connexion optique, du fait que la distribution d'énergie exigée pour la lumière guidée est différente entre la partie de connecteur optique destinée à l'entrée/sortie de la lumière, et la partie optique fonctionnelle pour la modulation ou la déflexion de la lumière guidée. Pour résoudre ce problème, il a été pro- posé un procédé, applicable au cas dans lequel on forme le guide de lumière par diffusion de titane, consistant à effectuer la diffusion de titane avec des concentrations différentes dans la partie de connecteur optique et dans la partie optique fonctionnelle (M. Kondo, K. Komatsu & Y. Ohta; Society of Applied Physics,84 Spring Symposium, prétirage 31a-K-7; et ibid.; 7th Topical Meeting on Inte- grated and Guided-Wave Optics TuA5-1). On ne connaît cependant pas un procédé efficace pour éviter le problème mentionné ci-dessus dans le cas o le guide de lumière est formé par le procédé d'injection d'ions précité. L'invention a pour but de procurer un élément optique à couche mince présentant un rendement de conne- xion élevé pour l'entrée et la sortie de la lumière gui- dée, et qui soit capable de réaliser une modulation ou une déflexion efficaces de la lumière, et un procédé de fabrication d'un tel élément optique. On peut atteindre le but précité, conformément à l'invention, dans un élément optique à couche mince com- prenant un substrat, un guide de lumière à couche mince formé par injection d'ions dans la surface de ce substrat, une partie optique fonctionnelle formée dans une partie du guide de lumière, pour faire varier son indice de réfrac- tion par un effet externe afin de moduler ou de dévier l'onde guidée, et une partie de connecteur optique formée à l'extrémité du guide de lumière pour guider la lumière de façon à la faire entrer dans la face d'extrémité du guide de lumière ou à la faire sortir de cette face, en différen- ciant les distributions d'ions entre la partie de connec-- teur optique et la partie optique fonctionnelle. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, et en se référant aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 est une vue en perspective montrant un premier mode de réalisation de l'élément optique de l'invention; Les figures 2(a) - 2(f) sont des coupes schémati- ques montrant un exemple de processus de préparation du premier mode de réalisation; Les figures 3(a) - 3(f) sont des coupes schémati- ques montrant un autre exemple de processus de prépara- tion; La figure 4 est une coupe schématique d'un dispo- sitif qui est utilisé dans le processus représenté sur les figures 3(a) 3(f); Les figures 5 et 6 sont des vues en perspective montrant des second et troisième modes de réalisation de l'invention; La figure 7 est une vue en perspective montrant un masque employé dans la préparation du mode de réalisa- tion représenté sur la figure 6; Les figures 8 et 9 sont des vues en perspective montrant des quatrième et cinquième modes de réalisation de l'invention; Les figures 10(a) - 10(g) sont des coupes schéma- tiques montrant un exemple du processus de préparation du cinquième mode de réalisation; La figure 11 est une vue en perspective montrant un sixième mode de réalisation de l'invention; Les figures 12(a) - 12(f) sont des coupes sché- matiques montrant un exemple du processus de préparation du sixième mode de réalisation; La figure 13 est une vue en pespective montrant un septième mode de réalisation de l'invention; Les figures 14(a) - 14(f) sont des coupes sché- matiques montrant un exemple du processus de préparation du sixième mode de réalisation; Les figures 15 à 18 sont des vues en perspective montrant respectivement des huitième, neuvième, dixième et onzième modes de réalisation de l'invention; Les figures 19(a) - 19(f) sont des coupes sché- matiques montrant un exemple du processus de préparation du onzième mode de réalisation; Les figures 20 à 23 sont des vues en perspective montrant respectivement des douzième, treizième, quator- zième et quinzième modes de réalisation de l'invention; Les figures 24(a) - 24(f) sont des coupes sché- matiques montrant un exemple du processus de préparation du quinzième mode de réalisation; Les figures 25 à 28 sont des vues en perspective montrant respectivement des seizième, dix-septième, dix-huitième et dix-neuvième modes de réalisation de l'in- vention; Les figures 29(a) - 29(g) sont des.coupes sché- matiques montrant un exemple du processus de préparation du dix-neuvième mode de réalisation; Les figures 30(a) - 30 (g) sont des coupes sché- matiques montrant un autre exemple du processus de prépa- ration du dix-neuvième mode de réalisation; Les figures 31 à 34 sont des vues en perspective représentant respectivement des vingtième, vingt-etunième, vingt-deuxième et vingt-troisième modes de réalisation de l'invention; - Les figures 35(a) - 35(h) sont des coupes mon- trant un exemple du processus de préparation du vingt- troisième mode de réalisation; Les figures 36 à 39 sont des vues en perspective montrant respectivement des vingt-quatrième, vingt-cinquiè- me, vingt-sixième et vingt-septième modes de réalisation de l'invention; Les figures 40(a) - 40(g) sont des coupes sché- matiques montrant un exemple du processus de préparation du vingtseptième mode de réalisation; Les figures 41 à 44 sont des vues en perspective montrant respectivement des vingt-huitième, vingt-neuvième, trentième et trente-et-unième modes de réalisation de l'invention; - Les figures 45(a) - 45(h) sont des coupes sché- matiques montrant un exemple du processus de préparation du trente-etunième mode de réalisation; et Les figures 46 à 48 sont des vues en perspective montrant respectivement des trente-deuxième, trente- troisième et trente-quatrième modes de réalisation de l'invention. La figure 1 est une vue en perspective montrant un premier mode de réalisation d'un élément optique à cou- che mince de l'invention, utilisant un effet acousto- optique, sur laquelle on voit un substrat 1 consistant en un cristal de LiNbO3 de type x ou y; un guide de lumière 2 formé par échange de protons; des faces d'extrémité polies 3, 4 du guide de lumière; des lentilles cylindri- ques 5, 6; et des électrodes en peigne 7. Un faisceau de lumière parallèle 8 d'une longueur d'onde de 632,8 nm fourni par un laser He-Ne est focalisé, dans la direction de l'épaisseur du guide de lumière, sur la face d'extrémité 3 du guide de lumière, au moyen de la lentille cylindrique 5, de façon que la lumière pénètre dans cette face d'extrémité. La lumière 9 guidée à partir de la face d'extrémité est diffractée par une onde élasti- que de surface 10 qu'on génère en appliquant de l'énergie de haute fréquence aux électrodes en peigne 7, et la lumière diffractée émerge par la face d'extrémité 4 du guide de lumière et est convertie en un faisceau parallèle par la lentille cylindrique 6. On peut obtenir un rende- ment d'entrée s'élevant jusqu'à 80%9 du fait que la lar- geur du faisceau focalisé sur la face d'extrémité 3 du guide de lumière, dans la direction de focalisation, est approximativement égale à la largeur du faisceau de lumiè- re guidée. Dans le guide de lumière 2, la profondeur dgin- jection de protons diminue progressivement dans la direc- tion de l'épaisseur du substrat, depuis les parties de connecteur optique au voisinage des faces d'extrémité 3, 4, vers la partie optique fonctionnelle dans laquelle a lieu l'interaction entre l'onde élastique de surface 10 et la lumière guidée 9, comme le montre la figure 1, ce qui fait que dans cette partie optique fonctionnelle, la lumière guidée est emprisonnée au voisinage de la surface du substrat, pour donner un effet de diffraction élevé. Les figures 2(a) - 2(f) sont des coupes schéma- tiques montrant le processus de préparation d'un élément optique à couche mince tel que celui représenté sur la figure 1. Tout d'abord, comme le montre la figure 2(a), on polit une surface x ou y d'un substrat 1 en LiNbO3 de type x ou y, jusqu'à obtenir une planéité correspondant à plusieurs anneaux de Newton ou moins, après quoi on soumet le substrat à un nettoyage par ultrasons ordinaire avec de l'acétone, puis avec de l'eau purifiée, et on le sèche par soufflage d'azote. On dépose ensuite sur cette surface une couche de titane d'une épaisseur de 20 nm, en procé- dant par évaporation par faisceau d'électrons, et on la soumet à une diffusion thermique pendant 2,5 heures à 965 C dans une atmosphère d'oxygène, pour former une cou- che de diffusion thermique de Ti, 11, comme le montre la figure 2(b). On peut également utiliser pour cette diffu- sion thermique d'autre métaux tels que V, Ni, Au, Ag, Co, Nb ou Ge. Ensuite, comme le montre la figure 2(c), on évapore une couche de chrome 12, faisant fonction de mas- que pour un traitement d'échange de protons, dans la par- tie optique fonctionnelle dans laquelle a lieu l'interac- tion entre l'onde élastique de surface et la lumière gui- dée. On place le substrat de LiNbO03 portant ce masque dans un creuset en alumine contenant de l'acide benzolque additionné de benzoate de lithium dans un rapport molaire de 2%, et on maintient ce creuset à 250 C pendant 5 heu- res, dans un four, pour effectuer un traitement d'échange d'ions, ce qui forme une couche d'échange de protons 13 dans une partie de la couche de diffusion de Ti 11 qui n'est pas recouverte par le masque, comme le montre la figure 2(c). Dans la formation de la couche d'échange de protons, on peut remplacer le mélange d'acide benzoique et de benzoate de lithium par un autre mélange d'un acide carboxylique ayant une constante de dissociation de 10 6 à 103 et d'un sel de lithium de cet acide, par exemple un mélange d'acide palmitique [CH3(CH2)14COOH] et de pal- mitate de lithium [CH3(CH2)14C00OOLil ou un mélange d'acide stéarique [CH3(CH2)16C00ooH] et de stéarate de lithium [H3(CH2)16COOLiJ. On a préparé divers échantillons en modifiant le rapport molaire de la substance contenant du lithium dans une plage de 1% à 10%. On soumet ensuite le substrat à un nettoyage par ultrasons avec de l'éthanol, et on le sèche par soufflage d'azote, après quoi on enlève le masque par attaque. Après le traitement d'échange de protons expliqué ci-dessus, on soumet le substrat à un autre traitement d'échange de protons pendant une heure à 250 C avec de l'acide benzoïque additionné de benzoate de lithium dans un rapport molaire de 1%, pour former une couche d'échange de protons 14, comme le montre la figure 2(d). Dans ce traite- ment d'échange de protons également, on peut employer un mélange d'acide palmitique et de palmitate de lithium ou un mélange d'acide stéarique et de stéarate de lithium. Après ce traitement d'échange de protons, on soumet à nouveau le substrat à un nettoyage par ultrasons avec de l'éthanol, et on le sèche par soufflage d'azote. Après les deux traitements d'échange de protons, on soumet le substrat cristallin à un traitement de recuit pendant 4 heures à 350 C dans un four, dans une atmosphère d'oxygène humide avec un débit de 1,0 litre/minute, obtenu en faisant passer l'oxygène dans de l'eau chauffée. De cette manière, on obtient, comme le montre la figure 2(e), un guide de lumière 2 dans lequel la profondeur d'injec- tion de protons est plus faible dans la partie optique fonctionnelle et plus forte vers les faces d'extrémité 20, 21 du substrat. La distribution de protons aux frontières 18, 19 de la partie optique fonctionnelle présente une variation progressive à cause du traitement de recuit, et on a confirmé expérimentalement l'existence d'une faible atténuation de propagation dans cette partie. Les conditions de recuit peuvent être différen- tes de celles indiquées précédemment,-mais on doit les choisir de préférence d'une manière telle que le pic d'absorption du radical OH dans la partie optique fonc- tionnelle soit compris dans une plage de 3480 à -1 3503 cm. Finalement, on forme les électrodes en peigne 7 sur le guide de lumière 2 considéré ci-dessus, comme le montre la figure 2(f), par un processus photolithographi- que ordinaire. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, on forme le guide de lumière par diffusion de titane et par diffusion thermique de protons, mais la diffusion de Ti n'est pas indispensable. A la place, on peut former le guide de lumière par injection ou diffusion thermique de protons seuls, ou par diffusion externe de LiO, en combi- naison avec une injection ou une diffusion thermique de protons. On expliquera ci-après un autre procédé de fabrication d'un élément optique à couche mince tel que celui représenté dans le premier mode de réalisation envi- sagé ci-dessus. Tout d'abord, comme le montre la figure 3(a), on dépose par évaporation une couche de Ti sur la surface x ou y d'un substrat de LiNbO3 de type x ou y, et on soumet le substrat à une diffusion thermique dans une atmosphère d'oxygène pour former une couche de diffusion thermique de Ti, 11, comme le montre la figure 3(b). Après la diffusion de Ti, on soumet le substrat à un traitement d'échange de protons dans une solution contenant de l'acide benzoique et du benzoate de lithium pour former une couche d'échange de protons 15, comme le montre la figure 3(c). Ensuite, comme le montre la figure 3(d), on évapore une couche d'or 16 dans la région d'interaction entre l'onde élastique de surface et la lumière guidée, et on évapore une autre couche d'or 17 sur la surface arrière du substrat. On soumet ensuite le substrat à un traitement de recuit dans un four à 350 C, dans une atmosphère d'oxygène humide avec un débit de 0,5 litre/minute, ce qu'on obtient en faisant passer de l'oxygène dans de l'eau chauffée, et en présence d'une tension appliquée par une source de tension 18 entre les couches d'or 16, 17, avec une polarité choisie de façon à s'opposer à la diffusion thermique de protons vers le il substrat. De cette manière, on forme un guide de lumière 2 tel que celui représenté sur la figure 3(e), du fait que la diffusion de protons est renforcée dans les parties de connecteur optique au voisinage des faces d'extrémité du guide de lumière, mais est moins profonde dans la région précitée dans laquelle la diffusion de protons est atté- nuée par le champ électrique. Enfin, on forme les électrodes en peigne 7 avec une fréquence centrale de 400 MHz, par un processus photo- lithographique ordinaire, comme il est représenté sur la figure 3(f). L'application d'un champ électrique au substrat dans le processus décrit ci-dessus est effectuée au moment du traitement de recuit, mais on peut également l'effec- tuer en liaison avec l'échange de protons dans un disposi- tif représenté sur la figure 4, avant l'échange de protons. On voit sur la figure 4 des électrodes 25, 26, une solution 27 consistant en un mélange d'acide benzoTque et de benzoa- te de lithium, et des cales 28, 29 destinées à fixer le substrat, et on peut effectuer l'échange de protons en un temps plus court en présence d'une tension entre les élec- trodes 25, 26. Dans le procédé décrit ci-dessus, on effectue l'injection d'ions par diffusion thermique ou par échange d'ions en présence d'un champ électrique appliqué au substrat, de façon à pouvoir régler aisément la profondeur d'injection des ions par le réglage de la tension appli- quée. La figure 5 est un schéma d'un deuxième mode de réalisation dans lequel l'élément de la figure 1 est utili- sé en déflecteur de lumière utilisant un effet électro- optique, et sur cette figure les composants identiques à ceux de la figure 1 sont désignés par les mêmes références et ne seront pas expliqués en détail dans ce qui suit. On introduit un faisceau laser 8 dans un guide de lumière en focalisant le faisceau, dans la direction de l'épaisseur du guide, au moyen d'une lentille cylin- drique 5, de façon à le diriger sur une face d'extrémité polie 3 du guide de lumière. La lumière 9 qui est guidée à partir de cette face d'extrémité est diffractée par un réseau de diffraction de phase produit par une tension appliquée à des électrodes en peigne à effet électro- optique 37, et la lumière émerge ensuite par une autre face d'extrémité 4 du guide de lumière et elle est con- vertie en un faisceau parallèle par une lentille cylindri- que 6. Les électrodes en peigne qui sont employées dans ce mode de réalisation comportent 350 paires d'électrodes avec une largeur et un écartement de 2,2 pm et une largeur de chevauchement de 3,8 mm. On obtient un rendement de diffraction s'élevant jusqu'à 90% en appliquant une ten- sion de 5 V entre les électrodes en peigne. Dans Ies modes de réalisation précédents, la profondeur d'injection ou de diffusion thermique d'ions est plus grande dans les parties de connecteur optique que dans la partie optique fonctionnelle, mais on peut inver- ser la configuration en fonction de l'ion à injecter. La figure 6 est une vue en perspective d'un troisième mode de réalisation de l'élément optique à cou- che mince de l'invention, dans lequel les composants iden- tiques à ceux de la figure 1 sont désignés par les m8mes références et ne seront pas expliqués en détail dans ce qui suit. A la différence du premier mode de réalisation, un guide de lumière 32 est formé par injection d'ions hélium (He+). Comme dans le cas de l'injection de protons, l'injection d'ions hélium augmente l'indice de réfraction, ce qui forme un guide de lumière. On va maintenant considérer la figure 7 pour expliquer un procédé de fabrication de l'élément du troi- sième mode de réalisation. On forme tout d'abord une couche d'oxyde de zinc 33 d'une épaisseur d'environ 0,5 micramètre sur un substrat 1 consistant en un cristal de LiNbO3 de type x ou y, en pro- cédant par pulvérisation cathodique à haute fréquence, et on enlève cette couche dans une région d'interaction 34 entre l'onde élastique de surface et la lumière guidée, au moyen d'opérations ordinaires de photolithographie et d'attaque chimique. On forme sur la couche d'oxyde de zinc 33 une couche de matière de réserve 35 d'une épaisseur d'environ 1,3 pm, et on enlève cette dernière sur une lar- geur 36, par un processus photolithographique. Par conse- quent, un masque composite formé par les couches 33, 35 est absent dans la région 34, présent sous la forme d'une seule couche dans la région correspondant à la largeur 36, et présent sous la forme de deux couches dans la région extérieure. L'injection d'ions à travers ce masque composite permet ainsi d'obtenir un guide de lumière 32 ayant des profondeurs respectives différentes dans les parties de connecteur optique et dans la partie optique fonctionnelle, comme le montre la figure 6, à cause des épaisseurs de masque différentes aux différents emplacements. On effectue l'injection d'ions hélium avec une énergie d'accélération de 0,32 x 10-16 J. Dans le mode de réalisation présent, la profon- deur d'injection d'ions est plus faible dans les parties de connecteur optique que dans la partie optique fonction- nelle, mais la lumière qui s'échappe du guide de lumière est relativement importante, du fait que la différence d'indice de réfraction obtenue par injection d'ions hélium est plus faible que dans le cas de l'injection de protons, ce qui fait que la distribution d'énergie réelle de la lumière guidée dans les parties de connecteur optique est plus étalée dans le substrat, en comparaison avec la par- tie optique fonctionnelle. Par conséquent, dans ce mode de réalisation également, il devient possible d'obtenir simul- tanément un rendement de connexion élevé dans les parties de connecteur optique et un rendement de diffraction élevé dans la partie fonctionnelle, comme dans le premier mode de réalisation. On peut remplacer le substrat de LiN O3 des modes de réalisation précédents par un substrat de tantalate de lithium (LiTaO3) pour obtenir par un processus identique l'élément optique à couche mince de l'invention. En outre, au lieu d'utiliser un tel substrat diélectrique, on peut employer un substrat semiconducteur, comme on l'expliquera ci-après. La figure 8 est une vue en perspective d'un qua- trième mode de réalisation de l'élément optique à couche mince de l'invention, dans lequel les composants identiques à ceux de la figure 1 sont désignés par les mêmes référen- ces et ne seront pas expliqués davantage. On voit sur la figure 8 un substrat 41 en arséniure de gallium (GaAs); une couche tampon 42 en arséniure d'aluminium-gallium (AlGaAs); un guide de lumière 43 en arséniure de gallium/ arséniure d'aluminium-gallium (GaAs-AlGaAs), avec un profil de distribution des porteurs injectés; et une couche d'oxyde de zinc (ZnO) 44 avec une structure biseautée sur un c8té de cette couche. Un champ de haute fréquence appliqué à des électrodes en peigne 7 formées sur la couche d'oxyde de zinc induit dans celle-ci une onde élastique de surface , et cette onde est transmise par la structure biseautée et se propage sur le guide de lumière 43 de façon à diffracter la lumière guidée 9 qui se trouve à l'intérieur. Les parties de connecteur optique formées dans le guide de lumière 43 au voisinage des faces d'extrémité 3, 4 de ce dernier ont une concentration en porteurs plus élevée et une profondeur de dopage plus grande, ce qui fait que l'indice de réfraction effectif dans ces parties est plus faible que dans la partie optique fonctionnelle dans laquelle se produit l'interaction entre l'onde élastique de surface et la lumière guidée. Par conséquent, la dis- tribution d'énergie de la lumière guidée est dilatée dans les parties de connecteur optique, pour obtenir un rende- ment de connexion élevé, et elle est concentrée vers la surface dans la partie fonctionnelle, pour donner un ren- dement de diffraction élevé. L'invention n'est pas limitée aux modes de réa- lisation précédents, mais peut faire l'objet de diverses applications. Atitre d'exemple, on peut former le guide de lumière sous la forme de canaux, chacun d'eux pouvant être mis en fonction dans la partie optique fonctionnelle. De plus, on peut réaliser la modulation ou la dêflexion de la lumière non seulement par l'effet acousto-optique ou électro-optique mentionné cidessus-, mais également par diffraction au moyen d'une onde de surface magnétostatique produite par un effet magnéto-optique ou par un effet thermo-optique.: Comme on l'a déjà expliqué dans la description de la technique antérieure, la préparation du guide de lumière par injection d'ions de la manière expliquée pré- cédemment peut entraîner une détérioration des propriétés piezoélectriques et électro-optiques du cristal, condui- sant ainsi à une diminution du rendement de diffraction de la lumière guidée. Dans un tel cas, on peut empêcher une telle diminution du rendement de diffraction, en évi- tant l'injection d'ions dans une région du substrat et en formant les électrodes en peigne dans cette région. On * expliquera ci-après un tel mode de réalisation. - La figure 9 est une vue en perspective montrant un cinquième mode de réalisation de l'élément optique à couche mince de l'invention, utilisant un effet acousto- optique, sur laquelle on voit un substrat 1 en LiNbO3 de type x ou y; un guide de lumière 2 formé par échange de protons; des faces d'extrémité polies 3, 4 de ce guide de lumière; des lentilles cylindriques 5, 6; des électrodes en peigne 7, 50; et des régions 51, 52 dans lesquelles on a réalisé une diffusion de titane, sans injection de pro- tons. On introduit dans le guide de lumière un faisceau parallèle 8 d'une longueur d'onde de 632,8 nm, provenant d'un laser He-Ne, en focalisant ce faisceau dans la direction de l'épaisseur du guide de lumière, au moyen de la lentille cylindrique 5, de façon à le projeter sur la face d'extrémité polie 3 du guide de lumière. La lumiè- re 9 qui est guidée à partir de cette face d'extrémité est diffractée par l'onde élastique de surface 10 générée par un champ de haute fréquence qui est appliqué aux électro- des en peigne 7, et la lumière diffractée émerge par la face d'extrémité 4 et elle est convertie en un faisceau parallèle par la lentille cylindrique 6. On obtient un rendement de connexion s'élevant jusqu'à 80%, du fait que la largeur du faisceau focalisé dans la direction de foca- lisation, sur la face d'extrémité 3, correspond approxima- tivement à la largeur de la lumière guidée. On utilise les électrodes en peigne 50 pour recevoir l'onde élastique de surface qui est générée par les électrodes en peigne 7. La profondeur d'injection de protons dans le guide de lumière 2 diminue progressivement depuis les parties de connecteur optique, au voisinage des faces d'extrémité 3, 4, vers la partie optique fonctionnelle dans laquelle a lieu l'interaction entre l'onde élastique de surface 10 et la lumière guidée 9, grâce à quoi la lumière guidée est emprisonnée dans cette partie fonctionnelle au voisinage de la surface du substrat, pour donner un rende- ment de diffraction élevé. Les électrodes en peigne 7, 50 précitées sont formées sur la couche de diffusion de titane des régions 51, 52, sans injection de protons, ce qui évite une dété- rioration des propriétés piézoélectriques due à l'injection de protons. Par conséquent, il devient possible d'obtenir un rendement élevé de modulation ou de déflexion de la lumière, en générant l'onde élastique de surface avec une tension faible. Les figures 10(a) - 10(g) sont des coupes sché- matiques montrant un procédé de fabrication de l'élément optique à couche mince représenté sur la figure 9. Tout d'abord, comme le montre la figure 10(a), on polit une surface y ou x d'un substrat 1 en LiNbO3 de type y ou x, jusqu'à une planéité correspondant à plusieurs anneaux de Newton ou moins, après quoi on soumet le substrat à un nettoyage par ultrasons ordinaire avec de l'acétone et ensuite avec de l'eau purifiée, et on le sèche par soufflage d'azote. On dépose ensuite sur cette surface une couche de titane d'une épaisseur de 20 nm, par évaporation par faisceau d'électrons, et on effectue une diffusion thermique pendant 2,5 heures à 9650C dans une atmosphère d'oxygène, pour former une couche de diffusion thermique de Ti, 11, comme le montre la figure 10(b). Ensuite, comme le montre la figure 10(c), on évapore une couche de chrome 12, faisant fonction de masque pour le traitement d'échange de protons, dans la partie optique fonctionnelle dans laquelle se produit l'interaction entre l'onde élastique de surface et la lumière guidée. On place ensuite le substrat de LiNbO3 portant ce masque dans un creuset en alumine contenant de l'acide benzoique additionné de benzoate de lithium dans un rapport molaire de 2%, et on maintient ce creuset dans un four à 250 C pendant 5 heures, pour effectuer le trai- tement d'échange d'ions, ce qui forme ainsi une couche d'échan- ge de protons 53 dans une partie de la couche de diffusion de Ti 11 qui n'est pas recouverte par le masque, comme le montre la figure 10(c). On soumet ensuite le substrat à un nettoyage par ultrasons avec de l'éthanol, et on le sèche par soufflage d'azote, puis on enlève le masque par une opération d'attaque. Ensuite, comme le montre la figure 10(d), on dépose une couche de chrome 55 dans des régions dans lesquelles on doit former les électrodes, et on soumet le substrat à un traitement d'échange de protons pendant une heure à 250WC, avec de l'acide benzoique additionné de benzoate de lithium dans un rapport molaire de 1%, pour former une couche d'échange de protons 54. On soumet ensuite à nouveau le substrat à un nettoyage par ultra- sons avec de l'éthanol et on le sèche par soufflage d'azo- te, puis on enlève par attaque la couche 55. Après avoir soumis le substrat à deux échanges de protons, on lui applique un traitement de recuit pendant 4 heures-dans un four à 350 C, dans une atmosphère d'oxygè- ne humide ayant un débit de 1,0 litre/minute, qui est obte- nue en faisant passer de l'oxygène dans de l'eau chauffée, ce qui forme un guide de lumière 2 dans lequel la profon- deur d'injection de protons est plus faible dans la partie optiquefonctionnelle et augmente progressivement vers les faces d'extrémité du substrat, comme le montre la figure (e). La distribution de protons aux frontières 58, 59 de cette partie fonctionnelle présente une variation progres- sive à cause du traitement de recuit, et on a confirmé expérimentalement l'existence d'une faible atténuation de propagation dans cette partie. La couche de diffusion de titane 53 demeure exempte d'injection de protons dans les régions dans lesquelles on doit former les électrodes, du fait que ces régions sont également recouvertes par le masque dans le second échange de protons. Finalement, on forme les électrodes en peigne 7 sur la couche de diffusion de titane 53, par un processus photolithographique ordinaire, comme le montre la figure (g). La figure 11 est une représentation schématique d'un sixième mode de réalisation dans lequel on utilise l'élément de la figure 9 en tant que déflecteur de lumière employant un effet électro-optique, et les composants de la figure 11 identiques à ceux de la figure 9 sont désignés par les mêmes références et ne seront pas expliqués de façon plus détaillée. On applique un faisceau laser 8 à un guide de lumière en le focalisant, dans la direction de l'épaisseur du guide de lumière, au moyen d'une lentille cylindrique 5, sur une face d'extrémité polie 3 du guide de lumière. La lumière 9 qui est guidée à partir de cette face d'extrémité est diffractée par un réseau de diffraction de phase qui est généré par une tension appliquée aux électrodes en peigne 57 à effet électro-optique, après quoi la lumière émerge par une autre face d'extrémité 4 du guide de lumiè- re, et elle est convertie en un faisceau parallèle par une lentille cylindrique 6. Bien que ceci ne soit pas représenté, la région des électrodes en peigne 57 ne comporte pas d'injection de protons. On va maintenant considérer la figure 12 pour expliquer un procédé de fabrication de l'élément représen- té sur la figure 11. Tout d'abord, comme le montre la figure 12(a), on polit un substrat cristallin de type x en LiNbO3 (dimensions: 1 mm dans la direction x et 25,4 mm dans les directions y et z), de façon à obtenir sur l'une de ses surfaces, par exemple la surface x, une planéité de plusieurs anneaux de Newton ou moins, après quoi on soumet le substrat à un nettoyage par ultrasons ordinaire avec du méthanol, de l'acétone et de l'eau purifiée, et on le sèche par soufflage d'azote. On dépose ensuite sur la surface séchée une cou- che de titane d'une épaisseur de 20 nm, en procédant par évaporation par faisceau d'électrons, et on place le substrat dans un four de diffusion thermique à 965 C, en montant le substrat sur un support en quartz fondu. En ce qui concerne l'atmosphère, on introduit dans le four de l'oxygène séché avec un débit de 1 litre/minute. On élève la température du four de la température ambiante jusqu'à 59650C à une vitesse de 16 C/minpendait une heure, après quoi on maintient la température à une valeur constante de 965óC pendant 2,5 heures. On transfère le contenu du four vers un second four de diffusion thermique à 600 C, et le refroidit instantanément en coupant l'alimentation du second four. On forme de cette manière une couche de diffusion thermique de titane ll sur le substrat 1, comme le montre la figure 12(b). Après nettoyage et séchage du substrat, on le revêt d'une couche de matière de réserve photographique positive d'une épaisseur de i à 1,5 pm, avec un appareil à centrifugation, et on expose ensuite cette couche aux motifs des électrodes en peigne à travers un masque néga- tif, puis on la développe pour enlever la matière de réserve photographique qui correspond à ces motifs. Après lavage à l'eau et séchage, on place le substrat dans un appareil d'évaporation sous vide, et on dépose une couche d'air d'une épaisseur de 150 nm par évaporation par faisceaux d'électrons, sous un vide de 133 x 10 6 Pa. Après cette évaporation, on immerge le substrat dans de l'acétone pendant plusieurs minutes pour décoller la cou- che d'or qui se trouve sur la matière de réserve, et on obtient ainsi les électrodes en peigne 64 sur le substrat, comme le montre la figure 12(c). Dans ce mode de réalisa- tion, les électrodes en peigne comportent 350 paires d'électrodes, avec une largeur et un écartement de 2,2 pm et une largeur d'interpénétration de 3,8 mm. Ensuite, comme le montre la figure 12(d), on évapore une couche de chrome 62 recouvrant les électrodes en peigne 64 et constituant un masque pour le traitement d'échange de protons. On place ensuite le substrat de LiNbO3 portant ce masque dans un creuset en alumine conte- nant de l'acide benzoique additionné de benzoate de lithium dans un rapport molaire de 2%, et on maintient ce creuset dans un four à 250 C pendant 5 heures pour effectuer un traitement d'échange d'ions, ce qui forme une couche d'échange de protons 63 dans une partie de la couche de diffusion de Ti 11 non recouverte par le masque, comme le montre la figure 12(d)o On soumet ensuite le substrat à un. lavage par ultrasons avec de l'éthanol et on le sèche par soufflage d'azote, après quoi on enlève le masque par attaque avec une solution d'attaque du-chrome. Après l'échange de protons, on soumet ensuite le substrat portant les électrodes en peigne en or à une autre opération d'échange de protons pendant une heure à 2500C, avec de l'acide benzoique additionné de benzoate de lithium dans un rapport molaire de 1%, pour obtenir, comme le montre la figure 12(e), une couche d'échange de protons 61 dans la région qui n'est pas recouverte par l'électrode en peigne 64. On soumet ensuite à nouveau le substrat à un lavage par ultrasons avec de l'éthanol et on le sèche par soufflage d'azote. Finalement, après deux opérations d'échange de protons, on soumet le substrat à un traitement de recuit dans un four à 350 C pendant 4 heures, dans une atmosphè- re d'oxygène humide avec un débit de 1,0 litre/minute, qui est obtenue en faisant passer de l'oxygène dans de l'eau chauffée. On obtient ainsi l'élément optique à couche mince du sixième mode de réalisation dans lequel, comme le montre la figure 12(f), la profondeur de diffusion thermique des protons est différente entre les parties de connecteur optique et la partie optique fonctionnelle, et dans lequel il n'y a pas d'injection de protons dans la région des électrodes en peigne. On obtient un rendement de diffraction s'élevant 70516 jusqu'à 90% en appliquant aux électrodes en peigne une ten- sion faible, de 5 V. Le rendement de connexion au niveau des faces d'extrémité du guide de lumière s'élève jusqu'à %, comme dans le cinquième mode de réalisation. On forme le guide de lumière du mode de réalisa- tion précédent par diffusion de titane et diffusion thermi- que de protons, mais la diffusion de titane n'est pas indispensable, et on peut également former le guide de lumière par injection ou diffusion thermique de protons seuls, ou par diffusion externe de LiO, combinée avec une injection ou une diffusion thermique de protons. Comme on l'expliquera ci-après, il est en outre possible de préparer un autre élément optique ayant un bon rendement en faisant varier la concentration de diffusion d'un métal tel que le titane entre les parties de connecteur optique et la partie optique fonctionnelle. La figure 13 est une vue en perspective montrant un septième mode de réalisation de l'élément optique de l'invention, dans lequel les composants identiques à ceux de la figure 1 sont désignés par les mêmes références et ne seront pas expliqués de façon plus détaillée. Le mode de réalisation présent diffère du premier mode de réalisa- tion par le fait qu'il comporte une région 66 ayant une concentration élevée de Ti, grâce à quoi la concentration de titane est plus élevée dans la partie fonctionnelle que dans les parties de connecteur optique. Le mode de réalisa- tion présent permet également d'obtenir un rendement de connexion élevé, de 80%, dans les parties de connecteur optique, comme le premier mode de réalisation. De plus, du fait de la profondeur progressivement décroissante de l'injection de protons dans la partie optique fonctionnelle, destinée à l'interaction entre l'onde élastique de surface et la lumière guidée 9, et du fait de la concentration plus élevée de titane dans cette partie, la lumière qui est gui- dée dans cette partie fonctionnelle est emprisonnée à proxi- mité de la surface du substrat, pour donner un rendement de diffraction élevé. Les figures 14(a) - 14(f) sont des coupes schéma- tiques montrant un procédé de fabrication de l'élément optique à couche mince qui est représenté sur la figure 13. Tout d'abord, comme le montre la figure 14(a), on polit une surface y ou x d'un substrat 1 consistant en un cristal de LiNbO03 de type y ou x, jusqu'à une planéité de plusieurs anneaux de Newton ou moins, après quoi on soumet le substrat à un lavage par ultrasons ordinaire avec de l'acétone puis avec de l'eau purifiée, et on le sèche par soufflage d'azote. On dépose ensuite sur cette surface une couche de titane 74 d'une épaisseur de 10 nm, en procédant par évaporation par faisceau d'électrons, comme le montre la figure 14(b). On recouvre ensuite le substrat avec un masque 72 ayant une ouverture seulement dans la partie optique fonctionnelle, comme le montre la figure 14(c), et on le soumet à nouveau à un dépôt d'une couche de titane, par évaporation, pour former un plot en titane 73 ayant une épaisseur centrale de 50 nm. On soumet ensuite ce substrat à un traitement de diffusion thermique pendant 6 heures à 965 C dans une atmosphère d'oxygène, pour former une couche de diffusion thermique de titane 67, comme il est représenté sur la figure 14(d), et cette couche comprend une région 66 ayant une concentration en titane plus élevée, dans laquelle on formera ultérieurement la partie optique fonc- tionnelle. On peut également employer un autre métal tel que V, Ni, Au, Ag, Co, Nb ou Ge au lieu de Ti pour cette diffusion thermique. On place ensuite le substrat de LiNb03 contenant la couche de diffusion de titane 67, représenté sur la figure 14(d), dans un creuset en alumine contenant de l'acide benzoïque additionné de benzoate de lithium dans un rapport molaire de 1%, et on le soumet à un traitement d'échange d'ions pendant 3 heures dans un four à 250 C, pour former une couche d'échange de protons 70 dans la couche de diffusion Ti 67, comme le montre la figure 14(e). La profondeur de la couche d'échange de protons est plus faible dans la région 66 à concentration de Ti élevée que dans les parties d'extrémité du guide de lumière, comme le montre la figure 14(e), du fait que l'injection de protons est atténuée dans cette région par la concentration plus élevée de titane introduit par diffusion thermique. On soumet l'échantillon obtenu à un lavage par ultrasons avec de l'éthanol et on le sèche par soufflage d'azote. On soumet ensuite ce substrat à un traitement de recuit pendant 4 heures dans un four à 3500C, dans une atmosphère d'oxygène humide ayant un débit de 1,0 litre/minute, obtenue en faisant passer de l'oxygène dans de l'eau chauffée. On obtient de cette manière un guide de lumière 2 qui, comme le montre la figure 14(f), présente une cou- che d'échange de protons plus mince et une concentration en Ti plus élevée dans la région dans laquelle la partie optique fonctionnelle doit être formée, et une couche d'échange de protons progressivement plus épaisse et une concentration en Ti plus faible vers les extrémités du guide de lumière. Enfin, on achève la partie optique fonctionnel- le en formant les électrodes en peigne 7 sur le guide de lumière, par un processus photolithographique ordinaire. A cause du traitement de recuit, la distribu- tion de protons aux frontières 68, 69 de la partie fonc- tionnelle présente une variation progressive, et on a confirmé expérimentalement l'existence d'une faible atté- nuation de propagation dans ces frontières. La figure 15 est une représentation schématique d'un huitième mode de réalisation dans lequel on utilise 1'élé- ment de la figure 13 en tant que déflecteur de lumière employant un effet électro-optique, et les composants de la figure 15 qui sont identiques à ceux de la figure 13 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas de façon plus détaillée. Des électrodes en peigne 71 sont établies pour produire l'effet électro- optique. Dans le mode de réalisation présent également, une région 66 ayant une concentration en Ti élevée est formée dans la région du réseau de diffraction de phase qui est établi par l'effet électro-optique, et la pro- fondeur d'injection de protons est plus faible dans cette région, grâce à quoi la distribution de l'intensité de la lumière guidée 9 est concentrée à proximité de la surface du substrat, dans la région précitée. Par conséquent, on peut obtenir un rendement de diffraction s'élevant jusqu'à 90% en appliquant aux électrodes en peigne 71 une tension faible, de 5 Vo Le rendement de connexion au niveau des faces d'extrémité du guide de lumière s'élève également jusqu'à 80%. On peut préparer l'élément du mode de réali- sation présent par un processus similaire à celui expliqué en relation avec les figures 14(a) - 14(f). La figure 16 est une vue en perspective d'un neuvième mode de réalisation de la présente invention, dans lequel on forme des régions 75, 76 exemptes d'injec- tion de protons, dans une partie du substrat du septième mode de réalisation considéré précédemment, et on forme des électrodes en peigne 7, 50 sur ces régions. Sur la figure 16, les composants identiques à ceux de la figure 13 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas de façon plus détaillée. Comme le septième mode de réalisation, le mode de réalisation présent permet d'obtenir simultanément un rendement de connexion élevé et un rendement de diffraction élevé. Il est également possi- 25705 16 ble d'obtenir une modulation ou une déflexion efficace de la lumière guidée avec une puissance électrique plus fai- ble, du fait que l'absence d'injection de protons dans la région des électrodes en peigne empêche la dégradation des propriétés piézoélectriques et électro-optiques dans cette région. On peut préparer l'élément optique à couche min- ce représenté sur la figure 16 par un processus expliqué en relation avec les figures 14(a) - 14(f), à l'exception du fait que les régions exemptes d'échange de protons sont formées dans une partie de la surface du substrat, par la formation d'un masque dans ces régions avant le traitement d'échange de protons. La figure 17 est une représentation schématique d'un dixième mode de réalisation dans lequel on utilise l'élément représenté sur la figure 16 en tant que déflec- teur de lumière employant un effet électro-optique, et les composants de la figure 17 qui sont identiques à ceux de la figure 16 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas de façon plus détaillée. Dans le mode de réalisation présent, il n'y a pas d'injection de protons sous les électrodes en peigne 77 destinées à l'effet électro-optique. On peut également préparer aisé- ment l'élément du mode de réalisation présent par un pro- cessus similaire à celui expliqué en relation avec les figures 14(a) 14(f), en utilisant les électrodesen peigne en tant que masque pour l'échange de protons. Bien que les modes de réalisation précédents aient des profondeurs d'injection d'ions différentes entre la partie optique fonctionnelle et les parties de connec- teur optique, on peut également obtenir des effets simi- laires en faisant varier la concentration d'injection d'ions, comme on l'expliquera ci-après. La figure 18 est une vue en perspective montrant un onzième mode de réalisation de l'élément optique à cou- 2570S16 che mince de l'invention, qui utilise un effet acousto- optique. On voit sur la figure 18 un substrat 1 consis- tant en un cristal de LiNbO3 de type x ou y; un guide de lumière 82 formé par échange de protons; des faces d'extrémité polies 3, 4 du guide de lumière; des lentil- les cylindriques 5, 6; des électrodes en peigne 7; et une couche 80 à forte concentration en protons, ayant une concentration en protons plus élevée que dans le guide de lumière 82. On applique au guide de lumière un faisceau de lumière parallèle 8 d'une longueur d'onde de 63298 nm, provenant d'un laser He-Ne, en focalisant ce faisceau au moyen de la lentille cylindrique 5, dans la direction de l'épaisseur du guide de lumière, sur la face d'extrémité polie 3 du guide de lumière. La lumière 9 qui est guidée à partir de cette face d'extrémité est diffractée par une onde élastique de surface 10 qui est générée par de l'énergie haute fréquence appliquée aux électrodes en peigne 7, et la lumière diffractée émerge par la face d'extrémité 4 et elle est convertie en un faisceau parallèle par la lentille cylindrique 6. On peut obtenir un rendement de connexion s'élevant jusqu'à 80%, du fait que la largeur du faisceau focalisé, dans la direction de focalisation, sur la face d'extrémité 3, correspond approximativement à la largeur de la lumière guidée. Le guide de lumière 82 comporte une couche 80 ayant une concentration en protons élevée dans la région d'interaction entre l'onde élastique de surface 10 et la lumière guidée 9, et la concentration en protons plus élevée à proximité de la surface concentre la distribu- tion de la lumière guidée vers cette surface, dans la région considérée, ce qui permet d'obtenir un rendement élevé pour la diffraction de la lumière guidée par l'onde élastique de surface. Les figures 19(a) - 19(f) sont des coupes sché- matiques montrant un procédé de fabrication de l'élément optique à couche mince qui est représenté sur la figure 18. Tout d'abord, comme le montre la figure 19(a), on polit une surface y ou x d'un substrat 1 consistant en un cristal de LiNbO3 de type y ou x, jusqu'à une pla- néité de plusieurs anneaux de Newton ou moins, puis on soumet le substrat à un lavage par ultrasons ordinaire avec de l'acétone et ensuite avec de l'eau purifiée, et on le sèche par soufflage d'azote. On dépose ensuite sur cette surface une couche de titane d'une épaisseur de nm, en procédant par évaporation par faisceau d'élec- trons, et on soumet cette couche à une diffusion thermi- que à 965 C pendant 2,5 heures, dans une atmosphère d'oxygène, pour former une couche de diffusion thermique de Ti, 11, comme le montre la figure 19(b). On peut éga- lement employer pour cette diffusion thermique d'autres métaux tels que V, Ni, Au, Ag, Co, Nb ou Ge. On place ensuite le substrat portant la couche de diffusion de Ti, représenté sur la figure 19(b), dans un creuset en alumine contenant de l'acide benzoique additionné de benzoate de lithium dans un rapport molaire de 2%, et on le soumet à un traitement d'échange d'ions pendant 5 heures, dans un four à 250 C, pour former une couche d'échange de protons 83 dans la couche de diffusion de Ti 11, comme le montre la figure 19(c). On soumet l'échantillon obtenu à un lavage par ultrasons avec de l'éthanol, et on le sèche par soufflage d'azote. On soumet ensuite le substrat à un traitement de recuit pendant 4 heures dans un four à 350 C, dans une atmosphère d'oxygène humide avec un débit de 1,0 litre/ minute, obtenue en faisant passer de l'oxygène dans de l'eau chauffée. On forme de cette manière le guide de lumière 82 avec une diffusion de protons vers le substrat. Ensuite, comme le montre la figure 19(e), on forme par évaporation sur le guide de lumière 82 une couche de chrome 84, comportant une ouverture uniquement dans la partie optique fonctionnelle destinée à l'interac- tion entre l'onde élastique de surface et la lumière gui- dée, et cette couche de chrome fait fonction de masque pour un traitement d'échange de protons effectué à la sui- te. On soumet le substrat portant ce masque à un traite- ment d'échange de protons pendant une heure à 2500C, avec de l'acide benzoique additionné de benzoate de lithium dans un rapport molaire de 5%, pour obtenir une couche à forte concentration en protons, 80, au voisinage de la surface de la partie fonctionnelle, au moyen de l'échange de protons réalisé à travers l'ouverture. Après cet échan- ge de protons, on soumet à nouveau le substrat à un lavage par ultrasons avec de l'éthanol et on le sèche par souf- flage d'azote. Enfin, on enlève le masque 84 par attaque, et on forme les électrodes en peigne 7, comme le montre la figure 19(f), par un processus photolithographique ordinaire. Le traitement de recuit doit être effectué avant la formation des électrodes en peigne, dans le cas o il existe une différence élevée d'indice de réfraction entre le guide de lumière 82 et la couche à forte concentration en protons, 80, susceptible de produire une atténuation notable de la lumière guidée à la frontière entre ces deux éléments. Le guide de lumière du mode de réalisation décrit ci-dessus est formé par diffusion de titane et par diffusion thermique de protons, mais la diffusion de Ti n'est pas indispensable. A la place, on peut former le guide de lumière par injection ou diffusion thermique de protons seuls, ou par diffusion externe de LiO, combinée à l'injection ou à la diffusion thermique de protons. La figure 20 est une représentation schématique d'un douzième mode de réalisation dans lequel on utilise l'élément de la figure 18 en tant que déflecteur de lumière employant un effet électro-optique. Sur la figure 20, les composants identiques à ceux de la figure 18 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davan- tage. On applique un faisceau laser 8 au guide de lumière en focalisant ce faisceau au moyen d'une lentille cylindrique 5, dans la direction de l'épaisseur du guide de lumière, sur une face d'extrémité polie 3 du guide de lumière. La lumière 9 qui est guidée à partir de cette face d'extrémité est diffractée par un réseau de diffraction de phase qui est généré par une tension appliquée à des élec- trodes en peigne 87 destinées à produire un effet électro- optique, et cette lumière émerge ensuite par une autre face d'extrémité 4 du guide de lumière et elle est convertie en un faisceau parallèle par la lentille cylindrique 6. Les électrodes en peigne qui sont employées comportent 350 pai- res d'électrodes, ayant une largeur et un écartement de 2,2 pm, et une largeur d'interpénétration de 3,8 mm. Dans le mode de réalisation présent également, la présence de la couche à forte concentration de protons dans la région du réseau de diffraction de phase produit par l'effet électro-optique, concentre la distribution de la lumière guidée 9 vers la surface dans cette région. Par conséquent, on peut obtenir un rendement de diffraction s'élevant jusqu'à 90% en appliquant aux électrodes en pei- gne 87 une tension faible, de 5 V. Le rendement de connexion au niveau des faces d'extrémité du guide de lumière s'élève également jusqu'à 80%. On peut préparer l'élément du mode de réalisation présent par un processus similaire à celui du onzième mode de réalisation. La figure 21 est une vue en perspective d'un treizième mode de réalisation de l'invention, dans lequel des régions 85, 86 exemptes d'injection de protons sont formées dans une partie du substrat 1 du onzième mode de réalisation considéré précédemment, et des électrodes en peigne 7, 81 sont formées sur ces régions. Sur la figure 21, les composants identiques à ceux de la figure 18 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. Comme dans le onzième mode de réalisation, le mode de réalisation présent permet d'obtenir simultanément un rendement de connexion élevé et un rendement de diffraction élevé. Il est également possible d'obtenir une modulation ou une déflexion effi- cace de la lumière guidée, avec une faible puissance électrique, du fait que l'absence d'injection de protons dans la région des électrodes en peigne empêche la dégra- dation des propriétés piezoélectriques et électro-optiques dans cette région. On peut préparer l'élément optique à couche min- ce représenté sur la figure 21 par le processus expliqué en relation avec les figures 19(a) - 19(f), à l'exception du fait qu'on forme les régions exemptes d'échange de pro- tons dans une partie de la surface du substrat destinée aux électrodes en peigne, en formant un masque dans ces régions avant le traitement d'échange de protons. - La figure 22 est une représentation schématique d'un quatorzième mode de réalisation dans lequel on uti- lise l'élément représenté sur la figure 21 en tant que - déflecteur de lumière utilisant un effet électro-optique. Sur la figure 22, les composants identiques à ceux de la figure 21 sont désignés par les mêmesréférenceset-on ne les expliquera pas davantage. Dans le mode de réalisation présent, il n'y a pas d'injection de protons au-dessous des électrodes en peigne 88 destinées à produire un effet électro-optique. On peut également préparer aisément l'élément du mode de réalisation présent, par un processus similaire à celui expliqué en relation avec les figures 19(a) - 19(f), en utilisant les électrodes en peigne en tant que masque pour l'échange de protons. En plus des modes de réalisation précédents, dans lesquels la profondeur ou la concentration de l'injection d'ions est différente entre la partie opti- que fonctionnelle et les parties de connecteur optique, on peut également obtenir des effets similaires en donnant à la concentration en ions, dans la direction de l'épaisseur du substrat, une valeur plus élevée à l'in- térieur du substrat qu'à la surface de celui-ci, comme on l'expliquera ci-après. La figure 23 est une vue en perspective montrant un quinzième mode de réalisation de l'élément optique à couche mince de la présente invention, qui utilise un effet acousto-optique, et on voit sur cette figure un substrat consistant en un cristal de LiNb03 de type x ou y; un guide de lumière 92 formé par échange de protons; des faces d'extrémité polies 3, 4 du guide de lumière; des lentilles cylindriques 5, 6; des électrodes en peigne 7; et des couches à faible indice de réfraction 90, 91, formées par diffusion de protons vers l'extérieur. On introduit dans le guide de lumière un faisceau de lumière parallèle 8 d'une longueur d'onde de 632,8 nm, provenant d'un laser He-Ne, en focalisant ce faisceau au moyen de la lentille cylindrique 5, dans la direction de l'épaisseur du guide de lumière, sur une face d'extrémité polie 3 du guide de lumière. La lumière 9 qui est guidée à partir de cette face d'extrémité est diffractée par une onde élastique de surface 10 générée par de l'énergie de haute fréquence appliquée aux électrodes en peigne 7, et la lumière diffractée émerge par une autre face d'extrémité 4 et elle est convertie en un faisceau parallèle par la lentille cylindrique 6. Dans ce cas, la largeur du faisceau focalisé, dans la direction de focalisation par la lentille cylindrique 5, sur la face d'extrémité 3, corres- pond approximativement à la largeur de la lumière guidée, 7 0 5 1 6 et le guide de lumière 92 est enterré sous la couche 90 à faible indice de réfraction, à proximité des faces d'ex- * trémité. Pour ces raisons, la distribution d'intensité de la lumière guidée est très proche de celle de la lumière d'entrée ou de sortie, ce qui procure un rendement de connexion élevé de 85%. La lumière guidée à partir de la face d'extrémité est attirée vers la surface du substrat pendant qu'elle se propage vers la partie optique fonc- tionnelle, pour l'interaction avec l'onde électrique de surface, ce qui procure un rendement de diffraction élevé. Les figures 24(a) - 24(f) sont des coupes sché- matiques montrant un procédé de fabrication de l'élément optique à couche mince qui est représenté sur la figure 23. Tout d'abord, comme le montre la figure 24(a), on polit une surface y ou x d'un substrat 1 consistant en un cristal de LiNbO3 de type y ou x, jusqu'à une planéité de plusieurs anneaux de Newton ou moins, après quoi on soumet le substrat à un lavage par ultrasons ordinaire avec de l'acétone et ensuite avec de l'eau purifiée, et on le sèche par soufflage d'azote. On dépose ensuite sur cette surface une couche de titane d'une épaisseur de nm, par évaporation par faisceau d'électrons, et on la soumet à une diffusion thermique pendant 2,5 heures à 9650C dans une atmosphère d'oxygène, pour obtenir une couche de diffusion thermique de Ti, 11, comme le montre la figure 24(b). On peut également utiliser pour cette diffusion thermique un autre métaltel que V, Ni, Au, Ag, Co, Nb ou Ge. On place ensuite le substrat de LiNbO3 contenant la couche de diffusion de Ti, représenté sur la figure 24(b), dans un creuset en alumine contenant de l'acide benzoïque additionné de benzoate de lithium dans un rapport molaire de 1%, et on le soumet à un traitement d'échange d'ions pendant une heure dans un four à 250 C, pour former une couche d'échange de protons 13 dans la couche de diffusion de Ti 11, comme le montre la figure 24(c). On soumet l'échantillon à-un lavage par ultrasons avec de l'éthanol, et on le sèche par soufflage d'azote. Après échange de protons, le substrat est soumis à un traitement de recuit pendant 4 heures dans un four à 350 C, dans une atmosphère d'oxygène humide avec un débit de 1,0 litre/minute, obtenue en faisant passer de l'oxygène dans de l'eau chauffée, ce qui forme le guide de lumière 92 avec une diffusion de protons dans le substrat, comme le montre la figure 24(d). Ensuite, comme le montre la figure 24(e), on soumet la surface du guide de lumière 92 à un traitement de recuit par laser avec un faisceau focalisé 95 d'une longueur d'onde de 10,6 pin., provenant d'un laser au CO2, sauf dans la région prévue pour l'interaction entre l'onde élastique de surface et la lumière guidée. Le cristal de LiNbO3 absorbe ce faisceau à 10,6 um, de façon à expulser dans l'air les protons de la région de surface, ce qui réduit l'indice de réfraction à proximité de la surface, pour former la couche 91 ayant l'indice de réfraction faible. Finalement, on forme les électrodes en peigne 7, comme le montre la figure 24(f), par un processus pho- tolithographique ordinaire. Dans le procédé décrit ci-dessus, on forme le guide de lumière par des traitements séparés de recuit thermique, représenté sur la figure 24(d), et de recuit par laser, mais on peut également former le guide de lumière en effectuant seulement le traitement de recuit par laser, si la longueur d'onde du faisceau laser utili- sé pour le recuit par laser est sélectionnée de façon appropriée pour correspondre au coefficient d'absorption du cristal de LiNbO3. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, 2-5 70516 on forme le guide de lumière par diffusion de titane et diffusion thermique de protons, mais la diffusion de Ti n'est pas indispensable. A la place, on peut également former le guide de lumière par injection ou diffusion thermique de protons seuls, ou par diffusion externe de LiO, combine avec l'injection ou la diffusion thermique de protons. La figure 25 est un schéma d'un seizième mode de réalisation, dans lequel on utilise l'élément repré- senté sur la figure 23 en tant que déflecteur de lumière employant un effet électro-optique. Sur la figure 25, les composants identiques à ceux de la figure 23 sont désignés par les mêmes références et on ne les explique- ra pas davantage. On applique un faisceau de lumière laser 8 au guide de lumière, enfocalisant ce faisceau, dans la direction de l'épaisseur du guide de lumière2 -au moyen d'une lentille cylindrique 5, sur une face d'extrémité polie 3 du guide de lumière. La lumière 9 qui est guidée a partir de cette face d'extrémité est diffractée par un réseau de diffraction de phase généré par une tension appliquée aux électrodes en peigne 97 destinées à pro- duire un effet électro-optique, et elle émerge ensuite par une autre face d'extrémité 4 du guide de lumière et elle est convertie en un faisceau parallèle par une len- tille cylindrique 6. Les électrodes en peigne qui sont employées dans le mode de réalisation présent comportent 350 paires d'électrodes, ayant une largeur et un écarte- ment de 2,2 pm, et une largeur d'interpénétration de 3,8 mm. On obtient un rendement de diffraction s'élevant jusqu'à 90% en appliquant aux électrodes en peigne une tension faible, de 5 Vo De plus, le rendement de connexion des éléments de connecteur optique s'élève jusqu'à 85%. La figure 26 est une vue en perspective d'un seizième mode de réalisation de l'invention, dans lequel des régions 103, 104 exemptes d'injection de protons sont formées dans une partie du substrat, dans le quinzième mode de réalisation décrit précédemment, et des électro- des en peigne 100, 101 sont formées sur ces régions. Sur la figure 26, les composants identiques à ceux de la figure 23 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. Comme le quinzième mode de réalisation, le mode de réalisation présent permet d'obtenir simultanément un rendement de connexion élevé et un rendement de diffraction élevé. De plus, il est possible de réaliser une modulation ou une déflexion efficace de la lumière guidée, avec une faible puissance électrique, du fait que l'absence d'injection de protons dans les régions des électrodes en peigne empêche la dégradation des propriétés piezoélectriques et électro- optiques dans ces régions. On peut préparer l'élément optique à couche min- ce représenté sur la figure 26 par le processus expliqué en relation avec les figures 24(a) - 24(f), à l'exception du fait qu'on forme les régions exemptes d'échange de pro- tons, dans une partie de la surface du substrat prévue pour les électrodes en peigne, en formant un masque dans ces régions avant le traitement d'échange de protons. La figure 27 est une représentation schématique d'un dix-huitième mode de réalisation dans lequel on uti- lise l'élément représenté sur la figure 26 en tant que déflecteur de lumière employant un effet électro-optique, et les composants identiques à ceux de la figure 26 sont désignés par]esmêmesréférenceset on ne les expliquera pas davantage. Dans le mode de réalisation présent, il n'y a pas d'injection de protons sous les électrodes en peigne 107 destinées à produire un effet électro-optique. On peut également préparer aisément l'élément du mode de réalisation présent par un processus similaire à celui expliqué en relation avec les figures 24(a) - 24(f), dans 7 0516 lequel on utilise les électrodes en peigne en tant que masque pour l'échange de protons. En plus des modes de réalisation précédents dans lesquels on donne des valeurs différentes à la pro- fondeur ou à la concentration d'injection d'ions, entre la partie optique fonctionnelle et les parties de con- necteur optique, ou dans lesquels on donne à la concen- tration d'ions dans la direction de l'épaisseur du substrat une valeur plus élevée à l'intérieur qu'à la surface du substrat, on peut également réaliser un autre élément optique efficace en combinant ces facteurs, comme on l'expliquera ci-après. La figure 28 est une vue en perspective d'un dix-neuvième mode de réalisation de l'élément optique de la présente invention utilisant un effet acousto-optique, qui est différent du premier mode de réalisation repré- senté sur la figure 1, dans la mesure o la concentration d'ions dans les parties de connecteur optique est plus élevée à l'intérieur qu'à la surface du substrat. Sur la figure 28, les composants identiques à ceux de la figure 1 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. Dans le mode de réalisation pré- sent, la profondeur d'injection d'ions dans les parties de connecteur optique est plus grande que dans la partie optique fonctionnelle, et il existe sur la surface du gui- de de lumière des couches 110, 111 ayant un faible indice de réfraction, qui sont obtenues par diffusion de protons vers l'extérieur. Par conséquent, la distribution d'éner- gie de la lumière guidée dans les parties de connecteur optique est très proche de celle de la lumière qui est introduite, ce qui procure un rendement de connexion éle- vé. D'autre part, dans la partie optique fonctionnelle, la distribution d'énergie de la lumière guidée est concen- trée au voisinage de la surface du substrat, pour procurer un rendement de diffraction élevé. On peut préparer l'élément du dix-neuvième mode de réalisation d'une manière similaire à celle employée pour l'élément du premier mode de réalisation, en ajou- tant au procédé expliqué en relation avec les figures 52(a) - 2(f) l'opération de recuit par laser représentée sur la figure 24(e). On se référera maintenant aux figu- res 29(a) - 29(g) pour expliquer brièvement le procédé de préparation, dans lequel les détails du traitement d'échange de protons, etc, sont identiques à ceux du pro- cédé représenté sur les figures 2(a) - 2(f). On soumet tout d'abord un substrat 1 consistant en un cristal de LiNbO3, représenté sur la figure 29(a), à la formation d'une couche de diffusion thermique de Ti 11, comme le montre la figure 29(b), et on forme une cou- che d'échange de protons 13 uniquement dans la partie optique fonctionnelle, à travers un masque formé par une couche de chrome, comme le montre la figure 29(c). Ensuite, après l'élimination de la couche de chrome 12, on forme à nouveau une couche d'échange de pro- tons 14 sur la totalité de la surface du substrat, comme le montre la figure 29(d). On soumet l'échantillon obtenu à un traitement de recuit pour obtenir un guide de lumière 2 ayant une profondeur d'injection d'ions plus grande dans les parties de connecteur optique que dans la partie opti- que fonctionnelle, comme le montre la figure 29(e). On applique ensuite un traitement de recuit par laser, avec un laser au CO2 112, aux parties de connecteur optique du guide de lumière 2, comme le montre la figure 29(f), pour former les couches 110, 111 par diffusion de protons vers l'extérieur. Finalement, on forme les électrodes en peigne sur la partie fonctionnelle, comme le montre la figure 29(g). On peut également préparer l'élément optique représenté sur la figure 28 par un procédé représenté sur les figures 30(a) --30(g), qui est une variante du procédé représenté sur les figures 3(a) - 3(f). On soumet tout d'abord un substrat 1 consistant en un cristal de TiNbO3, représenté sur la figure 30(a), à la formation d'une couche de diffusion thermique de Ti 11, comme le montre la figure 30(b), et on forme en outre une couche d'échange de protons 15, représentée sur la figure 30(c). On forme ensuite unecouche d'or 16, par évaporation,, uniquement dans la partie optique fonction- nelle, et on forme également une autre couche d'or 17 sur la surface arrière du substrat, comme le montre la figure (d). On effectue ensuite un traitement de recuit, simultanément à l'application aux couches d'or 16, 17 d'une tension fournie par une source de tension 18, ayant une polarité choisie de façon à s'opposer à-la diffusion thermique de protons vers le substrat, ce qui donne un guide de lumière 2 ayant une profondeur d'injection d'ions plus grande dans les parties de connecteur optique que dans la partie optique fonctionnelle. On applique ensuite un traitement de recuit par laser, avec un laser au CO2 112, aux parties de connecteur optique du guide de lumière 2,commelemmtrelafigue 33(f),pourfobrmerles couches , 111 par diffusion de protons vers l'extérieur. Finalement, on forme les électrodes en peigne sur la partie fonctionnelle, comme le montre la figure (g). La figure 31 est une vue en perspective d'un vingtième mode de réalisation dans lequel on utilise l'élément représenté sur la figure 28 en tant que déflec- teur de lumière employant un effet électro-optique. Le mode de réalisation présent est identique au dix-neuvième mode de réalisation, à l'exception du fait que les élec- trodes en peigne de ce dernier sont remplacées par des électrodes en peigne 117 destinées à produire un effet électro-optique, et les composants identiques à ceux de la figure 28 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. On peut également préparer aisément le mode de réalisation présent par le procédé expliqué en relation avec les figures 30(a) - 30(g). La figure 32 est une vue en perspective d'un vingt-et-unième mode de réalisation de l'invention, dans lequel des régions 123, 124 exemptes d'injection de pro- tons sont formées dans une partie du substrat dans le dix-neuvième mode de réalisation décrit précédemment, et des électrodes en peigne 120, 121 sont formées sur ces régions. Sur la figure 32, les composants identiques à ceux de la figure 28 sont désignés par les mêmes référen- ces et on ne les expliquera pas davantage. Comme le dix-neuvième mode de réalisation, le mode de réalisation présent permet d'obtenir simultanément un rendement de diffraction élevé et un rendement de connexion élevé. Il est également possible d'obtenir une modulation ou une déflexion efficace de la lumière guidée, avec une faible puissance électrique, du fait que l'absence d'injection de protons dans les régions des électrodes en peigne empêche la dégradation des propriétés pieézoélectriques et électro-optiques dans ces régions. On peut préparer l'élément optique à couche min- ce représenté sur la figure 32 en utilisant le procédé expliqué en relation avec les figures 29(a) - 29(g) ou les figures 30(a) - 30(g), à l'exception du fait qu'on forme les régions exemptes de traitement d'échange de protons dans une partie de la surface du substrat prévue pour les électrodes en peigne, en formant un masque dans ces régions avaitle traitement d'échange de protons. - La figure 33 est une représentation schématique d'un vingt-deuxième mode de réalisation dans lequel on utilise l'élément représenté sur la figure 32 en tant que déflecteur de lumière employant un effet électro-optique. Sur la figure 33, les composants identiques à ceux de la figure 32 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. Dans le mode de réalisation présent, il n'y a pas d'injection de protons sous les électrodes en peigne 127 destinées à produire un effet électrooptique. On peut également préparer aisément l'élément du mode de réalisation présent par un processus similaire à celui expliqué en relation avec les figures 29(a) - 29(g) ou les figures 30(a) - 30(g), dans lequel on utilise les électrodes en peigne comme masque pour l'échange de protons. La figure 34 est une vue en perspective d'un vingt-troisième mode de réalisation de l'invention utili- sant un effet acousto-optique, qui diffère du premier mode de réalisation représenté sur la figure 1 par le fait que la concentration d'ions dans la partie optique fonc- tionnelle est plus élevée que la concentration dans les parties de connecteur optique. Sur la figure 34, les com- posants identiques à ceux de la figure 1 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. L'élément du mode de réalisation présent a une profondeur d'injection d'ions qui est plus grande dans les parties de connecteur optique que dans la partie fonc- tionnelle, et il comporte dans cette partie fonctionnelle une couche 130 ayant une concentration d'ions élevée. Par conséquent, la distribution d'énergie de la lumière guidée dans les parties de connecteur optique est très proche de celle de la lumière introduite à partir de l'extérieur, ce qui procure un rendement de connexion élevé. D'autre part, dans la partie optique fonctionnelle, la distribution d'énergie de la lumière guidée est concentrée à proximité de la surface du substrat, pour procurer un rendement de diffraction élevé. On peut préparer l'élément du vingt-troisième mode de réalisation d'une manière similaire à celle utili- sée pour l'élément du premier mode de réalisation, en ajoutant une opération d'injection partielle d'ions, représentée sur la figure 18, au procédé décrit en rela- tion avec les figures 2(a) - 2(f). On va maintenant con- sidérer les figures 35(a) - 35(h) pour expliquer briève- ment le procédé de préparation dans lequel les détails du traitement d'échange de protons, etc, sont identiques à ceux du procédé représenté-sur les figures 2(a) - 2(f). On soumet tout d'abord un substrat i consistant en un cristal de LiNb03, représenté sur la figure 35(a), à la formation d'une couche de diffusion thermique de Ti, 11, représentée sur la figure 35(b), et on forme une cou- che d'échange de protons 13 uniquement dans la partie optique fonctionnelle, à travers un masque constitué par une couche de chrome, comme le montre la figure 35(c). Ensuite, après l'élimination de la couche de chrome 12, on forme à nouveau une couche d'échange de protons 14 sur la totalité de la surface du substrat, comme le montre la figure 35(d). On soumet l'échantillon obtenu à un traitement de recuit pour obtenir un guide de lumière 2 ayant une profondeur d'injection d'ions plus grande dans les parties de connecteur optique que dans la partie optique fonctionnelle, comme le montre la figure (e). On effectue ensuite un traitement d'échange de protons à travers un masque constitué par une couche de chrome 84 comportant uniquement une ouverture dans la partie optique fonctionnelle, pour former une couche à forte concentration de protons 130, comme le montre la figure 35(f). Finalement, on forme les électrodes en peigne 7 sur la partie fonctionnelle, comme le montre la figure (g). La figure 36 est une vue en perspective d'un vingt-quatrième mode de réalisation, dans lequel on uti- lise l'élément représenté sur la figure 34 en tant que déflecteur de lumière utilisant un effet électro-optique. Le mode de réalisation présent est identique au vingt- troisième mode de réalisation, à l'exception du fait que les électrodes en peigne de ce dernier sont remplacées par des électrodes en peigne 131 destinées à produire un effet électro-optique, et les composants identiques à ceux de la figure 34 sont désignés par les mêmes référen- ces et on ne les expliquera pas davantage. On peut égale- ment préparer aisément l'élément du mode de réalisation présent par le procédé expliqué en relation avec les figures 35(a) - 35(h)o La figure 37 est une vue en perspective d'un vingt-cinquième mode de réalisation de l'invention, dans lequel des régions 133, 132 exemptes d'injection de pro- tons sont formées dans une partie du substrat, dans le vingt-troisième mode de réalisation considéré précédem- ment, et des électrodes en peigne 134, 135 sont-formées sur ces régions. Sur la figure 37, les composants identi- ques à ceux de la figure 34 sont désignés par les mêmes références et onne les expliquera pas davantage. Comme le vingt-troisième mode de réalisation, le mode de réali- sation présent permet d'obtenir simultanément un rende- ment de connexion élevé et un rendement de diffraction élevé. Il est également possible de réaliser une modula- tion ou une déflexion efficace de la lumière guidée avec une faible puissance électrique, du fait que l'absence d'injection de protons dans les régions des électrodes en peigne empêche la dégradation des propriétés piezoélectri- ques et électro-optiques dans ces régions. On peut préparer l'élément optique à couche min- ce représenté sur la figure 37 par le procédé expliqué en relation avec les figures 35(a) - 35(h), à l'exception du fait qu'on forme les régions exemptes d'échange de protons dans une partie de la surface du substrat destinée aux électrodes en peigne, en formant un masque dans ces régions avant le traitement d'échange de protons. La figure 38 est une représentation schématique d'un vingt-sixième mode de réalisation dans lequel on utilise l'élément représenté sur la figure 37 en tant que déflecteur de lumière employant un effet électro-optique, et les composants de la figure 38 identiques à ceux de la figure 37 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. Dans le mode de réalisation présent, il n'y a pas d'injection de protons sous les électrodes en peigne 137 destinées à produire un effet électrooptique. On peut également préparer aisément l'élément du mode de réalisation présent par un processus similaire à celui expliqué en relation avec les figures (a) - 35(h), en utilisant les électrodes en peigne en tant que masque pour le traitement d'échange de protons. La figure 39 est une vue en perspective d'un vingt-septième mode de réalisation de l'invention utili- sant un effet acousto-optique, qui diffère du onzième mode de réalisation représenté sur la figure 18 par le fait que la concentration en ions dans la direction de l'épaisseur du substrat dans les parties de connecteur optique est plus élevée à l'intérieur qu'à la surface du substrat. Sur la figure 39, les composants identiques à ceux de la figu- re 18 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. L'élément du mode de réalisation présent a une concentration en ions plus élevée dans la partie optique fonctionnelle que dans les parties de con- necteur optique, du fait de la présence d'une couche à forte concentration de protons 80, et il comporte, sur le guide de lumière, des couches 140, 141 ayant un indice de réfraction plus faible, qui sont formées par diffusion de protons vers l'extérieur. Par conséquent, la distribution d'énergie de la lumière guidée dans les parties de con- necteur optique est très proche de celle de la lumière qui entre à partir de l'extérieur, ce qui procure un rendement de connexion élevé. D'autre part, dans la partie optique fonctionnelle, la distribution d'énergie de la lumière guidée est concentrée à proximité de la surface du substrat pour donner un rendement de diffraction élevé. On peut préparer l'élément du vingt-septième mode de réalisation d'une manière similaire à celle de l'élément du premier mode de réalisation, en ajoutant une opération de recuit par laser, représentée sur la figure 24(e), au procédé expliqué en relation avec les figures 19(a) - 19(f), comme on l'expliquera brièvement en relation avec les figures 40(a) 40(g), dans lesquelles les détails du traitement d'échange de pro- tons, etc, sont identiques à ceux du procédé représenté sur les figures 19(a) - 19(f). On soumet tout d'abord un substrat 1 consistant en un cristal de LiNbO3, représenté sur la figure 40(a), à la formation d'une couche de diffusion thermique de Ti 11, comme il est représenté sur la figure 40(b), et on forme ensuite une cQuche d'échange de protons 13, comme le montre la figure 40(c). On recuit l'échantillon obtenu pour former un guide de lumière 82, représenté sur la figure 40(d). On effectue ensuite un traitement d'échange de protons à travers un masque consistant en une couche de chrome 84 ayant une ouverture dans la partie optique fonctionnelle, pour former la couche à forte concentra- tion de protons 80, comme le montre la figure 40(e). On applique ensuite un traitement de recuit par laser aux parties de connecteur optique du guide de lumière 2, avec un laser au C02 145, comme le montre la figure 40(f), pour former les couches 110, 111 par diffu- sion de protons vers l'extérieur. Finalement, on forme les électrodes en peigne 7 sur la partie fonctionnelle, comme le montre la figure (g). La figure 41 est une vue en perspective d'un vingt-huitième mode de réalisation dans lequel on utilise l'élément représenté sur la figure 39 en tant que déflec- teur de lumière employant un effet électro-optique. Le mode de réalisation présent est identique au vingt- septième mode de réalisation, à l'exception du fait que les électrodes en peigne de ce dernier sont remplacées par des électrodes en peigne 147 destinées à produire un effet électro-optique. Sur la figure 41, les éléments identiques à ceux de la figure 39 sont désignés par les mêmes réfé- rences et on ne les expliquera pas davantage. On peut éga- lement préparer aisément le mode de réalisation présent par le procédé expliqué en relation avec les figures (a) - 40(g). La figure 42 est une vue en perspective d'un vingt-neuvième mode de réalisation de l'invention, dans lequel des régions 144, 145 exemptes d'injection de pro- tons sont formées dans une partie du substrat du vingt- septième mode de réalisation considéré précédemment, et des électrodes en peigne 142, 143 sont formées sur ces régions. Sur la figure 42, les composants identiques à ceux de la figure 39 sont désignés par les mêmes référen- ces et on ne les expliquera pas davantage. Comme le vingt-septième mode de réalisation, le mode de réalisa- tion présent permet d'obtenir simultanément un rendement de connexion élevé et un rendement de diffraction élevé. De plus, il est possible de réaliser une modulation ou une déflexion efficace de la lumière guidée avec une fai- ble puissance électrique, du fait que l'absence d'injec- tion de protons dans les régions des électrodes en peigne empêche la dégradation des propriétés piezoélectriques et électro-optiques dans ces régions. On peut préparer l'élément optique à couche mince représenté sur la figure 42 par le procédé expliqué en relation avec les figures 40(a) - 40(g), à l'exception du fait qu'on forme les régions exemptes d'échange de pro- tons dans une partie du substrat prévue pour les électro- des en peigne, en formant un masque dans ces régions avant le traitement d'échange de protons. La figure 43 est une représentation schématique d'un trentième mode de réalisation dans lequel on utilise l'élément représenté sur la figure 42 en tant que déflec- teur de lumière employant un effet électro-optique. Sur la figure 43, les composants identiques à ceux de la figu- re 42 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. Dans le mode de réalisation pré- sent, il n'y a pas d'injection de protons sous les élec- trodes en peigne 147 destinées à produire un effet électro-optique. On peut également préparer aisément l'élément du mode de réalisation présent par un procédé similaire à celui expliqué en relation avec les figures (a) - 40(g), dans lequel on utilise les électrodes en peigne en tant que masque pour le traitement d'échange de protons. La figure 44 est une vue en perspective d'un trente-et-unième mode de réalisation de l'invention utili- sant un effet acousto-optique, qui diffère du septième mode de réalisation représenté sur la figure 13 par le fait que la concentration en ions dans la direction de l'épaisseur du substrat dans les parties de connecteur optique est plus élevée à l'intérieur qu'à la surface du substrat. Sur la figure 44, les composants identiques à ceux de la figure 13 sont désignés par les mêmes référen- ces et on ne les expliquera pas davantage. L'élément du mode de réalisation présent aune profondeur d'injection d'ions qui est plus élevée dans les parties de connecteur optique que dans la partie optique fonctionnelle, et il comporte, sur la surface du guide de lumière, des couches , 151 ayant un faible indice de réfraction, qui sont formées par diffusion de protons vers l'extérieur, et une région à forte concentration de Ti 153, dans la partie opti- que fonctionnelle. Par conséquent, la distribution d'éner- gie de la lumière guidée dans les parties de connecteur optique est très proche de celle de la lumière introduite à partir de l'extérieur, ce qui procure un rendement de connexion élevé. D'autre part, dans la partie optique fonctionnelle, la distribution d'énergie de la lumière gui- dée est concentrée à proximité de la surface du substrat, ce qui procure un rendement de diffraction élevé. On peut préparer l'élément du trente-et-unième mode de réalisation d'une manière similaire à celle de l'élément du premier mode de réalisation, en ajoutant une opération de recuit par laser, représentée sur la figure 24(e), au procédé expliqué en relation avec les figures 14(a) - 14(f), comme on l'expliquera brièvement en rela- tion avec les figures 45(a) - 45(h), dans lesquelles les détails du traitement d'échange de protons, etc, sont identiques à ceux du procédé représenté sur les figures 14(a) - 14(f). On soumet tout d'abord un substrat 1 consistant en un cristal de LiNbO3, représenté sur la figure 45(a), à la formation d'une couche de titane 74, comme le montre la figure 45(b), et on forme dans la partie optique fonc- tionnelle une couche de titane 73 en forme de mésa, à tra- vers un masque 72, comme le montre la figure 45(c). On soumet l'échantillon obtenu à un traitement thermique pour produire une diffusion thermique de la couche de titane 73 dans le substrat, ce qui forme une couche de diffusion thermique de Ti 155 avec une région à forte concentration * de Ti 153, comme le montre la figure 45(d). On forme ensuite une couche d'échange de protons 156 dans la couche de diffusion thermique de Ti 155, comme le montre la figure 45(e), et on la soumet à un traitement de recuit pour former un guide de lumière 2 ayant une pro- fondeur d'injection d'ions plus grande dans les parties de connecteur optique que dans la partie optique fonctionnelle comme le montre la figure 45(f). En outre, on applique un traitement de recuit par laser, avec un laser au C02 157, aux parties de connecteur optique du guide de lumière 2, comme le montre la figure 45(g), pour former les couches 150, 151 par diffusion de protons vers l'extérieur. Finalement, on forme les électrodes en peigne 7 sur la partie optique fonctionnelle, comme le montre la figure 45(h). La figure 46 est une vue en perspective d'un trente-deuxième mode de réalisation dans lequel on utilise l'élément représenté sur la figure 44 en tant que déflec- teur de lumière utilisant un effet électro-optique. Le mode de réalisation présent est identique au trente-et- unième mode de réalisation, à l'exception du fait que les électrodes en peigne de ce dernier sont remplacées par des électrodes en peigne 158 destinées à produire un effet électro-optique. Sur la figure 46, les composants identi- - ques à ceux de la figure 44 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. On peut également préparer aisément l'élément du mode de réalisa- tion présent par le procédé représenté sur les figures (a) - 45(h). La figure 47 est une vue en perspective d'un trente-troisième mode de réalisation de l'invention, dans lequel des régions 163, 162 exemptes drinjection de pro- tons sont formées dans une partie du substrat du trente- et-unième mode de réalisation considéré précédemment, et des électrodes en peigne 160, 161 sont formées sur ces régions. Sur la figure 47, les composants identiques à ceux de la figure 44 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. Comme le trente-et- unième mode de réalisation, le mode de réalisation présent permet d'obtenir simultanément un rendement de connexion élevé et un rendement de diffraction élevé. De plus, il est possible d'obtenir une modulation ou une déflexion efficace de la lumière guidée avec une faible puissance électrique, du fait que l'absence d'injection de protons dans les régions des électrodes en peigne évite la dégra- dation des propriétés piezoélectriques et électro-optiques dans ces régions. On peut préparer l'élément optique à couche min- ce représenté sur la figure 47 par le procédé expliqué en relation avec les figures 45(a) - 45(h), à l'exception du fait qu'on forme les régions exemptes d'échange de protons dans une partie du substrat prévue pour les électrodes en peigne, en formant un masque dans ces régions avant le traitement d'échange de protons. La figure 48 est une représentation schématique d'un trente-quatrième mode de réalisation dans lequel on utilise l'élément représenté sur la figure 47 en tant que déflecteur de lumière employant un effet électro-optique. Sur-la figure 48, les composants identiques à ceux de la figure 47 sont désignés par les mêmes références et on ne les expliquera pas davantage. Dans le mode-de réalisation présent, il n'y a pas d'injection de protons sous les électrodes en peigne 167 destinées à produire un effet électrooptique. On peut également préparer aisément l'élément du mode de réalisation présent par un procédé similaire à celui expliqué en relation avec les figures 45(a) - 45(h), dans lequel on utilise les électrodes en peigne comme masque pour le traitement d'échange de pro- tons. Bien que les modes de réalisation précédents aient été basés principalement sur l'utilisation d'un substrat cristallin en LiNbO3, on peut également obtenir l'élément optique à couche mince de l'invention par le même procédé, en utilisant un substrat de tantalate de lithium (LiTaO3). De plus, on peut appliquer la modulation de lumière obtenue par l'élément optique à couche mince de l'invention non seulement aux déflecteurs de lumière consi- dérés précédemment, mais également à divers dispositifs optiques fonctionnels. On peut également réaliser la modu- lation ou la déflexion de la lumière non seulement par l'effet acoustooptique ou électro-optique mentionné pré- cédemment, mais également par diffraction avec une onde de surface magnétostatique induite de façon magnéto-optique, ou par un effet thermo-optiqueo Il va de soi que de nombreuses autres modifica- tions peuvent être apportées au procédé et au dispositif décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'inven- tion. REVENDICATIONS 1. Elément optique à couche mince, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat (1); un guide de lumière à couche mince (2) formé par injection d'ions dans la surface de ce substrat; une partie optique fonctionnelle formée dans une partie du guide de lumière (2) et conçue de façon à moduler ou à dévier la lumière guidée en faisant varier l'indice de réfraction du guide de lumière (2) au moyen d'un effet externe; et une partie de connecteur optique formée à l'extrémité du guide de lumière (2), et conçue de façon à introduire la lumière dans la face d'extrémité (3, 4) du guide de lumière (2), ou à extraire la lumière de cette face; et en ce que la profondeur d'injection d'ions, dans la direction de l'épaisseur du substrat (1), dans la partie de connecteur optique est différente de la profondeur correspondante dans la partie optique fonction- nelle. 2.. Elément optique à couche mince selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que le substrat (1) comporte, dans une partie de sa surface, une régions (51, 52) exempte d'injection d'ions, et des électrodes (7, 50) destinées à produire l'effet externe sont formées dans cette région (51, 52). 3. Elément optique à couche mince selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que du métal est en outre introduit par diffusion thermique dans le guide de lumière (2). 4. Elément optique à couche mince selon la reven- dication 3, caractérisé en ce que la concentration du métal introduit par diffusion thermique est plus élevée dans la partie optique fonctionnelle que dans la partie de connec- teur optique. 5. Elément optique à couche mince selon la reven- dication 4, caractérisé en ce que le substrat (2) comporte, dans une partie de sa surface, une région (75, 76) exempte d'injection d'ions, et des électrodes (7, 50) destinées à produire l'effet externe sont formées dans cette région (75, 76). 6. Elément optique à couche mince selon la reven- dication 4, caractérisé en ce que la concentration d'ions, lorsqu'on considère la distribution dans la direction de l'épaisseur du substrat (1), dans la partie de connecteur optique, est plus élevée à l'intérieur qu'à proximité de la surface du substrat (1). 7. Elément optique à couche mince selon la reven- dication 6, caractérisé en ce que le substrat (1) comporte, dans une partie de sa surface, une région (85, 86) exempte d'injection d'ions, et des électrodes (7, 81) destinées à produire l'effet externe sont formées dans cette région (85, 86). 8. Elément optique à couche mince selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que la concentration d'ions, lorsqu'on considère la distribution dans la direction de l'épaisseur du substrat (1) dans la partie de connecteur optique, est plus élevée à l'intérieur qu'à proximité de la surface du substrat. 9. Elément optique à couche mince selon la reven- dication 8, caractérisé en ce que le substrat comporte, dans une partie de sa surface, une région (103, 104) exempte d'injection d'ions, et des électrodes (100, 101) destinées à produire l'effet externe sont formées dans cette région (103, 104). 10. Elément optique à couche mince selon la revendication 1, caractérisé en ce que la concentration d'ions dans le guide de lumière (2) est plus élevée dans la partie optique fonctionnelle que dans la partie de connecteur optique. 11. Elément optique à couche mince selon la revendication 10, caractérisé en ce que le substrat (1) comporte, dans une partie de sa surface, une région (132, 133) exempte d'injection d'ions, et des électrodes (134, ) destinées à produire l'effet externe sont formées dans cette région (132, 133). 12. Elément optique à couche mince selon la revendication 10, caractérisé en ce que le substrat consis- te en un cristal de niobate de lithium ou en un cristal de tantalate de lithium, et l'ion est un proton. 13. Elément optique à couche mince selon la revendication 12, caractérisé en ce que la prodondeur d'injection d'ions est plus grande dans la partie de con- necteur optique que dans la partie optique fonctionnelle. 14. Elément optique à couche mince selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (1) est constitué par de l'arséniure de gallium. 15. Elément optique à couche mince selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'effet externe est un effet acousto-optique. 16. Elément optique à couche mince selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'effet externe est un effet électro-optique. 17. Elément optique à couche mince selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'ion est introduit dans le substrat par diffusion thermique. 18. Procédé de fabrication d'un élément optique à couche mince, caractérisé en ce qu'il comprend les opéra- tions suivantes: on injecte des ions dans la surface d'un substrat (1), uniquement dans une région proche de son extrémité (3, 4); on injecte des ions dans la totalité de la surface du substrat (1); on fait diffuser par voie thermique les ions ainsi injectés; et on forme des élec- trodes (7) dans une partie du substrat autre que la région proche de ses extrémités (3, 4). 19. Procédé de fabrication d'un élément optique à couche mince selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'on forme un masque (12) sur une région prévue pour la formation d'électrodes (7), avant l'injection d'ions dans la totalité de la surface du substrat (1). 20. Procédé de fabrication d'un élément optique à couche mince selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'on forme les électrodes (7) avant l'injection d'ions dans la totalité de la surface du substrat (1). 21. Procédé selon la revendication 18, caracté- risé en ce qu'il comprend en outre une opération de diffu- sion thermique d'un métal dans la surface du substrat (1)o 22. Procédé selon la revendication 21, caracté- risé en ce qu'on fait diffuser le métal avec une concentra- tion plus élevée dans une partie du substrat (1) autre que la région proche de son extrémité (3, 4). 23. Procédé selon la revendication 18, caracté- risé en ce qu'il comprend en outre une opération de recuit, avec un faisceau laser (95), portant uniquement sur la région de la surface du substrat soumise à l'injection d'ions, proche (3, 4) de l'extrémité du substrat. 24. Procédé selon la revendication 18, caracté- risé en ce qu'il comprend en outre une opération consistant à injecter des ions uniquement dans la région de la surface du substrat (1) qui a été soumise -à une diffusion thermique d'ions, à proximité de l'extrémité (3, 4) du substrat. 25. Procédé selon la revendication 18, caracté- risé en ce que le substrat (1) consiste en un cristal de niobate de lithium ou en un cristal de tantalate de lithium, et l'ion est un proton. 26. Procédé de fabrication d'un élément optique à couche mince, caractérisé en ce qu'il comprend les opé- rations suivantes: on introduit des ions dans un substrat (1) par injection ou diffusion thermique, en présence d'un champ électrique appliqué à ce substrat; et on forme des électrodes (7) sur le substrat. 27. Procédé selon la revendication 26, caractéri- sé en ce qu'on applique le champ électrique dans une partie du substrat (1) autre que la région proche de son extrémité (3, 4), avec une polarité choisie de façon à s'opposer à l'injection ou à la diffusion thermique d'ions. 28. Procédé selon la revendication 26, caractéri- sé en ce qu'il comprend en outre une opération de diffusion par voie thermique d'un métal dans la surface du substrat (i). 29. Procédé de fabrication d'un élément optique à couche mince, caractérisé en ce qu'il comprend les opéra- tions suivantes: on diffuse par voie thermique un métal dans la surface d'un substrat (1), de façon à obtenir une concentration plus élevée dans une partie du substrat autre qu'une région proche de l'extrémité (3, 4) du substrat; on injecte des ions dans la surface du substrat (1) soumise à la diffusion thermique de métal; et on forme des électrodes (7) dans une partie du substrat autre que la région proche de son extrémité (3, 4). 30. Un élément optique à couche mince caractéri- sé en ce qu'il comprend: un substrat (1); un guide de lumière à couche mince (2) formé par injection d'ions à la surface du substrat (1); une partie de connecteur optique formée à l'extrémité du guide de lumière, pour l'entrée de la lumière guidée dans la face d'extrémité (3, 4) du guide de lumière, ou pour la sortie de la lumière guidée; et une partie optique fonctionnelle formée dans une partie autre que l'extrémité du guide de lumière (2), et conçue de façon à moduler ou à dévier la lumière guidée (9), en faisant varier l'indice de réfraction du guide de lumière (2) au moyen d'un effet externe; et en ce que la concen- tration des ions injectés est plus élevée dans la partie optique fonctionnelle que dans la partie de connecteur optique. 31. Elément optique à couche mince selon la revendication 30, caractérisé en ce que le substrat (1) comporte, dans une partie de sa surface, une région (132, 133) exempte d'injection d'ions, et des électrodes (134, ) destinées à produire l'effet externe sont formées dans cette région (132, 133). 32. Elément optique à couche mince selon la revendication 30, caractérisé en ce qu'un métal est en outre diffusé par voie thermique dans le guide de lumière (2). 33. Elément optique à couche mince selon la revendication 30, caractérisé en ce que la concentration d'ions, lorsqu'on considère la distribution dans la direc- tion de l'épaisseur du substrat dans la partie de connec- teur optique, est plus élevée à l'intérieur qu'à proximité de la surface du substrat (1). 34. Elément optique à couche mince selon la revendication 33, caractérisé en ce que le substrat (1) comporte, dans une partie de sa surface, une région exempte d'injection d'ions, et des électrodes destinées à produire l'effet externe sont formées dans cette région. 35. Elément optique à couche mince selon la revendication 30, caractérisé en ce que le substrat con- siste en un cristal de niobate de lithium ou en un cristal de tantalate de lithium, et l'ion est un proton. 36. Elément optique à couche mince selon la revendication 30, caractérisé en ce que l'effet externe est un effet acousto-optique. 37. Elément optique à couche mince selon la revendication 30, caractérisé en ce que l'effet externe est un effet électro-optique. 38. Elément optique à couche mince selon la revendication 30, caractérisé en ce que les ions sont diffusés dans le substrat (1) par voie thermique. 39. Procédé de fabrication d'un élément optique à couche mince, caractérisé en ce qu'il comprend les opé- rations suivantes: on injecte des ions dans la surface Ibs 58 d'un substrat (1); on fait diffuser par voie thermique les ions ainsi injectés; on injecte à nouveau des ions dans une partie seulement de la surface du substrat (1) soumis à la diffusion thermique d'ions, autre qu'une région proche de l'extrémité (3, 4) du substrat (1); et on forme des électrodes (7) dans une partie de la surface du substrat, autre que la région proche de l'extrémité du substrat (1). 40. Procédé selon la revendication 39, caractéri- sé en ce qu'on forme un masque (12) sur une région prévue pour la formation d'électrodes (7), avant l'injection d'ions dans la surface du substrat (1). 41. Procédé selon la revendication 39, caracté- risé en ce qu'on forme les électrodes (7) avant l'injection d'ions dans la totalité de la surface du substrat (1). 42. Procédé selon la revendication 39, caracté- risé en ce qu'il comprend en outre une opération de diffu- sion par voie thermique d'un métal dans la surface du substrat (1). 43. Procédé selon la revendication 39, caracté- risé en ce qu'il comprend en outre une opération de recuit, avec un faisceau laser (95), portant uniquement sur la région de la surface du substrat soumise à une injection d'ions qui est proche de l'extrémité (3, 4) du substrat. 44. Procédé selon la revendication 39, caracté- risée en ce que le substrat consiste en un cristal de niobate de lithium ou en un cristal de tantalate de lithium, et l'ion est un proton. 45. Elément optique à couche mince caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat (1); un guide de lumière à couche mince (2) formé par injection d'ions dans la surface du substrat (1); une partie optique fonction- nelle formée dans une partie du guide de lumière (2) et conçue de façon à moduler ou à dévier la lumière guidée (9), en faisant varier l'indice de réfraction du guide de lumière (2) au moyen d'un effet externe; et une partie de connecteur optique formée à l'extrémité du guide de lumière (2) et prévue pour l'entrée de la lumière dans la face d'extrémité (3, 4) du guide de lumière ou pour la sortie de la lumière par cette face d'extrémité; et en ce que la 5. concentration d'ions, lorsqu'on considère la distribution dans la direction de l'épaisseur du substrat dans la partie optique fonctionnelle,est plus élevée à l'intérieur qu'à proximité de la surface du substrat. 46. Elément optique à couche mince selon la revendication 45, caractérisé en ce que le substrat (1) comporte, dans une partie de sa surface, une région (162, 163) exempte dlinjectionrd'ions, et des électrodes (160, 161) destinées à produire l'effet externe sont formées dans cette région (162, 163). 47. Elément optique à couche mince selon la revendication 45, caractérisé en ce qu'un métal est en outre diffusé par voie thermique dans le guide de lumière (2). 48. Elément optique à couche mince selon la revendication 45, caractérisé en ce que le substrat (1) consiste en un cristal de niobate de lithium ou en un cristal de tantalate de lithium, et l'ion est un proton. 49. Elément optique à couche mince selon la revendication 45, caractérisé en ce que l'effet externe est un effet acousto-optique. 50. Elément optique à couche mince selon la revendication 45, caractérisé en ce que l'effet externe est un effet électro-optique. 51. Elément optique à couche mince selon la revendication 45, caractérisé en ce que les ions sont diffusés dans le substrat (1) par voie thermique. 52. Procédé de fabrication d'un élément optique à couche mince, caractérisé en ce qu'il comprend les opé- rations suivantes: on injecte des ions dans la surface d'un substrat (1); on fait diffuser par voie thermique les ions ainsi injectés; on recuit, avec un faisceau laser, uniquement une région de la surface du substrat (1) sou- mise à la diffusion thermique d'ions, proche de l'extré- mité (3, 4) du substrat; et on forme des électrodes (7) dans une partie du substrat autre qu'une région proche de son extrémité (3, 4). 53. Procédé selon la revendication 52, caracté- risé en ce qu'on forme un masque (12) sur une région pré- vue pour la formation d'électrodes (7), avant l'injection d'ions dans la surface du substrat (1). 54. Procédé selon la revendication 52, caracté- risé en ce qu'on forme les électrodes (7), avant l'injec- tion d'ions dans la totalité de la surface du substrat (1). 55. Procédé selon la revendication 52, caracté- risé en ce qu'il comprend en outre une opération consis- tant à faire diffuser un métal par voie thermique dans la surface du substrat (1). 56. Procédé selon la revendication 52, caracté- risé en ce que le substrat consiste en un cristal de niobate de lithium ou en un cristal de tantalate de lithium, et l'ion est un proton.