FR 2568720 A1 19860207 FR 8511906 A 19850802 i L'invention concerne un procédé pour la comman- de de l'état de focalisation d'un faisceau d'électrons dévié périodiquement sur un grand nombre de positions de balayage discrètes contenues dans une surface cible com- mune. Un tel procédé peut être utilisé pour le souda- ge ou le perçage au moyen d'un faisceau d'électrons lors- que les points de travail sont disposés, par exemple, se- lon une répartition tramée dans la surface cible. Le pro- cédé peut également être utilisé pour la trempe superfi- cielle au moyen de faisceaux d'électrons, ainsi que dans le cas de la fusion par bombardement électronique lors- qu'il s'agit d'injecter la puissance du faisceau d'élec- trons dans le bain fondu avec une répartition définie sur la surface (demande de brevet de la R.F.A. publiée sous le no 28 19 285). Comme le montre le document cité, le procédé selon l'invention peut également être utilisé avec un avantage particulier dans l'opération d'évapora- tion de matières contenues dans un creuset, lorsqu'il est important d'assurer aux couches condensées à partir de la vapeur une composition qui reste uniforme dans les limites d'une grande zone de condensation. Dans tous les cas, le faisceau d'électrons pro- duit sur sa surface d'impact, qui est désignée ici par l'expression de surface cible, un motif de surface défi- ni qui se compose d'un grand nombres de positions de ba- layage discrètes. Le motif est composé de zones distinc- tes juxtaposées dans une ou deux dimension(s), et on peut obtenir un apport de puissance défini dans sa loca- lisation par la grandeur de ces zones et par le temps d'arrêt du faisceau d'électrons dans chacune des zones. Alors que, dans le cas du soudage ou du perçage exécuté au moyen d'un faisceau d'électrons, il est sou- haitable d'obtenir des données de faisceaux aussi identi- ques que possible dans toutes les positions de balayage. Il peut être souhaitable dans le cas de l'évaporation 2 L o2568720 sous vide de déterminer une puissance d'évaporation va- riable avec l'emplacement par un apport de puissance qui varie avec l'emplacement, afin de compenser des défauts d'homogénéité, imputables à d'autres causes, qui se mani- festent dans la zone de condensation de la vapeur. Dans le cas o il se produit un mouvement rela- tif mécanique entre le canon à électrons et la surface cible, la déviation du faisceau reste inchangée, de sor- te que l'état de focalisation reste également maintenu. Toutefois, le déplacement relatif mécanique est long et, de ce fait, il est inutilisable dans de nombreux cas, ou bien encore il peut être d'une exécution difficile et par conséquent liée à une grande complication. C'est ain- si que, par exemple, dans le cas de la fusion ou de l'évaporation, il est exclu, pour des raisons évidentes, de déplacer le creuset. Toutefois, le déplacement du ca- non à électrons est extrêmement compliqué. C'est pour ces raisons que, dans le passé,on a principalement tiré parti de la propriété du faisceau d'électrons de se laisser dévier plus ou moins fortement à l'aide de champs électromagnétiques ou électrostati- ques, de sorte qu'il est ainsi possible d'atteindre un grand nombre de positions de balayage discrètes dans les limites d'une surface cible relativement grande sans avoir à exécuter un mouvement relatif mécanique. Le prin- cipe d'un tel procédé est connu par les tubes cathodi- ques de télévision. Toutefois, cette technique présente un grave inconvénient dans le fait que la qualité de l'état de focalisation décrott avec l'accroissement de l'angle de déviation. Il est déjà connu, par la demande de brevet de la R.F.A. publiée sous le n 20 47 138 qu'un faisceau d'électrons émis par une source d'électrons fixe et qui est dévié vers différentes positions de balayage discrè- tes, peut présenter une section très variable sur les zo- nes d'impact, de sorte que la densité de puissance sur 3 2568720 les zones d'impact varie en conséquence. Ceci constitue un phénomène indésirable et c'est pourquoi il est propo- sé dans le document précité de compenser les variations de l'état de focalisation sur les différentes zones d'im- pact par des temps d'arrêt variables. Toutefois, les effets obtenus sont extrêmement limités et cette mesure est inutilisable pour de nombreux cas dans lesquels il est important d'obtenir une focalisation exacte du fais- ceau, ou bien un diamètre défini du faisceau au point d'impact du faisceau d'électrons. En particulier, la me- sure précitée est inutilisable lorsqu'il n'est pas possi- ble de faire varier les temps d'arrêt relatifs du fais- ceau d'électrons dans les différentes positions de ba- layage discrètes parce que, par exemple, le temps de ba- layage du faisceau d'électrons est prédéterminé pour un très grand nombre de positions de balayage. Lorsque, par exemple, en utilisant un creuset d'évaporation de forme allongée, on évapore des substan- ces sur une bande que l'on fait défiler en mouvement con- tinu au-dessus du creuset d'évaporation, les différences locales de densité de puissance ou de temps d'arrêt du faisceau d'électrons se traduisent par un dessin de "rayures" indésirable sur la bande en défilement, dessin qui est inacceptable dans de nombreux cas d'utilisation. Pour obtenir des conditions d'évaporation définies sur toute la largeur de la bande - ce qui représente une con- dition essentielle pour assurer une répartition homogène de l'épaisseur de la couche dans la direction transversa- le au défilement de la bande - on a besoin d'une tache focale de faisceau d'électrons possédant une densité de puissance constante sur toute la plage de balayage. L'invention se donne donc pour but de fournir un procédé de commande du genre décrit au début qui per- mette d'obtenir une tache focale de faisceau d'électrons d'une densité de puissance prédéterminée sur toute la surface cible, c'est-à-dire sur toute la plage de balaya- 4 2568720 ge. Selon l'invention, la résolution du problème po- sé est obtenue, dans le procédé décrit au début, par le fait qu'au début, on ajuste l'état de focalisation du faisceau d'électrons sur une géométrie de tache focale prédéterminée dans chacune des positions de balayage dis- crètes, au moyen de champs de déviation variables-, on mé- morise les données de focalisation correspondant à cette géométrie de la tache focale dans une mémoire, avec les données de position correspondantes et, pendant le fonc- tionnement, on appelle dans la mémoire pour chaque posi- tion du faisceau, les données de focalisation correspon- dantes et on corrige la commande de la focalisation du faisceau en conséquence. En pratique, on procède de la façon suivante: lors du réglage du dispositif, on amène le faisceau d'électrons successivement dans des positions de balaya- ge définies au moyen de courants de déviation définis dans l'unité de déviation et on ajuste manuellement l'état de focalisation ou la géométrie de la tache foca- le manuellement au moyen d'un potentiomètre, sous obser- vation visuelle. On reviendra avec plus de précision dans la suite sur les conditions de construction des dis- positifs à réaliser pour obtenir ce résultat. Pour cha- que position de balayage, qui est définie par ses coor- données X-Y, on calcule les données électriques définis- sant l'état de focalisation et, par actionnement d'une touche d'entrée, on introduit dans les emplacements de mémoire les données de focalisation appartenant à la po- sition de balayage considérée. Cette procédure est lon- gue, d'autant plus longue que la précision exigée est plus grande, mais après le réglage initial du disposi- tif, les données mémorisées peuvent rester conservées constantes pendant très longtemps. Dans le fonctionnement automatique du disposi- tif, les données de focalisation appartenant à chaque position du faisceau sont appelées dans la mémoire, en fonction de la position de balayage considérée, et la fo- calisation du faisceau est corrigée en conséquence. Cet- te procédure se déroule cycliquement ou périodiquement avec une fréquence appropriée, qui peut atteindre sans inconvénients jusqu'à 1 000 Hz. Dans l'évaporation sous vide, une fréquence de balayage aussi élevée a par exemple pour effet que, grâ- ce à l'inertie thermique du bain fondu, le processus d'évaporation se déroule de façon pratiquement continue, en dépit de la discontinuité du bombardement de la surfa- ce de la matière à évaporer par le faisceau d'électrons. Avec la solution selon l'invention, le problème posé est entièrement résolu, c'est-à-dire que, sur toute la plage de balayage du faisceau d'électrons, on obtient une ta- che focale de faisceau d'électrons possédant une densité de puissance prédéterminée et que l'influence défavora- ble des variations de la déviation du faisceau d'élec- trons dans les différentes positions de balayage est au- tomatiquement annulée et avec une grande vitesse. Ceci permet de maintenir des interactions exactement prédéter- minées entre le faisceau d'électrons et la matière at- teinte dans chaque position de balayage. C'est ainsi que, par exemple, dans le cas de la soudure, les zones de soudure (les points de soudure) possèdent toujours les mêmes propriétés. Dans le cas de l'évaporation sous vide de substances contenues dans des creusets de forme allongée, dont l'axe longitudinal s'étend transversale- ment à la direction du défilement d'une bande mobile, on obtient des couches possédant une homogénéité extrême- ment grande en ce qui concerne l'épaisseur de la couche et la composition de la couche. Ceci est un avantage par- ticulièrement remarquable lorsque la même bande défile successivement au-dessus de plusieurs creusets d'évapora- tion d'o il s'agit d'évaporer plusieurs matières diffé- rentes. Toutefois, le procédé de commande selon l'inven- 6 2 5&8 720 tion se distingue en particulier par une haute reproduc- tibilité des paramètres influencés.- Le procédé de commande selon l'invention permet également de construire des dispositifs plus compacts et, par conséquent, d'un prix plus avantageux. Alors que, jusqu'à présent, on tendait à maintenir aussi gran- de que possible la distance entre le canon à électrons et la surface cible, afin de pouvoir limiter l'angle de balayage à des valeurs d'autant plus faibles, il est maintenant possible, avec le procédé de commande selon l'invention, de rapprocher le canon à électrons à une plus petite distance de la surface cible en acceptant un angle de déviation maximum plus grand. Ceci conduit à dimensionner le dispositif avec un volume plus faible, dans lequel on peut également faire le vide plus rapide- ment et avec une dépense plus faible. Naturellement, dans l'objet de l'invention, on peut également choisir des valeurs différentes pour les temps d'arrêt relatifs dans chaque position de balayage. Toutefois, étant donné que le temps d'arrêt relatif ne constitue plus une grandeur corrective pour les différen- ces d'état de focalisation, les temps d'arrêt relatifs n'ont plus à être modifiés, de sorte que, dans le cas d'un nombre calculé une fois pour toutes, la fréquence d'interrogation reste constante. C'est ainsi que, par exemple, dans le cas de l'évaporation sous vide, il est avantageux de choisir pour les temps d'arrêt relatifs dans les positions de balayage situées aux extrémités du creuset des valeurs plus longues parce qu'à ces en- droits, la demande de chaleur est plus grande, en raison de la présence supplémentaire dans ces endroits des pa- rois d'extrémités du creuset, qui sont refroidies par l'eau. Les temps d'arrêt relatifs nécessaires pour cha- que position de balayage sont prédéterminés par une com- mande à programme qui suit exactement la commande de fo- calisation selon l'invention. Le réglage de temps d'ar- rêt définis par une commande à programme fait déjà par- tie de l'état de la technique (demande de brevet de la R.F.A. publiée sous le n 28 12 285) et ne sera donc pas décrit avec précision dans le présent mémoire. Toutefois, en dehors des extrémités d'un creu- set d'évaporation, il est en général souhaitable d'obte- nir une tache focale de faisceau d'électrons possédant une densité de puissance constante ou identique dans tou- tes les positions de balayage. Cette mesure est même in- dispensable lorsqu'on a à produire des points de soudure ou perçages identiques. L'invention se rapporte également à un disposi- tif pour la mise en oeuvre du procédé décrit plus haut. Ce dispositif comprend, comme dans la construction clas- sique, un canon à électrons comportant un générateur de faisceau, une unité de focalisation et une unité de dé- viation servant à la déviation du faisceau selon les co- ordonnées X-Y. Le dispositif comprend en outre une unité de commande servant à dévier le faisceau d'électrons dans les différentes positions de balayage individuelles définies par des coordonnées X-Y, tout en conservant des temps d'arrêt définis. En conséquence, selon d'autres ca- ractéristiques de l'invention et pour résoudre le même problème, a) le canon à électrons présente, sur la trajec- toire du faisceau d'électrons, un dispositif multipolai- re au moyen duquel le faisceau d'électrons peut être cor- rigé en focalisation avec une fréquence pouvant attein- dre 1 000 Hz et, par ailleurs,. b) l'unité de commande comprend des emplace- ments de mémoire pour les coordonnées X-Y des positions de balayage et des emplacements de mémoire pour les don- nées de focalisation correspondant à chaque position de balayage, ainsi qu'un microprocesseur au moyen duquel le mouvement du faisceau qui, l'amène aux différentes posi- tions de balayage, et les temps d'arrêt ainsi que les 8 2568720 états de focalisation dans les différentes positions de balayage peuvent être commandés d'après l'interrogation des emplacements de mémoire. L'utilisation de dispositifs multipolaires, qu'on appelle des quadripôles ou des octopôles dans les microscopes électroniques, est certes connue mais, dans ces cas, ces dispositifs multipolaires sont utilisés de façon statique, c'est-à-dire avec une forte intensité. Selon une autre caractéristique de l'invention, les pôles du dispositif multipolaire possèdent des noyaux de bobines composés de tôles avec des pièces po- laires. Selon une autre caractéristique de l'invention, dans un dispositif dans lequel le canon à électrons pré- sente une cavité cylindrique délimitée par un tube de guidage du faisceau et un tube enveloppe, et dans laquel- le sont disposées l'unité de focalisation et l'unité de déviation, le dispositif multipolaire est disposé dans la même cavité, entre l'unité de focalisation et l'unité de déviation. D'autres caractéristiques et avantages de l'in- vention seront mieux compris à la lecture de la descrip- tion qui va suivre d'un exemple de réalisation de l'in- vention et de son mode de fonctionnement, en se référant aux dessins annexés sur lesquels, la figure 1 est une représentation schématique d'un faisceau à électrons, ainsi qu'un schéma bloc de l'unité de commande correspondante pour le chauffage d'un creuset d'évaporateur; la figure 2 est une vue de dessus d'une surface cible comportant des positions de balayage disposées en deux rangées; la figure 3 est une vue dessus d'une surface ci- ble comportant des positions de balayage disposées en un cercle; - la figure 4 représente un canon à électrons en 9 2568720 partie en coupe, dans la région de la trajectoire du faisceau; la figure 5 est une coupe axiale de la partie inférieure de la figure 4, les plans de coupe étant per- pendiculaires entre eux, selon la ligne V-V de la figure 7; la figure 6 est une coupe radiale de l'objet de la figure 5, prise selon la ligne VIVI; et la figure 7 est une coupe radiale prise selon la ligne VII-VII de la figure 5. Sur la figure 1, on a donné une représentation schématique d'un canon à électrons 1 dont font partie un générateur de faisceau 2, une unité de focalisation élec- tromagnétique 3, le dispositif quadripolaire 4 selon l'invention, et une unité de déviation traditionnelle 5 pour la déviation du faisceau dans les coordonnées X-Y. Les détails d'un tel canon à électrons sont exposés de façon plus précise en regard des figures 4 à 7. Au canon à électrons 1 est associée une unité de commande 6 dont la pièce centrale est un microproces- seur 7. A ce microprocesseur, est associée une unité d'entrée 8 équipée d'un clavier 9 pour l'introduction d'ordres de commande, etc.. L'unité d'entrée comprend en outre des dispositifs de réglage 10 et 11 destinés à in- fluencer les données de focalisation au moyen du disposi- tif multipolaire 4. Les dispositifs de réglage 10 et 11 sont symbolisés par des boutons de potentiomètres. Au microprocesseur 7 est connectée en outre une unité mémoire 12 munie d'emplacements de mémoires 13 pour les coordonnées X-Y des positions de balayage et d'emplacements de mémoire 14 pour les données de focali- sation appartenant à chaque position de balayage. En aval du microprocesseur 7, sont connectés un circuit de commande 15 pour le pilotage du dispositif multipolaire' 4, ainsi qu'un circuit de commande 16 pour le pilotage de l'unité de déviation 5. 2568720_ Le programme de balayage, y compris les temps d'arrêt relatifs dans les diverses positions de balaya- ge, est également imposé au moyen de l'unité d'entrée 8 et du microprocesseur 7. Au-dessous du canon à électrons 1, on a repré- senté un creuset d'évaporateur 17 de forme allongée qui est rempli d'une substance à évaporer 18. Le faisceau d'électrons sortant de l'unité de déviation 7 est alors dévié périodiquement sur la surface de la substance à évaporer 18, ce faisceau prenant, en fonction du program- * me décrit plus haut, des positions de balayage discrètes F1 à Fn qui sont symbolisées ici par des traits noirs. Les deux positions de balayage extrêmes du faisceau d'électrons sont indiquées par des lignes tiretées 19 et 20. On observe que, dans les positions de balayage F1 et Fn, il existe des conditions extrêmes. Un faisceau d'électrons qui présente encore une tache focale circu- laire au milieu du creuset d'évaporateur 17, aurait des géométries de tache focale fortement déformées ou ellip- tiques dans les positions F1 et Fn. C'est ici qu'inter- vient l'invention, qui agit de telle manière que, pour chacune des positions de balayage, le dispositif multipo- laire 4 soit réglé au moyen des dispositifs de réglage et 11 de telle manière que la géométrie de la 'tache focale corresponde dans toutes les zones d'impact à des états de focalisation déterminés, de préférence identi- ques. Les données de focalisation obtenues dans chacune des diverses positions de balayage sont entrées dans les emplacements de mémoire 14 par l'actionnement du clavier 9 et elles sont maintenues prêtes à être appelées dans ces emplacements. La surface dans laquelle se trouvent toutes les positions de balayage est appelée la surface cible 21; sur la figure 2, elle est entourée du rectan- gle intérieur 22, qui représente la paroi limite inté- rieure du creuset d'évaporateur 17. Sur la figure 2, on peut reconnaître un motif de balayage composé d'au total vingt-quatre positions de balayage, et dans lequel les positions de balayage discrètes sont représentées par les cerches hachurés. Les diamètres des cercles hachurés correspondent au dia- mètre du faisceau d'électrons immobilisé brièvement dans les positions de balayage considérées. Dans le cas repré- senté, les vingt-quatre positions de balayage sont répar- ties en deux rangées de douze positions de balayage cha- cune mais la longueur d'une rangée ou d'une ligne et le nombre des positions de balayage qui s'y trouvent peu- vent être choisies pratiquement à volonté, et le nombre des rangées ou lignes peut également être choisi libre- ment. La position des différentes positions de balayage, plus précisément des centres des différentes positions de balayage, est déterminée par les coordonnés X-Y qui sont issues d'un point origine ou de référence P. Le dé- placement du faisceau d'électrons s'effectue par modifi- cation par paliers du courant de déviation de la bobine de déviation correspondante. La variation du courant de déviation dans la direction X peut être représentée par une courbe en escalier à douze gradins. Les détails d'une telle déviation de faisceau font partie de l'état de la technique et ne seront donc pas exposés avec plus de précision. Les coordonnées X-Y correspondantes sont entrées dans les emplacements de mémoire 13. Dès que le faisceau a atteint la position définie, les données de focalisation correspondantes sont appelées dans les em- placements de mémoire 14 et le faisceau est corrigé en conséquence, de sorte qu'on obtient le motif de surface extrêmement régulier représenté sur la figure 2. En regard de la figure 3, on a représenté que les différentes positions de balayage F1 à F6 peuvent également être disposées sur un cercle, lorsque l'on a à bombarder un creuset d'évaporateur 17a possédant une sy- métrie. de rotation. Dans ce cas, la surface cible 17 est une surface circulaire qui est limitée par le bord inté- 12 2568720 rieur du creuset d'évaporateur. Ici également, il est im- portant d'obtenir dans chaque position de balayage F1 et F6, le même état de focalisation, c'est-à-dire le même diamètre de faisceau, avec une forme absolument circulai- re de la section du faisceau. Si l'on suppose une puis- sance de faisceau constante, on obtient de cette façon dans tous les cas une unité de puissance constante. La figure 4 montre les éléments essentiels d'une forme de réalisation pratique d'un canon à élec- trons 1. Dans le générateur de faisceau 2, dont on ne voit que l'électrode de Wehnelt 22, se trouve une catho- de, non représentée sur le dessin, qui émet un faisceau d'électrons selon l'axe A-A du canon. L'accélération du faisceau d'électrons s'effectue, de la façon classique, par une anode accélératrice 23 qui se prolonge par une pièce intermédiaire 24 en forme d'entonnoir en direction d'un tube 25 de guidage du faisceau, dont on n'a repré- senté que les contours, en traits interrompus. Au-des- sous de l'anode accélératrice 23, se trouve encore une vanne d'arrêt 26 qui peut être écartée de la trajectoire du faisceau au moyen d'un arbre de manoeuvre 27.-Le géné- rateur de faisceau 24 est entouré, à joint étanche au vide, pàr un tube extérieur 28 à double paroi, pour pou- voir entretenir le vide de fonctionnement nécessaire dans la région du générateur de faisceau 2. Le canon à électrons 1 comporte encore une bri- de de fixation 29 à laquelle fait suite, vers le bas, un tube enveloppe 30 dans lequel sont logés tous les élé- ments d'optique électronique. Le canon comprend en ou- tre l'unité de déviation, qui sera décrite de façon plus détaillée en regard des figures 5 et 7 et dont on ne voit sur la figure 4 que les pièces polaires 31 et 32 qui émergent du tube enveloppe vers le bas. - On peut voir sur la figure 5, dessinée à plus grande échelle, que le tube 25 de guidage du faisceau et le tube enveloppe 30 sont reliés l'un à l'autre par une 13 2568720 pièce annulaire 33. A l'extrémité supérieure du tube en- veloppe 30 se trouve en outre une bride 34 au moyen de laquelle le tube enveloppe 30 est serré contre la bride de fixation 29 qui s'étend radialement vers l'intérieur jusqu'au tube 25 de guidage du faisceau. De cette façon, il se forme entre le tube de guidage de faisceau 25 et le tube enveloppe 30 un espace cylindrique creux 35 her- métiquement fermé, dans lequel, un manchon cylindrique creux possédant une paroi intérieure 38, une paroi exté- rieure 39 et une pièce annulaire 40, est disposé en lais- sant libre des fentes annulaires 36. Les éléments consi- dérés sont reliés à la bride de fixation 29. C'est dans ce manchon que sont logés l'unité de focalisation 3, le dispositif multipolaire 4 et l'unité de déviation 5. Les cavités sont parcourues par un fluide de refroidissement afin de maintenir les températures de fonctionnement des dispositifs d'optique électronique à un niveau aussi bas que possible. Le dispositif multipolaire 4, qui est un quadri- pôle dans le cas considéré, est disposé immédiatement au-dessous de l'unité de focalisation 3 et il apporte la possibilité d'imposer au faisceau d'électrons, dans le plan indiqué par la ligne de coupe VI-VI, une section de faisceau qui produit dans la surface cible une tache fo- cale possédant la géométrie prédéterminée. L'influence du quadripôle sur le faisceau d'électrons est connue en soi et ne sera donc pas expliquée avec plus de préci- sion. Ainsi qu'il ressort de la figure 6, le disposi- tif multipolaire 4 est composé d'une culasse magnétique 41 fermée sur elle-même en anneau, munie d'évidements 42 dans lesquels sont disposés des noyaux de bobines 43 mu- nis de pièces polaires 44 et d'enroulements d'électro- aimants 45. Les noyaux de bobines 43 sont assemblés à la culasse 41 par des goujons 46. Il va de soi que le tube de guidage du faisceau et la paroi intérieure 38 sont 14 2568720 14 ooc faits d'une matière amagnétique. Sur la figure 7, l'unité de déviation 5 est re- présentée en détail. Sur une culasse magnétique 47, se trouvent des noyaux de bobines 48 et 49 diamétralement opposés, munis de pièces polaires 50 et 51 ainsi que d'enroulements d'électro-aimants 52 et 53. Dans des posi- tions décalées de 90 par rapport à ces noyaux, sont dis- posés des noyaux de bobines 54 et 55 sur lesquels sont montés des enroulements d'électro-aimants 56 et 57. Les noyaux de bobines 54 et 55 sont prolongés à travers la pièce annulaire 33 et portent les piècespolaires 31 et 32 au-delà de cette pièce annulaire (voir figures 4 et ). Toutefois, les particularités de l'unité de focalisa- tion 3 et de l'unité de déviation 5 font partie de l'état de la technique de sorte qu'on peut se dispenser de s'étendre davantage sur leur sujet. Les noyaux de bobines 43 du dispositif multipo- laire 4 sont réalisés sous une forme feuilletée, ou en tôles de transformateurs, selon la fréquence avec laquel- le la correction de focalisation variable doit être exé- cutée. Ils permettent de cette façon de réaliser une cor- rection de focalisation avec la haute fréquence voulue qu'il ne serait pas possible de réaliser avec le disposi- tif de focalisation 3. Dans le cas d'un octopôle, le nom- bre des pôles magnétiques serait doublé comparativement à celui représenté sur la figure 6 et l'espacement des pôles serait de 45 . Dans les dispositifs multipolaires, les pôles de même nom sont placés face à face, de sorte que les champs magnétiques ne traversent pas l'axe A-A du canon diamétralement. D'un autre côté, deux bobines d'électro-aimants voisines sont parcourues par le cou- rant de manière à former des pôles opposés. Dans l'utili- sation d'un quadripôle, le circuit de commande 15 doit posséder deux sorties de courant indépendantes et, dans le cas de l'utilisation d'un octopâle, elle doit possè- der quatre sorties de courant indépendantes. z o2568720 Bien entendu, diverses modifications pourront être apportées par l'homme de l'art au dispositif qui vient d'être décrit uniquement à titre d'exemple non li- mitatif sans sortir du cadre de l'invention. 16 2568720 REVENDICATIONS R E V E N D I C A T I O N S 1 - Procédé de commande de l'état de focalisa- tion d'un faisceau d'électrons dévié périodiquement sur un grand nombre de positions de balayage discrètes conte- nues dans une surface cible commune, caractérisé en ce qu'au début, on ajuste l'état de focalisation du fais- ceau d'électrons sur une géométrie de tache focale prédé- terminée, dans chacune des positions de balayage discrè- tes, au moyen de champs de déviation variables, on mémo- rise les données de focalisation correspondant à cette géométrie de tache focale dans une mémoire, avec les don- nées de positions correspondantes et, pendant le fonc- tionnement, on appelle dans la mémoire, pour chaque posi- tion du faisceau, les données de focalisation correspon- dantes et on corrige la focalisation du faisceau en con- séquence. 2 - Dispositif pour la mise en oeuvre du procé- dé selon la revendication 1, utilisant un canon à élec- trons qui comprend un générateur de faisceau, une unité de focalisation et une unité de déviation servant à la déviation du faisceau dans les coordonnées X-Y dans les limites de la surface cible, et une unité de commande servant à dévier le faisceau d'électrons dans les diffé- rentes positions de balayage définies par les coordon- nées X-Y, en conservant des temps d'arrêt définis, carac- térisé en ce que: a) le canon à électrons (1) présente sur la tra- jectoire du faisceau d'électrons, un dispositif multipo- laire (4) au moyen duquel le faisceau d'électrons peut être corrigé en focalisation avec une fréquence pouvant atteindre 1 000 fz,et en ce que b) l'unité de commande (6) comprend des emplace- ments de mémoire (13) pour les coordonnées X-Y des posi- tions de balayage et des emplacements de mémoire (14) pour les données de focalisation appartenant à la posi- 17 2568720 tion de balayage, ainsi qu'un microprocesseur (7) au moyen duquel le mouvement du faisceau,qui l'amène aux différentes positions de balayage, et les temps d'arrêt ainsi que les états de focalisation dans les différentes positions de balayage peuvent être commandés d'après l'interrogation des emplacements de mémoire (13, 14). 3 - Dispositif selon la revendication 2, carac- térisé en ce que le dispositif multipolaire (4) est un dispositif quadripolaire. 4 - Dispositif selon la revendication 2, carac- térisé en ce que les pôles du dispositif multipolaire possèdent des noyaux de bobines (43) composés de tôles et des pièces polaires (44). - Dispositif selon la revendication 2, dans lequel le canon à électrons présente une cavité cylindri- que limitée par un tube de guidage du faisceau et un tu- be enveloppe et dans laquelle sont disposées l'unité de focalisation et l'unité de déviation, caractérisé en ce que le dispositif multipolaire (4) est disposé dans la même cavité (35), entre l'unité de focalisation (3) et l'unité de déviation (5).