FR 2569053 A1 19860214 FR 8412677 A 19840810 I La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, plus particulièrement un perfection- nement au mode de réalisation des lignes de connexion du dispositif à semiconducteurs lorsque celui-ci est réalisé, notamment, en utilisant les technologies couches minces ou des technologies simi- laires. Les procédés actuellement utilisés consistent principalement à déposer sur un substrat isolant, de préférence en verre, en céra- mique ou similaire, une couche de matériau actif, à délimiter simultanément ou postérieurement au dép8t un ou des éléments actifs, à déposer à partir des éléments actifs des lignes de connexion et enfin à réaliser les plots de contact. Différentes techniques peuvent être utilisées pour le dép8t de la couche de matériau actif, telles que l'évaporation sous vide, le dép8t chimique ou similaire. Toutefois, quelle que soit la technique de dép8t utilisée, la délimi- i.5 tation des éléments actifs est réalisée en utilisant des masques. On observe donc entre les éléments actifs et le substrat une différence de niveau comme représenté sur la figure I qui concerne un élément photoconducteur I en sélénlure de plomb réalisé sur un substrat 2 en quartz dépoli. Dans ce cas, la différence de niveau présente une épaisseur e d'environ 2 p. Il en résulte que les lignes de connexion 3 sont réalisées sur des surfaces se trouvant à deux niveaux différents, ce qui entraine le passage de marches d'épaisseur non négligeable. Ces lignes de connexion étant, de préférence, réalisées par évapo- 2S ration sous vide d'un métal conducteur, on observe très souvent au niveau de la marche des problèmes de coupure ou d'uniformisation du dép8t entrainant la création d'une résistance série. De plus, les lignes de connexion 3 sont réalisées de préférence en or. Cependant l'or adhère difficilement sur le substrat isolant. Il est donc nécessaire de prévoir une couche d'accrochage 4 entre le substrat et la couche d'or. Cette couche d'accrochage est, de préférence, réalisée en chrome. Or cette couche d'accrochage est aussi déposée sur le matériau actif et il en résulte qu'elle est génératrice de bruit. La présente invention a donc pour but de proposer un perfec- tionnement au procédé connu de fabrication d'un dispositif à semi- conducteurs qui permet de résoudre les problèmes ci-dessus. En conséquence, la présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs comportant sur un substrat, au moins des éléments actifs, des lignes de connexion et des plots de contact caractérisé en ce que: - on dépose sur le substrat, de manière connue, au moins une couche d'un matériau actif, - on délimite dans la couche de matériau actif, simultanément ou postérieurement au dép8t, des zones actives correspondant aux éléments actifs et passives correspondant aux lignes de connexion, puis - on réalise, de manière connue, les lignes de connexion sur les zones passives et les plots de contact. Dans ce cas, les lignes de connexion sont réalisées sur des zones présentant la même épaisseur que les éléments actifs. Il n'y a donc plus de problème de marches. D'autre part, les lignes de connexion sont réalisées, de préférence, en un métal conducteur présentant une bonne adhérence avec le matériau actif. En consé- quence, il n'est plus nécessaire de prévoir une couche d'accrochage entre le matériau actif et la couche métallique réalisant les lignes de connexion. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description de divers modes de réalisation faite avec référence aux dessins ci-annexés dans les- quels: - la figure 1, déjà décrite, est une vue en perspective schématique agrandie d'un élément photoconducteur réalisé selon le procédé de l'art antérieur, - la figure 2 est une vue en perspective schématique agrandie d'un élément photoconducteur réalisé selon le procédé de la présente invention, et - la figure 3 est une vue en coupe par Il-II de figure 2. Dans les figures, les mêmes éléments portent les mêmes références. D'autre part pour des raisons de clarté, les cotes et proportions des divers éléments n'ont pas été respectées. Le procédé de fabrication conforme à la présente invention est décrit en se référant à la réalisation d'un élément photoconducteur comme représenté sur les figures 2 et 3. Toutefois, il est évident pour l'homme de l'art que ce procédé peut être utilisé lors de la fabrication de tout dispositif à semiconducteurs dont les éléments actifs doivent être connectés à des plots de contact ou à d'autres éléments et présentent une surépaisseur par rapport au substrat. Pour réaliser un élément photoconducteur en séléniure de plomb par exemple, conformément au procédé de la présente invention, on dépose tout d'abord sur l'ensemble du substrat 2 en quartz dépoli, une couche de séléniure de plomb présentant une épaisseur d'environ 2 p. Ce dépôt est réalisé de manière classique par réaction de la sélénourée sur l'acétate de plomb. Ensuite, on délimite chimiquement en utilisant un masque, des zones actives I correspondant à lélément photoconducteur et pas- sives 1' correspondant aux lignes de connexion. De manière plus spécifique, les zones actives et passives sont délimitées par photo- gravure en utilisant des masques au chrome et une gravure par le brome dl séléniure de plomb. On dépose, alors, par évaporation sous vide par exemple, une couche uniforme d'un métal conducteur tel que de l'or présentant une épaisseur d'environ 2000 R. Puis on délimite par photogravure les lignes de connexion 3. 09 I:On réalise enfin les plots de contact. Pour cela, on effectue à travers un masque délimitant la surface de base des plots, le dép8t par évaporation sous vide d'une couche d'accrochage 4 lorsque le plot de contact est réalisé en partie sur le substrat comme repré- senté sur les figures 2 et 3. Cette couche d'accrochage peut être réalisée en chrome, en titane ou en molybdène. Ce mode de réalisation préférentiel du plot de contact permet d'obtenir des plots de contact plus rigides. Toutefois, il est aussi possible de réaliser les plots de contact uniquement sur l'extrémité des zones passives 1' sans dépSt de couche d'accrochage. Sur la couche d'accrochage, on dépose ensuite sur une épais- seur de 10 j environ une couche d'un métal conducteur tel que l'aluminium, réalisant le plot de contact proprement dit. Ensuite, l'ensemble du dispositif à l'exclusion des plots de contact peut être recouvert par évaporation sous vide par exemple, d'une couche de passivation 6 en séléniure d'arsenic dans le présent cas. Avec le procédé de la présente invention, les lignes de connexion sont déposées sur une zone d'épaisseur uniforme. D'autre part, les lignes de connexion sont généralement réalisées en un métal présentant une bonne adhérence avec le matériau actif. De ce fait, il n'est pas nécessaire de prévoir une couche d'adhérence entre la zone passive et les lignes de connexion ce qui diminue le bruit. Il est évident pour l'homme de l'art que les méthodes de dépôt, les matériaux et les épaisseurs des différentes couches ainsi que la nature du substrat ont été donnés uniquement à titre d'exemple et ces différents paramètres peuvent être modifiés sans sortir du cadre de la présente invention. D'autre part, le mode de réalisation décrit ne comporte qu'une seule couche active, il est évident pour l'homme de métier que la présente invention peut aussi s'appliquer à des dispositifs com- portant plusieurs couches actives en des matériaux différents. S REVENDICATIONS I. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs comportant sur un substrat (2), au moins des éléments actifs (1), des lignes de connexion (3) et des plots de contact (5) caractérisé en ce que: - on dépose sur le substrat (2), de manière connue, au moins une couche d'un matériau actif, - on délimite dans la couche de matériau actif, simultanément ou postérieurement au dépôt, des zones actives (1) correspondant aux éléments actifs et passives (!') correspondant aux lignes de con- nexion, puis - on réalise, de manière connue, les lignes de connexion (3) sur les zones passives (1') et les plots de contact. 2. Procédé selon la revendication I caractérisé en ce que les plots de contact sont réalisés sur l'extrémité des lignes de con- I nexion. 3. Procédé selon la revendication I caractérisé en ce que les plots de contact sont réalisés à la fois sur l'extrémité des lignes de connexion et sur le substrat. 4. Procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce que, avant de réaliser les plots de contact, on dépose sur la surface correspondant aux plots, une couche d'accrochage (4). 5. Procédé selon la revendication I caractérisé en ce que les zones actives et passives (1, 1') sont délimitées par masquage. 6. Procédé selon la revendication I caractérisé en ce que les opérations de dép8t et de délimitation des zones actives et passives sont recommencées plusieurs fois avec des matériaux actifs dif- férents.