FR 2561470 A1 19850920 FR 8503586 A 19850312 1 PHN 10 973 FILTRE TRANSVERSAL A COUPLAGE DE CHARGES L'invention concerne un filtre transversal à couplage de charges comportant un dispositif à couplage de charges constitué par plusieurs étages disposés en série, et comprenant des premiers moyens d'application d'un signal d'entrée, des deuxièmes moyens servant à for- mer à partir de ce signal d'entrée plusieurs signaux pondérés en mul- tipliant le signal d'entrée par des facteurs de pondération et à intro- duire les signaux pondérés en parallèle dans lesdits étages du disposi- tif à couplage de charges, et des troisièmes moyens servant à transporter les signaux introduits à travers le dispositif à couplage de charges vers une sortie qui est reliée à des moyens de lecture, dispositif à couplage de charges qui est du type à canal enterré et qui comporte un canal de transport de charges situé sur une surface d'un corps semi-conducteur et affectant la forme d'une couche superficielle essentiellement du pre- mier type de conductivité qui peut être appauvrie sur toute son épais- seur et est munie d'une rangée d'électrodes appartenant auxdits troi- sibmes moyens et comportant un groupe de zones superficielles du second type de conductivité qui sont associées chacune à l'un desdits étages du dispositif à couplage de charges alors que dans ou sur chacune de ces zones superficielles, est formée une zone du premier type de conducti- vité qui est séparée de la couche semiconductrice du premier type de conductivité par une partie intermédiaire de la zone superficielle cor- respondantedu second type de conductivité. Des filtres transversaux à couplage de charges sont fréquem- ment décrits dans la littérature. Le plus souvent, on utilise un dispo- sitif à couplage de charges DCC qui est constitué par des éléments MOS. Dans ce dispositif, les électrodes servant b stocker et à transporter des paquets de charges sont réalisées sous la forme de couches conductrices recouvrant une mince couche d'oxyde au-dessus du canal de transport de charges. Dans un mode de réalisation compact, les signaux d'entrée sont appliqués en série à l'entrée du DCC et les signaux de sortie pondérés sont prélevés en parallèle sur les différents étages du DCC et sont som- més dans un dispositif sommateur. Un filtre transversal à couplage de charges du genre décrit dans le préambule est connu entre autres de l'article "A PISO JCCD Fil- ter iith High-Speed Linear Linear Charge Injection" de E.A. Wolsheimer, publié dans IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-18, N 2, 2 PHN 10 973 avril 1983, pages 193 à 200. Dans ce dispositif, on utilise un DCC du type à canal enterré dans lequel le canal de transport de charges est formé dans une couche épitaxiale de type n qu'on a fait croître sur un substrat de type p. Les électrodes sont constituées par des zones superficielles de type p formant des jonctions pn de la couche épi- taxiale. A cause de ces jonctions, ce dispositif est appelé DCCJ (DCC à jonctions). En fonctionnement, les jonctions sont polarisées dans le sens du blocage. Par opposition au filtre transversal conventionnel décrit ci- dessus, il est formé à partir de chacun des signaux d'entrée une pluralité de signaux pondérés qui sont appliqués en paralieie au DCC, sont décalés à travers le canal de transport de charges et sont sommés dans le DCC avec des signaux pondérés déjà introduits préala- blement. Les signaux sommés sont transportés par le canal vers la sortie du canal o les signaux de sortie peuvent être prélevés en sé- rie (PISO parallel in - serial out, entrée en parallèle - sortie en série) . Ce dispositif connu présente entre autres l'avantage que pour sa fabrication, on peut mettre en oeuvre une technique bipolaire, de sorte que le filtre peut être intégré conjointement avec un circuit bipolaire sur un corps semiconducteur commun. Pour l'introduction des signaux d'entrée pondérés, des zones de type n peuvent être for- mées dans les zones de type p correspondantes, ce qui permet d'obtenir une structure de transistor bipolaire dans laquelle la zone de type n sert d'émetteur, la zone superficielle de type p formant une électro- de DCC sert de base et la partie sous-jacente du canal de type n de transport de charges sert de collecteur. Dans la publication précitée, est indiquée une méthode permettant d'introduire les signaux pondérés comme des courants d'émetteur dans les étages d'entrée du DCC. Dans ce filtre connu, une conversion tension-courant, est effectuée pour chaque étage d'entrée. Conjointement avec les coef- ficients de filtrage ou facteurs de pondération formés en dehors du DCC, cette méthode nécessite une importante électronique périphérique. De plus, on utilise deux lignes DCCJ, l'une pour les facteurs de pondération positifs et l'autre pour les facteurs de pondération né- gatifs. L'invention concerne entre autres un filtre transversal à couplage de charges du genre décrit dans le préambule dont la struc- ture est plus simple et qui nécessite moins d'électronique périphé- rique. De plus, l'invention vise b fournir un tel filtre transversal 3 PHN 10 973 à couplage de charges dans lequel les étages à facteurs de pondération positifs et négatifs sont placés dans un DCCJ commun. L'invention se base entre autres sur l'idée qu'il est avan- tageusement possible de convertir d'abord le signal à filtrer en un cou- rant électrique et de répartir ce courant ensuite sur les différents étages dans un rapport qui est déterminé par les facteurs de pondération. Un filtre transversal à couplage de charges conforme à l'in- vention est remarquable en ce qu'il est prévu des moyens de conversion du signal d'entrée en un courant électrique dont l'intensité est déter- minée par l'amplitude du signal d'entrée, en ce que les surfaces des zones du premier type de conductivité déterminent Iesdits facteurs de pondération et en ce ces zones sont reliées en commun à un noeud auquel est fourni ledit courant. L'invention permet une simplification considé- rable du circuit du fait que pour ledit nombre d'étages, il ne faut qu'une seule conversion tension-courant et qu'en plus, il n'est pas nécessaire de réaliser les facteurs de pondération comme des éléments séparés mais qu'ils peuvent être intégrés dans le DCC lui-même. Un mode de réalisation préférentiel qui présente l'avantage d'une structure particulièrement compacte du fait qu'on n'a besoin que d'un seul DCC pour les coefficients positifs et négatifs, est remarqua- ble en ce qu'en plus dudit groupe de zones superficielles du second type de conductivité, appelé ci-après premier groupe, la rangée d'élec- trodes comporte un second groupe de zones superficielles du second type de conductivité qui sont également associées chacune à l'un desdits étages du dispositif à couplage de charges et en ce que dans ou sur chacune de ces zones superficielles, est également prévue une zone du premier type de conductivité qui est séparée de la couche semiconduc- trice du premier type de conductivité par une partie intermédiaire de la zone superdicielle correspondante du second type de conductivité, la surface de chacune de ces zones du premier type de conductivité déter- minant l'un desdits facteurs de pondération et ces zones étant égale- ment reliées en commun à un noeud, dit second noeud, et en ce qu'il est prévu des moyens servant à fournir à ce second noeud un courant dont l'intensité est inversement proportionnelle à l'amplitude du signal d'entrée. La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple non limitatif, permettra de mieux compren- dre comment l'invention est réalisée. 4 PHN 10 973 La figure 1 est un schéma d'un filtre transversal à un couplage de charges conforme à l'invention. La figure 2 est une coupe longitudinale d'un mode de réalisation de ce filtre. La figure 3 est une vue de dessus de l'exemple de la figure 2. Les figures 4 et 5 sont des coupes transversales du mode de réalisation de la figure 2. La figure 6 représente une partie du circuit de ce filtre. La figure 7 représente des tensions d'horloge avec lesquelles fonctionne le dispositif de la figure 2. La figure 8 représente les répartitions du potentiel dans le canal de transport qui apparaissent à ces tensions d'horloge. La figure 9 est une vue de dessus d'un deuxième mode de réalisation d'un filtre conforme à l'invention. La figure 10 représente le circuit du dispositif de la figure 9. La figure 11 est le schéma de montage d'un troisième mode de réalisation d'un filtre conforme à l'invention. La figure 12 représente le schéma de montage d'un quatrième mode de réalisation d'un filtre conforme à l'invention. Là figure 1 est le schéma de principe d'un filtre trans- versal à couplage de charges du type de l'invention. Le dispositif comporte un dispositif à couplage de charges 1 dans lequel le trans- port de charges s'effectue de gauche à droite, le signaux de sortie pouvant être prélevés sur la sortie 2. Le dispositif 1 a été représenté comme une série d'étages 3 entre lesquels s'effectue le transport de charges. Les étages sont munis d'entrées parallèles 4 à travers les- quelles des signaux d'entrée peuvent 8tre appliqués en parallèle. Ces signaux d'entrée sont déduits du signal à filtrer S par multplication du signal S par les facteurs de pondération ao0, a1, a2 etc. Le signal de sortie Vout disponible à l'instant t s'exprime donc par: N Vout =:- a S(tnT) n=o T étant le retard pour chaque étage. Les coefficients ao...an peuvent être déduits de la caractéristique de filtre souhaitée. PHN 10 973 La figure 2 est un schéma d'un tel filtre transversal à entrée parallèle et à sortie série conforme à l'invention. Le dispo- sitif à couplage de charges qui, sur cette figure, a été représenté. schématiquement et en coupe transversale, est du type DCCJ décrit dans la publication déjà citée. Une vue en plan schématique d'une partie de ce dispositif à couplage de charges avec quelques coupes dans un sens perpendiculaire au dispositif à couplage de charges, est représentée sur les figures 3 à 5. Le dispositif est formé dans un corps semiconducteur 6 auquel on peut donner une structure communément utilisée pour des cir- cuits intégrés bipolaires conventionnels et comportant un substrat 7 en silicium de type p et une couche 8 en silicium de type n formée par croissance épitaxiale sur ce substrat. Le canal-enterré du DCCJ est constitué par une partie 9 en îlot de la couche 8 qui est limitée laté- ralement par l'isolation d'îlot 10. Dans l'exemple de réalisation envi- sage, l'isolation d'îlot est formée par une zone de type p s'étendant à partir de la surface du corps semiconducteur jusqu'au substrat 7 tout en traversant la couche épitaxiale 8. De toute évidence, l'invention n'est pas limitée à cette réalisation. Il est clair qu'on peut aussi utiliser avantageusement d'autres techniques d'isolation d'îlot connues en soi dans lesquelles la zone 10 de type p est remplacée, par exemple, par une configuration d'oxyde de silicium ou des gorges. Au lieu d'élec- trodes MOS, qui sont utilisées normalement pour l'application de ten- sions d'horloge, les électrodes sont formées par des régions 12, 13, 14 et 15 de type p séparées du canal 9 de type n par des jonctions pn 16. Comme le montrent la vue en plan de la figure 3 et les coupes transver- sales des figures 4 et 5, les zones 12 à 15 s'étendent sur presque toute la largeur du canal 9. Dans le cas o l'isolation d'îlot est constituée d'un matériau diélectrique (du SiO2 par exemple) ou de gorges, les zo- nes 12 à 15 peuvent s'étendre sur toute la largeur du canal (îlot) 10. Toutefois, dans le cas envisagé, dans lequel l'isola- tion d'îlot est constituée d'une zone de type p, on a laissé entre la zone 10 et les électrodes 12 à 15 un espace 18 dont la largeur doit être au moins assez grande pour permettre d'éviter l'effet de percement aux tensions appliquées. En l'occurrence, on a donné une largeur de l'ordre de 4pm à l'espace 18. Pour l'obtention d'une bonne définitionde l'espace 18, la zone d'isolement 18 est constituée par deux parties, c'est-à-dire lOa et lOb. La partie lia, dite partie profonde, s'étend 6 PHN 10 973 à partir de la surface du corps semiconducteur jusqu'au substrat 7. Normalement, cette zone est déjà créée dans une étape préliminaire de la fabrication, par exemple immédiatement après la croissance de la couche épitaxiale 8. La zone lob chevauche sur la zone l0a et dépasse partiellement du bord de la zone 10a, au moins le long du bord de l'îlot 9. La zone lob, qui définie l'espase 18 conjointement avec les électrodes 12 à 15, est créée simultanément avec les électrodes 12 à et est définie simultanément avec les électrodes 12 à 15 dans le même masque. De ce fait, les tolérances à respecter pour l'espace 18 peuvent être plus faibles que dans le cas o l'isolation d'îlot 10 ne serait constituée que par la zone profonde 10a, comme il est usuel dans des îlots conventionnels. Le dispositif à couplage de charges fonctionne comme un dispositif tétraphasé-quasi biphasé. Les électrodes 12 et 14 font fonction d'électrodes de transfert et ont une largeur relativement fai- ble (par exemple de lOum environ). Les électrodes 13 et 15 font fonc- tion d'électrodes de stockage et ont une largeur de l'ordre de 20/um. De façon usuelle, les électrodes sont reliées à des lignes d'horloge à 23 pour l'application des tensions 0 ' 02' 03 et 04. Les lignes d'horloge 21, 22 et 23 sont constituées par des bandes qui sont formées à partir d'une premièrecouche de câblage en A1 par exemple et qui, comme le montrent les figures 3 à 5, sont reliées directement aux zo- nes (électrodes) 12 à 14 à travers des ouvertures pratiquées dans la couche d'oxyde 24 recouvrant la surface. La ligne d'horloge 23 comporte également une bande d'Al formée à partir de la première couche de câ- blage et reliée aux électrodes (zones) 15 par une liaison de croisement. Cette liaison de croisement comprend une bande 25 située dans une se- conde couche de câblage en A1 par exemple qui est séparée de la couche de câblage inférieure par une couche isolante 26. A travers des ouver- tures de contact pratiquées dans la couche 26, la couche 25 est reliée, d'un côté, à la ligne d'horloge 23 et, de l'autre côté, à la zone 15. Comme le montre la figure 5, pour établir le contact entre la couche et les électrodes 15, on a prévu une plage en A1 27 réalisée dans la couche de câblage inférieure et offrant quelques avantages relatifs à la technique de fabrication, plage qui, de toute évidence, n'est pas essentielle. L'étage de sortie 31 peut être de type conventionnel et comporter une zone 32 de type n sur laquelle peut être stockée la 7 PHN 10 973 charge à lire. A cet effet, la zone 32 peut être reliée à l'entrée d'un amplificateur suiveur de source 33 par exemple qui est muni d'une borne de sortie 34 sur laquelle peuvent être prélevés les signaux de sortie. De plus, la zone 32 est reliée à une région d'électrode principale d'un transistor de rétablissement 35 dont l'autre région d'électrode principale peut être branchée sur une tension de référence convenable Vres. L'ouverture et la fermeture du transistor peuvent s'effectuer à l'aide de la tension d'horloge 0r appliquée à la grille (base) du transistor 35. Sur la figure 5, les transistors 33 et 35 sont repré- sentés comme des transistors dits JFET dont le transistor 35 peut être réalisé le cas échéant dans l'îlot (canal) 9 lui-même mais peut éga- lement être situé dans un autre îlot formé dans le corps semiconducteur. Le transistor 33 est réalisé dans un îlot séparé. De plus, il est clair qu'on peut également utiliser des types de transistor autres que les JFET 33 et 35, tels que des transistors bipolaires. Entre la dernière électrode d'horloge (zone) 15 et la (zone) 32 de type n, est interposée une électrode supplémentaire, formée par une zone 36 de type p, à laquelle est appliquée une tension constante Vd.c. et qui évite la diaphonie entre les tensions d'horloge et la sortie. La valeur de Vdc. peut être choisie de façon simple par l'homme de l'art entre le haut niveau et le bas niveau de la tension d'horloge appliquée aux électrodes 15. Les étages d'entrée à travers lbsquels sont introduits les signaux d'entrée pondérés sont entièrement intégrés aux électrodes 13. A cet effet, dans les zones 13 de type p associées à ces étages d'entrée, on a formé des zones superficielles 37 de type n qui à tra- vers une connexion 38 sont reliées en commun à une source de courant 39 permettant de fournir un courant dépendant du signal. Les zones 37 for- ment chacun l'émetteur d'une structure de transistor bipolaire dont la base est formée par la zone 13 de type p et le collecteur par la par- tie sous-jacente du canal 9. Dans le dispositif conforme à l'invention, les facteurs de pondération indiqués par ao, al,... aN sur le schéma de la figure l, sont déterminés par les étendues des surfaces d'émet- teur des zones 37. A titre d'exemple, dans la vue en-plan de la figure 3 qui ne représente que trois étages d'entrée, on a donné aux émetteurs des longueurs qui vont en augmentant de gauche à droite. Etant donné que pour l'obtention de la technique de filtrage souhaitée, l'exis- 8 PHN 10 973 tence d'un rapport précis entre les surfaces d'émetteur est d'un grand intérêt, il est avantageux que, pour des longueurs différentes, les émetteurs 37 présentent à peu près la même largeur. Puisque les émetteurs 37 sont interconnectés, tout comme les zones de base 13, les tensions d'émetteur-base dans les dif- férents transistors sont égales et les rapports entre les courants dans les différents étages sont entièrement déterminés par les rapports existant entre les surfaces d'émetteur des zones d'émetteur 37. Par conséquent, les facteurs de pondération ao0, al, a2,... sont entièrement intégrés au dispositif à couplage de charges et ne nécessitent pas de moyens supplémentaires 4 prévus en dehors du dispositif à couplage de charges. De plus, il suffit d'effectuer une seule conversion signal- courant, ce qui par rapport au dispositif connu décrit dans le préam- bule, signifie une simplification considérable. La figure 6 représente la structure du circuit du fil- tre. Les zones 13 de type p et la zone 37 de type n sont ici représen- tées comme des zones de base at des zones d'émetteur de trois transis- tors dent les bases sont attaquées en commun par l'horloge 02' Sur cette figure, pour indiquer la différence de taille entre les émetteurs, le transistor de gauche est muni d'un émetteur, le transistor central de deux émetteurs et les transistors de droite de trois émetteurs. Dans le schéma de la figure 6, les moyens 39 fournissant un courant dépendant du signal sont constitués de façon simple par un transistor dont le collecteur est relié en commun aux émetteurs 37. Le signal d'entrée Vsign à filtrer peut être appliqué à la base. Il est évident que ce transistor peut être intégré au corps semiconducteur 1. En principe, pour le transfert de charges d'un étage à l'étage suivant, on peut utiliser tout schéma d'horloge à 4 phases connu. Toutefois, de préférence, comme dans l'exemple de réalisation envisagé, on utilise un schema d'horloge suivant lequel une tension constante est appliquée aux électrodes 13, ce qui évite dans la me- sure du possible que les tensions d'horloge n'exercent à travers les transistors 13, 37 un effet diaphonique sur l'injection de charges. Sur la figure 7 les tensions d'horloge sont représentées en fonction du temps t. Le dispositif fonctionne comme un dispositif tétraphasé quasi biphasé, les électrodes (zones) 12 et 14 faisant fonction d'élec- 9 PHN 10 973 trodes de transfert et les zones 13 et 15 faisant fonctiond'électrodesde stockage. Les électrodes 12 et 13 sont à un niveau fixe indiqué par 02 et 01 pour la facilité du dessin, 01 étant choisi légèrement inférieur à 02 par rapport à un niveau de référence Vo pour l'obtention d'une barrière de potentiel au-dessous des électrodes 12. Les signaux d'hor- loge 03 et g4 sont en phase, 03 étant à nouveau légèrement inférieur à 04 par rapport au niveau de référence V0. Les niveaux de tension de 01 et 02 sont situés à peu près au milieu entre les hauts niveaux et les bas niveaux 03 et de 04. La figure 8 représente l'allure de poten- tiel dans le canal 9, au dessous de plusieurs électrodes 12 à 15 et à deux instants t1 et t2. Sur cette figure, le potentiel est porté de laut en bas. A l'instant tl, 03 et ó4 sont au bas niveau de tension, i' sorte que des barrières de potentiel sont présentes au-dessous des électrodes correspondantes, tandis que des puits de potentiel sont pré- sents au-dessous des autres électrodes. Au-dessous de l'électrode 13, indiquée par 02 sur la figure 8, est présent un paquet de cherges 42 pouvant être constitué par une lcharge qui à partir d'étages précédents a été amenée au-dessous de cette électrode et une charge qui est amenée en fonction du signal d'entrée momentané présent à t1 et du facteur de pondération ai correspondant à cet étage. A l'instant t2, 03 et 04 sont au haut niveau de tension, c'est-à-dire à un niveau de tension supé- rieur à ceux de 03 et de 04 Au-dessous des électrodes 15 correspon- dant à 03' apparaissent alors des puits de potentiel, tandis que le potentiel au-dessous des électrodes 13, abstraction faite du changement de potentiel dû au transport de charges, n'a subi aucun changement. La charge 42 se déplace vers le puits de potentiel au-dessous des élec- trodes 15 (03). En même temps, en fonction du signal d'entrée momentané, une nouvelle charge peut être ajoutée au paquet. Cette addition s'ar- rête lorsque, au cours d'une étape suivante, la charge 42 est avancée vers un puits de potentiel situé au-dessous de l'électrode 13 suivante, c'est-à-dire lorsque 03 et CA passent à nouveau au bas niveau de ten- sion. Ce mode de fonetionnsment empêche presque entièrement les tensions d'horloge de provoquer une diaphonie dans les étages d'entrée du filtre et évite par conséquent la distorsion du signal d'entrée. De plus, il est possible d'utiliser 100 %' d'un cycle 256147È PHN 10 973 d'horloge pour l'échantillonnage. Dans l'exemple de réalisation envisagé, les facteurs de pondération ai, a2,... aN ont tous le même signe (le signe plus ou le signe moins). L'invention peut également être appliquée à des fil- tres transversaux ayant à la fois des facteurs de pondération pos5itifs et négatifs. Dans ce cas, on peut utiliser avantageusement deux dispo- sitifs à couplage de charges de la configuration précisée ci-de qus dont au moins un forme un dispositif sommateur pour les fecteu s de pondération positifs et l'autre un dispositif sommateur pour les fac- teurs de pondération négatifs et dont les sorties sont reliées, par exemple, aux entrées d'un amplificateur différentiel dont la sortie dé- livre le signal de sortie final filtré. En référence au mode de réalisation suivant, on va dé- crire un filtre transversal à facteurs de pondération positifs et né- gatifs ne comportant qu'un seul dispositif à couplage de charges. La figure 9 est une vue en plan schématique d'une partie d'un tel filtre. Sur ces figures, pour faciliter les choses, des parties correspondantes sont indiquées par les mêmes références que sur la figure 3. A nouveau, le dispositif comporte un canal (enterré) sous la forme d'un îlot 9 de type n dans lequel sont réalisées des zones superficielles 12 à 15 de type p faisant fonction d'électrodes d'horloge. Pour la clarté du des- sin, on n'a représenté que quelques-unes des électrodes 12, 14 et 15 et des électrodes 13 ne servant pas d'entrée. La plupart des électrodes ont été omises sur le dessin mais doivent être supposées présentes en- tre les électrodes représentées 13, 1 et 13, 2. Les électrodes sont re- liées aux lignes d'horloge 20 à 23 qui sont elles aussi représentées schématiquement et auxquelles peuvent être appliquées les tensions d'horloge 01 02' 03 et 04 de la figure 7. Sur la figure 9, les élec- trodes 13 qui font fonction d'entrée, sont divisées en deux groupes respectivement indiqués par 13, 1 et 13, 2. Les électrodes 13, 1 sont munies d'émetteurs 37, 1 reliés à un conducteur d'alimentation commun 50 Les électrodes 13,2 sont munies d'émetteurs 37,2 reliées aux régions d'alimentation communes 51. A nouveau, les tailles des émetteurs 37,1 et 37,2 déterminent les facteurs de pondération, les émetteurs 37,1 représentant les facteurs de pondération positifs et les émetteurs 37,2 les facteurs de pondération négatifs. Sur la figure 9, sont représentés trois étages ayant des facteurs de pondération positifs et deux étages ayant des facteurs négatifs, mais il est clair que ces 11 PHN 10 973 nombres peuvent également être différents. De plus, sur la figure 9, les facteurs de pondération sont alternativement positifs et négatifs mais, de toute évidence, il n'est pas nécessaire qu'il en soit ainsi. La figure 10 représente un schéma de montageanalogue au schéma de la figure 6, d'un filtre transversal ayant des coeffici- ents de pondération positifs et négatifs. La valeur des facteurs de pondération est représentée à nouveau par le nombre d'émetteurs 37 des transistors 52 et 52,2. Pour l'alimentation en courant, la conne- xion d'émetteur commune 50 de l'émetteur 37,1 est reliée au collec- teur du transistor 53. De la même manière, la connexion d'émetteur commune 51 des émetteurs 37,2 est reliée au collecteur du transistor 54. Du côté émetteur, les transistors 53 et 54 qui ont les mêmes dimen- sions, sont reliés en commun à une source de courant 55 à travers des résistances égales R/2. La base du transistor 54 est branchée sur une tension de référence convenablement choisie VO-. A travers la source de signaux 56, la base du transistor 54 est également branchée sur V O. En fonctionnement, si le signal d'entrée Us = 0, un courant I traverse chacune des deux branches. Si Us est différent de 0 g et positif, le transistor 53 sera parcouru par un courant légèrement plus grand, en fonction de la valeur de Us, tandis que le transistor 54 est parcouru par un courant également plus faible, La branche compor- tant le transistor 53 est alors parcourue par le courant Ig + ig, ig éLantle courant de signal et I étant un niveau de courant continu, g tandis que la branche comportant le transistor 54 est parcourue par un courant I - i. inversement, si le signal d'entrée Us est négatif, la branche comportant le transistor 53 est parcourue par un courant I - g ig, tandis que la branche comportant le transistor 54 est parcourue par un courant Ig + ig. g g' De cette façon, on peut obtenir pour les transistors 52, 1 et 52, 2 des courants de signal qui ont des signes opposés, le * courant continu I servant de niveau de référence. g La valeur de I peut être choisie par l'homme de l'art g d'une manière simple et en fonetion de la situation. En général, la va- leur minimale est déterminée par la valeur maximale de i g. La valeur 12 PHN 10 973 maximale de I sera généralement déterminée par la capacité de stockage g de charges dans le canal DCC. Les résistances R/2 intercalées dans le schéma de la figure 10 pour permettre d'obtenir un rapport linéaire Us - i doivent être de beaucoup plus grandes que l'impédance interne g de la jonction base-émetteur des transistors 53, 54, c'est-à-dire que ig doit être approximativement égal à Us et que, par conséquent R doit R être choisie de beaucoup plus grande que 2 KT, K étant la constante de 2 I g Boltzmann, T la température absolue, q la quantité élmentaire de char- ges et I le niveau de réglage de courant continu des transistors. g Dans des modes de réalisation pratiques des filtres transversaux ici décrits, la quantité maximale de charges pouvant être transportée par le canal CCD était de l'ordre de 0,25 pC. A une fré- quence d'horloge de 20 MHz, cela signifiait que le courant maximal d'injecteur n'était plus que de l'ordre de 5,jA. Dans un filtre trans- versal, ce faible courant doit être réparti proportionnellement aux valeurs de pondération sur les différents étages d'entrée DCC. Dans des filtres ayant de nombreux coefficients, la capacité totale d'in- jecteur peut être grande au point que la fréquence de coupure d'in- jecteur est inférieure aux fréquences de signal à traiter. En cas de besoin, on peut améliorer le comportement en fréquence en disposant un transistor de décharge en parallèle avec les injecteurs DCC et en faisant circuler un courant relativement grand à travers ce transistor de décharge. La figure 11 représente le schéma de montage d'un mode de réalisation d'un filtre transversal muni d'un tel transistor de décharge. A nouveau, les étages d'entrée du fil- tre sont représentés par des transistors 52 dont une pluralité d'émet- teurs représentent les valeurs des facteurs de pondération correspon- dants. Les émetteurs sont reliés en commun à la source de courant 57 qui fournit un courant Ig + ig, Ig étant un niveau de courant continu et i étant la composante de signal. Les bases 13 des transistors 52 g sont reliées à travers une source de tension de polarisation 58 à la base du transistor de décharge Q1i. La source de tension 58 fournit une tension VT = jT, j étant un coefficient de température convenablement choisi. Si l'on suppose que la surface d'émetteur totale des transis- tors est 52n x supérieure à celle de Qi' on peut écrire 13 PHN 10 973 ID = 1 qVT - - exp. ICED n kT nkT Ce rapport est pratiquement indépendant de la tempera- ture. De plus, on peut écrire. ICCD +ID = Ig De ces deux relations il résulte: CCD = 1qV.T I 1 + - exp g n kT Les composantes de signal iCCD et ig sont liées par la relation: iCCD 1 1 i 1 qV T jfT ig 1 + n exp kT I0 o j est le nombre imaginaire, f la fréquence et fT* la fréquence de coupure de l'ensemble du circuit. On peut déduire que fT est défini approximativement par: 'f fT* = Trrn ' fTQl * I9 ICCD fTQ1+ d TcD CCD o fT est la fréquence de coupure du CCD et fTQ la fréquence de CCD 1 coupure de Ql Pour un dimensionnement correct, on peut obtenir une va- leur fT* qui est beaucoup plus grande que fT * Si, par exemple, TCCD*, preepe dans un mode de réalisation spécifique dans lequel fT est JO,5 MHz CCD et ICCD 2/uA, on utilise un transistor de décharge Q1 dans lequel fTQ 50 MHtz et IQ1 = l0/uA, on obtient une fréquence de coupure fT de l'ordre 5,2 MHz. Une telle fréquence de coupure est suffisante pourde nombreuses applications. La figure 12 est le schéma de montage, analogue à celui 14 PHN10 973 de la figure 10, d'un filtre transversal ayant des facteurs de pondé- ration positifs et négatifs et muni de tels transistors de vidage Q1 et Q1' susceptibles d'augmenter la fréquence de coupure. Sur ce schéma, des parties correspondantes sont indiquées par les mêmes références que sur la figure 10. Pour la clarté du schéma, les transistors 52, 1 ap- partenant aux étages à facteurs de pondération positifs sont groupés dans la partie gauche du schéma, tandis que les transistors 52, 2 ap- partenant aux étages à facteurs de pondération positifs sont groupés dans la partie droite du dessin. Toutefois, il est clair que la répar- tition des étages à facteurs de pondération positifs et négatifs est entièrement déterminée par la caractéristique de filtre souhaitée. Au lieu d'tun seul transistor de décharge, le circuit comporte deux tran- sistors de décharge Q1 et Qi' pratiquement identiques. Le transistor Q1 est associé aux coefficients positifs et le transistor Q1' aux coef- ficients négatifs. Entre les bases de Q1 et de Qi' et les bases 13 des transistors 52 peut être appliquée une tension de polarisation au moyen de la résistance constante 60 et de la source de courant 61 dépendante de la température qui fournit un courant variant de façon linéaire avec la température 2, de sorte qu'aux bornes de la résistance 13, est appli- quée une tension VT dépendante de la température et correspondant à la tension VT sur la figure 11. Tout comme dans l'exemple de réalisation de la figure 10, la base du transistor 54 peut être branchée sur un ni- veau de référence convenablement choisi et le signal d'entrée, variant autour de cette valeur de référence, peut être appliqué à la base du transistor 53. Il est clair que l'invention n'est pas limitée aux exem- ples de réalisation ici décrits et que l'homme de l'art peut imaginer de nombreuses variantes sans sortir du cadre de l'invention. PHN 10 973 REVENDICATIONS 1.. Filtre transversal à couplage de charges comportant un dispositif à couplage de charges constitué par plusieurs étages disposés en série, et comprenant des premiers moyens d'application d'un signal d'entrée, des deuxièmes moyens servant à former à partir de ce signal d'entrée plusieurs signaux pondérés en multipliant le signal d'entrée par des facteurs de pondération et à introduire les signaux pondérés en parallèle dans lesdits étages du dispositif à couplage de charges, et des troisièmes moyens servant à transporter les signaux introduits à travers le dispositif à couplage de charges vers une sortie qui est reliée à des moyens de lecture, dispositif à couplage de charges qui est du type à canal enterré et qui comporte un canal de transport de charges situé sur une surface d'un corps semiconducteur et affectant la forme d'une couche superficielle essentiellement du premier type de conductivité qui peut être appauvrie sur toute son épaisseur et est munie d'une rangée d'électrodes appartenant auxdits troisièmes moyens et comportant un groupe de zones superficielles du second type de conductivité qui sont associées chacune à l'un desdits étages du dis- positif à couplage de charges, alors que dans ou sur chacune de ces zones superficielles, est formée une zone du premier type de conducti- vité qui est séparée de la couche semiconductrice du premier type de conductivité par une partie intermédiaire de la zone superficielle correspondante du second type de conductivité, caractérisé en ce qu'il est prévu des moyens de conversion du signal d'entrée et un courant électrique dont l'intensité est déterminée par l'amplitude du signal d'entrée, en ce que les surfaces des zones du premier type de conduc- tivité déterminent lesdits facteurs de pondération et en ce que ces zones sont reliées en commun à un noeud auquel est fourni ledit cou- rant. 2. Filtre transversal à couplage de charges selon la re- vendication 1, caractérisé en ce qu'en plus dudit groupe de zones su- perficielles du second type de conductivité, appelé ci-après premier groupe, la rangée d'électrodes comporte un second groupe de zones su- perfieielles du second type de conductivité qui sont également asso- ciées chacune à l'un desdits étages du dispositif à couplage de charges et en ce que dans ou sur chacune de ces zones superficielles, est éga- 16 PHN 10 973 lement prévue une zone du premier type de conductivité qui est séparée de la couche semiconductrice du premier type de conductivité par une partie intermédiaire de la zone superficielle correspondante du second type de conductivité, la surface de chacune de ces zones du premier type de conductivité formant les desdits facteurs de pondération et ces zones étant également reliées en commun à un noeud, dit second noeud, et en ce qu'il est prévu des moyens servant à fournir à ce second noeud un courant dont l'intensité est inversement proportionnelle à l'amplitude du signal d'entrée. 3. Filtre transversal à couplage de charges selon l'une des revendications i et 2, caractérisé en ce que lesdits moyens de conver- sion d'un signal d'entrée en un courant électrique comportent une source de courant fournissant un courant I indépendant du signal et en ce qu'il est prévu d'autres moyens servant à fournir une partie I + à I au premier noeud et une partie I - a I au second noeud, la partie de courant à I étant déterminée par l'amplitude du signal d'entrée. 4. Filtre transversal à couplage de charges selon la reven- dication 3, caractérisé en ce que lesdits autres moyens comportent deux transistors bipolaires dont les émetteurs sont reliés en commun à la source de courant et dont les collecteurs sont respectivement reliés au premier et au second noeud et en ce qu'il est prévu en outre des moyens de commutation pour appliquer entre les bases du premier et du second transistor une différence de tension variant de façon linéaire avec le signal d'entrée. 5. Filtre transversal à couplage de charges selon une ou plusieurs des revendications précédentes, caractérisé en ce que pour augmenter la fréquence de coupure, et ajouté au groupe d'étages d'en- trée à facteurs de pondération positifs et/ou au groupe d'étages d'en- trée à facteurs de pondération négatifs un transistor dont l'émetteur est relié au noeud qui est également relié aux zones superficielles cor- respondantes du premier type de conductivité et dont la base est reliée à des moyens servant à appliquer entre la base et les zones superfi- cielles correspondantes du second type de conductivité une différence de tension proportionnelle à la température absolue.