FR 2569280 A1 19860221 FR 8512499 A 19850819 La présente invention concerne la structure d'une cellule à cristal liquide conçue pour être utilisée comme dispositif d'affichage ou comme dispositif de modula- tion optique utilisant un effet électro-optique ou un effet thermooptique, et elle a trait plus particulière- ment à une cellule ou à un dispositif à cristal liquide conçu pour former une couche mince et uniforme de cristal liquide, en particulier une couche de cristal liquide ferro-électrique, et donc pour former une cellule à cris- tal liquide convenant à une réalisation sur une grande surface, ainsi qu'un appareil comportant une telle cellule ou un tel dispositif à cristal liquide. Jusqu'à présent, on connaît des procédés pour régler l'épaisseur d'une couche de cristal liquide dans une cellule à cristal liquide (cette épaisseur étant parfois appelée ci-après "épaisseur de la cellule" pour plus de commodité), parmi lesquels un procédé dans lequel l'épaisseur de la cellule est réglée à la périphérie de deux substrats ou plaques de base espacés et opposés, par mélange d'une matière formant un interstice dans un adhésif destiné à lier les substrats, et un procédé dans lequel une matière formant un interstice est dis- persée dans un cristal liquide. Ces procédés permettent de former une cellule ayant une épaisseur de l'ordre de 6 pm ou plus si la cellule est de faible surface, alors que les irrégularités de l'épaisseur, dues à des ondulations ou à un gauchissement des substrats, ne peu- vent être totalement évitées si la cellule est d'une grande surface. En outre, lorsqu'un dispositif à cristal liquide est préparé à l'aide d'un cristal liquide ferro- électrique dont le développement a fait l'objet de recher- ches étendues ces derniers temps, l'épaisseur opti- male de la couche de cristal liquide est souvent de l'ordre de 3 lm ou moins, compte tenu des caractéristiques de fonctionnement en tant que dispositif. Il est presque impossible de former une cellule dont l'épaisseur d'une telle couche mince de cristal liquide est uniforme. Plus particulièrement, on connaît divers dispositifs ou appareils d'affichage à haute densité d'éléments d'image, tels que ceux utilisant une structure d'électrodes matricielles passives ou une structure d'élec- trodes matricielles actives. La plupart de ces disposi- tifs d'affichage utilisent une fonction de modulation électro-optique d'un cristal liquide nématique torsadé. Cependant, un dispositif d'affichage utilisant une structure d'électrodes matricielles passives pose plusieurs problèmes tels que l'apparition de diaphonie ou une diminution du contraste due à un abaissement du coefficient d'utilisation lorsque le nombre de lignes de balayage augmente. Par ailleurs, on connaît un disposi- tif de balayage comportant une structure d'électrodes matricielles actives et utilisant un élément de commuta- tion (par exemple un transistor à couches minces) connecté à chaque élément d'image. Cependant, un tel dispositif d'affichage exige des étapes complexes de production de l'élément de commutation et, de plus, il est difficile à produire en grande dimension. Un dispositif conçu pour résoudre les problè- mes indiqués ci-dessus et qui a attiré l'attention est un dispositif à cristal liquide ferro-électrique, récem- ment décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N 4 367 924. On sait que ce dispositif à cristal liquide ferro-électrique possède une fonction de mémoire obtenue par réglage de l'épaisseur de la cellule afin de former une couche mince de 0,1 à 3 pm. Cependant, l'expérience a montré que si l'épaisseur de la couche de cristal liquide du dispositif à cristal liquide ferroélectrique possédant une fonction de mémoire comme décrit ci-dessus présente des irrégula- rites, il apparaît également d'importantes irrégularités affectant le fonctionnement, telles que la caractéristique de seuil et la vitesse de réponse. En particulier, des essais ont montré que la tolérance d'épaisseur doit être de 10 % ou moins en ce qui concerne une couche de cristal liquide d'une épaisseur de 1 pm, par exemple. Par contre, dans le cas d'un dispositif à cristal liquide mis en oeuvre dans le mode à cristal liquide nématique torsadé, l'interstice entre les substrats ou les plaques de base constituant une cellule est relati- vement épais, par exemple, de 6 & 10 Vm, et les caract6- ristiques de fonctionnement telles que la caractéristique de seuil et la vitesse de réponse du dispositif à cristal liquide en mode nématique torsadé ne changent pas de façon notable, même si certaines irrégularités affectent l'épaisseur de l'interstice. En conséquence, la technique classique d'assemblage des cellules, développée principale- ment pour le dispositif à cristal liquide en mode némati- que torsadé, n'a pas attiré l'attention de la même manière que l'assemblage d'une structure de cellule telle que décrite ci-dessus, exigeant à la fois une couche très mince et une grande uniformité d'épaisseur. En particulier, le dispositif à cristal liquide ferroélectrique mentionné ci-dessus à fonction de mémoire, tel que proposé dans le brevet N 4 367 924 précité, peut être appliqué à un visuel à grande surface (par exemple 30 cm ou plus en diagonale). L'assemblage de la structure d'une cellule capable de produire une grande image avec un interstice de 1 pm, par exemple,etunetolérance de 10 % ou moins, pose ses propres problèmes qui ne peuvent être résolus par l'application des techniques classiques d'assemblage de cellules. L'invention a pour objet une cellule à cristal liquide présentant une épaisseur qui est rendue uniforme par la suppression des irrégularités dues aux ondulations ou au gauchissement des substrats ou des plaques de base. L'invention a également pour objet une cellule à cristal liquide soustraite à l'influence des variations de températures et présentant une excellente stabilité vis-à-vis du milieu ambiant. L'invention a pour autre objet une cellule à cristal liquide comportant une couche de cristal liquide très mince qui ne peut être obtenue par la technique classique. L'invention a en outre pour objet une cellule à cristal liquide pouvant être produite à bon marché et avec une bonne productivité. Un autre objet de l'invention réside dans un dispositif à cristal liquide ferro-électrique présen- tant une structure de cellule ayant un espace très mince entre des plaques de base, cet espace étant de l'ordre de 0,1 à 3 Mm, et présentant également de très petites irrégularités. Conformément & un aspect de l'invention, i1 est prévu une cellule à cristal liquide du type compre- nant deux substrats disposés de façon à former un interstice entre eux, et un cristal liquide injecté par un orifice prévu à cet effet et retenu dans l'interstice entre les substrats; la cellule à cristal liquide comprend: des éléments d'écartement disposés sur au moins l'un des substrats, une région de couche de cristal liquide dont l'épaisseur est réglée par les éléments d'écartement, et un espace à pression réduite communiquant avec la région de la couche de cristal liquide. Conformément à un autre aspect de l'invention, il est prévu une cellule à cristal liquide comprenant: une structure comportant deux substrats dont au moins l'un est flexible, disposé de façon à former un interstice entre eux, et plusieurs éléments- d'écartement disposés entre les substrats afin de maintenir l'interstice, et un cristal liquide ferro-électrique renfermé dans la structure de la cellule, les éléments d'écartement étant disposés à une distance a (mm) l'un de l'autre, satis- faisant la relation: a a E substrat flexible. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: les figures 1, 2A et 3 sont, respectivement, des coupes d'une forme de réalisation de la cellule à cristal liquide selon l'invention, ces coupes étant paral- lèles au plan des substrats ou des plaques de base; la figure 2B est une coupe suivant la ligne B-B de la figure 2A; la figure 4A est une vue schématique en plan d'une autre forme de réalisation de la cellule à cristal liquide selon l'invention; la figure 4B est une coupe suivant la ligne A-A de la figure 4A; les figures 5 et 6 sont des schémas d'un circuit de commande utilisé dans la présente invention; et les figures 7 et 8 sont-des vues en perspec- tive schématique illustrant le principe de fonctionnement d'un dispositif à cristal liquide ferro-électrique utilisé dans la présente invention. La figure 1 est une coupe d'une premiere forme de réalisation de la cellule à cristal liquide selon l'invention, cette coupe étant réalisée parallèle- ment au plan des substrats ou des plaques de base afin de montrer l'intérieur de la cellule. Un substrat 11 est constitué, par exemple, d'une plaque de verre, d'une plaque de matière plastique rigide ou flexible, etc., le long du bord périphérique de laquelle est formé un élément adhésif 12 destiné à être lié à un substrat opposé (non représenté). Des éléments d'écartement 13 sont dis- posés sur la partie centrale du substrat 11 de façon à être entourés par l'adhésif 12 et à assumer la fonction de réglage de l'épaisseur de la couche de cristal liquide. Les éléments d'écartement 13 sont disposés suivant une configuration souhaitée, par exemple, par l'application d'un polyimide à une épaisseur prédéterminée, formant un revêtement qui est ensuite soumis à une photogravure. Autrement, le substrat 11 lui-même peut être gravé suivant une configuration tel qu'il subsiste les éléments d'écarte- ment 13. Un traitement d'orientation mono-axial tel qu'un frottement a été appliqué à l'un des substrats ou aux deux substrats, comme souhaité, afin d'orienter ou d'aligner le cristal liquide. Une région 14 de couche de cristal liquide est formée de façon à être définie par les élé- ments d'écartement 13 et elle est donc adjacente à ou en communication avec un espace 16 à pression réduite, par l'intermédiaire d'une interface 15. Cette couche 14 de cristal liquide peut être formée par injection d'un cristal liquide, par l'intermédiaire d'un orifice 17 prévu à cet effet, et obturation étanche de l'orifice à l'aide d'une pâte d'obturation. On peut utiliser, à titre d'exemple de matière du type cristal liquide, un cristal liquide ferro-électrique tel que celui du type "DOBAMBC". L'état d'orientation demandé pour le cristal liquide peut être obtenu par refroidissement progressif de ce cristal de sa phase isotropique à sa phase SmC. A titre de référence, lorsque la cellule à cristal liquide est utilisée comme dispositif électro- optique, des électrodes sont formées sur le substrat 11, mais elles ne sont pas représentées sur le dessin pour plus de clarté. La façon dont le cristal liquide est mis en place hermétiquement sera à présent expliquée plus en détail. Un substrat 11, sur lequel sont formes des éléments d'écartement 13, par exemple, et un substrat flexible oppose, tel qu'un film de polyester, sont liés l'un à l'autre à l'aide d'un adhésif 13 du type époxy, etc., afin de former une ébauche de cellule. Puis la cellule est maintenue dans une enceinte à vide afin que l'air soit suffisamment évacué de la cellule, et l'orifice 17 d'injection de la cellule est immergé dans un cristal liquide. Un gaz inerte tel que N2 est introduit dans l'en- ceinte à vide afin d'élever la pression extérieure de la cellule pour injecter ainsi le cristal liquide sous pression dans cette cellule. Lorsqu'une région prédé- terminée 19, par exemple, une région d'image d'tenviron mm x 100 mm, est remplie du cristal liquide, l'injec- tion est arrêtée et l'orifice 17 est obturé hermétique- ment. La cellule à cristal liquide ainsi formée est sou- mise, par l'espace 16 à pression réduite qu'elle conserve, à une force de compression suffisante, lorsqu'elle est placée dans un milieu à la pression atmosphérique, pour que le substrat opposé (non représenté) porte étroitement contre les éléments d'écartement 13 et que l'épaisseur soit uniforme sur une grande surface, même si cette épais- seur est très faible et descend, par exemple, à 3 im ou moins. En donnant à la couche de cristal liquide une épaisseur de 3 pm ou moins, on peut obtenir, comme décrit ci-après, une phase smectique chirale à texture non héli- coldale. L'espace à pression réduite a également pour fonction d'empêcher une variation locale de l'épaisseur de la cellule due a une dilatation ou à un retrait thermi- que du cristal liquide lorsqu'une cellule à cristal liqui- de est utilisée dans diverses conditions ambiantes. Le volume de l'espace à pression réduite permettant de réaliser les objets décrits ci-dessus peut avantageusement être égal à 1/1000 ou plus, et en particu- lier à 1/100 ou plus, du volume de la région de la couche de cristal liquide. En outre, sa limite supérieure ne doit pas dépasser une valeur entraînant une diminution notable de la surface utile d'affichage de la cellule à cristal liquide. La pression régnant dans cet espace peut être convenablement de l'ordre de 10 000 à 50 000 Pa. Les figures 2A et 2B représentent une deuxième forme de réalisation, encore plus perfectionnée, de la cellule à cristal liquide selon l'invention. La figure 2A est une coupe correspondant à la figure 1, et la figure 2B est une coupe suivant la ligne B-B de la figure 2A. Dans cette forme de réalisation, un substrat 21 présente un espace 26 à pression réduite sous la forme d'une gorge réalisée par gravure de la face intérieure de ce substrat, et il est lié à un substrat opposé 20. L'espace 26 à pression réduite, en forme de gorge, peut offrir un plus grand volume pour une petite surface de substrat et il offre donc suffisamment de temps pour choisir l'instant d'arrêt de l'injection du cristal liquide, de sorte que cette structure est propice à un accroissement de produc- tivité. La figure 3 est une coupe d'une troisième forme de réalisation de l'invention. Cette forme de réalisation comporte une partie étroite 35 de communication située entre une région 34 de couche de cristal liquide et un espace 36 à pression réduite de manière que la longueur du traJet entre la partie 35 de communication et l'orifice 37 d'injection soit égale à la longueur maximale du trajet prise dans la région 34 du cristal liquide à partir de l'orifice 37 d'injection. Grâce à cet agencement, il est possible d'éviter l'inconvénient qui apparaît lorsqu'un cristal liquide est introduit également dans l'espace à pression réduite en même temps qu'il est injecté dans la région souhaitée. Un élément 40 formant une gorge peut également être réalisé à proximité immédiate de la partie 35 de communication afin de rétrécir encore le canal de manière que l'air, qui reste en quantité plus ou moins grande dans l'espace 36 à pression réduite, ne puisse pénétrer dans la région du cristal liquide pendant l'utilisation de la cellule. L'élément 30 formant une gorge peut être réalisé en même temps que les éléments 33 d'écartement et dans la même matière que ces éléments. Il convient également de noter qu'il est souhaitable d'introduire un autre gaz approprié, par exemple un gaz inerte tel que N2, C02, Ar et Ne, à la place de l'air dans l'espace précité à pression réduite 16, 26 ou 36. A cet effet, on établit le vide à l'intérieur de la cellule, puis on y introduit un gaz souhaité jusqu'à une pression prédéterminée comprise avantageusement entre et 10 000 Pa, cette introduction étant suivie d'une injection du cristal liquide pour élever la pression intérieure de la cellule jusqu'à une valeur prédéterminée, inférieure à 100 000 Pa, par exemple comprise entre 000 et 50 000 Pa. Puis la cellule est obturée herméti- quement et la pression ambiante entourant la cellule est élevée jusqu'à la valeur normale. Comme décrit ci-dessus, conformément à l'inven- tion, il est prévu une cellule à cristal liquide dans laquelle un espace à pression réduite est établi afin de communiquer avec une couche de cristal liquide, en même temps que l'épaisseur de la cellule est réglée par la mise en place d'éléments d'écartement dans la région du cristal liquide. En conséquence, deux substrats sont maintenus étroitement et de façon contiguë aux éléments d'écartement, de sorte que l'on obtient une cellule à cristal liquide présentant d'excellentes caractéristiques, dont l'épaisseur est établie à une valeur constante et n'est pas affectée par des variations de températures, 256928.0 etc., même lorsque cette cellule présente une grande surface et qu'au moins l'un des substrats est flexible. Dans un dispositif d'affichage comprenant une structure de cellule dans laquelle l'un des deux substrats entrant dans la constitution de la cellule est un substrat flexible qui est maintenu étroitement collé à des éléments d'écartement, et une structure d'élec- trodes matricielles passives, une défaillance de connexion électrique peut apparaître lorsqu'une connexion électrique d'un circuit extérieur de commande et des électrodes formées sur le substrat flexible est réalisée au moyen d'une matière conductrice anisotrope. En particulier dans le cas o une pression est appliquée extérieurement au dispositif d'affichage, le substrat flexible est défor- mé, de sorte que la connexion avec le circuit extérieur peut être arrachée et/ou que le conducteur peut être rompu. En particulier, étant donné que le nombre de fils ou de conducteurs de câblage augmente et que le nombre de bornes par unité de longueur augmente lorsque la den- sité des éléments d'image augmente aussi, la possibilité d'une mauvaise connexion électrique et/ou d'une rupture de conducteur croît. Pour résoudre ce problème, la présente inven- tion propose en outre une structure comprenant un premier substrat non flexible portant un premier groupe d'élec- trodes, un premier circuit de commande connecté au premier groupe d'électrodes et un second circuit de commande; un second substrat flexible comportant un second groupe d'électrodes; et un cristal liquide ferro-électrique disposé entre les premier et second substrats, le second groupe d'électrodes étant connecté au second circuit de commande et les premier et second circuits étant con- nectés à un circuit extérieur. Les figures 4A et 4B représentent une cellule à cristal liquide comprenant une ébauche 100 de cellule 69280 et un cristal liquide ferro-électrique 113 renfermé hermé- tiquement à l'intérieur de la cellule, la structure 100 de la cellule comprenant des substrats 101 et 102, un espace ou interstice maintenu entre les substrats et des éléments d'écartement 111 destinés à maintenir cet interstice. L'interstice formé entre les substrats 101 et 102 est fermé hermétiquement par un élément 110 d'obtu- ration, de façon que l'on obtienne une structure scellée ou fermée hermétiquement. Le substrat 101 doit avantageuse- 10. ment être transparent, présenter une anisotropie optique et avoir également une résistance suffisante pour rendre la structure 100 de cellule auto-portante. Le substrat peut avantageusement être une plaque de verre d'une épais- seur d'environ 1 à 5 mm, avantageusement d'environ 0,3 à 2 mm, bien que cette épaisseur dépende de l'étendue du substrat. On forme sur le substrat 101 un film conduc- teur transparent, par exemple, en oxyde d'étain, en oxyde d'indium et en ITO (oxyde d'indium et d'étain), sous la forme de bandes, et d'autres éléments d'écartement 111 à une épaisseur de l'ordre de 0,1 à 3 bmo On peut réaliser les éléments d'écartement 111 en formant d'abord un film d'une matière filmogène comprenant une résine ou une réserve photochimique telle qu'un polyamide, un polyamide ou un alcool polyvinylique, et une matière isolante inorganique telle que SiO2 ou TiO2 qui peut être mise en forme de film par dép6t en phase vapeur, à une épaisseur de l'ordre de 0,1 à 3 im, puis en soumettant le film à une gravure ou attaque chimique conformément à une technique photolithographique prédéterminée afin que l'on obtienne une forme souhaitée telle que des bandes, un réseau maillé ou des bandes croisées, ou encore des points. Il est avantageux d'utiliser une résine photodur- cissable comme matlière filmogène dans la préparation des éléments d'écartement 111, car la résine photodurcis- sable peut être façonnée directement en éléments d'écarte- ment 111 sans que l'on utilise séparément une réserve photochimique. Il est approprié de régler l'écartement des éléments d'espacement adjacents à 2 mm ou moins, avantageu- sement à 800 Vm ou moins. Plus particulièrement, des éléments d'écartement ou d'espacement en bandes adjacentes sont écartés les uns des autres d'une distance de 2 mm ou moins, avantageusement de 800 pm ou moins. Dans le cas d'éléments d'espacement formant un réseau maillé, le grand côté d'une maille doit avoir une longueur de 2 mm ou moins, et avantageusement de 800 Ipm ou moins. En outre, les éléments d'écartement en forme de points doivent être espacés les uns des autres d'une distance de 2 mm ou moins, et avantageusement de 800 pm ou moins. On dispose en outre sur le substrat 101 un circuit 105 de commande destiné à appliquer des signaux de commande aux électrodes 103, et un circuit 106 de commande destiné à appliquer des signaux d'informations à des électrodes 104 décrites ci-après. Les circuits et 106 de commande peuvent être formes de transistors à couches minces comprenant des éléments semi-conducteurs en silicium amorphe, en silicium polycristallin, en sélé- niure de cadmium, etc. Les lignes des sources et les lignes des grilles des circuits de commande 105 et 106 sont connectées à des bornes 108 et 109, respectivement, disposées de façon convergente sur le substrat 101. Apres que les électrodes 103 et les éléments d'espacement 111 précités ont été formés sur le substrat 101, on donne à ce dernier un effet de commande d'orienta- tion pour un cristal liquide ferro-électrique qui sera appliqué en contact avec le substrat, en formant un film de polyimide, d'alcool polyvinylique, etc., et en frottant la surface du film, ou bien en formant un film de SiO2 par dépôt oblique en phase vapeur. Le substrat 101 peut être formé d'une plaque de verre non flexible, comme décrit ci- dessus, ou bien d'une plaque flexible telle que celle utilisée pour un substrat 102 décrit ci-dessous. Le substrat flexible 102 peut être constitué, par exemple, d'une mince feuille de verre d'une épaisseur de 20 à 300 pm, ou d'un film de matière plastique. Des électrodes 104 disposées sur le substrat flexible 102 sont connectées électriquement au circuit de commande 106 formé sur le substrat 101 par l'intermédiaire d'un conducteur anisotrope (une résine thermoplastique qui n'est électroconductrice que dans une direction verticale, telle que la résine "CP1030" disponible auprès de la firme Sony Chemical K.K., ou un film adhésif à conduction anisotrope tel que celui du type "Hitaserumu" disponible auprès de Hitachi Kasei K.K.), puis elles sont connectées aux bornes 109 afin de pouvoir être ensuite raccordées à un circuit extérieur de commande (non représenté). Le substrat 101 comporte le circuit de com- mande 105 destiné à appliquer des signaux de commande aux électrodes 103 disposées sur ce substrat, et les bornes 108 destinées à transmettre des signaux de commande provenant d'un circuit extérieur de commande (non repré- senté) au circuit 105 de commande. La structure de la cellule contenant un cris- tal liquide ferro-électrique 113 présente un interstice maintenu par les éléments d'écartement 111 entre le substrat 101 et le substrat flexible 102, et la périphérie de ces substrats 101 et 102 est obturée ou scellée à l'aide d'un agent 110 d'obturation étanche tel qu'un adhésif époxy. Le cristal liquide ferro-électrique 113 a été orienté de façon à former un domaine unique. Ce pouvoir d'orientation a été obtenu à l'aide d'un film de polyimide, d'un film d'alcool polyvinylique ou autre, traité par frottement, ou à l'aide d'un film de SiO2 déposé obliquement en phase vapeur, etc. Sur les deux côtés de la structure de cellule telle que décrite ci-dessus, on dispose un polariseur 112 et un analyseur 114 ayant la forme de nicols croisés, de manière à produire une modulation optique par modula- tion d'orientation du cristal liquide ferro-électrique 113. Comme décrit précédemment, pour produire un dispositif à cristal liquide ferroélectrique ayant une fonction de mémoire, il est nécessaire de former une couche très fine de cristal liquide, d'une épaisseur descendant à 0,1 à 3 im, et de régler la variation d'épais- seur de la couche afin qu'elle soit de 10 % ou moins, par exemple de 0,1 Mm ou moins pour une couche d'épaisseur de 1 pm. Conformément à l'invention, cette épaisseur uniforme de la couche du cristal liquide, avec variation de 10 % ou moins, peut être obtenue au moyen d'une cellule à cristal liquide comportant un substrat 102 constitué d'un verre flexible ou d'un film de matière plastique satisfaisant la relation suivante: a4 a3 adjacents 111. Dans une forme préférée de réalisation de l'invention, une couche de cristal liquide uniforme est obtenue au moyen d'un film de verre flexible oudematière plastique constituant le substrat 102, et par la formation d'un espace à pression réduite comme montré sur la figure 3, dans la cellule 100, afin que le substrat 102 soit en contact étroit avec les éléments d'espacement 111. Si le substrat 102 est trop flexible, une diminution de l'épaisseur de la couche à mi-distance entre des élé- ments d'espacement adjacents peut poser un problème. Par ailleurs, si le substrat est trop rigide, il ne peut suffisamment se déformer pour compenser l'écart de planéité du substrat 101. Lorsqu'un film de matière plastique, tel qu'un film de polyester étiré uniaxialement, ou un film de polychlorure de vinyle ou de polyéthersulfone isotrope, formé par extrusion, etc., est utilisé comme substrat 102, la déformation à mi-distance entre les éléments d'écartement peut poser un problème. Cependant, si l'espacement entre les éléments d'écartement est de 0,1 mm, la déformation est de l'ordre de 0,1 Mm (sous l'effet d'une compression par la pression atmosphérique), ce qui est dans la plage acceptable en pratique, pour un film d'une épaisseur de 25 "m. En outre, lorsque l'on utilise un film d'une épaisseur de l'ordre de 100 Mm, la déformation est de l'ordre de 0,1 "m, même si l'écarte- ment entre les éléments d'espacement 111 est de 0,5 mm, de sorte que l'on obtient une épaisseur suffisamment précise de la couche du cristal liquide si l'écartement entre les éléments d'espacement est réduit à 0,5 pm ou moins. Lorsqu'on utilise une plaque de verre comme substrat 102, elle doit être assez mince pour pouvoir se déformer d'une manière correspondant à la planéité du substrat 101. Lorsque l'on utilise comme substrat 101 une plaque de verre ordinaire sans polissage, elle présente un écart de l'ordre de 10 pm par rapport à la planéité parfaite sur un porte-à-faux de 100 mm. Par ailleurs, lorsqu'on utilise une plaque de verre de 0,1 mm d'épaisseur comme substrat 102, sa déformation sous l'effet de la pression atmosphérique, alors qu'elle est en contact avec des éléments d'écartement 111 espacés de 100 mm les uns des autres, est très supérieure à um. Par conséquent, on comprendra que la portée, c'est- A-dire l'espacement entre des éléments d'écartement adja- cents 111, du substrat 102 doit être inférieure à 100 mm, compte tenu de la déformation. Une déformation de 0,1 pm est obtenue avec un espacement de 1-2 mm entre les éléments d'écartement 111. Sur cette plage de porte- à-faux, l'écart de plandité du substrat 101 est inférieur à 0,1 pm, de sorte que l'on peut obtenir une précision suffisante sur l'épaisseur de la couche du cristal liquide. Pour obtenir, avec une plaque de verre, une déformation suffisante pour qu'elle suive le substrat 101 comme décrit cidessus, l'épaisseur de la plaque de verre doit 6tre de 0,3 mm ou moins, et avantageusement de 0,2 mm ou moins si la variation de planéité du substrat 101 et la varia- tion de pression pendant l'injection et le bouchage hermé- tique du cristal liquide sont également pris en considé- ration. La figure 5 représente un schéma illustrant les circuits 105 et 106 qui sont, respectivement, composés de transistors à couches minces à semi-conducteurs en silicium polycristallin, en silicium amorphe ou en sélé- niure de cadmium. Les références SW11 - SWn4 désignent des éléments de commutation en division formés de transistors à couches minces, et E(1) - E(n) sont des lignes de sélec- tion de bloc de division destinées à commander les élé- ments de commutation en division connectés aux grilles. Etant donné que le nombre de lignes communes est égal à 4 dans cette forme de réalisation, n est égal à N/4. P - P sont des éléments de commutation de décharge formés de transistors à couches minces, tandis que I est une ligne de commande de décharge et J est une ligne de potentiel de décharge. Un circuit 201 de pilotage de lignes de balayage est prévu sous la forme d'un circuit extérieur de commande pour le pilotage des lignes de balayage connectées aux lignes communes A, B, C et D et il est connecté au substrat du circuit par des con- nexions 202. Pour piloter l'élément d'affichage 203, des impulsions sont appliquées de façon répétée aux lignes communes A, B, C et D, et les lignes E(1) - E(n) de sélec- tion de blocs de division sont séquentiellement rendues conductrices et bloquées. En outre, une impulsion est. appliquée à la ligne I de commande de décharge afin de commander le potentiel des lignes G1 - GN à -V volts à un instant de non-sélection, par l'intermédiaire de P1 - PN' Bien qu'une forme de réalisation à N lignes de balayage et 4 lignes communes soit utilisée, comme décrit ci- dessus, d'autres combinaisons sont évidemment possibles. Par exemple, si l'on utilise 480 lignes de balayage et 24 lignes de balayage, il faut 20 signaux de sélection de blocs de division et le nombre de con- nexions totales avec le circuit extérieur de commande est réduit à 46, y compris deux connexions pour une ligne de commande de décharge et une ligne de potentiel de décharge, ce qui réduit d'environ 90 % les connexions. Le circuit de pilotage 106 comprend des élé- ments de commutation SW1 - SWm composés chacun d'un tran- sistor à couches minces. Des signaux d'information vidéo sont transmis d'un circuit extérieur de commande à un registre à décalage 204, puis la borne 205 connectée aux grilles de SW1 - SWm est mise hors circuit, de manière que le registre à décalage 204 soit bloqué dans l'état qu'il présente à cet instant et que les signaux correspondants soient appliqués à des lignes D1 - Dm de données connectées aux sources. Le registre à décalage 204 comporte une borne d'horloge 206 et une borne 207 d'entrée de données. Le même signal que le niveau de données HORS est appliqué à une borne 208. La figure 1 est une vue schématique en plan d'une forme de réalisation de la cellule à cristal liquide conforme à l'invention. Dans cette forme de réalisation, des électrodes transparentes sont réellement formées sur le substrat, sous la forme de bandes pour un pilotage matriciel et elles sont connectées à un circuit extérieur de pilotage, mais elles ne sont pas représentées sur la figure. Conformément à cette forme de réalisation, plusieurs cellules à cristal liquide ont été préparées à l'aide de minces plaques de verre de diverses épaisseurs t (mm), utilisées comme substrat flexible, et de bandes d'espacement à écartements variables a (mm) entre elles, et ont été soumisesà une estimation de l'écart W (maximal- minimal) de l'épaisseur de la cellule à cristal liquide et de la qualité de l'image. La hauteur des éléments d'écartement a ici été établie à 2 Vm. Les résultats de l'évaluation sont regroupés dans le tableau suivant. t=0,3 t=0,2 a 0,3 0,3 2 4 w 3x1l04 -0 6x10 5 5x10-4 Evaluation A 0 0 x t=0,1 t=0,05 a 0,1 0,3 1 0,1 0,3 1 w N-0 -0 3x105 -0 -0 3,5x10-4 Evalua- Eau 0 0 0 0 0 a tion (mm) Les normes d'évaluation sont les suivantes/: 0: bonne qualité d'image (écart inférieur à 10 % de l'épaisseur de la couche du cristal liquide) A: niveau acceptable en pratique, mais- non satisfaisant x: inacceptable. Dans une autre forme de réalisation, des éléments d'écartement agencés sous la forme d'un réseau de maille ont été utilisés avec des colonnes de 10 lim de diamètre aux points de croisement, et des essais ont été conduits, par ailleurs, de la même manière que pour la forme de réalisation précédente et ont donné des résul- tats d'évaluation similaires en ce qui concerne les para- mètres a, w et t et la qualité de l'image. L'amplitude de la déformation a mi-distance entre éléments d'écartement adjacents d'un substrat flexi- ble est proportionnelle à a4/Et3, o E désigne le module d'élasticité du substrat. L'élasticité du verre est appro- ximativement de 7000 daN/mm2 et la valeur de a4/Et3 doit être inférieure à 0,32 afin de supprimer la déformation maximale au-dessous de 0,1 gm. Les résultats des essais donnés ci-dessus sont en conformité avec cette estimation. La figure 6 représente une autre forme de réalisation du dispositif d'affichage selon l'invention, figure sur laquelle les mêmes références numériques dési- gnent les mêmes éléments que sur les figures 4 et 5. Le dispositif d'affichage représenté sur la figure 6 est similaire à celui illustré sur la figure 4, sauf que les bornes 109 des électrodes 104 sont divi- sées en bornes 109a et 109b. En conséquence, dans cette forme de réalisation, deux éléments conducteurs aniso- tropes 107a et 107b sont disposés de façon à être connec- tés électriquement aux bornes respectives 109a et 109b et à des circuits de pilotage 106a et 106b, respective- * ment. Dans ce dispositif d'affichage, les bornes 109a et 109b peuvent être agencées A une plus faible densité par unité de longueur et leur connexion électrique avec des circuits extérieurs de commande peut être réali- sée sans provoquer de court-circuit entre les bornes. Comme décrit ci-dessus, la précision demandée à l'épaisseur de la couche du cristal liquide:, nécessai- re pour la réalisation d'une cellule à cristal liquide ferro-électrique, est obtenue sur une grande surface par l'utilisation d'un substrat flexible et par l'obtura- tion hermétique d'un cristal liquide sous pression réduite en présence d'éléments d'écartement. En outre, une grande surface peut être donnée au dispositif d'affichage, avec une densité élevée d'éléments d'images, dans la mise en place uniquement d'électrodes en forme de bande sur le substrat flexible et par leur connexion à des éléments de pilotage comprenant des transistors à couches minces disposés sur l'autre substrat afin d'établir une connexion électrique aisée avec un grand nombre d'électrodes. Comme cristal liquide ferro-électrique à utiliser dans la présente invention, les plus avantageux sont les cristaux liquides smectiques chiraux, notamment ceux présentant une phase smectique chirale C (SmC), une phase H (SmH), une phase I (SmI), une phase J (SmJ), une * * * phase K (SmK), une phase F (SmF) et une phase G (SmG). Ces cristaux liquides ferro-électriques sont décrits, par exemple, dans "LE JOURNAL DE PHYSIQUE LETTERS" 36 (L-69), 1975 "Ferroelectric Liquid Crystals"; "Applied Physics Letters" 36 (11) 1980, "Submicro Second Bistable Electro-optic Switching in Liquid Crystals", "Solid State Physics" 16 (141), 1981 "Liquid Crystal", etc. Les cris- taux liquides ferro-électriques décrits dans ces publica- tions peuvent être utilisés dans la présente invention. Plus particulièrement, des exemples de composé de cristal liquide ferro-électrique utilisé dans le procé- dé selon l'invention comprennent les cinnamates de décyl- oxybenzylidène-p'-amino-2-méthylbutyle (DOBAMBC), le cinnamate d'hexyloxybenzylidène-p'-amino-2-chloropropyle (HOBACPC), le 4-o-(2-méthyl)-butylrésorcilidène-4'-octyl- aniline (MBRA8), etc. Lorsqu'un dispositif est constitué à l'aide de ces matières, il peut être supporté au moyen d'un bloc de cuivre, etc., dans lequel un élément chauffant est encastré afin d'établir une condition de température telle que les composés de cristal liquide prennent une * * * * * phase smectique telle que SmC, SmH, SmI, SmJ, SmK, * * SmF et SmG. La figure 7 représente schématiquement un exemple d'une cellule à cristal liquide ferro-électrique permettant d'en expliquer le fonctionnement. Les référen- ces numériques 71a et 71b désignent des plaques de base (plaque de verre) sur lesquelles est disposée.une électro- de transparente, par exemple en In203, SnO2, ITO (oxyde d'indium et d'étain), etc. Un cristal liquide, par exemple * en phase SmC, dans laquelle des couches moléculaires 72 du cristal liquide sont orientées perpendiculairement aux surfaces des plaques de verre, est disposé hermétique- ment entre les plaques. Les traits pleins 73 représentent des molécules de cristal liquide. Chaque molécule de cris- tal liquide 73 possède un moment dipolaire (Pl) 74 orien- té dans une direction perpendiculaire à son axe. Lorsqu'une tension supérieure à un certain seuil est appliquée entre les électrodes formées sur les plaques de base 71a et 71b, la molécule 73 de cristal liquide perd sa structure hélicoïdale et se déroule de façon que son alignement change de direction et que les moments dipolaires (P t) 74 soient tous orientés dans la direction du champ électrique. Les molécules 73 du cristal liquide ont une forme allongée et présentent une anisotropie de réfraction entre leur grand axe et leur petit axe. En conséquence, on comprend aisément que, lorsque, par exemple, des polari- seurs disposés en nicols croisés, c'est-à-dire de manière que leurs directions de polarisation se croisent, sont placés sur les surfaces supérieure et inférieure des plaques de verre, la cellule à cristal liquide ainsi agencée se comporte comme un dispositif de modulation optique à cristal liquide dont les caractéristiques opti- ques varient selon la polarité d'une tension appliquée. En outre, lorsque l'épaisseur de la cellule à cristal liquide est suffisamment faible (par exemple 1 im), la structure hélicoïdale des molécules du cristal liquide disparaît, même en l'absence d'un champ électrique, de sorte que le moment dipolaire prend l'un ou l'autre de deux états, à savoir Pa dans une direction 84a orientée vers le haut, ou Pb dans une direction 84b orientée vers le bas, comme montré sur la figure 8. Lorsque des champs électriques Ea ou Eb, supérieurs à un certain seuil et différents en polarité, comme montré sur la figure 8, sontappliquésà une cellule présentant les caractéristiques mentionnées ci- dessus, le moment dipolaire est dirigé soit dans la direction montante 84a, soit dans la direc- tion descendante 84b selon le vecteur de ce champ électri- que Ea ou Eb. Les molécules du cristal liquide s'orientent de façon correspondante dans un premier état stable 83a (état brillant) ou dans un second état stable 83b (état sombre). Lorsque le cristal liquide ferroélectrique mentionné ci-dessus est utilisé comme élément de modula- tion optique, il est possible d'obtenir deux avantages. Le premier avantage est que la vitesse de réponse est très élevée. Le second avantage est que l'orientation du cristal liquide présente une bistabilité. Ce second avantage sera davantage expliqué, par exemple en référence à la figure 8. Lorsque le champ électrique Ea est appliqué aux molécules du cristal liquide, elles s'orientent dans le premier état stable 83a. Cet état reste stable, même lorsque le champ électrique est supprimé. Par ailleurs, lorsque le champ électrique Eb, dont le sens est opposé à celui du champ électrique Ea, est appliqué aux molécules, cellesci s'orientent dans le second état stable 83b, de sorte que les directions des molécules changent. Cet état reste également stable même si le champ électrique est supprimé. En outre, tant que l'amplitude du champ électrique Ea ou Eb qui est appliqué n'est pas supérieure à un certain seuil, les molécules du cristal liquide sont placées dans les états d'orientation respectifs. Pour obtenir efficacement une vitesse de réponse élevée et une bistabilité, il est avantageux que l'épaisseur de la cellule soit aussi faible que possible et qu'elle soit globalement comprise entre 0,1 et 3 gm. Un dispositif électro-optique à cristal liquide, comportant une struc- ture matricielle d'électrodes dans laquelle le cristal liquide ferroélectrlque de ce type est utilisé, est proposé, par exemple, dans le brevet N 4 367 924 précit6. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées à la cellule à cristal liquide décrite et représentée sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Cellule à cristal liquide du type compre- nant deux substrats disposés de façon à former entre eux un interstice, et un cristal liquide injecté par un orifice (17) prévu à cet effet et renfermé dans l'in- terstice formé entre les substrats, la cellule à cristal liquide étant caractérisée en ce qu'elle comporte deux éléments d'écartement (13) disposés sur au moins l'un des substrats, une région (14) de couche de cristal li- quide dont l'épaisseur est réglée par les éléments d'écar- tement, et un espace (16) à pression réduite communiquant avec cette région. 2. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce que le volume de l'espace à pression réduite est égal à 1/1000 ou plus de celui de la couche de cristal liquide. 3. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce que le volume de l'espace à pression réduite est de 1/100 ou plus de celui de la couche de cristal liquide. 4. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce que la longueur du trajet compris entre la partie reliant la région de la couche de cristal liquide à l'espace à pression réduite et l'orifice d'injection est égale ou supérieure à la longueur maximale du trajet compris entre la région de la couche de cristal liquide et l'orifice d'injection. 5. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce qu'au moins un (102) des deux substrats est flexible. 6. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce que l'espace à pression réduite est formé par une gorge réalisée dans au moins l'un des substrats. 7. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce que le cristal liquide est un cristal liquide ferro-électrique. 8. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 7, caractérisée en ce que le cristal liquide ferro- électrique est un cristal liquide smectique chiral. 9. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 8, caractérisée en ce que le cristal liquide smecti- que chiral est formé en une couche de 3 Vm ou moins d'é- paisseur et présente une bistabilité, avec une texture non en spirale. 10. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce que la pression dudit espace à pression réduite est de 50 000 Pa ou moins. 11. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce que la pression dudit espace à pression réduite est de 10 000 à 50 000 Pa. 12. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce que l'espace à pression réduite renferme un gaz inerte. 13. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 12, caractérisée en ce que le gaz inerte est du N2 gazeux, du C02 gazeux, du Ar gazeux ou du Ne gazeux. 14. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 12, caractérisée en ce que le gaz inerte est renfer- mé sous une pression de 10 000 Pa ou moins dans ledit espace à pression réduite. 15. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 12, caractérisée en ce que le gaz inerte est renfer- mé sous une pression de 100 à 10 000 Pa dans ledit espace à pression réduite. 16. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 1, caractérisée en ce que l'espace à pression réduite est formé dans une région renfermée dans un bâti. 17. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 4, caractérisée en ce que la partie de liaison forme une gorge (40). 18. Cellule à cristal liquide, caractérisée en ce qu'elle comporte une structure comprenant deux substrats (101, 102) dont au moins l'un est flexible, disposés de façon à former un interstice entre eux, et plusieurs éléments d'écartement (111) disposés entre les substrats pour maintenir l'interstice, la structure de la cellule renfermant un cristal liquide ferro-électri- que (113), les éléments d'écartement étant disposes à une distance a (mm) les uns des autres, satisfaisant la relation: a 40,32 Et dans laquelle E désigne le module d'élasticité (DaN/mm2) du substrat flexible et t désigne l'épaisseur (mm) du substrat flexible. 19. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 18, caractérisée en ce que le substrat flexible (102) comprend une plaque de verre d'une épaisseur de 0,2 mm ou moins. 20. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 18, caractérisée en ce que le substrat flexible est un film étiré uniaxialement ayant une épaisseur de 25 pm ou plus. 21. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 20, caractérisée en ce que le film étiré uniaxialement est un film de polyester étiré uniaxialement. 22. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 18, caractérisée en ce que les éléments d'écartement ont une épaisseur de 0,1 à 3 pm. 23. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 18, caractériséeen ce que les éléments d'écartement sont agencés sous la forme de bandes parallèles à un espacement de 2 mm ou moins les unes des autres. 24. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 18, caractérisée en ce que les éléments d'écartement sont agencés sous la forme d'un réseau maillé, le grand côté de chaque maille ayant une longueur de 2 mm ou moins. 25. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 18, caractérisée en ce que les éléments d'écartement sont agencés sous la forme d'un réseau maillé, le grand côté de chaque maille ayant une longueur de 800 gm ou moins. 26. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 18, caractérisée en ce que les éléments d'écartement sont agencés sous la forme de points espacés les uns des autres de 2 mm ou moins. 27. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 18, caractérisée en ce que les éléments d'écartement sont agencés sous la forme de points espacés les uns des autres de 800 Vm ou moins. 28. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 18, caractérisée en ce que la structure de la cel- lule renferme également un espace à pression réduite. 29. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 18, caractérisée en ce que le cristal liquide ferro-électrique est un cristal liquide smectique chiral. 30. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 29, caractérisée en ce que le cristal liquide smectique chiral présente une structure non en spirale. 31. Cellule à cristal liquide selon la revendi- cation 29, caractérisée en ce que le cristal liquide smectique chiral est en phase C, en phase H, en phase I, en phase J, en phase K, en phase G ou en phase F. 32. Dispositif à cristal liquide, caractérisé en ce qu'il comporte un premier substrat non flexible (101) portant un premier groupe d'électrodes (103), un premier circuit de pilotage (105) connecté au premier groupe d'électrodes, et un second circuit de pilotage (106), un second substrat flexible (102) portant un second groupe d'électrodes (104), et un cristal liquide ferro- électrique (113) disposé entre les premier et second substrats, le second groupe d'électrodes étant connecté au second circuit de pilotage et les premier et second circuits de pilotage étant connectés à un circuit extérieur de commande. 33. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 32, caractérisé en ce que les premier et second groupes d'électrodes forment ensemble une structure d'électrodes en matrice. 34. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 32, caractérisé en ce que le premier groupe d'électrodes constitue des lignes de balayage pour l'appli- cation de signaux de balayage et en ce que le second groupe d'électrodes constitue des lignes de données pour l'application de signaux d'information. 35. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 32, caractérisé en ce que le premier groupe d'électrodes constitue des lignes de données pour l'appli- cation de signaux d'information et en ce que le second groupe d'électrodes constitue des lignes de balayage pour l'application de signaux de balayage. 36. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 32, caractérisé en ce que le cristal liquide ferro-électrique est un cristal liquide smectique chiral. 37. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 36, caractérisé en ce que le cristal liquide smectique chiral présente une texture non en spirale. 38. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 36, caractérisé en ce que le cristal liquide smectique chiral est en phase C, en phase H, en phase I, en phase J, en phase K, en phase G ou en phase F. 39. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 32, caractérisé en ce que le premier subs- trat non flexible comprend une plaque de verre d'une épaisseur de 0,3 à 2 mm, et en ce que le second substrat flexible comprend une mince plaque de verre d'une épais- seur de 20 à 300 Vm. 40. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 32, caractérisé en ce que le premier subs- trat non flexible comprend une plaque de verre d'une épaisseur de 0,3 à 2 mm et en ce que le second substrat flexible comprend un film de matière plastique. 41. Dispositif à cristal liquide selon la revendication 40, caractérisé en ce que le film de matière plastique est un film de téréphtalate de polyéthylène, et un film de polychlorure de vinyle isotrope ou un film de polyéther-sulfone.