FR 2569869 A1 19860307 FR 8513180 A 19850904 256986C, "Procédé et dispositif pour commander la transmission d'énergie de rayonnement, tels que transistors" La présente invention concerne un procédé et un dispositif pour commander la transmission de l'énergie de rayonnement tels qu'un transistor optique. De façon plus particulière, l'invention concerne la commande de la transmission d'un flux de lumière ou autre énergie de rayonnement à son passage à travers un milieu approprié, à l'aide d'un second flux d'énergie de rayonnement ou du champ évanescent correspondant de façon à obtenir un gain par un effet de type transistor. Les applications envisagées du dispositif selon l'invention concernent les fibres optiques, les circuits intégrés optiques, les dis- positifs optiques macroscopiques pour la communication, la détection et la commande, les ordinateurs optiques, le traitement d'images etc.. Une partie importante des techniques modernes concerne les appareils et les systèmes dans lesquels l'énergie de ra}onnement est modifiée d'une certaine manière au cours de sa transmission à travers un milieu. A titre d'exemple, les systèmes de communication utilisent une énergie de rayonnement avec une porteuse à longueur d'onde quelque peu modifiée de façon analogique ou numérique pour pouvoir représenter une information. Une partie toujours croissante de la technique dépend des systèmes de communication de plus en plus élaborés qui dépendent à leur tour d'une variation d'une certaine caractéristique d'énergie avec des calculs complexes qui constituent le résultat cumulé d'une multi- plicité de variations, le cas échéant d'éléments de commande distincts. De tels systèmes ont utilisé antérieurement de l'énergie de fréquence relativement faible même de l'énergie continue alors que les développements ultérieurs utilisent de plus en plus de l'énergie de fréquence de plus en plus élevée. Cette tendance s'est développée par l'in- vention et le développement des oscillateurs laser dont des variantes peuvent maintenant produire des radiations pulsées CW ayant des longueurs d'onde dans la plage de * l'infrarouge éloignées jusqu'au spectre visible et l'ultra- violet. Il est connu d'utiliser l'absorption induite dans un milieu pour une ou plusieurs longueurs d'ondes d'énergie, déterminées. L'absorption induite permet des fonctions telles que par exemple la commutation et la modulation pour intégrer des variations qui repré- sentent des informations. Le brevet US 4 209 690 délivré à Bell Téléphone Laboratories décrit un appareil qui fonctionne comme un obturateur extrêmement rapide, un commutateur, un modulateur ou un formeur d'impulsions. Toutefois, dans la conception des circuits optiques à fibres ou des circuits optiques intégrés, il subsiste le besoin d'un système d'amplification optique susceptible de fonctionner de façon analogue à un transistor d'un circuit électronique. Alors que l'amplification optique reposant sur la multiplication des photons par émission simulée ou par amplification paramétrique soit connue, la présente invention a pour but de créer un amplificateur optique qui utilise l'absorption à l'état excité pour créer une résistance optique variable (absorption). Cela se traduit par un dispositif caractérisé par un gain analogue à celui d'un transistor dans ses possibilités de commutation. L'invention a également pour but de créer un transistor optique dans lequel les photons d'un flux de commande d'énergie rayonnante module d'intensité d'un flux de signal d'énergie rayonnante de façon qu'un change- ment d'un photon dans le flux de commande provoque un changement de plus d'un photon dans le flux du signal. L'invention a également pour but de créer un transistor optique utilisant un premier et un second flux de commande d'énergie de rayonnement de façon qu'une augmentation d'unphoton dans le premier flux de commande se traduit par une diminution de plus d'un photon dans le flux du signal et qu'une augmentation d'un photon dans le second-flux de commande entraîne une augmentation de plus d'un photon dans le flux du signal. A: cet effet l'invention eoncerne un procédé pour commander la transmission d'énergie de rayonnement à travers un milieu de transmission de lumière, procédé caractérisé en ce qu'on introduit un premier flux de photons ou son champ évanescent, dans ce milieu, les photons ayant une énergie E et le milieu-ayant des caractéristiques de niveau d'énergie telle que l'énergie E du premier de flux de photons coincide avec un intervalle d'énergie entre un niveau d'énergie appelé-niveau d'énergie et un autre niveau d'énergie appelé niveau d'énergie dans ce milieu et le premier flux est essentiellement atténué comme premier flux de photons, ou de champs évanescents correspondants en passant : dans ce milieu et en introduisant sélectivement un second flux de photons ou champs évanescents correspondants dans le milieu pour atténuer le premier flux de photons, le second flux de photons engendrant la population du niveau d'énergie du milieu avec absorption d'une partie du premier flux, on induit une population dans le niveau, une partie de cette population du niveau revenant au niveau et étant disponible pour une atténuation complémentaire du premier flux, la commande de la transmission du premier flux de photons par le second flux de photons étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau au niveau ne se pro- duisait pas. S*elon l'invention, le procédé est carac- térisé en ce que l'introduction de n1 photons du second flux ou du champ évanescent correspondant,provoque l'absorption de n2 photons du premier flux, n2 étant supérieur à n si T "T -1 1 k > 0,90 T 1/T -1> l p 2 ' 31 3/ 0,80, et Y, ( 235F)e 0,01, relation dans laquelle _1 223 F T -1 est la fréquence de pulsation du second flux,T -1 p '2 etant le taux d'atténuation spontanée du niveau (2), k étant la fraction du second flux qui est absorbée dans le niveau de population (2) du milieu, T 311 étant le taux d'atténuation pour les transmissions directes du niveau (3) au niveau (1), 13 -1 étant le taux d'atténuation spontanée globale du niveau (3), y623 étant la section transversale efficace pour l'absorption du premier flux en induisant des transitions du niveau (2) au niveau (3), avec = 1 si le premier flux est introduit directement dans le milieu et Y -.1 2 -1 -1 supérieur à n si T 0,90, T31 /T3 > 1 p 2 ' = ''31 3 0,80 et T 2 23) Selon d'autres caractéristiques de l'inven- tion, un troisième flux de photons ou son champ évanescent cor- respondant est introduit sélectivement dans le milieu pour réduire l'atténuation du premier flux de photons, ce troisième flux de photons réduisant la population du niveau (2) en interrompant ainsi le transfert efficace des états excités entre les niveaux (2 et 3) qui engendrent l'atté- nuation du-premier flux de photons, la réduction de l'atténuation du premier flux de photons par le troisième flux de photons étant plus efficace que si il n'y avait pas de retour des états excités du niveau (2) au niveau -(3) et de plus l'introduction de n3 photons du troisième flux ou du champ évanescent correspondant provoque un changement de transmission de nL photons du premier flux, avec n4 supérieur n3 si T -1> T k> 0,90, p 2 T 31 /-T > 0,80, et T 23f) = 0,01 et si 31 z 2 2, k 090 T31 / T3 0,80, et -l e T y/ Y23Sf) son champ évanescent correspondant est introduit sélecti- vement dans le milieu en fonction du temps de suppression du second flux de photons ou du champ évanescent correspon- dant de façon que la transmission du premier flux de photons soit rétablie au niveau initiale de transmission avant l'introduction du second flux de photons ou du champ évanescent correspondant, suivant une échelle de temps qui est plus courte que la-durée de vie du niveau (2) est indépendant de celle-ci et est contr8lée par le temps d'introduction du 3ème flux de photons par rapport à l'enlèvement du second flux de photons ou des champs évanescents respectifs. & un second milieu transmettant la lumière est associé de façon à coopérer avec le premier milieu, le second milieu a\ant une structure de niveau d'énergie telle qu'il existe un intervalle d'énergie entre les niveaux appelés (1' et 2') qui soit égale à l'intervalle d'énergie entre les niveaux (2 et 3) du premier milieu, correspondant à l'énergie E du premier flux de photons, et un flux de photons appelés flux (1') ou son champ évanescent corres- pondant, est introduit sélectivement dans le second milieu, ce flux de photons (1') axant une énergie E' qui correspond à l'intervalle d'énergie entre les niveaux appelés niveaux par la sortie transmise du premier flux de photons de ma- nière détaillée dans la revendication 1 pour le premier milieu et pour le premier et le second flux, et le premier flux transmet deux photons qui commandent la transmission du flux (1') lorsque le flux (1') ou son champ évanescent correspondant passe dans le second milieu, étant commandé à son tour par l'introduction du second flux de photons ou de son champ évanescent correspondant dans le premier milieu, la transmission du flux (1') étant commandée indirectement par le second flux qui commande directement la transmission du premier flux, ce premier flux commandant à son tour directement la transmission du flux (1'); le milieu est intégré à une configuration plane d'un ou plusieurs guides d'ondes en film mince, et un matériau formant substrat étant empilé dans la direction verticale, le milieu se composant de l'un des guides d'ondes en film mince ou de la matière formant le support, et le premier flux de photons est introduit sélectivement dans l'un des guides d'ondes en film mince, suivant un c6té de la configuration plane et se propage-parallèlement a-ux côtés adjacents et le second flux de photons est introduit dans l'un des guides d'ondes d'un film mince suivant un côté adjacent- à la configuration plane de façon que les chemins des flux soient perpendiculaires l'un à l'autre et se croisent l'un l'autre directement si les flux se propagent dans le même film mince ou passent l'un par rapport à-l'autre suivant des chemins perpendiculaires lorsque les flux se propagent dans des films distincts et n1 flux de photons avec une énergie de photons équi- valente à celle des photons du premier flux étant in- troduit suivant un côté d'un guide d'ondes en film mince, les terminés de l:a configuration plane, ces n1 flux se propageant suivant des chemins distincts mais parallèles - et n2 flux de photons avec une énergie de photons équi- valente à celle des photons du second flux étant introduit suivant un côté adjacent à la configuration plane, les n2 flux introduits dans le:même guide d'ondes en film mince que les nI flux ou dans.un guide d'ondes en film mince distinct, et les n2 flux introduits dans des chemins distincts mais parallèles, n1 et n2 étant compris entre 1 et n'importe quel nombre compatible avec les dimensions de la configuration plane de façon que la transmission de n1 flux du type du premier flux soit commandée par n2 flux du type du second flux et la commande de la trans- mission de n1 flux du type du premier flux étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (3) au niveau (2) ne se produisait pas dans ce milieu et I'introduction totale de n photons de n2 flux du t>pe du second flux entraine- un Changement dans la transmission de n2 photons d'un flux déterminé du type du premier flux, n2 étant supérieur à n1 avec T p 1>> 2-l k'> 0,90, -1 -- T -/ T3 > 0,80 et T2 (y 23Sf) 0, 01 et si - k_> O 9 0- T I| T 3091 > 0,60 et T -1/( 23Sf) 0,01,relation dans laquelle k' est la fraction du flux total introduite par tous les n2 du flux du type du second flux absorbé dans un volume du milieu par interaction directe ou par des champs évanes- cents, ce volume étant le volume traversé par le flux donné du type du premier flux ou du champ évanescent correspondant et Sf étant le nombre final de photons par centimètre carré par seconde dans le flux donné après traversée de la configuration plane. 7 ) Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'un flux complémentaire de photons appelé troisième flux est introduit sélectivement en liai- son avec chacun des n2 flux du type du second flux de pho- tons, ce flux complémentaire se propageant suivant un chemin coincidant avec le chemin traversé par le flux correspondant du type du second flux, si les flux se propagent dans le même quige d'ondes en film mince et le flux complémentaire se propageant dans un chemin colinéaire mais distinct, si les flux se propagent dans des guides d'ondes en film mince, distincts, n2 flux du troisième type étant introduit en liaison avec n2 flux du type du second flux, les flux du troisième type réduisant l'atténuation des flux du type du premier flux par réduction de la population du niveau (2) du milieu en interrompant ainsi l'efficacité du transfert des états excités entre les niveaux (2 et 3) du milieu qui provoquent l'atténuation des flux du type du premier flux, la réduction de l'atténuation des flux du t>pe du premier flux par les flux du troisième txpe étant plus éfficace que si le retour des états excités du niveau (2) au niveau (3) du milieu ne se produisait pas et l'introduction d'un total de n3 photons de n2 flux du troisième type provoque une variation de transmission de n4 photons d'un flux déterminé du type du premier -l -l 4 suéiu a n s flux, n étant supérieur 2 nsi Tp > T2 k'> 0, 90, T -1/ T -1 > 0 80 et T /(, 23ôf) O, 01 et si 31 3 2 23=f -1 p 1" T2 k 0,90, Tk1 T > 0,80 et T 1/( Y 23f) milieu par interaction directe ou par des champs évanes- cents, ce volume étant le volume traversé par le flux donné du type du premier flux ou son champ évanescent correspondant et Sf étant le nombre final de photons par centimètre carré par seconde dans le flux donné après traversée de la configuration plane; un troisième flux de photons ou son champ évanescent correspondant est introduit sélectivement dans le premier milieu pour réduire l'atténuation-du premier flux de photons, ce troisième flux de photons réduisant la population du niveau (2), en arrêtant ainsi le transfert efficace des états excités entre les niveaux (2 et 3) l'atténuation du premier flux étant ainsi réduite et une partie plus importante du premier flux ou du champ évanescent correspondant étant introduite dans le second milieu, la population du niveau (2') du second milieu étant augmentée et par conséquent l'atténuation du flux (1') étant augmentée et la réduction de l'atténuation du premier flux de photons par le troisième flux de photons étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (2) au niveau (3) du premier milieu ne se produisait pas et l'augmentation de l'atténuation du flux (1') est plus efficace que si le retour des états excités du niveau (3') au niveau (2') du second milieu ne se produisait pas et l'introduction n3 photons du troisième flux ou de son champ évanescent correspondant dans le premier milieu entraîne un changement de transmission de n, photons du flux (1') n4 étant supérieur àa n avec T T k> 0,90, p> T2 1 k?090, 4 3 t3 2 3 / T3 1 > 0,80, et T2 /( 23Sf) 0,01, et si 31 3: 23: T -1 090 T l/ T > 0,80 et p 1-1/ % -1t> 0,80 e p 2 k? 0,90, 31 I pT -l/(y 235f) premier et au second milieu. un troisième flux de photons, ou son champ évanescent correspondant est Introduit sélec- tivement dans le second milieu, en fonction du temps d'en- lèvement du premier flux transmis ou de son champ évanes- cent correspondant, du second milieu, ce troisième flux de photons réduisant la population du niveau (2') du second milieu de façon que la transmission du flux (1') soit rétablie au niveau d'origine de transmission, avant l'introduction du premier flux transmis ou de son champ évanescent correspondant, suivant une échelle de temps qui est plus courte que la durée de vie de niveau (2') et indépendante de celle-ci, et qui est commandé par le temps d'introduction du troisième flux de photons par rapport à l'enlèvement du premier flux transmis ou des champs évanescents correspondantsj le second flux de photons assure la population du niveau (2) par excitation directe du niveau d'origine au niveau (2)> le second flux de photons assure la population de %ie du nieau (2) en introduisant d'abord la population d'un nieau d'éner- gie supérieur au niveau (2) une partie de cette population s'atténuant alors au niveau (2), le second flux de photons assure la population du nieau (2) par transfert d'énergie d'un dopant, ce dopant étant distinct de l'entité caractérisé par la structure de niveau d'éner- gie contenant les niveaux (2 et 3); le second milieu transmettant la lumière est également caractérisé par un intervalle d'énergie entre les niveaux (2' et 3') qui correspond à l'énergie des photons dans le second flux et comme l'intervalle d'énergie entre les niveaux (2' et 3') correspond également à l'énergie E', du flux (1'), ce second flux et le flux (1') ont la même longueur d'onde, et ainsi la sortie globale transmise des deux milieux associés en coopération l'un avec l'autre se produit pour la même longueur d'onde que l'entrée de commande initiale les deux milieux utilisés en combinaison pour le second flux, il -2569869 la population du niveau par des transitions induites à un niveau d'énergie plus élevée; le troisième flux de photons enlève la population du niveau par des transitions induites à un niveau d'énergie inférieure. L'invention concerne également un appareil pour la mise en oeuvre de ce procédé, caractérisé en ce qu'il comporte un milieu transmettant la lumière communiquant avec un moyen pour introduire un premier flux de photons ou son champ évanescent correspondant dans le milieu, ces photons ayant une énergie E et le milieu avant des carac- téristiques de niveau d'énergie telles que l'énergie E du premier flux de photons corresponde à un intervalle d'énergie entre un niveau d'énergie appelé niveau d'énergie (2) et un autre niveau d'énergie appelé niveaud'énergie (3) pour le milieu et le premier flux est essentiellement atténué lorsque-le premier flux de photons ou le champ évanescent correspondant traverse le milieu et un moyen communiquant avec le milieu pour introduire sélectivement un second flux de photons ou son champ évanescent dans le milieu pour atténuer le premier flux de photons, le second flux de photons entraînant la population du niveau d'énergie (2)du milieu, une partie du premier flux étant absorbée, induisant une population dans le niveau (3) une partie de cette population du niveau (3) revenant au niveau (2) et étant disponible pour une atténuation complé- mentaire du premier flux, la commande de la transmission du premier flux de photons par le second flux de photons étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (3) au niveau (2) ne se produisait pas, et de plus l'introduction de nl photons du second flux ou de son champ évanescent correspondant entrainant l'absorp- tion de n2 photons du premier flux, n2 étant supérieur aà ni, si T 1> 2 k> 0,90, -> 0/ 30 e > 1 4 *63S,0,ae T- 1 3: et T2- /(y 23Sf 0,01, avec T é etant la fréquence p, 12 2569869 Impulsionneile du second flux, t21 étant le taux d'atté- nuation spontané du niveau (2), k étant la fraction du second flux absorbé dans le niveau de population (2) du milieu, T311 étant le taux d'atténuation pour les trans- -3 mission directes du niveau (3) au niveau (1), T 3 étant le taux d'atténuation spontané, l'ovale du niveau (3, Y 623 étant la section transversale efficace pour l'absorption du premier flux dans les transitions induites du niveau (2) au niveau (3), y = 1 si le premier flux est introduit directement dans le milieu et y ce milieu et Sf est le nombre final de photons par centi- mètre carré par seconde dans le premier flux après que le premier flux ou le champ evanescent correspondant ait passé dans le milieu et l'introduction du second flux ou son champ évanescent correspondant provoque l'absorption de n2 photons du premier flux, n2 étant supérieur à ni, si T " T -1 k > 0,90, T 1/ T -1> 0, 60, et T /(X8 p 2' 31 3 p 23 Sf) 13 2569869 premier flux, n4 étant supérieur à n3 si p ->) T - p 2 ' k >0,90, 1 T3 ? 0,60 et T2 /(Y %3f 0, 50 et p 2 'k => 0,031 13=' Tp/( y6T35f) 0,01., caractérisé par un second milieu transmettant la lumière, ce second milieu communiquant avec un moyen pour introduire un flux de photons appelé flux (1') ou son champ évanescent correspondant. et en communication avec un moyen pour introduire la sortie transmise du second flux ou son champ évanescent correspon- dant après que le second flux ou son champ évanescent correspondant ait traversé le premier milieu, le second milieu et le flux (1') avant des caractéristiques telles que la sortie globale transmise des deux milieux utilisés en combinaison qui corresponde à la même longueur d'onde que l'entrée initiale de commande du second flux de photons, en ce que le second milieu a une structure de niveau d'énergie telle qu'il existe un intervalle d'énergie entre les niveaux appelés (1') et (2'), intervalle égale à l'intervalle d'énergie entre les niveaux (2 et 3) du premier milieu et qui correspond à l'énergie E du premier flux de photons, et en ce que le flux de photons (1') a une énergie E' qui correspond à l'intervalle d'énergie entre les niveaux appelés niveaux (2' et 3') du second milieu de façon que le flux de photons (1') soit essentiel- lement atténué lorsque le flux (1') ou son champ évanescent correspondant traverse le second milieu de façon que si la sortie transmise du premier flux ou son champ évanescent correspondant est introduit sélectivement dans le second milieu, le premier flux ou son champ évanescent correespon- dant ayant traversé le premier milieu, le premier flux entraîne alors l'atténuation du flux (1') en induisant une population dans le niveau d'énergie (2') du second une partie du flux () absorbé en induisant milieu avec une partie du flux (1') absorbé en induisant 14 2569869 une population à un niveau (3'), une partie de cette population du niveau (3') retournant au niveau (2') et étant disponible pour compléter l'atténuation du flux (1'), la transmission du flux de photons (1') étant commandée par la sortie transmise du premier flux de photons de manière détaillée à la revendication 1, pour le premier milieu et le premier et le second flux, le premier flux transmis de photons qui commande la transmis- sion du flux (I') lorsque le flux (1') ou son champ évanescent traverse le second milieu étant commandé à son tour par introduction du second flux de photons ou son champ évanescent corespondant dans le premier milieu, la transmission du flux (1') étant commandée indirectement par le second flux qui commande directement la transmission du premier flux, ce premier flux commandant à son tour directement la transmission du flux (1')> le milieu est intégré à une configuration plane dans plusieurs guides d'ondes en film minvr et un matériau de support empilé dans la direction verticale, le milieu étant constitué par l'un des guides d'ondes en film mince ou le matériau de support et un moyen en communication avec la configuration plate pour introduire le premier flux de photons dans l'un des guides d'ondes d'un film mince suivant un c&té de la configuration plane et se propageant parallèlement au côté adjacent et un mosen en communication avec la configu- ration plane pour introduire le second flux de photons dans l'un des guides d'ondes en film mince et le second flux introduit suivant un côté adjacent à la configuration plane de façon que les chemins des flux soient perpendiculaires l'un àl'autre et se croisent l'un l'autre, directement si les flux se propagent dans le mime film mince ou passent l'un sur l'autre suivant des chemins perpendiculaires si les flux se propagent dans des films distincts et de plus des moyens pour introduire n1 flux de photons avec une énergie de photons équivalente à celle des photons du premier flux suivant un côté d'un guide d'ondes en film mince déterminé de la configuration plane, les n flux se propageant sur des chemins séparés mais parallèles, et les moyens pour introduire n2 de photons ayant une énergie de photons équivalente à celle des photons du second flux, suivant un côté adjacent à la configuration plane, ces nz flux introduits dans le même quide d'ondes en film mince que les n flux ou encore un guide d'ondes en film mince, distincts, les n2 flux introduits dans les chemins distincts mais parallèles, n1 et n2 étant compris entre 1 et n'importe quel nombre compatible avec les dimensions de la configuration plane, de façon que la transmissioi de ni flux du premier flux soit commandé par n2 flux du type du second flux, la commande de la transmission des n1 flux du type du premier flux étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (3) au niveau (2) ne se produisait pas dans ce milieu et de plusl'introduction d'un total de nI photons de n2 flux du type du second flux entraîne un changement de 2.0 transmission de n2 photons d'un flux déterminé du type du premier flux, n2 étant supérieur à n1, si r >> T2, k'> 0,90, T31 3 = 0, , et 2 /( Yc 23Sf) 0,01, -] -1.-I - et T 1 2 31 0 3 >0,0, et 1/(' 235f) type du premier flux ou.de son champ évanescent correspon- dant et Sf étant le nombre final de photons par centimètre carré -par seconde dans le flux donné après traversée de la configuration plane. C = il comporte un moyen pour introduire un troisième flux de photons ou son champ évanescent correspondant dans le second milieu, cette introduction étant liée au temps pour l'enlèvement du premier flux transmis ou à son champ évanescent correspondant pour le second milieu, le troisième flux de photons réduisant la population du niveau (2') du second milieu de façon que la transmission du flux (1') soit rétablie à son niveau de transmission d'origine avant l'introduction du premier flux transmis ou de son champ évanescent corres- pondant en fonction d'un temps qui est plus court que la durée de vie du niveau (2') et indépendant de celle-ci et commandée par le temps d'introduction du troisième flux de photons par rapport à l'enlèvement du premier flux transmis ou des champs évanescents correspondants. la matière transmettant la lumière contient au moins un élément dès terres rares. l'élément des terres rares agit dans le milieu comme dopant divalent. - le dopant est DY2, Tm2, Er2ou Ho2+. le milieu transmettant la lumière est une section de noyau de fibre optique. le milieu transmettant la lumière est une section de revêtement de fibre optique. le milieu transmettant la lumière est un liquide ou un gaz dans un tube capillaire. le milieu transmettant la lumiere est un guide d'ondes en film mince. le milieu transmettant la lumière est le support sur lequel est déposé le guide d'ondes en film mince. le premier flux ou son champ éxanes- cent correspondant et le second flux ou son champ évanes- cent correspondant sont introduits dans le milieu par propagation des flux suivant une fibre optique. le premier flux ou son champ évanes- cent correspondant et le second flux ou son champ évanes- cent correespondant sont introduitsa dans le milieu par propagation des flux suivant deux fibres optiques diffé- rentes. le second flux est introduit dans le milieu par l'intermédiaire d'une source de lumière non cohérente située dans l'espace annulaire entre une fibre optique et un réflecteur de lumière coaxial. -le premier flux et le second flux ou leur champ évanescent correspondant sont introduits dans le milieu par propagation dans le même guide d'ondes en film mince. le premier et le second flux ou les champs évanescents de l'un ou des deux flux sont introduits dans le milieu par propagation dans différents guides d'ondes en film mincele milieu transmettant la lumière est un guide d'ondes en film mince et un moyen pour - introduire le premier ou le second flux ou leur champ évanescent correspondant, sont des moyens de couplage de bord. le milieu de transmission de lumière est un guide d'ondes en film mince et le moyen pour introduire le premier flux ou le second flux ou leurs champs eévanescents correspondants sont des mo\ens de couplage par prisme. l'inter\alle d'énergie entre les niveaux d'énergie (2' et 3') du second milieu coïncident avec l'énergie des photons du second flux de photons, et en conséquence la longueur d'ondes du flux (1') dont l'énergie E' est définie de façon à correspondre à l'in- tervalle d'énergie entre les niveaux (2' et 3') correspond à la longueur d'ondes du second flux, la sortie globable transmise des deux milieux utilisés en liaison tels que définis à la revendication 6, c'est-à-dire la partie transmise du flux (1') correspondant à la même longueur d'ondes que l'entrée de commande initiale des deux milieux utilisés en combinaison. les deux milieux sont des sections adjacentes d'un noyau de fibre optique. les deux milieux sont des sections adjacentes d'un revêtement de fibres optiques. les deux milieux sont intégrés à deux sections adjacentes d'une fibre optique, un milieu étant intégré à une section de noyau de fibres et un milieu étant intégré à une section de revêtement de fibres. les deux milieux sont composés de deux films minces prévus l'un au-dessus de l'autre, de façon que le premier et le second flux se propagent dans un film et le flux (1') se propage dans l'autre film, la transmission du flux (1') étant commandée par le champ évanescent du premier flux. le moyen pour introduire un ou plusieurs des flux est un moyen de couplage de coin. le moyen pour introduire un ou plu- sieurs des flux est un moyen de couplage par prisme. le milieu est formé par le substrat sur lequel est déposé le guide d'ondes en film mince et dans lequel se propagent les flux et qui coopèrent avec le milieu par leur champ évanescent. le milieu est le guide d'ondes en film mince dans lequel se propagent les flux. le milieu est le guide d'ondes en film mince dans lequel se propage l'un des types de flux, l'autre des types de flux coopérant par l'intermé- diaire de son champ évanescent, pendant la propagation dans le guide d'ondes en film mince, adjacent. le milieu est un guide-d'ondes en film mince compris entre deux autres guides d'ondes en film mince dans l'un desquels se propage l'un des types de flux et dans l'autre des guides d'ondes en film mince se propage l'aute des flux, tous les flux coopérant avec le milieu par l'intermédiaire de leurs champs évanes- cents correspondants. La présente invention sera décrite de façon plus détaillée à l'aide des dessins annexés, dans les- quels: - - les figures lA -et lB sont des schémas généraux de niveau d'énergie montrant le mécanisme suivant - lequel travaille un transistor optique; les figures 2A et 2B sont des schémas généraux de niveau d'énergie montrant le mécanisme uti- lisant un premier et un-second flux de commande d'énergie de rayonnement, dans un transistor optique; -ô - _ - la figure 3 est un schéma simplifié d'un niveau d'énergie illustrant un schéma de niveau d'énergie complémentaire pour une paire de transistors optiques associés; - la figure 4 est un schéma d'un appareil utilisé pour démontrer le fonctionnement d'un transistor optique; - la-figure 5 est une vue en coupe transver- sale d'un transistor optique intégré à un cordon de fibres otpiques; - la figure 6 montre un mode de réalisation d'un transistor optique utilisant un cordon de fibres optiques, la matière active du transistor étant logée dans une section du noyau de fibre; - la figure 7 montre une variante de réali- sation du transistor optique dans lequel la matière active du transistor est logée dans une section du revêtement d'une fibre optique; - la figure 8 montre une variante de réali- sation d'un transistor optique dans lequel le flux de com- mande est guidé dans la section active de revêtement par une fibre distincte; - la figure 9 montre une variante de réali- sation d'un transistor optique dans lequel la source de flux de commande est indépendante de la matière active flux de eommande est independante de la matière active du tansistor contenu dans la fibre optique; - la figure 10 montre une variante de réali- sation du transistor optique dans lequel la matière active du transistor est intégrée à un guide d'ondes en film mince; - la figure 11 montre une variante de réali- sation d'un transistor optique en film mince dans lequel plusieurs flux de signaux sont commandés par plusieurs flux de commande qui peuvent être activés sélectivement suivant les chemins des flux de signaux; - la figure 12 montre une variante de réali- sation d'un transistor optique en film mince selon la présente invention, variante dans laquelle les flux des signaux et les flux des commandes se propagent dans deux films différents; - la figure 13 montre une variante de réali- sation dans laquelle on utilise un transistor actif deux films minces. Mécanisme fondamental d'un transistor optique - L'objet de la présente invention appelé ci-après transistor optique comporte un matériau approprié qui peut être un cristal, un verre, un liquide, de la vapeur, une matière organique ou minérale telle que la transmission d'un flux de photons (appelé ci-après flux de signal) à travers le dispositif soit commandé par un second flux de photons (appelé ci-après flux de commande ou champ evanescent). De plus, l'interaction entre ces flux de photons ou de leurs champs évanescents avec la matière donne un effet de "gain" tel qu'un faible nombre de photons du flux de commande nl, commande la tansmission d'un plus grand nombre de photons du flux de signal n2. Cette commande de nombreux photons du flux de signal par un nombre réduit de photons de commande est analogue à la modulation d'un courant de collecteur important par un faible courant de base dans les transistors électriques d'o par analogie l'expression "transistor optique". Le mécanisme suivant lequel fonctionne le transistor optique nécessite une matière dans laquelle l'absorption induite se produit dans des niveaux d'énergie ayant des durées de vie appropriées, des rapports de dérivation et des sections transversales d'absorption. Le schéma général des niveaux d'énergie selon la figure 1, montre les opérations entre les niveaux d'énergie portant les références 1 à 4. Dans un but de simplification, seules les interactions directes des flux de photons avec la matière sont représentées, mais les interactions par l'intermédiaire de champs évanescents sont également possibles. Le niveau 1 représente I'état fondamental et les niveaux 2,3 et 4 ne sont pratiquement pas peuplés à la température ambiante. Le flux de signal So est adapté à la différence d'énergie entre les niveaux 2 et 3, c'est pourquoi il traverse normalement la matière essentiellement de façon non saturée. Le flux de commande C0peuple le niveau 4 qui a une relaxation rapide vers un état métastable c'est-à-dire le niveau 2. I1 se produit une certaine fuite du niveau 2 vers le niveau 1; toutefois le flux du signal peut être absorbé et transférS' les états d'excitation du niveau 2 au niveau 3. Certains états d'excitation du niveau 3 chutent au niveau 2 et si les rapports de transition d'entrée et de sortie du niveau 2 sont corrects, ces états permettent d'absorber plus de photons de signaux sans nécessiter des photons de commande supplémentaires. Si le taux de transition induite du niveau 2 vers le niveau 3 est très supérieur au taux de disparition du niveau 2, l'introduction de ni photons de commande engendre l'absorption de n2 photons de signal, n2 > nl, ce qui donne un effet de gain. Tous les niveaux distincts représentés à la figure 1 correspondent à de multiples niveaux ou encore à une bande continue. Les transitions descendantes peu- vent être de nature rayonnante ou non rayonnante. Le niveau 3 peut se trouver à un niveau d'énergie supérieur au niveau 4 ou encore ces deux niveaux peuvent être égaux ou encore le niveau 4 peut être supprimé, le flux de commande peuplant le niveau 2 directement à partir du niveau 1. De même il peut y avoir plus de niveaux d'éner- gie dans un système qui n'est pas directement concerné par le mécanisme du transistor ou à travers lequel des états d'excitation peuvent rapidement tomber en cascades dans les transitions descendantes. Le gain du transistor optique est défini par la relation G = dSf dC O Cette relation représente la variation du flux final du signal dSf pour une variation donnée du flux de commande dC0. On utilise la valeur absolue de ce rapport puisqu'une augmentation de Co se traduit par une diminution de Sf. Une simple analyse de l'équation du taux de l'état constant du schéma de niveau énergétique décrit ci-dessus donne: G =k -l a31 + ( T 2 / 23 S f Dans eette formule Sf est le flux final du signal (photons/cm sec.); k est la fraction du flux de commande absorbé par le fonctionnement du transistor; a31 représente les paramètres de la matière donnée par les taux de disparition spontanés dans le système; T -1 est le taux de disparition spontané du niveau 2 e23 est la section transversale pour l'ab- sorption du niveau 2 vers le niveau 3; y - 1 correspond à l'interaction directe du flux avec la matière et, Y Mode de population contr8lée- Le temps de réponse du dispositif décrit dans la section 2.1 est limité par T2, le temps de vie du niveau métastable est supposé être le temps de vie signi- ficatif le plus long du système. On peut remédier à cette limitation si l'on dispose d'un cinquième niveau comme celà est représenté aux figures 2A, B dans lesquelles les niveaux d'énergie sont référencés de 1 à 5. Dans ce cas, un second flux-de commande C ' est adapté à l'in- o tervalle d'énergie entre les niveaUx 2 et 5 et vide rapidement le niveau 2 par une émission stimulée. Transistors optiques "complémentaires" - L'idée de transistor optique décrite ci- dessus est légèrement différente de l'analogie avec le transistor électrique en ce que la sortie amplifiée (flux final du signal) présente une longueur d'onde différente de l'entrée de commande (flux de commande). Dans le transistor optique, on utilise des photons de deux longueurs d'ondes différentes, alors que les électrons formant le courant de collecteur et le courant de base d'un transistor électrique sont de même type. On peut remédier à cette difficulté en utilisant des paires de transistors optiques réalisés en des matériaux ayant des schémas de niveau énergétique "complémentaires" comme cela est représenté à la figure 3. (Dans cette figure, le niveau 4 a été supprimé dans un but de simpli- fication et la population du niveau 2 provient directement de l'état de base. Dans ce cas, le flux du signal de sortie du premier transistor Sf correspond à une longueur d'onde. Cette sortie Sf ( s) constitue le S S flux de ccmmande du second transitor ayant une longueur d'onde de X2cpuisque xl = 2. Le schéma de niveaux d'énergies complémentaire exige un signal dans le transistor 2 ayant la même longueur d'onde que le flux de commande du Transistor 1, de sorte que l'on a également 2 = Xc Ainsi, le signal d'entrée et le $ c signal de sortie du composant à deux transistors correspond à la même longueur X1c. La signification de cette idée est que l'on peut utiliser un ensemble de transistors optiques groupés par paires comme indiqué ci-dessus, comme composants unitaires dans des circuits optiques plus complexes de types analogique et numérique, le signal * de sortie de photons d'un composant étant appliqué direc- tement comme signal d'entrée à un ou plusieurs autres composants. Un tel composant optique présente alors une analogie directe avec un transistor de circuit électrique. Conditions relatives aux matériaux - Le gain du transistor optique est donné par la formule G= _ k a31 + ( T2 / y6 23 Sf) Cette expression montre que le gain théorique maximum s'obtient pour k ->1 (absorption complète du flux de commande) et T2 - >, temps de vie infini dans le niveau 2. Ainsi le gain théorique maximum est donné par la formule suivante: G max 1/a31 T3 -1/ T 31- le rapport du taux global de disparition spontané du niveau 3, c'est-àdire T3-1 par rapport au taux de disparition direct du niveau 3 >1, c'està-dire T31 - (Ce développement s'applique strictement au système des niveaux d'énergie décrit ci-dessus, mais les résultats sont applicables de façon générale avec des modifications évidentes à d'autres niveaux d'énergie et schémas transitoires). Pour rendre -1 --> 0 optimum le gain théorique maximum, T31 >; ou inversement le retour des états excités vers le niveau 2 plutôt que le niveau 1, doit être rendu optimum. Celà correspond à la condition principale relative aux maté- riaux pour-rendre maximum le gain dans un transistor optique. Le second terme du déterminateur c'est-à-dire T -i/ " 2 / Y23Sf, limite le gain intrinsèque des valeurs inférieures au gain théorique maximum. (En principe on peut arriver à k >1 de sorte que le numérateur de l'expression donnant le gain ne constitue pas une limite fondamentale de la matière). Ce terme représente le rapport des transitions descendantes spontanées sortant du niveau 2 c'est-à-dire T2-1 pour induire des transitions dans le sens ascendant 2 >3 (y d 23Sf). Lorsque le taux de transition dans le sens montant devient important par rapport au taux de disparition t 23Sf) T21, on se rapproche du gain théorique. C'est pourquoi il faut avoir a31 0J09 et yô S Y23Sf 2 pour un transistor optique avec un gain intrinsèque G > 10. La description ci-dessus concerne les conditions pour un fonctionnement à l'état permanent, c'est-à-dire des temps de modulation beaucoup plus longs que n'importe quelle durée de vie dans le système. Pour un système à pulsation rapide, la fréquence des impulsions T -1 est le coefficient Imitateur et non p le taux de disparition du niveau 2; c'est pourquoi l'équation déterminante devient Y6 23Sf >. De 23Sf p même la disparition du niveau 3 ->2 doit se produire à une échelle des temps beaucoup plus courte que les -1 -1 impulsions T32 " T. Mode de r2alisation U+ 2 - Dans cette partie on décrira un mode de réalisation particulier d'un transistor optique (une 2+ fibre de verre crown au baryum dopé par UO 2) corres- pondant à une réponse d'un dispositif pour des paramètres déterminés d'un système. La démonstration du transis- tor optique peut se faire avec le système 11 représenté à la figure 4. Le transistor à fibres optiques 13, lui- même présente une fibre d'une longueur de 5 cm et d'un diamètre de noyau de 10 P m de verre crown 15 de baryum dopé par UO2. La composition du verre est donnée dans le tableau 1 ci-après. Ce noyau de verre comporte un revêtement 17 de Epo-tek 394 avec un diamètre extérieur total de 30 pm. Un revêtement extérieur 19 de Epo-tek 394 et de poudre de carbone finement divisé donne un diamètre total de 125 pm (figure 5). Le revêtement extérieur absorbant fonctionne comme un moyen de déclenchement de mode en supprimant tous les modes de propagation dans le revêtement à la place du noyau. La fibre est montée dans un connecteur amphénol 905 de série fibres optiques adap- té au diamètre de la fibre. 35./. TABLEAU 1 Composants % en poids SiO2 57,6 % Ba0 25,0 % K20 15,0 % Sb 0 1,0 % U02 1,4 % Un flux de signal de 530 nm est appliqué par un double laser Nd: YAG 21 et un flux de commande de 460 nm est fourni par un laser 23. Ces flux sont focalisés indépendamment par les lentilles 25 sur des montages micrométriques avant de tomber sur un diviseur de faisceau 27. Un cristal de doublement de longueur d'onde 29 et un élément sélectif de longueur d'onde 31 sont placés entre le laser 21 et la lentille 25. Cela facilite une focali- sation très précise de la partie de chaque faisceau qui rencontre la fibre, garantissant que ces faisceaux incidents soient co-linéaires et se chevauchent complètement lors de leur pénétration dans le noyau 13 de la fibre. Les flux de sortie sont détectés par un détecteur 33 classique à diode Si. Un filtre à bande étroite 35 (530 nm) peut être diposé entre le transistor à fibre optique 13 et le détecteur 33. Si les deux flux sont appliqués pendant le fonctionnement, le flux du signal transmis Sf peut se détecter séparément de tous flux de commande, transmis, Cf, si l'on utilise un filtre à bande étroite. Le gain à l'état permanent du transistor optique UO 22+ peut se démontrer à l'aide du système décrit ci-dessus. Comme le gain est donné par la formule: G = dSf/dC . La façon la plus directe pour mesurer le gain consiste en principe à mesurer le signal final sans flux de commande Sf, puis avec le flux de commande S', de sorte que l'on a 0= SfS' S'S =dS /dC | = f - f | f - f :Sf5 C0 - C 0C0 ICo -o Co Dans cette relation Sf et S'F se mesurent facilement; toutefois la valeur de C c'est-à-dire le flux de commande o qui est envoyé dans le noyau de fibre et qui participe au fonctionnement du transistor est difficile à obtenir. Un faible pourcentage de tout flux incident dans la fibre sera réfléchi à la surface de la fibre et une faible partie peut également être envoyée dans le revêtement au lieu d'être introduite dans le noyau. (Le revêtement extérieur absorbant évite que ces modes ne se propage Jusqu'au détecteur). Une autre partie faible du flux est envoyé de façon intéressante dans le noyau de la fibre, mais peut également se disperser ou être absorbée par les défauts de la fibre. Ces mécanismes de perte ne peuvent se mesurer directement, c'est pourquoi il est difficile d'obtenir une valeur précise de C0. Toutefois, le flux de commande final Cf se mesure facilement et peut être lié au gain intrinsèque par la relation S - S' f - f =C (k Cf 1-k/ Dans cette formule k est la fraction du faisceau de commande qui est absorbée. Pour une section 2+ transversale d'absorption UO2+2 adéquate et une concen- tration de dopage caractéristique de la longueur de fibre, il y aura une absorption de 99 % du flux de commande. Ainsi pour le transistor optique particulier U 022+ décrit dans ce paragraphe, on a G = 1,01 x 10-2 (Sf S f Cf $f et Cf ne sont pas indépendant mais sont liés par les équations décrivant le fonctionnement du transistor comme cela était évoqué dans le paragraphe intitulé "Mécanisme fondamental du transistor optique". A titre d'exemple, un flux de commande efficace Co=6,81 M W est nécessaire pour arriver à une modulation de 2 % d'un signal de 0, 751 mW. Dans ces conditions, on mesurera Sf = 0, 751 mW, Sf' = 0, 736 mW, Cf = 0, 068 p W, ce qui donne un gain de 2, 2. C'est pourquoi pour des puissances de laser et les densités de photons existant dans la fibre, on peut obtenir un gain intrinsèque > 2 avec un + transistor optique U02. Le schéma décrit ci-dessus est une démonstra- tion du fonctionnement du transistor optique de type UO 2 qui a un gain intrinsèque relativement faible et utilise de courtes longueurs d'ondes. D'autres matériaux ayant des propriétés adéquates donneront un gain en présence de pertes extérieures dans 1-a fibre optique ou dans des systèmes optiques intégrés et fonctionneront avec des lumières de longueurs d'ondes fournies par des sources appropriées de diode laser. Autres modes de réalisation - Différentes modes de réalisation de fibres optiques pour des transistors optiques sont donnés aux figures 6-9. A la figure 6, la matière active du transis- tor 41 se trouve dans un noyau de fibre d'un revêtement passif 47 et les flux de signaux43 et les flux de commande se propagent dans la région active le long de la même fibre. La fibre de transmission passive correspond à 49. La figure 7 montre la matière active 41 formée d'une section de revêtement de fibre 47. L'énergie 43 et 45 des deux flux se propage dans le noyau, mais ses champs évanescents s'étendent dans le revêtement et l'activation du revêtement par le flux de commande influence la transmission du flux de signal. La figure 8 montre le flux de commande guidé dans le revêtement actif par une fibre distincte. Il n'est pas nécessaire que le flux de commande soit un flux guidé comme représenté à la figure 9. C'est pourquoi le flux de commande est fourni par une lampe 51 avec des réflecteurs de lumière 53 qui activent une section de noyau de fibre 41; en variante le même montage peut activer un revêtement de fibre. Les figures 6-9 montrent des modes de réalisation de fibres optiques dans lesquelles la matière active du transistor est formée de matériaux pleins. Cependant, on peut remplacer les régions actives de fibres selon les figures 6 et 9 par un tube capillaire contenant du liquide ou du gaz. Les flux ne sont pas complètement réfléchis de façon interne dans un tube capillaire comme ils le sont dans un revêtement de fibre, mais les tubes capillaires guident efficacement la lumière pour une incidence rasante. Le matériau d'un transistor optique peut également être intégré à des guides d'ondes en film mince. La figure 10 montre un cas dans lequel la matière active est formée du film mince 55 sur un support de base passif 56. L'exemple montre le flux de signal de coin 57 couple au prisme 61 et le flux de commande de coin 59 couplé au film; toutefois les flux peuvent être inverses dans les dessins et les deux peuvent être couplés de la même manière, soit séparément, soit en réunion, de sorte que les flux coincident à leur point d'entrée dans le film. De même la matière active du transistor peut se limiter à une bande de film mince à travers laquelle progressent les flux; il peut également s'agir de la matière de base qui coopère par intermédiaire des champs évanescents des flux guidés. La surface plane constituée par les modes de réalisation à film mince peut également s'utiliser en permettant à plusieurs flux de signaux et de commande de coopérer suivant des chemins perpendiculaires comme cela est représenté à la figure 11 (seul le couplage au niveau des bords a été représenté dans un but de simplifi- cation). Les flux des signaux sont alors commandés non seulement par l'amplitude et les variations d'un seul flux de commande mais également un certain nombre de flux de commande que l'on peut activer sélectivement suivant le chemin des flux des signaux. La figure 11 montre la matière active du transistor formée d'un guide d'onde en film mince 63; là encore, le guide d'onde lui-même peut être passif et la matière active peut se trouver dans la base. Les flux des signaux et de commande peuvent se propager dans deux films différents, l'un correspondant à la matière active du transistor, l'autre à la matière passive. La figure 12 montre ce cas pour des groupes perpendiculaires de flux de signaux et de commande; toutefois cela s'applique comme déjà indiqué à des cas colinéaires tels que ceux de la figure 10. A la figure 12 les flux de signaux 43 se progagent dans le film actif 63 et les flux de commande 45 dans le film passif 65; toute- fois on peut inverser cette situation. La position relative des deux films peut également être inversée en ayant un indice de réfaction faible pour le film supérieur. La propagation des flux dans plus d'un film constitue un procédé pourempiler les transistors optiques dans la direction vertgicale. La figure 13 montre un mode de réalisation d'un film dans lequel on utilise deux films à transistor actif. Dans le film inférieur 67, se propagent les flux de commande et de signaux C et S1. La transmission de S dans le film supérieur 69 est com- 2- mandé par le champ evanescent de S1. C'est pourquoi S1 devient le flux de commande pour S2 Ce montage présente la possibilité pour-l'entrée du dispositif C1 et la sortie S2 d'avoir la même longueur d'onde que celle intéressante pour certaines applications. REVENDICATIONS 1 ) Procédé pour commander la transmission d'énergie de rayonnement à travers un milieu de transmis- sion de lumière, procédé caractérisé en ce qu'on introduit un premier flux de photons ou son champ évanescent, dans ce milieu, les photons ayant une énergie E et le milieu ayant des caractéristiques de niveau d'énergie telle que l'énergie E du premier de flux de photons coincide avec un intervalle d'énergie entre un niveau d'énergie appelé niveau d'énergie (2) et un autre niveau d'énergie appelé niveau d'énergie (3) dans ce milieu et le premier flux est essentiellement atténué comme premier flux de photons, ou de champs évanescents correspondants en passant dans ce milieu et en introduisant sélectivement un second flux de photons ou champs évanescents corres- pondants dans le milieu pour atténuer le premier flux de photons, le second flux de photons engendrant la population du niveau d'énergie (2) du milieu avec absorption d'une partie du premier flux, on induit une population dans le niveau (3), une partie de cette population du niveau (3) revenant au niveau (2) et étant disponible pour une atténuation complémentaire du premier flux, la commande de la transmission du premier flux de photons par le second flux de photons étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (3) au niveau (2) ne se produisait pas. 2 ) Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce que l'introduction de n1 photons du second flux ou du champ évanescent correspondant,provoque l'absorption de n2 photons du premier flux, n2 étant supérieur à n si T 1"T>, k > 0,90, T 1/T -1 > supérie1 p 2, k - 31 3 0,80, et T-1 ( ï8 S)P 0,01, relation dans laquelle 0,80, et T2 ( 23 F T p- est la fréquence de pulsation du second flux,T -1 p '2 etant le taux d'atténuation spontanée du niveau (2), k étant la fraction du second flux qui est absorbée dans le niveau de population (2) du milieu, T31 1 étant le taux d'atténuation pour les transmissions directes du niveau (3) au niveau (1), T3-1 étant le taux d'atténuation spontanée globale du niveau (3), yd23 étant la section transversale efficace pour l'absorption du premier flux en induisant des transitions du niveau (2) au niveau (3), avec Y= 1 si le premier flux est introduit directement dans le milieu et Y 0, 90 31 /T3 > 1 p 2 À 31 3 0,80 et T p/(Y 2 0,01. p 235f 3 0) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'un troisième flux de photons ou son champ évanescent correspondant est introduit sélectivement dans le milieu pour réduire l'atténuation du premier flux de photons, ce troisième flux de photons réduisant la population du niveau (2) en interrompant ainsi le transfert efficace des états excités entre les niveaux (2 et 3) qui engendrent l'atté- nuation du-premier flux de photons, la réduction de l'atténuation du premier flux de photons par le troisième flux de photons étant plus efficace que si il n'y avait pas de retour des états excités du niveau (2) au niveau (3) et de plus l'introduction de n3 photons du troisième flux ou du champ évanescent correspondant provoque un changement de transmission de nl photons du premier flux, avec n4 supérieur a n si T -1 " 2 -1 k> 0,90, 4 3 p 2'= T31/ T > 0,80, et T2/( 23SM) 0 90 / 3 1> 0,80, et p 2 231 = t -1/( Y Sf) o o 01; p 23 ' 4 ) Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le troisième flux de photons ou son champ évanescent correspondant est introduit sélecti- vement dans le milieu en fonction du temps de suppression du second flux de photons ou du champ évanescent correspon- dant de façon que la transmission du premier flux de photons soit rétablie au niveau initiale de transmission avant l'introduction du second flux de photons ou du champ évanescent correspondant, suivant une échelle de temps qui est plus courte que la durée de vie du niveau (2) est indépendant de celle-ci et est contrôlée par le temps d'introduction du 3ème flux de photons par rapport à l'enlèvement du second flux de photons ou des champs évanescents respectifs. 5 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 2, 3 ou 4, caractérisé en ce qu'un second milieu transmettant la lumière est associé de façon à coopérer avec le premier milieu, le second milieu ayant une structure de niveau d'énergie telle qu'il existe un intervalle d'énergie entre les niveaux appelés (1' et 2') qui soit égale à l'intervalle d'énergie entre les niveaux (2 et 3) du premier milieu, correspondant à l'énergie E du premier flux de photons, et un flux de photons appelés flux (1') ou son champ évanescent corres- pondant, est introduit sélectivement dans le second milieu, ce flux de photons (1') ayant une énergie E' qui correspond à l'intervalle d'énergie entre les niveaux appelés niveaux (2' et 3') du second milieu, de façon que le flux de photons (1') soit essentiellement atténué lorsque le flux (1') ou son champ évanescent correspondant traverse le second milieu et que la sortie transmise du second flux ou de son champ évanescent soit introduite sélectivement dans le second milieu, le premier flux ou son champ évanescent ayant traversé le premier milieu, le premier flux provoquant ainsi l'atténuation du flux (1') par l'introduction d'une population dans le niveau d'énergie (2') du second milieu, avec absorption d'une partie du flux (1'), induction d'une population dans le niveau (3'), une partie de cette population dans le niveau (3') revenant au niveau (2') et étant disponible pour permettre une atténuation complémentaire du flux (1'), la transmission du flux de photons (1') étant commandé par la sortie transmise du premier flux de photons de ma- nière détaillée dans la revendication 1 pour le premier milieu et pour le premier et le second flux, et le premier flux transmet deux photons qui commandent la transmission du flux (1') lorsque le flux (1') ou son champ évanescent correspondant -passe dans le second milieu, étant commandé à son tour par l'introduction du second flux de photons ou de son champ évanescent correspondant dans le premier milieu, la transmission du flux (1') étant commandée indirectement par le second flux qui commande directement la transmission du premier flux, ce premier flux commandant à son tour directement la transmission du flux (1'). 6 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le milieu est intégré à une configuration plane d'un ou plusieurs guides d'ondes en film mince, et un matériau formant substrat étant empilé dans la direction verticale, le milieu se composant de l'un des guides d'ondes en film mince ou de la matière formant le support, et le premier flux de photons est introduit sélectivement dans l'un des guides d'ondes en film mince, suivant un c6té de la configuration plane et se propage parallèlement aux côtés adjacents et le second flux de photons est introduit dans l'un des guides d'ondes d'un film mince suivant un côté adjacent à la configuration plane de façon que les chemins des flux- soient perpendiculaires l'un à l'autre et se croisent 1-'un l'autre directement si les flux se propagent dans le même film mince ou passent l'un par rapport à l'autre suivant des chemins perpendiculaires lorsque les flux se propagent dans des films distincts et n flux de photons avec une énergie de photons équi- valente à celle des photons du premier flux étant in- troduit suivant un côté d'un guide d'ondes en film mince, les terminés de la configuration plane, ces nI flux se propageant suivant des chemins distincts mais parallèles et n2 flux de photons avec une énergie de photons équi- valente à celle des photons du second flux étant introduit suivant un c3té adjacent à la configuration plane, les n2 flux introduits dans le même guide d'ondes en film mince que les n! flux ou dans un guide d'ondes en film mince distinct, et les n2 flux introduits dans des chemins distincts mais parallèles, n1 et n2 étant compris entre 1 et n'importe quel nombre compatible avec les dimensions de la configuration plane de façon que la transmission de n flux du type du premier flux soit commandée par n2 flux du type du second flux et la commande de la trans- mission de ni flux du type du premier flux étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (3) au niveau (2) ne se produisait pas dans ce milieu et l'introduction totale de ni photons de n2 flux du type du second flux entraîne un changement dans la transmission de n2 photons d'un.flux déterminé du type du premier flux, n2 étant supérieur à n avec T -1 " T-1 k'> 0,90, p2, k' 2,0 T3 1 / I> 0,80 et t2 /(y S) 0 01 et si 33 2 23 f 31 1 T-1 0,90, 3l -/T -1> 0,80 et y p1/( Y 23f) milieu par interaction directe ou par des champs évanes- cents, ce volume étant le volume traversé par le flux donné du type du premier flux ou du champ évanescent correspondant et Sf étant le nombre final de photons par centimètre carré par seconde dans le flux donné après traversée de la configuration plane. 7 ) Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'un flux complémentaire de photons appelé troisième flux est introduit sélectivement en liai- son avec chacun des n2 flux du type du second flux de pho- tons, ce flux complémentaire se propageant suivant un chemin coincidant avec le chemin traversé par le flux correspondant du type du second flux, si les flux se propagent dans le même quige d'ondes en film mince et le flux complémentaire se propageant dans un chemin colinéeaire mais distinct, si les flux se propagent dans des guides d'ondes en film mince, distincts, n2 flux du troisième type étant introduit en liaison avec n2 flux du type du second flux, les flux du troisième type réduisant l'atténuation des flux du type du premier flux par réduction de la population du niveau (2) du milieu en interrompant ainsi l'efficacité du transfert des états excités entre les niveaux (2 et 3) du milieu qui provoquent l'atténuation des flux du type du premier flux, la réduction de l'atténuation des flux du type du premier flux par les flux du troisième type étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (2) au niveau (3) du milieu ne se produisait pas et l'introduction d'un total de n3 photons de n2 flux du troisième type provoque une variation de transmission de n4 photons d'un flux déterminé du type du premier flux, n4 étant supérieur a n si T >> T2-1 k'> 0,90, 31 T > 0,80 et T2 -1/( y 235f) -, 8 e T -1 0,90, 31 T > 0,80 et p 2 ' 2 3 T 1/( Sf) y 0, 01, relation dans laquelle k' est p 23 f 2569869u la fraction du flux total introduit par tous les n2 flux du type du second flux absorbé dans un volume du milieu par interaction directe ou par des champs évanes- cents, ce volume étant le volume traversé par le flux donné du type du premier flux ou son champ évanescent correspondant et Sf étant le nombre final de photons par centimètre carré par seconde dans le flux donné après traversée de la configuration plane. 8 0) Procédé selon la revendication 5, carac- térisé en ce qu'un troisième flux de photons ou son champ évanescent correspondant est introduit sélectivement dans le premier milieu pour réduire l'atténuation du premier flux de photons, ce troisième flux de photons réduisant la population du niveau (2), en arrêtant ainsi le transfert efficace des états excités entre les niveaux (2 et 3) l'atténuation du premier flux étant ainsi réduite et une partie plus importante du premier flux ou du champ évanescent correspondant étant introduite dans le second milieu, la population du niveau (2') du second milieu étant augmentée et par conséquent l'atténuation du flux (1') étant augmentée et la réduction de l'atténuation du premier flux de photons par le troisième flux de photons étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (2) au niveau (3) du premier milieu ne se produisait pas et l'augmentation de l'atténuation du flux (1') est plus efficace que si le retour des états excités du niveau (3') au niveau (2') du second milieu ne se produisait pas et l'introduction n3 photons du troisieme flux ou de son champ évanescent correspondant dans le premier milieu entraîne un changement de transmission de n photons du flux (1') n étant supérieur à n3 avec T ">>T k> 0,90 p 2' T31 T > 0,80, et T2 y f) -0, 01, et si 1T -> T T1 > 0,80 et pT- 2 3 1 3 0,90, 3' Trp- /( 823 Sf = o,01 telle qu'appliquée à la fois au premier et au second milieu. 9 ) Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'un troisième flux de photons, ou son champ évanescent correspondant est introduit sélec- tivement dans le second milieu, en fonction du temps d'en- lèvement du premier flux transmis ou de son champ évanes- cent correspondant, du second milieu, ce troisième flux de photons réduisant la population du niveau (2') du second milieu de façon que la transmission du flux (1') soit rétablie au niveau d'origine de transmission, avant l'introduction du premier flux transmis ou de son champ évanescent correspondant, suivant une échelle de temps qui est plus courte que la durée de vie de niveau (2') et indépendante de celle-ci, et qui est commandé par le temps d'introduction du troisième flux de photons par rapport à l'enlèvement du premier flux transmis ou des champs évanescents correspondants. ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à-9, caractérisé en ce que le second flux de photons assure la population du niveau (2). par excitation directe du niveau d'origine au niveau (2). ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le second flux de photons assure la population de vie du niveau (2) en introduisant d'abord la population d'un niveau d'éner- gie supérieur au niveau (2) une partie de cette population s'atténuant alors au niveau (2). 12 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 caractérisé en ce que le second flux de photons assure la population du niveau (2) par transfert d'énergie d'un dopant, ce dopant étant distinct de l'entité caractérisé par la structure de niveau d'éner- gie contenant les niveaux (2 et 3). 13 ) Procédé selon l'une quelconque des revendications 5 à 12, caractérisé en ce que le second milieu transmettant la lumière est également caractérisé par un intervalle d'énergie entre les niveaux (2' et 3') qui correspond à l'énergie des photons dans le second flux et comme l'intervalle d'énergie entre les niveaux (2' et 3') correspond également à l'énergie E', du flux (1'), ce second flux et le flux (1') ont la même longueur d'onde, et ainsi la sortie globale transmise des deux milieux associés en coopération l'un avec l'autre se produit pour la même longueur d'onde que l'entrée de commande initiale les deux milieux utilisés en combinaison pour le second flux. 14 ) Procédé selon la revendication 3, carac- térisé en ce que le troisième flux de photons enlève la population du niveau (2) par des transitions induites à un niveau d'énergie plus élevée. ) Procédé selon la revendication 3, carac- térisé en ce que le troisième flux de photons enlève la population du niveau (2) par des transitions induites à un niveau d'énergie inférieur. 16 ) Appareil pour commander la transmission de l'énergie de rayonnement, caractérisé en ce qu'il comporte un milieu transmettant la lumière communiquant avec un moyen pour introduire un premier flux de photons ou son champ évanescent correspondant dans le milieu, ces photons ayant une énergie E et le milieu ayant des carac- téristiques de niveau d'énergie telles que l'énergie E du premier flux de photons corresponde à un intervalle d'énergie entre un niveau d'énergie appelé niveau d'énergie (2) et un autre niveau d'énergie appelé niveau d'énergie (3) pour le milieu et le premier flux est essentiellement atténué lorsque le premier flux de photons ou le champ évanescent correspondant traverse le milieu et un moyen communiquant avec le milieu pour introduire sélectivement un second flux de photons ou son champ évanescent dans le milieu pour atténuer le premier flux de photons, le second flux de photons entraînant la population du niveau d'énergie (2) du milieu, une partie du premier flux étant absorbée, induisant une population dans le niveau (3) une partie de cette population du niveau (3) revenant au niveau (2) et étant disponible pour une atténuation complémentaire du premier flux, la commande de la transmission du premier flux de photons par le second flux de photons étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (3) au niveau (2) ne se produisait pas, et de plus l'introduction de ni photons du second flux ou de son champ évanescent correspondant entraînant l'absorp- tion de n2 photons du premier flux, n2 étant supérieur à n1, si T P, k> 0, 90, > 0,80, "T2 '5 /3 _ -l1 et T2 1/(Y 23Sf) impulsionnelle du second flux, T2 étant le taux d'atté- nuation spontané du niveau (2), k étant la fraction du second flux absorbé dans le niveau de population (2) du milieu, T31 1 étant le taux d'atténuation pour les trans- -1 mission directes du niveau (3) au niveau (1), T 3 étant le taux d'atténuation spontané, l'ovale du niveau (3), Y 23 étant la section transversale efficace pour l'absorption du premier flux dans les transitions induites du niveau (2) au niveau (3), y = 1 si le premier flux est introduit directement dans le milieu et y ce milieu et Sf est le nombre final de photons par centi- mètre carré par seconde dans le premier flux après que le premier flux ou le champ evanescent correspondant ait passé dans le milieu et l'introduction du second flux ou son champ évanescent correspondant provoque l'absorption de n2 photons du premier flux, n2 étant supérieur à ni, si T T -1 k > 0 90, T -1/ T -1> 8 p Tp Sf) f 0,01. 17 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comporte un moyen communiquant avec le milieu pour introduire sélectivement un premier flux de photons ou son champ évanescent correspondant, dans ce milieu pour réduire l'atténuation du premier flux de photons, le troisième flux de photons assurant la dépopulation du niveau (2), en interrompant le transfert efficace des états excités entre les niveaux (2 et 3) qui entratne l'atténuation du premier flux de photons, la réduction de l'atténuation du premier flux de photons par le troisième flux de photons étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (2) au niveau (3) ne se produisait pas, et l'introduction de n3 photons du troisième flux ou de son champ évanescent correspondant, entraîne un changement de transmission de n4 photons du premier flux, n4 étant supérieur à n3 si TP 1>> T2 -1 À p 2 ' k 50,90, l -/T -1> 0,80 et T2 /(y S) O o k 0,30 =l 2: 23 f et siT -1 "T -T1 k > 0,90, T -1 > 0,80 et p 2 31 3 0 T 1/( Y5T3Sf) 0,01. 18 ) Appareil selon l'une quelconque des revendications 16 ou 17, caractérisé par un second milieu transmettant la lumière, ce second milieu communiquant avec un moyen pour introduire un flux de photons appelé flux (1') ou son champ évanescent correspondant, et en communication avec un moyen pour introduire la sortie transmise du second flux ou son champ évanescent correspon- dant après que le second flux ou son champ évanescent correspondant ait traversé le premier milieu, le second milieu et le flux (1') ayant des caractéristiques telles que la sortie globale transmise des deux milieux utilisés en combinaison qui corresponde à la meme longueur d'onde que l'entrée initiale de commande du second flux de photons, en ce que le second milieu a une structure de niveau d'énergie telle qu'il existe un intervalle d'énergie entre les niveaux appelés (1') et (2'), intervalle égale à l'intervalle d'énergie entre les niveaux (2 et 3) du premier milieu et qui correspond à l'énergie E du premier flux de photons, et ence que le flux de photons (1') a une énergie E' qui correspond à l'intervalle d'énergie entre les niveaux appelés niveaux (2' et 3') du second milieu de façon que le flux de photons (l') soit essentiel- lement atténué lorsque le flux (l') ou son champ évanescent correspondant traverse le second milieu de façon que si la sortie transmise du premier flux ou son champ évanescent correspondant est introduit sélectivement dans le second milieu, le premier flux ou son champ évanescent correespon- dant ayant traversé le premier milieu, le premier flux entrailne alors l'atténuation du flux (l1) en induisant une population dans le niveau d'énergie (2') du second milieu avec une partie du flux (1') absorbé en induisant - une population à un niveau (3'), une partie de cette population du niveau (3') retournant au niveau (2') et étant disponible pour compléter l'atténuation du flux (1'), la transmission du flux de photons (1') étant commandée par la sortie transmise du premier flux de photons de manière détaillée à la revendication 1, pour le premier milieu et le premier et le second flux, le premier-flux transmis de photons qui commande la transmis- sion du flux (1') lorsque le flux (1') ou son champ évanescent traverse le second milieu étant commandé à son tour par introduction du second flux de photons ou son champ évanescent corespondant dans le premier milieu, la transmission du flux (l';) étant commandée indirectement par le second flux qui commande directement la transmission du premier flux, ce premier flux commandant à son tour directement la transmission du flux (1'). 19 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le milieu est intégré à une configu- ration plane dans plusieurs guides d'ondes en film mince et un matériau de support empilé dans la direction verticale, le milieu étant constitué par l'un des guides d'ondes en film mince ou le matériau de support et un moyen en communication avec la configuration plate pour introduire le premier flux de photons dans l'un des guides d'ondes d'un film mince suivant un côté de la configuration plane et se propageant parallèlement au côté adjacent et un moyen en communication avec la configu- ration plane pour introduire le second flux de photons dans l'un des guides d'ondes en film mince et le second flux introduit suivant un côté adjacent à la configuration plane de façon que les chemins des flux soient perpendiculaires l'un à l'autre et se croisent l'un l'autre, directement si les flux se propagent dans le même film mince ou passent l'un sur l'autre suivant des chemins perpendiculaires si les flux se propagent.dans des films distincts et de plus des moyens pour introduire n1 flux de photons avec une énergie de photons équivalente à celle des photons du premier flux suivant un côté d'un guide d'ondes en film mince déterminé de la configuration plane, les n1 flux se propageant sur des chemins séparés mais parallèles, et les moyens pour introduire n2 de photons ayant une énergie de photons équivalente à celle des photons du second flux, suivant un côté adjacent à la configuration plane, ces n2 flux introduits dans le même quide d'ondes en film mince que les n1 flux ou encore un guide d'ondes en film mince, distincts, les n2 flux introduits dans les chemins distincts mais parallèles, n1 et n2 étant compris entre 1 et n'importe quel nombre compatible avec les dimensions de la configuration plane, de façon que la transmission de n1 flux du premier flux soit commandé par n2 flux du type du second flux, la commande de la transmission des n1 flux du type du premier flux étant plus efficace que si le retour des états excités du niveau (3) au niveau (2) ne se produisait pas dans ce milieu et de plus l'introduction d'un total de n1 photons de n2 flux du type du second flux entraîne un changement de transmission de n2 photons d'un flux déterminé du type du 2 1 -1-1 premier flux, n2 étant supérieur a nl, si Tp-1 >> t2-1, k'3 0,90, Te1 T -, /t k>3 = 0,90,31(Yet ( 23Sf) 0,90, T31 T > 0,80, et T-1 (Y f) type du premier flux ou de son champ évanescent correspon- dant et Sf étant le nombre final de photons par centimètre carré par seconde dans le flux donné après traversée de la configuration plane. ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comporte un moyen pour introduire un troisième flux de photons ou son champ évanescent correspondant dans le second milieu, cette introduction étant liée au temps pour l'enlèvement du premier flux transmis ou à son champ évanescent correspondant pour le second milieu, le troisième flux de photons réduisant la population du niveau (2') du second milieu de façon que la transmission du flux (1') soit rétablie à son niveau de transmission d'origine avant l'introduction du premier flux transmis ou de son champ évanescent corres- pondant en fonction d'un temps qui est plus court que la durée de vie du niveau (2') et indépendant de celle-ci et commandée par le temps d'introduction du troisième flux de photons par rapport à l'enlèvement du premier flux transmis ou des champs évanescents correspondants. 21 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que la matière transmettant la lumière contient au moins un élément dés terres rares. 22 ) Appareil selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'élément des terres rares agit dans le milieu comme dopant divalent. 23 ) Appareil selon la revendication 22, 2+ 2+ 2+ caractérisé en ce que le dopant est DY2, Tm2+, Er2+ ou Ho2+. 24 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le milieu transmettant la lumière est une section de noyau de fibre optique. ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le milieu transmettant la lumière est une section de revêtement de fibre optique. 26 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le milieu transmettant la lumière est un liquide ou un gaz dans un tube capillaire. 27 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le milieu transmettant la lumière est un guide d'ondes en film mince. é8 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le milieu transmettant la lumière est le support sur lequel est déposé le guide d'ondes en film mince. 29 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le premier flux ou son champ évanes- cent correspondant et le second flux ou son champ évanes- cent correspondant sont introduits dans le milieu par propagation des flux suivant une fibre optique. 30 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le premier flux ou son champ évanes- cent correspondant et le second flux ou son champ évanes- cent correespondant sont introduitsa dans le milieu par propagation des flux suivant deux fibres optiques diffé- rentes. 31 )) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le second flux est introduit dans le milieu par l'intermédiaire d'une source de lumière non cohérente située dans l'espace annulaire entre une fibre optique et un réflecteur de lumière coaxial. 32 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le premier flux et le second flux ou leur champ évanescent correspondant sont introduits dans le milieu par propagation dans le même guide d'ondes en film mince. 33 ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce le premier et le second flux ou les champs -évanescents de l'un ou des deux flux sont introduits dans le milieu par propagation dans différents guides d'ondes en film mince. 340) Appareil selon la revendication 16, caractérisé-en ce que le milieu transmettant la lumière est un guide d'ondes en film mince et un moyen pour introduire le premier ou le second flux ou leur champ évaneacent correspondant, sont des moyens de couplage de bord. ) Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce que le milieu de transmission de lumière est un guide d'ondes en film mince et le moyen pour introduire le premier flux ou le second flux ou leurs champs evanescents correspondants sont des moyens de couplage par prisme. 36 ) Appareil selon la revendication 18, caractérise en ce que l'intervalle d'énergie entre les niveaux d'énergie (2' et 3') du second milieu co'ncident avec l'énergie des photons du second flux de photons, et en conséquence la longueur d'ondes du flux (1') dont l'énergie E' est définie de façon à correspondre à'l'in- tervalle d'énergie entre les niveaux (2' et 3') correspond à la longueur d'ondes du second flux, la sortie globable transmise des deux milieux utilisés en liaison tels que défitis à la revendication 6, c'est-à-dire la partie transmise.du flux (1') correspondant à la même longueur d'ondes que l'entrée de commande initiale des deux milieux utilisés en combinaison. 37 ) Appareil selon la revendication 18, caractérisé en ce que les deux milieux sont des sections adjacentes d'un noyau de fibre optique. 38 ) Appareil selon la revendication 18, caractérisé en ce que les deux milieux sont des sections adjacentes d'un revêtement de fibres optiques. 39 ) Appareil selon la revendication 18, caractérisé eh ce que les deux milieux sont intégrés à deux sections adjacentes d'une fibre optique, un milieu étant intégré à une section de noyau de fibres et un milieu étant intégré à une section de revêtement de fibres. ) Appareil selon la revendication 18, caractérisé en ce que les deux milieux sont composés de deux films minces prévus l'un au-dessus de l'autre, de façon que le premier et le second flux se propagent dans un film et le flux (1') se propage dans l'autre film, la transmission du flux (1') étant commandée par le champ évanescent du premier flux. 41 ) Appareil selon la revendication 19, caractérisé en ce que le moyen pour introduire un ou plusieurs des flux est un moyen de couplage de coin. 42 ) Appareil selon la revendication 19, caractérisé en ce que le moyen pour introduire un ou plu- sieurs des flux est un moyen de couplage par prisme. 43 ) Appareil selon la revendication 19, caractérisé en ce que le milieu est formé par le substrat sur lequel est déposé le guide d'ondes en film mince et dans lequel se propagent les flux et qui coopèrent avec le milieu par leur champ évanescent. 44 ) Appareil selon la revendication 19, caractérisé en ce que le milieu est le guide d'ondes en film mince dans lequel se propagent les flux. ) Appareil selon la revendication 19, caractérisé en ce que le milieu est le guide d'ondes en film mince dans lequel se propage l'un des types de flux, l'autre des types de flux coopérant par l'intermé- diaire de son champ évanescent, pendant la propagation dans le guide d'ondes en film mince, adjacent. 46 ) Appareil selon la revendication 19, caractérisé en ce que le milieu est un guide-d'ondes en film mince compris entre deux autres guides d'ondes en film mince dans l'un desquels se propage l'un des types de flux et dans l'autre des guides d'ondes en film mince se propage l'aute des flux, tous les flux coopérant avec le milieu par l'intermédiaire de leurs champs évanes- cents correspondants.