FR 2571548 A1 19860411 FR 8415491 A 19841009 DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR COMPORTANT UN CONTACT SCHOTTKY, ET PROCEDE DE REALISATION D'UN TEL DISPOSITIF La présente invention concerne un contact métallique de type Schottky, réalisé sur des matériaux semiconducteurs rapides du groupe III-V, tel que GaAs par exemple. Ce conctat métallique est amélioré par la présence d'une couche interfaciale, située à la jonction métal Schottky/matériau semiconducteur: elle permet au contact Schottky de subir des températures de recuit élevées sans détérioration de l'interface métal/semiconducteur, et par consé- quent sans altération de la hauteur de barrière. Les contacts Schottky sont très utilisés dans la réalisation de dipôles et quadripôles semiconducteurs, tels que les diodes ou les transistors à effet de champ. Dans ces derniers, il est particu- lièrement commode de réaliser la métallisation de grille au moyen d'un métal ou alliage métallique formant une jonction dite de Schottky avec le matériau semiconducteur: cette métallisation, utilisée comme masque, permet d'auto-aligner sur les bords les caissons de reprise une couche n+ de conctat avec les métallisations de source et drain du transistor. L'inconvénient des métallisations Schottky connues est que, au cours du recuit à haute température, de l'ordre de 800 à 900 C qui suit la réalisation de ces caissons, pour l'activation de l'implantation d'ions ou de diffusion, certains des atomes constituant la métallisation Schottky diffusent dans la couche de matériau semiconducteur. Ces diffusions modifient l'in- terface métal/semiconducteur, ce qui change la hauteur de barrière Schottky du contact, ou détruit le contact. Selon l'invention, une fine couche interfaciale, constituant une barrière de diffusion pour les atomes métalliques, est interposée entre la métallisation Schottky et la couche de matériau de semi- conducteur: elle fait partie de la métallisation et n'est pas diffusée dans le matériau semiconducteur. Cette couche interfaciale est composée par un nitrure du métal ou de l'alliage métallique formant le contact Schottky, ou, de façon plus générale, par un composé chimique formé avec une molécule additionnelle non métallique, tel que la liaison entre le métal et cette molécule soit supérieure à la liaison entre le métal et le matériau semiconducteur. Si parmi les nombreux métaux réfractaires qui forment des contacts Schottky, on a choisi de déposer, par exemple, l'alliage WSi, la couche interfaciale est composée du nitrure Wx Siy Nz, les indices x, y, z étant choisis en fonction des caractéristiques recher- chées pour le conctat Schottky: valeur de la hauteur de barrière, valeur de son facteur de qualité, métallisation sous forme eutec- tique ou non, adaptation des coefficients mécaniques des réseaux cristallins métal/matériau semiconducteur... etc. De façon plus précise l'invention concerne un dispositif semi- conducteur comportant un contact dit de Schottky, formé entre une métallisation constituée par un système métallique réfractaire et une couche de matériau semiconducteur, ce dispositif étant carac- térisé en ce que la métallisation comporte, située à la jonction avec le matériau semiconducteur, une couche interfaciale formant bar- rière de diffusion, et formée par un composé chimique stable entre au moins un métal du système métallique et une molécule addition- nelle, le composé chimique étant tel que la liaison entre le système métallique et la molécule additionnelle est supérieure à la liaison entre le système métallique et le matériau semiconducteur. L'invention sera mieux comprise par la description d'un exemple de réalisation d'un contact Schottky, cette description s'appuie sur les figures jointes en annexe qui représentent: - figure 1: coupe partielle de la région de grille d'un transistor à effet de champ selon l'art connu, - figure 2: courbe montrant la dégradation du facteur de qualité d'un contact Schottky, en fonction de la température, - figure 3 coupe d'un contact Schottky, selon l'invention, - figure 4: caractéristique de transfert ID (VG) d'un MESFET selon l'invention, Figure 5: caractéristiques de saturation d'un transistor à effet de champ à grille Schottky autoalignée selon l'invention. Les contacts Schottky sont couramment réalisés sur des maté- riaux tels que le silicium, ou sur ceux du groupe III-V, tels que GaAs, AI Ga As, InP...etc, et ils constituent au moins une électrode soit dans des diodes soit dans des transistors. De façon à simplifier les explications, l'invention sera exposée en s'appuyant sur le cas de la métallisation de grille Schottky dans un transistor à effet de champ dont le matériau semiconducteur est GaAs. Ceci ne consti- tue nullement une limitation à la portée de l'invention, qui est appli- cable de façon générale à tous les dispositifs semiconducteurs comportant au moins un contact Schottky. La figure I représente la coupe partielle de la région de grille d'un transistor à effet de champ selon l'art connu. Ce transistor est de type MESFET, c'est-à-dire que c'est un transistor métal/semi- conducteur: les transistors de type Mos ou Mis ne sont pas con- cernés par l'invention puisqu'ils comportent une couche d'oxyde ou une couche isolante entre la métallisation de grille et le matériau semiconducteur. Dans le cas d'un MESFET, la métallisation Schottky de grille I est déposée directement sur le matériau 2 semicon- ducteur: l'ensemble de la pastille de matériau semiconducteur 2 est simplifié, et les différentes couches semiconductrices, de types variés et formant les jonctions qui constituent le corps d'un transi- stor, ne sont pas représentées de façon à simplifier la figure. Lorsqu'il s'agit d'un transistor, il est nécessaire de compléter sa structure par des métallisations de source et de drain 3 et 4, qui sont déposées en surface de la pastille du transistor, de part et d'autre de la métallisation de grille 1. Cependant afin d'améliorer le contact entre les métallisations ohmiques 3 et 4, et le canal, transportant le courant entre ces mêmes métallisations, il est préférable de réaliser deux caissons 5 et 6 bons conducteurs, sur lesquels sont déposées les métallisations ohmiques 3 et 4. Ces caissons 5 et 6 sont réalisés par des procédés connus de l'homme de 7 1548 l'art, tels que l'implantation ionique ou la diffusion d'impuretés, en utilisant la métallisation de contact Schottky I comme masque pour autoaligner les bords des caissons 5 et 6 sur les bords de la métallisation de grille 1. Apres que les caissons ont été implantés, il est nécessaire de porter l'ensemble du dispositif à haute tempé- rature pour activer l'implantation dans les caissons. C'est au cours de cette opération de recuit que certains atomes du métal ou des métaux constituant la métallisation Schottky diffusent dans le matériau semiconducteur, formant ainsi une zone 7, irrégulière, diffusée dans la pastille semiconductrice. Cette zone de diffusion modifie les caractéristiques d'interface, et par conséquent modifie la nature du contact Schottky. Les contacts Schottky sont classiquement réalisés au moyen de couches métalliques ou de systèmes métalliques réfractaires tels que TiW, SiTiW, SiW, SITa, WAl....etc. La technique d'autoali- gnement d'une grille en métal réfractaire ou en un système métal- lique réfractaire est une technique efficace pour réduire la résis- tance parallèle dans un transistor de type MESFET sur GaAs. Mais cette technique nécessite le recuit des zones implantées 5 et 6, et la clé de cette technique est le choix d'une grille métallique qui maintienne un bon contact Schottky avec GaAs même après un recuit à 800 ou 900 C. Dans le cas d'une métallisation Schottky constituée par Si TiW, le tungstène est nécessaire car c'est lui qui assure un bon contact Schottky, le titane permet une meilleure adhérence de la couche, car il adapte entre eux les coefficients d'élasticité des couches métalliques et semiconductrices, le silicium freine partiellement la diffusion du titane dans GaAs. Un tel alliage n'est stable au cours de l'opération de recuit précitée que jusqu'à des températures de l'ordre de 750 C. Il est cependant nécessaire pour bien activer les caissons implantés 5 et 6, de pouvoir monter la température de recuit jusque au moins 800-900 C, sinon apparait la zone de diffusion 7, qui détériore les caractéristiques des barrières Schottky. La hauteur de barrière d'un système métal/semiconducteur est, pour GaAs, déterminée par l'état de surface et est de l'ordre de 0,8eV. L'état de surface, c'est-à-dire l'état de l'interface entre le mérntal et le semiconducteur, comporte normalement une couche interfaciale dont l'épaisseur est de l'ordre de la distance atomique: cette couche interfaciale ccrrespond à l'interpénétration des atomes de métal dans le réseau cristallin du matériau semiconducteur. Or, s'il y a diffusion d'atorne de meita au cours de l'opération de recuit, cette couche interfaciale n'est plus, et de beaucoup, d'épaisseur de l'ordre de la distance atomique, mais elle est beaucoup plus impor- tante, et n'est plus à ce nomrent transparente aux électrons. Par consequent les diagrammes d'énergie de bande entre un métal et un semiconducteur sont d4tériorés, la hauteur de barrière Schottky est modifiée, et le facteur de qualite détérioré. Pour caractériser un contact Schottky, on peut utiliser la formule connue 3 = A T2 exp b exp V ST nKT Dans: densi-té de couran- A constante de Richardson T = température q = charge de eélectron 4b hauteur de barriere Schottky n = facteur de qualité du contact. La hauteur de barrière 0b ebt la constante de Richardson sont une caractéristique essentielle des contacts Schottky, qui sont dété- riorés par la zone de diffusion 7 d'atomes métalliques dans le 0 semiconducteur. L'invention vise à augmenter la hauteur de barrière d'une métallisation Schottky, en créant, entre la métallisation 1 et le corps en matériau semiconducteur 2, une barrière qui s'oppose à la diffusion des atomes métalliques, vers la couche active qui est, dans le corps en matériau semiconducteur, au contact de la grille Schottky. 2 5 7 1548 C'est ce que représente la figure 2 dans laquelle, entre la métallisation Schottky 1 et le corps semiconducteur 2, est interposée une mince couche interfaciale 8 encore conductrice de nitrure des métaux qui assurent le contact Schottky. Ainsi, si le contact Schottky est constitué par le système SiTiW qui constitue la métallisation 1, la barrière 8 est constituée par un nitrure N SiTiW. La liaison entre un atome d'azote et des atomes métalliques tels que W ou Si est supérieure à la liaison entre le matériau semiconducteur tel que GaAs et des atomes tels que W ou Si. Par conséquent, la présence d'atomes d'azote qui forment avec le ou les métaux du contact Schottky le nitrure, constitue une barrière de diffusion des atomes métalliques vers le matériau semiconducteur. Cette couche interfaciale 8 est constituée par une épaisseur nitrurée d'épaisseur de l'ordre de quelques centaines d'angstrims ce qui n'est pas du tout comparable avec la couche interfaciale d'épaisseur d'ordre de la distance atomique dont il a été fait mention précédemment. En outre, la couche interfaciale 8 n'est pas diffusée dans le corps du matériau semiconducteur, mais fait partie de la métallisation Schottky: elle ne pénètre pas dans la couche active. Alors que la hauteur de barrière 0b est une caractéristique d'un contact Schottky, le facteur de qualité "n" permet de juger ou de comparer entre eux des contacts Schottky. La figure 3 donne la variation du facteur de qualité "n" en fonction des températures de recuits pour différentes technologies de réalisation de contact Schottky par matériaux réfractaires. En abscisse sont portées les températures de recuit, 750 étant la température maximum admissible avec les alliages Schottky de métaux tels que Ti, W, Si, 850 étant la température atteinte par l'alliage nitruré selon l'invention, sans qu'il y ait de détérioration significative du facteur de qualité "n". Ainsi, alors qu'un bon facteur de qualité "n" doit être le plus voisin possible de l'unité, on trouve dans la littérature des courbes telles que 9 et 10 pour laquelle n = 1,14 entre 700 et 850 ; ou n = 1,17 à 800 , pour une métallisation Schottky SiTiW. Avec une métallisation WAI, n = 1,1 entre 700 et 7. 9000C. Ces valeurs connues correspondent aux courbes 9 et 10 de la figure 3. Au contraire avec le contact Schottky selon l'invention, la courbe représentative de "n" en fonction de la température est représentée par la courbe 1 1, et donnée de façon plus précise dans le tableau ci-dessous: T 600 750 800 850 n 1,05 1,05 1,06 1,07 O b 0,78V 0,82V 0,84V 0,85V Ces valeurs montrent que le facteur de qualité "n" est pratiquement indépendant de la température de recuit au moins jusque 850 C. En outre le tableau ci-dessus comporte la mesure des hauteurs de barrière Ob à différentes températures et il est remarquable que la hauteur de barrière s'accroit avec la température de recuit, lorsque le contact Schottky est nitruré selon l'invention. Alors que dans la littérature la hauteur de barrière est classiquement comprise entre 0,7 et 0,75 V pour un système métal/GaAs, la hauteur de barrière est augmentée d'environ 0,8 électron-volts et passe à 0,86 électron-volts dans un système métal nitruré/GaAs selon l'invention. Enfin, la tension de claquage d'un dispositif semiconducteur comportant un contact Schottky nitruré selon l'invention est amé- liorée: par exemple pour un recuit à 850 C, la tension de claquage du système SiTiW est 6 Volts, tandis que la tension de claquage d'un contact nitruré selon l'invention, Si TiWN est égale à 12 Volts, sur une couche de GaAs de l'ordre de 1017 cm-3. Un avantage du contact Schottky nitruré selon l'invention consiste en le fait qu'une couche SiTiWN est plus résistante qu'une couche du système SiTiW non nitruré. Par conséquent la couche 7 1548 interfaciale nitrurée 8 introduit un limiteur de courant entre le contact Schottky! et le corps semiconducteur 2 pour le mode de fonctionnement en enrichissement (diode Schottky en direct). Ceci est représenté en figure 4 qui donne la caractéristique I (V) d'un transistor, muni d'une grille Schottky selon l'invention. Si l'on mesure le courant de drain ID en fonction de la tension positive de grille VG, la courbe a l'aspect de la fraction de courbe 12, avec augmentation du courant en fonction de la tension. Dans le cas d'un transistor normal, c'est-à-dire ne comportant pas une grille nitrurée, cette courbe se limiterait à un point 13 au delà duquel on atteint la tension de claquage de dispositif de semiconducteur. Mais dans le cas d'un transistor muni d'une grille nitrurée selon l'invention, la résistance série constituée par la couche interfaciale 8 introduit un limiteur de courant, qui fait que la courbe 12 se prolonge par une courbe 14 qui présente une saturation: ce limiteur de courant protège le transistor. Cet aspect du contact Schottky selon l'inven- tion est particulièrement intéressant car il permet d'utiliser des transistors de type MESFET en microondes, dans des systèmes limiteurs ou oscillateurs par exemple, qui admettent le passage de courants relativement importants. Le fait qu'un contact Schottky nitruré selon l'invention pré- sente une couche interfaciale 8 résistante n'est pas intéressant pour une diode mélangeuse, qui doit être peu résistante pour laisser passer le courant; par contre un contact Schottky nitruré résistant est intéressant pour la réalisation d'un varactor qui travaille en inverse: la couche résistante évite les-chutes de courant et protège la diode à proximité du potentiel de claquage. La figure 5 représente les caractéristiques de saturation d'un transistor à effet de champ à grille submicronique Schottky auto- alignée selon l'invention, pour des tensions de polarisation de grille VG compris entre 0 et 0,8 Volts. La réalisation d'un contact nitruré selon l'invention se fait selon une technologie bien connue de métallisation par pulvérisation sous vide dans des appareils qui ne nécessitent aucune modification. A titre d'exemple, du silicium est pulvérisé en même temps qu'un alliage ou un eutectique de différents métaux, tel que WTi dans les propoproins de 15% en atomîes pour le silicium dans un eutectique de -!0% en atomnes pour '3/Th Au début de l'opération de pulvéri- sat..,or sous uide, un plasma comportan, de l'azo-e dans l'argon, est introdui? dans l'appareil de p-ulJvèisatino 7a durée de l'opération va-ie avec!es c-raceriique de ?Pappareil de pulvérisation mais il est nJss ai re d9Obtenia une co e nilrurée de lPordre de quelques cen-Can^ dngstrms-o d'e[paihszur, le plasma d'azote dans largon -; ' sppr2-: cOrS-.U. ere REVENDICATIONS 1. Dispositif semiconducteur comportant un contact dit de Schottky, formé entre une métallisation ( semiconducteur, ce dispositif étant caractérisé en ce que la métal- lisation (1) cornporte, située à. la jonction avec le matériau semiconducteur (2), une couche interfaciale (8) formant barrière de diffusion, formée par un composé chimique stable entre au moins un métal du système métallique et une molécule additionnelle, le composé chimique étant tel que la liaison entre le système métallique et la molécule additionnelle est supérieure à la liaison entre le système métallique et le matériau semiconducteur (2). 2. Dispositif semiconducteur comportant un contact Schottky selon la revendication 1, caractérisé en ce que la molécule addition- nelle est l'azote, et le composé chimique formant la couche inter- faciale (8) est une nitrure de métal réfractaire. 3. Dispositif semiconducteur comportant un contact Schottky selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche inter- faciale (8) a une épaisseur supérieure à une distance atomique, et est de l'ordre de quelques centainesd'angstrôms. 4. Dispositif semiconducteur comportant un contact Schottky selon la revendication 2, caractérisé en ce que, le système métal- lique constituant la métallisation Schottky (1) étant composé d'au moins un parmi les métaux W, Ti, AI, Ta, Si, le composé chimique formé est une nitrure de type WSiN, TiWSiN, WAIN, dont les proportions de chaque constituant sont choisies en fonction des caractéristiques requises pour le métal Schottky, et du matériau semiconducteur (2). 5. Dispositif semiconducteur comportant un contact Schottky selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau semi- conducteur est choisi parmi Si ou les composés du groupe III-V tels que GaAs, AlGaAs, InP... 6. Dispositif semiconducteur comportant un contact Schottky selon la revendication 2, caractérisé en ce que la résistivité de la couche interfaciale (8) nitrurée est supérieure à la résistivité du système métallique constituant la métallisation (1) d'un contact Schottky. 7. Dispositif semiconducteur comportant un contact Schottky selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il constitue la métal- lisation de grille (1) d'un transistor à effet de champ de type MESFET, dans lequel la couche interfaciale (8) introduit un limiteur de courant qui protège le transistor aux tensions de grille VG élevéeso 8e Dispositif semiconducteur comportant un contact Schottky selon la revendication l1 caractérisé en ce qu'il constitue la métal- lisatlion de cathode d'une diode à capacité variable (varactor). 9. Procédé de réalisation d'un dispositif semiconducteur com- portant un contact Schottky selon la revendication 2, caractérisé en ce que le dépÈt du système métallique, en vue de former la métallisation 5chottky (1)9 se fait en appareil de pulvérisation sous vide et comporte une étape préliminaire en présence d'un plasma comprenant de l'azote comme gaz réactif.