FR 2567340 A1 19860110 FR 8500570 A 19850116 Relais à semi-conducteur protégé contre les surcharges de courant Cette invention concerne les relais à semi- conducteurs, et plus particulièrement les circuits servant à protéger les relais à semi-conducteurs des dommages causes par une surcharge de courant du circuit de sortie. Au cours des années, une large variété de relais à semi-conducteurs ont été mis au point, qui utilisent un semi-conducteur de puissance comme dispositif de commutation du circuit de sortie. Récemment, certains circuits de relais à semi-conducteurs ont été conçus, qui utilisent des transistors à effet de champ à semi-conducteur de puissance métal-oxyde (MOSFET) comme dispositif de commutation du circuit de sortie. Des circuits de ce type sont décrits dans la demande de brevet déposée aux Etats-Unis d'Amérique le 16 mars 1984 sous le N 590.184 et cédée à la demanderesse du présent brevet. Un inconvénient majeur de l'utilisation de nombreux relais à semiconducteurs est leur manque de tolérance pour les surcharges d'intensité dans le circuit de sortie. Par exemple, même un bref court-circuit aux bornes de la charge a habituellement pour résultat une défaillance catastrophique du dispositif de commutation du circuit de sortie du relais. En conséquence, c'est un objectif de la présente invention de fournir un relais à semi-conducteur qui ne soit pas endommagé par une surcharge d'intensité dans le circuit de sortie. - C'est un autre objectif de la présente invention de fournir un circuit qui interrompe automatiquement le passage du courant dans le circuit de sortie en cas de surcharge. Les objectifs précédents de l'invention, ainsi que d'autres objectifs, sont atteints grâce à un circuit de commande comportant un transistor à effet de champ à semi-conducteur de puissance métal-oxyde (MOSFET) ayant une borne "drain" et une borne "source" qui sont connectées aux bornes de sortie du circuit. Ces bornes de sortie sont montées en série entre une charge et une source de courant électrique. Il est prévu un circuit de polarisation qui émet un signal de polarisation sous l'effet de l'application d'un signal d'entrée aux bornes d'entrée du circuit. Ce signal de polarisation est appliqué à la borne "grille" ou "gâchette" et à la borne "source" du MOSFET et sert à le polariser pour le rendre conducteur, appliquant ainsi le courant électrique à la charge. Il est prévu un montage électrique de détection qui fournit une indication du niveau du courant de charge qui passe dans le MOSFET. Un circuit de dérivation, asservi à ce montage de détection, dérive le signal de polarisation lorsque le niveau du courant de charge qui passe dans le MOSFET excède une valeur prédéterminée. D'autres objectifs, caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront à la lecture de la description qui va suivre, prise conjointement avec les dessins ci- joints, sur lesquels les mêmes éléments sont désignés par les mêmes repères numériques sur les différentes vues. La Figure 1 est un schéma simplifié représentant une première forme de réalisation de l'invention dans laquelle un redresseur au silicium commandé est utilisé pour dériver un signal de polarisation d'un MOSFET en cas de surcharge d'intensité; La Figure 2 est un schéma simplifié représentant une seconde forme de réalisation de l'invention dans lequel un transistor est utilisé pour mettre hors circuit le MOSFET en cas de surcharge d'intensité; La Figure 3 est un schéma simplifié représentant une troisième forme de réalisation de l'invention dans laquelle un second MOSFET est ajouté au circuit de la Figure 2 afin de supprimer un trajet de courant autour du premier MOSFET lorsqu'il n'est pas conducteur; et La Figure 4 est un schéma simplifié représentant une quatrième forme de réalisation de l'invention dans laquelle le circuit de la Figure 3Jest combiné à un troisième MOSFET pour protéger contre une surcharge d'intensité une configuration de commutation possédant une propriété de transport bidirectionnel du courant de charge. Sur la Figure 1 est représenté un circuit de commande 10 construit conformément à une première forme de réalisation de l'invention. Le circuit 10 comporte une paire de bornes d'entrée 12 et 14 et une paire de bornes de sortie 16 et 18. Entre les bornes 12 et 14 sont montés un circuit série comprenant une première et une seconde diodes électroluminescentes 20 et 22, et un élément limiteur de courant tel qu'une résistance chutrice 24. Les diodes 20 ct 22 sont disposées à proximité de, et sont couplées optiquement à une série de photodiodes 26 ayant des bornes de sortie respectivement positive et négative 30 et 32. La série de photodiodes 26 se compose de plusieurs photodiodes 28 montées en série de façon à former une source de tension photovoltaique. Il est bien connu de l'homme de l'art qu'une photodiode produit une tension et une intensité (environ un demi-volt à environ trois micro-ampères pour une diode au silicium de petite superficie) en réponse à la lumière qui frappe leur surface. La quantité de courant disponible d'une diode donnée est proportionnelle à la quantité de lumière qui frappe sa surface. Si l'on monte en série plusieurs photodiodes 28, les tensions qui sont produites par chacune s'additionnent en produisant un niveau de tension voulu aux bornes de sortie 30 et 32 de la série 26. Dans la forme de réalisation préférée, seize photodiodes 28 sont montées en série de façon à produire une tension de sortie d'environ huit volts à un niveau de courant d'environ trois micro-amperes sous l'effet de la lumière provenant des diodes 20 et 22. Le nombre de diodes utilisées pour éclairer la série 26 est une question de choix de conception. La sé2ie 26 est généralement fabriquée sous la forme d'un dispositif à circuit intégré, à l'aide de techniques de fabrication, telles que l'isolement diélectrique, qui sont bien connues de l'homme de l'art. La borne positive 30 de la série 26 est connectée à la borne "gâchette" 34 d'un transistor de puissance à effet de champ à semi-conducteur métaloxyde, fonctionnant parenrichissement, àN canaux (MOSFET) 38. La borne négative 32 de la série 26 est connectée par l'intermédiaire d'une résistance 33 à la borne source 36 du MOSFET 38, et les bornes drain et source 40 et 36 du MOSFET 38 sont elles-mêmes connectées respectivement aux bornes de sortie 16 et 18 du circuit. Les MOSFET de puissance sont caractérisés par leur aptitude à commuter une intensité de plusieurs ampères entre leurs bornes de sortie (drain et source) à partir d'une source de courant électrique atteignant jusqu'à plusieurs centaines de volts. Ces dispositifs font preuve d'une faible résistance de sortie dans leur état conducteur (généralement de 0,01 à 3 ohms) et d'une grande résistance de sortie dans l'état non conducteur (généralement de 1 à 10 mégohms). Un dispositif MOSFET type pour utilisation dans l'invention est le type NO IRF520, fourni par International Rectifier, E1 Segundo, Californie, Etats-Unis d'Amérique. Le MOSFET 38 est polarisé et rendu totalement conducteur par l'application d'un premier niveau de tension (généralement de 6-à 8 volts) entre les bornes gâchette et source 34 et 36. Ce premier niveau de tension est appelé "tension de mise en circuit" du MOSFET 38. Lorsque la tension gâchette-source est inférieure à un second niveau de tension (généralement 3 volts), le MOSFET 38 est polarisé et mis dans un état non conducteur. Ce second niveau de tension est appelé "tension de mise hors circuit" du MOSFET 38. Le fonctionnement du circuit 10 qui vient d'être décrit est le suivant. On applique un signal d'entrée aux bornes d'entrée 12 et 14 en connectant, par exemple, une source de tension 42 aux bornes 12 et 14, en utilisant un interrupteur 44 comme représenté sur la Figure 1. En réponse à ce signal d'entrée, les diodes 20 et 22 produisent de la lumière. Cette lumière est couplée optiquement à la série de photodiodes 26 qui lui fait produire une tension entre les bornes gâchette et source 34 et 36 du MOSFET 38. Le MOSFET 38 est polarisé et rendu totalement conducteur, en formant un trajet de courant à faible impédance entre les bornes de sortie 16 et 18. Quand le MOSFET 38 est conducteur, du courant électrique est appliqué à une charge 46 à partir d'une source de courant électrique 48. La charge 46 et la source 48 sont montées en série entre les bornes 16 et 18, comme le montre la Figure 1. Quand l'interrupteur 44 est ouvert, les diodes électro- luminescentes 20 et 22 ne produisent plus de lumière. Par conséquent, la tension fournie par la série 26 tombe à zéro, et le MOSFET 38 est mis hors circuit. Un inconvénient du circuit qui vient d'être décrit est qu'il peut aisément être endommagé sous l'effet de surcharges d'intensité dans le circuit de sortie. Par exemple, en cas de panne dans la charge 46, le niveau du courant qui passe dans le MOSFET 38 peut largement dépasser son intensité nominale. Le résultat habituel est une défaillance catastrophique du MOSFET 38. Le circuit 10 est protégé contre de telles surcharges dela manière suivante. Un redresseur au silicium commandé (SCR) 50 est monté de façon à jouer le rôle d'une dérivation aux bornes de la série de photodiodes 26, les bornes anode et cathode du SCR 50 étant connectées respectivement aux bornes 30 et 32 de la série 26. La borne gâchette du SCR 50 est connectée à la borne source 36 du MOSFET 38 par l'intermédiaire d'une résistance chutrice 52. Etant donné que la résistance 33 est montée en série avec la charge 46, la tension qui apparaît aux bornes de la résistance 33 est proportionnelle au courant qui passe dans la charge 46, et par conséquent dans le MOSFET 38. La tension qui apparait aux bornes de la résistance 33 est appliquée à la gâchette du SCR 50. Lorsque cette tension dépasse la tension de commutation de gâchette du SCR 50, ce dernier est déclenché et rendu conducteur, dérivant ainsi la tension engendrée par la série de photodiodes 26. Comme décrit précédemment, quand l'interrupteur 44 est fermé, la série 26 engendre une tension de polarisation qui polarise le MOSFET 38 pour le rendre conducteur, fournissant ainsi du courant à la charge 46 à partir de la source 48. Dans les conditions normales, le courant qui passe dans la charge 46 est en deçà de l'intensité nominale du MOSFET 38. La valeur de la résistance 33 est choisie de telle sorte que, dans ces conditions normales, la tension qui apparaît aux bornes de la résistance 33 est inférieure à la tension de mise en circuit du SCR 50. En conséquence, le SCR 50 reste dans un état non conducteur. En cas de surcharge d'intensité, par exemple sous l'effet d'une panne ou d3'un court-circuit dans la charge 46, le courant qui passe dansleMOSFET38 augmente rapidement, de même que la tension qui apparaît aux bornes de la résistance 33. Quand cette tension atteint la tension de mise en circuit du SCR 50, ce dernier passe à l'état conducteur, dérivant la tension engendrée par la série 26. Cet effet de dérivation fait immédiatement passer le MOSFET 38 à l'état non conducteur, mettant ainsi fin au passage du courant de charge. La valeur de la résistance 33 est choisie de telle sorte que le SCR 50 ne se déclenche pas lorsque des niveaux normaux d'intensité passent dans le MOSFET 38, mais se déclenche lorsqu'une intensité excessive passe dans le MOSFET 38. Cette intensité excessive est choisie de telle sorte que le MOSFET 38 puisse lui résister pendantle bref laps de temps (généralement quelques microsecondes) qu'il faut au SCR 50 pour devenir conducteur et pour mettre hors circuit le MOSFET 38. Après qu'une surcharge a eu lieu, on peut remettre le circuit 10 dans son état de fonctionnement normal en ouvrant l'interrupteur 44. Cela a pour effèt de faire cesser le passage du courant en provenance de la série de photo- diodes 26, ce qui permet au SCR 50 de revenir dans un état non conducteur. Le circuit 10 est alors remis dans son état initial et est en mesure de répondre- à nouveau à des conditions normales de surcharge d'intensité, tout en protégeant le MOSFET 38 des dommages causés par des surcharges d'intensité. La Figure 2 est un schéma simplifié d'un circuit représentant une seconde forme de réalisation de l'invention qui ne fait pas appel au SCR 50 ni aux résistances 33 et 52 pour la protection contre les surcharges. Des différences supplémentaires entre le circuit 60 et le circuit 10 sont les suivantes. Entre la borne 30 de la série 26 et la borne gâchette 34 du MOSFET 38 est montée une diode 62 orientée de façon à permettre au courant de se diriger vers la borne gâchette 34 II est prévu un transistor bipolaire 64 de type PNP dont la borne émetteur est connectée à la borne gâchette 34, sa borne collecteur étant connectée à la borne source 36 du MOSFET 38, et sa borne base étant connectée à la borne 30 de la série 26. Une résistance 66 est montée entre les bornes 30 et 32 de la série 26. Le fonctionnement des composants 62, 64 et 66 est décrit en détail dans la demande de brevet déposée aux Etats-Unis d'Amérique le 16 mars 1984 sous le N 590.184 et cédée à la demanderesse du présent brevet. Le contenu de cette demande de brevet est incorporé ici à titre de référence. Pour comprendre la présente invention, il suffit de comprendre que le transistor PNP 64 est polarisé pour être rendu conducteur entre ses bornes émetteur et collecteur lorsque la série 26 ne produit pas de tension. Inversement, le transistor 64 est polarisé dans un état non conducteur lorsque la série 26 produit une tension. Le transistor 64 sert à accélérer la mise hors circuit du MOSFET 38 en fournissant un trajet de décharge pour le condensateur qui est associe aux éléments gâchette-source du MOSFET 38. La diode 62 couple la tension de polarisation de la série 26 à la gâchette 34 du MOSFET 38. En conséquence, comme dans la forme de réalisation précédente du circuit , le MOSFET 38 réagit à une fermeture de l'interrupteur 44 en passant dans un état conducteur. Quand l'interrupteur 44 s'ouvre, le MOSFET 38 passe dans un état non conducteur en un laps de temps extrêmement court, en partie en raison de la conduction du transistor 64. Le circuit 60 assure la protection contre les surcharges d'intensité de la manière suivante. Il est prévu un transistor bipolaire 68 de type NPN dont la borne collecteur est connectée à la,borne gâchette 34 du MOSFET 38, et dont la borne émetteur est connectée à la borne source 36 du MOSFET 38. Il est prévu un transistor à effet de champ et à jonction "JFET" 70, fonctionnant par appauvrissement, dont la borne drain est connectée à la borne base du transistor 68. La borne source du JFET 70 est connectée à la borne source 36 du MOSFET 38. Une résistance 72 est montée entre les bornes gâchettes du JFET 70 et du MOSFET 38, et un condensateur 74 est monté entre les bornes gâchette et source du JFET 70. Une résistance 76 est montée entre les bornes drains duMOSFET 38 et du JFET 70. La résistance 76 fournit à la base du transistor 68 un signal de polarisation qui est proportionnel à là tension qui apparaît entre les bornes drain et source 40 et 36 du MOSFET 38. Cette tension constitue une mesure du courant qui passe dans le MOSFET 38. Il en est ainsi parce que le MOSFET 38, quand il est dans son état conducteur, apparaît comme une résistance de valeur très faible entre ses bornes drain et source 40 et 36, et par conséquent la chute de tension qui apparait entre ces deux bornes est proportionnelle à l'intensité du courant qui passe dans le MOSFET 38. Le circuit 60 fait usage du fait que la chute de tension aux bornes du MOSFET 38 est proportionnelle à son intensité, pour mesurer la valeur de cette intensité. Lorsqu'une intensité normale passe dans le MOSFET 38, la tension aux bornes du MOSFET est inférieure à la tension de commutation base-émetteur du transistor 68. Par conséquent, la tension de polarisation qui' est appliquée à la base du transistor 68 par l'intermédiaire de la résistance 76 est insuffisante pour rendre le transistor 68 conducteur. Mais dans des conditions de surcharge d'intensité, la tension qui apparait à la borne drain 40 par rapport à la borne source 36 augmente de manière significative. Lorsque cette tension dépasse la tension de commutation base-émetteur du transistor 68, celui-ci commence à être conducteur. Quand le transistor 68 est conducteur, il dérive la tension provenant de la série 26, en provoquant la mise hors circuit du MOSFET 38. Cette action de mise hors circuit est à réaction, parce que, à mesure que le transistor 68 commence à être conducteur, le MOSFET 38 commence à se mettre hors circuit, et par conséquent la tension à la borne 40 s'élève de manière spectaculaire. Cette élévation fournit une intensité supplémentaire à la base du transistor 68, l'obligeant ainsi à devenir plus conducteur. Le résultat est que le MOSFET 38 change rapidement d'état, en cas de surcharge d'intensité. Quand le MOSFET 38 est dans son état non conducteur, soit parce que l'interrupteur 44 est ouvert, soit parce qu'une surcharge d'intensité vient de se produire, la tension à la borne drain 40 est pratiquement la tension de la source de courant électrique 48. Cette tension est suffisante pour maintenir le transistor 68 polarisé dans son état conducteur, empêchant donc la série 26 de fournir une tension de polarisation pour remettre le MOSFET 38 en circuit. Les éléments 70, 72 et 74 sont utilisés pour surmonter ce problème de remise en circuit. Comme décrit précédemment, l'interrupteur 44 étant ouvert, la série 26 ne produit aucune tension et le transistor PNP 64 est conducteur. La conduction du transistor 64 provoque une décharge du condensateur 74 par l'intermédiaire de la résistance 72. Une fois que le condensateur 64 est totalement déchargé, le JFET 70 est dans un état conducteur. La conduction du JFET 70 a pour effet de dériver la jonction base-émetteur du transistor 68, en l'empêchant d'être conducteur. La premiere fois que l'interrupteur 44 est fermé, la tension provenant de la série 26 sert à charger le condensateur 74 par l'intermédiaire de la résistance 72. Jusqu'à ce que le condensateur 74 se soit chargé à la tension de mise hors circuit du JFET 70, le transistor 68 ne peut devenir conducteur. En fait, la résistance 72 et le condensateur 74 forment un circuit retardateur empbchant le transistor 68 d'être conducteur avant que le MOSFET 68 soit passé dans l'état conducteur. En supposant que le courant de charge du MOSFET 38 se situe dans l'intervalle normal, quand le MOSFET 38 est totalement conducteur, la tension à ses bornes n'est pas suffisante pour rendre le transistor 68 conducteur. Bien entendu, comme décrit ci-dessus, le transistor 68 peut être rendu conducteur par polarisation lorsque l'intensité du courant de charge est excessive. Après qu'une surcharge a eu lieu, on remet le circuit dans son état initial en ouvrant l'interrupteur 44 qui, par l'intermédiaire du transistor 64, fait se décharger le condensateur 74, remettant ainsi dans son état initial le circuit retardateur et permettant au circuit de réagir normalement à des fermetures ultérieures de l'interrupteur 44. La Figure 3 est un schéma simplifié représentant un circuit 80 construit conformément à une troisième forme de réalisation de l'invention. Le circuit 80 est sensiblement identique au circuit 60, sauf qu'un second MOSFET 82 et une résistance 84 lui sont ajoutés à la place du JFET 70. Le MOSFET 82 est monté entre la résistance 76 et la base du transistor 68, la borne drain du MOSFET 82 étant connectée à la résistance 76 et la borne source étant connectée à la borne base du transistor 68. La borne gâchette du MOSFET 82 est connectée à la jonction entre la résistance 72 et le condensateur 74. La résistance 84 est montée entre les bornes base et émetteur du transistor 68. L'addition du MOSFET 82 supprime un trajet de courant de fuite entre les bornes de sortie 16 et 18, provoqué par la présence de la résistance 76 dans le circuit 60. En regardant rapidement la Figure 2, on peut voir que, quand le MOSFET 38 est dans un état non conducteur, ce trajet de fuite existe par la résistance 76 et la jonction base- émetteur du transistor 68. Ce trajet fait qu'une petite quantité du courant passe dans la charge 46 quand le MOSFET 38 n'est pas conducteur. Dans certaines applications, ce courant de fuite est à éviter. Comme le montre la Figure 3, le MOSFET 82 est rendu conducteur par polarisation quand une tensioh apparaît aux bornes du condensateur 74. Cette tension de condensateur est fournie par la série 26 par l'intermédiaire de la résistance 72. L'interrupteur 44 étant ouvert et le MOSFET 38 n'étant pas conducteur, il n'y a pas de tension aux bornes du condensateur 74, et par conséquent le MOSFET 82 n'est pas conducteur. Dans ces conditions, aucun courant ne passe dans la résistanze 76, ce qui rend moins aigu le problème posé par le courant de fuite. Quand l'interrupteur 44 est fermé, la tension provenant de la série 26 charge le condensateur 74 jusqu'à ce que le MOSFET 82 passe à l'état conducteur. Comme décrit précédemment, la résistance 72 et le condensateur 74 sont choisis de telle sorte que le MOSFET 82 ne commence pas à être conducteur avant que le MOSFET 38 soit passé à l'état totalement conducteur. Le MOSFET 82 étant'dans l'état conducteur, la tension aux bornes du MOSFET 38 est fournie à la base du transistor 68 par l'intermédiaire des résistances 76 et 84. On peut choisir la valeur de la résistance 84 de façon à régler le niveau de la surcharge d'intensité auquel le transistor 68 passe à l'état conducteur. La Figure 4 est un schéma simplifié d'un circuit représentant une quatrième forme de réalisation de l'invention. Le circuit 90 est pratiquement semblable au circuit 80, mais il fait appel à un MOSFET 92 combiné au MOSFET 38 pour assurer une conduction bidirectionnelle du courant par les bornes de sortie 16 et 18. Les différences entre le circuit 90 et le circuit 80 sont les suivantes. Le MOSFET 92, dont la construction est similaire à celle du MOSFET 38, est monté avec sa borne source en commun avec, la borne source 36 du MOSFET 38. La borne drain du MOSFET 92 est à son tour connectée à la borne de sortie 18. La borne gâchette du MOSFET 92 est connectée à la borne gâchette 34 du MOSFET 38. Il est prévu des diodes 94 et 96, l'anode de la diode 94 étant connectée à la borne de sortie 16, et l'anode de la diode 96 étant connectée à la borne de sortie 18. Les bornes cathodes des diodes 94 et 96 sont connectées l'une à l'autre et à la résistance 76. Les MOSFET 38 et 92 fournissent entre les bornes de sortie 16 et 18 untrajet de courant bidirectionnel qui permet au circuit 90 de commander une charge 46 alimentée par une source 97 de courant alternatif. La tension provenant de la série 26 sert à commander simultanément les deux MOSFET de puissance. Les diodes directrices 94 et 96 fournissent, par l'intermédiaire de la résistance 76, une indication de l'intensité du courant qui passe soit dans le MOSFET 38 soit dans le MOSFET 92. Par conséquent, s'il existe une surcharge de courant, quel que soit le sens de passage du courant, ce phénomène est détecté par l'intermédiaire des diodes 94 et 96 et de la résistance 76. Ce phénomène se manifeste par une augmentation de la tension qui apparaît aux bornes du MOSFET 38 ou du MOSFET 92, suivant le sens du courant de surcharge qui passe par les bornes de sortie 16 et 18. Dans tes deux cas, le transistor 68 passe à l'état conducteur en mettant hors circuit les deux MOSFET 38 et 92. Comme dans le circuit 80, on remet le circuit 90 dans son état initial en ouvrant l'interrupteur 44. Pour certaines applications des circuits 80 et 90, il s'est avéré souhaitable de monter une résistance dans la ligne 100 qui relie la borne gâchette 34 et la borne collecteur du transistor 68, et de monter un condensateur en parallèle avec la résistance 72. Ces deux composants supplémentaires forment un filtre qui empêche l'apparition d'oscillations parasites, notamment lorsque ces circuits sont utilisés à basse température. Dans d'autres applications, la totalité ou une partie de la résistance 84 peut être remplacée par une thermistance ayant un coefficient de température négatif. L'effet de ce remplacement est de compenser des variations de la température des composants de telle sorte que l'intensité du courant de surcharge à laquelle les circuits sont coupés soit maintenue relativement constante sur une large plage de températures. REVENDICATIONS 1. Circuit de commande électronique ayant des bornes d'entrée et de sortie, caractérisé en ce qu'il comprend: un transistor à effet de champ à semi- conducteur métal-oxyde (MOSFET) ayant une borne gâchette, une borne drain et une borne source; un moyen de connexion des bornes drain et source à la borne de sortie; un moyen de polarisation servant à émettre un signal de polarisation en réponse à l'application d'un signal d'entrée au circuit; un moyen de connexion du moyen de polarisation aux bornes gâchette et source du MOSFET de telle sorte que le signal de polarisation serve à polariser le MOSFET pour le rendre conducteur quand l'intensité du courant qui passe dans le MOSFET dépasse une valeur prédéterminée; un moyen de dérivation, asservi au moyen de détection pour dériver le signal de polarisation quand l'intensité du courant qui passe dans le MOSFET dépasse une valeur prédéterminée; et un moyen de détection servant à fournir une indication de l'intensité du courant qui passe dans le MOSFET. 2. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen de détection comporte une résistance et un moyen permettant de monter cette résistance en série entre le MOSFET et les bornes de sortie; et le moyen de dérivation comporte un redresseur au silicium commandé qui est connecté de façon à mettre le moyen de polarisation en dérivation quand la tension créée aux bornes de la résistance atteint une valeur prédéterminée. 3. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen de dérivation comporte n transistor ayant une borne base, une borne émetteur et une borne collecteur, et un moyen de raccordement des bornes émetteur et collecteur respectivement aux bornes source et gâchette du MOSFET; et le moyen de détection comporte un premier moyen à résistance servant à connecter la première résistance entre la borne drain du MOSFET et la borne base du transistor, et un moyen retardateur servant a retarder l'application à la borne base du transistor du courant qui passe dans la première résistance. 4. Circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que le moyen retardateur comporte un transistor à effet de champ à jonction (JFET) ayant une borne source, une borne drain et une borne gâchette, un moyen de raccordement de la borne drain à la borne base du transistor, un moyen de raccordement de la borne source à la borne émetteur du transistor, une seconde résistance, un moyen de raccordement de cette seconde résistancê entre la borne gâchette du MOSPET et la borne gâchette du JFET, un condensateur, et un moyen de raccordement de ce condensateur entre les bornes gâchette et source du JFET. 5. Circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que le moyen de détection comporte une seconde résistance, et uni moyen de raccordement de cette seconde résistance entre les bornes base et émetteur du. transistor; le moyen de raccordement de la première résistance comporte un second MOSFET, et un moyen de raccordement de ce second MOSFET entre la première résistance et la borne base du transistor; et le moyen retardateur comporte un circuit série comprenant une troisième résistance et un condensateur, un moyen de raccordement de ce circuit série entre les bornes gâchette et source du premier MOSFET, et un moyen de raccordement de la borne gâchette du second MOSFET à la jonction entre la troisième résistance et le condensateur. 6. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un second MOSFET, un moyen de raccordement de ce second MOSFET entre la borne-source du premier MOSFET et l'une des bornes de sortie, les bornes sources du premier et du second MOSFET étant connectées l'une à l'autre, la borne drain du second MOSFET étant connectée à ladite une borne de sortie, et les bornes sources du premier et du second MOSFET étant connectées l'une à l'autre, et le moyen de détection détectant en outre le moment o l'intensité du courant qui passe dans l'un ou l'autre des MOSFET dépasse la valeur prédéterminée, et émettant le signal de fermeture en réponse à ce dépassement. 7. Circuit selon la revendication 6, caractérisé en ce que le moyen de détection comporte un transistor ayant une borne base, une borne émetteur et une borne collecteur, un moyen de raccordement des bornes émetteur et collecteur respectivement aux bornes source et gâchette du premier et du second MOSFET, une résistance, et un moyen de raccordement de l'un des côtés de cette résistance aux bornes drains du premier et-du second MOSFET et de raccordement de l'autre côté de cette résistance à la borne base du transistor, comportant une première et une seconde diodes, un moyen de raccordement des bornes anodes de cette première et de cette seconde diodes respectivement aux bornes drains du premier et du second MOSFET, et un moyen de raccordement des bornes cathodes de la première et de la seconde diodes audit un c6té de la résistance.