FR 2571572 A1 19860411 FR 8415493 A 19841009 7 1572 I DISPOSITIF PHOTOSENSIBLE A TRANSFERT DE LIGNE MUNI D'AMPLIFICATEURS DE CONTRE-REACTION La présente invention concerne un dispositif photosensible à transfert de ligne muni d'amplificateurs de contre-réaction. Les dispositifs photosensibles à transfert de ligne sont bien connus de l'art antérieur. On se référera, par exemple, aux demandes de brevet français n 81o07672 et n 82.21396 déposées au nom de Thomson-CSF. On rappelle que ces dispositifs comportent généralement: - une zone photosensible de M lignes de N points photo- sensibles sur laquelle l'image à lire est projetée et transformée en charges électriques, dites charges-signal; - un organe d'interface de M points, dit mémoire de ligne, connecté par l'intermédiaire de colonnes conductrices aux points photosensibles des différentes lignes et qui reçoit, dans un mode de fonctionnement préféré, successivement, les charges-parasites se trouvant sur les colonnes avant l'arrivée des charges-signal et les charges-signal stockées par chaque ligne; - un registre à décalages à transfert de charge qui reçoit les charges-signal en provenance de la mémoire et délivre en série le signal électrique d'analyse de l'image; - un drain d'évacuation des charges-parasites en provenance de la mémoire. La demande de brevet français n 2.524.751, déposée au nom d'Hitachi, concerne des dispositifs photosensibles à transfert de ligne munis d'amplificateurs de contre-réaction. L'entrée de ces amplificateurs est reliée à une colonne conductrice et à une diode dite diode d'entrée de la mémoire de ligne et leur sortie est reliée à une grille de transfert de la mémoire, adjacente à l'une des diodes d'entrée. Les amplificateurs de contre-réaction présentent l'avantage de 71572 diviser la capacité apparente C des colonnes conductrices par G + 1, o G est le gain des amplificateurs, qui est généralement de l'ordre de 50. En conséquence, le transfert des charges des colonnes vers la mémoire se fait plus rapidement et l'efficacité de transfert, pour un temps de transfert donné, est améliorée. Le bruit temporel dé au canal situé sous chaque grille de la mémoire reliée à un ampli- ficateur est réduit car il est proportionnel à n. Un inconvénient important des amplificateurs de contre- réaction, et qui sera démontré par la Demanderesse dans la des- cription détaillée des figures, est qu'il n'est pas possible, si l'on veut obtenir un fonctionnement satisfaisant, de les relier à une grille de la mémoire ayant un canal enterré, et pour laquelle le transfert des charges s'effectue en volume. On est donc obligé d'utiliser des grilles, et donc une mémoire, pour lesquelles le transfert des charges s'effectue en surface. On a exposé dans la demande de brevet français n 83.14543, déposée au nom de Thomson-CSF et non encore publiée, tous les avantages qu'il y avait à utiliser une mémoire o le transfert des charges s'effectue en volume. On va rappeler succintement ici ces avantages. Pour obtenir une efficacité de transfert maximum, on utilise généralement un registre de lecture à canal enterré. L'uti- lisation d'une mémoire o le transfert des charges s'effectue en volume permet un passage bi-latéral des charges entre la mémoire et le registre de lecture, ce qui est particulièrement avantageux dans le cas d'un fonctionnement avec double charge d'entraînement comme cela a été décrit dans la demande de brevet n 82.21396. Dans le cas o le transfert s'effectue en surface dans la mémoire, il n'est pas possible de transférer les charges du registre vers la mémoire, car, pour une même tension appliquée sur les grilles, les potentiels de surface sont à un niveau plus haut dans le cas du transfert en volume que dans le cas du transfert en surface. L'utilisation d'une mémoire o le transfert des charges s'effectue en volume permet aussi l'amélioration de l'efficacité de transfert vertical. Cette efficacité est inversement proportionnelle a la capacité des colonnes, qui est diminée du fait du transfert en volume. En effet, les colonnes sont essentiellement constituées par des diodes de lecture reliées entre elles. Ces diodes sont polarisées en inverse. Du fait du transfert en volume, ces diodes reçoivent une tension de polarisation plus importante, pour des tensions appliquées identiques sur les éléments de la mémoire de ligne, et la capacité de ces diodes est diminuée. D'autre part, le bruit lors des transferts entre les colonnes et la mémoire de ligne a deux origines, à savoir un bruit thermique qui est proportionnel à la racine carrée de la capacité colonne et un bruit proportionnel aux pièges de surface et de volume sous la grille de transfert entre les colonnes et la mémoire de ligne. Le passage au transfert en volume réduit ces deux composantes en réduisant la capacité des colonnes, comme cela a été mentionné ci-dessus et en supprimant les pièges d'interfaces. Un autre inconvénient des amplificateurs de contre-réaction est qu'ils introduisent du bruit, plus particulièrement en basse fréquence. Ce bruit peut dans certains cas être aussi important que le bruit de lecture introduit par le canal de la grille de transfert entre les colonnes et la mémoire. La présente invention permet de résoudre les problèmes énon- cés précédemment. Elle permet, en particulier, l'utilisation d'une grille de transfert entre les colonnes et la mémoire et d'une mémoire, o le transfert des charges s'effectue en volume. Dans un mode de réalisation particulier, la présente invention permet aussi la diminution du bruit basse fréquence dO aux amplificateurs de contre-réaction. La présente invention concerne un dispositif photosensible à transfert de ligne, comportant une zone photosensible de M lignes de N points photosensibles, les points photosensibles des différentes lignes étant reliés en parallèle par des colonnes conductrices à des diodes appartenant à une mémoire de ligne, qui assure au moins le transfert vers un registre de lecture des charges-signal d'une même ligne, ce dispositif photosensible comportant des amplificateurs de 7 1572 contre-réaction dont l'entrée est reliée à une colonne et à une diode de la mémoire et dont la sortie est reliée à une grille de transfert de la mémoire, adjacente à l'une des diodes, caractérisé en ce que: - la mémoire de ligne et le registre de lecture sont réalisés de façon telle que le transfert des charges s'y effectue en volume; - des moyens permettent d'ajuster la tension de seuil de chaque amplificateur pour que le point de fonctionnement de l'ensemble constitué par chaque amplificateur, la diode et la grille de la mémoire auxquelles il est relié, soit situé dans la zone à gain élevé de la caractéristique de transfert de l'amplificateur. On décrira dans ce qui suit divers modes de réalisation des moyens permettant d'ajuster la tension de seuil de chaque ampli- ficateur. Pour diminuer le bruit basse fréquence dé aux amplificateurs, la présente invention propose d'effectuer une double lecture succes- sivement des charges parasites se trouvant sur les colonnes conduc- trices et des charges-signal, avec deux charges d'entraTnement seulement. On montrera dans la description détaillée des figures que cette double lecture permet de filtrer le bruit basse fréquence dû aux amplificateurs. D'autres objets, caractéristiques et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante, donnée à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les figures annexées qui représentent: - la figure 1, le schéma d'un dispositif photosensible à trans- fert de ligne muni d'amplificateurs de contre-réaction, tel que connu dans l'art antérieur; - la figure 2, un mode de réalisation des amplificateurs reliés à la mémoire de ligne; -les figures 3 et 5, des courbes illustrant le fonctionnement respectivement d'un dispositif selon l'art antérieur et selon l'invention; - les figures 4, 6 et 7, des schémas illustrant divers moyens permettant d'augmenter la tension de seuil des amplificateurs; les figures 8, 9 et 10 a à g, des courbes et des schémas 7 1572 illustrant le filtrage basse fréquence réalisé; - la figure 11, le schéma d'un mode de réalisation d'un dispositif à transfert de ligne muni d'amplificateurs de contre- réaction et effectuant un double lecture. Sur les différentes figures, les mêmes repères désignent les même éléments, mais, pour des raisons de clarté, les cotes et proportions de divers éléments ne sont pas respectées. La figure i représente le schéma d'un dispositif photosensible à transfert de ligne muni d'amplificateurs de contre-réaction et tel que connu par le brevet Hitachi déjà cité. Sur la figure 1, on a représenté de façon schématique la zone photosensible 1 avec M lignes de N points photosensibles 2. Un registre à décalages 3 permet d'adresser successivement chaque ligne. Des colonnes conductrices Ci à CN relient en parallèle les points photosensibles d'une même colonne à une mémoire de ligne 4. On n'a représenté que les diodes d'entrée 5 de la mémoire qui sont reliées aux colonnes, et les grilles de transfert P qui leur sont adjacentes. Des amplificateurs de contre-réaction 6 ont leur entrée reliée à une colonne conductrice et à une diode d'entrée 5 de la mémoire et leur sortie reliée à une grille P de transfert entre les colonnes et la mémoire. Les charges-signal en provenance de la mémoire sont trans- férées dans un registre à décalages à transfert de charge 7 dit registre de lecture qui délivre en série le signal électrique S d'analyse de l'image. Les amplificateurs 6 sont réalisés de façon courante par deux transistors MOS montés en inverseur. C'est ce mode de réalisation des amplificateurs qui est utilisé dans le brevet Hitachi, comme on peut le voir sur les figures 6, 7, 9, 11 et 12 de ce brevet o sont utilisés deux transistors 61 et 62 ou 91 et 62. Les deux variantes proposées correspondent à l'utilisation d'un transistor à déplétion 61 ou à enrichissement 91. La figure 2 montre le schéma d'un amplificateur constitué d'un transistor MOS à enrichissement T1 en série avec un transistor MOS à déplétion T2 et qui est relié à la mémoire de ligne. La grille de T1 constitue l'entrée de l'amplificateur qui est reliée à une diode d'entrée 5 de la mémoire et à une colonne conductrice Ci. L'une des autres électrodes du transistor T1 est reliée à une tension de polarisation constante VSS et une dernière électrode du transistor T1 constitue la sortie de l'amplificateur, qui se trouve reliée à une électrode du transistor T2 et à une grille P de transfert des charges des colonnes vers la mémoire. La grille du transistor T2 est reliée à la sortie de l'ampli- ficateur et une dernière électrode du transistor T2 est reliée à une tension de polarisation constante VDD. Dans le cas o l'on utilise un transistor T2 à enrichissement sa grille est reliée à la tension de polarisation constante VDD. Dans le brevet Hitachi cité, il n'est pas précisé si la mémoire de ligne, et donc les grilles P de transfert des charges entre les colonnes et la mémoire, opèrent un transfert des charges en surface ou en volume. Il est simplement dit de la page 10, ligne 35 à la page 11, ligne 2 que "les tensions de la source 64 et du drain 63 doivent être choisies de manière que l'inverseur fonctionne dans une zone à gain élevé". La Demanderesse va démontrer dans ce qui suit que le dispo- sitif décrit dans le brevet Hitachi ne peut fonctionner de façon satisfaisante qu'avec une mémoire de ligne, et donc des grilles P de transfert des charges de la colonne vers la mémoire, réalisant un transfert des charges en surface. Le point d'équilibre du montage de la figure 2 s'obtient par l'intersection de la caractéristique de transfert Vp, VC de l'ampli- ficateur, o Vp est la tension de sortie de l'amplificateur et VC sa tension d'entrée avec la courbe représentant le potentiel 0O du canal sous la grille P en fonction de la tension Vp appliquée à cette grille. Sur la figure 3, on a représenté dans le même plan, en trait plein la caractéristique de l'amplificateur et en pointillés la courbe (0S Vp) 8 pour la grille P dans le cas d'un transfert en surface et la 7 1572 courbe (OS' Vp) 9 pour la grille P dans le cas d'un transfert en volume. Les deux courbes 8 et 9 de la grille P sont sensiblement des droites de pentes kS et kV, positives et proches de l'unité dans le cas des technologies usuelles. On appelle POS et POV les points d'inter- section des droites 8 et 9 avec -la caractéristique de transfert de l'amplificateur. Ces droites 8 et 9 coupent l'axe Vp aux points d'ordonnées VTPS et - VTPV et l'axe VC, OS aux points d'abscisses - kS. VTPS et kv. VTPV' On a porté sur la caractéristique de transfert de l'amplifi- cateur les points H et B qui délimitent la zone à gain élevé de la caractéristique de transfert de l'amplificateur, qui est celle pour laquelle les deux transistors T1 et T2 sont polarisés en saturation. Le point H est celui à partir duquel le transistor T2 rentre en saturation; il a pour ordonnée VDD -IVT2IO VT2 est la tension de seuil du transistor T2. Le point B est celui à partir duquel le transistor T1 fonctionne en criode. Il a pour ordonnée VC - VTI, o VT est la tension de seuil du transistor T1. On a représenté sur la figure 3 la droite 10 d'équation Vp = VC - VTl qui coupe l'axe VC 0S à l'abscisse VT1 et l'axe Vpà l'ordonnée - VTl. Le point POS est toujours situé au-dessus du point B car l'inégalité suivante est toujours vérifiée: VT}- ks ' VTpS, VTî' k5 T-k TS T et VTPS étant positifs et les droites 8 et 10 sensiblement parallèles. Pour un bon fonctionnement, il faut aussi que le point Pos ne soit pas trop près du point H car lorsqu'une charge arrive sur une colonne pour être transférée le point de fonctionnement POS d'abscisse VCO passe en un point P d'abscisse VC = V CO - VC plus proche de H. Le réglage des tensions VDD et VSs permet d'éloigner le point Pos du point H. Sur la figure 3, on a indiqué que l'intersection de la caractéristique de l'amplificateur avec l'axe Vp se fait au point d'ordonnée VDD et que la caractéristique de l'amplificateur tend vers une asymptote horizontale d'ordonnée proche de VS. On peut régler la tension VS et ensuite la tension VDD pour que la condition suivante soit vérifiée: VDD - VT Vpo0 + G.aVc o VpO est l'ordonnée du point POS' En conclusion avec une grille P en surface, l'amplificateur fonctionne dans une zone à gain élevé. Le point POV est toujours situé en dessous du point B car l'inégalité suivante est toujours vérifiée: VTI et 10 V, avec une pente KV proche de l'unité. La figure 3 démontre clairement que la droite 9 étant posi- tionnée en-dessous de la droite 10 il n'est pas possible de faire passer le point POV entre les points H et B, même en agissant sur les tensions de polarisation VDD et VSS. En conséquence, puisque dans le brevet Hitachi il est indiqué qu'il faut agir sur les tensions de polarisation VDD et Vss pour que l'inverseur fonctionne dans une zone à gain élevé, cela signifie que selon ce brevet il faut utiliser des grilles P et donc une mémoire de ligne o le transfert des 'charges s'effectue en surface avec tous les inconvénients que cela comporte. Il n'est pas possible d'obtenir un fonctionnement satisfaisant avec des grilles P, et donc une mémoire de ligne, o le transfert des charges s'effectue en volume, si l'on ne dispose que des tensions de polarisation VDD et VSS pour régler le point de fonctionnement. Selon l'invention, on obtient un fonctionnement satisfaisant en utilisant des grilles P et une nmémoire de ligne à canal enterré, o le transfert des charges s'effectue en volume, en déplaçant la droite 10 d'équation Vp = VC - VTl de façon que la droite 9 soit située au- dessus de la droite 10. Ainsi le point de fonctionnement POv est situé entre les points H et B. Sur la figure 5, on a représenté la nouvelle disposition des droites 9 et 10 et des points POV et B. Selon l'invention, on utilise des moyens permettant d'ajuster la tension de seuil VTi de chaque amplificateur pour que l'inégalité suivante soit vérifiée: VT i kv. VTPV. Cette tension de seuil de l'amplificateur est celle po r laquelle il commence à conduire. Dans le cas d'un mode de réalisation de l'amplificateur tel que celui représenté sur la figure 2, la tension de seuil de l'amplificateur est celle du transistor MOS T1. On a représenté sur la figure 4 un mode de réalisation des moyens permettant d'ajuster la tension VTI. On augmente la tension VT1 en réalisant un enrichissement 11 dans son propre type d'impuretés de la zone du substrat 12 située sous la grille du transistor T1 de façon à avoir: VT1> KV. VTpV. Sur la figure 4, on voit que la grille P et le transistor T2 sont réalisés sur un canal en volume, noté TV. On peut, quels que soitent les moyens utilisés pour ajuster VTi, réaliser sous la grille P une zone 13 d'un type d'impuretés opposé à celui du canal enterré noté TV situé sous cette grille. On diminue ainsi la valeur de VTpV ce qui permet de satisfaire plus facilement l'inégalité: VTi>KV. VTpV. On réalise généralement de tels dopages sous les grilles de transfert du registre de lecture fonctionnant en volume. Sur la figure 6, on a représenté un autre mode de réalisation des moyens permettant d'ajuster la tension de seuil de chaque amplificateur. Sur la figure 6, l'amplificateur est constitué comme sur la figure I de deux transistors T1 et T2 mais un troisième et un quatrième transistors MOS T3 et T4, montés en suiveurs, sont intercalés entre chaque diode d'entrée 5 de la mémoire et la grille du transistor T1. La tension de seuil du dispositif de la figure 6 est égale à VT3 + VTi, o VT3 est la tension de seuil du transistor MOS T3 dont la grille est reliée à une diode 5 de la mémoire. - Dans le mode de réalisation de la figure 6, on a utilisé des transistors MOS T3 et T4 respectivement à enrichissement et à dépletion. La grille du transistor T3 est reliée à la diode d'entrée 5 de la 7 1572 mémoire et à une colonne conductrice, les deux autres électrodes de ce transistor sont reliées à la tension VDD et à la grille du transistor T1. Le transistor T4 a sa grille et une électrode reliées à la tension de polarisation VS$ et une autre électrode reliée à la grille du transistor T1. Dans une variante, on peut utiliser un transistor MOS T4 à enrichissement dont la grille est reliée à la grille du transistor MOS T1. Une autre solution pour ajuster la tension de seuil de chaque amplificateur est représentée sur la figure 7. Elle consiste à utiliser un amplificateur comportant deux transistors montés en inverseur, comme sur la figure 2, mais dans ce cas on utilise un transistor MOS T2 à déplétion à canal N et un transistor MOS T1 à déplétion à canal P, ce qui permet d'augmenter suffisamment la tension de seuil VTI de l'amplificateur. L'utilisation d'un transistor MOS T1 à déplétion permet de diminuer le bruit. La tension de seuil de l'amplificateur est ajustée dans ce cas par l'intermédiaire de l'implantation de type P située sous la grille du transistor T1. On peut utiliser simultanément les divers moyens décrits pour ajuster la tension de seuil des amplificateurs. On peut aussi, en plus, régler le point de fonctionnement en ajustant les tensions de polarisation VDD et VSS, mais ce réglage n'est pas à lui seul suffisant pour que le point de fonctionnement PoV soit situé dans la zone à gain élevé de la caractéristique de l'amplificateur. On a exposé dans l'introduction à la description qu'un incon- vénient des amplificateurs de contre-réaction est le bruit qu'ils introduisent essentiellement en basse fréquence. Ce bruit est dû aux transistors MOS. En basse fréquence, ces transistors ont une réponse spectrale en l/f dont la fréquence de coupure se situe entre 20 et 100 KHz. En haute fréquence, ces transistors présentent un niveau de bruit beaucoup plus faible et de spectre semblable à celui d'un bruit blanc. 1l Sur la figure 8, la courbe en pointillés 14 représente la répartition spectrale du bruit de l'amplificateur. La Demanderesse présente une solution qui permet de réduire le bruit basse fréquence dé aux amplificateurs et qui consiste à effectuer une double lecture. Cette solution va être expliquée en se référant aux figures lOa àf. Dans la demande de brevet n 82.21396 déjà citée, se trouve décrit un procédé d'analyse d'un dispositif photosensible à transfert de ligne dans lequel on évacue les charges parasites se trouvant sur les colonne avant de lire les charges signal. C'est cette double lecture qui est utilisée pour filtrer le bruit basse fréquence dû aux amplificateurs alors que son but premier était l'évacuation des charges parasites. Sur la figure O10a, on a représenté une diode d'entrée 5 de la mémoire, avec sa grille de transfert P, l'amplificateur 6 qui est relié entre la diode et la mémoire, et les deux sources principales de bruit temporel qui sont la tension de bruit en de l'amplificateur et le courant de bruit in du canal sous la grille P. Le courant de bruit i donne naissance à un bruit proportionnel _ _n à VKTC, o K est la constante de Boltzmann, T la température et C la capacité des colonnes qui est divisée par G + I grâce à l'amplificateur de contre-réaction. La tension de bruit de l'amplificateur introduit une fluctuation sur la barrière de potentiel sous la grille G qui conditionne le transfert des charges vers la mémoire. Selon la répartition spectrale du bruit, cette barrière de potentiel a son niveau qui varie durant le transfert des charges- signal s'il s'agit de composantes haute fréquence ou d'une lecture des charges-signal à la lecture suivante, s'il s'agit de composantes basse fréquence. La double lecture permet de supprimer les composantes basse fréquence comme on va le montrer. Sur les figures lO0b et 10e, on a représenté en trait plein la 2 5 7 1572 barrière de potentiel sous la grille P, lorsqu'il n'y a pas de bruit et en pointillés la barrière de potentiel sous la grille P, en présence de bruit. Le bruit peut produire une augmentation ou une diminution du niveau de la barrière, comme représenté respectivement sur les figures lob et 10e. La lecture des charges parasites QB se trouvant sur les colonnes provoque l'alignement du potentiel existant sous la diode 5 sur le niveau temporaire de la barrière de potentiel, comme cela est représenté sur les figures O10c et 10f. En conséquence, lorsque les charges-signal QS arrivent sur les colonnes elles sont transmises dans leur totalité comme cela est représenté sur les figures 10d et 10g. Une lecture des charges-signal faite immédiatement après la lecture des charges parasites permet donc de filtrer les composants basses fréquences du bruit, à condition que le niveau de la barrière de potentiel sous la grille P n'ait pas changé entre les deux lectures. La fonction de transfert d'un tel filtrage s'exprime en fonction de la fréquence f du bruit par la relation: A = I -cos 2)tf[, o t est l'intervalle de temps entre deux lectures. Sur la figure 9, 'la courbe 15 représente la fonction de transfert de l'opération de double lecture. Sur la figure 8, la courbe en trait plein 16 représente la répartition spectrale du bruit de l'amplificateur avec double lecture qui montre le filtrage basse fréquence réalisé. Le filtrage du bruit basse fréquence grâce à la double lecture a été vérifié expérimentalement en injectant artificiellement du bruit sur les colonnes. Dans la demande de brevet n 82.21396 déjà citée la double lecture des charges nécessite trois charges d'entraînement comme cela est schématisé à la figure 4 de ce brevet. Il faut une charge d'entratnement QO de l'ordre de 4 à 5 fois la charge-signal maximum pour transférer les charges des colonnes vers la mémoire. Cette charge QO très importante reste stockée sous les capacités C1 de la mémoire et il faut deux charges d'entraînement moins importantes Q1 et Q2 pour transférer les charges signal QS et les charges parasites QB de la mémoire respectivement vers le registre de lecture et le drain. Dans le cas d'un dispositif photosensible à transfert de ligne muni d'amplificateurs de contre-réaction, deux charges d'entrai- nement Q1 et Q2 sont suffisantes. En effet, la capacité apparente des colonnes est divisée par G + 1, la charge d'entraînement nécessaire pour un transfert efficace des charges des colonnes vers la mémoire peut être réduite et une charge d'entraînement de l'ordre du dixième de la charge-signal maximum est suffisante. Une telle charge d'entraînement peut être sans difficulté apportée par un registre à décalages à transfert de charge sans que sa capacité de stockage et ses dimensions soient augmentées pour cela. En conséquence, dans le dispositif selon l'invention on utilise deux charges d'entraînement Q1 et Q2' de même amplitude que les charges Q1 et Q2 de l'Art Antérieur qui servent à la fois au transfert des charges des colonnes vers la mémoire et de la mémoire vers le registre de lecture ou vers le drain d'évacuation. Ces charges d'entraînement ne sont pas stockées en mémoire mais injectées de préférence par deux registres à décalages à transfert de charge, qui sont le registre de lecture 7 et un registre auxiliaire 14 qui ne sert qu'à l'injection d'une charge d'entraînement. La nouvelle structure du dispositif selon l'invention est repré- sentée sur la figure 11. La mémoire de ligne ne comporte plus qu'un seul étage avec des grilles intermédiaires C1, qui ne servent plus au stockage des charges d'entraînement QO comme dans le brevet n 82.21396, mais qui servent à aiguiller les charges signal QS vers le registre de lecture et les charges parasites QB vers un drain. Cet aiguillage se fait par l'intermédiaire de grilles de transfert C2 et C3. Sur la figure 11, on a indiqué de façon symbolique qu'une charge d'entraînement Q1 est obtenue en injectant en permanence cette quantité de charge dans le registre de lecture 7. Cette charge d'entraînement est transférée dans la mémoire avant l'arrivée des charges à lire. Il est possible d'obtenir cette charge d'entraînement Q1 d'une autre façon par exemple par injection au niveau des grilles C1 de la mémoire à partir de diodes associées à des grilles d'injection. En ce qui concerne la charge d'entraînement Q2, elle peut être introduite dans la mémoire à partir du drain d'évacuation. Dans la demande de brevet n 82.21396, on a exposé ces diverses possibilités pour générer les charges d'entraînement. Dans la demande de brevet français n 83.14403, déposée le 9 Septembre 1983, au nom de Thomson-CSF, et non encore publiée, on propose du générerla charge d'entraînement Q2 à l'aide d'un registre à décalages à transfert de charge auxiliaire, dans lequel on injecte en série cette quantité de charge Q2. Sur la figure 11, on a représenté un tel registre auxiliaire 14, qui est positionné paral- lèlement au registre de lecture et qui comporte des grilles 15 permettant les transferts des charges d'entraînement Q2 dans le registre de lecture. Il serait aussi possible de disposer ce registre auxiliaire 14 parallèlement à la série de diodes d'entrée 5 et de transférer les charges Q2 du registre dans les diodes 5. Sur la figure 11, des flèches symbolisent les différents trans- ferts accompagnant la double lecture. On a représenté sur deux étages successifs du dispositif les transferts permettant l'évacuation des charges parasites et les transferts permettant la lecture des charges signal. On transfère les charges d'entraînement Q1 du registre de lecture, dans la mémoire puis sous les diodes d'entrée 5 de la mémoire. On transfère ensuite les charges Q1 + QB vers la mémoire puis vers le drain d'évacuation, QB étant les charges parasites se trouvant sur les colonnes. On transfère les charges d'entraînement Q2 à partir du regis- tre auxiliaire, dans le registre de lecture, dans la mémoire puis sous les diodes d'entrée 5 de la mémoire. Après l'arrivée des charges signal QS sur ces diodes, on transfère les charges Q2 + QS dans la mémoire puis dans le registre de lecture. Tous ces transferts se font pendant le temps de retour ligne. Pendant le temps ligne, les charges signal sont lues et de nouvelles charges d'entraînement sont injectées en série dans les registres. Pour un fonctionnement optimum du dispositif, on utilise des charges Q1 et Q2 aussi semblables que possible ce qui permet une symétrie parfaite des organes d'injection. Les charges Q1 et Q2 peuvent aussi bien être utilisées pour transférer les charges-signal que les charges parasites, sauf dans le mode de réalisation de la figure 11 o il faut d'abord utiliser les charges d'entraînement Q1 avant de transférer les charges d'entrat- rement Q2 dans le registre de lecture, ce qui impose d'utiliser les charges Q1 pour transférer les charges parasites et les charges Q2 pour transférer les charges signal. Enfin, on utilise un registre auxiliaire 14 o le transfert des charges s'effectue en volume pour avoir une efficacité de transfert optimale surtout dans le sens latéral. La double lecture permet en plus de la diminution du bruit basse fréquence dO aux amplificateurs l'élimination des charges parasites. On peut utiliser un dispositif photosensible à transfert de ligne muni d'amplificateurs de contre-réaction avec un dispositif anti- éblouissement au niveau de chaque point photosensible. Même dans ce cas, l'usage de la double lecture est très intéressant pour diminuer le bruit. REVENDICATIONS 1. Dispositif photosensible à transfert de ligne, comportant une zone photosensible (1) de M lignes de N points photosensibles, les points photosensibles des différentes lignes étant reliés en parallèle par des colonnes conductrices (Ci...CN) à des diodes (5) appartenant à une mémoire de ligne, qui assure au moins le transfert vers un registre de lecture (7) des charges-signal (QS) d'une même ligne, ce dispositif photosensible comportant des amplificateurs de contre-réaction (6) dont l'entrée est reliée à une colonne et à une diode (5) de la mémoire et dont la sortie est reliée à une grille de transfert (P) de la mémoire, adjacente à l'une des diodes, carac- térisé en ce que: - la mémoire de ligne (4) et le registre de lecture (7) sont réalisés de façon telle que le transfert des charges s'y effectue en volume; - des moyens permettent d'ajuster la tension de seuil (VTi) de chaque amplificateur (6) pour que le point de fonctionnement (Pov) de l'ensemble constitué par chaque amplificateur (6), la diode (5) et la grille (P) de la mémoire (4) auxquelles il est relié, soit situé dans la zone (HB) à gain élevé de la caractéristique de transfert de l'amplificateur. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque amplificateur (6) est constitué par un premier et un deuxième transistors MOS (TI, T2), montés en inverseur. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte un premier transistor MOS (T1) à enrichissement dont la grille constitue l'entrée de l'amplificateur, dont l'une des autres électrodes est reliée à une tension de polarisation constante (VSs) et dont la dernière électrode consitue la sortie de l'amplificateur et se trouve reliée à une électrode du deuxième transistor MOS (T2). 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte un deuxième transistor MOS (T2) à déplétion dont la grille est reliée à la sortie de l'amplificateur et dont une autre électrode est reliée à une tension de polarisation constante (VDD). 5. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte un deuxième transistor MOS (T2) à enrichissement, dont la grille est reliée à l'une de ses électrodes qui reçoit une tension de polarisation constante (VDD). - 6. Dispositif selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que les moyens permettant d'ajuster la tension de seuil de chaque amplificateur (6) sont constitués par un enrichissement (11) dans son propre type d'impuretés de la zone du substrat (12) située t0 sous la grille du premier transistor MOS (T1). 7. Dispositif selon l'une des revendications 2 à 6, caractérisé en ce que les moyens permettant d'ajuster la tension de seuil de chaque amplificateur (6) sont constitués par un étage suiveur comportant un troisième et un quatrième transistors MOS (T3, T4), intercalés entre chaque diode (5) de la mémoire (4) et l'entrée d'un amplificateur (6), la tension de seuil de chaque amplificateur étant ajustée par l'intermédiaire de la tension de seuil (VT3) du troisième transistor MOS dont la grille est reliée à une diode de la mémoire. 8. Dispositif selon l'une des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que les moyens permettant d'ajuster la tension de seuil de chaque amplificateur (6) sont constitués par la réalisation d'un premier transistor MOS (T1) à déplétion de canal P et d'un deuxième transistor MOS (T2) à déplétion de canal N. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que sous chaque grille de transfert (P) de la mémoire (4), adjacente à une diode d'entrée (5), il existe une zone (13) d'un type d'impuretés opposé à celui du canal enterré (TV) situé sous cette grille. 10. Dispositif selon l'une des revendications I à 9, caractérisé en ce que la mémoire de ligne (4) est constituée par une série de grilles de stockage (C1), adjacentes aux grilles de transfert (P) de la mémoire reliées aux amplificateurs (6), chaque grille de stockage (C1) débouchant sur deux grilles de transfert (C2, C3) l'une condui- sant vers un drain d'évacuation des charges (D) et l'autre vers le 7 1572 registre de lecture (7). 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que le registre de lecture (7) est un registre à décalages à transfert de charge qui est positionné parallèlement à la mémoire de ligne (4) et qui comporte des moyens d'injection dans tous ses étages d'une première charge d'entraînement (Q1). 12. Dispositif selon l'une des revendications 10 ou 11, carac- térisé en ce qu'il comporte un registre à décalages à transfert de charge auxiliaire (14) assurant le transfert des charges en volume, qui est positionné parallèlement au registre de lecture (4) et qui comporte des moyens d'injection dans tous ses étages d'une deuxième charge d'entraînement (Q2) et des grilles (15) permettant le transfert de ces deuxièmes charges d'entraînement dans le registre de lecture. 13. Dispositif selon l'une des revendications 10 ou 11, carac- térisé en ce qu'il comporte un registre à décalages à transfert de charge auxiliaire (14), assurant le transfert des charges en volume, qui comporte des moyens d'injection dans tous ses étages d'une deuxième charge d'entraînement (Q2) et des moyens permettant le transfert de ces deuxièmes charges d'entraînement dans les diodes d'entrée (5) de la mémoire (4). 14. Dispositif selon l'une des revendications 12 ou 13, carac- térisé en ce que la première (Q1) et la deuxième (Q2) charges d'entraînement sont égales. 15. Procédé d'analyse d'un dispositif photosensible à transfert de ligne selon l'une des revendications 12 à 14, caractérisé en ce que l'analyse de chaque ligne de la zone photosensible (1) comporte les étapes suivantes: - transfert de l'une des charges d'entraînement (Q1) dans la méemoire (4) puis dans les diodes d'entrée (5) de la mémoire; - transfert des charges-parasites superposées à la charge d'entraînement (Q1 + QB) vers le drain d'évacuation (D) à travers la mémoire (4); - transfert de l'autre charge d'entraînement (Q2) dans les diodes d'entrée (5) de la mémoire; - transfert des charges-signal (QS) d'une même ligne sur les diodes d'entrée (5) de la mémoire; - transfert des charges-signal superposées à la charge d'en- tratnement (Q2 + QS) vers le registre de lecture (7) à travers la mémoire (4).