FR 2571901 A1 19860418 FR 8515319 A 19851016 Laser à semi-conducteur et procédé de fabrication d'un tel laser ou les parties photodetectrices sont formées sur le support semi-conducteur." La présente invention concerne de façon générale un laser à semiconducteur et un procédé de fabri- cation d'un tel laser; l'invention concerne en particulier un laser à semi-conducteur dans lequel la plaquette du laser à semi-conducteur est montée dans une région d'un support semi-conducteur et un ensemble de parties photo- lO détectrices pour détecter la lumière-laser est réalisé à la surface du support semi-conducteur dans. une autre région séparée de la plaquette de laser 'à semi-conducteur dans laquelle est montée la plaquette. Dans cette applica- tion, on mesure la direction de la lumière-laser émise par la plaquette de laser a semi-conducteur et on détermine si la distribution de l'intensité lumineuse du faisceau de lumière-laser dans la direction du plan (c'est-à-dire la surface du support) est symétrique pour être mesurée faci- lement et de façon précise. La figure 1 montre un laser à semi- conducteur selon l'art antérieur dans lequel une photo- diode de controle b est prévue à la surface d'un support semi-conducteur (par exemple de type N+) a et une plaquette de laser à semi-conducteur c est réalisée sur une partie du support à semi-conducteur a au voisinage de la photo- diode b. Le procédé de fabrication pour obtenir un dispo- sitif à laser semi-conducteur tel qu'utilisé par le présent déposant est représenté à la figure 2. En premier lieu, comme représenté à la figure 2A, on traite une plaquette semi-conductrice a' pour former une photodiode. La photo- diode b est réalisée sur une partie de chacun des éléments constituant les régions d et une couche de soudure e,ser- vant à la liaison de la plaquette-laser, est réalisée sur une autre partie. Selon la figure 2A, les lignes telles que la séparation f ou des régions formant des éléments adjacents distincts tels que d et des régions d formant des éléments sont séparées suivant les lignes f. Ainsi comme représenté à la figure 2B, la surface de la pla- quette semi-conductrice a' est divisée en deux ou est cou- pée suivant les lignes f pour former les rainures portant la référence g. Puis comme représenté à la figure 2C, on place une plaquette de laser à semi-conducteur c sur la couche de soudure e dans chacune des régions d constituant l'élément. La plaquette semi-conductrice a' est alors chauffée dans un four à une température d'environ 250 C pour fixer simultanément toutes les plaquettes de laser semi-conducteur c. Après avoir mesuré la caractéristique électrique et la caractéristique optique, après vérifica- tion, crible ou analogue, on sépare la plaquette semi- conductrice a' suivant les gorges g comme représenté à la figure 2D en séparant les régions formant l'élément en des éléments distincts ou des dispositifs. Puis comme repré- senté à la figure 2E, on fixe l'élément à un puits de cha- leur i réalisé à la surface d'une tige non représentée. Puis on fixe les conducteurs j et j' à la tige et on colle la plaquette de laser à semi-conducteur c et l'électrode de la photodiode b par le câble k en les réunissant, ce qui correspond en pratique au montage du laser à semi- conducteur. Selon ce procédé de fabrication de l'art antérieur, la plaquette de laser à semi-conducteur est reliée au support semiconducteur à l'état de plaquette et non à l'état de dispositif ou d'élément. Cela présente l'avantage de pouvoir fixer simultanément les plaquettes de laser à semi-conducteur sur un grand nombre de régions formant des éléments sur la plaquette semi-conductrice. De plus comme le support semi-conducteur est toujours à l'état de plaquette, une caractéristique électrique telle que le courant de seuil (Ith) etc, peut se mesurer en utilisant une sonde ou un écran réalisé pour cela. Ainsi, on peut diminuer les coûts de fixation du dispositif- laser à semi-conducteur ainsi que les coûts de vérification et de passe au crible. Le procédé décrit ci-dessus est très avantageux pour cela. Cependant dans l'art antérieur, si le support semi-conducteur a est à l'état de plaquette, il est impossible de mesurer et de vérifier la direction d'émission de la lumière-laser par la plaquette-laser à semi-conducteur c et ainsi les caractéristiques de symé- trie de la forme du champ éloigné. Le décalage de la lumière-laser dans la direction d'émission et la caracté- ristique de non-symétrie de la forme du champ éloigné sont modifiés relativement facilement par le changement de position de la plaquette de laser à semi-conducteur c par rapport au support semi-conducteur a dans la direction 0 (c'est-à-dire le décalage angulaire de la plaquette de laser à semi-conducteur c). Si ce décalage de la position détermine un seuil de tolérance prédéterminé, il faut considérer le laser à semi- conducteur comme défectueux et l'éliminer du procédé de fabrication aussi rapidement que possible. Contrairement à cela, le courant de seuil (Ith) et de même la direction d'émission de la lumière-laser et la caractéristique de symétrie de la forme du champ éloigné ne peuvent se mesurer et se vérifier par aucun procédé autre que le procédé selon lequel le laser à semi- conducteur est monté en pratique dans un récipient, puis la plaquette de laser à semi-conducteur émet la lumière- laser et cette lumière émise à l'extérieur du récipient est détectée par un photodétecteur. Ainsi avant le montage pratique du laser à semiconducteur, on ne peut éliminer du procédé de fabrication un laser à semiconducteur dont la caractéristique de symétrie de la forme du champ éloigné dépasse les tolérances admises. Pour un tel laser à semi-conducteur défectueux, la fixation de l'élément ou du dispositif et la fixation du câble sur le puits de chaleur i sont des opérations inutiles. Cela augmente le coGt de fabrication du laser à semi-conducteur et rend difficile la réduction du coût de fabrication d'un tel laser. La présente invention a pour but de créer un laser à semi-conducteur dans lequel la plaquette du laser à semi-conducteur soit positionnée et collée de façon précise sur un support semi-conducteur, qui permet de déterminer facilement si la forme du champ éloigné a une caractéristique de symétrie et dans lequel ces pro- priétés peuvent se mesurer facilement à l'étape de fabri- cation à laquelle le laser à semi-conducteur n'est pas encore monté sur un puits de chaleur, un radiateur ou analogue. L'invention a également pour but de créer un laser à semi-conducteur dans lequel un ensemble de parties photodétectrices recevant la lumière-laser émise par-la plaquette du laser à semi-conducteur sont formées sur une partie de surface du support semi-conducteur. L'invention a également pour but de créer un laser à semi-conducteur permettant d'éliminer facilement un produit défectueux d'une étape de fabrica- tion avant que ce laser à semi-conducteur ne soit réelle- ment monté pour éviter la fixation du dispositif, la fixa- tion du câble ou des opérations analogues. A cet effet, l'invention concerne un laser à semi-conducteur du type cidessus, caractérisé en ce qu'il se compose d'un support semi-conducteur, d'une plaquette de laser à semi-conducteur prévue dans une region à la surface du support semi-conducteur et un ensemble de parties photodétectrices pour recevoir la lumière-laser, émise par la plaquette de laser-à semi-conducteur prévue à la surface du support à semi- conducteur dans une autre région séparée de cette plaquette de laser à semi-conduc- teur. Ainsi selon l'invention, on applique un courant d'entraînement à une plaquette de laser à semi- conducteur par l'intermédiaire d'une sonde ou analogue pour que la plaquette de laser à semi-conducteur émette de la lumière-laser. On applique une tension de polarisation inverse à chaque partie photodétectrice réalisée à la sur- face et du support semi-conducteur en utilisant une sonde ou analogue pour détecter le courant qui traverse la partie photodétectrice. Puis, on calcule le rapport des courants photo-électriques passant par les parties photodétectrices respectives, ce qui permet de mesurer facilement et de contrôler la caractéristique de symétrie de la forme du champ éloigné ainsi que le positionnement de la plaquette de laser à semi-conducteur dans la direction verticale ou analogue. Ainsi même lorsque le laser à semi-conducteur n'est pas réellement monté, on peut contrôler la caracté- ristique de symétrie de la forme du champ éloigné ou ana- logue et on peut éliminer du procédé de fabrication tout laser à semiconducteur défectueux, déjà à ce niveau de fabrication. Selon une caractéristique de l'inven- tion, on a un laser à semi-conducteur qui se compose d'un support semi-conducteur, une plaquette de laser à semi- conducteur étant montée sur ce support semi-conducteur dans une région de celui-ci et un ensemble de parties photodétectrices recevant la lumièrelaser émise par la plaquette-laser à semi-conducteur prévue sur le support semi-conducteur dans une autre région séparée de la plaquette de laser a semi-conducteur. La présente invention sera décrite de façon plus détaillée à l'aide des dessins annexés, dans lesquels: - la figure 1 est une vue en perspective d'un exemple d'un laser à semi-conducteur selon l'art anté- rieur. - les figures 2A-2E représentent en perspective différentes phases de la fabrication d'un laser à semi-conducteur selon l'art antérieur. - la figure 3 est une vue en perspective d'un premier mode de réalisation d'un laser à semi-conduc- teur selon la présente invention. - la figure 4 est une vue en plan d'un second mode de réalisation d'un laser à semi-conducteur selon la présente invention, laser-dans lequel la forme de la surface de la photodiode a été modifiée. - - la figure 5 est une vue en plan d'un troisième mode de réalisation d'un laser a semi-conducteur selon la présente invention. - la figure 6 est une vue en plan ser- vant à expliquer un exemple de procédé de mesure d'une distribution anormale de l'intensité lumineuse dans un laser à semi-conducteur selon l'invention. - la figure 7 est une vue en perspective d'un quatrième mode de réalisation d'un laser à semi-conduc- teur selon l'invention. DESCRIPTION DE DIFFERENTS MODES DE REALISATION PREFERENTIELS DE L'INVENTION: Selon la figure 3, on a représenté un support semi-conducteur 1 et une plaquette de laser à semi- conducteur 2 fixée à une extrémité à la surface du support semiconducteur 1. On a également représenté une couche active 3 de la plaquette de laser à semi-conducteur 2 et sa bande 4. Une relation de position est définie entre la ligne médiane 5 de la bande 4 et la ligne médiane 6 du support semi-conducteur I de façon que les lignes médianes soient alignées lorsqu'on regarde le support semi-conduc- teur i du côté. Sur la partie de surface de la région de commande 7 du support semiconducteur 1, on a trois photodiodes de forme rectangulaire PD L, PDc et PDr de type PIN dont la direction longitudinale est parallèle à la ligne médiane 6 du support semi-conducteur 1. Lorsqu'on O10 regarde à partir de la plaquette 3 du laser à semi-conduc- teur, PDL est la photodiode à gauche, PDr est la photo- diode à droite et PDc est la photodiode centrale. L'axe longitudinal ou axe médian de la photodiode PDc coincide avec l'axe médian 6 du support semi-conducteur I. Les photodiodes PD. et PDr sont de même forme et de mêmes dimensions et sont symétriques par rapport à la ligne médiane 6 du support semi-conducteur 1. Une région de fixa- tion de câbles 8 est montrée sur la photodiode PDc (bien que la fixation des conducteurs ne soit pas encore réalisée). Lé procédé pour déterminer et contrôler ce laser pour vérifier si la plaquette-laser 2 est posi- tionnée ou est décalée angulairement dans la direction 9 sera décrit ciaprès. On a une sonde 9a en contact avec la plaquette de laser à semiconducteur 2 au niveau de sa bande 4 et on applique une tension entre la surface arrière du support semi-conducteur 1 et-la sonde 9a pour appliquer un courant d'entrainement, direct à la diode-laser formée dans la plaquette de laser à semi-conducteur 2. Cela se traduit par l'émission de lumière-laser inhérente par la région de bande de la couche active 3 vers la partie avant (c'est-à-dire le côté gauche de la figure 3) comme cela est représenté par une flèche. La lumière-laser utilisée pour le contrôle est émise par la région en forme de bande de la couche active 3 mais vers l'arrière (côté droit inférieur de la figure 3). Dans ces conditions, on a une sonde 9Q en contact avec la surface de la photodiode PDQ et une sonde 9r en contact avec la surface de la photodiode droite PDr. Puis, on applique des tensions de polarisation inverses de même valeur aux photodiodes PDt et PDr. Puis, on détecte les courants photo-électriques traversant les photodiodes PDú et PDr et on compare l'un à l'autre les courants photo-électriques ainsi détectés. Si la différence des courants photo-électriques se situe dans une plage de tolérance prédéterminée, le laser à semi-conducteur est symétrique quant à la forme de son-champ, ce qui est satis- faisant. Par ailleurs, si la différence des courants photo-électriques est inférieure ou supérieure à la plage de tolérance, le dispositif n'est pas symétrique pour la forme de son champ et il n'est pas acceptable. On remarque que la position de la plaquette de laser à semi-conducteur 2; par rapport au support semi-conducteur 1 est déterminée de façon que la ligne médiane 6 par rapport à laquelle les photodiodes PD9 et PDr sont symétriques et la ligne médiane 5 de la coucheformant la bande 4 de la plaquette à laser à semi-conducteur 2, sont colinéaires lorsqu'on regarde de la surface latérale du support semi-conducteur 1. Si la plaquette de laser à semi-conducteur 2 est disposée comme décrit, la lumière-laser, propre, émise par la cou- che active 3 de la plaquette-laser à semi-conducteur 2 vers l'avant a une distribution idéale de l'intensité lumineuse, distribution qui dans la direction du plan, est symétrique par rapport à la ligne correspondant aux lignes centrales 5 et 6. En même temps, la distribution de l'intensité lumineuse de la lumière-laser de contrôle émise par la couche active 3 vers l'arrière a une distri- bution d'intensité lumineuse symétrique par rapport à la ligne médiane 6. Si la distribution d'intensité lumi- neuse du faisceau de lumière-laser de contrôle est symé- trique par rapport à la ligne médiane 6, la quantité de lumière reçue par les photodiodes PD[ et PDr est égale. Comme la quantité de lumière reçue par les photodiodes PD[ et PDr est détectée à l'aide des sondes 9a et 9r et que l'on compare entre elles les quantités de lumière reçues, il est possible de détecter si la plaquette de laser a semi-conducteur 2 est placée correctement ou non ou si le schéma du champ éloigné de la lumière-laser est symétrique. I1 en résulte que si la plaquette à laser semi-conducteur 2 est décalée dans la direction 0 (c'est- a-dire angulairement) ou suivant un décalage de position dans la direction X (c'est-à-dire la direction transver- sale du support semi-conducteur 1), on peut déterminer que le laser a semi-conducteur n'est pas normal ou n'est pas satisfaisant et celui-ci peut être éliminé du procédé de fabrication. Dans ce mode de réalisation, les photodiodes PDú et PDr servent seulement à détecter si la forme du champ éloigné est symétrique. Par contre, la photodiode centrale PDc est utilisée comme photodiode de controle qui contrôle automatiquement la lumière-laser propre après le montage du laser a semi-conducteur et son obtention comme produit. La figure 4 est un schéma d'un second mode de réalisation du laser à semiconducteur selon la présente invention. Dans ce mode de réalisation, les photodiodes PDI, PDr et PDc ont une forme triangulaire (et non une forme rectangulaire) de façon à augmenter la quantité de lumière reçue par la photodiode de contrôle PDc utilisée pour contrôler automatiquement la lumière- laser propre. En d'autres termes, on augmente le rendement suivant lequel la lumière-laser émise par la plaquette à laser à semi-conducteur 2 vers l'arrière est utilisée comme lumière-laser de contrôle. Si les photodiodes PDC et PDr sont symétriques l'une par rapport à l'autre et par rapport à la ligne médiane 6, les photodiodes PDt et PDr peuvent avoir n'importe quelle forme par exemple une forme trian- gulaire sans devoir toujours être rectangulaires. La figure 5 montre un troisième mode de réalisation du laser a semiconducteur; il n'y a aucune photodiode qui correspond à la photodiode centrale PDc des dispositifs représentés aux figures 3 et 4. Au lieu de cela, il y a seulement une paire de photodiodes PD. et PDr dans la région de contrôle 7 du support semi- conducteur 1; ces photodiodes PDQ et PDr sont utilisées pour détecter les caractéristiques de symétrie de la forme du champ éloigné ainsi que comme controle de la lumière- laser pour contrôler automatiquement la lumière-laser après la fabrication du laser à semi-conducteur. Il est prévu une région 8 pour fixer un câble et cette région couvre a la fois les photodiodes PDt et PDr. Si le laser à semi-conducteur est réalisé comme décrit ci-dessus, pratiquement toute la région de controle 7 peut servir de région de contr8le pour commander automatiquement la lumière-laser et comme région de controle pour détecter si la forme du champ éloigné est ou non symétrique. Dans de telles régions de controle, il est possible de rendre la sensibilité de la détection plus importante que celle des lasers à semi-conducteur représentés aux figures 3 et 4. La figure 6 est un schéma montrant l'un des procédés de mesure de la caractéristique de symé- trie de la forme du champ éloigné. Dans ce procédé de mesure, le support semi-conducteur 1 est toujours à l'état de plaquette et la lumière-laser, propre, représentée par la flèche hachurée, émise par une plaquette à laser semi-conducteur 2a du laser a semi-conducteur la peut être reçue par la région de controle 7b du laser à semi- conducteur lb adjacent au laser à semi-conducteur la. La caractéristique de symétrie de la forme du champ éloi- gné est mesurée par la lumière-laser propre, émise par la plaquette de laser à semi-conducteur 2a, par l'avant et non la lumière-laser de contrôle émise par la plaquette de laser à semi-conducteur 2a vers l'arrière. De la sorte, même si la distribution de l'intensité lumineuse de la forme du champ arriere est différente pour la lumière-laser émise vers l'avant et la lumière-laser émise vers l'arrière, il est possible de déterminer de façon précise la caracté- ristique de symétrie de la forme du champ éloigné de la lumière-laser propre. IL est à remarquer que la distribu- tion de l'intensité lumineuse de la forme du champ éloigné de la lumièrelaser émise par l'avant et par l'arrière est généralement la même i s'il y a un phénomène anor- mal, la distribution de l'intensité lumineuse serait différente. Dans ce cas, la forme du champ éloigné de la lumière-laser de contrôle peut être symétrique,alors que la forme du champ éloigné de la lumière-laser propre ne présente pas de caractéristiques de symétrie. Bien qu'une telle anormalité ne puisse se découvrir par le procédé de mesure décrit en liaison avec le mode de réalisation de la figure 3, elle peut se détecter par le procédé de mesure qui vient d'être décrit. Selon le mode de réalisation de la figure 7, on ne détecte pas la caractéristique de symétrie de la forme du champ éloigné dans la direction horizontale mais la présence ou l'absence d'une anormalité de la plaquette de laser à semi-conducteur 2 dans la direction verticale (la direction e représentée par la flèche 10 à la figure 7. A la figure 7, on a une photodiode PDa qui s'étend dans la direction latérale ou direction X et elle est prévue sur la région de contrôle 7 dans la moitié voisine de la plaquette de laser à semi-conducteur 2. Une photodiode PDb s'étend également dans la direction laté- rale ou direction X; elle est prévue sur la région de 1? contrôle 7 dans sa moitié éloignée de la plaquette de laser a semi-conducteur 2. En détectant si le rapport entre la lumière reçue par la photodiode PDa et la lumière reçue par la photodiode PDb correspond à une valeur prédéterminée, il est possible de détecter la présence ou l'absence de tout décalage (c'est-à-dire la présence ou l'absence d'une anormalité dans la distribution de l'intensité lumi- neuse de la lumière-laser dans la direction verticale). Une région de fixation de câble 8 est représentée comme couvrant les deux photodiodes PDa et PDb. - Dans un tel laser à semi-conducteur, on ne peut déterminer les éléments normaux et/ou anormaux par une simple règle suivant laquelle la distribution de l'intensité lumineuse serait normale si la quantité de lumière reçue par les photodiodes PDa et PDb est pratique- ment égale et suivant laquelle il y a normalité si les quantités de lumière sont très différentes. La raison en est que le-caractère normal de la distribution de l'inten- sité lumineuse de la lumière-laser de contrôle dans la direction verticale est détecté par les deux photodiodes PDa et PDb qui se trouvent dans le même plan mais à des distances différentes de la plaquette du laser à semi- conducteur. Ainsi pour des photodiodes PDa et PDb ayant la même surface, bien que les distributions de l'intensité lumineuse dans la direction verticale soient normales, la quantité de lumière reçue par les photodiodes PDa et PDb sera très différente. En conséquence, on détermine si la distribution de l'intensité lumineuse est ou non normale en vérifiant que le rapport entre les deux quan- tités de lumière reçues correspond à une certaine valeur ou non, valeur qui n'est pas simplement égale à 1: 1. Toutefois dans ce cas, du fait du réglage du rapport des surfaces des deux photodiodes PDa et PDb à une valeur correcte, on peut apprécier le 2 5-71901 caractère normal et/ou anormal de la distribution de l'in- tensité lumineuse par la simple règle suivant laquelle cette distribution est normale si la différence entre les deux quantités de lumière reçues est pratiquement nulle, alors qu'elle est anormale si la différence est importante. Comme indiqué ci-dessus, dans le laser semi-conducteur de l'invention, la plaquette de laser à semi-conducteur est prévue sur une surface du support à semi-conducteur dans une région et un ensemble de parties de photodétection pour recevoir la lumière-laser de la plaquette de laser a semi-conducteur est prévu sur la partie de surface du support à semi-conducteur dans une autre région séparée de la plaquette de laser à semi- conducteur. Ainsi, lorsque la plaquette de laser à semi- conducteur émet de la lumière, la lumière-laser émise par cette plaquette est détectée électriquement par l'ensem- ble des parties de photodétection et le rapport des quan- tités détectées de lumière-laser par les parties de photo- détection est mesuré par l'ensemble des parties de photo- détection, ce qui permet de mesurer et de contrôler faci- lement la caractéristique de symétrie de la forme du champ éloigné ou le décalage de la plaquette de laser à semi- conducteur ou analogue. Ainsi, selon la présente invention, même dans la phase dans laquelle le laser à semi-conducteur n'a pas encore été séparé de la plaquette et n'a pas encore été réalisé monté, on peut vérifier et contrôler facile- ment la caractéristique de symétrie de la forme du champ éloigné. De plus, comme le laser à semi-conducteur défec- tueux est enlevé à ce niveau, il est possible d'éviter le collage du dispositif, le collage du conducteur etc, si le laser à semi-conducteur est défaillant. RE VE N D I CA T I 0 N S 1 ) Laser à semi-conducteur caractérisé en ce qu'il se compose d'un support semi-conducteur (1), d'une plaquette de laser à semi-conducteur (2) prévue dans une région à la surface du support semi-conducteur et un ensemble de parties photodétectrices (PDr, PDú, PDc) pour recevoir la lumière laser émise par la plaquette de laser à semi-conducteur prévue à la surface du support à semi- conducteur dans une autre région séparée de cette plaquette de laser à semi-conducteur. 2 ) Laser à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif est allongé et la région dans laquelle est montée la plaquette se trouve au voisinage d'une extrémité du dispositif et la région dans laquelle se trouvent les parties photodétectri- ces est prévue à l'autre extrémité du dispositif. ) Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les parties photodétectrices se composent d'une partie photodétectrice médiane (PDc), d'une partie photodétectrice gauche (PDú) et d'une partie photodétectrice-droite (PDr), et les parties photodétec- trices sont symétriques par rapport à un premier axe longi- tudinal passant par la partie photodétectrice médiane. 4 ) Laser à semi-conducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la plaquette-laser (2) comporte une bande (4) et cette plaquette et la bande sont symétriques par rapport à une seconde ligne médiane et la première (5) et la seconde ligne médiane (6) sont alignées. 5 ) Laser à semi-conducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que les parties photo- détectrices gauche et droite ont essentiellement les mêmes dimensions et formes et la partie photodétectrice centrale est plus grande que les parties photodétectrices gauche ou droite. 6 ) Laser à semi-conducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que les parties photo- détectrices sont de forme rectangulaire et la partie photo- détectrice centrale est plus large que la partie photo- détectrice gauche ou la partie photodétectrice droite. 7 ) Semi-conducteur à laser selon la revendication 6, caractérisé en ce que la partie photo- détectrice centrale comporte une région de fixation de câble suivant la première ligne médiane, de façon éloignée par rapport à la plaquette. 8 ) Laser à semi-conducteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que chacune des régions photodétectrices a une forme triangulaire, les parties photodétectrices gauche et droite étant de mêmes dimensions et ayant une forme symétrique par rapport à un plan, la partie photodétectrice centrale étant plus grande que cha- cune des parties photodétectrices gauche et droite et ayant une forme différente. 9 ) Laser à semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comporte des parties photodétectrices gauche et droite de mêmes dimen- sions et de même forme qui sont espacées latéralement l'une par rapport à l'autre et sont symétriques par rapport à une première ligne médiane longitudinale entre la partie gauche et la partie droite dans l'intervalle qui les sépare. ) Laser à semi-conducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comporte une région de fixation de câble qui comprend des portions des parties photodétectrices gauche et droite et recouvrant la première ligne médiane. 11 ) Laser à semi-conducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que les diodes photo- détectrices sont rectangulaires, de mêmes dimensions et de meme forme. 12 ) Laser à semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que les parties photo- détectrices comportent une paire de parties photodétec- trices de forme rectangulaire, chacune étant disposée latéralement sur le support, une partie photodétectrice se trouvant près de l'extrémité du support et l'autre partie photodétectrice entre la plaquette et la précédente partie photodétectrice et les parties photodétectrices sont espacées longitudinalement l'une de l'autre. 13 ) Laser à semi-conducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comporte une région de fixation de câble qui recouvre les parties de chaque photodiode et l'espace entre celles-ci. 14 ) Procédé pour contrôler et déter- miner les caractéristiques de direction et de symétrie de la lumièrelaser émise de chacun de différents lasers à semi-conducteur appartenant à un ensemble, en cours de fabrication de la plaquette et avant la séparation des dis- positifs distincts, chaque dispositif se composant d'un support semi-conducteur, d'une plaquette de laser à semi- conducteur prévue à la surface du support semi-conducteur dans une région de celui-ci et un ensemble de parties photodétectrices pour recevoir la lumière-laser de la plaquette de laser à semi-conducteur à la surface du sup- port semi-conducteur dans l'autre région séparée de la plaquette du laser à semi-conducteur, procédé caractérisé en ce qu'on stimule la plaquette pour qu'elle émette de la lumière-laser dans la direction des parties photo- détectrices, on reçoit la lumière-laser sur les parties photodétectrices et on mesure les courants photo-électri- ques engendrés dans les parties photodétectrices choisies * de façon à déterminer les caractéristiques de la lumière- laser. ) Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que le dispositif comporte des par- ties photodétectrices gauche et droite qui sont symétriques par rapport à la ligne médiane lonqitidunale et-le procédé consiste à vérifier le décalage angulaire et latéral de la plaquette par rapport à la ligne médiane, ce procédé étant caractérisé en ce qu'on mesure le courant photo- électrique de la partie photodétectrice gauche et de la partie photodétectrice droite et on détermine si la diffé- rence des courants photo-électriques dans les parties res- pectives se situe dans une plage prédéterminée. 16 ) Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que les parties photodétectrices gauche et droite sont essentiellement égales quant à leur forme et à leurs dimensions. 17 ) Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que les parties photodétectrices gauche et droite sont de forme rectangulaire. 18 ) Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que les parties photodétectrices gauche et droite sont de forme triangulaire. 19 ) Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que les parties photodétectrices gauche et droite sont de forme rectangulaire et sont espa- cées latéralement l'une de l'autre de façon symétrique par rapport à la ligne médiane longitudinale passant entre les parties dans cet espace latéral. 20 ) Procédé selon la revendication , caractérisé en ce que les parties photodétectrices comportent en outre une partie photodétectrice centrale placée entre les parties photodétectrices gauche et droite par lesquelles passe la ligne médiane et qui sont symétri- ques par rapport à cette ligne médiane. 21 ) Procédé selon la revendication 14 pour mesurer la symétrie verticale de la lumière-laser emise par un laser a semi-conducteur, et qui comporte une paire de parties photodétectrices de forme rectangulaire s'étendant latéralement et espacées longitudinalement, procédé caractérisé en ce qu'on mesure le courant photo- électrique dans chaque partie photodétectrice et on déter- mine si le rapport des courants photo-électriques est égal à a: 1. 22 ) Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que la plaquette-laser émet de la lumière-laser propre dans la direction avant, opposée aux parties photodétectrices du dispositif sur lequel est montée la plaquette et sur les parties photodétectrices d'une plaquette identique, adjacente vers l'avant et on mesure le courant photo-électrique dans chac.ine des parties photo- détectrices gauche et droite, et on détermine les courants photo-électriques dans Ies parties respectives.