FR 2549613 A1 19850125 FR 8411307 A 19840717 i L'invention concerne un élément photoconducteur sensible aux ondes électromagnétiques telles que la lumière (ce terme étant utilisé aussi au sens large et englobant les rayons ultraviolets, la lumière visible, les rayons infrarouges, les rayons X, les rayons gamma), ainsi qu'un dispositif destiné à sa production. Des matières photoconductrices, qui constituent des éléments de formation d'images pour électrophotographie dans des dispositifs de prise de vues à semi-conducteurs ou dans le domaine de la formation d'images, ou encore des couches photoconductrices dans des dispositifs de lecture de manuscrits, doivent avoir une sensibilité élevée, un rapport signal/bruit élevé (courant photoélectrique (I p)/ courant d'obscurité (Id)), des caractéristiques spectrales 15 correspondant à celles des ondes électromagnétiques devant les irradier, une réponse rapide à la lumière, une valeur de résistance d'obscurité souhaitée ainsi qu'une innocuité envers le corps humain pendant l'utilisation En outre, dans un dispositif de prise de vues à semi-conducteurs, il 20 faut également que l'image résiduelle soit aisément traitée en un temps prédéterminé En particulier, dans le cas d'un élément de formation d'image pour électrophotographie devant être monté dans un dispositif électrophotographique à utiliser dans un appareil de bureau, la caractéristique 25 précitée d'innocuité est très importante. Du point de vue mentionné ci-dessus, le silicium amorphe, dans lequel des liaisons insaturées sont modifiées par des éléments monovalents tels que des atomes d'hydrogène ou d'halogènes (appelé ci-après a-Si(H, X)), a récemment 30 attiré l'attention en tant que matière photoconductrice. Par exemple, les demandes de brevets de la R F A n 2.746 967 et 2 855 718 décrivent des applications de cette matière à une utilisation dans des éléments de formation d'images pour électrophotographie, et la demande de brevet de la R F A n 2 933 411 décrit son application à une utilisation dans un dispositif de lecture à conversion photoélectrique On prévoit de l'appliquer à un élément de formation d'image pour électrophotographie en raison de ses excellentes photoconductivité, résistance au frottement et résistance à la chaleur et de sa relative facilité avec laquelle elle peut former une grande surface. D'une façon générale, lorsqu'un élément de formation dimage pour électrophotographie est monté sur une machine de copie et qu'une formation d'image est effectuée dans un environnement fortement humide, un défaut appelé coulée de l'image, accompagné d'une image non nette ou d'une 10 disparition de l'image, apparait fréquemment Ceci est dû au fait que des produits résultant de la décharge d'effluves, ou de la poudre de papier fixée à la surface d'un élément de formation d'image, absorbent l'eau, ce qui abaisse la résistance superficielle de l'élément de formation d'image, 15 lequel élément ne peut alors plus retenir l'image latente électrostatique Il est difficile d'éliminer sélectivement de la surface d'un élément de formation d'image de telles matières attachées à cette surface, et, souvent, pour éliminer ces matières attachées, on procède à l'introduction d'une substance ayant pour effet d'éliminer les matières attachées par attrition dans un révélateur Cependant, pour éliminer plus efficacement les matières attachées, la couche superficielle subit également, peu à peu, une abrasion L'abrasion de la couche superficielle de l'élément de formation 25 d'image produit dés effets nuisibles sur les caractéristiques photosensibles et la qualité de l'image, malgré la prévention des défauts d'image tels que la coulée de l'image Cependant, ce procédé n'est pas nécessairement une bonne mesure pour résoudre ce problème. Compte tenu des points précédents, l'invention est basée sur la constatation, faite à la suite d'études importantes tenant compte des points de vue de la possibilité d'application et de l'utilité du a-Si en tant qu'élément de réception de la lumière pour des éléments de formation 35 d'images pour électrophotographie, des dispositifs de prise de vues à semi-conducteurs,des dispositifs de lecture, etc, que la surface d'un élément photoconducteur, qui risque de provoquer une coulée de l'image, présente un très faible angle de contact avec l'eau Sur la base de cette constatation, on a poursuivi les recherches pour améliorer l'angle de contact de la surface d'un élément photoconducteur avec l'eau En conséquence, on a à présent trouvé que le problème précédent peut être résolu en élevant au-dessus d'une certaine valeur l'angle de contact avec l'eau de la surface d'une couche de réception de la lumière contenant une matière amorphe comprenant des atomes de silicium en tant que 10 matrice Les produits résultant de la décharge d'effluves ou la poudre de papier peuvent avoir une certaine influence sur l'angle de contact de la surface d'un élément photoconducteur. L'effet ci-dessus peut être exprimé comme étant dû au fait que de tels effets nuisibles des produits d'effluves ou de 15 la poudre de papier peuvent être atténués lorsque la surface présente initialement un angle de contact au moins égal à une certaine valeur. L'invention a pour objet un élément photoconducteur pour électrophotographie produisant peu de défauts d'image tel qu'une coulée de l'image, et capable de donner une image de haute qualité. Conformément à un aspect de l'invention, il est prévu un élément photoconducteur comprenant un support et une couche de réception de la lumière appliquée sur le sup25 port et contenant une matière amorphe comprenant des atomes de silicium en tant que matrice, la surface libre de la couche de réception de la lumière présentant un angle de contact avec l'eau de 75 ou plus. L'invention sera décrite plus en détail en regard 30 du dessin annexé à titre d'exemple nullement limitatif et sur lequel la figure unique est un schéma d'un dispositif destiné à produire l'élément photoconducteur selon l'invention par un procédé de décomposition par décharge d'effluves. L'élément photoconducteur selon l'invention est constitué d'une couche de réception de la lumière comprenant au moins une couche déposée sur un support Cette couche réceptrice de la lumière est constituée orincipalement d'une couche photoconductrice déposée contenant d'une façon générale du a-Si(H, S) en tant que constituant principal (cette couche étant appelée de façon abrégée, ci5 après, la couche photoconductrice), et il est également possible de déposer une couche inférieure entre la couche photoconductrice et le support et/ou une couche supérieure sur la couche photoconductrice De toute manière, il faut essentiellement que l'angle de contact de la sur10 face extérieure (surface libre) de la couche réceptrice de la lumière forme avec l'eau 75 ou plus. Par conséquent, si la surface de la couche réceptrice de lumière forme un angle de contact avec l'eau de 750 ou plus, même lorsqu'elle est utilisée en tant qu'élé15 ment de formation de l'image pour électrophotographie dans un milieu à humidité très élevée, le phénomène de coulée de l'image n'apparaît pratiquement pas Par ailleurs, avec un angle de contact avec l'eau inférieur à 75 , le phénomène de coulée de l'image risque d'apparaître, la fréquen20 ce d'apparition de ce phénomène augmentant lorsque cette valeur diminue L'angle de contact de la surface de la couche de réception de la lumière avec l'eau, tel que mentionné ici, se réfère à la moyenne des cinq valeurs mesurées en cinq points ou plus choisis librement sur la sur25 face de la couche de réception de la lumière. La couche photoconductrice est constituée d'atomes de silicium en tant que matrice, contenant avantageusement des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogènes (X). Les constituants autres que ces atomes peuvent être des 30 atomes du Groupe III du Tableau Périodique tels le bore, le gallium, etc, des atomes du groupe V tels que l'azote, le phosphore, l'arsenic, etc,un atcoe d'oxygène, un atome de carbone, un atame de germanium, etc, seuls ou en combinaison convenable, en tant que constituant pour régler 35 le niveau de Fermi ou la largeur de la bande interdite. La couche inférieure déposée est destinée à améliorer l'adhérence entre la couche photoconductrice et le support ou à agir sur l'aptitude à recevoir des charges et, suivant sa fonction, une seule couche ou plusieurs couches de a-Si(H, X) ou de Si(H, X) microcristallin contenant des atomes du Groupe III, des atomes du Groupe V, des ato5 mes de carbone, des atomes de germanium, etc,peuvent être formées La couche supérieure appliquée comme souhaité sur la couche photoconductrice est une couche jouant un rôle de couche empêchant l'injection de charges de surface ou de couche protectrice, et elle est formée de a-Si(H, X) contenant des atomes de carbone, des atomes d'azote, etc,de préférence en grande quantité. Par ailleurs, la matière de base pour le support peut être électroconductrice ou isolante Comme support électroconducteur, on peut mentionner des métaux tels que Ni Cr, l'acier inoxydable, Ai, Cr, Mo, Au; Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd etc, ou des alliages de ceux-ci. Comme supports isolants, on peut utiliser classiquement des films ou des feuilles de résines synthétiques 20 comprenant du polyester, du polyéthylène, du polycarbonate, de l'acétate de cellulose, du polypropylène, du chlorure de polyvinyle, du chlorure de polyvinylidène, du polystyrène, un polyamide, etc, des verres, des céramiques, des papiers, etc Ces supports isolants peuvent avantageusement 25 présenter au moins une surface soumise à un traitement électroconducteur, et il est souhaitable de prévoir d'autres couches sur la face à laquelle le traitement électroconducteur a été appliqué. Par exemple, un traitement électroconducteur d'un 30 verre peut être effectué par l'application d'une mince pellicule de Ni Cr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In 203, Sn O 2, ITO t(In 203 + Sn O 2) sur le verre En variante, un film de résine synthétique tel qu'un film de polyester peut être soumis au traitement électroconducteur, à sa surface, par dépôt de vapeur sous vide, dépôt par faisceau électronique ou pulvérisation d'un métal tel que Ni Cr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc, ou encore par un traitement de stratification à l'aide dudit métal, afin de conférer une conductibilité du courant électrique à la surface. Cependant, comme matière de base pour le support, il est avantageux d'utiliser l'aluminium, car un support de bonne précision, par exemple réellement circulaire, dont la surface est lisse, etc, peut être obtenu de façon relativement aisée, et la température de la partie de la surface sur laquelle du a-Si est déposé peut être aisément régu10 lée Cette matière est également avantageuse pour des raisons d'économie. Le support peut être réalisé sous toute forme souhaitée Par exemple, lorsque l'élément photoconducteur doit être utilisé en tant qu'élément de formation d'image pour électrophotographie, il est avantageusement réalisé sous la forme d'une bande sans fin ou d'un cylindre destiné à être utilisé dans des opérations continues de copie à grande vitesse Le support peut avoir une épaisseur qui est commodément déteminée de façon que l'on puisse former un élément 20 photoconducteur tel que souhaité Lorsque l'élément photoconducteur doit avoir une certaine flexibilité, le support est réalisé de façon à être aussi mince que possible, dans la mesure o la fonction d'un support peut être assurée. Cependant, dans ce cas, l'épaisseur est généralement de 10 Dm ou plus pour des raisons de fabrication et de manipulation du support, ainsi que pour des raisons de résistance mécanique. Dans la présente invention, pour former une couche photoconductrice constituée de a-Si, il est possible de mettre en oeuvre divers procédés de dépôt sous vide utilisant des phénomènes de décharge connus dans la technique, par exemple le procédé à décharge d'effluves, le procédé de pulvérisation ou le procédé d'implantation ionique. Dans le procédé pour préparer la couche réceptrice 35 de la lumière sur l'élément photoconducteur selon l'invention, cette couche ayant un angle de contact avec l'eau de 750 ou plus, étant donné que la composition des atomes constitutifs de la couche réceptrice de la lumière et les diverses conditions de préparation de cette couche dépendent de l'angle de contact, aucun facteur ne peut être utilisé seul, en fait, pour déterminer l'angle de contact 5 mais, dans la plupart des cas, l'angle souhaité peut être obtenu par synergie de deux facteurs ou plus. En premier, en ce qui concerne la composition des atomes constitutifs de la couche réceptrice de la lumière, l'angle de contact ne peut être porté à 75 ou plus unique10 ment par dopage des atomes particuliers tels que mentionnés précédemment Comme composition constituant la surface de la couche réceptrice de la lumière, capable de satisfaire les critères précédents dans une plage de tolérance relativement large, on peut englober celles d'un sys15 tème a-Si:C, d'un système a-Si:C:H, d'un système a-Si:C:F, d'un système a-Si:C:F:H, ces compositions étant les principales à utiliser Le dopage d'une grande quantité d'atomes d'oxygène à la surface de la couche réceptrice de la lumière n'est pas souhaitable, car il en résulte une dimi20 nution de l'angle de contact. Par ailleurs, en ce qui concerne les conditions de préparation de la partie superficielle de la couche réceptrice de la lumière, il est préférable de régler la température de chauffage du support à une valeur relative25 ment élevée (par exemple 230-350 C), tandis que la puissance de décharge est relativement basse (par exemple 0,01 0,1 W/cm 2), et il est également préférable d'accroître la vitesse d'application du vide et le débit d'alimentation en gaz de départ à des niveaux élevés, et de raccourcir 30 le temps de séjour des gaz de départ dans le dispositif de réaction (déposition) Autrement, il est également recommendable de choisir des moyens appropriés pour permettre à la réaction de déposition sur la surface de la couche réceptrice de la lumière de s'effectuer d'une façon 35 aussi douce que possible. De plus, dans certains cas, le processus de formation de la couche réceptrice de la lumière, sur des parties autres que la partie superficielle de cette couche, peut avoir un certain effet délicat sur l'angle de contact de la partie superficielle avec l'eau Aitsi, il est avantageux de minimiser les impuretés (matières ne participant pas à la formation du film) dans le dispositif de réaction pendant la formation de la couche de réception de la lumière A cet effet, il est souhaitable d'utiliser un dispositif de réaction capable d'atteindre un degré de vide élevé, des gaz d'une haute pureté, ou d'appliquer une technique appropriée pour nettoyer le dispositif, par exemple en corbinant une introduction de gaz projetant des ions et un cycle d'évacuation, etc, avant ou pendant la formation du film. En outre, un post-traitement, effectué après l'a15 chèvement de la formation du film de la couche réceptrice de la lumière, peut parfois produire une action très sensible sur l'amélioration de l'angle de contact de la surface de cette couche avec l'eau Par exemple, un recuit sous vide poussé ou dans une atmosphère constituée d'un gaz con20 venable, tel que l'argon, l'azote, etc, ou encore une projection ionique légère à l'aide d'un plasma gazeux convenable, peuvent être utilisés comme technique efficace. En choisissant convenablement ces diverses conditions de préparation en tenant compte de la composition souhaitée d'atomes constitutifs de la couche réceptrice de la lumière, on peut préparer, pour la première fois, conformément à l'invention, un élément photoconducteur dont l'angle de contact, avec l'eau, de la surface de la couche réceptrice de la lumière, est de 75 ou plus. Un exemple du procédé de préparation d'un élément photoconducteur selon l'invention, produit par le procédé de décomposition par décharge d'effluves, sera à présent décrit. La figure unique représente un dispositif pour la 35 préparation d'un élément photoconducteur par le procédé de décomposition par décharge d'effluves. Les bombes ou bouteilles de gaz 1102 1106 contiennent hermétiquement des gaz de départ pour la formation de la couche réceptrice de la lumière selon l'invention Par exemple, la bouteille 1102 contient du Si H 4 (pureté: 99,99 %), la bouteille 1103 contient du gaz B 2 H 6 5 dilué avec H 2 (pureté: 99,99 %, désigné ci-après "gaz de B 2 H 6/H 2 " 11), la bouteille 1104 contient du gaz NH 3 (pureté: 99,99 %), la bouteille 1105 contient du gaz CH 4 (pureté: 99,99 %) et la bouteille 1106 contient du gaz Si F 4 (pureté: 99,99 %) Par ailleurs, bien que cela ne soit pas représenté 10 sur le dessin, il est également possible de prévoir des bouteilles supplémentaires contenant des espèces gazeuses souhaitées, si cela est nécessaire. Pour permettre à ces gaz de pénétrer dans la chambre 1101 de réaction, on doit s'assurer que les valves ou 15 robinets 1122 1126 des bouteilles de gaz 1102 1106 et le robinet de fuite 1135 sont fermés, que les robinets d'entrée 1112 1116, les robinets de sortie 1117 1121 et les robinets ou valves auxiliaires 1132 et 1133 sont ouverts, après quoi on ouvre le robinet principal 1134 pour faire 20 le vide dans la chambre 1101 de réaction et dans les conduites de gaz Lors de l'étape suivante, après que l'indicateur de vide 1136 affiche environ 133,322 10 6 Pa, on ferme les robinets auxiliaires 1132 et 1133 et les robinets de sortie 1117 1121 Puis on permet au gaz Si H 4 provenant 25 de labouteille 1102, au gaz B 2 H 6/H 2 provenant de la bouteille 1103, au gaz NH 3 provenant de la bouteille 1104, au gaz CH 4 provenant de la bouteille 1105 et au gaz Si F 4 provenant de la bouteille 1106 de s'écouler et de pénétrer dans des régulateurs de débit d'écoulement 1107 1111 respective30 ment, en réglant les pressions, affichés par des manomètres de sortie 1127 1131, à 9,81 Pa, respectivement, par ouverture des robinets 1122 1126 et ouverture progressive des robinets d'entrée 1112 1116 Ensuite, on ouvre progressivement les robinets de sortie 1117 1121 et les ro35 binets auxiliaires 1132 et 1133 pour permettre aux gaz respectifs de pénétrer dans la chambre de réaction 1101. Les robinets de sortie 1117 1121 sont réglés de façon que les proportions des débits d'écoulement des gaz respectifs puissent avoir une valeur souhaitée, et l'ouverture du robinet principal 1134 est également réglée, en même temps que l'on surveille la valeur affichée par l'indicateur de 5 vide 1136 afin que la pression régnant dans la chambre de réaction puisse atteindre une valeur souhaitée Après confirmation de la stabilisation de la température du substrat cylindrique 1137 à 230 350 C par le dispositif chauffant 1138, on règle la source d'alimentation en énergie 1140 à 10 une puissance souhaitée pour déclencher une décharge d'effluves dans la chambre 1101 de réaction. Dans le même temps, le débit d'écoulement des gaz respectifs de départ est convenablement modifié afin que la répartition souhaitée des teneurs en atomes constitutifs, 15 établies précédemment, puisse être obtenue, et on peut régler, si cela est souhaité, la puissance de décharge et la température du substrat afin de compenser des variations des conditions du plasma correspondant aux variations de débitsd'écoulement de gaz, de façon à former une couche récep20 trice de la lumière. Pendant la formation de la couche, pour rendre cette formation uniforme, on fait de préférence tourner le substrat cylindrique 1137 à une vitesse constante au moyen d'un moteur 1139. Lorsque la couche réceptrice de la lumière est constituée en fait de plusieurs couches, l'opération cidessus peut être répétée Au cours de cette opération, après formation d'une couche, il est recommandé d'établir une fois dans la chambre de réaction un vide d'environ 133 10-6 Pa 30 avant la formation de la couche suivante. L'élément photoconducteur sur lequel la formation de la couche réceptrice de la lumière a été achevée est généralement soumis à un post-traitement tel qu'un recuit ou une projection ionique, comme mentionné précédemment, avant 35 d'être retiré de la chambre de réaction. L'invention est davantage illustrée par les exemples suivants: 1 1 Exemple 1 A l'aide du dispositif de préparation d'éléments photoconducteurs montré sur la figure 1, on dépose des couches superposées les unes aux autres sur un cylindre en aluminium par le procédé de décomposition par décharge d'effluves, dans les conditions de préparation indiquées dans le tableau 1 Ensuite, on établit dans le dispositif de préparation un vide d'environ 133 10-6 Pa en même temps que l'on élève la température du cylindre de 30 C à 280 C et, 7 minutes plus tard, on forme la troisième couche (couche superficielle) dans les conditions indiquées dans le tableau 2 Après formation de la couche superficielle, on établit de nouveau dans le dispositif de préparation un vide d'environ 133 10-6 Pa, et on laisse à 280 C, pendant 15 environ 30 minutes dans le dispositif, l'élément photoconducteur sur lequel la couche réceptrice de la lumière est achevée Puis on ferme le robinet de la pompe de décharge et on introduit de l'azote gazeux jusqu'à une pression de 133 322 Pa, et on laisse l'élément photosensible jusqu'à 20 ce que la température de sa surface soit redescendue à la température ambiante. On retire du dispositif de préparation l'élément photoconducteur ainsi préparé, on laisse tomber des gouttes d'eau sur sa surface afin de mesurer les angles de contact 25 en 10 positions choisies librement sur ladite surface, de façon que l'on obtienne les résultats montrés sur le tableau 3 Ainsi, on détermine que l'angle de contact de la surface de la couche réceptrice de la lumière de cet élément photoconducteur est de 77,7 . Ensuite, on monte cet élément photoconducteur sur une machine de copie et on procède à une formation d'image dans un milieu à haute température et haute humidité, la température étant de 40 C et l'humidité de 90 % Le résultat est que l'on n'observe aucun phénomène tel qu'une cou35 lée de l'image, mais que l'on obtient de bons résultats d'évaluation en ce qui concerne la densité, la résolution et la reproductibilité de la gradation De plus, lorsque l'on procède à la même évaluation après une formation d'image répétée correspondant à un nombre total de 100 000 feuilles, dans le même environnement, on trouve une bonne qualité d'image, pratiquement inchangée par rapport à l'état initial. TABLEAU 1 Ordre de Gaz et leurs Puissance Vitesse Epaisseur Tempéra Fréquence Pression interstratifi quantités de décharge de forma des ture du de ne pendant la cation (cm 3/min dans (W/cm 2) tion des couches support décharge réaction des condition couches (gm) ( C) (M Hz) (Pa) normalisées) (nm/s) Première Si H 4: 200 couche B 2 H 6: 0,6 0,18 1,5 0,6 250 13,56 66,5 Deuxième couche Si H 4: 200 0,18 1,5 20 250 13,56 66,5 TABLEAU 2 Ordre de Gaz et leurs Puissance Vitesse Epaisseur Tempéra Fréquence Pression interstratifi quantités de décharge de forma des ture du de ne pendant la cation (cm 3/min dans (W/cm 2) tion des couches support décharge réaction des conditions couches (gm) ( C) (M Hz) (Pa) normalisées) (nm/s) Troisième Si H 4: 20 couche C 2 H 4: 500 0,3 0,1 0,1 280 13,56 66,5 w t,' ul 2549613 14 TABLEAU 3 Site de Mesure 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Angle de contact 75 80 78 76 78 78 77 81 78 76 Exemple comparatif 1 Sur le même cylindre d'aluminium que celui utilisé 10 dans l'exemple 1, on prépare un élément photoconducteur conformément aux conditions de préparation données dans le tableau 4 Dans cet exemple, on forme en continu trois couches réceptrices de la lumière, et la température superficielle du cylindre est établie à une valeur constante 15 pendant la préparation des couches réceptrices de la lumière Après que ces dernières ont été formées, on ouvre directement à l'atmosphère le dispositif de réaction et on laisse l'élément photoconducteur jusqu'à ce que la température superficielle du cylindre soit redescendue à la température 20 ambiante Dans le cas de l'élément photoconducteur ainsi préparé, on mesure l'angle de contact avec l'eau, de façon similaire à celle décrite dans l'exemple 1, et on obtient les résultats indiqués dans le tableau 5 L'angle de contact de la surface de la couche réceptrice de la lumière avec 25 l'eau s'avère être de 70,0 . Lorsque l'on procède au même essai de copie qcue dans l'exemple 1 sur cet élément photoconducteur, il apparatt un phénomène de coulée de l'image immédiatement après le début de l'essai. TABLEAU 4 Ordre de Gaz et leurs Puissance Vitesse Epaisseur Tempéra Fréquence Pression interstratifi quantités de décharge de forma des ture du de ne pendant la cation (cm 3/min dans (W/cm 2) tion des couches support décharge réaction des conditions couches (gm) (OC) (M Hz) (Pa) normalisées) (nm/s) Première Si H 4: 200 couche N 2 H 6: 0,6 0,18 1,5 0,6 250 13,56 66,5 Deuxième couche Si H 4: 200 0,18 1,5 20 250 13,56 66,5 Troisième Si H 4: 20 couche NO: 5 0,3 0,1 0,1 250 13,56 66,5 Ln TABLEAU 5 Site de mesure 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Angle de contact 68 70 69 69 71 72 72 70 69 70 Do,jl Vo (> Exemple 2 On prépare un élément photoconducteur par le même procédé que dans l'exemple 1, sauf que l'on modifie les conditions de préparation de la troisième couche (couche superficielle) comme indiqué dans le tableau 6 L'anale de contact de cet élément conducteur avec l'eau s'avère être. de 82,4 , et les résultats détaillés des mesures sont donnés dans le tableau 7. On procède également, sur cet élément photocon10 ducteur, à un essai analogue à celui de l'exemple 1 et on obtient de bons résultats comme dans le cas de l'exemple 1. TABLEAU 6 Ordre de Gaz et leurs Puissance Vitesse Epaisseur Tempéra Fréquence Pression interstratifi quantités de décharge de forma des ture du de ne pendant la cation (cm 3/min dans (W/cm 2) tion des couches support décharge réaction des conditions couches (gm) ( C) (M Hz) (Pa) normalisées) (nm/s) Si H 4: 10 Troisième Si F 4: 10 0,3 0,1 0,1 280 13,56 66,5 couche C 2 H 4: 500 -J TABLEAU 7 Site de mesure 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Angle de contact 85 83 81 80 82 84 81 83 82 83 "o ul o 0 % a, Lw Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées à l'élément photoconducteur décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 Elément photoconducteur, caractérisé en ce qu'il comporte un support et une couche réceptrice de la lumière appliquée sur le support et contenant une matière amorphe 5 comprenant des atomes de silicium en tant que matrice, la surface libre de la couche réceptrice de la lumière présentant un angle de contact avec l'eau de 75 ou plus. 2 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche réceptrice de la lumière 10 comporte une structure stratifiée constituée d'un certain nombre de couches en matières différentes. 3 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région de la couche présentant au moins la surface libre de la région réceptrice de la lu15 mière contient des atomes de carbone. 4 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région de la couche présentant au moins la surface libre de la région réceptrice de la lumière contient des atomes d'azote. 5 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche réceptrice de la lumière contient au moins l'un des atomes d'hydrogène et d'halogènes 6 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le support se présente sous la for25 me d'un cylindre.