FR 2557709 A1 19850705 FR 8420114 A 19841231 1. La présente invention concerne la formation d'image par migration en général et, plus particulière- ment, un procédé perfectionné de formation d'images par migration. On a mis au point des systèmes de formation d'images par migration capables de produire des images de haute qualité et de densité optique élevée, de nuance continue et de haute résolution. Ces systèmes de forma- tion d'images par migration sont décrits,par exemple, dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 3 909 262 délivré le 30 septembre 1975 et dans le brevet des Etats- Unis d'Amérique né 3 975 195 délivré le 17 août 1976, tous deux incorporés au présent mémoire dans leur inté- gralité. Dans unnmode de réalisation typique de systèmes de formation d'images par migration, un élément de for- mation d'images comprenant un substrat, une couche de matière ramollissable et une matière de marquage photo- sensible est pourvu d'une image en formant d'abord une image latente en chargeant électriquement l'élément et en exposant l'élément chargé à une configuration de 2. rayonnement électromagnétique activant tel que de la lumière. Lorsque la matière de marquage photosensible était à l'origine sous la forme d'une couche brisable contiguë à la face supérieure de la couche ramollissa- ble, les particules de marquage dans la région exposée de l'élément migraient en profondeur en direction du substrat lorsque l'élément était développé par ramollis- sement de la couche ramollissable. L'expression "ramollissable" désigne ici tou- te matière qui peut être rendue plus perméable, permet- tant ainsi aux particules de migrer à travers sa masse. Habituellement, la modification de la perméabilité de cette matière ou la réduction de sa résistance à la mi- gration de la matière de marquage par migration est ef- fectuée par dissolution, gonflement, fusion ou ramollis- sement, par exemple, par des techniques telles que la mise en contact avec de la chaleur, des vapeurs, des sol- vants partiels, des vapeurs de solvant, des solvants et des combinaisons de ceux-ci, ou en réduisant d'une autre manière la viscosité de la matière ramollissable par tout moyen approprié. L'expression couche ou matière "brisable" dé- signe ici toute couche ou matière qui est capable de se briser au cours du développement, permettant ainsi à des parties de cette couche de migrer en direction du subs- trat ou d'être éliminées d'une autre manière. La couche brisable est de préférence particulaire dans les divers modes de réalisation des éléments de formationd'images par migration de la présente invention. Ces couches brisables de matière de marquage sont normalement contiguës à la surface de la couche ramollissable espacée du substrat, et ces couches brisables peuvent être incluses en grande partie ou en totalité dans la couche ramollissable dans divers modes de réalisation des éléments de formation d'images du système de l'invention. 3. L'expression "contigu" signifie ici: en con- tact effectif; touchant; et aussi au voisinage bien que non en contact; et adjacent, et elle décrit d'une maniè- re générale les relations entre la couche brisable de matière de marquage dans la couche ramollissable et la surface de la couche ramollissable espacée du substrat. L'expression "signe conservé" signifie ici que les régions foncées (de densité optique plus élevée) et claires (de densité optique plus faible) de l'image formée sur l'élément de formation d'images par migration corres- pondent aux régions foncées et claires de l'image sur l'original. L'expression "signe inversé" signifie ici que les régions foncées de l'image formée sur l'élément de forma- tion d'images par migration correspondent aux régions clai- res de l'image de l'original et que les régions claires de l'image formée sur l'élément de formation d'images par migration correspondent aux régions foncées de l'image de l'original. L'expression "densité de contraste" désigne ici la différence entre la densité optique maxima (Dmax) et la densité optique minima (Dmin) d'une image. La densité op- tique est mesurée,aux fins de cette demande de brevet, au moyen de densitomètres en lumière diffuse avec un filtre bleu Wratten n 94. L'expression "densité optique" désigne ici la "densité optique par transmission" et est repré- sentée par la formule: logl [Io/I] o I est l'intensité de la lumière transmise et I est o l'intensité de la lumière incidente. Bien que la densité de contraste soit mesurée dans cette demande de brevet par des densitomètres en lumière diffuse, il est à noter que lamesure au moyen de densitomètres en lumière réflé- chie donne des résultats pratiquement identiques. Il existe divers autres systèmes pour former 4. ces images,dans lesquels des matières de marquage non photosensibles ou inertes sont disposées dans les cou- ches brisables mentionnées ci-dessus ou-dispersées dans toute la couche ramollissable comme indiqué dans le brevet précité qui décrit également divers procédés pouvant être utilisés pour former des images latentes sur des éléments de formation d'images par migration. Divers moyens pour développer les images laten- tes dans le nouveau système de formation d'images par migration peuvent être utilisés. Ces procédés de déve- loppement comprennent le lavage par solvant, le ramol- lissement par la vapeur de solvant, le ramollissement par la chaleur,et des combinaisons de ces procédés ainsi que tout autre procédé qui modifie la résistance de la matiè- re ramollissable pour la migration de matière de marqua- ge particulaire à travers la couche ramollissable et permettre la migration des particules, conformément à une image en profondeur en direction du substrat. Dans le pro- cédé de lavage par solvant ou de développement par ménisque, la matière de marquage par migration dans la région frappée par la lumière migre en direction du substrat à travers la couche ramollissable, qui est ramollie et dissoute et se réagglomère dans une configuration plus ou moins mono- couche. Cette région présente une densité optique maxima qui peut être aussi élevée que la densité optique initiale de la pellicule non traitée. D'autre part, la matière de marquage par migration dans la région non exposée est pratiquement éliminée par lavage et cette région présente une densité optique minima qui est essentiellement la den- sité optique du substrat seul. Par conséquent, le sens d'image de l'image développée est de signe inversé, c'est- à-dire positif à négatif ou vice-versa. Divers procédés et matières et combinaisons de ceux-ci ont été antérieu- rement utilisés pour fixer ces images de migration non fixées. Dans les modes de développement par ramollisse- ment par la chaleur ou la vapeur, la matière de marquage 5. par migration dans la région frappée par la lumière se disperse dans la profondeur de la couche ramollissable après développement et cette région présente un Dmin qui est normalement dans l'intervalle de 0,6 à 0,7. Ce Dmin relativement élevé est une conséquence directe de la dis- persion en profondeur de la matière de marquage par mi- gration par ailleurs inchangée. D'autre part, la matiè- re de marquage par migration dans la région non exposée ne migre pas et reste pratiquement dans la configuration initiale, c'est-à-dire sous forme de monocouche. Cette région présente ainsi une densité optique maxima (D). max Par conséquent, le sens de l'image des images développées par la chaleur ou la vapeur est de signe conservé, c'est- à-dire positif pour positif ou négatif pour négatif. Des techniques ont été mises au point pour per- mettre une formation d'images de signe inversé avec déve- loppement par la vapeur, mais ces techniques sont généra- lement complexes et exigent des conditions de traitement contrôlées de manière précise. Un exemple de ces techni- ques se trouve dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 3 795 615. Pour de nombreuses applications de formations d'images, telles qu'une pellicule d'intermédiaire litho- graphique dans l'industrie des arts graphiques, il est sou- 23 haitable de produire des images négatives à partir d'ima- ges positives originales, ou positives à partir d'un ori- ginal négatif, c'est-à-dire d'avoir une formation d'ima- ges avec inversion de signe, de préférence avec une densi- té optique minima faible. Bien que le procédé de dévelop- pement par ménisque ou par lavage au solvant produise des images de signe inversé ayant une densité optique minima faible, il met en jeu l'élimination de matières de l'élé- ment de formation d'images par migration, laissant l'image de migration en grande partie ou totalement non protégée de l'abrasion. Bien que divers procédés et matières aient 6. été antérieurement utilisés pour revêtir ces images de migration non fixées, le stade d'un revêtement post- développement est d'un coût impratiquable, et mal commode pour les utilisateurs finaux. En outre, l'élimination des effluents éliminés par lavage de l'élément de formation d'images par migration au cours du développement est très coûteuse. Bien que les procédés de développement par la chaleur ou la vapeur soient préférés parce qu'ils sont ra- pides, pratiquement secs et ne produisent aucun effluent liquide, le sens de l'image des images développées par la chaleur ou la vapeur conserve son signe et la densité optique minima est très élevée. Par conséquent, il existe un besoin permanent d'un élément de formation d'images simple, peu coûteux et utilisable, capable de former une image dont le signe s'inverse, par des procédés de développement pratiquement à sec et donnant de préféren- ce une densité optique minima faible. Les parties de fond d'un élément sur lequel on a formé une image peuvent parfois être rendues transparen- tes par un effet d'agglomération et de coalescence. Dans ces systèmes, un élément de formation d'images comprenant une couche ramollissable contenant une couche brisable d'une matière de marquage par migration électriquement photosensible est pourvue d'une image dans un procédé consistant à charger électrostatiquement l'élément, à ex- poser l'élément à une configuration conforme à une image, de rayonnement électromagnétique activant et la couche ramollissable est ramollie par exposition pendant quelques secondes à une vapeur de solvant, provoquant ainsi une migration sélective en profondeur de la matière de mi- gration dans la couche ramollissable dans les régions qui étaient précédemment exposées au rayonnement activant. L'image développée par la vapeur est ensuite soumise à un stade de chauffage. Comme les particules exposées pren- nent une charge nette importante (par exemple 85 à 90 % 7. de la charge superficielle déposée) sous l'effet de l'ex- position à la lumière, elles migrent en grande partie en profondeur dans la couche ramollissable en direction du substrat lorsqu'elles sont exposées à une valeur de solvant, ce qui provoque une réduction spectaculaire de la densité optique.La densité optique dans cette région est normalement de l'ordre de 0,7 à 0,9 après exposition à la vapeur,contre une valeur initiale de 1,8 à 1,9. Dans la région non exposée,la charge superficielle se décharge sous l'effet de l'exposition à la vapeur. Le stade de chauffage ultérieur a pour effet que la matière de migration n'ayant pas migrée, non chargée dans les régions non exposées s'agglomère ou floccule, phénomène souvent accompagné d'une coalescence des particules de ma- tière de marquage,ce qui conduit à une image de migration ayant une densité optique minima très faible (dans les régions non exposées) de l'ordre de 0,25 - 0,35. Ainsi, la densité de contraste de l'image finale est en général de l'ordre de 0,35 à 0,65; L'image de migration peut aussi être formée par la chaleur, opération suivie d'une exposition à des vapeurs de solvant et d'un second stade de chauffage qui conduit aussi à l'image de migration ayant une densité optique minima très faible. Dans ce système de formation d'images, ainsi que dans les techni- ques de développement par la chaleur ou une vapeur précé- demment décrites, la couche ramollissable reste pratique- ment intacte après développement, l'image étant auto- fixée parce que les particules de matière de marquage sont piégées dans la couche ramollissable. Bien que la densité optique minima (Dmin) des images utilisant ces techniques soit fortement réduite, il s'est produit en général une réduction spectaculaire simultanée de la densité optique maxima (Dmax) (car ces régions se composent de particules de matière de marquage qui ont migré nota- blement en profondeur), et, par conséquent,la densité 8. de contraste (Dmax.Dmin) est également faible. Il s'est produit également une réduction notable du pouvoir de résolution de la pellicule, en raison de l'agglomération des particules de matière de marquage. Le mot "agglomération" désigne ici la réunion et l'adhérence de particules qui étaient précédemment pratiquement séparées, sans perte d'identité des parti- cules. Le mot "coalescence" désigne ici la fusion de ces particules en unités de plus grande taille, habituel- lement accompagnée d'une modification de forme de l'agglo- mérat vers une forme d'énergie inférieure telle qu'une sphère. En général, la couche ramollissable des éléments de formation d'images par migration est caractérisée par une sensibilité à l'abrasion et aux contaminants étran- gers. Comme une couche brisable est disposée sur la surfa- ce de la couche ramollissable ou au voisinage de celle-ci, l'abrasion peut aisément éliminer une partie de la couche brisable au cours de la fabrication ou de l'utilisation de la pellicule et affecter l'image finale dans un sens dé- favorable. La contamination étrangère telle que les em- preintes de doigt peut aussi provoquer l'apparition de dé- fauts dans n'importe quelle image finale. En outre, la cou- che ramollissable tend à provoquer le collage d'éléments de formation d'images par migration lorsque des éléments multiples sont empilés ou lorsque la matière de formation d'images par migration est enroulée en rouleaux pour le stockage ou le transport. Le collage est l'adhérence d'ob- jets adjacents les uns aux autres. Le collage conduit ha- bituellement à un enommaganent des objets lorsqu'on les sépare. La sensibilité à l'abrasion et aux contaminants étrangers peut être réduite en formant une couche supé- rieure telle que les couches supérieures décrites dans le 9. brevet des Etats-Unis d'Amérique n 3 909 262 précité. Cependant,comme les mécanismes de formation d'images par migration pour chaque procédé de développement sont dif- férents, et comme ils dépendent essentiellement des pro- priétés électriques de la surface de la couche ramollis- sable et de l'interaction coutlexe des divers processus électriques,mettant en jeu une injection de charges de- puis la surface, un transport de charges à travers la couche ramollissable,une capture de charges par les particules photosensibles et une éjection de charges à par- tir des particules photosensibles, etc., l'application d'une couche supérieure à la couche ramollissable provoque sou- vent des modifications dans l'équilibre délicat de ces processus, et conduit à des caractéristiques photographi- ques dégradées par comparaison avec l'élément de forma- tion d'images par migrationqui n'a pas reçu de couche supérieure. En particulier, la densité de contraste pho- tographique est dégradée. En outre, de nombreuses couches supérieures n'évitent pas le collage lorsque des éléments de formation d'images par migration sont empilés ou enroulés en rou- leaux. En outre, pour des applications dans lesquelles les éléments de formation d'images par migration sont utilisés pour composer des intermédiaires lithographiques dans lesquels des éléments de formation d'images par migration ayant reçu une image sont temporairement fixés par du ruban adhésif sur un substrat, puis réutilisés, l'élément de formation d'images par migration est très souvent endommagé par l'élimination du ruban adhésif et est rendu inapproprié pour la réutilisation. Cet endom- magement revêt en général deux formes. D'abord, de nom- breuses couches supérieures n'adhèrent pas bien à la cou- che ramollissable de l'élément de formation d'images par migration, et peuvent être séparées par flexion ou aisé- ment séparées ou éliminées entièrement de la couche 2557?09 10. ramollissable lors de l'enlèvement du ruban adhésif, ce qui supprime une résistance à l'abrasion ultérieure. En outre, la couche ramollissable qui contient les particu- les photoactives se séparent souvent du substrat lors de l'enlèvement du ruban adhésif. Par consequent, la cou- che supérieure ne doit pas seulement bien adhérer à la couche ramollissable, mais elle doit également avoir des propriétés adhésives pour libérer le ruban adhésif afin d'éviter l'endommagement de l'élément de formation d'ima- ges par migration. Par conséquent, il existe toujours un besoin pour un procédé de formation d'images par migration amélioré. En outre, il existe un besoin pour un procédé de formation d'images par migration amélioré capable de produire des images de signe inversé ayant une densité de contraste élevé et un faible Dmin, qui présente une résistance plus élevée aux effets défavorables des empreintes de doigt, du collage,de la rupture de l'interface couche ramollis- sable/couche supérieure, et de l'abrasion, et qui puisse survivre aux essais avec le ruban adhésif. Un des buts de la présente invention est de fournir un procédé de formation d'images par migration perfectionné qui surmonte les inconvénients indiqués ci- dessus et qui satisfasse aux objectifs indiqués ci-dessus. Un autre but de l'invention est de fournir un procédé de formation d'images par migration amélioré qui soit un procédé essentiellement sec, qui n'exige que des stades de traitement simple, qui ait une latitu- de de traitement exceptionnellement large, et qui produi- se d'excellentes images à signe inversé, ayant une très faible Dmin et une couleur presque neutre. Un autre but de la présente invention est de fournir un procédé simple, fiable, pratiquement sec pour former une image sur un élément de formation d'image par migration qui produit d'excellentes images par migration à signe inversé ayant une très faible Dmin, une densité 11. de contraste élevé et une résolution élevée. Un autre but de la présente invention est de fournir un procédé de formation d'images par migration perfectionné qui fournisse un élément de formation d'images par migration qui possède non seulement une tolérance à l'abrasion,qui réduise au minimum le collage, qui soit insensible aux empreintes de doigt et qui possède de bon- nes propriétés de décollage de surface, mais qui produisent aussi d'excellentes images de migration à signe inversé ayant une très faible Dmin, une densité de contraste éle- vée et une résolution élevée. Ces buts de la présente invention ainsi que d'autres sont atteints, grâce à un procédé perfectionné de formation d'images par migration consistant à réaliser un élément de formation d'images par migration comprenant un substrat et une couche ramollissable électriquement iso- lante sur le substrat, la couche ramollissable comprenant une matière de transport de charges, et une matière de marquage par migration, situées au moins sur ou à proxi- mité de la surface de la couche ramollissable espacée du substrat, à charger électrostatiquement l'élément de formation d'images par migration, à exposer l'élément à un rayonnement activant suivant une configuration d'ima- ge, à réduire la résistance à la migration de la matière de marquage de la couche ramollissable de façon à permet- tre une légère migration en profondeur de la matière de marquage en direction du substrat suivant la configura- tion de l'image, et à développer encore l'élément en ré- duisant encore la résistance à la migration de la matière de marquage dans la couche ramollissable au moins suffi- samment pour permettre à la matière de marquage n'ayant pas migré de s'agglomérer et de donner lieu à une coales- cence notable. La diminution de la résistance à la migra- tion de la matière de marquage dans la couche ramollissa- ble de façon à permettre une légère migration en profondeur 12. de la matière de marquage en direction du substrat sui- vant la configuration d'une image s'effectue de préféren- ce en exposant l'élément à une vapeur d'un solvant de la couche ramollissable, et la réduction ultérieure de la résistance à la migration de la matière de marquage dans la couche ramollissable au moins suffisamment pour per- mettre à la matière de marquage n'ayant pas migré de s'agglomérer et de donner lieu à une coalescence notable s'effectue par chauffage. Pour une meilleure compréhension de la présen- te invention', et de ses autres caractéristiques, on se référera à la description détaillée ci-après de divers modes de réalisation préférés dans laquelle: La figure 1 est une vue en coupe, partiellement schématique,d'une configuration en couche typique d'un élément de formation d'images par migration; La figure 2 est une vue en coupe, partiellement schématique, d'un élément de formation d'images par migra- tion revêtu d'une couche supérieure; Les figures 3A, 3B, 3C et 3D sont des vues en coupe, partiellement schématiques, de stades du procédé pour former des images par migration; La figure 4 est un graphe illustrant l'orbital moléculaire occupé e plus élevé et l'orbital moléculaire inoccupé le plus bas des constituants de la couche ramollissable. Ces figures sont données à titre de simple il- lustration de l'invention et ne sont pas destinées à indi- quer la taille et les migrations relatives des éléments de formation d'images réelles ou de leurs constituants. Les éléments de formation d'images par migra- tion convenant typiquement pour une utilisation dans les procédés de formation d'images par migration décrits ci- dessus sont illustrés dans les figures 1 et 2. Dans l'élément de formation d'images par migration-10 repré- senté dans la figure l,l'élément comprend un substrat 11 sur lequel est appliqué une couche de matière 13. ramollissable 13, la couche de matière ramollissable 13 ayant une couche brisable de matière de marquage par migration 14 contiguë à sa surface supérieure. Des parti- cules de la matière de marquage 14 paraissent être en con- tact les unes avec les autres dans les figures en raison * des limitations physiques de ces illustrations schémati- ques. Les particules de matière de marquage 14 sont en fait espacées de moins d'un micron les unes des autres. Dans les divers modes de réalisation, le substrat de support 11 peut être soit électriquement isolant soit électriquement conducteur. Dans certains modes de réalisa- tion, le substrat électriquement conducteur peut compren- dre un substrat de support 11 ayant un enduit conducteur 12 appliqué sur sa surface sur lequel la couche ramollissa- ble 13 est également appliquée. Le substrat 11 peut être opaque, translucide ou transparent dans divers modes de réalisation,y compris les modes de réalisation dans les- quels la couche électriquement conductrice 12 appliquée sur celui-ci peut elle-même être partiellement ou en grande partie transparente. La couche brisable de matiè- re de marquage 14 contiguë à la surface supérieure de la couche ramollissable 13 peut être légèrement, partielle- ment, notablement ou entièrement incluse dans la matière ramollissable 13 à la surface supérieure de celle-ci. Dans la figure 2, un mode de réalisation de la présente invention muni d'une couche supérieure multicou- che est représenté dans lequel le substrat de support 11 est revêtu d'un revêtement conducteur 12 et d'une couche de matière ramollissable 13. La matière de marquage par migration 14 est initialement disposée dans une couche brisable contiguë à la surface supérieure de la couche de matière ramollissable 13. Dans le mode de réalisation il- lustré dans la figure 2, l'élément de formation d'images par migration comprend aussi avantageusement une couche de revêtement supérieure 15 qui est appliquée sur la couche 14. ramollissable 13.Dans les divers modes de réalisation du nouvel élément de formation d'images par migration de l'invention,la couche de revêtement supérieure 15- peut comprendre une matière adhésive ou le décollement, ou peut comprendre une pluralité de couches dans lesquel- les la couche extérieure comprend une matière adhésive ou de décollement. Le substrat et l'élément de formation d'images par migration entier qu'il supporte peut avoir n'importe quelle forme appropriée, telle qu'une nappe, une feuille, un stratifié, etc. une bande, une feuille, un enroule- ment,un cylindre, un tambour, une courroie sans fin, une bande de moebius sans fin, un disque circulaire ou une autre forme. La présente invention convient particulière- ment pour l'utilisation dans l'une quelconque de ces con- figurations. Le revêtement conducteur 12 peut, comme le subs- trat 11, avoir n'importe quelle forme apporpriée. Il peut être un revêtement de métal ou d'oxyde métallique fin déposé sous vide ou une feuille métallique, des particu- les électriquement conductrices dispersées dans un liant, etc. Des métaux et oxydes métalliques typiques compren- nent l'aluminium, l'indium, l'or, l'oxyde d'étain, l'oxyde d'indium et d'étain, l'argent, le nickel etc. Dans diverses variantes des nouveaux éléments de formation d'images par migration de la présente inven- tion, la matière de marquage par migration est de preféren- ce électriquement photosensible, photoconductrice ou cons- tituée de toute autre combinaison appropriée de matières. Des matières de marquage par migration typiques sont décrites, par exemple, dansle brevet des Etats-Unis d'Amé- rique n 3 909 262 délivré le 30 septembre 1975 et dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 3 975 195, délivré le 17 août 1976, qui sont incorporés tous les deux au pré- sent mémoire dans leur intégralité. Comme exemples 15., particuliers de matières de marquage par migration, on citera le sélénium et des alliages sélénium-tellure.Les matières de marquage par migration peuvent être particu- laires et très voisines les unes des autres. Les matïè- res de marquage par migration préférées sont générale- ment de forme sphérique et de dimensions submicroniques. Ces matières sphériques de marquage par migration sont bien connues dans la technique de la formation d'images par migration. D'excellents résultats sont obtenus avec des matières sphériques de marquage par migration, d'une part allant d'environ 0,2 micron à environ 0,4 micron, et de préférence d'environ 0,3 micron à environ 0,4 mi- cron, incluses en tant que monocouche sub-superficiel- le de la surface externe (surface espacée du substrat si l'on utilise un enduit supérieur) de la couche ramollis- sable. Les sphères de la matière de marquage par migration sont de préférence espacées les unes des autres d'une distance inférieure à environ la moitié du diamètre des sphères pour obtenir la densité optique maxima et pour faciliter l'agglomération et la coalescence de la matiè- re de marquage par migration, au cours du stade de chauf- fage. Les sphères sont également de préférence d'envi- ron 0,01 micron à environ 0,1 micron au-dessous de la surface externe (surface éloignée du substrat si l'on utilise un revêtement supérieur) de la couche ramollissa- ble.Un procédé particulièrement approprié pour déposer la matière de marquage par migration dans la couche ra- mollissable est décrit dans la demande de brevet US n 480 642 intitulée "Multistage Deposition Process", déposée le 31 mars 1983 sous les noms de P. Soden et P. Vincett, qui est incorporée au présent mémoire dans son intégralité. Aux fins de la présente invention, on préfère de beaucoup que la matière de marquage par mi- gration ait un point de fusion suffisamment bas, que son auto-diffusion soit rapide aux températures utili- sées dans le développement par la chaleur. Les températures 16. utilisées pour le développement par la chaleur ne doivent pas dépasser le point de dégradation de la matière ramol- lissable,du substrat ou de tout autre constituant de l'élément de formation d'images par migration. Le terme "rapide" signifie ici que les particules de la matière de marquage par migration qui sont en contact doivent pré- senter une coalescence de préférence en moins de quelques secondes ou plus en moins d'environ 1 minute. La matière ramollissable 13 peut être n'impor- o10 te quelle matière appropriée qui peut être ramollie par des vapeurs de solvant. En outre, dans de nombreux modes de réalisation de l'élément de formation d'images par migration, la matière ramollissable 13 est typiquement pratiquement isolante électriquement et ne réagit pas chimiquement pendant les stades d'application de la for- ce de migration et de développement de la présente inven- tion. Il est à noter que si la couche conductrice 12 n'est pas utilisée, la couche 11 doit de préférence être prati- quement conductrice électriquement pour les modes préfé- rés d'application des forces de migration électriques à la couche de migration. Bien que la couche ramollissable ait été décrite comme appliquée sur un substrat, dans certains modes de réalisation, la couche ramollissable peut elle-même avoir une résistance et une tenue suffi- santes pour être pratiquement auto-portante et être ame- née en contact avec un substrat approprié au cours du processus de formation d'images. N'importe quelle matière gonflable par les solvants, ramollissable, appropriée peut être utilisée dans la couche 13. Des couches gonflables, ramollissa- bles comprennent des copolymères styrène-acrylate, des polystyrènes,des polystyrènes substitués par des alkydes, des copolymères styrène-oléfine, du styrène-co-n-métha- crylate d'hexyle, un copolymère de styrène et de métha- crylate d'hexyle spécialement synthétisé à 80/20 moles %, ayant une viscosité intrinsèque de 0,179 dl/g, d'autres 17. copolymères de styrène et du méthacrylate d'hexyle, un copolymère styrène-vinyltoluène, du polyalpha-méthyl- styrène,des co-polyesters, des polyesters, des polyuré- thanes, des polycarbonates,des co-polycarbonates, des mélanges et copolymères de ceux-ci. Le groupe de matiè- res ci-dessus est indiqué à titre non limitatif, mais seulement à titre d'illustration des matières appro- priées pour ces couches ramollissables. N'importe quelle matière de transport de charges apporpriée, capable de faire office de matière de couche ramollissable ou qui est soluble ou dispersable dans la chatne moléculaire dans la matière de couche ra- mollissable peut être utilisée dans la couche ramollis- sable de l'invention. La matière de transport de char- ges est définie comme un liant filmogène électriquement isolant ou une matière soluble ou moléculairement disper- sable dissoute ou moléculairement dispersée dans un liant filmogène électriquement isolant qui est capable d'amé- liorer le processus d'injection de charges (pour au moins un signe de la charge) entre la matière de marqua- ge et la couche ramollissable (de préférence avant, et au moins pendant les premiers stades du développement par ramollissement de la couche ramollissable), l'amélio- ration se référant à une couche ramollissable électrique- ment inerte isolante. Les matières de transport de char- ges peuvent être des matières de transport de trous et/ou des matières de transport d'électrons, c'est-à-dire qu'ils peuvent améliorer l'injection de trous et/ou d'électrons entre la matière de marquage et la couche ramollissable. Lorsque seule une polarité d'injection est améliorée, le signe de la charge ionique utilisée pour la sensibilisation initiale de l'élément de marqua- ge par migration à la luière aux fins de l'invention est le plus souvent le même que le signe de la charge dont l'injection est amdliorée.Le choix d'une combinaison 18. d'une matière de transport déterminée avec une matière de marquage déterminée doit donc être tel que l'injec- tion de trous et/ou d'électrons entre la matière de mar- quage et la couche ramollissable soit améliorée par com- paraison avec une couche ramollissable exempte de toute matière de transport. Lorsque la matière de transport de charges doit être dissoute ou moléculairement dispersée dans un liant isolant filmogène, la combinaison de la matière de transport de charges et du liant filmogène isolant doit être telle que la matière de transport des charges puisse être incorporée dans le liant filmogène à des niveaux de concentration suffisants, tout en res- tant toujours en solution ou moléculairement dispersée. Le cas échéant, le liant filmogène isolant n'a pas besoin d'être'utilisé lorsque la matière de transport de char- ges est une matière filmogène polymère. On peut utiliser n'importe quelle matière de transport de charges appropriée. Les matières de trans- port de charges sont bien connues dans la technique.Des matières de transport de charge typiques sont les sui- vantes: Des molécules de transport diaminées des types décrits dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique n 4 306 008, n 4 304 829, n 4 233 384; dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 115 116; dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 299 897 et dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 981 274. Des molécules de trans- port diaminées typiques sont les suivantes: N,N'-diphé- nyl-N,N'-bis(3"-méthylphényl)-(1,1l'-biphényl)-4,4'-dia- mine, N,N'-diphényl-N,N'-bis(4-méthylphényl)-(1,1'-biphé- nyl)-4,4 '-diamine, N,N'-diphényl-N,N'-bis (2-méthylphényl)- (l,l'-biphényl)-4,4 '-diamine, N,N'-diphényl-N,N'-bis (3- éthylphényl)-(l,l'-biphényl)-4,4 '-diamine, N,N'-diphé- nyl-N,N'-bis(4-éthylphényl)- (1,1'-biphényl)-4,4 '-diami- ne,\\ _ _.1X X*:_{Ak^ NIdpéy-,Ibs4nbtylph _-___ -1,\_1 1 *bip4h ny1)\ 19. 4,4 '-diamine, N,N'-diphényl-N,N'-bis (3-chlorophényl)- [l,1l'-biphényl]-4,4'-diamine, N,N'-diphényl-N,N'-bis (4- chlorophényl)- [1,1'-biphényl]-4,4'-diamine, N,N'-diphé- nyl-N,N'-bis(phénylméthyl)-f[1,l'-biphényl]-4,41'-diamine, N,N,N',N'tétraphényl- 12,2'-diméthyl-1,1'-biphényll]-4,4'- diamine, N,N,N',N'-tétra-(4-méthylphényl)- [2,2'-diméthyl- 1,1'-biphényl]-4,4'-diamine, N,N'-diphényl-N,N'-bis-(4- méthylphényl)- [2,2'-diméthyl-1,1'-biphényl]-4,4'-diami- ne, N,N'-diphényl-N,N'-bis(2-méthylphényl)- [2,2'-dimé- thyl-1,1'-biphényl]-4,4 '-diamine, N,N'-diphényl-N,N'-bis (3-méthylphényl)-[2,2'-diméthyl-1,1'-biphényl]-4,4 '-dia- mine, N,N'-diphényl-N,N'-bis (3-méthylphényl)-pyrényl- 1,6-diamine, etc. Des molécules de transport pyrazoliniques sont décrites dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique n 4 315 982,n 4 278 746, et n 3 837 851. Des molécules de transport pyrazoliniques typiques comprennent la 1- [lépidyl-(2)]-3-(p-diéthylaminophényl)-5-(p-dié- thylaminophényl)pyrazoline, la 1- [quinoléyl-(2)]-3-(p- diéthylaminophényl)-5-(p-diéthylaminophényl)pyrazoline, la 1- [pyridyl-(2)]-3-(p-diéthylaminostyryl)-5-(p-dié- thylaminophényl)pyrazoline, la 1- [6-méthoxypyridyl- (2)] -3- (p-diéthylaminostyryl)-5-(p-diéthylaminophényl)pyra- zoline, la l-phényl-3- [p-diméthylaminostyryl]-5- (p-dimé- thylaminostyryl)pyrazoline, la 1-phényl-3- [p-diéthylami- nostyryl]-5-(p-diéthylaminostyryl)pyrazoline etc. Des molécules de transport de charges à base de fluorène substitué sont décrites dans le brevet des Etats-Unis d'Amériquen 4 245 021. Des molécules de transport de charges fluoréniques typiques comprennent: le 9-(4 '-diméthylaminobenzylidène)fluorène, le 9-(4'- méthoxybenzylidène)fluorène, le 9-(2',4 '-diméthoxyben- zylidène) fluorène, le 2-nitro-9-benzylidène-fluorène,le 2-nitro-9-(4 '-diéthylaminobenzylidène)fluorène etc... Des molécules de transport à base d'oxadiazole 20. telles que le 2,5-his(4-diéthylaminophényl)-l,3,4- oxadiazole, la pyrazoline, l'imidazole, le triazole etc. D'autres molécules de transport à base d'oxadia- zole typiques sont décrites, par exemple, dans le hre- vet de la R.F.A. n 1 058 836, n 1 060 260 et ne 1 120 875. Des molécules de transport du type hydrazone telles que la p-diéthylamino-benzaldéhyde-(diphénylhy- drazone), l'o-éthoxy-p-diéthylaminobenzaldéhyde-(diphé- nylhydrazone), l'o-méthyl-p-diéthylaminobenzaldéhyde- (diphénylhydrazone), l'o-méthyl-p-diméthylaminobenzaldéhyde- (diphénylhydrazone), le l-naphtalènecarbaldéhyde, la 1- méthyl-l-phénylhydrazone, la l-naphtalènecarbaldéhyde-l,1- phénylhydrazone, la 4-méthoxynaphtalène-l-carbaldéhyde l-méthyl-lphénylhydrazone etc. D'autres molécules de transport du type hydrazone typiques décrites, par exem- ple, dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique n 4 150 987, n 4 385 106, n 4 338 388 et n 4 387 147. Des molécules de transport du type carbazole phénylhydrazone telles que la 9-éthylcarbazole-3-carbal- déhyde-l-méthyl-l)phénylhydrazone, la 9-éthylcarbazole- 3-carbaldéhyde-1-méthyl-1l-phénylhydrazone, la 9-éthyl- carbazole-3-carbaldéhyde-1-éthyl-1-phénylhydrazone, la 9-éthylcarbazole-3-carbaldéhyde-1-éthyl-1-benzyl-1-phényl- hydrazone, la 9-éthylcarbazole-3-carbaldéhyde-l,1-diphé- nylhydrazone etc. D'autres molécules de transport du type carbazole phénylhydrazone typiques sont décrites dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique n 4 256 821 et n 4 297 426. Des polymères vinylaromatiques tels que le polyvinylanthracène,le polyacénaphtylène, des produits de condensation du formaldéhyde avec divers composants aromatiques tels que des condensats de formaldehyde et de 3-bromopyrène, la 2,4,7-trinitrofluorénone et le 3,6-dinitro-N-tbutylnaphtalimide tels que décrits 21. dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 3 972 717. Des dérivés de l'oxadiazole tels que le 2,5- bis-(p-tiéthylaminophényl)-oxadiazole-1,3,4-décrits dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 3 895 944. Des méthanes tri substitués tels que l'alkyl- bis(N,N-dialkylaminoaryl)méthane, le cycloalkyl-bis (N,N- dialkylaminoaryl)méthane et le cycloalcényl-bis(N,N- dialkylaminoaryl)méthane tels que décrits dans le bre- vet des Etats-Unis d'Amérique n 3 820 989. Des dérivés du 9-fluorénylidèneméthane répon- dant à la formule: i5 X YY Am ba' W dans laquelle X et Y sont des groupes cyano ou des groupes alcoxycarbonyle, A, B et W sont des groupes ex- tracteurs d'électrons choisis indépendamment dans le groupe constitué des radicaux acyle, alcoxycarbonyle, nitro, alkylaminocarbonyle et leurs dérivés, m est un nombre de 0 à 2 et n est le nombre 0 ou 1, tel que décrit dans la demande de brevet U.S. n 521 198 intitu- lée Layered Photoresponsive Device, déposée le 8 aoQt 1983. Des dérivés typiques du 9-fluorénylidèneméthane répondant à la formule ci-dessus comprennent le (4-n- butoxycarbonyl-9-fluorénylidène)malononitrile, le (4- phénéthoxycarbonyl-9-fluorénylidène)malononitrile, le 22. (4-carbitoxy-9-fluorénylidène)malononitrile, le (4-n-bu- toxycarbonyl-2,7-dinitro-9-fluorénylidène)malonate etc. D'autres matières de transport de charge com- prennent le poly-l-vinylpyrène, le poly-9-vinylanthracè- ne, le poly-9-(4-pentényl)-carbazole, le poly-9-(5-hexyl)- carbazole, le polyméthylène pyrène, le poly-l-(pyrényl)- butadiène, des polymères tels que des polymères alkyle, nitro, amino, halogéno, et hydroxy-substitués tels que le poly-3-amino carbazole, le 1, 3-dibromo-poly-N-vinyl carbazole et le 3,6-dibromo-poly-N-vinyl carbazole et de nombreuses autres matières de transport polymères ou non polymères organiques transparentes telles que décrite dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 3 870 516. Les divulgations de chacun des brevets et de- mandes de brevets précités concernant des molécules de transport de charges qui sont solubles ou dispersables à l'échelle moléculaire dans un liant filmogène sont incor- porées au présent mémoire dans leur intégralité. Lorsque les matières de transport de charge sont combinées avec un liant isolant pour former la cou- che ramollissable, la quantité de matières de transport de charges qui est utilisée peut varier en fonction de la matière de transport de charges particulière et de sa compatibilité (par exemple de la solubilité) dans la phase liant filmogène isolant continue de la couche ramol- lissable etc. Des résultats satisfaisants ont été obtenus en utilisant environ 2 % et environ 50 % de matière de transport de charges par rapport au poids total de la couche ramollissable. Une molécule de transport de charges particulièrement préférée est celle répondant à la formu- le générale: 23, Y Y X X dans laquelle X, Y et Z sont choisis dans le groupe cons- titué de l'hydrogène, d'un groupe alkyle ayant de 1 à environ 20 atomes de carbone et du chlore et au moins un des radicaux X, Y et Z est indépendamment un groupe alky- le ayant de 1 à environ 20 atomes de carbone ou le chlo- re. Si Y et Z sont l'hydrogène, le composé peut être nom- mé N,N'-bis(alkylphényl)-[1,1'-biphényl]-4,4'-diamine o l'alkyle est, par exemple, un méthyle, un éthyle, un propyle, un n-butyle, etc. ou le composé peut être la N,N'-diphényl-N,N'-bis(-chlorophényl)-l,l'-biphényl] -4,4'-diamine. D'excellents résultats parmi lesquels une exceptionnelle stabilité au stockage peuvent être obtenus lorsque la couche ramollissable contient entre environ 5 % et environ 24 % enpoids de ces diamines par rapport au poids total de la couche ramollissable. Des résultats optimum sont obtenus lorsque la couche ramol- lissable contient entre environ 8 % et environ 20 % en 24. poids de N,N'diphényl-N,N'-his(3"-méthylphényl)-(1, l'-biphényl)-4,4'-diamine par rapport au poids total de la couche ramollissable. Dmin devient nettement plus éle- vée lorsque la couche ramollissable contient moins d'en- viron 5 % en poids de ces diamines par rapport au poids total de la couche ramollissable, et Dmin augmente et Dmax diminue lorsque la couche ramollissable contient plus d'environ 24 % en poids de ces diamines par rapport au poids total de la couche ramollissable. En général, lorsque la concentration en diamine dans la couche ramol- lissable est soit trop faible ou soit trop élevée, on observe une perte de densité de contraste. En outre, de très fortes concentrations de ces diamines peuvent pro- voquer la cristallisation des composés dans la couche ramollissable. La matière de transport de charges peut être incorporée à la couche ramollissable par n'importe quelle technique appropriée. Par exemple, elle peut être mélan- * gée aux constituants de la couche ramollissable par dis- solution dans un solvant commun. Le cas échéant, on peut utiliser un mélange de solvants de la matière de trans- port de charges et de la couche ramollissable pour faciliter le mélange et l'application. Lamatière de transport de charges et le mélange de couche ramollissable peuvent être appliqués au substrat par n'importe quel procédé d'induction classique. Des pro- cédés d'induction typique comprennent la barre d'étirage, la pulvérisation, l'extrusion, l'immersion, le cylindre hélio, une tige à roulement de film métallique, l'enduc- tion par lame d'air. L'épaisseur de la couche ramollis- sable déposée après n'importe quel stade de séchage ou de durcissement est de préférence dans l'intervalle d'envi- ron 0,5 à 2,5 micronsi On peut utiliser des couches un peu plus fines, au prix d'une légère augmentation de Dmin, car il faut suffisamment de place à la fois pour la 25. migration de particules et pour la coalescence des parti- cules. Des couches plus épaisses peuvent également être utilisées mais le temps nécessaire pour l'élimination des solvants peut devenir impratiquable et le solvant piégé dans la couche peut provoquer un collage. L'incorporation de la matière de transport de charges dans la couche ramollissable confère à l'élément de formation d'images par migration la capacité de for- mer des images de signe inversé en utilisant des stades de traitement très simples, ne mettant en jeu qu'un seul stade de charge. Dans la figure 2, la couche de revêtement supé- rieur 15 peut être notablement isolante électriquement ou avoir n'importe quelle autre propriété appropriée. La cou- che supérieure 15 peut aussi être transparente, transluci- de ou opaque suivant le système de formation d'images dans lequel l'élémentrevêtu d'un revêtement supérieur doit être utilisé. La couche de revêtement supérieure 15 est continue et elle a de préférence une épaisseur allant jusqu'à environ 5 à 10 microns, bien que des couches de revê- tement supérieures puissent également être avantageuses et souhaitables dans certains modes de réalisation. Par exem- ple, si la couche de revêtement supérieure est électrique- ment conductrice,il n'y a pratiquement aucune limitation à l'épaisseur, excepté les limitations pratiques de mani- pulation et de coûts. Le revêtement supérieur doit de pré-. férence avoir une épaisseur d'au moins environ 0,1 micron et mieux encore d'au moins environ 0,5 micron. Lorsque la couche de revêtement supérieure est électriquement isolan- te et que son épaisseur est supérieure à environ 5 à 10 microns,des potentiels électriques d'une valeur excessive peuvent avoir une plus grande tendance à s'accumuler sur l'élément de formation d'images au cours du traitement de la formation d'images de migration. Des revêtements supérieurs isolants ayant entre 1 micron et environ 5 mi- crons sont préférés pour réduire au minimum le piégeage 26. de charge dans la masse de la couche de revêtement supé- rieure 15. Des matières de revêtement supérieures typi- ques comprennent les copolymères acrylique-styrène, des polymères de méthacrylate, des copolymères de méthacryla- te, des copolymères styrène-méthacrylate de butyle,des résines de méthacrylate de butyle, des copolymères du chlorure de vinyle, des homo ou copolymères fluorés,un acétate de polyvinyle de masse moléculaire élevée, des polymères d'organosilicium et copolymères d'organosili- cium, des polyesters, des polycarbonates, des polyamides, du polyvinyl toluene,etc. La couche de revêtement supé- rieure 15 doit protéger la couche ramollissable 13 pour lui conférer une résistance supérieure aux effets né- fastes de l'abrasion.La couche de revêtement supérieure 15 peut adhérer fortement à la couche ramollissable 13 pour aider l'élément de formation d'images de migration à résister sans dommage à l'enlèvement du ruban adhésif. La couche de revêtement 15 peut aussi avoir des proprié- tés adhésives à sa face externe, qui lui communiquent une meilleure insensibilité aux empreintes de doigt et au collage, et qui améliorent encore la capacité de l'élément de formation d'images de migration de résis- ter à l'enlèvement du ruban a/hésif. Les propriétés adhé- sives peuvent être inhérentes à la couche de revêtement supérieure 15 ou peuvent être conférées à la couche de revêtement supérieure 15 par incorporation d'une autre couche ou constituant de matière adhésive. Ces matiè- res adhésives ne doivent pas dégrader les constituants filmogènes du revêtement supérieur et doivent de préfé- rence avoir une énergie de surface inférieure à 20 ergs/cm2. Des matières adhésives typiques comprennent des acides gras, des sels et des esters, des hydrocarbures fluorés, des silicones, etc. Les revêtements peuvent être appliqués par n'importe quelle technique appropriée telle que barre d'étirage,pulvérisation,immersion, fusion, extrusion ou enduction hélio. On notera que ces couches de revêtement 27. supérieur protègent les éléments de formation d'images de migra- tion avant la formation d'image, pendant la formation d'image et après que l'image a été formée sur les éléments. Les éléments de formation d'images représen- tés dans les figures 1 et 2 sont développés après char- gement et exposition suivant l'image en appliquant de la vapeur de solvant puis de la chaleur. Si le substrat 11, le revêtement conducteur 12 et la couche de revêtement supé- rieure 15 transmettent la lumière, cet élément sur lequel une image a été formée peut être fortement transmetteur de la lumière en raisonde l'agglomération et de la coalescen- ce sélective de la matière de marquage par migration dans les régions non exposées. La vapeur doit être appliquée à l'élément de formation d'images après exposition suivant une image et avant un stade de développement final par la chaleur pour réaliser la Dmin exceptionnellement faible pour les éléments deformation d'images par migration sur lesquels une image a été formée par le procédé de l'inven- tion. La figure 3A représente un élément de formation d'images comprenant un substrat 11 portant un revêtement conducteur 12, une couche ramollissable 13, une couche de matière de marquage par migration 14, contiguë à la surface de la couche ramollissable 13 et un revêtement supérieur 15 sur celui-ci. Une image électrique latente peut être formée sur l'élément de formation d'images en chargeant électrostatiquement de manière uniforme l'élé- ment et en exposant l'élément chargé à un rayonnement électromagnétique activant avant un décroissement nota- ble dans l'obscurité de cette charge uniforme. L'élément de formation d'images est représenté dans la figure 3A comme étant chargée positivement électrostatiquement avec un dispositif de charge corona 16. Lorsque le subs- trat 16 est conducteur ou porte un revêtement cpnduc- teur 12,la couche conductrice est mise à la terre comme 28. représenté en 17 ou maintenue à un potentiel prédéter- miné à l'avance au cours de la charge électrostatique. Un autre procédé de charge électrostatique d'un élément ayant un substrat isolant plutôt que conducteur consis- te à charger électrostatiquement les deux côtés de l'élément à des potentiels de surface de polarités oppo- sées. Dans la figure 3B, l'élément chargé est représen- té comme étant exposé à un rayonnement électromagnéti- que activant 18 dans la région 19 formant ainsi une image électrique latente sur l'élément de formation d'images. L'exposition suivant une image pour former une image latente électrique sur l'élément de formation d'images doit être effectuée avant un décroissement notable dans l'obscurité de la charge de surface déposée. Des résul- tats satisfaisants peuvent être obtenus si le décrois- sement dans l'obscurité est inférieure à environ 50 % de la charge initiale, l'expression "avant une diminution notable" signifiant ainsi que la diminution dans l'obscu- rité était inférieure à 50 % 'de la charge initiale. Une diminution dans l'obscurité de moins d'environ 25 % de la charge initiale est préférée pour une formation d'image optimale. L'élément portant l'image électrique latente est ensuite exposée à une vapeur de solvant (représenté par des points) comme le montre la figure 3C. Le temps d'exposi- tion à la vapeur dépend de facteurs tels que la solubilité de la couche ramollissable dans le solvant, le type de vapeur de solvant, la température ambiante et la concentra- tion des vapeurs de solvant. En outre, la présence ou l'absence de revêtement supérieur sur la couche ramollis- sable peut affecter le temps d'exposition. La faible charge nette sur les particules de marquage par migra- tion dans la région exposée 19 associée au traitement par la vapeur fait que les particules de marquage par migra- tion migrent en s'éloignant légèrement de la surface 29. ramollissable espacée du substrat en augmentant la sépa- ration entre les particules adjacentes de marquage par migration. Cette séparation (favorisée peut être par la très faible quantité de charges restant dans les par- ticules de formation d'image par migration après exposi- tion à la vapeur) est suffisante pour éviter l'agglomé- ration ou la coalescence au cours du stade de chauffage ultérieur. Dans la région non exposée, la charge de surface se décharge entièrement par exposition à la va- I0 peur. Le cas échéant, un stade de traitement thermique peut être utilisé avant le stade d'exposition à la vapeur pour permettre à la faible charge nette présente sur les particules de marquage par migration dans la région expo- sée 19 de provoquer la migration des particules de marqua- ge par migration en s'éloignant légèrement de la surface ramollissable espacée du substrat en augmentant la sépa- ration entre particules adjacentes de marquage par migra- tion. Lorsque ce stade de traitement par la chaleur est utilisé avant le stade d'exposition à la vapeur, ce der- nier est toujours nécessaire pour réaliser l'aggloméra- tion décrite ci-dessous à propos de la figure 3D. Dans la figure 3D, le développement de l'image latente est poursuivi en réduisant la résistance de la ma- tière ramollissable à la migration de la matière de marqua- 23 ge articulaire par application d'une chaleur qui est représentée irradiant dans la matière ramollissable en 21 pour effectuer le ramollissement, de sorte que la matière de marquage par migration non chargée s'agglomère et donnc lieu à une coalescence notable pour former des par- ticules plus grandes 22 dans les régions non exposées 20. La position des particules qui ont été exposées à la lu- mière dans la région 19 reste pratiquement inchangée par rapport à la position prise au cours du stade de traite- ment par la vapeur représenté dans la figure 3C et ces particules ne s'agglomèrent pas et ne donnent pas lieu à 30. une coalescence car elles ne sont plus très proches les unes des autres en raison du traitement antérieur par la vapeur de solvant.Ainsi, dans la figure 3B, la matière de marquage par migration est représentée comme ayant légèrement migré dans la région 19 (la région ex- posée) et dans un état de coalescence dans les régions 20 (la région non exposée). Les régions 19 et 20 correspon- dent à la formation de l'image latente électrique décri- te à propos des figures 3A et 3B. Ainsi, le procédé de la présente invention produit des images négatives à par- tir d'originaux positifs et des images positives à partir d'originaux négatifs. Des résultats satisfaisants ont été réalisés avec des temps d'exposition à la vapeur compris entre environ 10 secondes et environ 2 minutes à 21 C, et des températures de chauffage au développement entre environ 80 C et environ 120 C pendant 2 secondes à 2 minu- tes (les temps les plus longs étant utilisés avec les tem- pératures les plus basses) et avec des pressions partiel- les de la vapeur de solvant entre environ 2,6 kPa et envi- ron 10,4 kPa lorsque le solvant est de la méthyléthylcé- tone et lorsque la couche ramollissable non revêtue con- tient un copolymère de styrène et de méthacrylate d'hexyle à 80/20 moles % spécialement synthétisé ayant une visco- sité intrinsèque de 0,179 dl/g et de la N,N'-diphényl-N,N'- bis(3"-méthylphényl)-(1,1'-biphényl)-4,4'-diamine. La marque d'une combinaison satisfaisante de temps, de tem- pérature et de concentration de la vapeur est une densité de contraste au maximum. L'élément migré, ayant reçu l'image, représen- té en figure 3D est représenté avec la couche de revête- ment supérieure 15 qu'il porte comme cela est représenté en figure 2. Cette couche de revêtement supérieure 15 protege l'élément de formation d'images avant, pendant et après la formation d'image. Le cas échéant, un élé- ment de formation d'images-non revêtu comme celui repré- senté dans la figure 1 peut être substitué à l'élément 31. revêtu illustré dans la figure 2. L'élément ayant reçu l'image représenté dans la figure 3D présente une forte transmission de la lumière dans la région non exposée en raison de l'agglomération et de la coalescence sélectives de la matière de marqua- ge par migration dans larégion non exposée. La Dmin ob- tenue dans la région non exposée est presque aussi fai- ble que la densité optique du substrat se trouvant sous la couche ramollissable. La Dmax dans la région exposée est également élevée,parce que la matière de marquage par migration dans les régions exposées à la lumière ne migre que légèrement. Ainsi, des images de signe inversé avec une densité de contraste élevée, de l'ordre de 1,1 à 1,3,peuvent être obtenues avec le procédé de l'inven- tion. En outre,une résolution exceptionnelle telle que 228 paires de lignes par millimètre, peut être réalisée avec le procédé de l'invention. La valeur doit être appli- quée à l'élément de formation d'image après exposition mais avant un stade de développement par la chaleur finale pour réaliser ces images à une haute transmission lumineuse. Dans le procédé de formation d'images avec dé- veloppement par la vapeur-chaleur et inversion de signe de l'invention, on pense que pour réaliser les excellents résultats de l'invention la plus grande partie (entre 50 et 95 %, et de préférence entre 90 et 95 %) des sup- ports de charge photogénérés de même signe que la charge ionique initialement appliquée doivent être injectés en des particules de formation d'image par migration expo- sées à la lumière (avant ou pendant les premiers stades de développement par ramollissement de la couche ramol- lissable). Apres perte (avant ou pendant les premiers stades de développement) de l'autre signe de charge pho- togénérée (par injection hors des particules ou par neu- tralisation par la charge initialement appliquée à la surface), il ne reste qu'une faible charge nette dans 32. les particules de formation d'images par migration expo- sées à de la lumière. L'injection de charges du premier signe de charge est réalisée par incorporation de matiè- res de transport de charges dans la couche ramollissable de l'invention. Comme les particules de formation d'image par migration ne prennent qu'une très faible char- ge nette dans les régions exposées à de la lumière, l'ex- position à la vapeur de solvant au cours du développe- ment ne provoque qu'une très faible migration des parti- cules de formation d'images par migration, et la densité optique n'est que légèrement réduite, par exemple à envi- ron 1,0 à 1,7 (de préférence à 1,2 à 1,7 ou davantage et mieux encore à 1,4 à 1,7 ou davantage), par comparai- son avec une valeur initiale d'environ 1,8 à 1,9. Une légère migration est nécessaire pour éviter l'aggloméra- tion au cours du stade de chauffage final, mais elle ne doit pas être excessive sinon la Dmax (et par conséquent la densité de contraste) de l'image à signe inversé finale se dégrade au-delà des valeurs indiquées ci-des- sus. Avec des éléments de formation d'images par migra- tion classiques,exempts de toute matière de transport de charges dans la couche ramollissable, les particules de formation d'images par migration exposées prennent une charge nette appréciable et migrent considérable- ment en donnant une région à faible densité optique au lieu d'une région à densité optique élevée lorsqu'elles sont traitées par les stades de traitement par la va- peur-développement thermique de l'invention. En outre,dans le procédé de formation d'ima- ges avec développement par la vapeur-chaleur, et inver- sion de signe de l'invention, les particules non expo- sées ne se chargent pas et ne migrent pas par exposi- tion à la vapeur au cours du stade de traitement par la vapeur (ou au cours de tout stade de traitement par la chaleur qui pourrait être utilisé avant le stade de 33. traitement par la vapeur), mais restent pratiquement non chargées dans la configuration de monocouche, pour permet- tre une agglomération de coalescence efficace au cours du stade de chauffage final qui suit le stade de traite- ment par la vapeur. Avec des éléments de formation d'ima- ges par migration classiques exempts de toute matière de transport de charges dans la couche ramollissable,les particules non exposées restent également, d'une manière générale,pratiquement non chargées. Ainsi, les matières de transport de charges dans les éléments de formation d'image utilisées dans le proédé de formation d'images de l'invention altèrent principalement les charges élec- trostatiques des particules exposées à la lumière. Avec la charge corona positive d'éléments de formation d'image par migration classiques exempts de tou- te matière de transport de charges dans la couche ramollis- sable,des particules de formation d'image par migration exposées à la lumière prennent une charge nette positive par exposition à la vapeur. Cette charge résultante peut être réduite à un niveau faible et reproductible si une injection d'électrons dans les particules de for- mation d'images par migration s'effectue également lors de l'exposition à la lumière ou après celle-ci. Ceci peut être réalisé avec des molécules injectant des électrons dans la matrice continue de la couche ramollissable. Pour réa- liser cette injectionde charges, l'orbital moléculaire oc- cupé le plus élevé (HOMO) d'au moins une matière dans lamatrice continue de la couche ramollissable ne doit pas être trop au-dessous et est de préférence au-dessus de la bande de valence des particules de formation d'ima- ges par migration sinon cette barrière d'énergie empê- cherait l'injection, même assistée par un champ. Confor- mément à ce mécanisme, l'injection d'électrons dans les particules de formation d'images par migration exposées à la lumière est suffisante pour assurer leur quasi-neu- tralité éventuelle; le transport de trous à travers la 34. matrice de la couche ramollissable entre des particules de formation d'images par migration et la terre bien que n'étant pas nuisible n'est pas nécessaire. D'autre part, les particules de formation d'images par migration non exposées doivent rester pratiquement neutres et ne pas migrer hors de la monocouche lors de l'exposition à la vapeur; sinon l'agglomération et la coalescence deviennent très diffi- ciles. Pour éviter toute charge dans l'obscurité (et éventuellement, pour éviter une neutralité pratiquement totale éventuelle des particules de formation d'images par migration exposée), aucune matière de la matrice de la couche ramollissable ne doit avoir un HOMO trop supérieur à la bande de valence des particules de formation d'ima- ges par migration,sinon il se produirait un niveau d'échan- ge de charges inacceptable, avec les particules de forma- tion d'images par migration non exposées, qui les feraient migrer sans discrimination lors de l'exposition à la va- peur. Cependant, cet effet nuisible d'un HO1MO relativement élevé peut être compensé en utilisant une concentration relativement faible de la matière de transport de charge, qui reste cependant suffisante pour permettre une injec- tion d'électrons suffisante dans les particules exposées à la lumière. Ainsi,pour avoir des résultats satisfaisants avec les procédés de formation d'images comportant un dé- veloppement vapeur/chaleur préféré de l'invention, l'HOMO d'au moins une matière de la matrice dans la couche ra- molissable ne doit pas être significativement au-dessous et peut de préférence être au-dessus de la bande de valen- ce des particules de formation d'images par migration et si 1'HOI4MO d'au moins une matière de transport de charges est notablement au-dessus de la bande de valence des par- ticules de formation d'images par migration, cette matiè- re de transport de charges doit être utilisée à une con- centration relativement faible. La concentration accepta- ble de la matière de transport de charges sera générale- * ment fonction dela différence entre son HOMO et la bande de 35. valence des particules de formation d'image par migra- tion. Une concentration appropriée des matières de trans- port de charges peut être déterminée expérimentalement en amenant au maximum la densité de contraste, des images de signe inverse obtenues en fonction de la concentra- tion.On trouve souvent,par exemple, que la concentration doit être réduite au-dessous d'environ 20 % lorsque la différence d'énergie entre l'HOMO et la bande de valence s'élève au-dessus d'environ 0,9-1,0 eV. L'affirmation ci- 1î dessus selon laquelle l'HOMO ne doit pas être "significa- tivement au-dessous" de la bande de valence signifie que l'lOMOi ne doit pas être supérieur à 0,1 eV, et de préfé- rence ne doit pas être plus de 0,05 eV au-dessous de la bande de valence; évidemment il peut être au-dessus de la bande de valence comme il a été décrit précédemment. Le transport de charges à travers la matrice de la couche ramollissable lors de l'exposition n'est pas considéré comn- me essentiel (quoique non nuisible), pour le mécanisme qui précède et une simple injection suffit. Il est à noter que l'HIOMO de la plupart des matières polymères utilisées comme couches ramollissables dans les éléments de formation d'images par migration, par exemple,un copolymère 80/20 moles % de styrène et de méthacrylate d'hexyle est très au-dessous de la bande de valence des particules de formation d'image par migra- tion de sélénium amorphe. Dans ces conditions, il n'y a qu'une injection d'électrons négligeable dans les parti- cules de formation d'images par migration lors de l'expo- sition à la lumière à moins qu'on ajoute délibérément une matière de transport de charges (c'est-à-dire une matière ayant un HOMO approprié). L'effet précédent est démontré dans la figure 4 et aussi dans les exemples de travail ci-dessous dans les- quels de la N,N'-diphényl-N,N'-bis(3"-méthylphényl)- (1,1'-biphényl)-4,4'-diamine (B) de la 3-méthyl diphényl amine (C), du 4,4'-benzylidène-bis-(N,N4-diéthyl-m- 36. toluidène) (D) et de la p--diéthylamino benzaldéhyde- (diphényl hydrazone) (3) sont incorporés dans une matrice de couche ramollissable classique. Ces matières sont représentées dans un diagramme d'énergie potentielle dans la figure 5 qui indique que tous les HOMO respec- tifs sont au-dessus de la bande de valence du sélénium amorphe (A). Les deux premières, la N,N'-diphényl-N,N'-bis (3"-méthylphényl)-(l,l'biphényl)-4,4'-diamine (B) et la 3-méthyl diphénylanine (C) fournissent de bonnes ima- ges à inversion de signe à développement par la vapeur- chaleur au niveau de concentration d'environ 20 %. Alors que la N,N'-diphényl-N,N'-bis(3"-méthylphényl)-(1,1'- biphényl)-4,4'-diamine (B) donne une bonne injection et un bon transport par exposition à la lumière (condui- sant à une décharge presque totale de la tension de la pellicule), la 3méthyl diphénylamine (C) donne une bonne injection mais untrès mauvais transport (condui- sant à une tension résiduelle élevée), ce qui montre que le transport après injection et avant développement n'est pas essentiel pour une bonne formation d'images. Le 4,4 '-benzylidène-bis(N,N-diéthyl-m-toluidène) (D) et la p-diéthylamino benzaldéhyde (diphényl hydrazone) (3) dont les HOMO sont encore au-dessus de la bande de valen- ce du sélénium amorphe ne donnent qu'une migration sans discrimination (à une densité optique d'environ 1,4) lors de l'exposition de la vapeur (même sans aucune charge par corotron de la pellicule) lorsqu'ils sont incorporés au taux d'environ 20 %. Cependant, si la concentration est réduite au taux d'environ 3 %, le 4,4'-benzylidène bis(N,N- diéthyl-m-toluidène) (D) et la p-diéthylamino benzaldéhy- de-(diphényl hydrazone) (E) permettent tous deux une formation d'image & inversion de signe par la vapeur chaleur. La discussion qui suit concerne la situation inverse de charge corona négative. Alors la charge corona 37. négative d'éléments de formation d'images par migration classique exempts de toute matière de transport de charges dans la couche ramollissable, les particules de formation d'image par migration exposées à de la lumière prennent une charge négative notable lors de l'exposition à la vapeur. Cette charge négative notable doit être évitée pour obtenir des résultats satisfaisants avec le procédé de développement par la vapeur-chaleur qui est le mode de réalisation préféré de l'invention. On pense que l'injec- tion de trous nécessaire dans les particules de formation d'images par migration pour éviter cela peut s'effectuer si l'ortibal moléculaire non occupé est plus bas (LUMIO) d'au moins un constituant de la matrice (c'est-à-dire celui d'une matière injectant des trous) dans la matrice continue de la couche ramollissable est au-dessous (ou au moins non significativement au-dessus) de la bande de conduction des particules de formation d'images par migration. En outre, pour éviter une charge indésirable dans l'obscurité des par- ticules de formationd'images par migration, aucun consti- tuant de la matrice notable ne doit avoir un LUMO qui soit trop au-dessous de la bande de conduction des particu- les de formation d'images par migration. Si le LUMO d'un constituant de la matrice important quelconque est notable- ment au-dessous de la bande de conduction des particules de formation d'images par migration, ce constituant de la matrice doit être utilisé à une concentration relativement faible. La concentration acceptable de la matière de transport de charges sera généralement fonction de la dif- férence entre son LUMO et la bande de conduction des particules de formation d'images par migration. Une con- centration appropriée des matières de transport de charges peut être déterminée expérimentalement en amenant au maxi- mum la densité de contraste des images de signe inversé obtenues en fonction de la concentration. Conformément à ce mécanisme,on pense que l'injection de trous dans les 38. particules de formation d'images par migration exposées à la lumière est suffisante pourassurer leur quasi-neu- tralité éventuelle; un transport de charges à travers la matrice à partir des particules de formation d'ima- ges par migration vers la terre par exposition n'est ni essentiel ni nuisible. Il est à noter que le LUMO des matières polymères typiques utilisées pour la couche ramollissable des éléments de formation d'images par mi- gration, par exemple, un copolymère à 80/20 moles % de styrène et de méthacrylate d'hexyle est bien au-dessus de la bande de conduction du sélénium amorphe (A); par conséquent, il doit y avoir une injection de trous né- gligeable dans les particules lors de l'exposition à la lumière à moins qu'une matière de transport de char- ges (c'est-à-dire une matière ayant un LUMO approprié) ne soit délibérément ajoutée. Les combinaison de la matière de transport de charges et des particules de formation d'images par migra- tion énumérées ci-dessus et ci-dessous qui satisfont aux exigences d'HOMO ou de LUMO doivent évidemment répondre aussi à l'exigence normale de compatibilité avec la matière ramollissable utilisée dans la matrice. Par exem- ple, lorsque la matière de transport de charges doit être dissoute ou moléculairement dispersée dans un liant fil- mogène isolant, la combinaison de la matière de transport de charges et du liant filmogène isolant doit être telle que la matière de transport de charges puisse être incor- porte au liant filmogène à des niveaux de concentration suffisants tout en restant en solution ou moléculaire- ment dispersée. Le cas échéant, le liant filmogène iso- lant n'a pas besoin d'être utilisé lorsque la matière de transport de charges est une matière filmogène polymère. L'invention sera décrite à présent en détail à propos des modes de réalisation préférés déterminés de celle-ci, en notant que ces exemples sont donnés à titre 39. de simple illustration et ne sont pas destinés à limiter le domaine de la présente invention. Les parties et pour- centages sont en poids sauf indication contraire. EXEIPLE I On prépare un élément de formation d'inages semblables à celui représenté dans la figure 1 en dis- solvant environ 13 % enpoids d'un copolymère à 80/20 mo- les % de styrène et de méthacrylate d'hexyle et environ 1,0 % en poids de N,N'-diphényl-N,N'-bis(3"-méthylphényl)- (1,1'-biphényl)-4,4'-diamine dans environ 86 % en poids de toluene par rapport au poids total de la solution. La solution obtenue est appliquée au moyen d'une coucheuse dite de Dilts sur une pellicule de polyester dit Mylar de 76 microns d'épaisseur et de 3,5 cm de large (fournie par la société dite E.I. duPont de Nemours) portant un revêtement d'aluminium fin, semi-transparent.On laisse sé- cher la couche ramollissable déposée à 110 C pendant en- viron 15 minutes. On élève la température de la couche ramollissable à 115 C environ pour abaisser la viscosi- té de la surface exposée à la couche ramollissable à en- viron 5 x 102 Poiseuilles dans la préparation pour le dépôt de la matière de marquage. Une fine couche de sélénium vitreux particulaire est ensuite appliquée par dépôt sous vide dans une chambre à vide maintenue sous un vide d'environ 5,2 x 10-2 Pa. L'élément de formation d'images est ensuite rapidement refroidi à la tempéra- ture ambiante. Une monocouche de particules de sélénium d'un diamètre moyen d'environ 0,3 micron incluse à envi- ron 0,05-0,1 micron au-dessous de la surface exposée du copolymère est formée. L'élément de formationd'images par migration obtenu est ensuite muni d'une image et déve- loppé par une combinaison de techniques de traitement par la vapeur et par la chaleur comprenant les stades de charge par corotron à un potentiel de surface d'environ +168 volts, d'exposition à un rayonnement activant à 40. travers un coin sensitométrique, d'exposition à de l'acétate de n-éthyle dans une chambre de vapeur pen- dant environ 6 secondes et de chauffage à environ 115 C pendant environ 2 secondes sur une plaque chauffée en contact avec le Mylar. L'élément de formation d'images par migration revêtu d'une image de signe inversé présente une excellente qualité d'image, une résolution supérieu- re à 228 paires de lignes par millimètre et une densité de contraste d'environ 0,92. La Dmax est d'environ 1,18 o10 et la Dmin est d'environ 0, 26. On trouve aussi que la très faible Dmin est due à l'agglomération et à la coa- lescence des particules de sélénium dans les régions de Dmin de l'image. Une image noir et blanc est observée lorsque l'élément de formation d'images par migration ayant reçu une image obtenue est projeté sur un écran en utilisant une lumière. blanche pour la projection; celle-ci est très différente des images obtenue en utilisant des éléments de formation d'images par migra- tion similaires ne contenant pas de matière de transport de charges et en utilisant un développement soit par la chaleur soit par exposition à une vapeur de solvant, qui sont rouges et bleues. On a trouvé en outre que les ima- ges obtenues par les procédés de cet exemple sont excep- tionnellement insensibles aux conditions précises de traitement,par comparaison avec des images obtenues en utilisant des éléments de formation d'images par migration similaire ne contenant pas de matière de -transport de char- ges. EXEMPLE II On prépare un élément de formation d'images frais comme il a été décrit dans l'exemple I. L'élément de formation d'images par migration obtenu es't ensuite revêtu d'une image et développé par une combinaison de techniques de traitement par la vapeur et la chaleur com- prenant les stades de charge par corotron à un potentiel 41. de surface d'environ +168 volts, d'exposition à un rayon- nement activant à travers un coin sensitométrique d'expo- sition à du 1,1,1-trichloréthane dans une chambre à va- peur pendant environ 6 secondes et de chauffage à envi- ron 115 C pendant environ 5 secondes sur une plaque chauffée en contact avec le ilylar. L'élément de forma- tion d'images par migration revêtu d'une image de signe inversé présente une excellente qualité d'image et une densité de contraste d'environ 0,84. La Dmax est d'envi- ron 1,10 et la Dmin est d'environ 0,26. On trouve aussi que la très faible Dmin est due à l'agglomération et à la coalescence des particules de sélénium dans les ré- gions de Dmin de l'image.Une image noir et blanc est observée lorsque l'élément de formation d'images par migration portant uneimage obtenue est projeté sur un écran en utilisant la lumière blanche pour la projec- tion.On trouve en outre que les images obtenues par le procédé de cet exemple sont exceptionnellement insensi- bles aux conditions précises de traitement. EXMMPLE III On prépare un élément de formation d'images frais comme il a été décrit dans l'exemple I et on le re- vêt d'une solution aqueuse contenant environ 10 % en 23 poids de copolymère styrène-acrylique (dit Néocryl A-622 de la société dite Polyvinyl Chemical Industries) et en- viron 0,03 % en poids de résine de polysiloxane (dite Byk 301 de la société dite Byk-Mallinckodt). Le revête- ment supérieur séché a une épaisseur d'environ 1,5 mi- cron. L'élément de formation dimages par migration por- tant un revêtement supérieur obtenu est ensuite revêtu d'une image et développé par une combinaison de techni- ques de traitement par la vapeur et la chaleur comprenant les stades de charge par corotron à un potentiel de surface d'environ +250 volts, d'exposition à un rayonnement 42. activant à travers un coin sensitométrique, d'exposi- tion à la méthyléthylcétone dans une chambre à la va- peur pendant environ 20 secondes, et de chauffage à. envi- ronll5 C pendant environ 5 secondes sur une plaque chauf- fante en contact avec le Mylar. L'élément de formation d'images par migration revêtu d'une image de signe in_ versé obtenu présente une excellente qualité d'image et une densité de contraste d'environ 1,2. La Dmax est d'environ 1,45 et la Dmin d'environ 0,25. L'élément re- vêtu d'une image présente une excellente résistance à l'abrasion lorsqu'il est gratté avec l'ongle et une ex- cellente résistance à l'empreinte du doigt lorsqu'on essaie d'appliquer des empreintes de doigt sur l'élé- ment de formation d'images avant et après la formation d'images. L'élément de formation d'images par migration revêtu conserve aussi sa cohésion lorqu'il est soumis à un essai au ruban adhésif très sévère avec le ruban adhésif dit "Magic",marque Scotch. On trouve également que la très faible Dmin est due à l'agglomération et à la coalescence des particules de sélénium dans les ré- gions Dmin de l'image. On trouve de plus que les images obtenues par les procédés de cet exemple sont exception- nellement insensibles aux conditions précises de traite- ment. 23 EXEMPLE IV On prépare un élément de formation d'images fraîchement revêtu comme il est décrit dans l'exemple III. L'élément de formation d'images par migration revêtu obte- nu est ensuite pourvu d'une image et développée par une combinaison de techniques de traitement par la vapeur et la chaleur comprenant les stades de charge de corotron à un potentiel de surface d'environ +250 volts, d'exposi- tion à un rayonnemoent activant à travers un coin sensito- métrique, d'expositionà la méthyléthylcétone dans une 33 chambre à vapeur pendant environ 20 secondes et de 43. chauffage à environ 95QC pendant environ 10 secondes sur une plaque chauffée en contact avec le Mylar. L'élément de formation d'images par migration revêtu d'une image de signe inversé obtenu présente une excellente qualité d'image et une densité de contraste d'environ 1,2. La Dmax est d'environ 1,45 et la Dmin est d'environ 0,25. L'élément revêtu d'une image présente une excellente résistance à l'abrasion lorsqu'il est gratté avec l'ongle et une excellente résistance à l'empreinte du doigt lors- qu'on essaye d'appliquer des empreintes sur l'élément de formation d'image avant et après formation d'images. L'élé- ment de formation d'images par migration revêtu conserve aus- si la cohésion lorsqu'il est sbumis à un essai très sévère de ruban adhésif avec un ruban adhésif dit "Magic" de mar- que Scotch.On trouve aussi que la très faible Dmin est due à l'agglomération et à la coalescence des particules de sélénium dans les régions Dmin de l'image. On trouve par ailleurs que les images obtenues par les procédés de cet exemple sont exceptionnellement insensibles aux condi- tions précises de traitement. EXEMPLE V On prépare un élément de formation d'images frais comme il est décrit dans l'exemple I et on le revêt d'un copolymère styrène-acrylique (dit Néocryl A 622 de la société dite Polyvinyl Chemical Industries). Le revê- tement supérieur séché a une épaisseur d'environ 1,5 mi- cron. L'élément de formation d'images par migration revêtu obtenu est ensuite pourvu d'une image et dévelop- pé par une combinaison de techniques de traitement par la vapeur et la chaleur comprenant les stades de charge au corotron à un potentiel de surface d'environ + 250 volts, d'exposition à un rayonnement activant à travers un coin sensitométrique, d'exposition à la méthyléthylcétone dans une chambre à vapeur pendant environ 20 secondes et de chauffage à environ 115 C pendant environ 5 secondes 44. sur une plaque chauffante en contact avec le Mylar. L'élément de formation d'images par migration pourvu d'une image de signe inversé obtenu présente une excellente qua- lité d'image et une densité de contraste d'environ 1,1. La Dmax est d'environ 1,4 et la Dmin est d'environ 0,3. L'élément pourvu d'une image présente une excellente ré- sistance à l'abrasion lorsqu'il est gratté avec l'ongle et une excellente résistance à l'impression du doigt lors- qu'on essaie d'appliquer des empreintes sur l'élément de o10 formation d'images avant et après la formation d'images. L'élément de formation dimages par migration revêtu con- serve aussi sa cohésion lorsqu'il est soumis à un essai au ruban adhésif très sévère avec un ruban adhésif "Magic" de marque Scotch. On trouve aussi que la très faible Dmin est due à l'agglomération et à la coalescen- ce des particules de sélénium dans les régions Dmin de l'image. On trouve par ailleurs que les images obtenues par les procédés de cet exemple sont exceptionnellement insensibles aux conditions précises de traitement. EXEMPLE VI On prépare un élément de formation d'images frais comme il est décrit dans l'exemple I et on le revêt d'un copolymère acrylique à base d'eau (dit A-1054 de Polyvi- nyl Chemical USA). Le revêtement séché a une épaisseur d'environ 1,5 micron. L'élément de formation d'images par migration revêtu est ensuite pourvu d'une image et déve- loppé par une combinaison de techniques de traitement par la vapeur et la chaleur comprenant les stades de charge au corotron à un potentiel de surface d'environ +250 volts, d'exposition à un rayonnement activant à travers un coin sensitométrique d'exposition à la méthyléthylcétone dans une chambre à vapeur pendant 20 secondes environ, et de chauffage à environ 115oC pendant environ 5 secondes sur une plaque chauffante en contact avec le Mylar. L'élément de formation d'images par migration pourvu d'une image de signe inversé obtenu présente une excellente 45. qualité d'image et une densité de contraste d'environ 1,25. La Dmax est d'environ 1,55 et la Dmin est d'envi- ron 0,3. L'élément pourvu d'une image présente une ex- cellente résistance à l'abrasion lorsqu'il est gratté avec l'ongle et une excellente résistance à la pression du doigt lorsqu'on essaye d'appliquer une empreinte de doigt sur l'élément de formation d'images avant et après la formation d'images. L'élément de formation d'images par migration revêtu conserve aussi sa cohé- sion lorsqu'il est soumis à un essai très sévère au ruban adhésif avec un ruban adhésif "Magic" de marque Scotch.On trouve également que la très faible Dmin est due à l'agglomération et à la coalescence des particules de sélénium dans les régions Dmin de l'image. On trouve par ailleurs que les images obtenues par les procédés de cet exemple sont exceptionnellement insensibles aux condi- tions précises de traitement. EXEMPLE VII On prépare un élément de formation d'images semblable à celui représenté dans la figure 1, en dis- solvant environ 13 % en poids d'un copolymère à 80/20 moles % de styrène et de méthacrylate d'hexyle et envi- ron 1,0 % en poids de N,N'-diphényl-N,N'-bis(3"-méthyl- phényl)-(l,l'-biphényl)-4,4'-diamine dans environ 86 % en poids de toluène sur la base du poids total de la solution.On applique la solution obtenue au moyen d'une coucheuse dite Dilts sur une pellicule de polyester Mylar de 76 microns d'épaisseur et de 30,5 cm de large (fournir parla société E.I. duPont de Nemours Co.) ayant un revê- tement d'aluminium fin, semi-transparent. On laisse sé- cher la couche ramollissable déposée à environ 110 C pen- dant environ 15 minutes. La température de la couche ramollissable est élevée à environ 115 C pour abaisser la viscosité de la surface exposée de la couche ramollissa- ble à environ 5 x 10 Poiseuilles dans la préparation 46. pour le dépôt de matière de marquage. Une fine couche d'alliage vitreux particulaire d'environ 95 % enpoids de sélénium et d'environ 5 % en poids de tellure est ensui- te appliquée par dépôt sous vide dans une chambre à vide maintenue sous un vide d'environ 5,2 + 10 2 Pa. L'élément de formation d'image est ensuite rapidement refroidi à la température ambiante. Une monocouche de particules d'al- liage de sélénium ayant un diamètre moyen d'environ 0,3 micron incluse à environ 0,05-0,1 micron au-dessous de la surface exposée du copolymère est formée. L'élément de formation d'images par migration obtenu est ensuite pourvu d'images et développé par une combinaison de techniques de traitement par la vapeur et la chaleur comprenant les stades de charge au corotron à un poten- tiel de surface d'environ +168 volts, d'exposition à un rayonnement activant à travers un coin sensitométrique, d'exposition à l'acétate de néthyle dans une chambre à vapeur pendant environ 6 secondes et de chauffage à envi- ron 115 C pendant environ 2 secondes sur une plaque chauf- fante en contact avec le Mylar. L'élément de formation d'images par migration pourvu d'une image de signe inversé obtenu présente une excellente qualité d'image, une résolu- tion dépassant 228 paires de lignes par millimètre,et * une densité de contraste d'environ 0,7. La Dmax est d'en- viron 1,0 et la Dmin est d'environ 0,3. Cet élément de formation d'images par migration présente un intervalle de sensibilité spectral plus grand que les éléments de for- mation d'images par migration comprenant des particules de formation d'image par migration de sélénium. On trouve aussi que la très faible Dmin est due à l'agglomération et à la coalescence des particules d'alliage de sélénium dans les régions Dmin de l'image. On trouve par ailleurs que les images obtenues par les procédés de cet exemple sont exceptionnellement insensibles aux conditions précises de traitement. 47. EXEMPLE VIII On prépare un élément de formation d'images semblable à celui représenté dans la figure 1 en dissol- vant environ 13 % en poids d'un copolymère à 80/20 moles % de styrène et de méthacrylate 4'hexyle et environ 2,5 % en poids de N,N'-diphényl-N,N'-bis(3"-méthylphényl)-(1,1'- biphényl)-4,4'-diamine dans environ 84,5 % en poids de toluene par rapport au poids total de la solution. On ap- plique la solution obtenue au moyen d'une barre de Meyer sur une pellicule de polyester Mylar de 76 microns d'épais- seur et de 30,5 cm de large (fournie par la société E.I. duPont de Nemours Co.), ayant un revêtement d'aluminium fin, semitransparent. La couche ramollissable déposée est mise à sécher à 90 C environ pendant environ 10 minutes. La température de la couche ramollissable est élevée à environ 115 C pour abaisser la viscosité de la surface exposée de la couche ramollissable à environ 5 x 102 Poi- seuilles dans la préparation pour le dépôt de matière de marquage. Une fine couche de sélénium vitreux particu- laire est ensuite appliquée par dépôt sous vide dans une chambre à vide maintenue sous un vide d'environ 5,2 x 10 2 Pa. L'élément de formation d'images est ensuite rapidement refroi- di à la température ambiante. Une monocouche de particules de sélénium ayant un diamètre moyen d'environ 0,3 micron incluse à environ 0,05-0,1 micron au-dessus de la surface exposée du copolymère est formée. L'élément de formation d'images par migration obtenu est ensuite pourvu d'une ima- ge et développé à une combinaison de techniques de traite- ment par la vapeur et la chaleur comprenant les stades de charge au corotron à un potentiel de surface d'environ + 150 volts, d'exposition à un rayonnement activant à travers un coin sensitométrique,d'exposition de l'élément à de la vapeur de méthyléthylcétone dans une chambre à vapeur pendant environ 10 secondes et de chauffage à environ 115 C pendant environ 5 secondes sur une plaque chauffante en con- tact avec le Mylar.L'élément de formation d'images par 48. migration pourvu d'une image de signe inversé obtenu pré- sente une excellente qualité d'image et une densité de contraste d'environ 0,9. La Dmax est d'environ 1,2 et la Dmin. est d'environ 0,3. On trouve aussi que la très faible Dmin est due à l'agglomération et à la coalescence des particules de sélénium dans les régions Dmin de l'image.On observe une image noir et blanc lorsque l'élé- ment de transformation d'images par migration pourvu d'une image obtenu est projeté sur un écran en utilisant la lumière blanche pour la projection. On trouve en outre que la présence de N,N'-diphényl-N,N'-bis(3"-méthylphényl)- 1,1'-biphényl)-4,4'-diamine dans la couche ramollissable donne une bonne injection et un bon transport par exposi- tion à la lumière avec une décharge à une tension de la pellicule d'environ 85 %. EXEMPLE IX On prépare un élément de formation d'images sem- blable à celui représenté dans la figure 1 en dissolvant environ 13 % en poids d'un copolymère à 80/20 moles % de styrène et de méthacrylate d'hexyle et environ 2,5 % en poids de 3-méthyl diphénylamine dans environ 84,5 % en poids de toluène par rapport au poids total de la solution. La solution obtenue est appliquée au moyen d'une barre de Meyer sur une pellicule de polyester Mylar de 76 mi- crons d'épaisseur et de 30,5 cm de large (fournie par la société E.I. duPont de Nemours Co.) portant un revête- ment d'aluminium fin,semi-transparent. La couche ramollis- sable déposée est mise à sécher à environ 90 % pendant environ 10 minutes. La température de la couche ramollis- sable est élevée à environ 115 C pour abaisser la viscosi- té de la surface exposée de la couche ramollissable à environ 5 x 102 Poiseuilles dans la préparation pour le dépôt d'une matièxe de marquage. Une couche fine de sélé- nium vitreux particulaire est ensuite appliquée par dépôt sous vide dans une chambre à vide maintenue sous un vide 49. d'environ 5,2 x 102 Pa. L'élément de formation d'images est ensuite refroidi rapidement à la température ambian- te. Une monocouche de particules de sélénium ayant un diamètre moyen d'environ 0,3 micron, incluse à environ 0,05-0,1 micron au-dessous de la surface exposée du copo- lymère est formée.L'élément de formation d'imagespar migration obtenu est ensuite pourvu d'une image et dévelop- pé par une combinaison de technique de traitement par la vapeur et la chaleur comprenant les stades de charge au corotron à un potentiel de surface d'environ + 150 volts, d'exposition à un rayonnement activant à travers un coin sensitométrique, d'exposition de l'élément à de la vapeur de méthyléthylcétone dans une chambre à vapeur pendant environ 10 secondes,et de chauffage à environ 115 C pen- dant environ 5 secondes sur une plaque chauffante en con- tact avec le Mylar. L'élément de formation d'images par migration pourvu d'une image de signe inversé obtenu présente une excellente qualité d'image et une densité de contraste d'environ 0,9. La Dmax est environ 1, 2 et la Dmin est d'environ 0,3. On trouve aussi que la très faible Dmin est due à l'agglomération et à la coalescen- ce des particules de sélénium dans les régions Dmin de l'image. On observe une image noir et blanc lorsque l'élément de formation d'images par migration pourvu d'une image obtenue est projeté sur un écran en utili- sant de la lumière blanche pour la projection. On trouve par ailleurs que la présence de 3-méthyldiphénylamine dans la couche ramollissable conduit à un mauvais transport à travers la couche ramollissable (comme l'indique une dé- charge à la tension de pellicule d'environ 20 % par expo- sition à la lumière),ce qui démontre en conjonction avec les résultats de l'exemple immédiatememt précédent, qu'un transport à travers la couche ramollissable après injection n'est apparemment pas déterminant pour une bon- ne formation d'image. 50. EXEMPLE X On prépare un éltment de formation d'images semblable à celui représenté dans l'exemple 1 en dissol- vant environ 13 % ençoids d'un copolymère à 80/20 moles % de styrène et de méthacrylate d'hexyle et environ 0,4 % en poids de 4,4'-benzylidène bis(N,N-diéthyl-m-toluidène) dans environ 86,6 % enpoidsde toluène par rapport au poids total de la solution. La solution obtenue est appli- quée au moyen d'une barre de Meyer sur une pellicule de o10 polyester Mylar de 76 microns d'épaisseur et de 30,5 cm de large (fournie par la société E.I. DuPont de Nemours Co.) portant un revêtement d'aluminium fin, semi-transparent. On laisse sécher la couche ramollissable déposée à envi- ron 90 C pendant environ 10 minutes. On élève la tempéra- ture de la couche ramollissable à environ 115 C pour abais- ser la viscosité de la surface exposée de la couche ramol- lissable à environ 5 x 10 Poiseuilles dans la prépara- tion pour le dépôt de matière de marquage. On applique en- suite une fine couche de sélénium vitreux particulaire par dépôt sous vide dans une chambre à vide maintenue à un vide d'environ 5,2 x 10-2 Pa. L'élément de formation d'images est ensuite rapidement refroidi à la température ambiante. Une monocouche de particules de sélénium ayant un diamètre moyen d'environ 0,3 micron incluse à environ 0,05-0,1 micron audessous de la surface exposée du copolymère est formée. L'élément de formation d'images par migration obtenu est ensuite pourvu d'une image et dévelop- pé par une combinaison de techniques de traitement par la vapeur et la chaleur comprenant les stades de charge au corotron à un potentiel de surface d'environ + 150 volts, et d'exposition à un rayonnement activant à travers un coin sensitométrique, d'exposition d'élément à de la va- peur de méthyléthylcétone dans une chambre à vapeur pen- dant environ 10 secondes, et de chauffage à environ 115 C pendant environ 5 secondes sur une plaque chauffante en 51. contact avec le Mylar. L'élément de formation d'images par migration pourvu d'une image de signe inversé obtenu présente une qualité d'image raisonnable et une densité de contraste d'environ 0,55, La Dmax est d'environ 1,4 et la Dmin est d'environ 0,85. On pense que la Dmin est due à l'agglomération et à la coalescence partielle des particules de sélénium. La décharge sous tension de la pellicule dans l'exposition à la lumière est d'environ 70 %. EXEMPLE XI On prépare un élément de formation d'images semblable à celui représenté à la figure 1, en dissolvant environ 13 % en poids d'un copolymère à 80/20 moles % de styrène et de méthacrylate d'hexyle et environ 2,5 % en poids de 4,4'-benzylidène bis(N,N-diéthyl-m-toluidène) dans environ 84,5 % en poids de toluène par rapport au poids total de la solution. On applique la solution obte- nue au moyen d'une barre de Meyer sur une pellicule de polyester Mylar de 76 microns d'épaisseur et de 30,5 cm de large (fournie par la société E.I. duPont de Nemours Co.) portant un revàtement d'aluminium fin, semi-transparent. On a séché la couche ramollissable déposée à environ 90C pendant environ 10 minutes. On élève la température de la couche ramollissable à environ 115 C pour abaisser la vis- cosité de la surface exposée de la couche ramollissable à environ 5 x 102 Poiseuilles dans la préparation pour le dépôt de matière de marquage. Une couche fine de sélénium vitreux particulaire est ensuite appliquée par dépôt sous vide dans une chambre sous vide maintenue sous un vide d'environ 5,2 x 10-2 Pa. L'élément de formation d'images est ensuite rapidement refroidi à la température ambiante. Une monocouche de particules de sélénium ayant un diamètre moyen d'environ 0,3 micron incluse à environ 0,05-0,1 micron au-dessous de la surface exposée du copo- lymère est formée. L'élément de formation d'images par migration est ensuite pourvu d'une image 'et développé par 52. une combinaison de techniques de traitement par la va- peur et la chaleur comprenant des stades de charge au corotron à un potentiel de surface d'environ +150 volts, d'exposition à un rayonnement activant à travers un coin sensitométrique, d'exposition de l'élément à de la vapeur de méthyléthycétone dans une chambre à vapeur pendant environ 10 secondes, et de chaufage à environ 115 C pen- dant environ.5 secondes sur une plaque chauffante en con- tact avec le Mylar.Comme le montre la figure 4, l'HOMO du 4,4'-benzylidène bis(N,N-diéthyl-m-toluidène) est consi- dérablement au-dessus de la bande de valence du sélénium amorphe et cette formule concentrée fournit donc seule- ment une migration uniforme (à une densité optique d'en- viron 1,4) par exposition à la vapeur, et il ne se produit aucune réduction de la densité optique due à la coalescen- ce par chauffage ultérieur. On observe un comportement similaire même sans aucune charge par corotron de la pel- licule. Ainsi, cet effet néfaste d'un HOMO relativement élevé peut être compense comme l'illustre l'exemple immé- diatement précédent en utilisant une concentration relati- vement faible de la molécule de transfert de charges qui est présente en quantité adéquate pour permettre une in- jection suffisante lors de l'exposition. EXEMPLE XII On prépare un élément de formation d'images sem- blable à celui représenté dans la figure 1, en dissolvant environ 13 % en poids d'uncopolymrre à 80/20 moles % de styrène et de méthacrylate d'hexyle et environ 0,4 % en poids de p-diéthylamino benzaldéhyde(diphénylhydrazone) dans environ 86,6 % enpoids de toluène par rapport au poids total de la solution.On applique la solution obtenue aumoyen d'une barre de Meyer sur une pellicule de polyes- ter Mylar de 76,6 microns d'épaisseur et de 30,5 cm de large (fournie par la société E. I. duPont de Nemours Co.) portant un revêtement d'aluminium fin, semi-transparent.La 53. couche ramollissable déposée est mise à sécher à environ C pendant environ 10 minutes. On élève la température de la couche ramollissable à environ 115 C pour abaisser la viscosité de la surface exposée de la couche ramollis- sable à environ 5 x 102 Poiseuilles dans la préparation pour le dépôt de matière de marquage. On applique ensui- te une fine couche de sélénium vitreux particulaire par dépôt sous vide dans une chambre à vide maintenue sous un vide d'environ 5,2 x 10-2 Pa. L'élément de formation d'images est ensuite rapidement refroidi à la température ambiante. Une monocouche de particules de sélénium ayant un diamètre moyen d'environ 0,3 micron, incluse à environ 0,05-0,1 micron au-dessous de la surface exposée du copo- lymère est formée. L'élément de formationd'images par migration obtenu est ensuite pourvu d'une image et déve- loppé par une combinaison de techniques de traitement par la vapeur et par la chaleur comprenant les stades de charge au corotron à un potentiel de surface d'environ +150 volts, d'exposition à un rayonnement activant à travers un coin sensitométrique, d'exposition de l'élément à de la vapeur de méthyléthylcetone dans une chambre à vapeur pendant en- viron 10 secondes, et de chauffage à environ 115 C pendant environ 5 secondes sur une plaque chauffante en contact avec le Mylar. L'élément de formation d'images par migra- tion pourvu d'une image de signe inversé obtenu présente une excellente qualité d'image et une densité de contraste d'environ 0,9. La Dmax est d'environ 1,55 et la Dmin est d'environ 0,65.On trouve aussi que la Dmin est due à l'agglomération et à la coalescence partielle des particu- les de sélénium. On observe une image noir et blanc lors- que l'élément de formation d'images par migration pourvu d'une image obtenu est projeté sur un écran en utili- sant une lumière blanche pour la projection. On trouve en outre que les images obtenues par les procédés de cet exemple sont exceptionnellement insensibles aux conditions 54. précises de traitement. EXEMPLE XIII On prépare un élément de formation d'image semblable à celui représenté dans la figure 1, en dis- solvant 13 % en poids d'un copolymère à 80/20 moles % de styrène et de méthacrylate d'hexyle et environ 2,5 % en poids de p-diéthylamino benzaldéhyde(diphénylhydrazo- ne) dans environ 84,5 % enpoids de toluène par rapport au poids total de la solution. On applique la solution obtenue au moyen d'une barre de Meyer sur une pellicule de polyester Mylar de 76 microns d'épaisseur et de ,5 cm de large (fourni par la société E.I. duPont de Nemours Co.) portant un revêtement d'aluminium fin, semi- transparent. On laisse sécher la couche ramollissable déposée à environ 90 C pendant environ 10 minutes. On élève la1 température de la couche ramollissable à environ C pour abaisser la viscosité de la surface exposée de la couche ramollissable à environ 5 x 102 Poiseuilles dans la préparationpour le dépôt des matières de marqua- ge. On applique ensuite une fine couche de sélénium vi- reux particulaire par dépôt sous vide dans une chambre à -2 vide maintenue sous un vide d'environ 5,2 x 10 2 Pa. L'élément de formation d'images est ensuite refroidi rapi- dement à la température ambiante. Une monocouche de parti- cules de sélénium ayant un diamètre moyen d'environ 0,3 incluse à environ 0,05-0,1 micron sous les surfaces expo- sées du copolymère est formée. L'élément de formation d'images par migration obtenu est ensuite pourvu d'une ima- ge et développé par une combinaison de techniques de trai- tement par la vapeur et par la chaleur comprenant les stades de charge au corotron à un potentiel de surface d'environ +150 volts, d'exposition à un rayonnement acti- vant à travers un coin sensiométrique, d'exposition de l'élément à de la vapeur de méthyléthylcétone dans une chambre à vapeur pendant environ 10 secondes, et de chauf- fage à environ 115 C pendant environ 5 secondes sur une 55. plaque chauffante en contact avec le Mylar. Comme le re- présente la figure 4, l'HOMO du p-diéthylamino benzal- déhyde-(diphénylhydrazone) est considérablement au- dessus de la bande de valence du sélénium amorphe et cette formule concentrée ne fournit donc qu'une migration uniforme (à une densité optique d'environ 1,4) par expo- sition à la vapeur et aucune réduction de la densité opti- que due à la coalescence ne se produit lors du chauffage ultérieur. On observe un comportement semblable même sans aucune charge par corotron de la pellicule. Ainsi, cet effet néfaste d'un HOMO relativement élevé peut être compensé comme il est indiqué dans l'exemple immédiate- ment précédent en utilisant une concentration relative- ment faible de la molécule de transport de charges qui est présente en quantité adéquate pour permettre une injec- tion suffisante lors de l'exposition. D'autres modifications de la présente invention apparaîtront aux spécialistes sur la base de la lecture du présent mémoire. Ainsi, par exemple, un second stade de charge pour réduire la tension de surface au voisinage de zéro peut être utilisé avant le stade d'exposition à la vapeur. Ce second stade de charge est d'une polarité opposée au premier. Ces modifications entrent dans le ca- dre de la présente invention. 56. REVENDICATIONS 1 - Procédé de formation d'image consistant à réaliser un élément de formation d'images par migration comprenant un substrat (11) et une couche (13) ramollis- sable électriquement isolante sur ce substrat, cette couche ramollissable comprenant une matière (14) de mar- quage par migration située au moins sur ou au voisinage de la surface de cette couche ramollissable espacée de ce substrat et une matière de transport de charges dans cette couche ramollissable,à charger électrostatiquement cet élément, à exposer cet élément à un rayonnement activant suivant un dessin.d'image,à réduire la résistance à la migra- tion de la matière de marquage dans cette couche ramollis- sable suffisamment pour permettre une légère migration en profondeur de la matière de marquage en direction de ce substrat suivant la configuration d'une image, et en outre à réduire la résistance à la migration de la matière de mar- quage dans ette couche ramollissable suffisamment pour per- mettre à la matière de marquage n'ayant pas migré de s'agglo- mérer. 2 - Procédé de formation d'images selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que la migration de cette ma- tière de marquage commence dans des régions de la couche ramollissable, correspondant à ce dessin suivant une image qui sont frappées par le rayonnement activant lorsque la résistance à la migration de la matière de marquage dans la couche ramollissable a diminué suffisamment pour permettre une légère migration en profondeur de la matière de marqua- ge en direction du substrat dans la configuration d'une image, formant ainsi des régions de Da dans des zones - max de cette couche ramollissable correspondant à ce dessin sui- vant une image qui sont frappées par ce rayonnement acti- vant. 3 - Procédé de formation d'images selon la reven- dication 2, consistant à exposer cet élément à suffisamment 57. de vapeur de solvant pour que la couche ramollissable diminue cette résistance à la migration de la matière de marquage dans la couche ramollissable, permettant ainsi une légère migration en profondeur de la matière de marquage en direction de ce substrat suivant une configuration d'une image dans des zones de la couche ramollissable correspon- dant à ce dessin suivant une image qui sont frappées par ce rayonnement activant. 4 - Procédé de formation d'images selon la re- vendication 1, caractérisé en ce que l'agglomération de la matière de marquage dans des zones de la couche ramollis- sable correspondant à ce dessin en forme d'image qui ont échappé à l'exposition au rayonnement activant commence au cours de cette réduction ultérieure de la résistance à la migration de la matière de marquage dans la couche ramollis- sable. - Procédé de formation d'images selon la reven- dication 4, comprenant un ramollissement par la chaleur de la couche ramollissable pour commencer l'agglomération de la matière de marquage dans des zones de la couche ramollis- sable, correspondant au dessin en forme d'image qui ont échappé à l'exposition au rayonnement activant. 6 - Procédé de formation d'images selon la reven- dication 5, caractérisé en ce que la matière de marquage s'agglomère et donne lieu à une coalescence notable dans des zones de la couche ramollissable correspondant au des- sin en forme d'image qui ont échappé à l'exposition au rayon- nement activant au cours du ramollissement par la chaleur de la couche ramollissable formant ainsi des régions de Dmin' 7 - Procédé de formation d'images selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que la couche ramollissable comprend environ 2 % à environ 50 % en poids de la molécule de transport de charges par rapport au poids total de la couche ramollissable. 8 - Procédé de formation d'images selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que la matière de transport 58. de charges est une amine tertiaire asymétrique substi- tuée. 9 - Procédé de formation d'images selon la re- vendication 8,caractérisé en ce que l'amine tertiaire asy- métrique substituée est une amine répondant à la formule générale: Y Y N X X dans laquelle X, Y et Z sont choisis parmi l'hydrogène, un groupe alkyle ayant 1 à environ 20 atomes de carbone et le chlore et dans laquelle un des radicaux X, Y et Z est indépendamment un groupe alkyle ayant de 1 à environ atomes de carbone ou le chlore. 10 - Procédé de formation d'images selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément de for- mation dimages par migration comporte un revêtement supé- rieur protecteur (15) comprenant une résine formant une pellicule sur la couche ramollissable. 11 - Procédé de formation d'images selon la revendication 1, dans lequel la matière de transport de charges est dissoute ou moléculairement dispersée dans la couche ramollissable. 12 - Procédé de formation d'images selon la re- vendication 1, caractérisé en ce qu'on expose cet élément à suffisamment de vapeur d'un solvant de la couche 59. ramollissable pour réduire la résistance à la migration de la matière de marquage dans la couche ramollissable,de sorte qu'il se produit une légère migration en profondeur de la matière de marquage en direction de ce substrat sui- vant la configuration de l'image, et en ce qu'on réduit enco- re la résistance à la migration de la matière de marquage dans cette couche ramollissable en chauffant suffisamment l'élément pour permettre à la matière de marquage n'ayant pas migré de s'agglomérer et de donner lieu à une coales- cence.