FR 2560436 A1 19850830 FR 8500647 A 19850117 PROEDEDE FABRIOATi/D'1N DISPOSITIF A SEMICONDU T)R - I IN La présente invention concerne un procédé de fa- brication d'un dispositif à semiconducteur, et elle porte plus particulièrement sur l'amélioration d'un procédé de formation d'un film monocristallin semiconducteur sur un isolant pour réaliser un substrat sur lequel on fabrique un dispositif à semiconducteur. Pour accélérer le fonctionnement et pour parvenir à un niveau d'intégration élevé dans des dispositifs à se- miconducteur, plusieurs tentatives ont-été faites pour met- tre au point un procédé de fabrication d'un dispositif con- sistlant en un circuit intégré à semiconducteur dans lequel on utilise des matières diélectriques pour séparer des com- posants de circuit, afin qu'ils puissent avoir de faibles capacités parasites. Selon un procédé correspondant à de telles tenta- tives, on dépose sur un isolant un film semiconducteur po- lycristallin ou amorphe, et on irradie sa surface avec un faisceau d'énergie tel qu'un faisceau laser ou un faisceau d'électrons, afin de chauffer uniquement sa couche de sur- face, pour produire ainsi un film semiconducteur monocris- tallin. On forme ensuite dans le film semiconducteur un transistor à effet de champ MOS (qu'on appellera ci-après "TEC MOS"). On obtient ainsi un élément qui a une capacité parasite très faible et dont la périphérie et le fond sont isolés par une matière diélectrique. Les figures l(a) à 1(i) illustrent les principales étapes du processus de fabrication d'un tel TEC MOS de l'art antérieur. ILe processus de fabrication est le suivant: Comme le montre la figure l(a), on dépose une cou- che de silicium polycristallin 11 de 500 nm d'épaisseur sur un substrat de quartz (SiO2), 10, par un procédé classique de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (qu'on appellera ci-après procédé "LPCVD"). On expose le produit à une atmosphère oxydante à 950 C pour former un film d'oxyde (SiO2), 12, de 50 nm d'épaisseur, et on dépose sur ce dernier un film de nitrure (Si3N4) 13 de 100 nm d'épaisseur, par un procédé LPCVD, comme il est représenté sur la figure 1(b). Ensuite, comme le montre la figure 1(c), on forme un motif dans le film de nitrure 13, par un traitement de photolitho- graphie. On expose ensuite le produit à une atmosphère oxy- dante à 950 C pendant une longue durée, de façon à oxyder les parties dans lesquelles le film de nitrure 13 est absent, et on enlève ensuite le film de nitrure 13 et le film d'oxyde 12 qui se trouve sous le film 13, pour obtenir un îlot con- sistant en une couche de silicium polycristallin 11 dont la périphérie et le fond sont entourés par le film de SiO2 14 faisant fonction d'isolant. Cependant, la couche de silicium polycristallin 11 n'a pas une structure cristalline capable de produire des composants actifs. De ce fait, on irradie la couche de silicium polycristallin 11 avec un faisceau d'éner- gie tel qu'un faisceau laser ou un faisceau d'électrons, afin de faire fondre et de recristalliser cette couche pour former une couche de silicium monocristallin, ou une couche de sili- cium polycristallin comprenant de grands cristaux. Cette éta- pe est représentée sur la figure 1(e), sur laquelle la réfé- rence 15 désigne la couche de silicium recristallisée. On utilise ensuite la couche de silicium recris- tallisée 15 en tant que substrat pour former un TEC MOS. Le processus de fabrication de celui-ci est le même que celui d'un MEC MOS habituel. En effet, on forme un film d'oxyde de grille 16 sur la couche de silicium recristallisée 15, comme le montre la figure 1(f). On dépose sur ce film du silicium polycristallin, comme le montre la figure 1(g), et on forme un motif dans le silicium polycristallin pour dé- finir une électrode de grille en silicium polycristallin 17. Ensuite, comme le montre la figure 1(h), on utilise l'élec- trode de grille en silicium polycristallin 17 en tant que masque pour introduire un grand nombre d'impuretés dans la couche de silicium recristallisée 15, ce qui forme une ré- gion de source 18 et une région de drain 19 dans la couche de silicium 15. Ensuite, comme le montre la figure 1(i), on forme par-dessus un film d'oxyde 20 et on forme des ouver- tures pour des trous de contact dans les parties du film d'oxyde 20 qui se trouvent au-dessus de l'électrode de gril- le 17, de la région de source 18 et de la région de drain 19. On forme une interconnexion de grille 21, une intercon- nexion de source 22 et une interconnexion de drain 23, en aluminium, sur des régions respectives englobant les trous de contact, et on forme pardessus un film de protection de surface 24 pour achever un TEC MOS. Dans ce processus, la couche semiconductrice est isolée pour former des îlots, mais il n'y a pas de germe pour déterminer la direction de cristallisation dans le pro- cessus de recristallisation. La nucléation des cristaux se produit de façon aléatoire aussi bien dans le temps que dans l'espace, en fonction de la distribution de température dé- terminée par la distribution de puissance du faisceau laser ou d'électrons et par la matière, et il est seulement possi- ble de maîtriser la direction de formation de grains cris- tallins (voir la demande de brevet japonaise publiée n Sho. 58-192381). Une configuration de motif capable de produire de grands grains cristallins peut exister occasionnellement, mais il est impossible de donner une structure monocristal- line à un îlot quelconque de la couche semiconductrice. Un autre procédé de l'art antérieur pour fabriquer un dispositif à semiconducteur est décrit dans un article intitulé "Use of selective annealing for growing very large grain silicon on insulator", Appl. Phys. Lett. 41, pages 346 (1982), par J.P. Colinge et col. Selon ce procédé, on fabrique un film anti-réflexion du type en bande, constitué par du nitrure de silicium, sur une couche de silicium poly- cristallin déposée sur toute la surface d'une tranche de si- licium, et on l'irradie au moyen d'un laser, en effectuant un balayage le long de la bande, de façon à donner une struc- ture monocristalline à toute sa surface. L'invention vise à résoudre les problèmes indiqués ci-dessus et elle a pour but de procurer un procédé de fa- brication d'un dispositif à semiconducteur capable de donner une couche semiconductrice monocristalline avec une bonne reproductibilité, et capable en outre de permettre la fabri- cation d'un dispositif à semiconducteur fiable sur cette couche. Selon un aspect de l'invention, on produit une couche isolante sous la forme d'un film anti-réflexion cons- titué par un film de nitrure de silicium ou par un film de nitrure de silicium et un film d'oxyde de silicium, à la périphérie d'une couche semiconductrice en forme d'ilot, et on irradie cette couche avec un faisceau d'énergie tel que celui d'un laser à l'argon de forte puissance et fonction- nant en régime continu, avec balayage du faisceau, de façon à faire fondre et à recristalliser la couche semiconductrice sous forme d'îlot, ce qui produit une distribution de tempé- rature appropriée pour la formation d'une structure mono- cristalline à l'intérieur-de la couche semiconductrice. Un autre aspect de l'invention porte sur un procé- dé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caracté- risé en ce qu'il comprend: un premier traitement destiné à produire une couche semiconductrice polycristalline ou amor- phe sur la surface d'un substrat en matière isolante, ou d'un substrat obtenu en formant une couche isolante sur un semiconducteur de base; un second traitement destiné à pro- duire un ilot de la couche semiconductrice entouré par des matières diélectriques obtenues à partir de la couche semi- conductrice; un troisième traitement destiné à produire un film de Si3N4 sur l'îlot de la couche semiconductrice, ou sur un film de SiO2 formé sur l'îlot; un quatrième traite- ment destiné à enlever le film de Si3N4, sauf une région prédéterminée de celui-ci sur l'îlot; et un cinquième traitement destiné à irradier l'îlot de la couche semicon- ductrice avec un faisceau d'énergie, avec balayage, de fa- çon à faire fondre et à recristalliser l'îlot, ce qui donne une structure monocristalline ou augmente la taille des grains cristallins, au moins dans une partie de l'îlot. D'autres buts et avantages de l'invention ressor- tiront de la description détaillée faite ci-après, à titre d'exemple non limitatif. Ia suite de la description se ré- fère aux dessins annexés sur lesquels: - Les figures 1(a) à 1(i) sont des schémas montrant les principales étapes de la farication d'un TEC HOS de l'art antérieur; Les figures 2(a) à 2(g) sont des schémas montrant les étapes de fabrication d'un dispositif à semiconducteur conforme à un mode de réalisation de l'invention; La figure 3 est un schéma montrant les caractéris- tiques de la réflectivité du laser à l'argon en fonction de l'épaisseur d'un film de nitrure de silicium, au cours de la fabrication d'un film de nitrure de silicium sur un substrat en silicium; et Les figures 4(a) et 4(b) sont des schémas montrant les distributions de température du dispositif à semiconduc- teur correspondant à un mode de réalisation de l'invention, lorsqu'il est irradié avec un faisceau laser effectuant un balayage, et la figure 4(c) est un schéma montrant la direc- tion de la croissance cristalline dans l'îlot de silicium, après irradiation de celui-ci avec un faisceau laser effec- tuant un balayage. On va maintenant considérer les figures 2(a) à 2(g) pour décrire le processus de fabrication d'un disposi- tif à semiconducteur conforme à un mode de réalisation de 1' invention. Pour commencer, comme le montre la figure 2(a), on forme sur un substrat de silicium (100) de type P, 30, dans une atmosphère oxydante à 950 C, une couche de SiO2 (film d'oxyde thermique) 31 de I pm, à titre de couche iso- lante. On dépose sur cette couche une couche de silicium polycristallin 32 jusqu'à obtenir une épaisseur de 500 nm, en utilisant un procédé IPCVD habituel (voir la figure 2(b)), et on chauffe ensuite le produit à oxyder dans une atmosphère oxydante à 9500 C, pour produire une sous-couche d'oxyde (SiO2), 33, de 50 nm. On dépose sur celle-ci un film de ni- trure de silicium (Si3N4), 34, par un procédé LPCVD, jus- qu'à une épaisseur de 100 nm, et on forme un motif dans ce film par un traitement de photolithographie prédéterminé (voir la figure 2(c)). On expose ensuite la matière à une atmosphère oxydante à 950 C, en utilisant le film de nitrure de silicium 34 en tant que masque anti-oxydation, et les parties autres que la couche de silicium 32 correspondant à l'îlot désiré sont oxydées pour former le film d'oxyde de silicium 35, comme le montre la figure 2(d). Ce procédé est un procédé bien connu d'oxydation sélective. Ensuite, comme le montre la figure 2(e), on dépose successivement par-des- sus un film très mince d'oxyde de silicium 36 et un film mince de nitrure de silicium 37, par des procédés LPCVD respectifs. On utilise le film très mince d'oxyde de sili- cium 36 pour stabiliser à la fois au point de vue de sa configuration et au point de vue électrique la surface de la couche de silicium polycristallin 32 qui doit être re- cristallisée, et il est préférable que le film 36 ait une épaisseur de 7 à 15 nm pour produire le meilleur effet. Il n'est cependant pas nécessaire de former ce film d'oxyde mince 36 lorsque le processus de fabrication du dispositif à semiconducteur comporte un traitement destiné à enlever ultérieurement la surface la plus haute de la couche de silicium recristallisée 32. Il faut choisir avec soin l'épaisseur du film de nitrure de silicium 37. En effet, on doit déterminer l'épais- seur du film de nitrure de silicium 37 de façon qu'elle soit comprise dans la plage d'épaisseur dans laquelle le film 37 se comporte comme un film anti-réflexion efficace vis-à-vis du rayonnement du laser à l'argon ayant des longueurs d'onde de 488 et 514,5 nm, comme le montre la figure 3. On note à cet égard que la variation de la réflectivité (coefficient de réflexion) du film de nitrure de silicium 37 en fonction de son épaisseur est périodique, et il est possible d'uti- liser les régions voisines de 60 nm et de 180 nm, cette dernière épaisseur pouvant être définie aisément pour former un film de bonne qualité. Cependant, lorsqu'on utilise un film de nitrure de silicium épais, d'environ 180 nm, en tant que film anti-réflexion, sa capacité thermique augmente et la dispersion de chaleur par conductivité devient élevée, du fait que le film de nitrure de silicium a une conductivi-' té supérieure à celle du film d'oxyde de silicium (mais est de l'ordre du cinquième de celle du silicium), ce qui fait que la dispersion de la chaleur à partir de la partie supé- rieure perturbe la distribution thermique désirée, malgré la pénétration de l'énergie du laser à l'intérieur de la couche de silicium 32 sous l'action du film anti-réflexion. Il résulte de ceci qu'il est souhaitable de choisir entre nm et 70 nm l'épaisseur du film de nitrure de silicium 37. Ensuite, comme le montrent les figures 2(f) et 2(g), on enlève une région prédéterminée du film de nitrure de silicium 37. Dans ce mode de réalisation, dans lequel l'îlot de silicium 32 mesure 20 pin de largeur et 80 pnm de longueur, il reste des parties périphériques de 3 pm de largeur qui s'étendent vers l'intérieur à partir de la fron- tière de l'îlot de silicium 32, et il reste également des parties de moins de 3 pm qui s'étendent vers l'extérieur à partir de la frontière de l'îlot de silicium 32, afin d'em- pêcher l'abaissement de la température par conductivité thermique. Il en résulte qu'il reste sur l'îlot de silicium 32 une région en forme de cadre de 6 Mnm de largeur formée par le film de nitrure de silicium 37. On irradie ensuite le dispositif à semiconducteur ayant la structure décrite ci-dessus (voir la figure 4(a)), par balayage dans la direction de la longueur de l'îlot de silicium 32, au moyen d'un faisceau laser L ayant une taille de trace d'environ 40 pn. La partie de la couche de silicium polycristallin 32 sur laquelle se trouve le film de nitrure de silicium 37 absorbe une puissance environ deux fois supérieure à celle qu'absorbe l'autre région, et cette partie est portée à une température supérieure à celle de la région dans laquelle le film de nitrure de silicium 37 est absent. On obtient ainsi une distribution de température I représentée sur la figure 4(a). Par conséquent, lorsqu'on balaie le faisceau laser L dans la direction de la longueur de l'îlot de silicium 32 dans cet état, la partie centrale de l'îlot de silicium 32 se refroidit rapidement après qu'elle a été traversée par le faisceau, et la recristalli- sation (voir la distribution de température II représentée sur la figure 4(b)) commence par la partie centrale. On as- siste donc à une augmentation de taille des grains recris- tallisés ayant un plan (100), qui correspond à la direction de croissance cristalline la plus privilégiée dans cette situation, et une croissance cristalline avec les grains en tant que germes a lieu du centre vers la périphérie, comme l'indique la flèche A sur la figure 4(c). De cettemanière, toute la surface de l'îlot de silicium 32 prend une struc- ture monocristalline. Dans le mode de réalisation considéré, on forme un film anti-réflexion dans une région prédéterminée de la surfaue de 1'îlot de silicium 32 pour definir la distribu- tion de température pendant la fusion et la recristallisa- tion de l'îlot de silicium 32, ce qui permet de donner une structure monocristalline à toute la surface de l'îlot de silicium 32, avec une bonne reproductibilité, et permet en outre de produire sur l'îlot de silicium 32 un dispositif à semiconducteur ayant des caractéristiques stables et uniformes. Dans le mode de réalisation représenté, on forme une couche de silicium polycristallin sous forme d'îlot par oxydation sélective, mais on peut former une couche de silicium polycristallin consistant en un îlot de type mésa en attaquant la couche de silicium polycristallin en employant un motif de matière de réserve. Conformément à l'invention, on forme un film an- ti-réflexion dans une région prédéterminée pour chaque couche semiconductrice désirée formant un îlot, afin de définir la distribution de température au cours de la fusibn et de la recristallisation de la couche semiconductrice formant un îlot, ce qui procure une couche monocristalline stable et uniforme dans une tranche de semiconducteur. Ceci permet d'obtenir un dispositif à semiconducteur fiable. Il va de soi que de nombreuses modifications peu- vent être apportées au procédé décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REv'NDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à se- miconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un premier traitement destiné à produire une couche semiconductrice polycristalline ou amorphe (32) sur la surface d'un substrat (30) en matière isolante, ou d'un substrat obtenu en formant une couche isolante sur un semiconducteur de base; un se- cond traitement destiné à produire un îlot de la couche se- miconductrice (32) entouré par des matières diélectriques (35) obtenues à partir de la couche semiconductrice; un troisième traitement destiné à produire un film de Si3N4 (37) sur l'îlot de la couche semiconductrice, ou sur un film de SiO2 (36) formé sur l'îlot (32); un quatrième traitement destiné à enlever le film de Si3N4 (37), sauf une région prédéterminée de celui-ci sur l'îlot (32); et un cinquième traitement destiné à irradier l'îlot (32) de la couche se- miconductrice avec un faisceau d'énergie, avec balayage, de façon à faire fondre et à recristalliser l'îlot, ce qui don- ne une structure monocristalline ou augmente la taille des grains cristallins, au moins dans une partie de l'îlot. 2. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région prédéterminée du film de Si3N4 (37) est une région en forme de cadre qui englobe la frontière de la couche se- miconductrice en forme d'ilot (32). 3. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le second traitement comprend un traitement destiné à produire un film d'oxyde thermique (33) sur la couche semiconductrice (32), un traitement destiné à produire un film de Si3N4 (34) sur le film d'oxyde.thermique (33), un traitement destiné à former dans le film de Si3 N4 (34) un motif en forme d'îlot, un traitement destiné à oxy- der la couche semiconductrice (32) avec le motif en forme d'îlot faisant fonction de masque anti-oxydation, et un ll traitement destiné à enlever l'îlot du film de Si3N4 (34) et le film d'oxyde thermique (335). 4. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second traitement comprend la formation d'un îlot de couche semiconductrice de type mésa, par attaque des régions autres qu'une région prédéterminée de la couche semiconduc- trice (32), conformément à un motif de matière de réserve. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur selon l'une quelconque des revendications I à 4, caractérisé en ce que le semiconducteur de base est du silicium. 6. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur selon l'une quelconque des revendications I à 5, caractérisé en ce que la couche semiconductrice polycris- talline ou amorphe (32) consiste en silicium. 7. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'épaisseur du film de SiO2 (36) est comprise entre 0 et 20 nm, et en ce que l'épaisseur du film de Si3N4 (37) est comprise entre 40 et 70 nm.