FR 2550386 A1 19850208 FR 8412295 A 19840803 Pile solaire au silicium amorphe. L'invention concerne une pile solaire au silicium amorphe. Comme pile solaire de ce type, on connait à ce jour un type dans lequel un substrat plat de verre ou similaire est muni en surface d'une électrode transparente d'oxyde d'indium, d'oxyde d'indium-étain, d'oxyde d'étain ou similaire et une couche semi-conductrice de silicium amorphe constituée par des couches semi-conductrices p-i-n est formée sur l'électrode transparente et un film d'oxyde indium-étain est formé 10 sur la couche semi-conductrice en silicium amorphe pour améliorer l'adhérence entre la couche semi-conductrice et une électrode dorsale qui doit être formée sur celle-ci et ensuite un film réfléchissant en argent, fonctionnant comme électrode dorsale, est formé sur celle-ci par un'procédé de dépôt par 15 vaporisation Ce type est cependant défectueux en ce qu'une propriété électrique de celui-ci, à savoir la densité de courant électrique en court-circuit Icc est aussi faible que 15 m A/cm 2 en dépit de l'utilisation de l'argent qui présente un indice de réflexion élevé. De plus, on connait également jusqu'ici un type dans lequel une couche unique d'un latex de polyéthylène-sphérique ayant une dimension de particule de 0,1 0,5 micron est formée de façon fixe sur une surface d'un substrat en verre et la surface du substrat, comportant la couche comme masque, est transformée 10 en une surface rugueuse en appliquant un traitement de meulage ionique à la surface après quoi la surface rugueuse ainsi formée est enduite en surface avec, successivement, un film d'argent comme électrode dorsale, un second film conducteur transparent, une couche semi-conductrice de silicium amorphe et un premier film formant électrode transparente sensiblement de la même manière que ci- dessus Ce type est cependant défectueux en ce que son courant de court- circuit n'est pas fortement amélioré en dépit du travail difficile nécessaire pour former la surface rugueuse précédente pour amener un rayon réfléchi provenant de l'électrode dorsale à se cantonner dans la couche semi-conductrice. Pour améliorer les types conventionnels ci- dessus, les demandeurs de la présente demande ont proposé antérieurement un type dans lequel un support transparent est enduit en surface avec, successivement, une électrode transparente dont la surface est rugueuse avec un diamètre de grain moyen de 0,1 2,5 microns, une couche semi- conductrice en silicium amorphe et une électrode dorsale en argent, aluminium ou similaire, ce 30 qui permet d'obtenir une pile solaire ayant une densité de courant de court-circuit de 17 m A/cm 2. L'invention concerne un perfectionnement à ce type préalablement proposé et a pour objet de fournir une pile solaire dans la35 quelle la densité de courant de court-circuit par rapport à l'accroissement de l'efficacité de conversion photo-électrique peut être rendue plus élevée que celle assurée par les types conventionnels et dans une pile solaire du type dans lequelun support transparent est enduit en surface avec successivement, une électrode transparente, une couche semi-conductrice de silicium amorphe et une électrode dorsale, cette pile est caractérisée en ce que l'électrode transparente est constituée par un premier film conducteur transparent dont la surface est rugueuse avec un diamètre de grain moyen de 0,1 à 0,9 micron et l'électrode dorsale est constituée par au moins un second film conducteur transparent. L'invention sera décrite plus en détail ci-après avec rfrence aux dessins ci-annexés dans lesquels: Figure 1 est une vue en coupe d'une partie d'une 15 pile solaire au silicium amorphe conforme à la présente invention; figure 2 est un graphique montrant les caractéristiques de courant de courtcircuit, en fonction du diamètre de grain moyen d'un premier film conducteur transparent, des piles solaires de la présente invention et d'un exemple de comparaison; figure 3 est un graphique caractéristique tension-courant des piles solaires de la présente invention; figure 4 est un graphique caractéristique tension-courant des piles solaires 25 conventionnelles et figure 5 est un graphique montrant les caractéristiques de courant de courtcircuit en fonction du diamètre de grain moyen du premier film conducteur transparent de la pile solaire de la présente invention et d'un 30 exemple de comparaison. La figure 1 illustre une vue en coupe d'une partie d'une pile solaire au silicium amorphe conforme à l'invention Dans celleci, la référence 1 désigne un substrat transparent du côté de l'incidence du rayonnement et celui-ci est réalisé en verre par exemple La référence 2 désigne un premier film conducteur transparent formé sur le substrat 1 et dont la surface est une surface rugueuse qui se situe dans la gamme d'un diamètre de grain moyen de 0,1 à 0,9 micron et celui-ci est réalisé 5 en oxyde d'étain (Sn O 2), en oxyde d'étain-indium (I Sn O) ou similaire La référence 3 désigne une couche semi-conductrice en silicium amorphe comportant des couches p-i-n, la référence 4 désigne un second film conducteur transparent en oxyde d'étainindium par exemple fonctionnant comme électrode dorsale, et la référence 5 désigne un film métallique d'argent, d'aluminium, de cuivre, de chrome ou similaire qui est enduit sur celuici selon ce qui est exigé comme électrode dorsale et qui agit également comme couche réfléchissante. Conformément à la construction de la présente invention, un rayon qui pénètre dans la couche de silicium amorphe 3 à travers le substrat transparent 1 et le premier film conducteur transparent 2 est réfracté de façon aléatoire sur la surface irrégulière du premier film conducteur transparent 2 de sorte 20 que la longueur de son trajet optique dans la couche semiconductrice de silicium amorphe 3 devient importante et l'énergie optique de celui-ci peut être complètement absorbée dans la couche semi-conductrice 3 De plus le rayon qui a pénétré dans la couche semi-conductrice 3 à travers le substrat trans25 parent 1 est réfracté sur la surface rugueuse du premier film conducteur transparent 2 de sorte que le rayon qui parvient sur l'électrode dorsale 5 en provenant de la couche semi-conductrice 3 présente un angle d'incidence inportant et, d'autre part, le taux de réfraction de la couche semi-conductrice 30 3 est comparativement élevé mais l'indice de réfraction du second film conducteur transparent 4 fonctionnant comme électrode dorsale est comparativement faible de sorte que tous les rayons ayant un angle d'incidence qui est supérieur à un angle critique sont réfléchis et de ce fait un effet réflé35 chissant élevé peut être obtenu sur le second film conducteur transparent On peut ainsi obtenir un courant de court-circuit qui est plus grand que celui de la pile solaire conventionnelle ayant seulement une électrode dorsale métallique telle qu'en argent ou similaire. De plus, si le film métallique 5 en argent, aluminium, cuivre, chrome ou similaire qui peut former facilement une surface réflectrice est ajouté sur la surface externe du second film conducteur transparent 4, toute pénétration du rayon à travers celui-ci peut être empêchée et, de ce fait, le courant du 10 courtcircuit peut être à nouveau augmenté. On expliquera ci-après des exemples de mise en oeuvre de l'invention et des exemples de comparaison: Exemple conforme à l'invention N 1 On a dosé des quantités de Sn C 14 5 H 20 et de Sb Cl 3 de manière que le poids de l'étain puisse représenter 3 % en poids par rapport à l'antimoine et les matériaux ainsi dosés ont été 20 dissous dans une solution aqueuse de HC 1 à 1 % de manière à donner une concentration de 10 % Le liquide résultant a été pulvérisé sur un substrat en verre chauffé à 430 C de manière à former un film d'oxyde d'étain (Sn O 2) ayant une épaisseur de 0,8 micron et fonctionnant comme premier film conducteur 25 transparent La surface du film d'oxyde d'étain résultant a été observée sur une photo-micrographie électronique selon un procédé à fac-similé et la valeur moyenne a été calculée à partir de la distribution du diamètre de grain de celleci, ce par quoi il a été trouvé qu'elle avait une surface 30 rugueuse ayant un diamètre de grain moyen de 0,4 micron et que la résistance spécifique de feuille conductrice de celleci était d'environ 15 ohms Par un procédé du type à décharge dans un gaz entre plaques planes parallèles,une couche semiconductrice de silicium amorphe a été formée sur le film d'oxyde 35 d'étain de manière à comporter une couche p, une couche i une couche n, successivement La couche p est déposée sous O une épaisseur d'environ 100 A par une puissance électrique de décharge de 0,1 W/cm 2 dans un flux de mélange gazeux comprenant du Si H 4 et du B 2 H 6 qui est mélangé à raison de 0,5 % 5 en volume par rapport à Si H 4 La couche i est déposée pour o avoir une épaisseur d'environ 5000 A dans un courant de gaz Si H 4 et la couche N est déposée pour avoir une épaisseur d'eno viron 300 A dans un courant d'un mélange gazeux comprenant Si H 4 et du PH 4-qui est mélangé-à raison de 0,8 % en volume 10 par rapport à Si H 4; Ensuite un film d'oxyde d'indium-étain (I Sn O) d'environ 700 A d'épaisseur est formé sur la couche de silicium amorphe par un procédé de dépôt par vaporisation par faisceau électronique dans une atmosphère d'oxygène sous une pression de 6,65 x 10-2 Pa On a ainsi produit une pile solaire ayant des dimensions de 2 x 2 mm dans laquelle l'électrode dorsale est un second film conducteur transparent d'oxyde d'indium-étain De plus, sensiblement de la même manière que ci-dessus, sauf que la période de temps pour la formation du film d'oxyde d'étain a été modifiée de manière que l'épais20 seur des films soit de 0,25; 0,5; 0,7; 1,2 et 1,9 microns respectivement, on a produit des piles solaires dans lesquelles les diamètres de grain moyen des surfaces des premiers films conducteurs transparents d'oxyde d'étain étaient de 0,1; 0,2; 0,3; 0,5 et 0,9 micron respectivement (les résistances spéci25 fiques de feuille conductrices de celles-ci étaient d'environ , 30, 20, 13 et 8 ohms/) mais les électrodes dorsales de cellesci étaient chacune constituées par seulement le second film conducteur transparent en oxyde d'indium-étain. Les densités de courant en court-circuit Icc respectifs de ces piles solaires lorsque le rayon d'un simulateur solaire de AM 1 a été radié sur celles-ci ont été de 16,9 m A/cm 2 21 m A/cm 2 respectivement comme représenté par la courbe A dans la figure 2. Parmi les Exemples précédents ayant un diamètre de grain moyen de 0,1 à 0, 9 micron, l'échantillon de 0,4 micron présente une caractéristique tension-courant telle que celle représentée par la courbe A dans la figure 3 et sa densité de courant en court-circuit Icc est de 20,5 m A/cm 2, sa tension en circuit ouvert Vco est de 0,84 V et son efficacité de conversion est de 11,3 %. Exemple conforme à l'invention N 2 Sensiblement de la même manière que dans l'Exemple conforme à l'invention N 1, des premiers films conducteurs transparents (Sn O 2) dont les surfaces avaient respectivement un diamètre de grain moyen de 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,5 et 0, 9 micron, des couches semi-conductrices en silicium amorphe et des seconds films conducteurs transparents {I Sn O) ont été formés successivement sur des substrats en verre respectifs pour obtenir des échantillons respectifs Ensuite chacun de ces échantillons a été revêtu d'un film d'argent d'environ 1 micron d'épaisseur par un procédé de dépôt en phase vapeur par faisceau électro20 nique, ce par quoi ont été produites des piles solaires ayant chacune 2 x 2 mm avec l'électrode de la surface arrière constituée par deux couches de (I Sn O) et d'argent. Les densités de courant en court-circuit Ice de ces piles 25 solaires lorsqu'un rayon d'un simulateur solaire de AM-1, m W/cm 2 a été irradié sur celles-ci ont été de 19,1 22,3 A/cm comme illustré par la courbe B dans la figure 2. La caractéristique tension-courant de la pile solaire de 0,4 30 micron de diamètre de grain moyen est de 22,3 m A/cm 2 pour la densité de courant en court-circuit Icc et elle présente une tension en circuit ouvert Vco de 0,83 V comme illustré par la courbe B dans la figure 3 et le facteur de conversion est de 12,1. Exemple conforme à l'invention N 3 Des échantillons ayant respectivement des premiers films conducteurs transparents dont les surfaces présentent un diamètre de grain moyen de, respectivement, 0,1, 0,2, 0,3, 0,4, 0,5 et 0,9 micron ont été formés sensiblement de la même manière que dans l'Exemple conforme à l'invention N 1 Le second film conducteur transparent de chacun de ces échantillons a reçu un film d'aluminium de 1 micron d'épaisseur par un traitement de dépôt en phase vapeur par faisceau électronique, ce par quoi on a produit des piles solaires ayant chacune 2 x 2 mm 10 et dont l'électrode de la surface arrière est constituée par deux couches de I Sn O et d'aluminium. Les densités de courant en court-circuit Icc mesurées sensiblement de la mêmemanière que dans l'Exemple conforme à l'inven15 tion N 1 en ce qui concerne ces piles solaires sont de 18,7 22 m A/cm 2 comme illustré par la courbe C dans la figure 2 La courbe C dans la figure 3 est la caractéristique tensioncourant de l'échantillon dont la surface du premier film conducteur transparent présente un diamètre de grain moyen de 0,4 micron Cet échantillon présente une densité de courant en court-circuit Icc de 21,88 m A/cm, une tension en circuit ouvert Vco de 0,84 V et une efficacité de conversion de 12 %. Exemple de comparaison N 1 / Des premiers films conducteurs transparents dont les surfaces avaient respectivement un diamètre de grain moyen de 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,5 et 0, 9 micron et des couches semi-conductrices de silicium amorphe ont été formés sur des substrats en verre 30 transparents respectifs, successivement, pour obtenir les échantillons respectifs sensiblement de la même manière que dans l'exemple conforme à l'invention n 1 Ensuite chacun de ces échantillons n'a pas reçu un second film conducteur transparent de I Sn O mais a reçu un film d'aluminium de 1 micron 35 d'épaisseur par un traitement de dépôt en phase vapeur par faisceau électronique, comme électrode dorsale, ce par quoi on a obtenu des piles solaires chacune de 2 x 2 mm Les densités de courant en court-circuit Icc de ces piles solaires sont de 15,6 17,5 m A/cm 2 comme illustré par la courbe D dans la figure 2 La courbe D dans la figure 3 est la carac5 téristique tension-courant de l'échantillon qui présente un diamètre de grain moyen de 0,4 micron de la surface du premier film conducteur transparent Le même échantillon présente une densité de courant en courtcircuit Icc de 17,1 m A/cm 2, une tension en circuit ouvert Vco de 0,84 V et une efficacité 10 de conversion 9 de 9,45 %. Exemple de comparaison N 2 Un film de I Sn O de 1500 A d'épaisseur a été formé, par un 15 procédé de dépôt en phase vapeur par faisceau électronique, sur un substrat en verre chauffé à 250 C dans une atmosphère d'oxygène de 1,33 10-2 Pa en utilisant comme source d'alimentation un bloc à 95 moles % de In 20 O et 5 moles % de Sn O 2 et de plus un film de Sn O 2 de 500 A d'épaisseur a été formé sur celui-ci sensiblement de la même manière que dans l'Exemple de mise en oeuvre N 1 Ce premier film conducteur transparent a une surface avec un diamètre de grain moyen de 0,04 micron et il est de ce fait sensiblement plat et la résistance spécifique de couche conductrice de celui-ci est de 15 ohms. 25 Sensiblement de la même manière que dans l'Exemple conforme à l'invention N 1 une couche semi-conductrice de silicium amorphe constituée de couches p, i et N a été formée sur le premier film conducteur transparent. 30 Parmi trois échantillons, chacun étant muni de la première couche conductrice transparente et de la couche conductrice de silicium amorphe mentionnées ci-dessus, un premier échantillon a reçu une électrode dorsale constituée par I Sn O ( 800 A) 35 seul sensiblement de la même manière que pour la formation du second film conducteur transparent dans l'Exemple conforme à l'invention N 1 ce par quoi on a produit une pile solaire de 2 x 2 mm. Un second échantillon a reçu un second film conducteur transO parent de I Sn O ( 800 A) sensiblement de la même manière que ci-dessus et ensuite on a formé de plus sur celui-ci un film 5 d'argent de 1 micron d'épaisseur par un procédé de dépôt par faisceau électronique en phase vapeur, ce par quoi on a obtenu une pile solaire de 2 x 2 mm dont l'électrode dorsale était constituée par I Sn O et de l'argent Un troisième échantillon a reçu seulement une électrode dorsale d'aluminium de 1 micron 10 d'épaisseur sensiblement de la même manière que pour former l'électrode dorsale dans l'Exemple de comparaison N 1, ce par quoi on a réalisé une pile solaire de 2 x 2 mm. La pile solaire dont l'électrode arrière était constituée seulement de I Sn O présentait une densité de courant en courtcircuit Icc de 13,8 m A/cm, une tension en circuit ouvert Vco de 0,84 V comme illustré par la courbe E dans la figure 4 et une efficacité de conversion v de 6,8 % La pile solaire ayant son électrode dorsale constituée par I Sn O et de l'argent 20 présentait -une densité de courant en court-circuit Icc de ,6 m A/cm une tension en circuit ouvert Vco de 0,84 V comme illustré par la courbe F dans la figure 4 et une efficacité de conversion de 8,8 % La pile solaire dont l'électrode de la surface arrière était seulement de l'aluminium présentait 25 une densité de courant en court-circuit Icc de 14,7 m A/cm 2 une tension en circuit ouvert Vco de 0,84 V comme illustré par la courbe G dans la figure 4 et une efficacité de conversion de 8 %. Exemple conforme à l'invention N 4 On a dosé de l'In C 14 4 H 20 et du Sn C 14 4 H 20 de telle manière que le poids de l'étain représente 2 % en poids par rapport à l'indium Les matériaux ainsi dosés ont été dissous dans 35 une solution aqueuse d'acide chlorhydrique à 1 % de manière à représenter 10 % en poids de celle-ci, ce par quoi on a préparé un matériau liquide à base d'I Sn O. Ce matériau liquide à base d'I Sn O a été pulvérisé sur un substrat en verre chauffé à 470 C et on a ainsi préparé plusieurs échantillons comportant des premiers films conducteurs transparents en I Sn O ayant 0,2; 0,4; 0,6; 0,8; 1,0 et 1,6 micron d'épaisseur respectivement Ces premiers films conducteurs transparents avaient des surfaces respectives présentant un diamètre de grain moyen de 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,5 et 0,9 10 micron et présentaient une résistance spécifique de couche conductrice de 18, 11, 7, 5, 4 et 3 ohms, respectivement. Sensiblement de la même manière que dans l'Exemple conforme à l'invention N 1, des couches semi-conductrices de silicium amorphe ont été déposées sur les premières couches conductrices transparentes respectives de ces échantillons pour former leurs électrodes dorsales composées de seconds films conducteurs transparents d'I Sn O seul, chacune ayant une épaisseur O de 700 A, ce par quoi ont été produites les piles solaires 20 respectives Ces piles solaires présentaient une densité de courant en court-circuit I cc de 14,9 18,9 m A/cm comme illustré par la courbe H dans la figure 5. Exemple conforme à l'invention N 5 25 Sensiblement de la même manière que dans l'Exemple conforme à l'invention N 4 des premiers films conducteurs transparents dont les surfaces avaient un diamètre de grain moyen de 0,1 0,9 micron, des couches semi-conductrices en silicium amorphe 30 et des seconds films conducteurs transparents (I Sn O) ont été formés successivement sur les substrats en glace respectifs pour obtenir des échantillons respectifs Ensuite chacun de ces échantillons a reçu un film d'argent d'environ 1 micron d'épaisseur par un procédé de dépôt en phase vapeur par faisceau 35 électronique On a ainsi produit des piles solaires ayant chacune 2 x 2 mm et ayant une électrode dorsale constituée par deux couches de I Sn O et d'argent. Les densités de courant en-court-circuit Icc de ces piles solaires lorsque chacune de celles-ci a reçu un rayon d'un simulateur solaire de AM-1, 100 m A/cm ont été de 16,7 20,2 m A/cm 2 comme illustré par la courbe I dans la figure 5. Exemple conforme à l'invention N 6 Sensiblement de la même manière que dans l'Exemple conforme à l'invention N 4, des premiers films conducteurs transparents (I Sn O) et des couches semi-conductrices en silicium amorphe ont été formés successivement sur des substrats en glace respectifs pour obtenir des échantillons correspondants Ensuite, 15 sensiblement de la même manière que dans l'Exemple conforme à l'invention N 3 chacun de ces échantillons a été préparé de manière que soit formée sur la couche semi-conductrice une électrode dorsale comprenant deux couches de I Sn O et d'aluminium On a ainsi produit des piles solaires respectives ayant chacune 2 x 2 mm Les densités de courant en court circuit de ces piles solaires étaient de 16,1 20 m A/cm 2 comme illustré par la'courbe J dans la figure 5. Exemple de comparaison N 3 Sensiblement de la même manière que dans l'Exemple conforme à l'invention N 4 des couches semi-conductrices de silicium amorphe ont été déposées sur les premiers films conducteurs transparents respectifs dont les surfaces avaient des diamètres 30 de grain variés qui étaient les mêmes que ci-dessus et ensuite, sensiblement de la même manière que dans l'Exemple de comparaison N 1, des électrodes dorsales d'aluminium qui ont été formées sur les couches semiconductrices pour obtenir des piles solaires ayant chacune 2 x 2 mm Ces piles solaires avaient une densité de courant en court-circuit Icc de 13, 9 ,7 m A/cm 2 comme illustré par la courbe K dans la figure 5. Conformément à l'Exemple conforme à l'invention N 1 et à l'Exemple de comparaison N 1 comme cela est clair d'après la figure 3 qui concerne des piles solaires qui ont des diamètres de grain moyen de 0,4 micron pour la surface des premiers films conducteurs transparents, le cas dans lequel l'électrode dorsale est composée seulement du second film conducteur transparent présente une densité de courant de court-circuit accru 10 d'environ 20 % par comparaison avec le cas dans lequel l'électrode dorsale est constituée seulement d'aluminium et dans le cas o l'électrode dorsale est composée du second film conducteur transparent et du film d'aluminium la densité de courant en court-circuit est augmentée d'environ 27 % par com15 paraison avec le cas dans lequel l'électrode dorsale est composée seulement d'aluminium. D'autre part, conformément à l'Exemple de comparaison N 2 comme cela est clair d'après la Figure 4 qui concerne des piles solaires qui ont des diamètres de grain moyen de 0,04 micron pour la surface des premiers films conducteurs transparents, même dans les cas o l'électrode dorsale est constituée par le second film conducteur transparent sans ou avec le film d'argent, la densité de courant de court-circuit est aussi faible que dans le cas o l'électrode dorsale est composée seulement du film d'aluminium. D'après les résultats qui précèdent, on a conclu que l'effet de réflexion du second film conducteur transparent devient important si on utilise un premier film conducteur transparent qui a un diamètre de grain moyen supérieur à 0,1 micron pour la surface du premier film conducteur transparent et celuici devient faible si on utilise un premier film conducteur transparent qui a un diamètre de grain moyen pour sa surface 35 de 0,04 micron. Comme cela est clair d'après la Figure 2 qui concerne des piles solaires dans lesquelles les premiers films conducteurs transparents ont un diamètre de grain moyen supérieur à 0,1 micron, la pile dans laquelle l'électrode dorsale est composée seulement du second film conducteur transparent présente un effet de réflexion plus grand que la pile dans laquelle l'électrode dorsale est composée seulement d'aluminium et, en conséquence, la densité de courant en court-circuit de la première est accrue dans la gamme allant de 7 à 34 % par comparaison avec la dernière et, de plus, la pile dans laquelle l'électrode 10 dorsale est composée du second film conducteur transparent et du film d'aluminium présente une densité de courant en court-circuit relevée à nouveau de 19 % à 41 % par comparaison avec cette dernière pile dont l'électrode dorsale est composée d'aluminium seulement. Ainsi, conformément à l'invention, un premier film conducteur transparent est formé de telle manière que la surface de celuici soit sous forme d'une surface rugueuse c'est-à-dire avec un diamètre de grain moyen dans la gamme de 0,1 à 0,9 micron 20 et de plus l'électrode dorsale est constituée par au moins un second film conducteur transparent de sorte que l'on puisse obtenir une amélioration de la densité de courant en courtcircuit de la pile solaire. Revendications 1 Une pile solaire au silicium amorphe du type dans lequel un substrat transparent est revêtu successivement avec une électrode transparente, une couche semi-conductrice de silicium amorphe et une électrode dorsale, caractérisée en ce que l'électrode transparente est constituée par un premier film conducteur transparent dont la surface est rugueuse avec un diamètre de grain moyen de 0,1 0,9 10 micron et, en ce que l'électrode dorsale est constituée au moins par un second film conducteur transparent. 2 Une pile solaire au silicium amorphe selon la revendica15 tion 1, caractérisée en ce que l'électrode dorsale est constituée par le second film conducteur transparent et un film métallique formé sur celui-ci. 3 Une pile solaire au silicium amorphe selon la revendication 1, caractérisée en ce que la première couche conductrice transparente est un film d'oxyde d'étain. 4 Une pile solaire au silicium amorphe selon la revendication 1, caractérisée en ce que le premier film conducteur transparent est un film d'oxyde d'indium-étain. 5 Une pile solaire au silicium amorphe selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que le second film conducteur transparent est un film d'oxyde d'indium-étain. 6 Une pile solaire au silicium amorphe selon la revendication 2, caractérisée en ce que le film métallique est un film d'argent. 7 Une pile solaire au silicium amorphe selon la revendication 2, caractérisée en ce que le film métallique est un film d'aluminium.