FR 2559958 A1 19850823 FR 8502448 A 19850220 Cette invention concerne des transistors à effetde champ verti- caux et notamrrent à des dispositifs semi-conducteurs métal oxyde à effet de champ. La présente invention concerne plus particulièrementdes dispositifs semi-conducteurs à effet de champ, à double diffusion, comportant des élec- trodes de source et de grille sur une surface d'une pastille semiconductrice et une électrode de drain sur une surface opposée de la pastille. Parailleurs, la présente invention concerne des dispositifs semi-conducteurs à effet de chanp, rrétal-oxyde, à double diffusion (VDMOS) quicomportent trois ou quatre couches semi-conductrices, Ur dispositif semi-conducteur, métal oxyde, à effet de charp, à double diffusion, comprend une pastille semi-conductrice dans laquelle des ré- gions de source, de corps et de drain de type de conductivité alternée sont dis- poséesen série. La régiondecorpsest adjacente àaunesurfacede la pastille et les régions de source et de drain sont placées de façonà définir la longueur et la largeur d'une région de canal dans la région de corps, sur cette surface. Une électrode de grille isolée est disposée sur la surface de la pastille, sur la région de canal. Lors du fonctionnement du dispositif, une tension appropriée sur l'électrode de grille inverse le type deconductivitédelarégionducorpsdans la partiede la région decanalquiestcontigueà la surface dela pastille, afindefor- mer un canal d'inversion contigu à la surface de la pastille. Le reste de la région de canal comprend une région d'épuisenment qui estassociéeaucanal d'inversion. Pour une structure de dispositif particulière, la profondeur de la portion de ré- gion d'épuisement de la région de canal est déterminée par la valeur de la tension appliquée à l'électrode de grille et le canal d'inversion permetune circulation du courant entre les régions de source et de drain. Par conséquent, le fonction- nement du dispositif est décrit comme étant de nature unipolaire, la circulation des électrons ou des trous étant sélectivement modulée par une tension appliquée à la grille. Une structure VDMOS classique est décrite dans le brevet américain No 4 145 700. Untransistor bipolaire parasite NPN ou PNPestinhérentà la struc- ture source/corps/drain d'un dispositifVDMOS. La présence d'unteltransistor parasite étant nuisible auxperformances du transistor à effet de champ, ona effectué de nombreuses tentatives pour réduire son gain. Un exemple d'une telle tentative est décrite dans le brevet américainN 4 072 975. La configuration Z objet de la présente invention se propose de réduire de façon plus efficace les effets du transistor bipolaire parasite. En outre, la structure objet de cette invention peut assurer une plus grande protection à l'encontre desten- sions de perçage et une plus faible résistance à l'état conducteur. Enfin, l'in- vention permet de réaliser un dispositif ayant une tension de seuil qui est infé- rieure à celle d'un dispositif équivalent ne mettant pas cette invention en oeuvre. En conséquence, cette invention a pour objet un dispositif sen-i- conducteur métal-oxyde à effet de chanp verticalqui comprend en série, des régions de source, de corps et de drain, de types de conductivitéalternés, comportant des jonctions PN entre elles, les régions de source et de drain étant espacées de manière à définir latéralementune région de canal dans la ré- gion de corps sur une première surface de la pastille, une électrode de source sur ladite surface de la pastille et une électrode de drain sur une surface oppo- sée de cette pastille, ce dispositif serni-conducteur étant caractérisé en ce qu'il 1 5 comporte une région supplémnentaireirésente untype de conductivité similaire à celui de ladite région de corps, cette région supplémentaire ayant une concen- tration de dopants superficielle élevée par rapport à celle de ladite région de corps et elle s'étend latéralemrentau-dessous d'une portion au moins de ladite région de canal. D'autres caractéristiques etavantages de cette invention ressor- tirontde la description faite ci-après, en référenceaux dessinsannexés, qui en illustrent des exemples de réalisation dépourvus de tout caractère limitatif. Sur les dessins: -la Figure 1 estunevue en coupe d'undispositif semiconducteur vertical, à double diffusion, métal oxyde (VDA2S), comportantdes moyens classiques pour réduire le transistor bipolaire parasite, et -lesFigures 2 et3 sont des vues en coupe de prerrier et second exemples de réalisation d'une structure selon cette invention, incorporée dans un dispositifVDMOS comportant trois ou quatre couches. La Figure 1 représente un dispositif VDMOS 1 0 classique à canal N qui comprendune pastille semi-conductrice 12ayantdes première et seconde surfaces principales opposées 14 et 16, respectivement. Une région de drain de type N, 18 est disposée surlaseconde surface 16 etelle s'étendversla pre- nIère surface 14. La région de drain 18 comprend en outre de façon typique une portion plane 20, de type N+, contiguë à la seconde surface 16 et une portion 25595 58 de drain prolongée 22 de type N-, qui s'étend depuis la portion plane 20 jusqu'à la surface 14, Une région de corps 24 de conductivité du type P, qui forme une jonction PN corps/drain 26, à son interface avec la région de drain prolongée 22, s'étend dans la pastille 12, à partir de lapremière surface 14. La région de corps 24 peut présentertoute configurationgéon-étrique. Par exerrple, la jonction PN corps/drain 26 peut intercepter la prerrière surface 14, sous la for- me d'un hexagone ou d'un carré. Une région de source 28, de typeN+, s'étend dans la pastillel2, à partir de la surface 14, à l'intérieur des limites de la jonction PN corps/drain 26. La région de source 28formeune jonctionPN source/corps 30, àsoninter- face avec la région de corps 24. L'espacement entre la jonction PN source/corps et la jonction PN corps/drain26, sur laprenirre surface 14, définit la lon- gueur d'une région canal32, dans la régionde corps 24, sur la première surface 14. La région de source 28 est enforme de bague (bien que pas nécessairement circulaire) et elle présente une périphérie de forme sensiblement similaire (par exemple carrée ou hexagonale) à celle de la région de corps 24; la périphérie étant sensiblement concentrique (sur la première surface) à la région de corps 24. Une électrode de source 34 est au contact de la région de source 28 sur la pre- nmère surface 14, une électrode de drain 36 est au contactdela portion 20 de type N+ sur la seconde surface 16 et une électrode de grille 38, espacée de la première surface 14 par un oxyde de grille 40, est disposée au-dessus de la ré- gion canal 32. Pendant le fonctionnement du dispositif, l'électrode de source 34 est maintenue de façon typiqueau potentieldela masseet l'électrode de drain 36 est maintenue à un potentiel positif pouvant être, par exemple, compris entre et 2000 volts. Afin d'initier une circulation du courant entre la source et le drain, onapplique à l'électrode de grille 38, unetensionpositive plusgrande qu'une tension de seuil. De façon typique, la tension de seuil est comprise entre environ 1 et 5 volts. Bien que le dispositif 10 fonctionne comme un transistor à effet de champ, la disposition ensérie des régionsde source 28, de corps 24 et de drain 18 crée, de façon inhérente, un transistor bipolaireNPNparasite. Afin de réduire les effets de ce transistor bipolaire,le dispositif 10 est pourvu d'une région de corps 42 detype P+, contiguë à la région de corps 24, detype Pdans laquelle est forrrée la région canal. La région de corps 4Z, de type P+, cons- titue un contact ohnique avec l'électrode de source 34, sur la première sur- face 14. Laprésencedela région de corps 4Z, de type P+, réduit les effets de transistor bipolaire parasite NPN, étant donné qu'elle réduit le gain de ce transistor. Selon une configuration classique optimale, la région42 de type P+, s'étend latéralement (c'est-à-dire dans une directionparallèleà la surface 14), aussi loinque possible, sans s'étendre dans larégion canal32, et elle est centrée dans la région du corps 24. La région 42 de type P+ s'étendjusqu'à uneprofondeur plus grande quecellede la régionducorps24, afin de former une jonction44 P+/N- à l'inter- face de ces deux régions avec la région de drain prolongée 22. Un domaine ty- pique de profondeurs pour la régiondu corps 24 est compris entre 2 et 4microns et un domaine typique de profondeurs pour la région42 de type P+ est compris entre 4 et 8 rricrons. L'interface entre la région42 detype P+ et la région du corps 24 est représentéepar un traitinterrompu46 et on la désigne générale- rrment par l'expression "jonction haut-bas". De façon typique, la région de corps de type P+ est obtenue par dopage et diffusion d'un dopant approprié de type P au travers d'une ouverture d'un masque sur la surface 14. L'ouverture d'un tel masque est située de façon que la jonction haut bas 46, qui estfinalementforrnée, ne s'étende pas dans la région de canal 32. L'emplacement de l'ouverture qui détermine la position de la région de corps 42 de type P+, dans le dispositif 10, est représentée en48 sur laFigure 1. La régionde concentration de crête en dopant dans la région42 de type P+ se situe sur ou près de la surface 14 et elle est latéralement définie par l'ouverture 48. La concentrationen dopant estune fonction monotone décroissante de la dis- tance latérale et de la profondeur à partir de cette régionde concentration de crête en dopant. Les Figures 2 et 3 illustrent des perfectionnements apportés à la struc- ture connue, comportant des dispositifs decanal50 et 150 de type N, mettanten oeuvre la présente invention. Lesportions du dispositif 150 qui correspondent à celles dudispositif50 ont été désignées par une référence sinilaire précédée du chiffre 1. Afin de clarifier la description, ondécrira les caractéristiques essentielles des deuxdispositifs, en se référant au dispositif50 uniquement, étant entendu qu'une description similaire s'applique auxcaractéristiques correspondantes du dispositif 150. Les distinctions entre les dispositifs 50 et sont relatives aux configurations des régions supplémentaires 80 et 180, comme on l'expliquera ci-après. Le dispositif 50 comprend une pastille semi-conductrice 52 ayant des première et seconde surfaces principalesopposées 54 et56, respec- tivement. Cette invention peut également s'appliquer àdes structures à trois ou quatre couches; la portion de la pastille qui estadjacente à la seconde sur- face 56 présente une conductivité relativement élevée et elle peut être consti- tuée d'un matériau soit detypeN+, soit de type P+. Dans un dispositifVDMOS à canalNetà trois couches, cette région de conductivitéélevée, désignée par la référence 58, est constituée d'un matériaudetype N+ et on ladésignepar portion de drain de conductivité élevée. Dans un dispositif VDlvS à canalN et à quatre couches, la région 58 de conductivité élevée, comprend une région de type P+ adjacente à la seconde surface 56, la région de type P+ étant appelée région d'anode. Dans la structure VDMOS, à canal N etquatre couches, la ré- gion anode de type P+, peut s'étendre au travers de toute la région de conducti- vité élevée 58, ou bien la région de conductivité élevée 58 peut comprendreune région anode de type P+, adjacente àla surface 56, comme représentée en 57, et une régionde type N+ surjacente, comme on le voit en 59. Une description d'un tel dispositif à quatre couches (source/corps/drain/anode), connu sous la dénomination de "COMFET" (marque déposée parRCACORPORATION) est faite dans le brevetaméricain N 4 364 073. Il demeure bien entendu également que les types de conductivité de toutes les régions peuvent être inversés de façon à produire des dispositifs VDMOS à canal Payanttrois ou quatre couches. Une région de drain allongée 60, de typeN-, estdisposée sur la portion 58 à hauteconductivité, etelle s'étendversla première surface 54. Une région de corps 62, de type P. s'étend dans la pastille, à partir de la surface 54 et elle forme une jonction corps/drain PN 64 avec la région de drain 60 allongée de type N-. Une région de source 66 de type N+, quiformeune jonction PN source/corps 68 à son interface avec la régionde corps 62, s'étend dans la pastille à l'intérieur des limites de la régiondu corps 62. La jonction source/ corps 68 estdisposée à une profondeur déterminée à partir de la surface 54 et elle est espacée de la jonction corps/drain 64,de manière à définir la longueur d'une région de canal 70, dans la région decorps62, près de la prenière sur- face 54. Comme le dispositif classique 10O, le dispositif 50 selon la pré- sente invention peut corrmporter une régionde corps, de formehexagonale par exemple, et une région de source 66 en forrne de bague hexagonale, comportant une périphérie sensiblement concentrique à la région de corps. Cependant, ainsi qu'on le verra ci-après, les profondeurs de jonctionPN optimales, ainsi que les conductivités des régions particulières peuvent être différentes dans le dispositif 50, par rapport au dispositif classique. Surlapremière surface 54,une électrodede source 72 est au contact de larégion de source66et une électrode degrille 74quirecouvreuniso- lant degrille 76, estdisposée sur larégiondecana170. Dans l'exemplederéali- sation préféré, l'isolant de grille 76 est constitué d'un oxyde et l'électrode de source 72 est en outre au contact de la région du corps 62. Une électrode de drain 78 estaucontact de la portion de type P+ ouN+ de la région 58 de conductivité élevée sur la seconde surface 56 de la pastille. Comme on le voitsur laFigureZ,le dispositif 50cornporteune ré- gion supplémentaire 80 à l'intérieurdes limitesdela régiondecorps 62. La ré- gion supplémentaire 80 estd'un type de conductivité similaire àcelui de la région de corps 62, mais sa concentration de surface en dopant est relativement élevée par rapport à celle de la régiondu corps. L'interface entre la région supplérnen- taire 80 et la région de corps 62 est une jonctionhaut bas et elle est représentée par une ligne interrompue 82. La concentration de crête en dopant, à l'intérieur de la région supplémentaire 80, est située dans une région qui est disposée à une profondeur sensiblement uniforme de la première surface54, comme représentée par la droite pointillée 84. Cette régionde concentration decrête endopant 84 est sensiblement parallèle à la surface 54 de la pastille et elle est située, de façon optimale, à une profondeur qui est sensiblement égale ou supérieure à celle oh est située la jonction 68 source/corps PN. La concentration en dopant à l'intérieur de la région supplémentaire 80 est une fonction monotone décroissante de la dis- tance à partir de la régionde concentration de crête 84. Il est important que la région supplémentaire 80 s'étende latérale- rment en cessous d'une portion de la régionde canal 70 etilest préférableque cette extension latérale soit sous-jacente à la plus grande partie possible de la région de canal. Dans une configuration optimale, la région supplémentaire 80 est voi- sine, rais n'empiète pas sur une portion quelconque de la région du canal 70. Par exenple, dans le dispositif 50, la région de source66peut s'étendre jus- qu'à une profondeur de 0,4micronsà partir de la première surface 54, la profondeur maxirralede la régionde canal 70 peut être de l'ordre de 0,1 à 0,2 microns, la région de concentration de crête 84 de la région supplémen- taire 80 peut être située à uneprofondeur de 0,4- 0,6micronset la jonction haut-bas 82 peut s'étendre latéralement, en-dessous de larégion de canal 70, surune distance de 0,1 à 0,5 microns. Dans le second exemple de réalisation illustré par le dispositif sur la Figure 3, la région supplémentaire 180 n'est pas totalement contenue dans les limites de la région du corps 162. Dans le dispositif 150, la région de concentration de crête en dopant 1 84 est située.à une profondeur sensiblement similaire ou plus importante, comparativenment à la région 84, dans le dispositif , et la régionsupplémentaire 1 80 s'étend latéralement en dessous de toutela régiondecanall70. En outre, comme on levoit sur la Figure 3, le contour de la jonction corps/drain PN 164, peut s'étendre latéralement sur une distance plus importante. D'autres modes de réalisation peuvent être envisagés sans sor- tir du cadre de l'invention. Par exemple, on peut prévoir une région supplémen- taire qui prolonge la profondeur de la jonctionPN corps/drain 64 ou 164 et/ou qui englobe une jonction haut-bas 82 ou 182, qui intercepte la première surface 54 ou 154 de la pastille. Quelque soit le mode de réalisation, la région supplémentaire ou 180, est obtenue par une implantation d'ions selonun dosage et une tension appropriés pour obtenirune concentrationde crête dans les régions 84 ou 184. Lebord des électrodes de grille 74 ou 174 (ainsid'ailleurs que les bords des matériaux sous-jacents et sur-jacents respectivement) peut êtreutilisé pour déterminer les emplacements des ouvertures d'un masque d'implantation, lors- qu'on réalise une telle implantation d'ions. L'amplitude latérale des régions supplémentaires 80 et 1 80 est déterminée par l'implantation d'énergie, le dosage, le type et l'étendue du recuit ultérieur. Selonun exemple de séquence de traitement d'une pastille de sili- cium, suivant la formation des portions à conductivité élevée 58 ou 158, compor- tant une couche 60 ou 160 de type N-, et la formation et la définition de l'isolant de grille 76 ou 176 et de l'électrode de grille 74 ou 1 74, les régions 62 ou 162 de type Ppeuvent être formées endopant sélectivement lapastille dans des zones non couvertes par l'électrode de grille, l'isolant de grille et d'autres couches de masquage etparune diffusion ultérieure. De préférence, la région de source 66 ou 166 et la région supplémentaire 80 ou 180 sont ensuite formnées par implantation d'ions, autravers de la même ouverture (ou des mêmes ouver- tures) de l'électrode de grille et de l'isolant de grille. Les caractéristiques essentielles d'une séquence detraitement typique sont les suivantes: 1) implantationionique d'arsenic (qui estundopant de typeN) ; 2) recuit et diffusion; 3) implantation ionique relativement profonde de bore (qui est un dopant de type P); 4) recuit partiel. Une variante de cette séquence pourrait être la suivante: 1) implantationionique relativement profondedebore 2) recuit et diffusion; 3) implantationionique d'arsenic; 4) recuit. Les types de dopants indiqués, arsenic et bore, sont choisis parce que lebore diffuse à une vitesse nettement plusimportante que l'arsenic. Par ailleurs, le bore est choisi en raison de sa profondeur de pénétration rela- tivement élevée (c'est-à-dire son "domaine prévu"), lors de l'irnplantation d'ions. A ce domaine, de pénétration prévu s'ajoute une propagation latérale de la dose implantée au-delà des dimensions de l'ouverturedumasqueau-travers de la- quelle ona effectué l'implantation. Une concentration de crête du bore doit être comprise sensiblement dans un domaine compris entre 1018 etl 0 cm-3. L'une ou l'autre des séquences décrites ci-dessus permet de produire une séquence dans laquelle la diffusion latérale du dopant de type Pest plus grande que celle du dopant de type N. Etant donné que les implantations de la région de source et de la région supplémentaire sont réalisées autravers de la mâme ou des mêmes ouvertures, elles sontalignées automatiquement les unes par rapport auxautres. On notera que l'on peut choisir délibérément de ne pas effectuer un recuit totalaprès l'irnplantation de bore, dans l'une ou l'autre séquence. Si l'on opèreainsi, l'endommagement cristallographique qui demeure peut êtreutilisé pour réduire encore la durée de vie et la mobilité des porteurs dans les régions supplémentaires 80 et 180 et ilpeut en outre servir à réduire le gain du transistor bipolaire parasite. Les dispositifs 50 et 150 assurent une suppression plus efficace du transistor bipolaire parasite que les dispositifs classiques, étant donné qu'une portion de type P+ de la région du corps est située plus près d'une portion de la région de canal et sous cette région. En outre, l'emplacement spécifique des régions supplémentaires 80 et 180 assure une meilleure pro- tection à l'encontre des perç,ages des dispositifs. Le perçage, qui est un phé- nornène bien connu et indésirable, tend à se produire sur la portion des jonc- tions PN source/corps présentant le plus petit rayon de courbure. Sur la Fi- gure 1, les zones de petit rayon de courbure de la jonction PN source/corps 30 sont désignées par la référence 88. Sur les Figures 2 et 3, les zones de petit rayon de courbure sont désignées par les références 98 et 198 respec- tivement. Ces zones 88, 98 et 198 sont situées près des portions les plus pro- fondes des régions de source Z8, 66 et 166. La tension de perçage est déterminée par la concentration de type P (dans une structure NPN) adjacente aux zones de petit rayon de courbure. Dans les dispositifs 50 et 150, la présence des régions supplémentaires de type P+, 80 et 180, dans ces zones diminue la probabilité des perçages dans ces zones, c'est-à-dire que la tension provoquant les perçages diminue. En outre, on suppose que dans les dispositifs 50 et 150, la tension de perç,age dépend peu, ou plus du tout, de la concentration de type P dans les régions de corps 62 et 162, étant donné que cette portion de conductivité relativement faible des régions du corps respectives n'est plus adjacente aux portions de petit rayon de courbure de la région de source. Dans le dispositif classique 10, la concentration de type P dans la région du corps 24 doit être maintenue à un certain niveau pour obtenir une tension de perçage plus grande que la tension de rupture source/drain. Dans le dispositif 50 selon cette invention, cette contrainte n'existe plus. Par con- séquent, cette invention permet de réduire la concentration de type P dans la région du corps, dans la région de canal 70 et 170, ce qui autorise une tension de seuil inférieure sans sacrifier à la sensibilité du perçage. Un autre avantage potentiel de la présente invention existe au con- tact de l'électrode source avec la région de source. Alors que dans le dispo- sitif classique 10, une portion de la région de source 28 est contredopée avec des impuretés de type P lors de la formation de la région de corps 42 de type P+, ce contre-dopage n'existe pas dans les régions de source 66 et 166 de la présente invention. Par conséquent, la résistance de contact entre l'électrode de source 72 ou 172 et la région de source respective 66 ou 166, dans les dis- positifs 50 et 150, est plus faible que la résistance de contact entre l'électrode de source 34 et la région de source 28 dans le dispositif 10, On notera que la présente inventioni peut être, si on le désire, incorporée dans le dispositif 10, afin de constituer un dispositif avec une ré- gion de corps classique de type P+ 42 et une région supplémentaire de type P+ ou 180. Bien qu'une telle structure n'assure pas la résistance de contact réduite d'électrode de source indiquée ci-dessus, elle procure encore une meilleure suppression de transistor bipolaire parasite, une protection amé- liorée à l'encontre des perçages et la possibilité d'une tension de seuil réduite. Lorsque l'invention est incorporée dans un dispositif VDMOS à canal P. il est recommandé d'utiliser du bore comme dopant de région de source de type P et du phosphore comme dopant de région supplémentaire de type N. Bien que ces deux types de dopants présentent des vitesses de diffusion similaires, le phosphore peut être implanté avec un domaine prévu plus im- portant, afin d'obtenir la structure désirée, en utilisant les paramètres et les équipements d'implantation appropriés. Il demeure bien entendu que cette invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation décrits et représentés, mais qu'elle en englobe toutes les variantes. 1l REVENDICATIONS 1 -.Dispositif semi-conducteur métal-oxyde à effet de champ vertical qui comprend en série, des régions de source, de corps et de drain, de types de conductivité alternés, comportant des jonctions PN entre elles, les régions de source et de drain étant espacées de manière à définir latéra- lement une région de canal dans la région de corps sur une première surface de la pastille, une électrode de source sur ladite surface de la pastille et une électrode de drain sur une surface opposée de cette pastille, ce dispositif semi-conducteur étant caractérisé en ce qu'il comporte une région supplémen- qui taire (80-180)présente un type de conductivité similaire à celui de ladite ré- gion de corps (62-162), cette région supplémentaire ayant une concentration de dopants superficielle élevée par rapport à celle de ladite région de corps et elle s'étend latéralement au dessous d'une portion au moins de ladite région de canal (70-170). 2 - Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caracté- risé en ce que la région de corps (62-162) s'étend dans la pastille à partir de la première surface (54-154) et elle est limitée par la région de drain (60-160) et, en ce que la région de source (66-166) s'étend sur une profondeur déter- minée dans la pastille, à partir de ladite première surface (54-154), à l'in- térieur des limites de la région de corps. 3 - Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la- dite région supplémentaire (80-180) comprend une région de concentration de crête de dopant (84-184) qui est sensiblement parallèle à la première surface (54-154) et qui est située à une profondeur sensiblement similaire à ladite profondeur déterminée de la jonction PN source/corps (68-168). 4 - Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la- dite région supplémentaire comprend une région de concentration de crete de dopant (84-184) qui est sensiblement parallèle à la première surface (54-154) et qui est située à une profondeur sensiblement égale ou plus grande que celle de ladite profondeur prédéterminée de la jonction PN source/corps (68-168) . 5 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la- dite région de drain (60-160) est disposée sur une couche d'un type de conduc- tivité similaire (58-158) et en ce que cette couche de conductivité similaire est adjacente à la surface opposée (56-156) de la pastille. 6 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la- dite région de drain (60-160) est disposée sur une couche d'un type de conduc- tivité opposé (58-158) et en ce que cette couche de conductivité opposée est adjacente à ladite surface opposée (56-156) de la pastille, 7 Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur métal- oxyde à effet de champ vertical, qui consiste à partir d'une pastille semi- conductrice comportant une région de drain d'un premier type de conductivité adjacente à une surface de cette pastille, à former un masque perforé sur la- dite surface à faire diffuser un dopant d'un second type de conductivité dans la pastille, au travers d'une ouverture du masque, afin de former une région de corps et une jonction PN corps/drain et à faire diffuser un dopant d'un premier type de conductivité dans la pastille au travers de ladite ouverture du masque de façon à former une région de source et une jonction PN source/corps, la- dite jonction PN source/corps s'étendant jusqu'à une profondeur déterminée à partir de ladite surface de la pastille et étant espacée de la jonctionPN - corps/drain, de manière à définir une région de canal sur ladite surface, ce procédé étant caractérisé en ce qu'on implante un dopant supplémentaire d'un second type de conductivité dans la pastille, au travers de ladite ouverture et ensuite on soumet la pastille à un recuit, de manière à créer une région sup- plémentaire présentant une concentration superficielle de dopants relativement élevée, cette région supplémentaire s'étendant en dessous d'une portion au moins de ladite région de canal. 8 - Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'on réa- lise l'implantation dudit dopant supplémentaire, de manière que la concentra- tion de crête-en dopant dans la région supplémentaire soit adjacente à la jonc- tion PN source/corps, à l'endroit de ladite profondeur prédéterminée. 9 - Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit masque perforé comprend une électrode de grille isolée. - Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la vitesse de diffusion dudit dopant supplémentaire du second type de conducti- vité est plus rapide que celle du dopant du premier type de conductivité. 11 - Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le domaine prévu pour le dopant supplémentaire du second type de conductivité est plus grand que celui en dopant du premier type de conductivité. 12 - Procédé pour fabriquer un dispositif canal de type N, con- forme au procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite pas- tille semi-conductrice est en silicium, en ce que le dopant supplémentaire de second type de conductivité est du bore et en ce que le dopant de premier type de conductivité est de l'arsenic. 13 - Procédé pour fabriquer un dispositif canal de type P, con- forme au procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la pastille semi-conductrice est en silicium, ledit dopant supplémentaire du second type de conductivité est du phosphore et le dopant du premier type de conductivité est du bore.