FR 2557372 A1 19850628 FR 8320846 A 19831227 PROCEDE D'EBASAGE D'UN DISPOSITIF PHOTOSENSIBLE A L'ETAT SOLIDE La présente invention concerne les dispositifs photosensibles à l'état solide, plus particulièrement les dispositifs photosensibles à l'état solide fonctionnant en infrarouge. Les dispositifs photosensibles actuellement utilisés sont cons- titués principalement par un ensemble de N photodétecteurs con- nectés par l'intermédiaire d'une zone de transition à un multi- plexeur constitué de préférence par un registre à décalage à transfert de charge à N entrées parallèles et une sortie série. De manière plus spécifique, et comme représenté sur les figures 1 et 2a qui sont respectivement une vue en coupe transversale et une vue en plan de dessus d'un dispositif photosensible de l'art antérieur cons- titué principalement par un circuit hybride, à savoir un circuit dans lequel les photodétecteurs sont réalisés sur un premier substrat tandis que la zone de transition et le registre à décalage sont réalisés sur un second substrat 2, les photodétecteurs utilisés sont des photodiodes 1 dont l'anode A reçoit une tension de polarisation VSD tandis que la cathode K est reliée par une connexion à la zone d'intégration des charges. La zone d'intégration des charges com- porte une diode de lecture D constituée par une diffusion de type opposé à celui du substrat 2. Cette diode D est reliée par une connexion 3 à la cathode K de la photodiode 1. Une grille de contrôle GC sépare chaque diode D d'une capacité C de stockage des charges constituée par une grille GST, une couche d'isolant et le substrat. Sur les figures, par souci de clarté, on n'a pas représenté la couche d'isolant qui sépare les diverses grilles de la surface du substrat semiconducteur 3. Une grille de transfert GT sépare chaque capacité C d'un étage GCCD du registre à décalage à transfert de charge R à entrées parallèles et à sortie série. Cependant un registre à décalage à transfert de charge présente l'inconvénient d'avoir une possibilité de stockage limitée, ce qui limite, en conséquence, la charge maximale qui peut être transférée à partir des capacités de stockage dans ledit registre. Ceci est particulièrement génant dans le cas de l'infrarouge. En effet, dans ce cas on lit des variations de température et l'information utile se superpose à une charge de fond qui peut être relativement importante mais qui est inintéressante au point de vue du signal. En conséquence, on a proposé d'éliminer au moins une partie de cette charge de fond avant de la transférer dans le registre à 0 décalage. Pour réaliser cet ébasage et comme représenté sur la figure 2a, on prévoit sur le côté de chaque grille de stockage GST une grille GR et une diffusion DR de type opposé à celui du substrat reliée à une tension de remise à zéro VR, la grille GR étant commandée par un potentiel qui est porté à un niveau haut une fois réalisé le transfert des charges dans le registre à décalage, pour remettre à niveau la capacité de stockage correspondante. On expliquera maintenant le fonctionnement de ce dispositif avec référence à la figure 2b qui représente les potentiels de surface des différents éléments de la figure 2a dans le substrat 2. Pendant l'intégration, les photo-électrons e- délivrés par la photo- diode sont stockés sous la grille de stockage GST. Pendant cette période d'intégration des charges, le transistor MOS T de remise à niveau dont la source induite est constituée par la capacité de stockage, la grille par la grille GR et le drain par la diffusion DR est bloqué, à savoir la grille GR est à un niveau bas. A la fin du temps d'intégration on obtient sous la grille de stockage GST une quantité de charges Q qui peut être exprimée sous la forme QO + Q1 dans laquelle QO désigne la partie de la charge de fond ou piedestal qui peut être éliminée. On abaisse alors la barrière de potentiel sous la grille de transfert GT jusqu'au niveau V1 indiqué en pointillés sur la figure 2b de façon que la charge Q1 soit transférée sous l'étage GCCD du registre à décalage. On amène ensuite la barrière de potentiel sous GR à un niveau haut en augmentant la tension de polarisation de cette grille de manière à rendre passant le transistor MOS T de remise à niveau, ce qui permet d'évacuer la charge QO vers la tension de remise à zéro VR. Les barrières de potentiel sous les grilles GR et GT sont ramenées à un niveau bas et une nouvelle intégration des charges commence. Ce procédé d'ébasage présente comme principal inconvénient de nécessiter une grille GR et une diffusion DR pour chaque point de couplage photodiode-multiplexeur ainsi que des connexions sup- plémentaires pour polariser ces deux éléments. Ceci entraine une augmentation de la surface du circuit de lecture. Un autre incon- vénient de ce procédé d'ébasage se situe au niveau de l'électronique de commande qui doit comporter deux tensions de plus et au niveau des connexions qui comportent deux fils de plus. En conséquence, la présente invention a pour but de proposer un nouveau procédé d'ébasage qui permet de réaliser la même fonction sans compliquer la structure du dispositif photosensible à l'état solide. La présente invention a pour objet un procédé d'ébasage pour dispositif photosensible à l'état solide comportant N photodétecteurs réalisés sur un premier substrat et connectés par l'intermédiaire d'une zone de transition comportant au moins une zone de stockage et une grille de transfert et d'un multiplexeur du type à transfert de charge, à un étage de lecture, dans lequel au moins la zone de transition et le multiplexeur sont réalisés sur un second substrat, caractérisé en ce que l'on polarise le second substrat à une tension négative par rapport à celle du premier substrat- puis après avoir réalisé l'intégration des charges et leur transfert dans le multi- plexeur de la manière usuelle en laissant une charge QO dans la zone de stockage, on polarise la grille de transfert pour que le potentiel sous cette grille soit inférieur à la tension de polarisation du premier substrat et la grille de stockage pour que le potentiel sous cette grille soit compris entre la tension de polarisation du premier substrat et le potentiel sous la grille de transfert afin d'évacuer la charge QO vers les photodétecteurs. Pour que l'invention puisse s'appliquer, il est nécessaire de pouvoir polariser différement le substrat semiconducteur portant les détecteurs et celui portant les zones d'intégration et le multi- plexeur. En conséquence la présente invention s'applique particu- lièrement bien aux dispositifs photosensibles constitués par un circuit hybride dans lequel le substrat portant les photodétecteurs est indépendant du substrat portant les zones d'intégration. Toutefois, la présente invention peut aussi s'appliquer à un dispositif photosensible réalisé sur un seul substrat semiconducteur. Dans ce cas, la partie du substrat portant les photodétecteurs et celle portant les zones d'intégration et le multiplexeur sont séparées par exemple à l'aide de caissons d'isolement pour pouvoir être polarisées différement. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description faite ci-après avec référence aux dessins ci-annexés dans lesquels: - la figure 1, déjà décrite, est une vue en coupe transversale d'un dispositif photosensible à l'état solide conforme à l'art antérieur; - les figures 2a et 2b, déjà décrites, sont respectivement une vue en plan de dessus d'un dispositif photosensible de l'art antérieur comportant au niveau de chaque zone de stockage un moyen d'évacuation des charges pour permettre la mise en oeuvre du procédé d'ébasage actuellement utilisé et la figure 2b représente les potentiels de surface dans le substrat lors de l'utilisation dudit procédé d'ébasage. - les figures 3a à 3f sont respectivement une vue en coupe schématique d'un mode de réalisation d'un dispositif photosensible à l'état solide utilisé pour la mise en oeuvre du procédé de la présente invention et des schémas montrant lévolution en fonction du temps des potentiels de surface dans le substrat; - les figures 4a et 4b sont les caractéristiques tension-courant des photodiodes respectivement lors de l'intégration des charges et lors de l'évacuation de la charge QO; - les figures 5a et 5b sont des diagrammes fonction du temps des tensions appliquées sur la grille de tranfèrt GT et sur la grille GST de stockage des charges. Sur les différentes figures les mêmes repères désignent les mêmes éléments, mais pour des raisons de clarté, les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectées. La figure 3a représente une vue en coupe d'un dispositif photosensible utilisé pour la mise en oeuvre du procédé d'ébasage de la présente invention. Ce dispositif photosensible présente une structure identique à un dispositif photosensible de l'art antérieur ne comportant pas de transistor MOS d'évacuation des charges. Le dispositif photosensible de la figure 3a est un circuit hybride, à savoir un circuit dans lequel les photodiodes 1 sont intégrées sur un premier substrat tandis que la zone de transition et le registre de lecture à transfert de charge sont réalisés sur un second substrat. Ce type de circuit est plus particulièrement employé dans le domaine infrarouge. Dans ce cas, le premier substrat sur lequel sont réalisées les photodiodes 1 est constitué, de préférence, par du téllurure de cadmium et de mercure,du tellurure d'étain et de plomb ou de l'antimoniure d'indium. De même le substrat 3 est de préférence réalisé en silicium de type P dans le cas de photodiodes à anode commune. Toutefois, il pourrait être réalisé en silicium de type N dans le cas de photo- diodes à cathode commune ou en tout autre matériau semicon- ducteur équivalent tel que l'arséniure de gallium. Comme représenté sur la figure 3a, le substrat des photo- diodes 1 est polarisé à une tension V5D qui,dans le mode de réalisation représenté, est choisie égale à la masse. De même le substrat 2 sur lequel sont réalisés la zone de transition et le registre à décalage à transfert de charge, est polarisé à une tension VSM qui, conformément à la présente invention, est choisie pour être néga- tive par rapport à la tension du premier substrat. Par exemple, la tension VSM peut être choisie égale à - 3 Volts. D'autre part, la zone de transition et le registre à décalage sont identiques à la zone de transition et au registre à décalage à transfert de charge du dispositif photosensible représenté à la figure 1. En conséquence la zone de transition comporte, de manière connue, des diodes D constituées par une diffusion de type N réalisée dans le substrat en silicium de type P, une grille de contrôle Gc séparant les diodes D des capacités de stockage des charges C réalisées sous la grille GST polarisée par une tension VST et une grille de transfert GT polarisée par une tension VT portée alternativement à un niveau haut et à un niveau bas qui sépare la zone de stockage des étages GCCDdu registre à décalage R. On expliquera maintenant le procédé d'ébasage conforme à la présente invention avec référence aux figures 3b à 3f, 4a et 4b et à la figure 5. Comme représenté sur la figure 3b et sur la figure 5, pendant le temps t1 on procède à l'intégration des photoélectrons sous la grille de stockage GST. Pendant cette période, la grille de transfert GT est à un niveau bas, à savoir par exemple, au potentiel VSM du second substrat et la grille de stockage GST des charges est polarisée au niveau haut. Le fonctionnement est le même qu'avec le procédé d'ébasage décrit avec référence aux figures 1 et 2. On peut voir sur la figure 4a que le point de fonctionnement P de la photodiode 1 se situe à l'intersection de la caractéristique courant- tension a de la photodiode 1 et de celle b du transistor MOS d'entrée constitué par la diode D, la grille de contrôle GC et la grille de stockage GST. Habituellement la tension du point de fonctionnement Vp est négative et de l'ordre de quelques dizaines de millivolts. D'autre part, dans le mode de réalisation représenté, le potentiel sous la grille GT a été choisi pour être négatif par rapport à la tension de polarisation VSD du premier substrat mais ceci est facultatif. En fait, le potentiel sous la grille de transfert GT doit être choisi pour être inférieur ou égal à VSD. Pendant le temps t2, on transfert sous la grille GccDdu registre à décalage R, une partie Q1 de la charge intégrée dans la zone de stockage. Pour cela, on porte le potentiel sous la grille de transfert GT à un niveau haut tel que le potentiel sous GT soit inférieur au potentiel sous la grille de stockage GST comme repré- senté à la figure 3c. La quantité de charges QO restant sous la grille de stockage GST ne dépend donc que des polarisations relatives entre la grille de transfert GT et les grilles de stockage GST. Ceci correspond à l'opération d'ébasage. Comme représenté sur la figure 3d, on ramène ensuite pendant le temps t3 la barrière de potentiel sous la grille GT à un niveau haut supérieur à la tension VSD. La charge Q1 qui a été transférée sous la grille GCCD du registre à décalage peut alors être évacuée par le registre à décalage à transfert de charge vers l'étage de lecture. On abaisse ensuite pendant le temps t4, le potentiel de la grille de stockage GST de telle sorte que le potentiel qui existerait sous cette grille en l'absence de charge soit compris entre VSD et le potentiel sous la grille de transfert GT, comme représenté à la figure 3e. La charge Qo est alors refoulée dans les photodiodes 1 dont les points de polarisation se déplacent puisque le courant change de sens dans les photodiodes comme représenté sur la figure 4b. Pour que cette opération soit possible, il est donc nécessaire que on puisse établir sous la grille de stockage VST un potentiel négatif par rapport à la tension de polarisation du premier substrat pour que la charge QO puisse retourner sous la photodiode correspondante et que l'on puisse établir sous la grille de transfert GT un potentiel encore plus négatif pour éviter que Qc ne soit transférée vers le registre à décalage. Ensuite, comme représenté sur la figure 3f, les polarisations de la grille de stockage GST et de la grille de transfert sont ramenées aux valeurs qu'elles avaient à la figure 3b et le cycle d'intégration suivant commence. La présente invention a été décrite en se reférant, pour le dispositif photosensible à l'état solide, à un circuit hybride utilisé en particulier dans le domaine de l'infrarouge.Toutefois comme men- tionné dans l'introduction,la présente invention peut aussi s'ap- pliquer à un dispositif photosensible réalisé sur un seul substrat semiconducteur dans lequel la partie du substrat sur laquelle sont intégrées les photodiodes est séparée de la partie du substrat sur laquelle sont intégrés la zone de transition et le registre à décalage à transfert de charge par des caissons d'isolement par exemple, pour pouvoir polariser ces deux parties à des tensions différentes. D'autre part, le procédé d'ébasage de la présente invention peut être utilisé dans tous les cas o le signal utile se superpose à une charge de fond ou piedestal quel que soit le rayonnement électromagnétique à détecter. REVENDICATIONS 1. Un procédé d'ébasage pour un dispositif photosensible à l'état solide comportant N photodétecteurs (1) réalisés sur un premier substrat et connectés par l'intermédiaire d'une zone de transition comportant au moins une zone de stockage réalisée sous une grille de stockage (GST) ainsi qu'une grille de transfert (GT)et d'un multiplexeur (R) du type à transfert de charge, à un étage de lecture, dans lequel au moins la zone de transition et le multiplexeur sont réalisés sur un second substrat (2) caractérisé en ce que l'on polarise le second substrat (2) à une tension (VsM) négative par rapport à celle (VsD) du premier substrat, puis après avoir réalisé l'int-gradon des charges et leur transfert dans le multiplexeur de la manière, -uelle en laissanrt une charge Q0 dans la zone de stockage, on polarise la grille de transferr (GdT pour que le potentiel sous cette grille soit inférieur à la tension de polarisation du premier substrat (VSD), puis on polarise la grille de stockage (GST) pour que le i5 potentiel sous cette grille soit compris entre la tension de polari- sation du premier substrat et le potentiel sous la grille de transfert afin d'évacuer la charge Q0 vers les photodétecteurs (1). 2. Un procédé d'ébasage selcn la revendication 1, caractérisé en ce que le potentiel sous la grille de transfert (GT) pendant l'évacuation de la charge QO est choisi égal à la tension de polarisation (VSM) du second substrat. 3. Un procédé d'ébasage selon l'une quelconque des reven- dications 1 et 2 caractérisé en ce que la tension (VSD) du premier substrat est égale à la masse. 4. Un procédé d'ébasage selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 3, caractérisé en ce que les photodétecteurs, la zone de transition et le registre à décalage sont réalisés sur un même substrat séparé en un premier et un second substrats par des moyens d'isolement.