FR 2548456 A1 19850104 FR 8310719 A 19830629 Rétine de photodétecteurs adressables L'invention concerne une rétine de photodétecteurs adressables permettant à un abonné de sélectionner un signal optique parmi un certain nombre de signaux optiques émis chaeun par une source lumineuse 5 différente, qui peut être par exemple une fibre optique délivrant un signal analogique ou numérique, chaque source lumineuse illuminant un photodétecteur de la rétine. On eonnatt, notamment par les brevets français no 2 441 309 et 2.445 678 une rétine de photodétecteurs sous forme matricielle Chaque 10 ligne est reliée à un canal commun de sortie à travers un transistor déblocable par une tension appliquée sur sa grille à l'aide d'une liaison de commande de sélection de ligne, et chaque photodétecteur est relié à une ligne par l'intermédiaire d'un transistor; tous les transistors affectés à tous les photodéteeteurs d'une même colonne ont leur grille 15 reliée à une liaison de eommande de colonne; une tension de commande appliquée sur la liaison de commande de Colonne permet donc de relier dans la colonne le photodétecteur correspondant à la ligne séleetionnée. Lorsque le photodétecteur ainsi sélectionnd reçoit un signal lumineux, un eourant circule dans le canal commun de sortie, Dans une telle rétine 20 de photodétecteurs, les photodétecteurs non sélectionnés ne peuvent écouler les charges créées lorsqu'ils reçoivent un signal optique, puisque les transistors qui les relient aux lignes sont normalement bloquées, sauf ceux de la colonne sélectionnée; il est donc nécessaire que les transistors reliant les lignes au canal commun de sortie soient 25 effectivement bloqués ce qui nécessite que leur courant de fuite soit nul ou très faible pour ne pas transmettre le courant des photodétecteurs de la colonne sélectionnée, ou encore le courant des photodétecteurs des autres colonnes si le transistor qui relie chacun d'eux à une ligne n'est pas bloqué, c'est-à-dire si son courant de fuite n'est pas nul ou très 30 faible; dans le cas des photodétecteurs appartenant à la ligne sélectionnée leur courant viendrait perturber le courant du photodétecteur sélectionné si le transistor qui relie chacun d'eux à ladite ligne n'est pas bloqué. La présente invention a pour but une rétine de photodétecteurs 35 adressables ne présentant pas les inconvénients de la rétine connue, et -2 qui soit facilement réalisable sous forme de circuit intégré. L'invention a pour objet une rétine de photodétecteurs adressables, sous forme matricielle, comportant une liaison de sortie commune à tous les photodétecteurs, des liaisons d'adressage de ligne, des liai5 sons d'adressage de colonne, chaque photodétecteur étant relié à la masse, caractérisé par le fait qu'à chaque photodétecteur est associé un circuit d'adressage comportant des premiers moyens pour relier le photodétecteur à la liaison de sortie, des deuxièmes moyens pour relier le photodétecteur à une liaison de polarisation commune à tous les photo10 détecteurs et reliée à une source de tension continue, des troisièmes moyens pour commander les deuxièmes moyens et reliés à la liaison de polarisation et à la masse, et des quatrièmes moyens pour commander les premiers et troisièmes moyens, reliés à une liaison d'adressage de ligne, à une liaison d'adressage de colonne et à la masse, les premiers, 15 troisièmes et quatrièmes moyens étant bloqués et les deuxièmes moyens étant passants en l'absence de signal sur les liaisons d'adressage de ligne et de colonne, les premiers, troisièmes et quatrièmes moyens étant passants et les deuxièmes moyens étant bloqués lorsqu'un signal est appliqué sur les liaisons d'adressage de ligne et de colonne pour la 20 sélection du photodétecteur associé au circuit d'adressage. L'invention va être décrite ci-après à l'aide d'exemples de réalisation illustrés par les figures annexées dans lesquelles: la figure 1 est un schéma électrique d'une rétine de l'invention, la figure 2 est un schéma électrique d'une cellule de la rétine 25 de la figure 1, la figure 3 est une variante du schéma électrique d'une cellule de la rétine de la figure 1, la figure 4 représente une première réalisation, sous forme de circuit intégré, d'une rétine avec une cellule de la figure 2, 30 la figure 5 est une coupe selon V-V de la figure 4 la figure 6 représente schématiquement une partie d'une rétine conforme à la première réalisation, La figure 7 représente une deuxième réalisation, sous forme de circuit intégré, d'une rétine avec une cellule de la figure 2, 35 la figure 8 est une coupe selon VIII-VIII de la figure 7, la figure 9 représente schématiquement une partie d'une rétine conforme à la deuxième réalisation, la figure 10 représente un exemple de réalisation, sous forme de circuit intégré, d'une rétine avec une cellule de la figure 3. La figure 1 représente une rétine de photodétecteurs de l'invention, sous forme matricielle ayant m lignes et N colonnes et constituée de cellules 1, identiques, comportant chacune un photodétecteur, qui est une photodiode, et un circuit d'adressage La matrice comporte des liaisons d'adressage de ligne, Y 1, Y 2, Ym, des liaisons d'adressage de 10 colonne, X 1, X 2, Xn, une liaison de sortie LS commune à toutes les cellules et une liaison de polarisation LP commune à toutes les cellules. Chaque cellule 1 est donc reliée à une liaison d'adressage de ligne, à une liaison d'adressage de colonne, à la liaison de sortie et à la liaison de polarisation; elle est en outre reliée à la masse, une telle 15 liaison n'étant pas représentée sur la figure 1 afin de ne pas la surcharger La liaison de polarisation LP est reliée à un potentiel positif d'une source de tension continue, également non représentée. La figure 2 représente un exemple de réalisation d'une cellule 1 de la figure 1 La cellule comprend une photodiode PhD et un circuit 20 d'adressage constitué par quatre transistors T 1, T 2, T 3, T 4 du type MOS, à canal N, normalement bloqués, et deux résistances R 1, R 2 La photodiode PhD est reliée d'une part à une ligne de masse M et d'autre part à la liaison de sortie LS par le transistor T 1 et à la liaison de polarisation LP par le transistor T 3 Le transistor T 2 est en série avec 25 la résistance R 1, le transistor étant relié à la liaison d'adressage de ligne Y, la résistance étant reliée à la ligne de masse M; la grille du transistor T 2 est reliée à la liaison d'adressage de colonne X; un point commun à la résistance R 1 et au transistor T 2 est relié à la grille du transistor T 1 Le transistor T 4 est en série avec la résistance R 2, le 30 transistor étant relié à la ligne de masse M, la résistance étant reliée à la liaison de polarisation LP; un point commun à la résistance R 2 et au transistor T 4 est relié à la grille du transistor T 3; la grille du transistor T 4 est reliée à un point commun au transistor T 2 et à la résistance R 1. Lorsque la cellule n'est pas sélectionnée, donc en l'absence de tout signal sur les liaisons d'adressage de ligne Y et de colonne X, les transistors T 1, T 2 et T 4 sont bloqués et le transistor T 3 est passant; la photodiode PhD étant illuminée son courant s'écoule par le transistor T 3 et la liaison de polarisation LP reliée à une source de 5 tension continue Lorsque la cellule est sélectionnée par un signal positif sur chacune des liaisons d'adressage de ligne Y et de colonne X, le transistor T 2 devient passant, ce qui rend les transistors T 1 et T 4 passants; le transistor T 4 étant passant le potentiel de la grille du transistor T 3 baisse pour devenir voisin de celui de la ligne de masse M 10 ce qui bloque le transistor T 3 Le courant de la photodiode PhD s'écoule à travers le transistor T 1 dans la liaison de sortie LS, cette liaison étant par exemple reliée à un préamplificateur pour amplifier le courant de la photodiode PhD, ce courant correspondant au signal lumineux reçu par la photodiode. Dans la figure 1,, lorsqu'aucune des cellules n'est sélectionnée, il n'y a donc pas courant dans la liaison de sortie LS; par contre le courant des photodiodes des cellules qui reçoivent un signal lumineux s'écoule par la liaison de polarisation LP Lorsqu'une cellule est sélectionnée seul le courant de la photodiode de cette cellule est 20 acheminé par la liaison de sortie LS. La figure 3 représente une variante de réalisation d'une cellule 1 de la figure 1 Dans cette figure on retrouve les mêmes éléments, photodiode PhD, transistors T 1, T 2, T 3, T 4 que ceux de la figure 2; par contre les résistances R 1 et R 2 sont remplacées par deux transistors T 5, 25 T 6, respectivement, également de type MOS à canal N; le transistor T 5 est en série avec le transistor T 2, et sa grille étant reliée au transistor T 2, ce transistor T 5 devient passant lorsque le transistor T 2 est débloqué, et se comporte alors comme une résistance; le transistor T 6 est en série avec le transistor T 4, et sa grille étant reliée à la 30 liaison de polarisation LP, ce transistor T 6 est toujours passant et se comporte comme une résistance Le fonctionnement de cette cellule est identique à celui de la cellule de la figure 2, le circuit d'adressage de la photodiode étant constitué par les transistors T 1, T 2, T 3, T 4, T 5 et T 6. La figure 4 représente, un exemple de réalisation, sous forme de -5 circuit intégré, d'une rétine avec la cellule de la figure 2; dans cette figure 4 on a représenté une cellule, mais bien entendu c'est toute la rétine de photodétecteurs de la figure 1 qui est réalisée sous forme de circuit intégré, la cellule représentée faisant partie de ce circuit 5 intégré dont on précisera au cours de la description comment les cellules sont disposées. Pour réaliser le circuit intégré on part d'une pastille d'un substrat de silicium de type P+ de faible résistivité, par exemple 15 milliohms par centimètre Sur une face de la pastille on crée une 10 couche de type P de forte résistivité, par exemple 10 ohms par centimètre; cette eouche est obtenue par exemple par épitaxie, son épaisseur étant de l'ordre de 20 microns par exemple On réalise, dans des zones de la couche P de la pastilles une couche de type N, ces zones correspondant à la liaison de sortie LS, à la liaison polarisation LP, 15 aux photodiodes PhD, aux sources S et aux drains D des transistors T 2 et T 4, aux résistances R 1 et R 2, la résistanee R 2 étant reliée à la liaison de polarisation LP, et à deux connexions 2 et 3, l'une 2 prolongeant la résistance R 1 pour la relier à la masse et l'autre 3 prolongeant le drain D du transistor T 2 pour le relier à la liaison d'adressage de 20 ligne Y de la cellule. La figure 4 montre ces zones de type N qui sont obtenues de manière classique par diffusion après masquage. On crée ensuite un oxyde mince, Si 02, sur la surface de la pastille, à l'exception des zones correspondant aux photodiodes PhD et 25 d'une partie des sources et drains des transistors T 2 et T 4. On effeetue ensuite une opération d'ouverture des reprises de contact pour accéder d'une part à la eouche N et d'autre part à la couche P- L'accès à la couehe N est fait dans certaines régions qui correspondent dans chaque cellule, et comme représenté figure 4, à une 30 extrémité 5 de la connexion 3,aux extrémités a et b de la résistance R 1, l'extrémité b étant commune à la résistance R 1 et à la connexion 2, à une extrémité c de la résistance R 2 opposée à la liaison de polarisation. L'accès à la eouche P est fait en un point 4 de la connexion 2 situé à l'extrémité de celle-ci opposée à l'extrémité b. On réalise ensuite, par dépôt d'un métal bon conducteur de l'élec- -6 tricité, par exemple de l'aluminium, les électrodes des sources S et des drains D des transistors T 2 et T 4 dans les parties sans oxyde, des contacts avec les couches N ou P dans les ouvertures de contacts, et sur l'oxyde, les électrodes des grilles des transistors T 1 à T 4, et un réseau 5 d'interconnexion constitué par les liaisons d'adressage de colonne X 1 à Xn et les connexions de celles-ci avec les électrodes des grilles des transistors T 2, par les liaisons d'adressage de ligne Y 1 à Ym et les connexions de celles-ci avec les drains des transistors T 2 et les extrémités 5 des connexions 3, par la ligne de masse M et les connexions de 10 celle-ci avec les extrémités b des résistances l R 1 et les points 4 des connexions 2, et par des connexions internes à chaque cellule, entre les éléments de celle-ci Ces connexions internes sont: une connexion reliant l'électrode de grille du transistor T 1 à la source du transistor T 2 et à l'électrode de grille du transistor T 4, une connexion 15 reliant la source du transistor T 4 à l'extrémité b de la résistance R 1, une connexion reliant la grille du transistor T 4 à l'extrémité a de la résistance R 1, et une connexion reliant l'électrode de grille du transistor T 3 à l'extrémité c de la résistance R 2 et au drain du transistor T 4. On effectue ensuite un traitement antireflet et passivation des photodiodes par dép 8 t, sur la couche N correspondante, d'une couche de nitrure de silicium Si 3 N 4. La réalisation de la rétine de photodétecteur est donc simple et ne nécessite qu'un petit nombre de masques pour l'ensemble des opérations, 25 ce qui permet une fabrication économique des rétines et procure un bon rendement de fabrication. Dans la figure 4 la liaison de polarisation LP et la liaison de sortie LS sont réalisées sous forme de barres parallèles; comme chaque liaison est commune à toutes les cellules, les barres de la liaison de 30 polarisation sont donc réunies entre elles, et les barrres de la liaison de sortie sont réunies entre elles; ceci est évidemment réalisé lors de l'opération de diffusion de la couche N et ne pose aucun problème de réalisation pour l'homme de l'art La ligne de masse M est reliée en chaque point 4 à la couche P et par celle-ci à la couche P+ du substrat, 35 cette couche P constituant la masse de la rétine; les photodiodes -7 étant constituées chacune par une jonction N/P sont donc en contact, par la couche P avec la couche P+ du substrat. Les connexions 2 et 3 de la figure 4 sont réalisées par une couche N comme cela a été dit, ceci afin d'assurer la continuité de la liaison 5 d'adressage de ligne par la connexion 5 et de la ligne de masse par la connexion 2 tout en permettant le croisement avec les liaisons d'adressage de colonne Dans les zones de croisement ces connexions constituent des passage enterrés. Sur la figure 4 on a représenté une liaison d'adressage de ligne 10 Yk, Yl, au-dessus de chaque barre de la liaison de sortie LS de laquelle elle est isolée par la couche d'oxyde, et une liaison de masse M au-dessus de chaque barre de la liaison de polarisation LP de laquelle elle est isolée par la couche d'oxyde A partir de la cellule représentée figure 4, l'implantation est la suivante: à gauche de la barre de la 15 liaison de sortie LS représentée à gauche de la figure 4, on implante par glissement une cellule identique de celle de la figure 4; à droite de la barre de la liaison de polarisation LP, représentée à droite de la figure 4, on implante également, par glissement, une cellule identique à celle de la figure 4; au-dessus de la liaison d'adressage de colonne Xi, 20 et audessous de la liaison d'adressage de colonne XJ, on implante une cellule obtenue également par simple glissement de la cellule représentée figure 4 La liaison d'adressage de ligne Yk est donc commune à toutes les cellules situées à gauche de la barre de la liaison de sortie LS comportant la liaison Yk et la liaison d'adressage de 25 ligne Yl est commune à toutes les cellules situées à gauche de la barre de la liaison de sortie LS comportant la liaison Yl La liaison d'adressage de colonne Xi est commune à toutes les cellules situées en dessous d'elle, la liaison d'adressage de colonne XJ étant commune à toutes les cellules situées en-dessous d'elle. La cellule étant implantée par glissement horizontal et vertical, il en résulte qu'horizontalement une cellule est comprise entre deux jeux de barres, chaque jeu de barres étant constitué par une barre de la liaison de sortie LS et une barre de la liaison de polarisation LP placées côte à côte comme illustré figure 4. La figure 6 représente schématiquement une partie de la rétine -8 conforme à la figure 4 et montre l'implantation des jeux de barres de la liaison de polarisation LP et de la liaison de sortie LS avec des cellules 1 comprises entre deux jeux de barres; les liaisons d'adressage de ligne ne sont pas représentées sur les barres de la liaison de sortie. La figure 5 est une vue en coupe selon V-V de la figure 4, à une échelle agrandie On y retrouve les zones de type N correspondant aux photodiodes, à la barre de liaison de polarisation LP et à la barre de la liaison de sortie LS; la couche d'oxyde Si 02 ' au-dessus des deux Jeux 10 de barres constitués chacun par une barre de la liaison de sortie et une barre de la liaison de polarisation, porte les métallisation d'aluminium correspondant aux grilles G des transistors T 1 et T 3, à la ligne de masse M, et une liaison d'adressage de ligne Yk à gauche et Yl à droite de la figure La cellule représentée figure 4 est celle dont le schéma 15 électrique est illustré par la figure 2, sur laquelle on remarque que les sources S des transistors T 1 et T 3 sont reliées à la cathode de la photodiode PhD, et que les drains D de ces transistors sont reliés à la liaison de sortie LS et à la liaison de polarisation LP, respectivement. La cathode, les sources, les drains et les liaisons de polarisation LP et 20 de sortie LS sont réalisés par une couche N dans la couche P; aussi afin de limiter le nombre de connexions à réaliser, les sources des transistors T 1 et T 3 sont elles confondues avec la cathode de la photodiode et les drains sont-ils confondus avec la liaison de sortie pour le transistor T 1 et la liaison de polarisation LP pour le 25 transistor T 3; il en découle que les sources et drains ne sont pas géométriquement délimités; tc'est la raison pour laquelle, sur les figures 4 et 5, sources et drains des transistors T 1 et T 3 ne sont pas représentés; on remarque également sur ces figures 4 et 5, que compte tenu de l'implantation de la cellule sur la surface de la rétine qui a 30 été donnée ci-dessus, la liaison de polarisation LP sert de drain pour les transistors T 3 et que la liaison de sortie LS sert de drain pour les transistors T 1 Cette disposition des sources et des drains et des cellules simplifie le masque utilisé pour l'opération de diffusion de la couche N, et le masque utilisé pour la réalisation des connexions 35 puisque le motif d'une cellule est reproduit par glissement tant verti- -9 calement qu'horizontalement. On a décrit et représenté figures 4 et 5 un exemple de réalisation de la rétine ayant des cellules du type représenté figure 2, c'est-à-dire comportant des résistances R 1 et R 2 Si l'on veut réaliser 5 une rétine avec la cellule de la figure 3, on procédera comme dans le cas de la figure 4 et, on créera, comme représenté figure 10, lors de la diffusion de la couche N, des zones de type N correspondant aux sources et drains des transistors T 5 et T 6, et lors de la réalisation des différentes connexions, par dép 8 t d'aluminium, on reliera la source du 10 transistor T 6 à la grille du transistor T 3, et la grille du transistor T 6 à la liaison de polarisation LP, le drain du transistor T 6 prolongeant la liaison de polarisation LP Pour le transistor T 5 on reliera sa source à la ligne de masse M, et son drain et sa grille à la grille du transistor T 4 elle m&me reliée à la grille du transistor T 1 La 15 connexion 2 prolonge alors les sources des transistors T 4 et T 5; la connexion 2 prolonge la source du transistor T 5 lors de la formation de celle-ci, eette source constituant une seule zone N avec la source du transistor T 4, le contact avec la connexion 2 étant fait en un point intermédiaire 6; de même la source du transistor T 2 et le drain du 20 transistor T 5 constituent une seule zone N, et le drain du transistor T 4 et la source du transistor T 6 constituent une seule zone N. On réalise également, par dépôt d'aluminium des connexions internes à chaque cellule Ces connexions internes sont:une connexion reliant l'électrode de grille du transistor T 1 à la source du 25 transistor T 2 au drain du transistor T 5, à l'électrode de grille du transistor T 4, et à l'électrode de grille du transistor T 5, une connexion reliant l'électrode de grille du transistor T 3 à la source du transistor T 6 et au drain du transistor T 4, et une connexion reliant les sources des transistors T 4 et T 5 au point intermédiaire 6. On effectue ensuite un traitement antireflet et passivation des photodiodes par dép 8 t, sur la couche N correspondante, d'une couche de nitrure de silicium Si 3 N 4 i. La réalisation de la rétine de photodétecteur est donc simple et ne nécessite que le même nombre de masques, pour l'ensemble des opérations, 35 que dans le cas d'une eellule selon la figure 2, ce qui permet une fabrication économique des rétines et procure un bon rendement de fabrication. Dans la figure 7, qui représente une deuxième réalisation d'une rétine avec la cellule de la figure 2, la liaison de polarisation LP et la liaison de sortie LS sont réalisées sous forme de barres alternées parallèles; comme chaque liaison est commune à toutes les cellules, les barres de la liaison de polarisation sont donc réunies entre elles, et les barrres de la liaison de sortie sont réunies entre elles; ceci est évidemment réalisé lors de l'opération de diffusion de la couche N et ne 10 pose aucun problème de réalisation pour l'homme de l'art La ligne de masse M est reliée en chaque point 4 à la couche P et par celle-ci à la couche P+ du substrat, cette couche P+ constituant la masse de la rétine; les photodiodes étant constituées chacune par une Jonction N/P sont donc en contact, par la couche P avec la couche P+ du substrat La 15 cellule étant la même que dans la rétine illustrée par la figure 4, sa réalisation est identique. Les connexions 2 et 3 de la figure 7 sont réalisées par une couche N comme cela a été dit, ceci afin d'assurer la continuité de la liaison d'adressage de ligne par la connexion 5 et de la ligne de masse par la 20 connexion 2 tout en permettant le croisement avec les liaisons d'adressage de colonne Dans les zones de croisement ces connexions constituent des passage enterrés. Sur la figure 7 on a représenté deux liaisons d'adressage de ligne Yk et Y 1 au-dessus de la barre de la liaison de sortie LS de laquelle 25 elles sont isolées par la couche d'oxyde, et une ligne de masse M au-dessus de la liaison de polarisation LP de laquelle elle est isolée par la couche d'oxyde; ceci est justifié par l'implantation des cellules sur le circuit intégré A partir de la cellule représentée figure 7, l'implantation est la suivante: à droite de la barre de la 30 liaison de sortie LS, on implante une cellule symétrique de celle de la figure 7 par rapport à cette barre; à gauche de la barre de la liaison de polarisation LP, on implante une cellule symétrique de celle de la figure 7 par rapport à cette barre; au-dessus de la liaison d'adressage de colonne Xi, et au- dessous de la liaison d'adressage de colonne XJ, on 35 implante une cellule obtenue par simple glissement de la cellule représentée figure 7 La liaison d'adressage de ligne Yk est donc commune à toutes les cellules situées à gauche de la barre de la liaison de sortie LS et la liaison d'adressage de ligne Yl est commune à toutes les cellules situées à droite de ladite barre La liaison d'adressage de 5 colonne Xi est commune à toutes les cellules situées en dessous d'elle, la liaison d'adressage de colonne XJ étant commune à toutes les cellules situées en-dessous d'elle. La figure 9 représente schématiquement une partie de la rétine conforme à la figure 7, et montre l'alternance des barres de la liaison 10 de polarisation LP et des barres de la liaison de sortie LS, avec des cellules 1 comprises entre une barre de la liaison de sortie et une barre de la liaison de polarisation; les liaisons d'adressage de ligne ne sont pas représentées sur les barres de la liaison de sortie. La figure 8 est une vue en coupe selon VI Ii-VIII de la figure 7, à 15 une échelle agrandie On y retrouve les zones de type N correspondant aux photodiodes et à la barre de liaison de polarisation LP et à la barre de la liaison de sortie LS; la couche d'oxyde Si 02 au-dessus des barres, porte les métallisation d'aluminium correspondant, au-dessus de la liaison de polarisation LP aux grilles G des transistors T 3 et à la ligne de 20 masse M, et au-dessus de la liaison de sortie LS aux grilles des transistors T 1 et aux liaisons d'adressage de ligne Yl et Yk La cellule représentée figure 7 est celle dont le schéma électrique est illustré par la figure 2, sur laquelle on remarque que les sources S des transistors T 1 et T 3 sont reliées à la cathode de la photodiode PhD, et 25 que les drains D de ces transistors sont reliés à la liaison de sortie LS et à la liaison de polarisation LP, respectivement La cathode, les sources, les drains et les liaisons de polarisation LP et de sortie LS sont réalisés par une couche N dans la couche P; aussi afin de limiter le nombre de connexions à réaliser, les sources des transistors T 1 et T 3 30 sont elles confondues avec la cathode de la photodiode et les drains sont-ils confondus avec la liaison de sortie pour le transistor T 1 et la liaison de polarisation LP pour le transistor T 3; il en découle que les sources et drains ne sont pas géométriquement délimités; c'est la raison pour laquelle, sur la figure 7, sources et drains des 35 transistors T 1 et T 3 ne sont pas représentés, de même sur la figure 8; on remarque également sur ces figures 7 et 8, que compte tenu de l'implantation de la cellule sur la surface de la rétine qui a été donnée ci-dessus, la Iiaison de polarisation LP sert de drain pour les transistors T 3 situés de part et d'autre de cette liaison, et que la liaison de 5 sortie LS sert de drain pour les transistors T 1 situés de part et d'autre de cette liaison Cette disposition des sources et des drains et des cellules nécessite un masque pour l'opération de diffusion de la couche N, et un masque pour la réalisation des connexions, différents de ceux de la figure 4; elle permet de réduire l'encombrement grâce à 10 l'alternance des barres des liaisons de sortie LS et de polarisation LP. On a décrit et représenté figures 7 et 8 un exemple de réalisation de la rétine ayant des cellules du type représenté figure 2, c'est-à-dire comportant des résistances R 1 et R 2 Si l'on veut réaliser une rétine avec la cellule de la figure 3, dans le cas d'une rétine ayant 15 des barres alternées, on réalisera des transistors T 5 et T 6, comme dans le cas illustré par la figure 10 Dans les différente exemples de réalisation de la rétine, illustrés par les figures 4, 7 et 10, une cellule est toujours implantée entre une barre de la liaison de sortie LS et une barre de la liaison de polarisation LP. Afin d'ajuster la tension de seuil des transistors T 1 à T 4 on peut effectuer un surdopage de la couche P située au-dessous des grilles de ces transistors; ceci peut être obtenu lors de la réalisation de la couche d'oxyde mince en surdopant celui-ci en bore par exemple; on peut également effectuer un surdopage des régions de la couche P correspon 25 dant auxgrilles des transistors T 1 à T 4 par implantation ionique à travers un masque spécifique. La rétine de photodétecteurs de l'invention permet la réception, d'autant de programmes qu'il y a de cellules et la sélection par l'abonné d'un programme parmi eeux reçus; par programme il faut comprendre qu'il 30 peut s'agir de télévision, de données sous forme numérique ou analogique, d'un signal de parole, et d'une manière générale de tout signal sous forme analogique ou numérique. REVENDICATIONS 1/ Rétine de photodétecteurs adressables, sous forme matricielle, comportant une liaison de sortie (LS) commune à tous les photodétecteurs, des liaisons d'adressage de ligne (Y 1 à Ym), des liaisons d'adres5 sage de colonne (X 1 à Xn), chaque photodétecteur étant relié à la masse, caractérisé par le fait qu'à chaque photodétecteur (PhD) est associeé un circuit d'adressage comportant des premiers moyens (T 1) pour relier le photodétecteur à la liaison de sortie (LS), des deuxièmes moyens (T 3) pour relier le photodétecteur à une liaison de polarisation (LP) commune 10 à tous les photodétecteurs et reliée a une source de tension continue, des troisièmes moyens (T 4, R 2) pour eommander les deuxièmes moyens et reliés à la liaison de polarisation (LP) et à la masse, et des quatrièmes moyens (T 2, RHI) pour commander les premiers et troisièmes moyens, reliés à une liaison d'adressage de ligne (Y), à une liaison d'adressage de 15 eolonne (X) et à la masse, les premiers (T 1), troisièmes (T 4, R 2) et quatrièmes (T 2, R 1) moyens étant bloqués et les deuxièmes moyens (T 3) étant passants en l'absenee de signal sur les liaisons d'adressage de ligne et de eolonne, les premiers, troisièmes et quatrièmes moyens étant passants et les deuxièmes moyens étant bloqués lorsqu'un signal est 20 appliqué sur les liaisons d'adressage de ligne et de colonne pour la sélection du photodétecteur associé au circuit d'adressage. 2/ Rétine de photodéteeteurs selon la revendication 1, caractérisée par le fait que les premiers moyens du circuit d'adressage sont constitué par un transistor (TI), que les deuxièmes moyens sont constitués par un 25 transitor (T 3), que les trolsiàmes moyens sont constitués par un transistor (T 4) en sertie avec une résistanee (R 2) reliée à la liaison de polarisation (LP), un point commun au transistor et à la résistance étant relié à une grille du transistor (T 3) des deuxièmes moyens, et que les quatrièmes moyens sont constitués par un transistor (T 2) en série avec 30 une résistance (R 1) reliée à la masse, le transistor étant relié à la liaison d'adressage de ligne (Y) et ayant une grille reliée à la liaison d'adressage de colonne (X), et un point eommun à la résistance et au transistor étant relié à une grille du transistor (T 1) des premiers moyens. 3/ Rétine de photodétecteurs selon la revendication 1, caractérisée par le fait que les premiers moyens du circuit d'adressage sont constitués par un transistor (T 1), que les deuxièmes moyens sont constitués par un transistor (T 3), que les troisièmes moyens sont constitués par un premier (T 4) et un deuxième (T 6) transistors en série le deuxième transistor (T 6) étant relié à la liaison de polarisation (LP) et ayant une grille reliée également à la liaison de polarisation (LP), un point commun aux premier et deuxième transistors étant relié à une grille du transistor (T 3) des deuxièmes moyens, et que les quatrièmes moyens sont 10 constitués par un premier (T 2) et un deuxième (T 5) transistors en série, le deuxième transistor (T 5) étant relié à la masse et ayant une grille reliée au premier transistor (T 2) le premier transistor (T 2) étant relié à la liaison d'adressage de ligne (Y) et ayant une grille reliée à la liaison d'adressage de colonne (X), un point commun aux premier et 15 deuxième transistors étant relié à une grille du transistor (T 1) des premiers moyens. 4/ Rétine de photodétecteurs selon la revendication 2, caractérisée par le fait que l'on forme, sur toute une surface d'une pastille d'un substrat de type P+ à faible résistivité, une couche de type P à forte 20 résistivité, que l'on forme dans la couche à forte résistivité des zones de type N pour constituer d'une part avec la couche P à forte résistivit 6 des Jonctions correspondant aux photodétecteurs (PhD), aux sources (S) et aux drains (D) des transistors (T 2, T 4) des troisièmes et quatrièmes moyens, et d'autre part les résistances (R 1, R 2), une extré25 mité de la résistance (R 1) des quatrièmes moyens étant en contact avec la liaison de polarisation, des premières connexions ( 2) prolongeant chacune la résistance (R 1) des quatrièmes moyens, des deuxièmes connexions ( 3) prolongeant chacune le drain du transistor (T 2) des quatrièmes moyens, la liaison de sortie (LS) et la liaison de 30 polarisation (LP) sous forme de barres une barre de la liaison de sortie et une barre de la liaison de polarisation étant placées côte à côte et constituant un jeu de barres la rétine comportant plusieurs Jeux de barres parallèles et chaque photodétecteur (PhD) ainsi que les transistors (T 2, T 4) et les résistances (R 1, R 2) des troisièmes et 35 quatrièmes moyens de son circuit d'adressage, et la première et la deuxième connexion ( 2, 3) reliées à son circuit d'adressage étant situés entre deux Jeux de barres, les sources et drains des transistors (T 1) des premiers moyens étant respectivement communs aux photodétecteurs et à la liaison de sortie (LS), les sources et drains des transistors (T 3) des 5 deuxièmes moyens étant respectivement communs aux photodétecteurs et à la liaison de polarisation (LP), que l'on recouvre la surface de la pastille, à l'exception des photodétecteurs, et d'une partie des sources et des drains des transistors (T 2, T 4) des troisièmes et quatrièmes moyens, d'une couche d'oxyde mince (Si 02), que l'on effectue dans la 10 couche d'oxyde des ouvertures de contacts à une extrémité ( 5) de chacune des deuxièmes connexions ( 3) opposée au drain qu'elle prolonge, à chaque extrémité (c) des résistances (R 2) des troisièmes moyens et à chaque extrémité (b) des résistances (R 1) des quatrièmes moyens, pour accéder à la couche N, et à une extrémité ( 4) de chacune des premières 15 connexions ( 2) opposée à la résistance (R 1) qu'elle prolonge, pour accéder à la couche P-de forte résistivité, que l'on réalise, par dépôt d'un métal bon conducteur de l'électricité, des électrodes des sources et drains des transistors (T 2, T 4) des troisièmes et quatrièmes moyens, dans les parties non recouvertes d'oxyde/des contacts avec les couches N 20 et P dans les ouvertures de contact, et sur l'oxyde/des électrodes des grilles des transistors (T 1 à T 4) et un réseau d'interconnexion constitué par les liaisons d'adressage de colonne (X 1 à Xn) et des connexions de celles-ci avee les électrodes de grille des transistors (T 2) des quatrièmes moyens, les liaisons d'adressage de ligne (Yl à Ym) 25 au dessus des barres de la liaison de sortie (LS), chaque barre comportant une liaison d'adressage de ligne, et des connexions de celles- ci avec les drains des transistors (T 2) des quatrièmes moyens et les extrémités ( 5) des deuxièmes connexions ( 3), une ligne de masse (M) au dessus des barres de la liaison de polarisation (LP) et des connexions 30 de celle-ci avec les résistances (R 1) des quatrièmes moyens et les extrémités ( 4) des premières connexions ( 2), et des connexions internes à chaque circuit d'adressage, que l'on dépose en surface des photodétecteurs une couche antireflet, et que la rétine est constituée de cellules se déduisant les unes des autres par glissement vertical et 35 par glissement horizontal, chaque cellule comportant un photodétecteur et son circuit d'adressage. / Rétine de photodétecteurs selon la revendication 3, caractérisée par le fait que l'on forme sur toute une surface d'une pastille d'un substrat de type P+ à faible résistivité une couche de type P à forte résisti5 vité, que l'on forme dans la couche à forte résistivité des zones de type N pour constituer d'une part avec la couche P à forte résistivité des jonctions correspondant aux photodétecteurs (PhD), aux sources (S) et aux drains (D) des transistors (T 2, T 4, T 5, T 6) des troisièmes et quatrièmes moyens, le drain du deuxième transistor (T 6) des troisièmes 10 moyens étant en contact avec la liaison de polarisation, et d'autre part des premières connexions ( 2) prolongeant chacune la source du deuxième transistor (T 5) des quatrièmes moyens, des deuxièmes connexions ( 3) prolongeant chacune le drain du premier transistor (T 2) des quatrièmes moyens, la liaison de sortie (LS) et la liaison de polarisation (LP) sous 15 forme de barres, une barre de la liaison de sortie et une barre de la liaison de polarisation étant placées côte à côte et constituant un jeu de barres, la rétine comportant plusieurs jeux de barres parallèles et chaque photodétecteur (PhD), ainsi que les transistors (T 2, T 4, T 5, T 6) des troisièmes et quatrièmes moyens de son circuit d'adressage et la 20 première et la deuxième connexion, ( 2, 3) reliées à son circuit d'adressage étant situés entre deux jeux de barres, les sources et drains des transistors (T 1) des premiers moyens étant respectivement communs aux photodétecteurs et à la liaison de sortie (LS), les sources et drains des transistors (T 3) des deuxièmes moyens étant respectivement communs aux 25 photodétecteurs et à la liaison de polarisation (LP), que l'on recouvre la surface de la pastille, à l'exception des photodétecteurs et d'une partie des sources et des drains des transistors (T 2, T 4, T 5, T 6) des troisièmes et quatrièmes moyens, d'une couche d'oxyde mince (Si 02), que l'on effectue dans la couche d'oxyde des ouvertures de contacts à une 30 extrémité ( 5) de chacune des deuxièmes connexions ( 3) opposée au drain qu'elle prolonge et en un point intermédiaire ( 6) de chacune des premières connexions ( 2) , pour accéder à la couche N, et à une extrémité ( 4) de chacune des premières connexions ( 2) opposée à la source qu'elle prolonge, pour accéder à la couche P de forte résistivité, que l'on 35 réalise, par dépôt d'un métal bon conducteur de l'électricité, des électrodes des sources et drains des transistors (T 2, T 4, T 5, T 6) des troisièmes et quatrièmes moyens dans les parties non recouvertes d'oxyde, des contacts avec les couches N et P dans les ouvertures de contact et sur l'oxyde, des électrodes des grilles des transistors (T 1 à T 4) et un 5 réseau d'interconnexion constitué par les liaisons d'adressage de colonne (X 1 à Xn) et des connexions de celles-ci avee les électrodes de grille des premiers transistors (T 2) des quatrièmes moyens, les liaisons d'adressage de ligne (Y 1 à Ym) au dessus des barres de la liaison de sortie (LS) chaque barre comportant une liaison d'adressage de ligne, et 10 des connexions de celles-ci avec les drains des premiers transistors (T 2) des quatrièmes moyens et les extrémités ( 5) des deuxièmes eonnexions ( 3), une ligne de masse (M) au dessus de la liaison de polarisation (LP) et des connexions de celle-ci avec les sources des deuxièmes transistors (T 5) des quatrièmes moyens, le point intermé15 diaire ( 6) et les extrémités ( 4) des premières connexions ( 2), et des connexions internes à chaque circuit d'adressage, que l'on dépose en surface des photodétecteurs une eouche antireflet, et que la rétine est constituée de cellules se déduisant les unes des autres par glissement vertical et horizontal 5 chaque cellule comportant un photodétecteur et 20 son circuit d'adressage. 6/ Rétine de photodétecteurs selon la revendication 29 caractérisée par le fait que l'on formes sur toute une surface d'une pastille d'un substrat de type P+ à faible résistivité, une couche de type P à forte résistivité, que l'on forme dans la couche à forte résistivité des zones 25 de type N pour constituer d'une part avec la couche P-à forte résistivité des Jonctions correspondant aux photodétecteurs (PhD), aux sources (S) et aux drains (D) des transistors (T 2, T 4) des troisièmes et quatrièmes moyens, et d'autre part les résistances (R 1, R 2), une extrémité de la résistance (R 1) des quatrièmes moyens étant en contact 30 avec la liaison de polarisation, des premières connexions ( 2) prolongeant chacune la résistance (R 1) des quatrièmes moyens, des deuxièmes connexions ( 3) prolongeant chacune le drain du transistor (T 2) des quatrièmes moyens, la liaison de sortie (LS) et la liaison de polarisation (LP) sous forme de barres alternées, la rétine comportant 35 plusieurs barres alternées et chaque photodétecteur (PhD) ainsi que les transistors (T 2, T 4) et les résistances (R 1, R 2) des troisièmes et quatrièmes moyens, et la première et la deuxième connexion ( 2, 3) reliées à son circuit d'adressage étant situés entre deux barres alternées, les sources et drains des transistors (T 1) des premiers moyens étant respec5 tivement communs aux photodétecteurs et à la liaison de sortie (LS), les sources et drains des transistors (T 3) des deuxièmes moyens étant respectivement communs aux photodétecteurs et à la liaison de polarisation (LP), que l'on recouvre la surface de la pastille, à l'exception des photodétecteurs et une partie des -sources et des drains des 10 transistors (T 2, T 4) des troisièmes et quatrièmes moyens, d'une couche d'oxyde mince (Si 02), que l'on effectue dans la couche d'oxyde des ouvertures de -contacts à une extrémité ( 5) de chacune des deuxièmes connexions ( 3) opposée au drain qu'elle prolonge, à chaque extrémité (c) des résistances (R 2) des troisièmes moyens, et à chaque extrémité (b) 15 des résistances (R 1) des quatrièmes moyens, pour accéder à la couche N, et à une extrémité ( 4) de chaeune des premières connexions ( 2) opposée à la résistance (R 1) qu'elle prolonge, pour accéder à la couche P-de forte résistivité, que l'on réalise, par dépôt d'un métal bon conducteur de l'électricité, des électrodes des sources et drains des transistors (T 2, 20 T 4) des troisièmes et quatrièmes moyens dans les parties non recouvertes d'oxyde, des contacts avec les couches N et P dans les ouvertures de contact, et sur l'oxyde)des électrodes des grilles des transistors (T 1 à T 4) et un réseau d'interconnexion constitué par les liaisons d'adressage de colonne (Xi à Xn) et des connexions de celles-ci avec les électrodes 25 de grille les transistors (T 2) des quatrièmes moyens, les liaisons d'adressage de ligne (Y 1 à Ym) au dessus des barres de la liaison de sortie (LS) chaque barre comportant deux liaisons d'adressage de lignes affectées chacune à un circuit d'adressage différent situé de chaque côté de ladite barre, et des connexions de celles-ci avec les drains des 30 transistors (T 2) des quatrièmes moyens et les extrémités ( 5) des deuxièmes connexions ( 3), une ligne de masse (M), au dessus des barres de la liaison de polarisation (LP-, et des connexions de celle-ci avec l'extrémité (b) des résistances (R 1) des quatrièmes moyens et les extrémités ( 4) des premières connexions ( 2), et des connexions internes 35 à chaque circuit d'adressage, que l'on dépose en surface des photodétecteurs une couche antireflet, et que la rétine est constituée de cellules qui entre deux barres alternées se déduisent l'une de l'autre par glissement vertical, et qui horizontalement se déduisent l'une de l'autre par symétrie, d'un c 8 té par rapport à une barre de la liaison de 5 sortie et d'un autre côté par rapport à une barre de la liaison de polarisation, une cellule comportant un photodétecteur et son circuit d'adressage. 7/ Rétine de photodétecteurs selon la revendication 3, caractérisée par le fait que l'on forme sur toute une surface d'une pastille d'un substrat 10 de type P+ à faible résistivité une couche de type P à forte résistivité, que l'on forme dans la couche à forte résistivité des zones de type N pour constituer d'une part avec la couche P à forte résistivité des jonctions correspondant aux photodétecteurs (PhD), aux sources (S) et aux drains (D) des transistors (T 2, T 4, T 5, T 6) des 15 troisièmes et quatrièmes moyens, le drain du deuxième transistor (T 6) des troisièmes moyens étant en contact avec la liaison de polarisation, et d'autre part des premières connexions ( 2) prolongeant chacune la source du deuxième transistor (T 5) des quatrièmes moyens, des deuxièmes connexions ( 3) prolongeant chacune le drain du premier transistor (T 2) 20 des quatrièmes moyens, la liaison de sortie (LS) et la liaison de polarisation (LP) sous forme de barres alternées, la rétine comportant plusieurs barres alternées et chaque photodétecteur (PhD) ainsi que les transistors (T 2, T 4, T 5, T 6) des troisièmes et quatrièmes moyens de son circuit d'adressage et la première et la deuxième connexion, ( 2, 3) reliées à son circuit d'adressage étant situés entre deux barres alternées, les sources et drains des transistors (T 1) des premiers moyens étant respectivement communs aux photodétecteurs et à la liaison de sortie (LS), les sources et drains des transistors (T 3) des deuxièmes moyens étant respectivement communs aux photodétecteurs et à la liaison 30 de polarisation (LP), que l'on recouvre la surface de la pastille, à l'exception des photodétecteurs et d'une partie des sources et des drains des transistors (T 2, T 4, T 5, T 6) des troisièmes et quatrièmes moyens, d'une couche d'oxyde mince (Si 02) , que l'on effectue dans la couche d'oxyde des ouvertures de contacts à une extrémité ( 5) de chacune 35 des deuxièmes connexions ( 3) opposée au drain qu'elle prolonge et en un point intermédiaire ( 6) de chacune des premières connexions ( 2), pour accéder à la couche N, et à une extrémité ( 4) de chacune des premières connexions ( 2) opposée à la source qu'elle prolonge, pour accéder à la couche P de forte résistivité, que l'on réalise, par dép 8 t d'un métal bon conducteur de l'éleetrieité, des électrodes des sources et drains des transistors (T 2, T 4, T 5, T 6) des troisièmes et quatrièmes moyens dans les parties non recouvertes d'oxyde, des contacts avec les couches N et P' dans les ouvertures de contact, et sur l'oxyde, des électrodes de grilles des transistors (T 1 à T 4) et un réseau d'interconnexion 10 constitué par les liaisons d'adressage de colonne (Xl à Xn) et des connexions de celles-ci avec les éleetrodes de grille des premiers transistors (T 2) des quatrièmes moyens, les liaisons d'adressage de ligne (Y 1 à Ym) au dessus des barres de la liaison de sortie (LS), chaque barre comportant deux liaisons d'adressage de lignes affectées chacune à 15 un circuit d'adressage différent situé de chaque côté de ladite barre, et des eonnexions de celles-ci avec les drains des premiers transistors (T 2) des quatrièmes moyens et les extrémités ( 5) des deuxièmes connexions ( 3), une ligne de masse (M) au dessus de la liaison de polarisation et des connexions de celle-ci avee les sources des 20 deuxièmes transistors (T 5) des quatrièmes moyens, le point intermédiaire ( 6) et les extrémités ( 4) des premières connexions ( 2), et des connexions internes à chaque circuit d'adressage, et que l'on dépose en surface des photodétecteurs une eouche antireflet, que la rétine est constituée de cellules qui entre deux barres alternées se déduisent 25 l'une de l'autre par glissement vertical, et qui horizontalement se déduisent l'une de l'autre par symétrie d'un e Sté par rapport à une barre de la liaison de sortie et d'autre part par rapport à une barre de la liaison de polarisation, une cellule comportant un photodétecteur et son circuit d'adressage. 30.