FR 2555597 A1 19850531 FR 8413058 A 19840822 La présente invention concerne un acidede polyamide aromatique-silicone photosensible utile comme matériau photorésistant que l'on peut transformer en diélectrique à motif. La présente invention concerne plus parti- lièrement un procédé pour modifier un acide de polyamide aromatiquesilicone avec des groupes acrylate amide liés aux noyaux que l'on introduit en faisant réagir un organoiso- cyanate acrylique et l'acide de polyamide-silicone. Antérieurement à la présente invention, on a décrit des matériaux du type photorésistant, basés sur un précurseur photoréactif, comme le montrent Rubner et al, Production of Highly Heat-Resistant Film Patterns from Photoreactive Polymeric Precursors (Production de motifs sur films hautement résistants à la chaleur à partir de précurseurs polymériques photoréactifs), part. 1, General Principle (principe général) (Jan. 1976) et Production of Highly Heat-Resistant Film Patterns from photo- reactive Polymeric Precursors (production de motifs sur films hautement résistants à la chaleur à partir de précurseurs polymériques photoréactifs), Part. 2. Polyimide Film Pattern (motifs sur films de polyimide), (Mai 1976) Siemens Forsch.-u. Entwickl.-Ber. Bd. 5 (1976) n 2, de Springer-Verlag. On prépare un polyamide photoréactif en faisant tout d'abord réagir un dianhydride aromatique et par exemple le dianhydride pyromellitique avec l'alcool allylique. On transforme ensuite le diester d'acide dicarboxylique aromatique résultant en chlorure de diacide aromatiaue correspondant par réaction avec le chlorure de thionyle et on le fait réagir encore avec une diamine aromatique pour produire un polyamide ester aromatique photoréactif. On applique ensuite le précurseur de polyimide photoréactif indiqué précédemment sur un substrat par revêtement par rotation puis on l'expose en utilisant un masque, après quoi on développe la surface traitée avec un solvant organique pour produire un matériau photorésistant négatif. On chauffe ensuite le polyamide ester aromatique à motif nécatif pour le transformer en un polyimide o on a créé un motif. Bien que l'on ait obtenu de bons résultats avec le polyamide ester aromatique photoréactif indiqué précédemment, l'homme de l'art sait que l'utilisation d'un agent chlorant comme le chlorure de thionyle, pour transformer l'acide dicarboxylique aromatique enchlorure d'acide correspondant avant la réaction de polymérisation avec la diamine aromatique peut entrainer la formation d'une impureté résiduelle sous forme de chlorure qui peut nuire à l'utilité du polyimide aromatique résultant comme diélectrique. La présente invention repose sur la découverte que l'on peut fabriquer unacide de polyamide photosensible utile comme matériau photorésistant et transformable en une couche isolante à motif non contaminée par des chlorures, en préparant tout d'abord une acide de polyamide aromatique- silicone, constitué essentiellement de motifs chimiquement combinés répondant aux formules, 0 0 O O 0 0 HOCSOCCOH (1) RR O O N 1 C--R (5 (R3 )R (2) A3 n,3 dans lesquelles R représente un radical aromatique tétravalent en C(6 30) choisi dans le groupe constitué par (6-30) o C -0 -C..... et R5- R représente un radical organique divalent en C 2 (2-13), R2 représente un radical organique divalent en C(2_8), R est choisi dans le groupe constitué par des radicaux hydrocarbonés monovalents en C(1_13) et des radicaux hydro- carbonés monovalents en C(1_13) substitués, Q représente un radical divalent répondant à la formule, -ZR4Z- Z est choisi dans le groupe constitué par -0- et -NH-, R et R5 sont choisis dans le groupe constitué par des radicaux organiques en C et 1 organiquesen Ce(218) n représente un nombre entier compris entre 1 et 20 inclus. On peut faire réagir l'acide de polyamide aromatique ci-dessus avec un organoisocyanate acrylique pour produire un acide de polyamide aromatiquesilicone modifié présentant des groupes acrylate amide chimiquement combinés liés au squelette de l'acide de polyamide aromatique-silicone par des liaisons azote- carbone appartenant au noyau. On peut ajouter ensuite un sensibilisateur à l'acide de polyamide aromatique-silicone modifié pour produire un matériau photorésistant. La présente invention fournit un matériau photorésis- tant comprenant, en poids, (A) jusqu'à 95 % d'un solvant organique inerte, (B) au moins 5 % d'un polyamide acide aromatique- silicone modifié constitué essentiellement de motifs chimi- quement combinés répondant aux formules, (3) HH - N-C CNR1 o o Q Q1 1 \ HR R3 C-- C-N-R2 (SiO) $i-R2--e " JR(kO,,i-3 -et (4) tLÈ È 3 nle J O 0 R et (C) une quantité efficace d'un sensibilisateur, sachant que dans les formules, Q représente un radical monovalent choisi dans le groupe constitué par des groupes carboxy et acrylate amide répondant à la formule 0 0 6 " 8 (R 6) 2C=C-C-O-R --C (5) 2'7 R7 et que les radicaux de formule (5) représentent au moins 10 moles pour cent du nombre total de moles de radicaux carboxy et de radicaux de formule (5) dans le polyamide aromatique- silicone. R,, R, R et n sont tels que définis précédemment, R6et R7 sont choisis dans le groupe constitué par l'hydrogène et des radicaux alkyles en C 8) et R8 représente un radical organo divalent en C(1_1-83). organo divalent en C(1-13). La présente invention met également au point un procédé pour obtenir sur un substrat une couche de polyimide aromatique-silicone isolante à motif qui consiste à: (1) déposer par rotation sur un substrat, en l'absence pratiquement complète de lumière, une composition photorésis- tante comprenant une solution dans un solvant organique d'un acide de polyamide aromatique-silicone modifié constitué essen- tiellement de motifs chimiquement combinés répondant aux formules (3) et (4) renfermant au moins 10 moles pour cent de groupes acrylate amide répondant à la formule (5) et liés aux noyaux par rapport au nombre total de moles de groupes carboxy et de groupes acrylate amide liés aux noyaux dans le polyamide acide aromatique-silicone modifié, (2) laisser sécher le matériau photorésistant déposé par rotation de (1), (3) exposer le substrat traité en le masquant pendant un temps suffisant pour réticuler les groupes acrylate amide liés aux noyaux du polyamide acide-silicone modifié, (4) développer le substrat traité par le polyamide acide aromatique-silicone modifié réticulé résultant, et (5) chauffer le substrat traité par le polyamide acide aromatique-silicone modifié développé à une température suffisante pour transformer l'acide de polyamide aromatique en polyimide aromatique. On peut citer, par exemple, parmi les radicaux que peut représenter R1 dans la formule (1), des radicaux alkylènes en C(2-8)' comme les radicaux diméthylène, triméthylène, tétraméthylène; des radicaux arylènes en C(6 13)' et par exemple, les radicaux phénylène, xylylène, tolylène; des radicaux aralkylènes comme les radicaux benzylène, phényléthy- lêne, et des radicaux alkylènes en C(2_8), arylènes en C(6-13) et des radicaux aralkylènes substitués et par exemple halosubstitués. On peut citer par exemple, parmi les radicaux que peut représenter R2, les radicaux alkylènes en C(28) et les radicaux ary(2-8)nes que peut reprsenter R. On peut citer les radicaux arylènes que peut représenter R. On peut citer parmi les radicaux que peut représenter R3, des radicaux choisis dans le groupe constitué par des radicaux hydrocarbonés monovalents en C(1_13), comme des radicaux alkyles en C(1 8) et par exemple les radicaux méthyle, éthyle, propyle, des radicaux aryles en C(6_13) comme les radicaux phényle, tolyle, xylyle et les dérivés halogénés de ces radicaux représentés par R3 comme le radical chlorophényle. On peut citer, par exemple, parmi les radicaux que peut représenter R, les radicaux f alkylènes et les radicaux arylènes que peut représenter R. On peut citer, par exemple, parmi les radicaux que peut représenter R, eo, o, 0 O sachant que dans les formules Q3 est choisi dans le groupe constitué par S, O CH la3 -S-,et -C tu .3 On peut citer, par exemple, parmi les radicaux que peuvent représenter R6 et R7, l'hydrogène et les radicaux alkyles en C(1_8) comme les radicaux méthyle, éthyle, propyle, butyle. On peut citer parmi les radicaux que peut représenter R8, les radicaux alkylènes et arylènes définis précédemment pour R. Les isocyanato organo acrylates cue l'on peut uti- liser dans la mise en praticue de la présente invention pour modifier les acides de polyamide-silicone, répondent à la formule suivante, o0 (R)2C=C-C-OR-NCO R7 6 7 8 dans laquelle R6, R et R sont tels que définis précédemment. On peut plus particulièrement citer le méthacrylate d'isocya- natoéthyle, le méthacrylate d'isocyanatopropyle, l'acrylate d'isocyanatoéthyle, le crotonate d'isocyanatoéthyle. On peut fabriquer l'acide de polyamide-silicone constitué essentiellement de motifs chimiquement combinés répondant aux formules (1) et (2) que l'on peut utiliser dans la mise en pratique de la présente invention pour produire l'a- cide de polyamide-silicone modifié photosensible en faisant tout d'abord réagir un dianhydride aromatique avec un mélange de diamine aromatique et de polydiorganosiloxane à terminaisons amino organo et d'un solvant organique approprié dans les conditions ambiantes. On peut citer parmi les dianhydrides aromatiques appropriés que l'on peut utiliser, le dianhydride pyromellitique, le dianhydride benzophénonetétracarboxylique, des anhydrides dérivés de l'anhydride trimellitique et de diamines organiques ou de glycols organiques et de bis- (anhydride éther)s, comme le dianhydride de bis [(dicarboxy- -2,3 phénoxy)-4 phényl] -2,2 propane et le dianhydride de bis [(dicarboxy3,4 phénoxy)-4 phényl]-2,2 propane. On peut, par exemple, citer parmi les diamines aromatiques que l'on peut utiliser dans la synthèse du polyamide acide-silicone, la m-phénylènediamine, la p-phénylènediamine, le diamino4,4' diphénylpropane, le diamino-4,4'diphénylméthane, la benzidine, le sulfure de diamino-4,4'diphényle, la diamino-4,4'diphényl- sulfone, l'oxyde de diamino-4,4'diphényle. On peut citer parmi les polydiorganosiloxanes à terminaisons amino organo que l'on peut utiliser en combinaison avec le dianhydride aromatique et la diamine aromatique indiqués précédemment, des composés répondant à la formule suivante, R3 NH2-R2 (iO) R 2-NH 2 l3 n 2 (6) R 2 3 - dans laquelle R2, R et n sont tels que définis précédemment. Pour former l'acide de polyamide-silicone, on peut utiliser des quantités à peu près équimolaires du dianhydride aromatique et du composant diamine qui peut comprendre la diamine aromatique et un polydiorganosiloxane à terminaisons amine. On peut utiliser une quantité suffisante de polydior- ganosiloxane à terminaisons amine en combinaison avec le dianhydride aromatique et la diamine aromatique pour obtenir un acide de polyamidesilicone renfermant d'environ 5 à 40% en poids de motifs diorganosiloxane par rapport au poids total de l'acide de molvamide-silicone. On peut modifierl'acide de polyamide-silicone en agi- tant un mélange de l'acide de polyamide-silicone et de l'acrylate d'isocyanato organo en l'absence pratiquement totale de lumière et en présence d'un solvant organique approprié. On utilise, de préférence, l'acide de polyamide-silicone sous la forme d'une solution dans un solvant aprotique dipolaire de manière à avoir d'environ 5 à 50 % en poids de substances solides. On peut citer, par exemple, parmi les solvants aprotiques dipolaires appropriés, la N-méthylpyrrolidone, la diméthylformamide, la diméthylacétamide, etc. On peut agiter le mélange de réaction à température ambiante pendant un temps compris entre 2 et 24 heures. Il se produit un dégagement immédiat de dioxyde de carbone et dans certains cas, on a trouvé commode d'ajouter un solvant organique non polaire comme le toluène pour diminuer la viscosité initiale de la solution. On a trouvé qu'une proportion d'environ 0,2 mole à 1,2 mole d'acrylate d'isocyanato organo par mole de groupe carboxy de l'acide de Dolyamide-silicone conduisait à de bons résultats. Après avoir modifié l'acide de polyamide-silicone avec l'acrylate d'isocyanatoorgano, on peut sensibiliser le polymère modifié résultant avec un photoinitiateur approprié. On peut utiliser d'environ 1 à 10 % en poids de photoinitiateur par rapport au poids de l'acide de polyamide-silicone modifié par des groupes acrylate organo amide. On peut, par exemple, citer parmi les sensibilisateurs ou photoinitiateurs appropriés, la cétone de Michler, la benzophénone, la chlorothioxanthone, la diméthoxy-2,2 phényl-2 acétophéone, toutes avec la N-méthyl- diéthanolamine. On peut ensuite conserver la solution de l'acide de de polyamide modifié au silicone sensibilise à l'abri dela lumière à des températures inférieures à environ 10 C, pour un stockage de longue durée, par exemple de 6 mois ou plus, sans que des modifications importantes se produisent à l'intérieur de la solution photorésistante. Un procédé classique pour l'application sur un substrat d'une couche isolante à motif de polyimide-silicone consiste à nettoyer la surface du substrat, constitué par exemple par une pastille de silicium, puis à déposer par rotation l'acidede polyamide modifié au silicone sensibilisé sur la surface du substrat. On peut ensuite sécher le substrat traité à 100 C pendant environ 1 heure puis lui appliquer un masque et l'exposer d'une manière classique. On utilise des temps classiques qui sont par exemple de 30 secondes sous un appareil de traitement par les ultraviolets PPG et de 5 minutes sous une lampe solaire RS. On peut ensuite développer les parties non exposées en utilisant NaOH 0,5N. On peut ensuite recuire thermiquement l'acide de polyamide modifiéau silicone o on a créé un motif résultant àdes températures comprises entre C et 400 C pendant d'environ 0,5 à 3 heures, avec transfor- mation en une couche isolante de polyimide-silicone à des températures aussi élevées que 300 C pendant environ 1 heure. On a encore trouvé que l'on pouvait faciliter la réaction entre l'acrylate d'isocyanato organo etl'acide de po- lyamide de silicone en utilisant une amine, corne la triéthylamine, le diazo-1,4 bicyclo [ 2,2,2] octane, ou un composé de l'étain comme le dilaurate de dibutylétain, le diacétate de dibutyl- étain, que l'on peut utiliser en une quantité d'environ 0,1 à 25 % en poids, par rapport au poids de l'acrylate d'isocya- nato organo utilisé. Pour que l'homme de l'art soit mieux à même de mettre l'invention en pratique, on donne les exemples suivants dans un but illustratif mais ils ne sont pas supposés limiter l'invention. Toutes les parties sont exprimées en poids. Exemple 1. - On ajoute 23,22 grammes (0,12 mole) de méthylène- dianiline, puis 12,6 grammes (0,05 mole) de bis gamma- aminopropyl-1,3 tétraméthyldisiloxane à une solution de 54,00 grammes (0,17 mole) de dianhydride benzophénonetétracarboxy- lique-3,3', 4,4', dissous dans 250 cm3 de N-méthylpyrrolidone sèche. On met en oeuvre l'addition sous atmosphère d'azote. On agite la solution à température ambiante pendant 24 heures. D'après le procédé de préparation on produit un acide de poly- amide-silicone renfermant environ 18% en poids de dimnéthyl- siloxane chimiquement combiné par rapport au poids total du polyamide acide-silicone. On agite à température ambiante pendant environ 24 heures sous atmosphère d'azote et à l'abri de la lumière, 35 grammes d'une solution à 28 % de substances solides dans la N-méthylpyrrolidone de l'acide de polyamidesilicone précédent et 5,5 grammes de méthacrylate d'isocyanatoéthyle. Il se produit un dégagement immédiat de dioxyde de carbone. On ajoute 15 grammes de toluène au mélange pour faciliter son dépot par rotation. De plus, on ajoute un mélange de 4 parties de cétone de Michler et 4 parties de N-méthyldiéthanolamine. On conserve ensuite la solution résultante à 4 C à l'abri de la lumière. D'après le procédé de préparation, on obtient un acide de poly- amide-silicone, photosensible renfermant environ 100 moles pour cent de groupes méthacrylate éthyl amide liés aux noyaux par rapport au nombre total de moles de ces groupes et des groupes carboxy dans l'acide de polyamide-silicone modifié. il Exemple 2. On revêt par rotation une pastille de silicium que l'on a lavée à l'acide avec l'acide de polyamide-silicone photosensible de l'Exemple 1 et on sèche la pastille traitée résultante à 100 C pendant 1 heure. On applique ensuite un masque sur la pastille et on l'expose pendant 30 secondes sous un appareil de traitement par les ultra-violets PPG ou pendant minutes sous une lampe solaire RS. On développe ensuite la pastille en utilisant une solution aqueuse de NaOH 0,5 N. On obtient une pastille de silicium portant sur sa surface une couche isolante d'acidepolyamide de silicone o on a créé un motif. On chauffe ensuite la pastille à 200 C pendant 1 heure puis à 300 C pendant 1 heure. On obtient une pastille de silicium portant sur sa surface une couche isolante de polyimide- silicone modifié o on a créé un motif. Exemple 3. On prépare une série d'acidesde polyamide-silicones substitués par des groupes méthacrylate éthyl amide conformément à l'Exemple 1, en utilisant 0 à 1,5 équivalent de méthacrylate d'isocyanatoéthyle par équivalent de carboxy du polyamide acide-silicone pour déterminer le rapport du méthacrylate d'isocyanatoéthyle aux groupes carboxy nécessaire pour obtenir les propriétés optimum de photoréticulation dans le polyamide acide-silicone photosensible résultant. On peut obtenir une réticulation satisfaisante avec des solutions non gélifiées au bout d'une période de conservation de 24 heures. De plus, les films réticulés ne doivent pas subir d'amincissement lorsqu'on les développe pendant 1 minute avec une solution aqueuse de HaOH 0,5 N. On obtient les résultats suivants, sachant que "MIE" représente le méthacrylate d'isocyanatoéthyle. Tableau I Détermination du rapport optimum MIE/acide carboxylique Equivalent Solution après Résultats de l'exposition MIE/COOH réaction (24 h) et du développement 0 non gélifié pas de modèle, film dissout 0,2 non gélifié modèle, film aminci 0,5 non gélifié modèle, film un peu aminci 1,0 non gélifié modèle, amincissement minimal 1,2 non gélifié modèle, amincissement minimal 1,5 gélifié --- aréaction mise en oeuvre à température ambiante en utilisant une solution d'acide de polyamide-silicone à 40 % dans la N-méthyl- pyrrolidone. bfilms de 1, 81m (séchés à 60 C pendant 20 mn) avant d'être exposés pendant 30 s (appareil de traitement par les U.V. PPG) et développés pendant 1 m, (NaOH 0,5 N). Les résultats ci-dessus montrent que l'utilisation d'un rapport du méthacrylate d'isocyanatoéthyle aux groupes carboxy de 1 pour 1 permet d'obtenir des propriétés de réticulation optimum. Exemple 4. On étudie divers sensibilisateurs pour amener l'acide de polyamidesilicone de l'Exemple 1 modifié par des groupes méthacrylate éthyl amide, ou "acide de polyamide-silicone modifié", à l'état photosensible. On mesure l'efficacité du sensibili- sateur en déterminant l'épaisseur de l'acide de polyamide-silicone modifié après qu'on l'ait exposé et développé. Comme le montre le Tableau II ci-dessous, on a trouvé que la cétone de Michler constituait le sensibilisateur le plus efficace, sachant que "Polymère" et PSiPI représentent le polyamide acide-silicone modifié par le méthacrylate d'isocyanatoéthyle: Tableau II Efficacité du sensibilisateur sur le durcissement du PSiPI % de senTempsc(mn) sibilisa- Tms(n sbis i dans le % de l'épaisseur teur dans le Poly- révélateur initiale du film Sensibilisateur merea après expositione Aucun - 0,1 0 diméthoxy-2,2- phényl-2 acéto- phénone 3 0,5 32 benzophénone 3 1,5 24 Cétone de Michler 3 1,5 80 Chloro2tioxanthone 4 2 60 aOn a ajouté un même pourcentage de Nméthyldiéthanolamine à chaque échantillon. NaOH 0,5 N. con a déterminé le temps de développement comme étant le temps nécessaire pour révéler le motif. dFilms de départ séchés à 100 C pendant 1 h, excepté pour le film contenant la chloro-2 thioxanthone (à 100 C pendant 2 h). eExposé pendant 5 minutes sous 4 lampes solaires RS, à une distance de 25,4 cm de celles-ci. Les résultats ci-dessus montrent que la cétone de constitue le sensibilisateur le plus efficace pour durcir l'acide de polyariide-silicone modifié. On a procédé à une autre étude pour déterminer la concentration optimum de la cétone de Michler pour assurer le pourcentage maximum de l'épaisseur initiale du film après une exposition de 5 minutes sous une lampe solaire puis un développement dans une solution de NaOH 0,5 N. On a obtenu les résultats suivants: Tableau III Effet de la concentration du sensibilisateur sur l'épaisseur du film % de cétone Tempsc (mn) dans % de l'épaisseur initiale du de Michlera le révélateurb filmd après exposition et développement 2 2 63 4 2 85 6 2 91 8 3 92 3 92 aMême chose que dans le Tableau II. bMême chose que dans le Tableau II. CMeme chose que dans le Tableau II. dFilms de départ séchés à 100 C pendant 1 h. Les résultats ci-dessus montrent que la concentration optimum en cétone de Michler pour la conservation de l'épais- seur de l'acide volvatmide-silicone réticulé correspond à environ 4-6 % en poids de l'acide polyamide-silicone modifié. De plus, les films préparés en utilisant le système sensibi- lisateur cétone de Michler/N-méthyldiéthanolamine en une concentration de 4 % se comportent de la même manière au développement dans l'air ou dans l'azote. Des films de 2 micromètres conservaient, après des temps d'exposition équivalents sous des lampes solaires RS, 71 % de leur épaisseur d'origine après avoir été développés pendant 6 minutes dans NaOH 0,5 N. On a encore trouvé que l'on pouvait obtenir des durcissements en des temps aussi courts que 30 secondes en utilisant un appareil particulier comme l'appareil de traitement par les ultra-violets PPG. Toutefois, la chaleur et la lumière peuvent être nécessaires dans des cas particuliers. Exemple 5. On a agité dans les conditions ambiantes un mélange dans la Nméthylpyrrolidone de 1 mole d'une solution à 30 % de dianhydride de bis [ (dicarboxy-3,4 phénoxy)-4 phényl]-2,2 propane, de 0,3 mole de bis y-aminopropyl-1,3 tétraméthyldi- siloxane et de 0,7 mole de méthylènedianiline. Après avoir agité pendant 2 heures, on a obtenu un acide de oolyamide- silicone. On a agité un mélange de 3,5 grammes d'une solution à 30 % dans la N-méthylpyrrolidone du polyamide acide-silicone ci-dessus, 0,55 gramme de méthacrylate d'isocyanatoéthyle et 5 gouttes de triéthylamine pendant 19 heures dans les conditions ambiantes. D'après le procédé de préparation et les données de l'analyse IR, on a obtenu un acide de polyamide-silicone renfer- mant des groupes méthacrylate éthvlamide liés aux noyaux. On a trouvé que le polyamide acide silicone modifié ci-dessus était utile comme composition diélectrique o on peut créer un motif par action de la lumière sur un stratifié revêtu de cuivre. Bien que les exemples précédents ne concernent que quelques unes des très nombreuses variables que l'on peut utiliser dans le procédé de la présente invention, il faut comprendre que la présente invention concerne une variété beaucoup plus importante d'acide de oolyamide-silicone et d'acrylates d'isocyanatoalkyles, de sensibilisateurs, de orocidés pour fabriquer cet acide de polyamide silicone photosensible et de procédés pour l'application sur différents substrats de couches isolantes de polyimide-silicone motif. REVENDICATIONS 1. Composition d'acide de polyamide-silicone photosensible caractérisée en ce qu'elle comprend en poids, (A) jusqu'à 95 % d'un solvant organique, (B) au moins 5 % d'un acide de polyamide aromatique- silicone modifié constitué essentiellement de motifs chimique- ment combinés répondant aux formules, Q Q R N-C CNR- O R C-N-R (Sio) Si-R2- et È 3 n'3 0 0O R (C) une quantité efficace d'un sensibilisateur, sachant que dans les formules Q représente un radical monovalent choisi dans le groupe constitué par des groupes carboxy et acrylate amide répondant à la formule, O O (R6) 2C=C-C-O-R -N-C- R7 et que les radicaux de formule (5) représentent au moins 10 moles pour cent de l'ensemble des radicaux carboxy et des radicaux de formule (5) dans le polyamide aromatique-silicone, R représente un radical aromatique tétravalent en C(6_30) choisi dans le groupe constitué par - éCg (6-30) o o " -C-Q-C j, et / O-R5-0 5-, R représente un radical organique divalent en C(213 R représente un radical alkylêne divalent en C(2_8) R est choisi dans le groupe constitué par des radicaux hydrocarbonés monovalents en C(113) et des radicaux hydro- carbonés monovalents en C(1_13) substitués, Q représente un radical divalent répondant a la formule -ZR Z-, Z est choisi dans le groupe constitué par -O- et -NH-, R4 et R5 sont choisis dans le groupe constitué par des radicaux organiques en C(2_13) R6 et R7 sont choisis dans le groupe constitué par l'hydrogène et des radicaux alkyles en C(1_), R8 représente un radical organo divalent en C(1_13) et n représente un nombre entier compris entre 1 et 20 inclus. 2. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que les groupes acrylate alkyl amide liés aux noyaux sont des groupes méthacrylate éthyl amide. 3. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce que le solvant organique est la N-méthylpyrrolidone ou un mélange de N-méthylpyrrolidone et de toluène. 4. Composition selon la revendication 1, caractérisée en ce cue le sensibilisateur est la cétone de Michler ou un mélange de cétone de Michler et de N-méthyldiéthanolamine. 5. Procédé pour obtenir sur un substrat une couche isolante de polyimide aromatique-silicone à motif caractérisé en ce aqu'il consiste à: (1) déposer par rotation sur un substrat, en l'absence pratiquement complète de lumière, une composition photorésis- tante comprenant une solution dans un solvant organique d'un acide de polvamide aromatiaue-silicone modifié renfermant au moins moles pour cent de groupes acrylate-amide liés aux noyaux par rapport au nombre total de moles de groupes carboxy et de groupes acrylate amide liés aux noyauxdans l'acide de polyamide aromatique-silicone modifié constitué essentiellement de motifs chimiquement combinés répondant aux formules, Q1 Q1 H R (3) H R N-C CNR- O O Q Q R R3 R3 R n -- CN-R2( o) Si-R2 et (4) -f 13 ' O O R R et (2) laisser sécher l'acide de oolvamide-silicone photosensible déposé par rotation de (1), (3) exposer le substrat traité en le masquant pendant un temps suffisant pour réticuler les groupes acrylate amide liés aux noyauxde l'acidede polvamide-silicone mrodifié, (4) développer le substrat traité par j'acide de Doly- amide aromatique-silicone modifié résultant. (5) chauffer le substrat traité par l'acide de poly- amide aromatiaue-silicone modifié développé à une température suffisante pour transformer le polyamide acide aromatique en polyimide aromatique, sachant que dans les formules, R représente un radical aromatique tétravalent en C(6_30) choisi dans le groupe constitué par o 0 C. C -Q-C tet o -R5-o- R1 représente un radical organique divalent en C2_13) R représente un radical alkylène divalent en C(2 8) R est choisi dans le groupe constitué par des radicaux hydrocarbonés monovalents en C(1_13) et des radicaux hydrocarbonés monovalents en C(113) substitués, Q représente un radical divalent répondant a la formule, -ZR4Z- Z est choisi dans le groupe constitué par -O- et -NH-, R4 et R5 sont choisis dans le groupe constitué par des radicaux R6 R7 organiques en C(2 13) R et R sont choisis dans le groupe constitué par l'hydrogène et des radicaux alkyles en C 18' R représente un radical organo divalent en C(113) et n représente un nombre entier compris entre 1 et 20 inclus. 6. Procédé de fabrication d'un acide de Dolyamide- silicone photosensible, caractérisé en ce qu'il consiste à (1) agiter un mélange d'un acide de polyamide-silicone d'un acrylate d'isocyanatoorgano et d'un solvant organique inerte en l'absence de lumière et dans une atmosphère inerte, (2) laisser le dioxyde de carbone formé en (1) se séparer du mélange et (3) ajouter une quantité efficace d'un sensibilisa- teur au mélange résultant.