FR 2557731 A1 19850705 FR 8419930 A 19841227 PROCEDE DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES ET CELLULES SOLAIRES AINSI OBTENUES. La présente invention concerne un procédé de fabri- cation de cellules solaires et elle concerne particulièrement un procédé de formation d'un revêtement anti-réfléchissant sur un substrat de silicium contenant une jonction p-n. Le rendement de conversion descellules solaires est augmenté en revêtant la surface recevant la lumière du substrat avec un revêtement anti-réfléchissant pour empêcher la réfle- xion de la lumière incidente par la surface. Ce revêtement antiréfléchissant est une pellicule d'oxyde métallique ayant une épaisseur de X/4n (X: longueur d'ondes de la lumière incidente; n indice de réfraction de la pellicule d'oxyde métallique) formée sur la face avant du substrat. La pellicule d'oxyde métallique est formée par exemple par (a) dépôt sous vide, (b) pulvérisation, (c) dépôt de vapeur de pro- duit chimique ou (d) dépôt et cuisson de complexe métallique. Parmi ces méthodes, les méthodes (a) (b) et (c) donnent une productivité inférieureparce qu'on utilise un système sous vide pour la formation de la pellicule et que toutes les méthodes(a) à(d) exigent après la formation d'un revêtement anti-réfléchissant sur toute la surface du coté du substrat recevant la lumière, l'élimination locale de la pellicule par décapage,et la for- mation d'un contact collecteur sur la zone mise à nue. Pour éliminer ces inconvénients, on a proposé un procédé qui consiste à revêtir un substrat de silicium con- tenant une jonction p-n avec un complexe métallique, a impri- mer une pâte d'argent conductrice sur des positions prédéter- minées du revêtement et à traiter par la chaleur le substrat résultant pour compléter un revêtement anti-réfléchissant et un contact d'argent simultanémentréalisant ainsi le contact de l'argent avec le substrat de silicium (IEEE Photovoltaic Specialists Conference, p.p 360-361 (1976)). Toutefoison a découvert que les cellules solaires obtenues selon ce procédé avaient une résistance de contact élevée entre l'argent et le substrat de silicium etn'étaient pas satisfaisantes en ce qui concerne le coefficient de rem- plissage et le rendement de conversion. La présente invention a pour objet de fournir un -5 procédé de fabrication de cellules solaires qui permet la formation simultanCe d'un revêtement anti-réfléchissant et d'un contact collecteur par impressionet qui donne une fai- ble résistance de contact entre l'argent et le substrat de silicium. La figure unique ci-jointe est un schéma de fabri- cation de cellules solaires selon le procédé de la présente invention. L'objet sus-mentionné de la présente invention est réalisé en revêtant un substrat de silicium contenant une jonction p-n avec une composition contenant un complexe mé- tallique renfermant un ligand alcoxy, un composé d'étain organique et un solvant comme constituantsessentiels, en séchant le revêtement si nécessaire, en imprimant une pate d'argent conductrice en des endroits prédéterminés, en séchant l'impression si nécessairejet en traitant par la chaleur le substrat obtenu à une température de 400 à 900 C. Le complexe d'alcoolatemétallique ayant un groupe alcoxy comme ligand est représenté par la formule générale M(OR1)n dans laquelle M est un ion métallique, et R1 est un groupe alkyleen C1-C18 (OR1 est un groupe alcoxy en C1-C18). Ce complexe est facilement hydrolysé par réaction avec l'hu- midité de l'air comme le montre l'équation (1) ci-dessous, ce qui durcit les pellicules de revêtement de ce complexe. H20 2M(OR)n 2- (R10)nlM-O-M(OR)n_ -2R1OH M(OR1)n-H20 -2R1OH - (R1o) n-lM-0-M(OR1)n_2-O-M(OR1)n-1 ---= - ' MO n/2 -- (1) Toutefois la réaction de l'équation (1) se déroule d'une façon trop poussée d'o il résulte un revêtement trop dur. Quand un tel revêtement excessivement durci et une pâte d'argent imprimé sur ce revêtement sont cuits simultanément, l'argent pénètre difficilement dans le revêtement résultant de l'hydrolyse de M(OR1)n. En conséquence il a été découvert que la cellule solaire résultante n'a pas un contact suffisant de l'argent avec le substrat de silicium. Pour contrôler l'hydrolyse de l'équation (1), une partie des groupes alcoxy du complexe métallique est remplacée par un ligand organique qui forme une liaison avec le métal non hydrolysable. Pour ce ligand sont appropriés des anions $-dicétones, des anions carboxylateset des anions dicarboxylates représen- tés respectivement par les formules générales (2) (3) et (4) ci-dessous. c9 R2COCHCOR3 (2) G R4COO (3) e OOCR5COO ----- (4) Dans ces formules R2,R3,et R4 représentent des groupes alkyle en C1-C18 et RS représente un groupe alkylène en C1-Co10. Des anions B-dicétoniques appropriés représentés par la formule (2) comgrennent par exemple CH3COCHCOCH3, CH3COCHCOC4H9 et CH3COCHCOOCH3. -Des anions carboxylatesappro- priés représentés par la formule (3) comprennent par exemple CH3COO0, C3H7COO, C2H5COOCH=CHCOO, et CH3CH(OH)CH2COO 0. Des anions dicarboxylates appropriés représentés par la formule (4) comprennent par exemple 0OOCCH=C(CH3)C0O. Le composé résultant du complexe métallique de formule (1) par le remplacement partiel des groupes alcoxy par le ligand ci-dessus, est représenté par la formule géné- rale M(OR1)n(L)a-n - - -- (5) Dans laquelle M est un ion métallique tel qu'un ion Zn, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sn, V, Nb, Ta, Mo, ou W; R1 est un groupe alkyle en C1-C18; L est un ligand organique qui forme une liaison non hydrolysable avec l'ion métallique et plus spécifiquement est représenté par les formules (2) (3) ou (4) ci-dessus; a est la valence de M; et n est un nombre entier satisfaisant à l'inégalité l n Des exemples appropriés du complexe métallique de formule (5) sont Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2, Al(0C3H7)2(OCOC3 H7), Zr(0C4H9)3(0COC7H15), Ta(OC2Hs)3(C2HsCOCHCOOCH3)2.Parmi ces composés Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2 est préféré. Les produits de condensation hydrolytiquesdu com- posé représenté par la formule (5) peuvent être également utilisés. Ces produits de condensation sont représentés par la formule générale (OR1)n1M(L)a-t-O-M(OR1)n-1 (L)a-n (6) dans laquelle M, R1, L, a et n ont les mêmes significations que dans la formule (5). Un exemple type des composés repré- sentés par la formule (6) est le composé ayant la structure suivante 0C3H7 O C3H7 O - O--oTic 3H7 C C H3C H CH3 10 Toutefois la résistance de contact atteint environ O,3Slcm2 comme résultat de la fabrication des cellules solaires par formation de revêtements à partir des composés représentés par les formules (5) ou (6), et par impression sur ce revête- ment d'un dessin de contact avec une pâte d'argent conductrice suivie d'un traitement thermique de l'ensemble. Cependant on a découvert que cette résistance de contact peut être diminuée en utilisant au moins un élé- ment choisi parmi les composés représentés par les formules (S) ou (6) et au moins un élément choisi parmi les composés d'étain organiques représentés par les formules générales (7) à (13) ci-après. (R6) Sn(O) (L) (7) (R6) 2SnX(L) (8) (R)SrnX(L) 2 ---- (9) (R6) 3SnL (10) 1 2 R6) 3SX( is (R 6)3 SnX à-------- (11) (R6)2Sn(L)2 ------ (12) (R6)3SnSn(R6)3 --(13) Dans les formules (7) à (13), R6 est un groupe alkyle en C1-C18; L est un anion 8-dicétonique représenté par la formule (2), un anion carboxylate représenté par la formule (3),ou un demi anion dicarboxylate représenté par la formule (4), et X est un ion hydroxyle% halogénure ou nitrate. Les exemples types de composés d'étain organiques sont les suivants: C4H9SnO(CH3COCHCOCH3), (C4H9) 2Sn(OH)- (OCOC7H15), (C4H9) 2SnC1(CH3COCHCOCOOC3H7), (C4H9)2Sn(NO3) (OCOC7H15), (CH3)2Sn(OH) (NO3), C4H9Sn (NO3) (CH3COCHCOC7H15)2,' (CH3) 3Sn(CH3COCHCOCH3)' (CH3)2Sn(OCOCH=CHCOO), (C4H 9)2Sn(OCOCH=CHCOOC2H5)2' et (CH3) 3SnSn(CH3) 3' En particulier les composés de formule (7) à (9) sont préférés parce qu'ils donnent des pellicules plus fines et plus tenaces. Des procédés de synthèse de ces composés d'étain organiques sont brièvement illustrés ci-dessous en montrant les équations des réactions applicables. Composés de formule (7) R6Sn(O)(L): C4H9Sn(O)(OH) + CH3COCH2COCH2 -_C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3) + H20 CH3Sn(O)(OH) + C7H15COOH CH3Sn(O) (OCOC7H15) + H20 Composés- de formule (8), (R6)2SnX(L): (C4H9)2Sn(O) + CH3COCH2COOC3H7 -*- (C4H9)2Sn(OH)(CH3COCHCOOC3H7) (CH3)2Sn(O) + C3H7COOH (CH3) 2Sn(OH)(OCOC3H7) Composés de formule (9), (R6)SnX(L)2: C4H9Sn(O)(OH) + 2CH3COCH2COCH3 C4H9Sn (OH) (CH3COCHCOCH3)2 + H20 CH3Sn(O)(OH) + 2C7H15COOH CH3Sn(OH)(OCOC7H15)2 + H20 Il est également possible que, au lieu d'utiliser un seul composé d'étain organique représenté par la formule (R6)Sn(O)(L), (R6)2SnX(L) ou (R6)SnX(L)2, le mélange résul- tant de la réaction d'un composé de formule (R6)Sn(OH) ou (R6)2Sn(O0) avec une e-dicétone ou avec un acide carboxylique dans un solvant est mélangé tel quel avec le complexe d'alcoolatemétallique de formule (5), M(OR1)n(L)an' ou avec le produit de condensation hydrolytique de celui-ci, et la solution résultante est utilisée pour former le revê- tement anti-réfléchissant. Donc, la composition utilisée dans la présente invention pour former le revêtement anti-réfléchissant contient au moins un élément choisi parmi les composés de formules(S) et (6), au moins un élément choisi parmi les composés d'étain organiques de formules(7) - (13), et un solvant comme constituants essentiels. Les rapports de mélangeages appropriés d'au moins un élément choisi parmi les composés de formules (S) et (6) à au moins un élément choisi parmi les composés d'étain organiquesde formules (7) - (13) varient de 1:0,05 à 1:3,0 en mole. Si la proportion du composé d'étain organique est inférieure à 0,05, l'effet de la diminution de la résistance de contact sera faible,et si la proportion est supérieure à 3,0,la dureté de la pellicule résultante sera insuffisante pour que la pâte d'argent conductrice puisse s'imprimer sans abîmer la pellicule. Des rapports de mélangeages appropriés de la somme d'au moins un élément choisi parmi les composés de formules (5) et (6) et d'au moins un élément choisi parmi les composés de formules (7) - (13) au solvant varient de :95 à 50:50 en poids. Si la proportion du solvant est supérieure à 95 % en poids, le revêtement résultant sera trop mince, et s'il y en a moins de 50 % en poids la composi- tion sera trop visqueuse et difficile à appliquer. Des proportions de solvant comprises entre 60 et 80 % en poids donnent les compositions ayant la meilleure aptitude à la mise en oeuvre. On peut utiliser dans la présente invention tout solvant qui dissout le composé de formule M(OR1)n(L)an ou son produit de condensation hydrolytique et le compose d'étain organique. Mais les solvants préférés sont les alcools tels que l'éthanol et l'isopropanol et les éthers monoalkyliques de l'éthylèneglycol qui facilitent la forma- tion de revêtements uniformes. On peut utiliser des combi- naisons d'au moins deux de ces solvants. L'application de la composition pour former le revêtement antiréfléchissant sur le substrat est effectuée par enduction par rotation, enduction au rouleau, trempage, impression à l'écran ou quelques autres procédés. Dans le cas de l'impression à l'écran, un épaississant tel que la nitrocellulose, le poly(méthacrylate de méthyle) ou produit analogue peut être ajouté à la composition pour la forma- tion d'un revêtement anti-réfléchissant,afin de régler la viscosité à un niveau approprié pour l'impression à l'écran. La pâte d'argent pour la formation du contact doit contenir une poudre d'argent comme constituant principal et une poudre de Ti, Mg ou Ni et une fritte de verre au boro- silicate de plomb comme constituants auxiliaires. Le traitement thermique des revêtements est effectué de préférence à une température de 4000 à 900C. Des températures inférieures à 4000C pour le traitement entraîneront une décomposition insuffisante des constituants organiques dans la pellicule de revêtement et dans la pâte d'argent, tandis que des températures supérieures à 900 C entraîneront une diffusion excessive de Ag dans Si et ceci tend à provoquer des fuites. La présente invention est illustrée par les exemples descriptifs et non limitatifs ci-après. Exemple 1 Une couche n+ (résistivité environ 1,5 x 10- 3 Scm) est formée avec une profondeur de 0,3 - 0,5 pm par la méthode d'implantation d'ions sur une face d'un substrat de silicium de type p (une plaquette circulaire ayant undiamètre + de 76,2 mm et une résistivité de 1 - 5 Scm) et une couche p est formée avec une profondeur de 1 - 2 pm par la méthode de diffusion de A1 dans la face opposée du substrat. Ce substrat de silicium est utilisé comme substrat de silicium formant une jonction pour cellules solaires. Les compositions montrées sur le tableau I sont préparées comme matières d'enduction pour des revêtements anti-réfléchissants. Ces compositions sont appliquées individuellement + sur la face à couche n des substrats de silicium par enductionr par rotation. La vitesse de rotation et la durée sont respectivement environ 3 000 tr/min et 60 secondes. Ensuite, chaque revêtement est séché à environ 100 C pendant minutes. On prépare une pâte d'argent pour la formation de contact de la façon suivante: une solution visqueuse conte- nant 10 parties en poids d'éthylcellulose dans 90 parties en poids de aterpinéol est ajoutée à un mélange comprenant g d'argent en poudre ayant une taille de particules ne dépassant pas 1 pm, 1 g de Ti en poudre traité en surface pour le stabiliser, et 0,5 g d'une fritte de verre du type PbO-B203-SiO2,en agitant énergiquement et en donnant à la pâte envisagée une viscosité d'environ 20 Pa.s (vitesse de cisaillement 100/s). Cette pâte est appliquée par impression à l'écran + sur la couche antiréfléchissante recouvrant la couche n de chaque substrat de silicium pour former un dessin en + forme de peigne et sur la couche p de chaque substrat pour couvrir toute la surface. La pâte appliquée est séchée à C pendant 10 minutes. Ensuite, les substrats résultants sont cuits à 600 C pendant 10 minutes sous une atmosphère d'azote contenant 50 ppm d'oxygène. On examine les cellules solaires ainsi préparées pour leur propriété intensité-tension (I-V), leur densité de courant de court-circuit, leur tension à vide, leur coefficient de remplissage et leur rendement de conversion. La résistance de contact entre la couche de Ag et la couche n est également mesurée. N'importe laquelle des cellules a donné une densité de courant de court-circuit d'environ 28 mA/cm2 et une tension à vide d'environ 0,59 V. Comme on peut le voir d'après le tableau I, les compositions des échantillons n 1 - 17 donnent des carac- téristiques de résistance de contact aussi bonnes que 0,03 - 0,04 Scm2, des coefficients de remplissage de 0,78 - 0,81 et des rendements de conversion de 13,3 - 13,6 %, qui sont bien meilleurs comparés à ceux obtenus en utilisant les compositions connues des échantillons n 18 - 21. Les échantillons n 6 - 16, c'est-à-dire les cellules solaires préparées en utilisant des composés d'étain organiques de formule (R6)Sn(O)(L) ou (R6)2Sn(X)(L),sont en particulier supérieurs en ce qui concerne la finesse de la texture du revêtement anti-réfléchissant formé. Tableau 1 Echantill Comolexe métallique contenant des groupes alcoxy (A) No (parties en poids) 76 Ti(OC3H7)2 (CH3COCHCOCH3)2 (40) il 13 A1(OC3H7)2(OCOC3H7) (30) 14 Zr(OC4H9)3(OCOC7H15) (50) Ta (OC2H5)3 (C2H5COCHCOOCH3)2 (50) 0C3H7 16C3 71 7 3 7 (0 3 O TO1,7) ( O3 OH7OH) (50) 16 I C C / -XCHnk_ CH3 CH3 10 17 Ti (OC3H7) 2 (CH3COCHCOCH3) 2 (20) A1(OC3H7)2(OCOC3H.7) (15) 18 Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2 (40) 19 A1(0C3H7)2(OCOC3H7) (30) Zr(0C4H9)3(OCOC7H15) (50) 21 Ta (0C2H5) 3 (C2H5COCHCOOCH3)2 (50) Note:L'éther monoéthylique de l'éthylèneglycol (100 parties en poids) est utilisé comme solvant. à suivre Tableau 1 (suite) Rapport Composé d'-étain organique (B) molaire (parties en poids) (B) (C4H9)3SnCl (18) 0 50 (C4H9)3Sn(OCOC3H7) (21) 0,51 (CH3)2Sn(OCOCH=CHCOOC2HS)2 (24) 0,50 (CH3)2SnC12 (12) 0o,55 (CH3) 3Sn(CH3COCHCOCH3) (14) 0,48 (CH3)2Sn(OH)(NO3) (13) 0,52 CH3Sn(O) (CH3COCHCOCH3) (14) 0>51 C3H7Sn(O).(OCOC7H15) (18) 0,51 (CH3)2Sn(OH) (CH3COCHCOCH3) (15) 0,52 (C4H9) 2Sn (OH) (C3H7COCHCOOCH3) (21) 0,49 (C4H9) 2Sn(OH)(OCOC7H15) (22) 0,51 0,50 0,27 _ 0,50 - 063 C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3) (16) (CH3) 2Sn(OH) (NO3) (10). - C3H7Sn (O) (0COC7H15) (5) 0)38 aucun_ à suivre 1 3 Tableau 1 (suite) Valeur caractéristique Résistance Coefficient de Rendement de de contact remplissage conversion ( 0,03 0,80 13,5 0,04 0,79 13,3 0,03 0,81 13,6 0,03 0,81 1376 0,03 0,80 1375 0,04 0,80 13,5 0,03 0,81 13,6 0703 0,81 13,6 0,03 0,80 1315 0;04 0,78 13,3 0,03 0,81 13 6 0;03 0,81 13,6 0,03 0,81 13,6 0,03 0,80 13,5 0,03 0.8 13,6 0;03 0,81 13,6 0,03 0,80 13,5 _0,03 I 0,81 1 0y03 0y81 13,6 0s03 0;80 1375 0,31 0,49 8,6 0,30 0,47 8,3 0,38 0,53 8,9 0,35 0,51 8,7 Exemple 2 On prépare les compositions indiquées dans le tableau 2 à partir de Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2, C4H9Sn(O) (CH3COCHCOCH3), et de l'éther monoéthylique de l'éthylène- glycol. En utilisant ces compositions, on fabrique des cellules solaires de la même façon que dans l'exemple 1. Les valeurs caractéristiques de ces cellules sont indiquées dans le tableau 2. Tableau 2 Quantité de Quantité de Altération Valeurs caractéristiques EchanTi(0C3H7)2- C4H9Sn(0)- du Résistance Coeffi- Rendement de Rapport tillon (CH3COCHCOCH3)2 (A) (CH3COCHCOCH3)(B) revêtement de contact cient de conversion molaire No dans le mélange dans le mélange anti- (Qcm2) remplis- (B/A) (parties en poids) (parties en poids)réfléchissat sage 22 (40) (0,3) Rien 0,20 0,55 9,8 0,01 23 (40) (1,0) " 0,11 0,60 10,8 0,03 24 (40) (1,6) " 0,03 0,81 13,6 0,05 (40) (6,4) 0,03 0,80 13,5 0,2 26 (40) (32) 0,03 0,81 13,6 1 27 (40) (96) 0,03 0,80 13,5 3 28 (40) (128) 0,03 0,80 13,5 4 "i Note:L'éther monoéthylique de l'éthylèneglycol (100 parties en poids) est utilisé comme solvant. D'après le tableau 2 on peut voir que la résistance de contact devient saturée quand le rapport molaire de C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3) à Ti(OC3H7) 2(CH3COCHCOCH3)2 est inférieur à 0,05. Au contraire, quand ce rapport est supé- rieur à 3,0, on observe au microscope la marque de la plaque d'impression à l'écran sur le revêtement anti-réfléchissant. Exemple 3 On prépare une composition à partir de Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2 (40 parties en poids), C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3)2 (32 parties en poids), et d'éther monoéthylique d'éthylèneglycol (30 parties en poids), et on l'applique sur un substrat de silicium. Mais on ne peut pas obtenir de revêtement uniforme même avec une vitesse de rotation de 8 000 tr/min, car la composition est trop vis- queuse. Exemple 4 On prépare une composition à partir de Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2 (40 parties en poids), C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3) (32 parties en poids), et d'éther monoéthylique de l'éthylèneglycol (1 300 parties en poids), et on l'applique sur le substrat de silicium. Mais on ne peut obtenir aucun revêtement anti-réfléchissant ayant l'épaisseur nécessaire d'au moins 70 nm, même avec une vitesse de rotation aussi basse que 500 tr/min. REVEND ICAT IONS 1. Procédé de fabrication des cellules solaires qui consiste à appliquer une composition pour former un revête- ment anti-réfléchissant sur une face d'un substrat de sili- cium qui contient une jonction p-n, à appliquer par impres- sion une pâte d'argent pour la formation d'un contact sur des zones prédéterminées du revêtement, et à traiter par la chaleur la plaque résultante à une température de 400 à 900 C pour compléter le revêtement anti-réfléchissant et le contact sur la face recevant la lumière, la composition pour la formation du revêtement anti-réfléchissant contenant comme constituants essentiels, (a) au moins un élément choisi parmi le groupe que constituent des composés de complexes métalliques contenant un ligand organique repré- senté par la formule générale M(OR1)n(L)a-n (5) dans laquelle M est un métal choisi parmi Zn, Al, Ga, In, Ti, Zr, Sn, V, Nb, Ta, Mo et W; OR1 est un groupe alcoxy; R1 est un groupe alkyle en C1-C18; L est un ligand orga- nique qui forme une liaison non hydrolysable avec l'ion métallique; a est la valence du métal M; et n est un nombre entier satisfaisant à l'inégalité 1 (b) un composé d'étain organique et (c) un solvant. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le ligand L organique est un anion $-dicétonique représenté par la formule générale: R2COCHCOR3 (2) dans laquelle R2 et R3 sont des groupes alkyle en C1-C18. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le ligand organique L est un anion carboxylate représenté par la formule générale: R4COO (3) dans laquelle R4 est un groupe alkyle en C1-C18. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le ligand organique L est un anion dicarboxylate représenté par la formule générale: 000CR COO0 (4) dans laquelle R5 est un groupe alkyle en C1-C18. 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le fait que l'anion B-dicétonique est: e CH3COCHCOCH3. 6. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait que l'anion dicarboxylate est: OOCH=C(CH3)COO. 7. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait que l'anion carboxylate est: CH3Coo00, C3H7Coo, ou C3H7COO. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le composé complexe métallique de formule (5)est Ti(OC3H7)2(CH3COCHCOCH3)2, Al(0C3H7)2(OCOC3H7), Zr(OC4H9)3 (OCOC9H15), ou Ta(0C2H5)3(C2H5sCOCHCOOCH3) 2. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le produit de condensation hydrolytique a la structure OC3H7 C H7 0-.-T, C C C H 3C H CH3 10 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le composé d'étain organique est au moins un élément choisi parmi les composés représentés par les formules générales (R6)Sn (0) (L) (7) (R6) 2SnX(L) (8) (R6)SnX(L)2 (9) (R6) 3Sn(L) (10) (R6) 3SnX (11) (R6)2Sn(L)2 (12) ou (R6) 3SnSn(R6) (13) dans lesquelles R6 est un groupe alkyle en C1C18, L est un ligand organique représenté par les formules (2), (3), ou (4), et X est un ion hydroxyle, un ion halogénure ou un ion nitrate. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé par le fait que le composé d'étain organique est au moins un élément choisi parmi C4H9SnO(CH3COCHCOCH3), CH3Sn(O)(OCOC7H15), (C4H9)2Sn(OH)(CH3COCHCOOC3H7), (C4H9)2 Sn(OH)(OCOC7H15) C4H9Sn(OH)(CH3COCHCOCH3)2,' CH3Sn(OH)(OCOC7H15)2, ' (C4H9) 2SnCl(CH3COCHCOCOOC3H7), (C4H9) 2Sn(NO3) (OCOC7H 15), (CH3) 2Sn(OH)(NO3), C4H9Sn(NO3) (CH3COCHCOC7H15)2, (CH3) 3Sn(CH3COCHCOCH3), (CH3) 2Sn(OCOCH=CHCOO), (C4H9) 2Sn(OCOCHCHCOOC2H5) 2' et (CH3) 3SnSn(CH3)3- 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que C4H9Sn(O)(CH3COCHCOCH3) a été préparé en fai- sant réagir C4H9Sn(O)(OH) avec CH3COCH2COCH3. 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que CH3Sn(O)(OCOC4H15) a été préparé en faisant réagir CH3Sn(O) (OH) avec C7H15COOH. 14. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que (C4H9) 2Sn(OH)(CH3COCHCOOC3H17) a été préparé en faisant réagir (C4H9)2Sn(O) avec CH3COCH2COOC3H17. 15. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que (CH3) 2Sn(OH)(OCOC3H7) a été préparé en faisant réagir (CH3)2Sn(O) avec C3H7COOH. 16. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que C4H9Sn(OH)(CHI3COCHCOCH3)2 a été préparé en faisant réagir C4H9Sn(O)(OH) avec CH3COCH2COCH3. 17. Procédé selon la revendication 11, caractérisé par le fait que CH3Sn(OH)(OCOC7H15) a été préparé en faisant réagir CH3Sn(O)(OH) avec C7H15COOH. 18. Procédé selon la revendication 9, caractérisé par le fait qu'un composé représenté par la formule (R6)Sn(O)(OH) ou (R6)2Sn(O) est utilisé à la place du composé représenté par la formule (R6)Sn(O)(L), (R6)2SnX(L), ou (R6)SnX(L)2. 19. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport de mélangeage d'au moins un élément choisi parmi les composés complexes métalliques contenant un ligand organique et les produits de condensation hydro- lytique de ces composés au composé d'étain organique est dans la gamme de 1:0,05 à 1:3,0 en poids. 20. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le rapport de mélangeage de la somme de (a) d'au moins un élément choisi parmi les composés complexes métalliquescontenant un ligand organique et les produits de condensation hydrolytique de ce composé et (b) le composé d'étain organiqueo (cèle solvant est dans la gamme de 5:95 à 50:50 en poids. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé par le fait que les proportions de mélangeage préférées du solvant sont de 60 à 80 % en poids. 22. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le solvant dissout le composé complexe métalli- que contenant le ligand organique, le produit de condensa- tion hydrolytique et le composé d'étain organique. 23. Procédé selon la revendication 22, caractérisé par le fait que le solvant est un alcool tel que l'éthanol et l'isopropanol, un éther monoalkylique de l'éthylèneglycol ou un mélange de ces composés. 24. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'application de la composition est effectuée par un moyen quelconque d'enduction, tel que l'enduction par rotation, l'enduction au rouleau, le trempage, la pulvé- risation et l'impression à l'écran. 25. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la pâte de Ag contient de l'argent en poudre comme constituant principal et du titane, du magnésium ou du nickel en poudre et une fritte de verre de borosilicate comme constituants auxiliaires. 26. Cellules solaires fabriquées par le procédé selon la revendication 1.