FR 2555370 A1 19850524 FR 8417668 A 19841120 -1 - "Dispositif semiconducteur servant à engendrer du rayonnement électromagnétique". L'invention concerne un dispositif semiconducteur servant à engendrer un rayonnement électromagnétique dans une région semi- conductrice en forme de couche active, qui est composée d'au moins une couche active ou fil actif d'un premier matériau semiconducteur situé(e) entre des couches constituant barrière d'un deuxième maté- riau semiconducteur, le pouvoir de recombinaison de rayonnement du premier matériau semiconducteur étant élevé par rapport à celui du deuxième matériau semiconducteur. Les dispositifs semiconducteurs servant à engendrer un rayonnement électromagnétique s'appliquent à divers domaines de la technique. La présente invention concerne surtout des dispositifs semiconducteurs dans lesquels le rayonnement engendré est cohérent, tels que les lasers semiconducteurs. La longueur d'onde du rayonne- ment émis peut se situer dans la région visible du spectre mais éga- lement par exemple dans la région infrarouge ou ultra-violette. Les dispositifs semiconducteurs du genre mentionné dans le préambule visent à réaliser des lasers semiconducteurs dont la lon- gueur d'onde est plus courte que celle des lasers à hétérojonction double utilisés le plus souvent jusqu'à présent, présentant une ré- gion active sous forme d'une couche en arséniure de gallium (GaAs) ou en arséniure de gallium-aluminium (AlGaAs) à plus petite largeur de bande interdite située entre deux couches de revêtement passives à dopage opposé d'un matériau, dont la largeur de bande est plus grande que celle du matériau actif, comme l'arséniure de gallium- aluminium (AlGaAs), une plus grande largeur de bande étant la con- séquence d'une teneur plus élevée en aluminium. Le rayonnement engendré par ces lasers semiconducteurs connus présente (dans l'air) en général une longueur d'onde de 800 à 900 nanomètres. Pour plusieurs raisons, il est désirable de réaliser des lasers émettant un rayonnement à une plus courte longueur d'on- de. C'est ainsi que dans le cas de stockage d'information dans des -2- porteurs image et son (VLP, DOR, compact disc), la superficie néces- saire pour une information de bit est inversement proportionnelle au carré de la longueur d'onde du rayonnement laser. Une réduction à la moitié decette longueur d'onde permet donc de quadrupler la densité d'information. Un avantage secondaire est que dans le cas d'une plus courte longueur d'onde, il suffit d'utiliser une oplique plus sim- ple. Dans les dispositifs semiconducteurs du genre mentionné dans le préambule, il peut se produire divers effets dans la struc- ture de couche de la région active, suivant ladite structure de cou- che. Un premier effet pouvant se produire consiste dans l'effet dit en anglo-saxon "quantum well". Tledit effet se produit lorsqu'une couche très mince d'un premier matériau semiconducteur est enfermée entre deux couches d'un deuxième matériau semiconducteur présentant une plus grande largeur de bande que le premier matériau. Il en résulte que la largeur de bande effective dans la couche très mince du premier matériau de- vient plus grande et par conséquent, la longueur d'onde du rayonne- ment engendré plus courte. Une ou plusieurs couches du premier maté- riau semiconducteur peut/peuvent se trouver (dans la région active) entre les couches du deuxième matériau semiconducteur. Si les cou- ches du premier matériau semiconducteur se situent tout près les unes des autres, il peut se produire un effet dit "zonefolding", du fait que ces couches constituent une structure de superréseau. L'ef- fet dit "zonefolding" se produit par suite de la structure de super- réseau et résulte en la conversion du matériau semiconducteur "indi- rect" en matériau semiconducteur "direct", qui est effectif par rap- port aux transitions de bande de porteurs de charge. Cela augmente la probabilité de transition de rayonnement des porteurs de charge, de sorte qu'il est possible d'atteindre une densité de rayonnement élevée. Pour une description de l'effet dit "quantum well", il y a lieu de se référer entre autres à l'article de Holonyak et al dans IEEE Journal of Quantum Electronics Vol. QE 16, 1980, p. 170-184. Pour une description de l'effet dit "zone folding", il y a lieu de se référer à l'article dans Osbourn et al dans Applied Phy- sics Letters, Vol. 41 (1982) p. 172-174. -3- De plus, dans la couche active il peut se produire un do- page dit "iso-électronique", cas dans lequel, dans un dispositif semiconducteur du genre mentionné dans le préambule, dans la région active, le premier matériau semiconducteur est appliqué sous forme de fil ou de couche, les dimensions du fil respectivement à la cou- che, vues dans une direction perpendiculaire au fil respectivement à la couche, étant au maximum égales à l'épaisseur de deux couches monomoléculaires du premier matériau semiconducteur. Un tel dispositif semiconducteur est décrit dans la deman- de de brevet non préalablement publiée N 8301187 au nom de la De- manderesse. Dans les structures de laser décrites ci-dessus, une cou- che active est située entre deux couches aux zones semiconductrices présentant une largeur de bande plus grande que la largeur de bande effective de la région active. De telles couches semiconductrices passives, qui servent à enfermer autant que possible le rayonnement engendré dans la couche active, sont de type de conduction opposé dans de tels lasers et de plus, elles sont munies d'électrodes. Par l'intermédiaire de ces électrodes, des porteurs de charge sont ame- nés et provoquent dans la couche active l'inversion d'occupation requise et, de ce fait, le rayonnement laser. Notamment dans les cas o la région active présente une structure de "quantum-well" ou est obtenue par dopage iso-électroni- que, il peut se produire des problèmes du fait que l'injection de porteurs de charges s'effectue dans une direction perpendiculaire aux faces en matériau actif présentant un pouvoir de recombinaison de rayonnement élevé. Pour une structure de "quantum well" simple, ce problème est signalé dans l'article "Very narrow graded-barrier single quantum well lasers grown by metal-organic chemical vapour deposition" par D. Kasemset et al, paru dans Applied Physics letters, 41 (10), 15 novembre 1982, pages 912 à 914. Ledit problème se pose du fait que la possibilité de captage des porteurs de charge injectés, et qui doivent provoquer l'inversion d'occupation dans ces couches, est très faible, notamment lorsque l'épaisseur de couche est plus petite que la longueur de trajet libre moyenne des porteurs -4- charge dans le matériau en question (de la couche active). Pour la configuration présentant un "quantum well" simple, ledit article propose une solution selon laquelle la couche active se trouve entre deux couches d'enfermement présentant une largeur de bande variable, les couches d'enfermement présentant une augmenta- tion régulière en largeur de bande sur une distance de 220 nanomé- tres. Ainsi, il se produit une dispersion des porteurs de charge de façon qu'ils soient captés à l'aide de processus de recombinaison dans le "quantum well" proprement dit. Il est alors possible d'at- teindre un laser à "quantum well" simple présentant une largeur de nanomètres pour le "quantum well (dans le cas d'arséniure de gal- lium). Dans le cas de lasers semiconducteurs munis de régions actives dopées de façon iso-électronique, les susdits problèmes se produisent dans une plus grande mesure du fait que les couches acti- ves (ou fils actifs) présentant une épaisseur d'au maximum deux cou- ches monomoléculaires et ces structures doivent être considérées pour ainsi dire comme le cas limite d'une structure de "quantum well". L'invention vise à fournir un dispositif semiconducteur du genre mentionné dans le préambule permettant d'obtenir un rendement élevé du fait qu'un nombre aussi élevé que possible de porteurs de charge injectés contribuent à l'inversion d'occupation dans la cou- che active présentant un pouvoir de recombinaison de rayonnement élevé. Elle est basée sur l'idée que ce but peut être atteint lorsque les porteurs de charge à injecter ne sont pas injectés transversalement aux couches actives, mais se déplacent autant que possible le long de ces régions, ce qui augmente la possiblité de captage. Un dispositif semiconducteur conforme à l'invention est caractérisé en ce que la région active est limitée des deux c8tés par des régions semiconductrices du deuxième matériau semiconducteur présentant respectivement un premier type de conduction et un deu- xième type de conduction opposé au premier type de conduction. -5- Or, des porteurs de charge sont injectés, soit de façon directe dans les couches actives du premier matériau semiconducteur et y provoquent l'inversion d'occupation, soit dans les couches pas- sives du deuxième matériau semiconducteur. Par suite de la différence en pouvoir de recombinaison de rayonnement, les porteurs de charge se trouvant dans le matériau passif des couches constituant barrière présentent une durée de vie qui dépasse notablement (de l'ordre de 1.000 à 10.000 fois) celle des porteurs se trouvant dans le matériau actif. Un choix approprié de la distance comprise entre les régions semiconductrices voisines permet d'obtenir que plusieurs porteurs de charge parcourent tous les trajets dans l'une des couches constituant barrière suivant la durée de vie de ces porteurs de charge et les conditions d'utilisa- tion, il est vrai, mais que la majeure partie est dispersée par des processus de collision et autres processus de dispersion, vers les couches actives o ils sont recombinées par suite de la durée de vie locale notablement plus courte et émettent le rayonnement re- quis. Comme il a été mentionné ci-dessus ladite disposition est extrêmement efficace dans le cas de lasers du genre "quantum-well" et de lasers o la région active est obtenue par dopage iso-élec- tronique. Une première forme de réalisation préférentielle d'un dis- positif semiconducteur conforme à l'invention est caractérisée en ce que la région active est composée d'une structure de couches présen- tant plusieurs couches actives du premier matériau semiconducteur, d'une épaisseur pratiquement égale, situées entre et séparées par des couches constituant barrière, du deuxième matériau semiconduc- teur. Pour un bon effet laser, il est nécessaire que l'onde électromagnétique engendrée reste enfermée dans la couche active. A cet effet, cette région se situe de préférence entre deux régions présentant un indice de réfraction plus faible. Pour enfermer l'onde électromagnétique dans la direction latérale, dans un dispositif semiconducteur conforme à l'invention, les régions semiconductrices -6- voisines du premier type de conduction et du deuxième type de con- duction sont de préférence dOp6es de façon à provoquer la dégénéra- tion. A ce sujet par "dégén5ration", il y a lieu d'entendre l'ap- plication d'une concentration d'impuretés si élevée que le niveau Fermi se situe dans la bande de conduction (dégSnération de type n) ou la bande de valence (d6génération de type p). Par suite de l'ef- fet dit "décalage de Burstein" il se produit ainsi une réduction effective de la partie réelle de l'indice de réfraction dans ces régions. De plus, le dopage élevé de ces régions se produit par une superinjection dans les couches du premier matériau semiconducteur, ce qui se traduit par une inversion d'occupation plus rapide. Dans les directions longitudinale et transversale, les dimensions peuvent être choisies de façon à obtenir un effet de la- ser eptimal. C'est ainsi que l'épaisseur de la région active est de préférence choisie égale à environ 1 fois la longueur d'onde émise 2n (n =indice de réfraction du deuxième matériau semiconducteur), émise (n = indice de réfraction du deuxième matériau semiconduc- teur), du fait que dans ce cas, le fluxptique subit une amplifica- tion optimale, ce qui fournit un rendement optimal. Ia description ci-après, en se référant au dessin annexé, le tout donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. Ia figure 1 représente schématiquement un dispositif semi- conducteur conforme à l'invention, alors que Ia figure 2 représente schématiquement les niveaux d'ner- gie dans la région active du dispositif selon la figure 1 par rap- port a la direction du transport de porteurs de charge et les figures 3 à 4 représentent schématiquement en section le dispositif selon la figure 1 pendant plusieurs stades de sa réa- lisation. Les figures sont purement schématiques et non représentées à échelle, et pour la clarté des dessins, notamment les dimensions dans la direction de l'épaisseur sont fortement exagérées. Les piè- ces correspondantes sont en général désignées par le même chiffre de -7référence. Les régions semiconductrices de même type de conduction sont hachurées dans la même direction. Ia figure 1 représente partiellement schématiquement en section transversale et partiellement en perspective un dispositif semiconducteur conforme à l'invention, dans ce cas un laser semicon- ducteur comportant un substrat semi-isolant 2 en phosphure de gal- lium d'une épaisseur d'environ 80 micromètres et de dimensions d'en- viron 300 micromètres à environ 250 micromètres. Sur ce substrat se trouve une région active 3 d'une largeur d'environ 2 micromètres pour une longueur d'environ 250 micromètres. Dans ce cas, la région active 3 présente une structure de "multi-quantum-well" et est com- posée de façon alternative par des couches actives 4 à faible lar- geur de bande et des couches constituant barrière 5 à grande largeur de bande. Dans cet exemple, les couches actives présentent du phos- phure de gallium et une épaisseur d'environ 1 nanomètre, Alors que les couches constituant barrière sont constituées par du phosphure d'aluminium et présentent une épaisseur d'environ 6 nanomètres. Les couches actives peuvent être si minces qu'elles ne présentent qu'une ou au maximum deux couches monomoléculaires de phosphure de gallium présentant une épaisseur d'au maximum 0,6 nano- mètre. Dans ce dernier cas, il n'est plus question d'une structure de "quantum-well", mais plutôt de dopage iso-électronique comme dé- crit en détail de ladite demande de brevet néerlandais N 8201187. Conformément à l'invention, la région active 3 est latéra- lement délimitée par une première région semiconductrice 6 en phos- phure d'aluminium de type n et une deuxième région semiconductrice 7 en phosphure d'aluminium de type p. les deux régions semiconductri- ces présentent un dopage élevé et afin d'assurer le contact, elles sont munies de couches de contact à dopage élevé 8 (type n) et 9 (type p) en phosphure de gallium, respectivement. De préférence, elles délimitent la région 3 sur toute l'épaisseur de cette région 3. La face supérieure de la région active 3 est en outre re- couverte d'une couche protectrice 10 en nitrure de bore. Le matériau de cette couche 10 présente un plus faible indice de réfraction que celui de la région active 3 et constitue, de concert avec le subs- trat semi-isolant 2, la délimitation transversale de la cavité de résonance dans laquelle est engendré le rayonnement électromagnéti- que. Ies modes latéraux du rayonnement sont limités du fait que l'indice de réfraction dans les régions à dopage élevé 6 et 7 est réduit de façon efficace par ledit "décalage de Burstein". Finale- ment, dans la direction longitudinale, les faces terminales de la région active 3 constituent des réflecteurs partiellement perméables au rayonnement engendré, de sorte que ce rayonnement quitte le laser 1 dans une direction perpendiculaire à ladite face. Ia figure 1 le représente de façon schématique à l'aide du faisceau 11. Ia longueur d'onde du rayonnement est d'environ 530 nanonmtres. Pour un rende- ment optimal, on choisit une épaisseur de 0,2 micromètre pour la région 3 (l'indice de réfraction du phosphure d'aluminium est d'en- viron 2,8). Ies avantages de la structure conforme à l'invention se- ront expliqués plus en détail à l'aide de la figure 2. la figure 2 montre un diagramme d'énergie de la région active 3 o les niveaux d'énergie des porteurs de charge sont indiquées dans la direction verticale. Dans la direction horizontale, les variations de la bande de conduction 12 et de la bande de valence 13 sont indiquées respec- tivement pour un matériau constitué par des couches alternatives de deux semiconducteurs à largeur de bande différente correspondant à une composition analogue à celle de la région active 3 dans le dis- positif selon la figure 1. Ies largeurs de bande 14 et 15 correspon- dent à celles des couches actives 4 en phosphure de gallium et les couches constituant barrière 5 en phosphure d'aluminium respective- ment. Ies niveaux d'énergie sont représentés comme des faces s'éten- dant dans une direction perpendiculaire au plan du dessin, ce qui veut dire que ces faces (et les niveaux d'énergie correspondants) se poursuivent sur toute la longueur de la région active 3. Pour la clarté, il y a lieu de mentionner en fin de compte que la direction de la variation de matériau sur la figure 2 est tournée de 90' par rapport à celle de la figure 1. Ia région 3 présente une structure de "multi-quantum-welli -9- ce qui veut dire que des états d'énergie sont créés dans les faces représentées schématiquement 16 et 17 dans les couches minces en phosphure d'aluminium pour les porteurs de charge (électrons, trous) par suite d'effets de quantification. Ie rayonnement électro- magnétique effectif émis dans une telle région présente ainsi une longueur d'onde correspondant à la largeur de bande effective cor- respondant 18 (voir la figure 2). Pour obtenir l'inversion d'occupation, des porteurs de charge sont injectés dans la région active. Dans les lasers connus jusqu'à présent, présentant une telle structure de "quantum well" ou des faces isoélectroniques, cette injection s'effectuait dans une direction perpendiculaire aux faces dans lesquelles se produit la quantification (notamment les couches actives 3). Dans cet exemple, cela veut dire pour les électrons qu'ils sont injectés dans une di- rection indiquée par la flèche 19 sur la figure 2. Comme on l'a déjà mentionné ci-dessus, la possibilité de captage dans les couches ac- tives 3 est très faible. Dans le dispositif semiconducteur conforme à l'invention, les électrons sont cependant injectés dans la direction indiquée par la flèche 20. Les électrons injectés de façon non directe dans les couches 3 se déplacent suivant la longueur de trajet libre moyenne pendant une durée relativement longue dans les couches constituant barrière suivant les trajets 21. Ainsi, ils présentent une durée de vie de l'ordre de 100/usec. dans le phosphure d'aluminium indirect à faible pouvoir de recombinaison de rayonnement, alors que dans le phosphure de gallium direct effectif à grand pouvoir de recombinai- son de rayonnement, cette durée de vie est de l'ordre de quelques dizaines de nanosecondes. L'écartement compris entre les régions semiconductrices 6 et 7 est choisi de façon que sous la tension de fonctionnement usuel, il soit pratiquement égal ou légèrement inférieur à la lon- gueur de recombinaison de diffusion des porteurs de charge dans le phosphure d'aluminium indirect, de sorte que, tout en parcourant la couche barrière, la majeure partie des électrons est dispersée par divers mécanismes de collision (interaction- électron- phonon, dis- -10- persion etc.) vers les couches semiconductrices en phosphure de gal- lium actif direct effectif. Ces processus s'effectuent dans une du- rée si courte (de l'ordre de picosecondes) que cela est négligeable par rapport à la durée de vie moyenne des porteurs de charge, tant dans le phosphure d'aluminium que dans le phosphure de gallium. Pour les trous injectés dans la région active 3 la même considération que pour les électrons est valable. L'injection pour ainsi dire latérale des porteurs de charge effectuée de la façon décrite ci-dessus pro- voque l'inversion d'occupation d'électrons et des trous dans les faces quantifiées 16, 17. De plus, l'inversion d'occupation est provoquée du fait que le phénomène de superinjection se présente aux transitions entre les couches actives 3et les régions semiconductrices 6, 7. C'est ainsi que la transition entre la région semiconductrice 6 et une couche active 4 constitue une hétérojonction entre un matériau à grande largeur de bande et un matériau à faible largeur de bande. Lorsqu'une tension de conduction est appliquée à une telle hétéro- jonction, le niveau quasi Iermi dans le matériau actif 4 parvient au-dessous de la bande de conduction (au moins sur une faible dis- tance) ce qui se traduit localement par inversion d'occupation. Il en est de même pour l'injection de trous par l'intermédiaire de l'hétérojonction entre la région de type p7 et les couches actives 4. Pour une explication plus détaillée du phénomène de superinjec- tion, il y a lieu de s'en référer à L.J. v. Ruyven "Phenomena at heterojunctions", paru dans Annual Review of Materials Science, Vol. 2, 1972, pages 501-528, notamment les pages 524-525. Par suite du dopage élevé d'impuretés dans les régions 6 et 7, il se produit une augmentation de la largeur de bande effecti- ve et, de ce fait, une réduction de l'indice de réfraction. Ce déca- lage dit de "Burstein" est expliqué dans le chapitre 7.la de Semi- conducting III-V-compounds, Vol. 1, par C. Hilsum et A.C. Rose- Innes, notamment aux pages 173 et 174. Par suite du faible indice de réfraction dans les régions 6 et 7, la cavité-de résonance pour le rayonnement électromagnétique engendré dans la direction latérale est délimitée. -1 1- Des lasers semiconducteurs comme décrits sur la figure 1 peuvent être réalisés de la façon suivante (voiR les figures 3 à 5). On part d'un substrat en phosphure de gallium semi-isolant 2, sur lequel sont formées, pour obtenir les régions actives 3, d'une façon alternative les couches constituant barrière en phosphu- re d'aluminium et les couches actives 4 en phosphure de gallium, par exemple par croissance, épitaxiale en faisceau moléculaire ou bien en phase de vapeur métallo-organique (technique appelée MOVPE), jus- qu'à ce que la région active ait atteinte l'épaisseur réquise (dans ce cas environ 0,2 micromètre). Ensuite, le tout est recouvert d'une couche de revêtement 10 en nitrure de bore. Cette couche peut être appliquée à l'aide de techniques analogues. Ainsi, on a obtenu la situation selon la figure 3. Ensuite, la couche protectrice 10 et des parties de la région active 3 sont enlevées à des distances régulièrement espa- cées. A cet effet, on utilise d'abord un masque photolithographique 22 pour le décapage de la couche 10 en nitrure de bore. Tant les parties découvertes par décapage de la surface semiconductrice que les bandes restantes de la couche 10 présentent une épaisseur d'en- viron 300/um. Après enlèvement par décapage de la région active 3 à l'endroit des ouvertures de la couche 10, du phosphure d'aluminium de type p à dopage élevé est formé par croissance dans les rainures ainsi obtenues par épitaxie en faisceau moléculaire pour la forma- tion des régions à dopage élevé (dégénérées) 7. Pour assurer un bon contact, ces régions 7 sont recouvertes, également par épitaxie en faisceau moléculaire de phosphure de gallium bien conductrice de type p. Ensuite, les rainures 23 sont réalisées par décapage à l'aide d'un deuxiéme masque de façon qu'elles présentent une largeur d'environ 300/um et les régions actives restantes interjacentes une largeur d'environ 2/uMn (voir la figure 4). Ies rainures 23 sont remplies, d'une façon analogue à celle décrite ci-dessus, de phosphure d'aluminium 6 à dopage élevé de type n (dégénéré) et de phosphure de gallium 8. Ainsi, on a obtenu le dispositif selon la -12- figure 5. Entre les deux lignes pointillées 24 sur la figure 5 se trouve ainsi toujours une bande de la région active 3 d'une largeur d'environ 2/um, bande qui est latéralement délimitée par les ré- gions à dopage élevé 6 et 7. Suivant la grandeur du substrat 2 dont on est parti on peut obtenir plusieurs lasers 1 selon la figure 1 par rayure et rupture le long des faces dans la direction des poin- tillées 24, perpendiculairement au plan du dessin et suivant des faces parallèles au plan du dessin. Evidemment, l'invention n'est pas limitée à l'exemple dé- crit ci-dessus mais diverses variations sont possibles pour l'initié sans sortir du cadre de la présente invention. C'est ainsi que sui- vant la longueur d'onde requise, d'autres combinaisons de matériaux peuvent être choisies dans la région active, comme par exemple le nitrure de gallium entre des couches en phosphure de gallium faisant office de couches constituant barrière ou l'arséniure de gallium entre l'arséniure d'aluminium faisant office de couches constituant barrière. De plus, pour la couche protectrice 10 peuvent être choi- sis d'autres matériaux, comme par exemple l'oxyde ou le nitrure de silicium. -13- REVENDICATIONS: 1. Dispositif semiconducteur servant à engendrer un rayonne- ment électromagnétique dans une région semiconductrice en forme de couche active, qui est composée d'au moins une couche active ou fil actif d'un premier matériau semiconducteur, située entre des couches constituant barrière d'un deuxième matériau semiconducteur, le pou- voir de recombinaison de rayonnement du premier matériau semiconduc- teur étant élevé par rapport à celui du deuxième matériau semicon- ducteur, caractérisé en ce que la région active est limitée des deux côtés par des régions semiconductrices du deuxième matériau semicon- ducteur présentant respectivement un premier type de conduction et un deuxième type de conduction opposé au premier type de conduction. 2. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la région active est délimitée sur toute son épais- seur par les régions semiconductrices du deuxième matériau semicon- ducteur. 3. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la région active est composée d'une structure de couches présentant plusieurs couches actives du premier matériau semiconducteur d'une épaisseur pratiquement égale situées et sépa- rées par des couches constituant barrière du deuxième matériau semi- conducteur. 4. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les régions semiconductrices du deuxième matériau semiconducteur délimitant la région active présen- tent un dopage tel qu'il en résulte la dégé6nération. 5. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les régions semiconductricesdu deuxième matériau semiconducteur, respectivement du premier et du deuxième type de conduction, sont recouvertes d'une couche de con- tact du premier matériau semiconducteur. 6. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la région active présente une épaisseur égale à environ 1 la longueur d'onde du rayonnement 2n -14- des couches constituant barrière. 7. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les couches actives contiennent du phosphure de gallium et les couches constituant barrière du phos- phure d'aluminium. 8. Dispositif semiconducteur selon la revendication 7, carac- térisé en ce que la région active présente une épaisseur d'environ 0,2 micromètre.