FR 2549314 A1 19850118 FR 8311613 A 19830712 -4 2549314 QUADRUPOLE D'ADAPTATION, INDEPENDANTE DE LA FREQUENCE DE FONCTIONNEMENT, D'UNE REACTANCE, ET AMPLIFICATEUR A ONDES PROGRESSIVES UTILISANT UN TEL QUADRUPOLE La présente invention concerne un dispositif du type quadrupôle d'adaptation résistif, destiné à adapter une réactance de type résistance self-capacité, en série ou en parallèle, et assurant un rapport d'ondes stationnaires nul ou en tous cas très faible quelque soit la fréquence d'entrée, dans une gamme très étendue de fréquences L'invention s'applique plus particulièrement aux hyperfréquences et la réactance adaptée est avantageusement un transistor ou un amplificateur hyperfréquences. En hyperfréquences, l'emploi des transistors bipolaires ou à effet de champ sur l'arséniure de gallium ou matériaux III-V est de plus en plus 10 répandu pour plusieurs raisons: simplicité d'emploi, faibles tensions d'alimentation, gains importants, très haute fréquence de coupure. De plus, la conception d'amplificateurs hyperfréquences à très large bande, à transistors, présente un très grand intérêt, spécialement pour les matériels de communications par satellites, instrumentation, contremesures, etc Mais réaliser un amplificateur à gain plat sur une large bande 20 nécessite de compenser la chute du gain des transistors lorsque la fréquence augmente. Pour des largeurs de bande relativement faibles, de l'ordre de l'octave ou moins, la conception d'un tel amplificateur est basée sur les techniques de synthèse de filtres sans pertes Pour calculer les adaptateurs d'impédance 25 en entrée et en sortie de l'amplificateur, ces adaptateurs sont, comme les transistors ou amplificateurs, assimilables à des quadrup 8 les Avec de tels quadrupôles d'adaptation, la mise en cascade de plusieurs étages d'amplification est très difficile parce que les rapports d'ondes stationnaires (ROS) d'entrée et de sortie peuvent être très grands, surtout en basse fréquence, dans la bande de fréquence En effet, si le gain d'un transistor est diminué aux basses fréquences pour obtenir un gain plat, l'onde réfléchie qui en résulte modifie l'impédance d'entrée du transistor. D'autre part, l'utilisation d'amplificateurs de type "balancé" permet de disposer d'un amplificateur bien adapté en ROS sur une large bande de fréquences Dans ce cas, deux amplificateurs identiques sont placés entre des coupleurs hybrides dits " 90 3 d B" La puissance réfléchie à l'entrée et à la sortie de chacun des deux amplificateurs individuels est absorbée par la charge placée sur la sortie isolée du coupleur 90 De faibles ROS sont donc 10 assurés et les amplificateurs sont cascadables. La limitation la plus importante pour un amplificateur "balancé" provient surtout du coupleur Avec les technologies présentes, la bande d'amplification d'un étage balancé est limitée à environ 2 octaves De plus, un étage balancé nécessite 2 fois la puissance de polarisation continue par 15 rapport à un simple étage adapté, puisqu'il y a deux amplificateurs en parallèle. Pour obtenir des amplificateurs à larges bandes avec des étages simples adaptés, trois schémas peuvent être utilisés: amplificateur à contre-réaction, amplificateur à adaptation résistive, amplificateur distribué. Mais dans ces trois cas, les ROS entrée/sortie ne sont pas très bons, gênant la mise en cascade de plusieurs étages Dans le cas de l'amplificateur à adaptation résistive il devient même nécessaire de calculer tous les étages 25 ensembles. L'invention concerne donc un quadrupôle d'adaptation résistif qui: compense la chute de gain d'un transistor ou d'un amplificateur lorsque la fréquence augmente, assure un ROS en entrée et/ou en sortie, nul ou très faible dans la 30 mesure o le schéma équivalent du transistor adapté est connu, et ceci de façon indépendante de la fréquence, dans une gamme étendue de fréquences. Ainsi, un quadrupôle selon l'invention présente en entrée et/ou sortie une impedance pure, exempte de réactance. Le cas d'application le plus intéressant de l'adaptateur selon l'invention est celui d'un transistor, mais un transistor étant un circuit résistance -selfcapacité RLC, le quadrupÈle selon l'invention s'applique également et de façon plus générale à l'adaptation d'impédance d'une réactance quelconque. Le quadrupôle selon l'invention d'impédance d'entrée Ze et d'impé5 dance de sortie Z O regroupe, entre une première borne d'entrée et une première borne de sortie, trois circuits d'impédances Z 1, Z 2 ' Z 3 les circuits Z 1 et Z 2 sont en série entre les deux dites bornes d'entrée/sortie, et le circuit Z 3 est en parallèle avec les circuit Z 1 et Z 2, entre les mêmes deux bornes d'entrée/sortie Un quatrième circuit d'impédance Z 4 est connecté 10 entre le point commun aux circuits Z 1 et Z 2, et le point commun aux seconde borne d'entrée et seconde borne de sortie Le dispositif dont il faut adapter l'impédance constitue: soit le circuit d'impédance Z 3, placé entre les premières bornes d'entrée et de sortie, si le dispositif à adapter est de type RLC en parallèle. 15 soit le circuit d'impédance Z 4, placé entre le point commun aux circuits Z 1 et Z 2 et le point commun aux secondes bornes d'entrée et de sortie, si le dispositif à adapter est de type RLC en série. L'une des impédances, Z 3 ou Z 4, étant imposée comme étant celle du dispositif à adapter, les trois autres sont liées par la relation: Zo 2 Z 3 + Z 2 (Z+ Z 2 +Z 3)=Z 1 Z 3 (zo+Z 2 +Z 4)+Z 2 Z 3 Z 4 si Zo = Ze' pour que l'adaptation en impédance soit indépendante de la fréquence et que la puissance dissipée soit sélective, de façon à éviter les ondes réfléchies aux basses fréquences de la bande de fréquence. De façon plus précise, l'invention consiste en un quadrup 181 e d'adap25 tation, indépendante de la fréquence de fonctionnement, d'une réactance, ce quadrup 8 le présentant une impédance d'entrée Z entre ses deux bornes e d'entrée et une impédance de sortie Z entre ses deux bornes de sortie et étant caractérisé en ce qu'il comprend: -entre une première borne d'entrée et une première borne de sortie, 30 un premier et second circuits en série d'impédances respectives ZI et Z 2 et un troisième circuit d'impédance Z 3 en parallèle avec les deux circuits précédents, un quatrième circuit d'impédance Z 4 branché entre le point commun aux deux premiers circuits et le point commun à la seconde borne d'entrée et à la seconde borne de sortie, l'une au moins parmi la troisième impédance ou la quatrième impédance étant celle de la réactance à adapter, les valeurs de ces quatre impédances étant liées entre elles, en sorte que ie quadrupôle présente à ses bornes d'entrée/sortie une impédance pure (résistance), et une réactance nulle, indépendemment de la fréquence de fonctionnement. L'invention sera mieux comprise par la description qui en suit, et par l'exposé de quelques cas d'applications, lesquels s'appuient sur les figures jointes en annexes et qui représentent: figure 1: schéma général, en diagramme de blocs, du quadrup 1 le d'adaptation selon l'invention, figure 2: première solution du schéma de la figure 1, dans le cas o le dispositif à adapter est du type RLC en série, figure 3: courbe donnant la puissance absorbée dans le dispositif à adapter en fonction de la fréquence de résonance du schéma précédent,, 15 figure 4: seconde solution du schéma de la figure 1, dans le cas o le dispositif à adapter est du type RLC en série, figure 5 et 6: deux solutions du schéma de la figure 1, dans le cas o le dispositif à adapter est du type RLC en parallèle, figure 7: schéma électrique, équivalent à la figure 2, d'adaptation d'entrée à un transistor à effet de champ, figure 8: schéma de réalisation, hybride ou monolithique, de la figure 7, figures 9 à 12: schémas électriques d'adaptation de sortie à un tran25 sistor à effet de champ, selon quatre variantes de l'invention, figure 13: schéma de réalisation, hybride ou monolithique, de la figure 9, figure 14: schéma électrique d'un amplificateur à ondes progressives, mettant en oeuvre le quadrup 8 le d'adaptation selon l'invention. Le schéma général de l'adaptateur selon l'invention est donné sous forme de diagramme de blocs en figure 1. Entre deux bornes d'entrée 1 et 2, entre lesquelles existe une impédance d'entrée Ze, et deux bornes de sortie 3 et 4, entre lesquelles existe une impédance de sortie Zo 0, l'adaptateur regroupe quatre impé- dances Zi, Z 2, Z 3, Z 4 Les impédances Z 1 et Z 2 sont montées en série, entre les premières bornes d'entrée 1 et de sortie 3, et l'impédance Z 3 est montée en parallèle avec Z 1 et Z 2, entre les mêmes bornes 1 et 3 L'impédance Z 4 est montée entre le point 5 commun aux impédances Zl et Z 2 et le point 6, commun aux secondes bornes d'entrée 2 et de sortie 4. L'adaptateur à proprement parler ne comporte que trois impédances, dont au moins Z 1 et Z 2 Le dispositif dont on veut adapter l'impédance d'entrée Ze de telle façon qu'elle soit égale à l'impédance de sortie ZO est constitué: soit par l'impédance Z 3 si le schéma équivalent dudit dispositif est un circuit résistance-self-capacité en parallèle, tel que symbolisé sur le bloc Z 3 de la figure 1, soit par l'impédance Z 4 si le schéma équivalent dudit dispositif est un circuit résistance-self-capacité en série, tel que symbolisé sur le bloc Z 4 de 15 la figure 1. La branche Z 3 ou la branche Z 4 étant imposée par la nature du dispositif dont il faut adapter l'impédance, les deux autres branches sont calculées: Zi, Z 2 et Z 4 si Z 3 est imposé, Z 1, Z 2 et Z 3 si Z 4 est imposé. Dans le cas o l'on recherche une impédance itérative, c'est-à-dire par 20 exemple conservant la même valeur entre les différents étages d'un amplificateur, ce qui se traduit par Ze = Zo, les impédances de l'adaptateur et celle du dispositif à adapter sont liées par la relation: Zo zz+Z 2 (Z 1 +Z 2 +Z 3)=z Z 3 (Z+z 2 +Z 4)+Z z z O 2 + relation qui sera par la suite désignée par "équation A" Cette relation est 25 indépendante de la fréquence, et l'adaptateur se présente, à ses bornes d'entrée et de sortie, comme une impédance pure, exempte de réactance. Premier cas: adaptation d'un dispositif de schéma équivalent RLC en série. L'impédance d'un tel dispositif est donnée par la formule générale 30 Z 4 =r+j(QW-l/C W) dans laquelle r = résistance du dispositif ú = self du dispositif, par exemple celle des fils de connexion, C = capacité du dispositif w = pulsation j = constante En reportant dans l'équation A et en imposant la condition que Z soit indépendante de la fréquence d'entrée, il existe plusieurs solutions Une solution est représentée sur la figure 2 avec la valeur des éléments fonctions de la charge Z 4: les composants qui constituent les impédances Zl Z 2 Z 3 ont alors les valeurs suivantes, respectivement: L ZOC (Z O -r) L Zo C (Z O +r) 2 = y_ 1 2 2 CW z 0 o et la self des fils de connexions: ú=_ 1 (Zo 2 _ r 2) C CW 2 4 o Dans ce cas, l'impédance d'entrée est constante quelque soit la fréquence et égale à Zo O La puissance Pl dissipée dans la résistance r du dispositif, fonction de la fréquence, très faible aux basses fréquences, augmente jusqu'à une valeur maximale pour la fréquence de résonance f telle que 25 I 2 = 1 ae Pl max 4 r Zo f 2 avec P max 72 Y(L 1 + L 2) ae P entrée (r + Zo)2 # Y (LI 1 + L 2) valeur indépendante de la fréquence de résonance fo 0, puis cette puissance décroît pour des fréquences supérieures à f o La valeur de la capa30 cité Ydépendant de la valeur de la self údu dispositif à adapter, il est possible de modifier la fréquence de résonance f et donc de modifier la O pente de la puissance absorbée dans la résistance r en changeant la valeur de cette self Q C'est ce que montre la figure 3: en modifiant la valeur de la self 9 S on modifie la pente de la courbe, et par conséquent la puissance absorbée par le dispositif Le rapport d'ondes stationnaires est nul, ou très faible, indépendamment de la fréquence d'entrée De même, à la fréquence fo 0, le déphasage apporté par la cellule adaptatrice entre les ondes entrantes et sortantes est de 180 '. La figure 4 représente une seconde solution à ce premier cas, selon laquelle les composants qui constituent les impédances Z 1, Z 2 et Z 3 sont intervertis: self L au lieu de capacité y, et capacités Y 1,et Y 2 au lieu de selfs L 1 et L 2 Ces composants sont liés par les relations: 1 I Zo (Z O + r) y 1 2 Q 1 Z O (Z r) 22. Y 2 r 2 I Z 1 r l _ = + L 4# Z 2 CZ 2 o o 2 pour que Ze = Zo Second cas: adaptation d'un dispositif de schéma équivalent RLC en 20 parallèle. L'équation A peut être réécrite en admittances et se met sous la forme suivante, qui sera désignée par "équation B": Yo Y 2 Y 4 + y (Y + Y 2 +Y 3) =Y Y Y 4 (Yo +Y 2 +Y 3) +Y 2 3 Y 4 ' 25 Cette équation B a exactement la même forme que l'équation A en permuttant le rôle joué par les éléments 3 et 4, l'admittance Yo O dans cette équation B correspondant à l'impédance Z O dans l'équation A. L'admittance Y 3 du dispositif à adapter est donnée par la formule 30 générale: Y 3 = 1 + j (C _ l/Qo) r On pose 1/r = g. Les figures 5 et 6 représentent deux schémas d'adaptation sans limitation de fréquence, d'un dispositif dont le schéma équivalent est RLC en g parallèle, qui, dans le schéma général de la figure 1, constitue l'impédance Z 3. Dans le cas de la figure 5 que l'on peut rapprocher de la figure 2-, les impédances Z 1 et Z 2 sont constituées par deux selfs L 1 et L 2 et l'impé5 dance Z 4 est constituée par une capacité y, liées par les relations: I Yo (Yo g) avec Yo = l/Zo L 1 2 C I YO (Yo + g) L = 2 2 C y 2 g 2 I 1 O = 7 + 2 y 4 C Y o Yo Dans le cas de la figure 6 que l'on peut rapprocher de la figure 4 les impédances Z 1 et Z 2 sont constituées par deux capacités Y 1 et Y 2 et l'impédance Z 4 est constituée par une self L, liées par les relations: y y (y 2 (Yo -g) y Y O o (Y O + g) 2 2 =L(Y 2 _g 2) C + 4 Y 2 Y 2 o o Les quatre schémas des figures 2, 4, 5 et 6 concernent des dispositifs, actifs ou passifs, qui correspondent à un schéma équivalent RLC en série ou 30 RLC en parallèle Les applications de ces schémas sont particulièrement intéressantes lorsque le dispositif dont il faut adapter l'impédance est un transistor. Un premier exemple en est donné par la réalisation d'un amplificateur à transistors à effet de champ à large bande. Il a été dit précédemment que la réalisation dun amplificateur à gain plat sur une très large bande nécessite de compenser la chute de gain avec la fréquence De plus, pour pouvoir mettre plusieurs étages en cascade, il faut que chaque étage soit bien adapté en impédance en entrée L'adap5 tateur dimpédance selon l'invention assure à la fois les 2 fonctions: adaptation d'impédance quelque soit la fréquence, dissipation sélective de la puissance, en fonction de la fréquence. L'impédance d'entrée d'un transistor à effet de champ sur Ga As pouvant être assimilée à un circuit RLC série, et pour des raisons de facilité de 10 polarisation, le circuit d'adaptation de la figure 2 est celui qui est préféré pour la réalisation d'un amplificateur hybride ou intégré. En choisissant la fréquence de résonance fo, on peut compenser la chute de gain et obtenir ainsi un gain plat sur une très grande bande passante avec un très bon coefficient de réflexion d'entrée Les transistors à 15 effet de champ étant en général utilisés avec la source à la masse, les bornes 2 et 4 du circuit sont prises comme masse. La figure 7 donne le schéma électrique d'un étage d'amplificateur adapté en impédance d'entrée, selon le schéma général de la figure 2, dans lequel le transistor à effet de champ constitue l'impédance Z 4 équivalente à 20 un circuit RLC en série, et les impédances Z 1, Z 2, Z 3 ont respectivement les valeurs L 1, L 2 et y définies à l'occasion de la figure 2 Un tel étage d'amplification possède un gain de 4,5 d B + 0,5 d B entre 2 G Hz et 14 G Hz, grace à l'adaptation du ROS d'entrée. Une réalisation de cet étage en circuit rnicroélectronique hybride ou 25 monolithique est représenté sur la figure 8 Par rapport à un plan de masse 7 métallique, les métallisations constituant les selfs L 1 et L 2, la capacité y et la résistance ZO sont supportées par un substrat isolant 8, tandis que le circuit de sortie du transistor, dont la pastille est isolée par rapport au plan de masse 7, est supporté par un substrat isolant 9 Bien entendu, si 30 l'étage d'amplification est réalisé en circuit intégré, les régions isolantes 8 et 9 sont obtenues par des techniques correspondantes: diffusion, implantation etc Suivant les valeurs, la capacité y réalisée ici en technologie interdigité peut être réalisée en structure sandwich: Metal-isolantMetal, connue sous le nom de structure Overlay. L'impédance de sortie d'un transistor bipolaire ou à effet de champ pouvant être assimilée à un circuit RLC en parallèle, l'adaptateur d'impédance selon l'invention est utilisé également pour adapter l'impédance de sortie Dans ce cas, l'un ou l'autre des circuits d'adaptation représentés sur 5 les figures 5 et 6 conviennent, mais, selon que la borne 1 correspond à la source ou au drain du transistor, cette borne 1 est alors soit la masse soit la sortie de l'adaptateur selon l'invention Les figures 9 à 12 représentent les schémas électriques de ces quatre cas d'adaptation d'impédance de sortie. Dans les deux cas de figures 9 et 10, correspondant respectivement 10 aux figures 5 et 6, on a obligatoirement des selfs Z en parallèle avec l'impédance drain-source, ce qui risque de court-circuiter la polarisation du transistor Il est donc nécessaire de découpler ces selfs à l'aide de capacités en série de forte valeur, ce qui complique les circuits: ce sont la ou les capacités repérées 10 De plus, dans ces deux cas de figures 9 et 10, la 15 source n'est plus directement à la masse et l'impédance d'entrée ne peut plus être adaptée facilement. En ce qui concerne les schémas des figures 11 et 12, la source est à la masse et on peut découpler la self parallèle ú par une capacité 11 de forte valeur à la masse, ce qui rend la polarisation très facile sur une très large 20 bande. Dans le cas de la figure 11, la self Z, qui correspond au fil de câblage du transistor, peut même être supprimée et la polarisation s'effectuer par l'intermédiaire des deux selfs L 1 et L 2. Une réalisation de la figure 11 en technique microélectronique ou en 25 monolithique est représentée sur la figure 13 La capacité y est ici réalisée en métallisations interdigitées alors que les deux capacités de découplage 11 sont réalisées en structure dite overlay, métal-isolant-métal. Un second exemple d'application de l'adaptateur d'impédance selon l'invention est donné par la figure 14: puisqu'il existe une impédance itéra30 tive, on peut générer une structure périodique, adaptée en impédance en entrée et en sortie sur la même impédance Zo' grâce à l'adaptateur selon l'invention, et réaliser ainsi un amplificateur à ondes progressives Cet amplificateur est ainsi constitué d'une pluralité de cellules montées en cascade, chaque cellule étant constituée par un quadrup 8 le selon Pl'invention, l J dont l'impédance de sortie Z constitue l'impédance d'entrée Ze du quadrupôle suivant dans la cascade. L'entrée de cet amplificateur à ondes progressives se fait sur la borne 12 et la sortie sur la borne 13 Pour chaque étage d'amplification, les 5 valeurs Li, L 2 et ydes impédances de l'adaptateur selon l'invention sont calculées pour obtenir un gain plat en fonction de la fréquence. Si toutes les fréquences de résonance foi, pour chaque étage, sont identiques, on obtient une structure à onde progressive "classique", la puissance appliquée à chaque transistor décroît le long de la structure Mais, en utilisant le fait que la fréquence de résonance de chaque cellule peut être modifiée on peut assurer, par la technique dite "tapérisation" l'égalité des puissances entrantes dans les transistors en haut de bande pour obtenir des amplificateurs de puissance En revenant sur ce qui a été dit au sujet du graphique de la figure 3, on ajuste la puissance de chaque 15 étage de l'amplicateur à ondes progressives en jouant sur la valeur de la self t de chaque transistor, en fonction de la valeur de la capacité y, ce qui modifie la pente de la courbe et par voie de conséquence la puissance absorbée pour une fréquence f Dans la figure 14, les fréquences de résonance f sont maximales du côté de la borne d'entrée 12, et minimales du 20 côté de la borne de sortie 13. Un tel amplificateur à ondes progressives est préférentiellement réalisé selon le quadrupôle de la figure 2, car il permet une polarisation des transistors plus aisée qu'avec le quadrupôle de la figure 4. L'adaptateur d'impédance selon l'invention est précisé par les revendi25 cations suivantes. REVENDICATIONS 1 Quadrupôle d'adaptation, indépendante de la fréquence de fonctionnement, d'une réactance, ce quadrupôle présentant une impédance d'entrée Ze entre ses deux bornes d'entrée ( 1 et 2) et une impédance de sortie Z O entre ses deux bornes de sortie ( 3 et 4) et étant caractérisé en ce qu'il comprend: entre une première borne d'entrée ( 1) et une première borne de sortie ( 3), un premier et un second circuits en série d'impédances respectives Z 1 et Z 2 et un troisième circuit d'impédance Z 3 en parallèle avec les deux circuits précédents, un quatrième circuit d'impédance Z 4 branché entre le point commun ( 5) aux deux premiers circuits (Z 1, Z 2) et le point commun ( 6) à la seconde borne d'entrée ( 2) et à la seconde borne de sortie ( 4), l'une au moins parmi la troisième impédance (Z 3) ou la quatrième impédance (Z 4) étant celle de la réactance à adapter, les valeurs de ces quatre 15 impédances étant liées entre elles en sorte que le quadrupôle présente à ses bornes d'entrée/sortie ( 1, 2, 3, 4) une impédance pure (résistance), (Zo = Ze), et une réactance nulle, indépendemment de la fréquence de fonctionnement. 2 Quadrupôle d'adaptation selon la revendication 1, caractérisé en ce que les valeurs des impédances d'entrée (Ze), de sortie (Zo 0) et du quadru20 pôle (Z Il, Z 2, Zy Z 4) sont liées par la relation ZZ 2 z 3 + z 2 (Z 1 + Z 2 + Z 3) = z 1 z 3 (Z O + Z 2 + Z 4) + Z 2 Z 3 Z 4 pour que Ze = Zo 0, ces valeurs d'impédances rendant l'adaptation d'impédance du quadrupôle indépendante de la fréquence de fonctionnement. 3 Quadrupôle d'adaptation selon la revendication 1, caractérisé en ce 25 que, la réactance à adapter étant équivalente à un circuit de type rl C, résistance-self-capacité en parallèle, elle est connectée entre la première borne d'entrée ( 1) et la première borne de sortie ( 3), à la place de l'impédance Z 3. 4 Quadrupôle d'adaptation selon la revendication l, caractérisé en ce 30 que, la réactance à adapter étant équivalente à un circuit de type rl C, résistance-self-capacité en série, elle est connectée entre le point com- mun( 5) aux deux premiers circuits(Zi, Z 2) et le point commun( 6) aux secondes bornes d'entrée ( 2) et de sortie ( 4), à la place de l'impédance Z 4. Quadrupôle d'adaptation selon la revendication 1, caractérisé en ce que, la réactance à adapter étant équivalente à un circuit de type ri C en 5 série, de résistance r, de self úet de capacité C, connecté à la place de l'impédance Z 4, le premier circuit d'impédance Z 1 est une self de valeur LID le second circuit d'impédance Z 2 est une self de valeur L 29 le troisi Ame circuit d'impédance Z 1 est une capacité de valeur Y ces trois valeurs étant liées par les relations 10 z C Zo C L (Z -r 2 2 o o 202 1 (Z r 2)C _= O o CW 2 avecy =L LI o z'oo 250 étant la pulsation (Figure 2) 6 QuadrupÈle d'adaptation selon la revendication 1, caractérisé en ce que, la réactance a adapter étant équivalente à un circuit de type rlc en série, de résistance r, de self 9 et de capacité C, connecté à la place de l'impédance Z 4, le premier circuit d'impédance Z 1 est une c-:pc 1 cité de 30 valeur 'Y,, le second circuit d'impédance Z 2 est'uecpct evlu 2 2 tnapct d aeu 2 le troisième circuit d'impédance Z 3 est une self de valeur L, ces trois valeurs étant liées par les relations Z 1 o l -= (Z r) o Y 2 2 2 _ r 21 1 O 411 Z c 10 (Figure 4) 7 Quadrupôle d'adaptation selon la revendication 1, caractérisé en ce que, la réactance à adapter étant équivalente à un circuit de type rl C en parallèle, de résistance r, de self t L et de capacité C, connecté à la place de l'impédance Z 3, le premier circuit d'impédance Z 1 est une self de valeur LY 15 le second circuit d'impédance Z 2 est une self de valeur L 2, le quatrième circuit d'impédance Z 4 est un condensateur de valeur y, ces trois valeurs étant liées par les relations 1 Yo (Yo O g) 20 L 1 2 C Yo (Y O + g) 2 2 C 1 1 y 25 _ 2 = + y 2 Q 4 C Y 2 0 8 Cy 8.Qudupledadptton eo arvniain 1 aatrs nc avec Yo = l/Zo et g = 1/r (Figure 5) 8 Quadrupôle d'adaptation selon la revendication 1, caractérisé en ce 30 que, la réactance à adapter étant équivalente à un circuit de type rl C en parallèle, de résistance r, de self Q et de capacité C, connecté à la place de l'impédance Z 3, le premier circuit d'impédance Z 1 est une capacité de valeur Y I' le second circuit d'impédance Z 2 est une capacité de valeur Y 2, le quatrième circuit d'impédance Z 4 est une self de valeur L, ces trois valeurs étant liées par les relations y 9 1 (Yo g) Y (Yo (+ g) (y 2 g 2) C L = 10 y 2 4 Y y o o avec Yo = l/Zo et g = 1/r (Figure 6) 9 Amplificateur à ondes progressives, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité de cellules montées en cascade, chaque cellule étant constituée par un quadrupôle selon la revendication 5, l'impédance de sortie (Z o) d'une cellule constituant l'impédance d'entrée (Ze) de la cellule suivante dans la cascade, les fréquences de résonance (fo à fon) de chaque cellule étant réglées au moyen d'une capacité ( y) et d'une self ( 9) en vue 20 d'assurer l'égalité des puissances dissipées par chacune des cellules.