FR 2560410 A1 19850830 FR 8402855 A 19840224 2.6010 CIRCUIT DE PRECHARGE DE BUS DE TRANSFERT DE DONNEES LOGIQUES Le transfert de données sur un bus reliant un organe d'émission de données à un organe de réception se fait généralement, dans les circuits de traitement de sigrnaux logiques devant fonctionner à grande vitesse, en deux phases à chaque cycle d'émission-réception: deans une premiere pihase les données sont préparées par l'organe d'émission, tandis que l'organe de réception se prépare à recevoir de nouvelles données, dans une deuxième phase, les données sont effectivement appiiquées au bus par un étage d'attaque et sont reçues par l'organe de réceptiono Les données son.' des signaux 'o.giques de niveau g0fo ou "18"O. Le niveau 0 est thoriquement défini comme une tension de zéro volt et le niveau 1 comme une tension égale à la tension d'alimen-ticn logique Vdd (5 volts eaviro). Mais pratiquement, en technologie NMOS (Mt'al-,Oxyde-Semniconducteur à canal N) par exemple, le niveau 0 est une tension comprise entre 0 et unie tension de seulH Vt des transistors MOS à canal N du circuit, et le niveau 1 peut être une tension comprise entre Vt et 5 volts. Ils se trouve que dans la majorité des cas, notamment en technologie NMOS, la constitution des étages d'attaque du bus et de l'organe de réception de données est telle qu'il est beaucoup plus rapide de faire passer un conducteur du bus de l'état 1 à l'état 0 que de l'amener de l'état 0 à l'état 1. C'est pourquoi, pour augmenter le débit de données sur le bus, on prévoit souvant qu'un circuit de précharge des conducteurs du bus place tous les conducteurs à un niveau de potentiel qui est juste suffisant pour définir l'état I ou pratiquement l'état 1, ceci pendant la première phase ou phase de préparation du transfert, car cette phase est de toute manière plus longue que la seconde phase (phase de transfert proprement dit) puisqu'elle correspond par exemple à l'exécution de calculs dont le résultat constitue les données à transmettre; dans la deuxième phase (exécution du transfert), les conducteurs qui doivent passer à l'état i y sont déjà ou pratiquement déja, ceux qui doivent passer à l'état zéro y sont mis rapidement. Ainsi, la deuxième phase du cycle peut avoir une durée minimale correspondant au temps nécessaire au passage d'un conducteur de l'état I à l'état zéro, et cette durée peut être très courte. La figure 1 montre l'organisation d'un système de tansfert de données avec précharge: J'orgafne d'émission de données est désigné par ED et fournit des données di, d2, d3, d4 destinées à être transférées respectivement sur les conducteurs cl, c2, c3, c4 d'un bus de transfert de données, pour être transmises à un organe de réception de données RD. Un étage d'attaque du bus, DR, est interposé entre les sorties de données -de l'organe d'émission ED et les conducteurs du bus. Cet étage d'attaque comprend par exemple, pour chaque conducteur, une porte ET recevant une sortie de donnée et un signal de commande de transfert, et un transistor MOS commandé par cette porte et susceptible de relier le conducteur correspondant à la masse ou de l'en isoler selon l'état de la sortie de la porte ET. Le signal de commande de transfert est au niveau logique 1 pendant la phase de transfert b (deuxième phase) de chaque cycle de transmission de donnée. Enfin, un circuit de précharge PR, commandé par un signal de commande de précharge, au niveau l pendant la phase de précharge a (première phase) de chaque cycle, permet de précharger chaque conducteur du bus au voisinage de l'état logique 1. La phase a et la phase b sont disjointes ou exactement complémentaires. Dans un exemple de réalisation de la technique antérieure représenté a la figure 1, le circuit de précharge comprend, pour chaque conducteur du bus a précharger, trois transistors MOS à canal N en série entre la masse et une tension d'alimentation générale positive Vdd. Le conducteur a précharger est relié entre le deuxième et le troisieme transistor (ce dernier étant relié par ailleurs à Vdd et recevant sur sa grille le signal de commande de é 04 O précharge a); les premier et deuxième transistors ont leur grille reliée à leur drain. Dans cette réalisation, dès le début de la phase de précharge a, le troisième transistor se met à conduire et à charger la capacité (parasite ou non) présentée par le conducteur qui est statiquement en état de haute impédance à son entrée comme à sa sortie. Le troisième transistor doit de préférence, pour que la charge soit rapide, c'est-à-dire pour que le conducteur atteigne rapidement une tension de précharge désirée, être de dimension relativement im- portante. Lorsque la tension sur le conducteur atteint 2Vt (somme des tensions de seuil des premier et deuxième transistors, ceux-ci se mettent à conduire et stabilisent à 2Vt la tension de précharge sur le conducteur du bus. A partir de là, la précharge est terminee. Après la fin de la phase a, le troisième transistor se bloque, les conducteurs du bus restent préchargés. Lors de la phase b, les données sont appliquées par l'étage d'attaque. Le principal inconvénient de ce circuit de précharge est le fait qu'entre le moment o le conducteur du bus atteint la tension de précharge fixée (2Vt dans l'exemple représenté, mais cela pourrait être une autre valeur, Vt ou 3Vt etc...), et la fin de la phase de précharge a, une forte consommation de courant a lieu puisque les trois transistors sont conducteurs. Si le conducteur de bus était déjà au niveau 1, cette consommation a lieu pendant toute la phase de précharge. Pour un bus de 32 conducteurs cela ferait 32 groupes de transistors conducteurs simultanément, d'o une consommation de puissance qui peut être très importante alors qu'on cherche en général par tous les moyens à réduire la consommation des circuits. La présente invention propose un nouveau circuit de précharge qui minimise la consommation de puissance pendant la phase de précharge. Ce circuit comporte, pour chaque conducteur à précharger, deux bornes d'alimentation, une borne de sortie destinée à être reliée au conducteur du bus à précharger, une entrée de commande de précharge, et une entrée d'inhibition de précharge. 25.040 Selon l'invention, le circuit est constitué comme suit: un premier transistor est connecté entre une première borne d'ali- mentation et la borne de sortie; un deuxième transistor est con- necté entre la grille du premier transistor et la source d'un troisième transistor et a sa grille commandée par l'entrée de commande de précharge, le troisième transistor étant relié à la première borne d'alimentation; un quatrième transistor est con- necté entre la grille du premier transistor et la deuxième borne d'alimentation et a sa grille connectée à l'entrée d'inhibition de précharge; au moins un cinquième transistor est connecté en série entre la source du troisième transistor et la deuxième borne d'alimentation, avec la grille de ce cinquième transistor connectée à la borne de sortie. De préférence, un sixième transistor est connecté en série entre le cinquième et la borne d'alimentation, ce sixième transistor ayant son drain relié à sa grille. Le troisième transistor est de préférence un transistor à déplétion (tension de seuil négative) ayant sa grille reliée à sa source. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparat- tront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence au dessin annexé dans lequel: - la figure 1, déjà décrite, représente un système de transfert de données de la technique antérieure, - la figure 2 représente un circuit de précharge selon l'inven- tion, pour un conducteur de bus unique. Le circuit de la figure 2 est destiné à Etre substitué à chacun des groupes de trois transistors de précharge de la figure 1. Il comprend les éléments définis ci-dessus, dans lesquels les 3 transistors sont des transistors MOS à canal N (car le circuit est particulièrement adapté à une technologie NMOS) designés respec- tivement par NI, N2, D3, N4, NS, N6, pour les premier, deuxième, troisième, quatrième, cinquième, sixième transistors. Le transistor D3 est un transistor déplété: tension de seuil négative, alors que les transistors NI, N2, N4, N5, N6 sont des transistors "normaux" à tension de seuil Vt positive, la même pour tous ces transistors formés simultanément sur une même pastille de circuit intégré contenant le bus à précharger. Les bornes d'alimentation du circuit sont désignées par A (tension Vdd positive) et M (masse à potentiel de référence nul). L'entrée de commande de précharge est désignée par a, comme la phase de préchdlarge a pendant laquelle cette entrée est portée à un niveau logique 1. L'entrée d'inhibition de précharge est désignée ici par a et reçoit en principe un signal complémentaire du signal de commande de précharge, mais il faut comprendre que cette entrée peut recevoir aussi un signal différent pourvu qu'il soit disjoint d'avec la phase de précharge a. Par exemple, l'entrée d'inhibition a pourrait recevoir le signal de commande de transfert de données b mentionné à propos de la figure 1. Enfin, la sortie du circuit est désigné par S et est raccordée au conduc teur c à précharger. Le conducteur c a été représenté avec une capacité parallèlJe équivalente C (en pointillés) qui représente sa capacité propre et celle des organes non représentés auxquels il est raccordé (par exemple des grilles de transistors MOS de l'organe de réception de données de la figure 1). Le fonctionnement du circuit est le suivant: au début de la phase de précharge a, le transistor N2 devient conducteur alors que le transistor déplété D3 est naturellement conducteur en perma- nence. Ceci rend conducteur le transistor NI et le potentiel du conducteur de bus c monte du fait d'une charge progressive de sa capacité équivalente C. Tant que le potentiel du conducteur c reste inférieur à la somme des tensions de seuil des transistors N5 et N6, ces deux transistors ne peuvent pas conduire. Lorsque le potentiel du conducteur de bus C atteint la tension 2Vt, N5 et N6 deviennent conducteurs et stabilisent le potentiel du conducteur c à cette valeur de précharge 2Vt. Dès lors, si on appelle G ie noeud de liaison de la source du transistor D3 et de la source du transistor N2, et H le noeud de liaison du drain du transistor N2 et de la grille du transistor NI, le noeud G passe pratiquement au potentiel 2Vt, le noeud H suit cette valeur (N2 est conducteur) et le transistor NI se bloque puisque sa tension de grille ne dépasse pratiquement plus sa tension de source. Il n'y a plus de consommation de courant dans le transistor NI mais au pire seulement dans la branche D3, NS, N6 qui ne comporte que des transistors de très petites dimensions, consommant peu et d'ailleurs à peine rendus conducteurs par la tension 2Vt sur le conducteur c, alors que le transistor NI doit être dimensionné largement et fortement rendu conducteur pour l'obtention d'une précharge rapide. A la fin de la phase de précharge a, le transistor N2 se bloque (disparition du signal de commande de précharge sur sa grille) et le transistor N1 reste bloqué. Dans la phase complémentaire qui suit (a ou b), le transistor N4 est rendu conducteur pour assurer en tout état de cause le blocage du transistor Ni même si le conducteur de bus c est forcé à zéro par l'étage d'attaque qui lui applique une donnée à transmettre. AYec ce circuit, on consomme donc pratiquement exactement la puissance strictement nécessaire pour précharger le conducteur de bus, quelle que soit sa capacité équivalente ou son état préalable (un conducteur c déjà à l'état 1 ne provoque pas de consommation). Le choix de la tension 2Vt comme tension de précharge peut être modifié en modifiant la disposition de la branche NS, N6: si seul N5 était présent la tension de préchage serait Vt. Avec un autre transistor monté comme NS et inséré entre N5 et N6, la tension serait 3Vt etc... Le choix de transistors à tensions de seuil diffé- rentes module encore les possibilités de choix de la tension de précharge. REVENDICATIONS 1. Circuit de précharge d'un conducteur de bus de transfert de données logiques, comportant deux bornes d'alimentation (A, M), une borne de sortie (S) destinée à être reliée au conducteur du bus (c), une entrée de commande de précharge (a) et une entrée d'inhibition de précharge (a), caractérisé en ce qu'il comporte un premier transistor (NI) connecté entre une première borne d'alimentation (A) et la borne de sortie (S), un deuxième transistor (N2) connecté entre Ja grille du premier transistor et la source d'un troisième transistor (D3) et ayant sa grille commandée par l'entrée de commande de précharge (a), le troisième transistor étant relié à la première borne d'alimentation, un quatrième transistor (N4) connecté entre la grille du premier transistor et la deuxième borne d'alimentation (M) et ayant sa grille commandée par l'entrée d'inhibition de précharge (a) au moins un cinquième transistor (N5) connecté en série entre la source du troisième transistor et la deuxième borne d'alimentation (M) et ayant sa grille connectée à la borne de sortie (S). 2. Circuit de précharge selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est prévu un sixième transistor (N6) connecté en série entre le cinquième et la deuxième borne d'alimentation et ayant son drain relié à sa grille. 3. Circuit de précharge selon la revendication 1, caractérisé en ce que le troisième transistor (D3) est un transistor à déplétion ayant sa grille reliée à sa source.