FR 2555819 A1 19850531 FR 8413085 A 19840822 L'invention concerne un élément photo- conducteur sensible aux ondes électromagnétiques telles que la lumière /ce terme étant utilisé ici au sens large englobant les rayons ultraviolets, la lumière visible, les rayons infrarouges, les rayons X et les rayons gamma7. Des matières photoconductrices destinées à la constitution de couches photoconductrices dans des dispositifs analyseurs d'image à semi-conducteurs, des éléments de formation d'image pour électrophotographie dans le domaine de la formation d'images, ou des dispo- sitifs de lecture de manuscrits, doivent avoir une sensibilité élevée, un rapport signal/bruit élevé /courant photoélectrique (Ip)/courant d'obscurité (IdL?, des caractéristiques spectrales correspondant à celles des ondes électromagnétiques les irradiant, une réponse rapide à la lumière, une résistance d'obscurité de valeur souhaitéeainsi qu'une inocuité envers le corps humain pendant l'utilisation. En outre, dans un dispositif analyseur d'image à semi-conducteur, il faut également que l'image résiduelle puisse être aisément traitée en un temps prédéterminé. En particulier dans le cas d'un élément de formation d'image pour électrophotographie devant être monté dans un appareil électrophotographique à utiliser en tant qu'appareil de bureau, la caracté- ristique précitée d'inocuité est très importante. Du point de vue mentionné ci-dessus, le silicium amorphe Ldésigné ciaprès a-Si7 a récemment attiré l'attention en tant que matière photoconductrice. Par exemple, les demandes allemandes DOS N 2 746 967 et N 2 855 718 décrivent les applications du a-Si dans des éléments de formation d'image pour électrophotographie, et la demande allemande DOS N 2 933 411 décrit une appli- cation du a-Si dans un dispositif de lecture à trans- duction photoélectrique. Cependant, dans la situation actuelle, les éléments photoconducteurs de l'art antérieur, portant des couches photoconductrices constituées de aSi, nécessitent des améliorations supplémentaires portant sur le bilan des caractéristiques globales comprenant les caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices telles que la valeur de la résistance d'obscurité, la photosensibilité et la réponse à la lumière, etc., ainsi que sur les caractéristiques vis-à-vis du milieu ambiant, pendant l'utilisation, tellesque la résistance à l'humidité, et, en outre, la stabilité dans le temps. Par exemple, lorsque l'élément photoconducteur ci-dessus est appliqué à un élément de formation d'image pour électrophotographie, on observe souvent un potentiel résiduel qui subsiste, pendant l'utilisation, si l'on prévoit d'apporter des perfectionnements entraiînant simultanément une élévation de la photosensibilité et de la résistance d'obscurité. Lorsqu'un tel élément photo- conducteur est utilisé de façon répétée pendant une longue durée, divers inconvénients apparaissent, tels que l'accumulation de fatigues par des utilisations répétées ou le phénomène dit de "image fantôme" dans lequel des images résiduelles sont formées. En outre, le a-Si présente un coefficient d'absorption de la lumière, sur le côté des plus grandes longueurs d'ondes de la bande de la lumière visible, relativement plus petit que sur le côté des longueurs d'ondes plus courtes. Par conséquent, lors d'une association avec le laser à semiconducteur utilisé en pratique à l'heure actuelle, la lumière du côté des longueurs d'ondes les plus grandes ne peut être utilisée efficacement lorsque l'on utilise une lampe à halogène ou une lampe fluorescente comme source de lumière. Divers points restent donc à améliorer. Par ailleurs, lorsque la lumière irradiante n'est pas suffisamment absorbée dans la couche photo- conductrice, mais que la quantité de lumière atteignant le support augmente, des parasites, dus à des réflexions multiples, peuvent apparaître dans la couche photo- conductrice pour donner une image "non au point" dans le cas o le support lui-même possède une réflectance élevée vis-à-vis de la lumière transmise à travers la couche photoconductrice. Cet effet est accru si l'on diminue les dimensions du point irradié pour augmenter la résolution, ce qui pose un grave problème dans le cas de l'utilisation d'un laser à semi-conducteur comme source de lumière. Par conséquent, en même temps que l'on essaie d'améliorer les caractéristiques d'une matière du type a-Si, proprement dite, d'une part, il faut également procéder à des efforts pour résoudre tous les problèmes mentionnés ci-dessus, lors de la conception de l'élément photoconducteur, d'autre part. Compte tenu des points précédents, l'invention est le résultat d'études étendues portant simultanément sur les points concernant les possibilités d'application et l'utilité du a-Si en tant qu'élément photoconducteur pour des dispositifs de formation d'image pour électro- photographie, des dispositifs analyseurs d'image à semi-conducteur, des dispositifs de lecture, etc. On a constaté qu'un élément photoconducteur présentant une constitution stratifiée comprenant une couche photo- conductrice de réception de la lumière, qui comprend une matière amorphe contenant au moins un atome d'hydrogène (H) et un atome d'halogène (X) dans une matrice d'atomes de silicium, cette matière pouvant être appelée silicium amorphe hydrogéné, silicium amorphe halogéné ou silicium amorphe hydrogéné contenant un halogène Zdésignée ci-après globalement a-Si (H,X) 7, ledit élément conducteur étant préparé de façon à posséder, de par sa conception, une structure particulière telle que décrite ci-après, non seulement présente, en pratique, des caractéristiques tout à fait excellentes, mais surpasse également les éléments photoconducteurs de l'art antérieur, pratiquement en tous points, en particulier par des caractéristiques particulièrement excellentes en tant qu'élément photo- conducteur pour électrophotographie et par des caractéris- tiques du spectre d'absorption tout à fait excellentes sur le côté des grandes longueurs d'ondes. L'invention a pour objet principal d'offrir un élément photoconducteur présentant des caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices qui restent constamment stables et qui conviennent à tous les milieux ambiants, en ne dépendant pratiquement pas de ceux-ci lors de l'utilisation, lequel élément présente des caractéris- tiques photosensibles particulièrement excellentes sur le côté des longueurs d'ondes les plus grandes, une excellente résistance à la fatigue par la lumière ainsi qu'une excellente longévité, sans donner lieu à des phénomènes de détérioration lors d'utilisations répétées, et ne présentant pas ou prati- quement pas de potentiel résiduel observé. L'invention a également pour objet un élément photoconducteur à haute sensibilité sur toute la bande de la lumière visible, qui est particulièrement excellent dans son adaptation à un laser à semiconducteur et qui présente également une réponse rapide à la lumière. L'invention a également pour objet un élément photoconducteur qui présente des caractéristiques de retenue de charge suffisantes pendant un traitement de charge pour former des images électrostatiques permettant de mettre en oeuvre très efficacement un procédé électro- photographique classique lorsque cet élément est utilisé en tant qu'élément de formation d'image pour électro- photographie. L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur pour électrophotographie qui peut produire aisément une image de haute qualité, de densité élevée, claire dans les demi-teintes et de résolution élevée. L'invention a pour autre objet un élément photoconducteur à photosensibilité élevée et rapport signal/bruit élevé. Conformément à l'invention, il est prévu un élément photoconducteur comprenant un support destiné à cet élément et une couche de réception de la lumière appliquée sur le support et présentant une constitution stratifiée dans laquelle une région (G) de la couche, comprenant une matière amorphe contenant des atomes de germanium et une région (S) de la couche présentant une photoconductivité et comprenant une matière amorphe contenant des atomes de silicium, sont appliquées l'une à la suite de l'autre à partir du côté du support, ladite couche de réception de la lumière comportant une première région (1), une troisième région (3) et une deuxième région (2) contenant chacune des atomes d'oxygène, les concentrations distribuées dans la direction de l'épaisseur des couches de C(1), C(3) et C(2), respectivement, dans l'ordre mentionné à partir du côté du support, étant telle que, lorsque C(3) ne peut être uniquement le maximum et que l'uneou l'autre de C(1) et C(2) est 0, les deux autres ne sont pas 0 et ne sont pas égales; lorsque C(3) est 0, les deux autres ne sont pas 0; ou lorsqu'aucune des valeurs C(1), C(2) et C(3) est zéro, C(1) , C(2) et C(3) ne sont pas simultanément égales et C(3) n'est pas uniquement le maximum. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: - la figure 1 est une coupe transversale schématique illustrant la constitution stratifiée de l'élément photoconducteur selon l'invention; - les figures 2 à 10 sont des graphiques illus- trant les profils de profondeur du germanium dans la couche de réception de la lumière; - la figure 11 est une coupe transversale schématique montrant la constitution d'une couche de réception de la lumière; - les figures 12 à 16 sont des graphiques montrant schématiquement le profil de profondeur des atomes d'oxygène dans la couche de réception de la lumière; - la figure 17 est un schéma d'un dispositif utilisé dans la présente invention; et - les figures 18 et 19 représentent chacune la distribution des atomes respectifs des exemples de la présente invention. La figure 1 est une coupe schématique illustrant la constitution stratifiée d'une première forme de réalisation de l'élément photoconducteur selon l'invention. L'élément photoconducteur 100 tel que représenté sur la figure 1 comprend une couche 102 de réception de la lumière formée sur un support 101 pour élément photo- conducteur, ladite couche de réception de la lumière présentant une surface libre 105 à l'une de ses extrémités. La couche 102 de réception de la lumière présente une structure stratifiée constituée d'une région (G) 103 comprenant une matière amorphe contenant des atomes de germanium et, si cela est souhaité, au moins l'un des atomes de silicium, d'hydrogène et d'un halogène (X) Lcette matière étant désignée ci-après par la forme abrégée "a-Ge(Si,H,X)"7, et une région (S) 104 qui est photoconductrice et qui comprend du a-Si pouvant contenir au moins l'un des atomes d'hydrogène ou des atomes d'halogène, si cela est souhaité (désignée ci-après par la forme abrégée "a-Si(H,X)"), appliquées l'une à la suite de l'autre à partir du côté du support 101. Les atomes de germanium contenus dans la région (G) 103 de la couche peuvent être distribués de façon continue dans la direction de l'épaisseur de la couche, à travers cette région (G) 103 et cette dernière peut être plus riche en atomesde germanium sur le côté du support 101 que sur le côté opposé à celui o se trouve le support 101 (le côté 105 de la surface de la couche 102 de réception de la lumière) ou bien, en variante, la distribution peut être l'inverse de la précédente, ou même être régulière à travers toute la région (G) de la couche. Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, lorsque la distribution des atomes de germanium contenus dans la région (G) de la couche n'est pas uniforme, il est souhaitable que cette distribution soit telle qu'indiqué ci-dessus dans la direction de l'épaisseur de la couche, tandis que la distribution est uniforme dans le plan parallèle à la surface du support. Dans la présente invention, la région (S) de la couche appliquée sur la région (G) ne contient pas d'atomes de germanium et, en réalisant la couche de réception de la lumière de façon qu'elle présente une telle structure stratifiée, il est possible d'obtenir un élément photoconducteur ayant une excellente photosensi- bilité à la lumière sur la totalité de la bande des longueurs d'ondes comprise entre les longueurs d'ondes relativement courtes et les longueurs d'ondes relativement longues. De plus, dans la forme préférée de réalisation dans le cas d'un système o des atomes de germanium sont répartis non uniformément, étant donné que la distribution des atomes de germanium dans la région (G) varie de manière que les atomes de germanium soient répartis de façon continue sur la totalité de la région de la couche, la concentration C des atomes de germanium dans la direction de l'épaisseur de la couche étant réduite du côté du support vers la région (S), l'affinité entre la région (G) et la région (S) de la couche est excellente. De plus, comme décrit ci-après, en augmentant la concen- tration C, à une valeur extrêmement grande, des atomes de germanium à la partie extrême sur le côté du support, la lumière du côté des plus grandes longueurs d'ondes, qui ne peut pratiquement pas être absorbée par la seconde région (S), peut être absorbée dans la région (G) à peu près totalement lorsque l'on utilise un laser semi-conducteur, ce qui empêche toute interférence par réflexion sur la surface du support. De plus, dans l'élément photoconducteur selon l'invention, les matières amorphes respectives constituant la région (G) et la région (S) de la couche possèdent, comme constituant commun, des atomes de silicium, et, par conséquent, une stabilité chimique suffisante peut être assurée à l'interface des couches. Les figures 2 à 10 montrent des exemples typiques de la distribution dans la direction de l'épaisseur de la couche des atomes de germanium contenus dans la région (G) de l'élément photoconducteur de la présente invention. Sur les figures 2 à 10, on indique en abscisses la teneur C en atomes de germanium et, en ordonnées, l'épaisseur de la région (G) de la couche, tB indiquant la position de la surface extrême de la région (G) sur le côté du support et tT indiquant la position de la surface extrême de la région (G) sur le côté opposé à celui du support. Autrement dit, la formation de la région (G) de la couche contenant du germanium s'effectue du côté tB vers le côté tT. La figure 2 représente une première forme typique du profil de profondeur des atomes de germanium, contenus dans la région (G) de la couche, dans la direction de l'épaisseur de la couche. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 2, à partir de la position tB de l'interface, o la surface sur laquelle la région (G) contenant des atomes de germanium doit être formée, est en contact avec la surface de la région (G) jusqu'à la position tl, des atomes de germanium sont contenus dans la région (G) formée, la concentration C des atomes de germanium prenant une valeur constante de C1 et diminuant progressivement à partir de la concentration C2, en continu, de la position t1 à la position tT d'interface. A la position d'interface tT, la concentration C des atomes de germanium devient égale à C3. Dans l'ensemble de réalisation montré sur la figure 3, la concentration C d'atomes de germanium contenus diminue progressivement et en continu de la position tB de la position tT pour passer de la concentration C4 à la concentration C5 atteinte à la position tT. Dans le cas de la figure 4, la concentration C dès atomes de germanium est établie à la valeur constante C6 de la position tB à la position t2, puis diminue progressivement en continu de la position t2 à la position tT, et la concentration C est établie sensiblement à zéro à la position tT (sensiblement à zéro signifiant une teneur inférieure à la limite détectable). Dans le cas de la figure 5, les atomes de germanium diminuent progressivement et en continu de la position tB à la position tT pour passer de la concentration C8 une valeur sensiblement zéro à la position tT. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 6, la concentration C des atomes de germanium est constamment C9 entre la position tB et la position t3, et elle prend la valeur C10 à la position tT. Entre la position t3 à la position tT, la concentration C diminue suivant la pente d'une fonction du premier degré, de la position t3 à la position tT Dans la forme de réalisation de la figure 7, on obtient un profil de profondeur telle que la concentration C prend une valeur constante C11 de la position tB à la position t4 et qu'elle diminue, conformément à la pente d'une fonction du premier degré, pour passer de la concentration C12 à la concentration C13, de la position t4 à la position tT. Dans la forme de réalisation de la figure 8, la concentration C d'atomes de germanium diminue conformément à la pente d'une fonction du premier degré pour passer de la concentration C14 à zéro, de la position tB à la position tT. La figure 9 représente une forme de réalisation dans laquelle la concentration C d'atomes de germanium diminue conformément à la pente d'une fonction du premier degré pour passer de la concentration C15 à la concen- tration C16, de la position tB à la position t5, et elle reste constamment à la valeur C16 entre les positions t5 et tT. Dans la forme de réalisation de la figure 10, la concentration C d'atomes de germanium est à la valeur C17 à la position tB, laquelle concentration C17 est abaissée initialement, progressivement puis brusquement à proximité de la position t6 jusqu'à cette position t6, jusqu'à ce que l'on obtienne la concentration C18 à la position t6. Entre les position t6 et t7, la concentration diminue initialement brusquement, puis progressivement jusqu'à ce qu'elle prenne la valeur C19 à la position t7. Entre la position t7 et la position t8, la concentration est diminuée très progressivement jusqu'à la valeur C20 à la position t8. Entre les positions t8 et tT, la concentration diminue suivant une courbe ayant la forme telle que montrée sur la figure pour passer de la valeur C20 à une valeur sensiblement nulle. Comme décrit ci-dessus en ce qui concerne certains exemples typiques de profils de profondeur des atomes de germanium contenus dans la région (G) de la couche, dans la direction de l'épaisseur de la couche, en référence aux figures 2 à 10, dans la présente invention, la région (G) présente avantageusement un profil de profondeur telle qu'une partie à forte concentration C d'atomes de germanium se trouve sur le côté du support et qu'une partie, à concentration appauvrie C d'atomes de germanium, considérablement inférieure à celle présente sur le côté du support, soit obtenue du côté de l'interface tTÀ Il est souhaitable que la région (G) entrant dans la constitution de la couche de réception de la lumière de l'élément photoconducteur selon l'invention comprenne une région localisée (A) contenant des atomes de germanium, de préférence à une concentration relativement supérieure sur le côté du support, comme décrit précédemment. Dans la présente invention, la région localisée (A), telle que décrite à l'aide des symboles illustrés sur les figures 2 à 10, peut se trouver avantageusement à moins de 5 Dm de la position d'interface tB. Dans la présente invention, la région localisée précitée (A) peut être réalisée de façon à être identique à la totalité de la région (LT) de la couche partant de la position d'interface tB jusqu'à l'épaisseur de 5 Um, ou bien, en variante, elle peut être identique à une partie de la région (LT). 1 1 On peut convenablement déterminer, suivant les caractéristiques demandées pour la couche amorphe à former, si la région localisée (A) doit constituer une partie ou la totalité de la région (LT) de la couche. La région localisée (A) peut avantageusement être produite par une formation de couche telle que-la valeur maximale Cmax de la concentration d'atomes de germanium, dans une distribution suivant la direction de l'épaisseur de la couche, puisse être avantageusement, en valeur atomique, de 1000 ppm ou plus, plus avanta- geusement de 5000 ppm ou plus, et de préférence de 1 x 104 ppm ou plus, sur la base de la somme des atomes de silicium et des atomes de germanium. Autrement dit, conformément à l'invention, la région (G) contenant des atomes de germanium est formée de façon que la valeur maximale Cmax du profil de profondeur puisse être présente dans une épaisseur de couche de 5 gm à partir du côté du support (la région de la couche située dans une épaisseur de 5 gm à partir de tB). Dans la présente invention, la teneur des atomes de germanium dans la région (G) de la couche, qui peut convenablement être déterminée comme souhaité afin de réaliser efficacement les objets de la présente invention, peut avantageusement être de 1 à 10 x 105 ppm, plus avan- tageusement de 100 à 9,5 x 105 ppm, et de préférence de 500 à 8 x 10 5 ppm, sur la base de la somme des atomes de silicium et de germanium. Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, l'épaisseur de la région (G) et-l'épaisseur de la région (S) de la couche sont l'un des facteurs importants pour réaliser efficacement l'objet de la présente invention et il faut donc prendre suffisamment de soin, lors de la conception de l'élément photoconducteur, pour que des caractéristiques souhaitables puissent être conférées à l'élément photoconducteur formé. Dans la présente invention, l'épaisseur TB de la région (G) de la couche peut avantageusement être comprise entre 3,0 nm et 50 gm, plus avantageusement entre 4,0 nm et 40 gm, et de préférence entre 5,0 nm et gym. Par ailleurs, l'épaisseur T de la région (S) de la couche peut avantageusement être comprise entre 0,5 et gm, plus avantageusement entre 1 et 80 gm, et de préférence entre 2 et 50 gm. La somme des épaisseurs T et TB précitées, à savoir (T + TB), peut être convenablement déterminée comme souhaité en concevant les couches de l'élément photocon- ducteur sur la base des relations organiques mutuelles entre les caractéristiques demandées pour les deux régions de la couche et les caractéristiques demandées pour l'ensemble de la couche de réception de la lumière. Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, la plage de valeui numériquespour la somme précitée (TB + T) peut généralement être comprise entre 1 et 100 gm, avantageusement entre 1 et 80 gm, et de préférence entre 2 et 50 gm. Dans une forme préférée de réalisation de l'invention, il est avantageux de choisir les valeurs numériques des épaisseurs respectives TB et T, telles que mentionnées précédemment, de façon que la relation TB/T En choisissant les valeurs numériques des épaisseurs TB et T dans le cas ci-dessus, les valeurs de TB et T doivent avantageusement être déterminées de façon que la relation TB/T = 0,9 et de préférence la relation B TB/T Dans la présente invention, lorsque la teneur des atomes de germanium dans la région (G) de la couche est de 1 x 10 5 ppm ou plus, il est souhaitable que l'épaisseur TB de la couche soit aussi faible que possible, avantageusement de 30 gm ou moins, plus avantageusement de 25 jm ou moins et de préférence de 20 gm ou moins. Dans la présente invention, des exemples d'atomes d'halogène (X) pouvant être incorporés facultati- 255.8.. vement dans la région (G) et dans la région (S) entrant dans la constitution de la couche de réception de la lumière comprennent le fluor, le chlore, le brome et l'iode, le fluor et le chlore étant particulièrement avantageux. Dans la présente invention, la formation de la région (G) de la couche, comprenant du a-Ge(Si,H,X), peut être conduite par le procédé de déposition sous vide utilisant un phénomène de décharge, tel qu'un procédé à décharge d'effluves, un procédé de pulvérisation ou un procédé d'implantation ionique. Par exemple, pour former la région (G) de la couche constituée de a-Ge(Si,H,X) par le procédé à décharge d'effluves, l'opération fondamentale consiste à introduire un gaz de départ fournissant du Ge, capable d'apporter des atomes de germanium (Ge), faculta- tivement avec un gaz de départ fournissant du Si, capable d'apporter des atomes de silicium (Si),et un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène (X) dans une chambre de déposition dont l'intérieur peut être amené à une pression réduite, et à déclencher une décharge d'effluves dans ladite chambre de déposition de façon à former une couche constituée de a-Ge(Si,H,X) sur la surface d'un support placé dans une position prédéterminée, en même temps que le profil de profondeur des atomes de germanium est réglé conformément à une courbe souhaitée de rythme de variation. En variante, pour une formation par le procédé de pulvérisation, lorsque l'on procède à une pulvérisation à l'aide de deux feuilles d'une cible constituée de Si et d'une cible constituée de Ge, ou bien à l'aide d'une cible d'un mélange de Si et de Ge dans une atmosphère constituée de gaz inerte tel que Ar, He, etc., ou d'un mélange gazeux basé sur ces gaz, si cela est souhaité, un gaz pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X) peut être introduit dans une chambre de déposition pour une pulvérisation. Le gaz de départ pour l'apport de Si à utiliser dans la présente invention peut comprendre les composés hydrogénés de silicium (silanes) gazeux ou gazéifiables tels que SiH4, Si2H6, Si3H8, Si4H10, et autres, en tant que matières efficaces. En particulier SiH4 et Si2H6 sont préférés pour la facilité de manipulation pendant la formation de la couche et l'efficacité avec laquelle ils apportent du Si. En tant que substances pouvant être des gaz de départ pour l'apport de Ge, on peut utiliser efficacement des composés hydrogénés de germanium gazeux ou gazéifiables, tels que GeH4, Ge2H6, Ge3H8, Ge4H10, Ge5H12, Ge6H14, Ge7H16, Ge8H18, Ge9H20, etc. En particulier, GeH4, Ge2H6 et Ge3H8 sont préférés pour leur facilité de manipulation pendant la formation de la couche et l'efficacité avec laquelle ils apportent du Ge. Des gaz de départ efficaces pour l'introduction d'atomes d'halogène à utiliser dans la présente invention peuvent comprendre un grand nombre de composés halogénés, de préférence des composés halogénés gazeux ou gazéifiables, par exemple des halogènes à l'état gazeux, des halogénures, des composés interhalogénés ou des dérivés de silane substitué par un halogène. En outre, on peut également utiliser des composés hydrogénés de silicium gazeux ou gazéifiables contenant des atomes d'halogène, constitués d'atomes de silicium et d'atomes d'halogène en tant qu'éléments constitutifs, comme matières efficaces dans la présente invention. Desexemples typiques de composés halogénés utilisés avantageusement dans la présente invention peuvent comprendre des halogènes gazeux tels que le fluor, le chlore, le brome ou l'iode, des composés inter- halogénés tels que BrF, C1F, ClF3, BrF5, BrF3, IF3, IF7, IC1, IBr, etc. Comme composés de silicium contenant des atomes d'halogène, appelés dérivés de silane substitués par un halogène, on peut utiliser avantageusement des composés de silicium halogéné tels que SiF4, Si2F6, SiC14, SiBr4 et autres. Lorsque l'élément photoconducteur caractéris- tique de la présente invention est formé par le procédé à décharge d'effluves, en utilisant un tel composé de silicium contenant des atomes d'halogène, il est possible de former la région (G) de la couche, contenant des atomes d'halogène, sur un support souhaité sans utiliser un composé hydrogéné gazeux de silicium comme gaz de départ capable de fournir du Si, en même temps que comme gaz de départ pouvant fournir du Ge. Dans le cas de la formation de la région (G) de la couche contenant des atomes d'halogène par le procédé à décharge d'effluves, l'opération fondamentale consiste à introduire, par exemple, un halogénure de silicium en tant que gaz de départ pour l'apport de Si, un composé hydrogéné de germanium comme gaz de départ pour l'apport de Ge et un gaz tel que Ar, H2, He, etc., dans une propor- tion de mélange prédéterminée,dans la chambre de déposition pour la formation de la région (G) de la couche et à déclencher une décharge d'effluves pour former un plasma de ces gaz, la région (G) pouvant ainsi être formée sur un support souhaité. Pour régler plus facilement la proportion des atomes d'hydrogène incorporés, de l'hydrogène gazeux ou un gaz constitué d'un composé de silicium contenant des atomes d'hydrogène peut également être mélangé à ces gaz, en quantité souhaitée, pour former la couche. De plus, aucun gaz n'est limité à une espèce unique, mais plusieurs espèces peuvent être utilisées dans toute proportion souhaitée. Pour la formation de la région (G) comprenant du Ge-(Si,H,X), conformément au procédé de pulvérisation réactive ou d'implantation ionique, par exemple, dans le cas de procédé de pulvérisation, deux feuilles d'une cible comprenant du Si et une cible comprenant du Ge, ou une cible comprenant Si et Ge, peuvent être soumises à une pulvéri- sation dans une atmosphère constituée d'un plasma gazeux souhaité; alors que dans le cas du prccédé d'implantation ionique, par exemple, un silicium polycristallin ou un silicium monocristallin et un germanium polycristallin ou encore un germanium monocristallin, peuvent être placés comme source de vaporisation dans une nacelle d'évaporation, et la source de vaporisation est chauffée par leprocédé de chauffage par résistance ou le procédé à faisceau électronique, de façon à être vaporisée, et on permet à la vapeur produite dégagée de traverser une atmosphère constituée d'un plasma gazeux souhaité. Que ce soit dans le cas du procédé par pulvé- risation ou du procédé à implantation ionique, l'introduction d'atomes d'halogène dans la couche formée peut être effectuée par introduction du gaz du composé halogéné précité ou du composé de silicium précité, contenant des atomes d'halogène, dans une chambre de déposition et formation d'une atmosphère constituée d'un plasma de ce gaz. Par ailleurs, pour l'introduction d'atomes d'hydrogène, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène, par exemple H2 ou des gaz tels que des silanes et/ou du germanium hydrogéné te]sque mentionné précédemment, peuvent être introduits dans une chambre de déposition par pulvérisation, une atmosphère constituée d'un plasma de ces gaz étant ensuite formée. Dans la présente invention, comme gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'halogène, les composés d'halogène ou les composés de silicium contenant un halogène telsque mentionnés précédemment peuvent être utilisés efficacement. Autrement, il est également possible d'utiliser efficacement, comme matières de départ pour la formation de la région (G) de la couche, des substances gazeuses ou gazéifiables comprenant des halogénures contenant des atomes d'hydrogène en tant que l'un de leurs constituants, par exemple un halogénure d'hydrogène tel que HF, HC1, HBr, HI, etc.; un composé hydrogéné de silicium substitué par un halogène tel que SiH2F2, SiH2I2, SiH2Cl2, SiHC13, SiH2Br2, SiHBr3, etc.; des halogénures de germanium hydrogénés tels que GeHF3, GeH2F2, GeH3F, GeHC13, GeH2C12, GeH3Cl, GeHBr3, GeH2Br2p GeH3Br, GeHI3, GeH2I2, GeH3I, etc.; des halogénures de germanium tels que GeF4, GeCl4, GeBr4, GeI4, GeF2, GeCl2, GeBr2, GeI2, etc. Parmi ces substances, des halogénures contenant des atomes d'hydrogène peuvent être utilisés avantageuse- ment comme matières de départ pour l'introduction d'un halogène car les atomes d'hydrogène, qui agissent de façon très efficace sur les caractéristiques électriques ou photoélectriques, peuvent être introduits dans la couche, en même temps que les atomes d'halogène, pendant la formation de la région (G) de la couche. Pour introduction d'atomes d'hydrogène dans la structure de la région (G) de la couche, hormis les composés précités, du H2 ou un composé de silicium hydrogéné tel que SiH4, Si2H6, Si3H8, Si4H10, etc., associé à du germanium ou un composé de germanium destiné à fournir du Ge, ou encore un composé de germanium hydrogéné tel que GeH4, Ge2H6, Ge3H8, Ge4H10, Ge5H12, Ge6H14, Ge7H16, Ge8H18, Ge9H20, etc., du silicium ou un composé de silicium destiné à fournir du Si,peuvent coexister dans une chambre de déposition, une décharge étant ensuite déclenchée. Conformément à une forme préférée de réalisation de l'invention, la quantité d'atomes d'hydrogène-(H) ou la quantité d'atomes d'halogène (X) ou la somme des quantités d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogène (H + X) que la région (G) devant être formée doit contenir peut avanta- geusement être comprise entre 0,01 et 40 %, plus avanta- geusement entre 0,05 et 30 %, de préférence entre 0,1 et %. Pour régler la quantité d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X) devant être contenus dans la région (G) de la couche, par exemple, la température du support et/ou la quantité des matières de départ utilisées pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) ou d'atomes d'halogène (X) à introduire dans le dispositif de déposition, la puissance de décharge, etc..peuvent être modifiées. Dans la présente invention, pour la formation de la région (S) de la couche constituée de a-Si(H,X), les matières de départ (I) pour la formation de la région (G) telles que mentionnées ci-dessus, desquelles la matière de départ pour le gaz de départ fournissant du Ge est éliminée, sont utilisées comme matières de départ (II) pour la formation de la région (S) de la couche et la formation de la couche peut être effectuée par le même procédé dans les mêmes conditions que pour la formation de la région (G) de la couche. Plus particulièrement, dans la présente inven- tion, la formation de la région (S), constituée de a-Si(H,X), peut être effectuée par le procédé de déposition sous vide utilisant un phénomène de décharge, par exemple le procédé à décharge d'effluves, le procédé de pulvérisation ou le procédé d'implantation ionique. Par exemple, pour former la région (S) de la couche, constituée de a-Si(H,X) par le procédé à décharge d'effluves, l'opération fonda- mentale consiste à introduire un gaz de départ pour l'apport de Si, capable de fournir des atomes de silicium comme décrit précédemment, facultativement avec des gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogëne (X), dans une chambre de déposition dont l'intérieur peut être amené à une pression réduite, et à déclencher une décharge d'effluves dans cette chambre de déposition de façon à former une couche comprenant du a-Si(H,X) sur un support souhaité placé dans une position prédéterminée. En variante, pour une formation par le procédé de pulvérisation, des gaz pour l'introduction d'atomes d'hydrogène (H) et/ou d'atomes d'halogène (X) peuvent être introduits dans une chambre de déposition lorsque l'on effectue une pulvérisation sur une cible constituée de Si dans une atmosphère formée d'un gaz inerte tel que Ar, He, etc.,ou d'un mélange basé sur ces gaz. Dans l'élément photoconducteur de la présente invention, une substance (C) destinée à déterminer la conductivité peut également être incorporée dans la région (G) de la couche contenant des atomes de germanium et/ou dans la région (S) de la couche ne contenant pas d'atomes de germanium, ce qui permet d'établir librement la conductivité de la région (G) et/ou de la région (S) de la couche. En tant que substance (C) déterminant ou établis- sant la conductivité, on peut mentionner des substances appelées impuretés dans le domaine des semi-conducteurs. Dans la présente invention, on peut utiliser des impuretés du type p donnant une conductivité du type p et des impuretés du type n donnant une conductivité du type n dans le Si ou le Ge constituant la région (PN), contenant une substance (C), de la couche. Plus particulièrement, on peut mentionner, comme impuretés du type p, des atomes appartenant au groupe III du tableau périodique (atomes du groupe III), tels que le bore (B), aluminium (Ai), le gallium (Ga), l'indium (In) , le thallium (Tl), etc., le bore et le gallium étant particulièrement avantageux. Comme impuretés du type n, on peut utiliser les atomes appartenant au groupe V du tableau périodique, tels que le phosphore (P), l'arsenic (As), l'antimoine (Sb), le bismuth (Bi), etc., le phosphore et l'arsenic étant particulièrement avantageux. Dans la présente invention, la teneur de la substance (C) déterminant la conductivité dans la région (PN) de la couche peut convenablement être choisie en fonction de la conductivité demandée pour ladite région (PN), ou des caractéristiques d'autres régions de la couche en contact direct avec cette région, les relations organiques telles que les relations avec les caractéristiques desdites autres régions, ou du support à l'interface de contact, etc. Lorsque la substance ci-dessus déterminant la conductivité doit être introduite dans la couche de réception de la lumière, localement dans la région souhaitée de cette couche, en particulier dans une région (E) d'une partie extrême située sur le côté du support de ladite couche de réception de la lumière, la teneur de la substance déterminant les caractéristiques de conductivité est établie convenablement en tenant compte des relations avec les caractéristiques d'autres régions de la couche en contact direct avec ladite région (E), ou les caractéristiques de l'interface de contact avec lesdites autres régions de la couche. Dans la présente invention, la teneur de la substance (C) déterminant la conductivité, contenue dans la région (PN) doit, en valeur atomique, être avantageu- sement comprise entre 0,01 et 5 x 104 ppm, plus avanta- geusement entre 0,5 et 1 x 104 ppm, et de préférence entre 1 et 5 x 103ppm. Dans la présente invention, lorsque la teneur de ladite substance (C) de la région (PN) de la couche est avantageusement de 30 ppm ou plus, plus avantageusement de 50 ppm ou plus, et de préférence de 100 ppm ou plus, en valeur atomique, il est souhaitable que la substance (C) soit contenue localement en tant que partie de la région de la couche de réception de la iumière, et en particulier qu'elle soit localisée à la région (E) de la partie extrême sur le côté du support de la couche de réception de la lumière. Dans la constitution indiquée ci-dessus, en introduisant la substance (C) déterminant la conductivité dans la région (E) de la partie extrême sur le côté du support de la couche de réception de-la lumière de manière que la teneur puisse être à la valeur indiquée ci-dessus ou à une valeur plus élevée, par exemple dans le cas o ladite substance (C) à introduire est une impureté du type p comme mentionné précédemment, une migration d'électrons injectés depuis le côté du support dans la couche de réception de la lumière peut être efficacement empêchée lorsque la surface libre de la couche de réception de la lumière est soumise au traitement de charge à une polarité positive. Par ailleurs, lorsque la substance à incorporer est une impureté du type n, la migration d'électrons positifs injectés depuis le côté du support dans la couche de réception de la lumière peut être empêchée efficacement lorsque la surface libre de la couche de réception de la lumière est soumise à un traitement de charge de polarité négative. Par conséquent, dans le cas o une substance destinée à déterminer une conductivité d'une polarité est incorporée dans la région (E) de la partie extrême précitée, la région résiduelle de la couche de réception de la lumière, à savoir la région (Z), à l'exclusion de la région (E) de la partie extrême précitée, peut contenir une substance destinée à déterminer une conductivité de l'autre polarité, ou bien une substance destinée à déterminer une conductivité de la même polarité peut y être contenue en quantité très inférieure à celle contenue en pratique dans la région (E) de la partie extrême. Dans un tel cas, la teneur de la substance (C), déterminant la conductivité et contenue dans la région précitée (Z), peut être déterminée convenablement comme souhaité en fonction de la polarité de la substance contenue dans la région (E) de la partie extrême, mais, en valeur atomique, elle est avantageusement comprise entre 0,01 et 1000 ppm, plus avantageusement entre 0,5 et 500 ppm, et de préférence entre 0,1 et 200 ppm. Dans la présente invention, lorsque le même type d'une substance déterminant la conductivité est contenu dans la région (E) de la partie extrême et dans la région (Z) de la couche, la teneur de la région (Z) doit avantageusement être de 30 ppm ou moins en valeur atomique.A ladifférence des cas mentionnés ci-dessus, dans la présente invention, il est également possible de prévoir, dans la couche de réception de la lumière, une région contenant une substance déterminant une conduc- tivité d'une polarité et une région contenant une substance déterminant une conductivité de l'autre polarité, en contact direct l'une avec l'autre, formant ainsi une couche dite d'appauvrissement dans la région de contact. En bref, par exemple, une couche contenant l'impureté précitée du type p et une région contenant l'impureté précitéedu type n sont prévues dans la couche de réception de la lumière, en contact direct l'une avec l'autre, pour former la jonction dite p-n, ce qui permet de réaliser une couche d'appauvrissement. - Pour l'introduction, dans la structure de la couche de réception de la lumière, d'une substance (C) déterminant la conductivité, telle que des atomes du groupe III ou des atomes du groupe V, on peut introduire une matière de départ pour l'introduction d'atomes du groupe III ou une matière de départ pour l'introduction d'atomes du groupe V, à l'état gazeux, dans une chambre de déposition en même temps que les matières de départ pour la formation de la seconde région de la couche pendant la constitution de cette dernière. Comme matière de départ pouvant être utilisée pour l'introduction d'atomes du groupe III, il est souhaitable d'utiliser celles qui sont gazeuses à la température ambiante et à la pression atmosphérique ou qui peuvent être aisément gazéifiées dans les conditions de formation de la couche. Des exemples typiques de telles matières de départ pour l'introduction d'atomes du groupe III peuvent comprendre, comme composés pour l'introduction d'atomes de bore, des hydrures de bore, tels que B2H6, B4H10, B5H9, B5H11, B6H10, B6H12, B6H14, etc., et des halogénures de bore tels que BF3, BC13, BBr3, etc. Il est autrement également possible d'utiliser AlCl3, GaCl3, Ga(CH3)3, InCl3, TlCl3 et autres. Les matières de départ qui peuvent être efficacement utilisées dans la présente invention pour l'introduction des atomes du groupe V peuvent comprendre, pour l'introduction d'atomes de phosphore, un hydrure de phosphore tel que PH3, P2H4, etc., des halogénures de phosphore tels que PH4I, PF3, PF5, PC13 PCPC15, PBr3, PI3 et autres. Par ailleurs, il est également possible d'utiliser AsH3, AsF3, AsC13, AsBr3, AsF5, SbH3, SbF3, SbF5, SbC13, SbC15, BiH3, BiC13, BiBr3 et autres, de façon efficace comme matières de départ pour l'introduction des atomes du groupe V. Dans la présente invention, la quantité d'atomes d'hydrogène (H) ou la quantité d'atomes d'halogène (X), ou la somme des quantités d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogène (H + X) devant être contenue dans la région (S) constituant la couche de réception de la lumière à former doit avantageusement être comprise entre 1 et 40 %, plus avantageusement entre 5 et 30 %, et de préférence entre 5 et 25 %. Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, pour obtenir des améliorations par accroissement de la photosensibilité,de la résistance d'obscurité et, en outre, pour améliorer l'adhérence entre le support et la couche de réception de la lumière, une région (O) de la couche, contenant des atomes d'oxygène, est prévue dans la couche de réception de la lumière. Les atomes d'oxygène contenus dans la couche de réception de la lumière peuvent être répartis soit régulièrement à travers toute la région de la couche de réception de la lumière,soitlocalement, niquement dans une partie de cette région de la couche. Dans la présente invention, la distribution de la concentration des atomes d'oxygène, C(O), à travers la totalité de la couche de réception de la lumière, varie par gradins dans la direction de l'épaisseur de la couche. Comme montré sur la figure 11, la couche 102 de réception de la lumière de l'élément photoconducteur 100 de la figure 1 contient des atomes d'oxygène et comporte une première région (1) 105 ayant une concentration de distribution, dans la direction de l'épaisseur de la couche, d'une valeur C(1), une deuxième région (2) 106 ayant une concentration de distribution de valeur C (2) et une troisième rdgion (3) 107 ayant une concentration de distribution de valeur C (3). De plus, l'interface de contact entre la région (G) 103 et la région (S) 104 peut exister à une quelconque des première, deuxième et troisième régions de la couche. Dans la présente invention, il n'est pas indispensable que les première, deuxième et troisième régions précitées contiennent toutes des atomes d'oxygène. Cependant, lorsque l'une quelconque de ces régions ne contient pas d'atomes d'oxygène, les deux autres régions en contiennent nécessairement et les concentrations de distribution dans la direction de l'épaisseur de la couche doivent être différentes dans ces régions et la concen- tration de distribution dans la troisième région ne doit pas être uniquement le maximum. En d'autres termes, lorsque l'une des concen- * trations C(1), C(2) et C(3) est zéro (0), les régions respectives de la couche doivent être formées de façon que les deux autres ne soient pas à zéro (0) et qu'elles - ne soient pas égales entre elles, et que C(3) ne soit pas uniquement le maximum. Lorsque chacune des première, deuxième et troisième régions de la couche contient des atomes d'oxygène, les concentrations de distribution dans les trois régions de la couche ne sont pas simultanément égales et la concentration de distribution de la troisième région n'est pas uniquement le maximum. Des atomes d'oxygène sont contenus dans les régions de la couche de la manière mentionnée précédemment. En d'autres termes, lorsqu'aucune des concentrations C(1), C(2) et C(3) est zéro, C(1), C(2) et C(3) ne sont pas simultanément égales et C(3) n'est pas seulement le maximum. Ainsi, lorsqu'un traitement de charge est appliqué, l'injection de charges depuis le côté de la surface libre 108 ou depuis le côté du support 101 dans la couche 102 de réception de lumière peut être efficacement empêchée et, dans le même temps, on peut améliorer la résistance d'obscurité de la couche 102 de réception de la lumière elle-même, ainsi que l'adhérence entre le support 101 et la couche 102. Pour que la couche 102 de réception de la lumière puisse avoir une photosensibilité et une résistance d'obscurité satisfai- santes, en pratique, et que l'injection de charges dans la couche 102 de réception de la lumière puisse être suffisamment empêchée, et, également, pour que le transport des photoporteurs générés dans la couche 102 s'effectue efficacement, il est nécessaire de concevoir la couche 102 de réception de la lumière de façon que la concentration de distribution C(3) des atomes d'oxygène dans la troisième région (3) puisse ne pas être uniquement le maximum. Dans ce cas, de préférence, il est souhaitable que l'épaisseur de la troisième région de la couche soit suffisamment supérieure à celle des deux autres régions. Plus avantageusement, il est souhaitable que la couche 102 de réception de la lumière soit conçue de façon que l'épaisseur de la troisième région (3) puisse constituer au moins 1/5 de l'épaisseur de cette couche 102. Dans la présente invention, les épaisseurs de la première région (1) et de la deuxième région (2) de la couche doivent avantageusement être de 0, 003 à 30.m, plus avantageusement de 0,004 à 20 gm, et de préférence de 0,005 à 10 gm. Par ailleurs, l'épaisseur de la troisième région (3) doit avantageusement être de 1 à 100 Nm, plus avantageusement de 1 à 80 Nm, et de préférence de 2 à 50 gm. Lorsque la couche de réception de la lumière est conçue de façon à conférer principalement la fonction de la couche dite d'inhibition de l'injection de charges, qui empêche l'injection de charges dans la couche de réception de la lumière, aux première et deuxième régions (1) et (2), chacune des épaisseurs des première et deuxième régions (1) et (2) doit avantageusement être de 10 Nm au maximum. Lorsque la couche de réception de la lumière est conçue de façon à conférer principalement la fonction de couche génératrice de charges à la troisième région (3), l'épaisseur de cette dernière est déterminée convenablement en fonction du coefficient d'absorption de la lumière de la source de lumière utilisée. Dans ce cas, si une source de lumière utilisée classiquement dans le domaine de l'électrophotographie doit être employée, l'épaisseur de la troisième région (3) peut être au maximum d'environ Nm. Pour conférer principalement la fonction de couche de transport de charges à la troisième région (3), son épaisseur doit avantageusement être d'au moins 5 um. Dans la présente invention, la valeur maximale des concentrations de distribution d'atomes d'oxygène C(1), C(2) et C(3) doit avantageusement être de 67 % ou moins, plus avantageusement de 50 % ou moins, et de préférence de 40 % ou moins sur la base de la somme des atomes de silicium, des atomes de germanium et des atomes d'oxygène (appelée ci-après "T(SiGeO)"). Lorsque les concentrations de distribution ci-dessus C(1), C(2) et C(3) ne sont pas 0, il est souhaitable que la valeur minimale soit de 1 ppm ou plus, plus avantageusement de 50 ppm ou plus, et de préférence de 50 ppm ou plus sur la base de T(SiGeO). Dans la présente invention, des atomes d'oxygène sont répartis non uniformément dans la direction de l'épaisseur de la couche, à travers la totalité de la couche de réception de la lumière, mais uniformément dans la direction de l'épaisseur des première, deuxième et troisième régions respectives. Les figures 12 à 16 montrent des exemples typiques de profils de profondeur d'atomes d'oxygène dans la totalité de la couche de réception de la lumière. Sur ces figures, les symboles utilisés ont le même sens que ceux utilisés sur les figures 2 à 10, sauf indications contraires. Dans la forme de réalisation montrée sur la figure 12, de la position tB à la position t9, la distri- bution des atomes d'oxygène est établie de façon constante à la concentration C21, et elle est constante, à la concentration de distribution C22, de la position t9 à la position tT. Dans la forme de réalisation de la figure 13, de la position tB à la position t10, le profil prend une valeur constante de concentration de distribution C23, tandis qu'il prend la valeur C24 de la position t10 à la position t11 et la valeur C25 de la position tl à la position tT. Ainsi, la concentration de distribution des atomes d'oxygène est réduite en trois étapes. Dans la forme de réalisation de la figure 14, la concentration de distribution des atomes d'oxygène est établie à C26 de la position tB à la position t12, tandis qu'elle est établie à C27 de la position t12 à la position tT Dans la forme de réalisation de la figure 15, la concentration de distribution des atomes d'oxygène est augmentée en trois étapes, la concentration étant de C28 de la position tB à la position t13, de C29 de la position t13 à la position t14 et de C30de la position t14 à la position tT. Dans la forme de réalisation de la figure 16, la concentration de distribution des atomes d'oxygène est plus élevée sur le côté du support et sur le côté de la surface libre en prenant la valeur C31 de la position tB à la position t15, la valeur C32 de la position t15 de la position t16 et la valeur C33 de la position t16 à la position tT. Dans la présente invention, pour la réalisation de la région (O), contenant des atomes d'oxygène, dans la couche de réception de la lumière, on peut utiliser une matière de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène en même temps que la matière de départ pour la formation de la couche de réception de la lumière, comme mentionné précédemment, pendant la formation de la couche, et ces matières peuvent être incorporées dans la couche en quantités déterminées. Lorsque le procédé de décharge d'effluves doit être utilisé pour la formation de la région (O) de la couche, on peut ajouter, à la matière de départ choisie, comme souhaité, parmi celles convenant à la formation de la couche de réception de la lumière, comme mentionné précédemment, une matière de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène. Comme matières de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène, on peut-utiliser la plupart des substances gazeuses ou gazéifiables contenant au moins des atomes d'oxygène un tant qu'atomes constitutifs. Par exemple, on peut utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) en tant qu'atomes constitutifs, d'un gaz de départ contenant des atomes d'oxygène (O) en tant qu'atomes constitutifs et, facultativement, d'un gaz de départ contenant des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogène (X) en tant qu'atomes constitutifs dans des proportions de mélange souhaitées; un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) en tant qu'atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant des atomes d'oxygène (0) et des atomes d'hydrogène (H) en tantqu'atomes constitutifs, également dans une proportion de mélange souhaitée; ou un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) en tant qu'atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant les trois atomes de silicium (Si), d'oxygène (0) et d'hydrogène (H) en tant qu'atomes constitutifs. En variante, on peut également utiliser un mélange d'un gaz de départ contenant des atomes de silicium (Si) et des atomes d'hydrogène (H) en tant qu'atomes constitutifs et d'un gaz de départ contenant des atomes d'oxygène (O) en tant qu'atomes constitutifs. Plus particulièrement, on peut mentionner, par exemple, l'oxygène (2),' l'ozone (03), le monoxyde d'azote (NO), le bioxyde d'azote (NO2), le protoxyde d'azote (N2O), l'anhydride azoteux (N203), le peroxyde d'azote (N204), l'anhydride azotique (N205), le trioxyde d'azote (NO3) et des siloxanes inférieurs contenant des atomes de silicium (Si), des atomes d'oxygène (O) et des atomes d'hydrogène (H) en tant qu'atomes constitutifs, tels que le disiloxane H3SiOSiH3, le trisiloxane H3SiOSiH2OSiH3, et autres. Pour la formation de la région (O) contenant des atomes d'oxygène, par le procédé de pulvérisation, une tranche de silicium monocristallin ou polycristallin ou une tranche de SiO2 ou encore une tranche contenant du Si et du SiO2, en mélange, peut être utilisée et une pulvérisation peut être conduite dans diverses atmosphères gazeuses. Par exemple, lorsqdune tranche de Si est utilisée comme cible, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène en même temps que, le cas échéant, un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'hydrogène et/ou d'atomes d'halogène, qui peuvent facultativement être dilués avec un gaz de dilution, peuvent être introduits dans une chambre de déposition pour réaliser une pulvé- risation, de façon qu'un plasma gazeux soit formé à l'aide de ces gaz, plasma dans lequel la pulvérisation de la tranche précitée de Si peut être effectuée. En variante, en utilisant des cibles séparées de Si et de SiO2 ou une feuille d'une cible contenant du Si et du SiO2 en mélange, on peut effectuer une pulvéri- sation dans une atmosphère constituée d'un gaz de dilution tel qu'un gaz pour pulvérisation ou dans une atmosphère gazeuse contenant au moins des atomes d'hydrogène (H) et/ou des atomes d'halogène (X) en tant qu'atomes consti- tutifs. Comme gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène, on peut utiliser les gaz de départ indiqués dans les exemples du procédé à décharge d'effluves, décrits précédemment, ces gaz étant également efficaces dans le cas d'une pulvérisation. Dans la présente invention, lorsque l'on réalise une région (0), contenant des atomes d'oxygène, pendant la formation de la couche de réception de la lumière, la formation de la région (O) ayant un profil de profondeur souhaitée dans la direction de l'épaisseur de la couche, par variation de la concentration de distri- bution C(0) des atomes d'oxygène contenus dans ladite région (0), peut être conduite, dans le cas d'une décharge d'effluves, par l'introduction d'un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène dont la concentration de distribution C(O) doit être modifiée, dans une chambre de déposition, en même temps que le débit d'écoulement de ce gaz est modifié convenablement conformément à une courbe souhaitée de rythme de variation. - Par exemple, par le procédé manuel ou par tout autre procédé utilisé classiquement, par exemple un procédé mettant en oeuvre un moteur à commande extérieure, etc., l'ouverture d'une certaine valve à pointeau, montée dans le circuit d'écoulement des gaz, peut être modifiée pas à pas. Dans le cas o la région (0) de la couche doit être formée par le procédé de pulvérisation, l'obtention d'un profil de profondeur souhaitéedes atomes d'oxygène dans la direction de l'épaisseur de la couche, par variation de la concentration de distribution C(O) des atomes oxygène dans la direction de l'épaisseur, peut être effectuée, d'abord de la même manière que dans le cas du procédé à décharge d'effluves, par l'utilisation d'un gaz de départ pour l'introduction d'atomes d'oxygène à l'état gazeux et par une variation convenable pas à pas du débit d'écoulement du gaz pendant son introduction dans lachambre de déposition. Ensuite la formation d'un tel profil de profon- deur peut également être obtenue par modification préalable de la composition d'une cible pour pulvérisation. Par exemple, lorsqu'une cible comprenant une mélange de Si et de SiO2 doit être utilisée, le rapport de mélange de Si au SiO2 peut être modifié dans la direction de l'épaisseur de la cible. Le support à utiliser dans la présente invention peut être conducteur du courant électrique ou isolant. Comme matièroe électroconductrice; on peut mentionner des métaux tels que NiCr, l'acier inoxydable, Al, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, y, Ti, Pt, Pd etc. ou des alliages de ces métaux. Comme supports isolants,-on peut utiliser classiquement des films ou des feuilles de résines synthétiques, comprenant du polyester, du polyéthylène, du polycarbonate, de l'acétate de cellulose, du poly- propylène, du polychlorure de vinyle, du polychlorure de vinylidène, du polystyrène, du polyamide, etc., des verres, des céramiques, des papiers et ainsi de suite. Au moins une surface de ces supports isolants est avantageusement soumise à un traitement la rendant conductrice du courant électrique et il est souhaitable d'appliquer d'autres couches sur la face ayant reçu ce traitement électro- conducteur. Par exemple, le traitement électroconducteur d'un verre peut être effectué par l'application d'une mince pellicule de NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In203, SnO2, ITO (IN203 + SnO2) sur le verre. En variante, un film de résine synthétique tel qu'un film de polyester peut être soumis au traitement électroconducteur, en surface, par déposition de vapeur sous vide, par déposition par faisceau d'électrons ou par pulvérisation d'un métal tel que NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc.,ou par traitement de strati- fication à l'aide dudit métal, rendant ainsi la surface conductrice du courant électrique. Le support peut être configuré dans toutes formes, par exemple en cylindres, courroies, plaques ou autres, et sa forme peut être déterminée comme souhaité. Par exemple, lorsque l'élément photoconducteur 100 de la figure 1 doit être utilisé en tant qu'élément de formation d'image pour électrophoto- graphie, il peut avantageusement être réalisé sous la forme d'une bande sans fin ou d'un cylindre destiné à être utilisé dans les opérations de copie continue à grande vitesse. Le support peut avoir une épaisseur qui est convenablement déterminée de façon qu'un élément photo- conducteur tel que souhaité puisse être formé. Lorsque l'élément photoconducteur doit avoir une certaine flexibilité, le support est réalisé de façon à être aussi mince que possible dans la mesure o la fonction de support peut être assurée. Cependant, dans ce cas, l'épaisseur est avantageusement de 10 um ou plus pour des raisons de fabrication et de manipulation du support ainsi que pour en assurer la résistance mécanique. Comme décrit en détail ci-dessus, l'élément photoconducteur conçu de façon à présenter la constitution stratifiée de la présente invention permet de résoudre tous les problèmes mentionnés précédemment et il présente d'excellentes caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices, une excellente rigidité diélectrique ainsi que de bonnes caractéristiques vis-à-vis du milieu ambiant pendant l'utilisation. En particulier, lorsqu'il est utilisé en tant qu'élément de formation d'image pour électrophotographie, il est totalement soustrait de l'influence des potentiels résiduels lors de la formation d'image; ses propriétés électriques sont stables, sa sensibilité est élevée et son rapport signal/bruit est élevé; il présente une excellente résistance à la fatigue par la lumière et d'excellentes caractéristiques lors d'utilisations répétées, de sorte qu'il permet d'obtenir des images de grande qualité, de densité élevée, claires dans les demi-teintes et d'une résolution élevée. En outre, l'élément photoconducteur selon l'invention est d'une photosensibilité élevée sur la totalité du spectre de la lumière visible et il convient particulièrement à une adaptation à un laser à semi- conducteur, et sa réponse à la lumière est également rapide. Un exemple du procédé de production de l'élément photoconducteur selon l'invention sera à présent brièvement décrit. La figure 17 représente un exemple de dispositif de production d'un élément photoconducteur. Des bouteilles ou bombes de gaz 1102 - 1106 contiennent hermétiquement des gaz de départ pour la formation de l'élément photoconducteur selon l'invention. Par exemple, la bouteille 1102 contient du SiH4 gazeux dilué avec He (pureté: 99,999 %, désigné ci-après par la forme abrégée "SiH4/He"), la bouteille 1103 contient du GeH4 gazeux dilué avec He (pureté: 99,999 %, désigné ci-après par la forme abrégée "GeH4/He"), la bouteille 1104 contient du NO gazeux (pureté: 99,99 %), la bouteille 1105 contient du He gazeux (pureté: 99,999 %) et la bouteille 1106 contient du H2 gazeux (pureté: 99,999 %). Pour permettre à ces gaz de pénétrer dans une chambre 1101 de réaction, après confirmation de la fermeture des valves ou robinets 1122 - 1126 des bouteilles de gaz 1102 et 1106 et de la valve ou du robinet de fluide 1135, et de l'ouverture des valves ou robinets d'entrée 1112 - 1116, des valves ou robinets de sortie 1117 - 1121 et des valves ou robinets auxiliaires 1132, 1133, on ouvre d'abord la valve principale 1134 afin de faire le vide dans la chambre 1101 de réaction et dans les conduites de gaz. Ensuite, lorsque la valeur affichée par l'indicateur de vide 1136 devient sensiblement égale à 666,5.10 6 Pa, on ferme les robinets auxiliaires 1132, 1133 et les robinets de sortie 1117 - 1121. En se référant à présent à un exemple de forma- tion d'une couche de réception de la lumière sur un substrat cylindrique 1137, on permet au SiH4/He gazeux de la bouteille 1102, au GeH4/He gazeux de la bouteille 1103 et au NO gazeux de la bouteille 1104 de s'écouler dans des régulateurs de débit massique 1107, 1108, 1109, respectivement, en ouvrant les robinets 1122, 1123 et 1124 et en réglant les pressions, affichées par des manomètres de sortie 1127, 1128 et 1129, à 100 kPa, et en ouvrant progressivement les robinets d'entrée 1112, 1113 et 1114, respectivement. Puis on ouvre progressivement les robinets de sortie 1117, 1118 et 1119 et le robinet auxiliaire 1132 afin de permettre aux gaz respectifs de pénétrer dans la chambre 1101 de réaction. Cn règle les robinets aux valves de sortie 1117, 1118 et 1119 de manière que les proportions des débits d'écoulement des gaz SiH4/He, GeH4/He et NO puissent prendre des valeurs souhaitées et on règle également l'ouverture de la valve principale 1134 tout en surveillant la valeur affichée par l'indicateur de vide 1136 afin que la pression puisse atteindre une valeur souhaitée dans la chambre 1101 de réaction après confirmation que la température du substrat 1137 est établie à une valeur comprise entre 50 et 400 C par un élément chauffant 1138, on règle la source 1140 d'alimentation en énergie à une puissance souhaitée afin de déclencher une décharge d'effluves dans la chambre 1101 de réaction et, simultanément, on agit sur les profils de profondeur des atomes de germanium et des atomes d'oxygène contenus dans la couche formée en faisant varier progressivement les débits d'écoulement du GeH4/He gazeux et du NO gazeux conformément à la courbe de rythme de variation établie précédemment, en manoeuvrant à la main ou à l'aide d'un moteur de commande extérieure, etc. les valves ou robinets 1118 et 1120. Comme décrit précédemment, une première région (G) de la couche est formée sur le substrat 1137, à une épaisseur souhaitée, par maintien de la décharge d'effluves pendant une période de temps souhaitée. Lorsque la première région (G) est formée à une épaisseur souhaitée, en suivant les mêmes conditions et en procédant de la même manière, sauf que l'on ferme complètement la valve de sortie 1118 et que l'on modifie les conditions de décharge, si cela est souhaité, on maintient une décharge d'effluves pendant une période de temps souhaitée afin qu'une seconde région (S), ne contenant pratiquement pas d'atomes de germanium, puisse être formée sur la première région (G). Pour l'introduction d'une substance (C) déter- minant la conductivité dans la première région (G) et dans la seconde région (S) de la couche, on peut ajouter des gaz tels que B2H6, PH3 et autres aux gaz à introduire dans la chambre 1101 de déposition pendant la formation des première et seconde régions (G) et (S). Pendant la formation de la couche, il est souhaitable de faire tourner le substrat 1137 à une vitesse constante à l'aide d'un moteur 1139 afin que la couche soit formée de façon uniforme. La présente invention sera davantage illustrée en référence aux exemples suivants. Exemple 1 A l'aide du dispositif montré sur la figure 17, on prépare des échantillons d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons n 11-1 à 17-6) (tableau II) sur des substrats cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées dans le tableau I. Les profils de profondeur des atomes de germanium dans les échantillons respectifs sont indiqués sur la figure 18 et ceux des atomes d'oxygène sur la figure 19. Sur ces figures, on indique en ordonnées la distance, en gm, à partir de la distance du substrat, en abscissesla teneur, en pourcentages, en atomes de germanium (figure 18) et d'oxygène (figure 19). Chacun des échantillons ainsi obtenus est placé dans un dispositif d'essai de charge-exposition et est soumis à une charge d'effluves à + 5, 0 kV pendant 0,3 s, suivie immédiatement d'une exposition à une image lumineuse. L'image lumineuse est irradiée au moyen d'une source de lumière constituée d'une lampe à filament de tungstène à une dose de 2 lux. s.,à travers une lumière d'essai du type transparent. Immédiatement après, un révélateur pouvant être chargé négativement (contenant une poudre pigmentaire ou "toner" et un support) est appliqué en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image et on maintient une bonne image révélée sur la surface de cet élément. Lorsque l'image révélée est transférée sur un papier de report par une charge d'effluves à + 5,0 kV, on obtient, sur chaque échantillon, une image claire de densité élevée, ayant une excellente résolution et une bonne reproduc- tibilité de gradation. Les mêmes essais sont rpdétés dans les mêmes conditions de formation de l'image révélée que celles indiquées précédemment, sauf que l'on utilise un laser semi-conducteur du type GaAs (puissance de 10 mW), de 810 nm, à la place de la lampe à filaments de tungstène, comme source de lumière, et on procède à une estimation de la qualité de l'image sur chaque échantillon. Les résultats de ces estimations sont que l'on peut obtenir, sur chaque échantillon, une image de qualité élevée, d'une excellente résolution et d'une bonne reproductibilité de gradation. Exemple 2 A l'aide du dispositif montré sur la figure 17, on prépare des échantillons d'éléments de formation d'image pour électrophotographie (échantillons N 21-1 à 27-6) (tableau IV) sur des substrat cylindriques en aluminium, dans les conditions indiquées dans le tableau III. Les profils de profondeur des atomes de germanium des échantillons respectifs sont indiqués sur les figures 18 et ceux des atomes d'oxygène sur la figure 19. Pour chacun de ces échantillons, on procède à une estimation de l'image comme dans l'exemple 1 et l'on obtient, sur chaque échantillon, une image révélée reportée de qualité élevée. De plus, chaque échantillon est soumis à un essai d'utilisation répété 200 000 fois, sous une température de 38 C et une humidité relative de 80 %. Aucune diminution de la qualité de l'image n'est observée sur aucun échantillon. T A B L E A U I Constitu- Débit d'écoulementRapport Puissance de Vitesse de Epaisseur Gaz udbtdcag omto tionG (Conditions normales) dué- dcharge des coualiches stratifiée utilisés (cm'/min) (W/cm2) des cou- lement (Wches (nî m) Couche SiH4/He = 0,5 SiH + GeH = 200 GeH4/He = 0,5 0, 18 1,5 5 (I) NO -4 Couche SiH4/He = 0,5 SiH4 = 200 0, 18 1,5 23 (II) NO NO ta ct il no TABLEAU II .. Profil de profondeur de Ge Prof 1801 1802 1803 1804 1805 1806 1807 L de I Numro d' | chantillon..DTD: 1901 11-1 12-1 13-1 14-1 15-1 16-1 17-1 1902 11-2 12-2 13-2 14-2 15-2 16-2 17-2 1903 11-3 12-3 13-3 14-3 15-3 16-3 17-3 1904 11-4 12-4 13-4 14-4 15-4 16-4 17-4 1905 11-5 12-5 13-5 14-5 15-5 16-5 17-5 1906 11-6 12-6 13-6 14-6 15-6 16-6 17-6 1906 11-6 12-6 13-6 14-6 15-6 16-6 17-6 ! tD Ca u ilC TABLEAU III Consti o Gaz Débit d'écoulementRapportPuissance deVitesseur tution du débit de for- stratifié(Conditions normales) du décharge des couches strati-riee (cm, 3/min) d' cou-(T/c, ion lement (/m) des cou-() ches (nns) Couche SiH4/He = 0,5SiH4 + GeH4 200. GeH4/He = 0,5 0,18 1,5 3 (1) NO -3 B2H6/He = 10 Couche SiH4/He = 0,5SiH4 = 200 0, 18 1,5 28 NO (II) n en Co tsO tD Ve TABLEAU IV P0ofil de profondeur de Ge 1801 1802 1803 1804 1805 1806 1807 Profil de Numéro profondeur de O d'échantillon 1901 21-1 22-1 23-1 24-1 25-1 26-1 27-1 1902 21-2 22-2 23-2 24-2 25-2 26-2 27-2 1903 21-3 22-3 23-3 24-3 25-3 26-3 27-3 1904 21-4 22-4 23-4 24-4 25-4 26-4 27-4 1905 21-5 22-5 23-5 24-5 25-5 26-5 27-5 1906 21-6 22-6 23-6 24-6 25-6 26-6 27-6 REVENDICATIONS 1. Elément photoconducteur caractérisé en ce qu'il comporte un support (101) destiné à cet élément et une couche (102) de réception de la lumière appliquée sur le support et présentant une constitution stratifiée dans laquelle une région (G) (103), comprenant une matière amorphe contenant des atomes de germanium, et une région (S) (104), qui est photoconductrice et qui comprend une matière amorphe contenant des atomes de silicium, sont appliquées l'une à la suite de l'autre à partir du côté du support, ladite couche de réception de la lumière comportant une première région (1) (105), une troisième région (3) (107) et une deuxième région (2) (106) contenant chacune des atomes d'oxygène, la concentration de distribution, dans la direction de l'épaisseur de la couche, étant respectivement de C(1), C(3) et C(2), dans l'ordre mentionné à partir du côté du support, pourvu que, lorsque C(3) ne peut pas être uniquement le maximum et que l'une ou l'autre de C(1) et C(2) est 0, les deux autres nesoient pas 0 et ne soientpas égales; lorsque C(3) est 0, les deux autres ne sont pas 0, ou bien, lorsqu'aucune des concentra- tions C(1), C(2) et C(3) n'est 0, C(1), C(2) et C(3) ne soient pas simultanément égales et C(3) ne soit pas uniquement le maximum. 2. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce qu'au moins l'une des régions(G) et (S) de la couche contient des atomes d'hydrogène. 3. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce qu'au moins une des régions (G) et (S) de la couche contient des atomes d'halogène. 4. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que des atomes de germanium sont distribués de façon non uniforme dans la région (G) de la couche. 5. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que des atomes de germanium sont distribués de façon uniforme dans la région (G) de la couche. 6. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la couche de réception de la lumière contient une substance (C) destinée à déterminer la conductivité. 7. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 6, caractérisé en ce que la substance (C) déterminant la conductivité est un atome appartenant au groupe III du tableau périodique. 8. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 6, caractérisé en ce que la substance (C) déterminant la conductivité est un atome appartenant au groupe V du tableau périodique. 9. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la région (G) de la couche contient des atomes de silicium. 10. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que des atomes de germanium sont contenus dans la région (G) de la couche suivant un profil de profondeur, dans la direction de l'épaisseur de la couche, tel que le côté de la couche situé vers le support est plus riche en atomes de germanium. 11. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que des atomes de germanium sont contenus dans la région (G) de la couche suivant un profil de profondeur, dans la direction de l'épaisseur de la couche, tel que le côté opposé à celui o se trouve le support est plus riche en atomes de germanium. 12. Elément photoconducateur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la quantité d'atomes de germanium contenue dans la région (G) de la couche est comprise entre 1 et 1,0 x 106 ppm. 13. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la région (G) de la couche présente une épaisseur de 3,0 nm à 50 4m. 14. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la région (S) de la couche présente une épaisseur de 0,5 à 90 nm. 2555819' - 15. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que l'épaisseur TB de la région (G) de la couche et l'épaisseur T de la région (S) de la couche satisfont la relation TB/T ' 1. 16. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la région (G) de la couche contient 0,01 à 40 % d'atomes d'hydrogène. 17. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la région (S) de la couche contient 0,01 à 40 % d'atomes d'halogène. 18. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la région (G) de la couche contient au total 0,01 à 40 % d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogène. 19. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 7, caractérisé en ce que l'atome appartenant au groupe III du tableau périodique est choisi parmi B, Al, Ga, In et Tl. 20. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 8, caractérisé en ce que l'atome appartenant au groupe V du tableau périodique est choisi parmi P, As, Sb et Bi. 21. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la couche de réception de la lumière comporte une région (PN) contenant une substance (C) déterminant la conductivité. 22. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 25, caractérisé en ce que la teneur de la substance (C) déterminant la conductivité et contenue dans la région (PN) est comprise entre 0,01 et 5 x 104 ppm en valeur atomique. 23. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 21, caractérisé en ce que la région (PN) de la couche est réalisée sur le côté du support de la couche de réception de la lumière. 24. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 21, caractérisé en ce que la région (PN) est formée en tant que région (E) de la partie extrême située sur le côtd du support de la couche de réception de la lumière. 25. Elément photcconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la région (S) de La couche contient 1 à 40 % d'atomes d'hvdrotlrie. 26. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la région (S) de la couche contient 1 à 40 % d'atomes d'halogène. 27. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la région (S) de la couche contient au total 1 à 40 % d'atomes d'hydrogène et d'atomes d'halogène. 28. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la troisième région de la couche constitue 1/5 ou plus de l'épaisseur de la couche de réception de la lumière. 29. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la première région de la couche présente une épaisseur de 0,003 à 30 gm. 30. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la deuxième région de la couche présente une épaisseur de 0,003 à 30 Dm. 31. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la troisième région de la couche présente une épaisseur de 1 à 100 Dm. 32. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la concentration maximale de C(1), C(2) et C(3) est de 67 % ou moins sur la base de la somme des atomes de silicium, des atomes de germanium et des atomes d'oxygène. 33. Elément photoconducteur selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que la concentration minimale de C(1), C(2) et C(3) est de 1 % ou plus sur la base de la somme des atomes de silicium, des atomes de germanium et des atomes d'oxygène.