FR 2546672 A1 19841130 FR 8308829 A 19830527 P* Pu DISPOSITIF SELECTIF ACCORDAGLE A ONDES MAGNETOSTATIQUES DE VOLUME La présente invention se rapporte aux dispositifs sélectifs accordables basés sur l'émission et la réception d'ondes magnétostatiques de volume progressives Ces ondes sont généralement propagées par une couche magné- tique déposée sur un substrat non magnétique Les caractéristiques sélec- tives sont obtenues en formant à la surface de la couche magnétique des cavités résonnantes délimitées par des réseaux de sillons ou de régions filamentaires ayant subi une implantation ionique Le couplage ondulatoire en cascade de deux cavités résonnantes munies chacune d'un microruban permet de transmettre sélectivement un signal électrique à haute fréquence dans une plage de fréquence très étroite On peut déplacer cette plage pour réaliser un accord en jouant sur l'intensité d'un champ magnétique de direction perpendiculaire au plan de la couche magnétique. Les ondes magnétostatiques de volume progressives ont des caractéris- tiques de propagation isotropes dans le plan de la couche magnétique et par rapport aux ondes magnétostatiques de surface elles offrent lavantage d'un niveau de saturation plus élevé Si l'on s'avise de réaliser un dispositif sélectif accordable en plaçant dans une cavité résonante un microruban émetteur et un microruban récepteur, on obtient bien une pointe de résonance à une fréquence donnée, mais le couplage direct qui s'établit entre les microrubans fait que les pertes d'insertion observées au voisinage de la résonance sont à peine plus importantes que celles que l'on observe au sommet de la pointe de résonance. En disposant en cascade deux cavités résonnantes délimitées par des réseaux réflecteurs parallèles et équipées chacune d'un microruban, on peut isoler par filtrage un mode commun, afin qu'une seule pointe de résonance soit observée dans un intervalle de fréquences important Cependant, les pertes d'insertion de part et d'autre de cette pointe de résonance présentent un recul relativement faible par rapport au sommet de la pointe de résonance Ceci résulte d'un découplage insuffisant entre les microrubans pour les fréquences qui s'écartent de la fréquence de résonance. Pour obtenir un recul des pertes d'insertion, le couplage des deux résonateurs est assuré par un réseau de réflexion dont les traits sont disposés obliquement par rapport aux axes des résonateurs L'espacement des traits du réseau de réflexion est choisi de façon à renvoyer le maximum d'énergie d'un résonateur vers l'autre à la longueur d'onde désirée. Néanmoins, on constate que la fonction de transfert globale peut présenter au voisinage de la pointe de résonance destinée à assurer le fonctionnement monomcde, des signaux parasites correspondant à d'autres modes longitudinaux des résonateurs. L'invention a pour objet un dispositif sélectif accordable à ondes magnétostatiques de volume comportant une couche magnétique dans laquelle est formé au moins un résonateur à réseaux réflecteurs associé à un réseau réflecteur de renvoi extérieur au résonateur comportant des sillons gravés dans la couche magnétique, ledit réseau réflecteur de renvoi assurant la transmission, par réflexion d'ondes magnétostatiques provenant dudit résonateur à réseaux réflecteurs, lequel crée outre un mode longitudinal désiré, d'autres modes longitudinaux qui l'encadrent, caractérisé en ce que le réseau réflecteur est conçu de façon que les ondes magnétostatiques puissent être réfléchies par chacun de ses traits, la distance séparant les traits extrêmes étant franchie par les ondes magnétostatiques en un temps déterminé; l'inverse de ce temps étant représentatif dudit réseau réflecteur de renvoi, ladite bande passante étant centrée sur ledit mode longitudinal désiré et suffisamment étroite pour exclure lesdits autres modes longitu- dinaux. L'invention sera mieux comprise au moyen de la description ci-après et des figures annexées parmi lesquelles: la figure 1 est une vue isométrique d'un dispositif sélectif accordable à ondes magnétostatiques de type connu; la figure 2 est une coupe du dispositif de la figure l la figure 3 est une courbe de réponse en fréquence du dispositif des figures I et 2; la figure 4 représente en fonction de la profondeur relative des sillons, des courbes donnant la bande passante à demi-puissance de réseaux réflecteurs comportant respectivement 10, 20 et 48 traits; la figure 5 représente, en fonction de la profondeur relative des sillons, des courbes donnant l'indice de réflexion de réseaux réflecteurs comportant 10, 20 et 60 traits; la figure 6 est une courbe de réponse en fréquences du dispositif selon l'invention; la figure 7 représente un schéma explicatif d'une variante de réalisation de l'invention. Sur la figure 1, on peut voir un résonateur à deux portes 4 et 5 basé sur l'excitation et la captation d'ondes magnétiques. Ce dispositif se compose par exemple d'un substrat non-magnétique l en grenat de gadolinium et gallium (GGG) à la surface duquel a été déposée par épitaxie en phase liquide une couche magnétique 2 de grenat dyttrium et de fer (YIG) Un repère trirectangulaire Oxyz est représenté sur la figure 1 avec son plan oxy parallèle à la surface libre de la couche 2 L'épaisseur de la couche magnétique 2 est typiquement de 23 microns Des moyens magnétiques inducteurs non représentés sur la figure l soumettent la couche magnétique 2 à un champ magnétique de polarisation H de direction parallèle à l'axe Oz. Dans ces conditions, on sait que la couche 2 peut servir de milieu de propagation d'ondes magnétostatiques de volume progressives (OMVF) Les caractéristiques de ces ondes sont les mêmes pour toutes les directions du plan xoy et elles dépendent de l'intensité du champ magnétique de polari- sation. Dans la couche magnétique 2 ont été pratiqués, par exemple par usinage ionique, des sillons dont le rôle est de créer des ruptures d'impé- dance destinées à réfléchir les ondes magnétostatiques On a ainsi créé cinq réseaux de réflexion 10, 11, 12, 13 et 14 Les traits des réseaux 10 et 12 sont disposés sur la couche magnétique 2 perpendiculairement à l'axe Ox, les traits du réseau 14, selon la bissectrice extérieure de l'angle x Oy. La figure 2 représente une tranche du dispositif de la figure 1, découpée sensiblement selon l'axe Ox parallèlement au plan z Ox Cette figure met en évidence la constitution des réseaux 10, 12 et 14 Les réseaux Il et 13 de la figure 1 sont identiques respectivement aux réseaux 10 et 12. On se contentera donc de ne décrire que ces derniers et le réseau 14. Les réseaux 10 et 12 sont constitués de sillons identiques de largeur dil, de pas pl et de profondeur relative hl/e, hl étant la profondeur des sillons et e l'épaisseur de la couche magnétique 2. Le pas pl est choisi en fonction de la longueur A des ondes magnétostatiques Pour une valeur AO, chaque réseau présente globalement la réflectivité maximale si 2 pi = k A O avec k = 1, 2, 3, La largeur dl d'un trait de réseau fixe le rapport dl/pl On peut agir sur ce rapport pour amoindrir la réflectivité du réseau à une longueur d'onde sous multiple de celle pour laquelle la réflectivité maximale est recherchée. Dans le cas de la figure 1, on peut par exemple supposer que pi = A 0/2, ce qui revient à s'imposer une fréquence d'onde magnétostatique f(H) pour chaque intensité du champ magnétique H de polarisation de la couche 2. Les réseaux 10 et 12 délimitent un résonateur dans lequel un micro- ruban 6 est déposé par métallisation sur la surface de la couche 2 Comme on peut le voir sur la figure 1, le microruban 6 est relié, d'une part, à une métallisation 8 constituant une charge électrique d'extrémité et, d'autre part, à la connexion d'entrée 4. Les deux résonateurs constitués par les réseaux 10, 12 d'une part, et 11, 13 d'autre part, sont agencées de telle façon que leurs axes, respec- tivement parallèles à Ox et Oy, se recoupent dans une région o s'étend le réseau 14. Le réseau 14 est formé de sillons rectilignes parallèles à la bissectrice extérieure de l'angle x Oy L'angle x Oy n'a nul besoin d'être un angle droit. L'angle formé par les sillons des réseaux 14 et 12 est 0/2. Le pas p 2 des sillons du réseau 14 est donné par la relation: p 2 = A 2 2 cos 0/2 La largeur des sillons est d 2 et la profondeur h 2. Le microruban 6 est parcouru par un courant haute fréquence reçu sur sa connexion d'entrée 4 Il engendre l'émission d'ondes magnétostatiques à front d'ondes rectilignes perpendiculaires à l'axe Ox Les réseaux 10 et 12 réfléchissent ces ondes magnétostatiques Le réseau 10 est à réflexion presque totale et le réseau 12 à réflexion partielle Une partie de l'énergie qui émerge du résonateur 10, 12 est réfléchie par le réseau 14 vers le résonateur 11, 13 Le réseau Il est réflecteur et le réseau 13 partiellement réflecteur Le conducteur 7 est le siège d'un courant électrique dont l'intensité est maximale pour une longueur d'onde déterminée caractérisant le fonctionnement des résonateurs. Le réseau 14 est conçu pour réfléchir le mieux possible les ondes qui émergent du réseau 12, pour les renvoyer vers le réseau 13, de façon à définir une pointe de résonance avec une perte d'insertion minimale en son centre Lorsque la longueur dîonde des ondes magnétostatiques s'éloigne de cette valeur centrale, le réseau 14 réalise un découplage efficace des cavités de résonance 10-12 et 11-13. Un tel dispositif sera gravé dans une couche magnétique d'épaisseur e r 2 lativement faible, comprise entre 10 et 30 mim En effet, la vitesse de groupe des ondes magnétostatiques de volume dépend de l'épaisseur de la couche magnétique de propagation qui sera donc choisie faible Pour d'autres raisons qui résident dans des problèmes d'adaptation d'impédance des trans- ducteurs, dans des conditions d'épitaxie et des problèmes de pertes, on a également intérêt à avoir une épaisseur de la couche magnétique réduite. On prendra donc à titre d'exemple, un dispositif dont lépaisseur de la couche magnétique sera e = 23 pm, avec des réseaux accordés à une longueur i\ = 15 ( jm, soit des pas de sillons pl = 75,jim pour les réseaux 10 à 13 Si les cavités 10-12 et 11-13 sont orientées perpendiculairement (Q = 90 ), le pas des sillons du réseau 14 sera de p 2 = 106, lum La profondeur relative des sillons, hl/e pour les réseaux des cavités résonnantes et h 2/e pour le réseau réflecteur, sera prise égale à 1,5 % Par ailleurs, dans une couche magné- tique de 23 Jrm d'épaisseur, à une fréquence de 3 G Hz et à une largeur d'onde I= 15 cim, la vitesse de groupe des ondes magnétostatiques de volume est v = 72,5 Km/s. Les courbes de réponses de ce dispositif sont fournies en figure 3 pour différentes valeurs de fréquences correspondant à différentes valeurs du champ de polarisation En abscisses on a porté les valeurs F des fréquences en G Hz et en ordonnées, les valeurs A des pertes d'insertion en d B. A la valeur de fréquence 5 G Hz on constate une pointe de résonance avec de part et d'autre des pertes d'insertion accrues Cependant, il existe juste à côté de la pointe de résonance 100, une pointe parasite 101. A la valeur de fréquence voisine de 8 G Hz on voit également une pointe de résonance 200 et un mode parasite 201 Il en est de même pour les autres fréquences. Ces signaux parasites correspondent à des modes longitudinaux des deux cavités couplées 10-12 et 11-13 L'écart entre un mode parasite le plus proche et la fréquence de résonance a pour expression: 2 L dans laquelle v est la vitesse de groupe des ondes magnétostatiques à la longueur donde d'accord des résonateurs et L la longueur équivalente de chaque cavité. Dans le cas observé, on a trouvé lf = 27 M Hz. Pour les différentes applications des résonateurs à ondes magnéto- statiques telles que les filtres ou les oscillateurs hyperfréquences accor- dables, il est nécessaire que ces composants aient un fonctionnement monomode. L'objet de la présente invention est donc de combattre les modes parasites longitudinaux les plus proches du mode longitudinal correspondant au fonctionnement monomode désiré Pour celà, l'invention prévoit une fenêtre de largeur Af en dehors de laquelle les pertes d'insertion sont o augmentées et définit la valeur tfo de telle façon qu'elle soit inférieure à l'écart Af entre le mode longitudinal désiré et les autres modes La définition de cette fenêtre est faite à travers l'étude de la constitution du réseau réflecteur 14 en ce qui concerne la profondeur des sillons et le nombre de sillons. On précise tout d'abord qu'on appelle bande passante Af la bande passante de référence correspondant à l'inverse du temps de transmission sous le réseau réflecteur 14, c'est-à-dire f f = 1/T Cette bande passante est, par ailleurs, le double de la bande passante Cf à mi-hauteur de la puissance (Af, = 2 Cf). Sur un réseau du type du réseau 14, on mesure donc en réflexion à incidence normale la bande passante à mi-hauteur en fonction de la profondeur relative des sillons La figure 4 fournit des courbes relevées à une fréquence de 3 G Hz et à une longueur d'onde magnétostatique à = 300 jim En abscisse on a porté les profondeurs relatives des sillons h 2/e et en ordonnées, la bande passante $f à mi-hauteur (en M Hz) Ces courbes ont été relevées pour différentes valeurs du nombre N de sillons (N = 48, N = 10, N = 20). On s'aperçoit sur ces courbes que la bande passante à mi-hauteur diminue lorsque la profondeur relative des sillons diminue Il en est a fortiori de même pour la bande passante de référence Afo o Si on applique les résultats de ces courbes au réseau réflecteur décrit précédemment avec le nombre de sillons N = 20, h 2/e = 1,5 % et; = 300 pm, on trouve sur la courbe N = 20, une bande passante à mi-hauteur 6 f = 11,5 M Hz La bande passante de réflexion est donc Afo = 23 M Hz. Pour extrapoler ces résultats au cas d'un fonctionnement du réseau réflecteur à la longueur d'onde) = 150 m, on adopte la procédure suivante. Si T est le retard sous le réseau, on-a vu que Af O = 1/T Par ailleurs on a T = I/v o 1 est proportionnel à la longueur du réseau et v est proportionnel à la vitesse de groupe Enfin, I à la longueur d'onde A = 1501 jm est la moitié de 1 à la longueur d'onde A= 300 pm soit: 1 ( = 150 ym) = 'A 1 Il= 300 pm)Y En appliquant la formule Afo = v/l aux longueurs d'ondes 150,pm et 300 vm on obtient la bande passante de référence à la longueur d'onde Af 2 Vg = 150 vm est v = 72,5 Km/s; la vitesse de groupe à la longueur d'onde g(A = 150 pm) = 300 pm est v = 109,4 Km/s Dans ces conditions, ayant go = 300 pm) trouvé la bande passante de référence à la longueur d'onde = 3001 m, Af = 23 M Hz; on trouve la bande passante de référence à la o( ? = 300 prm) longueur d'onde P = 150 pm: f = 30,5 M Hz. o( A= 150 pr) L'écart entre la résonance et le mode parasite longitudinal le plus proche ayant été trouvé égal à 27 M Hz. Cette étude confirme donc qu'il est normal de voir apparaître à un niveau non négligeable, sur les courbes de la figure 3, les modes tels que les modes 101 et 201. De même, les résultats de ces études vont nous permettre par un raisonnement inverse de déterminer la profondeur des sillons à prévoir pour éliminer les modes parasites longitudinaux. Pour cela nous choisissons, à la longueur d'onde X= 150 im, une bande passante de référence inférieure à 27 M Hz, soit 24 M Hz par exemple. L'application des calculs précédents nous donne la bande passante de référence à la longueur d'onde A= 300 pm de Af = 18 M Hz Ce (= 300}Im) qui donne une bande passante à mi-hauteur de âf comportant 20 sillons, une profondeur de sillons h 2/e = 1 %. Par ailleurs une étude, toujours en réflexion perpendiculaire sur le nombre de sillons constituant le réseau 14 montre que pour une profondeur de sillons donnée, l'indice de réflexion augmente avec le nombre de sillons. La figure 5 fournit un réseau de courbes relevées à une fréquence de 3 G Hz et à X = 300 jm En abscisses on a porté les profondeurs relatives des sillons h 2/e et en ordonnées des indices de réflexion I Ces courbes ont été relevées pour différentes valeurs du nombre de sillons (N = 10, N = 20, N= 66). Le coefficient de réflexion se calcule à partir de l'indice de réflexion à l'aide de la formule: 2 -1/10 (R) = 1 10 Pour un indice de réflexion I = 20, on aura donc un coefficient de réflexion de R = 0,995 Pour un indice de réflexion I = 10, on aura un coefficient de réflexion de R = 0,95. Il apparaît donc que pour une profondeur relative de sillons donnée on a intérêt à prévoir un nombre de sillons élevés. Dans l'application numérique précédente, il conviendra, par exemple, de choisir dans le réseau de courbes, pour une profondeur relative de sillons de 1 %, un nombre de sillons voisin de N = 40. Un dispositif selon l'invention semblable à celui décrit précédemment a été gravé avec pour épaisseur de la couche magnétique e = 19}im, une profondeur relative des sillons des réseaux RIO, RI, R 12, R 13, hl/e = 1, 37 %, une profondeur relative des sillons du réseau R 14, h 2/e = 1 il %. Le fonctionnement de ce dispositif, à une longueur d'onde À= 150 um, donne les courbes de réponses en fréquences de la figure 6 En comparant ces courbes à celles de la figure 3, on constate un affaiblissement appréciable des modes parasites longitudinaux les plus proches des f ré- quences de résonance telles que 101 et 201, cela sans augmentation notable des pertes du mode principal. De plus, on constate que plus la fréquence est élevée plus la réjection, c'est-à-dire la différence entre les pertes de la résonance principale et celle du mode parasite longitudinal est importante Ainsi, à 5 G Hz, la rejection passe de 5 d B (voir figure 3) à 13 d B (voir figure 6) Tandis qu'au voisinage de 8 G Hz, la rejection passe de 5 d B (voir figure 3) à 16 d B (voir figure 6). En se reportant à la figure 7, on va maintenant décrire un exemple d'une variante de réalisation du dispositif selon l'invention. Selon cette variante les deux résonateurs 10-12 et 11-13 sont disposés côte à côte symétriquement par rapport à un axe xx' Ils sont sépares par une zone absorbante 18 dont la structure cristalline de la couche magnétique 2 a été désorganisée par sablage et qui découple les deux résonateurs. Un premier réseau réflecteur 14 est disposé à la sortie du réseau 12. Les sillons de ce réseau 14 forment un angle 91 avec les sillons des réseaux et 12. Un deuxième réseau réflecteur 15, identique au réseau 14, disposé à la sortie du réseau 13, de façon à recevoir par ailleurs les ondes réfléchies par le réseau 14 Les sillons de ce réseau 15 forment un angle 2 avec les sillons des réseaux 11 et 13. Par ailleurs, dans la mesure o les résonateurs 10-12 et 11-13 sont rigoureusement parallèles, les sillons des réseaux 14 et 15 doivent être perpendiculaires On prendra avantageusement Q 1 = 02 = 450 pour avoir une structure symétrique du dispositif. Une telle disposition présente l'avantage d'être plus compacte, de permettre une fabrication identique donc plus aisée des résonateurs 10-12 et 11-13, et de prévoir un champ magnétique de polarisation H uniforme et identique pour les deux unités. De plus, l'affaiblissement des modes parasites longitudinaux obtenu par ta conception du réseau réflecteur 14 sera augmenté par la présence du deuxième réseau réflecteur 15 de conception identique au précédent. Une autre amélioration du réseau réflecteur 14 et, par suite, éga- lement du réseau 15 consiste à prévoir la largeur d 2 des sillons égale à l'espace entre sillons, c'est-à-dire à avoir d 2 = p 2/2 De cette façon on élimine le mode relatif à la résonance correspondant à la longueur d'ondes >/2. il REVENDICATIONS 1 Dispositif sélectif accordable à ondes magnétostatiques de volume comportant une couche magnétique dans laquelle est formée au moins un résonateur à réseaux réflecteurs ( 10-12) associé à un réseau réflecteur de renvoi extérieur au résonateur ( 10-12) comportant des sillons gravés dans la couche magnétique ( 2), ledit réseau réflecteur de renvoi ( 14) assurant la transmission, par réflexion, d'ondes magnétostatiques provenant dudit réso- nateur à réseaux réflecteurs ( 10-12), lequel crée outre un mode longitudinal désiré, d'autres modes longitudinaux qui l'encadrent, caractérisé en ce que le réseau réflecteur de renvoi ( 14) est conçu de façon que les ondes magnéto- statiques puissent être réfléchies par chacun de ses traits, le temps de traversée dudit réseau de renvoi ( 14) par les ondes magnétostatiques ayant pour inverse une bande passante de référence; ladite bande passante étant centrée sur ledit mode longitudinal désiré et suffisamment étroite pour exclure lesdits autres modes longitudinaux. 2 Dispositif sélectif accordable à ondes magnétostatiques de volume selon la revendication 1, caractérisé en ce que la profondeur (h 2) des sillons du réseau réflecteur de renvoi ( 14) est ajustée pour assurer un renvoi d'énergie substantiel pour chacun des sillons dudit réseau de renvoi ( 14) . 3 Dispositif sélectif accordable à ondes magnétostatiques de volume selon la revendication 2, caractérisé en ce que la profondeur relative (h 2/e) des sillons du réseau réflecteur de renvoi ( 14) est choisie à une valeur voisine de 1 % de l'épaisseur (e> de la couche magnétique ( 2) pour une longueur d'onde magnétostatique de 300 microns. 4 Dispositif sélectif accordable à ondes magnétostatiques du volume selon la revendication 2, caractérisé en ce que le nombre (N) de sillons du réseau réflecteur de renvoi ( 14) a été choisi, en relation avec la profondeur des sillons, à une valeur telle que les propriétés de réflexion du réseau réflecteur de renvoi ( 14) soient conservées pour l'ensemble de ses traits. Dispositif sélectif accordable à ondes magnétotastiques de volume selon la revendication 1, caractérisé en ce que la largeur (d 2) des sillons du réseau réflecteur ( 14) est égal à l'espace entre sillons. 6 Dispositif sélectif accordable à ondes magnétostatiques de volume selon les revendications 3 et 4 comprenant une première cavité résonnante ( 10, 12) et un premier réseau réflecteur ( 14), caractérisé en ce qu'il comprend également un deuxième réseau réflecteur ( 15) et une deuxième cavité résonante ( 11, 13) voisine de la première cavité résonante ( 10, 12), le deuxième réseau réflecteur ( 15) étant orienté de façon à recevoir les ondes magnétostatiques réfléchies par le premier réseau réflecteur ( 14) et à les renvoyer vers la deuxième cavité résonnante ( 11, 13). 7 Dispositif sélectif accordable à ondes magnétostatiques de volume selon la revendication 6, caractérisé par le fait que les deux cavités résonantes ( 10, 12 et 11, 13) ont des structures parallèles, sont accolées, et que les sillons des deux réseaux réflecteurs ( 14 et 15) sont orientés selon deux directions perpendiculaires. 8 Dispositif sélectif accordable à ondes magnétostatiques de volume selon la revendication 7, caractérisé en ce que les deux cavités résonnantes ( 10, 12 et 11, 13) sont découplées par une zone absorbante.