FR 2541509 A1 19840824 FR 8302858 A 19830222 La présente invention concerne des perfectionne- ments à des réacteurs à plasma gazeux et des dispositifs analogues dans lesquels est réalisé le dépôt ou l'attaque de microcircuits ou de dispositifs électroniques et, sous un aspect particulier, une attaque par plasma sec nouvelle et perfectionnée, réalisée de façon uniforme et simultanée dans un ensemble de régions disposées de façon compacte et excitées uniquement pour favoriser un rendement optimal en quantité et en qualité à partir d'un espace utilisé ef- ficacement. Comme les dispositifs et les réseaux électroniques sont devenus réduits en dimensions et qu'ils ont proliféré sous une myriade de formes compliquées qui doivent être produites avec une précision extraordinaire en énormes quantités, la technologie des couches minces et des micro- lignes et les formes automatisées de celle-ci sont égale- ment devenues de plus en plus critiques Il est bien connu, par exemple, qu'on peut déposer et profiler des couches extrêmement minces d'un matériau pour former des détails de dimensions microscopiques de composants de circuit, de dispositifs semiconducteurs réduits ou de connexions élec- trique-s, d'isolement ou de voies de passage Depuis un cer- tain temps, on a généralement bien établi dans l'art anté- rieur des techniques de base pour réduire et multip Mer ces détails par un procédé photographique, et pour sélective- ment masquer, modifier des propriétés, et pour réagir avrec les matériaux mis en oeuvre Cependant, des besoins de densités toujours plus grandes de gravure en relief ayant des définitions plus précises et des dimensions plus fines ont progressivement conduit à des exploitations de techni- ques de réaction à "sec' qui offrent d'autres perspectives attrayantes pour satisfaire ces exigences de précision. A la différence des méthodes sous conditions humides, dans lesquelles des bains ou des liquides pour pulvérisation constituent un agent liquide par lequel on peut induire des dépôts ou des transformations chimiques ou des attaques, les procédés à sec comparables sont réalisés normalement dans certains milieux gazeux qui sont activés par l'appli- cation d'excitations électriques provoquant des ionisa- tions et des décharges luminescenltes A titre d'exemple, une attaque à sec peut mettre en oeuvre un bombardement ionique, dans lequel des ions inertes engendrés dans un plasma à haute fréquence HF sont accélérés pour frapper et détacher des atomes d'une pièce à travailler ou, dans le cas d'une attaque chimique par plasma, l'excitation HF peut transformer un gaz normalement inerte en un plasma sélectivement réactif qui se diffuse dans des surfaces de pièces à travailler non masquées et provoque des transfor- mations par attaque chimique Des dispositifs d'attaque par plasma d'une structure de type planar sont habituel- lement préférés dans de nombreux systèmes d'attaque, et ceux-ci comprennent des électrodes en plaques parallè- les sur lesquelles on peut poser directement des tranches, la plaque de support étant choisie comme anode quand l'at- taque chimique doit dominer et comme cathode quand un pro- cédé de type physique ou d'affleurement ionique doit domi- ner (le dernier étant connu comme une attaque ionique réac- tive RIE) Cependant, même quand les tranches sont relati- vement grandes, la production une à une est relativement lente et coûteuse dans ces dispositifs d'attaque de planar et, quand les tranches sont groupées ensemble entre des électrodes de grande surface, il est difficile d'établir des conditions de fonctionnement qui permettront de s'as- surer qu'elles sont toutes traitées de façon uniforme et semblable. Dans un tel traitement il est essentiel de s'iso- ler des souillures le plus minutieusement possible, car même des particules ou des dépôts étrangers vraiment mi- nuscules peuvent causer la détérioration de circuits et de dispositifs compliqués qui sont traités; les coûts éle- vés des milieux ambiants propres qui sont nécessaires pour assurer ces isolements imposent que les processus et le matériel à plasma sec disposent d'un espace très réduit. Pour des raisons semblables d'économie et de contrôle de qualité, une production de masse très automatisée est un objectif principal, et il est en outre avantageux que des types standards de cassettes dans lesquelles les tran- ches sont généralement traitées dans et en dehors d'autres phases de production puissent aussi être adaptées au trai- tement par plasma sec De plus, il est particulièrement souhaitable que les caractéristiques électriques et méca- niques de l'attaque soient favorables à la production fia- ble d'éléments de sortie,en série, avec une précision et une qualité uniforme et qu'elles permettent des modes d'at- taque de type chimique classiques ou de type RIE. Parmi les procédés antérieurs qui ont été décrits à propos des réacteurs à plasma gazeux, il y a celui met- tant en oeuvre deux électrodes horizontales planars logées à l'intérieur d'un récipient dans une atmosphère telle qu'un gaz de tétrafluorure de carbone et excitées par un signal HF pour engendrer une décharge de plasma qui atta- que la couche superficielle d'une tranche de semiconduc- teur à base de silicium, comme il est décrit, par exemple, dans le brevet des E U A n 4 222 838 Le système d'atta- que par plasma gazeux décrit dans le brevet des E U A. no 4 282 077 comprenait plusieurs paires d'4 lectrodes dis- posées verticalement et ayant les mêmes polarités, ainsi que des circuits de commande électriques destinés à rendre les attaques de plaquettes de circuit plus uniformes Le refroidissement des électrodes pour améliorer l'uniformité a été décrit dans le brevet des E U A n 4 275 289, un appareil pour automatiser les transferts des tranches à traiter a été décrit dans le brevet des E U A N O 4 062 463. La présente invention est destinée à améliorer la vitesse, la commodité, l'efficacité, la précision et les coûts de microcircuits et de dispositifs électroniques à action réciproque avec des plasmas gazeux secs et, en particulier, à réaliser des économies et un rendement dans une attaque par plasma gazeux en faisant réagir les tran- ches individuelles de groupes de tranches semiconductrices de façon simultanée dans les plasmas séparés engendrés entre des électrodes pareillement polarisées dans un as- semblage d'éléments superposés verticalement Dans un exem- ple de réalisation préféré, la chambre scellable d'un dis- positif d'attaque, dans laquelle les pièces à travailler qui sont des tranches semiconductrices doivent être expo- sées à un gaz ionisable approprié en réponse à un signal HF, a des dimensions voulues pour recevoir et entourer un sous- ensemble compact allongé verticalement et mobile vertica- lement de structures à deux électrodes Chacune de ces structures est un composé en couche mince constitué de deux conducteurs planars relativement minces entre lesquels est placée une couche relativement mince d'un matériau so- lide isolant ayant des propriétés diélectriques excellen- tes, et les structures à électrodes en composés feuilletés respectives sont empilées les unes sur les autres horizon- talement et d'une manière compacte dans un assemblage d'é- léments parallèlesespacés et isoléeravec des espaces ver- ticaux relativement petits entre les structures à électro- des feuilletées successives Une excitation HF est appli- quée pour polariser pareillement à tout instant les conduc- teurs supérieur et inférieur correspondant des conducteurs planars, et pour créer des tensions essentiellement unifor- mes dans les différents espaces verticaux qui ionisent un gaz ou un mélange gazeux normalement inerte introduit dans la chambre pour prmduire des interactions de plasma avec les tranches qui ont été placées à l'intérieur des espaces -et qui reposent sur les conducteurs planars orientés vers le haut Pour cette fonction: les tranches sont amenées vers et retirées de la chambre au moyen d'une cassette ou d'un support classique dans lequel les différentes tran- ches sont supportées latéralement tout en étant superposées verticalement, le dispositif d'attaque incluant un poste voisin de la chambre de réaction o un bras de transport mobile horizontalement et alternativement est manoeuvré pour déplacer les tranches à partir de différents niveaux de la cassette repérés verticalement et pour les charger sur les surfaces réceptrices des conducteurs planars orien- tés vers le haut, d'une manière automatique Le décharge- ment effectué après l'opération d'attaque implique les mouvements automatisés inverses Les conducteurs plana 7 rs sur lesquels reposent les tranches pendant l'opération d'attaque sont maintenus uniformément froids par des cou- rants forcés de liquide dans des voies de passage internes, et les excitations électriques qui garantissent 'a Vantageu- sement et essentiellement les mêmes conditions éloctr'iquas dans les différents espaces remplis de gaz sont obtenues par une répartition relative du courant HF provenant d'une seule source. Un des objets de la présente invention est un traitement en temps réservé par plasma sec nouveau et per- fectionné dans lequel on peut traiter simultanément un en- semble de pièces à travailler superposées d'une manière compacte tout en étant pareillement polarisées et réagis- sant pareillement d'une manière réciproque avec des milieux gazeux ionisés essentiellement identiques. Un autre objet de l'invention est de fournir des dispositifs d'attaque par plasma uniques et avantageux qui occupent un petit espace et présentent des rendements éle- vés en capacité de tranches attaquées et contrôlées avec précision qui peuvent être traitées facultativement selon des modes classiques ou par attaque RI Er, ces dispositifs d'attaque étant adaptés au traitement automatisé de tran- ches placées en cassette. D autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention seront mis en évidence dans la description suivante, donnée à titre d'exemple non limitatif, en réfé- rence aux dessins annexés dans lesquels: Figure 1 est une vue en perspective de parties essentielles d'un dispositif d'attaque perfectionné à plu- sieurs Électrdes de type planar, certaines des parties étant de- tachées pour exposer des détails de structure; Figure 2 est une autre vue d'une section du sous- ensemble mobile d'électrodes superposées qui est contenu dans le dispositif d'attaque de la Figure 1, avec des caractérisations de dimensions et de mouvements par rapport à un mécanisme de transfert de tranches associé; Figure 3 représente le même sous-ensemble d'élec- trodes superposées vue de l'arrière ou les moyens de re- droidissement et la barre omnibus élec:trique sont plus clairement mis en évidence; Figure 4 est une vue partiellement schématique et partiellement synoptique du sous-ensemble d'électrodes su- perposées,avec des désignations de tensions instantaneées. et des caractérisations de décharges de plasma; Figure 5 représente un sous-ensemble d'électrodes, et les conditions d'excitation relatives, impliquant des électrodes simples directement imbriquées; Figure 6 est une vue "explosée" et partiellement fragmentée de deux électrodes entre lesquelles est placé un élément diélectrique isolant pour former une des{unités à plusieurs électrodes avec lesquelles des sous-ensembles perfectionnés tels que ceux des Figures 1-4 sont construits; Figure 7 est une vue plane d'une électrode supé- rieure d'une paire d'électrodes telle que représentée sur la Figure 6, avec des représentations par des tirets de passages de courant refroidissant internes; Figure 8 représente l'extrémité de droite de l'é- lectrode de la Figure 7; et Figure 9 est une représentation schématique sous forme de blocs fonctionnels d'une disposition préférée pour l'excitation électrique du sous-ensemble d'électrodes de type planar rmultiplès. On va se référer aux dessins,dans lesquels les mêmes références désignent les mêmes parties ou des par- ties correspondantes dans les différentes représentations, et en particulier à la Figure 1 ou est représenté un exem- ple de réalisation d'un dispositif d'attaque par plasma gazeux sec perfectionné, 10, qui comprend des éléments de châssis rigides et fixes interconnectés 11 sur lesquels sont montés les éléments d'un poste de transfert de tran- ches de type cassette 12 et d'un dispositif 13 à plusieurs électrodes de type élévateur 13, ce dernier étant disposé pour élever et abaisser un assemblage d'unités à deux élec- trodes essentiellement planars superposées verticalement qui définissent des régions de décharge de plasma à l'inté- rieur de ce qui est essentiellement un type connu de cloche à vide d'une chambre à vide (non représentée) Une casset- te solide à nervures faites avec précision 14, conçue pour la superposition verticale d'une manière compacte d'un en- semble de tranches semi&orductrices, circulaires et plates,. chargées et déchargées horizontalement, telles que les tranches 15, permet un transport et un traitement en grou- pe de ces pièces fragiles sans contamination ou autre dom- mage dû à un défaut de manipulation d'opérateur, et elle est placée en haut d'une structure en plateforme d'éléva- teur 16 mobile verticalement sur des tiges de guidage par une tige d'actionnement filetée 17 mise en rotation par un moteur approprié 18 du poste de transfert 12 La casset- te chargée de tranches fournit un-certain nombre de tran- ches 15 comportant chacune des surfaces et des régions su- périeures représentant une multiplicité de microcircuits et/ou de dispositifs semiconducteurs traités partiellement, ou des dispositifs analogues, qui doivent être en outre traités par interaction avec un plasma gazeux, par exemple pour attaquer des espaces entre de fines gravures en relief conductrices par des bombardements ioniques ou une attaque de type chimique, ou par les deux, comme on l'a expliqué plus haut Ces plasmas sont engendrés chacun pour une tran- che d'un groupe d'au plus six tranches dans le dispositifs à plusieurs électrodes 13 représenté, o il y a six ré- gions de décharge de gaz ou de plasma, 13 a à 13 f, entre les unités voisines des unités à deux électrodes superpo- sées verticalement 19 à 25 Ces unités à électrodes qui comportent des surfaces orientées vers le haut au fond des régions de plasma sont de préférence évidées légèrement vers le bas et, comme la figure l'indique, d'une manière circulaire pour mettre les minces tranches circulaires essentiellement au niveau de zones limites de celles-ci, et latéralement vers l'intérieur à partir du côté du poste de transfert, pour ajuster l'extrémité d'un bras de trans- fert mobile alternativement et supportant les tranches qui sert à déplacer les tranches entre la cassette 14 et les régions de plasma Le poste de transfert 12 est dans son ensemble semblable au dispositif de chargement à cassette décrit dans le brevet des E U A N O 4 062 463, et il com- prend un support coulissant guidé 27 auquel le bras de transfert 26 est fixé et qui est lui-mame déplacé en ar- rière et en avant par une tige de piston 28 entraînée pneu- matiquement par un ensemble pneumatique à piston et cylin- dre (non visible). En utilisant des commutateurs et des dispositifs de commande associés tels que ceux décrits plus en détail dans le brevet des E U A n O 4 062 463, le poste de trans- fert est préparé pour transférer une tranche de la casset- te en mettant en équilibre son bras dans une position com- plètement rétractée, o son extrémité est en-dessous et en contact avec la tranche la plus basse dans la cassette 14 quand la cassette est abaissée par sa structure en plate- forme d'élévateur 16 Un détecteur pneumatique sur cette extrémité du bras de transfert (non représenté) détecte le contact et arrête ainsi l'abaissement de la cassette, en actionnant ensuite la tige de piston pneumatique 28 pour déplacer le bras de transfert 26 vers le dispositif à élec- trodes 13 avec la tranche en contact 15 supportée à son extrémité A ce moment là, la chambre dans laquelle le dispositif à électrodes doit être logé-est ouverte latéra- lement pour recevoir le bras de transfert et la tranche qu'il porte, et le dispositif à électrodes est repéré ver- ticalement de manière à ce qu'une région de décharge de plasma vide soit placée au niveau correct pour permettre de décharger la tranche dans la cavité d'électrode d'ajus- tement quand le bras de transfert 26 a été déplacé jus- qu'à une position complètement déployée Ensuite, le bras de transfert est rétracté et la cassette est encore abais- sée pour qu'une autre tranche soit mise en contact, main- tenue et transportée jusque dans la région de décharge de plasma vide suivantes, le dispositif à électrodes étant re- péré verticalement pendant ce temps là pour amener cette région suivante au niveau de chargement approprié Des ti- ces directrices 29 et une tige d'entraînement filetee 30 entraînée par un moteur servent à guider et à régler les mouvements verticaux semblables à neux de l'élévateur du dispositif à plusieurs électrodes avec sa plateforme por- teuse d'entraînement 31; le rep 6 rage est de préférence à commande complètement automatisée et programmée en réponse à des commutateurs ou autres détecteurs mécaniques, bien qu'il puisse être autrement sous commande de l'opérateur. Une fois que les régions de décharge ont été chargées avec des tranches, les électrodes sont logées àa l'intérieur d'une chambre hermétique (non représentée), et apres que les opérations de purge et d'introduction d'un gaz ou de plusieurs gaz inertes choisis ont été effectuées, une ex- citation HF des électrodes d'une manière décrite plus com- plètement dans la suite provoque la génération de plasmas et leur interaction avec les tranches jusqu'à ce qu'un traitement voulu se soit produit Quand la chambre est en- suite réouverte, les tranches traitées peuvent être reti- rées ou déchargées et ramenées jusqu'à la cassette par des actions qui sont généralement l'inverse de celles décrites pour le chargement, Sur la Figure 2, le fragment représenté du dispo- sitif à plusieurs électrodes 13 comprend les unités à élec- trodes de composés 22 et 23, entre lesquelles est définie la région de décharge de plasma 13 d La tranche 15 et le bras de transport 26 sont aussi représentés, avec des flè- ches 32 caractérisant les sens opposés suivant lesquels le bras est déployé et rétracté au cours du chargement et du déchargement d'une tranche dans et hors de la région 13 d o ont lieu les interactions voulues avec le plasma gazeux L'extrémité du bras 26 est ajusté à l'intérieur de la tente s'étendant latéralement 23 A de la plaque d'é- lectrode conductrice planar métallique supérieure 23 a sur laquelle une tranche doit reposer pour un traitement, à l'intérieur de la cavité généralement circulaire 23 B plus superficielle Bien que la plaque d'électrode 23 a soit 1 Aé- lément supérieur des éléments d'unité à électrodes de com- posés, il est évident qu'elle est la plaque d'électrode inférieure des conducteurs planars encadrant la région de décharge de plasma 13 d, l'autre conducteur planar dtenca- drement étant la plaque 22 c de l'unité 22 Il est habitue 3 - lement important que les plaques d'électrodes définissent des régions de décharge de plasma ayant une épaisseur tni- forme 33, et par conséquent les unités à électrodes 19-25 sont maintenues de façon sûre,en étant parallèles entre elles horizontalement et les unes au-dessus des autres, par des montants 34-37 fabriqués dans un matériau isolant dans lesquels les unités à électrodes sont légèrement en- castrées le long des bords comme la figure l'indique Des considérations électriques imposent que les différentes plaques d'électrodes soient polarisées et alimentées d'une manière prédéterminée, et que les éléments conducteurs 34 a- 37 a qui recouvrent les montants isolants servent à effec- tuer les connexions appropriées avec seulement certaines des plaques d'électrodes et à des positions espacées ayant été déterminées comme avantageuses aux fréquences et aux puissances relativement élevées mises en oeuvre (par exem- ple: 13 +i M Hz; 1000 watts) On s'est rendu compte que la ca- pacité de reproduction des résultats de traitement est a- méliorée quand les températures des tranches ou autres pièces à travailler sont maintenues essentiellement les mêmes, et également que certaines autres réactions non voulues avec un matériau " de revêtement isolant"' semblent etre réduites quand les tranches sont refroidies, et pour ces raisons les plaques d'électrodes de support de tran- che supérieures, telles que 22 a et 23 a, sont construites avec des voies de passage de courant internes pour un agent refroidissant tel que l'eau ou du glycol d'éthylène qui est forcé successivement dans ces voies par des raccords 38 (Figure 3). il Un facteur clef, qui contribue à améliorer les caractéristiques électriques du système de ra me que son importante hauteur faible dans son ensemble, est la cons- truction des différentes unités à 6 l:ectrodes de composés 19-25 et leurs rapeports mutuels Chaque unité comprend des électrodes en plaques conductrices sup 6 rieure et inférieure, que l'on distingue l'une de l'autre par les lettres de référence a et b, respectivement, ces électro- des étant placées de part et d'autre d'une couche diéIec trique et isolante intermédiaire, indiquée par la lettre c dans les différentes vues De préférence, les couches dié- lectriques 19 c-25 c sont en alumine de haute densité non organique, bien que d'autres matériaux,tels que le maté- riau appelé "Téflon", peuvent être utillisés quand le trai- tement n'a pas un caractère tel qu'il l'attaque et altère ses fonctions voulues L'épaisseur 39 (Figures 2 et 6) des plaques d'électrodes inférieures 19 b-25 b n'a pas à etre plus importante que nécessaire pour garantir leur nature plate et leur intégrité de structure pendant leur utilisa- tion, bien que l'épaisseur 40 des plaques d'électrodes su- périeures 19 a-25 a doive Y être suffisamment importante pour permettre le passage forcé du liquide de refroidisse- ment dans les voies de passage mentionnées plus haut Dans le cas des couches diélectriques isolantes 19 c-25 c, 1 'é- paisseur 41 doit être évidemment suffisante pour éviter une rupture aux tensions mises en oeuvre et pour maintenir une condition d'impédance entre les électrodes favorisant les créations de plasmas entre les électrodes encadrant les régions de décharge ouvertes tandis que les autres es- paces interélectrodes sort occupés par le diélectrique. Dans une construction appropriée, comprenant des plaques d'électrodes et des couches diélectriques isolantes ayant des dimensions latérales d'environ 152,4 x 152,4 mm, l'é- paisseur 39 était d'environ 6,35 mm, l'épaisseur 40 d'en- viron 12,70 mm, et l'épaisseur dg la couche diélectrique isolante 41 (en Téflon) d'environ 6,35 min Les flèches constituées de dessins séparés 42 (Figure 2) caractérisent les mouvements verticaux vers le haut et vers le bas que le dispositif à électrodes effectue sur sa plateforme de support 31 (Figures 1,3 et 4) quand il est repéré pour amener les régions de décharge de pl asma dans la position voulue pour le chargement et le déchargement automatiques des tranches. * Quand une ou un groupe de rondelles ou tranches comme pièces à travailler est en place pour une interaction avec le plasma, tout l'ensemble à électrodes est fixé à. l'intérieur d'une enceinte du type cloche à vide (c'est-à- dire un type connu d'agencement tel que représenté schéma- tiquement par des traits interrompus 43 sur la Figure 4), et un milieu gazeux producteur de plasma approprié, tel que du tétrafluorure de carbone dans un procédé connu, est admis et renouvelle dans celle-ci quand l'excitation HF est appliquée pour soutenir un plasma de décharge gazeuse dans chacune des régions 13 a-13 fo Les techniques et leurs mises en oeuvre pour évacuer, purger, sceller, introduire et faire circuler un ou plusieurs gaz, et ainsi de suite, sont établies dans l'art antérieur et ne sont pas unique- ment associées aux enseignements de l'invention, et, comme elles peuvent être pratiquées par l'homme de l'art, elles ne sont pas expliquées et représentées en détail Cepen- dant, les excitations-électriques de l'invention sont par- ticulières et incontestablement avantageuses, et on notera (Figure 4) qu'elles impliquent des polarisations sembla- bles instantanées et simultanées et une excitation simul- tanée de toutes les électrodes supérieures, 19 a-25 a, des différentes électrodes de composés, ainsi que pour toutes les électrodes inférieures 19 b-25 b Une source HF 44 four- nit cette excitation, par l'intermédiaire de son connec- teur 44 A qui la relie aux électrodes inférieures 19 b-25 b et de son connecteur 44 B qui la relie aux électrodes su- périeures 19 a-25 a Les polarités instantanées indiquées sur la Figure 4 sont destinées àrqrésenter les conditions d'excitation qui peuvent exister, les polarités inverses se distinguant par leurs indications entre parenthèses. A tout instant, toutes les régions de plasma 13 a-13 f sont polarisées de la mmne façon,de même que toutes les plaques d'électrodes supérieures supportant les tranches 19 a-25 a, et cela détermine par conséquent si toute l'attaque est poursuivie dans le même mode Un état de tension nulle ou constante pour les plaques d'électrodes supérieures sup- portant les tranches 19 a-25 a établira, pw exemple, le mo- de d'attaque par plasma ou par plasma chimique mentionné plus haut, alors que le fonctionnement des électrodes 19 a- 25 a alimentées comme des cathodes met en oeuvre le mode de fonctionnement RIE (d'attaque ionique réactive) mention- né plus haut Pour établir une distinction, la disposition de la Figure 5, qui ne comprend que les seules électrodes 19 '-25 ', est considérée comme mettant en oeuvre des pola- risations inverses instantanées, au lieu des mêmes, pour les électrodes supportant les tranches et les régions de plasma, de sorte que les traitements ne sont pas les me- mes dans les régions successives Dans la dernière repré- sentation, les accents à un seul prime de distinction sont appliqués aux chiffres de référence désignant les parties analogues représentées par rapport à celles des autres re- presentations pour faciliter la compréhension Un disposi- tif tel que celui de la Figure 5 a une capacité plus limi- tée et, si on n'utilise par exemple que des régions de plasma alternées, moins de tranches peuvent etre traitées et le dispositif à électrodes est nécessairement beaucoup plus haut que le dispositif de capacité comparable de la Figure 14. Aux hautes fréquences mises en oeuvre (telles que celle de 13 + Mliz mentionnée plus haut), la distribution de puissance aux électrodes proportionnées et espacées et disposées par rapport aux autres parties du dispositif a tendance à ne pas être une question tout à fait claire. Spécifiquement, les avantages d'un traitement uniforme et 3.i pouvant être répété d'un grand nombre de pièces à travail- ler ont tendance à faire défaut par de simples connexions directes d'une source 44 avec les nombreuses plaques d'e- lectrodes, parce qu'il semble qu'elles ne témoignent pas ou ne manisfestent pas des excitations ou des alimentations identiques pour quelques raisons Un des remèdes qui appor- te une certaine amélioration à cet égard implique la fabri- catio In d'éléments conducteurs d'alimentation 4 14 B (Figure 4) sous la forme des éléments conducteurs 36 a et 37 a repré sentés sur la Figure 3 Sur cette figure, chacun des élé- ments allongés 36 a et 37 a est fend, dans le sens de la Ion- gueur et au centre, et comporte une partie centrale d'arma- ture dépendant du haut, cette dernière partie étant direc- tement connectée aux plaques supportant les tranches des unités à électrodes 19-25 Le courant HF d'entrée,envoyé à ces éléments de liaison de type "lignes de transmission" par l'intermédiaire des conducteurs d'alimentation 44 B si- tués au fond, est distribué aux électrodes supportant les tranches d'une manière plus uniforme que lorsqu'on utilise des connexions de liaison directe A cet égard, on peut même contrôler plus facilement les performances du dispo- sitif en effectuant un équilibrage ou un accord au moyen d'impédances variables telles que représentées sur la Fi- gure 9 Le signal de sortie d'une source d'alimentation tel que délivré par le câble de sortie de 50 ohms de la source HF 47 est adapté à une valeur utile par rapport au signal d'entrée de l'ensemble d'électrodes 13 au moyen d'un condensateur en parallèle 48 à capacité réglable et d'une bobine d'induction en série 49 à inductance réglable, et les excitations envoyées de ces éléments aux plaques d'électrodes supérieures supportant les tranches des unités à électrodes 19-25 sont réalisées au moyen de condensateurs variables séparés 50,51-56 qui sont chacun en série avec les conducteurs d'entrée de ces plaques On peut obtenir empiriquement les répartitions de l'excitation commune entre les plaques d'électrodes individuelles en réglant les capacités des derniers condensateurs, en déterminant quel degré d'attaque se produit dans chaque région de plas- ma, en réglant à nouveau les capacités,en observant les variations, et en continuant les processus de test et de nouveau réglage jusqu'à ce que l'on trouve que les effets d'attaque sont bien équilibrés Un autre condensateur ré- glable 57, en série avec l'entrée de toutes les plaques d'électrodes, sert de moyen pour désaccorder en outre les effets parasites produits entre la structure à électrodes et les parois toutes proches et autres matériaux et zones à effet disrupteur possible Les électrodes excitées par l'intermédiaire des impédances réglables peuvent être 3 lop- posé de ce qui est représenté, dans un mode de fountionne- ment alternatif. Les Figures 7 et 8 représentent une construction préférée qui facilite la circulation efficace du liquide de refroidissement à travers les plaques d'électrodes sup- portant les tranches Deux alésages parallèles 58 et 59, allongés et espacés, aboutissent chacun séparément à res- pectivement plusieurs voies de passage allongées et incli- nées obliquement 60 et 61, formées mécaniquement dans la plaque 23 à partir d'un bord latéral à l'emplacement d'une petite cavité préformée 62 Quand l'usinage a été réalisé, la cavité 62 est coiffée et scellée le long du coté,de la plaque, et des raccords pour fluide communiquant avec les deux alésages font passer le liquide de refroidissement dans ou hors de la plaque Les voies de passage multiples à l'intérieur permettent de s'assurer que le liquide de refroidissement traverse de larges zones dans son dépla- cemnent, et qu'eune bonne régulation de température des élec- trodes est favorisée. On remarquera que les exemples de réalisation et les procédés spécifiques représentés et décrits plus haut ont été présentés à titre d'exemple non limitatif, et que l'homme de l'art peut effectuer différentes modifications, combinaisons et substitutions sans sortir du cadre de l'in- vention dans ses aspects les plus larges et telle qu'elle est définie dans les revendications annexées. REVENDICATIONS 1 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux sur des pièces à travailler, caractérisé en ce qu'il com- prend une chambre dans laquelle est prévu, un milieu gazeux à partir duquel un plasma peut être engendré sous ltinfluen- ce de tensions électriques appliquées un ensemble à plu- sieurs électrodes ( 13) pour appliquer lesdites tensions dans des régions proches séparées ( 13 a-13 f) o est logée. dans chacune au moins une pièce à travailler à l'intérï eur de la chambre, ledit ensemble comprenant un ensemble d'uni- tés à électrodes ( 19-25) séparées les unes des autres par lesdites régions et comportant chacune deux électrodes con- ductrices et un matériau solide diélectrique entre celles- ci, et un moyen ( 44) pour établir différentes tensions électriques simultanément appliquées aux électrodes con- ductrices de chaque paire d'électrodes. 2 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux sur des pièces à travailler selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que lesdites électrodes conductrices ( 19 a- a et lb-25 b) sont uniformément espacées et en ce que ledit matériau diélectrique ( 19 c-25 c) dans chacune des unités remplit le volume entre les électrodes de cette unité, l'épaisseur du matériau diélectrique dans les unités étant-inférieure à celle des régions entre les unités. 3 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux sur des pièces à travailler selon la revendication 2, ca- ractérisé en ce que les électrodes conductrices sont es- sentiellement planars et parallèles, en ce que les unités à électrodes ont essentiellement les mêmes-dimensions et sont essentiellement parallèles et al-ignées les unes par rapport aux autres, en ce que les régions ont essentielle- ment le même volume et la même épaisseur, et en ce que le moyen pour établir les tensions produit les mêmes tensions instantanées de même polarité dans toutes les régions. 4 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux J 5 sur des pièces à travailler selon la revendication 3, ca- ractérisé en ce que les électrodes conductrices sont essentiellement horizontales et en ce que les régions sont superposées verticalement, les électrodes supérieures ( 19 a- a) des unités étant adaptées pour recevoir et supporter les pièces à travailler. 5 Dispositif pủr ffire agir un plasma gazeux sur des pièces à travailler selon la revendication 3, ca- ractérisé en ce que le moyen pour établir les tensions com- prend une source ( 47) de signaux à haute fréquence HP, des moyens à impédance d'équilibrage ( 48,49) pour relier ladite source à l'ensemble des électrodes pour leur appliquer les tensions, et des moyens ( 50,51-56) pour répartir le signal de sortie d'alimentation en haute fréquence des moyens à impédance d'équilibrage essentiellement d'une manière éga- le entre les groupes adjacents d'électrodes. 6 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux sur des pièces à travailler selon la revendication 5, ca- ractérisé en ce que des électrodes correspondantes de cha- cune des paires d'électrodes sont mises à la masse, et en ce que les moyens à impédance d'équilibrage comprennent une bobine dtinduction à-X"iduttance réglable ( 49) en série avec un conducteur de sortie non mis à la masse ( 46) relié à la source et un condensateur à capacité réglable ( 48) en parallèle avec ledit conducteur et les électrodes mises à la masse. 7 Dispositif po)ur faire agir un plasma gazeux sur des pièces à travailler selon la revendication 5, ca- ractérisé en ce que les moyens pour répartir le signal de sortie d'alimentation en haute fréquence comprend des con- densateurs à capacités réglables ( 50,51-56) en série avec lesdites électrodes correspondantes de chacun des paires d'électrodes. 8 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux sur des pièces à travailler selon la revendication 5, ca- ractérisé en ce qu'il comprend en outre un condensateur à capacité réglable ( 57) en série avec toutes les électro- des correspondantes des paires d'électrodes. 9 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux par attaque sur des pièces à travailler telles que des tranches semiconductrices ( 15), caractérisé en ce qu'il comprend une chambre dans laquelle est prévu un milieu gazeux à partir duquel un plasma peut être engendré sous l'influence de tensions électriques appliquées, un ensem- ble à plusieurs électrodes superposées verticalement ( 13) pour appliquer lesdites tensions pareillement dans l'en- semble de régions de décharge de plasma séparées ( 13 a-13 f) alignées en série o est logée dans chacune une pièce à travailler à l'intérieur de la chambre, ledit ensemble ( 13) comprenant un ensemble d'unités à électrodes ( 19-25) essen- tiellement horizontales comportant chacune deux électrodes essentiellement planars ayant essentiellement les mêmes dimensions latérales et la même forme et entre lesquelles l'espace est rempli d'un matériau solide diélectrique d'une épaisseur essentiellement uniforme, l'ensemble ( 13) compre- nant en outre une structure de support ( 31) comportant des montants ( 3437) sur lesquels sont montées les unités à électrodes aux bords de celle-ci en étant superposées ver- ticalement, isolées et alignées les unes par rapport aux autres avec un même espace de hauteur uniforme entre cel- les-ci définissant lesdites régions de décharge de plasma séparées, ladite épaisseur de l'espace rempli du matériau diélectrique étant inférieure à ha hauteur dudit espace entre les unités, et les électrodes supérieures ( 19 a-25 a) des unités étant adaptées pour recevoir et supporter les pièces à travailler, et un moyen ( 44) pour appliquer es- sentiellement la même excitation à haute fréquence à cha- que instant dans les électrodes des unités qui encadrent le haut et le bas de chacune des régions pour engendrer ainsi des conditions de plasma essentiellement identiques et simultanément dans toutes les régions. Dispositif pour faire agir un plasma gazeux par attaque de pièces à travailler selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un poste de transfert de pièces à travailler ( 12) comprenant un moyen le long de l'ensemble d'unités à électrodes pour recevoir une cassette ( 14) contenant des pièces à travailler super- posées verticalement, et un bras de transfert de pièce à travailler ( 26) associé en fonctionnement avec un moyen d'actionnement et de commande ( 28) qui déplace le bras en- tre des positions déployée et rétractée et permet au bras de transférer des pièces à travailler séquentiellement en- tre leurs positions dans la cassette et les parties des électrodes supérieures qui sont adaptées pour les recevoir et les supporter. il Dispositif pour faire agir un plasma gazeux par attaque de pièces à travailler selon la revendication , caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens ( 29,30) pour élever et abaisser ladite structure de support ( 31) pour amener les régions et lesdites parties des élec- trodes supérieures dans une position de chargement et de déchargement des pièces à travailler par le bras de trans- fert de pièce à travailler. 12 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux par attaque -de pièces à travailler selon la revendication 9, caractérisé en ce que les électrodes supérieures suppor- tant les pièces à travailler ( 19 a-25 a) des unités compor- tent des voies de passage ( 60-61) à travers ces électrodes destinées à guider l'écoulement d'un agent refroidissant dans cea électrodes pour les maintenir refroidies, et en ce qu'il comprend en outre des moyens ( 58, 59,62) pour for- cer l'agent ou liquide de refroidissement à travers les électrodes supérieures tandis que le plasma est engendré dans les régions. 13 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux par attaque de pièces à travailler selon la revendication 12, caractérisé en ce que lesdites voies de passage dans chaque électrode supérieure sont formés_ par deux alésages aveugles ( 58,59) alongés, espacés et parallèles, aboutis- sant chacun latéralement à l'intérieur de celle-ci à un ensemble d'alésages allongés et obliques ( 60-61) formés dans celle-ci à partir de l'emplacement d'une cavité ( 62) creusée dans un bord de celle-ci entre lesdits alésages aveugles, la cavité étant fermée le long de ce bord, l es ouvertures vers les alésages aveugles formant une entrée et une sortie pour l'écoulement du liquide de refrc'i ment à travers chacune des électrodes supérieures 14 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux par attaque de pièces à travailler selon la revendication 9, caractérisé en ce que le moyen pour appliquer essentiel- lement la m*me excitation à haute fréquence à chaque ins- tant comprend une source ( 47) de courant d'alimentation électrique à haute fréquence, des moyens réglables ( 48,49) pour équilibrer essentiellement l'impédance à laquelle le signal de sortie d'alimentation est délivré à partir de la source et l'impédance d'entrée présentée par les électro- des planars espacées et isolées, et des moyens ( 50,51-56) pour répartir le signal de sortie d'alimentation à haute fréquence provenant des moyens de réglage essentiellement d'une manière égale entre les différentes paires d'élec- trodes. 15 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux par attaque de pièces à travailler selon la revendication 14, caractérisé en-ce que lesdits moyens réglables com- prennent une bobine d'induction à inductance réglable ( 49) en sérié avec un conducteur de sortie non mis à la masse ( 46) relié à la source et un condensateur à capacité ré- glable ( 48) en parallèle entre ledit conducteur et un con- ducteur de sortie mis à la masse relié à la source. 16 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux par attaque de pièces à travailler selon la revendication 14, caractérisé en ce que les moyens pour répartir le si- gnal de sortie comprend un ensemble de condensateurs à capacités réglables ( 50,51-56) chacun en série avec cha- cune des électrodes supérieures et relié à-un conducteur de sortie non mis à la masse à partir des moyens de ré- glage. 17 Dispositif pour faire agir un plasma gazeux par attaque de pièces à travailler selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un condensa- teur à capacité réglable ( 57) en série avec toutes les é- lectrodes supérieures.