FR 2540304 A1 19840803 FR 8401363 A 19840130 La présente invention concerne les dispositifs de protec- tion pour des éléments de puissance compris dans des circuits intégrés, et en particulier les dispositifs pour la protection des transistors finals de puissance,compris dans les circuits amplificateurs intégrés monolithiquement,contre les surintensi- tés et les surtensions en sortie, dues par exemple à un court- circuit. De tels dispositifs de protection sont intégrés avec le circuit qui comprend l'élément de puissance à protéger et, pour cette raison, ils doivent être réalisables techniquement de manière simple et économique, et surtout ils ne doivent pas causer de pertes de puissance utile, qui limiteraient le fonc- tionnement dynamique de l'élément de puissance lui-même. En outre, ils doivent présenter une fiabilité élevée, afin de garantir la protection en toute sécurité. Un modèle de dispositif de protection de la technique con- nue, qui répond à ces exigences, présente, dans le schéma de son circuit, au moins un élément actif accouplé thermiquement à l'élément de puissance à protéger; cet élément actif est relie à un circuit de commande qui assure l'extinction du circuit intégré auquel appartient l'élément de puissance, lorsque l'élé- ment actif décèle un niveau de temperature dangereux, indice de dissipation excessive de puissance dans des situations de surin- tensité ou de surtension. Si ce type de protection est efficace et fiable, il ne con- vient toutefois pas lorsque les conditions anormales de fonctiorn- nement sont seulement transitoires, du fait qu'en tout cas le dispositif reste éteint en l'absence d'une intervention exté- rieure. 'hr cette raison et bien que leur circuit soit plus com- on utilise plus comm-_nément des dis Dositifs de protec- . ésentant un seuil d'intervention qui est lié, non pas au ?-' de dissipation thermique, mais au niveau des grandeurs :; 'ques, courant et tension, relatives à l'element à proté- : N -fonction de leur niveau, ces grandeurs sont opportuné- -glées,-sans qu'il faille éteindre le circuit intégré. 4: tels dispositifs de protection comprennent d'habitude :. *ments de circuit pour-la détection et l'élaboration de la : du courant qui passe à travers l'élé 1 ent de puissance et ': ' tension présente aux bornes de celui-ci, pour obtenir, jiun certain seuil de valeurs, l'activation d'un circuit à : J-: qui réduit la valeur du courant dans l'élément de puissan- Xvaleur maximale correspondant au seuil, en fonction de :h-i -de tension présente à ses bornes. - 'Le schéma d'un dispositif de protection de ce type, utilisé a: irement dans des circuits amplificateurs intégrés monoli- e -? ment, est représenté sur la fig 1 des dessins Il protège À ?- -% a sistor final de puissance, bipolaire et de type IPN, '? sur la figure par le symbole T 1, appartenant à un cir- i- ntégré qui n'est pas davantage représenté sur la figure. ?' ? émetteur de ce transistor est relié à une borne de sortie ervant au raccordement à la charge, au moyen d'un conducteur ique qui présente une résistance répartie de valeur totale -'"' aotement déterminée: celle-ci peut être par exemple réali- t:ériellement au moyen d'un "fil" d'or ayant des tolérances É?u:si Tonnelles tres strictes. = X; Pour plus de clarté, la résistance totale R 1 de ce conduc- i ' L est indiquée sur la figure sous la forme d'une résistance I collecteur du transistor T 1 est relié au pôle positif, " d'n générateur de tension d'alimentation; la base du _,i stor est raccordée à l'émetteur d'un deuxième transistor :/';"? 'aire T 2 de type I' 8 ", ayant lui aussi le collecteur relié ' *tr d Le signal de courant à amplifier en puissance est apoliqué à une borne d'entrée IN, raccordée à la base de T 2 qui commande Tl. L'émetteur du transistor Tl est également raccordé, par l'intermédiaire d'une diode Dl, à la base d'un transistor bipo- laire T 3, de type NPN, dont l'émetteur est relié lui aussi à la borne de sortie U au moyen d'un conducteur électrique qui pré- sente une résistance répartie R 2 de valeur totale très petite, indiquée sur la figure sous forme concentrée pour plus de clarté du schéma. La base du transistor T 3 est reliée à +V C par l'intermé- diaire d'une résistance de polarisation R 3. Le collecteur du transistor T 3 est raccordé à la base d'un transistor bipolaire T 5, de type PNP, cette base étant également reliée à +Vcc par l'intermédiaire d'un générateur Al de courant constant L'émetteur et le collecteur du transistor T 5 sont raccordés respectivement à la borne d'entrée IN et au pôle néga- tif -V 00 du générateur de tension d'alimentation. La diode Dl, le transistor T 3 et la résistance R 3 remplis- sent la fonction d'élaborer le courant qui traverse la résis- tance Rl et la tension entre le collecteur et l'émetteur du transistor final de puissance Tl. Toute élévation de la tension et du courant de sortie du transistor T) provoque une augmentation du courant de base et, en conséquence, du courant de collecteur du transistor T 3. Le transistor T 5 et le générateur Al de courant constant constituent ensemble un circuit à seuil; tant que la valeur du courant de collecteur du transistor T 3 reste inférieure à la valeur du courant constant produit par Al, le transistor T 5 est interdit et le signal de courant présent à l'entrée IN est am- plifié et transféré à la sortie U sans modifications, mais dès qu'en raison d'une augmentation excessive de la tension ou du courant de sortie du transistor Tl, le courant de collecteur du transistor T 3 atteint une valeur supérieure à celle du courant de référence produit par Ai, le transistor T 5 commence à conduire. "' transistor est commandé à sa base Dar le courant résul- -e -a-c t ec , d e la différence entre le courant de référence et le cou- rant' -de collecteur du transistor T 3 et, par suite, une partie du e àrn de signal prisent à l'entrée I est absorbée par le '-t: islstor T 5; pour cette raison, le transistor Tl, étant e aud à sa base par un courant résultant inférieur, abaisse ?S'pn niuveau de conduction, en rapport avec la tension présente à e eea -bornes, jusqu' une valeur pour laquelle le courant de col- c Itu c' du transistor T 3 descend à la limite du seuil de courant 1 Q duit ar Al De cette manière, le courant de sortie ne dépasse pas, en rapport avec la tension présente aux bornes du transistor Tl, la va.ler maximale, -contrôlée automatiquement, qui détermine l'in- te-:aetion de la proeio. Le circuit de protection jusqu'ici décrit est construit de telle manière que la relation entre le courant qui passe à tra- v.ex le transistor final de puissance et la tension aux bornes d'ec';e dernier, dépendant de l'alimentation et des conditions de O:arge, soit de type exponentiel, comme on peut facilement le 2 ú O 'opj ter analytiquement, grâce à la présence d'une diode dans le.- ircuit d"dlaboration des grandeurs sous contrÈle. Si l'on choisit judicieusement la valeur des composants du :.ièhit, cette relation peut tre représentée, sur le plan -aa'téristique du transistor de puissance, comme une courbe qui app'poche en partie de la courbe de puissance maximale dissipable . e ctransistor et en partie de la courbe de "seconde rupture" d'a transistor, mais en restant en tout point audessous de ces courbes ' omme on le salt, la courbe de la puissance maximale dissi- O -pabâle est une branche d'hyperbole ayant pour asymptotes les axes &a -coordonnées du plan caractéristique, c'est-à-dire une courbe fo*nt le lieu des pointse pour lesquels cev d V I = constante, :*-' at que la courbe de "seconde rupture" a une allure typique 'pour chaque type de transistor de puissance. Il va de soi qu'en construisant de manière appropriée le circuit de protection, pour lequel il n'a été donné qu'un schéma indicatif, le spécialiste peut obtenir la relation sur le plan caractéristique qui est la mieux adaptée au type de transistor final et au type d'application. En cas de court-circuit sur la sortie, la tension maximale aux bornes du transistor de puissance ou la tension de polari- sation collecteur-émetteur est égale, abstraction faite de chu- tes de tension négligeables sur les éléments résistants du circuit, à la tension d'alimentation, même si, durant une brève période transitoire initiale, la tension aux bornes du transis- tor peut dépasser la tension d'alimentation, dans le cas de charges inductives. Pour cette raison, après cette éventuelle période transi- toire, la puissance électrique maximale dans le transistor est égale au produit de la tension d'alimentation par le courant maximal autorisé dans ce transistor par le circuit de protec- tion en rapport avec la valeur de cette tension. La valeur maximale du courant qui peut passer sans incon- vénients à travers le transistor de puissance, dont dépend le dimensionnement du circuit de protection, est déterminée par les caractéristiques physiques de celui-ci. En général, pour des raisons économiques, les utilisateurs des circuits intégrés comprenant des éléments de puissance dimensionnent les dissipateurs externes assurant l'écoulement de la chaleur développée par de tels éléments suivant des exi- gences de conditions normales de fonctionnement, puisque de brèves périodes de dissipation thermique élevée sont bien tolé- rees. Mais dans des conditions de co-urt-circuit prolongé, il subsiste des dangers, tant d'endommagement du circuit intégré que de surchauffage et, par suite, d 2 incendie éveentuel des maté- riaux environnants, à cause de la chaleur développée qui nest pas suffisamment dissipée à 'eaxtérieur. D'autre part, il ne convient pas de diminuer le niveau maxima de courant dans i'élément de -uissance en abaissant le seuil d'intervention de la protection, car en procedant de la sorte, on limiterait inutilement Les prestations dynamniques du circuit dans des conditions normales de fonctionnement. Le but de la présente invention est de réaliser un dispo- sitif de protection pour un élément de puissance d'un circuit intégré qui, par rapport aux dispositifs de protection colnnus, assure à l'élément protégé, m&ae dans des situations prolongées de surutensité et de surtension, une fiabilité plus élevée, sans aucune perte de puissance utile, 1 et permette une utilisa- tion plus sûre du circuit intégré ui-mme. Ce but est atteint, d'apr S i'in:zenvion, avec un dispositif de protection pour un élmer:t de puissance d'un circuit intégré, comprenant un circuit pour déstter et élaborer la va Leur du courant lui passe dans l'élénent et de la tension présente aux bornes de celui-ci, circuit qui iroduit ut signal de mesure qui active, lorsqu'il atteint une vale't limite 3 prédéterminée, un circuit-à seuil qui réduit le niveau de courant dans l'élément de puissance, ce dispositif étant caractérisé par le fait qu'il comprend un circuit capable dtamplifier le signal de mesure quand celui-ci atteint la valeur limite prédéterminée pour l'activation du circuit à seuil. L'invention pcurra tre bien comprise à l'aide de la des- cripsion détaillée eui suit, douée puremernt à titre d'exemple et, par suite, sans intention li uittlve Cen référence aux des- sins ci-annexés. La fig 1 est le schéma du circlv-t du dispositif de protec- tion, pour un élément de puissance d'-un circuit intéegré, précé- deiaent décrit pour illustrer la technique connue. La fig 2 est le schéma du circuit d^n dispositif de pro- tection suivant l'invention. Sur les figures, les mêmes lattres et chiffres de référence ont été utilisés pour les él'men 3, coîrr spondants. Le scheima de circuit résenté sur la fi 2 comprend un transistor bipolaire I 1 de type XP 7 T, qui constitue l'élément final de puissance d'un circuit amplificateur intégré nonoli- thiquement et à la base duquel est raccordé l'émetteur d'un deuxième transistor bipolaire T 2 de type l TPN. La base du transistor T 2 est raccordée à une borne d'en- trée IN du signal de courant qui est transmis à la base du transistor T 1 pour commander la conduction de celui-ci; le collecteur de T 2 est relié au p 8 le positif +Vcc d'un générateur de tension d'alimentation. Le collecteur du transistor Tl est raccordé à +Vcc par l'intermédiaire d'une résistance Rl et à l'anode d'une diode Dl; son émetteur est relié à une borne de sortie U, à laquelle peut ttre raccordée une charge extérieure, et à l'anode d'une diode Zener Dz par l'intermédiaire d'une résistance R 2. La cathode de la diode D 1 et celle de la diode Zener Dz sont reliées l'une et l'autre à la base d'un troisième transis- tor bipolaire T 3 de type PNP et au collecteur d'un quatrième transistor bipolaire T 4 de type NPN. La base du transistor T 4 est reliée à un générateur de tension de référence VR (plus précisément égale à deux fois la tension base-émetteur normale d'un transistor de type INPN) et son émetteur est raccordé au pôle négatif -Vcc du générateur de tension d'ali:nentation, à travers deux résistances en série R 3 et R 4. L'émetteur du transistor T 3 est raccordé à +Vcc, tandis que son collecteur est relié à -Vcc par l'intermédiaire d'un générateur AI de courant constant et à la base d'un cinquième (TS) et d'un sixième (T 6) transistors bipolaires, tous deux de type NPN, respectivement par l'intermédiaire d'une résistance R 5 et d'une résistance R 6. L'émetteur et le collecteur du transistor T 5 sont raccor- dés respectivement à -Vcc et à la borne d'entrée IN L'émetteur et le collecteur du transistor T 6 sont raccordés respectivement à -Vc et au point de jonction entre les deux résistances en série R 3 et R 4. On considèrera maintenant en particulier le fonctionnement du circuit de la fig 2. Le courant dans la résistance Rl est égal à la somme du courant 1 D qui passe à travers la diode D 1 et du courant de collecteur IC du transistor final de puissance Tl Pour des valeurs de la tension collecteur-émettveur VCE 1 de T 1 qui ne sont pas suffisamment élevées pour permettre la conduction de la diode Zener Dz, le courant I est égal au courant de collecteur du trasstor T 4, abstraction faite du courant négligeable de base d' transistor T 3. O 10 Du fait que la base du transistor T 4 est naintenue à un potentiel fixe par rapport à -Vcc, égal à deux fois la tension base-émetteur VB d'un transistor normal de type NPIT, on a dans un tel cas: ( 1) i = R 3 + R 4 Pour des valeurs de la tension collecteur-émetteur de Tl permettant la conduction de la diode Dz, on a par contre, abs- traction faite du courant négligeable de base de T 3: ( 2)i T= + Vc i VD Vz R 3 + R 4 R 2 VD et Vz désignant respectivement les tensions de jonction de la diode Dl et de la diode Dz. Entre le courant de collecteur I 3 du transistor T 3 et le courant de collecteur i D qui passe dans la diode D 1, obtenueen court- circuitant le collecteur d'un transistor nor all avec sa base, il existe la relation suivante: KT I 3 AD ( 3) V By 3 VD = 1, q ID A 3 dans laquelle VB 33 est la tension baseémetteur du transistor T 3 et A 3 et AD sont respectivement les aires d'émetteur du transistor T 3 et du transistor, ayant sa base courtcircuitée avec son collecteur, qui constitue la diode D 1 suivant les techniques usuelles d'intégration K et T sont respectivement la constante de Boltzman et la température absolue des jonctions et q est la charge de l'électron. B Du fait que VB 3 VD = V Rl = Rl IC + R 11 I, il en résulte 2 540304 que des aucuentations du courant I Plans I rr de usae T 1 déterminent, er, vertu de la relation ( 3), de-saunrftos correspondantes du courant de coll ecteur 13 dua trn Tso 3, mais en fonction aussi du niveau de tension V Uprst air,, bornes de l'élément, suivanrt 'Les relations ( 1) et ( 2). Tant que la valeur du courant 13 ne dépasse pas celle du courant k, délivré par, le générateur -il, les transistors 25 et T 6 ne peuvent pas conduire, n'ayant pas d'alimentation à la baser. Ces transistors 25, 26 et leurs résistances de basa R 5 et, R 6 sontk dimenisionnes de telle maniere que dès que la valeur de 13 est Plus grandeqe celle de Ik' le transist'or 2 r 6 tout dl-abo:rd C ccommence immédiatement -à conduire en saturation, suivi asiô après -par le transistor 1-5, qui conduit toutefois ense, nainte- nant dans la zone ac-tiv 2 de son champ de fonctfionn 3 mrentr. Du fai-t qu'un t,rasis-ztor satunré es t virt Vue I 1 eaert un court- circuit entre collecteur et émietteur, la résistance M 4 est court-circuitée 'à ses born-es et, par suite, les pjeu ossi- bles de courant 1 s' elèvent aux valeurs D VBE VBE VC El D Ir L = e 1,, 4 1 D R 3 3 i R 2 respect-ivement pouir des valeurs de, la tension V,1 tropres a aintenir éeinte la diode Zenern et -,îoour des valeurs de la tension V 1 p -ropores a en -oerme' ftre la conduction, T'augmentation de courat résul'tant-e est donc déterminé par la valeur de,a résis-tance M,1 oui peut ê re inoné j udicieusement; elle provoque une agetto de la chutc do'l tension sur la résistance Rl et,, par suite, du fait ance - R :13 AD ( 4) = B Di TD lu= Riw'3 D q ID A 3 -le courant de colctu 3 du transistor 23 8-st aga t éga- lement d'une quantité -prédéI-erminéer. J O Pour cette raison, le transilstor -15, \u omnea con 11 ctuir immdiatement après le trni tor 6 icrsc 'Ue 37 oerssse le l"seuil de courant"l IT' est immédiatsmezit pil Jot a u N nv de e conduction, étant conâaut' brusquement a-u delà du. courant de seuil. Le transistor T 5, dont le collecteur est relié à l'entrée ,absorbe dans ce cas une partie importante du courant de sirnal er entrée Pour cette raison, le courant de com:- a-de résultant, qui pilote la conduction du 'T' par l'intermédiaire du -transistor T 2, est inférieur, à égalité de niveau du seuil d'interverti-on de la protection, au ûuan de comnua 2nde résultant- dans le circuit de prctec tion connu qu:J a été décrit pirécédemment at pa c suite e, le N iv;dau d e cuatdan -l ément de pu issance après l' interventi on -le la Pa'otection est U également inf érieur de façon correspondante. Sans aucune perte de tisneuiedans les conditions nomles de fonctionnement, nanos le cas de conditions de surin,- t Uensi-té pour une cause ouelcorq-ae ",r 2 Ir-"érert de ruissance, le niveau de ce courant ne reste pas fixe à une valeur maximale é,jle à celle oui détermine 1 l'int Uerventionr l' la trotectione- qui dépend de la valeur de la ter siori au sx bornes de lééet mais il descend à unes valeur inéiued'une quantité Drédé- terminée par rapport à cette vale-ur ma Je La relation mathématique ent 7 re a valeur de 'La tension V'l aux bornes de l'élément de puissance 21 déterminée rar la charge, par i alimentlation et pa ' les cohutes de terisio)n sur les éléments rési-st Lants dus circuit en série avec 'ëierlet de puissance, et la valeur, du courant maislqui peut passer dans l'élément de puissance à cette tensij,n lorsque celui-ci est pege-par-9 spcsitii'de protec-ion, decrit, peut+ êtefai lement obtenue à par-Lir desreaz() ( 2), ( 3),(), en considérant que le circuit est di:zensionné de telle manière que le courant soit toujours nég 17 igeable par rapport à I et qu'on ait donc V PL AJ Rl I Du fait que la protect-ion i Lntervient I seulement pour des valeu-rs de I 3 Plus grandos que - e courant de seuil I'rn? le cou- rant maximal passe cdans le trni Tor I lorsque I 3 =IT Par corsécuent, la relation t Iension-couaran-t maximal est l 1 ( 5) I cmax leu () = constante x q RJ A 3 VBE/R 3 + R 4 pour Vc E 1 KT AD IT ( 6) I O max l R 1 () I = l-1 ( A 3 * VBE/R 3 +R 4 + (VCB 1-VD-Vz)/R 2) pour V 01 VD + Vz, la valeur du courant maximal décroissant suivant une loi logarithmique avec l'augmentation de la tension Vc El À Lorsque pour une cause quelconque, par exemple un court- circuit, le courant IC tend à dépasser de telles valeurs maxi- males, la valeur de I 3 dépasse la valeur du seuil k et, par suite, il se produit une intervention de la protection qui, pendant tout le temps o subsiste cette cause de surintensité, maintient I à un niveau inférieur au niveau maximal, c'est-à- dire à la valeur 1)) la ruconstante ( 7) aq l A 3 VB/R 3 VBE pour V 01 VD + VZ et à la valeur X T AD (s) Io li -l () ( 83= q El A 3 VBE/R 3 + (V Cl VD vz)/R 2 pour VCE 1 > VD + Vz Sur le plan caractéristique du transistor final de puissance, les deux relations précédentes ( 5) et ( 6), entre les valeurs possibles de tension collecte;r-émetteur et les valeurs maximales de courant correspondantes, peuvent être représentées par une courbe unique qui s'approche elle aussi de la "courbe de puissance maximale dissipée" et sur la base de laquelle il serait déjà garanti une protection efficace, au moins égale à celle qui est fournie par les dispositifs de pro- tection connus, pour des situations de surtensiorn et de surinten- sité pendant des périodes de temps qui ne sont pas trop prolon- gées. lais ce qui est caractér 3 tique d'un dispositif de protec- tion suivant l'invention, c'est la possibilité de faire fonc- IC 4 O 304 ionner le transistor final, dès que les conditions de puissan- ce sur celui-ci ont activé la protection, suivant une courbe représentative des relations mathématiques ( 7) et ( 8), sur le plan caractéristique, approximativement parallèle à la précé- dente, mais plus interne par rapport à la"courbe de puissance maximale dissipée", de telle:anière que même des conditions de court-circuit illiraitées dans le temps, avec des dissipateurs extérieurs dimensionnés seulement pour un fonctionnement normal, puissent être supportées en toute sécurité et sans aucun dommage. 3 N effet, comme on l'a vu, un dispositif de protection sui- varnt l'invention tel que celui qui a été décrit comprend, non seulement des moyens de détection et d'élaboration des grandeurs électriques relatives à l'élément de puissance à protéger et le circuit à seuil pour activer la protection uniquement lorsque le signal de mesure fourni par ces moyens atteint un niveau prédé- terminé, mais aussi des moyens propres à amplifier ce signal de mesure dès qu'il a atteint le niveau de seuil De cette manière, pendant tout le temps o persistent les conditions anormales, le courant dans l'élément de puissance reste à un niveau constant, inférieur d'une quantité prédéterminée au niveau de courant qui a activé la protection. Eu égard au fait qu'il a été décrit et représenté un seul exemple d'exécution de l'invention, il est évident que de non- breuses variantes sont possibles, sans que l'on s'écarte pour autant du cadre de l'invention Par exemple, outre les moyens propres à amplifier le signal de mesure ou à la place de ces moyens, un dispositif de protection suivant l'invention peut comprendre des moyens propres à abaisser le niveau prédéterminé du seuil, dès que le signal de mesure le rejoint. 31 3 Dispositi-C de pr-otection pour un de puissance d'un circuit compris dans le même circuit, et comprenant un circuit pouz détecter et élaborer la valeur du courent qui nas-se dans de tuissance et celle de la tension pré- S,-,nte aux bornes de celui-ci, de inar-f, 'C-re àà -produire un sigral de, mesure, et un c Jrc-,iit à scu'llii qui est act-i-,Té par ce s, I gnal de mc-sure 1 orsaue ce'Jl-,, I-ci une limite prédé,e:, minée et oui produit, lors Talil est un sî,-ia I de cor, mande pour la Téduct-ion de la va-leur du courant q-Lii passe dans il élément de puissance, en ce qal il comprend un circuit propre à amplifier -1,> sigral de lmesure Lorsque atteint la valeur limite prédéterminée pour du circuit à seuil. 2 ' D -j 2 s-oasitif de nrotectîon selon la revendicatien 1 pour -an 'Iransistor final de -puissance (Ti) a-r,-oartenan*, à 1-rr circuit ayant lin pcemier ty-f 5 de conductibili-'- È-' et préservant, -une premibre, une seconde bor-îI;, eG une borne de comra, de, cet-je borne de comin-ande ta-nt raccor- L-Iée, par dia Jre dl-min tra -Lis-stu- 2 C) un( borne d'entrée (MI) du s-i Eraj 'a d-Ta-rl- 1 i 3-u-_-'i ", ' Ca lequel le circuit de ddtect-Lcn et dl une prem'Lère diode (Dl), dont uzie premiè-re b,,rne Ps, raccord 4 le à la seconde borne du transistor (TI) e-L à -uii pâle (+V) d'un générateur de tension par cc diaire dlzie première résistance (RI) wrie zeconde diode Li de type Zc ner, dont une bo-rrz; est racc(,,rdé( par Iir,- ter:lédiaîre d'une oecoiide résistance i P,2) à la bc ne du transistor final (Tl)p cette première borne étant une borne 254 û 3 û 4 e sortie (U) du circuit amplificateur, et ccmprend un troisiè- me (T 3) et un quatrième (T 4) transistors avant respectivenent une conductibilité d'un second type, oppose au premier, et une conductibilité du premier type et préserntant l'un et l'autre une première, une seconde bornes et une borne de commande, la borne de comnande du troisième transistor (T 3) et a seconde borne du quatrième transistor (T 4) étant toutes deux raccordées à la seconde borne de la première (D 1) et de la seconde (D) z diodes, la première borne du troisiène transistor (T 3) et celle du quatrième transistor (T 4) étent raccordées respectivement au premier pôle (+Vcc) et, par 'inrm-rédiaire d' éémet résis- tant (R 3, R 4) à -n second p 6 le (-V Cli), opposé au premier, du générateur de tension d'alirmentatien, Rn borne de commande du auatrième transistor (T 4) étant reliie a une source de tension constante de référence (V), et "ns lecuel le circuit à seuil comprend un cinquième transistor (TS) ayant une conductibilité du premier type et présentant u e premièrea, une seconde bornes et une borne de commande, et un générateur d 2 courant constant (A 1), la seconde borne du troîsize tras-tsor (T 3) étant rac- cordée au second pôle (-Vcc) du générateur de tension d'alimen- tation par l'intermédiaire de ce générateur de courant constant (A 1) et à la borne de commande du cinquième transistor (T 5) par l'intermédiaire d'une quatrièm résistance (R 5), la première et la seconde bornes du cinquièmu t 4 ransistor (T 5) étant raccordées respectivement au second p 1 le (-VC) du genérateur de tension cc d'alimentation et à la borne d'entree (II), caractérisé en ce que le circuit propr am r sial de mesure qui y est compris comprend un sixième transistor ( 16) ayant une conducti- bilité du premier type et présentant une première, une seconde bornes et une borne de comzande, cette bcrne de commande étant raccordée, par l'in:ermeiaire d'une cinquième résistance (R 6), à la seconde borne du troisième transistor (T 3), la première borne du sixième transistor (T 6) an raccordée au second ple CC) du générateu-r de tension d'alimentation, et en ce que l'élément résistant par in termédiaire duquel la premièreborne du quatrième transistor (T 4) est raccordée au second pôle (-Vy 0) du générateur de tension d'alimentation est constitué par deux résistances (R 3, R 4) montées en série entre elles, le point de jonction entre ces résistances étant raccordé à la seconde borne du sixième transistor (T 6). 3 Dispositif de protection selon la revendication 2, caracté- risé en ce que les transistors qui y sont contenus sont des transistors bipolaires, la première borne, la borne de commande et la seconde borne de chacun d'eux étant respectivement l'émetteur, la base et le collecteur, et en ce que la première et la seconde bornes de chaque diode sont respectivement l'anode et la cathode. 4 Dispositif de protection pour un élément de puissance d'un circuit intégré, compris dans le même circuit et comprenant un circuit pour détecter et élaborer la valeur du courant qui passe dans l'élément de puissance et la valeur de la tension présence aux bornes de celui-ci, de manière à produire un signal de mesu- re, et un circuit à seuil qui est activé par ce signal de mesure lorsque celui-ci atteint une valeur limite prédéterminée et qui produit, lorsqu'il est activé, un signal de commande pour la réduction de la valeur du courant qui passe dans l'élément de puissance, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit propre à abaisser la valeur limite relative au signal de mesure prédéter- miné pour l'activation du circuit à seuil, lorsque le signal de mesure atteint cette valeur limite.