FR 2547098 A1 19841207 FR 8308913 A 19830530 i La présente invention, due aux travaux de Monsieur Philippe POUGNET du Centre National d'Etudes Spatiales (CNES), concerne un dispositif de propagation de bulles magnétiques Elle s'applique à la cir5 culation d'informations binaires ou bits, matérialisées sous la forme de domaines magnétiques isolés qualifiés de bulles dans une mémoire à bulles; ces domaines présentent une aimantation inverse de celle du reste du matériau magnétique qui constitue la couche 10 dans laquelle ils sont formés. On sait que dans une mémoire à bulles magnétiques, chaque bulle peut être déplacée par une force; ce mouvement peut s'effectuer librement dans n'importe quelle direction, dans le plan de la couche 15 magnétique La couche magnétique est un grenat magnétique et les bulles sont formées dans cette couche en lui appliquant un champ magnétique continu, perpendiculaire au plan de la couche Ce champ est produit dans la pratique, par un aimant permanent; il assure 20 en outre, la non volatilité des informations contenues dans la mémoire. La couche de grenat magnétique dans laquelle sont formées les bulles, est généralement supportée par un grenat monocristallin amagnétique. Il est connu de déplacer les bulles, grace à l'application d'un champ magnétique tournant difficile à mettre en oeuvre et dont le rôle est de créer des pôles, sur des motifs en permalloy par exemple, qui présentent la forme de barres en T, en chevrons, ou la 30 forme de demi-disques: on réalise ainsi des registres à décalages dans lesquels l'information binaire est représentée par la présence " 1 ", ou l'absence " O " d'une bulle En plus de ces motifs en permalloy, on sait qu'il est nécessaire d'utiliser des conducteurs 35 électriques pour réaliser sur la puce de mémoire à bulles, des fonctions d'écriture, d'enregistrement de l'information, de lecture non destructive,-de transferts de registre à registre, et d'effacement L'effacement est réalisé bit par bit par destruction sélective des bulles, ou globalement Cet effacement est obtenu très simplement en augmentant la valeur du champ magnétique continu, au-delà de la valeur maximum permise pour l'enregistrement. On sait aussi qu'un grand nombre de mémoires à bulles, de type connu, comprennent une couche de 10 grenat magnétique dans laquelle on réalise une implantation ionique autour de motifs correspondant à des zones non implantées de cette couche de grenat Ces motifs constituent, par leur forme, des registres à décalage le long desquels les bulles peuvent circuler 15 dans la zone implantée Les bulles magnétiques sont formées dans la couche de grenat, dans la partie implantée de celle-ci, sur les pourtours des motifs non implantés Ces motifs ont généralement une forme allongée et la lecture ou le transfert du contenu des 20 registres est généralement effectuée en faisant circuler les bulles parvenant à leurs extrémités, vers un autre registre ou vers une station de lecture Cette circulation des bulles aux extrémités des registres est assurée généralement par des feuilles conductrices 25 superposées à la couche de grenat magnétique, aux extrémités des registres et représentant des fenêtres. C's feuilles sont parcourues par des courants impulsionnels qui amènent les bulles parvenues aux extrémités des registres, soit vers un autre registre, soit 30 vers la station de lecture Cette circulation est obtenue grace à l'apparition de pôles positifs et négatifs apparaissant sur les bords des fenêtres au moment o une impulsion de courant est appliquée à la feuille conductrice correspondante Généralement, ces fené35 tres sont disposées parallèlement entre elles, perpen- diculairement à une ligne correspondant à la direction selon laquelle lesbulles doivent être acheminées Le passage de chaque bulle du bord d'une fenêtre au bord d'une autre fenêtre s'effectue dans la couche de gre5 nat magnétique, par simple attraction de cette bulle due à des polarités convenables des bords des fenêtres Ce type de circulation des bulles aux extrémités de registres d'une mémoire à bulles est décrit par exemple dans la demande de brevet français NM 8008765 10 du 18 avril 1980, au nom du même demandeur. On connait également une mémoire à bulles dans laquelle la propagation des bulles est assurée à l'aide d'un dispositif comprenant une feuille électriquement conductrice présentant des fenâtres, associée 15 à des ilôts non implantés de la couche de grenat magnétique Ce type de propagation est décrit dans l'article de A H BOBECK intitulé "L Current access magnetic bubble circuits'" Bell laboratories 600 Mountain Avenue Murray Hill -New Jersey, Revue "tell System 20 Technical Journal' vol 58, n 6, juillet 1979. Dans ce type de propagation, comme dans celui qui est décrit dans la demande de brevet précitée, les bulles magnétique sont accrochées à la bordure de l'ilot non implanté, dans la région implantée Au 25 cours de leurs déplacements par un champ vertical créé par un courant dans la feuille, les bulles ont à franchir la barrière de potentiel existant à la bordure de ces motifs non implantés Un champ plan statique unidirectionnel de 210 Oersted est appliqué pour éliminer 30 les bulles "dures"o Ces bulles dures sont en fait des bulles présentant une mobilité plus faible et qui suivent mal la direction imposée par le champ. On connait aussi une mémoire à bulles magné35 tiques dans laquelle la propagation des bulles est assurée par un dispositif comprenant une feuille élec- triquement conductrice présentant des fenêtres, et des motifs non implantés en forme de disques, de la couche de grenat magnétique Ce dispositif est décrit dans l'article de H OHTA intitulé Current access Ion-im5 planted bubble device structure" correspondant à la conférence prononcée par l'auteur le 3 mars 1981 à Atlanta (International Conference on magnetism and magnetic materials) Dans ce type de dispositif, lorsque les conditions d'implantation ionique sont convena10 bles, des parois chargées existent au bord d'un disque non implanté Les bulles sont propagées à l'aide des champs magnétiques verticaux qui sont créés par les parois chargées liées à ces motifs et par un trou dans un feuillet de courant Un courant tournant appliqué 15 dans le feuillet permet le déplacement de bulles. Les dispositifs de propagation qui utilisent des champs tournants, sont difficiles à mettre en oeuvre Les dispositifs connus qui utilisent des feuilles conductrices à fenêtres associées à des ilots 20 non implantés et faisant intervenir un champ vertical de déplacement et un champ plan pour -éliminer les bulles dures, ainsi que les dispositifs qui utilisent des champs verticaux et des courants tournants, nécessitent une puissance importante pour chaque propagation 25 d'un élément binaire ou bit d'informations L'invention a pour but de remédier aux inconvénients, que présentent les dispositifs de propagation utilisant des feuilles conductrices à fenêtres, associées à des motifs non implantés, notamment en ré30 duisant le champ de propagation des bulles afin de réduire la puissance dissipée Ces buts sont atteints en utilisant à la fois les composantes verticales (perpendiculaires au déplacement des bulles) et les composantes planes du champ intervenant dans le dépla35 cement des bulles, grace à une combinaison judicieuse de fenêtres dans des couches conductrices, associées à des motifs non implantés. L'invention a pour objet une mémoire à bulles magnétiques comportant au moins une couche d'un 5 grenat magnétique à implantation ionique, dans laquelle sont délimités des motifs correspondant à des zones non implantées de cette couche de grenat, des bulles magnétiques pouvant être formées dans la couche de grenat, sur les pourtours des motifs et une nappe 10 électriquement conductrice superposée à la couche de grenat, isolée de celle-ci et comportant des fenêtres pour déplacer chaque bulle du pourtour d'un motif au pourtour d'un autre motif, caractérisée en ce que les motifs sont des ilots séparés les uns des autres, la15 dite nappe comportant une première couche conductrice isolée de la couche de grenat par une première couche isolante, cette première couche conductrice comportant des fenêtres parallèles à une première direction pour déplacer respectivement les bulles existantes en20 tre les motifs de premières paires de motifs disposés parallèlement à cette première direction, cette première couche conductrice recevant un courant impulsionnel de déplacement des bulles, parallèle à la première direction, et une deuxième couche conductrice 25 superposée à la première couche conductrice et séparée de celle-ci par une deuxième couche isolante, cette deuxième couche conductrice comportant des fenêtres parallèles à une deuxième direction pour déplacer respectivement les bulles existantes entre les motifs de 30 deuxièmes paires de motifs disposés parallèlement à cette deuxième direction, cette deuxième couche conductrice recevant un courant impulsionnel de déplacement des bulles, parallèle à la deuxième direction, chaque première paire présentant un motif commun avec 35 chaque deuxième paire. Selon une autre caractéristique de l'invention, deux fenêtres consécutives présentent une surface d'ouverture commune en regard de chaque motif commun. Selon une autre caractéristique, la première et la seconde directions sont perpendiculaires. Selon une autre caractéristique, les courants parcourant les première et deuxième couches conductrices ont une intensité telle que les composantes 10 du champ magnétique, perpendiculaires au bord des fenêtres, créées par ces courants, engendrent des forces magnétiques supérieures à la coercitivité des bulles. Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va 15 suivre, donnée en référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 représente schématiquement une vue de dessus d'un dispositif de propagation de bulles magnétiques, conforme à l'invention; la figure 2 représente la coupe A du dispositif de la figure 1, la figure 3 a est une vue parallèle en coupe du dispositif, montrant les deux sens des composan- tes du champ plan, la figure 3 b est un diagramme variation du champ de collapse des bulles, de l'amplitude du champ plan appliqué, la figure 4 a est un diagramme variation de la force de transfert des 30 fonction de l'amplitude du champ plan, la figure 4 b est un diagramme variation de la force d'accrochage des fonction de l'amplitude du champ plan, montrant la en fonction montrant la bulles, en montrant la bulles, en les figures 5 a et 5 b sont des diagrammes 35 montrant respectivement les variations de la force de transfert et de la force d'accrochage des bulles, en fonction de la température de la couche de grenat magnétique. la figure 6 représente la variation du 5 champ magnétique vertical, en regard d'une fenêtre de l'une des couches conductriceso Les figures 1 et 2 représentent schématiquement une vue de dessus et une vue en coupe A du dispositif de propagation de bulles magnétiques, conforme à 10 l'invention Ce dispositif comporte au moins une couche 1 d'un grenat magnétique qui peut être par exemple constitué dans un matériau de formule (Y Sm Cu Ca)3 (Fe Ge)5012 La couche 1 de grenat magnétique est soumise à une implantation ionique ainsi qu'un recuit 15 thermique Cette implantation consiste à implanter dans la couche de grenat des ions Ne+ par exemple sous l'action d'un champ électrique La densité de ces ions peut être par exemple de 2 x 1014 ions Ne+/cm 2 et le champ électrique appliqué lors de cette implantation 20 peut être de 200 Ke V Le recuit thermique de la couche de grenat magnétique peut être effectué à 700 Co La couche 1 présente des motifs 3, 4, 5, 6 7 p ooo correspondant à des zones non implantées du grenat, Des bulles magnétiques 8 sont formées dans la zone implan25 tée de la couche 1 de grenat magnétique et elles circulent comme on le verra plus loin en détail, sur les pourtours des motifs non implantés 3, 4, 5, 6 e 7, ainsi que dans des fenêtres 10, 12, 14, et 11 13, 15, découpées respectivement dans une première couche con30 ductrice 16 et dans une deuxième couche conductrice 17 La première couche conductrice 16 est superposée à la couche 1 de grenat magnétique et elle est séparée de celle-ci par une première couche 18 d'un matériau électriquement isolanto La deuxième couche conductri35 ce 17 est superposée à la première couche et elle est 25470 P 9 séparée de celle-ci par une deuxième couche-19, d'un matériau électriquement isolanto Les fenêtres 10, 11, 12, de la figure 1 apparaissent aussi sur la figure 2. La couche 1 de grenat peut être supportée par un subs5 trat 20 amagnétique de formule Ge 3 Ga 5 012 par exemple Les couches électriquement conductrices 16, 17, forment une nappe 21 électriquement conductrice percée par les fenêtres 10, 11 oo 15 Ces fenêtres permettent de déplacer chaque bulle du pourtour d'un motif 10 vers le pourtour d'un autre motif Les motifs 3, 4, o 7 forment des ilots séparés les uns des autres dans la couche 1 de grenat magnétique Les bulles magnétiques 8 sont déplacées, comme on le verra plus loin en détail, par exemple dans le sens des flèches 15 22 grace à des courants électriques impulsionnels appliqués respectivement aux première et deuxième couches conductrices 16, 17 La première impulsion de courant appliquée par exemple à la première couche conductrice 16 permet de déplacer la bulle 8 en direc20 tion du pourtour du motif non implanté 3 La première impulsion de courant appliquée à la deuxième couche conductrice 17 déplacera cette bulle en direction du pourtour du motif 4 I en est de même pour le déplacement de cette bulle vers les pourtours des autres 25 motifs représentés sur la figure 1. Les fenêtres 10, 12, 14 de la première couche conductrice 16, sont parallèles à une premièere direction Y et permettent de déplacer respectivement des bulles existantes, entre les motifs de premières 30 paires de motifs tels que 4, 5 et 6, 7 Les fenêtres telles que 11, 13 sont parallèles à une deuxième direction X par exemple, et permettent de déplacer les bulles existantes entre des deuxièmes paires de motifs tels que 3, 4 et 5, 6 Ces deuxièmes paires de motifs 35 sont disposées parallèlement à une deuxième direction X. Selon l'invention, deux fenêtres consécutives telles que 10, 11 par exemple présentent une surface d'ouverture commune en regard du motif commun correspondant 3 De préférence, les première et secon5 de directions Y-et X sont perpendiculaires. Comme on le verra plus loin en détail, les courants impulsionnels qui parcourent les première et deuxième couches conductrices 16, 17 ont une intensité telle que les composantes du champ magnétique, perpen10 diculaires aux bords des fenêtres, créées par ces courants, engendrent des forces magnétiques supérieures à la coercitivité des bulles. Les figures 3 a et 3 b permettent de mieux comprendre le fonctionnement du dispositif de l'inven15 tion La figure 3 a représente schématiquement les composantes H 1 ou H 2 du champ magnétique plan perpendiculaire au pourtour d'un motif non implanté 3 et créé par exemple par le passage d'une impulsion de courant dans la couche conductrice 16 Ce champ plan peut pré20 senter l'une des deux directions H 1 ou H 2 et il est perpendiculaire au rebord de la fenêtre 10 par exemple. La figure 3 b est un diagramme qui représente la variation de l'amplitude du champ de collapse HC 25 (ou champ de disparition d'une bulle), en fonction de l'amplitude et du sens du champ plan H 1 ou H 2 Sur ce diagramme, les champs sont exprimés en Oersted. Lorsque le champ plan est appliqué perpendiculairement à la bordure d'un motif non implanté rec30 tiligne, il se développe le long de la bordure de ce motif, des charges magnétiques qui modifient les propriétés des bulles Ces charges magnétiques provoquent l'apparition d'un champ de fuite vertical qui modifie le champ de collapse ou de disparition des bulles si35 tuées le long de la bordure du motif, ainsi que les pentes de la barrière de potentiel existant sur cette bordure Ainsi, suivant le sens du champ plan, on observe une augmentation ou une diminution du champ de collapse ainsi qu'un effet attractif ou répulsif sur chaque bulle située le long de la bordure du motif. La figure 4 a est un diagramme qui représente la force de transfert F 1 d'une bulle, en fonction de l'amplitude et du sens du champ plan appliqué perpendiculairement à la bordure d'un motif non implanté. 10 Sur ce diagramme, on a représenté en trait continu la force de transfert F 1 pour le champ plan H 1 et on a représenté cette force de transfert en traits discontinus pour le champ plan H 2 de sens opposé à H 1. La figure 4 b représente les variations de la 15 force d'accrochage ou attractive F 3 d'une bulle en fonction de l'amplitude du champ plan et du sens de ce champ Cette force est représentée en trait continu pour le champ plan de sens H 1 et elle est représentée en traits discontinus pour le champ plan de sens H 2. 20 Le champ plan sur ce diagramme ainsi que sur le diagramme de la figure 4 a, est exprimé en Oersted. Ces figures montrent que quand des charges répulsives apparaissent (aux environs de 20 Oersted dans l'exemple considéré), la force d'accrochage F 3 25 d'une bulle à la bordure d'un motif implanté, diminue avec l'amplitude du champ plan appliqué La force de transfert F 1 diminue elle aussi avec l'amplitude du champ plan appliqué. Les figures 5 a et 5 b sont des diagrammes qui 30 représentent respectivement les variations de la force de transfert F 1 et de la force d'accrochage F 3, en fonction de la température de recuit thermique de la couche de grenat magnétique La ligne discontinue sur ce diagramme représente la coercitivité, c'est-à- dire 35 la force minimale mécanique (frottement) qu'il est né- 1 i cessaire d'appliquer à une bulle pour la déplacero Les températures T de recuit sont exprimées en Co La force d'accrochage F 3 ainsi que la contribution des charges magnétiques à cette force, dépendent des condi5 tions d'implantation ionique et de recuit thermique. Le recuit thermique a pour effet de diminuer les forces d'accrochage exercées sur les bulleso Dans le grenat magnétique choisi en exemple, qui est implanté en présence d'un champ électrique de 200 Ke V et pour un 10 recuit effectué à 700 0, la force d'accrochage est égale à la force de coercitivité dans une région uniformément implantée Cette force exprimée en unité de champ magnétique est de 3,5 Oersted environ, pour un champ plan de 25 Oersted appliqué perpendiculairement 15 à la bordure du motif non implanté dans ces conditions, la contribution des charges magnétiques à la force d'accrochage F 3 est d'environ 2,5 Oersted Lorsque les charges magnétiques sont répulsives, la force d'accrochage est d'environ 3,5-2,5 = 1 oersted Le champ 20 de propagation de la bulle est alors inférieur à celui de la coercitivitéo Dans le dispositif qui vient d'être décrit en exemple, les bulles ont un diamètre de 2 g environ. Les motifs non implantés sont obtenus par masquage à 25 l'aide d'une couche d'or, et le recuit thermique est effectué à 7000 C environ pendant une durée de 2 heures Les couches conductrices dans lesquelles sont appliquées les impulsions permettant de faire circuler les bulles sont en or, tandis que les couches électri30 quement isolantes ont une épaisseur voisine de O 1.500 A. La propagation d'une bulle est obtenue par une impulsion de courant dans la couche conductrice 16, puis par une impulsion de courant dans la couche 35 conductrice 17, et ainsi de suite selon le motif vers lequel on souhaite diriger chaque bulle. La figure 6 représente la variation du champ magnétique HZ vertical en regard de l'une des fenêtres 10 de largeur L par exemple Lorsque le champ magnétique vertical HZ a une valeur maximum, il existe des 5 charges magnétiques répulsives sur les bordures du motif non implanté correspondante tandis que lorsque le champ magnétique vertical HZ a une valeur minimun, ce sont des charges magnétiques attractives qui existent sur le bord de ce motif L'apparition de ces charges. 10 attractives diminue le champ de propagation de la bulle. La valeur du champ magnétique vertical peut être calculée facilement à partir de la valeur de la composante plane du champ, décrite plus haut; cette 15 composante plane est égale à 2 t x J (J étant la densité linéaire de courant dans la couche conductrice considérée). Les principaux avantages du dispositif de l'invention résident essentiellement dans le fait 20 qu'il permet de diminuer le champ de propagation des bulles et donc la puissance dissipée dans les couches conductrices commandant cette propagationo Il permet d'éliminer les bulles dures, car toutes les bulles se propagent dans une zone implantée du grenat magnéti25 que; enfin, les bulles ont une position d'équilibre stable à l'arrêt et elles sont piégées à la bordure des motifs implantés. REVENDICATIONS 1 Dispositif de propagation de bulles magnétiques comportant au moins une couche ( 1) d'un gre5 nat magnétique à implantation ionique, dans laquelle sont délimités des motifs ( 3, 4,) correspondant à des zones non implantées de cette couche de grenat, des bulles magnétiques ( 8) pouvant être formées dans la couche de grenat, sur les pourtours des motifs ( 3, 10 4,) et une nappe ( 21) électriquement conductrice superposée à la couche de grenat ( 1), isolée de celleci et comportant des fenêtres ( 10, 11, 12,,) pour déplacer chaque bulle du pourtour d'un motif au pourtour d'un autre motif, caractérisé en ce que les mo15 tifs ( 3, 4,) sont des il 8 ts séparés les uns des autres, ladite nappe ( 21) comportant une première couche conductrice ( 16) isolée de la couche de grenat ( 1) par une première couche isolante ( 18), cette première couche conductrice comportant des fenêtres ( 10, 12, 20 14,) parallèles à une première direction (Y) pour déplacer respectivement les bulles existantes entre les motifs de premières paires de motifs ( 4,5 et 6,7) disposés parallèlement à cette première direction, cette première couche conductrice recevant un courant 25 impulsionnel de déplacement des bulles, parallèle à la première direction, et une deuxième couche conductrice ( 17) superposée à la première couche conductrice ( 16) et séparée de celle- ci par une deuxième couche isolante ( 19), cette deuxième couche conductrice comportant 30 des fenêtres ( 11, 13, 15,) parallèles à une deuxième direction (X) pour déplacer respectivement les bulles existantes entre les motifs de deuxièmes paires de motifs ( 3,4 et 5,6) disposés parallèlement à cette deuxième direction, cette deuxième couche conductrice recevant un courant impulsionnel de déplacement des bulles, parallèle à la deuxième direction, chaque première paire ( 4, 5) présentant un motif ( 5) commun avec chaque deuxième paire ( 5, 6). 2 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que deux fenêtres consécutives ( 10, 11,) présentent une surface d'ouverture commune en regard de chaque motif commun ( 3). 3 Dispositif selon la revendication 1, ca10 ractérisé en ce que les première et seconde directions (X, Y) sont perpendiculaires. 4 Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que les courants parcourant les première et deuxième couches conductrices ont une inten15 sité telle que les composantes du champ magnétique, perpendiculaires au bord des fenêtres, créées par ces courants, engendrent des forces magnétiques supérieures à la coercitivité des bulles.