FR 2537780 A1 19840615 FR 8220554 A 19821208 -1- "DISPOSITIF MOS FET DE PUISSANCE A STRUCTURE PLANE MULTICELLULAIRE" La présente invention concerne un dispositif de type MOS FET vertical à structure plane multicellulaire réalisé dans un cristal semiconducteur et comportant un ensemble de cellules élémentaires identiques de forme polygonale simple au centre de chacune desquelles est située une région dite de court-circuit N+P+, chaque cellule étant obtenue, en premier lieu, par une diffusion dans une couche d'un premier type de conduction constituant la zone dé drain du disposi- tif d'un premier Ilot fortement dopé d'impuretés d'un second type de conduction opposé au premier définissant, entre autres, à la surface de ladite couche le contour de ladite zone de drain et la forme de ladite cellule, puis, en second lieu, par une diffusion dans ledit premier îlot d'un second îlot localisé fortement dopé d'impuretés du premier type de conduction constituant la zone de source et qui délimite, d'une part une zone superficielle dite de canal séparant ledit second îlot de la couche du premier type de conduction, et d'autre part la région centrale de court-circuit - On sait que, dans la réalisation de dispositifs MOS FET de puissance, la solution la plus utilisée dorénavant consiste à utiliser une structure plane dite multicellulaire constituée d'un agencement en parallèle, dans un cristal semiconducteur, d'un certain nombre de cellules élémentaires juxtaposées et de forme géométrique simple C'est ainsi que l'on a déjà rencontré des structures à cellules hexagonales connues notamment sous l'appellation de "I 3 EXFET' et, plus récemment, des structures dites "SIPMOS" à cellules carrées ou "TRIMOS" à cellules triangulaires. Ces structures sont caractérisées par une zone de drain, par une zone de source et par une zone de canal, et sont définies d'une part par un coefficient de remplissage P= périmètre du canal qui correspond au rapport -P _prmted aa u S surface du cristal semi- conducteur et d'autre part par la valeur de leur résistance directe RON à l'état passant Pour une configuration donnée et dans des structures fonctionnant à des tensions relativement basses, la résistance RON est essentiellement due à la ré- sistance transversale de canal dont la valeur est inverse- 1 Q ment proportionnelle au périmètre dudit canal, d'o l'inté- rêt d'améliorer ledit coefficient de remplissage PS * L'étude de ce dernier a permis de constater que, dans chacun des cas, il existe une dimension optimale du côté du motif de source inclus dans chaque cellule élémentaire pour laquelle le rapport P/S est maximum, ce maximum étant cons- tant et théoriquement égal à d (d représentant en um la distance séparant deux zones de source contiguës, distance définie en réalité par les tolérances de photogravure accep- tables dans la réalisation des cellules). L'étude dudit coefficient de remplissage effectuée pour les diverses géométries a également permis de constater que, à P/S égal, la densité de cellules est plus faible pour une structure formée de cellules triangulaires Cependant, dans cette structure comme dans les autres, le coefficient de remplissage reste inférieur à la valeur espérée théorique- ment Ceci est donc du notamment au fait que les tolérances des photogravures nécessaires à la mise-en place dans et sur le cristal semiconducteur des divers éléments de chaque cel- lule conduisent soit à augmenter la surface des cellules élémentaires par rapport à la zone de source, soit à réduire ladite zone de source par rapport à celle de la cellule élé- mentaire, ces deux solutions revenant en fait à allonger la distance d séparant deux zones de source et à diminuer le périmètre de canal. Cette réduction de la valeur du coefficient de rem- plissage par rapport à sa valeur théorique est également due au fait que, dans les structures actuelles et pour fixer le -3- potentiel de la zone d'inversion, on crée dans chaque cel- lule élémentaire une région de court-circuit N+P+ obtenue en réalisant un îlot de type P+ au centre de la région N+ formant la zone de source, cet îlot central ayant générale- ment une forme homothétique à celle de ladite cellule élé- mentaire. La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients Pour ce faire, la Demanderesse s'appuie sur une étude faite concernant la densité des cellules éléme W- taires dans une surface donnée en fonction de la forme des- dites cellules. La présente invention concerne donc un dispositif de type MOS FET vertical à structure plane multicellulaire réa- lisé dans un cristal semiconducteur et comportant un ensem- ble de cellules élémentaires identiques de forme polygonale simple au centre de chacune desquelles est située une région dite de court-circuit N+P+, chaque cellule étant obtenue, en premier lieu, par une diffusion dans une couche d'un premier type de conduction constituant la zone de drain du disposi- tif d'un premier îlot fortement dopé d'impuretés d'un second type de conduction opposé au premier définissant, entre autres, à la surface de ladite couche le contour de ladite zone de drain et la forme de ladite cellule, puis, en second lieu, par une diffusion dans ledit premier îlot d'un second îlot localisé fortement dopé d'impuretés du premier type de conduction constituant la zone de source et qui délimite, d'une part une zone superficielle dite de canal séparant ledit second îlot de la couche du premier type de conduction, et d'autre part la région centrale de court-circuit, dispo- sitif notamment remarquable en ce que, dans le volume des zones de drain laissé libre entre les sommets adjacents d'une pluralité de cellules élémentaires juxtaposées, sont dispo- sés des éléments complémentaires de même structure et de même fonction que lesdites cellules élémentaires, et de forme géométrique simple adaptée à la configuration des cellules. Les éléments complémentaires créés entre les cellules élémentaires s'ajoutent à celles-ci pour augmenter le péri- 2537780. -4- mètre de canal et, par conséquent, pour améliorer le rap- port P/S qui se rapproche ainsi très notablement des valeurs maximales théoriques. Les possibilités de combinaison sont nombreuses, cel- lules élémentaires carrées associées à des éléments complê- mentaires en forme de cellules également carrées notamment, mais il apparalt que, pour satisfaire les conditions mini- males de photogravure, de tels éléments complémentaires ne peuvent être ajoutés que dans la mesure o la distance entre les cellules élémentaires respectent entre elles une dis- tance minimale de l'ordre de 30/um environ, ce qui n'amé- liore le coefficient P/S que d'une manière réduite. C'est pourquoi la Demanderesse a préféré utiliser une géométrie triangulaire dans le cas des cellules élémentaires associée à une géométrie hexagonale pour ce qui concerne les éléments complémentaires, une telle association permettant d'augmenter ledit coefficient P/S dans des proportions pou- vant atteindre pl-us de 30 % dans les conditions optimales o la valeur du diamètre du cercle inscrit dans l'élément hexagonal complémentaire est égale à la distance séparant les zones de source de deux cellules élémentaires triangu- lairès contiguës. Dans une première forme de réalisation, les éléments complémentaires sont disposés de manière telle que leurs sommets se trouvent en regard des sommets des cellules élé- mentaires. Dans une second forme de réalisation, les éléments complémentaires sont disposés de manière telle que leurs côtés se trouvent en regard des sommets des cellules élémen- taires. Cette forme de réalisation, particulièrement avanta- geuse pour des cellules triangulaires associées à des élé- ments hexagonaux, a pour effet d'abaisser le champ électri- que maximal produit en regard du sommet de chacun des trian- gles. La description qui va suivre, en regard des figures décrivant des exemples non limitatifs, fera bien comprendre -37780 comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 représente une vue de dessus d'une por- tion d'un dispositif conforme à l'invention dans la forme de réalisation préférentielle selon laquelle des cellules élémentaires triangulaires sont associées à des éléments complémentaires hexagonaux. La figure 2 illustre la coupe schématique suivant la ligne II-II de ladite portion de dispositif. Il est à noter que, sur les figures, les dimensions sont considérablement exagérées et peu proportionnées, ceci afin de rendre les dessins plus clairs. Par ailleurs, la vue de dessus est représentée sans tenir compte des couches isolantes d'oxyde et des plages de prise de contact de manière à faire mieux comprendre l'invention. Conformément à ladite invention et selon les figures 1 et 2,,une cellule élémentaire 1 de forme triangulaire com- porte en surface une région 2 de type N+ constituant la zone de source d'un transistor MOS créée dans un îlot de type P+ duquel apparaissent, d'une part la région de court-circuit 3, et d'autre part la zone de canal 4. La forme dudit îlot de type P+ diffusé dans une cou- che 5 de type N définit une pluralité de bandes superfi- cielles 6 qui, avec le reliquat de ladite couche 5 et avec le substrat 7qui la porte, constituent la zone de drain du transistor MOS. Dans la pratique, cette cellule est reproduite en mul- tiples exemplaires ainsi que le montrent les figures 1 et 2. Dans leur regroupement, les cellules élémentaires laissent apparaître entre elles des espaces assez larges dans lesquels, conformément à l'invention, sont disposés les éléments com- plémentaires 8 Ces éléments complémentaires 8 présentent la même structure que les cellules élémentaires 1 et comportent donc une zone de source-9 délimitant -une région de court- circuit 10 Qet une zone de canal il. Pour obtenir cet ensemble de cellules élémentaires et d'éléments complémentaires, on part du substrat semiconduc- -6- teur 7, en silicium par exemple et de préférence de type N+, sur lequel on dépose par épitaxie une couche 5 de même type de conduction, mais à faible concentration d'impuretés donc N-. Dans une forme préférentielle de mise en oeuvre, après une photogravure appropriée de la couche d'oxyde recouvrant la surface de ladite couche 5, on diffuse les îlots profonds 3 et 10 d'un second type de conduction oppo- sé au premier et à forte concentration d'impuretés de dopa- ge, donc P+; à travers de nouvelles ouvertures pratiquées dans cette même couche d'oxyde, on diffuse ensuite succes- sivement les îlots 12 et 13 de type P+, moins profonds que les llots 3 et 10, et, à l'intérieur de ces îlots 12 et 13, les nouveaux îlots 2 et 9 de type N+ La diffusion latérale desdits îlots 12, 13 et 2, 9 délimite les régions dites de court-circuit 3 et 10 et les zones de canal 4 et 11. La forme donnée aux masques de photogravure des îlots 12, 13, 2, 9 détermine également la disposition de la zone de drain Le fait de créer à l'aplomb de la région de court- circuit des îlots 3, 10 plus profonds que l'ensemble des îlots 12, 13 a pour but d'améliorer la tenue en tension du dispositif par réduction du rayon de courbure de la jonction. Pour obtenir ce résultat, on peut utiliser un procédé de double diffusion, mais il est également possible de réa- liser à travers un seul masque la diffusion simultanée d'im- puretés de nature et de vitesse de diffusion différentes, la diffusion de chacune d'elles étant alors délimitée aux zones devant correspondre aux îlots 3, 10, 12, 13. Les opérations suivantes, à savoir dépôt d'une couche d'oxyde propre 14 et d'une couche 15 de silicium polycris- tallin constituant la grille, dépôt d'une nouvelle couche isolante dioxyde 16, puis dépôt de couches métalliques 17, 18 et 19 respectivement sur la zone de source, sur la région de grille et sur la zone de drain sont réalisées selon des procédés et des moyens classiques De préférence, le diamè- tre D du cercle inscrit dans l'élément complémentaire 8 de -7- forme hexagonale est égal à la distance d séparant deux zones de source contiguës, cette distance d étant maintenue constante sur l'ensemble du dispositif. Dans une autre forme préférentielle de mise en oeu- vre, les couches d'oxyde 14 et de silicium polycristallin sont déposées avant la création des divers îlots de types P et N dans la couche 5, et servent alors de masques pour la diffusion desdits îlots. -8- REVENDICATIONS - 1 Dispositif de type MOS FET vertical à structure plane multicellulaire réalisé dans un cristal semiconduc- teur et comportant un ensemble de cellules élémentaires identiques ( 1) de forme polygonale simple au centre de cha- cune desquelles est située une région dite de court-circuit N+ P+ ( 3), chaque cellule étant obtenue, en premier lieu, par une diffusion dans une couche ( 5) d'un premier type de conduction constituant la zone de drain du dispositif d'un premier Ilot ( 3, 12) fortement dopé d'impuretés d'un second type de conduction opposé au premier définissant, entre autres, à la surface de ladite couche le contour de ladite zone de drain et la forme de ladite cellule ( 1), puis, en second lieu, par une diffusion dans ledit premier îlot ( 3, 12) d'un second îlot localisé ( 2) fortement dopé d'impuretés du premier type de conduction constituant la zone de source et qui délimite, d'une part une zone superficielle ( 4) dite de canal séparant ledit second Ilot ( 2) de la couche ( 5) du premier type de conduction, et d'autre part la région cen- trale de court-circuit ( 3), dispositif caractérisé en ce que, dans le volume des zones de drain laissé libre entre les sommets adjacents d'une pluralité de cellules élémentaires juxtaposées ( 1) sont disposés des éléments complémentaires ( 8) de même structure et de même fonction que lesdites cel- lules élémentaires ( 1) et de forme géométrique simple adap- tée à la configuration des cellules ( 1). 2 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les cellules élémentaires sont carrées et sont asso- ciées à des éléments complémentaires en forme de cellules éga- lement carrées. 3 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les cellules élémentaires ( 1) sont triangulaires et sont associées à des éléments complémentaires ( 8) de géo- métrie hexagonale. 2537780. 4 Dispositif selon les revendications 1 à 3, carac- térisé en ce que les éléments complémentaires ( 8) sont dis- posés de manière telle que leurs sommets se trouvent en regard des sommets des cellules élémentaires ( 1). 5 Dispositif selon les revendications 1 à 3, carac- térisé en ce que les éléments complémentaires ( 8) sont dis- posés de manière telle que leurs côtés se trouvent en regard des sommets des cellules élémentaires ( 1). 6 Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la valeur du diamètre (D) du cercle inscrit dans l'élément complémentaire ( 8) est égale à la distance (d) séparant les zones de source ( 2) de deux cel- lules élémentaires contiguës ( 1).