FR 2540291 A1 19840803 FR 8401555 A 19840201 2540291. -1 - "Dispositif de prise de vues". L'invention concerne un dispositif de prise de vues ser- vant à capter une image de rayonnement et sa conversion en un signal électrique, comportant au moins un corps semiconducteur aune surface principale duquel sont définis plusieurs canaux de transport de o 05 charge pratiquement parallèles séparés, ladite surface principale du corps semiconducteur étant mnie d'une couche isolante sur laquelle est appliqué, pour le transport de charge, un systkme d'électrodes s'étendant au-dessus des canaux de transport de charge et qui est munie de fenêtres assurant la captation de l'image de rayonnement, le rayonnement, notamment de la lumière à courte longueur d'onde, pouvant s'infiltrer par l'intelrmédiaire des fenêtres dans le corps semiconducteur et y engendrer des porteurs de charge, système d' é- lectrodes qui comporte un premier groupe d'électrodes s'étendant dans une direction perpendiculaire aux canaux de transport de char- ge. Dans un tel dispositif, qui est connu de la demande de brevet français sous le N 2 476 390, une configuration de paquets de charge correspondant à la configuration de rayonnement ou d'expo- sition est engendrée dans la partie sensible à rayonnement et peut être transmise à un registre d'emmagasinage après la période d'inté- gration La charge emmagasinée dans le registre d'fimmagasinage est ensuite décalée, ligne après ligne, dans un registre à déealage, pour être lue en vue de son ment ultérieur. Le systere d'électrodes permet d'induire, dans le corps semiconducteur sousjacent des régions d'appatuvrissement dans les- quelles ou dans la proximité desquelles peuvent être engendrés des porteurs de charge par absorption de rayonnement Ces porteurs de charge peuvent être emmagasinés dans les régions d'appauvrissement au-dessus du système d'électrodes sous forme ies susdit paquets de charge. L'exemple de réalisation de ladite demande de brevet frbar ai S moéntre un dispositif de Drise de vues dont la partie sensible au rayonnement est munie de fenetres qui sont deli(ai';e:s par e ire: mier groupe d E'électrodes perpendiculairement à la direct in de -2- transport et dans la direction de transport par des parties d'une électrode situées essentiellement au-dessus des canaux de transport qui s'étendent dans la direction de transport Ainsi, on a obtenu un dispositif de prise de vues présentant un système d'électrodes con- venant à décaler les paquets de charge engendrés dans la partie sen- sible au rayonnement à l'aide d'un système d'horloge à trois phases. Pour obtenir une plus courte durée de réponse et une vitesse de transport élevée, les éléments d'électrodes peuvent être intercon- nectés au besoin à l'aide de connexions transversales Une telle structure des électrodes confère nota-m ment une très bonne sensibili- té au bleu au dispositif de prise de sues. Pour le traitement ultérieur, la charge emmagasinée, qui correspond à une image prise est en général convertie en un signal pour un récepteur de télévision Il est usuel d'activer alternative- ment les lignes paires et impaires de l'écran image Ainsi, pour cet interlignage, il est désirable que, dans une période d'image ( 1/30-1/25 seconde), il se produise deux fois une transmission de la partie sensible au rayonnement à un registre d'emmagasinage, l'emma- gasinage de charge s'effectuant alternativement dans diverses par- ties de la partie sensible au rayonnement A cet effet, dans le dis- positif de prise de vues en question, les paquets de charge sont accumulés alternativement à plusieurs endroits dans une période-d'i- mage, notamment alternativement au-dessous des deux électrodes du premier groupe et au-dessous des parties d'électrode délimitant les fenêtres dans le dispositif de transport. Toutefois, il se produit des problèmes avec cet interli- gnage Un problème consiste dans le fait que pour atteindre une grande sensibilité au rayonnement dans le dispositif de prise de vues en question, la longueur des parties des électrodes situées entre les fenêtres parallèlement à la direction de transport dépasse la largeur D'une façon générale, et pour minimiser la surface à utiliser, la largeur de ces parties d'électrode constitue la largeur de piste minimale des pistes conductrices utilisées Pour atteindre une bonne sensibilité au rayonnement, la longueur de ces parties sera choisie supérieure de quelques fois, dans un exemple de réali- sation caractéristique, elle est d'environ 14 micromètres pour une -3largeur de piste (minimale) de 3,6 micromètres Lorsque de la charge est accumulée au-dessous des électrodes, la région d'appauvrissement correspondante présente par conséquent une surface d'environ 50 mi- cromètres carrés Simultanément, les régions d'intégration sont con- venablement définies du fait que l'espacement des électrodes n'est pas trop grand (environ 5 micromètres) de sorte que des électrons engendrés entre les canaux de transport se répartissent sur ces ca- naux de transport juxtaposés. Dans le dispositif illustré dans ladite demande de brevet français o les régions d'interruption de canal s'étendent au-des- sous des électrodes du premier groupe et en outre délimitent de fa- çon directe le canal de transport, une charge s'accumule pendant la deuxième période d'intégration dans la même période d'image au-des- sous des électrodes chevauchantes situées perpendiculairement au canal de transport de charge Pour une même largeur de piste (mini- male) la région d'appauvrissement occuperait au maximum une surface d'environ 12 micromètres carrés De plus, la région d'appauvrisse- ment ainsi créée ne confine aux fenêtres transmettant le rayonne- ment environnantes qu'aux angles Cela implique que les porteurs de charge doivent parcourir un trajet additionnellement long vers la région d'appauvrissement, notamment dans le cas o ils sont engen- drées au centre d'une telle fenêtre, comparativement à la situation dans la susdite première période d'intégration décrite Cet effet s'est intensifié par le susdit fait que les fenêtres, vues dans la direction de transport, présentent une plus grande dimension que dans la direction perpendiculaire à la direction de transport. Pour compenser cet effet, il serait possible d'amplifier les signaux engendrés de façon différente, mais cela donne lieu à des électroniques de commande additionnelles. Puis, un agrandissement de la région d'appauvrissement au-dessous des premières électrodes par le choix de plus petites régions d'interruption de canal au-dessous de ces électrodes n'a qu'un effet partiel En effet, il s'avère que notamment par suite de la grande distance sur laquelle la partie d'électrode s'étend paral- lèlement à la direction de transport, la sensibilité effective de régions d'intégration voisines peut subir des variations notables -54029 t 1 -4dues aux variations de processus et aux écarts se produisant dans la géométrie des électrodes, du fait que la barrière au-dessous des parties d'électrode est mal définie par suite desdites variations. Cela pourrait être amélioré par voie électronique par utilisation de la moyenne de deux signaux d'image pour l'amplification de signal. L'invention vise à fournir un dispositif de prise de vues à couplage chargé o ces inconvénients sont éliminés en majeure partie du fait que le dispositif est moins sensible aux variations du processus et aux écarts du masque. De plus, elle vise à fournir un tel dispostif o les pa- quets de charge sont collectés d'une façon pratiquement identique pour les lignes d'image paire et impaire. L'invention est basée sur l'idée que ce but peut être at- teint à l'aide d'une structure d'électrodes pour la partie sensible au rayonnement du dispositif qui présente une structure d'électrodes continue (au-dessus des canaux de transport), de sorte qu'il ne se produit pas de pertes en efficacité de transport, et que cela peut être réalisé à l'aide d'un deuxième groupe d'électrodes et d'un troisième groupe d'électrodes susceptibles de définir entièrement ou partiellement les bords des fenêtres et appliqués perpendiculaire- ment à la direction de transport. Un dispositif de prise de vues à couplage chargé conforme à l'invention est caractérisé en ce que, vues perpendiculairement à la surface, les fenêtres transmettant le rayonnement sont au moins partiellement délimitées par un deuxième groupe d'électrodes isolé électriquement du premier groupe d'électrodes et constitué par une deuxième couche en matériau conducteur et un troisième groupe d'é- lectrodes isolé électriquement des premier et des deuxième groupes d'électrodes et constitué par une troisième couche en matériau semi- conducteur, les deuxième et troisième groupes d'électrodes s'éten- dant essentiellement dans une direction perpendiculaire aux canaux de transport de charge et au moins à l'endroit des canaux de trans- port de charge, les électrodes du troisième groupe d'électrodes re- couvrent partiellement les électrodes du deuxième groupe d'électro- des. Ainsi, on peut obtenir une grande précision de mesure des -5- fenêtres En effet, elles sont délimitées dans la direction de trans- port par des électrodes du premier groupe d'électrodes appliquées en une étappe du processus et dans la direction transversale par des parties du deuxième groupe d'électrodes ou du troisième groupe d'é- lectrodes, les électrodes des deuxième et troisième groupes pouvant être égales en outre pour en ce qui concerne leur forme Des décala- ges relatifs possibles du deuxième groupe d'électrodes et du troisiè- me groupe d'électrodes sont pratiquement égaux sur tout le dispositif semiconducteur et n'influent guère sur la grandeur des fenêtres. Les parties de l'électrode situées au-dessus ds canaux de transport, comme celles du dispositif de prise de vues selon la de- mande de brevet français sous le N 2 476 390 sont divisées pour ain- si dire en deux groupes Cela permet de collectionner alternativement la charge de l'un des deux groupes au-dessous des parties d'électro- de, ces parties d'électrode se situant de façon directe à cté des fenêtres transmettant le rayonnement Un système d'horloge à quatre phases permet de collectionner la charge de parties convenablement définies pratiquement voisines de la partie sensible au rayonnement du dispositif pour l'interlignage dans une seule période d'image. La variation relative de la grandeur de fenêtres définies dans divers corps semiconducteurs peut être réduite, au détriment de quelque espace, par délimitation entière des fenêtres par les élec- trodes des deuxième et troisième groupes Ainsi, on empéche des vari- ations possibles en sensibilité au bleu par suite de tolérances d'a- lignement pendant la réalisation du premier groupe d'éelectrodes. Une formne de réalisation préférentielle d'un dispositif de prise de vues conforme à l'invention est caracérisee en ce que les électrodes du premier groupe sont alternativement coupiets à une électrode des deuxième et troisième groupes de façon que le couplage induise, au moins, à l'état de fonctionnement, une différence de potentiel entre les electrodes du premier groupe et respectivement les électrodes des deuxine et troisième groupes. Un tel diseositif convient particulièrement au transport de charge engendre à l'aide d'un système d'horloge à deux phases. La description ci-après, en se reférant aux dessins an- nexés le tout donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comr 254 ff 291 -6- prendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 illustre schématiquement le principe d'un dis- positif de prise de vues à couplage chargé que concerne la présente invention. La figure 2 montre schématiquement une vue en plan d'une partie de la partie sensible au rayonnement d'un tel dispositif de prise de vues. La figure 3 représente schématiquement une section trans- versale d'un dispositif de prise de vues selon la ligne III-III de la figure 2. La figure 4 montre schématiquement une section transversale du dispositif de prise de vues selon la ligne IV-IV. La figure 5 montre schématiquement une section transversale du dispositif de prise de vues selon la ligne V-V de la figure 2. La figure 6 montre schématiquement une vue en plan d'une partie de la partie sensible au rayonnement d'un autre dispositif de prise de vues conforme à l'invention, alors que La figure 7 montre schématiquement une section transversale d'un dispositif de prise de vues selon la ligne VIIVII de la figure 6 et La figure 8 montre schématiquement une section transversale d'un dispositif de prise de vues selon la ligne VIII-VIII de la figu- re 6. Les figures sont représentées schématiquement et non à échelle et pour la clarté des dessins, dans la direction transversa- le, notamment les dimensions des épaisseurs sont fortement exagérées. Des zones semiconductrices de même type de conduction sont en général hachurées dans la même direction; dans les diverses réalisations, les parties correspondantes sont en général désignées par les mmels chif- fres de référence. La figure 1 montre le schéma de principe d'un dispositif de prise de vues à couplage chargé 1 du genre appelé en anglais "frame- field-transfer" Un tel dispositif de prise de vues comporte une par- tie de prise sensible au rayonnement 2, dans laquelle se forme une -35 configuration de porteurs de charge électriques correspondant à l'i- mage du rayonnement pendant une certaine période d'exposition Après -7- la période d'exposition, la configuration de porteurs de charge électriques est temporairement emmagasinée dans la partie à mémoire 3, à partir de laquelle elle peut être lue de façon séquentielle à l'aide du registre à décalage 4 Cette lecture s'effectue à l'aide de techniques connues en soi Au besoin, les signaux obtenus peuvent être amplifiés davantage avant le traitement ultérieur à l'aide de l'amplificateur représenté schématiquement sur le dessin 22. Le dispositif de prise de vues (figures 2-5) comporte un corps semiconducteur 5, qui est par exemple composé d'un substrat de silicium 6 de type N présentant une résistivité d'environ 10 ohms/cm (environ 5 1014 atomes donneurs/cm 3) sur lequel est appliquée une région de type p 7 présentant un dopage d'environ 3 1015 atomes accepteurs/cm 3 La région de type p 7 peut être réalisée par croissance épitaxiale A la surface principale 8 du corps semicon- ducteur sont définis plusieurs canaux de transport de charge prati- quement parallèles séparés (désignés par le chiffre de référence 9 sur la figure 1), dans lesquels peut s'effectuer le transport de charge, représenté schématiquement à l'aide de flèches 10 sur la figure 1 Dans le cas présent, le dispositif de transport de charge est formé par un dispositif de transport de charge à transport dans la masse Les canaux de transport de charge sont formés par des ré- gions de typ N 11, qui sont séparées par des régions de type p 12. Dans cet exemple, les régions de type N présentent une concentration moyenne en impuretés d'environ 1016 atomes/cm 3 et une profondeur d'environ micromètre, alors que la largeur est environ 3,5 micromè- tres A la surface, les régions de type p 12 présentent une concen- tration d'environ 1018 atomes/cm 3, alors que, mesurée à la sur- face, la largeur de ces régions est d'environ 5 micromètres et elles peuvent s'infilter dans le corps semiconducteur 5 jusqu'à une pro- -30 fondeur d'environ 0,5 micromètre. La surface principale 8 est recouverte d'une couche 13 en matériau isolant, par exemple de l'oxyde de silicium Sur cette cou- che isolante 13 est appliqué un premier jeu d'électrodes à l'aide desquelles des puits de potentiel peuvent être formés dans le maté- riau semiconducteur pour l'emmagasinage et le transport de charge. Les électrodes 15, 16 de ce premier jeu sont isolées les -8- unes des autres et s'étendent dans une direction perpendiculaire à la direction des canaux de transport de charge à espacements égaux d'en viron 4 um. Comme matériau pour les électrodes peut être choisi par exemple le silicium polycristallin Le silicium polycristallin ne présentant qu'une assez mauvaise perméabilité à la lumière (bleue) de courte longueur d'onde, le système d'électrodes est muni de fenê- tres 14 par l'intermédiaire desquelles notamment la lumière bleue peut s'infiltrer dans le corps semiconducteur 5 et y engendrer des porteurs de charge. Conformément à l'invention, à cet effet, le système d'é- lectrodes comporte un deuxième jeu d'électrodes 17 et un troisième jeu d'électrodes 18, qui se situent essentiellement sur les canaux de transport 11 et dont les parties en saillie 19, 20 s'étendent au-dessus des canaux 11 dans une direction parallèle à la direction de transport de charge Les électrodes 17, 18 et les électrodes 15, 16 délimitent les fenêtres 14 transmettant le rayonnement dans la direction transversale des canaux 11, alors que les parties en sail- lie 19, 20 des électrodes 17, 18 délimitent les fenêtres 14 dans la direction longitudinale des canaux 11 Au-dessus du canal 11, l'é- lectrode 18 recouvre partiellement les parties en saillie 19 d'une électrode 17, alors que des parties en saillie 20 de l'électrode 18 recouvrent partiellement une électrode 17 située de l'autre coté de l'électrode 18 Du fait que les canaux de transport de charge 11 sont ainsi entièrement recouverts par le système d'électrodes, il ne se produit pas de pertes en efficacité de transport lorsque la char- ge est transportée au-dessous de ces électrodes Au-dessus des ca- naux 11, les électrodes 17 et 18 constituent dans cet exemple, en- semble avec les électrodes 15 et 16, un système d'électrodes pour un système d'horloge à quatre phases. Or, dans cette configuration, des porteurs de charge en- gendrés par rayonnement peuvent être intégrés d'une façon identique alternative dans des régions voisines A cet effet, les paquets de charge en question sont collectionnés alternativement au-dessous des parties en saillie 19 et 20 des électrodes 17 et 18 respectivement. Une exposition de la partie sensible au rayonnement 2 du dispositif -9- de prise de vues permet d'engendrer des porteurs de charge En par- ticulier de la lumière bleue engendre à peu près uniquement des por- teurs de charge jusqu'à une profondeur d'environ 0,1 micromètre, notamment dans la région de type p 12, qui est découverte par suite de la présence des fenêtres 14 Les trous formés par suite de ce rayonnement subsistent dans la région de type p 12, alors que les électrons engendrés se répartissent sur les canaux de transport de charge voisins 11 du fait qu'à l'électrode 17 ou à l'électrode 18 est appliquée une tension telle qu'il peut se former des puits de potentiel pour des électrons dans les canaux de transport de charge au-dessous des électrodes 17 ou 18. De la lumière d'une plus grande longueur d'onde atteint la surface 8 également à l'extérieur des fenêtres 14 et engendre des porteurs de charge jusqu'à une profondeur notablement supérieure. Cela est dû au fait que les électrons se rendent vers les puits de potentiel voisins dans les régions de canal 11, alors que les trous sont évacues par l'intermédiaire des régions de type p 12 ou du sub- strat de type p 17. C'est ainsi que dans une période d'image, par exemple pen- dant la première moitié, une tension est appliquée aux électrodes 17 de façon qu'il se forme des puits de potentiel au-dessous des par- ties en saillie 19 dans les régions de canal 11, puits dans lequels sont collectionnés les paquets de charge (électrons) décrits ci-des- sus Les parties en saillie 19 présentent par exemple une longueur de 5 micromètres, une largeur de 3,6 mierometres et un espacement de micromètres. Les paquets de charge sont ensuite transportes à l'aide d'une variation de tension d'horloge appropriée aux électrodes 15, 16, 17 et 19 vers la partie à mémoire 3 pour leur traitement uleé- rieur. Lors de la deuxi ème moitié de la période, il se forme d'a- bord des puits de potentiel au-dessous des parties en saillie 20 de l'électrode 18, puits qui présentent les memes dimensions que les parties 19 Ainsi, on obtient toue dans les deux oties ne péric- de, une charge est collectionnée de façon pratiquemen 4 identique en deux rangées delëments d'image Après la collection des paquets de -10- charge, ceux-ci sont transportés vers la partie à mémoire 3 Les signaux d'horloge nécessaires à cet effet pour les électrodes 15, 16, 17 et 18 peuvent être utilisés au besoin pour transporter l'in- formation emmagasinée de la première moitié de la période de prise de vues vers un registre de sortie 4 pour leur traitement ultérieur. Une méthode plus favorable d'interlignage consiste à col- lectionner de la charge au-dessous des parties d'électrode 19 et 20 des électrodes 17 et 18 Après les périodes d'intégration, dans la première moitié de la période de prise de vues les paquets de charge collectionnés au-dessous des parties d'électrode 19 sont par exemple ajoutés à ceux collectionnés au-dessous des parties d'électrode 20, et dans la deuxième moitié, les paquets de charge collectionnés au- dessous des parties d'électrode 20 sont ajoutés à ceux collectionnés audessous des parties 19 La réunion s'effectue de façon que le transport de charge s'effectue dans la direction indiquée par les flèches 10. La partie à mémoire 3 ne doit pas capter de rayonnement, raison pour laquelle elle n'est pas munie de fenêtres, de sorte que le tout peut être réalisé avec une superficie notablement plus peti- te que la partie sensible au rayonnement 2. Les signaux d'horloge nécessaires pour le transport de charge dans la partie de prise de vues 2 aussi bien que dans la par- tie à mémoire 3 peuvent être obtenus, tout comme les signaux d hor- loge pour le registre à décalage 4, d'une façon connue, comme par exemple à l'aide d'un registre à décalage non représenté en détail sur la figure 1. Le dispositif peut être réalisé de façon usuelle Après formation par croissance d'une couche épitaxiale de type p 7 sur le substrat de type N 6, des canaux de type N 11 sont formés par im- plantation ou diffusion Sur la surface 8 est appliquée une couche mince en oxyde et sur celle-ci sont formées de façon connue les électrodes 15 et 16, de préférence en silicium polycrist-allin Après une étape d'oxydation pour isoler électriquement les électrodes 16, 17, les électrodes 17, 19 sont formées, également en silicium poly- cristallin Après isolation électrique de celles-ci par une étape d'oxydation, les électrodes 18, 20 sont formées Le système d'élec- -11- trodes une fois fini, les régions 12 sont appliquées par une étape d' implantation. Le dispositif selon les figures 1 à 5 peut être rendu approprié d'une façon simple à un système d'horloge à deux phases, notamment par application d'une différence de potentiel entre les électrodes 17 et 18 et les électrodes 20, 19, de sorte qu'il se for- me des puits de potentiel asymétriques La différence de potentiel, représentée schématiquement sur la figure 2 par la source de tension 21, peut être appliquée par exemple à l'aide d'un diviseur de ten- sion comme décrit dans la demande de brevet français N 2 121 870 ou par couplage capacitif comme décrit dans la demande de brevet fran- çais N 2 111 924 Un avantage secondaire pour cette configuration consiste dans la faible capacité relative entre les deux phases d'horloge du fait que celles-ci chevauchent légèrement. Dans le dispositif selon les figures-6 à 8, les électrodes 17, 18 sont réalisées de façon à définir complètement les fenêtres 14 Toutes les fenêtres 14 sont complètement identiques, bien que cela s'obtienne au détriment de quelque superficie Cela peut être atteint d'une façon simple par utilisation du même masque pour la réalisation des électrodes 17, 18 qui sont légèrement décalées l'une par rapport à l'autre Du fait que les électrodes 15, 16 ne délimi- tent pas également les fenêtres 14, des tolérances relatives entre ces électrodes et les électrodes 17, 18 n'influent nullement sur la grandeur des fenêtres. Les paquets de charge sont alternativement collectionnés, en majeure partie au-dessous des parties de connexion 19, 20 ou pour l'autre procédé d'interlignage, simultanément au-dessous des parties 19 et 20 Du reste, les chiffres de référence ont la même significa- tion que dans l'exemple de réalisation précédent. Evidemment, l'invention n'est pas limitée aux exemples d 6 critsci-dessus mais de diverses variations sont possibles pour les techniciens sans sortir du cadre de la présente invention C'est ainsi que, d'une façon analogie aux figures 6 à 8, les électrodes 17, 18 peuvent être formées comme de longues bandes présentant des ouvertures sans definir complètement les fenêtres, par exemple lors- -12- que l'espacement des électrodes 15, 16 est plus petit que les dimen- sions des ouvertures dans la direction de transport De plus, d'au- tres genres de dispositifs de transport peuvent être utilisés, comme par exemple les registres à décalage (chaîne à seaux) et des dispo- sitifs de transport de charge. -13- REVENDICATIONS: 1 Dispositif de prise de vues servant à capter une image de rayonnement et sa conversion en un signal électrique, comportant au moins un corps semiconducteur à une surface principale duquel sont définis plusieurs canaux de transport de charge pratiquement paral- lèles séparés, ladite surface principale du corps semiconducteur étant munie d'une couche isolante sur laquelle est appliqué, pour le transport de charge, un système d'électrodes s'étendant au-dessus des canaux de transport de charge et qui est muni de fenêtres assu- rant la captation de l'image de rayonnement, le rayonnement, notam- ment de la lumière à courte longueur d'onde, pouvant s'infilter par l'intermédiaire des fenêtres dans le corps semiconducteur et y en- gendrer des porteurs de charge, système d'électrodes qui comporte un premier groupe d'électrodes s'étendant dans une direction perpendi- culaire aux canaux de transport de charge, caractérisé en ce que, vues perpendiculairement à la surface, les fenêtres transmettant le rayonnement sont au moins partiellement délimitées par un deuxième groupe d'électrodes isolé électriquement du premier groupe d'élec- trodes et constitué par une deuxième couche en matériau conducteur et un troisième groupe d'électrodes isolé électriquement des premier et des deuxième groupes d'électrodes et constitué par une troisième couche en matériau semiconducteur, les deuxieèe et troisième groupes d'électrodes s'étendant essentiellement dans une direction perpendi- culaire aux canaux de transport de charge et au moins à l'endroit des canaux de transport de charge, les électrodes du troisième grou- pe d'électrodes recouvrent partiellement les électrodes du deuxième groupe d'électrodes. 2 Dispositif de prise de vues selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que, vues en plan, les électrodes du deuxième groupe et du troisième groupe sont en forme de peigne, les dents de la pei- gne s'étendant au-dessus des canaux de transport de charge. 3 Dispositif de prise de vues selon la revendication 1, ca- ractérisé en ce que les fenrtres sensibles au rayonnement sont for- mées par des ouvertures ménagees dans les ée ectrocdes des deuxi"e 12 et troisième groupes. -14- 4 Dispositif de prise de vues selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que vues au moins en plan, les électrodes du deuxième et troisième groupe sont pratiquement idetiques. Dispositif de prise de vues selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le système d'électrodes comporte une structure d'électrodes pour un transport à quatre phases. 6 Dispositif de prise de vues selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les électrodes du premier groupe sont couplées d'une façon alternative électrique à une électrode du deu- xième groupe et du troisième groupe de faqon que le couplage indui- se, au moins à l'état de fonctionnement, un différence de potentiel entre les électrodes du premier groupe et respectivement les élec- trodes du deuxième groupe et du troisième groupe. 7 Dispositif de prise de vues selon la revendication 6, ca- ractérisé en ce que le système d'électrodes comporte une structure d'électrodes pour le transport en deux phases. 8 Dispositif de prise de vues selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif est également muni d'un circuit de commande et d'au moins un circuit pour le traitement ultérieur d'un signal électrique. 9 Dispositif de prise de vues selon la revendication 8, ca- ractérisé en ce que le circuit de commande et le circuit pour le traitement ultérieur du signal électrique sont réalisés au moins en partie dans le corps semiconducteur.