FR 2536912 A1 19840601 FR 8319035 A 19831129 2536-912 La présente invention concerne des cellules So- laires à un substrat de faible coût et un procédé de fabrication de ces cellules solaires. Les dispositifs photovoltaïques, c'est-à-dire, les cellules solaires permettent de transformer un rayon- nement solaire en énergie électrique utilisable La trans- formation d'énergie qui se produit est le résultat de ce qu'on appelle l'effet photovoltaïque Le rayonnement so- laire venant se heurter à une cellule solaire et quiest ab- sorbé par une région active d'un matériau semiconducteur engendre des électrons et des trous Les électrons et les trous sont séparés par un champ électrique créé à l'inté- rieur de la cellule solaire, tel que dans une jonction re- dressante La séparation des électrons et des trous par la jonction redressante a pour effet d'engendrer un cou- rant électrique connu comme le courant photoélectrique et une tension connue comme la tension photoélectrique Les électrons vont vers la région d'un matériau semiconducteur ayant une conductivité de type N, et les trous vont vers une région d'un matériau semiconducteur de conductivité en opposition ou vers une couche métallique. On peut obtenir une réduction importante du coût des cellules solaires en réduisant le coût des matériaux et de fabrication et en améliorant-le rendement de conver- sion photovoltaïque Un certain progrès a été fait dans l'identification de plusieurs cellules solaires en couches minces prometteuses telles qu'avec Cd Te, Zn 3 P 2, Cu Se et du silicium amorphe Malheureusement, les rendements des cellulesobtenus dans les dispositifs en couches minces sont bien inférieurs à ceux obtenus pour des cellules mo- nocristallines généralement en raison de la couche épitaxia- le de qualité inférieure produite sur des substrats étran- gers de faible coût Ainsi, jusqu'ici il existait un rap- port dans la sélection des substrats des cellules solaires avec soit des matériaux amorphes ou à petits grains tels que le verre, la céramique ou des feuilles métalliques qui sont d'un faible coût mais qui font obstacle à la croissancedes couches des cellules solaires de haute quali- té, soit de matériaux à grands grains ou monocristallins qui peraettent la croissance descouches descellules solai- res de haute qualité mais qui son plus coûteux. La présente invention évite ce dilemme en permet- tant l'utilisation d'un matériau de substrat de faible coût tel que les résines organiques synthétiques, le gra- phite, le verre, les métaux abondants ou autres matériaux cristallins ayant des dimensions de grain au plus égales à environ 1 micron en déposant une couche cristalline à point de fusion bas sur le substrat et en recristallisant la couche pour former un matériau à grands grains sur le- quel on peut faire croitre le matériau des cellule solaires ou semiconducteur. Un but principal de la présente invention est de fournir une cellule solaire dans laquelle on peut utiliser un matériau de substrat non couteux pour supporter le ma- tériau semiconducteur ayant des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns Un but important de la présente invention est de fournir une cellule solaire comprenant-un substrat, une couche cristalline intermédiaire et un matériau semicon- ducteur pouvant absorber la lumière, la couche cristalline intermédiaire ayant une correspondance réticulaire appro- priée avec le matériau semiconducteur et des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns Y le matériau semiconducteur étant en contact avec la couche cristalline intermédiaire et ayant des dimensions de grain au moins égales à 10 microns 2, et des moyens de contact électrique connectés électriquement à la couche cristalline intermé- diaire et au matériau semiconducteur. Un autre but de la présente invention est de four- nir une cellule solaire comprenant un substrat, une couche reeristallisée intermédiaire et un matériau semiconducteur pouvant absorber la lumière, la couche recristallisée inter- médiaire ayant une correspondance réticulaire appropriée avec le matériau semiconducteur et des dimensions de grain. au moins égales à environ 10 microns, le matériau semi- conducteur étant en contact avec la couche recristallisée intermédiaire et ayant des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns 2, et des moyens de contact électrique connectés électriquement à la couche recristal- lisée intermédiaire et au matériau semiconducteur. Un autre but encore de la présete invention est de fournir une cellule solaire comprenant un substrat et une couche recristallisée intermédiaire et un matériau semi- conducteur pouvant absorber la lumière, le-substrat étant choisi dans le groupe composé de résine organique synthé- tique, de graphite, de verre, et d'un matériau cristallin ayant des dimensions de grain au moins égales à environ 1 micron, la couche recristallisée intermédiaire ayant des dimensions de grain comprises' entre environ 10 microns et environ 10000 microns et une désadaptation réticulaire avec le matériau semiconducteur au plus égale à environ 4 %, le matériau semiconducteur étant en contact avec la couche recristallisée intermédiaire et ayant des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns 2, et une couche anti-réfléchissante ayant une épaisseur infé- rieure à environ 1 micron sur le matériau semiconducteur, et des moyens de contact électrique connectés électrique- ment à la couche cristalline intermédiaire et au matériau semiconducteur. Un autre but encore de la présente invention est de fournir un-procédé de fabrication d'une cellule solaire consistant à prévoir un substrat, à prévoir une couche cristalline ayant-des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns sur le substrat, à déposer un'maté- riau semiconducteur pouvant absorber la lumière sur la cou- che cristalline de manière à ce que le matériau semiconduc- teur ait des dimensions de grain au moins égales à environ microns 2, et à prévoir des moyens de contact électrique -connectés électriquement à la couche cristalline et au matériau semiconducteur. 4 - Un autre but encore de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'une cellule solai- re consistant à prévoir un substrat, à déposer une cou- che cristalline ayant une épaisseur au moins égale à en- viron 0,01 micron sur le substrats, à chauffer la couche cristalline à une température au moins egale à environ la température de point de fusion de la couche cristalline pour que la couche se recristallise avec des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns, a déposer un matériau semiconducteur sur-là couche recristallisée de manière à ce que le matériau semiconducteur ait des dimen- sions de grain au moins égales à environ 10-microns, et à prévoir des moyens de contact électrique connectés élec- triquement à la couche cristalline-et au matériau semicon- ducteur. Un autre but-encore de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'une cellule solaire consistant à prévoir un substrat, à déposer une couche cristalline ayant une épaisseur comprise entre environ 0,01 micron et environ 1 micron sur le substrat, à prévoir un moyen pour chauffer la couche cristalline à une temp pérature au moins égale à environ la température de point de fusion de la couche cristalline, à prévoir un mouvement relatif entre le moyen de chauffage et la couche pour chauf- fer la couche cristalline par zones et à refroidir ensuite la couche chauffée pour obtenir une couche recristallisée avec des dimensions de grain au moins égales à environ microns 2, à déposer un matériau semiconducteur pouvant absorber la lumière sur la couche recristallisée de maniè- re à ce que le matériau semiconducteur ait des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns 2 et à pré- voir des moyens de contact électrique connectés électrique- ment à la couche cristalline et au matériau semiconducteur. Un autre but encore de la présente invention est de fournir un-substrat comportant au moins sur une de ses surfaces une couche cristalline avec des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns 2, et un maté- riau semiconducteur recouvrant la couche cristalline et ayant des dimensions de grain au moins égales à environ microns 2. Un autre but encore de la présente invention est de fournir un substrat comportant au-moins sur-une de ses surfaces une couche recristallisée ayant une épaisseur au moins égale à environ 0,01 micron avec des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns, et un maté- riau semiconducteur recouvrant la couche recristallisée et ayant des dimensions de grain au moins égales à envi- ron 10 microns Un but final de la présente invention est de four- nir un substrat choisi dans la classe composée d'une rësi- ne organique synthétique, de graphite, de verre et d'un matériau cristallin ayant des dimensions de grain au moins égales à environ 1 micron, une couche recristallisée sur le substrat ayant une épaisseur comprise entre environ 0,01 micron et environ 1 micron et des dimensions de grain au moins égales à environ 10 micronsa, et un matériau se- miconducteur recouvrant la couche recristallisée et ayant' des dimensions de grain au moins égales à environ 10 mi- crons L'invention est constituée par certaines caractéris- tiques nouvelles et une combinaison de parties qui seront décrites complètement dans la suite, représentées dans les dessins annexés, et particulièrement mises en évidence dans les revendications jointes Mais il est évident qu'on peut faire différentes modifications dans les détails sans sortir du cadre ou sans renoncer à un des avantages de la présente invention. Pour faciliter la compréhension de l'invention, on a représenté dans les dessins annexés un exemple de réa- lisation préféré de l'invention dont la construction et le fonctionnement sont décrits dans la suite et qui met en évidence de nombreux avantaaes de l'invention Dans ces dessins -la figure 1 est une représentation schématique d'une 25369 12 cellule solaire comprenant les caractéristiques de la présente invention; et -la figure 2 est une représentation schématique d'un dispositif pour fabriquer la cellule solaire de la présen- te invention. On va se référer maintenant à la figure 1 qui r e- présente une cellule solaire 10 réalisée selon la présente invention dans laquelle un substrat Il comporte sur une de ses surfaces une couche recristallisée intermédiaire 12 qui reçoit sur son autre surface une couche 13 d'un maté- riau semiconducteur pouvant absorber la lumière Une cou- che servant de fenêtre ou de barrière 14 est formée sur le haut de la couche semiconductrice 13 et une grille de contact électrique 15 est prévue en haut de la couche de fenêtre ou de barrière 14 Un conducteur électrique 16 est en contact étroit avec la couche recristallisée intermé- diaire 12 et la grille électrique 15 constitué l'autre conduc- teur électrique et elle est en contact électrique avec la couche semiconductrice 13 Les rayons de lumière 17 inci- dents sur la fenêtre 14 de la cellule solaire 10 produisent l'effet photovoltaique traditionnel donnant un courant et une tension engendrés par effet photovoltaique. On va se référer maintenant à la figure 2 qui re- présente un récipient 20 dans lequel est présente une at- mosphère contrôlée 21 telle que d'un gaz en formation d'a- zote et d'hydrogène Le substrat Il sur lequel est déposée la couche intermédiaire 12 est déplacé par rapport à un élément chauffant électrique représenté par un dispositif à bobine 25 de manière à fondre par zones la couche inter- médiaire 12 et à recristalliser ainsi cette couche en ob- tenant des dimensions de grain comprises entre environ 10 microns 2 et environ 10000 microns 2 Le mouvement relatif entre le dispositif de chauffage 25 qui peut être une bo- bine de résistance de chauffage classique ou une bobine d'induction et le substrat 11 sur lequel est déposée la couche intermédiaire 12 peut être obtenu au moyen d'un dispositif de transport 30 comportant des rouleaux de -" 2 36912 transport ordinaires 31 Ensuite, la couche semicohductri- ce 13 est déposée sur la couche recristallisée intermé- diaire 12 par n'importe quel procédé connu dans ia tech- nique tel que le procédé de décharge luminescente Ensui- te, la couche de fenêtre ou de barrière 14 est déposée par un moyen bien connu et enfin la grille de contact électri- que 15 est déposée dessus, comme il est bien connu dans la technique. Le substrat 11 peut être constitué de n'importe Q quel matériau voulu qui supporte les températures néces- saires pour fondre et recristalliser la couche intermé- diaire 12 Puisque la couche intermédiaire 12 est de pré- férence limitée, comme on l'expliquera dans la suite, à des matériaux ayant un point de fusion ne dépassant pas de beaucoup environ 700 C, le substrat 11 doit être choisi à partir d'un matériau qui peut supporter une température de 700 C sans grave dégradation Les'matériaux préférés son-t les substrats non coûteux tels que certaines résines organiques synthétiques de haute température,-le verre, le graphite ou un métal en feuille de faible coût y compris les matériaux à base de fer non coûteux Si le substrat 11 est réalisé à partir d'un conducteur électrique tel que l'acier ou un matériau analogues le contact électrique 16 peut etre éliminé, le substrat 11 servant de contact élec- triquement connecté à la couche intermédiaire 12 Si le substrat 11 n'est pas un bon conducteur électrique, on peut alors prévoir le contact électrique 16, comme on l'a représenté On peut déposer la couche intermédiaire 12 sur le substrat 11 par n'importe quel moyen bien connu dans la technique, tel que par bain de plaquage, dépôt chimique en phase vapeur, évaporation sous vide, dépôt électrolyti- que, pulvérisation ou autre procédé analogue La couche intermédiaire 12 peut être constituée de tout matériau à bas point de fusion, c'est-à-dire un matériau semiconduc- teur ou un matériau métallique pouvant etre recristallisé pour obtenir des dimensions de grain au moins égales à -* 2236912 environ l Omicrons et jusqu'à environ 10000 microns 2 les dimensions de grain préférées étant au moins égales à environ 50 microns 2 On notera que des dimensions de grain plus grandes sont souhaitables pour produire une cellule solaire 10 et que des dimensions de grain compri- ses entre environ 1000 microns et environ 10000 microns 2 sont préférables. Le Tableau 1, ci-dessous, établit une série de mél taux à point de fusion bas qui -peuvent être utiles seuls ou combinés en-alliages pour constituer la couche intermédiaire 12. Elément Point de A 1 660 Sb Bi Cd+ In Pb Se Te Sn+ Zn 630,5 156,2 327,3 419,5 Tableau fusion Densité( 2,70 6,68 9,80 8,65 7 -31 11,39 4,79 6, 24 7,36 7,13 g/cc) Structure cristal- -line Cube à faces centrées Rhombo èdre- Rhomboèdre Hexagonale coamact Quadratique à faces centrées Cube à faces centrées Hexagonale Hexagonale Quadratique Hexagonale compact + Il existe d'autres modifications cristallines -Réf W offatt, G Pearsall, J,Wolff, The Structure and Proper- ties of Materials, vol 1, John Wiley & Sons, New York,1964. Les matériaux préférés sont Bi, Cu, In, Se,Te, Sn, Cd, Zn, Sb et des alliages de ceux-ci L'épaisseur de la couche intermédiaire 12 doit être au moins égale à environ 0,01 micron de manière à ce qu'à la fusion la couche ne devienne pas discontinue D'autre part, une couche 12 plus épaisse donne un gaspillage de matériau et devient ainsi coûteuse L'épaisseur préférée pour la couche intermédiai- re 12 est comprise entre environ 0,1 et environ 1 micron, étant bien entendu que-la limite supérieure est définie par des considérations économiques. Afin d'obtenir les dimensions de cristal néces- saires pour bénéficier des avantages de la présente inven- tion, il est nécessaire d'effectuer une fusion par zones de la couche intermédiaire 12 après qu'elle a été déposée sur le substrat 11 pour recristalliser la couche De pre- férence, la fusion par zones est réalisée à une temperatu- re comprise entre environ le point de fusion de la couche intermédiaire 12 et une température au plus égale à er Lvi- ron 20 C au-dessus du point de fusion et de préférenrce une température au plus égale à environ 10 C au-dessus du point de fusion Pour empecher un choc thermique sur le substrat 1 l et la couche intermédiaire 12, il est préféra- ble de chauffer la combinaison du substrat Il et de la couche intermédiaire 12 jusqu'à une température dlenviron C au-dessous du point de fusion de la couche intermé- diaire avant la fusion par zones de celle-ci pour compen- ser toute différence des coefficients de dilatation ther- mique entre la couche intermédiaire 12 et le substrat 11. La vitesse de mouvement relatif entre le dispositif de chauffage 25 et la combinaison-du substrat 11 et de la couche intermédiaire 12 dépend de l'épaisseur de la cou- che intermédiaire 12 Une couche plus épaisse nécessite un temps de chauffage plus long et inversement une couche plus mince nécessite un temps plus court On choisit de préférence la vitesse de mouvement relatif entre le d ispo- sitif de chauffage 25 et la combinaison du substrat Il et de la couche intermédiaire 12 égale à au moins envir&n 10 cm par minute qui est fournie par un dispositif de trans- port 30, comme il est bien connu dans-la technique. Après que la couche intermédiaire 12 a été recris- tallisée comme on lla mentionné plus haut, le matériau se- miconducteur ou solaire 13 -est déposé sur la couche mince 12 par un moyen bien connu dans la technique tel que par le procédé de décharge luminescente Selon l'utilisation finale du produit, la couche 13 de matériau semiconducteur : peut avoir n'importe quelle épaisseur mais si l'utilisa- tion finale est une cellule solaire 105 le matériau semi- conducteur doit alors avoir une épaisseur comprise entre environ 2 microns et environ 5 microns Le matériau semi- conducteur 13 doit être choisi pour fournir un maximum d'épitaxie entre le matériau semiconducteur 13 et la cou- che intermédiaire 12 Les matériaux semiconducteurs possi- bles comprennent Cu In Se 2 Cd Te, Zn 3 P 2 S Cu Se et d'autres 2 " 3 2 matériaux sont également utiles comme In Sb De fait, tout matériau semiconducteur qui est approprié pourle but fi- nal voulu est-acceptable pourvu que la couche intermédiai- re 12 et le matériau semiconducteur 13 soient choisis pour obtenir une correspondance réticulaire appropriée O La corres- pondance réticulaire est définie comme la distance entre ato- mes du matériau d'une couche divisée par la distance entre atomes du matériau de l'autre couche et l'indice résultant est appelé la désadaptation réticulaire qui ne doit pas dépasser 4 % De préférence, la désadaptation réticulai- re ne doit pas dépasser 1 %, mais la présente invention per- met une désadaptation réticulaire plus grande que ce qui était possible jusqu'à maintenant En limitant la désadap- tation réticulaire entre la couche intermédiaire 12 et le matériau semiconducteur 13, on obtient une bonne épi- taxie et il en résulte des dimensions de grain beaucoup plus grandes dans le matériau semiconducteur,-quand il est déposé sur la couche recristallisée intermédiaireque ce qui était possible jusqu'à maintenant. Auparavant, quand un matériau semiconducteur était déposé sur des substrats tels que des couches de tungstène et autres couches comparables ayant des dimensions de grain inférieures à environ 0,1 micron 2 ' les dimensicns de grain du matériau semiconducteur étaient si petites qu'el- les étaient inacceptables pour un matériau de cellule so- laire D'autre part, on s'est rendu compte que le fait de déposer un matériau semiconducteur sur des couches 12 re- cristallisées intermédiaires ayant des dimensions de grain dépassant 10 microns et de préférence comprises entre 25369 12 2 211 environ 50 microns et environ 10000 microns,,donnait un matériau semiconducteur ayant-des dimensions de grain beaucoup plus grandes que ce qu'on pouvait obtenir jusqu'à maintenant avec des substrats à petits grains de faible coàt Par exemple, les-dimensions de grain du graphite ou de l'acier sont inférieures à environ 0,1 micron et, ce- pendant, ces matériaux de substrat sont parfaitement ac- ceptables quand on dépose sur le substrat en la recristal- lisant ensuite, comme on l'a expliqué plus haut,une couche intermédiaire telle que d'étain ou de tellure ou d'un des matériaux énumérés dans le Tableau 1- Après qu'on a déposé le matériau semiconducteur 13 sur la couche recristallisée 12, on prévoit une opération de recuit pendant laquelle la' combinaison du sub Strat 11, de la couche intermédiaire 12, et du matériau semiconduc- teur 13 est chauffée jusqu'à une température comprise en- tre environ 150 C et environ 200 C pour rendre passif tout oxyde qui pourrait s-'etre -formé sur la surface du matériau semiconducteur 13 Cette opération de recuit fournit des propriétés'de contact électrique améliorées et diffuse les dopants qui ont été déposés avec le matériau semiconduc- teur 13 Ensuite, on dépose sur le matériau semiconducteur 13 le matériau de fenêtre ou de barrière 14 tel que les matériàaux admis dans la technique comme le sulfure de cad- mium, le sulfure de zinc-cadmium, l'oxyde d'étain, l'oxyde d'indium, une combinaison d'oxyde d'étain et d'oxyde d'in- dium, le monoxyde de silicium, le bioxyde de titane ou autre matériau approprié, et on dépose ensuite une grille * d'électrode 15 sur le matériau 14 d'une manière bien con- nue pour compléter la cellule solaire 10. Bien que la présente invention ait été décrite dans le contexte de la cellule solaire 10, on remarquera que la combinaison du substrat 11, de la couche intermé- diaire'12 et du matériau semiconducteur 13 est en soi une souscombinaison utile qui est, en raison du faible coût du substrat 11,' un perfectionnement important dans la tech- nique Le procédé de fabrication de la cellule solaire décrit ainsi que la sous-combinaison du substrat 1 il de la couche intermédiaire 12 et du matériau semiconducteur 13 sont importants car ils permettent la production rapi- de d'un matériau de faible coût ayant une bonne épitaxie et des dimensions de grain grandement améliorées. Bien qu'on ait décrit ce qui est considéré actuel- lement comme l'exemple de réalisation préféré de la pré- -sente invention, il est évident qu on peut y apporter diverses modifications ou changements sans sortir pour autant du cadre de la présente invention telle que défi- nie dans les revehdications jointes. REVENDICATIONS 1 Cellule solaire, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat ( 11) -, une couche cristalline inter- médiaire ( 12) et un matériau semiconducteur ( 13) pouvant absorber la lumière, ladite couche cristallinre intermé- diaire ayant une correspondance réticulaire appropriée avec ledit matériau semiconducteur et des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns, le matériau semiconducteur étant en contact avec la couche cristalli- ne intermédiaire et ayant des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns 2, et des moyens de contact électrique 15, 16) connectés électriquement à la couche cristalline intermédiaire et au matériau semiconducteur. 2 Cellule solaire selon la revendication 1, ca- ractérisée en ce que le substrat ( 11) est chdisi dans le groupe composé d'une résine organique synthétiques de graphites de verre et d'un métal à base de fer. 3 Cellule solaire selon la revendication 1, carac- térisée en ce que la couche cristalline intermédiaire ( 12) est choisie a partir d'un matériau semiconducteur ou d'un matériau métallique ayant un point de fusion au plus égal à environ 700 C - 4 Cellule solaire selon la revendication 1, carac- térisée en ce que la couche cristalline intermédiaire ( 12) est choisie dans le groupe composé de bismuth, de cuivre, d'indium, de sélénium, de cadmium, de tellure, de zinc, d'antimoine, et des alliages de ces matériaux Cellule solaire selon la revendication 1, carac- térisée en ce que-la correspondance réticulaire entre la couche cristalline intermédiaire ( 12) et le matériau semi- conducteur ( 13) équivaut à une désadaptation réticulaire au plus égale à environ 4 %. 6 Cellule solaire selon la revendication 1, carac- térisée en ce que la correspondance réticulaire entre la couche cristalline ( 12) etle matériau semiconducteur ( 13) équivaut à une désadaptation réticulaire au-plus égale à. environ 1. :OXO f O f X = 14- 7 Cellule solaire selon la revendication 19 ca- ractérisée en ce que les dimensions de grain de la couche cristalline intermédiaire ( 12) sont comprises entre envi- ron 50 microns 2 et environ 10000 microns 2 8 Cellule solaire selon la rerendication 1, carac- térisée en ce que les dimensions de grain de la couche cristalline intermédiaire ( 12) sont comprises entre envi- 2 2 ron 1000 microns et environ 10000 microns. 9 Cellule solaire, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat ( 11)9 une couche recristallisée inter- médiaire ( 12) et un matériau semiconducteur ( 13) pouvant absorber la lumière, la couche recristallisée intermédiai- re ayant une correspondance réticulaire appropriée avec ledit matériau semiconducteur et des dimensions de grain au moins égales à environ 10 microns 2, le matériau semicon- ducteur étant en contact avec la couche recristallisée in- termédiaire et ayant des dimensions de grain au moins éga- les à environ 10 microns 2 i et des moyens de contact élec- trique( 15,16)onnectés électriquement à la couche cristal- line intermédiaire et au matériau semiconducteur. Cellule solaire selon la revendication 9, carac- térisée en ce que le substrat ( 11) est choisi dans le grou- pe composé d'une résine organique synthétique, de graphite, de verre et d'un métal à base de fer - 11 Cellule solaire selon la revendication 9, carac- térisée en ce que la couche cristalline intermédiaire ( 12) est choisie à partir d'un matériau semiconducteur ou d'un matériau métallique ayant un point de fusion au plus égal à environ 7000 C. 12 Cellule solaire selon la revendication 9, carac- térisée en ce que la couche cristalline intermédiaire ( 12) est choisie dans le groupe composé de bismuth, de cuivre, d'indium, de sélénium, de cadmium, de tellure, de zinc, d'antimoine, et des alliages de ces matériaux. 13 Cellule solaire selon la revendication 9, carac- térisée en ce que les dimensions de grain de la couche cristalline intermédiaire ( 12)-sont comprises entre environ 253691; microns et environ 10000 microns 2. 14 Cellule solaire, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat (ll)p une couche recristallisée in- termédiaire ( 12) et un matériau semiconducteur ( 13) pou- vant absorber la lumière, le substrat étant choisi dans le groupe composé d'une résine organique synthétique, de graphite, de verre et d'un matériau cristallin ayant des dimensions de grain -inférieures à environ l micron, la couche recristallisée intermédiaire ayant des dimen- sions de grain comprises entre environ 10 microns et en- 2. viron 10000 microns 2 et une désadaptation réticulaire avec le matériau semiconducteur au plus égale-à environ 4 %, le matériau semiconducteur étant en contact avec la couche recristallisée intermédiaire et ayant des dimen- sions de grain au moins égales à environ 10 microns 2, une couche anti-réfléchissante ( 14)-ayant une épaisseur infé- rieure-à environ 1 micron sur le matériau semiconducteur, et des moyens del contact éiectrique( 15,16 onnectés élec- *triquement à la couche cristalline intermédiaire et au ma- tériau semiconducteur. Cellule solaire selon la revendication-14, ca- ractérisée en ce que la couche cristalline intermédiaire ( 12) est choisie dans le groupe composé de bismuth, de cuivre, d'indium, de sélénium, de cadmium, de tellure, de zinc,-d'antimoine, et des alliages de ces matériaux. 16 Cellule solaire selon la revendication 14, ca- ractérisée en ce que les dimensions de grain de la couche cristalline intermédiaire ( 12) sont comprises entre envi- ron 1000 microns et environ 10000 microns 17 Cellule solaire selon la revendication 14, ca- ractérisée en ce que ladite couche anti-réfléchissante ( 14) est choisie dans la classe composée d'oxyde d'indium, d'oxy- de d'étain, d'oxyde d'indium-d'étain, de sulfure de cad- mium, de monoxyde de siliciumet de bioxyde de titane 18 Cellule solaire selon la revendication 14, ca- ractérisée en ce que le matériau semiconducteur ( 13) a une épaisseur comprise entre environ 2 microns et environ 5 microns.