FR 2547954 A1 19841228 FR 8310243 A 19830621 PROCEDE DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS ISOLES DANS UNE PLAQUETTE SEMICONDUCTRICE. La présente invention concerne un procédé de fabrication de composants semiconducteurs isolés dans une plaquette semiconductrice et, plus particulièrement, un tel procédé compatible avec des substrats semiconducteurs de type utilisé en technologie bipo5 laire; c'est-à-dire une technologie dans laquelle une couche épitaxiée d'un second type de conductivité est formée sur un substrat du premier type de conductivité, des couches enterrées du deuxième type de conductivité pouvant être prévues en des emplacements choisis localisés à l'interface entre le substrat et la 10 couche epitaxiee. Habituellement, en technologie bipolaire, les divers composants individuels d'un circuit intégré sont placés dans des zones cernées par des murs d'isolement, mais le fond de ces zones correspond au substrat ou à une couche enterrée et ne repose pas 15 réellement sur une couche isolante, l'isolation étant obtenue par une jonction PN à condition que le substrat soit convenablement polarisé Ce non isolement réel du fond des caissons peut, dans certains cas, nuire au bon fonctionnement du circuit intégré et complique en tout cas la tâche du concepteur qui doit toujours 20 prevoir que le substrat se trouve a un niveau de polarisation extrême De plus, divers effets parasites se produisent du fait que le substrat peut constituer l'une des couches d'un transistor ou d'un thyristor parasite. Il est souhaitable dans la pratique de pouvoir disposer 25 dans un circuit intégré bipolaire d'au moins un certain nombre de transistors MOS ou bipolaires complètement isolés du substrat ou dont au moins les couches de drain, de source, de collecteur ou d'émetteur sont isolées de ce substrat C'est l'objet de la présente invention que de prévoir de tels composants et un procédé 30 de fabrication de ces composants compatible avec la technologie des circuits intégrés bipolaires. Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit un procédé de fabrication de composants semiconducteurs isolés sur une plaquette semiconductrice du type utilisé en technologie bipolaire, comprenant un substrat d'un premier type de conductivité sur lequel est formée une couche pitaxiîe du deuxième type de 5 conductivité, des couches enterrées du second type de conductivité pouvant être pravues en des emplacements choisis à l'interface entre le substrat et la couche épitaxieo Ce procède comprend essentiellement les étapes suivantes: creuser partiellement la couche épitaxiée dans des zones de perimetre choisi délimitées à 10 l'aide d'une premiere couche de masquage isolante; déposer une deîgiame couche de masquage isolante; ouvrir localement une fenêtre dans cette deuxiéme couche isolante au fond de la zone creusée; déposer du silicium polycristallin dans les zones creusées, répitaxîer ce silicium polycristallin à partir de sa 15 zone en contact avec le silicium sousjacent à l'emplacement de la fenêtre; et former dans les zones rpitaxiées monocristallines les composants souhaités. Selon un aspect de la pr Osente invention i 11 peut être prévu de former ensuite un mur isolant traversant la couche 20 répitaxièe, le fond de ce mur correspondant à la fengtre ménagée dans la deuxième couche isolanteo Ces caractéristiques principales de la présente invention ainsi que d'autres seront exposées plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en 25 relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures l A a 1 C représentent une succession d'étapes du procédé selon la présente invention, la figure 2 illustre un aspect de la présente invention, -les figures 3 A à 3 C représentent des étapes successives d'une variante du procéde selon la présente invention, les figures 4 à 6 représentent des exemples de composants formés en utilisant le procédé selon la présente invention. Dans ces diverses figures, ainsi que d'une figure à l'autre, aucune échelle n'est respectée, au contraire les dimen- sions relatives latérales et transversales des diverses couches ont été arbitrairement dilatées ou contractées pour simplifier la lisibilité des figures ou, tout simplement, pour les rendre compatibles avec le format des planches de dessins. Les figures 1 A à 1 C sont des vues en coupe schématique illustrant des étapes du procédé selon la présente invention, les figures 1 A et l B étant accompagnées de vues de dessus extrêmement schématiques destinées uniquement à faciliter la compréhension du lecteur, sans pour autant que les formes représentées doivent être 10 considérées limitativement. En figure 1 A, on peut voir une portion de plaquette de circuit intégré bipolaire comprenant sur un substrat de silicium 1 de type P une couche 9 pitaxiée 2 de type N Il a également été représenté une zone enterrée localisée 3 à l'interface du substrat 15 et de la couche épitaxiéee On verra que la prevision de cette couche enterrée localisée est optionnelle D'autre part, cette couche enterrée a été représentée avec une certaine étendue transverse En fait, elle n'acquiert son étendue qu'au cours des étapes thermiques successives du processus de fabrication Sur la 20 couche épitaxtiée 2, on peut voir successivement une couche de silice 4, elle-même revêtue d'une couche de nitrure 5 Ces couches 4 et 5 forment un masque composite qui a permis la réalisation d'une zone évidée 10, par exemple de contour rectangulaire comme cela est représente dans la vue de dessus schématique Cet 25 evidement 10 a une profondeur de l'ordre de la moitie de l'épaisseur de la couche epitaxiee Par exemple, une profondeur de 0,5 micron si la couche épitaxiîe a une épaisseur de l'ordre de 0,8 à 1 micron. Comme le représente la figure l B, une couche de nitrure 30 de silicium 6 est ensuite uniformément déposée sur la plaquette (éventuellement après une brève oxydation) et cette couche est ouverte au fond de l'évidement, par tout moyen connu, pour former une fenêtre 20 faisant apparaître le silicium monocristallin sousjacent La fenêtre 20 a par exemple la forme d'une fente située 35 sensiblement au milieu du fond de l'évidement. Dans l'étape suivante, qui est illustrée en figure 1 C, l'évidement 10 est rempli par tout moyen connu de silicium polycristallin 7 Parmi ces moyens connus, on peut citer celui qui consiste à déposer uniformément du silicium polycristallin sur l'ensemble de la plaquette sur une épaisseur suffisante pour avoir 5 une surface sensiblement plane, puis à attaquer chimiquement la couche de silicium polycristallin jusqu'à atteindre la couche de nitrure de silicium 6 D'autres procédés de planarisation plus élaborés peuvent être utilisés On pourra aussi faire appel à des techniques de rodage mécanique suivi d'un décapage chimique. Ensuite, on procide à la recristallisation sous forme de monocristal du silicium polycristallin déposé Ceci est effectué à partir de la fenêtre 20 en contact avec le silicium monocristallin sous-jacent, par échauffement Cet échauffement peut être provoqué par le déplacement à la surface de la plaquette d'un élément 15 chauffant ou par une irradiation thermique résultant d'une exposition à une source lumineuse intense laser ou non On trouve donc dans l'évidement 10 une zone de silicium monocristallin, éventuellement dopé selon que le silicium polycristallin a été déposé à l'état pur ou en présence d'un dopant Cette zone de 20 silicium monocristallin est isolée par la couche de nitrure 6 du reste de la plaquette de silicium sauf à l'emplacement de la fenêtre 20 Dans cette zone de silicium polycristallin, on pourra former des composants élémentaires de diverses manières, comme cela sera expose ci-apres. Comme le représente la figure 2, si l'on veut obtenir des zones de silicium monocristallin complètement isolees de la masse du silicium environnant, il est possible de "boucher" la fenêtre 20 faisant communiquer la zone de silicium polycristallin avec l'ensemble de la plaquette de silicium Pour 30 cela, on pourra, comme le représente la figure 2, prévoir une oxydation localisée du silicium monocristallin 7 en regard de la fenêtre 20 Cette zone d'oxyde, désignée par la référence 8, peut par exemple être formée en déposant à nouveau une couche de nitrure sur la plaquette de silicium monocristallin gravée aux 35 emplacements en regard de l'ouverture 20; apres quoi, l'on procède classiquement à une oxydation thermique Selon un autre mode de réalisation, il est possible de profiter de la présence partout, sauf aux emplacements de la fenêtre 20, de la couche isolante 6 o On déposera alors une deuxième couche isolante à la surface de la zone 7 ouverte sensiblement en regard de la fenêtre 5 20 et l'on procedera à une anodisation électrolytique pour transformer la portion de silicium monocristallin disposée entre les deux fenêtres an regard en silicium poreux qui est ensuite facilement oxydéo Tout autre procedé pour former une couche d'isolant localisé pourra être utilisé par exemple le creusement d'un sillon 10 comble d'isolant On obtient, comme le représente la figure 2, deux zones distinctes 7 a et 7 b entierement isolées dans le cas ou la fenêtre 20 était, comme cela a été décrit précédemment, une fente sensiblement médiane ménagée dans la couche de nitrure disposée au fond de l'ouverture 10 Il aurait également été 15 possible de prévoir l'ouverture 20 à un autre emplacement, par exemple le long d'un bord du fond de l'ouverture 20 La zone oxydée se trouverait donc alors disposée latéralement et l'on obtiendrait une seule zone isolée On notera, dans le cas de la figure 2, que l'on n'a pas représenté de couche enterrée localisée 20 de type N+ En effet, dans ce cas, cette couche enterree ne présente pas d'avantages particuliers. Les figures 3 A à 3 C représentent des vues en coupe de variantes de réalisation des premières étapes du procéde selon la présente invention Dans ces figures, des couches ou zones analo25 gues a celles illustres dans les figures 1 A et l B sont designees par les mimes références Aux figures 3 A et 3 C sont associées des vues de dessus tres schématiqueso Comme le représente la figure 3 A, on part d'une structure correspondant sensiblement à celle illustrée a la figure l B 30 avant la formation de la fenêtre 20 On retrouve un substrat 1 de type P, une couche épitaxiée 2 de type N, une couche enterrée 3 de type N+, un premier masque constitue d'une couche d'oxyde 4 et d'une couche de nitrure 5 ayant servi à délimiter une ouverture 10 et une deuxième couche de nitrure 6 déposée après formation de 35 l'ouverture 10 Après ces étapes, on dépose une couche de résine 11 localisée au fond de l'évidement 10 à l'exception de la périphérie de cet évidement Puis, l'on procede à une irradiation ionique directive symbolisee par des fleches 12 o En conséquence, les surfaces horizontales de la couche de nitrure 6 sont fortement ifradiees, sauf à Il'emplacement protgé par la couche de résine Il 5 qui n'est pas irradie du tout, tandis que les portions verticales 13 de la couche de nitrure disposées sur les flancs de l'évidement 10 ne sont que faiblement irradiées Cette irradiation est propre à conférer des vitesses d'attaque différentes aux zones irradiées et non irradiées Ainsi, comme le représente la figure 3 B, quand 10 on a procédé m une attaque de la couche de nitrure, celle-ci est complètement éliminée dans le fond de l'évidement 10 et à la péripherie de ce fond tandis que la couche de nitrure reste en place dans toute la partie centrale principale 14 de l'évidement et que la couche de nitrure 13, sur les parois verticales de 15 l'evidement, est amincie. En conséquence, quand on procède ensuite à une oxydation thermique, celleci se développe à partir des zones apparentes de silicium à la périphérie et au fond de levidement et est poursuivie jusqu'à ce que les parties amincies de nitrure 13 soient 20 completement oxydées Alors, il reste en place au moins une partie de l'épaisseur de la couche de nitrure 14 au fond de l'évidement. On obtient donc une structure sensiblement telle que représentée en figure 3 C dans laquelle la zone d'oxyde développé à la périphérie de l'évidement est désignée par la référence 15 La 25 duree de l'oxydation et l'épaisseur de la zone amincie de nitrure 13 sont choisies d'une part comme cela a eté indique pour que la couche de nitrure 13 soit completement oxydée en fin de processus, mais aussi pour que la zone oxydee atteigne l'interface entre le substrat 1 et la couche épitaxiee 2 (si la profondeur de l'évide30 ment 10 est sensiblement égale a la moitié de l'épaisseur de la c.ouche épitaxiée, la zone d'oxyde 13 affleurera sensiblement au niveau de la surface apparente de cette couche pitaxiîe). Après l'étape illustrée en figure 3 C, on ménage dans la couche de nitrure 14 une fenêtre 20 du type illustré en figure l B 35 et l'on procède aux étapes ultérieures déjà décrites précédemment en relation avec la figure 1 C. Un avantage important de ce mode de réalisation est que, dans le cas o l'on ne "rebouche" pas l'ouverture 20, la zone de silicium rpitaxiée est en contact par cette ouverture avec l'ensemble de la couche épitaxiée sous-jacente; la barrière d'oxyde 5 15 illustrée en figure 3 C permet alors un isolement latéral En outre, même dans le cas o l'on "rebouche" la fenêtre 20 de la façon décrite précédemment en relation avec la figure 2, la couche mince de nitrure 6 peut présenter des défauts et alors les zones de silicium monocristallin 7 a, 7 b risquent de se trouver en 10 contact avec la couche épitaxiée Si l'on a Jprévu la barrière d'isolement 15, un défaut aura une importance plus négligeableo Un autre avantage du procédé illustré en relation avec les figures 3 A à 3 C est qu'il est parfaitement compatible avec des techniques d'isolement qui peuvent actuellement être couramment 15 utilisées dans le cadre de la réalisation de circuits intégrés bipolaires dans les cas o l'on veut obtenir une bonne plankité de la surface du dispositif et éviter en outre les phénomènes liés à l'apparition des becs d'oiseau associés aux oxydations profondes localisées En effet, si on suit les étapes illustrées dans les 20 figures 3 A à 3 C mais sans prévoir la couche de résine 11, on obtient un mur d'isolement qui ne déborde pratiquement pas par rapport à la surface du silicium et dans lequel aucun bec d'oiseau n'apparaît. A partir des structures decrites précédemment, on pourra 25 former dans les diverses zones isolées des composants elementaires isoles totalement ou partiellement du silicium environnant. Les figures 4 A et 5 A représentent des vues en coupe d'exemples de transistors PNP formés en utilisant la structure selon l'invention dans laquelle le fond comprend une ouverture 30 communiquant avec le silicium sous-jacent Ces structures ne seront pas décrites en détail car elles résultent de modes de fabrication aujourd'hui classiques analogues ou identiques à ceux décrits précédemment dans la demande de brevet français 81/05130 du 13 mars 1981 au nom de la demanderesse et dont le deuxième 35 inventeur est l'inventeur de la présente demande. Les figures 4 B et 5 B représentent de façon très schématique des vues de dessus correspondant respectivement aux figures 4 A et 5 A, ces coupes étant effectuées selon les plans a-a' indiqués sur les vues de dessus Comme le montrent ces figures, on a.ainsi réalisé des transistors PNP latéraux dans lesquels seules 5 les faces latérales des zones P d'émetteur et de collecteur sont en contact avec la zone de base, le fond des zones P d'émetteur et de collecteur étant en contact avec une zone isolée Ceci résout l'une des difficultés essentielles qui se posent avec les transistors PNP latéraux classiques dans lesquels il se produit une 10 injection à partir du fond de la zone d'émetteur La communication par la fenêtre 20 entre la zone N de base et la couche enterrée permet d'améliorer la conductivité d'un bout à l'autre de la base, ce qui est particulièrement avantageux dans le cas de la structure des figures 5 A et 5 B ou un contact est pris seulement sur une 15 extrémité de la zone de base sans que tout le sommet de cette zone de base soit surdopé. En figure 4 A et 4 B, la référence 30 désigne une couche de type P (par exemple émetteur) surmontée d'une couche de silicium polycristallin 31 La référence 32 désigne la couche de 20 collecteur de type P surmonte d'une zone de silicium polycristallin 33 La base de type N 34 est également surmontée d'une zone de silicium polycristallin 35 entourée d'une couche isolante, par exemple de la silice, 36 En figure 4 B, on peut également voir une métallisation 37 venant reprendre un contact à 25 l'emplacement marque d'une croix sur la couche de silicium polycristallin de base 35 En figure 5 A et 5 B, on retrouve les couches d'émetteur et de collecteur 30 et 32 revêtues de couches de silicium polyeristallin 31 et 33, mais cette fois, il n'est pas prévu de couches de silicium polycristallin en contact avec la 30 base sur toute sa longueur, la référence 40 désignant une couche d'oxyde Dans ce cas, comme le montre la figure 5 B, une métallisation 41 vient directement établir un contact avec la couche de base 34, en prévoyant éventuellement un puits de contact fortement dopé descendant vers la couche enterrée 3 de type N+. 35 Bien entendu, ces figures et leur description sont fortement schématiques et l'on pourra trouver des exemples de réalisation plus détaillas dans la demande de brevet citée précédemment. La figure & décrit une application de la présente invention dans le cas ou l'on part d'une structure telle que celle illustrée en figure 2 comprenant deux zones complètement isolées 5 dans lesquelles il est possible de former, par exemple par les techniques décrites dans la demande de brevet citée ci-dessus, des transistors NPN et PNP ou d'autres composants Al 6 mentaires Très schématiquement, le transistor NPN comprend une couche d'émetteur 50 revêtue d'une couche de silicium polycristallin 51, une couche 10 de collecteur 52 revêtue d'une couche de silicium polycristallin 53 et une couche de base de type P 54 revêtue d'une couche de silicium polycristallin 55 isolée par une couche d'oxyde 56 Dans le cas des transistors PNP, les couches de collecteur et d'emetteur 61 et 62 sont revêtues de couches de silicium 15 polycristallin 63 et 64 isolées par des couches d'oxyde 65 et 66. La zone de base 67 de type N est revêtue d'une couche de silicium polycristallin 68 Selon les performances souhaitées pour les transistors NPN et PNP, les deux moitiés de zones répitaxiées pourront avoir le type de dopage initial ou un dopage correctif 20 pourra être prévu pour l'une de ces deux zones. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation qui ont été explicitement décrits, notamment de nombreuses variantes pourront en être déduites par l'homme de l'art en tenant compte des connaissances acquises au jour de la 25 presente demande Egalement, d'autres applications des zones semiconductrices isolees formes selon l'invention pourront être réaliséeso Ainsi, on n'a décrit que des applications à des transistors bipolaires, mais l'on pourra envisager des applications à des transistors de type MOS, par exemple de type DMOS compatibles 30 avec les technologies bipolaires De même, les divers modes de réalisation décrits précédemment pourront être combinés entre eux. On aura note par exemple que la figure 6 combine la figure 2 avec la variante des figures 3 A à 3 C (isolation latérale par un mur de silice thermique). REVENDICATIONS. 1 Procédé de fabrication de composants semiconducteurs isolés sur une plaquette semiconductrice du type utilisé en technologie bipolaire comprenant un substrat ( 1) d'un premier type de conductivité sur lequel est formie une couche gpitaxi 6 e ( 2) du 5 deuxième type de conductivité, des couches enterrées ( 3) du deuxième type de conductivité pouvant être prévues en des emplacements choisis à l'interface entre le substrat et la couche épitaxiée, caractérise en ce qu'il comprend les étapes suivantes: creuser partiellement la couche &pitaxiee dans des 10 zones ( 10) de périmètre choisi d 1 lîmita a l'aide d'une premiere couche de masquage isolante ( 4, 5), dposer une deuxieme couche isolante ( 6), ouvrir localement une fenêtre ( 20) dans cette deuxième couche isolante au fond de la zone creus&e, déposer du silicium polycristallin ( 7) dans les zones creusees, rpitaxier ce silicium polycristallin à partir de sa zone de contact avec le silicium sous-jacent à l'emplacement de la fenêtre ( 20), et former dans les zones répitaxi&es les composants souhaites. 2 Procede selon la revendication 1, caractérise en ce que la fenêtre ( 20) dans la deuxirme touche isolante a sensiblement la forme d'une bande mdiane. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après l'étape de réépitaxie, l'étape consistant à oxyder localement la couche de silicium polycristallin répitaxiée sur toute son épaisseur en regard de la fenêtre. 4 Procédé de fabrication de composants semiconducteurs 30 isolés sur une plaquette semiconductrice du type utilisé en technologie bipolaire comprenant un substrat ( 1) d'un premier type de conductivité sur lequel est formée une couche épitaxiée ( 2) du deuxième type de conductivité, des couches enterrées ( 3) du deuxième type de conductivité pouvant être prévues en des emplacements choisis à l'interface entre le substrat et la couche épitaxiée, ce procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: creuser partiellement la couche épitaxiée dans des zones ( 10) délimitées à l'aide de masques appropriés ( 4,5), déposer une couche de nitrure de silicium ( 6), masquer par un masque de résine ( 11) le fond des zones 10 creusées à l'exception de la périphérie de ces zones, procéder à une irradiation ( 12) d'ions conférant des vitesses d'attaque distinctes aux portions de couches de nitrure irradiées et non irradiées, cette irradiation agissant sur une profondeur au plus égale à celle de la couche de nitrure ( 6), procéder à une attaque chimique de façon à enlever une épaisseur correspondant à celle de la couche de nitrure de sorte que, au fond des zones creus 4 es, la partie masquée de la deuxième couche de nitrure ne soit pas affectée, tandis qu'à la périphérie le semiconducteur sous-jacent est mis à nu, et que, sur les flancs 20 des zones creusées, demeure une portion amincie de la couche de nitrure, oxyder le silicium apparent au moins jusqu'à atteindre la frontière entre le substrat et la couche 9 pitaxiée, ouvrir localement la couche de nitrure selon une 25 fenêtre ( 20) au fond des zones creusees, deposer du silicium polycristallin dans les zones creus&es, répitaxier ce silicium polycristallin à partir de sa zone en contact avec le silicium sousjacent à l'emplacement des 30 fenêtres, et former dans les zones réépitaxiées les composants souhaités. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après l'étape de réépitaxie, l'étape con35 sistant à oxyder localement la couche de silicium polycristallin réépitaxiée sur toute son épaisseur en regard des fenêtres. 6 Transistor PNP latéral caractarisé en ce que le fond de ses diffusions de collecteur et d'émetteur repose sur des zones isolantes alors que le fond de sa zone de base repose au moins partiellement sur un substrat de silicium sous-jacent fortement dopa selon le type de conductivité de la base.