FR 2529411 A1 19831230 FR 8310692 A 19830628 :1 Amplificateur de courant à circuit intégré avec amélioration de la linéarité et la précision, du coefficient de multiplication du circuit " La présente invention concerne un amplificateur de courant et notamment un amplificateur de courant don- nant un courant de sortie correspondant à la différence entre les signaux de tension d'entrée appliqués sur deux paires de bornes d'entrée différentielles. Certains circuits tels que les circuits d'impédance variable, les amplificateurs de tension, les convertis- seurs tension/intensité, ont des gains commandés électri- quement et les amplificateurs d'instrument qui suppriment les composantes en phase d'un signal équilibré convertis- sent le signal équilibré en un signal non équilibré com- portant des amplificateurs d'intensité avec des circuits multiplicateurs de courant et des convertisseurs tension/ intensité avec des entrées différentielles et des sorties différentielles pour amplifier les courants qu'ils reçoi- vent Dans un tel amplificateur connu qui est par exemple décrit dans le document SC-8 NI 4, IEEE 3 OURNAL OF SOLID STATE CIRCUITS, pages 275-282 (Août 1973) L'amplificateur d'intensité est sujet à des fluctuations du coefficient de conversion c'est-à-dire du rapport entre l'intensité de sortie et la tension d'entrée ainsi qu'aux composantes non linéaires contenues dans le signal de sortie En con- séquence, des limitations très strictes sont appliquées à la plage de fonctionnement et à la températures L'amplificateur de courant décrit dans le document IEEE JOURNAL ci-dessus convient toutefois bien comme circuit intégré à cause du couplage thermique amélioré et de la compatibilité entre les éléments du circuit. Toutefois, la transconductance du circuit n'est pas cons- tante, car sa valeur absolue dépend de la valeur absolue de la résistance diffusée dans le circuit intégré La valeur de la résistance diffusée c'est-à-dire la résis- tance obtenue par un procédé de diffusion et effectuée sur le circuit intégré subit des fluctuations de plus ou moins 20 % La résistance diffusée présente également une dépendance de température de l'ordre d'environ 1500 ppm/degré, de sorte que la transconductance de l'am- plificateur de courant dans une structure de circuit in- tégré est sujette à des fluctuations analogues au niveau de sa valeur absolue et présente une dépendance analogue en fonction de la température. Des variations de valeur absolue de la transconduc- tance et de la température ne créent pas de difficulté pour un amplificateur de courant formé d'une partie d'un circuit plus grand compris complètement dans un circuit intégré Toutefois, il est important d'avoir une valeur absolue très stable de la transconductance pour un ampli- ficateur de tension dans lequel le courant de sortie du circuit intégré est converti en une tension par une bobine, un condensateur ou une résistance, composants qui se trouvent à l'extérieur du circuit ou encore pour un circuit dans lequel l'amplificateur de courant est uti- lisé comme circuit d'impédance variable pour obtenir une fréquence programmable ou des caractéristiques de filtre. Comme la valeur absolue de la résistance diffusée dans un circuit intégré fluctue de plus ou moins 20 % et que la transconductance d'un amplificateur de courant formé d'un circuit intégré est principalement influencée par la résistance diffusée, un amplificateur de courant réalisé sous la forme d'un circuit intégré à courant de sortie n'est pas totalement satisfaisant, car son fonc- tionnement peut être influencé de façon gênante par les fluctuations de la valeur de la résistance diffusée. La présente invention a pour but de créer un ampli- ficateur de courant dont le courant de sortie n'est pas influencé par la tension base/émetteur du transistor du convertisseur tension/intensité, et dont le rapport de conversion dépend uniquement de la résistance L'invention a également pour but de créer un amplificateur de courant dans lequel l'influence du courant de base sur la paire de transistors à émetteur commun dans un circuit mu Iti- plicateur puisse être supprimée et qui améliore la linéa- rité et la précision du coefficient de multiplication du circuit. L'invention a également pour but de créer un ampli- ficateur de courant sous forme de circuit intégré avec une transconductance qui ne dépend pas de la valeur abso- lue de la résistance diffusée mais plutôt de la valeur relative de cette résistance qui peut fluctuer entre plus ou moins 2 %, de sorte que la transconductance de l'en- semble du circuit est précise et stable On peut ainsi fabriquer un circuit intégré dans des conditions moins strictes et arriver à un meilleur rendement que pour les amplificateurs de courant, connus. Selon la présente invention, un amplificateur de courant pour un signal de tension d'entrée se compose d'un moyen de conversion pour convertir la tension d'en- trée en des intensités de sortie et comprend un premier et un second transistors ayant chacun une électrode de base, de collecteur et d'émetteur, les électrodes de base du premier et du second transistors étant respectivement reliées à la première, à la seconde bornes d'entrée pour recevoir la tension d'entrée, un troisième et un quatrième transistors ayant chacun une électrode de base, de col- lecteur et d'émetteur, les électrodes de base du troisième et du quatrième transistors étant respectivement reliées aux électrodes d'émetteur du premier et du second tran- sistors, et chacun des troisième et quatrième transistors fournissant l'une des intensités de sortie, une résistance étant branchée entre les électrodes d'émetteur du troi- sième et du quatrième transistors, un moyen de polarisa- tion de courant pour fournir un courant de polarisation à la résistance et un moyen multiplicateur pour multiplier les courants de sortie du moyen de conversion et compor- tant un moyen d'inversion de courant et un moyen de réaction branché entre le moyen de conversion et le moyen d'inversion. La présente invention sera décrite plus en détail à l'aide des dessins annexés, dans lesquels la figure 1 est un schéma d'un amplificateur de courant selon l'art antérieur. la figure 2 est un schéma d'un mode de réalisation d'un amplificateur de courant selon la présente invention. la figure 3 est un schéma d'une partie d'un seconde mode de réalisation d'un amplificateur de courant selon la présente invention. la figure 4 est un schéma-bloc de l'application d'un amplificateur de courant selon la présente invention. la figure 5 est un schéma d'un circuit équivalent du circuit de la figure 4. la figure 6 est un schéma d'un autre mode de réalisation d'un amplificateur de courant. la figure 7 est un schéma de l'application d'un autre mode de réalisation de l'invention pour le type d'amplificateur de courant selon la figure 6. la figure 8 est un schéma-bloc d'une variante d'amplificateur de courant selon la présente invention. la figure 9 est un schéma-bloc d'un réducteur de bruit. la figure 10 est un schéma du réducteur de bruit de la figure 9 utilisant un amplificateur de courant selon l'invention en combinaison avec l'amplificateur de courant de la figure 4. DESCRIPTION DE DIFFERENTS MODES DE REALISATION PREFEREN- TIELS: Selon les dessins et d'abord la figure 1, un ampli- ficateur de courant selon l'art antérieur comporte une borne 1 pour une source de tension positive et une borne 2 pour une source de tension négative Le circuit de con- version tension/intensité 3 avec des entrées différen- tielles et des sorties différentielles se compose d'une résistance 5 ayant pour valeur Ro; cette résistance est branchée entre les bornes de sortie d'une paire de sources de courant 4 qui fournissent des courants égaux Ix Une paire de transistors PNP 6, 7 possèdent des électrodes d'émetteur reliées aux points de jonction des sources de courant 4 et de la résistance 5 Dans le circuit-repre- senté, une tension d'entrée différentielle v est appli- quée aux bornes 8, 9 et ainsi aux transistors 6, 7 qui transforment cette tension en des intensités Il, I 2 appliquées aux bornes de sortie différentielles 10, 11 formant les électrodes de collecteur des transistors 6, 7. Les courants de sortie I, I 2 sont appliqués-res- pectivement aux transistors NPN 13, 14 comportant une paire de jonctions PN 12 Les électrodes de base des transistors 13, 14 sont reliées aux électrodes de collec- teur respectives qui constituent des apodes de la paire de jonctions PN 12 Les électrodes d'émetteurs des tran- sistors 13, 14 sont branchées comme des diodes et forment les cathodes de la paire de jonctions PN 12 Les électro- des d'émetteur des transistors 13, 14 sont reliées entre elles et aux sources de courant 4. Les anodes de la paire de jonctions PN 12 sont reliées aux électrodes de base des transistors NPN 16, 17 formant une paire de transistors 15 à émetteurs communs. Une paire de jonctions PN 12 et une paire de transistors en émetteurscommuns 15 forment le circuit multiplicateur 18. Une source de courant 19 est reliée aux électrodes d'émetteur, communes de la paire de transistqrs à émetteurs communs 15 et fournit un courant 2 Iy qui définit le coeffi- y cient de multiplication du circuit-multiplicateur ou plus simplement multiplicateur 18 Un circuit-inverseur Oe courant ou circuit-miroir de courant 22 est relié aux bornes de sortie 20, 21 Ou circuitnultiplicateur 18 La différence entre les courants de sortie de collecteur I 3, 14 des transistors 16, 17 formant la paire de transis- tors en émetteurscommuns 15 est fournie comme courant de sortie i O à la borne de sortie 23 Le courant de sortie I 14 de la borne de sortie 20 est inversé en polarité-par le circuit d'inversion de courant 22 de façon que la différence entre les courants de sortie I 3, 14 des bornes de sortie 20, 21 apparaisse sur la borne de sortie 23 comme courant de sortie io Dans le mode de réalisation représenté, le circuit d'inversion de courant 22 est formé d'une paire de transistors PNP 24, 25 dont les électrodes de base sont réunies entre elles Les électro- des de base et de collecteur du transistor 24 sont reliées entre elles. -Les courants de sortie Il, I 2 du circuit de conver- sion de tension/courant 3 sont définis par les relations suivantes: I I v/Ro ( 1) X 12 Iy + v/R O ( 2) 302 y Les courants de sortie I 3, 14 du circuit-multipli- cateur 18 sont définis par les relations suivantes: 13 I 1 ( 1 y/Ix) ( 3) 1 I 4 I 2 (Iy/Ix) ( 4) Le courant de sortie i O découle des équations ( 1) à ( 4) et est donné ainsi par la relation suivante = I 4 13 = Zv IY /Ix RO ( 5) Le circuit de la figure 1 transforme une différence de tension appliquée entre les bornes d'entrée différen- tielles 8, 9 en un courant de sortie Le coefficient de conversion tension d'entrée/courant de sortie est com- mandé par le courant Iy de la source de courant 19 Le circuit de la figure 1 présente une transconductance effective égale à 2 I y/IX RO' L'amplitude de la transcon- ductance dépend du rapport de courants ou d'intensités Iy/IX et de la valeur de la résistance RO. Il est à remarquer que l'amplificateur de courant de la figure 1 présente des inconvénients graves En pre- mier lieu, l'amplitude des courants de sortie I et 12 dans les équations ( 1) et ( 2) n'est pas uniquement déter- minée par les valeurs de v et Ro puisqu'il est également nécessaire de tenir compte des variations de la tension électrode de base/électrode d'émetteur entraînées par le courant de collecteur à travers les transistors 6 et 7. Le coefficient de conversion résultant n'est pas fixé de façon précise et des composantes non linéaires peuvent être induites dans le signal de sortie. Un second inconvénient de l'amplificateur représen- té à la figure 1 est que les courants de sortie I, 1 12 traversent les transistors 13, 14 ainsi que les transis- tors 16, 17 de la paire de transistors à émetteurs communs comme courants dans l'électrode de base De la sorte, si le coefficient de conversion est fixé à une valeur supérieure en choisissant le rapport des intensités de façon que I soit beaucoup plus grand que Ix, l'amplitude y des courants de base de la paire de transistors à émetteurs communs 15 n'est plus négligeable Les courants de base - introduisent des composantes non linéaires dans le courant de sortie, en réduisant la précision-de la conversion tension/intensité De plus, si le rapport des intensités Iy/Ix dépasse le coefficient d'amplification de courant P des transistors 16, 17 de la paire de transistors en émetteurs communs 15, l'amplificateur de courant ne fonc- tionne pas normalement Cela impose des limitations strictes à la plage de fonctionnement et à la plage de température de-l'amplificateur de courant selon l'art antérieur. Le mode de réalisation de la figure 2 d'un amplifi- cateur de courant selon la présente invention comporte une borne 1 pour une source de tension positive et une borne 2 pour une source de tension négative Le circuit de conversion tension/intensité 3 du mode de réalisation représenté comporte une entrée différentielle et une sortie différentielle ainsi qu'une paire de sources de courant 4, chacune fournissant des courants égaux Ix Le circuit de conversion tension/intensité 3 comporte une résistance 5 dont la valeur est égale à R O branchée entre les bornes de sortie des sources de courant 4 Les tran- sistors PNP 6, 7 ont des émetteurs reliés aux points de jonction entre les bornes de sortie des sources de courant 4 et de la résistance 5 pour transformer la tension appli- quée aux bornes d'entrée 8, 9 en une intensité Les élec- trodes de base des transistors NPN 31, 32 sont reliées à la première et à la seconde bornes d'entrée 8, 9 alors que les électrodes-d'émetteur de ces transistors sont reliées aux électrodes de base des transistors PNP 6, 7. Les transistors NPN 31, 32 fonctionnent en émetteurs- suiveurs pour commander respectivement les transistors PNP 6, 7 Les transistors PNP 6, 7 fournissent des cou- rants de sortie de collecteur I 1, 12 aux électrodes de collecteur des transistors NPN 13, 14 formant une paire de jonctions PN 12 dans le circuit-multiplicateur 18. Contrairement au circuit de la figure 1, les transistors 13, 14 ne sont pas branchés comme des diodes Les transis- tors NPN 33, 34 sont toutefois branchés comme des diodes, les électrodes de base étant reliées aux électrodes de collecteur respectives Les transistors NPN 33, 34 cons- tituent des circuits-miroirs de courant ou inverseurs de courant respectifs Des électrodes de base des transis- tors 13, 14 sont reliées aux électrodes d'émetteur des transistors 35, 36 Les électrodes de base des transis- tors 35, 36 sont reliées aux électrodes de collecteur des transistors 13, 14 Les électrodes de collecteur des transistors 35, 36 sont reliées aux électrodes d'émetteur des transistors 31, 32. Les électrodes d'émetteur des -transistors 35, 36 sont reliées aux électrodes de base des transistors 16, 17 formant une paire de transistors à émetteurs communs 15 Une source de courant constante 19 fournissant un courant 2 Iy est reliée au chemin d'émetteurs communs des transistors 16, 17 Les électrodes de collecteur des transistors 16, 17 fonctionnent comme des bornes de sor- tie 20, 21 pour le circuit-multiplicateur 18 Les bornes de sortie 20, 21 sont reliées à un circuit-inverseur de courant ou miroir de courant 22 de façon que la différence entre les courants de sortie I 3, 14 soit appliquée comme courant de sortie i O à la borne de sortie 23. Dans le mode de réalisation représenté, les tran- sistors 35, 36 forment un circuit de réaction pour équi- librer les courants de collecteur Il, 12 des transistors 6, 7 et les courants de collecteur des transistors 13, 14 En même temps, les transistors 35, 36 prédéterminent les intensités de fonctionnement des transistors 31, 32. Chaque paire de transistors 13, 33 et 14, 34 forme un inverseur de courant ou circuit-miroir de courant En conséquence, le courant qui traverse les transistors 6, 31 est maintenu à tout instant dans un rapport prédéter- miné par rapport au courant dans chacun des transistors 6, 31 Les mêmes conditions restent vraies pour les cou- rants traversant les transistors 7, 32 Le rapport des intensités est fixé par le rapport des courants de satu- ration électrode de base/électrode d'émetteur Cela cor- respond au rapport de la surface d'émetteur de la paire de transistors 13, 33 ou de la paire de transistors 14, 34 Par exemple pour un rapport de courant égal à l'unité, les transistors 6, 31 fonctionnent approximativement avec le même courant Les mêmes conditions sont également vraies pour les transistors 7, 32 En conséquence, les variations des tensions base/émetteur des transistors 31, 32 suppriment les variations correspondantes dans les transistors 6, 7 engendrées par des variations des cou- rants Il, I 2 associés à la tension d'entrée v Ainsi, des variations de la tension sur les bornes d'entrée 8, 9 sont transmises de façon précise aux deux bornes de la résistance 5 pour améliorer la précision de la conversion de la tension v en des intensités I, I 2 comme cela est défini par les équations ( 1, 2) ci-dessus. Comme la tension base/émetteur d'un transistor est une fonction logarithmique du courant d'émetteur, l'effet mentionné ci-dessus s'applique même si le rapport des courants de saturation de la paire de transistors 13, 33 ou de la paire de transistors 14, 34 n'est pas égal à l'unité. Il est également à remarquer que les intensités parcourant les transistors 13, 14, 33, 34 ne sont pas influencées par les courants de base de la paire de tran- sistors à émetteurs communs 15 puisque ces courants de base sont fournis par les transistors 35, 36 C'est pour- quoi, le coefficient de conversion peut se régler à une valeur plus grande en utilisant un rapport d'intensité plus important (Iy est très supérieur à Ix) sans créer de conditions de fonctionnement inhabituelle pour le cir- cuit, de fluctuations dans la valeur du coefficient de conversion ou des composantes non linéaires du courant de sortie. Alors que le premier mode de réalisation d'un am- plificateur de courant selon la présente invention fonc- tionne normalement dans les conditions de fonctionnement d'état permanent, le fonctionnement ne peut démarrer doucement, si un commutateur principal de puissance est fermé En conséquence, le second mode de réalisation selon la figure 3 comporte un circuit de démarrage remé- diant à cette difficulté Les composants identiques ou similaires ou éléments similaires ou identiques des figu- res 2 et 3 portent les mêmes références numériques et leur description ne sera pas reprise dans un but de sim- plification de la présentation Le mode de réalisation de la figure 3 a en outre supprimé l'étage de sortie du circuit-multiplicateur 18 dans un but de simplification. Dans le mode de réalisation de la figure 3, les transistors PNP 41, 42 ont les électrodes de base reliées aux bornes d'entrée différentielles 8, 9 et forment un premier circuit de démarrage Les électrodes d'émetteur des transistors 41, 42 sont reliées aux points de jonction de la résistance 5 et des électrodes des transistors 6 et 7 alors que les électrodes de collecteur sont reliées aux électrodes de collecteur des transistors 6, 7 Les transistors 41, 42 ne fonctionnent pas lorsque le circuit travaille à l'état permanent mais ces transistors fonc- tionnent seulement au moment du démarrage par exemple lors de la commande du commutateur principal d'alimentation. Les sources de courant 43, 44 sont reliées aux points de jonction des électrodes de base des transistors 6, 7 et des électrodes d'émetteur des transistors 31, 32 et forment un second circuit de démarrage Les sources de courant 43, 44 évitent que les transistors 31, 32 ne se bloquent complètement lorsque les transistors 6, 7 sont bloqués Un courant de démarrage approximativement égal à -100 n A était suffisant dans une réalisation pratique pour satifaire aux conditions de démarrage des transistors. Un tel courant de démarrage est certes pratiquement négligeable par rapport au courant traversant le circuit de la figure 3 au cours de son fonctionnement à l'état permanent. Il est à remarquer que le mode de réalisation de la figure 3 fonctionne de façon analogue au mode de réalisa- tion de la figure 2 et sa description ne sera pas répétée dans un but de simplification. La figure 4 montre une application des modes de réalisation des amplificateurs de courant (ou amplifica- teurs d'intensité) des figures 2 et 3 A la figure 4, l'amplificateur de courant selon l'invention porte la référence numérique 51 Un chemin de réaction est prévu entre la borne d'entrée différentielle 9 et la borne de sortie 23 comme représenté aux figures 2 et 3 formant- ainsi un circuit à résistance variable Le circuit à résistance variable comporté une borne d'entrée 52 et une borne de sortie 53 correspondant aux bornes d'entrée et de sortie 8, 23 de l'amplificateur de courant des figu- res 2 et 3. La figure 5 montre un circuit équivalent du circuit de la figure 4 vu à partir des bornes d'entrée et de sortie 52, 53 Le circuit de la figure 5 se compose du montage en série d'un amplificateur-tampon 54 et d'une résistance variable 55 La valeur de la résistance équi- valente peut être réglée par la source de courant donnant ainsi un circuit à résistance variable non mis à la masse. Il est clair pour le spécialiste que l'invention permet de multiples variantes Par exemple, un amplifica- teur de courant selon le premier et le second modes de réalisation de l'invention peut comporter un ensemble de paires de transistors en émetteurs communs dans le cir- cuit-multiplicateur donnant ainsi un ensemble de courants de sortie De plus, les transistors de type PNP et de type NPN peuvent être interchangés Enfin, les sources de courant jumelées décrites ci-dessus peuvent être rempla- cées par une seule source de courant, shuntée. Il est en outre à remarquer que les modes de réali- sation des amplificateurs de courant selon les figures 2 et 3 évitent les variations de la tension base/émetteur des transistors du circuit de conversion tension/intensité qui n'agissent plus sur les caractéristiques de l'ampli- ficateur Le coefficient de conversion du circuit-multi- plicateur dépend seulement des valeurs relatives des résis- tances du circuit et non des valeurs absolues En outre, les caractéristiques linéaires du circuit-multiplicateur peuvent être améliorées par comparaison aux amplificateurs de courant de l'art antérieur En même temps, on supprime l'effet des courants de base de la paire de transistors à émetteurs communs, ce qui améliore la précision du coef- ficient de conversion Enfin, on peut choisir le rapport des intensités I y/Ix à une valeur supérieure à la valeur ci-dessus utilisée dans les amplificateurs de courant de l'art antérieur sans influencer les caractéristiques du circuit. La figure 6 montre un autre mode de réalisation d'un amplificateur de courant comportant un circuit-con- vertisseur tension/intensité et un multiplicateur selon l'art antérieur dans lequel les parties analogues ou iden- tiques ou éléments représentés à la figure 1 portent les mêmes références numériques et leur description détaillée ne sera pas reprise dans un but de simplification. A la figure 6, la source de tension de référence 61 utilise la chute de tension directe de la jonction PN du circuit intégré pour donner un courant de référence interne IRI et un courant de référence externe IRE' De façon plus particulière, la source de tension de référence 61 et la résistance interne de référence 62 sont obtenues sous forme de résistances diffusées dans le circuit intégré et fournissent le courant de référence interne IRI' Bien que la valeur absolue RI de la résistance de référence interne 62 soit approximativement précise suivant une précision de plus ou moins 20 %, le rapport de cette valeur de la résistance et de la valeur de la résistance diffusée dans l'ensemble du circuit intégré est précis à plus ou moins 2 %. La source de tension de référence 61 et la résis- tance de référence externe 65 à l'extérieur du circuit intégré et qui sont branchées entre la borne de tension de référence 63 et la borne de courant de référence 64 déterminent le courant de référence externe IRE' La valeur de la résistance RF de la résistance de référence externe est précise à plus ou moins 5 % Une borne de la résis- tance de référence interne 62 et une borne de la résistan- ce de référence externe 65 sont reliées à la borne de tension de référence 63 alors que les autres bornes des résistances 62, 65 sont respectivement reliées aux cir- cuits d'inversion de courant ou circuits-miroirs de cou- rant 66, 67 Des transistors NPN 68, 69 et une source de courant 70 suppriment la chute de tension directe de la diode formant l'étage d'entrée des circuits-inverseurs de courant 66, 67 La somme des chutes de tension sur la source de tension de référence 61 et la chute de tension directe de la diode est fournie à la borne de tension de référence 63 En conséquence, la tension de la source de tension de référence 61 est appliquée pratiquement inchan- gée aux résistances de référence interne et externe 62, 65. Le circuitinverseur de courant 66 est formé des transistors NPN 71, 72 et comporte une borne de sortie (électrode de collecteur du transistor 72) reliée à une borne d'entrée du circuit-inverseur de courant ou circuit- miroir de courant 73 Le circuit-inverseur de courant 73 est à double sortie et se compose des transistors 74, 75, 76 Le circuit-inverseur de courant 73 fournit le courant IRI des électrodes de collecteur des transistors 75, 76. (Le courant de sortie IRI correspond au courant Ix décrit à l'aide des figures 2 et 3) Les bornes de sortie du circuit-inverseur de courant 73 sont reliées aux deux bornes de la résistance 5 C'est pourquoi, un courant de référence interne d'état permanent IRI (Ix dans les modes de réalisation des figures 2 et 3). est fourni par les transistors 6, 7 du circuit-convertis- * seur de tension/intensité 3 à entrée différentielle et à sortie différentielle, comme dans le cas de la description du circuit de la figure 1 Le circuit-inverseur de courant 67 est formé des transistors NPN 77, 78, 79 dont l'élec- trode de collecteur et l'électrode de base du transistor 77 sont réunies pour jouer le rôle de bornes d'entrée de courant Les électrodes de collecteur des transistors 78 et 79 sont reliées en commun et fonctionnent comme bornes de sortie fournissant un courant 2 IRE égal au double du courant de référence externe IRE' Cette borne de sortie est reliée à l'émetteur commun de la paire de transistors montés en émetteurs communs. Le courant de sortie i O du mode de réalisation de la figure 6 est égal au courant d'entrée du circuit de l'art antérieur représenté à la figure 1 lorsque les courants Ix, Iy sont remplacés par les courants IRI' IRE respectifs Ainsi à partir de l'équation ( 5), on obtient l'équation ( 6) suivante: i O = 2 v IRE/IRIR O ( 6) Ainsi la transconductance du circuit selon le mode de réalisation de la figure 6 est égale à 2 IRE/IRIRO. Le rapport TRE/IRI de la valeur de la transductance est déterminé par le rapport des résistances correspondant à la résistance de référence externe 65 et de la résistance de référence interne 62 En transformant l'équation ( 6) en utilisant ce rapport des résistances, on calcule i comme suit: io = 2 v RI/RER O ( 7) La transductance de ce circuit est égale à 2 RI/RER O Dans l'équation ( 7), les références R 1 et R O représentent-respectivement la valeur des résistances 5, 6 formées sur le circuit intégré par un procédé de diffu- sion ou analogue Bien que la valeur absolue des résis- tances varie de façon notable en fonction de la tempéra- ture et/ou des conditions de fabrication, comme l'amplifi- cateur de courant selon l'invention est un circuit inté- gré, le rapport Ri/R O reste stable et précis Si le rap- port RI/R O est décrit sous la forme d'une constante K, on peut transformer l'équation ( 7) de la manière suivante: i O = 2 v K/R ( 8) Ainsi, le courant de sortie se détermine par le rapport des résistances diffusées du circuit intégré et de la valeur RE de la résistance de référence externe 65 En conséquence, la transductance 2 K/RE peut se déterminer de façon précise puisqu'elle ne dépend pas de la valeur absolue de la résistance diffusée sur le circuit intégré qui, comme indiqué ci-dessus, présente une faible préci- sion et stabilité Il en résulte que l'on peut réaliser un circuit intégré de caractéristiques améliorées dans des conditions de fabrication moins strictes et avec un meilleur rendement par comparaison avec les techniques de fabrication des amplificateurs de courant de l'art antérieur. La figure 7 montre un troisième mode de réalisation d'un amplificateur de courant selon la présente invention dans lequel les éléments ou composants analogues ou simi- laires de ceux de la figure 6 portent les mêmes références numériques et leur description correspondante ne sera pas reprise dans un but de simplification Le mode de réalisa- tion de la figure 7 diffère du mode de réalisation de la figure 6 par le circuit-convertisseur tension/intensité, le circuit-multiplicateur et les sources de courant de référence. Le circuit-convertisseur tension/courant (ou inten- sité) du mode de réalisation de la figure 7 se compose d'un premier transistor NPN 101, d'un second transistor NPN 102, d'un troisième transistor PNP 6 et d'un quatrième transistor PNP 7 Les électrodes de base des premier et second transistors 101, 102 sont reliées respectivement aux bornes d'entrée différentielles 8, 9 Les électrodes de base du troisième et du quatrième transistors 6, 7 sont reliées aux électrodes d'émetteur du premier et du second transistors 101, 102 Les électrodes d'émetteur du premier et du second transistors 101, 102 sont reliées par fune résistance 5. Le circuit-multiplicateur du mode de réalisation de la figure 7 se compose d'un cinquième transistor NPN 105, d'un sixième transistor NPN 106, d'un septième transistor NPN 13 et d'un huitième transistor NPN 14,. ainsi que d'un neuvième transistor NPN 103, d'un dixième transistor NPN 104 et d'une paire de transistors à émet- teurs communs 15 Les électrodes de collecteur du cin- quième et du sixième transistors '105, 106 sont respecti- vement reliées aux électrodes d'émetteur du premier et du second transistors 101, 102 Les électrodes de base du cinquième et du sixième transistors 105, 106 sont respec- tivement reliées aux électrodes de collecteur du troi- sième et du quatrième transistors 6, 7 Les électrodes de collecteur des transistors 13, 14 sont reliées aux élec- trodes de base des transistors 105, 106 Les électrodes de base des transistors 13, 14 sont reliées aux électro- des d'émetteur des transistors 105, 106 alors que les électrodes d'émetteur sont reliées à un chemin commun. Les électrodes de base et de collecteur des transistors 103, 104 sont respectivement reliées aux électrodes de base des septième et huitième transistors 13, 14 Les électrodes d'émetteur des transistors 103, 104 sont reliées aux électrodes d'émetteur des transistors 13, 14. Les électrodes de base des transistors NPN 16, 17 de la paire de transistors à émetteurs communs 15 sont respec- tivement reliées aux électrodes de base des septième et huitième transistors 13, 14. En fonctionnement, les transistors 101, 102 sont en émetteurs-suiveurs pour commander les transistors 6, 7 respectifs Les transistors 13, 14 formant une partie de la paire de jonctions PN 12 ne sont pas branchés comme des diodes comme dans le cas du mode de-réalisation de la figure 2 Les transistors 103, 104 sont toutefois bran- chés comme des diodes et sont prévus entre les électrodes de base et d'émetteur des transistors 13, 14 en Jouant le rôle d'un circuit-inverseur de courant ou circuit- miroir de courant Il est à remarquer que les transistors 105, 106 forment un circuit de réaction équilibrant les courants de collecteur respectifs Il, 12 des transistors , 106 et des courants de collecteur respectifs des transistors 13, 14 En outre, les courants de fonctionne- ment des transistors 101, 102 sont commandés parles transistors 105, 106 Comme les paires de transistors 13, 103 et 14, 104 forment des circuits d'inversion de courant ou circuits-miroirs de courant, le courant qui traverse les transistors 6, 101 est maintenu dans tous les cas à une valeur prédéterminée Les mêmes conditions s'appli- quent au courant passant par les transistors 7, 102. Le rapport de courant ci-dessus est fixé par le rapport de courant de saturation base/émetteur c'est-à- dire le rapport des émetteurs de la paire de transistors 13, 103 ou des transistors 14, 104 Par exemple pour un rapport d'intensité égal à l'unité, les transistors 6, 101 fonctionnent approximativement avec le même courant. Les mêmes conditions s'appliquent aux transistors 7, 102. Le résultat est que les variations des tensions base/émet- teur des transistors 101, 102 sont les mêmes que pour les transistors 6, 7, engendrées par les variations de courant Il, 12 associées à la tension d'entrée v, si bien que ces variations se compensent Ainsi, une varia- tion de la tension sur les bornes d'entrée 8, 9 se trans- met fidélement aux deux extrémités de la résistance 5 et améliore la précision de la conversion correspondant aux équations (I et 2) données ci-dessus. Comime indiqué, puisque la tension base/émetteur du transistor est déterminée comme fonction logarithmique du courant d'émetteur, la conversion ci-dessus peut se faire même si le rapport du courant de saturation des paires de transistors 13, 103 ou 14, 104 n'est pas égal à l'unité. En outre, les courants dans les transistors 13, 14, 103, 104 ne sont pas influencés par les courants de base de la paire de transistors en émetteurs communs 15 Ces courants de base sont fournis par les transistors 105, 106 C'est pourquoi, le coefficient de conversion peut se fixer à une valeur supérieure en utilisant un rapport de courant plus grand (I y très supérieur à Ix) sans engen- drer un fonctionnement inhabituel du circuit ou des fluc- tuations dans la valeur du coefficient de conversion par comparaison aux amplificateurs de courant de l'art anté- rieur En outre, on supprime effectivement les composan- tes non linéaires du courant de sortie. Le circuit générant les courants de référence sera décrit ci-après à l'aide du mode de réalisation représenté à la figure 7 Toutefois, en se reportant rapidement à la figure 6, si le circuit-amplificateur est un circuit intégré, il faut deux broches de liaison pour obtenir un courant de référence externe IRE, c'est-à-dire une broche pour la borne de tension de référence 63 et une broche pour la borne de courant de référence 64 pour le branche- ment de la résistance de référence externe 65 Dans le mode de réalisation de la figure 7, par ailleurs une seule-borne 107 est utilisée pour le branchement de la résistance externe Ainsi, la source de tension de réfé- rence 61 est reliée par une borne à la borne 1 de la source de tension positive et l'autre borne est reliée à l'électrode d'émetteur d'un transistor PNP 111 donnant ainsi une tension de référence entre la borne 1 et une borne 107; cette tension de référence est égale à la somme de la tension aux bornes de la source de tension de référence 61 et de la tension base/émetteur du transistor 1-11 Cette tension est appliquée à la résistance de réfé- rence externe 65 et donne un courant de référence externe IRE qui est fourni au circuit intégré par la-borne 107. Dans le mode de réalisation de-la figure 7, les transistors PNP 111, 112, 113 et la source de courant 114 forment un circuit qui supprime la chute de tension directe de la diode formant l'étage d'entrée du circuit- inverseur de courant 67 c'est-à-dire que le circuit fonc- tionne de façon analogue aux transistors 68, 69 et à la source de courant 70 de la figure 6 En-outre, les tran- sistors NPN 116, 117, 118 et la source de courant 119 forment un circuitgénérateur de courant de référence interne qui est analogue au circuit-générateur de courant- de référence externe Dans le mode de réalisation de la figure 7, seule une broche de liaison (borne 107) est nécessaire pour donner le courant de référence externe 1 RE, ce qui-augmente la souplesse du produit formé par le circuit intégré. Il est à remarquer que dans les circuits des figu- res 6 et 7, la partie du circuit qui assure l'amplifi-ca- tion du courant peut être réalisée séparément de la partie donnant le courant de référence, puis les deux parties peuvent être combinées pour former le circuit voulu. Dans le circuit-amplificateur selon l'invention, on peut utiliser trois procédés pour générer une tension de référence dans le circuit intégré Le premier procédé consiste à utiliser la chute de tension directe d'une jonction PN par exemple la tension VBE d'un transistor. Ce procédé est relativement simple pour donner une tension de référence à cause du coefficient de température impor- tant dans le transistor. Un second procédé donnant une tension de référence consiste à utiliser la tension de claquage d'une jonction PN telle qu'une diode Zener. Un troisième procédé donnant une tension de référen- ce consiste à utiliser la référence de l'intervalle de bande en utilisant la tension thermique VT (= k T/q) et VBE' Une tension de référence générée à l'extérieur du circuit intégré peut être fournie à la borne de tension de référence 63 (voir figure 6) En outre lorsque la ten- sion appliquée au circuit intégré est stable, la tension de source divisée ou non peut s'utiliser comme tension de référence. Un amplificateur d'intensité selon la présente invention peut avec des modifications appropriées, four- nir un ensemble de courants de sortie par l'addition d'un ensemble de paires de transistors 15 à montages en émet- teurs communs, transistors reliés à la paire de jonctions PN 12. Lorsque des amplificateurs de-courant sont utilisés pour un ensemble de canaux sur la même plaquette de cir- cuit intégré, par exemple le canal gauche et le canal droit d'un système de son stéréophonique, il suffit de prévoir une seule source de courant de référence dans le mode de réalisation de la figure 7, puisqu'un ensemble de circuits d'inversion de courant ou circuits-miroirs de courant peut se brancher pour donner l'ensemble de courants de référence. La figure 8 montre une application d'un amplifica- teur de courant selon la présente invention dans laquelle deux sections d'amplificateur de courant ou parties 82, 83 sont prévues dans un seul circuit intégré 81 Les sections ou parties d'amplificateur de courant 82, 83 comportent respectivement des bornes d'entrée 84, 85 et 86, 87 Les sections d'amplificateur de courant 82, 83 sont également reliées aux paires de bornes d'entrée différentielles 88, 89 respectives Les bornes de sortie des sections d'am- plificateur de courant 82, 83 sont reliées aux bornes de sortie 90, 91 respectives et aux bornes d'entrée d'inver- sion des amplificateurs opérationnels 92, 93 respectifs. Les bornes de sortie 94, 95 des amplificateurs opération- nels 92, 93 sont reliées aux bornes de sortie de signaux respectives 96, 97 et aux bornes de sortie correspondantes , 91 par les circuits de réaction correspondants 98, 99. Un générateur de courant de référence 120 est prévu dans le circuit intégré 81 et il donne un courant de référence interne IRI et un courant de référence externe IRE' cou- rants qui sont appliqués respectivement aux sections d'amplificateur de courant 82, 83. En fonctionnement, une tension d'entrée différen- tielle de canal double est appliquée aux paires de bornes d'entrée différentielles 88, 89 pour être transformée en des courants de sortie par les sections d'amplificateur de courant 82, 83 Les courants de sortie sont appliqués par les amplificateurs opérationnels 92, 93 et les cir- cuits de réaction 98, 99 qui accentuent les composantes de fréquence voulues Les signaux de tension résultants, sont fournis aux bornes de sortie de signaux 96, 97 Le gain en tension du circuit représenté est indépendant de la valeur absolue de la résistance diffusée dans le cir- cuit'intégré En outre, on peut remplacer une résistance de référence externe 65 pour régler le gain à la valeur voulue. La figure 9 montre un circuit-réducteur de bruit avec un amplificateur de courant selon la présente inven- tion Dans le circuit-réducteur de bruit de la figure 9, le signal d'entrée de la borne d'entrée 121 est appliqué par un chemin principal de signal 122 à gain unitaire et à caractéristiques de fréquence plate ainsi que par un chemin de signal auxiliaire 123 formant essentiellement un filtre passe-haut à fréquence coupure variable Les signaux de sortie des chemins de signal principal et auxiliaire 122, 123 sont additionnés au point d'addition 124 et sont fournis à la borne de sortie 125 La fréquence de coupure du filtre passe-haut du chemin de signal auxi- hlaire 123 est commandée par les signaux de commande d'un circuit de commande ( non représenté) ayant un circuit de détection de niveau de signal De façon générale, la fréquence de coupure du filtre passe-haut est formée d'un circuit de filtre et d'un circuit à résistance variable formant un amplificateur de courant selon la présente invention. La figure 10 montre un circuit-réducteur de bruit dans lequel l'amplificateur de courant de la figure 6 est utilisé comme circuit à résistance variable tel que repré- senté à la figure 4. A la figure 10, le circuit-réducteur de bruit de la figure 9 est prévu dans un circuit intégré 131 La fonc- tion de réduction de bruit est effectuée sur le signal d'entrée appliqué à la borne d'entrée 121 avant d'être fournie à la borne de sortie 125. Le signal d'entrée appliqué à la borne d'entrée 121 est fourni à l'électrode de base de l'un des transis- tors 6, 7 du circuit de conversion de tension/intensité. Le signal d'entrée est également fourni par le chemin de signal principal 122 à une borne d'entrée non inversée d'un amplificateur opérationnel 132 fonctionnant comme circuit-additionneur Deux paires de transistors en émet- teurs communs 133, 134 sont prévues sur la paire de Jonc- tions PN 12 à la sortie du circuit-multiplicateur et four- nissent les courants de sortie La borne de sortie de la paire de transistors en émetteurs communs 133 est reliée à l'électrode de base du transistor 7 du circuit de con- version tensionfintensité et sur une borne d'un condensa- teur 136 par l'intermédiaire d'une borne 135 du circuit intégré 131 L'autre borne du condensateur 136 est reliée à la masse. Il est à remarquer que le circuit de conversion tension/intensité des figures 2 et 3 peut également ser- vir dans le circuit de la figure 10 et le circuit de réduction de bruit fonctionne de façon analogue. La section d'amplification de courant formant le circuit de conversion tension/intensité et une partie du circuit-multiplicateur c'est-à-dire la paire de jonctions PN 12 et la paire de transistors en émetteurs communs 133 est prévue de façon que comme représenté à la figure t 4, le signal de sortie de la paire en émetteurs communs 133 soit appliqué en retour en réaction négative sur l'électrode de base du transistor 7 de l'étage d'entrée du circuit de conversion tension/intensité Il est ainsi à remarquer que cela constitue un circuit équivalent vu de la borne 135 du circuit à résistance variable de la figure 5 Le circuit à résistance variable et le conden- sateur 136 forment un circuit-filtre passe-haut essen- tiellement de premier ordre dans lequel la fréquence de coupure du filtre se modifie en changeant la valeur de la résistance du circuit à résistance variable Le cou- rant d'émetteur commun de la paire de transistors en émetteurs communs 135 commande la valeur de la résistance du circuit à résistance variable En fait la sortie du lcircuit-inverseur de courant ou circuit-miroir de courant 137 dont l'entrée est reliée à la borne de courant de référence 64 est reliée au chemin en émetteur commun de la paire de transistors en émetteurs communs 133 Une source de courant 139 est branchée en parallèle sur le transistor de sortie du circuit-inverseur de courant 137. Les signaux de commande de la borne d'entrée de signal de commande 138 réglent le courant de la source de cou- rant 139 Bien qu-un signal de commande soit appliqué à la borne d'entrée de signal de commande 138 pour donner une tension de commande à la sortie du circuit auxiliaire, le circuit de commande ne fait pas partie de la présente invention et n'est pas représenté à la figure 10 dans un but de simplification. La paire de transistors en émetteurs communs 134 du circuitmultiplicateur génèrent un courant de sortie correspondant à la différence de tension entre les bornes 121 -et 135 et donnent un signal de sortie dans le chemin de signal auxiliaire ayant des caractéristiques de filtre passe-haut Le signal de sortie de la paire de transis- tors en émetteurs communs 134 est appliqué à la borne d'entrée inversée de l'amplificateur opérationnel 132 qui fonctionne comme le point d'addition 124 mentionné ci-dessus (voir figure 9) L'amplificateur opérationnel 132 fonctionne en suiveur de tension par rapport au che- min de signal principal 122 et comme amplificateur d'in- version par rapport au signal de sortie du chemin de signal auxiliaire formant la source de courant Le pro- duit de la transductance de la section de circuit entre la borne d'entrée 121 et la sortie -de la paire de tran- sistors en émetteurs communs 134 et la valeur d'une résistance de réaction négative 140 reliée à l'amplifi- cateur opérationnel 132 détermine le gain du chemin du signal auxiliaire Comme la résistance 140 est constituée par une surface diffusée dans le circuit intégré, on peut choisir la transductance de façon inversement proportion- nelle à la valeur absolue de la résistance diffusée. Ainsi, le courant de référence externe IRE détermine le courant en émetteur commun de la paire de transistors en émetteurs communs 133 Il est à remarquer que le courant de référence interne IRI détermine le courant d'émetteur commun de la paire de transistors en émetteurs communs 134. En fonctionnement, la fréquence de coupure du che- min de signal auxiliaire est la plus basse en l'absence de signaux d'entrée appliqués à la borne d'entrée 121, le courant de la source de courant 139 étant approximati- vement nul Le courant d'émetteur commun de la paire de transistors en émetteurs communs 133 est approximativement égal au courant de référence externe IRE On voit ainsi à la description précédente d'un mode de réalisation de l'invention que la résistance équivalente du circuit à résistance équivalente ne dépend pas de la valeur absolue de la résistance diffusée dans le circuit intégré En outre, la fréquence de coupure du chemin de signal auxi- hlaire n'est pas influencée par la résistance diffusée. Lorsqu'un signal d'entrée est appliqué au circuit de la figure 10, le courant passe de la source de courant 139 en réponse à un signal de commande du circuit de commande (non représenté) La fréquence de coupure du chemin de signal auxiliaire, qui est essentiellement déterminée par la source de courant 139 et augmente en réponse à cette source La fréquence de coupure du chemin de signal auxiliaire peut se régler de façon indépendante de la valeur absolue de la résistance diffusée lorsque le signal d'entrée est appliqué au dispositif par une source de courant 139 de façon que le courant de la source ne dépende pas de la valeur absolue de la résistance diffusée lorsque le signal de commande lui est appliqué. Il découle de ce qui précède qu'un amplificateur de courant selon la présente invention fournit à partir de la même tension de référence, un courant de référence interne qui est inversement proportionnel à la résistance diffusée du circuit intégré et un courant de référence externe qui est inversement proportionnel à une résistance de référence située à l'extérieur du circuit intégré Il est également à remarquer que la transconductance de l'amplificateur de courant est indépendante de la valeur absolue de la résistance diffusée Ainsi, dans l'utili- sation d'un tel amplificateur de courant par exemple *dans un filtre programmable ou un réducteur de bruit à bande glissante, le gain du circuit ou les caractéristiques de fréquence du circuit ne dépendent pas de la valeur abso- lue de la résistance diffusée, ce qui lui permet de four- nir un signal précis Ainsi, on peut réaliser un circuit intégré à caractéristiques perfectionnées dans des condi- tions moins strictes et avec un meilleur rendement que pour la fabrication d'amplificateurs de courant selon l'art antérieur. R E V E N D I C A T I O N S ) Amplificateur de courant recevant une tension d'entrée, caractérisé en ce qu'il comporte un moyen de conversion pour convertir la tension d'entrée en des cou- rants de sortie et un premier et un second transistors ayant chacun une électrode de base, une électrode d'émet- teur et une électrode de collecteur, les électrodes de base du premier et du second transistors étant respecti- vement reliées à une première et à une seconde bornes d'entrée recevant la tension d'entrée, un troisième et un quatrième transistors ayant chacun une électrode de base, une électrode d'émetteur et une électrode de col- lecteur, les électrodes de base du troisième et du qua- trième transistors étant respectivement reliées aux électrodes d'émetteur du premier et du second transistors, chacun des troisième et quatrième transistors fournissant l'un des courants de sortie, une résistance étant branchée entre les électrodes d'émetteur du troisième et du qua- trième transistors et un moyen fournissant un courant de polarisation à la résistance et un multiplicateur pour multiplier les courants de sortie du moyen de conversion et comportant un moyen d'inversion de courant et un moyen de réaction, branchés entre le moyen de conversion et le moyen d'inversion de courant. 20) Amplificateur de courant selon la revendication 1, caractérisé en ce que le multiplicateur comporte en outre une paire de transistors en émetteurs communs reliés au moyen d'inversion de courant. ) Amplificateur de courant selon la revendication 2, caractérisé en ce que le moyen de réaction comporte un cinquième et un sixième transistors ayant chacun une électrode de base, une électrode de collecteur et une électrode d'émetteur, les électrodes de collecteur du cinquième et du sixième transistors étant respectivement reliées aux électrodes d'émetteur du premier et du second transistors et les électrodes de base du cinquième et du sixième transistors étant respectivement reliées aux électrodes de collecteur du troisième et du quatrième transistors. 40) Amplificateur de courant selon la revendication 3, caractérisé en ce que le moyen d'inversion de courant comporte un septième et un huitième transistors ayant chacun une électrode de base, une électrode de collecteur et une électrode d'émetteur, les électrodes de collecteur des septième et huitième transistors étant respectivement reliées aux électrodes de base des cinquième et sixième transistors et les électrodes de base des septième et huitième transistors étant respectivement reliées aux électrodes d'émetteur des cinquième et sixième transis- tors et les électrodes d'émetteur des septième et huitième transistors étant reunies, et un neuvième et un dixième transistors ayant chacun une électrode de base, une élec- trode de collecteur et une électrode d'émetteur, les électrodes de base et de collecteur des neuxième et dixième transistors étant respectivement reliées aux électrodes de base des septième et huitième transistors et les électrodes d'émetteur des neuxième et dixième transistors étant respectivement reliées aux électrodes d'émetteur des septième et huitième transistors. 50) Amplificateur de courant selon la revendication 4, caractérisé en ce que la paire de transistors en émetteurs communs se compose d'une paire de transistors ayant chacun une électrode de base, une électrode d'émet- teur et une électrode de collecteur, les électrodes d'émetteur de la paire de transistors étant réunies et les électrodes de base de la paire de transistors étant respectivement reliées aux électrodes de base des septième et huitième transistors. ) Amplificateur selon la revendication 2, caracté- risé en ce qu'il comporte en outre un second moyen four- 252941 1 nissant un courant de polarisation en plus du premier moyen fournissant un courant de polarisation pour fournir un courant de polarisation à la paire de transistors en émetteurs communs du multiplicateur. 70) Amplificateur selon la revendication 6, carac- térisé en ce qu'il comporte en outre un moyen d'inversion de courant relié à la paire de transistors en émetteurs communs. ) Amplificateur selon la revendication 6, carac- térisé en ce que le moyen de conversion comporte un moyen de démarrage branché entre la résistance et les électrodes d'émetteur des troisième et quatrième transistors. 9 ) Amplificateur selon la revendication 6, carac- térisé en ce que le moyen de conversion comporte un second moyen de démarrage en plus du premier moyen de démarrage pour éviter que le premier et le second des transistors ne se bloquent lorsque le troisième et le quatrième transistors sont bloqués. ) Amplificateur selon la revendication 9, carac- térisé en ce que le premier moyen de démarrage comporte une paire de transistors ayant chacun une électrode de base, une électrode de collecteur et une électrode d'émet- teur, les électrodes d'émetteur étant reliées à la résis- tance et les électrodes de base étant respectivement reliées aux électrodes de base des premier et second transistors. ) Amplificateur selon la revendication 10, caractérisé en ce que le second moyen de démarrage se compose d'un premier et d'un second moyens de courant respectivement reliés aux électrodes d'émetteur du premier et du second transistors et aux électrodes de base d-es troisième et quatrième transistors. ) Amplificateur selon la revendication 6, carac- térisé en ce que le premier moyen fournissant du courant de polarisation se compose d'une source de tension de référence sur laquelle est branchée une résistance interne de référence et un inverseur de courant de polarisation est relié à la résistance interne de référence et à la source de tension. 13 O Amplificateur selon la revendi- cation 12, caractérisé en ce que le second moyen fournissant du courant de polarisation se compose d'une résistance de référence externe reliée à la source de tension de référence et un second moyen d'inversion de courant de polarisation en plus au premier moyen d'inversion de courant de polarisation, en étant relié à la résistance extérieure de référence et au moyen de multiplication. ) Amplificateur selon la revendi- cation 13, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un troisième moyen d'inversion de courant de polarisation relié au premier moyen d'inversion de courant de polari- sation et au moyen de conversion. ) Amplificateur selon la revendi- cation 14, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un onzième et un douzième transistorsayant chacun une électrode de base, une électrode d'émetteur, une électrode de collecteur, les électrodes d'émetteur des onzième et douzième transistors étant respectivement reliées à la source de tension de référence, un treizième et un quatorzième transistors ayant chacun une électrode de base, une électrode d'émetteur, un e électrode de collecteur, les électrodes d'émetteur des treizième et quatorzième transistors étant reliéesrespectivement aux électrodes de base des onzième èt douzième transis- tors, l'électrode d'émetteur du treizième transistor étant également reliéeà la résistance interne de réfé- rence et l'électrode d'émetteur du quatorzième transistor étant également reliée à la résistance externe de réfé- rence, un quinzième et un seizième transistors ayant -32 chacun une électrode de base, une électrode d'émetteur et une électrode de collecteur, les électrodes d'émetteur des quinzième et seizième transistors étant respective- ment reliées aux électrodes de base des treizième et quatorzième transistors et les électrodes de base des quinzième et seizième transistors étant respectivement reliées aux électrodes de collecteur des onzième et douzième transistors et les électrodes de collecteur des quinzième et seizième transistors étant respectivement relléeeaux électrodes de collecteur des treizième et quatorzième transistors, l'électrode de collecteur du quinzième transistor étant également reliée au premier moyen d'inversion de courant de polarisation et l'électrode de collecteur du seizième transistor étant également reliée au second moyen d'inversion du courant de polari- sation, la première source de courant étant reliée à l'électrode de base du quinzième transistor et la seconde source de courant étant reliée à l'électrode de base du seizième transistor. 160) Amplificateur de courant selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que le premier, le second, le cinquième, le sixième le septième, le huitième, le neuvième et le dixième transistors sont des transistors d'un premier type de conductivité et le troisième et le quatrième transistors sont des transistors d'un second type de conductivité. ) Amplificateur de courant selon la revendication 16, caractérisé en ce que les transis- tors du premier type de conductivité sont du type PUP et les transistors du second type de conductivité sont du type NPN. 18 ) Amplificateur de courant selon la revendication 16, caractérisé en ce que les transis- tors du premier type de conductivité sont des transis- tors de type NPN et les transistors du second type de conductivité sont les transistors du type PNP.