FR 2531810 A1 19840217 FR 8307339 A 19830503 L'invention se rapporte en général à la technique de création des couches minces et plus particulièrement à des perfectionnements apportés à un appareil pour la réali- sation de telles couches en matière susceptible d'avoir une perméabilité élevée. L'une des techniques utilisées pour déposer des couches minces d'une matière sur un substrat consiste à faire appel à la pulvérisation par diode Une cible qui comprend ou qui constitue la matière à déposer est bombardée par des ions gazeux qui ont été accélérés à l'aide d'un champ magnétique intense Le bombardement produit l'éjection à partir de la cible de particules de taille atomique qui se rassemblent en couches minces sur la surface du substrat. Ce processus de pulvérisation est lent en comparaison d'autres techniques et la tension électrique nécessaire pour produire une couche pulvérisée par diode est relativement- élevée Le courant arrive-à saturation à-une valeur faible. Les inconvénients qui sont associés au processus de pulvérisation par diode ont été repoussés dans une grande mesure par l'emploi de la pulvérisation par magnétron Comme on peut le voir sur la figure l A annexée qui illustre la technique connue, un ensemble d'aimants 10 et 12 est disposé en arrière d'une cible 14 en matière à faible perméabilité si bien que le magnétron peut produire une décharge à-profil en "piste de course", les aimants pouvant être du type décrit dans les brevets américains N O 4 162 954, 4 180 450 et 4 265 729 Une plaque de couplage 16 sert à raccourcir les champs magnétiques entre les deux aimants à leur extrémité inférieure En raison de la faible perméabi- lité de la matière qui constitue la cible, les lignes de force magnétiques 18 s'étendent à partir des aimants, passent au-dessus de la ciblé 14 et se déplacent substantiel- lement parallèlement à la surface de la cible sur une cer- taine distance. Un champ électrique est créé perpendiculairement à une partie au moins du champ magnétique Des ions gazeux sont accélérés par le champ électrique et ils frappent la cible 14 en provoquant l'éjection à partir de celle-ci de particules de taille atomique comme dans la pulvérisation par diode Toutefois, le champ magnétique situé au-dessus de la surface de la cible confine des électrons secondaires qui sont éjectés de la cible au voisinage de sa surface et ce champ accélère la vitesse des collisions entre les électrons secondaires et les raolécules de gaz du plasma gazeux (en général de l'argon) Ces collisions addition- nelles servent à engendrer des ions gazeux supplémentaires et, par conséquent, un plasma gazeux plus important est confiné au voisinage de la surface de la cible De cette façon la vitesse de dépôt de la pulvérisation par magnétron est augmentée d'un ordre de grandeur par rapport à celle de la pulvérisation par diode. On peut constater que l'existence d'un champ magnétique en boucle comme indiqué par les lignes de force 18 est nécessaire pour emprisonner le plasma à proximité de la surface de la cible 14 Toutefois, quand on désire pulvériser une matière à perméabilité rlevée à l'aide d'un magnétron, le champ magnétique en boucle est mis en court- -circuit comme on le constate sur la figure l B En effet, la cible 14 à perméabilité élevée couple toutes les lignes de forces magnétiques de l'un des aimants à l'autre de la même fagon que le fait la plaque de couplage 16 L'inexis- tence du champ magnétique en boucle 18 pour emprisonner le plasma au voisinage de la cible à perméabilité élevée réduit la pulvérisation par magnétron à celle d'une pulvérisation ordinaire par diode dont la vitesse est relativement faible en raison de la saturation sn courant. Plusieurs solutions ont été proposées pour arriver à une pulvérisation par magnétron de matières à perméabilité élevée mais elles n'ont eu qu'un succès limité Selon l'une de ces solutions on utilise une cible à perméabilité élevée très mince de façon qu'elle devienne saturée par les aimants et qu'elle soit incapable de mettre en court-circuit la totalité du champ magnétique Malheureusement, lorsque les cibles sont rendues assez minces pour qu'elles ne court- -circuitent pas virtuellement la totalité du champ, elles sont rapidement consommées avant qu'une couche soit accumu- lée en quantité substantielle sur le substrat receveur. D'autres tentatives ont consisté à utiliser des cibles ayant des épaisseurs relativement normales mais en association avec des-aimants à aimantation très élevée en vue à nouveau de saturerles cibles et de maintenir au-dessus d'elles un champ magnétique faible en boucle Ceci nécessite en général au moins un second jeu d'aimants ou un électro-aimant extrêmement puissant Cette solution fonctionne raisonna- blement bien avec des cibles de dimensions modérées en fer et en nickel mais elle ne convient pas en général pour les matières à perméabilité très élevée comme le Permalloy, le Samarium cobalt et d'autres Cette solution est décrite dans son ensemble dans la demande de brevet américain N O 28 434 du 9 Avril 1979. Une autre méthode permettant la pulvérisation par magnétron est de réduire l'intensité du champ nécessaire à saturer la matière qui sert de cible On peut y arriver en chauffant celle-ci au-dessus de son point de Curie comme il est expliqué dans le brevet américain n' 4 299 678. Toutefois, aucun des moyens évoqués ci-dessus n'a conduit à la réalisation de couches suffisamment sérieuses au point de vue industriel de sorte que la plupart des pulvérisations de matières à perméabilité élevée se fait encore par diode à sa vitesse extrêmement faible de dépôt. Le but principal de l'invention est de surmonter les difficultés rencontrées dans la pulvérisation des matières à perméabilité élevée et de parvenir à un appareil de pulvérisation à débit élevé de matières à peçméabilité élevée ainsi que de matières à perméabilité faible ou nulle. Un autre but de l'invention est de parvenir à'un appareil de pulvérisation à débit important pour des. matières à perméabilité élevée qui ne nécessite pas de saturation magnétique de la cible ni par champs magnétiques intenses ni par chauffage de la cible au-dessus de son point de Curie. On atteint ces résultats conformément à l'inven- tion en utilisant une cible en deux pièces avec un intervalle entre ces pièces dans lequel est disposée une source de plasma cependant qu'un champ d'emprisonnement faible est réalisé au-dessus de la cible afin de retenir le plasma au voisinage de celle-ci Quand la cible est constituée par une matière à perméabilité élevée, on exerce un champ magnétique à travers la cible et à travers l'inter- valle pour créer la source de plasma A cause de l'exis- tence de l'intervalle, le-champ créé ne passe pas en totalité à travers la cible et l'intervalle, autrement dit le reste du champ devient le champ d'emprisonnement faible qui se trouve au-dessus de la cible De cette façon il devient possible de pulvériser des matières ayant une perméabilité très élevée. On donnera maintenant, sans intention limitative et sans exclure aucune variante, une description de plu- sieurs exemples de réalisation d'un appareil de pulvérisa- tion conforme à l'invention On se reportera aux dessins annexés dans lesquels: la figure l A est une vue de côté en coupe montrant un appareil de pulvérisation par magnétron typique de la technique classique la figure l B est une vue en coupe d'une partie de - l'appareil de la figure l A utilisant une cible en matière à perméabilité élevée, la figure 2 est une vue en coupe d'une partie du dispositif du magnétron de la figure l A mais modifiée conformément à l'invention, la figure 3 est une vue en coupe montrant comment un appareil de pulvérisation par magnétron disponible dans le commerce peut être modifié et amélioré conformé- ment à l'invention, la figure 4 est une vue en coupe d'un autre exemple de réalisation de l'invention, la figure 5 est une vue en coupe d'un exemple supplémentaire de réalisation de l'invention, la figure 6 est une vue en coupe illustrant l'uti- lisation de l'appareil de l'invention pour la création de plasma selon un autre exemple de réalisation de l'invention. Sur les figures on a utilisé les mêmes références numériques pour désigner les mêmes éléments; il doit être entendu que tous les exemples de réalisation sont en rapport avec une atmosphère à pression réduite nécessaire à la génération du plasma à partir des molécules présentes du gaz Le choix d'un gaz convenable, de sa pression, de la tension d'alimentation, de la distance cathode-anode et la disposition relative du substrat qui est à recouvrir sont connus et ne comportent aucune difficulté pour le spécialiste ordinaire de cette technique. La figure 2 montre schématiquement une cathode conforme à l'invention que l'on peut appeler du type à "piste de course" Cette cathode comprend une première cathode ou cathode extérieure 24 a et une seconde cathode ou cathode intérieure 24 b séparées l'une de l'autre par un intervalle 25 Dans ce dernier est dessiné schématiquement un champ qui est parallèle et d'intensité égale d'un côté à l'autre Bien qu'il se trouve entre des blocs de matière à perméabilité élevée, il n'est pas plus intense que le champ habituel d'un magnétron Autrement dit, le champ est juste aussi intense que celui des aimants 10 et 12 situés en dessous En plus de créer un champ intense dans l'inter- valle 25, les aimants 10 et 12 engendrent aussi un champ faible 18 en boucle au-dessus de la cible 24 a, 24 b. A mesure que la distance s'accroit au-dessus de l'intervalle 25, l'intensité du champ descend rapidement en dessous de l'intensité de 80 à 100 gauss nécessaire pour le fonctionnement d'un magnétron comme celui de la figure 1 A Ainsi, il est clair que l'intervalle 25 est le générateur primaire de plasma et que le champ faible en boucle situé au-dessus sert à contenir le plasma au voisi- nage des éléments de la cible dont la plupart de la matière se pulvérise à des densités de puissance diverse à partir de 1 à 25 microns d'argon De cette façon la fonction de génération du plasma et la fonction d'utilisation du plasma sont séparées conformément à l'invention Ceci est en. contradiction avec l'appareil de la figure l A o le champ 18 est utilisé à la fois pour la génération du plasma (pour confiner les électrons ionisants) et pour l'emploi du plasma (pour confiner le plasma qui pulvérise la cible). Quand l'intervalle génère du plasma trop rapidement, la cible pourrait ne pas développer avec une accélération suffisante une enveloppe provoquant la pulvérisation. Quand la production de plasma est trop faible, la saturation se produit ou des tensions trop élevées sont nécessaires. La géométrie de l'intervalle et la pression de fonctionne- ment se combinent pour permettre de contrôler ces para- mètres Les taux suivants ont été mesurés et normalisés à 10 watts/cm pour une distance de 100 emn entre la cible et le substrat Fe Ni) 4500 A/minute Co Permalloy ( 79 % Ni, 4 % Mo,) 3500 A/minute 16 +% Fe) Un plancher pour l'intervalle est constitué par un plancher 27 susceptible de comprendre soit une matière mince perméable comme la matière qui sert de cible, soit une matière non perméable comme une céramique Il a été observé que le plancher de l'intervalle peut être pulvérisé. Ainsi, lorsque le plancher est la matière de la cible, le débit de la cathode n'est pas contaminé Ceci ajoute à la complexité et doit être réalisé avec soin si l'on veut arriver à une longue durée sans courtcircuit magnétique entre les cibles intérieure et extérieure Toutefois, quand la largeur de l'intervalle est réduite pour atteindre un minimum pratique, le plancher a une importance moins critique A une largeur de 3, 18 mm, un plancher en céramique n'a apporté presqu'aucun changement aux caractéristiques de fonctionnement La céramique a été rapidement recouverte et l'accumulation lui a donné avec le temps une certaine épaisseur minime Lorsque l'accumulation devient une difficulté telle que le champ dans l'intervalle pourrait être mis en court-circuit, on peut élargir légèrement l'intervalle de sorte que le taux net d'accumulation est très faible Il peut se faire que des intervalles extrême- ment petits ne fournissent pas un champ magnétique suffisant en boucle pour que se produise l'effet magnétron; dans un exemple de réalisation un intervalle d'une largeur de 1,587 mm n'a pas donné de résultat. La figure 3 montre un autre exemple de réalisation 'de l'invention selon lequel on peut améliorer après coup un appareil existant à magnétron tel que celui fabriqué et vendu par la Société américaine Vac-Tec Systems, Inc, 2590 Central Avenue, Boulder, Colorado 80301 Sur la figure 3 la plaque de couplage 16 à perméabilité élevée porte un aimant central 12 L'aimant extérieur 10 est monté aussi sur la plaque de couplage de base 16 Un élément de couplage 30 à conductibilité thermique élevée et non perméable magnéti- quement est disposé avec un tube classique de refroidissement à l'eau 32 sur lequel il est monté L'élément de couplage thermiquement conducteur est brasé le long de ses lignes de contact avec des plaques de couplage 34 et 36 à perméabilité élevée On peut constater que le magnétron est symétrique par rapport à un axe central CL (de la même façon que sur les autres figures) et que la pièce polaire 36, quand on la regarde du dessus, est une plaque plane, circulaire, oblongue ou rectangulaire cependant que la pièce polaire 34 est une pièce relativement plane annulaire, circulaire, oblongue ou rectangulaire Une rainure 38 est ménagée dans l'élément de couplage 30 à conductibilité thermique élevée afin de recevoir un plancher en céramique que l'on peut appeler aussi un séparateur de cible 40 Les deux éléments 42 et 44 de la cible en matière à perméabilité élevée sont disposés sur les plaques de couplage 34 et 36 et séparés l'un de l'autre par le plancher en céramique 40 Avec la plupart des cibles, excepté-peut-être pour le nickel, le champ magnétique peut remplir la fonction de maintien des éléments de la cible, de sorte qu'aucun blocage n'est nécessaire Si on le souhaite, la face inférieure des pièces de la cible peut être meulée pour qu'elle permette un bon transfert de la chaleur et du champ magnétique En plus d'empêcher que l'élément de cible extérieur 42 soit tiré vers l'élément de cible central 44, le plancher rapporté en céramique rend aussi impossible la contamination du débit de la cathode par pulvérisation de l'élément de couplage 30 conducteur thermiquement La mise en place et le retrait des éléments de la cible nécessitent certains soins. En raison de la force de l'aimant 12, l'élément central de cible 44 est fortement réuni à la plaque de couplage 36. Il ne peut être retiré que lorsque l'élément extérieur 42 de la cible et le séparateur en céramique ont été retirés Il peut être extrêmement utile de prévoir que l'élément exté- rieur de la cible soit composé de plusieurs pièces afin que, lorsqu'elles sont érodées sur un côté,on puisse les retourner bout à bout et les utiliser à nouveau. La figure 4 montre le même appareil de pulvérisa- tion à débit élevé que celui de la figure 3 mais en coupe totale en section droite avec unedisposition légèrement différente des éléments de la cible Des éléments extérieurs 42 de la cible s'étendent au-dessus-des plaques de couplage en s'éloignant d'elles plus haut que l'élément central 44 de la cible et, en conséquence, ils sont pulvérisés plus fortement que dans e cas de la figure 3 La répartition de la matière pulvérisée avec l'appareil de la figure 4 est plus uniforme sur une surface plus grande du substrat que dans le cas de l'exemple de la figure 3 Ceci semble dû à la matière qui est éjectée avec une direction inclinée- à partir des surfaces de pulvérisation dressées des éléments extérieurs 42 de la cible. La figure 5 montre un exemple supplémentaire de réalisation de l'invention dans lequel la génération du plasma est "cachée" par rapport au substrat La disposition est similaire à celle de la figure 3 avec la différence que le plancher rapporté en céramique 40 s'étend au-dessus de la surface de l'élément central 44 de la cible et il en éloigne les éléments extérieurs 42 De cette façon un champ magnétique intense engendrant le plasma se trouve dans la zone entre le bord extérieur supérieur de l'élément central 44 de la cible et le bord intérieur inférieur de l'élément extérieur 42 de cette même cible, le champ faible d'emprison- nement du plasma se fermant en boucle entre les éléments 42 et 44 Avec cette configuration, la pièce 40 en céramique de l'intervalle du générateur a une importance beaucoup moins critique parce que sa surface est très rapidement recouverte en raison de la faible inclinaison de la pulvé- risation en provenance de l'élément central de la cible. Cet exemple de réalisation est plus critique en ce qui concerne l'épaisseur de l'élément central de la cible parce que l'intervalle doit être au moins de 3,18 mm. Il est possible aussi avec le mode de réalisation de la figure 5 d'alimenter la matière qui sert de cible à partir du bord; autrement dit, par exemple les éléments 42 visibles sur la figure 5 pourraient être des éléments distincts et la partie située à droite 42 pourrait être déplacée vers la gauche tandis que la partie 42 située à gauche pourrait être déplacée vers la droite. Bien que le plus grand avantage de l'invention soit sa possibilité de pulvériser à un débit élevé des matières à perméabilité élevée, elle peut servir aussi à pulvériser à débit élevé des matières non perméables en conservant toujours la génération particulièrement efficace du plasma qui en est la caractéristique principale La figure 6 est un exemple de réalisation dans laquelle la pulvérisation à débit élevé d'une cible non perméable peut être obtenue tout en maintenant la génération désirable du plasma bien que cet appareil puisse servir aussi à pulvériser des matières perméables Les aimants du centre 12 et de l'extérieur 10, classiques, sont disposés respectivement sur une plaque de couplage 16 Les éléments 14 a, 14 b de la cible en matière faiblement perméable ou non perméable sont montés sur les aimants 10 et 12 avec un intervalle annulaire séparant l'élément intérieur et l'élément extérieur En dessous de l'intervalle est placé un aimant 52 qui engendre un fort champ magnétique dans cet intervalle Les aimants 10 et 12 engendrent le champ faible désiré au-dessus des éléments de la cible 14 a, 14 b Des pièces polaires perméables 54 et 56 s'étendent à l'intérieur de l'intervalle 50 pour y créer un champ intense C'est ce dernier qui est la cause de la vitesse élevée de création du plasma Les pièces polaires sont recouvertes de préférence de couches 58 en même matière que les éléments 14 a, 14 b de la cible De cette façon le champ magnétique intense créé par les pièces polai- res 54 et 56 en combinaison avec l'aimant 52 constitue un générateur de plasma à débit élevé qui envoie ce plasma jusque dans le champ faible d'emprisonnement du magnétron et ensuite en redescendant jusque sur les éléments 14 a, 14 b non perméables de la cible pour les pulvériser. On remarquera que les éléments du centre et de l'extérieur de la cible ainsi que toutes les surfaces de l'intervalle, sauf dans le cas de la figure 6, sont au même potentiel électrique bien que des processus différents se produisent La différence entre le générateur de plasma et les surfaces de la cible est une question de géométrie et de la nature du champ magnétique présent Les générateurs cathodiques de plasma des exemples des figures 2 à 5 subissent une certaine pulvérisation des surfaces limitant l'intervalle mais en raison du parallélisme de ces surfaces, une grande quantité de la matière pulvérisée est déposde sur la surface opposée Ce phénomène tend à conserver la structure du générateur mais il peut être la cause d'une faible reprise d'oxyde ou d'autres contaminants du générateur. La durée de la reprise dans le cas de l'exemple de la fig 5 tend à être beaucoup plus courte que celle de l'exemple de la figure 3. La combinaison du champ faible d'emprisonnement en dôme et du fort générateur de plasma, selon llinvention, surmonte la barrière de la perméabilité élevée à une pulvérisation à grand débit Plus grande est la perméabilité, meilleur est le résultat apporté par l'invention parce qu'elle utilise de manière constructive la perméabilité plutôt que de la combattre L'invention sépare au moins en partie la fonction de génération du plasma et la fonction de pulvérisation, division qui permet de parvenir à une optimi- sation des deux. 25318 10 ll En général, toute partie d'une cible à face polaire qui peut être disposée pour diriger les lignes de force en direction de l'autre audessus de la source de plasma peut être pulvérisée par le plasma emprisonné Dans le fonction- nement de beaucoup de magnétrons on se soucie de ne pas réunir l'anode et la cathode par des lignes de force parce que le plasma pourrait s'évader et que la pulvérisation ne serait plus possible Du fait que la fonction de génération - du plasma est séparée de la fonction cathodique, ce souci 1 O peut également être éliminé. L'invention peut être considérée comme un exemple de l'emploi d'une source de plasma fonctionnant avec un emprisonnement magnétique relativement faible qui maintient une densité élevée du plasma jusqu'à la proximité de la cathode Sans l'emprisonnement magnétique (sur autre chose que le générateur) une pulvérisation déformée pourrait se produire La génération du plasma peut être soit anodique soit cathodique Par exemple, dans le cas de la figure 6, le générateur peut être de type cathodique lorsque les couches 58 (ou la cible) sont au potentiel de la cathode et il peut être de type anodique lorsque ces couches sont au potentiel de l'anode L'unité cathodique tend à être pulvérisée et l'unité anodique nécessite une bonne source d'électrons Ainsi les deux ont des limitations. Dans le cas le plus général, lorsque le générateur n'est pas une partie intégrante ni de la cathode ni de l'anode, il doit y avoir un contrôle électrique du débit du générateur tel que l'intensité et la tension puissent être contrôlées séparément Ceci peut s'obtenir par la réalisa- tion d'un champ d'emprisonnement au-dessus de la cible à l'aide d'une source de plasma éloignée de celle-ci, c'est- -à-dire qu'il n'est pas disposé dans un intervalle à l'intérieur de la cible comme dans le cas de la présente invention Sans ce contrôle à triode (ou à tétrode), il se peut que l'on ne puisse pas toujours obtenir les situations de fonctionnement désirées. Dans le cadre de l'enseignement apporté par l'invention, de nombreuses modifications peuvent être apportées aux appareils, ainsi qu'il apparaîtra aux spécialistes-ordinaires de cette technique On peut se servir de différents types d'aimants (aimants permanents, électro-aimants, etc), de matières, de gaz ionisants, d'orientation des champs électrique et magnétique en fonction des particularités de la pulvérisation à réaliser. Il est donc entendu que l'invention n'est pas limitée aux exemples décrits ci-dessus. REVENDICATIONS 1 Appareil dé pulvérisation comprenant une cible de matière à pulvériser, une anode, des moyens de création d'un champ électrique entre l'anode et la cible, des moyens engendrant un plasma, caractérisé en ce que la cible comprend au moins un premier élément ( 24 a) et un second élément ( 24 b) espacés l'un de l'autre par un intervalle ( 25), des moyens engendrant un plasma à l'intérieur de cet inter- valle ( 25), des moyens engendrant un champ magnétique d'emprisonnement ( 18) apte à confiner au moins une partie dudit plasma au voisinage de la cible ( 24 a, 24 b). 2 Appareil selon la revendication 1 caractérisé en ce que la cible est constituée de matière essentiellement perméable magnétiquement. 3 Appareil selon la revendication 1 caractérisé en ce que la cible est constituée de matière substantielle- ment non perméable magnétiquement. 4 Appareil selon la revendication 1 caractérisé en ce que les moyensengendrant le plasma comprennent des moyens ( 10, 12) capables de créer un champ magnétique à travers une partie au moins de l'intervalle ( 25) séparant les éléments de la cible. Appareil selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'un plancher ( 36) est disposé dans la partie de l'intervalle ( 25) qu'i est éloignée de la zone o le plasma est confiné au voisinage de la cible ( 24 a, 24 b). 6 Appareil selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'un premier élément ( 24 a) de la cible est annulaire et le second élément ( 24 b) de la même cible est disposé au moins au voisinage de la partie ouverte du premier élément annulaire. 7 Appareil selon l'une quelconque des revendica- tions 1, 6 caractérisé en ce que le premier élément ( 24 a) et le second élément ( 24 b) de la cible sont coplanaires. 8 Appareil selon l'une quelconque des revendica- tions 1, 6 caractérisé en ce que le premier élément ( 42) et le second élément ( 44) de là cible sont disposés dans des plans différents. 9 Appareil selon la revendication 6 caractérisé en ce que le premier élément ( 42) et le second élément ( 44) de la cible sont disposés perpendiculairement l'un par rapport à l'autre. 10 Appareil selon la revendication 9 caractérisé en ce que le second élément ( 44) de la cible est disposé à l'intérieur de la partie ouverte du premier élément ( 42). 11 Appareil selon l'une quelconque des revendica- tions 1, 6 caractérisé en ce que le premier élément ( 42) et le second élément ( 44) de la cible sont disposés dans des plans différents et parallèles. 12 Appareil selon la revendication 11 caractérisé en ce que l'intervalle entre le premier élément ( 42) et le second élément ( 44) de la cible s'étend entre le bord péri- phérique inférieur intérieur du premier élément ( 42) et le bord périphérique extérieur supérieur du second élément ( 44). 13 Appareil selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'il comprend un premier aimant ( 10) et un second aimant ( 12) pour engendrer le champ magnétique d'emprison- nement et un champ supplémentaire qui comprend le champ à travers l'intervalle o ce champ est utilisé par les moyens engendrant le plasma. 14 Appareil selon la revendication 13 dans lequel la cible est en matière perméable magnétiquement caractérisé en ce que le champ d'emprisonnement passe à travers et au- -dessus de la cible et le champ supplémentaire passe séquentiellement à travers le premier élément de la cible, l'intervalle et le second élément de la cible. Appareil selon la revendication 14 caractérisé en ce que le premier et le second aimants sont disposés respectivement au voisinage du premier et du second élément de la cible. 16, Appareil selon la revendication 15 caractérisé en ce que le premier et le second aimants sont disposés sur le côté de la cible opposé au côté o le plasma est confiné. 17 Appareil selon la revendication 1 caractérisé en ce que les moyens pour engendrer un champ magnétique d'emprisonnement comprennent le premier aimant ( 10) et le second aimant ( 12). 18 Appareil selon la revendication 17 caractérisé en ce que la cible est en matière perméable magnétiquement et le premier aimant ( 10) et le second aimant ( 12) engendrent aussi un champ supplémentaire qui passe séquentiellement à travers le premier élément de la cible, llintervalle et le second élément de la cible. 19 Appareil selon la revendication 17 caractérisé en ce qu'il comprend un troisième aimant ( 52) engendrant un champ à travers une partie au moins de l'intervalle o ce champ d'intervalle est utilisé par les moyens engendrant le plasma.