FR 2534091 A1 19840406 FR 8315666 A 19830930 La présente invention concerne des circuits électroniques programmables et effaçables électriquement, pour la manipulation des signaux numériques ou analogi- ques. Le brevet des E UOA NO 3 500 062 décrit des portes OU-EXCLUSIF et NON-OU-EXCLUSIF du type métal- oxyde-semiconducteur à symétrie complémentaire (ou en abrégé CMOS) Dans ces circuits un premier signal d'en- trée logique parmi deux est appliqué à un simple inver- seur logique formé par une paire symétrique de type CMOS, pour obtenir son complément logique On utilise ensuite ce premier signal d'entrée logique et son complément de façon sélective, soit pour valider une porte de trans- mission de façon à transmettre-le second signal d'entrée logique sans inversion vers la sortie logique de la por- tesoit pour valider un inverseur logique consistant en une paire symétrique de type CMOS, pour appliquer à la sortie logique de la porte le signal inversé qui est obtenu en réponse au second signal d'entrée logique. On a récemment développé des transistors à effet de champ qui ont des tensions de seuil, ou V Te qu'on peut modifier électriquement, ou qui peuvent être programmés par l'application de tensions entre la grille et l'une des autres électrodes du dispositif, ces ten- sions dépassant celles qui sont utilisées en tant que ni- veauxlogiques ou de signal normaux Ensuite, une mémoire non volatile incorporée dans ces transistors à effet de champ conserve la tension de seuil programmée La demande - de brevet britannique publiée N O 8 136 497 décrit la pro- grammation des tensions -de seuil de tels dispositifs pour les conditionner de façon qu'ils aient des caractéristi- ques correspondant à un mode d'enrichissement très marqué ou à un mode de déplétion très marqué, pour qu'ilsfonc- tionnent ainsi en circuits ouverts ou en court-circuits, pour interconnecter de façon programmable des transistors à effet de champ CMOS pour former des portes logiques ou des réseaux de portes logiques La programmation des seuils de ces dispositifs est accomplie par l'application de ten- sions de programmation par l'intermédiaire des bornes d'en- trée utilisées comme entrées logiques normales Cette uti- lisation de deux régimes de signal différents pour des buts différents, mais avec l'application des signaux par les mêmes bornes, constitue ce qu'on appelle le fonctionne- ment "reflex". L'invention est mise en oeuvre dans une bascule programmable de façon électrique qui comprend un premier transistor à effet de champ d'un type dont la tension de seuil peut être programmée sous l'effet de l'application momentanée d'une tension de programmation de polarité sé- lectionnée, entre une électrode de grille et l'une-des autres électrodes de ce transistor, pour conditionner le premier transistor dans le mode d'enrichissement ou dans le mode de déplétion, conformément à la polarité de la tension de programmation, de manière que le canal con- ditionné du premier transistor établisse une connexion entre une première source de tension d'alimentation et une connexion de sortie de bascule qui est prévue pour une charge. Conformément à l'invention, la bascule comprend un second transistor et une seconde source de tension d'alimentation; le second transistor est du type dont la tension de seuil est programmable sous l'effet de l'appli- cation momentanée d'une tension de programmation entre l'électrode de grille et l'une de ses autres électrodes, de façon à conditionner le second transistor dans le mode d'enrichissement ou le mode de déplétion lorsque le premier transistor est respectivement programmé pour fonctionner en mode de déplétion ou en mode d'enrichissement; dans le but de produire sur la connexion de sortie de la bascule une tension pratiquement égale à celle de l'une des pre- mière et seconde sources, cette tension étant sélection- née conformément à la polarité de la tension de program- mation qui a été appliquée en dernier aux électrodes -de grille des premier et second transistors. D'autres caractéristiques et avantages de l'in- vention seront mieux compris à la lecture de la descrip- tion qui va suivre de modes de réalisation, et en se ré- férant aux dessins annexés sur lesquels La figure I est un schéma, partiellement sous forme synoptique, d'une porte d'Annis électriquement pro- grammable et effaçable, conforme à un aspect de l'inven- tion; La figure 2 est une table de vérité pour la porte d'Annis Les figures 3, 4 et S sont des schémas de mo- des de réalisation respectifs d'une-partie de mémoire non volatile électriquement programmable et effaçable du circuit de la figure 1 qui utilise l'invention La figure 6 est une version modifiée du cir- cuit de la figure l lui permettant d'inverser ou de ne pas inverser des signaux analogiques, de façon program- mable La figure 7 est un schéma de variantes du cir- cuit de la figure 1 mettant en oeuvre d'autres-aspects de l'invention; et Les figures 8 à 13 sont des schémas de modes de réalisation respectifs supplémentaires d'une partie de mémoire non volatile électriquement programmable et effa- çable du circuit de la figure 1, qui correspondent à l'in vention. Sur la figure 1, une porte d'Annis 10 est prévue pour recevoir une variable logique A sur sa borne d'entrée 11, à partir d'une source qui n'est pas explicitement re- présentée, et pour recevoir une autre variable logique B et son complément B sur ses bornes d'entrée respectives 12 et 13 La réponse logique C=Ae B apparaît sur la borne de sortie 14 de la porte 10, conformément à la table de vé- rité de la figure 2, dans laquelle les lettres H et L dé- signent respectivement des états logiques hauts et bas. Le symbole O désigne l'opération logique OU-EXCLUSIF. Ainsi, C est la réponse de type OU-EXCLUSIF à A et B. Le point qui diffère de l'art antérieur dans le fonctionnement de la porte d'Annis 10 consiste en ce que les variables logiques B et B proviennent d'un circuit de bascule complémentée,20, qui comprend des éléments de mé- moire morte électriquement effaçable et programmable (EEPROM), et en ce que les conditions logiques B et B sont spécifiées conformément à des signaux de programmation appliqués antérieurement sur la borne 11 Ceci signifie que la porte d'Annis 10 peut être programmée par l'appli- cation d'un potentiel de programmation situé à l'exté- rieur de la plage normale des signaux logiques, pour pro- duire ensuite pour C une valeur égale à A ou à A Les li- mites d'une plage normale de signaux logiques peuvent être une tension relativement basse L qui peut être égale à la tension d'alimentation VSS, et une tension relative- ment élevée H qui peut être égale à la tension d'alimen- tation VDD. Dans la porte d'Annis 10, un transistor à effet de champ (TEC) à enrichissement et à canal n,'15, et un transistor à effet de champ à enrichissement et à canal p, 16, sont connectés ensemble sous la forme d'une porte de transmission à paire complémentaire, entre des bornes 11 et 14 Lorsque la bascule 20 fournit B=H et B=L, B étant à l'état haut polarise la grille du TEC à canal n, 15, de fa- son qu'il tende à conduire pour A bas polarise la grille du TEC à canal n, 16, pour qu'il ten- de à conduire pour A > L La connexion en porte de transmis- sion des TEC 15 et 16, entre les bornes 11 et 14,est conduc- trice sur toute la plage de niveaux logiques normaux qui est limitée par H et L, ce qui fait qu'on a C=A Lorsque la bascule 20 fournit B=L et B=H, B étant à l'état bas ne polarise pas la grille du TEC à canal n, 15, pour qu'il soit conducteur à n'importe quel niveau logique dans la plage normale, et B étant à l'état haut ne polarise pas la grille du TEC à canal p, 16, pour qu'il soit conducteur à n'importe quel niveau logique dans la plage normale. La connexion en porte de transmission des TEC 15 et 16 entre les bornes 14 et 11 est donc bloquée. Dans la porte d'Annis 109 les grilles d'un TEC à enrichissement et à canal p, 17, et d'un TEC à enri- chissement et à canal n, 18, sont connectées à la borne d'entrée 11, et leur drains sont connectés à la borne de sortie 14 Lorsque les sources du TEC-à canal p, 17 et du TEC à canal n, 18, qui reçoivent respectivement B et B, sont respectivement à l'état haut et à l'état bas, un étage inverseur logique à paire complémentaire est vali- dé entre la borne d'entrée 11 et la borne de sortie 14. On a donc C=A (Habituellement, dans la structure logique CMOS, les niveaux logiques L et H ont des tensions qui sont plus proches l'une de l'autre que la somme des ten- sions de seuil des TEC à enrichissement à canal p et à canal N qui sont utilisés pour réaliser la structure. Ceci réduit la dissipation dans la mesure o seul le TEC 17 peut conduire en présence de la condition A=L, et seul le TEC 18 peut conduire en présence de la condition A=H) Au contraire, lorsque B=L et B=H, la connexion en inver- seur logique à paire complémentaire des TEC 17 et 18 est invalidée, du fait que des niveaux logiques normaux n'ap- pliquent de potentiel source-grille direct à aucun des TEC. En partant de la configuration de la figure 3, on va maintenant considérer les formes 20, 20 ', 20 " que le circuit de bascule complémentéepeut prendre pour faci- liter sa programmation par l'intermédiaire de la borne 11. Sur les figures 3 et 4, la fonction logique B est complé- mentée en B par une connexion en inverseur logique à pai- re complémentaire du TEC à enrichissement et à canal p, 21, et du TEC à enrichissement et à canal n, 22 On peut identifier les niveaux logiques H et L aux tensions d'ali- mentation positive et négative respectives, soit VDD et VSSY sur la figure 3 et les figures qui suivent L'obten- tion de B à partir de tensions de programmation appliquées par la borne 11 fait intervenir le processus de programma- tion effaçabissélectriquement. Un TEC à canal n, 23 et un TEC à canal p, 24, de la figure 3 sont d'un type dans lequel la tension de seuil du TEC peut être programmée électriquement en don- nant au potentiel entre sa grille et une autre de ses électrodes une valeur notablement supérieure à la plage correspondant à l'excursion normale des niveaux logiques. (Un TEC avec une tension de seuil VT programmable est re- présenté schématiquement dans la présente demande avec une barre supplémentaire entre la partie d'électrode de grille du symbole classique d'un TEC, et ses parties cor- respondant aux électrodes de source, de substrat et de drain On utilise ce symbole modifié indépendamment du fait que le TEC programmable soit programmé par une ten- sion de programmation entre sa grille et son électrode de drain, entre sa grille et son électrode de source, ou entre sa grille et n'importe quelle autre électrode ou combinaison d'électrodes) Le TEC 23 et le TEC 24 sont res- pectivement représentés sur la figure 3 sous la forme de transistors à déplétion et à enrichissement, comme ils le seraient après qu'une tension élevée, notablement plus positive que VDD dans le cas de dispositifs à injection par la grille, ou notablement plus négative que V Ss dans le cas de dispositifs à injection par le substrat, a été appliqué le plus récemment en tant que tension de program- mation, par la borne 11 Le TEC 23 est conditionné de fa- çon à être si profondément dans le domaine de caractéris- tiques de conduction en mode de déplétion, que son canal est en fait un court-circuit vers VDD, indépendamment de la valeur de A, entre L=Vss et H=VDD inclus, qui est appli- quée à sa grille Le TEC 24 est conditionné de façon à être si profondément dans le domaine de ses caractéristi- ques de conduction en mode d'enrichissement, que son canal est non conducteur, indépendamment de la valeur de A, entre L=Vss et H=VDD inclus, qui est appliquée à sa grille On a donc B=VDD=H Par conséquent, la connexion en inverseur logique à paire complémentaire-des TEC 21 et 22 réagit en donnant B=Vss=L La porte d'Annis 10 est conditionnée par B=H et B=L de façon à être non inverseuse, avec la réponse de sortie C=A. Cependant, lorsque la tension de programmation qui a été appliquée en dernier par la borne 11 aux gril- les des TEC 23 et 24 a été une tension élevée, notable- ment plus négative que VSS, les TEC 23 et 24 sont respec- tivement conditionnés de façon à avoir fortement le mode d'enrichissement et à avoir fortement le mode de déplé- tion Si fortement que, pour toutes les valeurs de A entre L=Vss et H=VDD inclus, appliquées aux grilles des TEC 23 et 24, le canal du TEC 23 est non conducteur et le canal du TEC 24 est un court-circuit vers VSS On a donc B=Vss=L et, par conséquent B=VDD=H La porte d'Annis 10 est con- ditionnée par B=L et B=H de fagon à être inverseuse, avec la réponse de sortie C=A. La connexion en bascule des 'TEC à drains communs 23 et 24, avec une connexion de grille à grille pour rece- voir des tensions de programmation et une connexion de sour- ce à source en tant que connexion de sortie, conformément à la figure 3, fonctionne avec des types de TEC programmables par l'application entre l'électrode de grille et l'électrode - de drain ou les électrodes de drain et de source réunies (ou éventuellement le substrat), d'une tension dépassant les tensions sourcegrille normales, comme par exemple des TEC métal-oxyde-semiconducteur à injection par la grille (structure GIMOS) Cette connexion en bascule, le circuit de bascule complémentée de la figure 3, le circuit de bascule complémentée de la figure 3 en combinaison avec la porte de transmission à paire complémentaire, et le circuit de bascule complémentée de la figure 3 en combi- naison avec l'inverseur à paire complémentaire (combinai- son de laquelle on peut également supprimer le TEC 22), ainsi que le dual de ce dernier circuit, sont des aspects de l'invention utiles en eux-mêmes pour réaliser des cir- cuits autres que celui qui est représenté. La figure 4 montre une version modifiée 20 ' du circuit de bascule complémentée 20 de la figure 3, dans laquelle la configuration de bascule avec des TEC à drains communs, 23 et 24, est remplacée par une configu- ration de bascule avec des TEC à sources communes, 25 et 26 Les TEC 25 et 26 sont respectivement à canal p et à canal n, en ce qui concerne le type de conduction, et ils ont des tensions de seuil modifiables électriquement qui sont programmées par l'application d'une tension de pro- grammation élevée entre leurs électrodes de grille et leurs électrodes de source (ou éventuellement entre leurs électrodes de grille et leurs substrats) Ces transistors peuvent être par exemple des TEC GIMOS Dans la représen- tation qui est faite, les TEC 23 et 26 ont été si forte- ment conditionnés pour le fonctionnement en mode d'enri- chissement et pour le fonctionnement en mode de déplétion, respectivement, que pour VSS c A o VDD, le canal du TEC 25 est bloqué et le canal du TEC 26 est en fait un court- circuit vers VSS Ceci résulte d'une tension de programma- tion notablement plus positive que VDD Sous l'effet d'une tension de programmation notablement plus négative que VSS, le TEC 26 peut être programmé de façon à être bloqué et le TEC 25 peut être programmé de façon à être en fait un court-circuit vers VDD La connexion en circuit de bas- cule des TEC 25 et 26, le circuit de bascule cc pié mentée de la figure 4, le circuit de bascule complémentée de la figure 4 en combinaison avec la porte de transmission à paire complémentaire et le circuit de bascule complémen- tée de la figure 4 en combinaison avec l'inverseur à pai- re complémentaire, ainsi que des versions modifiées de ce circuit similaires à celles décrites en relation avec la structure similaire utilisant le circuit de bascule complémentée de la figure 3, sous forme modifiée, sont des aspects de l'invention utiles en eux-mêmes pour la réalisation de circuits autres que celui qui est repré- senté. La figure 5 montre un circuit de bascule com- plémentée 20 "comprenant la connexion en bascule program- mable des TEC à drains communs 23 et 24, et la conne- xion en bascule programmable des TEC à sources communes 25 et 26, les deux réagissant à des tensions de programma- tion sur la borne 11 en appliquant respectivement B et B aux bornes 12 et 13, sans nécessiter un inverseur logiqe àPaeire cmplmentadre Ensalpp Osat quv les TEC 23,24, 25 et 26 soie d Ltpe à ijeot Dn par la grille, la denière tenrsion de programmation appliquée notablement plus négative que VSS a polarisé fortement les TEC à canal p, 24 et 25, dans le fonctionnement en mode à enrichissement, pour mettre leurs canaux en cir- cuit ouvert, en présence de niveaux logiques normaux sur leurs grilles, et elle a polarisé fortement les TEC à ca- nal N 23 et 26 dans le fonctionnement en mode de déplétion, pour mettre leurs canaux en court-circuit pour des niveaux logiques normaux appliqués à leurs grilles On peut utili- ser une tension de programmation notablement plus positive que VDD pour mettre en circuit ouvert les canaux des TEC 23 et 26 et pour courtcircuiter ceux des TEC 24 et 25 pour l'application de niveaux logiques normaux à leurs grilles Le circuit de bascule complémentée de la figure 5 et les 'combinaisons de ce circuit avec une porte de trans- mission à paire complémentaire et avec un inverseur logi- que à paire complémentaires sont des aspects de l'inven- tion utiles en eux-mêmes pour réaliser des circuits au- tres que celui représenté. Les bascules programmables des figures 3, 4 et sont avantageuses dans la mesure o elles ne consomment pas d'énergie appréciable, sauf pendant la programmation. On peut modifier ces circuits pour remplacer les TEC 23, 24, 25 et 26 par des TEC ayant des tensions de seuil programmables sous l'effet d'une tension de pro- grammation appliquée entre leurs électrodes de grille et leurs électrodes de drain et de source réunies Pour effectuer leur programmation, chacun des potentiels VDD et VSS est amené pendant la programmation à une valeur égale à un potentiel de référence, et les connexions de sortie de la bascule sont forcées au potentiel de réfé- rence On peut réaliser un tel forçage au moyen du canal, conduisant sélectivement, d'un TEC qui n'est placé à l'état conducteur que pendant la programmation. On peut réaliser des adaptations du circuit de la figure 1 qui font en sorte que ces bornes Il et 14 soient polarisées à mi-distance entre VSS et VDD, en l'absence d'application d'une tension de programmation quelconque ou d'autres tensions d'entrée à la borne d'en- trée Il Ceci est avantageux par exemple lorsqu'on désire utiliser certaines configurations logiques ternaires, ou lorsqu'on désire inverser ou ne pas inverser sélectivement un signal analogique. La figure 6 montre comment on peut réaliser une telle adaptation Des résistances 27 et 28 de valeur égale font la moyenne de B et B ou de VDD et VSS, pour polari- ser la borne 11 à mi-distance entre VSS et VDD Une résis- tance 29 assure le centrage de la tension de repos sur la borne 14 à mi"distance entre VSS et VDD. La figure 7 montre une bascule programmable 30 qu'on utilise pour appliquer le signal programmé A à la borne d'entrée A, 11, de la porte d'Annis 10 Un TEC à enrichissement et à canal p, 31, et un TEC à enrichisse- ment et à canal n, 32, sont connectés en inverseur logi- que à paire complémentaire, pour produire le signal F sous l'effet du signal B, et ces signaux B et B sont ap- pliqués aux bornes 12 et 13 de la porte d'Annis 10 La bascule programmable 30 peut recevoir des tensions de programmation par-sa connexion d'entrée 33 et le signal d'entrée B peut être appliqué directement de la connexion 33 à la borne 12; ou bien, comme le montre la figure 7, la bascule programmable 30 peut recevoir des tensions de programmation et le signal d'entrée U par l'intermédiaire d'une borne 34, le signal B sur la borne 33 étant inversé pour appliquer le signal B à la borne 12 Cette inve'rsion est effectuée sur la figure 7 en utilisant la connexion en inverseur logique à paire complémentaire du TEC à en- richissement et à canal p, 35, et du TEC à enrichissement et à canal n, 36 Le TEC à canal p 37 et le TEC à canal n 38 dans la bascule programmable 30 sont de préférence du type dont les tensions de seuil VT sont programmées sous l'effet de tensions de programmation appliquées entre leurs électrodes de grille et de source, lorsque-leurs canaux sont connectés entre VDD et V dans l'ordre re- présenté sur la figure 7. Parmi les modifications qu'on peut apporter à la configuration de la figure 7, on peut citer les suivan- tes On peut supprimer le TEC à canal N 32 si B est appli- qué de la borne 33 à la grille du TEC à canal N 16, dans la connexion en porte de transmission avec le TEC à canal p , au lieu d'être fourni par la borne 13 L'ordre de la connexion du circuit externe aux bornes 12 et 13 de la por- te d'Annis peut être inversé; et cette modification peut être prolongée soit pour connecter les bornes 13 et 14 et éliminer les TEC 35 et 36, soit pour éliminer le TEC 31 en Z 534091 connectant la grille du TEC 15 à la borne 34 au lieu de la connecter a la borne 13. On peut réaliser des variantes du circuit de la figure 7 ou de l'une quelconque de ses modifications indi- quées ci-dessus, dans lesquelles il y a une inversion dans la bascule programmable 30 des positions des canaux du TEC à canal p et à tension de seuil programmable, 37, et du TEC à canal N et à tension de seuil programmable, 38. Les TEC 37 et 38 doivent être du type dont les tensions de seuil VT sont programmables sous l'effet de tensions de programmation appliquées entre la grille et le drain. Il y aura une inversion correspondante de la polarité des tensions de programmation pour établir chacune des condi- tions de sortie de la bascule programmable. On peut réaliser des structures destinées à for- cer les électrodes de source dé drain des TEC 37 et 38 pendant leur programmation, pour permettre à chacun d'eux d'être d'un type programmé par la tension appliquée entre sa grille et ses électrodes de source et de drain, ou entre sa grille et l'une de ses électrodes de source et de drain qui n'est pas directement connectée à une ten- sion d'alimentation Pendant la programmation, les tensions VDD et VSS sont amenées à une valeur égale à une tension de référence. On va maintenant considérer d'autres modes de réalisation du circuit de bascule complémentée de l'inven- tion, qui sont représentés sur les figures 8, 9, 10, 11, 12 et 13 Dans chacune de ces figures, les transistors et d'autres éléments portent des numéros de référence qui cor- respondent à ceux des figures 3, 4 et 5, dans le but de fa- ciliter l'explication de l'invention. Dans chacune des figures 8-13, la fonction logi- que B est complémentée en B par une connexion en inverseur logique à paire complémentaire du TEC à enrichissement et à canal p,-21, et du TEC à enrichissement et à canal n, 22. Les niveaux logiques H et L peuvent être identifiés aux tensions d'alimentation positive et négative, soit respec- * tivement VDD et VSS, sur la figure 2 et les figures qui suivent L'obtention de B à partir de tensions de program- mation appliquées par la borne Il fait intervenir le pro- cessus de programmation effaçable électriquement. Un TEC GIMOS à canal N 23 (transistor MOS à in- jection par la grille) et un TEC Si MOS à canal n, 24 (tran- sistor MOS à injection par le substrat) représentés sur la figure 8 sont d'un type dans lequel la tension de seuil du TEC peut être programmée électriquement par l'application entre sa-grille et une autre de ces élec- trodes d'un potentiel notablement supérieur à la plage d'excursion normale des niveaux logiques Les TEC 23 et TEC 24 sont représentés respectivement sur la figure 8 comme étant des transistors du mode à déplétion et du mo- de à enrichissement, comme ils le seraient après qu'une tension élevée, notablement plus positive que VDD a été appliquée le plus récemment en tant que tension de pro- grammation, par la borne 11 Le TEC 23 est conditionné de façon à être placé si profondément dans le domaine des caractéristiques de conduction en mode de déplétion que son canal est en fait un court-circuit vers VDD, indépen- damment de la valeur de A, entre L=Vs$ et H=VDD inclus qui est appliquée à sa grille Le TEC 24 est conditionné de façon à être si profondément dans le-domaine de ses carac- téristiques de conduction en mode d'enrichissement que son canal est bloqué, indépendamment de la valeur de A, entre L=Vss et H=VDD inclus qui est appliquée à sa grille On a donc B=VDD=H Par conséquent, la connexion en inverseur lo- gique à paire complémentaire des TEC 21 et 22 répond en fournissant B=V ss L La porte-d'Annis-10 est conditionnée - par B=H et B=L de façon-à être non inverseus&, avec la ré- ponse de sortie C=A. Cependant, lorsque la tension de programmation appliquée en dernier par la borne Il aux grilles des TEC 23 et 24 a été une tension élevée, notablement plus négative que V, les TEC 23 et 24 sont conditionnés de façon à 8 tre respectivement fortement en mode d'enrichis- sement et fortement en mode de déplétion Si fortement que, pour toutes les valeurs de A entre L=Vss et H=VDD inclus qui sont appliquées aux grilles des TEC 23 et 24, le canal du TEC 23 est bloqué et le canal du TEC 24 est un court-circuit vers V 5 ss Dans ces conditions, B=Vss=L et, par conséquent B=VDD=H La porte d'Annis 10 *est conditionnée par B=L et B=H de façon à être inver- seuse, avec la réponse de sortie C=A. La structure de grille flottante du TEC GIMOS 23 est de préférence réalisée de façon que le dispositif réagisse, pour la programmation, à une tension de pro- grammation appliquée entre ses électrodes de grille et de drain, sans que la borne 12, à laquelle sa source est connectée, doive être forcée à une tension de référence pendant la programmation La structure de grille flot- tante du TEC SIMOS 24 est de préférence réalisée de fa- çon que le dispositif réagisse, pour la programmation, à une tension de programmation appliquée entre ses élec- trodes de grille et de source, ou entre ses électrodes de grille et desubstrat, sans que la borne 12 à laquelle son drain est connecté doive être forcée à une tension de référence pendant la programmation Lorsque le TEC GIMOS 23 est d'un type dont l'électrode de source doit être for- cée à un potentiel de référence pendant la programmation, ou lorsque le TEC SIMOS 24 est d'un type dont l'électrode de drain doit être forcée à un potentiel pendant la pro- grammation, le forcage est simplement réalisé par le ca- nal, conduisant sélectivement, d'un TEC qui est placé à l'état conducteur sous l'effet d'un signal de commande appliqué à son électrode de grille pendant la programma- tion La tension de programmation présente sur la borne 11 -2534091 peut être appliquée, pour constituer ce signal -de comman- de, à un TEC ayant un type de conductivité approprié et une tension de seuil effective suffisamment élevée (soit par nature soit à l'aide d'un dispositif de décalage de potentiel branché dans sa connexion de grille) La conne- xion en bascule des TEC 23 et 24, le circuit de bascule complémentée de la figure 8, le circuit de bascule complé- mentée de la figure 8 en combinaison avec la porte de transmission à paire complémentaire, et le circuit de bascule complémentée de la figure 8 en combinaison avec l'inverseur à paire complémentaire (combinaison de la- quelle on peut également supprimer le TEC 22) sont des aspects de l'invention utiles en eux-mêmes pour la réali- sation de circuits autres que celui qui est représenté. La figure 9 montre une vers-ion modifiée 20 ' du circuit de bascule complémentée 20 de la figure 8, dans laquelle la configuration de bascule formée par le TEC GIMOS à drain commun 23 et le TEC SIMOS à source com- mune 24, e-st remplacée par une configuration de bascule formée par un TEC SIMOS à drain commun 25 et par un TEC GIMOS à source commune 26 Les TEC 25 et 26 sont tous deux du type à canal n, et la grille flottante du TEC est de préférence réalisée de façon à réagir à une tension de programmation entre les électrodes de grille et de drain, tandis que la grille flottante du TEC GIMOS 26 est de préférence réalisée de façon à réagir à une ten- sion de programmation appliquée entre les électrodes de grille et de source; ceci rend inutile le forçage du noeud d'interconnexion entre les TEC 25 et 26 Les TEC 25 et 26 sont représentés dans un état dans lequel ils ont été si fortement conditionnés respectivement pour le fonctionne- ment en mode d'enrichissement et pour le-fonctionnement en mode d'appauvrissement, que pour V A z VDD le canal du TEC 25 est bloqué et le canal du TEC 26 est en fait un court-circuit vers VSS Ainsi, sous l'effet d'une tension 1 Ji is _netzmlb,1 __rient pluie' que 1 le DD. 2 m Peut e re de fiepr, à 'Autres en faït -un "Ierz Y SE et le TEC '25 peut, Retirée de façon à Z-tire bl-aqueS-Dus teme-c-m de r,,Db-ablemen-t mezetli-ve -que 13 S, le TEZC 2 t 5 peut Métre ú> fe frv,on à etre 'b 2 rqu ' -et 2-e TEC peut etre prc Lgra=e -de fievn à 'être en ú-est un e=-t- Cir OU It -t 7 ee' B Y,,DD Le c-onnez I Dn,;sn -circuit de bescule des TL-C 25 et Z 6, 'L, e de -bascule c-orriplèm-ent ée de In fdgure - 9, 1 e circuit de bascule de la f -i- gare 9 îen avez:La perte -de tea-nzmissi Dn à pai:r B -et le vl,rc-iiit de baszm 2 e enMPI- - ide 2 e fïg gurn 9 en Vinverseur à pe-ï Te Sant des s-z P,ec-ts de 111:nycé-,ntïon en, e 1 îxm,m-zs pzur -des circuits autres veluï reprisentë. La fîZvre 210 =ntre un zircuit de hes-cule eorplâmentie 2 '0 l' -,qui comprenait 1 a c-onnexïon en -lacune p-rograrrkm Eble des TEC 23 et 24 et la con-,nexïzn en bas- PD zulfe programmable des TEC -2-e et 2 'B, les deux réag ssant te-n-s:ï-Dns -de p, o e Il en appl I - _r g-rammat-ïzm Bur:La born -quant respectîvement 3 et 3 bornes 12 et 13, sans mécessiter un inverseur 2-ogïc-ue aï j -à paire -complément re. tellsfon Ue 'PZ,'-O Zlammatïon m'appliquée -qui A été n Dt-ablement plus que V-,,-, a polarisé Fortement 1-es TE-C '23 et 2-5 dans le fonctionnement en mode -dle-nrî- idhissement, ppow, mettre 1-eurz canaux en circuit ouvert p-cur Niveau= 1 ogiques normaux sur leurs;grilles', et a -o fortement les ZEC 24 et 25 -dans le fon-0- tîznne-mert -en mode -de -d Z-plétio-n p-our court-circuiter leurs cana= pizur des mivezux:L-o,,gïques normaux zur leurs -grill-es. peur une ten-51 on de programmatïzn notablement plus que 'V ptur mettre en cirzuit:ouvert l'e's (cenaux des 'TEC -2-4 et '25 et -pour -c-ou"rt-, cïrcuiter zaux des TEC 2,3 (et 2-B, peur de ni-ve-aux Il Zgl,qu-es 'n" 01- maux sur leurs grilles Le circuit de bascule complémen- tée de la figure 10 et les combinaisons de ce circuit avec une porte de transmission à paire complémentaire et avec un inverseur logique à paire complémentaire sont des aspects de l'invention utiles en eux-mêmes pour réaliser des circuits autres que celui qui est représenté. Comme les bascules des figures 3, 4 et 5, les bascules programmables des figures 8, 9 et 10 sont avan- tageuses dans la mesure o elles ne consomment pas d'éner- gie appréciable, sauf pendant la programmation Chacune des bascules programmables des figures 8, 9 et 10 utilise des transistors à tension de seuil programmable et à canal n; et elles ont des homologues utilisant des transistors à tension de seuil programmable et à canal p, comme le montrent respectivement les figures 11, 12 et 13. Comme dans les cas du circuit de la figure 1 utilisant les bascules 20, 20 ' et 20 " des figures 3, 4 et 5, le circuit de la figure I utilisant la bascule qui est représentée dans chacune des figures 8 à 13 peut être conçu de façon à polariser ses bornes 11 et 14 à mi- distance entre VSS et VDD, en connectant le circuit de la figure 1 au réseau représenté sur la figure 6. On va maintenant décrire certaines modifica- tions des circuits des figures 10 et 13 Sur la figure , on peut remplacer les deux TEC à canal N de type SIMOS par des TEC à canal p de type GIMOS, ou bien on peut rem- placer les deux TEC à canal N de type GIMOS par des TEC à canal p de type SIMOS Sur la figure 13, on peut rem- placer les deux TEC à canal p de type SIMOS par des TEC à canal N de type GIMOS, ou bien on peut remplacer les deux TEC à canal p de type GIMOS par des TEC à canal N de type- SIMOS. Dans les revendications qui suivent, on doit con- sidérer que la classe de transistors métal-isolant-semicon- ducteur spécifiée comme étant du type à injection par la grille englobe d'autres TEC à tension de seuil programma- ble avec des caractéristiques de conduction programmées et effacées électriquement de façon similaire à celle d'un TEC GIMOS, comme des TEC des types à injection pro- grammable (PIMOS), et on doit considérer que la classe de transistors métal-isolant-semiconducteur spécifiée comme étant du type à injection par le substrat englobe d'autres TEC à tension de seuil programmable ayant des caractéristiques de conduction programmées et effacées électriquement, d'une manière similaire à celle des TEC SIMOS. Bien entendu diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. ICE 116 ATIl 6 E$ 1 3 ascule prograble électriquement ó 20 ', 20 "), comprenant: un premier transistor ( 23) deun type dont la tension de seuil est programmable sous l'effet de 1 application momentanée d"wune tension de pro- grammation de polarité sélectionnée entre une électrode de grille et l'une de ses autres électrodes, pour condi- tionner ce premier transistor de façon qu'il fonctionne en mode d'enrichissement ou en mode de déplétion en eonc- tion de la polarité de la tension de programmation qui est appliquée à l'électrode de grille; le canal de con- duction de ce premier transistor étant connecté entre une première source de tension d'alimentation (DDBD) et une connexion de sortie de la bascule (B) pour une char- ge; caractérisée en ce que la charge consiste en un ca- nal de conduction d'un second transistor ( 24) connecté entre la connexion de sortie de la bascule et une secon- de source de tension d'alimentation (VS),, ce second transistor étant d'un type dont la tension de seuil est prograomiable sous l'effet de l'application momentanée de ladite tension de programmation entre une électrode de grille et une autre de ses électrodes {source), de fa- çon à conditionner le second transistor pour qu'"il fonc- tionne en mode de déplétion lorsque le premier transistor est programmé pour fonctionner en mode d'enrichissement, et pour qu'il fonctionne en mode d"enrichissement lorsque le premier transistor est programmé pour fonctionner en mode de déplétion; dans le but de produire sur la conne- xion de sortie de la bascule une tension pratiquement égale à lwune des première et seconde tensions dalimentation, la tension produite étant sélectionnée conformément à la 2 pola- rité de la tension de programmation qui a été appliquée en dernier aux électrodes de grille des premier et second transistors. 2 Bascule progralble électriquement selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre un inverseur logique qui comporte des troisième et quatrième transistors à effet de champ ( 21, 21 ')ayant des types de conductivité opposés, dont les électrodes de gril- le sont connectées à la connexion de sortie de la bascule et dont les canaux de conduction sont connectés en série entre les première et seconde sources de tension d'alimen- tation, pour produire sur une connexion de sortie inver- sée (B) formée à la jonction des canaux connectés en sé- rie, le complément de la tension présente sur la conne- xion de sortie de la bascule. 3 Bascule programmable électriquement ( 20) se- lon la revendication 2, combinée à une porte de transmis- sion dans le but de connecter sélectivement un premier noeud ( 11) et un second noeud ( 14) qui forment une sor- tie de circuit (C); caractérisée en ce que des électrodes de grille d'un cinquième et d'un sixième transistor à effet de champ ( 15, 16),-de typesde conductivité opposés, de la porte de transmission, sont connectées à des conne- xions respectives parmi la connexion de sortie de la bas- cule (B) e-t la connexion de sortie de l'inverseur (B) et des canaux de conduction des cinquième et sixième transis- tors sont connectés en parallèle entre les premier et se- cond noeuds. 4 Bascule programmable électriquement selon la revendication 3, combinée en outre avec un amplificateur inverseur, caractérisée en ce que des canaux de conduction connectés en série d'un septième et d'un huitième transis- tor à effet de champ ( 17, 18), de typesde conductivité oppo- sés, de l'inverseur amplificateur sont connectés, au niveau d'un point de connexion entre eux, à la connexion de sortie de circuit (C), et ils sont connectés entre la connexion de sortie de la bascule et la connexion de sortie de l'inver- seur (B); et des électrodes de grille des septième et hui- tième transistors à effet de champ sont connectés mutuel- lement et au premier noeud. Bascule programmable électriquement selon la revendication 2, combinée avec un inverseur amplificateur, caractérisée en ce que des canaux de conduction connectés en série d'un cinquième et d'un sixième transistor à effet de champ ( 17, 18), de types de conductivité opposés, de l'inverseur amplificateur établissent une connexion de sortie de circuit (C) au niveau d'un point de connexion entre eux, et ces canaux sont connectés entre la conne- xion de sortie de la bascule (B) et la connexion de sor- tie de l'inverseur (B); et des électrodes de grille des cinquième et sixième transistors sont connectées mutuelle- ment et à un premier noeud. 6 Bascule programmable électriquement selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que le niveau de tension de programmation auquel les premier et second transistors réagissent est supé- rieur au niveau de tension que fournissent les première et seconde sources de tension d'alimentation; ce qui fait que les seuils des premier et second transistors demeurent inchangés en présence sur la connexion d'entrée d'un signal logique dont la tension est inférieure ou égale à la différence entre les tensions des première et seconde sources de tension d'alimentation. 7 Bascule programmable électriquement selon la revendication 1, incorporée dans un circuitycaractérisée en ce qu'elle comprend en outre: une connexion de sortie de circuit ( 14); et un transistor à effet de champ supplé- mentaire ( 15, 16 ou 18) dont l'une des électrodes de sour- ce, de grille et de drain est connectée à la fois à une connexion d'entrée de circuit (A) et aux électrodes de grille des premier et second transistors, et l'électrode de grille de ce transistor supplémentaire, si elle n'est pas connectée par ailleurs, ou une autre de ses électrodes de source et de drain, est connectée à la connexion de sor- tie de la bascule, tandis que l'électrode restante parmi les électrodes de source et de drain du transistor sup- plémentaire est connectée à une connexion de sortie de circuit (C); de façon que le transistor à effet de champ supplémentaire réagisse à un signal à niveaux logiques appliqué à la connexion d'entrée en produisant sur la connexion de sortie de circuit un signal qui est fonc- tion du signal à niveaux logiques et de la polarité de la tension de programmation qui a été appliquée en der- nier à la connexion d'entrée de circuit. 8 Bascule programmable électriquement selon la revendication 7, caractérisée en ce que les électro- des de source et de drain du transistor supplémentaire ( 15 ou 16) sont connectées entre la connexion d'entrée de circuit et la connexion de sortie de circuit, et l'électrode de grille du transistor supplémentaire est connectée à la connexion de sortie de la bascule. 9 Bascule programmable électriquement selon la revendication 7, caractérisée en ce que l'une des électrodes de source et de drain du transistor supplé- mentaire ( 18) est connectée à la connexion de sortie de la bascule, l'autre électrode parmi les électrodes de source et de drain du transistor supplémentaire est con- nectée à la connexion de sortie du circuit, et l'électrode de grille du transistor supplémentaire est connectée à la connexion d'entrée de circuit.