FR 2526606 A1 19831110 FR 8307504 A 19830505 La présente invention concerne un étage mélangeur haute fré- quence avec tétrode transistor à effet de champ comportant deux électrodes de grille, à l'une desquelles est appliqué le signal d'entrée haute fréquence Un tel étage mélangeur est par exemple décrit dans le brevet de la République fédérale d'Allemagne N O 21 59 592 Dans le montage connu, une tétrode-transistor à effet de champ est combinée avec un simple transistor à effet de champ Le singal d'entrée haute fréquence est appliqué à une électrode de grille de la tétrode, dont la seconde électrode de grille reçoit la fréquence d'oscillateur délivrée par un circuit oscillant parallèle L'électrode de drain de la tétrode est reliée à un second circuit oscillant paral- lèle, qui filtre la composante à la fréquence intermédiaire et la découple inductivement. Le montage connu est relativement coûteux, car il exige un second transistor à effet de champ, en plus de la tétrode, ainsi qu'un oscil- lateur local distinct L'invention a pour objet un étage mélangeur haute fréquence, caractérisé par une constitution particulièrement simple et facile à intégrer Selon une caractéristique essentielle de l'invention, le point de fonctionnement de la tétrode est ajusté sur la seconde électrode de grille de faon que l'auto-excitation produite rende l'étage mélangeur auto-oscillateur. Cette auto-excitation est avantageusement produite par une charge inductive de la seconde électrode de grille Un transistor à effet de champ à jonction au Ga As par exemple convient comme tétrode. L'étage mélangeur haute fréquence selon l'invention présente une constitution extrêmement simple, car le seul élément actif cons- titué par la tétrode remplace l'amplificateur d'alimentation ou haute fréquence,l'oscillateur local et le mélangeur La tétrode est très facilement réalisable de façon connue par la technologie de semi- conducteurs intégrés. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description détaillée ci-dessous d'un exemple de réalisation, dont la figure unique représente le schéma. La figure représente une tétrode T avec les deux électrodes de grille G 1 et G 2 Cette tétrode est par exemple un MES-TEC au Ga As, utilisable dans la gamme de 10 G Hz Le signal d'entrée haute fré- quence est appliqué par le transformateur U à l'électrode de grille G,, tandis que la fréquence d'oscillateur fosc est appliquée à l'élec- trode de grille G 2, découplée de la première Cette fréquence d'oscillateur local est produite par une charge inductive ZL Entre les électrodes de drain et de source de la tétrode, est branché un circuit oscillant parallèle, constitué par le condensateur C 1 et l'in- ductance L 1, et accordé à la différence entre la fréquence d'oscilla- teur et la fréquence du signal d'entrée La fréquence intermédiaire FI est découplée inductivement sur ce circuit oscillant parallèle. Une tétrode présentant les propriétés de transistor suivantes a été utilisée dans un exemple de réalisation Tétrode MES-TEC au Ga As avec une largeur de canal de 200 p est une longueur d'électrode de grille de 1 mm (grillel) ou 2 pm (grille 2); courant de saturation I DSS 25 m A fréquence d'oscillation max f Max M 20 G Hz pente sur la grille 1: um 115 m S (ug 20) pente sur la grille 2: 2 10 m S (ug 0). Une charge inductive IZLI de 56 a est reliée à l'électrode de grille G 2 pour produire la fréquence dd'oscillateur f Cette der- nière est alors de 9,0 G Hz Pour une fréquence du signal fsign de ,08 G Hz, on obtient ainsi une fréquence intermédiaire FI de 1,08 G Hz, filtrée sur le circuit oscillant C 1, L 1. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art au principe et aux dispositifs qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemples non limitatifs, sans sortir du cadre de l'invention. Revendications 1 Etage mélangeur haute fréquence avec une tétrode-transistor à effet de champ comportant deux électrodes de grille à l'une des quelles est appliqué le signal d'entrée haute fréquence, ledit étage étant caractérisé en ce que le point de fonctionnement de la tétrode est ajusté sur la seconde électrode de grille (G 2) de façon que I'auto-excitation produite rende l'étage mélangeur auto- oscillateur. 2 Etage mélangeur haute fréquence selon revendication 1, carac- térisé en ce que l'auto-excitation est produite par une charge inductive (Z L) de la seconde électrode de grille (G 2). 3 Etage mélangeur haute fréquence selon une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la tétrode est un transistor à effet de champ à jonction au Ga As.