FR 2519211 A1 19830701 FR 8124475 A 19811230 19211 -1- "ETAGE DE SORTIE POUR CIRCUIT INTEGRE A RESEAU DE PORTES DE LA TECHNIQUE E C L REGULE VIS-A-VIS DES VARIATIONS LIEES AUX TEMPERATURES DE FONCTIONNEMENT" La présente invention concerne un étage de sortie pour circuit intégré à réseau de portes de la technique E C L, constitué notamment -de deux transistors réunis par leurs émetteurs et for- mant un montage différentiel, lequel montage est disposé en' série avec une première source de courant et dans cet ordre entre une première et une seconde lignes d'alimentation, l'un desdits transistors, ou premier transistor,\étant con- necté par son collecteur à la première ligne d'alimentation à travers une première résistance, -d'un troisième transistor sur l'émetteur duquel est prélevée la tension de sortie du circuit et dont le trajet basecollecteur est branché en parallèle sur ladite première résistance, -puis d'un quatrième transistor branché par sa base et son collecteur en parallèle sur le premier transistor, com- portant dans son circuit émetteur une deuxième source de courant connectée à la seconde ligne d'alimentation. Pour-mémoire, il est rappelé que les lettres "E C L ", qui désignent une technique bien connue dans le domaine des circuits intégrés logiques, correspondent aux initiales des mots anglais "Emitter Coupled Logic". Dans un circuit logique, aux niveaux de sortie O et 1 doivent correspondre des niveaux de tensions précis et aussi stables que possible Cependant, ces niveaux de ten- sions varient inévitablement avec l températures de fonc- tionnement des éléments du circuit, plus particulièrement celles des jonctions des transistors de ce circuit Aussi, les circuits logiques sontils pour la plupart "compensés" en température de manière à limiter de tels glissements des tensions de sortie. -2- Un montage conçu dans ce but et destiné à l'étage de sortie d'un circuit E C L est représenté sur la figure 4 d'un article paru dans la revue "IEEE Journal of Solid- State Circuits" (Vol SC 14, no 5, Octobre 1979) Ce montage est basé sur la mise en oeuvre d'une source de courant (cor- respondant à la "deuxième source de courant" telle que dé- signée dans le préambule d'invention ci-dessus) délivrant un courant auxiliaire IA qui circule à travers la résis- tance ("première résistance" suivant le préambule, marquée ici 250 2)et crée dans cette résistance une chute de ten- sion dont la variation est de signe opposé à celle de la tension base-émetteur VBE du transistor de sortie ("troi- sième transistor") Le niveau de sortie, évalué par rapport au potentiel général de référence (celui de la ligne d'ali- mentation à laquelle aboutit ladite résistance) étant égal à la somme de la chute de tension dans cette résistance et du VBE du transistor de sortie et ces deux paramètres évo- luant en sens inverse en fonction de la température, on par- vient à établir une certaine compensation En fait, il y a surcompensation à partir d'un certain échelon de tempéra- ture des jonctions des transistors ( 600 C environ),la chute de tension dans la résistance croissant plus que ne diminue le VBE du transistor de sortie; on a donc alors une baisse des niveaux de sortie haut et bas à mesure que croit la température. C'est pour pallier cet inconvénient qu'a été conçu un dispositif complémentaire de régulation, objet de la pré- sente invention. Ce dispositif répond à la simple considération que la chute de tension dans ladite résistance croissant de façon trop importante à partir d'une température définie, il y a lieu, à partir de cette température, de dévier une partie du courant IA qui traverse ladite résistance. Selon l'invention, un étage de sortie pour circuit à réseau de portes de la technique E C L tel que défini 251921 i -3- dans le préambule du présent mémoire, est notamment re- marquable en ce que -entre la deuxième source de courant et l'émetteur du quatrième transistor d'une part, il est interposé une résis- tance dite deuxième résistance, -entre ladite deuxième source de courant et la première ligne d'alimentation d'autre part, sont connectés une ré- sistance, dite troisième résistance avec, disposé en série, le trajet émetteur-collecteur d'un transistor, dit cinquième transistor, le collecteur de ce dernier étant relié direc- tement à ladite première ligne d'alimentation tandis que sa base est reliée, au moins indirectement, à l'émetteur du quatrième transistor. En bref, le dispositif de compensation en température ainsi formé fonctionne de la manière suivante: -les branches'de courant de deuxième source formées, d'une part par la troisième résistance en série avec le tra- jet E B du cinquième transistor, d'autre part par la deu- xième résistance en série avec le trajet E B du quatrième transistor luimême en série avec la première résistance, sont disposéesen parallèle Le courant circule en perma- nence dans la dernière des deux branches de courant pré- citées Par contre, le courant ne peut circuler dans l'au- tre branche (troisième résistance + cinquième transistor) qu'à la condition que le VBE du cinquième transistor soit suffisant La valeur de ce VBE est liée notamment à celle de la chute de tension aux bornes de la deuxième résistance, qui dépend elle-même de l'intensité du courant fourni par la deuxième source, courant qui croit avec la température de fonctionnement Pour les faibles températures, la chute de tension aux bornes de la deuxième résistance est insuf- fisante pour que le VBE du cinquième transistor atteigne sa tension de seuil et il ne passe aucun courant dans la branche de ce transistor Lorsque, la température de fonc- tionnement s'étant élevée, la valeur du courant de deuxième -4- source devient suffisante pour que, la chute de tension aux bornes de la deuxième résistance ayant augmenté, le VBE du cinquième transistor atteigne la tension de seuil, il naît un courant dans ledit cinquième transistor Ce dernier courant vient en soustraction de celui circulant dans la branche incluant la première résistance et il est d'autant plus important que la température est plus élevée On par- vient ainsi à réduire la vitesse de croissance de la chute de tension aux bornes de la première résistance en fonction de la température et à rendre cette croissance sensiblement égale, au signe près, à celle du VBE du troisième transis- tor; on obtient, en conséquence, une stabilisation des niveaux haut et bas du potentiel de sortie de l'étage. La troisième résistance, disposée en série avec le cin- quième transistor, fournit l'impédance nécessaire pour que le courant de deuxième source ne passe pas, pratiquement tout entier, par le cinquième transistor dès lors que ce transistor devient conducteur, ce qui entraînerait non seu- lement la paralysie de la régulation mais des variations importantes des potentiels de sortie. Un étage de sortie E C L équipé d'un dispositif de ré- gulation en température tel que défini précédemment présente l'avantage d'une grande stabilité des tensions de sortie qu'il délivre, ceci dans un large domaine de température de fonctionnement s'étendant, en ce qui concerne les jonctions des transistors, de 30 à 150 ' C Moyennant un choix conve- nable des éléments de ce dispositif on obtient de ne pas dépasser, entre les extrêmes de températures de jonction précitées, une variation de 5 m V des tensions de sortie. La régulation est appliquée de façon égale, sur les deux niveaux de sortie, haut et bas, de l'étage. Par ailleurs, ce dispositif présente l'avantage d'être simple, eu égard à sa grande efficacité. Selon une première forme de réalisation du dispositif proposé, la base du cinquième transistor est reliée direc- -5- tement à l'émetteur du quatrième transistor Le dispositif se réduit alors à une résistance de commande (deuxième ré- sistance) ayant à ses bornes un transistor (cinquième tran- sistor) disposé en série avec une résistance (troisième ré- sistance) La valeur du VBE du cinquième transistor est dans ce cas entièrement dépendante de la chute de tension aux bornes de la deuxième résistance Etant donné les faibles va- leurs des courants mis en jeu, la deuxième résistance doit être assez forte, en moyenne de l'ordre du kilohm. Selon une deuxième forme de réalisation du dispositif, un peu plus complexe que la précédente, la base du cinquième transistor est reliée au point milieu d'un pont de résis- tances connecté entre la seconde source de courant et les bases des premier et quatrième transistors La liaison entre ladite base du cinquième transistor et l'émetteur du qua- trième transistor telle que la prévoit l'invention est, cette fois, indirecte Elle se fait via une première résistance dudit pont de résistances et le trajet base-émetteur du qua- trième transistor. Dans cette deuxième forme de réalisation, la valeur du VBE du cinquième transistor ne dépend plus uniquement de la chute de tension aux bornes de la deuxième résistance Les variations de cette dernière chute de tension viennent en addition d'une tension de prépolarisation prélevée sur ledit pont de résistances Mais c'est toujours la chute de tension dans la deuxième résistance qui commande l'état du cinquième transistor Ce mode de réalisation permet, d'une part, de travailler avec une deuxième résistance de valeur trois à quatre fois plus faible que dans le cas précédent, ce qui réduit la chute de tension aux bornes de cette résistance, d'autre part et en conséquencede relever le niveau de po- tentiel à l'extrémité de cette deuxième résistance qui est reliée à la deuxième source de courant; ainsi, ladite deu- xième source de courant travaille-t-elle dans de meilleures conditions. 25192 t 1. -6- Il va de soi que, quelle que soit la forme de réalisa- tion adoptée et pour obtenir des résultats optima, il y a lieu de respecter non seulement certaines gammes de va- leurs des résistances mises en oeuvre mais surtout certains rapports de valeurs entre ces résistances Des précisions dans ce domaine ainsi que des explications plus précises sur le fonctionnement du dispositif de régulation sont don- nées dans la partie descriptive qui va suivre du présent mémoire. La figure 1 montre le schéma d'un étage de sortie E C L. équipé du dispositif de régulation selon l'invention dans une première forme de réalisation de ce dernier. La figure 2 montre le schéma de ce méme étage de sortie E.C L, le dispositif de régulation étant structuré selon une deuxième forme de réalisation. La figure 3 est un graphique des variations de la ten- sion de sortie d'un étage E C L en fonction de la tempéra- ture de fonctionnement. Dans les figure Sl et 2,on sépare aisément les éléments fondamentaux du schéma-type d'un étage de sortie pour réseau de portes de la technique E C L Ce sont d'abord les deux transistors T 1 et T 2 ("premier et deuxième transistors" sui- vant la désignation précédemment adoptée), de type NPN, réu- nis en un montage différentiel:,les deux émetteurs sont disposés en série avec une source de courant 10 ("première source de courant") elle-même connectée à une ligne d'ali- mentation L 2 ("seconde ligne d'alimentation"); par ailleurs, le collecteur de T 1 et le collecteur de T 2, ce dernier via une résistance 1 ("première résistance") sont connectés à une ligne d'alimentation L 1 ("première ligne d'alimentation") généralement reliée à la terre et dont le potentiel sert de référence générale Sur la base de T 2 par exemple sont appli- qués les signaux d'entrée La base de T est alors connectée à une source de tension auxiliaire fixe, représentée ici par le seul cercle 11 Un transistor T 3, de type NPN, monté en -7- émetteur-suiveur par rapport au transistor Tl, forme l'élé- ment de sortie de l'étage: la base de T 3 est reliée au col- lecteur de Tl, son collecteur est relié à la ligne L 1 et c'est sur son émetteur (borne S) qu'apparaissent les ten- sions de sortie Tout ceci est bien connu de l'homme de l'art. Un arrangement complémentaire au schéma type décrit ci- dessus, destiné à compenser les variations des tensions de sortie entraînées par des variations des températures de fonctionnement de l'étage, consiste en l'adjonction d'un transistor T 4 ("quatrième transistor"), de type NPN, relié par sa base et son collecteur respectivement aux base et col- lecteur de Tl, et relié par son émetteur à la ligne L 2 à travers, notamment, une source de courant 20 ("deuxième sour- ce de courant") Cette deuxième source de courant 20 est constituée, de façon classique, d'un transistor T 6, de type NPN, dont la base est alimentée en tension constante et qui comporte une résistance 4 dans son circuit émetteur. Pour la clarté de la représentation il a été choisi de simplifier la partie du schéma, très classique, qui concerne la source de courant 10: la source de courant 10, qui n'est pas impliquée dans le fonctionnement du dispositif de compen- sation en température, est seulement schématisée sur les figures. Le dispositif selon l'invention, qui assure, en liaison avec le transistor T 4 et la source de courant 20, une quasi stabilité de la tension de sortie en S dans une large gamme de températures de fonctionnement, est circonscrit sur les figures 1 et 2 par un quadrilatère en trait tireté 30. D'une façon générale, selon un schéma se rapportant tout aussi bien à l'une (figure 1) qu'à l'autre (figure 2) des deux formes proposées de réalisation de l'invention, celle- ci est notamment remarquable en ce que: "entre la deuxième-source de courant 20 et l'émetteur du quatrième transistor T 4 d'une part, il est interposé -8- une résistance 2, dite deuxième résistance, entre ladite deuxième source de courant 20 et la première ligne d'ali- mentation L d'autre part, sont connectés une résistance 3, dite troisième résistance avec, disposé en série, le trajet émetteur-eollecteur d'un transistor T 5, dit cinquième tran- sistor, le collecteur de ce dernier étant relié directement à la première ligne d'alimentation L 1 tandis que sa base est reliée, au moins indirectement, à l'émetteur du quatrième transistor T 4 ". Avant de décrire le mode de fonctionnement du dispositif selon l'invention, il y a lieu de rappeler celui de l'en- semble de base de la régulation, ensemble connu de l'art antérieur, constitué par la source de courant 20 et le tran- sistor T 4 On se rapporte pour cela à l'une ou à l'autre des figures 1 et 2 en faisant abstraction des circuits des- sinés dans les quadrilatères 30. On sait que la tension de sortie à la borne S, mesurée par rapport à celle de la ligne LI qui sett de référence générale, peut se situer à deux niveaux V 1 H (niveau haut) et VB (niveau bas) qui correspondent au passage du courant Il fourni par la source 10, respectivement dans le transistor T et dans le transistor T du montage différentiel La 2 i source 20 fournit un courant I 2 qui, via T 4, passe dans la résistance 1 de valeur R 1. On a donc: VH = VBE(T) + R 1 2 () BT 3) B BE(T 3) + R 1 I 2 + R 1 Il = VH + R Il Dans la mesure o R I est maintenu très sensiblement constant avec la température (chose qui est obtenue dans les circuits E C L par des moyens-connus et que nous considé- rons comme acquise) il est clair que les valeurs de VH et VB sont liées aux mêmes paramètres. Dans l'expression ( 1) les deux termes VBE(T) et R 1 I 2 varient en sens inverse en fonction de la température -le premier décroît, le second croit si bien qu'il est obtenu -9- une certaine compensation Il en résulte donc, grâce à l'in- troduction d'un courant auxiliaire I 2, une amélioration de la stabilité de VH (donc aussi de VB) Mais cette compensa- tion est imparfaite en raison de ce que R 1 12 croît davan- tage que ne décroît VBE(T) quand la température augmente. Le petit calcul qui, quit permet de discerner quels sont les facteurs de ce déséquilibre. V VBE(T) (V: potentiel stabilisé de la base 12 = de T 6 par rapport à la ligne L 2, 2 R 4 62 R 4: valeur de la résistance 4) R 1 Rl R I R V R 1 2 R 4 R VBE(T 6) En reportant cette expression de R I dans l'équation 1 2 ( 1) donnant VH on obtient: R 1 R 1 H BE(T 3) R 4 V R 4 BE(T 6) ( 2) R 1 Le terme R V est constant, V étant constant par hypo- thè 4 R 1 thèse et le rapport R étant constant également du fait de la variation parallèle des valeurs des résistances 1 et 4 avec la température La variation de VH est liée à celle des deux autres termes de l'équation ( 2) Pour que VH demeure stable, il faudrait que d Vd BE(TV R E(TR (T : température de d T) = reste donc sensiblement le même quelle que soit la tempéra- ture de fonctionnement Il n'en est pas de même pour d V d VBE(T 6) le coefficient de température de T 6 variant en même temps que le courant 2 qu'il fournit. temps que le courant 12 qu'il fournit. -10- Il n'est donc pas possible d'éviter que R 1 I 2 croisse plus vite que ne décroît V et les niveaux de sortie BE(T 3) VH et VB (voir équation 1) tendent à baisser quand la tempé- rature augmente En fait la décroissance de VBE(T) est sur- compensée par la croissance de R I 3 i 2 ' Le dispositif additionnel selon l'invention permet de remédier à ce phénomène de surcompensation et d'obtenir une très bonne stabilité desdits niveaux de sortie Son rôle consiste -que ce soit dans l'une (figure 1) ou l'autre tfi- gure 2) des deux formes de réalisation proposées à faire en sorte qu'une partie de I 2, d'autant plus importante que la température est élevée, soit déviée vers L 1 et ne puisse tra- verser la résistance 1 Ainsi peut-on ajuster la croissance de la chute de tension aux bornes de la première résistance sur la décroissance du VBE(T). Selon la première forme ae réalisation proposée du dis- positif selon la présente invention (voir figure 1, quadri- latère 30), la base de T 5 est reliée directement à l'émetteur de T 4 Le dispositif se réduit alors à une résistance 2 ayant à ses bornes le trajet base-émetteur de T 5 disposé en série avec la résistance 3 Le fonctionnement de ce disposi- tif est le suivant -le VBE du transistor T 5 est dépendant de la tension pré- sente aux bornes de la résistance 2 Aux faibles températures (jusqu'à environ 600 C), I 2 étant à son niveau bas, cette tension R 2 I 2 est inférieure à la tension VBE de seuil de T 5 et celui-ci est bloqué Tout le courant I 2 passe donc dans la résistance 1, via le transistor T 4 Lorsque le produit R 2 I 2 atteint la tension V de seuil de T 5 celui-ci devient 2 2 BE conducteur; dès cet instant-là, une partie du courant I 2 se trouve dévié par la branche T 5-résistance 3 et cette partie vient en soustraction du courant qui traversait auparavant la résistance 1 La chute R I 2 se trouve donc réduite, ce qui est le but poursuivi I 2 croissant avec la température, la chute de tension aux bornes de la résistance 2 croit, le VBE de T croit,entraînant l'augmentation de son courant. -11- Comme il a été indiqué précédemment, la présence de la résistance 3, en série avec le trajet émetteur-collecteur de T 5, évite que le courant I 2 ne passe tout entier par T 5 dès lors que ce transistor devient conducteur. La précision de la régulation obtenue sur les niveaux de sortie en S, dépendsuivant les températures, des valeurs retenues pour chacune des résistances 1, 2, 3, 4, mais sur- tout aussi des rapports de valeurs entre ces résistances. Le calcul et l'expérimentation ont montré -ceci dans la forme de réalisation de l'invention ci-dessus décrite qu'il y a lieu de sélectionner lesdites résistances de manière à res- pecter les rapports de valeurs suivants R 1 R 3 = 2,8 à 3,2 _ = 1,4 à 1,8 R 4 2 Selon une deuxième forme de réalisation du dispositif selon l'invention (voir figure 2, quadrilatère 30), la base du cinquième transistor T 5 est reliée au point milieu A d'un pont de résistances 5 et 6 connecté entre la seconde source de courant 20 et les bases de T 1 et de T 4 (soit aussi, dans le cas de figure, la source de tension auxiliaire fixe 11). La base de T 5 est reliée indirectement à l'émetteur de T 4,via la'résistance 6 dudit pont et le trajet base-émetteur de T 4. Dans cette deuxième forme de réalisation, la valeur du VBE de T 5 ne dépend plus uniquement de la valeur de la chute de tension aux bornes de la résistance 2 A une composante du VBE(T) déterminée par le pont de résistances 5-6 vient s'ajouter une composante liée aux variations de la chute de tension aux bornes de ladite résistance 2: ces variations, qui dépendent de celles de I 2, provoquent en effet des chan- gements du niveau de potentiel sur le collecteur de T 6 (au point B de la figure 2) qui se répercutent sur l'émetteur de T 5 et entraînent des variations du VBE(T) Le potentiel au point A varie d'ailleurs dans le même sens que celui au point B, mais son amplitude est plus faible. -12- Avec un tel montage, dans lequel la chute de tension aux bornes de la résistance 2 n'est plus le seul élément déterminant de la valeur du VBE(T) comme dans le cas de la première forme de réalisation précitée, la valeur de ladite résistance 2 est choisie plus faible que dans ce dernier cas. La chute de tension aux bornes de la résistance 2 étant plus faible, le potentiel sur le collecteur de T 6 est plus élevé que dans le cas de la figure 1, ce qui permet surtout de di- minuer le risque de fonctionnement en régime de saturation de ce transistor T 6; la compensation en température recher- chée ne peut être obtenue, en effet, que si T 6 fonctionne en régime non saturé. La bonne marche du montage selon la figure 2 impose, ici aussi, de respecter certains rapports de valeurs entre les résistances de ce montage En particulier, il est fait en R 3 R 5 sorte que = 1,0 à 1,3 = 1,8 à 2,2 R 2 6 Pour la description et l'étude de fonctionnement du dis- positif selon l'invention, qui ont été faites ci-dessus, il a été considéré que les signaux d'entrée étaient appliqués sur le transistor T 2 du montage différentiel tandis que la base du transistor T de ce même montage différentiel (et donc celle de T 4) était reliée à une source de tension fixe 11 Il y a lieu de noter que le fonctionnement dudit dispo- sitif est tout aussi satisfaisant dans le cas inverse sui- vant lequel les signaux d'entrée sont appliqués à la base de T 1 (et à celle de T 4) tandis que la base de T 2 est con- nectée à la source 11. Par ailleurs et sur le plan de la technologie de réali- sation de l'étage E C L en structure semiconductrice, il est clair pour l'homme de l'art que les transistors T 1 et T 4, qui ont été représentés séparés sur les figures 1 et 2 peu- * vent être réunis en un seul transistor bi-émetteur. On se reporte maintenant à la figure 3 sur laquelle un réseau de quatre courbes montre l'évolution de la tension -13- de sortie VH d'un étage E C L correspondant au schéma de la figure 1, tension mesurée en millivolts (comptés en va- leurs négatives par rapport au potentiel O de la ligne de référence L 1), en fonction de la température, dans une gamme allant de 30 à 1500 C, du cristal semiconducteur sur lequel a été réalisé ledit étage, pour les cas suivants: -Courbe A étage de sortie dépourvu de dispositif 30 de correction. -Courbes B,C,D: étage de sortie pourvu d'un dispositif 30 de correction, les valeurs des résistances 1, 2, 4 étant fixées, la résistance 3 ayant trois valeurs différentes. La courbe A montre que la tension de sortie, après un bref palier aux faibles températures de fonctionnement ( 30 à 60 C environ), décroît régulièrement, la vitesse de dé- croissance s'accentuant avec la température. L'étage étant pourvu dus dispositif 30 selon l'inven- tion, les courbes B,C,D, traduisent, entre 30 et 70 envi- ron, une bonne stabilité de VH Au-delà de 70 ces trois courbes divergent, chacune d'elles ayant une pente distincte en rapport avec une valeur déterminée de la résistance 3. -La courbe C qui correspond à une valeur intermédiaire de la résistance 3 comprise entre celles, plus élevée et plus faible,auxquelles correspondent respectivement les courbes B et D, montre que l'on peut, à l'aide du dispositif selon l'invention, obtenir une quasi stabilité de la tension de sortie dans la gamme de températures retenue. Si la valeur de la résistance 3 est choisie trop forte (courbe B) la partie du courant I 2 qui est déviée par T 5 est trop faible et l'accroissement du courant dans la résistance l est encore trop élevé pour que celui de la chute de ten- sion aux bornes de ladite résistanceine soit encore supé- rieur au décroissement du V Aussi, la tension de sor- tie VH décrott. Dans le cas,contraire au précédent, d'une valeur de la 251921 1 -14- résistance 3 choisie trop faible (courbe D) il passe par T 5 une part trop importante de courant 12 et c'est la varia- tion du VBE(T) qui prévaut sur celle de la chute de tension aux bornes de la résistance 1: la tension de sortie VH croît avec la température. f -15- REV-ENDICATIONS - l. Etage de sortie pour circuit intgré à réseau de portes de Jla technique E C L, constitué notam ment de deux transist-Lors (T 1 i',T 2) réunis par leurs émetteurs et formant un montage différentiel, lequel montage est disposé en sé- rie avec une première source de courant ( 10) et dans cet ordre entre une première et une seconde lignes d'alimenta- tion (L 1,L 2), l'un desdits transistors, ou premier transis- tor (T 1) étant connecté par son collecteur à la première ligne d'alimentation à travers une première résistance ( 1), d'un troisième transistor (T 3) sur l'émetteur duquel est prélevée la tension de sortie du circuit et dont le trajet base-collecteur est branché en parallèle sur ladite première résistance ( 1), puis d'un quatrième transistor (T 4) branché par sa base et son collecteur en parallèle sur le premier transistor, comportant dans son circuit émetteur une deu- xième source de courant ( 20) connectée à la seconde ligne d'alimentation (L 2), caractérisé en ce que entre la deu- xième source de courant ( 20) et l'émetteur du quatrième transistor (T 4) d'une part, il est interposé une résistance ( 2) dite deuxième résistance, entre ladite deuxième source de courant ( 20) et la première ligne d'alimentation (L 1) d'autre part, sont connectés une résistance ( 3), dite troi- sième résistance avec, disposé en série, le trajet émetteur- collecteur d'un transistor Ts), dit cinquième transistor, le collecteur de ce dernier étant relié directement à ladite première ligne d'alimentation (L 1) tandis que sa base est reliée, au moins indirectement, à l'émetteur du quatrième transistor (T 4). 2. Etage de sortie sèlon la revendication 1, caracté- risé en ce que la base du cinquième transistorf T 5) est reliée directement à l'émetteur du quatrième transistor (T 4). 3. Etage de sortie selon la revendication 2, caracté- risé en ce que les valeurs Ri, R 2, R 3 et R 4 de, respective- ment, les première,deuxième, troisième et quatrième résis- R Rta tances sont telles que R = 2,8 à 3,2 R 2 l,4 à 1,8. F 4 R 2 -16- 4. Etage de sortie seloi, la revendication 1, caracté- r Jis en ce que la base du cinquième transistor (T 5) est reliée au point milieu A d'un pont de résistances ( 5,6), dites cinquième et sixième résistances, lesdites résis- tances étant connectées dans cet ordre entre la seconde source de courant ( 20) et les bases des premier et quatrième transistors (T 1,T 4). 5. Etage de sortie selon la revendication 4, caracté- risé en ce que, d'une part les valeurs R 2 et R 3 de, respec- tivement, les deuxième et troisième résistances sont telles R 3 que R = 1, 0 à 1,3 d'autre part les valeurs R 5 et R 6 de, respectivement, les cinquième et sixième résistances, sont telles R 5 que = 1,8 à 2,2. 6. Etage de sortie selon l'une des revendications 1 à , caractérisé en ce que la base au premier transistor est connectée à une source de tension fixe ( 11), tandis que la base du deuxième transistor est l'entrée dudit étage. 7. Etage de sortie selon l'une des revendications 1 à , caractérisé en ce que la base du deuxième transistor est connectée à une source de tension fixe ( 11), tandis que la base du premier transistor est l'entrée dudit étage.