FR 2514906 A1 19830422 FR 8217281 A 19821015 La présente invention concerne les circuits à sélec- tivité de fréquence et, en particulier, les filtres optiques intégrés. Les problèmes concernant la conception et la fabri- cation de fibres optiques à large bande étant en voie d'gtre résolus de façon satisfaisante, l'attention se porte mainte- nant sur l'étude de procédés permettant d'exploiter leurs grandes possibilités Parmi les sujets étudiés figurent les filtres à sélectivité de longueur d'onde destinés à séparer plusieurs signaux qui se propagent dans un chemin d'ondes com- mun On emploie de façon caractéristique dans ce but des cou- pleurs directionnels, comme il est décrit par exemple dans le brevet US 4 243 295 Du fait que de tels dispositifs sont ba- sés sur l'interaction de champs évanescents, ils tendent à 9 tre plus longs que ce qui pourrait 4 tre souhaitable De plus, ils nécessitent la fabrication de deux guides de lumière très proches l'un de l'autre et d'électrodes associées et, de ce fait, ce sont des structure relativement difficiles à fabri- quer. Dans un filtre de longueur d'onde conforme à l'in- vention, on introduit un dissymétrie dans le profil d'indice de réfraction effectif du chemin d'ondes De ce fait, l'éner- gie ondulatoire dont la longueur d'onde est supérieure à une longueur d'onde critique n'est plus guidée par le chemin d'ondest Ce signal rayonné peut ensuite 9 tre recueilli à l'extérieur du chemin de signal principal On utilise ce mé- canisme en tant que moyen pour séparer séquentiellement des signaux de différentes longueurs d'onde On décrit des moyens permettant de concevoir le filtre et de spécifier la longueur d'onde critique. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 montre une structure de guidage d'onde constituée par trois lames infinies; La figure 2 montre le profil d'indice de réfraction du guide d'ondes de la figure 1; La figure 3 montre une structure de guide d'ondes plus générale; La figure 4 montre une structure équivalente à cel- le de la figure 3, sous forme de guide d'ondes à lames infi- nies; Les figures 5, 6 et 7 représentent divers exemples de réalisation de l'invention; La figure 8 montre un détecteur optique incorporé dans le mode de réalisation de la figure 7; Les figures 9 et 10 montrent des modes de réalisa- tion supplémentaires de l'invention; La figure 11 montre un profil d'indice modifié pour renforcer le rayonnement du signal, Les figures 12 et 13 montrent deux modes de réali- sation supplémentaires de l'invention; La figure 14 montre le profil d'indice effectif du mode de réalisation de la figure 13; et Les figures 15 et 16 montrent les modes de réalisa- tion des figures 6 et 9, modifiés par l'incorporation d'élec- trodes d'accord. On expliquera les principes de l'invention en con- sidérant la structure de guidage d'ondes 10 représentée sur la figure 1, qui comprend une lame plane intérieure 11 en une matière ayant un indice de réfraction V O et une largeur d, placée entre une paire de lames extérieures 12 et 13, et en contact avec ces dernières Les lames 12 et 13 sont consti- tuées par des matières ayant des indices de réfraction respec- tifs Y 1 et V 2 Pour déterminer les caractéristiques de pro- pagation de cette structure de guidage d'ondes, on spécifie que toutes les lames s'étendent à l'infini dans les directions + y-et que les lames extérieures 12 et 13 s'étendent respecti- vement à l'infini dans les directions + x et x, en désignant par x et y des directions normales à la direction de propaga- tion des ondes, z On spécifie en outre que les trois indices Y O ' V 1 et 92 sont inégaux de façon à satisfaire la relation: v ô v,1 ' V 2 La figure 2 montre un tracé du profil d'indice. La courbe en trait continu 20 montre le type de profil qu'on obtiendrait en utilisant des lames de matières discrètes La courbe en pointillés 21 montre le profil plus caractéristique qu'on obtient par diffusion d'impuretés dans des substrats. Les principes de l'invention s'appliquent également aux deux case On peut montrer que l'indice de réfraction équiva- lent d'une telle structure est donnée par la relation: X 2 i VeVO 2 d %,) i 6 + - 7 (-rô 1) Ve=Yo t ( NO' 1)( 2 ïrd) 1 dans laquelle: X est la longueur d'onde en espace libre de l'énergie ondulatoire qui se propage, et Ve est défini à partir de la constante de pro- pagation par la relation: v - ( 2) Me = 2 ( 2) De façon plus caractéristique, un guide d'ondes op- tique peut comprendre plus de trois matières, comme le montre la figure 3 Dans de tels cas, on peut combiner les diverses régions et les remplacer par leur indice de réfraction équi- valent, donné par l'équation ( 1) Ainsi, par exemple, on peut combiner les régions nt, ni 2 et N 3 et les représenter par une première lame extérieure 40 d'indice équivalent n( 1 A,) De façon similaire, on peut combiner le second groupe de trois régions N 4, N 5 et N 6 et le représenter par une seconde lame 41 de largeur a et d'indice équivalent n( 1 + A 2)9 et on peut combiner le troisième groupe de trois régions N 7, N 8 et N 9, et le représenter par une troisième lame 42 d'indice équiva- lent n On voit que les configurations des figures 1 et 4 sont identiques, ce qui démontre qu'on peut obtenir une ap- proximation de la distribution d'indice générale au moyen de son équivalent à lames infinies, et qu'on peut déterminer les propriétés de guidage d'ondes du guide d'ondes d'origine à partir de l'équivalent à lames infinies On peut montrer à cet égard que l'atténuation par rayonnement R, en décibels, pour l'équivalent est donnée par la relation: a Ln R = 127,43 2 ( 3) dans laquelle: L est la longueur du guide d'ondes; 2 est très inférieur à un; et an c 1 _ ( 4) donné par l'équation( 4), est la longueur d'on- de critique au-dessus laquelle la structure ne fait plus fonc- tion de guide d'onde Ainsi, alors que l'énergie ondulatoire aux longueurs d'onde inférieures à As est guidée, l'énergie ondulatoire aux longueurs d'onde supérieures tend à rayonner par le côté de la structure ayant l'indice de réfraction le plus élevé L'angle entre la direction de rayonnement et l'axe du guide est: 9 = 2,59 V/A 2(;ac) (A ( 5) L'équation ( 1) montre de façon évidente que l'indice de réfraction équivalent d'un réseau de trois matières diffé- rentes est une fonction de leurs indices respectifs et de la largeur de la matière centrale On peut ainsi réaliser n'im- porte quelle distribution d'indice désirée, soit en utilisant des matières différentes, soit en changeant la largeur de la matière centrale Des exemples des deux techniques sont illus- trés dans les configurations décrites ci-après. La figure 5 représente un mode de réalisation d'un filtre de longueur d'onde employant les principes décrits ci-dessus Le filtre comprend une enceinte conductrice 50, à trois cotés, dans laquelle se trouve une lame 51 d'une matière ayant un indice de réfraction na ( 1 + ú 2), en désignant par na l'indice de l'environnement (c'est-à-dire de l'air) la lame 51 est placée en contact avec une paroi conductrice 52 de l'enceinte 50 de façon à établir un profil d'indice dissymé- trique du type représenté sur la figure 2. Pendant le fonctionnement, des signaux ayant des longueurs d'onde > 1 et 2 sont dirigés vers la lame 51 et ces signaux satisfont la relation X 1 > Acv X 2 la longueur d'onde X étant définie par l'équation ( 4) Le signal de lon- gueur d'onde a 2 est guidé par la lame, du fait que sa lon- gueur d'onde est inférieure à la longueur d'onde de coupure. Cependant, le signal de longueur d'onde AIS ayant une lon- gueur d'onde supérieure à la longueur d'onde de coupure, rayon- ne hors de la lame, dans la région environnante Un miroir 53 disposé à un emplacement commode change la direction du signal rayonné pour le faire sortir du filtre. la figure 6 montre un second mode de réalisation d'un filtre de longueur d'onde comprenant un substrat 60 d'in- dice de réfraction N 1, dans lequel sont incorporéesune bande 61 d'indice N 2 et une bande 62 d'indice N, avec N 2 >n 3; ni. En fonctionnement, des signaux de longueurs d'onde à 19 2 ' ? 3 'm sont appliqués à la bande 61 et les divers in- dices ainsi que la largeur de la bande 61 sont tels que la longueur d'onde de coupure X tombe entre \ et X 2 Par conséquent, le signal de longueur d'onde > 1 rayonne hors de la bande 61 vers la bande 62 et il est dévié hors du substrat au moyen d'un sillon 64 qui est taillé de façon à former une surface réfléchissante dans la bande 62 Les signaux restants continuent d'être guidés par la bande 61 et on peut les sépa- rer par des sections de filtre successives dont les paramètres sont choisis de façon à placer correctement la longueur d'onde de coupure par rapport aux longueurs d'onde des signaux. Dans les modes de réalisation des figures 5 et 6, on obtient le profil d'indice désiré par l'utilisation de matiè- res différentes Dans le mode de réalisation de la figure 7, qu'on va maintenant décrire, on obtient le profil d'indice effectif dissymétrique désiré en changeant l'épaisseur d'une seule matière Par exemple, en appliquant l'équation ( 1) à la figure 3, on peut montrer qu'avec N 1 = N 4, N 2 = N 5 et N 3 = N 6, l'indice équivalent de la configuration N 4, N 5, N 6 est supé- rieur à celui de la configuration N 1, N 2, N, du fait que d O d 2 Par conséquent, dans le mode de réalisation de la figure 7, le filtre 70 comprend une lame de matière dont l'épaisseur d 1 dans une première région 71 et l'épaisseur d 2 dans une se- conde région 72 sont telles qu'on ait dl> d 2 De plus, la lar- geur de la partie la plus épaisse, 71, diminue par paliers de a 1 à a 2 O o jusqu'à atm 1) à des intervalles 11, t* 1 L(m 1) dans la direction de propagation des ondes, en dési- gnant par m un nombre entier égal au nombre de voies à sépa- rer Des sillons 73, 74, 75 taillés de façon à former des surfaces réfléchissantes, sont taillés dans la surface de la région la plus mince, 72, pour réfléchir vers le bas le si- gnal rayonné Pour éviter l'extraction d'une partie de l'éner- gie du signal guidé, les surfaces réfléchissantes sont espa- cées d'une distance au moins égale à D, par rapport à la par- tie la plus épaisse 71 du filtre, en désignant par D la pro- fondeur de pénétration à laquelle l'intensité du champ évanes- cent des modes guidés est réduite d'un facteur 1/e, et cette profondeur est donnée par la relation: 1 + (A 2/I 1) / 2 ___T 2 n( 2 _ 2)1/2 ( 6) dans laquelle: A est la longueur de la composante de signal ayant la plus grande longueur d'onde inférieu- re à A qui doit demeurer guidée dans l'in- tervalle considéré. Connaissant l'indice de réfraction de la matière de la lame de filtre et de l'environnement au-dessus de la lame, on calcule le profil d'indice effectif en utilisant l'équation ( 1) Ayant calculé le profil d'indice, et connaissant les lon- gueurs d'onde Xl Y > 2 m des voies à séparer, on peut définir la longueur d'onde critique nécessaire pour rejeter le signal ayant la longueur d'onde la plus élevée, dans les parties successives du filtre, et on peut déterminer les va- leurs de a 1, a 2 o O à partir de l'équation ( 4). On détermine les longueurs l 1 '2 '*O L( 1) des parties longitudinales successives du filtre en utilisant l'équation ( 3) L'atténuation par rayonnement déterminée par cette équation est une mesure de l'efficacité avec laquelle le signal rejeté est extrait, et elle doit être suffisamment grande pour minimiser la diaphonie dans le système On peut détecter les voies rejetées par des photodétecteurs discrets placés de façon à intercepter l'énergie de signal déviée hors du filtre par les surfaces réfléchissantes des sillons 73, 74, Selon une variante, on peut intégrer les détecteurs à la structure du filtre Ceci est représenté de façon plus détaillée sur les figures 7 et 8, dans lesquelles le filtre repose sur un substrat semiconducteur 76 en matière de type n dans laquelle est incorporée une région de type p 77,'cour former une photodiode à jonction p-n L'arséniure de gallium (Ga As) convenablement dopé est une matière caractéristique qu'on peut utiliser dans ce but La détection s'effectue par l'application d'une polarisation inverse à la jonction p-n dans la région située immédiatement au-dessous de chacune des surfaces réfléchissantes Ceci est représenté sur la figure 8 qui est une coupe du filtre dans la région de la surface ré- fléchissante du sillon 73 La polarisation est établie par une paire d'électrodes 78 et 79 qui forment respectivement un contact ohmique avec la région de type N 76 et avec la ré- gion de type p 77 En formant des paires d'électrodes sous chacune des surfaces réfléchissantes, on détecte séparément les voies individuelles Une diode Schottky, symbolisée par une troisième électrode 88, représentée en pointillés, est incorporée dans un but d'accord, comme on l'expliquera ci- après de façon plus détaillée. La figure 9 montre un mode de réalisation de l'in- vention spécialement conçu pour améliorer le rendement du recueil de l'énergie de la voie rejetée Le filtre comprend une paire de guides d'ondes parallèles 81 et 82, pratiquement identiques, ayant un indice de réfraction n( 1 + 42) incorporés dans un substrat d'indice inférieur n Les deux guides d'ondes sont séparés par une région d'indice n( 1 +&,), avec 62 " 6 > Bien que les deux guides d'ondes 81 et 82 forment un coupleur directionnel, ils sont placés suffisamment loin l'un de l'au- tre pour éviter tout couplage notable entre les modes guidés sur l'intervalle de transfert L 10 Ainsi, le coefficient de couplage k est si faible que l'intervalle de couplage clas- sique, L =-1 U/2 k pour le couplage complet des modes guidés est très supérieur à la longueur L 1 nécessaire pour le cou- plage complet de la voie rayonnée Dans un coupleur direct tionnel du type à champ évanescent, les deux guides d'ondes sont mutuellement écartés de façon caractéristique d'une dis- 14906 tance égale à une largeur de guide (c'est-à-dire que l'écar- tement est égal à a 1) Au contraire, dans le coupleur direc- tionnel du type à rayonnement de la figure 9, l'écartement entre les deux guides 81 et 82 est compris entre deux et dix fois la largeur de guide a 1. Ies signaux incidents sont appliqués au guide d'on- des 81 dont les paramètres sont choisis, de façon que le signal ayant la plus grande longueur d'onde soit rayonné à partir du guide 81 et couplé vers le guide d'ondes 820 Un réseau de diffraction 84 ou d'autres moyens de déviation placés le long du guide d'ondes 82 dévient la voie rejetée hors du filtre. Pour séparer les signaux ayant des longueurs d'onde plus courtes, on diminue la largeur du guide d'ondes 81 par paliers, à titre de moyen pour réduire la longueur d'onde critique et donc pour faire en sorte que les signaux ayant des longueurs d'onde plus courtes soient rayonnés 'séquentiel- lement hors du guide 81 et vers le guide 82. la figure 1 C montre une autre configuration en ban- de dans laquelle chacune des voies X 2 et > 3 est couplée vers un guide d'ondesséparé 85, 86 et 87 Ceci élimine la né- cessité d'employer une certaine forme de moyens pour séparer les différentes voies une fois qu'elles ont été couplées vers le guide 82 Un avantage de cette configuration réside dans la réduction de la diaphonie qu'on peut obtenir, s'il y a une fuite dans les moyens de séparation (c'est-à-dire le déflec- teur 84) Un inconvénient consiste en ce que les courbes des guides d'ondes 85, 86 et 87 doivent de préférence être très progressives pour réduire les effets de rayonnement et, de ce fait, la longueur totale d'un filtre ayant cette configu- ration serait supérieure à celle du mode de réalisation de la figure 9. On peut obtenir une amélioration supplémentaire du rendement de couplage par une modification du profil d'indice, représentée sur la figure 11 Comme dans la distribution d'in- dice représentée sur la figure 2, il y a trois régions ayant des indices effectifs N 1, N 2 et N 3, avec N 2->n 3 unls Cepen- dant, dans cette distribution de profil, l'indice effectif de la troisième région augmente progressivement en fonction de la distance, à partir de sa valeur initiale N 3 Ainsi, par exemple, dans le mode de réalisation de la figure 6, l'indice de la bande 62 augmenterait progressivement à partir de sa valeur initiale N 3 jusqu'à une certaine valeur supérieure. On peut obtenir encore une autre amélioration en couplant l'énergie rayonnée par une section de guide d'ondes résonnante, comme le montre la figure 12 Fondamentalement, ce mode de réalisation est le m 8 me que celui de la figure 6, et il comprend une lame 90 d'indice N dans laquelle sont in- corporées une paire de bandes 91 et 92 ayant respectivement des indices n( 1 +& 1) et n( 1 + 52), avec la relation Élu 62 * De plus, on a Douté une quatrième bande 93 d'indice constant n( 1 +& 3)9 avec 53 au moins égal à & 1 mais de préférence supé- rieur De plus, on choisit la largeur W de la bande 92 de façon à former une cavité résonnante à la longueur d'onde de la voie rejetée, c'est-àdire qu'on a la relation: p est un nombre entier. Un avantage de la configuration résonnante consiste en ce qu'elle procure une discrimination en faveur de la voie rejetée, ce qui réduit la diaphonie Un inconvénient consiste en ce qu'il faut changer l'indice ou la largeur de la bande 92 pour chaque voie, ce qui complique le processus de fabri- cation. La figure 13 montre une autre technique pour pro- duire un profil d'indice effectivement croissant du type re- présenté sur la figure 11 i Au lieu de faire varier la compo- sition de la matière, à titre de moyen pour produire un pro- fil croissant, on courbe le guide d'ondes 100 Ceci a pour effet de produire un profil d'indice équivalent représenté sur la figure 14, qui augmente effectivement en fonction de la distance radiale à partir du centre de courbure O Bien qu'on ne l'ait pas indiqué spécialement jus- qu'à présent, il est évident que dans toute structure à pro- fil dissymétrique, un rayonnement peut apparaître dans deux 14906 plans mutuellement orthogonaux Ainsi, par exemple, si on ne choisit pas avec soin les paramètres du filtre de la figure 6 un rayonnement peut appara tre dans le plan vertical défi- ni par le substrat 60, la bande 61 et l'environnement au-des- sus de la bande 61, aussi bien que dans le plan horizontal défini par le substrat 60 et les bandes 61 et 62 Un moyen simple pour éviter ceci consiste à placer sur la bande 61 une couche de matière d'indice N 1, ce qui forme un guide d'ondes ayant un profil symétrique Une variante, consiste à choisir les indices et les dimensions transversales de la bande 61 de façon que la longueur d'Qnde critique dans le plan verti- cal soit supérieure à celle du signal intéressant ayant la plus grande longueur d'onde. Dans les différents modes de réalisation de l'in- vention décrits ci-dessus, on a fait varier la longueur d'on- de critique en modifiant les dimensions du chemin d'ondes, entraînant ainsi une modification du profil d'indice effectif. Un autre procédé d'accord est illustré sur la figure 15 qui, pour les besoins de l'explication, représente le mode de réa- lisation de la figure 6 modifié de façon à comporter des jeux d'électrodes d'accord répartis longitudinalement le long du chemin d'ondes Plus précisément, le filtre représenté sur la figure 15 comprend un substrat 120 d'indice de réfraction n 1 =( 1 à,) dans lequel sont incorporées deux bandes adjacen- tes 121 et 122 ayant respectivement des indices N 2 =(l+à 2) et N 3, avec N 2 > N 3 > N 1 Des paires d'électrodes 123-124, -126 et 127-128 sont superposées sur la bande 121 et le substrat 120, et chacune de ces paires d'électrodes s'étend sur une distance appropriée Li L 2 et I> 3 le long du substrat. Des tensions V 1, V 2 et V 3 sont appliquées entre les paires d'électrodes respectives. Dans la mesure o la longueur d'onde critique, donnée par l'équation ( 4) est fonction de à 1 et, A 2 ' on peut aisément accorder les sections de filtre par l'effet électro- optique, par l'application de la tension appropriée aux élec- trodes Plus précisément, on accorde chaque section de filtre successive de façon qu'elle rayonne le signal présent ayant la plus grande longueur d'onde et qu'elle transmette les si- 235 14906 1 1 gnaux restants, de longueur d'onde plus courte De façon si- milaire, on peut donner une largeur uniforme à la région 71 du mode de réalisation de la figure 7, sur toute sa longueur, et accomplir l'accord au moyen de l'effet électro-optique introduit par une barrière de Schottky représentée par une électrode 88 située au-dessus de la région 71, face à l'élec- trode 78 qui est représentée connectée à une masse commune. Ia figure 16 montre l'utilisation d'électrodes pour accorder le filtre de la figure 9 En utilisant les mêmes nu- méros d'identification que sur la figure 9, les électrodes et 131 sont situées au-dessus des bandes 81 et 82, et une troisième électrode 132, ou électrode commune, est placée sous le substrat 80 Les électrodes 130 et 131 étant connec- tées ensemble, une tension V est appliquée simultanément de part et d'autre des deux bandes Ceci a pour effet d'accorder la bande 81 sans entraîner aucune inégalité dans les constan- tes de phase des deux bandes. Dans les divers exemples de réalisation, les déflec- teurs sont représentés placés aux extrémités des sections de filtre respectives I 12 L 2 Ceci n'est cependant pas obli- gatoire En fait, chaque déflecteur peut être placé au-delà de la section de filtre respective, comme le montre la figure 13. Il va de soi que de nombreuses-modifications peu- vent 9 tre apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVEND ICATIONS 1 Filtre de longueur d'onde comprenant un chemin d'ondes dont le profil d'indice de réfraction effectif pré- sente un maximum le long de son axe longitudinal et diminue dans une direction perpendiculaire à cet axe, caractérisé en ce que ce profil d'indice est dissymétrique par rapport à l'axe et définit une longueur d'onde critique A c; et en ce qu'il comporte des moyens ( 53) destinés à recueillir l'éner- gie ond'latoire d'un signal qui est rayonné à partir du che- min d'ondes ( 51), qui a une longueur d'onde supérieure à A c. 2 Filtre selon la revendication 1, caractérisé eh ce que le chemin d'ondes comprend une partie centrale ayant un indice de réfraction effectif n( 1 +à 2) disposée entre une première couche extérieure de matière ayant un indice de ré- fraction effectif n( 1 A 1) et une seconde couche extérieure de matière ayant un indice de réfraction effectif n. 3 Filtre selon la revendication 2, caractérisé en ce que la longueur d'onde critique 2 c est donnée par la re- lation: an 322 1 A A /1 dans laquelle a désigne la largeur de la partie centrale entre les deux couches extérieures. 4 Filtre selon la revendication 1, caractérisé en ce que le chemin d'ondes comprend une lame de matière ayant un indice de réfraction n, dans laquelle sont incorporées une première bande de matière ayant un indice de réfraction N 2 et une seconde bande de matière ayant un indice de réfraction N 3 avec N 2 > N 3->n 1; ces bandes sont contiguës et s'étendent sur la même région le long de la lame; et les moyens destinés à recueillir l'énergie ondulatoire de signal rayonnée à partir du filtre sont situés à l'intérieur de la seconde bande. Filtre selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une lame de matière ayant une première ré- gion d'épaisseur d 1 et une seconde région d'épaisseur d 2, avec d 1 > d 2; des moyens d'accord incorporés à intervalles longitudinaux le long de la première région; et des moyens disposés à l'extrémité de chacun de ces intervalles de façon à recueillir l'énergie ondulatoire rayonnée à partir de la première région. 6 Filtre selon la revendication 5, caractérisé en ce que les moyens d'accord consistent en variations par paliers de la largeur de la première région. 7 Filtre selon la revendication 5, caractérisé en ce que les moyens d'accord consistent en moyens destinés à appliquer un champ électrique de part et d'autre de la premiè- re région. 8 Filtre selon la revendication 5, caractérisé en ce que chacun des moyens de recueil se trouve dans la seconde région, en étant séparé de la première région d'une distance au moins égale à une distance D donnée par la relation, 1 + (à 2/A) /2 c =ri 2 n( 2 & 1/2 1 c '> dans laquelle: n( 1 + A 2) est l'indice de réfraction effectif de la première région; N est l'indice de réfraction effectif de la seconde région; n( 1 A 1) est l'indice de réfraction effectif d'une troisième région située en position adjacente à la première région et à l'opposé de la seconde région; et X est la longueur d'onde de la composante de signal de plus grande longueur d'onde qui est guidée dans les intervalles respectifs. 9 Filtre selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend une troisième couche de matière contiguë à la seconde couche; et cette troisième couche a un indice de réfraction qui est supérieur à l'indice de réfraction de la seconde couche. Filtre selon la revendication 9, caractérisé en ce que la partie centrale, la seconde couche extérieure et la troisième couche extérieure forment une cavité résonnante ac- cordée sur la longueur d'onde dle l'énergie ondulatoire qui est rayonnée par la partie centrale.