FR 2518814 A1 19830624 FR 8221036 A 19821215 La présente invention concerne un dispositif à se- miconducteur comprenant des premier et second dispositifs de commutation à diode commandée, dans lequel chaque dispositif de commutation à diode commandée comprend une première région d'un premier type de conductivité, et une région de porte et une seconde région d'un second type de conductivité; les première et seconde régions et la région de porte sont conte- nues dans un bloc de semiconducteur ayant une partie de volu- me principal du premier type de conductivité; et les (remiê- re et seconde régions et la région de porte sont mutuellement séparées par la partie de volume principal et ont une résis- tivité relativement faible comparée à la résistivité de la partie de volume principal. L'article intitulé "A 500 V Monolothic Bidirectional 2 x 2 Crosspoint Array", 1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference-Digest of Technical Papers, pages 170 et 171,décrit un dispositif de commutation à diode commandée (encore appelé GDS) à isolation diélectrique Deux de ces dispositifs de commutation situés dans un substrat commun, avec chacun d'eux contenu dans un caisson séparé isolé de fa- çon diélectrique, sont représentés branchés selon une confi- guration anti-parallèle, avec les portes connectées en commun et l'anode de chaque dispositif connectée à la cathode de l'autre Une telle configuration fonctionne en dispositif de commutation bidirectionnel, capable de laisser passer le cou- rant dans les deux sens. Le caisson isolé de façon diélectrique est une ré- gion de semiconducteur monocristallin qui est complètement séparé d'un substrat de semiconducteur de support par une couche diélectrique le substrat de support appartient de façon caractéristique à un circuit intégré L'exigence que chaque GDS séparé d'un dispositif de commutation bidirection- nel soit contenu dans un caisson séparé-augmente l'aire et le coût du circuit intégré. Conformément à l'invention, ce problème est résolu dans un dispositif qui comprend essentiellement deux disposi- tifs de commutation à diode commandée situés dans un seul bloc (caisson) de semiconducteur isolé de façon diélectrique, d'un premier type de conductivité Un substrat en semiconduc- teur est séparé du bloc de semiconducteur par une première couche isolante qui est de façon caractéristique du dioxyde de silicium D'un coté du-caisson, se trouvent une première région d'anode du premier type de conductivité et une premiè- re région de cathode du type de conductivité opposé De l'au- tre côté du caisson se trouvent une seconde région d'anode du premier type de conductivité et une seconde région de cathode du type de conductivité opposé Entre les premières régions d'anode et de cathode et les secondes régions d'anode et de cathode, se trouve une région de porte du type de conductivi- té opposé qui a pour fonction d'isoler électriquement les premières régions d'anode et de cathode par rapport aux se- condes régions d'anode et de cathode et d'assurer un fonction- nement correct Toutes les régions d'anode et de cathode sont séparées par des parties du volume principal de bloc de semi- conducteur et elles ont toutes une résistivité faible compa- ree à celle du volume principal du bloc de semiconducteur. Pour un mode de fonctionnement préféré, une première électro- de est connectée à la première région d'anode et à la seconde région de cathode; une seconde électrode est connectée à la- seconde région d'anode et à la première région de cathode; et une troisième électrode est connectée à la région de porte. le bloc de semiconducteur a une surface supérieure qui fait partie d'une surface supérieure principale du substrat semi- conducteur et il a une surface inférieure principale La ré- gion de porte peut facultativement etre prolongée de façon à. passer entre les deux ensembles de régions d'anode et de ca- thode sur la surface supérieure principale ou sur la surface inférieure principale, ou sur ces deux surfaces. L'utilisation de la région de porte commune pour assurer l'isolation électrique entre deux dispositifs de com- mutation à diode commandée situés dans un caisson commun iso- lé de façon diélectrique, entraîne une économie-résultante de l'aire de silicium, en comparaison de deux caissons séparés isolés de façon diélectrique, contenant chacun un dispositif de commutation à diode commandée L'économie sur l'aire de silicium peut diminuer notablement les coûts de fabrication de réseaux de dispositifs de commutation. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre d'un mode de réalisation et en se référant aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 représente une structure conforme à un mode de réalisation de l'invention; La figure 2 représente un schéma électrique appro- ximatif de la structure de la figure 1; et La figure 3 représente uns partie d'un circuit élec- trique équivalent approximatif pour la structure de la figure 1, dans les conditions dans lesquelles elle est polarisée pour permettre la conduction. On va maintenant considérer la figure 1 qui repré- sente une structure 10 qu'on peut utiliser en tant que dispo- sitif de commutation bidirectionnel à semiconducteur qui peut 4 tre traversé par un courant dans les deux sens et qui est capable d'effectuer une opération de coupure (ou interruption) de courant, au moins dans des conditions limitées La struc- ture 10 comprend essentiellement deux dispositifs de commuta- tion à diode commandée GD 51 et GD 52 interconnectés, qui sont branchés ensemble selon une configuration anti-parallèle, com- me il est représenté sous forme de schéma électrique sur la figure 2 La configuration de la figure 2 est représentée à la page 171-de l'article publié dans le document IEEE précité, paru en 1980. Les parties fondamentales de la structure 10, qui sont essentiellement constituées par les dispositifs GD 51 et GD 52, sont représentées à l'intérieur des lignes en traits mixtes portant les légendes correspondantes L'explication fondamentale du fonctionnement d'un dispositif de commutation à diode commandée est donnée dans l'article publié dans le document IEEE précité, paru en 1980 On supposera donc que le lecteur est familiarisé avec le fonctionnement fondamental d'un dispositif de commutation à diode commandée. La conduction dans le dispositif de commutation bidirectionnel a lieu si la tension anode-cathode est suffi- samment élevée et si une tension appropriée est appliquée à la région de porte C'est la polarité de la tension anode- cathode qmi détermine celuides deux dispositifs de commuta- tion à diode commandée qui conduit le courant pendant l'état conducteur La conduction entre les régions de cathode et d'anode dans l'état conducteur résulte d'une double injection de porteurs qui forme un plasma conducteur -On fait passer le dispositif à l'état bloqué en appliquant à la région de porte une tension suffisante pour appauvrir-en porteurs de courant la partie du volume principal qui est située entre l'anode et la cathode. la structure 10 comprend un élément de support 12 ayant une surface supérieure principale 11 et un bloc de se- miconducteur 16 d'un premier type de conductivité qui-est sé- paré de l'élément 12 par une première couche diélectrique Le bloc de semiconducteur 16 a une surface qui coincide avec la surface supérieure principale 11 et il comporte une surface inférieure principale 13 et quatre parois latérales 15 parmi lesquelles seule la paroi avant n'est pas représentée Une se- conde couche diélectrique 26, dans laquelle sont définies des ouvertures, recouvre la surface supérieure 11 Une région de contact localisée 34 comporte une partie commune avec la sur- face principale 11. Le bloc de semiconducteur 16 contient des première et seconde régions d'anode localisées 18 et 18 a, qui sont du premier type de conductivité, et des première et seconde ré- gions de cathode 24 et 24 a, qui sont du type de conductivité opposé Une première région d'écran localisée 22, qui est du premier type de conductivité, entoure la région 24, et une seconde région d'écran 22 a, qui est du premier type de conduc- tivité, entoure la région 24 a Une région de porte localisée 20, réalisant une isolation par jonction, qui est du type de conductivité opposé, est également incorporée dans le bloc de semiconducteur 16 la région 20 comporte de façon caractéris- tique une partie supérieure qui descend à partir de la surfa- ce 11 et qui vient en contact avec le sommet d'une partie in- férieure de cette région, qui s'élève à partir de la surface inférieure principale 13 La région 20 s'étend à la surface supérieure du bloc de semiconducteur 16 et s'étend verticale- ment vers le bas de façon à diviser physiquement le bloc de semiconducteur 16 en deux parties séparées Comme l'indiquent les lignes en pointillés, il n'est pas obligatoire que les parties supérieure et inférieure de la région de porte 20 viennent réellement en contact mutuel, c'est-à-dire qu'il n'est pas obligatoire que la région 20 s'étende sur la tota- lité de l'épaisseur du bloc de semiconducteur 16 la partie du bloc de semiconducteur 16 qui se trouve à gauche de la ré- gion 20 contient la première région d'anode 18 et la première région de cathode 24, et la partie du bloc de semiconducteur 16 qui se trouve à droite de la région 20 contient la seconde région d'anode 18 a et la seconde région de cathode 24 a. Des électrodes 28, 32, 28 a, 32 a, 30 et 36 viennent respectivement en contact avec les régions 18, 24, 18 a, 24 a, et 34. L'électrode 30 est représentée sous une forme com- prenant une première partie 30 a (représentée en traits mixtes) qui s'étend entre la première région d'anode 18 et la première région de cathode 24, et une seconde partie 30 b (représentée en traits mixtes) qui s'étend entre la seconde région de ca- thode 24 a et la seconde région d'anode 18 ao La région 20 est également représentée sous une forme comprenant: ( 1) une première partie de semiconducteur 20 a (représentée en traits mixtes) qui s'étend le long de la surface 11 et descend à l'intérieur du bloc 16, et existe entre les régions 18 et 24; ( 2) une seconde partie de semiconducteur 20 b (représentée en traits mixtes) qui s'étend le long de la surface 11 et des- cend à l'intérieur du bloc 16, et existe entre les régions 18 a et 24 a; ( 3) une troisième partie de semiconducteur 20 c (représentée en traits mixtes) qui s'étend le long de la sur- face 13 et monte à l'intérieur du bloc 16 et existe à un em- placement situé entre les régions 24 a et 18 a et à un niveau inférieur à celles-ci; et ( 4) une quatrième partie de semi- conducteur 20 d (représentée en traits mixtes) qui s'étend le long de la surface 13 et s'élève à l'intérieur du bloc 16, et existe à un emplacement situé entre les régions 24 et 18, à un niveau inférieur à celles-ci Les diverses configurations représentées en pointillés pour la région de porte 20 sont facultatives Un premier conducteur 17 connecte la première élec- trode d'anode 28 à la seconde électrode de cathode 32 a Un second conducteur 19 connecte la seconde électrode d'anode 28 a à la première électrode de cathode 32 Les électrodes 28 et 32 a constituent une première borne de sortie de la structure , les électrodes 32 et 28 a constituent une seconde borne de sortie de la structure 10 et l'électrode 30 constitue une borne de commande (porte) de la structure 10. L'élément de support 12 consiste de façon caracté- ristique en un substrat en semiconducteur et la région 34 est une région de contact qui est du même type de conductivité que le substrat 12, mais de résistivité inférieure Dans un mode de réalisation préféré, les types de conductivité des diverses régions sont les suivants: le substrat 12 est de type n, la région 34 est de type n+, le bloc de semiconducteur 16 est de type p-, la région 18 est de type p+, la région 18 a est de type p+ , la région 20 est de type n+, la région 22 est de type p, la région 22 a est de type p, la région 24 est de type n+ et la région 24 a est de type n+ Toutes les électrodes et tous les conducteurs sont de façon caractéristique en alu- minium et les couches diélectriques consistent de façon carac- téristique en couches de dioxyde de silicium et/ou en couches composites de dioxyde de silicium et de nitrure de silicium. Les régions ayant des conductivités de types n+ et p+ peuvent avoir une concentration d'impuretés en surface d'environ o 19 impuretés/cm 3 Le bloc de semiconducteur 16 de type p peut avoir une concentration en impuretés d'environ 9 x 1013 impu- retés/cm 3 et le substrat 12 peut avoir une concentration en impuretés d'environ 1012 à 1016 impuretés/cm 3 Les régions de type p peuvent avoir une concentration d'impuretés en surface d'environ 1018 impuretés/cm 3 Dans un mode de réalisation ca- ractéristique, le bloc de semiconducteur 16 a une épaisseur de 50 à 60 pm et sa partie de surface 11 mesure 300 pm sur 500 Mmo Pour un fonctionnement à 500 à 600 volts, l'écartement caractéristique entre les parties supérieure et inférieure de la région 20 est de 10 lm, et l'écartement entre une extrémité de la région 20 et la paroi latérale 15 du bloc de semiconduc- teur 16 est de 5 Pmo Si la région 20 s'étend depuis la surface 11 jusqu'à la surface 13 située sous elle, et depuis la paroi arrière 15 jusqu'à la paroi avant 15, en traversant complètement le bloc de semiconducteur 16, ce dernier est divisé physiquement en deux parties séparées qui sont pratiquement isolées électri- quement l'une de l'autre par deux jonctions p-n à tension éle-. vée et à fuites relativement faibles; c'est-à-dire les jonc- tions entre la région de porte 20 et la région de volume prin- cipale 16 Ceci conduit à une résistance effective élevée en- tre les deux parties séparées du bloc de semiconducteur 16, ce qui limite la circulation directe du courant d'une partie vers l'autre, en traversant la région 20 Ceci permet à chaque dis- positif de commutation à diode commandée GD 51 et GD 52 de fonc- tionner d'une façon relativement indépendante de l'autreo Si les parties supérieure et inférieure de la région 20 ne se rencontrent pas pour former une seule région continue et/ou ne s'étendent pas complètement depuis la paroi latérale arrière 15 jusqu'à la paroi latérale avant 15, le bloc de se- miconducteur 16 n'est pas complètement divisé physiquement en deux parties, mais il comporte néanmoins deux parties qui sont pratiquement isolées électriquement, chaque partie contenant un dispositif de commutation à diode commandée On peut alors considérer que les parties supérieure et inférieure de la ré- gion 20 sont les grilles ou les-portes d'un transistor à effet de champ à jonction à haute tension, avec les parties du bloc de semiconducteur-16 comprises entre les parties-supérieure et inférieure de la région 20 et entre les parties de la région et les parois latérales 15 de la couche diélectrique 14 po- larisées au blocage de-façon à avoir une résistance très supé- rieure à celle d'autres régions de la partie de volume princi- pal du bloc de semiconducteur 16 Ceci a pour fonction d'iso- ler électriquement le bloc de semiconducteur 16 en une premiè- re partie contenant un premier dispositif de commutation à diode commandée (GD 51) qui comprend les régions 18, 22 et 24 et la région 20, et en une seconde partie contenant-un second dispositif de commutation à diode-commandée (GD 52) qui comprend les régions 18 a, 22 a, 24 a et la région 20 GD 51 et GD 52 sont toujours capables de fonctionner pratiquement indépendamment l'un de l'autre. Une isolation électrique suffisante entre GD 51 et GD 52 est exigée pour éviter la nécessité d'une tension de dé- blocage excessive, pour assurer un déblocage correct du dis- positif et pour faciliter l'obtention d'une résistance relati- vement faible à l'état conducteur Ainsi, un petit eourant de fuite peut être tolérable. Ia figure 2 montre une combinaison de dispositif de commutation bidirectionnel dans laquelle la première électro- de d'anode 28 et la seconde électrode de cathode 32 a consti- tuent la première borne de sortie, la seconde électrode d'ano- de 28 a et la première électrode de cathode 32 constituent la seconde borne de sortie, et l'électrode de porte à isolation par jonction, 30, constitue la borne de commande (porte) Cet- te combinaison est capable de conduire des signaux des élec- trodes 28 et 32 a vers les électrodes 28 a et 32, ou inversement. On va maintenant considérer la figure 3 qui repré- sente un schéma électrique équivalent approximatif de la struc- ture de semiconducteur 10 de la figure 1, en supposant que la région de porte 20 est polarisée pour permettre la conduction dans la structure 10 Rl représente la résistance à partir de la première région d'anode 18, dans la partie de volume prin- cipal du bloc de semiconducteur 16, entre la première région d'anode 18 et la région d'écran 22 La diode Dl qu'on voit connectée par sa borne de cathode à l'électrode 32, représente la jonction p-n entre la région d'écran 22 et la région de ca- thode 24 RI 501 représente la résistance effective entre la région d'écran 22 et la région d'anode 18 a, dans la partie de volume principal du bloc de Semiconducteur 16 qui sépare les régions 22 et 20, dans la région de porte 20 et dans la partie de volume principal du bloc de semiconducteur 16 qui sépare les régions 20 et 18 a R 2 représente la résistance à partir de la seconde région d'anode 18 a, dans la partie de volume prin- cipal du bloc de semiconducteur 16, entre la seconde région d'anode 18 a et la région d'écran 22 a La diode D 2 qu'on voit connectée par sa cathode à l'électrode 32 a, représente la jonc- tion p-n entre la région d'écran 22 a et la région de cathode 24 a RI 502 représente la résistance effective entre la région d'écran 22 a et l'anode 18, dans la partie de volume principal du bloc de semiconducteur 16 qui sépare les régions 22 a et 20, dans la région de porte 20, et dans la partie de volume prin- cipal du bloc de semiconducteur 16 qui sépare les régions 20 et 18. Rl et R 2 sont de façon caractéristique des résistan- ces inférieures à RI 501 et RI 502 Dans un mode de réalisation caractéristique, avant le début de la modulation de la conduc- tivité à l'intérieur du bloc de semiconducteur 16, Rl et R 2 ont des valeurs caractéristiques de 35000 ohms RI 501 et RI 502 ont des valeurs caractéristiques de 100 000 ohms ou plus Lor- que l'un des dispositifs de commutation à diode commandée com- mence à devenir conducteur, la modulation de la conductivité dans le bloc de semiconducteur 16 diminue considérablement la valeur de Rl ou R 2, jusqu'à une valeur caractéristique de 20 ohms ou moins, et réduit la valeur de RI 501 et RI 502, mais dans des proportions très inférieures Si les électrodes 28 et 32 a sont polarisées positivement par rapport aux électrodes 28 a et 32 (avec de façon caractéristique un écart d'environ + 2 volts ou plus), et si l'électrode de porte 30 (non repré- sentée sur la figure 3) est polarisée pour permettre la con- duction dans la structure 10, le courant circule des électro- des 28 et 32 a vers les électrodes 32 et 28 a, en passant par Rl puis par la diode Dl Seule une fraction relativement fai- ble du courant passe par RI 501 et RI 502, du fait que ces ré- sistances ont toutes deux une valeur relativement grande com- parée à la résistance de Dl polarisée en sens direct la diode D 2 est polarisée en sens inverse et il ne circule donc prati- quement aucun courant dans D 2 Inversement, si les électrodes 28 a et 32 sont polarisées-positivement par rapport aux élec- trodes 28 et 32 a, et si l'électrode de porte 30 (non représen- tée sur la figure 3) est polarisée de façon à permettre la conduction dans la structure 10, le courant circule des élec- trodes 28 a et 32 vers les électrodes 32 a et 28, en passant par R 2 puis par la diode D 2 Seule une fraction relativement faible du courant circule dans RI 501 et RI 502 du fait que ces deux résistances ont une valeur relativement élevée, comparée à la résistance de D 2, polarisée en sens direct La diode Dl est polarisée en sens inverse et il ne circule pratiquement aucun courant dans Dl. On a ainsi montré que la structure 10 pouvait être utilisée en tant que dispositif de commutation bidirectionnel avec des fuites faibles entre les dispositifs de commutation à diode commandée GD 51 et GD 52, isolés par jonction La struc- ture 10 remplace deux dispositifs de commutation à diode com- mandée, se trouvant chacun dans un caisson séparé isolé de façon diélectrique, par deux dispositifs de commutation à diode commandée situés dans un seul caisson isolé de façon diélectrique Cette structure peut 4 tre fabriquée avec une aire de silicium notablement irnérieure et elle procure donc une réduction de coût importante. Les modes de réalisation décrits ici sont destinés à illustrer les principes généraux de l'invention On peut leur apporter diverses modifications sans sortir du cadre de l'invention Par exemple, pour les configurations décrites, l'élément de support 12 peut 4 tre du silicium de conductivi- té de type p, p ou n-, de l'arséniure de gallium, du saphir ou une matière électriquement inactive O Si l'élément de sup- port 12 est une matière électriquement inactive, on peut supprimer la couche diélectrique 14 En outre, on peut fabri- quer le bloc 16 sous la forme d'une structure à isolation par air Ceci permet de supprimer l'élément de support 12 et la couche diélectrique 14 De plus, les électrodes peuvent 9 tre en silicium Polycristallin dopé, en or, en titane ou en d'au- tres types de conducteurs En outre, on peut ajuster les ni- veaux de concentration en impuretés, les écartements entre les différentes régions et d'autres dimensions des régions, pour faire varier les tensions et les courants de fonctionne- ment De plus, on peut remplacer le dioxyde de silicium par d'autres types de matières isolantes (diélectriques), comme le nitrure de silicium ou le silicium polycristallin semi- isolant dopé à l'oxygène Il est en outre possible d'inverser le type de conductivité de toutes les régions, à condition de changer de façon appropriée les polarités des tensions, d'une -35 manière bien connue dans la technique En outre, on peut mo- difier la région de semiconducteur 22 ( 22 a) qui entoure la région de cathode 24 ( 24 a), de façon qu'elle comprenne éga- lement une région d'anneau de garde et une ou plusieurs au- tres régions environnantes de résistivité croissante Des ré- gions supplémentaires de résistivité croissante peuvent en- tourer la région d'anode 18 ( 18 a) La région 20 peut égale- ment 4 tre de conductivité de type n ou n En outre, un seul substrat semiconducteur peut contenir des blocs de semiconduc- teur ayant une conductivité d Q type p et d'autres ayant une conductivité de type n- En outre, les parties 20 a, 20 b, 20 c et/ou 20 d de la région 20 peuvent avoir une conductivité de type N ou n-, et il n'est pas obligatoire que ces parties aient-un m 9 me niveau d'impuretés, ou le même niveau d'impure- tés que la région 20 On peut en outre faire cheminer les conducteurs 17 et 19 autour de la région-20 et à l'extérieur de la couche diélectrique 14. REVENDICATIONS 1 Dispositif à semiconducteur comprenant des pre- mier (GD 51) et second (GD 52) dispositifs de commutation à diode commandée; chaque dispositif de commutation à diode commandée comprenant une première région ( 18) d'un premier type de conductivité et une région de porte ( 20) et une se- conde région ( 24) d'un second type de conductivité, le S pre- mière et seconde régions et la région de porte se trouvant à l'intérieur d'un bloc de semiconducteur ayant une partie de volume principal ( 16) du premier type de conductivité; et les première et seconde régions et la région de porte étant mutuellement séparées par la partie de volume principal et ayant une résistivité relativement faible comparée à la ré- sistivité de la partie de volume principal; caractérisé en ce que les deux dispositifs de commutation à diode commandée sont formés à l'intérieur d'un seul bloc de semiconducteur ( 16); les deux dispositifs de commutation à diode commandée partagent une région de porte commune ( 20); la région de porte commune est placée de façon que la seconde région ( 24) et la première région ( 18) du premier dispositif de commuta- tion à diode commandée (GD 51) se trouvent d'un côté d'elle et que les seconde( 18 a) et première ( 24 a) régions du second dispositif de commutation à diode commandée (GD 52) se trou- vent de l'autre côté d'elle; et la région de porte commune s'étend à l'intérieur du bloc de semiconducteur sur une dis- tance suffisante pour pratiquement isoler électriquement le second dispositif de commutation à diode commandée par rap- port au premier dispositif de commutation à diode commandée. 2 Dispositif selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que la première région ( 18) du premier dispositif de commutation à diode commandée est directement connectée à la seconde région ( 24 a) du second dispositif de commutation à diode commandée, et la seconde région ( 24) du premier dis- positif de commutation à diode commandée est directement connectée à la première région ( 18 a) du second dispositif de i-se 14. commutation à diode commandée, et le dispositif à semiconduc- teur complet est utilisé en dispositif de commutation bidi- rectionnel. 3 Dispositif à semiconducteur selon la revendica- tion 2, caractérisé en ce que chacun des dispositifs de com- mutation à diode commandée comprend une région écran ( 22) du premier type de conductivité qui entoure la seconde région ( 24) du second type dé conductivité. 4 Dispositif à semiconducteur selon la revendica- tion 3, caractérisé en ce que le bloc de semiconducteur ( 16) est un bloc d'une matière semiconductrice monocristalline qui est isolé de façon diélectrique par rapport à un élément de support semiconducteur ( 12), par une couche isolante ( 14). Dispositif à semiconducteur selon la revendica- tion 4, caractérisé en ce que la région de porte commune ( 20) comporte une partie ( 20 a) qui s'étend entre les première et seconde régions du premier dispositif de commutation à diode commandée, et une autre partie ( 20 b) qui s'étend entre les première et seconde régions du second dispositif de commuta- tion à diode commandée. 6 Dispositif à semiconducteur selon la revendica- tion 4, caractérisé en ce que les surfaces supérieure et la- térale du bloc de semiconducteur sont séparées de l'élément de support semiconducteur par la couche isolante ( 14) et la région de porte commune s'étend sur-la totalité de la distan- ce allant de la surface supérieure à la surface inférieure du bloc de semiconducteur.