FR 2517142 A1 19830527 FR 8121801 A 19811120 BASCULE BISTABLE A STOCKAGE NON VOLATIL ET A REPOSITIONNEMENT STATIQUE. La présente invention concerne le domaine des circuits de sauvegarde et plus particulièrement une bascule bistable dont le contenu, à un instant donné, peut être stocké de façon non volatile dans des éléments de stockage, la bascule pouvant être ensuite repositionnée selon les informations stockées. La présente invention permet la mémorisation des infor- mations contenues dans une bascule bistable pour le cas ou l'alimentation de cette bascule viendrait à s'interrompre, puis le repositionnement de cette bascule une fois que la tension d'alimentation est rétablie. On s'intéressera ici essentiellement aux structures de types MOS, c'est-àdire à des structures à effet de champ à grille conductrice (par exemple un métal M) formée sur une couche iso- lante (par exemple un oxyde O) au-dessus d'un semiconducteur (S). Le circuit de sauvegarde selon la présente invention vise à satisfaire aux caractéristiques suivantes sûreté de fonctionnement et, notamment: inscription dans des éléments de stockage non volatil à partir de l'état de la bascule bistable toujours possible dans tous les cas de fonctionnement, repositionnement correct du bistable lors de sa remise sous tension à partir de l'état des éléments de stockage non volatil et seulement sur un ordre précis, non perturbation du bistable par les éléments de stockage en dehors de la phase de repositionnement, facilité d'lutilisation: - réduction du nombre de commandes particulières nécessaires pour la fonction de sauvegarde, rapidité des séquences de prise en mémoire et de repo- sitionnement, en particulier en ce qui concerne la mémorisation qui doit être la plus courte possible. Pour satisfaire ces diverses exigences, la présente invention prévoit une bascule bistable à laquelle est adjoint un circuit de sauvegarde lui permettant d'avoir une fonction de stockage non volatil, la commande des opérations de mise en mémoire, de stockage et de repositionnement pouvant être effectuée à l'aide d'une seule ligne de commande. Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit une bascule bistable à stockage non volatil réalisée à partir d'une bascule bistable classique à transistors MOS, comportant des bornes complémentaires Q et Q*, connectée entre un potentiel d'alimentation (VCC) et un potentiel de référence (M), à laquelle on adjoint deux branches de stockage dont chacune est constituée par le montage en série d'un élément de stockage non volatil du type transistor MOS à tension de seuil programmable électriquement et d'un élément interrupteur du type transistor MOS Une borne de chacun des éléments interrupteurs est reliée au potentiel d'alimentation L'une des bornes principales et la borne de com- mande de l'élément de stockage de la première branche sont connec- tées respectivement à la borne Q et à la borne Q*, et inversement pour l'élément de stockage de la deuxième branche Les bornes de commande des éléments interrupteurs sont connectées ensemble à une source de signal de commande Le signal de commande est appliqué pour permettre d'assurer les fonctions suivantes: fonctionnement normal de la bascule indépendamment du circuit de stockage non volatil, mise en mémoire de l'état de la bascule, stockage, repo- sitionnement de la bascule, les variations du potentiel de comman- -de étant pour certaines de ces phases associées à des modifications du potentiel d'alimentation. La bascule bistable classique peut par exemple être du type à transistors MOS complémentaires ou à transistors MOS enrichis et déplétés Les éléments de stockage peuvent être -des transistors MNOS (métal-nitureoxyde-semiconducteur) dont le substrat est relié à la source Ces éléments de stockage peuvent aussi être du type à grille flottante Comme transistor interrup- teur, on pourra choisir des transistors MOS à grille isolée à canal P, les éléments de stockage étant du type à canal N Pour permettre le fonctionnement de la bascule non volatile selon l'invention dans ses quatre phases, à savoir fonctionnement normal indépendamment de tout stockage, mémorisation, stockage et reposi- tionnement, le potentiel d'alimentation peut varier entre un premier niveau propre à assurer le fonctionnement de la bascule classique et un deuxième niveau propre à conditionner l'élément de stockage Ce potentiel d'alimentation est également susceptible d'être interrompu, c'est pourquoi l'on prévoit un stockage non volatil Le signal de commande appliqué aux éléments interrup- teurs peut varier entre une première valeur permettant le blocage des éléments interrupteurs et une deuxième valeur assurant la con- duction de ces éléments. Pendant les phases de fonctionnement normal de la bascule, le potentiel d'alimentation est au premier niveau et le signal de commande à la première valeur Pendant les phases de mémorisation, le potentiel d'alimentation est au deuxième niveau, le signal de commande restant à la première valeur ou s'alignant sur le deuxième niveau Pendant les phases de stockage, le poten- tiel d'alimentation et le signal de commande sont nuls ou flottants Enfin, pendant les périodes de repositionnement, le signal d'alimentation est rétabli à son premier niveau tandis que le signal de commande est d'abord à la deuxième valeur avant de remonter à la première valeur pour revenir à l'état de fonction- nement normal de la bascule. Selon un avantage de la présente invention, on notera que les éléments de stockage sont amenés à subir un cycle de fonc- tionnement seulement aux instants o l'on souhaite mémoriser le contenu de la bascule Il n'y a pas de changement d'état de ces éléments à chaque changement d'état de la bascule Cette- caractéristique est importante, notamment quand on utilise des- éléments de stockage du type transistor MNOS étant donné que le nombre de cycles de fonctionnement de tels transistors MNOS est limité à des valeurs de l'ordre de 106 à 108 cycles. La présente invention présente également les avantages exposés précédemment dans l'énoncé de ses objets auxquels il con- vient d'ajouter que la prise en mémoire se fait de façon particulièrement simple et rapide, en un seul cycle de commande. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1 représente sous forme schématique et généralisée une bascule selon la présente invention, la figure 2 représente un mode de réalisation par- ticulier d'un dispositif selon l'invention dans lequel la bascule classique est à transistors MOS complémentaires, la figure 3 représente les tensions appliquées au dispo- sitif lors de ses diverses phases de fonctionnement, la figure 4 représente l'évolution des tensions appliquées au dispositif lors du repositionnement de la bascule après une phase de stockage, les figures 5 à 7 représentent diverses variantes du mode de réalisation de la figure 2, la figure 8 représente un mode de réalisation par- ticulier d'un dispositif selon l'invention dans lequel la bascule classique est à transistors MOS enrichis/déplétés. Dans les diverses figures représentant des bascules bistables, les conducteurs et les périphériques d'accès aux bascu- les vers les noeuds Q et Q* n'ont pas été figurés Ils seront réalisés de façon classique. La figure 1 représente de façon générale et schématique le circuit selon la présente invention Ce circuit comprend une bascule bistable classique présentant des bornes ou noeuds complémentaires Q et Q* qui peuvent chacune prendre l'un ou l'autre de deux états logiques, mais jamais le même état Cette bascule est connectée entre une source d'alimentation VCC, couram- ment 5 volts; et une tension de référence M, couramment la masse. Ainsi, en fait, les deux états logiques Q et Q* correspondent à la tension VCC ou au potentiel de la masse Pour le fonctionnement normal d'une bascule, le potentiel VCC est couramment de l'ordre de 5 volts. On suppose ici que la bascule 1 est de type volatil ou non rémanent, c'est-à-dire qu'en cas d'interruption du potentiel VCC, le dernier état qu'a atteint la bascule est perdu Pour remédier à cet état de choses et créer une sauvegarde de la dernière information mémorisée avant la coupure du courant, il est prévu d'adjoindre à la bascule deux branches de stockage compre- nant chacune un élément de stockage, respectivement 2 et 4, et un interrupteur commandé, respectivement 3 et 5 Ces deux branches sont disposées entre l'une des sorties de la bascule et la tension d'alimentation VCC Les interrupteurs commandés 3 et 5 reçoivent une même tension de commande CR, c'est-à-dire qu'ils sont simultanément ouverts ou fermés Les éléments de stockage 2 et 4 sont des transistors MOS à deux tensions de seuil programmables électriquement comprenant deux bornes principales et une borne de commande La borne de commande est reliée au noeud de la bascule complémentaire de celui auquel est connectée l'une des bornes principales. Pour effectuer une opération de sauvegarde, c'est-à-dire de conditionnement des éléments de stockage 2 et 4, on procède à une élévation de la tension d'alimentation VCC juste avant une coupure de cette alimentation En cas de coupure volontaire de la tension d'alimentation, ceci est facile à réaliser En cas de coupure accidentelle de la tension d'alimentation, on connaît des circuits pour fournir pendant une courte durée une telle tension haute dès que l'on détecte une baisse de la tension normale d'alimentation, la source de tension haute pouvant par exemple consister en des capacités tampons normalement alimentées pendant le fonctionnement normal du dispositif Ainsi, à l'instant de l'application de la tension haute, un potentiel élevé se trouve appliqué entre les noeuds Q et Q* de la bascule et agit de façon inverse entre la borne de commande et l'une des bornes principales pour chacun des éléments de stockage 2 et 4 Ceci, à condition que la tension de seuil de programmation des éléments de stockage soit supérieure à la tension de fonctionnement normal de la bascule, ce qui est généralement le cas dans les dispositifs classiques, per- met de conditionner les éléments de stockage 2 et 4 dans des états complémentaires La façon dont l'état mémorisé dans les éléments de stockage 2 et 4 est utilisé pour repositionner la bascule lors de la réalimentation du dispositif sera exposée en détail ci-après en relation avec la description d'un mode de réalisation par- ticulier de la présente invention en vue de simplifier la descrip- tion. Des éléments de stockage répondant à la définition générale de "transistors MOS à tension de seuil programmable électriquement" sont par exemple des cellules MNOS (métal nitrure oxyde semiconducteur) ou des transistors à grille flottante comme, par exemple, ceux désignés couramment dans la technique sous l'appellation transistors Flotox Dans la pratique, on choisira comme éléments de stockage 2 et 4 des éléments réalisables dans une technologie compatible avec celle selon laquelle est réalisée la bascule bistable 1 Par exemple, si l'on utilise des transis- tors a grille flottante de type Flotox, il semble à l'heure ac- tuelle que la technologie de bascule la plus simplement compatible soit la technologie MOS à canal N enrichi/déplété Avec une tech- nologie de type MNOS pour les éléments de stockage, la réalisation d'une bascule MOS de type à transistors complémentaires (CMIOS) semble aujourd'hui l'une des plus compatibles -C'est ce mode de réalisation particulier qui va être décrit ci-après à titre d'exemple, et qui va être utilisé pour fournir une description dé- taillée du procédé de fonctionnement de la bascule bistable à stockage non volatil et à repositionnement statique selon l'invention. Dans le mode de réalisation particulier représenté en figure 2, la bascule 1 est à transistors MOS complémentaires Elle comprend quatre transistors Tl à T 4, les transistors Tl et T 3 étant des transistors à canal N et les transistors T 2 et T 4 des transistors à canal P Les transistors Tl et T 2 sont placés en série entre la masse et le potentiel d'alimentation VCC, de même que les transistors T 3 et T 4 Les grilles des transistors Tl et T 2 sont connectées au point de jonction source/drain des transistors T 3 et T 4 et les grilles des transistors T 3 et T 4 sont connectées au point de jonction source/drain des transistors T 2 et Tl On appelle Q* la borne correspondant à la connexion des grilles des transistors T 3 et T 4 et Q la borne correspondant à la connexion des grilles des transistors Tl et T 2. Le fonctionnement de cette bascule, bien connue en elle- même, ne sera pas décrit *en détail ici A cette bascule sont adjointes selon l'invention deux branches de stockage La première branche connectée au noeud Q* comprend un élément MNOS TM 1 en série avec un transistor MOS à canal P T 5 dont l'autre borne est reliée à la tension d'alimentation VCC De mg-me, la deuxième branche connectée entre le noeud Q et le potentiel d'alimentation VCC comprend un élément MNOS TM 2 et un transistor à canal P T 6. Les grilles des transistors à canal P T 5 et T 6 sont interconnectées et reliées à une source de signal de commande CR. La grille de l'élément de stockage MNOS TM 1 est connectée au noeud Q et celle de l'élément TM 2 au noeud Q* La source et le substrat des transistors T Ml et TM 2 sont interconnectées et reliées comme cela a déjà été exposé aux noeuds Q* et Q On a figuré en pointillés, bien que cela ne soit pas essentiel à l'exposé de la présente invention, entre les bornes de substrat et de drain des transistors TM 1 et T 142, des diodes de fuite parasites inhérentes à la réalisation de ces éléments. On va maintenant décrire le fonctionnement du dispositif en relation avec la figure 3 qui représente la tension appliquée à la borne d'alimentation VCC et à la borne de commande CR. Dans une phase I de fonctionnement normal, la tension VCC est la tension normale de fonctionnement de la bascule, par exemple 5 volts Le signal de commande CR est également à niveau haut, par exemple 5 volts comme VCC, pour que les transistors T 5 et T 6 soient non conducteurs ou bloqués Dans cette configuration, la tension appliquée entre grille et source- substrat des éléments TM 1 et TM 2 est de plus ou moins 5 volts, c'est-à- dire insuffisante pour changer-l'état de seuil de ces éléments Ainsi, du fait de la coupure des transistors T 5 et T 6, l'influence des branches de stockage sur le fonctionnement de la bascule est pratiquement négligeable Leur seule influence réside dans la charge capacitive supplémentaire imposée aux noeuds Q et Q* par la présence des éléments MNOS Selon une caractéristique importante de l'invention, on notera que la différence de potentiel de l'ordre de 5 volts infligée aux éléments MNOS pendant les changements d'état de la bascule qui, comme on l'a vu, n'entraîne pas une programmation de ces éléments, ne produit pas de phénomène de vieillissement pour ces éléments La bascule bistable peut donc basculer un nombre illimité de fois dans ces conditions. Dans l'étape II de prise en mémoire, le potentiel à la borne VCC est porté momentanément à un niveau élevé par rapport au potentiel de référence, propre à agir sur les tensions de seuil des éléments MNOS, ce potentiel étant par exemple de 18 volts. Simultanément, le signal CR passe à 18 volts en suivant la tension VCC Dans cet état, les éléments MNOS T Hi et TM 2 voient entre leur grille et leur source-substrat, une tension de plus ou moins 18 volts Plus spécifiquement, en supposant que Q* estaà haut niveau et Q à bas niveau dans le dernier état de la bascule, l'élément TMI voit O volt sur sa grille et 18 volts sur sa source et son substrat alors que l'élément TM 2 reçoit une tension de 18 volts sur sa grille et une tension de O volt sur sa source et son substrat En conséquence, l'élément TMI se trouve programmé à sa tension de seuil basse et l'élément TM 2 acquiert une tension de seuil haute Ainsi, pour une tension grille-source nulle, l'élément TM 1 se trouve dans un état d 4 plété, c'est-à-dire qu'il est conducteur (faible impédance) entre son drain et sa source alors que l'élément TM 2 se trouve dans un état enrichi, c'est-à-dire qu'il est bloqué (haute impédance) entre son drain et sa source Cette phase de mémorisation se déroule sans circulation de courant statique du fait que les transistors T 5 et T 6 sont bloqués, c'est-à-dire que la consommation du circuit reste très faible. Après cette phase de mise en mémoire, on peut repasser directement zen fonctionnement normal, l'état stocké dans les éléments MNOS permettant éventuellement de repositionner ultérieurement la bascule à son état existant à l'instant de la mémorisation Mais couramment, la phase de mise en mémoire est suivie d'une phase III de stockage pendant laquelle la tension d'alimentation VCC ainsi que la tension appliquée comme signal de commande CR sont nulles ou flottantes. Pour repositionner ensuite la bascule, comme cela est représenté dans la phase IV de la figure 3, un potentiel d'alimentation VCC est réappliqué alors que le signal CR est main- tenu à zéro En se plaçant dans le cas exposé précédemment, l'élément TM 1 est conditionné dans l'état'conducteur et l'élément TM 2 dans l'état bloqué Tandis que la tension VCC s'élève, les transistors à canal P T 2, T 4, T 5, T 6 restent bloqués tant que leur tension de seuil V Tp n'est pas atteinte Lorsque la tension VCC dépasse cette valeur, les transistors à canal P commencent à con- duire, ce qui a pour effet d'élever le potentiel des noeuds Q et Q* Alors, du fait de la conduction de la première branche de stockage (T 5, T Ml), le potentiel du noeud Q* tend à suivre l'élévation de potentiel VCC et à imposer un potentiel opposé sous l'effet du fonctionnement de la bascule sur la grille des tran- sistors Tl et T 2, c'est-à-dire que le transistor T 2 se bloque et que le transistor Tl tend à conduire On a alors, un potentiel bas au niveau du noeud Q et un potentiel élevé au niveau du noeud Q*. L'évolution des tensions (VQ et VQ*) avec la variation du poten- tiel VCC est représentée plus en détail en figure 4. Le fonctionnement lors de la phase de repositionnement suppose que le signal CR se maintient bien à O volt Ceci pose en fait le problème du comportement des périphériques dans la phase de remise sous tension En effet, il est difficile d'assurer qu'un potentiel reste bien nul tant que la tension d'alimentation n'atteint pas au moins la tension de seuil des transistors à canal N, donc tant qu'aucun transistor ne conduit Les noeuds de sortie Q et Q* sont alors en état de haute impédance et ce sont les couplages capacitifs qui déterminent les potentiels C'est pourquoi, bien que le dispositif décrit fasse appel à un reposi- tionnement statique, l'aspect dynamique ne doit pas être négligé dans les cas limites o le décalage introduit par les éléments MNOS est faible En particulier, les noeuds Q et Q* peuvent suivre VCC par l'intermédiaire des diodes parasites, des capacités des transistors et des capacités parasites La valeur du temps de montée de la tension VCC doit donc être prise en considération. Plus ce temps de montée est long, plus l'aspect capacitif peut être négligé. D'un point de vue technologique, le schéma indiqué pour le dispositif en figure 2 peut être réalisé en technologie CMOS sur substrat massif ou sur substrat isolant Dans le cas d'un substrat isolant, les transistors sont naturellement isolés les uns des autres Par contre, sur un substrat massif, les tran- sistors à canal N Tl et T 3 ainsi que les éléments MNOS à canal N TM 1 et TM 2 sont implantées dans des caissons de type P Ces caissons sont reliés soit à la masse du circuit, soit à la source- des transistors à canal N qu'ils contiennent comme cela est représenté dans la figure La diode parasite caisson/substrat n'intervient que par sa capacité de jonction car sa tenue en ten- sion est très supérieure aux tensions appliquées et son courant de fuite négligeable. On va maintenant décrire diverses variantes du mode de réalisation exposé précédemment, ces variantes permettant d'améliorer certaines caractéristiques de la bascule et notamment la sûreté de fonctionnement durant la phase de repositionnement. Dans la variante illustrée en figure 5, le montage est identique à celui de la figure 2, sauf que deux transistors à canal P T 7 et T 8 sont ajoutés, respectivement insérés entre la source des transistors MNOS TM 1 et TM 2 et les noeuds Q* et Q Le mode d'action dans les différentes phases sur la tension d'alimentation VCC et sur la source de signal CR est identique à celui de la figure 2 Les transistors T 7 et T 8 sont bloqués pen- dant les phases de fonctionnement normal de la bascule et permet- tent ainsi de réduire la charge capacitive imposée aux noeuds Q et Q* en isolant ces noeuds par rapport aux éléments MNOS Le signal de commande sur les grilles des transistors T 7 et T 8 est identique au signal décommande CR pendant toutes les phases sauf la phase II de mise en mémoire pendant laquelle ces transistors doivent être conducteurs Ainsi, on paye l'amélioration des caractéristiques dymaniques de la bascule par la nécessité de prévoir deux transistors supplémentaires et une ligne de commande spécifique. Une deuxième variante est illustrée en figure 6 Le mon- tage est identique à celui de la figure 2, sauf que l'on a séparé l'alimentation VCC de la bascule bistable de l'alimentation des branches de stockage (VCC 2) Le but de cette variante est d'améliorer la sûreté de fonctionnement, c'est-à-dire prin- cipalement la phase de repositionnement en éliminant l'action des charges (T 2 et T 4) de la bascule bistable pendant ce repositionnement Ce sont alors les branches de stockage qui cons- tituent les charges Dans la phase IV de repositionnement, la ten- sion VCC est d'abord laissée flottante, tandis que la tension VCC 2 cro It De ce fait, aucun courant ne peut circuler dans les charges pendant le repositionnement de la bascule Ce n'est que lorsque celle-ci est positionnée (VCC 2 atteint 5 volts par exemple) que la tension VCC est portée à sa valeur nominale (également 5 volts par exemple) mettant ainsi en service des charges de la bas- cule bistable Une fois le positionnement terminé, étant donné que le signal de commande CR bloque les transistors à canal P T 5 et T 6, la valeur de la tension VCC 2 est indifférente, pourvu qu'elle soit inférieure ou égale à VCC. Une troisième variante illustrée en figure 7, a le meme but que la deuxième var ante, à savoir d'isoler les charges Le schéma est identique à celui de la figure 2, sauf que deux tran- sistors T 9 et TIO sont insérés respectivement entre les tran- sistors Tl et T 2, d'une part, et T 3 et T 4, d'autre part Ces transistors sont commandés par un signal de commande CR* complémentaire du signal CR Ainsi, ces transistors sont toujours conducteurs sauf pendant la phase de repositionnement o ils iso- lent les charges des noeuds Q et Q* Ainsi, pendant la première partie de la montée de la tension VCC au cours du reposition- nement, le signal CR est maintenu à O pour rendre conducteurs les transistors T 5 et T 6 tandis que CR* suit VCC pour bloquer les transistors T 9 et T 1 O dès que la tension VCC dépasse la tension de seuil des transistors à canal P Les charges constituées par les transistors T 2 et T 4 sont donc isolées par rapport aux noeuds Q et Q* et ce sont les éléments MNOS qui contrôlent leur potentiel se- lon leur tension de seuil (leur état de conductivité). La figure 8 représente un autre mode de réalisation de la présente invention dans lequel la bascule classique 1 est réalisée non plus au moyen de transistors MOS complémentaires, mais au moyen d'une association de transistors MOS enrichis/déplétés Cette bascule comprend quatre transistors à canal N Tll à T 14 Les transistors Tll et T 12 sont en série ainsi que les transistors T 13 et T 14 Les transistors Tll et T 13 sont du type à enrichissement, c'est-à-dire normalement non conducteurs, et les transistors T 12 et T 14 sont du type à déplétion, c'est-à- dire normalement conducteurs Les grilles des transistors T 12 et T 13 sont connectées entre elles et à la connexion drain/source des transistors Tll et T 12 Les grilles des transistors Tii et T 14 sont connectées entre elles et à la connexion drain/source des transistors T 13 et T 14. Les branches de stockage et les éléments de stockage sont connectés de la même façon que cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 2 La bascule bistable 1 illustrée en figure 8 est connue en elle-même Elle a été décrite ici seulement pour souligner que la présente invention n'est pas limitée à une utilisation avec un type de bascule particulier Pour plus de sûreté de fonctionnement, il est recommandé d'utiliser plutôt la variante de la figure 6 avec ce type de technologie car les charges normales de la cellule (T 12, T 14) conduisent tout de suite à la montée de la tension VCC et perturbent la remise sous tension Il est donc recommandé d'isoler ces charges déplétées pendant le repositionnement On notera que, dans le cas o l'on choisit une technologie de bascule classique à transistors à canal N enrichis/déplétés, les ressources technologiques habituelles permettent d'associer simplement une telle bascule avec des tran- sistors à grille flottante comme éléments de stockage TM 1 et TM 2. Jusqu'à présent, on a décrit une bascule bistable associée-à deux branches de stockage lui permettant d'avoir une fonction de bascule non volatile La bascule classique décrite précédemment était du type symétrique et devait d'ailleurs avoir un fonctionnement aussi symétrique que possible pour pouvoir fonc- tionner de façon satisfaisante même quand la distance entre les deux seuils des éléments de stockage TM 1 et TM 2 se réduit tandis que ces dispositifs vieillissent Il serait également possible de prévoir une bascule bistable a priori dissymétrisée, c'est-à-dire se repositionnant automatiquement sur un certain état en l'absence de branches de stockage, et d'associer à une telle bascule dissymétrique une branche de stockage unique permettant de la repositionner dans son autre état quand l'élément de stockage associé à cette bascule se trouve dans son état de faible impédance Le mode de commande d'une telle bascule dissymétrique est identique à ce qui a été décrit précédemment L'avantage de cette structure réside dans la réduction de la surface de silicium utilisée, mais l'inconvénient est que la bascule bistable dissymétrique est moins sensible qu'une bascule symétrique, ce qui signifie notamment qu'elle exige pour son fonctionnement une plus grande différence entre l'étatbloqué et l'état de conduction de l'élément MNOS, c'est-à-dire une plus grande fenêtre mémoire. Les diverses variantes exposées précédemment ne sont que des exemples de modifications qui peuvent être apportées au schéma de base illustré de façon particulière en figure 2 et de façon plus générale en figure 1 Bien entendu, d'autres variantes peuvent être prévues sans sortir du domaine de la présente inven- tion et, notamment, les diverses variantes illustrées peuvent être combinées. REVENDICATIONS. 1 Bascule bistable à stockage non volatil constituée d'une bascule bistable classique à transistors MOS (Tl à T 4) com- portant des noeuds Q et Q* et connectée entre un potentiel d'alimentation (VCC) et un potentiel de référence (M), caractérisée en ce qu'elle comprend en outre deux branches de stockage dont chacune est constituée par le montage en série d'un élément de stockage non volatil (TM 1, TM 2) du type transistor MOS à tension de seuil programmable électriquement et d'un élément interrupteur (T 5, T 6) du type transistor MOS, une borne de chacun des éléments interrupteurs étant reliée au potentiel d'alimentation, l'une des bornes principales et la borne de com- mande de l'élément de stockage de la première branche étant connectées respectivement au noeud Q et au noeud Q* et inversement pour l'élément de stockage de la deuxième branche; en ce que les deux bornes de commande des éléments interrupteurs sont connectées ensemble à une source de signal de commande (CR); et en ce qu'il est prévu des moyens pour modifier le potentiel d'alimentation (VCC) en relation avec le signal de commande (CR) pour assurer les fonctions suivantes: fonctionnement normal de la bascule, mise en mémoire de l'état de la bascule, stockage rémanent, reposition- nement de la bascule. 2 Bascule de stockage à fonctionnement non volatil selon la revendication 1, caractérisée en ce que la bascule bistable classique est du type à transistors complémentaires. 3 Bascule de stockage à fonctionnement non volatil selon la revendication 1, caractérisée en ce que la bascule bistable classique est du type à transistors enrichis et déplétés. 4 Bascule bistable à stockage non volatil selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que les éléments de stockage sont de type MNOS, leur substrat étant relié à leur source. Bascule bistable à stockage non volatil selon l'une des revendications 1 ou 3, caractérisée en ce que les éléments de stockage sont des éléments MOS du typé à grille flottante. 6 Bascule bistable à stockage non volatil selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que les transistors MOS interrupteurs (T 5, T 6) sont du type à canal P et les éléments de stockage du type à canal N. 7 Bascule bistable à fonctionnement non volatil selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 dans laquelle le poten- tiel d'alimentation peut prendre un premier niveau propre à assurer le fonctionnement de la bascule classique, un deuxième niveau propre à conditionner les éléments de stockage, ou peut être interrompu, c'est-àdire être au potentiel de référence et dans laquelle le signal de commande peut varier entre des premières valeurs permettant le blocage des éléments interrupteurs et une deuxième valeur assurant la conduction de ces éléments, caractérisée en ce que, pendant les périodes de fonctionnement normal de la bascule, le potentiel d'alimentation est au premier niveau et le signal de commande à la première valeur. 8 Bascule bistable à stockage non volatil selon la revendication 7, caractérisée en ce que, pendant la période de mise en mémoire, le potentiel d'alimentation est porté au deuxième niveau ainsi que le signal de commande. 9 Bascule bistable à stockage non volatil selon la revendication 7, caractérisée en ce que, pendant l'étape de stockage, le potentiel d'alimentation et la valeur du signal de commande sont indifférents. Bascule bistable à stockage non volatil selon la revendication 7, caractérisée en ce que, pendant l'étape de repo- sitionnement, le signal de commande est amené progressivement à son premier niveau tandis que le signal de commande est d'abord porté à la deuxième valeur, puis, une fois que le potentiel d'alimentation est établi, à la première valeur, correspondant au premier niveau. 11 Bascule bistable à stockage non volatil selon la revendication 6, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre des transistors MOS à canal P (T 7, T 8) insérés respectivement entre chacun des éléments de stockage (TM 1, TM 2) et les noeuds Q et Q*, le potentiel appliqué aux grilles de ces transistors IMOS étant identique à la valeur du signal CR sauf pendant la phase de mise en mémoire. 12 Bascule bistable à stockage non volatil selon la revendication 6, caractérisée en ce que la première et la deuxième branches sont connectées, non pas à la tension d'alimentation VCC de la bascule bistable, mais à une autre source d'alimentation (VCC 2) dont la valeur est indifférente sauf pendant l'étape de repositionnement o elle amenée à monter en tension avant la montée en tension du potentiel d'alimentation (VCC). 13 Bascule bistable selon les revendications 2 et 6, caractérisée en ce qu'il est prévu des transistors supplémentaires à canal P (T 9, T 1 O) dans chacune des branches de la bascule bistable entre les transistors complémentaires constituant ces branches, ces transistors supplémentaires à canal P étant commandés par un signal de commande CR* complémentaire du signal de commande appliqué aux éléments interrupteurs (T 5, T 6). 14 Bascule bistable selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'une des branches de stockage est supprimée, une dissymétrie étant introduite dans la bascule classique pour qu'elle se repositionne dans un état prédéterminé quand la branche de stockage restante n'est pas activée (élément de stockage à haute impédance).