FR 2513832 A1 19830401 FR 8118135 A 19810925 DISPOSITIF DE LECTURE EN COURANT D'UNE QUANTITE DE CHARGES ELECTRIQUES ET FILTRE A TRANSFERT DE CHARGES MUNI D'UN TEL DISPOSITIF La présente invention concerne un dispositif de lecture en courant d'une quantité de charges électriques Elle concerne égale- ment les filtres à transfert de charges munis d'un tel dispositif. De tels dispositifs sont connus, en particulier par la demande de brevet français, déposée le 4 Juillet 1978 sous le n' 78 19933, au nom de THOMSON-CSF et publiée sous le N O 2 430 694 Le dispositif selon la présente invention se distingue de celui décrit dans la demande de brevet citée par la structure du circuit de commande des transistors Q 2 et Q 3. On rappelle que ce circuit de commande a pour rôle d'assurer la charge de la capacité CA et le maintien du transistor Q 2 en saturation, et par suite le maintien d'un potentiel constant au point B d'arrivée des charges, lors de l'afflux des charges Ainsi, cet afflux des charges a pour effet une variation de potentiel au point commun A des transistors Q 2 et Q 3, ce qui permet d'obtenir le signal de lecture. Alors que dans la demande de brevet précédemment citée ce circuit de commande est constitué de trois transistors MOS Q 4, Q 5 et Q 6, et de deux capacités CE et CF, dans le dispositif selon la présente invention, le circuit de commande ne comporte plus qu'un seul transistor et qu'une seule capacité. Le dispositif selon la présente invention présente donc des avantages de simplicité et de diminution de l'encombrement. La présente invention concerne un dispositif de lecture en courant d'une quantité de charges électriques qui comporte un premier et un deuxième transistors MOS Q 2 et Q 3 qui sont reliés en série, au point d'arrivé B de la quantité de charges Une première capacité CA est reliée par l'une de ses bornes au point commun A des deux transistors Ce dispositif comporte également un circuit de commande des deux transistors Q 2 et 03 Selon la présente inven- 13832 tion, ce circuit de commande reçoit un potentiel constant VDD et comporte: un troisième transistor MOS Q 4 dont le drain et la grille sont reliés au potentiel constant VDD et dont la source est reliée au drain et à la grille du deuxième transistor Q 3; une seconde capacité CF qui est reliée par l'une de ses bornes au point commun F du deuxième et du troisième transistors Q 3 et Q 4. D'autres objets, caractéristiques et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante, donnée à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les figures annexées qui représentent: les figures 1 et 2, des schémas du dispositif selon l'invention; les figures 3 a, b et c, une vue en coupe transversale des transistors MOS Q 3 et Q 4 et des schémas expliquant leur fonction- nement. Sur les différentes figures, les mêmes signes de référence désignent les mêmes éléments, mais, pour des raisons de clarté, les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectés. La figure 1 représente un schéma du dispositif de lecture en courant d'une quantité de charges électriques selon l'invention. Cette figure 1 ne diffère de la figure 1 de la demande de brevet précédemment citée que par la structure du circuit de commande des transistors MOS Q 2 et Q 3 Sur la figure 1, ce circuit de commande est entouré d'un cadre en trait discontinu Sur les deux figures, on a utilisé les mêmes signes de référence En ce qui concerne la description de la figure 1 de la présente demande de brevet, on se reportera donc à la description de la figure 1 de la demande de brevet précédemment citée, excepté en ce qui concerne le circuit de commande qui va être décrit. On rappelle cependant que ce dispositif de lecture comporte deux transistors MOS 2 et Q 3 qui sont reliés en série au point d'arrivée B de la quantité de charges à lire. Une capacité CA est reliée par l'une des ses bornes au point commun A des deux transistors L'autre borne de la capacité CA est reliée à la masse Le transistor MOS Q 2 reçoit la quantité de charges à mesurer par l'intermédiaire d'une capacité Cg, qui est connectée entre le point B et la masse Au point B, est également connecté un transistor MOS Q 1 qui assure la remise à zéro du dispositif Au point commun A du premier et du deuxième transistor est reliée une capacité CL Cette capacité est reliée par son autre borne S, à un transistor Q 9 qui permet à partir d'un second potentiel constant Vp, inférieur ou égal au potentiel VDD qui alimente le circuit de commande, une pré-charge de la capacité CL' Enfin, le dispositif comporte un circuit assurant l'échantillonnage et maintien du signal disponible au point SI, et fournissant le signal de sortie 52 du dispositif. Le circuit de commande selon la présente invention des transistors Q 2 et Q 3 est constitué par un transistor MOS à enrichis- sement Q 4, dont le drain et la grille sont reliés au potentiel constant VDD La source de Q 4 est reliée au drain et à la grille du transistor MOS Q 3 Une capacité CF est reliée par l'une de ses bornes au point commun F des transistors MOS Q 3 et Q 4 Sur son autre borne la capacité CF reçoit le signal d'horloge Oc qui est représenté à la figure 2 e, de la demande de brevet précédemment citée Dans le circuit de commande selon la présente invention, le transistor MOS Q 3 est un transistor MOS à enrichissement; dans la demande de brevet précédemment citée, le transistor MOS Q 3 était un transistor à déplétion Le type des autres transistors MOS du dispositif (déplétion ou enrichissement) n'est pas modifié. La présente description est faite dans le cas de transistors MOS à canal N dont la plupart sont à enrichissement et dont certains Q 2, QI 1 et Q 14 sont à déplétion Il est bien entendu qu'il est possible de réaliser le dispositif avec des transistors MOS à canal P De même, il est possible de remplacer certains transistors MOS à déplétion par des transistors MOS à enrichissement, et vice-versa. Toutefois, les transistors Q 3 et Q 4 sont des transistors à enrichis- sement et si l'on utilise pour QI, et Q 14 des transistors MOS à enrichissement, on doit connecter leur grille à leur drain au lieu de la connecter à leur source, comme c'est le cas sur la figure 1 On peut aussi remarquer qu'en ce qui concerne le transistor MOS O 2 ' on a intérêt à conserver un transistor MOS à déplétion dont le bruit propre est moins élevé que celui d'un transistor MOS à enrichis- sement. On va maintenant examiner le fonctionnement du circuit de commande des transistors MOS 02 et Q 3 selon la présente invention. Pour expliquer ce fonctionnement, on va utiliser les figures 3 a, b, et c qui montrent une vue en coupe transversale des transistors MOS Q 3 et Q 4 et des schémas qui représentent l'évolution du potentiel de surface O S dont le substrat semi-conducteur 2 Les zones hachurées -indiquent la présence de porteurs minoritaires Sur la figure 3 a, on trouve de gauche à droite: le transistor MOS Q 4 constitué par deux diodes Di et D 2 et par une grille G 1 La diode Di et la grille G 1 sont reliées au potentiel constant VDD; la capacité CF qui reçoit le signal d'horloge Oc et qui est connectée au point F Cette capacité n'est généralement pas inté- grée sur la pastille de semi-conducteur à cause de sa valeur élevée; le transistor MOS Q 3 qui est constitué par deux diodes D 3 et D 4 et par une grille G 2 La diode D 3 et la grille G 2 sont réunies; la capacité CA qui est généralement intégrée sur la pastille de semi-conducteur 2, et qui est représentée de façon symbolique sur la figure 3 a, connectée entre le point A et la masse. La figure 3 a représente l'évolution des potentiels de surface, en régime initial, c'est-à-dire lorsque le signal d'horloge OC se trouve encore au niveau bas et n'a jamais été au niveau haut. Etant donnée la façon dont les transistors Q 3 et Q 4 sont connectés, ils se trouvent en régime de saturation. Le potentiel sur la diode Dl est fixé à VD Sous la grille G 1, le potentiel est fixé à V VT 4, o VT 4 représente la tension de seuil du transistor Q 4 La diode D 2 et la diode D 3 s'alignent sur le potentiel VDD VT 4 Sous la grille G 2 du transistor Q 3, on trouve donc un potentiel égal à VDD VT 4 VT,, o VT 3 représente la tension de seuil du transistor Q 3 La diode D 4 du transistor Q 3 s'aligne également sur ce potentiel. La capacité CF connectée au point F se charge à travers le transistor Q 4, sensiblement à courant constant, au potentiel: VDD VT 4 Pendant le même temps, la capacité CA se charge à travers le transistor MOS Q 3, sensiblement à courant constant, au potentiel: VDD VT 4 VT 3. La figure 3 b, représente l'évolution des potentiels de surface lorsque le signal d'horloge OC passe au niveau haut Les signaux d'horloge du dispositif lorsqu'ils passent du niveau bas au niveau haut, passent d'une tension de zéro volt à une tension égale à V Lorsque le signal de commande Oc passe au niveau haut, le potentiel sur les diodes D 2 et D 3 passe à: VDD VT 4 + Vo Le transistor MOS Q 4 se trouve donc bloqué Sous la grille G 2 et la diode D 4, le potentiel s' établit à: V DD VT 4 + V VT 3 La capacité CA se charge à travers le transistor Q 3 qui est toujours en saturation à un potentiel qui s'écrit: CF (VDD VT 4 + V Sur la diode D 4 connectée au point A, on retrouve ce même potentiel. Cette tension est la tension de pré-charge du point A qui permet de mettre le transistor Q 2 en saturation avant que les charges n'arrivent au point B au temps t 3 qui est représenté sur la figure 2 a du document cité comme l'instant o le signal d'horloge XI, qui est appliqué au filtre à transfert de charge sur lequel on veut lire des charges, revient à zéro. La capacité CF peut recevoir le signal d'horloge Oc comme cela a été représenté sur la figure 1 On peut aussi utiliser le signal d'horloge ORAZ' qui est représenté sur la figure 2 c de la demande de brevet précédemment citée On peut aussi utiliser tout autre signal d'horloge qui soit au niveau haut pendant le temps T O indiqué sur la figure 2 a de la demande de brevet précédemment citée. La figure 3 c représente l'évolution des potentiels de surface dans le substrat lorque le signal d'horloge Oc passe au niveau bas. Au temps t 3, une quantité de charges Q arrive au point B ce qui'se traduit par une diminution de potentiel en B Cette quantité de charges Qs est transmise au point A et la capacité CA se décharge d'une quantité de charges égale à la quantité de charges Q 5 Le potentiel en A est diminué Le potentiel sur la diode D 4 diminue puis s'aligne sur celui existant sous la grille G 2. La valeur de la capacité CF est choisie suffisament impor- tante pour que cette capacité ne se décharge pratiquement pas lorsque le signal d'horloge Oc se trouve au niveau bas. Lorsque le signal d'horloge OC passe à nouveau au niveau haut, les charges des capacités CA et CF sont à nouveaux fixées de façon bien précise On retrouve les potentiels de la figure 3 b. En pratique, la capacité CF a une valeur trente à cent fois supérieure à celle de la capacité CA' Des valeurs typiques des tensions VDD, V, VT 3 et VT 4 sont VDD = 12 V V = 17 V VT 3 VT 4 = 3 V Si on choisit CF/CA = 100, la tension de pré-charge du point A, VA, qui est calculée égale 22,7 V En fait, la tension VA mesurée n'est que de 18 V à cause des capacités parasites du circuit. On constate que la tension de pré-charge du point A, VA, est de l'ordre de vingt volts alors que le dispositif ne réclame pour fonctionner qu'une tension continue ne dépassant pas VDD, qui est de l'ordre de douze volts. La valeur de la capacité CF dépend de la valeur de la capacité CA Si on choisit de prendre pour valeur de CA: CA =l Op F, la capacité CF est alors une capacité de 300 à 10 O Op F qui sera extérieure au substrat En général, la capacité C A sera intégrée sur la pastille de semi-conducteur En pratique, il est possible d'intégrer des capacités jusqu'à 3 Op F sans que cela pose de problèmes, d'en- :7 combrement notamment. La figure 2 représente un schéma du dispositif selon l'invention qui présente quelques modifications par rapport au schéma de la figure 1. On remarque que le transistor Q 2 reçoit sur sa grille une tension continue VO, les transistors Q 1 et Q 9 et la capacité CF reçoivent le même signal d'horloge O De plus on a représenté sur la figure 2 les capacités parasites C Pl et Cp 3 existant sur les transis- tors Q 1 et Q 3. Pour simplifier les circuits d'horloge et faciliter l'obtention des signaux d'horloge dans le cas de fonctionnement à plus haute fréquence, le filtre à transfert de charge sur lequel le dispositif selon l'invention permet d'effectuer des lectures de quantité de charges peut fonctionner en monophase, c'est-à-dire avec un seul signal d'horloge. Les filtres à transfert de charges sont décrits dans la demande de brevet précédemment citée. On rappelle que les filtres à transfert de charges associés aux dispositifs de lecture selon l'invention, comportent un substrat semi- conducteur recouvert d'une couche isolante sur laquelle sont dépo- sées des électrodes de stockage des charges Des électrodes de transfert des charges sont déposées entre les électrodes de stockage dont elles sont isolées par une couche isolante supplémentaire. Chaque électrode de transfert est reliée à l'électrode de stockage adjacente Une électrode de stockage sur deux est coupée en deux ou plusieurs parties et la lecture ne s'effectue généralement que sous une partie de chaque électrode de stockage coupée. Lorsqu'il fonctionne en monophasé, le filtre ne reçoit pas les signaux d'horloge 1 et 2 qui sont représentés sur les figures 2 a et 2 b de la demande de brevet précédemment citée. Ce filtre ne reçoit plus alors qu'un seul signal d'horloge, O 1, par exemple, qui est appliqué par exemple, aux électrodes de stockage impaires. Les électrodes de stockage paires reçoivent alors une tension continue proche de Vof 2 et la lecture se fait sous ces électrodes. La grille de Q 2 recevant la tension V O proche de V 0,/2, lorsque la quantité de charges à lire Q 5 arrive au point B, le transistor Q 2 est alors en saturation et la tension au point B égale: V O VT 2 Les électrodes de stockage paires sous lesquelles se fait la lecture sont généralement coupées en deux ou plusieurs parties La lecture des charges ne s'effectue généralement que sous une partie de chacune de ces électrodes de stockage Les parties non utiles des électrodes de stockage sont reliées à la tension continue V,/2, il est alors préférable d'appliquer lors de la lecture la même tension sous les parties utiles des électrodes de stockage qui sont reliées au point B. On choisit donc en conséquence le potentiel V O tel que: VO VT 2 = Vo/2, soit V O = V 12 + VT 2 Dans le cas de la figure 1, la capacité CF et le transistor 09 reçoivent le signal d'horloge Xc, et le transistor Q 1 reçoit le signal d'horloge ORAZ On peut appliquer à la capacité CF et aux transistors Q 1 et 09 le même signal d'horloge O Ce signal d'horloge peut être l'un des signaux OC ou ORAZ' ou bien un signal intermé- diaire qui soit au niveau haut pendant le temps T 2 qui est indiqué sur la figure 2 de la demande de brevet précédemment citée Dans le cas de la figure 2 o le filtre auquel le dispositif de lecture est associé fonctionne en monophasé, on peut utiliser comme signal d'horloge O le signal d'horloge 01 Il faut alors s'assurer que le transistor Q 1 passe bien à l'état bloqué avant que la quantité de charges à lire n'arrive au point B. On remarque en effet que sur la figuré 2 le transistor Q 1 n'est plus connecté à la masse mais à une tension continue réglable VR' Etant donnée la tension de seuil du transistor Q 1 et la tension de polarisation VR qui est habituellement choisie, le transistor Q 1 se trouve bloqué lorsque 1 arrive à V,2, alors que les charges n'ont pas encore été transférées sous les électrodes de stockage reliées au point B. Lorsque le signal d'horloge 01 est appliqué à la capacité CF et aux transistors Q 1 et Q 9, deux signaux d'horloge O X et OECH suffisent à assurer le fonctionnement en monophasé du filtre et de son dispositif de lecture. Les couplages parasites jouent un rôle important pour fixer les potentiels aux points A et B au moment de la lecture Sur la figure 2 on a représenté de façon symbolique, en pointillés, les capacités parasites Cp 3 entre l'ensemble drain plus grille et la source de QY et C Pl entre la grille et le drain de QI Il faut aussi tenir compte de la capacité de recouvrement Cr entre les électrodes de transfert et de stockage du filtre auquel le dispositif de lecture est relié A cause de ces capacités parasites, la variation totale des potentiels au point A lors de l'arrivée en B d'une quantité de charges QS s'écrit: C C + ç VO- VR (VO + VT 27 CA A A A A Le dernier terme montre qu'il est possible en ajustant la tension continue réglable VR de corriger l'erreur introduite par les capacités parasites C,Pl CP 3 et Cr' Il est bien entendu qu'il est possible d'associer le dispositif selon l'invention à des filtres à transfert de charges de structure légèrement différente, pour lesquels en particulier, la lecture des charges s'effectue sous deux parties de chaque électrode de sto- ckage coupée. R E V E N D I C A T I 1 O N S 1 Dispositif de lecture en courant d'une quantité de charges électriques comportant un premier et un deuxième transistors MOS (Q 2 et Q 3) reliés, en série, au point d'arrivée (B) de la quantité de charges, une première capacité (CA), reliée par l'une de ses bornes au point commun (A) des deux transistors et un circuit de commande de ces deux transistors, assurant la charge de la première capacité (CA) et le maintien du premier transistor (Q 2) en saturation, lors de l'afflux des charges, cet afflux ayant pour effet une variation de potentiel au point commun (A), qui fournit le signal de lecture, caractérisé en ce que ce circuit de commande reçoit un potentiel constant (VDD) et comporte: un troisième transistor MOS (Q 4) dont le drain et la grille sont reliés au potentiel constant (VDD) et dont la source est reliée au drain et à la grille du deuxième transistor (Q 3); une seconde capacité (CF), reliée par l'une de ses bornes au point commun (F) du deuxième et du troisième transistors (Q 3 et Q 4). 2 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au point d'arrivée (B) est connectée une troisième capacité (Cg) de stockage des charges. 3 Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comporte un quatrième transistor (Q 1) assurant la remise à zéro du dispositif. 4 Dispsositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comporte une quatrième capacité (CL) reliée au point commun (A) des premier et deuxième transistors (Q 2, Q 3), qui est reliée par son autre borne ( 1) à un cinquième transistor (Q 9) qui permet, à partir d'un second potentiel constant (Vp) inférieur ou égal au premier (VDD), une pré-charge de la quatrième capacité (CL). Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte un circuit assurant l'échantillonnage et maintien du signal 33832 disponible au point commun (SI) de la quatrième capacité (CL) et du cinquième transistor (O 9 >), et fournissant le signal de sortie du dispositif. 6 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, carac- térisé en ce que le deuxième et le troisième transistors (Q 3 et Q 4) sont des transistors à enrichissement. 7 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, carac- térisé en ce que le premier transistor ( 02) est un transistor à déplétion. 1 i O 8 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, carac- térisé en ce que le quatrième transistor (QI) et le cinquième transistor (Q 9) sont des transistors à enrichissement. 9 Dispositif selon l'une des revendications précédentes, carac- térisé en ce que les transistors MOS sont à canal N. 10 Filtre à transfert de charges, comportant un substrat semi- conducteur recouvert d'une couche isolante, sur laquelle alternent des électrodes de transfert et des électrodes de stockage des charges, ces électrodes assurant, sur application de potentiels donnés, le transfert des charges dans le substrat, caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif selon l'une des revendications précé- dentes qui assure la lecture de quantités de charges sous les électrodes de stockage coupées en deux ou plusieurs parties. I l Filtre selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il fonctionne en monophasé, une électrode de stockage sur deux recevant un signal d'horloge ( 01) alors que les autres électrodes de stockage sont coupées en deux ou plusieurs parties, la lecture des charges s'effectuant sous au moins une partie de chacune de ces électrodes de stockage, dont les parties non utiles recoivent une tension constante (VO/2), et en ce que le premier transistor (Q 2) reçoit sur sa grille une tension constante (VW/2 + VT 2) telle que le potentiel du point B auquel sont reliées les parties utiles des électrodes de stockage, égale lors de l'afflux des charges, celui (V 0/2) appliqué sur les parties non utiles des électrodes de stockage. 12 Filtre selon l'une des revendications 10 ou Il, caractérisé en ce que la second capacité (CF), et le quatrième (QI) et le cinquième (Qq), transistors reçoivent le même signal d'horloge (; 1). 13 Filtre selon la revendication 12, caractérisé en ce que ce signal d'horloge (O 1) est le même que celui qui est appliqué à une électrode de stockage sur deux. 14 Filtre selon l'une des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que l'une des bornes du quatrième transistor (Q 1) reçoit une tension continue (VR) qui est ajustée pour compenser les charges parasites transférées au point commun (A) du premier et du deuxième transistors (Q 2 et Q 3) en même temps que la quantité de charges à lire.