FR 2512273 A1 19830304 FR 8215050 A 19820903 La présente invention concerne des lampes à vapeur de sodium haute pression Plus particulièrement, l'invention concerne l'amélioration de l'efficacité de lampes à vapeur de sodium haute pression par l'effet com- biné du diamètre accru du tube à arc et l'utilisation de films réflecteurs des infrarouges améliorés pour mainte- nir la température de la paroi du tube à arc dans le domaine optimum. Une lampe à vapeur de sodium haute pression com- prend généralement un tube à arc interne disposé dans une enveloppe protectrice extérieure et qui contient le milieu ionisable classique de sodium-mercure, et d'un gaz inerte pour faciliter l'amorçage Lorsque le courant traverse les électrodes situées à chaque extrémité des tubes à arc, le gaz inerte s'ionise et forme un arc entre les électrodes Le sodium se vaporise sous la chaleur de cet arc La température optimale de la paroi du tube à arc en fonctionnement de telle lampe se trouve dans l'in- tervalle de 1400 K à 1500 K Le diamètre du tube à arc d'une lampe à vapeur de sodium haute pression classique de 400 watts est d'environ 7 millimètres. Une considération importante dans la conception des lampes à vapeur de sodium haute pression est le paramètre de "charge de paroi", défini comme la puis- sance par unité de surface En termes pratiques, la charge de paroi est mesurée en divisant la puissance d'entrée de la lampe par la surface de la paroi inté- rieure du tube à arc L'importance de cette charge de paroi est due à son effet important sur la température de la paroi du tube à arc, qui, à son tour, est étroi- tement liée à l'efficacité de la lampe (mesurée en lumens par watt) Par suite, l'intérêt de maintenir une température de paroi du tube à arc optimale prédétermi- née dans une lampe à vapeur de sodium est tout-à-fait évident. J.F Waymouth and E F Wyner ont démontré, comme décrit dans un papier présenté au cours du congrès annuel de l'IED (août 1980), que l'efficacité d'une lampe à vapeur de sodium haute pression s'accroit avec l'accrois- sement du diamètre du tube à arc à des températures de paroi du tube à arc constantes Dans une lampe à vapeur de sodium haute pression classique, une fraction impor- tante de l'énergie d'entrée de la lampe est dissipée sous forme de rayonnement infrarouge de grande longueur d'onde par l'incandescence du tube à arc d'alumine (A 1203) chauf- f é Cependant, puisque le transfert thermique du rayonne- ment thermique est proportionnel à la surface du tube à arc, un tube à arc de plus grand diamètre (par suite ayant une plus grande surface) rayonne encore plus de chaleur A moins de prendre des mesures pour récupérer la chaleur rayonnée, la température de la paroi du tube à arc tombera en-dessous du domaine de température optimale et il faut fournir plus d'énergie à la lampe pour élever la température de la paroi du tube à arc De plus, comme la concentration en sodium est inversement proportionnelle à la température de la paroi du tube à arc, la température plus froide de la paroi se traduira en une réabsorption plus importante de la raie d'émission principale du sodium (Na D) et un abaissement de l'efficacité de la lampe Le procédé proposé par Waymouth et Wyner pour maintenir la température de la paroi du tube à arc d'un tube à arc de grand diamètre dans la gamme optimale consiste à substi- tuer de l'oxyde d'yttrium (Y 203) à l'alumine comme maté- riau du tube à arc (l'oxyde d'yttrium ayant une émissi- vité plus faible que l'alumine, en particulier dans la région infrarouge du spectre). Selon la présente invention, on accroit l'effica- cite d'une lampe à vapeur de sodium haute pression ayant un diamètre de tube à arc supérieur au diamètre classique en déposant un film réflecteur des infrarouges composite fait d'oxyde d'indium dopé à l'étain (In 203:Sn) ou en oxyde d'étain dopé au fluor (Sn O 2:F) en combinaison avec des films diélectriques d'oxyde de titane (Ti O 2) et/ou d'oxyde de silicium (Si O 2) sur la surface intérieure de l'enveloppe extérieure de la lampe Le film réflecteur des infrarouges est très transparent au rayonnement visible mais réfléchit le rayonnement infrarouge,qui autrement se- rait perduvers le tube à arc Une partie importante de l'émission infrarouge de l'arc est réfléchie dans le plasma contenu à l'intérieur du tube à arc o il est réabsorbé, ayant pour résultat la réduction de la puissance d'entrée requise Les films diélectriques de Ti O 2 et Si O 2 en com- binaison avec des films de In 203:Sn ou Sn O 2:F peuvent diminuer la réflectivité du film réflecteur des infrarouges aux longueurs d'ondes visibles et accroître la réflecti- vité des longueurs d'ondes infrarouges proches du visible. Les films diélectriques améliorent également la stabili- té chimique du film réflecteur des infrarouges à température élevée De cette manière, la température de la paroi du tube à arc est effectivement et efficacement maintenue dans la gamme optimale. Par le passé, on a utilisé des films réflecteurs des infrarouges avec des lampes à vapeur de sodium basse pression en tant que moyen d'amélioration de l'efficacité. Le brevet des Etats-Unis 3 400 288 décrit de telles lampes. Le principe de fonctionnement d'une lampe à vapeur de sodium basse pression, cependant, est différent de celui d'une lampe à vapeur de sodium haute pression En conséquence, le mécanisme pour accroître l'efficacité dans la lampe à vapeur de sodium basse pression est également différent de celui d'une lampe à vapeur de sodium haute pression. Dans la lampe à vapeur de sodium basse pression, l'augmen- tation de l'efficacité résulte de l'accroissement de la pression de vapeur de sodium pour une puissance d'entrée constante due à la température de paroi plus élevée Au contraire, l'accroissement de l'efficacité dans la lampe à vapeur de sodium haute pression de la présente inven- tion est due aux effets combinés du diamètre accru du tube, de l'utilisation d'un film réflecteur des infra- rouges composite pour maintenir la charge de paroi opti- male, et pour réfléchir une partie de l'émission non visible provenant du plasma de nouveau dans le plasma De plus, l'augmentation du diamètre du tube à arc d'une lampe à vapeur de sodium basse pression ne s'accompagne pas de changements de l'efficacité tels que ceux observés dans des lampes à vapeur de sodium haute pression. Les brevets des Etats-Unis N 03 931 536 et 3 662 203 écrivent des lampes à vapeur de sodium haute pression in- cluant des films réflecteurs des infrarouges Le-brevet des Etats-Unis no 3 931 536 décrit un film réflecteur fait de- couches alternées d'oxyde de titane (Ti O 2) et d'oxyde de silicium (Si O 2) Un tel réflecteur se compose de treize couches alternées quart-d'onde de Ti O 2 et Si O 2 prise s en sandwich entre des couches huitième-d'onde de Si O 2. Comme on peut le voir, un tel réflecteur est beaucoup plus complexe que le film réflecteur des infrarouges composite utilisé dans la présente invention Le brevet des Etats- Unis no 3 662 203 propose le chauffage supplémentaire du tube à arc en plaçant l'enveloppe extérieure à proximité très étroite du tube à arc L'enveloppe extérieure, compo- sée de quartz hautement réfractaire, rayonne à nouveau la chaleur de l'arc vers le tube à arc en quartz Le procé- dé décrit dans le brevet, ainsi, non seulement utilise une enveloppe extérieure en quartz relativement coûteuse, mais la surface réduite de l'enveloppe extérieure peut se traduire par un suréchauffement non souhaitable de tout film réflecteur déposé sur l'enveloppe extérieure De plus, aucun de ces brevets ne donne une appréciation quel- conque de l'effet souhaitable sur l'efficacité d'une lampe à vapeur de sodium haute pression du diamètre accru du tube à arc et du film réflecteur des infrarouges en In 203:Sn ou Sn O 2:F. L'efficacité d'une lampe à vapeur de sodium à haute pression est améliorée en augmentant simultanément le diamètre du tube à arc et en déposant un film réflecteur des infrarouges composite fait d'oxyde semi- conducteur comme In 203:Sn ou Sn O 2:F et de diélectiquestelsque Ti O 2 et Si O sur la surface intérieure de l'enveloppe extérieure de la lampe. Les films en oxyde semi-conducteur etdiélectique agissent pour réfléchir vers le plasma l'énergie infrarouge du tube à arc qui,ordinairement, serait soit absorbée,soit transmise directement par l'enveloppe extérieure Les matériaux di- électriques aident également à l'amélioration de la stabi- lité chimique des films d'oxyde semi-conducteur à haute température Par exemple, recouvrir les films d'oxyde semi- conducteurs In 203:Sn ou Sn O 2:F par du Ti O 2 se traduit par une stabilité accrue de l'oxyde semi-conducteur mais sans augmentation nette de l'efficacité de la lampe à vapeur de sodium haute pression par rapport à ce qu'on obtient avec un unique film d'oxyde semi-conducteur L'efficacité de la lampe à vapeur de sodium haute pression, cependant, est accrue par rapport à celle obtenue avec un film unique d'oxyde semiconducteur et la stabilité chimique du film d'oxyde semi-conducteur est améliorée par le revêtement supérieur, par exemple, un film de ln 203:Sn de 150 nano- mètres d'épaisseur avec un film de Si O 2 de 120 nanomètres d'épaisseur Le film composite à trois couches constitué de In 203:Sn disposé entre un substrat de Ti O 2 et un revé- tement supérieur de Si O 2 fournit encore une plus grande augmentation de l'efficacité par rapport à celle obtenue avec un film unique de semiconducteur ou avec un tel film revêtu avec un revêtement unique de Si O 2 Dans une réalisation recommandée du composite à trois couches Ti O 2-In 203:Sn-Si O 2, les épaisseurs de film sont de 130- -120 nanomètres, respectivement En général, l'épais- seur optimale des films diélectriques de Ti O 2 et Si O 2 peut varier de 10 nanomètres, respectivement Ainsi, on maintient la température de la paroi du tube à arc dans la gamme optimale de 1400 K à 1500 K dans un tube à arc ayant un diamètre supérieur au diamètre classique L'épais- seur du film d'oxyde semi-conducteur peut être compris entre 80 et 350 nanomètres, mais est de préférence com- pris entre 130 et 200 nanomètres pour In 203:Sn et entre nanomètres et 250 nanomètres pour Sn O 2:F Le diamètre du tube à arc est de préférence compris entre 10 et 14 mm et mieux encore entre 12 et 14 mm mais peut être aussi élevé que 25 mm. On peut déposer le film de In 203:Sn sur du verre en utilisant une technique de pulvérisation chimique en atmosphère-ouverte recuit On peut déposer les films diélectriques par divers procédés On peut déposer Sio 2 amorphe en utilisant une hydrolyse classique à basse température de composé de silicium tel que des halogénures de silicium et des esters organiques de silicate On peut. déposer Ti O 2 à basse température par hydrolyse de Ti C 14. La présente invention a donc pour buts: d'accroître l'efficacité d'une lampe à vapeur de sodium haute pression et d'améliorer la stabilité chi- mique à haute température des films minces d'oxyde semi- conducteur réflecteurs des infrarouges, d'accroître l'efficacité d'une lampe à vapeur de sodium haute pression en augmentant le diamètre du tube à arc et en déposant un film composite perfectionné ré- flecteur des infrarouges fait d'un film mince d'oxyde semi- conducteur et de films diélectriques sur la surface inté- rieure de l'enveloppe extérieure afin de maintenir la tem- pérature de la paroi du tube à arc dans la gamme optimale; de fournir une lampe à vapeur de sodium haute pression ayant un tube à arc supérieur au diamètre classi- que et, un film mince d'oxyde semi-conducteur de in 203:Sn ou Sn O 2:F revêtu ou intermédiaire entre des films diélec- triques de Ti O 2 et Si O 2 déposé sur l'enveloppe extérieure de la lampe pour ainsi maintenir la température de la paroi du tube à arc dans la gamme optimale. La suite de la description se réfère aux figures annexées qui représentent respectivement: Figure 1, une réalisation d'une lampe à vapeur de sodium haute pression incluant un film réflecteur des in- frarouges déposé sur la surface intérieure de l'enveloppe extérieure; figure 2, les longueurs-d'ondes des raies d'émis- sion de la lampe à vapeur de sodium haute pression et la réflectance et la transmittance spectrale d'un film de In 203:Sn de 150 nanomètres d'épaisseur déposé sur du verre; figure 3, la réflectance spectrale d'une couche unique de In 203:Sn de 150 nanomètres d'épaisseur déposé sur un substrat de verre et la réflectivité spectrale du même film revêtu avec un film de Sio 2 de 120 nanomètres d'épaisseur; figure 4, une vue semblable à la figure 3 mais qui montre la réflectivité-spectrale du film de In 203:Sn revêtu avec un film de Ti O 2 de 120 nanomètres d'épaisseur et, figure 5, la réflectivité spectrale d'un système composite à trois couches Ti O 2-In 203:Sn-Si O 2 dans lequel les épaisseurs sont respectivement de 130/150/120 nano- mètres. La figure 1 illustre une réalisation d'une lampe à vapeur de sodium haute pression 10 selon la présente invention La lampe comprend une enveloppe extérieure en verre 1 ayant un film composite réflecteur des infrarouges 2 (décrit plus en détail ci-dessous) déposé de préférence sur la surface intérieure de cette enveloppe Un milieu ionisable de décharge classique, incluant du sodium, est contenu dans le tube à arc 4, monté à l'intérieur de l'enveloppe extérieure 1 au moyen des électrodes 5 et 6 qui sont reliées électriquement au capuchon d'extrémité conducteur 7 et 8 du tube à arc, respectivement Le support mécanique pour l'électrode 6 est fourni par le téton 11 de l'enveloppe extérieure 1 que l'électrode entoure par- tiellement Un élément souple 12 relie mécaniquemeï* et électriquement l'électrode 6 au capuchon d'extrémité 8 et assure la compensation pour la dilatation thermique Le diamètre intérieur du tube à arc 4 peut être compris entre 10 mm et 25 mm, de préférence entre 10 et 14 mm, et mieux encore entre 12 et 14 mm Le diamètre du tube à arc 2 dépend également de la puissance nominale de la lampe. Pour une lampe à vapeur de sodium haute pression classique de 400 watts, le diamètre du tube à arc est d'environ 6 à 7 mm La lampe 10 peut être également pourvue d'un culot classique à vis de type Edison 3 L'espace 9 entre le tube à arc 4 et l'enveloppe extérieure 1 peut être rempli avec un gaz inerte tel que l'argon, mais est de préférence mis sous vide. Le film composite réflecteur 2 peut comprendre de l'oxyde semi-conducteur In 203 fortement dopé à l'étain, ou Sn O 2 dopé avec du fluor, et a une épaisseur allant de nm à 350 nm et est revêtu avec un film diélectrique de 120 nm d'épaisseur en Ti O ou Si O Dans une autre 2 2 ' réalisation, le film réflecteur 2 est fait d'un film d'oxy- de semi-conducteur déposé sur un substrat pelliculaire de Ti O 2 et revêtu avec un film de Si O 2 Dans cette réalisation, les épaisseurs respectives des films de Ti O 2 d'oxyde semi- conducteur Si O 2 sont de 130-150-120 nanomètres, respective- ment Pour des résultats optimaux, les gammes d'épaisseur des films diélectriques de Ti O 2 et Si O 2 sont de 130 et nm, 10 nanomètres, respectivement La gamme recom- mandée d'épaisseur du film de In 203:Sn et Sn O 2:F est comprise entre 130 nm et 200 nm et entre 130 et 250 nm, respectivement. On peut produire les films de In 203:Sn et Sn O 2:F sur les surfaces intérieures et extérieures de l'enveloppe extérieure de la lampe par des techniques de pulvérisation chimique en atmosphère libre classique Le matériau semi- conducteur est pulvérisé sur des substrats deverre chauffés à 4000 C ou plus Les films de Si O 2 peuvent être déposés par hydrolyse à basse température de composés de silicium tels que des halogénures de silicium et des esters de silicate organiques On peut déposer les films de Ti O 2 par hydrolyse à basse température de Ti C 14, par exemple. La figure 2 illustre la transmittance spectrale (T) et la réflectance (R) d'un film unique de In 203:Sn de 150 mm d'épaisseur avec une concentration en porteur 21 3 libre de 1,3 x 10 /cm On a représenté les raies d'émis- sion d'un arc de sodium à haute pression (avec les hauteurs correspondant aux intensités relatives) suivant l'axe horizontal La fraction des émissions transmises ou réflé- chies est indiquée sur l'axe vertical On peut observer sur la figure 2 que le film de In 203:Sn est hautement réflecteur dans la région de 1000 à 3000 nanomètres et a une faible absorptance dans la région du spectre visible qui comporte la raie d'émission principale du sodium (Na D) dans la région de 600 nm L'absorptance visible moyenne du composite verre-film de In 203:Sn est d'environ 0,03 On doit noter que la partie visible du spectre il- lustré à la figure 2 s'étend jusqu'à environ 700 nm, ce- pendant que la région proche de l'infrarouge s'étend de 700 nm à environ 1000 nm Les émissions infrarouges dis- continues du sodium dues aux états atomiques excités apparaissent à 1100 nm, 1850 nm, et 2100 nm Ces émissions sont partiellement réfléchies dans le tube à arc et dans le plasma ô elles sont partiellement réabsorbées se tra- duisant par une réduction de la puissance d'entrée Le film réflecteur réfléchit également vers le tube à arc des émissions infrarouges continues apparaissant principa- lement par la recombinaison des molécules Na 2 ionisées et, jusqu'à un certain point, du rayonnement descomplexes moléculairessodium-mercure, améliorant encore ainsi l'ef- ficacité de la lampe. L'utilisation d'un film unique réflecteur d'épais- seur de 150 nm en In 203:Sn en combinaison avec un tube à arc ayant un diamètre de tube àarc accru se traduit par une amélioration importante de l'efficacité de la lampe à vapeur de sodium haute pression Une partie de cet accrois- sement de l'efficacité est le résultat du diamètre accru du tube à arc Une augmentation supplémentaire résulte de la réflexion et de l'absorption partielle de l'émission infrarouge du plasma attribuable aux effets réflecteurs des infrarouges de In 203:Sn L'utilisation du film réflec- teur des infrarouges fournit une contribution importante à l'amélioration de l'efficacité de la lampe, en parti- culier si l'on considère que dans une lampe à vapeur de sodium haute pression classique, environ 35 % de l'énergie d'entrée de la lampe se trouve dissipés sous forme de rayonnement infrarouge de grandeslongueursd'ondes par incandescence du tube àarc en alumine chauffé La réflectivité spectrale d'un unique film de In O O:Sn d'épaisseur de 150 nm revêtu avec un film de 2 3 * déaserd 15 nmrvtavcufime Si O 2 de 120 nm d'épaisseur est représentée à la figure 3, qui montre également,pour une facilité de comparaison,la réflectance spectrale d'un film unique de In 203:Sn de nm d'épaisseur On peut observer que pour les films de In 203:Sn revêtus, la réflectivité est réduite légèrement dans la région visible associée avec l'élargissement dû à la pression de la raie Na D, et est accrue au voisinage de la raie d'émission du sodium de 819 nm (proche infra- rouge) Ces deux effets agissent pour améliorer l'effica- cité du film composite par rapport à ce qu'on obtiendrait avec un film de In 203:Sn seul. La figure 4 représente la réflectivité spectrale d'un film de In 203:Sn similaire à celui de la figure 3, mais revêtu avec un film de Ti O 2 de 120 nm d'épaisseur. Dans cette réalisation, il n'y a pas d'augmentation nette de l'efficacité par rapport à celle obtenue avec un film unique de In 203:Sn car le gain en réflexion à partir de la raie d'émission à 819 nm sera perdu du fait de la diminution de la transmittance au niveau de la raie d'émis- sion Na D Le revêtement supérieur de Ti O 2, cependant, améliore la stabilité chimique à haute température du film de In O 3:Sn. 2 3 On a représenté figure 5 la réflectivité d'une réalisation recommandée d'un film composite à 3 couches fait d'un film de In 203:Sn de 150 nm d'épaisseur déposé sur un substrat pelliculaire de Ti O 2 de 130 nm d'épaisseur et lui-même revêtu avec un film de Si O 2 de 120 nm d'épais- seur Une comparaison de la rêflectivité d'un film unique de In 203:Sn de 150 nanomètres d'épaisseur représenté à la figure 5 montre la réflectance accrue pour la raie de sodium de 819 nm proche de l'infrarouge et la diminution de réflectivité pour la raie Na D du visible On estime que le film composite à 3 couches fournit une augmentation d'efficacité d'environ 4 % par rapport à celle obtenue avec un film unique de In 203:Sn Du fait de cette réflec- tivité accrue dans la région d'émission du sodium de 819 nm, le film composite à trois couches fournit égale- ment une plus grande augmentation de l'efficacité que celle obtenue avec une couche de revêtement supérieur unique de Sio 2. Avec chacun des films réflecteurs des infrarouges décrits ci-dessus, l'enveloppe extérieure doit être fa- briquée suffisamment grande pour éviter un endommagement du film dû à un échauffement excessif. On notera de ce qui précède que la présente in- vention fournit une amélioration importante de l'efficacité d'une lampe à vapeur de sodium haute pression et une amé- lioration de la stabilité chimique à haute température de films minces en oxyde semi-conducteur réflecteurs des infrarouges Les films d'oxyde semi-conducteur en combi- naison avec des films diélectriques de Ti O 2 et Si O 2 per- mettent une récupération économique et efficace du rayon- nement infrarouge, qui est ensuite avantageusement réfléchi dans un tube à arc de diamètre accru, maintenant ainsi la température de la paroi du tube à arc dans la gamme opti- male L'efficacité de la lampe à vapeur de sodium haute pression utilisant un tube àarc de diamètre plus grand, conjointement à des films réflecteurs perfectionnés décrits dans la présente invention se trouve accrue par rapport à celle de lampes similaires utilisant un film unique de In 0:Sn ou Sn O:F. 23 2 REVENDICATIONS 1 Lampe à vapeur de sodium haute pression carac- térisée ence qu'elle comprend un long tube à arc ( 4) sous pression, transmettant la lumière visible, comportant des électrodes ( 5,6) disposées à ses extrémitésopposées, ce tube à arc ayant un diamètre intérieur compris entre 10 mm et mm; un composé métallique fournissant du sodium ato- mique disposé dans le tube à arc, ce composé métallique du sodium émettant lors de son excitation de l'énergie de longueur d'ondesvisible et infrarouge du spectre éléctro- magnétique; et une enveloppe extérieure ( 1) mise sous vide, entourant le tube à arc ( 4), sur laquelle est déposé un film composite réflecteur des infrarouges ( 2) incluant un film de 1 N 203:Sn revêtu avec un diélectrique choisi dans le groupe se composant de Ti O 2 et Si O 2, ce film composite transmettant une partie importante de l'énergie de longueur d'ondes visibles et réfléchissant vers le tube à arc une partie importante de l'énergie de longueur d'onde infra- rouge de telle sorte qu'une quantité suffisante de l'éner- gie infrarouge réfléchie soit absorbée par le tube à arc pour maintenir la température de la paroi du tube à arc dans une gamme optimale de température. 2 Lampe selon la revendication 1, caractérisée en ce que le film de In 203:Sn a une épaisseur comprise entre nanomètres et 350 nanomètres. 3 Lampe selon la revendication 1, caractérisée en ce que le film de In 203:Sn a une épaisseur comprise entre 130 nanomètres et 200 nanomètres. 4 Lampe selon la revendication 3, caractérisée - en ce que le film composite est déposé sur la surface intérieure de l'enveloppe extérieure. Lampes selon la revendication 4, caractérisée en ce que le film composite est essentiellement transparent à l'énergie électro-magnétique ayant une longueur d'onde dans larégion de 600 nanomêtres du spectre électromagnétique, mais est essentiellement réflecteur à l'énergie ayant une longueur d'onde supérieure à 1000 nanomètres. 6 Lampe selon la revendication 4, caractérisée en ce que la gamme optimale de températures est comprise entre 1400 K et 1500 K. 7 Lampe selon la revendication 2 ou 3, caracté- risée ence que le diélectrique se compose d'un film de Ti O 2 ayant une épaisseur comprise entre 110 nanomètres et nanomètres. 8 Lampe selon la revendication 2 ou 3, caracté- risée en ce que le diélectrique se compose d'un film de Si O 2 ayant une épaisseur comprise entre 110 nanomêtres et 130 nanomètres. 9 Lampe selon la revendication 1, caractérisée en ce que le film composite réflecteur des infrargoues se compose des films Ti O 2, In 203:Sn, et Si O 2 déposés succes- sivement sur l'enveloppe extérieure de verre. 10 Lampe selon la revendication 9, caractérisée en ce que les films de Ti O 2 et Si O 2 ont chacun une épais- seur comprise entre 110 nanomêtres et 130 nanomètres et en ce que le film de In 203:Sn a une épaisseur comprise entre nanomètres et 200 nanomntres. 11 Lampe selon la revendication 9, caractérisée en ce que le film de Ti O 2 a une épaisseur de 130 nanomêtres, le film de In 203:Sn a une épaisseur de 150 nanomètres et le film de Si O 2 a une épaisseur de 120 nanomêtres. 12 Lampe à vapeur de sodium à haute pression caractérisée en ce qu'elle comprend un long tube à arc ( 4) sous pression, transmettant la lumière visible, ayant des électrodes ( 5,6) disposées à ses extrémités opposées, ce tube à arc ayant un diamètre intérieur compris entre 10 mm et 25 mm; un composé métallique fournissant du sodium ato- mique disposé dans le tube à arc, ce composé métallique du sodium émettant lors de son excitation de l'énergie de longueur d'onde visible et infrarouge du spectre électro- magnétique; et une enveloppe extérieure sous vide ( 1) entourant le tube à arc, sur laquelle est déposé un film composite réflecteur des infrarouges incluant un film de Sn O 2:F revêtu avec un diélectrique choisidans le groupe comprenant Ti O 2 et Si O 2, ce film composite transmettant une partie importante de l'énergie de longueur d'onde visible, et réfléchissant vers le tube à arc une partie importante de l'énergie de longueur d'onde infrarouge, de sorte qu'une quantité importante de l'énergie infrarouge réfléchie soit absorbée par le tube à arc pour maintenir la température de la paroi du tube à arc dans une gamme optimale de tem- pérature. 13 Lampe selon la revendication 12 caractérisée en ce que le film de Sn O 2:F a une épaisseur comprise entre nm et 350 nm. 14 Lampe selon la revendication 13 caractérisée en ce que le film de Sn O 2:F a une épaisseur comprise entre nanomètres et 250 nanomètres. Lampe selon la revendication 13, caractérisée en ce que le film de Sn O 2:F est déposé sur la surface intérieure de l'enveloppe extérieure. 16 Lampe selon la revendication 15, caractérisée en ce que le film composite est essentiellement transparent à l'énergie électro-magnétique ayant une longueur d'onde dans la région de 600 nanomètres du spectre électro-magné- tique, mais essentiellement réflecteur à l'énergie électro- magnétique ayant une longueur d'onde supérieure à 1000 nm. 17 Lampe selon la revendication 15, caractérisée en ce que la gamme optimale de température est comprise entre 1400 K et 1500 K. 18 Lampe selon la revendication 13 ou 14, carac- térisée en ce que le diélectrique se compose d'un film de Ti O 2 ayant une épaisseur comprise entre 110 nanomètres et nanomètres. 19 Lampe selon la revendication 13 ou 14, caractérisée en ce que le diélectrique se compose d'un film de Si O 2 ayant une épaisseur comprise entre 110 nanomètres et 130 nanomètres. Lampe selon la revendication 12, caractérisée en ce que le film composite réflecteur des infrarouges se compose des films Ti O 2, Sn O 2:F et Si O 2 déposés successi- vement sur l'enveloppe de verre extérieure. 21 Lampe selon la revendication 20 caractérisée en ce que les films de Ti O 2 et Si O 2 ont chacun une épais- seur comprise entre 110 nanomètres et 130 nanomètres et en ce que le film de Sn O 2:F a une épaisseur comprise entre 130 nanomètres et 250 nanomètres. 22 Lampe selon la revendication 20, caractérisée en ce que le film de Ti O 2 a une épaisseur de 130 nanomètres, le film de Sn O 2:F a une épaisseur de 150 nanomètres et le film de Si O 2 a une épaisseur de 120 nanomètres.