FR 2517143 A1 19830527 FR 8121802 A 19811120 BASCULE BISTABLE A STOCKAGE NON VOLATIL ET A REPOSITIONNEMENT DYNAMIQUE. La présente invention concerne le domaine des circuits de sauvegarde et plus particulièrement une bascule bistable dont le contenu, à un instant donné, peut gtre stocke de façon non volatile dans des éléments de stockage, la bascule pouvant être ensuite repositionnée selon les informations stockées. La présente invention permet la mémorisation des infor- mations contenues dans une bascule bistable pour le cas ou l'alimentation de cette bascule viendrait à s'interrompre, puis le repositionnement automatique de cette bascule tandis que la ten- sion d'alimentation est rétablie. On s'intéressera ici essentiellement aux structures de types MOS, c'est-àdire à des structures à effet de champ à grille conductrice (par exemple un métal M) formée sur une couche iso- lante (par exemple un oxyde O) au-dessus d'un semiconducteur (S). Le circuit de sauvegarde selon la présente invention vise à satisfaire aux caractéristiques suivantes sûreté de fonctionnement et, notamment: inscription dans des éléments de stockage non volatil à partir de l'état de la bascule bistable toujours possible dans tous les cas de fonctionnement, repositionnement correct et automatique du bistable lors de sa remise sous tension à partir de l'état des éléments de stockage nonvolatil, non perturbation du bistable par les éléments de- stockage en dehors de la phase de repositionnement, facilité d'utilisation: réduction du nombre de commandes particulières nécessaires pour la fonction de sauvegarde, rapidité des séquences de prise en mémoire et de repo- sitionnement, en particulier en ce qui concerne la mémorisation qui doit être la plus courte possible. Pour satisfaire ces diverses exigences, la présente invention prévoit une bascule bistable à laquelle est adjoint un circuit de sauvegarde lui permettant d'avoir une fonction de stockage non volatil, la commande des opérations de mise en mémoire, de stockage et de repositionnement pouvant être effectuée uniquement en modifiant la tension d'alimentation - Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit une bascule bistable à stockage non volatil réalisée à partir d'une bascule bistable classique à transistors MOS, comportant des bornes complémentaires Q et Q*, connectée entre un potentiel d'alimentation (VCC) et un potentiel de référence (M), à laquelle on adjoint deux branches de stockage dont chacune est constituée par le montage en série d'un élément de stockage non volatil du type transistor MOS à tension de seuil programmable électriquement et d'une capacité Une borne de chacune des capacités est reliée au potentiel d'alimentation L'une des bornes principales et la borne de commande de l'élément de stockage de la première branche sont connectées respectivement à la borne Q et à la borne Q*, et inversement pour l'éliment de stockage de la deuxième branche. Selon la valeur du potentiel d'alimentation, le dispositif fonc- tionne selon l'une des phases suivantes: fonctionnement normal de la bascule indépendamment du circuit de stockage non volatil, mise en mémoire de l'état de la bascule, stockage, repositionnement de la bascule. La bascule bistable classique peut par exemple être du type à transistors MOS complémentaires ou à transistors MOS enrichis et déplétés Les éléments de stockage peuvent être des transistors MNOS (métal-nitureoxyde-semiconducteur) dont le substrat est relié à la source Ces éléments de stockage peuvent- aussi être du type à grille flottante Pour permettre le fonction- nement de la bascule non volatile selon l'invention dans ses quatre phases, à savoir fonctionnement normal indépendamment de tout stockage, mémorisation, stockage et repositionnement, le potentiel d'alimentation peut varier entre un premier niveau propre à assurer le fonctionnement de la bascule classique et un deuxième niveau propre à conditionner l'élément de stockage -Ce potentiel d'alimentation est également susceptible d'être interrompu, c'est pourquoi l'on prévoit un stockage non volatil. Pendant les phases de fonctionnement normal, de mise en mémoire et de stockage, les transitions de la tension d'alimentation sont lentes devant les constantes de temps liées aux branches de stockage et les capacités agissent comme des interrupteurs ouverts Enfin, pendant les périodes de reposition- nement, le signal d'alimentation est rétabli rapidement à son premier niveau et les capacités fonctionnent en régime transitoire comme des interrupteurs fermés. Selon un avantage de la présente invention, on notera que les éléments de stockage sont amenés à subir un cycle de fonc- tionnement seulement aux instants o l'on souhaite mémoriser le contenu de la bascule Il n'y a pas de changement d'état de ces éléments à chaque changement d'état de la bascule Cette caractéristique est importante, notamment quand on utilise des éléments de stockage du type transistor MNOS étant donné que le nombre de cycles de fonctionnement de tels transistors MNOS est limité à des valeurs de l'ordre de 106 à 108 cycles. La présente invention présente également les avantages exposes précédemment dans l'énoncé de ses objets auxquels il con- vient d'ajouter que la prise en mémoire se fait de façon particulièrement simple et rapide, en un seul cycle de commande sous l'effet de la variation de la tension d'alimentation. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1 représente sous forme schématique et généralisée une bascule selon la présente invention, la figure 2 représente un premier mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention dans lequel la bascule classique est à transistors MOS complémentaires, la figure 3 représente un schéma équivalent du circuit de la figure 2 en régime dynamique, la figure 4 représente la tension d'alimentation appli- quée au dispositif lors de ses diverses phases de fonctionnement, 251 7 143 la figure 5 représente un deuxième mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention dans lequel la bascule bistable -est asymétrique, la figure 6 représente un schéma équivalent du circuit de la figure 5 en régime dynamique, la figure 7 représente un troisième mode de réalisation d'un dispositif selon l'invention dans lequel la bascule classique est à transistors MOS enrichis/déplétés. Dans les diverses figures représentant des bascules bistables, les conducteurs et les périphériques d'accès aux bascu- les vers les noeuds Q et Q* n'ont pas été figurés Ils seront réalisés de façon classique. La figure 1 représente de façon générale et schématique le circuit selon la présente invention Ce circuit comprend une bascule bistable classique présentant des bornes ou noeuds complémentaires Q et Q* qui peuvent chacune prendre l'un ou l'autre de deux états logiques, mais jamais le même état Cette bascule est connectée entre une source d'alimentation VCC, couram- ment 5 volts, et une tension de référence M, couramment la masse. Ainsi, en fait, les deux états logiques Q et Q* correspondent à la tension VCC ou au potentiel de la masse Pour le fonctionnement normal d'une bascule, le potentiel VCC est couramment de l'ordre de 5 volts. On suppose ici que la bascule 1 est de type volatil ou non remanent, c'est-à-dire qu'en cas d'interruption du potentiel VCC, le dernier état qu'a atteint la bascule est perdu Pour remédier à cet état de choses et créer une sauvegarde de la dernière information mémorisée avant la coupure du courant, il est prévu d'adjoindre à la bascule deux branches de stockage compre- nant chacune-un élément de stockage, respectivement 2 et 4, et une capacité, respectivement 3 et 5 Ces deux branches sont disposées entre l'une des sorties de la bascule et la tension d'alimentation VCC Les éléments de stockage 2 et 4 sont des transistors MOS à deux tensions de seuil programmables électriquement comprenant deux bornes principales et une borne de commande La borne de com- mande est reliée au noeud de la bascule complémentaire de celui auquel est connectée l'une des bornes principales. Pour effectuer une opération de sauvegarde, c'est-à-dire de conditionnement des éléments de stockage 2 et 4, on procède à une élévation de la tension d'alimentation VCC juste avant une coupure de cette alimentation En cas de coupure volontaire de la tension d'alimentation, ceci est facile à réaliser En cas de coupure accidentelle de la tension d'alimentation, on connaît des circuits pour fournir pendant une courte durée une telle tension haute dès que l'on détecte une baisse de la tension normale d'alimentation, la source de tension haute pouvant par exemple consister en des capacités tampons normalement alimentées pendant le fonctionnement normal du dispositif Ainsi, à l'instant de l'application de la tension haute, un potentiel élevé se trouve appliqué entre les noeuds Q et Q* de la bascule et agit de façon inverse entre la borne de commande et l'une des bornes principales pour chacun des éléments de stockage 2 et 4 Ceci, à condition que la tension de seuil de programmation des éléments de stockage soit supérieure à la tension de fonctionnement normal de la bascule, ce qui est généralement le cas dans les dispositifs classiques, per- met de conditionner les éléments de stockage 2 et 4 dans des états complémentaires La façon dont l'état mémorisé dans les éléments de stockage 2 et 4 est utilisé pour repositionner la bascule lors de la réalimentation du dispositif sera exposée en détail ci-après en relation avec la description d'un mode de réalisation par- ticulier de la présente invention en vue de simplifier la descrip- tion. Des éléments de stockage répondant à la définition générale de "transistors MOS à tension de seuil programmable électriquement" sont par exemple des cellules MNOS (métal nitrure oxyde semiconducteur) ou des transistors à grille flottante comme, par exemple, ceux désignés couramment dans la technique sous l'appellation transistors Flotox Dans la pratique, on choisira comme éléments de stockage 2 et 4 des éléments réalisables dans une technologie compatible avec celle selon laquelle est réalisée la bascule bistable 1 Par exemple, si l'on utilise des tran- sistors à grille flottante de type Flotox, il semble à l'heure actuelle que la technologie de bascule la plus simplement come- patible soit la technologie MOS à canal N enrichi/déplité Avec une technologie de type MNOS pour les éléments de stockage, la réalisation d'une bascule MOS de type à transistors complémentaires (CMOS) semble aujourd'hui l'une des plus comi- patibles C'est ce mode de réalisation particulier qui va être décrit ci-après à titre d'exemple, et qui va être utilisé pour fournir une description détaillée du procédé de fonctionnement de la bascule bistable à stockage non volatil et à repositionnement dynamique selon l'invention. Dans le mode de réalisation particulier représenté en figure 2, la bascule 1 est à transistors MOS complémentaires Elle comprend quatre transistors Tl à T 4, les transistors Tl et T 3 étant à canal N et les transistors T 2 et T 4 à canal P Les tran- sistors Tl et T 2 sont placés en série entre la masse et le poten- tiel d'alimentation VCC, de même que les transistors T 3 et T 4 Les grilles des transistors Tl et T 2 sont connectées au point de jonc- tion source/drain des transistors T 3 et T 4 et les grilles des transistors T 3 et T 4 sont connectées au point de jonction source/drain des transistors T 2 et Tl On appelle Q* la borne correspondant à la connexion des grilles des transistors T 3 et T 4 et Q la borne correspondant à la connexion des grilles des tran- sistors Tl et T 2. Le fonctionnement de cette bascule, bien connue en elle- même, ne sera pas décrit en détail ici A cette bascule sont adjointes selon l'invention deux branches de stockage La première branche connectée au noeud Q* comprend un élément MNOS TMI en série avec une capacité 3 dont l'autre borne est reliée à la ten- sion d'alimentation VCC De même, la deuxième branche connectée entre le noeud Q et le potentiel d'alimentation VCC comprend un élément MNOS TM 2 et une capacité 5 La grille de l'élément de stockage MNOS TM 1 est connectée au noeud Q et celle de l'élément TM 2 au noeud Q* La source et le substrat des transistors TM 1 et TM 2 sont interconnectées et reliées comme cela a déjà été exposé aux noeuds Q* et Q On a figuré en pointillés, bien que cela ne soit pas essentiel à l'exposé de la présente invention, entre les 2517 143 bornes de substrat et de drain des transistors T Mi et TM 2, des diodes de fuite parasites inhérentes à la réalisation de ces éléments. La figure 3 représente un schéma équivalent en régime dynamique du circuit de la figure 2 On peut voir entre la borne VCC et la borne de référence M, un ensemble de condensateurs et de résistances correspondant aux capacités équivalentes à celles des divers éléments Les capacités 3 et 5 ont des valeurs C, par exemple des valeurs comprises entre quelques dixièmes de p F et quelques p F Les éléments MNOS ont des résistances équivalentes RTMI et RTM 2 qui sont fortes (plusieurs centaines de mégohms) quand ces dispositifs sont conditionnés à un état bloquant et fai- bles (quelques kilohms) quand ces dispositifs sont conditionnés à un état passant Les transistors T 2 et T 4 de la bascule, que l'on peut également considérer comme des éléments de charge, ont des impédances équivalentes désignées par CLQ*, et RLQ* ou RLQ et CLQ selon que l'on considère le transistor T 2 connecté à la borne Q* ou le transistor T 4 connecté à la borne Q En fait, dans le cas d'un montage symétrique tel qu'illustré, on aura sensiblement: RLQ = RLQ* et CLQ = CLQ* Les transistors à canal N Tl et T 3 sont illustrés sous forme de condensateurs équivalents de valeur CN. On va maintenant décrire le fonctionnement du dispositif en relation avec la figure 4 qui représente l'évolution de la ten- sion appliquée à la borne d'alimentation VCC. Dans une phase I de fonctionnement normal, la tension VCC est la tension normale de fonctionnement de la bascule, par exemple 5 volts Dans cette configuration, la tension appliquée entre grille et source-substrat des éléments T Mi et TM 2 est de plus ou moins 5 volts, c'est-à-dire insuffisante pour changer l'état de secil de ces éléments La seule influence des branches de stockage sur le fonctionnement de la bascule réside dans la charge capacitive supplémentaire imposée aux noeuds Q et Q* par la présence des éléments MNOS Selon une caractéristique importan- te de l'invention, on notera que la différence de potentiel de l'ordre de 5 volts infligée aux éléments MNOS pendant les change- ments d'état de la bascule qui, comme on l'a vu, n'entraîne pas une programmation de ces éléments, ne produit pas de phénomène de vieillissement pour ces éléments La bascule bistable peut donc basculer un nombre illimité de fois dans ces conditions. Dans l'étape Il de prise en mémoire, le potentiel à la borne VCC est porté momentanément à un niveau élevé par rapport au potentiel de référence, propre à agir sur les tensions de seuil des éléments MNOS, ce potentiel étant par exemple de 18 volts. Dans cet état, les éléments 'MNOS TMI et TM 2 voient entre leur grille et leur source-substrat, une tension de plus ou moins 18 volts Plus spécifiquement, en supposant que Q* est à haut niveau et Q à bas niveau dans le dernier état de la bascule, l'élément TM 1 voit 0 volt sur sa grille et 18 volts sur sa source et son substrat alors que l'éliment TM 2 reçoit une tension de 18 volts sur sa grille et une tension de O volt sur sa source et son substrat En conséquence, l'élément TM 1 se trouve programmé à sa tension de seuil basse et l'élément TM 2 acquiert une tension de seuil haute Ainsi, pour une tension grille source nulle, l'élément T Ml se trouve dans un état déplété, c'est-à-dire qu'il est conducteur (faible impédance) entre son drain et sa source alors que l'élément TM 2 se trouve dans un état enrichi, c'est-à- dire qu'il est bloqué (haute impédance) entre son drain et sa source Cette phase de mémorisation se déroule sans circulation de courant statique du fait de la présence des capacités 3 et 5, c'est-à-dire que la consommation du circuit reste très faible. Bien entendu, la transition de tension d'alimentation de 5 à 18 V sera rapide, mais pas assez pour faire intervenir un courant dyna- mique circulant par les capacités 3 et 5. Après cette phase de mise en mémoire, on peut repasser directement en fonctionnement normal, l'état stocké dans les éléments MNOS permettant éventuellement de repositionner ultérieurement la bascule à son état existant à l'instant de la mémorisation Mais couramment, la phase de mise en mémoire est suivie d'une phase III de stockage pendant laquelle la tension d'alimentation VCC est nulle ou flottante A nouveau la transition de tension de 18 à O ou 5 V se fera de façon à rendre négligeable l'influence d'un régime dynamique. 251 7 1 43 Pour repositionner ensuite la bascule, comme cela est représenté dans la phase IV de la figure 3, un potentiel d'alimentation VCC est réappliqué très brutalement. Sur le schéma équivalent, on a alors dans cette configu- ration RTM 1 = quelques kilohms, RTM 2 = quelques centaines de mégohms, CLQ = CLQ* de l'ordre de 0,01 p F, RLQ = RLQ* de l'ordre de quelques kilohms et CN de l'ordre de 0,1 p F Etant donné la forte valeur de RTM 2, on peut considérer que la capacité 5 du c 8 té du noeud Q est hors service Ainsi, en réponse à une variation d VCC de la tension d'alimentation, les variations résultantes d VQ* et d VQ seront les suivantes: CL CL d VQ = d VCC d VCC - CN + CL CN C + CL d VQ* = d VCC 4 d VCC C + CN + CL Avec le choix indiqué précédemment des valeurs relatives de C, C Net CL, à savoir C> CN CL, on a donc que VQ* varie sensi- blement comme VCC alors que VQ varie peu En conséquence, la bas- cule bistable se positionnera dans l'état o VQ* est voisin de VCC tandis que VQ reste au potentiel de référence, ce qui correspond bien à l'état logique mémorisé initialement. Pour obtenir ce résultat, il faut que l'on soit effec- tivement en régime dynamique, c'est-à-dire que le front de montée de la tension VCC soit suffisamment raide pour que les effets capacitifs soient prépondérants En d'autres termes, le temps de montée de VCC doit être très inférieur aux constantes de temps RL CN et RTM 1 (C + CN) Avec les valeurs numériques exposées précédemment, on notera que ces constantes de temps sont de l'ordre de la microseconde. D'un point de vue technologique, le schéma indiqué pour le dispositif en figure 2 peut être réalisé en technologie CMOS sur substrat massif ou sur substrat isolant Dans le cas d'un substrat isolant, les transistors sont naturellement isolés les uns des autres Par contre, sur un substrat massif, les tran- sistors à canal N TI et T 3 ainsi que les éléments MNOS à canal N TI 1-1 et T 142 sont implantés dans des caissons de type P Ces caissons sont reliés soit à la masse du circuit, soit à la source des transistors à canal N qu'ils contiennent comme cela est représenté dans la figure La diode parasite caisson/substrat n'intervient que par sa capacité de jonction car sa tenue en ten- sion est très supérieure aux tensions appliquées et son courant de fuite négligeable. Jusqu'à présent, on a décrit une bascule bistable associée à deux branches de stockage lui permettant d'avoir une fonction de bascule non volatile La bascule classique décrite précédemment était du type symétrique et devait d'ailleurs avoir un fonctionnement aussi symétrique que possible pour pouvoir fonc- tionner de façon satisfaisante même quand la distance entre les deux seuils des éléments de stockage TM 1 et TM 2 se réduit tandis que ces dispositifs vieillissent Il serait également possible de prévoir une bascule bistable a priori dissymétrisée, c'est-à-dire se repositionnant automatiquement sur un certain état en l'absence de branches de stockage, et d'associer à une telle bascule dissymétrique une branche de stockage unique permettant de la repositionner dans son autre état quand l'élément de stockage associé à cette bascule se trouve dans son état de faible impédance Le mode de commande d'une telle bascule dissymétrique est identique à ce qui a été décrit précédemment L'avantage de cette structure réside dans la réduction de la surface de silicium utilisée, mais l'inconvénient est que la bascule bistable dissymétrique-est moins sensible qu'une bascule symétrique, ce qui signifie notamment qu'elle exige pour son fonctionnement une plus grande différence entre l'état bloqué et l'état conducteur de l'élément MNOS, c'est-à-dire une plus grande fenêtre mémoire. Les figures 5 et 6 représentent respectivement sous forme de schéma de circuit et sous forme de circuit équivalent en régime dynamique un tel montage dissymétrique La branche de stockage comprenant la capacité 3 et l'élément de stockage TM 1 a été supprimée La bascule est dissymétrisée pour que, quand l'élément de stockage TM 2 présente une forte impédance, un reposi- tionnement automatique se fasse avec un état O sur le noeud Q* La branche de stockage restante permet de privilégier un reposition- nement sur un état O au niveau du noeud Q quand un tel état a été mémorisé Pour obtenir ce résultat, il convient comme précédemment que C soit plus grand que CN et CN*, ces valeurs étant elles-mêmes supérieures à CLQ* et CLQ, mais en outre, une dissymétrie doit être créée en prévoyant RLQ* plus petit que RLQ, CNQ plus grand que CNQ*, CLQ* plus grand que CLQ. Pour assurer cette dissymétrie et les relations ci- dessus, on pourra prévoir des transistors Tl et T 2 de surface supérieure à celle des transistors T 3 et T 4. La figure 7 représente un autre mode de réalisation de la présente invention dans lequel la bascule symétrique classique 1 est réalisée non plus au moyen de transistors MOS complémentaires, mais au moyen d'une association de transistors MOS enrichis/déplétés Cette bascule comprend quatre transistors à canal N Tll à T 14 Les transistors Tll et T 12 sont en série ainsi que les transistors T 13 et T 14 Les transistors Tll et T 13 sont du type à enrichissement, c'est-à-dire normalement non conducteurs, et les transistors T 12 et T 14 sont du type à dépiétion, c'est-à- dire normalement conducteurs Les grilles des transistors T 12 et T 13 sont connectées entre elles et à la connexion drain/source des transistors Tii et T 12 Les grilles des transistors T Ul et T 14 sont connectées entre elles et à la connexion drain/source des transistors T 13 et T 14. Les branches de stockage et les éléments de stockage sont connectée de la même façon que cela a été décrit précédemment en relation avec la figure 2 La bascule bistable 1 illustrée en figure 7 est connue en elle-même Elle a été décrite ici seulement pour souligner que la présente invention n'est pas limitée à une utilisation avec un type de bascule particulier Pour plus de sûreté de fonctionnement il est recommandé d'utiliser plutôt la variante de la figure 6 avec ce type de technologie car les 12 - charges normales de la cellule (T 12, T 14) conduisent tout de suite à la montée de la tension VCC et perturbent la remise sous tension Il est donc recommandé d'isoler ces charges déplétées pendant le repositionnement On notera que, dans le cas o l'on choisit une technologie de bascule classique à transistors à canal N enrichis/déplétés, les ressources technologiques habituelles permettent d'associer simplement une telle bascule avec des tran- sistors à grille flottante comme éléments de stockage TMI et T 142. Les diverses variantes exposées précédemment ne sont que des exemples de modifications qui peuvent être apportées au schéma de base illustré de façon particulière en figure 2 et de façon plus générale en figure 1 Bien entendu, d'autres variantes peuvent être prévues sans sortir du domaine de la présente inven- tion et, notamment, les diverses variantes illustrées peuvent être combinées. 2517 1433 REVENDICATIONS. 1 Bascule bistable à stockage non volatil à repositionnement dynamique constituée d'une bascule bistable classique à transistors MOS (Tl à T 4) comportant des noeuds Q et Q* et connectée entre un potentiel d'alimentation (VCC) et un potentiel de référence (M), caractérisée en ce qu'elle comprend en outre au moins une branche de stockage dont chacune est constituée par le montage en série d'un élément de stockage non volatil (TM 1, TM 2) du type transistor MOS à tension de seuil programmable électriquement et d'une capacité ( 3, 5), une borne de chacune des capacités étant reliée au potentiel d'alimentation, l'une des bor- nes principales et la borne de commande de chaque élément de stockage de la première branche étant connectées respectivement au noeud Q ou Q* et au noeud Q* ou Q; et en ce qu'il est prévu des moyens pour modifier le potentiel d'alimentation (VCC) entre un premier niveau permettant le fonctionnement normal de la bascule, un deuxième niveau propre à conditionner les éléments de stockage et leur faire mémoriser l'état précédent de la bascule, ces moyens permettant en outre de faire passer brutalement le potentiel d'alimentation d'une valeur nulle à celle du premier niveau, ce qui assure le repositionnement automatique de la bascule dans un état précédemment mémorisé par les éléments de stockage. 2 Bascule de stockage à fonctionnement non volatil selon la revendication 1, caractérisée en ce que la bascule bistable classique est du type à transistors complémentaires. 3 Bascule de stockage à fonctionnement non volatil selon la revendication 1, caractérisée en ce que la bascule bistable classique est du type à transistors enrichis et d 5 plétés. 4 Bascule bistable à stockage non volatil selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que les éléments de stockage sont de type MNOS, leur substrat étant relié à leur source. Bascule bistable à stockage non volatil selon l'une des revendications 1 ou 3, caractérisée en ce que les éléments de stockage sont des éléments MOS du type à grille flottante. 6 Bascule bistable à stockage non volatil selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce qu'elle comprend deux branches de stockage, la bascule bistable étant de type symétrique. 7 Bascule bistable selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 5, caractérisée en ce -qu'elle comprend une seule branche de stockage raccordée à l'un des noeuds (ou Q ou Q*) de la bascule bistable, les éléments de la bascule bistable raccordés à l'autre noeud de cette bascule par leur connexion drain/source occupant une surface de silicium plus importante que celle des éléments connectés au premier noeud. -b