FR 2498843 A1 19820730 FR 8101618 A 19810128 DISPOSITIF OSCILLATEUR-MELANGEUR STABILISE PAR UN RESONATEUR DIELECTRIQUE. L'invention concerne un dispositif oscillateur-mélangeur du type comportant un transistor à effet de champ à double grille du type Schottky, destiné à fournir un signal de sortie à une fréquence dite intermédiaire, obtenu par mélange soustractif d'un signal d'entrée à haute fréquence et d'un signal créé dans le dispositif, le signal d'entrée étant appliqué sur la première électrode de grille (Gh), le signal créé étant contrôlé par la deuxième électrode de grille (G2), et le signal de sortie étant récupéré sur l'électrode de drain (D), alors que l'électrode de source (S) est directement reliée à la masse. L'invention a trait au domaine des circuits hyperfréquences, plus spé- cifiquement à la réception des ondes hyperfréquences. Un tel circuit est destiné à être inséré dans une tête intégrée de réception d'ondes hyperfréquences, typiquement de fré- quence 12 GHz, utilisées dans la distribution de programmes de radio- télévision par satellites artificiels. Ces programmes peuvent être captés au sol par des stations de réception de dimensions relativement importantes, puis diffusés par des réseaux locaux, ou bien, par des petites stations communautaires desservant des écoles, des centres d'informations, ou des immeubles, et même individuelles, notamment dans les régions non couvertes par les réseaux d'émetteurs au sol. D'une manière très générale, une tête de réception cons- titue l'interface entre l'antenne de réception et les circuits de réception du poste de télévision. Sa fonction consiste à amplifier le signal provenant de l'antenne et à abaisser sa fréquence de 12 GHz à 1 GHz. Par tête "intégrée" on entend qu'elle est constituée à partir de circuits intégrés, typiquement par des transistors à effet de champ, en arséniure de gallium, en raison de leurs bonnes performances en hyperfréquences. L'abaissement de fréquence, de 12 GHz, fréquence attribuée par le CCIR pour les télécommunications par satellites artificiels, à 1 GHz, fréquence intermédiaire avant démodulation par les circuits du récepteur de télévision, est connu de l'art antérieur. Il nécessite généralement la présence d'un oscillateur local, à la fréquence d'en- viron 11 GHz, et d'un mélangeur d'o l'on extrait en sortie un signal de 1 GHz. On citera, pour exemple, les schémas respectifs d'un oscilla- teur local et d'un mélangeur, publiés dans Inter Electronique du 28 Avril 1978. L'intégration de plus en plus poussée de la tête de récep- tion, nécessitée par la diminution des coûts de fabrication d'un tel système, a conduit la Demanderesse à rechercher un composant qui asso- cie à la fois les fonctions de mélangeur et d'oscillateur. Le transistor à effet de champ, à double grille du type Schottky convient à cet effet. Il est connu de l'art antérieur son uti- lisation en tant que mélangeur, et l'on citera pour exemple la publica- tion ayant pour titre: "An X- Band Dual Gate Fet Mixer", par S.C. Cripps et d'autres, Proc. 1977 European Microwave Conference. Son utilisation en tant qu'oscillateur-mélangeur est également connue, et l'on citera pour exemple, la publication ayant pour titre: "A self oscillating dual gate Mesfet X-Band Mixer, with 12 dB conversion gain", par C. Tsironis et d'autres, dans 9th European Microwave Conference Dig. Techn. Papers, Brighton, England,en Septembre 1979. Selon cette dernière publication, la deuxième électrode de grille d'un transistor MESFET double-grille, est connectée à une li- gne, du type microruban et de longueur variable, dont l'extrémité est en court-circuit. Ce dispositif constitue effectivement un oscillateur-mélan- geur; toutefois, il présente notamment l'inconvénient de ne pas pou- voir être stabilisé au moyen d'un résonateur, et de ce fait, sa fré- quence d'oscillation est relativement instable, ce qui interdit son utilisation dans la tête de réception d'ondes hyperfréquences pour télévision. L'invention vise à pallier le susdit inconvénient en propo- sant un autre montage propre à être stabilisé. Le dispositif oscillateur-mélangeur, selon la présente invention, est remarquable en ce qu'une ligne du type microruban, d'une impédance caractéristique Z0, couplée magnétiquement avec un résonateur diélectrique et chargée par une impédance (Z0), est connec- tée à ladite deuxième électrode de grille (G2). De cette manière, le transistor engendre un signal dont la fréquence est celle de résonance du résonateur diélectrique. Dans une utilisation particulière du dispositif selon la présente invention, celui-ci fonctionne comme un oscillateur simple. Selon une réalisation préférentielle du dispositif oscilla- teur-mélangeur, les entrée et sortie sont adaptées aux fréquences de fonctionnement utilisées de manière à augmenter le gain de conversion. Selon une réalisation préférentielle du dispositif oscilla- teur, les entrée et sortie sont adaptées à la fréquence d'oscillation choisie, de manière à augmenter la puissance d'oscillation. La description qui va suivre, en regard des dessins annexés permettra de mieux comprendre comment l'invention se réalise et de mieux en apprécier sa portée. -La figure 1 est un schéma de l'oscillateur-mélangeur selon la présente invention, -la figure 2 est le tracé du cercle d'instabilité du transis- tor MESFET double grille à une fréquence choisie par exemple de 11 GHz, et de l'impédance vue par la deuxième grille (G2) en fonction de la fréquence, dans le diagramme de Smith, -la figure 3, une courbe représentant le gain de conversion, en fonction de la fréquence du signal d'entrée reçu, -la figure 4 est un schéma d'un oscillateur, selon la pré- sente invention, -la figure 5 est le tracé des cercles d'instabilité du tran- sistor MESFET double grille, et de l'impédance vue par la deuxième grille (G2) en fonction de la fréquence, dans le diagramme de Smith, et la figure 6, une courbe représentant la puissance déli- erée par l'oscillateur et le facteur de qualit et 3 l vrée paris 'osnillateur et le facteur de quaéven fonction de la po- larisation de l'électrode de drain. Un dispositif oscillateur-mélangeur conforme à la présente invention comprend un transistor à effet de champ, à double.grille du type Schottky (en anglais, "dual-gate MESFET"), référencé 1 à la figure 1, qui est l'élément actif à la fois de l'oscillateur et du mélangeur. Ur, tel transistor est bien connu de l'art antérieur, et l'on citera pour mémoire, la publication de l'article "Dual-Gate GaAs microwave FET", par J. TURNER et d'autres, dans Electronic Letters, Vol. 7, p. 661-662, en Novembre 1971. Ses applications extrêmement variées sont toutefois plus récentes, et ont été divulguées de 1975 à ce jour, ainsi celle d'oscillateur-mélangeur date de 1979. Dans cette dernière application, le signal d'entrée est appliqué préférentiellement sur la première électrode de grille (G1), comptée à partir de l'électrode de source (S), et le signal créé est contrôlé par la deuxième électrode de grille (G2), alors que le signal de sortie est récupéré sur l'électrode de drain (M). En effet, cette disposition semble être la plus favorable, ainsi qu'il ressort des enseignements tirés de la publication dans IEEE (1978), p 309311, de l'article intitulé: "Dual-gate GaAs Fet as a frequency multiplier at Ku-Band", notamment des courbes de trans- conductance en fonction des tensions de polarisation de la première électrode de grille, par rapport à la source (VGlS), pour différentes tensionsde polarisation de la seconde électrode de grille, par rapport à la source (VG2S). La disposition inverse peut également être envisa- gée avec un moindre profit, sans sortir pour cela du cadre de la présente invention. Le dispositif mélangeur auto-oscillant 1, selon la figure], comporte donc une électrode de source (s) directement reliée à la masse, une première électrode de grille (G1) sur laquelle est appliqué le signal d'entrée à haute fréquence (12 GHz) provenant par exemple du satellite artificiel, à travers un condensateur C1 et une impédance Zl, alors qu'une tension de polarisation VYG est appliquée à travers une inductance L1 et l'impédance Zl, une deuxième électrode de grille (G2) qui, conformément à la présente invention,est connectée à une première extrémité d'une ligne 2 de type microruban, d'impédance caractéristique Z0, typiquement de 50 Q, l'autre extrémité étant chargée par une impé- dance Z0, de même valeur, alors que ladite ligne 2 est couplée magné- tiquement avec un résonateur diélectrique, et enfin une électrode de drain (D) sur laquelle est recueilli le signal de sortie, à une fré- quence intermédiaire (par exemple, à 1 GHz), alors qu'une ligne ou- verte quart-d'onde 4 qui se comporte comme un court-circuit pour les fréquences du signal d'entrée et du signal créé, est branchée en paral- lèle. De cette manière, le dispositif se comporte à la fois comme un oscillateur, en ce qu'il crée un signal dont la fréquence (par exemple 11 èHz) est stabilisée par un résonateur diélectrique, et comme un mélangeur en ce qu'il mélange les signaux d'entrée et crée un filtrage adéquat permettant de récupérer en sortie un signal obtenu par mélange soustractif, c'est-à-dire dont la fréquence est la différence de celles des deux signaux appliqués sur ou contrôlés par les deux électrodes de grille (G1 et G2). A cet égard, il peut être utile de rappeler ici que la stabilisation de la fréquence d'un signal au moyen d'un résonateur diélectrique tel qu'un disque de céramique de Ba2. Ti.020, ou plus généralement du système BaOTiO2 est bien connue de l'art antérieur, notamment de la publication par J.K. PLOURDE et d'autres, dans Journal of American Ceramic Soc., Vol. 58, pages 418-420, Novembre 1978 de l'article "Ba2.Ti.020 as a microwave dielectric resonator", l'invention consistant à réaliser un nouveau circuitVm ant un transistor à effet de champ à double grille du type Schottky, apte à être stabilisé par ce moyen. La présence de ce résonateur diélectrique, par exemple sous la forme d'un disque de titanate de baryum, logé dans une boite métallique fermée ou monté directement sur le même substrat en alumine que le transistor, permet d'obtenir un facteur de qualité externe aussi élevé que 2000, et également de supprimer toute oscillation parasite indésirable. En outre, le positionnement de ce disque par rapport à la ligne microruban est facilement reproductible. En effet, le couplage magnétique entre le résonateur diélectrique et la ligne microruban chargée, connectée à la deuxième grille (G2) du transistor double grille entraîne les conséquences suivantes - le transistor oscille sur la fréquence de résonance du résonateur diélectrique, extrêmement stable en température - le transistor n'oscille pas sur d'autres fréquences - le transistor n'oscillerait pas en l'absence du résonateur. Ces conséquences proviennent du fait que l'impédance vue par l'entrée, sur cette deuxième électrode de grille (G 2) traverse une zone d'instabilité du transistor ainsi que représenté à la figure 2, dans l'abaque de Smith. En effet, l'impédance de la ligne microstrip, chargée par une impédance Z0 (par exemple de 50 S) et couplée magnétiquement à un résonateur a pour expression mathématique: Z2 (f A fa) = Z0 = 50 S2 et Z2 (f = f) ejP 50 S o f0 est la fréquence de résonance du résonateur, et f la phase de Z2. Le lieu géométrique des points représentatifs de cette impédance Z2(f) dans l'abaque de Smith est donc le point 0, cen- tre de l'abaque, et la boucle quasi-circulaire tracée en pointillés, et décrite dans le sens des aiguilles d'une montre. Le disque hachuré représente la zone d'instabilité du transistor, à une fréquence donnée; ladite zone étant potentielle- ment instable, puisqu'elle ne contient pas le centre de l'abaque, alors que le module de S22 (coefficient de réflexion en sortie) est inférieur à l'unité ( 1S221 Selon une réalisation préférentielle du dispositif oscillateur-mélangeur, on réalise par un choix convenable des impé- dances, l'adaptation à l'entrée sur la première électrode de grille (G pour la fréquence du signal d'entrée (par exemple 12 GHz), de telle manière que le gain de conversion soit maximal, et l'adaptation à la sortie sur l'électrode de drain (D) pour la fréquence intermédi- aire (par exemple 1 GHz). Pour un tel circuit adapté, le gain de conversion re- présenté à la figure 3, peut atteindre 5 dB environ, à une fréquence intermédiaire comprise entre 0,9 et 1,1 GHz, pour un signal d'entrée de 11,9 à 12,1 GHz. La figure 4 représente une variante de réalisation dans laquelle le dispositif constitue un simple oscillateur, stabilisé par un résonateur diélectrique. Selon cette variante, l'oscillateur comprend un tran- sitor à effet de champ, à double grille du type Schottky, référencé 11 dans cette figure 4, et dont l'électrode de source est reliée à la masse, la première électrode de grille est soumise à une tension de polarisation VIGis à travers une inductance L'1, alors qu'une branche en parallèle relie ladite première électrode de grille à la masse, au travers d'un condensateur C'1 et d'une impédance Z'l, la deuxième élec- trode de grille est connectée à une première extrémité d'une ligne 12, de type microruban, d'impédance caractéristique Z'0 (typiquement 50 n), couplée magnétiquement avec un résonateur diélectrique 13, l'autre ex- trémité de ladite ligne 12 étant chargée par une impédance de même va- leur Z'0, et enfin l'électrode de drain sur laquelle est recueilli le signal d'oscillation est reliée à la masse au travers d'une impédance Z'3, d'un condensateur C'3 et d'une résistance de charge R'3, typique- ment 50 n, et est soumise à une tension de polarisation V'5, à travers une inductance L'3 connectée entre ladite impédance Z'3 et ledit con- densateur C'3. La figure 5 représente, dans l'abaque de Smith, les diverses zones d'instabilité par des disques hachurés, chaque disque correspondant à une fréquence donnéeainsi par exemple pour 11 GHz, 13 GHz, 15 GHz et 17 GHz. Il est à remarquer alors que les centres de ces disques se déplacent en fonction de la fréquence, de telle manière que la pha- se au centre du disque augmente avec la fréquence, alors que la phasef de Z2(f) décrolt avec la fréquence, ce qui rend le système plus sélec- tif et donne à l'oscillateur un facteur de qualité Q encore plus élevé. Selon une réalisation préférentielle de l'oscillateur, les impédances à la première électrode de grille (G1) et à l'électrode de drain (D) sont choisies respectivement pour optimiser les conditions d'oscillation et rendre maximale la puissance d'oscillation délivrée par le dispositif. De cette manière, il a été possible de réaliser des oscillateurs avec des transistors à effet de champ à double grille,. stabilisés par un résonateur diélectrique, dans les bandes de fré- quence X et Ku, qui s'étalent entre 8 et 18 GHz. La puissance délivrée sur la résistance de charge peut varier entre 4 mW (17,8 GHz) et 18 mW (16,3 GHz). Le facteur de qualité et la puissance de ce disposi- tif oscillateur ont été mesurés en fonction de la tension de polarisation de l'électrode de drain V'., et représentés à la figure 6. Il est bien évident pour l'homme de l'art que de nom- breuses variantes peuvent être imaginées, sans pour cela faire oeuvre d'esprit, et donc sans sortir du cadre de la présente invention tel que délimité par les revendications ci-après annexées. REVENDICATIONS 1. Dispositif oscillateur-mélangeur, du type comportant un transistor à effet de champ à double grille du type Schottky, destiné à fournir un signal de sortie à une fréquence dite intermédiaire, ob- tenu par mélange soustractif d'un signal d'entrée à haute fréquence et d'un signal créé dans le dispositif, le signal d'entrée étant appli- qué sur la première électrode de grille(G), le signal créé étant con- trôlé par la deuxième électrode de grille (G2), et le signal de sortie étant récupéré sur l'électrode de drain (D), alors que l'électrode de source (S) est directement reliée à la masse, caractérisé en ce qu'une ligne du type microruban, d'une impédance caractéristique Z0, couplée magnétiquement avec un résonateur diélectrique et chargée par une im- pédance (Z0), est connectée à ladite deuxième électrode de grille (G2). 2. Dispositif oscillateur-mélangeur, selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que l'impédance Z0 a pour valeur 50 Q. 3. Dispositif oscillateur-mélangeur, selon la revendica- tion 1 ou 2, caractérisé en ce qu'une ligne ouverte quart d'onde du type microruban est branchée en parallèle sur l'électrode de drain, de manière à ne conserver en sortie que la fréquence intermédiaire et à éliminer les autres fréquences indésirables. 4. Dispositif oscillateur-mélangeur, selon l'une des reven- dications 1 à 3, caractérisé en ce que les entrée et sortie sont adap- tées aux fréquences respectives d'utilisation, de manière à ce que le gain de conversion de puissance soit maximal. 5. Dispositif oscillateur, du type comportant un transis- tor à effet de champ à double grille du type Schottky, destiné à four- nir sur l'électrode de drain (D) un signal de fréquence donné, l'élec- trode de source (S) étant directement reliée à la masse, caractérisé en ce qu'une ligne du type microruban, d'une impédance caractéristique Z'0 couplée magnétiquement avec un résonateur diélectrique, dont la fréquence de résonance est celle désirée pour le signal, et chargée par un impédance (Z'0), est connectée à la deuxième électrode de grille (G2), en ce que la première électrode de grille, soumise à une tension de polarisation,,est chargée par un circuit série comprenant au moins une impédance (Z'1) et un condensateur (C'1), et en ce que l'électrode de drain (D), soumise à une autre tension de polarisation, est chargée par un circuit série, comprenant au moins une impédance de charge (RI3) et un condensateur (C'3). 6. Dispositif oscillateur, selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'impédance Z'0 a pour valeur 50 2. 7. Dispositif oscillateur, selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que les impédances sur la première grille (G1) et sur l'électrode de drain (D) sont choisies de manière à rendre maximale la puissance d'oscillation délivrée.