FR 2509755 A1 19830121 FR 8212350 A 19820715 La présente invention concerne un appareil et un pro- cédé de pulvérisation cathodique à grande vitesse permettant de prolonger la vie de la cible O Elle est applicable à la pulvérisation cathodique d'une large gamme de matériaux dans des appareils de pulvérisation cathodique de types à renfor- cement magnétique ou autres. En matière de pulvérisation cathodique, l'érosion de la cible pose un grave problème de limitation de la vie de la cible Une autre difficulté réside dans la surchauffe de la cible, que l'on peut réduire par exemple en diminuant la densité de puissance de la cible Toutefois, cette dernière mesure réduit la vitesse de dépôt de matériau En outre, lors de la pulvérisation cathodique de matériaux magnétiques par des appareils de pulvérisation cathodique à renforce- ment magnétique, il faut donner à la cible une épaisseur relativement faible pour éviter de détourner le champ magné- tique confinant le plasma et, par conséquent, d'affaiblir le plasma Ces inconvénients limitent les performances et l'efficacité d'utilisation des appareils selon la technique antérieure pour la pulvérisation cathodique de matériaux tant magnétiques que non magnétiques, en raison des fréquen- tes interruptions du fonctionnement qu'impose la nécessité de remplacer le matériau cible. Des exemples de cas o la faible vitesse de pulvérisa- tion cathodique obtenue avec les appareils selon la techni- que antérieure existant actuellement est particulièrement gênante sont ceux o l'on opère en continu, par exemple dans la fabrication de bandes pour enregistrement et reproduction magnétiques Il serait donc souhaitable d'augmenter la vi- tesse de pulvérisation cathodique pour accroître celle de fabrication de bande magnétique par cette technique. En conséquence, la présente invention a pour buts de proposer: un appareil et un procédé de pulvérisation cathodique à grande vitesse qui permettent d'augmenter la vie de la cible; un appareil de pulvérisation cathodique à grande vi- tesse qui utilise une cible mobile à refroidissement amélio- ré pour minimiser l'érosion de la cible et augmenter les performances de la cible un appareil et un procédé de pulvérisation cathodi- que à grande vitesse comportant une cible qui avance en continu par rapport au plasma actif, seule une partie rela- tivement faible de la cible se trouvant exposée au plasma à tout instant; un appareil et un procédé de pulvérisation cathodi- que à hautes performances comportant un refroidissement amélioré de la cible et permettant ainsi d'appliquer une densité de courant accrue à la cathode/cible un appareil et un procédé de pulvérisation cathodi- que à hautes performances comportant une cible mobile qui est amenée dans la zone de confinement de plasma à une vi- tesse déterminée et est indiquée pour association à des systèmes de pulvérisation cathodique alimentés par courant continu (C C) ou par haute fréquence (H F), notamment techniques de pulvérisation cathodique de types à renforce- ment magnétique et autres un appareil et un procédé de pulvérisation cathodi- que à grande vitesse avec renforcement magnétique comportant la mise en oeuvre d'une cible en matériau magnétique dotée d'une longévité prolongée et de nature à ne pas détourner le champ magnétique de confinement du plasma environnant; un appareil et un procédé de pulvérisation cathodi- que à rendement amélioré comportant les caractéristiques sus-indiquées et convenant pour le dépôt à grande vitesse de matériau magnétique sur un substrat, par exemple en vue de la fabrication de bande magnétique et articles analogues. On atteint ces buts de l'invention, ainsi que d'autres, grâce à un appareil et un procédé pour la pulvérisation cathodique sous vide, à grande vitesse, d'un matériau-cible choisi sur un substrat, remarquables en ce qu'une anode et une cathode/cible mobile selon l'invention sont disposées dans une chambre à vide Un plasma actif est formé entre ces électrodes La cathode/cible mobile est disposée à une certaine distance du substrat il est aussi prévu des moyens qui déplacent la cathode/cible par rapport au plasma actif de telle sorte qu'à tout moment au cours de la pulvérisation cathodique, une partie de la cathode/cible est disposée au sein du plasma actif tandis qu'une autre partie, contiguë, de la cathode/cible est disposée à l'extérieur du plasma actif. Les buts, caractéristiques et avantages sus-énoncés de l'invention, ainsi que d'autres, apparaîtront au cours de la description que l'on va maintenant donner, à titre d'exem- ples non limitatifs de certains modes préférés de mise en oeuvre de l'invention en se référant aux dessins annexés, sur lesquels: la figure 1 est une vue schématique simplifiée d'un appareil de pulvérisation cathodique selon un mode préféré de réalisation de la présente invention la figure 2 est une vue de détail grossie correspondant à une partie de la figure 1; la figure 3 est une vue en perspective correspondant à une partie de la figure 2; la figure 4 est une vue en coupe il-lustrant un autre mode de réalisation de la partie représentée sur la figure 3; la figure 5 est une vue de détail grossie analogue à la figure 2, mais d'une autre réalisation de l'invention les figures 6 A et 61 sont des vues schématiques simpli- fiées de dessus et en coupe droite illustrant encore une autre réalisation de l'invention la figure 7 est une vue de détail grossie illustrant encore une autre réalisation préférée de l'invention; la figure 8 A est une vue partielle en coupe droite sui- vant la ligne 8 A-8 A de la figure 7; la figure 8 B est une vue partielle en coupe droite ana- logue à la figure 8 A illustrant une variante de structure pour la réalisation selon la figure 7. On va donner, tout d'abord, une description d'ensemble de l'appareil et du procédé selon l'invention en se référant à la figure 1 et, ensuite, une description plus détaillée des diverses réalisations illustrées par les figures 2 à 8 B. La figure 1 représente une chambre à vide 26 entourée par une enveloppe 21 fixée-à une embase 3 de manière étan- che au vide et mise à la masse, d'une manière bien connue du technicien Une pompe à vide 5 et une source 23 de gaz approprié, par exemple argon, sont toutes deux reliées à la chambre 21 Un substrat 27, à revêtir par pulvérisation a- nodique d'un matériau cible choisi, est fixé à une embase 28 à une certaine distance d'un ensemble de canon de pulvé- risation cathodique 22 Le substrat 27 peut être fixe ou, en variante mobile, étant par exemple une bande souple en une matière plastique appropriée, d'une manière bien connue, par exemple, en fabrication de bandes magnétiques Au cas o l'on utilise une cible mobile 27 sous la forme d'une bande de plastique, on peut la transporter le long de l'em- base 28 entre deux bobines correspondantes 9 qui peuvent être protégées contre une pulvérisation cathodique indésira- ble par des écrans 29, comme indiqué schématiquement en traits interrompus sur la figure 1 L'ensemble de canon de pulvérisation cathodique 22 comporte une cathode 10, rendue mobile d'une manière qu'on exposera plus loin en détail, et une anode 8 Selon la nature de l'application, la source d'alimentation C C ou H F nécessaire (non représentée sur la figure 1 pour plus de simplicité) peut, au lieu d'alimen- ter en énergie l'anode 8, être couplée à l'ensemble de subs- trat 27, 28, qui devient alors l'anode aux fins pratiques de pulvérisation cathodique, d'une manière bien connue du technicien Un champ électrique, de direction indiquée par la flèche 101, est établi entre l'anode 8 et la cathode 10. Selon la nature de l'application, la cathode 10 peut être entièrement en le matériau cible choisi pour pulvérisa- tion sur le substrat ou, en variante, seule une partie super- ficielle de la cathode 10 peut être en le matériau cible, sa partie sousjacente pouvant être en un matériau différent approprié En vue de simplifier l'exposé, on utilisera dans la description qui suit l'expression cathodeicible pour dé- signer une cathode ayant l'une ou l'autre de ces structures possibles. Suivant un aspect particulier et important de la pré- sente invention, une décharge luminescente à haute énergie, aussi dite plasma actif, est établie entre l'anode et une cathode, qui est mobile dans l'appareil de pulvérisation cathodique selon l'invention Ce dernier aspect est illus- tré par la figure 1 o la cathode/cible 10 est prévue, par exemple, sous la forme d'un ruban mobile transporté entre deux bobines débitrice/enrouleuse 11, 12 associées Sur son trajet, le ruban formant cathode/cible 10 franchit des ga- lets entraîneurs ou de guidage 33, 34 et une structure de soutien refroidie 15 destinée à entrer en contact avec le ruban 10 et à le guider à coulissement au voisinage immédiat de l'anode 8 et à une distance déterminée de celle-ci, tel- le que requise par la nature de l'application La source de tension C C ou II F appropriée est reliée tant à l'anode 8 qu'à la cathode 10 pour établir une décharge luminescente entre ces électrodes Ainsi, dans la zone '4 séparant ces électrodes, on établit un plasma chaud, à haute énergie, au moyen de particules accélérées d'un gaz inerte approprié provenant cie la source 23 Attendu que, selon l'invention, le ruban cathode 10 se meut en continu à travers le plasma chaud 44, seule une fraction relativement faible de la cathode/cible 10 se trouve exposée, à tout instant, aux con- ditions régnant dans le plasma Outre la structure de re- froidissement 15, des dispositifs de refroidissement par rayonnement additionnels 35 sont disposés le long du trajet de la cathode mobile 10 à l'extérieur de la zone de plasma s 4 En conséquence, on voit que par rapport aux appareils existants à cathode/cible fixe, le refroidissement du ruban formant cathode/cible est nettement amélioré et que l'on peut donc augmenter notablement la densité de courant et la vitesse de pulvérisation cathodique de l'appareil selon l'invention sans pour autant limiter indûment le temps de fonctionnement de l'appareil Divers écrans 2, 29 et 43 sont prévus pour éviter la pulvérisation à l'extérieur de la zone souhaitée, ainsi qu'on l'exposera plus loin en détail. La mobilité de la cathode/cible représente un autre perfectionnement par rapport à la technique antérieure lors de la pulvérisation cathodique de matières magnétiques par des techniques impliquant un renforcement magnétique En particulier, la présente invention permet d'utiliser une cible magnétique sous la forme, par exemple, d'un ruban sou- ple, d'un tambour creux ou d'un disque ayant une épaisseur (voir figure 2) relativement faible, par exemple de 0,025 à 1,27 mm approximativement On peut aisément faire sursaturer une telle cible mince par le champ magnétique de confinement du plasma pour obtenir la concentration et le réglage souhaités de la décharge luminescente et établir- ainsi des conditions de pulvérisation cathodique souhaita- bles, bien connues Un autre avantage réside dans la possi- bilité de choisir la vitesse de la cible mobile en fonction de la densité de courantrequise et à la vitesse de refroi- dissement possible selon la nature du matériau formant la cible Ainsi, à mesure qu'augmente la densité de courant re- quise par unité de surface de la cible, on peut accroître en conséquence la vitesse de la cible mobile pour éviter la surchauffe de celle-ci, ainsi qu'il ressortira d'une descrip- tion plus détaillée donnée ci-dessous. La figure 2 est une représentation simplifiée de l'en- semble de canon de pulvérisation cathodique 22 de la figure 1, suivant le mode préféré de-réalisation de la présente invention Cet ensemble comporte une chambre à vide intérieu- re 1 entourée par un écran extérieur 2 qui comporte des pa- rois latérales 2 a et supérieures 2 b et une partie de l'emba- se 3 Les parois 2 b définissent une ouverture 2 c qui peut être de forme circulaire, rectangulaire ou autre quelconque commode L'ouverture 2 c constitue un orifice permettant à des particules de matériau cible accélérées par le canon de se déposer sur un substrat stationnaire ou mobile 27, comme schématisé par des droites 40 (figure 1) Le substrat 27 est placé à la distance souhaitée de l'ouverture 2 c L'écran ex- térieur 2, l'embase 3 et l'enveloppe 21 sont de préférence en matériau conducteur non magnétique tel qu'acier inoxyda- ble ou aluminium, et sont mises au potentiel de la masse. En conséquence, ces derniers éléments 2, 3 et 27 doivent être électriquement isolés, par des moyens bien connus, des autres éléments situés à l'intérieur de la chambre 26 qui sont au potentiel élevé de cathode ou d'anode Comme précé- demment indiqué, une pompe à vide 5 est reliée à la chambre à vide 26 par un conduit 4, de manière courante, et une source 23 de gaz inerte approprié, par exemple argon, est couplée à la chambre à vide 1 par un conduit 47 -Comme on le voit mieux sur la figure 3, à l'intérieur de la chambre à vide 1 est montée une anode fixe 8, de préférence sous la forme de deux barres parallèles, par exemple en matériau du type acier approprié La cathode/cible 10 est disposée pa- rallèlement à l'anode 8 et à une distance convenable de celle-ci Le ruban cathode 10 est de préférence entièrement en un matériau magnétique métallique, par exemple à 80,' de cobalt et à 20 co de nickel, et est déposé sur un substrat 27 (figure 1) par pulvérisation cathodique Une telle épais- seur 100 relativement faible (d'environ 0,025 à 1,27 mm) de la cathode/cible 10 est nécessaire à l'obtention de l'état sursaturé souhaité de la cathode/cible dans l'appareil de pulvérisation cathodique à renforcement magnétique selon le mode de réalisation préféré Toutefois, on notera que la présente invention n'est pas limitée aux configurations in- diquées ci-dessus et qu'en variante, seule la face active, c'est-à-dire dirigée vers l'anode, de la cathode peut être en le matériau cible, d'une manière connue du technicien. Les deux extrémités du ruban 10 sont enroulées sur deux bobines réversibles respectives, débitrice/enrouleuse 11,12, disposées dans l'extrémité basse de la chambre à vide inté- rieure 1, à distance de l'anode 8 Les bobines 11, 12 peu- vent être entraînées conjointement, par exemple par une transmission à courroie 13 comportant un moteur réversible approprié 14 ou, en variante, les bobines 11, 12 peuvent être entraînées séparément par des moteurs d'entraînement de bobine distincts (non représentés) En fait, on peut utili- ser tout système d'entraînement approprié. A proximité de l'anode 8, là o le ruban 10 traverse la zone de plasma chaud 44, le ruban 10 est supporté par une structure de soutien refroidie 15 (figure 3) comportant un bâti 1 et une plaque supérieure 17, laquelle est en contact glissant avec le ruban 10 La structure 15 est en un maté- riau non magnétique conducteur de l'électricité, par exemple acier inoxydable ou aluminium Une tubulure de canalisation de réfrigérant 18 est prévue a l'intérieur de la plaque su- perieure 17, par exemple par percement de passages adéquats 18 à travers celle-ci ou, en variante, elle peut être pré- vue à l'extérieur de la plaque 17, mais en contact avec celle-ci pour assurer un refroidissement par conduction très efficace du ruban 10 On fait circuler un liquide de refroidissement convenable tel qu'eau refroidie, à travers des extrémités 19, 20, dans la tubulure 18, dont les divers tronçons peuvent être reliés par des tubes appropriés (non représentés) Les extrémités 19 et 20 sont de préférence reliées à un réseau de refroidissement externe (non repré- senté), d'une manière bien connue du technicien. Des aimants permanents 30 servent à confiner le plasma actif dans la zone 44 et à renforcer ainsi la pulvérisation cathodique, d'une manière bien connue du technicien Toute- fois, l'appareil et le procédé de pulvérisation cathodique selon l'invention ne sont pas limités au cas de renforce- ment magnétique et sont tout aussi bien applicables à la pulvérisation cathodique des types à diodes, a triodes et autres connus Comme noté plus haut, l'invention peut être mise en oeuvre avec une large variété de matériaux cibles, notamment matériaux magnétiques Dans la réalisation préfé- rée, les aimants 30 servant à renforcer le plasma actif sont sous forme de barreaux de largeur correspondant à celle du ruban 10 f bomme on le voit mieux sur la figure 3 L'orienta- tion des aimants 30 est choisie de manière à conférer la configuration souhaitée au champ magnétique établi dans la zone de plasma 44 comme indique par des lignes de flux 48 et comme décrit par exemple dans "Glow Discharge Processes", de Brian Chapman, John Willey and Sons, New York, 1980, page 268 On voit d'après la figure 2 que la direction des lignes de flux 48 est sensiblement perpendiculaire à la di- rection du champ électrique désignée par la flèche 101 sur les figures 1 et 2 Ainsi la flèche 102 indique la direc- tion du champ magnétique engendré par les aimants 30. La cathode mobile 10 est couplée à une source externe à haute tension en courant continu (C C) ou en haute fréquence (H F) 31, par exemple au moyen d'une ligne de transmission d'énergie blindée 32 mise en liaison conduc- trice avec la structure de soutien 15, par exemple par sou- dage. Des galets de guidage 33, 34 qui peuvent être en fait des galets entraîneurs et peuvent coopérer avec des galets presseurs 58, 59 indiqués en traits interrompus, sont dis- posés chacun d'un côté de la structure de soutien refroidie pour guider le ruban cathode 10 suivant un trajet déter- miné, en le faisant porter contre la plaque supérieure 17 et défiler devant l'anode 8 à une distance souhaitée de celle-ci, qui dépend de la nature de l'application. Il importe que le mécanisme de guidage de ruban qui comporte les galets 33, 34, 58, 59 et tous autres éléments appropriés (non représentés) éventuellement nécessaires pour transporter le ruban souple 10 sur un trajet déterminé avec la précision requise soittonçu pour maintenir le ruban 10 sous la tension nécessaire pour l'empêcher de déformer la surface cible par torsion, pliage ou autrement. Un refroidissement supplémentaire du ruban 10 est de préférence assuré par des dispositifs de refroidissement, par exemple sous la forme de plateaux de refroidissement par rayonnement 35, disposés à l'extérieur de la zone de plasma active 44 sur l'un et/ou l'autre côtés du trajet de ruban, comme représenté sur la figure 2 Ces plateaux 35 peuvent être refroidis par un liquide refroidi approprié y circulant par l'intermédiaire de tubes 3 e, 37 respectivement reliés à un réseau de refroidissement extérieur (non représenté) Si l'on souhaite accuser encore le refroidissement, on peut prévoir des tubes de refroidissement additionnels 38, 39 à l'intérieur des galets 33, 34, de manière analogue à celle décrite plus haut à propos des dispositifs de refroidisse- ment 18 et 35 On conçoit que les divers tubes 19, 20, 36, 37, 38 et 39 peuvent être reliés à-un ou plusieurs disposi- tifs de refroidissement externes (non représentés) situés à l'extérieur de l'enveloppe 21, d'une manière connue du tech- nicien il va de soi que les tubes de raccordement éventuel- lement nécessaires à cette fin, ainsi que les liaisons 4, 7, 32, 47 établies entre l'intérieur et l'extérieur d'une cham- bre à vide telles que 26, devront comporter des joints étan- ches au vide 45 tels que tous représentés sur les dessins. Un dispositif 41 de mesure contenue de l'épaisseur du ruban 10 et un dispositif 42 de détection de l'extrémité du ruban 10 peuvent être disposés à l'une et/ou l'autre des extrémités du ruban 10 Les deux dispositifs 41, 42 peuvent être d'un type sans contact usuel,-par exemple du type opti- que généralement adopté dans l'industrie d'enregistrement de bandes magnétiques et dans des applications analogues. Par exemple, le ruban 10 peut être perforé ou rendu transpa- rent à ses deux extrémités maintenues par les bobines 11,12. Quand l'extréinité du ruban approche du dispositif 42, celui- ci décèle son tronçon transparent et envoie un signal de commande au moteur d'entraînement 14 pour en inverser la rotation, ce qui inverse le sens de défilement du ruban en- tre les bobines 11 et 12 De manière analogue, le dispositif de mesure 41 peut fournir un signal de commande quand l'é- paisseur du ruban 10 atteint un minimum préfixé, ce qui in- dique la nécessité de reconstituer la réserve de matériau cible. Dans la chambre à vide intérieure 1, est de préférence prévu un écran protecteur mis à la masse 43, relié à l'écran 2 comme représenté sur la figure 2 L'écran 43 est de préfé- rence en acier inoxydable ou aluminium et on peut l'utiliser comme suit pour contribuer au maintien d'une pression diffé- rentielle souhaitée entre la chambre extérieure 26 et la chambre intérieure 1 On obtient de préférence la pression différentielle en envoyant dans la chambre à vide int 6 rieu- re 1, à l'aide de la source 23 reliée à travers une valve d'admission 25 à l'intérieur de la chambre intérieure 1, de l'argon sous une pression déterminée considérablement supérieure à celle de la chambre environnante 26, elle-même maintenue par la pompe à vide 5 et une valve de r 6 glage 24 qui lui est reliée Par exemple, on peut établir dans la chambre 26 une pression de 13 à 665 x 10 Pa et dans la chambre 1 une pression de 1,35 à 40 Pa En conséquence, l'écran 43 protège les divers éléments 11, 12, 33, 34, 35, etc, disposés dans la chambre à vide intérieure 1 mais non directement dans la zone de plasma actif 44, contre un dé- pôt non souhaité de matériau cible pulvérisé. A l'intérieur de l'écran 43 sont disposéçsl'anode 8, la partie du ruban mobile formant cathode/cible 10 située à un instant donné dans la zone de plasma actif 44 et la structure de soutien et de refroidissement 15 qui comporte les aimants 30 et soutient ladite partie du ruban 10 Comme précédemment mentionné, il est nécessaire d'isoler électri- quement des écrans à la masse, par des techniques bien connues, tous les éléments disposés dans l'enveloppe 21 On peut par exemple monter les divers éléments à isoler des écrans mis à la masse sur des supports d'isolement, en maté- riau non conducteur tel que céramique appropriée. Par conséquent, il est nécessaire entre autres d'iso- ler suffisamment de l'écran 43, de manière bien connue, le ruban 10 qui est au potentiel électrique élevé de la catho- de, en particulier au niveau des ouvertures 46, 50 ménagées dans l'écran 43 pour le passage du ruban 10 Eventuellement, on peut prévoir une seconde source d'argon supplémentaire 6, comportant un conduit 7 qui mène directement à l'intérieur de la zone enfermée par l'écran 43, comme représenté sur la figure 2. En variante, au lieu d'utiliser des bobines débitrice/ enrouleuse 11, 12 à inversion de marche et d'inverser le mouvement du ruban à chaque détection de l'extrémité du ru- ban par le dispositif 42, il est possible de prévoir le ru- ban 10 sous forme de bande sans fin qui peut être transpor- tée dans un sens choisi pendant un temps déterminé ou jus- qu'à détection par le dispositif de mesure 41 d'une épais- seur 100 de valeur minimale. On se réfère maintenant à la figure 4, qui illustre une variante de configuration de la structure de soutien refroi- die 15 selon les figures 2 et 3 Sur la figure 4, le plasma actif 44 est entouré par un aimant permanent ou un électro- aimant 51 de forme fondamentalement en U dont les pôles op- posés sud 52 et nord 53 sont disposés de part et d'autre du plasma 44 et de la largeur du ruban 10 Les pôles 52, 53 engendrent un champ magnétique de direction indiquée par la flèche 102, dans l'ensemble parallèle au plan du ruban for- mant cathode/cible 10 et donc perpendiculaire à la direction du champs électrique 101 établi entre l'anode 8 et la catho- de 10 L'aimant 51 est fixé à une structure de support 54, conductrice de l'électricité et non magnétique, de préféren- ce en acier inoxydable ou aluminium, laquelle sert aussi d'écran protecteur La surface supérieure plane 55 de la partie moyenne de la structure 54 soutient le ruban mobile 10. Des tubes 56 de canalisation d'un liquide de refroidis- sement approprié, tel qu'eau, sont disposés immédiatement au-dessous de la surface supérieure 55 au voisinage immé- diat du ruban 10, pour que le refroidissement de ce dernier ait le maximum d'efficacité' Un écran 57 entoure la structu- re de support 54, l'aimant 51, l'anode 8 et une partie de la cathode/cible mobile 10 L'écran 57 de la figure 4 corres- pond fondamentalement à l'écran intérieur 43 de la figure 2 " et sert à protéger contre la pulvérisation lès éléments situés à l'extérieur de cet écran (non représentés sur la figure 4), ainsi qu'à maintenir le vide différentiel tel que précédemment décrit à propos de la figure 2. Bien entendu, les configurations de structure de support respectivement représentées sur les figures 3 et 4 ne repré- sentent que deux des nombreux agencements susceptibles d'être prévus conformément aux enseignements de la présente inven- tion. On va maintenant décrire un procédé préféré de pulvéri- sation cathodique à grande vitesse selon la présente inven- tion en se référant à la réalisation des figures 1 et 2. Avant d'amorcer la pulvérisation cathodique, on met la pompe à vide 5 en marche pour établir dans la chambre dû une basse- pression, par exemple de l'ordre de 1,3 x 10 Pa ou moins. On admet ensuite de l'argon provenant de la source 23 dans la chambre intérieure 1 pour établir dans celle-ci une pres- sion plus élevée que celle précitée établie dans la chambre 26 et par exemple de l'ordre de 3 Pa ou plus Éventuellement, un supplément d'argon peut être introduit dans l'espace 44, à partir de la source 6 Il va de soi que les valeurs de pression sus-indiquées peuvent varier selon la nature de l'application On met en marche l'un ou plusieurs des dis- positifs de refroidissement extérieurs et le liquide de refroidissement, ramené à la basse température souhaitée, est refoulé à travers certains ou la totalité des tubes re- présentés en 19, 20 et 36 à 39 sur la figure 2. On met aussi en marche le moteur 14, ce qui amène le ruban 10 à sedéplacer en continu entre les bobines Il et 12 suivant un trajet déterminé, qui comporte les galets 33, et 59, 34, la plaque refroidie 17 et les plateaux de re- froidissement 35 Si les galets 33, 34 sont des galets en- traîneurs, un moteur correspondant (non représenté) est aussi excité. * On choisit la vitesse du ruban 10 de manière à satis- faire aux exigences de refroidissement découlant de la natu- re de la matière cible choisie pour former le ruban cathode et à obtenir la densité de courant particulière qu'exige la vitesse de pulvérisation cathodique choisie. On estime possible d'obtenir des densités de courant d'environ 80 watts à 800 watts ou plus par centimètre carré de cathode/cible au moyen du canon de pulvérisation cathodi- que à grande vitesse selon la présente invention A titre comparatif, dans les appareils existants, la densité de courant est limitée à environ 40 W/cm On estime que le ru- ban mobile 10 doit se mouvoir à une vitesse de 127 mm/mn et plus pour subir le refroidissement nécessaire, selon la na- ture particulière, la grandeur, la densité de courant et autres caractéristiques du ruban et aussi selon l'appareil de pulvérisation cathodique et l'application envisagée. Une fois établies dans la chambre à vide les conditions nécessaires a une application de pulvérisation cathodique donnée, entre autres pressions différentielles, conditions de refroidissement et toutes autres conditions de pulvérisa- tion cathodique bien connues nécessaires, on met en action la source d'alimentation 31 (représentée sur la figure 2) pour qu'elle fournisse à la cathode 10 et à l'anode ô l'éner- gie en C C ou H Fe souhaitée, ce qui fait apparaître une décharge luminescente entre ces électrodes De l'exposé qui précède, il d 6 coule que, dans l'appareil de pulvérisation cathodique selon l'invention, une décharge luminescente ap- parait dans l'espace 44 entre l'anode 8 et la partie de la cathode/cible mobile 10 qui, à tout moment donné, est sup- portée par la plaque 17 et ainsi située dans le plasma actif 44 Attendu que la cathode/cible 10 se meut en continu travers le plasma actif 44, la réserve de mat 6 riau cible présente dans la zone de plasma est reconstituée en continu. De la description ci-dessus, il s'ensuit que l'on peut obte- nir une intensité requise de refroidissement du matériau cible en choisissant la vitesse du ruban/cible ainsi que d'autres paramètres adéquats en fonction de la densit 6 de courant souhaitée et du matériau choisi pour former la cible. On peut par exemple alimenter la cathode en tension continue de -500 V à 4 k V et l'anode en tension continue de + 500 V à + 4 k IV par l'intermédiaire de câbles isolés res- pectifs 32, 32 a qu'on voit mieux sur la figure 3 Le subs- trat 27 peut être maintenu au potentiel zéro in variante, selon l'application, on peut maintenir le substrat 27 au potentiel d'anode et supprimer en conséquence l'anode 8. Dans ce dernier cas, la tension électrique et le plasma ac- tif apparaissent et sont maintenus tous deux entre la par- tie de la cathode 10 supportée par la structure 15 et le substrat 27 Dans la réalisation préférée selon la figure 2, le câble 32 est relié au bâti refroidi conducteur 15 et, ainsi, au ruban mobile 10 à travers la plaque conductrice 17 du bâti 15, conmmne précédemment décrit Lorsqu'on utilise par exemple une bande en plastique mobile en continu, telle que bande en " 1 iylar"' comme substrat 27, on peut appliquer à la cathode une tension continue sous -2 000 volts et à l'a- node une tension continue sous + 2 000 volts quand le ruban cathode/cible de la figure 2 est en matériau magnétique métallique comme indiqué plus haut, on estime qu'on peut ob- tenir une vitesse de dépôt de matériau de l'ordre de 2 x 10 angstrbms par minute au moyen du canon de pulvérisa- tion cathodique selon l'invention Cette dernière vitesse est deux fois supérieure à celle que permettent les appareils de pulvérisation cathodique connus servant à la fabrication de bandes magnétiques. Ainsi, du fait que la présente invention permet d'amé- liorer sensiblement le refroidissement de la cathode/cible par rapport aux appareils antérieurs connus, elle permet d'accroître en conséquence la densité de courant de la ca- thode/cible ce qui, à son tour, augmente la vitesse de pul- vérisation cathodique En outre, la quantité de matériau déposée et donc la durée de fonctionnement obtenue avec une cible donnée sont notablement augmentées par rapport aux cibles fixes, attendu que le refroidissement et donc la lon- gévité de la cible sont augmentés. La figure 5 représente un ensemble de canon de pulvéri- sation cathodique 22 selon une variante de l'invention Pour lj faciliter le rapprochement entre les diverses réalisations préférées décrites dans le présent mémoire, les éléments in- changés portent sur les figures annexées les mêmes référen- ces numériques et l'on s'abstiendra de les décrire à nouveau. Dans la présente réalisation, il est prévu une cathode/cible mobile sous la forme d'un tambour creux 60, aussi dit surfa- ce de tambour 60, tournant en continu, qui remplace le ru- ban 10 selon la figure 2 La variante selon la figure 5 est particulièrement indiquée, à titre non limitatif, pour les applications o la cible est en matériau fragile non flexi- ble, ou en un matériau par ailleurs susceptible d'un endom- magement mécanique par fragilité, cassure par fatigue, etc. lorsqu'on l'utilise sous forme de ruban souple Des exemples de tels matériaux sont le tungstène, le ferrite et des maté- riaux fragiles et durs analogues. Par exemple, on peut fabriquer le tambour 60 en coulant sous vide du tungstène ou du cobalt pour obtenir une struc- ture homogène sous la forme d'un tambour creux relativement mince d'épaisseur 100 désirée, par des techniques bien con- nues du technicien Le tambour 60 est supporté par une struc- ture de soutien refroidie el, semblable à la structure 15 précédemment décrite à propos des figures 2 et 3 Toutefois, la plaque supérieure 62 de la structure 61 a une courbure correspondant à celle de la surface de tambour buo Ce der- i 6 nier aspect assure un meilleur contact avec la surface de tambour mobile 60 et, ainsi, un meilleur refroidissement de celle-ci La structure de soutien refroidie 61 supporte à coulissement la surface de tambour rotative 60 Les tubes de refroidissement i 8, les aimants 30, l'anode 8 et l'écran 43 ont sur la figure 5 une disposition analogue à celle décrite à propos de la précédente réalisation d'ensemble de canon de pulvérisation cathodique 22 selon la figure 2 Le tambour 60 est de préférence entraîné par des galets en- traîneurs 63, 64 qui flanquent extérieurement l'écran pro- tecteur 43 On peut aussi prévoir éventuellement des galets presseurs 65, 66, représentés en traits interrompus sur la figure 5, pour éviter un patinage entre les galets entraî- neurs 63, 64 et la surface de tambour 60 Les galets en- traîneurs 63, 64 peuvent être entraînés par un moteur con- venable (non représenté), assurant ainsi la rotation du tambour 60 dans un sens choisi indiqué par la flèche 69, ou à l'opposé. Au voisinage de la surface de tambour rotatif 60 sont disposés des plateaux de refroidissement fixes 67, 68 qui- peuvent être du type rayonnant comme les plateaux 35 de la figure 2 Les plateaux 67, 68 sont cintrés pour épouser la surface de tambour 60 afin de la refroidir plus efficacement. Il va sans dire que le tambour 60 peut avoir une longueur et un diamètre quelconques convenables, par exemple l'une et l'autre de l'ordre de la dizaine de centimètres, selon la grandeur du substrat et d'autres paramètres appropriés liés à telle ou telle application de pulvérisation cathodique. Les figures 6 A et 6 B sont des vues simplifiées, de des- sus et en coupe droite respectivement, d'une autre réalisa- tion de l'invention Plus particulièrement, l'ensemble de canon de pulvérisation cathodique 22 de cette dernière réa- lisation comporte une cathode/cible mobile sous la forme d'un disque 70 tournant en continu, d'une épaisseur 100 dé- terminée et de préférence entièrement en le matériau cible choisi Le disque 70 tourne par exemple sous l'effet d'un arbre 77 accouplé à un moteur convenable 78 d'une manière connue pour l'entraînement d'une table tournante Des plateaux de refroidissement 71, 72 peuvent être disposés de part et d'autre du disque 70, près d'une partie choisie de celui-ci Une autre partie, contiguë, du disque mobile 70 est située à proximité d'une anode 74, à une distance dé- terminée de celle-ci Cette dernière partie du disque 70 est supportée à coulissement par une structure de soutien refroidie 73 en contact avec ell L'anode 74, de préféren- ce de forme circulaire, est semblable à l'anode 8 selon la figure 5 précédemment décrite, tandis que la structure de soutien 73 est semblable à la structure 61 précédemment dé- crite selon la figure 5, sauf qu'elle comporte une plaque supérieure plane 79 L'anode 74 peut être à section circu- laire ou rectangulaire La structure 73-peut contenir des aimants (non représentés) qui engendrent un champ magnéti- que 102 pour renforcer le plasma actif 44, comme précédem- ment décrit à propos de la figure 2 ou 5 De l'énergie en C.C ou H F adéquate est appliquée au disque cathode rota- tif 70 et à l'anode 74 à partir d'une source d'énergie (non représentée) correspondant à la source d'énergie 31 de la figure 2 pour établir un champ électrique 101 comme décrit plus haut Les plateaux de refroidissement 71, 72 et la partie voisine du disque mobile 70 qu'ils refroidissent sont entourés par un écran protecteur à la masse 76 Tout l'en- semble représenté sur les figures 6 A et 6 B est disposé dans une chambre à vide, telle que la chambre 26 de la figure 1. D'autres éléments, nécessaires à l'établissement de condi- tions assurant lune décharge luminescente dans la zone 44 située entre l'anode 74 et la cathode 70 de la réalisation selon les figures 6 A, 6 B, sont semblables à ceux précédem- ment décrits à propos des figures 1, 2 et 5. Selon le procédé de pulvérisation cathodique illustré par les figures 6 A et 6 83, le moteur 78 fait tourner le dis- que formant cathode/cible 70 suivant la flèche 75 à la vi- tesse déterminée voulue pour qu'il soit refroidi cdans la mesure nécessaire par la structure de refroidisselment asso- ciée 73 et aussi, si besoin est, par les plateaux de refroi- dissement 71, 72 Ainsi qu'il découle de la description qui précède, dans la réalisation des figures 6 A, 6 B, une partie i 8 du disque rotatif formant cathode/cible 70 est située dans la zone de plasma 44 à tout moment au cours du fonctionne- ment, tandis qu'une autre partie, contiguë, peut être refroi- die extérieurement à la zone de plasma Ainsi on obtient un refroidissement extrêmement efficace du disque rotatif grâ- ce au mode de réalisation préféré décrit ci-dessus de l'in- vention On peut choisir la vitesse de rotation ainsi que le diamètre et l'épaisseur du disque en fonction de la densité de courant, de la vitesse de pulvérisation, de la longévité de cible souhaitées et d'autres considérations du même ordre et qui dépendent, bien entendu, du refroidissement nécessai- re La vitesse superficielle estimée du disque 70 est, dans la plupart des applications, supérieure à 127 mm/mn. La réalisation des figures 6 A, 6 B est particulièrement indiquée, à titre non limitatif, pour association à un maté- riau cible ne pouvant résister à des contraintes de flambage et flexion, tels que subis par le ruban formant cible/cathode de la figure 2 Le disque 70 peut être réalisé, par exemple, en tungstène uu cobalt par coulée sous vide, d'une manière bien connue du technicien. A titre d'exemple, le disque 70 peut avoir un diamètre de l'ordre de la dizaine de centimètres ou plus et tourner a une vitesse d'environ 1 à 300 tr/mn, avec application au disque d'une tension de 500 V à 4 k V et obtention d'une vi- tesse de dépôt dépassant 2 x 10 A par minute. Ainsi que le conçoit le technicien, dans les diverses réalisations de l'invention décrites ci-dessus, on peut mu- nir les anodes, substrats et/ou écrans de structures refroi- dies, par des moyens bien connus du technicien. Bien que, telles que décrites à titre d'exemples, les diverses réalisations selon les figures 2 à 6 B utilisent des techniques de pulvérisation cathodique avec renforcement ma- gnétique, d'un type bien connu dans la technique, il va sans dire que ces réalisations de l'invention, ainsi que d'autres, peuvent être aussi utilisées dans d'autres types d'appareils de pulvérisation cathodique Par exemple, au lieu des struc- tures magnétiques des figures 3 et 4, on peut mettre en oeu- vre, pour renforcer la pulvérisation cathodique, une anode additionnelle en combinaison avec un filament chaud, d'une manière bien connue d'après les appareils de pulvérisation cathodique triodes existants. -Il découle de la description donnée ci-dessus à propos des figures 1 et 2 que, lorsque le matériau du tambour 60 selon la figure 5 ou du disque 70 selon les figures 6 A, 6 B est magnétique, il est souhaitable que ces cibles aient une épaisseur faible, par exemple de l'ordre de 0,025 à 1,3 mm, pour que l'on obtienne une sursaturation désirable. Une autre réalisation encore d'ensemble de canon de pulvérisation cathodique 22 selon l'invention est représen- tée sur la figure 7 et par les figures 8 A et 8 B, dont cha- cune représente une configuration possible en coupe droite suivant la ligne 8 A-8 A qui correspond au plan 80 de la figu- re 7 L'ensemble de canon de pulvérisation cathodique 22 selon la figure 7 comporte une anode 81 et une cathode/cible mobile 82 sous forme de barreau disposé de façon que son axe longitudinal 83 soit sensiblement perpendiculaire au plan bissecteur 80 de l'anode 81 La cathode 82 est de préféren- ce en un matériau magnétique formant un électro-aimant grâce à un enroulement 99 représenté sur la figure 7 Le pôle supérieur, de préférence pôle sud, 84 de la cathode 82 est disposé de façon que sa tranche 105 soit située tout près et à une distance déterminée de l'anode 81, tandis que le pôle nord 95 est formé par l'extrémité opposée, inférieu- re, du barreau 82. Dans la réalisation selon la figure 7, le pôle sud 84 fait partie du circuit magnétique servant à renforcer la pulvérisation cathodique Une autre partie du circuit magné- tique est formée par un aimant 86, tel que représenté sur la figure 8 A En variante, il peut s'agir d'une série d'aimants en U 86 a tels que représentés sur la figure 8 B L'aimant en U 86 ou les aimants en U 86 a entourent l'anode 81 et le pôle 84 de la cathode 82 L'aimant 86 ou les aimants 86 a sont aimantés de façon que le ou chaque pôle sud 89 soit situé du côté de l'anode 81 voisin du pôle sud 84 de la cathode mobile 82 et que le ou chaque pôle nord 90 soit situé du côté opposé de l'anode 81. La cathode 82 peut être en un matériau cible magnéti- que ou en des alliages magnétiques convenables, comportant par exemple du cobalt, du fer, du nickel, du chrome, etc En variante, la cathode 82 peut être en un matériau cible non magnétique, par exemple cuivre, aluminium, etc ou en des alliages non magnétiques convenables Toutefois, dans ce dernier cas, il est nécessaire de prévoir des aimants 86 tels que l'on obtienne un champ magnétique encore plus in- tense, comportant un flux magnétique 96 d'intensité souhai- tée suivant la direction 106 sensiblement parallèle à l'axe 83, comme précédemment décrit Le barreau 82 peut par exem- ple avoir un diamètre choisi entre 3,2 mm et une dizaine de centimètres et une longueur de l'ordre d'une dizaine de cen- timètres Un écran 87, par exemple en acier inoxydable ou aluminium, est disposé dans l'espace séparant les électro- des 81, 82 d'une part et l'aimant 86 ou les aimants 86 a d'autre part, pour éviter un dépôt sur l'aimant ou les ai- mants L'écran 87 est de préférence mis à la masse et il peut être éventuellement refroidi. Le circuit magnétique selon la figure 7 est prévu de façon que le trajet de flux 96 soit sensiblement parallèle à l'axe 83, en vue de l'obtention d'une intensité de champ magnétique maximale dans la zone de plasma 44 suivant la direction dela flèche 106. Un mécanisme d'avance de barreau 91 assure l'avance du barreau 82 dans le sens de la flèche 92 Il peut comporter par exemple un mécanisme à crémaillère et pignon, ou un dis- positif approprié à vis ou autre bien connu Il peut être commandé manuellement ou, en variante, par un moteur adéquat 92 auquel sont reliés des dispositifs de commande appropriés non représentés Le barreau 82 est de préférence supporté à coulissement par un manchon isolant 93, par exemple en maté- riau résistant à la chaleur tel que matériau céramique ap- proprié Le manchon 93 peut aussi être éventuellement réali- sé sous forme de dispositif de refroidissement et, dans ce cas, on peut y faire circuler un liquide de refroidissement adéquat (non représenté) comme décrit à propos des précé- dentes réalisations. Une source d'énergie 31 peut être reliée à l'extrémité du barreau 82 par un câble blindé de transmission d'éner- gie 32, de manière analogue à celle précédemment décrite. On s'abstiendra de décrire ici, pour éviter des répétitions, d'autres éléments de la figure 7 qui sont semblables à ceux des réalisations préférées précédemment décrites. On va maintenant décrire le procédé de pulvérisation cathodique conforme à la réalisation selon les figures 8, 8 A et 8 B Une fois établies les conditions nécessaires à la pulvérisation cathodique dans la chambre sous vide 26 de la figure 1, on fait apparaître une décharge luminescente, aussi dite plasma actif, dans la zone 44 séparant l'anode 81 et la tranche 105 du tronçon supérieur 84 du barreau formant cathode/cible 82 A mesure de l'érosion graduelle subie par la face 105 de la cathode 82 du fait du progrès de la pul- vérisation cathodique, le mécanisme 91 fait avancer la ca- thode 82 dans le plasma actif 44 suivant la flèche 92. La réalisation selon les figures 7, 8 A, 8 B permet d'ob- tenir dans la zone de plasma actif 44 un champ magnétique à haute intensité, par exemple de l'ordre de 2 000 gauss et plus Il y a un net avantage à ce que seule la région de tranche de la cathode 82 soit érodée dans le plasma 44 à tout moment tandis qu'une autre partie, contiguë, est située hors de la zone de plasma actif Un autre avantage important réside en ce que la partie érodée précitée de la cathode 82 est remplacée en continu par avance du barreau 82 vers l'in- térieur du plasma La réalisation selon les figures 7, 8 A, 8 B est particulièrement indiquée pour des matériaux cibles susceptibles de subir des dommages mécaniques, par exemple par fragilité, rupture par fatigue, etc lorsqu'ils subis- sent des flexions, flambages, etc, ce qui se produit lors- que la cathode est réalisée, par exemple, sous forme de ruban comme précédemment décrit à propos de la figure 2. Dans la réalisation des figures 7, 8 A et 8 B, l'appareil et le procédé sont semblables à ceux des réalisations précé- demment décrites en ce qu'on utilise une cathode/cible 82 mobile par rapport au plasma actif 44, ce qui assure le rem- placement en continu du matériau cible consommé Toutefois, la dernière réalisation diffère de celles précédemment dé- crites en ce que la cathode 82, lorsqu'elle est en matériau magnétique, n'est pas sursaturée par le champ magnétique et constitue une partie active de la structure magnétique, ser- vant à renforcer la pulvérisation cathodique La partie ter- minale 84 du barreau 82, située dans le plasma actif, est à une température élevée et son refroidissement n'est pas prévu dans la réalisation préférée Le barreau 82 est de préférence refroidi dans na partie extérieure à la zone de plasma. Une autre différence avec les réalisations précédemment décrites réside en ce que le barreau cathode 82 des figures 7, 8 A, 8 B est prévu non pas pour traverser le plasma actif 44, mais pour pénétrer dans le plasma et y subir une érosion graduelle. Un avantage de la figure 7 réside en ce que l'on obtient une très forte intensité de flux magnétique par unité de surface de la section droite de l'extrémité supérieure 84 du barreau 82, ce qui fait apparaître un champ magnétique ex- trêmement concentré dans la zone de plasma actif 44. De manière générale, les dispositions décrites se prê- tent à diverses modifications sans sortir, pour autant, du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 Appareil pour dépôt par pulvérisation cathodique à grande vitesse, sous vide, d'un matériau cible sur un subs- trat, caractérisé en ce qu'il comprend: a) une chambre à vide ( 26) comportant une anode ( 8,74, 81), une cathode ( 10,60,70,82) et un moyen ( 31,32) pour l'établissement d'un plasma actif entre anode et cathode b) ladite cathode étant mobile dans ladite chambre à vide et disposée à une certaine distance dudit substrat( 27), cette cathode comportant ledit matériau cible choisi; et c) des moyens ( 11-14; 63,64; 91) propres à déplacer la dite cathode par rapport audit plasma actif de façon qu'une partie de la cathode soit située dans le plasma actif tandis qu'une autre partie, contiguë, de la cathode est située à l'extérieur du plasma actif. 2 Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits moyens de déplacement de la cathode sont pré- vus sous forme de moyens de déplacement en continu et en ce que ladite partie de la cathode mobile située à tout moment dans le plasma actif est plus petite que ladite autre partie contiguë de la cathode. 3 Appareil selon la revendication 1, caractérisé en outre en ce qu'il comprend un moyen de refroidissement dis- posé au voisinage immédiat de la cathode mobile. 4 Appareil selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit moyen d'établissement de plasma actif comporte un moyen ( 31,32) pour l'établissement d'un champ électrique entre l'anode et la cathode; en ce que la cathode mobile est disposée dans le plasma actif de façon que son épaisseur ( 100) s'étende suivant une direction sensiblement parallèle à celle ( 101) dudit champ électrique; et en ce que la ca- thode est mobile par rapport audit plasma actif suivant une direction sensiblement perpendiculaire à celle dudit champ électrique. 5 Appareil selon la revendication 4, o la cathode mo- bile comporte un matériau cible magnétique, caractérisé en ce que l'appareil comprend encore: des moyens ( 30) propres à établir un champ magnétique suivant une direction ( 102) 2509755- sensiblement perpendiculaire à celle ( 101) dudit champ élec- trique pour renforcer ledit plasma actif; et en ce qu'une partie dudit matériau cible située dans le plasma actif est sursaturée par ledit champ magnétique. 6 Appareil selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite épaisseur ( 100) dudit matériau cible que com- porte la cathode est faible par rapport a la longueur et à la largeur de celle-ci. 7 Appareil selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit moyen de refroidissement comporte un premier moyen de refroidissement ( 18) disposé dans le voisinage im- médiat de ladite partie de cathode mobile qui est située à un instant donné dans le plasma actif. 8 Appareil selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une structure de support ( 15; 61; 93) pour supporter à coulissement la partie de la cathode mobile située à un instant donné dans le plasma actif, et en ce que ledit premier moyen de refroidissement ( 18) est disposé dans cette structure de support. 9 Appareil selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit premier moyen de refroidissement( 18) est prévu sous forme de moyen de refroidissement par conduction. Appareil selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit moyen de refroidissement comprend un second moyen de refroidissement ( 35; 67,68; 71,72) disposé dans le voisinage immédiat de ladite autre partie contiguë de la cathode mobile située a tout instant hors du plasma actif. 11 Appareil selon la revendication 10, caractérisé en ce que ledit second moyen de refroidissement est prévu SOUS forme de moyen de refroidissement par rayonnement. 12 Appareil selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend encore un moyen d'écran ( 43-; 57; 76) pour séparer du plasma actif ledit moyen de déplacement de la cathode et ledit second moyen de refroidissement. 13 Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite cathode comporte un tronçon terminal et en ce qu'il est prévu un moyen ( 42) pour inverser le sens de mou- vement de la cathode quand la partie de cathode disposée dans -G 9 ? 55 le plasma actif est à une distance déterminée dudit tronçon terminal. 14 Appareil selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comporte encore un moyen ( 41) pour surveiller l'épaisseur ( 100) de la cathode mobile, ce moyen de surveil- lance étant disposé le long du trajet décrit par la cathode mobile à l'extérieur du plasma actif. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que la cathode est prévue sous la forme d'un barreau( 82) en ledit matériau cible et agencée pour être mobile suivant la direction de son axe longitudinal ( 83); en ce qu'une première extrémité ( 84) dudit barreau est disposée dans le dit plasma actif tandis qu'une autre partie, contigué, dudit barreau, comportant la seconde extrémité opposée ( 95) de celui-ci, est disposée hors du plasma; et en ce que ledit moyen ( 91) de déplacement de la cathode est prévu pour faire avancer ledit barreau dans le plasma actif; ledit appareil comportant encore un moyen ( 86; 86 a) pour engendrer un champ magnétique transversant ledit plasma actif et ladite premiè- re extrémité dudit barreau disposée dans ce plasma suivant une direction ( 106) sensiblement parallèle audit axe longitu- dinal du barreau. 16 Appareil selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit barreau est prévu sous forme d'aimant compor- tant un premier pôle magnétique de polarité choisie formé par sa susdite première extrémité ( 84) et un second pôle ma- gnétique de polarité opposée formé par sa susdite seconde extrémité ( 95), et en ce que ledit moyen d'établissement de champ magnétique ( 86; 86 a) est agencé pour présenter un pôle magnétique de même polarité que ledit premier pôle magnéti- que dudit barreau dans le voisinage immédiat de ce dernier afin d'augmenter l'intensité dudit champ magnétique qui tra- verse le plasma actif et ledit-premier pôle magnétique du barreau. 17 Appareil selon la revendication 15 ou 16, caractéri- se en ce qu'il comprend encore un moyen ( 93) pour supporter a coulissement ladite partie contiguë du barreau extérieure au plasma actif. 18 Appareil selon la revendication 17, caractérisé en ce que ledit moyen de support à coulissement ( 93) est prévu sous forme de moyen de refroidissement. 19 Appareil selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comprend encore des moyens d'écrans ( 87) interposés entre le plasma actif des organes disposés dans ladite cham- bre à vide ( 1 > mais hors du plasma actif pour protéger ces organes contre la pulvérisation. Appareil pour la pulvérisation cathodique à krande vitesse, sous vide, d'un matériau cible choisi, caractérisé en ce qu'il comprend une chambre à vide ( 26) comportant une anode ( 8; 74), une cathode mobile ( 1 o; 60; 70) comportant ledit matériau cible choisi et un moyen ( 31,32) pour l'établisse- ment des conditions nécessaires à l'obtention d'un plasma actif entre ladite anode et une partie de ladite cathode mobile située à tout instant, à proximité de l'anode; un moyen ( 11-14,63,64) pour déplacer en continu ladite cathode de façon qu'une de ses parties soit située dans ledit plasma actif tandis qu'une autre de ses parties, contiguë, est si- tuée à un instant donné hors du plasma actif; une structure de soutien refroidie ( 15; 61) supportant à coulissement la dite partie de la cathode mobile située dans le plasma actif; et des moyens de refroidissement additionnels ( 35; 67,68; 71,72) situés dans le voisinage immédiat du trajet décrit par ladi- te partie de cathode mobile extérieure au plasma actif pour assurer le refroidissement de cette autre partie de la catho- de. 21 Appareil selon la revendication 20, caractérisé en ce que ladite cathode mobile a une épaisseur ( 100) relative- ment faible par rapport à sa longueur et à sa largeur. 22 Appareil pour la pulvérisation cathodique à grande vitesse, sous vide, d'un matériau cible magnétique, caracté- risé en ce qu'il comprend: une chambre à vide ( 26) compor- tant une anode ( 8), une cathode ( 10) mobile comportant ledit matériau cible magnétique et un moyen pour l'établissement des conditions nécessaires à l'établissement d'un plasma actif entre ladite anode et une partie de ladite cathode mo- bile disposée à tout moment dans le voisinage de ladite anode, ladite chambre à vide comportant encore un moyen,( 31,32) propre à établir un champ magnétique pour renforcer ledit plasma actif; un moyen ( 11,14,61, 64) déplaçant en continu ladite cathode mobile pour qu'une de ses parties soit dis- posée dans ledit plasma actif tandis qu'une autre de ses parties, contiguë, est située à tout moment hors dudit plas- ma; une structure de support refroidie ( 15,61) pour suppor- ter à coulissement ladite partie de cathode mobile ( 10) si- tuée dans le plasma actif; et un moyen de refroidissement ( 35,67,68,71,72) additionnel situé sur le trajet et au voi- sinage immédiat de la cathode mobile à l'extérieur du plas- ma actif pour refroidir ladite autre partie contiguë de la cathode; la cathode mobile ayant une épaisseur choisie pour obtenir la sursaturation du matériau cible magnétique dans la partie de la cathode mobile située à tout instant dans le plasma actif. 23 Appareil selon la revendication 20 ou 22, carac- térisé en ce qu'il comprend en outre des moyens d'écran( 87) pour séparer du plasma actif ledit moyen de déplacement en continu de la cathode et ledit moyen de refroidissement additionnel. 24 Appareil selon la revendication 20 ou 22, caracté- risé en ce qu'il comprend en outre un moyen ( 41) pour sur- veiller en continu l'épaisseur ( 100) de la cathode mobile, ce moyen de surveillance étant disposé le long du trajet de la cathode mobile à l'extérieur du plasma actif. Appareil pour la pulvérisation cathodique à grande vitesse, sous vides d'un matériau cible choisi, caractérisé en ce qu'il comprend une chambre à vide ( 26) comportant une anode ( 8), une cathode ( 10) et un moyen ( 31,32) pour l'éta- blissement des conditions nécessaires à l'apparition d'un plasma actif entre ladite anode et ladite cathode, ladite cathode comportant ledit matériau cible choisi et étant pré- vue sous forme de ruban souple; un moyen ( 15) pour suppor- ter une partie dudit ruban mobile dans ledit plasma actif à une distance déterminée de ladite anode; un moyen de stoc- kage ( 11,12) pour stocker une autre partie, contiguë, dudit- ruban, extérieure audit plasma actif; et un moyen ( 14) pour déplacer ledit ruban entre ledit moyen de stockage et ledit moyen de support, à travers ledit plasma actif. 26 Appareil selon la revendication 25, caractéris 6 en ce qu'il comporte encore un premier moyen de refroidissement ( 18) prévu dans ledit moyen de support ( 15). 27 Appareil selon la revendication 25, caractérisé en ce qu'il comporte encore un second moyen de refroidissement ( 35) dispos 6 A l'extérieur dudit plasma et sur le trajet décrit par ledit ruban entre ledit moyen de support et ledit moyen de stockage. 28 Appareil pour-la pulv 6 risation cathodique A grande vitesse, sous vide, d'un mat 6 riau cible choisis caracterise en ce qu'il comprend une chambre à vide ( 26) comportant une anode ( 8), une cathode mobile ( 10) et un moyen ( 31,32) pour l'établissement des conditions N 6 cessaires à l'apparition d'un plasma actif entre une partie de ladite cathode mobile et ladite anode, ladite cathode comportant un mat riau:ihle choisi et étant prévue sous forme de ruban souple; N moyen de support refroidi ( 15) situé à une distance déterminée de l'anode pour supporter à coulissement ladite partie de la cathode qui passe A un moment donn 6 A travers le plasma ac- tif; deux bobines correspondantes ( 11,12) respectivement fix 6 es à des extrémités oppos 6 es dudit ruban pour stocker une partie contiguë du ruban ext 6 rieure au plasma actif et des moyens ( 33,34) pour faire passer le ruban entre les dites bobines correspondantes et par-dessus ledit moyen de support refroidi. 29 Appareil selon la revendication 28, caractérisé en ce qu'il comporte encore un moyen de refroidissement ( 35) disposé sur le trajet du ruban dans le voisinage imm Adiat du ruban et à l'extérieur du plasma actif. Appareil selon la revendication 28, caractérise en ce qu'il comporte encore un moyen ( 42) disposé le long du trajet du ruban A l'ext 6 rieur du plasma actif pour déceler une extr 6 mité du ruban et fournir un signal de commande afin d'inverser-le sens de mouvement du ruban. 31 Appareil selon la revendication 28, caractérisé en ce qu'il comprend encore un moyen ( 41) pour surveiller 25097 '55 l'épaisseur ( 100) dudit ruban, ce moyen de surveillance étant disposé sur le trajet du ruban à l'extérieur du plas- ma actif. 32 Appareil selon la revendication 28, caractérisé en ce qu'il comprend un moyen d'écran ( 43) disposé entre le plasma actif et d'autres moyens associés disposés dans la chambre à vide mais à l'extérieur du plasma actif pour pro- téger ces autres moyens contre la pulvérisation cathodique. 33 Appareil pour la pulvérisation cathodique à grande vitesse, sous vide, d'un matériau cible choisi, caractérisé en ce qu'il comprend: une chambre à vide ( 26) comportant une anode ( 8), une cathode mobile ( 60) et un moyen ( 31,32) pour l'établissement des conditions nécessaires à l'appari- tion d'un plasma actif entre anode et cathode, ladite catho- de étant prévue sous forme de surface de tambour rotatif comportant ledit matériau cible choisi; un moyen de support ( 61) disposé à une distance déterminée de ladite anode pour supporter à coulissement une partie de ladite surface de tambour rotatif dans le plasma actif tandis qu'une autre partie, contiguë, de ladite surface de tambour est, à tout moment, extérieure au plasma actif; et un moyen ( 63,64) pour faire tourner la surface de tambour à une vitesse dé- terminée. 34 Appareil selon la revendication 33, caractérisé en ce qu'il comporte encore un premier moyen de refroidissement ( 18) prévu dans ledit moyen de support. Appareil selon la revendication 33, caractérisé en ce qu'il comporte encore un second moyen de refroidissement ( 67,68) disposé dans le voisinage immédiat de ladite surfa- ce de tambour rotatif extérieure au plasma actif. 36 Appareil selon la revendication 35, caractérisé en ce qu'il comporte encore des moyens d'écran ( 43) pour sépa- rer du plasma actif ledit moyen faisant tourner la surface de tambour et ledit second moyen de refroidissement. 37 Appareil selon la revendication 33, caractérisé en ce qu'il comprend encore un moyen ( 41) pour surveiller en continu l'épaisseur ( 100) de ladite surface de tambour rota- tif, ce moyen de surveillance étant disposé le long du trajet de ladite surface de tambour rotatif à l'extérieur du plasma actif. 38 Appareil selon la revendication 33, caractérisé en ce que ladite surface de tambour rotatif est agencée pour que son axe longitudinal s'étende suivant une direction sensiblement perpendiculaire à celle ( 101) d'un champ élec- trique établi entre ladite anode et ladite surface de tam- bour rotatif. 39 Appareil pour la pulvérisation cathodique à grande vitesse sous vide d'un matériau cible choisi, caractérisé en ce qu'il comprend une chambre à vide ( 26), comportant une anode ( 74), une cathode ( 70) et un moyen ( 31,32) pour l'é- tablissement des conditions nécessaires à l'apparition d'un plasma actif entre anode et cathode, ladite cathode étant prévue sous forme de disque rotatif comportant ledit maté- riau cible choisi; un moyen de support ( 73) disposé à une distance déterminée dà adite anode pour supporter à coulis- sement une partie dudit disque rotatif à l'intérieur du plasma actif, tandis qu'une autre partie, contiguë, dudit disque est à tout moment extérieure au plasma actif, et un moyen ( 78) pour faire tourner ledit disque à une vitesse déterminée. Appareil selon la revendication 39, caractérisé en ce qu'il comporte encore un premier moyen de refroidissement prévu dans ledit moyen de support ( 73). 41 Appareil selon la revendication 39, caractérisé en ce qu'il comporte encore un second moyen de refroidissement ( 71,72) disposé dans le voisinage immédiat dudit disque ro- tatif à l'extérieur du plasma actif. 42 Appareil selon la revendication 40, caractérisé en ce qu'il comprend encore des moyens d'écran pour séparer du plasma actif ledit moyen faisant tourner le disque et ledit second moyen de refroidissement. 43 Appareil selon la revendication 39, caractérisé en ce qu'il comprend encore un moyen ( 41) pour la surveillance continue de l'épaisseur ( 100) dudit disque rotatif, ce moyen de surveillance étant disposé sur le trajet dudit disque rotatif à l'extérieur du plasma actif. -x 44 Appareil selon la revendication 39, caractérisé en ce que ledit disque rotatif est agencé pour présenter une surface plane s'étendant suivant une direction sensiblement perpendiculaire à celle ( 101) d'un champ électrique établi entre ladite anode et ledit disque rotatif. Appareil selon une des revendications 25, 33 ou 39, caractérisé en ce que ladite cathode comporte un matériau cible magnétique, l'appareil comportant encore un moyen propre à établir un champ magnétique pour renforcer ledit plasma actif et en ce qu'on donne à la cathode mobile une épaisseur ( 100) choisie faible par rapport à ses autres di- mensions pour obtenir une sursaturation du matériau cible dans le plasma actif. 46 Appareil de pulvérisation cathodique à grande vi- tesse, sous vide, d'un matériau cible choisi, caractérisé en ce qu'il comprend: une chambre à vide comportant une anode ( 8), une cathode ( 82) et un moyen pour l'établissement des conditions nécessaires à l'apparition d'un plasma actif entre ces électrodes, ladite cathode comportant ledit maté- riau cible et étant prévue sous forme de barreau, ce barreau étant mobile suivant son axe longitudinal ( 83), une premiè- re extrémité ( 84) dudit barreau étant disposée dans le plas- ma actif tandis qu'une autre partie, contiguë, dudit barreau comportant la seconde extrémité opposée( 95) de ce dernier est disposée hors dudit plasma, et un moyen ( 91) pour faire avancer ledit barreau vers l'intérieur dudit plasma actif. 47 Appareil selon la revendication 46, caractérisé en ce qu'il comporte encore un moyen ( 86,86 a) pour établir un champ magnétique afin de renforcer le plasma actif, ce champ magnétique étant agencé pour passer à travers ledit plasma actif et ladite première extrémité dudit barreau, disposée dans ce dernier, suivant une direction ( 106) sensiblement parallèle audit axe longitudinal ( 83) du barreau. 48 Appareil pour la pulvérisation cathodique à grande vitesse, sous vide, d'un matériau cible magnétique choisi, caractérisé en ce qu'il comprend: une chambre à vide com- portant une anode et une cathode mobile et un moyen pour l'établissement des conditions nécessaires à l'apparition d'un plasma actif entre ladite anode et ladite cathode; la dite cathode mobile comportant ledit matériau cible magnéti- que et prévue sous forme de barreau aimanté ( 82), ledit barreau aimanté étant mobile suivant la direction ( 106) de son axe longitudinal ( 83); une première extrémité ( 84) du dit barreau aimanté étant disposée dans ledit plasma actif et formant un premier pôle magnétique de polarité détermi- née, tandis qu'une autre partie, contiguë, dudit barreau, comportant la seconde extrémité opposée ( 95) de ce dernier et constituant un second pôle magnétique de polarité oppo- sée, est située à l'extérieur du plasma actif; un moyen ( 86,86 a) pour établir un champ magnétique traversant le plasma actif et ledit premier pôle magnétique du barreau aimanté, suivant une direction ( 106) sensiblement parallèle audit axe longitudinal du barreau, ledit moyen d'établisse- ment dudit champ magnétique comportant un pôle magnétique de même polarité que ledit premier pôle magnétique du bar- reau et étant disposé dans le voisinage immédiat de ce der- nier; et un moyen pour faire avancer ledit barreau vers l'intérieur du plasma actif. 49 Appareil selon la revendication 46 ou 48, caracté- risé en ce qu'il comporte encore un moyen ( 93) pour suppor- ter à coulissement ladite partie contiguë du barreau exté- rieure au plasma actif. 50 Appareil selon la revendication 49, caractérisé en ce que ledit moyen de support à coulissement est prévu sous forme de moyen de refroidissement. 51 Appareil selon la revendication 46 ou 48, caracté- risé en ce qu'il comporte en outre des moyens d'écran ( 87) disposés entre le plasma actif et d'autres moyens associés, situés à l'extérieur du plasma actif, pour protéger ces au- tres moyens contre la pulvérisation cathodique. 52 Appareil pour la pulvérisation cathodique à grande vitesse, sous vide, d'un matériau cible magnétique choisi sur un substrat oblong non magnétique mobile, caractérisé en ce qu'il comprend: une chambre à vide comportant une anode et une cathode mobile ainsi qu'un moyen d'établissement des conditions nécessaires à l'apparition d'un plasma actif entre ladite anode et une partie de ladite cathode qui est située à tout moment dans le voisinage immédiat de ladite anode, ladite cathode mobile étant réalisée en ledit maté- riau cible choisi sous forme de ruban mobile en continu( 10), de surface de tambour rotatif ( 60) ou de disque rotatif( 70) respectivement; un moyen pour engendrer un champ magnéti- que afin de renforcer ledit plasma actif; un moyen pour déplacer ladite cathode à travers le plasma actif afin qu'une de ses parties soit disposée dans le plasma actif tandis qu'une autre partie, contiguë, de ladite cathode mobile est disposée à l'extérieur du plasma actif; ladite cathode mobile ayant une épaisseur ( 100) choisie pour obte- nir la sursaturation par ledit champ magnétique de ladite partie de cathode mobile située à un moment donné dans le plasma actif; un premier moyen de refroidissement ( 18) pour supporter à coulissement une partie de la cathode mo- bile-dans le plasma actif; et un second moyen de refroidis- sement ( 67,68,71,72) disposé dans le voisinage immédiat de la cathode mobile sur le trajet de celle-ci à l'extérieur du plasma actif. 53 Appareil selon la revendication 52, caractérisé en ce qu'il comprend un moyen d'écran ( 76) pour séparer le plasma actif dudit moyen de déplacement de la cathode et dudit second moyen de refroidissement. 54 Appareil selon la revendication 52, caractérisé en ce qu'il comprend encore un moyen ( 41) pour surveiller l'épaisseur de la cathode mobile, ce moyen de surveillance étant disposé le long du trajet de la cathode mobile à l'extérieur du plasma actif. 55 Procédé de pulvérisation cathodique sous vide d'un matériau cible choisi sur un substrat, caractérisé par les opérations consistant à: prévoir une anode et une cathode dans une chambre à vide et établir les conditions nécessaires à l'apparition entre elles d'un plasma actif, ladite cathode comportant le dit matériau cible choisi; agencer la cathode de façon qu'elle soit mobile dans ladite chambre à vide à une certaine distance dudit subs- trat; et déplacer la cathode par rapport au plasma actif de façon qu'elle présente une partie située dans ce plasma actif et une autre partie, contiguë, extérieure au plasma actif. 56 Procédé selon la revendication 55, caractérisé en ce que ladite opération de déplacement de la cathode com- porte une opération de déplacement en continu de la cathode. 57 Procédé selon la revendication 55, caractérisé en ce qu'il comprend des opérations de refroidissement de la cathode mobile tant à l'intérieur qu'à l'extérieur du plas- ma actif. 58 Procédé selon la revendication 57, caractérisé en ce qu'il comprend encore l'opération consistant à prévoir une structure pour supporter à coulissement ladite cathode mobile dans le plasma actif, et en ce que ladite opération de refroidissement de la cathode mobile dans le plasma ac- tif est effectuée par ladite structure. 59 Procédé selon la revendication 55, caractérisé en ce que l'épaisseur de matériau cible constituant ladite cathode est surveillée à l'extérieur du plasma actif. 6 O.Procédé selon la revendication 55, caractérisé en ce qu'il comporte encore une opération de séparation par écran entre le plasma actif et des moyens disposés dans la chambre à vide, mais à l'extérieur du plasma actif, en vue de la protection de ces moyens contre la pulvérisation ca- thodique. 61 Procédé selon la revendication 55, selon lequel on choisit un matériau cible magnétique, caractérisé en outre par les opérations consistant à établir un champ magnétique pour renforcer le plasma actif et à choisir l'épaisseur de la cathode mobile telle que la partie du matériau cible contenu dans celle-ci qui est située à un moment donné dans le plasma actif soit sursaturée par ledit champ magnétique. 62 Procédé selon la revendication 55, caractérisée en ce que ladite partie de la cathode mobile qui est située à un moment donné dans le plasma actif est sensiblement plus petite que ladite autre partie, contiguë, de la cathode mobile. 63 Appareil selon la revendication 1, 2, 3, 8, 10 ou 13, caractérisé en ce que la cathode mobile est prévue sous forme de ruban souple ( 10) se déplaçant à travers le plasma actif à une vitesse déterminée. 64 Appareil selon la revendication 1, 2, 3, 8 ou 10, caractérisé en ce que la cathode mobile est prévue sous forme de tambour rotatif ( 60) se déplaçant en continu à travers le plasma actif à une vitesse déterminée. 65 Appareil selon la revendication 1, 2, 3, 8 ou 10, caractérisé en ce que la cathode mobile est prévue sous forme de disque ( 70) se déplaçant en continu à travers le plasma actif à une vitesse déterminée.