FR 2504697 A1 19821029 FR 8207049 A 19820423 L'invention concerne un élément photoconducteur présentant une certaine sensibilité à une onde électro- magnétique telle que la lumière (ce terme étant utilisé au sens large englobant les rayons ultraviolets, la lumière visible, les rayons infrarouges, les rayons X et les rayons gamma). Des matières photoconductrices, qui constituent des couches photoconductrices dans des dispositifs de prise de vue ou des éléments de formation d'image électrophoto- graphique à semiconducteur, dans le domaine de la formation de l'image, doivent avoir une sensibilité élevée, un rapport SN élevé / courant photoélectrique (I)/courant d'obscurité p (Id) 7, des caractéristiques d'absorption spectrale corres- pondant à celles d'une onde électromagnétique à rayonner, une réponse rapide à la lumière, une valeur souhaitée de la résistance d'obscurité ainsi que l'innocuité envers le corps humain, pendant l'utilisation En outre, dans un dispositif de prise de vue à semiconducteur, il est égale- ment nécessaire que l'image résiduelle puisse être aisément traitée en un temps prédéterminé En particulier, dans le cas d'un élément de formation d'image pour électrophoto- graphie devant être monté dans un dispositif électrophotcgraphique à utiliser comme appareil de bureau, la caractéristique précitée d'innocuité est très importante. Compte tenu de ce qui précède, le silicium amorphe /désigné ci-après-a-Si 7 a récemment attiré l'attention comme matière photoconductrice Par exemple, les demandes de brevets de la R F A DOS N O 2 746 967 et N O 2 855 718 décrivent des applications du a-Si à des éléments de for- mation d'image pour électrophotographie, et la demande de brevet de la R F A DOS N O 2 933 411 décrit une application du a-Si à un dispositif de lecture à transduction photo- électrique. Cependant, les éléments photoconducteurs ayant des couches photoconductrices constituées de a-Si de l'art antérieur posent divers problèmes concernant les caracté- ristiques électriques, optiques et photoconductrices, par exemple la valeur de la résistance d'obscurité, la photo- sensibilité et la réponse à la lumière, et concernant également leurs caractéristiques vis-à-vis du milieu ambiant par exemple leur résistance à l'humidité et la stabilité qui doivent être améliorées Par conséquent, dans un dis- positif pratique de prise de vue, de lecture ou d'élément de formation d'image à semiconducteurs, destiné à l'électro- photographie et devant convenir à une large gamme d'appli- cations, la productivité et les possibilités de production en grande série empêchent également une utilisation efficace de ces couches photoconductrices. Par exemple, lors de l'application à un élément de formation d'image pour électrophotographie, on observe fréquemment un potentiel résiduel qui subsiste pendant l'utilisation Lorsqu'un tel élément photoconducteur est utilisé de façon répétée pendant une longue durée, il appa- raît divers inconvénients tels qu'une accumulation des fatigues dues aux utilisations répétées, ou bien le phéno- mène appelé image fant 6 me selon lequel des images résiduelles sont formées. En outre, par exemple, conformément à un certain nombre d'essais conduits par la Demanderesse, bien que la matière a-Si constituant la couche photoconductrice d'un élément de formation d'image pour électrophotographie présente un certain nombre d'avantages par rapport à des matières telles que Se, Cd S, Zn O ou PCO (matières photo- conductrices organiques) telles que le PV Cz ou le TNF de l'art antérieur, elle présente également plusieurs problèmes devant être résolus Ainsi, lorsqu'un traitement par charges est appliqué pour la formation d'images électrostatiques sur la couche photoconductrice d'un élément de formation d'image pour électrophotographie ayant un élément photo- conducteur constitué d'une monocouche de a-Si à laquelle on a conféré des caractéristiques lui permettant d'être utilisée dans une pile solaire de l'art antérieur, un amortissement d'obscurité apparaît rapidement, de sorte qu'il est difficile d'appliquer un procédé photographique classique ou, dans certains cas, aucune charge ne peut être retenue avant le développement. En ce qui concerne notamment ces points à améliorer, il est important, dans une application pratique d'un élé- ment de formation d'image du type a-Si pour électrophoto- graphie, d'essayer d'atténuer l'amortissement d'obscurité pendant le traitement par charges et le potentiel résiduel apparaissant à la partie claire lors d'une irradiation par une onde électromagnétique. Pour résoudre ce problème, on peut mentionner la présence d'une couche dite d'arrêt, ayant pour fonction d'empêcher l'injection de porteurs libres dans la couche photoconductrice, provenant du côté d'un support pendant le traitement par charges, entre le support et la couche photoconductrice, comme cela a été appliqué dans des élé- ments de formation d'image du type Se ou du type Cd S, pour électrophotographie, de l'art antérieur. Un tel essai de mise en place d'une couche d'arrêt entre un support et une couche photoconductrice peut éga- *lement s'avérer efficace dans une certaine mesure, dans des éléments de formation d'image du type a-Si utilisés en électrophotographie Cependant, dans le cas présent, en raison de la restriction imposée par les caractéristiques permettant simultanément une sensibilité élevée et une grande résistance d'obscurité de la couche photoconductrice du type a-Si, la plage de conception optimale d'éléments de formation d'image du type aSi pour électrophotographie est réduite, de sorte que le choix des matières satisfai- sant la productivité, y compris le-coût, n'est possible que dans une plage très limitée. Par exemple, lorsqu'une couche d'arrêt est formée entre un support et une couche photoconductrice du type a-Si conformément au procédé de l'art antérieur, afin de résoudre le problème précité, la capacité devant être chargée diminue progressivement avec la formation répétée d'images électrostatiques jusqu'à-ce qu'il se produise une destruction de l'isolation électrique dans la couche d'arrêt, ce qui conduit à la formation de défauts ponctuels sur l'image obtenue par report de "toner" Lorsque l'épaisseur de la couche d'arrêt est augmentée afin d'empêcher cette destruction de l'isolation, le potentiel résiduel apparaissant sur la partie claire augmente avec l'accroissement de l'épaisseur de la couche En conséquence, il en résulte ce qui est appelé la formation d'un voile de l'image obtenue par report du "toner", ce voile consti- tuant aussi un autre facteur important qui abaisse la qualité de l'image reportée. Ces points réduisent la liberté dont on dispose pour donner une conception optimale à des éléments photo- 1 o conducteurs de type a-Si, ce qui rend plus difficile le choix des matières ainsi que les conditions dans lesquelles s'effectue la conception optimale. Il est donc nécessaire, lors de la conception d'une matière photoconductrice, de tendre à obtenir les caracté- ristiques souhaitables, telles que celles indiquées ci- dessus, en même temps que d'améliorer les matières du type a-Si. Compte tenu de ce qui précède, l'invention a pour objet le résultat d'études importantes tenant compte à la fois de l'applicabilité et de l'utilité du a-Si comme élément photoconducteur pour des éléments de formation d'image pour électrophotographie ou pour des dispositifs de prise de vue à semiconducteurs On à présent découvert qu'un élément photoconducteur, élaboré de manière à avoir une structure en couches particulières comprenant une couche photoconductrice constituée d'un silicium amorphe hydrogéné, d'un silicium amorphe halogéné ou d'un silicium amorphe hydrogéné contenant un halogène / désigné ci-après de façon globale par l'expression a-Si(H, X)7, qui est une matière amorphe contenant au moins un atome d'hydrogène (H) et un atome d'halogène (X) dans une matrice de silicium caractérisée par une couche d'arrêt particulière telle que décrite ci-après, interposée entre ladite couche photo- conductrice et un support destiné à cette couche, non seulement donne satisfaction en pratique en éliminant tous les problèmes indiqués cidessus, mais présente également des caractéristiques supérieures, pratiquement en tous points, à celles des éléments photoconducteurs de l'art antérieur, en particulier d'excellentes caractéristiques comme élément-photoconducteur pour électrophotographie. L'invention est basée sur cette constatation. L'invention a pour objet principal un élément photoconducteur qui non seulement ne présente pas les problèmes, apparaissant en pratique, d'amortissement d'obscurité et de potentiel résiduel, mais qui également présente des caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices stables et constantes, convient à tous les types de milieux, pratiquement sans limitation concer- nant le milieu dans lequel il est utilisé, et présente d'excellente caractéristiques de photosensibilité ainsi que de résistance à la fatigue par la lumière, sans dété- rioration après des utilisations répétées. L'invention a également pour objet un élément photoconducteur hautement photosensible dans toutes les plages du spectre de la lumière visible, qui s'adapte de façon excellente à un laser à semiconducteur et qui présente une réponse rapide à la lumière. L'invention a pour autre objet un élément photo- conducteur dont la possibilité de retenue de charges, au moment du traitement par charges pour la formation d'images électrostatiques, est suffisante pour permettre l'applica- tion efficace d'un procédé électrophotographique classique lorsqu'il est prévu d'utiliser cet élément photoconducteur comme élément de formation d'image pour électrophotographie, l'élément photoconducteur ne présentant pratiquement pas de détérioration de ses caractéristiques, même en atmosphère fortement humide. L'invention a pour autre objet un élément photo- conducteur pour électrophotographie, capable de produire de façon répétée et aisée des images de haute qualité, de densité élevée, claires dans les demi-tons et d'une résolution élevée. L'invention concerne donc un élément photoconducteur comprenant un support pour cet élément, une couche photo- conductrice constituée d'une matière amorphe qui forme une matrice de silicium atomique, et une couche d'arrêt placée entre le support et la couche photoconductrice et ayant une structure en deux couches, à savoir une première couche d'arrêt constituée d'une matière amorphe formant une matrice de silicium atomique et contenant des impuretés qui règlent la conductivité, et une seconde couche d'arrêt constituée d'une matière électriquement isolante, différente de la matière amorphe constituant la première couche d'arrêt. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: les figures 1 et 2 sont des coupes transversales schématiques de deux formes préférées de réalisation de l'élément photoconducteur selon l'invention; et la figure 3 est un schéma d'un exemple d'appareil utilisé pour la préparation de l'élément photoconducteur selon l'invention. L'élément photoconducteur selon l'invention sera à présent décrit en détail en regard des dessins. La figure 1 est une coupe schématique montrant la constitution de base de l'élément photoconducteur selon l'invention. L'élément photoconducteur 100 représenté sur la figure 1 constitue l'exemple fondamental de réalisation de l'invention, qui comprend un support 101 destiné à l'élément photoconducteur, une couche photoconductrice 102 appliquée sur le support, et une couche d'arrêt 103 disposée entre le support 101 et la couche photoconductrice 102, en contact direct avec eux, la couche d'arrêt 103 ayant une structure en deux couches constituée d'une première couche d'arrêt 103-1 et d'une seconde couche d'arrêt 103-2 se suivant à partir du support. L'élément photoconducteur ainsi conçu de mahière à présenter la structure stratifiée telle qu'indiquée ci-dessus permet de résoudre tous les problèmes mentionnés précédemment et il présente d'excellentes caractéristiques électriques, optiques et photoconductrices et une grande adaptation au milieu d'utilisation. En particulier, lorsqu'il est utilisé comme élément de formation d'image pour électrophotographie, il présente une aptitude excellente à retenir les charges au moment du traitement par charges, sans influence de potentiel résiduel sur la formation de l'image; il possède des caractéristiques électriques qui sont stables, même en atmosphère humide, ainsi qu'un rapport SN élevé, associé à une grande sensibilité Cet élément est en outre excellent en ce qui concerne la résistance à la fatigue par la lumière et la possibilité d'adaptation à des utilisations répétées, et il est capable de produire une image visible de haute qualité, de haute densité, claire dans les demi-tons et de résolution élevée. En outre, un élément photoconducteur ayant une couche constituée conformément à l'art antérieur ne peut être utilisé comme élément de formation d'image pour électrophotographie soit dans le cas d'un a-Si:(H, X) ayant une résistivité d'obscurité élevée, soit dans le cas d'un aSi:(H X) ayant une-photosensibilité élevée car le premier élément tend à présenter une plus faible sensi- bilité, tandis que le second élément présente une faible résistivité d'obscurité, cette dernière étant, au mieux de 108 ohms cm Par contre, selon l'invention, même une couche de a-Si:(H, X) de résistivité relativement faible ( 5 109 ohms cm ou plus) peut constituer une couche photo- conductrice pour électrophotographie, en raison de sa constitution stratifiée particulière et, par conséquent, un a-Si:(H,-X) ayant une sensibilité élevée, mais une résistivité relativement faible, peut suffire Par consé- quent, les restrictions concernant les caractéristiques du a-Si:(H, X) peuvent être éliminées. Le support 101 peut être conducteur du courant électrique ou isolant Comme matière électroconductrice, on peut mentionner des métaux tels que Ni Cr, l'acier inoxydable, AI, Cr, Mo, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, etc. ou des alliages de ces métaux. Comme supports isolants, on peut utiliser classique- ment des films ou des feuilles de résines synthétiques, comprenant du polyester, du polyéthylène, un polycarbonate, de l'acétate de cellulose, du polypropylène, du polychlorure de vinyle, du polychlorure de vinylidène, du polystyrène, un polyamide, etc, des verres, des céramiques, des papiers et autres. Ces supports isolants peuvent avoir avantageusement au moins une surface soumise à un traitement électroconducteur, et il est souhaitable d'appliquer d'autres couches sur la face à laquelle le traitement électroconducteur a été appliqué. Par exemple, un traitement électroconducteur d'un verre peut être obtenu par l'application d'une mince pelli- cule, sur le verre, de Ni Cr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In 203, Sn O 2, ITO(IN 203 +Sn O 2) En variante, une pellicule constituée d'une résine synthétique, par exemple une pellicule de polyester, peut être soumise en surface, au traitement électroconducteur par dépôt en phase vapeur sous vide, dépôt par faisceau d'électrons ou par pulvérisation d'un métal tel que Ni Cr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, etc, ou bien par l'application d'un traitement de stratification avec ce métal, rendant la surface conductrice du courant électrique Le support peut avoir toute forme quelconque, par exemple la forme de cylindres, de bandes, de plaques ou autres, et sa forme peut être déterminée comme souhaitée. Par exemple, lorsque l'élément photoconducteur, 100 repré- senté sur la figure 1 doit être utilisé comme élément de formation d'irare pour électrophotographie, il peut être souhaitable de lui donner la forme d'une bande sans fin ou d'un cylindre destiné à être utilisé pour la formation continue de copies à grande vitesse Le support peut avoir une épaisseur qui est avantageusement déterminée de manière que l'on puisse former un élément photoconducteur tel que souhaité Lorsque l'élément photoconducteur doit avoir une certaine souplesse, le support est réalisé de manière à être aussi mince que possible dans la mesure o cette minceur n'affecte pas la fonction du support. Cependant, dans ce cas, l'épaisseur est en général de gm ou plus, compte tenu des critères de fabrication et de manipulation du support, ainsi que de sa résistance mécanique. Dans l'élément photoconducteur selon l'invention, la première couche d'arrêt et la seconde couche d'arrêt qui constituent la couche globale d'arrêt devant être appliquée sur le support, assument de façon excellente leur-fonction consistant à empêcher l'injection de porteurs libres dans la partie intérieure de la couche photo- conductrice, à partir du côté du support. De plus, on donne à la première couche d'arrêt la fonction d'empêcher le passage de porteurs libres pen- dant le traitement par charges, ainsi que la fonction de permettre aisément le passage des photoporteurs migrant vers le côté du support, parmi les porteurs générés dans la couche photoconductrice, dans les parties irradiées pendant l'irradiation par une onde électromagnétique. Par conséquent, la couche globale d'arrêt présente une aptitude excellente à empêcher le passage des porteurs libres pendant le traitement par charges, par rapport à chacune des couches d'arrêt considérée seule, et elle présente donc d'excellentes caractéristiques telles qu'il ne se produit pratiquement pas d'amortisse- ment d'obscurité, et qu'il n'a'pparatt pratiquement pas non plus de potentiel résiduel dans les parties irradiées au moment de l'irradiation par une onde électromagnétique. Selon l'invention, pour parvenir à ces objectifs de façon efficace, la première couche d'arrêt devant être formée sur le support est constituée de a-Si(H, X) qui est fortement dopé par des impuretés déterminant le type de conduction comme indiqué ci-dessous: 0 a-Si(H, X) de type p contenant uniquement un accepteur; ou contenant à la fois un donneur et un accepteur avec une proportion relativement plus grande d'accepteur (Na) , ayant une forte tendance au type p a-Si(H, X) de type N contenant uniquement un donneur; ou contenant à la fois un donneur et un accepteur, avec une concentration relativement plus forte de donneur(Nd), ayant une forte tendance au type n. Selon l'invention, pour produire un a-Si(H, X) ayant une conductivité de Q ou par l'incorporation des impuretés qui déterminent la conductivité, on peut introduire dans la couche, pendant la formation de la première couche d'arrêt, une quantité souhaitée d'une impureté agissant comme impureté du type p pour a-Si(H, X) dans le cas du type ( et d'une impureté agissant comme une impureté du type N pour a-Si(H, X) dans le cas du type O Selon l'invention, comme impureté pouvant être introduite dans la première couche d'arrêt pour conférer à cette dernière le type @, on peut utiliser avantageu- sement un élément du Groupe III B du Tableau Périodique, par exemple B, Al, Ga, In, Tl, etc. Lorsque la couche doit être réalisée au type, on peut utiliser convenablement un élément du Groupe V B du Tableau Périodique, par exemple N, P, As, Sb, Bi, etc. Il est souhaitable que la quantité d'impuretés à introduire dans la première couche d'arrêt selon l'inven- tion soit sensiblement de 30 à 5 104 ppm atomiques, de préférence 50 à 1 10 ppm atomique, et de façon encore plus préférable de 100 à 1000 ppm atomiques dans le cas d'une impureté du type p, et qu'elle soit généralement de 30 à 5 104 ppm atomique, de préférence de 50 à 1 104 ppm atomique, et d'une façon encore plus préférable, de 50 à 1000 ppm atomiques,dans le cas d'une impureté du type n, l'expression ppm atomique désignant des parties par million sur base atomique. Dans la constitution stratifiée de l'élément photo- conducteur selon l'invention tel que représenté sur la figure 1, lorsque la première couche d'arrêt 103-1 est constituée de a-Si(H, X) du type p, la surface de l'élé- ment photoconducteur se charge positivement de façon sélective Dans ce cas, la première couche d'arrêt 103-1, qui peut empêcher efficacement l'injection d'électrons venant du côté du support 101, agit par synergie avec la seconde couche d'arrêt 103-2, ayant la même fonction, afin d'accroître le potentiel du récepteur De plus, en raison de la diminution sensible des charges injectées à partir il du côté du support 101, qui s'écoulent plus ou moins pendant la charge par rapport au cas o la couche d'arrêt est constituée, par exemple, de la seule seconde couche 103-j, la longévité de la couche d'arrêt 103-2 peut être nota- blement améliorée. Lorsque la première couche d'arrêt 103-1 est cons- tituée de a-Si(H, X) de type N, l'injection de trous positifs provenant du support peut être efficacement empêchée et on peut donc utiliser sélectivement une charge négative sur la surface de l'élément photoconducteur. L'épaisseur de la première couche d'arrêt de l'élé- ment selon l'invention peut être convenablement déterminée comme souhaitée par rapport à l'épaisseur de la seconde couche d'arrêt à appliquer sur la première couche, de même que ses caractéristiques et sa teneur en impuretés,mais cette épaisseur est généralement comprise entre 5 nm et 2 Am, de préférence entre 20 nm et 500 nm, et de façon encore plus préférable entre 50 nm et 300 nm. Conformément à l'invention, des exemples typiques d'halogène atomique (X) pouvant être incorporé dans la première couche d'arrêt comprennent le fluor, le chlore, le brome et l'iode, le fluor et le chlore étant particu- lièrement préférés. Selon l'invention, la formation de la première couche d'arrêt constituée de a-Si(H, X) du type (D ou O peut être effectuée par la mise en oeuvre du procédé de dépôt sous vide utilisant un phénomène de décharge et comprenant un procédé de décomposition par décharge tel qu'un procédé de déchargé en effluves ou un procédé de décharge en arc, un procédé de pulvérisation ou un procédé d'implantation ionique Par exemple, pour la formation de la première couche d'arrêt du type (D ou O, consti- tuée de a-Si(H, X) selon le procédé à décharge d'effluves, un gaz de départ pour l'introduction d'hydrogène atomique et/ou d'halogène atomique, est introduit avec un gaz de départ capable de former du Si dans la chambre de déposi- tion à l'intérieur de laquelle une pression réduite peut être établie et dans laquelle une décharge d'effluves est 2 t 04697 déclenchée pour former une couche de a-Si(H, X) sur la surface d'un support placé dans une position prédéterminée à l'intérieur de la chambre Lorsque la couche est formée conformément au procédé de pulvérisation, un gaz de départ destiné à introduire de l'hydrogène atomique et/ou un halogène atomique, peut être introduit dans la chambre de déposition dans laquelle une pulvérisation est effectuée sur une cible formée de Si, dans une atmosphère constituée d'un gaz inerte tel que Ar, He ou un mélange à base de ces gaz. Le gaz de départ formant du Si à utiliser conformé- ment à l'invention peut comprendre des hydrures de sili- cium gazeux ou gazéifiables (silanes) tels que Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 10 et autres, domme matières efficaces. En particulier, Si H 4, Si 2 H 6 et Si 3 H 8 sont préférés pour la facilité de manipulation qu'ils présentent pendant la formation de la couche et pour l'efficacité avec laquelle ils forment du Si. Comme gaz de départ efficace pour introduire un halogène atomique à utiliser dans l'élément selon l'in- vention, on peut mentionner un certain nombre de composés halogénés tels que des gaz halogénés, des halogénures, des composés interhalogénés et des dérivés de silane substitués par un halogène, gazeux ou gazéifiables. En variante, il est également efficace, selon l'in- vention, d'utiliser des composés de silicium gazeux ou gazéifiables, contenant un halogène atomique qui est cons- titué à la fois de silicium atomique et d'halogène ato- mique. Des exemples typiques de composés halogénés qu'il est préférable d'utiliser conformément à l'invention peu- vent comprendre des halogènes gazeux tels que le fluor, le chlore, le brome ou l'iode, et les composés inter- halogénés tels que Br F, Cl F, Cl F 3, Br F 5, Br F 3, IF 7, IF 5, ICJ, I Br, etc. Comme composés de silicium contenant un halogène atomique à savoir un dérivé de silane substitué par un halogène, des halogénures de silicium tels que Si F 4, Si 2 F 6, Si C 14, Si Br 4 ou autres sont préférés. Lorsque la première couche d'arrêt particulière de l'élément selon l'invention est formée par le procédé de décharge d'effluves au moyen d'un tel composé de sili- cium contenant un halogène atomique, il est possible de former une première couche d'arrêt constituée de a-Si contenant un halogène atomique, sur un support donné, sans utilisation d'hydrure de silicium gazeux comme gaz de départ capable de former du Si. Lors de la formation de la première couche d'arrêt contenant un atome d'halogène (X) conformément au procédé de décharge d'effluves, le processus de base consiste à introduire un gaz de départ pour former du Si, à savoir un gaz d'halogénure de silicium, et un gaz tel que H 2, Ar, He, etc, en proportion prédéterminée, suivant un débit d'écoulement convenable, dans la chambre de déposi- tion, pour former la première couche d'arrêt, puis à déclencher une décharge d'effluves pour former un plasma de ces gaz, ce qui provoque la formation de la première couche d'arrêt sur un support Il est également possible de former une couche par mélange d'un gaz d'un composé de silicium contenant de l'hydrogène atomique, en propor- tion convenable avec ces gaz, pour y incorporer l'hydro- gène atomique. Chacun des gaz peut être constitué d'un seul élément ou d'un mélange de plusieurs éléments, en proportions prédéterminées. Pour la formation d'une première couche d'arrêt de a-Si(H, X) du type t ou par le procédé de pulvé- risation réactive ou par le procédé d'implantation ionique, par exemple, on utilise une cible de Si et on effectue une pulvérisation sur cette cible, dans un plasma gazeux convenable dans le cas du procédé par pulvérisation En variante, dans le cas du procédé d'implantation ionique, du silicium polycristallin ou monocristallin est utilisé comme source de vaporisation dans une nacelle de dépôt en phase vapeur, et la source devaporisation de silicium est vaporisée par chauffage par effet Joule ou par faisceau électronique afin de permettre à des substances vaporisées de se dégager et de traverser un plasma gazeux convenable. Au cours de cette opération, soit dans le procédé par pulvérisation, soit dans le procédé par implantation ionique, pour l'introduction d'un atome d'halogène (X) dans la couche formée, un gaz d'un composé halogéné tel que mentionné ci-dessus, ou bien d'un composé de silicium contenant un atome d'halogène comme mentionné précédemment, peut être introduit dans la chambre de déposition pour y former un plasma. Lorsque de l'hydrogène atomique (H) doit être introduit, un gaz de départ destiné à l'introduction d'hydrogène atomique, par exemple H 2, ou bien un gaz tel que des silanes comme mentionné précédemment, peut être introduit dans la chambre de déposition par pulvérisation pour y former un plasma. Selon l'invention, on peut utiliser efficacement, comme gaz de départ pour l'introduction d'halogène ato- mique, les composés halogénés ou les composés de silicium contenant un halogène comme mentionné précédemment De plus, il est également possible d'utiliser un halogénure gazeux ou gazéifiable dont l'un des constituants est formé par de l'hydrogène atomique, par exemple un halogénure d'hydrogène comprenant HF, HC 1, H Br, HI et autres, ou bien du silicium hydrogéné à substitution par un halogène, Si H 2 F 2, Si H 2 12, Si H 2 C 12, Si H C 13, SH Br 2 Si H Br 3 et autres, comme matière efficace de départ pour la formation de la première couche d'arrêt. Les halogénures contenant un atome d'hydrogène, capables d'introduire très efficacement l'atome d'hydro- gène, pour régler les caractéristiques électriques ou optiques, dans la couche pendant la formation de la première couche d'arrêt, simultanément à l'introduction d'un atome d'halogène (X), peuvent de préférence être utilisés comme matières de départ pour l'introduction d'un atome d'halogène. 2 '5 04697 Pour introduire stucturellement un atome d'hydrogène (H) dans la première couche d'arrêt, on peut admettre la présence de H 2 ou d'un gaz gaz d'hydrure de silicium, coeprenar Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 1, etc, en même temps que celle d'un composé de silicium pour fournir du Si dans une chambre de déposition dans laquelle une décharge est déclenchée. Par exemple, dans le cas du procédé de pulvérisation réactive, on utilise une cible de Si et on introduit un gaz d'apport d'un atome d'halogène et du H 2 gazeux avec, si cela est nécessaire, un gaz inerte tel que He, Ar, etc, dans une chambre de déposition dans laquelle un plasma est produit pour effectuer une pulvérisation sur la cible de Si et former ainsi une première couche d'arrêt de a-Si(H, X) du type G ou O sur la surface d'un support ayant des caractéristiques souhaitées-. En outre, on peut également introduire un gaz tel que B 2 H 6, PH 3, PF 3 ou autres pour effectuer également un dopage en impuretés. La quantité de H ou X ou (H + X) contenue dans la première couche d'arrêt 103-1 de l'élément photoconducteur formé conformément à l'invention peut généralement être d'un niveau efficace pour empêcher l'apparition de charges suffisantes, de préférence 1 à 40 %, et de façon encore plus préférable, de 5 à 30 %, en valeur atomique. Pour régler les quantités d'hydrogène atomique (H) et/ou d'halogène atomique (X) contenues dans la couche, la température du support et/ou les quantités de la matière de départ pour l'apport de H, devant être intro- duites dans l'appareil de déposition, ou bien la puissance de la décharge, peuvent être réglées. Pour réaliser la première couche d'arrêt avec une conductivité du type OD ou , comme mentionné précé- demment, par l'introduction, dans la couche d'arrêt, d'impuretés déterminant la conductivité, une impureté se comportant comme une impureté du type N ou bien une impureté se comportant comme une impureté du type p pour a-Si(H, X), ou bien ces deux impuretés, peuvent être introduites par dopage dans la couche, en quantité déterminée, pendant la formation de la couche par le procédé à décharge d'effluves ou par le procédé de pulvé- risation réactive. Ces impuretés peuvent être introduites dans la première couche d'arrêt par la mise en oeuvre du procédé de pulvérisation, par exemple, dans lequel ces impuretés sont contenues en proportion de mélange souhaitée dans une cible et sont soumises à une pulvérisation, ou bien, en variante, par la mise en oeuvre du procédé à décharge d'effluves dans lequel elles sont introduites sous la forme de composés tels que BF 3, BC 13, B 2 H 6, B 4 H 10, B 5 H 9, B 5 11, B 6 H 10, B 6 H 12, NH 3, PH 3, As H 3, Sb H 3, Bi H 3, PF 3, PF 5, P C 13, As F 3, As C 13, As F 5, etc, à l'état gazeux, en même temps qu'un gaz de départ pour la formation de Si dans une chambre de déposition à décharge d'effluves dans laquelle une décharge d'effluves est déclenchée. La seconde couche d'arrêt est constituée d'une matière amorphe, électriquement isolante, comprenant une matrice de silicium atomique qui contient au moins un atome choisi parmi l'atome de carbone, l'atome d'azote et l'atome d'oxygène et qui contient en outre, si cela est nécessaire, au moins un atome d'hydrogène (H) ou un atome d'halogène (X) /_es matières étant désignées globa- lement comme suit: "a-/Six(C,N,O)1 lx 7 y(H,X)1-y" (o o ment isolant. Selon l'invention, F, Cl,Br et I, plus particulière- ment F et Cl, sont préférés comme atome d'halogène (X). Des exemples typiques de matières amorphes utilisées efficacement pour l'élément selon l'invention pour la constitution de la seconde couche d'arrêt indiquée ci- dessus peuvent comprendre des matières amorphes du type carbone telles que, par exemple, a-Sia Ca a-(Sib C 1-b)c H 1-c' a-(Sid C 11 d)e X 1 _e, a-(Sifc 1-f)g(H+X)1-g; des matières amorphes du type azote telles que, par exemple, a-Sih N 1 _h, a-(Sii N 1-i)i H_-i, a-(Sik Nlk) X 1 _t, a- (Sim Nlm)n(H+x)1-n> des matières amorphes du type oxygène telles que, par 1 7 exemple, a-Si OO 1 _, a-(Sip 01 p)q EH 1 _, a-_(Sir 1-r)s X 1-s a-(Sit 1 t)u(H+X)1, et d'autres matières amorphes conte- nant au moins deux des atomes de carbone (C), d'azote (N) et d'oxygène (O) comme atomes constitutifs, dans les matières amorphes précitées (o O h, i, j, k, r, m, n, o, p, q, r s, t, u Ces matières amorphes sont choisies de façon opti- male suivant les caractéristiques demandées pour la seconde couche d'arrêt, en fonction de la conception optimale de la structure stratifiée et de la facilité de préparation continue de la première couche d'arrêt réalisée en contact avec la seconde couche d'arrêt et la couche photoconductrice En particulier, en ce qui concerne les caractéristiques, il est préférable de choisir une matière amorphe du type carbone ou du type azote. La seconde couche d'arrêt constituée par la matière amorphe indiquée cidessus peut être formée par le procédé de décharge d'effluves, le procédé de pulvérisation, le procédé d'implantation ionique, le procédé de pulvé- risation ionique, le procédé à faisceau d'électrons ou autres Ces procédés de production sont convenablement choisis suivant des facteurs tels que les conditions de production, la lourdeur des capitaux investis dans l'ins- tallation, l'échelle de production, les caractéristiques souhaitables des éléments photoconducteurs à préparer, etc Cependant, le procédé à décharges d'effluves ou le procédé de pulvérisation peuvent être adoptés de préférence pour les avantages d'une maîtrise aisée des conditions de préparation d'un élément photoconducteur ayant les caractéristiques souhaitables, ainsi que pour la-facilité d'in- * troduction d'autres atomes tels qu'un atome de carbone, un atome d'azote, un atome d'oxygène ou, si cela est nécessaire, un atome d'hydrogène ou un atome d'halogène ainsi qu'un atome de silicium dans la seconde couche d'arrêt préparée. En outre, selon l'invention, le procédé à décharge d'effluves et le procédé de pulvérisation peuvent être utilisés en combinaison dans le même appareil pour former la seconde couche d'arrêt. Pour la formation de la seconde couche d'arrêt conformément au procédé à décharge d'effluves, les gaz de départ pour la formation de la matière amorphe précitée constituant ladite première couche d'arrêt, qui peuvent être mélangés, si cela est nécessaire, à un gaz de dilution, dans une proportion de mélanges souhaitée, peuvent être introduits dans la chambre de dépôt sous vide dans laquelle le support est placé, et le gaz introduit est transformé en plasma par déclenchement d'une décharge d'effluves dans la chambre afin que la matière amorphe se dépose sur la première couche d'arrêt déjà formée sur le support. Selon l'invention, les substances utilisées effica- cement comme matières de départ pour la formation d'une seconde couche d'arrêt constituée d'une matière amorphe du type carbone peuvent comprendre des hydrures de sili- cium gazeux constitués d'atomes de Si et de H tels que des silanes, par exemple Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 10, etc, et des hydrocarbures constitués d'atomes de C et H tels que des hydrocarbures saturés, ayant 1 à 5 atomes de carbone, des hydrocarbures éthyléniques ayant 2 à 5 atomes de carbone et des hydrocarbures acétyléniques ayant 2 à 4 atomes de carbone. En particulier, des exemples typiques comprennent des hydrocarbures saturés tels que le méthane(CH 4), l'éthane(C 2 H 6), le propane(C 3 H 8), le n-butane-(n-C 4 H 10), le pentane(C 5 H 12) et autres; des hydrocarbures éthylé- niques tels que l'éthylène(C 2 H 4), le propylène(C 3 H 6), le butène-1 l(C 4 H 8), le butène-2 (C 4 H 8), l'isobutylène(C 4 H 8), le pentène(C 5 H 10) et autres; et des hydrocarbures acétyléniques tels que l'acétylène(C 2 H 2), le méthylacéty- lène(C 3 H 4), la butyne(C 4 H 6) et autres. Des exemples typiques de gaz de départ ayant un atome de silicium (Si), un atome de carbone (C) et un atome d'hydrogène (H) comme constituants sont des alkyl- silanes tels que Si(CH 3)4, Si(C 2 H 5)4 et autres En plus de ces gaz de départ, on peut évidemment utiliser de façon efficace le gaz H 2 comme gaz de départ pour l'introduction d'hydrogène atomique. Les gaz de départ destinés à introduire un halogène atomique (X) pour la constitution de la seconde couche d'arrêt, avec une matière amorphe du type carbone contenant un atome d'halogène, peuvent comprendre des substances simples d'halogène, des halogénures d'hydrogène, Cescomposés interhalogénés, des halogénures de silicium, des hydrures de silicium substitués par un halogène, etc. En particulier, on peut utiliser des substances simples d'halogène telles que des gaz halogénés de fluor, de chlore, de brome et d'iode; des halogénures d'hydrogène tels que HF, HI, HC 1, H Br, etc; des composés inter- halogénés tels que Br F, Cl F, Cl F 3, Cl F 5, Br F 5, Br F 3, IF 7, IF 5, IC 1, I Br, etc; des halogénures de silicium tels que Si F 4, Si 2 F 6, Si C 14, Si C 13 Br, Si C 12 Br 2, Si Cl Br 3, Si C 13 I, Si Br 4, etc; des hydrures de silicium substitués par un halogène tels que Si H 2 F 2, Si H 2 C 12, Si HC 13, Si H 3 Cl, Si H 3 Br, Si H 2 Br 2, Si H Br 3- En plus des hydrocarbures mentionnés précédemment, il existe des hydrocarbures paraffiniques substitués par un halogène tels que CC 14, CHF 3, CH 2 F 2, CH 3 F, CH 3 C 1, CH 3 Br, CH 3 I, C 2 H 5 Cl, etc; et des dérivés de silane tels que les alkylsilanes contenant un halogène, par exemple Si Cli(CH 3)3, Si C 12 (CH 3)2, Si C 13 CH 3, etc. Ces substances destinées à former la seconde couche d'arrêt sont choisies comme souhaité et utilisées pour la formation d'une seconde couche d'arrêt de manière que cette dernière puisse contenir, dans une composition sou- haitable, un atome de silicium, un atome de carbone et, si cela est nécessaire, un atome d'halogène (X) et/ou un atome d'hydrogène (H). Par exemple, du Si(CH 3)4, qui peut effectuer aisé- ment l'introduction d'un-atome de silicium, d'un atome de carbone et d'un atome d'hydrogène et qui peut former une seconde couche d'arrêt ayant des caractéristiques souhaitables, et du Si HC 13, Si C 14, Si H 2 C 12 ou Si H 3 Cl comme substance destinée à l'introduction d'un atome d'halogène, peuvent être introduits en une proportion de mélange prédéterminée, à l'état gazeux, dans un appareil pour la formation d'une seconde couche d'arrêt, appareil Cans lequel une décharge d'effluves est déclenchée pour former une seconde couche d'arrêt constituée de a-(Sif C 1 f)g(H+X)1 -g. Selon l'invention, lorsqu'on adopte le procédé à décharge d'effluves pour former la seconde couche d'arrêt avec une matière amorphe du type azote, des substances souhaitées, choisies parmi celles mentionnées précédemment pour la formation de la seconde couche d'ar- rêt, peuvent être utilisées en combinaison avec un gaz de départ pour l'introduction d'un atome d'azote Autrement dit, comme matière de départ introduisant un atome d'azote pour la formation de la seconde couche d'arrêt, on peut mentionner des composés d'azote gazeux ou gazéifiables constitués d'un atome d'azote (N) ou d'un atome d'azote (N) ou d'un atome d'hydrogène (H), tels que l'azote, des nitrures et des azotures comprenant, par exemple, l'azote (N 2), l'ammoniac(NH 3), l'hydrazine(N 2 NNH 2), l'acide azothydrique(HN 3), l'azoture d'ammonium(NH 4 N 3), etc. Il est également possible d'utiliser, en outre, un composé d'halogénure d'azote' pouvant comprendre un atome d'azote et un atome d'halogène tel que le trifluorure d'azote (F 3 N) et le tétrafluorure d'azote(F 4 N 2). Lorsque le procédé à décharge d'effluves est adopté pour la constitution de la seconde couche d'arrêt avec une matière amorphe du type oxygène, une matière convena- ble de départ est choisie parmi celle utilisée pour la formation de la seconde couche d'arrêt, comme mentionné précédemment, et on ajoute à cette matière une matière de départ destinée à l'introduction d'oxygène atomique. Parmi ces matières de départ apportant de l'oxygène ato- mique, on peut utiliser la plupart des substances gazeuses ou des substances gazéifiables et gazéifiées contenant au moins de l'oxygène atomique comme atome constitutif. Par exemple, dans le cas de l'utilisation d'un gaz de départ contenant du Si comme atome constitutif, il est possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ possédant Si comme atome constitutif,d'un gaz de départ possédant O comme atome constitutif et, si cela est nécessaire, d'un gaz possédant H et/ou X comme atomes constitutifs, en proportion de mélange souhaitée En variante, un mélange d'un gaz de départ possédant Si comme atome constitu- tif et d'un gaz de départ possédant O et H comme atomes constitutifs, en proportion de mélange souhaitée, peut également être utilisé En outre, il est également possi- ble d'utiliser un mélange d'un gaz de départ possédant Si comme atome constitutif et d'un gaz de départ possédant les trois atomes Si, O et H comme atomes constitutifs. Selon un autre procédé, il est également possible d'utiliser un mélange d'un gaz de départ possédant Si et H comme atomes constitutifs et d'un gaz de départ possé- dant O comme atome constitutif. En particulier, on peut mentionner l'oxygène ( 02), l'ozone( 03), l'oxyde de carbone(CO), l'anhydride carbo- nique(C 02), l'oxyde azotique(NO), le peroxyde d'azotee 2), le protoxyde d'azote(N 20), l'anhydride azoteux(N 203), le peroxyde d'azote(N 204), l'anhydride azotique(N 205), l'oxyde perazotique(N 03), des siloxanes inférieurs conte- nant Si, O et H comme atomes constitutifs tels que le disiloxane(H 3 Si O Si H 3), le trisiloxane(H 3 Si O Si H 20 Si H 3), etc. Comme décrit précédemment, lors de la formation d'une seconde couche d'arrêt par le procédé à décharge d'effluves, les matières de départ pour la formation de la seconde couche d'arrêt peuvent être choisies de façon variée pour former une seconde couche constituée d'une matière souhaitée, ayant des caractéristiques souhaitées. Dans le cas o la seconde couche d'arrêt est formée par le procédé à décharge d'effluves, des exemples spécifi- ques de bonnes associations de matières de départ peuvent comprendre un gaz unique tel que Si(CH 3)4 ou Si C 12 (CH 3)2, ou un mélange gazeux tel qu'un système Si H 4-N 20, un système SLI 4-C 2 (-Ar), un système Si H 4N 02, un système Si H 4-02-N 2, un système Si C 14-C 02-H 2, un système Si C 14-NO-H 2, un système Si H 4-NH 3, un système Si C 14-NH 4, un système Si H 4-N 2, un système Si H 4-NH 3-NO, un système Si(CH 3)4-Si H 4, un système Si C 12 (CH 3)2-Si H 4, etc. Pour la formation de la seconde couche d'arrêt constituée d'une matière amorphe du type carbone par le procédé de pulvérisation, une tranche de Si monocristallin ou polycristallin, une tranche de C ou une tranche conte- nant Si et C en mélange, est utilisée comme cible et soumise à une pulvérisation dans une atmosphère constituée de divers gaz. Par exemple, lorsqu'une tranche de Si est utilisée comme cible, un gaz de départ pour l'introduction d'un atome de carbone et d'un atome d'hydrogène (H) ou d'un atome d'halogène (X), qui peut être dilué avec un gaz de dilution si cela est souhaité, est introduit dans une chambre de déposition par pulvérisation pour y former un plasma gazeux et produire une pulvérisation sur la tranche de Si. En variante, du Si et du C, formant des cibles sépa- rées, ou bien une cible en forme de feuille, constituée d'un mélange de Si et de C, peuvent être utilisés et la pulvérisation est effectuée dans une atmosphère gazeuse contenant au moins un atome H ou un atome d'halogène. Comme gaz de départ pour l'introduction d'un atome de carbone, d'un atome d'hydrogène ou d'un atome d'halogène, on peut utiliser les gaz utilisés dans le procédé à décharge d'effluves tels que décrits précédemment, car ces gaz sont également efficaces dans le cas d'une pulvé- risation. Pour la formation de la seconde couche d'arrêt constituée d'une matière amorphe du type azote par-le procédé de pulvérisation, une tranche de Si monocristallin ou polycristallin, une tranche de Si 3 N 4 ou une tranche contenant du Si et du Si 3 N 4 en mélange est utilisée comme cible et soumise à une pulvérisation dans une atmosphère constituée de divers gaz. Par exemple, lorsqu'une tranche de Si est utilisée comme cible, un gaz de départ pour l'introduction d'un atome d'azote et, si cela est nécessaire, d'un atome d'hydrogène (H) et/ou d'un atome d'halogène (X), tel que H 2 et N 2 ou NH, qui peut être dilué avec un gaz de dilution 2 t 0469 T si cela est souhaité, est introduit dans une chambre de déposition pour la pulvérisation afin d'y former un plasma gazeux et de produire une pulvérisation sur la tranche de Si. En variante, on peut utiliser du Si et du Si 3 N 4 comme cibles séparées, ou bien une feuille en forme de cible constituée d'un mélange de Si et de Si 3 N 4, et la pulvérisation est effectuée dans une atmosphère constituée d'un gaz dilué utilisé comme gaz pour la pulvérisation, ou bien dans une atmosphère gazeuse contenant au moins un atome H et/ou un atome X. Comme gaz de départ pour l'introduction d'un atome d'azote, on peut utiliser ceux employés pour l'introduction d'un atome N pour la formation de la seconde couche d'arrêt, comme indiqué dans le cas o l'on utilise le pro- cédé à décharge d'effluves tel que décrit ci-dessus, ces gaz étant également efficaces dans le cas d'une pulvé- risation. Pour la formation de la seconde couche d'arrêt en une matière amorphe du type oxygène, par le procédé de pulvérisation, une tranche de Si monocristallin ou poly- cristallin, une tranche de Si O 2, une tranche contenant du Si et du Si O 2 en mélange, ou une association de ces tranches est utilisée comme cible et soumise à une pulvé- risation dans une atmosphère constituée de divers gaz. Par exemple, lorsqu'une tranche de Si est utilisée comme cible, un gaz de départ pour l'introduction d'un atome d'oxygène et, si cela est nécessaire, d'un atome d'hydrogène et/ou d'un atome d'halogène, qui peut être dilué avec un gaz de dilution si cela est souhaité, est introduit dans une chambre de déposition pour la pulvérisa- tion afin d'y former un plasma gazeux et de produire une pulvérisation sur la tranche de Si. En variante, on peut utiliser du Si et du Si O 2 comme cibles séparées, ou bien une cible en forme de feuille, constituée d'un mélange de Si et de Si O 2, et la pulvérisation est effectuée dans une atmosphère cons- tituée d'un gaz de dilution utilisé comme gaz pour la pulvérisation out bien dans une atmosphère gazeuse contenant au moins un atome d'hydrogène (H) et/ou un atome d'halogène- (X) comme éléments constitutifs Comme gaz de'départ pour l'introduction de l'atome d'oxygène, on peut utiliser les gaz mentionnés précédemment dans le cas du procédé à décharge d'effluves tel que décrit ci-dessus, ces gaz étant également efficaces dans le cas de la pulvérisa- tion. selon l'invention, on peut utiliser comme *gaz de dilution, pour former la seconde couche d'arrêt par le procédé à décharge d'effluves ou par le procédé de pulvérisation, des gaz dits rares tels que He, Ne ou Ar qui conviennent également. La seconde couche d'arrêt de l'élément selon l'in- vention est formée avec soin afin que les caractéristiques demandées puissent être obtenues exactement comme souhai- té. Autrement dit, une substance constituée de Si et d'au moins l'un des éléments comprenant C, N et O, et, facultativement, H et/ou X peut prendre diverses formes structurelles, de la forme cristalline à la forme amorphe, peut avoir diverses propriétés électriques comprises entre l'état conducteur et l'état isolant en passant par l'état semiconducteur, et diverses propriétés photo- conductrices, comprises entre l'état photoconducteur et l'état non photoconducteur, suivant les conditions de préparation Selon l'invention, les conditions de prépara- tion sont choisies avec soin de manière que l'on puisse former des matières amorphes non photoconductrices et électriquement isolantes. Comme facteur critique des conditions de préparation de la seconde couche d'arrêt constituée de la matière amorphe précitée ayant les caractéristiques décrites ci- dessus, on peut mentionner la température du support pendant la préparation de la couche. Autrement dit, lors de la formation de la seconde couche d'arrêt constituée de la matière amorphe précitée sur la surface de la première couche d'arrêt, la température du support, pendant la formation de la couche, constitue un facteur important affectant la structure et les caractéristiques de la couche formée Selon l'invention, la température du support, pendant la formation de la couche, est contrôlée avec soin afin que la matière amorphe précitée ayant les caractéristiques prévues puisse être préparée exactement comme souhaité. Pour parvenir efficacement aux objectifs de la présente invention, la température du support, pendant la formation de la seconde couche d'arrêt, est choisie de façon optimale dans une plage qui dépend du procédé de formation de la seconde couche d'arrêt, et elle peut généralement être comprise entre 20 et 3500 C, de préférence entre 50 et 3000 C et, de façon encore plus préférable, entre 100 et 2500 C Pour la formation de la seconde couche d'arrêt, il est avantageux d'adopter le procédé à décharge d'effluves ou le procédé de pulvérisation, car une forma- tion continue de la couche d'arrêt globale sur la couche photoconductrice est possible dans le même appareil et un réglage précis de la composition des atomes constituant les couches respectives et des épaisseurs des couches est relativement aisé Lorsque la seconde couche d'arrêt doit être formée conformément à ces procédés, la puissance de décharge et la pression du gaz pendant la formation de la couche peuvent être mentionnées comme des facteurs importants, influençant les caractéristiques de la seconde couche d'arrêt similairement à la température du support comme décrit ci-dessus. Les conditions de puissance de décharge pour préparer efficacement, avec une bonne productivité, une seconde couche d'arrêt ayant les caractéristiques permettant d'atteindre les objectifs de l'invention sont généralement une puissance de 1 à 300 watts, de préférence de 2 à 150 watts En ce qui concerne la pression du gaz dans la chambre de déposition, elle est généralement de 400 103 à 666 Pa, et de préférence de 1066 10 3 à 66,6 Pa. Les teneurs en atome de carbone, en atome d'azote, en atome d'oxygène, en atome d'hydrogène et en atome 2 t 04697 d'halogène de la seconde couche d'arrêt de l'élément photoconducteur selon l'invention sont également des facteurs importants pour la formation d'une seconde couche d'arrêt ayant les caractéristiques souhaitées pour attein- dre les objets de l'invention, similairement à ses condi- tions de préparation. Lorsque la seconde couche d'arrêt est constituée de a-Sia C 1-a' la teneur en atome de carbone par rapport au silicium, exprimée par le terme a, est de 0,1 à 0,4, avantageusement de 0,2 à 0,35 et de préférence de 0, 25 à 0,3 Dans le cas de a-(Sib C-b)c Hcla teneur en atome de carbone, indiquée par les termes b et c, est généralement comprise entre 0,1 et 0, 5, avantageusement entre 0,1 et 0,35 et de préférence entre 0,15 et 0,3 pour b, et elle est généralement comprise entre 0,60 et 0,99, avantageusement entre 0,65 et 0-,98 et de préfé- rence entre 0,7 et 0,95 pour c, respectivement Dans le cas de a-(Sid C 1 ad)e X 1 e e ou a_(Si f C 1-f)g(H+X) 1-g la teneur en atome de carbone est généralement comprise en pourcentage atomique, entre 40 et 90 %, avantageusement entre 50 et 90 % et de préférence entre 60 et 80 %; la teneur en atome d'halogène ou la teneur totale en atome d'halogène et en atome d'hydrogène est généralement comprise entre 1 et 20 %, avantageusement entre 1 et 18 % et de préférence entre 2 et 15 %; la teneur en atome d'hydro- gène lorsque l'atome d'halogène et l'atome d'hydrogène sont présents tous les deux, est généralement de 19 % ou moins, et de préférence de 13 % ou moins, en pourcentages atomiques; autrement dit, les termes représentés par d, e, f et y, d ou f sont généralement compris entre 0,1 et 0,47, avantageusement entre 0,1 et 0,35, de préférence entre 0,15 et 0,3, et e ou ú est généralement compris entre 0,8 et 0,99, avantageusement entre 0, 82 et 0,99, et de préférence entre 0,85 et 0,98. Lorsque la seconde couche d'arrêt est constituée d'une matière amorphe du type azote tout d'abord dans le cas de a-Sih N 1-ht la teneur en atome d'azote est généra- lement comprise entre 0,43 et 0,60, et de préférence entre 0,43 et 0,50 en ce qui concerne le terme h. Dans le cas de a-(Sii N 1 _i)j HN-j, la teneur en atome d'azote, représentée par les termes i et j, est généralement comprise entre 0,43 et 0,6, et de préférence entre 0,43 et 0, 5 pour i, et elle est généralement comprise entre 0,65 et 0,98 et de préférence entre 0,7 et 0,95 pour j, respectivement Dans le cas de a-(Sik Nl k) Xl_ ou a-Sim N m)n(H+X)_ n, la teneur en atome d'azote est 1 N-m)n généralement comprise, en pourcentage atomique, entre 30 et 60 %, et de préférence entre 40 et 60 %; la teneur en atome d'halogène ou la teneur totale en atome d'halo- gène et en atace d'hydrogène est généralement comprise entre 1 et 20 % et de préférence entre 2 et 15 %; la teneur en atome d'hydrogène, lorsque l'atome d'halogène et l'atome d'hydrogène sont présents tous les deux, est géné- ralement de 19 % ou moins, et de préférence de 13 % ou moins, et de préférence de 13 % ou moins; autrement dit, les termes représentés par k, 4, m et n, k ou sont généralement compris entre 0,43 et 0,60, de préférence entre 0,43 et 0,49, et m ou N est généralement compris entre 0,8 et 0,99, de préférence entre 0,85 et 0,98. Lorsque la seconde couche d'arrêt est constituée d'une matière amorphe du type oxygène, tout d'abord dans le cas de a-Sio O O 1-o, la teneur en atome d'oxygène est généralement comprise entre 0,33 et 0,40, et de préférence entre 0,33 et 0,37, en ce qui concerne le terme o. Dans le cas de (Sip O _p)q H _q, la teneur en atome d'oxygène, telle que représentée par p et a, est généra- lement comprise entre 0,33 et 0,40 et de préférence entre 0,33 et 0,37 pour _, et elle est généralement comprise entre 0,65 et 0,98 et de préférence entre 0,70 et 0,95 pour y, respectivement. Lorsque la seconde couche d'arrêt est constituée de a-(Si r O 1 _r)s X 1s ou a-(Sit O 1 _t)U(H+X)1 u, la teneur en atome d'oxygène est généralement comprise, en pour- centage atomique, entre 48 et 66 %, de préférence entre 51 et 66 %; la teneur en atome d'halogène ou la teneur totale en atome d'halogène et en atome d'hydrogène est généralement comprise entre 1 et 20 %, et de préférence entre 2 et 15 %, la teneur en atome d'hydrogène, lorsque l'atome d'halogène et l'atome d'hydrogène sont présents tous les deux, étant de 19 % ou moins, et de préférence de 13 % ou moins La valeur représentée par les termes r, s, t et u, r ou S est généralement comprise entre 0,33 et 0,40, et de préférence entre 0,33 et 0,37 et t ou u est généralement compris entre 0,80 et 0,99, et de pré- férence entre 0,85 et 0,98. Selon l'invention, on peut de préférence mentionner, comme oxydes métalliques électriquement isolants, pour la constitution de la seconde couche d'arrêt, Ti O 2, Ce 203, Zr O 2, Hf O 2, Ge O 2, Ca O, Be O, P 205, Y 203, Cr 203, A 120 V 3 Mg O, Mg O A 1203, Si O 2 Mg O, etc Un mélange de deux ou plusieurs types de ces composés peut également être utilisé pour former la seconde couche d'arrêt. La seconde couche d'arrêt constituée d'un oxyde métallique électriquement isolant peut être formée par le procédé de dépôt sous vide, le procédé de dépôt chimique en phase vapeur, le procédé de décomposition par décharge d'effluves, le procédé de pulvérisation, le procédé d'implantation ionique, le procédé de pulvérisation ionique, le procédé à faisceau d'électrons ou autres Ces procédés de préparation peuvent être convenablement choisis suivant les conditions de préparation, le degré d'investissement en capitaux, l'échelle de production, les caractéristiques souhaitées pour l'élément photoconducteur à préparer. Pour la formation de la seconde couche d'arrêt par le procédé de pulvérisation, par exemple, une-tranche sur laquelle une seconde couche d'arrêt doit être formée peut être utilisée comme cible et soumise à une pulvérisa- tion dans une atmosphère constituée de divers gaz tels que He, Ne ou Ar. Lorsque le procédé à faisceau d'électrons est utilisé,-on place une matière de départ pour la formation de la couche d'arrêt dans une nacelle pour déposition qui peut être irradiée par un faisceau d'électrons afin de provoquer un dépôt en phase vapeur de la matière. La plage des valeurs numériques de l'épaisseur de la seconde couche d'arrêt constitue un autre facteur important permettant d'atteindre efficacement l'objectif de l'invention et elle doit être déterminée convenablement pour qu'une corrélation souhaitée soit établie avec les caractéristiques et l'épaisseur de la première couche d'arrêt. Compte tenu des points précédents il est souhaitable que la seconde couche d'arrêt ait une épaisseur, pour atteindre efficacement les objectifs de l'invention, géné- ralement comprise entre 1 nm et 1,2 m, avantageusement entre 3 et 100 nm, et de préférence entre 5 et 80 nm. La couche photoconductrice de l'élément photo- conducteur selon l'invention, qui a pour fonction de générer des photoporteurs par absorption principalement de la lumière irradiée au moment de la formation de l'image électrostatique, est constituée de aSi(H, X) ayant les caractéristiques de semi-conduction indiquées cidessous et la sensibilité spectrale à la bande des longueurs des ondes électromagnétiques utilisées. O a-Si(H,X) du type p contenant uniquement un accepteur, ou contenant à la fois un donneur et un accepteur avec une concentration relativement plus grande en accepteur (Na); aj a-Si(H,X) de type p du type ayant une concentration relativement inférieure en accepteur (Na), par exemple le type légèrement dopé avec une impureté de type p; @ a-Si(H,X) de type N cornienant uniquement un donneur; ou contenant à la fois un donneur et un accepteur avec une concentration relativement plus forte en donneur (Nd); G a-Si(H,X) de type N du type O, ayant une concentration relativement inférieure en donneur (Nd), par exemple du type non dopé ou du type légèrement dopé avec une impureté de type N; et G a-Si(H,X) de type i Na Nd=O, ou Na S Nd. 2 t 04697 Comme matières à utiliser pour la formation d'une couche photoconductrice constituée de a-Si(H,X) ayant la conductivité indiquée ci-dessus en QJ à , on peut employer avantageusement la plupart des matières mention- nées précédemment dans la description de la première couche d'arrêt précitée. Autrement dit, lorsqu'une couche photoconductrice doit être préparée conformément au procédé de décomposition par décharge d'effluves, on peut utiliser Si H 4, Si 2 H 6, Si 3 H 8, Si 4 H 1 Q, Si F 4, Si 2 F 6, Si C 14, Si Br 4, Si H 2 F 2, Si HI 2 C 12, Si H C 13, Si H 2 Br 2, Si H Br 3, etc. Dans le cas également d'une préparation par le procédé de pulvérisation, on peut procéder de la même manière que pour la préparation de la pre- mière couche d'arrêt, en utilisant une matière convenable choisie parmi les m&nes matières que celles utilisées pour la première couche d'arrêt. Comme impuretés devant être introduites dans une couche photoconductrice afin d'en déterminer la conductivité, on peut mentionner les mêmes impuretés que celles indiquées dans la description de la première couche d'arrêt Autre- ment dit, comme impuretés de type p, on peut mentionner, comme exemples typiques, des éléments du Groupe III du Tableau Périodique tels que B, Al, Ga, In, Tl, etc, tandis que, comme iirzetés de type n, on peut mentionner les éléments du Groupe V du Tableau Périodique tels que N, P, As, Sb, Bi, etc Ces impuretés peuvent être intro- duites en quantité convenable dans une couche photo- conductrice pendant la formation de cette dernière afin que les caractéristiques souhaitées, en particulier la résistance d'obscurité et la photosensibilité, puissent avoir des valeurs satisfaisantes. Selon l'invention, ces impuretés peuvent être introduites dans la couche photoconductrice à raison de 3 10-2 % ou moins, en pourcentage atomique, dans le cas d'une impureté du Groupe III du Tableau Périodique, et à raison de 5 10-3 % ou moins, en pourcentage atomique, dans le cas d'une impureté du Groupe V du Tableau Périodique. Pour utiliser efficacement l'élément photoconducteur selon l'invention comme un élément de formation d'image pour électrophotographie, il est souhaitable d'introduire H et/ou X en quantité convenable dans la couche photo- conductrice afin d'accroître la résistance d'obscurité, la photosensibilité ainsi que le rapport SN (rapport du courant photoélectrique au courant d'obscurité) de la couche photoconductrice Dans ce cas, la quantité de H ou X à introduire dans la couche photoconductrice, ou la quantité totale de (H+X) lorsque H et X sont utilisés tous les deux, peut généralement être de 1 à 40 %, et de préférence de 5 à 30 %, en pourcentage atomique La couche photoconductrice peut avoir une épaisseur qui peut être convenablement déterminée comme souhaité afin que les photoporteurs engendrés dans la couche photoconductrice puissent être transportés dans une direction prédéterminée avec une bonne efficacité, et cette épaisseur peut géné- ralement être de 1 à 100 Am, avantageusement de 1 à 80 Nom et de préférence de 5 à 50 pom. Dans la couche photoconductrice de l'élément photo- conducteur selon l'invention, on peut également introduire, si cela est souhaité, au moins un atome de carbone(C), d'azote(N) et d'oxygène(O) afin d'accrottre davantage la résistance d'obscurité de ladite couche. Ces atomes peuvent être incorporés structurellement dans la couche photoconductrice 102 de la même manière que pour la formation de la seconde couche d'arrêt 103-2 en utilisant une matière convenable choisie parmi les mêmes matières. Selon l'invention, la quantité de carbone atomique, d'azote atomique et d'oxygène atomique que peut contenir facultativement la couche photoconductrice peut générale- ment être comprise entre 0,001 % et 30 %, avantageusement entre 0,002 et 20 %, et de préférence entre 0,005 et 20 %, en pourcentage atomique, comme quantité unique dans le cas de l'introduction d'éléments uniques, ou comme quantité totale dans le cas de l'introduction de plusieurs éléments. La figure 2 est une coupe schématique d'une autre forme de réalisation de l'élément photoconducteur selon l'invention L'élément photoconducteur 200 représenté sur la figure 2 comporte une couche superficielle d'arrêt 204 appliquée sur la surface de la couche photoconductrice 202 Par ailleurs, la structure stratifiée est-la même que celle de l'élément photoconducteur 100 représenté sur la figure 1. La couche d'arrêt superficielle 204 a pour fonction d'empêcher l'injection de charges dans la couche photo- conductrice 202 lorsqu'un traitement par charges est appliqué à la surface de la couche. La couche superficielle 204 d'arrêt peut être formée par le même procédé et avec la même matière que dans le cas de la seconde couche d'arrêt 1032 montrée sur la figure 1. La couche superficielle d'arrêt peut avoir une épaisseur qui peut être convenablement déterminée selon le choix de la matière la constituant, afin de satisfaire la fonction et les caractéristiques demandées telles qu'indiquées précédemment Cependant, cette épaisseur est généralement comprise entre 3 nm et 5 gm, et de préférence entre 5 nm et 1 Dm. EXEMPLE 1 A l'aide d'un appareil tel que représenté sur la figure 3, placé dans une chambre propre qui a été complè- tement blindée, on prépare un élément photoconducteur présentant la structure stratifiée telle que montrée sur la figure 1, en procédant aux opérations suivantes. Un substrat 302 d'acier inoxydable, coupé dans la forme d'un carré de 10 cm de côté et ayant une épaisseur de 0,5 mm, dont la surface a été nettoyée, est fixé fermement sur un élément 303 de support placé dans une position prédéterminée à l'intérieur d'une chambre 301 de déposition La cible devant recevoir une pulvérisa- tion est constituée d'une tranche 306 de silicium poly- cristallin de haute pureté ( 99,999 %) placée sur une tranche 305 de graphite de haute pureté ( 99,999 %) A ce moment, un obturateur 308, qui constitue également l'électrode, est fermé Le substrat 302 est chauffé au moyen d'un élément chauffant 304 placé à l'intérieur de l'élément 303 de support, avec une précision de + 0,50 C. La température est mesurée directement sur la face arrière du substrat 302 par un thermocouple alumel-chromel. Ensuite, après confirmation de la fermeture de toutes les valves de l'appareil, on ouvre complètement la valve principale 331 pour faire une première fois un vide d'environ 666 10 7 Pa (au cours de cette opération, toutes les valves de l'appareil sont fermées) Ensuite, on ouvre la valve auxiliaire 329, puis les valves de sortie 324, 325, 326, 327 et 328 afin d'éliminer suffisamment les gaz contenus dans les débitmètres 337, 338, 339, 340 et 341 Puis on ferme les valves de sortie 324, 325, 326, 327 et 328 et la valve auxiliaire 329 On met ensuite en marche l'élément chauffant 304 afin de donner au substrat une température de 2500 C Puis on ouvre la valve 314 d'une bouteille 309 contenant du gaz Si H 4 (pureté 99,999 %) dilué avec H 2 à 10 % en volume /le gaz étant désigné ci-après Si H 4 ( 10)/IH 7 et la valve 315 d'une bou- teille 310 contenant du gaz B 2 H 6 dilué avec H 2 à 500 ppm en volume /ce gaz étant désigné ci-après B 2 H 6 ( 500)/H 2-7 pour régler à 100 k Pa les pressions affichées par des manomètres de sortie 332 et 333 On ouvre ensuite pro- gressivement les valves d'entrée 319 et 320 pour permettre au gaz Si H 4 ( 10)/H 2 et au gaz B 2 H 6 ( 500)/H 2 de pénétrer respectivement dans les débitmètres 337 et 338 Puis on ouvre progressivement les valves de sortie 324 et 325 puis la valve auxiliaire 329 On règle les valves d'entrée 319 et 320 de manière que le rapport des débits d'ali- mentation des gaz B 2 H 6/Si H 4 soit de 350 ppm en volume. Puis, en surveillant attentivement le manomètre de Pirani 342, on règle l'ouverture de la valve auxiliaire 329 et on ouvre cette valve jusqu'à ce que la pression régnant à l'intérieur de la chambre 301 devienne égale à 133 10 2 Pa. Une fois que la pression intérieure de la chambre 301 s'est stabilisée, on ferme progressivement la valve principale 331 pour en réduire l'ouverture jusqu'à ce que le manomètre de Pirani 342 indique 26,6 Pa Après confirmation de la stabilisation de l'alimentation en gaz et de la pression intérieure, on ferme l'interrupteur de commande de la source 343 d'alimentation en énergie à haute fréquence afin d'appliquer de l'énergie, à une fréquence de 13,56 M Hz, entre l'électrode 308 et l'élément 303 de support, de façon à déclencher une décharge d'effluves dans la chambre 301, à une puissance d'entrée de 10 W Les conditions indiquées ci-dessus sont maintenues pendant 4 minutes pour former une première couche d'arrêt par dépôt de a-Si:H du type p sur le substrat 302. Ensuite, la source 343 d'alimentation en énergie à haute fréquence étant arrêtée pour interrompre la décharge d'effluves, on ferme la valve 325 de sortie puis, sous la pression de 100 k Pa (affichée sur le manomètre de sortie 334) de gaz N 2 (pureté: 99,999 %) provenant d'une bouteille 311 par l'intermédiaire d'une valve 316, on détermine l'ouverture de la valve 326 de sortie en réglant la valve 321 d'entrée et la valve 326 de sortie de manière que la valeur affichée sur le débitmètre 339 soit égale à 10 fois le débit d'écoulement du gaz Si H 4 ( 10)/H 2. Ensuite, on remet en marche la source 343 d'ali- mentation en énergie à haute fréquence afin de recommencer la décharge d'effluves La puissance d'entrée est de 10 W. Après que la décharge d'effluves a été ainsi maintenue pendant 2 minutes pour former une seconde couche d'arrêt, la source 343 d'alimentation en énergie à haute fréquence étant arrêtée, on ferme la valve 326 de sortie Ainsi, une couche globale d'arrêt, constituée d'une première couche d'arrêt et d'une seconde couche d'arrêt, est formée sur le substrat 302. Puis on ouvre de nouveau la valve 325 de sortie et on règle le rapport du débit d'écoulement du gaz B 2 H 6 à celui du gaz Si H 4 de manière que B 2 H 6/Si H 4 = 10 ppm en volume en agissant sur les valves d'entrée 319 et 320 et sur les valves de sortie 324 et 325 Puis, en réglant l'ouverture de la valve auxiliaire 329 tout en surveillant -avec soin la valeur indiquée par le manomètre de Pirani 342, on ouvre la valve auxiliaire 329 jusqu'à ce que la pression intérieure de la chambre 301 devienne égale à 133 10 2 Pa Une fois que la pression intérieure de la chambre 301 s'est stabilisée, on ferme progressivement la valve principale 331 pour en réduire l'ouverture jus- qu'à ce que le manomètre de Pirani 342 indique 26,6 Pa. Après confirmation de la stabilisation des débits d'écou- lement d'alimentation en gaz et de la pression intérieure, on met en marche la source 343 d'alimentation en énergie à haute fréquence afin de fournir une puissance d'entrée de 10 W, à une fréquence de 13,56 M Hz, pour déclencher une décharge d'effluves Les conditions indiquées ci- dessus sont maintenues pendant environ 4 heures pour former une couche photoconductrice sur la couche d'arrêt formée sur le substrat 302 Puis, la décharge d'effluves étant interrompue et la source 343 d'alimentation en énergie à haute fréquence étant arrêtée, on ferme toutes les valves. On ouvre complètement la valve principale 331 afin d'établir dans la chambre 301 une pression inférieure à 133 10 3 Pa On ferme ensuite la valve principale 331 et on établit dans la chambre 301 une pression égale à celle de l'atmosphère par l'intermédiaire d'une valve de fuite 330 On retire le substrat 302 sur lequel les couches ont été formées L'épaisseur totale des couches formées est d'environ 12 gm. L'élément de formation d'image pour électrophoto- graphie, ainsi préparé, est placé dans un appareil expé- rimental de charge et d'exposition à la lumière Une charge d'effluves est effectuée à O 6,0 k V pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement de l'irradiation d'une image lumineuse à l'aide d'une lampe au tungstène utilisée comme source de lumière, avec une quantité de lumière d'environ 1,0 lux seconde, à travers une mire transparente d'essai. * Immédiatement après, des révélateurs chargés néga- tivement (-) (contenant un agent de virage et un support) sont appliqués en cascade sur la surface de l'élément de formation d'image indiqué cidessus et l'on obtient ainsi une bonne image révélée sur la surface de cet élément. Lorsque l'image révélée sur l'élément de formation d'image est transférée sur un papier de report par charge d'effluves à @ 5,0 k V, on obtient une image claire, de haute densité, ayant une excellente résolution ainsi qu'une bonne reproductibilité de gradation. Les bouteilles 312 et 313 sont des bouteilles de rechange renfermant hermétiquement des gaz utilisés selon les besoins. En outre, après répétition 100 000 fois d'opérations analogues de charge et d'exposition à la lumière, on obtient des images transférées qui ne présentent pratique- ment pas de détérioration de qualité. EXEMPLE 2 Divers éléments photoconducteurs sont préparés à l'aide du même appareil et dans les mêmes conditions que dans l'exemple 1, sauf que les conditions pour former la première couche d'arrêt et la seconde couche d'arrêt sont modifiées comme indiqué dans le tableau I Les élé- ments photoconducteurs ainsi obtenus sont jugés sensible- ment de la même manière que dans l'exemple 1 Le résultat obtenu est que chaque élément photoconducteur présente de bonnes caractéristiques Dans ces essais, dans le cas de la formation de la seconde couche d'arrêt par le procédé de pulvérisation, une matière de pulvérisation est placée sur l'électrode 307 à l'intérieur de l'appareil, comme montré sur la figure 3, et l'obturateur 308 est ouvert pour permettre l'introduction d'un gaz souhaité De l'énergie à haute fréquence est appliquée entre l'électrode 307 et le support 303. TABLEAU I Conditions de Rapport des Procédé de préparation: Gaz de départ(ou cible) débits d'é préparation Puissance ___ __ coulement Epaisseur de la couche (nm) N d'échantillon Première couche d'arrêt 2-1 Seconde couche d'arrêt Si H 4, B 2 H 6, Ar Cible de Si polycris- tallin + cible de aranhite B 2 H 6/Si H 4 = ppm en vol. Si;C= 1:9 Effluves W Pulvérisation 100 W 2-2 Première couche d'arrêt mênes que dans échantillon n 2-1 Seconde couche d'arrêt Si H 4, C 2 H 4, H 2 1: 9: 50 Effluves 5 W 15 Première couche d'arrêt Si F 4, B 2 H 6, Ar B H 6/SF 4 = " 20 W 200 2-3 480 ppm en vol. Seconde couche d'arrêt S Si F 4, C 2 H 4, Ar 1: 9: 50 " 20 W 50 24 Première couche d'arrêt nmêxs que dans échantillon n 2-3 2-4 Seconde couche d'arrêt Cible de Si polycris- tallin; N 2 (dilué avec Pulvérisation 100 W 10 Ar à 50 % envol) Première couche d'arrêt Si H 4, B 2 H 6, H 2 B 2 H 6/Si H 4 Seconde couche d'arrt Seconde couche d'arrêt Cible de A 1203, Ar Juu ppm en vol Effluves Pulvérisation W W w N Ln o %O EXEMPLE 3 On prépare divers éléments photoconducteurs par le même procédé que celui décrit dans l'exemple 1, sauf que la durée de la décharge est modifiée pour la prépara- tion de la première couche d'arrêt et de la seconde couche d'arrêt afin de modifier l'épaisseur de ces couches Les images révélées sont formées de la même manière que dans l'exemple 1, et les estimations globales des images au stade initial et après copie répétée 50 000 fois sont - effectuées Les résultats sont donnés dans le tableau II. TABLEAU II Seconde couche d'arrêt: 1 nm 3 nm 40 nm 100 nm 1,5 Am Première couche d'arrêt: nm zn / i / 20 nm O O O X nm O O O 500 nm O O O 2 gm X o: excellent : bon X: plus ou moins discutable en pratique EXEMPLE 4 On prépare divers éléments photoconducteurs de la même manière que dans l'exemple 1, sauf que l'on fait varier la teneur en atomes de bore de la première couche d'arrêt Chaque élément photoconducteur est soumis à une estimation globale des images formées au stade initial et après des copies répétées 50 000 fois Les résultats sont donnés dans le tableau III. TABLEAU III Teneur en bore 10 30 50 100 300 1000 5000 20 000 (ppm atomique) Evaluaticn: &O@ i & O : meilleur O: excellent : bon X: plus ou moins discutable en pratique. EXEMPLE 5 On prépare un élément photoconducteur exactement de la manière décrite dans l'exemple 1, sauf que du gaz PH 3 ( 500)/H 2 (dilué avec de l'hydrogène à raison de 500 ppm en volume) est utilisé à la place du gaz B 2 H 6 ( 500)/H 2 et que le rapport des débits d'écoulement est modifié de manière à devenir PH 3/Si H 4 = 250 ppm en volume pendant la formation de la première couche d'arrêt L'élément de for- mation d'image ainsi obtenu est placé dans un appareil expérimental de charge ou d'exposition à la lumière, et une charge d'effluves est effectuée à G 5,5 k V pendant 0,2 seconde, suivie immédiatement d'une irradiation par une image lumineuse, avec une quantité de lumière de 1,0 lux seconde. Immédiatement après, on procède à un développement en appliquant en cascade un révélateur chargé positivement sur la surface de l'élément Lorsque l'image révélée est transmise par charge d'effluves de e 5,5 k V sur un papier à report, on obtient une image claire, de haute densité ayant une excellente résolution ainsi qu'une bonne repro- ductibilité de gradation Cet élément peut supporter de façon satisfaisante des utilisations répétées 100 000 fois. EXEMPLE 6 On prépare divers éléments photoconducteurs exacte- ment de la manière décrite dans l'exemple 5, sauf que là on fait varier la teneur en atome de phosphore de la première couche d'arrêt, comme indiqué dans le tableau IV. Chaque élément photoconducteur est soumis à une évaluation des images révélées formées de la même manière que dans l'exemple 5, au stade initial et après des utilisations répétées 50 000 fois Les résultats sont donnés dans le tableau IV. 2 t 04697 TABLEAU IV Teneur en phosphore 10 30 50 100 300 1000 5000 (ppmi atomique) - Evaluation: ii -a O L Ot 9: meilleur O: excellent a: bon X: plus ou moins discutable en pratique. 12 000 EXEMPLE 7 Après répétition des étapes de formation de l'élément photoconducteur décrites dans l'exemple 1, on forme une couche superficielle d'arrêt de la même manière que celle utilisée pour la formation de la seconde couche d'arrêt, sauf que la durée de la décharge est étendue à 10 minutes, c'està-dire augmentée à une valeur 5 fois égale à celle utilisée pour la formation de la seconde couche d'arrêt. L'élément photoconducteur ainsi obtenu présente une consti- tution telle que celle montrée schématiquement sur la figure 2, et l'image, évaluée par le même procédé que celui décrit dans l'exemple 1, donne un très bon résultat. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées à l'élément décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 Elément photoconducteur, caractérisé en ce qu'il comporte un support ( 101) destiné à cet élément, une couche photoconductrice ( 102) constituée d'une matière amorphe comprenant du silicium atomique formant une matrice, et une couche d'arrêt ( 103) placée entre le support et la couche photoconductrice et ayant une structure à deux cou- ches, constituée d'une première couche d'arrêt ( 103-1) formée d'une matière amorphe comprenant du silicium atomique qui forme une matrice et contenant des impuretés qui en règlent la conductivité, et une seconde couche d'arrêt ( 103-2) constituée d'une matière électriquement isolante différente de ladite matière amorphe constituant la première couche d'arrêt. 2 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'arrêt a pour fonction d'empêcher l'injection de porteurs libres provenant du côté du support et se dirigeant vers le côté de la couche photo- conductrice, et de permettre le passage de photoporteurs migrant vers le côté du support et faisant partie des photoporteurs générés dans la couche photoconductrice sous l'effet d'une irradiation par une onde électromagnétique à laquelle ladite couche photoconductrice est sensible, vers le côté du support. 3 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière amorphe constituant la couche photoconductrice contient au moins l'un des atomes d'hydrogène et d'halogène. 4 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde couche d'arrêt est consti- tuée d'une matière amorphe contenant au moins l'un des atomes choisis dans le groupe comprenant l'atome de carbone, l'atome d'azote et l'atome d'oxygène, cet atome étant renfermé dans la matrice de silicium atomique. 5 Elément photoconducteur selon la -revendication 4, caractérisé en ce que la matière amorphe contient au moins l'un des atomes d'hydrogène et d'halogène. 2 t 04697 6 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde couche d'arrêt est cons- tituée d'un oxyde métallique électriquement isolant. 7 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la teneur en inpuretés de la première couche d'arrêt est comprise entre 30 et 5 104 ppm sur base atomique. 8 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la première couche d'arrêt est comprise entre 5 nm et 2 Nom. 9 Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur de la seconde couche d'arrêt est comprise entre 1 nm et 1,2 m. Elément photoconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'impureté est une impureté du type p. 11 Elément photoconducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'impureté du type p est un atome choisi parmi les atomes appartenant au Groupe III du Tableau Périodique. 12 Elément photocorducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'impureté est une impureté du type n. 13 Elément photoconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'impureté du type N est un atome choisi parmi les atomes appartenant au Groupe V du Tableau Périodique.