FR 2500198 A1 19820820 FR 8103060 A 19810217 A 2500198 MEMOIRE MORTE A ADRESSAGE MODIFIE La présente invention concerne les mémoires mortes pro- grammables agencées en matrices de points mémoires adressables par lignes et/ou par colonnes, et plus particulièrement les mémoires mortes servant à effectuer une microprogrammation au sein d'un circuit intégré. Ces mémoires font partie du circuit intégré et ont pour fonction de fournir à leurs sorties des mots de chiffres binaires (bits) qui sont des instructions enregistrées à des adresses dé- terminées désignant le carrefour d'une ligne et d'une colonne de la matrice. Dans la plus grande généralité des cas, il s'agit de ma- trices de N points mémoires agencés en L lignes de M mots -de P bits chacun. L'un de ces nombres, notammment M ou P, peut d'ailleurs être égal à 1. Dans toutes les mémoires mortes de microprogrammation existant actuellement, P peut être quelconque, mais on s'arrange pour que L et M soient chacun des nombres multiples de 2 pouvant s'écrire respectivement sous la forme 2k pour L et 2m pour M. On a alors k entrées d'adressage de lignes de la matrice et m entrées d'adressage de colonnes; n'importe quel nombre à k chiffres binai- res appliqué aux entrées d'adressage de lignes désigne alors une ligne et une seule de la matrice, et de même n'importe quel nombre à m chiffres binaires appliqué aux entrées d'adressage de colonnes désigne une colonne et une seule. La combinaison de ces deux adresses désigne un emplacement de mot et un seul dans la mémoire. 2k x 2m mots de P bits peuvent ainsi être enregistrés dans une matrice à N - 2k x 2m x P points mémoires, avec k entrées d'adressage de lignes et m entrées d'adressage de colonnes; P sor- ties de bits sont prévues pour fournir les mots ou instructions enregistrés au carrefour d'une colonne et d'une ligne désignées par leurs adresses. 2500 1 9 8 L'invention résulte de la remarque inattendue selon la- quelle on doit pouvoir stocker dans une mémoire à L lignes et M colonnes de mots de P bits un nombre de mots supérieurs à L x M, contrairement à ce qui a été expliqué ci-dessus, c'est à dire con- trairement au cas général o on considère toujours que le nombre de mots stockables dans une mémoire de microprogrammation est égal au nombre d'emplacements de mots dans la mémoire. En présentant les choses différemment, la présente inven- tion propose de réduire le nombre de points mémoires d'une matrice I0 sans pour autant réduire le nombre de mots de P bits que l'on peut extraire de celle-ci. Plus précisémment, en gardant k entrées d'adressage de lignes et m entrées d'adressage de colonnes (et toujours P bits dans chaque colonne), donc à priori un nombre d'adresses de mots égal à 2k x 2m, on s'arrange pour réduire le nombre d'emplacements réels de mots, et pour cela on réduit le nombre L de lignes ou le nombre M de colonnes en rendant L inférieur à 2k ou M inférieur à 2m (dans certaines limites que l'on verra dans la suite). Il en résulte un avantage essentiel qui est la réduction d'encombrement sur le circuit intégré réalisé: la surface de la mémoire est proportionnelle aux nombres de lignes et colonnes de points mémoires et il est particulièrement intéressant de réduire ceux-ci pour une capacité de stockage donnée. Selon la présente invention on propose de faire un double mode d'adressage de la mémoire en ce sens que pour certaines adresses de lignes et colonnes reçues par les entrées d'adressage de lignes et colonnes, un mot unique sera désigné et émis sur les sorties de la mémoire, ce mot étant au carrefour d'une ligne et d'une colonne déterminées, tandis que pour d'autres adresses, deux mots seront désignés, qui sont aux carrefours de deux lignes et une colonne ou une ligne et deux colonnes, ces mots étant combinés selon une fonction logique simple (ET, OU, NON-ET ou NI) et ainsi émis sur les sorties de la mémoire. Ceci signifie que la mémoire peut émettre non seulement les mots eux-mêmes qui sont stockés mais par exemple aussi la som- me ou le produit de deux mots. 2500 1 98 L'intérêt de l'invention est que cette possibilité de stockage de mots en vue de la restitution de plus de mots qu'il n'en a été stocké effectivement, est particulièrement simple à ex- ploiter dans les mémoires intégrées logiques actuelles. En effet, ces mémoires sont agencées de telle manière que le plus souvent il n'y a aucun élément à rajouter au niveau de la mémoire pour obte- nir la somme ou le produit de deux mots stockés dans deux lignes ou deux colonnes il suffit de désigner ces deux lignes ou colon- nes au lieu d'une seule et, par construction, la sortie se trouve- ra être une combinaison logique simple (ET, OU etc...) des deux mots. On explicitera mieux ce point dans la suite. Mais d'ores et déjà on peut dire que la seule modification à apporter à la mémoi- re se situe au niveau du décodage des adresses d'entrée: il faut pouvoir désigner soit une seule ligne ou colonne (comme d'habitude) soit deux à la fois. Ainsi, l'invention se définit comme étant une mémoire morte programmable à N points mémoires agencés en L lignes de M mots de P bits chacun (N - L x M x P), avec k entrées d'adressage de lignes, L portes de décodage de lignes ayant des entrées commu- nes et chacune une sortie désignant une ligne parmi L selon les niveaux logiques appliqués aux entrées, m entrées d'adressage de colonnes, M portes de décodage de colonnes ayant des entrées de désignation communes et désignant chacune une colonne de mots par- mi M, c'est à dire en fait P colonnes de bits, selon les niveaux logiques appliqués aux entrées communes des portes de décodage de colonnes, et P sorties de bits aptes à transmettre les informa- tions en mémoire dans les P points mémoires au carrefour d'une li- gne et d'une colonne de mot désignées respectivement par une porte de décodage de lignes et une porte de décodage de colonnes, cette mémoire comportant selon l'invention, dans le but de rendre supé- rieur à L x M le nombre de mots de P bits qui peuvent en être ex- traits alors que L x M mots y sont effectivement stockés, les caractéristiques suivantes - d'une part le nombre de lignes L et/ou respectivement le nombre de colonnes de mots M est strictement inférieur à 2k (ou respectivement 2n), 2500 1 98 - d'autre part un décodeur supplémentaire est prévu entre les entrées d'adressage de lignes et/ou respectivement de colonnes et les entrées communes des portes de décodage de lignes (resp. de colonnes), ce décodeur étant apte à transmettre aux entrées des portes de décodage de lignes (resp. de colonnes) des niveaux logiques correspondant + à la désignation d'une seule ligne (resp. colonne) pour certaines adresses reçues par le décodeur supplémen- taire, + à la désignation de deux lignes (resp. colonnes) pour d'autres adresses reçues par le décodeur supplémentaire, les mots appliqués aux sorties de la mémoire étant dans le deuxiè- me cas une fonction logique simple (ET, OU, NAND, NOR) des mots stockés aux intersections d'une colonne (resp. ligne) désignée et de chaque ligne (resp. colonne) désignée. On expliquera dans la suite comment, pour certaines adresses reçues par le décodeur supplémentaire, celui-ci transmet, directement et sans modification, aux entrées communes des portes de décodage de lignes (resp. colonnes), les niveaux logiques et les compléments des chiffres binaires constituant les adresses reçues, et comment, pour d'autres adresses, le décodeur supplémen- taire transmet les niveaux logiques et les compléments des chif- fres binaires constituant les adresses, mais avec une modification telle que deux portes de décodage de lignes (resp. colonnes) reçoivent simultanément des niveaux logiques d'entrée qui leur font désigner simultanément deux lignes (resp. colonnes). Cette modification effectuée par le décodeur supplémen- taire pour ces autres adresses consiste en fait à appliquer sur deux entrées communes des portes de décodage de lignes (resp. colonnes), qui devraient normalement recevoir un niveau logique et son complément, deux niveaux logiques identiques. On peut prévoir que les entrées d'adressage de lignes, ou respectivement les entrées d'adressage de colonnes, compren- nent une entrée spécifique destinée au décodeur supplémentaire, le niveau logique présent sur cette entrée ayant pour fonction de dé- finir si le décodeur supplémentaire doit autoriser la désignation 2500 1 98 d'une seule ligne (resp. colonne), laquelle est alors définie par les niveaux logiques présents sur les autres entrées d'adressage, ou s'il doit autoriser la désignation de deux lignes (resp. colonnes); ces deux lignes (resp. colonnes) sont également défi- nies par les autres entrées d'adressage et sont alors de préféren- ce d'une part la ligne (resp. colonne) qui correspondrait normalement à l'adresse indiquée par ces autres entrées si le dé- codeur supplémentaire ne désignait qu'une ligne, et d'autre part une ligne correspondant à une adresse différant de la précédente par un chiffre binaire et un seul. Pour que deux portes de décodage de lignes (resp. de colonnes) désignent simultanément ces deux adresses, on prévoit qu'un inverseur commandé est inséré en amont d'une des entrées communes des portes de décodage de lignes (resp. de colonnes). Les autres entrées reçoivent les niveaux logiques correspondant aux chiffres binaires des adresses désignées et à leurs compléments. L'inverseur est commandé par l'entrée spécifique prévue parmi les entrées d'adressage. Dans une autre réalisation, on évite cette entrée spéci- fique de modification d'adressage. Les k (resp. m) entrées servent pour la définition des adresses. Le décodeur supplémentaire com- porte 2k (resp. 2m) sorties. Pour certaines adresses introduites sur les entrées d'adressage, donc sur le décodeur supplémentaire, celui-ci délivre sur ses sorties les k (resp. m) niveaux d'entrée et leurs compléments (soit 2k sorties ou respectivement 2m); ces k niveaux et leurs compléments désignent une ligne et une seule (resp. une colonne et une seule). Pour d'autres adresses, le dé- codeur délivre k-i (resp. m-l) entrées et leurs k-i (resp. m-l) compléments et deux niveaux logiques identiques sur les deux sor- ties restantes du décodeur. Ceci implique la désignation de deux lignes ou deux colonnes de la mémoire étant donné la constitution des portes de décodage de lignes (resp. colonnes) qui sont des portes simples (ET, OU, NOR ou NAND). On montrera comment on peut faire en sorte que le déco- deur supplémentaire effectue ce choix entre un adressage normal et un adressage double selon les adresses d'entrée qu'il reçoit. On 2500 1 98 peut déjà signaler que cela est possible en prévoyant que le déco- deur supplémentaire, à k entrées et 2k sorties (resp. m et 2m), transmet sur la plupart de ses sorties le niveau logique d'une en- trée correspondante et son complément comme on le fait déjà dans les mémoires classiques, à l'exception de trois sorties qui combi- nent des entrées d'une manière particulière pour fournir des si- gnaux composites. Dans le premier mode de réalisation de l'invention, o une entrée spécifique d'adressage permet de choisir le mode d'adressage (normal ou modifié) des lignes ou colonnes, l'utilisateur doit tenir compte, dans les adresses qu'il transmet à la mémoire, de la manière dont celle-ci est constituée. Dans le second mode de réalisation, l'utilisateur voit les entrées d'adressage de la mémoire exactement comme s'il s'agissait d'une mémoire classique. Il n'a pas à se préoccuper de constituer des adresses particulières car c'est le décodeur sup- plémentaire qui, quoiqu'il soit constitué de manière extrOmement simple (à la limite, deux portes à deux entrées seulement en plus des inverseurs toujours nécessaires), se débrouille pour reconnat- tre qu'un certain nombre d'adresses d'entrées nécessitent une dé- signation de deux lignes ou colonnes simultanément et pour procéder à cette désignation simultanée des lignes convenables. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ap- paraitront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 représente un diagramme schématique mon- trant l'agencement général d'une mémoire matricielle; - la figure 2 représente un exemple de réalisation prati- que d'une mémoire dans laquelle les points mémoires sont consti- tués par la connexion ou l'absence de connexion d'un transistor entre une ligne et une colonne; - la figure 3 représente une réalisation classique de portes de décodage de lignes ou de colonnes; - la figure 4 représente une structure de mémoire modi- fiée selon la présente invention; - la figure 5 représente une réalisation du décodeur sup- 2500 1 98 plémentaire avec une entrée spécifique pour l'adressage modifié; - la figure 6 représente une variante de réalisation du décodeur supplémentaire ne nécessitant pas une entrée spécifique de modification d'adressage; - la figure 7 représente un autre exemple de réalisation sans entrée spécifique de modification d'adressage. On peut faire comprendre l'invention de manière simple en montrant d'abord que deux mots de P bits peuvent être combinés très simplement pour en donner un troisième. Exemple: si on applique la fonction ET (produit logique) aux mots 0001 et 0010, on obtient 0000; de même, 0101 et 0110 donnent 0100; à partir de quatre mots on en obtient donc six si on les prend soit simplement, soit en en multipliant deux. Ainsi, si on stocke dans une matrice de points mémoires les nombres suivants: 0001 0101 1001 1101 0110 1010 1110 0011 0111 1011 1111 on peut facilement reconstituer, par une simple fonction ET re- groupant certains nombres deux à deux, les nombres 0000, 0010, , 1000, de sorte qu'au total, ayant stocké les douze nombres précédents et reconstituant les quatre autres, on dispose de la totalité des seize nombres de quatre chiffres existant. Il faut tout de suite mentionner ici que l'on aurait pu réaliser la même chose par des fonctions OU, NAND ou NOR. En effet la fonction OU sur 0001 et 0010 donne 0011 que l'on peut donc fai- re disparaître de la table. La fonction NAND appliquée à 0001 et donne 1111 que l'on peut faire disparaître. La fonction NOR appliquée à 0001 et 0010 donne 1100 que l'on peut faire disparal- tre. Quelle que soit la fonction choisie, on peut voir que sur quatre mots on peut en supprimer un (indépendamment du nombre de bits du mot). Ceci montre que l'on peut réaliser, au moins dans cet exemple simple, une mémoire qui n'aurait que douze emplacements de mots, mais dont on pourrait extraire 16 mots en utilisant soit un 250 0 1 9 8 mot stocké soit deux mots stockés combinés grâce à l'une des qua- tre fonctions logiques simples. La condition pour le faire est que l'on puisse accéder dans la mémoire à deux positions de mots simultanément et combiner ces deux mots selon la fonction choisie. On va maintenant décrire en relation avec les figures 1 et 2 une constitution classique de matrice de points mémoires, pour montrer comment on peut facilement réaliser la condition ci- dessus. La matrice de la figure 1 comprend un certain nombre de points mémoires figurés par des cercles 10, chacun au carrefour d'un conducteur de ligne 12 et d'un conducteur de colonne 14. Les points mémoires définissent chacun un état binaire 0 ou 1 et ils sont agencés, sur chaque ligne, en mots de un ou plu- sieurs bits. Dans le cas général, on peut avoir L lignes de M mots de P bits chacun, mais dans certains cas on peut avoir L lignes de M mots de 1 bit ou L lignes avec sur chacune un seul mot de P bits. La sortie de la mémoire est constituée de P sorties indi- viduelles pour permettre l'extraction d'un mot de P bits. Dans la suite on appellera généralement colonne, une co- lonne de mots, et exceptionnellement on pourra parler d'un conduc- teur de colonne de bit lorsque cela sera nécessaire. Des entrées d'adressage de lignes en nombre k permettent de définir 2k adresses possibles selon les niveaux logiques qui leur sont appliqués. Ces niveaux, et leurs compléments, sont donc dirigés sur des entrées communes d'adressage de L portes de déco- dage de lignes 16, chacune étant agencée pour répondre à la pré- sence d'une adresse bien déterminée sur ses entrées et pour désigner alors une ligne de mots bien déterminée. Toutes les {é- moires usuelles possèdent 2k lignes et 2k portes de décodage de lignes 16 si elles ont k entrées d'adressage de lignes. Des entrées d'adressage de colonnes (de mots) sont égale- ment prévues (si M est différent de 1), en nombre m (M - 2a pour toutes les mémoires usuelles). Ces entrées servent à appliquer des niveaux logiques correspondant à des adresses de colonnes, et 2500 1 98 leurs compléments, à des entrées communes de portes de décodage de colonnes (de mots) 18 qui ont pour fonction de désigner chacune une colonne déterminée afin de transmettre aux sorties de la mé- moire un mot de P bits présent dans cette colonne au niveau d'une ligne déterminée. Les portes de décodage de colonnes sont des dé- codeurs 1 parmi M et elles sont en nombre M. Chaque porte de déco- dage 18 sélectionne une colonne de mots donc P conducteurs de colonne de bits. On remarquera d'ailleurs que les conducteurs de colonnes de bits d'une même colonne de mot peuvent être adjacents, ou alors, comme à la figure 1, on peut avoir les colonnes de mots intercalées les unes dans les autres de sorte qu'une colonne de mot comprend en fait plusieurs conducteurs non adjacents. La figure 2 montre un exemple de réalisation classique dans lequel chaque point mémoire 10 comprend un transistor MOS 20 dont la grille de commande est reliée à un conducteur de ligne et dont la source et le drain sont reliés l'un à la masse, l'autre à un conducteur de colonne relié lui-même, à travers une charge résistive, à un potentiel positif. L'état du point mémoire est défini par la présence ou l'absence de ce transistor 20 entre un conducteur de ligne et un conducteur de colonne. En 10' on a représenté un autre point mé- moire dont le transistor 20' est isolé de la colonne correspondan- te et ne joue donc aucun rôle. On dira ici que la présence d'un transistor définit un état logique O pour le point mémoire, tandis que son absence ou sa déconnexion définit un état 1. Si on applique sur le conducteur de ligne i un potentiel positif, le transistor 20 conduit et met à la masse (dans le cas de la figure 1), la colonne j. Si cette colonne est sélectionnée par la porte de décodage de colonnes à laquelle elle est reliée, un niveau O sera transmis sur une sortie de la mémoire. La sélec- tion de colonne se fait par un transistor-interrupteur 22 commandé par la porte de décodage de colonne 18. Cette structure est très classique et peut se retrouver avec de nombreuses variantes. Il est facile de voir que si deux conducteurs de lignes 2500 198 transmettent simultanément un potentiel positif (alors que dans les mémoires classiques une seule ligne est désignée), le niveau logique qui se retrouvera en sortie est le produit logique des états logiques des points mémoires sur ces deux lignes, c'est à dire le produit des niveaux qu'on retrouverait sur la sortie si les lignes étaient désignées séparément. En effet, c'est la mise à la masse d'une colonne qui transmet prioritairement un zéro sur la sortie, de sorte que l'on peut dire que si au moins un transistor 20 est présent et est rendu conducteur, la colonne correspondante sera mise à la masse. C'est seulement si tous les transistors sont absents ou rendus non conducteurs que l'on retrouve un 1 sur la colonne. Il s'agit donc d'une fonction ET directement réalisée par la simple désignation de deux lignes simultanément. Le produit logique de deux mots d'une colonne se retrouve en sortie de la mémoire. On montrerait de la même manière que la configuration de la figure 2 fait que la désignation de deux colonnes simultanément produit en sortie une fonction ET sur les mots stock6s dans ces deux colonnes au niveau d'une ligne déterminée. On peut d'ailleurs aussi indiquer à cet endroit que la désignation de deux lignes et de deux colonnes simultanément produirait le produit logique des quatre mots en mémoire aux carrefours de ces deux lignes et deux colonnes. L'exemple pratique de la figure 2 fait ressortir la réa- lisation directe de fonctions ET. Si on le modifie légèrement, par exemple en prévoyant que le transistor 20 est relié d'une part à un potentiel positif et d'autre part à la colonne qui elle-mime serait reliée à la masse par l'intermédiaire d'une charge résistive, on réalise une fonction OU (somme logique) avec deux lignes ou deux colonnes commandées simultanément. De même, encore, d'autres montages simples constitue- raient des mémoires dont les sorties pourraient donner des fonc- tions NAND ou NOR de deux mots stockés dans deux lignes ou deux colonnes désignées simultanément. A la figure 3, on a représenté une porte de décodage de lignes 16 (ou de colonnes 18), tel qu'il existe dans une mémoire 2500 1 98 classique. Il s'agit d'une simple porte ET, OU, NAND ou NOR, ici une porte NOR qui reçoit sur ses entrées des signaux issus des en- trées d'adressage de la mémoire. Cette porte délivre un signal lo- gique 0, sauf si une combinaison d'entrées bien précise est reçue sur ses entrées. C'est pourquoi, bien qu'on ait représenté à la figure 1 2k entrées communes pour toutes les portes de décodage de lignes 16, en fait, les portes de décodage sont chacune connectée effectivement à k conducteurs et c'est le choix des k connexions qui détermine l'adresse à la présence de laquelle réagira une porte de décodage. Ainsi, si les entrées d'adressage sont par exemple A3, A2, Ai, AO, et les entrées communes des portes de décodage de li- gnes sont A3, A3, A2, A2, Ai, Ai, AO, AO, et si on veut qu'une porte de décodage réagisse à la présence de l'adresse 1010, on connectera les entrées de la porte NOR aux conducteurs d'entrées communes A3, A2, Ai, AO. Une autre porte de décodage devant réagir à l'adresse 1011 sera connectée aux conducteurs A3, A2, Ai, A0. Cette explication était nécessaire pour faire comprendre ensuite que si on s'arrange artificiellement pour mettre un 0 lo- gique a la fois sur le conducteur AO et sur le conducteur AO alors qu'ils devraient transmettre des niveaux complémentaires, les deux portes de décodage ci-dessus réagiront. On parlera dans toute la suite de portes de décodage 16 (ou 18 pour les colonnes) à 2k (ou 2m) entrées, en sachant bien que dans la pratique la manière la plus simple de les réaliser est d'utiliser des portes à k (ou m) entrées connectées à certains des 2k (ou 2m) conducteurs communs issus des entrées d'adressage. A la figure 4 est représenté le schéma de la mémoire se- lon l'invention. Elle diffère de la figure 1 sur les points sui- vants: - plusieurs lignes de points mémoires ont été supprimées, ainsi que les portes de décodage de lignes 16 correspondantes, de sorte que le nombre de lignes restantes L est strictement infé- rieur à 2k si k est le nombre d'entrées d'adressage; - un décodeur supplémentaire 24 a été inséré entre les 2500 19 8 entrées d'adressage de lignes et les entrées communes des portes de décodage 16, de sorte que ce ne sont plus simplement les ni- veaux logiques sur les entrées d'adressage et leurs compléments qui sont transmis aux portes de décodage de lignes. Il faut noter que les portes de décodage de lignes 16 restant sont inchangées, ainsi que les portes de décodage de colonnes. D'autre part, le décodeur supplémentaire 24 est très simple et ne produit qu'un encombrement réduit (inférieur à une seule des portes de décodage 16 qui ont été supprimées), de sorte que le gain global de place est important. Il faut noter encore que la modification d'adressage de lignes qui est représentée à la figure 3 et qui va être décrite en détail pourrait être une modification d'adressage de colonnes, au- quel cas le décodeur supplémentaire 24 serait inséré entre les en- * trées d'adressage de colonnes et les entrées des portes de décodage de colonnes, et un certain nombre de colonnes (au lieu de lignes) seraient supprimées avec les portes de décodage de colon- nes correspondantes. On peut également envisager dans certains cas de prévoir a la fois une suppression de lignes et une suppression de colonnes, avec un décodeur supplémentaire pour les lignes et un décodeur supplémentaire pour les colonnes. On décrira la suite en supposant qu'il s'agit du cas de la figure 4 (lignes), la transposition étant immédiate pour les colonnes. Deux grandes variantes de réalisation du décodeur supplé- mentaire peuvent être envisagées. Elles sont représentées à la fi- gure 5 d'une part, aux figures 6 et 7 d'autre part; toutes deux permettent de transmettre aux entrées des portes de décodage de ligne 16 conservées des niveaux logiques correspondant - soit à la désignation d'une seule ligne pour certaines adresses reçues par le décodeur supplémentaire; soit à la désignation de deux lignes pour d'autres adresses. La réalisation de la figure 5 a l'avantage d'être extré- mement simple et donc peu encombrante sur le circuit intégré, mais elle a l'inconvénient de nécessiter une entrée d'adressage 250 0 1 9 8 supplémentaire, affectée spécialement à une fonction bien particu- lière qui consiste à indiquer si le décodeur doit désigner une seule ligne ou s'il doit en désigner deux. Les k entrées normales servent à définir ces lignes. Le décodeur supplémentaire 24 comprend essentiellement des inverseurs (26) qui d'ailleurs étaient déjà nécessaires dans les mémoires classiques. Mais, en plus, un inverseur commandé 28 permet d'inverser à volonté le niveau présent sur l'une des k en- trées d'adressage normales. C'est l'entrée spécifique qui commande cet inverseur 28, lequel est constitué par exemple par une porte OU-exclusif recevant sur une entrée le signal à inverser, prove- nant directement d'une des k entrées d'adressage, et sur une au- tre entrée le signal issu de l'entrée spécifique. Sur la figure 5, on a représenté un adressage par cinq entrées AO, Ai, A2, A3 et B, l'entrée B étant l'entrée spécifique. Le décodeur possède 2k sorties pour fournir d'une part les niveaux présents sur les k entrées et d'autre part leurs k compléments, à l'exception de l'un de ces niveaux, qui, lui, est inversé ou non par l'inverseur commandé 28. En effet, si le niveau logique sur l'entrée spécifique B est 0, on a bien sur la dernière sortie le niveau logique de l'entrée AO, mais si le niveau sur B est 1,. on retrouve AO sur les deux dernières sorties au lieu d'avoir AO et son complément comme dans les mémoires classiques. Ceci permet que deux portes de décodage de lignes 16 réa- gissent simultanément (dans le cas ou B - 1) à la présence d'une adresse déterminée définie alors par Ai, A2 et A3: par exemple, si l'adresse A3, A2, Ai, AO est 1011 et si B - 1, les portes de décodage réagissant aux adresses 1011 et 1010 commanderont les deux lignes correspondantes; si B = 0, seule l'adresse 1011 sera prise en compte. Il faut remarquer que si B - 1, il faudra prévoir un état bien déterminé pour AO (état O si les portes de décodage de lignes 16 sont des portes NOR, 1 si ce sont des portes ET), pour éviter que ni l'une ni l'autre des portes de décodage ne réagissent. Ceci interdit d'utiliser certaines adresses à k+1 chiffres, ce qui est d'ailleurs normal puisqu'on ne cherche pas à extraire plus de 2500 1 98 2k mots de la mémoire. D'autres adresses sont interdites du fait que même si B - O (une seule désignation de ligne), on ne peut pas désigner des lignes qui ont été supprimées par rapport à la matrice complète de la figure 1. L'avantage de la simplicité du décodeur 24 est donc tem- péré par deux inconvénients: la nécessité d'un bit supplémentaire dans l'adresse par rapport à ce qui serait nécessaire compte tenu du nombre de mots à extraire de la mémoire; et l'obligation d'éviter d'utiliser des adresses interdites. On verra que les réa- lisations des figures 6 et 7 évitent ces deux inconvénients, moyennant un décodeur un peu plus compliqué. Pour terminer la description de la figure 5, on peut pré- ciser que n'importe laquelle des k entrées d'adressage proprement dites peut être choisie pour être commandée par l'entrée spéci- fique; on a choisi AO sur la figure 5. Bien entendu, l'utilisateur doit tenir compte de ce qui a été choisi pour savoir quelles sont les lignes qui seront combinées pour donner des mots non effecti- vement stockés dans la mémoire. Avant de décrire la réalisation de la figure 6, on va montrer sur un exemple simple que l'on peut facilement trouver des combinaisons logiques très simples permettant de faire en sorte que - pour certaines adresses à k chiffres on transmette di- rectement ces adresses à des portes de décodage de lignes 16 ef- fectivement présentes dans la matrice, - pour d'autres adresses à k chiffres, correspondant nor- malement à des portes de décodage de lignes supprimées et à des lignes supprimées, on transforme chacune de ces autres adresses en deux adresses de lignes existant réellement, pour commander simul- tanément ces deux lignes. Soit par exemple le tableau des adresses possibles pour accéder à 24 lignes (adresses à 4 chiffres AO, AI, A2, A3). Dans une mémoire normale, chacune des adresses ci-dessous donne accès à une ligne parmi 16. A3 A2 A] A0 A3 A2 AI A0 ligne 1: 0 0 0 0 ligne 9: 1 0 0 0 ligne 2: 0 0 0 1 ligne 10: 1 0 0 1 ligne 3: 0 0 1 0 ligne 11: 1 0 1 0 ligne 4: 0 0 1 1 ligne 12: 1 0 1 1 ligne 5: 0 1 0 0 ligne 13: 1 1 0 0 ligne 6: 0 1 0 1 ligne 14: 1 1 0 1 ligne 7: O 1 0 ligne 15: 1 I 1 0 ligne 8: 0 1 1 1 ligne 16: I 1 1 1 On suppose qu'on veut supprimer quatre lignes pour écono- miser 25% de place et que l'on s'arrangera lors de la programma- tion de la matrice, pour réaliser un certain nombre de mots par combinaison de mots présents dans la même colonne sur deux lignes distinctes. On peut par exemple supprimer les quatre dernières lignes et prévoir que les adresses de ces quatre lignes seront transfor- mées en adresses de deux lignes à la fois, les douze premières adresses servant toujours à désigner les douze premières lignes. Si'dans ces conditions on prévoit que la treizième adres- se servira à désigner les cinquième et sixième lignes à la fois, la quatorzième à désigner les première et seconde lignes, la quin- zième à désigner les septième et huitième lignes, et la seizième les troisième et quatrième lignes, on aboutit au tableau d'adres- ses suivant: A3 A2 A1 A0 A3 A2 Ai A0 0 0 0 0 ligne 1; 1 0 0 0 ligne 9; 0 0 0 1 ligne 2; 1 0 0 1 ligne 10; 0 0 1 0 ligne 3; 1 0 1 0 ligne 11; 0 0 1 1 ligne 4; i 0 1 1 ligne 12; 0 1 0 0 ligne 5; i 1 0 0 lignes 5 et 6; 0 1 0 1 ligne 6; 1 1 0 1 lignes 1 et 2; 0 1 1 0 ligne 7; 1 1 1 0 lignes 7 et 8; 0 1 1 1 ligne 8; 1 1 1 1 lignes 3 et 4. Il faut donc que les huit entrées communes prévues pour les décodeurs de lignes, entrées que l'on peut appeler a3, a'3, a2, a'2, al, a'l, aO, a'0, reçoivent tout simplement respective- ment A3, A3, A2, A2, A1, Ai, A0, A lorsque les douze premières !Zl aUSTI Ti111-- 9 au2Tl I0111"- 11 au2TT Olll-' ç au2TI 0II0''' Sú OI au2TI IOTII'' - au2TT 1010--- !6 aUgTI 1101-'ú au2TI 1100''' *8 aUTI 0101' - zou0TI 0100"-- !ú aUgTT I00I'** I uauTI 1000-*- : snossap-To neolqeu il suBp ZI Oú eI ap sagiolymnu selunisai sauZTI sel lueu'lsgp Tnb sajuenTns sas -s71pe sae alsaa IF isau2TI ap aaqmou al snalIlTe,p lTos anb lanb -'oa amwTAnau el 'aeiTnbuTo el 4aaqTaid el aldmexa aed 'lalenb ans auitl aun sTem sau2TT saaqTuaep ailenb sal sud uou juemTiddns ua sassaape 91 sap neatqeu al lTav9ga uoj Ts 'galia uS ÀaaoDua aldmTs snId ajTeu2uamld -dns mnapozgp un aasTlega t aaqTuem ap jauTqmou Q sallaz la jaeTld -dns V sau8Tl sal aisToqD ap alqTssod sanallTep Ise II *xnap B xnap aulqmoa uoj anb salla ia amlzddns uojT anb sauSTI sal asTsoqD oz q uoTluavll assui uonb nnanod aSessaapep saazluap aTqmou al aluam8nenbsjol axaldmoD snld npuaa sud isau xnapovgp ae *9 ain2Tj el e luasgida'lsa inapoDgp aD 'gsTmouoOu luamaaqmozual ap nual azdmoz aaqmou iTiad sqij un Isa Tnb ao 'sgnorez aig IuaATop saoisTsu-e ap auTeznop aua -alemiou 5I aaTompm aunp agessaepep sagaua sap Ivae ua aToaàad uo5eu ainoi ap lnej ITnb sanasaauT sap snld ua sanbTlol salod ap nad s9az vaAs luanbgsuoz aed 9sTT9e2 aal Inad anapoogp a- (XON saa7od sap juos 91 agepooap ap saaaod sal qo seB al suBp) ZV'V 'Or O, e ZV'úV 'OV = O 0 Ie = Ie IV = Ie ze = Ze OV'IV 'ZV = Ze çe = ú,e!ZV 'úV = úe : saluenTns sanbTgol suosTeuTqmou sel (aiTeluamglddns inapoo9p np saliaos xne Duop) saugTI ap aSepozpp ap saliod sap saqaua xne ianbTIdde,p Isa uollnlos el anb eaanoil t iTinoqe uo isaalvssazqu sanbTgol slnDlea:a 9Txg ap p_ salqe t sel 4uesTet uS ÀsajaTuTap aizenb sae inod saxaldmoz snld sUosTeuTqmoo sap -sTem 'sagnbTIdde Iuos sassaTpe 860 0SZ 2500 1 98 Les adresses des lignes supprimées servent maintenant à désigner les groupes de lignes suivants: adresses... 0000: lignes 2 et 3 : lignes 5 et 6 5...1000 : lignes 8 et 9 .1100: lignes 11 et 12 etc., s'il y en a plus. Dans ces conditions, une table de vérité adéquate montre rapidement que l'on peut faire un décodeur 24 dans lequel les 2k sorties aO, a'O, al, a'l..., au lieu d'être respectivement égales aux k entrées AO, A1... et à leurs k compléments AO, A1 (cas d'une mémoire classique), comprennent tout simplement: ) k-2 sorties a2, a3... qui sont égales aux k-2 entrées correspondantes; 2 ) k-2 sorties a'2, a'3... qui sont les compléments des précédentes, comme dans une mémoire classique; ) quatre autres sorties qui sont aO, a'O, al, a'l et qui fournissent les combinaisons suivantes a0 = AO a'O = AO.Al al - Al+AO a'l - al Le décodeur 24 qui en résulte ne comporte donc, en plus des inverseurs déjà nécessaires dans une mémoire classique, qu'une porte OU pour faire al, et une porte ET pour faire a'O. Ce décodeur est représenté à la figure 7. Par rapport au décodeur de la figure 6 il présente l'avantage d'être plus simple, mais il souffre d'un inconvénient pour l'utilisateur du fait que les adresses binaires prises dans leur ordre classique ne correspondront pas aux numéros des lignes effectivement présentes dans la matrice: par exemple, l'adresse binaire 1010 ne répondra pas à une ligne numéro 10 mais à une li- gne numéro 8. Par rapport au décodeur encore plus simple de la figure 5, les décodeurs des figures 6 et 7 présentent l'avantage de ne pas nécessiter de bit d'adressage spécifique supplémentaire (pour 2500 1 98 une même capacité), et de ne pas présenter, pour l'utilisateur, d'adresses interdites. On arriverait à des combinaisons logiques légèrement dif- férentes mais aussi simples si on avait choisi de supprimer par exemple les quatrième, huitième, douzième lignes etc., au lieu des première, cinquième etc., ou si les décodeurs de lignes étaient faits de portes ET au lieu de NOR. On ne peut évidemment décrire toutes les lplutions possibles, mais on a donné les éléments d'explication suffisants pour réaliser le décodeur supplémentaire de manière simple. On peut noter que dans certains cas, il peut être souhai- table de prévoir un décodeur supplémentaire à la fois pour les li- gnes et pour les colonnes dans une matrice o on aurait supprimé à la fois des lignes et des colonnes; dans ce cas, on peut gagner encore de l'espace en réduisant le nombre de mots effectivement stockés. On peut alors désigner une ligne et une colonne, ou deux lignes et une colonne, ou une ligne et deux colonnes, ou m4me dans certains cas deux lignes et deux colonnes, (dans ce dernier cas, le mot de sortie est la combinaison, somme ou produit, de quatre mots effectivement stockés). L'invention s'applique donc de manière très générale à toutes sortes de situations. Une condition pour la simplicité de mise en oeuvre est cependant que la lecture de deux lignes ou co- lonnes soit directement possible sans destruction des informations stockées sans qu'il soit nécessaire de rajouter des tampons d'isolation entre lignes. 250 0 1 9 8 REVENDICATIONS 1. Mémoire morte programmable à N points mémoires (10) agencés en L lignes (12) de M mots de P bits chacun (N = LxMxP), avec k entrées d'adressage de lignes, L portes de décodage de li- gnes (16) ayant des entrées communes et chacune une sortie dési- gnant une ligne parmi L selon les niveaux logiques appliqués aux entrées, m entrées d'adressage de colonnes, M portes de décodage de colonnes (18) ayant des entrées de désignation communes et dé- signant chacune une colonne de mots parmi M, c'est à dire P colon- nes de bits parmi MxP, selon les niveaux logiques appliqués aux entrées communes des portes de décodage de colonnes et P sorties de bits aptes à transmettre les informations en mémoire dans les P points mémoires au carrefour d'une ligne et d'une colonne de mot désignées respectivement par une porte de décodage de lignes et une porte de décodage de colonnes, caractérisée en ce que, dans le but de rendre supérieur à LxM le nombre de mots de P bits pouvant être appliqués à partir de la mémoire sur les P sorties alors que LxM mots sont effectivement stockés dans la mémoire, on prévoit d'une part que L et/ou respectivement M est strictement inférieur à 2k (respectivement 2X), et d'autre part qu'un décodeur supplé- mentaire (24) est prévu entre les entrées d'adressage de lignes et/ou respectivement de colonnes et les entrées communes des por- tes de décodage de lignes (resp. de colonnes), ce décodeur étant apte à transmettre aux entrées des portes de décodage de lignes (resp. de colonnes) des niveaux logiques correspondant: - à la désignation d'une seule ligne (resp. colonne) pour certaines adresses reçues par le décodeur supplémentaire; - à la désignation de deux lignes (resp. colonnes) pour d'autres adresses reçues par le décodeur supplémentaire, les mots appliqués aux sorties de la mémoire étant dans ce cas la somme ou le produit logique des mots stockés aux carrefours d'une colonne (resp. ligne) désignée et de chaque ligne (resp. colonne) désignée. 2500 1 98 2. Mémoire morte selon la revendication 1, caractérisée par le fait que le décodeur supplémentaire est agencé de telle ma- nière que pour certaines adresses reçues à son entrée il transmet- te directement et sans modification aux entrées des portes de décodage de lignes (resp. de colonnes), les niveaux logiques et les compléments des chiffres binaires constituant ces adresses, comme si les entrées d'adressage étaient reliées directement et par l'intermédiaire d'inverseurs aux entrées des portes de décoda- ge de lignes (resp. de colonnes) et que pour d'autres adresses il 0transmette aux entrées des portes de décodage de ligne (resp. de colonne) des niveaux logiques correspondant aux chiffres binaires constituant ces adresses avec une modification telle que deux des entrées communes des portes de décodage de ligne (resp. de colonne) qui devraient recevoir un chiffre et son complément 1S reçoivent en fait toutes deux le même niveau logique. 3. Mémoire morte selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisée par le fait qu'outre les k (resp. m) entrées d'adressage de lignes (resp. colonnes), il est prévu une entrée spécifique destinée au décodeur supplémentaire, le niveau logique présent sur cette entrée ayant pour fonction de définir si le dé- codeur supplémentaire doit autoriser la désignation d'une seule ligne (resp. colonne), laquelle est définie par les autres entrées d'adressage, ou doit autoriser la désignation de deux lignes (resp. colonnes), lesquelles sont définies par les autres entrées d'adressage. 4. Mémoire morte selon la revendication 3, caractérisée par le fait que les deux lignes définies par les autres entrées d'adressage sont d'une part la ligne (resp. colonne) correspondant normalement à l'adresse indiquée par ces autres entrées lorsque le décodeur supplémentaire ne désigne qu'une ligne, et d'autre part une ligne correspondant à une adresse ne différant de la précéden- te que par un chiffre binaire. 5. Mémoire morte selon la revendication 4, caractérisée par le fait que le décodeur supplémentaire comprend un inverseur commandé inséré en amont d'une entrée commune des portes de déco- dage de lignes (resp. de colonne), cet inverseur étant commandé 2500 1 98 par ladite entrée spécifique et recevant une autre entrée, le dé- codeur supplémentaire étant par ailleurs apte à fournir sur ses sorties les niveaux logiques appliqués aux entrées restantes et leurs compléments. 6. Mémoire morte selon l'une des revendication 1 et 2, caractérisée par le fait que le décodeur supplémentaire comprend k (resp. m) entrées, 2k (resp. m) sorties qui sont reliées aux en- trées des portes de décodage de lignes (resp. de colonne) et qui représentent: - soit les k (resp. m) entrées et leurs k (resp.m) com- pliments pour certaines adresses apparaissant aux entrées du déco- deur supplémentaire; - soit k-I (resp. m-1) entrées et leurs k-l (resp. ml) compléments et deux niveaux logiques identiques sur les deux sor- ties restantes du décodeur supplémentaire. 7. Mémoire morte selon la revendication 6, caractérisée par le fait que le décodeur supplémentaire fournit sur 2k-6 (resp. 2m-6) sorties respectivement le niveau logique et le complément du niveau logique apparaissant sur chacune de k-3 (resp. m-3) entrées d'adressage, que sur les six autres sorties apparaissent des com- binaisons logiques des trois autres entrées, et que les nombres représentant les adresses de lignes correspondent effectivement à la numérotation des lignes dans l'ordre de celles-ci. 8. Mémo.ire morte selon la revendication 6, caractérisée par le fait que le décodeur supplémentaire fournit sur k-2 sorties les niveaux logiques apparaissant sur k-2 entrées correspondantes, sur k-2 autres sorties les compléments de ces niveaux, et sur les quatre sorties restantes des combinaisons logiques très simples des deux entrées restantes. 9. Mémoire morte selon la revendication 8, caractérisée par le fait que le décodeur supplémentaire comprend, outre k (resp. m) inverseurs normalement présents dans les mémoires classiques, uniquement deux portes à deux entrées. 10. Mémoire morte selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisée par le fait que les points mémoires de la mémoire sont agencés de telle sorte que deux points mémoires connectés à 2500 1 9 8 une même colonne et désignés par deux lignes simultanément lais- sent apparaître en sortie de cette colonne une fonction ET, OU, NAND ou NOR des états logiques de ces points mémoires. 11. Mémoire morte selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisée par le fait que les portes de décodage de colonnes commandent la connexion des colonnes aux sorties de bits de telle manière que si deux portes de décodage de colonnes sont actionnées simultanément, il apparait sur la sortie de bit à laquelle les co- lonnes correspondantes sont ainsi simultanément connectées, une fonction OU, ET, NAND ou NOR des états logiques transmis sur les deux colonnes par les points mémoires correspondant à l'intersection de ces deux colonnes et d'une ligne désignée. 12. Mémoire morte selon l'une des revendications 8 et 9, caractérisée par le fait que les points mémoires sont des transis- tors dont une électrode de commande est reliée à la sortie d'une porte de décodage de lignes, et deux autres électrodes sont res- pectivement reliées à une colonne et à un potentiel fixe. 13. Mémoire morte selon la revendication 10, caractérisée par le fait que les portes de décodage de colonne sont reliés aux électrodes de commande de p transistors dont les autres électrodes sont connectées respectivement à une colonne et à une sortie de bit.