FR 2487125 A1 19820122 FR 8114109 A 19810720 La présente invention concerne un procédé permet- tant la formation de zones très étroites dans des circuits intégrés, ce procédé convenant notamment à la formation d'espaces, de grilles, de régions dopées ou de transistors et à l'isolement de composants actifs. Il existe essentiellement deux procédés classiques d'isolement électrique de composants intégrés dans une pla- quette de silicium, l'isolement par jonction et l'isolement par un oxyde "isoplanaire", cette dernière technique étant décrite dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique no 3 648 125. Cependant, l'isolement par un oxyde isoplanaire présente l'inconvénient de limiter la largeur minimale des régions d'isolement à la largeur minimale de traits qui peut être obtenue en photolithographie utilisée pour la fabrication des dispositifs isoplanaires. En outre, lorsque la gorge d'isolement est trop large, le remplissage de cette région par oxydation de la gorge est difficile, sauf à des tempé- ratures qui peuvent détériorer sérieusement les composants isoplanaires, à moins que la structure du semi-conducteur soit modifiée afin que les effets des températures élevées soient réduits. La demande de brevet français déposée ce même jour par la Demanderesse sous le titre "Procédé de fabrication de plusieurs composants sur un seul corps semi-conducteur et objets manufacturés formés par sa mise en oeuvre" décrit la difficulté du remplissage du fossé d'isolement qui est souhaitable lors de l'application des dispositifs d'inter- connexion électrique sur le circuit intégré et indique que ce problème est résolu par utilisation d'une résine isolante de l'électricité pouvant être appliquée sur le corps de silicium à une température nettement inférieure à celle qui est nécessaire à la formation de l'oxyde de silicium. Une résine avantageuse à cet effet est un polyimide. Cependant, on constate selon l'invention que le problème de l'isolement peut aussi être résolu par attaque dans le corps semi-con- ducteur de gorges qui ont une largeur si faible que la croissance de l'oxyde sur les parois de la gorge ne nécessite pas le traitement du circuit intégré à température élevée pendant de longues périodes. Cependant, étant donné les restrictions imposées par la photolithographie, on n'a pas réussi à fabriquer de telles gorges étroites jusqu'àpré- sent. On a aussi utilisé la photolithographie pour la construction de dispositifs électriques ayant des largeurs très faibles. Des exemples de ces dispositifs sont les ré- sistances, les diodes et les éléments de grille des transis- tors à effet de champ du type métal-oxyde-semi-conducteur utilisés dans les circuits intégrés. On a noté que, si les éléments formant les grilles pouvaient avoir une dimension réduite, des éléments plus nombreux pourraient être placés sur une seule paillette de silicium et réduiraient le coût glo- - 15 bal du circuit intégré. La réduction de surface assure aus- si une réduction de la capacité parasite et ainsi une réduc- tion des temps minimaux de réponse des éléments du circuit intégré. En outre, si l'on pouvait réaliser les grilles des transistors à grille de silicium avec des canaux plus courts, les transistors métal-oxyde-semiconducteur posséderaient une vitesse exceptionnelle avec des tensions réduites de seuil. Comme indiqué précédemment, les résultats avanta- geux indiqués précédemment ne peuvent pas être obtenus par mise en oeuvre de la photolithographie classique. Dans des conditions optimales obtenues à l'aide de lumière ultra- violette et de-réserves photographiques négatives, la lar- geur minimale des traits qui peuvent être obtenus dans la photolithographie classique est d'environ 4 microns O (40 000 A). Lorsqu'on utilise une réserve photographique positive, cette valeur minimale peut être réduite jusqu'à 2 à 3 microns. Récemment, la photolithographie par faisceau électronique a donné des largeurs minimales de traits de l micron. En outre, comme l'indique le brevet précité des Etats-Unis d'Amérique n0 3 648 125, l'utilisation d'un mas- que de réserve photographique présente l'inconvénient sup- plémentaire de posséder des défauts sous forme de trous rejoi- gnant la matière photosensible et qui peuvent donner un cer- tain nombre de résultats inacceptables dont la nature dépend de l'endroit o apparaissent ces trous, sur le circuit inté- gré. L'invention concerne l'isolement électrique de composants actifs sur un circuit intégré, sans les incon- vénients indiqués précédemment. Elle concerne aussi un procédé de construction de dispositifs électriques ayant une faible largeur. Elle concerne aussi la réalisation de régions d'isolement qui sont plus étroites que celles qu'on peut obtenir par mise en oeuvre de la photolithographie classique. Elle concerne la réalisation de largeur d'isole- ment d'environ 1000 à 20 000 A. Elle concerne aussi la fabrication de grilles pour transistors à grille de silicium ayant une vitesse excep- tionnelle due à la faible longueur des canaux et à la faible capacité. L'invention concerne plus précisément un procédé de formâtion d'un espace étroit dans une matière, ce procédé comprenant A. la formation d'une première couche formant ca- che sur la matière, B. la formation d'une seconde couche formant ca- che sur la première couche formant cache, C. la formation d'une zone attaquée par affouille- ment, par attaque par affouillement partiel de la première couche formant cache au-dessous de la seconde couche formant cache, D. le remplissage pratiquement en totalité de la région attaquée par affouillement par une couche destinée à cacher la matière qui se trouve au-dessous de la zone atta- quée par affouillement, E. la formation d'une troisième couche formant ca- che sur la matière qui n'est pas encore couverte par la pre- mière couche formant cache ou la région attaquée par affouil- lement, F. l'enlèvement de la seconde couche formant cache et de la couche formant cache qui se trouve dans la zone attaquée par affouillement, et G. la formation d'un espace dans la matière entre la première et la troisième couche formant cache. La mise en oeuvre des différentes étapes précitées permet la formation d'un espace extrêmement étroit dans une matière telle qu'un substrat semi-conducteur, sans les li- mitations imposées par la photolithographie classique. Selon ces opérations, la largeur de l'espace étroit est fonction de l'importance de l'attaque par affouillement. Le même pro- cédé d'établissement d'une région attaquée par affouillement et de remplissage de cette région par une matière délimitée ultérieurement peut aussi être utilisé pour la formation d'une grille étroite sur un corps semi-conducteur par exem- ple lors de la fabrication d'un transistor du type métal- oxyde-semi-conducteur MOS. Plus précisément, la grille étroite peut être formée par A. formation d'une première couche formant cache sur le corps semi-conducteur, B. formation d'une seconde couche formant cache sur la première couche formant cache, C. formation d'une zone attaquée par affouillement, par attaque partielle par affouillement de la première couche formant cache au-dessous de la seconde, D. remplissage pratiquement total de la zone at- taquée par affouillement à l'aide d'une matière formant la grille étroite, et E. enlèvement de la première et de la seconde cou- che formant cache. D'autres caractéristiques et avantages de l'inven- tion ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels - les figures l à 8 sont des coupes transversales illustrant la mise en oeuvre des différentes opérations du procédé selon l'invention; et - les figures 9 à 13A sont des coupes et la figure 13B est une élévation illustrant la mise en oeuvre du procédé selon l'invention pour la fabrication d'un transistor à effet de champ MOS à grille de silicium. On décrit l'invention en référence aux figures l à 13B dans le cas des matières utilisées pour la fabrica- tion de régions d'isolement et d'un transistor du type métal-oxyde-semi-conducteur MOS, dans des corps de silicium. Il faut cependant noter que ces matières sont données à ti- tre purement illustratif et que l'invention n'est pas limi- tée à celle-ci. Par raison de simplicité, la figure l représente un substrat i de silicium n'ayant pas d'élément actif. Ce- pendant, ce substrat l peut avoir des régions diffusées ou des couches épitaxiales formées préalablement, comme décrit dans le brevet précité des Etats-Unis d'Amérique n0 3 648 125. Une couche de silice 2 est formée sur la couche i et une couche 3 de nitrure de silicium est formée par des- sus. La couche de nitrure de silicium a été partiellement attaquée afin qu'une partie de la couche 2 de silice appa- raisse, dans la structure représentée sur la figure l. Le nitrure de silicium peut être attaqué par tout procédé bien connu, par exemple à l'aide d'acide phosphorique qui enlève des régions non protégées par un cache. Comme indiqué sur la figure 2, la couche 2 de si- lice peut alors être retirée en partie afin qu'elle délimi- te la zone 5 attaquée par affouillement. L'importance de l'attaque par affouillement, représentée sur la figure 2, correspond à la largeur de la région d'isolement formée au cours des étapes ultérieures de fabrication. Ainsi, la quan- tité de silice qui est retirée pour la formation de cette zone 5 doit être réglée avec précision afin que la dimension de la région d'isolement puisse être préalablement sélec- tionnée et maintenue avec une précision uniforme. On cons- tate qu'on obtient le meilleur réglage par exposition de la structure à une substance tamponnée d'attaquede l'oxyde pen- dant une période spécifiée. Un exemple de substance tampon- née contient NH4F/HF et on constate que la dilution de ce mélange à raison d'environ 6 parties de NH4F par partie de HF donne une attaque à une vitesse qui peut être facilement réglée par un seul opérateur. La figure 3 représente le résultat de plusieurs opérations de traitement. Au début, la couche 6 d'oxyde est formée sur la face supérieure du substrat de silicium afin qu'elle forme une base pour un dépôt ultérieur de nitrure de silicium. Le dépôt du nitrure de silicium sur le sili- cium nu doit être évité car le nitrure réagit avec le subs- trat de silicium. Lorsque la couche 10 d'oxyde est formée, un revêtement supplémentaire de nitrure de silicium, repré- senté sous forme des couches 4 et 7 est appliqué et revêt la couche préalable 3 de nitrure de silicium tout en rem- plissant la zone 5 formée par attaque par affouillement. Lors de la mise en oeuvre de l'invention, il est souhaitable que toutes les surfaces exposées de la zone 5 soient recou- vertes. On constate qu'un dépôt chimique en phase vapeur à basse pression de nitrure de silicium permet très avanta- geusement l'application du nitrure sur les surfaces d'accès très réduit constituant lazone 5 attaquée par affouillement. L'épaisseur du nitrure de silicium convenablement appliqué dans la zone 5 doit correspondre sensiblement au double de l'épaisseur du nitrure repéré par les références 4 et 7 si bien que la région 5 attaquée par affouillement est prati- quement remplie de nitrure de silicium. L'opération suivante du procédé de l'invention est représentée sur la figure 4 et le nitrure de silicium est retiré de la face supérieure de la plaquette. On note que, à la suite des étapes précédentes de traitement, les couches 4 et 7 ont pratiquement la même épaisseur et c'est cette épaisseur qui est retirée pendant cette opération - d'attaque du nitrure de silicium. L'attaque peut être réalisée par tout procédé connu, par exemple à l'aide d'acide phosphorique qui donne une structure telle que représentée sur la figure 4. Il apparaît que l'opération illustrée par la figure 4 permet le remplissage de la zone par le nitrure 8 de silicium. L'importance de ce remplis- sage apparaît clairement d'après la description des opérations qui suivent. La figure 5 représente la formation d'une région 9 de silice dans le corps l de silice. L'opération peut être réalisée par toute technique connue telle que l'oxydation thermique. Comme la silice ne se forme pas à l'endroit o la plaquette est protégée par le nitrure de silicium, cette croissance de la couche de silice est sélective et n'a lieu que dans les zones prédéterminées qui se trouvent en dehors du dépôt de nitrure de silicium. Après la formation de l'oxyde, tout le nitrure de silicium peut être retiré et donne la structure représentée sur la figure 6. La région a une largeur qui correspond à celle de la zone 5 formée par attaque chimique avec affouillement. Ainsi, la sélection de l'importance de l'attaque par affouillement permet la sé- lection préalable de la largeur de la zone 10. La structure représentée sur la figure 6 peut alori subir une opération d'attaque de l'oxyde qui ne retire que L couche 6 dans la zone 10. Lorsque l'opération est réalisée, le substrat de silicium peut être attaqué afin qu'il forme la cavité ou gorge il comme indiqué sur la figure 7. Etant donné la dimension relativement petite de cette gorge, elle peut être totalement remplie par oxydation thermique et donn( la structure indiquée sur la figure 8, le corps i de sili- cium et l'oxyde 12 remplissant totalement et entourant la gorge d'isolement. L'épaisseur de la gorge n'est nullement fixée par les limites des procédés photolithographiques mais elle est fabriquée simplement par une opération d'attaque avec affouillement comme indiqué sur la figure 2. La largeur de la gorge peut donc avoir pratiquement n'importe quelle dimension choisie préalablement qui ne peut pas être obtenue par mise en oeuvre des techniques connues. Comme indiqué précédemment, l'invention peut aussi être utilisée pour la préparation de dispositifs tels que le transistors à effet de champ MOS à grille de silicium. On a déjà noté qu'il serait avantageux de réduire la largeur de 1 grille d'un transistor à effet de champ de type MOS, car la capacité parasite serait réduite et les temps minimaux de réponse du circuit intégré seraient ainsi réduits. Les fi- gures 9 à 13B montrent clairement la misé en oeuvre de l'in- vention dans une telle application. La figure 9 correspond à la figure 2 déjà décrite et le corps 13 de silicium a été revêtue d'une couche 14 de silice elle-même revêtue d'une couche 15 de nitrure de si- licium. La structure a subi une attaque chimique par affouil- lement avec formation d'une zone 17 qui est séparée du corps de silicium par la couche 16 de sil-ice. La figure 10 repré- sente le résultat de plusieurs opérations de traitement, la structure finale correspondant très étroitement à celle de la figure 4. Cependant, la structure de la figure 9 n'est pas revêtue de nitrure de silicium et le nitrure n'est pas atta- qué par de l'acide phosphorique afin que la zone formée par affouillement soit remplie car, dans ce cas, on utilise du silicium polycristallin à la place de nitrure. Ainsi, les opérations de revêtement et d'attaque chimique permettent la formation d'un corps 13 de silicium qui a été revêtu de couches 14 et 16 de silice et d'une couche 15 de nitrure de silicium ayant une- zone 17 formée par affouil- lement et totalement remplie de silicium polycristallin 18. Les opérations réelles de traitement sont identiques à cel- les qu'on a décrites en référence à la figure 4. La figure Il représente l'enlèvement de la couche 15 de nitrure de silicium. Après cette opération, la silice peut être enlevée par attaque chimique suivant toute tech- nique connue, par exemple par une matière non tamponnée d'attaque d'oxyde, si bien qu'il reste la structure re- présentée sur la figure 12. Il faut noter que l'oxyde ca- ché par le silicium polycristallin reste sur le substrat. Le transistor à effet de champ final de type MOS est fabriqué par dopage des régions non cachées par du phos- phore ou une autre matière de dopage de type n, la structure finale étant représentée en coupe sur la figure 13A et en vue en plan sur la figure 13B, avec des régions 19 et 20 dopées par le phosphore, séparées par une zone 18 de grille. Avant la mise en oeuvre de l'invention, la grille 18 ne pouvait être réalisée qu'avec la largeur permise par la photolithographie. La mise en oeuvre de l'invention per- met de réaliser la grille avec une largeur aussi faible que celle de la zone prédéterminée 17 attaquée par affouille- ment. Ainsi, l'invention peut être utilisée non seulement pour la formation de gorges d'isolement mais aussi pour la formation de zones diffusée permettant la réalisation de dispositifs tels que les résistances et les diodes. En résumé, des composants actifs formés sur un corps de silicium peuvent être isolés par les opérations suivantes: A. la formation d'une couche de silice sur le corps de silicium, B. la formation d'une couche de nitrure de silicium sur la couche de silice, la disposition d'un cache et l'at- taque chimique de la couche de nitrure de silicium, C. la formation d'une zone attaquée par affouil- lement de la couche de silice sur une largeur prédéterminée au-dessous de la couche de nitrure de silicium, D. la formation d'une couche supplémentaire de nitrure de silicium sur le corps de silicium afin que la zone attaquée par affouillement soit pratiquement remplie, E. l'enlèvement du nitrure de silicium appliqué dans l'attaque précédente sauf dans la zone attaquée par affouillement, F. la formation d'une couche de silice sur le corps de silicium dans les zones qui ne sont pas revêtues par le nitrure de silicium, G. l'enlèvement de tout le nitrure de silicium restant, H. l'attaque chimique de silice restante afin que le corps de silicium soit exposé dans la zone attaquée par affouillement, et I. l'attaque chimique du corps de silicium afin qu'une gorge d'isolement y soit formée. On peut réaliser aussi une région dopée étroite sur un corps de silicium afin de former des éléments tels que des résistances ou des diodes, par mise en oeuvre des opérations indiquées précédemment sauf l'opération I qui est remplacée par la diffusion d'une matière de dopage dans le corps de silicium, dans la zone exposée après attaque par affouillement. Comme indiqué précédemment, le procédé selon l'invention peut être utilisé pour la formation d'un tran- sistor MOS sur un corps de silicium ayant une grille ex- trêmement étroite, par répétition des étapes A, B et C indiquées précédemment, puis par utilisation des étapes suivantes: D. la formation d'une couche de silicium poly- cristallin sur le corps de silicium afin que la zone atta- quée par affouillement soit pratiquement remplie, E. l'enlèvement du silicium polycristallin appli- qué dans l'étape précédente sauf dans la zone attaquée par affouillement, F. l'enlèvement du nitrure de silicium restant, G. l'enlèvement de toute la silice dans les zones qui ne sont pas recouvertes par le silicium polycristallin,et H. la diffusion d'une matière de dopage dans le corps de silicium, dans les zones qui ne sont pas revêtues par le silicium polycristallin. L'utilisation des techniques photolithographiques connues à l'aide de lumière ultraviolette et d'une réserve photographique négative limite la largeur minimale des traits qui peuvent être obtenus avec une résolution convenable à o environ 4 microns (40 000 A) alors que l'utilisation d'une réserve photographique positive permet la réduction de cette largeur minimale des traits à 2 à 3 microns. Récem- ment, on a obtenu par photolithographique par faisceau d'électrons des largeurs minimales de traits d'environ 1 micron. La mise en oeuvre de l'invention permet la ré- alisation d'une largeur de la zone attaquée par affouille- o ment bien inférieure à 20 000 A. Lors de l'utilisation de l'invention pour la fa- brication de gorges d'isolement, on constate que, une fois les gorges formées, elles doivent être remplies afin qu'el- les présentent une surface sensiblement plane nécessaire à la formation ultérieure de connexions électriques. Dans le cas de gorges larges d'isolement, la formation d'oxyde par croissance, en quantité suffisante pour que les gorges soient remplies, est -difficile car les températures néces- saire à une telle formation thermique de l'oxyde pourraient nuire beaucoup aux composants actifs du circuit intégré, à moins que la structure du semi-conducteur soit modifiée afin que les effets des températures élevées soient réduits. La mise en oeuvre des gorges étroites selon l'invention per- met l'utilisation réelle de l'oxydation thermique des parois des gorges, pour la première fois dans la technique. Dans une variante, les gorges d'isolement peuvent être remplies de silicium polycristallin par dépôt chimique en phase va- peur à basse pression. En général, avant remplissage de la gorge par le silicium polycristallin, une mince couche de silice est d'abord formée sur les parois de la gorge. Cette technique est décrit dans la demande précitée de brevet français, déposée ce jour par la Demanderesse. Les dessins annexés indiquent aussi clairement qu'une mince couche de silicereste sur le corps de sili- cium. Cette couche mince présente dans la zone attaquée par affouillement, est repérée par les références 6 et 16. Son rôle dans la réalisation des gorges d'isolement est d'iso- ler le corps de silicium par rapport au nitrure de silicium. Lors de la fabrication d'un transistor métal-oxyde-semi- conducteur, son rôle est de séparer le silicium polycristal- lin du corps de silicium. Il est bien entendu que l'invention n'a été dé- crite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et qu'on pourra apporter toute équivalence technique dans ses éléments constitutifs sans pour autant sortir de son cadre. 12 - REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'une zone étroite (10) formant un espace dans une matière (1), ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend A. la formation d'une première couche formant cache sur la matière (1), B. la formation d'une seconde couche (3) formant cache sur la première (2), C. la formation d'une région (5) par attaque chimique avec affouillement partiel de la première couche (2) formant cache au-dessous de la seconde (3), D. le remplissage pratiquement total de la région (5) formée par attaque avec affouillement à l'aide d'une couche (8) cachant la matière (1) qui se trouve au-dessous de la région (5) attaquée avec affouillement, E. la formation d'une troisième couche (9) formant cache sur la matière (1) qui n'a pas été préalablement couverte par la première couche (2) formant cache ou la région (5) formée par attaque par affouillement, F. l'enlèvement de la seconde couche (3) formant cache et de la couche (8) formant cache qui se trouve dans la région (5) attaquée par affouillement, et G. la formation d'un espace (10) dans la matière entre la première et la troisième couche formant cache (2, 9). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région (5) attaquée avec affouillement est remplie par une couche (8) d'une matière formant cache qui peut être attaquée chimiquement sans que la première couche formant cache (2) soit attaquée. 3. Procédé-selon la revendication 1, caractérisé en ce que la troisième couche (9) formant cache a prati- quement la même composition que la première couche formant cache (2). 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région (5,10) attaquée avec affouillement n'a pas une largeur supérieure à-20 000 A environ. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche formant cache (2) est la silice. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde couche formant cache (3) est le nitrure de silicium. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche formant cache (8) qui remplit pratique- ment la région (5) formée par attaque avec affouillement est du nitrure de silicium. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la troisième couche formant cache (9) est formée de silice. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche formant cache (8) qui remplit prati- quement la région (5) attaquée avec affouillement est for- mée par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression. 10. Procédé de formation d'une région étroite consti- tuant une grille étroite (18) sur un corps semi-conducteur (13), caractérisé en ce qu'il comprend A. la formation d'une première couche (14) formant cache sur le corps semi-conducteur (13), B. la formation d'une seconde couche (15) formant cache sur la première couche (14) formant cache, C. la formation d'une région (17) par attaque chimique partielle avec affouillement de la première cou- che (14) formant cache au-dessous de la seconde (15), D. le remplissage pratiquement total de la région (17) attaquée avec affouillement à l'aide d'une matière (18) formant la grille étroite, et E. l'enlèvement de la première et de la seconde couche formant cache (14,15). 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la première couche (14) formant cache est formée de silice. 12. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la seconde couche (15) formant cache est formée de nitrure de silicium. 13. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la matière (18) qui remplit pratiquement la région (17) attaquée avec affouillement est du silicium polycristallin. 14. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la diffusion d'une matière de dopage (19, 20) dans le corps semi-conducteur (13) dans les régions adjacentes à la région attaquée (17, 18) avec affouillement. 15. Procédé de formation de zones étroites destinées à assurer l'isolement de composants actifs dans un corps (1) de silicium, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend A. la formation d'une couche (2) de silice sur le corps (1) de silicium, B. la formation d'une couche (3) de nitrure de silicium sur la couche de silice (2), C. la formation d'unerégion (5) par attaque avecaffouillement de la couche (2) de silice audessous de la couche (3) de nitrure de silicium sur une distance prédéterminée, D. la formation d'une couche supplémentaire (4) de nitrure de silicium sur le corps (1) de silicium afin que la région (5) attaquée avec affouillement soit prati- quement remplie, E. l'enlèvement du nitrure de silicium (4) appli- qué au cours de l'étape précédente sauf dans la région (5) attaquée avec affouillement, F. la formation d'une couche (9) de silice sur le corps (1) de silicium dans les régions qui ne sont pas recouvertes par du nitrure de silicium (3, 4), G. l'enlèvement de tout le nitrure de silicium restant (3, 4), H. l'attaque chimique de silice restant (2) afin que le corps (1) de silicium soit exposé dans la région (5) attaquée avec affouillement., et I. l'attaque chimique du corps (1) de silicium afin qu'une gorge (10) d'isolement y soit formée. 16. Procédé de formation d'une zone étroite destinée à former une région dopée étroite.(18) sur un corps (13) de silicium, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend A. la formation d'une couche (14) de silice sur le corps de silicium (13), B. la formation d'une couche (15) de nitrure de silicium sur la couche de silice (14), C. la formation d'une région (17) par attaque avecaffouillement de la couche de silice audessous de la couche (15) de nitrure de silicium, sur une distance prédéterminée, D. la formation d'une couche supplémentaire (18) de nitrure de silicium au-dessus du corps (13) de silicium afin que la région (17) attaquée avec affouillement soit pratiquement remplie, E. l'enlèvement du nitrure de silicium (18) ap- pliqué dans l'étape précédente sauf dans la région (17) attaquée avec affouillement, F. la formation d'une couche (16) de silice sur le corps (13) de silicium dans des régions qui ne sont pas recouvertes par du nitrure de silicium (15, 18), G. l'enlèvement de tout le nitrure de silicium restant (15, 18), H. l'attaque chimique de toute la silice restante (14) afin que le corps (13) de silicium soit exposé dans la région (17) attaquée avec affouillement, et I. la diffusion d'une matière de dopage (19, ) dans le corps (13) de silicium dans la région exposée (18) formée par attaque avec affouillement, 17. Procédé de formation de zones étroites au cours de la fabrication d'un transistor du type métal-oxyde- semi-conducteur dans un corps (13) de silicium, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend A. la formation d'une couche (14) de silice sur le corps (13) de silicium, B. la formation d'une couche (15) de nitrure de silicium sur la couche de silice (14)', C. la formation d'une région (17) par attaque avec affouillement de la couche (14) de silice au-dessous de la couche (15) de nitrure de silicium, sur une distance prédéterminée, D. la formation d'une couche (18) de silicium polycristallin au-dessus du corps (13) de silicium afin que la région (17) attaquée avecaffouillement soit pra- tiquement remplie, E. l'enlèvement du silicium polycristallin (18) appliqué dans l'étape précédente sauf dans la zone (17) attaquée avec affouillement, F. l'enlèvement de nitrure de silicium restant (15, 18), G. l'enlèvement de toute la silice (14) dans les régions qui ne sont pas recouvertes par le silicium polycristallin (18), et H. la diffusion d'une matière de dopage (19, 20) dans le corps (13) de silicium, dans les régions qui ne sont pas recouvertes par le silicium polycristallin (18). 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications à 17, caractérisé en ce que la largeur de la région (17) attaquée avec affouillemént est-inférieure à 20 000 A. 19. Procédé selon la revendication i5, caractérisé en ce que la gorge (10, 11) d'isolement est pratiquement remplie de silice (12). 20. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que la gorge (17) d'isolement porte une mince couche. (16) de silice, le reste de la gorge (17) étant pratique- ment rempli de silicium polycristallin (18). 21. Procédé selon l'une des revendications 15 et 16, caractérisé en ce qu'une mince couche (6) de silice est présente dans la région (5) attaquée avec affouillement sur le corps (1) de silicium tant que le nitrure de sili- cium (3) reste dans la région (5) attaquée avec affouille- ment. 22. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'une mince couche de silice (16) est présente dans la région (17) attaquée avec affouillement sur le corps (13) de silicium.