FR 2497390 A1 19820702 FR 8124027 A 19811222 La présente invention concerne une pâte conduc- trice et, notamment, le domaine des compositions conductrices destinées à assurer la continuité électrique de deux surfaces d'une plaquette de circuit imprimé. De telles compositions sont notamment des matériaux de liaison entre des schémas de circuits conducteurs ou encore pour réaliser des schémas de circuits conducteurs. On connaît diverses techniques pour réaliser la liaison électrique entre des couches différentes d'une pla- quette de circuit imprimé à plusieurs couches. Selon l'une de ces techniques, on.recouvre un support isolant composé d'un isolant tel qu'une résine phénolique, une résine époxy ou analogue, avec des feuilles de cuivre qui sont collées sur la face supérieure et la face inférieure pour former une plaquette avec un revêtement de cuivre laminé. Puis, onperce un orifice traversant dans une position prédéterminée de la plaquette pour traverser la plaquette et les feuilles de cuivre, perpendicu- lairement à la plaquette. Puis, on effectue un revêtement de cuivre, par voie non électrolytique, et une opération de revêtement électrolytique de cuivre pour former une couche de revêtement de cuivre sur la surface intérieure d'au moins un orifice-traversant, pour relier électriquement la feuille supérieure et la feuille inférieure de cuivre. On prévoit une résistance anti-corrosion dans l'orifice traversant et en même temps sur les parties correspondant au schéma de câblage voulu. Puis,-on enlève par attaque chimique-sélective, les parties des feuilles de cuivre pour laisser une plaquette de circuit imprimé à couches multiples, dont le schéma du circuit supé- rieur et celui du-circuit inférieur sont reliés électriquement par l'orifice traversant. Une seconde solution connue consiste à utiliser une plaquette avec un revêtement de cuivre laminé analogue a celui décrit, la plaquette étant d'abord soumise à une attaque sélective pour former les schémas de câblage sur les deux faces du support isolant. Puis, on perce un orifice traversant à travers le support à-un endroit prédéterminé; cet orifice passe dans les schémas de câblage. A la suite de cela, on introduit une pâte d'argent formée de poudre d'argent et d'un liant, dans l'orifice traversant pour relier électriquement le schéma de câblage de la face supérieure et le schéma de cablage de la face inférieure et obtenir une plaquette de circuit imprimé à double face. Toutefois, ces deux techniques présentent de nombreux inconvénients. Par exemple, dans le cas de la première solution envisagée, les opérations de revêtement sont relativement complexes et sans grande efficacité. De plus, on a le problème des eaux usées provenant du bain de revêtement, ce qui risque de créer-de la pollution. Comme le revêtement de cuivre est effectué sur toute la surface de la plaquette et qu'à la suite de cela les schémas de câblage sont attaqués sélectivement, il faut une quantité relativement importante de cuivre de revêtement, qui devient inutile. Par attaque sélective la couche de revêtement de cuivre du support peut être suffisamment attaquée pour être en contre-dépouille, ce qui amincit le schéma-de câblage et diminue la précision du schéma. Dans la seconde technique mentionnée, consistant à relier électriquement le schéma de câblage de la face supérieure -et-le schéma de câblage de la face inférieure à l'aide d'une peinture d'argent mise dans l'orifice traversant, lorsqu'une tension continue est appliquée à la-plaquette avec une certaine humidité, l'argent se déplace de la partie haute tension vers la partie basse tension et provoque une court-circuit gênant par cette tendance-à la-migration électrique de l'argent. La résis- tance de l'orifice traversant-est supérieure à celle du revé- tement de cuivre, de l'ordre d'environ cent fois et ainsi les caractéristiques haute fréquence de la plaquette à circuit sont faibles. De-plus, comme la peinture d'argent mise dans l'orifice traversant contient un liant et-un solvant, la peinture rétrécit-par thermo-durcissage-et diminue la--fiabilité du circuit. En outre, l'utilisation- de solvants organiques ou analogues crée des conditions de travail défavorables. Selon le brevet français 81 05 892, il est connu de réaliser un matériau conducteur formé d'un mélange de gallium en phase liquide et d'un métal constituant un mélange eutectique avec le gallium ainsi qu'une poudremétallique (soit un métal simple, soit une poudre d'alliage) et qui s'allie avec le gallium pour augmenter le point de fusion de la composition. Cette matière conductive se présente sous la forme d'une pâte à la température initiale de travail puis l'alliage se forme et se fixe après un certain temps. Des quantités appropriées de gallium liquide et de métal solide qui forme un - eutectique avec le gallium sont mélangées pour donner un mélange fondu. Après le refroidissement du mélange à la température de travail, on ajoute au mélange les poudres métalliques que l'on peut allier au gallium pour préparer une pâte dans laquelle la poudre métallique est en définitive alliée au gallium. Le métal qui forme l'eutectique peut être de l'indium, de l'étain, du zinc, du bismuth ou analogue. La poudre métallique qui s'allie au gallium peut être du métal pur tel que du cuivre, du nickel, du cobalt ou de l'or ou encore des alliages de ces métaux tels que l'alliage cuivre-étain, ou analogue. Le rapport des composants formant la composition contenant du gallium, le métal donnant l'eutectique et les poudres métalliques d'alliages dépend du type de métal qui forme l'eutectique ainsi que de la température de travail de ce matériau. Comme la matière conductrice contient l'alliage de gallium formé d'une composition pâteuse à la température de travail, cette pâte s'introduit facilement dans l'orifice traversant. Il n'y a pas de retrait de volume après le durcis- sement et la valeur de la résistance du matériau ainsi mis en place est très faible. Ainsi, le matériau conducteur décrit dans l'application précédente peut servir dans une plaquette de circuit multicouches et ne présente pas les caractéristiques d'électro-migration de la pâte d'argent. C'est pourquoi la pâte conductrice ci-dessus autorise une très grande diversité de forme de circuits imprimés. Il est toutefois difficile de conserver le matériau conducteur contenant le gallium, à l'état pâteux pendant un temps relativement long. Le schéma de la figure lA montre ce cas; dans ce schéma, le bain 1 de gallium et d'étain (métal eutectique) est mélangé avec de la poudre de cuivre-étain 2 pour être allié au gallium et donner un matériau conducteur constitué par l'alliage Ga-Sn-Cu à l'état pâteux. Après un certain temps, le matériau conducteur représenté à la figure lA à la température ambiante change de sorte que le gallium réagit avec le cuivre et donne des composés inter-métalliques gallium-cuivre (tels que Ga2Cu, GaCu2, etc.) et qui précipitent. En conséquence, la caractéristique de pâte disparaît progressivement. Il est alors difficile d'appliquer un revêtement ou de charger le matériau conducteur sur un endroit déterminé. Lorsque la caractéristique de pâte a disparu, il est difficile de la rétablir et cela représente une perte de matière coûteuse. La présente invention a pour but de créer une pâte conductrice destinée à une plaquette de circuit imprimé. Selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention, on a une pâte conductrice en réalisant un mélange de gallium et d'un élément métallique ou d'un alliage qui forme un mélange eutectique avec le gallium, la quantité de l'élément formant l'eutectique étant inférieure à celle suffisante pour atteindre la limite de solubilité du métal dans le gallium à la tempé- rature donnée. La pâte contient ainsi de façon dispersée, la poudre métallique qui s'allie avec le gallium pour donner un alliage à point de fusion plus élevé, le métal d'alliage étant recouvert d'un revêtement de surface constitué par le métal formant lleutectique. La présente invention sera décrite plus en détail à l'aide des dessins annexés dans lesquels: - les figures 1A et 1B sont des schémas de matériaux conducteurs en forme de pâte formée de gallium, ces schémas servant à expliquer l'invention; - la figure 2 est un schéma d'un matériau conduc- teur selon l'invention; - la figure 3 est un schéma analogue à celui de la figure 2 montrant comment le coeur de la particule réagit pendant le durcissement - la figure 4 est un graphique des caractéristiques de solubilité de métaux formant différents eutectiques en fonction de la température du gallium liquide; - la figure 5 est un graphique de la relation entre la composition de l'alliage et la température de travail; les figures 6A-6G sont des schémas servant à montrer la fabrication de matériaux conducteurs selon l'inven- tion; - la figure 7 est un schéma montrant la relation entre la composition d'un alliage du système Ga-Sn-Cu et différentes températures de travail; - les figures 8A-8D sont des vues en coupe à échelle agrandie montrant comment le matériau conducteur selon l'invention peut s'utiliser pour fabriquer un circuit imprimé à couches multiples; - les figures 9, 10, 11 sont des vues en coupe montrant d'autres plaquettes de-circuits imprimés-à couches multiples auxquelles s'applique l'invention; - les figures 12 et 13 représentent deux façons de charger le matériau conducteur selon l'invention dans l'orifice traversant d'une plaquette de circuit imprimé. - la figure 14 est une vue en coupe à échelle agrandie d'un autre exemple d'une plaquette de circuit imprimé à couche-s multiples avec mise en oeuvre de l'invention. DESCRIPTION DE DIFFERENTS MODES DE REALISATION PREFERENTIELS DE L'INVENTION. Selon l'invention, on réalise un matériau conduc- teur- en mélangeant du gallium fondu avec un métal qui forme avec le gallium un mélange eutectique, ainsi qu'une poudre métallique constituée par un seul métal ou un alliage susceptible de s'allier avec le gallium, la poudre étant revêtue par le métal formant l'eutectique. Le métal formant l'eutectique constitue ainsi une solution saturée dans le gallium à une température prédéterminée, inférieure à la température de travail donnée ultérieurement ou encore suivant une quantité supérieure à la quantité nécessaire à la saturation. Ce matériau conducteur a la propriété de conserver son état pâteux à une température faible inférieure à la température de travail mais générant une réaction pendant le chauffage à la température de travail pour donner un alliage qui durcit au cours du temps. Le métal qui forme l'eutectique avec le gallium est fondu-dans le bain formé principalement de gallium de façon à être saturé pour que le revêtement sur la poudre métallique destinée à s'allier avec le gallium ne puisse plus se dissoudre dans le bain de gallium; ainsi, le bain de gallium ne rencontre pas la poudre-de métal d'alliage. On conserve ainsi l'état piteux pendant une longue période. Si la matière conductrice analogue à une pâte, est chauffée à une température de travail, élevée (figure 3) la quantité de métal formant l'eutectique et qui peut se dissoudre dans le bain augmente et la couche de métal 12 à la surface de la poudre métallique 13 se dissout dans le bain de gallium. La poudre métallique 13 réagit ainsi avec le gallium et donne un-composé -intermétallique 14 qui durcit progressivement. Le métal qui forme l'eutectique avec le gallium peut être une combinaison d'un ou plusieurs métaux tels que l'indium, l'étain, le zinc ou le bismuth et, de préférence, un alliage tel qu'un alliage indium-étain. Comme métal formant l'alliage on peut utiliser un seul métal tel que du nickel, du cobalt, de l'or ou du cuivre ou analogue, ou encore un alliage de ces métaux tel que par exemple l'alliage nickel-cuivre, l'alliage cobalt tel que l'alliage cobalt-étain ou un alliage de cuivre tel qu'un alliage cuivre-étain (contenant plus de t de-cuivre), un alliage cuivre-zinc (contenant plus de 60 % en poids de-cuivre), un alliage cuivre-beryllium (contenant plus de 98 % en poids de cuivre) ou analogue. Il est souhaitable que les poudres métalliques utilisées ne présentent pas de couche d'oxyde à leur surface. L'étain,-le zinc, le beryllium parmi les agents d'alliages ci- dessus sont choisis de préférence pour éviterl'oxydation de la poudre de cuivre pur. La dimension des-grains des poudres métalliques doit être comprise entre 0,5 et 500-microns et, de préférence, entre 1 et 100 microns. La quantité de métal formant un eutectique avec du gallium fondu diffère suivant le type-de métal utilisé, la température de travail ou analogue. Par exemple, dans le cas d'une température de travail de 300C, la quantité de saturation est de l'ordre d'environ 10 % en poids dans le cas de létain, environ -6% en poids dans le cas du zinc, environ 20 % en poids pour l'indium. La quantité de métal formant l'eutectique qui couvre la surface de la-poudre de métal d'alliage est suffisante pour recouvrir au moins la surface. L'épaisseur de la couche de métal eutectique qui couvre la poudre d'alliage métallique ayant une dimension de grain d'environ 40 microns, est inférieure à 5-6 microns. Si l'épaisseur est supérieure à ces valeurs, la quantité de poudre de métal à allier avec le gallium devient inférieure à la quantité nécessaire pour réagir avec le gallium si bien que le matériau ne durcit pas. La figure-4-est un graphique montrant la quantité de métal formant un eutectique que l'on peut dissoudre dans le bain de gallium à différentes températures de travail. La courbe 4 représente l'indium métallique, la courbe 5 l'étain métallique et la courbe 6 le zinc métallique. Ce graphique montre que lorsque la température de-travail augmente, la quantité de métal eutectique qui peut se dissoudre dans le bain de gallium augmente très fortement. l A la fabrication d'une pâte conductrice, on pèse d'abord du gallium liquide et un métal formant un eutectique solide puis on chauffe dans un creuset à une température supérieure au point de vusion du métal formant le mélange eutectique avec le gallium, puis on mélange. On laisse refroidir le mélange ainsi préparé à une température prédéterminée par exemple à température ambiante, puis on ajoute au bain une poudre métallique qui s'allie avec le gallium et dont la surface est munie d'un revêtement du métal formant l'eutectique ci-dessus. La poudre d'alliage est bien dispersée dans le mélange et est par exemple mélangée à l'aide d'un mélangeur d'amalgames, d'un broyeur vibrant ou analogue pour obtenir la pâte conductrice voulue. Le rapport entre les composants du gallium, de l'agent formant l'eutectique et de la poudre d'alliage métallique est différent suivant le type de métal utilisé comme agent formant l'eutectique, ainsi que suivant la température de travail comme cela se détermine à l'aide de graphiques tels que ceux de la figure 7 qui seront décrits ultérieurement. La figure 5 est un graphique montrant la relation entre une composition d'alliage, générale et sa température de travail. Dans le graphique de la figure 5, la quantité de gallium est donnée par A, le métal formant le mélange eutec- tique avec le gallium est appelé B et la poudre métallique ayant sur sa surface le métal formant l'eutectique et s'alliant avec le gallium porte la référence C. Les abscisses représentent le rapport pondéral A du mélange et les ordonnées repré- sentent le rapport pondAral AB)+C des composants solides de la quantité totale de A, B, C; B(s) est la quantité des cristaux précipités de B; C représente la poudre métal- lique ajoutée à l'alliage. Dans le graphique de la figure 5, la courbe I montre la quantité minimum de C nécessaire pour réagir avec le composant A. LE courbesII montrent la relation entre la quantité ajoutée D et la quantité totale A+B () B(s) A+B et la quantité précipitée (A+B), du composant B aux diffé- rentes températures de travail, T1lC, T20C, etc. La courbe III montre les conditions optimales de l'état pâteux pour le métal conducteur ou son rapport en contenu solide,optimum A+B+) C représentant la mollesse optimum de la pâte. Ainsi, si la quantité de B porte la référence x et la température de travail égale à Ti C, la quantité minimale nécessaire de C est la quantité identifiée par a dans le graphique, la quantité de précipité f du composant B est représentée par la lettre b et la quantité de composant C nécessaire pour obtenir un état pâteux optimum porte la référence c. Ainsi la quantitéajoutée de composant C est égale à a plus c. Le rapport B A+B peut être augmenté lorsque la température de travail augmente. Suivant la composition de l'alliage, le rapport doit être supérieur à 20 % en poids à la température de travail de 1200C qui est la température de travail critique, souhaitable. Dans le cas de l'étain, la quantité doit être inférieure à 70 % en poids et dans le cas de l'indium cette quantité doit être inférieure à 90 % en poids. Si la quantité est inférieure à 20 % en poids, la malléabilité après le durcissement de la pâte est faible et la matière conductrice tend à devenir cassante. La quantité ajoutée du composant C dépend de la quantité du composant B et de la température de travail. Il faut qu'il y ait une quantité suffisante avec le composant B pour avoir le rapport de mollesse B du gallium n'ayant pas réagi si bien que la pâte ne durcit pas. Si la quantité de composant-C ajoutée dépasse 50 % en poids, il n'y a pas d'état pâteux et ainsi-la matière conductrice ne peut être introduite correctement dans l'orifice traversant. Le rapport de mollesse est de préférence supérieur à 30 % mais inférieur à 50 % et est notamment voisin de 40 %. Les températures de travail choisies sont de l'ordre de -10C à 1200C et de préférence comprises entre 200C et 800C. La température de mélange des trois composants dépend de la composition de l'alliage ainsi que de la tempé- rature de travail; cette température-dépend principalement du type de composant B utilisé. A la figure 7, le composant B est de l'étain. La température de mélange est telle que les composants mélangés restent enphase liquide et doivent rester dans la plage se trouvant en-dessous de la courbe I correspondant à l'état pâteux optimum selon le graphique de la figure 5. Le tableau suivant donne les températures de mélange recherchées dans le cas o l'étain est utilisé comme composant B. Ga+Sn 30 % 40 % 50 % 70 % température supérieure supérieure supérieure supérieure de mélange à 300C à 500C à 800C à 1200C Lorsqu'on ajoute plus d'un composant B, la tempé- rature de mélange devient-relativement faible. Le procédé de préparation de la pâte conductrice selon l'invention sera représenté en relation avec la figure 6 qui montre les diverses phases de fabrication d'un alliage gallium-étain-cuivre selon l'invention. Au cours des premières phases -(figures 6A, 6B) on pèse séparément le gallium liquide 21 et l'étain solide 22 pour avoir par exemple 40 parties en poids de gallium et 15 parties en poids d'étain, puis on mélange à une température supérieure à la température de fusion de l'étain (2320C). Après avoir chauffé le mélange jusqu'à la fusion (figure 6C), on refroidit la phase liquide il à une température de travail telle que 300C. A la température de 300C, l'étain 22 du bain entraîne la saturation du galliurà fondu et l'étain excédentaire se précipite. Le bain 11 est alors traité avec par exemple 50 parties en poids de poudre d'alliage étain- cuivre 13 appliquée comme revêtement sur la surface à l'aide d'une couche- d'étain 12 ayant une épaisseur d'environ 3 microns pour-donner un matériau conducteur 23 comme représenté à la figure 6E. Dans ce matériau conducteur 23, le gallium est saturé par de l'étain et le revêtement d'étain 12 à la surface de la poudre cuivre-étain 13 ne fond pas. Ainsi le cuivre de la poudre d'alliage 13 ne réagit pas avec le gallium et l'état pâteux reste conservé. Puis, on charge la pâte ou le matériau conducteur 23 dans la partie voulue de la plaquette du circuit pour le soumettre à un chauffage et on maintient à une température suffisamment élevée, par exemple 120'C pendant une heure de façon que le revêtement d'étain 12 à la surface de la poudre cuivre-étain se dissolve dans le bain il puis durcisse. Selon la figure 6G, la couche d'étain 12 à la surface de la poudre cuivreétain fond et le cuivre de la poudre 13 se disperse dans le bain de gallium pour donner un alliage formé de différents composés intermétalliques de formule générale GaxCuytel que par exemple Ga2Cu, GaCu2 ou analogue. La pâte 22 s'allie et durcit au cours du temps. Pendant ce durcissement, si la quantité de poudre cuivre-étain a été choisie de façon appropriée (figure 6F1) on obtient dans le matériau conducteur 23 une phase solide 24 dont le composant principal est de l'étain, une phase solide 25 dont le composant principal est du gallium- cuivre et une poudre d'étain 26 à partir de l'alliage d'origine cuivreétain. Si la quantité de poudre cuivre-étain 13 est en excédent (figure 6F2) la phase solide 24 dont le composant principal est de l'étain, une phase solide 25 dont le composant principal est du gallium-cuivre et une poudre cuivre-étain 27 qui ne réagit pas, se trouve dans le mélange. Ainsi, lorsque le matériau durcit, pratiquement tout l'étain mélangé se préci- pite, le cuivre qui n'a pas réagi avec le gallium se précipite également et on obtient un composant relativement cassant,-le gallium-cuivre. La figure 7 est un graphique montrant la relation entre la composition de l'alliage gallium-étain-cuivre pour le même type de système que celui de la figure 5. Cette compo- sition comporte de la poudre de cuivre d'une dimension de particules de 40 microns d'épaisseur sur une quantité de 90 % en poids appliquée comme revêtement à sa surface avec 10 % en poids d'étain d'une épaisseur de 1 micron. Suivant le graphique de l'alliage de la figure 7, lorsqu'on mélange 80 % en poids d'étain et 20 % en poids de gallium et qu'on fait fondre, par exemple à une température de 2350C puis que l'on réduit la température jusqu'à une température de travail de VC, la partie cristallisée b de l'étain est égale à 20 % en poids et la partie minimale nécessaire de poudre de cuivre, a, qui réagit avec le gallium représente Il % en poids. La partie de réglage c de la porosité de la pâte, qui est cons- tituée par de la poudre de cuivre, représente 8 % en poids comme l'indique la ligne en pointillés 30. En conséquence, il faut une poudre de cuivre représentant une concentration totale de 19 % en poids. Ainsi, on obtient les rapports de composition nécessaires de l'alliage gallium- étain-cuivre dans les conditions ci-dessus. Dans le graphique de la figure 7, la pâte dans la région au-dessus de la ligne d'état III optimum de la pâte durcit alors que la pâte dans la région en-dessous de la ligne III se ramollit. Il est clair que si la composition ci-dessus est utilisée à une température inférieure à 150'C, la pâte durcit et si la composition est utilisée à une tempé- rature supérieure à 150'C, la pâte ramollit trop et devient trop difficile à introduire dans l'orifice. Les rapports de composition respectifs du gallium, métal eutectique et poudre d'alliage dans le cas d'un métal eutectique qui est de l'indium, du zinc ou du bismuth, peuvent se déterminer en fonction du schéma de la composition d'alliage et de la température de travail. A la figure 8, on a représenté un exemple selon l'invention dans lequel le matériau conducteur de l'invention est utilisé pour réaliser une plaque de circuit imprimé multi-couches. Selon la figure 8A, on prépare un produit laminé 33 revêtu de cuivre formé d'une plaquette isolante 31 composée par exemple de résine phénolique, d'une résine époxy ou d'une céramique ou analogue, ainsi que de feuilles de cuivre 32, 32' que l'on fixe sur la face supérieure et la face inférieure de la plaquette 31. Les feuilles de cuivre 32, 32' de la face supérieure et de-la face inférieure sont attaquées chimiquement pour former les schémas de câblage prédéterminés 38, 38' sur les deux faces de la- plaquette 31 (figure 8B). On perce un orifice traversant 34 dans une position prédéterminée dans la plaquette 31, ce trou traversant des schémas de câblage 38, 38' (figure 8C). Puis on introduit une matière conductrice sous forme pâteuse composée de gallium, d'un métal formant un eutectique et de poudre de métal comme revêtement à la surface du métal eutectique, dans l'orifice traversant 34. Puis, la matière conductrice s'allie et durcit sous la chaleur pour donner un conducteur 39 qui relie électriquement les deux schémas de câblage 38, 38'. On obtient ainsi une plaquette de circuit imprimé 40 multi-couches comme celle de la figure 8D. Une autre variante de l'invention est représentée à la figure 12. Cette figure montre une plaquette 31 munie de schémas en cuivre 38, 38' d'un orifice traversant 34 et de couches résistantes 50 appliquées comme revêtement sur les faces de la plaquette 31 dans les zones dans lesquelles il n'y a pas de schéma 38, 38'. Une paire de raclettes 51 sont prévues sur les côtés opposés de la plaquette, Lorsque la plaquette 31 se déplace dans la direction de la flèche, la pâte conduc- trice 23 s'introduit dans l'orifice traversant 34. La matière conductrice ne se colle pas à la couche de revêtement de matière céramique formant la couche résistante 50 mais s'applique comme revêtement sur les schémas de cuivre 38, 38' pour mouiller ceux-ci et se loge dans l'orifice traversant 34. Selon la figure 13, la plaquette 31 comporte des schémas de cuivre 38, 38' et un orifice traversant 34 situé sur une plaque chaude 52 ainsi qu'un masque 55 formé d'une feuille d'acier inoxydable, d'une résine de chlorure de vinyl ou ana- logue avec des perçages 54 correspondant à l'orifice traversant 1r 34; une partie du schéma de cuivre 38, 38' est fixé au-dessus d'une surface de la plaquette 31. La matière conductrice 23 est introduite par le dessus du masque 55 à l'aide d'un galet 56 par exemple en un caoutchouc siliconé. Après avoir chargé la matière conductrice 23, on enlève le masque et on charge la matière conductrice 23 dans l'orifice traversant 34 sans qu'elle ne se fixe à d'autres parties. Il est préférable qu'après avoir chargé la matière conductrice 23 dans l'orifice traversant 34, on enlève les parties de matière conductrice 23 qui débordent de l'orifice traversant et on assure le cas échéant le lissage. Après avoir chargé la matière conductrice 23 dans l'orifice traversant 34, on chauffe la pâte pendant un certain temps pour lui faire perdre son état pâteux. On a constaté qu'après avoir chargé la matière conductrice 23 et l'avoirfait durcir, on immerge la plaquette 40 dans un bain de soudure dont la température était de 240'C; on fait durer cette immersion pendant 10 secondes et on ne constate aucune modification du matériau conducteur durci. Après un tel cycle, on a immergé la plaquette 40 dans de l'huile de polysiloxane à 2600C pendant 5 secondes puis on immerge dans une solution de trichloroéthane à 20'C et on répète dix fois le cycle: on n'a constaté aucune modification de la valeur de la résistance de l'orifice traversant ou de la forme de la section du matériau conducteur durci. La valeur de la résistance de l'orifice traversant était de 0,2 milliohms, comme pour un orifice traversant revêtu de cuivre. On imprègne du carton avec de la résine phéno- lique et on.réalise deux orifices traversants à une distance de mm. On charge la matière conductrice ci-dessus dans les deux orifices traversants et on laisse durcir. Puis, on applique une tension de 100 volts continue entre les conducteurs placés dans les deux orifices traversants et on laisse pendant 2000 heures dans une humidité relative de 95 % à une température de 40'C. Après cet essai, on n'a constaté aucun phénomène de migration électrique et la caractéristique d'isolation n'était pas détériorée. Comme cela résulte de façon évidente de ce qui précède, l'invention crée un procédé de fabrication qui est moins long et moins coûteux que les procédés connus pour revêtir des orifices traversants ou analogues. En outre, il n'y a pas d'eaux usées, puisque la mise en oeuvre de l'inven- tion ne demande pas de procédé de revêtement électrolytique. En comparant l'invention à un procédé à orifice traversant en argent, consistant à mettre une peinture d'argent dans l'orifice traversant, la présente invention augmente en tous points la fiabilité. La valeur de la résistance du matériau selon l'invention, d'un orifice traversant est inférieure à celle obtenue par le procédé d'orifice-traversant en argent, la diminution correspondant à un facteur de 100 ou plus, de sorte que l'invention donne un matériau ayant de bonnes caractéristiques aux fréquences élevées, sans. phénomène de migration électrique; l'invention peut s'appliquer à une très grande diversité de formes de circuits.puisque le dépôt. selon l'invention ne contient-pas d'argent. De plus, la matière conductrice selon l'invention contient aucun composant volatile dans la pâte si bien qu'il n'y a pas de retrait pendant le durcissement de la pâte. On a également constaté que le métal qui forme le mélange eutectique avec le gallium est contenu plus fortement dans le conducteur et le gallium réagit avec le métal d'alliage tel que du cuivre pour durcir; les composés inter-métalliques cassants gallium-cuivre sont dispersés dans le métal qui forme le mélange eutectique avec le gallium, ce qui donne une grande malléabilité. Dans l'exemple de la figure 8, la matière conductrice est appliquée à une plaquette de circuit imprimé 14 2497390 à deux couches présentant des schémas de câblage 38, 38' sur les faces opposées de la plaquette 31. Toutefois, le matériau conducteur selon l'invention peut également s'appliquer à une plaquette de circuit imprimé à couches multiples telle qu'une plaquette de circuit imprimé comportant des schémas de câblage 38 suivant quatre couches comme à la figure 9. L'invention peut également s'appliquer à une plaquette de circuit simple tel que celui de la figure 10, formé d'une plaquette isolante ayant un premier schéma de câblage 38, une couche isolante 61 et un-second schéma de câblage 38', ces diverses couches étant réalisées successivement sur la plaquette isolante 60. Une autre application telle que celle représentée à la figure il concerne une plaquette de circuit, simple, formée d'une pla- quette isolante dure 62, d'un premier schéma de câblage 38 réalisé sur la plaquette 62 ainsi que d'une plaquette de circuit souple 63 formée d'une plaquette d'isolation souple avec un second schéma de câblage 38' réalisé sur le premier schéma de câblage 38. Dans-le circuit multicouches imprimé sur les plaquettes représentées aux figures 10 et 11, on peut augmenter de plus de trois fois le nombre de couches laminées. Dans ces conditions (figure 14)-si la dimension de l'orifice des schémas augmente progressivement à partir du premier schéma 38 jusqu'aux schémas38.' et 38" laminés sur le précédent et séparés de celui-ci d'environ 0,1 à 2 mm, on améliore la liaison électrique entre ces différents schémas. En outre, il est possible d'avoir des feuilles de cuivre-ou-des plaquettes souples sur les deux faces des plaquettes isolantes 60, 62 dans-des plaquettes de circuit simples représentées aux figures 10 et 11. Dans les exemples ci-dessus, le matériau conduc- teur selon l'invention est utilisé comme matériau de charge pour un orifice traversant d'une plaquette de circuit imprimé à couches multiples. Le matériau selon-l'invention peut également s'utiliser comme-matériau de sondage, habituel, ainsi que comme couche conductrice ou comme couche de câblage présentant un schéma déterminé, réalisé par impression sur une plaquette. Comme le matériau conducteur contenant l'alliage de gallium est dans un état tel que la poudre de l'alliage ne 2497390 réagit pas avec le gallium du bain, cette pâte peut être maintenue pendant une longue durée. REVENDICATIONS 1) Pâte conductrice caractérisée en ce qu'elle se compose de gallium métallique combiné à un premier métal qui forme un eutectique avec le gallium, ce métal étant présent en excédent par rapport à sa limite de solubilité dans le gallium à la température prédéterminée, et en combinaison avec une poudre d'un second métal susceptible de s'allier avec le gallium, cette poudre étant revêtue du premier métal. 2) Pâte conductrice selon la revendication 1, ho caractérisée en ce que le premier métal est de l'indium, de létain, du zinc ou du.bismuth ou un alliage de ces métaux. 3) Pâte conductrice selon la revendication 1, caractérisée en ce que le second métal est du cuivre, du nickel, du cobalt, de l'or ou un alliage de ces métaux. 4) Pâte conductrice selon la revendication 2, caractérisée en ce qu'elle contient environ 10 % en poids d'étain. ) Pâte conductrice selon la revendication 2, caractérisée en ce qu'elle contient environ 6 % en poids de zinc. 6) Pâte conductrice selon la revendication 2, caractérisée en ce qu'elle contient environ 20 % en poids d'indium. 7) Pâte conductrice selon la revendication 1, caractérisée en ce que la poudre métallique a une dimension de granulés de 0,5 à 500 microns. 8) Pâte conductrice selon la revendication 1, caractérisée en ce que la poudre métallique a une dimension de grain de l'ordre de 10 à 100 microns. 9) Procédé de fabrication d'une composition conductrice, procédé caractérisé en ce qu'on réalise un mélange fondu de gallium et d'un premier métal formant un eutectique avec le gallium à une température supérieure à celle du point de fusion de ce métal, on laisse refroidir le mélange résultant à une température inférieure, on ajoute au bain fondu une poudre ayant un noyau central formé par le second métal ou un alliage susceptible de s'allier avec le gallium pour former un alliage de gallium ayant un point de fusion supérieur à celui du gallium, cette poudre étant revêtue par le premier métal, et on agite le mélange résultant 17 2497390 pour disperser la poudre dans le bain. ) Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le premier métal est de l'indium, de l'étain, du zinc ou du bismuth.