FR 2493632 A1 19820507 FR 8120679 A 19811104 "Etage d'entrée 1W pour récepteurs de télévision." La présente invention concerne un étage d'entrée HF pour des récepteurs de télévision, ledit étage com- portant un transistor à effet de champ dont la source est reliée à la masse et dont l'électrode de commande, ou porte, est, d'une part connectée à une entrée d'antenne par l'inter- médiaire d'un réseau de couplage dépendant de la fréquence, et d'autre part mise à la masse par l'intermédiaire d'une résistance. Un tel étage d'entrée à haute fréquence est décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 3 482 167. Le réseau de couplage dépendant de la fréquence de l'é- tage centrée IF connu sert entre autres à réaliser une trans- formation d'impédance entre l'entrée d'antenne de faible va- leur ohmique (environ 75. Q) et l'entrée ohmique élevée (en- viron 3 k D). du transistor à effet de champ. Une telle trans- formation d'impédance ne peut être réalisée de manière sa- tisfaisante que pour un domaine de fréquences relativement étroit, par exemple de 2 à 3 canaux de télévision. Pour ren- dre possible un traitement des signaux des canaux de télévi- sion dans au moins une bande de fréquence de télévision, le réseau de filtrage connu à bande relativement étroite est réalisé sous une forme accordable. Le réseau de couplage en fonction de la fréquence sert alors également à assurer une certaine sélection des canaux. Pour égaliser quelque peu la caractéristique depassage le réseau de couplage dépendant de la fréquence est chargé de la résistance précitée. Pour de faible valeurs de celle-ci, l'atténuation des signaux par ladite résistance peut devenir particulièrement importante, avec pour résultat une diminu- tion du rapport signal/bruit de l'étage d'entrée haute fré- quence. Dans la pratique, c'est la raison pour laquelle la valeur de cette résistance est choisie assez élevée, en règle générale plus élevée que l'impédance d'entrée du transistor à effet de champ. Etant donné que le réseau de couplage connu réalise une transformation d'impédance de rapport assez important, il peut arriver que des signaux parasites à l'entrée d'antenne donnent lieu, déjà pour une amplitude assez faible, à une transmodulation intolérable. De plus, l'accord du réseau de couplage dépendant de la fréquence doit suivre avec précision celui de l'oscillateur local du récepteur de télévision dans lequel l'étage d'en- trée HF connu est utilisé. Ceci rend la réalisation de celui- ci assez onéreuse. L'invention vise à réaliser un étage d'entrée HF du ty- pe mentionné plus haut qui, d'une part, soit d'une concep- tion simple et d'une réalisation économique et qui, d'autre part, permette d'obtenir de meilleures performances, entre autres en ce qui concerne la transmodulation, que l'étage d'entrée HF connu. Un tel étage d' entrée HF conforme à 1' in - vention est caractérisé en ce que la résistance possède une valeur telle que, d'une.part, le réseau de couplage dépen- dant de la fréquence, lors d'une connexion de l'étage-d'en- trée HF à une source de signaux d'antenne présente un facteur de réflexion acceptable et que, d'autre part, en coopération avec l'impédance de sortie du réseau de couplage en fonction de la fréquence, elle forme une impédance qui soit au moins à peu près égale à l'impédance pour laquelle l'apport de bruit du transistor à effet de champ est minimum, ce réseau de couplage dépendant de la fréquence comportant un filtre passe-bande présentant une largeur de bande qui couvre au moins une bande de fréquence de télévision standard. L'invention utilise le fait que l'impédance optimale pour la caractéristique de bruit d'un transistor à effet de champ, c'est-à-dire l'impédance de la source de signaux pour laquel- le l'apport de bruit d'un transistor à effet de champ est minimum, est plusieurs fois inférieure à l'impédance d'entrée du transistor à effet de champ. Il ressort du brevet allemand n0 1 265 240 que dans ce cas, le choix d'une valeur correcte de ladite résistance, d'une part, rend possible un couplage d'antenne optimum exempt de réflexion de l'étage d'entrée haute fréquence et, d'autre part, permet d'obtenir une adap- tation d'impédance du transistor à effet de champ optimale pour le bruit. L'invention est basée sur le principe que, pour lesdites valeurs de la résistance et du réseau de couplage, la dé- croissance du rapport signal/bruit résultant de la diminu- tion de valeur de résistance est certes plus grande comparée à celle de l'étage d'entrée HF connu, ceci est largement compensé par la diminution considérable du bruit du transis- tor à effet de champ. Conformément à l'invention, l'apport de bruit total de l'étage d'entrée HF est tout au plus égal à celui qui se produit dans l'étage d'entrée HF connu, tandis que la valeur de ladite résistance et le rapport de transformation d'impé- dance du réseau de couplage sont considérablement plus fai- bles. Ceci procure les avantages suivants En premier lieu, le filtre passe-bande du réseau de couplage en fonction de la fréquence peut être réalisé d'une manière simple sous une forme à large bande de telle sorte qu'il ne soit plus nécessaire de l'accorder pour des fréquences situées dans les limites de ladite bande de fréquence de télévision. En deuxième lieu, l'amplification de tension du réseau de couplage est plus faible que dans le cas connu, de sorte que la sensibilité aux signaux parasites, qui peuvent provo- quer par exemple une transmodulation, diminue. Sous ce rap- port, il convient de noter qu'un étage d'entrée HF conforme à l'invention est de préférence caractérisé en ce que le fac- teur de réflexion est au maximum de 2, la valeur de la ré- sistance étant plusieurs fois supérieure à la valeur absolue de l'impédance d'entrée du réseau de couplage en fonction de la fréquence. En troisième lieu, la résistance relativement faible égalise dans une large mesure la caractéristique de passage du filtre passe-bande, de sorte que l'amplitude et ainsi la qualité des signaux de télévision peut d'une manière simple être maintenue entre des limites acceptables, par exemple 3dB ans la bande de ftéquence de transfert.Une forme d' exécution préf érée d'un étage d'entrée HF conforme à l'invention est dès lors caractérisée en ce que le réseau de couplage en fonction de la fréquence réalise de l'entrée vers la sortie un rapport de transformation d'impédance au plus égal à cinq. L'invention sera expliquée ci-après plus en détail avec référence à l'exemple illustré au dessin annexé. Cette figure représente un étage d'entrée HF 1 conforme a l'invention comportant des transistors à effet de champ (FET) 26 et 33 du type tétrode MOST dont les premières élec- trodes de commande ou portes sont, d'une part, connectées à une entrée d'antenne 2 par l'intermédiaire de réseaux de couplage en fonction de la fréquence 12 à 23 et 30, 31 et, d'autre part, mises à la masse par l'intermédiaire de résis- tances parallèles pour fréquences élevées, 24, 25 et 32. Les deuxièmes électrodes de commande, ou portes, des transistors à effet de champ 26 et 33 sont reliées respectivement aux entrées 10 et Il pour l'application d'un signal de réglage d'amplification automatique à l'étage d'entrée HF 1. Les drains de ces transistors à effet de champ 26 et 33 sont con- nectés respectivement aux entrées 3 et 4, de l'étage d'entrée HF et les sources sont découplées à la masse en fréquence élevée respectivement par -l'intermédiaire des condensateurs 27 et 35. Ces sources sont également connectées aux bornes d'alimentation 5 et 6 respectivement par l'intermédiaire de diviseurs de tension 28, 29 et 35, 36 fixant la tension de polarisation de la source. Le réseau de couplage dépendant de la fréquence 12 à 23 comporte un filtre passe-bande VHF 12 à 14 pour la sélection de signaux de télévision dans une bande de fréquence d'envi- ron 45 à 300 MHz (VHFI + VHFIII) et pour la suppression de signaux correspondant à la fréquence intermédiaire normalisée de télévision (38,9 MHz). Le filtre passe-bande VHF 12 à 14 comporte à cet effet un montage en cascade d'un filtre en T passe-bas 12 connecté à l'entrée d'antenne 2 et présentant une fréquence de coupure pour 300 MHz, un filtre passe-haut 13 présentant une fréquence de coupure pour 45 MHz et un filtre éliminateur de bande à fréquence intermédiaire ou fil- tre éliminateur 14 à fréquence de résonance de 38,9 MHz. Le filtre en T passe-bas 12 comporte, dans la branche longitudi- nale, deux bobines identiques 39 et 40 et dans une branche transversale mise à la masse, un condensateur 41. Le filtre passe-haut 13 comporte dans une branche longitudinale, un condensateur 42 et dans des branches transversales mises à la masse,des bobines 43 et 44. Le filtre éliminateur de fréquen- ce intermédiaire 14 comporte un élément LC parallèle 45, 46. Le filtre passe-bande VHF 12-14 est connecté, par l'in- termédiaire d'un filtre de transformation 15 à 23 commutable pour les fréquences VHF (47 à 68 MHz) et VHFIII (174 à 272 MHz), à la première électrode de commande ou porte du transis- tor à effet de champ 26. Le filtre de transformation 15 à 23 comporte un organe de couplage 15 comportant une bobine 47 connectée entre le filtre éliminateur de fréquence intermédiaire 14 et la bobi- ne 47 connectée à la masse, et un élément LC série 48-49 qui y est connecté en parallèle. La connexion commune entre la bobine 47, le filtre éliminateur de fréquence intermédiaire 14 et le condensateur 48 dudit élément LC série 48, 49 est connec- tée par l'intermédiaire d'un réseau en T 16 à 18 et d'un mon- tage en série d'un condensateur de couplage 19 et d'une bobi- ne 20, d'une part à l'électrode de commande ou porte du tran- sistor à effet de champ 26 et d'autre part au point de jonc- tion commun aux résistances 24 et 25. Le réseau en T 16 à 18 comporte deux bobines 16 et 17 dans une branche longitudinale et un condensateur 18 relié à la masse dans une branche transversale. Le point de connexion commun entre le condensateur 48 et la bobine 49 de l'élément LC série 48,49 de l'organe de couplage 15 est connecté, par l'intermédiaire d'un condensateur de couplage 21 et d'une diode de commutation 23 connectée dans le sens passant, au point de connexion commun du condensateur de couplage 19 et de la bobine 20. L'anode de la diode de commutation 23 est reliée par l'intermédiaire d'une résistance 22 à une borne de commutation VHF III. Les résistances 24 et 25, qui sont en parallèle à fré- quence élevée, forment ensemble avec l'impédance d'entrée du transistor à effet de champ 26, une impédance terminale pour le réseau de couplage dépendant de la fréquence 12 à 23. La valeur résultant du montage en parallèle de ces résistances 24 et 25 est choisie de telle sorte que l'on obtienne un fac- teur de réflexion acceptable du réseau de couplage dépendant de la fréquence 12 à 23. Le rapport d'onde stationnaire (V. S.W.R.) peut dans ce cas être par exemple de 3. D'autre part, la valeur des résistances en parallèle 24 et 25 doit, avec ladite impédance de sortie du réseau de couplage dépendant de la fréquence, être au moins à peu près égale à l'impédance de bruit optimale du transistor à effet de champ 26, c'est-à- dire à l'impédance pour laquelle le transistor à effet de champ 26 fournit un apport de bruit minimum. On obtient ainsi une adaptation d'impédance presque exempte de réflexion au moins jusqu'à l'électrode de commande ou porte du transistor à effet de champ 26, pour un faible apport de bruit de l'éta- ge d'entrée HF dans son ensemble. On sait que le facteur de réflexion est de ' pour ledit rapport d'onde stationnaire. En d'autres termes, le signal réfléchi a une valeur en ampli- tude égale à la moitié de celle du signal émis. Un facteur de réflexion est obtenu lorsque la valeur de la résistance vaut trois fois la valeur absolue de l'impédance de sortie du ré- seau de couplage dépendant de la fréquence 12 à 23. Dans la pratique, la valeur de la résistance 24 est égale à 1,3 KCet celle de la résistance 25 à 3,9 K CL. La valeur résultante des résistances 24 et 25 est ainsi environ égale à 1 K-L, ce qui vaut environ trois fois la valeur absolue de l'impédance de sortie du réseau de couplage 12 à 23. L'entrée du transistor - effet de champ 26 "voit" ainsi une impédance de source d'environ 250.4, correspondant à un apport de bruit minimal. Bien qu'en conséquence du rapport d'impédance de la valeur résultante peu élevée des résistances 24, 25 et de l'impédance d'entrée élevée du transistor à effet de champ 26, une petite partie seulement de la puissance de signal appliqué soit fournie au transistor à effet de champ 26, les effets des réflexions de signaux, qui sont le résultat de cette mauvaise adaptation de puissance, peuvent être négli- gés en raison de la liaison relativement courte par rapport à la longueur d'onde des signaux entre le point de connexion des résistances 24 et 25 et la transition semi-conductrice porte-source du transistor à effet de champ 26. Lors d'un accord sur un canal de télévision dans le do- maine de fréquence %IHFI standard (47 à 68 MHz), une tension positive est appliquée à la borne de commutation VHFI. Ainsi, d'une part, l'électrode de commande ou porte du transistor à effet de champ 26 est portée à une tension de polarisation po- sitive par l'intermédiaire des résistances 24, 25 fonction- nant comme un diviseur de tension et d'autre part, la diode de commutation 23 est bloquée par l'intermédiaire de la bobi--- ne 20. Les signaux VHFI passent dans ce cas de l'entrée d'an- tenne 2, par l'intermédiaire du filtre passe-bande VHF 12 à 14, de l'organe de couplage 15, et des éléments 16 à 20, à l'électrode de commande ou porte du transistor à effet de champ 26. La bobine 49 constitue quasiment un court-circuit pour les fréquences de signaux dans le domaine VHFI, de sorte que l'organe de couplage 15 forme dans ce domaine de fréquen- ce un élément LC parallèle connecté à la masse. La fréquence de résonance de cet élément LC parallèle 47, 48 est d'environ MHz. L'organe de couplage 15 a certes une certaine acti- vité de filtrage, mais fonctionne en coopération avec la bo- bine 16 et avec le condensateur 18 du réseau en T 16 à 18 principalement comme réseau d'adaptation d'impédance. Pour l'adaptation d'impédance qui se produit ici, l'impédance à la sortie du filtre éliminateur 14, à fréquence intermé- diaire qui est à peu près égale à l'impédance d'antenne, est augmentée à la sortie du réseau de couplage dépendant de la fréquence 12 à 23 à une valeur représentant environ un tiers de la valeur des résistances en parallèle 24 et 25. La sélection VHFI parmi les fréquences VHF de 47 à 300 MHz est réalisée à la sortie du filtre passe-bande VHF 12 à 14 principalement à l'aide du condensateur 18 et de la bobine 17 du réseau en T 16 à 18. Pour un accord sur un canal de télévision dans le domai- ne de fréquence VHFI standard (174 à 272 MHz), une tension de commutation positive est appliquée sur la borne de commu- tation VHF III. La diode de commutation 23 devient ainsi conductrice, de sorte que l'électrode de commande ou porte du transistor à effet de champ 26 est portée à une tension dont la valeur est déterminée, d'une part par le diviseur de tension 22, 24 et d'autre part par la valeur de la ten- sion appliquée à la borne de commutation VHF III. Les signaux VHF III sont ainsi transférés à partir de l'entrée d'antenne 2, du filtre passe-bande VHF 12 à 14, de l'organe de couplage 15 et des éléments 20, 21 et 23 vers l'électrode de commande ou porte du transistor à effet de champ 26. Le réseau en T 16 à 18 procure pour les fréquences de signaux VHF III une impédance d'entrée élevée, tandis que l'organe de couplage 15 fonctionne comme un filtre passe- haut pour ce domaine de fréquence. Abstraction faite de ce fonctionnement sélectif, le filtre de couplage 15 et no- tamment la bobine 49 de ce filtre assure, avec la bobine 20, une adaptation d'impédance, de sorte que pour ce domaine de fréquence VHF III, l'impédance à la sortie du filtre élimi- nateur de fréquence intermédiaire 14 en direction de la sor- tie du réseau de couplage dépendant de la fréquence 12 à 23 est augmentée à une valeur représentant environ un tiers de la valeur des résistances en parallèle 24 et 25. Le réseau de couplage dépendant de la fréquence 30, 31 qui, comme mentionné plus haut, connecte l'entrée d'antenne 2 à l'électrode de commande ou porte du transistor à effet de champ 33 comporte un filtre en T passe-haut 30 à fréquence de coupure d'environ 450 MHz et un filtre d'adaptation 31 connecté en cascade avec ce filtre 30 et avec l'électrode de commande ou porte du transistor à effet de champ 33. Le filtre en T passe-haut 30 comporte dans une branche longitudinale, deux condensateurs de valeurs égales 50 et 51 et, dans la branche transversale une bobine 52 connectée à la masse. Le filtre d'adaptation 31 comporte une bobine 54 connectée entre le filtre en T passe-haut 30 et un condensa-- teur 37 mis à la masse et une bobine 53 connectée entre le filtre en T passe-haut 30 et l'électrode de commande ou porte du transistor à effet de champ 33. L'électrode de commande ou porte du transistor à effet de champ 33 est mise à la masse par l'intermédiaire d'une résistance 32, tandis que le point de connexion commun entre la bobine 54 et le condera- teur 37 est connecté par l'intermédiaire d'une résistance 38 à une borne de commutation UHF. La résistance 32 forme avec l'impédance d'entrée du transistor à effet de champ 33 une impédance de terminaison ou de charge du réseau de couplage dépendant de la fréquence 30, 31. Pour un accord sur un canal de télévision dans le do- maine de fréquence UHF standard (470-854), une tension de commutation positive est appliquée à la borne de commutation UHF, ce qui, par l'intermédiaire des résistances 38 et 32 fonctionnant comme un diviseur de tension, polarise la porte ou électrode de commande du transistor à effet de champ 33. Les signaux UHF sont sélectionnés dans le filtre en T passe-haut 30 parmi les signaux d'antenne présentés à l'entrée d'antenne 2. A l'aide du filtre d'adaptation 31, l'impédance est accrue jusqu'à environ 1/3 de la valeur de la résistance 32. Un facteur de réflexion acceptable du réseau de couplage dépendant de la fréquence 30, 31 est ainsi obtenu. Le rapport d'onde stationnaire est dans ce cas de 3. La valeur de la résistance 32 est choisie égale à environ quatre fois l'im- pédance de bruit optimale, du transistor à effet de champ 33. Le transistor à effet de champ 33 "voit" alors environ l'im- pédance de bruit optimale, correspondant à l'apport de bruit minimal. Pour une réalisation pratique d'un circuit, on utilise pour les transistors à effet de champ 26 et 33 des tétrodes MOSFET du type BF 910 et une diode de commutation 23 du type BA 182. Les composants utilisés caractéristiques suivantes: présentent dans ce cas les N bo- Epais- bine seur de fil 39 0,5 40 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Epais- seur d'âme Spires 3 3 3 31 3 141 3 1 3.14 4 18- 3 41 4 1 2- 1 21 il Condensateur Résistance n valeur N Valeur (nF) _L 41 12 22 3K3 42 39 24 1K3 46 82 25 3K9 48 18 28 240 18 27 29 1K2 19 1K 32 1K 21 4K7 27 820 4P7 240 36 1K8 38 3K3 4P7 OP 34 390 On utilise une tension de commutation et d'alimentation de 12 V. Lors du réglage de la tension de polarisation de l'élec- trode de commande ou porte du transistor à effet de champ 26 dans le domaine VHF-III, la chute de tension au passage de la diode de commutation 23 intervient également. En raison de la nature capacitive de l'impédance d'entrée des tran- sistors à effet de champ 26 et 33, la charge pour le réseau de couplage dépendant de la fréquence 12 à 23 ne peut être négligée dans le domaine VHF. La valeur des résistances en parallèle 24, 25 et de l'impédance d'entrée du transistor à effet de champ 26 est d'environ 1 000 L, tandis que celle de la résistance 32 et de l'impédance d'entrée du transistor à effet de champ 33 est d'environ 780l. Il va de soi que l'invention peut aussi être utilisée pour d'autres répartitions de bandes de fréquence et n'est pas limitée aux signaux de télévision. Il est également possible de respecter une autre exigen- ce en ce qui concerne le rapport d'onde stationnaire et d'ap- pliquer l'invention dans ce cas. Si un coefficient de réfle- xion de 0 est exigé (VSWR=i), les réseaux de couplage 12 à 23 et 30, 31 doivent être chargés par une valeur de résistan- ce qui est, d'une part, égale aux valeurs absolues de l'impé- dance de sortie de ces réseaux de couplage et qui est, d'au- tre part, au moins environ égale au double de l'impédance de la source de bruit optimale des transistors à effet de champ 26 et 33 respectifs. Dans la forme d'exécution représentée, cette exigence donne une valeur de résistance d'environ 500Sof pour le montage en parallèle des résistances 24, 25 et pour la résistance 32. Bien qu'on obtienne ainsi une adap- tation de puissance optimale, le rapport signal/bruit subit une diminution pour ces valeurs de résistances. Si, par contre, on admet une réflexion plus importante, par exemple de 67 % (VSWR = 5), la valeur de résistance ré- sultante pour le montage en parallèle des résistances (24, ) et pour la résistance 32 peut être choisie de 1,5 K. la réalisation représentée. L'apport de bruit de l'étage d'en- trée HF dans son ensemble est ici nettement plus faible que dans les cas décrits plus haut. REVENDICATIONS 1.- Etage d'entrée à large bande pour récepteurs de télévision, ledit étage comportant un transistor à effet de champ (26,33) dont la source est reliée à la masse et dont l'électrode de commande, ou porte, est d'une part connectée à une entrée d'antenne par l'intermédiaire d'un réseau de couplage dépendant de la fréquence (12-23, 30,31) et d'autre part mise à la masse par l'intermédiaire d'une rési tance (24,25; 32), caractérisé en ce que la résistance (24,25, 32) possède une valeur telle que, d'une part, le réseau('de cou- plage dépendant de la fréquence (12-23; 30,31), lors d'une connexion de l'étage d'entrée HF (2)1 à une source de signaux d'antenne, présente un facteur de réflexion acceptable et que, d'autre part, en coopération avec l'impédance de sortie du réseau de couplage dépendant de la fréquence (1223; 30, 31) elle forme une impédance qui soit au moins à peu près égale à l'impédance pour laquelle l'apport de bruit du tran- sistor à effet de champ (26, 33) est minimum, ce réseau de couplage dépendant de la fréquence (12-23; 30,31) comportant un filtre passe-bande (12-14; 30) présentant une largeur de bande qui comporte au moins une bande de fréquence de télévi- sion standard. (VHFI, III; UHF). 2. Etage d'entrée suivant la revendication 1, caracté- risé en ce que le facteur de réflexion est tout au plus de 2, de sorte que la valeur de la résistance (24,25; 32) est plusieurs fois supérieure à la valeur absolue de l'impédance de sortie du réseau de couplage dépendant de la fréquence (12-23;30,31). 3.- Etage d'entrée suivant la revendication 1 ou 2, ca- ractérisé en ce que le réseau de couplage dépendant de la fréquence (1223;30,31) réalise de l'entrée vers la sortie un rapport de transformation d'impédance au plus égal à cinq. 4.- Etage d'entrée suivant l'une quelconque des revendi- cations précédentes, caractérisé en ce que la caractéristique de transfert du réseau de couplage dépendant de la fréquence (12-23;30,31) dans le domaine de fréquence d'au moins une- bande de fréquence de télévision standard présente une va- riation d'atténuation maximum de 3 dB. 5.- Etage d'entrée suivant l'une quelconque des reven- dications précédentes, caractérisé en ce que le réseau de couplage dépendant de la fréquence (12-23; 30,31) comporte un filtre d'adaptation de l'étage d'entrée (12-14, 30) à peu près à la valeur ré- sultant de la mise en parallèle de ladite résistance (24,25; 32) et de l'impédance d'entrée du transistor à effet de champ (26,33). 6.- Etage d'entrée suivant la revendication 5, caracté- risé en ce que le filtre passe-bande (12-14) a un domaine de fréquence de transfert qui couvre au moins deux bandes de fréquence de télévision standard, (VHFI, VHFIII), ce filtre d'adaptation (15-23) comportant un organe de filtrage (16-23) commutable pour l'aiguillage des signaux de télévi- sion d'une des bandes de fréquence de télévision vers le transistor à effet de champ (26). 7.- Etage d'entrée suivant l'une quelconque des reven- dications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte un autre réseau de couplage (30, 31) dépendant de la fréquence présentant une bande de fréquence de transfert qui couvre une autre bande de fréquence de télévision standard (UHF), ce réseau de couplage dépendant de la fréquence (30,31) étant connecté à l'électrode de commande ou porte d'un autre tran- sistor à effet de champ (33) ainsi qu'un circuit de commuta- tion d'une tension de polarisation aux électrodes de com- mande, ou portes, des deux transistors à effet de champ.