FR 2488049 A1 19820205 FR 8016947 A 19800731 La présente invention a pour objet une source lumineuse à jonction semiconductrice, notam- ment une souce laser, et un procédé de fabrication d'une telle source. Elle trouve une application en optique et plus spécialement en télécommunications optiques. Bien que l'invention s'applique de manière générale à toute source lumineuse à jonction semicon- ductrice, la description qui va suivre se référera à titre explicatif à une catégorie particulière de ces sources qui est celle des sources cohérentes autre- ment dit des lasers, car il s'agit là de dispositifs particulièrement intéressants dans le domaine des té- lécommunications optiques; mais les autres sources (dites encore diodes électroluminescentes à semicon- ducteur "émettant par la tranche") ne sont pas ex- clues pour autant du champ de l'invention. De manière encore plus précise, la description qui va suivre mettra l'accent sur les lasers du type à double hété- restructure et à jonction en forme de ruban car ces lasers constituent des sources privilégiées dans les télécommunications optiques utilisant le proche in- frarouge. Mais là encore, les autres types de lasers à semiconducteur ne sont pas à exclure de l'inven- tion. Enfin, les exemples décrits se rapporteront es- sentiellement au semiconducteur In P, sans que l'in- vention doit être considérée comme limitée à ce maté- riau; elle couvre au contraire tous les matériaux connus remplissant les conditions qui seront définies plus loin et en particulier les composés ternaires ou quaternaires à base de In P, ou encore les composés ternaires GaP - InP ou les alliages GaAs-P-InGaP. On sait qu'un laser à double hétérostructu- re et à jonction comprend un substrat sur lequel sont déposées successivement une couche inférieure de confinement, une couche active, une couche supérieure de confinement et enfin une couche de contact. Afin d'obtenir un fonctionnement continu à température ambiante, on réalise un confinement de l'injection des porteurs de charge dans une surface rectangulaire active de quelques microns de large (10 à 20 um) (ruban), limitée aux deux extrémités par deux clivages. Le domaine privilégié de tels lasers est celui des télécommunications par fibres optiques à longue distance, pour lesquelles les longueurs d'on- des d'émission les plus intérssantes sont situées à 1,3 et 1,55 limun. Un laser utilisant comme matériau Ga In As P /In P et fonctionnant en continu à tempé- rature ambiante est décrit dans l'article publié par J.J. HSIEH dans la revue "Applied Physics Letters", vol 28 p. 709 1976. Il s'agit d'un laser à ruban ob- tenu par bombardement protonique et émettant à 1,1 -m. Un laser émettant à 1,3 gm est décrit dans l'article de K. OE et al, publié dans la revue "Japon J. App Phys. vol. 16 (1977) N 7 p. 1273. Dans ce cas, le ruban est réalisé à l'aide d'un contact ohmique déposé dans la partie dégagée d'un diélectri- que (SiO2), recouvrant la plaque. Un article intitulé "Ga In As P /In P planar stripe lasers prepared by using sputtered SiO2 film as aI Zndiffusion mask" publié par K.OE et al dans la revue J. Appl Phys" 51 (1) janvier 1980 p 43, décrit l'influence de la technolo- gie utilisée pour réaliser le ruban (dépôt de Si02 et diffusion de zinc) sur les propriétés des lasers ob- tenus. L'article de R.J. Nelson et al, intitulé "High-output power In Ga As P (À = 1,3 i-m) strip-bu- ried hétérostructure lasers" et publié dans la revue "Appl. Phys Lett" 36 (5) 1 mars 1980, p. 358, décrit un laser à ruban "enterré" utilisant le composé In P. La technique de définition du ruban la plus utilisée est celle de la prise d'un contact à travers une fenêtre, définie dans une couche de diélectrique recouvrant la couche de contact. Ce dépôt peut éven- tuellement servir de masque de diffusion comme il est décrit dans l'article de K. OE cité plus haut. Cet article montre également l'influence néfaste des con- traintes exercées par le diélectrique sur les méca- nismes de diffusion du zinc sous le ruban et leurs conséquences sur la structure de mode du laser. Par ailleurs, ces contraintes augmentent la vitesse de dégradation des jonctions. Les techniques d'isolation du ruban par bombardement protonique n'ont pas encore été mises en oeuvre de façon satisfaisante pour des lasers émet- tant à 1,3 gm, sans doute en raison d'une isolation insuffisante des régions bombardées. Quant aux lasers à structure enterrée, leur technologie-semble trop compliquée (à cause notamment de la reprise d'épitaxie) pour qu'on puisse obtenir une reproductibilité et une fiabilité satisfaisan- tes. Le but de l'invention est de remédier à ces inconvénients en proposant une source lumineuse à jonction semiconductrice, de structure très simple et ne faisant pas intervenir les procédés de bombarde- ment protonique ou de dépôt de couches diélectriques. Selon l'invention, le confinement de l'in- jection des porteurs de charge est obtenu grâce à la réalisation de zones présentant une diode Schottky polarisée en inverse, cette barrière s'opposant à l'injection de courant et limitant celle-ci aux zones présentant un contact ohmique ordinaire. On rappelle qu'une diode Schottky (ou diode à barrière de Schot- tky) est constituée d'un contact métal semi-conduc- teur, ce contact présentant des propriétés de redres- sement. Les semiconducteurs aptes à constituer de telles diodes sont connus. On pourra se reporter par exemple à l'article de W.E. SPICER et al intitulé "New and unified model for Schottky barrier and III-V insulator interface states formation" publié dans la revue J. Vac. Sci. Technol. 16(5), sept/oct. 1979. De façon précise, l'invention a donc pour objet une source lumineuse à jonction semiconductri- ce, comprenant un substrat sur lequel sont déposées successivement une première et une seconde couches semiconductrices de types de dopage opposés et un moyen d'injection de porteurs de charges à partir d'une source de courant, caractérisée en ce que ce moyen comprend - une couche de contact fortement dopée re- couverte partiellement par une couche métallique al- liée formant contact ohmique, et une couche métalli- que recouvrant ladite couche alliée ainsi que le res- te de la seconde couche semiconductrice, cette couche métallique étant reliée à ladite source de courant, et en ce que, en outre, le semiconducteur constituant la seconde couche est choisi parmi ceux qui forment une diode Schottky au contact avec un métal tel que celui de la couche métallique, cette diode étant po- larisée en inverse dans les conditions normales de fonctionnement de la source, la zone o s'effectue l'injection de charges étant ainsi limitée à la seule zone de contact ohmique à l'exclusion des zones o est présente une diode Schottky. Comme indiqué plus haut, une telle source lumineuse peut présenter des formes et des propriétés variées, mais, en variante privilégiée, elle consti- tue une source de lumière cohérente, autrement dit, un laser. La description qui suit porte sur ce cas et elle se réfère à des dessins annexés sur lesquels: - la figure 1 représente une coupe d'un la- ser à hétérostructure et à ruban conforme à l'inven- tion, - la figure 2 représente le schéma électri- que équivalent du laser de la figure précédente. - La laser représenté sur la figure 1 com- prend successivement: - un substrat 10, par exemple en In P, revêtu à sa partie inférieure d'un contact métallique 12 relié à la masse; - une couche inférieure de confinement 12, par exemple en In P, dopée à l'étain (dopa- ge n), - une couche active 14, par exemple de com- position Ga. Inl-x Asy P1_y, o x et y sont des nombres inférieurs à 1, cette couche n'étant pas dopée, les nombres x et y étant choisis d'une part pour que le paramètre cristallin de cette couche soit en accord avec celui des couches environnantes et d'autre part pour que la longueur d'onde du rayonnement émis soit située dans la plage souhaitée (1,3 ou 1, 55 jim), - une couche supérieure de confinement 16, par exemple en In P, faiblement dopée p à l'aide de zinc (dopage de l'ordre de 1016 cm 3), une couche de contact 18, par exemple de composition Gax Inlîx As (x = 0, 53) fortement' dopée p+ à l'aide de zinc, cette couche est en forme de mésa obtenu par attaque chimi- que sélective, et de largeur d'environ 20ljm ou moins, - un contact ohmique 20 en métal allié, par exemple or-zinc, ce contact recouvrant le mésa, - une couche métallique 22, par exemple de titane recouverte d'une couche métallique 24 par exemple d'or, ces deux couches re- couvrant le contact allié et la partie de la couche supérieure de confinement située de part et d'autre du mésa, - enfin, une connexion électrique 26, reliée à une source de courant 28. La couche métallique 22 forme, selon l'in- vention, avec la couche semiconductrice 16 qu'elle recouvre, une diode Schottky qui, dans les conditions normales de fonctionnement, se trouve polarisée en inverse. Le schéma électrique équivalent de l'ensem- ble est alors celui de la figure 2 o l'on distingue une diode 30 qui est la partie émettrice du disposi- tif et qui est alimentée par la source 28 à travers une résistance 32, représentant le contact ohmique formé par la couche métallique alliée 20 et la couche de contact 18, cette diode étant encadrée par 2 dio- des Schottky 33/1, 33/2 polarisées en inverse et correspondant aux contacts couche métallique 22 couche-semiconductrice 16 situés de part et d'au- tre du mésa. La polarisation inverse de ces deux dio- des est égale à la chute de tension provoquée dans la résistance 32. Cette chute est de l'ordre de 0,5 V pour un contact Au-Zn et pour un courant de seuil de 0,25 A et une résistance série de l'ordre de 2Q. Cette chute est nettement plus faible que la tension de claquage de la diode Schottky, qui est de l'ordre de quelques volts. Les deux contacts latéraux Ti-Au créent donc un isolement électrique très efficace. L'article de M.C. AMANN intitulé "New stripe geometry laser with simplified fabrication process" publié dans la revue "Electronics Letters" juillet 79, Vol. 15 N014, p. 441, décrit un laser à ruban valable pour les lasers Ga As - Ga Al As qui peut rappeler à certains égards, celui qui vient d'être décrit, car il contient lui aussi une couche métallique (Cr-Au) recouvrant l'ensemble de la struc- ture. En réalité, la structure de l'invention est fondamentalement différente, tout au moins en ce qui concerne cette question de confinement de l'injection des charges. En effet, la structure antérieure est basée sur la différence de résistance entre les con- tacts de la couche Cr-Au pris soit sur Ga As, soit sur Ga Ai As, mais en aucun cas sur la création d'un contact Schottky. L'application de la structure de l'art antérieur au cas des doubles hétérostructures In Ga As P /In P ne conviendrait pas car la différen- ce de résistance de contact qui serait obtenue dans ce cas serait insuffisante. L'alliage du contact aurait pour effet de créer une région surdopée en zinc à la fois sur la couche de contact et la couche de confinement et provoquerait ainsi des résistances de contact de valeurs insuffisamment différentes. En ce qui concerne le procédé de réalisa- tion du laser décrit, il faut noter que la difficulté majeure réside dans la définition du mésa et la prise de contact alliée Au-Zn sur le dessus. L'ordre des opérations qui est choisi dans l'invention parce qu'il convient le mieux est le suivant: - définition du mésa par attaque chimique à l'aide d'un masque de résine, - dépôt du contact Au-Zn par la technique dite Ilift off" qui consiste à retirer le film de résine situé sous le métal et à entraîner ce dernier avec la résine, - recuit du contact pour former l'alliage. L'ordre inverse qui consisterait à faire d'abord le contact Au-Zn et à se servir de ce contact comme masque pour l'attaque chimique de la couche de contact, conduirait à une très mauvaise définition géométrique du ruban du fait d'une sous gravure im- portante sous le contact. A titre explicatif,les différentes opéra- tions du procédé de fabrication peuvent être les sui- vantes: 1) Amincissement de la plaque épitaxiée, côté sub- strat. selon un procédé utilisé pour les lasers As-Ga de façon à obtenir des clivages de bonne qualité. 2) Réalisation des contacts 2-1 Côté substrat (n): Dépôt par évaporation sous vide d'une cou- che de Au-Ge, de 1000 A environ sur une sous couche de quelques centaines d'A de Ni fa- vorisant l'adhérence de Au-Ge, 2-2 Côté couches (p): Protection de la couche de contact In Ga As localement par un ruban de résine de lar- geur typiquement 20 jim et attaque chimique de façon à dégager la couche de confinement In P par une solution SO 4H2 + H + 0 dans les proportions 3.1.3 à température ambiante. En effet, bien que sélective, cette solution pourrait attaquer In Ga As et aurait tendance, si l'attaque était trop violente, à faire une sous gravure sans le ruban de résine. A 201C la vitesse d'atta- que est environ li/mn et la largeur des ru- bans reste bien définie. Après obtention du mésa, superposition par la technique dite de "lift off", du ruban en Au-Zn (5%) par évaporation sous vide d'épaisseur environ 2000 A. 2-3 Recuit des contacts ohmiques Les contacts Au-Ge-Ni et Au-Zn sont recuits en même temps vers 440WC dans un four sous atmosphère d'argon hydrogéné, le refroidissement étant amorcé dès que la température de 4400C est atteinte. Dans ces conditions, une résistance de contact de 3. 10 50 cm2 est obtenue sur le côté n et de 1,25 4 sur I0,53 Ga0147 As. 2-4 Contacts Schottky: Dépôt d'une couche de Ti--Au (200 A - 3000 A), le titane ayant, comme le nickel, pour but d'améliorer l'adhérence de l'or sur la couche de In P. Les lasers réalisés de cette manière fonc- tionnent en continu à température ambiante avec des courants de seuil plus faibles que ceux que l'on obtient par les techniques antérieures. Des lasers continus à 130 mA de courant de seuil ont été obtenus pour des rubans de 20i.m de large, de 180 I.m de long et d'épaisseur de région active 0,4 iDm. En réduisant l'épaisseur de la couche active à 0,2 l'm ainsi que la largeur du ruban à environ 12 pm (largeur optimale des lasers Ga Al As) un courant de seuil de 50 m% peut être atteint ce qui est nettement mieux que dans le cas des techniques antérieures (à l'exception des lasers à canal enterré mais pour lesquels cependant on se heurte à des difficultés sérieuses de réalisa- tion, évoquées plus haut). Les lasers conformes à l'invention sont, en outre, monomodes transverse; la largeur typique du diagramme de rayonnement à mi-hauteur est de 70 dans le plan parallèle à la jonction et 400 dans le plan perpendiculaire. REVENDICATIONS 1. Source lumineuse à jonction semiconduc- trice, comprenant un substrat (10) sur lequel sont déposées successivement une première (12> et une se- conde (16) couches semiconductrices de types de dopa- ge opposés et un moyen d'injection de porteurs de charges à partir d'une source de courant (28), carac- térisée en ce que ce moyen comprend une couche de contact (18) fortement dopée recouverte partielle- ment par une couche métallique alliée (20) formant contact ohmique, et une couche métallique (22, 24) recouvrant ladite couche alliée (20) ainsi que le reste de la seconde couche semiconductrice (16), cette couche métallique étant reliée à ladite source de courant (28), et en ce que, en outre, le semicon- ducteur constituant la seconde couche (16) est choisi parmi ceux qui forment une diode Schottky au contact avec un métal tel que celui de la couche métallique (22, 24), cette diode étant polarisée en inverse dans les conditions normales de fonctionnement de la source, la zone o s'effectue l'injection de charges étant ainsi limitée à la seul zone de contact ohmique à l'exclusion des zones o est présente une diode Schottky. 2. Source lumineuse selon la revendication 1, cette source étant une source laser ou une diode électroluminescente "émettant par la tranche" du type à double hétérostructure et à jonction en ruban et comprenant un substrat (10) sur lequel sont déposées successivement une couche inférieure de confinement (12), une couche active (14), une couche supérieure de confinement (16), une couche de contact (18) en forme de mésa surmontée d'une couche métallique al- liée (20) formant contact ohmique, caractérisée en ce il qu'une couche métallique (22, 24) recouvre le contact homique et la couche supérieure de con- finement (16)Le semiconducteur constituant la couche supérieure de confinement étant choisi parmi ceux qui, au contact avec ce métal, forment une diode Schottky, le contact ohmique étant ainsi encadré par deux diodes Schottky qui se trouvent polarisées en inverse dans les conditions normales de fonctionne- ment du laser et qui s'opposent à l'injection de charges dans les zones latérales de la couche supé- rieure de confinement. 3. Source selon la revendication 2, carac- térisée en ce que la couche supérieure de confinement est en In P. 4. Source selon la revendication 3, carac- térisée en ce que la couche de contact a pour compo- sition GaxInî xAs (x = 0,53). 5. Source selon l'une quelconque des reven- dications 3 et 4, caractérisée en ce que la couche métallique est un film de titane. 6. Source selon la revendication 5, carac- térisée en ce que le film de titane est revêtu d'un dépôt d'or. 7. Source selon l'une quelconque des reven- dications 2 à 6, caractérisée- en ce que la couche métallique alliée est un dépôt allié Au-Zn. 8. Procédé de réalisation d'une source se- lon la revendication 2, dans lequel on réalise la double hétérostructure par dépôts successifs de cou- ches semiconductrices par épitaxie en phase liquide sur un substrat monocristallin, caractérisé en ce qu'on donne à la couche de contact une forme de mésa par décapage chimique sélectif des parties latérales de cette couche, puis en ce qu'on procéde au dépôt d'un contact métallique allié sur la partie supérieu- re du mésa et en ce qu'on recouvre enfin l'ensemble d'une couche métallique. térisé étant In0,53 l'aide 9. Procédé selon la revendication 8, carac- en ce que la couche supérieure de confinement en In P et la couche de contact en Ga0,47 As, le décapage chimique est effectué à d'une solution SO4H2 + H202 + H20.