FR 2491632 A1 19820409 FR 8021476 A 19801008 249163? La présente invention concerne une lentil- le de Fresnel et son procédé de fabrication. Cette lentille est destinée à fonctionner dans des structu- res d'optique intégrée. Les techniques de traitement et/ou de transmission à distance de l'information étudiées de- puis quelques années, utilisent la transmission par ondes lumineuses dans des guides de lumière à struc- ture plane. Ces techniques sont couramment appelées "optique intégrée". Un guide de lumière de conception simple est en général constitué d'un substrat d'indice de réfraction n recouvert d'une couche guidante d'indi- ce de réfraction réel n9 en général supérieur à l'in- dice de réfraction du substrat- L'air, d'indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction réel de la couche guidante, complète la structure. Pour un tel guide, on définit un indice effectif neff = Y, o v représente la vitesse de propagation de la lumière dans le guide d'ondes et c la vitesse de propagation de la lumière dans le vide. La valeur de l'indice effectif dépendant de la valeur des différents indices des couches consti- tuant le guide de lumière ainsi que de leur épais- seur, il en résulte qu'en optique intégrée la vitesse d'une onde lumineuse peut être modifiée soit par des variations de l'indice soit par des variations d'épaisseur des différentes couches en présence. Par transposition des phénomènes connus en optique classique, on a cherché à réaliser sous forme de composants intégrés des structures équivalentes aux structures classiques pour permettre la propaga- tion de la lumière. L'un des premiers composants que l'on a cherché à réaliser est une lentille intégrée. Les lentilles actuellement connues sont des lentilles de type géodésique. Une telle lentille est représentée sur la figure 1. Cette lentille est constituée d'un sub- strat 2, par exemple en niobate de lithium, dans le- quel, après avoir réalisé un guide de lumière 4t on a effectué une dépression 6 présentant une géométrie parfaitement définie. Cette lentille, du fait même de la réalisa- tion de la dépression 6, présente un certain nombre d'inconvénients technologiques. De plus,, les méthodes employées pour la réalisation de cette lentille (micropolissage par ul- trasons) ne sont pas compatibles avec les méthodes de réalisation des autres composants que l'on désire as- socier à cette lentille pour l'obtention des systèmes optiques plus ou moins complexes tels qu'un analyseur spectral, les méthodes de réalisation de ces compo- sants étant principalement la photolithogravure, la gravure chimique etc... En particulier le positionnement de la len- tille par rapport aux différents composants associés est difficilement réalisable. De plus, il est très difficile d'éviter les défauts au niveau des arêtes 8 de la lentille de la figure 1. Ces défauts entraînent une forte diffrac- tion de la lumière qui nuit généralement à la qualité de ladite lentille. L'invention a donc pour objet une lentille intégrée et son procédé de fabrication permettant de remédier à ces différents inconvénients. Cette len- tille est du type lentille de Fresnel. Une lentille de Fresnel est régie par l'as- sociation de deux éléments, un plan diffractant et un déphasage particulier associé à chaque point du plan 249163e diffractant tel que pour un point F du guide d'onde, pour lequel la lentille est réalisée, tous les fais- ceaux lumineux diffractés qui convergent en ce point se retrouvent en interférences constructives. Le point F constitue le foyer de la lentille. En optique classique une lentille de Fresnel, représentée en perspective sur les figures 2a et 2b peut être formée par une suite d'anneaux en forme de portion de ménisques 10, soit plans-convexes lOa, soit plans-concaves lob. Les portions de ménis- ques 10 présentent une longueur L(r) dépendant de la distance r à l'axe 11 de la lentille. Le déphasage produit par de telles structures varie selon l'épais- seur de matière traversée, c'est-à-dire que le dé- phasage dépend de la longueur L(r) des portions.de ménisques. De façon générale, si p et p' sont les distances entre les points objet et image on a: (a) L(r) = mL0 - [ P - Xp si la variation de l'indice An est positif pour une lentille convergente et si An est négatif pour une lentille divergente, et L (b) L(r) = mL0 + 30 [_ 2 2] si la variation d'indice Sn est négatif pour une len- tille convergente et si An est positif pour une len- tille divergente. Dans le cas particulier d'un point objet situé à l'infini p' est égal à la distance focale f de la lentille et les formules deviennent L(r) = mL0- 3 [ f] dans le premier cas (figure 2a) et L(r) = mL + Q r2+ fJ dans le deuxième cas (figure 2b). Dans ces formules, f représente la distance focale de la lentille, X0 la longueur d'onde dans le vide de la radiation utilisée et m un entier repré- sentant le rang de l'anneau considéré. L'entier m est augmenté d'une unité chaque fois que L(r) s'annule, c'est-à-dire chaque fois qu'on passe d'un anneau au suivant. Le rang m peut être pris égal à 1 pour r = 0, ce qui donne au centre une longueur L(r) = LO. Dans les deux cas, la longueur L0 est prise de telle sorte qu'on ait un déphasage de 2it sur l'axe de la lentille, c'est-à-dire que 2iT ro= 2E, avec X la longueur d'onde utilisée. Il est a noter que dans ces formules la longueur L(r) des portions de ménisques 10 est défi- nie à LO près, c'est-à-dire à 2n près. L'invention se rapporte à une lentille de Fresnel en optique intégrée réalisée à partir d'un guide de lumière comme décrit précédemment. Cette lentille de Fresnel pour optique in- tégrée se caractérise en ce qu'elle comprend un guide de lumière d'indice effectif neff comportant une cou- che guidante et un nombre N de régions de longueur L(r) mesurée selon la direction de l'axe de la len- tille, en fonction de la distance r à l'axe de la lentille, échelonnées le long de la direction perpen- diculaire à l'axe de la lentille et présentant un indice de réfraction tel que, au droit de ces ré- gions, l'indice effectif du guide de lumière présente une valeur n'eff différente de neff de façon qu'une onde lumineuse, susceptible de se propager au droit 2491632 de ces régions acquière un déphasage a férence d'indice effectif n'eff-neff et permettant d'obtenir des interférences lumineuses-constructives au point image choisi. Selon un mode préféré de l'invention, le guide de lumière est constitué par du niobate de li- thium. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'une telle lentille de Fresnel. Ce procédé se caractérise en ce que l'on réalise dans un substrat un guide de lumière d'indice effectif neff comportant une couche guidante et en ce que l'on réalise dans ledit substrat un nombre N de régions de longueur L(r) mesurée selon la direction de l'axe de la lentille, en fonction de la distance r à l'axe de la lentille échelonnées le long de la di- rection perpendiculaire à l'axe de la lentille, pré- sentant un indice de réfraction tel que, au droit de ces régions, l'indice effectif du guide de lumière présente une valeur neff différente de neff de façon qu'une onde lumineuse, susceptible de se propager au droit de ces régions acquière un déphasage AV, dû à la différence d'indice effectif nèff-neff et permet- tant d'obtenir des interférences lumineuses cons- *25 tructives au point image choisi. Bien entendu, tous moyens permettant la réalisation des N régions peuvent être envisagés et selon un mode préféré de ce procédé de fabrication, on réalise lesdites régions au moyen d'une implanta- tion d'ions, ces ions étant de préférence des ions d'hélium ou de bore. Il est bien connu qu'une implantation ioni- que dans un substrat en niobate de lithium crée une diminution importante de l'indice de réfraction de celui-ci. -2491632 Cette diminution de l'indice de réfraction par implantation ionique est décrite de façon détail- lée dans une thèse soutenue le 26 septembre 1978 de- vant 1'U.S.M.. de Grenoble et 1'I.N.P.G. par Monsieur Destéfanis, intitulée "Etude de la modification des propriétés optiques induite par implantation ionique dans le niobate de lithium. Application à la réalisa- tion de guides d'onde". Ce procédé de fabrication d'une lentille de Fresnel pour optique intégrée permet une localisation très précise des modifications d'indice que l'on dé- sire obtenir. Ceci est très important dans le cas d'une lentille de Fresnel intégrée du fait que les bords extrêmes d'une telle lentille peuvent être si- tués à une distance l'un de l'autre voisine de Ii. ou moins. L'utilisation de l'implantation ionique permet de modifier les indices de réfraction de façon importante et donc de réaliser dans le niobate de lithium des lentilles de Fresnel intégrées présentant des régions implantées de longueur maximale L faible permettant de se rapprocher ainsi de la lentille idéale. De plus, ce procédé de fabrication est fa- cile à mettre en oeuvre et présente une reproductibi- lité parfaite. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre purement illustratif et non limitatif, en référence aux figures annexées, dans lesquelles: - la figure 1 déjà décrite représente sché- matiquement une lentille utilisée en optique intégrée de l'art antérieur; - la figure 2 déjà décrite représente sché- matiquement en perspective une lentille de Fresnel en optique classique; 7 2491632 - la figure 3 représente schématiquement le procédé de réalisation d'une lentille de Fresnel se- lon l'invention; - la figure 4 représente schématiquement les variations de l'indice de réfraction ordinaire (A no) en fonction de la dose d'ions hélium implantés par centimètre carré (D) dans un substrat en niobate de lithium; - la figure 5 représente schématiquement les variations de l'indice de réfraction effectif (6neff) du niobate de lithium en fonction de la hau- teur des régions implantées (h) exprimée en micromè- tre (courbe a) et les variations de la longueur (L) desdites régions correspondantes pour obtenir un dé- phasage de 2ic (figure b); - la figure 6 représente une lentille de Fresnel en optique intégrée, selon l'invention. La figure 3 représente un procédé de fabri- cation d'une lentille de Fresnel selon l'invention. La première étape (figure 3a) consiste à réaliser un guide de lumière dans un substrat de pré- férence en niobate de lithium. Ce guide peut être réalisé soit par diffusion (de titane ou d'un autre métal, le nickel par exemple), soit par implantation ionique à haute énergie. La réalisation du guide de lumière dans un substrat en niobate de lithium par implantation ioni- que consiste à créer une diminution de l'indice de réfraction du substrat dans une zone enterrée 12. Cette zone enterrée 12 est alors prise en sandwich entre deux couches 14 et 16 d'indice de réfraction supérieur à celui de la couche 12. Dans un substrat dans lequel l'implanta- tion ionique crée une diminution de l'indice de ce- lui-ci, il est nécessaire de créer une zone enterrée 8 2491632 12 de façon que la couche guidante 14 soit prise en sandwich entre la couche 12 formant substrat et l'air, tous deux d'indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction réel de la couche guidante 14. En revanche, dans un substrat dans lequel l'implantation ionique crée une augmentation de l'in- dice de réfraction tel que dans la silice, la réali- sation du guide de lumière se fait en créant une aug- mentation de l'indice de réfraction du substrat dans une zone en surface 14 de façon que la couche guidan- te 14 soit prise en sandwich entre le substrat 16 et l'air, tous deux d'indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction réel de la couche guidante 14. L'implantation ionique dans un substrat en niobate de lithium permet d'obtenir une importante diminution de l'indice de réfraction ordinaire et ex- traordinaire. Bien entendu, la variation de l'indice dépend de la dose d'ions implantés (nombre d'ions im- plantés par centimètre carré). La courbe représentée sur la figure 4 indi- que les variations de l'indice de réfraction ordinai- re (A no) du niobate de lithium en fonction de la dose (D), exprimée en ions par cm 2, d'ions hélium implan- tés dans celui-ci, cette implantation ayant lieu à température ambiante. Par exemple, pour une dose de 5.1015 ions par cm2, on obtient un Ano de l'ordre de -2 n -2,5xlO, ce qui représente une diminution importan- te de l'indice de réfraction. Lorsque le guide de lumière présente une couche enterrée 12, il est nécessaire que la hauteur de celle-ci soit suffisamment grande. En effet, dans cette couche enterrée, la lumière se propage sous forme d'onde évanescente de décroissance exponen- tielle en fonction de la profondeur de pénétration de l'onde évanescente dans ladite couche enterrée. Pour 9 2491632 éviter des pertes de lumière via cette onde évanes-. cente, il faut que la couche 12 soit plus épaisse que ladite profondeur de pénétration de l'onde évanescen- te dans celle-ci. Dans le cas d'un substrat en niobate de li- thium en coupe Z, une implantation de 5.1015 cm72 d'ions hélium avec une énergie comprise entre 400 keV et 2 MeV, produit un guide de lumière de 1,2 um d'épaisseur, isolé du substrat par une épaisseur de 1,8 lim. Cette structure citée en exemple est monomode à la longueur d'onde 0,6328 l m. Le guide de lumière étant réalisé, on dépo- se sur la couche 14 un masque protecteur 18 constitué par une couche gravée suivant la géométrie que l'on désire obtenir (figure 3b). Cette couche 18 peut être constituée soit d'une résine photosensible, soit en or, soit en aluminium,... L'étape suivante (figure 3c) du procédé se- lon l'invention, consiste à implanter des ions à tra- vers le masque protecteur 18, soit en surface du gui- de de lumière comme schématisé sur la figure 3c, soit dans une zone légèrement enterrée. La profondeur d'implantation des ions dans la couche guidante 14 dépend de l'énergie apportée sur le substrat par les faisceaux d'ions à implanter. Dans le cas d'une implantation dans un substrat en niobate de lithium, les régions 20 ainsi créées présentent comme précédemment un indice de ré- fraction' inférieur à l'indice de réfraction réel de la couche 14. Les ions implantés sont par exemple des ions d'hélium ou de bore. Comme précédemment, la va- riation d'indice dans la couche guidante 14 dépend de la dose d'ions implantée (figure 4). En conséquence, pour une même dose d'ions hélium implantée, l'indice de réfraction des régions 20 est égal à l'indice de réfraction de la couche 12. Bien entendu, ceci ne constitue qu'un exemple particulier. La figure 3d représente l'étape suivante du procédé. Cette étape consiste à enlever le masque protecteur 18 par exemple au moyen d'une attaque chi- mique. Cette figure représente donc, en coupe, une lentille de Fresnel selon l'invention. Les p régions implantées 20 présentent en coupe la forme de rectan- gles de hauteur h et dont la longueur L(r) est située parallèlement à l'axe de la lentille. Ces régions 20 d'indice de réfraction infé- rieur à l'indice de réfraction réelle de la couche 14 permettent de modifier, sur toute la longueur L(r) desdites couches, l'indice effectif neff du guide lu- mière. Sous ces régions l'indice effectif prend une valeur n1 ff Une onde lumineuse guidée qui se propage sur la longueur L(r) acquiert par conséquent, par rapport à la phase qu'elle avait dans la structure initiale (sans les régions implantées) un déphasage: = 2Tflne ffL(r) formule dans laquelle aneff = nèff - neff et X0 la longueur d'onde dans le vide de la radiation lumineu- se utilisée. Ce déphasage Ae tient compte à la fois du déphasage causé par la variation d'indice effectif ôneff et du déphasage causé par l'épaisseur de matiè- re traversée. Ces régions 20 permettent donc de modifier localement le déphasage d'une onde guidée par change- ment de la structure du guide de lumière et d'obtenir ainsi une lentille de Fresnel du type à déphasage. L'obtention d'un déphasage convenable, pour obtenir des interférences constructives au foyer de la lentille, dépend comme on l'a vu précédemment, de la variation de l'indice effectif du guide de lu- mière ân et de la longueur L(r) des régions 20. eff En fait pour obtenir avec une lentille de Fresnel intégrée des interférences constructives au foyer de la lentille on fixe le déphasage Au qui doit être égal à 2im, ce qui implique que la longueur L0 desdites régions est reliée à aneff par l'expres- sion: &neff L0 = 0. La figure 3e qui correspond à une étape supplémentaire du procédé selon l'invention permet d'obtenir une lentille de Fresnel selon une variante dans laquelle les régions 20 se présentent sous forme de creux 21. Cette étape supplémentaire consiste à attaquer chimiquement les régions implantées 20. Lorsque le guide de lumière est réalisé en niobate de lithium, cette attaque chimique est obtenue avec de l'acide fluorhydrique dilué. En effet, les régions 20 implantées dans le niobate de lithium sont sensibili- sées à une telle attaque chimique. Cette sensibilisa- tion est d'ailleurs illustrée dans la thèse de Monsieur Destéfanis précédemment citée. Bien enten- du, de telles lentilles de Fresnel ne peuvent être obtenues que si les régions 20 sont situées en surfa- ce du guide de lumière, c'est-à-dire sur une certaine profondeur h de la couche guidante 14 et au contact de la surface de ladite couche. Il est à noter que dans cette variante, la variation en fonction de h de l'indice effectif du guide de lumière est différente de celle obtenue dans les lentilles de Fresnel décri- te précédemment, c'est-à-dire celles qui sont repré- sentées sur la figure 3d. Dans ce mode de réalisation ainsi que dans celui décrit précédemment, la variation de l'indice effectif du guide de lumière dépend de la hauteur h des régions implantées 20. 12 2491632 Pour obtenir un déphasage convenable, il est nécessaire de contrôler avec précision la hauteur h et la longueur L des régions 20 ainsi que la varia- * tion de l'indice ordinaire Ano' Le contrôle de ces différents paramètres est facile à réaliser en utilisant l'implantation io- nique. En effet, la variation de l'indice Ano dépend de la dose d'ions implantés (figure 4) et la hauteur h dépend de l'énergie apportée sur le substrat lors de cette implantation. En ce-qui concerne la longueur L, le con- trôle de ce paramètre dépend directement du masque 18 utilisé. Le masque réalisé par photogravure permet d'obtenir des longueurs L avec une précision supé- rieure au micron. Il est à noter que le déphasage As' convena- ble pour obtenir des interférences constructives au foyer de la lentille est égal à 2n dans l'exemple illustré sur la figure 5. Ce déphasage de 2-m corres- pond au mode de réalisation des lentilles de Fresnel schématisé sur la figure 6. Ces modes de réalisation correspondent à une lentille de Fresnel idéale dans laquelle les ré- gions implantées se présentent sous-forme de portion de ménisques soit plans-convexes (figure 6a), ce qui correspond au cas o ôneff est positif, soit plans- concaves (figure 6b), ce qui correspond au cas o ôneff est négatif et par exemple au cas de l'implan- tation d'ions dans le niobate de lithium. Dans ces modes de réalisation, la face ar- rière des régions 20 à section rectangulaire de la figure 3 est une face convexe 22a, comme représenté sur la figure 6a, et la face avant desdites régions une face concave 22b, comme représenté sur la fi- gure 6b. La longueur L des régions 20a et 20b est régie par les formules des lentilles de Fresnel réa- lisées en optique classique o An est remplacé par &neff. La formule (a) exprimée précédemment, corres- pond à une lentille convergente et à une variation de l'indice effectif êneff positive et la formule (b) exprimée précédemment, correspond à une lentille con- vergente et à une variation de l'indice effectif âneff négative. La longueur L(r) des régions 20a et 20b est prise de telle sorte qu'on ait un déphasage de 2-m sur l'axe de ladite lentille. On a donc: X0 5neff L0 Les variations du èneff en fonction de la hauteur h sont représentées sur la figure 5. De même, sur cette figure sont représentées les variations de la longueur L desdites régions correspondant au dé- phasage As = 2n que l'on désire obtenir. La courbe a montre les variations de l'in- dice effectif du guide de lumière bneff en fonction de la hauteur h exprimée en micromètre (dam). La lon- gueur L que doivent posséder les régions 20, pour un *25- bneff donné, de façon à obtenir un déphasage des vi- brations lumineuses permettant l'obtention d'inter- férences constructives, peut être directement calcu- lée à partir de la courbe b. Le fait d'avoir porté la courbe a et la courbe b sur la même figure permet de relier directement la longueur L à la variation de l'indice effectif. Par exemple pour un âneff de 5x1073 on trouve que L doit être égale à 120i m. Au lieu de réaliser des régions 20a et 20b dont la longueur L(r) correspond rigoureusement aux relations (a) et (b), il peut être suffisant de les satisfaire de manière approchée, par exemple en ef- - fectuant une approximation en marches d'escalier des courbes L(r). Un mode de réalisation particulièrement simple consiste à constituer des régions implantées de forme parallélépipédique, de deux longueurs diffé- rentes, l'approximation étant à deux niveaux; par exemple, dans la disposition de la figure 6b, une région 20b sera remplacée par une partie non implan- tée [L(r) = 0] suivie d'une partie implantée de lon- gueur Lo/2 [L(r) = LO/2]ou par une partie implantée de longueur L./2 [L(r) = LO/2] suivie d'une partie implantée de longueur L O [L(r) =] . De plus, la réalisation d'une lentille de Fresnel selon l'invention peut être réalisée sur un substrat autre que du niobate de lithium comme par exemple un substrat en quartz ou en silice fondue. Il est à noter que l'implantation à forte dose pour la réalisation de la lentille selon l'in- vention permet de réaliser des variations d'indice ordinaire (Ano) important et par voie de conséquence des variations importantes de ôneff. Ceci permet de travailler avec des longueurs de régions 20 faibles et de se rapprocher de la lentille de Fresnel idéale, c'est-à-dire sans épaisseur. En revanche, les temps - d'implantation deviennent prohibitifs pour une dose implantée supérieure à 1016 ions par cm2 dans le cas d'un substrat en niobate de-lithium. Un compromis est donc nécessaire et des doses implantées comprises en- tre 1015 et îo16 ions/cm2 semblent parfaitement adap- tées pour la réalisation de lentilles de Fresnel dans le niobate de lithium selon l'invention. Il convient de noter que les régions loca- lisées d'indice de réfraction différent aptes à mettre en oeuvre l'invention, ne sont pas obligatoi- 2491632 rement situées en surface de la couche guidante; elles peuvent être également en profondeur dans la couche guidante; elles peuvent être aussi disposées dans l'une des deux couches limitant la couche gui- dante (couche profonde ou couche superficielle). Il suffit, pour mettre en oeuvre l'inven- tion, que ces régions d'indice différent créent dans la couche guidante des variations. d'indice effectif permettant de créer les déphasages correspondant aux conditions de Fresnel, soit de manière exacte, soit de manière approchée. REVENDICATIONS 1. Lentille de Fresnel pour optique inté- grée, caractérisée en ce qu'elle comprend un guide de lumière (12, 14, 16) d'indice effectif neff compor- tant une couche guidante (14) et un nombre N de ré- gions (20, 20a, 20b) de longueur L(r) mesurée selon la direction de l'axe de la lentille, en fonction de la distance r à l'axe de la lentille, échelonnéesle long de la direction perpendiculaire.à l'axe de la lentille, présentant un indice de réfraction tel qu'au droit de ces régions, l'indice effectif du gui- de de lumière présente une valeur neff différente de neff de façon qu'une onde lumineuse, susceptible de se propager au droit de ces régions (20, 20a, 20b) acquière un déphasage AP, dû à la différence d'indice effectif nff n ef et permettant d'obtenir des in- eff - eff terférences lumineuses constructives, au point image choisi. 2. Lentille de Fresnel selon la revendica- tion 1, caractérisée en ce que le guide de lumière (12, 14, 16) est constitué par du niobate de lithium. 3. Lentille de Fresnel selon l'une quelcon- que des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que les régions (20b) présentent une face avant conca- ve (22b). 4. Lentille de Fresnel selon la revendica- tion 3, caractérisée en ce que les régions (20b) pré- sentent une longueur L(r) dépendante de la distance r à l'axe (11) de la lentille avec: L L0 L(r) = mL0 0 2[ r2 2+p formule dans laquelle p et p' représentent les dis- tances entre les points objet et image, X0 la lon- gueur d'onde dans le vide de l'onde lumineuse. sée, L0 la longueur maximale, et m un nombre E positif variant successivement de 1 à N. 5. Lentille de Fresnel selon la rever tion 1, caractérisée en ce que les régions (20a) sentent une face arrière convexe (22a). 6. Lentille de Fresnel selon la rever tion 5, caractérisée en ce que les régions (20b) sentent une longueur L(r) dépendante de la distz à l'axe (11) de la lentille avec: L(r) = mL0 - _P + r p itili- entier idica- ) pré- idica- ) pré- ance r formule dans laquelle p et p' représentent les dis- tances entre les points objet et image, k0 la lon- gueur d'onde dans le vide de l'onde lumineuse utili- sée, L0 la longueur maximale, et m un nombre entier positif variant successivement de 1 à N. 7. Lentille de Fresnel selon l'une quelcon- que des revendications 1 à 6, caractérisée en ce que la longueur L(r) desdites régions est satisfaite de manière approchée. 8. Lentille de Fresnel selon la revendica- tion 7, caractérisée en ce que l'approximation est à deux niveaux. 9. Procédé de fabrication d'une lentille de Fresnel selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'on réalise lesdites ré- gions (20, 20a, 20b) au moyen d'une implantation d'ions. dication sont des dication sont des 10. Procédé de fabrication selon la reven- 9, caractérisé en ce que les ions implantés ions d'hélium. 11. Procédé de fabrication selon la reven- 9, caractérisé en ce que les ions implantés ions de bore. 12. Procédé de fabrication- selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que l'on réalise l'implantation d'ions à travers un masque (18) déposé à la surface du guide de lumiè- re (12, 14, 16). 13. Procédé de fabrication selon la reven- dication 10, caractérisé en ce que le nombre d'ions implantés par centimètre carré de substrat est com- 1 pris entre 10 et îo16. 14. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 9 à 13, caractérisé en ce que l'on attaque chimiquement les régions 20. 15. Procédé de fabrication selon la reven- dication 14, caractérisé en ce que l'on réalise l'at- taque chimique avec de l'acide fluorhydrique dilué, dans le cas d'un substrat en niobate de lithium.