FR 2491260 A1 19820402 FR 8118316 A 19810929 Electrode à couche composite et dispositif à semi-conducteurs muni de cette électrode. La présente invention concerne une électrode formée par une couche à composants multiples présentant une faible résistlvlté et assurant la présence d'un contact ohmlque ou contact de redressement et elle a trait également à un dispositif à seml-conducteursmunl de cette électrode. La figure 1 montre un dispositif à semi-conducteurs connu muni d'une électrode. Ce dispositif comprend un substrat 1 en slllcium monocristallIn, une couche 3 en silicium mono- crlstallln du type n ou du type p formée dans le substrat 1, et une couche semi-conductrice 4 du typep ou du type n formée dans la couche 3 et ayant une réslstivlté beaucoup plus faible que celle de la couche 3. Les surfacessupérleures des couches 3 et 4 se trouvent de niveau avec la surface principale 2 du substrat 1. Une couche isolante 5 est formée sur la totalité de la surface de la structure sauf dans une partie de la couche semi-conductrlce 4. En outre, une couche d'lnterconnexion 6 est formée sur la couche isolante 5 et ladite partie de la couche seml-conductrlce 4. La couche semi-conductrice 4, qui se trouve entre la couche 3 en silicium monocristallin et la couche d'lntercon- nexlon 6 est une électrode ou couche de contact. En d'autres termes, la couche 4 transfère les charge électriques entre les couches 3 et 6 d'une manière spécifique pour faire fonctionner le dispositif à semi-conducteur. Si les couches 3 et 4 sont du même type de conduction, c'est-à-dire du type n ou du type p, la couche 3 est en liaison ohmlque avec la couche d'interconnexion 6 par l'intermédialre de la couche seml-conduc- trice 4. S1 les couches 3 et 4 sont de typesde conduction dif- férent, elles confèrent au dispositif àa eml-conducteurs une pro- prlété de redressement. La couche seml-conductrice 4 quand elle établit une liaison ohmique entre le substrat 1 et la couche 3 ou lorsqu'elle est utilisée comme émetteur d'un transistor par exemple, pour relier le substrat 1 et la couche 3 en conférant une propriété de redressement doit avoir une faible résistlvité. Si la résistivité de la couche 4 est faible, la perte de puissance dans la couche 4 par suite d'une chute de tension est réduite, le retard d'un signal traversant cette couche 4 est bref et le rendement d'injection d'émetteur se trouve accru. De façon classique, la couche 4 est formée par diffu- sion ou implantation ionique d'une impureté du type donneur ou accepteur dans la couche 5 de silicium monocristallin. Un traitement thermique fait suite à l'implantation ionique. Pour former le couche 4 de cette façon, un traitement thermique à des températures élevées d'environ 900 C est habituellement nécessaire. Le traitement est susceptible d'entratner l'appa- rition de défauts dans le substrat 1 en silicium et dans la couche 3 en silicium monocristallin et de favoriser la conta- mination du dispositif à semi-conducteuraen diminuant ainsi éventuellement les performances de ce dispositif. Pour ne pas arranger les choses, pendant le traitement, l'impureté du type donneur ou accepteur diffuse à partir de la couche 4 en modifiant inévitablement à la fois la structure et les carac- téristiques électriques du dispositif à semi-conducteurs. Ceci rend difficile et compliquée la conception du dispositif. Le traitement thermique sous température élevée présente en outre des inconvénients tels qu'une limitation des matières à utili- ser et un prix de revient élevé. Par ailleurs, du fait que.la couche semi-conductrice 4 est formée dans la couche 5 de silicium monocristallin, comme représenté sur la figure 1, la couche 3 doit être réalisée de façon suffisamment grande pour que la couche 4 puisse avoir un volume suffisant. En d'autres termes, le dispositif à semi- conducteursdans son ensemble doit avoir des dimensions impor- tantes. On a proposé de réaliser la couche semi-conductrice 4 en silicium polycristallin ou en silicium amorphe. La raison de cette proposition est que ces matières n'exigent qu'un traitement à température basse. Toutefois, le silicium poly- cristallin et le silicium amorphe ont une résistivité extrême- ment élevée. Leur utilisation est ainsi limitée. Le silicium polycristallin du type P disponsible actuellement a une résistivité de 2 x 10l3 Q.cm au minimum comme décrit dans l'ouvrage "Thin Solid Films, 18 (1973) -155", page 152, flg'. 12. Le silicium amorphe du type N fabriqué par utilisation du procédé connu CVD (dépàt devapeur chimique) a une résistlvlté de 101Lcm au minimum, comme men- tionné dans l'ouvrage "J. Phys. Soc. Japan 49 (1980) Suppl. A pp. 1233(1236", page 1234, fig. 1. Les silicium amorphes du type P et du type n formés par la technique de décharge par effluve ont aussi une résistlvlté élevée. Leur réslstivlté est de l00.l.cm au minimum, comme décrit dans l'ouvrage "Philosophical Magazine, 1976, Vol. 33, No.6 pp. 935-949", page 940, fig. 3. Si un dispositif à semi-conducteursest fabriqué avec du silicium polyeristallin ou du silicium amorphe, lesquels ont tous deux une résistlvité élevée, un temps de temporisa- tlon long e vechute de tension importante sont inévitables. Le dispositif fonctionne donc à une vitesse faible et consomme beaucoup d'énergie. C'est pourquoi une électrode et un dlsposltif à semi- conducteun munl d'une telle électrode ont été désirés depuis longtemps, cette électrode étant fabriquée avec une matière présentant une faible résistivité et permettant de fabriquer le dispositif à l'aide d'un traitement sous température basse. Un objet de la présente invention est de réaliser une électrode et un dlspositif à semi-conducteur.munl d'une telle électrode en utilisant une nouvelle matière qui présente une faible réslstlvité et qui peut être fabriquée à l'aide d'un traitement sous température basse. Une électrode selon la présente invention est une couche à composants multiples formée de silicium, d'au moins un élément du groupe ayant un rayon atomiaue plus grand que celui du sillcium,et d'une impureté déterminant le type de conductivité de la couche. Un dispositif à semiconducteurs selon la présente invention comprend un substrat semi-conduc- teur et une couche formée sur le substrat et constituée par du sillcium, au moins un élément du groupe IV ayant un rayon atomique plus grand que celui du silicium et une impureté déterminant le type de conductivité de la couche. De façon plus particulière, la couche de la présente invention est polycristalline ou amorphe. La couche peut donc être formée à l'aide d'un traitement sous basse tempé- rature et peut cependant présenter une faible résistivité étant donné qu'elle contient, en plus du silicium, l'impureté et du germanium, de l'étain ou tout autre élément du Groupe IV. L'électrode formée par la couche, et le dispositif à semi-conducteurs muni de cette électrode, peuvent fonctionner à une vitesse élevée en consommant une faible énergie. On va maintenant décrire la présente invention en se référant aux dessins annexés, sur lesquels: la figure 1 est une vue en coupe d'une partie d'un muni dispositif à semi-conducteun connu/d'une électrode; la figure 2 est une vue en coupe d'une partie d'un dispositif à semi-conducteursmuni d'une électrode selon la présente invention; la figure 3 est une vue en coupe d'unepartie d'un autre dispositif à semi-conducteun muni d'une électrode selon la présente invention; la figure 4 est une graphique montrant les résistivi- tés des couches qui sont utilisées dans un dispositif à semi- conducteur muni d'une électrode selon la présente invention; la figure 5 est une vue en coupe d'une partie d'un autre dispositif à semiconducteursmuni d'une électrode selon la présente invention; la figure 6 est une vue en coupe d'une batterie so- laire à laquelle la présente invention est appliquée; et la figure 7 est une vue en coupe d'une autre batterie solaire à laquelle la présente invention est appliquée. On va décrire un mode de réalisation de l'invention en se référant à la figure 2. Une électrode selon la présente invention est utilisée, par exemple, dans un dispositif à semi-conducteur tel que celui représenté sur la figure 2. Ce dispositif comprend un substrat 1 en silicium monocristal- lin et une couche 3 en silicium monocristallin du type p et du type n formée dans le substrat 1, sa surface supérieure étant de niveau avec la surface principale 2 du substrat 1. En outre, la couche 3 peut 8tre formée sur la surface complè- te du substrat 1. Sur le substrat 1 et la couche 3 une couche isolante 5 est formée en laissant nue une partie de la couche 3. De plus, une coi he 7 est formée partiellement sur la partie nue de la couche 3 et partiellement sur la couche isolaite 5. Une couche d'interconnexion 6 est formée partiellement sur la couche Isolante 5 et partiellement sur la couche 7. La couche 7 est une couche polycristalline ou amorphe composée de silicium, d'au moins un élément du Qroupe IV tel que le germanium ou l'étain,et une impureté du type donneur tel que le phosphore ou l'arsenic. Dans une variante, cette couche est une couche polycristalline ou amorphe composée de slllcium, d'au moins un élément du Groupe IV tel que le germa- nium ou l'étain et d'au moins une impureté du type accepteur tel que le bore ou le gallium. La couche 7 peut être formée de la manière suivante. Si la couche 7 est une couche polycristalline de sillium, de germanlum et de bore, on la forme à l'aide du procédé CVD à 500 C Jusqu'à moins de 900 C, en utilisant un mélange gazeux consistant en du silane, du germane, du dibora- ne et de l'hydrogène. Si la couche 7 est une couche polycrls- talline de slllcium, de germanium et de phosphore, on la forme à l'aide du procédé CVD à 500 C Jusqu'à moins de 900 C, en utilisant un mélange gazeux consistant en du silane, de la phosphène, du germane et de l'hydrogène. S1 la couche 7 est une couche amorphe de silicium, de germanium et de bore, on la forme à l'aide du procédé CVD à 600 C ou moins, en utilisant P5 un mélange gazeux consistant en du silane, du germane, du dibo- rane et de l'hydrogène. En outre, si la couche 7 est une couche amorphe de silicium, de germanlum et de phosphore, on la forme à l'aide du procédé CVD à 600 C ou moins, en utilisant un mé- lange gazeux consistant en du silane, de la phosphine, du ger- mane et de l'hydrogène. Au lieu du procédé CVD, on peut utili- ser la technique de déchargespar effluvespour former la couche 7. Si la couche 7 est du même type de conduction que la couche 3 en silicium monocristallin, elle est en contact avec la couche 3 en formant un contact ohmique quel que soit le procédé à l'aide duquel on l'a form&. Dans ce cas, la couche 7 assure une liaison ohmique entre la couche 3 de silicium monocristallin et la couche d'interconnexion 6. Si la couche 7 est du type de conduction opposé à celui de la couche 3, elle est en contact avec les couches 3 en formant une Jonction pn. Dans ce cas, la couche 7 relie la couche 3 en silicium monocristallin et la couche d'interconnexion 6 est redresse le courant circulant entre ces couches. Pcur former la couche 7 à l'aide de l'un quelconque des procédés mentionnés ci-dessus, il n'est pas nécessaire d'effectuer un traitement thermique à 900 C ou plus comme dans le cas de la formation des couches semi-conductrices connues. De plus, la couche 7 présente une faible résistivité. Comme on peut le voir sur la figure 4, la couche 7, qui est déposée à 500 C, présente une résistivité inférieure à celle des couches semiconductrices connues, qu'elles soient amorphes ou polycristallines. Sur la figure 4, on a porté sur l'axe vertical des résistivités de couches selon la présente invention composées de silicium, de germanium et de bore. Sur l'axe horizontal, on a porté le rapport entre le débit de germane et la somme des débits de germane et de silane. Le rapport entre le débit du diborane et la somme des débits de germane et de silane est maintenu à 1%. Les couches sont formées à 5000C. La droite a indique la relation entre la résistivité de chaque couche à structure amorphe et le rapport de débit (GeH4)/ (SiH4+GeH4) et la droite b indique la relation entre la résis- tivité de chaque couche à structure polycristalline et le rapport des débits (GeH4)/(SiH4+GeH4). Comme le montre le droite a la résistivité de la couche à structure amorphe se trouve réduite à environ l2.;cm. Comme le montre la droite b la résistivité de la couche à structure polycristalline se trouve réduite à environ 10-3.cm. Il est évident que la couche selon la présente invention a une résistivité inférieure à celle de la couche semi-conduc- trice connue, indépendamment du fait qu'elle soit amorphe ou polycristalline. L'élément du Groupe IV utilisé n'est pas limité au germanium. Un autre élément du Goupe IV, tel que l'étain, peut être utilisé pourvu que son rayon atomique soit plus grand que celui du silicium étant donné qu'il peut réduire la contrainte créée dans le réseau de silicium et de bore tout en maintenant une liaison atomique du type SP. Deux éléments tels que le germanium et l'étIn du Groupe IV peuvent être utilisés. Un dispositif à semi-conducteur comportant une électrode telle que celle représentée sur les figures 2 ou 3 peut être fabriquée à l'aide d'un traitement sous température basse et peut fonctionner avec un rendement élevé. Si la couche 7 est une couche amorphe et est en contact avec la O10 couche 3 en silicium monocristallin formant une Jonction pn et si la couche 7 et la couche/sont utilisées comme émetteur et comme base d'un transistor, respectivement, les porteurs minoritaires sont injectés dans la couche 3 à partir de la couche 7 avec un rendement beaucoup plus élevé que celui qu'il est possible d'obtenir dans le transistor classique. Il en est ainsi en raison du fait que la couche a une faible résistivité et du fait également que la couche 7 deviant un émetteur à bande large. Le dispositif à semi-conducteur des figures 2 ou 3 peut constituer un transistor ayant un rendement élevé. La couche monocristalline 3 peut ne pas être formée directement dans le substrat i en silicium. Elle peut être formée dans une autre couche semiconductrice qui est formée dans le substrat 1. Dans une variante, on peut ne former aucune couche cristalline comme représenté sur la figure 3. Dans ce cas, la couche 7 est mise en contact direct avec le substrat 1 en silicium. En outre, le substrat peut être formé par une autre matière que le silicium monocristallin; il peut être constitué par du silicium polycristallin ou du silicium amorphe. On va maintenant décrire en se référant à la figure 5 un autre mode de réalisation de la présente invention. Comme on peut le voir sur la figure 5, deux couches 3 et 3' en silicium monocristallin sont formées dans le substrat 1 en silicium en étant espacées l'une de l'autre par une dis- tance prédéterminée. Les couches 3 et 3' sont du même type de conductivité, soit du type p soit du type n. Leuis surfaces supérieures sont de niveau avec la surface principale du substrat 1. Sur le substrat 1 et les couches 3 et 3' on forme une couche 5 en laissant nue une partie de la couche 3 et une partie de la couche 3'. Une couche 7 est formée sur la couche isolanté 5 et sur les deux couches monocristallines 3 et 3'. La couche 7 est une électrode dont la résistivité est si fai- ble qu'elle fonctionne non seulement domme un contact mais également comme unzouche d'interconnexion. Un exemple de cette configuration est celui dans lequel la couche 7 et les couches 3 et 3' forment les jonctions d'émetteur-base de transistor et et Les émetteurs sont reliés l'un à l'autre. Dans ce cas on forme la couche 7 en modifiant la teneur en germanium pour une structure amorphe dans la partie qui est en contact avec les couches 3 et 3' et la structure polycristal- line de l'autre partie. La couche 7 se comporte alors comme une électrode qui peut fonctionner non seulement comme émet- teur avec un rendement d'émetteur élevé mais aussi comme une couche d'iinterconnexion de faible résistivité. La couche 7 peut être formée de composants multiples avec de l'hydrogène en plus du silicium, au moins un élément du Groupe IV ayant un rayon atomique plus grand que celui du silicium et au moins une impureté pour déterminer le type de conduction de la couche 7. La couche 7, que ce soit une couche polycristalline ou une couche amorphe, présente alors une faible densité d'état5loca- lisésdans la bande d'énergie issue des liaisons oscillantes. Comme il est évident d'après les modes de réalisation des figures 2, 3 et 5, l'électrode ou la couche 7 Joue le rôle non seulement d'un contact mais également d'une couche d'inter- connexion. L'électrode est par conséquent un des éléments im- portants du dispositif. On va maintenant décrire comment fabriquer une pile solaire en utilisant la couche décrite ci-dessus formée sur le substrat en silicium ayant une fahible résistivité. Pour fabriquer une pile solaire telle que celle repré- sentée sur la figure 6, on"lave"un substrat 10 en silicium monocristallin du type n, par exemple, avec du gaz chlorhydrique, par exemple,dans une enceinte CVD. Ensuite, on forme une couche 12 de type p sur le substrat 10 à l'aide du procédé CVD à 600 C ou moins en utilisant un mélange gazeux de silane (SiH4)i de diborane (B2H6), de germane (GeH4) et d'hydrogène ou d'hélium. La couche 12 ainsi formée est une couche amorphe du type p. Dans une variante, on peut former la couche 12 en silicium amorphe du type p par une technique de déchargespar effluvesà 200 C Jusqu'à 400 C, en utilisant un mélange gazeux consistant en du sllane (SiH4), du diborane (B2H6), du germane (GeH4) et de l'hydrogène. Si on utilise un mélange gazeux de sllane, de diborane, de germane et d'hydrogène, la couche 12 a une faible densité d'état5localisésdans a bande d'énergie prenant son origine dans les liaisons oscillantes. enfin, on forme une électrode ohmique 13 sur la couche 12 à composante multiplesde type p ainsi qu'une autre électrode ohmique 15 sur l'autre surface principale 14 du substrat 10 en silicium mono- cristallln du type n. Pour fabriquer une pile solaire telle que celle décrl- te sur la figure 7, on forme une couche 21 en silicium amor- phe de type n sur un substrat 20 en acier inoxydable qui fonc- tlonne également comme une électrode. On forme par exemple, la couche 21 à l'aide de la technique par déchargeslumlnescentes à 200 C Jusqu'à 4000C en utilisant un mélange gazeux de sllane (SIH4), de phosphine (PH4) et d'hydrogène Jusqu'à ce que cette couche atteigne par croissance une épaisseur voulue. Ensuite, on forme une couche 22 en silicium amorphe du type 1 sur la couche 20 de silicium amorphe de type n en utilisant un mélange de gaz de sllane (SIH4) et d'hydrogène. En outre, on dépose une couche amorphe 23 de type p sur la couche 22 en slllicium amor- phe de type l en utilisant un mélange gazeux de sllane (SiH4), de diborane (B2H6), de germane (GeH4) et d'hydrogène. Enfin, on dispose une électrode ohmique 24 sur la couche amorphe 23 de type p et à composantsmultiples. On peut utiliser un mélange gazeux contenant du ger- mane (GeH4) non seulement pour former la couche amorphe 23 de type p mals également pour former la couche amorphe 21 de type n et la couche amorphe 22 de type 1 pourvu que la teneur en germane soit réglée à une valeur appropriée. Si on utilise ce procédé, la couche amorphe 21 de type n et la couche amorphe 23 de type p peuvent tout'deux avoir une résistlvité beaucoup plus faible que celle qu'il est possible d'obtenir avec les procédés connus. En modifiant la teneur en germanium des cou- ches 21 et 23, on peut modifier la bande d'énergie entre ces couches 21 et 23. On peut donc modifier la discontinuité ou limite d'absorption de la pile solaire sur une plage spécifi- que. Il en résulte que la pile peut absorber la lumière sur une large gamme de longueum d'onde et que son rendement d'ab- sorption de lumière est élevé. Dans la pile solaire ayant la structure p-n (figure 6) et dans la pile solaire ayant la structure p-i-n (figure 7), la région de la couche de type p qui effectue la conversion photoélectrique de l'énergie est constituée par la partie de la couche de type p qui est en contact avec la couche de type n ou avec la couche en silicium de type i et qui est par consé- Dar quent une couche d'appauvrissement et lPa/partie de la couche de type p qui s'étend depuis le bord de la couche d'appauvris- sement sur une distance égale à la longueur de diffusion des électrons (c'est-à-dire les porteurs minoritaires). Les autres parties de la couche de type p ne contribuent pas à la con- version photoélectrique de l'énergie et ne sont donc pas in- dispensables. En outre, une perte de puissance due à ces par- ties est considérablement importante si la résistivité de la couche de type p est relativement élevée. Du fait que la cou- che de type p selon la présente invention a une faible résis- tivité, la batterie solaire selon ce mode de réalisation peut avoir un rendement de fonctionnement élevé. Pour démontrer que la couche amorphe de type p à composants multiples, composée de silicium, de bore et de germanium (c'est-à-dire un élément du Groupe IV) a une résis- tivité inférieure à celle du silicium amorphe de type p qui contient uniquement du bore, on a effectué l'essai suivant. On a formé à 550 C du silicium amorphe de type p contenant uniquement du bore en utilisant un mélange gazeux de silane (SiH4), de diborane (B2H6), d'hélium et d'hydrogène sous une pression de 0,27ynillibar, le rapport du débit de dibo- rane à celui du silane étant de 0,1; on a formé ensuite à 5500C, une couche amorphe de type p à composants multiples selon la présente invention, cette couche contenant du sili- cium, du germanium et du bore, en utilisant un mélange gazeux de silane (SIH4),de diborane (B2H6), de germane (GeH4), il d'hélium et d'hydrogène sous une pression de 0,27mtlltbar, le rapport du débit de diborane à celui du silane étant de 0,5. On a constaté que le silicium amorphe du type p ne contenant que du bore avait une résistivlté de 15 Ql.cm. On a constaté que la couche amorphe de type p à composants multiples selon la présente invention avait une réslstivlté beaucoup plus falble de 1,8.9.cm. L'addition de germanium au silicium a pour but de former une couche à composants multiples avantageuse sous d'autres aspects. Le germanlum, s'il est contenu dans du silicium contenant du bore, supprime la contrainte qui est engendrée dans le sllicium par l'addition de bore en une quantité importante. En d'autres termes le germanium contribue à l'obtention d'une pile solaire de structure p-n ou de struc- ture p-l-n qui est stable également du point de vue mécanique. REVENDICATIONS 1. Electrode caractérisée par le fait qu'elle est constituée par une couche comprenant du silicium, au moins un élément du Groupe IV ayant un rayon atomique plus grand que celui du silicium, et un élément déterminant le type de con- ductivité de la couche. 2. Dispositif à semi-conducteurscomprenant un substrat semi-conducteur et une couche formée sur le substrat, caracté- risé par le fait que ladite couche est formée par du silicium, au moins un élément du Groupe IV armant un rayon atomique plus grand que celui du silicium et au moins un élément déterminant le type de conductivité de la couche. 3. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendica- tion 2, caractérisé par le fait que ledit substrat semi-conduc- teur et ladite couche semi-conductrice ont le même type de conductivité et forme un contact ohmique. 4. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendica- tion 2, caractérisé par le fait que ledit substrat semi-conduc- teur et ladite couche ont des types de conductivité différents et confèrent une propriété de redressement. 5. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendica- tion 2, caractérisé par le fait que ledit substrat semi-conduc- teur est formé par du silicium monocristallin. 6. Dispositif à semi-conducteun suivant la revendica- tion 2, caractérisé par b fait que ledit substrat semi-con- ducteur est formé par du silicium polycristallin. 7. Dispositif à semi-conducteur suivant la revendica- tion 2, caractérisé par le fait que ledit substrat semi-conduc- teur est formé par du silicium amorphe. 8. Dispositif à semi-conducteurssuivant la revendica- tion 5, caractérisé par le fait aue ledit substrat semi-conduc- teur comprend une couche de silicium monocristallin formée de niveau avec une surface principale du substrat et en contact avec ladite couche. 9. Dispositif à semi-conducteurssuivant la revendica- rion 6, caractérisé par le fait que ledit substrat semi-conduc- teur comprend une couche de silicium polycristallin formée de niveau avec une surface principale du substrat et en con- tact avec ladite couche. 10. Dispositif à semi-conducteun suivant la revendica- tlon 7, caractérisé par le fait que ledit substrat semi-con- ducteur comprend une couche de silicium amorphe formée de niveau avec une surface principale du substrat et en contact avec ladite couche. 11. Disposltif à semi-conducteur sulvant la revendica- tlon 5, caractérisé par le fait que ledit substrat semi-con- ducteur comporte une couche de silicium polycristallln formée sur ce substrat. 12. Disposltif à semi-conducteurssuivant la revendlca- tion 6, caractérisé par le fait que ledit substrat semi-con- ducteur comporte une couche de silicium polycristallin formée sur ce substrat. 13. Dispositif à seml-conducteurssulvant la revendica- tion 7, caractérisé par le fait que ledit substrat semi-con- ducteur comporte une couche de silicium amorphe formée sur ce substrat. 14. Electrode suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que ledit élément déterminant le type de conduc- tlvlté de ladite couche seml-conductrice est une impureté du type donneur. 15. Electrode suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que ledit élément déterminant le type de conduc- tivlté de ladite couche seml-conductrice est une impureté du type accepteur. 16. Electrode suivant caractérisée par le fait que le germanium. 17. Electrode suivant caractérisée par le fait que l'étain. 18. Electrode suivant caractérisée par le fait que 19. Electrode suivant caractérisée par le fait que 20. Electrode suivant caractérisée par le fait que les revendications ll ou 12, ledit élément du Groupe IV est les revendications ll ou 12, ledit élément du Groupe IV est les revendications ll ou 12, ladite couche est polycristalline. les revendications ll ou 12, ladite couche est amorphe. les revendications 11 ou 12, ladite couche contient, en outre, de l'hydrogène. 21. Dispositif à semi-conducteurssuivant la reven- dication 2, caractérisé par le fait que ledit élément déter- minant le type de conductivité et de ladite couche est une impureté du type donneur. 22. Dispositif à semi-conducteurnsuivant la revendica- tion 2, caractérisé par le fait que ledit élément déterminant le type de conductivité de ladite couche est une impureté du type accepteur. 23. Dispositif à semi-conducteur suivant les revendica- tions 18 ou 19, caractérisé par le fait que ledit élément du Groupe IV est le germanlum. 24. Dispositif à semi-conducteurssuivant les revendica- tions 18 ou 19, caractérisé par le fait que ledit élément du Groupe IV est l'étain. 25. Dispositif à semi-conducteus suivant les revendica- tions 18 ou 19, caractérisé par le fait que ladite couche est polycristalline. 26 Dispositif à semi-conducteurssuivant les revendica- tions 18 ou 19, caractérisé par le fait que ladite couche est amorphe. 27. Dispositif à semi-conducteurssuivant les revendica- tions 18 ou 19, caractérisé par le fait que ladite couche contient, en outre, de l'hydrogène.