FR 2493047 A1 19820430 FR 8023015 A 19801028 L'invention concerne les composants opto-électroniques susceptibles de fonctionner alternativement en émetteur et en récepteur, et d'être couplés dans des conditions favorables à une fibre optique notamment à celles du type utilisé en télécommunications. Les composants utilisés jusqu'alors comportent des diodes à double hétéro-structure, fonctionnant en diodes électroluminescentes sous polarisa- tion directe de la jonction semiconductrice, et en photodiodes, éventuelle- ment avec gain d'amplification, sous polarisation inverse. Or de tels composants, à diodes, présentent des performances relative- ment modestes qui résultent d'un compromis-entre les conditions de fonc- tionnement à l'émission et à la réception. Dans les structures utilisables en émetteur et en récepteur, on observe les inconvénients suivants: rendement relativement faible, ne dépassant pas 20%; - temps de réponse de l'émetteur environ dix fois plus grand que celui de la même structure utilisée en récepteur; - bruit d'avalanche limitant le gain d'amplification à 10. L'invention tend à remédier à ces inconvénients, en utilisant une hétérostructure comportant un phototransistor. Le transistor selon l'invention est du type comportant un substrat semiconducteur et une série de couches semiconductrices comprenant au moins une couche active située entre deux hétérojonctions. Il est caractérisé en ce que la couche la plus éloignée du substrat, destinée à être couplée à une face d'entrée ou de sortie d'une fibre optique, présente une région fortement dopée, du même type de conductivité que la couche active, n'occupant qu'une partie de ladite couche et raccordée à l'électrode de base du transistor, la couche active jouant le rôle de base dudit transistor, la couche la plus éloignée du substrat jouant le rôle d'émetteur et le substrat jouant le rôle de collecteur. L'invention sera mieux comprise, et d'autres caractéristiques apparai- 2 '4?.r.7 tront au moyen de la description qui suit, et des dessins qui l'accompagnent parmi lesquels: la figure l représente une réalisation de l'invention; la figure 2 représente une variante de réalisation de l'invention; les figures 3 et 4 représentent les modes de branchement électrique du transistor selon l'invention, respectivement à l'émission et à la réception. Le transistor selon l'invention peut être réalisé en utilisant des matériaux semiconducteurs: - soit du type ternaire: Ga, AI, As; - soit du type quaternaire: Ga, In, As, P. Le substrat peut être du type n ou p, et le phototransistor du type npn ou pnp. Les réalisations des figures l et 2 sont décrites pour un transistor npn dans le système quaternaire. Sur la figure 1, on a représenté un substrat 1, en phosphure d'indium dopé n+ (concentration supérieure ou égale à 1017cm-3). Des couches semiconductrices 2, 3 et 4 ont été déposées sur ce substrat et une gravure mésa de forme circulaire a été effectuée sur l'ensemble jusqu'au substrat 1, inclusivement. La couche 2 est en phosphure d'indium dopé n avec une concentration moindre que celle du substrat soit de 1015 à 1016 cmn3. Son épaisseur peut varier de 2 (cas du dopage maximal) à 20 microns (cas du dopage minimal). Cette épaisseur est calculée en fonction de la concentration et des tensions d'alimentation susceptibles de créer des champs électriques capables de mettre la totalité de la couche en régime de charge d'espace. La couche 3 est en arséniure de gallium, d'indium et de phosphore, selon la formule générale: Gax In -x As y Pî_y (dopé p) avec 0 pratique, il suffit qu'elle soit vérifiée à 1% près. Le dopage p+ est de l'ordre de 1018 cm3. L'épaisseur est de 1 à 2 microns. A titre d'exemple, pour une longueur d'onde de la lumière émise par la couche 3 égale à 1,3 micron, on choisit: x = 0,22 y = 0,5. La couche 4 est en InP de type n (concentration de îoî6 cm 3) d'une épaisseur de 1 à 3 microns. On réalise une région 5, sensiblement cylindrique et placée au centre de la structure circulaire mésa. Elle présente un fort dopage p+ (concentra- tion supérieure à îo17 cm3) par l'emploi d'une méthode classique d'implan- tation ou de diffusion localisée d'impuretés de type p. En particulier, dans le cas de la diffusion, un masquage est nécessaire pour rendre la couche 4 imperméable à la pénétration des impuretés de diffusion en dehors de la région choisie. Puis on réalise des contacts ohmiques 41 et 42. Le contact 41 est annulaire et situé à la périphérie de la surface libre de la couche 4. Le contact 42 est réalisé à la surface de la région 5. On soude des connexions l1(E) et 12(B), respectivement sur les contacts 41 et 42 pour servir de connexions d'émetteur et de base. Une connexion 13(C) de collecteur est soudée à une métallisation 10 préalablement réalisée sur la face du substrat opposée aux couches 1 à 4. On a représenté partiellement une fibre optique 6 dont le coeur présente une face plane 7. La surface de la région 5 doit être inférieure à celle de la face plane d'entrée de la fibre, pour que l'émission lumineuse provenant de la couche 3, dans la région située en dessous de la région 5, pénètre essentiellement dans le coeur de la fibre. Dans ces conditions le fonctionnement à l'émission est favorable à une bonne transmission, et, en ce qui concerne les conditions de réception, il est souhaitable que la surface de la région 5 soit du même ordre que la face d'entrée de la fibre. Le fonctionnement du transistor ainsi réalisé est le suivant: Si l'on polarise en direct (figure 3) la jonction pn du transistor npn en appliquant entre les connexions 12 et 13 un générateur 30 de tension continue, on observe une émission de photons dont l'origine est localisée dans la partie de la couche 3 la plus proche de la région 5. La connexion 11 (émetteur) est laissée "en l'air", son potentiel demeurant "flottant". En effet dans le fonctionnement en diode électroluminescente seule l'hétérojonction p+n entre couches 3 et 2 joue le rôle actif. Une particularité de cette structure réside dans la localisation du courant de trous provenant de la région 5 dans la partie de la couche 3 située entre cette région et la couche 2, ce qui produit à son tour une localisation des photons créés par suite de la rencontre des trous avec les électrons provenant de la couche- 2. Le phénomène d'électroluminescence lui-même est imputable à la relative étroitesse de la bande interdite du matériau de la couche 3. Sur la figure 4 on a représenté un mode de branchement différent de celui de la figure 3 et qui correspond au cas du fonctionnement en phototransistor. Une source de tension continue 401 est connectée par son pôle - à l'émetteur 11 et par son pôle + à la base 12 à travers une résistance R. Une source de tension continue 402 est connectée par son pôle - au pôle + de la source 401 et par son pôle + au collecteur 13 à travers un récepteur RL. Les photons absorbés dans la couche 3 donnent naissance à des paires d'électrons et de trous qui génèrent le courant primaire. Ce courant est amplifié par effet transistor et donnent naissance à un courant collecteur qui traverse le récepteur RL qui, joue le rôle de détecteur de courant photonique. La figure 2 représente une variante de la réalisation de la figure 1. Les mêmes références désignent les mêmes éléments. La structure semicondu- ctrice de cette variante diffère de la précédente par la présence d'une couche complémentaire 20 et par une épaisseur différente de la couche 3, ici beaucoup plus mince (0,2 à 0,5 micron). La couche 20 est une couche d'absorption des photons, dont la bande interdite est à dessein plus étroite que celle de la couche 3. A cet effet on a choisi pour la couche 20 la composition: Gax, In lx' Asyi Pl,1 (dopé nr) avec par exemple: x' = 0,26 y' = 0,60 et de façon plus générale x' et y' obéissant aux mêmes relations que x et y tout en étant respectivement plus grands que les paramètres correspondants de la couche 3. Le dopage présente une concentration d'atomes nr de 1015 à 1016 cm-3. La couche 2 est de même nature et de même dopage que dans la structure de la figure 1. Toutefois son épaisseur est notablement plus petite, comprise entre 0,1 et 0,3 micron. Le reste du dispositif est le même pour les deux réalisations. Le fonctionnement est analogue et les circuits d'utilisation identiques. La seule différence provient de la séparation des couches d'émission et de détection photonique, dans la deuxième réalisation. Dans le cas de l'utilisation de matériaux du type ternaire (Ga, AI, As) les compositions seraient les suivantes: 1 / Dans la réalisation de la figure 1: Substrat 1: Ga As Couche 2: Gaî-x Alx As avec 0,2 Couche 4: même composition que la couche 2. L'invention s'applique à des transistors du type inverse, soit pnp, au lieu du type npn de la description qui précède, à condition de changer les polarités des tensions appliquées aux dispositifs. REVENDICATIONS 1. Transistor émetteur-récepteur de lumière, du type comportant un substrat semiconducteur et une série de couches semiconductrices compre- nant au moins une couche active située entre deux hétérojonctions, caracté- risé en ce que la couche (4) la plus éloignée du substrat destinée à être couplée à une face d'entrée ou de sortie d'une fibre optique présente une région (5) fortement dopée, du même type de conductivité que la couche active (3), n'occupant qu'une partie de ladite couche et raccordée à l'électrode de base (12) du transistor, la couche active (3) jouant le rôle de base dudit transistor, la couche (4) la plus éloignée du substrat le rôle d'émetteur et le substrat jouant le rôle de collecteur. 2. Transistor selon la revendication 1, caractérisé en ce que, le substrat étant en InP fortement dopé, d'un premier type de conductivité, une première couche (2) est en InP moins fortement dopé que le substrat dans le même type de conductivité, la deuxième couche ou couche active (3) étant en matériau du type opposé de conductivité et de formule: Gax Inî- x Asy P1_y avec: 0 conductivité que la première couche (2). 3. Transistor selon la revendication 1, caractérisé en ce que, le substrat étant en InP fortement dopé, d'un premier type de conductivité, une première couche (20) est en matériau moins fortement dopé que le substrat, du même type de conductivité, mais de formule: Gax, In,_yl Asy, P1-_ avec: 0 conductivité que la deuxième couche. 4. Transistor selon la revendication 1, caractérisé en ce que, le (substrat étant en GaAs fortement dopé, d'un premier type de conductivité, une première couche (2) est en Galîx AlX As (avec 0,2 même type de conductivité que la première couche (2). 5. Transistor selon la revendication 1, caractérisé en ce que, le substrat étant en Ga As fortement dopé, d'un premier type de conductivité, une première couche (20) est en GaAs moins fortement dopé que le substrat, du même type de conductivité, une deuxième couche (2) étant en matériau de même type de conductivité que la première couche et de formule: Galîx AIx As avec 0,2 deuxième couche. 6. Transistor selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il présente une structure mésa de forme circulaire, la région (5) fortement dopée étant implantée ou diffusée au centre de cette structure de manière à présenter une forme cylindrique.