FR 2494905 A1 19820528 FR 8122064 A 19811125 L'invention concerne un système à faisceau électronique pulsé à haute puissance et plus précisé- ment, un système pour produire un faisceau électronique pulsé de haute intensité à partir d'une cathode chauffée pour recuire des dispositifs à semi conducteur à un certain stade de leur fabrication. Au cours des dernières années, l'utilisation des rayonnements électroniques comme source de chaleur pour recuire des imperfections d'implantation ionique dans du Si et GaAs a subie un progrès spectaculaire. Le recuit par faisceau électronique permet une perfection cristalline de degré plus élevée que le recuit au four. Mais même si cela n'est pas le cas, cette technique présente encore de nombreux avantages par rapport au chauffage thermique. Le recuit en surface jusqu'à n'importe quelle profondeur souhaitée peut être réalisé rapidement, et comme il n'est nécessaire de recuire que la surface du dispositif semi conducteur, alors qu'il fait encore partie d'une tablette, la probabilité de gauchissement est moins élevée. Les défauts cristallins à l'intérieur d'une couche implantée sont éliminés si la profondeur de la couche fondue ne dépasse pas celle de la couche super- ficielle endommagée et une croissance rapide se produit sur un substitut cristallin unique sousjacent. La fusion et la croissance rapide qui s'ensuit permettent d'obtenir une perfection cristalline améliorée par recuit au moyen d'un faisceau pulsé. Le faisceau ne chauffe le cristal que jusqu'à la profondeur souhaitée, alors que le reste de la matière environnante, y compris le support cristallin, reste froid. Un appareil à recuire à faisceau pulsé doit par conséquent fournir une densité d'énergie de faisceau régulé pour permettre une fusion uniforme de la couche superficielle jusqu'à la profondeur souhaitée. La densité d'énergie approprie nécessaire pour un recuit pulsé peut être calculée ou déterminée de façon empirique. En général, la densité d'énergie nécessaire pour effectuer ce recuit est liée au point de fusion du matériau semi conducteur et à la profondeur de la couche dont on veut provoquer la fusion. Comme cette profondeur est un paramètre important, il est nécessaire de reguler la densité d'énergie. Cela peut être effectué à un premier ordre de grandeur en rêgulant la densité du faisceau êlec- tronique, mais pour obtenir une ré-gulation à -un degré plus élevé, il est nécessaire égalment de contrôler la vitesse des électrons. ^X est par consé- quent important de produire un faseau de densité -élevée, régulé pouvant être pulsé afin de permettre un chauffage rapide & faible profondeur d l'aide d'un faisceau d'électrons à front ondes liéaires qui soit uniforme à la surface du cristal, suivi par un refroidissement rapide. Ceci exige seulement un chauffage localisé de la surface du. cristal et non pas du support du cristal et de son environnement. L'invention a pour but de fournir une impulsion rapide d'électrons à haute densité au moyen d'une cathode chauffée pour produire le chauffage d'un cristal jusqu'à une profondeur souhaitée sans affecter la température du cristal ou du support du cristal par rayonnement infra- rouge provenant de la cathode chauffée, permettant ainsi un refroidissement rapide. Un autre but de l'invention est de fournir un faisceau d'électrons pulsé à haute énergie au moyen d'une cathode chauffée sans limitation de charge d'espace. L'invention a également pour but de fournir un faisceau d'électrons pulsé ayant un front d'ondes linéaires permettant un chauffage uniforme à faible profondeur d'un cristal. 3 249490 Ces buts ainsi que d'autres buts de l'invention sont atteints par un canon à électrons cathodique chauffé constitué d'une cathode chauffée, d'une grille et d'un anneau de focalisation. La source cathodique est modulée par une impulsion courte au niveau de sa grille de façon à émettre une très courte impulsion d'électrons. Un blindage Faraday annulaire, parfois désigné ci-après sous le nom "extracteur", situé à la sortie du canon est maintenu sous une tension élevée par rapport à la masse (par exemple, de + 70 kV) alors que la cathode et que la bague de focalisation sont maintenues sous une tension négative (par exemple, de - 20 kV). L'importante différence de potentiel (90 kV) entre la cathode et l'extracteur, accélère les électrons, éliminant ainsi toute limitation de charge d'espace imposée à l'émission à haute vitesse d'électrons par la cathode chaude, pour produire ainsi un faisceau à haute densité d'énergie. Un tube à dérive de focalisation incurvé reçoit le faisceau d'électrons accélérés et le dirige vers une cible qui ne se situe pas en visibilité directe de la cathode de façon à ce que la cible et que le support de cible ne reçoivent pas d'énergie de la cathode chaude autre que celle provenant du faisceau d'électrons pulsé émis. Ce tube à dérive est également maintenu à la même tension élevée que l'extracteur. Un autre blindage Faraday situé à l'extrémité de sortie du tube à dérive est maintenu à la mêmẻ tension élevée (+ 70 kV) que l'extracteur et le tube à dérive. A une distance prédéterminée de ce blindage de sortie, se trouve un support de cible qui est maintenu au potentiel de la masse (OV). Autour du support de cible, se trouve un second tube déflecteur, également au potentiel de la masse. Cette chute du potentiel du faisceau d'électrons d'une valeur prédéterminée (70 kV), celui-ci passant d'un niveau élevé (90 kV) à un faible niveau (20 kV), produit une décélération des électrons jusqu'à une vitesse appropriée pour un impact sur la cible. Au cours de l'accélération, et alors qu'il se propage dans le tube déflecteur incurvé, le faisceau d'électrons est défléchi et focalisé, et chaque électron est défléchi de façon à suivre une trajectoire en spirale, par un champ magnétique produit par une bobine entourant le tube. Le trajet en spirale confère une vitesse tangentielle aux électrons qui entrent en collision avec la cible de façon à ce que celle-ci absorbe toute l'énergie à proximité de la surface. La chute de tension entre le premier et le second tube à dérive produit une décélération des électrons. Après décélération, les électrons sont comprimés en un faisceau ayant la dimension de la surface de la cible au moyen d'un champ magnétique produit par une bobine entourant le second tube à dérive. Les bobines équipant les tubes ne sont alimentées en courant que pendant une courte durée égale à celle de l'impulsion des grilles, et le courant destiné à la bobine du second tube peut être retardée jusqu'à un instant précédant immédiatement l'impulsion courte appliquée à la grille, tout cela dans le but de minimiser la production de chaleur dans les bobines à champ magnétique équipant les tubes à dérive. La cible est placée à l'avant du second tube à dérive. Le champ magnétique du premier tube à dérive produit des ondulations dans le profil du faisceau d'électrons.défléchi et focalisé. Le champ magnétique - du second tube à dérive, qui comprime le faisceau lors de la décélération pour l'adapter à la superficie de la cible, se mélange au champ magnétique du premier tube à dérive et ne modifie que légèrement le profil ondulé du faisceau au niveau de la cible. Pour obtenir un ajustement sain de l'adaptation de la section transversale du faisceau à la superficie de la cible, un dispositif permet d'ajuster la position exacte de la cible le long de l'axe du faisceau ondulé. Les caractéristiques nouvelles de l'invention sont décrites en particulier dans les revendications annexées. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit en se référant aux dessins ci-joints. - La fig. 1 est un diagramme schématique d'un appareil à recuire à faisceau d'électrons pulsé selon la présente invention. - La fig. 2 est un diagramme schématique plus détaillé des principaux éléments du système de la fig. 1, mais représentée avec un tube à dérive d'accélération droit pour représenter de façon plus commode en dessous de ce tube, la variation de la densité de flux magnétique le long des tubes à dérive. - La fige. 3 est un diagramme représentant la chronologie du fonctionnement des bobines à champ magnétique du système de la fig. 1. - La fig. 4 est un diagramme illustrant la vitesse tangentielle d'impact des électrons due au mouvement de spirale conféré par le champ magnétique le long du tube à dérive d'accélération, vers la cible et le long d'un second tube à dérive au niveau de la cible. - La fig. 5 est un diagramme représentant la variation d'énergie au cours du temps au niveau de la cible qui montre les avantages fournis par le tube à dérive d'accélération incurvé. On se référera à présent en détail au mode de réalisation préféré de l'invention, dont un exemple est illustré dans les dessins annexes. En se référant aux dessins, et en particulier aux figs. 1 et 2, un appareil à recuire à faisceau d'électrons pulsé à haute puissance est constitué par un canon à électrons à cathode chaude 10 et un support de cible 11 relié au canon à électrons par un tube à dérive incurvé 12, allant du canon à électrons jusqu'à un point très proche de la cible, et d'un second tube à dérive droit 13 s'étendanr. au-delà de la position de la cible. Des glindages Faraday anulaires 14 (ou extracteur) et 15 à chacune des extrémités du premier tube, et une bobine 16 entourant ce tube, sont maintenus & une tension élevée d'environ + 70 kV par rapport à la masse, alors que la cathode IOa et que le support 10b (fig. 2) sont maintenus a une tension n&gative d'nrviron - 20 kV. Pour produire une impulsion de faiStceau, le canon à électrons est mis en marche pendant un temis très court par une impulsion applique sur urne grille de commande c. La cathode est chauffée par des conducteurs en tungstène noyés 10d fournissant vin courant àlevé (normalement, de 300 A/cm2). Un anneau de focalisation e à - 20 kV confine le faisceau vers le centre du blindage Faraday annulaire 14 o le faisceau est accéléré. La grille de commande fonctionne, par rapport à la cathode, entre -1 kV pour l'interruption du faisceau et +1,5 kV pour le courant maximum de faisceau. Le tube 12 est de préférence un tube en quartz revêtu d'étain d'environ 1, 27 centimètre de diamètre avec un rayon de courbure d'environ 133,3 cm couvrant un arc d'environ 7,94". Ces dimensions fournissent un tube à dérive d'une longueur d'environ 18,3 cm et dont le bord supérieur de sa sortie se trouve juste en dessous du bord inférieur de son entrée de façon à ce qu'une cible située à sa sortie ne sera pas en vue directe de la cathode. De cette manière, l'énergie rayonnante provenant de la cathode chaude n'atteindra pas la cible. Ce tube à dérive est également relié à la tension élevée (+ 70 kV) par l'intermédiaire des blindages Faraday pour fournir une haute tension d'accélération de + 90 kV aux électrons émis par le canon. Le second tube à dérive 13 est également constitué de quartz revêtu d'étain. Ce tube et une bobine 17 qui l'entourent sont maintenus à la masse (OV). Ceci permet une décélération des électrons qui passent de la vitesse élevée conférée par les + 90 kV à une vitesse inférieure correspondant à la différence de potentiel entre le faisceau d'électrons et le tube 13, qui est de 20 kV. Ainsi, le faisceau d'électrons à haute intensité est tout d'abord accéléré par la tension de 90 kV (différence de tension entre la cathode et le premier tube à dérive) puis est décéléré de 70 kV (différence entre les tensions du premier et du second tube à dérive), et sortent à une vitesse de 20 kV. La haute accélé- ration à la sortie du canon à électrons est destinée à empêcher toute limitation de charge d'espace imposée au courant de faisceau. Le faisceau d'électrons est ensuite décéléré à la sortie du premier tube pour diminuer la vitesse des électrons et comprimer le faisceau pour l'adapter à la superficie de la cible, généralement à un diamètre de 0,5 cm (superficie de 0,196 cm 2). Une impulsion de courant est appliquée aux bobines 16 pour fournir un champ magnétique unique qui focalise et défléchit le faisceau le long de l'axe du tube à dérive incurvé. Ceci permet d'écarter la cible de la ligne de vision directe de la cathode, comme le représente la fig. 1. Une impulsion retardée ou simultanée appliquée à la bobine 17 comprime le faisceau pour l'adapter à une superficie prédéterminée de la cible 18. La fig. 3 illustre la séquence de ces impulsions de champ magnétique. La première bobine 16 du tube 12 est soumise à une impulsion pendant environ 1 ms, puis la bobine 17 du tube 13 est soumise à une impulsion pendant environ 50 ms. Les deux impulsions de courant s'achèvent simultanément après que la grille de commande du canon à électrons ait subi une impulsion d'environ 100 ns située pratiquement au centre de l'impulsion de 50 ms. Tout en traversant le premier tube à dérive, chacun des électrons adopte également un mouvement en spirale de façon à ce que les électrons frappent la cible sous un angle d'incidence faible permettant l'absorption de l'énergie à proximité de la surface de la cible, comme le montre la fig. 4. Le diamètre du trajet en spirale de chaque électron est bien sûr très inférieur à celui du faisceau. On dit que ce processus confère à l'électron une "vitesse tangentielle". Au cours de la décélération, le champ magnétique dû à la bobine 17 du second tube à dérive comprime le faisceau pour l'adapter à une superficie prédéterminée. La fig. 2 représente une coupe transversale du premier tube à dérive 12 et de la bobine 16 en ligne droite avec le second tube à dérive 13 et la bobine 17 de façon à pouvoir représenter commodément en-dessous de ce graphique la section transversale de la densité de flux magnétique le long de l'axe de ces tubes, et pour représenter le profil du faisceau par une ligne discontinue qui représente les limites extérieures du faisceau. On remarquera la forme ondulée de type Bernoulli de ce profil. Cela est du à la désadaptation d'impédance entre le canon à électrons et le tube. Bien que cela puisse paraître indésirable, et par 249490! conséquent à éviter, la présente invention en tire profit pour permettre un ajustement sain du faisceau à la superficie prédéterminée de la cible, en déplaçant la cible le long de l'axe du tube jusqu'à une position o la section transversale du faisceau ait un diamètre qui s'adapte exactement à la cible. En d'autres termes, on profite de cet effet d'ondu- lation de Bernoulli pour obtenir un ajustement fin du diamètre du faisceau au diamètre de la cible. L'espace séparant le blindage de Faraday 15 et la joue 13a du second tube à dérive 13 est ajusté à 0,711 cm alors que le-support en quartz 19 de la cible 18 est reculé d'environ 0,317 cm. La surface de la cible est alors placée exactement à l'emplacement d'une ondulation de Bernoulli correspondant à sa taille par ajustement de la position du support de cible au moyen d'une tige 20 qui peut être déplacée dans le tube le long de son axe. La fig. 1 représente une chambre à vide 21 destinée à l'appareil à recuire à faisceau pulsé à haute puissance qui vient d'être décrit. Cette chambre est reliée par une soupape à vide 22 à une pompe à vide poussée 23. Une chambre à vide de jonction 25, reliée à la chambre 21 par une soupape 24-, est utilisée pour retirer la cible en retirant le support de cible 19 dans la chambre 25 puis en fermant la soupape 24. La soupape 24 peut simplement être une soupape à porte ayant une porte en V qui est assujettie hermétiquement contre une bague en o sur un siège de soupape se trouvant sur la paroi proche de la chambre 21. Une fois que le support de cible est introduit dans la chambre , un couvercle 26 est retiré de l'extrémité de la chambre, permettant ainsi de retirer la tige 20 et le support de cible 19 de la chambre 25. Le couvercle est équipé d'un joint à vide 27 qui maintient un vide élevé tout en permettant de déplacer axialement la tige à travers celui-ci. Pour introduire une nouvelle cible dans le tube 13, on utilise le processus inverse. En premier lieu, on monte la cible sur le support de cible alors que le support de cible se trouve à proximité du -couvercle 26. Puis on dispose ie couvercle sur l'extrémité de la chambre 25 avec un joint à vide. A titre d'exemple, le couvercle peut être filet' sur la chambre 25. Un joint en o 28 entre le couvercle et l'extrémité de la chambre 25 fournit un joint d'étan- chéité à vide. Avant d'ouvrir la soupape 24, une pompe sommaire 29 (fig. 1) est mise en marche pour établir au moins un vide partiel dans la chambre. On ferme ensuite une soupape 30 puis on ouvre la soupape 24. On établit ensuite un vide complet dans la chambre 25, au moyen de la soupape 24 et dans la chambre 21 au moyen de la pompe à vide élevée 23. La soupape 22 reliant la pompe 23 à la chambre 21 n'est fermée que lorque l'on doilt interrompre!e fonctionnement de cette pompe, c2est--dire lorsque l'appareil à recuire n'est pas utilisé. Il apparaît donc que l'cn dispose d'un faisceau d'électrons pulsés à haute puissance permettant de recuire des surfaces de semi conducteur en utilisant un canon à électrons cathodique chaud, une grille de commande, une tension d'accélération élevée dans un tube à dérive suivie d'une tension de décélération à la sortie du tube à dérive, et un champ magnétique en deux parties pour défléchir, focaliser et comprimer le faisceau. La déflection dans le tube à dérive est telle que le semi conducteur monté sur un support à la sortie du tube à dérive ne soitpas envue directe de la cathode chaude, c'est-à- dire, de telle manière que le tube à semi conducteur ne reçoive pas d'énergie rayonnante de la cathode chaude. La tension de décélération réduit l'énergie des électrons et la pénétration dans la cible. Pendant la décélération, et lors du trajet dans le second tube à dérive, dans la seconde partie du champ magnétique à deux parties, le faisceau d'électrons est comprimé de façon à être adapté à la superficie du semi conducteur à recuire. REVENDICATIONS 1. Système à faisceau d'électrons pulsé à haute puissance pour recuire des surfaces de semi- conducteur à une profondeur prédéterminée, caractérisé en ce qu'il comprend: - un canon à électrons (10) ayant une cathode chaude (lOa) et une grille de commande (1Oc) pour produire un faisceau d'électrons en réponse à une impul- sion de commande, - un extracteur (14) à la sortie de ce canon à électrons maintenu à une tension élevée par rapport à cette cathode d'accélération des électrons, - un premier tube à dérive (12) pour recevoir ses électrons accélérés, et - une première bobine (16) entourant ce tube pour focaliser les électrons autour de l'axe du tube en réponse à une impulsion de courant continu appliqué pendant un temps égal à la durée de cette impulsion de commande, ce tube à dérive (12) et cette bobine (16) étant maintenus à la même tension que cet extracteur (14), - un second tube à dérive (13) aligné axialement avec l'extrémité de sortie de ce premier tube à dérive (12) pour recevoir ses électrons accélérés et focalisés, ce second tube (13) étant situé à une distance prédéterminée de ce premier tube (12), une secondebobine (17) entourant ce tube pour focaliser les électrons autour de l'axe du tube en réponse à une impulsion de courant continu appliqué pendant un temps égal à la durée de cette impulsion de commande, le courant de cette seconde bobine (17) produisant un champ magnétique supérieur au champ magnétique produit par le courant traversant cette première bobine, ce second tube (13) et cette seconde bobine (17) étant maintenus à une tension de référence entre la tension de cette cathode (lOa) et de cet extracteur (14),et - des moyens (19,20) permettant de maintenir un semi-conducteur (18) à recuire de façon à ce que sa surface soit placée dans la zone de décélération, et dans le champ magnétique de ce second tube, ces moyens de supports étant maintenus à cette tension de référence. 2. Système selon la revendication 1, caractérisé en ce que le champ magnétique de ce premier tube à dérive produit un profil ondulé et en ce que le champ magnétique de ce second tube se mélange au champ magnétique du premier tube de façon à ne pas modifier le profil ondulé, et en ce que ces moyens de fixation (19,20) comprennent un dispositif (20) d'ajustement de la position de ces moyens de fixation de façon à placer la surface d'un semi- conducteur à recuire en un point situé dans ce faisceau, focalisé par le champ magnétique de ce second tube, o la section transversale du faisceau ondulé correspond exactement à la surface. 3. Système selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier tube est équipé d'un blindage Faraday (14) situé à son extrémité d'entrée. 4. Système selon la revendication 3, caractérisé en ce que ce premier tube est équipé d'un blindage Faraday (15) situé à son extrémité de sortie. 5. Système selon la revendication 1,2,3 ou 4, caractérisé en ce que le tube est incurvé de façon à ce que son extrémité de sortie s'écarte de l'axe de son extrémité d'entrée, de sorte que ces moyens de fixation positionnent un semi-conducteur à recuire (18) en dehors de la ligne de vue directe de cette cathode. 6. Système selon la revendication 1, caractérisé en ce que cette première bobine (16) est soumise à une impulsion pendant un temps prédéterminé couvrant une impulsion de commande et dépassant la durée d'une impulsion de commande pendant un temps suffisant pour qu'un faisceau pu!së d'électrons atteigne ce semi-conducteur (18)> et en ce que cette seconde bobine (17) est pulsée pendant un temps prédéterminé couvrant une impulsion de commande et s'achevant en même temps que l'impulsion de cette première bobine. 7. Appareil pour produire un faisceau d'électrons pulsé à haute puissance ayant une vitesse prédéterminée au niveau d'une cible (18), caractérisé en ce qu'il comprend: - un canon à électrons (10) ayant une cathode chauffée (10a) et une grille (10c) prévue pour être pulsée de façon à provoquer une impulsion d'électrons à émettre, et ayant un anneau de focalisation (10e) pour confiner le faisceau pulsé d'électrons à une super- ficie prédéterminée, cette cathode et cet anneau de focalisation étant maintenus A une tension négative par rapport à une tension de référence, un premier tube à dérive (12) dont l'axe est aligné avec l'axe de cet anneau de focalisation (10e) et un blindage de Faraday annulaire (14) entre cet anneau de focalisation et ce tube à dérive, ce premier tube à dérive et ce blindage Faraday étant maintenus à une tension positive élevée par rapport à cette tension de référence pour accélérer les électrons passant à travers cet anneau de focalisation (10e) éliminant ainsi les limitations de charge d'espace imposées à l'émission d'électrons par ce canon à électrons, - une bobine (16) entourant ce premier tube à dérive, un courant continu circulant dans cette bobine pour produire un champ magnétique qui maintient ce faisceau d'électrons focalisé à proximité de l'axe de ce premier tube a dérive et qui confère aux électrons une trajectoire en spirale, et en ce que cette bobine est maintenue à une tension égale à la tension élevée de ce premier tube à dérive, - un dispositif (19,20) permettant de posi- tionner cette cible (18) à une distance prédéterminée au-delà de l'extrémité de ce premier tube à dérive, ce dispositif et cette cible étant maintenus à cette tension de référence, - un second tube à dérive (13) placé de telle manière que son axe soit aligné avec l'axe de ce premier tube à dérive (12) à l'extrémité de sortie de ce premier tube à dérive, ce second tube à dérive étant maintenu à cette tension de référence, et, - une seconde bobine (17) entourant ce second tube à dérive, un courant continu circulant dans cette seconde bobine pour maintenir ce faisceau d'électrons focalisé à proximité de l'axe de ce second tube à dérive, et cette seconde bobine étant maintenue à cette tension de référence pour décélérer des électrons passant de ce premier tube à dérive dans ce second tube à dérive. 8. Système à faisceau d'électrons pulsé, à haute puissance selon la revendication 7, caractérisé en ce que cette cible doit être chauffée superficiellement par une impulsion de faisceau d'électrons et être rapi- dement refroidie, ce premier tube à dérive (12) étant incurvé de façon à ce que cette cible (18) soit centrée sur l'axe de l'extrémité de sortie de ce premier tube (12) à dérive et qu'elle ne soit pas en vue directe de cette cathode chauffée (l0a). 9. Système à faisceau d'électrons pulsé à haute puissance selon la revendication 8, caractérisé en ce que ces bobines (16,17) du premier et du second tubesà dérive sont soumises à une impulsion pendant un temps court couvrant l'intervalle pendant lequel cette impulsion de faisceau d'électrons parcourt la distance séparant cette grille (1Oc) de cette cible (18), minimi- sant ainsi l'échauffement de ces bobines. 10. Système à faisceau d'électrons pulsé à haute puissance selon la revendication 9, caractérisé en ce que cette seconde bobine (17) de tube à dérive est soumise à une impulsion à courant plus élevé que cette première bobine (16) de tube à dérive, et en ce qu'un second blindage Faraday annulaire (15) est prévu à l'extrémité de sortie de ce second tube à dérive, ce second blindage Faraday (15) étant maintenu à une tension égale à la tension de ce premier tube produisant ainsi dans le volumei'épArant ce premier tube à dérive et ce second tube à dérive une augmentation spatiale rapide de la densité de flux magnétique allant de l'ex- trémité de sortie de ce premier tube à dérive vers cette cible. 11. Système à faisceau d'électrons pulsé à haute puissance selon la revendication 10, caractérisé en ce que le début de l'impulsion de courant alimentant cette seconde bobine (17) de tube à détive est retardée par rapport au début de l'impulsion de courant alimentant cette première bobine (16) de tube à dérive. 12. Système à faisceau d'électrons pulsé à haute puissance selon l'une quelconque des revendications 7,8,9 10 ou 11, caractérisé en ce que ce dispositif de positionnement de la cible comprend un système d'ajuste- ment ( 20) de la position de la cible (18) le long de l'axe de ce second tube à dérive permettant de positionner cette cible de façon à ce que sa surface soit adaptée à la section transversale du faisceau d'électrons, que la partie de la surface de la cible soumise aux impacts des électrons soit maximale, et qu'aucun électron ne frappe ce dispositif de position- nement de cette cible. 13. Système à faisceau d'électrons pulsé à haute puissance pour recuire des semi-conducteurs comprenant un support de cible (19), un canon à électrons (10) ayant une cathode chauffée (10a) et une grille de commande (lOc), ainsi qu'un anneau de focali- sation (10e) pour confiner le faisceau pulsé d'électrons sur une superficie prédéterminée; un tube à dérive incurvé (12) dont l'axe est aligné avec l'axe de cet anneau de focalisation; un blindage Faraday annulaire e4) entre cet anneau de focalisation et ce tube à dérive incurvé, ce blindage Faraday annulaire et ce tube à dérive incurvé étant maintenu à une tension positiveélevée par rapport à cette cathode pour accélérer les électrons traversant cet anneau de focalisation, éliminant ainsi les limita- tions de charge d'espace imposées à l'émission d'électrons par ce canon à électrons, - une bobine à courant continu (16) entourant ce tube à dérive incurvé pour fournir un champ magnéti- que qui maintient les électrons focalisés à proximité de l'axe de ce tube à dérive incurvé, ce tube à dérive incurvé ayant un rayon de courbure suffisant pour que ce support de cible (19) ne soit pas en vue directe de cette cathode, et ce support de cible permettant de placer un semiconducteur à recuire (18) à une distance prédéterminée au-delà de l'extrémité de ce tube à dérive incurvé, - un tube à dérive droit (13> placé de telle manière que son axe soit aligné avec l'axe du tube à dérive incurvé (12) et maintenu à la tension de réfé- rence du support de cible (19) pour décélerer les électrons passant du premier au second tube à dérive, - une seconde bobine à courant continu (17) entourant ce tube à dérive droit (13) pour maintenir le faisceau d'électrons focalisé à proximité de l'axe de ce tube à dérive droit, et comprimer le faisceau d'électrons de façon à ce qu'il soit adapté à la superficie d'un semi-conducteur (18) placé sur ce support de cible (19).