FR 2482736 A3 19811120 FR 8010776 A 19800513 Procédé d'enregistrement électrophotographique sur support thermoplastique d'information optique et support itinformation Pour la mise en Qeuvre du procédé. La présente invention concerne l'enregistrement d'information optique, et, plus particulièrement, -les procédés d'enregistrement électrophotographique sur support thermoplas tique d'information optique et les supports d'information pour la mise en oeuvre de tels procédés. L'invention est notamment applicable dans l'appareillage photographique et de cinématographique. On connait un procédé d'enregistrement des images optiques sur un système "photosemiconducteur-thermoplastique. Conformément à ce procédé, on forme sur une plaque du genre utilisé dans le procédé "Xerox", dite xérographique, par des procédés classiques, une image électrostatique latente. Puis, la couche photoconductrice de la plaque xérographique est mise en contact avec un film thermoplastique diélectrique qu'un dispositif à effluve électrique a préalablement porté à une charge électrique opposée à celle de la plaque xérographique. Après application de la charge on écarte les surfaces des couches. Lorsque la valeur de l'intervalle d'air s' appro- che de la valeur critique, il se produit dans la zone d'image une déchargé électrique accompagnée du transfert de l'image électrostatique sur le film thermoplastique diélectrique. Il existe diverses versions de ce procédé qu'on appelle procédé de transfert du relief de charges via un espace d'air. Mais ces procédés ne permettent d'avoir sur les couches thermoplastiques que les images reflétées. En outre, il est difficile de maintenir constant et régulier l'espace d'air sur toute la superficie à exposer ; la résolution diminue avec l'augmenta tion de l'espace d'air, et un niveau de'voile notable apparaît. Afin de diminuer le niveau de voile on effectue une recharge, c'est-à-dire qu'on forme une image de charges électrostatiques opposées et on compense ensuite les charges sur les zones de fond. On connaît également un procédé d'enregistrement sur un matériau thermoplastique photoconducteur selon lequel on charge un film transparent photoconducteur à propriétés thermoplastiques déposé sur un support transparent électroconducteur et on l'expose à une image projetée sur ce film. Le photoconducteur est ensuite porté à une température de ramollissement à laquelle les zones transmettant l'image se trouvent déformées, et l'image électrostatique se développe en un relief visible. Par refroidissement à la température ambiante on fixe l'image. Ce procédé présente une faible photo sensibilité du fait de la nécessité d'associer dans la même couche les propriétés de photosensibilité et de thermoplasticité, un nombre de cycles de travail réduit par suite de la nonstabilité des couches photographiques, ainsi qu'un effet de bord considérable lorsque la déformation a lieu sur la frontière entre la lumière et l'ombre, la transmission de demiteintes exigeant un tramage supplémentaire de l'image projetée. On connaît des procédés d'enregistrement des images optiques sur un support d'information comprenant une couche photosensible semiconductrice et une couche thermoplastique à mémoire déposées successivement sur un support conducteur de courant. On connaît encore des procédés d'enregistrement dont les caractéristiques essentielles sont les suivantes. Sur la surface libre d'une couche thermoplastique on répartit régulièrement une charge électrostatique. Cette surface est ensuite éclairée par une lumière actinique par rapport à la couche semi-conductrice et comprenant des informations réparties de la façon utile en intensité. Sous l'action de l'éclairage une charge électrostatique régulièrement répartie suivant la surface de transforme en un relief de potentiels modulé dans l'espace, traduisant l'information contenue dans l'image optique. Après exposition, on peut développer le relief de potentiels immédiatement en une image visible, ou le développer après une deuxième charge uniformc.Ce développement se fait en portant rapidement la couche thermoplastique à une température dépassant celle de perte de rigidité afin de ramollir la couche pendant une courte période Sur la couche thermoplastique chauffée apparaissent sous l'action des forces motrices, des déformations ou des plis correspondant au relief de potentiel modulé en espace. Les défauts principaux d'une telle succession d'tapes de charge, d'exposition et de développement résident dans une grande durée du processus due à un enregistrement par étapes, une faible sensibilité photographique (par suite de la chute d'intensité notable du champ électrostatique due à une relaxa tion d'obscurité des charges pendant l'intervalle séparant l'étape de charge de l'instant de ramollissement de la couche thermoplastique) et de faibles rapports signal/bruit par suite de l'apparition de déformations sur les portions non éclairées de la couche thermoplastique. Dans le but d'améliorer la photosensibilité, on effectue une charge supplémentaire de la couche thermoplastique après l'exposition et immédiatement avant le développement. Cette mesure, en améliorant la sensibilité, amène une augmentation de la valeur des bruits. Sans éliminer les autres défauts ci-dessus elle augmente encore la durée du processus d'enregistrement. On évite l'effet de bord grâce aux étapes de charge et de recharge en régiMes assurant l'action, sur une portion de la surface, de forces électriques pendant une période de temps suffisante pour qu'il s'y forme un relief accusé de la couche thermoplastique déformée. Les images en relief accusé permettent de reproduire de larges portions à éclairement constant d'images optiques ayant un fond constant, comme avec des matériaux photographiques à l'halogénure d'argent, mais ne remédient pas aux autres défauts de çe procédé. Pour augmenter le rapport signal/bruit on ajoute au procédé ci-dessus des étapes d'illumination régulière de la couche photosensible après charge préalable,de charge secondaire après illumination régulière jusqu'à un potentiel ayant le mme signe que la charge préalable, et de recharge par un potentiel de signe opposé aux deux premiers après l'exposition et immédiatement avant le développement. Le grand nombre d'opérations effectuées sur le support au cours de l'enregistrement complique l'appareillage d'enregistrement, impose des exigences plus sévères aux résistivités des couches thermoplastique et conductrice du support. Les valeurs 1013 à 1015ohms.cm constituent les limites inférieures pour les résistivités conditionnaAt 1'aptitude de ces couches à un enregistrement successif, et surtout, comprenant des étapes de charge et recharge supplémentaires.Afin d'éviter les effets de champ augmentant la conductibilité des couches, on donne aux couches une forte épaisseur, cc qui diminue la résolution limite, et ne permet pas d'utiliser des matériaux inorganiques semi-conducteurs sur un support souple De grandes valeurs des résistances et l'absence de courants de fuite supposent un circuit équivalent à condensateurs du support d'information. Lors de l'éclairage, le condensateur correspondant à la portion éclairée de la couche photosemiconductrice se trouve court-circuité. Une telle représentation du support est assez approximative, et elle ne -peut pas caractériser les conditions d'enregistrement optimales. Un défaut commun à tous les procédés d'enregistrement précédents est aussi l'absence de corrélation entre les valeurs caractérisant le processus d'enregistrement, telles, par exemple, que les potentiels de charge ; la durée des étapes de charge, d'exposition, de recharge, de développement; et les paramètres des couches composant le support. Il est impossible, si on n'a pas établi de telles corrélations, d'obtenir les conditions d'enregistrement optimales assurant la sensibilité maximale, un rapport élevé signal/bruit, les valeurs nécessaires du facteur de contraste et de dynamique. Un autre procédé connu d'enregistrement sur une couche thermoplastioue subissant une déformation à relief accusé, déposée sur une couche photoconductrice ayant un support conducteur comprenant les opérations déjà mentionnées de charge de la surface libre de la couche thermoplastique à un premier potentiel, d'exposition, de deuxième charge à un deuxième potentiel et de ramollissement de la couche thermoplastique afin de créer les conditions de formation d'une image à relief accusé. Le procédé consiste à utiliser la corrélation entre les paramètres de charge, (valeur des potentiels) et de recharge pour arriver à la valeur désirée du facteur de contraste. Ce procédé est mis en oeuvre sur un support d'information comprenant un substrat conducteur sur lequel sont successivement déposées une couche photoconductrice d'épaisseur d5 et de constante diélectrique absolue 2 O 8 s et une couche thermoplastique d'épaisseur dp et de constante diélectrique absolue o 8 p .Ce support est chargé à un premier potentiel o p VO, et il est exposé ensuite de façon à abaisser le potentiel jusqu'à la valeur VE sur les portions éclairées et rechargé jusqu'au potentiel de recharge VR, à l'aide de laquelle la répartition de la charge sur les surfaces (T-RR peut être exprimée comme suit : où VR et Vo sont tels que la soit suffisant # RE soit suffisante pour obtenir une valeur prédéterminée du facteur de contraste après apparition d'une déformation en relief accusé sur la couche thermoplastique à la suite d'un développement rapide. Pour obtenir de faibles valeurs du facteur de contraste, on charge d'abord le support d'information à un potentiel initial relativement bas; pour la recharge, on applique une tension plus élevée et suffisante, pour améliorer le facteur de contraste suivant la relation ci-dessus. Pour obtenir des valeurs élevées du facteur de contrate on utilise des potentiels relativement élevés pour la première charge et des potentiels correspondants pour la recharge. Ce procédé est basé sur deux considérations 1) Dans tout processus de formation d'image en relief accusé, on doit obtenir une valeur minimale prédéterminée de la densité de charge dès avant l'apparition du relief accusé 2) il existe une valeur maximale prédéterminée de la densité de charge au-dessus de laquelle la densité du relief accusé n' augmente pas notablement. Sans tenir compte des courants de fuite, le procédé prévoit d'utiliser comme support d'information des matériaux semiconducteurs et thermoplastiques de résistivité assez élevée, ces supports devant fonctionner avec des intensités relativement faibles du champ électrique -qui ne peuvent pas provoquer de courants de fuite notables. Le procédé considéré, évitant la présence de courant de fuite et donc la relaxation d'obscurité des potentiels sur les couches thermoplastique et semiconductrice, ne comporte pas de corrélations de temps définissant les périodes de charge, d'exposition, de recharge et la durée de chauffage de ce fait, on ne peut pas recommander des régimes d'enregis trement sur les supports composés de couches'semiconductrices et thermoplastiques minces, surtout avec des matériaux à faible résistivité (inférieure à 1013 ohm.cm). Pour mettre en oeuvre ce procédé d'enregistrement d'information, on utilise un support ayant une couche diélec trique déformable sur laquelle une image apparaît sous forme d'un-tableau chaotique de sommets et de creux répartis à des espacements réguliers sur une zone de 1 à 5 fois supérieure à l'épaisseur de la couche, la hauteur à partir du sommet jusqu'au creux sur ce.tableau dépendant de la valeur des forces électrostatiques. Le support présente une structure comprenant une base, un revêtement conducteur et des couches photosensible semi-conductrice et thermoplastique en matériaux à haute résistivité. La base est réalisée en métal comme en xérographie classique, par exemple en aluminium, en laiton ou en verre ayant un revêtement conducteur. il est connu d'utiliser, en tant que base pour les supports dtinformation, des substrats souples, par exemple, en polytéréphtalate d'éthylène contenant du bioxyde de silicium, ou en triacétate de cellulose, ou en polytéréphtalate d'éthylène. L'utilisation de telles bases pour les supports d'information comprenant une couche thermoplastique et une couche photosensible en un matériau inorganique semiconducteur rend plus difficile la réalisation de supports d'information de longueur illimitée, car le substrat souple employé se ramollit aux basses températures (de l'ordre de 60-à 80oC) et présente un retrait transversal et longitudinal notable, ce qui dégrade la qualité de l'image. La couche sensible au rayonnement actinique faisant partie du support de mise en oeuvre du procédé connu d'enregistrement d'information peut être constituée en matériaux photosensibles utilisés ordinairement en électrophotographie, tels que, par exemple, le sélénium amorphe, les mélanges Se-As, Se-Te, et le trisulfure - triséléniure diarsénique ; il faut toutefois réaliser en ces matériaux des couches de résistivité propre supérieure à îo14 ohms.cm à la température d'enregistrement. il est plus avantageux d'utiliser des couches en matériaux ordinairement appliqués à la fabrication des cibles de vidicons, notamment le triséléniure diarsénique avec addition de Sb2S3, Sb2Se3 et les hétérostructures à base de ces composés et matériaux A3. Le sélénium vitreux, dont le rendement quantique est proche de l'unité et le domaine spectral de sensibilité est plus étendu que celui des autres matériaux, grâce à des additions, présente une bonne photosensibilité, mais il se cristallise rapidement lors du chauffage, ce qui change ses caractéristiques et il vieillit. De ce fait, il ne convient pas à un stockage prolongé et à des enregistrements multiples. Les autres matériaux présentent un rendement quantique notablement inférieur à celui de Se, ce qui réduit le temps de réponse et le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination. La couche thermoplastique est habituellement à base de polymères, par exemple, à base de copolymère de styrène et de méthacrylate de butyl avec la composition molaire ci-après, en % : styrène de 30 à 60 méthacrylate de butyl de 40 à 70 Ces supports présentent de faibles vitesses de traitement, d'enregistrement et de collecte d'informations, du fait de températures de fluidité élevées (dépassant 1000C) de la couche thermoplastique, ce qui se traduit par de hautes températures d'enregistrement et conduit en conséquence à l'emploi de dispositifs de développement de grande puissance. Les hautes températures de fluidité ne permettent pas de développer et de fixer rapidement l'image électrostatique, car elles exigent un refroidissement prolongé du support au cours des processus successifs de charge, d'exposition et de développement et dégradent la sensibilité photographique du support dans le cas de processus simultanés de charge, d'exposition et de développement par suite de la décroissance de photoconductibilité avec la température de la couche semiconductrice. On sait que la température de développement de l'image électrostatique formée sur la couche thermoplastique est proche de la température de fluidité du matériau thermoplastique ; de ce fait, des températures de coulée élevées exigent l'application de dispositifs de développement de grande puissance, ce qui diminue le rendement des appareils d'enregistrement d'information. le chauffage de la couche thermoplastique jusqu'aux températures élevées de développement ct son refroidissement jusqu'aux températures de vitrification exigent un laps de temps prolongé, ce qui réduit la rapidité d'enregistrement et de collecte de l'information. La sensibilité photographique de la plupart des matériaux semi-conducteurs utilisés pour la fabrication de supports photothermoplastiques multicouches diminue lorsque la température augmente ; de ce fait, les hautes températures de fluidité du matériau thermoplastique correspondant auxrégimes d'enregistrement optimaux provoquent une baisse de sensibilité photographique générale de tels supports. Conformément au procédé qui vient d'etre défini, on ne peut utiliser pour enregistrer l'information optique, que des matériaux thermoplastiques à haute résistivité gardant des valeurs de potentiel élevées pendant une longue durée, car seuls ces matériaux à haute résistivité se chargent jusqu'à des potentiels supérieurs à 300 V et conviennent à l'enregistrement1 alors que des matériaux n'acceptant qu'une charge inférieure à 300 V, ne se prêtent pas à la formation d'images en relief accus.Cette restriction, ajoutée à l'exigence imposée aux matériaux thermoplastiques de garder la charge électrostatique à l'état ramolli, réduisent considérable- ment la gamme des matériaux applicables pour 1' enregistrement sur thermoplastes elles nécessitent un haut degré de pureté des produits de départ et une technologie de synthèse augmentant le coût du support ; elles ne permettent pas d'apporter dans la couche thermoplastique des additions modifiant les propriétés thermomécaniques et adhésives, car une majorité écrasante de ces additions diminue la résistivité du matériau thermoplastique. Conformément à la pratique classique de xérographie, on applique au support un potentiel réparti entre les couches photosensible et thermoplastique, en proportion inverse du rapport de leurs capacités par unité de surface. La plus grande partie du potentiel revient à la couche photoconductrice, car celle-ci, si elle a une plus grande constante diélectrique que la couche thermoplastique, présente une plus grande épaisseur et a une plus petite capacité par unité de surface. Au cours de l'exposition la couche photoconductrice devient électroconductrice et permet aux charges se trouvant à l'interface entre couche photoconductrice et substrat de se déplacer à la fronti5re de las couche thermoplastique. Lors du ramollissement temporaire du matériau thermoplastique, les forces mécaniques dues à la charge électrostatique de celui-ci déforment la surface jusqu l'apparition d'une structure en relief accusé, la hauteur au relief étant proportionnelle à l'éclairement reçu par les diverses portions. Les particularités spécifiques d'un support d'enregistrement en relief accusé, ainsi que les grandes valeurs des résistivités des couches photo conductrice et thermoplastique, permettent un enregistrement séparé avec transfert de la charge de la première couche vers la seconde couche et un enregistrement successif lorsque les opérations de charge, d'exposition et de développement sont séparées dans le temps et se succèdent. FIais ces supports possèdent une mémoire de charge considérable, ce qui empêche un réenregistrement rapide sur la même image, réduit la gamme de semi-conducteurs à utiliser aux matériaux classiques applicables en xérographie et exige de grandes épaisseurs des couches inorganiques photosemiconductrices (10 pm), ce qui ne permet pas de les réaliser sur base souple. Une déformation présentant un relief accusé apparalt aussi bien sur les portions illuminées que sur celles non illuminées, ce qui naturellement dégrade la qualité des images obtenues par suite de faibles rapports signal/bruit. La résistivité élevée des couches utilisées pour obtenir une déformation à relief accusé amène une lente redistribution de la charge à l'exposition. De ce fait, les conditions optimales exigent un grand intervalle de temps entre l'étape de développement et le début de l'exposition (par exemple, enregistrement à éclairement faible et durée élevée d'exposition). La loi de commutativité n'étant pas respectée sur de tels systèmes, de courts temps d'exposition abaissent brutalement la photosensibilité du procédé d'enregistrement à structure en relief accusé. Cela écarte pratiquement la possibilité d'appliquer le support et les procédés d'enregistrement qui viennent d'être décrits à la photographie d'objets en mouvement. En outre, la durée élevée de répartition des charges complique la réalisation des dispositifs d'enregistrement sur support en mouvement. La déformation en relief accusé se produit à des températures de développement assurant le ramollissement de la couche thermoplastiqué, à une température supérieure à la température de fluidité. Le développement doit castre le plus rapide possible, pour que l'image électrostatique formée n'ait pas le temps de disparaître. Ces températures de développement élevées exigent un refroidissement rapide pour que les forces dues à la tension superficielle n'aient pas le temps de détruire l'image formée. Ce procédé, s'il réalise une correspondance entre facteur de contraste et valeurs de potentiels de charge, ne tient pas compte de la relation entre d'autres paramètres du processus d'enregistrement et les caractéristiques du support utilisé ; en conséquence on ne peut optimiser les conditions d'enregistrement. L'invention vise à fournir un procédé d'enregistrement électrophotographique d'information optique sur support thermo plastique et un support pour sa mise en oeuvre, permettant d'pbtenir des images en demi-teintes sans tramage spécial et à grand rapport signal/bruit, pour des temps d'exposition courts. Dans ce but l'invention propose un procédé d'enre gistrement électrophotographique d'information optique sur support thermoplastique, notamment sur support d'information comportant une couche semiconductrice sensible à la lumière actinique et une couche thermoplastique de mémorisation ; ce procédé comprend les étapes de charge, d'exposition, de développement thermique et de refroidissement du support pour fixer l'image visible ; le procédé est caractérisé notamment en ce qu'on chauffe préalablement la couche de mémorisation thermoplastique du support d'information jusqu'à une tempéra ture choisie dans la plage de températures allant de la tempé rature de vitrification à la température de fluidité ou coulée, en ce qu'on maintient cette température pendant toute la période de développoenent thermique de l'image, en ce qu'on charge ensuite le support à des potentiels pour lesquels l'intensité du champ électrique engendre des forces pondéromotrices ou de gravité dans les zones non éclairées de la couche de mémori sation thermoplastique qui sont de 5 à i OXb inférieures à la valeur du module de cisaillement du matériau de la couche thermoplastique de mémorisation à la température d'enregis trement, et en ce qu'on expose simultanément l'information optique à une illumination qui fait varier de 10 à 15 fois la résistivité de la couche semiconductrice sur la portion à illumination maximale, la charge et 1' exposition étant effectuées pendant des durées définies par la formule ts = tm = k-1 lnX où : t5 est-le temps de charge, t est le temps d'exposition, m est le temps de relaxation d'obscurité de la charge sur le support, k est le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination de la couche semiconductrice sur la portion à illumination maximale. On peut réduire le temps (tm) d'exposition de N fois par rapport à celui de charge (ts) , la valeur N étant définie par la formule donnée ci-dessous où : a, ss et X, sont des facteurs, tenant compte de la diminution dans le temps de la conductibilité résiduelle de la couche semiconductrice. Un support d'information suivant un autre aspect de l'invention, permettant de mettre en oeuvre le procédé cidessus comprend une couche semiconductrice sensible à la lumière actinique, une couche thermoplastique de mémorisation déposée sur la première et une couche électroconductrice, selon l'invention la couche sensible à la lumière actinique est faite en un matériau inorganique semiconducteur, dont la résisticité efficace est égale à de 10 h lO 2 ohms.cm à la température d'enregistrement, et ladite couche thermoplastique de mémorisation, liée électriquement à la couche sensible à la lumière actinique, est faite en un matériau dont la résistivité est inférieure à 1013 ohms.cm et au cours de l'enregistrement, devient supérieure plus que de 10 fois à la résistivité de la couche semiconductrice, l'épaisseur globale des couches semiconductrice et thermoplastique de mémorisation étant inférieure à 5 pm. Afin de déplacer la sensibilité spectrale vers le domaine des grandes longueurs d'ondes, il est avantageux de constituer la couche semiconductrice sensible à la lumière actinique en chalcogéniure d'arsenic amorphe allié à 1 à 7fo en poids de thallium On peut encore élargir le domaine spectral de sensibilité du support en constituant la couche semiconductrice sensible à la lumière actinique en chalcogéniure d'arsenic amorphe allié à 3 à 10 Pour améliorer la photosensibilité du support, on peut réaliser la couche semiconductrice sensible à la lumière actinique en sélénium monoclinique. On peut également constituer la couche semiconductrice sensible à la lumière actinique en chalcogéniure dc gallium amorphe, en employant le trisulfure, le triséléniure de gallium, ainsi que des solutions solides. La couche sensible à la lumière actinique est avantageusement en Ga2 S3, Ga2Se3 ; une couche sensible à la lumière actinique en matériau inorganique semiconducteur à conductibilité résiduelle paraît avantageuse. La couche semiconductrice sensible au rayonnement actinique peut être constituée par une structure à au moins deux couches composées en matériaux dont la résistivité est inférieure à 108 ohm.cm, la résistivité des deux couches étant comprise entre 1010 et 1012 ohms.cm. Dans le but d'élargir les possibilités fonctionnelles d'une couche thermoplastique de mémorisation à base de copolymères d'hydrocarbures vinylaromatiques et de méthacrylate alkylique, cette couche peut contenir des dérivés chimiquement actifs du styrène en quantité de X à 10 mol.C,0'. Pour améliorer l'adhésion de la couche thermoplastique de mémorisation à la couche semiconductrice et assurer un tirage multiple de l'information directement à partir de la couche thermoplastique, la couche thermoplastique de mémorisation peut comporter du vinylphénylisocyanate ; les proportions moléculaires des produits de départ peuvent être styrène 34 à 38 % Butylméthacrylate 56 à 60 c,of Vinylphénylisocyanate 2 à 6 % il est encore avantageux que la couche thermoplastique de mémorisation comporte du vinylphénylamine en quantité de 5 à 10 mol.p avec une teneur en styrène de 30 à 40 mol.p et en butylméthacrylate de 55 à 60 mol.,fO, ce qui permet de prolonger la durée de stockage de l'information enregistrée sans dégradation de sa qualité. Pour abaisser la température de fluidité de la couche thermoplastique, accélérer le processus d'enregistrement de l'information et améliorer la sensibilité du support d'inf or- mation, la couche thermoplastique de mémorisation peut comporter du vinylphénylisotiocyanate avec la proportion moléculaire ci-dessous des produits de départ styrène 30 à 40 ç butylméthacrylate 50 à 60 fio vinylphénylisotiocyanate 5 à 10 ,o La sensibilité du support ayant une couche thermoplastique obtenue à base de copolymères de méthacrylate alkylique et de dérivé chimiquement actif du styrène se trouve améliorée, et la résistance mécanique de la couche thermoplastique augmentée lorsque cette dernière comprend un styrène halogène, la proportion des produits de départ étant (en mol.ss: alcoylméthacrylate de 30 à 50 styrène halogéné de 35 à 65 dérivé chimiquement actif du styrène de 5 à 15. En tant que dérivés chimiquement actifs du styrène on peut utiliser le vinylphénylisocyanate, la vinylphénylamine, le vinylphénylisotiocyanate. il est avantageux, pour améliorer ltétgndue d'un support d'information ayant une couche thermoplastique à base de copolymères d'alcoyl méthacrylate avec des dérivés chimiquement actifs du styrène, que la couche thermoplastique de mémorisation comporte du vinylnaphtalène, la proportion des produits de départ étant (mol ) octylméthacrylate de 50 à 55 dérivé chimiquement actif du styrène de 5 à 10 vinylnaphtalène de 40 à 45 En tant que dérivés chimiquement actifs du styrène on peut utiliser le vinylphénylisocyanate, la vinylphénylamine, le vinylphénylisotiocyanate, Pour améliorer la maniabilité du support d'information, celui-ci peut avoir un substrat souple à base de poly éthylènetéréphvtalate contenant du 1,1-diacétyl ferrocène en proportion de 0,05 à 0,5 parties pondérales. Un tel substrat possède une résistance à la chaleur et une élasticité plus élevées que celles des substrats souples connus. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit d'exemples de sa réalisation, en se référant à la figure unique qui montre la surface d'un support après enregistrement d'une information sur celui-ci. Le procédé d'enregistrement de l'information proposé, basé sur la réalisation simultanée des étapes de charge électrique et d'exposition d'un support dtinformation préalablement chauffé, est mis en oeuvre à l'aide d'un support -comportant un revêtement électroconducteur en contact électrique avec une couche semiconductrice sensible au rayonnement actinique (appelée par la suite couche photosemiconductrice) et une couche thermoplastique de mémorisation, les deux couches étant reliées entre elles électriquement. Les paramètres électrophysiques et thermomécaniques des couches du support définissent les paramètres d'enregistrement (éclairage, temps d'exposition, temps de charge, potentiel de l'électrode à effluve électrique). Le processus de redistribution des tensions V entre les couches par suite d'une exposition des portions du support est défini par le système d'équations ( avec la condition initiale dans lesquelles # s, p ; ds, p ; # o # s,p sont respectivement les résistivi- tés, les épaisseurs et les constantes diélectriques absolues des couches semiconductrice (s) et thermoplastique (p). Les indices d, 1 correspondent aux portions obscure et illuminée du support k est le rapport résistance d'obscurité/résistance à l'illumination de la couche semiconductrice sur la portion à éclairement maximal. la rerépartition des potentiels amène la formation d'une image électrostatique latente caractérisée par son contraste électrostatioue ss V, défini comme la différence entre les tensions, sur la couche thermoplastique, des portions éclairée VI et obseure Vd du support p p \ V - V 1 ~ V d (2) P P L'enregistrement des images sur la couche thermoplastique suppose toujours la déformation de celle-ci sous l'action des forces pondéromotrices (ou de gravité) correspondant à l'image électrostatique. De ce fait, pour obtenir une image de bonne qualité à grand rapport signal/ bruit il faut rechercher une différence maximale entre les champs électriques dans la couche thermoplastique sur les portions éclairée et non éclairée du support.Le support proposé, conçu pour un enregistrement rapide des images, est fait en matériaux à résistance spécifique comprise entre 1 10 et 1012 ohms.cm, et il assure la rerépartition des charges, même sur les portions non éclairées du support, en un intervalle de temps de 10-2 à 1 s. De ce fait, il est utile d'achever l'enregistrement d'une image vers le moment d'apparition de grandes intensités du champ dans la couche thermoplastique sur les portions non éclairées du support. Dans le procédé d'enregistrement sur support préalablement chauffé, le processus de formation du relief de potentiel s'accompagne d'une déformation simultanée de la surface de la couche thermoplastique. Les valeurs maximales du rapport signal/bruit sont alors obtenues à l'instant d'action du moyen de charge auquel la différence de chutes de tensions dans la couche thermoplastique entre les portions du support ayant subi l'éclairage et celles non éclairées atteint son maximum. La solution du système d'équations (1) permet d'étudier la cinétique de formation du contraste électrostatique ss V donné par la formule (2) en fonction du rapport des paramètres des couches faisant partie du support ; en particulier, le temps tm d'obtention du maximum de LaV, V, choisi comme temps d'exposition optimal, s'écrit : Dans le cas d'emploi de couches semiconductrices de faible résistivité, lorsquep sd tm = ln K (4) K-1 est le temps de relaxation d'obscurité de la charge sur le support. L'expression (3) montre que, pour réduire le temps d'exposition (c'est-à-dire, pour augmenterla rapidité de formation du contraste électrostatique) il faut appliquer des couches semiconductrices de résistivité plus basse et/ou utiliser des valeurs plus grandes du rapport E résistance d'obscurité/résistance sous illumination K (illuminations intenses ou matériaux semiconducteurs à photosensibilité élevée).La valeur maximale du contraste électrostatique correspondant au temps d'exposition s 'écrit L'expression (6) montre que, pour obtenir des contrastes élevés, il suffit d'adopter une valeur du rapport k allant de 10 à 15, car f(10-15) tJ 1 ; une élévation du rapport résistance d'obscurité/résistance à l'illumination audelà de la plage de 10 à 15 n'amène pas d'élévation de contraste sensible. Le cas qu'on vient d'analyser suppose la formation d'une image électrostatique latente seulement sous l'action de la lumière. On peut réduire le temps d'exposition nécessaire t à t' de N fois comparativement au temps de charge t5 m o pendant lequel doit être obtenu le contraste désiré A V en m utilisant une couche photosensible en un matériau semiconducteur ayant une conductibilité résiduelle. La réduction du temps d'exposition s'explique par le fait que le contraste électrostatique augmente dans un tel système pendant un certain intervalle de temps après la fin de l'exposition, grâce à la conductibilité résiduelle. lorsque le rapport ' conductibilité résiduelle/ conductibilité d'obscurité varie après la fin de l'exposition par suite d'une chute pratiquement immédiate (laps de temps court) et lente (laps de temps long, correspondant à ass 1) en fonction du temps selon la loi hyperbolique K' = y K (1 + at)-ss , avec y t5 - t =.----- (8) en gardant alors les valeurs suffisamment grandes de k'. Il ressort de l'expression (8) que le temps d'exposition peut être réduit de N fois, où La sensibilité de la couche thermoplastique à la déformation est proportionnelle à la puissance quatre de l'intensité du champ électrique appliqué à cette bouche. De ce fait, il est utile d'utiliser des couches thermoplastiques de 0,1 à 3 Wm d'épaisseur. Cela permet d'arriver relativement facilement (avec de faibles valeurs de potentiel sur le dispositif à effluve électrique) à de fortes intensités du champ électrique et d'obtenir de hautes résolutions car la déformation diminue avec l'augmentation de ltépaisseur de la couche thermoplastique. Une.diminution de l'épaisseur de la couche semiconductrice améliore la résolution du support, l'image optique projetée devenant moins floue pour des petites longueurs de dérive des porteurs des charges majoritaires à travers l'épaisseur du photosemiconducteur. La faible épaisseur des feuilles utilisées rend plus simple la fabrication d'un support à substrat souple, pouvant entre utilisé en rouleau. Le support d'information ne permet pas de maintenir le contraste électrostatique pendant un temps prolongé ; de ce fait, un enregistrement successif dans le temps statère impossible lorsque les étapes de charge, d'exposition et de développement sont séparées . Vu cette particularité, les étapes de charge et d'exposition sont effectuées simultanément sur une couche thermoplastique préalablement chauffée à la température d'enregistrement. Dans ce cas concret le support photothermoplastique proposé doit être porté à une température supérieureau point de vitrification du matériau thermoplastique utilisé, mais inférieure à la température de fluidité de ce matériau. Le procédé'le plus simple pour atteindre ce but consiste à placer le support sur un four plat chauffé à la température voulue et ayant des dimensions supérieures au format pour chauffer régulièrement les bords du support. Lorsque la couche thermoplastique atteint la températute prédéterminée, on met en marche le dispositif à effluve électrique et on projète en même temps l'image. La projection de l'image peut être permanente car le support ne réagit pas à l'éclairage en l'absence de potentiel sur la surface de la couche thermoplastique. Une rerépartition des charges sous l'action de la lumière et du champ électrique crée le contraste électrostatique mentionné. Sur les parties claires, les intensités de champ électrique critiques pour la couche thermoplastique sont atteintes plus rapidement. Par suite d'une répartition variable de la charge électrique et d'irrégularités locales éventuelles en épaisseur de la couche thermoplastique, des creux se forment dans cette dernière. A mesure que la profondeur d'un creux augmente, la capacité d'une telle portion s'accroît, et le potentiel baisse, ce qui provoque l'écoulement des charges vers la zone d'épaisseur minimale de la couche thermoplastique. Ainsi, il s'établit un processus autoaccéléré : une charge s'écoulant dans le creux le met en forme de façon intense sur la couche thermoplastique réchauffée. Le processus de formation du creux se termine lorsqu'il devient possible pour la charge de passer par la partie restante de la couche thermoplastique. Ainsi, les hautes intensités, voisines des valeurs critiques, du champ électrique amènent une diminution de la charge sur la surface de la couche thermoplastique, cela étant dQ à l'apparition chaotique de micro-canaux de courant le long desquels se forment des creux dans la couche thermoplastique. Pour un haut degré d'irrégularité de l'épaisseur de la couche thermoplastique les creux formés le long d'un canal de courant sont tous de forme circulaire identique et de diamètre à peu près égal, comme le montre la figure. La dimension de ces creux est fonction de la viscosité du matériau de la couche thermoplastique. Le déplacement du matériau thermoplastique se passe plus facilement sur un matériau moins visqueux par diminution de la quantité de matériau au centre du canal et refoulement de celui-ci vers les bords de façon qu'il se forme un bourrelet. De ce fait, une élévation de la température d'enregistrement amène une augmentation du diamètre des déformations locales de la couche thermoplastique. Le diamètre augmente aussi avec la rapidité d'obtention de 11 intensité critique du champ électrique sur la couche thermoplastique. Le processus autoaccéléré de la formation du creux le long du canal de courant entraîne une création rapide de déformation et permet d'enregistrer le contraste électrostatique surgissant sur support ayant une couche photosemiconductrice à résistance inférieure à 1012 ohm.cm, ce qui étend notablement la gamme des matériaux propres à la réalisation de supports photothermoplastiqueset permettant de déplacer la sensibilité de ceux-ci vers le domaine d'ondes longues du spectre. Un pareil procédé d'enregistrement exclut l'effet de bord. Les portions du support photosemiconducteur thermoplastique à charge régulière subissent une déformation à densité moyenne statistique identique. Un accroissement de la charge sur la surface de la couche thermoplastique amène celui de la densité moyenne statistique du nombre de canaux dc courant. Ce dernier facteur permet de transmettre des images en demi-teintes à diverses densités de la déformation, de fagon analogue au nombre de centres de noircissement dans la photographie à l'halogénure d'argent, et évite la nécessité d'un tramage pour ltenregistrément d'images en demi-teintes. Un autre avantage du procédé d'enregistrement propos, comparé au procédé d'enregistrement en relief accusé, est la possibilité d'arriver à de bons rapports signal/bruit grâce à un affaiblissement du bruit sur les portions non éclairées du support photothermoplastique semiconducteur. Cela est rendu possible du fait qu'à de basses températures d'enregistrement (dépassant peu la température de vitrification) les matériaux thermoplastiques ont un module de cisaillement élevé. Ce dernier fait est à l'origine de l'existence d'un seuil de charge à partir duquel commence la déformation de la couche thermoplastique.Donc, si on débranche le dispositif à effluve électrique au moment où les forces de champ électrique ont déjà dépassé ce seuil sur les plages éclairées de la couche thermoplastique et ne l'ont pas encore atteint sur les plages sombres, on n'obtient la déformation que sur les portions du support photothermoplastique semiconducteur soumises à l'éclairage. Le rapport signal/bruit atteint alors sa valeur maximale. On obtient les buts principaux de l'invention, notamment l'amélioration de la photosensibilité, l'intensification du processus d'enregistrement et l'obtention de hautes résolutions grâce à l'utilisation dans le support de minces couches semiconductrices et thermoplastiques. les couches minces étant plus élastiques, il s'est avéré très commode de réaliser ce support comportant une couche en matériau inorganinue semiconducteur sur un substrat souple. La réalisation du support sur une base souple est avantageuse dans l'appareillage photographique et de cinéma pour l'enregistrement de signaux électriques à aide d'un faisceau analyseur. L'exigence essentielle à imposer alors au support est sa résistance à la chaleur lui permettant de supporter sans déformation en traction 11 influence de la température au cours de l'application des couches métalliques et semiconductrices par évaporation thermique, ainsi que pour l'enregistrement et l'effacement de l'information. Une possibilité est apparue d'utiliser les supports à base de pqlyéthylènetéréphtalate généralement utilisés pour l'enregistrement thermoplastique. Pour améliorer l'élasticité et la résistance à la chaleur du substrat souple, celui-ci est alors en un copolymère à base de polyéthylènetéréphtalate contenant de 0,05 à 0,5 en poids dc 1,1-diacétylferrocène. La présence de cc dernier permet d'élever la température de ramollissement du support à 90-IîO0C. L'épaisseur du support sera habituellement de l'ordre de 40 à 200 pm. le matériau de support est obtenu par synthèse suivant un procédé connu, sans application de catalyseur. Le film se forme à partir du copolymère fondu, par extrusion ou filage de celui-ci à travers une fente pour créer une couche d'épaisseur régulière suivant une surface solide plate et par refroidissement ultérieur de cette couche. Ainsi, le support devient maintenant applicable, dans les mêmes conditions pratiques que le film classique. Outre son avantage pratique le substrat souple à base de polyéthylènetéréphtalate contenant du diacétylferrocène dans les proportions susdites a permis d'améliorer les caractéristiques thermomécaniques de tout le support d'information. En réalisant les supports d'information avec le substrat à structure proposée, on améliore leur résistance à la chaleur et on diminue le risque de gauchissement grâce à une diminution du retrait longitudinal et transversal atteignant 1-2fo. Une élévation de la température de ramollissement du support permet d'élever la température de fonctionnement lors de ltenregistrement de l'information, et donc de régler certaines caractéristiques du support, comme, par exemple, le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination et la résistivité d'obscurité. L'utilisation du substrat proposé améliore le contraste de l'image sur support lorsque l'information est lue en lumière réfléchie, de coloration brune. La transparence du support en question est de 35 à 45ss0 à une longueur d'ondes de 4 000 à 11 000 . Sur le substrat souple est directement déposée une couche électroconductrice présentant une résistance ohmique ou une résistance d'arrêt par rapport à la couche photosemiconductrice. La couche électroconductrice à haut pouvoir d'injection des porteurs de charge majoritaires abaisse la photosensibilité du support à cause de forts courants d'obscurité. Dans le procédé d'enregistrement proposé on utilise des supports ayant des couches électroconductrices en différents métaux tels que Ni, Cr, AI, Bi, Sb. La sévérité des exigences à imposer à la conductibilité superficielle. de la couche électroconductrice s'accroît lorsque la résistance des photoconducteurs utilisés dans le support diminue et que la superficie de 1 image à exposer augmente Sur le substrat à la couche conductrice est déposée une couche semiconductrice sensible à la lumière actinique. Suivant l'invention cette couche doit remplir une exigence essentielle : elle doit avoir une résistivité effective relativement faible, comparée aux valeurs utilisées dans les procédés d'enregistrement d'images optiques connus (xérographie et enregistrement thermoplastique), typiouement de 10 à 1012 ohmo.cm à la température d'enregistrement. Ce fait permet-d'étendre la gamme des matériaux applicables pour la fabrication des supports mettant en oeuvre le procédé en question. Ainsi, tous les matériaux d'habitude applicables dans la xérographie (par exemple, le sélénium, les mélanges sélénium-telaure, et sélénium-arsenic, les semiconducteurs inorganiques dans des liants associés à des matériaux thermoplastiques à haute température de ramollissement permettent de mettre en oeuvre le procédé selon l'invention. le processus d'enregistrement à haute température permet alors de mettre en oeuvre le procédé lorsque la résistance de la couche semiconductrice baisse jusqu'aux valeurs nécessaires. De forts champs électriques engendrant les effets de champ dans le matériau semiconducteur permettent aussi la mise en oeuvre du procédé ; l'enregistrement est alors effectué avec les intensités extrêmes du champ électrique réduisant la résistance de la couche semiconductrice jusqu'à la valeur voulue. Pour la majorité des matériaux miconducteurs, une élévation de la température ou de l'intensité du champ électrique provtue une baisse de sensibilité par chute de la photoconductibilité sous l'influence de la température et/ou du champ. Pour obtenir une photosensibilité élevée il est avantageux d'utiliser des composés semiconducteurs présentant des résistivités spécifiques de îolO à 1012 ohms.cm à des températures d'enregistrement basses. parmi ces matériaux on peut tout d'abord citer tout le groupe de composés semiconducteurs utilisables pour la fabrication des cibles de vidicons, par exemple Zb2S3, Sb2Se3, As2S3 , As2Se3 et d'autres. Il est avantageux, pour améliorer la stabilité thermique du support ayant le sélénium en tant que couche semiconductrice, d'utiliser celui-ci sous sa forme monoclinique. La dynamique d'enregistrement des images est définie dans le procédé d'enregistrement proposé par les valeurs d'illumination pour lesquelles le rapport résistance d'obscurité/résistance à l'illumination atteint des valeurs de 10 à 15. De ce fait, les meilleurs résultats lors de l'enregistrement des objets faiblement éclairés s'obtiennent sur les supports ayant une couche semiconductrice en As2Se3, c'est-à-dire, la couche la plus sensible. Par modification de la technologie de fabrication des couches en As 2Se3 on obtient un vaste éventail de rapports entre les résistivités et les sensibilités permettant de réaliser des supports polyvalents, associant diverses combinaisons de ces couches et des matériaux thermoplastiques. Il est avantageux d'appliquer, pour la fabrication des supports réalisent le procédé d'enregistrement proposé, des solutions de composés de la forme (As2S3)1 x-(As2Se3)x, qui permettent de régler, par ajustage de la valeur x, la limite des longueurs d'onde de sensibilité et la position du maximum de sensibilité dans le domaine visible du spectre. Il est avantageux, pour élargir la gamme spectrale de sensibilité vers ies ondes longues, d'allier les chalcogéniures diarséniques avec des additions0 Ainsi, l'addition, au triseléniure diarsénique et/ou au trisulfure d'arsénic, de thalium à raison de 1 à 7% en poids diminue la résistivité et déplace le domaine spectral de sensibilité. Pour élargir le domaine spectral de sensibilité, on peut former la couche semiconductrice sensible à la lumière actinique, à partir de chalcogéniure d'arsenic amorphe dopé au bismuth à raison de 3 à 10% en poids. Afin d'améliorer la photosensibilité, la couche sensible à la lumière actinique est formée de sélénium sous forme monoclininlue. On peut également utiliser des matériaux de résistivité encore plus basse, par exemple, Ga2S3 et Ga2Se3. A l'état amorphe, ces matériaux ont une résistance spécifique de 1010 à 1011 ohms.cm et permettent de former une image électrostatique à contraste maximal sur la couche thermoplastique en un temps de lo à à 10 3 s. La simultanéité des processus de déformation et de formation du contraste électrostatique dans le procédé d'enregistrement proposé déterminent un régime d'enregistrement sur le support où des accroissements variables d'intensité du champ électrique dans la couche thermoplastique créent des déformations locales le long de microcanaux de courant. La présence de tels micro-canaux de courant entraîne un autotramage de l'image à projeter et évite le flou de l'image électrostatique. Il devient par conséquent possible d'utiliser, en tant que couche sensible à la lumière actinique, une couche à hétérostructure semiconductrice, même réalisée à partir de matériaux à basse-résistivité, inférieure à 108 ohms.cm, lorsque la résistivité effective due à la couche d'arret assure une valeur de 10 à 1012 ohms.cm, en tenant compte de l'épaisseur globale de l'hétérostructure.Une pareille constitution de la couche sensible à la lumière actinique étend le domaine spectral de sensibilité grâce au rapport résistance d'obscurité/résistance à l'illumination des deux matériaux appliqués dans l'hétérostructure ; elle améliore la photosensibilité grâce à une application plus complète de l'énergie du rayonnement intégral incident et la réponse temporelle du support en cas de prise de vues avec de hauts niveaux d'éclairage. Pour réduire le temps d'exposition, on peut constituer la couche sensible à la lumière actinique en un matériau semiconducteur à photoconductibilité résiduellc (dite plus loin couche photoconductrice). Le temps d'exposition est alors réduit d'une valeur égale au temps de photoconductibilité résiduelle, car le contraste électrostatique atteint la valeur nécessaire pour la déformation sous l'action du courant de charge. Une couche thermoplastique est déposée sur la couche photoconductrice de façon que les deux couches soient en contact électrique. La couche termoplasticiue est en un matériau déformable dans une gamme des températures à partir de sa température de vitrification jusqu'à celle de sa fluidité dans un champ électrique ayant une intensité supérieure à 106 V/cm. Dans ladite gamme des températures, seules les portions de la surface de la couche thermoplastique influencées par la lumière actinique se trouvent déformées avec formation des creux en entonnoir. La déformation des portions non éclairées de la surface diminue, et de ce fait la sensibilité du support d'information et le contraste de l'image enregistrée sont améliorés. Dans la mise en oeuvre pratique la couche thermoplastique peut présenter une fluidité considérable à la température de l'ambiance (par exemple, lors de l'enregistrement sur la bande en mouvement continu du support) ou subir une réticulation au cours de la déformation en vue d'un stockage prolongé de l'information enregistrée. La couche thermoplastique peut avoir -n'importe quelle couleur.Mais il faut que ou bien la couche, ou bien le substrat prévu pour chaque exemple concret de la mise en oeuvre du support soit transparent au domaine spectral définissant la sensibilité du semi-conducteur.- Le support d'information est réalisé de façon que l'épaisseur de la couche thermoplastique soit inférieure à celle de la couche photoconductrice, leur épaisseur globale ne dépassant pas 5 pm. Par conséquent, lors de l'enregistrement de l'information on obtient sur les portions non éclairées du support une intensité du champ électrique engendrant dans la couche thermoplastique des forces pondéromotrices de 5 à 1 inférieures au module de cisaillement à la température d'enregistrement.Ainsi, il ne se produit pas de déformation sur les portions non éclairées du support et l'image enregistrée est à haut contraste. Le procédé proposé utilise, pour l'enregistrement de l'information, un support ayant une couche thermoplastique de mémorisation de résistivité inférieure à 1013 ohms.cm à la température d'enregistrement et une épaisseur de 0,1 à 3 pm. Cela permet d'élever la résolution de supports ayant une thermoplastique, faite aussi bien en matériaux connus (par exemple, copolymères butylméthacrylate - acrylonitrile, copolymères styrène - butadiène et butylméthacrylate', copolymères de résinates non saturés) qu'en copolymères ayant la composition proposée. la charge électrostatique de pareilles couches-crée des champs électriques intenses, de l'ordre de 106 V/cm,- et augmente la conductibilité de ia couche thermoplastique. Il devient alors possible d'appliquer, pour la fabrication du support, des copolymères contenant les groupes polaires facilement polarisables dans le champ électrique. Il devient aussi possible de donner aux supports des propriétés prédéterminées E modifiant la composition de la couche thermoplastique, tout en conservant une résolution satisfaisante. Un matériau proposé pour la fabrication de la couche thermoplastique est un copolymère triple contenant des channes de styrène, de butylméthacrylate et de dérivés de styrène chimiquement actifs-, ayant la formule où : R est le phényl, le naphtyl, le chlorphényl ou le fluorphényl, R1 est le butyl ou l'octyl, x est l'hydrogène, l'alkoyl, l'alcoxygroupe ou un halogène, y est un-groupe amine, isocyanate ou isothiocyanate. Ce matériau pour la fabrication de la couche thermoplastique s'obtient par copolymérisation radicalaire des monomères en présence d'un initiateur. les proportions des monomères dans le mélange de départ sont choisies de façon à obtenir des matériaux thermoplastiques, capables de former un film et transparents dont les paramètres optimaux sont viscosité intrinsèque de 0,14 à 0,21 polnt de transition vitreuse de 32 à 600C température de coulée de 70 à 860C La couche thermoplastique est déposée en arrosant la couche photoconductrice par la solution de copolymère dans un solvant organique, par exemple le toluène. L'épaisseur de la couche thermoplastique est de l'ordre de 1 à 3 pm. En tant que dérivés chimiquement actifs du styrène, on peut utiliser le vinyphénylisocyanate, le vinylphénylamine, le vinylphénylisothiocyanate et d'autres dérivés. Un support d'information dont la couche thermoplastique de mémorisation est à base de copolymère triple de styrène, butylméthacrylate et vinylphénylisocyanate avec les proportions (mol. %) styrène de 34 à 38 butylméthacrylate de 56 à 60 vinylphénylisocyanate de 2 à 6 'garde l'image enregistrée jusqu'à la température de coulée de la couche thermoplastique. Ce résultat est obtenu par l'addition dans le copolymère de groupes - NCO -, amenant le pontage des macromolécules au cours de l'enregistrement, pais au cours du stockage de l'information enregistrée. On améliore en même temps l'adhésion de la couche thermoplastique au semi-conducteur, ce qui permet d'utiliser le support d'information pour faire une grande quantité de copies. L'emploi du support décrit évite des opérations technologiques auxiliaires, telles que par exemple, la fabrication de matrices en nickel ou l'irradiation de la couche thermoplastique par rayons ultra-violets pour fixer l'image par réticulation du polymère. Une prolongation de la durée de stockage de l'information enregistrée sans dégradation du contraste s'obtient aussi en utilisant un support d'information dans lequel la couche thflrmoplastique est à base de copolymère triple de styrène, butylméthacrylate et vinylphénylamine dans les proportions styrène de 30 à 40 ( butylméthacrylate de 55 à 60 ( dO ) vinylphénylamine de 5 à 10 ( dO les images reproduites sur les supports peuvent être conservées pendant un temps très long. La stabilité des images enregistrées permet d'utiliser le support proposé pour le tirage, entant que cliché photographique. n'n utilisant un support dtinformation dans lequel la couche thermoplastique de mémorisation est à base de copolymère triple de styrène, butylméthacrylate et vinylphénylisothiocyanate dans les proportions po moléculaire) styrène de 30 à 40 butylméthacrylate de 50 à 60 vinylphénylisothiocyanate de 5 à 10 on obtient une photosensibilité du support supérieure à celle du support dont la couche thermoplastique est en copolymère de styrène et butylméthacrylate, et une prolongation des temps de stockage de l'information enregistrée. On élimine presque complètement la fluidité à froid en ajoutant au copolymère des groupes NCO de réticulation. On obtient un abaissement de la température de coulée de la couche thermoplastinue, améliorant la photosensibilîté générale du support d'information, par augmentation de la teneur en chaînes de butylméthacrylate dans le copolymère. L'abaissement de la température de fluidité de la couche thermoplastioue perment aussi d'élever la rapidité de développement et de fixage de l'information enregistrée. Afin d'améliorer la photosensibilité, en conservant d'autres caractéristiques favorables du support (fixage de l'image, résistance à l'usure au cours du tirage, adhésion améliorée, etc.) dans le copolymère triple contenant des motifs d'alkylméthacrylate et de vinylphénylisothiocyanate (ou de vinylphénylisocyanate, ou de vinylphénylamine), on remplit les motifs de styrène par des motifs de styrène halogéné, dans les prorortions ci-dessous (#,o moléculaire) alkylméthacrylate de 30 à 50 dérivés de styrène chimiquement actifs de 5 à 15 halogène de 35 à 65 Lorsqu'il devient nécessaire d'augmenter la plage, le copolymère doit contenir des motifs de vinylnaphtalène avec les proportions de composants suivantes (% moléculaire) alkylméthacrylate de 50 à 55 dérivés de styrène chimiquement actifs de 5 à 10 vinylnaphtalène de 40 à 45 Cet effet s'obtient par augmentation de la chaîne de conjugaison en substituant des noyaux naphtaliques aux noyaux benzéniques. Des exemples concrets de mise en oeuvre de l'invention confirmant la possibilité de mettre en oeuvre le procédé revendiqué, seront maintenant donnés Exemple 1.- On utilise un support photothermoplastique comportant -tant un substrat souple à base de polyéthylènetéréphtalate avec un mince revêtement de chrome, une couche photoconductrice en As2 Se3 de 3 m d'épaisseur et une couche thermoplastique en copolymère de butylméthacrylate acrylonitrile de 8 pm d'épais seur. Le point de transition vitreuse de la couche thermo plastiriue est de 45 C, sa température de fluidité est de 920C, La température d'enregistrement est choisie égale à 650C.La résistivité de la couche photoconductrice à cette température est est de 3.10 ohms.cm et celle de la couche thermoplastique est de 7.1012 ohms.cm. Le support est placé dans l'appareil d'enregistrement et est chauffé à la température d'enregistrement de 550C. Le diaphragme de l'objectif est réglé en fonction de l'éclairement de l'objet, de façon que le rapport de variation de la résistance-de la couche photoconductrice sur les portions à éclairement maximal ne dépasse pas 10, c'est-àdire nue l'éclairement sera 17 lux pour la couche semiconductrice en-question.La géométrie de l'organe charge par effluve et le potentiel du fil à effluve électriaue sont choisis de façon qu'au cours de l'exposition et de la charge simultanées l'intensité du champ électrique sur les portions du support non éclairées soit de 5 à I O5-o' inférieure à la valeur provoquant une force pondéromotrice de 0,8 kg/cm2, egale en valeur à la grandeur du module de cisaillement de la couche thermoplastique à la température de 65 OC. Ayant ainsi réglé le diaphragme à 4, par exemple, pour assurer sur les portions les plus éclairées un rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination égal à 10 et avec un potentiel de l'électrode à effluve de 6 kV, on enregistre l'image sur le support réchauffé pendant un temps t5 = 0,2 s. la fonction d'obturateur est ici remplie par le temps d'enclenchement de l'organe de charge a effluve. On obtient une image formée par des microdéformations dont la dimension est de l'ordre de 3 Fm et dont la densité de répartition augmente avec l'éclairement, de 10 à 104/mm2. La gamme dynamique des éclairements enregistrés est de 2 à 17 lux. Exemple 2.- On utilise un support. photothermoplastique selon l'exemple 1. La température d'enregistrement est de 800C. La résistivité de la couche photoconductrice à cette température est de 1,4.1010 ohms.cm. le module de cisaillement est abaissé à 0,11 kg/cm2 ; la photosensibilité de la couche photoconductrice est également abaissée et on obtient un rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination égale à 10 et pour un éclairement de 25 lux. Le diaphragme est régléà 3,5, la tension de l'électrode à effluve est à 4,5 V, le temps de charge et d'exposition, à 0,01 seconde. On obtient une image formée par des microdéformations séparées, dont la dimension est de 5 in avec une bonne reproduction des demi-teintes sans effet de bord. la dynamique est de 1 à 25 lux. Exemple 3.- On utilise un support photot.hermoplastique ayant un substrat souple à base de polyéthylènetéréphtalate avec un mince revêtement en chrome, une couche photoconductrice en trisulfure d'arsenic et une couche thermoplastique en copolymère butylméthacrylate-styrène de 1 pm d'épaisseur, ayant un point de transition vitreuse de 450C et température de fluidité de 920C. La résistivité effective est de 1,2.1012 ohms.cm pour une épaisseur de 1,5 pm. La température d'enregistrement est de 840C. Le module de cisaillement est de 0,105 kg/cm2 à cette température.La résistivité de la couche photoconductrice est de 1,4.1011 onms.cm à la température d'enregistrement. Un rapport résistance d1obscurité/résistance sous illumination égal à 10 est obtenu sous éclairement de 200 lux. Le temps de charge et le temps d'exposition sont de 0,1 s et le potentiel est de 3 kV. On obtient une image formée par des déformations dont la dimension est de 3 Fm, reproduisant les demi-teintes dans la gamme d'éclairements de 27 à 200 lux. Exemple 4.- On utilise un support selon l'exemple 3, dans lequel la couche photoconductrice est en triséléniure d'arsenic. La température d'enregistrement est de 700C, à laquelle le module de cisaillement est de 0,6 kg/cm. La résistivité effective de la couche thermoplastique est de 7.1012 ohms.cm pour l'épaisseur de 0,3 pm et celle de la couche photoconductrice de 3.1010 ohms.cm. Sous éclairage de 1 lux, le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination est égal à 8. Pour une exposition de 0,1 s et un potentiel de 6 kV on obtient une image reproduisant les demi-teintes dans la plage d'éclairements de 0,13 à 1 lux. Exemple 5.- On utilise un support d'information comportant un substrat souple de 50 pm d'épaisseur à base de polyéthylènetéréphtalate avec 0,5 partie pondérale de 1,1-diacétylferrocène. Sur le substrat on dépose, par évaporation sous vide, une couche photosensible en séléniure d'arsenic amorphe de 2 pm d'épaisseur. Sur la couche photosensible on dépose, par arrosage en solution dans le toluène, une couche thermoplastique à base de copolymère triple styrène-butylméthacrylate-vinylphénylisocyanate de 1,5 pm d'épaisseur avec les proportions suivantes (o moléculaire) styrène 38 butylméthacrylate 60 vinylphénylisocyanate 2 Une telle couche thermoplastique présente un point de transition vitreuse de 330C et une température de fluidité de 580C.La température d'enregistrement est de 480C. La résistivité effective de la couche photosensible est de 10 ohms.cm à cette température. Le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination est égal à 10 pour un éclairement de 16 lux. La tension de charge adoptée est de 4,5 kV. On obtient une image formée par des déformations locales dont les dimensions sont de 2 pm environ et reproduisent les demi-teintes dans la gamme d'éclairement de 6 à 20 lux. Au cours de l'enregistrement il se produit un pontage des macromolécules permettant de conserver l'image reproduite pendant un temps prolongé à température élevée. On n'a pas observé d'effacement de l'image par maintien de l'échantillon à la température de fluidité pendant 5 heures. Exemple 5.- le support d'information contient les mêmes couches que celui décrit dans l'exemple 5. La couche thermoplastique, de 3,2 pm d'épaisseur, est à base de copolymère triple styrène-butylméthacrylate -vinylphénylisothiocyanate avec les proportions des composants suivantes ( moléculaire) styrène 30 butylméthacrylate 60 vinylphénylisothiocyanate 10 Le point de transition vitreuse est de 550C, la température de coulée de 700C. La température d'enregistrement adoptée est égale à 60 C. A cette température la résistivité effective de la couche photoconductrice est 1O11 ohms.cm, le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination est de 9 à l'éclairement de 28 lux.On obtient une image formée par des déformations locales dont la dimension est de 2,5 pm, reproduisant les demi-teintes dans la gamme d'éclairements de 2 à 25 lux. Exemple 7.- Le support d'information contient les mêmes couches eue celui décrit dans l'exemple 5. la couche thermoplastique a 2 pm d'épaisseur ; elle est à base de copolymère triple styrène-butylméthacrylatevinylphénylamine avec les proportions des composants ci-dessous indiquées ( moléculaire) styrène 32 butylméthacrylate 60 vinylphénylamine 8 le point de transition vitreuse de ce matériau thermoplastique est de 450C, sa température de coulée est de 820C. la température d'enregistrement adoptée est égale à'68DC. A cette température la résistivité effective de la couche photoconductrice est égale à 2,5.10 ohm.cm, le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination est égal à 10 à l'éclairement de 35 lux. On obtient une image formée par des. déformations dont la dimension est de 1 Fm, reproduisant les demi-teintes dans la gamme d'éclairements de 10 à 40 lux. les images reproduites peuvent être stockées durant un temps pratiquement infini. La stabilité des images enregistrées permet d'utiliser le support pour le tirage. semple 8.- Le support d'information contient les mêmes couches que celui décrit dans l'exemple 5. La couche thermoplastique a 3,5 pm d'épaisseur. Elle est à base de copolymère octylméthacrylate-vinylnaphtalène-vinylphénylisothioc,yanate, avec la composition ci-dessous (% moléculaire) octylméthacrylate 50 vinylnaphtalène 40 vinylphénylisothiocyanate 10 Ce matériau thermoplastique a un point de transition vitreuse égal à 54 C, une température de coulée égale à 670C. La température d'enregistrement adoptée est de 600C. La résistivité effective de la couche photoconductrice est de 5,8.1O11 ohm.cm à 600C, et le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination est 9 à l'éclairement de 28 lux. Le potentiel du fil à effluve est de 5 kV, le temps de charge et d'exposition est de 0,4 s. On obtient une image formée par des déformations locales dont la dimension est de l'ordre de 2 iim. La gamme des éclairements enregistrés sur le support va de 0,2 à 26 lux. Exemple 9.- Le support d'information contient les mêmes couches nue celui décrit dans l'exemple 5. La couche thermoplastique de 1,5 pm d'épaisseur est à base de copolymère octylméthacrylatefluorostyrène-vinylphénylamine avec composition ci-dessous (o moléculaire) : octylméthacrylate - 50 fluorostyrène 35 vinylphénylamine 15 Le point de transition vitreuse du matériau thermoplastique est de 35 C, la température de coulée de 640C. La température d'enregistreme'nt est de 50 C. A cette température la résistivité effective de la couche photoconductrice est de 9.1 Ô11 ohm.cm, le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination de 10 sous éclairement de 16 lux. L'image enregistrée sur le support est formée par des déformations locales dont la dimension est de 2,5 Fm, et elle reproduit les demi-teintes dans la gamme d'éclairement de 0,2 à 26 lux. Exemple 10.- On utilise un support photothermoplastiaue comportant un substrat souple à base de polyéthylènetéréphtalate, un revêtement conducteur en chrome et des couches photoconduc trice et thermoplastique. La couche photoconductrice est déposée sur électrode conductrice par évaporation sous vide. Elle contient du triséléniure d'arsénic allié à 5 > en poids de thallium. L'épaisseur de la couche photoconductrice est de 2 iim. La résistivité d'obscurité est égale à 5.10 ohm.cm à la température d'enregistrement. le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination de la couche photoconductrice est égal à 15 pour une énergie incidente de 5.107 J/cm2, la longueur d'onde du rayonnement étant de 0,7 pm. la couche thermoplastique à base de copolymère triple contient 30% mol. d'éléments de styrène, 6059 d'éléments de butylméthacrylate et 10% d'éléments de vinylphénylisothiocyanate.Elle est déposée par arrosage sur la couche photoconductrice. l'épaisseur de la couche thermoplastique est de 1,5 zm. Le point de transition vitreuse est de 550C, la température de coulée est de 700C. le module d'élasticité est égal à 0,12 kg/cm2 à la température d'enregistrement L'enregistrement d'une image sur le support photothermoplastique se fait dans une cellule d'enregistrement, en ayant préalablement porté le support à 600C et réglé la tension de l'électrode à effluve à 4,5 kV. Le temps de charge, égal au temps d'exposition, est de 0,2 s. L'exposition s'effectue en lumière, avec diverses compositions spectrales dans la gamme d'énergie incidente de 3.10 8 à 10.6 J/cm. On obtient une image formée par des déformations locales de la couche thermoplastique dont la dimension est de l'ordre de 1 pm dans la gamme d'ondes de 0,5 à 1 pm. Ainsi, la sensibilité spectrale du support est déplacée, vers le domaine des ondes longues, de 0,2 pm par rapport à celle d'un support à base de triséléniure d'arsenic non allié Exemple 11.On utilise un support photothermoplastique comprenant les mêmes couches que dans l'exemple 10. La couche photoconductrice, de 2 pm d'épaisseur est en séléniure d'arsénic allié à 7% en poids de bismuth. La résistivité d'obscurité de la couche photoconductrice est de 7.10 ohms.cm à la température d'enregistrement. Une image est enregistrée sur le support photothermoplastique préalablement chauffé jusqu'à 600C et à une tension de l'électrode à effluve de 4,5 kV. Les durées de charge et d'exposition sont de 0,05 s. L'exposition s'effectue par un rayonnement à diverses compositions spectrales dans la gamme de 0,6 à 1 pm, à des énergies de 10 5 à 10 7 J/cm. On obtient une image sur le support sous former de partition de déformations locales de la couche thermoplastique dans une gamme de longueurs de 0,6 à 1,0 pm. La gamme spectrale de sensibilité obtenue dépasse de 0,2 pm le domaine spectral de sensibilité du support à base de triséléniure d'arsenic. Exemple 12.- On utilise un support thermoplastique contenant les mêmes couches que dans l'exemple 10. La couche thermoplastique de 1,5 pm d'épaisseur est à base de copolymère triple styrène-butylméthacrylatevinylphénylisocyanate, la composition moléculaire étant styrène 38 % butylméthacrylate 60 % vinylphénylisocyanate 2 ss Le point de transition vitreuse du matériau thermoplastique est de 33CC ; sa température de coulée est de 580C. La couche photoconductrice, de 2,5 pm d'épaisseur, est à base de sélénium, en forme monoclinique. La résistivité d'obscurité du semi-conducteur est égale à 1010 ohms.cm. Le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination est égal à 15 pour un éclairement de 2 lux. Pour permettre d'enregistrer une image, le support est au préalable chauffé à 480C. Puis on charge la surface du support, en appliquant une tension de 4,5 kV sur l'électrode à effluve. En même temps on expose le support durant 0,1 s. L'image projetée se matérialise sur le support par des déformations locales de la couche thermoplastique reproduisant les demi-teintes dans une gamme d'éclairements de 0,1 à 2 lux. Le faible niveau des éclairements enregistrés témoigne d'une élévation notable de la sensibilité du support d'application unique, comparativement aux supports à base d'autres couches semi-conductrices. Exemple 17.- On utilise un support photothermoplastique contenant les memes couches que dans l'exemple 10. La couche photoconductrice, de 2 pm d'épaisseur, est à base de triséléniure de gallium amorphe sensible à la lumière actinique. La résistivité d'obscurité de la couche photoconductrice est de 1010 ohm.cm à la température d'enregistrement. Le rapport résistance d'obscurité/résistance sous illumination est de 15 pour un éclairement de 12 lux. Une image est enregistrée sur le support préalablement chauffé à600C. La charge du support s'effectue par application d'une tension de 4,5 kV sur l'électrode à effluve électrique. L'exposition se fait durant 0,01 s. On obtient une image reproduisant les demi-teintes dans une gamme d'éclairement de 5 à 12 lux avec un court temps de charge et d'exposition. Sxemple 14.- On utilise un support photothermoplastique contenant les mêmes couches que dans l'exemple 10. La couche photoconductrice de 2,5 Fm d'épaisseur est en séléniure de cadmium présentant une conductibilité résiduelle. La résistivité d'obscurité du semi-conducteur est de 1010 ohm.cm à la température d'enregistrement. Le rapport résistance-d'obscurité/ résistance sous illumination est de 10 pour un éclairement de 6 lux. La valeur de la conductibilité résiduelle est de 80% de la valeur de photoconductibilité, 1 s après la cessation de l'exposition. Une image est enregistrée sur le support préalablemént chauffé jusau'à 60 C. Simultanément une tension de 4,5 kV est appliquée sur l'électrode à effluve et l'exposition se produit. Le temps d'exposition est de 0,01 s. Après cet intervalle de temps l'exposition cesse, alors que la charge du support continue durant 0,5 s. Le contraste de l'image est augmenté après cessation de 1' exposition grâce à la conductibilité résiduelle Exemple 15.- Le support d'information contient les mêmes couches que dans l'exemple 10. La couche photoconductrice sensible à la lumière actinique est constituée par une hétérojonction à base de sulfure de cadmium et de séléniure d'arsenic allié à 5% en poids de thallium. L'épaisseur de la couche de sulfure de cadmium est de 1 pm, le rapport résistance d'obscurité/ résistance sous illumination est égal à 10 pour un éclairement de 1 lux. La résistivité d'obscurité est de i010 ohms.cm. 11 épaisseur de la couche de séléniure d'arsenic allié au thallium est de 1,5 pm. La résistivité effective de la couche photoconductrice est de 1011 ohms.cm. Une image est enregistrée sur le support préalablement porté à 6O0C. La charge du support s'effectue par effluve électrique créée par application d'une tension de 4,5 kV sur l'électrode à effluve. Le temps de charge, égal au temps d'exposition est de 0,5 s. On obtient une image par rerépartition de densités de déformations locales de la couche thermoplastinue entre les portions à divers niveaux d'éclairement. L'enregistrement dc l'image est possible dans une large gamme spectrale, de 0,4 à 1 pa. xemle 16.- le support d'information comporte un substrat souple de 50 pm d'épaisseur, à base de polyéthylènetéréphtalate contenant 0,5 ,! en poids de 1,1-diacétylferrocène. Sur ce substrat est déposée, par évaporation sous vide, une couche photosensible en séléniure de gallium amorphe de 3 pm d'épaisseur. Sur celle-ci est déposée, par arrosage à partir d'une solution dans un solvant organique, tel que le toluène, une couche thermoplastique en copolymere triple de styrène, butylméthacrylate et vinylphénylisocyanate de 2 Fm d'épaisseur.La composition moléculaire de cette couche est styrène 38 fie butylméthacrylate 60 % vinylphénylisocyanate 2 fo Une telle couche thermoplastique présente les caracté rustiques suivantes : viscosité caractéristique : 0,21 point de transition vitreuse : 3300 ; température de fluidité : 580C ; température du support lors de l'enregistrement : 48 C, potentiel du fil à effluve : 4,5 kV sensibilité du support : 107 cm2/J. Le temps de stockage de limage à 20 C est pratiquement illimité. Exemple 17.- Le support d'information contient les mêmes couches que celui de l'exemple 16, et sa technologie de fabrication est analogue. La couche thermoplastique de 3 m d'épaisseur est à base de copolymère triple styrène-butylméthacrylatevinylphénylamine avec la proportion moléculaire de composants ci-dessous styrène 32 ço butylméthacrylate 60 i0 vinylphénylamine 8 % La viscosité caractéristique de la couche thermoplastique est de 0,17 ; son point de transition vitreuse est de 450C ; et sa température de coulée est de 820C. Une image est enregistrée à 650G, avec un potentiel du fil à effluve électrique de 4,5 kV. La sensibilité du support est égale à 107 cm2/J. Exemple 18.- le support d'information comporte les mêmes couches que celui de l'exemple 16, et sa technologie de fabrication est analogue. La couche thermoplastique, de 2 pm d'épaisseur, est à base de copolymère triple styrène-butylméthacrylatevinylphénylamine avec la proportion moléculaire de composants ci-dessous styrène 35 He butylméthacrylate 60 % vinylphénylamine 5 % La disco mité caractéristique de la couche thermoplas tinue est de 0,18 ; le point de transition vitreuse est de 430C ; la température de coulée est de 790C ; la température d'enregistrement est de 620C ; le potentiel du fil à effluve électrique est de 4,2 kV. La sensibilité du support est de 107 cm2/J. Exemple 19.- le support d'information comporte les mêmes couches que celui de 11 exemple 16, et sa technologie de fabrication est analogue. La couche thermoplastique, de 2 pm d'épaisseur, est à base de copolymère triple styrène-butylméthacrylatevinylphénylisothiocyanate avec la proportion moléculaire de composants ci-dessous styrène 30 % butylméthacrylate 60 % vinylphénylisothiocyanate 10 % La viscosité caractéristique de la couche thermoplastique est de 0,2 ; le point de transition vitreuse est de 550C ; la température de coulée est de 700C ; la température d'enregistrement est de 670C ; le potentiel du fil à effluve électrique est de 4,5 kV. La sensibilité est de 2.107 cm2/J. Exemple 20.- le support dtinformation contient les mêmes couches que celui de. l'exemple 16, et sa technologie de fabrication est analogue. La couche thermoplastique, de 2 Fm d'épaisseur, est à base de copolymère triple de styrène-butylméthacrylate vinylphénylisothiocyanate avec la composition moléculaire ci-dessous styrène 32 ep butylméthacrylate 60 fo vinylphénylisothiocyanate 8 ?,o La viscosité caractéristique de la couche thermoplastique est de 0,20 ; le point de transition vitreuse est de 480C ; la température de coulée est de 800C ; la température d'enregistrement de l'information est de 620C ; le potentiel du fil à effluve est de 4,5 kV. La sensibilité du support est égale à 2.107 cm2/J. Sxemple 21.- Le support d'information comporte les mêmes couches que celui de l'exemple 16, et sa technologie de fabrication est analogue. La couche thermoplastique, de 2 pm d'épaisseur, est à base de copolymère triple styrène-butylméthacrylatevinylphénylisothiocyanate, la proportion moléculaire des composants étant styrène 35 fD butylméthacrylate 60 ffi vinylphénylisothiocyanate 5 % La viscosité caractéristique de la couche thermoplastique est de 0,16 ; le point de transition vitreuse est de 440C ; la température de coulée est de 76 C ; la température d'enregistrement est de 600C ; le potentiel du fil à effluve électrique est de 4,2 kV. La sensibilité du support est de 3.107 cm2/J. Exemple 22.- le support d'information comporte une couche thermoplastique à base de copolymère alkylméthacrylate vinylnaphtalène-ddrivés chimiquement actif du styrène. On obtient le matériau thermoplastique en chauffant 3,96 g (50 % moléculaires) d'octylméthacrylate, 2,77 g (45 yo moléculaires) de 1-vinylnaphtalène, 0,24 g ( 5 fo moléculaires) de dérivés de styrène, 0,13 g ( 2 % moléculaires) de dinitrile d'acide azodiiso biuriq ue dans une ampoule scellée, d'où on a préalablement éliminé l'oxygène de l'air durant 15 heures à 80 C. On met le copolymère obtenu à dissoudre dans 40 ml de benzène et on le reprécipite en le versant goutte à goutte et en le brassant dans 60 ml de méthanol. Le polymère est filtré, lavé au méthanol et séché.dans le vide à la température ambiante. Pour les différents dérivés de styrène on obtient les caractéristiques suivantes de la couche thermoplastique 1. Copolymère d'octylméthacrylate (50fa moléculaires), vinylnaphtalène (40 2y' moléculaires) et vinylphénylisothiocyanate (10 fo moléculaires) : point de transition vitreuse de 540C ; la température de coulée de 66 à 67QC ;' viscosité caractéristique de 0,10. 2. Copolymère d'octylméthacrylate (50 % moléculaires), vinylnaphtalène (45 % moléculaires) et vinylphénylisothiocyanate (5 % moléculaires) : le point de transition vitreuse de 540C ; température de coulée de 700C ; viscosité caractéristique de 0,13. 3. Copolymère d'octylméthacrylate (50 % moléculaire9), vinylnaphtalène (40 % moléculaires) et vinylphénylamine (10 % moléculaires) : point de transition vitreuse de 54 à 560C ; température de coulée de 750C ; et viscosité caractéristique de 0,13. Exemple 23.- Le support d'information comporte une couche thermoplastique à base de copolymère alkylméthacrylatehalogénure de styrène-dérivés chimiquement actif du styrène. la couche thermoplastique comporte 1. octylméthacrylate 50 % moléculaires 4-fluorostyrène 35 ss n-vinylphénylamine 15 % Le point de transition vitreuse est de 55-36 C, la température de coulée de 64-65 C, la viscosité caractéristique de 0,32. 2. n-fluorostyrène 50 % moléculaires octylméthacrylate 40 % " n-vinylphénylisothiocyanate 10 % " Le point de transition vitreuse est de 48-50 C, la température de coulée de 74-76 C et la viscosité caractéristinue de 0,21 3. n-fluoro-styrène 65 % moléculaires octylméthacrylate 30 ?/o " n-vinylphénylisocyanate 5 % " le point de transition vitreuse est de 48-50 C, la température de coulée de 74-750C, et la viscosité caractéristique de 0,32. 4. n-chlor-styrène 40 7,' moléculaires octylméthacrylate 50 fi n-vinylphénylamine 10 7', Le point de transition vitreuse est de 49-50 C, la température de coulée de 75-77 C et la viscosité caractéristique de 0,32. Comme il va de soi et comme il résulte d'ailleurs déjà de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à celui de ses modes d'application non plus qu'à ceux des modes de réalisation de ses diverses parties, ayant été plus particulièrement envisagés ; elle en embrasse, au contraire, toutes les variantes. REVENDICATIONS 1. Procédé d'enregistrement électrophotographique sur support thermoplastique d'information optique sur un support d'information ayant une couche semiconductri ce sensible à une lumière actinique et une couche thermoplastique de mémorisation, comprenant les étapes de charge électrique, d'exposition, de développement thermique et de refroidissement du support pour fixer une image visible, caractérisé en ce qu'on porte au préalable la couche thermoplastique de mémorisation du support d'information à une température choisie dans la plage allant de son point de transition vitreuse à sa température de coulée et on la maintient jusqu'à la fin du développement thermique de l'image, en ce qu'on charge ensuite le support à des potentiels assurant une intensité du champ électrique engendrant, dans les zones non éclairées de la couche thermoplastique de mémorisation, des forces de 5 à 10% inférieures à la valeur du module de cisaillement du matériau de la couche thermoplastique à la température d'enregistrement, et en ce qu'on expose simultanément l'information optique à une illumination faisant varier de 10 à 15 fois la résistance-de la couche semiconductrice sur la portion d'exposition à éclairement maximal, la charge et ltexposition s'effectuant pendant des durées définies par la formule t ~~~~~ m In K, où 3;2-1 ts est le temps de charge, tm le temps d'exposition, le temps de relaxation d'obscurité de la charge sur le support, K le rapport résistance dobscurité/résistance en illumination de la couche semiconductrice là où elle subit l'illumination maximale. 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le temps d'exposition (tm) est N fois plus faible que le temps de charge (tu), la valeur N étant définie par la formule sont d sont des facteurs tenant compte de la décrois- sance avec le temps de la conductibilité résiduelle de la couche semiconductrice. 3. Support d'information permettant la mise en oeuvre du procédé selon la revendication 1, comportant une couche semiconductrice sensible à une lumière actinique, une couche thermoplastique de mémorisation et une couche électroconductrice déposées sur celle-ci, caractérisé en ce que la couche sensible à la lumière actinique est en un matériau inorganique semiconducteur dont la résistivité effective est égale à de 1010 à 1012 Ohms-cm à la température d'enregistrement, alors que la couche thermoplastique de mémorisation, qui est reliée électrique mentà la couche sensible à la lumière actinique, est en un matériau dont la résistivité à la température d'enregistrement est inférieure à 1013 Ohms-cm au cours de l'enregistrement et dépasse de plus de 10 foiS la résistivité de la couche semiconductrice, l'épaisseur totale des couches semiconductrice et thermoplastique de mémorisation étant -inférieure à 5 em. 4. Support d'information selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche semiconductrice sensible à la lumière actinique est en un matériau inorganique semiconducteur présentant une conductibilité résiduelle. 5. Support d'information selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que la couche semiconductrice sensible à la lumière actinique est soit en chalcogéniure d'arsenic amorphe allié à 1 à 7% en poids de thallium ou à 3 à 10% en poids de bismuth, soit un chalcogéniure de gallium amorphe. 6. Support d'information selon la revendication 3, ou 4, caractérisé en ce que la couche semiconductrice sensible à la lumière actinique est en sélénium à modification monoclinique. 7. Support d'information selon la revendication 3, ou 4, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice sensible à la lumière actinique est constituée par une structure au moins à deux couches, composée de matériaux dont la résistivité est inférieure à 108 ohms.cm; et la valeur effective de la résistance est comprise entre 101 et 1012 ohms.cm. 8. Support d'information selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, dans lequel la couche thermoplastique est à base de copolymères d'hydrocarbures vinylaromatiques et d'alkylméthacrylate, caractérisé en ce que la couche thermoplastique de mémorisation contient 2 à 10%G de dérivés chimiquement actifs du styrène (proportion moléculaire). 9. Support d'information selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche thermoplastique de mémorisation contient du vinylphénylisocyanate, la proportion moléculaire des composants étant styrène 34 à 38 % butylméthacrylate 56 à 60 #jo vinylphénylisocyanate 2 à 6 20 10. Support d'information selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche thermoplastique de mémorisation contient 5 à 10% moléculaires de vinylphénylamine, la proportion moléculaire des autres composants étant soit 30 à 40% de styrène et 50 à 60% de butylméthacrylate, soit 50 à 55% d'octylméthacrylate et 40 à 45 de phénylnaphtalène. 11. Support d'information selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche thermoplastique de mémorisation contient une proportion moléculaire de 5 à 10% de vinylphénylisothiocyanate, la proportion moléculaire des autres composants étant soit 55 à 600fo de butylméthacrylate et 30 à 40 de styrène, soit 50 à 55fo d'octylméthacrylate et 40 à 45% de vinylnaphtalène. 12. SuPport d'information selon l'une quelconque des revendications 3 à 7 dans lequel la couche thermoplasti ouc de mémorisation contient un polymère d'alkylméthacrylate, caractérisé en ce que la couche thermoplastique de mémorisation comporte aussi des dérivés chimiquement actifs du styrène et du vinylnaphtalène, la proportion moléculaire des composants étant alkylméthacrylate 50 à 55 99 dérivés chimiquement actifs du styrène 5 à 10 ffi vinylnaphtalène 40 à 45 %. 13. Support d'information selon l'une quelconque des revendications 3 à 7, caractérisé en ce que la couche thermoplastique de mémorisation comporte du vinylphényliso- cyanate, la proportion moléculaire des composants étant : octylméthacrylate 50 à 55 % vinylphénylisocyanate S à 7 % vinylnaphtalène 43 à 47 %. 14. Support d'information selon l'une quelconque des revendications 3 à 9, dans lequel la couche thermoplastique de mémorisation contient du polymère d'alkylméthacrylate, caractérisé en ce o-ue la couche à mémoire thermoplastique contient également des dérivés chimiquement actifs du styrène et du styrène halogéné la proportion moléculaire des composants étant : alcoyiméthacrylate 30 à 50 % dérivés chimiquement actifs du styrène 5 à 15 0 styrène halogéné 35 à 65 0. 15. Support d'information selon l'une quelconque des revendications 3 à 9, caractérisé en ce que la couche thermoplastique de mémorisation contient du vinylphénylisocyanate la proportion moléculaire des composants étant octylméthacrylate 30 à 50 ' vinylphénylisocyanate 5 à 7 ,;0 styrène halogéné 35 à 63 . 16. Support d'information selon l'une quelconque des revendications 3 à 9, caractérisé en ce que la couche thermoplastique de mémorisation contient de la vinylphénylamine, la proportion moléculaire des composants étant octylméthacrylate 30 à 50 O',o vinylphénylamine 5 à 15 fo styrène halogéné 35 à 65 %. 17. Support d'information selon l'une quelconque des revendications 3 à 9, caractérisé en ce que la couche à mémoire thermoplastique contient du vinylphénylisothiocyanate, la proportion moléculaire des composants étant octylméthacrylate 30 à 35 0 vinylphénylisothiocyanate 5 à 10 de styrène halogéné 35 à 60 %. 18. Support d'information selon l'une quelconque des revendications 3 17, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat souple à base de polyéthylènetéréphtalate contenant 0,05 à 0,5 parties pondérales de 1,1-diacétyl- ferrocène.