FR 2485862 A1 19811231 FR 8112119 A 19810619 2 48 5862 L'invention se rapporte, en général, aux disposi- tifs de pulvérisation et, en particulier, à ces dispositifs dont l'effet est renforcé magnétiquement. Dans le brevet américain n0 3 878 085, il est décrit un dispositif de pulvérisation à effet renforcé magnétiquement comprenant comme cible des cathodes planaires. On s'est préoccupé jusqu'à présent de l'utilisation relative- ment faible des cibles planaires. La pulvérisation par montage diode, qui n'est pas renforcée magnétiquement, donne une érosion très uniforme de la cible mais n'est capable que de très faibles vitesses de dépôt. L'addition d'un champ magnétique à configuration appropriée apporte une améliora- tion de 10 fois environ aux vitesses de pulvérisation mais la cible planaire est érodée typiquement en totalité en un certain point avant que plus de 30 à 40% environ du total de la cible aient été pulvérisés. Avec des cibles en matières rares ou très pures, cet inconvénient entraîne une sérieuse difficulté de prix. Quand on considère la vitesse, l'unifor- mité, la structure du dépôt, la facilité du contrôle, l'af- franchissement de toute eau de lavage contaminée, etc., la technique de pulvérisation à effet renforcé magnétiquement fournit le plus souvent les dépôts les meilleurs et les plus efficaces pour un meilleur coût total, en dépit des difficul- tés rencontrées avec la cible. Différentes tentatives ont été faites en vue de réduire la perte de cible, typiquement par le recours à un déplacement de la configuration du champ magnétique à l'aide de techniques mécaniques ou électromagnétiques. Toutefois, ces dernières ne semblent pas constituer une solution totalement efficace et aucune d'elles ne semble viser la nature fondamentale de la difficulté. Une autre tentative a été faite consistant à profiler la section droite de la cible afin qu'elle soit présentée matériellement en proportion des vitesses locales d'érosion. Ce moyen permet d'augmenter le pourcentage d'utilisation, mais habituellement avec un fort accroissement du coût de la cible au point qu'on n'obtient pas toujours ainsi une solution satisfaisante. La pulvérisa- tion renforcée magnétiquement est donc une technologie efficace de dépôt d'une couche qui souffre d'un inconvénient important: la configuration de l'érosion. L'objet principal de l'invention est d'apporter un dispositif de pulvérisation à effet amélioré magnétique- ment avec lequel on peut faire une meilleure utilisation de la cible. Un autre but de l'invention est de parvenir à un dispositif amélioré de pulvérisation du type ci-dessus dans lequel on met en oeuvre une pluralité de sources de champ magnétique. Un autre but de l'invention est d'apporter un dispositif amélioré de pulvérisation à plusieurs sources de champ comprenant une boucle fermée de plasma à deux chemins dont un premier chemin est un chemin de pulvérisation se trouvant au-dessus de la cathode et le second est un chemin de retour sans pulvérisation se trouvant au-dessus du premier chemin. Un autre but encore de l'invention est de parve- nir à un dispositif amélioré de pulvérisation à plusieurs sources de champ du type ci-dessus comprenant un confinement amélioré du plasma sur le chemin de retour. Un autre but supplémentaire de l'invention est de parvenir à un dispositif amélioré de pulvérisation du type ci-dessus, dans lequel des moyens sont prévus pour transférer le plasma entre le premier et le second chemins. Un autre but encore de l'invention est d'apporter un procédé et des moyens améliorés de confinement du plasma. On donnera maintenant, sans intention limitative, une description de plusieurs exemples de réalisation de l'invention. On se reportera aux dessins annexés dans les- quels: - la figure 1 est une vue en coupe transversale d'un magnétron connu montrant la configuration typique en V de l'érosion qui se produit quand on l'utilise, - la figure 2 est une vue en coupe qui illustre un champ magnétique susceptible d'être associé au magnétron de la figure 1, la figure 3 est une vue en coupe transversale d'un magnétron connu illustrant le principe de l'invention, les hachures de la structure constituant la source du champ magnétique ayant été omises pour plus de clarté du dessin - les figures 4A à 4E sont des vues en coupe de cibles qui montrent l'uniformité améliorée de la pulvérisation obtenue conformément à l'invention, la figure 5 est une vue en coupe transversale d'un magnétron amélioré selon l'invention pour l'obtention de la pulvérisation uniforme illustrée par les figures 4A à 4E, les hachures de la structure constituant les sources de champ magnétique ayant été omises pour la clarté du dessin, - la figure 6 est une vue en coupe transversale d'un magnétron modifié selon l'invention - - la figure 7 est une vue en perspective d'une structure magnétique utilisable avec le magnétron dela figure 6, - la figure 8 est une vue en plan d'une autre structure magnétique utilisable avec le magnétron de la figure 6, - les figures 9A à 9C sont des vues en coupe transver- sale d'une cathode illustrant la pulvérisation qu'elle subit quand elle est déplacée par rapport aux structures magnéti- ques du magnétron de la figure 6, - la figure 10 est une vue de dessus en perspective d'une structure magnétique préférée utilisable avec le magnétron de la figure 6, - la figure 11 est une vue en coupe transversale selon 11-11 de la figure 10. Comme on l'a indiqué précédemment, la pulvérisa- tion améliorée magnétiquement est une technologie efficace de dépôt de couche qui souffre d'un inconvénient important, c'est-à-dire de la configuration peu satisfaisante de l'érosion dont le résultat est une utilisation plutôt médiocre de la cible. En conséquence, on donnera dans ce qui suit une explication de ce qui semble être un mécanisme raisonnable de la formation des configurations d'érosion observées. On appliquera ensuite ce mécanisme conformément à l'invention de manière à obtenir une technique procurant une utilisation de la cible significativement améliorée. Au cours de ces explications on se reportera aux dessins o les références numériques identiques.désignent les mêmes pièces. La figure 1 montre schématiquement, en coupe transversale, une structure 10 d'une cathode connue compre- nant une cible 12, une source 14 de champ magnétique comprenant des sources effectives de lignes de force magnétique à polarités opposées en A et B, un passage de refroidissement 16, un corps porteur 18, un anneau de serrage pour la fixation de la cible au corps 18, un joint 22, des boulons 24 pour le montage de l'anneau de serrage sur le corps et un écran de masse 26; dans ce magnétron la struc- ture 10 de la cathode est typiquement symétrique par rapport à un plan 28, de sorte qu'il se forme une boucle fermée de plasma disposée symétriquement par rapport à ce même plan 28. Un substrat (non représenté) est disposé au-dessus de la cible pour être recouvert d'une couche de la matière pulvérisée à partir de cette dernière. Dans la plupart des cas on a observé que la con- figuration 30 de l'érosion est celle que l'on peut voir sur la figure 1, exactement un profil en V très aplati. Afin d'améliorer l'utilisation de cette cible, le fond de ce V devrait être aplati pour qu'il s'étende sur une largeur aussi grande que possible de cette dernière. La figure 2 montre un dessin approximatif 32 des lignes magnétiques matérialisées par de la limaille de fer surimposée à un dessin de l'érosion de la cible 12. Il a été supposé qu'un champ magnétique plat devrait être créé au-dessus de la cible pour donner lieu à une configuration plane de l'érosion. Toutefois, des amélio- rations très importantes apportées à l'aspect carré et à l'aspect plat du champ magnétique ne se sont traduites par aucun changement du profil fondamental en V de la configu- ration de l'érosion. Les champs magnétiques profilés le plus soigneusement ont apporté des améliorations notables en ce qui concerne l'élargissement du V qui intéressait presque toute la surface de la cible mais ils ont encore donné un profil en V plutôt qu'un profil en U à fond plat. Il a été conclu par conséquent que la configura- tion de l'érosion ne dépend pas du profil ou de l'aspect plat du champ magnétique comme on le supposait jusqu'à présent. Selon l'invention, il a été constaté que la configuration de l'érosion est plus probablement une résul- tante de la densité et des mouvements des électrons et que le champ magnétique dans un magnétron a habituellement princi- palement une fonction de limites. On peut avoir un aperçu de cette observation quand on considère le mouvement des élec- trons dans le plasma. Ainsi qu'il est connu, avec des champs électriques et magnétiques croisés (quand le champ électrique est substantiellement perpendiculaire à la surface de la cathode) les électrons ont des mouvements perpendiculaires aux deux champs. Ainsi est engendré un courant de circula- tion qui suit un chemin fermé autour de la surface de la cible. A ce courant est associée une composante de champ engendrée par un aimant qui repousse le champ magnétique 32 de la cathode autour de lui et qui annule le champ en dessous de lui (en direction de la surface de la cible).Il s'établit ainsi une répulsion à partir des lignes de force fermées du champ 32 au-dessus de la cathode et une pression de rappro- chement du courant en circulation vers la surface de la cible. Les électrons emprisonnés dans ces champs croisés entrent en collision avec les molécules du gaz de pulvérisation tel que de l'argon en donnant naissance à des ions d'argon. Les électrons plus les ions forment un plasma qui est proche de la neutralité en charge nette. Ce plasma est un conducteur électrique d'impédance plutôt faible. Il y a ainsi à ses extrémités relativement peu de la tension appliquée. La plus grande partie de la tension appliquée se trouve sous le plasma comprimé contre la surface de la cathode. L'espace sombre est donc très mince, son épaisseur étant de l'ordre du milli- mètre. Les lignes de force magnétique générales 32 à partir de l'aimant cathodique 14 forcent le courant de circulation à se rapprocher de la cible 12 et les parties perpendiculaires de ce champ constituent les limites latérales du plasma'en donnant naissance à son confinement latéral. Les lignes de force qui ont une inclinaison de 450 environ avec la surface de la cible marquent la limite centrale de l'érosion et celles qui ont une inclinaison de 90 approximativement marquent la limite extérieure, comme on peut le voir sur la figure 2. Lorsque plusieurs fils de cuivre isolés sont déposés sur une table parallèlement les uns aux autres, et que du courant les traverse dans le même sens, on observe qu'ils s'attirent les uns les autres et qu'ils tendent à se réunir. L'attraction est provoquée par le champ magnétique engendré autour des fils par le passage du courant. Dans le plasma, les électrons se déplacent le long d'un chemin fermé comme s'ils circulaient dans des fils. Le résultat est un resserrement similaire au rassemblement de ces fils. On a ainsi un effet de pincement. Les électrons peuvent se trou- ver plus près les uns des autres que la répulsion électro- l statique le permettrait normalement, en raison de la présence d'ions positifs dans le plasma. On a observé que la répartition des électrons et des ions s'accroit tout à fait linéairement à partir de la limite magnétique extérieure en direction du centre de la configuration en V de l'érosion. Ceci semblerait laisser prévoir une configuration de l'érosion beaucoup plus inclinée que linéaire en ce sens que ceci semblerait annoncer une section droite semi-circulaire du plasma (qui a été observée) avec le centre combinant l'effet des deux côtés et du sommet. Bien que l'on ait observé de telles densités du plasma, elles ne se sont pas traduites pas une configuration d'érosion non linéaire. La configuration linéaire observée devient compré- hensible quand on réalise que la tension se trouve presque toute à la partie inférieure du nuage du plasma et que le chemin libre moyen dans ce dernier est très court. Ainsi, seule une couche très mince proche de la cible contribue significativement à l'érosion mais toute la hauteur du plasma contribue à la luminosité que l'on peut voir quand on regarde directement vers la cible à travers le plasma. De cette façon, comme il y a un gradient linéaire de courant le long d'un rayon du plasma pincé en direction du centre de la configura- tion d'érosion en V, on peut supposer, en ce qui concerne la pulvérisation, que seule une mince couche qui s'étend parallèlement à un rayon est à prendre en compte pour le profil linéaire de l'érosion. Les emplacements des bords intérieur et extérieur de la configuration.de l'érosion sont définis par les lignes à 45G et à 90 du champ magnétique avec la cathode comme expliqué ci-dessus en référence à la fig. 2 cependant que la configuration de l'érosion à l'intérieur de ces lignes est due à la configuration de la densité de la circulation. L'examen des lignes 32 du champ cathodique dans un magnétron classique montre qu'elles semblent presque avoir pour origine des sourcesA et B indiquées sur la fig. 2. Des changements très importants de la structure magnétique 14 peuvent être effectués sans que cet aspect de la configu- ration soit modifié significativement. La situation des sources A et B peut être changée et, de cette façon, la largeur de l'érosion mais ceci ne modifie pas le profil de l'érosion. Le profil du champ magnétique définit ses bords. Il y a les deux paramètres de l'intensité du champ et de son inclinaison à considérer pour définir l'emplacement des bords mais ils conduisent seulement à la définition de la largeur et de la situation de la configuration en V. Cette remarque n'implique pas que le profil du champ et son intensité soient sans effet. Toutefois# ces effets s'énoncent principalement en termes de stabilité, d'efficacité, de pression minimum du gaz pour le fonctionnement au début et en pleine puis- sance, la puissance minimum pour une érosion de largeur totale, etc.. Ils ne conduisent pas à une érosion notablement plus uniforme. Il a été observé que l'inconvénient d'une éro- sion non uniforme peut être rendu plus mauvais par des adjonc- tions à la complexité du champ magnétique. En étendant les aimants vers l'intérieur pour obtenir effectivement des aimants extérieurs 32 et 34 et des aimants intérieurs 36 et 38 réunis par une pièce polaire 40 (voir les fig. 3 et 15 respectivement des demandes de brevets américains mentionnées par ailleurs n'S 946 370 et 19 284), on a été en mesure de régler le problème des limites et d'obtenir des limites additionnelles à l'intérieur du jeu habituel. Ceci procure un profil ou une configuration 42 d'érosion en aile de mouette comme on peut le voir sur la fig. 3, qui suggère que l'ensem- ble des éléments intérieurs 36, 28 a donné naissance à un profil additionnel en V qui s'ajoute au profil original pour accroître le taux de l'érosion proportionnellement dans le centre de la configuration. Une cathode de cette conception est extrêmement stable et présente une très faible impédance. Le plasma est très intense, en couvrant ce qui semble, à la vue, comprendre le centre et les côtés. Toutefois, la cible souffre de cette érosion à profil en aile de mouette et laisse des largesbandescentrale et latéralesnon érodées. L'étroitesse de l'érosion peut se comprendre puisque les aimants intérieurs 36 et 38 forcent le champ primaire des aimants 32 et 34 à s'élever très brusquement en lui faisant atteindre les angles critiques de 450 et de 900 plus près du centre de la configuration de l'érosion. Les lignes de force des aimants plus courts 36, 38 sont susceptibles de passer à travers la cible avec des angles relativement petits en dessous de certains angles critiques si bien qu'elles ne limitent rien d'autre que la configuration intérieure 42a en V. La configuration fondamentale 42b en V qui a été étendue jusqu'au centre par des lignes en trait mixte, est produite en dépit de la configuration intérieure 42a. En fait, l'érosion parait être la somme de deux confi- gurations en V 42a et 42b ayant des largeurs et des profon- deurs différentes mais avec le même centre. Il a été observé qu'une disposition différente des sources magnétiques peut avoir des effets similaires. Dans chaque cas il existait plusieurs sources de lignes de force - de sorte qu'elle ne semblaient pas être issues d'un point unique comme sur la figure 3. La signification de ces remarques, selon l'inven- tion, est que l'on a une certaine liberté pour combiner des configurations d'érosion en V à l'intérieur d'un phénomène d'érosionssimultanéeset, ainsi, la possibilité d'accroître significativement l'utilisation de la cible sans rencontrer les limites des autres méthodes actuellement employées. L'algèbre ou règles d'addition et d'interaction des divers champs pour l'accroissement de l'utilisation de la cible est la suivante. En premier lieu, les lignes de force de chaque champ ne peuvent pas être croisées. Il y a aussi des limitations à la projection des champs à mesure que les sources magnétiques deviennent plus petites. Pour cette raison, des degrés plutôt grands sont préférables. Si l'on suppose que les configurations de l'érosion sont correctement pondérées, l'algèbre la plus simple paraît être celle qui est représentée par les figures 4A à 4E. Ici, le profil fondamental en V 44a occupe une moitié de la largeur totale en coupe transversale de la cible commûe le montre la figure 4A. Le profil en V de second ordre 44b pourrait être un jeu de deux profils en V l'un intérieur 44b' et l'autre extérieur 44b". Ces derniers sont les plus grands profils en V qui peuvent être tirés du profil 44a. Chacun d'eux prendrait idéalement 12,5% de la section totale pour porter le total résultant de la combinaison du profil de second ordre et du profil fondamental en V à 75% de la section totale comme on peut le voir sur la figure 4D. Si le reste est réparti entre le plus grand profil en V qui peut être pris, on obtient 6,25% de la section totale pour chacun des deux profils en V de troisième ordre 44c' et 44c" que l'on peut voir sur la figure 4C. Ceci procure une utilisation de 87,5% de la section totale comme le montre la figure 4E. Le centre ne peut pas être réduit à une largeur zéro si bien que ces figures ne sont pas à rechercher pour un montage prati- que mais elles suggèrent une algèbre pratique de l'érosion et ses résultats approximatifs. On peut constater que le profil fondamental en V 44a doit englober tout le reste des jeux. Des lignes de force ne peuvent pas être croisées; ainsi, chaque profil successif en V doit être plus petit que le profil précédent dans lequel il s'ajuste. L'ensemble représenté sur les figures 4A à 4E n'est que l'un des nombreux ensembles possibles bien qu'il soit préféré en ce sens qu'il pourrait se traduire par un pourcentage très élevé, sinon optimum, de l'utilisation de la cible. En se reportant à la figure 5, on peut voir une illustration d'un montage magnétique pour la création d'une extension de quatrième ordre de l'illustration de troisième ordre donnée par la figure 4. Ainsi, sur la figure 5, on peut voir les lignes de force d'un champ magnétique primaire 46 engendré par une source 46' qui peut, par exemple, comprendre un aimant en U. Ce champ primaire 46 correspond au profil en V primaire 44a de la figure 4A. Les champs magnétiques 48, 50 et 52 de deuxième, troisième et quatrième ordres sont engendrés respectivement par un second, un troi- sième et un quatrième aimants 48', 50' et 52' et correspon- dent respectivement aux profils de second, troisième et de quatrième ordre. Chacun des aimants 46' à 52' produit effective- ment son propre profil en V et l'érosion résultante est la somme pondérée de ces profils en V. La grandeur relative de chaque profil en V dans le sens de la hauteur est une fonc- tion de l'intensité et du profil du champ qui lui est associé. Les figures 4A à 4E montrent les configurations théoriques de l'érosion résultante et leurs sommes. Les décharges doivent être capables d'existence indépendante quand les champs magnétiques sont isolés; autrement dit, l'intensité et le profil des champs 50, par exemple, engendrés par les aimants en U 50' doivent être tels que, lorsque les aimants 46', 48' et 52' sont retirés, les décharges associées aux champs 50 doivent être suffisantes pour produire leurs configurations associées d'érosion à profil en V. A cet égard, la force des aimants 48', 50' et 52' doit être telle qu'ils doivent être non seulement capables d'attirer à eux les lignes de force mais aussi d'établir les décharges mentionnées ci-dessus capables d'une existence indépendante. (Bien qu'il semble y avoir ici une certaine similitude structurelle entre les réalisations des figures 23 à 28 de la demande de brevet américain numéro 19 284 citée par ailleurs et les réalisations des figures 4 et 5 décrites ici, aucune amélioration obtenue avec les réalisations des figures 23 à 28 ne se comprenait dans les termes utilisés ici pour la description de la présente invention.) Chacune des décharges capables d'une existence indépendante peut recevoir une assistance des autres déchar- ges pour commencer à s'établir mais chacune doit exécuter sa propre part de la tache générale d'érosion de la cible. Les champs magnétiques 46 à 52 ne doivent pas se combiner pour engendrer un champ résultant; Si cette combinaison se produit on obtient à nouveau la configuration d'érosion de la fig. 1. Pour ce qui est de cathodes plus petites (de 125 mm au moins par exemple), le champ complexe de la fig. 5 rend très difficile sa projection à travers des cibles très épaisses. Toutefois, l'utilisation peut être augmentée jusqu'à 70 à 80% environ de ces cibles jusqu'à une épaisseur de 6,35 mm. De plus, le champ de quatrième ordre de la fig. 5 semble être d'ordre trop élevé pour des cathodes de 125 mm mais il fonctionne avec des cathodes plus grandes. Avec une cible de 125 mm de large, la modification de troisième ordre est tout ce qui semble possible en pratique en ce moment. Le passage à des cibles de 150 et 175 mm donne de la place pour des modifications de quatrième et de cinquième ordre O On se reportera maintenant à la figure 6 o une algèbre de sources négatives est illustrée par opposition à l'algèbre de sources positives illustrée par les figures 4 et 5. Dans cet exemple de réalisation, un champ magnétique N-S 66, en dôme, est placé au-dessus d'un champ magnétique 68 S-N en dôme. Le dôme N-S 66 est créé par une première source de champ magnétique 67 comprenant des aimants 70 à 74 tandis que le dame S-N 68 est créé par une seconde source de champ magnétique 69 comprenant des aimants 76 à 80; il doit être entendu que le mot dôme et l'expression en dôme utilisés dans la présente demande couvrent toutes les configurations qui peuvent être assimilées à un genre de dôme qu'elles soient incurvées ou rectangulaires. L'orientation des champs des dômes 66 et 68 est déterminée en partie par les paramètres de projection de champ des matières magnétiques particulières comprenant les aimants 70 à 80 et des circuits 70 à 74 et 76 à 80. Si l'effet directionnel de projection du champ est suffisamment fort, des lignes de force sont lancées dans l'espace dans la direction voulue avec une force suffisante pour-qu'elles se déplacent sur une distance significative avant que l'effet de retour à un pôle affecte notablement leurs trajectoires. De cette façon, la plupart du flux venant de l'aimant 70D par exemple, est poussé au-delà de l'aimant de retour 76 adjacent si bien qu'il est attiré vers l'aimant de retour 72 plus éloigné situé sur l'autre côté de la cible 12. Des con- sidérations similaires sont applicables aux aimants voisins 48' de la figure 5. L'effet directionnel désiré de projection du champ s'obtient de préférence avec des aimants en ferrite orientée dans lesquels les particules de ferrite orientées sont dispersées dans un liant à faible perméabilité comme le caoutchouc ou la matière plastique. La présence de ces particules, qui sont capables de produire un champ magnétique très fort, dans un liant à faible perméabilité (inférieuieà 10 par exemple) comme le caoutchouc ou la matière plastique, est apparemment efficace pour procurer l'effet directionnel requis de projection du champ. De plus, la matière plastique imprégnée de particules de ferrite orientées rend pratique la constitution d'aimants en plusieurs parties dans lesquels il n'est pas nécessaire de prévoir des moyens d'interconnexion à haute perméabilité. Les aimants contenant des particules de ferrite orientées peuvent être constitués par un empilement de bandes ou de rubans de ferrite imprégnés comme les bandes vendues sous la référence PL-1.4H par la Société américaine Minnesota Mining and Manufacturing Co. Ces empilements sont représentés sur la figure 6 pour les aimants 70, 72, 76 et 78 et sont utili- sés de préférence pour la réalisation de tous les aimants employés selon la présente invention. La disposition des champs magnétiques croisés à 1800 sur la figure 6 donne un chemin de retour supérieur A sans pulvérisation dans lequel la polarité du champ électri- que est fixer aucune anode intérieure à la boucle n'étant nécessaire comme il est représenté sur la figure 10 de la demande de brevet américain mentionnée par ailleurs n028 434. Un chemin de pulvérisation est établi en B. Afin que l'on comprenne mieux l'établissement du chemin de pulvérisation B et du chemin supérieur de retour sans pulvérisation A, on doit noter d'abord que dans un simple champ électrique et magnétique croisé, comme en A ou en B, le déplacement des électrons se produit dans le plan et en dehors du plan du dessin. Les électrons du courant circulant en B subissent un pincement de la manière décrite précédemment en référence à la figure 3. Ce plasma est forcé ainsi vers le bas contre la cible 12. Les électrons en A sont pincés aussi et, puisqu'ils se déplacent dans le sens opposé à ceux de B, dans le champ magnétique de direction opposée, ils tendent aussi à se diriger vers le bas. En B, le pincement neutralise le champ magnétique en dessous de lui et repousse le champ au-dessus de lui. Ceci se produit aussi en A jusqu'à ce que le pincement le poussant vers le bas commence à lui faire rencontrer le champ B. Alors, au lieu qu'il se produise une neutralisation du champ B, il se produit une répulsion. Les électrons subis- sent ainsi à la fois une répulsion du dessus et du dessous et ils sont confinés entre les deux champs. Le courant res- serré dans B est forcé contre la cible jusqu'à ce que la répulsion électrostatique des électrons (pendant leur durée limitée en raison de laprésence des ions positifs dans le plasma) s'oppose à la répulsion magnétique du dessus. Le contrôle de l'épaisseur de cet espace sombre est ainsi obtenu seulement par l'intensité du champ quelque part dans ce dernier. Quand on réalise les deux champs inversés A et B, on emprisonne étroitement le plasma dans l'espace situé entre eux, étant entendu qu'il est possible d'agrandir cet espace presque à volonté. Cette technique d'emprisonnement ou de confinement du plasma a des applications autres que pour l'établissement d'un chemin de retour dans un dispositif de pulvérisation. Sur les figures 6 et 7 on peut voir qu'un simple mouvement croisé des électrons dans le champ comprend un chemin supérieur en A et un autre chemin inférieur en B. Afin de changer et de passer du courant A au courant B, on peut utiliser une méthode de transfert qui est plutôt élémentaire en ce sens qu'elle consiste à faire se terminer un champ dans une zone complètement entourée par l'autre. Ceci se réalise facilement quand le courant intérieur B est transféré au courant de retour supérieur A comme le montre la figure 7 o une source 69 de champ magnétique se termine en 82 à l'intérieur de la fin 84 d'une source 67 de champ magnétique. Quand le courant supérieur A est transféré au courant inté- rieur de pulvérisation B, l'extrémité 86 de la source 69 est disposée audelà de l'extrémité 88 de la source 67. En outre cette dernière est incurvée vers le bas comme indiqué en 90 sur la figure 7. Un autre mode de réalisation d'un transfert du courant supérieur A au courant inférieur B est d'évaser vers l'extérieur les aimants 76 et 78 comme indiqué en 92 et 94 sur la vue en plan de la figure 8, la source 69 s'étendant au-delà de la source 67. Un tel évasement pourrait être réalisé autrement que par une extension à angle droit comme celle qui est représentée. Un mode préféré de réalisation du transfert entre le courant supérieur A et le courant intérieur B est illustré par les figures 10 et 11 dans lesquelles la figure 10 est une vue de dessus et en perspective d'un ensemble d'aimants sans la cathode représentée, tandis que la figure 11 est une vue en coupe transversale selon 11-11 de la figure 10 et o la cible 12 est représentée. Cet ensemble magnétique comprend un premier aimant en C 106 ayant une branche longitudinale 108, deux branches latérales 110 et 112 et deux branches intérieures longitudi- nales 114 et 116. Un second aimant en C 118 comprend une branche longitudinale 120, deux branches latérales 122 et 124 et deux branches intérieures latérales 126 et 128, les bran- ches intérieures latérales de ces deux aimants 106 et 118 étant disposées l'une contre l'autre. Comme on peut le voir sur les figures 10 et 11, la direction du flux dans l'aimant 106 est opposée à celle du flux dans l'aimant 118. L'ensemble- magnétique de la figure 10 comprend en plus des aimants 130 et 132 qui s'étendent longitudinalement et qui sont disposés respectivement à l'intérieur avec un certain espacement des aimants en C 106 et 118, de sorte que le champ magnétique indiqué sur la figure 11 s'établit. Bien qu'il existe quel- ques petites fuites de plasma par les extrémités 134 et 136, le comportement de l'ensemble magnétique de la figure 10 est bon. Puisque le courant inférieur B de plasma consume la plus grosse part de la tension dans son espace sombre, il se fait un jeu réciproque qui maintient les courants supé- rieur et inférieur au môme niveau général. La tension infé- rieure du courant supérieur A réduit aussi la perte d'ions de ce chemin. Ainsi, le chemin de retour A ne réclame presque aucune puissance (aucun courant ne circule) et le courant inférieur B qui crée la pulvérisation ou l'érosion fait tout le travail. Cet agencement produit la configuration d'érosion en V de la figure 2. Le serrage de la cible 12 seulement sur ses bords 96 et 98 (voir les figures 6 et 9A) donne la liber- té de faire commencer l'érosion à l'extrémité 100 afin que l'utilisation soit améliorée. La figure 9A montre cette érosion initiale 102 en V de la cible qui est effectuée par l'ensemble magnétique 104 composé des sources de champ 67 et 69 de la figure 6 ou de l'ensemble magnétique des figures 8 ou 10. Quand la cible devient très mince au fond du profil en V, on peut prévoir un déplacement relatif entre elle et l'ensemble magnétique 104 de la moitié de la largeur du profil initial 102 en Ve comme indiqué sur la figure 9B. Cette modification change légèrement la répartition de l'effet directionnel à partir de la cible mais comme l'espace sombre est pressé vers la surface de la cible, presque indé- pendamment de sa forme, la vitesse d'érosion est la même en section droite. Des déplacements supplémentaires de 1/2V sont représentés sur la figure 9C jusqu'à ce qu'il en résulte une utilisation pratiquement complète de la cible. Le retour avec une polarité magnétique inversée illustré par les figures 9A à 9C,à l'aide d'une cible et d'un ensemble magnétique déplaçables relativement est par conséquent capable de surmonter la difficulté d'utilisation de la cible d'une façon plus complète que par l'emploi d'un magnétron à champs complexes dans lequel tout se trouve dans le plan de la cible, comme représenté sur les figures 4 et 5. Avec les champs complexes indiqués sur ces dernières figures, appliqués au chemin d'érosion de l'unité avec le retour à polarités inverses des figures 6, 8 ou 10, on peut arriver à une utilisation de la totalité de la cible qui correspond à celle qui est indiquée pour les demies vues en coupe de la figure 4 parce que: a) il n'y a pas de centre à érosion minimale se produisant dans le plan 28 central de la figure 4, et b) il n'y a pas d'extrémitésincurvéesavec des coins non érodés. Plusieurs modes de réalisation de l'invention peuvent faire usage d'aimants en ferrite, en partie ceux qui sont fabriqués par les Sociétés américaines Arnold Magnetics Inc. et Crucible Iron and Steel Co.. De même, de nombreux modes de réalisation décrits ici peuvent faire usage d'aimants plus classiques comme les aimants en alliage ferro-magnétique alnico mais rarement avec la commodité et la facilité d'usage des matières préférées. On peut se servir aussi d'électro- -aimants mais ils sont sujets à la même remarque. De toute façon, les moyens magnétiques ci-dessus, tels que des aimants permanents ou des électro-aimants, sont utilisés de préférence pour l'objet de l'invention bien que l'on puisse se servir aussi de moyens magnétiques tels que des plaques polaires convenablement choisies en conjugaison avec les moyens magnétiques décrits plus haut. On peut se servir des structures magnétiques définies par l'invention avec des cathodes planaires qui sont circulaires ou oblongues. Les cathodes oblongues peuvent être rectangulaires, elliptiques ou ovales. Elles peuvent aussi être annulaires. En outre, une cathode planaire peut avoir des parties non linéaires comme par exemple des parties concaves analogues à celle des cathodes des figures et 7 du brevet américain n0 3 878 085. En plus des cathodes planaires, on peut se servir aussi de cathodes cylindriques, coniques, à bande sans fin, etc.. En outre, à mesure que la cathode est pulvérisée, une tendance à une érosion inégale peut se manifester. Néanmoins# la cathode peut encore être considérée comme plane, cylindrique ou autre, quels que soient sa forme ou son profil initial. De plus, une surface confor- mée peut être imposée à la cathode pour qu'elle présente une plus grande épaisseur dans les régions de plus grande érosion envisagée. A nouveau, une telle cathode peut être considérée comme planaire, cylindrique, etc.,en fonction de sa configu- ration générale avant sa pulvérisation. La matière de la cible à pulvériser peut être ou non la cathode du dispositif. Dans la négative, elle peut être fixée à la cathode par un moyen de fixation semblable à ceux qui sont illustrés sur la figure 1 o le moyen de fixa- tion peut servir aussi à tenir la cathode à l'intérieur du dispositif de pulvérisation. En ce qui concerne l'anode 65 représentée sur la figure 6, par exemple, elle est habituellement appelée ainsi parce que les dispositifs de pulvérisation sont typiquement à effet auto-redresseur quand un potentiel alternatif leur est appliqué. Par conséquent, bien que le terme d'anode soit utilisé dans les revendications qui suivent, il doit être entendu qu'il peut s'agir de toute autre électrode équivalente dans le montage. En outre, l'anode peut être constituée par la paroi du conteneur du dispositif de pulvérisation. On peut appliquer entre l'anode et la cathode un courant continu, un courant alternatif à basse fréquence (60 Hz par exemple) ou un courant à des radio-fréquences industrielles, par exemple de 13,56 MHz ou 27,12 MHz. Pour assurer l'isolation des radiofréquences, l'anode est presque toujours la paroi du dispositif quand des fréquences de cette valeur sont utili- sées bien qu'il soit tout à fait courant aussi d'employer la paroi comme anode avec du courant continu. En ce qui concerne le gaz utilisé dans le dispo- sitif, il peut être actif ou inerte en fonction du type désiré de la couche pulvérisée. On notera encore que le procédé et les modes de réalisation de l'invention peuvent servir aussi à la réalisation de gravures par pulvérisation. Il doit être entendu que la description détail- lée donnée ci-dessus de plusieurs modes de réalisation de l'invention est fournie uniquement à titre d'exemple, sans intention limitative. Plusieurs détails de conception et de construction peuvent être modifiés sans que l'on sorte pour autant de l'esprit et du cadre de l'invention. A titre documentaire on précisera maintenant que la présente invention dérive d'un état de- la technique qui est décrit dans les documents suivants: les brevets américains nos 4 162 954, 4 180 450, les demandes de brevets américains ayant les nos de dépôt et les dates de dépôt qui suivent: 19 284 du 9 mars 1979, 28 434 du 9 avril 1979, 32 768 du 24 avril 1979, 47 248 du 11 juin 1979, qui sont tous au nom de la déposante. REVENDICATIONS 1. Procédé de confinement d'un plasma selon lequel on établit un champ électrique et un premier champ magnétique substantiellement perpendiculaire à ce champ électrique, caractérisé en ce qu'on établit un champ magnétique addition- nel substantiellement parallèle au premier champ magnétique, la polarité de ce champ magnétique additionnel étant opposée à celle du premier champ magnétique de sorte qu'un plasma se déplaçant le long d'un premier chemin entre le premier et le champ additionnel dans une direction substantiellement perpendiculaire aux champs électrique et magnétique est empêché de passer à travers l'un ou l'autre des champs magnétiques. 2. Procédé de confinement d'un plasma selon la revendication 1 caractérisé en ce que le premier champ magnétique et le champ magnétique additionnel s'étendent dans la direction du premier chemin et emprisonnent le plasma sur une distance qui est approximativement égale à la longueur du premier champ magnétique et du champ magnétique additionnel. 3. Procédé de confinement d'un plasma selon l'une quelconque des revendications 1, 2 caractérisé en ce qu'on dispose le premier champ magnétique à portée du champ magnétique additionnel et on donne à l'un et à l'autre une allure en dôme. 4. Procédé de confinement d'un plasma selon la revendication 2 caractérisé en ce qu'on dirige le plasma depuis le premier chemin jusqu'à un second chemin substan- tiellement parallèle au premier qui ne se trouve pas entre le premier champ et le champ additionnel. 5. Procédé de confinement d'un plasma selon la revendication 2 caractérisé en ce qu'on interrompt le premier champ magnétique dans une zone entourée par le champ magnéti- que additionnel afin de faciliter le transfert du plasma entre le second chemin et le premier chemin. 6. Procédé pour le dépôt sur un substrat d'une ma- tière pulvérisée à partir d'une surface de pulvérisation d'une couche de cette matière, selon lequel on établit un champ électrique dont certaines au moins des lignes de force sont substantiellement perpendiculaires à la surface de pulvérisa- tion, mettant en oeuvre le procédé de confinement de plasma selon l'une quelconque des revendications 1 à 5c caractérisé en ce çfLilon établit un premier champ magnétique en dôme au- -dessus de la surFace de pulvérisation de façon qu'un plasma associe avec ce premier champ produise une configuration d'érosion substantiellement en V de la couche si ce premier champ était seul établi au-dessus de la surface de pulvéri- sation, on établit un champ magnétique supplémentaire en 1o dôme à l'intérieur du premier champ magnétique en dôme pour modifier la configuration d'érosion en V et favoriser la pulvérisation uniforme de la couche. 7. Procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce qu'on établit n ordre desdits champs magnétiques, n ayant les valeurs 1, 2, 3, etc., le premier ordre (n =l) étant constitué par le premier champ et chacun des autres ordres étant constitué par au moins deux des champs supplémentaires, l'un des champs en dôme de second ordre étant disposé en dessous d'une partie au moins d'une moitié du premier champ en dôme et l'autre champ en dôme de second ordre étant disposé sous une partie au moins de l'autre moitié du premier champ en dôme, de sorte que des parties sont retirées sur les deux côtés de la configuration d'érosion en V; et l'un des champs en dôme d'ordre n (quand n> 2) étant disposé sous une partie de l'un des deux champs en dôme d'ordre n-l et l'autre champ en dôme d'ordre n étant disposé sous une partie de l'autre des deux champs en dôme d'ordre n-l, de sorte que les champs d'ordre n éliminent des parties sur les deux côtés de la configuration en V qui sont à l'extérieur des parties éliminées par les champs d'ordre n-1. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6, 7 caractérisé en ce que le -premier champ magnétique et le champ magnétique supplémentaire intersectent la couche appro- ximativement par leurs extrémités. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6, 7 caractérisé en ce que le plasma forme une boucle fermée substantiellement parallèle à la surface de pulvérisation. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6, 7 caractérisé en ce que chacun du premier champ magnétique et du champ magnétique supplémentaire est capable de soutenir une décharge électrique de pulvérisation en l'absence de l'autre champ magnétique. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6, 7 caractérisé en ce qu'on établit un champ magnétique additionnel au-dessus du premier champ magnétique, la polari- té de ce premier champ et du champ additionnel étant opposées l'une à l'autre de sorte qu'un chemin de plasma de pulvérisa- tion s'établit entre le premier champ magnétique et la surface de pulvérisation et un chemin de plasma de retour sans pulvérisation se trouve entre le premier champ magnétique et le champ magnétique additionnel. 12. Procédé de dépôt sur un substrat d'une matière pulvérisée à partir d'une surface de pulvérisation d'une couche de cette matière, selon lequel on établit un champ électrique dont certaines au moins des lignes de force sont substantiellement perpendiculaires à la surface de pulvéri- sation, on établit un premier champ magnétique au-dessus de cette surface de pulvérisation, mettant en oeuvre le procédé de confinement de plasma selon la revendication 1, caracté- risé en ce qu'on établit un champ magnétique additionnel au-dessus du premier champ magnétique, les polarités du premier champ et du champ additionnel étant opposées l'une à l'autre de sorte qu'un chemin de plasma de pulvérisation s'établit entre le premier champ magnétique et la surface de pulvérisation et un chemin de retour de plasma sans pulvéri- sation s'établit entre le premier champ magnétique et le champ magnétique additionnel. 13. Procédé selon la revendication 12 caractérisé en ce que le chemin de pulvérisation du plasma et le chemin de retour du plasma sans pulvérisation font partie d'une boucle fermée de plasma qui est disposée substantiellement perpen- diculairement à la surface de pulvérisation. 14. Procédé selon la revendication 12 caractérisé en ce qu'on donne au premier champ magnétique une allure en dôme et on le dispose à l'intérieur du champ magnétique addi- tionnel auquel on donne aussi une allure en dmne. 15. Procédé selon la revendication 14 caractérisé en ce que le premier champ magnétique et le champ magnétique additionnel en dôme intersectent la couche approximativement à leurs extrémités. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12, 14 caractérisé en ce qu'on interrompt le premier champ magnétique dans une zone entourée par le champ magnétique additionnel de façon à faciliter le transfert du plasma entre le chemin de pulvérisation et le chemin de retour. 17. Dispositif de pulvérisation à effet renforcé magnétiquement pour le dépôt sur un substrat d'une matière pulvérisée à partir d'une surface de pulvérisation d'une couche de cette matière, comprenant des moyens pour établir un champ électrique dont certaines au moins des lignes de force sont substantiellement perpendiculaires à la surface de pulvérisation, mettant en oeuvre le procédé de la reven- dication 6, caractérisé en ce qu'il comprend une première source(461 de champ magnétique créant un premier champ (46) magnétique en forme de dôme au-dessus de la surface de pulvérisation d'unedcble (12), de sorte qu'un plasma associé à ce premier champ (46) produirait une configuration d'éro- sion substantiellement en V à partir de la couche si ce premier champ (46) se trouvait seul au-dessus de la surface de pulvérisation, et au moins une source supplémentaire (48) de champ magnétique pour établir un champ magnétique (48) supplémentaire en forme de dôme à l'intérieur du premier champ magnétique (46) en forme de dôme afin de modifier la configuration d'érosion en V et de favoriser la pulvérisa- tion uniforme de la couche. 18. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 17 caractérisé en ce qu'il comprend deux sources (48') supplémentaires de champ magnétique, le champ en forme de dôme associé à l'une d'elles étant disposé en dessous d'une partie d'une moitié du premier champ en forme de dôme tandis que le champ magnétique en forme de dôme associé à l'autre source est disposé sous une partie au moins de l'autre moitié du premier champ en forme de dôme de telle sorte que ces parties sont éliminées des deux côtés de la configuration d'érosion en V. 19. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 17 caractérisé en ce qu'il comprend n ordre desdites sources (46', 48', 50', 52') de champ magnétique, n pouvant avoir les valeurs 1, 2, 3, etc., le premier ordre (n=l) étant constitué par la première source (46') et chacun des autres ordres étant constitué par au moins deux sources supplémentaires (48', 50', 52'), le champ en dôme (48) associé à l'une des sources (48') de second ordre étant disposé sous une partie au moins d'une moitié du premier champ (46) en dôme et le champ en dôme (48) associé avec l'autre source (48') de second ordre étant disposé sous une partie au moins de l'autre moitié du premier champ (46) en dôme, de sorte que des parties sont éliminées des deux côtés de la configuration d'érosion en V et le champ en dôme (50) associé à l'une des sources (50') d'ordre n (lorsque n >2) étant disposé sous une partie de l'un des deux champs en dôme (48) d'ordre (n-l), le champ en dôme (50) associé avec l'autre source de champ (50') d'ordre n étant disposé sous une partie de l'autre des deux champs en dôme (48) d'ordre (n-l) si bien que les sources de champ d'ordre n éliminent des parties sur les deux côtés de la configuration d'érosion en V qui sont à l'extérieur des parties éliminées par les sources de champ d'ordre (n-l). 20. Dispositif de pulvérisation selon l'une quelcon- que des revendications 17, 19 caractérisé en ce que le premier champ magnétique et le champ magnétique supplémentai- re intersectent la couche approximativement à leurs extrémités 21. Dispositif de pulvérisation selon l'une quelcon- que des revendications 17, 19 caractérisé en ce que le plasma a une configuration en boucle fermée substantiellement parallèle à la surface de pulvérisation. 22. Dispositif de pulvérisation selon l'une quelcon- que des revendications 17, 19 caractérisé en ce que la pre- mière source de champ magnétique et la source de champ magnétique supplémentaire comprennent des particules de ferrite orientées dispersées dans des liants à faible perméabilité. 23. Dispositif de pulvérisation selon l'une quelcon- que des revendications 17, 19 caractérisé en ce que chacune de la première source de champ magnétique et des sources de champ magnétique supplémentaires est capable de soutenir une décharge électrique de pulvérisation en l'absence des autres sources de champ magnétique. 24. Dispositif de pulvérisation selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une source (67) supplémentaire de champ magnétique pour établir un champ magnétique supplémentaire (66) au-dessus du premier champ magnétique (68), les polari- tés du premier champ (68) et du champ additionnel (66) étant opposées l'une à l'autre de sorte qu'un chemin de plasma de pulvérisation (B) est établi entre le premier champ magnéti- que (68) et la surface de pulvérisation et un chemin de retour de plasma sans pulvérisation (A) est disposé entre le premier champ magnétique (68) et le champ magnétique addi- tionnel (66). 25. Dispositif de pulvérisation à effet renforcé magnétiquement pour le dépôt sur un substrat d'une matière pulvérisée à partie d'une surface de pulvérisation d'une couche de cette matière, comprenant des moyens pour établir un champ électrique dont certaines au moins des lignes de force sont substantiellement perpendiculaires à la surface de pulvérisation, une première source de champ magnétique pour établir un premier champ magnétique au-dessus de la surface de pulvérisation, mettant en oeuvre le procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une source additionnelle (67) de champ magnétique pour établir un champ magnétique additionnel (66) au-dessus du premier champ magnétique (68), les polarités de ce premier champ (68) et du champ additionnel (66) étant opposées l'une à l'autre de sorte qu'un chemin de plasma de pulvérisation (B) s'établit entre le premier champ magnétique (68) et la surface de pulvérisation et un chemin de retour de plasma (A) sans pulvérisation s'établit entre le premier champ magnéti- que (68) et le champ magnétique additionnel (66). 26, Dispositif de pulvérisation selon la revendication caractérisé en ce que le chemin (B) de plasma de pulvérisa- tion et le chemin (A) de retour de plasma sans pulvérisation sont des parties d'un plasma en boucle fermée qui est dispo- sée substantiellement perpendiculairement à la surface de pulvérisation. 27. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 25 caractérisé en ce que le champ magnétique additionnel (66) a une allure en dôme et que le premier champ magnétique (68) a aussi une allure en dôme et se trouve disposé à l'intérieur du champ magnétique additionnel (66). 28. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 27 caractérisé en ce que le premier champ magnétique en dôme et le champ magnétique additionnel en dôme intersectent la couche approximativement à leurs extrémités. 29. Dispositif de pulvérisation selon l'une quelcon- que des revendications 27, 28 caractérisé en ce qu'il comprend au moins une source (69) additionnelle de champ magnétique établissant au moins un champ magnétique en dôme (68) supplémentaire à l'intérieur du premier champ magnétique en dôme (66), de façon que ce premier champ magnétique (67) produirait une configuration d'érosion substantiellement en V à partir de la couche si le premier champ (66) et le champ additionnel (68) étaient disposés seuls au-dessus de la surface de pulvérisation et que ledit champ magnétique sup- plémentaire en dôme (68) modifie ladite configuration d'érosion V pour favoriser la pulvérisation uniforme de la couche. 30. Dispositif de pulvérisation selon l'une quelcon- que des revendications 25, 27 caractérisé en ce que la première source (67) de champ magnétique et la source addi- tionnelle e9) de champ magnétique comprennent des particules de ferrite orientées dispersées dans des liants à faible perméabilité. 31. Dispositif de pulvérisation selon les revendica- tions 25, 27 caractérisé en ce que la première source (67) de champ magnétique et la source additionnelle (69) de champ magnétique sont disposées sur un côté de la couche à l'opposé -de la surface de pulvérisation. 32. Dispositif de pulvérisation selon l'une quelcon- que des revendications 25, 27 caractérisé en ce que la - première source (67) de champ magnétique et la source addi- tionnelle (69) de champ magnétique s'étendent dans une direction substantiellement perpendiculaire aux champs électriques et magnétiques, ce dispositif comprenant aussi des moyens pour terminer le premier champ magnétique dans une zone entourée par le champ magnétique additionnel afin de faciliter le transfert du plasma du chemin de pulvérisa- tion (B) au chemin de retour (A). 33. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 32 caractérisé en ce que l'extension dé la couche dans la direction d'extension de la première source (67) et de la source additionnelle (69) de champs magnétiques est inférieure à celle de ces sources, cette couche étant disposée par rapport auxdites sources (67, 69) de façon telle qu'elle est pulvérisée sur la totalité de sa dimension dans le sens de l'extension de ladite première source (67) et de ladite source additionnelle (69). -34. Dispositif de pulvérisation selon l'une quelcon- que des revendications 25, 27 caractérisé en ce que la première source (67) et la source additionnelle (69) de champs magnétiques s'étendent dans une direction substantiel- lement perpendiculaire aux champs électriques et magnétiques, ce dispositif de pulvérisation comprenant encore des moyens pour terminer une première extrémité (86) de la source additionnelle (69) de champ au-delà d'une première extré- mité (88) de la première source (67) de champ afin de faciliter le transfert du plasma entre le chemin de pulvéri- sation (B) et le chemin de retour (A) de ce plasma. 35. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 34 caractérisé en ce que l'extension de la couche dans la direction d'extension de la première source (67) et de la source additionnelle (69) de champs magnétiques est inférieure à celle desdites sources, cette couche étant disposée par rapport aux mêmes dites sources de façon telle qu'elle est pulvérisée sur la totalité de sa dimension dans la direction d'extension de la première source (67) et de la source additionnelle (69). 36. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 34 caractérisé en ce que l'autre extrémité (84) de la première source (67) de champ magnétique se termine au-delà de l'autre extrémité (82) de la source additionnelle (69) de champ magnétique. 37. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 36 caractérisé en ce que la première source (67) de champ magnétique est évasée vers l'extérieur à son autre extrémité (88). 38. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 36 caractérisé en ce que la source additionnelle (69) de champ magnétique est évasée dans un sens d'éloignement par rapport à la première source (67) de champ magnétique à son autre extrémité. 39. Dispositif de pulvérisation selon l'une quelcon- que des revendications 25, 31 caractérisé en ce que la première source (67) de champ magnétique et la source addi- tionnelle (69) de champ magnétique s'étendent dans une direction substantiellement perpendiculaire aux champs électriques et magnétiques, ce dispositif comprenant aussi des moyens de déplacement relatif de la couche par rapport aux dites sources (67, 69) dans une direction substantiel- lement perpendiculaire à la direction d'allongement desdites sources afin de favoriser une pulvérisation uniforme de la couche. 40. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 39 caractérisé en ce que l'extension de la couche dans la direction d'extension des sources de champ magnétique (67, 69) est inférieure à celle desdites sources de champ magnétique, cette couche étant disposée par rapport à ces mêmes sources de façon qu'elle est pulvérisée sur la totalité de sa dimension dans le sens de l'extension de la première source (67) et de la source additionnelle (69) de champs magnétiques. 41. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 39 caractérisé en ce que les moyens de déplacement comprennent des moyens de déplacement par quantités finies de la couche par rapport à la première source (67) et à la source supplémentaire-(69) de champs magnétiques. 42. Dispositif de pulvérisation selon la revendica- tion 41 caractérisé en ce que le chemin de pulvérisation produit dans la couche une érosion à configuration en V ayant une certaine largeur de V et les moyens de déplacement rela- tif par quantités finies de la couche par rapport à la première source de champ magnétique et à la source supplé- mentaire de champ magnétique comprennent des moyens de déplacement de cette couche d'une distance égale à la moitié de la largeur du profil en V. 43. Dispositif de confinement d'un plasma mettant en oeuvre le procédé de la revendication 1, comprenant des moyens pour l'établissement d'un champ électrique, une première source de champ magnétique pour l'établissement d'un premier champ magnétique substantiellement perpendiculaire au champ électrique, caractérisé en ce qu'il comprend une source additionnelle (69) de champ magnétique pour l'établissement d'un champ magnétique additionnel (68) substantiellement parallèle au premier champ magnétique (66), la polarité de ce champ additionnel (68) étant opposée à celle du premier champ magnétique (66) de sorte qu'un plasma se déplaçant le long d'un premier chemin (A) entre le premier champ (66) et le champ (68) dans une direction substantiellement perpendi- culaire aux champs électriques et magnétiques est empêché de passer à travers l'un ou l'autre de ces champs magnétiques. 44. Dispositif de confinement d'un plasma selon la revendication 43 caractérisé en ce que la première source (67) de champ magnétique et la source additionnelle (69) de champ magnétique s'étendent dans la direction du premier chemin (A) pour emprisonner le plasma sur une distance aussi longue approximativement que la longueur desdites sources de champ magnétique (67, 69). 45. Dispositif de confinement d'un plasma selon l'une quelconque des revendications 43, 44 caractérisé en ce que le champ additionnel magnétique (68) est en dôme et le premier champ magnétique (66) est également en dôme et disposé à l'intérieur du champ magnétique additionnel (68)- 46. Dispositif de confinement d'un plasma selon la revendication 45 caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour diriger le plasma entre le premier chemin (A) et un second chemin (B) substantiellement parallèle à ce premier chemin (A) et qui ne se trouve pas entre le premier champ (66) et le champ additionnel (68). 47. Dispositif de confinement d'un plasma selon lune quelconque des revendications 43, 44 caractérisé ence que la première source (67) de champ magnétique et la source addi- tionnelle (69) de champ magnétique comprennent des particules de ferrite orientées dispersées dans un liant à faible per- méabilité. 48. Dispositif de confinement d'un plasma selon la revendication 44 caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour diriger le plasma entre le premier chemin (A) et un second chemin (B) substantiellement parallèle à ce premier chemin (A) et qui ne se trouve pas entre le premier champ (66) et le champ additionnel (68). 49. Dispositif de confinement d'un plasma selon la revendication 44 caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour terminer le premier champ magnétiquedans une zone entourée par le champ magnétique additionnel afin de faciliter letrans- fert du plasma entre le second chemin et le premier chemin. 50. Dispositif de confinement d'un plasma selon la revendication 44 caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour terminer une première extrémité (86) de la source addi- tionnelle (69) de champ magnétique au-delà d'une première extrémité (88) de la première source (67) de champ magnétique afin de faciliter le transfert du plasma entre le second chemin (B) et le premier chemin (A). 51. Dispositif de confinement d'un plasma selon la revendication 50 caractérisé en ce que l'autre extrémité (84) de la première source (67) de champ magnétique se termine au-delà de l'autre extrémité (82) de la source additionnelle (69) de champ magnétique. 52. Dispositif de confinement d'un plasma selon la revendication 51 caractérisé en ce que la première source (67) de champ magnétique est évasée vers l'extérieur à son autre extrémité (88). 53. Dispositif de confinement d'un plasma selon la revendication 51 caractérisé en ce que la source addition- nelle (69) de champ magnétique est évasée dans un sens - d'éloignement de la première source (67) dechamp magnétique à son autre extrémité.