FR 2480982 A1 19811023 FR 8008764 A 19800418 La oresente invention concerne une mémoire à bulles magnétiques. Elle s'applique au transfert d'informa- tions binaires ou bits, matérialisées sous la forme de domaines isolés qualifiés de "bulles", à l'intérieur de la , mémoire, ou vers une station d'accès à ces informations. Les bulles magnétiques sont matérialisées sous la forme de domaines isolés qui présentent une aimantation inverse de celle du reste du matériau magnétique qui consti- tue la couche dans laquelle les bulles sont formées. Chaque bulle peut être déplacée par une force et le mouvement peut s'effectuer librement dans n'importe quelle direction, dans le plan de la couche magnétique. La couche magnétique est un grenat magnétique et les bulles sont formées dans cette couche en lui appliquant un champ magnétique continu perpen- diculaire au Dlan de la couche. Ce champ est produit dans la pratique, par un aimant permanent; il assure la non volati- lité des informations contenues dans la mémoire. La couche de grenat magnétique dans laquelle sont formées les bulles, est généralement supportée par un grenat monocristallin amagnétique. Il est connu de déplacer les bulles grâce à l'application d'un champ magnétique tournant dont le rôle est de créer des pôles sur des motifs en permalloy par exemple, qui présentent la forme de barres en T, en chevrons, ou la forme de demi-disques. On réalise ainsi des registres à décalage dans lesquels l'information binaire est représen- tée par la présence "1" ou l'absence "O" d'une bulle. En plus de ces motifs en permalloy on sait qu'il est nécessaire d'utiliser des conducteurs électriques pour réaliser sur la puce de mémoire à bulles, des fonctions d'écriture, d'enre- gistrermLent de l'information, de lecture non destructive, de transfert de registre à registre et d'effacement. L'efface- ment est réalisé bit par bit, par destruction sélective des bulles ou, globalement. Cet effacement est obtenu très sirm- plement en augmentant la valeur du champ magnétique continu, au-delà de la valeur maximum permise pour l'enregistrement. Pour déplacer les bulles dans la couche de grenat magnétique, on sait actuellement utiliser deux techniques: les bulles peuvent être déplacées soit par courant électri- que, soit par champ magnétique. Les principaux types de mémoire à bulles magnéti- ques, connus, sont les suivants: - les mémoires constituées par un registre bouclé simple, qui peuvent être qualifiées de mémoires à organisa- tion série, dans lesquelles apparaît un seul registre à décalage, bouclé et très long. Ce registre est muni d'une seule station d'accès capable d'accéder à un seul bit à la fois. Ce type de mémoire, bien que très simple, nécessite un temps d'accès très-long, ne permettant aucun accès aléatoire; il nécessite une fabrication parfaite. En effet, tout défaut pourrait produire une coupure dans la chaîne de bulles qui représente les informations contenues dans le registre; - les mémoires Drésentant une organisation en "registres mineurs-registre majeur". Ces mémoires comprennent un ensemble de boucles d'enregistrement très courtes, appelées "registres mineurs", qui permettent d'enregistrer les informations. Une autre boucle appelée "registre majeur", comporte la station d'accès. Les registres mineurs sont dispo- sés longitudinalement, les uns à côté des autres et le registre majeur est orienté transversalement; les bulles magnétiques contenues dans les registres mineurs peuvent être transférées dans le registre majeur par l'intermédiaire de portes de transfert. Ces portes compliquent la structure et la fabrication de la mémoire; de plus, le temps d'accès est important puisque les bulles magnétiques peuvent parcourir toute la longueur du registre majeur avant de parvenir à la station d'accès, puis, suivre un chemin équivalent pour leur retour dans les registres mineurs. Enfin, le décalage dans les registres mineurs est unidirectionnel,par suite de contraintes de synchronisation dans la propagation des bulles entre les registres mineurs et le registre majeur. - les mémoires à bulles qui. comprennent une série de registres à décalage ou registres mineurs, orientés longitudinalement, et un contour d'accès ou registre majeur disposé transversalement. Dans ce type de mémoire, le contour d'accès est incorporé aux registres mineurs qui. participent ainsi par quatre bits au contour d'accès. Dans ce cas, l'influence du contour d'accès peut être néfaste pour des. bulles voisines. En effet, en créant des gradients de champ magnétique nécessaire au déplacement des bulles sur ce contour d'accès, il est possible qu'apparaisse un affaiblis- sement des bulles proches dans la zone de mémoire considérée. Pour ces deux derniers types de mémoires, qui utilisent généralement des registres mineurs constitués par des motifs en permalloy présentant la forme de T, de chevrons, ou de dermi-disques, il est Pratiquement impossible d'assurer un transfert des bulles d'un registre mineur vers un autre registre mineur. Avec les motifs en demi-disques, la réparti- tion des potentiels magnétiques le long du registre majeur n'est pas homogène et,lors du transfertdes bulles le long de ce registre majeur, des discontinuités de champ apparaissent et peuvent provoquer des affaiblissements des bulles0 L'invention a pour but de remédier à ces inconvé- nients et notamment de réaliser une mémoire à bulles dans laquelle les informations contenues dans les registres mi- neurs, à décalage orienté longitudinalement peuvent être transmises bit par bit à un contour d'accès orienté transver- salement, grâce à la présence d'un seul point de tangence entre l'extrémité de chaque registre à décalage et le contour d'accès. De plus, cette mémoire à bulles permet de faciliter et d'accélérer les transferts, non seulement entre les registres à décalage et le contour d'accès, mais égale- ment entre des registres à décalage appartenant à différentes séries de registres situés en regard, dans la mémoire. Elle permet également d'assurer l'accès à deux adresses consécu- tives d'un même registre à décalage, par un seul décalage dans ce registre. Elle évite d'avoir à utiliser des portes d'accès dont la résistance élevée produit une dissipation importante, dans les mémoires connues. L'invention permet également de fabriquer ces mémoires selon une technologie plane, sans utilisation de motifs en demi-lunes, en T ou en chevrons, sans utilisation de motifs protubérants puisqu'il n'est plus nécessaire de prévoir des portes entre les registres à décalage et le contour d'accès. Elle évite aussi d'avoir à tenir compte des décalages de phase entre les impulsions qui permettent le transfert des bulles dans le contour d'accès et le champ tournant qui permet le décalage de ces bulles dans chacun des registres à décalage. Enfin, la mémoire selon l'invention, grâce au contour d'accès qui présente de simples points de tangence avec les divers registres à décalage, permet de disposer deux stations d'accès à chacune des extré- mités de ce contour d'accès et ainsi de diminuer le temps d'accès aux informations contenues dans les registres à décalage. Les transferts de registre à registre à l'intérieur d'une même série de registres à décalage ou dans deux séries adjacentes, sont éga- lement accélérés. L'invention a pour objet une mémoire à bulles magnétiques comprenant au moins deux séries de registres principaux à décalage, orientés longitudinalement, des moyens pour produire un décalage des bulles dans ces registres principaux, ces séries de registres principaux étant disposées respectivement de part et d'autre d'une frontière transversale, caractérisée en ce que les registres principaux de chacune des séries sont constitués par des motifs définis par implantation ionique dans une couche de grenat magnétique, ces motifs définissant de part et d'autre de ladite frontière, des répartitions complémentaires de zones implantées et de zones non implantées. Selon une autre caractéristique, la mémoire comprend en outre deux séries de registres secondaires à décalage en regard des registres principaux, ces registres secondaires étant constitués par des motifs définis par implantation ionique dans la couche de grenat magnétique, et des moyens de transfert de bulles, entre les registres des séries de registres principaux et les registres secondaires qui leur correspondent et, entre les registres secondaires qui se correspondent dans les différentes séries de registres secondaires. Selon une autre caractéristique, les motifs de séries de registres principaux et les motifs des registres secondaires qui leur correspondent définissent respec- tivement des répartitions complémentaires de zones im- plantées et de zones non implantées. Selon une autre caractéristique, le motif de différentes séries de registres secondaires définissent respectivement des répartitions complémentaires de zones implantées et de zones non implantées. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre donnée en référence aux dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 représente schématiquement un premier mode de réalisation d'une mémoire conforme à l'invention, - la figure 2 représente schématiquement un second mode de réalisation d'une mémoire conforme à l'invention, - la figure 3 représente schématiquement l'or- ganisation générale d'une mémoire conforme à l'invention. 24%0982 La figure 1 représente schématiquement un premier mode de réalisation d'une mémoire à bulles conforme à 'invention.. Cente mémoire à bulles comprend deux séries 1, 2, de registres 3, 4, à décalage, orientés longitudinalement et des moyens (connus et non repré- sentés) pour produire un décalage des bulles B dans ces registres, dans le sens de la flèche H par exemple, par application d'un champ magnétique tournant. Les moyens connus qui permettent d'appliquer un champ magné- tique tournant aux registres à décalage peuvent être constitués par des bobines disposées en quadrature-et tournant à fréquence constante. Ce champ tournant peut. être supprimé et rétabli sans perturber l'information, de façon à ne- pas être obligé d'alimenter la mémoire, alors qu'elle ne fonctionne pas. Bien entendu, cette mémoire comprend aussi, de façon connue, des moyens qui ne sont pas représentés et qui permettent de créer les bulles dans les registres. Ces bulles sont créées selon les besoins, par exemple au moyen d'un conducteur produisant un champ opposé au champ de polarisation. Les registres longitudinaux sont constitués par des motifs qui présentent approximativement la forme de losanges sur la figure, mais qui pourraient avoir toute autre forme et qui sont définis par implantation ionique dans une couche 5 d'un grenat magnétique. De tels motifs sont décrits dans la demande de brevet No 80 08765 déposée le 18 avril 1980 au nom du même deman- deur. La couche de grenat magnétique qui a pour formule GdYTmGalG par exemple est implantée, par masquage des parties qui ne doivent pas être implantées, et par bombardement d'ions He. Cette implantation ionique étant délimitée comme on le verra par la suite, les bulles formées circulent dans une couche (non représen- tée sur la figure) d'un grenat magnétique qui peut être qualifié de "couche d'enregistrement" et qui est situé en' dessous de la couche 5 dans laquelle sont définis les motifs constituant les registres à décalage. Cette couche d'enre- gistrement peut être constituée par exemple dans un matériau de formule EuYTmGalG. Enfin, de manière connue, les deux couches précédentes sont supportées par un substrat amagné- tique de formule Gd3 Ga5 012 par exemple. Les séries 1, 2 de registres principaux 3, 4 sont disposées respectivement de part et d'autre d'une frontière L et dans le cas particulier représenté, de part et d'autre du contour d'accès transver- sal 6. Ce registre présente pour chaque extrémité d'accès 7, 8; des registres principaux 3, 4, un seul point d'accès. Il en résulte que l'accès à chacun des registres principaux de séries 1, 2, se fait bulle par bulle. Selon l'invention, les registres principaux constitués par des motifs définis par implantation ionique, de part et d'autre du contour d'accès 6, forment des répartitions complémentaires de zones im- plantées et de zones non imlantées. C'est ainsi que dans le mode de réalisation représenté sur la figure, les zones non implantées pour la série de registres 1, sont représentées en 9, tandis que les zones implantées pour la série 2, de registres principaux 4, sont représentées en 10. La délimi- tation de la zone implantée, pour la série de registres 1 est représentée par la ligne L. Le contour d'accès 6 com- prend par exemple des moyens d'accès par courant électrique qui sont constitués, dans ce premier mode de réalisation de la mémoire, par deux feuilles conductrices 11, 12, superposées à la couche 5 de grenat magnétique, à proxi- mité des extrémités d'accès 7, 8 des registres princi- paux 3, 4. Ces feuilles sont isolées entre elles et isolées du grenat magnétique par des couches de matériau isolant (non représentées sur la figure); elles sont percées d'ouvertures disposées de manière qu'au moins l'une des feuilles, telle que la feuille il par exemple, présente des ouvertures 13, 14, 15, situées en re- gard des extrémités d'accès.7, 8, des registres principaux. Les autres ouvertures de ces feuilles sont disposées de manière à acheminer chaque bulle parvenue à l'ex- trémité des registres principaux 3, 4 par exemple, soit vers une station d'accès, soit vers d'autres registres principaux de la série de registres repré- sentée sur la figure. Les ouvertures telles que 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 sont réalisées dans la première feuille conductrice 11, tandis que les ouvertures telles que 20, 21, 22, 23, 24, 25... etc, sont réalisées dans la feuille conductrice 12 par exemple. Lorsqu'une bulle est parvenue à une extrémité 7 par exemple d'un registre principal 3, elle peut être achemirée,grâce au contour d'accès, soit vers une station d'accès, soit vers un autre registre principal de l'une des séries 1 ou 2 des registres principaux. A cet effet, des sources électriques de courant (non représentées), permettent d'appliquer des impulsions de courant Il, I21 à chacune des feuilles conductrices 11, 12, de manière à assurer le cheminement des bulles dans le contour d'accès. Ces impulsions présentent une double polarité et des amplitudes respectives + Ii, + 121 - Iil - I2. L'accès à une bulle située à l'extrémité d'un registre principal de la première série 1 de registres et à une bulle située à l'extrémité d'un registre principal de la deuxième série 2 de registres ainsi que la circulation de ces bulles, s'opèrent de la manière suivante: une bulle est parvenue à l'extré- mité 7 du registre à décalage 3 de la première série de registres 1. A cet instant, le champ tournant qui était appliqué aux registres à décalage, est arrêté par des moyens appropriés, puis une impulsion +Il est appliquée à la feuille conductrice 11. Cette impulsion provoque, de manière connue, de part et d'autre de l'ouverture 13, l'apparition de pôles positifs et négatifs, de sorte que la bulle est alors attirée par le pôle positif dans la position B1 par exemple, en regard de l'ouverture 13. Une impulsion +I2 est alors appliquée à la feuille conductrice 12, de sorte que des pôles positifs et négatifs apparaissent de part et d'autre de l'ouverture 20 réalisée dans cette feuille conductrice. La bulle est alors attirée dans la position B2 en regard de l'ouverture 20. On applique ensuite à la feuille conductrice 11, une impulsion négative -Il qui provoque l'apparition de pôles positifs et négatifs de part et d'autre de l'ouverture 16. La bulle est alors attirée dans la position B3 en regard de l'ouverture 16. On applique alors une impulsion -I2 à la feuille conductrice 12, de sorte qu'il apparaît des pôles positifs et négatifs, tels que représentés sur la figure, de part et d'autre de l'ouverture 22 de cette feuille. La bulle est alors attirée dans la position B4. Ainsi, la bulle à laquelle on a eu accès, à l'extrémité 7 du registre 3, peut être acheminée dans le sens de la flèche F1, vers une station d'accès (non représentée), par applications successives des impulsions I et I2 décrites précé- demment. On peut également, au moment o la bulle est située en regard de l'ouverture 14, arrêter l'ap- plication d'impulsions aux feuilles conductrices 11, 12, et appliquer de nouveau le champ tournant, de manière à faire circuler cette bulle, par décalages successifs, dans le registre 28 par exemple, jusqu'à 2O8 une position prédéterminée, selon le parcours repré- senté par la flècne G. De la même manière, une bulle parvenue à l'extrémité 8 du registre à décalage 4 par exemple, peut être acheminée grâce au contour d'accès, dans le sens de la flèche F2, vers une autre station d'accès; elle peut également être acheminée vers un registre de la série de registres 1, puisque le contour d'accès peut être un contour bloqué. Il en est de même pour une bulle recueillie dans la série de registres 1, qui peut être acheminée, puisque le contour d'accès peut être bouclé, vers l'un des registres de la série de registres complémentaires 2. Le cheminement d'une bulle recueillie dans l'un des registres complémentaires de la série de registres 2, ne sera pas décrit ici en détail puisqu'il s'opère de la même manière aue le cheminement décrit précé- demment pour une bulle recueillie dans la série de registres 1. Le cheminement d'une bulle recueillie dans l'un des registres de la série de registres 2, s'opère en sens inverse du cheminement décrit précé- demment; en effet, les registres des séries 1 et 2 sont complémentaires et, pour une même position du champ tournant, les puits de potentiel pour ces deux séries, sont face à face et les bulles qui y seraient piégées, peuvent être prises en compte par le contour d'acces, sans faire appel à une rotation supplémentaire du champ tournant. C'est ainsi que dans l'exemple de réalisation représenté sur la figure, les deux bulles situées respectivement aux extrémités 7 et 8 des registres 3 et 4, peuvent être prises en compte par le contour d'accès, simultanément, pour être acheminées vers deux stations d'accès opposées. Il résulte de cette organisation en registres complé- mentaires, que le temps d'accès à une bulle, est divisé par deux; il est donc possible de doubler le débit de lecture et d'écriture, en disposant une station d'accès de chaque côté du contour d'accès, comme on le verra plus loin en détail. De plus, on peut aussi accéder à deux adresses consécutives proches, puisque le champ tournant est arrêté pendant une opération de lecture ou d'écriture. La figure 2 représente schématiquement un autre mode de réalisation d'une mémoire conforme à l'invention. Les mêmes éléments portent les mêmes références sur cette figure et sur la figure précédente. On distingue sur cette figure, la couche de grenat magnétique 5 et les deux séries 1, 2 de registres principaux complémentaires 3, 40 constitués par des motifs définis par implantatiom ionique dans la couche de grenat magnétique 5. Comme dans le cas précédent, les zones non implantées sont m présentées en 9 à l'intérieur des losanges pour la série de registres principaux 1, tandis que les zmmes implantées sont représentées en 10, pour la s&rie de registres prin- cipaux complémentaires 2. Dans la série des registres principaux 1, la limite de la mone implantée est représentée en traits interrompus, par la ligne brisée L. Selon ce second mode de réalisation de la mémoire conforme à l'invention, les mo-ens d'accès 6 aux registres principaux des séries 1, 2. comprennent par exemple des moyens d'accès par courant électrique constitués par une feuille conductrice 12, superposée à la couche de grenat magnétique 5, à proximité des extrémités d'accès 7, 8 des registres principaux; cette feuille est isolée de la couche de gremat magnétique par une couche d'un matériau isolant ((mon représentée sur la figure) et elle est. percée d'ouvertures 30, 31,...40; certaines de ces ouvertures 30, 31, 32.... sont situées en regard des extrémités d'accès 7, 8, des registres prin- cipaux des séries de registres 1, 2. Les autres ouvertures , 36.... 40, coopèrent avec des motifs d'accès 41, 42...46, définis par implantation ionique dans la couche de grenat magnétique 5, de manière à acheminer chaque bulle recueillie à l'extrémité d'un registre de chaque série, soit vers une station d'accès (non représentée), dans le sens des flèches F1 ou F2, soit vers un autre registre tel que le registre 15 dans le sens de la flèche G. Le parcours des bulles dans le contour d'accès 6 s'effectue de la manière suivante la feuille conductrice 12 est reliée à une source électrique de courant (non représentée), appliquant à cette feuille des impulsions de courant I à double polarité. Si une bulle se trouve présente, par exemple à l'extrémité 7 du registre principal 3 de la série de registres 1, le champ tournant est arrêté par des moyens appropriés et la bulle est attirée en regard de l'ouverture 30, du côté des pôles positifs qui apparaissent dans cette ouverture, par suite de l'ap- plication d'une impulsion de courant + Il, dans cette feuille conductrice, à l'instant t0. A l'instant t1, le courant dans la feuille conductrice est nul et la bulle se trouve en regard du motif 41. A l'instant t2, une impulsion négative -I est appliquée à la feuille conductrice 6; des pôles positifs et négatifs appa- raissent de part et d'autre de l'ouverture 35. La bulle se trouve ainsi, en regard de cette ouverture,- du côté du pôle positif. A l'instant t3, la bulle se trouve en regard du motif 43, tandis qu'à l'instant t4, l'ap- plication d'une impulsion positive + I1 à la feuille conductrice 6, provoque l'apparition de pôles positifs 2.8O982 et négatifs, de part et d'autre de l'ouverture 3.1; la bulle est attirée en regard de la partie supérieure de l'-iuverture 3.1. Le processus se reproduit alors de manière identique, de manière que la bulle soit ddirigée vers une station d'accès (non représentée) dans le sens de la flèche F1ou vers un autre registre de la série de registres à décalage, tel que par exemple, le registre 28, dans le sens de la flèche G. En effet, lorsque la bulle qui a été prise en compte à l'extré- 3 mité 7 du registre 3, parvient en regard de l'ouverture 32, il est possible d'appliquer à nouveau le champ magné- tique tournant de manière que la bulle circule en sens inverse dans le registre 28 par exemple. Les bulles prises en compte à la partie inférieure du contour d'accès circulent en sens inverse, dans le sens de la flèche P2, pour aboutir à une autre station d'accès (non repré- senh-ëe) ou à un autre registre de la série de registres principaux 2. Comme dans le mode de réalisation précédent, O on peut éqalement faire circuler une bulle prise en compte à l'extrémité de l'un des registres de la série de registres 1, dans le contour d'accès, pour l'amener dans l'un des registres de la série de registres 2, ou réciproquement. Les registres principaux des séries 1 et 2, qui sont constitués par des motifs définis par implantation ionique et qui présentent de part et d'autre d'une frontière ou du contour d'accès, des répartitions complémentaires de zones implantées et de zones non implantées, permettent, pour une même position du champ tournant, de prendre en 2 0 compte les bulles qui sont parvenues aux extrémités de deux registres situés en regard et appartenant aux deux séries différentes de registres principaux. Cette parti- cularité est due à la complémentarité des zones implantées et des zones non implantées, qui permet d'obtenir des puits de potentiel, face à face, dans les deux séries de registres. Comme dans le mode de réalisation précé- dent, le temps d'accès peut être diminué de moitié et ii est possible de doubler le débit d'écriture ou de lecture, en disposant une station d'accès de chaque côté du contour d'accès. La figure 3 représente schématiquement l'or- ganisation générale d'une mémoire conforme à l'invention. Selon cette organisation, la mémoire comprend en outre des séries 50, 51, de registres secondaires à décalage, orientés longitudinalement et situés en regard des registres principaux des séries 1, 2. Les décalages des bulles dans les registres secondaires sont commandés par les moyens d'application du champ tournant, décrits plus haut. Ces registres secondaires sont constitués comme précédemment, par des motifs définis par im- plantation ionique, dans une couche de grenat magnétique. Des moyens 53, 54 et 55, 56, sont prévus pour assurer le transfert des bulles, respectivement entre les registres principaux 1, 2 et les registres secondaires , 51, ou entre les registres secondaires 50, 57, ou encore entre les registres secondaires 51, 58. Sur la figure, les zones implantées par exemple, sont repré- sentées par des grisés, de sorte que les motifs des séries de registres principaux et les motifs des séries de registres secondaires qui leur correspondent, défi- nissent respectivement des répartitions complémentaires de zones implantées et de zones non implantées. De la même manière, les différentes séries de registres secondaires, telles que les séries 50, 57 par exemple, définissent respectivement des répartitions complémen- taires de zones implantées et de zones non implantées. - 2480932 Sur la figure, les moyens d'accès trans- versaux sont représentés en 6. Ils permettent notamment d'acheminer les bulles vers les stations d'accès Si ou S2. Les moyens de transfert 53, 54, 55, 56 comprennent par - exemple au moins des moyens de transfert par courant élec- trique et ne sont pas représentés ici en détail. Ils sont constitués de la même manière que les moyens d'accès décrits en exemple à propos du premier mode de réalisation de l'invention. Ces moyens de transfert par courant comprennent deux feuilles conductrices superposées à la couche de grenat magnétique, à proximité des extrémités des registres; ces feuilles sont isolées entre elles et isolées du grenat magnétique et sont percées d'ouvertures disposées de manière qu'au moins une des feuilles présente des ouvertures tangentes aux extrémités des registres; les autres ouvertures de ces feuilles sont disposées de manière à transférer les bulles entre des séries de registres secondaires qui se correspondent dans les différentes séries de registres secondaires, ou entre les registres prin- cipaux et les registres secondaires qui leur corres- pondent. Selon un autre mode de réalisation (non représen- té), les moyens de transfert sont constitués de la même manière que les moyens d'accès décrits en exemple à propos du second mode de réalisation de l'invention. Ils com- prennent par exemple des moyens de transfert par courant électrique, constitués par une feuille conductrice' superposée à la feuille de grenat magnétique, à proximité des extrémités des registres. Cette feuille est isolée de la couche de grenat magnétique et elle est percée d'ouvertures disposées de manière que certaines d'entre elles soient tangentes respectivement avec les extrémités des registres. Les autres ouvertures coopèrent avec des motifs de transfert, définis par implantation ionique dans la couché de grenat magnétique, de manière à transférer les bulles entre des registres secondaires qui se correspondent dans les différentes séries de registres secondaires ou, entre les registres principaux et les registres secondaires qui leur cor- respondent. Ces feuilles conductrices sont alimentées., comme décrit précédemment, par des sources électriques d'alimentation fournissant des impulsions de courant de double polarité. Les moyens de transfert permettent de commander les transferts d'informations entre des registres correspondants disposés longitudinalement dans la mémoire. Dans cette organisation de mémoire, conforme à l'invention, la répartition des registres de part et d'autre du contour d'accès, permet de diminuer le temps d'accès. En gardant la même capacité pour une surface donnée de mémoire, on peut accéder deux fois plus vite aux bulles contenues dans les registres longitudinaux. De plus, du fait de la présence des moyens de transfert, les informations peuvent être très rapidement transférées d'un registre à un autre, à l'intérieur de la mémoire. On peut ainsi échanger rapidement, entre registres, des pages d'in- formations. Le contour d'accès et les moyens de transfert qui viennent d'être décrits correspondent à ceux qui ont été décrits dans la demande de brevet No 80 08765 déposée le 18 avril 1980 au nom du même demandeur. Il est bien évident qu'ils représentent une mise en oeuvre particulière de l'invention, notamment les moyens de transfert pour- raient ne pas utiliser de contour d'accès, mais par exemple des portes de transfert associées à une boucle disposée longitudinalement. Ces portes sont connues dans l'état de la technique. Elles peuvent être disposées à tous les niveaux de transfert entre registres principaux et registres secondaires, ou entre registres secondaires de différentes séries, représentés sur la figure 3. REVENDICATION- 1. MémoJre à bulles nagnt-tiqi3s c.onxrenant au moins deux séries/de 'egistres principaux/à décalage, orientés longitudinalement, des moyens pour produire un décalage des bulles/dans ces registres principaux, ces séries de registres principaux étant disposées respecti- vement de part et d'autre d'une frontière transversale (Li (3,4) caractérisée en ce que les registres principaux/.de chacune des séries/sont constitués par des motifs définis par (5) implantation ionique dans une couche/de grenat magnétique, ces motifs définissant de part et d'autre de ladite frontière,/4e répartitions complémentaires de zones im- (1 0) plantées/et de zones non implantées (9). 2. Mémoire à bulles selon la revendication 1 r (50,51,57,.58) caractérisée en ce qu'elle comprend en outre des serieW de registres secondaires à décalage orientés longitudinalement en regard des registres principaux/ ces registres secon- daires étant constitués par des motifs déLinis par implan- tation ionique dans la couche de grenat magnétique, et des (53,5,5 moyens de transfert>e 5 e5.l entre les registres des (1,2) séries de registres principauy/et les registres secondaires (50,51) qui leur correspondent et, entre les registres secondaires/ qui se correspondent dans les différentes séries de re- gistres secondaires (51,58,50D57). 3. Mémoire à bulles selon la revendication 2, (1,2) caractérisée en ce que les motifs des séries/de registres (5 Q, 51) principaux et les motifs des registres secondaires/qua_ leur correspondent définissent respectivement des répartitions complémentaires de zones implantées et de zones non implan- tées. 4. Mémoire à bulles selon la revendication 3,r caractérisée en ce que le, raotifs des i.freLeséries de (50,31,57,58) registres secondaires/définissen- respectivement des -par- titions complémentaires de zones implantées et de z L:es non implantées. 5. Mémoire à bulles selen l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée 'en ce qu'un registre (6) transversal/est réalisé de part et d'autre de la fron- tière/ ce registre étant constitué de points mémoires des registres principaux. 6. Mémoire selon l'unequelconque des reven- dications 2 à 4, caractérisée en ce que les moyens de transf aert/4(0 %ei5i6P2 A es registres à décalage. consti-- tués de points mémoires des registres principaux ou secondaires.