FR 2478858 A1 19810925 FR 8105212 A 19810316 1 2478858 La présente invention se rapporte à un nouveau support d'enregistrement et plus particulièrement à un support d'enre- gistrement d'informations qui convient pour être utilisé dans un enregistrement mettant en oeuvre de la chaleur. Les systèmes de stockage de l'information dans lesquels on stocke de 1' information par élimination sélective évaporation, enlèvement ou modification d'un milieu d'enregistrement irradié par point à l'aide d'un faisceau localisé de rayons laser, ou autres, ayant une densité élevée ou une forte énergie, sont dénommés dans la technique procédés d'enregistrement par mise en oeuvre de la chaleur. Le procédé d'enregistrement par mise en oeuvre de la chaleur est un procédé à sec qui ne nécessite pas de produits chimiques ou de solutions de traitement et dans lequel on peut effectuer un enregistrement en temps réel. Suivant ce procédé, on peut enregistrer rapidement une informa- tion sous la forme d'une image très contrastée ayant une grande capacité pour ce qui concerne la quantité d'information enre- gistrables par unité de surface du milieu d'enregistrement, et on peut enregistrer ultérieurement encore d'autres informations. En raison de ces avantages, le procédé d'enregistrement par mise en oeuvre de la chaleur est très utilisé dans les domaines o sont mis en jeu un agent d'enregistrement à micro-images, un microfilm de sortie pour calculatrice, un vidéo disque pour cal- culatrice, un vidéo disque, un milieu formant mémoire pour signal de calculatrice, ou autres. Comme matériaux pouvant être utilisés pour l'enregistre- ment avec mise en oeuvre de la chaleur, on a proposé jusqu'ici des substances minérales telles que des métaux et des substances organiques telles que des colorants ou des matières plastiques. On sait, d'une manière générale, qu'une pellicule mince en une substance minérale est meilleure du point de vue de la sensi- bilité pour l'enregistrement. Les caractéristiques exigées d'un milieu d'enregistre- ment avec mise en jeu de la chaleur sont non seulement une sen- sibilité élevée, mais aussi un rapport signal-bruit élevé, une bonne stabilité de stockage, une bonne aptitude à être archivé une faible toxicité, etc. Néanmoins, on n'a pas proposé jus- qu'ici un tel support d'enregistrement comprenant une pellicule mince d'une substance minérale qui satisfasse à ces exigences. 2 2478858 Les supports d'enregistrement utilisant un composé chalcogéné contenant du soufre, du sélénium, du tellure ou autres, sont satisfaisants du point de vue de la sensibilité et du rapport signal-bruit (dénommé ci-après "rapport S/N"), mais soulèvent des problèmes en ce qui concerne la stabilité de stockage, la possibilité d'archivage et la toxicité. En revanche, des sup- ports d'enregistrement utilisant du bismuth, de l'étain, ou au- tres, ne présentent pas de problèmes pour ce qui concerne la sensibilité et la toxicité, mais en soulèvent pour ce qui con- cerne le rapport S/N, la stabilité et la.possibilité d'archi- vage. En outre,on a déjà proposé à la demande de brevet Japonais 5466147 un support d'enregistrement qui comprend un substrat,une couche multiple métallique d'enregistrement formée en déposant en n'import quel ordre du bismuth, de l'étain et du plomb, et autres, et deux couches stabilisantes formée chacune d'un oxyde métallique tel que GeO2, PbO, TiO2 et/ou des éléments du même type, la couche mul- tiple métallique d'enregistrement étant interposée entre les couches de stabilisation. Le support d'enregistrement ainsi proposé a une sensibilité excellente, mais a l'inconvénient que, lorsqu'il est irradié sélectivement par un faisceau laser, il s'y forme des trous dont les profils respectifs présentent des irrégularités ou des défauts autres, ce qui abaisse le rapport S/N, le support d'enregistrement de ce type ayant en outre une stabilité médiocre au stockage et se prêtant mal à l'archivage à des températures élevées et lorsque les humidités sont fortes, ce qui conduit à des défauts déterminants dans certaines applications du support d'enregistrement. Le terme "trou" utilisé dans le présent mémoire signifie des portions enlevées dans lesquelles l'information est stockée en permanen- ce par l'enlèvement sélectif du support d'enregistrement à l'aide d'un faisceau laser modulé en intensité ou autres. En vue d'éliminer les inconvénients qui accompagnent les supports d'enregistrement classiques avec mise en oeuvre de chaleur, et de développer un nouveau support d'enregistrement de ce type qui ait non seulement une sensibilité élevée et une faible toxicité, mais qui ait aussi un rapport S/N excellent, une stabilité de stockage excellente et une bonne aptitude à l'archivage, on a trouvé que quand, dans un support d'enregis- 3 2478858 trement qui comprend un substrat, une première couche stabili- sante dans le substrat, une couche d'enregistrement métallique de faible toxicité sur une face de cette première couche stabi- lisante opposée au substrat, et une seconde couche stabilisante sur une face de cette couche métallique d'enregistrement opposée à la première couche stabilisante, la première couche stabili- sante comprise entre le substrat et la couche d'enregistrement métallique de faible toxicité est composée d'une couche d'oxyde métallique auxiliaire servant de couche supérieure et d'une couche en un composé minéral servant de couche inférieure et destinée à transformer cette couche d'oxyde métallique.auxiliai- re en une matière vitreuse de grande planéité de surface, c'est- à-dire une matière vitreuse n'ayant pas d'anisotropie du point de vue des tensions en surface, le support d'enregistrement peut former, après exposition par exemple à un faisceau laser, des trous excellents exempts d'irrégularités pour ce qui concer- ne la forme ou le profil des trous. C'est sur cela que repose l'invention. L'invention vise donc un support d'enregistrement ayant une sensibilité excellente, une bonne stabilité au stockage et pouvant être bien archivé. L'invention vise aussi un support d'enregistrement du type mentionné ci-dessus qui a une faible toxicité. Enfin l'invention a aussi pour objet un support d'enre- gistrementtel que décrit ci-dessusqui a un rapport S/N excel- lent et qui, en conséquence, est exempt d'irrégularités dans la forme ou dans le profil du trou. Aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exem- ple: la figure 1 est une vue en coupe d'un support d'enregis- trement classique; la figure 2 est une vue en coupe d'un support d'enregis- trement suivant l'invention; la figure 3 est une vue en coupe d'une variante d'un support d'enregistrement suivant l'invention-; la figure 4 est une micrographie prise au microscope électronique représentant des trous enlevés dans un support d'enregistrement classique tel que représenté à la figure 1 et 4 2478858 la figure 5 estune microphotographieprise au microscope électronique représentant des trous enlevés dans le support d'enregistrement suivant l'invention tel qu'illustré à la figure 2. Le support d'enregistrement suivant l'invention com- prend un substrat; et, superposées sur le substrat dans l'ordre suivant, une première couche stabilisante; une couche d'enregistrement métallique à faible toxicité; et une seconde couche stabilisante; cette première couche stabilisante étant composée d'une couche d'oxyde métallique auxiliaire servant de couche supérieure et d'une couche en un composé minéral servant de couche inférieure afin de transformer cette couche d'oxyde métallique auxiliaire en une matière vitreuse de grande planéi- té de surface. Comme exemples de substrat à utiliser suivant l'inven- tion, on peut mentionner une pellicule ou une plaque qui est en une matière minérale, telle que le verre, le mica ou un alliage d'aluminium; ou une matière organique, par exemple un polymère tel qu'un polyester, un polypropylène, un polycarbonate, un poly(chlorure de vinyle), un polyamide, un polystyrènre et un poly(méthacrylate de méthyle), ou un polymère modifié qui en dérive, un copolymère de motifs monomères des polymères mention- nés ci-dessus, ou un mélange de ceux-ci. Parmi ces matières des- tinées à constituer le substrat, on préfère tout particulière- ment le polyester et le poly(méthacrylate de méthyle). Quand le caractère lisse de la surface du substrat lui-même a une grande influence sur le rapport S/N du support d'enregistrement, comme c'est le cas dans un disque vidéo, ou autres, on peut utiliser un substrat obtenu en revêtant une pellicule ou une plaque préparée séparément à l'aide du polymère mentionné ci-dessus, par exemple par une technique de revêtement par rotation. Comme matières destinées à former la couche d'enregistrement métalli- que, on peut utiliser n'importe quel métal qui est bien connu comme matière d'enregistrement dans la technique. Néanmoins, aux fins de l'invention il vaut mieux utiliser un métal de faible toxicité choisi parmi In, Bi, Sn, Zn, Pb, Mg, Au, Ge, Ga, Sb, Rh, Mn, Al et autres. Du point de vue de la sensibili- té d'une couche d'enregistrement, il est particulièrement pré- férable d'utiliser un métal ayant un bas point de fusion, ainsi qu'un faible facteur de réflexion, par exemple Bi, In, Sn, Pb ou autres. Dans le cas o on utilise les métaux mentionnés ci- dessus en association, il vaut mieux utiliser une association telle que Bi-Sn ou Bi-Pbparce qu'une telle association donne un eutectique ayant un point de fusion assez bas. Les métaux mentionnés ci-dessus peuvent être utilisés sous la forme d'une couche simple ou d'une couche multiple. Quand on utilise deux ou plusieurs types des métaux en association, ils peuvent avoir la forme de n'importe quelle couche unique d'un al'liage, d'un stratifié de couches respectives en les métaux différents, d'un stratifié constitué d'une couche d'un métal unique et d'une couche d'un alliage, etc. Pour obtenir un support d'enregistrement apte à donner des profilés excellents de trous ainsi qu'un rapport S/N élevé, il vaut mieux former un stratifié de couches respectives de métaux différents. A cet égard, on notera que, suivant les types de métaux, il vaut mieux choisir l'ordre de formation de la cou- che métallique afin d'obtenir un support d'enregistrement capa- ble de donner des trous ayant des profilés particulièrement excellents. C'est ainsi, par exemple, que dans le système stra- tifié de Biet Sn, il vaut mieux former d'abord une couche de Bi, puis une couche de Sn. Dans le système stratifié de Bi et Pb, il vaut mieux former d'abord une couche de Bi, puis une couche de Pb. Ce faisant, on obtient des trous ayant des formes particulièrement excellentes. La couche d'enregistrement métallique peut contenir.de petites quantités d'oxydes, tels qu'un sous-oxyde du métal uti- lisé,pour autant que les oxydes ne portent pas atteinte aux pro- proétés de la couche d'enregistrement métallique qui sont néces- saires. Les quantités acceptables d'oxyde ne sont pas connues exactement, mais on pense qu'elles représentent environ 10 % du poids, ou moins de 10 % du poids total de la couche d'enre- gistrement métallique. On peut former la couche d'enregistrement métallique sur la surface de la première couche stabilisante par une tech- nique classique de formation de pellicule, par exemple par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique par dépôt sous forme d'ions, par électro-revêtement, par revê- tement par voie non électrique ou par dépôt par 6 2478858 plasma. C'est ainsi, par exemple, que comme procédé pour former une couche métallique de deux types de métaux, on peut utiliser un procédé suivant lequel on dépose par évaporation un alliage en les deux types de métaux, ou un procédé suivant lequel on dépose par évaporation deux types de métaux simultanément ou séparément. L'épaisseur de la couche d'enregistrement métalli- que peut être modifiée suivant l'utilisation du support d'enre- gistrement qui est recherchée, mais de préférence elle est com- o o prise entre 100 et 5.000 A et, mieux encore, entre 200 et 600 A. Comme procédé pour former une couche-d'enregistrement métallique, on préfère la technique de dépôt sous vide, parce qu'elle n'est pas seulement simple d'un point de vue de la mise en oeuvre, mais a aussi une excellente reproductibilité. Afin d'obtenir un support d'enregistrement ayant non seulement une sensibilité élevée, mais aussi une stabilité excellente au stockage et une bonne possibilité d'archivage même à des tempé- ratures élevées et sous des humidités fortes, il vaut mieux effectuer un dépôt sous un vide élevé, par exemple sous une pression de 10-5 torr, ou sous une pression inférieure à 10-5 torr. En général, il vaut mieux que la couche d'enregistrement métallique soit une couche amorphe. Pour ce qui concerne la couche d'enregistrement métallique du support d'enregistrement suivant l'invention, on ne détecte pratiquement pas de pics de cristaux par diffractométrie aux rayons X. La raison en est, semble-t-il, que la première couche stabilisante dans la portion contiguë à la couche d'enregistrement métallique forme une matière vitreuse uniforme. Il vaut mieux que la vitesse d' évaporation soit aussi élevée que possible. La vites- se d'évaporation de 1 A par seconde enrviron, ou supérieure à 1 A par seconde environ donne de meilleurs résultats. Par les expressions "première couche stabilisante" et "seconde couche stabilisante", on entend dans le présent mémoi- re des couches ménagées respectivement sous et sur la couche d'enregistrement métallique, afin de l'empêcher de se détério- rer par oxydation et autres. La matière d'enregistrement sui- vant l'invention est caractérisée en ce que la première couche stabilisante comprise entre le substrat et la couche d'enregis- trement métallique est constituée de deux sous-couches, à 7 2478858 savoir une couche auxiliaire d'oxyde métallique servant de couche supérieure et une couche en un composé minéral servant de couche inférieure destinée transformer la couche auxiliai- -re en oxyde métallique, en une matière vitreuse de grande pla- néité de surface. Comme décrit suivant l'invention, on doit interposer une couche auxiliaire d'oxyde métallique entre la couche d'en- registrement métallique et la couche en le composé minéral. Avec la structure stratifiée du support d'enregistrementidans laquelle seule la couche ayant la même composition que celle de la couche auxiliaire d'oxyde métallique, oa seule la couche en le composé minéral est formée sur le substrat et ensuite la couche d'enregistrement métallique est formée sur celle-ci, suivie du dépôt d'une seconde couche stabilisante,on ne peut pas obtenir un support d'enré- gistrement apte à donner des trous ayant des formes ou profilés excellents. Comme constituant de la couche auxiliaire en oxyde mé- tallique, on peut utiliser des composés convenables, choisis parmi les oxydes métalliques. Comme oxydes métalliques qui con- viennent, on peut mentionner des oxydes d'éléments tels que Be, B, Mg, Li, Al, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Ir, Tl, Pb, Bi, Dy, Er, Ce, Gd, Nd, Pr et Sm. Des exemples préférés d'oxydes métalliques englobent des oxydes d'éléments tels que Al, Ge, Zr, Si, Ti, Ce, Ta, La, Cr, Y, Dy, Er, Gd, Hf, Sm, Bi, Pb, Zn, Li, Mg et Sb. Des exemples particulièrement préférés d'oxydes métalliques englobent A1203, ZrO2, Cr203, Y203, Sm203, La203, TiO2, CeO2,' Si 2 MgO, Bi203' GeO2, PbO, ZnO, Sb203 et autres. Pour former une couche auxi- liaire d'oxyde métallique sur la couche en le composé minéral mentionné ci-dessus, on peut utiliser une technique classique de formation de pellicule, par exemple un dépôt par évaporation sous vide, une pulvérisation cathodique, un dépôt sous forme d'ions, un dépôt de plasma ou autres. Suivant le type de technique de formation de pellicule utilisé, on peut former un sous-oxyde correspondant de l'oxyde métallique dans la couche auxiliaire d'oxyde métallique. C'est ainsi, par exemple, que, quand un oxyde métallique tel que GeO2 est déposé par évaporation par faisceau électronique, sous un vide élevé pour former une couche auxiliaire d'oxyde métallique, GeOx 8 2478858 (x = 1 à 2) qui a été formé par décomposition partielle de GeO2 peut être, le cas échéant, contenu dans la couche auxiliai- re d'oxyde métallique. Afin d'éviter cette formation du sous- oxyde pendant le dépôt d'une couche auxiliaire d'oxyde métalli- que, on peut effectuer le dépôt sous une atmosphère de faible vide dans laquelle de l'air, de l'oxygène, ou autres, a péné- tré par des fuites. C'est ainsi, par exemple, que l'on peut effectuer le dépôt d'une couche en l'oxyde de métal mentionné ci-dessus en utilisant une cible en un seul métal, par une pul- vérisation cathodique réactive dans laquelle on utilise de l'oxygène ou de l'air. Néanmoins, une couche auxiliaire d'oxyde métallique contenant un sous-oxyde ne présente pas de problèmes importants pour ce qui concerne les propriétés du support d'en- registrement obtenu. L'épaisseur de la couche auxiliaire d'oxyde métallique peut varier suivant la nature de l'oxyde métallique formé. Mais en général si la couche auxiliaire d'oxyde métallique est trop épaisse, il se crée d'une manière défavorable des fendillements dans la couche auxiliaire d'oxyde métallique. Il vaut mieux que l'épaisseur de la couche auxiliaire d'oxyde métallique soit com- prise entre 10 et 3.000 A. Afin que le support d'enregistre- ment ait une stabilité de stockage excellente et que les formes des trous qui y sont formés soient excellentes, il vaut mieux que l'épaisseur de la couche auxiliaire d'oxyde métallique soit comprise entre 30 et 300 A. Dans le support d'enregistrement suivant l'invention, la couche en le composé minéral sert à transformer la couche auxiliaire d'oxyde métallique formée sous la couche d'enregis- trement métallique et sur la couche en le composé minéral en une matière vitreuse de bonne planéité de surface, de sorte que la face limite comprise entre la couche auxiliaire d'oxyde mé- tallique et la couche d'enregistrement métallique soit rendue uniformément vitreuse et plane qu'ainsiles tensions à la -surface de la couche limite mentionnée ci-dessus soient isotropes. Les ma- tières à utiliser pour former la couche en le composé minéral - peuvent être choisies parmi des composés plus divers que les classes de composés qui sont connus en général comme aptes à former une substance vitreuse. Comme matière à utiliser pour former la couche en le composé minéral du support d'enregistrement suivant l'invention, on peut mentionner par exemple des nitrures métalliques, des fluorures métalliques et des oxydes métalliques. Du point de vue de la formation d'une surface lisse plane de la première couche stabilisante, à sa partie contig e de la couche d'enregistrement métallique, la couche en le composé minéral est constituée de préférence en un composé différent de celui utilisé pour former la couche auxiliaire en oxyde métallique. Il vaut mieux en outre que le composé utilisé pour former la couche en le composé minéral, et celui utilisé pour former la couche auxi- hlaire en l'oxyde métallique soient solubles l'un dans l'autre en solution solide. C'est ainsi, par exemple, que, lorsque l'on utilise A1203 pour former la couche auxiliaire en oxyde métallique, on utilise de préférence GeO2 ou SiO2 pour former la couche en le composé minéral. Des exemples particuliers de composé minéral qui peuvent être utilisés pour former la cou- che en le composé minéral englobent des nitrures, des fluorures et des oxydes de Be, B, Al, Mg, Si, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Sr, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Ba, La, Hf, Ta, Re, Ir, Tl, Pb, Bi, Dy, Er, Gd, Nd, Pr, Sm ou Ce. Parmi eux, on préfère les oxydes Ge, Al, Si, Pb, Zn, Ti, Y, Cr, La, Ce ou Sm; et les fluorures de Ca et Mg. On préfère tout particulièrement Cr2O3, Y203, La203, CeO2, Sm203, GeO2, A1203, SiO2, PbO, ZnO, TiO2, MgF2 et CaF2. La couche en le composé minéral peut être formée par une technique de formation de pellicule mince, telle que par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par dépôt sous forme d'ions ou par dépôt de plasma. Il est bon que la couche en le composé minéral soit mince et son épaisseur peut dépendre de la nature du composé o utilisé, mais est de préférence comprise entre 10 et 10.000 A o et, mieux encore, entre 20 et 300 A, On obtient les meilleurs résultats quand un gaz, tel que de l'azote, de l'oxygène, de l'air, de l'argon, de la va- peur d'eau, ou du gaz carbonique, est envoyé dans une mince pellicule formant atmosphère, à l'instant compris entre la formation de la couche auxiliaire en oxyde métallique et la formation de la couche en le composé minéral, afin d'effectuer une absorption-inclusion de ce gaz dans l'interface compris 2478858 entre les couches ou une oxydation de la couche auxiliaire en oxyde métallique dans la portion d'interface, quand de l'oxy- gène ou de l'air est envoyé. On peut aussi effectuer le procé- dé mentionné ci-dessus à l'instant compris entre la formation de la couche auxiliaire en oxyde métallique et à la formation de la couche d'enregistrement métallique, pour obtenir une adsorption-inclusion semblable de gaz, ou une oxydation sembla- ble sur les faces limites. Dans certains cas, la modification telle que mentionnée ci-dessus peut améliorer la sensibilité du support d'enregistrement obtenu. Néanmoins, du point de vue de la productivité, il est souhaitable d'effectuer la forma- tion de toutes les couches sous le même degré de vide. Une cer- taine diffusion mutuelle des constituants de la couche d'enre- gistrement métallique et de la couche auxiliaire en oxyde métallique ne présente pratiquement pas de problèmes, mais il est souhaitable qu'elle soit aussi faible que possible. Une seconde couche stabilisante doit être prévue sur la face supérieure de la couche d'enregistrement métallique qui est éloi- gnée du substrat du support d'enregistrement suivant l'inven- tion, afin d'empêcher que la couche d'enregistrement métallique ne s'oxyde particulièrement en la partie supérieure. La seconde couche stabilisante peut être seulement une couche en un compo- sé minéral du même type que le composé de la couche minérale mentionnée ci-dessus de la première couche stabilisante, ou une couche en un composé minéral et une seconde couche auxiliaire du même typed'oxyde métallique que celui de la couche auxiliaire d'oxyde métallique de la première couche stabilisante. Pour augmenter l'effet de la seconde couche stabilisante, il vaut mieux avoir la seconde couche auxiliaire. Ce qui vient d'être dit pour ce qui concerne les matières, la formation, les épais- seurs, etc., de la couche en le composé minéral et de la couche auxiliaire en oxyde métallique de la première couche stabili- sante s'applique à la couche en le composé minéral et à toute seconde couche auxiliaire de la seconde couche stabilisante. Mais on notera que la seconde couche stabilisante peut être la même que la première, ou être différente de celle-ci, pour ce qui concerne les matières, la formation, l'épaisseur, la struc- ture de la couche, etc. Quand on effectue le dépôt de matières sous un vide il 2478858 élevé pour obtenir un support d'enregistrement, l'adhérence de la couche déposée au substrat est excellente, ce qui donne le grand avantage pratique que le support d'enregistrement a une excellente résistance à l'abrasion. Le support d'enregistrement suivant l'invention peut comprendre en outre une couche transparente de protection au- dessus de la seconde couche stabilisante. La couche transparen- te de protection comprend un polymère organique, comme consti- tuant unique ou comme constituant principal. La couche transpa- rente de protection sert à stabiliser les couches sous-jacentes for- mées par la technique sous vide et à protéger les couches sous-jacentes for- mées de tout dommage mécanique. La couche transparente de protection, si elle a une épaisseur correcte, peut contribuer aussi à dimi- nuer le facteur de réflexion du support d'enregistrement, et donc à augmenter la sensibilité du support d'enregistrement. C'est ainsi, par exemple, que dans le cas o on utilise pour l'enregistrement une énergie ayant une longueur d'onde (X) donnée, telle qu'un faisceau laser, la couche transparente de protection doit avoir une épaisseur satisfaisant à la formule suivante: nd = X/4 dans laquelle n est un indice de réfraction de la matière de la couche de protection et d est l'épaisseur de la couche de protection. Comme exemples de polymères organiques qui peuvent être utilisés pour la couche transparente de protection, on peut mentionner du poly(chlorure de vinylidène), des copolymères de chlorure de vinylidène et d'acrylonitrile, du poly(acétate de vinyle), des polyimides, du poly(cinnamate de vinyle), du polyisoprène, du polybutadiène, du polystyrène, du poly(métha- crylate de méthyle), du polyuréthane, du polyvinylbutyral, des caoutchoucs fluorés, des polyamides, des polyesters, des rési- nes époxy, des résines de silicone, de l'acétate de cellulose et des terpolymères d'acétate de vinyle, de vinylbutyral et d'alcool vinylique; des polymères modifiés de ceux-ci; et des copolymères de motifs monomères des polymères mentionnés ci- dessus. On peut les utiliser seuls ou en mélange. On préfère tout particulièrement des polyesters, des caoutchoucs fluorés et des terpolymères d'acétate de vinyle, de vinylbutyral et d'alcool vinylique. On peut ajouter au polymère organique destiné à 12 2478858 constituer la couche transparente de protection une huile de silicone, un agent antistatique et un agent de réticulation afin d'améliorer la résistance mécanique de la pellicule. Si on le souhaite, la couche transparente de protection peut être un stratifié. On dissout un polymère organique tel que mention- né ci-dessus et tout autre ingrédient dans un solvant convena- ble, afin de préparer une composition destinée à être appliquée en revêtement, qui est appliquée ensuite sur la seconde couche stabilisante, ou bien on fait fondre ou on dépose sous forme de stratifié en mince pellicule sur la seconde couche stabilisante le polymère organique tel que mentionné ci-dessus et tout au- tre ingrédient. L'épaisseur de la couche de protection transpa- rente est comprise de préférence entre 0,1 et 10 microns. En se reportant aux dessins annexés, on donne ci- dessous les structures des supports d'enregistrement suivant l'invention, ainsi que leurs avantages. La figure 1 est une vue en coupe d'un support d'enre- gistrement classique composé d'un substrat 1, d'une première couche 2 stabilisante ayant la forme d'une couche unique, d'une couche 3 métallique d'enregistrement, d'une seconde couche 4 stabilisante ayant la forme d'une couche unique, et d'une couche 5 transparente de protection. Parfois, la première cou- che 2 stabilisante est omise, suivant la nature du substrat. Il arrive aussi que la couche 5 transparente de protection soit omise. La figure 2 est une vue en coupe d'un support d'enre- gistrement suivant l'invention qui comprend un substrat 1, une première couche stabilisante composée d'une couche 2 en un composé minéral et d'une couche 2' auxiliaire en oxyde métalli- que, une couche 3 d'enregistrement métallique, une seconde cou- che 4 stabilisante en forme de couche unique, et une couche 5 transparente de protection qui peut, le cas échéant, être omise. La figure 3 est une vue en coupe d'une variante de sup- port d'enregistrement suivant l'invention qui comprend un subs- trat 1, une première couche stabilisante composée d'une couche 2 en un composé minéral et d'une couche 2' auxiliaire en oxyde métallique, une couche 3 d'enregistrement métallique, une secon- de couche stabilisante composée d'une couche 4 en un composé *13 2478858 minéral et d'une seconde couche 4' auxiliaire, et une couche transparente de protection qui peut parfois être omise. Le support d'enregistrement a une meilleure stabilité due à la présence de la seconde couche 4' auxiliaire. La figure 4 est une microphotographie prise au micros- cope électronique du support d'enregistrement classique de la figure 1 dans lequel des trous sont formés à l'aide d'un fais- ceau laser à semiconducteur ayant un diamètre de 1 micron. Dans le support d'enregistrement de la figure 1, on utilise GeO2 pour former à la fois les première et seconde couches stabilisantes et Bi pour former la couche d'enregistrement o métallique qui a 300 A d'épaisseur. La figure 5 est une microphotographie prise au micros- cope électronique du support d'enregistrement suivant la figure 2 dans lequel des trous sont formés à l'aide d'un faisceau laser à semiconducteur ayant un diamètre de 1 micron. Dans le support d'enregistrement de la figure 2 suivant l'invention A1903 est utilisé pour former la couche 2 en le composé minéral, tandis que l'on utilise du GeO2 pour former la cou- che 2' auxiliaire en oxyde métallique de la première couche stabilisante et la couche 4 en le composé minéral de la seconde couche stabilisante, Bi étant utilisé pour former la couche 3 d'enregistrement métallique de 300 A d'épaisseur. Il apparaît nettement aux figures 4 et 5 que le support d'enre- gistrement suivant l'invention est très amélioré pour ce qui concerne la forme ou le profil des trous formés, par exemple à l'aide d'un faisceau laser, en comparaison du support d'enre- gistrement classique. C'est ainsi qu'à la figure 5 il se forme des trous sensiblement en forme d'ellipse ayant leurs couronnes respectives lisses, alors qu'à la figure 4 il se forme des trous ayant des irrégularités ou des perturbations de formes ou de profils. Le support d'enregistrement suivant l'invention peut recevoir des enregistrements, par exemple par un procédé sui- vant lequel la matière est irradiée par points ou séquentielle- ment à l'aide d'un faisceau laser focalisé, ou par un procédé suivant lequel la matière est irradiée à travers un masque ayant un motif correctement contrastée, servant d'information à l'aide de rayons infrarouges forts en une durée brève, à 14 2478858 l'aide d'un faisceau laser, à l'aide d'une lumière pulsée à impulsions brèves, émise par une lampe-éclair à xénon, etc. Comme masque on peut utiliser un masque au chrome, un masque à l'argent sec ou une pellicule diazoïque. L'enregistrement de l'information sur le support d'enregistrement suivant l'inven- tion peut être aussi effectué en mettant la couche d'enregistrement métallique du support d'enregistrement en contact avec une ma- tière ayant un motif, et dont la vitesse de propagation de la chaleur est différente, et en irradiant le support d'enregistre- tO ment du côté du substrat à l'aide de lumière pulsée afin de former un motif. Dans ce cas,la formation du motif utilise la différence de vitesses de propagation de la chaleur. La for- mation d'images par points sur le support d'enregistrement sui- vant l'invention peut aussi être effectuée à l'aide d'une tête de chauffage à laquelle on applique de l'énergie, de préférence sous la forme d'impulsions. Dans ce cas, il est bon que la couche d'enregistrement métallique ait une épaisseur correcte et que l'association des épaisseurs des pellicules métalliques soit correcte si la couche d'enregistrement comprend plusieurs pellicules métalliques différentes, de manière à ce que la largeur d'impulsion énergétique forme des points d'images nets. Comme le support d'enregistrement suivant l'invention est apte à recevoir un motif miniaturisé, le support, après avoir été soumis à un stade de formation demotif, peut être utilisé comme masque au travers duquel une composition photo- résistante est exposée à la lumière, afin d'obtenir un revête- ment photorésistant utile pour la préparation d'une plaque maître pour une copie d'un vidéo disque. Les exemples suivants illustrent l'invention. EXEMPLE 1 et EXEMPLE COMPARATIF 1 On met un disque de 30 cm de diamètre, préparé à par- tir d'une plaque de poly(méthacrylate de méthyle), à surface lisse obtenu par coulée, dans une installation de dépôt sous vide, de manière à ce que le disque puisse tourner au centre de l'installation. L'installation comprend un appareil d'évaporation sous vide, avec faisceau d'électrons ayant des nacelles et des creusets d'évaporation par chauffage. On met séparément Bi et Sn dans les nacelles d'évaporation par 2478858 chauffage et on met séparément GeO2 et A1203 dans deux des creusets. Après avoir mis l'installation sous un vide de 2 x torr, on dépose successivement sur le disque, par la tech- nique d'évaporation sous vide au faisceau électroni- que, une pellicule de 100 A d'épaisseur de A1203, une pellicule de 100 A d'épaisseur de GeO2, une pellicule de 300 A d'épais- seur de Bi, une pellicule de 100 A d'épaisseur de Sn, une pelli- o O cule de 100 A d'épaisseur de GeO2 et une pellicule de 100 A d'épaisseur d'A1203. L'épaisseur d'une pellicule déposée sur le disque est surveillée à l'aide d'un oscillateur à quartz et commandée automatiquement dans l'ordre des matières à déposer successivement suivant un programme. Le dépôt de toutes les pellicules mentionnées ci-dessus est achevé en une minute envi- ron. Tout s'effectue par évaporation sous vide le vide étant de 2 à 3 x 10-6 torr sauf qu'il est de 4 x 10-6 torr au stade initial du dépôt d'oxyde. On ne chauffe pas positive- ment le disque pendant l'évaporation sous vide sous.Ivide et ensuite on n'observe pratiquement pas d'élévation de la tempéra- ture du disque. On forme une couche de 0,2 micron d'épaisseur en une résine de polyester sur la pellicule déposée par la technique de revêtement par rotation. Un faisceau laser à semiconducteur, modulé de manière à avoir une largeur d'impulsions de 10 seconde, est focalisé à l'aide de lentilles et appliqué sur la couche d'enregistrement métallique du disque d'enregistrement ainsi préparé qui tourne à 450 tours à la minute afin d'effectuer un enregistrement. On forme des trous elliptiques dont le petit axe a une longueur de 1 micron environ dans les zones o la couche d'enregistrement métallique est irradiée par le faisceau laser dont l'intensité, considérée à la surface du disque d'enregistrement, est d'au moins 4 mW. En utilisant le disque obtenu, on détermine un rapport S/N à l'aide d'un analyseur de spectre auquel est envoyé un signal normalisé de 500 kHz et on trouve que ce rap- port est de 45 dB environ. On prépare un disque d'enregistrement de comparaison sensiblement de la même manière que décrit ci-dessus, si ce n'est que l'on omet d'effectuer le premier et le second dépôts d'A1203, de sorte que les couches stabilisantes supérieure et inférieure sont en GeO2 seul. La sensibilité du disque d'enre- 16 2478858 gistrement est de 6 mW. Ce disque a un rapport S/N de 20 dB. Afin d'examiner la stabilité au stockage en fonction du temps, on soumet les deux disques à un effet de stockage accé- léré qui est effectué à une température de 60C, et à une humi- dité relative de 70 %. Le disque d'enregistrement suivant l'in- vention, mêeme après avoir été soumis à l'essai pendant un mois, ne présente pas de modification de sensibilité et de forme des trous formés par irradiation à l'aide d'un faisceau laser foca- lisé et modulé de la même manière que décrit ci-dessus. Le dis- que d'enregistrement de comparaison, après avoir été soumis à l'essai pendant seulement quatre jours, présente une diminution de sensibilité et une modification des formes des trous formés par irradiation par le même faisceau laser utilisé que celui ci-dessus. Plus particulièrement, la sensibilité des disques d'enregistrement de comparaison soumis à l'essai pendant quatre jours est de 10 mW et les trous formés par irradiation par le faisceau laser ont une ligne de bords désordonnée. Les trous enregistrés sur le disque suivant l'invention et sur le disque de comparaison, avant de les soumettre à l'essai, ne présentent aucune des modifications de formes dues à l'essai de stockage. EXEMPLE 2 et EXEMPLE COMPARATIF 2 Sensiblement de la même manière qu'à l'exemple 1, on dépose successivement sur un disque en poly(méthacrylate de méthyle) préparé de la même manière qu'à l'exemple 1, une pelli- o O cule de 200 A d'épaisseur de A1203, une pellicule de 50 A d'épaisseur de MgF2, une pellicule de 400 A d'épaisseur de Bi, une pellicule de 50 A d'épaisseur de MgF2 et une pellicule de A d'épaisseur de A1203. On obtient ainsi un disque d'enre- gistrement ayant desicouches stabilisantes supérieure et infé- rieure en A1203-MgF2 et une couche d'enregistrement métallique en Bi. L'intensité la plus faible d'un faisceau laser capable de produire un trou dans la couche d'enregistrement du disque (sensibilité) est déterminée de la même manière qu'à l'exemple 1. Elle est de 3,0 mW. Le rapport S/N de ce disque-est de 40 dB. On prépare un disque d'enregistrement comparatif sensi- blement de la même manière que décrit ci-dessus, si ce n'est que l'on omet le premier et le second dépôts d'A1203 r de sorte que les couches stabilisantes supérieure et inférieure prenant 17 2.478858 en sandwich la couche de Bi sont en MgF2 seul. La sensibilité du disque d'enregistrement comparatif est de 6 mW. Le rapport S/N est de 25 dB. Le disque d'enregistrement suivant l'invention, après avoir été soumis à un essai de stockage accéléré pendant trois semaines effectué à 600C et à une humidité relative de 70 %, présente une diminution de sensibilité inférieure à 10 %. Le disque d'enregistrement de comparaison, après avoir été soumis seulement à un essai de stockage pendant trois jours, effectué dans les mêmes conditions que mentionné ci-dessus, présente une nette diminution de 20 % de sensibilité et la forme des trous formés par irradiation à l'aide du même faisceau laser que celui utilisé à l'exemple 1 est nettement désordonnée. EXEMPLE 3 et EXEMPLE COMPARATIF 3 En opérant sensiblement de la même manière qu'à l'exem- ple 1, on dépose successivement sur un disque en poly(méthacry- late de méthyle) préparé de la même manière qu'à l'exemple 1, o une pellicule de 100 A d'épaisseur de ZrO2, une pellicule de O O A d'épaisseur de PbO, une pellicule de 400 A d'épaisseur de Sn, une pellicule de 50 A d'épaisseur de PbO et une pellicule de 100 A d'épaisseur de ZrO2. On obtient ainsi un disque d'en- registrement ayant des couches stabilisantes inférieure et supérieure en ZrO2-PbO et une couche d'enregistrement métalli- que en Sn. Sn, qui est capable par évaporation sous vide,de constituer une mince pellicule ayant une structure con- sistant en un assemblage de grains condensés relativement grands, pourrait être déposé sous la forme d'une mince pellicule compo- sée de grains condensés nettement plus petits à une vitesse de dépôt plus grande. La plus faible intensité d'un faisceau laser capable de produire un trou dont le petit axe a une longueur de 1 micron dans la couche d'enregistrement métallique du dis- que (sensibilité) est déterminée de la même manière qu'à l'exem- ple 1. Elle est de 5 mW. Le rapport S/N est de 30 dB. On prépare un disque d'enregistrement comparatif sensi- blement de la même manière que décrit ci-dessus, si ce n'est que les première et seconde pellicules en PbO ont une épaisseur o de 100 A et que le premier et le second dépôts de ZrO2 sont omis, de sorte que les couches stabilisantes supérieure et infé- rieure prenant en sandwich la couche de Sn sont en PbO seulement. 18 2478858 La sensibilité du disque d'enregistrement de comparaison est de 7 mW. Le rapport S/N est de 30 dB. Le disque d'enregistrement de comparaison, après avoir été abandonné à température ambian- te pendant une semaine, présente une diminution nette de 20 % de la sensibilité et un désordre prononcé dans la forme des trous obtenus par irradiation à l'aide du même faisceau laser que celui utilisé à l'exemple 1. En revanche,les trous enregis- trés sur le disque suivant l'invention, juste après la prépara- tion de celui-ci, ne changent pas de forme après un stockage d'une semaine à température ambiante. EXEMPLE 4 et EXEMPLE COMPARATIF 4 En opérant sensiblement de la même manière qu'à l'exem- ple 1, sauf pour ce qui concerne certaines conditions de dépôt, on dépose successivement sur un disque en poly(méthacrylate de méthyle) préparé de la même manière qu'à l'exemple 1, une pelli- a o cule de 100 A d'épaisseur de A1203, une pellicule de 100 A d'épaisseur de GeO2, une pellicule -9e - 400 A de Bi et une pellicule de 100 A d'épaisseur de Geo2. Dans le dépôt de GeO2 c on introduit cie l'oxygène gazeux dans l'équipement de dépôt sous vide de maniè- re à ce que le degré de vide soit aussi bas que 2 x 10 3 torr. Lors du dépôt d'A1203 et Bi, le vide est de 2 x 10 6 torr. On obtient ainsi un disque d'enregistrement ayant une couche stari- lisante supérieure en GeO2 et inférieure en A120 3-GeC et ayant une cou- che d'enregistrement métallique en Bi. L'intensité la plus fai- ble d'un faisceau laser capable de produire un trou dans la couche d'enregistrement du disque (sensibilité) est déterminée comme à l'exemple 1. Elle est de 4 mW. Le rapport S/N est de dB. Le disque d'enregistrement, après avoir été soumis à un essai de stockage accéléré pendant une semaine effectué à une température de 60'C et à une humidité relative de 70 %, présen- te une diminution de sensibilité de 10 % environ. On prépare un autre disque d'enregistrement sensible- ment de la même manière que décrit ci-dessus, si ce n'est que le vide est de 2 x 10 6 torr pour le dépôt de toutes les couches de A1203, GeO2 et Bi. La sensibilité du disque est de 5 mW. Le rapport S/N est de 45 dB. Le disque d'enregistrement, après avoir été soumis à un essai de stockage accéléré d'un mois, effectué à une température de 60C et à une humidité relative de 70 d, ne présente pas de diminution de sensibilité et on n'observe aucune perturbation de la forme des trous formés par irradiation à l'aide du même faisceau de laser que celui utili- s6 à l'exemple 1. On prépare un disque d'enregistrement de comparaison, sensiblement de la même manière qu'à l'exemple ci-dessus, pour ce qui concerne la préparation du disque d'enregistrement précé- dent, si ce n'est que l'on n'effectue pas le premier dépôt d'A1203, de sorte que les couches stabilisantes supérieure et inférieure prenant en sandwich la couche de Bi sont en GeO2 seul. La sensiblité du disque d'enregistrement de comparaison est de 9 mW. Le rapport S/N est de 25 dB. Le disque d'en- registrement de comparaison, après avoir été soumis à un essai de stockage de sept jours seulement effectué à une température de 60 C, à une humidité relative de 70 l, présente une diminution nette de sensibilité de 20 %. EXIMPLE 5 et EXEMPLE COMPARATIF 5 On dépose successivement, suivant les processus mentionnés O O ci-dessus,une pellicule de 200 A d'épaisseur en Si3N4, de 100 A O d'épaisseur en A1203, de 400 A d'épaisseur en Bi et de 150 A d'épaisseur en GeO2 sur un disque en poly (méthacrylate de méthyl) préparé de la même manière que l'exemple 1. On effectue le dépôt de Si3N4 par une technique habituelle de décharge luminescente. D'autre part,on effectue les dépÈts de A1203, Bi et GeO2 par évaporation sous vide sous un vide de 2 x 10 6 Torr. On obtient ainsi un disque d'enregistrement ayant des couches stabilisantes inférieures en Si3N4 A120.,une couche d'enregistrement métallique en Biet une couche stabilisante supérieure en GeO2. L'intensité la plus faible d'un faisceau laser capable de produire un trou dans la couche d'enregistrement du disque (sensibilité) est déterminé comme à l'exemple 1. Elle est de 4 mW. Le rapport S/N est de 40 dB. On prépare un disque d'enregistrement de comparaison sensiblement comme décrit,ci-dessus si ce n'est que les couches stablisantes supérieure et inférieure prenant en sandwich la couche en Bi sont en GeO2 et en AlO3 respectivement. La sensibilité du disque dtenregistrement de comparaison est de 6 m1,. Le rapport S/N est de 35 dB. Le disque d'enregistrement suivant l'invention après avoir été soumis à un essai de stockage accéléré pendant une semaine effectué à 60 C et à une humidité relative de 70 C, pré- sente une diminution de sensibilité inférieure à 15,0. Le disque d'enregistrement de comparaison après avoir été soumis à un essai de stockage pendant 3 jours seulement dans les même conditions que décrit cidessus, présente une diminution nette de sensibilité de 15%. EXEMPLE 6 et EXEMPLE COMPARATIF 6 En opérant sensiblement de la même manière qu'à l'exem- ple l, on dépose successivement sur un disque en poly(métha- crylate de méthyle) préparé de la même manière qu'à l'exemple 1, une pellicule de 100 A d'épaisseur d'A1203, une pellicule Oo de 80 A d'épaisseur de CaF2, une pellicule de 200 A d'épaisseur de Bi, une pellicule de 50 A d'épaisseur de Sn, une pellicule 0o de 100 A d'épaisseur de Bi, une pellicule de 80 A d'épaisseur de CaF2 et une pellicule de 100 A d'épaisseur de A1203. On obtient ainsi un disque d'enregistrement ayant des couches stabilisantes supérieure et inférieure en A1203-CaF2 et une couche d'enregistrement métallique constituée de Bi (de 100 A)- Sn (50 A)-Bi (100 A). La plus faible intensité d'un faisceau laser capable de produire un trou dans la couche d'enregistre- ment du disque (sensiblité) est déterminée de la même manière qu'à l'exemple 1. Elle est de 4 mW. Le rapport S/N est de 40 dB. On prépare un disque d'enregistrement de comparaison sensiblement de la même manière que décrit ci-dessus, si ce n'est que la première et la seconde pellicules en CaF2 ont une O épaisseur de 100 A et que le premier et le second dé8ts de A1203 sont omis, de sorte que les couches stabilisantes:infé- rieure et supérieure prenant en dandwich les disques de comparai- son est de 8 mUl. Le rapport S/N est de 25 dB. EXEMPLE 7 On dépose par une technique de pulvérisation cathodique avec réaction, sur un disuqe de poly(méthacrylate de méthyle) préparé de la même manière qu'à l'exemple 1, une 21 2478858 O O pellicule de 100 A d'épaisseur de A1203 et une pellicule de 50 A d'épaisseur de GeO2 constituant, en association, une couche inférieure de stabilisation, la pulvérisation cathodique avec réaction étant effectuée en utilisant une cible en Al et une cible en Ge, sous un vide de 3 x 10 torr, de l'air étant in- troduit dans la zone de pulvérisation cathodique. On dépose une pellicule de 300 A d'épaisseur d'Au sur la couche stabili- sante inférieure par une technique par évaporation sous vide en opérant sous un vide de 10 6 torr. On dépose sur la pellicule d'Au déposée une pellicule de 50 A d'épaisseur de GeO2 et une pellicule de 100 A d'épaisseur d'A1203 consti- tuant ensemble une couche stabilisante supérieure en opérant par la même technique de pulvérisation cathodique avec réaction que celle utilisée ci-dessus. La sensibilité du disque d'enre- gistrement obtenu est déterminée de la même manière qu'à l'exemple 1. Elle est de 5 mW. Le rapport S/N de ce disque est de 45 dB. EXEMPLE 8 et EXEMPLE COMPARATIF 7 En opérant sensiblement de la même manière qu'à l'exem- ple 1, on dépose successivement sur un disque en poly(méthacry- late de méthyle) préparé de la même manière qu'à l'exemple 1, o une pellicule de 200 A d'épaisseur de ZrO2, une pellicule de O O A d'épaisseur de Y203, une pellicule de 300 A d'épaisseur de Bi, une pellicule de 100 A d'épaisseur de Pb, une pellicule O O de 100 A d'épaisseur de Y203 et une pellicule de 100 A d'épaisseur de ZrO2. On dépose dessus, par revêtement, une cou- che de protection de 0,5 micron d'épaisseur en un caoutchouc fluoré. On obtient ainsi un disque d'enregistrement ayant des couches stabilisantes supérieure et inférieure en ZrO2-Y203 et une couche d'enregistrement métallique en Bi (300"Pb(1O0A). La sensibilité du disque d'enregistrement est déterminée de la même manière qu'à l'exemple 1. Elle est de 4 mW. Le rapport S/N de ce disque est de 40 dB. Le disque d'enregistrement, après avoir été soumis à un essai de stockage accéléré pendant 3.5 30 jours, effectué à une température de 60C et à une humidité relative de 70 %, ne présente aucune diminution de sensibilité et aucune perturbation de la forme d'un trou formé par irradia- tion à l'aide du même faisceau laser que celui utilisé à l'exemple 1. 22 2478858 On prépare un disque d'enregistrement de comparaison sensiblement de la même manière que décrit ci-dessus, si ce n'est que la première et la seconde pellicules de ZrO2 ont O O A d'épaisseur au lieu de 100 A et que le premier et le se- cond dépôts de Y203 sont omis, de sorte que les couches stabili- santes supérieure et inférieure prenant en sandwich la couche Bi-Pb sont en ZrO2 seul. La sensibilité du disque d'enregistre- ment de comparaison est de 8 mW. Le rapport S/N de ce disque est de 25 dB. Le disque d'enregistrement de comparaison, après avoir été soumis à un essai de stockage accéléré de trois jours seule- ment, effectué dans les mêmes conditions que mentionné ci-dessus, présente une diminution de sensibilité et quelques perturbations dans la forme des trous formés par irradiation à l'aide du même faisceau laser que celui utilisé à l'exemple 1. 23 2478858 REVENDICATIONS 1. Support d'enregistrement, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat et, superposées sur le substrat dans l'or- dre suivant, une première couche stabilisante; une couche d'en- registrement métallique de faible toxicité; et une seconde couche stabilisante; la première couche stabilisante étant com- posée d'une couche auxiliaire d'oxyde métallique servant de couche supérieure et d'une couche en un composé minéral servant de couche inférieure, destinée à transformer la couche auxiliai- re d'oxyde métallique en une matière vitreuse de bonne planéité de surface. 2. Support d'enregistrement suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la couche en le composé minéral est en un oxyde métallique, en un nitrure métallique, ou en un fluo- rure métallique et,quand la couche en le composé minéral est en un oxyde métallique, l'oxyde métallique de la couche auxi- liaire d'oxyde métallique est différent de l'oxyde métallique de la couche en le composé minéral. 3. Support d'enregistrement suivant la revendication 2, caractérisé en ce que le composé minéral de la couche en le composé minéral et l'oxyde métallique de la couche auxiliaire en oxyde métallique peuvent former l'un avec l'autre une solu- tion solide. 4. Support d'enregistrement suivant l'une des revendi- cations précédentes, caractérisé en ce que la couche d'enregis- trement métallique comprend au moins un métal choisi parmi In, Rh, Bi, Sn, Pb, Zn, Mg, Au, Mn, Al, Ge, Ga et Sb. 5. Support d'enregistrement suivant l'une des revendi- cations précédentes, caractérisé en ce que l'oxyde métallique de la couche auxiliaire en oxyde métallique est choisi parmi les oxydes de Al, Ge, Zr, Si, Ti, Cr, Ta, La, Ce, Y, Dy, Er, Gd, Hf, Sm, Bi, Pb, Zn, Li, Mg et Sb. 6. Support d'enregistrement suivant la revendication 2, caractérisé en ce que le composé minéral de la couche en le composé minéral est choisi parmi MgF2, CaF2, GeO2, A1203, Cr203 SiO2 TiO 2' PbO, ZnO, Y203, Sm203, La203 et CeO2. 7. Support d'enregistrement suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde couche stabilisante comprend une couche en un composé minéral choisi parmi un oxyde 24 2478858 métallique, un nitrure métallique et un fluorure métallique. 8. Support d'enregistrement suivant la revendication 7, caractérisé en ce que la seconde couche stabilisante comprend une seconde couche auxiliaire en un oxyde métallique et l'oxyde métallique de la seconde couche auxiliaire est différent du composé minéral de la couche en le composé minéral de la seconde couche stabilisante.