FR 2481862 A1 19811106 FR 8108743 A 19810430 I _- La présente invention est relative d'une façon générale à un circuit de polarisation pour un ampliEicateur de puissance, et plus particulièrement à un circuit de polarisation pour un amplificateur de puissance du type sans commutation. Dans ltart antérieur, il a été proposé, comme cir- cuit de polarisation pour un amplificateur de puissance selon la classe AB des circuits variés dans lesquels, pour réduire l'apparition de distorsion de commutation, une tension de po- larisation est modifiée ou modulée en accord avec l'amplitude d'un signal de sortie pour rendre le circuit du type sans com- mutation. Toutefois avec le circuit de polarisation de l'art antérieur, lorsque la tension de polarisation est modulée en accord avec l'amplitude du signal de sortie, du fait qu'un élé- ment non linéaire tel qu'un transistor ou analogue existe dans le trajet de transmission du signale il existe le risque qû'une distorsion non linéaire soit engendrée dans le circuit de pola- risation, En outre, dans le cas d'un circuit de polarisation de l'art antérieur pour un amplificateur de puissance de la clas- se AB, si un transistor à effet de champ MOS est utilisé comme élément d'amplification à un étage d'amplification de puissance, une distorsion non linéaire est engendrée dans la gamme ou la pente du transistor MOS est relativement petite. Toutefois, jus- qu'à maintenant, il n'a pas été proposé de circuit de polarisa- tion pour amplificateur de puissance du type précité, dans le- quel la génération d'une distorsion non linéaire est supprimée. En conséquence, un premier but de la présente invention est de créer un circuit de polarisation pour un ampli- ficateur de puissance qui soit exempt des défauts inhérents à l'art antérieur. Un autre but de la présente invention est de créer un circuit de polarisation pour un amplificateur de puissance dans lequel il existe un élément non linéaire dans le trajet de transmission du signal du circuit de polarisation. Un autre but de l'invention est de créer un cira- cuit de polarisation pour un amplificateur de puissance qui est efficace lorsqu'un transistor à effet de champ MOS est utilisé comme transistor de sortie. Selon une réalisation de la présente invention# 248 1862 2.- le circuit de polarisation comporte: a) une première et une seconde bornes d'alimentation en tension continue, b) un premier et un second transistors de sortie comportant cha- cun une électrode d'entrée, dont les électrodes d'entrée sont connectées par l'intermédiaire d'une premire résistan- ce et dont les trajets de courant principaux sont connectées en série entre la première et la seconde bornes d'alimenta- tion en tension continue par l'intermédiaire d'une.secomde et d'une troisième résistances, le point de jonctiun de cette seconde et de cette troisième résistances étant une 'borne-de sortie de signaux, c) un moyen d'introduction de signaux pour fournir un signal d'entrée à amplifier aux électrodes d'entrée du premier et du second transistors de sortie, d) une troisième et une quatrième bornes d'alimentation en tension continue, e) un circuit de connexion en série constitué d'lne première source de courant variable, de la première résistance et d'une seconde source de courant variable et connecté entre la troisième et la quatrième bornes d'alimentation en ten- sion continue, f) des moyens de détection de tension pour détecter l'une quel- conque des tensions aux bornes de la seconde et de la troi- sième résistances ou l'une quelconque des tensions appliquées aux électrodes d'entrée du premier et du second transistors de sortie, circuit de polarisation caractérisé en ce qu'il comporte s g) des moyens de commande pour commander la première ou la se- conde source de courant variable en accord avec le signal de sortie des moyens de détection de tension. D'autres buts, particularités et avantages de la présente invention, vont découler de la description qui va sui- vre en relation avec les dessins ci-joints, dans lesquels les m8mes références désignent les mêmes éléments, et dans lesquels: - la figure 1 est un schéma de circuit montrant un exemple d'un circuit de polarisation de l'art antérieur pour un amplificateur de puissance, - la figure 2 est un diagramme de formoe d'onde utilisé pour expliquer le fonctionnement du circuit représente 3,- 2 4 481862 3.- sur la figure 1, - la figure 3 est un schéma de circuit montrant la construction d'un circuit de base de la présente invention, - les figures 4A et 4B sont respectivement des diagrammes de formes d'onde utilisée pour expliquer le fonction- nement de l'invention, - la figure 5 est un schéma de circuit montrant un exemple de l'invention, - les figures 6 à 8 sont des schémas de circuit montrant respectivement d'autres exemples de l'invention. Pour faciliter la compréhension de la présente invention, un circuit de polarisation du type sans commutation de l'art antérieur pour un amplificateur de puissanceva d'abord être décrit en se référant à la figure 1. Sur la figure 1, le numéro de référence 1 désigne une borne d'entrée d'un signal audio, borne par l'intermédiaire de laquelle un signal audio est fourni à la base d 'un transistor UPN 2 dont l'émetteur est connecté à une borne d'alimentation en tension négative - VB à laquelle est appliquée une tension continue négative, tandis que le collecteur de ce transistor est connecté à la base d'un transistor PNP 3a qui constitue un circuit SEPP (circuit équilibré à sortie unique) avec d'au- tres transistors PNP 3b et 3c à montage Darlington et trois au- tres transistors NPN 4a, 4b et 4c à montage Darlington. Cela signifie que les collecteurs des transistors 3a, 3b et 3c sont reliés ensemble à une borne d'alimentation négative -VoC à la- quelle est appliquée une tension continue négative, et que les collecteurs des transistors 4a, 4b, 4c sont reliés ensemble à une borne d'alimentation positive +VcC à laquelle est appli- quée une tension continue positive. Le transistor 3a a son émet- teur relié à la base du transistor 3b et également par l'inter- médiaire d'une résistance 5 au point de jonction entre l'émetteur du transistor 4a et la base du transistor 4b. Le transistor 3b a son émetteur relié à la base du transistor 3c et également, par l'intermédiaire d'une résistance 6, au point de jonction entre l'émetteur du transistor 4b et la base du transistor 4c, dont l'émetteur est relié à l'émetteur du transistor 3c par l'intermédiaire d'un montage en série de résistances 7 et 8. Le point de jonction entre les résistances 7 et 8, est mis à la terre par l'intermédiaire d'une charge 9 telle qu'un haut- 4.- parleur. le collecteur du transistor 2 est également relié à l'émetteur d'un transistor NPN 10, formant circuit de polari- sation actif. Le transistor 10 a son collecteur relié par ltin- termédiaire d'une résistance 10a à sa base et également par l'intermédiaire d'une diode de compensation de température 11 au collecteur d'un transistor PNP 12 constituant un circuit de polarisation actif. Le transistor 12 a son collecteur relié par l'intermédiaire d'une résistance 12a à sa base et son émet- teur relié à la base du transistor 4a constituant le circuit SEPP également par l'intermédiaire d'un circuit à courant cons- - tant 13 à la borne d'alimentation positive +VB à laquelle est appliquée une tension continue positive. Le point de jonction entre les résistances 7 et 8 est relié à la base destransistorsPNP et NPN 14 et 15, chacun de ces transistors constituant un circuit de détection de courant. L'émetteur du transistor 14 est relié par l'intermé- diaire d'un montage en série d'une diode 16,conductrice vers l'avant, et d'une résistance 17 au point de jonction entre la base et le collecteur d'un transistor PNP 18qui constitue un circuit à miroir de courant avec un transistor PINP 19. L'émetteur du transistor 18 est connecté à la base du transis- tor 4a et le point de jonction de la base et du collecteur du transistor 18 est connecté à la base du transistor 19 dont l'émetteur est connecté à la base du transistor 4a, tandis que son collecteur est relié à la base du transistor 12. le collecteur du transistor 14 est relié à la base du transistor 3a. Dans ce cas, un courant identique à celui passant par le trajet du courant principal du transistor 18, passe par le trajet de courant principal du transistor 19. Cependant, l'é- metteur du transistor 15 est relié par l'intermédiaire d'un montage en série d'une diode 20 conductrice vers l'avant et d'une résistance 21 au point de jonction entre la base et le collecteur d'un transistor NPN 22 qui constitue un circuit à miroir de courant avec un transistor NPN 23. L'émetteur du transistor 22 est relié à la base du transistor 3a et le point de jonction de la base et du collecteur du transistor 22 est relié à la base du transistor 23 dont l'émetteur est relié à la base du transistor 3a et le collecteur à la base du transistor 10. Le collecteur du transistor 15 est relié à la base du transistor 4a. Dans ce cas, un courant identique à celui passant par le trajet de courant principal du transistor 22 passe par le trajet de courant principal du transistor 23. Avec le circuit de l'art antérieur représenté sur la figure 1, lorsqu'une entrée dans la direction positive est appliquée à ce circuit, les courant passant par les transis- tors NPN 4a, 4b et 4c croissent et une tension Va entre la base du transistor 4a et la borne de sortie, c'est-à-dire le point de jonction des résistances 7 et 8, croit. A ce moment, le cir- cuit détectant le courant est constitué du montage en série du transistor 18, de la résistance 17, de la diode 16 et du transistor 14 et la variation de tension détectée n'apparaît pas en tant que telle, entre les deux extrémités des résistances respectives 12a et 17. En effet, si l'on suppose que les varia- tions de tension entre la base et l'émetteur ds transistors 14, 18 et que celles entre l'anode et la cathode de la diode 16 sont désignées par A VBE, une variation de tension AVB1 qui est fournie en soustrayant 3 AVBE d'une variation de tension LVa entre la base du transistor 4a et le point de jonction des résistances 7 et 8, appara t entre chacune des résistances 12a et 17, et donc entre le collecteur et l'émetteur du transis- tor 12. Il en résulte que la tension de polarisation entre la base du transistor 3a et la borne de sortie, c'est-à-dire le point de jonction des résistances 7 et 8, est réduite de 3&V.E Cependant, lorsqu'une entrée dans le sens néga- tif est appliquée au circuit, les courants passant à travers les transistors PNP 3a, 3b et 3c augmentent, et une tension Vb entre la base du transistor 3a et la borne de sortie, c'est- à-dire le point de jonction des résistances 7 et 8, augmente. A cet instant, le circuit de détection de courant constitué du montage en série du transistor 22, de la résistance 21, de la diode 20 et du transistor 15, fonctionne de façon similaire au cas précédent. Une variation de tension qui est fournie en soustrayant 3 VBE d'une variation de tension AVb entre la base du transistor 3a et le point de jonction des résistances 7 et 8, apparait entre la résistance 10a et donc entre le col- lecteur et l'émetteur du transistor 10. Il en résulte que la tension de polarisation entre la base du transistor 4a et la borne de sortie, c'est-à-dire le point de jonction des résis- tances 7 et 8, est réduite de 3 VBE..En conséquence, lescou- 6.- rants d'émetteur Ia et 'b des transistors respectifs 4c et 3c deviennent ceux représentés sur la figure 2 respectivement pour produire une forme d'onde de sortie composite de la dis- torsion sans commutation. Sur la figure 2, Ic et Ilc représen- - tent respectivement les courants au repos des transistors 4c et 3c. Dans le cas du circuit de l'art-antérieur repré- senté sur la figure 1, du fait que les transistors 10 et 12 qui sont tous deux des éléments non linéaires sont insérés dans le trajet de transmission du signal, un problème de distorsion, non linéaire existe et donc un élément de commande de tension tel qu'un transistor à effet de champ MOS ne peut pas être utilisé comme transistor de sortie. Conformément à la présente invention, la distor- sion non linéaire précédente est supprimée et un transistor de commande de tension, tel qu'un transistor à effet de champ MOS peut être utilisé comme amplificateur de puissance. Un exemple fondamental du circuit de polarisation pour un amplificateur de puissance conforme à l'invention, va être décrit en se référant à la figure 3 dans laquelle les références identiques à celles utilisées sur la figure 1, dé- signent les mêmes éléments dont la description détaillée sera omise. Dans l'exemple de l'invention représenté sur la figure 3, la borne d'entrée 1 du signal audio est connectée par l'intermédiaire d'une résistance 24 déterminant la tension de polarisation à la porte d'un transistor à effet de champ MOS 4 à canal N qui constitue avec un transistor à effet de champ MOS 3 à canal P le circuit SEPP. le pdat de jonction entre la résistance 24 et la porte du transistor à effet de champ MOS 4 est relié par l'intermédiaire d'une source de cou- rant variable 25 à la borne d'alimentation ^V^ à laquelle est appliquée la tension continue positive. La borne d'entrée 1 du signal audio est également reliée par l'intermédiaire d'une résistance 26 déterminant la tension de polarisation, à la porte du transistor à effet de champ MOS 3 et le point de jonc- tion entre la résistance 26 et la porte du transistor à effet de champ MOS 3 est reliée par une source de courant variable 27 à la borne d'alimentation négative -VB à laquelle est appli- quée la tension continue négative. Le drain du transistor à 7 2481862 effet de champ MOS 4 est relié à la borne d'alimentation posi- tive +VcC à laquelle est appliquée la tension continue positive et le drain du transistor à effet de champ MOS 3 est relié à la borne d'alimentation négative -Vc à laquelle est appliquée la tension continue négative. Un montage en série des résistan- ces 7 et 8 est inséré entre les sources des transistors respec- tifs à effet de champ MOS 4 et 3. Le point de jonction entre les résistances 7 et 8 est mis à la terre par l'intermédiaire d'une charge 9, telle qu'un haut-parleur ou analogue et est également relié à une borne commune du circuit de détection de tension 28. Le point de jonction entre la source du transistor à effet de champ MOS 4 et de la résistance 7 et le point de jonction entre la source du transistor à-effet de champ MOS 3 et la résistance 8, sont tous deux reliés au c8té entrée du circuit de détection de tension 28. Le signal détecté obtenu au cté sortie du circuit de détection de tension 28, est appliqué aux sources de courant variable 25 et 27 pour commander simultané- ment ou séparément, les courants de ces sources. Dans ce cas, si l'on suppose que les valeurs des résistances 7 et 8 sont chacune désignées par RS, le courant passant par la résistance 7 étant désigné par Il, le courant passant par la résistance 8 étant désigné par -IT. les courants des sources de courant variable 25 et 27 étant chacun désignés par I et les valeurs des résistances 24 et 26 étant chacune désignées par R, la tension IL.Rs est détectée par le circuit de détection 28. Cette sortie ainsi détectée est utilisée pour commander le cou- rant I des sources respectives de courant variable 25 et 27. A cet instant, la tension de polarisation des transistors à effet de champ MOS 3 et 4 est déterminée par I.R. Le courant est ajusté de façon telle que lorsqu'il n'y a pas de signal, l'équation suivante est satisfaite: 21,.R =VGS+ +VG_ + 2-I.-RS ou VGs+ est la tension entre la porte et la source du transis- tor à effet de champ MOS 4, tandis que VGS est la tension en- tre la porte et la source du transistor à effet de champ MOS 3. Lorsqu'un demi-cycle positif d'un signal d'entrée est appliqué à la borne d'entrée 1 du signal audio, si l'on suppose que le courant passant à travers le transistor à effet de champ MOS 4 varie de IL à IL + I IL et que le courant des 8.- 2481862 sources de courant variable 25 et 27 varie de I à I + aI, la somme des tensions porte - source des transistors à effet de champ MOS 4 et 3, s'exprime comme suit s VG+ + VGS' = 21.R + 2 I.R - Il.RS - 2l..... (1) dans ce cas, en même temps que l'accroissement de IL, VGS+ varie comme suit s ^IL IVGS = LT gm Du fait toutefois que le gain du transistor à effet de champ MOS 4 est suffisamment important, VGS est négligé. En conséquence, pour éviter que le transistor à effet de champ MOS 3 soit coupé lorsque le transistor à effet de champ MOS 4 est en circuit, il est suffisant, à partir de l'é- quation (1), que l'équation suivante (2) soit établie: A IXz. RS (2) 2R Si 4I est choisi de façon à satisfaire l'équation (2) ci- dessus, VGS+ et VGS- deviennent approximativement constantes et le transistor à effet de champ MOS 3 n'est pas coupé. Cependant, lorsque le demi-cycle négatif du si- gnal d'entrée est appliqué à la borne d'entrée 1, si l'équa- tion (2) est satisfaite, le transistor à effet de champ MOS 4 n'est pas coupé lorsque le transistor à effet de champ MOS 3 est mis en circuit de façon similaire au cas ci-dessus. Conformément à la présente invention, le circuit est construit de façon telle que la relation entre le signal de sortie détecté à partir du circuit de détection de tension 28 et le courant des sources de courant variable 25 et 27, sa- tisfasse l'équation (2). Avecla présente invention selon la construction ci-dessus, une tension V4 entre la porte du transistor à effet de champ MOS 4 et le point de jonction des résistances 7 et 8, c'est-à-dire la borne de sorties et une tension V3 entre la porte du transistor à effet de champ MOS 3 et la borne de sor- tie varient respectivement comme le montre la figure 4A. Il en résulte que les courants Ia et Ib passant par les transistors à effet de champ MOS 4 et 3 varient respectivement comme le montre la figure 4B oh l'on voit que les transistors à effet de champ MOS 4 et 3 ne sont pas coupés. En outre, puisque les 248 1862 9.- sources de courant variable 25 et 27 sont toujours commandées par le signal de sortie en provenance du circuit de détection de tension 28, et puisque les tensions de polarisation pour les transistors à effet de champ MOS 4 et 3 sont commandées, la continuation entre les ondes supérieures et inférieures du cou- rant circulant à travers la charge 9, se trouve filtrée et la forme d'onde de sortie composite, dans laquelle l'apparition de la distorsion de commutation et la distorsion transversale sont supprimées, et qui ne présente qu'une faible distorsion, peut Otre obtenue. Conformément à la présente invention, le signal audio appliqué à la borne d'entrée 1 du signal audio est appli- qué aux portes des transistors à effet de champ NOS 4 et 3, qui constituent le transistor de sortie, par l'intermédiaire des résistances 24 et 26 qui sont chacune l'élément linéaire mais non pas par l'intermédiaire d'un élément non linéaire tel qu'un transistor, si bien que la distorsion non linéaire provoquée par l'élément non linéaire, n'apparait pas. En outre, grâce à l'invention, le circuit peut être commandé en tension, si bien que les transistors à effet de champ MOS 4 et 3 qui constituent chacun un élément de commutation à vitesse élevée, peuvent être utilisés. En outre, conformément à la présente invention, la valeur de variation du courant sortant de la source à courant variable 25, est prise égale à celle circulant dans la source à courant variable 27, et le circuit de polarisation ne reçoit pas de charge à l'étage précédent. Les figures 5 et 6 montrent respectivement d'au- tres exemples pratiques de l'invention dans lesquels les élé- ments correspondant à ceux de la figure 3 sont repérés par les mêmes numéros de références, de sorte que leur description détaillée sera omise. Dans l'exemple de l'invention représenté sur la figure 5, la borne d'entrée 1 du signal audio est reliée par un montage en série d'une diode de compensation de température lia et d'une résistance 24 déterminant la tension de polarisa- tion à la porte du transistor à effet de champ MOS 4 à canal N qui constitue avec le transistor à effet de champ MOS 3 à canal P le circuit SEPP. Le point de jonction entre la résistance 24 et la porte du transistor à effet de champ MOS 4, est relié au 10.- collecteur ou à l'électrode de sortie de commande d'un transis- tor PNP 25a qui constitue la source de courant variable 25. Le transistor 25a a son émetteur relié par l'intermédiaire a'une résistance 25b à la borne d'alimentation positive +VB à laquel- le est appliquée la tension continue positive, tandis que sa base est reliée par un montage en série d'une diode 25c et d'une résistance 25d à la borne d'alimentation positive +VB et mise à la terre par un circuit 29 à courant constant déterminant la polarisation. Dans ce cas, le circuit à courant constant 29 est construit de façon telle que son courant peut être ajusté et le transistor 25a ainsi que la diode 25c constituent un cir- cuit à miroir de courant. En outre, la borne 1 d'entrée du signal audio est reliée par un montage en série d'une diode de compensation de température 11b et d'une résistance 26 déterminant la tension de polarisation à la porte du transistor à effet de champ MOS 3 à canal P. Le point de jonction entre la résistance 26 et la porte du transistor à effet de champ MOS 3, est relié au col- lecteur d'un transistor NPN 27a. Le transistor 27a a son émet- teur relié par l'intermédiaire d'une résistance 27b à la borne d'alimentation négative -V3 à laquelle est appliquée la tension continue négative, tandis que sa base est reliée par un montage en série d'une diode 27c et d'une résistance 27d à la borne d'a- limentation négative -VB. Le transistor 27a et la diode 27c cons- tituent un circuit à miroir de courant. Le point de jonction entre la diode 25c et le circuit à courant constant 29 est relié à la base d'un transistor PNP 30a dont l'émetteur est connecté par l'intermédiaire d'une résistance 30b à la borne d'alimenta- tion positive +VB tandis que son collecteur servant d'électrode de sortie, est connecté au point de jonction de la base du tran- sistor 27a et de la diode 27c. Dans ce cas, la diode 25c et le transistor 25a constituent le circuit à miroir de courant et la diode 25c ainsi que le transistor 30a constituent également un circuit à miroir de courant. En outre, la diode 27c alimentée par le courant de sortie en provenance du transistor 30a et du transistor 27a constitue un circuit à miroir de courant. En conséquence les courants passant respectivement par les transis- tors 25a, 30a et 27a sont égaux. Le point de jonction entre la source du transistor à effet de champ MOS 4 et la résistance 7 est relié par l'inter- 11.- médiaire d'une résistance 28b à une borne d'entrée négative d'un circuit amplificateur opérationnel 28a qui constitue le circuit de détection de tension 28, tandis que le point de jonc- tion entre les résistances 7 et 8 est relié par l'intermédiaire d'une résistance 28c à une borne d'entrée positive 0 du cir- cuit amplificateur opérationnel 28a. le point de jonction entre la source du transistor à effet de champ M0S 3 et la résistance 8 est relié par l'intermédiaire d'une résistance 28d à la borne d'entrée positive G du circuit amplificateur opérationnel 28a dont la borne de sortie est reliée à la borne d'entrée néga- tive G de ce circuit, par une résistance de réaction 28e. Dans ce cas, à la borne de sortie du circuit amplificateur opéra- tionnel 28a, il est obtenu une tension en réponse à la chute de tension dans les résistances 7 et 8. La borne de sortie du circuit amplificateur opérationnel 28a est reliée par l'inter- médiaire d'une résistance 31 à l'émetteur d'un transistor NMN 32 qui constitue un circuit de conversion tension-courant, et le point de jonction-entre les résistances 7 et 8 est relié à la base du transistor 32 dont le collecteur est relié au point de jonction de la diode 25c au circuit à courant constant 29. Dans ce cas, sur le collecteur du transistor 32 on obtient un courant en réponse à la chute de tension dans les résistances 7 et 8. Ce courant est appliqué à la diode 25c qui constitue le circuit à miroir de courant mentionné, afin de commander le courant qui le traverse. En conséquence, les courants passant par les transistors 25a, 30a et 27a, peuvent 8tre commandés par le courant en provenance du transistor 32. Egalement, dans l'exemple de 1' invention représen- té sur la figure 5, la tensioh V4 entre la porte du transistor à effet de champ MOS 4 et le point de jonction de la résistance 7 à la résistance 8, c'est-à-dire la borne de sortie, ainsi que la tension V3 entre la porte du transistor à effet de champ MOS 3 et la borne de sortie, varient comme le montre la figure 4A. En conséquence les courants Ia et Ib passant dans les transis- tors à effet de champ MOS 4 et 3, varient comme le montre la figure 4B, si bien que les transistors à effet de champ MOS 4 et 3 ne sont pas coupés. En outre, du fait que les courants respectifs des transistors 25a et 27a des circuits à miroir de courant, constituant la source de courant variables sont commandés par le courant de commande en provenance du circuit 2481-862 12.- amplificateur opérationnel 28a constituant le circuit de détec- tion de tension 28, et du transistor 32 constituant le circuit de conversion tension-courant pour commander la tension de pola- risation pour les transistors à effet de champ MOS 4 et 3. la continuation des ondes supérieures et inférieures du courant pas- sant par la charge 9 se trouve filtrée. En conséquence, une onde de sortie composite peut être produite dans laquelle l'appari- tion de la distorsion de commutation et la distorsion transver- sale sont supprimées. On comprendra aisément que l'exemple de l'inven- tion représenté sur la figure 5 peut assurer un effet identique à celui de l'exemple représenté sur la figure 3. Un autre exemple de l'invention va être maintenant décrit en se référant à la figure 6, dans laqtelle les éléments correspondant à ceux de la figure 5, sont repérés avec les mêmes références si bien que leur description détaillée sera omise. Dans ltexemple de l'invention représenté sur la figure 6, les signaux de commande pour les sources respectives de courant variable 25 et 27, constituées chacune d'un circuit à miroir de courant, sont détectésséparément. En effet, le point de jonction de la base du transistor 25a à la diode 25c est mis à la terre par l'intermédiaire d'un circuit à courant constant 29a, tandis que le point de jonction de la base 4u transistor 27a à la diode 27c est mis à la terre par lintermé- diaire d'un circuit à courant constant 29b. le point de jonction entre la source du transistor à effet de champ MOS 4 et la ré- sistance 7 est relié par l'intermédiaire d'un montage en paral- lèle d'une diode 33 et d'un condensateur 34, pour polarisation à la base d'un transistor NPN 35 constituant le circuit de dé- tection de tension et le circuit de conversion tension-courant. Le transistor 35 a en outre sa base reliée par un circuit à courant constant 36 à la borne d'alimentation positive +VB, son émetteur relié par l'intermédiaire d'une résistance 37 au point de jonction entre les résistances 7 et 8, et son collec- teur relié au point de jonction de la diode 25c au circuit à courant constant 29a. Dans ce cas, un courant en réponse à la chute de tension dans la résistance 7 appara t au collecteur du transistor 35 et est fourni à la diode 25c. En conséquence, le courant passant à travers la diode 25c constituant le circuit à miroir de courant est commandé par le courant apparaissant 13.- au collecteur du transistor 35, et en conséquence, le courant -passant par le transistor 25a est commandé. Le point de jonc- tion entre la source du transistor à effet de champ MOS 3 et la résistance 8 est connecté par l'intermédiaire d'un montage en parallèle d'une diode 38 et d'un condensateur 39 pour polari- sation à la base d'un transistor PNP 40 constituant le circuit de détection de tension et le circuit de conversion tension- courant. Le transistor 40 a en outre sa base reliée par un circuit à courant constant 41 à la borne d'alimentation néga- tive -VBI son émetteur relié par l'intermédiaire d'une résis- tance 42 au point de jonction entre les résistances 8 et 7, et son collecteur relié au point de jonction de la diode 27a au circuit à courant constant 29b. Dans ce cas, un courant en ré- ponse à la chute de tension dans la résistance 8 apparait au collecteur du transistor 40 et est fourni à la diode 27c. En conséquence le courant passant à travers la diode 27c et cons- tituant le circuit à miroir de courant est commandé par le courant apparaissant au collecteur du transistor 40, et donc le courant passant par le transistor 27a est commandé. Dans l'exemple de l'invention représenté sur la figure 6, similaire à l'exemple représenté sur la figure 5, les chutes de tension dans les résistances 7 et 8 sont détectées * le courant passant à travers les transistors 25a et 27a consti- tuant les sources de courant variable 25 et 27,-sont respecti- vement commandées par les signaux ainsi détectés, si bien que l'on comprendra aisément que l'exemple de la figure 6 présente le même fonctionnement et le même résultat que ceux présentés dans l'exemple de la figure 5. Les figures 7 et 8 montrent respectivement d'au- tres exemples de l'invention. Dans les exemples de l'invention représentés sur les figures 3s 5 et 6, les chutes de tehsion dans les résis tances 7 et 8 sont détectées, mais dans les exemples de l'invention représentés sur les figures 7 et 8, les tensions respectivement appliquées aux portes des transistors à effet de champ MOS 4 et 3 sont détectées pour commander leur tension de polarisation. Dans ce cas, la variation de L\ S par accroissement de DAIL est également détectée, On va maintenant décrire les exemples représentés sur les figures 7 et 8 dans lesquels les éléments correspondants à ceux des figures 3, 5 et 6 sont repérés avec les mêmes réfé- 14.- 2481862 rences et ne seront en conséquence, pas décrits en détails. Dans l'exemple de l'invention représenté sur la figure 7, la borne d'entrée 1 du signal audio est reliée par un montage en série d'une résistance 24 déterminant la polarisa- tion et d'une diode de compensation de température lia à la porte du transistor à effet de champ MOS 4 à canal N qui cons- titue avec le transistor à effet de champ MOS 3 à canal P. le circuit SEPP. le point de jonction entre la diode lia et la porte du transistor à effet de champ MOS 4, est relié au col- lecteur ou à l'électrode de sortie de commande du transistor PNP 25a qui constitue la source de courant variable 25. Le transistor 25a ^ son émetteur relié par l'intermédiaire de la résistance 25b à la borne d'alimentation positive +VB à la- quelle est appliquée la tension continue positive, tandis que sa base est reliée par l'intermédiaire d'un montage en série de la diode 25c et de la résistance 25d à la borne d'alimenta- tion positive ^^V^ et est mise à la terre par l'intermédiaire du circuit de courant constant 29 déterminant la polarisation. Dans ce cas, le circuit à courant constant 29 est construit de façon que son courant puisse être ajusté et le transistor 25a ainsi que la diode 25c constituent le circuit à miroir de cou- rant précédemment mentionné. En outre, la borne d'entrée 1 du signal audio est reliée par l'intermédiaire du montage en série de la résis- tance 26 déterminant la tension de polarisation, et de la diode de compensation de température 11b à la porte du transistor à effet de champ MOS 3 à canal P. Le point de jonction entre la diode llb et la porte du transistor à effet de-champ MOS 3, est relié au collecteur d'un transistor NPN 27a qui constitue la source de courant variable 27. le transistor 27a a son émet- teur relié par l'intermédiaire de la résistance 27b à la borne d'alimentation négative -VB à laquelle est appliquée la tension continue négative, tandis que sa base est reliée par l'intermé- diaire du montage en série de la diode 27c et de la résistance 27d à la borne d'alimentation négative -VB. Le transistor 27a et la diode 27c constituent le circuit à miroir de courant men- tionné ci-dessus. Le point de jonction entre la diode 25c et le circuit à courant constant 29, est relié à la base d'un transistor PNP 30a dont l'émetteur est relié par l'intermédiaire d'une résistance 30b à la borne d'alimentation positive +V tandis que son collecteur servant dtélectrode de sortie, est relié au point de jonction de la base du transistor 27a et de la diode 27c. Dans ce cas, la diode 25c et le transistor 30a constituent un circuit à miroir de courant, tandis que la diode - 25c et le transistor 25a constituent également le circuit à miroir de courant mentionné ci-dessus. En outre, la diode 27e alimentée par le courant de sortie en provenance du transistor a et du transistor 27a, constitue le circuit à miroir de cou- rant mentionné ci-dessus. En conséquence, les courants passant respectivement dans les transistors 25a, 30a et 27a, sont égaux. En outre, le point de jonction de la résistance 24 à la diode lia, est relié à la base d'un transistor NPN 43 qui constitue le circuit de détection de tension et de conver- sion tensimmeourant et qui a son émetteur relié par l'intermé- diaire d'une résistance 44 au point de jonction entre les résistances 7 et 8, tandis que son collecteur est relié au point de jonction de la diode 250 au circuit à courant constant 29. Dans ce cas, un courant en réponse à la tension au point de jonction de la résistance 24 à la diode lia peut être obtenu sur le collecteur du transistor 43. En outre, le point de jonction de la résistance 26 à la diode 11b est relié à la base d'un transistor PNP 45 qui constitue le circuit de détection de tension et de conversion tension-courant qui a son émetteur relié par l'intermédiaire d'une résistance 46 au point de jonc- tion entre les résistances 7 et 8 et son collecteur relié par l'intermédiaire d'un montage en série d'une diode 47a et d'une résistance 47b à la borne d'alimentation négative -VB et égale- ment à la base d'un transistor NPN 47c qui avec la diode 47a constituent. un circuit à miroir de courant 47. Le transistor 47c a son émetteur relié par l'intermédiaire d'une résistance 47d à la borne d'alimentation négative -VB, tandis que son collec- teur est relié au point de jonction de la diode 25c au circuit à courant constant 29. Dans ce cas, un courant en réponse à la tension au point de jonction de la résistance 26 à la diode 1lb peut être obtenu sur le collecteur du transistor 45 et le circuit à miroir de courant 47 sert de courant d'inversion de phases pour le courant apparaissant au collecteur du transistor 45. Dans ce cas, la diode 25e est alimentée avec un courant en réponse à la tension de porte du transistor à effet de champ MOS 4 ou 3, pour contr8ler le courant passant dans la diode 25c 15.- 16.- 2481862 constituant le circuit à miroir de courant, si bien que les courants passant dans les transistors 25a, 30a, 27a peuvent être commandés. Egalement dans l'exemple de l'invention représen- té sur la figure 7, la tension V4 entre la porte du transistor à effet de champ MOS 4 et le point de jonction de la résistance 7 à la résistance 8, c'est-à-dire la borne de sortie, ainsi que la tension V entre la porte du transistor à effet de champ MOS 3 et la borne de sortie, varient comme le montre la figure 4A. En conséquence les courants Ia et Ib passant dans les transis- tors à effet de champ MOS 4 et 3, varient comme le montre la figure 4B, si bien que les transistors à effet de champ MOS 4 et 3 ne sont pas coupés. En outre, du fait que les courants res- pectifs des transistors 25a et 27a sont commandés par les si- gnaux de-sortie en provenance des transistors 43 et 45 cons- tituant le circuit de détection de tension et de conversion tensioncourant, pour commander la tension de polarisation pour les transistors à effet de champ MOS 4 et 3, la continuation des ondes supérieures et inférieures du courant traversant la charge 9 se trouve filtrée. En conséquence, on peut obtenir une onde de sortie composite dans laquelle l'apparition de la distrosion de commutation et de la distorsion transversale est supprimée. On comprendra aisément que l'exemple de l'inven- tion représenté sur la figure 7 peut assurer le même résultat que celui assuré par l'exemple représenté sur la figure 3. La figure 8 montre un autre exemple de 1' inven- tion qui est prévu pour simplifier encore l'exemple de la figure 7. Sur la figure 8, les éléments correspondants à ceux de la figure 7 sont repérés avec les mêmes références et en conséquence, leur description détaillée sera omise. Dans l'exemple de la figure 8, le collecteur du transistor 45 est relié au point de jonction entre la diode 27c et la base du transistor 27a pour faire passer par le transis- for 27a un courant en réponse à la tension apparaissant entre la résistance 26 et la diode 1lb, et le circuit à courant cons- tant 29 pour régler le courant de polarisation est connecté entre les bases des transistors 25a et 27a. Avec l'exemple de la figure 8, du fait que les courants en réponse aux tensions aux bornes des résistances 24 et 26 passent respectivement par 17.- les transistors 25a, 2Ya, on comprendra aisément que cet exemple de la figure 8 peut présenter le m9me fonctionnement et les mêmes résultats que celui de la figure 7. Dans les exemples de l'invention décrits ci-dessus, deux résistances 24 et 26 sont prévues et le signal d'entrée est appliqué au point de jonction entre elles. Mais il est toutefois possible d'utiliser une résistance unique à la place des deux résistances, et le signal d'entrée est appliqué aux deux extrémités de cette résistance unique avec le même résul- tat. Il peut 9tre également possible qu'à la place des transistors à effet de champ MOS servant de transistors de sortie, un autre type de transistors tels que des transistors bipolaires, etc..., soient utilisés si nécessaire avec les mêmes résultats. Il est évident que de nombreuses modifications et variantes peuvent 8tre apportées par un spécialiste sans sortir de l'esprit ou du cadre de la présente invention, si bien que cet esprit et ce cadre doivent être déterminés uni- quement par les revendications ci-jointes, 18.- 2481862 R E V E N D I C A T I 0 N S 1.- Circuit de polarisation comportant: a) une première et une seconde bornes d'alimentation en tension continue, b) un premier et un second transistors de sortie comportant cha- cun une électrode d'entrée, dont les électrodes d'entrée sont connectées par l'intermédiaire d'une première résistan- ce et dont les trajets de courant principaux sont connectés en série entre la première et la seconde bornes d'alimenta- tion en tension continue par l'intermédiaire d'une seconde et d'une troisième résistances, le point de jonction de cette seconde et de cette troisième résistances étant une borne de sortie de signaux, c) un moyen d'introduction de signaux pour fournir un signal d'entrée à amplifier aux électrodes d'entrée du premier et du second transistors de sortie d) une troisième et une quatrième bornes d'alimentation en tension continue, e) un circuit de connexion en série constitué d'une première source de courant variable, de la première résistance et d'une seconde source de courant variable et connecté entre la troisième et la quatrième bornes d'alimentation en tension continue, f) des moyens de détection de tension pour détecter l'une quel- conque des tensions aux bornes de la seconde et de la troi- sième résistances ou l'une quelconque des tensions appliquées aux électrodes d'entrée du premier et du second transistors de sortie, circuit de polarisation caractérisé en ce qu'il comporte: g) des moyens de commande pour commander la première ou la se- conde source de courant variable en accord avec le signal de sortie des moyens de détection de tension. 2.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que les moyens de détection de ten- sion détectent les tensions aux bornes de la seconde et de la troisième résistances, la première et la seconde sources de courant variable étant simultanément commandées par la sortie de ces moyens de détection de tension. 3.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 2, caractérisé en ce que les moyens de détection de tension 19.- 2481862 comportent un amplificateur opérationnel ayant une borne d'entrée positive et une borne d'entrée négative ainsi qu'une borne de sortie, sa borne d'entrée négative étant connectée à une borne, éloignée de la borne de sortie de signaux, de la seconde résis- tances tandis que sa borne positive d'entrée est connectée à une borne, éloignée de la borne de sortie de signaux, de la troisième résistance. 4.Circuit de polarisation selon la revendication 3, caractérisé en ce que les moyens de commande comportent un premier transistor ayant une électrode d'entrée connectée à la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel, et une électrode de sortie connectée à la première et à la seconde sources de courant variable. 5.- Circuit de polarisation selon la revendication 4, caractérisé en ce que le premier transistor est du type NPN et à une base un émetteur et un collecteur, sa base étant con- nectée à la borne de sortie de signaux, son émetteur étant con- necté à la borne de sortie de l'amplificateur opérationnel, et sa sortie de collecteur commandant simultanément la première et la seconde sources de courant variable. 6.- Circuit de polarisation selon la revendication , caractérisé en ce que la première source de courant variable comporte un premier circuit à miroir de courant ayant une borne d'entrée connectée à la sortie de l'amplificateur opérationnel et une borne de sortie connectée au point de jonction de la première résistance et de l'électrode d'entrée du premier tran- sistor de sortie. 7.- Circuit de polarisation selon la revendication 6, caractérisé en ce que la seconde source de courant variable comporte: a) un second circuit à miroir de courant connecté en parallèle avec le premier circuit à miroir de courant et comportant une borne d'entrée connectée à la borne de sortie de l'amplifica- teur opérationnel, ainsi qu'une borne de sortie. b) un troisième circuit à miroir de courant connecté en série avec le premier et le second circuits à miroir de courant et comportant une borne d'entrée connectée à la borne de sortie du second circuit à miroir de courant ainsi qu'une bor- ne de sortie connectée au point de jonction de la première résistance et de l'électrode d'entrée du second transistor 20.- de sortie. 8.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 7, caractérisé en ce que le premier circuit à miroir de courant comporte un second transistor ayant une base, un émet- teur et un collecteur, dont le connecteur et l'émetteur sont connectés entre la troisième borne d'alimentation en tension continue et le point de jonction de la première résistance avec l'électrode d'entrée du premier transistor de sortie respecti- vement, et une première diode connectée entre la troisième borne d'alimentation en tension continue et la base du second tran- sistor, le point de jonction de cette première diode avec la base du second transistor constituant la borne d'entrée du pre- mier circuit à miroir de courant, tandis que le collecteur du second transistor constitue la borne de sortie du premier cir- cuit à miroir de courant, 9.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 8, caractérisé en ce que le second circuit à miroir de courant comporte un troisième transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur, dont l'émetteur et le collecteur sont connectés entre la troisième borne d'alimentation en ten- sion continue et la borne de sortie du troisième circuit à mi- roir de courant respectivement, tandis que la première diode est connectée entre l'émetteur et la base de ce troisième tran- sistor, 10.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 9, caractérisé en ce que le troisième circuit à miroir de courant comporte un quatrième transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur, dont le collecteur et l'émetteur sont connectés entre le point de jonction de la première résis- tance avec l'électrode d'entrée du second transistor de sortie, et la quatrième borne d'alimentation en tension continue respec- tivement, tandis qu'une seconde diode est connectée entre la base et l'émetteur de ce quatrième transistor, le point de jonction de cette seconde diode et de la base de ce quatrième transistor constituant la borne d'entrée de ce troisième circuit à miroir de courant, tandis que le collecteur de ce quatrième transistor constitue la borne de sortie de ce troisième circuit à miroir de courant. 11,- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 8, caractérisé en ce que la première diode est une diode 21.connectée entre l'émetteur et la base du troisième transistor avec un sens de polarisation vers l'avant. 13.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 10, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, un circuit à courant constant connecté entre le point de jonction des bases du second et du troisième transistors, et un point de ré- férence, respectivement, pour fournir des courants de polarisa- tion au second et au troisième transistors. 14.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que chaque premier et second transis- tors de sortie est un transistor à effet de champ NOS. 15.- Circuit de polarisation selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de détection de tension, détectent indépendamment les tensions aux bornes de la première et de la seconde résistance, la première et la seconde source de courant variable étant commandées indépendamment par les sorties de ces moyens de détection de tension. 16.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 15, caractérisé en ce que les moyensJde détection de ten- sion comportent: a) un premier transistor ayant une base, un émetteur et un col- lecteur dont la base et l'émetteur sont connectés aux bornes de la seconde résistance, b) un second transistor ayant une base, un émetteur et un col- lecteur dont la base et l'émetteur sont connectés aux bornes de la troisième résistance, 17.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 16, caractérisé en ce que la première source de courant variable comporte un troisième transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur dont l'émetteur et le collecteur sont connectés entre la troisième borne d'alimentation en ten- sion continue et le point de jonction de la première résistance avec l'électrode d'entrée du premier transistor de sortie, une première diode connectée entre la troisième borne d'alimentation en tension continue et la base du troisième transistor, et un premier circuit à courant constant connecté entre le point de jonction de la première diode avec la base du troisième transis- tor et un point de référence, les moyens de commande comportant une connexion de circuit entre le collecteur du premier transis- tor et le point de jonction de la première diode avec le premier 22.- circuit à courant constant. 18.- Circuit de polarisation selon la revendication 17, caractérisé en ce que la seconde source de courant variable comporte un quatrième transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur, dont le collecteur et l'émetteur sont connectés entre le point de jonction de la première résistance avec l'élec- trode d'entrée du second transistor de sortie et la quatrième borne d'alimentation en tension continue, une seconde diode étant connectée entre la quatrième borne d'alimentation en tension continue et la base de ce quatrième transistor, et un second cir- cuit à courant constant étant connecté entre le point de jonction de cette seconde diode avec la base du second transistor, et le point de référence, tandis que les moyens de contr8le compor- tent une connexion de circuit entre le collecteur du second transistor et le point de jonction du second circuit à courant constant avec la seconde diode. 19.- Circuit de polarisation selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, un circuit de connexion en série constitué d'un troisième circuit à courant constant et d'une troisième diode et connecté entre la troisième borne d'alimentation en tension continue et le point de jonc- tion de la seconde résistance avec le premier transistor de sor- tie, le point de jonction de la troisième source de courant constant et de la troisième diode, étant relié à la base de ce premier transistor pour lui fournir une tension de polarisation. 20.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 19, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, un circuit de connexion en série constitué qu'un quatrième circuit à cou- rant constant et d'une quatrième diode, et connecté entre la quatrième borne d'alimentation en tension continue et le point de jonction de la troisième résistance avec le second transis- tor de sortie, le point de jonction de ce quatrième circuit à courant constant avec la quatrième diode, étant relié à la base de ce second transistor pour lui fournir un circuit de polarisa- tion. 21.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que les moyens de détection de ten- sion détectent la tension entre l'électrode d'entrée du premier transistor de sortie et la borne de sortie de signaux, ainsi que la tension entre l'électrode d'entrée du second transistor de 248 1862 23.- sortie et la borne de sortie de signaux, la première et la se- conde sources à courant variable étant commandées- simultanément par la sortie de ces moyens de détection de tension. 22.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 21, caractérisé en ce que les moyens de détection de ten- sion comportent un premier transistor ayant une base, un émet- teur et un collecteur, sa base étant connectée à l'électrode d'entrée du premier transistor de sortie, tandis que son émet- teur est connecté à la borne de sortie de signaux, et ces moyens de détection de tension comportant un second transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur, sa base étant connectée à l'électrode d'entrée du second transistor de sortie tandis que son émetteur est connecté à la borne de sortie de signaux. 23.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 22, caractérisé en ce que la première source de courant variable comporte un premier circuit à miroir de courant ayant une borne d'entrée connectée au collecteur de ce premier tran- sistor et une borne de sortie connectée au point de jonction de la première résistance et de l'électrode d'entrée du premier transistor de sortie. 24.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 23, caractérisé en ce que la seconde source de courant va- riable comporte un second circuit à miroir de courant ayant une borne d'entrée et une borne de sortie connectées au point de jonction de la première résistance et de l'électrode d'entrée du second transistor de sortie. 25.- Circuit-de polarisation selon la revendica- tion 24, caractérisé en ce que les moyens de commande comportent un troisième circuit à miroir de courant ayant une borne d'en- trée connectée au collecteur du premier transistor et une borne de sortie connectée à la borne d'entrée du second circuit àdmi- roir de courant, et un quatrième circuit à miroir de courant ayant une borne d'entrée connectée au collecteur du second tran- sistor et une borne de sortie connectée à la borne d'entrée du troisième circuit à miroir de courant, 26.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 23, caractérisé en ce que le premier circuit à miroir de courant comporte: - a) un troisième transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur, dont le collecteur et l'émetteur sont connectés entre la troisième borne d'alimentation en tension continue et le point de jonction de la première résistance avec l'é- lectrode d'entrée du premier transistor de sortie, h) une première diode connectée entre la troisième borne d'ali- mentation en tension continue et la base du troisième tran- sistor, le point de jonction de cette première diode et de la base de ce troisième transistor, constituant la borne d'entrée de ce premier circuit à miroir de courant, tandis que le collecteur de ce troisième transistor constitue la borne de sortie de ce premier circuit à miroir de courant. 27.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 24, caractérisé en ce que le second circuit à miroir de courant comporte: a) un quatrième transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur, dont le collecteur et l'émetteur sont connectés entre le point de jonction de la première résistance avec l'électrode d'entrée du second transistor de sortie et la quatrième borne d'alimentation en tension continue, b) une seconde diode connectée entre la base du quatrième tran- sistor et la quatrième borne d'alimentation en tension-con- tinue, le point-de jonction de la base de ce quatrième tran- sistor et de cette seconde diode constituant la borne d'en- trée du second circuit à miroir de courant, tandis que le collecteur de ce quatrième transistor constitue la borne de sortie du second cir icuit à miroir de courant. 28.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 279 caractérisé en ce que le troisième circuit à miroir de courant comporte un cinquième transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur, dont l'émetteur et la base sont connectés entre la troisième borne d'alimentation en tension continue et le point de jonction de la seconde diode avec la base du troisième transistor, la première diode étant connectée entre la troisième source de tension continue et la base du cinquième transistor, le point de jonction de la première diode et de la base du cinquième transistor constituant la borne d'en- trée de ce troisième circuit à miroir de courant, tandis que le collecteur du cinquième transistor constitue la borne de sortie de ce troisième circuit à miroir de courant. 29.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 28, caractérisé en ce que le quatrième circuit à miroir de 24.- 248 1862 25.- courant comporte: a) un sixième transistor ayant une base, un émetteur et un col- lecteur, dont le collecteur et l'émetteur sont connectés en- tre le point de jonction de la première diode avec la base du cinquième transistor et la quatrième borne d'alimentation en tension continue, b) une troisième diode connectée entre la base de ce sixième transistor et la quatrième borne d'alimentation en tension continue, le point de jonction de cette troisième diode avec la base de ce sixième transistor constituant la borne d'en- trée du quatrième circuit à miroir de courant, tandis que le collecteur de ce sixième transistor constitue la borne de sortie de ce quatrième circuit à miroir de courant. 30.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 26, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, un circuit à courant constant connecté entre les bornes d'entrée-du pre- mier et du troisième circuits à miroir de courant et un point de référence pour fournir un courant de polarisation à celui- ci. 31.- Circuit de polarisation selon la revendication 21, caractérisé en ce que le premier et le second transistors de sortie sont chacun un transistor à effet de champ MOS. 32.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que les moyens de détection de ten- sion détectent indépendamment les tensions entre les électrodes d'entrée du premier et du second transistors de sortie et la borne de sortie de signaux, tandis que la première et la seconde sources de courant variable sont commandées indépendamment par la sortie de ces moyens de détection de tension. 33.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 32, caractérisé en ce que les moyens de détection de ten- sion comportent un premier transistor ayant une base, un émet- teur et un collecteur, dont la base est connectée à l'électrode d'entrée du premier transistor de sortie tandis que son émetteur est connecté à la borne de sortie de signaux, et comportent un second transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur, dont la base est connectée à l'électrode d'entrée du second transistor de sortie, tandis que son émetteur est connecté à la borne de sortie de signaux, 34.- Circuit de polarisation selon la revendica- 26.- 248 1862 tion 33, caractérisé en ce que la première source de courant va- riable comporte un premier circuit à miroir de courant ayant une borne d'entrée connectée au collecteur du premier transis- tor et une borne de sortie connectée au point de jonction de la première résistance avec l'électrode d'entrée du premier transistor de sortie. 35.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 34, caractérisé en ce que la seconde source de courant va- riable comporte un second circuit à miroir de courant ayant une borne d'entrée connectée au collecteur du second transistor et une borne de sortie connectée au point de jonction de la seconde diode avec l'électrode d'entrée du second transistor de sortie. 36.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 35, caractérisé en ce que les moyens de commande comportent une connexion de circuit entre le collecteur du premier transis- tor et la borne d'entrée du premier circuit à miroir de courant, et comportent une connexion de circuit entre le collecteur du second transistor et la borne d'entrée du second circuit à mi- roir de courant. 37.- Circuit de polarisation selon la revendication 34, caractérisé en ce que le premier circuit à miroir de cou- rant comporte: a) un troisième transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur dont l'émetteur et le collecteur sont connectés entre la troisième borne d'alimentation en tension continue et le point de jonction de la première résistance avec l'é- lectrode d'entrée du premier transistor de sortie, b) une première diode connectée entre la troisième borne d'ali- mentation en tension et la base du troisième transistor, le point de jonction de la première diode et de la base de ce troisième transistor constituant la borne d'entrée du premier circuit à miroir de courant, tandis que le collecteur de ce troisième transistor constitue la borne de sortie du premier circuit à miroir de courant. 38.- circuit de polarisation selon la revendica- tion 35, caractéfisé en ce que le second circuit à miroir de courant comporte: a) un quatrième transistor ayant une base, un émetteur et un collecteur, dont le collecteur et l'émetteur sont connectés 248 1862 27.- entre le point de jonction de la première résistance avec l'électrode d'entrée du second transistor de sortie et la quatrième borne d'alimentation en tension continue, b) une seconde diode connectée entre la base du quatrième tran- sistor et la quatrième borne d'alimentation en tension conti- nue, le point de jonction de la base de ce quatrième transis- tor et de cette seconde diode constituant la borne d'entrée du second circuit à miroir de courant, tandis que le collec- teur de ce quatrième transistor constitue la borne de sortie de ce second circuit à miroir de courant. 39.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 35, caractérisé en ce qu'il comporte en outre, une source de courant constant connectée entre les bornes d'entrée du pre- mier et du second circuits à miroir de courant pour leur four- nir un courant de polarisation. 40.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 32, caractérisé en ce que le premier et le second transis- tors de sortie, sont chacun un transistor à effet de champ MOS. 41.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 30, caractérisé en ce que ces transistors à effet de champ MOS sont connectés entre la première et la seconde bornes d'ali- mentation en tension continue avec un équilibrage complémentaire. 42.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que le circuit de connexion en série comporte en outre une diode prévue pour une compensation de tem- pérature, cette diode étant connectée en série avec la première résistance entre les électrodes d'entrée du premier et du second transistors de sortie. * 43.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 15, caractérisé en ce que le circuit de connexion en série comporte en outre, une diode pour une compensation de température, cette diode étant connectée en série avec la première résistance entre les électrodes d'entrée du premier et du second transis- tors de sortie. 44.- Circuit de polarisation selon la revendication 21, caractérisé en ce que le circuit de connexion en série, comporte en outre, une diode pour une compensation de tempéra- ture, cette diode étant connectée en série avec la première ré- sistance entre les électrodes d'entrée du premier et du second transistors de sortie. 28.- 2481862 45.- Circuit de polarisation selon la revendica- tion 32, caractérisé en ce que le circuit de connexion en série comporte en outre, une.diode pour une compensation de tempéra- ture, cette diode étant connectée entre les électrodes d'entrée du premier et du second transistors de sortie.