FR 2471080 A1 19810612 FR 7929808 A 19791128 l 2471080 Description Domaine Technique La présente invention concerne le domaine des circuits d'interface, c'est-à-dire qui définissent les échanges de signaux binaires entre deux équipements informatiques; elle concerne plus particulièrement des circuits d'interface conformes aux normes internationales notamment EIA RS 232C ou CCITT V24. C'est grâce à l'existence de ces normes, acceptées par tous les constructeurs que les équipements d'origine différente peuvent être interconnectés. Ces circuits d'interface ont donc un rôle capital et leur utilisation fréquente: en particulier entre un terminal et un modem, une série de modems et un concentrateur téléphonique, etc. Cette norme EIA définit les procédures d'échange et les caractéristiques électriques des signaux (tensions, im- pédances,...). De façon plus détaillée, ces signaux binaires ont la particu- larité d'être différents des signaux binaires utilisés à l'intérieur des machines, et ne sont liés à aucune technologie: TTL, ECL,..., ils se définissent ainsi 1) les niveaux: la plage positive est comprise dans la gamme +5 à +15 volts, la plage négative est comprise dans la gamme de -5 à -15 volts, entre ces deux plages (ce qui inclu le 0 volt) se trouve la plage interdite. 2) l'impédance d'entrée des récepteurs doit être résistive avec 3 kM 3) la pente doit être contrôlée. La tension de sortie lors des transitions entre l'état haut et l'état bas doit varier à une vitesse bien définie comprise entre un minimum et un maximum très étroitement spécifiés, ceci pour permettre une cadence de signaux suffisamment 2 2471080 élevée et cependant éviter les phénomènes connus de diaphonie que produiraient des flancs trop raides. Cette pente Av/At du signal de sortie devra être rela- tivement indépendante (dans certaines limites) de la charge appliquée sur la sortie. 4) le circuit d'interface doit supporter un court-circuit accidentel à une tension quelconque comprise entre +15 volts et -15 volts. ) Surtension: La machine dans laquelle sont montés de tels circuits d'interface étant hors tension, le circuit doit également supporter une tension appliquée sur sa sortie de l'extérieur, et comprise entre -15 volts et +15 volts, ce quel que soit l'état logique des entrées, et que le circuit soit sous tension ou non. L'application d'une telle tension ne doit pas occasionner des courants de court-circuits ou des échauffements excessifs, ou causer la destruction du circuit ou des cellules de liaison. 6) A la mise sous tension de la machine, des moyens seront prévus, pour qu'aucun signal parasite ne soit transmis en sortie. Accessoirement un état haute impédance sera possible pour permettre les applications en parallèle (mode dit: Tristate). 7) Lorsque la machine n'est pas sous-tension les sorties doivent présenter une impédance au moins égale à 300. Etat de la Technique De nombreux exemples de circuits d'interface existent dans le commerce. Ce sont des circuits spécifiques, relativement simples et bon marché mais qui présentent généralement des inconvénients importants: 1) Faible densité: souvent deux circuits d'interface par module. 3 2471080 2) Nécessité d'utiliser des composants extérieurs s'il s'agit de circuits intégrés en ce qui concerne des fonctions annexes: contrôle du flanc de montée (par une capacité), de protection contre d'éventuelles surtensions (par des diodes), suppression des parasites à la mise sous- tension. 3) Fortes tensions d'alimentation: ces circuits sont compatibles seulement avec des tensions d'alimentation élevées IVCCI > 12V, alors que la tendance actuelle est d'évoluer vers des tensions d'alimentation plus faibles (par exemple 8V), ce qui est avantageux pour la consom- mation électrique, et la dissipation thermique, mais apparaît difficile à mettre en oeuvre quand on sait que pour être conformes les signaux doivent être compris entre 5V et 15V. En d'autres termes la tension de déchet devra être aussi réduite que possible. 4) Ils nécessitent fréquemment une séquence particulière pour la mise sous tension. ) Faibles courants de sortie. On pourra trouver dans le Texas Handbook, pages 3149 et 3150 la description d'un circuit d'interface (line driver) et ses caractéristiques. On remarquera que ce circuit n'est pas compatible avec toutes les technologies (par exemple ECL), que la limitation de fréquence (slew rate) s'effectue par une capacité extérieure, ce qui nécessite une adaptation pour chaque cas particulier (ligne, client,...). Il nécessite des tensions d'alimentation élevées ( 12V), et ne peut fonctionner en "tristate". Enfin c'est un circuit qui consomme beaucoup de courant. Exposé de l'invention Un premier objet de l'invention consiste dans la réalisation d'un circuit d'interface conforme au cahier des charges de la norme EIA 232C (CCITT V24 et V28) dont les caractéristiques 4 2471080 ont été énoncées ci-dessus. Un autre objet de l'invention consiste dans la réalisation d'un circuit d'interface bon marché à forte densité d'inté- gration et monolithique, c'est-à-dire sans composants extérieurs, ni réglage, susceptible d'âtre réalisé dans toute technologie bipolaire classique avec des rendements de fabrication élevés. Encore un autre objet de l'invention consiste dans la réalisation d'un circuit d'interface qui s'adapte à tous les circuits quelle que soit leur technologie (TTL, ECL, etc.) et qui fonctionne avec des tensions d'alimentation + Vcc relativement basses. Encore un autre objet de l'invention consiste dans la réalisation d'un circuit d'interface qui puisse fournir un courant de sortie important sur les lignes (10-2OmA) pour un câble capacitif d'une certaine longueur. La présente invention qui sera décrite en détail ci-après - est essentiellement fondée sur l'idée d'adapter un amplifica- teur opérationnel à la fonction spécifique de circuit d'inter- face. La transposition d'un amplificateur opérationnel couramment (mais exclusivement) utilisé dans des applications analogiques, comme circuit d'interface logique comme proposé ici n'apparaît pas évidente. Cependant elle apparaît suscep- tible de présenter des points positifs très intéressants qui seront détaillés ci-après. Enfin les amplificateurs opéra- tionnels sont des circuits bien connus très largement utilisés dans l'industrie électronique, hautement perfectionnés, très intégrés, par conséquent consommant peu; il est donc avanta- geux de garder la structure de base d'un amplificateur opéra- tionnel et de lui apporter les modifications nécessaires pour le transformer en circuit d'interface, qui devient alors performant, bon marché et à haute densité d'intégration. La présente invention telle qu'elle est caractérisée dans 2471080 les revendications résout les inconvénients posés pour les circuits d'interface de l'art antérieur. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. Brève Description des Figures La figure 1 montre le schéma synoptique ou bloc diagramme d'un amplificateur opérationnel classique de l'art antérieur qui met en évidence les différentes fonctions consécutives. La figure 2 montre la réalisation pratique d'un amplificateur opérationnel, sous forme de circuit électrique tel qu'il pourrait être réalisé dans une technologie bipolaire à transistors complémentaires PNP+NPN. La figure 3 montre le schéma synoptique de l'amplificateur opérationnel représenté sur la figure i auquel on a apporté un certain nombre de modifications pour que le circuit puisse fonctionner en circuit d'interface conforme aux normes EIA. La figure 4 montre la réalisation pratique du circuit d'inter- face tel qu'il pourrait être réalisé dans une technologie bipolaire à transistors complémentaires NPN+PNP. La figure 5 montre le détail dans la structure du circuit de protection XI montré sur la figure 3, des moyens de protection avec leurs dispositifs parasites associés. Description de l'Invention Les figuresi1 et 2 montrent respectivement le bloc diagramme d'un amplificateur opérationnel de la technique antérieure mettant en évidence les fonctions élémentaires et son schéma 6 2471080 de réalisation sous forme de circuit électrique. De façon bien connue, un tel amplificateur opérationnel com- porte un convertisseur différentiel d'entrée (I) muni de deux entrées Eet E+ dont la sortie attaque un circuit correcteur de fréquence (II), après mise en forme le signal est amplifié en tension (III) et attaque deux circuits suiveurs positifs (IV) et négatifs (V), puis un circuit limiteur de courant (VI). Le signal de sortie est disponible sur la borne O. L'ensemble du bloc est polarisé entre deux tensions symétriques d'alimentation V+ et V-, il comprend en outre un dispositif de polarisation (VII) des blocs (I) et (II). La figure 2 montre un exemple pratique de réalisation, on voit que le bloc correcteur de fréquence se réduit pratiquem- ent à une capacité C. Un amplificateur opérationnel très voisin est décrit dans l'IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 2, No.2, juillet 1979, pages 610 et 611, un article de F. Delaporte et J.P. Pantani intitulé "Antisaturation Circuit For an Operational Amplifier". Les modifications portent sur le circuit d'entrée (suppression de T2, T3, T4, D27 et D28) et le circuit de polarisation (suppression de T8, T9 et T15). L'utilisation d'un tel amplificateur opérationnel apporte d'abord les avantages suivants: - L'existence de deux entrées différentielles E- et E+ permet de relier une des entrées (E+) à une tension de référence VREFr ce qui permet à l'amplificateur opérationnel d'accepter comme étage précédent, tout circuit quel que soit sa technologie (ECL, TTL, FET,...), il suffit de choisir pour V F la tension apppropriée à la technologie du circuit amont. - Un courant d'entrée faible, ce qui contribue également à 7 2471080 faciliter l'adaptation aux différentes technologies. - L'impédance de sortie est également faible, grâce.à la présence des étages suiveurs (IV et V). - Il est muni d'un limitateur de courant (bloc VI} indispen- sable dans l'hypothèse o accidentellement la sortie O et la tension d'alimentation (V- ou V+) serait court-circuitée. - Le contrôle de la pente: un amplificateur opérationnel est équipé d'un circuit correcteur de fréquence qui a pour but de rendre le circuit stable lorsqu'il est inséré dans une boucle fermée (contre-réaction). Ce circuit correcteur a pour effet secondaire de limiter la pente du signal de sortie. Ce qui est un inconvénient majeur pour un amplificateur opérationnel se trouve être un avantage majeur dans la présente invention. Alors que les constructeurs d'amplificateurs opéra- tionnels s'efforcent de minimiser ce défaut, dans la présente invention les éléments électriques courants, tensions, résis- tances, capacités sont calculés de façon précise pour que les spécifications précitées soient satisfaites. - Le contrôle de la polarisation: un amplificateur opération- nel est équipé d'un dispositif de polarisation qui a pour but de placer avec précision le circuit de sortie en classe AB. Bien que ce ne soit pas le but d'un tel circuit dans un ampli- ficateur opérationnel il se trouve qu'il a également pour effet de placer l'ensemble du circuit en haute impédance si cette polarisation est coupée. Une des idées de base de la présente invention est donc de détourner de son but initial le dispositif de polarisation et de modifier le circuit pour rendre cette polarisation contrôlable à partir d'un circuit extérieur. Ainsi, on aura la possibilité, lors de la mise sous-tension ou lors du fonctionnement en "tristate", de bloquer l'émission 8 2471080 de signaux par ce circuit pendant tout le laps de temps souhaitable. En regard cependant des avantages ci-dessus un amplificateur opérationnel pris tel quel présenterait de graves inconvénients car il ne dispose pas de circuits de protection contre les surtensions susceptibles de se produire sur les lignes de transmission ou au cours des manipulations effectuées sur les machines et non polarisé, il présenterait sur sa sortie une faible impédance incompatible avec les exigences des spécifications précitées. Un amplificateur opérationnel classique ne pourrait donc en aucun cas satisfaire aux contraintes édictées par le cahier des charges de la norme EIA. Description d'un Mode Préféré de Réalisation Un circuit d'interface intégré monolithique conforme aux normes EIA construit autour d'un amplificateur opérationnel modifié pour tenir compte desdites normes va être décrit ci- dessous en référence aux figures 3 et 4. A. PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS POSITIVES Le bloc VIII a pour objet de protéger le circuit d'interface contre d'éventuelles surtensions provoquées par des tensions appliquées sur la borne de sortie O, de valeurs supérieures à la tension d'alimentation V+, ce qui est prévu dans le cahier des charges puisque le circuit d'interface doit pouvoir supporter les surtensions de +15V appliquées sur la borne O, alors que la tension d'alimentation peut être relativement plus faible par exemple V+ = +8V. L'application d'une telle surtension a un amplificateur opérationnel conventionnel du genre de celui représenté à la figure 2 aurait pour effet de polariser en direct les jonctions base- collecteur des transistors T12 et T15 connectés selon un montage Darlington inversé et ainsi d'établir une liaison à 9 2471080 faible impédance entre la sortie et le V+. Les. courants excessifs qui se développeraient alors, conduiraient à la destruction des circuits. Pour éviter cette destruction, une diode anti-retour Dl est disposée en série dans l'alimentation V+ (figure 4). Cependant, la réalisation de cette diode présente des difficultés technologiques: la tension de claquage émetteur-base d'un transistor NPN dont la jonction collecteur-base serait court- circuitée, qui constitue la diode normalement utilisée en circuit monolithique, est trop faible (quelques volts). la tension de claquage collecteur-base est meilleure mais cette jonction cause un courant de fuite vers le substrat, important qui augmente excessivement la dissipation du circuit. Une solution originale consiste à utiliser un transistor PNP monté en diode, l'émetteur formant l'anode, la base et le collecteur sont courtcircuitées et forment la cathode. Une tension de claquage satisfaisante et un courant de fuite faible, malgré une surface plus importante, caractérisent cette diode. Cependant, l'application de surtensions positives, malgré la présence de la diode anti-retour Dl, produit encore d'autres effets nuisibles. En effet, la surtension était, avant correction, transmise au V+ à travers les deux transistors T12 et T15 montés en Darlington comme mentionné cidessus et fonctionnant en inverse. Ils fournissaient alors un courant appréciable au substrat provoquant une dissipation indésirable non négligeable. L'action de la diode Dl peut être accrue grâce à un dispositif de dérivation (bloc IX) vers le V+. Dans une réalisation préférée, on dispose une diode de dérivation D2 qui commence à conduire à environ 0,8V, qui ne laisse pas le recul de tension nécessaire au circuit Darlington 2471080 pour conduire. Cette diode de dérivation bloque en fait les transistors PNP parasites (non représentés) formés à partir des transistors T12 et T15 avec l'isolation (base, collecteur, isolation). En d'autres termes, D2 assure un court-circuit pour le courant de sortie et empêche les transistors inverses d'être polarisés en direct, bloquant ainsi tout courant vers le substrat. Cette diode peut être réalisée facilement en reliant le lit d'épitaxie dans lequel la résistance R14 est diffusée (ou implantée) à la ligne V+ du circuit. Enfin les protections indispensables peuvent être complétées en protégeant de façon particulière les transistors PNP T13 et T14. En effet, pour les transistors PNP les tensions de claquage sont souvent de valeurs inégales, les déficiences sont détectées lors du test et de nombreuses microplaquettes -sont alors rejetées, ce qui conduit à de faibles rendements de fabrication. Il est donc souhaitable que les déficiences (fréquentes) en tension de claquage des transistors PNP n'aient pas une influence excessive sur le taux de rejet. Le transistor PNP de sortie T14 a été trouvé particulièrement critique du fait que le moindre courant de fuite de sa part se retrouve dans la base du NPN de sortie T13 puis multiplié par le gain bêta (100 à 200) de ce dernier. La solution adoptée consiste à proposer des moyens de protection (bloc X) de l'étage de sortie et plus précisément à placer un second transistor PNP T19 en parallèle sur le premier et servant de témoin de courant de fuite. Le courant de fuite de ce transistor T19 est injecté soit dans un réflecteur de courant soit directement dans la base d'un transistor NPN T20 qui agit comme réflecteur-amplificateur. Ce transistor T19 est tel que sa base est reliée soit à la borne de sortie soit à la base de T14 et de préférence T14 et T19 sont appairés. Dans l'un ou l'autre cas, le transistor T20 a pour effet de dériver le courant de fuite supposé du PNP de sortie T14 vers le V- évitant ainsi qu'il soit injecté dans la base du transistor NPN T13 de sortie. il 2471080 L'ensemble des deux transistors T19 et T20 constitue donc un circuit réflecteur anti-claquage. B. PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS NEGATIVES De façon similaire, il faut protéger le circuit quand la borne de sortie est portée à un potentiel plus négatif que celui de l'alimentation négative V-, par exemple -15V, quand V- = -8V, ou pire encore lorsque V- = 0V (circuits hors ten- sion). Cette surtension polarise en direct la jonction base-collecteur et en inverse la jonction base-émetteur du transistor T13. Or il est connu que cette jonction claque à une tension relativement faible donnant lieu ainsi à un fort courant risquant de provoquer la destruction de ces transis- tors et empêchant aussi le module de satisfaire les spécifi- cations. La solution retenue pour réaliser le circuit de protection (bloc XI, figure 4) réside cette fois encore dans l'introduction d'une diode anti-retour D3 qui bloque ainsi tout courant inverse. L'intégration d'une telle diode est également délicate. Si on utilise la jonction émetteur-base d'un transistor NPN, la diode résultante présente une tension de claquage trop faible. Si c'est la jonction collecteur-base qui est utilisée, la diode présente une meilleure tension de claquage mais aussi l'inconvénient d'un courant de fuite notable vers le substrat. Pourtant, cette solution a été retenue mais a nécessité des moyens supplémentaires pour réduire ce dernier inconvénient et plus exactement pour en tirer avantage. En effet, l'existence d'une surtension négative appliquée à la borne de sortie pose d'autres problèmes. Les circuits monolithiques bipolaires conventionnels (notamment les amplificateurs opérationnels) ne peuvent en général supporter sur leurs bornes de sortie une tension inférieure à la tension d'alimentation négative (V-), et ce pour une autre raison que celle du claquage des transistors de sortie (T14 dans notre cas). L'isolation entre composants étant assurée par des jonctions polarisées en inverse, obtenues en reliant 12 2471080 le substrat de type Pet les régions d'isolation de type P+ à la tension la plus négative (V-), cette isolation disparaît quand on porte la borne de sortie et donc quasi nécessairement l'une des poches épitaxiques, à un potentiel encore plus négatif. Une solution originale qui est proposée ici consiste à polariser le substrat en silicium de type P (voir la figure , qui montre le détail de la structure complexe qui constitue le bloc X) par "injection". Selon cette technique on injecte des porteurs positifs au substrat, en créant volontairement dans le substrat des moyens d'injection (un transistor PNP parasite TX1), ces porteurs seront retournés ensuite au V- en fonctionnement normal par la diode D31. Ainsi le substrat trouvera de lui-même un potentiel d'équilibre (légèrement supérieur à V-) en fonctionnement normal, la somme des courants injectés dans le substrat (E Isubstrat) est égale au courant que la diode D3 qui est reliée au V- peut passer pour cette tension. En cas de surtension négative, la sortie est portée au potentiel -15V par exemple alors que l'isolation était jus- qu'à présent à un potentiel moins négatif (par exemple -8V), cette surtension est transmise par la diode D4 à l'isolation, on se retrouve alors dans les conditions du cas précédent, c'est-à-dire l'isolation est quasiment au potentiel le plus négatif, ce qui est désirable. Cependant, les porteurs injectés au substrat par le PNP parasite TX1 notamment ris- quent de se diriger vers des circuits actifs aussi car ils vont se fixer dans des poches épitaxiques voisines de type N, qui constituent en fait les collecteurs des transistors NPN et les bases des transistors PNP actifs, supprimant ainsi le rôle d'isolation entre dispositifs du substrat et produisant des perturbations dans les circuits actifs. Des précautions particulières ont donc été prises visant à éviter les problèmes mentionnés ci-dessus. L'émetteur du transistor NPN formant la diode D3 a sa jonction 13 2471080 émetteur-base court-circuitée. L'émetteur joue donc le rôle de collecteur et évite ainsi la saturation du transistor. La conséquence directe est une diminution considérable de l'injection dans le substrat. En outre le transistor NPN formant la diode D3 est disposé dans un coin de la microplaquette, entouré d'un rideau de poches épitaxiques non utilisées pour des dispositifs actifs, lesquelles sont reliées électriquement à l'isolation (voir figure 5). En d'autres termes, ces poches jouent un rôle de collecteur dans un transistor NPN latéral TX2 constitué des éléments suivants: Il a pour émetteur, le collecteur du transistor formant la diode D3, pour base la région d'isolation ISO et pour collecteurs (multiples) les poches épitaxiques telles que celles montrées sur la figure 5 qui sont disposées en rideau. La base et les collecteurs de ce transistor étant reliés, ce transistor NPN n'est pas saturé car les collecteurs jouent leur rôle au maximum et capurent ainsi les porteurs négatifs injectés évitant qu'ils ne rejoignent les circuits actifs, et en les retournant par les régions d'isolation vers le V- à travers la diode D31. C. POLARISATION DU CIRCUIT: Un amplificateur opérationnel classique tel que celui représenté sur les figures 1 et 2 est polarisé par le courant produit par une résistance RPol disposée en série avec un transistor TPol entre le V+ et le V-donc, dès que les tensions d'alimentation sont appliquées. Cette disposition présente l'inconvénient d'augmenter le courant de polarisation lorsque des surtensions sont appliquées au V-+ donc à la sortie dans notre cas, ce qui n'est pas souhaitable'0 De plus, ceci ne permet pas de placer le circuit en position haute impédance à la mise sous tension ou en fonctionnement tristate comme cela est souhaité. 14 2471080 Dans l'amplificateur opérationnel modifié, la résistance RPol est supprimée, c'est avantageux car désormais la polari- sation du circuit n'est plus soumise à la variation de tension provoquée par d'éventuelles surtensions, la liaison avec le V- également, et le collecteur du transistor T est relié directement à un circuit de commande (bloc XII). Un exemple de circuit de commande approprié est détaillé dans 1'IBM TDB Bulletin, Vol. 21, No.11, avril 1979, pages 4559 et 4560, un article intitulé: "Logic Interface Module" par F. Delaporte et J.P. Pantani. Ainsi, le courant de polarisation des différents étages du circuit (blocs I à VI) est constante et indépendante des surtensions, de plus elle peut être coupée en cas de nécessité. D. AJUSTAGE DE LA PENTE On a vu que l'ajustage de la pente dans les circuits d'inter- face traditionnels tels que ceux mentionnés ci-dessus s'effec- tuait par un condensateur extérieur, ce qui présente de nombreux inconvénients: La charge et la décharge de ce condensateur absorbent un courant important et causent une dissipation élevée. Aussi il est reconnu avec les circuits (en raison de variations causées par le procédé de fabrication) que la pente est très mal définie, ce qui conduit à de très larges variations des possibilités de commande en courant du circuit: par exemple, l'écart peut être de 0,2 à 2 microsecondes pour passer de -3 à + 3V pour un circuit de l'art antérieur (SN 75150) chargé par 2500 picofarads. La longueur du câble et sa capacité ajoutent encore à cette incertitude. Par ailleurs, on a vu que l'amplificateur opérationnel classique comportait un condensateur C utilisé à des fins de correction de fréquence, ce condensateur peut être parfaite- ment mis en oeuvre dans le présent circuit d'interface. Disposée non sur un circuit de sortie à faible impédance mais dans un circuit interne à forte impédance et mettant à profit l'effet Miller, sa valeur est faible; il est donc facilement 2 471080 intégrable, sa valeur est fixe et adaptée aux circuits voisins et aux besoins définis une fois pour toute par les normes, assurant une valeur de pente bien déterminée, totale- ment indépendante de la charge de sortie. Le rôle de ce condensateur est donc différent de celui qu'il joue dans un amplificateur opérationnel, c'est pourquoi la référence III est utilisée sur la figure 3. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'inven- tion appliquées à un mode de réalisation préféré de celle- ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. En particulier toutes les zones dites P pourraient être N et vice versa si le matériau de départ était de type N; également le semi-conducteur pourrait être d'un autre matériau que le silicium; certains éléments de cette invention subsisteraient aussi si la réalisation était de type discrète ou hybride ou si l'isolation entre dispositifs était obtenue par d'autres techniques que le procédé Planar utilisé ici (air, diélec- trique ou SOS). 16 2471080 REVENDJICATIONS 1.. Module d'interface entièrement monolithique, comportant au moins un circuit d'interface, ce dernier caractérisé en ce qu'il comprend: un circuit amplificateur opérationnel dont une entrée est reliée à une tension de référence (V F), une pluralité de moyens de protection (VIII, IX, X et XI) contre des surtensions positives et négatives appliquées sur sa borne de sortie et d'une valeur sensiblement supérieure aux tensions d'alimentation (V- et V+), un circuit de polarisation à courant constant(XII). 2. Circuit d'interface selon la revendication 1 caractérisé en ce que la tension de référence VREF correspond à un potentiel approprié déterminé par la technologie du circuit amont. 3. Circuit d'interface selon la revendication 1 ou 2 caractérisé en ce que les moyens de protection contre les surtensions positives comportent des premiers moyens (VIII) disposés en série dans l'alimentation de V+ consistant essentiellement en une diode anti-retour (Dl). 4. Circuit d'interface selon la revendication 3, cette diode anti-retour (Dl) est réalisée à partir d'un transistor PNP latéral dont l'émetteur est l'anode, et la base et le collecteur court-circuités forment la cathode. 5. Circuit d'interface selon la revendication 3 ou 4 caractérisé en ce que chaque circuit d'interface posséde sa propre diode anti-retour pour éviter que les sur- tensions se propagent d'un circuit vers un autre. 17 2471080 6. Circuit d'interface selon la revendication 3 caractérisé en ce qu'il comprend en outre des seconds moyens (IX) de protection de blocs suiveur négatif (IV) et limiteur de courant (VI), consistant essentiellement dans une diode (D2) disposée pratiquement entre la borne de sortie O et le V+. 7. Circuit d'interface selon la revendication 6 caractérisé en ce que la diode (D2) est réalisée par la jonction PN d'une résistance (R14) dont la région P est reliée à la borne de sortie et le lit épitaxique au V+ propre au circuit d'interface. 8. Circuit d'interface selon l'une des revendications 3 à 7 caractérisé en outre en ce qu'il comprend des troisièmes moyens (X) de protection du bloc suiveur négatif (IV) consistant essentiellement dans un circuit réflecteur de courant anti-claquage. 9. Circuit d'interface selon la revendication 8 caractérisé en ce que le courant de fuite du transistor de sortie (T14) est dupliqué par un autre transistor (T19), dont le courant est injecté dans un réflecteur de courant T20 disposé de telle sorte qu'il soustrait du collecteur du transistor de sortie le courant de fuite. 10. Circuit d'interface selon la revendication 8 ou 9 caractérisé en ce que le circuit réflecteur de courant peut également être amplificateur de courant. Il. Circuit d'interface selon la revendication i à 10 caractérisé en ce que les moyens de protection contre les surtensions négatives par des moyens (XI) disposés en série avec l'alimentation V-consistent essentielle- ment en une diode anti-retour (D3). 12. Circuit d'interface selon la revendication il caractérisé en ce que les régions d'isolation ne sont pas reliées comme traditionnellement au Vmais sont polarisées par 18 2471080 injection. 13. Circuit d'interface selon la revendication l1-ou 12 caractérisé en ce que la diode anti-retour (D3) est intégrée sur la microplaquette. 14. Circuit d'interface selon la revendication 13 caracté- risé en ce que la diode anti-retour (D3) est constituée du collecteur d'un transistor NPN comme cathode et la base et du collecteur court-circuités comme anode. 15. Circuit d'interface selon la revendication 13 ou 14 caractérisé en ce que la diode anti-retour est disposée vers la périphérie de la microplaquette et protégée par un rideau de poches épitaxiques disposées comme tampon pour intercepter les porteurs injectés. 16. Circuit d'interface selon l'une des revendications il à 15 dans lequel les diodes anti-retour des différents circuits d'interface sont intégrées sur la même micro- plaquette. 17. Circuit d'interface selon l'une des revendications 1 à 16 caractérisé en ce que le circuit de la polarisation est assuré par une source de courant constant. 18. Circuit d'interface selon la revendication 17 caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens de commande et de contrôle (XII) pour couper la transmission de données et/ou placer le circuit dans un état haute impédance quand désiré.