FR 2471051 A1 19810612 FR 7929590 A 19791130 - 2471-051 L'invention a pour objet un circuit intégré à transis- tors MOS. Pour certaines utilisations, il est souhaitable d'empê- cher, ou de rendre très'difficile, la détermination des trajets du courant électrique dans un circuit intégré. C'est le cas, par exemple, o le circuit intégré fait partie d'une carte destinée à être utilisée dans des transactions finan- cières et/ou commerciales et cela afin d'éviter qu'un fraudeur puisse, à partir d'informations tirées de l'analyse du ou des circuits intégrés de la carte, effectuer des opérations au détriment des tiers. Parmi les moyens d'investigation d'un circuit intégré, le microscope électronique à balayage permet de déterminer la configuration des trajets que suit le courant électrique. L'invention est caractérisée en ce que des zones d'un circuit intégré à transistors MOS sont revêtues d'une pellicule conductrice suivant des plages propres à ne pas interférer avec les pistes conductrices prévues pour les liaisons électriques aux transistors. L'analyse des éléments sous-jacents à ladite pellicule en est rendue pratiquement impossible,même à l'aide d'un micro- scope électronique à balayage. Il a été constaté que la présence d'une pellicule métallique recouvrant-ls transistors MOS n'est pas un obstacle dirimant au bon fonctionnement de ceux-ci, notamment dans l'application aux cartes ou analogues à circuits électroniques, pour lesquelles une certaine diminution de la vitesse de fonctionnement n'est pas gênante. Selon l'invention, en conséquence, un.circuit intégré comporte, non seulement des transistors MOS et des conducteurs ou pistes destinés à assurer les connexions électriques utiles pour le fonctionnement du circuit intégré, mais en outre des plages conductrices-superficielles n'intervenant pa-s dans les connexions entre transistors. Avantageusement, les plages métalliques sont obtenues par un processus analogue à celui utilisé pour la formation des pistes conductrices. Elles peuvent être produites simul- tanément à ces dernières. 2 2471051 L'invention n'exclut pas la circulation de courants électriques sousjacents à une plage conductrice, tirant parti ici du fait de l'irrégularité de surface des transis- tors MOS dans la configuration qui leur est donnée par la technique habituelle de fabrication. D'une manière générale, les plages métalliques sont de préférence au même niveau que les conducteurs ou à un niveau inférieur, de sorte qu'une tentative d'élimination desdites plages,dans un but de fraude,entraine la destruction des pistes conductrices. L'invention s'applique aux circuits intégrés dans les- quels tous les transistors sont opératoires. Elle s'applique également aux circuits intégrés qui comprennent, dans un but de protection à l'égard des fraudes, des transistors surabondants dans un état les rendant équiva- lents à des courts-circuits ou à des circuits ouverts. La description qui suit, faite à titre d'exemple, se réfère aux dessins annexés, dans lesquels la figure 1 est une-vue schématique en coupe transversale -20 d'une partie de puce à transistors MOS selon l'invention; la figure 2 est une vue schématique en plan d'une partie dé puce adjacente à un transistor; la figure 3 est une vue en coupe suivant la ligne 3-3 de la figure 2; la figure 4 montre en plan, très schématiquement, une variante. On se réfère d'abord à la figure 1. Sur le substratum 11 d'une tranche de silicium ont été obtenues, habituellement par métallisation suivie d'une gravure et d'une attaque chi- mique, des bandelettes ou pistes conductrices 12, 13, 14 pour la connexion respectivement du drain, de la source et de la grille d'un transistor MOS, comme habituel.. Selon l'invention, on forme,sur ledit substratum, par exemple au cours du processus de métallisation, des plages conductrices 15 et 16 distantes des bandelettes. Lesdites plages recouvrent les zones sous-jacentes 17,18 et empêchent l'observation de la surface 19 du semi-conducteur. De préférence, les plages 15, 16 sont en relation de 3 247105 1 conductibilité électrique entre elles de manière à pouvoir être portées à un même potentiel. L'élimination de ces plages,dans un but frauduleux d'analyse du circuit intégré comprenant un tel transistor, ne peut pratiquement se faire sans altérer les bandelettes conductrices 12, 13, 14, de sorte qu'il n'est plus possible par la suite d'alimenter électriquement les transistors d'un circuit intégré ainsi protégé dont un fraudeur souhaite connaître la constitution. Il n'est pas non plus possible de soumettre à l'action d'un rayonnement ultraviolet ou analogue les zones recouvertes du semi-conducteur o une diffusion a été initialement effectuée pour le dopage. On se réfère maintenant aux figures 2 et 3. Le corps 21 du semiconducteur (silicium) est revêtu par une couche d'oxyde 22. Les connexions électriques à un transistor MOS 23 formé dans le silicium sont réalisées à partir de contacts 24, 25, 26,par une bandelette conductrice 27 pour le drain, une bandelette conductrice 28 pour la source et une bandelette conductrice 29 pour la grille, la dernière bandelette étant en dénivellation par rapport aux bandelettes 27 et 28. Selon l'invention, dans cette forme de réalisation, la surface de la "puce" ou "pastille" comprenant ledit transistor, et les parties adjacentes,sont recouvertes d'une pellicule métallique formant une première plage 31 de forme générale rectangulaire restant distantepar ses bords 32 et 33 respec- tivement,des bandelettes 27 et 28, par son bord 34 des contacts 24, 25 et 26; une seconde plage métallique 35 reste distante par son bord 36 des bandelettes 27 et 28; les plages 31 et 35 sont raccordées par un isthme 37 qui reste à distance des extrémités des bandelettes 27 et 28 et qui est séparé de la bandelette 29 par la couche sous-jacente 38 d'oxyde. Dans la forme de réalisation selon la figure 4, du contact 24 dépend une plage métallique 41 dont une zone angu- laire 42 est en surplomb de contact avec le drain d'un tran- sistor. Du contact 25 dépend une seconde plage métallique 43 dont une zone angulaire 44 est en surplomb de contact de la source dudit transistor. 4 2471051 L'aire étendue des plages métalliques augmente d'au- tant la difficulté d'observation, y compris par l'inter- vention du microscope électronique à balayage. Dans les diverses réalisations, la présence d'une pellicule métallique évite l'action d'un rayonnement ultra- violet, conférant un intérêt particulier à la protection selon l'invention pour.des circuits intégrés de mémoire programmable. t REVENDICATIONS 1.- Circuit intégré, à transistors MOS, caractérisé en ce qu'il comporte en surface, complémentairement aux bande- lettes de connexion aux électrodes des transistors, une ou des pellicules métalliques non reliées électriquement aux- dites bandelettes. 2.- Circuit intégré selon la revendication 1, caracté- risé en ce que les pellicules métalliques sont en relation électrique entre elles. 3.- Circuit intégré selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'une pellicule métallique encadre les bandelettes de connexion à un drain et à une source de transistor. 4.- Circuit intégré selon la revendication 3, caracté- risé en ce que la pellicule métallique surplombe la bandelette de connexion à la grille en étant séparée de celle-ci par la couche d'oxyde. 5.- Circuit intégré à transistors MOS, caractérisé en ce qu'une connexion d'un composant de transistor, source ou - drain, à son contact respectif, déborde surfaciquement tant par rapport au composant que par rapport à son contact. 6.- Carte à circuits électroniques comprenant au moins un circuit intégré comme selon les revendications 1 à 5. André NETTER\ Conseil en Brevets d'Invention