FR 2463521 A1 19810220 FR 7920230 A 19790807 L'invention concerne un limiteur passif de puissance à semi-conducteurs, réalisé sur des lignes à structure plane. L'utilisation d'un tel limiteur est particulièrement intéressante dans un récepteur hyperfréquence constitué d'amplificateurs à transistors ou de mélangeurs réalisés en technologie microbande. Des limiteurs selon l'invention peuvent-également servir à la réalisation de duplexeurs dont le rôle est important dans les équipements de détection électromagnétique ou radar. Dans les équipements de détection électromagnétique ou radars auxquels la présente invention s'applique plus particu- lièrement,la protection du récepteur du radar contre les émis- sions de son propre émetteur ou d'émetteurs voisins a constitué un problème auquel on s'est attaché dès le début. La protection des récepteurs radar a d'abord été assurée par des tubes à gaz, appelés tubes TR qui, insérés dans la chaîne de réception avaient la structure d'un filtre passe-bande et la propriété d'être passants lorsque l'énergie hyperfréquence appli- quée était faible et réfléchissants lorsque cette énergie dépas- sait quelques watts crète. Ces tubes (qui par ailleurs donnaient satisfaction) présentaient les inconvénients dûs à une durée de vie limitée et un léger retard à l'allumage, laissant passer ainsi une partie de la puissance vers le récepteur qui 'finissait par se détériorer. L'apparition des diodes P.I.N. a permis dans certains cas de remplacer ces tubes à gaz par des commutateurs plus fiables quant à la durée de vie. Cependant il est nécessaire d'associer à ces diodes PIN un circuit de commande pour les rendre conduc- trices un peu avant l'émission par une source de polarisation auxiliaire et pour leur appliquer une tension inverse afin de diminuer les pertes au moment de la réception. Ces circuits de commande étant synchrones avec l'émission radar, les commutateurs à diodes PIN ne protègent toutefois pas le récepteur radar contre les émetteurs voisins. Enfin, l'utilisation de diodes spécialement conçues et associées par paires a permis de réaliser un dispositif de protec- tion à l'état solide, entièrement passif et pouvant supporter des puissances d'une dizaine de kilowatts crête-. Cependant la réalisa- tion de ce type de limiteur sur une ligne à ruban, nécessitant l'emploi de deux diodes montées tête-bêche dans un même boitièr ou sur un même support, est très délicate. Comme l'utilisation d'un limiteur passif réalisé en struc- ture plane est particulièrement intéressante pour son intégra- tion dans un récepteur constitué d'amplificateurs à transistors ou de mélangeurs réalisés en technologie microbande par exemple, l'invention vise à remédier aux inconvénients de réalisation précités. Suivant une caractéristique de l'invention, le limiteur passif de puissance à semiconducteurs comprend au moins deux lignes de transmission à rubans parallèles à configuration de champ électrique dissymétrique, constituées par deux rubans conducteurs placés sur une première face d'une plaquette de substrat diélectrique et d'axes de propagation parallèles t et a 2 et par un plan de masse placé sur une seconde face opposée à la première, et une ligne de transmission à configuration de champ électrique symétrique, d'axe de propagation à 3 perpendi- culaire aux axes, 1 et A 2 des lignes dissymétriques, placée sur la face du substrat sur laquelle est situé le plan de masse,- et au moins une paire de diodes, de même polarité et placées dans le même plan sur chacun des deux bords de la ligne symétrique, l'ensemble de ces lignes de transmission et des diodes constitu- ant au moins deux transitions ligne symétrique-ligne dissymétri- que. On réalise ainsi des limiteurs constitués par une ou plu- sieurs paires de diodes, et des récepteurs hyperfréquences comportant de tels limiteurs. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront dans la description qui suit, illustrée par les figures représentant: - la figure 1: une transition entre une ligne microruban et une ligne à fente, - la figure 2: un limiteur passif selon l'invention, - les figures 3 à 5: des exemples de réalisation non limitatifs d'un limiteur passif suivant l'invention. Le limiteur passif suivant l'invention doit supporter une puissance importante, de l'ordre d'une dizaine de kilowatts, -et est réalisé dans une structure permettant facilement son intégra- tion dans une structure microbande sur céramique. Une ligne de transmission microruban comporte une plaquette de substrat diélectrique,en général de l'alumine, sur une face de laquelle est déposé un plan métallique dit plan de masse et sur une autre face opposée à la première est déposé un ruban métallique. La propagation s'effectue selon un mode voisin du mode TEM entre le ruban métallique et le plan de masse; la configuration du champ électrique est dite dissymétrique. Une ligne de transmission à fente est constituée par une ouverture de largeur constante réalisée dans un plan de masse métallique, déposé sur un substrat diélectrique. La propagation s'effectué selon un mode guidé entre les deux parties du plan de masse, la configuration du champ électrique est dite symé- trique. La figure 1 représente une transition entre une ligne microruban 1 et une ligne à fente 2 réalisées sur une même plaquette 3 de substrat diélectrique. Leurs axes de propagation respectifs A et (S.' sont ortho- gonaux. Lorsque la distance L1 de la ligne microruban, en circuit ouvert, comprise entre l'une de ses extrémités 5 et le bord 6 de la ligne à fente 2 situé du même côté,est égale au quart de la longueur d'onde \ /4 à la fréquence centrale de la bande de fonc- tionnement, cela ramène un court-circuit au dessus du bord 6 correspondant. Une distance L2 en court circuit entre l'une des extrémités 7 de la ligne à fente 2 et l'axe d, de la ligne micro- ruban, égale à N /4,permet la propagation dans cette ligne à fente 2. La figure 2 représente un limiteur passif selon l'invention. Il comporte deux lignes microrubans 8 et 9, constituées par deux rubans 10 et 11 conducteurs, disposés sur une première face d'une plaquette 12 de substrat diélectrique et par un plan de masse 13 disposé sur une seconde face opposée à la première, et une ligne à fente 14 constituée par une ouverture de largeur constante pratiquée dans le plan de masse 13. Les lignes microrubans 8 et 9 ont des axes de propagation 1 1 et à 2 parallèles entre eux mais orthogonaux à l'axe de propagation à 3 de la ligne à fente 14. Une paire de diodes 17 et 18 est placée sur un tronçon 21 de la ligne à fente, compris entre une de ses extrémités (22) et l'axe à 1 de la ligne microruban 8 la plus proche. Les diodes 17 et 18 de même polarité sont disposées sur chaque bord 15 et 16 de la ligne à fente 14, symétriquement par rapport à l'axe a 3. Chaque diode est reliée au bord opposé de la ligne à fente 14 par un fil de connexion 19 et 20. Pour réduire au maxi- mum la longueur de ces fils, les diodes 17 et 18 sont placées très près des bords 15 et 16 de la ligne à fente 14. La propa- gation dans la ligne à fente 14 se faisant selon un mode guidé, le montage ainsi réalisé est tête-bêche. A bas niveau de puissance,-les diodes 17 et 18 se compor- tent comme des capacités et l'ensemble qu'elles constituent avec le tronçon de ligne à fente 21 est équivalent à un tronçon quart d'onde \ /4 court-circuité à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement. La longueur-ou dimension suivant l'axe A 1 - du tronçon de ligne microruban 80, compris entre l'une des extrémités 81 de la ligne microruban 8 et l'axe A3 est égale à \ /4, de telle sorte qu'une transition ligne microruban - ligne à fente est réalisée au voisinage de l'intersection des axes t L et à 3- L'énergie étant appliquée par la ligne à ruban 8 est bien transmise dans la ligne à fente 14, jusqu'à l'autre tran- sition ligne à fente 14 - ligne microruban 9, réalisée selon le principe de la figure 1. A un niveau de puissance élevée, une des deux diodes 17 ou 18 se comporte comme un court-circuit et désadapte la transi- tion ligne microruban - ligne à fente assurant ainsi une limi- tation.Grâce au montage tête-bêche des deux diodes 17 et 18 de même polarité, montées dans le même plan, l'une ou l'autre de ces diodes conduit selon la polarité du signal hyperfréquence, ce qui protège l'autre diode et assure une bonne tenue en puis- sance. Ces deux diodes 17 et 18 peuvent être montées avec ou sans boîtier, le boîtier pouvant protéger la.diode contre des chocs éventuels. La figure 3 montre une variante de réalisation de l'in- vention, dans laquelle la paire de diodes (17 et 18) est située entre les deux transitions ligne microruban - ligne à fente, que forment les deux lignes microrubans 8 et 9 et la ligne à fente 14. Le limiteur suivant l'invention permet d'obtenir une limitation plus ou moins grande suivant la position des diodes le long de la ligne à fente 14. Lorsque les diodes sont situées entre les deux lignes microrubans 9 et 8, leur couplage est maximal. Dans ce cas la limitation est très bonne et la tenue en puissance est diminuée. Sur la figure 4, le limiteur selon l'invention comporte deux paires de diodes (23 et 24) et (25 et 26), placées entre les deux extrémités 27 et 28 de la ligne à fente 14 et les deux lignes microrubans 8 et 9, de telle sorte qu'elles cons- tituent avec les deux tronçons 250 et 260 de la ligne à fente 14, compris respectivement entre les deux extrémités (27 et 28) et les axes AÀet A 2' destronçons quart d'onde court-cir- cuités. Pour réaliser deux transitions ligne microruban - ligne à fente, les tronçons de ligne microruban 110 et 111 compris entre les extrémités 112 et 113 respectivement des lignes micro- rubans 8 et 9 et l'axe A doivent être équivalents à des tron- çons quart d'onde en circuit ouvert. L'avantage de mettre plu- sieurs paires de diodes, aux extrémités de la ligne à fente 14 ou entre les deux lignes microrubans 8 et 9 réside dans le fait que les diodes sont moins couplées pour une même limita- tion, entraînant une meilleure tenue en puissance du limiteur. La figure 5 représente un autre exemple de réalisation de l'invention, non limitatif. Le limiteur est constitué de plusieurs ensembles décrits ci-dessus. Il comporte trois lignes microrubans 27, 28 et 29, d'axes de propagation à 4J \ - et a 6parallèles, et deux lignes à fente 30 et 31, d'axes de propagation t47 et A 8 parallèles entre eux mais orthogonaux aux axes A 4A X 5 et A 6' ces lignes de propagation étant réalisées sur une plaquette 32 de substrat diélectrique. Deux paires de diodes (33 et 34) et (35 et 36) sont placées sur chacun des bords de la ligne à fente 30 et reliées à l'autre bord par des fils de connexion (330 et 340) et (350 et 360), entre les extrémités 37 et 38 de la ligne à fente 30 et les deux lignes microrubans 27 et 28, de telle sorte qu'avec les lignes microrubans 27 et 28 elles constituent deux transitions ligne microruban ligne à fente comme cela a été décrit aupara- vant. Une autre paire de diodes 39 et 40 est placée sur les bords de la ligne à fente 31,chaque diode étant reliée au bord opposé à celui sur lequel elle-est fixée par un fil de connexion (390 et 400) entre les deux axes à 5 etA 6' Les lignes micro- rubans 28 et 29 sont telles qu'avec la ligne à fente 31, elles forment deux transitions. Les deux premières paires de diodes assurent une bonne tenue en puissance et une certaine limita- tion en puissance, qui est accrue par la troisième paire de diodes. On a ainsi décrit un limiteur à semi-conducteurs réalisé sur des lignes à structure plane, mais il peut être réalisé par plusieurs ensembles comme ils ont été décrits précédemment. Une application particulièrement intéressante de ce limiteur est son intégration dans un récepteur constitué d'ampli- ficateurs à transistors ou de mélangeurs réalisés en technologie microbande comme le montre la figure 6. La sortie d'un limiteur selon l'invention peut être couplée directement à l'entrée 50 d'un amplificateur réalisé en lignes microbândes. Le limiteur de la figure 6 est constitué de deux lignes microrubans 51 et 52, disposées sur une plaquette 53 de substrat diélectrique et d'une ligne à fente 54 réalisée dans le plan de masse 55 des lignes microrubans 51 et 52,ces trois lignes de transmission réalisant des transitions grâce à des diodes 56 et 57 placées comme il a été décrit précédemment pour les figures 2, 3, 4 ou 5. La sortie du limiteur, constituée par la ligne microruban 52, est couplée à l'entrée 50 d'un amplificateur à transistors. Comme il a été dit dans l'introduction, les limiteurs suivant l'invention qui viennent d'être décrits sont utilisables dans la réalisation de duplexeurs dont le rôle est important' dans les équipements de détection électromagnétique ou radar. Le récepteur du radar doit être protégé à la fois contre les émissions à grande puissance de son propre émetteur et contre les émissions d'émetteurs voisins de celui concerné. Généralement un duplexeur est constitué de deux limiteurs identiques insérés entre deux coupleurs 3.dB. La figure 7 repré- sente le schéma d'un duplexeur constitué de deux coupleurs 3 dB 41 et. 42 et de deux limiteurs 43 et 44 suivant l'invention. L'entrée du coupleur 3 dB 41 est reliée d'une part à l'émetteur 45 et d'autre part à l'antenne émettrice-réceptrice 46, alors que ses deux sorties sont reliées respectivement aux deux limiteurs 43 et 44 selon l'invention. La sortie de chaque limiteur est reliée à l'entrée du coupleur 42 dont une sortie est reliée au récepteur 47 et dont l'autre sortie est reliée à une charge dissipatrice 48. A l'émission l'énergie à grande puissance émise par l'émetteur 45 passe dans le coupleur 41, se réfléchit sur les limiteurs 43 et 44 qui jouent le rôle d'inter- rupteur, grâce aux diodes qui deviennent équivalentes à des court-circuits, et est renvoyée à travers le coupleur 41 à l'anten- ne 46. Les limiteurs évitent ainsi que toute la puissance émise par l'émetteur ne vienne endommager le récepteur. Inversement, à la réception, l'énergie beaucoup plus faible captée par l'anten- ne 46 passe dans les limiteurs 43 et 44 qui sont passants pour l'énergie transmise à bas niveau. L'énergie est ensuite concen- trée par le coupleur 42 avant d'aller au récepteur 47. Suivant la puissance d'émission et suivant la limitation désirée, les limiteurs 43 et 44 sont réalisés comme les diffé- rentes figures 1 à 5 le montrent. On a ainsi décrit dans ce qui précède des perfectionne- ments aux limiteurs passifs et-aux circuits hyperfréquences comportant de tels limiteurs. 246352 1 R E V E N D I C A T I 0 N S 1. Limiteur passif de puissance à semi-conducteurs, caractérisé en ce qu'il comporte au moins deux lignes de transmission à rubans parallèles (8 et 9) à configuration de champ électrique dissymétrique, constituées par deux rubans conducteurs (10 et 11) placés sur une première face d'une plaquette de substrat diélectrique (12) et d'axes de propagation parallèles (À/1 et A2) et par un plan de masse (13) placé sur une seconde face opposée à la première, et une ligne de transmission (14) à configuration de champ électrique symétrique, d'axe de propaga- tion (A3) perpendiculaire aux axes (Al et 42) des lignes dissymétriques, placée sur la face du substrat sur laquelle est situé le plan de masse (13), et au moins une paire de diodes (17 et 18), de même polarité et placées dans le même plan sur chacun des deux bords (15 et 16) de la ligne symétrique (14), l'ensemble de ces lignes de transmission et des diodes réali- sant au moins deux transitions ligne symétrique-ligne dissymé- trique. 2. Limiteur passif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les lignes dissymétriques (8 et 9) sont des lignes micro- rubans et les lignes symétriques (14) sont des lignes à fente. 3. Limiteur passif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les deux diodes (17 et 18) d'une paire sont montées chacune sur un des bords (15 et 16) de la ligne à fente (14), symétri- quement par rapport à l'axe (A 3) de cette ligne et sont reliées à l'autre bord par un fil (19 ou 20) métallique de connexion. 4. Limiteur passif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte deux lignes de transmission microrubans (8 et 9), une ligne de transmission à fente (14) et une paire de diodes (17 et 18) placée sur un tronçon (21) de la ligne à fente (14) compris entre une de ses extrémités (22) et l'axe ligne symétrique-ligne dissymétrique. -5. Limiteur passif selon la revendication 4, caractérisé en ce que le tronçon de ligne à fente (21) comportant les deux diodes (17 et 18) est équivalent à un tronçon court-circuité de longueur égale au quart de la longueur d'onde, A /4, à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement, et en ce que le tronçon (80) en circuit ouvert de la ligne microruban (8) compris entre une de ses extrémités (81) et l'axe ( à3) de la ligne à fente (14) est de longueur égale à \ /4 à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement. 6. Limiteur passif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte deux lignes de transmission microrubans (8 et 9), une ligne de transmission à fente (14) et une paire de diodes (17 et 18) placée sur les bords de la ligne à fente (14) entre les deux lignes microrubans (8 et 9) o leur couplage est maximum, les trois lignes de transmission réalisant deux transitions ligne dissymétrique-ligne symétrique. 7. Limiteur passif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte deux lignes de transmission microrubans (8 et 9), une ligne à fente (14) et deux paires de diodes (23 et 24) et (25 et 26) placées respectivement sur des tronçons (250 et 260) de ligne à fente, compris entre les deux extrémités (27 et 28) de la ligne à fente (14) et les axes (L\1 etf 2) des deux lignes microrubans (8 et 9) de telle sorte que ces trois lignes de transmission (8, 9 et 14) réalisent deux transitions ligne symétrique-ligne dissymétrique. 8. Limiteur passif selon la revendication 7, caractérisé en ce que les tronçons (250 et 260) de ligne à fente comportant respectivement les deux paires de diodes (23 et 24) et (25 et 26) sont chacun équivalent à un tronçon court-circuité de longueur égale au quart de la longueur d'onde, \ /4, à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement, et en ce que les tronçons de ligne microruban (110 et 111), compris entre les extrémités (112 et 113) respectivement des lignes micro- rubans (8 et 9) et l'axe (A 3) sont de longueurs égales à \ /4 à la fréquence centrale de la bande de fonctionnement. 9. Limiteur passif selon l'une des revendications 1 à 8, carac- térisé en ce qu'il comporte plusieurs lignes microrubans, plusieurs lignes à fente et plusieurs paires de diodes, les axes de propagation des lignes microrubans étant parallèles entre eux et orthogonaux aux axes de propagation des lignes à fente qui 246352 1 sont aussi parallèles entre eux, et ces lignes de transmission réalisant plusieurs transitions ligne symétrique-ligne dissymétrique. 10. Récepteur hyperfréquence caractérisé en ce qu'il comporte un limiteur passif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9. 11. Duplexeur hyperfréquence caractérisé en ce qu'il comporte un limiteur passif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.