FR 2471683 A1 19810619 FR 8025873 A 19801205 "Laser semiconducteur" L'invention concerne un laser semiconducteur avec un corps semiconducteur comportant une région active en forme de bande située dans un résonateur, le rayonne- ment étant émis suivant la direction de la longueur de la- dite région active en forme de bande alors que plusieurs jonctions-pn branchées en parallèle sont disponibles pour injecter des porteursde charge dans ladite régiono Un laser semiconducteur du genre décrit ci-des- sus est connu du brevet américain n 3 510 795. Actuellement, on utilise souvent des lasers se- miconducteurs avec une région active en forme de bande, et il s'agit le plus souvent de lasers avec une seule hété- rojonction ou avec une hétérojonction double (lasers DH), comme décrit par exemple dans la publication "IPhilips Tech- nical Review", Volume 36, n 7 pages 190 & 200, parue en 1976. Ces lasers comportent une couche active qui au moins d'un côté est limitrophe d'ne couche passive à plus gran- de distance de bande, écart énergétique entre deux bandes le rayonnement étant engendré dans ladite couche active. Au cours de leur durGe de vie, les lasers en question sont affectés par des phénomènes de vieillissement qui se manifestent entre autres par un accroissement de l'intensité du courant de seuilt cest-a-dire l'intensité die courant minimale à laquelle se produit une émission de rayonnement stimulée, ainsi que par l'apparition d'oscilla- tion et de pulsations spontanees de l'intensité du rayonne ment émis. On a constaté que l'apparition de ce geure décso cillations spontanées va souvent de pair avec la formation à l'intérieur de la région active en forme de bande de la couche active, de régions avec une recombinaison de por- teurs de charge non rayonnante localement accrue, ce qui à son tour donne lieu à un amortissement renforcé. En con- séquence de ladite recombinaison non rayonnante,accrue, il se produit localement une augmentation de température, ce qui diminue dans-une certaine mesure la distance de bande. A son tour, cela conduit à nouveau à un plus grand amor- tissement. On a constaté que souvent ces régions qui se produisent localement sont des agglomérations de défauts de réseau cristallin qui ont tendance à s'étendre sur l'en- tière région active en forme de bande au cours de la du- rée de vie du laser, ce dernier devenant de ce fait rapide- ment inutilisable. On a constaté que les lasers ayant un volume actif relativement très petit sont moins affectés par l'apparition d'oscillations spontanées. Toutefois, la fabrication de ces lasers est souvent difficile. Dans le brevet américain n 3 510 795, déjà cité, il est question d'un laser semiconducteur avec une région active en forme de bande, dans lequel la jonction-pn qui injecte des porteurs de charge dans cette région active est subdivisée en plusieurs jonctions-pn qui sont branchées en parallèle, ce qui a été fait pour obtenir un meilleur refroidissement. L'invention vise entre autres de procurer une nouvelle structure d'un laser semiconducteur grAce à la- quelle l'effet desdits phénomènes de vieillissement est diminué au moins dans une grande mesure. L'invention repose entre autres sur l'idée que la durée de vie du laser semiconducteur peut être prolon- gée considérablement par la limitation de la région sur laquelle les défauts de réseau cristallin déjà cités peu- vent s'étendre. A cet effet et conformément à l'invention, le laser semiconducteur du genre décrit dans le préambule est remarquable en ce que la région active en forme de bande appartient à une couche semiconductrice active de premier type de conduction et comporte plusieurs zones de deuxième type de conduction dans lesquelles le rayonnement est en- gendré, lesdites zones étant raccordées électriquement à une électrode élaborée sur une surface du corps semiconduc- teur, alors que la distance de bande de la partie de couche active de premier type de conduction, située entre lesdites zones est au moins égale à celle des zones, tandis que vue suivant la longueur de la région active en forme de bande la dimension la plus grande des zones est au maximum égale à 20unm. Du fait que la distance de bande de la partie appartenant à la couche active de premier type de conduc- tion et située entre les zones de deuxième type de con- duction dans lesquelles a lieu la recombinaison rayonnan- te est au moins égale à celle desdites zones, il se trouve que cette région intermédiaire est transparente au rayonne- ment engendré. Etant donné que l'importance desdits défauts de réseau cristallin augmente sous l'influence de la recom- binaison non rayonnante de porteurs de charge, l'augmenta- tion de l'importance desdits défauts de réseau cristallin ne se produit pas dans la région intermédiaire, étant don- né qu'en cet endroit il n'y a pratiquement pas de recombi- naison, les défauts de réseau cristallin restent limités également lorsque leur importance augmente, au volume des zones de deuxième type de conduction. De cette façon, la formation d'une grande région cohérente à défauts de réseau cristallin dans le volume actif du laser est exclue, de sorte que les oscillations spontanées sont évitées. Un autre avantage du laser semiconducteur confor- me à l'invention est que la direction de sortie du rayon- nement transversal de premier ordre ainsi que des rayonne- ments transversaux d'ordre plus élevé du rayonnement qui sortent des zones de deuxième type de conduction forme un certain angle avec la direction longitudinale de la région active en forme de bande. En grande partie, ces rayonnements transversaux quittent de ce fait la région active avant de pouvoir entrer dans une zone suivante pour être amplifiés davantage. De ce fait, seul le rayonnement fondamental (d'ordre zéro) est amplifié, et les discontinuités dans la courbe donnant la relation entre l'intensité de rayonnement et l'intensité du courant sont évitées. Dans ce but toute- fois, les zones de deuxième type de conduction ne doivent pas être trop proches les unes des autres. C'est pourquoi de préférence la distance entre deux zones voisines est au moins pratiquement égale à leur plus grande dimension dans la direction longitudinale de la région active. A remar- quer encore que là O dans cette demande il est question d'une dimension d'une zone de deuxième conduction, il s'a- git d'une dimension dans une direction parallèle à la cou- che active, c'est-à-dire, parallèle à la surface. La distance entre deux zones voisines de deuxiè- me type de-conduction ne doit évidemment pas être petite au point que les porteurs de charge qui, depuis une zone, sont injectés dans le matériau intermédiaire de premier ty- pe de conduction de la couche active puissent se déplacer jusque dans la zone voisine de deuxième type de conduction et provoquer une recombinaison dans celle-ci. Pour limiter dans la mesure du possible l'étendue des régions cohérentes occupées par des défauts de réseau cristallin, la plus grande dimension des zones de deuxième type de conduction dans la direction de la longueur de la région active est de préférence égale au maximum à 10aum. De préférence, lesdites zones font partie de ré- gions de deuxième type de conduction qui, depuis la surfa- ce, s'étendent sur au moins une partie de l'épaisseur de la couche active. Bien qu'au besoin les zones de deuxième type de conduction puissent ne s'étendre que sur une par- tie de l'épaisseur de la couche active, on élabore de pré- férence lesdites zones sur l'épaisseur totale de la couche active dans le but d'obtenir une efficacité optimale. Dans ce cas, les zones se terminent de préférence dans le voisi- nage immédiat de la jonction entre la couche active et la couche passive limitrophe sous-jacente. La couche active est réalisée de préférence en arséniure-de gallium ou en arséniure double de gallium et d'aluminium de type de conduction n dans lequel, par un 3o dopage à l'aide de zinc, effectué par exemple par diffu- sion, sont formées des zones conductrices de type de con- duction p. Etant donné que dans ce'cas la distance de ban- de du matériau de type de conduction n, est plus grande que celle du matériau de type de conduction p, la condition à l'égard de la distance de bande est respectée automati- quement. Enfin, il importe de remarquer que du fait que le résonateur est formé par des faces latérales réfléchis- santes du corps semiconducteur, par exemple formées par des faces de clivage du cristal, il est avantageux que ces fa- ces réfléchissantes ne coupent la couche active que dans le matériau de premier type de conduction qui est transparent au rayonnement. Dans ce cas, il ne se produit aucune recom- binaison près des faces réfléchissantes, de sorte que cel- les-ci s9endommagent moins facilement. La densité de rayon nement admise à l'égard du laser peut dans ces conditions être pratiquement décuplée comparativement au cas oi les faces réfléchissantes coupent le éateriau de deuxièe tyjpe de conductiorz La description suivante, en regard des desaims annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien compren- dre comment l'invention peut 8tre réalisée. La figure 1 est une vue en plan d'un laser semi- conducteur conforme à l'invention. La figure 2 est une coupe transversale suivant le plan II-II sur la figure 1. La figure 3 est une coupe tramsversale suivant le plan III-III sur la figure i. La figure 4 est une vue en plan d'un autre laser semiconducteur conforme à l'inventiono La figure 5 est une coupe transversale suivant le plan I111-III et concerne un autre mode de réalisation dem7 laser conforme à 1'invention. Les figures'69 7 et 8 sont des vues en plan illus- trant encore d'autres modes de réalisation du laser confor- me à l invention. Toutes les figures sont schématiques et lers di- mensions n'ont pas été reproduites à la mQme échelle par= ticulièrement les dimensions suivant la direction des épais- seurs ayant été exagérées dans le but de rendre plus claires les figures. Dans les coupes transversales, les régions se- miconductrices ayantle même type de conduction sont hachu- rées dans le même sens. En règle générale, les parties qui se correspondent sur les différentes figures sont indi- quée par la même référence. Le laser semiconducteur (voir fig. 1; 2 et 35 a un corps semiconducteur 1 avec une région active en forme de bande qui est située dans un résonateur et dont les li- mites sont indiquées par a et a' dans la vue en plan selon la figure 1, le rayonnement de laser qui sur les figures 1 et 2 est indiqué par la flèche 2, étant émis suivant la di- rection longitudinale de ladite région active en forme de bande. Dans cet exemple, le résonateur est formé par deux faces latérales réfléchissantes du corps semiconducteur, ces faces étant pratiquement perpendiculaires à la région active et étant le plus souvent des faces de clivage du cristal semiconducteur. Pour injecter des porteurs de char- ge dans la région active, on dispose de plusieurs jonctions pn 5, cellesci sont formées entre les régions 6 décrites ci-dessous, et la partie avoisinante du corps semiconduc- teur. Conformément à l'invention, la région active en forme de bande appartient A une couche semiconductrice ac- tive 7 de premier type de conduction, cette couche 7 com- portant plusieurs zones 8 dans lesquelles a lieu l'engen- drement du rayonnement et dont le type de conduction dit deuxième est opposé audit premier type de conduction. A travers les régions déjà citées 6, lesdites zones 8 sont connectées électriquement à une électrode 10 formée ici par une couche métallique et élaborée sur une surface 9 du corps semiconducteur. De plus et en conformité à l'inven- tion, la distance de bande de la partie appartenant à la couche active 7 de premier type de conduction et située entre les zones 8 est au moins égale à celle des zones 8. Enfin et toujours conformément à l'invention, la plus gran- de dimension des zones 8, vue dans la direction longitudi- nale de la région active en forme de bande, est au maximum égale à 20/um. ( et dans cet exemple inférieure à 20 um). Dans cet exemple, le corps semiconducteur est formé par un substrat 11 en arséniure de gallium de type de conduction n ayant une épaisseur de 100 um et une concen- tration de dopage de 10 atomes de silicium par cm. Sur ledit substrat 11 est élaborée une couche 12 en arséniure double de gallium et d'aluminium de type de conduction n, dont la composition répond à la formule Ga0 65Ai 035As, 247-1683 l'épaisseurëb cet arséniure double étant égale à 2/um et sa concentration de dopage étant égale à 5.10 17 atomes d'étain par cm3. Ladite couche 12 qui par la suite est appelée pre- mière couche passive porte la couche active 7 déjà citée et réalisée en arséniure double de gallium et d'aluminium de type de conduction n, la composition de cet arséniure ré- pondant à la formule Ga i95AI 0,OAs et l'épaisseur de la couche 7 étant égale à 0,2/um alors que sa concentration de dopage est égale à 10 18 atomes d'étain par crA3 Sur ladite couche 7 se trouve une deuxième couche passive 13 de type de conduction n, réalisée en arséniure double de galium et d'aluminium dont la composition répond à la formule Gao,65 A10, 35As, l'épaisseur de cet arséniure étant égale à. 1,5um et sa concentration de dopage égale à 51017 atomes d'Ain i5 par cm *3. A son tour, ladite couche passive 13 porte une couche de contact 14 de type de conductiQn n, réalisée en arséniure de gallium dont l'épaisseur est égale à 22./ m et la concentration de dopage égale à 5O10o17 atomes d'étain par cm3.Les régions (6,8) de type de conduction p résultent d'une diffusion de zinc effectuée à travers les fenâtres 15 pratiquées dans une couche électriquement isolante 16 éla- borée sur la surface 9 et réalisée par exemple en oxyde silicium, en oxyde ddaluminium, en nitrure de silicium ou en un autre matériau diélectrique adéquat. Sur la face in- f rieure du substrat Il a été élaborée une couche métalli- que 17, les jonctions-pn 5 peuvent être polarisées dans le sens direct du fait d'appliquer à la couche métallique 10 une tension qui est positive par rapport à celle de la cou- che métallique 17. En présence doune intensité de courant dans le sens direct et supérieur à l'intensité du courant de seuil, il se produit un effet laser, Dans le cas des lasers connus du type double hétérojonction du genre décrit dans le présent exposé, la zone (6,8) de type de conduction p formée par voie de dif- fusion, pourrait, sur toute la longueur du laser, s'étendre sous forme d'une zone cohérente en forme de bande. Les dé- fauts de cristaux cristallins qui existent dans cette zone donnent lieu à des recormbinaisons non rayonnantes.. - 8- 2471683 jusqu'au point o le laser présente, en plus d'un courant de seuil à plus forte intensité, des oscillations spon- tanées, et devient inutilisable. A cette occasion, les défauts de réseau cristallin peuvent s'étendre sur toute la zone 8. Dans le laser conforme à l'invention, un défaut de réseau cristallin qui se situe dans une des zones 8 n'est à meme de s'étendre au maximum que jusqu'au volume de cette seule zone. Les régions intermédiaires de la couche active, de premier type de conduction, sont notam- ment transparentes au rayonnement. Par conséquent, il ne se forme pas de paires électron-trou dans lesdites ré- gions intermédiaires et il ne se produit donc pas non plus de recombinaison. C'est pourquoi les zones 8 qui ne contiennent pas de défauts de réseau cristallins ne sont pas attaqués par l'augmentation de l'importance des dé- fauts de réseau cristallins dans d'autres zones. On a pu constater qu'en utilisant une structure de laser conforme à l'invention, il est possible d'éviter des oscillations spontanées et les inconvénients qui sont inhérents à celles-ci. Le laser décrit ici présente encore comme autres avantages: un meilleur refroidissement ther- mique que celui des lasers à double hétérojonction connus, et l'absence d'astigmatisme en conséquence de la diffé- rence d'indice de réfraction en direction latérale entre les zones 8 et le matériau de type de conduction n. Bien que, pour la clarté des figures, l'on niait dessiné sur celles-ci que cinq zones 8, le nombre de zones 8 est généralement beaucoup plus grand. Dans le laser semiconducteur répondant à l'exemple décrit ci- dessus, le nombre de zones 8 était en réalité égal à vingt-cinq. Ces zones 8 mesuraient environ 6ium x 6 um; la distance entre deux zones voisines était égale aussi à environ 6 unm, et la longueur totale du laser était é- gale à 3341um. Comme se permettent de le constater les figures 1 et 2, les faces latérales 3 et 4 sont élaborées dans une partie de type de conduction n de la couche 7, notamment à une distance d'environ 20 um de la zone 8 la - 9 - plus proche. De ce fait, il ne se produit pratiquement pas de recombinaison près des faces réfléchissantes 3 et 4, tan- dis que l'intensité de rayonnement en présence de laquelle survient un endommagement irr6parable de ces faces lat6rales, est environ d6cuplée comparativement à celle correspondant au cas o les faces r6flé6chissantes 3 et 4 avaient été éla- borées dans la région de type de conduction p. La fabrication du laser semiconducteur conforme a l'invention est possible par exemple de la façon suivanteo On part deun substrat l en arséniure de gallium de type de conduction n, la concentration de dopage de ce substrat étant égale à 108 atomes de silicium/cm3. Sur ce substrat Il et par voie d'épitaxie à partir de la phase liquide, on forme cons6cutivement les couches 12, 7, 13 et 14 ayant les épaisseurs de concentrations de dopage cities dÉns ce qui précède. La croissance par 6pitaxie à partir de la phase li- quide est une méthode pratiquée généralement dans le techk nique des semiconducteurs, et il n'y a donc pas lieu de don- ner plus de détails à ce sujeto On se contente de renvoyer au livre "Crystal Growth from High Temperature Solutions' des auteurs Do Elwell et J.J. Scheel, pages 433 à 467, édi- te par Academic Press en 1975. Sur la surface de la couche 14 on élabore ensuite une couche masquante 16 dont lVépaisseur est égale à 0,15/um et qui dans cet exemple. est en oxyde d'aluminium. (A1203). Cette couche 16 résulte par exemple d'un dép8t par 6vapora- tion. Dans ladite couche 16, on décape des fengtres 15 par la mise en oeuvre de procéd6s de photodécapage courants en guise d'agent décapant, on utilise par exemple de leacide phosphorique concentré (H3P04) à la temperature de 70 Co Ensuite, par exemple dans une capsule préalable- ment mise sous vide et en utilisant la substance ZnAs2 com- me source de diffusion, on procède., à la température de 620oC, à une diffusion de zinc à travers les fenêtres 15, la couche 16 en oxyde d'aluminium faisant à cette occasion of- fice de masque. La durée de diffusion dépend de l'épaisseur des couches 7, 13 et 14 pour les épaisseurs de couches ci- tées ci-dessus à titre d'exemple, la durée de diffusion * - 10- est égale à environ 90 minutes. Cette diffusion conduit à l'obtention des régions (6,8) de type de conduction p qui s'étendent environ jusqu'à la face limite entre les couches 12 et- 7, Une autre possibilité qui permet une moins grande profondeur de diffusion et qui notamment donne lieu à une-diffusion latérale moins importante, est ob- tenue du fait qu'avant de procéder à la diffusion de zinc, la couche 14 est enlevée à l'endroit des fenttres 15 à l'aide d'un agent décapant sélectif qui tout en attaquant l'arséniure de gallium n'attaque toutefois pas l'arsé- niure double de gallium et d'aluminium. Un tel agent dé- capant comporte par exemple 25 cm3 de H202 à 30% et 25 cm3 d'eau, complété par de l'hydroxyde d'ammonium qH40H, jusqu'à l'établissement d'un pH égal à 8. Puis on procède à l'élaboration des couches métalliques 10 et 17, la couche 10 étant par exemple en chrome et la couche 17 étant formée par un alliage or- germanium-nickel. Finalement, le laser est monté de fa- çon habituelle, de préférence à partir de la couche métal- lique 10, sur un corps refroidisseur et placé dans une enveloppe adéquate. Au lieu d'ttre obtenu par croissance épitaxiale à partir de la phase liquide, la fabrication du laser décrit ci-dessus est possible également d'une autre façon, par exemple par croissance épitaxiale à partir de la phase gazeuse. Au lieu des matériaux semiconducteurs utilisés dans cet exemple, il est possible aussi d'utiliser d'autres matériaux semiconducteurs convenant pour la fabrication de lasers. A remarquer également que, bien que dans l'exem- ple les réflecteurs soient formées par des faces de cli- vage du cristal semiconducteur, il est possible également d'utiliser d'autres réflecteurs. Ceux-ci pourraient 9tre formés également par exemple du fait. que sur la région active ou près de celle-ci vue dans la direction longitu- dinale de cette région, il est établi une variation pé- riodique géométrique dans l'indice de réfraction et/ou 2471683- les épaisseurs de couche. Il s'agit-là de la structure des lasers à "réaction répartie" (lasers DFB = 7'distri- buted feedback lasers"), décrits par exemple dans la publication " pplied Physics Letters", Volume 15, pages 152 à 154, parue en février 1971. A titre illustratif, on a indiqué sur la fi- gure 1 de façon schématique également les directions 2* suivant lesquelles le rayonnement de laser engendré dans la zone centrale 8 et de premier ordre transversal quitte ladite zone. Lorsque, comme dans cet exemple, la distance entre deux zones voisines 8-, vue suivant la longueur de la région active, est au moins du m9me ordre de grandeur que la dimension la plus grande des zones 8, la majeure partie du rayonnement dans les directions 2* ne pénètre pas dans la zone voisine 8 et n'est donc pas amplifiée davantage. Cela est encore plus le cas pour les modes d'ordre plus élevé. Etant donné que cela permet de sup- primer davantage l'apparition de rayonnement transversal - de premier ordre et de modes de rayonnements transversaux d'ordre plus élevé, il est possible en principe d'utiliser une région active en forme de bande dont la largeur est un peu plus grande que celle des lasers connus, à zone active cohérente. Inversement, on peut poser aussi que dans le laser semiconducteur conforme à l'invention, l'en- gendrement du rayonnement de laser avec un seul mode d'os- cillation transversal est favorisé grandement. Comme indiqué dans l'exemple décrit (voir Figure 1) les centres des zones 8 de deuxième type de conduction, vues suivant la longueur de la région active, sont situés 3 avantageusement sur une m9me ligne (II-II.). Parfois toute- fois, il peut ttre avantageux que lesdits centres des zones 8 se situent de façon alternante sur une (ou leautre) parmi deux lignes parallèles, la distance entre ces deux * lignes parallèles étant de préférence inférieure à la di- mension des zones suivant la direction de la largeur de la région active (voir figure 4). Ceci est avantageux particulièrement lorsque les. zones 8, situées sur la première ligne parallèle II'-II', sont connectées à une - 12 - première électrode 10', et que les zones 8" situées sur l'autre ligne parallèle III-II", sont connectées à une deuxième électrode 10", comme indiqué sur la figure 4 par analogie avec la figure 1 - schématiquement par une vue en plan. Selon que l'excitation concerne l'une ou l'autre des électrodes 10' et 10" comparativement à l'élec- trode 17, il est engendré un faisceau de laser 2' ou un faisceau de laser 2", la distance entre les régions de sortie de ces deux faisceaux de laser pouvant ttre très petite, et notamment beaucoup plus petite que dans le cas des lasers connus pour engendrer un faisceau de laser "déplaçable". L'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation donnés dans le présent exposé, et le techni- cien mattre en la matière peut en réaliser de nombreuses variantes. C'est ainsi qu'il n'est par exemple pas stric- tement nécessaire que durs le mode de réalisation selon les figures 1, 2 et 3, les régions (6,8) de type de con- duction p, couvrent toute l'épaisseur de la couche active 7; pour atteindre le but visé par l'invention, il est en principe suffisant que les zones 8 ne s'étendent que sur une partie de l'épaisseur de la couche 7 comme le montre schématiquement la figure 5 par une coupe transversale suivant une direction correspondant au plan III-III sur la figure 1o Il est possible aussi de pratiquer une dif- fusion de zinc plus profondément dans la couche 120 Par ailleurs, il n'est pas absolument indispen- sable d'utiliser un laser-à hétérojonction double0 Egale- ment dans le cas d'un laser comportant une seule hétéro- jonction, obtenue par exemple du fait que dans le laser selon les figures 1 à 3, les régions 7 et 12 sont formées par un matériau semiconducteur ayant la m.9me composition, la mesure que préconise l'invention est pratiquée avanta- geusement. Il ntest pas nécessaire non plus que toutes les dimensions des zones de deuxième type de conduction soient égales. En particulier, suivant la direction longitudinale de la région active, la dimension transversale des zones 247 1683 - 13 - peut varier périodiquement. Cela est indiqué schémati- quement dans la vue en plan selon la figure 6. Une telle structure a des propriétés qui sont analogues à celles du laser à largeur variable périodique de la région active en forme de bande telle que celle qui est décrite dans la demande de brevet néerlandais antérieure que la Deman- deresse a déposé sous le NO 79 00 668 En plus des matériaux semiconducteurs des dif- férentes couches, il est possible également de varier suivant le besoin l'emploi des substances dopantes pour les zones 80 Il est possible aussi de remplacer les dif- férentm, types de conduction précisée dans cet ex- posé par les types de conduction opposées à condition de respecter la condition posée à l'égard des distances de bandes dans la couche active. Il peut arriver par exemple qu'au lieu des zones 8, c'est le matériau de la couche 7, situé entre les zones 8, qui doit 8tre obtenu par dopage. Ce dopage ne doit d'ailleurs pas avoir lieu nécessairement par diffusion, car il est parfois possible aussi de la pratiquer par implantation d'ions ou d'une autre façon. Finalement, il y a lieu de noter que bien que dans les exemples les zones de deuxième type de conduction affectent une forme carrée ou rectangulaire, celle-ci n'est nullement la seule forme possible dans la pratique, car il est tout aussi bien possible de donner aux zones une forme circulaire, triangulaire ou autre, comme indi- qué par exemple dans les figures 7 et 80 - 14 - REENDICATION: 1. Laser semiconducteur avec un corps semiconduc- teur comportant une région active en forme de bande située dans un résonateur, le rayonnement étant émis suivant la direction de la longueur de ladite région active en for- me de bande alors que plusieurs jonctions pn branchées en parallèle sont disponibles pour injecter des porteurs de charge dans ladite régions caractérisé en ce que la région active en forme de bande appartient à une couche semiconductrice active- de premier type de conduction et comporte plusieurs zones de deuxième type de conduction dans lesquelles le rayonnement est engendré, lesdites zones étant raccordées électriquement à une électrode. élaborée sur une surface du corps semiconducteur, alors que-la distance de bande de la partie de couche active de premier type de conduction, située entre lesdites zones est au moins égale à celle des zones, tandis que vue sui- vant la longueur de la région active en forme de bande, la dimension la plus grande des zones est au maximum é- gale à 20,ume 2. Laser semiconducteur selon la.revendication 1, caractérisé en ce que la plus grande dimension des zones de deuxième type de conduction dans la direction de la longueur de la région active est de préférence au maximum égale à 10îum. 3. Laser semiconducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que dans la direction de la lon- gueur de la région active, la distance entre deux zones voisines de deuxième type de conduction est au moins é- gale à la plus grande dimension de ces zones. 4. Laser semiconducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que vus suivant la longueur de la région active, les centres des zones de deuxième type de conduction se situent sur une même ligne. 5. Laser semiconducteur selon l'une des revendica- tions 1 à 3, caractérisé en ce que suivant la longueur de la région active, les centres des zones de deuxième type de conduction se situent de façon alternante sur l'une ou l'autre parmi deux lignes parallèles. 6. Laser semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que la distance entre les lignes paral- lèles est inférieure à la dimension des zones suivant la direction de la largeur de la région active. 7. Laser semiconducteur selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que les zones situées sur la première ligne parallèle sont connectées à une première électrode, tandis que les zones situées sur l'autre ligne parallèle sont connectées à une deuxième électrode. 8. Laser semiconducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que du moins suivant la longueur de la région active, toutes zones de deuxième type de conduction ont les m9mes dimensions. 9. Laser semiconducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les zones de deuxième type de conduction dans la couche active font partie de régions de deuxième type de conduction quidepuis la surface, s'étendent sur au moins une partie l'épaisseur de la couche active. 10. Laser semiconducteur selonl!%nequeconquedes reven- dication précédentes, caractérisé en ce que les zones de deuxième type de conduction s5 tendent sur toute l'épaisseur de la couche active. 11. Laser semiconducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche active est située entre deux couches passives de premier type de conduction, la distance de bande de ces couches passives étant plus grande que celle de la couche active. 12. Laser semiconducteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche active est en arséniure de gallium ou en arséniure double de gallium et d'aluminium de type de conduction n. 13. Laser semiconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que les zones de deuxième type de conduc- tion résultent d'un dopage à l'aide de zinc.