FR 2471081 A1 19810612 FR 7929506 A 19791130 La présente invention concerne nm filtre aà capaci- tés commutées à transfert de charges. les filtres à capacités commutées sont conlus notamment par deux articles de la revue américaine "IEEE Journal of solid-state circuits"', volume SC12, Y" 6, decembre 1977, pages 592 à 608. Les filtres à capacités commutées comportent géné- ralement un amplificateur associé à un réseau de résis- tances et de capacités dans lequel chaque résistance est réalisée par la mise en série de deux interrupteurs MOS et par une capacité. entre le point commun à ces inter- rupteurs et une tension de référence. La présente invention concerne un filtre à capaci- tés commutées dans lequel les capacités sont réalisées en technologie MOS et les interrupteurs MOS sont cons- titués par des grilles à cheval sur les capacités MOS dont elles sont séparées par une couche d'oxyde. L'une des armatures de chaque capacité MOS est donc constituée par le substrat semi-conducteur sur lequel cette capacité est intégrée et la liaison entre deux capacités MOS dont les armatures constituées par le substrat se trouvent périodiquement reliées, d'après le schéma électrique du-filtre, se fait par transfert de charges dans le substrat semiconducteur sur lequel ces deux capacités sont intégrées et aboutit à l'éta- blissement d'un même potentiel de surface sous ces deux capacités. C'est pourquoi le filtre selon l'invention est appelé filtre à capacités commut6es à transfert de charges.. L'autre armature de chaque capacité M4OS, qui est donc externe au substrat, reçoit, selon le point o elle est reliée sur le schéma électrique du filtre, soit la tension d'entrée du filtre E, soit une tension continue VG prise pour référence. Dans le cas o l'armature externe est reliée sur le schéma électrique, périodiquement ou en permanence, et directement ou par l'intermédiaire de l'amplifi- cateur, à l'armature constituée par le substrat d'une autre capacité, cette armature externe reçoit par l'intermédiaire d'un dispositif de lecture et de ré-injection le potentiel de surface sous cette autre capacité. La présente invention permet de transformer en filtre à capacités commutées à transfert de char- ges un filtre dont le schéma électrique est quel- conque et ne comporte que des résistances et des capacités associées à un. amplificateur. On peut ainsi obtenir des filtres à capacités commutées à transfert de charges d'un ordre quelconque en mettant en série des filtres des premier et deuxième ordres. Les filtres à capacités commutées à trans- fert de charges présentent notamment par rapport aux filtres à capacités commutées connus, l'avantage de ne pas comporter de capacités parasites sur les capacités du réseau associé à l'amplificateur. On peut ainsi utiliser de faibles valeurs pour les ca- pacités du réseau, et le coût et l'encombrement du filtre peuvent être diminués. D'autres objets, caractéristiques et résul- tats de l'invention ressortiront de la description suivante, donnée à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les figures annexées qui représentent - la figure 1, le schéma électrique d'un filtre passe-haut du second ordre; - la figure 2, le schéma du filtre à capacités com- mutées correspondant au filtre de la figure 1; - la figure 3, un mode de réalisation selon l'inven- tion d'un filtre à capacités commutées à transfert de charges correspondant au filtre des figures 1 et 2; - la figure ô, le schéma électrique d'un filtre passe-bas du second ordre; - la figure 5, le schéma du filtre à capacités com- mutées correspondant au filtre de la figure 4; - la figure a, un mode de réalisation selon l'inven- tion d'un filtre à capacités commutées à transfert de charges correspondant au filtre des figures 4 et 5; - les figures 7a à e, des diagrammes de phase de signaux susceptibles d'être appliqués aux filtres selon l'invention; - la figure Q, un autre mode de réalisation. selon l'invention d'un filtre à capacités commutées à transfert de charges correspondant au filtre des figures l et 2. Sur les différentes figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments, mais pour des raisons de clarté, les cotes et proportions des différents éléments ne sont pas respectées. La figure 1 représente le schéma électrique d'un filtre passe-haut du second ordre. Ce filtre est constitué de deux capacités Cl1 et C2 en série avec l'entrée d'un amplificateur 1 de gain G. Une résistance R1 est reliée entre l'entrée de L'amplificateur et la masse, tandis qu'une autre résistance R2 assure le bouclage du fil- tre en reliant la sortie de l'amplificateur au point commun aux capacités C1 et 02. On appelle E la tension d'entrée du filtre et Vs sa tension de sortie. La figure 2 représente le schéma du filtre à capacités-commutées correspondant au filtrede la figure 1. Les résistances R1 et R2 du filtre de la figure 1 sont réalisées par la mise en série de deux interrupteurs MOS, respectivement I1, 12 et I3,- I4, recevant des signaux de commande MA et OB, et par une capacité, respectivement C3 et C4, entre le point commun aux deux interrupteurs et la masse. Sur la figure 2, on a représenté symbolique- ment, par quelques points, quelle armature des capa- cités C à C4 serait constituée par le substrat semi-conducteur dans le filtre à capacités commutées à transfert de charges selon l'invention. Dans le filtre selon l'invention, seront donc constituées par le substrat l'armature de la capacité C1, autre que celle qui reçoit la tension d'entrée E d'après le schéma électrique, les armatures de C3 et C4 autres que celles reliées à la masse d'après le schéma élec- trique et enfin, l'armature de la capacité C2 qui est reliée à l'amplificateur 1. La figure 3 représente un mode de réalisation selon l'invention d'unfiltre à eapacités commutées à transfert de charges correspondant au filtre des figures 1 et 2. Les capacités du filtre sont réalisées en technologie MOS, c'est-à-dire oqu'-elles sont consti- tuées par une électrode:c-q-e, séparée par une couche d'oxyde (qui n'est pas représentée sur la figu- re pour des raisons de clarté) d'un substrat semi-con- ducteur 2, qui est généralement du silicium. L'une des armatures de chaque capacité MOS est donc constituée par le substrat sur lequel elle est intégrée. Les interrupteurs MOS du filtre sont constitués par des grilles à cheval sur les capacités MOS dont elles sont séparées par une couche d'oxyde supplémen- taire (qui n'est également par représentée sur la figure pour des raisons de clarté). Lorsqu'un potentiel élevé est appliqué sur l'un de ces interrupteurs, une liaison par transfert de charges s'effectue entre les deux capacités adjacentes à cet interrupteur. Un mCme potentiel de surface est finalement établi sous ces deux capacités. Sur le meme substrat semi-conducteur, on trouve intégrées à la suite l'une de l'autre, selon le sens de transfert des charges indiqué par une flèche, les capacités C4 et C1 séparées par l'interrupteur I com- 4 13 mandé par le signal 0B. Sur le schéma de la figure 2, les armatures sontituées par le substrat des capacités C1 et C4 se trouvent périodiquement reliées par l'in- terrupteur MOS I3 commandé par 0B' Ces capacités sont donc intégrées sur le même substrat semi-conducteur et la liaison entre elles se fait par transfert de charges dans le substrat à travers I3. L'autre armature de la capacités C étant reliée sur le schéma de la figure 2 à la masse reçoit une tension continue VG prise pour référence. L'autre armature de la capacité C1 reçoit, comme sur la figure 2, la tension d'entrée du filtre E. Les capacités C2 et C3 dont les armatures constituées par le substrat se trouvent périodiquement reliées par - l'interrupteur L1 commanda par B sur la figure 2 sont intégrés sur le même substrat semi-conducteur 2 que ce- lui qui porte C4 et C1 mais se trouvent isolées de la zone du substrat qui porte 04 et C. L'autre armature de 03 reliée à la masse sur la figure 2 reçoit la tension VG. L'autre armature de C2 qui est reliée sur le schéma de la figure 2 à l'armature constituée par le substrat de C re9oit le potentiel de surface sous C1 par l'inter- médiaire d'un dispositif de lecture et de ré-injection. Dans le cas de la figure 3, le dispositif de lectu- re et de ré-injection est constitué par un étage suiveur de tension dont l'entrée est connectée à une diode D1 diffusée dans le substrat sous C1 et dont la sortie est reliée à l'armature externe de C2. L'étage suiveur de tension peut être constitué, comme sur la figure 3, de deux transistors MOS, à enri- chissement T et à déplétion T2, en série entre une ten- sion d'alimentation VDD et la masse. L'entrée se fait sur la grille de T1 reliée à VDD et la sortie se fait sur l'électrode commune à T1 et T2, tandis que la grille de T2 est reliée à la masse. Sur la figure 2, on constate que l'armature consti- tuée par le substrat de la capacité C2 est reliée par l'intermédiaire de l'amplificateur de gain G, et d'un interrupteur I commandé par le signal 0 à l'armature constituée par le substrat de la capacité 04. Dans le cas de la figure 3, cela est réalisé par un dispositif de lecture et d'injection de cbarges, consti- tué par une diode D2 injectée sous C2 et un étage suiveur de tension connecté à l'entrée de l'amplificateur de gain G. La sortie de l'amplificateur est reliée à une diode D4 d'injection des charges, diffusée dans le même substrat que C4 et C1 et en aval, selon le sens de transfert des charges, de C dont elle se trouve séparée par l'interrupteur 14 commandé par 0A. L'étage suiveur de tension est généralement inclus dans l'amplificateur de gain C- et sur la fi- gure 3, seul cet amplificateur est représenté. Sur la figure 2, on constate que l'armature constituée par le substrat de C3 est périodiquement reliée par l'intermédiaire d'un interrupteur I2 com- mandé par 0A à la masse. Dans le cas de la figure 3, cela est réalisé en disposant à la suite de C3 sur le même substrat un interrupteur 12 commandé par 0A et une diode D3 reliée en permanence à un potentiel de référence Vréf qui peut 8tre la masse du filtre. - Nous allons maintenant établir la fonction de transfert du filtre selon l'invention, représenté sur la figure 3. Il faut d'abord préciser que les signaux d'hor- loge eA et 0B appliqués aux interrupteurs MOS de ce filtre sont représentés sur les figures 7a et 7b. Les signaux FA et 0B varient sensiblement en créneau entre un niveau bas et un niveau haut avec une pé- riode T. De plus, OA et 0B ne sont pas simultanément au niveau haut. On appelle tA l'instant o 0A est au niveau haut et tB l'instant o 0B est au niveau haut. La même tension d'entrée E est maintenue sur C1 entre deux instants tB successifs et change aux instants tB. Au temps tA, 0A est au niveau haut et 0 au niveau bas. Le potentiel de surface sous C4 et sous C3 s'écrit: $s4(tA) = G.0S2(tB-T) et eS3(tA) = Vréf- On peut d'autre part écrire la conservation de la qurntit; charges totale d'unte part sous C4 et 1 et d'autre part sous C2 et 03 entre les instants tA ettB: C04[ VG-GOs (tB-T)] + C1 E(t-T)-0 (t B-T)] = C4 [VG7S (tB> + C1[E(t)$s1(t)3 C2 [ (tB-T) - 0 (t)+ 3(V -Vr f) = C2 0S(tB) - S2 t)] + C3tVG-0s (t)] En passant dans le plan Z et en éliminant 1 de ces deux relations, on obtient: V- GM2 (z -1_ 1)2 E E AZ - -Z' + C o A, B et C sont des constantes qui s'expriment en fonction de G et C1, C2, C3, C4. On constate donc que la fonction de transfert en Z obtenue est celle d'un filtre passe-haut. La figure 4 représente le schéma électrique d'un filtre passe-bas du second ordre, du type Sallen- Key, dual de celui qui est représenté sur la figure 1. Ce filtre comporte deux résistances R3 et R4 - en série avec l'entrée de l'amplificateurl de gain G. Une capacité C est reliée entre l'entrée de l'ampli- ficateur et la masse. Enfin, une capacité C6 entre la sortie de l'amplificateur et le point commun à R3 et R4 assure le bouclage du filtre. La figure 5 représente le schéma du filtre à capacités commutées correspondant au schéma de la figure 4. Les résistances R et R sont réalisées par la 3 4 mise en série de deux interrupteurs, respectivement I5, 16 et I7, 18 et par une capacité respectivement C et C8 entre le point commun aux interrupteurs et 7 8 la masse. On na rer, n.- syboliciement par quelques points que les armatures de C5, C7, C8, autres que celles reliées à la masse d'après le schéma élec- trique, sera ent constituées par le substrat semi- conducteur dans le filtre selon l'invention. De même, on a représentEé symboliquement que l'armature de C6 autre que celle reliée à la sortie de l'amplificateur serait constituée par le substrat semi-conducteur. La figure 6 représente un mode de réalisation selon l'invention d'un filtre à:capacités commutées à transfert de charges correspondant au filtre des figures 4 et 5. On trouve alignées sur le même substrat, selon le sens de transfert des charges indiqué par une flèche, les capacités C7, C6, C8, C5 et une capacité de lecture Ce. Chacune de ces capacités est séparée de la suivante par un interrupteur I6, I7, I8, 19. L'interrupteur I7 est commandé par OA, les interrupteurs 16 et 18 sont commandés par B et enfin l'interrupteur I9 est commandé par un signal L. L'armature externe des capacités C7 et C8 est reliée directement à VG. L'armature externe de C5 est périodiquement reliée à VG par l'intermédiaire d'un transistor MOS T3 commandé par le signal ôB. La tension d'entrée E est appliquée à une diode D5 diffusée, en aval de C7, dont elle est séparée par,une capacité portée à VG et par un in- terrupteur il commandé par 9A. Sur le schéma de la figure 5, l'armature cons- tituée par le substrat de C est reliée par l'inter- médiaire de l'amplificateur à l'armature externe de C6. Cela est réalisé sur la figure 6 par un dispositif de lecture et de ré-injection relié entre C5 et l'am- plificater,-, la sortie de l'amplificateur étant connectée à l'armature externe de C6. Le dispositif de lecture et de ré-injection représenté sur la figure 6 comporte: - la capacité de lecture C0 séparée de C5 par l'in- terrupteur I9 commandé par L; - un transistor MOS T4 connecté entre l'armature externe de C5 et la masse, et commandé par t; - - un étage constitué par un transistor MOS T com- mandé par un signal $p et relié entre l'armature externe de C0 et l'entrée de l'amplificateur en un point A. Au point A sont également connectés une capacité CA qui est également reliée à la masse et un transistor T6 commandé par un signal OC' et relié à la tension d'alimentationVD - enfin, un transistor T5 commandé par $B est relié entre l'armature externe de CZ et la masse. Sur les figures 7c, 7d et 7e, on a représenté à la suite de 0A et 0B' lés signaux d'horloge ^C' OL et Op. Ces signaux, comme 0A et OB. varient sensible- ment en créneau entre un niveau bas et un niveau haut avec une période T. Les signaux OA' 0B' OC et t ne sont jamais simultanément au niveau haut. Dans l'ordre chronolo- gique, sont au niveau haut 0A ' L puis 0B et ensuite de nouveau 0A' OC.. Le signal 0p est au niveau haut dès l'instant o 9C passe au niveau haut jusqu'à l'instant ot passe au niveau bas. Enfin, on appelle t0 et tL les instants o C et t sont au niveau haut. Nous allons maintenant expliquer le fonctionne- ment du dispositif de lecture et de ré-injection. Au temps tc, Oc et t' s--nt au niveau haut. Le transistor T6 conduit et assure la charge de la capa- cité CA à un niveau VA = VD tel que le transistor TX dont la grille reçoit 0p se trouve polarisé en satu- ration. La cauacité de lecture CI reçoit alors de TL sur son armature externe une tension égale à Vp - V, o' Vop représente le niveau haut du si- gnal Cp et ViL la tension de seuil de T1. Au temps tL, t et 0p sont au niveau haut. le transistor T4 conduit et relie l'armature externe de C5 à la masse. La charge d'inversion présente sous C est transférée à travers l'interrupteur g19 qui est conducteur sous CL. L'armature externe de CL est maintenue à un potentiel constant par T qui est toujours saturé, ce qui provoque la décharge de la capacité CA et la modification du potentiel au point A. Le potentiel du point A au temps t s'écrit e5 (tB-T) donc: VA(t) = - A A T.AOCA o Q5(tB-T) représente la charge présente sous C5 à la fin du cycle précédent, en faisant l'approximation d'une charge d'espace sous CL au temps tL peu diffé- rente de celle existant sous C5 au temps tB-T, ce qui se justifie particulièrement si C5 = CL, ce qui est le cas sur la figure 6. - Le maintien d'un potentiel constant sur l'arma- ture externe de CL lors du transfert des charges à lire sous cette capacité permet la lecture du potentiel de surface sous CL, et donc sous C5, au point A. Pour assurer un bon fonctionnement du filtre, il faut que l'amplificateur 1 comporte un étage translateur de niveau continu de façon que: Vs(tL) = VG q(tR -T) En effet, au timps tA, uzn potentiel de surface commun est établi entre C et C8. Pour qu'il soit 6 8 possible d'établir ce potentiel de surface commun, il est préférable que la tension appliquée à C6 en l'absence de signal de lecture soit la même que celle appliquée à 08, c'est-à-dire-la tension de référence VGÀ Au temps tB, OB est au niveau haut et le tran- sistor T5 relie l'armature externe de CL à la masse, ce qui provoque le retour des charges lues au temps tL sous C5. En écrivant la conservation des charges aux différents instants sur les capacités du filtre, on obtient dans le plan Z la fonction de transfert du - filtre qui s'écrit: Vq(Z) G.Z(2 +') E (Z) AZ-3 + BZ-2-CZ-C+D o A, B, C, D et G sont des constantes qui s'expriment en fonction des valeurs de C5, C6, 07 et 08, et o p = tB - t. Le filtre obtenu a une réponse en basse fré- quence analogue à celle d'un filtre du second ordre. A la fréquence de Nyquist, il existe un pôle réel, mais il ne trouble pas le fonctionnement en basse fré- quence. La figure 8 représente un autre mode de réali- sation selon l'invention d'un filtre à capacités com- mutées à transfert de charges correspondant au filtre des figures 1 et 2. La figure 8 diffère de la figure 3 uniquement par les dispositifs de lecture et de ré-injection utilisés. Les dispositifs utilisés sur la figure 8 sont les mêmes que celui qui est utilise sur la figure 6 pour le filtre asse-as. Ainsi, le potentiel de surface sous Ca et C est lu grâce à un transfert des charges sous deux capacités de lecture CL1 et CL2 séparés de Ci et C2 par des interrupteurs I10 et I1i recevant t.* Comme dans le cas de la figure 6, le transfert des charges sous les capacités de lecture CE1 et CL2 est assuré par des transistors MOS reliés entre l'armature externe de Ci et C2 et la masse et commandés par t et le retour des charges sous C1 et C2 est assuré par des transistors MOS reliés entre l'armature externe de CL1 et CL2 et la masse et commandés par Ces transistors ne sont pas représentés sur la figure 8. Il serait de même possible d'utiliser le dis- positif de lecture et de ré-injection de la figure 3 à la réalisation d'un filtre à capacités commutées à transfert de charges correspondant aux figures 4 et 5. Enfin, il est bien entendu que les schémas des figures 1 et 4 ne sont donnés qu'à titre d'exemple et que l'invention s'applique aux filtres dont le schéma électrique est quelconque et ne comporte que des résistances et des capacités associées à un amplifi- cateur. R E V E N D I C A T'I 0 N S 1. Filtre à capacités commutées à transfert de charges, dont le schéma électrique comporte un ampli- ficateur associé à un réseau de résistances et de.ca- pacités dans lequel chaque résistance est réalisée par-la mise'en série de deux interrupteurs NOM0S et par une capacité entre le point commun à ces interrupteurs et la masse, caractérisé en ce que les capacités sont réalisées en technologie MOS et les interrupteurs MOS sont constitués par des grilles à cheval sur les capacités MOS dont elles sont séparées par une couche d'oxyde, l'une des armatures de chaque capacité étant réalisée par le substrat semi-conducteur sur lequel elle est intégrée, et caractérisé en ce que la liaison entre deux capacités dont les armatures constituées par le substrat se trouvent périodiquement reliées d'après le schéma électrique se fait par transfert de charges dans le substrat semiconducteur sur lequel ces deux capacités sont intégrées, et aboutit à l'établissement d'un même potentiel de surface sous ces deux capacités, l'autre armature externe au substrat de chaque capacité recevant selon le point o elle est reliée sur le schéma électrique, la tension d'entrée du filtre (E), une tension continue VG prise pour référence ou rece- vant, dans-le cas o cette armature externe est reliée sur le schéma électrique, périodiquement ou en perma- nence et directement ou par l'intermédiaire de l'am- plificateur, à l'armature constituée par le substrat d'une autre capacité, le potentiel de surface sous cette autre capacité par l'intermédiaire d'un dispo- sitif de lecture et de ré-injection. 2. Filtre selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de lecture et de ré-injection est constitué par un étage suiveur de tension dont l'entrée est reliée à une diode (D1) diffusée dans le substrat semi-conducteur (2) sur lequel est intégr-e une capacité (C1) et dont la sortie est reliée à l'ar- mature externe d'une autre capacité (C2). 3. Filtre selon la revendication 2, caractérisé.. en ce que l'étage suiveur de tension est constitué par deux transistors MOS en série entre une tension d'ali- mentation (VD) et la masse, l'entrée de l'étage se fai- sant sur la grille du transistor MOS, à enrichissement, (T1),relié à la tension d'alimentation et la sortie de l'étage se faisant sur l'électrode commune aux deux transistors, tandis que la grille du transistor MOS, à déplétion, (T2), relié à la masse est également connectée à la masse. 4. Filtre selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de lecture et de ré-injection comporte: - une capacité MOS de lecture (C) intégrée sur le substrat à la suite de la capacité (C5) dont le poten- tiel de surface doit être lu, un interrupteur MOS (I9) assurant la liaison entre ces deux capacités; - un transistor MOS (T4) relié entre l'armature exter- ne de la capacité (C5) à lire et la masse, ce transis- tor étant rendu conducteur alors-que l'interrupteur (I9) permet le transfert des charges de la capacité à lire (05) vers la capacité de lecture (C); - un étage, relié à l'armature externe de la capacité de lecture (C) assurant le maintien d'un potentiel constant sur l'armature externe de la capacité de lecture lors du transfert des charges sous cette capaci -, cet étage étant relié, direc- - 2471081 tement ou par l'intermédiaire de l'amplificateur (2), à l'armature externe d'une autre capacité (06). 5. Filtre selon la revendication 4, carac- térisé en ce que cet étage est constitué par un transistor MOS (TL) en saturation relié entre l'ar- mature externe de la capacité de lecture (OY) et un point A et par une capacité (CA) entre le point A et la masse, cette capacité étant périodiquement chargée avant l'arrivée des charges sous la capacité de lecture et déchargée par l'arrivée des charges sous la capacité de, lecture. 6. Filtre selon la revendication 5, caracté- risé en ce qu'un transistor MOS (T5) relié entre l'armature externe de la capacité de lecture (CL) et la masse assure périodiquement le retour des charges de la capacité de lecture (CL) vers la capacité à lire (O5) et en ce qu'un transistor M0S (T6) relié entre le point A et une tension d'alimentation assure périodiquement la charge de la capacité (CA) reliée au point A. 7. Filtré selon l'une des revendications 4 à 6, caractérisé en ce qu'un étage translateur de ni- veau continu est relié au point A, et translate le niveau continu du signal obtenu au point A de.VA0, qui est la tension aux bornes de la capacité (CA) avant l'arrivée des charges sous la capacité de lecture,à VG. 8. Filtre selon l'une des revendications 2 à 7, dont le schéma électrique est constitué de deux capacités C et C2 en série avec l'entrée de l'ampli- ficateur (1), d'une résistance entre l'entrée de l'amplificateur et la masse et d'une résistance de bouciag- constituée de d.ux K'ptcurs et d'une capacité C entre la sortie de l'amplificateur et le point commun aux capacités C. et C2, caractérisé en ce que l'armature constituée par le substrat de la capacité C.1 est reliée sur le schéma électrique à l'armature externe de la capacité C2, et en ce qu'un dispositif de lecture et de ré-injection est relié entre l'armature constituée par le substrat de C et l'armature externe de C2. 9. Filtre selon la revendication 8, caracté- risé en ce que l'armature constituée par le substrat de C2 est reliée, sur le schéma électrique, par l'in- termédiaire de l'amplificateur (1) et d'un interrup- teur (I4) à l'armature constituée par le substrat de C et caractérisé en ce qu'un dispositif de lecture et de ré-injection est relié entre l'armature cons- tituée par le substrat de la capacité C2 et l'ampli- ficateur, l'amplificateur étant relié à une diode d'injection des charges (D4) intégrée dans le même substrat et en aval selon le sens de transfert des charges de la capacité C4 dont elle est séparée par un interrupteur (I4). 10. Filtre selon l'une des revendications 2 à 7, dont le schéma électrique est constitué de deux résistances en série avec l'entrée de l'amplificateur, d'une capacité C5 entre l'entrée de l'amplificateur et la masse et d'une capacité de bouclage C6 entre la sortie de l'amplificateur et le point commun aux deux résistances, caractérisé en ce que l'armature constituée par le substrat de la capacité C5 est reliée, sur le schéma électrique, par l'intermédiaire de l'amplificateur à l'armature externe de la capa- cité CE et en ce qu'un dispos-tif de lecture et de ré-injection est relié entre l'armature constituée 241108i par le substrat de C et l'entrée de l'amplificateur qui est connecté à l'armature externe de la capacité C6.