FR 2468253 A1 19810430 FR 7926168 A 19791022 -1- L'invention concerne un dispositif Electronique com- portant au moins un amplificateur constitué d'un premier transistor, ou transistor d'entrée, couplé en direct avec un deuxième transistor, ou transistor de sortie, l'ensemble de ces deux transistors formant un amplificateur connu sous l'appellation d'amplificateur DARLINGTON, une première résis- tance étant placée en parallèle sur le trajet émetteur-base du deuxième transistor, une deuxième résistance étant placée en série dans le circuit de l'émetteur du deuxième transistor et connectée à cet émetteur par une première extrémité, ledit dispositif comportant également un troisième transistor dont le collecteur est relié à la base du premier transistor et- dont I'émetteur est relié à la deuxième des extrémitésde ia deuxième résistance. L'invention concerne plus particulièrement, mais non exclusivement, les amplificateurs de type DARLINGTON réalisés sous la forme semiconductrice intégrée. Les amplificateurs basse fréquence sont généralement pourvus de moyens permettant de protéger le/les transistors de'sortie'contre les effets de'surcharges de courant.'Le fonctionnement en régime de surintensité entrains, en effet, un échauffement anormal de ce/ces-transistor/s qui conduit inévitablement à sa/leur destruction. Un moyen classique de protection contre les surinten- sitôs dans un amplificateur est celui utilisé dans l'indica- teur de surcharge faisant l'objet du brevet américain n 3,974,438. Sur la figure illustrant ce brevet, on observe un transistor repéré (133) dont le trajet émetteur-collecteur est disposé en parallèle sur un amplificateur DARLINGTON for- mé par les deux transistors (121,101). Une résistance (122) -2- -est placée en série dans le-circuit de l'émetteur du transis- tor de sortie (101). La différence de potentiel apparaissant aux extrémités de la résistance (122) est utilisée, par l'in- termédiaire d'un pont diviseur (131, 132), pour polariser la jonction émetteur-base du transistor (133). Le transistor (133), pour des conditions normales de fonctionnement de l'amplificateur entraînant une chute de potentiel.de valeur maximum choisie dans la résistance (122), est bloqué. En régime de surcharge, la différence de potentiel aux bornes de ladite résistance (122) est alors suffisante pour rendre le transistor (133) conducteur et une partie au moins du courant d'entrée est déviée, via ledit transistor (133), di- rectement vers la sortie de l'amplificateur, ce qui entraîne une diminution nécessaire de la puissance développée dans le transistor de sortie.(101). Ce moyen de protection, mis en oeuvre sous des varian- tes diverses suivant les brevets, variantes concernant notam- ment la partie diviseur de tension située entre la résistance série placée dans l'émetteur du transistor de sortie et la base du transistor placé en parallèle sur les deux transis- tors de l'amplificateur DARLINGTîON, s'est avéré être d'un fonctionnement satisfaisant. Il présente aussi l'intérêt de sa simplificté. Toutefois, si simple soit-il, il requiert la présence de plusieurs résistances spécifiques. De plus, les rapports des valeurs de ces résistances doivent être assez précis si l'on désire que l'amplificateur puisse fonctionner au mieux de sa puissance sans jamais que soit dépassée la limite at- delà de laquelle cet amplificateur risque d'être détruit. Ce sont là des exigences qui prennent de l'importance lorsqu'il s'agit de réaliser une structure intégrée d'un tel amplifi- cateur. L'amplificateur de type DARLINGTON que propose la Demanderesse a été conçu avec le désir de simplifier le cir- cuit de protection du transistor de puissance de cet amplifi- cateur, par rapport aux circuits équivalents connus de l'art antérieur, dans le but, notamment, de permettre une facile -3- intégration de l'ensemble du dispositif. Selon l'invention, un dispositif électronique tel que celui défini dans le préambule du présent texte est notamment remarquable en ce que la base dudit troisième transistor est connectée à une prise prévue sur ladite première résistance. Cette première résistance est nécessaire, même dans un amplificateur DARLINGTON ne comportant pas de dispositif de protection contre les surcharges. Elle figure, par exemple, dans le schéma illustrant le brevet américain précité, en regard du repère (127). Une telle résistance permet, notam- ment, de dériver une grande partie du courant de fuite du premier transistor -courant de fuite d'intensité importante aux températures élevées de fonctionnement- qui, de ce fait, n'est pas amplifie par le deuxième transistor. L'invention repose donc sur l'idée de la double utili- sation de ladite première résistance, à la fois pour la par- tie amplificatrice et pour la partie protection du dispositif. Cette résistance qui, selon l'invention, comporte une prise intermédiaire, forme un pont diviseur de la tension présente entre l'émetteur et la base du deuxième transistor. Une fraction de ladite tension contribue à la polari- sation, dans le sens direct, de la jonction émetteur-base du troisième transistor, fraction qui représente la partie de valeur sensiblement fixe de la tension de polarisation de ce transistor. L'autre partie de la tension de polarisation est fournie par la chute de tension qui se produit dans ladite deuxième résistance placée en série dans l'émetteur du deu- xième transistor. Cette dernière partie est variable: elle est fonction de l'intensité du courant de sortie du deuxième transistor. Comme dans les dispositifs selon l'art antérieur, c'est donc de la valeur de la chute de tension dans la résis- tance placée en série dans l'émetteur du transistor de sortie que dépend la conduction ou la non-conduction du troisième transistor. Mais, dans la réalisation selon l'invention, cette résistance n'est pas seule à fournir la tension de pola- risation dudit troisième transistor. Sa valeur peut donc être choisie relativement faible par rapport à celle habituellement -4- retenue, ce qui permet de réduire la perte de puissance de l'amplificateur liée à la présence d'une telle résistance. C'est là un avantage de l'invention, par rapport aux dispo- sitifs de l'art antérieur. Un second avantage de l'invention réside en une sim- plification de son moyen de protection comparé à ceux connus. Le dispositif selon l'invention ne comporte, en effetaucune résistance supplémentaire par rapport à celles indispen- sables au fonctionnement de l'amplificateur même, que ladite deuxième résistance. Encore, cette dernière, en raison de sa faible vàleur, n'a-telle pas à être réalisée spécialement; on peut, en effet utiliser en remplacement la résistance (0,01 à 0,02 2) du fil métallique qui est soudé sur la sor- tie émetteur du deuxième transistor et qui assure la liaison ohmique de cet émetteur avec sa charge. De conception simple, le moyen de protection selon l'invention est facile à incorporer dans une structure semi- conductrice intégrée classique comportant au moins un ampli- ficateur DARLINGTON. C'est là un autre avantage de l'inven- tion. L'intégration du troisième transistor, celui assu- rant la protection de l'amplificateur> ne poseen effet, aucun problème particulier. Quant à la première résistance, elle est déjà présente -sans prise de contact intermédiaire tou- tefois- dans des réalisations antérieures d'amplificateurs DARLINGTON intégrés. Le principe de création de cette résis- tance,qui réside en la formation d'un court-circuit très localisé entre les zones d'émetteur et de base du deuxième transistor, reste applicable dans le cas présent; seule reste à adapter, la topologie de la résistance. La présente invention est applicable tant aux amplifi- cateurs DARLINGTON comportant deux transistors de même type, qu'aux amplificateurs de ce modèle dits à montage inversé, dans lesquels le transistor d'entrée et le transistor de sor- tie sont de type opposé. Elle s'applique également aux dispo- sitifs électroniques comportant par exemple deux amplifica- teurs DARLINGTON, fonctionnant en ensembles complémentaires. -5- La description qui va suivre en regard des dessins annexés, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 rappelle le schéma classique d'un ampli- ficateur de type DARLINGTON formé avec deux transistors de même type, mais ne comportant pas de circuit de protection contre les surcharges. La figure 2 représente le schéma d'un dispositif comprenant un amplificateur de type DARLINGTON analogue à celui de la figure 1, pourvu d'un circuit de protection con- tre les surcharges selon l'invention. La figure 3 est une vue en plan d'une réalisation, dans une structure m6sa, d'un amplificateur DARLINGTON muni de son circuit de protection selon l'invention. Les figures 4, 5 et 6,sont des vues en coupe, res- pectivement selon les lignes IV-IV, V-V et VI-VI,de la figu- re 3. Dans le schéma classique d'un amplificateur DARLING- TON rappelé sur la figure 1, on reconnaît un premier transis- tor 10, ou transistor d'entrée et un deuxième transistor 11, ou transistor de sortie, tous deux de type NPN. De façon connue, l'émetteur du transistor 10 est relié à la base du transistor 11 et les collecteurs des deux transistors sont tous deux connectés directement à la ligne d'alimentation, côté borne positive; l'émetteur du transistor 11 est connec- té à la masse du circuit à travers une impédance de charge que représente le rectangle 18. Par ailleurs, une résistance 12 est placée en parallèle sur la jonction émetteur-base du transistor 11; une autre résistance 13 se trouve en parallé- le sur la jonction émetteur-base du transistor 10, ainsi qu' une diode 14 disposée en inverse par rapport à cette dernière jonction, diode destinée à améliorer le temps de commutation du circuit. L'entrée de l'amplificateur se situe sur la borne E reliée à la base du transistor 10, tandis que la sortie de ce même amplificateur est sur la borne S reliée à l'émetteur du transistor il en aval de l'impédance de charge 18. On se reporte maintenant au schéma de la figure 2. Sur une partie de ce schéma, on retrouve le dessin de l'am- -6- plificateur DARLINGTON tel qu'il a été décrit ci-dessus en regard de la figure 1 (à l'exception de la diode 14). Les éléments correspondants des deux figures 1 et 2 ont été af- fectés des mêmes repères. En plus sur la figure 2, on distingue des éléments qui forment le circuit de protection de l'amplificateur. Selon l'invention, le dispositif électronique représenté sur la figure 2, "comportant au moins un amplificateur cons- titué d'un premier transistor 10, ou transistor d'entrée, couplé en direct avec un deuxième transistor 11, ou transis- tor de sortie, (du même type que le premier transistor), l'ensemble de ces deux transistors formant un amplificateur connu sous l'appellation d'amplificateur DARLINGTON, une pre- mière résistance 12 étant placée en parallèle sur le trajet émetteur-base du deuxième transistor 11, une deuxième résis- tance 15 étant placée en série dans le circuit de l'émetteur du deuxième transistor 11 et connectée à cet émetteur par une première extrémité 15 A, ledit dispositif comportant égale- ment untroisième transistor 16 dont le collecteur est relié à la base du premier transistor 10 et dont l'émetteur est relié à la deuxième,15 B,des extrémités de la deuxième résistance , est notamment remarquable en ce que la base dudit troi- sième transistor 16 est connectée à une prise 17 prévue sur ladite première résistance 12-. -25--- La:=zi stance-12-est- donnc-partagée en deux parties 12 A et 12 B. Cette résistance 12 joue un double rôle dans le dis- positif de la figure 2: - d'une part, branchée en parallèle sur le trajet émet- teur-base du transistor 11, elle fournit un chemin de dévia- tion aux courants de fuite du transistor 10 et évite ainsi que ces courants ne soient amplifiés par ledit transistor 11, - d'autre part, branchée, par sa partie 12 A et en série avec la résistance 15, en parallèle sur le trajet émetteur- base du transistor 16, elle concourt à polariser la jonction émetteur-base de ce transistor dans le sens direct. Ceci. étant, le fonctionnement du circuit de protection de l'ampli- ficateur est le suivant: -7 - la tension de polarisation émetteur-base V1 + V2 du transistor 16 est égale à la somme de la différence de poten- tiel V1 présente aux bornes de la partie 12 A de la résistan- ce 12 (qui est elle-même une fraction 12A de la ten- R12A + R12B sion émetteur-base du transistor 11, R12A et R12B étant les valeurs ohmiques respectives des parties 12A et 12B de ladite résistance 12) et de la différence de potentiel V2 provoquée aux bornes de la résistance 15 par le passage du courant I de sortie de l'amplificateur. V1 est sensiblement constante, tandis que V2 varie comme varie I. En régime normal de l'amplificateur, la somme V1 + V2 est prévue inférieure à la tension de seuil émetteur-base du transistor 16 et ce transistor est bloqué. Si le courant I vient à dépasser un niveau donné considéré comme niveau maximum au-delà duquel le transistor 11 est promis à la destruction, la chute de tension V2 dans la résistance 15 devient telle que la somme V1 + V2 dépasse ladite tension de seuil et le transistor 16 passe en régime de conduction. Il dévie alors une partie du courant d'entrée directement vers la sortie de l'amplificateur, ce qui entraî- ne une baisse de I, puis une baisse de V2 qui fait retourner le transistor 16 en régime de blocage. L'amplificateur ne cesse jamais de fonctionner; il est seulement limité en puissance. Il doit être clair que si le mode de fonctionnement du circuit selon l'invention est sensiblement analogue à celui d'autres circuits de protection de l'art antérieur -notamment à celui du circuit décrit dans le brevet américain n0 3,974,438 cité précédemment-, l'originalité de ce circuit selon l'invention tient notamment à ce que le diviseur de tension concourant à ajuster la tension de polarisation de la jonction émetteurbase du transistor 16 est fait dans la résistance 12 placée en parallèle sur le trajet émetteur-base du transistor de sortie 11, ce qui permet d'obtenir un cir- cuit de structure simplifiée par rapport à ceux de réalisa- tions déjà connues. -8 - Le bon fonctionnement de l'ensemble de l'amplificateur dépend, notamment, du choix judicieux des valeurs des résis- tances 12A, 12B et 15. Selon les cas et en liaison avec les valeurs du courant I et de la résistance 15, le rapport 12A &12B se situe entre 3 et 10. Des essais pratiques de mise au point sont évidemment nécessaires. A titre indicatif, il est donné ci-après quelques valeurs chiffrées concernant un circuit de protection suivant l'invention, pour un amplificateur dont le courant I, en régime normal, est limité à environ 6A: - la résistance 12 a une valeur totale voisine de a, les parties 12A et 12B de cette résistance ayant res- pectivement des valeurs de 85 et 15 a, - la résistance 15 mesure de l'ordre de 0,01 Q. Cette valeur est celle de la connexion en fil d'or, qui joint l'é- metteur du transistor il à l'impédance 18 dans le cas d'un dispositif semiconducteur intégré; elle correspond à des connexions de longueur précise, coupées mécaniquement, prati- quement identiques d'un dispositif à l'autre, - la tension émetteur-base du transistor 11 se situe vers 800 mV, ce qui donne une différence de potentiel V1 660 à 690 mV aux bornes de la partie de résistance 12A. Pour un courant I c 6A, la chute de tension V2 aux bornes de la résistance 15 serait voisine de 60 mV. La tension de seuil du transistor 16 est de 700-750 mV. On voit que la somme V1 + V2 se situe au voisinage de cette gamme de tensions et que les valeurs proposées pour les ré- sistances 12 et 15 sont des valeurs de base correctes, à par- tir desquelles on peut travailler à la mise au point pratique en tenant compte, notamment, des tolérances assez larges, mais inévitables, des résistances-de circuits intégrés. Sur un autre plan et à titre complémentaire, il y a lieu de remarquer, sur le schéma de la figure 2 du dispositif selon l'invention, que la diode base-collecteur du transistor 16, en série avec la partie 12B de la résistance 12 (partie de faible valeur ohmique), est placée en parallèle et en. inverse sur l'espace émetteur-base du transistor d'entrée 10. -9- Cette diode joue donc un rôle favorable au fonctionnement de l'amplificateur en ce qui concerne la vitesse de commutation, rôle dévolu habituellement à une diode spécifique (c'est la diode 14 de la figure 1). Il n'est donc pas nécessaire ici de prévoir de diode 14 et c'est là un avantage pratique du dis- positif selon l'invention, qui concourt également à la faci- lité de son intégration. On se reporte maintenant à la figure 3, ainsi qu'aux vues en coupe des figures 4, 5 et 6. L'amplificateur DARLINGTON intégré qui est représenté sur ces figures est réalisé sur un substrat 40 de silicium de type N, fortement dopé, revêtu de trois lits épitaxiaux successifs: un premier lit 41 est de type N faiblement dopé, un deuxième lit 42 est de type P faiblement dopé et le troi- sième lit 43 est de type N faiblement dopé. Le lit 41 constitue le collecteur commun des transis- tors 10 et 11, la liaison étant faite par le substrat commun revêtu d'une plage métallique de contact 44. - Le lit épitaxial 43 est divisé en compartiments par des murs de matériau P, obtenus par diffusion à travers ledit lit 43 et qui forment en même temps des contacts de base sur le lit sous-jacent 42. Pour aider à se repérer sur la figure 3, il est à noter que le transistor d'entrée 10 se situe dans le quart gauche inférieur de cette figure, ainsi que le transistor 16, tandis que le transistor de sortie 11 occupe les quarts droit infé- rieur et supérieur et une partie du quart gauche supérieur de cette même figure. La résistance 12 est logée dans le quart gauche supérieur et s'étend parallèlement au côté gauche de ladite figure 3. C'est là une disposition avantageuse, mais non impérative. Le transistor d'entrée 10 a sa base formée d'une por- tion 102 du lit 42. Cette base est reliée à la surface par le contact de base 102a. L'émetteur de ce transistor s'étend dans une portion 101 du lit 43, le contact étant assuré par une zone de contact 10la créée en surface du cristal semi- conducteur. Les prises de contact sur la base 102 et sur 1' -10- émetteur 101 sont assurées, respectivement, par les plages métalliques 1020 et 1010. Le transistor 11 a sa base formée d'une portion 112 du lit 42. Cette base est reliée à la surface par le contact de base 112a. L'émetteur du transistor 11 occupe une portion 111 du lit 43, le contact étant assuré par une zone de contact lla. Des plages métalliques 1120 et 1110 assurent les prises de-contact respectivement avec la base 112 et l'émetteur 111. Le transistor 16 assurant la protection du circuit a été créé à l'intérieur des limites du transistor 10. Son col- lecteur 163 est fait dans une portion du lit 43; le contact de collecteur est assuré par une zone superficielle périphé- rique 163a qui jouxte la zone de contact de base 102a du transistor 10. La base 162 dudit transistor 16 se situe à 1' intérieur du collecteur 163; elle entoure l'émetteur 161 de ce même transistor. Des plages métalliques 1620 et 1610 pren- nent contact respectivement sur la base 162 et sur l'émetteur 161. La prise de contact sur le collecteur 163 est assurée par la plage métallique 1020 qui fait déjà contact sur la base 102 du transistor 10; ainsi est réalisée la liaison entre la base du transistor 10 et le collecteur du transistor 16, conformément au dessin du circuit de la figure 2. Il est à noter que la plage métallique 1010 repose à la fois sur la zone de contact d'émetteur 1Ola du transistor 10 et sur le contact de base 112a du transistor 11, assurant ainsi une liaison prévue sur la figure 2. La résistance 13 de la figure 2 est formée d'une por- tion du lit 42 entre les contacts de base 102a et 112a; cette résistance a été schématisée sur la figure 4. Quant à la résistance 12, elle est formée par une ban- de étroite 121 de matériau P insérée dans l'émetteur 111 du transistor 11, entre la plage principale de cet émetteur dans laquelle est prévue la zone de contact d'émetteur lMla et une plage étroite latérale 45. A une extrémité (côté 121B), la bande 121 touche au bord 1120a (voir figure 3) du contact de base du transistor 11. A son autre extrémité (c8té 121A), ladite bande 121 est -11- reliée à l'émetteur 111 du transistor il par ilintermédiaire de la plage métallique 1110 qui est dessinée telle qu'elle repose très localement, tout à la fois sur les deux éléments, émetteur et bande. La plage métallique 1620 chemine depuis la base du transistor 16 jusqu'au dessus de la bande 121 sur laquelle elle prend contact par une fenêtre 171 afin de former la pri- se 17 prévue sur la figure 2, qui partage ladite bande 121 en deux parties 121A et 121B correspondant respectivement aux résistances 12A et 12B de la figure 2. La résistance 15 du schéma de la figure 2 ne figure pas sur les dessins. Elle est formée par la connexion que l'on soude ultérieurement sur la plage métallique 1110 et qui rejoint la borne de sortie correspondante du boîtier du cir- cuit intégré. Une autre connexion est soudée en même temps sur la plage 1610 de l'émetteur du transistor 16,qui.rejoint également ladite borne de sortie; cette dernière connexion introduit une résistance faible qui n'a aucun rôle dans le fonctionnement du circuit de protection et ne gêne en rien ce fonctionnement. Le procédé de fabrication d'un dispositif comme celui des figures 3, 4, 5, 6, fait appel aux techniques habituelles connues dans le domaine des semiconducteurs. Partant d'une plaquette de silicium de type N+ dopée à l'antimoine pour présenter une résistivité de l'ordre de mfl.cm, on dépose un premier lit épitaxial 41 de type N, dopé à l'arsenic pour une résistivité de 4 à 8n cm, d'une épaisseur de 15 à 20 pF. Puis, on dépose un deuxième lit épi- taxial 42 de type P, dopé au bore pour une résistivité de !5 à 9 ncm, sur une épaisseur de 14 à 18 pm et, enfin, un troisième lit épitaxial 43 de type N, dopé à l'arsenic pour une résistivité de cf 3 à 6 2 cm, d'une épaisseur de 5 à 7 pm. Par photogravure, on réalise un masque dont les fenê- tres correspondent aux murs P +, aux régions de contact de base des transistors 10 et 11 et à la résistance 12 (bande 121), puis on effectue une diffusion de bore de façon à obte- nir une profondeur de diffusion de,7 pmî une concentration -12- 19 3 superficielle de 5.10 atomes par cm et une résistance par carré de 20 Q. Dans ces conditions, la longueur de la résis- tance 12 serait sensiblement égale à 5 fois sa largeur (R12 100 n). On constitue ensuite un nouveau masque dont la fenêtre correspond à la base du transistor 16 et on effec- tue une nouvelle diffusion de bore de façon à obtenir une profondeur de diffusion de 3 à 4 pm, les concentration et résistance étant sensiblement les mêmes que pour la précé- dente diffusion de bore. Par une diffusion de phosphore faite ensuite à travers un troisième masque, on forme simul- tanément les zones de contact des émetteurs des transistors et 11, l'émetteur et la zone de contact collecteur du transistor 16; on fait en sorte d'obtenir une profondeur de diffusion de 2 à 2,5 pim, une concentration superficielle de l'ordre de 5.10 atomes par cm et une résistance par carré de 2 Q. Toutes les profondeurs des diffusions citées s'enten- dent, bien sûr, compte tenu des recuits successifs auxquels est soumise la plaquette. Le dispositif est terminé par l'ouverture des fenê- tres de contact dans la couche d'oxyde-46 qui le recouvre, le dépôt d'une couche d'aluminium par évaporation sous vide et, enfin, la gravure de cette couche d'aluminium pour réa- * liser les différents conducteurs et plages de contact de surface. L'exemple illustré sur les figures 3 à 6 d'un ampli- ficateur DARLINGTON équipé de transistors NPN n'est pas limi- tatif. On aurait pu tout aussi bien traiter le cas d'un am- plificateur équipé de transistors PNP. -13- - REVENDICATIONS - 1. Dispositif électronique comportant au moins un amplificateur constitue d'un premier transistor (10), ou transistor d'entrée, couplé en direct avec un deuxième tran- sistor (11), ou transistor de sortie, l'ensemble de ces deux transistors formant un amplificateur connu sous l'appella- tion d'amplificateur DARLINGTON, une première résistance (12) étant placée en parallèle sur le trajet émetteur-base du deuxième transistor, une deuxième résistance (15) étant placée en série dans 1l circuit de l metteur du deuxième transistor (11) et connectée à cet émetteur par une premiere extrémité (15A), ledit dispositif comportant également un troisième transistor (16) dont le collecteur est relié i la base du premier transistor (10) et dont l' émetteur est relié à la deuxième (15B) des extrdmites de la deuxième rîsistance (15), caractérisé en ce que la base dudit troisième transis- tor (16) est connectée à une prise (17) prévue sur ladite première résistance (12). 2. Dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que le rapport de la valeur de la partie (12A) de ladite première résistance (12), située entre ladite prise (17) et l'émetteur du deuxième transistor (11), à la valeur de l'autre partie (12B) de cette même première résistance est compris entre 3 et 10. 3. Dispositif électronique selon l'ensemble des re- vendications 1 et 2, caractérisé en ce que les valeurs ohmi- ques de ladite partie (12A) de ladite première résistance (12), située entre ladite prise (17) et l'émetteur du deu- xième transistor (11) et de ladite deuxième résistance (15), sont choisies telles que, en régime normal de fonctionnement de l'amplificateur, la somme des différences de potentiel présentes aux extrémités de chacun de ces deux éléments (12A, ) soit inférieure à la tension de seuil émetteur-base du troisième transistor (16). -14- 4. Dispositif électronique selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite première résistance (12) a une valeur voisine de 100 a, en ce que les deux parties (12A, 12B) de cette résistance situées de part et d'autre de ladite prise (17) ont respectivement des valeurs voisines de et 15 n, et en ce que ladite deuxième résistance (15) a une valeur voisine de 0,01 P. 5. Ensemble semiconducteur monolithique comprenant au moins un dispositif électronique selon la revendication 1, ensemble réalisé dans une plaquette semiconductrice suivant l'épaisseur de laquelle on distingue au moins, depuis la fa- ce supérieure, ou face active, vers la face inférieure, d' abord un lit épitaxial (43) du premier type de conductivité dans lequel se situent les régions (101, 111) des émetteurs des premier (10) et deuxième (11) transistors, puis un lit épitaxial (42) du deuxième type de conductivité dans lequel se situent les régions (102, 112) des bases des deux tran- sistors précités, caractérisé en ce que ladite première résistance (12) est faite d'une bande (121) de matériau du deuxième type de conductivité créée dans le lit épitaxial (43) du premier type de conductivité et qui s'étend, en pro- fondeur, jusqu'au deuxième lit épitaxial (42). 6. Ensemble semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit troisième transistor (16) est entièrement situé dans ledit lit épitaxial (43) du premier type de conductivité.