FR 2473336 A1 19810717 FR 8100411 A 19810112 La présente invention concerne de façon générale les processus permettant d'effectuer un transfert de masse entre fluides. Plus particulièrement, elle concerne un procédé permettant de favori- ser le transfert de masse dans les processus d'absorption de gaz et d'extraction de liquide, ainsi que dans d'autres processus impliquant la dissolution préférentielle d'un gaz ou d'un liquide dans un solvant fluide. Les processus impliquant la dissolution préférentielle d'un gaz ou d'un liquide dans un solvant sont d'une grande importance pour l'industrie. Par exemple, les processus d'absorption de gaz et d'extraction de liquide sont largement utilisés pour purifier des matériaux bruts et séparer les produits des sous-produits. Ces pro- cessus sont couramment effectués dans des colonnes mettant en con- tact à contre-courant des phases fluides non miscibles. Par exemple, le brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 3 762 133 décrit un processus dans lequel un gaz d'alimentation à plusieurs constituants est intro- duit en continu dans l'extrémité inférieure d'une colonne d'absorp- tion dans laquelle le gaz d'alimentation est mis en contact avec un courant descendant d'un fluorocarbure liquide destiné à absorber pré- férentiellement un constituant gazeux formant le produit recherché. Le brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 3 785 120 décrit un processus dans lequel un gaz d'alimentation à plusieurs constituants est mis eni contact avec un fluide dans des conditions analogues afin que soit réalisée l'absorption préférentielle de diverses impuretés contenues dans le gaz d'alimentation. Pour maintenir un système fermé, les deux processus décrits utilisent typiquement une recirculation continue du gaz. Ainsi, pendant la suite du traitement du solvant liquide formant l'effluent de la colonne d'absorption, il se dégage un mélange de gaz désorbés contenant un peu de vapeur de solvant; ce mélange est envoyé en continu au gaz d'alimentation qui est intro- duit dans la colonne d'absorption. Le brevet des Etats-Unis d'Amérique n^ 4 129 425 décrit un processus d'absorption de gaz perfectionné selon lequel un gaz d'alimentation est mis en contact à contre-courant avec un fluDrocarbure liquide dans une unique colonne de "combinaison" conte- nant une zone d'absorption, une zone de contact intermédiaire et une zone d'extraction. L'absorption des gaz, l'extraction des liquides et les processus associés sont décrits de façon générale dans l'ouvrage de référence suivant: Treybal R.E., Mass Transfer Operations, New York, McGraw-Hill Book Co. (1968). Alors que les opérations de transfert de masse im- pliquant l'utilisation d'un solvant pour dissoudre préférentielle- ment un constituant d'un mélange fluide sont relativement efficaces, la mise au point d'un procédé permettant d'augmenter le rendement de dissolution, même dans une faible proportion, aurait une impor- tance considérable, en particulier si ce procédé pouvait être incorporé dans des installations de traitement déjà existantes. Ainsi, l'objet de l'invention consiste en un procédé permettant d'améliorer le rendement de dissolution dans les proces- sus de transfert de masse impliquant la dissolution préférentielle d'un fluide dans un autre. Selon un autre but de l'invention, il est proposé un procédé permettant d'améliorer le rendement d'absorption des proces- sus d'absorption de gaz et le rendement d'extraction des processus d'extraction de liquide. Selon un autre but, il est proposé un procédé permet- tant d'améliorer un processus dans lequel une première phase liquide contenant un constituant donné est mise en contact avec une deuxième phase liquide en vue de l'extraction préférentielle de ce consti- tuant, le procédé étant conçu pour améliorer le transfert dudit constituant dans la deuxième phase. Selon un autre but, il est proposé un procédé rela- tivement simple permettant d'améliorer le rendement de dissolution dans des installations proposées ou existantes destinées à effectuer des opérations d'absorption de gaz et d'extraction de liquide. En bref, l'invention consiste en un procédé permet- tant d'accroître le rendement de dissolution dans un processus o (a) un fluide d'alimentation comportant au moins un premier cons- tituant et un deuxième constituant est introduit dans une zone o le fluide est mis en contact avec un solvant liquide destiné à dissoudre préférentiellement l'un des constituant et (b) une partie du solvant liquide passe, ou est transférée, dans le fluide d'ali- mentation de manière à réaliser une saturation de ce dernier. Ce transfert affecte le rendement de dissolution. Selon l'invention, on incorpore dans le fluide d'alimentation une quantité suffisante du solvant mentionné ci-dessus afin de limiter ce transfert. La description suivante, conçue à titre d'illustra- tion de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: - - la figure 1 représente un profil de concentration en krypton gazeux dans une colonne d'absorption utilisée dans un processus classique d'absorption de krypton, le profil présentant une valeur de pic en ce qui concerne le rapport molaire du krypton dans une région située quelque peu au-dessus de l'entrée du gaz d'alimentation dans la colonne; - la figure 2 est un schéma simplifié d'une instal- lation d'absorption de krypton dotée de moyens permettant d'intro- duire sélectivement dans le gaz d'alimentation de la vapeur du sol- vant; - la figure 3 est un graphe comparant les profils de la concentration en krypton obtenus dans l'installation mentionnée ci-dessus (a) lorsqu'elle fonctionne de la manière classique et (b) lorsqu'elle est modifiée selon l'invention; - la figure 4 est un graphe comparant un profil de concentration en krypton obtenu à partir d'un essai d'absorption de krypton selon la technique antérieure et un profil correspondant prévu pour l'essai sur la base d'un modèle mathématique; - la figure 5 compare trois profils de concentration en krypton obtenus lorsqu'il est fait appel au modèle mentionné ci- dessus pour déterminer les performances d'une colonne d'absorption de krypton fonctionnant suivant trois modes: (a) sans solvant dans le gaz d'alimentation, (b) avec du solvant dans le gaz d'alimenta- tion à raison de 50% de la valeur de saturation, et (c) avec du sol- vant dans le gaz d'alimentation à raison de 100% de la valeur de saturation; - la figure 6 compare les profils du flux de l'en- semble azote plus solvant pour les trois modes de mise en oeuvre indiqués ci-dessus; et - la figure 7 compare les profils du flux de krypton pour ces trois mêmes modes de mise en oeuvre. L'invention dérive d'une expérience menée par la demanderesse pour déterminer le profil de distribution du krypton gazeux le long d'une petite colonne d'absorption de krypton. Selon le processus décrit dans le brevet n0 3 762 133 cité ci-dessus, un gaz d'alimentation constitué de proportions fixes d'azote et de krypton (du krypton stable contenant une proportion constante de krypton-85 radioactif) est introduit en continu au bas de la colonne. Un courant de solvant formé de fluorocarbure liquide (dichlorodifluorométhane CClF) descend dans la colonne afin 2 2 d'absorber sélectivement le krypton du gaz d'alimentation. On fait fonctionner l'installation en système fermé en recyclant au gaz d'alimentation les gaz désorbés contenant un peu de vapeur du solvant. Lorsque la colonne fonctionne normalement, on déplace verticalement suivant la colonne un détecteur sensible au rayon- nement gamma émis par le krypton -85 afin de déterminer les con- centrations en krypton au niveau de l'entrée du gaz d'alimentation et en divers points situés au-dessus. (Au cours de précédents essais, un tel balayage n'avait pas été effectué et, bien que cer- tains échantillons gazeux aient été extraits de points intermé- diaires de la colonne, il n'y avait pas de raison d'extraire des échantillons de la région située au voisinage de l'entrée du gaz d'alimentation.) On utilise les données obtenues pour construire un profil de concentration en krypton (figure 1) pour la colonne. Ainsi, on utilise les données pour corréler le rapport molaire du krypton (c'est-a-dire le rapport du nombre de moles de krypton en un point de mesure particulier au nombre de moles de krypton au point d'alimentation du gaz) avec la distance au point d'alimen- tation du gaz. Comme le montre la figure 1, le profil du krypton ne diminue pas continûment entre l'entrée du gaz et le sommet de la colonne. Au contraire, il présente un pic, ou maximum, dans une zone située juste audesus de l'entrée du gaz. La suite de l'étude montre que ce maximum résulte d'un effet inattendu d"'absorption négative" dû à l'évaporation du solvant liquide dans le gaz d'alimentation au niveau de la zone de leur premier contact. (Cette zone sera appelée ici la "zone de contact".) La demanderesse a découvert que cette évaporation affectait l'absorption dans la zone de contact en diminuant ou même en éliminant la diffusion molécu- laire du krypton gazeux dans le solvant liquide. Ainsi, la partie de la colonne d'absorption se trouvant juste au-dessus de l'entrée de gaz est rendue partiellement ou totalement inefficace. Dans la colonne relativement courte décrite ci-dessus, l'inefficacité résul- tante équivaut à la perte du premier mètre de la colonne. Dans les colonnes de production industrielle, l'inefficacité résultante peut être beaucoup plus importante. Relativement à l'effet d'évaporation du solvant indiqué ci-dessus, la demanderesse a découvert que le solvant liquide s'évaporait dans le gaz d'alimentation en une quantité suffisante pour saturer le gaz dans les conditions de la zone de contact indiquée ci-dessus. Ainsi, cette évaporation se produit dans les cas o le gaz d'alimentation ne contient pas de solvant évaporé ou contient une quantité de vapeur insuffisante pour saturer le gaz dans les conditions de la zone de contact. Pour décrire ce phénomène de façon quelque peu différente, on peut dire que l'évaporation du solvant liquide survient lorsque, dans la zone de contact, la pression de vapeur du solvant liquide dépasse la pression de vapeur du solvant dans le gaz d'alimentation. En ce qui concerne les processus d'absorption de gaz susceptibles d'éprouver l'effet d'évaporation du solvant indiqué ci-dessus, la demanderesse a découvert qu'il était possible de réduire ou d'éliminer cet effet en introduisant de la vapeur du solvant dans le gaz d'alimentation qui est en contact avec le sol- vant, ou agent d'absorption, liquide. De préférence, on introduit la vapeur suivant une quantité au moins suffisante pour saturer le gaz dans les conditions existant dans la zone o a lieu le contact initial du gaz et du solvant (agent absorbant). Ainsi, on fait entrer de la vapeur en une quantité propre à saturer ou sursaturer le gaz d'alimentation. La vapeur de solvant peut être obtenue de n'importe quelle source appropriée, par exemple une bouteille de stockage sous pression; si cela se révèle commode, elle peut être obtenue à partir de l'installation de traitement associée à l'opé- ration d'absorption. Il est possible d'injecter le solvant dans le gaz d'alimentation sous n'importe quelle forme appropriée, par exemple sous forme de vapeur non diluée, sous forme du mélange gazeux, ou bien sous forme de liquide se vaporisant après l'injec- tion. La vapeur de solvant peut être introduite dans le gaz d'alimentation en n'importe quel point de l'installation, par exemple en un point de la canalisation conduisant le gaz d'alimentation à la colonne d'absorption; si cela est souhaitable, elle peut être introduite séparément dans la zone de contact de manière à assurer que la vapeur se trouve dans le gaz d'alimentation lorsque ce dernier commence d'entrer en contact avec le solvant liquide. On peut tirer un effet avantageux de l'addition de vapeur de solvant, par exemple dans des processus classiques d'absorption de gaz dans lesquels le gaz d'alimentation ne contient pas normalement de vapeur ou dans lesquels le gaz d'alimentation contient de la vapeur de solvant en une quantité inférieure à la valeur de saturation relative aux conditions de la zone de contact. En ce qui concerne maintenant les processus d'extrac- tion de liquide, un effet analogue à l'effet d'évaporation de sol- vant décrit ci-dessus se produit dans certaines conditions de manière à rendre une partie de la colonne d'extraction partielle- ment ou totalement inefficace. Ainsi, lorsqu'un courant liquide non saturé en agent d'extraction est introduit dans la zone de contact, l'agent d'extraction présent dans la zone sature le cou- rant d'alimentation entrant, ce qui limite ou empêche l'extraction de l'espèce soluble. Selon l'invention, il est possible de réduire ou d'éliminer cet effet en augmentant la quantité d'agent d'extrac- tion dans le courant d'alimentation destiné à venir au contact de l'agent d'extraction liquide dans la zone de contact. De préférence, on ajoute une quantité suffisante d'agent d'extraction pour au moins saturer le courant d'alimentation. De préférence, on ajoute l'agent d'extraction sous forme liquide. L'invention s'applique de façon générale aux proces- sus de transfert de masse susceptibles d'éprouver les pertes de rendement indiquées ci-dessus relatives au transfert du solvant dans des gaz d'alimentation ou des liquides d'alimentation dans la zone de contact. Toutefois, pour ne pas allonger inutilement la description, on illustrera celle-ci de façon détaillée dans le cas particulier d'un processus d'absorption de gaz. Lorsque l'expression "valeur de saturation" sera utilisée, il faudra comprendre qu'elle désigne la valeur qui est compatible avec les conditions régnant dans la zone de contact. EXEMPLE 1 (Essais 529A1 et 529P1) Une expérience a été effectuée pour démontrer l'effet avantageux de l'invention lorsqu'elle était appliquée à un processus d'absorption de krypton en continu dans lequel un gaz d'alimentation (constituants: azote et krypton contenant une proportion fixe de krypton -85) est introduit au bas d'une colonne et vient en contact à contre-courant avec un courant de dichlorodifluorométhane CC12F2 liquide. Tout d'abord, un essai d'absorption de krypton a été réalisé selon les enseignements classiques du brevet n0 3 762 133 cité ci- dessus. Ensuite, on a effectué ui autre essai dans la même installation et, virtuellement, dans les mêmes conditions, en fai- sant appel à une injection de vapeur de solvant selon l'invention. L'installation de traitement utilisée dans ces expériences est pré- sentée schématiquement sur la figure 2. L'installation comprend les parties connues désignées par des numéros de référence sur la figure 2. Ainsi, la colonne d'absorption 7 est formée d'acier inoxydable. La colonne comprend des tamis 9 destinés à retenir entre eux un treillis métallique de garnissage 11 et est dotée d'une entrée 13 de gaz d'alimentation placée au-dessous du garnissage et d'une entrée 15 de solvant liquide placée au-dessus du garnissage. La colonne est également dotée d'une sortie inférieure 17 destinée au solvant liquide cntenant le krypton gazeux absorbé et d'une sortie supérieure 19 destinée au gaz appauvri en krypton. La dis- tance entre l'entrée 13 du gaz d'alimentation et le sommet de la colonne est d'environ 127 cm. Comme le montre la figure 2, l'installation comprend un montage permettant de faire sélectivement entrer de la vapeur de Cc2F2 dans le gaz d'alimentation qui est introduit dans la colonne. Le montage comprend une bouteille 21 de stockage sous pression de CC2F2 liquide, dotée d'une sortie de vapeur 23 munie d'une soupape V, la sortie 23 étant raccordée à la canalisation d'entrée de gaz d'alimentation. Comme cela est représenté sur la figure, la cana- lisation de sortie de vapeur comporte un transmetteur F qui pro- duit un signal proportionnel au débit de vapeur de la bouteille, ce signal est appliqué à une soupape de commande automatique 23 (les soupapes automatiques étant également désignées par la réfé- rence CV) qui maintient le débit de vapeur à une valeur choisie. Comme cela est représenté, des combinaisons analogues de soupapes de commande CV et de transmetteurs F sont prévues pour maintenir différents débits à des valeurs choisies. De la même façon, un transmetteur de pression P et une soupape de commande CV servent à maintenir une pression choisie dans la colonne. Un détecteur 27 de rayonnement gamma à blindage en plomb, qui est sensible au krypton-85, est monté le long de la colonne de façon à pouvoir effectuer des déplacements longitudinaux de montée et de descente suivant celle-ci. Ci-dessous, sont donnés en bref les paramètres rela- tifs à l'essai effectué selon la technique antérieure. Composition du gaz d'alimentation: N2, environ 100%; Kr et Kr, environ 0,3%. Température de la colonne: environ -230C. Pression de la colonne: environ 8,0 kj/cm2. Débit du gaz: 150 cm N/min. Débit du liquide: 0,75 g/min. Sur la figure 3, les points de données représentés par la ligne en trait continu définissent le profil du rapport n/n0 du krypton pour l'essai effectué selon la technique antérieure. Dans l'essai effectué selon l'invention, de la vapeur de solvant venant de la bouteille est envoyée dans le gaz d'alimen- tation à un débit de 0,12 mol/h. En résultat, la teneur en vapeur de solvant du gaz à l'entrée de la colonne d'absorption est supé- rieure à 100% de la valeur de saturation. Les points de donnée pré- sentés par la ligne en trait interrompu de la figure 3 définissent le profil du rapport n/n0 résultant. Comme cela est indiqué, l'injec- tion de vapeur de solvant réduit de façon notable le maximum (effet d'absorption négative) dans la région se trouvant juste au-dessus de l'entrée de gaz et diminue le rapport n/nO tout au long de la colonne. Par comparaison avec l'essai selon la technique antérieure, l'amélioration du rendement d'absorption est d'environ 25%. Il a été conçu un modèle mnthév.atique permettant de prédire les performances d'une colonne d'absorption de krypton de la technique antérieure fonctionnant de manière normale, c'est-à- dire sans injection de vapeur de solvant dans le gaz d'alimentation. Cette colonne a un diamètre de 7,5 cm et son entrée de gaz se trouve à 90 cm au-dessous de son extrémité supérieure. La composition du gaz d'alimentation est la suivante: N: 81,3%; CC1 F: 8 7%; Kr et Kr: traces. 2 2 2 Le débit du gaz est de 1,426 lb.mol/h, et le débit du solvant liquide (CCl2F2) est de 6,24 lb.mol/h. La zone du contact initial entre le gaz d'alimentation et le solvant se trouve à une température de -250C et a une pression manométrique de 7,5 kg/cm. Un profil de concentration en krypton du type indiqué ci-dessus a été tracé au moyen des données obtenues dans l'essai. La figure 4 compare le profil obtenu expérimentalement (cercles noirs) avec le profil (cercles blancs) calculé à l'aide du modèle. Comme cela apparaît sur la figure 4, il existe un accord très serré entre les valeurs déduites expérimentalement et les valeurs calculées. Des comparai- sons analogues permettent de vérifier que les performances de la colonne peuvent être prédites avec précision au moyen du modèle. EXEMPLE 2 Le modèle a été utilisé pour déterminer les perfor- mances d'une colonne d'absorption de krypton (diamètre 7,5 cm) dans laquelle du dichlorodifluorométhane CC12F2 liquide est mis en contact à contre-courant avec un gaz d'alimentation constitué d'azote, de krypton et, dans certains cas, de vapeur de CC 2F2. On considère trois modes de fonctionnement. Les paramètres de traite- ment sont virtuellement identiques pour les trois modes, sauf en ce qui concerne les teneurs en vapeur de solvant pour les gaz d'alimentation. Les différentes teneurs sont les suivantes: cas I, 1007. de la valeur de saturation; cas Il, 50% de la valeur de saturation; cas III, pas die vapeur de solvant. Les profils du krypton calculés pour ces dwildrents cas sont présentés sur la figure 5. Comme le montre cette figure, dans le cas II (saturation à 50%) et dans le cas III (pas d'injection de solvant), les profils présentent une accumulation de krypton dans la partie de la colonne voisine de l'entrée de gaz, tandis que, dans le cas I (saturation à 100%), le profil du krypton diminue de façon continue de l'entrée de gaz au sommet de la colonne. Dans le cas III (pas d'injection), il faut environ 48 cm sur les 90 cm de la colonne pour ramener le rapport molaire du krypton à la valeur existant au niveau de l'entrée du gaz. La perte de rendement d'absorption calculée pour la colonne est de 13% dans le cas III. Il apparaît clairement que le cas I permet d'obtenir l'utilisation la plus efficace de la colonne. La figure 6 compare les profils de flux de l'ensemble azote plus CC1 2F2 des cas 1, Il et III mentionnés ci- dessus, tandis que la figure 7 compare les profils de flux du krypton relativement à ces cas. Dans les cas Il et III, o le gaz d'alimentation n'est pas saturé par la vapeur du solvant, une force d'entraînement global existe pour le transfert du solvant de la phase liquide à la phase gazeuse. Ce déplacement du solvant s'effectue dans la direction opposée à celle dans laquelle le krypton serait supposé de se déplacer sur la base de son gradient de concentration. L'effet net de ces forces d'entraînement opposées est une diminution ou une inversion du déplacement du krypton, comme cela est montré sur la figure 7 pour les cas II et III. Toutefois, dans le cas 1, le gaz d'alimentation est saturé par la vapeur de solvant de sorte que le déplacement du krypton ne dépend que de son propre gradient de concentration. Par conséquent, dans le cas 1, le profil de flux du krypton (figure 7) est toujours positif et décroît de façon continue entre l'entrée de gaz et le sommet de la colonne. En ce qui concerne le contre-balancement de l'effet d'évaporation du solvant, la sursaturation du gaz d'alimentation apporte une certaine amélioration par rapport à la saturation. La sursaturation peut être souhaitable dans certains cas, parce que la condensation de la vapeur de solvant en excès dans la zone de contact réalise un certain échauffement interne. il Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'ima- giner, à partir des procédés dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modification ne sortant pas du cadre de l'invention. R E V E N D I C A T I 0 N S 1 - Procédé permettant d'augmenter le rendement de dissolution dans un processus dans lequel un fluide d'alimentation comportant au m3ins un premier constituant (Xr) et un deuxième constituant est introduit (13) dans une zone o ledit fluide est mis en contact avec un solvant liquide afin que soit réalisée la dissolution préférentielle dudit premier constituant et dans lequel une partie dudit solvant liquide subit un transfert dans ledit fluide au contact avec celui-ci da manière i réaliser la saturation dudit fluide, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à incorporer (21) dans ledit fluide introduit dans ladite zone une quantité dudit solvant permettant de réaliser une diminution dudit transfert. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la quantité dudit solvant ainsi incorporée dans ledit fluide est suffisante pour au moins saturer ledit fluide. 3 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite quantité du solvant est introduite dans le fluide sous forme de vapeur. 4 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite quantité du solvant est introduite dans le fluide sous forme de liquide. - Procédé permettant d'augmenter le rendement d'absorption dans un processus dans lequel un gaz d'alimentation comportant au moins un premier constituant gazeux (Kr) et un deuxième constituant gazeux est introduit (13) dans une zone o ledit gaz est mis en contact avec un solvant liquide de façon que soit réalisée l'absorption préférentielle du premier constituant et dans lequel une partie dudit-solvant liquide subit une évapora- tion au contact avec ledit gaz afin de réaliser la saturation dudit gaz, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à incorporer (21) dans le gaz introduit dans ladite zone suffisamment de vapeur du solvant pour limiter ladite évaporation. 6 - Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la quantité de vapeur ainsi incorporée dans ledit gaz est suffisante pour au moins saturer ledit gaz. 7 - Procédé destiné à être employé dans le traite- ment d'un gaz d'alimentation comportant au moins un premier cons- tituant gazeux (Kr), un deuxième constituant gazeux, et de la vapeur d'un solvant choisi, la concentration de ladite vapeur dans ledit gaz étant inférieure à la concentration nécessaire pour satu- rer celui-ci, ledit gaz étant introduit dans une zone d'absorption o il est mis en contact avec le solvant choisi en phase liquide afin que soit réalisée l'absorption préférentielle dudit premier constituant, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à faciliter ladite absorption en incorporant (21) une quantité supplé- mentaire de vapeur dudit solvant dans le gaz ainsi introduit. 8 - Procédé destiné à être employé dans un traite- ment continu dans lequel un courant de gaz comportant au moins un premier constituant gazeux et un deuxième constituant gazeux est mélangé à un courant de recyclage de gaz afin de former un courant de gaz d'alimentation, ledit courant de recyclage contenant de la vapeur d'un solvant choisi en une quantité insuffisante pour saturer ledit gaz d'alimentation, ledit gaz d'alimentation étant introduit dans une zone o il est mis en contact avec ledit sol- vant choisi en phase liquide afin que soit réalisée l'absorption préférentielle du premier constituant, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à faciliter ladite absorption en incorporant une quantité supplémentaire de vapeur dudit solvant dans ledit gaz d'alimentation. 9 Procédé permettant d'augmenter le rendement de dissolution dans un processus dans lequel un liquide d'alimentation comportant au moins un premier constituant et un deuxième consti- tuant est introduit dans une zone o ledit liquide d'alimentation est mis en contact avec un solvant liquide afin que soit réalisée la dissolution préférentielle du premier constituant et dans lequel une partie du solvant liquide subit un transfert dans ledit liquide d'alimentation au contact avec celui-ci afin de réaliser la satu- ration du liquide d'alimentation, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à incorporer dans ledit liquide d'alimentation introduit dans ladite zone une quantité dudit solvant permettant de réaliser une limitation dudit transfert. - Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit solvant est incorporé dans ledit liquide d'alimen- tation en une quantité suffisante pour au moins saturer ledit liquide d'alimentation.