FR 2458875 A1 19810102 FR 7915080 A 19790607 1 2458875 La présente invention concerne un agencement de circuit pour exciter par intervalles un noyau de mémoire magnétique par un courant d 'enregistrement ou de lecture en réponse A l'appari tion d'une impulsion fournie par un générateur d'impulsions, compre- nant une source de tension continue à laquelle est reliée la com- binaison en série du transistor commandé par le générateur d'im- pulsions et d'un circuit en parallèle à deux branches, dont l'une comporte une bobine d'induction, tandis que l'autre comporte une diode montée dans le sens de blocage par rapport à la polarité de la source de tension. Un agencement de circuit de ce type est décrit dans le brevet néerlandais NO 146 964. Bien qu'un tel circuit fonctionne de façon satisfaisante, on a constaté dans la pratique que, dans des conditions très particulières, la diode fonctionne comme une diode normale dans le sens de conduction, mais comme une résistan- ce dans le sens de blocage. Un courant d'excitation peut alors se produire, même lorsque le générateur ne fournit pas d'impulsion. L'invention a donc pour objet d'améliorer la fiabilité de cet agencement de circuit. A cet effet, dans l'agencement de circuit selon l'in- vention,l'enroulement du noyau de mémoire à exciter est monté en série avec la bobine d'induction, le courant fourni par la source de tension est limité à une valeur trop faible pour exci- ter le noyau de mémoire et un accumulateur de charge est monté entre les bornes du montage en série. Etant donné que le courant d'excitation nécessaire est fourni pour la plus grande partie par l'accumulateur de charge, il ne peut plus être fourni en cas de défaillance, par exemple, du transistor, car l'accumulateur de charge n'est plus chargé, étant court-circuité du fait que le transistor défaillant est mon- té en dérivation. Le courant alors débité par la seule source de tension est trop faible pour exciter le noyau de mémoire. Le cou- rant d'excitation qui se produit en cas de défaillance du tran- sistor n'est, certes, pas désirable, mais il ne se produit qu'une seule fois et ne peut donc être considéré comme gênant. L'accumulateur de charge peut être un condensateur. Le courant peut être limité par une résistance inhibitrice montée en série avec la source de tension. Cette résistance est du type de celles dont la valeur augmente en cas de défaillance, de sorte que le courant fourni par la source de tension est encore plus 2 2458875 faible. De toute façon, l'invention sera bien comprise à l'aide de la description qui suit, en référence au dessin schématique annexé, dont l'unique figure est un schéma qui représente, à ti- tre d'exemple non limitatif, une forme d'exécution de cet agence- ment de circuit. L'enroulement de lecture 1 du noyau 2 d'une mémoire ma- gnétique est monté entre les bornes du circuit base-émetteur d' un transistor TR. Entre le collecteur de ce transistor TR et la borne positive de la source de tension est interposé le montage en parallèle d'une bobine d'induction L, avec laquelle est monté en série l'enroulement d'excitation 3 du noyau de mémoire, et d' une diode D. Le noyau 2 peut être couplé avec un ou plusieurs en- roulements d'entrée, donc chacun peut servir d'enroulement d'en- registrement ou de lecture. Un condensateur C est monté entre les bornes de la combinaison en série du transistor et des deux bran- ches du montage en parallèle, dont l'une contient la bobine d'in- ductance et la résistance d'excitation, tandis que l'autre com- porte la diode. L'autre borne de la source de tension est mise à la terre et elle est en outre reliée par une résistance inhibi- trice R à l'émetteur du transistor TR, sur un côté du condensa- teur C. Le montage qui vient d'être décrit fonctionne de la ma- nière suivante: Lorsque l'enroulement 1 n'est pas traversé par le cou- rant, le transistor TR est bloqué et le condensateur C est char- gé par la source de tension jusqu'à une valeur finale donnée. A l'apparition de l'impulsion dans l'enroulement 1, le transistor TR devient passant et le condensateur C se décharge à travers I' enroulement 2, la bobine L et le transistor. En même temps, la source de tension fournit un courant dont l'intensité est déter- minée par l'impédance totale résultant de la présence de R, TR, L et de l'enroulement 3. Lorsque le transistor devient passant, l'énergie accumulée dans la bobine L est dissipée à travers la diode D. En cas de défaillance du transistor TR, qui provoque un court-circuit, le condensateur C ne peut plus se charger, étant donné qu'il est courtcircuité par l'enroulement, la bobine L et le transistor. Le courant fourni par la source de tension est li- mité par la résistance R à une intensité trop faible pour exciter l'enroulement 3. Même dans le cas d'autres défaillances éventuel- 3 2458875 les, un courant d'excitation d'une intensité appropriée ne peut plus se produire. Dans la pratique, la résistance R peut être choisie de façon à limiter l'intensité du courant de la source à 7 mA, a- lors que l'excitation de l'enroulement 3 nécessite une intensité de 90 mA. Comme il a été indiqué plus haut, le complément néces- saire pour l'excitation est fourni par le condensateur C, qui se charge dans l'intervalle entre deux commutations. Il va de soi que la cadence de commutation ne doit pas être rapide au point d'empêcher le condensateur de se charger à une valeur suffisante. L'agencement de circuit qui vient d'être décrit peut être utilisé en particulier pour des contrôles. 4 2458875 - REVENDICATIONS- 1.- Agencement de circuit pour exciter par intervalles un noyau de mémoire magnétique par un courant d'enregistrement ou de lecture en réponse à l'apparition d'une impulsion fournie par un générateur d'impulsions, comprenant une source de tension con- tinue, à laquelle est reliée la combinaison en série d transistor commandé par le générateur d'impulsions et d'un circuit en paral- lèle à deux branches, dont l'une comporte une bobine d'induction, tandis que l'autre comporte une diode montée dans les.sens de blo- cage par rapport à la polarité de la source de tension, caractéri- sé en ce que l'enroulement du noyau de mémoire à exciter est mon- té en série avec la bobine d'induction, en ce que le courant four- ni par la source de tension est limité à une valeur trop faible pour exciter le noyau de mémoire et en ce qu'un accumulateur de charge est monté entre les bornes du montage en série. 2.- Agencement de circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'accumulateur de charge -est un condensa- teur. 3.- Agencement de circuit selon la revendication 1 ou la revendication 2, caractérisé en ce que le courant est limité par une résistance inhibitrice montée en série avec la source de tension. 4.Agencement de circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que la résistance inhibitrice est du type de celles dont la valeur augmente en cas de défaillance.