FR 2460070 A1 19810116 FR 7916558 A 19790627 24600?O La présente invention concerne un dispositif amplificateur de puissance pour audio-fréquence. Les circuits amplificateurs de puissance pour audio-fréquence permettent habituellement de débiter sur une charge des puissances électriques importantes. Une des caractéristiques principales de tels amplificateurs est le rendement, c'est-à-dire le rapport entre la puissance effectivement débitée sur la charge et la puis- sance totale fournie par la source d'alimentation qui les alimente. Une seconde caractéristique importante est la tension maximale qu'ils peuvent fournir sur la charge pour une tension d'alimenta- tion donnée. En outre, il est manifestement intéressant d'un point de vue économique de disposer d'un amplificateur ne nécessitant qu'une seule source de tension d'alimentation.- Un certain nombre de dispositifs connus ont permis de réaliser des amplificateurs ayant de bonnes caractéristiques en ce qui con- cerne l'un ou l'autre des points précédemment cités. Parmi ces dis- positifs connus, l'amplificateur classe B a un rendement relative- ment élevé, voisin de 0,8 dans le cas d'amplification d'un signal sinusoïdal d'amplitude voisine du maximum admissible. Cet amplifi- cateur, bien connu dans la technique, a une borne de sortie pouvant débiter un courant bi-directionnel et dont le potentiel peut varier entre zéro et la tension maximale de la source d'alimentation. La charge est généralement connectée d'une part à la borne de sortie de l'amplificateur et d'autre part à un point de potentiel inter- médiaire, ce potentiel étant le plus souvent équidistant du poten- tiel zéro et du potentiel maximal V de la source d'alimentation. La tension aux bornes de la charge peut alors varier entre -V/2 et +V/2, et généralement sa valeur moyenne est nulle. Dans ces conditions, le point de potentiel intermédiaire peut être obtenu en connectant un condensateur de forte valeur entre le point de potentiel zéro ou le point de potentiel +V et la borne de la charge opposée à la borne de sortie de l'amplificateur. Pour les parties du signal supérieures à la valeur moyenne, la source d'alimentation fournit à la charge le courant nécessaire sortant de la borne de sortie de l'amplificateur, fournissant ainsi une charge au conden- sateur. Pour les parties du signal inférieures à la valeur moyenne, le condensateur fournit à la charge le courant nécessaire, ce courant entrant par la borne de sortie de l'amplificateur. Ce type d'amplificateur de puissance a un bon rendement lorsque le signal de sortie a une valeur proche de la valeur maximale. Par contre, lorsqu'on utilise un tel amplificateur pour amplifier des signaux de plus faible valeur, son rendement décroit rapide- ment, étant par exemple voisin de 0,4 lorsque la puissance est égale au quart de la puissance maximale de sortie admissible. Un autre dispositif connu, représenté schématiquement en figure 1, consiste à connecter deux amplificateurs classe B 1 et 2, alimentés par la même source d'alimentation 3, la charge 4 étant connectée entre les deux bornes de sortie 5 et 6 des am- plificateurs. La borne d'entrée 7 de l'amplificateur 1 reçoit le signal à amplifier S, alors que la borne d'entrée 8 de l'am- plificateur 2 reçoit l'opposé de ce signal -S. Cette disposition a un rendement identique à celui d'un amplificateur classe B unique, mais permet en outre d'obtenir sur la charge une tension comprise entre +V et -V, V étant la tension de la source d'ali- mentation unique 3. Un autre dispositif connu est représenté schématiquement à la figure 2. Ce dispositif, connu sous le nom d'amplificateur classe G, comprend deux amplificateurs en classe B imbriqués et alimentés par des tensions d'alimentation différentes. Les tran- sistors 20 et 21-forment un premier amplificateur en classe B, alimenté par l'intermédiaire des diodes 28 et 29 par la source d'alimentation à point milieu formée par les sources de tension et 31 connectées en série. La charge 34, étant connectée entre la borne de sortie 35 de cet amplificateur et le point milieu 36 des sources, est soumise à une tension de sortie qui peut varier entre +V et -V, V étant la tension aux bornes des sources de ten- sion 30 ou 31. En supposant que les transistors 20 et/ou 21 sont saturés, des transistors 22 et 23, connectés en série avec ceux- ci de la façon représentée sur la figure, forment un deuxième amplificateur en classe B, alimenté par la source à point milieu formée par les sources de tension en série 30, 31, 32 et 33. On utilise généralement des sources 32 et 33 ayant la même tension V'I Lorsque ce deuxième amplificateur est en fonctionnement, la tension aux bornes de la charge 34, toujours connectée entre la borne de sortie 35 de l'amplificateur et le point milieu 36 des sources, est soumise à une tension pouvant varier de -(V + V') à +(V + V'). Les diodes 24, 25, 26 et 27 connectées aux bases des transistors 20, 21, 22 et 23 forment un ensemble de commu- tation permettant de commander soit le premier amplificateur soit le second amplificateur suivant le niveau de la tension d'entrée appliquée à la borne d'entrée 37. Cette disposition permet, lorsque le signal d'entrée sur la borne 37 est faible, de commander uniquement le premier amplificateur en classe B constitué par les transistors 20 et 21. Cet amplificateur, ali- menté par les sources de tension 30 et 31, fonctionne dans de meilleures conditions que s'il était alimenté par la source de tension maximale formée par 30, 31, 32 et 33. Ainsi, son ren- dement est supérieur à celui qui serait obtenu par un ampli- ficateur en classe B seul alimenté par la tension maximale. De même, lorsque la tension d'entrée sur la borne 37 est grande, la tension de sortie aux bornes de la charge 34 devant dépasser la valeur V des sources 30 et 31, le deuxième amplificateur for- mé par les transistors 22 et 23 est alors commandé. Il permet d'amplifier les parties de signal correspondant à des tensions de sortie supérieures à V, et pouvant aller jusqu'à V + V'. Le second amplificateur travaille alors également dans de bonnes conditions, puisque sa tension de sortie est voisine de la ten- sion maximale admissible. L'amplificateur en classe G ainsi dé- crit a un rendement supérieur au rendement d'un amplificateur en classe Be ou de deux amplificateurs en pont tels que décrits à la figure 1. Néanmoins, il ne permet pas de fournir sur la charge une tension crête supérieure à la moitié de la tension maximale d'alimentation formée par la somme des tensions des sources 30,-31, 32 et 33, et en outre il nécessite la présence de plusieurs sources d'alimentation de puissance. La présente invention vise notamment à réaliser des ampli- ficateurs de puissance pour audio-fréquence ayant un rendement aussi bon que celui des amplificateurs classe G en réduisant le nombre des sources d'alimentation de puissance nécessaires. De même, la présente invention vise à réaliser des amplifi- cateurs présentant les avantages du dispositif de l'art antérieur décrit à la figure 1, c'est-à-dire d'une part ne nécessitant qu'une seule source d'alimentation de puissance de tension V, fournissant sur la charge une tension crête égale à iV, et pré- sentant l'avantage d'un bon rendement tel que celui de l'ampli- ficateur en classe G de la figure 2. Pour atteindre ces objets ainsi que d'autres, la présente invention prévoit un dispositif amplificateur pour audio-fré- quence, comprenant deux amplificateurs alimentés respective- ment par deux sources de tension Vl et V2, chacune des deux sources d'alimentation ayant deux bornes de sortie dont les po- tentiels sont symétriques par rapport à une borne de potentiel zéro, la borne de sortie du premier amplificateur étant reliée à l'une des deux bornes de la charge, l'autre borne de la charge étant connectée par l'intermédiaire de moyens de commutation à deux états soit à la borne de sortie du deuxième amplificateur I0 soit à la borne de potentiel zéro, le dispositif comprenant en outre des moyens de commande pour forcer les moyens de commuta- tion à connecter la borne de la charge soit à la borne de sortie du second amplificateur soit à la borne de potentiel zéro, sui- vant le niveau du signal à amplifier par le dispositif amplifi- cateur, et des moyens pour appliquer au second amplificateur un signal d'entrée fonction d'une part du signal à amplifier, et d'autre part de la tension de sortie du premier amplificateur. Selon un autre aspect de la présente invention, le second amplificateur est également alimenté par la source d'alimenta- tion Vi, la source d'alimentation -V2 étant supprimée. L'ensemble ne comporte ainsi qu'une seule source d'alimentation de puissance. Selon un autre aspect de-la présente invention, la borne de potentiel zéro est connectée à une borne d'un condensateur de forte valeur, l'autre borne de ce condensateur étant connectée à l'une des bornes de la source d'alimentation. Selon un autre aspect de la présente invention, le dispositif de commande est tel qu'il provoque la connexion de la charge à la borne de potentiel zéro lorsque le signal d'entrée est infé- rieur au seuil prédéterminé correspondant à la saturation du premier amplificateur, et la connexion de la charge à la borne de sortie du second amplificateur lorsque le signal d'entrée est supérieur audit seuil. Selon un autre aspect de la présente invention, les moyens de commutation comprennent au moins un transistor à effet de champ, connecté entre la charge et la borne de potentiel zéro. Selon un autre aspect de la présente invention, les moyens pour appliquer au second amplificateur un signal d'entrée com- prennent un inverseur dont l'entrée est connectée à la borne d'entrée du dispositif amplificateur, et dont la borne de sortie est connectée à l'une des deux entrées d'un dispositif addition- neur produisant sur sa borne de sortie connectée à l'entrée du deuxième amplificateur un signal égal à la somme des signaux ap- pliqués sur ces deux entrées. La seconde entrée du dispositif ad- ditionneur est connectée à la sortie du premier amplificateur par l'intermédiaire d'un pont diviseur de résistances de rapport È, G étant le gain de ce premier amplificateur. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers, faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: - La figure 1 est destinée à illustrer un dispositif de l'art an- térieur; - La figure 2 représente un autre dispositif de l'art antérieur; - La figure 3 représente schématiquement un mode de réalisation particulier du dispositif selon l'invention; - La figure 4 représente un autre mode de réalisation d'un dis- positif selon l'invention; et - La figure 5 représente de façon plus détaillée le dispositif selon le mode de réalisation de la figure 4. Comme cela est représenté schématiquement à la figure 3, le dispositif amplificateur selon la présente invention comprend deux amplificateurs 41 et 42 alimentés par une source d'alimenta- tion formée par les sources de tension 43 et 44 de tension égale V connectées en série. Chacun des deux amplificateurs 41 et 42 est capable de fournir sur sa borne de sortie, respectivement 45 et 46, un potentiel pouvant varier entre le potentiel le plus négatif et le potentiel le plus positif de la source d'alimenta- tion 43 - 44, et admettant un courant de sortie dans les deux sens. La borne de sortie 45 de l'amplificateur 41 est connectée à une borne 56 de la charge 47. La seconde borne 48 de la charge est connectée à une borne de sortie 49 d'un sous-ensemble de com- mutation 50. Ce dispositif de commutation comporte deux autres bornes de sortie, la borne 51 qui est connectée à la borne de sortie 46 de l'amplificateur 42, et la borne 52 qui est connec- tée à la borne 53, point commun des sources d'alimentation 43 et 44. La borne 53 est appelée borne de potentiel zéro. Le sous- ensemble de commutation 50 est commandé par l'intermédiaire d'une liaison représentée en pointillés 54 par un sous-ensemble de com- mande 55. Le sous-ensemble de commutation 50 remplit la fonction d'un interrupteur inverseur, pouvant se situer notamment dans les deux états suivants: dans l'état I la borne 49 est connec- tée électriquement à la borne 51, la borne 52 étant isolée des bornes 49 et 51; dans l'état II la borne 49 est connectée à la borne 52, la borne 51 étant isolée des bornes 49 et 52. La borne d'entrée 57 de l'amplificateur 41 reçoit le signal à amplifier. La borne d'entrée 58 de l'amplificateur 42 est connectée à la borne de sortie 59 d'un sous-ensemble de transmission 60 dont une borne d'entrée 61 est connectée à la borne d'entrée 57 de l'amplificateur 41. Le fonctionnement du dispositif est le suivant: Lorsque le sous-ensemble de commutation 50 est en position I, la charge 47 est soumise à la différence des tensions de sortie des amplificateurs 41 et 42. Cette tension aux bornes de la charge peut donc prendre toute valeur comprise entre +2V et -2V. Lors- que l'un des amplificateurs est saturé, par exemple lorsque l'am- plificateur 41 a sa borne de sortie 45 au potentiel maximum, la tension aux bornes de la charge 47 ne dépend plus que de la ten- sion de sortie de l'amplificateur 42. Cette tension est alors fonc- tion du signal d'entrée présent à la borne 57 qui est transmis par l'intermédiaire de l'élément de transmission 60 à la borne d'en- trée de l'amplificateur 42. Lorsque le sous-ensemble de commutation est en position II, la charge est connectée entre la sortie de l'amplificateur 41 et la borne 53-de potentiel zéro. Il faut remarquer que la source d'alimentation formée par les deux sources de tension 43 et 44 en série a ses deux bornes de sortie à des potentiels symétriques par rapport à la borne 53 de potentiel zéro. Dans cette position II du dispositif de commutation 50, la tension aux bornes de la charge 47 ne dépend que de la tension de sortie de l'amplifica- teur 41. Cette tension peut donc prendre toute valeur comprise entre +V et -V. Le dispositif amplificateur se comporte alors comme un amplificateur en classe B. Il est prévu, selon une caractéristique de la présente inven- tion, d'utiliser ce dispositif de la manière suivante: lorsque le signal d'entrée sur la borne 57 a une valeur faible c'est-à- dire de module inférieur à un certain seuil correspondant à la saturation de l'amplificateur 41, le sous-ensemble de commande force le dispositif de commutation 50 dans l'état II. L'am- plificateur 41 fournit alors seul le courant nécessaire à la charge 47, l'amplificateur 42 n'étant parcouru par aucun cou- rant de charge et dissipant donc une puissance négligeable. Par contre, lorsque le signal présent à la borne d'entrée 57 est su- périeur au seuil de saturation de l'amplificateur 41, le sous- ensemble de commande 55 force le dispositif de commutation 50 dans l'état I, mettant ainsi en fonctionnement le deuxième am- plificateur 42. Pendant tout le temps o le signal à l'entrée reste supérieur au seuil de saturation, l'amplificateur 41 reste saturé, sa borne de sortie 45 étant à un potentiel fixe voisin du potentiel de l'une des deux bornes extrêmes de la source d'a- limentation. Cet amplificateur 41 est parcouru par le courant traversant la charge, mais, étant donné son état de saturation, la puissance qu'il dissipe est très faible. L'ensemble de trans- mission 60 et l'amplificateur 42, sous l'action du signal d'en- trée à la borne 57, fournissent sur la charge 47 le complément de tension correspondant à la partie du signal d'entrée qui dé- passe le seuil de saturation de l'amplificateur 41. Pour cela, le sousensemble de transmission 60 fournit à sa borne de sortie 59 un signal égal à la différence entre d'une part le signal d'en- trée présent à la borne 57 et d'autre part la tension d'entrée qui suffit à provoquer la saturation de l'amplificateur 41. Cette dif- férence, appliquée avec un signe convenable à l'entrée de l'am- plificateur 42,-permet d'obtenir sur la borne de sortie 46 dudit amplificateur la tension complémentaire à la tension déjà four- nie par la borne de sortie 45 de l'amplificateur 41 en état de saturation. Lorsqu'un signal variable est appliqué à l'entrée 57, le sous-ensemble 55 de commande réagit de façon à forcer la commutation du dispositif 50 chaque fois que la valeur absolue du signal d'entrée dépasse ou devient inférieure à la tension de seuil de saturation de l'amplificateur 41. Le dispositif ainsi utilisé permet d'obtenir les avantages suivants: d'une part la tension maximale possible sur la charge 47 est égale à 2V; d'autre part dans les deux modes d'utilisa- tion, c'est-à-dire lorsque l'amplificateur 41 fonctionne seul ou lorsque les deux amplificateurs 41 et 42 fonctionnent ensemble, la puissance dissipée au niveau de ces amplificateurs est égale à la puissance que dissiperait un amplificateur en classe B dont la tension d'alimentation est égale à 2V lorsque le signal d'en- trée est faible, et est égale à 4V lorsque le signal d'entrée est grand. Cela conduit à utiliser ces amplificateurs en classe B dans des conditions qui leur sont plus favorables au point de vue rendement, c'est- à-dire dans des conditions o la tension de sortie est la plus proche de la tension maximale admissible. De même, on peut considérer que ce dispositif permet de réaliser un amplificateur audio-fréquence ayant les mêmes caractéristiques de rendement qu'un amplificateur en classe G à quatre sources d'alimentation telles que décrit à la figure 2. La figure 4 reprend les principaux éléments du dispositif représentés en figure 3, et représente un mode de réalisation particulier d'un dispositif amplificateur selon l'invention. Comme cela est représenté sur la figure, selon ce mode de réali- sation le dispositif ne comprend qu'une seule source d'alimenta- tion 70 alimentant les deux amplificateurs 41 et 42. Dans ce cas, la borne 53 de potentiel zéro est connectée à l'une des bornes de sortie de la source d'alimentation 70 par l'intermédiaire d'un condensateur 71 de forte valeur. On a représenté sur la figure une connexion de ce condensateur à la borne négative de la source d'alimentation. Ce mode de réalisation est satisfaisant pour les applications o la tension aux bornes de la charge doit avoir une valeur moyenne nulle. En effet, pendant les alternances positives le condensateur se charge dans un certain sens, et pendant les al- ternances négatives le condensateur se décharge de la même valeur dans l'autre sens la valeur de sa tension n'ayant pas le temps de varier de façon sensible. On a ainsi réalisé un dispositif ampli- ficateur selon l'invention ne comportant qu'une seule source d'ali- mentation au lieu de deux sources pour le mode de réalisation pré- cédent, et de quatre sources pour les réalisations connues telles que représentées à la figure 2. La figure 5 reprend les principaux éléments représentés en figure 4 avec la même disposition de connexion électrique et four- nit une représentation plus détaillée des sous-ensembles de com- mande 55 et de transmission 60. L'amplificateur 41 est connecté par sa sortie 45 à la charge 47, une autre borne de la charge étant connectée à la borne 49 du dispositif de commutation 50, la sortie de l'amplificateur 42 étant connectée à une autre borne 51 de ce même dispositif de commutation 50. La borne de potentiel zéro 53 est connectée à une autre borne de sortie 52 du dispositif 50. Selon ce mode de réalisation, ce dispositif 50 comprend deux transistors à effet de champ 72 et 73 de type MOS connectés de la façon suivante: le transistor 72 a son drain connecté à la borne de sortie 52, sa source connectée à la borne de sortie 49 du dispositif de commutation 50, et sa grille connectée à une borne de sortie 74 du sous-ensemble de commande 55. Le transis- tor 73 a sa source connecté à la borne de sortie 51, son drain connecté à la borne de sortie 49 du dispositif de commutation, et sa grille connectée à une borne de sortie 75 du sous-ensemble de commande 55. Ces deux connexions de grille aboutissant aux bornes 74 et 75 du dispositif de commande sont un mode de réa- lisation de la liaison, figurée par les pointillés 54 de la fi- gure 3, entre le dispositif de commutation 50 et le sous-ensemble de commande 55. Le sous-ensemble de commande 55, selon ce mode de réalisation, comprend une borne d'entrée 76 connectée à la borne d'entrée 57 du dispositif d'amplification. Un comparateur 77 a une première borne d'entrée connectée à la borne d'entrée -76, une seconde borne d'entrée connectée à la borne positive d'une source de ten- sion 78 dont la borne négative est connectée à la masse, et une borne de sortie connectée à une première borne d'entrée d'une porte logique OU 81. Un second comparateur 79 a une borne d'entrée connectée à la borne d'entrée 76, une autre borne d'entrée con- nectée à la borne négative d'une source de tension 80 dont la borne positive est connectée à un point de potentiel zéro, et une borne de sortie connectée à l'autre borne d'entrée de la porte logique 81. La borne de sortie de la porte OU 81 est con- nectée à la borne d'entrée d'un dispositif amplificateur 82. Ce dispositif 82 a deux bornes de sortie connectées respectivement à la borne de sortie 74 et à la borne 75 du sous-ensemble de commande 55. Le dispositif 82 est réalisé par tout moyen bien connu dans la technique pour commander deux transistors à effet de champ de type MOS à partir d'une tension d'entrée fournie par la porte logique 81. Les sources de tension 78 et 80 sont de va- leur égale, cette valeur correspondant au seuil de saturation de l'amplificateur 41, c'est-à-dire à la tension qui, appliquée à la borne 57, provoque la saturation de cet amplificateur. Ces sources de tension 78 et 80 sont des sources de référence de faible puissance, réalisées dans la pratique par tout moyen bien connu dans la technique, par exemple par dérivation aux bornes de la source d'alimentation principale 70 au moyen de ponts de résistances. Pour simplifier la description et les fi- gures, elles sont représentées sous forme de sources de tension indépendantes. Le sous-ensemble de transmission 60, comportant une borne d'entrée 61 connectée à la borne d'entrée 57 du dispositif, et une borne de sortie 59 connectée à la borne d'entrée de l'am- plificateur 42, est réalisé selon ce mode de réalisation de la façon suivante. Un inverseur 83 a sa borne d'entrée connectée à la borne 61, et sa borne de sortie connectée à une première en- trée d'un additionneur 84, dont la sortie est connectée à la borne 59, et dont la deuxième entrée est connectée à la masse par l'intermédiaire d'une résistance 85. Une résistance 86 est connectée entre la seconde entrée de l'additionneur 84 et une borne d'entrée 87 du sous-ensemble de transmission 60. La borne d'entrée 87 est connectée à la borne de sortie 45 de l'amplifi- cateur 41. Le pont de résistances 85 - 86 est-un diviseur de ten- sion. La valeur des résistances 85 et 86 est choisie de façon à ce que la tension de sortie de l'amplificateur 41 soit divisée, pour être appliquée à l'entrée de l'additionneur 84, par un fac- teur G, G étant le gain de l'amplificateur 41. Le fonctionnement du dispositif est le suivant: Supposons dans un premier temps que le signal appliqué sur la borne d'entrée 57 du dispositif amplificateur est faible, c'est-à-dire inférieur au seuil provoquant la saturation de l'am- plificateur 41. Le signal, appliqué sur les deux entrées des com- parateurs 77 et 79, est tel que la sortie de ces deux comparateurs est au niveau logique zéro. La sortie de la porte 81 OU est donc également au niveau logique zéro. Le dispositif amplificateur 82 fournit alors sur ses bornes de sortie 74 et 75 des tensions de commande telles que le transistor à effet de champ 72 soit conducteur et le transistor à effet de champ 73 soit bloqué. Ainsi, la charge 47 se trouve connectée entre la borne 53 de potentiel zéro et la borne de sortie de l'amplificateur 41. Cet amplificateur fournit le courant nécessaire à la charge et amplifie la tension du si- gnal d'entrée présent à la borne 57. L'amplificateur 42, dont la sortie est en série avec le transistor à effet de champ 73 bloqué, ne débite aucun courant. Lorsque le signal, partant d'une valeur positive faible, aug- mente, il atteint le seuil de saturation de l'amplificateur 41. A cet instant, le comparateur 77 change d'état, sa sortie passant au niveau logique 1, ce qui provoque l'apparition d'un niveau lo- gique 1 à la sortie de la porte 81. Le dispositif 82 produit alors sur ses bornes de sortie 74 et 75 des tensions telles que le tran- sistor MOS 72 se bloque, et le transistor 73 est conducteur. Dans ces conditions, la charge 47 se trouve connectée entre la borne de sortie de l'amplificateur 41 en état de saturation, et la borne de sortie de l'amplificateur 42. Le diviseur de tension formé par les résistances 85 et 86 fournit alors sur la borne d'entrée de l'additionneur 84 une tension égale à la tension de seuil de sa- turation de l'amplificateur 41 avec un signe convenable. Cette ten- sion, additionnée à l'opposé du signal d'entrée de la borne 57, produit par l'inverseur 83, fournit à la borne 59 une tension dont le module est égal à la partie du signal d'entrée qui n'est pas amplifiée par l'amplificateur 41 en état de saturation, et de signe opposé. L'amplificateur 42 fournit ainsi sur -sa borne de sortie une tension complémentaire de la tension fournie par l'amplifica- teur 41, ceci à condition qu'il ait le même gain G. Dans le cas o le signal d'entrée devient négatif et supé- rieur en valeur absolue au seuil de saturation de l'amplificateur 41, la sortie du comparateur 77 reste à l'état logique O, mais la sortie du comparateur 79 passe à un niveau logique 1, ce qui fait apparaître un niveau logique 1 à la sortie de la porte 81, provoquant, de même que précédemment, le blocage du transistor 72 et la conduction du transistor 73. Le fonctionnement est alors le même que dans le cas d'un signal positif supérieur au seuil de saturation. Ce mode de réalisation, décrit en relation avec la figure 5, est susceptible de variantes. Par exemple, si l'amplificateur 42 présente une forte impédance de sortie lorsqu'il n'est pas com- mandé, il est alors possible de supprimer le transistor à effet de champ MOS 73. Pour cela, il suffit de prévoir en série avec l'entrée de cetamplificateur 42 un dispositif interrupteur pour déconnecter cette entrée lorsque l'amplificateur 42 ne doit pas être utilisé, c'est-à-dire lorsque le signal d'entrée à la borne 57 est faible. Notamment, on pourra prévoir de placer un transis- 1 1 2460070- tor à effet de champ tel que 73 non plus à la sortie de l'ampli- ficateur 42 mais en série avec son entrée. Le transistor 73 pour- ra alors être un transistor à effet de champ de faible puissance. Une autre variante de ce mode de réalisation consiste à con- necter la borne d'entrée 76 du sous-ensemble de commande 55 non plus à la borne d'entrée 57 mais à la borne de sortie 45 de l'am- plificateur 41. Dans ces conditions,,pour obtenir le même fonc- tionnement, il suffit de prévoir des sources de tension 78 et 80 dont la valeur est voisine de la tension que présente la sortie W0 45 de l'amplificateur 41 lorsqu'il est saturé. Dans ce qui précède, on a supposé que les deux amplificateurs 41 et 42 ont le même gain G et sont alimentés par une tension d'alimentation identique. Dans ces conditions, si S est la valeur maximale du signal d'entrée présent à la borne 57, la commutation de l'amplificateur 42 se produit au moment o le signal d'entrée atteint la moitié de sa valeur maximale, c'est-à-dire S/2. Il est possible de prévoir un dispositif pour lequel la commutation se produit pour une valeur différente de ce signal d'entrée. Pour cela, on peut prévoir un dispositif comportant deux sources d'ali- * mentation, une première source telle que 70 alimentant l'amplifi- cateur 41, de tension égale à 2V, et une seconde source d'alimen- tation de tension 2V' alimentant l'amplificateur 42. La première source 70 a, comme dans les modes de réalisation précédents, des potentiels sur ses deux bornes de sortie qui sont symétriques par rapport au potentiel de la borne 53 de-potentiel zéro. De même, il faut que-la seconde source de potentiel 2V' ait ses deux bornes de sortie à des potentiels symétriques par rapport à la même bor- ne de potentiel zéro. Ceci peut être réalisé par tout moyen bien connu dans la technique. La tension sur la charge 47 sera alors comprise entre + (V + V') et -(V ±V'). Dans le cas o, par exemple, V' est égal au double de V, la commutation de l'amplificateur 42 se produira lorsque le signal d'entrée sur la borne 57 est égal au tiers de sa valeur maximale admissible. Une telle disposition peut avoir un intérêt si le signal d'entrée à amplifier est pres- que toujours inférieur au tiers de sa valeur maximale. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réali- sation qui ont été explicitement décrits mais en inclut diverses variantes et modifications accessibles à l'homme de l'art. 1 2 REVENDICATIONS 1 - Dispositif amplificateur pour audio-fréquences, comprenant un premier et un second amplificateur, le premier amplificateur étant alimenté par une source d'alimentation de tension Vl dont les deux bornes de sortie sont à des potentiels symétriques par rapport à une borne de potentiel zéro, ledit dispositif amplifi- cateur débitant sur une charge comportant des première et seconde bornes, la première borne étant reliée à la borne de sortie du premier amplificateur, caractérisé en ce que le second amplifica- teur est alimenté par une tension d'alimentation V2 dont les bor- nes sont à des potentiels symétriques par rapport à la borne de potentiel zéroen ce qu'il comprend en outre des moyens de com- mutation à deux états connectant dans le premier état la deu- xième borne de la charge à la borne de sortie du second ampli- ficateur et dans le deuxième état la deuxième borne de la charge à la borne de potentiel zéro, des moyens de commande pour forcer les moyens de commutation dans l'un ou l'autre de leurs états suivant le niveau du signal à amplifier par le dispositif ampli- ficateur, et des moyens de transmission pour appliquer au second amplificateur un signal d'entrée fonction du signal à amplifier et de la tension de sortie du premier amplificateur. 2 - Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second amplificateur est alimenté par la même source de tension Vl que le premier amplificateur. 3 - Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, carac- térisé en ce que la borne de potentiel zéro est connectée au point de liaison de deux sources de tensions égales connectées en série pour former la source d'alimentation de tension Vi. 4 - Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, carac- térisé en ce que la borne de potentiel zéro est connectée au moyen d'un condensateur à une borne de la source d'alimentation. - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les moyens de commande comprennent un premier comparateur comparant le signal d'entrée à amplifier et une première tension positive correspondant à la tension de seuil de saturation du premier amplificateur, un second comparateur com- parant le même signal d'entrée et l'opposé de cette tension de 1 3 seuil de saturation, les sorties des deux comparateurs étant connectées à une porte logique OU commandant les moyens de com- mutation par l'intermédiaire de moyens d'amplification de façon que la deuxième borne de la charge soit connectée à la borne de potentiel zéro lorsque le signal d'entrée ne sature pas le pre- mier amplificateur, et qu'elle soit connectée à la borne de sor- tie du second amplificateur lorsque le signal d'entrée sature le premier amplificateur. 6 - Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les moyens de transmission comprennent un inverseur fournissant l'opposé du signal à amplifier, un di- viseur fournissant une fraction de la tension de sortie du pre- mier amplificateur, et un additionneur dont les bornes d'entrée sont connectées aux bornes de sortie de l'inverseur et du divi- seur, fournissant sur l'entrée du second amplificateur une ten- sion égale et de signe opposé à la portion du signal d'entrée qui n'est pas amplifiée par le premier amplificateur. 7 - Dispositif selonl'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les moyens de commutation comprennent au moins un transistor à effet de champ dont le drain ou la source est connecté à la seconde borne de la charge, dont la source ou le drain est connecté à la borne de potentiel zéro, et dont la grille est commandée par les moyens de commande de telle sorte que le tran- sistor soit saturé lorsque le signal à amplifier est faible. 8 - Procédé d'amplification d'un signal électrique au moyen de deux amplificateurs alimentés par des sources d'alimentation dont les bornes de sortie ont des potentiels symétriques par rap- port à une borne de potentiel zéro, le premier amplificateur étant connecté à l'une des bornes de la charge, caractérisé en ce qu'il consiste à connecter une seconde borne de la charge à la borne de potentiel zéro lorsque le premier amplificateur n'est pas saturé, et à connecter cette seconde borne de la charge à la sortie du second amplificateur lorsque le signal à amplifier sature le pre- mier amplificateur, le second amplificateur amplifiant la partie du signal qui n'est pas amplifiée par le premier amplificateur en état de saturation.