FR 2458889 A1 19810102 FR 8012689 A 19800606 1. La présente invention concerne la structure d'une cou- che photoconductrice d'une cible utilisée dans un tube de prise de vues ou d'images, et notamment une structure per- mettant d'améliorer la sensibilité photoélectrique, d'une couche photoconductrice du type contact redresseur, entre autres la sensibilité photoélectrique en cas de coupure d'une lumière incidente intense. La conductivité photoélectrique du sélénium amorphe (Se) est une propriété connue dans l'état actuel de la technique, et, lorsque cet élément est utilisé conjointement avec une électrode de signalisation de conductivité "N", on obtient une cible photoconductrice du type photodiode. Etant donné que le sélénium n'est pas sensible aux radiations à grande longueur d'onde, on a proposé d'additionner de Te une partie de la couche contenant du Se pour améliorer la sensibilité de cette dernière à ces radiations. Cette méthode est di- vulguée dans la demande de brevet japonais non examinée 49-24619 (correspondant au brevet américain 3 890 525) et dans le brevet américain 4 040 985. On a de plus proposé d'ajouter une petite quantité d'un halogène pour améliorer les caractéristiques de retard et de rémanence de la cible utilisée dans un tube de prise de vues dont le composant principal est Se et qui comporte un contact redresseur. Cette méthode est divulguée dans le brevet japonais 919 862 (correspondant au brevet américain 3 984 722). La cible de ce type présente de bonne caractéris- tiques dans des conditions d'utilisation normales, mais, lorsque l'intensité de la lumière incidente devient nettement supérieure à celle des conditions normales, la réaction après coupure de la lumière incidente (retard en cas de lu- mière intense) se dégrade. Plus le temps de fonctionnement se prolonge, et plus grande est la dégradation de la réaction. Le terme "conditions d'utilisation normales" employé dans la présente demande de brevet doit s'entendre comme définissant les conditions dans lesquelles l'intensité de la lumière incidente est telle qu'elle produit un courant de signali- sation d'environ 0,2 PA P-P. L'intensité de la lumière utilisée dans le cas considéré est à peu près égale à 20 fois celle des conditions d'utilisation normales, bien que cette valeur ne soit pas définie comme critique. On appelle généralement "accrochage de lumière intense" le ratard produit par une lumière d'une telle intensité. La présente invention a pour objet d'améliorer la cible utilisée dans un tube de prise de vues en matière amorphe à base de Se, de façon à permettre de réduire à un minimum le phénomène appelé "accrochage de lumière intense". Pour atteindre l'objectif susmentionné, la présente $0 invention propose de réaliser de la manière suivante la structure de la cible photoconductrice qui comporte une élec- trode et une couche conductrice amorphe de type P dont le composant principal est Se et qui présente un contact re- dresseur à sa face commune avec l'électrode de signalisation, la cible photoconductrice étant rendue sensible par le fait qu'une partie de ladite couche conductrice amorphe de type P est additionnée au moins de Te: au moins une sorte de fluo- rure métallique formant des niveaux peu profonds est ajoutée dans la zone de ladite couche conductrice de type P o le courant de travail ou de signalisation est principalement produit, ceci avec une concentration moyenne de 5b ppm au minimum et de 5 % (en poids) au maximum. Les fluorures métalliques ajoutés, constituant des ni- veaux peu profonds, peuvent être choisis dans le groupe com- prenant les composés suivants: LiF, NaF, MgF2, CaF2, BaF2, AlF3, CrF3, MnF2, CoF2, PbF2, CeF3 et TlF. Selon une autre caractéristique de la présente inven- tion, l'électrode peut être une électrode transparente formée sur une couche-support, transparente également, et une cou- che de blocage peut être intercalée entre ladite électrode et la couche conductrice de type P. Selon une autre caractéristique additionnelle de la pré- sente invention, la cible peut comporter en outre une couche d'impact du faisceau électronique sur la couche conductrice de type P. La présente invention sera mieux comprise à l'aide de la description détaillée de plusieurs modes de réalisation pris comme exemples non limitatifs et illustrés par le dessin an- 2458g89 nexé, sur lequel: - la figure 1 est une vue en coupe d'une cible utilisée dans un tube de prise de vues; - la figure 2 est une vue montrant la répartition des composants dans la majeure partie d'une cible correspondant à la technique antérieure déjà connue; - la figure 3 est une vue montrant la répartition des composants dans la majeure partie d'une cible selon la pré- sente invention; - la figure 4 est une vue en coupe d'une autre cible utilisée dans un tube de prise d'images; - la figure 5 est une vue illustrant le phénomène appe- lé accrochage de lumière intense, et - la figure 6 est une vue illustrant le retard et l'ac- crochage de lumière intense en fonction de la quantité de LiF ajoutée. La figure 1 représente la structure de base d'une cible caractéristique de la technique antérieure, telle qu'elle est divulguée dans le brevet américain 4 040 985. Sur cette fi- gure 1, la référence numérique 1 désigne une plaque frontale transparente, la référence numérique 2 une couche conductrice transparente de type N, et la référence numérique la premiè- re couche photoconductrice de type P qui correspond à la par- tie rendue sensible d'un film photoconducteur de type P. La référence numérique 4 désigne la seconde couche conductrice de type P, qui sert à réduire la capacité de mémoire ou d'accu- mulation de la cible, et la référence numérique 5 indique une couche destinée à faciliter l'impact ou la prise de contact du faisceau électronique de balayage. La couche 3 peut être réalisée en Se, As et Te, la couche 4 en Se et en As, et la couche 5 en Sb2S3. L'élément As est ajouté aux couches 3 et 4 pour renforcer la stabilité thermique de Se. La référence nu- mérique 6 désigne un rayon de lumière incidente et la référen- ce numérique 7 un faisceau électronique de balayage. La figure 2 représente un exemple de répartition des com- posants de la couche photoconductrice sensible 3, de type P, représentée sur la figure 1, vue dans le sens de l'épaisseur, à partir du côté de l'électrode de signalisation. Dans l'exem- ple représenté, l'élément Te assurant la sensibilité n'existe pas au niveau zéro de l'épaisseur du film (zone a) qui cor- respond à la face commune avec la couche conductrice trans- parente 2, et la concentration de Te augmente rapidement à partir d'un niveau de 1 000 A de l'épaisseur du film, l'ad- dition de Te étant réalisée sur une épaisseur de 1500 A (zone b). L'élément As est ajouté dans les zones a et b pour renforcer la stabilité thermique du Se. La zone c est additionnée d'As, que l'on estime apte à constituer des ni- veaux profonds dans la lacune énergétique pour renforcer l'effet de sensibilisation. La concentration d'As diminue à un taux constant sur l'épaisseur de 2500 A du film. Cette addition d'As sert aussi à renforcer la stabilité thermique du Se. La cible présentant une telle structure atteint son objectif en ce qui concerne l'augmentation de la sensibilité aux radiations à grande longueur d'onde. Le tube de prise d'images de ce type présente de bon- nes caractéristiques en ce qui concerne les exigences norma- les auxquelles ces tubes doivent satisfaire, par exemple en ce qui concerne le retard et la rémanence. La figure 3 représente une structure de base destinée à expliquer la présente invention et illustre une répartition améliorée des composants dans la partie qui correspond à la couche 3 de la figure 1. Les teneurs qui figurent dans la description suivante sont indiquées en pourcentages en poids. La partie correspondant à la couche 3 de la figure 1 est constituée par une couche photoconductrice amorphe dont le composant principal est Se, avec des additions locales de Te destinées à rendre le matériau sensible. Les zones a' et b' de la figure 3 constituent une couche photosensible destinée à absorber la majeure partie de la lumière qui vient frapper la cible et à produire des porteurs de courant de travail ou de signalisation. Dans l'exemple de la figure 3, il n'y a pas de Te au niveau zéro de l'épaisseur du film qui correspond à la face commune avec la couche conductrice transparente (zone a'), et la concentration de Te augmente rapidement à partir du ni- veau 500 A de l'épaisseur du film. Cela veut dire que l'addi- tion de Te se fait à une concentration de 30 % entre les e o niveaux de 500 A et de 1500 A de l'épaisseur du film (zone b'). L'élément As est ajouté dans les zones a' et b' avec une concentration uniforme de 6 % dans le sens de l'épais- seur, et sa concentration décroit progressivement dans la zone c'. Dans ladite zone c', dont l'épaisseur de 1 000 A, la concentration est de 30 % au point de départ et de 6 % au point terminal. La concentration de Te et d'As est en prin- cipe la même que celle de la figure 2.- La couche conductri- ce de type P de ce genre est caractérisée par une première couche conductrice de type P comportant une couche photosen- sible et par une seconde couche conductrice de type P. Un exemple caractéristique de la première couche conductrice 3 de type P, selon la figure 1. comprend, dans l'ordre, à partir de l'électrode transparente, la première zone a' de la figure 3, qui est principalement constituée par Se et dont l'épaisseur est supérieure à 100 A et qui est addition- née d'au moins un élément du groupe constitué par Te et par des adjuvants aptes à former un niveau profond dans Se, les quantités de Te et d'adjuvants correspondant, res- pectivement, à une concentration n'excédant par 15 % atomi- ques en moyenne; la deuxième zone b' de la figure 3, qui est principalement constituée par Se d'une épaisseur comprise entre 500 À et 3 000 A, dans laquelle l'adjuvant apte à for- mer des niveaux profonds dans Se présente une répartition continue maximale de la concentration d'au moins 20 % atomi- ques. Au moins un élément apte à former des niveaux profonds dans Se est choisi dans le groupe constitué par les éléments As, Sb, Bi, Ge, et par un mélange de ces éléments. Le film photoconducteur selon la présente invention se distingue de celui qui est représenté sur la figure 2 par le fait que le composé LiF est uniformément réparti dans le sens de l'épaisseur, avec une concentration de 4 000 ppm dans les zones a' et b', c'est-à-dire dans la couche photo- sensible. Dans l'exemple représenté, le composé LiF est réparti avec une concentration uniforme dans le sens de l'é- paisseur, mais sa concentration n'est pas nécessairement uniforme et peut être différente dans les zones a' et b', ou bien il peut présenter un gradient de concentration dans cha- cune de ces zones. A titre de variante, le fluorure peut n'être ajouté que dans la zone a' ou dans la zone b' pour obtenir un effet similaire, ou le fluorure métallique peut même être ajouté dans une partie de la couche photosensible. L'essentiel est que LiF soit ajouté dans la partie qui produit le porteur ou véhicule (couche photosensible). Dans l'exemple représenté, la répartition de la concentration de Te se pré- sente sous une forme rectangulaire, mais cela n'est pas for- cément le cas, et sa forme peut aussi bien être triangulaire, trapézoïdale ou même plus complexe. Dans le cas d'un exemple de réalisation particulier, au moins l'un des fluorures métalliques précédemment mentionnés est ajouté, avec une concentration moyenne minimale d'uu moins 50 ppm et maximale de 5 % (en poids)4ans la partie de la zone o le courant de travail ou de signalisation est prin- cipalement produit, partie qui est exempte de Te, et au moins un des fluorures métalliques précédemment mentionnés est ajou- té, avec une concentration moyenne minimale de 100 ppm et maximale de 10 % (en poids), à au moins une partie de la zone contenant Te. Dans ce ca4 il est important que la propor- tion moyenne, exprimée en pourcentage en poids, que représen- te le fluorure métallique dans la zone o le courant de tra- vail est principalement produit, ne dépasse pas les valeurs limites de la plage ci-dessus mentionnée. L'application de la présente invention n'est pas limi- tée au mode de réalisation caractéristique précédemment dé- crit ni à sa variante, mais peut être étendue à la couche photosensible qui comprend la couche photoconductrice amor- phe contenant principalement Se avec une addition de Te.- Des fluorures autres que ceux qui sont précédemment mention- nés peuvent être utilisés. Une couche de blocage du courant d'obscurité, caracté- risée par le fait qu'elle est constituée par un oxyde de type N, tel que l'oxyde de cérium, peut être intercalée entre l'électrode de signalisation et la couche photosensible. Il est entendu que n'importe quelle couche de blocage peut être utilisée, sans que le fonctionnement de la cible pré- sente une différence essentielle, et ladite cible restant toujours dans le domaine d'application de la présente inven- tion. La seconde couche conductrice 4 de type P (figure 1) peut être de réalisation classique. A titre d'exemple caracté- ristique, cette seconde couche conductrice de type F con- siste principalement en Se additionné d'au moins un élément du groupe constitué par le Te et par des adjuvants aptes à former des niveaux profonds dans Se, les quantités choi- sies de Te et d'adjuvants n'étant respectivement, en moyen- ne, pas supérieures à 15 % atomiques. Dans la présente description, la couche photoconductrice composée d'une première et d'une seconde couches photocon- ductrices de type P est simplement appelée couche photocon- ductrice de type P. Les fluorures métalliques sont avantageusement ajoutés à la zone o le courant de travail est principalement produit (c'est-à-dire la couche photosensible). L'effet sera nul si les fluorures métalliques sont ajoutés à la couche 4 de la figure 1, bien que celle-ci soit une couche conductrice de type P identique à la couche photosensible. Au contraire, ceci entraînera une dégradation des caractéristiques photo- conductrices du tube de prise d'images. Des exemp.s de structuresde la cible selon la présente invention sont décrits ci-après EXEMPLE 1 Selon la figure 4, une couche conductrice transparente 2, consistant principalement en oxyde d'étain, est formée sur une couche-support ou substrat de verre 1, et du CeO2 est appliqué par vaporisation sous vide à 3 x 10-6 torr sur cette couche, jusqu'à une épaisseur de 300 A, pour former une couche de contact redresseuse auxiliaire 8. Ensuite, Se et LiF sont appliqués simultanément par vaporisation, à partir de sources séparées, sur cette couche, jusqu'à une épaisseur de 300 A, pour former la première couche de la couche conductrice 3 de type P. LiF est ajouté avec une con- centration uniforme de 4 000 ppm dans le sens de l'épaisseur. Ensuite, Se, Te et LiF sont appliqués simultanément par va- porisation, à partir de sources séparées, jusqu'à une épais- seur de 300 A. La concentration de Te est de 31 % et celle de LiF de 4 000 ppm, ces concentrations étant réparties de façon uniforme dans le sens de l'épaisseur. De plus, Se et Te sont appliqués par vaporisation, à partir de sour- ces séparées, jusqu'à une épaisseur de 300 A. La concentra- tion de Te est de 31 % et est uniformément répartie dans le sens de l'épaisseur. Ces deux couches constituent la deuxiè- me couche qui, conjointement à la première, forme la couche photosensible. La troisième couche, composée de Se et d'As, est appliquée par vaporisation sur la deuxième couche. Pen- dant l'application de la troisième couche, Se et As 2Se3 sont appliqués simultanément par vaporisation, à partir de sour- ces séparées. Le courant fourni à la nacelle d'As2Se3 est réglé de façon à obtenir, au point de départ, une concentra- tion d'As de 27 %, qui diminue progressivement, au fur et à mesure du déroulement de la'vaporisation, jusqu'à 0 % au point terminal de la troisième couche, c'est-à-dire au niveau de 700 A. Ensuite, Se est appliqué par vaporisation sur la troisième couche, formant ainsi la seconde couche conductrice 4 de type P, ceci à une épaisseur telle que l'épaisseur to- tale, entre la première couche de la première couche conduc- trice 3 de type P et la seconde couche conductrice 4 de type P soit de 4 Ym. Les opérations de vaporisation qui permettent de réaliser la seconde couche conductrice 4 de type P sont effectuées sous un vide de 3 x 1076 torr. Ensuite, la couche de Sb2 S3 est appliquée par vaporisation sur la seconde cou- che conductrice 4 de type P, et ce sous atmosphère d'argon de 2 x 10 torr, jusqu'à une épaisseur de 1 000 A. Sur de- mande, on ajoute As à une concentration de 3 %, sur une zone allant de la première couche à la seconde couche conductrice 4 de type P, de façon à renforcer la stabilité thermique de la cible. Dans l'exemple qui vient d'être décrit, le fluorure mé- tallique utilisé est du LiF, mais on obtient un effet simi- laire en utilisant d'autres fluorures, tels que NaF, MgF2, CaF2, BaF2, AlF3, CrF3, MnF2 CoF2, PbF2, CeF3 ou TlF. EXEMPLE 2 Selon la figure 1, une couche conductrice transparente 2, constituée principalement par de l'oxyde d'étain, est réali- sée sur une couche-support ou un substrat de verre 1, et l'on applique simultanément par vaporisation Se, As2S3 et CaF2 sur cette couche, à partir de sources séparées, jusqu'à une épais- seur comprise entre 100 et 500 A, pour former la première couche de la première couche conductrice 3 de type P. La concentration d'As est de 6 % et celle de CaF2 de 500 ppm, ces deux concentrations étant unfiormément réparties dans le sens de l'épaisseur. On applique ensuite simultanément, par vaporisation Se, As2S3, Te et CaF2, à partir de sources séparées, jusqu'à une épaisseur comprise entre 450 et 1 000 A, pour former la deuxième couche. Les concentrations de Te, As et CaF2 sont uniformes dans le sens de l'épaisseur; elles sont comprises entre 20 et 35 % pour Te, entre 3 et 6 % pour As, et entre 3 000 et 7 000 ppm pour CaF2. La troisiè- me couche, qui est faite de Se et d'As, est appliquée par vaporisation sur la deuxième couche, jusqu'à une épaisseur comprise entre 500 et 1500 A. Pendant l'application de la troisième couche par vaporisation, Se et As 2Se3 sont simul- tanément appliqués par vaporisation à partir de sources sé- parées. Le courant fourni à la nacelle d'As 2Se3 est réglé de manière à permettre d'obtenir initialement une concentration d'As comprise entre 20 et 30 % et ensuite une diminution progressive au fur et à mesure du déroulement de la vapori- sation, donnant finalement une valeur comprise entre O et 3 % à la fin de la troisième couche. Se et As2Se3 sont en- suite déposés simultanément sur la troisième couche pour former la seconde couche conductrice 4 de type P, ceci à une épaisseur telle que l'épaisseur totale de la couche soit égale à 6 um. La concentration d'As de la seconde couche conductrice 4 de type P est de 3 %. La première couche con- ductrice 3 de type P et la seconde couche conductrice 4 de type P sont appliquées par vaporisation sous vide à 2 x 1076 torr. Ensuite, la couche 5, constituée par du Sb2S3, est appliquée par vaporisation sur la seconde couche conductrice 4 de type P, et ce sous atmosphère d'argon de 2 x 10-1 torr, jusqu'à une épaisseur de 1 000 A. Avec une addition de LiF dans la zone a' de la couche photoconductrice 3 et une addition de CaF2 dans la zone b', ou vice-versa, on peut obtenir un effet similaire. On peut, en outre, obtenir un effet similaire en ajoutant LiF, en plus de CaF2, dans un rapport de 2/1. La quantité totale des adjuvants est comprise entre 3 000 et 7 000 ppm. On peut obtenir un effet analogue avec d-es fluorures autres que ceux qui sont précédemment mentionnés. EXEMPLE 3 Selon la figure 4, la couche conductrice transparente 2, constituée principalement par de l'oxyde d'étain, est réa- lisée sur une couche-support ou substrat de verre 1, et elle est recouverte, dans l'ordre, respectivement par une couche de GeO2 et une couche de CeO2, appliquées par vaporisation, 1fi jusqu'à une épaisseur de 150-A, pour obtenir une couche de contact redresseuse auxiliaire 8. La vaporisation est effec- tuée sous une vide de 2 x 10 6 torr. On applique simultané- ment, par vaporisation Se, As2Se3 et MgF2, à partir de sour- ces séparées, jusqu'à une épaisseur de 300 A, pour former la première couche de la première couche conductrice 3 de type P. La concentration d'As est de 3 %, celle de MgF2 de 3 000 ppm, et ces concentrations sont uniformément réparties dans le sens de l'épaisseur. La deuxième couche est appliquée par vaporisation sur la première. Cette opération se fait en deux phases. On applique d'abord simultanément par vapo- risation Se, As2Se3, Te et MgF2, à partir des sources sépa- rées, jusqu'à une épaisseur de 200 A, pour former la premiè- re moitié de la deuxième couche. La concentration d'As est de 3 % et celle de Te de 30 %, et ces concentrations sont uniformément réparties dans le sens de l'épaisseur. La con- centration de MgF2 est réglée de manière à obtenir initiale- ment une valeur de 8 000 ppm, qui diminue progressivement au fur et à mesure que se déroule la vaporisation, jusqu'à at- teindre finalement O ppm à la fin de la première moitié de la deuxième couche, première moitié dont l'épaisseur est de 2 000 A. On règle la concentration de MgF2 en faisant varbr le courant fourni à la nacelle de vaporisation. Puis on ap- plique par vaporisation Se, As2Se3 et Te pour former la se- Il conde moitié de la deuxième couche. Le procédé de vaporisa- tion peut être le même que celui qui est appliqué pour la première moitié de la couche. La concentration d'As est de 3 % et celle de Te de 30 %, et ces concentrations sont uniformément réparties dans le sens de l'épaisseur. L'épais- seur de la seconde moitié de la couche est de 200 A. L'ap- plication de la deuxième couche par vaporisation est ainsi achevée. Cette couche est ensuite recouverte de Se et d'As, appliqués par vaporisation, et la troisième couche est ainsi formée. Pendant l'application de la troisième couche par vaporisation, Se et As2S%3 sont simultanément appliqués par vaporisation à partir de sources séparées. Le courant four- ni à la nacelle pour la vaporisation de As2Se3 est réglé de manière à obtenir initialement une concentration d'As de 29 % et une diminution progressive de cette valeur au fur et à mesure du déroulement de la vaporisation, jusqu'à obten- tion d'une concentration de 3 % à la fin de la troisième o couche dont l'épaisseur est de 600 A. Puis on applique par vaporisation du Se et As sur la troisième couche pour former la seconde couche conductrice 4 de type P, ceci à une épaisseur telle que l'épaisseur totale du film soit égale à 4 pm. La concentration d'As dans la seconde couche conductri- ce 4 de type P est de 3 % et est uniformément répartie dans le sens de l'épaisseur. Toutes les couches depuis la premiè- re couche de la première couche conductrice 3 de type P jus- qu'à la fin de la seconde couche conductrice 4 de type P sont appliquées par vaporisation sous un vide de 2 x 10-6 torr. On applique ensuite par vaporisation de Sb2S3 sur la seconde couche conductrice 4 de type P, et ce sous atmosphère d'ar- gon de 2 x 10 -1 torr, jusqu'à une épaisseur de 1 000 A. Selon la présente invention, la réaction après coupure de la lumière incidente, et lorsque l'intensité de la lumière incidente devient nettement supérieure à ce qu'elle doit être dans le cas d'utilisation normale (c'est-à-dire en cas d'ac- crochage de lumière intense), se trouve améliorée et reste bonne même après une longue période de fonctionnement. Bien que la signification de cet effet n'ait *pas été élucidée sur le plan de la physique, on estime que les niveaux peu profonds, qui captent aisément les porteurs de courant de travail ou de signalisation et les relâchent facilement après cessation du rayonnement, sont réalisés par addition d'impuretés, et que ces niveaux ont une action plus effi- cace que les niveaux existants. La figure 5 représente les caractéristiques de retard avec une lumière intense mesurée après deux heures de fonc- tionnement. L'intensité de la lumière incidente est 500 fois celle des conditions de fonctionnement normales. En 1.0 abscisses, on a porté le nombre de trames après coupure de la lumière incidente, et en ordonnées le rapport avec un courant de travail ou de signalisation (0,2 uA) de condi- tions d'utilisation normales. La ligne en traits disconti- nus 41 de la figure 5 représente la caractéristique d'une cible classique, et celle-ci peut être améliorée, selon la présente invention, de la façon indiquée par la ligne en trait pleins 42. Etant donné que l'effet de la présente in- vention est dû à l'addition de fluorures, il est moindre lorsque les quantités d'impuretés ajoutées sont plus faibles. D'autre part, l'addition d'une trop grande quantité d'impu- retés entrave le déplacement des porteurs et entraine une dégradation des caractéristiques de retard. La gamme préfé- * rentielle des concentrations est en moyenne de 50 ppm - %, dans le cas de la couche photosensible, comme le montre la figure-6 o la concentration de LiF (teneur moyenne de la couche photosensible) est portée en abscisses, tandis que le retard et l'accrochage de lumière intense sont portés en or- données. Le retard (pour un courant de travail ou de signali- sation de 0,2 pua) est indiqué par un rapport entre la gran- deur à la troisième trame, après coupure de la lumière inci- dente, et le courant de travail ou de signalisation de 0,2 AIA, l'accrochage de lumière intense (pour le courant de travail de 4 yA) étant indiqué par le rapport entre la grandeur à la dixième trame, après coupure de la lumière incidente, et le courant de travail de 0,2 jiA. La courbe 51 de la figure 6 indique le retard en fonction de la quantité de LiF ajoutée, et la courbe 52 l'accrochage de lumière intense en fonction de cette même quantité. L'influence de la quantité d'adjuvant e 1.3 sur le retard et sur l'accrochage de lumière intense reste aussi évidente lorsque d'autres fluorures métalliques sont utilisés. R E V E N D I C A T I O N S 1.- Cible photoconductrice, qui comporte une électrode (2) et une couche conductrice amorphe de type P (3), dont le composant principal est Se et qui présente un contact redres- seur à sa face commune avec l'électrode de signalisation, une partie de ladite couche conductrice amorphe de type P étant additionnée au moins de Te, caractérisée en ce qu'au moins un fluorure métallique formant des niveaux peu pro- fonds est ajouté dans la zone (a', b') de ladite couche con- ductrice de type P o le courant de travail ou de signalisa- tion est principalement produit, ceci avec une concentration moyenne de 50 ppm au minimum et de 5 % (en poids) au maximum. 2.- Cible photoconductrice selon la revendication 1, caractérisée en ce que le fluorure métallique ajouté, cons- tituant des niveaux peu profonds, est choisi dans le groupe comprenant LiF, NaF, MgF2, CaF2, BaF2, AlF3, CrF3, MnF2, CoF2, PbF2, CeF3 et TiF. 3.- Cible photoconductrice selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce qu'un fluorure mé- tallique au moins est ajouté dans une partie (a') de la zone o le courant de travail est principalement produit, partie (a') qui est exempte de Te, cette addition se faisant avec une concentration moyenne de 50 ppm au minimum et 5 % (en poids) au maximum, et qu'un fluorure métallique au moins est ajouté dans une partie de la zone (b') contenant Te, et ce avec une concentration moyenne de 100 ppm au minimum et 10 %(en poids) au maximum. 4.- Cible photoconductrice selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisée en ce que l'électrode est une électrode transparente (2) formée sur une couche- support (1), transparente également, et qu'une couche de blo- cage (8) est intercalée entre ladite électrode et la couche conductrice de type P. 5.- Cible photoconductrice selon la revendication 4, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre une couche d'im- pact (5) du faisceau électronique sur la couche conductride de type P.