FR 2138040 A1 19721229 FR 7217659 A 19720517 72 17659 2138040 La présente invention concerne un nouveau procédé pour produire des images en relief et des structures correspondantes, lequel procédé peut être utilisé pour produire des articles tels que clichés lithographiques, diapositives, masques photographi-5 ques, réseaux de composants électronique s,panneaux de circuits imprimés et beaucoup d'autres. Des images en relief peuvent être obtenues par différents procédés. Suivant un procédé souvent utilisé, une couche métallique est munie d'une partie photorésistante. Après exposition 10 à la lumière, les parties exposées ou non exposées de l'élément photorésistant sont éliminées par lavage et les parties du métal se trouvant ainsi découvertes sont traitées par des fluides à morsure chimique, puis soumises à des lavages, etc. Ce procédé nécessite un grand nombre d'opérations, demande beaucoup de 15 temps et est coûteux. Le brevet français n° 1 5^5 662 délivré le 16 septembre 1968 à la Teeg Research, Inc. et qui est basé sur une invention de Robert William Hallman et de Gary Walter Kurtz propose un autre procédé pour produire des images en relief. Dans ce procé-20 dé, le nombre requis d'opérations peut être réduit en munissant une couche de métal sélectionné d'une couche supérieure non métallique constituée par un composé chimique capable de réagir par voie photochimique, sous 1Teffet d'un rayonnement électromagnétique, avec la couche métallique pour former un nouveau com-25 posé chimique. Le composé ainsi formé est ensuite éliminé, au besoin ensemble avec les parties de la couche supérieure n'ayant pas réagi. L'image en relief est formée par le fait que, dans les zones exposées, une partie ou l'ensemble de la couche métallique a été consommée par la réaction photochimique avec la 50 couche supérieure. Des métaux typiques pouvant être utilisés dans le procédé suivant ce brevet français sont l'argent ou le cuivre en tant que couche métallique et le trisulfure ou le pen-tasulfure d'arsenic ou un mélange réactionnel d'arsenic, de soufre et d'iode en tant que couche supérieure. 55 Un autre brevet français, è savoir celui portant le n° 1 567 526 délivré le 8 avril 1969, propose également d'utiliser des composés tels que le trisulfure ou le pentasulfure d'arsenic en tant que seule couche soumise à un rayonnement électromagnétique. Ainsi, la solubilité des zones exposées se trouve accrue 72 17659 2 2138040 par rapport aux zones non exposées par suite d'une décomposition photochimique. Il est également connu de former par voie photographique une image en relief dans des verres de silicate. Un exemple 5 représentatif de cesprocédésest par exemple celui décrit dans le brevet américain n° 3 4-73 927 intitulé "Procédé d'exposition négative double pour verre pouvant être opacifié par photo-sensibilité". Dans ce procédé, du verre photosensible présenté sous la forme d'une plaque épaisse est exposé à la manière d'i-10 mages à un rayonnement de faible longueur d'onde pour former une image latente, puis on procède à une opération de chauffage dans laquelle l'ensemble de l'élément en verre, y compris les zones non exposées, est chauffé pendant une durée prolongée à une température voisine du point de ramollissement du verre, lors de 15 cette opération de chauffage, des cristallites de disilicate de lithium ou de fluorure d'un métal alcalin sont formées dans les zones exposées. Ces cristallites sont ensuite dissoutes dans un fluide de gravure convenable. La présente invention concerne un procédé pour produire 20 des images comprenant l'opération de fabrication d'une matière à mémoire décrite ci-après et capable de provoquer, par suite d'un changement de structure physique de la matière à mémoire, une variation notable de la solubilité dans des solvants sélectifs lorsqu'elle est soumise à de l'énergie, l'opération consis-25 tant à soumettre des zones sélectionnées de la matière à mémoire à l'effet producteur d'image de l'énergie à une intensité et pendant une durée suffisante pour produire une différence notable dans la solubilité des zones ayant été soumises à cette énergie, par rapport aux zones non soumises à cette énergie, et l'opéra-30 tion consistant à dissoudre dans un solvant sélectif la matière à mémoire dans les zones où la solubilité est plus forte. Par un choix approprié de la matière à mémoire et du type d'énergie et en sélectionnant des niveaux d'intensité convenables de l'énergie et en contrôlant la durée des effets de l'é-35 nergie sur la matière à mémoire, on peut obtenir au choix une diminution ou tin accroissement de la solubilité, dans un solvant donné, des zones de la matière à mémoire qui ont été soumises à 1'énergie. En fonction du choix de la matière à mémoire, ainsi que 72 17659 2138040 des conditions opératoires et/ou du solvant, des représentations positives ou négatives d'un original peuvent être produites par le procédé de l'invention. En général, on obtient une image positive lorsque les zones de la matière à mémoire ayant été sou-5 mises aux effets producteurs d'image de l'énergie sont devenues plus facilement solubles dans un solvant sélectif donné que les zones qui n'ont pas été soumises à l'énergie. Une image négative est en général obtenue si les zones de la matière à mémoire ayant été soumises aux effets producteurs d'image de l'énergie voient 10 ainsi diminuer leur solubilité dans un solvant sélectif donné. Au besoin, la couche de matière à mémoire peut servir de matière résistante ou "resist"-pour la gravure d'une couche inférieure, avec ou sans élimination subséquente de la matière à mémoire dans les zones non dissoutes. 15 La matière à mémoire utilisée suivant la présente invention est une matière capable de voir certaines de ses parties subir un changement de structure physique entre au moins deux états stables. Cette matière se trouve normalement dans un de ces états et est capable d'être amenée à un autre état stable en réponse à 20 l'application d'une énergie comme par exemple de la lumière, des particules d'un faisceau électronique ou d'autres particules énergétiques, de la chaleur, un champ électrique, de la contrainte ou analogues ou à line combinaison de l'une ou plusieurs de ces formes d'énergie. Ces changements de structure physiques peuvent 25 être, par exemple, des changements de conformation, de configuration ou de position dans l'organisation ou la disposition d'atomes ou de molécules dans la matière à mémoire. Parmi les changements physiques typiques figurent des changements d'un état généralement amorphe à un état plus ordonné ou à caractère cris-3>C tallin, ou l'inverse ; des changements d'une forme cristalline à ■une autre forme cristalline ; des variations du degré de cristal-linité ; des variations dans l'alignement relatif de molécules ou de segments de la forme cristalline ; des variations dans les liaisons intermoléculaires et analogues ; un pliage, une torsion 35 spirale, un tassement, un allongement ou d'autres changements de forme ou de géométrie des molécules ; l'ouverture ou la fermeture de structures moléculaires en forme de noyau et d'autres formes de scission de chaînes moléculaires ; un rattachement de chaînes moléculaires ; des changements dans la longueur moyenne des 72 17659 2138040 chaînes moléculaires produites, par exemple, par enroulement ou déroulement; un déplacement d'atomes ou de molécules d'un endroit à un autre, y compris un mouvement corrélatif ou non corrélatif d'atomes ou de molécules adjacentes; la formation ou 5 l'élimination de vides dans la matière à mémoire, la contraction ou l'expansion de la matière à mémoire, la rupture ou l'établissement de liaisons entre atomes ou molécules et des combinaisons de l'un ou plusieurs des phénomènes citéso Conjointement avec ces changements physiques dans la structure, un ou plusieurs 10 constituants d'une matière à mémoire donnée peuvent précipiter en dehors de la matière, par exemple, sous une forme cristalline ou amorphe. Lorsque de l'énergie est appliquée à certains types de matières à mémoire contenant des polymères à chaîne longue, en 15 particulier ceux ne présentant que peu de réticulation chimique, les atomes ou molécules peuvent s'écouler ou diffuser de manière à présenter des propriétés élastomériques. Une réduction ou une disparition.de l'énergie appliquée conduit à une diminution de cet écoulement ou de cette diffusion. La vitesse de cette dimi-20 nution, appelée vitesse d'étouffement, est importante puisqu'il est désirable que les atomes ou molécules soient figés dans leur nouvelle position de manière à obtenir un changement physique stable de la structure avant que de telles matières à mémoire ne subissent une relaxation substantielle de manière à retrouver 25 leur état antérieur. L'énergie appliquée peut, par exemple, rompre des liaisons entre atomes ou molécules ou réduire des forces de Van der Waals ou d'autres.forces entre atomes ou molécules, ou peut produire l'effet inverse, c'est-à-dire établir des liaisons ou accroître de telles forces. L'écoulement ou la 50 diffusion d'atomes ou de molécules peut être produit directement par l'énergie appliquée ou par des processus de thermolyse in- « duits par l'absorption de,l'énergie appliquée. Des liaisons rompues résultant, par exemple d'une scission de chaîne, rendent la matière à mémoire plus active chimiquement vis-à-vis des 35 solvants utilisés conformément à la présente invention. La matière à mémoire peut également comprendre des catalyseurs dispersés dans des matières hôtes ou matrices. Les catalyseurs peuvent servir de sites de nucléation de sorte que, de l'énergie étant appliquée, les changements de structure physiques L- 72 17659 5 2138040 décrits ci-dessus sont déclenchés dans ces sites. Lorsque le changement structure comporte une forme de cristallisation, des noyaux catalytiques peuvent servir de gabarits influençant par voie épitaxiale la forme géométrique de la structure cristalline. 5 De nombreuses formes différentes de processus catalytique peuvent être déclenchées par l'énergie appliquée, y compris des changements chimiques dans le catalyseur induits par photodissociation de composants contenus dans le catalyseur. Une telle action chimique ne se poursuit pas nécessairement à travers toute la ma-iO tière à mémoire mais agit seulement en tant que noyau pour produire des changements physiques de structure dans la matière ou d'autres matières dans lesquelles les catalyseurs sont dispersés. Des matières à mémoire préférées sont celles dans lesquelles une forte quantité de porteurs libres peut être engendrée i5 par l'application d'énergie. Par exemple, lorsque de l'énergie constituée par des photons crée des paires électron-trou, il est désirable que ces porteurs subsistent et ne se recombinent pas pendant une durée de temps suffisamment longue pour qu'un mouvement atomique puisse se produire. Ce paramètre important de ma-20 tières à mémoire est relié aux durées de relaxation de porteurs et d'atomes. Il existe normalement une certaine densité de pièges et des écarts d'énergie dans une matière à mémoire donnée quelconque que l'on peut faire varier par les changements de structure physique décrits plus haut. Ce changement de la densité de 25 pièges et dans l'écart d'énergie peut s'étendre sur la durée pendant laquelle de tels porteurs restent en vie et des atomes occupent une nouvelle position, contribuant ainsi à ce que des porteurs restent figés suivant line répartition de déséquilibre. Dans un mode de réalisation de la présente invention dans 30 lequel des noyaux sont formés dans la matière à mémoire en réponse à l'application d'énergie, il est seulement nécessaire de créer des noyaux d'une taille critique déterminée capable de survivre à toute relaxation ou recombinaison de porteurs ou d'atomes après que l'énergie appliquée a été éliminée. Les noyaux ainsi 35 obtenus peuvent agir en tant qu'image latente qui peut être amplifiée et développée par l'application subséquente d'énergie soit sous la même forme que celle initialement utilisée ou sous plusieurs autres formes décrites plus haut, de manière à provoquer la croissance de cristaux autour de ces noyaux. 72 176.59 6 2138040 Des matières à mémoire préférées dans lesquelles le changement physique de la structure s'accompagne d'une transition entre un état amorphe et un état cristallin peuvent exister dans l'un ou l'autre de deux états à des températures ambiantes voi-5 sines de 20°G. A ces températures, il existe une "barrière d'énergie entre ces deux états qui peuvent se présenter sous forme d'un enchevêtrement mécanique de chaînes moléculaires. Pour vaincre cette "barrière, il peut être nécessaire, par exemple, de changer des structures moléculaires en noyau en chaîne molécule laire ou rompre les ponts de réticulation de nature chimique, mécanique ou autres. Une différence entre des matières à mémoire et des verres typiques en silice réside dans le fait que ces derniers présentent de fortes barrières d'énergie dues à des structures à réseau hautement réticulé qui ont pour effet de 15 résister à la dévitrification ou à la cristallisation. L'énergie nécessaire pour vaincre cette barrière aurait des effets destructeurs sur d'autres propriétés de tels verres en silice, par exemple une rupture diélectrique irréversible. D'autre part, des matières à mémoire présentent des liaisons plus faibles, 20 permettant ainsi des variations dans les configurations des chaînes moléculaires et des forces de liaison atomiques ou moléculaires différentes. Ces variations peuvent être obtenues à des températures plus basses que dans le cas des verres cités hautement réticulés et réagissent beaucoup plus fortement à l'activa— 25 tion par l'application d'énergie. Une telle énergie peut comprendre de la lumière capable d'agir en tant que force de scission, même dans les gammes de températures citées pour réduire effectivement la barrière d'énergie entre les états amorphe et cristallin. La mobilité des atomes ou molécules dans ces gammes de 30 températures est beaucoup plus élevée dans les matières à mémoire que dans des verres en silice hautement réticulés, ce qui permet d'obtenir dans les matières à mémoire une croissance de cristaux se produisant d'une manière beaucoup plus rapide et contrôlable en utilisant de nombreux procédés différents, y compris des 35 procédés thermiques, de catalyse chimique, à photo-induction et analogues. Outre la barrière d'énergie existant entre les états cristallin et amorphe de la matière à mémoire, des barrières d'énergie analogues existent entre les autres états produits par les changements de configuration, de conformation et de position 72 17659 2138040 cités plus haut. Un autre caractère avantageux présenté par "beaucoup de matières à mémoire vitreuses utilisées suivant la présente invention réside dans le fait qu'elles permettent facilement d'obtenir 5 un effet exotherme au-dessus de la température de transition vitreuse et au-dessous de la température à laquelle se produit la fusionP Au cas où une matière à mémoire présente cette caractéristique, elle s'accompagne habituellement de la faculté de réduire rapidement et de manière contrôlée la barrière d'énergie 10 entre les deux états désirés des matières à mémoire. Jusqu'ici, i] a été décrit que la matière à mémoire utilisable dans le procédé suivant la présente invention est capable de subir un changement de structure physique l'amenant d'un état à au moins un autre état. La matière à mémoire se trouve nor-15 " malement dans un de ces états et peut être amenée d'un de ces états à -l'autre et inversement en réponse à l'application d'une énergie au-dessus d'un certain seuil constituant une caractéristique spécifique de la matière à mémoire. L'application d'une énergie inférieure à ce seuil ne permet pas de changer l'état 20 de la matière. En conséquence, les matières à mémoire de l'invention ne nécessitent pas de protection contre une exposition prématurée, et aucune opération de fixage faisant suite à l'exposition n'est nécessaire comme c'est le cas pour les matières productricès d'image de la technique antérieure utilisant des 25 réactions chimiques. En outre, puisqu'aucune opération de fixage n'est nécessaire, suivant la présente invention, la matière à mémoire reste en état de réagir à une deuxième exposition pour enregistrer une image additionnelle. Dans le cas de la matière à mémoire pouvant être utilisée en tant que matière de départ 30 dans le procédé de l'invention et définie plus haut, une cristallisation ou d'autres changements physiques utiles à des fins de formation d'images ne se produisent que dans les zones où la matière à mémoire est effectivement soumise à l'énergie. Toute zone, même très voisine de celles citées et non soumises à l'é-35 nergie,"ne subit pas de changements physiques. Ce phénomène et la dimension extrêmement faible des cristaux ou cristallites dans lesquels le changement physique est une cristallisation, permettent d'obtenir une résolution inégalée et une reproduction fidèle même de l'image la plus détaillée comme celle réalisée dans le 72 17659 8 2138040 domaine du micro-enregistrement. I/a présente invention est expliquée plus en détail ci-dessous à l'aide des dessins annexés, la figo 1 est une coupe schématique représentant une struc-5 ture de départ comprenant la matière à mémoire sensible à l'énergie et pouvant être utilisée dans l'application pratique du procédé de l'invention» La fig. 2 est une vue analogue à la fig. 1, la matière à mémoire sensible à l'énergie étant cependant modifiée dans des 10 zones sélectionnées du fait que ces zones ont été soumises à l'effet producteur d'image de l'énergie. La fig. 3 est une vue analogue à la fig. 2, les parties modifiées de la matière à mémoire ayant cependant été éliminées par dissolution dans un solvant sélectif convenable. 15 La fig. 4 est une coupe schématique représentant une autre structure de départ pouvant être utilisée poux l'application pratique du procédé de l'invention, structure dans laquelle une couche, sensible à l'énergie, de la matière à mémoire suivant l'invention est appliquée sur un substrat ne pouvant essentiel-20 lement pas réagir avec la couche. La fig. 5 est une vue analogue à la fig. 4, la couche sensible à l'énergie ayant cependant été modifiée dans des zones sélectionnées du fait que celles-ci ont été soumises aux effets producteurs d'image de l'énergie. 25 La fig. 6_est une vue analogue à la fig. 5» les parties de la matière à mémoire sensible à l'énergie qui n'ont pas été modifiées par l'énergie ayant cependant été éliminées par dissolution dans des solvants sélectifs convenables. La fig. 7 est une coupe schématique représentant une struc-30 ture de départ à trois couches pouvant être utilisée dans l'application pratique du procédé suivant l'invention, laquelle structure comprend une couche supérieure, sensible à l'énergie, de la matière à mémoire de l'invention, une couche intermédiaire constituée par une matière de composition chimique différente 35 et ne réagissant essentiellement pas avec la couche supérieure, et une couche formant substrat et présentant encore une composition chimique différente. La fig. 8 est analogue à la fig. 7, la couche sensible à 1 ' énergie ayant cependant été modifiée dans des zones sélectionnées 72 17659 9 2138040 du fait que celles-ci ont été soumises aux effets producteurs d'image de l'énergie. La fig. 9 est une vue analogue à celle de la fig. 8, les parties modifiées de la couche supérieure sensible à l'énergie 5 ayant cependant été enlevées par dissolution dans des solvants sélectifs convenables. La fig. 10 est une vue analogue à celle de la fig. 9, les parties de la couche intermédiaire placées en dessous des ouvertures réalisées dans la couche supérieure p$r l'enlèvement des 10 matières à mémoire plus solubles ayant également été éliminées. La fig. 11 est une vue analogue à celle de la fig. 10, la couche supérieure de la matière à mémoire ayant cependant été complètement éliminée. La fig. 12 est une vue analogue à celle de la fig. 8, les 15 zones de la couche supérieure qui n'ont pas été soumises à l'énergie ayant cependant été enlevées et les parties qui ont été soumises aux effets producteurs d'image de l'énergie se trouvant encore en place. La fig. 13 est une vue analogue à celle de la fig. 12, les 20 parties de la couche intermédiaire placées en dessous des ouvertures réalisées dans la couche supérieure par l'enlèvement de la matière à mémoire de plus forte solubilité ayant cependant également été enlevées. La fig. 14 est une vue analogue à celle de la fig. 13, la 25 couche supérieure de la matière à mémoire ayant cependant été éliminée complètement. En. se référant aux figures, il convient de noter que la couche 20 de la fig. 1 est constituée par une matière à mémoire sensible à l'énergie et qui est décrite en détail plus loin en 30 étant appelée matière à mémoire. La matière à mémoire constitutive de la couche 20 se présente sous forme amorphe. Les zones sélectionnées de cette couche sont soumises à un rayonnement électromagnétique en 22. Par conséquent, la matière à mémoire se trouvant dans les zones 24 et 24*, comme représenté à la fig.2, 35 a subi une transformation à un état plus hautement cristallin. En même temps, la matière à mémoire dans des zones sélectionnées 24 et 24' a atteint une solubilité sensiblement accrue dans des solvants sélectifs. Par traitement de courte durée avec un solvant sélectif convenable, la matière à mémoire se trouvant dans la 72 17659 2138040 zone exposée 24 est complètement éliminée de façon à produire iane perforation 26 et à laisser des zones 27 intactes, comme représenté à la fig. 3. la perforation 26 correspond exactement au motif du. rayonnement électromagnétique et forme une image 5 dans la couche 20 de la matière à mémoire, la structure représentée à gauche de la fig. 3 et comportant la perforation 26 peut être utilisée par exemple en tant que masque photographique ou en tant que stencil et analogue. lorsque l'énergie 22' est appliquée en une quantité infé-10 rieure à celle nécessaire pour transformer la matière amorphe à l'état cristallin à travers toute la couche 20, la zone inférieure 25 placée au-dessous de la zone 24' et non soumise à l'énergie est encore amorphe sur le côté détourné de la direction à partir de laquelle l'énergie frappe la couche 20. lorsque la structure 15 est soumise à l'action du solvant, il se forme une dépression 26' dans la couche 20 et une couche inférieure plus mince 25 de matière à mémoire amorphe ferme les zones qui ont été soumises à 1'énergie• Par un choix approprié de la matière à mémoire, des condi-20 tions opératoires et/ou du solvant, le procédé peut également être utilisé de façon que la matière à mémoire provoque dans les zones de la couche 20 soumise au rayonnement électromagnétique une diminution sensible de leur solubilité par rapport aux zones qui n'ont pas été soumises au rayonnement électromagnétique. Dans 25 ce cas, après, traitement avec le solvant sélectif, les zones 24 et 24r (fig.2) restent intactes et les zones 27 sont éliminées par dissolution de façon à produire directement une structure perforée négative ou une image en relief telle qu'un masque photographique négatif. 30 Suivant la fig. 4, une couche 28 de matière à mémoire est disposée sur un substrat 30. Dans la présente forme de réalisation de l'invention, le substrat 30 a une composition telle qu'il ne réagit pas sensiblement avec la matière à mémoire dans les conditions réaetiormelles du procédé de l'invention, la matière 35 à mémoire dans la couche 28 est hautement cristalline. Des zones sélectionnées de la couche 28 de la matière à mémoire sont soumises à tin rayonnement électromagnétique 3*1 se produisant à un niveau d'intensité et pendant une durée de temps aptes à produire un faible degré de cristallinité dans les zones 72 17659 11 2138040 exposées 32 représentées à la fig. 5- Il en résulte une diminution de la solubilité, dans des solvants sélectionnés, de la matière à mémoire constituant les zones exposées 32. Après traitement avec un solvant convenable, les zones 34- de la couche 28 5 de la matière à mémoire sont éliminées par dissolution en raison de leur plus grande solubilité, produisant ainsi directement tme image négative du motif de rayonnement, les zones élevées étant formées par les parties restantes de la matière à mémoire et les zones basses 33 par le substrat mis à nu 30. En choisissant de 10 manière convenable la matière à mémoire et le substrat, l'une des matières peut être rendue hydrophile et l'autre oléophile de façon que la structure de la fig.6 puisse servir directement de cliché lithographique négatif. Par un choix approprié de la matière à mémoire dans la 15 couche 28 et du substrat 30 et par l'utilisation de masques spécialement conçus, on peut permettre à la structure de la fig.6 de jouer le rôle d'un réseau de composants électroniques après avoir prévu de manière convenable des contacts et des conducteurs. Si l'on prévoit dans la couche 28 de la fig. 4 une matière 20 à mémoire sensiblement amorphe ou une matière de moindre cristal-linité et susceptible de voir sa cristallinité croître lorsqu'elle est soumise à un rayonnement électromagnétique ou à une autre forme d'énergie, la situation décrite jusqu'ici à propos des fig. 4 à 6 se trouve inversée. La solubilité des zones 32 de la fig.5 25 peut être accrue au-delà de celle des zones 34 de façon à produire une différence sensible entre la solubilité de la matière à mémoire dans les zones 32 et celle de la matière dans les zones 34. Après traitement avec un solvant sélectif convenable, les zones 32 se trouvent éliminées par dissolution alors que les zones 30 34 restent intactes en produisant ainsi une image en relief positive qui peut servir dans les mêmes buts que ceux décrits au sujet des images en relief négatives de la fig. 6. A la fig. 7, une couche de matière à mémoire est disposée sur une couche intermédiaire 38 d'une matière présentant une 35 composition chimique différente de celle de la matière à mémoire de la couche 36 et dont la composition chimique est telle qu'elle ne réagit pas sensiblement avec la matière à mémoire de la couche 36 dans les conditions de réaction du procédé de l'invention. Une couche intermédiaire 38 est à son tour prévue sur un 72 17659 2138040 substrat 40 présentant encore une autre composition chimique. La couche intermédiaire 38 peut, par exemple, être un métal ne réagissant sensiblement pas avec la matière à mémoire de la couche 36, comme par exemple de 1'aluminium. Le substrat formant 5 support 40 peut être par exemple une pellicule en matière plastique ou du papier. Des zones sélectionnées de la couche 36 de la matière à mémoire sont soumises, suivant le procédé de l'invention, à l'effet producteur d'image d'une énergie, par exemple d'un rayon-10 nement électromagnétique tel que la lumière et/ou un rayonnement infrarouge 42 produit à un niveau et pendant une durée de temps suffisants pour accroître la solubilité de la matière dans les zones exposées 42 (fig.8) de la matière à mémoire, dans des solvants sélectifs, jusqu'à un degré sensiblement supérieur à la 15 solubilité de la matière à mémoire dans les zones 44 qui n'ont pas reçu de rayonnement. Ce changement de solubilité de la matière à mémoire soumise au rayonnement peut être provoqué par un changement de la morphologie de la matière à mémoire. La couche 36 est ensuite soumise à l'action d'un produit 20 agissant comme solvant pour la matière à mémoire dans les zones exposées 42, le solvant étant choisi de façon qu'il ne dissolve pas sensiblement la matière à mémoire dans les zones 44 mais élimine complètement la matière à mémoire dans les zones exposées 44 de façon à produire des ouvertures 46 dans la couche 36 de la 25 matière à mémoire. Les ouvertures 46 s'étendent jusqu'à mais non pas dans la couche intermédiaire 38. Ensuite, un produit agissant comme solvant pour la couche intermédiaire 38 mais non pas comme solvant pour la matière à mémoire dans la couche 36 et dans les zones 44 est appliqué aux ouvertures 46 de façon à 30 dissoudre et enlever la matière constitutive de la couche intermédiaire en tous les endroits situés au-dessous des ouvertures 46. Cette opération a pour effet de rendre plus profondes les ouvertures ou les parties basses de l'image en relief obtenue lors de la première phase de dissolution de manière à former des 35 ouvertures profondes 47 de sorte que la matière à mémoire constitutive de la couche 36 sert de matière résistante ou "resist". Le cas échéant, les parties restantes de la couche 36 de la matière à mémoire peuvent être enlevées par une troisième opération de dissolution ou par des moyens physiques, mécaniques ou 72 17659 2138040 chimiques de façon à produire une image en relief formée par des parties 46 de la couche intermédiaire 38 sur le substrat 40. L'image ainsi produite est une image positive, c'est-à-dire' que les ouvertures se sont formées en tous les endroits qui ont été 5 soumis au rayonnement électromagnétique. La structure de la fig. 7 peut également être utilisée pour produire une image négative. A cette fin, on choisit pour la couche 36 une matière à mémoire qui voit sa solubilité décroître après avoir été soumise aux effets producteurs d'image de 10 l'énergie comme, par exemple, un rayonnement électromagnétique. Comme matière convenable, on peut choisir par exemple une matière à mémoire hautement cristalline qui, après avoir été soumise à l'énergie, devient plus amorphe et voit sa cristallinité décroître avec un décroissement sensible de la solubilité. 15 Lorsque des zones sélectionnées de la structure modifiées de cette façon sont soumises, par exemple, à un rayonnement électromagnétique d'un niveau d'intensité suffisant, on obtient une structure analogue à celle représentée à la fig. 8, à cette différence près que les zones 42 sont devenues moins solubles 20 dans des solvants sélectionnés que les zones environnantes 44 qui n'ont pas été soumises au rayonnement. Lorsque la couche 36 de la matière à mémoire de la structure modifiée ainsi est soumise à l'action d'un solvant sélectif convenable, la matière à mémoire dans les zones non exposées 44, qui présente une plus 25 grande solubilité, est éliminée par dissolution et on obtient la structure de la fig.12 comprenant des zones 48 de matière à mémoire en les endroits qui ont été soumis au rayonnement et qui sont disposés sur une structure continue formée par la couche intermédiaire 38. Les ouvertures 50 formées ainsi dans la 30 couche supérieure 36 de la matière à mémoire s'étendent jusqu'à mais non pas dans la couche intermédiaire 38. Ensuite, dans une deuxième phase de dissolution, la matière constitutive de la couche 38 placée en dessous des ouvertures 50 est soumise à l'action d'un deuxième solvant agissant sélectivement pour la matière 35 constitutive de la couche intermédiaire 38, lequel solvant n'agit pas en tant que tel pour la matière à mémoire se trouvant dans les zones 48. Ainsi, les ouvertures 50 sont rendues plus profondes de façon à former des ouvertures 52 et la matière de la couche 38 placée au-dessous des ouvertures 50 est éliminée «jusqu'à la 72 1765S 2138040 surface du substrat 40 (fig.13) • En fonction de la nature de la matière constitutive de la couche intermédiaire 38, le solvant peut agir par mécanisme physique ou chimique, la matière à mémoire dans les zones 48 agit ainsi comme matière résistante ou 5 "resist". le cas échéant, la matière à mémoire présente dans les zones 48 peut être enlevée par l'action d'un solvant ou par action chimique ou mécanique de façon à former la structure de la fig. 14 dans laquelle les zones élevées 54 du relief sont formées par des parties de la couche intermédiaire 38 et les 10 zones creuses 52 de l'image en relief sont formées par la surface de substrat 40. Jusqu'ici, la matière à mémoire a été décrite comme étant une couche de matière soit amorphe, soit cristalline. Suivant un autre mode de réalisation de l'invention, une couche de matière 15 à mémoire se trouvant dans un état de structure physique peut être déposée sur une autre couche de matière à mémoire se trouvant dans un autre état de structure physique. Par exemple, une couche mince de matière à mémoire amorphe peut être déposée sur une couche plus épaisse de matière à mémoire cristalline, lorsque 20 des zones sélectionnées de la couche amorphe mince sont soumises à une énergie, elles deviennent cristallines, lorsque la matière cristalline est plus soluble, un traitement avec un solvant sélectif produit des ouvertures dans les zones exposées s'étendant à travers la couche amorphe et à travers la couche cristalline 25 de façon à produire une couche à image plus épaisse, la matière amorphe non exposée agit ainsi comme matière résistante ou "resist" qui protège les zones de la matière cristalline se trouvant au-dessous d'elles contre l'action du solvant. Un effet analogue est obtenu lorsque, dans une couche plus 30 épaisse de matière à mémoire, il n'est appliqué que suffisamment d'énergie pour faire changer d'état la surface de la couche dans les zones exposées. Au cours d'une opération de chauffage subséquente effectuée dans la masse, les zones situées au-dessous des zones qui ont changé d'état se voient amenées à l'autre état 35 de structure physique en devenant plus solubles. Par traitement avec un solvant, on obtient ainsi une ouverture à travers toute la couche de la matière à mémoire. le procédé de l'invention utilise, en tant que constituant effectif, certaines matières à mémoire. Ces matières sont carac-40 térisées en ce qu'elles sont capables de subir des transformations 72 17659 2138040 physiques amenant leur structure d'un état à un autre par suite de l'application d'une énergie supérieure à un seuil déterminé. Dans les exemples spécifiques donnés ci-dessus pour le procédé de l'invention, la transformation de structure physique a été 5 décrite comme étant un changement morphologique d'un état amorphe à un état cristallin ou d'un état cristallin à un état amorphe0 Comme déjà indiqué, la transformation physique de la matière à mémoire utilisée dans le procédé de l'invention peut être de toute autre nature ou de tout autre caractère désiré pourvu 10 qu'elle produise, à la suite de l'application sélective d'énergie, une différence substantielle entre la solubilité de la matière à mémoire dans les zones soumises à l'énergie par rapport aux zones qui n'ont pas été soumises à une énergie supérieure au seuil applicable. Des matières de base convenables présentant ces pro-15 priétés ont été décrites par exemple dans les brevets américains n° 3 271 591 et n° 3 530 441 au nom de S.R. Ovshinsky. Le changement physique ou transformation se produisant, comme décrit plus haut, d'un état de structure à un autre état de structure peut être une transition sensiblement amorphe à un 20 état au moins partiellement cristallin ou bien il peut s'agir d'une transition d'un état sensiblement cristallin à un état sensiblement amorphe. Dans d'autres cas, la transformation peut impliquer une transition d'un état de structure cristalline à un autre état de structure cristalline. Ou bien le changement peut 25 être une combinaison de deux ou plusieurs des changements physiques spécifiques indiqués ci-dessus. Comme précisé plus haut, ces changements physiques sont des réactions de seuil provoquées en soumettant la matière à mémoire à une énergie. En général, ces changements physiques se 30 produisent sans réaction chimique avec une matière externe de sorte que, dans les modes de réalisation préférés de l'invention, la constitution chimique de la matière à mémoire se trouvant dans les formes physiques ou états alternatifs est sensiblement la même. Des exceptions admissibles à cette règle sont indiquées 35 plus loin. Comme déjà observé, dans le cadre de la présente invention, la transformation d'une structure physique à une autre n'implique pas de réaction chimique notable avec une matière externe de composition différente. La transformation est pius ou moins 72 17659 2138040 un phénomène physique qui se produit à l'intérieur de la matière sous l'effet de l'énergie. Cela n'exclut pas la possibilité qu'au cours de la transformation ou du changement un constituant de la matière à mémoire puisse se séparer de façon à apparaître 5 comme une phase distincte ajoutée à la matière à mémoire bien que, même dans ce cas, la matière à mémoire ait subi une transformation physique l'amenant à un autre état physique, conme expliqué plus hauto Ou bien, une matière mélangée à la matière à mémoire peut se combiner ou se recombiner de façon à former 10 au cours de la retransformation une matière à mémoire présentant une composition chimique différente. Cela s'applique en particulier à des matières ajoutées en quantités catalytiques pour servir de catalyseur ou de promoteur de la transformation. Ces quantités catalytiques de matières promoteurs peuvent entrer ou 15 non en combinaison chimique avec la matière à mémoire de base après transformation produite sous l'effet de l'énergie. Il est supposé qu'au moins certains de ces catalyseurs servent de centres de nucléation pour la transformation de la matière à mémoire en une forme plus cristallisée. Ces quantités catalytiques d'un 20 promoteur de transformation peuvent également être présentes sous la forme d'une couche intermédiaire mince située au-dessous ou au-dessus de la couche de matière à mémoire à partir de laquelle il peut diffuser dans la matière à mémoire pour servir de centres de nucléation pour le changement de structure physique 25 produit de la manière décrite plus haut en exerçant un effet catalytique ou promoteur. Cependant, ces couches minces de catalyseur ne sont pas prévues dans le but de faire varier la solubilité de la matière à mémoire uniquement par le fait qu'il se produit une réaction chimique. Une réaction de la matière à 30 mémoire avec les couches minces de matières catalytiques se produisant de la manière qui vient d'être décrite doit être considérée comme étant englobée dans" le terme "essentiellement non réactive" tel qu'il est utilisé dans le cadre de la présente invention. A cet égard, on peut se référer à une demande de 35 brevet parallèle intitulée "Procédé et appareil pour enregistrer et récupérer des données" qui décrit l'application de catalyseurs en combinaison avec des matières à mémoire et qui fournit des enseignements au sujet d'éléments et de composés chimiques spécifiques et sur la façon dont ceux-ci peuvent être utilisés 72 17655 2138040 avantageusement avec les matières à mémoire de l'invention. En général, la transformation des matières à mémoire d'un état de structure à un autre état de structure physique sous les effets d'une énergie provoque également une variation des 5 propriétés physiques et, en particulier, des propriétés électriques des matières à mémoire. Aux fins de la présente invention, seules sont utiles des matières à mémoire qui, par suite de la transformation ou du changement physique, produisent également une variation considérable de la solubilité Une autre caractéristique souhaitable réside en ce que la 20 matière à mémoire pouvant utilement servir de matière de départ dans le procédé de l'invention est capable de se transformer rapidement d'un état de structure physique en un autre état de structure physique. Sont à préférer des matières à mémoire dans lesquelles la transformation s'achève en l'espace de 30 25 secondes après qu'elles ont été soumises aux effets de niveau d'énergie suffisamment élevés pour produire la transformation. Les matières à mémoire les plus préférées sont celles dans lesquelles la transformation s'achève en une seconde ou moins, des temps de transformation d'un ou plusieurs millisecondes ou 30 même moins étant les plus favorables pour la plupart des applications pratiques du procédé de l'invention. Une trempe de la matière à mémoire effectuée par l'application de l'énergie ou un refroidissement rapide effectué à la suite de l'application d'énergie thermique est généralement bénéfique. 35 Plus haut, il a été expliqué que la transformation de la matière à mémoire d'un état de structure à l'autre état de structure doit s'effectuer très rapidement. Gela n'exclut pas le mode opératoire dans lequel la matière à mémoire est exposée par exemple à de la lumière pour former instantanément ce que 72 17659 2138040 1 • on peut appeler une image latente comme décrite plus haut, sans qu'il se produise à ce moment un changement physique notable de la structure de la matière à mémoire. Par conséquent, cette exposition initiale à de l'énergie est alors suivie d'une opé-5 ration effectuée à un stade ultérieur convenable et dans laquelle la transformation effective de la matière à mémoire, par exemple, à partir de l'état amorphe à l'état cristallin ou de l'état cristallin à l'état amorphe s'effectue, par exemple, en soumettant la matière à une température supérieure à la température 10 de transition ou en appliquant de l'énergie sous forme de courant électrique convenable pour produire la transformation. L'image latente peut, par exemple, se présenter sous forme de centres formés par une accumulation suffisante de porteurs, de façon qu'un traitement subséquent obtenu par l'application d'énergie 15 puisse grossir les centres jusqu'à obtention d'une taille et d'une densité cristalline suffisante pour produire la différence souhaitée en ce qui concerne la solubilité aux fins du procédé de l'invention. Dans un autre mode de réalisation du procédé de l'inven-20 tion, une combinaison de différentes formes d'énergie peut être utilisée pour produire la transformation ou changement physique instantané désiré de la structure de la matière à mémoire» Un exemple de ce mode opératoire comprend l'opération consistant à soumettre la couche de matière à mémoire à un champ électrique 25 d'une puissance qui n'est pas suffisamment élevée pour produire un changement physique notable de la structure de la matière à mémoire proprement dite. Des zones sélectionnées de la matière à mémoire sont en même temps soumises, par exemple, à un rayonnement constitué par la lumière visible, un rayonnement ultra-30 violet ou un rayonnement infra-rouge ou une énergie sonore qui, lorsqu'ils s'ajoutent à l'énergie déjà fournie par le champ électrique, produisent le changement physique instantané désiré de la structure dans les zones sélectionnées de la matière à mémoire. 35 Les matières à mémoire utilisées dans le procédé de l'in vention ne nécessitent pas d'opération de fixage, comme indiqué plus hauto Elles conservent, par conséquent, leur faculté de former une nouvelle image si des zones sélectionnées sont soumises sélectivement à une énergie lors d'une deuxième exposition 72 17659 19 2138040 destinée, par exemple, à apporter des changements ou des corrections à l'image où pour produire une deuxième image afin d'obtenir des effets spéciaux. Ainsi, par exemple, la matière à mémoire peut, dans une première exposition, être exposée à la 5 manière d'images et les zones exposées peuvent être éliminées par dissolution, puis on peut effectuer une opération de "morsure profonde" effectuée par exemple dans une couche métallique intermédiaire afin de mettre à nu certaines zones du substrat formant support. Lors d'une deuxième exposition de la matière 10 à mémoire restante, la solubilité de la matière à mémoire dans des zones sélectionnées peut être modifiée à nouveau pour permettre une dissolution sélective de zones sélectionnées de la matière à mémoire pour mettre à nu des zones désirées de la couche métallique intermédiaire. Ainsi, on peut obtenir facile-15 ment et rapidement une image en relief à trois niveaux comportant une image de la couche intermédiaire sur un substrat et, superposée à celle-ci, une autre image différente de matière à mémoire sur la couche intermédiaire. Au besoin, la matière à mémoire présente dans une sous-couche mise à nu peut ensuite être 20 exposée une troisième et même une quatrième fois à une exposition pour produire des images en relief superposées à plusieurs couches. En fonction du choix de la matière constitutive des différentes couches, on peut produire des combinaisons intéressantes qui peuvent trouver de larges utilisations, par exemple, 25 dans la production de réseaux complexes de composants électriques comme décrits plus loin. Ce mode de réalisation du procédé de l'invention peut être utilisé d'une manière particulièrement avantageuse également dans les cas où le changement physique de la structure de la matière à mémoire est réversible, permet-50 tant ainsi d'obtenir des effets et résultats spéciaux. Les matières à mémoire utiles pour le procédé de l'invention se présentent, à leur état amorphe, de préférence sous forme de matières vitreuses qui, après avoir été appliquées sur un substrat, présentent d'exceptionnelles caractéristiques d'adhé-35 rence ou de liaison. Pour les raisons indiquées plus haut, les verres de silice classiques ne sont pas des matières à mémoire et ne tombent pas sous la définition d'une matière à mémoire vitreuse telle qu'elle est utilisée dans la présente invertion. Il importe seulement que les transformations physiques se 72 17659 20 2138040 produisant sous l'effet de l'énergie conduisent à une modification suffisante des caractéristiques de solubilité pour produire la différence nécessaire quant à la vitesse de dissolution de la matière à mémoire soumise aux effets producteurs d'image 5 de l'énergie, par rapport à la matière à mémoire qui n'a pas été soumise à l'énergie. les matières à mémoire pouvant être utilisées en tant que matières de départ dans le procédé de l'invention peuvent être trouvées parmi une large gamme de composés organiques et inor-10 ganiques ainsi que de compositions et d'éléments. On préfère généralement les matières à mémoire inorganique présentant des propriétés générales qui les rendent particulièrement appropriées aux différentes utilisations finales des images obtenues par le procédé de l'invention. Parmi le groupe préféré de matières 15 à mémoire organique, il faut mentionner les matières à mémoire constituées par ou contenant, en tant qu'élément essentiel, un chalcogénure autre que l'oxygène. Les éléments en question sont les éléments du groupe VT du Système Périodique et comprennent des éléments tels que le sélénium, le tellure et le polonium et, 20 dans certains cas, le soufre. Les éléments du type chalcogénure peuvent être présents dans la matière à mémoire sous une forme élémentaire ou mélangés et/ou combinés chimiquement avec une large gamme d'autres éléments. Des matières à mémoire convenables peuvent être trouvées 25 parmi les compositions énumérées dans les brevets américains n° 3 271 591 et*n° 3 530 441 ainsi que dans la demande de brevet citée. Parmi les compositions les plus préférées, il convient de citer certaines compositions vitreuses à base de germanium et de tellure contenant, au besoin, également de faibles quantités 30 d'autres éléments tels que l'antimoine ou le soufre. Pour ne citer que quelques-une des matières à mémoire typiques pouvant être utilisées dans le procédé de l'invention, celles-ci comprennent par exemple, (parties indiquées en poids) une composition de 15 parties atomiques de germanium, 81 parties atomiques de 35 tellure, 2 parties atomiques d'antimoine et 2 parties atomiques de soufre; une composition de 83 parties de tellure et 17 parties atomiques de germanium; une composition de 92,5 parties atomiques de tellure, 2,5 parties atomiques de germanium, 2,5 parties atomiques de silicium et 2,5 parties atomiques d'arsenic; une 72 17659 2138040 composition de 95 parties atomiques de tellure et 5 parties atomiques de silicium; une composition de 90 parties atomiques de tellure, 5 parties atomiques de germanium; 3 parties atomiques de silicium et 2 parties atomiques d'antimoine; une composition 5 de 85 parties atomiques de tellure, 10 parties atomiques de germanium et 5 parties atomiques de bismuth; une composition de 85 parties de tellure, 10 parties atomiques de germanium, 2,5 parties atomiques d'indium et 2,5 parties atomiques de gallium; une composition de 85 parties atomiques de tellure, 10 parties 10 atomiques de silicium, 4 parties atomiques de bismuth et 1 partie atomique de thallium; une composition de 80 parties atomiques de tellure, 14 parties atomiques de germanium, 2 parties atomiques de bismuth, 2 parties atomiques d'indium et 2 parties atomiques de soufre; une composition de 70 parties de tellure, 15 10 parties atomiques d'arsenic, 10 parties atomiques de germanium et .10 parties atomiques d'antimoine; une composition de 60 parties atomiques de tellure, 20 parties atomiques de germanium, 10 parties atomiques de sélénium et 10 parties atomiques de soufre; une composition de 60 parties atomiques de tellure, 20 20 parties atomiques de germanium et 20 parties de sélénium; une composition de 60 parties de tellure, 20 parties atomiques d'arsenic, 10 parties atomiques de germanium et 10 parties atomiques de gallium; une composition de 81 parties atomiques de tellure, 15 parties atomiques de germanium, 2 parties atomiques de soufre 25 et 2 parties atomiques d'indium; une composition de 90 parties atomiques de sélénium, 8 parties atomiques de germanium et 2 parties atomiques de thallium; une composition de 85 parties atomiques de sélénium, 10 parties atomiques de germanium et 5 parties atomiques d'antimoine; une composition de 85 parties 30 atomiques de sélénium, 10 parties atomiques de tellure et 5 parties atomiques d'arsenic; une composition de 70 parties atomiques de sélénium, 20 parties atomiques de germanium, 5 parties atomiques de thallium et 5 parties atomiques d'antimoine; une composition de 70 parties atomiques de sélénium, 20 parties 35 atomiques de germanium et 10 parties atomiques de bismuth; une composition de 95 parties atomiques de sélénium et 5 parties atomiques de soufre. L'énumération précédente d'exemples de matières à mémoire ne constitue qu'une petite sélection du nombre immense de matières 72 17659 2138040 à mémoire pouvant agir et être utilisées dans l'application pratique du procédé de l'invention. Outre les caractéristiques indiquées ci-dessus, il est également désirable que la matière à mémoire, afin d'être utile 5 en tant que matière de départ pour le procédé de l'invention, soit capable d'être amenée facilement et rapidement à un état amorphe pour être appliquée convenablement sur un substrat si cela est souhaité. La matière à mémoire peut être appliquée au substrat de toute manière convenable, par exemple en l'appli-10 quant sous la forme d'une solution en procédant ensuite à une évaporation du solvant, par pulvérisation ou par des procédés de déposition sous vide. Comme indiqué plus haut, dans un mode de réalisation du procédé de l'invention, de la matière à mémoire amorphe est 15 transformée par de l'énergie à un état cristallin. Etant donné que le procédé de l'invention implique la formation d'images, la résolution est d'une importance capitale. Les matières à mémoire préférées de l'invention sont celles qui produisent des cristaux ou des cristallites de très faible dimension comprise 20 par exemple dans la gamme allant de 50 ou 100 angstroms jusqu'à environ 1 000 angstroms environ. Outre le groupe de matières à mémoire décrites plus haut à titre d'exemple en tant que matières de départ pour le procédé de l'invention, d'autres compositions et matières peuvent égale-25 ment être utilisées à condition qu'elles répondent aux conditions indiquées plus haut. Elles comprennent, par exemple, des matières à mémoire contenant de faibles quantités d'au moins un sel, dissociable ou réductible par la lumière, ajouté à la matière ou se trouvant en contact avec celles-ci. Ces matières 30 forment avec la matière un centre de nucléation stable qui sert de centre de cristallisation pour la matière amorphe ajoutée ou placée en son contact, après application simultanée ou subséquente d'une énergie telle que la chaleur. Parmi les sels réductibles ou dissociables par la lumière, susceptibles d'être 35 utilisés dans la phase photosensible, se trouvent des sels comme, par exemple, des halogénures de thallium, des halogénures d'argent, des halogénures de cuivre et des halogénures de mercure, utilisés notamment en combinaison avec des quantités catalytiques d'autres promoteurs de nucléation ou de cristallisation. Il est 72 17659 23 2138040 à noter que les systèmes de sels dissociables ou réductibles par la lumière qui viennent d'être mentionnés, d'utiliser avec une matière amorphe, sont aptes à servir de matières de base dans le procédé de la présente invention seulement si la trans-5 formation à partir de l'état amorphe à l'état cristallin ou inversement de l'état cristallin à l'état amorphe ou tous autres changements physiques de la structure des matières à mémoire se produit en l'espace de la courte durée de temps citée ci-dessus. En conséquence, les sels qui viennent d'être mentionnés sont 10 particulièrement favorables également en combinaison avec les matières à mémoire vitreuses, non constituées par des silicates, citées ci-dessus dans le cadre de la présente invention. n'importe laquelle parmi différentes formes d'énergie peut être utilisée pour provoquer le changement physique de la struc-15 ture de la matière à mémoire pour obtenir la différence de solubilité notable nécessaire pour effectuer le procédé de l'invention,. Une source d'énergie particulièrement favorable est le rayonnement électromagnétique de différents types comme, par exemple, la lumière visible, le rayonnement ultraviolet et/ou le rayon-20 nement infrarouge. Un générateur convenable de ce type d'énergie peut être trouvé dans les dispositifs photographiques à éclair du commercé, du type à ampoule ou du type à canon électronique à éclair qui permettent d'obtenir d'excellents résultats avec des durées d'éclair extrêmement courtes de l'ordre de une ou 25 quelques millisecondes en combinaison avec de nombreuses matières à mémoire de l'invention. Les images peuvent être obtenues avec ce type de rayonnement en plaçant un masque à image entre la source de rayonnement et les matières à mémoire destinées à produire l'image. Le masque peut être positif ou négatif suivant 30 l'effet désiré et le type et la nature des matières à mémoire utilisées, comme expliqué plus loin. Le rayonnement électromagnétique peut être utilisé pour produire une image latente qui, simultanément ou à un stade ultérieur convenable , est transformée en l'image effective de zones 35 sélectionnées de différente solubilité par l'application d'énergie calorifique et/ou électrique pour amener la matière à mémoire à un état énergétique supérieur à sa température de transition à laquelle s'effectue la transformation spontanée de la matière. D'autres sources d'énergie électromagnétique sont des lampes 72 17659 24 2138040 incandescentes puissantes, des lampes infrarouges, des faisceaux lager, des faisceaux de particule, etc. Ces sources d'énergie peuvent être utilisées avec ou sans modulation et avec ou sans balayage pour produire l'image désirée dans des zones 5 sélectionnées de la matière à mémoire en produisant des zones de différente solubilité dans la matière à mémoire. On peut également utiliser, comme source d'énergie, du courant électrique en utilisant, par exemple, une sonde sur xine grille en association avec un oscillateur produisant les 10 images ou en se servant de combinaison de plusieurs contacts et de moyens pour contrôler le courant. D'autres formes d'énergie pouvant être utilisées convenablement dans le procédé de l'invention, il convient de citer la chaleur sous forme de rayonnement ou la chaleur transmise 15 par contact, par exemple par pression à chaud avec une matrice présentant la forme de l'image désirée. Souvent, un travail mécanique comme, par exemple, des impressions dactylographiques sur la matière à mémoire ou les différents procédés permettant de produire des impressions par estampage, etc... peuvent fournir 20 1'énergie nécessaire pour transformer la matière à mémoire dans les zones sélectionnées désirées à un état de solubilité différente. Le procédé de la présente invention est prévu pour l'application sélective d'énergie à des zones sélectionnées de la ma-25 tière à mémoire pour provoquer un changement physique dans la matière ayant été soumise à l'énergie. Etant donné que les transformations physiques constituent généralement une réaction à seuil, l'énergie appliquée doit être supérieure au seuil. Il s'ensuit que les zones de la matière à mémoire dans lesquelles 30 aucun changement de structure physique n'est désiré peuvent être soumises, sans aucun changement, à une énergie inférieure au seuil applicable. En conséquence, chaque fois que dans le présent brevet il est question de l'application d'aucune énergie à certaines zones, il est entendu que de l'énergie peut être 35 appliquée à ces zones pourvu qu'elle- soit d'une intensité ou d'une quantité qui ne provoque pas les changements de structure physiques de la matière à mémoire. La description et les revendications doivent être interprétées dans ce sens. Cela s'applique en particulier au cas où on utilise un masque en combinaison avec, 72 17659 25 2138040 par exemple, un canon à éclair. Dans les parties transparentes ou transmissives du masque, 1'énergie passe à travers le masque sensiblement avec toute sa puissance de sorte que les changement s physiques de la struc-5 ture se produisent dans les zones correspondantes de la matière à mémoire. Dans les zones opaques du masque, l'énergie ne sera habituellement pas entièrement coupée mais une certaine quantité de l'énergie passe également à travers les zones opaques vers les zones correspondantes de la matière à mémoire. Cependant, 10 dans les zones opaques du masque, l'intensité et/ou la quantité de 1'énergie passant à travers celui-ci se trouve sensiblement réduite au-dessous de la valeur correspondante de l'énergie non entravée. Par conséquent, l'intensité et/ou la quantité réduite d'énergie passant à travers les zones opaques n'est pas suffisante 15 pour provoquer le changement physique dans la structure des zones correspondantes de la matière à mémoire. Ainsi, la sélectivité de l'application d'énergie est maintenue même si de l'énergie est également appliquée aux zones non génératrices d'image ou un changement physique de la structure n'est ni désiré, ni 20 obtenu. Comme expliqué plus haut, le procédé de l'invention est utilisé aussi bien pour produire des images en relief positives que négatives. Dans bien des cas, la matière à mémoire présentant le plus haut degré de cristalLinité se dissout plus rapi-25 dement dans un solvant donné prévu pour la matière que la matière à mémoire présentant le plus faible degré de cristallinité. Par conséquent, si dans ces conditions on utilise au départ une matière sensiblement amorphe et soumet des zones sélectionnées de celle-ci à l'effet d'une énergie produite à un niveau et 30 pendant une durée de temps suffisants pour transformer la matière à mémoire, dans ces zones, à l'état cristallin, on obtient, après traitement avec le solvant sélectif, une image positive. Certaines des matières à mémoire comme, par exemple, les compositions germanium-tellure citées ci-dessus produisent des 35 images négatives lorsque la matière amorphe est soumise aux effets de l'énergie, puisque la matière amorphe non transformée se dissout à une vitesse plus élevée que la matière cristalline. En raison de la nature réversible de la transformation physique de la structure de ces matières, on peut également obtenir direc-40 tement une image en relief positive avec le même type de matières 72 17659 26 2138040 et avec les mêmes solvants. Pour obtenir ce résultat, on peut par exemple convertir toute la matière à mémoire sous la forme cristalline par l'application convenable d'une énergie, par exemple, par simple chauffage. En appliquant ensuite de l'éner-5 gie, par exemple, le rayonnement d'une lampe photographique à éclair, à des zones sélectionnées de la matière à mémoire, par exemple à travers un masque, les zones cristallines exposées deviennent plus amorphes et on obtient la différence souhaitée en ce qui concerne la solubilité. Etant donné que la matière 10 amorphe se dissout à une vitesse plus élevée dans le solvant, une image en relief positive est obtenue après traitement avec le solvant. Gomme indiqué plus haut, dans un troisième groupe de matières à mémoire où la réversibilité n'est pas un facteur important, 15 la cristallisation de la matière amorphe induite par l'énergie peut s'accompagner d'un réarrangement chimique de la structure atomique de sorte que la matière à mémoire se présente, dans les zones sélectionnées exposées de plus haute cristallinité, sous une forme chimique différente de celle de la matière à mémoire 20 amorphe dans les zones non transformées qui n'ont pas reçu de rayonnement. Dans ce cas, on dispose d'une plus large gamme de solvants pouvant être utilisés. On peut sélectionner un solvant qui dissout la matière cristalline dans les zones soumises à l'effet producteur d'image de l'énergie, en produisant ainsi une 25 image en relief positive. Ou bien, on peut choisir un solvant qui dissout la matière amorphe dans les zones qui n'ont pas été soumises aux effets producteurs d'image de l'énergie de façon à obtenir une image en relief négative. Comme on le voit facilement, le nouveau procédé de l'invention offre un large choix 30 de matières et de solvants pour produire des images en relief positives ou négatives suivant les besoins. La nature des solvants à utiliser dans le procédé de l'invention dépend du type et de la composition de la matière à mémoire utilisée. Dans les cas où la différence de solubilité 35 est basée uniquement sur la différence d'agencement moléculaire interne, un solvant convenant pour la matière cristalline ne dissout en général pas sensiblement la matière amorphe et inversement. Pour des matières à mémoire, contenant des quantités notables de sélénium, le disulfure de carbone est généralement 72 17659 2138040 un solvant sélectif excellent. Pour d'autres matières à mémoire, une solution de chrome dans le méthanol peut être utiliséeo D'excellents résultats peuvent généralement être obtenus avec ce solvant s'il contient, par exemple de 25 à 75 % en. poids de 5 brome dissous dans le méthanol. En général, la matière cristalline se dissout dans ce type de solvant à une vitesse plus élevée que la matière amorphe. En modifiant la concentration de brome, la sélectivité du solvant peut être contrôlée dans de larges domaines. 10 Dans le cas des compositions germanium-tellure mentionnées plus haut dans lesquelles la cristallisation du composé amorphe provoque la formation de tellure libre dans la phase cristalline, des solutions aqueuses contenant de faibles quantités d'un agent oxydant pour la matière à mémoire se sont avérées être des sol-15 vants sélectifs excellents. Ce type de solvant dissout en général la matière amorphe à une vitesse plus élevée que la matière cristalline produisant ainsi en général des images négatives. Un exemple de ce type de solvant est, par exemple, une solution aqueuse diluée d'hypochlorite de sodium qui, suivant l'effet 20 désiré et en fonction de la composition de la matière à mémoire, peut contenir jusqu'à 6 % de chlore disponible ou plus. Des solutions aqueuses d'autres agents oxydants comme, par exemple, de l'eau oxygénée et de l'acide nitrique à différentes concentrations et en différents rapports peuvent également être 25 utilisées en tant que solvant sélectif pour la matière à mémoire dans le procédé de l'invention. En faisant varier la concentration de la solution et en faisant varier le rapport de l'agent oxydant à l'acide nitrique, on dispose d'une large gamme de pouvoir dissolvant pour ajuster le solvant aux besoins de chaque 50 situation afin d'obtenir et d'utiliser la différence de solubilité. Un système d'une efficacité analogue comprend des solutions saturées d'hydrochlorite de sodium qui peuvent être ajustées en ce qui concerne leur pouvoir dissolvant et la sélectivité par l'addition de différentes quantités d'eau et d'hydroxyde de 35 métal alcalin. D'une manière générale, le solvant sélectif est utilisé ou ajusté de façon à dissoudre préférentiellement une forme de la matière à mémoire et ne dissout pas ou ne dissout guère l'autre forme ou état plus difficilement soluble de la matière à mémoire. 72 17659 28 2138040 L'action dissolvante peut être uniquement physique ou elle peut impliquer une réaction chimique entre au moins un constituant du solvant et la matière à mémoire. D'autres solvants peuvent être utilisés pour d'autres matières à mémoire. 5 Un phénomène intéressant a été observé au sujet des solu tions aqueuses mentionnées des agents oxydants* Par -exemple, une solution d'hypochlorite de sodium, utilisée à plusieurs reprises pour dissoudre la matière amorphe à partir de la couche de matière à mémoire, peut à un certain point de saturation inverser 10 son action dissolvante de façon qu'à partir de ce point la matière cristalline est dissoute préférentiellement. De cette manière, une image en relief positive peut être obtenue à partir d'une combinaison de matière à mémoire et de solvant qui produit normalement des images en relief négatives. Ainsi, on dispose 15 encore d'une voie pour contrôler la nature de l'image finale. Les images obtenues par la dissolution de la matière à mémoire dans les zones où elle se dissout à une vitesse plus élevée peuvent encore être traitées de différentes façons pour produire de nombreux produits finis utiles. La matière à mémoire 20 peut servir de matière résistante ou "resist" pour graver le substrat ou une couche intermédiaire de la manière classique afin de produire une image en relief plus profonde ou analogue. Après achèvement de cette opération de gravure additionnelle, la matière à mémoire située dans les parties élevées peut être 25 laissée en place de façon à servir à une fonction dans le produit final où elle peut être enlevée par des moyens mécaniques ou, par exemple, par un solvant convenable. De la même manière, la matière à mémoire restant dans les zones sélectionnées après la première opération de dissolution peut également servir de ma-30 tière résistante dans une opération de placage subséquente effectuée dans des solutions électrolytiques classiques ou bien elle peut constituer la base pour un placage effectué sur elle. L'opération de dissolution proprement dite destinée à la formation d'image en relief dans la matière en mémoire suivant 35 le procédé de l'invention peut également s'effectuer dans un champ électrique à courant continu et à basse tension* A cette fin, on prévoit une contre-électrode en regard de la couche de matière à mémoire. Dans ce cas, la matière à mémoire est de préférence disposée sur un substrat métallique ou sur une couche 72 17659 29 2138040 métallique intermédiaire. La contre-électrode et le substrat métallique sont connectés à une source de courant continu et l'électrode et la matière à mémoire sont immergées dans un électrolyte liquide. En fonction de la polarité, on obtient une gra-5 vure électrolytique ou un revêtement électrolytique. Pour le revêtement électrolytique, on peut utiliser des solutions de placage classiques» Pour la gravure électrolytique,on peut utiliser n'importe lequel des solvants décrits plus haut. Si le solvant lui-même n'est pas un électrolyte, on peut y ajouter un 10 électrolyte, par exemple un sel métallique. Dans la matière à mémoire utilisée dans le procédé suivant l'invention, les parties cristallines de la matière présentent généralement une conductivité électrique fortement accrue par rapport à celle de la matière amorphe. Par conséquent, en dis-15 solvant la matière à mémoire cristalline dans un champ électrique et en présence d'un électrolyte, de faibles différences de solubilité des matières à mémoire amorphes et cristallines sont grandement amplifiées par les différences de conductibilité. Ainsi ce mode de réalisation du procédé de l'invention permet d'obtenir 20 d'excellentes images également dans les cas où la différence en ce qui concerne la vitesse de dissolution des matières ne serait autrement pas suffisamment importante pour produire les images désirées. Par conséquent, ce mode de réalisation du procédé de l'invention permet d'étendre grandement l'utilité du procédé 25 de l'invention et de disposer d'un choix encore plus étendu de matières à mémoire utilisables comme matière de départ. Comme déjà expliqué plus haut au sujet des dessins, la matière à mémoire sensible à l'énergie est, de préférence, disposée sur un substrat.En général, il est désirable, pour pro-30 duire les images en relief ou d'autres structures de l'invention, d'amener la matière à mémoire à l'état d'une couche mince qui peut être plane, par exemple sous forme d'une feuille ou qui peut être cylindrique ou présenter toute autre forme désirée. La couche ou le film de matière à mémoire peut être réalisée dans 35 une large gamme d'épaisseurs. Pour la plupart des applications du procédé de l'invention, la couche de matière à mémoire présente de préférence une épaisseur allant d'environ 100 à plusieurs centaines d'angstroms jusqu'à plusieurs dizaines de millièmes de mm, par exemple environ 0,125 mm. Les meilleurs résultats sont 30 72 17659 2138040 généralement obtenus avec des couches de matière à mémoire présentant une épaisseur comprise entre environ un millième de micron et plusieurs microns, de préférence jusqu'à 5 microns ou plus. 5 Suivant l'utilisation finale désirée, la couche de matière à mémoire peut être disposée sur une large gamme de substrats comme, par exemple, du métal, de la matière plastique, des matières fibreuses cellulosiques telles que le papier ou le carton, des céramiques ou du verre ou sur une combinaison de deux quel-10 conques ou plusieurs de ces matières. En. général, la nature du substrat n'influe pas sensiblement sur l'efficacité du procédé de façon qu'une large variété de produits puisse être utilisée pour de nombreuses applications différentes. Au cas où un rayonnement infrarouge ou de la chaleur est utilisée en tant que moyen 15 de transformation de la matière à mémoire, la nature de la matière formant support produit un certain effet dans la mesure où une haute conductibilité thermique de la matière formant support nécessite un plus grand apport d'énergie thermique pour obtenir le même effet. Les matières formant support non conduc-20 trices ou faiblement conductrices de la chaleur offrent en même temps généralement une meilleure résolution. Plus haut, il a été décrit un mode de réalisation du procédé de l'invention dans lequel la matière à mémoire se présente sous une forme essentiellement amorphe ou sous une forme haute-25 ment cristalline avant d'être soumise à l'effet de formation d'image de l'énergie. Il s'est avérf que la matière à mémoire cristalline peut parfois se présenter sous différentes formes morphologiques. En exposant uniformément une couche amorphe de matière à mémoire à une quantité moyenne mesurée d'énergie, 30 on permet à la matière à mémoire de prendre, sur toute sa surface, une structure cristalline présentant une surface lisse de façon à obtenir -une couche cristalline dite planar. La couche cristalline planar de la matière à mémoire, ainsi obtenue, peut servir de matière de départ pour le procédé de l'invention. Comme 35 décrit plus haut, des zones sélectionnées de la couche cristalline planar de la matière à mémoire sont soumises aux effets de formation d'images de l'énergie. De ce fait, la structure cristalline dans les zones recevant une énergie additionnelle prend une structure superficielle dentelée irrégulière. Cette dernière 72 17655 2138040 présente une vitesse de dissolution sensiblement plus élevée clans un solvant donné pour la matière que les zones cristallines planar lisses. Après traitement avec un solvant, comme indiqué plus haut, les cristaux ou cristallites présentant la surface 5 dentelée irrégulière se dissolvent préférentiellement pour produire une image positive, comme décrit plus haut. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, les zones sélectionnées d'une couche de matière à mémoire amorphe sont soumises à l'effet de formation d'image de l'énergie qui 10 est appliqué à un niveau contrôlé pour produire dans les zones exposéos une structure cristalline planar présentant une surface lisse. Par traitement avec un solvant approprié, les zones amorphes se dissolvent préférentiellement pour produire une image négative, les zones élevées étant constituées par la matière à 15 mémoire cristalline planar. - Dans encore un autre mode de réalisation du procédé de l'invention, des zones sélectionnées d'une couche de matière à mémoire amorphe sont soumises aux effets de formation d'image de l'énergie d'un niveau moyen pour produire une structure cris-20 talline planar lisse dans les zones exposées. La couche à image de la matière à mémoire, ainsi obtenue, est ensuite chauffée à une température supérieure à la température de transition de la matière à mémoire pour produire une image inversée. Les zones de la couche de matière à mémoire, qui comprennent la matière cris-25 talline planar lisse, deviennent, par suite de cette opération de chauffage amorphe et les zones comprenant la matière à mémoire amorphe deviennent cristallines sous la forme planar. Ensuite, la couche à image de la matière à mémoire est traitée avec, par exemple, par le mêmë solvant que celui utilisé dans le mode de 30 réalisation précité du procédé pour produire une image positive. Comme on le voit, l'inclusion de l'opération de chauffage permet d'obtenir une inversion de l'image de façon à produire à présent une image positive alors qu'une image négative serait obtenue sans avoir recours à l'opération de chauffage. Ainsi, ce mode de 35 réalisâtion du procédé de l'invention offre encore une autre possibilité pour contrôler la nature de l'image entre celle positive êt celle négative <> Il est donc évident qu'il existe une forte différence de vitesse de dissolution entre la matière à mémoire cristalline 72 17655 2138040 lisse planeur et les matières cristallines dentelées irrégulières. En cas d'utilisation de solvants sélectifs tels que les solutions aqueuses citées d'un agent oxydant pour la matière à mémoire, la forme amorphe de la matière à mémoire voit générale-5 ment sa vitesse de dissolution se situer entre les deux formes cristallines de sorte que, comme indiqué, la forme cristalline lisse planar présente une vitesse de dissolution plus faible que celle de la matière amorphe présentant la même composition chimique et la forme dentelée irrégulière de la matière à mé-10 moire cristalline présente une vitesse de dissolution plus élevée que celle de la matière amorphe présentant la même composition chimique. Il s'est avéré que cette différence de vitesse de dissolution dans ces matières est même plus grande que dans les solutions de brome dans le méthanol citées plus haut. Cela montre 15 qu'en contrôlant le niveau d'énergie auquel les zones sélectionnées de la matière à mémoire sont soumises, on peut non seulement contrôler la nature de l'image, c'est-à-dire déterminer si elle est positive ou négative, mais également régler les solubilités relatives des zones exposées de la matière à mémoire et non 20 exposées. L'invention enveloppe également les structures contenant les images en relief produites par le procédé de l'invention0 Ces structures peuvent trouver de larges applications industrielles et présentent une grande utilité, quelques-une seule-25 ment de ces applications étant mentionnées plus loin. En partant d'une structure comme celle représentée à la fig. 4, dans laquelle le substrat 30 est du verre muni d'une couche supérieure 28 composée de matière à mémoire de plus forte opacité suivant l'invention, des masques photographiques peuvent être produits 30 facilement et instantanément à l'aide d'un masque de contact en utilisant, par exemple, une impulsion d'une milliseconde d'une lampe photographique à éclair. La structure exposée est brièvement trempée dans un solvant convenable et rincée dans de l'eau, puis séchée. Les masques photographiques ainsi produits 35 peuvent trouver de nombreuses applications, par exemple en tant que gabarit pour la fabrication de circuits intégrés par les procédés classiques. Les masques photographiques de l'invention sont plus durables que les masques à base d'halogénure d'argent utilisés dans la technique antérieure. En outre, ils nécessitent 72 17659 2138040 moins d'opérations de fabrication et sont moins coûteux que les masques à clirome habituels également utilisés en tant que gabarits dans la fabrication de circuits intégrés. Le procédé suivant l'invention peut également être utilisé 5 pour la fabrication directe de masques à chrome en utilisant en tant que matière de départ une structure comme celle représentée à la fig. 7« Pour ce mode opératoire, le substrat 40 est du verre, la couche intermédiaire 38 est du chrome métallique et la couche supérieure est composée d'une matière à mémoire de l'invention. 10 En effectuant les opérations décrites au sujet des fig. 7 à 11 et 12 à 14, on obtient facilement des masques à chrome. En utilisant la structure de départ de la fig. 4, dans laquelle le substrat 30 est du verre ou de la matière plastique transparente ou translucide et la couche supérieure 28 est une 15 matière à mémoire de forte opacité suivant l'invention, les diapositives peuvent être produites instantanément en effectuant les phases opératoires décrites au sujet des fig. 4 à 6. Les diapositives peuvent être utilisées de la manière classique pour la projection ou en tant que modèle pour produire des copies,etc. 20 Etant donné que de nombreuses matières à mémoire pouvant être utilisées dans le procédé de l'invention présentent une opacité extraordinairement élevée, il est possible d'obtenir un très haut contraste dans les articles du type diapositive, obtenus suivant le procédé de l'invention, en utilisant des couches ou 25 pellicules extrêmement minces de matière à mémoire de façon à économiser beaucoup de temps et de frais. La matière à mémoire du type à forte opacité permet également d'obtenir facilement des copies à haut contraste sur des matières telles que le papier. 30 Le procédé suivant l'invention est également apte à être utilisé pour la production de copies ou diapositives ou d'autres articles obtenus à partir d'images en demi-ton0 A cette fin, l'exposition est effectuée à travers un écran classique convenable à lignes en demi-ton. 35 Un autre champ d'applications important pour les structu res de l'invention se trouve dans le domaine des clichés lithographiques. Les clichés lithographiques pour l'impression offset tirent leurs qualités d'impression d'une différence d'hydrophilie et d'oléophilie dans des zones sélectionnées du cliché. Ce type 72 17659 34 2138040 de cliché peut être facilement fabriqué par le procédé de l'invention en utilisant n'importe lequel des modes de réalisation du procédé décrit plus haut. En partant d'une structure comme celle représentée à la 5 fig. 4 et dans laquelle le substrat 30 est, par exemple, de 1'aluminium, de préférence à surface à grain fin et la couche supérieure 28 est une matière à mémoire de l'invention, des clichés lithographiques peuvent être réalisés en utilisant le procédé décrit au sujet des fig. 4 à 6. On obtient un cliché 10 lithographique dans lequel le fond en aluminium est hydrophile et les zones élevées formées par la matière à mémoire restantes sont oléophiles. Au lieu d'utiliser de l'aluminium, d'autres matières hydrophiles telles que l'acétate de cellulose peuvent également être utilisées avec le même profit. 15 Un autre type de cliché lithographique peut facilement être obtenu par le procédé de l'invention si l'on part d'une structure comme celle représentée à la fig. 7 dans laquelle le substrat 40 est, par exemple, de l'aluminium, la couche intermédiaire 38 est du cuivre et la couche supérieure 36 est une matière à 20 mémoire de l'invention. En suivant les opérations décrites au sujet des fig. 7 à 11, on obtient un cliché lithographique qui comprend une image en relief composée de cuivre dans les zones élevées et d'aluminium dans les zones basses, l'aluminium constituant les zones hydrophiles et le cuivre les zones d'impression 25 oléophiles. -Encore un autre type de cliché lithographique peut être obtenu en utilisant, par exemple, un substrat en cuivre ou en Mylar dans la structure de la fig. 4. En suivant le procédé décrit au sujet des fig. 4 à 6, on obtient une image en relief 30 dans laquelle tant le cuivre ou le Mylar, d'une part, et la matière à mémoire, d'autre part, sont oléophiles. Dans ce cas, il est nécessaire d'effectuer un traitement spécial sur la couche de matière à mémoire 28 pour la rendre hydrophile. Ce résultat peut être obtenu, par exemple, en traitant la couche supé-35 rieure de la matière à mémoire de solutions aqueuses de nitrate d'argent, de chlorure stanneux ou de différents sels de nickel solubles. Il est à noter qu'un cliché ainsi obtenu permet d'imprimer line image négative. Afin d'imprimer une image positive avec ce type de cliché, il est nécessaire de produire une image 72 17655 2138040 négative de la matière à mémoire sur le substrat en utilisant les modes de réalisation respectifs du procédé de l'invention décrit plus haut. Des clichés lithographiques négatifs peuvent également être obtenus en partant d'une structure comme celle 5 représentée à la fig. ? et dans laquelle le substrat 40 est du cuivre, la couche intermédiaire 38 de l'aluminium et la couche supérieure 36 d'une matière à mémoire de l'invention. En suivant le procédé décrit au sujet des fig. 7 à 11, on obtient un cliché dans lequel les parties creuses formées par le substrat en 10 cuivre sont oléophiles et les zones élevées formées par l'aluminium sont hydrophiles. Ce type de clichés lithographiques est habituellement connu sous le nom de clichés à gravure profonde. La nature imprimante des zones élevées contenant la matière à mémoire de l'invention peut encore être modifiée en appli-15 quant sur la matière à mémoire un colorant qui est ensuite mis en fusion. Ce mode de réalisation du procédé peut, par conséquent, également être utilisé pour réaliser des clichés lithographiques dans lesquels les zones élevées constituées par la matière à mémoire sont hydrophiles. 20 La présente invention concerne également des réseaux de composants électroniques actifs qui peuvent être fabriqués directement par le procédé de l'invention. Ces dispositifs peuvent être obtenus par exeiàple à partir d'une structure de départ comme celles représentées à la fig.4 25 au moyen des phases opératoires décrites au sujet des fig. 4 à 60 En tant que couche supérieure 28, on utilise une matière à mémoire de l'invention qui est un semi-conducteur présentant les propriétés électriques désirées. Des matières convenables sont décrites, par exemple, dans le brevet No 3*271.591. Dans un mode 30 opératoire, la matière à mémoire est appliquée sous la forme d'une couche amorphe sur un substrat 30 qui est un diélectrique ou un isolant. La couche de matière à mémoire amorphe est exposée à de l'énergie à travers une matrice ou un masque pour produire une image cristallisée des différents dispositifs élec-35 triques in situ. Ensuite, les zones amorphes non exposées de la couche supérieure sont enlevées par dissolution différentielle, comme décrit plus haut. Les zones cristallines des matières à mémoire subsistant sur le substrat sont ensuite connectées par un conducteur électrique convenable et munies de fils pour 72 17659 2138040 obtenir le montage désiré. Les circuits peuvent être- utilisés en tant que tels ou, après conversion de la matière à mémoire cristalline sous la forme amorphe, par l'application d'un courant électrique par exemple. Chacune des zones des matières à 5 mémoire semi-conductrices peut remplir une fonction électrique spéciale de façon que l'ensemble de l'agencement puisse servir de réseau entièrement fini de commutateurs électriques, capacités résistances, etc..., chacune de ces réalisations étant d'un type décrit dans le brevet américain No 3.271.591. Ce procédé de 10 fabrication directe de réseaux de composants électroniques actifs est d'un intérêt particulier lorsque des nombres importants de dispositifs électriques extrêmement petits doivent être réalisés sous un faible volume comme c'est le cas, par exemple, pour des microcircuits, permettant ainsi de fabriquer ce type de 15 dispositifs à un coût extrêmement faible par des opérations simples. En utilisant le procédé d'exposition multiple décrit plus haut en combinaison avec des matières à couches multiples contenant plus de deux couches de matières différentes, les réseaux 20 les plus complexes de dispositifs électroniques peuvent être produits de manière simple, ces dispositifs contenant des conducteurs électriques, des dispositifs conducteurs, des semi-conducteurs et des dispositifs semi-conducteurs convenables présentant des valeurs électriques prédéterminées et des zones non 25 conductrices, suivant les besoins. Tous ces composants peuvent être réalisés in situ sur un porteur commun de façon à éliminer le besoin d'assemblage et de finition. Dans les modes de réalisation du procédé de l'invention dans lequel des composants électriques ou des réseaux de compo-30 sants sont fabriqués directement, le substrat peut être un isolant ou un produit non conducteur d'électricité, comme indiqué plus haut, ou bien il peut se composer d'une autre matière semi-conductrice ou bien il peut s'agir d'un conducteur électrique. Par un choix approprié des propriétés électriques d'une ou 35 plusieurs couches, on peut encore accroître la polyvalence et l'utilité des composants électriques et des réseaux de composants pouvant être fabriqués par le procédé de l'invention. Le cas échéant, les composants électriques peuvent également être fabriqués sans substrat en suivant le mode opératoire décrit au sujet 72 17659 37 2138040 des fig. 1 à 3. Le procédé de l'invention peut également être utilisé très avantageusement pour la production de panneaux de circuits imprimés et analogues en partant, par exemple, d'une structure 5 comme celle représentée à la fig. 7 et dans laquelle le substrat 40 est un isolant électrique, la couche intermédiaire 38 est un conducteur électrique métallique et la couche supérieure 36 est une matière à mémoire de l'invention. En exposant la couche supérieure 36 à travers une matrice ou un masque convenables et 10 en effectuant les opérations décrites au sujet des fig. 7 à 11 ou 12 à 14, des panneaux de circuits imprimés d'excellente qualité peuvent être obtenus à des frais réduits. Le procédé de l'invention peut également être utilisé pour fabriquer de petites pièces exemptes de bavures, par 15 exemple des composants de petites montres et analogues, par des techniques de microfraisage chimique en utilisant les opérations et les principes du procédé de l'invention décrit plus haut. Le procédé de la présente invention se prête également à la production d'articles présentant une surface de verre gravée0 20 Dans ce cas on utilise, dans la structure de la fig.4, du verre entant que substrat 30 et une matière à mémoire de l'invention .en tant que couche supérieure 28. Si l'on effectue les opérations décrites au sujet des fig. 4 à 6, on obtient une image en relief de matière à mémoire sur le substrat de verre, le verre 25 est ensuite traité avec un agent caustique permettant de graver sur le verre et qui n'est pas un solvant pour la matière à mémoire. Un agent caustique convenable est, par exemple le qui peut être utilisé pour produire une image en relief dans le substrat de verre, la matière à mémoire servant de matière ré-30 sistant chimiquement. La matière à mémoire peut ensuite être enlevée de façon à obtenir un article en verre gravé d'une excellente qualité et d'une haute résolution. Le nouveau procédé de fabrication d'articles de verre gravés est moins coûteux et nécessite moins d'opérations que le procédé classique de produc-35 tion d'articles de verre gravé. Le nouveau procédé de l'invention peut être utilisé dans de nombreuses autres applications pratiques pour produire une large gamme d'articles utiles. L'invention est illustrée plus en détail à l'aide des 72 17659 2138040 exemples suivants dans lesquels les parties sont exprimées en poids, sauf indication contraire. EXEMPLE 1 Un film de cinq microns d'épaisseur d'une matière à 5 mémoire composée de 85 parties atomiques de tellure et 15 parties atomiques de germanium est déposé par des techniques de pulvérisation ou de crépitement sur une plaque de verre d'environ 4-,4- mm d'épaisseur. Des zones sélectionnées distinctes du film de matière à 10 mémoire sont soumises à l'énergie d'un laser puisé à argon de 100 m watts (modèle Tru 83 A). Le laser est focalisé sur le plan de l'image et différents spots sont puisés à une intensité de 4 2 10 watts/cm pour une largeur d'impulsion de 10 microsecondes. On prépare une solution de 25 % en poids d'hypochlorite de 15 sodium (réactif normalisé de Baker Chemical) dans de l'eau désionisée (environ 6 % de chlore disponible) et la structure en verre comprenant le film exposé de matière à mémoire est placé dans la solution d'hypochlorite. Après rinçage dans de l'eau et séchage, on obtient une diapositive positive dans la-20 quelle les zones distinctes exposées ont été éliminées par dissolution. EXEMPLE 2 Un film de 0,5 micron d'épaisseur d'une matière à mémoire composée de 20 parties atomiques de tellure, 30 parties atomi-25 ques d'arsenic et 50 parties atomiques de soufre est déposé par évaporation thermique sous vide sur un film en Mylar de 0,025 ml dfépaisseur. Le film de matière à mémoire est exposé à l'éclair d'une lampe à éclair Ho 5 (clair) GE à une distance d'environ 75 mm 30 du plan de l'image. L'exposition se fait à travers une matrice de micro-enregistrement en halogénure d'argent. La structure exposée est trempée dans un bain de blanchiment de force totale appelée "Roman Bleach". Au bout d'environ 1 seconde d'immersion, les zones exposées se trouvent élimi-35 nées par dissolution de façon à produire une copie diapositive positive du micro-enregistrement présentant une excellente résolution et définition. EXEMPLE 3 Un film de matière à mémoire d'une épaisseur de 1 micron 72 17655 2138040 de matière à mémoire composée de 85 parties en parties atomiques de sélénium et 15 parties atomiques de tellure est déposé sur xm film d'environ 125 mm d'épaisseur d'acétate de cellulose par des techniques de pulvérisation ou de crépitement. 5 Le rilu ^e matière à mémoire est soumis au rayonnement rl 'un dispositif électronique à éclair connu sous le nom "Honeywell 700" à travers un modèle photographique transparent à écran à lignes en demi-tons. Le dispositif à éclair est placé à une distance d'environ 50 mm du plan d'image, l'éclair ayant une 10 durée d'une demi-milliseconde. Ensuite la structure exposée est immergée pendant une courte durée dans du disulfure de carbone. Après séchage, on obtient une copie nette de la photographie en demi-tons présentant une excellente résolution et un haut degré de détail. 15 EXEMPLE 4- Un film d'une épaisseur de 0,1 micron d'une matière à mémoire composée de 30 parties atomiques d'antimoine, 20 parties atomiques de tellure et 50 parties atomiques de soufre est disposée par évaporation thermique sous vide sur du papier bond 20 du commerce de bonne qualité d'une épaisseur d'environ 0,075 m. Le film de matière à mémoire est exposé, à travers un masque contenant une image de matière imprimée, au rayonnement d'une lampe à quartz Sylvania de 650 watts appelée "Sun Gun SG VU". Le plan du film de la matière à mémoire est placé à une 25 distance d'environ 150 mm de la lampe, la durée d'exposition étant d'une seconde. Le papier exposé est immergé dans une solution aqueuse obtenue en diluant 10 parties en poids d'une solution concentrée d'eau oxygénée avec 90 parties en poids d'eau. Au bout de moins 30 de 10 secondes on obtient une copie à réflexion positive présentant d'excellentes caractéristiques de netteté et de contraste. EXEMPLE 5 Un film de 1 micron d'épaisseur d'une matière à mémoire composée de 85 parties atomiques de tellure et 15.parties ato-35 miques de germanium est déposé par des techniques de projection ou de crépitement sur un film Mylar de 0,125 mm d'épaisseur environ. Le film de matière à mémoire est ensuite exposé à travers un masque au rayonnement d'un canon d'électronique à éclairs 72 17659 2138040 appelé " Honeywell 700 comme décrit dans l'exemple 3 et la structure exposée est traitée dans "un "bain de blanchiment appelé " Roman Bleach ", comme décrit dans l'exemple 2. 2 % en volume d'une solution saturée de nitrate d'argent 5 et 2 % en volume d'une solution de gomme arabique 14Be sont mélangés avec 96 % en volume d'eau. La solution aqueuse diluée obtenue de cette façon est utilisée en tant que solution d'encrier dans l'utilisation de l'image en tant que cliché offset lithographique. La solution rend les zones de matière à mémoire 10 hydrophiles en laissant les zones du substrat en Mylar oléophiles. En cas d'utilisation dans une presse lithographique classique en association avec des encres d'impression classiques, on obtient d'excellentes impressions de l'image sur du papier d'imprimerie classique. 15 "RTRMPLE 6 Sur un substrat de verre Corning 7050 on dépose de la O manière classique un film de chrome de 800 A d'épaisseur. Sur le film de chrome on dépose ensuite un film de 0,5 micron d'épaisseur de matière à mémoire composée de 83 parties atomiques 20 de tellure, 13 parties atomiques de germanium, 2 parties atomiques d'antimoine et 2 parties atomiques de soufre. Le film de matière à mémoire est exposé à travers un masque de la manière décrite dans l'exemple 3 et la structure exposée est immergée pendant un court laps de temps dans une 25 solution de 25 % en poids d'hypochlorite de sodium dans de l'eau désionisée. On obtient alors une image de matière à mémoire sur un fond de chrome mis à nù. Cette image est ensuite traitée pendant environ 1 minute dans un bain connu sous le nom de "Chro-mium Etch" commercialisé par Bell &. Howell, de façon à obtenir 30 un masque photographique négatif d'une grande durabilité et présentant une haute densité optique. EXEMPLE 7 Un film de 1 micron d'épaisseur d'une matière à mémoire composé de 30 parties atomiques d'arsenic, 20 parties atomiques 35 de tellure et 50 parties atomiques de soufre est déposé, par évaporation thermique sous vide, sur un film d'acétate de cellulose de 0,125 mm d'épaisseur environ. Le film de matière à mémoire est soumis au rayonnement d'une lampe à éclairs No 5 GE placée à une distance d'environ 72 17659 #1 2138040 75 mm du film de matière à mémoire; un masque est placé entre la lampe à éclairs et la matière à mémoire. La structure exposée est immergée pendant un court temps dans une solution aqueuse contenant 25 % en poids d'hypochlorite 5 de sodium (réactif grade Baker Chemical) dissout dans de l'eau désionisée. Après rinçage dans de l'eau et séchage, l'image ainsi obtenue est utilisée en tant que cliché offset lithographique dans une presse à imprimer offset usuelle. Le cliché est mouillé avec une solution humidifiante classique et encrée 10 de façon que l'encre soit absorbée par les zones constituées par la matière à mémoire. D'excellentes impressions sont obtenues sur du papier d'imprimerie classique. EXEMPLE 8 Le mode opératoire de l'exemple 1 est répété en utilisant, 15 cependant, un masque convenable entre le laser et le film de matière à mémoire de façon à obtenir plusieurs composants de commutation électrique constitués par la matière à mémoire lorsque celle-ci est éliminée par dissolution dans les zones présentant la plus forte solubilité. Après addition de fils élec-20 triques convenables, on obtient un dispositif de commutation in situ sur la plaque de verre qui peut être utilisée en tant que composant dans des dispositifs électriques. EXEMPLE 9 Le film de matière à mémoire déposé conformément au mode 25 opératoire de l'exemple 1 sur la plaque de verre est chauffé pendant 1 minute à environ 200°C après déposition mais avant l'exposition à l'énergie laser. La matière à mémoire traitée par la chaleur est ensuite exposée à l'énergie laser et soumise au solvant de la manière 30 décrite dans l'exemple 1. On obtient une diapositive négative. La présente invention n'est pas limitée au mode de réalisation décrit et illustré, différentes modifications pouvant y être apportées sans sortir de son cadre. 72 17659 42 2138040 REVENDICATIONS 1. Procédé pour produire une image, caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser une couche de matière à mémoire capable de voir certaines de ses parties subir un changement de structure 5 physique entre au moins deux états stables, la couche étant normalement dans l'un de ces états et la matière à mémoire étant capable d'être amenée à l'autre de ces états en réponse à l'application d'une énergie supérieure à un certain seuil, appliquer sélectivement de l'énergie à la couche, sur des par-10 ties sélectionnées de celles-ci, et à un niveau d'intensité supérieur au seuil afin d'amener la couche, dans les parties sélectionnées concernées, à partir de l'état stable mentionné à l'autre état afin d'enregistrer dans la couche tout motif désiré, appliquer sur la couche un solvant qui dissout les par-15 ties de la couche se trouvant dans l'un desdits états à tua plus haut degré que les parties de la couche se trouvant dans l'autre état, de façon à produire une image correspondant au motif désiré. 2. Procédé pour produire une image, caractérisé en ce qu'il 20 consiste à réaliser une couche de matière à mémoire capable de voir certaines de ses parties subir un changement de structure physique entre au moins deux états stables, la matière à mémoire étant d'une composition vitreuse à chalcogénure comportant, en tant que constituant effectif, au moins un élément chalcogénure 25 autre que le soufre et l'oxygène, appliquer de l'énergie sélectivement à la couche, dans des parties sélectionnées désirées de celles-ci, afin de transformer la couche, dans les parties sélectionnées désirées à partir de l'état stable cité à l'autre état, afin d'enregistrer dans la couche tout motif désiré, et 50 appliquer sur la matière un solvant qui dissout les parties de la couche se trouvant dans l'un desdits états à un degré plus élevé que les parties de la couche se trouvant dans l'autre état, de façon à produire une image correspondant au motif désiré. 35 3. Procédé pour produire une image, caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser une couche de matière à mémoire capable de voir certaines de ses parties subir un changement de structure physique entre au moins deux états stables, la matière à mémoire étant un film mince placé sur un substrat de support qui ne 72 17659 43 2138040 réagit pas sensiblement avec la matière à mémoire dans les conditions de transformation de la matière à mémoire d'un état de structure à l'autre, à appliquer sélectivement de l'énergie à la couche, dans des parties sélectionnées désirées de celle-ci, 5 afin de modifier et de transformer la couche de matière à mémoire, dans les parties intéressées, à partir d'un état de structure stable à l'autre état de structure, afin d'enregistrer dans la couche tout motif désiré et, appliquer sur la couche un solvant qui dissout les parties de la couche se trouvant dans l'un des-10 dits états à une vitesse plus élevée que les parties de la couche se trouvant à l'autre état, de façon à produire une image correspondant au motif désiré, les parties non dissoutes de la couche de matière à mémoire constituant la partie élevée dé l'image et le substrat constituant la partie basse de l'image. 15 4. Procédé pour produire une image, caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser une couche de matière à mémoire à caractère vitreux non composé d'un silicate, qui est capable de voir certaines de ses parties subir un changement de structure physique entre au moins deux états stables, la couche étant normalement 20 dans l'un desdits états et étant capable d'être amenée à l'autre état par l'application d'une énergie, afin de produire une différence de solubilité notable dans des milieux solvants spécifiques, appliquer de l'énergie sélectivement à des parties sélectionnées de la couche de façon à transformer les parties soumises à cette 25 énergie à l'autre état de structure de façon à enregistrer dans la couche tout motif désiré, et appliquer un milieu dissolvant sur la couché de matière à mémoire et à dissoudre les parties de la matière à mémoire présentant la plus forte solubilité de façon à obtenir Une image correspondant au motif désiré. $0 5- Procédé pour produire une image, caractérisé en ce qu'il consiste à réaliser une couche de matière à mémoire inorganique capable de voir certaines de ses parties subir un changement morphologique entre un état de structure stable et au moins un autre état de structure stable par l'application d'une énergie, la eons-35 titution chimique de la matière à mémoire, dans les états de structure morphologique alternatifs, étant sensiblement la même et la différence notable de solubilité dans des milieux solvants sélectifs étant obtenue par la transformation de la matière à mémoire à l'autre état de structure morphologique, appliquer de 40 l'énergie à des zones sélectionnées de la couche de façon à amener 72 17659 W 2138040 les zones soumises à l'énergie, à l'autre état de structure morphologique présentant des caractéristiques de solubilité différentes, et appliquer un milieu solvant sélectif sur la couche de matière à mémoire et à dissoudre la matière à mémoire présen-5 tant la plus forte solubilité dans le milieu solvant de façon à obtenir une image. 6. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la matière à mémoire est un film placé sur un substrat qui ne réagit sensiblement pas chimiquement avec la matière à mémoire 10 dans les conditions utilisées lors de la transformation. 7. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la matière à mémoire est une composition à chalcogénure comprenant, en tant que constituant effectif, au moins un élément du groupe VT du système périodique autre que l'oxygène à l'état 15 élémentaire. 8. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la matière à mémoire est une matière vitreuse non composée de silicate. 9. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce 20 que la matière à mémoire présente essentiellement la même constitution chimique dans les états de structure physique alternatifs. 10. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la matière à mémoire est une matière vitreuse inorganique. 11. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce 25 que la matière à mémoire est un film prévu sur un substrat qui n'entre sensiblement pas en réaction chimique avec la matière à mémoire dans les conditions utilisées lors de l'opération de transformation. 12. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce 30 que la matière à mémoire présente essentiellement la même constitution chimique dans les états de structure physique alternatifs. 13. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la matière à mémoire peut être amenée, de manière réversible, de l'un à l'autre desdits états de structure physique alternatifs, 35 par application de différents niveaux d'énergie. 14. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la matière à mémoire est une matière vitreuse inorganique. 15. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la matière à mémoire est une matière vitreuse non composée 72 17659 2138040 de silicate. 16. Procédé suivant la revendication 3> caractérisé en ce que la matière à mémoire présente essentiellement la même constitution chimique dans les états de structure physique alterna- 5 tifs cités. 17. Procédé suivant la revendication 3-, caractérisé en ce que la matière à mémoire est une matière inorganique. 18. Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que la matière à mémoire est un film prévu sur un substrat qui 10 n'entre essentiellement pas en réaction chimique avec la matière à mémoire dans les conditions utilisées lors de l'opération de transformation. 19. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'énergie est appliquée au moins en deux phases de façon à 15 dépasser la valeur de seuil. 20. Procédé suivant la revendication 4, caractérisé en ce que la différence de solubilité entre les états de structure alternés présente un rapport d'au moins deux à un. 21. Procédé suivant la revendication 3> caractérisé en ce 20 que la solubilité, dans un solvant sélectif, de la matière à mémoire dans les parties de la couche qui ont été soumises à l'énergie se trouve accrue dans lesdites zones modifiées de façon à obtenir une image positive. 22. Procédé suivant la revendication 3> caractérisé en ce 25 que la solubilité, dans un solvant sélectif, de la matière à mémoire dans les parties de la couche qui ont été soumises à l'énergie se trouve diminuée dans les zones modifiées, de façon à obtenir une image négative. 23. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce 30 que la matière à mémoire est amorphe et se trouve changée dans les parties où elle est soumise aux effets producteurs d'image de l'énergie, de manière à être amenée à un état au moins partiellement cristallin. 24. Procédé suivant la revendication 3i caractérisé en ce 35 que la matière à mémoire est cristalline et est amenée, dans les parties où elle est soumise aux effets producteurs d'image de 1'.énergie, à un état sensiblement amorphe. 25. Procédé suivant la revendication 3i caractérisé en ce qu'il est prévu au moins deux couches de matière à mémoire, 72 17659 46 2138040 l'une des couclies se trouvant dans un desdits états de structure physique et l'autre couche, disposée sur la première, se trouvant dans un autre desdits états de structure physique, de façon qu'il faille seulement appliquer suffisamment d'énergie pour amener 5 l'état de structure atomique dans les zones sélectionnées de la couche supérieure à l'état de structure de la couche inférieure. 26. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la matière à mémoire est réalisée sous la forme d'un film amorphe mince disposé sur un substrat qui n'entre essentiellement 10 pas en réaction chimique avec la matière à mémoire dans les conditions utilisées lors de l'opération de transformation. 27- Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la matière à mémoire est réalisée sous la forme d'un film mince de cristallites planar disposé sur un substrat lequel ne ré-15 agit sensiblement pas chimiquement avec la matière à mémoire dans les conditions utilisées lors de l'opération de transformation physique. 28. Procédé suivant la revendication 3» caractérisé en ce que la matière à mémoire est réalisée sous la forme d'un film de 20 cristallites dentelées disposé sur tm substrat lequel ne réagit sensiblement pas chimiquement avec la matière à mémoire dans les conditions de l'opération de transformation physique. 29. Procédé suivant la revendication 3» caractérisé en ce que le substrat est un métal qui ne réagit sensiblement pas chi- 25 miquement avec la matière à mémoire dans les conditions utilisées lors de l'opération de transformation physique. 30. Procédé suivant la revendication 3> caractérisé en ce que le substrat est une matière hydrophile. 31- Procédé suivant la revendication 3> caractérisé en ce 30 que le substrat est une matière oléophile. 32. Procédé suivant la revendication 3j caractérisé en ce que le substrat est constitué par une matière organique qui ne réagit sensiblement pas chimiquement avec la matière à mémoire dans les conditions utilisées lors de l'opération de transformation 35 physique. 33» Procédé suivant la revendication 3i caractérisé en ce que la matière à mémoire est une matière hydrophile et le substrat est une matière oléophile. 34. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce 72 17659 2138040 que la matière à mémoire est tme matière oléophile et le substrat est uue matière hydrophile. 35- Procédé suivant la revendication 3? caractérisé en ce que le substrat est disposé sur une sous-couche d'une matière 5 présentant une composition chimique différente et en ce qu'il est, en outre, appliqué, sur l'image obtenue lors de la première opération de dissolution, un produit agissant comme solvant pour le substrat Biais qui n'est pas un solvant pour la matière à mémoire, de façon à obtenir une image en relief plus profonde. 10 36. Procédé suivant la revendication 35 5 caractérisé en ce qu'il comporte, en outre, l'opération consistant à enlever la matière à mémoire dans les zones élevées de l'image. 37» Procédé suivant la revendication 36, caractérisé en ce qu'il comprend, en outre, l'opération consistant à enlever la ma-15 tièré à mémoire dans les zones élevées par le traitement avec un produit agissant comme solvant pour la matière à mémoire. 38. Procédé suivant la revendication 3i caractérisé en ce que la matière à mémoire est sensiblement amorphe et en ce qu'elle est transformée, après avoir été soumise à l'énergie, en un état 20 cristallin dans lequel les cristaux ou cristallites présentent une dimension ne dépassant pas 1000 angstroms. 39- Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la transformation de la matière à mémoire d'un état de structure physique à l'autre état de structure physique sous les effets 25 de l'énergie s'achève en moins de 30 secondes. 40. Procédé suivant la revendication 3» caractérisé en ce que la transformation de la matière à mémoire à partir d'un état de structure physique à l'autre état de structure physique sous les effets de l'énergie s'achève en moins de 1 seconde. 30 41. Procédé suivant la revendication 3> caractérisé en ce que la transformation de la matière à mémoire à partir d'un état de structure physique à 1'autre état de structure physique s'effectue en deux phases, la première phase étant une opération de formation d'image produisant une image latente et la deuxième 35 opération provoquant la transformation proprement dite à partir d'un état de structure physique à l'autre état de structure physique. 42. Procédé suivant la revendication 41, caractérisé en ce que la prémière phase produisant l'image latente dans la couche 72 17659 48 2138040 de matière à mémoire est effectuée par un rayonnement électromagnétique actinique et en ce que la deuxième phase produisant la transformation proprement dite est effectuée par la chaleur. 43. Procédé suivant la revendication caractérisé en ce 5 que l'énergie comprend un rayonnement électromagnétique. 44. Procédé suivant la revendication 3i caractérisé en ce que l'énergie comprend de la chaleur de façon que la matière à mémoire soit chauffée à une température supérieure à sa température de transition. 10 45. Procédé suivant la revendication 3> caractérisé en ce que l'énergie comprend de la lumière. 46. Procédé suivant la revendication 3i caractérisé en ce que l'énergie comprend une combinaison de lumi ère et de rayonnement infrarouge. 15 47. Procédé suivant la revendication 3> caractérisé en ce qu'au moins une partie de l'énergie est de l'énergie mécanique. 48. Procédé juiv-mt la revendication 3? caractérisé en ce que la dissolution de la matière à mémoire présentant la plus forte solubilité dans le solvant sélectif s'effectue dans un 20 champ électrique. 49. Procédé suivant la revendication 48, caractérisé en ce que le solvant pour la matière à mémoire est un électrolyte. 50. Procédé suivant la revendication 48, caractérisé en ce que le solvant pour la matière à mémoire comprend un additif qui 25 est électrolyte. 51. Procédé suivant la revendication 3i caractérisé en ce que la matière à mémoire présente une conductibilité électrique différente de celle du substrat et en ce que, après élimination de la matière à mémoire présentant la plus forte solubilité, les 50 zones présentant la plus grande conductibilité sont revêtues dans un champ électrique par l'utilisation d'une solution galvanoplas-tique pour les zones présentant la plus grande conductibilité. 52. Procédé suivant la revendication , caractérisé en ce que la matière à mémoire subsistant après l'opération de dissolu- 35 tion sur le substrat présente la plus haute conductibilité de façon que les zones subsistantes de matière à mémoire soient revêtues dans le champ électrique. 53- Procédé suivant la revendication 51 -> caractérisé en ce que le substrat présente la plus haute conductibilité de façon 72 17659 49 2138040 que les zones exposées du substrat soient revêtues dans le champ électrique. 54. Procédé suivant la revendication 3» caractérisé en ce que le substrat peut transmettre la lumière et en ce que le film 5 de matière à mémoire est un film très mince de matière à mémoire hautement opaque. 55» Procédé suivant la revendication 35 caractérisé en ce que la matière à mémoire est additionnée d'un sel dissociable sous l'action de la lumi.ère. 10 56. Procédé suivant la revendication 3> caractérisé en ce que la matière à mémoire est additionnée d'un sel réductible sous l'action de la lumi ère. 57- Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la matière à mémoire est additionnée d'un sel dissociable 15 sous l'action de la lumière. 58. Procédé suivant la revendication 2, caractérisé en ce que la matière à mémoire est additionnée d'un sel réductible sous 1'effet de la lumière. 59. Procédé suivant la revendication 3» caractérisé en ce 20 que le film de matière à mémoire présente une épaisseur comprise entre 100 angstroms et environ 0,125 millimètre. 60. Procédé suivant la revendication 59> caractérisé en ce que la matière à mémoire est hautement opaque. 61. Procédé suivant la revendication 3» caractérisé en ce 25 que le film de matière à mémoire a une épaisseur comprise environ entre 0,1 et 5 microns. 62. Procédé pour produire un composant électrique actif et consistant à réaliser une couche de matière à mémoire susceptible d'être amenée de l'un quelconque d'au moins deux états conducteurs 30 de l'électricité différents à xm autre de ces états et qui est en outre capable de voir certaines de ses parties amenées d'un état de structure physique normal à un autre état de structure physique en réponse à l'application d'une énergie, appliquer sélectivement de l'énergie sur la couche, dans des parties sélectionnées 35 désirées de cette dernière, pour amener la couche, dans les zones sélectionnées intéressées, à partir de cet état de structure physique normal à l'autre état de structure physique conformément à xm motif désiré quelconque, et appliquer sur la couche un solvant qui dissout les parties de la couche se trouvant dans l'un des 72 17659 50 2138040 états de structure physique cités à un degré plus élevé que les parties de la couche qui se trouvent dans l'autre desdits états de structure physique de façon qu'au moins une certaine partie de la matière à mémoire subsiste pour former le composant 5 électrique. 63. Procédé suivant la revendication 62, caractérisé en ce que la matière à mémoire est disposée sur un substrat. 64. Procédé suivant la revendication 62, caractérisé en ce que la matière à mémoire est disposée sur un substrat qui est 10 essentiellement non conducteur de l'électricité. 65. Procédé suivant la revendication 62, caractérisé en ce que la matière à mémoire est disposée sur un substrat qui est un semi-conducteur de l'électricité. 66. Procédé suivant la revendication 62, caractérisé en ce 15 que la matière à mémoire est disposée sur un substrat qui est un conducteur de l'électricité. 67» Procédé suivant la revendication 62, caractérisé en ce que la matière à mémoire est disposée sur un substrat et en ce que plusieurs composants électriques sont formés lors de l'opéra-20 tion de dissolution. 68. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la matière à mémoire présente des propriétés électriques qui la rendent apte à être utilisée dans un circuit électrique et en ce qu'au moins une partie de l'image formée par la matière rési-25 duelle sert d'au moins un composant électrique. 69» Procédé suivant la revendication 3» caractérisé en ce que la matière à mémoire comprend des quantités catalytiques d'une matière capable de promouvoir la transformation de la matière à mémoire à partir d'un état de structure physique à l'autre 350 état de structure physique. 70. Procédé suivant la revendication 3, caractérisé en ce qu'il est réalisé, au voisinage de la couche de matière à mémoire, une couche mince d'une matière catalytique capable, par diffusion dans la couche de matière à mémoire, de favoriser le changement 35 physique à partir d'un état de structure à l'autre état de structure 71- Structure à image comprenant un substrat pouvant transmettre la lumière et sur lequel sont disposées, dans des zones sélectionnées, des quantités d'une matière à mémoire opaque suffisantes pour former une image. 40 72. Structure à image suivant la revendication 71» caracté 72 1765S 2138040 risée en ce que le substrat est en verre. 73- Structure à image suivant la revendication 711 caractérisée en ce que le substrat constitue une structure à film organique translucide. 5 74. Structure à image suivant la revendication , caracté risée en ce que le substrat est une structure à film organique transparent. 75- Cliché lithographique comprenant un substrat composé d'une matière hydrophile et sur lequel sont disposées, dans des 10 zones sélectionnées, des couches minces d'une matière à mémoire oléophile. 76. Cliché lithographique suivant la revendication 75, caractérisé en ce que le substrat est une matière organique hydrophile . 15 77- Cliché lithographique suivant la revendication 75, ca ractérisé en ce que le substrat est un métal hydrophile. 78. Cliché offset lithographique, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat composé d'une matière oléophile et sur lequel est disposée, dans des zones sélectionnées, une couche min-20 ce d'une matière à mémoire qui est en soi oléophile et en ce que la surface de la matière à mémoire comprend une matière qui la rend hydrophile. 79- Cliché lithographique suivant la revendication 78, caractérisé en ce que la matière à mémoire comprend de faibles 25 quantités d'un sel métallique capable de produire des propriétés superficielles hydrophiles sur la matière à mémoire. 80. Procédé suivant la revendication 3? caractérisé en ce qu'une solution aqueuse d'un agent oxydant est utilisée pour dissoudre les parties de la matière à mémoire qui se dissolvent 30 à un degré plus élevé. 81. Procédé suivant la revendication 80, caractérisé en ce que la solution aqueuse de l'agent oxydant comprend de l'hypo-chlorite de sodium. 82. Procédé suivant la revendication 80, caractérisé en ce 35 que la solution aqueuse de l'agent oxydant comprend de l'eau oxygénée.