FR 2112446 A1 19720616 FR 7139382 A 19711103 71 39382 1 2112446 La présente invention se rapporte généralement à des sources de tension électrique de référence ou analogues ; plus particulièrement, elle concerne et a essentiellement pour objet un dispositif formant source de tension électrique de référence 5 compensée en température pour fabrication sur une plaquette ou pastille de circuit intégré mondLithique ainsi que les diverses applications et utilisations résultant de sa mise en oeuvre et les systèmes, ensembles, appareils, machines, équipements, et installations pourvus de tels dispositifs. 10 l'expression "circuit intégré"telle qu'utilisée ici se réfère à une structure ou plaquette ou pastille de semi-conducteur unitaire ou monolifliique ou monobloc à laquelle est incorporé l'équivalent d'un réseau d'éléments de circuit actifs et passifs connectés entre eux, tels que des transistors, des diodes , des 15 résistances, des condensateurs et analogues. Dans la conception ou construction de circuit électrique, il est souvent nécessaire de produire une tension électrique de référence stable à laquelle d'autres quantités électriques sont à comparer. Par exemple, des régulateurs de tension 20 électrique emploient communément une tension électrique de référence stable de niveau relativement bas, à laquelle est comparée une portion d'une tension électrique de fonctionnement d'un niveau plus élevé. Il est fréquemment désirable que la tension électrique de référence soit sensiblement invariante en 25 fonction de la température. En outre dans un système de circuit intégré, il est habituellement désirable de produire une telle tension électrique de référence sans dissipation intempestive d'énergie ou de puissance et à un niveau de tension électrique relativement bas à cause des limitations de manipulation de 30 puissance et de tension électrique du système du circuit intégré. De nombreuses techniques ont été employées dans le passé pour atteindre l'objectif général d'une source de tension électrique de référence compensée en température. Une solution approchée, qui a été employée, utilise deux chaînes ou groupes 35 de diodes connectées en série auxquelles sont appliqués des courants électriques séparés d'intensités sensiblement constantes. 71 39382 2 2112446 Les courants électriques sont choisis de façon que le coefficient de température d'une chaîne de diodes soit égal à celui de l'autre chaîne tandis que les tensions électriques entre ou dans les deux chaînes de diodes sont inégales. La tension électrique 5 différentielle est développée au moyen de résistances de charge et/ou d'une pluralité de transistors montés sous forme d'un amplificateur différentiel pour produire une tension électrique de référence compensée en température. Comme cela a été indiqué ci-dessus, dans "beaucoup de cas comme par exemple dans le milieu 10 ambiant ou environnant d'un circuit intégré, l'emploi de résistances de charge et djune pluralité de transistors amplificateurs supplémentaires pour engendrer une tension électrique de référence est indésirable puisqu'on doit rencontrer des limitations de puissance et de tension électrique dans de tels 15 cas. Conformément à la présente invention, une source de tension électrique de référence comprend une source de courant électrique d'intensité sensiblement constante et des premier eu des second ; trajets de courant électrique dont chacun comprend au moins un 20 dispositif redresseur à semi-conducteur connecté à la source de courant électrique commune. Un amplificateur à gain de courant électrique déterminé ou bien défini a ses courants électriques d'entrée et de sortie s'écoulant à travers des trajets séparés parmi les premier et second trajets de courant électrique 25 précités. Les niveaux de courant électrique d'entrée et de sortie dans l'amplificateur peuvent être choisis de façon que la différence de tension électrique, produite entre les deux groupes de dispositifs redresseurs, apparaisse entre le collecteur du transistor et la borne de référence sous forme d'uœ tension 30 électrique de référence stabilisée en température. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques , détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement à la lecture de la description explicative qui va suivre en se reportant aux dessins schématiques annexés donnés 35 uniquement à titre d'exemples non limitâtifeillustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels : - la figure 1 représente un schéma de circuit d'une source 71 333U 3 2112446 de tension électrique de référence mettant en oeuvre les principes de la présente invention ; et - la figure 2 est un schéma de circuit d'un mode de réalisation formant variante d'exécution de la présente 5 invention. En se référant aux dessins et plus spécifiquement à la figure 1, une plaquette ou pastille de circuit intégré mo-nolithique est indiquée par la ligne discontinue en traits interrompus 10. Un amplificateur 12 à gain de courant électrique 10 déterminé est disposé sur la plaquette et comprend un transistor 14 monté suivant une configuration.à émetteur commun et une diode 16 connectée entre les électrodes respectivement de "base et d'émetteur du transistor 14. le fonctionnement d'un tel amplificateur est "bien connu. 15 Dans le but de la présente invention, il est suffisant de noter que le transistor 14 et la diode 16 (qui peut être construite sous forme d'un transistor à collecteur court-circuité à la base) ont des caractéristiques de conduction proportionnellement liées. Ce résultat peut être obtenu facilement dans des circuits 20 intégrés en fabriquant le transistor 14 et la diode 16 à proximité étroite l'un de l'autre sur la plaquette 10 par des opérations de traitement identiques. Des courante électriques dans les deux dispositifs seront liés par le rapport de leur surfaces ou aires effectives ou efficaces de jonction entre base 25 et émetteur. L'électrode d'émetteur du transistor 14 est connectée à une borne de plaquette 18 qui, à son tour, peut être connectée à un point de référence commun ou à la masse ou terre comme cela est représenté. 30 La diode 16 est comprise dans un premier trajet de courant électrique avec des diodes supplémentaires 18 et 20 connectées en série. Dans des buts d'explication, les diodes 18 et 20 seront considérées cornue étant semblables en construction à la diode 16 et peuvent être des transistors connectés en diodes 35 comme cela est décrit ci-dessus. L'anode de la diode 20 est connectée à une source de courant électrique d'intensité 71 39382 4 2112446 constante 22 qui, à son tour, est connectée à une borne de plaquette 24. la borne 24 est destinée à être connectée à une source de potentiel actif ou de fonctionnement (B +). Un second trajet de courant électrique est également 5 réalisé entre la borne de référence 18 et une source de courant électrique d'intensité constante 22 et comprend le trajet de collecteur à émetteur du transistor 14 et les diodes 26 et 28. les diodes 26 et 28 peuvent également être des transistors connectés en diodes. 10 Une tension électrique de référence ou de sortie (VQ) est produite entre la borne de référence 18 et l'électrode de collecteur du transistor 14, cette électrode de collecteur étant connectée à une borne de sortie 30. le fonctionnement du mode de réalisation représenté sur la 15 figure 1 peut être compris d'après ce qui suit. la tension électrique dans la jonction entre base et émetteur du transistor connecté en diode à une température et à un courant électrique d'intensité données peut être calculée à l'aide de l'équation de diode de jonction à semi-conducteur 20 idéalisé^ en connaissant la tension électrique dans la jonction entre base et émetteur à une température et à un courant électrique cb référence : TT _ T7 (A T > , Tr T , nk.T To , IcT -, Ic be ~ Ygo ( T ^ + beo ï + q 1x1 ~ "q~~ ln ~ ^ ^ o o ^ co 25 où : V = l'intervalle ou l'écart de bande d'énergie extrapolé go pour la matière semi-conductrice au zéro absolu (approximativement 1,2 T pour le silicium), q = la charge d'un électron, 30 n = une constante qui dépend de la manière dont le transistor est constitué (n a une valeur typique de 1,5 pour des transistors au silicium doublement diffusés) , k = la constante de Boltzman, T = la température absolue ( en degrés Kelvin), 35 1?. = l'intensité du courant électrique de collecteur, 71 39382 5 2112446 Vn =la tension électrique entre émetteur et base à T et à vbeo o Ico 5 où Tq et ICQ sont respectivement la température de référence et l'intensité du courant électrique. La valeur du rapport k/'q est approximativement égale à 5 8,66 x 10" ^V/°E et, pour une température de fonctionnement ■u-rp typique de 300°K ( 27 °C) l'expression peut être prise comme étant approximativement égale à 26 mV. En prenant la dérivée de l'équation (1) par rapport à la température, on obtient ur.« expression montrant la dépendance de 10 la température de la diodede base-émetteur dV, V V, r a T \ nie , (-t \ , t o\ 136 _ ïï° + _ ( i + ln -7p- ) -— + U-n c ) k (2) dT ~ T T o q I q - 0 0 co Les deux derniers termes de l'équation (2) sont au moins 15 d'un ordre de grandeur plus petit que les deux premiers termes de l'équation (2) et peuvent négligés dans cette analyse,de sorte que l'équation (2) devient : 20 V + V, ATr fre _ _ _^o beo _ ,,x d^ m De o En se référant de nouveau à la figure 1 et en supposant que les diodes 16, 18 et 20 sont sensiblement identiques en construction et que leurs courants électriques sont sensiblement identiques (le courant électrique de base du transistor 14 étant négligeable), des tensions électriques sensiblement égalés existent dans chacune des diodes 16, 18 et 20. Afin d'obtenir une tension électrique stabilisée en température à la borne de sortie 30, la somme des coefficients de température des diodes 26 et 28 doit être égale à la somme des coefficients de température des diodes 16, 18 et 20. Ce résultat peut être obtenu par exemple en choisissant les diodes 26 et 28 de façon à être différentes des diodes 16,18 et 20 ou en utilisant des diodes semblables mais fournissant des courants électriques différents dans les premier et second trajets de courant électrique, .jp. Ce dernier moyen peut être facilement accompli en réalisant la diode 16 avec une surface de jonction entre base et émetteur plus grande que celle du transistor 14. On supposera que la diode 16 est plus grande que le transistor 14 dans la discussion suivante. 71 39382 6 2112446 Le courant électrique dans les diodes 26 et 28 sera donc moindre que le courant électrique dans les diodes 16, 18 et 20 mais proportionnel à celui-ci. Dans ce cas, des tensions électriques de diode (V^eQ (2)^' les unes aux autres 5 mais différentes de (1)' exis^en"t dans chacune des diodes 26 et 28 dans le second trajet de courant électrique. La tension électrique de sortie (VQ), apparaissant entre la "borne de sortie 30 et la "borne de référence 18, peut alors être exprimée sous la forme suivante : 10 Vo = 37beo (1) " 27beo (2) (4) Le coefficient de température de la tension électrique de sortie (VQ) peut alors être exprimé sous la ferme : ATo = 3ATbe (1) "2A\e (2) (5) En substituant l'équation (3) dans l'équation (5), on obtient 15 AV0 --~3Vgo +3Vpeo (1) +27go~ 27beo (2) (6) T o En combinant des termes, on obtient : AvQ _~Ygo + 37beo (1) ""27beo (2) ^ T o 20 En substituant l'équation (4) dans l'équation (7), on obtient : 4 V = ~Ygo +7o (8) ° L'équation (8) montre que le changement dans la tension électrique de sortie par rapport à la température sera réduit 25 sensiblement à zéro si la tension électrique de sortie (VQ) dans la configuration représentée est rendue égale à la tension électrique d'intervalle ou d'écart de bande (V ) qui est go approximativement égale à 1,2 V pour une matière semi-conductrice au silicium. En considérant un cas plus général, on peut 1 71 39382 7 2112446 démontrer en suivant l'analyse ci-dessus qu'en utilisant des diodes de la même matière (par exemple au silicium) dans chaque trajet de courant électrique, des tensions électriques de référence compensées peuvent être obtenues à des multiples 5 sensiblement entier^ de la tension électrique d'intervalle ou d'écart de bande de la matière. Le multiple particulier est déterminé par la différence dans le nombre de diodes (redresseurs) dans les deux trajets. Certaines modifications du mode de réalisation représenté 10 sur la figure 1 seront évidentes à celui qui est familiarisé avec la conception ou construction des circuits intégrés. Par exemple, une modification de l'amplificateur à gain de courant électrique déterminé formant portion du circuit peut être envisagée. Des petites résistances,ayant leurs valeurs de 15 résistance proportionnées au rapport des intensités de leurs courants électriques relatifs, peuvent être incluses en série avec chacune des unités constituées respectivement par la diode 16 et par la jonction entre base et émetteur du transistor 14. 20 l'amplificateur à gain de courant électrique déterminé pourrait comprendre la combinaison connue suivante. Un premier transistor amplificateur a émetteur commun comporte des électrodes respectivement de base et de collecteur respectivement à l'entrée et à la sortie de la combinaison amplificatrice. Une diode semi-25 conductrice polarisée dans le sens direct ou un transistor connecté en diode est monté en parallèle en combinaison avec la jonction entre base et émetteur d'un second transistor amplificateur à émetteur commun, la combinaison en parallèle relie l'électrode d'émetteur du premier transistor amplificateur à émetteur commun 30 à un potentiel de référence. L'électrode de collecteur du second transistor amplificateur à émetteur commun est connectée à l'entrée de la combinaison amplificatrice. En se référa'nt maintenant à la figure 2, un second code de réalisation de la présente invention est représenté comme étant 35 agencé sur une plaquette de circuit intégré indiquée par la ligne en traits interrompus 10. Un amplificateur 32 à gain de courant électrique déterminé comprend un transistor 34 et un transistor 71 39382 2112446 connecté en diode 36. Les électrodes d'émetteur des transistors 34 et 36 sont connectées à une borne de référence de mise à la masse ou à la terre 19- Les électrodes respectivement de collecteur et de base, 5 connectées en commun,du transistor 36 sont reliées par un premier trajet de courant électrique comprenant les diodes 38, 40 et 42 qui peuvent aussi être des transistors connectés en diodes comme cék a été décrit ci-dessus, à une source de courant électrique d'intensité constante désignée- généralement 10 par le chiffre de référence 27 et dont les détails seront exposés ci-dessous. Un second trajet de courant électriquei,qui comprend les électrodes respectivement émetteur.et de collecteur du transistor 34 et une pluralité de diodes 44, 46 et 48 qui peuvent aussi 15 être des transistors connectés en diodes, s'étend entre la borne de référence 19 et la source de courant électrique d'intensité constante 27. Le trajet de collecteur a émetteur d'un transistor 50 s'étend entre le collecteur du transistor 34 et la source de 20 courant électrique d'intensité constante 27. La jonction entre base et émetteur du transistor 50 est connectée directement à la diode 48 et est orientée par ses pôles dans la même direction que la diode 48. Le transistor 50 et la diode 48 sont disposés de façon à présenter des caractéristiques de conduction 25 proportionnelles ( par exemple le transistor 50 présente une surface effective de base-émetteur 12 fois plus grande que celle de la diode 48). L'emploi du transistor 50, pour dévier du courant électrique de la combinaison en série des diodes 44, 46 et 48 } réduira le décalage de tension électrique développé dans celles-30 ci. Cette manière de réduire le décalage de tension électrique prend moins de surface sur le circuit intégré que les autres procédés en variante consistant à accroître les surfaces des diodes 44,46 et 48 ou en réalisant chacune des diodes 44,46 et 48 en montant en parallèles plusieurs diodes composantes. 35 La source de courant électrique d'intensité constante 27 comprend des transistors connectés en cascode 64,66 connectés 71 39382 2112446 entre les premier et second trajet de courant électrique réunis et une source de potentiel de fonctionnement (-B) connectée à la borne 25. La jonction entre base et émetteur du transistor 64 (le transistor inférieur de la paire montée 5 en cascode ) est connectée en parallèle à la diode 62 d'une autre configuration amplificatrice à gain de courant électrique déterminé. Un courant électrique de fonctionnement d'intensité sensiblement constante est produit dans la diode 62 ( et par suite dans le transistor 64) en reliant les transistors 10 amplificateurs 68 et 70 de conductivités opposées à la tension électrique stabilisée à la borne 31. Une résistance 72 est connectée entre l'émetteur du transistor 68 et la borne 19 et une autre résistance de couplage 60 est prévue entre l'émetteur du transistor 70 et la diode 62. 15 la polarisation est fournie à la base"du transistor 66 (Le transistor supérieur de l'agencement en cascode ) au moyen des diodes 54 et 56 connectées entre la borne 25 et la base du transistor 66. Un circuit de courant électrique de démarrage ou de mise en marche, comprenant un transistor à substrat 52 et une 20 diode 58, est connecté aux diodes 54,56 et à la résistance 60. Le courant électrique d'intensité constante désiré , fourni par la source 27, est produit dans le mode de réalisation de la figure 2 en faisant emploi de la tension électrique stabilisée en température produite à la borne 31 • Cette tension électrique 25 est appliquée à la base du transistor 68 (qui, avec le transistor 70, constitue un transistor composé de type PÏÏP comme cela est bien connu).Un courant électrique d'intensité sensiblement constante est produit dans la résistance d'émetteur 72 et est appliqué par l'intermédiaire de la résistance 60 à 30 la diode 62. Un courant électrique correspondant est appliqué par l'intermédiaire du transistor 64 et du transistor à base commune 66 aux trajets de courant électrique de diode de l'alimentation de tension électrique de référence. Le courant électrique est fourni à des diodes de polarisation 54 et 56 35 par l'intermédiaire du trajet de source à drain du d ^positif 52. L'électrode de substrat du dispostif 52 est connectée 71 39382 10 2112446 à la "borne 25, de sorte que le dispositif 25 est polarisé pour la conduction. Initialement, le courant est également fourni par l'intermédiaire de la diode 58 de façon a déclencher l'écoulement de courant électrique dans la diode 62 et dans 5 le transistor 64. Cependant en fonctionnement normal, la diode 58 est polarisée inversement et ne contribue pas au courant électrique dans la diode 62. Dans un agencement tel que celui qui est représenté sur la figure 2 , la différence de tension électrique désirée, 10 compensée en température, entre les bornes 19 et 31 peut être obtenue en réalisant par fabrication le transistor connecté en diode 36 avec une surface de base-émetteur effective cinq fois plus grande que celle du transistor 34 ( c'est-à-dire que l'intensité du courant électrique de la diode 36 est cinq fois 15 plus grande que celle du transistor 34)* Dans cet agencement, les diodes 38, 40, 42, 44 et 48 sont sensiblement identiques les unes aux autres. Le transistor 50 est semblable à la diode 48 mais possède une surface effective de base-émetteur onze fois plus grande que celle de la diode 48. La diode 46 est fabriquée 20 de façon similaire à la diode 48 mais possède une surface effective de base-émetteur six fois plus grande que celle de la diode 48. On peut voir ainsi que l'intensité du courant électrique dans les diodes- 38, 40, 42 et 36 sera sensiblement éga3e auxcinq 25 sixièmes de l'intensité du courant électrique fourni par la source 27. Le courant électrique de collecteur du transistor 3-4 aura une intensité égale à un sixième de celle de la source 27. Le courant électrique de collecteur du transistor 34, constituant onze parties (c'est-à-dire les onze douzièmes) s'écoulera dans le 30 transistor 50 pendant qu'une partie s'écoulera dans les diodes 44, 46 et 48. Le courant électrique dans les diodes 38, 40, 42 et 36 dans un tel agencement sera sensiblement soixante fois plus intense que celui existant dans les diodes 44, 46 et 48. En outre, comme la diode 46 a une surface six fois plus grande 35 que la surfacecfes autres diodes dans ce trajet, sa densité de courant électrique sera égale à un sixième de celle des diodes 71 39382 " 2112446 44 et 48. La tension électrique dans la diode 46 sera plus faible de façon correspondante conformément à l'équation de la diode. L'effet combiné de la différence de surface des divers dispositifs et du courant électriquê réduit dans le second 5 trajet produit la tension électrique de sortie stabilisée désirée d'approximativement 1,2 V à la borne 31. L'agencement décrit ci-dessus utilise avantageusement les caractéristiques de circuits intégrés. Ceci signifie que les dispositifs représentés peuvent être facilement fabriqués par 10 un© série d'opérations de traitement normalisées sans la nécessité d'un dopage spécial des matières pour obtenir des différences entre les tensions électriques dans les diodes dans les deux trajets de courant électrique. Il est à noter que le potentiel de fonctionnement, appliqué 15 à la borne 25 sur la figure 2, est négatif par rapport à la borne de mise à la masse 18 en produisant ainsi une tension électrique de référence de sortie négative entre les bornes 31 et 19. Le potentiel de fonctionnement, appliqué à la borne 24 de la figure 1, est positif en produisant ainsi une tension 20 électrique de référence positive entre les bornes 30 et 18. Les configurations, représentées sur les figures 1 et 2, ne sont pas limitées aux tensions électriques représentées et peuvent être utilisées avec des sources de potentiel soit positives ou négatives, connectées de façon appropriée. Similairement, des 25 modifications jsuvent être apportées aux types (ïïPïf ou PHP) des transistors connectés en diodes et à leurs interconnexions. Diverses modifications supplémentaires peuvent aussi être exécutées dans le cadre de cette invention. Bien que, dans le mode de réalisation de la figure 1, la 20 valeur de ^ ^ ^ pour chacune des diodes dans le premier trajet de courant électrique et la valeur de ^eQ pour chacune des diodes dans le second trajet de courant électrique ont été supposées être égales pour simplifier la dérivation ou l'analyse mathématique, les résultats seraient les même si 35 chacune des diodes dans les premier et second trajet&de courant électrique avait des tensions électriques différentes ) 71 39382 2112446 dans celles-ci. Une autre manière d'exprimer la tension électriquede sortie ou de référence est la suivante : Yo ~ Ybeo (1) + Vbeo (1)2 \eo (2)2 + + Ybeo (1)n ^®°(2^ &) où ; V^eo - la tension électrique dans la diode connectée à l'électrode de base-émetteur du transistor dans le premier trajet de courant électrique, et 10 V - V beo 0) beo (2) , etc = la différence de tension électrique entre les diodes supplémentaires dans les premier et second trajeiede courant électrique. On notéra également que les agencements décrits ci-dessus ^ ^ utilisent chacun des dispositifs actifs connectés en série entre les bornes d'alimentation, les circuits sont relativement insensibles à des variations de 3atension électrique d'alimentation. En outre à cause de l'absence de résistances dans les circuits déterminant la tension électrique de sortie, la dissipation 2q est relativement faible. Seul un potentiel d'alimentation relativement bas est nécessaire. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisations décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple.En particulier, elle comprend tous 2ç- les moyens constituant des équivalents techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées selon l'esprit de l'invention et mises en oeuvre ilans. le cadre des revendications qui suivent. 71 39382 13 2112446 R E V_E OICAIIQI S 1. Dispositif formant source de tension électrique de référence du type comportant un premier et un second trajets de courant électrique contenant chacun au moins un dispositif redresseur à semi-conducteur, par lesquels trajets, des courants 5 électriques séparés d'intensité sensiblement constante sont amenés à s'écouler et une source desdits courants électriques séparés combinés d'intensité sensiblement constante à laquelle sont connectées des premières extrémités desdits trajets, un potentiel de référence auquel sont connectées les secondes extrémités des-10 dits trajets, ladite source de tension électrique de référence étant prévue entre des points situés le long desdits trajets et étant caractérisée par un amplificateur à gain de courant électrique déterminé, ledit amplificateur ayant son entrée et sa sortie connectées dans des trajets séparés parmi lesdits premier et 15 second trajets de courant électrique, de sorte que le rapport desdits courants électriques séparés d'intensité sensiblement constante est déterminé. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'amplificateur précité comporte un autre dispositif redres- 20 seur à semi-conducteur dans le premier trajet de courant électrique précité et comporte un transistor, les électrodes respectivement de base et d'émetteur dudit transistor étant respectivement connectées à ladite première et à une seconde extrémités dudit autre dispositif redresseur à semi-conducteur, 25 l'électrode d'émetteur dudit transistor étant connectée au potentiel de référence précité tandis que le collecteur dudit transistor est connecté dans le second trajet de courant électrique précité. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que 30 des courant électriques passant par les premier et second trajets précités, sont choisis de façon que la somme des changements des tensions électriques en fonction de la température des dispositifs redresseurs précités dans ledit premier trajet soit sensiblement égale à la somme des changements de tension électrique 71 39382 U 2112446 en fonction de la température desdits dispositifs redresseurs dans ledit second trajet. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que la source précitée est agencée de façon à produire 5 un courant électrique d'intensité constante sensiblement indépendant de la température 5. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en que le nombre de dispositifs redresseurs dans le premier trajet précité, comprenant ledit autre dispositif, est plus grand 10 que le nombre de dispositifs redresseurs dans le second trajet précité. 6. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que tous les dispositifs redresseurs précités sont fabriqués dans la même matière, la tension électrique de 15 référence précitée étant sensiblement égale à n fois la tension électrique d'intervalle ou d'écart de bande pour ladite matière, n désignant la différence entre les nombres de dispositifs respectivement dans les premier et second trajets précités- 20 7. Dispositif selon la revendication 6,caractérisé en ce qu'il comprend en outre un second transistor ayant des électrodes respectivement de base et d'émetteur connectées aux bornes de l'un des dispositifs redresseurs précités du second trajet précité et ayant des caractéristiques de conduction liées 25 proportionnellement par rapport audit dispositif ainsi qu'une électrode de collecteur connectée à un autre desdits dispositifs redresseurs dans ledit second trajet pour dévier du courant électrique à partir dudit second trajet. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce 30 que le transistor précité et l'autre dispositif redresseur précité SDit fabriqués - en tant que transistois d'un type de conductivité et le second transistor précité et les dispositifs redresseurs restante sont fabriqués sous forme de transistors identiques du type opposé de conductivité, chacun desdits 35 dispositifs redresseurs grant une électrode de collecteur reliée en court-circuit à une électrode de base. 71 39382 2112446 9. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le transistor précité et l'autre dispositif précité sont en corrélation mutuelle telle que le courant électrique de collecteur dudit transistor constitue une fraction prédéterminée du 5 courant électrique dans ledit autre dispositif. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens pour connecter la source de courant électrique précitée à l'électrode de collecteur du transistor précité pour produire un courant électrique stabilisé 10 en température à partir de.ladite source de tension électrique de référence. 11. Système formant circuit à tension électrique de référence utilisable dans l'un des premier et second trajets de courant électrique précité du dispositif selon l'une des revendications 15 précédentes, du type comportant des première et seconde bornes entre lesquelles une tension électrique de référence est développée en réponse à un écoulement de courant électrique et une combinaison en série d'au moins un premier et un second dispositifs redresseurs à semi-conducteur connectés entre lesdites 20 première et seconde bornes, ledit premier dispositif redresseur à semi-conducteur ayant sa première extrémité directement connectée à ladite première borne et sa seconde extrémité connectée audit second dispositif redresseur à semi-conducteur, caractérisé par un transistor ayant ses électrodes respectivement d'émetteur et 25 de base respectivement connectées directement auxdites première et seconde extrémités dudit premier dispositif progresseur à semiconducteur et ayant son électrode de collecteur connectée à ladite seconde borne.