FR 2131992 A1 19721117 FR 7207619 A 19720229 72 07619 1 2131992 La présente invention concerne les structures semiconductrices intégrées et monolithiques ainsi que leur fabrication et, plus particulièrement, un dispositif monolithique dans lequel des charges sont créées, maintenues et transportées dans le corps semiconducteur sans que des jonctions P-N soient 5 nécessaires. Il a été récemment fait état, dans diverses techniques, de dispositifs semiconducteurs, sans jonctions P-N fixes, qui utilisent la propriété du matériau semiconducteur lui-même, ainsi que des électrodes appropriées situées à la surface du dispositif, pour transporter des charges au travers du corps 10 de ce dernier. Le principe de fonctionnement de ces dispositifs originaux est décrit ci-après: L'application de trois tensions, déphasées et de même intensité, à un corps monolithique fait d'un matériau semiconducteur d'un unique type de 15 conductivité, crée, à l'intérieur de ce corps, trois régions d'appauvrissement différentes bien définies ayant trois intensités de champ différentes correspondant aux trois tensions qui lui sont appliquées, et lorsque des charges sont introduites dans ces régions, ces charges sont transportées au travers du corps d'une façon contrôlée, sous l'influence des tensions créées à l'in-20 térieur de celui-ci. En manipulant de façon appropriée ces trois tensions, ont peut faire circuler de nouveau les charges dans le corps ou les emmagasiner ou encore retarder leur déplacement au travers de ce dernier. La présente invention a pour objet de fourni run dispositif semiconducteur à charges couplées comportant des régions constituées par un matériau 25 conducteur ayant un premier travail de sortie, et connectées par intermittence à des bandes conductrices ayant urv second travail de sortie substantiellement différent du premier, Cle travail de sortie, ou travail d'extraction correspondant à l'énergie consommée par un électron pour sortir d'un matériau). La présente invention permet donc de réaliser facilement un dispositif semicon-30 ducteur susceptible d'être utilisé en tant qu'élément de mémoire et ayant une densité et des vitesses de fonctionnement supérieures à celles de mémoires de l'art antérieur. Ces avantages particuliers sont réalisés dans la présente invention en formant une couche isolante, comportant des nervures, à la surface du corps semiconducteur et en formant entre ces nervures des rangées 35 de dépôts intermittents d* un matériau ayant un travail de sortie choisi et, en recouvrant partiellement ces dépôts, d'électrodes métalliques ayant la forme de bandes qui traversent les nervures et connectent ensemble les rangées parallèles de dépôts. Les électrodes ont un travail de sortie qui est sensiblement différent de celui des dépôts de façon à faire varier les 40 régions d'appauvrissement à l'intérieur du corps du dispositif et d'obtenir 72 07619 2 2131992 une région d'appauvrissement étagée. Le dispositif de l'invention peut également être utilisé en tant que ligne à retard. La présente invention décrit en particulier un dispositif semiconducteur à charges couplées composé seulement de quatre matériaux différents qui 5 peuvent être formés simplement. L'invention permet donc de fabriquer facilement le dispositif en évitant les difficultés afférentes aux procédés connus dans l'art antérieur et elle est compatible avec les techniques actuellement employées pour réaliser des circuits intégrés. Lorsqu'il est employé en tant que réseau de registres à décalage et incorporé à une mémoire, le dispo-10 sitif de la présente invention est capable d'effectuer des opérations de lecture et d'écriture à grande vitesse, possède une vitesse de transfert élevée et une grande efficacité, et récupère rapidement après les opérations de lecture et d'écriture. Il peut également être utilisé en tant que ligne à retard et peut transférer des charges dans un même dispositif dans des 15 directions opposées. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. La figure 1 représente une vue partielle en perspective d'un dispositif 20 utilisant la présente invention. La figure 2 est une coupe du dispositif de la figure 1 prise selon les lignes 2-2. La figure 3 représente les trains d'impulsions de tension appliqués au dispositif de la figure 1. 25 Les figures 4A et 4B sont des coupes du dispositif de la figure 1 prises selon les lignes 4-4 et illustrent de façon schématique la direction dans laquelle circule la charge dans une partie du dispositif. Les figures 5A et 5B sont des coupes du dispositif de la figure 1 prises selon les lignes 5-5 et illustrent de façon schématique la direction dans 30 laquelle circule la charge dans une partie du dispositif adjacente à celle représentée sur les figures 4A et 4B. La construction et le fonctionnement d'un réseau de registres à décalage utilisant le dispositif de la présente invention sont décrits ci-après à l'aide des différentes figures. 35 On a représenté sur les figures 1 et 2 un corps monocristallin en matériau semiconducteur, tel que du silicium de type N, ayant de préférence une résis-tivité de 10 à 20 ohms-cm [un matériau semiconducteur de conductivité de type opposé pourrait également être utilisé}. Une série de nervures 11, en matériau isolant approprié quelconque, 40 tel que du dioxyde de silicium, du nitrure de silicium, etc..., sont formées 72 07619 3 2131992 à la surface du corps 10 afin de définir une série de tranchées pratiquement parallèles 12, 13 et 14. Si les nervures 11 sont en dioxyde de silicium, leur épaisseur doit être d'environ 8000 A. L'un des procédés qui peuvent être employés pour former ces nervures consiste à faire croître une couche de dioxyde de silicium d'une épaisseur appropriée à la surface du corps 10 et, à l'aide de techniques classiques de masquage et de décapage, à retirer le matériau dans des régions choisies afin de ne laisser subsister que les nervures 11 à la surface du corps 10. Si le dispositif doit être utilisé en tant que réseau de registres à décalage, il peut être souhaitable que le décapage des nervures 11 soit effectyé de telle sorte que chacune des tranchées soit interconnectée à ses extrémités opposées aux tranchées adjacentes de façon à obtenir une configuration analogue à un pliage accordéon. Une fois cette configuration obtenue, chaque tranchée se trouve séparée sur la presque totalité de sa longueur des tranchées adjacentes par une nervure. Après la formation des nervures 11, une mince couche isolante 16, ayant une épaisseur d'environ 500 A, est déposée à l'aide d'une technique classique quelconque sur le lit de chaque tranchée 12. Une série de dépôts intermittents de films conducteurs 15 est ensuite formée dans les tranchées 12 à la surface de la couche 16. Les films 15 peuvent être formés par pulvérisation, évaporation ou à l'aide de toute autre technique connue, et peuvent être constitués par un matériau conducteur quelconque tel que du hafnium, du platine, de l'argent, de l'or, voire même un matériau semiconducteur fortement dopé tel que du silicium contenant une quantité suffisante d'un dopant connu pour augmenter sa conductivité et réduire sa résistivité. Ces films 15, peuvent être formés en recouvrant la totalité de la surface du corps semiconducteur du matériau choisi, puis en retirant par décapage les régions indésirables du matériau de telle sorte que seuls les films intermittents 15 demeurent dans les tranchées 12, 13 et 14 et présentent une configuration analogue à celle d'un damier, comme le montre la figure 1. Des électrodes conductrices 18a, 18b, 18c, 18d et 18e ayant la forme de bandes sont alors formées à la surface du corps 10 à l'aide d'un procédé classique, par exemple par évaporation, masquage ou décapage. Ces électrodes sont de préférence disposées en travers de la série de nervures 11 et des tranchées 12, 13 et 14.de façon à former avec celles-ci des angles approximativement droits, et chacune d'elle est disposée de telle manière qu'un bon contact électrique soit établi avec l'un des films 15 dans chaque tranchée. Des conducteurs 19 sont ensuite formés à l'aide de techniques classiques sur chaque électrode de telle sorte que.des signaux électriques puissent 72 07619 4 2131992 être appliquée à cette dernière. Conformément à la présente invention, le matériau choisi pour réaliser les électrodes 18a et 1Be est fonction du matériau préalablement choisi pour réaliser les films 15, c'est-à-dire que le matériau choisi pour réaliser les Électrodes 18a à 18e doit avoir un travail de sortie qui ne soit pas simplement supérieur ou inférieur à celui du matériau choisi pour réaliser les films 15, mais en diffère substantiellement. □ans une réalisation de l'invention, les films 15 sont en hafnium et ont une épaisseur d'environ 1000 A°. Les électrodes 18a, 18b, 18c et 18d sont en platine et ont une épaisseur d'environ 3000A. □n notera que, comme le montre la figure 1, les films 15 déposés dans chaque tranchée 12 sont décalés par rapport à ceux situés dans les tranchées adjacentes. En disposant les films 15 de cette manière, et en établissant un contact entre chaque électrode et un film 15 dans chaque tranchée, il suffit de deux impulsions de tension distinctes pour transférer les charges au travers du corps semiconducteur. Cette disposition des films et des électrodes a d'autre part pour effet de contraindre les charges à se déplacer dans le corps semiconducteur dans des directions opposées dans des tranchées adjacentes. La figure 3 ainsi que les figures 4A, 4B, 5A et 5B permettront de mieux comprendre les caractéristiques du dispositif ainsi que son fonctionnement. Les figures 4A et 4B sont des coupes de la tranchée 12 du dispositif de la figure 1, et les figures 5A et 5B sont des coupes de la tranchée 13. La figure 3 représente une paire de trains de tensions 20 et 21 ayant respectivement des tensions de pointe V-1 et V-2 (V-1=V-2). Pendant le fonctionnement du dispositif, des électrodes ou bandes alternées sont couplées ensemble: par exemple la bande 18a est connectée aux bandes 18c et 18e, et la bande 18b est connectée à la bande 18b, de telle sorte que chaque tension soit simultanément appliquée à plus d'une électrode. Dans le cas de la réalisation décrite, ces trains de tensions 20 et 21 sont essentiellement des impulsions négatives à ondes carrées ayant des temps de chute considérablement plus rapides que leurs temps de montées chaque impulsion a un temps de chute de 30 nanosecondes et un temps de montée de 150 nanosecondes. Comme le montre la figure 3, les trains 20 et 21 sont déphasés d'environ 180°. La création de trains d'impulsion de tension négativesayant les temps de montée et de chute désirés ne présente évidemment pas de problèmes pour l'homme de l'art. Il convient d'observer ici que, si le corps 10 était en matériau de type P et non en matériau de type N, des tensions positives seraient utilisées au lieu de tensions négatives. Les figures 4A, 4B et 5A, 5B représentent des coupes transversales 72 07619 5 2131992 idéalisées d'une partie du dispositif de la figure 1 prises respectivement selon les lignes 4-4 et 5-5 et montrent les régions d'appauvrissement formées dans le corps semiconducteur 10 à des instants choisis pendant l'application des trains de tensions 20 et 21. 5 Initialement, des porteurs de charge minoritaires, c'est-à-dire en l'occurrence des trous, sont injectés à l'aide de moyens classiques [non représentés) dans le corps 10. On supposera que la présence de telles charges dans le corps 10 représente un "1" en langage binaire et leur absence un "0". 10 A l'instant T-0, aucune polarisation n'est appliquée aux électrodes et le dispositif tout entier se trouve au potentiel de masse. A l'instant T-1, le train d'imDulsions 20 8st appliqué aux électrodes 10a, 18c et 10e, dont le potentiel commence à décroître vers la tension V-1. A l'instant T-2, la tension V-1 est appliquée à ces électrodes. L'application de cette 15 tension V-1 aux électrodes 18a, 18c et 18e ainsi qu'aux films 15 dans chaque tranchée, avec lesquels elles sont en contact électrique intime et satisfaisant, crée des régions d'appauvrissement étagées dans le-corps semiconducteur, comme on le verra plus -loin. Dans un but de clarté, les films situés dans la tranchée 12 sont référencés 15a, 15b, 15c, 15d et 15e, et ceux qui sont 20 situés dans la tranchée 13 sont référencés 15f, 15g, 15h, 15m et 15n. Les régions d'appauvrissement étagées ainsi créées dans le corps semiconducteur se produisent, pour chaque tranchée, au-dessous de la combinaison électrode-film. Ainsi, dans le cas de la tranchée 12 représentée sur la figure 4A, trois régions d'appauvrissement à deux étages 23, 24 et 25 apparaissent 25 dans le corps semiconducteur, la région 23 se trouvant au-dessous du film 15a et de l'électrode 18a, la région 24 au-dessous du film 15c et de l'électrode 18c, et la région 25 au-dessous du film 15e et de l'électrode 18e. Simultanément, dans le cas de la tranchée 13 représentée dans la figure 5A, trois régions d'appauvrissement à deux étages 26, 27 et 28 apparaissent 30 dans le corps semiconducteur, la région 26 se trouvant au-dessous de l'électrode 18a et du film 15f, la région 27 au-dessous de l'électrode 18c et du film 15h, et la région 28 au-dessous de l'électrode 18e et du film 15n. Ces régions d'appauvrissement sont étagées en raison des travaux de sortie différents des matériaux choisis pour réaliser les films et les êlec-35 trodes. Etant donné» que dans l'exemple cité, les films 15 sont en hafnium et les électrodes 18 en platine, et que le substrat est du type N, la région d'appauvrissement située au-dessous des films pénétre moins profondément dans le corps semiconducteur que celle située au-dessous des électrodes parce que le travail de sortie du matériau constituant les films est faible 40 alors que le travail de sortie du matériau constituant les électrodes est 72 07619 B 2131992 élevé. Cette différence entre les profondeurs de la région d'appauvrissement située au-dessous des différents matériaux est dus au fait bien connu que, dans le cas d'un semiconducteur, un matériau ayant un travail de sortis faible possède une tension de seuil élevée, alors qu'un matériau ayant un travail de sortie élevé présente une tension de seuil plus basse. Cela signifie qu'il est plus difficile d'inverser le semiconducteur au-dessous du matériau ayant un travail de sortie faible qu'au dessous du matériau ayant un travail de sortie élevé. De ce fait, lorsqu'une même tension est simultanément appliquée aux deux matériaux, la région d'appauvrissement créée dans le corps semiconducteur au-dessous du matériau qui possède un travail de sortie élevé pénétre plus profondément dans ce corps que la région d'apoauvrissement créée au-dessous du matériau dont le travail de sortie est faible. Toutefois, dans le cas d'une inversion des matériaux (si, par exemple, les films sont en platine et les électrodes en hafnium), les régions d'appauvrissement sont inversées par rapport à celles représentées sur les figues 4A et 5A. Si l'on modifie la conductivité du corps 10, la situation est évidemment de nouveau inversée. Lors de l'application, a l'instant T-2, de la tension V-1 aux électrodes 18a, 18c et 18e, on peut simultanément injecter les charges, représentées à titre d'illustration uniquement par des croix 22, à l'aide d'un moyen approprié quelconque, tel que des diodes P-N (non représentées), dans la partie gauche de la tranchée 12 à proximité de la région 23, et dans la partie droite de la tranchée 13 à proximité de la région 28, et ces charges, en raison des chamos électriques existant dans les régions d'appauvrissement 23 et 28, émigreront vers la région dont l'intensité de champ est la plus élevée. En l'occurrence, elles émigrent yers les parties des régions 23 et 28 qui se trouvent au-dessous des électrodes 18a et 18e. Le temps que mettent les charges injectées 22 pour parvenir, depuis la région dans laquelle elles sont injectées, à leur destination finale sous les films respectifs, n'est limité que par leur mobilité et par l'intensité du champ existant dans chacune des régions d'appauvrissement 23 et 28. Ces charges 22 peuvent éventuellement être emmagasinées à cet endroit pendant un intervalle de temps fini correspondant au temps nécessaire pour engendrer les charges dans le matériau particulier employé. On sait que ce dernier temps est fonction de la résistivité du corps 10 et des champs engendrés dans ce corps par les tensions appliquées aux électrodes. Le temps nécessaire pour engendrer les charges transportées devient critique, non pas en raison du fait que les charges emmagasinées disoaraissent, mais parce que des charges indésifrables sont emmagasinées et remplissent 72 07619 7 2131992 les régions d'appauvrissement qui étaient laissées vides afin de représenter un "0" binaire. Lorsque ces puits vides sont remplis par de telles charges, ils indiquent à tort un "1" binaire. Le temps d'emmagasinage du dispositif est donc limité par le temps mis pour engendrer ces charges indésirables 5 et il devient nécessaire de lire, de détruire et de régénérer de façon continue les informations emmagasinées afin d'empêcher la création de signaux erronés. La présence des charges injectées 22 au-dessous des électrodes 18a et 18e modifie le profil de chaque région d'appauvrissement, engendrée par l'application de la tension V-1, en repoussant la marche la plus profonde 10 de chaque région d'appauvrissement vers l'interface oxyde-corps semiconducteur. Lorsque toutes les charges injectées 22 sont accumulées sous les électrodes 18a et 18e, la partie inférieure de la région d'appauvrissement la plus profonde remonte jusqu'au niveau indiqué par la ligne pointillée 30. A l'instant T-3, la totalité des charges injectées 22 a été réunie sous 15 les électrodes 18a et 18e et le train de tensions 21 est appliqué aux électrodes 18b et 18d, dont le potentiel commence à décroître vers la tension V-2. A l'instant T-4, la tension V-2 est appliquée aux électrodes 18b et 18d et crée des régions d'appauvrissement étagées 30, 31, 32 et 33 dans le corps semiconducteur au-dessous des électrodes 18b et 18d, comme le montrent les 20 figures 4B et 5B, ces régions étant analogues à celles obtenues lors de l'application du train de tensions 20 aux électrodes 18a, 18c et 18e. Comme le montre la figure 3, le train de tensions 20 à cet instant T-4 commence à croître, de sa valeur négative V-1, vers le potentiel de masse. Les temps de chute des impulsions des trains de tensions 20 et 21 sont 25 inférieurs à leurs temps de montée. Ainsi, à l'instant T-5,la tension V-2 du train 21 est appliquée aux électrodes 18b et 18d, mais le train de tension 20 n'a pas encore atteint le potentiel de masse. Cette combinaison des trains 20 et 21 crée dans le corps 10 quatre régions d'appauvrissement étagées, représentées sur les figures 4B et 5B. 30 A cet instant T-5, l'intensité de champ la plus élevée existe sous les électrodes 18b et 18d respectivement afférentes aux tranchées 12 et. 13, et les charges 22 émigrent vers les régions situées au-dessous de ces électrodes. La migration de ces charges 22 depuis les régions d'appauvrissement 23 et 28 vers les régions d'appauvrissement adjacentes 30 et 33, auxquelles 35 elles sont respectivement connectées, commence après que les régions 30 et 33 aient atteint leur intensité maximum et que l'intensité des régions 23 et 28 ait commencé à diminuer. Les charges 22 sont en fait déversées dans les régions 30 et 33 depuis les régions 23 et 28, respectivement, et sont respectivement transportées par le champ existant dans le corps 10, 40 depuis les régions situées au-dessous des électrodes 18a et 18e, aux régions 72 07619 8 2131992 situées au-dessous des électrodes 18b et 18d en passant par les régions situées au-dessous des films 15b et 15m. Etant donné que les parties des régions d'appauvrissement 23 et 28 respectivement situées au-dessous des films 15a et 15n ont à présent des 5 champs d'intensité nettement plus faible, les charges 22 ne peuvent pas revenir en arrière. Dans ces conditions, les charges 22 dans la tranchée 12 émigrent vers la droite, et simultanément les charges 22 dans la tranchée 13 émigrent vers la gauche. 10 A l'instant T-6, la tension V-2 du train 21 est toujours appliquée aux électrodes 18b et 18d, le train de tension 20 commence à décroître depuis le potentiel de masse vers sa valeur de pointe V-1, et la séquence recommence. A l'instant 1-7, le train de tensions 20 atteint de nouveau la valeur de pointe V-1 et le train de tensions 21 commence à croître, depuis sa valeur 15 de pointe V-2, vers le potentiel de masse. A l'instant T-8, le train de tensions 20 est toujours à sa valeur de pointe V-1, cependant que le train 21 n'a pas encore atteint le potentiel de masse. Les charges 22 sous les électrodes 18b et 18d se sont donc déplacées de l'espace d'une électrode jusqu'à la région située au-dessous de l'électrode 16c, dans chacune des 20 tranchées 12 et 13, en raison des intensités de champ différentes des régions d'appauvrissement. A l'instant T-9, le train de tensions 21 recommence à décroître vers la tension V-2 et le cycle a atteint un point correspondant à celui atteint à l'instant T-3. La répétition de ce cycle a pour effet de continuer à trans-25 férer les charges 22 dans le corps 10 par suite de la création et de la suppression alternées de régions d'appauvrissement dans ce dernier. Il doit être bien entendu que si les matériaux utilisés dans cette réalisation et décrits ci-dessus étaient inversés, la forme des régions d'appauvrissement serait également inversée, de même que la direction dans 30 laquelle se déplacent les charges. Si les films 15 étaient en platine et les électrodes en hafnium, les charges se déplaceraient dans des directions opposées à celles indiquées ci-dessus. Conformément à l'invention, d'autres matériaux tels que le fer, le chrome, l'or, le molybdène etc... pourraient également être utilisés pour 35 réaliser les électrodes ou les films. Un certain nombre de matériaux préférés ainsi que leur travail de sortie sont indiqués dans le tableau ci-après, étant entendu que chaque fois qu'un matériau donné est choisi pour réaliser les films 15, il convient d'utiliser, pour réaliser les électrodes, un autre matériau ayant de préférence un travail de sortie aussi différent que possible de celui de l'autre matériau; c'est-i 40 72 07619 9 2131992 à-dire que le travail de sortie du matériau choisi pour réaliser le film 15 devrait être nettement plus élevé ou nettement moins élevé que le travail de sortie du matériau choisi aux fins des électrodes 18a, 18b, 18c 18d et 18e. Par exemple, si l'on choisissait le chrome, dont le travail de sortie § est de 4,38, pour réaliser le film 15, le fer ne constituerait pas un matériau convenable pour réaliser les électrodes 18a à 18e étant donné que son travail de sortie de 4,40 est pratiquement le même que celui du chrome, et il conviendrait de choisir soit un matériau ayant un travail de sortie netteoent moins élevé, tel que le béryllium, le zirconium, le hafnium, le magnésium ou le 10 plomb, soit un matériau ayant un travail de sortie nettement plus élevé tel que le platine. Valeur préférée du travail de Element sortie en électron-volts 15 Aluminium 4,25 Béryllium 3,10 Chrome 4,38 Cuivre 4,46 Germanium 4,75 20 Or 4,46 Hafnium 3,5 Fer 4,40 Plomb 3,94 Magnésium 3,58—3,78 25 Manganèse 4,14 Molybdène 4,48 Nickel 4,32 Platine 5,36 Rhodium 4,52 30 Ruthanium 4,52 Sélénium 4,42 Silicium 4,2 Argent 4,47 Tantale 4,25 35 Tellure 4,70 Etain 4,09—4,64 Titane 4,14 Tungstène 4,38 Zinc 4,00 40 Zirconium 3,60 On notera que, pour des raisons pratiques, certains matériaux, tels 72 07619 10 2131992 qus le mercure et le gallium, ne figurent pas dans le tableau ci-dessus. En effet, ces matériaux ne sauraient être utilisés en raison du fait que leur point de fusion est bas. D'autres matériaux, tels que le sodium, le phosphore, le lithium ou le cérium, ne figurent pas non plus dans le tableau 5 bien que leur travail de sortie soit faible et par conséquent souhaitable, car ils sont susceptibles d'endommager le corps semiconducteur 10 à moins que des précautions particulières, comportant l'utilisation de procédés de masquage et/ou de matériaux spéciaux, ne soient prises pour protéger la surface semiconductrice. Ces matériaux indésirables peuvent évidemment 10 être employés à la condition de prendre de telles précautions et se trouvent par conséquent dans le champ d'application de la présente invention. Lorsqu'elles atteignent les extrémités de la tranchée dans laquelle elles ont été transportées, les charges peuvent être détectées par n'importe quel moyen commode. Une fois détectées, elles peuvent être mesurées et/ou 15 régénérées. Par ailleurs, si l'on désire transférer les charges autour des extrémités des nervures 11, il est évident que les films et les électrodes peuvent être disposés de manière à obtenir un tel résultat. Le transfert des charges autour de l'extrémité des nervures, ainsi que des moyens de détection appropriés sont décrits dans la demande de brevet français n° 20 71 38333 déposé en France par la demanderesse le 19 Octobre 1971. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées è un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles 25 sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. 72 07619 11 2131992 REVENDICATIONS 1.- Dispositif semiconducteur à charges couplées du genre comprenant: un corps semiconducteur; une couche isolante sur une surface dudit corps; 5 des dépôts espacés d'un premier matériau sur ladite couche; des dépôts espacés d'un second matériau sur ladite couche, chaque dépôt du second matériau étant en contact avec un dépôt adjacent du premier matériau, ce dispositif étant caractérisé en ce que: le travail de sortie du premier matériau est substantiellement différent 10 de celui du second matériau; et en ce qu'il comporte des moyens permettant d'appliquer une tension à l'un des matériaux afin de créer dans le corps semiconducteur des régions d'appauvrissement à niveaux multiples. 2.- Dispositif semiconducteur à charges couplées ayant un système d'élec-15 trodes, régulières et ne se croisant pas, couplé à un corps semiconducteur du genre comprenant: un corps semiconducteur, une couche isolante à nervures déposée à la surface du corps, une série de bandes conductrices formées sur ladite couche isolante, 20 ce dispositif étant caractérisé en ce que les bandes sont séparées par des régions intermittentes et les recouvrent, ces régions étant constituées par un premier matériau ayant un travail de sortie différent de celui du second matériau constituant les bandes, de telle sorte que lors de l'application de trains de tensions aux bandes, des régions d'appauvrissement 25 étagées soient formées dans le corps afin de transférer de façon séquentielle des charges au travers de ce dernier. 3.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier matériau comprend du silicium fortement conducteur et le second matériau de l'aluminium. 30 4.- Dispositif selon les revendications 1 ou 3, caractérisé en ce que le dépôt du second matériau est en contact avec un dépôt du premier matériau et est séparé des autres dépôts adjacents du premier matériau. 5.- Dispositif selon les revendications 1 ou 3, caractérisé en ce que les dépôts du second matériau recouvrent une partie d'un dépôt du premier matériau 35 et recouvrent la presque totalité de l'espace compris entre les dépôts 72 07619 12 2131992 adjacents du premier matériau et le dépôt du premier matériau recouvert partiellement. B.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que: la couche isolante comporte une série de nervures définissant une série 5 de tranchées. les dépôts du premier matériau se trouvent dans les tranchées, les dépôts se trouvant dans une tranchée donnée étant espacés entre eux et décalés par rapport aux dépôts contenus dans une tranchée adjacente, et les dépôts du second matériau sont une série de bandes conductrices recouvrant les nervures et les tranchées et font avec celles-ci un angle pratiquement égal à un angle droit, chaque bande de ladite série étant en contact avec un dépôt du premier matériau dans chaque tranchée. 7.- Réseau de registres è décalage semiconducteurs du genre comprenant: un corps semiconducteur, une couche isolante comportant des nervures, déposée sur une surface du corps semiconducteur et définissant une séries de tranchées parallèles, des dépôts intermittents et espacés, faits d'un premier matériau et situés dans les tranchées, le réseau étant caractérisé en ce qu'il comporte en outre: 20 une série d'électrodes s'étendant sur les nervures, et les tranchées, chacune des électrodes étant séparée des autres électrodes adjacentes par l'un des dépôts adjacents et recouvrant un de ces derniers dans chaque tranchée, un bon contact électrique étant établi entre chaque électrode et les dépôts qu'elle recouvre/ et le travail de sortie des électrodes étant 25 substantiellement différent de celui des dépôts, des moyens permettant d'appliquer une tension aux électrodes afin de créer dans ledit corps des régions d'appauvrissement à niveaux multiples de manière à déplacer les informations au travers du corps. B.- Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à charges couplées 30 et à vitesses de transfert élevées, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : formation d'une couche isolante à la surface d'un corps semiconducteur, formation, sur la couche isolante d'une rangée de dépôts intermittents d'un matériau ayant un travail de sortie déterminé, et 35 établissement d'un contact entre les dépôts intermittents et des dépôts d'un matériau ayant un travail de sortie substantiellement différent de celui du matériau constituant les dépôts intermittents. 72 07619 "V3 2131992 9.- Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire semiconducteur à charges couplées et à vitesses de transfert élevées, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : sélection d'un corps semiconducteur, 5 formation d'une série de nervures en matériau isolant sur la surface dudit corps afin de définir une série de tranchées, formation d'une seconde couche isolante dans les tranchées, formation sur la seconde couche isolante, d'une rangée de dépôts, intermittents et espacés, faits d'un premier matériau ayant un travail de 10 sortie déterminé, établissement d'un contact entre les dépôts intermittents et des dépôts d'un second matériau ayant un travail de sortie substantiellement différent de celui du matériau constituant les dépôts intermittents, couplage audit corps de moyens permettant d'injecter des charges dans 15 celui-ci, couplage audit corps de moyens permettant de détecter des charges, et application de trains d'impulsions de tension auxdits dépôts du second matériau afin de créer des régions d'appauvrissement étagées dans ledit corps de manière à transférer de façon séquentielle des charges entre les 20 moyens permettant d'injecter les charges et les moyens permettant de détecter ces dernières.