FR 2134508 A1 19721208 FR 7214695 A 19720425 1 72 14695 2134508 I>a présente invention concerne les dispositifs de commande électroniques, notamment les dispositifs de commande à trois "bornes ayant leurs parties principales constituées d'une matière amorphe» 5 11 est bien connu que les dispositifs de commande électro niques comme les transistors et les diodes, peuvent être fabriquas à partir de semi-conducteurs cristallins comme le germanium, le silicium, le gallium et l'arsenic» Il est généralement admis que .'aptitude de ces matières à conduire un courant électrique 10 est fonction du nombre d'électrons libres dans leurs structures atomiques» les semi-conducteurs possèdent, par conséquent, plus d'électrons libres dans leurs structures atomiques que les isolants comme le verre et d'autres matières amorphes» Les semiconducteurs ont plus de poteurs de charges libres que les conduc-15 teurs comme l'argent, le cuivre, l'or et les autres métaux. Pour fabriquer un dispositif de commande électronique, le semi-conducteur cristallin est dopé ou allié avec des impuretés qui ne se combinent pas parfaitement avec la structure du réseau du semi-conducteur» ^insi, le dopage agrandi la population de 20 porteurs de charges libres dans la matière en créant plus d'électrons libres, ou à titre de variante, des absences diffuses d'électrons de valence normalement appelées trous» En outre, la matière ayant des trous libres est reliée à une matière ayant des électrons libres pour former une jonction p-n au niveau de laquel-25 le l'écoulement des électrons peut être réglé» Un dispositif de commande à trois bornes fabriqué à partir d'un semi-conducteur cristallin, nécessite au moins deux de ces jonctions» On a trouvé par voie expérimentale que la conductance d'une matière amorphe non cristalline, peut être accrue en dirigeant un 50 faisceau d'électrons contre un corps de cette matière tout en imprimant un potentiel au niveau du corps» Cette tentative.pour régler la conductance, nécessite en général, un environnement sous vide pour le coms amorphe et une source d'électrons séparée» De plus, l'émission des électrons à partir de la source dans l'espace 55 sous vide entre la source et le corps, nécessite des quantités relativement importantes d'énergie» Il est également connu que l'écoulement du courant à travers un dispositif semi-conducteur amorphe, peut être réglé, par une électrode de commande qui est en contact intime avec le dis-4-0 positif amorphe (voir par exemple le brevet français n° 1 554-255 ) 2 72 14595 2134508 Les dispositifs décrits dans ce brevet fonctionnent sur ■incipe d'un écoulement de courant réglé à travers le dispositif et, par conséquent, l'électrode de commande est reliée électriquement dans le circuit avec le trajet de courant primai-5 re à travers le dispositif. L'invention crée un dispositif de cor^.ande électronique qui : (1) utilise un sent-conducteur amorphe plutôt qu'un semiconducteur cristallin dans un corps définissant un trajet de courant primaire, ce qui élimine le besoin de paires de jonctions 10 p-n dans le corps, (2) place l'instrument de commande en contact intime avec le serai-conducteur, ce qui supprime la source d'électrons espacée et les besoins de vide des dispositifs de la technique antérieure et (3) réalise la modulation de l'écoulement du courant du trajet primaire par injection de porteurs de charges 15 afin que l'instrument de commande soit séparé électriquement du trajet de courant primaire» En général, le dispositif de comrande de l'invention comprend un corps d'un semi-conducteur amorphe définissant un trajet de courant primaire et un dispositif de commande en contact inti-20 me avec le corps mais séparé électriauement du trajet de courant primaire pour injecter de manière réglable des électrons énergétiques ou chauds dans le corps sous des conditions de puissance$ relativement faibles pour régler la conductance du corps à travers le trajet de courant primaire» On obtient ainsi un dispo-25 sitif de commande à trois bornes ou plus qui est capable de réaliser avantageusement et de manière expéditive, de nombreuses fonctions de cocriande comme décrit ci-après. Le corps du semi-conducteur amorphe de l'invention peut être fabriqué à partir de diverses matières y compris à partir 30 de celles mentionnées dans le brevet français n° 1 396 321. Ces matières comprennent les matières à seuil, c'est-à-dire celles dans lesquelles une modification rapide dans la conductance apparaît à une valeur particulière d'une tension, d'un champ , d'une température, d'un niveau de radintion appliqués, etc..» 35 Ces matières se composent de compositions renfermant (a) 25 % d'arsenic et 75 % d'un mélange à 90 h de tellure et 10 % de germanium « (b) 4-0 % de tellure, 35 % d'arsenic, 18 % de silicium, 6,75 % de germanium, 0,25 % d'indium, et (c) 28 % de tellure, 34-,5 % d'arsenic, 15,5 % de germanium et 22 % de soufre. Le 72 14695 3 2134508 corps peut être fabriqué h partir de matières à mémoire, c'esfe-à-dire celles qui montrent une modification rapide dans la conductance à certain niveau de seuil relativement bien défini comme décrit ci-dessus et où la transition est accompagnée par une 5 transition interne à partir de l'état amorphe vers un état interne plus ordonné, ce dernier état étant maintenu après l'élimination de la quantité influençante. Ces matières à mémoire peuvent être commutées de manière réversible vers l'état initial par une impulsion de courant comme décrit dans le brevet français n° 10 1 396 321. Les dispositifs à matière à seuil nécessitent qu'un courant de maintien d'une certaine valeur minimale apparaisse après la transition vers l'état h conductance élevée en vue de maintenir cet état, tandis que les dispositifs à matière à mémoire ne nécessitent pas de courant de maintien» Des exemples de 1? compositions de meti^res à mémoire sont représentés par des compositions renfermant (a) 15 % de germanium, 81 % de tellure, 2 % d'antimoine, 2 % de soufre et (b) 83 % de tellure et 17 % de germanium» Bien que les matières à mémoire et à seuil mentionnées ci-20 dessus fournissent des caractéristiques de fonctionnement utiles lorsqu'elles sont utilisées afin d'obtenir l'avantage de leurs propriétés remarquables, il y a lieu de remarquer que l'invention n'est pas limitée à l'utilisation de ces matières, des compositions ne possédant oas des caractéristiques de seuil ni des ca-r-~^téristiques de mémoire, peuvent être avantageusement utilisées» •Ses exemples de te les matières sont représentés par le trisul-fure d'arseric et le triséléniure d'arsenic» En outre, les matières qni possèdent les caractéristiques de seuil ou de mémoire, neuvent également être utilisées dans des.gammes qui ne font pas 30 ressortir ces caractéristiques. Dans une forme préférée, l'invention est mise en oeuvre sous la forme d'un dispositif à plusieurs couches comprenant une mince pellicule d'une matière amorphe intercalée entre une première et une deuxième couche d'électrode pour former un trajet 35 de courant primaire à travers la matières amorphe. La structure à plusieurs couches comporte, de plus, un mécanisme d'injection d'électrons comme une diode de cathode froide ou une jonction p-n polarisée de manière inverse qui est suivant une relation d'interface avec la matière amorphe par 1'intermédiaire d'une 4 72.14695 2134508 des électrodes primaires afin que la diode d'injection des électrons soit totalement à l'extérieur du trajet decourant primaire à travers la matière amorphe* La diode de cathode froide peut, par exenvnle, comprendre de minces couches contiguës d'un métal 5 et d'un isolant, l'isolant se trouvant entre l'électrode primaire qui est suivant une relation d'interface par rapport à la diode avec la m^ti-^re amorphe et la source d'électrons provenant de métaux- Un contact est disposé sur la source d'électrons provenant de métaux pour faciliter la liaison à une source de tension 10 afin d'imprimer un champ d'accélération des électrons au niveau de la diode» De cette façon, les électrons sont accélérés depuis la source et traversent la matière isolante et l'électrode primaire dans la matière amorphe où ils se trouvent pendant un certain. temps dans un état énergétique ou chaud. On suppose que 15 les électrons énergétiques injectés dans la matière amorphe, provoquent une augmentation dans l'écoulement des porteurs ce charges afin de moduler la conductance globale de la matière amorphe. En outre, les porteurs de charges injectés peuvent également provoquer des transformations dans les systèmes polymères de matiè-20 res organiques et inorganiques comme des transformations noyaux à chaînes, des transformations chaînes longues en chaînes courtes, 1'appariement donneur-accepteur, la polymérisation ou la fixation de chaînes, l'enveloppement de chaînes, les modifications d'écoulement d'élastomères accompagnées avec ]es effets de chauffage, 25 la cristallisation et d'autres modifications de configuration et de conformation, ce qui a pour effet d'affecter la conductibilité électrique- Comme mentionné dans le brevet français n° 1 396 321 et dans le premier certificat d'addition n° 88 459 de ce brevet 30 français, les matières pouvant être utilisées dans l'invention présentent une sensibilité aux champs électromagnétiques, un rayonnement à diverses longueurs d'ondes, une sensibilité à la température et à la tension appliquée» En conséquence, les dispositifs qui sont décrits ci-après comme des modes de réalisation 35 de l'invention, peuvent être actionnés de diverses manières et avec de nombreuses applications pour répondre à une, deux ou plusieurs sources d'énergie différentes, afin de représenter des dispositifs logiques et d'autres dispositifs pour répondre à plusieurs influences de caractères divers. 4-0 L'invention est représentée, à titrf» d'exemple non limitatif, 72 14695 2134508 aux dessins annexés- La fig- 1 est une coupe d'un mode de réalisation du dispositif de commande de 1'invention- La fig- 2 est un graphique du courant du collecteur en 5 fonction de la tension du collecteur du dispositif de la fig- 1 avec une tension de "base zéro- La fig- 3 est un schéma d'un circuit d'un amplificateur utilisant le dispositif de la fig- 1» La fig- 4- est un graphique de la caractéristique de gain 10 du circuit de la fig- 3. La fig- 5 est une coupe d'un dispositif de commande montrant une modification de structure par rapport à celle du dispositif de la fig- 1* La fig- 6 est une perspective d'une partie représentative 15 d'un réseau à deux dimensions des dispositifs de commande- La fig- 7 est un schéma d'un circuit de commande bi-direc-tionnel utilisant l'invention- La fig- S est un schéma d'un dispositif de commande sensible aux impulsions utilisant l'invention-20 La fig- 9 est un graphique illustrant la réponse de l'in vention aux entrées d'impulsions, dans cette figure on a porté en abscisse le temps désigné par T- à la fig- 1, on a représenté un dispositif de commande électronique 10 à plusieurs couches comprenant une pellicule 12 25 d'une matière isolante normalement amorphe ayant une caractéristique de seuil à conductibilité comme décrit ci-après, et qui est disposée entre des électrodes déposées 14- et 1b. Les électrodes 14- et 16 sont essentiellement parallèles et entourent entre elles pratiquement tout le volume de la pellicule amorphe 12. Bien 30 que l'aluminium puisse être une matière préférée pour fabriquer les électrodes 14- et 16, d'autres matières ayant une bonne conductibilité et un trajet libre moyen relativement long, pour chauffer les électrons, comme le molybdène, peuvent également être employées, le trajet libre moyen long s'appliquant seulement 35 à l'électrode 16. L'épaisseur de l'électrode 16 est approxima- O tivement de 75 à 200 A tandis que l'épaisseur de la pellicule amorphe 12 peut être de l'ordre de 100 fois cette dimension- Les électrodes 14- et 16 définissent un trajet de courant primaire à travers la pellicule isolante 12 normalement amorphe, 72 14595 2134508 ce trajet pouvant être commuté entre un état à résistance élevée et un état à conductibilité élevée conme décrit dans le brevet français n° 1 396 321. L'électrode 14- comporte une borne 18 qui, pour actionner le dispositif 10 est reliée à une source de ten-5 sicin positive et est désignée comme le collecteur du dispositif 10. L'électrode 16 est fabriquée afin de s'étendre latéralement au-delà des limites de la pellicule 12 pour permettre la liaison à une borne 20 qui est appelée ci-après émetteur- Cette borne et l'électrode 16 sont reliées en un point 22 d'un potentiel de 10 référence tel que l'écoulement normal de courant à travers la pellicule 12 ait lieu du collecteur à l'émetteur- Le dispositif 10 comprend de plus, un dispositif pour injecter des électrons énergétiques dans la pellicule amorphe 12. A la fig- 1, ce dispositif d'injection d'électrons affecte la forme 15 d'une diode de cathode froide comprenant une pellicule 24- d'aluminium qui est déposée sur un substrat isolant 26. Entre la pellicule d'aluminium 24- et l'électrode primaire 16, se trouve une mince pellicule 28 d'une matière isolante comme de l'oxyde d'aluminium- La pellicule d'aluminium 24- est reliée au moyen d'une 20 borne 30 à une source de tension négative et est appelée ci-après électrode de commande ou base du dispositif 10. Avec le collecteur 14-, l'émetteur 16 et la base 24- du dispositif 10 reliés aux potentiels indiqués à la fig- 1, un champ est imprimé au niveau de la diode de cathode froide comprenant la pel-25 licule d'aluminium 24- et la pellicule isolante 28 pour provoquer l'accélération des électrons depuis la pellicule d'aluminium 24-qui agit comme une source d'électrons vers l'émetteur 16. Etant donné que la couche isolante 28 est raince, de l'ordre de 75 à 200 A, un certain pourcentage des électrons énergétiques qui sont 30 émis à partir de la couche d'aluminium 24-, traverse la couche isolante 28 et passe à travers l'électrode mince 16 vers la pellicule de matière amorphe 12. Les électrons qui pénètrent dans la pellicule de matière amorphe 12 sont des électrons chauds, c'est-à-dire qu'ils existent dans un état énergétique qui est en 35 dehors de l'équilibre d'énergie avec le reste de la pellicule de matière amorphe 12. L'injection de ces électrons énergétiques dans la pellicule de matière amorphe 12, augmente d'une manière appréciable la population des porteurs de charges et produit une augmentation marquée dans la conductance de la pellicule amorphe 7 72 14695 2134508 entre les électrodes nrinaires 14- et 16. Cet effet décroît lorsque le potentiel négatif de la base est retiré, le taux de décroissance étant fonction de la température- En tenant compte de l'explication donnée ci-dessus, le dispositif 10 de la fig- 1 5 peut représenter un dispositif analogique, un dispositif à seuil, un dispositif à mémoirè ou un dispositif montrant une combinaison de ces caractéristiques en fonction du choix des matières pour la pellicule 12. La fig- 2 représente la forme d'onde typique courant-tension 10 du dispositif 10 de la fig- 1 où la pellicule de matière amorphe 12 est fabriquée à partir d'une matière à seuil, comme indiqué ci-dessus- Il y a lieu de noter à partir de la fig- 2, que lors de l'application d'un potentiel au niveau de la pellicule de matière amorphe 12, le courant augmente le long de la courbe 32 jusqu'à ce qu'une tension de seuil soit dépassée, à ce moment la commutation apparaît et ensuite le courant augmente le long d'une ligne 34-. La courbe de la fig- 2 indique la propriété bi-direc-tionnelle ou symétrique de la relation typique courant-tension de la pellicule de matière amorphe 12 avec une polarisation zéro de 20 la base. Le courant indiqué en ordonnée à la fig-'2, est, naturellement le courant primaire, c'est-à-dire le courant entre les électrodes 14- et 16 du dispositif 10. Quand le dispositif 10 de la fig- 1 est actionné com e un dispositif à trois brnes en reliant l'électrode de commande ou base 24- à une source de tension 25 négative pour injecter des électrons chauds dans la matière amorphe 12, la caractéristique courant-tension de la fig- 2 devient asymétrique c'est-à-dire fonction de la grandeur de la polarisation de la base, le seuil ou noint de rupture entre les courbes 32 et 34- apparaissant à une valeur inférieure de la tension du 30 collecteur dans une direction plutôt que dans l'autre- La polarisation de la base tend également à modifier la caractéristique de seuil préalable Ic-Vc représentée à la fig- 2. Quand la polarisation est rendue plus négative, le courant du collecteur est augmenté en raison de l'injection accrue des électrons énergéti-55 ques- Ainsi, le courant le pour une tension positive Vc, est augmenté et le seuil de commutation pour la tension positive Vc est diminuée tandis que la grandeur de le est diminué et que le niveau de seuil (tension) est accru pour la tension négative Vc-Dans une ,matiAre à seui_ . l'état de conductance élevée est retenu 72 14695 2134508 par un courant de maintien, c'est-à-dire un courant le qui est suffisant pour empêcher une inversion vers l'état n faible conductance» le procédé d'injection des électrons tend à réduire le niveau du courant le nécessaire pour produire l'effet de main-5 tien pour les tensions positives du collecteur» Inversement, l'injection des électrons augmente le besoin de courant de maintien po\ir les tensions négatives du collecteur» Une tension positive Vg n'injecte pas d'électrons et est équivalente électroniquement à VB ayant pour valeur zéro» 10 Dans la fabrication du dispositif 10 de la fig» 1, on a trouvé avantageux d'introduire des barrières de porteurs de charges ou plus précisément des effets de contact de blocage entre la pellicule amorphe 12 et les électrodes contiguës 14- et 16. La barrière entre l'électrode 16 et la pellicule 12 agit comme un 15 bloc pour les électrons à faible énergie qui doivent traverser la jorction pellicule-électrode et produire l'écoulenent de courant dans la pellicule 12 autre que celui fournit par l'injection des porteurs de charges mentionnés précédemment» La barrière entre l'électrode 14- et la pellicule 12 empêche l'écoulement des 20 trous au niveau de la jonction pellicule-électrode qui produisent un courant qui n'est pas affecté par le procédé d'injection» Co^ne cela est évident pour les spécialistes des diagrammes des niveaux d'énergie, les barrières mentionnées ci-dessus empêchent l'entrée dans la pellicule 12 des porteurs de charges res-25 pectivement négatifs et positifs en imposant un niveau d'énergie supérieur à celui imposé par un agencement de contact purement ohmique» Les barrières tendent à augmenter la résistance effective de la pellicule 12 et favorisent l'effet de commande écoulement-courant de l'injection des porteurs de charges à partir de 30 la couche 24 de la source» L'introduction des barrières, peut, 4 par exemple, augmenter la résistivité de la pellicule de 12 à 10 ohms à 5 x 10 ohms sans courant d'injection et à la température ambiante • L'introduction de ces barrières peut *tre facilement réalisée 35 par l'un quelconque de plusieurs procédés y compris le vieillissement à l'air de l'électrode 16 avant le dépôt de la pellicule 12 et le vieillissement à l'air de la pellicule 12 avant le dépôt de l'électrode 14-. A titre de variante, l'introduction des barrières 72 14695 9 2134508 peut être obtenue en admettant de l'air, de la vapeur d'eau, de l'azote ou un autre gaz dans une chambre de crépitement sous vide pendant 1" dépôt des couches du dispositif^ 10. L'admission de substances étrangères apparaît pendant les dernières secondes 5 du dépôt de l'électrode 16 nour former la barrière des électrons et également pendant les dernières secondes du dépôt de la pellicule 12 pour former la barrière des trous» Le schéma de la fig» 3 illustre la liaison du dispositif 10 corcme un amplificateur à polarisation de la base qui peut être 10 actionné soit dans la zone de commande, soit dans la zone de commutation, la zone de commande étant la partie à résistivité élevée de la caractéristique Ic-Vc dans le seuil d'une matière de com-"nztation» A la fig» 3, l'électrode 14- faisant office de collecteur du dispositif 10 est reliée par l'intermédiaire d'une résis-15 tance 36 à une alimentation positive et l'électrode 16 est reliée à un point d'un potentiel de référence représenté comme la terre 22. L'électrode de commande 24 également appelée base, est reliée par l'intermédiaire d'une petite source de tension alternative 38 et d'une source négative 4-0 de polarisation de la base à la terre 22, comme représenté» Par conséquent, la polarisation de la base r courant continu "VB polarise la diode de cathode froide afin de produire l'injection d'électrons à énergie élevée dans la pellicule de matière amorphe 12, nais à un niveau tel pour laisser la pellicule de matiAre amorphe 12 dans la zone représentée par la 25 courbe 32 à la fig» 4-, La source de polarisation de courant alternatif 38 peut donc produire l'effet d'amplification du courant illustré à la fig» 4- Dù la variation de l'amplitude de la tension de la base est comparée au logarithme de la forme d'onde du courant du collecteur pour une tension constante du collecteur» Dans 30 ce mode de fonctionnement, le seuil de commutation du dispositif 10, n'est nas dépassé sur la partie 4-2 de la courbe représentée» Si le courant injecté est efficace pour réduire le seuil de commutation à une valeur Vc en-dessous de celle obtenue dans le circuit de la fig» 3, l'opération du dispositif est rapidement com-35 mutée à la partie 44- de la courbe représentée en traits interrompus pour indiquer 1'accroissement rapide dans le courant du collecteur» Cor^ne cela ressort, toutes les matières à seuil et à mémoire actionnées en-dessous du seuil pt les matières sans commutation comme celles mentionnées plus haut à titre d'exemple, 72 14695 10 2134508 peuvent être utilisées pour engendrer la caractéristique représentée par la partie 4-2 de la courbe de la fig- 4-. La fig- 5 représente une variante de réalisation du dispositif 10' cr"- l'électrode primaire 16' est formée avec une dis-5 continuité centrale comme un trou ou une découpe pour avoir une petite étendue de la pellicule de matière amorphe "'2 suivant une relation directement contiguë à la couche isolante 28 en oxyde d'aluminium- Dans la zone de la discontinuité, la densité des porteurs de charges injectés est très élevée en présence d'élec-10 trodes épaisses 16*. Ceci à l'effet d'accélérer la transition de la commutation depuis l'état non conducteur vers l'état conducteur- Le dispositif 10' de la fig- 5 est analogue au dispositif 10 de la fig- 1 sous les autres rapports, et les mêmes composants portent les mêmes symboles de référence-15 La fig- 6 représente un autre mode de réalisation du dispo sitif de l'invention où une grille du type à deux dimensions est formée en prolongeant la couche d'aluminium 4-6 de la base sous la forme d'une bande allongée dans la direction X. et en prolongeant l'électrode 4-8 faisant office d'émetteur sous la forme 20 d'une bande allongée, dans la direction Y- La couche d'oxyde d'aluminium 50 est disposée entre les bandes 4-6 et 4-8 à leur partie interne et une pellicule de matière amorphe 52 est placée immédiatement au-dessus de la pellicule d'oxyde d'aluminim 50 mais sur le dessus de la bande 4-8. Un dispositif de comman-25 de est complété en établissant une électrode supérieure 54- qui sert en tant que collecteur comme indiqué à la fig- 6. A la fig-6, plusieurs bandes 4-6 et 4-8 sont disposées suivant une relation bi-dimensionnelle espacée, c'est-à-dire que plusieurs bandes 4-8 sont disposées en parallèle les unes par rapport aux 30 autres dans un plan et que plusieurs bandes 4-6 sont placées en parallèle les unes par rapport aux autres dans un autre plan-Les dispositifs de commande comprenant des couches supplémentaires 50, 52 et 54- sont disposés aux diverses intersections des bandes 4-6 et 4-8 pour former un réseau à deux dimensions 35 de dispositifs pouvant être sélectionnés montrant chacun les caractéristiques de commutation décrites ci-dessus- De cette façon, une technique de sélection du type coïncidence peut être réalisée en appliquant les potentiels négatif et de référence aux bandes 4-6 et 4-8 suivant des quantités à "demi-sélectiai" 72 14695 n 2134508 pour sélectionner ainsi la commutation seulement du dispositif qui apparaît à la partie interne- des bandes particulières 4-6 et 4-:-. D'autres agencerents ave-*- des réseaux à deux et à trois dimensions sont naturellement évidents pour les spécialistes r dans ce doraaine- j- la fig- 7 on a représenté un circuit destiné à fournir une commande de courant bi-directionnelle, symétrique entre les bornes 60 et 62. Dans le circuit de la fig- 7, les dispositifs de commande 64- et 66 du type illustré à 1? fig. 1, sont reliés 10 dos à dos afin que l'écoulement du courant depuis la borne 60 vers la borne 62 passe à travers le dispositif 64- tandis que l'écoulement de courant dans la directionopposée passe à travers le dispositif 66. Le dispositif 64 est commandé pour la conductibilité par un commutateur 68 relié entre l'électrode de comman-O de 69 d'injection des porteurs et une source de tension négative 70 reliée en série- Ainsi, quand le corn nxtateur 68 est fermé, le dispositif 64 présente une transition depuis l'état à faible conductibilité vers l'état à conductibilité élevée- le dispositif 66 a l'électrode de commande 72 d'injection des porteurs re-liée de la même façor à une source négative 74- par l'intermédiaire d'un commutateur 76. Quand le commutateur 76 est fermé, le dispositif 65 e-~t commuté vers l'état à conductibilité élevée. Il y a lieu de remarquer que les commutateurs 68 et 76 constituent simplement des exemples de divers dispositifs électroni-25 ques à l'état solide qui peuvent être utilisés aux fins de commande» Un multivibrateur astable réglable, peut, par exemple, être employé pour régler les temps de commutation des dispositifs 64 et 66 soit en phase, soit en dehors de la phase avec une forme d'onde de courant alternatif appliquée aux bornes 60 et 62 30 pour obtenir une modulation de nhase analogue à celle obtenue plus courarment en utilisant des dispositifs du type thyratron. 2n outre, cette régulation à l'effet de modu} les commutateurs 68 et 76 r-euvent représenter des cellules photoélectriques, des thermistors et d'autres dispositifs sensibles pour produire une transition de courant abrupte en réaction 72 14695 12 2134508 à une condition ou à une quantité réglée- Dans cette application et dans d'autres applications, des tensions unidirectionnelles ou de courant continu, peuvent naturellement être traitées en utilisant seulement un des dispositifs 64 ou 66. 5 Aux fig- 8 et 9, on décrit la répons» du dispositif 10 de la fig- 1 à l'entrée der- impulsions» On a supposé dans la description précédente que la source d'alimentation du collecteur appliquée au dispositif 10 est constante plutôt que variable avec le temps et que la conduc-10 tance du dispositif 10 à travers le trajet primaire entre les électrodes 14- et 16 varie en faisant varier la tension appliquée à l'électrode ou base 24. Les fig- 8 et 9 illustrent une variable qui résulte de l'application des impulsions de tension du collecteur au dispositif 10 à partir d'une source d'impulsions 15 78 reliée à l'électrode faisant office de collecteur 14- par l'intermédiaire de la résistance 77- Le fonctionnement est illustré et décrit sous diverses conditions de tension de base commandées par le commutateur 79- On suppose que la matière pour le dispositif à semi-conducteur 10 est une matière à seuil» 20 A la fig- 9, on a porté le temps en abscisse et la tension sur le collecteur 14- par rapport à la terre, c'est-à-dire la chute de tension au niveau des électrodes 14- et 16 en ordonnée. En supposant une polarisation de la base de zéro lors de l'application d'une impulsion de tension positive au collecteur 14- ayant 25 une élévation aiguë représentée par la partie 80 de la courbe positive de la fig» 9, un retard D^ apparaît avant que la transition vers l'état à faible conductance dans le dispositif 10, se produise- La transition apparaît rapidement, ce qui a pour effet que la tension du collecteur suive la partie 82 de la courbe, 30 l'état à conductance élevée étant caractérisé par la partie 84 à faible tension- L'extrémité de la courbe de tension au point 86 apparaît lors du retrait de la tension du collecteur» Avec une tension négative appliquée à la base 24, l'injection des électrons dans le corps 12 a pour effet que la transi-35 tion apparaîsse dans un temps plus court représenté par le temps de retard Dg. La comparaison illustrée suppose des tensions égales du collecteur dans les cas où Vg= 0 et Vg est négatif» Par conséquent, la modulation du temps de réponse des impulsions qui résulte dans le dispositif 10 lors de la variation de la po 13 72 14695 2134508 larisation de la base, permet à la modulation de largeur des impulsions, d'être facilement réalisée suivant une façon analogique- La courbe négative 88 de la fig» 9 est obtenue à partir de l'application d'une impulsion de tension négative au collecteur 5 et illustre le retard de transition qui apparaît en liaison avec une polarisation de la base de zéro ou positive comparativement au retard de la transition ^ qui apparaît en liaison avec une polarisation négative de la base» On suppose que la différence entre et I>2 est légèrement supérieure à la différence entre 10 et D^» L'invention n'est pas limitée aux formes de réalisation représentées et décrites en détail, car diverses modifications peuvent y être apportées sans sortir de son cadre» 72 14695 - 2134508 REVENDICATIONS 1 - Dispositif de commande électronique, caractérisé en ce qu'il comprend un corps d'un semi-conducteur essentiellement amorphe définissant un trajet de conductance primaire et un dispositif de commande disposé suivant une relation d'interface avec le dispositif mais externe électriquement au corps pour injecter des électrons énergétiques dans le corps afin de commander la conductibilité du trajet primaire» 2 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de commande est une diode de cathode froide comprenant une couche conductrice et une couche non conductrice définissant une jonction et en ce qu'on prévoit un dispositif pour imprimer un champ d'accélération des électrons au niveau de la jonction. 3 - Dispositif suivant l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comporte deux électrodes primaires espacées sur le corps, la source d'électrons étant suivant une relation d'interface avec le corps par l'intermédiaire d'une des électrodes primaires. 4- - Dispositif suivant l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'au moins une des interfaces entre le corps amorphe et les électrodes primaires est réalisée pour présenter une barrière de porteurs de charges à faible énergie» 5 - Dispositif suivant l'une des revendications 1 à caractérisé en ce que la matière amorphe est choisie pour montrer un comportement essentiellement analogique sur une gamme importante de tensions appliquées» 6 - Dispositif suivant l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la matière amorphe est choisie pour montrer des états à conductibilité élevée et faible entre lesquels la matière peut être commutée. 7 - Dispositif suivant l'une des revendications "1 à 6, caractérisé en ce que les états à conductibilité élevée et faible, correspondent à l'état interne respectif, relativement ordonné et relativement amorphe, dont chacun peut être obtenu dans la matière. 8 - Dispositif de commande électronique, caractérisé en ce qu'il comprend un corps d'un semi-conducteur essentiellement amor 72 14695 15 2l34508 phe ayant des états à conductibilité élevée et faible, pouvant être commutés entre eux, deux électrodes primaires espacées sur le corps pour définir un trajet de conductance primaire et un dispositif sensible au champ émettant des «l^ctrons disposé sui-5 vant une relation d'interface avec le corps par l'intermédiaire d'une des électrodes primaires pour injecter sélectivement des électrons dans le corps afin de commander sa conductibilité entre les électrodes primaires» 9 - Dispositif de comipande électronique suivant la revendi-10 cation 8, caractérisé en ce que le corps est une pellicule disposée entre les électrodes primaires» lu _ Dispositif suivant l'une des revendications S et 9, caractérisé en ce qu'au moins une des interfaces entre la pellicule et les électrodes primaires, présente une barrière de por-15 teurs de charges à faible énergie» 11 - Dispositif suivant l'une des revendications 8 à 10, caractérisé en ce que l'émetteur comprend une première et une deuxième couche de matières dissemblables du point de vue électronique, définissant une jonctior, une des couches étant sui- 20 vant une relation d'interface avec la pellicule au moyen d'une électrode primaire de sorte que l'émetteur est externe électriquement au trajet de conductance primaire» 12 - Dispositif suivant l'une des revendications 8 à 11, caractérisé en ce que la pr^ière couche est un métal et la deu- 25 xième couche un isolant, l'isolant étant contigu à l'électrode primaire. 15 - Dispositif suivant l'une des revendications 8 à 12, caractérisée en ce qu'il comprend une source de tension pour imprimer un champ au niveau de la jonction» 30 14 - Dispositif suivant l'une des revendications 8 à 13, caractérisé en ce que 1'épaisseur de la deuxième couche est comprise entre 75 A et 250 A. 15 - Circuit de commande caractérisé en ce qu'il comporte un premier dispositif de commande, une résistance électrique 35 reliée en série avec les électrodes primaires et un dispositif reliant une source de signaux de commande pour actionner sélectivement le dispositif émettant des électrons» 16 - Circuit de commande suivant la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comprend un deuxième dispositif de commande 16 72 14695 2134508 relié suivant une relation dos à dos avec le premier dispositif de commande au niveau des électrodes primaires de celui-ci et un dispositif reliant une source de signaux de commande à l'émetteur d'électrons du deuxième dispositif de commande* 5 17 - Dispositif de commande suivant la revendication 8, ca ractérisé en ce qu'une électrode primaire comprend au moins une ouverture ménagée dans celle-ci* 1b _ Dispositif de commande, caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif de commande ayant un corps d'un semi-conducteur 10 amorphe présentant un seuil de conductance-tension appliqué de façon relativement abrupte entre des états à conductance relativement élevée et faible, deux électrodes de courant primaire espacées au niveau du corps, un émetteur d'électrons réglable disposé suiant une relation d'irterface avec le corps par l'in-15 termédiaire d'une des électrodes pour injecter des électrons énergétiques dans le corps et une source d'impulsions de tension reliée à l'autre des électrodes* 19 - Matrice de dispositif de commande, caractérisée en ce qu'elle comprend un réseau bi-dimensionnel non coplanaire d'élé-20 ments conducteurs se croisant les uns les autres en plusieurs points, un émetteur d'électrons disposé entre les éléments à ces points en contact physique avec eux, des petits corps de matière amorphe normalement isolants dans ces points et espacés de l'émetteur par des éléments conducteurs choisis, un circuit primaire 25 définissant de petits trajets à travers les corps de matière amorphe, et un dispositif de commande pour actionner sélectivement l'émetteur d'électrons afin de commuter sélectivement les corps vers un état plus conducteur en injectant des porteurs de charges à énergie élevée dans les corps*