FR 2128394 A1 19721020 FR 7206788 A 19720229 72 06788 _1" 2128394 La présente invention se rapporte à un appareil de lecture non destructive de plusieurs bits d'information utilisant un faisceau électronique qui est réfléchi par un support sur lequel les "bits d'information sont emmagasinés. 5 On connaît des mémoires de calculateurs à faisceaux électroni ques permettant l'emmagasinage d'une grande quantité d'informations à une densité élevée. Ges mémoires à faisceaux électroniques connus présentent un certain nombre d'inconvénients,par exemple celui d'une lecture destructive nécessitant un réenregistrement 10 après chaque lecture, avec l'obligation d'enregistrer avec un faisceau finement concentré, et avec une très grande précision pour éviter une lecture erronée, de sorte que ces systèmes nécessitent généralement une densité minimale d'énergie élevée par bit,pour maintenir une lecture exempte d'erreurs. 15 Des systèmes de lecture à réflexion d'électrons procurent l'avan tage d'une lecture non destructive et d'un fonctionnement avec de petites densités d'énergie par bit sur le support d'emmagasinage, ce qui permet d'obtenir un enregistrement plus rapide et de réduire au minimum l'interaction entre bits emmagasinés. Deux solutions 20 différentes du problème de lecture par réflexion d'électrons ont été décrites dans les brevets des Etats Unis d'.Amérique numéro 3o176»278 et 3«278.679« Dans l'appareil décrit dans le premier brevet précité, de petites zones d'un support prémagnétisé sont démagnétisées (par une technique connue sous le nom d"1 enregistrement 25 au point de Curie") suivant un motif prédéterminé de façon à introduire une information sur le support. Ce motif enregistré est ensuite lu par impact et réflexion d'électrons à partir de l'ensemble du support en vue de former un grand faisceau d'électrons portant des informations. Un inconvénient de ce système particulier 30 est la lenteur de lecture qui résulte de la nécessité d'utiliser un faisceau de lecture de grande section droite et constitué d'électrons monoénergétiques, ce qui limite la densité de courant disponible dans le faisceau et produit dans le grand faisceau, des électrons réfléchis qui sont décelés lentement (de manière à obte-35 nir un signal détectable) et séquentiellement dans un détecteur. Une autre caractéristique qui réduit également la vitesse opératoire du système décrit dans le premier brevet précité est le contraste d'image faible et non uniforme qui résulte de l'interaction d'électrons réfléchis avec une surface magnétique. 72 06788 2128394 Un autre inconvénient est que les éleptrons réfléchis par la zone centrale du support magnétisé ne contiennent aucune information se rapportant à l'information enregistrée dans cette zone centrale. 5 la mémoire à réflexion électro-statique faisant l'objet du se cond brevet précité utilise un faisceau électronique pour répartir des charges électriques suivant un motif prédéterminé représentant une information sur un support diélectrique. Cette information est ensuite lue bit par bit à l'aide d'un faisceau d'électrons réflé-10 chis exécutant une exploration séquentielle dans le temps et présentant un diamètre correspondant au diamètre du bit emmagasiné.Le faisceau réfléchi est soumis à des variations d'énergie dans le temps par suite de la déviation latérale du faisceau provoquée par le balayage du faisceau sur les bits emmagasinés® Ces variations 15 d'énergie sont détectées en filtrant le faisceau réfléchi au travers d'un analyseur d'énergie et en produisant un courant modulé variable dans le temps et correspondant au motif des charges se trouvant sur le support dans un détecteur. Le système décrit dans le second brevet précité conduit à une vitesse de lecture bit par 20 bit intrinsèquement lente et limitée en outre par le courant total pouvant être concentré dans un petit spot réfléchi. En conséquence, lorsque les dimensions de bit diminuent, le courant disponible décroit ce qui se traduit par un ralentissement supplémentaire de la vitesse de lecture. Un autre facteur réduisant la vitesse de lec-25 ture dans le système décrit dans le second brevet précité, réside dans la nécessité de mesurer lentement de très petites variations fractionnaires de l'énergie totale du faisceau, pour éviter une erreur de lecture excessive» Un autre inconvénient du système du second brevet précité est qu'il est nécessaire d'aligner avec une 30 très grande précision le faisceau par rapport au filtre d'énergie, pour éviter que des variations erronées d'énergie du faisceau ne produisent une modulation parasite du courant collecté dans le détecteur. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description 35 détaillée qui suit et à l'examen des dessins annexés qui représentent, à titre d'exemple non limitatif, un mode de réalisation de 1'invention. La fig. 1 est -un schéma synoptique des composants électriques suivant un mode préféré de réalisation de l'invention. 72 06788 -3- 2128394 La fig. 2 représente schématiquement la lentille composite et les plaques de déviation utilisées dans ce mode préféré de réalisation,, La fig. 3 est une vue de la matière diélectrique d'emmagasinage 5 associée à une plaque d'appui électriquement conductrice, la figure montrant des zones d'information contenant des emplacements d'informations répartis suivant un motif prédéterminé» Les fig. 4A et 4B montrent le profil du faisceau électronique, dans une zone adjacente au support d'emmagasinage, pendant le mode 10 d'enregistrement. Les fig. 5A, 5B et 5C représentent des courbes de variations en fonction du temps de la tension dans les plaques de déviation,la lentille d'objectif et le support d'emmagasinage pendant l'enregistrement de bits individuels dans une zone d'information. 15 Les fig. 6A, 6B et 6C représentent des courbes de variations en fonction du temps de la tension dans les plaques de déviation, la lentille d'objectif et le support d'emmagasinage pendant la lecture simultanée d'une zone d'information. La fig» 7 est une vue schématique de la mémoire adressable par 20 faisceau fonctionnant suivant le mode de lecture. L'invention concerne essentiellement un support pourvu de plusieurs zones d'information comportant chacune une distribution d'emplacements d'informations répartis suivant un motif prédéterminé, le support pouvant contenir des bits d'information en de tels 25 emplacements. Une source d'électrons produit un faisceau électronique présentant une section droite contrôlable et de surface suffisante pour être affecté par les emplacements d'informations se trouvant dans une zone d1 information alors que le support est polarisé négativement pour réfléchir le faisceau électronique et pour modu-30 1er spacialement le faisceau réfléchi en fonction du motif des bits emmagasinés. Un détecteur convertit simultanément les modulations du faisceau réfléchi en signaux électriques correspondant au motif des bits sur le support» L'appareil de lecture non destructive d'informations suivant 35 l'invention permet une lecture simultanée d'emplacements d'informations à l'aide d'un faisceau électronique réfléchi. La lecture simultanée de plusieurs emplacements d'informations dans une zone d'information permet d'obtenir une vitesse élevée de lecture des bits» En outre, la lecture simultanée permet un contrôle instantané 72 06788 -4- 2128394 d'adresse et d'erreur de l'Information contenue dans chaque zone et également l'enregistrement de données sous une forme surabondante qui se prête à la détermination ou à la correction d'erreurs» Ainsi des erreurs de positionnement du faisceau sont détectées ins-5 tantanément afin de permettre les corrections appropriées.Puisque chaque zone d'information peut contenir sa propre adresse, on obtient aisément un accès aléatoire à une zone d'information donnée. L'appareil suivant l'invention permet également d'obtenir une haute sensibilité à de petites concentrations de charges. Par exemple, 10 on peut aisément détecter des bits contenant 10 et 10-"^ coulombs. En référence à la mémoire adressable par faisceau, représentée sur la figure 1, des électrons monoénergétiques et convenablement collimatés sont utilisés pour placei? des bits d'information chargés sur le support d'emmagasinage 7 dans des emplacements 15 spécifiques d'informations 8 (voir fig.3) à l'intérieur d'une zone d'information adressée 9 ou bien pour lire simultanément tous les emplacements d'informations 8 se trouvant dans une zone d'information adressée 9. Bien que le mode préféré de réalisation utilise le principe de l'emmagasinage des bits de charge sur le support 20 pendant une période assez longue,l'invention utilise également le principe de la formation d'un motif de bits d'information sur un support pendant que la zone d'information correspondante est en train d'être lue par l'appareil de lecture» En référence à la figure 2, le canon électronique 10 comprend 25 tme cathode thermique pointue 11 au potentiel de masse, cette cathode étant chauffée par une source de courant appropriée 12 de type classique (fig.l) « Dans le mode d'enregistrement, la cathode 11 fournit un courant d'électrons de l'ordre de 0,1 microampère ( jx A). Le canon électronique comporte une lentille composite électro-30 statique 13 du type à immersion qui est formé de trois éléments évi-dés et alignés coaxialement 14, 15, 16, ces éléments étant convenablement espacés et polarisés. L'élément 14 est un disque de titane de 12 mm d'épaisseur comportant une partie centrale conique à 30°, pourvu d'un trou 17 de 3 mm de diamètre et polarisé à un potentiel 35 positif correspondant à 19% du potentiel d'accélération du faisceau électronique. L'élément 15 est un disque en titane de 3 mm d'épaisseur comportant un trou 18 de 10 mm de diamètre et polarisé à un potentiel de 14 fo du potentiel d'accélération tandis que l'élément 16 est également un disque en titane de 3 mm d'épaisseur 72 06788 -5- 2128394 comportant un trou 19 de 10 mm et polarisé au maximum d'énergie du faisceau électronique, qui, dans l'exemple considéré, est de 20 Kilo-électrons-volts (20 KeV). L'élément 14 est écarté de 10 mm de la cathodp 11 et de 3 mm de l'élément 15. Les éléments 15» 16, 5 sont espacés de 10 mm. Chaque élément 14, 15, 16 est parfaitement poli, tous les bords étant arrondis à des rayons empêchant un. claquage sous une tension élevée et les éléments étant électriquement isolés par des isolateurs en verre 45. A la sortie de la lentille 13 du canon , le faisceau électronique, d'un diamètre d'environ 500 10 microns, passe entre un premier groupe de quatre plaques électrostatiques de déviation 20 qui sont utilisées pour commander la position du faisceau électronique sur le support 7. Chaque plaque 20 en acier inoxydable a une épaisseur de 3 mm, une largeur de 25 mm, une longueur de 10 cm, les plaques étant espacées de 10 cm sur des 15 côtés opposés du faisceau électronique. Le faisceau électronique est dévié d'un angle de 11° par le champ magnétique (représenté à l'intérieur sur la fig. 1 et à l'extérieur sur la fig. 2) de deux bobines de Helmholtz 21 placées respectivement au-dessus et en-dessous du trajet du faisceau électronique. Chaque bobine comporte 20 quatre vingt quatorze spires de fil d'un rayon moyen de 8 cm et produit une intensité moyenne de champ de 3,2 gauss sur une longueur de trajet de 29 cm, lors du passage d'un courant d'environ un ampère. Les bobines 21 sont alimentées par un circuit prismatique 48 » 25 Le faisceau électronique pénètre ensuite dans une lentille électrostatique, composite ,à immersion 22, en étant incliné par rapport à l'axe de la lentille d'un angle déterminé par les plaques de déviation 21„ La lentille d'objectif 22 comprend trois éléments 23, 24, 25 alignés coaxialement, évidés, et convenablement 30 espacés et polarisés. L'élément 23 est un disque en titane de 3mm d'épaisseur comportant un trou 26 de 10 mm de diamètre et polarisé au potentiel d'accélération de 20 keV tandis que l'élément 24 est également un disque en titane de 3 mm d'épaisseur comportant un trou 27 de 10 mm de diamètre et polarisé à 13^ du potentiel d'accé-35 lération. L'élément 25 est un disque en titane de 6 mm d'épaisseur comportant une partie centrale conique à 30°, pourvu d'un trou 28 de 3 mm et polarisé au potentiel d'accélération du faisceau électronique ( 20 keV) „ L'élément 25 est écarté de 16 mm de la surface du support d'emmagasinage 7 et de 3 mm de l'élément 24. Les élé- 72 06788 -6- 2128394 ments 23» 24 sont espacés de 10 mm. Chaque élément 23, 24, 25 est parfaitement poli et tous les bords comportent des arrondis de rayons appropriés pour empêcher un claquage par haute tension,les éléments étant électriquement séparés par des isolateurs en verre 5 45. Le support d'emmagasinage 7 comporte une matière diélectrique 30 pour emmagasiner des bits d'information sous la forme classique de bits de charge ainsi qu'une plaque conductrice lisse 31» Dans l'appareil considéré, on a utilisé comme matière diélectrique 30 10 une pellicule de titanate de bismuth ( Bi^ Ti^ 0-^) de façon à obtenir une longue période d1 emmagasinage par suite de la combinaison d'une constante diélectrique élevée et d'une grande résistivi-té. On a pu ainsi obtenir des temps d'emmagasinage supérieurs à 50 heures. Cette pellicule de titanate de bismuth est suffisamment 15 mince, à savoir d'une épaisseur inférieure à 1 micron, pour permettre un réglage du potentiel de surface pendant l'enregistrement, tout en étant capable d'emmagasiner des concentrations suffisamment décelables de charges à la surface. L'épaisseur de la pellicule doit être égale ou inférieure à la dimension latérale maximale 20 du bit de charge afin de réduire un mouvement latéral des charges en cours d'emmagasinage. La plaque conductrice 31, qui est formée de façon satisfaisante d'un verre revêtu d'or, est isolée du carter par l'isolateur en verre 46. Suivant le mode d'enregistrement, et en référence aux figures 25 1 et 5A - 5C, le canon électronique 10 produit un faisceau monoénergétique bien collimaté d'électrons (0,1 p. A) dévié par les plaques de déviation 20 commandées par le sélecteur d'adresse 29, en vue d'enregistrer me information sous la forme de bits de charge dans les emplacements 8 (fig.3) à l'intérieur des zones d'infor-30 mations sélectionnées 9 du support 7. Le support 7, comme indiqué sur la figure 3 est divisé en plusieurs zones d'information 9 qui contiennent chacune un motif prédéterminé d'emplacements d'informations 8„ Le motif représenté correspond à une disposition de 8x8 emplacements mais il va de soi qu'on peut utiliser d'autres 35 motifs. Pour effectuer l'enregistrement sur le support 7, la tension de déviation appliquée aux plaques 20, la tension appliquée à la lentille d'objectif 24 et la tension appliquée au support d'emmagasinage 7 doivent être réglées séquentiellement aux valeurs sélec 72 06788 -7- 2128394 tionnées, comme indiqué sur les fig. 5A - 5C. La tension de déviation en volts est mesurée le long de l'axe des ordonnées en fonction du temps qui est mesuré le long de l'axe des abscisses sur la Fig. 5A» La figure 5B donne le potentiel de la lentille d'objectif 5 24 mesurée le long de l'axe des ordonnées et exprimé en pourcentage du potentiel d'accélération en fonction du temps qui est mesuré le long de l'axe des abscisses . La figure 5C représente la tension en volts de la surface d'emmagasinage, mesurée le long de l'axe des ordonnées, en fonc-10 tion du temps, mesuré le long de l'axe des abscisses. La tension à la lentille d'objectif 24 est réglée à 13% du potentiel d'accélération par le sélecteur de lecture-enregistrement 47 et simultanément le faisceau est dévié dans la première position d'enregistrement par la tension de 150 volts qui est appliquée aux plaques de 15 déviation 20 par le sélecteur d'adresse 29. Le temps pendant lequel la tension de 150 volts est appliquée aux plaques de déviation 20 est appelé "période de réglage". Le support d'emmagasinage 7 est ensuite polarisé par le sélecteur 47 à un potentiel positif de 10 volts pendant une période suffisante qui peut être appelée 20 "période d'enregistrement" et qui est d'environ deux microsecondes, de façon à déposer un bit de charge lisible (environ 10-" à 10~14 coulombs) sur le support 7 (voir les profils de faisceaux des figures 4A et 4B).La période d'enregistrement de chaque bit est par conséquent la période pendant laquelle la ten-25 sion positive de 10 volts est appliquée au support d'emmagasinage 7. Le support d'emmagasinage 7 est ensuite polarisé à un potentiel de - 10 volts et la tension de déviation est modifiée de manière à dévier le faisceau jusque dans la nouvelle position d'enregistrement puis le cycle est répété pour chaque bit de charge représen-30 tant une information enregistrée sur le support d'emmagasinage 7. Pendant le mode d'enregistrement, la lentille d'objectif 24 est maintenue à 13 % du potentiel d'accélération. Lorsque le dernier emplacement d'information de la rangée a été atteint, ce qui correspond dans l'exemple considéré au quatrième bit de charge, les 35 plaques de déviation 20 sont polarisées par le sélecteur d'adresse 29 de manière à dévier le faisceau sur la rangée suivante du motif de bits. Ce temps d'échelonnement est représenté par l'intervalle T, indiqué sous la forme d'une coupure dans les courbes de tensions des figures 5A-5C. Après l'intervalle T, le support d'emmagasinage 72 06788 -8- 2128394 7 est à nouveau polarisé à + 10 volts de manière à déposer un bit de charge sur l'emplacement d'information 8 suivant. Le cycle est répété jusqu'à ce que tous les bits désirés aient été correctement placés dans les emplacements 8 situés à l'intérieur d'une zone 9. 5 afin de former un motif de bits contenant des informations et destinés à être lus ultérieurement. Tous les emplacements d'informations 8 ne sont pas obligatoirement chargés pour compléter le.motif d'information prédéterminé. Pendant le mode d'enregistrement, le faisceau électronique a, 10 dans une zone adjacente au support 7, un profil 32, comme indiqué sur les figures 4A , 4B. La figure 4A représente le profil du faisceau entre des impulsions d'enregistrement et elle montre que le sommet du faisceau est situé à proximité du support d'enregistrement 7« Le sommet est écarté d'environ 8 microns du support 7 et 15 il a un diamètre de l'ordre de 3 microns„ La figure 4B représente le faisceau arrivant sur le support 7 de manière à placer un bit de charge dans un emplacement spécifique d'information 8 pendant une impulsion d'enregistrement. Le bit de charge a un diamètre d'environ 3 microns. 20 Pendant le mode de lecture, comme indiqué sur les figures 1,2, 6A - 6C et 7, la cathode est réglée de manière à produire un courant de faisceau d'environ 10 u A, les tensions appliquées aux éléments 14, 15, 16 de la lentille du canon sont inchangées par rapport aux tensions d'enregistrement, la polarisation de l'élé-25 ment 24 de la lentille d'objectif est augmentée jusqu'à 42$ du potentiel d'accélération ( à nouveau de 20 KeV) et le support d'emmagasinage 7 est polarisé à une tension négative de 10 volts par rapport à la cathode 11» Les figSo 6A - 6C pour le mode de lecture correspondent aux figures 5A - 5C pour le mode d'enregistre-30 mento II résulte d'une augmentation de la tension de polarisation appliquée à l'élément 24 que la section droite du faisceau est augmentée jusqu'à environ 100 microns à proximité du support d'emmagasinage 7, comme indiqué schématiquement sur la figure 7. Puisque le diamètre de faisceau permet d'englober toute une zone d'infor-35 mation 9, le faisceau réfléchi est influencé simultanément par tous les emplacements d'informations 8 se trouvant dans la zone 9. Chaque bit de charge module la densité du faisceau réfléchi dans la zone immédiatement adjacente» En conséquence on obtient dans la section droite de faisceau réfléchi un certain motif de modulation 72 06788 -9- 2128394 de densité. Pour effectuer la lecture de l'ensemble du support 7, une tension appropriée est appliquée aux plaques de déviation 20 de façon à dévier le faisceau vers chaque zone d'information sélectionnée 9. 5 Après réflexion, le faisceau retraverse la lentille d'objectif 22 pour pénétrer dans la zone de champ magnétique où il est dévie de 11° par rapport au faisceau incident, le faisceau réfléchi passe ensuite entre quatre plaques électro-statiques de déviation 33 faisant partie d'un second groupe et utilisées pour aligner le 10 faisceau réfléchi avec l'axe d'une lentille de projecteur 34.Chaque plaque 33 en acier inoxydable a une épaisseur de 3 mm, "une largeur de 25 mm, une longueur de 10 cm, les plaques étant espacées de 10 cm les unes des autres sur des côtés opposés du faisceau électronique réfléchi .Les tensions appliquées à ces plaques de dévia-15 tion pour assurer les alignements nécessaires sont déterminées par le sélecteur d'adresse 29» Le faisceau réfléchi passe ensuite dans la lentille de projecteur 34- de manière à produire un élargissement de section droite du faisceau d'environ trente fois, dans l'élément détecteur 35 (fig» 7).La lentille de projecteur 34 comprend 20 trois éléments évidés et alignés coaxialement 36, 37» 38. L'élément 36 est un disque en titane de 3 mm d'épaisseur comportant un trou 39 de 12 mm et polarisé au potentiel d'accélération. L'élément 37 est un disque en titane de 9 mm d'épaisseur comportant un trou 40 de 9 mm de diamètre et polarisé au potentiel de masse.L'é-25 lément 38 est un disque en titane de 3 mm d'épaisseur comportant un trou 41 de 12 mm et polarisé au potentiel d'accélération. Le motif élargi de modulation de densité est lu par un réseau de détecteurs 35 qui a une configuration correspondant au profil géométrique grossi du motif de bits sur le support d'emmagasinage 30 7. Puisqu'il est prévu un détecteur pour chaque emplacement d'information 8 situé à l'intérieur d'une zone 9 explorée par le faisceau réfléchi, tous les bits situés dans la zone 9 sont détectés simultanément par le réseau de détection».Dans le mode préféré de réalisation, ce réseau de détection comprend soixante quatre diodes 35 de Schottky reliées à un convertisseur de signaux 49. Le convertisseur de signaux 49 convertit les modulations spatiales détectées par le réseau de détection en signaux électriques numériques qui sont transmis à l'unité de commande et à la mémoire-tampon 43o La mémoire-tampon 43 transmet l'information au calcula 72 06788 -10- 2128394 teur principal sous une forme compatible g.vec le calculâtes, comme indiqué par les fils 44 de la figure 1* L'unité de commande comprend également un circuit de réaction pour corriger une erreur de positionnement du faisceau sur le support 7® 5 Gomme indiqué sur les figs. 6A - 6C, pendant la lecture de l'information placée sur le support d'emmagasinage par l'intermédiaire des phases d1enregistrement représentées sur les figures 5A-5C, la surface d'emmagasinage est maintenue à un potentiel de - 10 volts, l'élément 24 de la lentille d'objectif est maintenu à 43^ 10 du potentiel d'accélération et le faisceau de lecture est dévié sur la zone d'information désirée par la tension de 150,5 volts appliquée aux plaques de déviation 20. Pendant un temps de lecture suffisant ( Tr), d'environ 2 microsecondes, le faisceau de lecture est réfléchi par la zone d'information sélectionnée et l'informa-15 tion contenue dans cette zone est transmise à la mémoire-tampon 43 par l'intermédiaire des détecteurs 35. Comme le montre la figure 1, une source de courant 52 et un diviseur de tension 53 fournissent les tensions nécessaires aux éléments 13» 22 , 34 du canon électronique par l'intermédiaire des 20 fils 54« Comme indiqué sur la figure 2, les composants optico-électroni-ques et le support d1 emmagasinage 7 sont fixés à l'intérieur d'un carter mis sous un vide de 10 Torr par des pompes à vide appropriées (non représentées).Les fils électriques et les câbles re-25 liant les composants électroniques extérieurs aux composants optico-électroniques n'ont pas été représentés en détail pour simplifier le dessin. Bien entendu l'invention n'est nullement limitée au mode de réalisation décrit et représenté, elle est susceptible de nombreu-30 ses variations accessibles à l'homme de l'art, suivant les applications envisagées et sans s'écarter pour cela de l'esprit de l'invention. 72 06788 -ii- 2128394 - REVENDICATIONS - le- Appareil de lecture d'informations par faisceau électronique réfléchi, comprenant des commandes électroniques pour produire des électrons monoénergétiques formant -un faisceau électronique,un support comportant des hits d1information et une source de tension 5 pour polariser négativement ledit support en vue de réfléchir ledit faisceau électronique, caractérisé en ce que ledit support (7) comporte plusieurs zones d'information (9) qui contiennent chacune plusieurs emplacements d'informations 8 répartis suivant un motif prédéterminé de façon que les hits d'information forment un certain 10 motif dans lesdits emplacements, en ce que lesdites commandes électroniques (11, 13» 22) produisent un faisceau électronique d'une section droite contrôlée et d*une étendue suffisante pour être affectée par lesdits emplacements d1informations (8) d'une zone d'information (9), un sélecteur d'adresse (29), un déflecteur (20) com-15 mandé par le sélecteur d'adresse (29) pour diriger le faisceau électronique vers une zone d'information sélectionnée (9) de manière que la densité du faisceau électronique soit modulé spatialement en concordance avec le motif de bits emmagasiné sur le support dans ladite zone d'information sélectionnée (9) et un détecteur (35)pour 20 convertir des modulations de densité du faisceau réfléchi en signaux électriques correspondant au motif de bits dans laditë zone d'information sélectionnée (9) de façon à effectuer une lecture simultanée des bits d'information dans ladite zone d'information sélectionnée (9)« 25 2.- Appareil de lecture d'informations suivant la revendica tion 1, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit (49, 43) branché entre le détecteur (35) et le sélecteur d'adresse de façon à fournir un signal de réaction au sélecteur d'adresse (29) pour corriger des erreurs d'enregistrement par le faisceau et pour coi-riger 30 la position dudit faisceau électronique sur ledit support. 3»- Appareil de lecture d'informations suivant la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites commandes électroniques (11, 13, 22) comprennent une lentille d'objectif (22) recevant le faisceau électronique provenant du déflecteur (20) et produisant 35 un champ électrique intense normal à la surface-du support (7) afin d'augmenter l'amplitude de modulation spaciale du faisceau électronique réfléchi. 72 06788 -12- 2128394 4o- Appareil de lecture d1informations suivant la revendication 3, caractérisé en ce que la lentille d'objectif (22) comprend une plaque évidée (24) et polarisée positivement, qui est placée dans une position adjacente audit support pour produire ledit 5 champ électrique intense, 5»- Appareil de lecture d'informations suivant la revendication 3, caractérisé en ce que ladite lentille d'objectif (22) comprend une lentille composite à immersion qui est formée de trois plaques espacées l'une de l'autre et comportant des trous alignés 10 coaxialement. 6a- Appareil de lecture d'informations suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ledit détecteur (35) comprend un réseau formé de plusieurs détecteurs individuels répartis suivant un motif correspondant à la distribution des emplacements d'infor-15 mations (8). 7«- Appareil de lecture d'informations suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le réseau de détection est physiquement agrandi par rapport à la distribution des emplacements d'informations (8) à l'aide d'une lentille de projecteur (34) prévue 20 pour augmenter le diamètre du faisceau électronique réfléchi avant que le faisceau atteigne ledit réseau de détection» 8«- Appareil de lecture d'informations suivant la revendication 7 , caractérisé en ce qu'il comprend un générateur de champ magnétique (21) placé dans une position intermédiaire par rapport 25 à la lentille d'objectif (22) pour séparer le faisceau électronique réfléchi dudit faisceau électronique incident.