FR 2121664 A1 19720825 FR 7200450 A 19720107 72 00450 1 ,2121664 L*invention concerne un procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur comportant un corps semiconducteur"dont au moins une partie d'une surface est recouverte d'une couche isolante, alors qu'après avoir élaboré cette couche isolante sur la surface toute entière, 5 on élabore sur ladite couche une couche formée par un getter, un traitement thermique ayant ensuite lieu pour éliminer les impuretés indésirables hors du corps semiconducteur et de la couche isolante. L'invention concerne également un dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé. 10 Les procédés tels que décrits ci-dessus, mi\s en oeuvre pour éliminer des impuretés et parfois appelés également procédés de getter, sont connus et utilisés souvent dans la technique des semiconducteurs pour améliorer les propriétés électriques du dispositif. L'amélioration de ces propriétés peut être de plusieurs natures: en particulier, la mise en 15 oeuvre d'un tel procédé de getter permet l'amélioration de la caractéristique courant-tension (forte tension de claquage, caractéristique "dure" courant de fuite de faible intensité) des jonctions pn existantes, et souvent également un accroissement de la durée de vie des porteurs de charge minoritaires dans le corps semiconducteur ou dans certaines par-20 ties de celui-ci. Les impuretés à éliminer sont principalement des atomes ou des ions de métaux, en particulier de métaux lourds (Au, Cu) dans le corps semiconducteur, ainsi que des ions de métaux alcalins, tels que le sodium, qui dans la couche isolante, par exemple en oxyde de silicium, donnent 25 lieu à une certaine instabilité. Suivant un procédé tel que décrit ci-dessus, le matériau constituant lê getter étant élaboré sur le corps semiconducteur entier ainsi que sur la couche isolante, on utilise souvent une couche de verre qui, pendant l'élimination des impuretés par le getter ainsi qu'après 30 cette opération, reste en place tant sur le corps que sur la couche isolante. Sur la couche isolante, une telle couche de verre, par exemple du verre à silicate de phosphore, n'est pas défavorable dans bon nombre de cas, par exemple dans des circuits bipolaires monolithiques, et est même capable d'exercer une influence stabilisatrice comme couche passivante 35 située sur la couche isolante. Dans certains cas, nombreux - également, il n'est toutefois pas possible d'utiâiser un tel procédé. Ceci est souvent le cas lors de la fabrication de dispositifs dans lesquels au moins une partie de la couche isolante doit être très mince, ce qui est le cas par exemple de la couche 72 00450 , 2 2121664 isolante située sous l'électrode-porte de transistors à effet de champ à éledtrode-porte isolée. Par la présence d'une couche de getter d'épaisseur relativement forte sur cette couche isolante, il se peut que la tension de seuil, la stabilité et la pente du transistor à effet de champ 5 soient influencées défavorablement. Pour obtenir dans de tels dispositifs l'épaisseur voulue finale de la couche isolante, on pourrait, après chaque opération de getter (élimination des impuretés), décaper en partie la couche isolante recouverte de matériau de getter. Toutefois, il s'avère pratiquement impossible de 10 faire Jj cela de manière reproductible. Un autre inconvénient est que lors de l'élimination d'impuretés à l'aide d'une couche de getter élaborée sur la couche isolante, et du décapage subséquent de la couche de getter, de petites ouvertures se forment facilement dans ce qui reste de la couche isolante. Ceci est surtout 15 le cas lorsque la couche isolante est en oxyde de silicium ou en nitrure de silicium, et que la couche de getter est en verre au silicate de phosphore. La cause de cette situation réside probablement dans le fait que pendant l'élimination des impuretés, du matériau de getter pénètre localement dans la couche isolante, et que le moyen décapant attaqua les pe-20 tites régions ainsi souillées de la couche isolante beaucoup plus rapidement qu'il n'attaque les autres parties de la couche isolante. Les inconvénients précités peuvent éventuellement être éliminés si le matériau de getter n'est pas élaborévBur la couche isolante, mais localement sur d'autres parties du corps, et cela sous la forme d'une 25 pâte. De telles techniques sont connues, mais elles présentent l'inconvénient d'être assez fastidieuses et il y a un risque assez grand qu'une certaine quantité de matériau de getter parvienne néanmoins sur la couche isolante soit avant, soit après, l'élimination d'impuretés. L'invention veut entre autres fournir un procédé-suivant lequel 30 le matériau de getter peut être élaboré, de préférence à partir de la phase gazeuse, sur toute la surface du corps semiconducteur alors que néanmoins les inconvénients précités sont évités ou du moins réduits dan3 une mesure considérable. L'invention repose entre autres sur l'idée que du fait d'éla-35 borer le matériau de getter à basse température sur les endroits voulus et d'effectuer, en guise de dernier traitement à. température élevée, l'élimination des impuretés, on peut, sans influencer défavorablement la reproductibilité et la stabilité du dispositif, procéder à une élimination efficace des impuretés également lors de la fabrication de disposiCOPY 72 00450 3 2121664 tifs comportant de très minces couches isolantes. Par conséquent, conformément à l'invention, un procédé du genre décrit dans le préambule est remarquable en ce que le matériau de getter est élaboré à une température suffisamment faible pour qu'il n'y ait pra-5 tiquement aucun effet de getter, qu'ensuite le matériau de getter est é-liminé au moins sur une partie de la couche isolante, et que lesdites impuretés sont éliminées au cours d'un traitement à température élevée en présence du matériau de getter subsistant, ce chauffage n'étant suivi que par des traitements à des températures inférieures à celle.'où l'effet de 10 getter a lieu de manière perceptible. Du fait que le getter est mis en place à température faible, il ne pénètre pratiquement pas •-lans la couche isolante, de sorte que l'on évite l'instabilité déjà décrite, causée entre autres par la perforation de la couche isolante. Une élimination d'impuretés très effective, égale-15 ment lorsqu'il s'agit de dispositifs comportant de très minces couches d'oxyde, devient ainsi possible, alors que tout comme c'est le cas des procédés de getter habituellement mis en oeuvre pour des circuits monolithiques bipolaires par exemple, l'élimination des impuretés est effectuée comme dernier traitement à température élevée, de sorte que 20 des traitements effectués subséquemment n'introduisent pratiquement pas d'autres impuretés dans le corps semiconducteur. En outre, le procédé conforme à l'invention peut être combiné avantageusement avec d'autres procédés suivant lesquels les zones d'émetteur de transistors bipolaires situés dans un circuit monolithique sont 25 élaborées simultanément lors du traitement devant élimiher les impuretés. A cet effët, la couche de getter est éliminée uniquement des parties de couche isolante qui à température élevée ne peuvent pas entrer en contaci: avec 1' matériau de getter, par exemple aux endroits de l'électrode-porte de trai. ^ effet de champ à électrode-porte isolée qui appartiennent 30 au circux .. '"andis qu'à l'endroit desdites zones d'émetteur à former, la couche de getter reste en place et forme, par diffusion pendant l'élimination des impuretés,les zones d'émetteur. "uivant un mode de réalisation important, la couche de getter est une couche de verre dont la composition diffère de celle de la couche 35 isolante et qui, par décapage sélectif, est éliminée de celle-ci. Cette opération peut avoir lieu avantageusement lorsque, pour le lécapage, on utilise un produit par lequel la couche de verre est attaquée beaucoup plus rapidement que la couche isolante. Il est alors très important de mettre en oouvre un mode de réalisation préféré suivant lequel, sur une COPY 72 00450 4 2121664 couche isolante qui au moins à sa surface est en oxyde clé silicium, on élabore une couche de getter en verre au silicate de phosphore, alors que pour le décapage, on utilise une solution comportant de l'acide fluorhy-drique. Par un tel décapant, la couche de verre au silicate de phosphore 5 est attaquée "beaucoup plus rapidement que l'oxyde de silicium, de sorte que le décapage sélectif de lâ couche de getter peut avoir lieu de manière simple et reproductible. Le procédé conforme à l'invention se prête également très bien * à combiner l'élimination d'impuretés avec un traitement de passivation de 10 la couche isolante. Ainsi, suivant un autre mode de réalisation préféré, après l'élimination du matériau de getter situé sur 1a. couche isolante, on élabore sur celle-ci un matériau passivant (par exemple du nitrure de silicium), ceci ayant lieu soit avant soit après l'élimination des impuretés. Avantageusement, lorsque le matériau de getter est un verre au sili-15 cate de phosphore et qu'au moins à sa surface la couche isolante est en oxyde de silicium, on peut, â une température qui est inférieure à celle à laquelle a lieu l'élimination des impuretés, élaborer, avant cette opération également une couche de verre au silicate de phosphore servant de matériau passivant, ce verre devant avoir une teneur en phosphore qui est 20 inférieure à celle de la couche de getter. On peut ainsi se contenter de 1femploi d'une seule source de phosphore utilisée â différentes températures, tandis que la passivation a lieu simultanément avec l'élimination des impuretés, ce qui constitue donc un gain de temps. L'invention concerne également un dispositif semiconducteur 25 obtenu par la mise en oeuvre du procédé décrit. La description suivante, en regard des dessins annexés, le tout donné à titre d'exemple, fera bien.comprendre comment 1'invention peut être réalisée. Les figures 1 à 9 sont des coupes transversales d'un dispositif 50 semiconducteur conforme à l'invention, représenté dans des stades successifs de sa fabrication. Les figures 10 à 14 sont des coupes transversales d'un autre dispositif semiconducteur conforme à l'invention, représenté également dans des stades successifs de sa fabrication. 35 Toutes les figures sont schématiques et les dimensions n'ont pas été reproduites à la même échelle. Généralement, les parties qui correspondent sur les figures ont été indiquées par les mêmes références. En ce qui concerne l'exemple se rapportant aux figures 1 à 9t le dispositif semiconducteur comporte un corps semiconducteur 1 affectant 72 00450 5 2121664 la forme d'une plaquette de silicium et comportant un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée. Outre ce transistor, la plaquette de silicium 1 qui n'est présentée qu'en partie, peut comporter encore d'autres composants qui avec ledit transistor forment un circuit intégré mono 5 lithique. Le transistor à effet de champ comporte un substrat 1 (corps semiconducteur) de type de conduction p et de résistivité de 3*3 Ohms.cm, dans lequel sont élaborées une zone de source 4 et une zone de drain 5» toutes deux de type de conduction n. La surface 3 de la plaquette 1 est 1q recouverte d'une couche isolante (2, 6), en oxyde de\silicium. La partie de couche 6 qui a une épaisseur de 0,13 micron, est munie d'une électrode-porte' 12, en aluminium. Les zones 4» 5 servant de source et de drain sont raccordées à des couches d'aluminium 10, 11, par l'intermédiaire de fenêtres de contact pratiquées dans la couche d'oxyde 2. 15 En ce qui concerne le transistor à effet de champ décrit, des impuretés peuvent être introduites dans la. partie de couche d1 oxyde 6 et/ ou dans le corps semiconducteur 1: dans le silicium, il s'agit souvent d'ions de métaux lourds, par exemple les métaux Au et Gu, et dans la couche d'oxyde il s'agit par exemple d^ons de sodium, en outre capables de 20 se déplacer sous l'influence des champs électriques qui se produisent lors du fonctionnement du dispositif» De de fait, la stabilité électrique et les autres propriétés électriques, par exemple le courant de fuite (courant d'obscurité) et la tension de claquage peuvent être influencés défavorablement entre les zones 4» 5 et le substrat 1. Comme 25 c'est habituellement le cas, le terme "courant d'obscurité" signifie ici le courant qui, en l'absence d'un rayonnement incident, traverse une diode dans le sens de blocage. Par suite de là faible épaisseur et des autres critères à imposer à la couche d'oxyde 6, celle-ci ne peut pas être soumise à une diffusion de getter à température élevée en vue d'é-30 liminer lesdites impuretés, comme cela est effectué avantageusement par exemple lorsqu'il s'agit de structures à transistors bipolaires. Pour cette raison, le dispositif représenté sur la figure 1 est, conformément à l'invention, fabriqué de la manière suivante. On part (voir la figure 1) d.'une plaquette de silicium 1, de type de conduc-35 tion p, à orientation cristallographique (100), cette plaquette ayant une résistivité de 3»3 ohms.cm et une épaisseur de 200 microns, une surface 3 de cette plaquette étant, de manière connue, traitée au préalable par décapage et par polissage, la surface opposée de la plaquette ayant été meulée. Sous l'effet d'une oxydation thermique effectuée à une 72 00450 V 2121664 température de 1000°C dans une atmosphère d'oxygène humide pendant 45 minutes, la surface entière de la plaquette 1 est munie d'une couche 2 en oxyde de silicium, voir la figure 1. Du côté de la surface 3» la- mise en oeuvre de procédés de décapage photolithographique connus permet l'éla-5 boration d'ouvertures situées à l'endroit des zones de source et de drain à former. Ensuite, de manière connue, du phosphore est diffusé à travers 20 ces ouvertures, en vue d'établir une concentration de surface de 10 atomes/cm3, la source fournissant le phosphore étant la substance POCÎ^. 10 On obtient ainsi la zone de source 4 et la zone de drain 5» de type de conduction n, (voir la figure 3)« Par masquage et décapage, la couche d'oxyde 2 est ensuite éliminée (voir la figure 4) à l'endroit de l'électrode-porte à former, tandis que par oxydation thermique à une température de 1000°C pendant 20 15 minutes dans une atmosphère d'azote humide, on obtient une couche d'oxyde 6 ayant une épaisseur de 0,2 micron, (voir la figure 5)« Cette épaisseur est un peu plus grande que l'épaisseur voulue finale (0,13 micron) de l'oxyde situé sous l'électrode-porte. A la face inférieure de la plaquette de silicium, on élimine 20 ensuite l'oxyde 2. Conformément à l'invention, on élabore maintenant le matériau de getter sous la forme d'une couche de verre au silicate de phosphore 7 sur le corps semiconductéur entier ainsi que sur la couche d1oxyde, cette couche de verre étant formée par une diffusion de 21 phosphore donnant lieu à une forte concentration de surface égale à 10 25 atomes/cm® et effectuée à une température de 975° pendant 12 minutes (voir la figure 6). A la face inférieure de la plaquette, il se forme ainsi par diffusion une mince couche 9» de "type de conduction n. A cette température faible, il ne se produit pratiquement aucun effet de getter. (élimination d'impuretés). 30 La mince couche 7 en verre au silicate de phosphore, qui à la température utilisée a pénétré d'environ 0,07 micron dans la couche d'oxyde 6, est ensuite éliminée de la couche d'oxyde (2, 6) exempte de phosphore (voir la figure 7)> ceci ayant lieu par décapage dans une solution contenant 10 cm3 de EF à 50$, 15cm5 de HNO^ à 65$, et 300 cm3 de 35 H^O, pendant environ 10 secondes à la température ambiante. Pendant ce décapage, on masque la face inférieure de la plaquette de silicium. Sous l'action du décapant précité, le verre au silicate de phosphore 7 est décapé beaucoup plus rapidement (0,03 micron/s) que ne l'est l'oxyde sous-jacent (2, 6) exempt de phosphore. De ce fait, la 72 00450 7 2121664 durée de décapage est peu critique, étant donné qu'en atteignant l'oxyde exempt de phosphore, la vitesse de décapage diminue jusqu'à une valeur très faible. (3-6 x 10-^ micron/s). De ce fait, l'épaisseur voulue de la couche d'oxyde 6 est très bien reproductible. 5 Puis, pour stabiliser sous l'électrode-porte électriquement la couche d'oxyde 6, on effectue une diffusion de phosphore établissant 18 3 une faible concentration de surface (10 atomes/çm ), ceci ayant lieu à une température de 975°C pendant 10 minutes dans une atmosphère de Ng + + POClj. Pour éliminer les impuretés déjà citées, on effectue 10 ensuite, comme dernier traitement à température éle^le, une élimination d'impuretés (gettering) en chauffant * la plaquette de silicium à une température de 1050° maintenue pendant 10 minutes. Pendant cette opération, également le phosphore 8 élaboré à faible concentration et à faible température se diffuse dans la couche 6 pour stabiliser ainsi 15 celle-ci, tandis qu'à partir de la couche 7 en oxyde de verre au silicate de phosphore, effectuant l'élimination d'impuretés, on forme par diffusion une couche 9 de type de conduction n à la face inférieure de la plaquette. Cette couche 9 doit être éliminée si à la face inférieure, l'on veut contacter le substrat 1, de type de conduction p. 20 Enfin, d'une façon habituelle, on décape des fenêtres dans la couche d'oxyde (2, 6) et on élabore l'éle'ctrode-porte 12 ainsi que les couches de contact de source et de drain 10 et 11, par la mise en oeuvre de techniques connues de masquage et de dépôt par évaporation. . De la façon décrite ci-dessus, on peut obrenir un transistor 25 à effet de champ à électrode-porte isolée, dont les propriétés sont améliorées considérablement par une élimination d'impuretés par l'action d'un getter, et cela malgré le fait que la mince couche isolante, située sous l'électrode-porte, rend impossible l'emploi d'une élimination d'impuretés mise en oeuvre habituellement pour d'autres structures 30 et effectuée avec une couche dé getter couinant la surface toute entière du corps. Pour illustrer l'amélioration ainsi obtenue en ce qui concerne les propriétés comparativement à celles des transistors MOS pour la fabrication desquels on ne met pas en oeuvre une élimination d'impure-35 tés, on peut remarquer que pour un transistor npn tel que décrit ci- dessus et ayant des tensions de source et de porte égales à xéro et une tension de drain égale à + 10 Volts, un courant de fuite ayant une intensité comprise entre 10 ^ et 10~^ a.mpères/cm3 a été mesuré entre la source et le drain. Dans les mêmes conditions, lorsqu'il s'agissait d'un 72 00450 8 5121664 transistor identique pour la fabrication duquel ûn n'avait pas procédé à l'élimination d'impuretés, l'intensité du courant de fuite était supérieure à 10~^/ampères/cm2. Pour un transistor pnp, c'est-à-dire un transistor ayant une 5 polarité opposée â celle du transistor décrit, mais présentant les mêmes dimensions et la même épaisseur d'oxyde constituant la porte, l'intensité du courant de fuite était supérieure à 10~^ ampères/cm2 sans élimination d'impuretés et en présence d'une tension de drain de , _Q _g -10 Volts, l'intensité correspondante étant comprise entre 10 et. 10 10 ampères/cm2 lorsqu'on avait procédé à ladite opération. Il va de soi que le procédé conforme à l'invention n'est pas limité à l'emploi de verre au silicate de phosphore comme matériau de getter. Il est possible alutei d'utiliser du verre au silicate de bore ou d'autres matériaux. Au lieu d'utiliser de l'oxyde de silicium pour for-15 mer la couche isolante, il est possible aussi d'utiliser d'autres matériaux, par exemple le nitrure de silicium ou l'oxyde d Pour illustrer le fait que le procédé conforme à l'invention 25 n'est pas limité à la fabrication de dispositifs comportant un transistor à effet de champ à électrode-porte isolée, mais que le procédé peut également être utilisé avantageusement pour la fabrication d'autres dispositifs semiconducteurs, on donne ci-après une application de l'invention pour la fabrication d'une cible d'tui tube d'enregistrement 30 d'images destiné à convertir des signaux d'image électromagnétiques en signaux électriques. Une telle cible est formée par exemple (voir la figure 14) par une plaquette de silicium 21, de type de conduction n, dans laquelle on a élaboré un certain nombre de zones 22 de type de conduction p, qui avec le matériau constituant la cible 21 forme des 35 jonctions p-n. Du côté des zones 22, la plaquette est recouverte d'une couche isolante 23, par exemple en oxyde de silicium, dans laquelle des ouvertures 26 ont été pratiquées à l'endroit des zones 22. Lorsque la face de cible inférieure, qui est munie d'un contact ohaique 25, est frappée par une lumière dirigée suivant les flèches 24» les diodes 21, 72 00450 9 2121664 22 sont chargées par les porteurs de charge générés, le niveau de charge étant déterminé par l'intensité de rayonnement local, après quoi l'autre face de cible est explorée par un faisceau électronique qui neutralise les diodes 22. L'intensité de rayonnement du faisceau égacué par l'inter-5 médiaire du contact 25> est fonction du degré dans lequel la diode correspondante a été changée, de sorte que des variations de l'intensité de rayônnement sont converties en des variations d'intensité de courant du faisceau. Lors de la fabrication d'une telle cible, il est très souhai-10 table de mettre en oeuvre une élimination d'impuretés^ sous l'effet d'un getter, poiir obtenir ainsi des diodes présentant un courant de fuite à intensité aussi réduite que possible ^courant d'obscurité). Toutefois, l'élimination d'impuretés habituellement effectué à l'aide d'une couche de verre.au silicate de phosphore de forte épais-15 seur rencontre également ici certains inconvénients. La présence d'une couche de verre aussi épaisse sur la couche d'oxydé 23 rend indispensable l'emploi d'un masque en vue de décaper les ouvertures 26, tandis que comme cela a déjà été mentionné, il y a grand risque de formation de petits trous dans la couche d'oxyde lorsqu'on met en oeuvre un tel pro-20 cédé d'élimination d'impuretés. C'est pourquoi la cible illustréfe sur la figure 14 est fabriquée, conformément à l'invention, de la manière suivante. Sur une plaquette 21 en silicium de type de conduction n, à orientation cristallo-graphique (111), présentant une épaisseur de 200 microns et une résisti-25 vité de 5 ohms.cm, on élabore de manière connue, par voie thermique, une couche d'oxyde 23 dans laquelle on décape des ouvertures. A travers ces ouvertures, on diffuse du bore pour former les zones 22 de type dé conduction p, l'oxyde à la face inférieure étant ensuite enlevé, de sorte que l'on obtient la structure illustrée sur la figure 10. Ensuite, sur 50 la surface entière du corps, et de 1a. même façon que dans l'exemple précédent, on élabore une couche de verre au silicate de phosphore 27 à une température de 975°C, cette couche ayant une concentration de surface « 21 3 égale à 10 atomes/cm . A la face inférieure de la plaquette, on obtient ainsi unâ mince couche fortement dopée 28, de type de conduction n (voir 35 la figure 11). La couche de getter 27 est ensuite éliminée de la face supérieure de la plaquette (voir la figure 12), ceci ayant lieu de la même façon que dans l'exemple précédent. Ensuite, (voir la figure 13) la plaquette est soumise à l'action d'un getter à température élevée (1050°C) 72 00450 10 2121664 le phosphore entrant par diffusion à partir de la couché 27 et exerçant un effet de getter sous l'effet duquel les diodes 22 acquièrent une tension de claquage élevée reproductible et un courant de fuite de très faible intensité. Lors de cette diffusion, l'épaisseur de la couche 28 5 continue d'augmenter. Pour pratiquer les fenêtres 26 (voir la figure.14)> il n'est plus nécessaire d'utiliser un masque additionnel. La mince couche d'oxyde élaborée sur les zones 22 est éliminée sous l'effet d'un décapage de courte durée, effectué dans une solution tampon HF, une couche d'oxyde 10 d'épaisseur suffisante subsistant entre les diodes 22. Enfin, la plaquette est décapée à sa face inférieure de façon à acquérir une épaisseur totale de 30 microns, de sorte que pratiquement tous les porteurs de charge générés par le rayonnement 24 sont à même d'atteindre les diodes 22. Après avoir placé le contact 25, qui de pré-15 férence est annulaire et suit le bord de la plaquette, la cible peut être montée dans un tube d'enregistrement. Egalement lors de la fabrication de cette cible, les matéria.ux respectifs constituant la couche isolante 23, la couche de getter 27 et le corps semiconducteur peuvent différer de ceux cités ci-dessus et être 20 choisis selon les désirs du technicien, comme pour l'exemple précédent. Lorsqu'au lieu dudit faisceau électronique, on utilise un faisceau d'exploration à porteurs de- charge positifs, les zones 22 peuvent avoir le type de conduction n, tandis que la plaquette 21 a alors le type de conduction p. Par ailleurs, on conçoit également qu'au besoin, le procédé 25 conforme à l'invention peut être mis en oeuvre lors de la fabrication de nombreux autres dispositifs semiconducteurs. Ainsi on conçoit que dans le cadre de l'invention beaucoup de variations sont possibles. Ainsi et en particulier il est possible, après l'application de la couche de getter à basse température et avant 30 de procéder au "gettering" proprement dit d'éliminer la couche de getter non sur une surface entière de la plaquette, comme dans les exemples décrits, mais seulement sur une partie de cette surface. Par exemple, pendant la. fabrication d'un transistor M0S, on peut éliminer la couche de getter uniquement de l'oxyde situé à l'emplacement de 1'électrode-porte. 72 00450 n 2121664 RE7SHPICATI0HS ; 1. Procédé permettant la fabrication d'un dispositif semiconducteur comportant un corps semiconducteur dont au moins une partie d'une surface est recouverte d'une couche isolante, alors qu'après avoir éla— 5 bore cette couche isolante sur la surface tout entière, on élabore, sur ladite couche une couche formée par un getter, un traitement thermique ayant ensuite lieu pour éliminer les impuretés indésirables hors du corps semiconducteur et de la couche isolante, caractérisé en ce que le matériau de getter est élaboré à une température suffisamment faible pour 10 qu'il n'y ait pratiquement aucun effet de getter, qu\ensuite le matériau de getter est éliminé au moins sur une partie de la couche isolante, et que lesdites impuretés sont éliminées au cours d'un traitement à température élevée en présence du matériau de getter subsistant, ce chauffage n'étant suivi que par des traitements à des températures inférieures à 15 celle où l'effet de getter a lieu de manière perceptible. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de getter est une couche de verre dont la composition diffère de celle de la couche isolante et qui, par décapage sélectif, est éliminée de celle—ci. 20 3. - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que pour le décapage, on utilise un produit par lequel la couche de verre est attaquée beaucoup plus rapidement que la couche isolante. 4. Procédé selon la. revendication 3, caractérisé en ce que sur une couche isolante qui au moins à sa surface est «n oxyde de silicium, 25 on élabore une couche de getter en verre au silicate de phosphore, alors que pour le décapage, on utilise une solution comportant de l'acide fluorhydrique. 5- Procédé selon une des revendications 1 à 4, caractéri sé en ce qu'après avoir éliminé le matériau de getter situé sur la couche 30 isolante, on élabore sur celle-ci un matériau passivant, ceci ayant lieu soit avant soit après 11 élimination des impuretés. 6. Procédé selon la revendication 5> le getter utilisé étant un verre au silicate de phosphore alors qu'au moins à aa surface la couche isolante est en oxyde de silicium, caractérisé en ce qu'a une température ' 35 qui est inférieure à celle- à laquelle a lieu l'élimination d'impuretés, on élabore, avant cette opération, également une couche de verre au silicate de phosphore servant de matériau passivant, ce verre devant avoir une teneur en phosphore qui est inférieure à celle de la couche de getter. 7* Procédé selon-l'une des revendications 1 à 6 pour la 72 00450 Y ■ '212?Î664 fabrication- d'un transiôttfr a*effet' de' champ à élefctrodé-porte -isolée, caractérisé en ce qu'après avoir élaboré le matériau de getter à faible température ce matériau dé getter est éliminé,au pioins à l'endroit où sera élaborée l'électrodç-porte. 5 8. Dispositif semiconducteur obtenu par la mise en oeuvre du pro cédé selon l'une des revendications 1 â 6.