FR 2116568 A1 19720713 FR 7143750 A 19711206 71 43750 1 2116563 La présente invention concerne un procédé et un appareil pour réaliser une série de diodes; ce procédé comprend les opérations ci-après: formation d'un oxyde sur un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité pour réaliser un avers 5 et un revers, application d'un matériau de masquage sur l'avers pour former un revêtement, formation de trous dans ledit revêtement, formation d'ouvertures correspondantes dans l'oxyde et diffusion d'une impureté de dopage par lesdites ouvertures pour créer des régions d'un second type de conductivité en vue de former 10 des diodes dans le substrat. La présente invention crmvient particulièrement bien pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs ou analogues. On peut citer, comme exemples de ces dispositifs semi-conducteurs, des cibles de silicium comportant des séries de photodiodes sen-15 sibles à la lumière pour l'emmagasinage de charges apportées par des faisceaux d'électrons, tels ceux décrits dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique n° 3 011 089,n° 3 403 284 et n° 3 458 782. Bien que la présente invention soit destinée à être appliquée à l'enduction sélective d'objets, elle est décrite spécia-20 lement pour des cibles à série de diodes destinées aux dispositifs à emmagasinage de charges apportées par un faisceau d'électrons, tels que les tubes pour caméras de télévision. Une telle cible à série de diodes est constituée en principe par un substrat plan semi-conducteur comportant une série de jonctions pn 25 très rapprochées et proches d'une de ses surfaces. Lors de la réalisation d'une cible comportant une série de diodes conformément aux techniques actuelles, on prépare un substrat du type n_par sciage d'un lingot constitué par un monocristal de silicium, opération suivie d'une attaque et d'un po-350 lissage de ce susbtrat. Après un nettoyage soigné , on forme une couche de silice SiOg sur l'ensemble de ce substrat. On dépose ensuite un matériau de masquage pour réserve photographique sur le substrat qu'on fait tourner pour le recouvrir uniformément. Ce substrat est ensuite mis à nu suivant un 35 dessin correspondant à la série nécessaire de diodes et ensuite traité pour ménager des ouvertures dans ledit matériau de masquage par réserve photographique. L'attaque chimique du substrat par ces ouvertures a pour conséquence la production d'ouvertures correspondantes dans la couche de silice. On diffuse du bore par 71 43750 2 2116563 les trous de la couche de silice pour former des régions du type p, cette couche de silice agissant comme un masque de diffusion. Ces régions du type p dans le substrat du type reforment une série de diodes sur une face du substrat. 5 Après la formation de cette série de diodes, le substrat est fixé avec de la cire sur un disque support, en mettant la série de diodes au contact de ce disque. La face arrière^ c'est-à-dire l'autre , du substrat est tout d'abord attaquée chimiquement pour éliminer toute la silice qui reste sur elle et ensuite at-10 taquée chimiquement pour éliminer du pourtour de cette face arrière le matériau dans lequel a diffusé du bore. Ensuite, on dépose au pinceau un anneau de cire sur ce pourtour, de manière qu'une couronne support reste sur la face arrière du substrat après une opération ultérieure de morsure. Au cours de cette opé-15 ration de morsure, on plonge le substrat dans le mordant dans lequel on le fait tourner pendant une durée suffisante pour amincir le substrat jusqu'à une épaisseur prédéterminée. Cette épaisseur est très inférieure au parcours de diffusion des porteurs minoritaires engendrés par l'absorption de lumière dans la cible ter-20 minée et limite le taux de diffusion latérale des porteurs minoritaires afin que la cible obtenue ait un pouvoir résolvant élevé. Après amincissement, le substrat est soumis à plusieurs traitements de finissage. Le premier de ces traitements est une diffusion peu profonde de phosphore pour améliorer la sensibilité 25 au bleu du tube de caméra terminé et pour réduire son courant d'obscurité. Ensuite, le verre destiné à la diffusion du bore, qui avait été laissé jusqu'alors sur la face comportant les diodes du substrat afin de la protéger contre la diffusion du phosphore, est enlevé afin de mettre à nu les régions du type p des 30 diodes. On enlève le verre destiné à la diffusion du phosphore en même temps qu'on enlève le verre destiné à la diffusion du bore. On recuit ensuite le substrat dans de l'hydrogène à température peu élevée pour diminuer encore le courant d^obscurité 35 du tube terminé de la caméra. Enfin, un film faiblement conducteur est déposé par évaporation sur la série de diodes, qui est ainsi prête à l'emploi. Conformément à l'invention, le nombre d'opérations de traitement nécessaires est réduit et, en même temps, l'uniformité 71 4375Î 3 2116568 des caractéristiques mécaniques et électriques des diverses diodes de la série est augmentée. Le procédé selon l'invention est en outre caractérisé par la projection d'un fluide sous une pression positive de manière qu'il circule vers l'extérieur en direc-5 tion des bords, sur le revers,pour empêcher le matériau de masquage de venir au contact dudit revers. La présente invention concerne un nouveau procédé d'en-duction sélective d'un substrat de semi-conducteur comportant un revêtement d'oxyde , et qui comprend les opérations ci-après: ap-10 plication d'un matériau sur la surface de l'avers du substrat et projection d'un fluide sous pression contre le revers de la pièce d'oeuvre là où ce matériau est indésirable afin de l'empêcher de recouvrir le revers du substrat semi-conducteur. L'invention concerne aussi un appareil destiné à mettre 15 en oeuvre l'enduction sélective d'un substrat semi-conducteur comportant une couche d'oxyde. Cet appareil comprend un dispositif distributeur pour appliquer un matériau sur l'avers du substrat et un ajutage destiné à projeter un fluide sur le revers du substrat, pour empêcher ce matériau de recouvrir le revers dudit 20 substrat. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés donnés à titre d'exemple non limitatif. Sur ces dessins : les figures 1 à 4 sont des vues partielles en perspective, 25 avec coupe partielle, représentant sommairement la série d'opérations nécessaires pour réaliser des cibles comportant une série de diodes et mettent en évidence quelques difficultés de la technique antérieure; et la figure 5 est une vue en perspective avec coupe par-30 tielle à grande échelle d'un appareil destiné à enduire sélectivement un substrat semi-conducteur et en particulier un ajutage pour projeter un fluide sous pression contre une partie du substrat où la présence du matériau d'enduction n'est pas souhaitée. Les figures,et en particulier la figure 4,représentent 35 une cible 11 comprenant un ensemble de diodes. Cette cible 11 comprend un substrat 12 semi-conducteur du type n,de préférence du silicium,sur une face ou la surface 14 duquel est formée une couche 13 de silice. Plusieurs ouvertures 16 sont ménagées à travers la couche 13. Plusieurs régions 17 du type p corréspon- C- 71 43750 4 2116568 dant à ces ouvertures 16 sont formées à travers les ouvertures 16 de la surface 14 du substrat 12. Les régions 17 du type p associées au substrat 12 du type_n forment une série de photodiodes sensibles à la lumière. 5 Le substrat 12 comporte une partie centrale 18 très min ce, destinée à réduire la distance que les porteurs minoritaires doivent franchir pour atteindre leçûiodes sur la surface opposée 14 du substrat 12 et pour limiter la diffusion latérale de ces porteurs. Le substrat 12 comprend aussi une couronne 19 relative-10 ment épaisse formant sa surface latérale et destinée à le soutenir. Si l'on emploie la cible 11 avec une série de diodes dans un tube de caméra de télévision, la lumière reçue frappe la partie centrale 18 du substrat 12 en produisant des porteurs minoritaires qui se déplacent jusqu'à la série de diodes dans la 15 surface opposée 14, tandis qu'un faisceau d'électrons provenant d'une cathode balaie la série de diodes formée sur la surface 14. Le substrat 12 a par exemple la forme d'un disque de diamètre voisin de 21,6 mm dont la partie centrale 18 a environ 19,3 mm de diamètre et environ 15,2 microns d'épaisseur. La partie 20 annulaire 19 a par exemple environ 127 microns d'épaisseur. Il y a en général environ un million de diodes séparées dans la série de la surface 14 du substrat 12 et environ 650 000 diodes de cette série sont employées quand la cible 11 est montée dans un tube de caméra de télévision. Evidemment, les figures 1 à 4 ne sont 25 pas à l'échelle, afin de représenter plus clairement la cible 11. La présente invention sera mieux comprise si l'on expose sommairement le procédé de la technique antérieure de réalisation de la cible 11 comportant une série de diodes (figure 4) et certaines des difficultés liées à ce procédé. 30 Si l'on réalise la cible 11 par le procédé de la techni que antérieure, on forme le substrat 12 (figure 1) par découpage à la scie d'une tranche d'un lingot constitué par un monocristal de silicium,opération suivie d'une attaque chimique et d'un polissage de cette trempe. Après un nettoyage soigné, on forme la 35 couche de silice 13 par oxydation à chaud, sur la totalité du substrat 12. Ensuite, le substrat 12 est fixé solidement à un plateau à dépression non représenté et on le fait tourner pendant l'enduction. Ensuite, la surface 22 de l'avers (figure 1) de la couche 71 43750 5 2116568 13 de silice est recouverte d'un matériau pour masquage par réserve photographique et on laisse le substrat 12 immobile pendant un court instant pour répartir le matériau de masquage sur toute la surface supérieure 22 et former une couche 23 avec un ménisque 24. 5 On communique ensuite une forte accélération au substrat 12 pour qu'il atteigne une grande vitesse de rotation et on le laisse tourner pendant un court instant. La rotation du substrat 12 vainc la cohésion de la couche 23 du matériau de masquage et l'étalé de manière à former un mince revêtement uniforme 26 (figure 10 2) de ce matériau sur la surface de l'avers 22 de la couche 13, tandis qu'une fraction du revêtement 26 recouvre une partie du bord de la couche 13, comme l'indique la figure 2. Un grave inconvénient de ce procédé de la technique antérieure est le suivant: quand on fait tourner le substrat 12, 15 le matériau de masquage par réserve photographique chemine ou s'étale souvent sur la surface du revers 28 (figure 2) de la couche 13 de silice du substrat 12 et forme des dépôts indésirables 29 en divers points de cette surface 28 (figure 2). On a observé que ces revêtements 29, qui recouvrent 20 et protègent certaines parties de la couche 13 de silice pendant une première opération d'attaque chimique,maintiennent ces portinns sur la surface inférieure 28. Par conséquent, une deuxième opération d'attaque chimique est nécessaire pour les enlever. Après l'enlèvement de ces revêtements 29 et de ces parties sous-jacentes, 25 la série de diodes dans la surface 14 du substrat 12 en face de ces dépôts 29 a des propriétés électriques différentes de celles de la série de diodes qui ne se trouve pas en face de ces dépôts 29. Par conséquent, l'uniformité de cette série de diodes est insuffisante. Bi«.n que la raison exacte de cette insuffisance d'uniformité ne soit pas connue avec certitude, on admet en théorie que les parties de la couche 13 de silice au-dessous des revêtements 29 créent des contraintes internes dans le réseau cristallin du substrat 12, même après enlèvement des dépôts 29 et des parties 35 sous-jacentes de la couche 13. Ces contraintes , qui sont localisées dans les zones où étaient les dépôts 29 et les parties sous-jacentes, modifient manifestement les caractéristiques électriques de la série de diodes formée dans la surface 14 du substrat 12 . Etant donné son extrême minceur (environ 15>2 microns- d'é 71 43750 6 2116568 paisseur dans la partie centrale 18) le substrat 12 est particulièrement sensible à ces contraintes. Ses caractéristiques sont différentes de celles de la série de diodes là où ces contraintes n'existent pas; par conséquent , l'uniformité de la série de dio-5 des diminue à la suite de ce cheminement. Fait caractéristique, cette diminution d'uniformité conduit souvent à des cibles 11 défectueuses. On admet que les difficultés dues au cheminement sont provoquées, tout au moins en partie, a) par le débordement du ma-10 tériau de masquage en direction des bords et de la surface inférieure 28 du substrat 12 pendant le recouvrement de la surface 14 avec le matériau de masquage, b) par l'étalement et la dispersion de la couche 23 de matériau de masquage soumis à une forte accélération centrifuge pendant la rotation du substrat 12 et 15 c) par les fuites du plateau à dépression qui maintient le substrat 12 et qui tendent à attirer le matériau diffusé vers le centre dè la surface 28 et du plateau. Lors de la réalisation de la cible 11 par le procédé de la technique antérieure, l'opération suivante consiste à mé-20 nager plusieurs ouvertures, non représentées, dans la couche 26 du matériau de masquage par réserve photographique (figure 2). Ces ouvertures sont formées par des techniques classiques de photolithographie, en fonction de la série de diodes désirée. Après avoir formé ces ouvertures dans la couche 26, 25 les ouvertures 16 (figure 3) sont formées dans la couche de silice 13 par la première opération d'attaque chimique, pouçlaquelle le substrat 12 est plongé dans l'acide fluorhydrique. Les parties de la couche 13 de silice qui ne sont pas protégées par les couches 26 et 29 du matériau de masquage sont éliminées par attaque 30 chimique, ce qui produit les.ouvertures 16 de la couche 13 et é-limine les parties de la couche 13 dont la surface 28 inférieure n'est pas au-dessous du revêtement 29 (voir figure 3). Ensuite, les revêtements 26 et 29 du matériau de masquage sont enlevés par des procédés connus de dissolution et de 35 lavage qui laissent sur le substrat 12 les parties de la couche de silice qui se trouvaient au-dessous desdits revêtements 26 et 29- Ensuite, on diffuse à travers les ouvertures 16 de la couche de silice 13 du bore pour former les régions 17 du 71 4375C 7 2116568 type £ dans le substrat 12 du type n, et la couche 13 se comporte comme une couche de diffusion. Les régions 17 du type p du substrat 12 du type n forment une série de diodes sur la surface 14 du substrat 12. 5 Après la formation de la série de diodes, et confor mément au procédé de la technique antérieure, le substrat 12 est fixé par de la cire à un disque-support, non représenté, la couche de silice 13 et la surface 14 avec la série de diodes sont tournées vers le bas, contre ce disque-support. La seconde opéra-10 tion d'attaque chimique est ensuite mise en oeuvre. Dans cette opération, la face arrière du substrat 12 est attaquée chimiquement dans l'acide fluorhydrique pour éliminer les parties de la couche de silice 13 de la surface inférieure 28 dudit substrat qui se trouvaient au-dessous des dépôts 29 de matériau de masquage 15 par réserve photographique. Ces parties de la couche 13 doivent être enlevées pour permettre un libre accès à la partie centrale 18 du substrat 12 et, comme on l'a indiqué ci-dessus, cette élimination selon les procédés de la technique antérieure laisse une série de diodes d'uniformité insuffisante, peut-être à la 20 suite de l'apparition de contraintes intérieures dans le susbstrat 12 extrêmement mince. Après l'élimination de la couche 13 de silice au-dessous du dépôt 29, le pourtour de la face arrière du substrat 12 est attaqué chimiquement, selon la technique antérieure, dans 25 l'acide nitrique, fluorhydrique ou acétique saturé d'iode. Cette attaque chimique enlève le matériau dans lequel le bore a diffusé sur cette partie du substrat 12. Dans le procédé de la technique antérieure, un anneau de cire, non représenté , est ensuite déposé au pinceau sur le 30 pourtour de la face arrière du substrat 12 pour définir la couronne 19 (figure 4) destinée à supporter le substrat 12. Cette couronne 19 est laissée sur le substrat 12 après une opération ultérieure d'attaque chimique dans laquelle la mince partie centrale 18 est formée dans le susbstrat 12.Le substrat 12 est en-35 suite plongé dans l'acide saturé d'iode susmentionné et on le fait tourner dedans pendant un temps suffisant pour amincir ledit substrat 12 de manière à former la partie centrale 18 d'épaisseur voisine de 15 microns. Selon la présente invention on remédie aux difficultés k. 71 4375C 8 2116568 susmentionnées créées par le cheminement, et le manque d'uniformité des diodes qui en découle par 1'utilisation de l'appareil d'enduction sélective de la figure 5. L'emploi de cet appareil diminue par ailleurs le nombre d'opérations nécessaires pour réa-5 User la cible 11. Lorsqu'on emploie cet appareil, le substrat 12, représenté en trait interrompu , sur lequel la couche de silice 13 est déjà formée, est placé et maintenu sur l'extrémité 31 d'un tube creux 32 dans lequel est ménagé un passage 33» Le tube 32 comporte également une extrémité 34 , en face de l'extrémité 10 libre 31, qui est associée à plusieurs appareils classiques (représentés schématiquement sur la figure 5) comprenant un dispositif de déplacement vertical 36, une source de dépression 37 et un appareil tournant 38. Bien que le dispositif 36 soit représenté associé au tube 32 pour le déplacer verticalement, il va de soi 15 que le dispositif 36. peut être, au contraire, associé à une pla-te-forme 39 pour le déplacer verticalement. La source de dépression 37 est reliée au passage 33 du tube 32 pour créer une dépression à l'extrémité libre 31 de celui-ci afin de fixer solidement le substrat 12 à ladite extré-20 mité libre 31 au cours d'une opération ultérieure d'enduction par rotation. Pour faciliter la mise en place du substrat 12 sur l'extrémité libre 31, le tube 32 est déplacé verticalement par le dispositif 36. Par ailleurs, le tube 32 est monté de manière que le dispositif 38 puisse le faire tourner au cours de l'opération 25 ultérieure d'enduction avec rotation. Un.orifice ou ajutage 41 (figure 5) projetant un jet annulaire de fluide est placé autour de la périphérie du tube 32 et espacé de celle-ci et est constitué par un rebord supérieure formant saillie 42 d'un tube 43 et d'une partie chanfreinée 44, agissant en même temps, d'un tube 30 'extérieur 47. L'ajutage 41 est espacé du substrat 12 de façon à ne pas gêner le mouvement du substrat 12 quand le dispositif tournant 38 le fait tourner, et le tube 43 est fixé au plateau 39. Evidemment, si le dispositif 36 de déplacement vertical est associé au plateau 39 et le déplace, comme indiqué ci-dessus à titre 35 de variante, alors le tube 43 peut coulisser au centre du plateau 39. Les tubes intérieur et extérieur 43 et 47 formant l'ajutage 41 forment aussi une cavité 48 communiquant avec ledit ajutage 41 ainsi que, par un raccord étanche 51 et un tube 52, 71 4375C 9 2116568 avec une source 54 de fluide sous une pression positive. L'ajutage 41 projette le fluide, qui est un liquide ou un gaz, mais de préférence est de l'azote ou de l'air en provenance de la source 54 sous forme d'un jet annulaire en direction 5 et radialement vers l'extérieur, de la surface inférieure 28 de la couche 13 de silice du substrat 12. Ce fluide, après avoir atteint le revers 28 du substrat 12 circule radialement vers 1 'extérieur en s'écartant du substrat 12. Lors de la mise en oeuvre de l'invention, le matériau 10 de masquage par réserve photographique est appliqué sur la surface supérieure ou avers 22 (figure 1) de la couche de silice 13 du substrat 12 par un distributeur connu 61 (figure 5). On recouvre de préférence l'avers 22 avec ce matériau et on laisse le .pour substrat 12 immobile pendant environ 20 secondes/répartir ledit 15 matériau sur ladite surface 22 de manière à former une couche 23. Ce matériau peut être appliqué sur la surface 22 après que l'ajutage 41 a commencé de projeter le fluide provenant de la source 54 contre la surface inférieure 28 du substrat 12, 20 pour empêcher ce matériau de venir au contact du revers 28. Cependant, il va de soi que ce fluide peut être projeté contre la surface 28 en même temps qu'on applique le matériau de masquage. Ensuite, on met en action l'appareil tournant 38 pour communiquer rapidement au substrat 12 la vitesse de rotation dé-25 sirée; on obtient en pratique de bons résultats avec une vitesse de rotation comprise entre 3 000 et 6 000 t/mn pendant environ secondes 15/ . Cette rotation du substrat 12 est suffisante pour étaler et disperser la couche 23 (figure 1) et former le revêtement uniforme 26 (figure 2) du matériau de masquage sur l'avers 22 de la 30 couche 13, avec une fraction du revêtement 26 qui recouvre une partie du bord de la couche 13 (figure 2). Une cuvette classique 62, supportée par un anneau 63 et le tube extérieur 47, entoure le substrat 12 et recueille le matériau de masquage projeté par le substrat tournant 12 et chassé radialement vers l'extérieur 35 par le fluide sortant de l'ajutage 44. Après rotation, le revêtement 26 a une épaisseur d'environ un micron. Bien que la couche 23 de matériau de masquage par réserve photographique soit étalée et dispersée par la grande vitesse de rotation du substrat 12 et que la dépression à l'extré 71 4375C 10 2116568 mité libre 31 du tube 32 tende à aspirer le matériau dispersé vers le centre de la surface inférieure 28 de la couche 13, ledit matériau de masquage ne doit pas cheminer, ni s'étaler sur le revers 28 de la couche 13 et ne doit former aucun dépôt 29 (figure 2), 5 ceci parce que l'ajutage 41 de l'appareil d'enduction sélectif de la figure 5 chasse le fluide provenant de la source 54 contre la surface inférieure 28 de la couche 13 quand le substrat tourne. Par conséquent, les difficultés liées au cheminement du procédé de la technique antérieure entraînant un manque d'uniformité de 10 l'esnemble de diodes sont éliminées. Par ailleurs, l'appareil d'enduction sélective de la figure 5 n'endommage pas mécaniquement et ne pollue pas le substrat 12. Certains réglages de l'appareil de la figure 5 sont indispensables. Par exemple, la dépression de la source 37 est réglée 15 de manière à assujettir solidement le substrat 12 à l'extrémité libre 31 du tube 32. Par ailleurs,le débit et la pression du fluide de la source 54 sont ajustés de manière que la force appliquée par le fluide aurevers 28 du substrat 12 soit suffisante pour empêcher le matériau de masquage d'être transporté en direction du 20 revers 28. On a observé que le fluide provenant de la source 54 qui est projeté contre le revers 28 tend à s'associer à la dépression provenant de la source 37 pour fixer solidement le substrat 12 à l'extrémité libre 31 du tube 32. On pense que cette action favorable de ce tube est liée à la loi de "Bernoull'i. 25 Après la formation du dépôt 26 du matériau pour masquage par réserve photographique sur la couche de silice 13 selon la présente invention, on procède à l'opération d'amincissement susmentionnée, à part que la première opération susmentionnée d'attaque de la face arrière du substrat 12 par de l'acide fluorhydri-30 que pour éliminer la silice restante est maintenant supprimée. Après cette opération d'amincissement, le substrat 12 est séparé du disque support et soumis à plusieurs traitements thermiques de finissage. Le premier de ces traitements est une diffusion peu profonde de phosphore pour améliorer la sensibilité au bleu 35 du tube terminé de la caméra de télévision et pour réduire son courant d'obscurité. Le verre destiné à la diffusion du bore, qui avait été laissé sur la surface 14 du substrat jusqu'à ce moment pour protéger la série de diodes contre la diffusion du phosphore est alors éliminé en plongeant le substrat 12 dans un mordant à 71 4375u 11 2116568 base d'acide fluorhydrique. L'élimination de ce verre destiné à la diffusion du bore met à nu les régions du type p de la série de diodes sur la surface 14. On élimine par ailleurs le verre destiné à la diffusion du phosphore en même temps que celui destiné 5 à la diffusion du bore. Ensuite, on recuit le substrat 12 dans l'hydrogène à température peu élevée pour réduire encore le courant d'obscurité du tube de la caméra terminée. Enfin, une couche faiblement conductrice est appliquée sur la surface 14 sur laquelle se trouve 10 l'ensemble de diodes. Cette couche est obtenue par évaporation de trisulfure d'antimoine Sb2S^ dans une cloche dans laquelle règne le vide. Après l'application de cette couche,la cible 11 est terminée et prête à l'emploi. Il va de soi que la présente invention a été décrite ci-15 dessus à titre purement indicatif, mais nullement limitatif, et que l'on pourra lui apporter toutes modifications de détail conformes à son esprit sans sortir de son cadre. 71 43751 12 2116568 REVENDICATIONS 1 - Procédé de réalisation d'une série de diodes, comprenant les opérations ci-après: formation d'un oxyde sur un substrat semi-conducteur d'un premier type de conductivité, corapor-5 tant un avers et un revers, application d'un matériau de masquage sur l'avers pour former un revêtement, formation d'ouvertures dans ledit revêtement, création d'ouvertures correspondantes dans ledit oxyde et diffusion d'une impureté destinée au dopage par les ouvertures de la couche d'oxyde pour former des régions ayant 10 un second type de conductivité afin de réaliser une série de diodes sur ledit substrat, caractérisé en ce qu'on projette un fluide sous pression, de manière qu'il s'écoule de l'extérieur, dudit revers pour empêcher le matériau de masquage de venir au contact dudit revers. 15 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit fluide est dirigé vers le revers sous forme d'un jet annulaire. 3 - Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le fluide projeté sur le revers est un gaz. 20 4 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ce fluide est projeté en direction du revers avant que ledit matériau de masquage commence à s'écouler le long du bord dudit revers. 5 - Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 25 4, caractérisé en ce qu'on fait tourner le substrat semi-conducteur pour disperser la couche de matériau de masquage de manière à former un revêtement uniforme sur ledit avers., tandis que ledit fluide est projeté en direction du revers. 6 - Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce 30 qu'on fait tourner le substrat semi-conducteur immédiatement après avoir appliqué le matériau de masquage sur l'avers. 7 - Appareil pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, pour appliquer sélectivement le matériau de masquage sur l'avers du substrat semi-conducteur 35 et qui comprend un distributeur placé de manière à appliquer un matériau de masquage sur l'avers d'un substrat semi-conducteur, caractérisé en ce qu'un ajutage projette un fluide de manière qu'il s'écoule vers l'extérieur en direction du bord du revers du substrat semi-conducteur pour empêcher ledit matériau de mas 71 43750 13 2116568 quage de recouvrir une partie dudit revers. 8 - Appareil selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'ajutage a une forme annulaire et il est relié à une source de fluide sous une pression positive pour provoquer un écoulement 5 radial dudit fluide le long di^evers du substrat semi-conducteur. 9 - Appareil selon l'une des revendications 7 et 8, caractérisé en ce qu'un dispositif est incorporé pour faire tourner le substrat semi-conducteur, lorsque le fluide projeté par ledit ajutage circule le long du revers du substrat, et après l'appli- 10 cation dudit matériau de masquage sur l'avers du substrat.