FR 2132347 A1 19721117 FR 7211541 A 19720331 72 11541 2132347 L'invention concerne un dispositif semiconducteur, dont le corps comporte au moins un composant muni d'au moins trois régions, dont deux régions présentent un premier type de conduction et sont séparées par une région de type de conduction 5 opposé, corps dans lequel est enfoncée une configuration en matériau isolant s'étendant, sur au moins une partie de son épaisseur, à partir d'une surface principale du corps semiconducteur dans ledit corps, qui présente au moins une partie en forme de couche confinant à la surface principale et, sur toute sa péri-10 phérie et sur toute son épaisseur à la configuration enfoncée, partie en forme de couche dans laquelle une première des deux régions présentant le premier type de conduction et la région présentant le second type de conduction du composant sont disposées entièrement et l'autre desdites deux régions du premier type 15 de conduction au moins partiellement, alors que cette dernière région, pour autant qu'elle soit appliquée dans la partie en forme de couche, confine sur toute sa périphérie et la région du second type de conduction au moins sur une partie de sa périphérie, à la configuration enfoncée et la région du second type de conduc-20 tion est séparée, au moins partiellement, par ladite première région de la surface principale. L'invention concerne en outre un procédé permettant de réaliser le dispositif semiconducteur. Un tel dispositif semiconducteur, dans lequel le com-25 posant est un transistor, a été décrit dans le brevet français N° 1 54-9.386 et présente des avantages importants. C'est ainsi que la jonction pn entre la région servant de base du second type de conduction et l'autre région servant de collecteur du premier type de conduction ne se termine assez souvent 30 pas par l'intermédiaire d'une forte courbure près de son bord pratiquement perpendiculairement à la surface principale mais est latéralement limitée par la configuration, tout en évitant cette courbure, et cela influe avantageusement sur les propriétés électriques du transistor. 35 Pour réaliser un tel dispositif semiconducteur dans un circuit intégré, on part assez souvent d'un substrat semiconducteur à valeur ohmique élevée, de type de conduction p, sur lequel est déposée, par voie épitaxiale, une couche semicondactrice de type de conduction n, éventuellement après l'application, sur le 40 substrat, d'une source d'une substance de dopage susceptible de 72 11541 2. 2132347 provoquer dans le corps semiconducteur le type de conduction n, ceci afin d'obtenir une couche collectrice dite enterrée. Ensuite, la configuration enfoncée en matériau isolant est formée par oxydation locale de la couche epitaxiale, après 5 quoi sont formées successivement des régions des types de conduction p et n, notamment la base et l'émetteur du transistor, par diffusion dans la partie en forme de couche latéralement entourée de la configuration. L'expérience a montré que, lors de la formation de la 10 configuration enfoncée par oxydation de la couche epitaxiale, la substance de dopage provoquant, dans la couche épitaxiale, le type de conduction n est en général insuffisamment absorbée par l'oxyde formé, voir enfoncée dans le substrat, ce qui a pour effet un surdopage local et la formation de canaux entre les corn™ 15 posants dans les parties en forme de couche voisines séparées par la configuration enfoncée. De plus, une concentration de la substance de dopage provenant de la couche épitaxiale à la limitation avec la couche enfoncée a pour effet que, dans le cas de diffusion d'une base 20 confinant sur toute sa périphérie à la configuration, une zone marginale de la base présente moins intensément le type de con-ductionp qu'une partie centrale de ladite base. De plus, d'une façon générale, les substances de dopage provoquant dans le matériau semiconducteur le type de con-25 duction p sont facilement absorbées par la configuration enfoncée, de scrte qu'au moins à la limitation avec ces dernières, la base devient plus mince. Si un émetteur de type de conduction n est ensuite diffusé dans la partie en forme de couche s'étendant également jusqu' 30 à la configuration, la zone marginale de la base est assez souvent surdopée, ce qui se tradiîit par le court-circuit entre l'émetteur et le collecteur. Un tel court-circuit se produit facilement dans certains processus permettant d'obtenir la configuration enfoncée, comme 35 il sera expliqué en détail ci-après. Les problèmes décrits ci-dessus concernant la formation de canaux et le court-circuit se produisent par exemple également lorsqu'on part d'une couche épitaxiale de type de conduction p appliquée sur un substrat de type de conduction p. ^0 Dans ce cas, la formation de canaux et le court-circuit 72 11541 3. 2132347 peuvent se produire du fait que des charges positives se présentant dans l'oxyde ou à la face de séparation semiconducteur-oxyde, des canaux de type de conduction n peuvent être induites dans des régions de type de conduction p confinant à l'oxyde. 5 Ladite formation de canaux est facilitée du fait qu'au lieu de l'introduction de la substance de dopage dans la couche épitaxiale, il se produit le phénomène que la substance de dopage de la couche épitaxiale est fortement absorbée par l'oxyde en formation. 10 L'invention vise entre autre à éviter, au moins dans une grande mesure, les problèmes concernant la formation de canaux et le court-circuit. Elle est basée sur l'idée que les effets décrits ci-dessus concernant la concentration des substances de dopage pro-15 voquant le type de conduction n, l'abaissement de la teneur des substances de dopage provoquant le type de conduction p et des charges dan? la configuration enfoncées peuvent être compensées par une augmentation de la teneur des dernières substances de dopage dans une zone confinant à la configuration enfoncée. 20 Le/lispositif semiconducteur conforme à l'invention mentionné dans le préambule est caractérisé en ce que dans le corps semiconducteur, la configuration enfoncée est noyée entièrement, au moins là où elle confine à la partie en forme de couche, dans une zone contiguë présentant une certaine teneur en substance 25 de dopage pouvant provoquer le second type de conduction, teneur qui est inférieure à la teneur maximale de la substance de dopage provoquant le premier type de conduction dans l'autre des deux régions du premier type de conduction et qui suffit pour empêcher dans des régions du second type de conduction à l'endroit 30 de la zone, une connexion électrique entre des régions du premier type de conduction. Par "substance de dopage", il y a lieu d'entendre, dans la suite du présent mémoire, également un mélange de substances de dopage provoquant le même type de conduction. Une telle zone contiguë permet d'éviter le surdopage d'un substrat 35 semiconducteur pendant l'oxydation de, par exemple, une couche épitaxiale et la formation de canaux entre les parties en forme de couche séparées par la configuration et de former une sorte d'interrupteur de canaux. C'est pour cette raison que le dispositif semiconduc-h o teur conforme à l'invention est de préférence un circuit intégré 72 11541 4. 2132347 et que le corps semiconducteur contient un substrat et une couche épitaxiale et l'autre des deux régions présentant le premier type de conduction une couche enterrée et que la teneur en substance de dopage de la zone contiguë est inférieure à celle en substance 5 de dopage provoquant le premier type de conduction de la couche enterrée. Il est évident que dans le dispositif semiconducteur conforme à l'invention, la zone confinant à la configuration et auxdites régions coïncident partiellement. 10 Dans une forme de réalisation préférentielle importante du dispositif semiconducteur conforme à l'invention, la teneur en substance de dopage provoquant le second type de conduction dans la zone contiguë est inférieure à la teneur maximale en substance de dopage provoquant le premier type de conduction dans 15 la première des deux régions du premier type de conduction, qui confine, sur au moins une partie de sa périphérie, à la configuration enfoncée. La zone contiguë permet d'éviter le court-circuit entre les deux régions du premier type de conduction. La réalisation de ladite forme de réalisation préfé-20 rentielle est assez simple du fait que l'application de la première région ne nécessite pas une étape d'alignement rigoureuse par rapport à la région du second type de conduction et l'ouverture du masque utilisé pour la diffusion de la première région peut même être posée partiellement sur la configuration. 25 II en résulte qu'il n'est pas nécessaire de réserver de l'espace sur la surface principale pour les irrégularités résultant de l'étape d'alignement servant à l'application de la première région, ce qui fournit une économie d'espace et permet de réduire le.dispositif semiconducteur. 30 Un autre avantage de ladite réalisation préférentielle réside dans le fait que les deux jonctions pn comprises entre les régions du composant peuvent présenter pratiquement les mêmes dimensions. Ainsi, on est assez libre en ce qui concerne le choix pour déterminer celle des deux régions du premier type de con-35 duction^ï^ra office d'emetteur ou de collecteur d'un transistor. La région du second type de conduction peut servir de base. C'est ainsi que le dispositif semiconducteur conforme à l'invention peut être réalisé de façon que la première région confine, sur une partie de sa périphérie, à la configuration enfon-^0 cée et que la région du second type de conduction à deux endroits, 72 11541 5 - 2132347 séparés par la première région, confine à la surface principale. C'est ainsi qu'il se forme un transistor bipolaire présentant deux contacts de base ou un transistor à effet de champs. De plus, le dispositif semiconducteur conforme à 1 ' in— 5 vention peut être réalisé de façon à obtenir des systèmes multi-émetteur ou multi-collecteur. Dans une autre forme de réalisation, les parties en forme de couche contiguës ont une région commune présentant une teneur élevée en substance de dopage, région commune par l'inter-10 médiaire de laquelle peuvent être connectés des composants situés dans les parties en forme de couche voisines. Afin d'obtenir certains circuits, la région commune peut faire office d'émetteur dans une partie en forme de couche et de collecteur dans l'autre partie en forme de couche. 15 Si la première région du premier type de conduction confine sur toute sa périphérie à la configuration enfoncée, il faut en général réserver de l'espace sur la surface principale afin de permettre la connexion de la région au second type de conduction. 20 Si la teneur en substance de dopage provoquant le second type de conduction dans la zone contiguë dépasse la teneur maximale de. la substance de dopage provoquant le premier type de conduction dans la première des deux régions du premier type de conduction, la zone confinant à la configuration peut être munie, 25 à la surface principale, d'un contact pour la région présentant le second type de conduction. Une zone confinant à la configuration peut être appliquée d'une façon favorable pour assurer le contact d'un corps semiconducteur du second type de conduction, par exemple d'un 30 substrat sur lequel est appliquée une couche épitaxiale. A cet effet, le corps semiconducteur d'un dispositif semiconducteur conforme à l'invention présente de préférence une autre partie en forme de couche confinant à la surface principale et, sur au moins une partie de sa périphérie et sur toute son 35 épaisseur, à une partie de la configuration enfoncée qui, lui, est entièrement noyée, dans le corps semiconducteur dans une zene contiguë présentant une certaine teneur en substance de dopage provoquant le second type de conduction, au moins dans la partie de la zone contiguë située dans l'autre partie en forme de couche 40 et le corps semiconducteur est contacté à la surface principale. 72 11541 6. 2132347 par l'intermédiaire de la partie de la zone contiguë dans l'autre partie en forme de couche. L'invention concerne également un procédé servant à la réalisation d'un dispositif semiconducteur dont le corps com-5 porte au moins un composant muni d'au moins trois régions dont deux régions présentent un premier type de conduction et sont séparées par une région de type de conduction opposé, corps dans lequel est enfoncée une configuration en matériau isolant s'étendant , sur au moins une partie de son épaisseur, à partir d'une 10 surface principale du corps semiconducteur dans ledit corps, qui présente au moins une partie en forme de couche confinant à la surface principale et, sur toute sa périphérie et sur toute son épaisseur à la configuration enfoncée, partie en forme de couche dans laquelle une première des deux régions présentant le premier 15 type de conduction et la région présentant le second type de conduction du composant sont disposées entièrement et l'autre desdites deux régions du premier type de conduction au moins partiellement, alors que cette dernière région, pour autant qu'elle soit appliquée dans la partie en forme de couche, confine sur toute 20 sa périphérie et la région du second type de conduction au moins sur une partie de sa périphérie, à la configuration enfoncée et la région du second type de conduction est séparée, au moins partiellement, par ladite première région de la surface principale, sur laquelle est appliquée une couche de masquage résistant à 25 l'oxydation, présentant des ouvertures aux endroits où doit être formée la configuration par oxydation, après quoi la configuration est formée par oxydation, caractérisé en ce que le corps semiconducteur est soumis à un traitement au cours duquel une substance de dopage pouvant provoquer le second type de conduction est dif~ 30 fusée dans le corps semiconducteur, dans une zone confinant à la configuration, et que la teneur en substance de dopage dans la zone est inférieure à la teneur maximale en substance de dopage provoquant le premier type de conduction dans l'autre des deux régions du premier type de conduction et que la teneiir dans la 3 5 zone suffit pour empêcher, dans des régions du second type de conduction, à l'endroit de la zone, une connexion électrique entre des régions du premier type de conduction. De préférence, le procédé conforme à l'invention est effectuée de façon que 1a. couche de masquage est d'abord utilisée hO pendant, la diffusion de la substance de dopage pouvant provoquer 72 11541 7. 2132347 le second type de conduction dans le corps semiconducteur, en vue d'obtenir une configuration de dopage, après quoi la couche de masquage est utilisée pour l'oxydation de la configuration de dopage, en vue d'obtenir la configuration enfoncée et la zone con-5 tiguë du second type de conduction. Dans ce procédé, la configuration enfoncée est en oxyde du matériau semiconducteur, tel que de l'oxyde de silicium. La couche de masquage résistant à l'oxydation est constituée par exemple par du nitrure de silicium ou par une couche double en 10 oxyde de silicium et en nitrure de silicium qui fournit; une protection à la fois contre l'oxydation, et contre la diffusion-» En ce qui concerne le choix de la teneur en substance de dopage dans la configuration de dopage, il faut évidemment tenir compte de la répartition de substance de dopage entre la configuration 15 en oxyde à former et le matériau semiconducteur et la teneur requise en substance de dopage dans les différentes formes de réalisation du dispositif semiconducteur à réaliser. On n'est pas limité à la diffusion du dopage permettant d'obtenir la zone contiguë et précédant l'oxydation. 20 De préférence, le procédé conforme à l'invention est effectué de façon que la configuration est d'abord formée par oxydation et qu'ensuite la zone d'un second type de conduction confinant à la configuration est obtenue par dilfusion d'aluminium ou de gallium comme substance de dopage pouvant provoquer le second 25 type de conduction. Selon cette variante, on profite du fait que l'aluminium et le gallium diffusent assez rapidement à travers l'oxyde de silicium. Dans le cas d'utilisation de gallium ou d'aluminium comme substance de dopage pouvant provoquer le second type de con-30 duction, on peut se servir de la couche de masquage résistant à l'oxydation. De préférence, ces substances de dopage sont diffusées après enlèvement de la couche de masquage. Il est évident que dans ce cas, seules les formes de réalisation du dispositif semiconducteur conforme à l'invention peuvent être réalisées dans 35 lesquelles la teneur en gallium et/ou aluminium dans la zone contiguë est inférieure à la teneur maximale de la substance de dopage provoquant le premier type de conduction dans la première des deux régions du premier type de conduction. De préférence, de l'aluminium ou du gallium est diffu— 40 sé après la formation de la première région du premier type de 72 11541 8. 2132347 conduction dans le corps semiconducteur. La diffusion de la zone contiguë peut s'effecteur simultanément et à l'aide des mêmes substances de dopage sous forme d'une diffusion permettant d'obtenir de préférence une région de 5 l'autre type de conduction, par exemple, une région de base ou une région de contact de par exemple un corps semiconducteur. La description ci-après, en se référant au dessin annexé, le tout donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. 10 La figure 1 représente schématiquement, partiellement en section transversale, partiellement en perspective, une partie d'une forme de réalisation du dispositif semiconductor. La figure 2 représente schématiquement, partiellement en section transversale, partiellement en perspective, une partie 15 d'une autre forme de réalisation du dispositif semiconducteur conforme à l'invention. La figure 3 représente schématiquement une section transversale d'une autre partie d'un dispositif semiconducteur du genre mentionné dans le préambule dans un premier stade de la 20 réalisation. La figure k représente schématiquement une section transversale d'un détail de la partie représentée sur la figure 3 dans un stade plus avancé de la réalisation. Les figures 5 et 6 représentent schématiquement une 25 section de respectivement la partie représentée sur la figure 3 et d'un détail dans des stades plus avancés successifs de la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. Les figures 7 et 8 représentent une section transversale de la partie représentée sur la figure 1 dans des stades suc-30 cessifs de la mise en oeuvre du procédé conforme à l'invention. Comme premier exemple on va décrire, comme dispositif semiconducteur, un circuit intégré, dont une partie a été représentée sur la figure 1. Sur cette figure, le corps semiconducteur 1 du type de conduction p comporte comme composant un transistor 35 muni de deux régions 2 et (k, 5) du type de conduction n, séparé par une région 3 du type de conduction p. Dans le corps semi-conducteur 1 est présente une configuration enfoncée 6, 7> 8 en matériau isolant, qui s'étend à partir d'une surface principale 9 du corps semiconducteur 1 dans ko ledit corps. De plus, le corps semiconducteur présente une partie 72 11541 9. 2132347 en forme de couche 10 confinant à la surface principale 9 et sur toute sa périphérie et sur toute son épaisseur à la configuration enfoncée 6, 7« Dans la partie en forme de couche 10 est appliquée entièrement l'une des deux régions présentant le type de conduc-5 tion n, notamment la région 2 (appelée par la suite "première"), et la région 3 présentant le type de conduction p et l'autre des deux régions présentant le type de conduction n, notamment la région h, 5 partiellement. Pour autant qu'elle soit appliquée dans la partie en forme de couche 10, la région 4, 5 confine sur 10 toute sa périphérie à la configuration enfoncée 6, 7> tout comme la région 3 du type de conduction p. La région 3 est partiellement séparée de la surface principale 9 par la première région 2. Conformément à l'invention, dans le corps semiconducteur, la configuration enfoncée 6, 7» 8 est entièrement noyée dans 15 une zone contiguë 11, 12, 13 présentant une teneur en substance de dopage pouvant provoquer le type de conduction p, teneur qui est inférieure à la teneur maximale de la substance de dopage provoquant le type de conduction n dans l'autre (4, 5) des deux régions de type de conduction n. De plus, la teneur suffit pour 20 éviter, dans la région 3» 1 du type de conduction p à l'endroit de la zone 11, 12, 13> la connexion électrique entre les zones de type de conduction n, par exemple entre les zones 2 et k, 5- Sur la figure 1, la limitation de la zone 11, 12, 13 dans le corps semiconducteur est indiquée, partiellement en traits 25 pleins, partiellement par une ligne pointillée. Près d'une ligne pointillée, le type de conduction des zones n'est pas modifié par la présence de la zone, ceci à l'opposé des traits pleins. Dans cet exemple de réalisation, la zone 3 du type de conduction p est étendue, pour ainsi dire, d'un bord d'une partie h de l'autre (4, 30 5) des deux régions du type de conduction n. La, partie 18 de la zone contiguë 11 fait office d'interrupteur de canaux par rapport à un composant non représenté sur le dessin dans une partie en forme de couche voisine. De tels interrupteurs de canaux permettent d'isoler des parties en forme de couche. 35 Dans l'exemple représenté sur la figure i, la teneur en substance de dopage provoquant le type de conduction p de la zone contiguë 11, 12, 13 est inférieure à la teneur maximale de la substance de dopage provoquant le type de conduction n dans la pranièredes deux zones de type de conduction n, notamment dans la 40 région 2, qui confine sur une partie de sa périphérie â la confi 72 11541 10. 2132347 guration enfoncée 6, 7« Les régions 2 et 3 peuvent être contactées à la surface principale 9 sur la partie en forme de couche 10, alors que la région k, 5 peut être contactée à la surface principale sur 5 une deuxième partie en forme de couche 14. La zone contiguë peut être utilisée d'une façon élégante pour la mise en contact d'un corps semiconducteur de type de conduction p du dispositif semiconducteur à la surface principale. De plus, le corps semiconducteur présente une autre partie 10 en forme de couche 15 confinant à la surface principale 9 qui confine, sur au moins une partie de sa périphérie et sur toute son épaisseur, à une partie 8 de la configuration enfoncée. Ladite partie 8 est entièrement noyée dans le corps semiconducteur dans une zone contiguë 13- La zone 13 présente une teneur en substance 15 de dopage provoquant le type de conduction p dans la partie 16 de la zone contiguë 13. Le corps semiconducteur 1 est contacté à la surface principale 9 par l'intermédiaire de la partie 16 de la zone contiguë 13 dans l'autre partie en forme de couche 15-La mise en contact s'effectue par exemple sur une zone de contact 20 à basse valeur ohmique 17 de type de conduction p. On va décrire ci-après succinctement le deuxième exemple d'un dispositif semiconducteur conforme à l'invention comme représenté sur la figure 2. Dans cet exemple, le composant est également, constitué par un transistor. Dans le corps semiconduc-25 teur 25 est prévue une configuration enfoncée 26, 27, une partie en forme de couche 28 dans laquelle se trouvent les régions 21 et 22, 23 de type de conduction n (la dernière en partie) et la région 2k de type de conduction p du transistor, La.configuration enfoncée 26, 27 est noyée dans une 30 zone contiguë 29, 30 d'une façon identique à celle décrite dans l'exemple précédent. Dans cet exemple, la région Zk de type de conduction p ne confine que sur une partie de sa périphérie à la configuration enfoncée 26, de sorte que l'autre région 22, 23 dans la partie en forme de couche 28 est contactée, éventuelle-35 ment à l'aide d'une zone de contact à basse valeur ohmique 31> de type de conduction n. D'une façon analogue à celle décrite dans l'exemple précédent, le corps semiconducteur peut être contacté à la surface principale 32. 40 Pour réaliser le dispositif semiconducteur décrit ci- 72 Î1541 2132347 dessus, on applique sur la surface principale 35 (voir la figure 3) d'un corps semiconducteur 36 en silicium une couche de masquage résistant à l'oxydation 37, 38 dans laquelle sont ménagées des ouvertures 39 aux endroits où doit être formée la configuration 5 enfoncée. On va décrire ci-après la façon, dont peut se produire, dans certains processus permettant d'obtenir la configuration enfoncée, le court-circuit entre des régions du composant à former dans le corps semiconducteur. 10 La couche de masquage 37» 38 est assez souvent consti tuée par une couche en oxyde de silicium 38 et une couche en nitrure de silicium 37 « Après l'application des ouvertures 39 dans la couche de masquage, on applique, par décapage, des parties enfoncées 40 dans le corps semiconducteur. Lors de l'oxydation 15 du corps en silicium 36 aux endroits des parties enfoncées 40 se produit de l'oxydation, au bord des ouvertures au-dessous de la couche en oxyde de silicium 38, de sorte qu'après enlèvement de la couche de masquage 37, 38, il se forme une configuration en oxyde enfoncée, dont la forme du bord 41 a été représentée sur 20 la figure 4. Si une région peu profonde 43 de type de conduction p est diffusée de façon usuelle par l'intermédiaire de la surface principale 35 dans la partie en forme de couche^cfe type de conduction n , il se forme également une couche en oxyde 45 sur 25 la surface principale 35- Lors de l'enlèvement de la couche en oxyde 45, la partie pointillée 42 de la configuration enfoncée en oxyde 41 est également enlevée. De la figure il ressort nettement que la jonction pn 46 peut être mise à nu, de sorte qu'au cours de la diffusion suivante d'une substance de dopage permet-30 tant d'obtenir une région de type de conduction n, il se produit le court-circuit entre cette région et la partie en forme de couche initiale 44. Dans le procédé conforme à l'invention, le susdit court-circuit est évité du fait que le corps semiconducteur 36 est 35 soumis à un traitement au cours duquel une substance de dopage pouvant provoquer le second type de conduction dans le corps semiconducteur est diffusée dans une zone 61 confinant à la configuration 41 . Dans une variante du procédé conforme à l'invention, 40 un tel court circuit est de préférence évité, du fait que la 72 11541 2132347 couche de masquage T 7, 'JH est u t i 1 i hoc ;iv;inl, I ' o x y d ;i I i on pour le miisi|iia{;e pendant; la d i. l'lu h Ion de la substance de dopage pouvant. pt'(ivo .1 'oxydation de la configuration de dopage 11, 12, afin d'obtenir la coni iguration enfoncée 4 1 et la zone continue 0 1 de t ype de conduction p (voir la figure o). Dans ce procédé, la .jonction pri 40 n'est, plus mise à 10 nu pendant l'enlèvement de la couche en oxyde 4 1. Dans une autre variante du procédé conforme à l'invention, on évite le .susdit, court-circuit du l'ait qu'après la formation de la configuration enfoncée 4 1 par oxydation, par diffusion d'aluminium ou de gallium comme substance de dopage pouvant provoquer le type de oondijf 15 tion p, on obtient la zone 01 de type de conduction p confinant à la configuration 41. Les détails de la forme de la configuration enfoncée en oxyde ne sont représentés que sur les figures t et 0, ceci al'in de faciliter la compréhension des dessins. 20 La structure représentée sur la figure 1 peut être réalisée à l'aide du procédé conforme à l'invention. On part d'un corps semiconducteur 1 de type de conduction p sous forme d'un disque en silicium d'une épaisseur de 200 et à résisti-vité de 2 ohms.cm, qui fait office de substrat et sur lequel est 25 déposée une couche épitaxiale 4 de type de conduction n contenant de l'arsenic, d'une épaisseur de 2^,u et à résistivité de 0,5 ohm. cm (voir la figure 7)« D'une façon usuelle, dans la couche épitaxiale et la partie de substrat subsistante du corps semiconducteur est formée une région 5 à basse valeur ohmique , de type 30 de conduction n, dont la teneur maximale en arsenic est de 1 - 5-10 * atomes/cm , par exemple par dépôt local avant l'épitaxie sur le corps semiconducteur d'une source d'arsenic diffusant, pendant le processus épitaxial suivant, tant dans le corps semiconducteur que dans la couche épitaxiale, tout en formant la 35 région 5 à basse valeur ohmique de tyrpe de conduction n. Ensuite, on applique sur une surface principale 73 une couche de masquage résistant à l'oxydation ",'1 , 72 constituée par une couche en nitrure de silicium 71 d'une épaisseur de ",~ yU et une couche en oxyde de silicium 7~ d'une épaisseur de 40 0,05 yU munie des ouvertures 74. 6A.0 72 11541 13. 2132347 La couche de masquage 71> 72 est d'abord utilisée pour le décapage du corps en silicium, opération lors de laquelle il se forme des parties enfoncées 76 d'une profondeur de 1 yVL et ensuite pour la diffusion de bore dans la couche épitaxiale 4 5 afin d'obtenir la configuration de dopage 75* A cet effet, on forme de façon usuelle une source de bore par chauffage pendant 5 minutes à une température de 975° C dans un écoulement de vapeur contenant de l'oxyde de bore. Ensuite, la couche de masquage 71, 72 est utilisée pour le masquage pendant l'oxydation (voir la 10 figure 8) de la configuration de dopage 75, afin d'obtenir la configuration enfoncée 6, 7, 8, d'une profondeur de 2,2 yu, qui s'étend dans le corps semiconducteur 1 un peu plus profondément . que l'épaisseur de la couche épitaxiale 4 et la zone contiguë 11, 12, 13 d'une épaisseur d'environ 1,5 /u de type de conduction p, 17 / -Î 15 présentant une teneur en bore d'environ 5.10 atomes/cm . L'oxydation s'effectue en faisant passer, pendant 16 heures, à une température de 1000° C, de la vapeur de 1 atmosphère sur le corps de silicium, après quoi la couche de masquage 71, 72 est enlevée. Le dispositif semiconducteur représenté sur la figure 20 1 s'obtient d'une façon simple du fait qu'une diffusion de substance 5 de dopage en vue d'obtenir les régions 3 et 17 (par exemple simultanément) et la région 2 peut s'effectuer, sans qu'il soit nécessaire d'aligner les masques rigoureusement par rapport à la configuration enfoncée. Dans le cas d'un processus de diffu- 25 sion usuel, la région 3 a par exemple une teneur moyenne en bore 18 , , de 10 atomes/cm et une profondeur de 1 /U. La région 2 a une 20 q ' teneur en phosphore de 10 atomes/cm et une profondeur de 20 0,6 yU. Une diffusion profonde de phosphore à 10 atomes/cm3 permet de contacter dans la partie en forme de couche 14 l'autre 30 région 4, 5« Ainsi, on obtient: en outre que la diffusion des régions 3 et 17 ne requiert pas de masque spécial. Les régions du composant et du corps semiconducteur peuvent être contactées à la surface principale du corps semiconducteur par l'intermédiaire de zones de contact. 35 D'une façon analogue, il est possible de réaliser un dispositif semiconducteur comme celui représenté sur la figure 2. Ce dispositif présente également les avantages d'étapes d'alignement simples ensemble avec la présence d'interrupteurs de canaux entre les composants dans des parties en forme de couche voisines 40 ou entre des régions dans un composant. 72 11541 14. 2132347 La structure représentée sur la figure 8 se réalise également en n'appliquant pas la configuration de dopage 75 j après l'application de la couche de masquage 71 » 72 (voir la figure 7)» mais d'abord la configuration enfoncée 6, 7» 8. Puis, 5 du gallium ou de l'aluminium est diffusé par exemple à l'aide de la couche de masquage 71» 72. Dans le cas de diffusion d'aluminium, le corps en silicium est introduit dans un récipient en oxyde de silicium, qui est fermé par un couvercle en oxyde d'aluminium. Le récipient con-10 tient un alliage de, en poids, 10 $ d'aluminium et 90 % de silicium. Lors d'un chauffage pendant 60 minutes à une température de 1000° C dans un écoulement d'hydrogène, de l'aluminium est diffusé jusqu'à une profondeur de 1 yu dans le corps en silicium. Dans le cas de diffusion de gallium, on utilise du 1 8 15 silicium pulvérulent contenant par cm3 10 atomes de gallium et le chauffage s'effectue sous vide pendant 20 minutes à une température de 1100° C. La profondeur de diffusion du gallium est également d'environ lyu. Une diffusion de gallium ou d'aluminium permet de 20 former la zone 11, 12, 13 du type de conduction p confinant à la configuration. Pour les deux processus de diffusion, la teneur maximale en substance de dopage contenue dans la zone est de 17 > ■% 5.10 atomes/cm. L'enlèvement de la couche de masquage 71> 72 est de 25 préférence suivi d'une diffusion d'aluminium ou de gallium. Cela offre l'avantage de pouvoir obtenir, par diffusion, d'abord la première région du premier type de conduction et la région du second type de conduction. Ces deux derniers processus de diffusion peurraient affecter un profil de diffusion déjà obtenu de 30 gallium, métal dont la diffusion se fait assez rapidement. C'est pour cette raison qu'on préfère procéder à une diffusion de gallium ou d'aluminium après la formation de la première région du premier type de conduction dans le corps semiconducteur . 35 Dans une autre forme de réalisation, la zone contiguë et la région de l'autre type de conduction se forment simultanément dans le corps semiconducteur. Ainsi, on supprime une étape de diffusion. Evidemment, la diffusion de Al ou de Ga peut également être utilisée pour obtenir la structure représentée sur la 40 figure 2. 72 11541 n. 2132347 il est évident: que 1 "invention n'est pas limitée aux exemples décrits ci-dessus. C'est ainsi qu'oïl peut partir d'un corps semiconducteur de type de conduction il au lieu des corps semiconducteurs de type de conduction p décrits dans les exemples précédents. Au 1ieu de couches épitaxiales de type de conduction n, les corps semiconducteurs peuvent être munis de couchesépitaxiales de type de conduction p. Au lieu d'un décapage de parties enfoncées avant l'oxydation décrite, il est possible d'effectuer .L'oxydation en deux étapes, au cours de la première on enlève l'oxyde formé. Le composant peut être un transistor pnpn par exemple. De plus, la configuration enfoncée ne peut être que partiellement enfoncée dans le corps semiconducteur,, cas qui se présente entre autres lorsque .L'oxydation n'est pas interrompue par une étape au cours de Laquelle l'oxyde déjà formé est enlevé ou pour Laquelle on n'effectue pas préalablement un décapage. Au lieu d'une couche en nitrure de silicium, la couche de masquage peut également contenir une couche en oxyde d'aluminium . Dans tous les cas, ±1 est possible d'obtenir des structures fournissant une économie d'espace, réalisation pour laquelle des étapes d'alignement spéciales peuvent assez souvent être évitées. — , gp e^îGSNAL : 72 11541 2132347 REVENDICATIONS..:. 1. Dispositif semiconducteur, dont le corps semiconducteur comporte au moins un composant muni d'au moins trois régions, dont deux régions présentent un premier type de conduction et 5 sont séparées par une région de type de conduction opposé, corps dans lequel est enfoncée une configuration en matériau isolant s'étendant, sur au moins une partie de son épaisseur, à partir d'une surface principale du corps semiconducteur dans ledit corps, qui présente au moins une partie en forme de couche confinant à 10 la surface principale et, sur toute sa périphérie et sur toute son épaisseur à la configuration enfoncée, partie en forme de couche dans laquelle une première des deux régions présentant le premier type de conduction et la région présentant le second type de conduction du composant sont disposées entièrement et l'autre 15 desdites deux régions du premier type de conduction au moins partiellement, alors que cette dernière région, pour autant qu'elle soit appliquée dans la partie en forme de couche, confine sur toute sa périphérie et la région du second type de conduction au moins sur une partie de sa périphérie, à la configuration enfoncée 20 et la région du second type de conduction est séparée, au moins partiellement, par ladite première région de la surface principale , caractérisé en ce que dans le corps semiconducteur, la configuration enfoncée est noyée entièrement, au moins là où elle confine à la partie en forme de couche, dans une zone contiguë 25 présentant une certaine teneur en substance de dopage pouvant provoquer le second type de conduction, teneur qui est inférieure à la teneur maximale de la substance de dopage provoquant le premier type de conduction dans l'autre des deux régions du premier type .de conduction et qui suffit pour empêcher dans des 30 régions du second type de conduction à l'endroit de la zone, une connexion électrique entre des régions du premier type de conduction. 2. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il constitue un circuit intégré, que le 35 corps semiconducteur contient un substrat et une couche épitaxiale, l'autre des deux régions du premier type de conduction une couche enterrée, et que la teneur en substance de dopage de la zone contiguë est inférieure à celle en substance de dopage provoquant le premier type de conduction de la couche enterrée. 40 3. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1 ou 2, 72 11541 17. 2132347 caractérisé en ce que la teneur en substance de dopage provoquant le second type de conduction dans la zone contiguë est inférieure à la teneur maximale en substance de dopage provoquant le premier type de conduction dans la pranLàre des (feux régions du premier type de 5 conduction et que la première région confine, sur au moins une partie de sa périphérie, à la configuration enfoncée. 4. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendica- tïons 1, 2 et 3» caractérisé en ce que le corps semiconducteur présente une autre partie en forme de couche confinant à la sur-10 face principale et, sur au moins une partie de sa périphérie et sur toute son épaisseur, à une partie de la configuration enfoncée qui, e3 est entièrement noyée, dans le corps semiconducteur, dans une zone contiguë présentant une teneur en substance de dopage provoquant le second type de conduction, au moins dans la 15 partie de la zone contiguë située dans l'autre partie en forme de couche et le corps semiconducteur est contacté, à la surface principale, par l'intermédiaire de la partie de la zone contiguë située dans l'autre partie en forme de couche. 5. Procédé permettant de réaliser un dispositif semicon— 20 ducteur, dont le corps comporte au moins un composant muni d'au moins trois régions, dont deux régions présentent un premier type de conduction et sont séparées par une région de type de conduction opposé, corps dans lequel est enfoncée une configuration en matériau isolant s'étendant, sur au moins une partie de son épais-25 seur, à partir d'une surface principale du corps semiconducteur dans ledit corps, qui présente au moins une partie en forme de couche confinant à la surface principale et, sur toute sa périphérie et sur toute son épaisseur à la configuration enfoncée, partie en forme de couche dans laquelle une première des deux 30 régions présentant le premier type de conduction et la région présentant le second type de conduction du composant sont disposées entièrement et l'autre desdites deux régions du premier type ds conduction au moins partiellement, alors que cette dernière région, pour autant qu'elle soit appliquée dans la pax^tie en 35 forme de couche, confine sur toute sa périphérie et la région du second type de conduction au moins sur une partie de sa périphérie, à la configuration enfoncée et la région du second type de conduction est séparée, au moins partiellementt par ladite première région de la surface principale sur laquelle est appliquée ko une couche de masquage résistant à l'oxydation présentant des 72 11541 18. 2132347 ouvertures aux endroits où doit être formée la configuration par oxydation, après quoi la configuration est formée par oxydation, caractérisé en ce que le corps semiconducteur est soumis à un traitement au cours duquel une substance de dopage pouvant pro-5 voquer le second type de conduction est diffusée dans le corps semiconducteur, dans une zone confinant à la configuration, et que la teneur en substance de dopage dans la zone est inférieure à la teneur maximale en substance de dopage provoquant le premier type de conduction dans l'autre des deux régions du premier type 10 de conduction et que la teneur dans la zone suffit pour empêcher, dans des régions du second type de conduction, à l'endroit de la zone, une connexion électrique entre des régions du premier type de conduction. 6. Procédé permettant de réaliser un dispositif semieon- 15 ducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche de masquage est d'abord utilisée pendant la diffusion de la substance de dopage pouvant provoquer le second type de conduction dans le corps semiconducteur, en vue d'obtenir une configuration de dopage, après quoi la couche de masquage est utilisée pour 20 l'oxydation de la configuration de dopage, en vue d'obtenir la configuration enfoncée et la zone contiguë du second type de conduction. 7- Procédé permettant de réaliser un corps semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que la configuration 25 est d'abord formée par oxydation et qu'ensuite la zone d'un second type de conduction confinant à la configuration est obtenue par diffusion d'aluminium ou de gallium comme substance de dopage pouvant provoquer le second type de conduction.. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé par une 30 diffusion d'aluminium ou de gallium après l'enlèvement de la couche de masquage. 9» Procédé selon la revendication 8, caractérisé par une diffusion d'aluminium ou de gallium après la formation de la première région du premier type de conduction dans le corps semi-35 conducteur. 10. Procédé selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce que la zone contiguë et la région de l'autre type de conduction se forment simultanément dans le corps semiconducteur.