FR 2064108 A1 19710716 FR 7035623 A 19701002 70 35623 i 2064108 La présente invention concerne an composé semi-conducteur et son procédé de fabrication. Plus précisément, l'invention concerne un composé semi-conducteur comprenant une mince pellicule d'oxyde d'étain déposée sur un substrat semi-conducteur et ayant des propriétés de redressement, ainsi qu'un procédé 5 pour fabriquer un tel composé. Divers dispositifs photo-électriques faits de matériaux semi-conducteurs ont été proposés auparavant et ont été utilisés dans la pratique. L'un d'entre eux est un dispositif photo-électrique au silicium qui est fabriqué en formant une couche diffusée p (ou n) de quelques microns ou moins à la surface d'un 10 substrat de silicium n (ou p), de sorte que lorsque la lumière frappe la jonction p-n ainsi formée,de l'énergie photo-électrique est engendrée entre les deux couches. Toutefois, ce dispositif photo-électrique connu a le défaut d'être cher, comparativement à d'autres dispositifs photo-électriques, tels que ceux au 15 sulfure de cadmium, principalement du fait que la fabrication des dispositifs photo-électriques ou des cellules solaires au silicium nécessite un processus de diffusion qui doit être exécuté à haute température et dont le contrôle est délicat. D'autre part, pour réaliser un dispositif de ce genre et dont la sensibilité spectrale soit comparable à celle de l'oeil humain, il est essentiel 20 que la couche diffusée mentionnée soit extrêmement mince, de préférence de l'ordre de 0,3 micron. Or, la formation d'une couche diffusée aussi mince exige des techniques de diffusion élaborées qui, inévitablement, élèvent le coût du dispositif. De plus, ces dispositifs classiques doivent comporter une électrode permettant de prélever l'énergie photo-électrique développée sur la 25 couche diffusée extrêmement mince mentionnée plus haut, électrode dont la production est très compliquée, ce qui est une autre raison expliquant le coût élevé de cette sorte de dispositif. Les difficultés qu'on rencontre pour produire une couche diffusée aussi mince que celle mentionnée ci-dessus ont pour résultat une sensibilité insuf-30 fisante du dispositif dans la région des courtes longueurs d'onde du spectre, ce qui limite son domaine d'application. Si la couche diffusée d'un tel dispositif photo-électrique pouvait être remplacée par une pellicule conductrice transparente d'un oxyde métallique et si cette pellicule pouvait remplir la même fonction que la couche diffusée, il 35 serait possible d'obtenir un dispositif photo-électrique extrêmement avantageux. A la suite de recherches faites par la demanderesse pour développer un tel dispositif, celle-ci est parvenue à produire un composé semi-conducteur comprenant une pellicule d'oxyde d'ëtain (SnÛ2) déposée sur un substrat semi-conducteur tel que le silicium, et présentant des propriétés photo-électriques et de re-40 dressement. 70 35623 2 2064108 Plus précisément, on obtient un tel composé par un procédé consistant à chauffer un monocristal de silicium n dans un tube de quartz, à introduire la vapeur d'un sel d'étain tel que le dichlorure de diméthyl-étain jcCH^^SnCl^J dans ledit tube de quartz, de façon qu'une pellicule d'oxyde d'étain se dépose 5 sur ledit substrat de silicium par pyrolyse. Il s'est avéré qu'entre la pellicule d'oxyde d'étain et le substrat de silicium composé ainsi obtenu il se forme une barrière qui est probablement une barrière de Schottky et dont les propriétés de redressement ressemblent étroitement à celles d'une jonction p-n. Cette barrière peut avantageusement être utilisée comme jonction de re-10 dressement ou comme jonction photo-électrique. Comme l'on sait, une mince pellicule d'oxyde d'étain est transparente et conductrice. En conséquence, en adaptant le composé de manière que la lumière frappe cette barrière à travers la pellicule d'oxyde d'étain, on obtient un dispositif photo-électrique. On a observé qu'un tel dispositif photo-électri-15 que est plus sensible dans la région des longueurs d'onde visibles du spectre qu'un dispositif photo-électrique classique au silicium. Il présente aussi une tension de sortie plus élevée sous un faible éclairement, ainsi qu'une courbe de réponse et une courbe de température satisfaisantes. La structure, les caractéristiques, les applications et les procédés de 20 fabrication du composé SnO^ semi-conducteur ci-dessus sont décrits' plus en détail dans les demandes de brevet japonais ci-après déposées par la même demanderesse que la demande de brevet japonais sur laquelle la présente demande est fondée, à savoir : "Photocell" déposée le 9 avril 1969, demande n°27545/1969; "Photoelectric Device and Method of Making" déposée le 7 août 1969, demande 25 n° 62728/1969; "Method of Manufacturing Integrated Photoelectric Device" déposée le 7 août 1969, demande n° 62730/1969; "Method of Manufacturing Transparent Conductive Film" déposée le 7 août 1969, demande n° 62733/1969; "Method of Manufacturing Semiconductor Device" déposée le 24 septembre 1969, demande n° 76483/1969; "Semiconductor Photoelectric Device and Method of Making" dé-30 posée le 26 septembre 1969, demande n° 77192/1969, et "Method of Manufacturing Semiconductor Device" déposée le 2 octobre 1969, demande n° 79098/1969. L'une des difficultés que 1'on «rencontre pour utiliser un tel composé SnO^ semi-conducteur, par exemple comme redresseur, comme dispositif photoélectrique, etc... est que lorsque l'on raye la plaquette composée pour en 35 faire des fragments ou des pastilles, ou lorsque l'on pourvoit la pellicule d'oxyde d'étain d'un fil de connexion fixé par thermo-compression à une couche de nickel ou analogue, la barrière formée entre l'oxyde d'étain et le semiconducteur est gravement endommagée, ce qui détériore les propriétés du dispositif résultant, rendant difficile la réalisation d'un dispositif semi-40 conducteur ayant des caractéristiques uniformes. Entre autres, la courbe carac 70 35623 3 2064108 téristique inverse d'un tel dispositif semi-conducteur n'est pas nécessairement satisfaisante. Entre temps, une demande s'est fait jour pour intégrer plusieurs éléments semi-conducteurs SnO^- semi-conducteur dans un même substrat, par exemple pour 5 développer un dispositif de reconnaissance de configuration. La mince pellicule d'oxyde d'étain est chimiquement/stable et résiste aux attaques des agents chimiques, de sorte qu'il est difficile de déposer avec précision une pellicule d'oxyde d'étain sur la région désirée du substrat semiconducteur, c'est-à-dire de décaper avec précision la pellicule d'oxyde d'étain 10 déposée sur toute la surface du substrat. En bref, la présente invention se rapporte à un composé semi-conducteur comprenant une pellicule de matière isolante, telle que le bioxyde de silicium, formée sur une partie de la surface principale d'un substrat semi-conducteur, et une pellicule d'oxyde d'étain déposée sur une région dudit substrat semi-15 conducteur à travers une ouverture définie par ladite pellicule de matière isolante, une barrière étant formée dans cette région entre ledit substrat semi-conducteur et une mince pellicule d'oxyde d'étain. La barrière ainsi formée est confinée par cette pellicule isolante et n'est pas découverte, ce qui lui assure des propriétés de redressement avantageuses. 20 Dans le cas où le composé semi-conducteur ainsi produit doit être divisé en pastilles ou en fragments, le rayage s'effectue à l'endroit où cette pellicule isolante est déposée. On a constaté que cette barrière n'est pas directement endommagée par le rayage et que ses propriétés de redressement ne sont pas affectées. Quand une telle pastille composée doit être pourvue d'une élec-25 trode, on fixe celle-ci à la pellicule d'oxyde d'étain s'étendant au-dessus de ladite pellicule isolante et, en conséquence, cette' opération n'affecte pas, elle non plus, ladite barrière. Cette pellicule de matière isolante protège aussi ladite barrière au cours du photo-décapage de la pellicule d'oxyde d'étain quand le composé ci-30 dessus est utilisé pour la fabrication d'un dispositif semi-conducteur intégré. Plus précisément, on obtient un dispositif composé semi-conducteur d'oxyde d'étain intégré par un photo-décapage de la partie de la pellicule d'oxyde d'étain s'étendant sur ladite pellicule de matière isolante, en divisant ainsi t celle-ci en un certain nombre d'éléments séparés dont chacun est limité par 35 ladite pellicule de matière isolante et forme une barrière à sa frontière avec le substrat semi-conducteur commun. Dans un tel composé, la barrière n'est pas exposée à l'agent chimique de décapage et, par conséquent, ne risque pas d'être détériorée. On voit donc que la pellicule de matière isolante contenue dans ledit 40 composé semi-conducteur protège effectivement la barrière et évite la détério 70 35623 4 2064108' ration de ses propriétés au cours des divers traitements que le composé est appelé à subir par la suite. En conséquence, l'un des buts de la présente invention est de fournir un composé semi-conducteur comprenant une pellicule d'oxyde d'étain déposée 5 sur un substrat semi-conducteur et formant avec lui une barrière présentant d'excellentes caractéristiques. L'invention a également pour but de fournir un composé semi-conducteur : - ayant une barrière présentant d'excellentes caractéristiques inverses; - ayant une barrière dont les caractéristiques sont bien stabilisées 10 et qui opposent une grande résistance à l'environnement; - dans lequel la barrière est formée dans une région bien définie. Un autre but de l'invention est d'élaborer un composé semi-conducteur intégré dans lequel ladite barrière est formée dans plusieurs régions bien définies de la surface principale d'un substrat semi-conducteur. 15 L'invention se propose également d'élaborer des procédés pour atteindre les buts ci-dessus. Une particularité essentielle des composés semi-conducteurs selon l'invention est que la barrière enti-e le substrat semi-conducteur et ladite pellicule d'oxyde d'étain est formée dans une région-confinée par une pellicule 20 de matière isolante, telle que le bioxyde de silicium. Une particularité des procédés de fabrication selon l'invention est que ladite pellicule d'oxyde d'étain subit des traitements tels qu'un rayage, un enlèvement partiel, etc... sur ladite pellicule de matière isolante. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de 25 la description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple nullement limitatif, dans lequel : - la figure 1 est une vue en coupe d'un composé semi-conducteur constituant la base de la présente invention; - la figure 2 est un graphique montrant la courbe caractéristique de re-30 dressement du composé de la figure 1; - les figures 3 à 7 sont des vues en coupe montrant les étapes successives de la fabrication d'un composé conforme à l'invention; - la figure 8A est une vue en plan d'un composé semi-conducteur conforme à un autre mode de réalisation de l'invention; 35 - la figure 8B est une vue en coupe suivant la ligne VIIIB-VIIIB dé"la - figure 8A; et, - la figure 9 est une vue en coupe d'un composé semi-conducteur conforme à un autre mode de réalisation de l'invention. En se référant maintenant à la figure 1, on voit en coupe un composé semi-40 conducteur constituant la base de la présente invention. Ce composé comprend, 70 35623 5 2064108 par exemple, un substrat de silicium n 1 ayant une résistivité d'environ 1 /"1cm, et une pellicule d'oxyde d'étain (SnO^) déposée sur la face supérieure de celui-ci par pyrolyse de dichlorure de diméthyl-étain, par exemple. La pellicule d'oxyde d'étain 2 contenue dans le composé selon l'invention doit être 5 choisiepour présenter une conductivité élevée et constitue, elle-même, un semi-conducteur n. Cette conductivité doit être proche de celle d'un métal, c'est-à-dire que la concentration d'électrons libres doit être d'environ 20 3 10 atomes/cm . La couche d'oxyde d'étain ayant les propriétés d'un semiconducteur n peut être formée par une réaction chimique rapide produisant de 10 l'oxyde d'étain, ceci étant probablement dû à l'excès de métal (manque d'oxygène) résultant de la rapidité de cette réaction. On a découvert qu'un composé ayant une telle structure et composition présente des propriétés de redressement et des propriétés photo-électriques quand de l'énergie de radiation est appliquée à 1'hétérojonction formée à 15 l'intérieur de celui-ci. Une explication plausible de cette découverte est que, l'oxyde d'étain étant considéré comme un métal, cette hétérojonction se comporte comme une barrière de Schottky formée entre la pellicule d'oxyde d'étain et le substrat semi-conducteur. En se référant à la figure 2, on voit la courbe caractéristique de re-20 dressement du composé semi-conducteur de la figure 1. Sur ce graphique, la courbe A est la courbe caractéristique directe du composé, tandis que la courbe B est la courbe caractéristique inverse d'une pastille composée obtenue en rayant ce composé par un procédé connu. En se référant maintenant aux figures 3-7, on voit en coupe les étapes 25 successives de la fabrication d'un dispositif semi-conducteur conforme à l'invention. En se référant à la figure 3, on voit qu'une pellicule de matière isolante 32, par exemple de Si023 est formée sur l'une des grandes faces d'un substrat 31 constitué par un monocristal de silicium n ayant une résistivité spé- ô 30 cifique de llf/cm par exemple, et dont l'épaisseur est de 8000 A. Ce substrat semi-conducteur 31 peut soit être une combinaison d'une couche n ayant une résistivité spécifique élevée déposée sur une autre couche n ayant une faible résistivité, ou bien une couche n déposée entièrement ou partiellement sur une couche p. La pellicule d'oxyde de silicium 32 peut être formée soit par une 35 réaction thermique connue, soit par pyrolyse de silane à une température relativement basse. Des procédés pour former une telle pellicule isolante sont bien connus des techniciens. Une pellicule constituée par une autre matière isolante pourrait être utilisée à la place de cette pellicule d'oxyde de silicium. Parmi ces autres 40 matières isolantes, on peut citer, par exemple, le nitrure de silicium (Si^N^), 70 35623 6 2064108 le verre au plomb (SiO^-P^O) et le verre d'alumine (SiO^Al^O^). Il est recommandé de former la pellicule isolante 32 à une température relativement basse, de préférence inférieure à environ 900°C. Un chauffage à une température extrêmement/élevée exige des équipements plus coûteux et en même temps augmente 5 les risques d'endommager le substrat semi-conducteur. Un procédé préféré aonsiste à former la couche d'oxyde de silicium par pyrolyse de silane à une température relativement basse, inférieure à 700° C, ptiis à faire réagir celle-ci avec de l'oxyde de plomb pour former une couche de verre au plomb. En utilisant une telle pellicule isolante, il est possible de 10 fabriquer un dispositif semi-conducteur à une température relativement basse de l'ordre de 500 à 700° C, en opérant comme décrit ci-après. Ensuite, comme le montre la figure 4, on enlève une partie de la pellicule isolante par photo-décapage, par exemple sous une forme circulaire, afin de produire une ouverture 302 _ Il est également possible de déposer la pellicule iso-15 lante 32 de manière à former, directement l'ouverture 302. Toutefois, en couvrant d'abord toute la grande face du substrat avec une pellicule isolante d'épaisseur uniforme, puis en enlevant les parties inutiles de celle-ci par un procédé de photo-décapage, la forme désirée peut être obtenue avec une plus grande précision. Des pellicules de SiO^s SiO^-PbOjetc.., peuvent être traitées par un 20 procédé de photo-décapage avec un degré élevé de précision. A l'étape suivante, représentée sur la figure 5, une pellicule d'oxyde d'étain 32 est formée sur toute la grande face du substrat comportant la pellicule isolante 32 afin de produire un composé semi-conducteur. Ceci est accompli en chauffant d'abord le substrat semi-conducteur 31 à environ 500° C 25 dans un tube de réaction en quartz, puis en y introduisant une vapeur contenant de l'étain de façon qu'une pellicule d'oxyde d'étain 33 se dépose par pyrolyse sur le substrat 31. Pour cette réaction, on peut, par exemple, utiliser du di-chlorure de diméthyl étain£" (CH^)^ SnC^ J , lequel s'est révélé le plus avantageux. Il est toutefois aussi possible d'utiliser une solution aqueuse de 30 tétrachlorure d'étain ou une solution de ce dernier dans un solvant organique. Comme véhicule, on peut utiliser une atmosphère oxydante, telle que de l'air ou de l'oxygène. La pellicule d'oxyde d'étain 33 peut être déposée de O façon à avoir une épaisseur d'environ 7000 A en poursuivant la réaction de pyrolyse pendant 60 secondes. Pour améliorer la conductivité de la pellicule 35 33, on mélange à la matière principale ci-dessus environ 0,5 % en poids d'oxyde d'antimoine (Sb^0^). On a découvert que le silicium n est une matière appropriée pour constituer le substrat dudit composé semi-conducteur. Toutefois, un composé semiconducteur ayant des propriétés de redressement analogues peut aussi être 40 réalisé avec du silicium p. 70 35623 7 2064108 Toutefois, on a constaté que lorsqu'on utilise un semi-conducteur p, il est préférable d'exécuter la réaction de dépôt de l'oxyde d'étain à une température un peu plus élevée ou de faire subir un traitement thermique approprié au composé résultant de la déposition de l'oxyde d'étain à la température de 5 réaction spécifiée ci-dessus. On a également découvert que les composés ayant des propriétés de redressement analogues pouvaient être fabriqués en utilisant comme substrat du germanium (Ge) ou de l'arséniure dé gallium (GaAs). On forme ensuite des électrodes 34 et 35. sur les deux grandes faces du substrat, comme le montre la figure 6. Les électrodes 34 et 35 sont produites 10 en déposant du nickel par évaporation sous vide à une épaisseur d'environ O 8000 A. Comme le montre la figure 6, l'électrode 34 occupe la partie prévue à cet effet de la pellicule d'oxyde d'étain déposée sur la pellicule isolante 32, L'électrode 34 est formée en déposant d'abord une couche de nickel sur toute la grande face du substrat 31, puis en enlevant la partie inutile par 15 un procédé classique de photo-décapage. L'électrode 35 peut être supprimée lorsque le substrat 31 est fixé à une embase plaquée d'or par une couche eu-tectique d'or et de silicium. On a trouvé que le nickel est la matière la plus avantageuse pour constituer l'électrode sur la couche d'oxyde d'étain en raison de sa conductivi-20 té, de son adhérence, de son coût et de ses possibilités de soudage^ etc... Toutefois, il est également possible d'utiliser de l'argent, de l'or, du chrome ou de l'aluminium pour cette électrode. En particulier, dans le cas d'un composé intégré, qui sera décrit plus en détail par la suite, en regard des figures 8A et 8B, l'électrode appliquée sur l'oxyde d'étain n'a qu'une 25 petite surface de contact et est susceptible de peler. En conséquence, il peut dans ce cas être préférable d'utiliser une structure à trois couches comprenant une pellicule de titane déposée sur la pellicule d'oxyde d'étain, une première couche métallique déposée sur celle-ci et une seconde couche métallique déposée sur la première. Pour la première couche métallique, on peut avan-30 tageusement utiliser du cuivre ou de l'argent, tandis que la seconde couche sera, de préférence, en or, en nickel ou en aluminium. Comme électrode pour le substrat de silicium, on peut utiliser un cristal eutectique dbr ou d'or et d'antimoine avec du silicium. Toutefois, la cristallisation eutectique exige une température d'environ 390° C qui risque de dété-35 riorer les propriétés de redressement du composé Sn02~Si. Une autre électrode préférée est une structure à deux couches comprenant une couche de titane sur le substrat et une couche de nickel sur cette dernière. Une telle électrode peut être formée par un traitement à une température d'environ 200° C qui ne détériore pas les propriétés de redressement du composé, tout en assurant un 40 meilleur contact ohmique. 70 35623 2064108 Ensuite, comme le montre la figure 6, on divise le substrat par un procédé approprié, par exemple en le rayant le long de la ligne VII-VII afin de produire des pastilles composées semi-conductrices, comme celle de la figure 7. Etant donné que la partie par laquelle la ligne VII-VII passe comprend une 5 couche isolante 32 de bioxyde de silicium ou d'une matière analogue interposée entre le substrat 31 et la pellicule d'oxyde d'étain 33, cette opération de division, par exemple par un procédé classique de rayage avec un diamant ou un outil analogue, suivi d'un pliage ou d'une flexion, n'a aucune action nuisible sur les propriétés de la barrière du composé. En d'autres termes, la pré-10 sence de la couche isolante sous la pellicule d'oxyde d'étain évite que la barrière soit endommagée par l'opération de division. Il convient de se reporter maintenant à la figure 2 qui montre la courbe caractéristique inverse de la pastille composée semi-conductrice de la figure 7. Comme on le voit, la barrière formée dans la région limitée par la pelli-15 cule isolante,et qui ainsi est protégée le long de ses bords, présente des propriétés de redressement plus stables et permet d'obtenir un courant inverse plus faible que les dispositifs analogues de la technique antérieure où la bordure de la barrière est découverte. Etant donné que l'électrode 34 est située à l'extérieur de la région 20 dans laquelle la barrière est formée, il est clair que toute la barrière de la pastille est effectivement utilisée dans le cas d'un dispositif photoélectrique. La pression exercée sur l'électrode 34 pour y fixer un fil de connexion ne saurait affecter les caractéristiques de redressement du dispositif puisqu'aucune barrière n'a été formée sous l'électrode, laquelle est déposée sur 25 une partie de la pellicule d'oxyde d'étain 33 couvrant la pellicule de bioxyde v de silicium. Un autre avantage de cette barrière est qu'elle reste stable pendant longtemps sous l'influence de l'atmosphère extérieure. Les figures 8A et 8B illustrent un dispositif semi-conducteur conforme à un autre mode de réalisation de l'invention comprenant un substrat de sili-30 cium n 41, une pellicule de bioxyde de silicium 42 déposée sur celui-ci et présentant une ouverture 402, une pellicule d'oxyde d'étain 43 déposée sur le substrat 41 à l'endroit où il est découvert à travers l'ouverture 402 et des électrodes de nickel 44 et 46. La pellicule de bioxyde de silicium 42 est d'abord formée sur toute la grande face du substrat de silicium 41, puis cer-35 taines parties de celle-ci sont enlevées pour former les ouvertures 402 qui produisent un certain nombre de régions de la grande face du substrat isolées les unes des autres. La pellicule d'oxyde d'étain 43 est ensuite formée sur toute la grande face du substrat, y compris la pellicule de bioxyde de silicium 42, de sorte que la barrière est formée entre le substrat 41 et la pellicule 40 d'oxyde d'étain 43 uniquement dans les ouvertures délimitées avec précision 70 35623 9 2064108 par la pellicule 42. On enlève la pellicule d'oxyde d'étain 43 en partie à l'endroit où elle est déposée sur la pellicule de bioxyde de silicium 42, produisant ainsi des parties séparées 403 qui divisent le composé en plusieurs régions. Un procédé 5 de photo-décapage peut effectivement être utilisé pour diviser la pellicule d'oxyde d'étain 43 en plusieurs parties. Toutefois, du fait de sa stabilité chimique, l'oxyde d'étain est difficile à décaper. Néanmoins, ce décapage peut être réalisé avec une précision relativement grande en déposant d'abord du zinc à l'endroit où la pellicule doit être décapée en dissolvant celui-ci 10 avec une solution diluée d'acide chlorhydrique pour réaliser une légère réduction de la surface de la pellicule d'oxyde d'étain, en déposant à nouveau du zinc, puis en le dissolvant avec une solution concentrée d'a.cide chlorhydrique en même temps que l'oxyde d'étain sousjacent. Etant donné que les régions où la barrière est formée sont exactement dé-15 limitées par une pellicule de matière isolante,telle que le bioxyde de silicium, et sont bien protégées, ce procédé de photo-gravure de la pellicule d'oxyde d'étain sur la couche isolante ne demande pas un degré élevé de précision et même l'application d'une force métallique est admissible, dans une certaine mesure, pour éliminer la pellicule d'oxyde d'étain. En conséquence, 20 il est également possible de diviser la pellicule d'oxyde d'étain 43 en plusieurs parties en la rayant au lieu de la décaper, ceci étant un moyen plus simple et plus efficace. Lorsqu'on utilise le nickel pour fermer l'électrode sur la couche d'oxyde d'étain, par exemple pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs 25 tels que ceux représentés sur les figures 7 et 8B, il convient de considérer ce qui suit : pour produire des électrodes ayant la configuration désirée, on dépose normalement du nickel sur toute la surface de la pellicule d'oxyde d'étain de la plaquette, puis on enlève les parties inutiles du dépôt de nickel par un photo-décapage qui laisse des électrodes ayant la forme désirée. 30 Comme décapant, on utilise une solution de chlorure ferrique. A ce propos, on a trouvé que la vitesse de décapage du nickel, dans la région de la barrière, c'est-à-dire dans la région de la structure Sn02-Si est cinq à six fois supérieure à celle de la région de la pellicule de SiO^j c'est-à-dire de la région de la structuré Sn02~Si02. En conséquence, on considère qu'il est pré-35 férable de décaper d'abord les parties inutiles de la pellicule de nickel dans les régions des structures Sn02-Si02, puis de répéter la procédure pour enlever les parties inutiles de la pellicule de nickel dans les régions de la structure Sn02~Si. Plus précisément, on dépose d'abord la pellicule de nickel sur toute la 40 surface de la pellicule d'oxyde d'étain formée sur le substrat, puis on masque 70 35623 10 2064108 cette pellicule de nickel en couvrant les régions où les électrodes doivent ' être formées et les régions de la structure SnO^-Si, et la partie de la pellicule de nickel qui reste découverte à travers le masque est éliminée par décapage. Ensuite, on procède à un autre masquage couvrant au moins les régions 5 où les électrodes doivent être formées et la pellicule de nickel qui reste découverte à travers ce second masque est éliminée par un décapage. Après cela, on enlève le masque qui couvre la pellicule de nickel ayant la configuration désirée. Dans ce procédé, l'un des bords de l'électrode de nickel ainsi formée c'est-à-dire le bord voisin de la structure Sn02~Si n'est soumis qu'au second 10 décapage, c'est-à-dire n'est décapé qu'une fois, tandis que l'autre bord, c'est-à-dire celui voisin de la structure SnO^-SiO^ subit à la fois le premier et le second décapages, c'est-à-dire est décapé deux fois. Il en résulte un décapage excessif du bord de l'électrode de nickel voisin de la structure Sn02~Si02. En conséquence, il est judicieux de prendre ce fait en considéra-15 tion lors de la détermination de la configuration des deux masques de décapage de façon à compenser ce décapage excessif. Il ressort clairement des courbes de la figure 2 que les dispositifs conformes à la présente invention présentent des caractéristiques de redressement avantageuses et, par conséquent, peuvent utilement constituer des dispo-20 sitifs redresseurs. Toutefois comme l'on sait, la pellicule d'oxyde d'étain est transparente et, par conséquent, quand on utilise cette barrière comme dispositif de redressement, par exemple comme une diode, ladite barrière risque d'être inutilement exposée à la lumière à travers la pellicule d'oxyde d'étain et il peut en résulter la génération d'une force électromotrice susceptible 25 d'affecter la stabilité des caractéristiques de redressement du dispositif. En conséquence, l'invention peut apporter un dispositif de redressement avantageux, à condition d'éliminer le défaut ci-dessus. La figure 9 est une vue en coupe d'un dispositif semi-conducteur conforme à un. autre mode de réalisation de l'invention conçu pour constituer un dis-30 positif de redressement. Le dispositif de la figure 9 comprend un substrat de silicium n 51, une pellicule de matière isolante 52, telle que le bioxyde de silicium, une pellicule d'oxyde d'étain 53 et une électrode métallique 54 constituée par exemple par une couche de nickel. A la différence du dispositif de la figure 7, la région de la barrière et les bordures de cette région sont 35 couvertes d'une couche métallique d'électrode opaque 54 dans le dispositif de la figure 9, cette couche 54 abritant la barrière de la lumière. Pour cette couche opaque, il est préférable d'utiliser la couche métallique d'électrode en raison de ses caractéristiques (résistance directe plus faible) ou pour des considérations pratiques de fabrication. Il est également possible d'uti-40 liser d'autres matières isolantes opaques, par exemple une résine opaque," 70 35623 IX 2064108 Quand on utilise la couche métallique d'électrode à cette fin, il est préférable que la pellicule d'oxyde d'étain soit aussi mince que possible, O de préférence entre 2000 et 5000 A. Il est également préférable d'utiliser pour le substrat semi-conducteur une combinaison d'une couche ayant une fai-5 ble résistance spécifique et d'une couche ayant une résistance spécifique élevée. Dans ce qui précède, on n'a décrit que la construction d'un simple dispositif de redressement. Toutefois, la présente invention peut aussi être appliquée à la construction d'autres éléments, tels que ceux fabriqués par 10 intégration avec des transistors par exemple. 70 35623 12 2064108 REVENDICATIONS 1.- Semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semiconducteur ayant une surface principale, une pellicule de matière isolante formée sur ce substrat et à travers laquelle une partie de cette surface prin- 5 cipale dudit substrat est exposée, et une pellicule d'oxyde d'étain déposée sur la surface dudit substrat délimitée au moins par ladite pellicule de matière isolante, formant ainsi une barrière présentant des propriétés de redressement entre le substrat et la pellicule d'oxyde d'étain. 2.- Composé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat 10 semi-conducteur est une substance telle que le silicium, le germanium ou l'arséniure de gallium. 3.- Composé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une électrode métallique est déposée sur une région de la pellicule d'oxyde d'étain déposée sur ladite pellicule de matière isolante. 15 4.- Composé selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite électrode est en nickel. 5.- Composé selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite électrode se compose d'une couche de titane déposée sur la pellicule d'étain, d'une première couche métallique déposée sur celle-ci et d'une seconde couche 20 métallique déposée sur la précédente. 6.- Composé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la première couche est constituée par un métal tel que le cuivre ou l'argent, tandis que la seconde couche est constituée par un métal tel que l'or, le nickel ou l'aluminium. 25 7.- Composé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pellicu le de matière isolante est constituée par une substance telle que Si02, Si^N^, Si02-Al202 et Si02-Pb0. 8.- Composé selon la revendication 1, caractérisé en cë que la pellicule de matière isolante est formée pour produire plusieurs régions exposées sur 30 un même substrat, formant ainsi plusieurs barrières ayant des propriétés de . redressement, la pellicule d'oxyde d'étain étant divisée, sur certaines régions de ladite pellicule de matière isolante ,de façon à former un certain nombre d'éléments semi-conducteurs renfermant des barrières Individuelles ayant des propriétés de.redressement indépendantes. 35 9.- Composé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est adap té à recevoir des radiations à travers une pellicule d'oxyde d'étain conductrice transparente et en ce qu'il comporte des moyens pour prélever l'énergie photo-électrique résultante. 10.- Composé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une matière 40 opaque couvre la pellicule d'oxyde d'étain,au moins de façon à abriter sa ouses 70 35623 13 2064108 barrières. 11.- Composé selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite matière opaque est conductrice et constitue l'électrode métallique. 12.- Procédé pour fabriquer un composé semi-conducteur, caractérisé en 5 ce qu'il consiste à préparer un substrat semi-conducteur ayant une surface principale, à former une pellicule de matière isolante sur ce substrat de manière à laisser exposée une partie de ladite surface principale dudit substrat, à déposer une pellicule d'oxyde d'étain,au moins sur la surface du substrat délimitée par ladite pellicule de matière isolante, formant ainsi un 10 composé semi-conducteur incluant une barrière ayant des propriétés de redressement entre le substrat et la pellicule d'oxyde d'étain et à traiter ledit composé dans les régions où ladite pellicule de matière isolante a été formée. 13.- Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le substrat semi-conducteur est constitué par une substance telle que le silicium, 15 le germanium ou l'arséniure de gallium. 14.- Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la pellicule de matière isolante est formée à basse température. 15.- Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il consiste, en outre, à déposer une pellicule conductrice sur ladite pellicule d'oxyde 20 d'étain. 16.- Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'étape de formation de ladite pellicule de matière isolante consiste à former cette pellicule sur une aire étendue de la surface principale du substrat et à ménager une ouverture dans cette pellicule. 25 17.- Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que plusieurs ouvertures sont prévues pour former plusieurs barrières. 18.- Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la pellicule de matière isolante est formée de manière à ménager plusieurs régions exposées, ce qui permet de former plusieurs régions de barrière. 30 19.- Procédé selon les revendications 17 ou 18, caractérisé en ce qu'il consiste, en outre, en un traitement pour la fabrication d'un élément semiconducteur, de sorte que plusieurs barrières possèdent une propriété de redressement indépendante. 20.- Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que ladite 35 étape de traitement consiste en un rayage pour obtenir un certain nombre de pastillescomposées semi-conductrices. 21.- Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'on divise la pellicule d'oxyde d'étain par ledit traitement en un .certain nombre d'éléments semi-conducteurs dont chacun possède les propriétés de redressement indé- 40 pendantes, ces éléments étant incorporés dans un dispositif semi-conducteur 70 35623 2064108 intégré. 22.- Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que ledit substrat est le silicium et ladite pellicule de matière isolante est le bioxyde de silicium et en ce qu'une étape est prévue pour former une couche d'électrode 5 métallique sur ladite pellicule d'oxyde d'étain. 23.- Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'il consiste à former une couche métallique s'étendant au-dessus de ladite couche d'oxyde d'étain et à décaper cette couche métallique pour produire une électrode ayant la configuration désirée. 10 24.- Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que l'étape de décapage de ladite couche métallique consiste à enlever d'abord par décapage les parties inutiles de la pellicule métallique dans la région de la structure Sn02~Si02j puis à éliminer par décapage les parties inutiles de la pellicule métallique dans la région de la structure Sn02~Si. 15 25.- Procédé selon les revendications 22, 23 ou 24, caractérisé en ce que l'électrode métallique est en nickel.