FR 2090340 A1 19720114 FR 7119162 A 19710526 71 19162 1 2090340 La présente invention concerne d'une manière générale les récepteurs radio-électriques et plus particulièrement les parties haute fréquence de tels récepteurs. D'une manière générale, les parties haute fréquence ou 5 d'entrée de récepteurs de radiodiffusion, de télévision ou d'autres dispositifs destinés à recevoir une énergie électromagnétique rayonnée, se présentent sous des formes diverses différant par la manière dont elles reçoivent et traitent le signal d'entrée haute fréquence. Un circuit classique pour les parties haute fréquence 10 de récepteurs utilise un étage convertisseur bien connu qui fonc-i tionne à la fois comme un oscillateur et comme un mélangeur pour convertir le signal d'information haute fréquence reçu en un signal d'information à une fréquence intermédiaire convenable. Ce type de parties haute fréquence de récepteurs est largement utilisé, malgré 15 certains inconvénients, car il est relativement peu coûteux et a une consommation inférieure à celle des circuits récepteurs classiques utilisant des étages mélangeur et oscillateur séparés. Un autre type de parties haute fréquence pour récepteur comprend un ou plusieurs étages amplificateurs renforçant le signal 20 haute fréquence choisi avant de le combiner avec le signal de l'oscillateur local dans l'étage mélangeur. Bien que les caractéristiques des parties haute fréquence qui utilisent un ou plusieurs étages d'amplification et un circuit oscillateur séparé pour combiner les fréquences de signal dans un étage mélangeur séparé, soient 25 meilleures que celles des parties réceptrices du type convertisseur, les premières ont l'inconvénient d'être relativement coûteuses à fabriquer et relativement encombrantes à cause des transformateurs de couplage entre les différents étages. De plus, chaque étage de la partie haute fréquence nécessite une alimentation séparée et 30 indépendante de celle des autres car ils sont tous reliés en parallèle à l'alimentation du récepteur. Il en résulte une consommation relativement importante. De plus, la consommation de l'oscillateur local d'un tel récepteur peut être relativement élevée car il n'est pas possible de commander l'amplitude de sortie du signal 35 à la fréquence d'oscillation qui est appliqué à l'étage mélangeur. De ce fait, le circuit oscillateur consomme également une puissance importante. Cette forte consommation globale devient une considé— 71 19162 2 2090340 ration relativement importante dans les récepteurs qui fonctionnent sur une pile unique dont l'énergie est obligatoirement limitée. De ce fait, les piles des systèmes connus n'ont pas une durée très longue et leur défaillance est sauvent inopportune. 5 La présente invention a donc pour objet une partie haute fréquence de récepteur dans laquelle les différents étages sont couplés en courant continu pour éliminer les dispositifs de couplage alternatif qui entrent pour une part importante dans le coût et l'encombrement du récepteur. La partie haute fréquence de 10 l'invention est en outre caractérisée par la circulation d'une faible intensité totale dans ses étages respectifs de façon à réduire la consommation du récepteur. L'invention permet donc de réaliser un récepteur radio-électrique capable de fonctionner dB manière efficace pendant de longues périodes à partir d'une petite 15 pile, telle qu'une pile miniature au mercure. Selon une caractéristique essentielle de l'invention, l'étagB amplificateur haute fréquence d'un récepteur est couplé en série en courant continu à l'étage mélangeur de façon que l'intensité fournie par l'alimentation du récepteur soit commune à ces deux 20 étages pendant leur fonctionnement. Ce partage du courant entre les deux étages de la partie haute fréquence du récepteur réduit sa consommation totale et prolonge la durée de vie des piles ou autres sources autonomes. L'invention est en outre caractérisée par l'emploi d'un 25 couplage en courant continu entre la sortie de l'oscillateur local du récepteur et l'une des entrées de l'étage mélangeur. Une troisième caractéristique de l'invention est l'emploi d'un transistor pour commander le fonctionnement de l'oscillateur de la partie haute fréquence, la jonction émetteur-base du transistor 30 de commande étant en parallèle avec la jonction émetteur-base du transistor de l'étage mélangeur, du point de vue du courant continu. En résumé, la partie haute fréquence du récepteur de l'invention comprend un étage amplificateur formé d'un transistor dont la base est couplée en courant continu au circuit d'entrée du 35 récepteur auquel est appliqué le signal d'information haute fréquence. Le collecteur de ce transistor est couplé en courant continu à l'émetteur d'un transistor de l'étage mélangeur, de préférence à 71 19162 3 2090340 travers une inductance. Dans la forme décrite, cette inductance est mise en parallèle avec une capacité pour former un circuit résonnant adaptant l'impédance de sortie de l'étage amplificateur à l'impédance de l'une des entrées de l'étage mélangeur de la partie 5 haute fréquence. L'étage oscillateur local est constitué par un transistor dont le collecteur est couplé en courant continu à la base du transistor de l'étage mélangeur auquel il fournit la fréquence d'oscillation à combiner avec le signal d'information haute fréquence 10 qui est appliqué à l'émetteur du même transistor de façon à produire à la sortie de l'étage mélangeur, un signal d'information à la fréquence intermédiaire voulue. L'amplitude du signal de l'oscillateur appliquée à la base du transistor mélangeur est réglée par un transistor de commande qui est couplé en courant continu entre 15 l'étage mélangeur et l'étage oscillateur de la partie haute fréquence. Le transistor de commande a de préférence sa base couplée en courant continu à l'émetteur du transistor mélangeur et son émetteur couplé en courant continu à la base du transistor mélangeur de telle manière que les jonctions baserémetteur des deux transistors 20 soient en parallèle vis-à-vis du courant continu. Il est préférable que la chute de potentiel continu dans la jonction base-émetteur du transistor mélangeur soit supérieure à celle du transistor de commande. Ce choix permet d'obtenir une conduction relativement importante du transistor de commande qui couple la forte amplitude 25 de sortie du transistor oscillateur à la base du transistor mélangeur. Cependant, le signal haute fréquence qui apparaît aux bornes de la jonction base-émetteur du transistor mélangeur, ce signal résultant du signal de l'oscillateur ou de la combinaison du signal d'information sortant de l'amplificateur haute fréquence avec le signal de 30 l'oscillateur provoque une réduction de la chute de potentiel continu moyenne dans la jonction base-émetteur du transistor mélangeur ; cette chute de potentiel étant fonction de la proportion du signal de fréquence qui est injectée dans l'étage mélangeur. Cette injection de signal dépend de la chute de potentiel dans la jonction 35 base-émetteur du transistor-mélangeur et provoque une réduction de l'intensité qui traverse le transistor de commande, laquelle réduit à son tour l'amplitude du signal de fréquence fourni par l'oscillateur. 71 19162 2090340 Cette boucle de réaction a l'avantage de régler l'amplitude du signal de l'oscillateur d'après le signal d'information qui est injecté dans le transistor mélangeur. Il est particulièrement avantageux que des condensateurs de 5 découplage connectés à un ou plusieurs étages de la partie haute fréquence du récepteur soient reliés à 1'alimentation de ce dernier plutôt qu'à la masse ou à toute autre référence commune de potentiel. Ce montage permet de connecter les résistance de charge entre chaque transistor de l'étage et- la masse ou la référence commune de 10 façon que le signal d'information puisse être prélevé sur ces résistances sans nécessité de circuits complexes. Dans une forme de l'invention, la sortie de l'étage mélangeur est appliquée a un circuit résonnant LC et le signai oe sortie qui apparaît dans ce circuit est couplé en courant continu à la base 15 d'un transistor amplificateur à fréquence intermédiaire. Dans un autre modB de réalisation, la sortie du transistor mélangeur est appliquée à une résistance en parallèle avec un condensateur. Dans ce cas, on utilise également un couplage en courant continu entre le réseau RC et l'entrée de l'étage amplificateur à 20 fréquence intermédiaire. Cette résistance qui remplace l'inductance à la sortie de l'étage mélangeur a un double rôle consistant d'une part à fournir à ae3 bornes le signal à fréquencs intermédiaire à appliquer à l'étage amplificateur, et d'autre part à limiter 1b courant qui circule en série dans le transistor mélangeur et dans 25 le transistor amplificateur haute fréquence. D1autres caractéristiques et avantages de l'invention rassortiront de la description détaillée qui suit et des dessins sur lBsquels : La figure 1 Bst un schéma synoptique simplifié de la partiB 30 haute fréquence d'un récepteur réalisée selon les principes de 1'invention. La figure 2 est un schéma électrique détaillé d'une forme de réalisation de la partie haute fréquence dB l'invention. La figurB 3 est un circuit équivalent en courant continu 35 à celui de la figure 2 illustrant les divers couplages en courant continu entre chaque transistor. 71 19162 5 2090340 La figure 4 représente une variante de la partie haute fréquence de l'invention. La figure 1 est un schéma synoptique d'une partie haute fréquence 10 constituant les étages d'entrée d'un récepteur. 5 La partie 10 comprend un circuit d'entrée 12 qui peut être relié à une antenne pour recevoir un signal d'information haute fréquence rayonné par une station émettrice dont la fréquence peut être quelconque. Le signal d'information haute fréquence est converti en un signal à fréquence intermédiaire, comme on le verra par la suite, 10 avant d'être appliqué à un circuit d'utilisation 14 ne faisant pas partie de la présente invention. Un étage amplificateur d'entrée 16 reçoit et amplifie le signal d'information haute fréquence provenant du circuit 12 et l'applique à une entrée 18a d'un étage mélangeur 18. Une source 15 d'alimentation B+ applique à une borne d'entrée 20 de l'étage mélangeur 18 un potentiel de fonctionnement qui fait circuler un courant commun à travers les étages mélangeur 18 et amplificateur 16 par suite du couplage en courant continu 22 qui relie la sortie de l'étage amplificateur à 1'entrée 18a de l'étagB mélangeur. Ce 20 couplage en série de l'étage mélangeur et de l'étage amplificateur réduit sensiblement la consommation de courant par rapport à des étages alimentés de manière classique par des circuits indépendants. "La source B+ débite ainsi un courant qui traverse l'étage mélangeur 18 et l'étage amplificateur 16, d'où une réduction sensible de la 25 dissipation de puissance de ces deux étages. La borne de sortie 24a d'un circuit oscillateur local 24 est couplée en courant continu à une seconde entrée 18b de l'étage mélangeur 18 dans lequel le signal haute fréquence et le signal de l'oscillateur sont hétérodynés pour produire la fréquence intermé-30 diaire désirée. L'emploi d'un couplage en courant continu entre la borne de sortie 24a de l'oscillateur 24 et la seconde entrée 18b de l'étage mélangeur 18 permet d'éliminer les composants de couplage alternatif, c'est-à-dire principalement un transformateur. Ce couplage en courant continu, ainsi que celui qui relie le mélangeur 35 18 à l'amplificateur 16,permet de réaliser une partie haute fréquence 10 formée d'un minimum de composants, c'est-à-dire dont l'encombrement et le coût sont sensiblement réduits comparés à ceux des circuits 71 19162 2090340 analogues existants» Un circuit de commande 26 dont une borne de sortie 26a est couplée en courant continu à une entrée 24b de l'oscillateur 24 permet de régler l'amplitude des oscillations qui sont appliquées 5 à l'entrée 18b du mélangeur 18. Cette régulation d'amplitude du signal de fréquence de l'oscillateur est obtenue par une connexion en parallèle des entrées 26b et 26c du circuit de commande 26, respectivement avec les entrées 18a et 18b de l'étage mélangeur 18. Le circuit de commande 26 est sensible à la différence de potentiel 10 qui existe entre les bornes 18a et 18b qui est elle-même proportionnelle à la valeur du signal injecté dans l'étage mélangeur 1B. Par exemple, lorsque le niveau du signal de sortie de l'oscillateur 24 est beaucoup plus élevé que celui du signal de sortie de l'amplificateur 16, la tension entre les bornes 18a et 18b diminue pour 15 réduire proportionnellement le signal de sortie du circuit de commande 26 de façon à diminuer l'amplitude du signal délivré par le circuit oscillateur 24. Ce nouveau montage assure une réaction en boucle fermée asservie à l'injection des signaux dans l'étage mélangeur 1B pour équilibrer en permanence les niveaux du signal haute fréquence 20 appliqué à la borne 18a et du signal de l'oscillateur appliqué à la borne 18b de façon à obtenir un mélange convenable des signaux fournissant le signal à fréquence intermédiaire désiré. La borne d'entrée 28a d'un étage amplificateur à fréquence intermédiaire 28 est couplée en courant continu à la sortie 18c de 25 l'étage mélangeur 18 pour amplifier le signal à fréquence intermédiaire et l'appliquer au circuit d'utilisation 14. Il va de aoi que, si on le désire, l'étage amplificateur 28 peut être incorporé dans le circuit d'utilisation 14. La figure 2 représente le schéma électrique détaillé de la 30 partie haute fréquence 10 d'un récepteur illustrant les formes préférées de couplage en courant continu entre les divers étages» On voit que l'étage amplificateur 16 comprend un transistor 30 de type NPN dont la base est couplée en courant continu à la borne d'entrée 12 par une ligne 31 et une partie de bobinage d'inductance 35 32. Un condensateur 33 est connecté en parallèle avec l'inductance 32 pour former un circuit résonnant accordé à une fréquence correspondant à celle du signal d'information désiré. Le condensateur 33 71 19162 7 2090340 est représenté comme une capacité fixe, mais i± va de soi que l'on peut utiliser un condensateur variable permettant d'accorder le circuit d'entrée sur une fréquence quelconque d'une gamme donnée. En variante, l'accord du circuit résonnant peut être réalisé au 5 moyen d'une inductance 32 variable. Une résistance 34 est connectée entre l'émetteur du transistor 30 et une ligne 35 qui est reliée au potentiel commun de référence, par exemple au potentiel de la masse. L'étage mélangeur 18 comprend un transistor 36, par exemple 10 du type NPN, dont l'émetteur est couplé en courant continu au collecteur du transistor 30, par une ligne 22. De préférence, la ligne 22 comporte une inductance série 37 en parallèle avec un condensateur 38 pour former un circuit résonnant a la fréquence de sortie de l'étage amplificateur 16, de façon à adapter l'impédance de sortie 15 du transistor 30 à l'impédance d'entrée de l'émetteur du transistor 36. Ainsi, l'adaptation de l'impédance d'entrée de la base du transistor 30 est assurée par le circuit résonnant comprenant l'inductance 32 et la capacité 33 et l'adaptation de l'impédance de sortie du transistor 30 est assurée par le circuit résonnant comprenant 20 l'inductance 37 et la capacité 38. L'emploi du circuit résonnant 37, 38 dans la liaison en courant continu des transistors 30 et 36 permet d'effectuer l'inversion de phase ou neutralisation du signal fourni par l'étage amplificateur 16 au moyen d'un simple condensateur 39 dont une plaque est reliée à la base du transistor 30 et 25 dont l'autre plaque Bst reliée au collecteur du transistor 30 par l'intermédiaire de l'inductance 37. Le condensateur 39 sert également à dériver le signal d'information à la fréquence intermédiaire qui peut apparaître à l'émetteur du transistor 36. La base du transistor 30 est de préférence reliée à un condensateur de dérivation 40 à 30 travers l'inductance 32 et 1'autre plaque de ce condensateur est reliée à la ligne B+ du récepteur plutflt qu'au potentiel de la masse ou au potentiel de référence de la ligne 35« Le circuit oscillateur 24 comprend un transistor 41 de type NPN dont le collecteur est couplé en courant continu à la base du 35 transistor 36 de l'étage mélangeur 18. Le couplage en courant continu du circuit oscillateur 24 et de l'étage mélangeur 18 permet d'éliminer les composants de couplage alternatif, tels que le 71 1 v J 62 8 2090340 condensateur» le transformateur, etc. Le signal de l'oscillateur est appliqué à la base du transistor 36 dont l'émetteur reçoit le signal d'information haute fréquence pour les combiner en un signal à la fréquence différence qui est la fréquence intermédiaire désirée. 5 Ce signal d'information à la fréquence intermédiaire apparaît dans un circuit résonnant comprenant une inductance 42 et une capacité 43 reliées en parallèle au collecteur du transistor 36. Le signal d'information sortant de l'étage mélangeur est ensuite couplé en courant continu à l'étage amplificateur 28 par une ligne 44. 10 L'émetteur du transistor 41 du circuit oscillateur 24 est relié à une ligne 35 par une résistance 45. L'émetteur de ce transistor e3t également relié à un circuit résonnant comprenant une inductance 46 et un élément piezo-électrique 47. dont le r81e est de stabiliser la fréquence d'oscillation du transistor 41. 15 L'autre extrémité du circuit résonnant formé de l'inductance 46 et de l'élément piezo-électrique 47 est reliée au point de jonction 50 de deux condensateurs 48 et 49 qui sont en parallèle avec une inductance 51. Bien que le transistor 41, associé à l'élément piezo-électrique 47? forme un oscillateur dont la fréquence fixe 20 est pilotée par le cristal de quartz, il peut être souhaitable de faire varier la fréquence d'oscillation pour qu'elle suive une fréquence variable du circuit accordé d'entrée relié à la borne d'entrée 12, de telle manière que la partie haute fréquence 10 puisse recevoir une bande de fréquences donnée. 25 Le circuit de commande 26 de l'oscillateur comprend de préférence un transistor 52 de typd PNP dont le collecteur est relié à la ligne 35 par une résistance 53. La jonction base-émetteur du transistor 52 est connectée en parallèle avec la jonction base-émetteur du transistor 36 de l'étage mélangeur 18 de façon que la 30 conduction du transistor 52 soit proportionnelle à la chute de potentiel entre les deux bornes de l'étage mélangeur, c'est-à-dire entre la base et l'émetteur du transistor 36, de façon à régler l'amplitude du signal de sortie du circuit oscillateur 24. Pour ce faire, la base du transistor 52 est reliée par une ligne 54 à une 35 prise centrale 37a de l'inductance 37 qui est elle-même reliée à l'émetteur du transistor 36. Par ailleurs, l'émetteur du transistor 52 est relié à la base du transistor 36 par une ligne 56, un segment 71 19162 9 2090340 de ligne 57 et l'inductance 51. Le segment de ligne 57 fait partie de la ligne B+ qui alimente les divers composants de la partie haute fréquence 10. Le transistor 52 du circuit de commande 26 étant utilisé comme un dispositif à courant continu commandant le 5 niveau de sortie de l'oscillateur 24, il est passible d'utiliser une partie de la ligne de distribution B+, c'est-à-dire le segment 57, pour la connexion de la base du transistor 36. Le transistor 36 de l'étage mélangeur 18 est de préférence un transistor haute fréquence dont les caractéristiques sont bien 10 connues des spécialistes, alors que le transistor 52 du circuit de commande 26 de l'oscillateur est un transistor basse fréquence# De ce fait, la tension caractéristique de diode de la jonction base-émetteur du transistor 36 est supérieure à celle de la jonction base-émetteur du transistor 52, lorsque l'on fait circuler 15 des courants donnés de polarisation à travers ces jonctions. Dans la forme illustrée, la tension caractéristique de diode du transistor 36 peut Ôtre par exemple de 50 à 100 millivolts, à condition qu'elle soit supérieure à la tension caractéristique de diode de la jonction base-émetteur du transistor 52 (il va de soi que ces valeurs ne sont 20 données qu'à titre illustratif). Cependant, lorsqu'un signal haute fréquence est appliqué à la base du transistor 36 par la sortie de l'oscillateur 24, sa tension base-émetteur peut diminuer et devenir inférieure à celle de la jonction base-émetteur du transistor 52. Cette diminution de la tension base-émetteur du transistor mélangeur 25 36 correspond à une diminution de la sortie du transistor 52 qyi se traduit à son tour par une réduction de l'amplitude du signal de fréquence fourni par le transistor oscillateur 41. On réalise ainsi un circuit de réaction en bouclë fermée entre l'entrée et la sortie du circuit oscillateur 24 et cette boucle est sensible au niveau du 30 signal qui est injecté dans l'étage mélangeur 18. L'étage amplificateur FI 28 comprend un transistor 60 dont la base est reliée à la ligne 44 pour recevoir le signal d'information FI de la sortie de l'étage mélangeur 18. Une résistance de charge 61 est connectée entre le collecteur du transistor 60 et 35 la ligne B+ et l'émetteur du transistor 60 est également relié à la ligne B+ par un condensateur de découplage 62. L'émetteur du transistor 60 est relié par une résistance 63 à la ligne 35 pour 71 19162 10 2090340 compléter le circuit du courant de travail du transistor. Il est particulièrement avantageux que tous les condensateurs de découplage utilisés dans la partie haute fréquence 10 soient reliés à la ligne B+, plutôt qu'au potentiel de la masse 5 ou au potentiel de référence de la ligne 35. Par exemple, la base du transistor 41 de l'étage oscillateur 24 comporte un condensateur de découplage 65 qui est relié à la ligne B+ par la ligne 66 et la ligne 56. De même, la base du transistor 52 du circuit de commande '26 comporte un condensateur de découplage 67 qui est relié à la 10 ligne B+ par une ligne 68 et la ligne 56. L'émetteur du transistor 30 de l'étage amplificateur 16 comporte un condensateur de découplage 69 qui est relié à la ligne B+ par la ligne 56. Le circuit oscillant comprenant l'inductance 42 et le condensateur 43 et le circuit oscillant comprenant les condensateurs 48 et 49 et l'induc-15 tance 51, fournissent leurs potentiels de travail respectifs aux transistors 36 et 41 dont la masse haute fréquence est formée par la ligne B+. Ainsi, la connexion de tous les autres condensateurs de dérivation à la ligne B+ permet de faire apparaître les signaux utiles aux bornes des résistances 34, 53, 45 et 63, ce qui facilite 20 un couplage en courant continu, par exemple entre le collecteur du transistor 52 et la base du transistor 41, élimxant les composants de couplage alternatif. La figure 3 est un schéma simplifié équivalant au circuit de la figure 2 dont seules les connexions en courant continu sont 25 représentées pour illustrer clairement les principes nouveaux de la présente invention. Les composants de la figure 3 portent les mêmes références que les composants homologues de la figure 2 pour faciliter la description du fonctionnement du circuit. Un potentiel de référence de polarisation pouvant provenir d'une source externe, 30 est appliqué à la base du transistor 30. Ce potentiel est choisi de façon que le transistor 30 conduise et fasse apparaître une différence de potentiel d'environ 0,1 volt dans sa résistance d'émetteur 34. Cette disposition permet au transistor 30 de jouer le râle d'une source de courant alimentant l'étage amplificateur 16 et l'étage 35 mélangeur 18. Sur la figure 3, la jonction base-émetteur du transistor 36 est entourée d'un rectangle en traits discontinus portant la référence 36a. La jonction 36a est connectée en parallèle avec la jonction 71 19162 2090340 base-émetteur du transistor 52 par des liaisons en courant continu. Comme on l'a vu précédemment, .le transistor 36 est un transistor haute fréquence et le transistor 52 est un transistor basse fréquence. La chute de tension base—émetteur du transistor 36 étant de 5 l'ordre de 50 à 100 millivolts et étant supérieure à la cnute de tension base-émetteur du transistor 52, ce dernier est rendu fortement conducteur. Pour obtenir une chute de tension supérieure dans le circuit base-émetteur du transistor 36, il va de soi que l'on peut interposer une diode ou une résistance en série dans la ligne 10 36b qui aboutit à la base du transistor 36. Dans ce cas, les transistors 36 et 52 peuvent être du même type, ce qui est parfois souhaitable. La conduction du transistor 30 sous l'effet du potentiel de référence polarisant sa base, fait circuler un courant dans la 15 jonction émetteur-base du transistor 52 qui devient conducteur» Le degré de conduction du transistor 52 peut être relativsn ent élevé,à cause de la chute de tension dans Xa jonction base-émetteur du transistor 36, et il est possible qu'il atteigne la saturation. Une conséquence du couplage en courant continu du collecteur du 20 transistor 52 et de la base du transistor 41 est que ce dernier conduit à une valeur correspondant à la conduction du transistor 52, c,est-à-dire que la forte conduction du transistor 52 correspond à une forte conduction du transistor 41. Cependant, le transistor 4.1 est le transistor oscillateur du circuit 24 et sa forte conduction 25 se traduit par une amplitude de sortie importante du signal de fréquence qui est appliqué à la base du transistor mélangeur 36. En considérant à nouveau la jonction base-émetteur 36a, on voit que la sortie haute fréquence de l'oscillateur 24, qui est appliquée à cette jonction, provoque une diminution de sa tension caractéris-30 tique de diode lorsque l'amplitude de l'oscillation augmente.De ce fait, lorsqu'un signal à la fréquence de l'oscillateur est appliqué à la jonction base-émetteur du transistor 36, la chute de tension de celle-ci diminue et peut devenir inféreirue à la chute de tension dans la jonction base-émetteur du transistor 52. 35 Cet effet tend à bloquer totalement ou presque totalement le transistor 52, d'où une réduction sensible du courant qui circule dans le transistor oscillateur 41, réduction qui se traduit par une 71 19162 12 2090340 diminution de l'amplitude du signal de sortie appliqué à la base du transistor 36. On réalise ainsi une boucle de réaction à couplage en courant continu entre le transistor oscillateur 41 et le transistor mélangeur 36. Le transistor de commande 52 est connecté de 5 manière à régler le courant qui circule dans la ùoucie de réaction. Cette boucle assure une régulation continue de l'amplitude de la sortie haute fréquence de l'oscillateur â une valeur juste suffisante pour que les tensions caractéristiques de diode des jonctions base-émetteur des transistors 36 et 52 soient sensiblement égales. Cette 10 condition correspond à un fonctionnement optimal de l'oscillateur 24, c'est-à-dire à un courant minimal dans le transistor 41. En commandant le circuit oscillateur 24 d'après la quantité de signal de fréquence qui est injectée dans l'étage mélangeur 18, l'oscillateur ne prélève sur l'alimentation B+ quB le courant néces-15 sire à l'élaboration du signal de fréquence d'amplitude convenable pour réaliser le mélange correct dans l'étage mélangeur 18, ce qui réduit la consommation de l'ensemble de la partie haute fréquence 10 du récepteur. Cette caractéristique, ainsi que le courant commun qui circule dans le transistor amplificateur haute fréquence 30 et 20 dans le transistor mélangeur 36, permet au circuit 10 de fonctionner avec une tension d'alimentation B+ d'environ 1 à 1,5 volts et de ne consommer qu'une intensité minimale. Une telle alimentation peut être fournie par un élément de pile sèche ou similaire et le récepteur de l'invention fonctionne avec une pille donnée plus longtemps 25 qu'un récepteur classique. Le potentiel de référence de polarisation (POL) qui est appliqué à la base du transistor 30 peut être fourni soit par une source de potentiel de référence séparée qui fixe le point de fonctionnement de la partie haute fréquence 10, soit par une réaction 30 de tension de l'étage amplificateur FI 28, comme illustré figure 4. La figure 4 représente une autre forme de la partie haute fréquence de la présente invention qui est désignée dans son ensemble par la référence 70. Dans ce cas également, un étage amplificateur haute fréquence 71 comprend un transistor 72 dont 35 les électrodes de charge sont couplées en continu à celles d'un transistor 73 constituant un étage mélangeur 74. Ce couplage en courant continu entre les transistors 72 et 73 est de préférence 71 19162 '3 2090340 réalisé par l'intermédiaire d'une inductance 76 dont une prise 76a est couplée en courant continu à la base d'un transistor 77 qui formB le circuit de commande 78 d'un oscillateur. Une capacité 79 en parallèle avec l'inductance 76 forme 5 un circuit résonnant adaptant l'impédance de sortie du transistar 72 à l'impédance d'entrée de l'émetteur du transistor 73. La base du transistor 72 est couplée en courant continu à une borne d'entrée 12a par une partie d'une inductance 80 qui est connectée en parallèle avec un condensateur 81 pour former un circuit résonnant accordé à 10 la haute fréquence d'entrée désirée. Comme on l'a vu précédemment, le condensateur 81 ou l'inducbance 80 peut être variable pour permettre l'accord du circuit résonnant sur une bande donnée de fréquences d'accord de la partie haute fréquence 70. Un condensateur de dérivation 82 est connecté entre le circuit résonnant formé par 15 l'inductance 80 et le condensateur 81 et la borne B+. Dans ce cas, la sortie de l'étage mélangeur 74 est reliée à une résistance 83 et à un condensateur 84. Ce montage est différent de celui du circuit accordé de sortie du transformateur 36 de la forme de réalisation de la figure 2. Dans le présent circuit, la 20 résistance 83 a un double rôle de résistance de charge pour le transistor mélangeur 73, aux bornes de laquelle apparaît le signal d'information FI, et également de moyen de mesure et de réglage éventuel du courant qui circule dans le transistor mélangeur 73 et le transistor amplificateur 72. Le courant qui circule dans les 25 transistors en sériB 72 et 73 peut en outre être mesuré en déterminant la différence de potentiel aux bornes de la résistance 83 dont la valeur est connue. Un circuit oscillateur 86 comprend un transistor 87 dont la base est couplée en courant continu au collecteur du transistor 77 30 du circuit de commande 78. Le potentiel de polarisation du transistor 87 apparaît aux bornes d'une résistance 88 qui est connectée en série avec le transistor 77 à une ligne commune 89 qui peut être au potentiel commun de référence ou au potentiel de la masse. L'électrode du transistor 87 est reliée à la lignB B+ par l'intermédiaire d'une induc-35 tance 90 et la jonction base-émetteur du transistar 77 est connectée en parallèle avec la jonction base-émetteur du transistor 73 par 71 19162 ,4 2090340 une ligne 91 et une inductance 90. Deux condensateurs 92 et 93^en BériB l'un avec 1'autre,sont connectés en parallèle avec l'inductance 90 et leur point de jonction 94 est lui-même relié à un circuit accordé formé d'une inductance 96 et d'un élément piezo-5 électrique 97 qui constituent avec le transistor 87 un oscillateur à fréquence fixe. L'oscillateur 86 peut être un circuit oscillateur à fréquence variable lorsque le circuit accordé comprenant l'inductance 80 et la capacité 81 est également à fréquence variable, cb qui permet à la partie haute fréquence 70 de suivre une bande de 10 fréquences donnëB • Une résistance 98 est connectée en série avec le transistor 87 et la sortie du circuit oscillateur, c'est-à-dire le collecteur du transistor 87, est couplé en courant continu à la base du transistor 73 par une ligne 99. Ce montage assure une réaction en boucle fermée régulant la sortie du circuit oscillateur 15 86, comme on l'a vu de la description de la partie hautB fréquence 10 de la figure 2. Le signal d'information à la fréquence intermédiaire qui apparaît dans la résistance 83 à la sortie de l'étage mélangeur 74, est couplé en courant continu à la base d'un transistar 100 qui 20 forme un premier étage amplificateur FI de la partie texte fréquence 70, Ce couplage en courant continu se fait par une ligne 101 et une diode 102. Le point de jonction de la base du transistor 100 et de la cathode de la diode 102 est également relié à une réàstance 103. Le transistar 100 constitue un premier étage d'amplification à 25 fréquence intermédiaire et le signal FI qui apparaît dans une résistance 104 Bst appliqué à la base d'un second transistor amplificateur 106. L'émetteur du premier transistor amplificateur 100 est relié à la ligne B+ par une résistance 107 en parallèle avec un condensateur de découplage 10B. Lb SBeond transistor amplificateur 30 106 est en série avec une première résistance 109 et avec une seconde résistance 110, catte dernièrs étant en parallèle avec un condensateur de dérivation 111. Les résistances 109 et 110 constituent un diviseur de tension dont le point intermédiaire 112 peut Stre couplé en courant continu à la base du transistor 72 de 35 l'étage amplificateur HF 71 par une ligne 113 Bt l'inductance 80. Ce couplage de réaction en courant continu Bntre le dernier étage amplificateur FI et ltëtage amplificateur HF 71 assure une régulation 71 19162 is 2090340 du courant total qui circule dans les étages amplificateur 71 et mélangeur 74 de façon à améliorer le signal d'information à fréquence intermédiaire qui est appliqué au circuit d'utilisation FI représenté figure 1• 5 La partie haute fréquence 70 de la figure 4 fonctionne sensiblement de la même manière que celle de la figure 2. Ainsi, le courant commun qui circule entre l'étage amplificateur 71 et l'é-fage mélangeur 74 passe dans les circuits colicteur-émetteur des transistors de ces étages et à travers une inductance en série. 10 Une prise de l'inductance 76 est couplée en courant continu à la base du transistor de commande 77 de l'oscillateur dont le collecteur est couplé en courant continu à la base du transistor oscillateur 87. Les j onctions basB-émetteur des transistors 73 et 77 sont couplées en parallèle l'une avec l'autre en courant continu et le signal de 15 sortie du transistor oscillateur 87 est couplé en courant continu à la base du transistor mélangeur 73. Les couplages en courant continu des divers composants de la partie haute fréquence 70 sont sensiblement les mêmes que ceux de la figure 3 qui concerne la partie haute fréquence 10. La seule 20 différence réside dans l'utilisation d'un étage d'amplification FI supplémentaire et dans le couplage de réaction en courant continu qui va du second étage d'amplification FI à l'entrée de l'étage d'amplification HF. De plus, dans cette forme de réalisation, une diode est connectée en série avec le couplage en courant continu 25 de la sortie de l'étage mélangeur à l'entrée du transistor amplificateur FI 100. On voit donc que les parties haute fréquence 10 et 70 illustrées et décrites constituent des montages nouveaux et perfectionnés dans lesquels les divers composants actifs de tous les étages sont couplés en courant continu, ce qui permet d'éliminer 30 tous les composants de couplage alternatifs, tels que condensateurs ou transformateurs. De plus, on réalise une économie importante de puisœnce en faisant circuler un courant commun dans l'étage mélangeur et dans l'étage amplificateur HF et en minimisant le courant de l'oscillateur grâce à une boucle de réaction en courant continu 35 reliant la sortie de l'oscillateur à son entrée, le signal de réaction étant déterminé par l'amplitude du signal qui est injecté à l'entrée de l'étage mélangeur. 71 19162 2090340 Il va de sol que l*on pourra apporter diverses modifications ou améliorations aux circuits de la présente invention sans pour cela sortir de son cadre ni de son esprit. 71 19162 17 2090340 Revendications 1. Récepteur de signal d'information radio-électrique à convertir en un signal d'information à fréquence intermédiaire appliqué à un circuit d'utilisation à fréquence intermédiaire, 5 un circuit d'alimentation fournissant les potentiels de fonctionnement au récepteur pour appliquer un courant à un circuit mélangeur ayant une première et une seconde entrée et une sortie couplée au circuit d'utilisation du signal à fréquence intermédiaire, un circuit oscillateur local étant relié à la première entrée du 10 circuit mélangeur pour appliquer un signal de fréquence prédéterminé différente de celle du signal d'information radio-électrique, de façon à produire le signal d'information à fréquence intermédiaire, ledit récepteur étant caractérisé en ce qu'il comprend un circuit amplificateur haute fréquence (16,71) recevant les 15 signaux radio-électriquesd'entrée (12,12a) et qui est couplé en courant continu en série avec le circuit mélançpjr (18,74) pour former un circuit de courant commun allant de la source d'alimentation au circuit mélangeur (18,74) et au circuit amplificateur haute fréquence (16,71). 20 2. Récepteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit oscillateur local (24) comprend un circuit de commande (26) dont la sortie (26c) est couplée en courant continu à la première entrée (18b) du mélangeur (18). 3. Récepteur selon la revendication 1 ou la revendication 2, 25 caractérisé en ce que le circuit mélangeur (18,74) comprend un dispositif de commande de courant (36,73) ayant des électrodes de charge, le circuit amplificateur haute fréquence (16,71) comprenant un dispositif de commande de courant (30,72) ayant des électrodes de charge, les électrodes de charge des dispositifs 30 (30,72 et 36,73) étant reliées en série l'une avec l'autre par un couplage en courant continu. 4. Récepteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comprend un élément d'inductance (37,76) en série entre la sortie du circuit amplificateur haute fréquence 35 (16,71) et la seconde entrée (18a) du circuit mélangeur (18,74), le circuit oscillateur comprend un circuit de commande (26,78) qui est relié à une prise (37a, 76a) de l'élément d'inductance (37,76) 71 19162 ia 2090340 de façon à commander l'amplitude de sortie de l'oscillateur d'aprèB l'amplitude du signal de fréquence qu'il fournit à la première entrée (18b) du mélangeur (18,74). 5. Récepteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 5 caractérisé en ce que le mélangeur (18,74) comprend un transistar (36,73), le circuit oscillateur (24,86) étant commandé par un circuit (26,78) comprenant un transistor (52,77) dont la jonction base-émetteur est en parallèle avec la jonction base-émetteur du transistor (36,73). 10 6. Récepteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le transàtor mélangeur (36,73) est un transistor haute fréquence et en ce que le transistor de commande (52,77) de l'oscillateur est un transistor basse fréquence, la chute de tension dans la jonction base-émetteur du transistor basse fréquence, lorsqu'il 15 est polarisé dans le sens direct par une tension continue, étant inférieure à la chute de tension dans la jDnction base-émetteur du transistor 36. 7* Récepteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 caractérisé en ce qu'il comprend un élément d*inductance (80) et un élément capacitif (81) formant un circuit résonnant à l'entrée 20 de 1* amplificateur heute fréquence (713^ l'entrée 12a du récepteur étant reliée à uns prise de l'élément d'inductance (80) et l'entrée de l'étage amplificateur à fréquence intermédiaire (100 et 106) étant couplée en courant continu à la sortie du mélangeur (74), le signal de sortie de l'amplificateur FI (106) étant couplé en courant 25 continu à l'entrée de l'étage amplificateur HF (71) à travers l'élément d'inductance (80) pour appliquer à l'amplificateur HF une tension d^téférence proportionnelle à l'amplitude du signal de sortie de l'amplificateur FI. 8. Récepteur selon la revendication 7 caractérisé en ce qu'une 30 diode (102) est en outre connectée dans la ligne qui relie la sortie du mélangeur (74) à l'entrée de l'étage amplificateur FI (100 et 106).