FR 2079165 A1 19711112 FR 7102965 A 19710129 71 02965 2079165 La présente invention se rapporte à un circuit de protection pour dispositifs à effet de champ du type MOS (métal-oxyde-semiconducteur) tels que ceux qui sont incorporés à des pastilles à circuits intégrés et elle a trait plus particulièrement à un circuit d'entrée d'un dispositif à circuit intégré 5 à effet de champ du type MOS. On a proposé d'une façon générale d'incorporer un transistor protecteur du type MOS à une pastille à circuit intégré, ce transistor de protection étant relié par sa grille et son drain à la source de signaux d'entrée. La tension du signal d'entrée peut dépasser ou se rapprocher dangereusement de la limite 10 produisant un claquage effectif de la couche d'oxyde mince d'un transistor MOS classique dans la pastille à circuit intégré recevant le signal à sa grille. Le transistor de protection est interposé et sa grille est isolée par une couche d'oxyde plus épaisse que celle utilisée pour les transistors classiques de service du circuit. Ce transistor de protection est bloqué pour des 15 tensions normales de service mais il devient conducteur pour des tensions supérieures. La source du transistor de protection est reliée à la masse de façon que le signal d'entrée soit dérivé à la masse. L'invention se rapporte à d'autres améliorations de la structure de protection d'un dispositif à circuit intégré MOS. 20 Suivant l'invention, il est proposé d'utiliser le plot de liaison, par l'intermédiaire duquel des signaux externes sont appliqués au dispositif à circuit intégré MOS et qui a une surface relativement grande par comparaison aux surfaces d'électrodes intérieures à la pastille à circuit intégré, comme une électrode de commande dans un transistor de protection. Une partie relati-25 vement petite de ce plot de connexion d'électrode de commande est reliée ohmi-quement à une première zone conductrice située à l'intérieur de la pastille à circuit intégré, en-dessous du plot de liaison, mais séparée de sa partie principale par une région relativement épaisse de la couche isolante. Une seconde zone particulièrement conductrice du même type de conductivité est 30 juxtaposée à la première zone en étant imbriquée avec celle-ci et en étant également située en-dessous du plot de liaison afin d'établir un canal entre les deux zones. La seconde zone est reliée à la même source de potentiel que le substrat, usuellement la masse. En conséquence, la première zone constitue le drain et la seconde zone la source de ce transistor. La première zone de 35 drain est alors une zone établissant une répartition de résistance dans un trajet qui aboutit à l'électrode de commande d'un transistor opérationnel situé à l'intérieur de la pastille à circuit intégré et qui est relié directement ou bien par l'intermédiaire d'autres transistors à une diode zener branchée 71 02965 2079165 dans une dérivation de shuntage du substrat. Par comparaison aux.dimensions de transistors classiques d'un dispositif à circuit intégré MOS, le plot de liaison couvre une surface d'étendue considérable. Un plot de liaison a habituellement une forme rectangulaire et il pre-5 sente des dimensions bien supérieures (d'au moins un ordre de grandeur) aux dimensions de canaux de transistors à effet de champ classiques. En conséquence, les zones de drain et de source du transistor de protection s'étendent en-dessous du plot de liaison en étant profilées de manière à définir entre elles un canal a méandres. La longueur de la courbe à méandres est considérable et 10 elle définit la largeur du canal ainsi que la section droite du trajet de courant le traversant. La largeur du canal est bien supérieure aux dimensions linéaires (longueur, largeur) du plot de liaison. Du fait que cette section droite est ainsi rendue supérieure d'un ou plusieurs ordres de grandeur à la section droite de canal de transistors MOS 15 classiques de capacité minimale, un courant considérable peut passer dans ce canal mais avec des densités de courant normales pour des transistors MOS classiques. Les deux zones établies dans le transistor de protection sont aussi rapprochées l'une de l'autre que possible de manière à donner au canal une longueur minimale, ce qui permet une mise en conduction et un écoulement de 20 courant lorsque le potentiel du plot de liaison de grille dépasse le seuil de réponse du dispositif. Lorsqu'un signal de tension externe est appliqué au plot de liaison, en étant inférieur au niveau de seuil de mise en conduction du transistor de protection mais supérieur au niveau de tension de mise en conduction d'un des 25 transistors opérationnels de la pastille à circuit intégré, le signal contourne le transistor de protection en-dessous du plot de liaison et il est appliqué par l'intermédiaire d'un prolongement de zone par exemple à la grille du premier transistor opérationnel relié avec lui. Cependant, le transistor de protection associé au plot de liaison est rendu conducteur lorsque la tension 30 appliquée au plot de liaison dépasse la tension de mise en conduction du transistor. Du fait qu'il se produit maintenant une dérivation de courant vers la masse, la tension de la première zone est limitée à un niveau de sécurité, un verrouillage additionnel étant exercé par la diode zener. Ce processus de verrouillage échelonné est possible du fait que, comme indiqué plus haut, le 35 transistor de protection, lorsqu'il est conducteur, permet le passage d'un courant de grande intensité dans un transistor opérationnel, ce courant produisant dans la partie résistante, formée par diffusion dans une zone, une chute de tension qui atténue un signal d'entrée excessif. BAD ORIGINAL 71 02965 2079165 L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui suit et à l'examen des dessins annexés qui représentent, à titre d'exemple non limitatif, un mode de réalisation de l'invention. Sur les dessins : la figure 1 est une vue en plan d'une partie d'une pastille a circuit intégré comportant un plot de liaison et une partie d'entrée de courant améliorée suivant l'invention ; la figure 2 est une vue en plan d'un plot de liaison, à échelle considérablement grossie, qui montre les différentes zones et régions caractéristiques du transistor à plot de liaison suivant l'invention ; les figures 3 et 4 sont des coupes faites respectivement suivant les lignes 3-3 et de la figure 2. Sur la figure 1, on a représenté d'une façon schématique, une vue en plan d'une pastille à circuit intégré qui est supposée dans le cas considéré, être du type MOS mais qui présente certaines caractéristiques communes à tous les circuits intégrés. La pastille proprement dite a été désignée par la référence 10 et elle est formée d'une plaquette semi-conductrice munie de parties appropriées formées par décapage, de régions dopées de façon particulière, etc., de manière à établir un circuit intégré. Comme cela est bien connu, la pastille 10 est assez petite et des moyens particuliers sont nécessaires pour appliquer des signaux à la pastille 10 ou bien pour dériver des signaux utilisables du circuit incorporé à la pastille 10. Dans ce but, il est prévu ce qu'on appelle des plots de liaison, tels que les plots 12 de la figure 1. Ces plots sont assez petits mais ils sont comparativement grands par comparaison aux dimensions des composants individuels de circuit prévus dans la pastille 10. Ces plots de liaison sont formés par des couches métalliques déposées sur la pastille 10 et qui établissent un contact intime (ohmique) avec certaines régions dopées de façon particulière et reliées par des voies de transmission de signaux à d'autres composants, régions, couches-électrodes appartenant à des transistors, etc., incorporés au circuit de la pastille 10 en vue du traitement de signaux ou bien de la dérivation de signaux à partir de ces composants. Les plots de liaison tels que le plot 12 servent de conducteurs sur lesquels sont brasés des fils minces tels que 1U, ces fils divergeant de la pastille et se terminant par exemple en des points de brasure 16 d'un châssis 15. Les points de brasure sont établis pour former d'autres connexions avec d'autres fils qui permettent à leur tour une connexion du circuit intégré à h 71 02965 2079165 des fiches elles-mêmes reliées à des fils et des lignes, par exemple, sur une plaquette à circuits imprimes. Il est à noter que, par le passé, la présence de ces plots de liaison n'a pas servi à d'autres buts.que celui d'établir d'une part une interface de contact ohmique avec une région particulièrement fortement dopée à l'intérieur de la pastille à circuit intégré en vue de la transmission de signaux vers ou à partir de l'intérieur de la pastille ; d'autre part, le plot de liaison devait présenter une surface suffisamment grande pour permettre le brasage sur un fil permettant une connexion classique avec des circuits extérieurs à la pastille. Les dimensions du plot de liaison étaient par conséquent déterminées par des impératifs de connexion de fils. En ce qui concerne le circuit intégré, ce plot de liaison semble excessivement grand et il perd de l'espace sur la pastille. Sur la figure 2, on a représenté un plot de liaison 12 à échelle considérablement grossie et en vue en plan. Comme le montrent les coupes des figures 3 et k, ce plot de liaison 12. est formé par une couche métallique qui est déposée directement sur l'oxyde, c'est-à-dire sur la couche diélectrique 20 qui recouvre essentiellement toute une face de la pastille, excepté certains évidement s dans lesquels un contact ohmique èst établi entre des couches-électrodes et des régions de la pastille dopées de façon particulière/Dans l'exemple particulier considéré, et comme le montre la figure 3, il est prévu dans la couche d'oxyde 20 un évidement qui est de dimensions relativemènt petites par comparaison aux dimensions du plot de liaison. Cet évidement est placé en particulier en-dessous d'un prolongement 13 en forme de languette du plot de liaison 12. Le plot de liaison établit en 17 par l'intermédiaire de sa languette 13 et au travers dudit évidement un contact ohmique avec une région de diffusion de dopage particulier 21, En supposant que la structure MOS soit agencée pour fonctionner aVec un canal de type P, la pastille à circuit intégré 10 est formée essentiellement d'un substrat de type H, c'est-à-dire qu'il est prévu une pastille de silicium dopée de manière à prendre une conductivité de type N ; la région particulière 21 (et d'autres) a été dopée de façon à prendre une conductivité de type P. Son interface 17 avec le plot de liaison 13 établit un contact ohmique de sorte qu'en fait une tension particulière appliquée par un circuit externe au plot de liaison est transmise pratiquement directement à la région 21 de type P sans atténuation importante. La région 21 s'étend au-delà de la partie du corps semi-conducteur 10 qui est recouvert par le plot de liaison (voir le point 28) et elle peut établir 71 02965 2079165 un contact avec une grille 31 d'un transistor d'introduction de signaux 30. Cette grille est formée par une couche métallique qui recouvre un canal s'étendant entre une première zone 32 de type P et une seconde zone 33 de type P, en formant un drain et une source sur ce transistor de service ou opéra-5 tionnel 30. Les zones 32 et 33 sont reliées à d'autres composants de circuit à l'intérieur de la pastille 10. Entre la zone 21 et la grille 31, on peut interposer une ou plusieurs voies source-drain de transistors additionnels. D'une façon générale, la zone 21 constitue ou fait partie de la voie d'entrée d'un transistor de service à 10 commander par le signal appliqué au plot 12. La zone 21, en particulier lorsqu'elle s'étend en-dessous du plot de liaison, établit une résistance diffusée. Essentiellement cette résistance se prolonge entre l'interface 17 et autour du point 28 sous forme d'une résistance-série d'entrée du circuit de commande du transistor de service 30. Cependant, cette résistance n'intervient prati-15 quement pas au cours du fonctionnement normal de ce transistor 30. La résistance peut avoir une valeur ohmique d'environ 5 kohms. La grille du transistor 30 est par conséquent commandée finalement par le signal transmis par un circuit externe au plot de liaison 12 par l'intermédiaire de la zone 21. Le niveau de ee signal, à moins qu'il ne soit atténué, 20 agit intégralement entre la grille 31 et le substrat. La grille 31 s'étend sur une partie de couche d'oxyde formée par amincissement de la couche normale 20, de préférence jusqu'à une valeur inférieure à 2 000 angstroms, afin de contrôler la conduction du canal existant entre les zones 32 et 33 dans le transistor MOS commandé par grille pour une valeur relativement faible de la 25 tension de seuil, par exemple de 3 volts. A coté de la grille 31, la zone de diffusion 21 (ou une zone de diffusion reliée à la zone 21) forme une diode zener 40. Dans ce but, la couche 20 est amincie dans la zone U1 et une couche métallique k-2 est disposée sur celle-ci, en particulier au-dessus de la partie proche de la surface de la jonction PN, 30 existant entre la zone diffusée 21 de type P et le substrat 10. Cette électrode k2 est mise à la masse de manière à réduire le niveau de claquage en avalanche de la jonction PN à une valeur bien inférieure à la tension de claquage du transistor. Cette diode zener i+Q n'assure cependant pas une protection suffisante pour le transistor 30. 35 Comme le montre plus particulièrement la figure 2, une zone de diffusion 21 de type P s'étend en-dessous du plot de liaison 12, en ayant un profil plus ou moins reetiligne à partir duquel font saillie les parties en forme de doigts 22 orientées parallèlement entre elles. Ces parties en forme de doigts 22 71 02965 2079165 appartiennent encore à la zone 21 et s'imbriquent les uns dans les autres avec des doigts 26 faisant saillie de et appartenant à une autre région fortement dopée ou zone de diffusion, désignée par la référence 25 et présentant le même type de conductivité P. La zone 25 a une largeur considérable (dans le plan de 5 la pastille) et elle s'éloigne de la partie inférieure du plot 12 en étant reliée à la masse. Il est évident que les régions de conductivité particulières 21, 22 et 25, 26 sont proches de la surface du substrat semi-conducteur et sont séparées ■ du plot de liaison 12 par la couche isolante 20. Cette séparation est complète 10 dans la zone 25 concernée et la majeure partie des régions 21 est séparée du plot de liaison, sauf lorsque la languette 13 établit un contact ohmique avec la région 21. Cette zone de contact 17 est relativement éloignée de la région 25 et de l'une de ces parties en forme de doigts 26. On voit cependant qu'en-dessous du plot de liaison, il est prévu un canal à méandres 27 séparé du plot 15 par la couche isolante épaisse 20 et existant également entre les doigts 22 et • 26 imbriqués les uns dans les autres. La longueur du canal 27 est définie par l'espacement plus ou moins constant existant entre les parties 22 et les parties 26. La distance entre les parties en forme de doigts 22 et 26 de la zone P est choisie aussi faible que 20 possible de manière à obtenir une impulsion de courant lorsque la tension de grille dépasse le niveau de seuil ou de mise en conduction de ee transistor particulier à plot de liaison. La largeur est fonction de la longueur de la courbe à méandres. Cette courbe à méandres peut être allongée dans la mesure où. les dimensions du plot de liaison le permettent. En réalité, la largeur du 25 canal ainsi formé dans le transistor à plot de liaison est bien supérieure à toute dimension linéaire du plot. La longueur du parcours à méandres définissant la largeur du canal 27 dans le plan de la pastille détermine essentiellement la section de passage, du courant dans le canal 27 entre les zones 22 et 26. L'autre dimension de la section droite en question est déterminée par le 30 processus opérationnel de génération de canal dans ce transistor à effet de champ. Le canal 27 est délimité par une couche d'inversion existant entre les parties en forme de doigts 22 et 26 et qui peut être contrôlée par la tension appliquée au plot de liaison. Une caractéristique particulière de l'invention 35 est que le plot de liaison 12 sert globalement d'électrode de commande poux ce canal d'inversion de champ particulier, ce qui permet par conséquent d' obtenir un transistor MOS présentant une couche isolante assez épaisse. La zone 21, 22 constitue l'électrode de drain et la zone 25, 26, l'électrode de 71 02965 7 2079165 source et, du fait de la connexion établie au point 17, ce transistor à plot de liaison fonctionne suivant un mode à drain et grille communs. Les dimensions de ce transistor à plot de liaison diffèrent sensiblement des transistors de service classiques. Par exemple, un plot de liaison a des 5 dimensions d'environ 0,1 x 0,1 mm. La distance entre les parties en forme de doigts 22 et 26 définissant la longueur de canal est d'environ 0,018 mm. Chaque partie en forme de doigt a une largeur d'environ 0,005 mm et une longueur d'environ 0,07 mm, de sorte que la largeur totale du canal à méandres 27 est d'environ 0,3 mm, cette valeur étant bien supérieure à toute dimension linéaire 10 du plot de liaison. Egalement, un transistor normal de dimensions minimales, tel que 30, présente, dans le plan du substrat, des dimensions de canal d'environ 0,008 x 0,008 mm. On voit que la largeur de canal du transistor à plot de liaison (dans le plan du substrat) est supérieure d'environ deux ordres de grandeur à la largeur de canal d'un transistor normal. 15 Pour des raisons de résistance diffusées et distribuées dans la zone 21, la résistance est effective le long de l'électrode de drain proprement dite du transistor à plot de liaison de sorte que la tension drain-source agissant localement dans des parties du canal 27 qui sont éloignées de la zone 17 proche de l'entrée est effectivement inférieure à la tension de grille mais cela ne 20 modifie pas sensiblement la configuration à grille-drain communs du fait des caractéristiques d'intensité constantes pour une tension de drain variable du dispositif et du fait que la tension de grille est la même en tous les points situés au-dessus du canal 27- Ce transistor à plot de liaison de type MOS diffère des autres transistors 25 du circuit en ce que pratiquement toute l'épaisseur de la couche isolante 20, ou une partie réduite de celle-ci, sépare le plot de liaison du substrat semiconducteur. La couche 20 a une épaisseur d'environ 15 000 à 18 000 angstroms et le transistor à plot de liaison présente une couche d'isolement de grille d'une épaisseur similaire ou comparable alors que la couche d'isolement de 30 grille prévue pour d'autres transistors MOS, tel que 30, a une épaisseur inférieure à 2 000 angstroms. L'épaisseur de la couche isolante 20 située en-dessous du plot 12 peut être légèrement inférieure à l'épaisseur totale de la couche normale mais elle doit être bien supérieure à l'épaisseur de la couche isolante située au-dessus d'un canal de transistor normal MOS. En conséquence, 35 le seuil de réponse du transistor en-dessous du plot de liaison est bien supérieur à celui de transistors normaux. L'épaisseur de la couche d'oxyde 20, considérée dans sa totalité ou tout au moins dans la partie située en-dessous d'un plot de liaison 12, est choisie 71 02965 8 2079165 de la manière suivante. Des tensions d'entrée normales appliquées au plot de liaison 12 sont insuffisantes pour améliorer la conduction de canal entre les zones 21» 22 et 25, 26 du fait que la couche d'oxyde séparant le canal 27 du plot de liaison est trop épaisse pour produire une attraction suffisante sur 5 des porteurs minoritaires de charges en vue de les diriger vers la couche d'inversion adjacente à l'interface oxyde-semiconducteur. Comme indiqué plus haut, une tension d'au moins trois volts est nécessaire pour rendre conducteur un transistor classique tel que 30. Si ee transistor présente des dimensions minimales, la transition entre la condition de "blocage 10 et la condition de saturation est assez rapide. La tension de mise èn conduction du transistor protecteur dont le plot de liaison 12. constitue la grille peut être d'environ 30 volts. La tension de claquage d'isolement pour le transistor normal 30 peut être de l'ordre de 80 volts. Une tension de service normale pour les transistors normaux peut avoir une valeur d'environ 20.volts de sorte que, 15 même pour des variations considérables de la tension de signal, on est assuré d'obtenir une mise en conduction du transistor 30 et d'autres transistors similaires dans la condition de saturation. Il en résulte que la couche 20 située en-dessous du plot de liaison 12 est choisie de manière que le canal 27 soit rendu complètement conducteur pour 20 des tensions "bien inférieures à une valeur excessive susceptible de provoquer un claquage physique èt une destruction de la mince couche d'oxyde du canal du transistor 30. D'autre part, un signal normal de 20 volts, lorsqu'il est appliqué par une source externe au plot de liaison 12 sous la forme d'une tension de service normale pour les transistors normaux du circuit intégré, est 25 cependant insuffisant pour produire une augmentation importante de conduction dans le canal 27 du transistor de protection. En conséquence, ce transistor n'intervient pas dans des conditions de marche normales mais il est rendu conducteur pour des tensions d'entrée excessives. Une tension excessive telle qu'une impulsion peut se produire èt dépasser 30 par exemple le niveau de 30 volts.en rendant conducteur le canal 25 existant entre les zones 21 et '25. Comme indiqué plus haut, la longueur du canal définie par la distance séparant les branches 22 et 26 doit être aussi petite que possible de façon que ce transistor de protection devienne conducteur dans l'état de saturation pour des tensions seulement légèrement supérieures à 30 35 volts. Lorsque ce transistor est conducteur, un trajet d'impédance.relativement faible est établi entre la masse et la source externe de signaux par l'intermédiaire de la zone 25, des parties en forme de doigts.26, du canal 27, des parties en forme de doigts 22, de la zone 21, de la languette 13 et du plot 71 02965 2079165 12. Le transistor à plot est un dispositif à courant constant pour ce circuit à grille-drain communs et pour des tensions de grille suffisantes pour rendre le transistor à plot conducteur. Le courant est distribué sur la largeur du canal 27 et il produit additionnellement dans la zone 21 une chute de tension 5 dans la direction de la flèche. La tension de service appliquée au circuit restant au point 28 est par conséquent atténuée dans le rapport de division de la résistance de la zone 21 et de la résistance du transistor à plot conducteur relié par sa source 26, 25 à la masse. Le profil à méandres du canal 27 donne a ce canal une grande largeur entre 10 les branches 22 et 26 de sorte qu'un courant considérable peut se décharger dans la zone 25 reliée à la masse et établir une chute de tension correspondante en particulier dans la zone 21 pour maintenir le potentiel au point 28 en-dessous des limites de sécurité. La diode Zener ^0 assure un verrouillage additionnel et elle augmente la fréquence de fonctionnement des transistors à 15 plots. L'impédance du canal 27 est comparable a l'impédance de la zone 21 pour des tensions rendant conducteur le transistor de protection. Ainsi, pour des tensions supérieures au seuil de commutation du transistor à plot, il se produit une réduction de tension dans le rapport 2 : 1 (ou bien une réduction 20 comprise entre cette valeur et las ordres de grandeur immédiatement adjacents) entre le signal d'entrée et la tension de service au point 28. Il est à noter que le signal d'entrée appliqué au plot 12 et transmis par l'intermédiaire d'un fil relié à ce dernier est produit par une source d'excitation extérieure au circuit intégré et dans des conditions qui peuvent engen-25 drer des tensions de sortie excessives. Lorsque le transistor à plot est conducteur, le circuit de sortie de cette source de signaux est shunté à la masse, ce qui modifie additionnellement son fonctionnement interne en vue d'une adaptation à une réduction de la tension de sortie. La mise en conduction du transistor à plot de liaison produit une 30 variation d'impédance dans le circuit de sortie de la source d'excitation mais cette variation est moins brutale que dans le cas d'une protection assurée uniquement par une diode Zener. Il peut encore en résulter un courant de dérivation, qui est éventuellement très proche d'un courant de court-circuit passant dans la pastille à circuit intégré. Cela est cependant admissible du fait de 35 la grande section droite du parcours de courant dans le transistor à plot. Il faut rappeler à ce sujet que la largeur de canal du transistor à plot de liaison est supérieure d'un ou plusieurs ordres de grandeur à la largeur de canal de transistors normaux de type MOS. En outre, un fort courant traversant la 71 02965 10 2079165 zone 21 amélioré l'effet d'atténuation du dispositif en produisant une grande chute de tension correspondante, ce qui diminue la tension effective au point 28. On voit par conséquent qu'on exploite avantageusement les dimensions importantes du plot de liaison qui étaient auparavant considéré comme un "espace perdu" dans les circuits opérationnels placés sur une pastille MOS. Cet espace perdu est utilisé judicieusement pour former un canal très large dans lequel peut passer un courant en excès sans endommager le circuit intégré. Le plot de liaison sert aussi bien d'entrée de grille que d'entrée de drain pour le transistor de protection, ce qui permet la décharge d'un courant fort avec une densité assez faible du fait que le canal à méandres 27 constitue un parcours de courant de grande section et de longueur réduite entre les zones 22 et 26. En outre, les dimensions résultantes de la région dopée 21 permettent d'établir une résistance qui entre efficacement en action dans la voie d'entrée de signaux seulement lorsqu'un courant de dérivation est déchargé dans le transistor à plot de liaison. La surface relativement grande de la zone 21 joue un rôle déterminant dans ce cas. La tension appliquée à la grille 31 du transistor 30 est par conséquent verrouilléé à une valeur bien inférieure à la tension de claquage d'isolement. Cette protection doit être assurée dans toutes les voies d'entrée aboutissant à une grille d'un transistor de service s'étendant au-dessus, d'une mince couche d'oxyde. Bien entendu, l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisation décrits et représentés, elle est susceptible de nombreuses autres variantes, accessibles à l'homme de l'art, suivant les applications envisagées et sans que l'on s'écarte pour cela de l'esprit de l'invention. 71 02965 2079165 REVENDICATIONS 1.- Circuit d'entrée pour un système à circuit intégré à effet de champ du type MOS (métal-oxyde-semiconducteur), comprenant un plot de liaison placé sur le corps semiconducteur du circuit intégré de manière à établir une 5 connexion avec un fil par l'intermédiaire duquel un signal est appliqué au circuit, ledit circuit étant caractérise en ce qu'il comprend : - une partie de couche d'oxyde située en-dessous du plot de liaison et présentant une épaisseur supérieure à celle de la couche d'oxyde des transistors MOS du circuit ; 10 - une première zone formant une électrode de drain, s'étendant en-dessous du plot de liaison, isolée de celui-ci par la couche d'oxyde mais établissant un contact ohmique avec le plot de liaison dans une région limitée, la première zone comportant un prolongement s'étendant au-delà du plot de liaison et relativement éloigné de la région de contact ohmique existant entre le 15 plot et la première zone ; - une seconde zone formant une électrode de source et s'étendant en-dessous du plot de liaison à une petite distance de la première zone, un canal à effet de champ formé entre la première et la seconde zones présentant une longueur définie par ladite distance et une largeur au moins comparable aux 20 dimensions iinéaires du plot-de liaison ; - et un transistor opérationnel à effet de champ branché dans le circuit, le prolongement de la première zone étant relié directement ou indirectement à la grille du transistor opérationnel tandis que la seconde zone est reliée à la masse ; 25 et en ce que le plot de liaison constitue l'entrée de grille et l'entrée de drain d'un transistor de protection rendu conducteur par des tensions appliquées au plot de liaison et supérieures aux tensions normales qui lui sont appliquées comme tension de grille du transistor opérationnel, le transistor de protection lorsqu'il est conducteur limitant la tension de grille du 30 transistor opérationnel. 2.- Circuit d'entrée suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les épaisseurs des couches d'oxyde du transistor de protection et du transistor opérationnel sont dans le rapport 10 : 1. 3.- Circuit d'entrée suivant la revendication 1, caractérisé en ce que 35 la première et la seconde zones ont la forme de doigts imbriqués l'un dans l'autre, ce qui donne au canal un profil à méandres dans le sens de sa largeur, cette largeur étant bien supérieure à toute dimension linéaire du plot de liaison. 71 02965 2079165 t.- Circuit d'entrée suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la première zone située en-dessous du plot de liaison présente une résistance particulière d'une grandeur compaxable à celle du canal dans l'état conducteur afin de constituer une résistance-série pour un signal d'entrée, une chute de tension importante étant engendrée dans la résistance seulement lors d'une augmentation de conduction et d'une inversion du canal. 5.- Circuit d'entrée suivant la revendication caractérisé en ce qu'il comprend une diode Zener "branchée entre la grille du transistor opérationnel et le substrat du circuit MOS mis à la masse. 6.- Circuit d'entrée suivant la revendication U, caractérisé en ce que la première et la seconde zones ont la forme de doigts imbriqués l'un dans l'autre, ce qui donne au canal un profil à méandres dans le sens de la largeur, cette largeur étant "bien supérieure à toute dimension linéaire du plot de liaison. 7-_ Circuit d'entrée suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le plot de liaison a un profil de quadrilatère, en ce que la première zone s'étend le long d'un coté de ce quadrilatère de manière à établir une résistance diffusée présentant une valeur comparable à la résistance de canal pour des tensions supérieures à la tension de mise en conduction du transistor de protection et inférieures à la tension de claquage du transistor opérationnel et en ce que la première et la seconde zones comportent des parties en forme de doigts imbriqués l'une dans l'autre et orientées transversalement audit coté. 8.- Dispositif de protection pour appareils électroniques comportant un circuit suivant l'une quelconque des revendications 1 à 7-