FR 2093962 A1 19720204 FR 7119761 A 19710601 "> 2093962 71 .19761 : L'invention concerne une matrice de mémoire à fils magnétiques comportant des lignes de mots et des lignes de retour et des fils magnétiques interchangeables. Les fils magnétiques doivent être tenus et fixés suivant un pas de réseau 5 prédéterminé avec précision de façon que la distance entre les différents fils magnétiques soit identique sur toute la longueur du réseau, que ces fils magnétiques soient parallèles entre eux et ne se coincent pas lors de fluctuations éventuelles de température. Le maintien des fils magnétiques sans contraintes 10 mécaniques ej3t nécessaire en raison des caractéristiques en général magnétostrictives des couches magnétiques de mémoire déposées sur le support non magnétique en forme de fils électriquement conducteurs. Le support des fils magnétiques doit être réalisé de telle manière que les lignes de mots et les lignes 15 de retour puissent être situées le plus près possible des fils magnétiques. Une matrice de mémoire à fils magnétiques déjà connue prévoit l'utilisation de feuilles ayant la forme de tunnel en tant que feuilles supports pour les fils magnétiques. Pour cela 20 des fils métalliques sont tendus avec un écart prédéterminé dans un dispositif et incorporés par fusion, sous certaines conditions de température et de pression, dans une feuille thermoplastique qui est recouverte sur ses deux côtés par une feuille de polyamide. Après cette phase opératoire les fils sont 25 retirés des feuilles accolées et sont remplacés par des fils magnétiques. 11 apparaît dans ce type de matrice de mémoire à fils magnétiques l'inconvénient consistant en ce que les feuilles ayant la forme de tunnel ne permettent pas d'entourer, dans la ligne de retour, les fils magnétiques comme par un conduc-30 teur creux coaxial. Cette matrice de mémoire à fils magnétiques connue nécessite une mise en oeuvre technique très coûteuse étant donné que, comme ceci a déjà été mentionné, des fils métalliques sont d'abord tendus dans un dispositif avec un écart prédéterminé et que les fils magnétiques proprement dits ne 35 peuvent être insérés dans les tunnels qu'après l'extraction des fils métalliques sus-mentionnés. L'invention a pour but de réaliser une matrice de mémoire à fils magnétiques, qui satisfait aux conditions citées au début et qui est facilement réalisable. 40 La matrice de mémoire à fils magnétiques qui permet COPY 71 19761 2 2093962 d'atteindre.ce "but est, conformément à l'invention, caractérisée par le fait qu'elle comporte une plaque, flexible ou rigide, superficiellement oxydable et électriquement conductrice, notamment en aluminium, servant comme support des fils magné-5 tiques et comme ligne de retour, et présentant dès encoches en forme de U parallèles entre elles et réalisées sur une des faces de la plaque, une couche obtenue suivant le procédé Eloxal ou procédé d'oxydation électrolytique de l'aluminium recouvrant la face de la plaque où sont réalisées les encoches 10 et les surfaces de ces dernières, une feuille isolante adhésive, qui est située sur la couche Eloxal et qui est reliée avec celle-ci de telle sorte que la feuille isolante et -les encoches forment respectivement des tunnels pour la réception des fils magnétiques, des lignes de mots disposées sur la face libre de 15 la feuille isolante et perpendiculaires aux axes longitudinaux des encoches et des éléments reliant électriquement la plaque avec chacune des lignes de mots. La matrice de mémoire à fils magnétiques conforme à l'invention est extrêmement facile à réaliser et son coût est 20 faible. La réalisation d'une partie des tunnels sous forme d'encoches permet d'envelopper étroitement, comme dans une gaine, les fils magnétiques à l'aide de la plaque servant de ligne de retour commune. La couche Eloxal forme une couche isolante uniformément mince et très dure entre les parois des 25 tunnels et les fils magnétiques. De ce fait un laquage supplémentaire de la plaque comportant les tunnels avec une couche isolante est superflu, cette opération n'étant réalisable qu'avec des difficultés considérables. Le laquage parfait des surfaces des tunnels, par exemple dans le cas d'une plaque de 30 cuivre avec des encoches réalisées par corrosion, est rendu difficile par le fait que la couche de laque ne pénètre principalement que dans les évidements réalisés par corrosion et par conséquent conduit à une couche isolante relativement grossière, par rapport à une largeur d'encoche de 0,2 mm par exemple, et 35 nécessitant de larges tolérances. La surface d'un côté de la couche isolante est recouverte de façon appropriée avec une couche de colle durcissable et est liée à la couche Eloxal grâce à cette couche. Comme couche isolante on peut aussi utiliser une feuille autocollante durcissahle, déposée à l'état 40 chaud sur la couche Eloxal. Si l*on utilise comme couche iso 71 19761 3 20-)59ûP. lante une couche isolante recouverte par du cuivre ou par un métal vaporisé sur une de ses faces et si "on attaque celle-ci par corrosion en correspondance avec les lignes de mbts souhaitées, il ést "alors superflu de disposer les lignes de mots, 5 ce qui nécessiterait dans le cas contraire une phase opératoire supplémentaire. On utilise avantageusement une plaque en aluminium qui est plaquée avec du cuivre sur sa face opposée à celle où se trouve la couche Eloxal. Un "bon contact électrique est ainsi possible entre les lignes de mots et" la ligne de' retour 10 commune. Si l'on n'utilise pas une plaque en aluminium plaquée avec du cuivre, l'établissement du contact avec la ligne de retour peut être réalisé par élimination par corrosion ou mécaniquement, d'une partie de la couche d'"aluminium oxydé. Il est recommandé pour la fabrication de la matrice 15 de mémoire à fils magnétiques de réaliser les encoches par étampage ou usinage par enlèvement des copeaux par exemple fraisage ou rabotage, d'oxyder électrolytiquemerit" la face de la plaque sur laquelle sont ménagées les encoches, et finalement de coller la feuille isolante sur la face de ia plaque oxydée 20 électrolytiquement. La présente invention sera mieux comprise à l'aide de la description suivante d'une forme de réalisation donnée à titre d'exemple et représentée au dessin annexé dans lequel : La "figure 1 représente une coupe longitudinale sché-25 matique partielle d'une matrice de mémoire à fils magnétiques suivant l'invention. La figure 2 ést une vue schématique en plein d'un dispositif servant à la fabrication des encoches en forme de U. La figure 3 est une vue en élévation latérale partiel-30 le du dispositif de la figure 2. La figure 1 montre uné plaque 1 en aluminium servant de support des fils magnétiques 7 et de ligne de retour. D'un côté de la plaque on réalise, par exemple à l'aide du dispositif représenté sur les figures 2 et 3, dès encoches 10 en forme de 35 U parallèles entre elles. La surface des encoches et la surface restante de la plaque sont recouvertes par uné couche 3 d'Eloxal d'une épaisseur de 5 à "20'p- par exemple. La couche d'Eloxal est " déposée en utilisant un des procédés connus pour cèlèû Une feuiire isolante 5 est fixée solidement sur la côuc'he 3 d1 Èloxal 40 " et par dessus les encàches'10, jpar exemple coïléë âu" moyen d'une 71 19761 4 2093962 couche adhésive 4 de telle façon que la feuille isolante 5 et les encoches 10 forment respectivement des tunnels destinés à recevoir les fils magnétiques 7. La feuille isolante 5 porte, sur sa face dépourvue de couche adhésive, des lignes de mots 6, 5 qui sont perpendiculaires aux axes longitudinaux des encoches 10. La couche isolante 5 est, de façon appropriée, déjà revêtue par du cuivre ou par un métal vaporisé sur cette face et attaquée par corrosion conformément au tracé et au nombre des lignes de mots souhaitées. Le contact électrique entre les lignes de 10 mots 6 et la plaque d'aluminium 1 servant de ligne de retour, est réalisé à l'aide d'éléments de connexion électrique 9 qui sont par exemple soudés en 8 avec les différentes lignes de mots et avec la ligne de retour commune. L'établissement du contact et son efficacité sont garantis par une couche de cuivre 2 pla-15 quée sur une face de la plaque d'aluminium. En utilisant le dispositif suivant les figures 2 et 3, les encoches 10 sont étampées entre deux tambours trempés et polis dans la feuille d'aluminium tendre 1, un des deux tambours portant le profil des encoches en forme de U parallèles entre elles. 71 19761 5 2093962 REVERDI CATIONS 1. Matrice de mémoire à fils magnétiques comportant des lignes de mots et des lignes de retour et des fils magnétiques interchangeables, caractérisée par le fait qu'elle comporte une plaque en aluminium (1) flexible ou rigide servant de 5 support pour les fils magnétiques (7) et de ligne de retour, et présentant des encoches (10) en forme de U parallèles entre elles et réalisées sur une des faces de la plaque, une couche (3) obtenue suivant le procédé Eloxal ou procédé d'oxydation électrolytique de l'aluminium recouvrant la face de la plaque 10 où sont réalisées les encoches et les surfaces de ces dernières, une feuille isolante (5) adhésive, qui est située sur la couche Eloxal et qui est reliée avec celle-ci de telle sorte que la feuille isolante et les encoches (10) forment respectivement des tunnels pour la réception des fils magnétiques, des lignes 15 de mots (6) disposées sur la face libre de la feuille isolante et perpendiculaires aux axes longitudinaux des encoches, et des éléments (9) reliant électriquement la plaque avec chacune des lignes de mots. 2. Matrice de mémoire suivant la revendication 1, 20 caractérisée par le fait que l'une des faces de la couche isolante (5) est recouverte d'une couche de colle (4) durcissable et qu'elle est liée à la couche Eloxal (3) grâce à cette couche de colle. 3. Matrice de mémoire suivant la revendication 1, 25 caractérisée par le fait que la couche isolante (5) est réalisée sous forme d'une feuille autocollante durcissable déposée à chaud sur la couche Eloxal (3). 4. Matrice de mémoire suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que la couche isolante est réalisée 30 sous forme d'une feuille revêtue de cuivre ou d'un dépôt métallique sur une de ses faces et attaquée par corrosion en correspondance avec le tracé souhaité des lignes de mots (6). 5. Matrice de mémoire suivant la revendication 1, caractérisée par le fait que la plaque (1) en aluminium est 35 recouverte d'une couche de cuivre (2) sur sa face opposée à celle où se trouve la couche Eloxal (3). 6. Procédé pour fabriquer une matrice de mémoire à fils magnétiques suivant la revendication 1, caractérisé par le 71 19761 6 2093962 fait qu'il consiste à réaliser les encoches (10) par étampage sur une des faces de la plaque (1) en aluminium, à oxyder électrolytiquement la surface étampée et à coller la feuille isolante (5) sur la face oxydée de la plaque. 5 7. Procédé suivant la revendication 6, caractérisé par le fait que les encoches (10) sont réalisées par usinage avec enlèvement de copeaux. 8. Procédé suivant la revendication 7, caractérisé par le fait que les encoches sont réalisées par fraisage ou 10 rabotage.