FR 2086509 A1 19711231 FR 7115565 A 19710430 71 15565 i 2086509 Cette invention concerne un appareil destiné à l'inscription de traits sur la surface d'un objet. L'objet à marquer peut être, par exemple, une "galette" de semi-conducteur. Dans la fabrication de la plupart des 5 dispositifs à semi-conducteurs tels que diodes, transistors et circuits intégrés, de grands nombres de dispositifs unitaires sont formés sur une galette unique de semi-conducteur. Les galettes de semi-conducteur ont typiquement une forme circulaire, avec un diamètre de 2 à 8 centimètres et une 10 épaisseur de 0,1 à 0,3 millimètre. Une seule galette de semi-conducteur peut porter plus de 10.000 dispositifs semi-conducteurs unitaires. Les dispositifs semi-conducteuis d'une seule et même galette sont généralement identiques les uns aux autres et sont déposés en "grille" 15 de telle sorte que les dispositifs semi-conducteuis unitaires sont séparés par des "allées" du matériau de support des semi-conducteurs. Les dispositifs semi-conducteurs unitaires sont en général parfaitement efficaces, et dans bien des eââ on les soumet'* à des essais électriques in situ avant fp de diviser la galette de semi-conducteur en dispositifs unitaires distincts diversement appelés "paillettes", "boulettes" ou "dés". Une méthode connue que l'on utilise pour diviser une galette de semi-conducteur en "paillettes" distinctes 25 consiste à rainer la galette de semi-conducteur à l'aide d'une pointe de diamant le long des "allées" entre les dispositifs unitaires, puis à faire rouler la galette de semi-conducteur sur une arête, ou une baguette, de façon à ce qu'elle se fissure le long des marques de rainage. Cette 30 méthode est tout à fait analogue à la méthode que l'on utilise pour découper le verre à vitre. Un inconvénient de cette méthode de subdivision d'une galette de semi-conducteur par "rainage et cassure" en "paillettes" unitaires, est que les fissures peuvent avoir 35 tendance à s'étendre, en s'introduisant ainsi, plus ou moins au hasard, et en détruisant des dispositifs unitaires qui sinon seraient utilisables. Une seconde méthode connue que l'on utilise pour subdiviser des galettes de semi-conducteur en "paillettes" 40 distinctes consiste à sciei la galette de semi- 71 15565 2 2086509 conducteur le long des "allées" séparant les dispositifs unitaires» L'opération de sciage peut être exécutée à l'aide de fines lames de scie chargées d'abrasif, de fils fins, de disques minces, de lames vibrantes, ou bien à l'aide 5 d'une suspension d'abrasif entraînée par ultra-sons. Bien que cette méthode de sciage ne présente pas l'inconvénient d'une extension des fissures, elle entraîne des pertes importantes au niveau des entailles. A cause de ces pertes au niveau des entailles, les "allées" séparant les dispositifs 10 semi-conduCteurs unitaires doivent être prévues plus larges ;pour compenser l'enlèvement de matériau, par le processus de sciage, ce qui fait qu'un moins grand nombre de dispositifs unitaires peuvent être réalisés sur une même galette de semi-conducteur. En outre, les dispositifs 15 unitaires peuvent être endommagés par la matière abrasive. Dans le but de surmonter ces inconvénients, il est fourni, selon cette invention, un appareil scripteur comprenant un moyen destiné à maintenir un objet à marquer, un dispositif à laser destiné à produire un faisceau laser d'énergie suffisante 20 pour vaporiser une partie dudit objet, un moyen destiné à metre au point ledit faisceau laser dudit dispositif à laser sur ledit objet, un moyen d'entraînement destiné à déplacer le moyen de mise au point par rapport au moyen porte-objet de façon à faire inscrire à la tache focale dudit faisceau 25 laser un trait continu sur la surface dudit objet, et un moyen destiné à empêcher les globules de matière qui sont éjectés dudit objet par l'effet dudit faisceau laser de retomber sur la surface dudit objet ou de se déposer sur ledit moyen de mise au point. 30 Si on applique cette invention au marquage de galettes de semi-conducteur, le dispositif à laser fournit des impulsions laser d'énergie suffisante? pour former par vaporisation de petits trous dans la galette de semi-conducteur, une optique de mise au point sert à mettre au point les impulsions laser 35 sur, ou bien juste au-dessous de la surface de la galette à marquer, un mécanisme d'entraînement déplace la tache focale du faisceau laser le long d'un chemin prédéterminé sur la surface de la galette de semi-conducteur de manière à découper dans cette galette une " tranchée" profond® mais étroite, et un 40 dispositif empêche les globules fondus de matériau- semi 71 15565 3 2086509 conducteur de retomber sur la surface de la galette de semiconducteur . Pour que cette invention puisse être parfaitement comprise, on va maintenant la décrire en se référant aux dessins annexés, 5 sur lesquels : La Figure 1 est une vue de face d'un appareil scripteur concrétisant la présente invention, cette vue étant partiel-lèment arrachée pour faire apparaître les parties du dispositif qui sont destinées à maintenir l'objet à marquer ; 10 La Figure 2 est un schéma simplifié montrant la relation de fonctionnement entre les principaux éléments de l'appareil scripteur ; La Figure 3 est une vue en perspective, sous une forme assez schématique, d'un dispositif à laser et d'un dispositif 15 destiné à dévier le faisceau laser sur une tache prédéterminée à la surface de l'objet à marquer ; La Figure 4 est une coupe détaillée d'un dispositif utilisant un vide en combinaison avec du gaz sous-pression afin d'empêcher des globules de matière de retomber sur la 20 surface de l'objet à marquer ou de se déposer sur l-'objectif de mise au point ; La Figure 5 est une coupe détaillée d'un second dispositif utilisant un vide en combinaison avec un gaz sous pression afin d'empêcher les globules de matière de 25 retomber sur la surface de l'objet à marquer ou de se déposer sur l'objectif de mise au point ; et La Figure 6 est une vue en perspective de l'optique de mise au point du laser, de la galette à marquer et de l'appareil qui est destiné à transporter un film -de matière plastique 30 transparente sur la surface de la galette de façon à capturer les globules fondus qui sont éjectés de la galette par l'effet du faisceau laser et à les empêcher de retomber sur la surface de la galette. Avant de décrire en détail le mode de réalisation 35 préféré de la présente invention, il sera utile d'expliquer, en général, certains des facteurs qui interviennent dans la découpe des matériaux par un faisceau laser. Il est bien connu qu'une —3 impulsion de rayonnement laser, de 10 joule par exemple, mise au point en une petite tache de 10 à 20 microns par exemple, 40 assure un chauffage suffisant pour creuser un trou, par vaporisation 71 15565 4 2086509 dans la plupart des matériaux. Dans certains cas, il est possible de mettre au point un faisceau lasier en une tache dont le diamètre d est approximativement égal h fA où f est l'ouverture relative de travail de l'objectif de mise au 5 point du laser et^eet la longueur d'onde du faisceau laser, Dans ces conditions, la profondeur de champ D à l'intérieur de laquelle la dimension de la tache focale ne dépasse pas sa valeur minimale de plus de 10° crée un trou dont la profondeur est égale à plusieurs fois le diamètre de la tache focale. On peut réaliser une suite 15 de trous qui se recouvrent de façon à former une tranchée ou une entaille. En utilisant un laser correctement choisi, on peut former dans une galette de semi-conducteur, telle une galette de silicium, des entailles atteignant 0,25 millimètre-de profondeur et ayant moins de 0,025 millimètre de largeur, 20 à une vitesse linéaire de l'ordre d'une dizaine de centimètres par seconde, le laser jouant ainsi le rôle d'une scie ou d'un scripteur à très grande profondeur. Pour la forme préférentielle du présent appareil scripteur à laser, on utilise un laser à semi-conducteurs, 25 Yttrium-Aluminium-Çrenat dopé au Neodyme(Nd:YAG) pour former une tranchée ou entaille dans une galette de silicium. La longueur d'onde du laser NdrYAG est de 1,06 micron . par conséquent, pour produire une tache de -0,025 millimètres _ de diamètre après mise au point, il faut un système de lentilles 30 ayant une ouverture relative de f/24. Cette ouverture relative est assez grande pour permettre l'utilisation du système de lentilles le plus élémentaire. La profondeur de champ, sera égale à plus ou moins 0,15 millimètre, ce qui égale ou dépasse la plus grande épaisseur d'une galette de silicium type. 35 Le rendement avec lequel une impulsion laser peut forer un trou dans un matériau donné dépend en partie, du degré auquel le rayonnement laser est absorbé par ce matériau. La structure intrinsèque des niveaux éléctroniques du silicium est telle que les rayonnements de longueur d'onde quelque peu inférieure! à 1 40 micron sont très fortement absorbés, par contre, les rayonnements 71 15565 5 2086509 de longueur d'onde supérieure à 1 micron sont relativement peu absorbés. Ainsi la longueur d'onde de 1,06 micron du laser Nd:YAG tombe exactement au "bord" de la bande d'absorption du silicium. Plus précisément, à la température ambiante, le 5 silicium n'absorbe que 4 % du rayonnement incident du laser NdrYAG par fraction de 0,025 millimètre d'épaisseur. Si ces conditions étaient stables, le laser Nd:YAG serait relativement inefficace pour chauffer et vaporiser le silicium. Cependant, la longueur d'onde du "bord" de la bande 10 d'absorption du silicium est une fonction bien établie de la température. A mesure que la température s'élève, par suite du chauffage initial par le faisceau laser, le silicium devient fortement absorbant du rayonnement de longueur d'onde 1,06 micron qui est produit par le laser Nd:YAG, en assurant 15 ainsi une opération efficace de formation des entailles. Bien qu'il soit théoriquement possible de créer toute la grille d'entailles avec une impulsion laser, ceci nécessiterait un laser très grand et très coûteux travaillant à bas régime. Dans sa forme préférentielle, la présente invention est basée 20 sur la technique plus économique de formation de l'entaille par creusement successif, par "vaporisation", d'une série de petits trous qui se recouvrent le long de chaque "allée" séparant les dispositifs semi-conducteurs unitaires de la galette. Le mode de fonctionnement du laser, parimpulsions, 25 réduit au minimum le chauffage des dispositifs semi-conducteurs voisins, et la détérioration qui en résulterait. Pour former une entaille en creusant des trous successifs qui se recouvrent, il faut prévoir un recouvrement suffisant pour surmonter le "rebouchage" qui se produit à la suite de 30 la condensation du matériau semi-conducteur vaporisé sur les parois de l'entaille. A cet égard, il est bon d'utiliser une tache focale de laser qui soit assez allongée dans la direction de la coupure. Reportons-nous maintenant à la Figure 1 des dessins : 35 il y est représenté une vue de face d'une forme préférentielle de l'appareil scripteur à laser selon la présente invention, cette vue étant partiellement arrachée pour faire apparaître le dispositif à laser ainsi que le mécanisme destiné à régler la position dui mandrin porte-galette. L'appareil scripteur 40 à laselr -, repéré en général par 1, comporte un pupitre 71 15565 6 2086509 d'opérateur qui est équipé d'un microscope binoculaire 2 pour faciliter le réglage et l'alignement de l'appareil avant le début d'une opération d'inscription, et pour permettre l'observation du travail en cours. Le dispositif à laser 3 5 se trouve de préférence dans le pupitre d'opérateur et le faisceau laser 4 est dévié, de préférence au moyen de prismes appropriés, qui ne sont pas représentés, dans l'objectif 5 de mise au point sur la pièce 6 qui peut être une galette de silicium à titre d'exemple. 10 Bien que la principale application qui est envisagée pour l'appareil scripteur à laser de la présente invention soit le marquage ou le découpage de galettes de semiconducteur, et en particulier de galettes de silicium, l'homme de l'art se rendra compte que 1'appareil scripteur 15 à laser de la présente invention peut servir à découper ou à marquer d'autres objets ou matériaux. La pièce 6 est de préférence maintenue en place pour l'inscription par un mandrin 7 à vide. On se rendra compte cependant que d'autres types de dispositifs porte-ûrticles 20 peuvent être utilisés dans l'esprit et le champ d'application de la présente invention. Le bouton 8 commande la rotation du mandrin à vide 7 de façon à permettre l'alignement précis des "allées" de la galette 6 de semi-conducteur avec les directions "x" 25 et "y" de déplacement de la tache focale du laser par rapport à la surface de la galette 6. Les positions "x" et "y" du mandrin à vide 7 porte-galette peuvent être commandées manuellement par les boutons 9 et 10. La mise au point du microscope binoculaire 2 est 30 commandée par les boutons 21 de mise au point. La mise au point du microscope 2 sert également à mettre au point le faisceau laser sur la surface de la galette 6 car le microscope 2 et le laser 3 se partagent le même objectif 5 de mise au point. Le bouton 22 permet le réglage fin 35 de la position de la tache focale du laser le long de l'axe de déplacement "x". Les armoires 2 3 et 24 contiennent différents composants de l'appareil scripteur à laser, y compris la source d'énergie du laser, l'unité de refroidissement du laser et une unité 40 logique de commande. 71 15565 7 2086509 Reportons-nous maintenant à la Figure 2 des dessins : il y est représenté un schéma simplifié des principaux éléments de l'appareil scripteur à laser selon la présente invention. Le dispositif à laser 3 comporte un laser 31 qui 5 est de préférence un laser 31 à semi-conducteurs Nd:YAG à pompage optique, et un interrupteur 32 à retard prédéterminé destiné à assurer un mode de fonctionnement par impulsions. Le laser 31 comporte une ouverture d* étranglement" qui oblige le laser à fonctionner en son régime fondamental 10 (brillance maximale). L'interrupteur 32 à retard prédéterminé fait émettre au dispositif à laser 3 un train, à haute fréquence d'impulsions intenses et étroites. Par exemple, la fréquence du train d'impulsions peut être de l'ordre de 2 à 5 kilohêrtz et la largeur des impulsions peut être de l'ordre de 0,5 15 microseconde . L'ensemble du dispositif à laser 3 peut être d'un type bien connu de l'homme de l'art tel que, par exemple, le transmetteur à laser modèle 112 qui est fabriqué par la Quantronix Corporation, 225, Engineers Road, Smithtovm, New-York, U.S.A. 20 Le laser 31 est alimenté par la source d'énergie-excitateur 33 qui peut être simplement un transformateur de régulation de ligne destiné à alimenter les lampes à incandescence de 110 volts, pour "pomper" la baguette du laser Nd:YAG. Le refroidissement du laser 31 est assuré par l'unité 25 de refroidissement 34, qui peut être d'un type bien connu de l'homme de l'art. Par exemple, l'unité de refroidissement 34 peut comporter un dispositif de circulation d'eau de refroidissement-éçhangeur de chaleur pour refroidir la baguette et les réflecteurs de lampe de pompe du laser YAG, 30 ainsi qu'un ventilateur à air forcé pour refroidir les enveloppes des lampes à incandescence de la pompe. L. 'interrupteur 32 à retard prédéterminé est alimenté par l'excitateur 35 d'interrupteur à retard prédéterminé qui peut être d'un type bien connu de l'homme de l'art tel que, 35 par exemple, l'excitateur d'interrupteur à retard prédéterminé modèle 301 qui est fabriqué par la Quantronix Corporation. Le faisceau laser qui sort du dispositif à laser 3 traverse le dispositif 36 d'extension de faisceau qui peut être, par exemple, un dispositif d'extension de faisceau:, "tri-40 puissance". Après avoir traversé le dispositif 36 d'extension 71 15565 8 2086509 de faisceau, le faisceau laser traverse un dispositif 37 à volet mécanique dont le fonctionnement sera expliqué plus en détail par la suite. Du volet mécanique 37 le faisceau laser traverse l'optique 38 de déviation et l'optique 5 de 5 mise au point et vient frapper la pièce 6 qui est, à titre d'exemple, une galette de silicium. L'optique 5 de mise au point est commandée par la commande 21 de mise au point. La tête 2 dé viséei fournit une vue microscopique de la surface de travail pour l'alignement initial et le contrôle 10 en cours de traitement. Le système de visée partage l'optique 5 de mise au point avec le faisceau laser. Cette double fonction peut être remplie par un seul jeu d'éléments optiques5 de mise au point si l'on utilise un diviseur de faisceau dichroilque qui sépare le rayonnement laser et le 15 spectre visible. La longueur d'onde du laser Nd:YAG est 1,06 micron,-■_ et le spectre visible s'étend de 0,6 à 0,4 micron^ . La pièce 6 est maintenue en place par un mandrin à vide 7 qui est alimenté par une ligne de vide 41. La ligne de vide 41 est également raccordés au dispositif 42 anti-retombées qui 20 empêche les globules de silicium fondu éjectés de la pièce 6 par l'action du faisceau laser, de retomber sur la surface de la pièce 6 et d'endommager les dispositifs semi-conducteurs formés sur cette pièce. L'alignement de la pièce 6 par rotation est réalisé 25 par la commande 8 de rotation qui est raccordée mécaniquement au mandrin à vide 7. Le déplacement de la pièce 6 dans les directions "x" et "y" est réalisé par un moteur-plateforme 43 d'axe x et un moteur-plateforme 44 d'axe y. Le fonctionnement du moteur d'axe x est commandé par l'unité opérationnelle 30 et logique 45 de commande par l'intermédiaire du dispositif 46 d'entraînement du moteur x. Le fonctionnement du moteur d'axe y est commandé par l'unité opérationnelle et logique de commande 45 par 1'intârmédiaire du dispositif 47 d'entraînement du moteur y. 35 Le mouvement de la pièce 6 par rapport à la tache focale du faisceau laser doit être assez précis pour que la tache focale du faisceau laser découpe et détache le centre des "allées" entre les dispositifs semi-conducteuis formés sur la galette. Les "allées" ont typiquement une largeur de l'ordre 40 de 0,05 à 0,25 millimètre, par conséquent, une tolérance de 71 15565 9 2086509 l'ordre de 0,0025 millimètre doit de préférence être observée sur une distance de 5 ou 8 centimètres qui représente la longueur de la coupure nécessaire dans la pièce 6. D'autre part, après que le faisceau laser a 5 terminé le découpage et le détachement d'une "allée", la pièce 6 doit être déplacée latéralement par rapport à la tache focale du faisceau laser, exactement de la distance qui sépare les centres des "allées" afin d'amorcer la coupure suivante. Cette opération de déplacement 10 périodique doit être assez précise pour que l'erreur accumulée au cours des déplacements successifs sur la largeur de la galette ne dépasse pas approximativement 0,0125 millimètre Le déplacement précis de la pièce 6 est réalisé par 15 des glissières orthogonales de précision. L'une des glissières de précision, la plateforme 43 d'axe x, coulisse sur l'autre glissière de précision, la plateforme 44 d'axe y. Les moteurs d'axe x et d'axe y peuvent être des moteurs numériques pas à pas ou bien des moteurs 20 analogiques à mouvement continu avec rétroaction d'un capteur de position..Ces deux types de moteur sont bien connus de l'hpmme de l'art. Le réglage fin de la position "x" de la tache focale par rapport à la pièce est assuré par la commande 22 de réglage fin qui est raccordéemécaniquement 25 à l'optique 38 de déviation. L'unité opérationnelle et logique de commande 45 fournit des signaux de commande au dispositif 46 d'entraînement du moteur x et au dispositif 47 d'entraînement du moteur y, en fonction des valeurs qui sont introduites par l'opérateur 30 sur le panneau de commande 48. Une fois la pièce 6 alignée, l'opérateur déclënche l'opération d'inscription en appuyant sur le bouton "avance" du panneau de commande 48. L'unité opérationnelle et logique de commande 45 commence alcrs à entraîner la plateforme 43 d'axe x et la plateforme 44 35 d'axe y vers leurs "points de départ" prédéterminés. L'unité opérationnelle et logique de commande 45 fait ensuite se déplacer la pièce 6 uniformément . le long d'un axe de mouvement, par exemple l'axe y, jusqu'à ce que la plateforme 44 d'axe y atteigne le limite 51 d'axe y. L'unité opérationnelle et logique 40 de commande 45 fait alors se déplacer le moteur-plateforme 71 15565 2086509 43 d'axe x le long de l'axe x de la distance qui est introduite par l'opérateur sur le panneau de commande 48, L'unité logique 45 fait alors se déplacer le moteur-plateforme 44 d'axe y uniformément dans la direction y 5 jusqu'à ce que la limite opposée d'axe y soit atteinte. Ce processus se poursuit jusqu'à ce que toutes les allées "y" aient été traversées par la tache focale du laser. L'unité logique 45 fait alors se déplacer la pièce 6 de telle sorte que la tache focale du laser se déplace uniformément 10 le long des allées "x" entre les limites 52 d'axe x, avec déplacements successifs dans la direction "y" jusqu'à ce que toutes les allées "x" aient été traversées par la tache focale du laser. La commande de verrouillage 53 empêche le fonctionnement 15 de l'appareil au cas où la ligne de vide 41 n'est pas en service. Si la ligne de vide 41 n'est pas en service, la commande de verrouillage 53 fait se fermer le volet mécanique 37, en empêchant le faisceau laser de venir traverser l'optique 38 de déviation et l'optique 20 5 de mise au point. Quand la ligne de vide 45 est en service et qu'on appuie sur le bouton "avance" du panneau de commande 48, l'unité logique 45 fait ouvrir le volet mécanique 37 par la commande de verrouillage 53 en permettant ainsi au faisceau laser de frapper la pièce 6. 25 Reportons-nous maintenant à la figure 3 des dessins : £ y est représenté une vue en perspective, sous une forme assez schématique, d'un dispositif 3 à laser et d'un dispositif, généralement repéré 60, destiné à dévier le faisceau laser 4. Le dispositif 60 de déviation comporte un premier élément de 30 support 61 qui porte un premier prisme 62. Le prisme 62 est ainsi monté que sa face postérieure 63 forme un angle sensiblement égal à 45° avec le faisceau laser 4 de manière à réfléchir totalement le faisceau laser sur un angle d'approximativement 90°. Le faisceau laser réfléchi frappe 35 un second prisme 64 qui est porté par un second élément de support 65. La face postérieure 66 du prisme 64 forme un angle sensiblement égal à 45° avec le faisceau laser de manière à réfléchir totalement le faisceau laser sur un angle d'approximativement 90°, comme représenté. L'élément de support 65 est 40 monté mobile sur deux tiges parallèles 67 et 68 de guidage. 71 15565 ii 2086509 Le déplacement de l'élément de support 65 le long des tiges 67 et 68 de guidage peut être réalisé par l'un quelconque des nombreux mécanismes de précision appropriés qui sont connus de l'homme de l'art. Par exemple, le déplacement de 5 l'élément de support 65 pourrait êtreœmmandé par un dispositif à vis sans fin actionné par le bouton de commande 22 qui est représenté «sur la Figure 1. Reportons nous maintenant à la Figure 4 des dessins r Il y est représenté une coupe détaillée d'un dispositif 10 destiné à ôter les globules fondus de matériau, semi-conducteur qui sont éjectés de la galette 6 par l'action du faisceau laser 4 de manière à les empêcher de retomber sur la surface de'la galette 6 et de se déposer sur la surface de l'objectif de mise au point. Le dispositif d'enlèvement des globules 15 comporte une première gaine 71 qui entoure l'optique 5 de mise au point de l'appareil scripteur à laser et qui lui est reliée. L'extrémité inférieure de la gaine i7l se resserre vers l'intérieur en une ouverture centrale 72 qui laisse le faisceau laser 4 venir frapper la surface de la pièce 6. 20 L'ouverture de la pièce 72 est assez grande pour laisser le passage au cône focal du faisceau laser 4. L'intérieur de la gaine 71 est relié à l'atmosphère par des orifices d'entrée 73. Une seconde gaine 75 entoure la gaine 71. La gaine 75 25 se resserre vers l'intérieur à son extrémité inférieure en une ouverture centrale 76 qui permet au faisceau laser 4 de venir frapper la pièce 6. L'ouverture 76 est de préférence quelque peu plus grande que l'ouverture 72 de la gaine 71. L'intérieur de la gaine 71 est raccordée par des conduits 77 à une pompe 30 à vide appropriée, qui n'est pas représentée. De là le gaz monte dans l'ouverture 76 de la gaine 75, dans l'intérieur 78 de la gaine 75 et sort par les conduits 77» D'autre part, du fait de la réduction de pression dans la région de l'orifice 76, de l'air est aspiré par les évents 73, descend 35 par 72, puis par 78 jusqu'aux pompes à vide. L'écoulement descendant d'air par l'orifice 72 empêche les globules de traverser 72 et de frapper la surface de l'objectif 5. L'écoulement rentrant et ascendant de gaz dans la région de l'ouverture 76 capture ou entraî-ne les globules de matériau:-40 fondu qui sont éjectés de la surface de la galette 6 de 71 15565 12 2086509 semi-conducteur par l'action du faisceau laser 4 et les 6te'\ de la surface de travail, en les empêchant de retomber sur la surface de la galette de semi-conducteur, ce qui se traduirait par un risque de détérioration des dispositifs 5 semi- .conducteurs formés sur cette galette. La surface inférieure 79 de la gaine 75 a une forme telle que la section transversale formée entre elle-même et la surface 6 du semiconducteur permet un écoulement subsonique régulier d'air sans passages à un écoulement supersonique. 10 Reportons-nous maintenant à la Figure 5 des dessins : il y est représenté une coupe détaillée d'un autre dispositif préférentiel destiné à oter les globules éjectés de matériau semi-conducteur fondu, de la surface de travail. Le dispositif de la Figure 5 comporte une gaine cylindrique 81 15 qui entoure l'optique 5 de mise au point de l'appareil scripteur à laser et qui lui est reliée. Un conduit 82 traverse la paroi de la gaine 81 et se prolonge jusqu'à proximité de la tache focale du faisceau laser 4. Un second conduit 83 traverse la paroi latérale opposée de.la 20 gaine 81 et se prolonge jusqu'au côté opposé de la tache focale du laser. Le conduit 82 est raccordé à une source de gaz sous- pression et le conduit 83 est raccordé à une pompe à vide. Le conduit 82 est doté d'un ajutage 84 destiné à diriger le gaz dans la région de la tache focale 25 du laser. L'ouverture 85 qui est pratiquée au bout du conduit de vide 83 est sensiblement plus grande que l'ajutage 84 afin d'attirer le courant de gaz de l'ajutage 84 avec ses globules entraînés de matériau fondu, éjecté. Les surfaces inférieures 86 et 87 des conduits 82 et 82 sont 30 disposées aussi près que possible de la surface de la galette de semi-conducteur, sans risque notable de détérioration des dispositifs semi-conducteuis qui sont formés sur cette galette. Reportons-nous maintenant à la Figure 6 des dessins : 35 il y est représenté une vue en perspective de l'optique 5 de mise au point du laser, de la galette 6 de semi-conducteur et d'un appareil destiné à transporter un film 91 de matière plastique sur la surface de la galette de manière à capturer les globules fondus qui sont éjectés de la surface de la 40 galette 6 par l'action du fôisceau laser 4. Les globules 71 15565 13 2086509 fondus adhèrent au film 91 de matière plastique et ne peuvent fcinsi retomber sur la surface de la galette 6, ce qui se traduirait par un risque de détérioration des dispositifs semi-conducteurs qui sont formés sur cette galette. L'appareil 5 destiné au transport du film 91 de matière plastique comporte un rouleau dêvideur 92, un rouleau récepteur 93 et deux rouleaux de guidage 94 et 95. Le film 91 de matière plastique est transparent au rayonnement ayant la longueur d'onde du faisceau laser 4 afin d'éviter l'absorption de chaleur du faisceau laser 10 qui pourrait provoquer la fusion du film. Le film 91 peut être fait de l'un quelconque de nombreux matériaux bien connus de l'homme de l'art tels que, par exemple, téréphtalate de polyéthylène ou copolymère de chlorure de vinylidène. Une autre technique permettant d'empêcher la détérioration 15 des dispositifs semi-conducteurs par les globules fondus de matériau éjectés de la galette par l'action du faisceau laser, consiste à revêtir la surfacè de la galette, y compris les dispositifs semi-conducteurs, d'une substance qui empêche les globules d'adhérer à la surface de la galette lorsqu'ils 20 retombent sur elle, par exemple, la surface de la galette pourrait être revêtue d'un fluorocarbure lourd tel que le fluorochlorométhane bu le fluorochloréthane. La substance inerte de revêtement doit pouvoir être enlevée facilement à l'aide d'un solvant par êvaporation dans un courant d'air chaud, 25 par exemple, on pourrait ôter la substance inerte de revêtement ainsi que les particules incorporées, en la portant à son point d'ébullition tout en insufflant doucement de l'air propre et sec sur la surface de la galette. 71 15565 14 2086509 REVENDICATIONS 1. Appareil destiné à l'inscription de traits sur la surface d'un objet, caractérisé par : un porte-objet pour l'objet à marquer ; un dispositif à laser destiné à produire un faisceau 5 laser d'énergie suffisante pour vaporiser une partie de l'objet un moyen destiné à mettre au point ledit faisceau laser dudit dispositif à laser sur l'objet ; un moyen d'entraînement destiné à provoquer le déplacement relatif du moyen de mise au point et du porte-objet de façon à faire inscrire par la 10 tache focale du faisceau laser un trait continu sur la surface de l'objet ; et un moyen destiné à empêcher les globules de matériau1 éjectés de l'objet par l'action du faisceau laser de retomber sur la surface de l'objet ou de se déposer sur ledit moyen de mise au point. 15 2. Appareil selon la Revendication 1, caractérisé par le fait que le moyen destiné à empêcher les globules de retomber sur la surface de l'objet à marquer, comprend un moyen destiné à diriger un courant de gaz dans la région de la tache focale du faisceau laser, et une admission de vide disposéeprès de la 20 région de la tache focale pour aspirer le gaz de cette région en compagnie des globules entraînés de matériau qui sont éjectés de l'objet par l'action du faisceau laser. 3. Appareil selon la Revendication 2, caractérisé par le fait que le moyen destiné à diriger un courant de gaz comprend un 25 ajutage qui dirige le courant de gaz dans la région de la tache focale et sensiblement parallèlement à la surface de l'objet à marquer, d'admission de vide étant disposée près de la surface de l'objet de l'autre côté de la région de la tache focale. 30 4. Appareil selon la Revendication 2, caractérisé par le fait que le moyen destiné à diriger un courant de gaz comprend une première gaine cylindrique entourant la région de la tache focale, l'admission de vide comprenantune seconde gaine cylindrique qui entoure ladite première gaine cylindrique. 35 5. Appareil selon la Revendication 4, caractérisé par le fait que l'embouchure de la seconde gaine est disposée; sensiblement plus près de la surface de l'objet à marquer que l'embouchure de la première gaine. 6. Appareil selon la Revendication 1, caractérisé par le fait 40 que le moyen destiné à empêcher les globules de matériau. 71 15565 2086509 de retomber sur la surface de l'objet à marquer comprend une gaine qui entoure la région de la tache focale, et une admission de vide raccordée à l'intérieur de ladite gaine pour aspirer l'air.de- 7. .^Appareil selon la Revendication 1, caractérisé par le fait que le moyen destiné à empêcher les globules de matériau' de retomber sur la surface de l'objet à marquer comprend 10 un film de matière plastique disposé près de la surface de l'objet et sensiblement parallèlement à cette dernière afin de capturer les globules de matériau- qui sont éjectés de l'objet par l'action du faisceau laser, ledit film étant fait d'Une matière à laquelle lesdits globules 15 adhèrent. 8. Appareil selon la Revendication 7, caractérisé par un moyen d'aménagé d'une bande continue du fila de matière plastique, un moyen de guidage de la bande de film de matière plastique sur la surface de l'objet à marquer, parallèlement 20 et à une certaine distance de celle-ci, et une bobine réceptrice destinée à réenrouler la bande de film de matière plastique après qu'elle esfcpassée par-dessus l'objet. 9. Appareil selon l'une quelconque des Revendications 1 à 8, caractérisé par le fait que le moyen de mise au point 25 produit une tache focale qui est allongée dans la direction de mouvement de la tache focale par rapport à l'objet à marquer. 10. Appareil selon l'une quelconque des Revendications 1 à 9, caractérisé par le fait que le dispositif à laser comprend un laser à interrupteur à retard prédéterminé. 30 il. Appareil selon l'une quelconque des Revendications 1 à 10, caractérisé par le fait que le moyen d'entraînement sert à faire en sorte que le déplacement relatif du moyen de mise au point et du porte-objet s'effectue à une vitesse telle que les impulsions de sortie du dispositif à laser réalisent une série 35 de trous qui se recouvrent dans l'objet à marquer.