FR 2077283 A1 19711022 FR 7045291 A 19701208 70 45291 1 2077283 La présente Invantion concerna les techniques d'ecriture pour les systè-mes de mémoire qui utilisent les éléments de mémoire magnétique et plus particulièrement des systèmes de mémoire utilisant des éléments de mémoire magnétiques qui utilisent une paire de films magnétiques coaxiaux séparés par 5 un film conducteur coaxial formant barrière. Un type de mémoire utilisé très largement aujourd'hui est la mémoire permanents. L'information emmagasinée dans de telles mémoires peut être lua de façon continue mais jamais modifiée. Ï1 existe de nombreuses applications où cela est désirable par exemple pour exploiter des tables de logarithme. 10 Cependant, il existe des applications où l'information est conservée et lue de façon continue, mais où il est nécessaire de la changer peu fréquemment. Il est souhaitable de se ménager la possibilité dans de tels types de dispositifs d'opérations d'écriture occasionnelles sans augmenter la complexité du système Cet par là réduira la fiabilité et augmenter le coût de fabrication 15 et de réparation) c'est ce problème que la présente invention concerne. Un objet de la présente invention est de réaliser un nouvel arrangement pour altérer électriquement occassionnellement le contenu d'une mémoire qui peut être lu de façon continue de façon non destructive. Un objet de la présente invention est de réaliser un nouveau procédé 20 d'écriture dans une cellule de mémoire en utilisant une suite d'impulsions. Un objet de la présente invention est de réaliser un arrangement d'écriture pour une mémoire dont chacune des cellules est composée d'une pairs de films magnétiques anisotropiques coaxiaux, séparés par un film barrière coaxial, et la disposition utilisant une suits de N impulsions de courant 25 mot unidirectionnel Iw dont chacune est synchronisée avec une paire d*impul~ sions de courant du type bidirectionnelles pour amener une inversion de l*état de la mémoire. L'amplitude du courant bit nécessaire pour effectuer un changement dans l'état de la mémoire Bst inversement proportionnelle au nombre d'impulsions de la suite d'impulsions. 30 Un objet de la présente invention est de réaliser un dispositif de mémoire qui utilisa des éléments de mémoire composés d'une paire de films magnétiques anisotropiques coaxiaux séparés par un film barrière coaxial, et où l'on utilise un courant mot unidirectionnel Iw à la fois pour les opérations de lecture et d'écriture. 35 un objet de la présence invention est de réaliser un tel dispositif nômoire avec des lignes de mot disposées selon une coordonnée d'une matr.i~s ut aes lignas de bit disposées selon une seconde coordonnée de la matrice. De nombreux mots sont disposés sur les lignes de mot, et Je courant mot ast le même à la fois pour les opérations de lecture et u*écriture. De plus, 40 on peut écrire un mot tout an lisant simultanément un mot ou plusieurs autres 70 45291 2 2077283 mots à partir de la même ligne de mot. Un objet de la présente invention est de pourvoir aux opérations de lecture et d'écriture dans un dispositif de mémoire du type décrit qui permette des modifications substantielles dans l'amplitude des impulsions de courant 5 mot sans détruire le contenu des cellules de mémoire durant les opérations de lecture et qui assure des changements fiables d'état durant les opérations d'écriture. Un objet de la présente invention est de réaliser un dispositif de mémoire du type décrit où les opérations de lecture et d'écriture sont réalisées 10 à l'aide d8una suite d'impulsions de courant mot unidirectionnel I et des w paires synchronisées d'impulsions de courant bidirectionnelles I, , et où d l'on peut obtenir un fonctionnement demémoire fiable mfime si le dispositif de mémoire est exposé à des champs électromagnétiques parasites d'intensité connue. 15 Un objet de la présente invention est de pourvoir dans une mémoire du type décrit aux opérations de lecture et d'écriture avec une suite d'impulsions mot unidirectionnelle I dont chacune est synchronisée avec une paire d'impul- w sions de courant bit bidirectionnslles Ifa formant un doublet qui rend l'état de l'élément de mémoire invulnérable aux signaux de bruit parasites qui peuvent 20 apparaître sur les lignes de mot et de bit durant les opérations de lecture prévues. Un objet de la présente invention est ds réaliser un système de mémoire qui puisse être lue de façon non destructive, et où l'élément ds mémoire comprend une paire de films magnétiques anisotropiquas coaxiaux séparés par 25 un film barrière coaxial. On utilise une impulsion de courant mot IM à la fois pour, les opérations de lecture et d'écriture. Le courant mot Iw produit un champ de magnétisation dans l'élément de mémoire magnétique dont l'intensité dépasse la constante de champ anisotropiqus intrinsèque des films magnétiques qui composent les éléments de mémoire. 30 Dans un arrangement selon la présenta invention on utilise des lignes de mot selon une première coordonnée d5une matrice, et on utilise des lignes de bit selon une seconds coordonnés de la matrice. On dispose un élément de mémoire à chaque intersection de coordonnées des lignas de mot et des lignes de bit» Chaque élément ds mémoire est formé d'une paire de films magné" 35 «iqu©3 anisotropiquas coaxiaux sépa^s per un ?ilro barrière coaxial, et cet assemblage est disposé autour de la ligne ds mot à chaque intersection de eoordonnées. On connecte un circuit de commande de bit à chaque ligne de bit pour snvoyer une paire d'impulsions de courant bit bidirectionnelles pour les opérations d*écriture. On eonnacte un amplificateur de détection 40 à chaque ligne de bit dans le but da détecter l'état de mémoire de la ligne 70 45291 3 2077283 de bit choisie durant les opérations de lecture. Plusieurs mots, composés chacun de plusieurs bits, peuvent Stre mis en mémoire sur chaque ligne de mots. Lorsqu'une impulsion de courant mot I est appliquée à une ligne de mot choisie, plusieurs mots peuvent Stre lus, où certains mots peuvent Stre 5 lus alors qu'un ou plusieurs autres mots peuvent Stre écrits sur la ligne choisie. Pour une opération d'écriture, cependant, une sutte de N impulsions de courant mot I sont envoyées avec plusieurs paires d'impulsions de courant bidirectionnelles qui sont synchronisées avec les impulsions de courant mot. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention 10 rassortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. La figure 1 représente un élément de mémoire utilisé dans la présente invention. Les figures 2 et 3 représentent les directions de champ magnétique que 15 l'on choisit arbitrairement pour représenter les états de mémoire binaires. La figure 4 représente un élément de mémoire de la présente invention avec ses circuits de fonctionnement. La figure 5 représente une vue en coupe de l'élément dB mémoire prise selon l'axe 5-5 de la figure 4. 20 Les figures B et 7 représentent des signaux utiles à l'explication des opérations d'écriture de la cellule de mémoire de la figure 4. La figure 8 représente des signaux utiles à l'explication des opérations de lecture de la cellule de mémoire de la figure 4. La figure 9 représente une série d'impulsions qui illustre la technique 25 d'écriture par suite d'impulsions de la présente invention. Les figures 10, 11, 12 et 13 représentent des courbes qui sont utiles pour définir la relation entre le nombre d'impulsions N et les amplitudes des impulsions de courant mot et les impulsions de courant bit. La figure 14 représente comment les impulsions de lecture amènent une 30 cellule de mémoire vers son état stable après une opération d'écriture. La figure 15 est un diagramme représentant la caractéristique dynamique du champ de bit normalisé et du chamade mot normalisé. Les figures 16 et 17 représentent les effets rotationnels des champs magnétiques durant l'opération de lecture des cellules de mémoire des états 35 respectifs zéro et un binaires. La figure 13 représente des propriétés du film uniaxial des films magnétiques utilisés dans la cellule de mémoire de la présente invention. La figure 19 représente un élément de mémoire à film magnétique à couche unique. 40 La figure 20 représente un tracé de longueur de bit en fonction du 70 45291 4 2077283 champ de démagnétisation. La figure 21 représente un système de mémoire avec les lignes de mots dans une matrice. La figure 22 représente un système de mémoire avec plusieurs mots sur 5 chaque ligne de mot. L'élément ds mémoire fondamental ds la présente invention est représenté dans la figure 1, et il comprend un conducteur 10 qui peut être par exemple en béryllium-cuivre» Le conducteur 10 est utilisé comme substrat sur lequel un premier film magnétique anisotropique 11 est disposé. Un film formant bar-10 rière 12 constitué d'un matériau conducteur tel que du cuivre, du nickel, de l'étain, etc... est disposé sur le film magnétique 11. Un second film magnétique anisotropique 13 est disposé sur le film barrière 12. L'axe facile de magnétisation des films magnétiques 11 et 13 est parallèle à l'axe cylindrique de ces deux films. Pour une description plus détaillée des matériaux 15 et des dimensions de l'élément de mémoire de la figure 1, on se référera au brevet n° 1 593 894 déposé en Francs par la demanderesse le 20 Novembre 1968. Les films magnétiques 11 et 13 sont magnétisés le long de l'axe facile qui sst parallèle à l'axe cylindrique du conductsur 10, la direction du champ magnétique dans le film magnétique cylindrique 11 étant opposée à la direction 20 du champ magnétique du film magnétique cylindrique 13. Les figures 2 et 3 représentent des vuss en coupe de l'élément de mémoire de la figure 1, et elles montrent les deux états stables magnétiques pour la représentation de l'information binaire. Lorsqus la direction du champ magnétiqus dans ls film magnétiqus 11 sst vers la gauchsj commB 1b montrs la figurs 2, st cslls 25 du champ magnétiqus dans le film ferro-magnétiqus cylindrique 13 est vers la droite, cet ëtat de magnétisation est choisi arbitrairsment commB rspréssn-tant un un binaire. Lorsqus la dirsction du champ magnétiqus du film ferromagnétique cylindrique 11 est vers la droite, comme le montre la figure 3, et cslls du champ magnétiqus du film ferro-magnétique 13 vers la gauche, 30 cet état de magnétisation est choisi arbitrairement comme représentant un zéro binaire. Sur la figurs 4, l'élément ds mémoirs ds la figurs 1 est rspréssnté avec lss circuits de fonctionnement. L'élément de mémoirs, ayant pour référence générale le n° 15, dans la figure 4, est de construction identique à celui 35 représenté dans la figure 1. Le conducteur 10 est excité par un courant provenant d'un circuit de commande de mot 16 pour lss opérations de lecture et d'écriture comme on l'explique plus complètement ci-après. Un circuit de commande de bit 17 est connecté à une boucle 18 qui est formé d'une partie conductrice supérieure 19 40 et d'une partie conductrice inférieurs 20. Ls circuit de commands ds bit 17 1 70 45291 5 2077283 excite las conducteurs 19 8t 20 durant las opérations d'éoriture. Un amplificateur de détection 21 est connecté aux conducteurs 19 at 20, et détecte las signaux durant une opération de lecture pour indiquer l'état binaire de la mémoire. Les conducteurs 19 et 20 forment un trajet de courant continu 5 autour de l'élément de mémoire 15 comme on le voit plus clairement dans la figura 5. La figure 5 représente une vue en coupe prisa selon l'axe 5-5 de la figura 4, les couches constituant l'élément de mémoire 15 étant omisas dans un but de simplification. Chaque fois qu'une opération d'écriture a lieu, le circuit de commande 10 de mot 16 envoie un courant I à travers la conducteur 10, at la circuit w de commande de bit 17 envoie un courant I. à travers les conducteurs 19 et b 20. Durant une opération d'écriture l'amplificateur de détection 21 n'est pas utilisé, et il est déconditionné pour éviter un endommagement provenant du courant bit et du courant d'écriture. Le courant d'écriture I est unipo- w 15 laire à la fois pour las opérations de lecture et d'écriture. Le courant bit 1^ est du type bipolaire et n'8st utilisé que pour les opérations d'écriture. La figure 6 représente la relation existant entre le courant mot I et la courant bit bipolaire 1^. De tels courants d'écriture entraînent le passage de la magnétisation de l'élément de mémoire 15 de la figure 4 de l'état 0 20 binaire à l'état 1 binaire. Le changement dans la magnétisation du films supérieur 13 et du film inférieur 11 de l'élément de mémoire 15 dans la figurs 1 est décrit dans la partie inférieure de la figurs 6, Le vecteur reprêsen» te la direction de magnétisation du film supérieur 13 et le vecteur magnétique M2 représente la direction de magnétisation du film inférieur 11. Au temps 25 A dans la figure 6 l'élément de mémoire 15 de la figure 4 est à l'état 0 binaire, les vecteurs magnétiques et étant de directions opposées mais parallèles à l'axe longitudinal du conducteur 10. Lorsque le courant mot I se déplace dans le conducteur 10, Le champ de magnétisation produit par w ce courant est dirigé circonférentiellemBnt autour du conducteur 10, et il 30 agit dans une direction perpendiculaire à l'axe facile des films magnétiques II et 13 de la figure 1. Le courant bit Ib passe par les bandes 19 et 20 dans chaque direction et le champ de magnétisation produit par ce courant a une direction parallèle à l'axe magnétique facile des films 11 et 13. Le signal de courant mot I a pour référence le numéro 31 dans la figura 6, 35 at les impulsions de courant bipolaire 1^ ont pour référence les numéros 32 et 33. Les impulsions ds courant 31 at 32 sont coïncidentes, et elles agissent pour faire tourner les vecteurs magnétiques et ^ comme représenté. L'impulsion de courant bit 32 peut 6tre appelée, impulsion bit d'accélération car l'action coïncidents de cette impulsion da courant 32 avec l'impulsion 4C de courant 31 dans la figure 6 entraîne la rotation du vecteur de magnétisa- 70 45291 6 2077283 tîon du film inférieur 11 avec une vitesse aussi rapide et un angle aussi ^ important que possible. La vitesse de rotation du champ magnétique dans la film 11 est retardée par la présence du film barrière conducteur 12 car ce "• film 12 est utilisé comme coquille conductrice, entourant complètement la s 5 couche magnétique inférieure 11, et lors de la rotation de la magnétisation ïj de la couche inférieure 11, un courant est induit dans le film barrière con- ï s docteur 12 qui est dirigé circonférentiellement autour du contours fermé. g Ce courant induit produit un champ solénoïdal dont l'effet est de retardér 1 "é la vitesse ds rotation de la magnétisation de la couche magnétique inférieure § 10 11o On souligne que le film magnétique supérieure 13 ne subit aucun champ - solénoïdal induit à l'exception des extrémités éloignées, et par là sa vitesse S de rotation n'est pas retardée par les champs solénoïdaux. L'action du champ fs dit accélérateur produit par lsimpulsion de courant 32 de la figure 6 réduit J lss effets du champ solénoïdal dynamique développés par la couche barrière 15 conductrice 12. La durée de l'impulsion 31 dans la figure 6 est réglée de 3 préférence de façon à Stre égals à la constante de temps induite par la bar- -l rière, constante de temps dont on parle dans le brevet cité ci-dessus. L'effet ■! du champ magnétique produit par l'impulsion de courant 31 .seule' est suffisant pour faire tourner les vecteurs magnétiques et de la figure B d'environ 20 50® par rapport è l'axe facile. L'effet combiné des impulsions de courant g 31 et 32 dans la figure B est suffisant pour faire tourner les vecteurs magné- 4 tiques et pour les rapprocher de 18 axe magnétique difficile correspondant 1 à un angle de rotation de 90°. Cela est représenté par les vecteurs magnétiques ^ et au temps B dans la figure S. Lorsque l'impulsion de courant d'accé- 3 25 légation 32 dans la figure S se termina, son champ magnétique s'arrête et le champ magnétique du à l'impulsion de courant SI persiste. Le champ magné- ~ tique appliqué par i9impulsi .n de courant 31 est perpendiculaire à l'axe ^ magnétique facile des films magnétiques 12 et 13. En conséquence, les vecteurs magnétiques et tournent d'environ 90° par rapport à l'axe magnétique .2 30 facile des films 11 et 13. Cala ssc décrit par les vecteurs magnétiques et au temps C dans la figurs 5S Lorsqus isimpulsion de courant 33 sst appliquée, elle recouvre uns partie de l'impulsion de courant 31, et le bord arrière de l'impulsion de courant 31 se produit après l'atteinte de sa plsine amplitude par l'impulsion de courant 33» Durant la période où les impulsions 35 de courant 31 et 33 sont appliquées a> 70 45291 7 2077283 l'impulsion de courant 31 dans la figure 6 se termine, l'impulsion de courant 33 persiste, et le champ magnétiqus résultant appliqué à l'élément de mémoire 15 dans la figure 4 est parallèle à l'axe facile de magnétisation. Au temps D dans la figure B, le vecteur magnétique du film supérieur 13 tourne 5 jusqu'au point où il Bst parallèle à l'axe magnétique facile. Ainsi, le vecteur magnétique M1 dans le film supérieur 13 termine sa rotation de l'état 0 binaire à l'état 1 binaire. Le vecteur magnétique cependant, n'a pas à ce moment inversé complètement sa direction. En rapport avec celà on souligne que l'action combinée du bord arrière de l'impulsion 31 dans la figure 6 avec l'impulsion 10 33 produit un champ magnétique qui entraîne la rotation de la magnétisation dans la couche du film supérieur afin qu'elle se retrouve parallèle à son axe magnétique facile. Une fois que cela s'est produit, le film magnétique inférieur 11 est exposé au champ ds démagnétisation dû principalement à la magnétisation longitudinale dans le film supérieur 13. L'action combinée 15 des champs de démagnétisation et du champ anisotropique intrinsèque dans les films magnétiques inférieurs 11 agit pour faire prendre à la magnétisation du film inférieur 11 la position antiparallèle stable par rappor à la magné-» tisation du film supérieur 13. Ainsi, au temps E dans la figure 6, les vecteurs magnétiques et se retrouvent parallèles mais dans des directions opposées 20 ce qui représente l'état 1 binaire. On a montré comment on peut réaliser l'écriture d'un 1 binaire. Si ultérieurement, on désire réinverser l'état de l'élément de mémoire 15 de la figure 4, le circuit de commande de mot 16 applique une impulsion de courant mot I au conducteur 10, et l'on applique des impulsions de courant w 25 bit bipolaires 1^ aux conducteurs 19 et 20 à l'aide du circuit de commande de bit 17. Le courant mot unipolaire Iw est représenté en 41 dans la figure 7. Les impulsions ds courant bit bipolaires 1^ envoyées par ls circuit de commande 17 sont représentées en 42 st 43 dans la figure 7. On souligne que les impulsions 42 et 43 dans la figurs 7 ont une direction opposée aux impul-30 sions correspondantes 32 et 33 de la figure 6. Le film inférieur 11 et le film supérieur 13 dans la figure 1 subissent une inversion de direction ds la magnétisation de l'état 1 binaire à l'état 0 binaire. Les changements qui se produisant pour les vecteurs magnétiques et aux temps A, B, C, D st E sont décrits dans la figure 7. Les événements qui sa produisent 35 sont semblables à ceux expliqués ci-dessus à l'exception que les vecteurs magnétiques et M2 tournent dans la direction opposée, st l'on voit ainsi comment on réaliss l'inscription d'un 0 binaire. L'information conssrvée dans la cellule de mémoire 15 dans la figure 4 sst interrogée par l'snvoi d'un courant mot 1^ à partir du circuit de com-40 mande de mots 16 dans le conducteur 10. Les circuits de commande de bits 17 70 45291 8 2077283 sont déexcités durant les opérations de lecture. Le courant mot I dans le w conducteur 10 dérange les champs magnétiques de l'élément de mémoire 15, et les signaux induits dans les parties 19 et 20 de la boucle 18 sont envoyés à l'amplificateur de détection 21 qui indique l'état de mémoire de la cellule 5 de mémoire 15. Dans la figure 0 (A) un courant de lecture I est représenté par le signal 51. Si la cellule de mémoire 15 de la figure 4 conserve un 1 binaire, le signal induit dans la boucle 18 est constitué d'une partie positive 52 suivie par une partie négative 53 comme on le montre dans la figure 8 (B). Si la cellule de mémoire 15 de la figure 4 conserve un 0 binaire, 10 le signal induit dans la boucle 18 est formé d'une partie négative 54 suivi d'une partie positive 55 comme on le montre dans la figure 8 (C). Un objet ds la présente invention est de réaliser une nouvelle technique d'écriture appelée écriture par cycle d'une suite d'impulsions. L'écriture selon la présente technique concerne l'utilisation de plusieurs impulsions 15 ds courant mot I qui sont appliquées en coïncidence avec plusieurs impulsions de courant bit Ifa. Un avantage principal est la réduction de l'amplitude des impulsions de courant mot et des impulsions de courant bit nécessaire pour réaliser l'opération d'écriture. La technique d'écriture par une suite d'impulsions est décrite en se 20 référant à la figure 9. Plusieurs impulsions de courant mot 71 à 73 dans la figure 9 (A) sont appliquées au conducteur 10 de la figure 4 à l'aide du circuit de commande de mot 16. Le circuit de commande de bit 17 de la figure 4 envoie des impulsions de courant bit 81 à 86 dans la figure 9 (B) aux conducteurs 19 et 20 de la figure 4, lorsqu'un 1 binaire doit Stre écrit. 25 Le circuit de commande de bit 17 dans la figure 4 envoie des impulsions de courant bit 91 â 96 dans la figure 9 (B) aux conducteurs 19 et 20 de la figure 4 chaque fois qu'un 0 binaire doit Stre écrit. La relation entre les impulsions de courant mot 71 à 73 dans la figure 9 (A) et des impulsions courant bit 81 à 86 dans la figure 9 (B] est indentique à la relation entre les impulsions 30 de courant mot 31 et les impulsions de courant bit 32 et 33 de la figure 6. De la mfime façon, la relation entre les impulsions de courant mot 71 à 73 dans la figure 9 (A) et les impulsions de courant bit 91 à 96 dans la figure 9 (C) est indentique à la relation entre l'impulsion de courant mot 41 et les impulsions de courant bit 42 et 43 de la figure 7. La valeur des 35 signaux décrits dans les figures 6, 7 at 9 n'est pas tracée à l'échelle. Cependant, on souligne le fait que l'amplitude des signaux montrés dans la figure 9 est inférieure à celle de ceux représentés dans les figures 6 et 7. En rapport avec cela on souligne que la valeur du courant nécessaire pour faire fonctionner la cellule de mémoire de la figure 4 en utilisant les signaux 40 des figures 6 et 7 est si importante que l'on ne peut l'utiliser pour la- 70 45291 9 2077283 plupart des installations du fait des besoins en puissance qui sont très élevés. Cependant, en utilisant la technique d'écriture par une suite d'impulsions représentée dans la figure 9, on réalise facilement un dispositif pratique car les besoins en puissance ne sont pas si importants. B On se réfère ensuite aux figures 10 à 12 pour une comparaison des varia tions en amplitude de courant bit et courant mot nécessaires pour écrire un 1 binaire ou un 0 binaire dans la celllule de mémoire de la figure 4 en fonction du nombre d'impulsions N de la Buite où N est tout entier égal ou supérieur à 2. Dans cette discussion le nombre N est le nombre des impulsions 10 de courant mot Iw> comme on le montre dans la figure 9, utilisé pour réaliser une opération d'écriture. Les lignes 100 à 113 de la figure 10 représentent les courants bit nécessaires pour réaliser une opération d'écriture en utilisant une suite de 3, 4, 5, 6, 10, 100 et 1000 impulsions pour des impulsions de courant mot de 400 milliampôres. Pour un courant bit d*approximativement 15 400 milliampères une suite de 3 impulsions est adéquate. Cependant, si une suite de 4 impulsions est utilisée, un courant bit d'approximativement 325 milliampères est suffisant. Pour une suite de 10 impulsions un courant bit d*approximativement 235 milliampères est suffisant, mais le courant bit peut Stre réduit à approximativement 200 milliampères si une suite de 100 impul-20 sions est utilisée. Pour une suite de 1000 impulsions, un courant bit d'appro-ximativement 180 milliampères est efficace. On voit facilement à partir de ces courbes que l'amplitude du courant bit peut Stre réduite considérablement lorsque le nombre d'impulsions de la suite est augmenté. Les courbes de la ■figure 10 sont tracées dans le cad d'impulsion de courant mot ayant une ampli-25 tude de 400 milliampôres et une largeur d'impulsion de 500 nanosecondes. Si l'on augmente l'amplitude du courant mot, l'amplitude du courant bit peut Stre réduite lorsque le même nombre d'impulsions est utilisé. On montre cBla dans les figures 11 et 12 où les courbes correspondantes ont les mêmes numéros de référence que ceux employés dans la figure 10. On remarque, par exemple, 30 que lorsque le courant mot est de 500 milliampères, cas de la figure 11, un courant bit d*approximativement 315 milliampères est suffisant pour une opération d'écriture avec une suite de 3 impulsions, et une opération d'écriture peut être réalisée avec un courant bit de seulement 235 milliampères, plus ou moins, lorsque le courant mot est augmenté à 600 milliampères comme 35 on le montre dans la figure 12. On comparant les valeurs de courant bit pour Ibs divers nombres dèimpulsions de la suite de la figure 10 avec les valeurs de courant bit et les divers nombres d'impulsions dB la suite dans la figure 11 Bt 12. on voit facilement que l'amplitude du courant bit peut être réduite de façon importante lorsque l'on augmants le courant mot pour des nombres 40 d'impulsions donnés. Dans la figure 12 les courbes 114 et 115 montrent le 70 45291 10 2077283 courant bit nécessaire pour une suite de 2 impulsions. La valeur de courant bit pour une suite de 2 impulsions peut Itre représentée dans la figure 12 puisque la valeur du courant bit est comprise dans le domaine des valeurs des tables pour un courant mot de 600 milliampères. 5 On se réfère ensuite à la figure 13 qui représente la relation entre l'amplitude de courant bit et le nombre d'impulsions. Les courbes 121, 122 et 123 représentent les courants mot respectifs de 400 milliampères, 50D milliampères, et 600 milliampères, les impulsions de courant mot ayant une durée de 50 nanosecondes. On voit facilement sur la figure 13 que la valeur 10 du courant bit peut 6tre réduite lorsque le nombre d'impulsions de la suite augmente pour une largeur et amplitude d'impulsion donnée du courant mot. Une fois que l'information est écrite dans la cellule de mémoire de la figure 4, l'information peut ensuite §tre lue de façon non destructive à l'aide d'un courant mot I envoyé au conducteur 10 à l'aide du circuit de w 15 eommande de mot 16. Un aspect de la présente invention est la façon par laquelle les impulsions de lecture I stabilisent la cellule de mémoire dans son état w stable. En réalité les impulsions de lecture I améliorent l'état de mémoire de la cellule de mémoire, Cela s'oppose aux autres types de dispositifs de mémoire magnétiques où les signaux de lecture dérangent la cellule par rapport 20 à son état de méoirs. On se référé- à la figure 14 qui représente le potentiel de sortie E^ des cellules tracé en fonction du courant bit. Dans ce type da tracé, connu par les spécialistes de l'art comme tracé de transition un-zéro, le potentiel Ep est le potentiel induit entre les conducteurs 19 et 20 dans la figure 4 en réponse à une impulsion de courant mot ou de lecture 25 Iw° La courbe 131 de la figure 14 représente la caractéristique du signal de sortie en réponse à une première impulsion de lecture après une suite de N impulsions d'écriture entraînant une transition forcés "un" -"zéro*. La courbe 131a représente la caractéristique du signal de sertie en réponse à une première impulsion de lecture après une suite de N impulsions d'écriture 30 entraînant une transition forcée "zéro"-"un". La courbe 131 et la courbe 131a sont représentées en lignes pointillies afin de les distinguer des courbes restantes. Las courbes 132 et 132a sont tracées en lignes continues pour contraste, et montrent les transitions respectives "un"-*zérol* et "zéro"-"un" mesurées en réponse à une seconds impulsion de lecture après une suite 35 ie N impulsions d'écriture. La propriété de stabilisation à l'état stable du dispositif peut Stre facilement appréciée en comparant, par exemple, la réponse du signal E^ pour la ligne 132 avec celle de la ligne 131 en fonction du niveau de courant bit. On montre que pour un domaine important de courant bit, uns impulsion de lecture terminant une suite de N impulsions d'écriture 40 permet d'effacer les effets d'un changement d'état partiel produit par la 70 45291 11 2077283 série des N impulsions d'écriturB. Les courbBS 133 st 133a de la figure 14, tracées en lignes briséss pour le contraste, représentent les transitions "un"-',zéra" et "zéro"-"un", respectivement mesurées en réponse à une impulsion ds lecture précédée par 1000 5 impulsions de pré-lecture après une suite de N impulsions d'écriture. L'inversion d'état est représentée comme étant réalisée au même niveau de courant bit quB pour les exemples précédents, cependant, la nature plus brutale des transitions d'état montra encore graphiquemsnt le fait de stabilisation de l'état stable de la présente invention. 10 On se réfère ensuite à la figure 15 où sst représenté un tracé du champ de bit normalisé hQ en fonction du champ ds mot normalisé hy pour la cellule de mémoire de la figure 1. Les courbes 141 et 145 montrent la relation du champ de bit normalisé hg et du champ de mot normalisé hy pour des valeurs d8S champs de courant h normalisés produits par la couche barrière de la figu-15 re 1 de 0,2, 0,15, 0,1, 0,05 et 0,00 respectivement. Les courbes 141 à 145 représentent les variations du champ de mot normalisé pour un champ de bit normalisé dans une direction, et les courbes 141a à 145a représentent les variations correspondantes pour un champ de bit dans la direction opposée. Le champ de courant de Foucault normalisé hg produit par la couche barrière 20 sst défini par l'équation courant de Foucault et H . est le champ d'anisotropie du film intérieur 11 ni dans la figure 1. Les courbBS de la figure 15 sont tracées pour uns cellule de mémoire où le champ magnétique anisotropique intrinsèque du cylindre inté-25 rieur est égal au champ anisotropique intrinsèque du cylindre extérieurj le champ de démagnétisation normalisé h^ dans 1b centre du bit sst 0,25i et le produit de la magnétisation de saturation du cylindre extérieur 13 par l'épaisseur du cylindre extérieur est égal au produit de la magnétisation de saturation du cylindre intérieur 11 par l'épaisseur du cylindre intérieur. 30 Les courbes de la figure 15 sont utiles pour considérer la largeur des impulsions de courant I utiliséss pour lss opérations ds lecture. Si la durée w des impulsions de lecture devient suffisamment importante, les courants de Foucault dans le film barrière 12 des figures 2 st 3 passent à zéro. De ce fait l'impulsion mot ss termine et la courbe 145 dans la figure 15 définit 35 les relations du champ mot normalisé et du champ de bit normalisé. Lorsque l'impulsion de lBcturs Iw est réduits an largusur, lss courants de Foucault continuant à circuler dans le film barrière 12 augmentant, et lorsque les courants de Foucault augmentent, les courbes respactives 144 à 141 définissent la relation des champs bit normalisés et des champs mot normalisés. Le film où H est l'intensité du champ de 0 70 45291 12 2077283 barrière 12 dans la figure 1 constitue une coquille conductrice où spire raccourcie qui entoure complètement le film magnétique inférieur 11, et lorsque la magnétisation à l'intérieur du film magnétique intérieur 11 tourne durant une opération de lecture lorsqu'un courant-I est appliqué au conduc-5 teur 10, un courant est induit dans la couche film barrière 12 qui est dirigé circonférentiellement autour d'un contour fermé. En effet un courant de Foucault produit un champ solénoïdal qui agit pour retarder la vitesse de rotation ds la magnétisation à l'intérieur de la couche magnétique intérieure 11. On souligne que le film magnétique extérieur 13 n'est soumis à aucun champ 1o solénoïdal induit à l'exception des extrémités éloignées. De làj sa vitesse de rotation n'est pas altérée matériellement. La constante de temps induite par la barrière qui gouverne la vitesse de rotation de la magnétisation dans un cylindre magnétique varie linéairement par rapport au paramètre de structure magnétique électrique et physique et non linéairement par rapport à 15 la position angulaire de la magnétisation à l'intérieur du film magnétique intérieur. On a établi que le champ de courant de Foucault maximum est atteint lorsque la position angulaire ds la magnétisation à l'intérieur du film magnétique intérieur atteint approximativement 54°. Une constante de temps d'amortissement ds 70 nanosecondes a été mesurés pour uns cslluls de 20 mémoire comprenant une couche barrière de cuivre ayant une épaisseur de BOOO A, une conductivité de 1,73 x 10 ohms-centimètre et un film magnétique ayant une épaisseur ds 6000 A. La magnétisation ds saturation et le champ anisotropique des films magnétiques est de respectivement 10 000 gauss et 5 oersteds, et lss mesures sont effectuées afin d'obtenir une valeur unitaire 25 pour le facteur de dépendance d'angle. Un certain amortissement dans le film magnétique intérieur est produit par la couche magnétique extérieure. Cependant, cet effet est d'au moins un ordre de moins efficace que la couche barrière de cuivre d'épaisseur équivalente. Ensuite, on décrit une lecture non destructive à partir d'une cellule 30 de mémoire selon la présente invention, et dans ce but on se réfère aux figures 16 st 17. Lorsqu'un courant de lecture I sst appliqué au conductsur 10 de la figure 4, l'attitude de magnétisation prise dans chacune des couches de film 11 8t 13 est représentée dans les figures 16 à 17 pour les états respectifs 0 binaire et 1 binaire. L'angle &1 correspond à l'angle de rotation 35 forcé de la magnétisation du film inrafiaur 11, et l'angle B2 correspond a l'angle de rotation forcé de la magnétisation du film supérieur 13. La figure 16 correspond aux conditions de lecture pour l'état 0 binaire, et la figure 17 correspond aux conditions de lecture pour l'état 1 binaire. Pour une impulsion mot I ayant une durée inférieure ou égale à la constante 40 de tsmps d'amortisssmsnt, la rotation angulaire de la magnétisation dans le 70 45291 13 2Û77283 film magnétique intérieur 11 est limitée environ à 50° par rapport à son axe facile. L'angle de rotation forcé du film magnétique extérieur 13 approche rapidement 30° durant le temps de montée de l'impulsion de courant mot Iw« Le déplacement angulaire forcé de la magnétisation comme on le montre dans 5 les figures 16 et 17 n'atteint pas tout à fait 90°. Cela provient du fait que le champ de polarisation automatique produit par la magnétisation à l'intérieur du film intérieur dont l'angle de rotation et la vitesse de rotation ont été réduits par l'action de la couche de film barrière. Le champ de pola-risation provient principalement du champ d*autodémagnétisation engendré 10 par la longueur de l'élément de mémoire. La valeur de ce champ de polarisation d'axe facile auto-induit est donnée par l'équation: Hb - Hd Cz) IC0SB1 - C0SS2I où t H , CzJ est le champ d'autodémagnétisation caractéristique des deux couches d de film magnétique. On suppose dans l'équation ci-dessus que les deux films 15 magnétiques sont identiques. La direction de ce champ de polarisation qui se développe durant un courant mot I est opposée à la composants longitudinale de la magnétisation dans la couche de film intérieurs 11. On voit facilement à partir des figures 16 et 17 que la direction de magnétisation dans les fims 11 et 13 dépend de l'état de mémoire du dispositif. 20 Onsouligne que les propriétés des couches de film affectent les caractéris tiques de fonctionnement d'une cellule de mémoire selon la présente invention. La figure 16 illustre certaines propriétés de film uri^xial utiles des films magnétiques utilisés dans la construction d'uns cellule de mémoire de la présente invention. On donne dans le tableau I des propriétés du film uni-25 axial intrinsèque, et dans le tableau 2 Iof définitions des diverses propriétés. Les propriétés magnétiques définies dans le tabissu 2 sont illustrées par les symboles correspondants dans la figure 13» - ""'-f bad original 70 45291 14 2077283 TABLEAU 1 Ho Hc/Hk B_ BQ Composition X Angle ds distortion Angle ds dispersion Domains de yalsurs 0,6 HK 0,85 Bs - re 0 1 \\ i i*.1 BR E 01 Ibr ! i °'3 br RH2 E 0,85 B E ~ _ E 70% £ Ni/Fe j SI Ul Valeur préférée Ho = Hk 1,0 B > 0,95 Bs E 2 B0 = B, RE Ni/Fe =* 80% + 1% U| Sel ia| 70 45291 15 2077283 TABLEAU 2 5 10 15 20 25 Hc Champ coercitif du film Ho Champ de seuil de mouvement de parois mesuré en oersteds. HK Champ anisotropique intrinsèque Hc/HK Rapport du champ coercitif du film au champ anisotropique intrinsèque % Densité de flux rémanent de l'axe facile \ Densité de flux rémanent de l'axe difficile donnant un champ de commande d'axe difficile Hw dans l'intervalle: 0,6Hk \ Densité de flux rémanent d'axe difficile donnant un champ de commande d'axe difficile |Hw| 1,2 Hk Bo Densité de flux mesurée juste avant l'inversion de magnétisation avec un champ de magnétisation d'axe facile donné correspondant en valeur à légèrement moins que le champ de seuil de déplacement de parois Ho. Composition de dépfit Rapport en poids du nickel au fer + Constante magnétostrictive Angle de distortion g Valeur classique mesurée par la technique de Q-owther ou technique équivalente Angle de dispersion a Valeur classique mesurée par la technique de Crowther ou une technique équivalente Les deux films ferromagnétiques 11 et 13 des figures 2 et 3 ont une épaisseur relative de tBlle sorte que l'une ou les deux équations suivantes soient satisfaites. (1) M- 6 = 6 S1 f1 2 2 H 30 (2) D OU M = Magnétisation de saturation de la première couche de film 1 Mg = Magnétisation de saturation de la seconde couche de film 2 P1 fi = Epaisseur dB la première couche de film 70 45291 16 2077283 Facteur de démagnétisation qui définit le champ magnéto-statique dans la région centrale du Bit Film Epaisseur da la seconde couche de film H = Caractéristique du champ de seuil de déplacement de paroi du film magnétique. o 5 Le film barrière 12 est formé d'un matériau conducteur qui est le cuivre, du nickel, ds l'étain, etc... et son épaisseur doit dépasser 200 A ou la valeur qui est suffisante pour éliminer virtuellement le couplage d'échange des champs entre le film magnétique les produisant. 10 Les champs de démagnétisation jouent un rôle dominant dans le fonction nement des zones de films minces qui doivent être utilisés comme cellules de mémoire d'information puisque l'on ne peut obtenir la fonction de mémoire qus par commande correcte et l'utilisation de ces champs magnétostatiques. Dans un but d'illustration, on considère une couche unique de film magnétique de longueur finie avec une anisotropie uni-axiale déposée sur la surface d'un substrat cylindrique de la façon représentée dans la figure 19. Le film magnétique à couche unique 161 est déposé sur un conducteur 162. La magnétisation de saturation Ms dans ce film est représentée le long de l'axe magnétique facile qui est parallèle à l'axe cylindrique. On montre un champ de démagnétisation HD avec sa direction dans les deux régions, intérieure et extérieure à la couche film magnétique. Ce champ de démagnétisation se produit du fait d'une discontinuité dans la magnétisation qui se produit aux extrémités de la couche film magnétique 161. L*intensité de ce champ de démagnétisation varie de façon importante en fonction de la position spéciale, étant 25 beaucoup plus intense pour toutes les positions proches des bords du film. Une zone du filtfi telle que celle représentée dans la figure 19 est presque complètement inutile comme cellule de mémoire binaire si l'intensité du champ de démagnétisation, mesurée intérieurement au film à une position équidistente des extrémités, est égale au champ coercitif du matériau^magnétique formant 30 le film. On discute de cela ensuite en se référant à la figure 20. En se référant à la figure 20, l'intensité du champ de démagnétisation au centre d'un film cylindrique est tracée en fonction de la longueur d'un cylindre magnétique (longueur ds bit) et l'épaisseur du film magnétique. La saturation magnétique du film magnétique est supposée être de 10 000 35 gauss en traçant la figure 20. Les courbes 171 à 174 dans la figure 20 montrent la relation de la longueur de bit en fonction du champ de démagnétisation pour les épaisseurs de films respectives de 4000 A, 6000 A, 8000 A, et 12000 A. Les films magnétiques à couche unique avec une orientation axiale de magnétisation ne peuvent pas avoir des épaisseurs dépassant beaucoup 1000 A pour 40 des longueurs de bits pratiques. L'amplitude du signal de réponse obtenue 70 45291 17 2077283 à partir de la lecture d'un tel film est au plus de quelques millivolts. Même si l*on pouvait obtenir des propriétés de film idéales, la structure du film magnétique à couche unique de la figure 19 ne permet pas d'obtenir une lecture non destructive stable. Par conséquent, la cellule de mémoire de la 5 figure 1 se distingue par l'utilisation d'un film barrière non magnétiqus 12 pris en sandwitch entre deux couches film magnétique 11 et 13 comme on le montre dans la figure 2» L'axe magnétique facile de deux couches de film dans la figure 2 est orienté de façon à 8trs parallèle à l'axe longitudinal du conducteur 10. On obtient une situation magnétoststique uniaue lorsque 10 la magnétisation dans la film extérieur 13 et le film intérieur 11 prennent des directions anti-parallèle l'une par rapport à l'autre. Cette situation anti-parallèle est représentée par Ibs flèches dans les figures 2 et 3. En conséquence de cet arrangement anti-parallèle au repos des magnétisations, les champs de démagnétisation engendrés par chaque coucha de film sont orientés 15 de façon à ce que leurs effets s'annulent. Cette situation est vraie indépendamment de l'épaisseur du film à condition que la condition soit respectée. Les vertus pratiques de l'annulement mutuel des champs d'au-20 todémagnétisation peuvent Stre réalisées si l'épaisseur du film barrière -3 12 est inférieure à approximativement 5 x 10 x 0,025 L où L est la longueur de bit en millimètres. La couche de film barrière non magnétique 12 des figures 2 et 3 remplit 4 fonctions fondamentales qui doivent être soulignées. Premièrement, elle 25 élimine les couplages d'échange magnétostatique entre le film extérieur 13 et le film intérieur 11. Deuxièmement, elle permet de positionner deux films magnétiques concentriques de façon suffisamment proche l'un de l'autre de telle sorte que l'annulement mutuel des champs de démagnétisation puisse Stre obtenu pour plus de 90% de la longueur da bit totale. Troisièmement, 30 elle sert à supporter physiquement la seconde couche de film magnétique, et quatrièmement, elle permet de développer un champ solénoïdal dynamique qui agit durant l'excitation du conducteur 10 pour ne retarder la vitesse aa rotation angulaire de magnétisation que dans la couche de film magnétique inférieure 11. On souligne le fait que cette fonction nécessita que la couche 35 barrière 12 soit formée d'un matériau conducteur. En se référant da nouveau à la figure 19, on suppose qu'aucun champ da démagnétisation n'exista à l'état de repos de la magnétisation et qu'il n'y en a pas d'engendré durant l'excitation. Si on fait circuler un courant mot la long du conducteur 162 dans la figura 1S, on produit un champ de magné-40 tioation H dirigé dans la direction circonférentielle. Cg champ mot entraîne bad original 70 45291 18 2077283 la rotation ds la magnétisation dans lss films magnétiques l'écartant de l*axe magnétique facile axial. Théoriquement, on peut montrer qu'une magnétisation non dispersée tournera de façon à devenir parallèle à l'axe magnétiqus difficile dans la direction circonférentialle si un champ mot H dont l'intenvi sité sst égale au champ anisotropique intrinsèque est utilisée, ce qui est une propriété des films magnétiques. Des variations locales du champ anisotropique intrinsèque dans le film at des variations dans la distorsion et la dispersion de magnétisation, qui existant toujours dans les films réels, sont utilisées pour éviter que des dispositifs à film unique idéalisé da la figure 2 agissent comme élément de mémoire stable pour des mémoires permanentes non destructibles. L'instabilité de fonctionnement se retrouve toujours lorsque l'intensité du champ de magnétisation de mot approche le champ anisotropique intrinsèque moyen. En sa référant de nouveau à la figure 4, l'amplitude des signaux induits dans la boucle 1S en réponse aux courants mot I est proportionnelle à la vitesse de changement de la magnétisation nette subie par la boucle de détection 18. Puisque la magnétisation des films sont anti«parallèles l'une par rapport à l'autre, à l'État ds rapos du dispositif de mémoire, la magnétisation nette entourée dans la boucle de détection est numériquement zéro à condition que les films magnétiques 11 et 13 soient identiques. Si les vitesses de rotation forcées de magnétisation dans les films 11 et 13 durant l'excitation par le courant I 3ont identiquesc aucun signal ne sera mesuré par l'amplifi-W cateur de détection 21. Afin d'obtenir un signal de réponse et simultanément obtenir le champ de polarisation d'axe facile automatique pour le film magnétique supérieur durant l'excitation avec un courant Iw, seule la vitesse de rotation de magnétisation dans le film intérieur 11 doit Stre retardée# ce qui est la fonction magnétrdynamique principale de la couche de film barrière conductrice 12. La couche de film barrière conductrice 12 forme une coquille conductrice où spire raccourcie qui entoure complètement la couche de film magnétique intérieure. Lorsque la magnétisation dans la couche du ■v film intérieure 11 tourne durant l'excitation par un courant mot I, un courant est induit dans la couche de film barrière 12 dont la direction est circonfé-rentielle le long d'un contour fermé. Cs courant induit produit un champ solénoïdal dont l'action finale est de retarder la vitesse de rotation de la magnétisation dans la couche ti§ - I: • magnétique sous jacente 11. Puisque la souche de film supérieur 13 ncest soumise à aucun effet solénoïdal induit, sayf aux extrémités éloignées du film, sa vitesss de rotation n'est pas altérés» Ds là, la différence des vitesses de rotation des films magnétiques 11 st 13 donna naissance à un taux ds changement de magnétisation qui induit un signal dans la boucle 16, et ce signal sst alors détecté par l'amplificateur bàd original 70 45291 19 2077283 de détection 21. Les signaux induits dans l'amplificateur de détection 21 en réponse au courant mot I donnent des indications de l'état de mémoire w binaire comme on l'a expliqué ci-dessus en référence à la figure 8. La figure 21 représente la cellule de mémoire de la figure 4 incorporée 5 dans une matrice à deux dimensions. Des conducteurs de mot 181 à 184 sont disposés selon une coordonnée de la matrice. Les lignes de bit sont disposées selon la seconde coordonnée de la matrice. La ligne de bits ou boucle pour le bit 1 de chaque mot est appelée 185. La ligne de bit ou boucle 185 est composée d'un conducteur supérieur 185a et d'un conducteur inférieur 185b. 10 Les lignes de bit pour les lignes restantes de chaque mot sont supprimées dans un but de simplification. Les circuits de commande de mot pour envoyer des impulsions de courant mot I aux lignes de mot 181 à 184 durant les opérations de lecture et d'écriture sont de môme supprimés dans un but de simplification et les circuits de commande de bit des amplificateurs de détection 15 des lignes de bit sont omis toujours dans un but de simplification. Chaque fois que l'on doit réaliser une opération de lecture dans le système de mémoire de la figure 21, on envoie un courant I à une ligne de mot choisie parmi les lignes 181 à 184. Le courant I amène la lecture des 5 bits de la ligne de mots choisie, et des signaux sont induits dans les lignes de bit indicatif 20 du contenu de l'information du mot choisi. Chaque fois qu'une opération d'écriture doit avoir lieu dans le système de mémoire de la figure 21, N impulsions de courant I sont appliquées à la ligne de mot choisie parmi les lignes w 181 à 184, et simultanément des paires d'impulsions de courant bit I représentant un 1 binaire ou un 0 binaire, commB on le montre dans la figure 9, 25 sont appliquées aux lignes de bits associées. Lorsqus la Nième impulsion de la suite se termine, un nouveau mot est mis Bn mémoire dans la ligne dB mot choisie. Ensuite, on applique une impulsion I supplémsntaire à la ligne de mot choisie pour stabiliser les bits du mot choisi dans leurs états de mémoire de la façon expliqués ci-dessus en référence à la figure 14. 30 La figure 22 représente un ensemble avec les lignes de mot 201 à 208 disposées comme on le montre avsc plusieurs mots disposés sur chaque ligne da mot. La construction st le fonctionnement de l'ensemble ds la figure 22 est semblable à celui ds la figurs 21. Cspsndant, 1*ensemble de la figure 22 permet des opérations de lecture st écriture simultanées. Par exemple, 35 une série d'impulsions mot I psut 6trs appliqués à la ligns 201 simultanément avec l'application d'impulsions de courant bit aux lignes de bits associées avec ls mot 1, ce qui permet ds réaliser une opération d'écriture dans ls mot 1 de la ligns ds mot 201. Lss impulsions de courant I appliquées à la ligne 201 peuvent 6tre utilisées pour la lecture des mots 2 à N de la ligne 40 ds mot 201. Ainsi, on voit quB lorsqu'uns opération d'écriture ss produit 70 45291 20 2077283 dans le mot 1 ds la ligne choisie 201 dans la figure 22, des opérations de lecture peuvent se produire simultanément à partir des mots 2 à N de la ligne de mot 201. La disposition du système des figures 21 et 22 est exemplaire de la façon dans laquelle on peut utiliser les techniques d'écriture par cyle d'une suite d'impulsions de la présente invention dans un dispositif de système de mémoire. On voit facilement que les techniques de la présente invention conduisent facilement d'elles-mSmes à d'autres types de système de mémoire à deux et trois dimensions Chacun des systèmes de mémoire utilise un nouveau procédé de fonctionnement qui comprend les étapes de : (1) lectùrs de l'information en appliquant une impulsion de courant mot 1^ à une ligne ds mot choisie, (2) écriture en appliquant N impulsions de courant mot I à une ligne de mots choisie st en appliquant durant chaque impulsion de courant mot Iw une pairs d'impulsions ds courant bidirectionnelles repré-sentant l'information binaire à chacune des lignes de bits ce qui permet ds mettre en mémoirs l'information binaire sur la ligne de mot choisie, et (3) une opération ds prélecture par l'application d'au moins une impul-sion ds courant I à la ligne de mot choisie après la fin de l'opération d'écriture afin de stabiliser chaque csllule de mémoire dans son état binaire propre pour des raisons Expliquées ci-dessus en référence à la figure 14. Après l'impulsion de pré-lecture où les impulsions de pré-lecture, l'information ds la ligne ds mot choisie est lue de façon non destructible par les amplificateurs de détection ân réponse à une impulsion de courant mot I appliquée à la ligne de mot choisie. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur le dessin, les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apporter toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. 70 45291 21 2077283 REVENDICATIONS 1.- Mémoire utilisant comme élément de mémoire une paire de films magnétiques coaxiaux séparés par un film barrière, ces trois films étant enroulés autour d'un même conducteur, caractérisée en ce qu'elle comprend, des moyens 5 d'écriture couplés aux éléments de mémoire pour l'écriture d'informations binaires comprenant des premiers moyens pour appliquer une suite de N impulsions de courant mot I aux éléments de mémoire et des seconds moyens pour appliquer une paire d'impulsions de courant bit bidirectionnelles I^synchro-nisées aux éléments de mémoire pour chacune des impulsions de courant mot 10 Iw» l'amplitude des impulsions de courant I et 1^ pc^r modifier l'état du dispositif de mémoire étant inversement proportionnelle au nombre N d'impulsions de ladite suite. 2.- Mémoire utilisant comme élément de mémoire una paira de films magnétiquas cylindriques coaxiaux séparés par un film barrière cylindrique coaxial, cas 15 trois films étant enroulés autour d'un premier ccnduotesjr,, caractérisée an ce qu'elle comprend : des moyens d'écriture couplés audit élément de mémoire, comprenant, un premier circuit de commande connecté au premier conducteur pour l'envoi de N impulsions de courant I au premier conducteur durant unB opération 20 d'écriture, un second conducteur disposé autour du dispositif de mémoire, et un second dispositif de commande connecté au second conducteur pour envoyer une paire d'impulsions de courant bidirectionnelles au second conducteur pour chaque impulsion de courant I envoyée au prarniar conducteur, l'ampli tu*» de des impulsions de courant I et 1^ pour modifier i'etat du dispositif 25 de mémoire étant inversement proprotionnalla au nombre N. 3.- Mémoire caractérisée en ce qu'elle comprend; plusieurs lignes de mot disposées salon une première coordonnée d'ure matrice, plusieurs lignes de bit disposées selon t:ne seconds coordonnée d'une ma» 30 trice, un élément de mémoire disposé à chaque intersection de coordonnée des lignes de mots et des lignes de bits, chaque élément da mèmoira comprenant uns paira ae films magnétiques anisotropique coaxiaux seperas par un film □arrière coaxial, l'élément ds mémoire étar.û disposé autour de la ligne Je 35 mot à chaque intersection de coordonnées, un circuit de commande de Dit connecté à ehaqus ligna de "2it pour aivoyar une paire d'impulsions de courant bit bidirectionnelles I durant les cpéra- bad original 70 45291 22 2077283 tions d'écriture, un amplificateur de détection connecté à chaque ligne de bit dans le but ds détecter l'état da la mémoire du bit choisi, durant l'opération de lecture, et 5 un circuit de commande de courant mot connecté à chaque ligne de mot pour envoyer une impulsion de courant mot unique ï à une ligne de mot choisie w pour une opération ds lecture et una suite ds N impulsions de courant mot I à une ligne de mot choisie durant une opération d'écriture et simultanément avec chaque impulsion de courant mot I une paire d'impulsions de courant 10 bit synchronisées 1^ est envoyée à chaque ligne de bit durant une opération d8écritura pour représenter lsinformation binaire, 1'amplitude des impulsions courant mot Iy et l'amplitude des impulsions courant bit étant inversement proprotionnelles au nombre N des impulsions des courants mot. Mémoire selon la revendication 2 caractérisée en ce que plusieurs mots 15 sont disposés sur chaque ligne de mot. 5.-- Mémoire selon la revendication 3 caractérisée en ce que le circuit ds commande de courant mot choisi sst actionné pour envoyer une impulsion de courant mot I à la ligne de mot choisie pour une opération d'écriture, pour réaliser une opération de pré-lecture an stabilisant les éléments de mémoire 20 Éarss leur état de mémoire binaire approprié, tous lss amplificateurs de détection étant déconditionnés durant i*opération ds pré-lscture. 60=-' Mémoire caractérisée en es qu'elle comprend s un élément de mémoire, ledit aliment de mémoire comprenant un premier conducteur qui ast utilisé comme substrat, un premier film magnétique disposé 25 'sur le premier conducteur, un film barrière déposé sur le premier film magnétique, un second film magnétique disposé sur le film barrière, un second conducteur disposé autour et isolé électriquement du second film magnétique, des circuits de commande ds mot connectés au premier conducteur pour 30 l'application d'une suite de N impulsions de courant mot I durant une opération d'écriture, et un circuit de commande de bit cor-iacté au second conducteur pour l'application d'une paire d'impulsions de courant bit synchronisées 1^ au sscond conducteur pour chacune des N impulsions ds courant mot 1^ appliquées au 35 premier conducteur, l'amplitude des impulsions de courant mot I et 1*amplitude des impulsions ds courant bit 1^ étant inversement proportionnelles au nombrs N» BAD Originalt 70 45291 23 2077283 7.- Mémoire selon la revendication B caractérisée en ce qu'elle comprend en outres des moyens de détection connectés au second conducteur pour l'indication de l'état de l'élément de mémoire en réponse à une impulsion de courant uni-5 que I durant une opération de ecuturs, et des moyens pour commander le circuit de commande mot après la fin d'une opération d'écriture pour réaliser une opération de pré-lecture par application d'une ou plusieurs impulsions de courant I au premier conducteur afin de stabiliser l'élément ds mémoire dans son état de mémoire. 10 B.*» Procédé de lscture et d'srrmagasinage d'une information binaire dans un élément de mémoire caractérisé en ce qu'il comprend les étapss suivantes: application d'une impulsion de courant mot I à la ligne de mot choisie pour lecture de l'information conservée dans des lignes de mot st application de N impulsions de courant mot Iw à une ligne de mot choisie 15 et l'application durant chaque impulsion ds courant de mot d'une pairs d'impulsions de courant bit bidirectionnelles synchronisées I représsntant l'information binaire à chacuns dss lignes ds bits afin d'emmagasiner l'information binaire dans la ligne de mots choisie. 9.- Procédé selon la revsndication 8 caractérisé sn es qu'il comprsnd en 20 outre l'application d'au moins une impulsion de courant de pré-lecture I à la ligne de mot choisie afin de stabiliser chaque cellule de mémoire dans son état de mémoire binaire avant de réaliser des opérations de lecture ultérieures dans la ligns de mot choisie dans laquelle la nouvelle information est mise en mémoire. 25 10.- Procédé d'écriture dans un élément de mémoire qui comprsnd uns paire de films magnétiques coaxiaux séparés par un film barrière coaxial, procédé caractérisé sn es qu'il comprend les étapes suivantes: application d'une suite de N impulsions de courant mot I à l'élément de mémoire, 30 application simultanée d'une paire d'impulsions de courant bidirsetion- nelles synchronisées à l'élément ds mémoirs pour chacune des impulsions ds courant mot I , ï'amplitude des impulsions de courant I et I pour le W WD changement de l'état de l'élément de mémoire étant inversement proprotionnelle au nombre d'impulsions N.