FR 2077224 A1 19711022 FR 7045288 A 19701208 7Q 45288 i 2077224 L'invention est relative au domaine général des circuits intégrés et plus particulièrement au domaine des transistors latéraux intégrés. L'invention concerne plus particulièrement encore un transistor latéral intégré qui est aisément fabriqué de forme symétrique. Une réalisation NPN est 5 construite sur un substrat P-, qui constitue des jonctions PN avec une région N+, adjacente et interne, et une région N épitaxique, à l'intérieur de laquelle est située la région N+. Venue fie fabrication avec le substrat, une région d'isolement P+ s'étend jusqu'à la face supérieure du semiconducteur, afin d'isoler la couche épitaxique N, des dispositifs adjacents. Une région de base est tiif-1q fusée dans la région épitaxique afin de constituer une jonction PN avec la région N+enterrée. Des régions N+, d'émetteur et de collecteur sont diffusées dans la région de base de type P jusqu'au point où les jonctions qu'elles constituent avec la base sont situées à une distance bien inférieure à une longueur de diffusion de la jonction PN de la région enterrée avec la base. L'émetteur 15 et le collecteur sont, de leur côté, à deux longueurs de diffusion de porteurs minoritaires l'un de l'autre. Une réalisation PNP similaire est également révélée dans la description. L'art antérieur montre qu'on peut diffuser l'émetteur et le collecteur d'un transistor latéral dans une première face de la base, et également confé-20 rer à une seconde face de la base, celle des faces qui est opposée à la première face, une conductivité plus élevée que la conductivité du restant de la base, afin de réduire la résistance de cette base. Dans des dispositifs ainsi constitués, le courant d'émetteur passe directement de l'émetteur au collecteur en traversant une portion de la base dont la conductivité est faible, alors que 25 le courant de base circule à partir du contact de base, à travers la portion de haute conductivité de la base, pour atteindre la région active de la base. Celle des portions du courant d'émetteur qui n'est pas injectée dans la direction du collecteur doit se recombiner dans la base. Il résulte de ce fait une caractéristique indésirable impliquant qu'un accroissement du courant de base 30 se traduit par une diminution du béta du transistor. L'art antérieur offre également des dispositifs dotés d'émetteurs et de collecteurs multiples, dans lesquels une quatrième région, contigûe de la seconde face de la base est du type de conductivité opposé à celui de la base. Cet agencement établit un dessin de circulation de courant depuis les émetteurs 35 jusqu'à la quatrième région, et de la quatrième région aux collecteurs. Ces dispositifs de l'art antérieur sont menacés de présenter un béta faible, du fait du courant d'émetteur qui injecté latéralement, se recombine dans la région de base. Afin d'éviter l'effet cumulatif de cette dégradation du béta par ce courant injecté latéralement, les dispositifs de l'art antérieur sont 40 amputés par gravure, du matériau contigii aux côtés des émetteurs. 70 45288 2 2077224 Dans les transistors latéraux symétriques de l'art antérieur, les régions d'émetteur et de collecteur sont des rectangles parallèles. Cette structure présente l'inconvénient de fournir un faible béta, du fait qu'un faible pourcentage du courant injecté, de l'émetteur, atteint le collecteur. Ceci est le résul-5 tat d'une injection en provenance des faces latérales de l'émetteur, qui ne sont pas adjacentes du collecteur, et en provenance de la face inférieure de l'émetteur. Cet agencement de l'art antérieur se traduit par une réduction de la largeur de la bande utile du transistor, inhérents du fait que la diminution du béta réduit la fréquence pour laquelle le béta devient égal a l'unité. Dans 10 les transistors latéraux asymétriques de l'art antérieur, le problème du béta réduit est partiellement éliminé en faisant entourer l'émetteur par le collecteur dans un plan'parallèle à la face supérieure du dispositif. De cette façon, le collecteur est en position pour capter le courant injecté par ces faces latérales de l'émetteur. Il n'en reste pas moins que même dans cette configurais tion, le courant injecté par la face inférieure doit se recombiner dans la base, ce qui partant a pour conséquence de réduire le béta. L'objet essentiel de l'invention est, en conséquence, d'accroître le béta . et la largeur de bande d'un transistor latéral intégré. Un autre objet de l'invention est de fournir un béta et une largeur de 20 bande améliorés dans un transistor latéral intégré aisé à fabriquer, à l'aide des étapes de fabrication de l'art actuel. Afin de réaliser les objets de la présente invention, une région enterrée, dotée du mime type de conductivité que l'émetteur et que le collecteur est réalisée. La région enterrée est lourdement dopée afin d'être dotée d'une con-25 ductivité élevée. La région de base est diffusée dans le matériau semiconducteur et constitue une jonction PN avec la région enterrée. Les régions d'émetteur et de collecteur sont, de préférence, diffusées simultanément dans la base. La profondeur de ces diffusions est sévèrement contrôlée, afin d'obtenir la séparation désirée de moins d'une longueur de diffusion de porteurs monoritai-30 res entre la région enterrée et les régions d'émetteur et de collecteur. De leur côté l'émetteur et le collecteur sont éloignés l'un de l'autre de plusieurs longueurs de diffusion de porteurs minoritaires. Dans ce dispositif, le courant circule de l'émetteur è la couche enterrée et de la couche enterrée au collecteur» aussi bien que de façon directe de l'émetteur au collecteur. Le béta du 35 transistor est déterminé.par la séparation entre les "régions d'émetteur, de collecteur et la région enterrée. Dans les dessins illustrant l'invention: La figure 1 est une vue plane d'une réalisation NPN de la présente inven- tion. 4Q La figure .2 est une coupe, pratiquée suivant la ligne 2-2 de la figure BAD OHtGINAU 70 45288 3 2077224 1, et montrant les positions respectives des régions enterrées, d'émetteur et de collecteur. La figure 3 est une section transversale d'une réalisation PNP, semblable à la réalisation NPN de la figure 2, et présentant des relations similaires. 5 Les figures 4a, 4b et 4c représentent les potentiels électrostatiques du dispositif de la figure 2, dans des conditions de polarisation diverses. Afin d'éclairer la description de l'invention, un transistor symétrique est un transistor dans lequel les caractéristiques directsa sont identiques aux caractéristiques inverses. En d'autres termes, le bêta direct et le bêta inverse 10 sont les mêmes. Les transistors symétriques sont largement utilisés dans les circuits de commutation et dans les circuits similaires. de Pour éclairer également la description/l'invention, un transistor intégré est un transistor fabriqué dans le même bloc que d'autres dispositifs et qui est utilisé tout en faisant partie d'un bloc, contenant d'autres dispositifs 15 auxquels il est connecté. □ans le cours de toute cette description il sera fait allusion à la surface de la structure, à partir de laquelle sont constituées les diffusions sous le nom de "face supérieure'* ou "face du haut" et aux parois des cOtés, sous le nom de "faces latérales". 2Q Afin de fabriquer un transistor conforme à la représentation de la figure 2, un substrat du type P 201 est préparé pour une diffusion. Le substrat est alors masqué de la façon habituelle, cependant que le masque comporte une ouverture, dans laquelle la région entérrée N+ 203 doit être située. Une impureté du type N est diffusée dans le substrat de type P, à travers l'ouverture réali- 25 sée dans le masque. Après l'étape de diffusion et l'enlèvement du masque, la couche épitaxique de type N 205 destinée à former une région d'isolement interne est obtenue par croissance sur toute la surface du substrat P 201 et de la région enterrée 203. Pendant la croissance de cette couche épitaxique le dopage de la région 203 rétrodiffuse dans la zone adjacente épitaxique de type N de 30 même que dans les zones plus profondes du substrat de type F 201. Après la croissance épitaxique, la structure est masquée, tout en réservant une ouverture pour la diffusion de la région d'isolement externe 211. La région 211 est lourdement dopée d'impureté du type P en diffusant une concentration élevée de cette impureté par l'ouverture pratiquée dans le Masque. La structure est 35 alors remasquée en réservant une ouverture peur la diffusion de la base. Une impureté de type F est diffusée oans la région épitaxique de type N par l'ouverture de la base et cet impureté est diffusée jusqu'à la surface de la région N+ enterrée, 203. La diffusion de base de type P doit atteindre la surface de la région 203. Si la région de base ne diffuse pas jusqu'à la région entérrée, 40 le rendement de la structure sera quelque peu affecté. La structure est de bad original 70 45288 4 2077224 nouveau remasquée, le masque comportant des ouvertures pour les régions d'émetteur et de collecteur. Une impureté de type N est diffusée à travers ces ouvertures afin de constituer les régions lourdement dopées de type N d'émetteur et de collecteur. Ces régions doivent être diffusées dans la limite d'une longueur 5 de diffusion des porteurs minoritaires, de préférence à beaucoup moins de distance qu'une longueur de diffusion, de la région enterrée 203, et à plusieurs longueurs de diffusion l'une de l'autre, de préférence dans les limites de deux longueurs de diffusion. La séparation entre ces diffusions et la couche enterrée est critique, du fait que c'est elle qui est largement déterminante 10 du béta du transistor. La structure est une fois de plus remasquée avec des ouvertures pour les électrodes de base d'émetteur et de collecteur. Les contacts sont alors appliqués. CHacune des étapes individuelles énumérées ci-dessus ^est bien connue dans l'art et peut être exécutée avec des moyens familiers au spécialiste. Il est préférable que les régions d'émetteur et de collecteur soient 15 diffusées simultanément. La simultanéité de ces diffusions garantit à ces deux zones une égalité de concentration d'impureté et de profondeur de diffusion. Le processus ci-après a été utilisé pour la construction d'un dispositif réussi. Un substrat P - dopé au bore a été préparé pour la diffusion. La couche enterrée fut diffusée à une température de 1108°C pendant 150 minutes, en uti-20 lisant l'arsenic comme dopant. La surface de la structure fut alors oxydée à une température de 1200°C. De l'oxygène sec fut utilisé pendant 60 minutes, puis de la vapeur, pendant 20 minutes, suivie d'oxygène sec pendant 5 minutes. Ce traitement produisit une couche d'oxyde de 5500 A . Ensuite, une couche épitaxique, dopée à l'arsenic, fut obtenue par croissance sur une épaisseur de 25 4,25 microns. Cette région possédait une résistivité de 1,30 ohms.Puis une couche d'oxyde fut obtenue par croissance sur cette surface à 970°C, en utilisant de l'oxygène sec pendant 15 minutes suivi de 90 minutes de vapeur et, enfin de 5 minutes d'oxygène sec ce qui produisit une couche d'oxyde épaisse de 4500 K. La diffusion d'isolement fut effectuée ensuite à une température de 30 1200°C pendant une période de 90 minutes, en utilisant du bore comme dopant. La surface fut alors décapée et réoxydée à 1150°C, avec 5 minutes d'oxygène sec, suivi de 15 minutes de vapeur, suivie de 5 minutes d'oxygène sec, fournis» sant une couche d'oxyde d'une épaisseur de 3300 A. La base fut dopée à l'aide de bore déposé sur la surface à une température de 1000°C, pendant 35 minutes, 35 à l'aide d'une source d'évaporation. La structure fut alors maintenue à 1100 C afin d'assurer la réoxydation et l'étalement en utilisant l'oxygène sec pendant 5 minutes, suivi de la vapeur pendant 10 minutes puis l'oxygène sec pendant trois, minutes, ce qui assure l'obtention d'une couche d'oxyde de 2300 R d'épais seur. L'émetteur et le collecteur furent alors déposés à 97û°C à l'aide de phos 40 phore utilisé comme dopant à l'aide d'un pré-rinçage de 5 minutes au gaz inerte BAD ORIGINAL 70 45288 5 2077224 suivi de trente minutes d'application d'un gaz à teneur de phosphore, suivi encore d'un rinçage de 5 minutes au gaz inerte. Ce après quoi l'émetteur et le collecteur furent étalés à une température de 300°C cependant qu'ils étaient exposés à l'oxygène sec pendant 5 minutes; à la vapeur pendant 45 minutes et 5 enfin à l'oxygène sec pendant 25 minutes. De la sorte fut produit un dispositif doté d'un béta de 5 et d'une largeur de bande excédant 100 mégacycles. L'émetteur et le collecteur étaient approximativement à 0,05 longueurs de diffusion de la couche enterrée et approximativement à 1,5 longueurs de diffusion l'un de l'autre. 10 Une réalisation NPN préférée de cette invention est représentée dans les figures 1 et 2. Dan* la figure 2 le substrat 201 est un matériau de type P légèrement dopé. La couche enterrée 203 en matériau fortement dopé de type N est contigue à une partie de la face supérieure du support. Une région épitaxique de type N, 205, qui constitue une région d'isolement intérieure est contigue 15 d'une autre partie de la face supérieure du substrat 201, d'une partie de la région enterrée 203 et s'étend jusqu'à la face supérieure du semiconducteur. Une région de base 207 de type P est contigûe d'une partie de la face supérieure de la région enterrée 203. La jonction PN 209 est constituée par la jonction de la région enterrée 203 et de la région de base 207. La région de base 207 est con-20 tigûe de l'une des faces latérales de la région d'isolement interne 205. La jonction PN constituée par la jonction de la région 205 avec la région de base 207 est continue avec la jonction 209. L'autre face latérale de la région d'isolement interne 205 est contigtie de et forme une jonction PN avec la région d'isolement externe de type P 211. La région d'isolement externe 211 est contigue 25 du substrat 201 et s'étend jusqu'à la surface supérieure de la structure. La région 211 et le substrat 201 constituent une poche d'isolement autour du transistor. Les régions symétriques d'émetteur et de collecteur 213 et 215 respectivement sont diffusées dans la région de base 207. La jonction base-émetteur est constituée par 217 et la jonction base-collecteur par 219. La surface qui, 30 dans les deux cas, des régions d'émetteur et de collecteur est dotée de la plus grande superficie est parallèle à la face supérieure de la structure et à la face supérieure de la région enterrée 203. Les régions d'émetteur et de collecteur sont séparées de la région enterrée 203 par moins d'une longueur de diffusion de porteurs minoritaires. Un contact de base 221 est appliqué à la 35 région de base 207. Le contact d'émetteur 223 est appliqué à la région d'émettpur 213 et le contact de collecteur 225 est appliqué à la région de collecteur 215. Le fonctionnement du dispositif de l'invention sera maintenant décrit. Lorsque le dispositif fonctionne dans le mode actif et dans la configuration normale, des porteurs minoritaires sont injectés par l'émetteur dans la région de 40 base. Du fait que la plus grande portion de la jonction base-émetteur est ho- BAD ORIGINAL 70 45288 6 2077224 rizontale, un grand nombre de porteurs minoritaires injectés traversent la base verticalement. Comme la séparation entre l'émetteur et la couche enterrée est des plus petites, puisqu'elle est bien inférieure à une longueur de diffusion de porteurs minoritaires, la plupart des porteurs qui traversent la base 5 verticalement sont ramassés par le champ de là couche d'appauvrissement de la jonction 209. Le captage de ces porteurs minoritaires par la région enterrée 203 polarise directement la jonction 209. Ou fait de la polarisation directe de la jonction 209 la région enterrée 203 ré-injecte les porteurs captés dans la région de base 207. Les porteurs ré-injectés sont captés à la fois par les deux 10 jonctions d'émetteur 217 et da collecteur 213, du fait que l'une comme l'autre la région d'émetteur et. la région de colle'cteur, constituent des puits pour les porteurs minoritaires de la région de base. La plus grande partie du courant injecté en direction du collecteur par les faces latérales de l'émetteur est récupérée par le collecteur. En conséquence, dans une version non-symétrique 15 où le collecteur entoure la base dans un plan parallèle' à la face supérieure du dispositif, tout le courant injecté par l'émetteur voyage vers une région où il sera utilement récupéré. Le béta du transistor est déterminé par le rendement de la récupération fait parla région enterrée, des porteurs monoritaires injectés par l'émetteur, par l'efficacité de ramassage du collecteur en ce qui 20 concerne les porteurs re-injectés par la région enterrée et par l'efficacité du collecteur dans sa récupération des porteurs, injectés par l'émetteur qui se déplacent horizontalement. Ces efficacités de captage dépendent de la sépara-*-tion entre:la région enterrée, l'émetteur et le collecteur. En conséquence, les profondeurs des diffusions d'emetteur et de collecteur et leurs séparations 25 entre elles, et avec la région enterrée, constituent des éléments critiques, dans la détermination du béta du transistor. Les rendements des captages et partant.le béta du transistor dépendent également des dimensions et du profil de l'émetteur 213, du collecteur 215 de la région enterrée 203 et de leurs niveaux de dopage. Faire varier la séparation entre la région enterrée 203, l'é-30 metteur 213 et le collecteur 215, fera varier le béta du transistor de même que faire varier la séparation entré l'émetteur et lè collecteur. Dans le dispositif de l'art antérieur qui est doté d'une couche enterrée du même type de conductivité que l'émetteur et le collecteur, l'émetteur et le collecteur sont largement séparés l'un de l'autre. Dans la présente invention 35 l'émetteur et le collecteur sont fabriqués très proches l'un de l'autre, afin d'accroître la largeur de bande et le béta du transistor. Cette extrême proximité se traduit par une première composante de béta qui est égale au béta des transistors latéraux de l'art antérieur. Le tracé de circulation d'un courant émetteur-région enterrée-collecteur convertit en courant utile de collecteur, 40 une. partie du courant qui dans les dispositifs latéraux de l'art antérieur se BAD ORIGINAL 70 45288 7 2077224 recombinait dans la région de base. Cette conversion provoque un accroissement du béta du dispositif du fait d'une réduction résultante de la quantité de courant de base nécessaire à maintenir un courant du collecteur donné. Les figures 4a, 4b et 4c sont des diagrammes des potentiels électriques 5 dans la base 207, l'émetteur 213, le collecteur 215 et la région 203 du dispositif de la figure 2. Les lignes en trait plein 401, 403 et 411 indiquent les potentiels d'équilibre. Les lignes en pointillés 407, 409 et 405 indiquent les potentiels au moment où le transistor fonctionne dans la région active. La polarisation directe de la jonction base-émetteur 217 réduit le potentiel dans la ré-10 gion N+ d'émetteur 213. Ceci provoque un écoulement direct d'électrons de la région d'émetteur vers la région de type P de base. Ces porteurs minoritaires injectés traversent la base et sont recueillis par la couche N+ enterrée 203 à travers la jonction PN 209 ou par le collecteur à travers la jonction PN 219, où ils se recombinent dans la base. Le captage d'électrons dans la région en-15 terrée dépend de la séparation entre la région enterrée 203 et l'émetteur 213. Le captage par le collecteur 215 dépend de la séparation entre l'émetteur 213 et le collecteur 215. Le captage de porteurs par la couche enterrée abaisse son potentiel du fait de l'excès de charge négative captée. Ceci polarise ditecte-ment la jonction PN 209. En conséquence la région enterrée ré-injecte des élec-20 trons dans la région de base. Les électrons injectés à proximité de l'émetteur 213 sont captés par la jonction d'émetteur 217 et ceux injectés à proximité du collecteur 215 sont captés par la jonction de collecteur 219 qui est polarisée inversement. Les électrons qui ne sont captés ni par la jonction 217 ni par la jonction 219 se recombinent dans la base. La polarisation inverse de la jonction 25 du collecteur 219 provient d'un accroissement du potentiel dans la région de collecteur 215, qui est appliqué lorsque le transistor fonctionne dans la région active. Le potentiel, présent dans la région enterrée N+203 se situera entre celui de l'émetteur 213 et le potentiel d'équilibre de la région enterrée 203. La région enterrée 203 agit comme un collecteur par rapport à l'émetteur 213 3Q et comme un émetteur par rapport au collecteur 215. Le courant de collecteur possède deux composants, le premier étant dû aux porteurs qui circulent directement de l'émetteur au collecteur, et le second étant dû aux porteurs qui circulent de l'émetteur au collecteur à travers la région enterrée. 35 Un contact peut également être appliqué à la région 205 ou 203. Ce contact permet au gain du transistor d'être commandé par la variation du potentiel appliqué à la région enterrée 203. La figure 3, à laquelle on fait référence maintenant représente une réalisation PNP è gain constant, semblable à la réalisation NPN de la figure 2. Les 40 régions et les contacts 301 à 325 de la figure 3 correspondent aux régions et BAD ORIGINAL 70 45283 8 2077224 aux contacts 201 à 225 de la figure 2 respectivement. La représentation plane de cette réalisation est similaire à celle de la figure 2 à cette exception qu'une région d'isolement médiane 327 a été ajoutée entre la région d'isolement interne 305 et la région d'isolement externe 311. Du fait que la figure 3 est 5 une réalisation PNP, alors que la figure 2 est une réalisation NPN, le type de conductivité des régions 303, 305, 307, 313 et 315 est l'inverse du type de conductivité des régions correspondantes de la figure 2. La région d'isolement médiane 327 positionnée entre les régions 301, 311 et les régions 303, 305 a été ajoutée afin d'assurer l'isolement du transistor par rapport aux autres cir- 10 cuits. Ceci est nécessaire du fait que la diffusion P+ d'isolement externe n'est de pas efficace pour assurer l'isolement/la région d'isolement interne 305 par rapport aux autres dispositifs sans l'addition de la région 327. La réalisation de la figure 3 est construite de la façon suivanteun ajbstrat-de type P est préparé et l'on fait croître sur ledit substrat une région épita-15 xique de type N. La couche épitaxique est masquée, cependant que le masque comporte une ouverture à l'endroit où la région d'isolement externe 311 doit être formée. Une concentration élevée d'impureté du type P est diffusée par les ouvertures du masque. La diffusion se poursuit jusqu'à ce que la région de type P en cours de formation soit intimement liée au support de type P. La structure 20 est alors remasquée, un trou étant positionné là où la région enterrée 303 doit être formée. Une concentration élevée d'impureté du type P est diffusée par cette ouverture. Le masque est enlevé et l'on fait croître une couche épitaxique du type P sur la totalité de la surface de la structure. La structure est alors masquée, une ouverture étant pratiquée là où la région d'isolement de type N 25 327 sera formée. Une impureté de type N est diffusée par les ouvertures pratiquées dans le masque jusqu'à ce que la région de type N en cours de formation soit fermement liée à la région épitaxique N antérieurement créée par croissance. Cette structure est alors remasquée, une ouverture étant pratiquée pour la région de base 307. Une impureté de type N est diffusée par une ouverture du mas-30 que, jusqu'à ce qu'elle vienne au contact de la région P+ 303. La structure est de nouveau remasquée, le masque comportant des ouvertures pour l'émetteur 313 et pour le collecteur 315. De hautes concentrations d'impureté du type P sont diffusées par ces ouvertures. Les régions d'émetteur et de collecteur sont diffusées dans la structure jusqu'à ce que la largeur de base désirée qui est bien 35 inférieure à une longueur de diffusion de porteurs minoritaires entre la région enterrée, et l'émetteur et le collecteur, soit formée. La structure est alors remasquée, le masque comportant des ouvertures pour le contact d'émetteur 323, le contact de base 321 et le contact de collecteur 325. Ces contacts sont alors appliqués. Chacune des étapes individuelles décrites ci-dessus sont bien connues 40 dans l'art, de même que sont bierconnus les procédés acceptables pour les réaliBAD ORIGINAL 70 45288 a 2077224 ser. Le fonctionnement de la réalisation de la figure 3 est identique à celui de la réalisation NPN de la figure 2, à cela près, que les porteurs minoritaires de la base sont des trous, au lieu d'être des électrons et que partant , le 5 dispositif doit être polarisé comme un transistor PNP. Grâce au double fait que l'on fournit d'une part une couche enterrée de même type de conductivité que l'émetteur et le collecteur située à moins d'une longueur de diffusion de porteurs minoritaires de l'émetteur et du collecteur et que, d'autre part, l'on dispose l'émetteur dans les limites de deux à trois 10 longueurs de diffusion de porteurs minoritaires de distance du collecteur, le béta et la largeur de bande du transistor sont accrus. Cette construction retient les bénéfices du transistor latéral de l'art antérieur dans lequel le courant de signal circulait horizontalement et elle ajoute à ces avantages les bénéfices obtenus dans les dispositifs à collecteurs et è émetteurs multiples de 15 l'art antérieur, tout en retenant une structure aisée à fabriquer avec les techniques d'intégration actuelles. De nombreuses variantes peuvent être apportées aux dispositifs décrits ici, lesquelles variantes ne porteront pas préjudice au rendement du dispositif et entendent être comprises dans les buts de la présente invention. La région en-20 terrée 303 peut être totalement séparée du substrat par la région d'isolement interne épitaxique 305. La région enterrée 203 peut s'étendre jusqu'à la région d'isolement externe 211 séparant ainsi la région d'isolement épitaxique interne 205 du substrat 201. Bien que seules les réalisations préférées aient été décrites et commen-25 tées, et que seules quelques variantes les concernant aient été mentionnées, le spécialiste reconnaîtra que diverses modifications des niveaux de conductivité et du profil des régions peuvent être apportées, sans pour autant, se départir de l'esprit et des buts de l'invention. BAD ORIGINAL 70 45288 10 2077224 REVENDICATIONS 1.- Transistor intégré latéral caractérisé en ce qu'il comprend une région enterrée, du même type de conductivité que l'émetteur et le collecteur située 5 à moins d'une longueur de diffusion de porteur minoritaire de cet émetteur et de ce collecteur, l'émetteur étant à moins de trois longueurs de diffusion de porteur minoritaire du collecteur. . 2.- Structure.de transistor intégré latéral ayant une base, un émetteur, 10 et un collecteur caractérisée en ce qu'elle comprend: un substrat ayant une surface supérieure, une région de base s'étendant à une surface supérieure de la structure, et une région d'isolement externe, tous d'un premier type de conductivité une région enterrée, une région d'isolement interne, l'émetteur et le col-15 lecteur, tous d'un second type de conductivité la région d'isolement externe étant contigue au substrat et s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure pour prévenir des interférences provenant d'autres dispositifs la région enterrée étant située au-dessus d'une partie du substrat 20 la région d'isolement interne étant contigue à la région enterrée et s'é tendant à la surface supérieure de la structure pour prévenir des interférences provenant d'autres dispositifs la région enterrée et la région d'isolement interne étant entièrement à l'intérieur de la région limitée par le substrat, la région d'isolement ex-25 terne et la surface supérieure de la structure la base étant entièrement à l'intérieur de la région limitée par la région enterrée-, la région d'isolement interne, et la surface supérieure de la structure, . , - les régions collecteur et émetteur, séparées l'une de l'autre, étant si-30. tuées dans la région base, s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure et vers le bas dans la base à moins d'une longueur de diffusion de porteur minoritaire de la région enterrée, et étant distantes l'une de l'autre de moins de trois longueurs de diffusion de porteur minoritaire. 35 3.- structure d'un transistor intégré latéral ayant une base, un émetteur et un collecteur caractérisée en ce qu" elle comprend un substrat ayant une surface supérieure, une région de base s'étendant à une surface supérieure de la structure et une région d'isolement externe, tous d'un premier type de conductivité BAD ORIGINAL 70 45288 n 2077224 une région enterrée, une région d'isolement interne, l'émetteur et le collecteur, tous d'un second type de conductivité la région d'isolement externe étant contigiie au substrat et s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure pour prévenir des interférences b provenant d'autres dispositifs la région enterrée étant contigue à une partie du substrat et ayant une surface supérieure lntarne la région d'isolement/étant contigue à la région enterrée et à la région d'isoleoent externe et s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure 10 la région enterrée et la région d'isolement interne étant entièrement à l'intérieur de la région limitée par le substrat, la région d'isolement externe et la surface supérieure de la structure la région de base étant contigCie à la surface supérieure de la région enterrée et à la région d'isolement interne et étant entièrement à l'intérieur 15 de la région limitée par la région enterrée, la région d'isolement interne et la surface supérieure de la structure. Les régions émetteur et collecteur, séparées l'une de l'autre étant situées dans la région base, s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure, et vers le bas dans la base à moins d'une longueur de diffusion de porteur mino-2Q ritaire de la région enterrée, et étant distantes l'une de l'autre de moins de trois longueurs de diffusion de porteur minoritaire. 4._2 Structure d'un transistor latéral intégré ayant une base, un émetteur et un collecteur caractérisée en ce qu'elle comprend: 25 un substrat ayant une surface supérieure, une région d'isolement interne, une région d'isolement externe, une région enterrée, l'émetteur et le collecteur, tous d'un premier type de conductivité la région de base et une région d'isolement médiane toutes deux d'un second type de conductivité 30 la région d'isolement externe étant contigCJe à la surface supérieure du substrat et s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure pour prévenir des interférences provenant d'autres dispositifs la région médiane d'isolement étant contigue à la surface supérieure du substrat et à la région d'isolement externe, s'étendant jusqu'à la surface su-35 périeure de la structure pour prévenir des interférences provenant d'autres dispositifs et étant entièrement dans la région limitée par le substrat, la région d'isolement externe, et la surface supérieure de la structure la région enterrée étant au-dessus d'une partie de la rBgion d'isolement interne 40 la région d'isolement interne étant contigue à la région enterrée, s'éten- BAD ORIGINAL 70 45288 12 2077224 dant jusqu'à la surface supérieure de la structure et étant entièrement dans la région limitée par la région d'isolement médiane et la surface supérieure de la structure, la base du transistor s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la struc-5 ture et étant entièrement dans la région limitée par la région enterrée, la région d'isolement interne, et la surface supérieure de la structure, les régions émetteur et collecteur séparées l'une de l'autre situées dans la région base, s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure et vers le bas dans la région base à une distance de moins d'une longueur de diffu-10 sion de porteur minoritaire de la région enterrée et étant distantes l'une de l'autre de moins de trois longueurs de diffusion de porteur minoritaire. 5.- Structure d'un transistor latéral intégrée ayant une base, un émetteur et un collecteur caractérisée en ce qu'elle comprend 15 un substrat ayant une surface supérieure, une région d'isolement interne, uns région d'isolement externe, une région enterrée, une région émetteur et une région collecteur, tous d'un premier type de conductivité une région base et une région d'isolement médiane toutes deux d'un second type de conductivité 20 la région d'isolement externe étant contigiie à la surface supérieure du substrat et s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure pour prévenir des interférences provenant d'autres dispositifs la région d'isolement médiane étant contigOe à la surface supérieure du substrat et à la région 8*isolement externe, s'étendant jusqu'à la surface su-25 périeure de la structure pour prévenir des interférences provenant d'autres dispositifs et étant entièrement à l'intérieur de la région limitée par le substrat, la région d'isolement externe, et la surface supérieure de la structure la région enterrée étant contigue à une partie de la région d'isolement 30 médiane et ayant une surface supérieure la région d'isolement interne étant contigue à la région enterrée et à la région d'isolement médiane, s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure et étant entièrement à l'intérieur de la région limitée par la région d'isolement médiane et la surface supérieure de la structure 35 la base du transistor étant contigiie à la surface supérieure de la région enterrée, s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure et étant entièrement à l'intérieur de la région limitée par la région enterrée, la région d'isolement interne et la surface supérieure de la structure . Les régions émetteur et collecteur, séparées l'une de l'autre, et situées 40 dans la région base, s'étendant jusqu'à la surface supérieure de la structure BAD ORIGINAL 70 45288 13 2077224 et vers le bas dans la région base, à une distance de moins d'une longueur de diffusion de porteur minoritaire de la région enterrée et étant distantes l'une de l'autre de moins de trois longueurs de diffusion de porteurs minoritaires. bad original