FR 2080607 A1 19711119 FR 7104261 A 19710209 71 04261 1 2080607 La présente invention peut être utilisée dans des ensembles de traitement de données pour emmagasiner de fortes quantités de données et accéder de manière séquentielle ou autre à ces données afin de récupérer l'information en vue de son traitement et 5 transmission ou à d'autres fins. Des mémoires à masse optique se sont avérées aptes à emmagasiner de fortes quantités de données puisque les éléments d'information peuvent être rassemblés de manière serrée de façon à obtenir un emmagasinage très dense, et parce que la mémoire peut être lue par voie optique à des vites-10 ses élevées. le milieu d'enregistrement souvent utilisé dans des mémoires à masse optique est constitué par du film photographique. Ce film présente un haut degré de résolution et peut enregistrer de fortes quantités d'éléments d'information mais doit être développé en utilisant des procédés chimiques et des modifi-15 cations ne peuvent pas y être apportées une fois que le film a été exposé et développé. Plus récemment on a proposé d'utiliser des milieux d'enregistrement magnétiques dans des mémoires à masse optique. La polarisation magnétique de ce type de milieu est inversée de manière réversible par un.faisceau laser. Cepen-20 dant, ce changement de polarisation doit s'effectuer en présence d'un champ magnétique qui détermine la polarité devant être conférée au milieu magnétique. Il a déjà été décrit une mémoire optique utilisant des matières semiconductrices amorphes en tant que film de mémoire. 25 Sous l'effet d'un faisceau laser on fait passer la matière d'un état sensiblement amorphe ou désordonné à un état cristallin ou plus ordonné et inversement. Ces deux états se différencient l'un de l'autre par leur indice de réfraction de la lumière et par leurs caractéristiques de réflexion superficielle, d'absorp-30 tion et de transmission de la lumière, de diffusion de particules ou de lumière et analogues. Par exploration d'une ou plusieurs de ces propriétés électromagnétiques on peut récupérer l'information emmagasinée dans le film semiconducteur. La présente invention vise à apporter un perfectionnement 35 à un procédé décrit précédemment qui permet d'utiliser une seule source d'énergie électromagnétique pour remplir trois fonctions . différentes sur le film de mémoire, à savoir les fonctions d'écriture, d'effacement et de lecture. En outre, un dispositif de balayage par un seul faisceau peut être utilisé pour ces trois 71 04261 2 2080607 fonctions. Suivant la présente invention une source d'énergie comme par exemple un faisceau laser ou électronique est dirigée sur une matière de mémoire qui présente au moins deux états stables. 5 On fait passer la matière de façon réversible de l'un à l'autre de ces deux états stables suivant la quantité d'énergie absorbée par la matière. La source d'énergie est capable de délivrer au moins une composante de fréquence qui est absorbée par la matière de mémoire dans ses deux états, et une autre composante 10 de fréquence qui est transmise à travers la matière de mémoire à un détecteur. Lorsque la matière se trouve dans un état le détecteur recueillë une forte quantité d'énergie et lorsque la matière se trouve dans l'autre état le détecteur ne recueille qu'une faible quantité d'énergie ou pas d'énergie du tout. En 15 réglant la quantité d'énergie contenue dans la fréquence absorbée, on fait passer la matière de l'un à l'autre des deux états stables. De cette façon une seule source d'énergie présentant au moins deux composantes de fréquence et -un dispositif d'explora-20 tion par un seul faisceau peut être utilisée pour remplir les fonctions d'écriture, d'effacement et de lecture. En outre, suivant la présente invention la lecture peut s'effectuer en même temps que des données sont enregistrées ou effacées, ce qui offre la possibilité de contrôler des erreurs afin de s'assurer 25 que les données ont été enregistrées correctement sur le film semiconducteur. Suivant une autre caractéristique de la présente invention on peut faire alterner entre eux les modes de fonctionnement correspondant à l'écriture, à l'effacement et à la lecture au 30 moyen d'un simple modulateur d'intensité qui atténue l'intensité totale du faisceau laser de façon à obtenir par exemple trois niveaux d'intensité différents. La présente invention est expliquée plus en détail ci-dessous à l'aide d'exemples de réalisation non limitatifs illus-35 très aux dessins annexés. La fig. 1 est un diagramme schématique illustrant un dispositif suivant la présente invention dans lequel un disque rotatif supporte une matière de mémoire semiconductriçe amorphe. La fig. 2 est un diagramme de forme d'onde illustrant 71 04261 3 2080607 l'intensité des impulsions laser utilisées pour écrire, effacer et lire des informations sur la matière de mémoire ^emicondue-trice amorphe utilisée suivant les fig. 1 et 4. La fig. 3 est an graphique illustrant les caractéristiques 5 de transmission de la matière de mémoire semiconductrice amorphe pour des longueurs d'onde d'énergie allant de 4000 à plus de 7000 angstroem. La fig. 4 est un diagramme schématique illustrant une autre forme de réalisation de la présente invention qui utilise 10 une matière de mémoire semiconductrice amorphe fixe et un dispositif déflecteur bi-dimensionnel pour diriger un faisceau laser sur la matière c.e mémoire. La fig. 5 montre schématiquement une partie d'un dispositif dans lequel on fait varier "a fréquence d'une source laser 15 pour obtenir les modes de fonctionnement correspondant à l'écriture, à l'effacement et à la lecture suivant l'invention. Le dispositif de mémoire à masse optique de la fig. 1 utilise un disque de mémoire rotatif 10 entraîné à une vitesse constante par un moteur 12. Un faisceau laser 14 est"appliqué au 20 disque de mémoire 10 par une source laser 16. Le faisceau laser 14 est modulé ;ar un modulateur 18 commandé par des signaux envoyés sur un conducteur 20 par un ensemble de traitement de données 22. L'ensemble de traitement de données 22 contient les données à emmagasiner sur le disque de mémoire 10. les données 25 affectent habituellement la forme d'éléments binaires représentés par des taches (non réprésentées) enregistrées sur le disque de mémoire 10. L'information est récupérée à partir du disque de mémoire 10 en utilisant un faisceau laser 14. Celui-ci est dirigé sur 30 le disque de mémoire 10 par un miioir 24 qui est déplacé d'un mouvement de translation parallèle au plan du disque de mémoire 10 par un acticr.neur 2S et un bras 27 commandé en fonction des signaux envoyés sur un conducteur 28 par l'ensemble de traitement de données 22. En synchronisant le mouvement de 1 ' actionneur-35 26 et le vitesse de_rotation du disque de mémoire 1C on peut balayer certaines son»s du disque de m-'moire 10 au moyen d'un • faisceau laser 14 qui passe à travers le disque de mémoire 10. Une lentille 25 fait converger le faisceau laser sur le disque de mémoire 10 et une lentille 28 fait converger le faisceau bad original 71 04261 4 2080607 laser 14 issue du disque de mémoire 10 sur un détecteur 30. Le détecteur 30 détermine les changements subis par le faisceau laser 14 lors de la transmission à travers le disque de mémoire 10 et envoie un signal sur un conducteur 32 relié à un amplifi-5 cateur différentiel 34» Le détecteur 30 est relié au bras 27 de 1'actionneur de façon à être situé au-dessus du faisceau laser 14. Le fonctionnement de l'amplificateur différentiel 34 est décrit en détail plus loin. La puissance débitée par l'amplificateur différentiel 34 est fournie à l'ensemble de traitement 10 de données 22 par un conducteur 36» L'ensemble de traitement de données 22 peut utiliser les signaux récupérés à partir du disque de mémoire 10 pour transmettre l'information à des endroits éloignés, traiter l'information à des fins commerciales ou scientifiques ou pour utiliser cette information dans d'autres 15 buts y compris un nouvel enregistrement de cette information, modifié ou non, sur le disque de mémoire 10. La surface supérieure du disque 10 se compose l'un film semiconducteur amorphe 38. Celui-ci peut être amené de manière réversible de l'un à l'autre de deux états stables. .Dans l'un 20 de ceux-ci la matière se trouve dans un état cristallin ou relativement ordonné alors que dans l'autre la matière se trouve dans un état sensiblement amorphe ou désordonné. Ces deux états se différencient l'un de l'autre par leur indice de réfraction et leurs caractéristiques de réflexion superficielle, d'absorp-25 tion et de transmission électromagnétique et de diffusion de lumière due à des particules. Les propriétés optiques ainsi que les propriétés électriques de semiconducteurs amorphes ont déjà été décrites. Dans le brevet américain Ho. 3-271.591 il est déjà décrit 30 des matières semiconductrices amorphes propres à être utilisées dans le cadre de la présente invention. À titre d'exemple un film amorphe 38 s'étant avéré propre à fonctionner suivant la présente invention se compose de 92 % de Se et de 8 % de Te. D1autres pourcentages de sélénium et de tellure peuvent être 35 utilisés, par exemple 50 à 100 % de 3e et 0 à 50 % de Te additionnés de faibles quantités d'éléments métalliques. Le film 38 peut être facilement déposé sur un substrat en verre 40 ou un autre substrat transparent. Une épaisseur de film 38 de 4 microns environ s'est avérée appropriée au fonctionnebad original 71 04261 5 2080607 ment suivant la présente invention. Le substrat de verre 40 est monté sur un support structural 42 qui peut être en verre ou en une autre matière transparente au faisceau laser 14 et qui procure le soutien structural nécessaire pendant la rotation du 5 disque de mémoire 10. Le film 38 peut être exposé au rayonnement laser à la surface supérieure ou à l'interface avec le substrat, comme représenté, ce qui est préférable. Le faisceau laser 14 qui comprend au moins deux composantes ie fréquence pour les modes de fonctionnement correspondant à la lecture, l'écriture et 10 l'effacement arrive sur le disque 10 sous forme d'impulsions présentant trois niveaux d'intensité différents. La fig. 2 illustre ces trois niveaux d'intensité différents. L'impulsion à niveau plus élevé, qui correspond à l'inscription, est désignée par 46. Une impulsion 44 d'intensité intermédiaire 15 est utilisée pour l'opération d'effacement dans le dispositif de mémoire à masse de la fig. 1. Une impulsion de lecture 48, également illustrée à la fig. 2 présente l'intensité la plus faible. Dans cette figure l'abréviation I.L.T. désigne l'intensité laser totale et les lettres I, E, L et T signifient respecti-20 vement inscription, effacement, lecture et temps. Les impulsions de lecture et d'effacement 46 et 44 sont utilisées pour faire passer le film 38 de manière réversible de l'un à l'autre de deux états stables. L'impulsion d'écriture 46 produit un état cristallin ou relativement ordonné dans le film 25 38 à l'endroit où le faisceau laser 14 converge sur ce film. L'impulsion 46 peut avoir une largeur comprise entre environ 0,01 et 100 microsecondes et un contenu d'énergie qui n'est pas nécessairement supérieur à environ 1 microjoule. L'impulsion d'effacement 44 est utilisée pour amener le film 38 à l'état 30 amorphe ou sensiblement désordonné et peut avoir une largeur égale à celle de l'impulsion d'écriture 46 et un contenu d'énergie égal à environ 25 % de celui de l'impulsion d'écriture 46. L'impulsion de lecture 38 représentée a une largeur voisine de celle des impulsions 44 et 46. L'intensité et le contenu 35 d'énergie de l'impulsion de lecture 48 doivent être suffisamment faibles pour que l'endroit du film 38 sur lequel converge . l'impulsion de lecture 48 reste soit à l'état cristallin soit à l'état amorphe lorsque l'impulsion de lecture 48 est appliquée. Un contenu d'énergie typique de l'impulsion de lecture 48 qui bad original 71 01261 6 2080607 s'est avéré convenable pour la présente invention peut être inférieur à 25 % de celui de l'impulsion d'écriture 46 dans le mode de fonctionnement où les fréquences de lecture, d'écriture et d'effacement ne sont pas séparées. 5 La source laser 16 produit des impulsions sous l'action de signaux envoyés sur un conducteur 52 à partir de l'ensemble de traitement de données 22. La source laser 16 peut comporter un laser au gaz utilisant par exemple de l'argon ou un mélange de gaz tel que argon et krypton. Une gamme type de puissance maxi-10 maie d'un tel laser au gaz se situe entre 0,1 et 2 V. en fonction de l'efficacité du dispositif optique et de la durée des impulsions. On peut également utiliser un laser à corps .solide présentant un faisceau à fréquences multiples ou bien un laser qui peut fonctionner séparément à au moins deux fréquences. En 15 outre, il est possible d'utiliser deux sources laser fournissant un seul faisceau composé d'au moins deux fréquences. Les impulsions provenant d'une source laser 16 produisent une série d'impulsions à amplitude constante qui passent à travers le modulateur 18. Celui-ci atténue l'intensité des impulsions de façon 20 à produire l'un des trois niveaux d'intensité illustrés à la fig. 2. Le faisceau 14 sort du modulateur 18 et est appliqué à un diviseur de faisceau 54 qui dévie une partie du faisceau sur un filtre 56 et sur un détecteur 58 qui délivre par le conducteur 60 un signal à l'amplificateur différentiel 34. Le fonc-25 tionnement du filtre 56 et du détecteur 58 sont décrits en détail plus loin. La partie du faisceau laser 14 passant à travers le diviseur de faisceau 5^ est déviée par le. miroir 24 sur le film 38. Comme indiqué plus haut, la position du miroir 24 et la position de rotation du disque 10 déterminent l'endroit particu-30 lier du film 38 où le faisceau laser est dirigé à un moment donné quelconque. Le faisceau laser 14 issu de la source laser 16 contient plusieurs composantes de fréquence. Le laser particulier utilisé pour produire ces composantes de fréquence est choisi en fonc-35 tion des caractéristiques d'absorption et de transmission présentées par le film 38. La fig. 3 est un graphique type illustrant les caractéristiques de transmission d'un semiconducteur amorphe. Dans cette figure I, E, et L signifient respectivement inscription, efface- 71 04261 7 2080607 ment et lecture. D'autre part LO A représente la longueur d'onde de l'énergie électromagnétique appliquée, au semiconducteur amorphe, cette longueur d'onde étant portée en abscisse, et T % désigne le pourcentage d'énergie qui passe à travers le semi-5 conducteur amorphe, ce pourcentage étant porté en ordonnée. Une courbe 62 représente les caractéristiques de transmission d'une matière semiconductrice amorphe type qui se prête à être utilisée dans le cadre de la présente invention. La fig. 3 illustre que les caractéristiques de transmission du semiconduc-10 teur amorphe présentent aux environs de 6300 angstroem un accroissement rapide appelé dans la présente description pente d'absorption. De l'énergie électromagnétique de longueurs d'onde inférieures à la pente d'absorption est absorbée par la matière semiconductrice amorphe. Par contre, de l'énergie électromagné-15 tique de longueurs d'onde supérieures à la pente d'absorption est transmise à travers la matière semiconductrice amorphe. En conséquence, de l'énergie laser produite à les fréquences présentant une longueur d'onde inférieure à 550C angstroem est absorbée par 1" film amorphe 38 en produisant de la chaleur et 20 en excitant des porteurs électriques de sorte qu'il conduise du courant. De l'énergie laser de fréquences correspondant; à des longueurs d'onde supérieures à 6500 angstroem passe à travers le film semiconducteur amorphe 38 en produisant dans celui-ci un échauffement ou une excitation de porteur-s relativement faible. 25 Pour différentes compositions du semiconducteur amorphe la courbe 62 se présentera d'une façon différente de celle illustrée à la fig. 3« La pente d'absorption peut se produire à des longueurs d'onde différente^ de la valeur de 6500 angstroem illustrée à la fig. 3. De même l'accroissement de la transmis-30 sion peut être plus grsduel que celui représenté par la pente raide de la fig. 3« Indépendamment de la forme particulière de la pente d'absorption, une matière peut être utilisée convenablement dans le cadre de la présente invention si au moins une composante de fréquence peut être produite à une longueur d'onde 35 supérieure à la pente d'absorption et si une autre composante de fréquence peut être produite à une logueur d'onde inférieure à la pente d'absorption. En tant qu'exemples types de composantes de fréquence la fig. 3 montre une composante de fréquence de lecture 64 présentant une longueur d'onde de 7000 angstroem et bad original 71 04261 8 2080607 une composante de fréquence d'écriture et d'effacement 66 présentant une longueur d'onde de 5000 angstroem. En cours de fonctionnement un faisceau laser 14 composé des deux composantes de fréquence 64 et 66 est appliqué au film 58. 5 La composante de lecture 64 passe à travers le film 58 sans produire d'effet notable sur celui-ci. La composante d'écriture et „ d'effacement 66 est absorbée par le film 58 et fait varier l'état du film 38 en fonction de l'intensité de l'énergie contenue dans le faisceau laser 14. Comme illustré à la fig. 2, si 10 l'intensité du faisceau laser 14 est égale à l'intensité de l'impulsion 46 le film 38 passe à l'état cristallin ou sensiblement ordonné en inscrivant ainsi un élément d'information binaire à l'endroit concerné du film 38. S'il s'agit d'effacer cet élément d'information, le modulateur 18 est réglé par des 15 signaux envoyés sur le conducteur 20 à partir de l'ensemble de traitement de données 22 de sorte qu'un faisceau laser 14 de plus faible intensité soit appliqué au film 35 en cet endroit. L'intensité peut être égale à celle de 1'impulsion 44. De ce fait le film 38 passe à l'état sensiblement amorphe ou désordon-20 né de façon à effacer l'élément d'information binaire. La lecture s'effectue en réglant le modulateur 18 de façon à laisser passer le plus faible niveau d'intensité illustré par l'impulsion 48. La composante de fréquence d'écriture et d'effacement 66 comprise dans l'impulsion de lecture 48 est insuffisante 25 pour changer l'état du film 38. La composante de fréquence de lecture 64 de l'impulsion 48 passe à travers le film 38 et est recueillie par le détecteur 30. La quantité d'énergie recueillie par le détecteur 30 lorsque le faisceau laser 14 passe à travers une partie du film 38 se trouvant à l'état cristallin ou sensi-30 blement ordonné est inférieure à la quantité d'énergie recueillie par le détecteur 30 lorsque ce même faisceau laser 14 passe à travers une zone du film 38 se trouvant à l'état amorphe ou désordonné. Ceci peut être dû à l'une quelconque ou à l'ensemble des variations se produisant dans les propriétés électromagné-35 tiques du film 38 lorsque celui-ci passe d'un état stable à l'autre cor'me par exemple l'indice de réfraction, les caractéristiques de réflexion superficielle, d'absorption et de transmission électromagnétiques et de diffusion de particules ou de lumière. Le détecteur 30 produit un signal proportionnel à la bad original ' 71 04261 9 2080607 quantité d'énergie recueillie après le passage du faisceau laser 14 à travers le disque de mémoire 10. Ce signal est amené à une entrée de l'amplificateur différentiel 34. L'autre signal d'entrée délivré à l'amplificateur différentiel 34 est produit 5 par un détecteur 58 qui remplit la même fonction que celle du détecteur 30. L'énergie reçue par le détecteur 58 passe à travers un filtre 5° qui peut être composé, par exemple, des éléments du disque 10, le film 38 se trouvant à l'état amorphe ou désordonné. Far conséquent, le signal envoyé sur le conducteur 10 60 est équivalent à celui envoyé sur le conducteur 32 lorsque le faisceau laser 14 passe à travers une partie du disque de mémoire 10 où le film 38 se trouve à l'état amorphe ou désordonné. Des différences quelconques entre les signaux envoyés sur les conducteurs 60 et 32 sont donc produites par l'état cristal-15 lin ou relativement ordonné du film 38. Lorsque des signaux différents sont appliqués aux entrées de l'amplificateur différentiel 34, il se produit dans le conducteur de sortie 36 un signal indiquant qu'un élément d'information binaire est enregistré sur le disque de mémoire 10 en un endroit déterminé par la position 20 de 1'actionneur 26 et la position de rotation du disque 10. Des procédés faisant appel à des servo-mécanismes peuvent être utilisés pour régler la position de 1'actionneur 26 et des éléments de réglage dans le temps ou de synchronisation peuvent être enregistrés préalablement sur le disque 10 afin de déterminer des 25 pistes d'information enregistrées sur le film 38 suivant des procédés couramment utilisés dans des mémoires à masse optique. La mémoire à masse optique de la fig. 4 est analogue à celle de la fig. 1, sauf en ce qui concerne le dispositif de balayage par faisceau. Les mêmes chiffres sont utilisés pour désigner 30 des éléments analogues dans les fig. 1 et 4. Le film semiconducteur amorphe 38 et le substrat en verre 40 sont montés sur un support 74. Un dispositif de commande de déflexion 76 commandé en fonction de signaux envoyés sur un conducteur 78 à partir de l'ensemble de traitement ie données 22 actionne un dispositif 35 de balayage bi-dimensiomel 30 qui applique le faisceau laser 14 à certaines zones du film 38. Ce dispositif fonctionne d'une manière analogue au dispositif illustré à la fig. 2, sauf qu'aucun mouvement mécanique n'est imprimé au film 38 ou au détecteur 30. Le film peut se présenter sous la forme d'une surface rectangu- 71 04261 10 2080607 laire sur laquelle des éléments d'information sont emmagasinés en rangées et en colonnes et dans laquelle chaque élément d'information peut être adressé par le dispositif d'exploration 80. Dans le dispositif de la fig. 4 le filtre 56 présente des 5 propriétés de transmission analogues à celles de l'ensemble constitué par le dispositif d'exploration 80, le substrat 40 et le film 58 lorsque celui-ci se trouve à l'état amorphe. La fig. 5 montre une partie d'un dispositif suivant la présente invention dans lequel les trois modes de fonctionnement 10 correspondant à l'écriture, l'effacement et la lecture sont obtenus en faisant varier la fréquence du faisceau laser 14. Les mêmes chiffres sont utilisés pour désigner des éléments analogues dans la fig. 5 d'une part et dans les fig. 1 et 4 d'autre part. Un polariseur électro-optique 86 est placé dans la tra-15 jectoire du faisceau laser 14 entre la source laser 16 et le modulateur 18. Le polariseur électro-optique 86 fait varier la polarisation du faisceau en fonction de signaux envoyés sur un conducteur 88 à partir de l'ensemble de traitement de données 22 lorsque la fréquence du faisceau laser 14 doit être doublée. 20 à cet état le faisceau laser 14 présente une polarisation appropriée au doublage de fréquence lorsqu'il est appliqué à un doubleur de fréquence optique non linéaire 90 qui peut être composé par exemple de niobate de lithium. Lorsqu'une matière semiconductrice amorphe présentant une 25 caractéristique de transmission analogue à celle représentée à fig. 3 est utilisée en tant que film de mémoire 58, le dispositif de la fig. 5 produit un faisceau laser auquel on peut conférer alternativement deux fréquences dont l'une se trouve au-dessus de la pente d'absorption et l'autre au-dessous de celle-30 ci. Le dispositif de la fig. 5 peut être utilisé dans les ensem-. bles représentés aux fig. 1 et 4. Dans ce cas la fréquence à plus grande longueur d'onde peut être utilisée pour lire des informations sur le film de mémoire 38. S'il s'agit d'écrire ou d'effacer des informations, le polariseur électro-optique 86 35 change la polarisation du faisceau en celle qui convient au fonctionnement du doubleur de fréquence 90. La fréquence du faisceau laser 14 parvenant au modulateur 18 et, par conséquent, également la zone d'absorption du film de mémoire amorphe 38 se trouvent douhlées. En réglant le fonctionnement du modulateur 18 on peut S 71 04261 11 2080607 faire varier le niveau d'intensité du faisceau laser entre le niveau d'impulsion d'écriture 46 et le niveau d'impulsion d'effacement 44 illustrés à la fig. 2. Le dispositif de la fig.5 combine le procédé consistant à faire varier la fréquence et 5 la modulation de l'intensité du faisceau leser afin de remplir les fonctions de lecture, d'écriture et d'effacement d'un dispositif de mémoire à masse. On peut faire fonctionner le dispositif de mémoire à masse optique des fig. 1 et 4 de façon à lui faire exécuter une fonc-10 tion de contrôle d'erreurs lors des opérations d'écriture et d'effacement. Etant donné que la composante de fréquence de lecture 64 est présente lorsque l'impulsion d'écriture 46 et l'impulsion d'effacement 44 sont appliquées au film 38 la lecture peut s'effectuer en même temps que le film change d'état. En consc-15 quence, il se produit, comme indiqué plus haut, dans le conducteur 36 un signal indiquant si l'endroit particulier du film 38 qui reçoit le faisceau laser se trouve à l'état cristallin ou amorphe. Bien que la composante de fréquence de lecture 64 présente une intensité plus grande lors des impulsions d'écriture 20 et d'effacement 46 et 44, le diviseur de faisceau 54 dirige une quantité proportionnelle de cette énergie vers le détecteur 58 de sorte que l'amplificateur différentiel 34 fonctionne indépendamment de l'amplitude du faisceau laser sortant du modulateur 18 et n'agit que sous l'effet de la différence entre les signaux 25 envoyés sur ses conducteurs d'entrée 60 et 32. Au cas où l'on désire lire le film 38 en utilisant une composante de fréquence à intensité élevée 64 on peut utiliser le dispositif de doublage de fréquence de la fig. 5 ou placer un filtre sur une trajectoire du faisceau laser 14 afin d'éliminer 30 par filtrage la composante de.fréquence d'écriture et d'effacement 66 pendant l'opération de lecture. Une autre modification pouvant être prévue consiste à utiliser un laser continu qui produit une composante de fréquence de lecture continue 64 et un obturateur optique qui produit sélectivement des impulsions 35 d'écriture et d'effacement à composante de fréquence 66. Dans certaines applications de la présente invention il peut être souhaitable d'utiliser la composante de fréquence de lecture 64 afin d'exécuter la fonction d'effacement par accroissement de l'intensité de cette composante. Etant donné que le bad original 71 04261 12 2080607 film 38 absorbe la composante de lecture 64 lorsqu'il se trouve à l'état cristallin ou sensiblement ordonné, le film 38 peut passer à l'état amorphe ou désordonné. Bien que l'état cristallin du semiconducteur amorphe 38 ait 5 été désigné comme étant l'état d'écriture propre à l'enregistrement de l'information binaire, on peut également utiliser un filtre 38 se trouvant initialement à l'état cristallin ou sensiblement ordonné. Dans cette variante de la présente invention des éléments d'information seraient inscrits en faisant passer 10 des endroits sélectionnés du film à l'état amorphe ou désordonné. La lecture est effectuée en plaçant un inverseur dans le conducteur 36 ou en faisant varier le filtre 56 de façon à simuler l'état cristallin du film 38. Alors que le dispositif de la fig. 1 utilise un actionneur 15 mécanique pour obtenir un mouvement de translation du faisceau laser 14, un déflecteur de faisceau laser analogue au déflecteur bi-dimensionnel 80 de la fig. 4 mais ne présentant qu'une seule dimension de déflexion peut être utilisé avec un disque cLe mémoire 10. Dans ce cas on peut employer une série de détecteur 20 30, à savoir un pour chaque piste du disque de mémoire 10, leurs puissances débitées étant additionnées séquentiellement pour obtenir un signal dans le conducteur 32. Dans ce cas le seul mouvement mécanique à produire serait la rotation constante du disque de mémoire 10. Le film semiconducteur amorphe 38 peut 25 également être déposé sur un tambour au lieu du disque de mémoire 10 ou sur un support flexible telle qu'une bande susceptible d'être transférée d'une bobine à l'autre. Une autre modification peut être prévue s'il s'agit d'écrire, d'effacer et de lire en permettant au faisceau laser 30 d'être réfléchi par le disque 10 au lieu d'être transmis à travers celui-ci. Ce résultat peut être obtenu en plaçant un détecteur 30 avec des filtres appropriés sur le côté inférieur du disque 10 de façon à intercepter la lumière réfléchie .ar le film 38. Dans cette variante la fréquence d'écrituie et d'efface-35 ment peut également êtr 71 04261 13 2080607 peut en effet comporter un spectre continu de fréquences supérieures et inférieures à la pente d'absorption du film 38. D'autres types de sources électromagnétiques susceptibles d'être utilisés dans le cadre de la présente invention sont les 5 spectres linéaires produits par des décharges gazeuses comme par exemple celle d'une lampe à arc à mercure. Le fonctionnement des mémoires à masse optique décrites ci-dessus peut être modifié en programmant l'ensemble de traitement de données 22 de manière appropriée à effectuer plus 10 d'une opération dans une seule position d'élément d'information sur le film de mémoire 38 avant d'amener le faisceau laser dans la position d'éléments d'information suivante. Far exemple, dans certaines applications il peut être souhaitable de lire d'abord l'information dans une position d'élément d'information 15 donnée et de déterminer l'état dans lequel le film de mémoire 38 se trouve. Fuis, si l'on désire faire changer l'état du film, une opération d'écriture est effectuée. Ensuite il peut être souhaitable de procéder à un contrôle d'erreurs afin de déterminer si l'opération d'écriture a été effectuée correctement. 20 En conséquence, une opération de lecture peut être effectuée par le faisceau laser 14 et si l'information emmagasinée sur le film de mémoire 38 est correcte, le faisceau 14 peut être amené à la position suivante. Bien que la présente invention ait été décrite en ce qui 25 concerne l'enregistrement d'information numérique, il est également possible d'enregistrer suivant la présente invention des informations analogiques ou susceptibles d'être lues par l'homme. A cet fin le signal produit par le détecteur 30 dans le conducteur 32 peut être appliqué à un tube cathodique, 30 l'image étant produite sur la' face de ce dernier. Il est également possible d'observer l'information directement au moyen de lumière transmise ou réfléchie. l'invention n'est pas limitée aux formes de réalisation illustrées et décrites en détail ci-dessus, différentes modifi-35 cations pouvant y être apportées sans sortir de"son cadre. bad original 71 04261 14 2080607 REVENDICATIONS 1 - Dispositif pour emmagasiner et récupérer des informations, caractérisé en ce qu'il comprend une source de rayonnement électromagnétique capable de produire de l'énergie présen- 5 tant au moins une première fréquence et une deuxième fréquence ; une couche de matière de mémoire susceptible d'être amenée de manière réversible de l'un à l'autre de deux états stables en fonction de la quantité a'énergie de la première fréquence qui lui est appliquée, cette matière produisant sur l'énergie de la 10 deuxième fréquence qui lui est appliquée un effet différent suivant l'état stable dans lequel la matière se trouve ; un moyen de direction du faisceau permettant d'appliquer un rayonnement électromagnétique à partir de la source à certaines zones de la matière de mémoire ; un moyen de commande pour faire varier la 15 quantité d'énergie de la première fréquence appliquée à la matière de mémoire par le moyen de direction du faisceau de façon à faire passer sélectivement certaines zones de la matière de mémoire de l'un à l'autre des deux états stables afin d'emmagasiner des informations dans cette matière ; et un moyen de dé-20 tection sensible à l'effet produit par la matière de mémoire sur l'énergie de la deuxième fréquence appliquée à certaines zones de la matière de mémoire par le moyen de direction du faisceau, de façon à pouvoir détecter l'état stable de la matière de mémoire dans les zones concernées, ce qui permet de récupérer 25 l'information emmagasinée dans la matière de mémoire. 2 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la matière de mémoire est une matière semiconductrice amorphe. 3 - Dispositif suivant la revendication 2, caractérisé en 30 ce que l'un des deux états stables dans lequel se trouve la matière semiconductrice amorphe est un état sensiblement amorphe ou désordonné et l'autre de ces deux états stables est un état cristallin ou sensiblement ordonné, et en ce que la matière produit sur l'énergie de la deuxième fréquence passant à travers 35 elle un effet différent suivant que la matière se trouve à l'état cristallin ou à l'état amorphe. 4 - Dispositif suivant la revendication 3, caractérisé en ce que le moyen de commande applique une quantité relativement bad original 71 04261 15 2080607 élevée d'énergie de la première fréquence afin d'amener la matière de mémoire à l'état cristallin ou sensiblement ordonné, et applique une plus faible quantité d'énergie de la première fréquence pour amener la matière de mémoire à l'état amorphe ou 5 désordonné. 5 - Dispositif suivant la revendication 4, caractérisé en ce que la matière de mémoire semiconductrice amorphe présente une caractéristique d'absorption telle que l'énergie correspondant à une première gamme de fréquences soit ebsorbée par la 10 matière et que l'énergie correspondent à une deuxième gamme de fréquences soit transmise à travers la matière, et en ce que la première fréquence se trouve à l'intérieur de la première gamme de fréquences et est absorbée par la matière, et la deuxième fréquence se trouve à l'intérieur de la deuxième gamme de fré-15 quences et est transmise à travers le matière. 6 - Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce que la première gamme de fréquences est supérieure à la deuxième gamine de fréquences. 7 - Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé en 20 ce que le moyen de commande fait varier la quantité d'énergie de la première fréquence applicuée à la matière de mémoire par le moyen de direction du faisceau de façon à obtenir au moins trois niveaux, à savoir un niveau supérieur suffisant pour amener la matière de mémoire semiconductrice à l'état cristallin 25 ou sensiblement ordonné, un niveau intermédiaire suffisant pour amener la matière semiconductrice à l'état amorphe ou désordonné et un niveau inférieur insuffisant pour provoquer un changement d'état de la matière semiconductrice. 8 - Dispositif suivant la revendication 7, caractérisé en 30 ce que le moyen de commande fait varier la quantité d'énergie de la deuxième fréquence appliquée à la matière de mémoire par le moyen de direction du faisceau, cette variation se produisant d'une manière relativement proportionnelle à la variation apportée à la première fréquence par le moyen de commande, l'énergie 35 de la deuxième î'réquence étant suffisante à chacun des trois niveaux pour permettre ou moyen de Cétection de détecter l'état • stable de 1c matière de mémoire. 9 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la matière de mémoire présente, en ce qui concerne bad original 71 04261 16 2080607 l'énergie de la deuxième fréquence qui lui est appliquée, une caractéristique de transmission différente suivant l'état stable dans lequel la matière se trouve, et en ce que le moyen de détection est situé dans une position lui permettant de recevoir 5 du rayonnement électromagnétique appliqué à la matière de mémoire par le moyen de direction du faisceau lorsque ce rayonnement est passé par la matière. 10 - Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen de commande comporte un dispositif permettant 10 à la fréquence du rayonnement électromagnétique appliqué à la matière de mémoire par le moyen de direction du faisceau de passer de la première fréquence à la deuxième et inversement. bad original