FR 2064269 A1 19710723 FR 7033360 A 19700915 70 33360 1 2064260 La présente invention est relative à un dispositif semiconducteur à circuit intégré comprenant une pastille semicon-ductrice d'un pÉ#mi«r type de conductivité et ayant des surfaces principales opposées, une série de régions semiconductrices de 5 type de conductivité opposée sur l'une des surfaces principales, des contacts touchant séparément la pastille et les régions, des conducteurs interconnectant les contacts et une gorge s'é-tendant dans la pastille pour isoler électriquement les contacts par groupes. 10 Un dispositif semiconducteur de ce type est connu d'après le brevet des E.U.A. Ho 3.263.178» On peut utiliser la technique des circuits intégrés pour produire en masse et à faible prix des dispositifs semiconducteurs du type planar. Par exemple, on peut utiliser la technique 15 connue des circuits intégrés pour fabriquer économiquement un circuit amplificateur de Darlington du type planar à gain en courant élevé sur une pastille monolithique de matériau semiconducteur. On peut également former des résistances, des condensateurs et des diodes dans la même pastille semiconductrice. 20 Ceci supprime un certain nombre d'opérations de liaison de fils qui sont par ailleurs nécessaires pour interconnecter les composants. Cette interconnexion des composants peut être coûteuse et peut prendre du temps, toutefois, les dispositifs planars ne peuvent généralement traiter une quantité d'énergie 25 élevée et ne sont ordinairement pas utilisés dans les applications à intensité de courant élevée. De plus, si l'on désire qu'un transistor planar à haute tension, 100 Y environ, présente une faible tension de saturation collecteur-émetteur d'environ 1 V à 5 A environ, on utilise ordinairement 1!épitaxie ou des 30 techniques analogues. Par exemple, on peut faire croître une couche épitaxiale mince d'environ 25 microns d!épaisseur sur un substrat de collecteur fortement dopé d'une résistance de 0,01 ohm-centimètre, environ. La faible résistivité du substrat supprime la plus grande partie de la résistance du collecteur 35 et on peut alors obtenir une très faible tension de saturation collecteur-émetteur pour des courants élevés. 'Toutefois, les pastilles épitaxiales sont plus coûteusess c1est-à-dire environ 5 fois plus qu'une pastille homogène. De plus, une pastille épitaxiale ne permet généralement pas d'augmenter la quantité 40 d'énergie traitée par le dispositif. 70 33360 2 2064269 Par ailleurs, on peut construire facilement des dispositifs du type mesa capables de traiter une quantité d'énergie élevée. De plus, des dispositifs du type mesa à faible tension de saturation collecteur-émetteur pour un courant élevé peuvent être 5 produits à partir d'un matériau homogène. On entend ici par "dispositif semiconducteur du type mesa" un dispositif dans lequel les régions actives ne sont pas dans un même plan que l'une de ses surfaces principales. Ceci signifie naturellement que les jonctions PN collecteur-base et base-émetteur ne se 10 terminent pas au niveau de la même surface du dispositif. Il faut souvent former une gorge par décapage afin d'isoler électriquement les composants les uns des autres dans ce type de dispositif. Par conséquent, ces dispositifs ne se prêtent pas facilement aux techniques classiques des circuits intégrés. 15 Par exemple, pour fabriquer un amplificateur de Darlington du type mesa et monolithique, il faut dans le cas des techniques classiques connecter un fil cavalier séparé passant par dessous la gorge décapée entre l'émetteur de l'étage d'attaque ou transistor d'entrée et la base du transistor de sortie. 20 De plus, si ce circuit amplificateur de Darlington doit être utilisé dans un milieu ambiant à haute température, le courant de fuite des diodes et notamment des Jonctions base-émetteur peut poser un problème important et il faut ordinairement utiliser des résistances de fuite. Dans une application 25 à haute température par exemple, comme dans le cas des moteurs d'automobile protégés, on utilise généralement des résistances de fuite pour évacuer le courant de fuite des diodes. Une application de ce type de dispositif est l'amplificateur de sortie d'un régulateur de tension pour automobile. Si on uti-50 lise un amplificateur de Darlington du type mesa selon la technique antérieure pour ce type d'application, il faut utiliser plusieurs fils cavaliers pour interconnecter les résistances de fuite avec les zones actives de la pastille semicon-ductrice. Ce type de dispositif ne se traite donc ordinairement 35 pas facilement à la fabrication économique en masse. L'invention concerne donc le problème de fournir un amplificateur à circuit intégré monolithique pour énergie élevée comportant des résistances de compensation. Pour résoudre ce problème, le dispositif suivant 11inven-40 tion est caractérisé en ce qu'il comprend une région semi- 70 33360 3 2064269 conductrice de conductivité ox^posée ayant une première et une seconde portions, une première région du premier type de conductivité située sur la première portion, une seconde région du premier type de conductivité située sur la seconde portion, une 5 première gorge séparant de façon résistive la première portion de la seconde en définissant un passage de résistance prédéterminée , une seconde gorge définissant avec la périphérie de la seconde portion un ruban résistif de la région de type de conductivité opposé dont une extrémité est contiguë à la seconde 10 portion et dont l'autre extrémité libre en est espacée pour former une résistance dans la masse, des contacts touchant séparément la première et la seconde régions, les partions et l'extrémité libre du ruban, un premier conducteur interconnectant la première région du premier type de conductivité et la 15 région de type de conductivité opposé de la seconde portion, et un second conducteur interconnectant la seconde région d'un premier type de conductivité et l'extrémité libre du ruban résistif. L'invention met donc en application des gorges pour isoler 20 ou définir des zones résistives sur une pastille monolithique qui est venue de matière avec les zones semiconductrices actives. Cette solution permet d'utiliser un agencement du type raesa, mais évite les fils d'interconnexion entre les régions espacées d'une pastille monolithique. 25 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront au cours de la description suivante, donnée à titre d'exemple et faite en référence aux dessins annexés, dans lesquels : la J?ig. 1 est une vue en perspective d'un dispositif semi-30 conducteur fabriqué selon un mode de réalisation préféré de l'invention; la Fig. 2 est une vue en coupe prise suivant la ligne 2-2 de la Fig. 1 ; la Fig. 3 est une vue en coupe prise suivant la ligne 3-3 35 de la Fig. 1 ; la Fig. 4 est une représentation schématique d'un dispositif semiconducteur fabriqué selon le mode de réalisation préféré de 1'invention; la Fig. 5 est une vue en plan d'un second mode de réali-40 sation d'un dispositif semiconducteur fabriqué selon l'invention; 70 33360 4- 2064260 la Fig. 6 est une vue en coupe prise suivant la ligne 6-6 de la Fig. 5; la Fig. 7 représente un troisième mode de réalisation d'un dispositif semiconducteur fabriqué selon l'invention; 5 la Fig. 8 est une vue en coupe prise selon la ligne 8-8 de la Fig. 7. les Fig. 1 à 3 représentent un circuit amplificateur de Darlington à deux transistors du type mesa et comprenant des résistances de fuite formées dans une pastille de silicium de 1C type N 10. La pastille 10 constitue un substrat de collecteur commun pour l'amplificateur à deux transistors. Les dimensions de ces surfaces principales sont de 4- 44-5 x 4- 44-5 microns environ. Une couche ou région de base de type P est formée sur l'une des surfaces principales de la pastille. Le substrat de 15 collecteur ou pastille 10 présente une résistivité d'environ 1 ohm-cm et une épaisseur d'environ 215 microns. La région de base est une zone de diffusion d'environ 58 microns d'épaisseur et sa résistance superficielle est d'environ 50 ohms par carré sur sa surface. (Le nombre de carrés se détermine en divisant 20 la longueur par la largeur). Dans le présent mode de réalisation, un transistor d'entrée est formé à la périphérie du substrat et un transistor de sortie est formé au centre. Les deux transistors sont donc concentriques et la jonction PN collecteur-base du transistor d*en-25 trée est à découvert sur les bords de la pastille. Le transistor de sortie comprend une région d'émetteur 18 de type N, en saillie ou de type mesa et de forme générale rectangulaire, cette région étant disposée au centre de la région de base. Le transistor d'entrée comprend une région d'émetteur 20 de 50 type N, en saillie ou de type mésa et de forme générale rectangulaire, cette région étant disposée au centre de la région de base. Le transistor d'entrée comprend une région d'émetteur 20 de type N en saillie ou de type mésa et en forme de ruban, située sur la 35 région de base. Le mésa d'émetteur 20 qui est espacé du bord de la région de base d'environ 51 microns s'étend à la périphérie de la pastille et est discontinu à un coin. Chaque région du mésa émetteur s'étend à environ 10 microns au-dessus de la région de base et présente une résistivité supérieure à 0,5 ohms 40 par carré, environ. Une gorge d'isolation 22 en forme de spirale et discontinue entoure suivant une configuration rectangulaire et de façon non contiguè° le mésa émetteur central 18, la gorge étant espacée de ce mésa par une portion de base de sortie 24 de la région de 70 33360 5 2064269 base. Une portion d'entrée 26 de la région de base entoure complètement le mesa émetteur externe 20 et 1s sépare de la gorge 22 ainsi que de la périphérie de la pastille« La gorge 22 qui a une largeur d'environ 76 microns traverse la région de 5 base et atteint le substrat constituant le collecteur 10. La jonction PN collecteur-base du transistor de sortie est à découvert dans la gorge 22. La gorge 22 comporte six segments. Deux de ces segments 28 et 30 respectivement sont parallèles entre 3E et définissent 10 un passage allongé 32 dans la régios do baso entre la portion de sortie 24- et la portion d'entrée 26 de la base. Le passage 32 a une longueur d'environ. 2540 microns et une largeur d'environ 227 microns. Les segments 34, 36 et 38 relient les extrémités opposées des segments 28 et 30 aux portions ds base 24 et 15 26 qui sont par ailleurs isolées l'une de l'autre. De plus, un segment de la gorge 40 relativement courte s'-Stond dans la portion de base 24 de façon perpendiculaire par rapport au segment 36 adjacent au segment 3-3e La segment de gorge 40 définit avec les segments 36 et 58 «a ruban 42 court et allongé 20 de la région de base qui est délimité sur trois cotés par des gorges. Le raban 42 qui a une longueur d'environ 762 microns et une largeur d'environ 20? aicrons présente une extrémité contiguë à la région de base 24 et vue arrtréaitê libre « La surface do la région de base ainsi que le dessus et les 25 cotés des deux mesas d'émetteurs sont recouverts d'une couche 47 d'oxyde de silicium. Une couche ou contact en aluminium évaporé comporte des segments 49 et 50 de forme générale rectangulaire qui sont en contact avec le mesa d*émetteur 18 et 1'extrémité libre en 51 par 1* intermédiaire de trous ménagés dans la 30 couche 47. Le segment rectangulaire 50 recouvre le ruban allongé 42 sur la couche 47» Uns couche ou contact allongé 52 en aluminium évaporé est en contact avec la portion de base de sortie 24, également par l'inter-siédiaire d'un trou ménagé dans la couche 47. Il' s'étend généralement- parallèlement au segment 35 36 ot do façon adjacente à celui-ci en se terminant de façon contiguo au passage 32. La portion de base d'entrée 26 comporte un contact en aluminium évaporé 5*4 qui est en contact avec elle à un coin de la pastille adjacent aux extrémités libres du mesa d'émetteur périphérique 20 par l'intermédiaire d'un trou ménagé 40 dans la couche 47. Une'couche ou contact en aluminium évaporé BAD ORIGINAL 70 33360 6 2064269 comporte un segment en forme de ruban 57 en contact avec le mesa émetteur 20 à la périphérie de la pastille par l'intermédiaire d'un trou ménagé dans la couche 4-7 et un ruban 58 situé sur l'oxyde interconnecte électriquement le segment 57 et le 5 contact 52. Le ruban 58 recouvre d'une manière générale le passage J2 situé sur la couche 47. En se référant maintenant à la Fig. 4-, le schéma représenté comporte un transistor d'entrée ayant une borne de base 54-, une borne d'émetteur 66 et une borne de collecteur 68. Il est repré-10 sente un transistor de sortie ayant une borne de base 72, une borne d'émetteur 75 et une borne de collecteur 76. Les transistors sont montés en collecteur commun, la borne de collecteur 68 étant connectée à la borne de collecteur 76 par un conducteur 780 La borne d'émetteur 66 du transistor d'entrée est connectée 15 à la borne de base 72 du transistor de sortie par un conducteur 80. Les résistances de fuites 32* et 4-2' sont connectées aux bornes des Jonctions base-émetteur des transistors d'entrée et de sortie respectivement par des conducteurs 86, 88 et 90. Gomme on le voit facilement, le transistor d'entrée cor-20 respond au transistor formé par la région d'émetteur 20, la portion de base 26 et la partie périphérique du substrat collecteur 10, Le transistor de sortie correspond au transistor formé par la région d'émetteur 18. la portion de base 24- et la portion centrale du substrat collecteur 10. La résistance de 25 fuite 52' correspond à la résistance constituée par le passage 32 de la région de base 12. La résistance de fuite 4-2' correspond à la résistance constituée par le ruban allongé 4-2 de la région de base. Le conducteur- 80 correspond au ruban en aluminium 58 recouvrant l'oxyde. Ls conducteur 90 correspond 30 au segment rectangulaire en aluminirasi 50 recouvrant l'oxyde. Le passage 32 relie de façon résistive et dans la masse les portions de base 24- et 26. Ceci est représenté schémati-quement par les conducteurs 86, 88 et une partie du conducteur 80. Le ruban allongé résistif 4-2 est connecté au mesa émetteur 35 18 au niveau de l'extrémité libre du ruban 4-2 par un segment rectangulaire en aluminium ou ruban conducteur 50. Il est également contigu à la partie de base 24- à son autre extrémité. Ceci est représenté schématiquement par les conducteurs 90, 88 et une partie du conducteur 80. Le conducteur 78 représente 4-0 l'interconnexion dans la masse entre le substrat de collecteur BAD ORIGINAL 70 3336-- ( 20642C9 situé sous la région périphérique d'émetteur 20 et le substrat de collecteur sousjacent au mesa émetteur central 18. Bien que les conducteurs d'interconnexion soient tous représentés schématiquement sous la forme de conducteurs à 5 faible résistance, ceci n'est pas exactement le cas. Par exemple, la résistance offerte par le passage 32 est associée dans la masse aux portions de base d'entrée et de sortie et des conducteurs d'interconnexion sont donc inutiles. De même, la résistance fournie par le ruban 42 est associée dans la masse à 10 la portion de base de sortie et un seul conducteur d'interconnexion ou ruban conducteur, le ruban 50, est nécessaire. De plus, les résistances de fuite sont représentées schématiquement reliées l'une à l'autre par un conducteur. En fait, elles sont associées dans la masse respectivement aux côtés opposés de la 15 portion de base de sortie. Naturellement, les rubans ou les conducteurs 50 et 58 qui correspondent aux conducteurs 90 et 80 sont des conducteurs en aluminium à faible résistance. Les conducteurs 50 et 58 sont suffisamment épais pour constituer une connexion continue à faible résistance malgré les ondulations de 20 la couche 47 en oxyde de silicium, notamment au niveau des intersections base-émetteur. Les résistances du passage 32 et du ruban 42 sont égales à leur résistivité en ohms par carré multipliée par le nombre de carrés qu'ils contiennent. Par exemple, dans le mode de réali-25 sation préféré, le passage 32 qui a une longueur d'environ 2540 microns et une largeur d'environ 227 microns contient environ 11 carrés. On multiplie ce nombre par la résistivité superficielle, c'est-à-dire 50 ohms par carré, pour déterminer la résistance offerte qui est donc de 550 ohms. D'autre part, 30 le ruban 42 a une longueur d'environ 762 microns et une largeur d'environ 203 microns, soit 3,75 carrés. La résistance du ruban 42 est donc environ 187 ohms. On se réfère maintenant principalement aux Fig. 5 et 6 qui représentent un autre mode de réalisation de l'invention cons-35 titué psr une pastille semiconductrice en silicium 100 supportant des transistors mesa d'entrée et de sortie aux extrémités opposées d'une même surface principale. Le transistor d'entrée comprend une portion de base d'entrée 1G2 sur laquelle est prévu un émetteur mesa d'entrée 104 en saillie. Le transistor de 40 sortie comprend une portion de base de sortie 106 sur laquelle 70 33360 8 2064269 est prévu un émetteur mesa de sortie 108 en saillie. Deux gorges 110 et 112 parallèles et espacées s1 étendent en travers de la pastille, sur 90 % environ de sa surface, à partir de ses côtés opposés et séparent les transistors d'entrée et de 5 sortie. Les gorges 110 et 112 définissent un passage allongé 116 dans la région de base qui est contigue à la portion de base d'entrée 102 et à la portion de base de sortie 106 aux extrémités opposées de la pastille. Ceci forme une interconnexion résistive dans la masse entre la portion de base d'entrée 102 et la portion 10 de base de sortie 106. Une seconde résistance est formée de façon contiguë à la portion de base de sortie 106 par une troisième gorge 118 adjacente à un bord de la pastille sur les extrémités externes des transistors. La gorge 118 s'étend sur environ 1/4- de la 15 longueur de la pastille et définit avec le bord adjacent de celle-ci un ruban résistif 120 en matériau de base contigu- à la portion de base de sortie 106. Une couche réfractaire de protection 121 en oxyde de silicium est formée sur les régions d'émetteur et les portions de 20 base des transistors d'entrée et de sortie. Une substance de passivation courante et bien connue protège également la jonction PN collecteur-base à découvert. Des contacts en aluminium évaporé 122 et 124- touchent respectivement la portion de base 102 et le mesa émetteur 104- par l'intermédiaire de 25 trous appropriés ménagés dans la couche réfractaire. De même, des contacts en aluminium évaporé 126 et 128 touchent respectivement la portion de base 106 et le mesa émetteur 108. Un contact en aluminium évaporé 130 est en contact avec l'extrémité du ruban résistif 120 qui est espacée de la portion de base de 30 sortie 106 interconnectant le contact 128 de celle-ci. Un conducteur en aluminium 132 situé sur 1'oxyde et recouvrant le passage 116 et séparé de celui-ci par la couche d'oxyde 121 qui connecte la région d'émetteur d'entrée 104- à la portion de base de sortie 106. Des bornes de connexion, non 35 représentées, peuvent être liées séparément aux contacts de la portion de base d'entrée et de la région d'émetteur de sortie. Une électrode, également non représentée, peut être soudée au-dessous de la pastille pour servir de contact de collecteur. On se réfère maintenant aux Fig. 7 et 8 qui représentent 4-0 un troisième mode de réalisation de l'invention dans lequel une 70 33360 9 2064269 pastille semiconductrice en silicium 150 comporte une surface principale de forme générale carrée qui contient des transistors d'entrés et de sortie imbriqués à ses oxtrémitês opposées. Le transistor d* sa urée ocaprend vsio portion de bacs d® sntrés ^52. 5 sur l3qusl est ua aesr. émetteur 15^ isoriquô en foroo de iJo Le transistor de a ortie oompor-ts une portion ds i>oso do sortio 156 sur lequel est prévu un aie s a omette;ar de sortie 158 isteiiizo, en saillie et en forme âeE , Une gorge 160 est située près du fcom de la pastille 150 10 nais en est séparée par une baade adneo do isatiôre do base et s'étend à la périphérie de la stefaos principale do la pastille0 3eux prolongements 153- et 166 do la gorgo qui sont parallèles et espacés s'avancent en travers de la pastilla à pastis? des segments opposés de la gorge 160 et isolent de façon résistive 15 les transistors d'entrés" et de sortie» Le gorge 16& s'étend sur environ 90 # de le. longueur do la surface principale et la gorge 166 sur 20 $ environ do -jetto longueur0 Cos gorgoo rooou-"»rent et définis sont ;ir. paoesr- •.•-.ll-ra-sô ^ €33 sa zatiero âe bcce qui est contigu aœ portions le oar.a d© sortie ot- cl3 entrée ûn 20 même côté de la pastille, Oesi fosse :*no i^te^coEnssioa résistive dans la masse éntre-la portion de fcaee d'entrée 152 et la portion de base âe sortie 13?- La seconde résistance de fuite est fermée de façon eontiguG à la portion de base de soi'tie 155 par une gorge 170 adjacente 25 et généralement parallèle à un segment de la gorge périphérique 160 à un coin de la pastille siteô près du transistor do sorties La gorgé 1$D st la gorge 150 dédiai?sent im risfcan résistif 172 on aatièrs d.* -tèse -oui ©st oonti?ïT- - portion de loerae de • cortie 156* 50 Une couche réfraetairs de protection 173 en oryde de sili cium est fermée sur les régions d1* émetteur et les portions de base des transistors d'entrée et de sortieo Une substance de passivation d'usage courant remplit complètement les gorges et recouvre également les .jonctions PN collecteur-base à décou-55 vert» Des contacts en aluminium évaporé 17^ et 176 sont respectivement en contact avec la portion de base 152 et le mesa émetteur 15^ par 11 intermédiaire de trous appropriés ménagés dans la couche réfractaire. De même, des contacts en aluminium évaporé 178 et 180 sont respectivement en contact avec la lb0 portion de base 156 et le mesa émetteur 158. Un contact en bàd original 70 33360 10 2064269 aluminium évaporé touche l'extrémité du ruban résistif 172 qui est espacée de la portion de base de sortie 156. Des conducteurs en aluminium recouvrant l'oxyde relient le mesa eiietteur d'entrée à la région de base de sortie et le mesa 5 é&etteur de sortis à l'extrémité espacée du ruban résistif î72» Des bornes de connexion5 non. représentées, peuvent êtr& liées séparément aux contacts de la portion de base drentrée-et de la région d'émetteur de sortie. Une électrode peut être soudée à une surface principale de la pastille 150 opposée à la région 10 de basea Les dispositifs semiconducteurs décrits peuvent etre fabriqués au moyen de techniques classiques et bien connues de dépôt en phase vapeur, de masquage par oxyde, d'évaporation métallique et de décapage photographique» Gomme il est bien 15 connu, ces techniques peuvent être utilisées facilement pour fabriquer simultanément des circuits sur de nombreuses pastilles seiaiconduôtrices monolithiques* les- modes de réalisation décrits peuvent donc etro produits'an grande quantité -ot éeono-mique&ent aa moyen de techniques connues." 20 Bien que chacun des modes de réalisation décrits -concerne un" circuit aanlifieatetir de Barlington, l'invention n'est nullement liraitêo à. ee cireuito Par exemple, d'autres circuits courants peuvent être formés sue1 un dispositif mesa à circuit intégré. 25 De plus, bien que les résistances de fuite connectées parallèlement ans fonctions"base-éoetteor des transistors d'entrée et âe sortie du mode do réalisation préféré aient une •yolem? d*©aviron 550 oîiaa ©t 137 ohao respectivementj l'invention n9est pas limitée par o©s valeurs» Ges résistances doivent 30 être toutefois suffisamment grandes pour ne pas tirer ".m courant • trop élevé lorsque 1'amplificateur de_Darlington fonctionne en mode de conduction. Par ailleurs. les résistances ne doivent pas présenter une valeur trop élevée qui empêcherait qu'elles constituent une impédance parallèle efficace pour le courant 55 de fuite lorsque l'amplificateur de Darlington fonctionne en mode de blocage. Par conséquent, une gamme utile de valeurs de la résistance de fuite du transistor d'entrée dans le présent mode de réalisation préféré est d'environ 500 à 10 000 ohms. Toutefois, on a constaté qu'une gamme utile de valeurs de la 40 résistance de fuite de sortie pour le mode de réalisation préféré PAO OHïGïN^L 70 33360 2064269 est d'environ 100 à 200 ohms. les dimensions indiquées pour les dispositifs semiconducteurs décrits ci-dessus ne sont pas critiques et peuvent donc être modifiées pour correspondre à une application particulière. 5 Toutefois, dans le mode de réalisation décrit, l'épaisseur du substrat collecteur ne doit pas dépasser notablement 254- microns environ afin de ne pas introduire de résistance série de collecteur excessive. Cette résistance série de collecteur peut naturellement augmenter la chute de tension collecteur-émetteur. 10 Par exemple, dans le présent mode de réalisation préféré, la chute de tension collecteur-émetteur à 5 A environ dans le transistor de sortie est inférieure à 1 ,5 V". D'autre part, une pastille d'épaisseur inférieure à 127 microns environ peut être difficile à manipuler pendant le traitement. De même, les 15 dimensions respectives des régions de base et d'émetteur dépendent généralement des caractéristiques particulières jugées désirables pour un mode de réalisation particulier. Par exemple, le gain en courant, l'efficacité ^Injection et l'énergie pouvant être traitée, peuvent être influencés par les dimen-20 sions de ces régions. De plus, bien que dans le présent mode de réalisation préféré la résistivité du substrat collecteur soit d'environ 1 ohm-centimètre, cette valeur n'est pas limitative. La résistivité du collecteur doit naturellement être suffisamment élevée 25 pour assurer une tension de claquage élevée. Par exemple, le mode de réalisation décrit peut supporter une tension collec-teur-émetteur d'environ 200 V dans des conditions déterminées. Une résistivité élevée du collecteur tend également à réduire la capacité associée à la jonction collecteur-base. D'autre $0 part, une résistivité élevée du collecteur augmente nécessairement sa résistance interne. Par conséquent, pour le mode de réalisation préféré, la résistivité du collecteur ne doit pas être inférieure à 0,1 ohm-centimètre environ ni supérieure à 10 ohms-centimètre. 70 33360 M 20,4269 EEVEHSICATIOMS 1. Dispositif semiconducteur à circuit intégré coaprenant une pastille semiconductrice d'un premier type de conductivité et ayant des surfaces principales opposées, une série de ré- 5 gions semiconductrices de type de conductivité opposée sur l'une des surfaces principales, des contacts touchant séparément la pastille et les régions, des conducteurs interconnectant les contacts et une gorge s'étendant dans la pastille pour isoler électriquement les contacts par groupes, caractérisé en ce qu'il 10 comprend une région semiconductrice de conductivité opposée (P) ayant une première et une seconde portions (26, 102, 152; 24, 106, 156), une première région (20, 104, 1 54-) du premier type de conductivité (N) située sur la première portion (26, 102, 152), une seconde région (48, 108, 158) du premier type de 15 conductivité (N) située sur la seconde portion (24, 106, 156), une première gorge (28, 30; 110, 112; 164, 166) séparant de façon résistive la première portion de la seconde en définissant un passage de résistance prédéterminée (32, 116, 168), une seconde gorge (40, 118, 170)" définissant avec la périphérie de 20 la seconde portion un ruban résistif (42, 102, 172) de la ■ région de type de conductivité opposé (P) dont une extrémité est contiguë à la seconde portion et dont l'autre extrémité libre en est espacée pour former une résistance dans la masse, des contacts (57) 4-9, 54-, 52, 50; 122, 132; 74 à 180) touchant 25 séparément la première et la seconde régions, les portions et l'extrémité libre du ruban (42, 120, 172), un premier conducteur (58, 132, 178) interconnectant la première région du premier type de conductivité et la région de type de conductivité opposé de la seconde portion, et un second conducteur (50, 130» 180) 30 interconnectant la seconde région d'un premier type de conductivité et l'extrémité libre du ruban résistif (42, 120, 172). 2. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface (10, 100, 150) de la pastille comporte une couche réfractaire de protection (47, 121, 173) 35 qui isole la surface de la région de conductivité opposée (P) et la surface de la première (20, 104, 154-) et de la seconde (18, 108, 158) régions de premier type de conductivité (N), le premier conducteur (58, 132, 178) est constitué par une couche conductrice située sur la couche réfractaire (47, 121., -r- 173) et recouvrant le passage résistif (32, 116; 168), et le 70 33360 15 2064269 second conducteur (50, 130, 180) est également constitué par une couche conductrice située sur la couche réfractaire et recouvrant le ruban résistif (42, 120, 172). 3. Dispositif semiconducteur de type mesa selon la revendi-5 cation 2, caractérisé en ce que la première gorge comprend au moins deux segments (28, 30; 110, 112; 164, 166) parallèles l'un à l'autre. 4. Dispositif semiconducteur du type mesa selon l'une quelconque des revendications 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que 10 la première gorge (22) présente la forme générale d'une spirale dans la région de type de conductivité opposée (24, 26) et entoure de façon non contiguë la seconde région (18) de premier type de conductivité. 5. Dispositif semiconducteur de type mesa selon la 15 revendication 3, caractérisé en ce que la première gorge comprend deux segments parallèles (28, 30; 110, 112; 164, 166) s1avançant à partir des côtés opposés de la région de type de conductivité opposée (P) et dans cette région dont Ie un au moins (28, 110; 164) se termine près d'un côté opposé do celle-ci. 20 6. Dispositif semiconducteur de type mesa selon l'une quel conque des revendications 1, 2, 3 ou 5, caractérisé en ce qu'il comprend une gorge périphérique (160) formés dans la région de type de conductivité opposée (P) et s'étendant à la périphérie de celle-ci. 25 7« Dispositif semiconducteur de type mesa selon l'une quelconque des revendications 1, 2 ou 3, caractérisé en ce que la première région (154-) est imbriquée dans la première portion (152) et la seconde région (158) est imbriquée dans la seconde portion (15S) et les contacts (17Z-L à 180) sont également 30 imbriqués. 8. Dispositif semiconducteur de type mesa selon l'une quelconque des revendications précédentes.s caractérisé en ce que le corps semiconducteur (10, 100, 150) présente une résistivité d'environ 0,1 ohm-centimètre è. environ 10 ohms-centimètre, 35 et la résistivité superficielle de la couche est d'environ 10 ohms par carré à 200 ohms par carré»