FR 2096436 A1 19720218 FR 7122713 A 19710622 71 22713 i 2096436 La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication de semi-conducteurs et elle a trait plus particulièrement à un procédé pour introduire des impuretés de modification de conducti-vité dans une matière semiconductrice. 5 Une des phases fondamentales de la fabrication de disposi tifs semiconducteurs consiste à introduire des impuretés de modification de conductivitë dans la matière semiconductrice. Une technique largement utilisée pour créer des régions de conductivités modifiées consiste à faire-diffuser des impuretés dans la matière à 10 partir d'une source appropriée. Une opération de diffusion d'impuretés nécessite une source d'impuretés appropriée, des moyens pour transférer des impuretés jusqu'à la matière semiconductrice et un environnement réglé pour produire des régions de diffusion désirées. Ces dernières années, on a mis-au point différents procédés de dif-15 fusion établissant des degrés variables de réglage de la profondeur et de la concentration de diffusion. En particulier, une diffusion d'impuretés de modification de conductivité dans une matière semi-conductrice telle que du silicium est effectuée à des températures comprises entre 800 et 1.200° C. Différentes matières à l'état so-20 lide, liquide ou gazeux ont donné des résultats de diffusion acceptables. Le nombre et .la. diversité des dispositifs semiconducteurs existants mettent clairement en évidence le succès obtenu avec les procédés de diffusion à l'état solide. Bien que les procédés de diffusion connus à l'heure actuelle 25 donnent des résultats satisfaisants, il subsiste de nombreux problèmes non résolus. Par exemple, dans : la fabrication de transistors à effet de champ du type métal-oxyde semiconducteur, les régions de source et de drain sont généralement réalisées en formant par gravure ou décapage des trous dans la couche d'oxyde et en faisant 30 diffuser des impuretés à l'état gazeux dans le substrat semiconducteur. Cependant cette méthode présente différents inconvénients ; en particulier, lors du décapage des trous dans la couche d'oxyde il se produit fréquemment un affouillement de 1'électrode de commande ou grille. En outre, pendant un processus de diffusion ga-35 zeuse, il arrive que la taux de solubilité à l'état solide de la matière semiconductrice soit dépassé et qu'il se produise par suite des dislocations dans la matière. Ces problèmes et d'autres qui affectent le procédé de fabrication en question réduisent le rendement de fabrication de transistors dans des processus de production 71 22713 2 2096436 par lots. Un procédé remédiant aux inconvénients mentionnés plus haut consiste à former les régions de source et de drain par diffusion dans la couche d'oxyde ou isolante sans réaliser dans celle-ci des 5 ouvertures. Ce procédé remédie aux inconvénients mentionnés plus haut et il permet d'obtenir des résultats appropriés mais le temps de diffusion est assez long. Un autre problème qui se pose avec les procédés de diffusion connus consiste dans la création de contraintes entre les pellicu-10 les de masquage de diffusion et le substrat semiconducteur sous-jacent. Ces contraintes sont produites par des différences entre les coëfficients de dilatation thermique des deux matières. De telles contraintes sont suffisantes pour produire des fissures et ruptures dans les pellicules de masquage et parfois un nombre de 15 dislocations assez grand dans la matière semiconductrice proprement dite. Il en résulte que le nombre de dispositifs utilisables.produits dans un procédé de fabrication par lots est considérablement réduit. En conséquence, l'invention a pour but de fournir un procédé 20 de diffusion d'impuretés dans des verres non dopés recouvrant des substrats semiconducteurs qui remédie aux inconvénients des réalisations connues. L'invention a également pour but de fournir un procédé pour faire diffuser des impuretés de type dopant dans une couche iso-25 lante recouvrant un substrat semiconducteur dans des temps de diffusion sensiblement réduits. L'invention a également pour but de fournir un procédé pour faire diffuser des impuretés d'une pellicule de verre dopé en impuretés au travers d'une pellicule de verre non dopé par dissolution 30 du verre non dopé à température élevée. L'invention a également pour but de fournir un procédé pour réduire le temps de diffusion d'impuretés dans des verres non dopés afin de diminuer les contraintes engendrées par diffusion dans des pellicules formant écran et dans le substrat semiconducteur sous-35 jacent et pour permettre l'introduction d'impuretés du type dopant dans le substrat semiconducteur sans que la solubilité de la matière semiconductrice à l'état solide soit dépassée. Ce problème est résolu suivant 1'invention en utilisant une 71 22713 3 2096436 matière semiconductrice comportant une couche de verre non dopé qui est recouverte d'une couche de verre dopé en impuretés semiconduc-trices et contenant des verres a températures de ramollisement élevée et basse. Aux températures élevées, le verre dopé en impuretés 5 semiconductrices dissout rapidement la couche de verre non dopé et entraîne les impuretés semiconductrices vers la surface de la matière semiconductrice en vue de leur diffusion dans celle-ci. Par exemple une couche de verre du type biôxyde de silicium dopé en trioxyde de bore et contenant environ 20 à 50 % molaires en poids 10 de trioxyde de bore est formée sur un substrat semiconducteur en silicium recouvert de verre du type bioxyde de silicium non dopé. A des températures supérieures à environ 800° C, le verre dopé en bore est soumis à un pseudo-changement d'état brutal en passant d'un état vitrifié fortement visqueux à un état vitrifié fluable et 15 de faible viscosité, avec dissolution rapide du verre de type bioxyde de silicium non dopé par diffusion du trioxyde de bore. Le trioxyde de bore se propage vers la surface du substrat en silicium de sorte que des atomes libres de bore diffusent dans le substrat. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention seront 20 mis en évidence dans la suite de la description, donnée à titre d'exemple non limitatif, en référence aux dessins annexés dans lesquels : La Fig. 1 est une coupe partielle d'un substrat semiconducteur qui est recouvert par dès pellicules de verre dopé et non 25 dopé ; • La Fig. 2 représente graphiquement la variation de la profondeur de diffusion pour différentes épaisseurs de la couche isolante et pour une concentration superficielle sensiblement constante ; 30 La Fig. 3 est une coupe partielle 'd'un" dispositif semicon-"'" ducteur fabrique par diffusion à partir d'un verre dopé recouvrant un substrat semiconducteur revêtu d'oxyde. • Dans un mode de réalisation de l'invention, on a trouvé que, à des températures élevées, certaines combinaisons de verres à 35 haute et basse températures de ramollissement~provoquent, lorsqu'ils sont déposés sur certains verres non dopés, une dissolution rapide de ces derniers. Lorsque des impuretés semiconductrices sont ajoutées à la combinaison de verres ou en font partie d'une autre manière, la dissolution rapide du verre non dopé est accompagnée par 71 22713 4 2096436 un mouvement rapide des impuretés semiconductrices dans le verre non dopé. Ce phénomène, qu'il est préférable d'appeler "diffusion dans le verre par dissolution", peut être mieux compris en référence à la Fig. 1 où on a représenté à échelle fortement agrandie 5 une vue latérale d'un dispositif semiconducteur fabriqué suivant le procédé de l'invention. Le dispositif comprend une matière semiconductrice 14 telle que du silicium par exemple sur laquelle est déposée une couche isolante 15 telle que du verre du type bioxyde de silicium formé par voie thermique. Une couche de verre dopé en im-10 puretés semiconductrices 16, tel que du bioxyde de silicium dopé en trioxyde de bore, est déposée sur la couche isolante 15 en formant une interface 1-7 entre les deux couches. Dans ce mode de réalisation de l'invention, on a trouvé que, à des températures supérieures à environ 800° C, le verre du type bioxyde de silicium dopé 15 en trioxyde de bore et contenant environ 20 à 50 % molaires en poids de.trioxyde de bore, est soumis à un pseudo-changement d'état brutal pour passer d'un état vitrifié et dur,fortement visqueux à un état vitrifié mou, fluable et de très faible viscosité. Plus particulièrement, on a trouvé que, à des températures comprises 20 entre environ 800 et 1.300° C, du verre dopé en bore et présentant les concentrations indiquées plus haut devenait très mou et, fluable (c'est à dire moins visqueux) et produisait une dissolution rapide de la couche adjacente de bioxyde de silicium 15 le long de 1/interface 17. La dissolution du verreà base de bioxyde de silicium 25 est accompagnée par la diffusion .dans ce dernier, d'impuretés constituées par du trioxyde de bore. A mesure que la diffusion se poursuit, l'interface 17.se déplace rapidement en direction du .substrat en silicium 14. La Fig. 1 montre ce mouvement par la ligne en tirets 17 A. Du fait du mouvement de l'interface ou front 17 A, le 30 le bioxyde de silicium précédemment non dopé 15 est maintenant dopé par le trioxyde de bore. En fonction de la concentration du trioxyde de bore dans le verre dopé et de l'épaisseur du verre non dopé, l'interface 17 peut se déplacer de manière à venir coïncider avec la surface du substrat 14 en silicium de sorte que des atomes de 35 bore libres diffusent dans le substrat. Par exemple, une pellicule de bioxyde de silicium 15 de 800 angstroms d'épaisseur est dissoute d'une surface à l'autre par une couche de verre à base de bioxyde de silicium dopé en trioxyde de 71 22713 5 2096436 bore d'une épaisseur de 3.000 angstroms et contenant environ 30 % molaires en poids de trioxyde de bore au bout d'une période d'environ 2 minutes à une température de 1.050° C. Il est facile de se rendre compte qu'une telle rapidité de dissolution de la pellicule 5 de bioxyde de silicium peut être exploitée avantageusement pour réduire le temps nécessaire à la diffusion d'impuretés semiconductrices dans une matière semiconductrice sous-jacente. Avant de considérer en détail les paramètres de l'invention, il est nécessaire de faire la distinction entre le procédé de l'in-10 vention, qui correspond à une diffusion dans le verre par dissolution, et les procédés de diffusion connus. Une diffusion par dissolution de verre est définie dans la présente description comme une dissolution rapide à température élevée d'une couche isolante non dopée par une couche adjacente de verre dopé en impuretés et 15 de faible température de ramollissement. Dans le cas de bioxyde de silicium dopé en trioxyde de bore par exemple, cette condition de diffusion par dissolution se produit pour des concentrations de trioxyde de bore comprises entre 20 et 50 % de trioxyde de bore dans le verre au bioxyde de•silicium et à une température comprise entre 20 environ 800 et 1.300° C. En dessous de concentrations d'environ 20 %, du verre dopé en bore ne présente pas le phénomène de diffusion par dissolution mais il se produit au contraire une diffusion au travers du bioxyde de silicium en accord avec les paramètres de diffusion à l'état solide. Au dessus de concentrations d'environ 25 50 %, le verre dopé en bore devient hygroscopique et très soluble dans l'eau. En conséquence, lorsqu'on utilise un verre dopé en bore, le procédé de diffusion par dissolution suivant l'invention est mis en pratique avec des concentrations de trioxyde de bore comprises entre 20 et 50 % molaires. 30 Pour clarifier le texte, l'invention est décrite dans sa mise en pratique avec du verre au bioxyde de silicium dopé en trioxyde de bore ; cependant, il va de soi que l'invention n'est pas limitée uniquement à ce type de verre dopé. Comme cela sera précisé dans la suite, on peut également employer d'autres combinaisons de 35 verres à haute et basse température de ramollissement présentant les caractéristiques désirées de diffusion par dissolution du verre. Par exemple, on peut également utiliser du verre au trioxyde d'arsenic dopé en oxyde de plomb, du verre au bioxyde de silicium dopé 71 22713 6 2096436 en pentoxyde de phosphore, du verre au borosilicate dopé en oxyde de plomb, du verre au bioxyde de silicium dopé en trioxyde d'antimoine, du verre au bioxyde de silicium dopé en trioxyde de bismuth, du verre au bioxyde de silicium dopé en oxyde d'étain et du sili-5 cate ou du borosilicate de plomb dopé en zinc. Avec certains verres, on peut ajouter de l'oxyde de plomb pour réduire encore la viscosité duverre dopé lorsque cela est désiré. D'autre part, en dehors des couches isolantes de bioxyde de silicium, on peut également employer d'autres matières, comme par exemple le monoxyde de silicium 10 et l'oxyde d'aluminium. Egalement, on peut utiliser d'autres matières semiconductrices de la classe IV comme par exemple le germanium et des matières semiconductrices de la classe V telles que de l'arséniure de gallium et du phosphure de gallium. En conséquence, l'invention n'est pas limitée à une matière particulière ou à une 15 combinaison de matières données à titre d'exemples. La Fig. 1 montre que, à des températures élevées, l'interface 17 A se déplace en direction de la surface du substrat en silicium 14. Dans le cas de verre dopé en bore, une réaction chimique se produit entre le trioxyde de bore et le silicium de manière à 20 former des atomes de bore libres qui diffusent alors dans le substrat en silicium. Plus spécifiquement, la réaction qui se produit sur la surface du silicium est la suivante : 2 B203 + 3 Si 4 B + 3 Si02 Cette réaction montre que des atomes de bore libres sont 25 produits sur l'interface en silicium et que ces atomes diffusent rapidement dans le substrat en silicium 14. Après que le trioxyde de bore a diffusé par dissolution dans la couche de bioxyde de silicium, la diffusion de bore dans le silicium se déroule d'une façon sensiblement similaire à d'autres 30 processus de diffusion. Une caractéristique particulièrement avantageuse de l'invention consiste dans la dissolution rapide de la couche de bioxyde de silicium par le bioxyde de silicium dopé en trioxyde de bore de sorte que le trioxyde de bore est disponible sur la surface du substrat. 35 Un autre avantage de l'invention consiste en ce que l'inter face entre la substrat en silicium 14 et la couche de bioxyde de silicium 15 n'est plus rigide. Puisque le bioxyde de silicium est devenu mou et fluable, des contraintes qui auraient pu autrement 71 22713 7 2096436 être créées sont considérablement réduites, sinon complètement éliminées. On va maintenant considérer plus en détail les paramètres de l'invention en référence à la Fig. 2 qui donne la variation de la 5 profondeur de diffusion d'impuretés dans un substrat en silicium en fonction de l'épaisseur du bioxyde de silicium pour différentes périodes et températures de diffusion et pour une couche de verre dopé en trioxyde de bore de 3.000 angstroms d'épaisseur, contenant 30 % molaires en poids de trioxyde de bore. Plus particulièrement, 10 la Fig. 2 met en évidence les courtes périodes de diffusion nécessaires pour obtenir une profondeur donnée de diffusion dans un substrat semiconducteur pour une concentration superficielle spécifique Cs. La courbe 18 donne la variation de la profondeur de diffusion en fonction de l'épaisseur d'oxyde lorsque la diffusion 15 est effectuée à 1100° C pendant 5 minutes. Dans ces conditions, la 20 concentration superficielle Cg varie d'environ 3 à 5 x 10 atomes/ cm3. La courbe 19 donne la variation de profondeur de diffusion en fonction de l'épaisseur d'oxyde lorsque la diffusion est effectuée à 1.050° C pendant 10 minutes. Les concentrations superficielles 20 20 sont dans ce cas comprises entre 2 et 4 x 10 atomes/cm3. Pour une épaisseur d'oxyde inférieure à environ 1.000 angstroms, on a trouvé que le procédé de diffusion dans le verre par dissolution suivant l'invention permettait d'obtenir sensiblement les mêmes profondeurs de diffusion et les mêmes concentrations su-25 perficielles que dans le cas où le verre dopé en bore est placé directement sur le substrat en silicium. Cette caractéristique du procédé de 1'invention est particulièrement intéressante pour la fabrication de transistors à effet de champ par exemple puisqu'il est maintenant inutile d'enlever l'oxyde par décapagë pour former 30 des régions de source et de drain dans les transistors. Cette caractéristique sera précisée plus clairement dans la suite. Un autre avantage du procédé suivant 11 invention peut être mieux compris en considérant les problèmes posés par les procédés connus. Plus particulièrement, dans des procédés de diffusion de 35 types connus utilisant une couche intermédiaire"de verre non dopé placée sur la matière semiconductrice dans laquelle on doit faire diffuser des impuretés, il est généralement nécessaire de maintenir dans des limites étroites l'épaisseur du vérrë non dopé du fait 71 22713 8 2096436 que la diffusion des impuretés dans le verre non dopé correspond à un pourcentage appréciable du temps total de diffusion. Cependant, suivant l'invention, les impuretés pénètrent dans la couche d'oxyde non dopé seulement dans une petite fraction du temps total de dif- 5 fusion. En conséquence, de légères variations de l'épaisseur de la couche d'oxyde sont sans importance. Plus particulièrement, dans le procédé de diffusion suivant l'invention, le coefficient de diffusion d'impuretés dans du verre non dopé est du même ordre de grandeur que le coëfficient de diffu- 10 sion d'impuretés dans une matière semiconductrice. Par exemple, pour des concentrations de trioxyde de bore comprises entre environ 20 et 50 % et à des températures comprises entre 1.000 et 1.100° C, -15 le coëfficient de diffusion est respectivement supérieut à 2 x 10 2 -14 2 cm /s et 2 x 10 cm /s. Pour des concentrations de diffusion à 15 l'état solide, (c'est à dire inférieures à environ 20 % de trioxyde de bore), le coëfficient de diffusion est inférieur ou égal à envi--17 2 ron 4 x 10 cm /s. Cette différence entre les coëfficiénts de diffusion explique les temps rapides de diffusion obtenus avec le procédé de l'invention. Des variations d'épaisseur de la couche d'o-20 xyde sont par conséquent sans importance dans la détermination de la profondeur des régions de diffusion résultantes dans un substrat sous-jacent. Il en résulte qu'on peut régler et reproduire très aisément des régions de diffusion de profondeurs sélectionnées. Une autre caractéristique particulièrement intéressante du 25 procédé de diffusion par dissolution consiste dans la faible diminution de la concentration superficielle Cg du semiconducteur obtenue pour des épaisseurs de pellicule isolante non dopée pouvant atteindre 1.000 angstroms. On estime que cette propriété avantageuse résulte de l'éxistence d'une quantité d'impuretés provenant 30 de la couche de verre dopé suffisante pour dissoudre la couche de verre non dopé intermédiaire et pour produire sur la surface semi-conductrice une quantité d'atomes libres d'impuretés suffisante pour établir la concentration superficielle désirée. Une réduction rapide de la concentration superficielle se produit à mesure que 35 l'on se rapproche de la "condition de masquage", c'est à dire qu'il existe une épaisseur de verre non dopé qui est suffisante pour empêcher les impuretés d'atteindre la surface de la matière semiconductrice. Cette condition est mise en évidence sur la Fig» 2 par le 71 22713 9 2096436 point d'intersection de chaque courbe avec l'axe des abscisses. Sans que l'invention soit limitée par une théorie de fonctionnement particulière, on estime cependant qu'on se rapproche de la condition de masquage par suite de la dilution du verre dopé en 5 impuretés. Par exemple, lorsque le verre dopé en impuretés dissout le verre non dopé adjacent, des impuretés sont transmises au verre non dopé. Lorsque la concentration d'impuretés tombe en dessous d'une valeur suffisante pour entretenir la condition de dissolution, le verre dopé en impuretés devient plus visqueux et la dissolution 10 du verre non dopé s'arrête. Cette condition correspond alors à la condition de masquage de sorte que le procédé de diffusion suivant l'invention est du type à auto-limitation. Cette caractéristique peut être avantageusement utilisée, par exemple pour limiter le degré de diffusion latérale d'impuretés en-dessous des bords d'une 15 grille d'un transistor à effet de champ. On voit par conséquent que les caractéristiques intéressantes du procédé de l'invention sont tout à fait applicables à la fabrication de dispositifs semiconducteurs. Par exemple, on peut améliorer sensiblement la fabrication de dispositifs semiconducteurs 20 tels que des transistors à effet de champ du type métal-oxyde-semi-conducteur puisque, grâce â l'invention, il n'est plus nécessaire d'enlever la couche d'oxyde pour former par diffusion des régions de source et de drain dans une zone adjacente à la région de grille et en outre, dans des cas où on utilise une diffusion au travers de 25 la couche d'oxyde, le procédé de diffusion suivant l'invention réduit la période de diffusion à quelques minutes par comparaison aux périodes de plusieurs heures qui sont nécessaires dans le cas des procédés de diffusion à l'état solide. Bien que la Fig. 2 montre la variation de certains paramè-30 très se rapportant à l'invention, il va de soi que les valeurs particulières indiquées n'ont aucun effet limitatif mais sont données simplement pour mettre en évidence un groupe de paramètres. En fait, dans la mise en pratique de l'invention, il est approprié d'utiliser des couches isolantes de verre non dopé d'épaisseurs comprises 35 entre environ 400 et 2.000 angstroms et des couches de verre dopé d'épaisseurs comprises entre environ 2.000 et 10.000 angstroms. Des temps de diffusion acceptables sont compris entre environ 5 minutes et 5 heures à des températures comprises entre environ 600 et 1300°C 71 22713 10 2096436 les temps les plus courts étant obtenus pour de faibles épaisseurs de verre non dopé et pour de fortes concentrations en impuretés. A titre d'exemple, on a représenté un autre mode de réalisation de l'invention sur la Fig. 3. Le dispositif est constitué par 5 un transistor à effet de champ à canal P fonctionnant suivant le mode d'enrichissement, ce transistor comprenant un substrat semiconducteur 20 de type n qui est recouvert sur une face d'une couche épaisse d'oxyde non dopé 21. Une partie de la couche d'oxyde, qui peut par exemple avoir une épaisseur de 10.000 angstroms, est enle-10 vée par décapage de manière à produire une région 22 dans laquelle le substrat est oxydé pour former une couche d'oxyde d'une épaisseur de 1.000 angstroms. Une électrode de commande ou grille 23, formée par exemple de molybdène, de tungstène, de silicium ou d'autres matières appropriées, est produite dans la région 22 et toute 15 la surface de la couche d'oxyde 21 est recouverte d'une pellicule de verre dopé en trioxyde de bore 24 contenant environ 35 % en poids de trioxyde de bore et d'une épaisseur d'environ 3.000 angstroms. Cette couche peut être commodément formée en faisant passer un mélange d'oxygène, de diborane (B^ Hg) et de silane (SiH^) dilué 20 à 1 % avec de l'argon sur le substrat chauffé pour produire la couche d'épaisseur désirée. Ce procédé a été décrit d'une façon plus complète dans la demande de brevet français déposée le 25 mai 1971 par la Demanderesse pour "Procédé de fabrication de transistors à effet de champ". En variante, le verre dopé en bore peut être dépo-25 sé par d'autres procédés connus. Quel que soit le procédé employé, le substrat est placé dans une chambre de diffusion et la température est portée et maintenue à 1100° C pendant approximativement 15 minutes de manière que le verre dopé en trioxyde de bore 24 pénètre par dissolution dans la couche adjacente de bioxyde de sili-30 cium 21. Par suite des épaisseurs différentes des couches d'oxyde, le trioxyde de bore ne pénètre par diffusion dans la couche d'oxyde jusqu'à la surface du substrat en silicium 20 de type n que dans la région 22. Cependant, même dans cette zone, l'épaisseur de la grille 23 arrête la diffusion du trioxyde de bore vers le substrat 20. 35 En conséquence, ce n'est que dans les régions de source 25 et de drain 26 que la conductivité du substrat est modifiée. En enlevant par décapage le verre dopé en bore 24 et en établissant des contacts sur les régions de source et de drain et sur la grille, on 71 22713 2096436 obtient un transistor à effet de champ. Pour illustrer un autre exemple d'application de l'invention, on va considérer la fabrication d'un transistor à effet de champ sur un substrat en arsëniure de gallium. Dans ce cas, on produit un 5 dispositif similaire à celui de la Fig. 3 en formant une couche de bioxyde de silicium de 5.00Q angstroms d'épaisseur sur un substrat en arsëniure de gallium de type n comportant une région 22 d'une épaisseur de 1.000 angstroms. Une grille 23 en molybdène est formée dans la région 22 et une couche de verre au borosilicate dopé en 10 zinc, contenant environ 1 % molaire en poids de zinc et d'une ë-paisseur de 3000 angstroms, est déposée sur la grille. Le substrat est placé dans une chambre de diffusion et la température est portée et maintenue à 700° C pendant environ 30 minutes. Pendant cette période, le verre au borosilicate dopé en zinc pénètre par diffu-15 sion dans la zone la plus mince du verre en bioxyde de silicium de manière à produire des régions de source 25 et de drain 26 d'une conductivité de type p jusqu'à une profondeur d'environ 1 micron. Des contacts sont ensuite établis sur les régions de source et de drain et sur la grille de manière à produire un transistor à effet 20 de champ. La description qui précède montre qu'on obtient-un procédé de diffusion d'un type nouveau pour modifier la conductivité de substrats semiconducteurs isolés. Ce procédé réduit non seulement les temps de diffusion d'un ordre de grandeur par rapport aux pro-25 cédés connus mais eh outre il élimine les contraintes entre le substrat semiconducteur et une couche d'oxyde superposée aux températures élevées. 71 2271:3 12 2096436 REVENDICATIONS 1 - Procédé de diffusion par dissolution du verre, caractérisé en ce qu'on forme une couche isolante de verre sur une matière semiconductrice, en ce qu'on dépose une couche de verre dopé en im-5 puretés semiconductrices sur la couche isolante de verre, le dit verre dopé en impuretés présentant un premier état vitrifié fortement visqueux en dessous d'une température prédéterminée et un second état vitrifié, mou, fluable et de faible viscosité au dessus d'une température prédéterminée et en ce qu'on chauffe les couches 10 de matière semiconductrice et de verre au delà de la dite température prédéterminée afin d'assurer une dissolution de la couche de verre non dopé par la couche de verre dopé en vue de faire déplacer rapidement les impuretés semiconductrices vers la surface de la matière semiconductrice et d'assurer leur diffusion dans celle-ci. 15 2 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que les impuretés semiconductrices sont entraînées vers la surface de la matière semiconductrice par dissolution du verre non dopé. 3 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la couche isolante de verre comporte une première épaisseur au 20 travers de laquelle les impuretés semiconductrices se déplacent en direction de la surface de la matière semiconductrice et une seconde épaisseur qui entrave le mouvement des impuretés semiconductrices vers la surface de la matière semiconductrice. 4 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce 25 que la couche isolante de verre a une épaisseur comprise entre environ 400 et 2.000 angstroms. 5 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de verre dopé en impuretés a une épaisseur comprise entre environ 2.000 et 10.000 angstroms. 30 6 - Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le verre dopé en impuretés semiconductrices comprend une combinaison de composants formés de verres à haute et basse températures de ramollissement. 7 - Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce 35 que le verre dopé en impuretés semiconductrices est choisi dans le groupe comprenant le bioxyde de silicium dopé en trioxyde de bore, le trioxyde d'arsenic dopé en oxyde de plomb, le bioxyde de silicium dopé en pentoxyde de phosphore, le borosilicate dopé en oxyde 71 22713 13 2096436 de plomb, le bioxyde de silicium dopé en trioxyde d'antimoine, le bioxyde de silicium dopé en trioxyde de bismuth, le bioxyde de silicium dopé en oxyde d'êtain, le silicate de plomb dopé en zinc et le borosilicate dopé en zinc. 5 8 - Procédé suivant la revendication 7, caractérisé en ce que le verre dopé en impuretés semiconductrices est du bioxyde de silicium dopé en trioxyde de bore et contenant environ 20 à 50 % molaires en poids de trioxyde de bore. 9 - Procédé suivant la revendication 6, caractérisé en ce 10 que la dite température prédéterminée est comprise entre 600 et 1300° C. 10 - Procédé suivant la revendication 6, caractérise en ce que la dite phase d'échauffement de la matière semiconductrice a une durée comprise entre environ 5 minutes et 5 heures.