FR 2108085 A1 19720512 FR 7134387 A 19710924 1. 71 34337 2108085 La présente invention est relative aux dispositifs d'affichage et se rapporte plus particulièrement à un dispositif d'affichage utilisant un générateur de signaux à tube à rayons cathodiques. 5 Dans les dispositifs d'affichage obtenant leurs signaux de générateurs de signaux à tube à rayons cathodiques du type mo-noscope ou photosensible, il a été utilisé des cibles dans lesquelles des jonctions à l'état solide ont été formées, dans des matériaux semiconducteurs par exemple, par diffusion. Ce procédé 10 aboutit toutefois à des imperfections formées dans la cible, du fait qu'en général les jonctions sont formées dans des tranches de matériau semiconducteur engendrées par croissance à partir d'un bain à l'état fondu et que des zones locales de la tranche comportent des imperfections du réseau cristallin. Par suite, au cours 15 du procédé de diffusion, les zones de la cible dans lesquelles apparaissent les imperfections présentent des régions de jonction produisant des signaux plus faibles ou même aucun signal, tandis que les régions comportant peu ou pas de telles imperfections fournissent un signal plus puissant et il en résulte que des diffëren-20 ces visibles peuvent apparaître lorsque des signaux engendrés par. de tels dispositifs sont affichés sur une surface de présentation telle que celle d'un tube à rayons cathodiques. Bien qu'il soit possible d'obtenir des cibles dans lesquelles le nombre et la dimension des imperfections sont suffisamment faibles pour produire 25 des dispositifs utilisables, l'augmentation des prix de fabrication qui en résulte rend les générateurs de signaux utilisant de telles cibles économiquement irréalisables pour beaucoup d'applications. L'invention fournit un dispositif d'affichage de signaux 30 dont la complexité est réduite par l'emploi d'un générateur de signaux à tube à rayons cathodiques comportant une cible qui produit sur sa face des signaux de niveau élevé et pratiquement exempts de bruit. Dans une forme d'exécution de l'invention, captant les ima-, ges lumineuses, la cible comporte une couche semiconductrice qui 35 est rendue relativement fortement conductrice du côté exposé à la lumière en surdopant par exemple la surface du semiconducteur au moyen de l'impureté de même type de conductivitë que les restes du corps. Une jonction est formée dans le côté opposé de la couche semiconductrice par une couche de matériau diélectrique qui présente 40 une résistance globale notablement plus élevée que celle de la cou 71 34337 2. 2108085 che semiconductrice. Il en résulte qu'un faisceau d'électrons balayant la cible charge des parties de la couche et que ces charges ne s'écoulent pas d'une manière substantielle sur la surface de la couche mais traversent plutôt la jonction dans les régions où la lumière frappe la couche semiconductrice. Ces porteurs de charges engendrés par la lumière migrent vers la jonction et pénètrent dans l'isolateur, ce qui décharge la surface de la couche diélec-trique. La zone déchargée par la lumière incidente reçoit les électrons de charge du faisceau d'électrons pendant le balayage suivant, tandis que celles qui n'ont pas été déchargées renvoient le faisceau d'électrons. Les électrons réfléchis peuvent être captés et le signal de sortie, représenté par la quantité variable d'électrons réfléchis, est encore amplifié par une seconde cible à jonctions à l'état solide. Un tel dispositif de prise de vues peut tirer parti de l'augmentation notable du rendement de conversion des photons en porteurs de charge qui est possible dans un corps semiconducteur. Comme les parties adjacentes de la surface diélectrique de la cible sont effectivement isolées les unes des autres, on obtient un signal de sortie à haute définition d'image. La couche diélectrique peut être choisie dans une gamme étendue de matériau et peut être appliquée à la couche semiconductrice au moyen de l'un quelconque d'un certain nombre de procédés bien connus, comme par exemple le dépôt thermique dans lequel la couche est évaporée à partir d'une source chaude sous vide et se dépose sur une cible plus froide, par pulvérisation dans une atmosphère à pression réduite, par dépôt en phase vapeur chimique dans lequel la cible est maintenue à une température élevée et des composés gazeux sont dirigés sur la surface de la cible pour produire un dépôt du matériau désiré par décomposition chimique à la surface de la cible, ou par oxydation du matériau semiconducteur. On peut obtenir avec de tels procédés des couches très uniformes et on peut également réduire les fuites de jonction dans les régions de la cible où le réseau cristallin du semiconducteur a été modifié pendant le processus de formation du cristal ou au cours de processus ultérieurs comme par exemple le découpage en tranches, le décapage ou d'autres stades intermédiaires. Suivant l'invention, une couche semiconductrice, en silicium par exemple, peut présenter une résistance relativement faible de 500 ohms par centimètre cube par exemple ou moins, et 71 36387 2108085 former une jonction avec un matériau diélectrique ayant une résistance supérieure d'un grand nombre d'ordres de grandeurs à celle 8 11 3 du semi-conducteur, par exemple 10 â 10 ohms/cm . De plus, on - peut choisir des matériaux améliorant le rapport entre les résis-5 tances de polarisation en sens direct et en sens inverse des jonctions. Par exemple, on peut utiliser du silicium dopé avec une impureté de type N comme substrat semiconducteur avec une couche dopée plus fortement avec une impureté de type N sur une surface pour servir de conducteur et pour améliorer le rendement de conver-10 sion des photons en porteurs de charge. Une jonction peut être formée sur le côté opposé du substrat semiconducteur en déposant une couche diélectrique en trisulfure d'antimoine par exemple, qui forme avec le silicium dopé N une jonction ayant un rapport élevé entre les résistances de polarisation en sens inverse et en sens di-15 rect en l'absence de porteurs engendrés par les photons. Les ensembles de cible décrits ici à titre d'exemples ne comportent pas de jonctions à diode individuelle séparées par des isolations comme c'est le cas par exemple dans les tubes de prise de vues comportant des cibles en silicium dans lesquelles des cen-20 taines de milliers de diodes individuelles sont diffusées séparément dans la cible à travers des ouvertures ménagées dans une couche en bioxyde de silicium. Par suite, la limite théorique de la définition qui peut être obtenue par l'invention ne dépend pas de la séparation physique des diodes discrètes et, il est donc possi-25 ble d'obtenir une définition approchant la limite imposée par la dimension du spot du faisceau électronique de balayage. Lorsque la cible est utilisée dans un tube monoscope, une tension de polarisation inverse est appliquée à la jonction par l'intermédiaire d'une couche supplémentaire présentant une faible 30 résistance en comparaison de la couche diélectrique recouvrant la couche diélectrique. On choisit pour la couche à faible résistance des matériaux qui forment également une jonction avec le semiconducteur dans les régions où les imperfections de la couche diélectrique pourraient causer autrement une perforation ou un claquage 35 de la jonction. Comme chaque couche présente par exemple une probabilité d'imperfections de quelques parties par million en un point donné quelconque, le nombre total d'imperfections de jonction est un multiple de cette probabilité dans chaque couche et par suite un nombre infinitésimal d'ordre supérieur, comme par exemple quel- . 12 ' • 40 ques parties pour 10 . .. 71 34387 2108085 Une couche perforée et à haute résistivité en bioxyde de silicium par exemple peut être appliquée à la cible de sorte que les électrons qui sont dirigés vers les régions de la cible recouvertes par le bioxyde de silicium ne produisent pratiquement 5 pas de signal de sortie mais sont collectées par la couche à faible résistivité qui joue le rôle d'un conducteur et empêche l'établissement de charges sur le bioxyde de silicium. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront au cours de la description suivante, donnée unique-10 ment à titre d'exemple et faite en référence aux dessins annexés, dans lesquels : la Fig. 1 montre un tube de prise de vues suivant l'invention ; la Fig. 2 est une vue en élévation de l'ensemble de ci-15 ble utilisé à la Fig. 1 ; la Fig. 3 est une vue en coupe transversale de l'ensemble de cible représenté à la Fig. 2, prise suivant la ligne 3-3 de la Fig. 2 ; la Fig. 4 montre un dispositif monoscope générateur de 20 signaux suivant l'invention ; la Fig. 5 montre un ensemble d'électrode de cible utilisé à la Fig. 4 ; la Fig. 6 est une vue en coupe transversale de la cible représentée à la Fig. 5, prise suivant la ligne 6-6 de la Fig. 5 ; 25 la Fig. 7 est un schéma d'un dispositif d'affichage de signaux utilisant le dispositif monoscope représenté aux Fig. 4, 5 et 6. En se référant maintenant aux Fig. 1 à 3, on voit un mode de réalisation de l'invention dans lequel un tube de prise de 3 0 vues 10 est utilisé comme générateur de signaux pour appliquer des signaux de sortie à un tube à rayons cathodiques d'affichage en réponse à la réception par le tube 10 d'une image lumineuse au moyen d'une lentille 11. Le tube 10 comporte une cible désignée dans son ensemble par la référence 12, qui est représentée plus en dé-35 tail aux Fig. 2 et 3, constituée par un disque en matériau semiconducteur 13 maintenu dans un anneau de support métallique 14 lui-même supporté par une enceinte en verre 15 du tube 10. Le disque semiconducteur 13, qui peut avoir une épaisseur de par exemple 0,127 mm, comporte sur une surface une mince couche conductrice 16 40 qui est à peu près transparente pour l'image lumineuse incidente 71 34387 2108085 La couche conductrice 16 s'étend vers l'extérieur jusqu'en contact avec l'anneau 14 à partir duquel s'étend un conducteur de sortie qui traverse l'enceinte 15 pour être connectée aux circuits externes. La couche conductrice 16 peut être constituée par exemple par 5 une couche mince d'oxyde d'êtain. Selon une variante, le corps semiconducteur 13 qui peut être de conductivité modérée, dopé par exemple au phosphore et 19 comportant par exemple 10 porteurs par centimère cube, peut comporter à sa surface une couche 16 de matériau semiconducteur plus 10 fortement dopé par le même type d'impureté et présentant par exem- 21 3 pie 10 porteurs par cm . Le matériau semiconducteur choisi est de préférence de type N dans lequel les photons frappant le corps 13 produisent des trous avec un rendement élevé. Une couche 18 de matériau diélectrique ayaht une résistivité globale de plusieurs 15 ordres de grandeurs plus grande que celle de la couche semiconductrice 13 est disposée sur l'autre côté de cette dernière. Par exemple, si la couche semiconductrice 13 est en un matériau semiconducteur de type N avec une résistivité globale de 1 à 20 ohms -centimètre et si la couche fortement conductrice 16 est en un ma-20 tériau de type N et présente une résistivité globale d'au moins un ordre de grandeur inférieure à celle de la couche 13, une couche 18 aura alors une résistivité globale supérieure à 1000 ohms-cm. Plus précisément, la couche 18 est de préférence en trisulfure d'antimoine et a de préférence une épaisseur comprise entre 10 00 qp O ^ zo et 5000 A, sa résistivité globale étant de l'ordre de 10 ohms-cen- timere et sa résistance a sa surface, pour une épaisseur de 1000 A 14 est de l'ordre de 10 ohms par centimère carré. Les matériaux particuliers décrits ne sont indiqués qu'à titre d'exemple et on peut utiliser n'importe quel matériau 30 diélectrique. En général, la résistivité de la couche 18 varie de façon non linéaire en fonction inverse de son épaisseur et une gamme utilisable d'épaisseurs, qui peut être obtenue par dépôt en phase vapeur ou par pulvérisation, est comprise entre 100 et 10 000 O A. Bien que le matériau diélectrique soit de préférence amorphe et 35 puisse être polycristallin, on préfère qu'il ne soit pas monocristallin afin d'obtenir une résistivité relativement élevée. De plus, la couche 18 est de préférence en un matériau relativement bon porteur de trous et un porteur d'électrons relativement médiocre. Comme représenté, le tube 10 comporte un ensemble de 40 canon à électrons 19 comprenant une cathode 20, une grille de com- 71 34387 6. 2108085 mande 21, une électrode de concentration 22 et une électrode accélératrice 23. Une électrode de décélération 24 est disposée entre le canon 19 et la cible 12 et peut être constituée, comme représenté, par un écran ou peut être un anneau conducteur monté sur 5 l'enceinte 15. Une bobine de concentration 25 et une bobine de déviation 26 concentrent le faisceau d'électrons sur la cible 12 et le dévie suivant une configuration de balayage désirée quelconque sur la cible 12 au moyen de circuits (non représentés). La cible 12 est maintenue légèrement positive par rapport à la cathode 20 10 du canon 19 au moyen d'une batterie 27 et l'électrode d'accélération est maintenue à 1000 V ou à une valeur plus positive par rapport à la cathode par la batterie 28. L'électrode de concentration 22 est alimentée par une tension positive appropriée par rapport à la cathode 20 au moyen d'une prise 29 montée sur la batterie 28. 15 En fonctionnement, la configuration lumineuse de balaya ge frappe la cible 12 et, en raison de la couche semiconductrice 13, engendre pour une quantité donnée d'énergie lumineuse un pourcentage de porteurs plus élevé que dans des cibles non semiconduc-trices. Le faisceau d'électrons provenant du canon 19 ayant balayé 20 la surface de la couche 18 a produit une charge de tension sur celle-ci, de sorte que dans ces régions de la cible frappées par la lumière et dans lesquelles des porteurs sont engendrés, les porteurs migrent sous l'action du gradient de tension présent dans la couche 13, en travers de la jonction entre les couches 18 et 13, 25 afin de décharger la charge de surface de la région de la couche 18 qui est opposée aux régions dans lesquelles ils ont été engendrés, de sorte que, lorsque le faisceau balaie de nouveau cet élément de la cible, des électrons sont acceptés par la surface de celle-ci. 30 Les éléments de la cible qui ont déjà été chargés par le balayage précédent du fait qu'aucun porteur n'a été engendré par la lumière incidente, ont pour effet que la couche 18 renvoie les électrons qui viennent frapper l'extrémité du canon 19 au niveau de laquelle est disposé un multiplicateur semi-conducteur de si-35 g.naux 30. Le multiplicateur 30 est constitué par une couche de matériau semiconducteur 31 de type N par exemple et supportée par la plaque métallique d'extrémité du canon 19. Une couche P 32 fortement conductrice forme une jonction avec la couche 31 et une polarisation inverse est appliquée à la jonction au moyen d'une bat-40 terie 33 en série avec une résistance de charge de sortie 34. Les 71 34337 7. 2108085 électrons renvoyés qui frappent le' multiplicateur 30 engendrent des porteurs dans la couche semiconductrice 31, ce qui fait passer un courant dans la résistance de charge de sortie 34. le signal de ;ension de sortie engendré aux bornes de la résistance 14 est annli- aué a un circuit de charge au moyen d'un condensateur de counlas-e 5 • Etant donné que la couche diélectrique 18 oppose une ré sistance élevée à la circulation du courant dans les directions parallèles à sa surface, la configuration de charge imposée à la surface de la couche 13 par le canon à électrons est déchargée sélectivement de façon importante par la configuration de lumière • 10 incidente et la fuite des charges le long de la surface de la couche 18 est maintenue à une faible valeur. D'après ce qui précède, on peut voir qu'en utilisant une jonction unique présentant une résistance qui parallèlement à la jonction est beaucoup plus élevée que perpendiculairement pour 15 l'une des couches de la jonction, on peut produire une cible sensible à la lumière du type à jonction à définition élevée présentant le rendement de conversion photoélectrique élevé des matériaux semiconducteurs tout en conservant la définition élevée. Lorsque la couche 18 est en un matériau photosensible . 20 tel que du trisulfure d'antimoine, les photons ne traversant pas la couche semiconductrice 13, viennent frapper la couche 18, ce qui la rend plus conductrice et aide par suite à décharger la charge emmagasinée par le faisceau d'électrons sur la surface de la couche 18. 25 La couche 18 peut être également fabriquée en un maté riau d'isolation dont la résistance a été abaissée en la dopant, comme par exemple une couche de bioxyde de silicium contenant 1% environ de bore et ayant une épaisseur de 100 à 10 0 00 Â et ce matériau peut être du silicium amorphe ou polycristallin convenable-30 ment dopé avec une impureté de type P désirée quelconque, telle que du bore. En se référant maintenant aux Fig. 4 à 6, on voit un tube monoscope 40 comportant un"ensemble d'électrode de cible 41 et des plaques de déviation 42 qui font balayer la cible 41 par un 35 faisceau d'électrons, conformément à la pratique bien connue. Les électrons émis par une cathode 43 sont commandés par une grille 44, accélérés par une électrode d'accélération 45 et une électrode de concentration 46 de façon bien connue. 40 Comme représenté plus en détail, aux Fig. 5 et 6 il 71 34387 8. 2108085 est produit sur l'électrode de cible 41 une série de caractères indiqués en 47 à la Fig. 5. L'électrode de cible 41 se compose d'une pastille en silicium 48 de 0,178 à 0,25 4 mm environ d'épaisseur, maintenue par une plaque de support 49 fixée à l'enceinte 50 5 du monoscope, par exemple par un conducteur s'étendant dans la tige 51. Une couche de bioxyde de silicium qui peut avoir par exemple une épaisseur de 1 micron, qui peut être produite par un procédé désiré quelconque, comme par exemple en soumettant la pas-10 tille de silicium à une atmosphère oxydante à une température élevée suivant une technique bien connue est disposée sur une surface de la pastille de silicium 48. La couche d'oxyde comporte des ouvertures 53 produites par des techniques bien connues de photodéca-page afin de mettre à découvert le corps non oxydé de silicium au 15 dessous de la couche d'oxyde. La forme de ces ouvertures est celle des caractères 47 dont le signal doit être engendré par le monoscope. Une couche de matériau 54 appartenant à la catégorie des isolants ayant une bande de conduction proche de celle du semicon-20 ducteur est déposée sur la couche d'oxyde 52. La couche de matériau isolant peut avoir une épaisseur de par exemple 0,4 micron. Une couche de contact 55 en aluminium de 0,005 micron d'épaisseur est déposée sur une couche isolante 54. La couche d'aluminium 55 est en contact avec un conducteur de sortie 28. Comme représenté à la 25 Fig. 4, un potentiel approprié est appliqué entre les couches 55 et 49 au moyen d'une batterie 59 en série avec une résistance de charge de sortie 60. La batterie 59 qui peut fournir par exemple une tension de 15 V, applique une polarisation inverse à la jonction formée par les couches 48, 54 et 55 de sorte que, lorsque des 30 porteurs sont injectés dans la région de jonction par un bombardement rapide du faisceau d'électrons, des trous circulent de la jonction semiconductrice vers le conducteur en aluminium 55 à travers la couche isolante 54. En l'absence d'un tel bombardement, il n'est pas engendré de porteurs de charge et comme le matériau iso-35 lant 54 présente des bandes de conduction et de valence notablement différentes de celles du matériau semiconducteur, la circulation des porteurs ou conduction normale est négligeable. Lorsque le faisceau d'électron balaie la cible 11, il frappe la couche conductrice 55 et le matériau isolant 54. S'il 40 est disposé de manière à frapper une couche d'oxyde 52, tous les 71 34387 9. 2108085 électrons sont capturés dans cette couche et il n1 apparaît pas de conduction dans la cible. D'autre part, si le faisceau d'électrons frappe une région dans laquelle il n'^ciste pas de couche d'oxyde, 5 les électrons pénètrent alors dans les couches 55 et 54 jusqu'à la région de jonction de la couche 48. Le degré de pénétration varie suivant une relation statistique du nombre de collisions rencontrées par un électron donné quelconque. Comme le nombre de trous engendrés dans ce procééê est fonction du potentiel d'ionisation et 10 de la vitesse initiale des électrons du faisceau incident, il apparaît une multiplication élevée du courant. Par exemple, si le potentiel d'ionisation du silicium est de 3,6 V et si la vitesse du faisceau est équivalente à 1200 V, une multiplication théorique du courant supérieure à 350 est possible. D'un point de vue prati-15 que, une multiplication du courant de 2 000 ou plus a été réalisée. Si la tension de polarisation en sens inverse appliquée à la charge 30 et à la jonction est de par exemple 15 V, le dispositif peut assurer une amplification de puissance du fait que la 20 puissance d'entrée du faisceau est d'environ 1,2 mW, tandis que la puissance de sortie est constituée par un courant égal à 200 fois environ le courant d'entrée, soit 200/a.Â, et pour un transfert maximal de puissance, la chute de tension dans la résistance de charge de sortie 30 est choisie égale à environ 7,5 V, de sorte que 25 la puissance de sortie de 1,5 mW représente un gain de puissance légèrement supérieur à l'unité. En augmentant la tension de polarisation inverse, ce qui oblige à augmenter l'épaisseur des diverses couches, on peut obtenir un gain de puissance plus grand. Toutefois, ceci est obtenu aux 30 dépens d'une certaine réponse en fréquence et, pour les tubes mo-noscopes, ceci n'est normalement pas nécessaire du fait que la seule condition requise est que le signal de sortie soit suffisamment supérieur au bruit de fond de façon qu'un amplificateur de sortie puisse porter le signal à un niveau utile. 35 Outre le blocage du bombardement électronique de la cou che semiconductrice 18, la couche d'oxyde 23 réduit la capacité totale entre les conducteurs métalliques 25 et 26, de sorte que la capacité entre électrodes aux bornes de circuit de sortie, qui limite la réponse en fréquence et par suite la vitesse maximale de balayage du dispositif, est réduite notablement. 40 Alors qu'un dispositif dans lequel la couche métalli 71 34387 10. 2108085 que est directement en contact avec la couche semiconductrice 18 produit une barrière à jonction d'un point de vue pratique, les défauts de production dans cette barrière ne rendent pas le dispositif à jonction à grande superficie uniforme sur toute sa surfa- 5 ce. Par exemple, un dispositif comportant l'équivalent de 10 000 spots individuels peut comporter un nombre d'imperfections aussi élevé que 10%, de sorte que l'on observe une dégradation décelable des signaux de réponse pour certains des caractères. La couche isolante 24 peut comporter également des trous d'épingle jusqu'à une valeur possible de 10% de la surface utilisable. Toutefois, comme le matériau isolant 24 et la couche métallique 25 jouent le rôle de barrières lorsqu'ils sont en contact avec le matériau semiconducteur et comme la probabilité de recouvrement des défauts est égale à la multiplication du pourcentage de défauts des deux 1 C couches la totalité des défauts de barrière est inférieure à 1%. La Fig. 7 montre un dispositif d'affichage numérique auquel est appliquée l'invention et dans lequel le dispositif des Fig. 1, 2 et 3 ou le dispositif des Fig. 4, 5 et 6 peuvent être utilisés. Un dispositif d'affichage 70 à tube à rayons cathodiques on comporte une cathode 71 excitée par un amplificateur vidéo 72 dont l'entrée est attaquée par la sortie d'un monoscope 10 comportant une électrode de cible 20 et une cathode 12. Les plaques de déviation horizontale 18 sont alimentées par un amplificateur de déviation horizontale 73 et les plaques de déviation verticale 17 sont alimentees par un amplificateur de déviation verticale 74. L'amplificateur de déviation verticale est excité par un amplificateur d'étalement vertical 75 alimenté par une onde rectangulaire de 1,18 mHz pour effectuer le balayage vertical de chaque caractère individuel et par un convertisseur numérique-analogique vertical 7 6 qui Of] positionne verticalement le faisceau du monoscope en fonction des signaux numériques d'entrée. L'amplificateur de déviation horizontale est alimenté par un générateur de rampe 77 qui produit une déviation en travers des caractères individuels en réponse à un signal de synchronisation d'entrée et est également alimenté par un convertisseur numerique-analogique horizontal 78 qui place le faisceau d'électrons dans la position appropriée pour balayer un caractère en réponse à des signaux numériques d'entrée. Les convertisseurs numériques-analogiques 76 et 78 sont alimentés par un registre à décalage d'entrée des caractères 7 9 qui applique de 1'in- ^ formation concernant la position des caractères au monoscope 10 à 71 34387 ii. 2108085 partir d'une mémoire dynamique 80, de sorte que le tube à rayons cathodiques 7 0 affiche en permanence une trame d'information basée sur l'information numérique emmagasinée dans la mémoire 80. L'amplificateur d'étalement 75 engendre ua signal qui excite une 5 bobine de déviation 81 à faible excursion du tube d'affichage 70 en synchronisme avec des excursions similaires du faisceau du monoscope. La position du faisceau sur le tube à rayons cathodiques 70 est déterminée par des bobines de déviation verticale 82 10 et les bobines de déviation horizontale 83 qui sont excitées par un amplificateur de déviation verticale 84 et un amplificateur de déviation horizontale 85 respectivement en fonction des signaux de synchronisation d'entrée afin de produire un balayage, ayant la forme d'une trame normale de télévision, de la face du tube 70. Une 15 impulsion de synchronisation appliquée à l'amplificateur vidéo 72 supprime l'action de l'amplificateur pendant les périodes de déviation entre caractères, de sorte que, lorsque le faisceau balaie d'un caractère à l'autre, le bruit n'est pas amplifié et apparaît sous la forme d'éclats lumineux brillants sur la face de l'écran. 20 Le générateur de rampe de caractères produit une déviation sur la face du tube à rayons cathodiques en synchronisme avec la déviation horizontale du monoscope sur le caractère balayé. Comme représenté, des trames successives d'information peuvent être affichées sur le tube à rayons cathodiques 7 0 en étant 25 appliquées à partir d'une mémoire de calculateur central par l'intermédiaire d'un registre d'entrée 86 au registre de décalage d'entrée des caractères 79 et peuvent être emmagasinées dans la mémoire dynamique 80. L'information qui représente une trame de positions de caractères est ensuite lue en permanence par le registre 79 et 30 est appliquée au monoscope 10 pour produire des caractères qui sont affichés de façon répétitive sur la face du tube à rayons cathodiques 73. Les détails particuliers d'un tel dispositif d'affichage d'information sont décrits de façon plus détaillée dans la demande de brevet précitée n° 19 190. Dans un tel dispositif auquel 35 est appliquée l'invention, la sortie de l'électrode de cible 70 peut attaquer directement la cathode 71 sans aucune amplification par un amplificateur vidéo 72 si une tension suffisamment élevée est appliquée entre la cathode 12 et la cible 20. A titre d'exemple, on peut obtenir de bons résultats avec, pour le monoscope selon 40 l'invention, une tension de 3 500 V et les signaux de caractères 71 34387 12. 2108085 de sortie appliqués directement à un tube à rayons cathodiques présentent une clarté et une brillance équivalente à celles obtenues avec les monoscopes classiques munis d'amplificateurs comportant des pré-amplificateurs. 5 Ceci achève la description du mode de réalisation re présenté de l'invention, toutefois, les spécialistes découvriront de nombreuses variantes sans sortir du cadre et de l'esprit de l'invention. Par exemple, on peut utiliser un matériau semiconducteur désiré quelconque ainsi qu'une gamme étendue de matériaux iso- 10 lants pour la couche 24. Tout type de caractère ou en fait la présence ou l'absence de caractère peut être modifié suivant l'application du tube. Par ailleurs, on peut utiliser le dispositif avec un canon simple au lieu d'une configuration de balayage comme représenté et l'on peut faire appel à tout mode désiré de balayage. 15 De plus, la sortie de la résistance de charge peut être placée dans d'autres parties du circuit et d'autres types de supports de l'électrode de cible peuvent être utilisés. 71 34387 13. 2108085 REVENDICATIONS 1. Dispositif à jonction à l'état solide, caractérisé en ce qu'il comprend une série de couches de matériau formant une 5 jonction à peu près unidirectionnel lement conductrice, l'une au moins desdites couches étant constituée par un matériau semiconducteur et l'une au moins desdites couches ayant une résistance dans une direction parallèle à ladite jonction qui est notablement plus grande que la résistance de ladite couche dans une direction nor- 10 maie à la jonction, des moyens pour appliquer à la jonction une tension de polarisation et des moyens pour injecter des porteurs de charge dans la région de ladite jonction. 2. Dispositif à jonction suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'une desdites couches est constituée par un 15 matériau semiconducteur, et une couche en contact avec elle étant constituée par un matériau isolant formant entre elles une jonction unidirectionnelle. 3. Dispositif à jonction suivant la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de matériau semiconducteur com- 20 porte en contact avec l'une de ses faces une couche non redresseuse en un matériau ayant une résistance notablement inférieure à celle de la couche de matériau semiconducteur et, en contact avec sa face opposée, une couche formant une jonction redresseuse avec elle et présentant une résistivité notablement plus élevée que 25 celle de ladite couche de matériau semiconducteur. 4. Dispositif à jonction suivant la revendication 3, caractérisé en ce qu'il est prévu des moyens pour appliquer une tension de polarisation inverse à ladite jonction et des moyens pour injecter des porteurs de charge dans le corps semiconducteur dans 30 la région de la jonction. 5. Dispositif caractérisé en ce qu'il comprend en combinaison une source de porteurs de charge, une cible constituée par des couches de différents matériaux non métalliques, des moyens pour diriger les porteurs de charge provenant de la source vers 35 une région de la cible à des vitesses produisant une multiplication des porteurs de charge, et des moyens interposés entre ladite source et ladite région afin de commander les porteurs de charge en fonction de signaux d'information. 6. Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé 40 en ce que la cible comporte une jonction assymétriquement conduc 71 34387 14. 2108085 trice. 7. Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce que la cible comprend une couche de matériau conducteur, une couche de matériau semiconducteur d'un type d'impureté et une cou- 5 che de matériau isolant. 8. Dispositif suivant la revendication 7, caractérisé en ce que des parties de la cible sont recouvertes d'une couche de matériau à peu près imperméable aux porteurs de charge. 9. Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé 10 en ce qu'il comprend un dispositif d'affichage, un dispositif générateur de signaux, comprenant une source de porteurs de charge, la cible étant constituée par une couche de matériau semiconducteur et une couche de matériau isolant, et des moyens destinés à appliquer les signaux provenant du dispositif générateur de signaux au dis-15 positif d'affichage. 10. Dispositif suivant la revendication 5, caractérisé en ce que la cible comprend une couche d'un matériau isolant.