FR 2072083 A1 19710924 FR 7041264 A 19701109 70 41264 1 2072083 La présente invention concerne l'orientation cristallographique de substrats monocristallins proche du plan Ci003 pour croissance épitaxiale. Dans la formation de dispositifs semiconducteurs, il est bien connu de déposer épitaxialement une couche de matériau semiconducteur sur le subs-5 trat pour former un produit qui soit essentiellement monocristallin lorsque le substrat est un matériau semiconducteur monocristallin tel que du silicium ou du germanium, par exemple. La couche épitaxiale peut Être déposée sous forme d'un film sur des régions précédemment diffusées dans les substrats. A ces régions diffusées correspondent des marches abruptes qui sont formées 10 par décapage ou réoxydation. Ces marches montrent l'emplacement exact des zones diffusées dans le substrat sur lesquelles la couche épitaxiale est déposée. Pour qu'un traitement ultérieur puisse se produire dans les zones correctes, la couche épitaxiale doit avoir la même configuration de marche que le substrat, les marches 15 étant alignées presque verticalement au-dessus des marches originales pour dessiner les diffusions maintenant enterrées. Chaque fois que les marches, qui sont dans le substrat, ne sont pas reproduites ou ne sont que partiellement reproduites dans la couche épitaxiale, il se produit un effet appelé "effacement de configuration*. L'effa-20 cernent de configuration empÊche de localiser avec certitude l'emplacement où se trouvent par exemple les régions diffusées dans le substrat, de telle sorte que des étapes de traitement ultérieures, qui doivent se conformer dimensionnellement avec les zones précédermient diffusées, ne peuvent être réalisées. En conséquence de la présence de l'effacement de configuration, 25 le dispositif semiconducteur doit être rejeté. Le problème de l'existence de l'effacement de configuration dans les substrats orientés selon l'axe (111) est bien connu. On a déjà précédemment suggéré de couper la face du substrat (1113 avec un certain angle par rapport à l'axe (111) pour éviter l'effacement et le déplacement de configuration. 30 Le déplacement de configuration est un phénomène qui décale la configuration de la couche épitaxiale par rapport à la configuration du substrat, sans perte de définition de cette configuration. Pour éviter le problème d'avoir à orienter la face du substrat qui doit recevoir la couche épitaxiale, avec un certain angle par rapport à l'axe 35 cristallographique du lingot de cristal, comme cela est nécessaire pour le plan (111), on a déjà suggéré d'utiliser des substrats coupés selon la plan (100). A des températures relativement élevées, telles que 1225°C, par exemple, il n'y a eu aucun problème d'effacement de configuration dans les couches épitaxiales déposées sur le substrat de silicium, la croissance des cristaux 40 ayant été faits le long du plan (100). 70 41264 2 2072083 Cependant, des températures relativement élevées ont pour désavantage d'affecter les diffusions antérieures du substrat. En outre, des températures relativement élevées pour le dépOt épitaxial empêche l'utilisation de diffu-sions relativement peu profondes, puisque celles-ci seront affectées de façon 5 significative par ces températures élevées. L'utilisation de diffusions peu profondes augmente les vitesses de commutation du transistor. En outre, on désire augmenter la densité des dispositifs semiconducteurs sur un bloc, par exemple, pour réduire le coût par unité. Cependant, aux températures relativement élevées de 1225°C, par exemple, il n ra pas été 10 possible de disposer les dispositifs les uns près des autres du fait des effets de la température sur les diffusions précédentes. Cette température relativement élevée pour le dépBt épitaxial a aussi limité l'obtention de profils brutaux de concentration de dopants dans les régions diffusées des substrats. Cela est du au fait que les températures 15 supérieures favorisent les effets de rétrodiffusion des régions précédemment diffusées dans le susbstrat avant le dépOt épitaxial. Par conséquent, on désire pouvoir utiliser une température relativement faible pour la croissance d'une couche épitaxiale sur un substrat. En abaissant la température, on peut augmenter à la fois la concentration de dopant 20 et la densité des dispositifs. En outre, les diffusions peuvent être réalisées moins profondes puisque la température n'a pas le même effet sur elle. De plus, puisque la température sur la croissance épitaxiale est plus faible, on peut former plus de.diffusions dans la fabrication d'un dispositif semiconducteur sans réduire le rendement.- . 25 Cependant," lorsque l'on abaisse la température pour la croissance épita xiale, on a découvert qu'il se produit l'effacement de configuration dans la couche épitaxiale sur des susbtrats- de silicium qui sont orientés le long du plan (1.00). Ainsi, bien que !■'utilisation, d'un substrat de silicium orienté le long du plan (100) soit une amélioration significative par rapport à un 30 substrat de silicium orienté le long du plan (111) lorsque les températures sont relativement élevées telles que 1225°C, par exemple, l'effacement de configuration se produit lorsque la température de dépôt est diminuée. La présente invention permet de résoudre de façon satisfaisante; les problèmes précédent de l'effacement de configuration dans un substrat semicon-35 ducteur, qui est orienté le long du plan (100) lorsque la température de croissance épitaxiale est abaissée. Dans le procédé de la présente invention, on oriente la face ou surface du substrat sur laquelle la couche épitaxiale doit être déposée avec un certain angle par rapport au plan (100). En utilisant le procédé de la présente invention, la température pour la croissance épita-40 xiale peut être diminuée au-dessous de 1100°C sans aucun effacement de oonfi- 70 41264 3 2072083 guration dans la couche épitaxiale qui y est déposée. Ainsi, les avantages de la température épitaxiale inférieure peuvent Être obtenus à l'aide du procédé de la présente invention sans effacement de configuration. Un objet de la présente invention est de réaliser un procédé pour dépo-5 ser une couche épitaxiale sur un substrat ayant une orientation proche du plan (1003, à faible température et sans effacement de configuration. Un autre objet de la présente invention est de réaliser un dispositif semiconducteur sur lequel se trouve une couche épitaxiale qui ait la même configuration de discontinuités visible que celle qui a été précédemment 1D formée sur la face ou surface de substrat sur lequel on dépose la couche épitaxiale. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit, fait en référence aux dessins annexés à ce texte, qui représentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. 15 La figure 1 représente une vue en coupe d'un substrat semiconducteur comprenant un film déposé épitaxialement sur une surface ou face faisant un certain angle par rapport au plan (100) des cristaux du substrat. La figure 2 représente schématiquement un procédé de préparation d'un substrat ayant une face ou surface inclinée avec un angle désiré par rapport 20 au plan (100). La figure 3 représente une vue en coupe fragmentaire d'une partie du substrat de la figure 1 et montrant une marche formée dans la surface supérieure du substrat et une marche formée dans la couche épitaxiale. La figure 4 représente des courbes montrant la-relation de l'effacement 25 de configuration par rapport à la température du dépôt épitaxiale pour divers angles de la face ou surface du substrat sur laquelle est déposée la couche épitaxiale par rapport au plan (100). La figure 5 représente des courbes montrant la relation entre l'effacement de configuration, à deux températures épitaxiales différentes, pour divers 30 angles d'orientation de la face ou surface du substrat sur laquelle la couche épitaxiale est déposée par rapport au plan (100). La figure B représente des courbes montrant la relation entre l'effacement de configuration peur deux vitesses de croissance différentes, à température épitaxiale constante, pour divers angles □'orientation de la surface 35 ou face du substrat sur laquelle est déposée la couche épitaxiale par rapport au plan (1003. La figure 7 représente des courbes montrant la relation entre l'effacement de configuration et le déplacement de configuration, pour une température épitaxiale constante de 1100°C et une vitesse de croissance constante de 40 0,5 micron/minute, pour divers angles d'orientation de la surface ou face 70 41264 4 2072083 du substrat sur laquelle est déposée la couche épitaxiale par rapport au plan (100). En se référant aux dessins et particulièrement à la figure 1, on représente un substrat 10 comprenant une couche épitaxiale 11 déposée sur une 5 surface ou face 12 du substrat 10. La surface ou face 10 est disposée avec un certain angle.d'orientation par rapport au plan cristallographique (100) du substrat 10. L'angle A entre la surface ou face du substrat 10 et le plan (100) est représenté de façon agrandie dans les figures 1 et 2 dans un but d'illustration. L'angle A varie,de 0,5° à 5° et est de préférence égal à 10 2°. En choisissant l'angle A dans ce domaine, on élimine substantiellement l'effacement de configuration tout en ne produisant pas encore un déplacement de configuration significatif. L'orientation de la surface_ou face 1-2 du substrat 10 par rapport au plan cristallographique (100) du substrat peut.être obtenue de toute façon 15 convenable. On le fabrique de préférence en formant un lingot unique 14 (voir figure 2) dont les cristaux croissent le long du plan cristallographique (100) et ensuite en coupant le substrat 10 à partir du lingot 14 avec la face 12 faisant l'angle désiré par rapport au plan (100). Cette coupe se fait avec un certain angle par rapport au plan (100), qui est indiqué en 20 15, comme on le. montre dans la figure 2. Comme on le montre dans la figure 2, la surface ou face 12 du substrat 10 est coupée avec un petit angle, variant de 0,5° à 5° par rapport au plan cristallographique (100) 15. On peut produire plusieurs substrats 10 à partir du lingot unique 14 comme on le montre par les lignes pointillées 16, 17 25 et 18 dans la figure 2. En décrivant que le lingot 14 est coupé de sorte: que la face ou surface 12 du substrat 10 fasse un angle d'orientation par rapport au plan cristallographique (100) du substrat 10» orv utilise le terme "coupe" dans le sens large c'est-à-dire séparation et/ou enlèvement de matériau par tout moyen 30 efficace quelqu'il soit. Par exemple, on peut utiliser le sciage, le bobinage ou l'abrasion pour la coupe tout aussi bien que pour l'usinage chimique. Comme on le montre dans la figure 3, le substrat 10 comprend une région diffusée 19 formée à l'aide de tout procédé de diffusion bien connu. La diffusion et la réoxydation pour former la région diffusée 19 aboutissent à 35 la formation dans le substrat 10, au-dessus de la région diffusée 19, d'une marche ou canal ou dépression 20. La marche 20 a des cStés ou épaulements 21 qui définissent une configuration visible précise sur la surface ou face 12 du substrat 10. La couche épitaxiale 11 comprend une marche ou canal ou dépression 22 40 semblable recouvrant la marche 20. Dans la marche 22 sont formés des eûtes 70 41264 5 2072083 ou épaulements 23 qui recouvrent avec précision les épaulements 21 du substrat 1Q s'il n'y a aucun déplacement de configuration. Ainsi, en utilisant le procédé de la présente invention, la couche épitaxiale 11 a une configuration exacte à sa surface supérieure. Grâce à cette configuration exacte, il est 5 possible de localiser avec précision un masque ou autre moyen désiré par rapport à la région diffusée 19 pour un traitement ultérieur. Bien que l'on n'ait représenté qu'une seule région diffusée dans le substrat 10 pour former la configuration visible de discontinuités sur la face ou surface 12 du substrat 10 et dans la couche épitaxiale 11, on doit 10 comprendre qup le substrat 10 comprend plusieurs de ces régions diffusées. Ainsi, une configuration visible exacte de discontinuités est formée sur la face ou surface 12 du substrat 10 et sur la couche épitaxiale 11. Dn a effectué des tests sur le silicium en utilisant un procédé de dépflt épitaxial sur des surfaces convexes qui présentent une intersection continue 15 de toutes les orientations à l'intérieur d'un angle de cfine prédéterminé. Des distances mesurées dans le plan de surface permettent un calcul précis des orientations de tout point de la géométrie, la précision du procédé dépend du rayon de courbure de la surface. Dans ces tests, la précision était supérieure à 0,05°. 20 Des lingots de silicium monocristallin ayant un diamètre de 3,17cm sont orientés à l'aide des techniques optiques classiques par utilisation de solutions de décapage préférentielles et sont découpés avec un angle aussi proche que possible du plan E1003. Des lingots ont été à la fois dopés très fortement à l'arsenic N+ ayant une résistivité de 0,001 ohm/cm et au bore P- ayant 25 une résistivité de 1 ohm/cm. Les pastilles résultantes sont polies dans un moule d'acier inoxydable concave ayant une concavité égale au rayon de courbure désiré de la pastillej ce rayon était égal à 17,8cm o"u à 61cm. On poursuit ce polissage brut jusqu'à ce que la surface entière donne -une réplique du contours de la surface du 30 moule. * Lorsque le rayon de courbure de la surface de la pastille est de 61cm, la surface comprend des angles allant jusqu'à 1,5° par rapport au plan cristallographique. X1003. Lorsque le rayon de courbure de la surface de la pastille est de 17,8cm, la surface comprend des angles allant jusqu'à 5" par rapport 35 au plan cristallographique ("1003. • On produit alors un-fini élevé de la surface en diminuant progressivement les particules de polissage de diamant dans le même moule. Le moule renferme une pSte de diamant à 0,5 micron. La surface résultante est polie comme un miroir et libre de défauts 40 visibles, fcjes quelques premiers échantillons sont décapés chimiquement après 70 41264 6 2072083 cette étape pour assurer l'élimination complète des dommages de surface cris-tallographiques résiduels. L'incertitude légère provenant des petits défauts produits par le décapage chimique se trouve n'Être pas significative pour la localisation de l'axe du cristal d'intersection. Après avoir déterminé 5 que ce dommage n'était pas un facteur principal par rapport à l'effacement, l'échantillon ultérieur n'a été que poli mécaniquement et non décapé chimiquement. On fait croître sur tous les .échantillons une couche d'oxyde d'approxi-mativement 7000 A. On ouvre alors une configuration de fenêtres carrées dans 10 le film de dioxyde de silicium à l'aide des techniques de photomasquage classiques. On produit alors des petites marches approximativement de 1 micron dans chacune des pastilles de silicium par décapage du silicium situé à l'intérieur des ouvertures carrées du masque du dioxyde de silicium. Les effets de diffra®-15 tion, dus à l'intervalle compris entre le masque de dioxyde de silicium et la surface de chaque pastille à la périphérie, n'ont aucun effet nuisible puisque seuls des bords courbés au lieu de bords droits, définissent les fenêtres. On élimine alors complètement le dioxyde de silicium de chacune des 20 pastilles. Une couche épitaxiale de silicium d'environ 10 microns est alors déposée sur chacune des pastilles à des températures variant, de 10.00°C à 1225°C selon les différentes pastilles utilisées et avec une vitesse de dépSt de 0,5 micron par minute * 10%, Ce domaine important de vitesse de dépfit est dQ aux variations dans la vitesse de croissance avec l'orientation et 25 la température. : • L'effacement de configuration, qui se manifeste lui-même par la formation de facettes qui sont presque parallèles à la surface, a-alors été estimé à l'aide d'une échelle de degré relatif allant fllun effacement très irrportant à un effacement non existant. Des points d'effacement égaux sont alors reliés 30 ensembles sur une carte qui reproduit la surface de la pastille. Le degré d'effacement varie de un degré nul à un degré très important en passant par les degrés très léger, léger, moyen, et important. L'effacement relatif pour les divers angles ds la surface ou face de la pastille sur laquelle la couche épitaxiale est déposée par rapport au 35 plan cristallographique 1100) est représenté dans la figure 4. Dn .doit compren-- dre que "léger" dans la figure-4 comprend la zone "très légère" aussi bien qu'une zone "légère". De même, la zone ^importante" dans la figure 4 comprend la zone "très importante" aussi bien que la zone "importante". On voit qu'il n'y a aucun effacement de configuration si l'angle de la surface de la pastil-40 le sur laquelle la couche épitaxiale est déposée est d'au moins 2° par rapport 73. 41264 7 2072083 au plan C1003 et si la température est approximativement de 1090°C avec une vitesse de croissance de 0,5 micron/minute. Ainsi, cet angle permet l'emploi d'une température relativement faible (1030°C) pour la croissance de la couche épitaxiale sur une surface dé pastille faisant un angle-de 2° par rapport 5 au plan cristallographique £100). On a soumis les pastilles à des tests ultérieurs dans lesquels chacune des pastilles a une surface, sur laquelle est déposée la couche épitaxiale, faisant un certain angle par rapport au plan cristallographique (100) de la pastille et dans une direction vers le plan C100) ou (111). L'orientation 10 des pastilles a été déterminée par des mesures au diffractomètre à rayons X et par le procédé de réflexion de Laue avec une précision d'environ - 15'. On traite la surface des pastilles mécaniquement et chimiquement. Avant 1'épitaxie, on effectue diverses étapes de traitement pour simuler la procédure de création des marches de configuration sous collecteur. 15 Dans le procédé, on oxyde d'abord les pastilles avec une couche de dioxyde de silicium d'environ 6000 A. Par utilisation d'un procédé photolithique avec un masque de bonne résolution, on ouvre des fenêtres dans la couxhe de dioxyde de silicium. Le masque permet de produire à la fois des marches en relief et en dépression. 20 Pour faciliter la délimitation de jonctions pour la mesure du déplacement, on effectue une étape de diffusion à l'arsenic avec une concentration de 20 3 surface d'environ 10 atomes par cm et une profondeur dé jonction d'environ 1,5 micron. On effectue alors une seconde étape d'oxydation pour produire une hauteur de marche d'environ 200Q A autour des emplacements de configuration. 25 L'oxyde de chacune des pastilles est éliminé dans l'acide fluorhydrique. On rince alors les pastilles avec de l'eau déionisée et on les sèche à l'aide d'un courant d'argon chaud. On effectue la procédure de dépBt épitaxial dans un réacteur de quartz horizontal avec un suscepteur de graphite revêtu de carbure de silicium chauffé 30 par induction HF. Après avoir chargé les pastilles dans le réacteur, le suscepteur est chauffé lentement jusqu'à la température désirée pour la croissance épitaxiale; selon les pastilles, la température varie entre 1000°C et 1150°C. En réglant la concentration de SiCl4 dans un gaz d'entraînement d'hydrogène 35 et le débit à environ 15 litres/minute, on change la vitesse de croissance de 0,1 à 2 microns par minute.-On fait croître une couche d'approximativement 5 microns sur toutes les pastilles^ On examine la surface du film obtenue par croissance avec un microscope de contraste de phase à interférence de Reichert. Cet instrument révèle avec 40 clarté de nombreux petits faits de croissance et l'effacement de configuration 70 41264 ° 2072083 dû à la formation de facettes. Toutes les pastilles sont traitées-par la technique "d'inclinaison et de tache" pour permettre la mesure microscopique du déplacement de configuration. □n ne peut pratiquement pas réaliser une mesure auantitative précise 5 de l'effacement de configuration. Cependant, on peut classer l'effacement en six classes, fondées sur l'examen microscopique, en utilisant une classification .numérique pour classer ces six-classes. Le numéro 6 représente le cas le plus important d'effacement de configuration, çt le numéro 0 représente l'absence d'effacement de configuration. 10 En conséquence, on a produit les courbes 24-27 de la figure 5 à partir de ces. tests. Les courbes 28-3.1 de.la figure 6 ont aussi été produites à partir de ces tests. Les courbes 24 et 25 montrent le degré d'effacement de configuration pour la croissance épitaxiale à 110D°C, la courbe 24 représentant l'orienta-15 tion de la surface de la pastille par rapport au. plan C11Q) le plus proche et la courbe 25 représentant l'orientation de la surface de la pastille par rapport au plan (1113 le plus proche. Les courbes 26 et 27 montrent le degré d'effacement de configuration pour une croissance épitaxiale à 1050°C. La couvbe 26 représentant l'orientation de la surface.de la pastille par rapport 20 au plan (110) le plus proche et la courbe 27 représentant l'orientation de la surface de la pastille par rapport au plan (1113 le plus proche. La vitesse de dép8t pour les quatre courbes 24-27 était de 1 micron par minute. Ces courbes montrent qu'un effacement de configuration plus important se produit pour le même angle d'orientation de la surface de la pastille 25 lorsque la couche épitaxiale est déposée à une température inférieure. Ainsi, lorsque la température de croissance épitaxiale est abaissée, l'angle de la surface de la pastille avec le plan cristallographique (1003 doit devenir plus important. Cependant, une comparaison des courbes 24 et 25 et des courbes 26 et 27 montre aussi que l'orientation de la surface de la pastille, sur 30 laquelle on fait croître la couche épitaxiale, près du plan (1103 le plus proche conduit à un besoin de diminution du degré d'orientation de la surface de la pastille avec le plan cristallographique (1003. Dans la figure 6, les courbes 28-31 montrent la relation existant pour deux vitesses de croissance différentes et ce à la même température. Les 35 courbes 28 et 29 montrent le degré d'effacement de configuration pour croissance épitaxiale avec une vitesse de dépftt de 1 micron par minute, la courbe 28 représentant 1.'orientation.de la surface de la pastille par rapport au plan (1103 le plus proche et la courbe 29 représentant l'orientation de la surface de la pastille par rapport au plan (1113 le plus proche. Les courbes 30 et 40 31 montrent le degré d'effacement de configuration pour une croissance épita- 70 41264 9 2072083 xiale avec une vitesse de dépôt de 2 microns par minute, la courbe 30 représentant l'orientation de la surface de la pastille avec le plan (110) le plus proche et la courbe 31 représentant l'orientation avec le plan (111) le plus proche. La température de croissance épitaxiale pour ces quatre courbes 5 28-31 est de 110Q*C. Les courbes 26-31 montrent qu'une augmentation dans la vitesse de croissance augmente l'effacement de configuration pour une température donnée. La figure 6 montre que la courbe 30, pour une surface de la pastille orientée avec le plan le plus proche £110) avec la vitesse de croissance la plus rapide 10 présente un effacement de configuration moins importants ce pour un mfime angle de relation de surface avec le plan cristallographique (100), que lorsque la surface de la pastille est orientée vers le plan (111) le plus proche comme la courbe 31 le montre. La figure 7 montre la relation entre l'espacement et le déplacement 15 de configuration pour une température de dépôt épitaxiale de 11D0°C à une vitesse de croissance de 0,5 micron par minute. Le numéro 4 représente le cas le plus important d'effacement de configuration ou de déplacement de configuration sur la courte, alors que le numéro 0 représente l'absence d'espacement de configuration ou de déplacement de configuration sur la courbe. 20 Cette figure montre l'effacement de configuration pour la surface d'une pastille orientée du plan (100) vers le plan £111) le plus proche et pour la surface d'une pastille orientée du plan (100) vers le plan (1103 le plus proche. Les courbes montrent qu'il y a moins d'effet de déplacement lorsque l'orientation de la surface de la pastille sur laquelle la couche épitaxiale 25 est orientée vers le plan (110) le plus proche. Puisque l'effacement de configuration est semblable dans chaque direction*, l'angle désiré de la surface de la pastille par rapport au plan cristallographique (100) se fera vers le plan (110) le plus proche lorsqu'on désire éliminer le dépassement de configuration aussi bien que l'effacement de configura-30 tion. Bien que le matériau du substrat semiconducteur soit le silicium dans les exemples précédents, on doit comprendre que l'on peut obtenir une amélioration semblable avec d'autres matériaux semiconducteurs, tels que le germanium, par exemple, en utilisant l'idée de l'invention ci-dessus et un domaine de température approprié. 35 Un avantage de la présente invention est qu'elle permet la croissance d'une couche épitaxiale sur un substrat orienté près du plan (100) à une température inférieure et sans effacement de configuration. Un autre avantage de la présente invention est que l'on peut utiliser une diffusion moins profonde pour l'émetteur d'un transistor, par exemple, 40 et la vitesse dB commutation du transistor peut être augmentée. Un autre 70 41264 10 .2072083 avantage de la présente invention est que le rendement des dispositifs semicon* ducteurs utilisant le procédé de la présente invention est augmenté. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur le dessin, les caractéristiques essentielles de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré dB celle-ci, il est évident que l'homme de l'art peut y apportsr toutss modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles, sans pour autant sortir du cadre de ladite invention. 70 41264 11 2072083 REVENDICATIONS 1.- Procédé de croissance d'une couche épitaxiale sur la face d'un substrat monocristallin orienté à proximité du plan (100), cette croissance se faisant sans effacement de la configuration formée sur la face du substrat avant c la croissance de la couche épitaxiale, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend: la formation de la face du substrat avec un angle compris entre environ 0,5° et 5° par rapport au plan (100), la formation d'une configuration visible et précise de discontinuités 10 sur la face du substrat; et le dépGt épitaxial d'une couche de matériau sur la face du substrat, ce dépôt étant effectué sur la configuration de telle sorte qu'une mSme configuration visible et précise de discontinuités soit formée sur la couche épitaxiale. 15 2.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la face du substrat forme un angle compris entre 1° et 3° avec le plan (100). 3.- Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que la face du substrat forme jn angle de 2° avec le plan (100). 4.- Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractéri-20 se en ce que le substrat est du silicium. 5.- Dispositif semiconducteur du genre comprenant un substrat de matériau semiconducteur orienté à proximité du plan (100), et caractérisé en ce que: ledit substrat comporte une face formant un angle compris entre 0,5° et 5° avec le plan (100); 25 ladite face ou substrat comporte une configuration visible et précise de discontinuités; et une couche épitaxiale est déposée sur la face du substrat, ce dépôt étant effectué sur ladite configuration de telle sorte qu'une configuration visible et précise de discontinuités soit formée sur ladite couche épitaxiale-. 30 6.- Dispositif selon la revendication 5 caractérisé en ce que la face du substrat forme un angle compris entre 1° et 3° avec le plan (100). 7.- Dispositif selon la revendication 6 caractérisé en ce que la face du substrat forme un angle de 2° avec le plan (100). 12 ■ 70 41264 2072083 8.- Dispositif selon l'un quelconque des revendication 5 à 7 caractérisé en ce que le matériau semiconducteur est du silicium.