FR 2057016 A1 19710507 FR 7029020 A 19700806 70 29020 î 2057016 L'invention concerne le domaine des systèmes d'accumulation et de récupération de données en grande masse pour mémoriser d'énormes quantités de données avec une haute résolution, et en particulier des systèmes à haute densité de ce genre effec-5 tuant l'enregistrement et la lecture par un faisceau électronique. Une capacité de bits de données caractérisés par le 12 coefficient 10 a été réalisée pour des systèmes d'accumulation et de récupération en masse. Une capacité de cet ordre est considérée comme souhaitable pour satisfaire les conditions actuelles 10 d'archivage, et les chercheurs dans ce domaine continuent leurs efforts pour trouver les moyens les plus efficaces permettant leur réalisation dans un espace limité. La principale limitation des systèmes de mémoire développés à ce jour est la résolution des données mémorisées. Faute d'une résolution très élevée ces 15 systèmes exigent un espace de stockage considérable pour mémoriser de grandes quantités de données et le temps d'accès aux-dites données est nécessairement long. Pour indexer des bits de données élémentaires en vue de la mémorisation ou de la récupération, il faut normalement une opération mécanique d'accès 20 relativement complexe et lente. Dans un système connu, on emploie un faisceau laser pour enregistrer et lire les données sur un milieu photosensible qui a la forme d'un long ruban continu. L'information est inscrite en balayant la bande diagonalement par le faisceau quand la bande se déplace longitudinalement en four-25 nissant des lignes de balayage parallèles sur toute la longueur de la bande. Du fait des limitations intrinsèques en longueur d'onde de l'énergie laser, de l'ordre de 5000 à 6000 unités AngstrOm, les données ne peuvent pas être enregistrées avec une résolution su 'rieure à quelques microns. Par conséquent pour une 30 mémoire de 10 bits, il faut fournir 720 m de bande de 8 mm. On comprend qu'un tel système exige des temps d'accès très longs. ceau d'électrons pour écrire sur un film photographique. Cela s'est fait avec un faisceau ayant une résolution de trois microns 35 et des microfiches de 35 mm pour l'enregistrement. Pour une 12 capacité d'emmagasinage de 10 bits il faut 200 000 microfiches individuelles. Les organes mécaniques exigés par l'accès à un tel système sont extrêmement complexes. De plus il faut développer le film photographique avant de pouvoir lire ou contrôler 40 l'information, et par la suite il est impossible d'introduire Une autre solution connue consiste à utiliser un fais- 70 29020 2 2057016 d'autres données. Dans le domaine de la microscopie électronique on a proposé d'employer un balayage par un faisceau d'électrons ayant un spot de diamètre extrêmement petit, tel qu'on l'utilise à 5 présent dans des microscopes électroniques à balayage pour enregistrer l'information numérique par gravure sélective ou une technique analogue. La technique a été développée à un point tel qu'il existe présentement des appareillages formeurs de faisceau qui engendrent un faisceau ayant un spot de l'ordre de quelques 10 centaines d'angstrOms ou moins, ce qui correspond à une résolution supérieure de plusieurs ordres de grandeur sur les systèmes rappelés ci-dessus. Cependant il s'agit de faisceaux à densité de puissance relativement faible, incapables de fournir directement une mémorisation permanente des données en employant les 15 matières actuellement disponibles. En conséquence, il n'existe pas actuellement d'appareil pour engendrer un faisceau d'électrons de dimensions minimes pour un enregistrement à très haute résolution, ayant en même temps une caractéristique de densité de courant très élevée en vue d'un emmagasinage permanent de 20 données. La présente invention a donc pour principal objet de fournir un nouveau système de stockage à densité extrêmement élevée enregistrant directement et de façon permanente des données avec une résolution nettement plus élevée Conformément à cet objet de l'invention on réalise un système de stockage à densité extrêmement élevée qui emploie un faisceau électronique de balayage ayant un spot de dimension 30 extrêmement petite et une densité de courant élevée pour enregistrer des données sur un support de stockage en usinant à échelle micrométrique des portions élémentaires dudit support. La lecture des données stockées se fait au moyen du faisceau électronique de balayage, les électrons modulés provenant de la 35 cible formée par le support de stockage étant recueillis par vin dispositif détecteur. Le faisceau électronique de lecture a une densité de courant réduite qui ne détruit pas les bits de données stockés. Pour une mémorisation à grande capacité, les données sont enmagasinées sous forme de nombreux blocs discrets de 40 données dont chacun peut être balayé par des faisceaux éle'ctro- 70 29020 3 2057016 niques commandés par voie magnétique ou électrique. Il est prévu des moyens de commande mécaniques pour indexer les blocs de données par rapport auxdits faisceaux pour les opérations d'écriture et de lecture. 5 Selon un aspect spécifique de l'invention, le faisceau électronique est produit par un nouveau système d'émission d'électrons au moyen d'un procédé d'émission thermaionique assistée par un champ. Le système d'émission électronique se compose d'une cathode comprenant un filament en épingle à cheveux, la pointe de 10 la cathode émissive portant une aiguille formée par un monocristal de tungstène orienté soudé de dimension extrêmement petite. Une perle de zirconium fritté est appliquée à la base de l'aiguille, et par chauffage de l'épingle à cheveux et de l'aiguille, il migre sous forme de solide de bas en haut de l'aiguille jusqu'à 15 la pointe. Le revêtement de zirconium agit en réduisant le travail de sortie de la face 100 à la pointe du cristal de tungstène à une valeur nettement plus faible que sur les autres faces. Le système d'émission contient encore une structure d'anode et de grille à ouverture pour.engendrer autour de la cathode émissive 20 un champ électrique à configuration sphérique qui présente un gradient de champ très élevé sur ladite pointe pour provoquer une émission électronique à forte densité de puissance. Selon un deuxième aspect spécifique de l'invention, on utilise un système optique électronique contenant une première et 25 une deuxième lentille convergente pour produire une formation d'image à étage unique des électrons émis par la pointe cathodique vers la cible. La pointe cathodique, qui est à peu près dans le plan objet, est placée au foyer de la première lentille et la cible, qui est dans le plan image, est placée au foyer de la 30 deuxième lentille. Le faisceau focalisé frappe la cible avec une densité de puissance suffisamment élevée pour vaporiser des parties du matériau de la cible. La modulation du faisceau se fait par une bobine de modulation qui fait dévier l'axe du faisceau par rapport à une ouverture de limitation existant au voisinage 35 de la source du faisceau. On prévoit un jeu de bobines de déviation devant la lentille convergente finale pour faire dévier le faisceau dans les directions X et Y dans le plan du support de stockage. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la des-40 cription des formes de réalisation préférées données à titre 70 29020 2057016 d'exemple et représentées au dessin annexé. La figure 1 représente schématiquement en perspective avec arrachement partiel un système de stockage à très haute densité par faisceau électronique selon une forme de réalisation 5 de l'invention employant un support de stockage à surface limitée. La figure 2 est une vue latérale agrandie du support de stockage et du détecteur d'électrons utilisés dans le système de la figure 1. La figure 3 est une vue en plan partielle du support de 10 stockage utilisé dans le système de la figure 1, illustrant le format des données enregistrées. La figure 4 est une série de graphiques illustrant la formation du signal de modulation d'entrée. La figure 5 est une vue latérale d'une variante du 15 dispositif de lecture par réflexion. La figure 6 est une vue en coupe partielle de l'ensemble du dispositif de production du faisceau électronique de la figure 1. La figure 7 est une vue en coupe agrandie d'une partie 20 du dispositif de la figure 6. La figure 8 est une vue en coupe agrandie encore davantage de la structure de la cathode. La figure 9 représente plusieurs courbes illustrant l'émission thermoionicjie assistée par le champ. 25 La figure 10 est une vue schématique en perspective avec arrachement partiel d'une autre forme de réalisation de l'invention utilisant un support de stockage à grande surface et des moyens d'entraînement mécanique pour indexer ledit support de stockage. 30 La figure 11 est une vue partielle en plan du support de stockage utilisé dans le système de la figure 9. Dans la figure 1, on a représenté schématiquement en perspective un système de stockage par faisceau électronique permettant de mémoriser d'une façon permanente des données avec 35 une densité extrêmement élevée, dépassant 10^ bits de données par centimètre carré. Les données sont inscrites par un faisceau électronique de balayage ayant un spot de diamètre extrêmement petit, de l'ordre de 0,1 micron, et une densité de courant extrêmement élevée. Une déviation magnétique a été employée dans 40 le système illustré, bien qu'une déviation électrostatique soit 70 29020 5 2057016 aussi possible. Le faisceau d'inscription présente au foyer une 3 densité de courant de 10 ampères par centimètre carré et davan- 7 tage, et par conséquent une densité de puissance de 10 watts par centimètre carré et davantage, avec des tensions d'anode 5 modérées. Le faisceau d'inscription est modulé en fonction des données d'entrée de façon à fournir un usinage à échelle micrométrique sélectif par vaporisation de parties élémentaires du support 1 quand le faisceau balaie sa surface. On utilise des taux de balayage atteignant 10^ bits de données par seconde et 10 davantage. On obtient une lecture non destructive des données mémorisées par un faisceau électronique de balayage fonctionnant à un niveau de puissance réduite, environ un dixième de celui du faisceau d'inscription. Le dispositif pour la production du faisceau électro-15 nique servant à l'enregistrement et à la lecture comprend un système d'émission d'électrons 3 et un système optique électronique 4, associés à une chambre évacuée 5 dans laquelle le faisceau est enfermé. Le système d'émission 3 produit le faisceau électronique et comprend parmi ses éléments principaux une 20 cathode 7, une grille 8 et une anode 9. Le système optique électronique 4 commande, focalise et fait dévier le faisceau et comprend principalement des bobines de focalisation 10A et 10B, des bobines de déviation 11 et des bobines de modulation 12. Le dispositif d'émission 3 et le système optique électronique 4 com-25 portent une particularité nouvelle qui permet d'obtenir un faisceau électronique focalisé ayant des caractéristiques de résolution très élevées et de forte densité de courant. Ces dispositifs seront décrits en détail en se référant aux figures 6 et 7. Un organe d'entrée 13, montré sous forme de bloc, fournit des 30 signaux d'entrée pour moduler le faisceau. L'organe d'entrée 13 peut contenir une source ordinaire de données numériques, par exemple l'équipement périphérique d'un calculateur numérique. Bien que, dans les réalisations décrites de l'invention le signal de modulation contienne des données numériques, l'inven-35 tion n'est pas limitée à ce type de signaux d'entrée et peut être utilisée avec d'autres formes de données, par exemple des données analogiques et des données alphanumériques. Un vide moyen, de l'ordre de 10"^ ma de mercure, est assuré à l'intérieur de la chambre 5 par une pompe à vide 14, 40 illustrée schématiquement sous forme de bloc. Un vide de cet 70 29020 6 2057016 ordre représente un compromis qu'il est relativement facile de réaliser et de maintenir, tout en étant compatible avec les qualités de fonctionnement élevées exigées du présent système. Dans la chambre 5 est logée également le dispositif de lecture sous 5 forme d'un détecteur d'électrons 15 sur lequel le support de stockage 1 est déposé. Le support de stockage 1 et le détecteur 15 sont montés sur une base 16. Un organe de sortie 17 est connecté au détecteur 15 pour recevoir les données lues. Un réseau logique de commande générale 18 est connecté à l'organe d'entrée 10 13 et à l'organe de sortie 17. Le réseau 18 contient de nombreux circuits logiques de type connu pour fournir les diverses fonctions logiques qui gouvernent les opérations d'inscription et de lecture, ainsi qu'un générateur de fréquence d'horloge pour assurer une cadence de base desdites opérations. 15 Le détecteur d'électrons peut Être un composant ordi naire. Dans la réalisation décrite c'est un composant monocristallin à jonction p-i-n qui engendre des paires électrons-trous en réponse aux électrons incidents du faisceau de lecture. Comme il est montré dans la vue latérale de la figure 2, le détecteur au 20 silicium comprend une région 20 du type p, une région de conductibilité intrinsèque 21 et une région 22 du type n avec des contacts 23 et 24 établis respectivement sur les régions p et n. Le support de stockage 1 est déposé en couche mince sur la région 20 de type p. Une source de tension continue 25 est connectée par 25 une résistance 26 aux contacts 23 et 24 pour polariser le composant en inverse. Les bornes de sortie 27 sont connectées à travers un condensateur 28 aux contacts 23 et 24 pour déceler l'écoulement du courant de lecture dans le composant 15. Pendant l'opération d'inscription, le faisceau élec-30 tronique fonctionne à forte densité de courant et de puissance. Quand il balaie la surface du support de stockage 1, le faisceau usine sélectivement à l'échelle micrométrique des portions élémentaires de ce support, correspondant aux bits de données, en fonction de la modulation du faisceau. Il se produit un chauf-35 fage et une vaporisation rapide desdites portions élémentaires de la matière en réponse à la pénétration des électrons du faisceau à grande vitesse. Du point de vue du processus de vaporisation, les électrons à haute densité du spot du faisceau focalisé pénètrent dans le matériau du support de stockage avec une 40 énergie cinétique relativement élevée. Comme les électrons sont 70 29020 7 2057016 rapidement décélères par la masse de la matière, il se dégage de la chaleur qui, dans une zone localisée, élève la température à un point très supérieur à la température de seuil de la courbe de la tension de vapeur en fonction de la température de la 5 matière, la température de seuil étant la température à laquelle la tension de vapeur commence à augmenter rapidement en fonction de la température. A cette température élevée, la tension de vapeur de ladite zone localisée augmente de plusieurs ordres de grandeur au-dessus de la pression ambiante et il en résulte une 10 rapide vaporisation de la matière. Il est préférable de moduler le faisceau en appliquant le signal d'entrée aux bobines de modulation 12 en faisant dévier le faisceau hors de son axe de façon récurrente de façon à l'intercepter partiellement pendant son déplacement, en maintenant 15 ainsi une émission à courant constant tout en modulant la densité de courant sur le spot focalisé. Le faisceau est rapidement déplacé par les bobines de déviation 11 le long de pistes données parallèles formées successivement à la surface du milieu d'accumulation. 20 Dans la réalisation de la figure 1, le support de —lx 2 stockage 1 a une surface de stockage d'environ 2,3 x 10 "r mm avec environ 4500 lignes de données et environ 4500 éléments distincts par ligne de données. On fournit ainsi une capacité de mémoire dépassant 2.10^ bits. Dans la figure 3, une petite 25 zone du support d'enregistrement 1 est illustrée en vue en plan considérablement agrandie, montrant quatre bandes de données 31, 32, 33 et 34, dont les bords constituent les lignes de données. Les pistes 35 formées entre les bandes de données servent à asservir le faisceau de lecture comme on l'expliquera ci-dessous. 30 L'information est inscrite le long des deux bords de chaque bande de données en des éléments séparables des lignes de données, comme il est montré sur les éléments distincts m et n. En accord avec la pratique courante, les lignes de données ont un chapelet de bits de données connus inscrits au commencement de chaque 35 ligne, qui servent de référence pendant la lecture. Dans le présent format les bandes de données sont sur des centres espacés de 0,4 micron, et chaque élément séparable a une longueur de 0,2 micron. L'information de "1" et "0" binaires est écrite en modulation de phase à 180° d'une onde carrée ayant la fréquence 40 moitié de la fréquence d'horloge, fournie par le réseau'logique t 70 29020 2057016 18, de façon à usiner à échelle micromêtrique en conséquence les bandes de données pendant la première ou la deuxième moitié du déplacement du faisceau à travers chaque élément séparable. Le faisceau d'inscription peut vaporiser sensiblement l'épaisseur 5 totale du support d'enregistrement, ou seulement une fraction de cette épaisseur. Dans le graphique de la figure 4, les bits binaires peuvent être introduits comme une série de "1" et de "0" à deux niveaux correspondants d'un courant continu, comme il est montré 10 par le graphique A. On suppose que les bits sont fournis à une cadence de 10 MHz. Le signal d'horloge montré dans le graphique B est à cadence double de celle des données, ou 20 MHz. Le graphique G illustre l'onde carrée modulée en phase correspondant aux bits de données du graphique A qui sert de signal d'entrée pour modu-15 1er le faisceau. Avec un signal d'horloge à une cadence de 20 MHz, un bit de donnée est inscrit en 0,1 microseconde. Pour le fonctionnement envisagé, le support d'enregistrement 1 doit être en matière stable capable de se vaporiser sélectivement et rapidement avec la résolution imposée au système 20 sous l'effet du faisceau électronique, tout en n'étant absolument pas affectée par le faisceau de lecture d'énergie plus faible. Les principales propriétés du milieu 1 comportent une tension de vapeur relativement élevée à la température d'inscription, et une tension de vapeur qui est une fonction à pente raide de la tempé-25 rature au-dessus du seuil, une densité élevée et une conduction thermique faible. Une forte tension de vapeur à la température d'inscription amène une vaporisation rapide de la matière en réponse à la chaleur dégagée par le faisceau d'inscription. La fonction à pente raide de tension de vapeur en fonction de la 30 température permet un fonctionnement en lecture à puissance réduite qui ne peut pas produire de vaporisation de la matière. . Les caractéristiques de forte densité et de faible conduction thermique permettent de localiser 1'échauffement de la matière, ce qui est indispensable pour une écriture à résolution élevée. 35 L'attribution de valeurs particulières aux caractéristiques ci-dessus dépend des paramètres du faisceau d'inscription et du faisceau de lecture, ainsi que des conditions du système en ce qui concerne la résolution, la vitesse, etc, et de l'interdépendance de ces facteurs. Par exemple, les conditions de haute ten-40 sion de vapeur, forte densité et faible conduction thermique sont 70 29020 1 9 2057016 en raison inverse de la densité de courant du faisceau d'inscription. En accord avec les spécifications de fonctionnement existantes pour un système donné, le support d'enregistrement 5 peut être réalisé dans diverses classes de matériaux comprenant des matières semi-métalliques, semi-conductrices et diélectriques. Dans la réalisation mentionnée ici, on emploie un alliage de sélénium à 10 - 20% d'arsenic pour conserver une forme amorphe du sélénium. Ce produit a une densité d'environ 4,3, une conduction —3 10 thermique d'environ 10 calories par s par cm°C, et une tension G de vapeur d'environ 10 mm Hg à une température d'inscription de -9 700°C, pression qui se réduit à environ 10 mm Hg à une température de lecture de 70°C. La matière est déposée sur une surface du détecteur d'électrons S en couche mince, ayant une épaisseur 15 d'environ 1500 à 3000 AngstrtJms. En ce qui concerne le fonctionnement en lecture, le faisceau électronique opère à densité de puissance réduite. Cela peut se faire par plusieurs moyens, mais il est préférable de réduire la densité de courant du spot focalisé par une inter-20 ception partielle du faisceau en faisant dévier le faisceau hors de son axe. La densité de puissance réduite provoque un chauffage réduit en proportion du support d'enregistrement, et une tension de vapeur fortement réduite, ainsi qu'on l'a signalé ci-dessus. Dans la réalisation de la figure 1, quand le faisceau de 25 lecture se déplace, les électrons du faisceau sont transmis à travers les parties attaquées des éléments de données et pénètrent dans le détecteur d'électrons 15. Des paires électrons-trous sont créées par la pénétration des électrons qui engendrent un signal de lecture correspondant à la sortie de 1'organe 17. Le signal 30 de lecture contient les données de lecture sous forme d'information de phase semblable au signal d'entrée. Pour maintenir la précision du signal de lecture, ce signal est synchronisé avec la fréquence d'horloge pendant la lecture de chaque bit. Pour que le faisceau de lecture suive avec précision 35 chaque ligne de données, il est prévu un système d'asservissement pour détecter et corriger toute tendance du faisceau à s'écarter. On peut employer l'une quelconque des méthodes d'asservissement connues. Dans le système d'enregistrement de la figure 1, on emploie un système d'asservissement marginal dans 40 lequel, quand le faisceau se déplace le long d'une ligne de 70 29020 10 2057016 données, l'écart par rapport au bord de piste de données est décelé, avec génération d'un signal de correction. Un organe d'asservissement, contenant un filtre passe-bas et un détecteur d'erreur, auquel est accouplé le signal de lecture, peut être 5 incorporé à l'organe de sortie 17. Si le trajet du faisceau tend à dévier d'une ligne de données balayée en se rapprochant ou s'éloignant de la piste d'asservissement voisine, une composante à basse fréquence est introduite dans le signal de lecture, dont l'intensité est une fonction du déplacement du faisceau. En 10 réponse à ladite composante à basse fréquence, l'organe d'asservissement engendre un signal de correction qui est appliqué aux bobines de déviation verticale pour compenser l'écart du faisceau. La figure 5 illustre une autre _forme de réalisation du 15 dispositif de lecture du type à réflexion. Dans cette réalisation, un support d'enregistrement 41 est déposé sur un substrat 42, par exemple en verre. Un détecteur d'électrons 43 est placé au-dessus du support d'enregistrement et à l'écart de l'impact du faisceau électronique. Le détecteur d'électrons 43, qui peut être 20 d'un des nombreux types connus contenant le composant à jonction p-i-n illustré dans la figure 2, reçoit les électrons de lecture qui sont réfléchis par la surface du support d'enregistrement. Les électrons dispersés vers l'arrière peuvent être des électrons primaires ou secondaires réfléchis, ou les deux. Un potentiel 25 accélérateur, non montré, est appliqué de façon connue au détecteur pour déceler les électrons secondaires. A part cela l'opération de lecture est semblable à celle qui a été décrite ci-dessus, le détecteur répondant aux électrons réfléchis en engendrant des paires électrons-trous dans son volume, lesquelles de 30 leur côté fournissent un signal de lecture correspondant. On peut employer aussi d'autres formes de détecteurs d'électrons, tels que des multiplicateurs à canaux et des dispositifs à photons. Une vue en coupe de l'ensemble du dispositif à faisceau électronique, comprenant le système d'émission d'électrons 35 3 et le système d'optique électronique 4, est montrée dans la figure 6 qui est une coupe du dispositif représenté dans la figure 1. Une vue en coupe agrandie du système d'émission d'électrons en soi est illustrée dans la figure 7, et une vue encore plus agrandie de la structure de la cathode est montrée à la 40 figure 8. Le dispositif à faisceau électronique des figures 6 et 70 29020 îi 2057016 7 forme tin faisceau électronique ayant une densité de courant théorique j sur le spot focalisé sur la cible qui peut être définie par l'équation de Langrauir de la façon suivante : j = JLC1 + —) sin2a ° KT • 5 où j est la densité de courant d'émission sur la surface émissive J o de la cathode ; e est la charge de l'électron ; V est la tension sur la cible ; K est la constante de Boltzman ; 10 a est le demi-angle sur le spot focalisé. En se référant à l'équation précédente, on constatera que les exigences du système de stockage imposent un certain nombre de contraintes importantes au dispositif à faisceau électronique pour la fourniture de densités de courant très élevées 15 sur la cible. Ainsi, une condition principale pour obtenir une forte densité de courant sur la cible j est de porter au maximum la densité de courant d'émission cathodique j . La densité de courant j est également proportionnelle à la tension de cible V. Toutefois la tension de cible V détermine aussi la vitesse à 20 laquelle les électrons heurtent la cible et une tension trop forte aboutirait à une dilatation des parties élémentaires échauffées du support d'enregistrement, et à une dégradation de la résolution. Par conséquent la valeur de V doit être déterminée en gardant à l'esprit ces conditions contradictoires. Sur l'équation 25 précédente on peut aussi voir que la densité de courant j est inversement proportionnelle à la température T, ce qui impose une limitation à 11échauffement de la cathode. Dans la figure 7, la structure de la cathode 7 comprend un filament en épingle à cheveux 50, portant au sommet une ai-30 guille cathodique 51. Une source continue 52 en parallèle sur une résistance- 53 est appliquée aux bornes du filament 50 pour chauffer ledit filament. Une source négative à haute tension -V-^ est connectée à une prise de la résistance 53. Un écran 54 entoure l'ensemble de la cathode, de la grille, et d'une partie 35 de l'anode. La grille 8 a une forme de disque munie d'une ouverture 55 par laquelle passe l'aiguille cathodique. Une source de tension négative -V2 est connectée à la grille 8, -V2 étant légèrement moins négatif que -V^. L'anode 9 est du type rentrant, la partie rentrante étant munie d'une ouverture centrale 56 70 29020 2057016 placée immédiatement devant la pointe cathodique. L'anode 9 est au potentiel de la masse, de même que toute la structure en avant de l'anode. A l'opposé de l'extrémité avant de l'anode, est disposée une électrode d'extrémité 57 ayant la forme d'un disque 5 muni d'une ouverture centrale de limitation 58. Un manchon cylindrique 59 entoure la structure émissive qu'on vient de décrire. ' Plusieurs passages ménagés dans l'ensemble de grille et d'anode, tels que 67, 68 et 69 facilitent l'évacuation de la région émet-trice d'électrons. L'ensemble anode, grille et aiguille catho-10 dique, avec les potentiels appliqués, produit une configuration de champ électrique hémisphérique autour de la pointe cathodique, la pointe étant au centre de l'hémisphère. Le champ électrique à configuration hémisphérique en combinaison avec les dimensions très réduites de la pointe cathodique produit un gradient de 15 champ électrique très élevé au voisinage de ladite pointe. Le champ hémisphérique limite aussi les aberrations du faisceau focalisé. Dans une réalisation pratique en accord avec l'invention, l'aiguille cathodique 51 a environ 0,75 mm de long et 20 dépasse hors de la grille 8 d'environ 0,25 mm. C'est la dimension g de la figure 8. La grille forme écran autour de 1'épingle à cheveux et contribue à limiter l'émission à la pointe de l'aiguille cathodique, et à donner la forme hémisphérique au champ électrique. La surface émissive à la pointe de l'aiguille cathodique 25 a un rayon d'environ 1 micron. L'ouverture de la grille 55 a un diamètre d'environ 0,25 mm. L'anode 9 est à environ 0,75 mm en avant de la grille 8, c'est la dimension h dans la figure 8. L'anode a une largeur d'environ 28,5 mm à l'extrémité avant et a une longueur totale en direction axiale d'environ 28 ma. L'ouver-30 ture 56 de l'anode a un diamètre d'environ 0,25 mm et l'ouverture de limitation a un diamètre d'environ 0,5 mm. Pour les valeurs indiquées de longueur, dimensions et dépassement vers l'avant de l'aiguille cathodique 51, distance grille-anode, et dimensions des ouvertures de grille, anode et limitation, la tension -V^ 35 était de 5,0 kV et la tension -V0 de 5,3 kV. Il en résultait un gradient de champ électrique de 10 V/cm sur la pointe cathodique. Le filament était chauffé à une température d'environ 1800°K. Cette température maintient la pointe de la cathode à l'abri des atomes contaminants adsorbés dans le vide moyen utilisé. Le gra-40 dient de champ électrique extrêmement élevé en combinaison avec 70 29020 13 2057016 le chauffage du filament 50 produit une émission thermoionique de la pointe de la cathode à forte densité assistée par le champ. On notera que le gradient de champ élevé de 10^V/cm est obtenu avec une tension d'anode modérée, inférieure à 5 à 10 kV environ. 5 On constate que ces valeurs de tension, en particulier à l1extrémité inférieure de la gamme, ne fournissent pas une vitesse excessive des électrons frappant la cible qui serait susceptible de provoquer un échauffement diffus de la cible de nature à détériorer la résolution. De plus, pour des cibles extrêmement 10 minces, des électrons ayant une vitesse excessive peuvent passer complètement au travers sans engendrer une chaleur suffisante dans la matière de la cible. Selon la réalisation pratique envisagée, le filament en épingle à cheveux 50 est en rhénium, choisi pour ses carac-15 téristiques réfractaires et ductiles. Le filament a un diamètre d'environ 0,25 mm, réduit à 0,18 mm au soumet, comme il est indiqué dans le dessin agrandi de la figure 8. L'aiguille cathodique 51 est un monocristal orienté de tungstène ayant la face cristalline 100 à l'extrémité de l'aiguille, qui est la face 20" préférée pour abaisser le travail de sortie. La face cristalline 100 est en relation orthogonale avec l'axe longitudinal de l'aiguille de préférence dans la limite de un degré. L'aiguille 51 est soudée sur le filament 50. Une pâte d'hydrure de zirconium est appliquée sous forme de perle à la base de l'aiguille 25 51 autour du point de soudage. Par chauffage du filament, l'hydrure de zirconium se transforme par frittage en zirconium. Le zirconium migre sur la surface de l'aiguille et recouvre la pointe, fournissant un approvisionnement permanent pour les effets d'évaporation et de bombardement ionique. Une couche 30 atomique de zirconium est ainsi déposée sur la surface de l'aiguille 51 qui, avec les atomes d'oxygène provenant du gaz résiduel du vide, provoquent la réduction de 4,5 ev pour le tungstène pur à 2,8 ev,. du travail de sortie sur la pointe émissive. La réduction de la section du filament 50 au sommet augmente la 35 température de cette région par rapport au reste de la longueur du filament, et assure la migration du zirconium le long de l'aiguille 51 dans la direction de la pointe. La quantité de zirconium à distribuer nécessaire est très faible. Une tempéra-ture du filament de 1800°K dans un vide moyen d'environ 10 mm 40 Hg tient la pointe de la cathode à l'abri d'atomes adsorbés. La 70 29020 14 2057016 structure décrite bénéficie d'une durée de vie de la cathode extrêmement longue, par exemple de l'ordre de 1000 heures et plus. On notera que la température optimale du filament est une fonction de la pression et, pour un vide moyen, peut se situer dans 5 la gamme caractéristique de 1750°K à 1S50°K. Dans la figure 9 on présente plusieurs courbes d'émission assistée par le champ pour des cathodes en tungstène recouvert de zirconium et pour des cathodes en tungstène pur, pour différentes températures du filament et pour un vide fixe. Les 10 courbes sont tracées en densité de courant en ampères par centimètre carré en fonction du gradient de champ électrique en volts par centimètre. La courbe A correspond à une cathode en tungstène pur chauffée à une température de 2000°K. On voit que la courbe coupe la ligne de gradient de champ à me valeur de o 15 densité de courant d'environ 10 ampères par cm . La courbe B correspond à une cathode en tungstène recouvert de zirconium chauffée à une température de 1500°K, qui coupe la ligne de 10^ 2 V/cm à une densité de courant d'environ 200 ampères par cm . On notera que, malgré la plus faible température du filament que 20 dans le cas de la courbe A, le travail de sortie inférieur pour l'élément en tungstène recouvert de zirconium augmente notablement l'émission de courant. La courbe C correspond à une cathode en tungstène pur chauffée à une température de 2600°K, qui croise la ligne 10^ V/cm à une densité de courant de 500 ampères par 25 cm2. On voit que la température élevée du filament augmente l'émission de courant de la cathode en tungstène pur au-dessus de celle des courbes A et B. La courbe D correspond à une cathode en tungstène pur chauffée à une température de 3000°K, qui fournit une densité de courant d'émission de plus de 1000 ampères par 30 cm sur la ligne 10^ V/cm. Bien qu'on obtienne de fortes densités d'émission, on considère que les températures des courbes C et D sont trop élevées et limitent sévèrement la durée de vie de la cathode. La courbe E correspond à une cathode en tungstène recouverte de zirconium chauffée à une température de 1800 °K, qui est 35 du type employé dans la réalisation décrite. On voit que cette courbe atteint une densité de courant d'émission légèrement inférieure à celle de la courbe D, mais à une température très inférieure. Ainsi, à 1800°K on voit qu'une forte densité d'émission est obtenue avec une forte densité de courant de cible, ainsi 40 qu'un fonctionnement stable avec une longue durée de vie. 70 29020 15 2057016 En revenant à la figure 6, une paire de bobines de ' modulation 12 de type ordinaire sont montées sur les faces opposées d'un manchon cylindrique 59 de la chambre à vide 5, le manchon étant montré aussi à la figure 7. Les bobines de modula-5 tion servent à diriger le faisceau sur un axe unique dans le plan X-Y, qui est un plan transversal à l'axe central Z du faisceau. Devant l'anode 9 est montée une première lentille magnétique convergente, sous forme d'une bobine de focalisation 10A qui est bobinée autour de la périphérie de la chambre 5 et pro-10 duit un champ magnétique principalement le long de l'axe du faisceau. La bobine 10A est en soi de type ordinaire avec ses conducteurs entourant une carcasse magnétique annulaire. Un intervalle 60 dans la paroi intérieure de la carcasse magnétique positionne le plan de référence de la lentille convergente, qui se 15 trouve au milieu de cet intervalle dans le plan 61. Le plan de référence sert à établir une relation spatiale entre les bobines focalisatrices et avec les plans objet et image. Le plan de référence est utilisé dans ce but et non le plan principal, parce que pour ces lentilles les plans principaux ne sont pas faciles à 20 localiser. Devant la première bobine focalisatrice 10A est disposée une deuxième bobine focalisatrice 10B semblable à la première, un intervalle 62 étant ménagé dans la carcasse à l'intérieur de cette bobine pour positionner le plan de référence de la deuxième bobine focalisatrice sur le plan 63. Une bobine stig-25 matique 64, de réalisation usuelle est bobinée autour de la chambre dans le but d'engendrer un champ magnétique axial convenable dans la région de l'ouverture de limitation 58. La bobine stig-matique sert à compenser tout astigmatisme pouvant être produit par les bobines focalisatrices 10A et 10B. De plus, deux paires 30 de bobines de centrage 65, montées sur les surfaces opposées de la paroi de la chambre à vide 66 au voisinage du plan de lentille 61, sont prévues pour diriger le faisceau le long de deux axes disposés orthogonalement dans le plan X-Y. Les bobines de centrage ajustent le faisceau de façon à le faire passer par le 35 centre de la deuxième bobine focalisatrice. Deux paires de bobines de déviation 11 montées sur les surfaces opposées de la paroi 66 devant la deuxième bobine focalisatrice 10B, font dévier le faisceau dans deux directions orthogonales dans le plan X-Y. On va maintenant décrire les propriétés optico-électro-40 niques du système représenté dans les figures 6 et 7. Les électrons 70 29020 16 2057016 émis par la surface émissive par émission cathodique soumise à un champ électrique de configuration hémisphérique seront dirigés en général selon les trajets divergents correspondant aux rayons du champ électrique hémisphérique, ces trajets émanant apparem-5 ment d'un point situé légèrement derrière la surface émissive de la cathode et qui peut être considéré comme une image virtuelle de la cathode. Seule une fraction des électrons émis traversent l'ouverture de l'anode 56, les électrons transmis étant compris dans un angle solide d'environ 10° autour de l'axe du faisceau. 10 Parmi les électrons transmis par l'ouverture de l'anode 56, seule une petite fraction, dans un angle solide d'environ 1° traversent l'ouverture de limitation 58. La première bobine convergente 10A transforme le faisceau divergent en un faisceau parallèle. La deuxième lentille convergente 10B transforme le faisceau parai-15 lèle en un faisceau convergent qui est concentré sur la surface du support d'enregistrement. L'aberration sphêrique C d'une lentille convergente est la forme d'erreur la plus grave existant dans un système optique en général, du point de vue de la réalisation d'une 20 image fortement focalisée. C est principalement une fonction de la puissance de la lentille, des dimensions géométriques de la lentille et de la tension d'accélération. En principe Cg est en raison inverse de la puissance de la lentille, ou autrement dit, en fonction directe de la distance focale de la lentille. La 25 présente configuration du système optique électronique réduit considérablement l'aberration sphêrique du système en minimisant l'aberration sphêrique effective C'g de chaque lentille. C' est défini comme suit : C's - Cs (f'4 30 où a est la distance entre le plan objet ou le plan image et le plan principal de la lentille ; f est la distance focale de la lentille. Grâce à l'emploi d'une paire de lentilles convergentes 10A et 10B, la surface émissive de la cathode, correspondant approxima- 35 tivement au plan objet, peut être située à peu près au foyer de la première lentille convergente 10A. Ainsi, pour chaque lentille et C' . On peut opposer cette disposition à l'emploi S s d'une seule lentille convergente pour concentrer la cathode objet sur le plan image, cas dans lequel le plan objet et le 40 plan image doivent être espacés d'une distance sensiblement 70 29020 17 2057016 supérieure à la distance focale, de sorte que a>f et D'après les considérations précédentes, l'aberration sphêrique du système est réduite par augmentation de la puissance des bobines convergentes 10Â et 10B, dans certaines limites. En ce qui 5 concerne la bobine 10A, les facteurs de limitation sont principalement les dimensions physiques et la configuration de la structure anodique. En ce qui concerne la bobine 10B, les facteurs de limitation sont l'emplacement des bobines de déviation 11 et la . nécessité de dévier le faisceau sur une large surface. Quand on 10 utilise la lecture par réflexion, comme dans la réalisation de la figure 5, il y a un autre facteur de limitation dans le placement du détecteur d'électrons dans la région se trouvant au-dessus du support d'enregistrement. Dans plusieurs réalisations pratiques du système optique 15 électronique données à titre d'exemples, les bobines convergentes 10A et 1GB étaient identiques et avaient les spécifications suivantes : rayon de l'alésage R = 20 mm, rapport S/D = 3/13, où S est la largeur de l'intervalle et D le diamètre de l'alésage. La distance entre l'aiguille cathodique 51 et le plan 61, qui est la 20 dimension k dans la figure 6, était de 38 mm, la dimension exacte ayant été dictée principalement par la longueur de l'électrode 9. Les plans 61 et 63 étaient écartés de 89 mm, dimension 1 dans la figure 6, qui suffit pour loger les noyaux, mais n'est pas considérée comme une dimension critique. La bobine 10A fournissait 25 environ 455 NI (ampères-tours) à 5 kV et 640 NI à 10 kV. Cg = 4,85. Avec le support d'enregistrement 1 espacé de 25 mm du plan 63, dimension o dans la figure 6, les ampères-tours produits étaient NI^570 à 5 kV et NI ^810 à 10 kV. Ce = 1,85. Le spot O avait un diamètre de 979 Angstrtîms. La densité de puissance 30 mesurée sur le spot concentré avait une valeur de 6S 64.10^ W/cm2 à 10 kV. Si le support d'enregistrement était éloigné de 38 mm du plan 63, on avait NI^455 à 5 kV, et NI^-640 à 10 kV. Cg =4,85. Le spot avait un diamètre de 1058 AngstrtJms. La densité de puis-35 sance mesurée sur le spot concentré avait une valeur de 5,69.10^ W/cm2 à 5 kV et 1,4.10* W/cm2 à 10 kV. On notera que l'angle de convergence du faisceau à la surface du support d'enregistrement est une fonction inverse de la distance entre le support 1 et le plan 63. La dimension du 40 spot est une fonction de « et de C , et peut s'exprimer par S 70 29020 18 2057016 ldo2+(VlI)2 ° V 2 ' où d est la dimension idéale du spot avec une erreur nulle, et o a est le demi-angle du faisceau convergent. La détermination de la distance entre le support 1 et le plan 63 présente des exi-5 gences contradictoires. C diminue et a augmente quand la dis-tance diminue. La distance adoptée est optimisée en ce qui concerne ces propriétés, ainsi qu'en ce qui concerne la nécessité d'un balayage sur une surface relativement grande. Les dimensions des bobines indiquées ci-dessus sont 10 données principalement à titre d'exemples et non comme établissant des limites. Des bobines d'autres dimensions pourraient être, et ont été employées, avec les paramètres électriques modifiés en conséquence pour fournir un fonctionnement conforme à la présente doctrine. 15 Pendant une opération d'inscription, les bobines de modulation 12 commandent le faisceau le long d'un seul axe dans le plan X-Y, de façon à faire dévier l'axe du faisceau entre une position au centre de l'ouverture de limitation 58 et une position décalée par rapport au centre, dans laquelle le faisceau est 20 partiellement obturé par l'électrode 57 à ouverture de limitation 58. Le faisceau est dévié en fonction du signal de modulation. Avec l'axe du faisceau au centre de l'ouverture de limitation 56, le spot du faisceau focalisé a une densité de courant maximale et pourra facilement usiner le matériau du support d'enregistre-25 ment. En position décalée, la densité de courant du spot du faisceau focalisé est suffisamment réduite pour qu'il ne se produise pas d'usinage du support d'enregistrement. Par conséquent quand le faisceau balaie les lignes de données sous l'effet des ' ' bobines de déviation 11, l'intensité du courant sur le spot con-30 centré est modulée, ce qui permet d'inscrire les données. Pendant une opération de lecture, les bobines de modulation servent à déporter le faisceau de façon déterminée dans la position décalée, de façon que le faisceau soit partiellement obturé par 1'électrode de limitation perforée 57 pour réduire de 35 façon fixe la densité de courant du spot focalisé. Le faisceau de densité de courant réduite est déplacé le long des lignes de données par les bobines de déviation 11 en fournissant la lecture 70 29020 19 2057016 des données mémorisées sans produire le moindre changement physique ni la destruction desdites données mémorisées. Suivant une variante, la tension d'anode peut être réduite pendant la lecture pour réduire la densité de puissance sur le spot focalisé. 5 La figure 10 est une vue perspective avec arrachement partiel d'une forme de réalisation d'un système de mémorisation selon l'invention, employant un support d'enregistrement à grande surface 71 comprenant plusieurs blocs de données 72 (figure 11), de façon à fournir une capacité totale de stockage plus impor-10 tante que celle de la réalisation de la figure 1, dans un rapport de plusieurs ordres de grandeur. Un seul bloc de données correspond à la superficie de stockage du support 1 dans la réalisation de la figure 1. Dans la réalisation de la figure 10, le support d'enregistrement total 71 est une surface plane d'environ 210 x 15 210 ram, fournissant environ 44 000 blocs de données et une capa- 12 cité de mémorisation totale de 10 bits. Les blocs de données sont disposés en configuration de colonnes et rangées, dont seulement un petit nombre est montré à titre d'exemple dans la vue en plan partielle de la figure 11. 20 L'optique électronique correspond à la structure des figures 6 et 7, et les éléments comparables sont identifiés de la même façon, avec addition d'un signe "prime". En conséquence le système d'émission électronique 3' et le système optique électronique 4' sont identiques à la réalisation décrite précé-25 demment. Le réseau d'entrée 13', le réseau de sortie 17* et le réseau logique 18' peuvent être semblables à ceux de la figure 1. La lecture se fait de préférence au moyen d'un dispositif réfléchissant tel que celui de la figure 5, utilisant un détecteur d'électrons 43' placé au-dessus de la surface d'enregistrement. 30 Cependant une lecture par transmission semblable à celle de la figure 1 peut être aussi utilisée, exigeant une structure de détecteur d'électrons ayant une surface convenable pour supporter le support d'enregistrement. Le support d'enregistrement 71 est monté sur un substrat 35 mobile 73 permettant un positionnement dans les directions X et Y. Le mouvement du substrat 73 est fourni par une paire d'organes d'entraînement à moteur 74 et 75, placés en dehors du vide. Les organes d'entraînement 74 et 75 peuvent comporter des moteurs du type ordinaire qui positionnent le substrat 73 avec une précision 40 de + 0,25 mm. Un moteur pas-à-pas à rêactance variable est appro 70 29020 2.0 2y 5/ U \ É> prié. L'organe 74 entraîne le substrat 73 dans la direction X par l'intermédiaire d'un arbre d'entraînement à mouvement rectiligne 76, et l'organe 75 entraîne le substrat 73 dans la direction Y à l'aide d'un arbre d'entraînement à mouvement rectiligne 77. Les 5 organes d'entraînement 74 et 75 peuvent comporter chacun un mécanisme de mouvement de translation, tel qu'une disposition ordinaire par vis et écrou pour convertir le mouvement de rotation du moteur en mouvement rectiligne des arbres d'entraînement. Un soufflet consne il est montré en 78 fournit un joint étanche au 10 vide autour des arbres d'entraînement 76 et 77 au cours de leur déplacement rectiligne. De même, dans le fonctionnement du dispositif de la figure 10, les organes d'entraînement à moteur 74 et 75, assurent sous la commande du réseau logique 18', l'indexation des blocs de 15 données individuels 72 par rapport au dispositif à faisceau électronique et au faisceau électronique. Après qu'un bloc de données choisi a été indexé, le faisceau électronique peut accomplir les opérations d'inscription et de lecture exactement comme il a été décrit en se référant à la réalisation précédente 20 de l'invention. L'invention a été décrite en se référant à un certain nombre de réalisations particulières principalement en vue de donner une explication claire et complète. On doit cependant admettre que de nombreuses modifications peuvent être apportées 25 par l'homme de l'art à la structure décrite sans sortir du cadre de l'invention. Par exemple le présent système optique-électronique a été utilisé avec grand avantage en combinaison avec tin nouveau système d'émission électronique employant une aiguille en tungstène orienté recouverte de zirconium ayant un travail de 30 sortie très bas et susceptible de fonctionner correctement dans un vide moyen en procurant une densité d'émission extrêmement élevée et une longue durée de vie. La combinaison du système optique-électronique décrit et du système d'émission électronique produit sur la cible un spot de faisceau focalisé de dimensions 35 extrêmement petites et de forte densité de courant. On peut imaginer qu'un fonctionnement semblable puisse être obtenu par le présent système optique-électronique en combinaison avec d'autres systèmes d'émission électronique accusant des caractéristiques semblables de forte densité d'émission, de grande 40 stabilité et de longue durée de vie dans un vide moyen. Par 70 29020 21 2057016 exemple une cathode en tungstène recouverte .de hafnium ou une cathode en hexaborure de lanthane ont apparemment les propriétés intrinsèques convenables pour un tel fonctionnement,- bien qu'à l'heure actuelle on ne connaisse pas de tentative dans ce sens. 5 De plus, dans le cadre de la présente invention les dispositifs d'enregistrement décrits peuvent, employer pour mémoriser les données une matière dont l'état physique ou les propriétés autres que le volume, ou en plus du volume, sont susceptibles d'être modifiées par un faisceau à forte densité, le 10 changement d'état ou de propriétés pouvant être détecté par un faiscéau de lecture. D'autre part, l'invention est considérée comme faisant usage d'un matériau d'enregistrement capable d'érosion sélective par un faisceau électronique. On notera aussi que le dispositif à faisceau électro-15 nique "décrit ci-dessus peut avoir des applications utiles dans d'autres'systèmes que ceux relatifs à la mémorisation d'information, par exemple pour les opérations de micro-usinage et microérosion dans le domaine de la micro-électronique. 70 29020 22 2057016 RE V EN DICAÎ IONS 1. Système pour le stockage de données à haute densité par faisceau électronique fournissant un stockage d'informations sur un support d'enregistrement (1) et pour la lecture desdites . informations, caractérisé par : 5 a) une chambre évacuée (5), b) une cathode ayant une partie en forme de filament (51) dans ladite chambre et ayant une surface émissive extrêmement petite, c) des organes générateurs de champ (3) dans ladite 10 chambre pour fournir un champ électrique de configuration générale hémisphérique autour de ladite surface émissive avec un gradient du champ électrique suffisamment élevé au voisinage de ladite surface, émissive pour produire un courant d'émission de haute densité sous forme d'un faisceau ayant une configuration 15 divergente, , * • d) une première lentille convergente -(10À) pour transformer la configuration divergente dudit faisceau en une configuration. parallèle, e) une deuxième lentille convergente (10B) pour trans-20 former la configuration parallèle dudit faisceau en une configuration convergente, le faisceau étant de lâ sorte concentré sur la surface dudit support d'enregistrement en un Spot extrêmement petit à forte densité de courant, f) des organes de déviation (11) pour faire dévier 25. ledit faisceau sur la surface dudit milieu d'accumulation, g) des organes de modulation (12) pour moduler l'intensité du courant du faisceau quand celui-ci est dévié sur la surface du support d'enregistrement pour inscrire 1'information sur ledit support en fonction des signaux de modulation, 30-.- h) des moyens de lecture (17) dans ladite chambre pour récupérer l'information qui. a été inscrite. 2. Système de stockage suivant lâ revendication 1, caractérisé en ce.que.ladite cathode présente une structure en forme d'aiguille (51) supportée rigidement, dont la pointe cor- 35 respond à ladite surface émissive, et des moyens pour fournir continuellement un revêtement très mince à ladite pointe, en une matière qui réduit le travail de sortie sur la surface émissive. 3. Système de stockage suivant la revendication 2, 70 29020 23 2057016 caractérisé en ce que la surface émissive est située dans un plan entourant le foyer de ladite première lentille (61), et ladite surface du support d'enregistrement est située dans un plan entourant le foyer de ladite deuxième lentille (63) de façon à 5 réduire l'aberration sphêrique effective desdites lentilles. 4. Système de stockage suivant la revendication 3, caractérisé en ce que ledit organe de déviation (11) est placé entre la deuxième lentille convergente et le support d'enregistrement . 10 5. Système de stockage suivant la revendication 4, caractérisé en ce que lesdites première et deuxième lentilles convergentes comprennent chacune une lentille magnétique bobinée autour de la circonférence de ladite chambre. 6. Système de stockage suivant la revendication 5, 15 caractérisé en ce que les organes de champ comportent une structure d'électrode perforée (57) placée devant la cathode, les organes de modulation déplaçant le faisceau de façon à le faire intercepter de façon récurrente par ladite électrode perforée en fonction des signaux de modulation, ce qui a pour effet que la 20 densité d'émission peut être maintenue constante quand la densité de courant varie à la surface du milieu d'accumulation. 7. Système de stockage suivant la revendication 6, caractérisé en ce que ledit moyen de lecture comporte un détecteur d'électrons (15 ou 43) sensible aux électrons reçus dudit 25 support d'enregistrement en réponse à l'impact dudit faisceau quand il fonctionne à une densité de courant réduite. 8. Système de stockage suivant la revendication 7, caractérisé en ce que le spot du faisceau focalisé a un diamètre de l'ordre de 0,1 micron et moins, avec une densité de courant de 2 30 l'ordre de 1000 ampères par cm et davantage. 9. Système de stockage suivant la revendication 8, caractérisé en ce que le support d'enregistrement se compose principalement d'une composition à base de sélénium, dont des parties sont sélectivement vaporisées par le faisceau focalisé 35 pendant l'opération d'inscription. 10. Système de stockage suivant la revendication 1, caractérisé par des moyens d'entraînement mécaniques (74, 75) pour déplacer ledit support d'enregistrement de façon à positionner de façon simple des blocs de données sous le faisceau foca- 40 lisé. 70 29020 24 2057016 11. Système de stockage suivant la revendication 3, caractérisé en ce que l'organe de champ comporte une électrode formant grille (8) ayant une ouverture à travers laquelle l'aiguille cathodique fait saillie, et une électrode formant anode (9) placée devant ladite pointe émissive et ayant une ouverture coaxiale avec ladite aiguille cathodique et à travers laquelle la partie centrale dudit faisceau est dirigée.