FR 2106614 A1 19720505 FR 7133623 A 19710917 71 33623 1 2106614 La présente invention se rapporte généralement à des transistors à effet de champ à porte isolée ; plus particulièrement, elle concerr" et a essentiellement pour objet des dispositifs formant circuits intégrés employant des 5 transistors à effet de champ à porte isolée et notamment un système de protection transitoire d'entrée pour ceux-ci, ainsi que les diverses obligations et utilisations résultant de leur mise en oeuvre et les systèmes, ensembles, appareils équipements et installations pourvus de tels dispositifs. 10 Un type de transistor à effet de champ à porte isolée comprend un susbrat semi-conducteur ayant une surface plane et des régions espacées respectivement de source et de drain dans le substrat, adjacente à la surface pour définir un trajet de'conduction appelé canal ou voie et réaliser le contact 15 avec celui-ci. Une couche de matière isolante, qui est habituellement du dioxyde de silicium ou de la silice développé par croissance thermique, est disposée sur la surface par-dessus le canal et une électrode de porte est disposée sur la couche isolante en configuration d'application de champ électrique par 20 rapport au canal. Le dioxyde de silicium ou la silice présente une rigidité diélectrique ou résistance au claquage ou à la n disrupture d'environ 10 V/cm et par conséquent, toute tension 0 électrique transitoire d'environ 10 V par 100 A d'épaisseur d'oxyde sur l'électrode de porte provoquera probablement le 25 claquage de l'isolant et mettra la porte en court-circuit avec le substrat. Des tensions électriques de cette grandeur sont difficiles à éviter pendant la fabrication, l'essai, l'assemblage ou d'autres manipulations du dispositif. Des tensions électriques beaucoup plus élevées sont souvent produites 30 par simple accumulation de charges électrostatiques sur le corps humain. . Des isolateurs de porte^ dans des dispositifs à circuits intégrés qui contiennent des transistors à effet de champ à porte isolée, sont de même sujets à la disrupture en raison 35 de phénomènes transitoires à haute tension électrique et des circuits protecteurs, pour se protéger contre ce dommage, ont été inclus dans ces dispositifs. Un tel dispositif à circuit 71 33623 2 2106614 intégré est le circuit intégré dit CMOS qui emploie des transistors du type à enrichissement ayant des canaux deux types de conductivité I et ï. Habituellement les transistors sont réalisés dans une plaquette ou pastille du type H" 5 contenant une région diffusée du type P appelée puits P. Des transistors du type ÎT sont formés à l'intérieur du puits P et des transistors du type P sont formés à l'extérieur du puits P. D'autres régions diffusées sont également incluses dans des dispositifs classiques. Par exemple, des diffusions P+ sont 10 employées pour des tunnels conducteurs et pour des bandes de garde ou de protection empêchant les fuites. Un circuit connu de protection d'entrée pour des circuits intégrés du type'CMOS comprend : (1) une résistance de limitation de courant électrique entre la borne d'entrée et les portes 15 à protéger, (2) une première diode ayant son anode connectée' aux portes à protéger et son anode connectée à une source du plus haut potentiel dans le circuit et "(3) une seconde diode ayant son anode connectée à une source du plus bas potentiel dans le circuit et sa cathode connectée aux portes à protéger. Aupara-20 vant ce circuit avait été réalisé en/formant une diffusion du type P+ pour la résistance de limitation de courant électrique. Cette diffusion était exécutée en même temps que les diffusions pour des tunnels et des bs,ndes de garde ou de protection conformément à la pratique générale dans la technique des 25 semi-conducteurs pour -former toutes les régions semblables en même temps. La résistance peut être faitfe suffisamment longue pour établir unerésistance typiquement d'environ 500 ohms. Concurremment, une fonction de diode est réalisée par la jonction de type PU entre la région de résistance et le substrat de type 30 N. Le gradient de concentration dans la région P-+ et le dopage de fond du substrat du type N ont eu pour résultat une tension électrique de claquage ou de disrupture d'environ 50 Y. L'autre fonction de diode a été réalisée' par une jonction PF entre une diffusion IT+ et le puits P avec une tension électrique typique 35 de claquage ou de disrupture d'environ 25 V. Cette construction a été utilisée avec succès mais la résistivité de feuille relativement basse de la diffusion du type 71 33623 3 2106614 P+ de la résistance a nécessité l'emploi d'une surface importante de plaquette ou de morceau parce que la résistance doit être tout-à-fait longue afin de réaliser une valeur de résistance suffisante..Des tentatives,pour accroître la résistivité de 5 feuille de la diffusion P+ de façon que la résistance puisse être plus courte, ont eu pour résultat des rendements de production diminués en raison du manque, du défaut ou de la défaillance de la fonction protectrice des bandes de garde P+ formées silmultanément. 10 La présente nouvelle structure pour des dispositifs à résistances et à diodes, utilisable dans la protection des isolateurs de transistors à effet de champ à porte isolée, comprend une région de résistance dont le gradient de concentration en impureté est tel iju'il forme une jonction 15 progressive PN d'une rigidité diélectrique ou de claquage relativement élevée dans le corps semi-conducteur. Une région de diode diffusée, définissant une jonction PN abrupte avec une rigidité diélectrique ou tension électrique de claquage relativement basse, est connectée à la région de résistance. 20 L'invention sera mieux comprise et d'autres buts caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement à la lecture de la description explicative qui va suivre en se reportant aux dessins schématiques annexés, donnés uniquement à titre d'exemplesnon limitatifsillustrant 25 divers modes de réalisation dans l'invention et dans lesquels : - la figure 1 représente une vue schématique d'un-circuit intégré du type CMOS comprenant un circuit de protection de porte à oxyde ; - la figure 2 est vue en coupe transversale montrant un mode 30 de réalisation de la présente invention d'un circuit de protection de porte à oxyde; _ la figure 3 est une vue partielle en plan représentant la configuration d'une portion de la structure de la figure 2 ; _ la figure 4 est une vue en plan semblable à la figure 3 35 et montrant une variante d'exécution de 1s. même portion de la structure de la figure 2; et - la figure 5 est une coupe transversale effectuée suivant 1 71 33623 4 2106614 ligne 5-5 de la figure 4. Exemple I la figure 1 montre un circuit 10 qui représente à la fois la structure antérieure de protection de porte à oxyde 5 décrite ci-dessus et la présente structure nouvelle de protection de porte à oxyde, le circuit CMOS à protéger est représenté sur la figure 1 par un inverseur ou onduleur simple à paire complémentaire comprenant un transistor 12 du type P à effet de champ et à porte isolée et un transistor 14 du type H 10 à effet de champ et à porte isolée connectés en série entre une "borne d'alimentation 16 désignée par et une "borne de mise à "la-masse ou à la terre 18. les transistors 12 et 14 ont des électrodes de porte isolées 20 et 22 qui sont connectées ensemble, de façon que chacune reçoive le même signal d'entrée. 15 les drains respectifs des transistors 12 et 14 sont connectés à une borne de sortie 23. les éléments de circuit, qui procurent la protection pour les isolateurs de porte des transistors 12 et 14, sont connectés entre une borne d'entrée 24, les portes 20 et 22 et les bornes 20 16 et 18 comme suit. Tout d'abord, il y a une résistance 26 qui est connectée entre la borne 24 et les portes 20 et 22. Depuis la résistance 26 jusqu'à la borne 16, il y a des diodes 28 et 29 qui ont leurs anodes connectées aux extrémités de la résistance 26 et leurs cathodes connectées ensemble ou 25 entre elles et à la borne 16. Dans la structure conforme à la technique antérieure et comme cela a été expliqué ci-dessus, il y a une diode distribuée ou continue définie par la région de résistance elle-même. Autrement, le circuit de la figure 1 est une représentation exacte ou précise de la 30 structure antérieure. Une diode 30 est connectée entre la borne 18 et les portes 20 à 22 à protéger, la diode 30 a son anode connectée à la borne 18 et sa cathode connectée aux portes 20 et 22. Le fonctionnement du circuit 10 est le suivant. Avant 35 que le dispositif soit connecté à des sources d'alimentation d'énergie et à des circuit d'utilisation, les diverses bornes peuvent avoir des impulsions de haute tension électrique 71 33623 5 2106614 appliquées à celles-ci, telle que par exemple des impulsions résultant d'une accumulation de charges électrostatiques sur un corps humain. Ces tensions électriques peuvent apparaître entre des bornes quelconques parmi les bornes 16, 18, 23 et 24. Si par 5 exemple la berne d'entrée 24 devient fortement positive par rapport à la borne 16, les diodes 28 et 29 seront polarisées dans le sens direct et la tension électrique maximale, qui peut exister dans l'oxyde du transistor 12, sera égale à la chute de tension électrique directe dans les diodes 28 et 29, soit environ 10 à 1 V. Si la borne d'entrée 24 est fortement positive par rapport à la borne de masse 18, la diode 30 sera polarisée dans le sens inverse mais, du fait qu'elle a une tension électrique inverse de claquage relativement basse ( d'environ 25 V), la tension électrique maximale dans l'oxyde du transistor 14 sera d'environ 15 25 V. Si une impulsion de haute tension électrique positive est appliquée à la borne d'entrée 24 relativement à la borne de sortie 23 et à celle-ci, le trajet pour le courant électrique, résultant de la tension électrique appliquée, ira de la borne 20 d'entrée 24 à travers la résistance 26, la diode 30 et ensuite à travers la diode formant trajet de substrat à source ou trajet de substrat à drain du transistor 14 jusqu'à la borne de sortie 23. Le courant électrique ne s'écoulera pas à travers le transistor 12, parce que ce-transistor est hors circuit dans 25 ces conditions et ces diodes de substrat à source ou de substrat à drain seront polarisées dans le sens inverse avec urte tension électrique de claquage ou de disrupture d'environ 50 Y, c'est-à-dire environ double de la tension électrique de claquage de la diode 30. Dans ces conditions, la tension électrique maximale, 30 qui peut alors se produire dans les oxydes des deux transistors 12 et 14, est égale à la somme de la tension électrique de claquage de la diode 30 et de la chute de . tension électrique directe du transistor 14 formant diode de substrat à source ou de substrat à drain, soit environ 26 V. 35 Des considérations similaires peuvent être développées quand les autres bornes 16, 18 et 23 reçoivent l'impulsion 71 33623 6 2106614 de haute tension électrique. Par exemple, si la haute tension électrique positive est appliquée à la borne Y^ 16 relativement à la borne d'entrée 24, il y aura un trajet de courant'électrique à travers le transistor 12 de type P qui sera en circuit à 5 cause de la tension électrique relativement basse appliquée à sa porte, - puis à travers la diode de drain à substrat du transistor 14 de type 1 et ensuite à travers la diode 30 et la résistance 26 jusqu'à la borne d'entrée 24. La tension électrique maximale dans l'oxyde du transistor 12 de. type P •10 sera égale à la somme de la chute de tension électrique à travers cette unité (environ 4 Y), de la tension électrique inverse de claquage de la diode de drain à substrat du transistor 14 (environ 25 Y) et de la chute de tension électrique directe de la diode 30 ( environ 1 Y), soit environ 30 Y. Le circuit 10 15 limite la tension électrique dans les isolateurs de porte des transistors 12 et 14 à une valeur maximale d'environ 30 Y, indépendamment de 1'emplacement où le phénomène transitoire à haute tension électrique est appliqué. Ceci est bien en dessous de la tension électrique de claquage des isolateurs de 20 porte Les figures 2 et 3 représentent la nouvelle construction d'un dispositif 32 à circuit intégré auquel est incorporé le circuit 10. le dispositif 32 comprend un corps de matière semi-conductrice telle que le silicium qui, dans cet exemple, est 25 du type de conductivité ÏT ayant une résistivité comprise entre environ 0,1 et environ 10 -ohms-cm. le corps 34 a une surface 36 au voisinage de laquelle sont formées les régions qui définissent les éléments de circuit actifs et passifs. Le transistor 12 comporte des régions espacées de source 30 et de drain 38 et 39 du type de conductivité P+ réalisées au voisinage de la surface 36 par diffusion d'impuretés acceptrices de la manière connue. Par exemple, ces régions peuvent être formé en masquant la surface 36 et en exposant le corps 34 à une source de modificateurs du type de conductivité P, tels que le bore 35 ( par exemple une source de nitrure de bore), à une température comprise entre environ 1000°C et environ 1100°C pendant une période de temps d'environ 30 minutes. Ceci a pour résultat une 71 33623 7 21066U diffusion de type F+ relativement peu profonde d'environ 30 ohms par aire carrée avec un gradient de concentration abrupte et par conséquent une jonction PN abrupte à tension électrique de claquage relativement basse, c'est-à-dire d'environ 50 V. 5 Pour réaliser un substrat pour le transistor 14 de type N ,il y a une région 40 de type P appelée puits P qui a une profondeur de diffusion plus grande eb un gradient de concentration en impureté plus progressif que les régions 38 et 39 de type P+. Le puits P 40 peut être formé par exemple en masquant convena-10 blement la surface 36 et ensuite en exposant le dispositif, à une température d'environ 800°G à environ 820°C, à une source de modificateurs du type de conductivité P. Le bore, obtenu du nLtrure de bore, est de nouveau acceptable. Le résultat de cette opération est la formation d'une région diffusée peu profonde 15 dans le corps 34, adjacente à la surface 36. Les impuretés de bore sont ensuite redistribuées dans le corps 34 en chauffant le corps jusqu'à une température d'environ 1200°C pendant une période de quelques minutes à environ 6 heures dans un milieu ambiant d'oxygène sec. De préférence, une opération de 20 diffusion sortante,d1élimination ou d'extraction, est ensuite exécutée pour réduire la concentration en surface des impuretés dans le puits P 40.. Pour accomplir cela, le corps 34 est chauffé dans de la vapeur d'eau à une température d'environ 1100°C pendant environ 30 minutes jusqu'à environ 6 heures. Le résultat final 25 de ce traitement vise à produire,dans le puits P 40, un gradient de concentration en impuretés relativement bas et une jonction PN relativement progressive avec la matière de type P du corps 34. A l'intérieur du puits P 40, le transistor 14 possède des régions respectivement de source 42 et de drain 43 30 de type N+ qui sont formées d'une manière classique par la diffusion de phosphore. Les électrodes de porte 20 et 22 des transistors 12 et 14 sont superposées aux espaces entre les régions respectives de source et de drain et sont séparées de ceux-ci par des minces 35 isolateurs ou isolants de porte 44 et 45 qui sont formés par exemple en oxydant la surface du corps 34. Sur la figure 2 sont également représentées une région 71 33623 8 2106614 annulaire de garde 46 du type P+ qui entoure le transistor 14 et une région annulaire de garde 48 du type ÎT+ qui entoure le transistor 14 et une région annulaire de garde 46 du type ET+ qui entoure le transistor 12. D'autres régions, non représentées, 5 peuvent comprendre des régions du type P+ ou du type ÏÏ+ qui fonctionnent comme résistance^ comme tunnels ou analogues* Dans la présente construction nouvelle, la fonction de la résistance 26 est réalisée par une région diffusée 50 du type de conductivité P dans laquelle' la profondeur de diffusion et 10 le gradient de concentration en impuretés sont tels qu'ils réalisent une jonction 52 du type PF relativement progressive entre la région 50 et la matière environnante du corps 34. La résistivité de feuille dans la région 50 peut être tout à fait élevée, par exemple autour.de 750 ohms par aire carrée, de sorte que la 15 résistance n'a pas besoin d'être très longue afin de réaliser une valeur de résistance importante. Pour établir ces conditions, la région 50 peut être diffusée en même temps que le puits P 40, conformément à la séquence de traitement décrite ci-dessus. Une portion limitrophe ou frontière de la région 50 20 intercepte la surface 36 du corps 34 et,, en configuration de recouvrement par rapport à cette portion limitrophe, il y a une paire de régions 54 et 55 de type P+ (figure 3). Ces régions sont ainsi connectées électriquement, à la région de résistance 50. Elles servent de régions formant anode pour les diodes 28 25 et.29 puisqu'elles définissent respectivement des jonctions 56 et 57 de type PN avec la matière du corps 34- La matière de type U du corps 34 constitua elle même une région de cathode commune pour les diodes 28 et 29- Cette matière est électriquement connectée de façon classique à la borne 16 du circuit 10. 30 Les régions 54 et 55 peuvent être diffusées en même temps que les régions de source 38 et de. drain 39 du-transistor 12 par exemple. Comme cela a été mentionné ci-dessus, le gradient de concentration en impuretés de ces régions est abrupt, de sorte que les jonctions 56 et 57 sont également abruptes et ont une tension 35 électrique de claquage d'environ 50 Y. Le contact avec la région de résistance 50 est de préférence réalisé à travers les régions 54, 55 parce qu'un bon contact 71 33623 9 2106614 ohmique peut être réalisé dans ces régions. Ainsi des conducteurs . métalliques 60 et 61 peuvent être appliqués à ces régions de manière connue et peuvent s'étendre jusqu'aux éléments entre lesquels on désire que la région de résistance 50 soit connectée. 5 la fonction de diode de la diode 30 de la figure 1 est réalisée par une région de cathode diffusée 62 du type de conductivité N+,adjacente à la surface 36 à l'intérieur du puits P 40, laquelle dernière région sert de région d'anode. Un contact métallique 64 sert à connecter la région 62 au contact métallique 10 61 au moyen d'un conducteur schématiquement représenté en 65. EXEMPLE II les figures 4 et 5 représentent une variante d'exécution du présent dispositif nouveau. Dans ces modes de réalisation, une paire de régions 66 et 67 de type N+ est formée en configuration 15 de recouvrement par rapport "aux côtés de la limite ou frontière de -la région 50, comme cela est représenté. Ces régions de type N+ réduisent la tension électrique de claquage des diodes aux bornes du transistor 12 parce que ce claquage sera dominé par le claquage N+ à P entre la région 50 et les régions 66 et 67. 20 Les régions 66 et 67 de type N+ et la région 62 sont de préférence forméedsimultanément par diffusion de phosphore à partir d'une source d'oxychlorure de phsophore par exemple, le corps 34 est chauffé à une température d'environ 1050°C dans une atmosphère contenant du phsophore pendant environ 2 minutes 25 et ensuite pendant 3 minutes dans une atmosphère exempte de phosphore. Ceci a pour résultat des régions de type de conductivité N+ avec une résistance de feuille cFenviron 10 ohms par aire carrée et des jonctions PN avec une tension électrique de claquage d'environ 25 Y. 30 Les régions 54 et 55 peuvent être omises dans ce mode de réalisation si un contact ohmique adéquat ou suffisant peut être réalisé autrement avec la région 50.les régions 66 et 67 doivent être placées près du côté d'entrée de la région de résistance 50 comme cela est indiqué, de façon que la tension électrique, appliquée à celles—ci, ne soit pas diminué de façon importante par la chute de tension électrique à travers la région de régistance 50. l'espacement, entre les régions 66 et 67, 71 33623 10 2106614 peut aussi être utilisé pour contrôler ou régler la résistance effective de la région 50. la caractéristique directe de la diode formée de cette manière est nette en ayant pour résultat un fonctionnement rapide. 5 Quand le dispositif est construit comme cela a été décrit ici, des avantages importants sont disponibles en comparaison avec la technique antérieure. Tout d'abord, la résistivité des régions P+ peut être rendue tout à fait basse puiqu'il n'est pas nécessaire de compter sur une diffusion analogue à ces régions 10 pour la régôn de résistance 50. Ainsi l'efficacité des bandes de garde du type P+, la résistance de tunnels du type P+ et les résistances de source et de drain de tous les transistors de type P dans le circuit peuvent être rendues optimales, les résistances de contact avec les régions de type P+ sont basses, la surface 15 totale, occupée par les éléments de protection de porte est très inférieure à celle requise dans la construction antérieure, ce qui conduit à des économies substantielles dans le coût de fabrication de ces circuits. Urykutre avantage est la résistance relativement.élevée (1000 ohms et plus) qui est 20 disponible grâce à 3.a résistivité plus élevée dans la région de résistance 50 de type P. Bien entendu , l'invention n'est nullement limitée aux modes de réalisations décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre d'exemple. En particulier, elle comprend tous les 25 moyens constituant des équivalents-techniques des moyens décrits ainsi que leurs combinaisons, si celles-ci sont exécutées selon l'esprit de l'invention et mises en oeuvre dans le cadre des revendications qui suivent. 71 33623 2106614 REVE N_D I C A T_I 0 N S_ 1 . Dispositif semi-conducteur, du type comprenant un corps en matière semi-conductrice d'un type de conductivité ayant une surface, caractérisé en ce qu'il comprend : une région de résistance diffusée d'un type de conductivité opposé à celui 5 dudit corps, dans ledit corps au voisinage de ladite surface et définissant une jonction progressive de type PU dans ledit corpsj une région de diode diffusée d'un type de conductivité opposé à celui dudit corps dans le dit corps au voisinage de ladite surface et définissant une jonction abrupte du type PN dans 10 ledit corps, ladite région de diode étant connectée électriquement à ladite région de résistance ; et des conducteurs espacés connectés à ladite région de résistance. 2. Dispositif selon la revendication 1 , caractérisé en ce que la région de résistance précitée comporte une limite ou 15 frontière qui intercepte la surface précitée, ladite région de diode étant en configuration de recouvrement par rapport à une portion de ladite frontière ou limite. 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que là région de résistance précitée possède la configuration 20 plane d'un rectangle allongé ayant une paire de côtés relativement longs et une paire d'extrémités relativements courtes, la région de diode précitée étant située à l'une desdites extrémités. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une seconde région de diode située à 25 l'autre des extrémités de résistance précitées. 5. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une région diffusée du même type de conductivité que le corps précité, dans ledit corps au voisinage de la surface précitée en configuration de recouvrement par rapport 30 à une portion d'un côté de la région de résistance précitée. 6. Dispositif semi-conducteur du type qui comporte un corps en matière semi-conductrice d'un type et d'un degré de conductivité et qui comprend en outre une pluralité de régions diffuséesdans ledit corps, adjacente à une surface de celui-ci pour définir des 35 éléments de circuit actifset passif, caractérisé en ce qu'il 71 33623 12 2106614 comprend' des éléments- formant résistances et diodes" ayant respectivement une résistance relativement élevée et une rigidité diélectrique ou tension de claquage de diode relativement basse ; le dispositif comprenant une' région de' résistance 5 diffusée d'un type de conductivité opposé à celui dudit corps dans ledit corps au voisinage de ladite surface et définissant une jonction progressive M dans ledit corps, de sorte que la rigidité diélectrique ou tension électrique de claquage de ladite jonction PB" est relativement élevée, ladite jonction comportant 10 une frontière ou limite qui intercepte ladite surface ; au moins une région de diode diffusée dudit type de conductivité opposé, dans ledit corps au voisinage de ladite surface en configuration de recouvrement par rapport à une portion de ladite frontière de ladite jonction progressive Pïï et définissant elle-même une 15 jonction abrupte PN de rigidité diélectrique ou de tension électrique de claquage relativement basse avec la matière dudit corps ; et des conducteurs espacés connectés à ladite région de résistance pour relier ladite résistance à d'autres éléments dudit dispositif. 20 7. Dispositif selon la revendication 6,caractérisé en ce que l'un des conducteurs espacés précités comprend une électrode métallique en contact avec la région de diode précitée. 8. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il y a au moins deux régions de diode diffusées dont chacune 25 est en configuration de recouvrement par rapport à une portion différente de la frontière précitée de la jonction progressive PU précitée tandis que les conducteurs espacés précités comprennent des électrodes métalliques en contact avec les . deux régions de diode. 30 9. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que les éléments de circuit actifs précités comprennent une paire de transistors à effet de champ à porte isolée, dont l'un comporte des régions espacées de source et de drain dans le corps précité au voisinage de la surface précitée et dont l'autre a 35 une région de puits diffusée du type de conductivité opposé précité dans ledit corps au voisinage de ladite surface et une paire de régions de source et de drain dudit type de conductivité 71 33623 13 2106614 mentionné en premier lieu à l'intérieur de ladite région de puits, ladite région de puits diffusée et ladite région de résistance diffusée ayant les mêmes profondeur et gradient de concentration en impuretés. 5 10» Dispositif à circuit intégré du type CMOS comprenant un corps en matière semi-conductrice d'un type de conductivité, ayant une surface, caractérisé en ce qu'il comprend : une région de puits diffusée d'une résistivité prédéterminée et d'un type de conductivité opposé à celui dudit corps dans ledit 10 corps au voisinage de ladite surface ; des régions espacées de source et de drain dudit type de conductivité mentionné en premier lieu à l'intérfeur de ladite région diffusée adjacente à ladite surface ; des régions espacées de source et de drain dudit type de conductivité opposé à l'extérieur de ladite région 15 diffusée adjacente à ladite surface ; une électrode de porte pardessus l'espace entre les régions respectivement de source et de drain et séparée de celles-ci par un isolant ou isolateur ; et une région de résistance dudit type de conductivité opposé dans ledit corps au voisinage de ladite surface, ladite région de résistance 20 ayant les mêmes résistivité et gradient de concentration en impuretés que ladite région de puits. 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte des bornes d'entrée et la région de résistance précitée comporte des contacts espacés avec celle-ci, l'un desdits 25 contacts étant connecté à l'une desdites bornes d'entrée et l'autre desdits contacts étant connecté à une électrode de porte. - 12. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une région diffusée du type de conductivi- 30 té opposé précité dans ledit corps au voisinage de la surface précitée, ayant une résistivité telle qu'une jonction abrupte PU à basse tension électrique de claquage est définie et des moyens reliant ladite région à la région de résistance précitée.