FR 2058205 A1 19710528 FR 7029473 A 19700811 U iUli 1 2058-205 La présente invention résulte de travaux effectués sous contrat avec la NASA, et est soumise aux prescriptions de la Section 305 de la Loi américaine de 1958 sur la Navigation Aéronautique et Spatiale, Droit Public Américain 85-568 (72 Stat. 5 435; 42 USC 2.457). La présente invention concerne les transistors Métal-Nitrure-Oxyde-Silicium à effet de champ, dénommés dans la suite du présent exposé transistors "IMOS", et plus particulièrement des perfectionnements de structure qui permettent d'obtenir un 10 effet d'accumulation de charges dans ces transistors. L'invention a aussi pour ob;jet un élément de~ mémoire en pellicules milices et à deux connexions électriques, d'un type nouveau et perfectionné, dont la construction est basée sur ladite structure et qui permet d'obtenir un effet ds accumulation des charges, 15 électriques. Le mode d'opération des transistors du type MNOS découle de l'emploi de deux pellicules isolantes de natures différentes (l'une de nitrure, l'autre d'oxyde de silicium) formées sur une surface en silicium. Les électrodes appropriées sont ména-20 gées sur le substrat silicium et sur chacune des deux couches portées par ce substrat, les électrodes ainsi formées étant respectivement appelées "électrode d'alimentation","électrode de soutirage" et "porte". Lorsqu'une impulsion de tension suffisamment forte est 25 appliquée entre la porte et l'électrode de soutirage, il se produit une accumulation de charge, qui est piégée far les capteurs présents dans la pellicule de nitrure et, plus précisément, par ceux présents sur l'interface nitrure-oxyde. La charge totale ainsi accumulée peut être modifiée par un réglage approprié de 30 l'amplitude et de la polarité des impulsions de tension appliquées entre la porte et l'électrode de soutirage pendant des durées de temps variables, ce qui permet d'ajouter ou de retrancher des électrons à ladite charge. Par suite, les impulsions à forte tension permettent a'effectuer 1!inscription d'informa-35 tions dans l'élément de mémoire formé par le transistor, lesquelles peuvent ensuite être facilement lues par 1® application d'impulsions de tension plus faible. La polarité, ou la présence ou l'absence d'une charge, peuvent être connues d'après l'amplitude du courant qui circule entre l'électrode d'alimentation et 40 l'électrode de soutirage, lorsque lesdites tensions faibles de 70 M473 2 2058205 lecture sont appliquées. Les utilisations des dispositifs du type décrit sont limitées par le fait qu'un certain temps est nécessaire pour obtenir une accumulation de charges piégées suffisante pour que 5 cette accumulation de charges se conserve pendant de longues périodes d'utilisation. Les capteurs situés en profondeur, qui sont les seuls efficaces en ce sens que les charges qu'ils retiennent ne se dissipent pas, ont une faible section de capture, qui exige l'emploi d'impulsions de longue durée (de l'ordre de la milli-10 • seconde) pour que la densité d'occupation de ces pièges soit modifiée de façon significative. Les impulsions de plus courte durée affectent principalement les pièges situés à faible profondeur, et les charges ainsi piégées se dissipent très facilement» Ors les machines à calculer à grande vitesse munies de mémoires 13 persistantes exigent des temps d'inscription et de lecture inférieurs ë la microseconde, que la structure décrite ne permet pas d*obtenir. l'un des objets de la présente invention est la réalisation d'une structure du type décrit, capable d'enregistrer des 20 données sous forme persistante, et permettant des temps d'inscription et de lectîire convenant pour son utilisation dans les machines â calculer à grande vitesse. Un autre objet de l'invention est la réalisation d'une nouvelle structure semi-conductrice à pellicules minces d'un 25 métal et d'un isolant, convenant bien pour l'accumulation de charges. Un autre objet de l'invention est la réalisation d'un dispositif d'accumulation des charges à pellicules minces métal-isolant-métal, pouvant être facilement incorporé dans un® mémoire 30 en réseau à forte densité d'éléments. Ces buts de l'invention sont atteints en partie à l'aide d'un substrat semi-conducteur qui, suivant un mode de réalisation ds l'invention, peut être constitué par un monocristal de silicium sur lequel a été formée une couche de silice (Si0o) d'une o ^ 35 épaisseur de 18ordre de 100 A ou moindre. Une mince couche de métal d'une épaisseur de l'ordre de 100 A ou moindre est ensuite déposée sur la surface de la couche de silice. Cette couche métallique est ensuite complètement recouverte d'une pellicule isolante qui peut être, par exemple, un oxyde ou un nitrure du métal 40 sous-jacent(en général plus épaisse que la pellicule de silice). 70 â$473 3 2058205 La pellicule isolante (c'est-à-dire la pellicule d'oxyde ou de nitrure du métal sous-jacent) peut être formée, par exemple, par réaction thermique et diffusion, ou par une réaction provoquée par un plasma (résultant d'une décharge à haute fréquence ou con-^ tinue^. Gette pellicule doit constituer une barrière énergétique de faible niveau, et sa conductibilité doit dépendre de l'intensité des champs électriques forta à un degré moindre que celle de la silice. Ses contacts métalliques appropriés sont ensuite créés sur la couche d'oxyde ou âe nitrure du métal sous-jacent, pour 10 former la porte du dispositif, et sur les régions de diffusion du type ?+ pour former l'électrode d'alimentation et l'électrode de soutirage, comme il est courant de le faire dans les transis-tors à effet de champ et à ports isolée » La minee couche de métal se comporte comme un large piè-ij ge9 capable de stocker une charge totale en principe quasi illimitée, et sa probabilité de capture est voisine de l'unité » Il en résulte qu'une impulsion de tension de très courte durée suffit pour l'introduction d'une charge (opération d'inscription) et qu'une impulsion de tension de très courte durée suffit aussi; 2o pour déterminer la valeur de la charge introduite (opération de lecture). En fait, les temps nécessaires pour effectuer une opération a'inscription ou une opération de lecture sont seulement limités inférieureœnt par le produit BC efficace du circuit. Dans d'autres formes de réalisation de l'invention, qui 25 ressemblent à des transistors à monocristal de silicium et effet de champ du type qui vient d'être décrit, il peut être fait emploi de semi-cônducteurs déposés sous forme polycristalline. Il est jugé préférable que les dispositifs ainsi constitués travaillent en mode "appauvrissement", pour que des contacts en métaux 20 appropriés puissent être directement formés sur ces semi-conducteurs afin de constituer leurs électrodes d'alimentation et de soutirage sans qu'il soit nécessaire de créer par diffusion des jonctions P-N dans les régions voisines de ces contacts. La pellicule semi-conductrice peut être soit du type N, soit du type P. Une pellicule d'un métal approprié, aluminium par exemple, est déposée sue la pellicule semi-conductrice entre les région qui constitueront par la suite .les électrodes d'alimentation et de soutirage. Gette pellicule est ensuite complètement oxydée ou ni- trurée, pour former une première pellicule isolante dont l'épaiss- ô 40 seur est au maximum 100 A. En variante, si le semi—conducteur est BAD OKIOINAL1 70-M473 4 2058205 par exemple un orietal de silicium, cette première couche isolante peut être formée par oxydation directe de la surface de ce cristal. La couche métallique incorporée, la couche isolante extérieure, la porte et les électrodes d'alimentation et de souti-5 rage sont ensuite mises en place ou formées comme précédemment indiqué. La pellicule isolante extériexire doit être plus épaisse et constituer une barrière énergétique de moindre niveau et, par suite, être moins affectée, en ce qui concerne sa conductibilité, par les champs électriques de forte intensité, que la couche ieio-10 lante intérieure en contact direct avec le cristal sômi-conduc-teur. Selon une autre forme encore de réalisation de l'invention, le dispositif est analogue à un oondenHateur simple basée tension à pellicules minces. Une pellicule métallique déposée est 15 ensuite recouverte d'une pellicule iBolante, par exemple par oxydation ou par nitruration. La couche métallique mince, la pellicule isolante et l'électrode métallique extérieure eont déposées et formées comme dans le cas du dispositif précédemment décrit. Les deux pellicules isolantes doivent constituer des barrières 20 énergétiques de niveaux différents et, de préférence, la pellicule isolante qui constitue la barrière énergétique de niveau le plus bas sera la plfcie épaisse. La position relative (supérieure ou inférieure) des couches isolantes n'a dans ce caB aucune importance. Dans le dispositif ainsi constitué, les charges s'accu-25 mulent dans la couche métallique mince (opération d'inscription) comme dans les dispositifs décrits plus haut, sous l'effet de 1' application entre les deux électrodes.d'une impulsion de tension de la polarité appropriée et d'une amplitude suffisante. L'opération de lecture peut s'effectuer à l'aide d'impulsions d'amplitude 30 quelque peu moindre, et d'une polarité quelconque. L'intensité du courant ainsi obtenu dépend de la charge qui a été préalablement introduite dans la couche métallique mince. D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront encore de la description qui va suivre, description 35 faite à titre purement explicatif et nullement limitatif et avec référence aux dessins annexés, dans lesquels : la figure 1 est un schéma représentant un type actuellement courant de transistor MNOS à effet de champ, la figure 2 est un schéma montrant la structure d'un tran~" 40 sistor conforme à l'invention, *r« w 70 5 10 15 kO 25 30 35 40 29473 5 2058205 la figure 3 est un schéma montrant les différents niveaux d'énergie qui se présentent dans le transistor de la figure 2, la figure 4 représente schématiquement et en coupe un autre mode de réalisation de l'invention , la figure 5 représente schématiquement et en coupe un troisième mode de réalisation de l'invention, la figure 6 est un schéma qui montre la façon suivant laquelle des transistors semblables à celui de la figure 5 peuvent être disposés en réseaux dans une mémoire de grande capacité, la figure 7 représente schématiquement et en plan, l'un des éléments utilisés dans la mémoire de la figure 6, la figure 8 est un graphique illustrant l'exécution d'une opération de lectare* d'une information dans la mémoire de la figure 6, et la figure 9 est un schéma représentant 1'incorporation d'un autre mode de réalisation de l'invention dans une mémoire de large capacité. la figure 1 représente schématiquement la structure d'un transistor* MNOS PS à effet de champ de type courant. Il comporte un substrat 10 constitué par un semi-conducteur qui peut être, par exemple, en silicium type H. Sur l'une des faces de ce substrat, l'effet de champ est obtenu^à l'aide d'une couche d' inversion 12 en silicium type 3^.CSurnies^exflïlmîtés opposées de ce canal on forme, par dépôt des régions 13 de type P+ obtenues par diffusion, une électrode d'alimentation 14, et une électrode de soutirage 16. La couche suivante, qui recouvre le canal entre les régions d'alimentation et de soutirage de type' P+, est constituée par une couche cristalline 18 de silice (SiOg) créée par chauffage. Une couche de nitrure de silicium 20 est ensuite déposée sur cette couche de silice. Sur cette couche de nitrure de silicium, il est ensuite déposé une autre couche métallique 22 qui constitue la porte. Une accumulation de charges dans le dispositif est obtenue par l'application sur ses couches d'une tension forte. Gette tension forte est fournie par un générateur d'impulsions 24 monté entre la porte et l'électrode de soutirage. Il en résulte, comme précédemment décrit, que des électrons sont soit capturés, doit "bad original" 10 15 70 19473 2058205 émis, par les capteurs qui se trouYent.au voisinage de l'interface existant entre la pellicule de silice et la pellicule de nitrure de silicium. Ainsi qu'il a été également mentionné plus hauts si l'on désire s'assurer que les charges introduites se-5 ront piégées par des capteurs situés en profondeur et demeureront ainsi retenues pendant longtemps, il est nécessaire d'appliquer une forte tension sur les couches isolantes du dispositif, pendant un temps qui se chiffre en millisecondes„ Pour effectuer une opération de lecture, il est utilisé une impulsion de tension d'une amplitude inférieure à celle de l'impulsion de tension nécessaire pour créer une accumulation de charges satisfaisante dans les couches semi-conductrices. Ces impulsions de lecture sont aussi appliquées entre la pàrte et l'électrode de soutirage. Un détecteur d'intensité 26 et une source d'alimentation en courant continu 27 sont montés en série entre l'électrode de soutirage et l'électrode d'alimentation» Si une charge a été stockée dans le dispositif semi-conducteur avant l'application du champ électrique de lecture, le détecteur 26 signale le passage d'un courant d'une première amplitude«, Si aucune charge n5 a été préalablement stockée, ou bien si la charge stockée est de polarité inverse, l'amplituâe du courant détecté diffère nettement de ladite première amplitude. La structure du dispositif conforme à l'invention, représenté sur la figure 2, est semblable à celle du dispositif de la figure 1, mais comporte deux différences très importantes» L'une de ces différences consiste à utiliser un feuillet ou une couche métallique 30 incorporé dans le dispositif, sur l'interface entre les couches isolantes 18 et 20. Ainsi qu'il a été déjà indiqué, une limitation d'emploi sérieuse du dispositif de la figure 1 consiste en ce que la durée de l'obtention de charges retenues en profondeur, et qui seront de ce fait permanentes, est relativement longue. La présence de la mince couche métallique 30 a pour effet d'introduire dans le dispositif un réservoir d'énergie situé en profondeur, qui se comporte à la façon d'un large piège capable de retenir une charge pratiquement illimitée, et dont la probabilité de capture est voisine de l'unité.. La figure 3 est un graphique énergétique de la structure de la figure 2. Les électrons sont soit captés, soit émis, par la couche métallique 30 lorsqu'on applique une impulsion ds 4q tension de la polarité appropriée entre la porte et l'électrode 20 25 30 bad ORIGINAL 7ô iWi 7 2058205 de soutirage. Dans le oas d'impulsions négatives (porte négative), des électrons pénètrent dans la structure et sont retenus en profondeur dans la couche métallique 30, ou sont émis par cette couche, dans le cas où des impulsions appliquées sont positives. 5 Du fait de la présence de doux pellicules isolantes adjacentes, les électrons ne peuvent ni quitter facilement cette couche, ni y pénétrer facilement. L'autre différence présentée par le dispositif de la figure 2 consiste en ce que la couche métallique 30 est utilisée 10 comme base pour la formation de la couche isolante extérieure 20 au moyen par exemple d'une opération d'oxydation ou de nitru-ration. Cette couche métallique peut être en aluminium ou en tout autre métal sur lequel peut être formée une bonne pellicule isolante. 15 Si ladite pellicule est suffisammen^lsolante, il suffit o que son épaisseur soit de l'ordre de 100 A ou même moindre, pour retenir une charge positive ou négative (excès ou défaut d'électrons) dont la persistance se chiffre par années. D'autre part, la couche métallique située en profondeur dans le dispositif de 20 l'invention, permet l'introduction de charges à l'aide de champs électriques intenses et d'une durée extrêmement courte dont la limite inférieure ne dépend que du produit RC efficace du circuit d'application. A titre d'exemple non limitatif, le dispositif de la 25 figure 2 peut être fabriqué de la façon suivante. Une couche de silice est d'abord formée sur un substrat en silicium, par oxydation à chaud suivant les procédés habituels. Une mince couche métallique, d'aluminium par exemple, est ensuite déposée sur la couche de silice,(mais sans la recouvr4r complètement puisque 30 ladite couche métallique doit finalement être entièrement enrobée), puis cette couche métallique est oxydée ou nitrurée, en vue de former la pellicule isolante extérieure. Il est essentiel pour l'obtention des résultats désirés que ladite couche isolante le soit parfaitement. En vue d'élimi-35 ner toute possibilité de création de ponts conducteurs au travers de la couche isolante 20 et, par suite, toute possibilité de fuite des charges stockées, il peut être avantageux de déposer la couche métallique qui est noyée dans le dispositif sous la forme d'une couche discontinue constituée par une pluralité de bandes 40 non jointives et isolées les unes des autres. Après oxydation ou bad original1 70 29473 nitruration de ces bandes métalliques, tout défaut d'isolement de l'une d'entre elles n'a ainsi aucun effet sur les charges stockées dans les bandes métalliques adjacentes. la figure 4 rëprésente en coupe un autre mode de réali-5 sation du dispositif conforme à l'invention. La différence entre la structure de la figure 4 et celle de la figure 3 consiste en la présence d'une pellicule semi-conductrice 32 déposée' sur un substrat isolant 10, et sur laquelle est formée la couche isolante 18. Ladite cogiche semi-conductrice peut ftre polycristalline 10 s'il n'eat pas possible de créer des jonctions P+ - N. Le dispositif peut fonctionner en mode "appauvrissement", qui nécessite saolement que des pellicules en métaux appropriés soient déposées sur la pellicule semi-conductrice pour constituer les électrodes d'alimentation et de soutirage. Par ailleurs, la structu-15 re de la figure 4 est identique à celle de la figure 2. Ce mode "de réalisation de l'invention permet d'éviter l'emploi de monocristaux dans la construction en série des mémoires à grande capacité. La figure 5 représente une autre mode de réalisation de 20 l'invention qui s'apparente aux condensateurs basse tension de construction simple. Sur un substrat isolant 40 on dépose une pellicule métallique 42 qui constitue une électrode, et qui est connectée à une borne 52. Sur cette pellicule métallique 42, appelée "électrode métallique inférieure", on forme une première 25 pellicule isolante 44 qui, par exemple, peut être l'oxyde ou le nitrure du métal sous-jacent. Ensuite, on dépose sur ladite pellicule isoiante une couche métallique 46. Cette couche métallique 46 est entièrement enrobée ensuite par une deuxième pellicule isolante 48 qui peut être formée 30 par oxydation ou nitruration de son métal constitutif. Une électrode métallique supérieure 50 est ensuite formée, par dépôt sur la deuxième pellicule isolante 48, et elle est ensuite connectée à une borne 53. Les deux pellicules isolantes 44 et 48 ne doivent pas être identiques et doivent différer par leurs ré-35 actions aux champs électriques intenses, en ce qui concerne leur conductibilité. Cette condition peut être réalisée en utilisant fies isolants différents constituant des barrières énergétiques de niveaux différents. Celle de ces deux pellicules qui constitue la barrière énergétique la plus basse doit normalement être la plus épaisse. La structure qui vient d'être décrite peut être utilisée comme élément de mémoire à deux 'bornes. BAD ORIGINAL 205820S 70 29473 9 2058205 La figure 6 représente un réseau de conducteurs permettant d'accéder à l'un quelconque des éléments d'une mémoire. Ce réseau de conducteurs et d'éléments 60 de stockage des charges qui constitue ladite mémoire comporte des commutateurs 62 d'ac-5 ces aux X, et des commutateurs 64 d'accès aux Y. C e 3commutateurs peuvent être utilisés de la manière "bien connue pour la mise sous tension sélective d'une pluralité de conducteurs des X 68 et d' une pluralité de conducteurs des Y 66. Les conducteurs 68 sont verticaux et les conducteurs 66 horizontaux» A chacune des in-10 terseotions d'un conducteur des X et d'un conducteur des Y, il est prévu us, élément de mémoire 60»Chacun de ces éléments est sélectionné, pour une opération d'inscription ou pour une opération de lecture, par l'application de tensions appropriées sur les conducteurs des X et des Y à l'intersection desquels il est si-15 tué » Chacun des éléments 60 de la mémoire peut être constitué par un dispositif semblable à celui de la figure 5, et dont le montage est représenté en plan sur la figure 7. Le réseau complet, constitué par les éléments de la mémoire et par les con-20 ducteurs des X et des Y peut être formé par des opérations -de dépôt effectuées sur un substrat isolant commun 40. les électrodes inférieures,de ces éléments peuvent être constituées par des bandes conductrices transversales 42. La première pellicule isolante 44 de chacun de ces éléments peut être formée,par exemple, 25 par oxydation ou nitruration du métal des bandes 42 sur toute leur longueur {des contacts avec les bornes des commutateurs d1 accès 66 pouvant être créés par pénétration dans cette première pellicule isolante). Une autre couche métallique 46 (représentée par la circonférence en pointillé de la figure 7) est ensuite 30 déposée sur la pellicule isolante 44 3 à l'aplomb de chacune des intersections des bandes conductrices. Une deuxième pellicule isolante 48 est ensuite formée sur chacune de ces couches métalliques par oxydation ou nitruration par exemple# Des électrodes supérieures 50 sont ensuite formées sur la deuxième pellicule iso-35 lante 48. Chacun® de ces électrodes constitue un conducteur des X. Chacune des électrodes 42 constitue un conducteur des Ye Une opération d'inscription df?.ns la mémoire de la figure 6 est obtenue par l'application d'une impulsion de tension supérieure à la tension suffisante pour que le niveau d'énergie ûeé 40 électrons s'élève suffisamment pour qu'ils puissent traverser la bad original1 70 â94?3 10 205820.5 pellicule isolante et, selon la polarité de l'impulsion appliquée, pénétrer dans le réservoir d'énergie constituée par la eouehe métallique incorporée (voir figure 3) ou quitter cette couche, le résultat étant, selon le cas, le stockage d'une charge nett© né-5 gative ou positive = les impulsions de tension nécessaires sont fournies par un générateur d'impulsions 67 monté entre les commutateurs d'accès des X et ceux d'accès des Y, Si la tension appliqué® ne jképasse pas largement la valeur nécessaire pour 1G exécution de l'opération désirée, aon application ne peut affectif) ter que les éléments de la mémoire situés à I! intersection des conducteurs des X et des Y mis sous tension. Les autres éléments du réseau ne reçoivent qu'une fraction de ladite tension nécessaire , et, par conséquent, ne sont pas affectés» Si l'on désire-effectuer une opération de lecture partiellement destructrice , 15 une tension de polarité quelconque et d'amplitude quelque peu - supérieure à celle des impulsions d'inscription peut être appliquée à la mémoire, et l'intensité du courant obtenu peut être perçue par un détecteur 69 monté en série avec le générateur û! impulsions. 20 Ainsi qu'on le voit sur le graphique de la figure 8., cette intensité du courant passant dépend de la polarité ât du niveau de la charge stockée dans la couche métallique enrobée <> Lor^qu® une impulsion de tension Vq est appliquée 3 si uns fort© charge positive a été préalablement stockée dans 15 élément 25 interrogé de la mémoire, on obtient un courant d'une intensité lr Si la charge stockée Qg est faible ou négative, on obtient un courant d'intensité Ig. -Une telle opération de lecture n'est que partiellement destructrice, du fait que les faibles impulsions utilisées pour cette opération ne provoquent qu'une moûi~ 30 fication légère de la charge stockée. Par conséquent, ai l'on désir© n'effectuer qu'un nombre de lectures limité, il n'est ps,.o nécessaire d® réinscrire l'information partiellement prélevée3 et le procédé est équivalent à un procédé parfaitement non. destructif . D'autre part, 18inftosnae des lectures sur les charges 35 stockées peut être fortement réduite en faisant alterner les po- -iarités des impulsions de lecture successives. Des lectures absolument non destructrices peuvent être obtenues au moyen d'un balayage par rayon optique ou par faisceau d'électrons. Ledit balayage optique est basé sur une émission 40 interne de photons sur la barrière énergétique constituée par ! " "S * -h I ' | 70 29473 h les pellicules isolantes. le niveau efficace de cette barrière et, par suite, l'amplitude des courants de lecture créés par ladite émission de photons, dépendent de la valeur de la charge stockée. Dans le cas d'un "balayage par un faisceau d'électrons, 5 ce faisceau perçoit le potentiel de surface créé par la charge stockée, potentiel qui peut être détecté par un microscope électronique de "balayage, de type classique. La figure 9 est un autre schéma représentant la disposition d'une mémoire dans laquelle sont utilisés des éléments 10 du type de celui de la figure 2 ou de celui de la figure 4. Chacun de ces éléments 82 comporte une électrode de soutirage 84 reliée à un conducteur des Y 86 connecté lui-même à un commutateur 88 d'accès des Y. Des commutateurs 92 d'accès des X sont connectés à des conducteurs des X 94 qui sont eux-mêmes reliés 15 à la borne de porte 96 de chacun des éléments 82. Chacune des électrodes d'alimentation 98 des éléments 82 ést reliée à un conducteur commun 100. Un générateur d'impulsions 80 est monté entre les entrées des commutateurs 92 d'accès aux X et celles des commutateurs 88 d'accès aux Y. Un détecteur d'intensité 90 20 et une source de courant continu 91 sont montés en série entre les entrées des commutateurs 88 d'accès aux Y et le conducteur commun 100. Des courants d'intensité négligeable circulent entre l1 électrode d'alimentation et l'électrode de soutirage de chaque 25 élément, à moins que la tension entre la porte et l'électrode de soutirage de l'élément considéré ne dépasse une certaine valeur constituant un seuil de perception. Pour une opération de lecture, une tension excitatrice est appliquée entre la porte et l'électrode de soutirage, sous la forme d'une impulsion d'am-30 plitude et de polarité prédéterminées. Il en résulte une augmentation de l'intensité passante, si la tension de l'impulsion appliquée dépasse ladite tension de seuil de perception, laquelle est déterminée par le niveau de la charge stockée avant l1éxecution de l'cpération de lecture. Pour l'exécution des opérations 35 d'inscription, on utilise des impulsions appliquées entre la porte et l'électrode de soutirage de 1'élément considéré, mais ces impulsions ont une tension plus forte et sont de la polarité appropriée pour obtenir, à la manière précédemment décrite, 1' accumulation de charges désirée. 40 De la description qui précède, il ressort que l'inven- 1 B/œ 0*^*17 70 2^473 2058205 tiom constitue un perfectionnement nouveau apporté aux éléments semi-conducteurs de stockage de charges électriques, par lequel le temps nécessaire pour l'introduction d'une charge et pour son prélèvement est raccourci au point que les éléments semi-5 conducteurs ainsi perfectionnés peuvent être utilisés pour la réalisation de mémoires à charges persistantes destinées à équiper les machines à calculer à grande vitesse, la description indique d'autre part comment les éléments semi-conducteurs réalisés suivant.1'invention peuvent être formés par des opérations 10 de dépôt en vue de constituer .une mémoire à forte densité d'éléments . Bien entendu, la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits, mais s'étend à toutes les variantes conformes à son esprit. BAD ORIGINAL •# - 70 5 10 15 20 25 30 35 40 294?â 13 2058205 BEVENDIOATIOKS 1 - Dispositif de stockage de charges électriques du type comprenant un substrat, une première couche isolante formée sur ce substrat, une deuxième couche isolante formée sur la première et des électrodes permettant d'appliquer des charges électriques sur lesdites couches isolantes : ce dispositif étant caractérisé en ce qu'il comporte le perfectionnement consistant en la présence d'une couche métallique placée à 1'inter-face des deux couches isolantes, st complètement enrobées par ces couches. 2 - Dispositif selon la Revendication "i, caractérisé en ce que ladite couche métallique est divisée en une pluralité de bandes métalliques parallèles non jointives et isolées les unes des autres. 3 - Dispositif perfectionné de stockage de charges électriques, caractérisé en ce qu'il comporte s un substrat recouvert d'une première couche isolante ; une couche métallique formée sur la surface de la première couche isolante ; une deuxième couche isolante recouvrant complètement ladite couche métallique ; et des électrodes qui permettent d'introduire des charges dans le dispositif, et d'en retirer. 4 - Dispositif perfectionné selon la Eevendication 3, caractérisé en ce que : son substrat est en silicium s sa première couche isolante est en silice ; et sa deuxième couche isolante est soit un oxyde , soit un nitrure métallique » 5 -Dispositif perfectionné^selon la Eevendication 3, caractérisé en ce que : sa couche métallique est en aluminium ; et sa deuxième couche isolante est une couche d'oxyde ou de nitrure d'aluminium. 6 .-Dispositif perfectionné selon la Eevendication 3, caractérisé en ce que sa couche métallique est constituée par une pluralité de bandes métalliques non jointives et isolées les unes des autres. 7 - Dispositif perfectionné selon la Eevendication 3„ caractérisé en se au'une pellicule semi-conductrice est déposée sur son substrat 9 et en oe que sa première couche isolante recouvre QP'fepel-iieule sesri-eonductriee » o « dispositif psrfsQtioHsô seloa la Be'Tsadi cation 3S caractérisé tr'SAD ORK^AL1 294?3 14 2058205 en ce que ces électrodes comprennent uns "bande d'une pellicule métallique interposée entre son substrat et sa première couche isolante. 9 ~ Dispositif perfectionné de stockage de charges électriques caractérisé en ce qu'il comporte s un substrat isolant ? une pellicule semi-conductrice et polycristalline formée sur ce substrat isolant ? une première couche isolante appliquée sur la pellicule semi-conductrice ; une couche métallique appliquée sur la première couche isolante f une deuxième couche isolante recouvrant complètement la couche métallique 5 et des électrodes formées sur ladite pellicule semi-conductrice et polycristallias et sur la deuxième couche isolante, et qui permettent d'introduire des charges électriques dans le dispositif de stockage, et d'cil retirer» - 10 - Dispositif perfectionné de stockage de charges électriques caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité d'éléments ds stockage de charges électriques disposés suivant un réseau de colènnes et de lignes, et caractérisé en outre en ce que chacun de ses éléments- de stockage des charges comprend s un substrat recouvert d'une première couche isolante 5 une couche métallique appliquée sur cette première couche isolante j une deuxième couche isolante recouvrant complètement la couche métallique ; et des électrodes permettant d'introduire des charges électriques dans l'élément et d'en retirer ; et en ce qu'il comporte encore une pluralité de conducteurs électriques de lignes, chacun d® ces conducteurs étant connecté à l'une des électrodes de chacun des éléments de stockage des charges électriques compris dans mie même Mgne du réseau 5 une pluralité de conducteurs électriques de colonnes, chacun de ces conducteurs étant donnecté à une autre électrode de chacun des éléments de stockage des charges compris dans une mime colonne ; et des dispositifs permettant de mettre sélectivement sous tension l'un quelconque des conducteurs de lignes et l'un quelconque des conducteurs de colonnes, en vue soit d'introduire une charge dans 1'élément de stockage des charges situé à l'intersection dudit conducteur de ligne et audit conducteur de colonne mis sous tension, soit d'en retirer des charges. 11 - Dispositif perfectionné selon la Bevendication 103 caractérisé en ee que s les électrodes de chacun de ses éléments de ÊAD ORIGINAL 70 29473 15 2058205 Stockage des charges comportent une électrode d'alimentation, une électrode de soutirage et une électrmde formant porte ; ses conducteurs de colonnes sont connectés aux électrodes formant porte ; ses conducteurs de lignes sont connectés aux élec-5 trodes de soutirage ; et en ce qu'il est encore prévu dans le circuit des conducteurs : un dispositif détecteur ; un conducteur d'alimentation connecté à toutes les électrodes d'alimentation ; et des dispositifs commutateurs qui" relient sélectivement le dispositif détecteur à l'électrode de soutirage de l'élé-10 ment de stockage des charges qui a été mis sélectivement sous tension par le dispositif de mise sous tension sélective des conducteurs de lignes et des conducteurs de colonnes.