FR 2086451 A1 19711231 FR 7115152 A 19710428 71 15152 2086451 L'invention concerne les mémoires à tores magnétiques et plus particulièrement des mémoires à tores magnétiques fournissant en même temps des positions d'enregistrement dont le contenu est inaltérable et des positions d'enregistrement dont le con-5 tenu est modifiable électriquement. Un type de mémoire.à tores magnétiques bien connu des spécialistes comprend un système de tores magnétiques disposés en coïncidence électrique avec une matrice géométrique de rangées et de colonnes. Une grille de fils de sélection et un fil de lecture sont 10 utilisés pour constituer les chemins de conduction nécessaires à l'enregistrement et à la restitution des informations. Chaque fil de selection est couplé par conduction ou enfilé dans chaque tore d'une ligne ou d'une colonne associée. Le fil de lecture traverse tous les tores de la mémoire. Deux fils de sélection quelconques 15 ne se croisent que dans un seul tore. Pour enregistrer une information dans un tore donné, on applique un signal de même polarité à chacun des fils de sélection qui se croisent dans ce tore.L'intensité du signal combiné est suffisante pour que, par couplage magnétique entre le fil et le tore, ce dernier soit amené à la saturation 20 magnétique dans un sens correspondant à la polarité du signal à inscrire. La lecture de l'information qui est enregistrée dans un tore donné se fait en appliquant une nouvelle impulsion aux fils qui sont associés à ce tore. Un changement d'état magnétique du tore induit un signal de sortie dans le fil de lecture. S'il n'y a pas change-25 ment d'état, la polarité du signal qui est appliquée au fil correspond à la direction de saturation magnétique et le signal induit dans le fil de lecture est nul ou faible. Les ordinateurs universels utilisent de telles mémoires dans lesquelles de nouvelles informations sont périodiquement 30 transcrites. On note cependant un développement des ordinateurs spécialisés dont les mémoires ou certaines parties de celles-ci ont un contenu inaltérable. De ce fait, ces mémoires sont généralement appelées mémoires permanentes ou mortes. Certains systèmes existants utilisent des mémoires mortes à 35 tores magnétiques dans lesquelles le fil de lecture est soit enfilé à travers les tores, soit disposé à l'extérieur de ceux-ci.Dans le premier cas, le fil permet une lecture normale, alors que dans le 71 15152 -2- 2086451 second cas il n'est pas influencé par les changements d'état des tores qu'il ne traverse pas. Dans ce type de mémoire, on comprend sans mal que des configurations de câblage spéciales doivent être employées pour fournir les états logiques zéro. Un 5 autre type de mémoire morte à tores utilise des aimants permanents orientés comme les tores magnétiques pour indiquer les zéroqÀogiques. Un tel aimant permanent est orienté par rapport au tore de façon à inhiber tout changement d'état magnétique de celui-ci. Une matrice de mémoire utilisant des aimants perma-10 nents est peu avantageuse car ceux-ci occupent un certain volume et accroissent sensiblement l'encombrement de l'ensemble. Le prix de revient est en outre augmenté de celui des aimants permanents. Dans un autre type de mémoire magnétique à tores, on obtient les zéros logiques en éliminant les tores qui sont normalement associés 15 aux points correspondants. Ce dernier procédé a cependant l'inconvénient d'augmenter les signaux perturbateurs qui induisent des bruits dans le fil de lecture sous l'effet du demi-courant de sélection, c'est-à-dire du bruit qui apparaît lorsqu'un tore ne reçoit que la moitié de son courant de basculement; 20 La présente invention a donc pour objet une mémoire magnéti que perfectionnée dont les cellules sont à la fois permanentes et modifiables électriquement. Selon une caractéristiaue essentielle de l'invention, une matrice de tores magnétiques comprend plusieurs tores magnétiques 25 bistables capables de prendre un premier et un second états magnétiques, arrangés en une matrice de rangées et de colonnes, chaque tore étant à l'intersection de N fil de sélection de rangées et de colonnes et d'un fil de lecture, certains des tores étant orientés de manière que leur état magnétique bascule, les autres étant orien-30 tés de manière à empêcher leur basculement, ces derniers tores fournissant une indication de premier état magnétique, qu 'ils soient dans leur premier ou dans leur second état. Plus précisément, une matrice de mémoire à tores magnétiques dont les cellules sont à la fois permanentes et altérables comprend : 35 A. Une première série de tores magnétiques disposés en une matrice de rangées et de colonnes, chaque tore étant à l'intersection de fils de sélection de rangée et de colonne, les tores et les COPf 71 15152 -3- 2086451 fils de sélection étant placés de manière que les tores changent d'état lorsqu'ils sont convenablement excités ; B. Une seconde série de tores magnétiques également disposés en une matrice de lignes et de colonnes aux intersections de fils de sélection de rangées et de colonnes, la seconde série de tores et les fils de sélection étant placés de manière que l'état de certains des tores de la seconde série,puisse être modifié et que l'état des autres tores de la seconde série ne puisse être modifie ; C. Un fil de lecture traversant tous les tores des première et seconde séries dans une direction choisie. Ainsi, une forme de réalisation particulière de l'invention comprend plusieurs tores magnétiques disposés en une matrice de ran- de rangée et gees et colonnes. Plusieurs fils de selection/ae colonne se croisent dans chacun des tores magnétiques et sont couplés magnétiquement à ces derniers. Une première série de tores magnétiques est orientée perpendiculairement aux fils de sélection de façon qu'un courant circulant dans les fils de rangée et de colonne correspondants provoque un basculement de 11 état magnétique de ces tores. Un fil de lecture traverse chaque tore magnétique dans une direction choisie pour minimiser les bruits ou signaux perturbateurs que produisent les demi-courants de sélection. La matrice peut également comprendre un fil d'inhibition traversant les tores magnétiques. La mémoire à tores magnéticues décrite ci-dessus peut être utilisée conjointement avec une mémoire à tcres magnétiques à lecture/écriture classique, les fils de sélection de rangée et de colonne, ainsi que le fil de lecture, étant; communs aux deux mémoires, et utilisant: une même logique ae lecture/écriture et de détection. Dans le cas où l'on utilise un fil d'inhibition séparé du fil de lecture, il peut être soit commun aux deux mémoires, soit incorporé dans la mémoire classique uniouement de manière à ne pas influencer la mémoire morte. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention res-scrtircnt au cours de la description qui va suivre faite en regard des dessins annexés et donnant à titra explicatif, 3is nullement limitatif plusieurs formes de réalisation conformes à l'invention. Sur ces dessins : 71 15152 -4- 2086451 la figure 1 représente schématiquement une première forme de réalisation de l'invention dans laquelle une mémoire à lecture/ écriture classique est combinée avec une mémoire morte, le fil d'inhibition n'étant utilisé que dans la mémoire classique ; 5 la figure 2 représente schématiquement une seconde forme de réalisation de la présente invention comprenant une mémoire à lecture/écriture classique et une mémoire permanente formée par des cellules quelconques de la première, le fil d'inhibition étant commun aux deux mémoires. 10 La figure 1 représente une mémoire 10 formée par la combi naison d'une mémoire à lecture/écriture classique 12 et d'une mémoire morte 14. Chacune des mémoires 12 et 14 est constituée de tores magnétiques bistables 11 orientés de manière que leur état magnétique puisse être sélectivement modifié. Des fils de sélection 15 X 16-16' et des fils de sélection Y 18-18' sont communs aux deux mémoires 12 et 14. A l'intersection de chaque couple de fil de sélection X et Y est placé un seul tore. Un fil de lecture 22-22' commun aux deux mémoires est disposé en "noeud carré" de façon à réduire les bruits provoqués par les demi-courants de sélection. 20 Comme on peut le voir, le croisement 13 des fils de lecture divise en deux parties égales l'axe X de la mémoire, une moitié des tores de l'axe X étant lue dans un sens et l'autre moitié dans le sens opposé. Comme le montre la figure 1, un fil d'inhibition 20-20' est commun aux tores de la mémoire 12. La mémoire 14 comprend, outre 25 des tores 11 dont l'état est modifiable électriquement, des tores 24,26,28 et 30 qui sont orientés perpendiculairement aux tores modifiables 11 de façon que leur état magnétiaue ne puisse être changé. Le fonctionnement de la mémoire classique 12 à lecture/écriture par coïncidence de courants est bien connu et ne sera que 30 brièvement rappelé. Le temps de lecture précède le temps d'écriture et la détection des informations lues s'effectue pendant le temps de lecture alors que l'opération d'inhibition s'effectue pendant le temps d'écriture. La direction des courants qui circu-t lent pendant le temps de lecture dans les fils de sélection X et Y 35 est indiquée sur les figures par des petites flèches. Pendant le temps d'écriture, des courants circulent dans les fils de sélection X et Y en sens inverse des flèches. Une telle mémoire à tores ma- 71 15152 -5- 2086451 gnétiques est basée sur la coïncidence de deux demi-courants permettant d'inscrire ou de lire les données contenues dans les tores. Deux impulsions additives de demi-courant font passer le tore correspondant à l'état un,alors que deux impulsions de demi-5 courant appliquées dans la direction opposée le font repasser à l'état zéro. Un seul tore de la matrice de la figure 1 peut être commuté à chaque cycle de lecture/écriture car un seul couple de fils de sélection X et Y peut être adressé à la fois. Pour obtenir une indication sur l'état du flux (c'est-à-dire 10 l'état magnétique) d'un tore de mémoire, il suffit d'essayer de le faire basculer. Si le tore adressé contient un bit un, les courants de sélection de lecture dont les directions correspondent à l'inscription d'un zéro dans le tore font basculer l'état et le ramènent à zéro. Si le tore adressé était précédemment à zéro, les courants 15 de sélection n'ont pas d'effet sur son état. Le basculement du tore sur l'état un à l'état zéro provoque une rapide variation de flux de la saturation positive à la saturation négative et induit une impulsion de tension dans le fil de lecture 22-22'. La présence d'une impulsion de tension dans le fil de lecture pendant le temps 20 de lecture indique donc qu'un bit un était enregistré dans le tore adressé. Si aucune impulsion de tension n'apparaît sur la ligne de lecture pendant le temps de lecture, on en conclut que le tore contenait un bit zéro. Le fil d'inhibition permet d'enregistrer un mot ou une ins-25 truction d'ordinateur à une adresse choisie de la mémoire. Chaque plan d'une mémoire à plusieurs plans (un seul est représenté sur les figures) nécessite un fil d'inhibition individuel. Comme on l'a vu précédemment, pour écrire une information dans la mémoire, on applique des impulsions de demi-courants dans les directions oppo-30 sées à celles de courant de lecture aux fils de sélection X et Y adressés, de façon à faire basculer le tore sélectionné. Etant donné que le tore sélectionné a été remis à l'état zéro avant l'application des demi-courants d'écriture, ces derniers le font passer à l'état magnétioue un. Si la donnée entrante (que ce soit une nouvel-35 le donnée ou une donnée réécrite) indique qu'un zéro doit être écrit dans le tore adressé, on utilise le fil d'inhibition pour empêcher le basculement du tore en question à l'état un au moment où 71 15152 -6- 2086451 sont appliqués les courants d'écriture. Pour ceci, on applique un courant au fil d'inhibition 20-20' dans un sens opposé au courant d'écriture du fil de sélection Y, comme indiqué par la petite flèche. 5 Après le fonctionnement de la mémoire 12 à lecture/écriture classique, on va examiner le fonctionnement de la mémoire morte 14. l'état magnétique des tores 11 de la mémoire 14 peut être commuté car les courants de sélection X et Y s'ajoutent pour produire la force magnétomotrice nécessaire au basculement. Les états des autres 10 tores 24, 26, 28 et 30 ne peuvent être modifiés,car, comme le montrent les flèches représentant la direction des courants de sélection, ces courants traversent les tores dans des directions opposées. L'orientation du. tore empêche ainsi l'addition des demi-courants de sélection X et Y. En fait, les demi-courants X et Y s'an-15 nulent pratiquement l'un à l'autre et le flux magnétique produit est sensiblement nul. L'état magnétique de tels tores ne peut donc être modifié et correspond toujours à une indications d'état zéro, quel que soit leur véritable état. Ainsi, chacun des tores magnétiques 11 de la mémoire 14 20 sert à enregistrer un état un de façon que pendant le temps de lecture cet état soit détecté par le basculement dû. tore 11 à l'état zéro. Pendant le temps d'écriture, l'état un est rétabli de manière classique dans le tore 11 et le courant d'inhibition n'est pas nécessaire. Cependant, les états magnétiques des tores 24, 26, 28 et 30 25 ne sont pas commutables, de sorte que ces tores ne produisent pas de variation de flux magnétique. Il n'apparaît aucune impulsion de tension dans le fil de lecture, ce qui correspond à l'indication d'un état zéro du tore particulier sélectionné, bien qu'en fait il puisse contenir un bit un. 30 On voit également que le bruit des demi-courants de sélection que produisent les tores qui ne reçoivent que l'un des courants de sélection X ou Y,est sensiblement éliminé le long de l'axe X, quelle que soit l'orientation des^ores de cet axe. Ceci est dû. au fait que le fil de lecture 22-22'est croisé en 13 de façon que la moitié 35 des tores de l'axe X soit coupée par le fil de lecture dans la nême direction aue le fil de sélection X, alors que l'autre moitié des tores de l'axe X est coupée par le fil de lecture dans la direction 71 15152 -7- 2086451 opposée au fil de sélection X. La polarité des impulsions de bruit induites dans le fil de lecture 22-22' alterne sensiblement dans chaque moitié de l'axe X de la mémoire. Le bruit des demi-courants de sélection n'est pas éliminé le long de l'axe 5 Y, quelle que soit l'orientation des tores, comme on vient de le décrire pour l'axe X. Ceci est dQâu fait qu'un tore orienté pour indiquer un état zéro peut rompre la régularité de l'alternance de polarité des impulsions de bruit,ce qui empêche d'obtenir une annulation efficace. Les bruits ainsi produits le long de l'axe 10 X peuvent être efficacement inhibés par un choix judicieux de la synchronisation des courants de sélection X et Y pour les opérations de lecture/écriture, de façon que le courant de sélection Y soit appliqué avant le courant de sélection X. Les éventuelles impulsions de bruit apparaissent ainsi à la montée et à la descente du 15 courant de sélection Y, car il n'est pas possible de garantir une élimination notable des impulsions de bruit sur cet axe. Ce problème n'existe cependant pas avec le courant de sélection X, quelle que soit l'orientation des tores, de sorte que les bruits ne risquent pas de masquer les informations lues. En échantillonnant les opéra-20 tions de détection et d'inhibition pendant le courant de sélection X, les bruits produits par la montée du demi-courant de sélection Y, qui sont impossibles à éliminer efficacement, sont sans conséquence car l'échantillonnage se produit toujours entre deux impulsions de bruit. 25 Le fil d'inhibition 20-20' n'est représenté que pour la mé moire classique 12, cependant on comprendra qu'il peut également être enfilé dans les tores de la mémoire 14. Il est souhaitable de bloquer le courant d'inhibition dans la mémoire morte 14 pour la protéger contre une éventuelle remise à zéro des tores 11 par suite 30 d'une défaillance d'un circuit ou d'une erreur de programmation. C'est-à-dire que les tores 11 sont remis à l'état zéro pour détecter un éventuel état 1 précédent et, si le courant d'inhibition est appliqué pendant le temps d'écriture, cet état zéro subsiste. Il existe deux moyens pour bloquer le courant d'inhibition. Le pre-35 mier est d'éliminer le fil d'inhibition de la mémoire morte 14, comme représenté figure ". L'autre solution est de conditionner le courant d'inhibition de la mémoire morte d'après l'adresse de ces tores. 71 15152 -8- 2086451 Ainsi, si le fil d'inhibition traverse la mémoire 14, les adresses des tores de celle-ci peuvent être appliquées à une logioue de conditionnement non-représentée de façon qu'aucun courant ne puisse être appliqué au fil d'inhibition lorsque c'est une cellule 5 de mémoire morte qui est adressée. En cas d'erreur entraînant l'application du courant d'inhibition à une cellule de la mémoire morte, les tores magnétiques 11 de celle-ci restent à l'état zéro. Ils peuvent cependant être remis à l'état un par une opération d'écriture. Un avantage de l'emploi d'un fil d'inhibition traver-10 sant toute la mémoire 10 est que la mémoire morte 14 peut être formée de tores disposés de manière quelconque dans la mémoire 10 et qu'en outre aucun câblage spécial du fil d'inhibition n'est nécessaire. Dans ce cas, le fil d'inhibition est normalement câblé dans la totalité de la mémoire 10. Cette solution nécessite quand même 15 une logique supplémentaire pour déterminer les cellules qui sont affectées à la mémoire morte, la suppression du fil d'inhibition dans la mémoire 14 évite d'avoir à localiser la mémoire morte et réduit le coût du câblage du fil d'inhibition dans le cas où l'on réalise plusieurs organisations de mémoire similaires. 20 Un autre avantage de l'emploi d'un fil d'inhibition continu réside dans une difficulté potentielle que l'on peut rencontrer au moment de la première utilisation de la mémoire 14. Si l'un des tores de la mémoire morte devant indiquer un état zéro n'est pas à la saturation positive ou négative, le bruit des demi-courants 25 de sélection peut être supérieur à celui qu'on enregistre à la saturation. Un cycle lecture/écriture complet des tores 11 de la mémoire morte rectifie ceci pour les états un. Cependant l'état des autres tores 24, 26, 28 et 30 devant indiquer des bits zéro ne peut être changé par les courants de sélection habituelle. Par contre, 30 les tores indiauant des zéros qui ne se trouvent pas sur le fil de sélection Y adressé, mais sur le fil de sélection X adressé, reçoivent à la fois le courant de sélection X et le courant d'inhibition qui s'ajoutent pendant le temps d'écriture pour former un courant double saturant les tores en question. Il va de soi 35 que ces tores auraient pu être saturés sans l'emploi du fil d'inhibition, par une inversion de polarité de l'un des courants de sélection, de façon que les courants*de sélection X et Y s'ajoutent. Ce 71 15152 -9- 2086451 procédé n'est cependant pas aussi avantageux que l'emploi du fil d'inhibition. La figure 2 représente une mémoire 10 dans laquelle le fil d'inhibition 20-20' est ininterrompu et circule dans les mémoires 5 classiques 12 et 12-1, ainsi que dans les mémoires mortes 14 et 14-1 Sur la figure 2, la mémoire 14 est formée de trois colonnes de fils de sélection Y. En outre, la section de mémoire morte 14-1 est constituée de cellules disposées de manière quelconque dans les mémoires 12 et 12-1 pour souligner la souplesse d'application du 10 système de l'invention. Les tores magnétiques 24, 26, 28, 30 et 32 de la mémoire 14, ainsi oue les tores 34 et 36 de la mémoire 14-1, sont orientés de manière que leur état magnétique ne soit pas altéré et qu'il indique des zéros logiques. Tous les autres tores 11 de la mémoire 10 sont normalement orientés de façon 15 que leur état magnétioue puisse être modifié. On voit donc que l'on peut réaliser une organisation de mémoire morte utilisant des tores magnétiques orientés dans une première direction de façon que leur état magnétique soit modifiable et des tores orientés dans une seconde direction décalés de 90° 20 par rapport aux premiers,de façon que leur état magnétique soit permanent. Les premiers tores enregistrent et indiquent des unslo-giaues, alors que les seconds indiquent des zéros logiques, quel que soit leur état magnétique. On voit également que l'emploi de lignes de lecture croisées en "noeud carré" permet de réaliser une 25 suppression efficace des bruits provoqués par les demi-courants de sélection dans les lignes X, quelle que soit l'orientation des tores. On comprendra de même que la technique de l'invention de rotation des tores pour indiquer des zéros logiques est appliquée à 30 d'autres organisations de mémoire, par exemple à une mémoire à tores magnétiques utilisant des fils de sélection X et Y et un fil commun de lecture et d'inhibition. De plus, une mémoire analogue à celle des figures 1 ou 2 peut être utilisée à l'exception du fil d'inhibition qui est parallèle aux fils de sélection X 16-16' pour réali-35 ser la suppression des bruits le long de l'axe X. Il est de plus possible d'utiliser une ligne de lecture diagonale, mais la difficulté de l'enfilage du fil dans la matrice la rend peu pratique. 71 15152 -10- 2086451 Il va de soi que les cellules de mémoire morte peuvent être disposées d'une manière quelconque et non seulement distribuées le long de l'axe Y, mais également le long de l'axe X. Enfin, bien qu'un seul plan de mémoire soit représenté sur les figures, chaque 5 tore d'un tel plan peut servir à enregistrer un bit d'un mot dont les autres bits sont enregistrés dans des plans parallèles de la mémoire. Il va de soi que la présente invention n'a été décrite ci-dessus, qu'à titre explicatif, mais nullement limitatif, et que 10 l'on pourra y apporter toutes variantes entrant dans son cadre et son esprit. 71 15152 -11- 2086451 HEVMDICATIONS 1. Matrice de mémoire à tores magnétiques comprenant plusieurs tores magnétiques bistables, c'est-à-dire capables de prendre un premier et un second état magnétique, lesdits tores étant dispo- 5 sés en une matrice de rangées et de colonnes, chaque tore étant à l'intersection de N fils de sélection de rangée et de colonne et d'un fil de lecture ou de détection, ladite matrice étant caractérisée en ce que certains tores sont orientés de façon que leur état magnétique soit modifié, les autres tores étant orientés de manière 10 que leur état magnétique ne puisse être modifié, ces derniers indiquant le premier état magnétique d'enregistrement, quel que soit leur propre état magnétique. 2. Matrice de mémoire caractérisée en ce qu'elle comprend plusieurs tores magnétiques, plusieurs fils de sélection de rangées 15 et de colonnes constituant plusieurs points d'intersection à chacun desquels est couplé un tore magnétique, certains desdits tores étant orientés par rapport aux fils de sélection de façon à empêcher une modification de leur état magnétiaue, un fil de lecture ou de détection traversant chaque tore dans une direction choisie. 20 3. Matrice de mémoire selon la revendication 2, caractérisée en ce que certains des tores sont orientés diagonalement par rapport à l'intersection des fils de sélection dans une première direction de couplage magnétique, les autres tores étant orientés diagonalement par rapport à l'intersection des fils de sélection dans une 25 seconde direction de couplage magnétique, les première et seconde directions de couplage magnétique étant sensiblement décalées de 90°. 4. Mémoire à tores magnétiques à coïncidence de courants, caractérisée en ce qu'elle comprend plusieurs tores magnétiques à cour-30 be d'hystérisis sensiblement rectangulaire disposés en une matrice de rangées et de .colonnes, plusieurs fils de sélection de rangée recevant sélectivement des demi-courants de sélection, chacun desdits fils traversant une rangée de tores, plusieurs fils de sélection de colonne recevant sélectivement des demi-courants de sélec-35 tion, chacun desdits fils traversant une colonne de tores, certains des tores étant orientés de façon que les demi-courants de sélection qui circulent dans les fils de sélection de rangée et de colonne 71 15152 -12- 2086451 puissent modifier leur état magnétique, d'autres tores étant orientés de manière que les demi-courants de sélection qui circulent dans les fils de sélection de rangée et de colonne correspondants ne puissent modifier leur état magnétique. 5 5. Mémoire selon la revendication 4, caractérisée en ce que les demi-courants qui circulent dans les fils de sélection de rangée et de colonne correspondant à un tore du premier type,s'ajoutent pour produire un champ magnétique capable de modifier l'état magnétique du tore, alors que les demi-courants qui circulent dans 10 les fils de sélection de rangée^de colonne correspondant à un tore du second type,s1 annulent sensiblement pour produire un champ magnétique minimal incapable de modifier l'état magnétique du tore associé. 6. Matrice de mémoire à tores magnétiques dont certaines cellules sont altérables et dont d'autres cellules^le sont pas, la-15 dite matrice comprenant une première série de tores magnétiques disposés en rangées et en colonnes associées à des fils de sélection de rangée et de colonne dont l'intersection se trouve dans l'un des-dits tores, les tores et les fils de sélection étant disposés de manière que l'état magnétiaue des tores de la première série puis-20 se être modifié, une seconde série de tores magnétiques est disposée en rangées et en colonnes associées à des fils de sélection de rangée et de colonne communs aux fils de sélection de la première série de tores et dont les intersections se trouvent dans l'un des tores de la seconde série, la seconde série de tores et les fils de sélection 25 étant disposés de manière que l'état magnétique de certains des tores de la seconde série puisse être modifié et que l'état magnétique des autres tores de la seconde série ne puisse pas être modifié, un fil de lecture traversant chaque tore des première et seconde séries/ians une direction choisie. 30 7. Matrice de mémoire selon la revendication 6, caractérisée en ce qu'un fil d'inhibition traverse tous les tores de la première série dans une direction de couplage magnétique telle que la modification de l'état magnétique des tores de la première série puisse être sélectivement inhibée. 35 8. Matrice de mémoire selon la revendication 7, caractérisée en ce que le fil d'inhibition traverse également chaque tore de la seconde série dans une direction de couplage magnétique telle que la 71 15152 -13- 2086451 modification de l'état magnétique des tores de la seconde série puisse être sélectivement inhibée. 9. Matrice de mémoire selon la revendication 6, caractérisée en ce que le fil de lecture sert à la fois à détecter et à inhiber 5 les changements de l'état magnétique des tores. 10. Matrice de mémoire selon la revendication 6, caractérisée en ce que certains des tores sont orientés diagonalement par rapport aux intersections des fils de sélection dans une première direction de couplage magnétique, d'autres tores étant orientés diagonalement 10 par rapport aux intersections des fils de sélection dans une seconde direction de couplage magnétique, les première et les seconde directions de couplage magnétique étant sensiblement décalées de 90°. 11. Matrice de mémoire selon la revendication 6, caractérisée en ce que le fil de lecture est couplé magnétiauement à la moitié des 15 tores dans une première direction et à l'autre moitié des tores dans une seconde direction de façon à éliminer pratiquement les bruits qui sont induits dans le fil de lecture par les tores qui ne reçoivent que la moitié du courant de sélection. 12. Matrice de mémoire selon la revendication 11, caractérisée 20 en ce que le fil de lecture est couplé magnétiquement à une colonne de tores de façon que les bruits qui apparaissent dans celle-ci soient sensiblement éliminés, quelle que soit l'orientation des tores dans la colonne. 13. Matrice de mémoire selon la revendication 12, caractérisée 25 en ce que le fil de lecture est couplé magnétiauement dans une première direction à la moitié des tores de la colonne et dans la direction opposée à l'autre moitié des tores de la colonne.