FR 2034836 A1 19701218 FR 7008215 A 19700306 70 08215 i 2034836 La présente invention à pour objet un tableau de mémoire à courants coïncidents dans laquelle seuls les mots peuvent être sélectionnés, utilisant un seul dispositif semi-conducteur-métal-isolant, à chaque emplacement de mémoire. 5 Les éléments d'enregistrement actifs bistables, tels que certains types de transistors, ont donné lieu à des recherches actives pendant un certain nombre d'années, en vue de leur utilisation dans les mémoires d'ordinateurs. Les qualités qui expliquent leur intérêt sont leur rapidité, leurs faibles dimensions, 10 leur prix de revient peu élevé et leur possibilité d'intégration. Cependant, il semble difficile de les organiser en un tableau de matrice, sans composants supplémentaires pour la synchronisation, durant les cycles de lecture et d'écriture. Un des problèmes qui se pose pendant l'introduction d'une information dans un élément particulier, est d'éviter la perturbation des données enregistrées dans les autres éléments. Le problème existe également pour la lecture de l'information contenue dans un élément ; il s'agit d'éviter l'altération de l'information contenue dans les autres éléments. . 20 . Une publication récente, "An Electrically Alterable Non-Volatile Semiconductor Memory" de R.E. Oleksiak, A.J. Lincoln, et H.A.R. Wegener, dans le "GOMAC PROCEEDINGS OF 1968", propose .une solution au problème qui, toutefois, n'est pas entièrement satisfaisante. Il s'agit d'un tableau"de mémoire à courants 25 coïncidents dans laquelle seuls les mots peuvent être sélectionnés, utilisant des éléments bistables métal-nitrùre-semiconducteur (MNS) dont la tension de seuil est obtenue par application d'une certaine tension entre l'électrode de commande ou "gâchette" et le substrat des éléments. Si l'on module la tension du substrat, tel qu'illus-30 fc**é sur la figure 1, il est nécessaire que le substrat local de chaque ligne (équivalent à chaque ligne de digit d'une mémoire) soit isolé électriquement des substrats locaux des autres lignes. Tandis que, comme l'indique l'article, il est possible d'intégrer le tableau, le procédé de fabrication est compliqué et, par con-séquent, d'un prix de revient élevé à cause de la difficulté d'obtention d'une bonne diffusion, et des "creux" nécessaires pour isoler les substrats locaux l'un de l'autre. Le prix de revient est 70 08215 2 2034836 élevé, également à cause des phases supplémentaires qui réduisent le rendement. Pendant le fonctionnement de la mémoire décrite dans l'article ci-dessus, l'électrode appelée "source", de chaque 5 élément, est reliée au substrat qui lui est associé, tandis que l'électrode appelée "drain" n'est pas excitée pendant le cycle d'écriture. Ceci suppose que chaque élément est considéré comme un condensateur à plaques parallèles pendant le cycle d'établissement de la tension de seuil. C'est-à-dire que le 10 substrat constitue une plaque, la gâchette constituant l'autre plaque et la couche de nitrure entre la gâchette et le substrat constituant l'isolant pour l'enregistrement de la-charge. Ce mode de fonctionnement exclut la fabrication de ces tableaux par dépôt ou diffusion de transistors sur un matériau de substrat isolant, 15 tel que le verre ou le saphir. Comme conséquence directe de l'application de la tension de fonctionnement entre le substrat et la.gâchette, plutôt que la gâchette, la source et le drain, Oleksiak et al. pensent que l'amplitude de la tension nécessaire pour mettre un 20 élément à la tension de seuil élevé ou faible,, doit être divisée en deux moitiés, et que l'une des moitiés (moitié de sélection) soit appliquée à la gâchette, et l'autre moitié au substrat des éléments sélectionnés. Dans la mémoire décrite par Oleksiak et al., il n'est pas possible de relier à la masse le substrat d'un 25 élément et d'appliquer toute la tension sélectionnée à.-la gâchette du même élément (ou vice versa) sans modifier llétat des autres éléments. Ceci est mieux illustré sur la figure 1, qui représente le tableau de mémoire de référence précitée, utilisant des dispositifs bistabïes du type P. Une polarisation directe de 50 volts 30 appliquée à la gâchette par rapport au substrat, est nécessaire pour mettre un dispositif à sa valeur de seuil élevée (VgE) et une polarisation inverse de 50 volts appliquée à la gâchette par rapport au substrat est nécessaire.pour mettre un dispositif à sa valeur de seuil faible (Vgp)* 35 Si l'on suppose que l'élément 1-1 doit être établi à la tension Vggj la borne B1 sera reliée à + 50 volts ce qui appliquera une tension de.+ 50 volts à chaque source et substrat reliés 70 08215 3 2034836 à la borne Bl, et la borne WD1 sera mise à la masse. Cependant, cette condition perturbe les éléments non sélectionnés le long de la ligne ou de la colonne communes à l'élément sélectionné, comme le montre l'examen des éléments adjacents. Ainsi, si 5 WD1 est à la masse, les gâchettes des éléments 2-1, 3-1, et 4-1 le sont également. Alors, pour que le niveau de seuil de l'élément 2-1 ne soit pas perturbé, le potentiel appliqué à son substrat qui est relié et commun à chaque élément de la ligne 2, doit également être à la masse. Alors, il est nécessaire pour que 10 l'élément 2-2 ne soit pas perturbé, que sa gâchette reliée à la borne WD2, retourne au potentiel de la masse. Si WD2 est à la masse, la gâchette de l'élément 1-2 l'est également. Mais il faut noter que la source et le substrat de l'élément 1-2, relié à Bl, .sont branchés sous + 50 volts. Par conséquent, il est impossi-15 ble que seul un élément soit à la tension VgE par application du potentiel de la masse au substrat.par rapport à la source, et de toute l'amplitude sélectionnée à la gâchette. Il est également impossible d'établir un seul élément à Vsp, en reliant le substrat à la masse et en appliquant toute la tension sélectionnée à la 20 gâchette d'un élément déterminé. Il-est également impossible d'établir un seul élément à Vgg, en reliant le substrat à la masse et en appliquant toute la tension sélectionnée à la gâchette d'un élément déterminé. On suppose à nouveau que l'élément 1-1 soit à mettre sous la tension 25 Vgp. Ceci nécessite l'application de + 50 volts à WD1, et du potentiel de la masse à la borne Bl. Afin que l'élément 2-1 ne soit pas perturbé, + 50 volts doivent être appliquée à son substrat, et à sa source qui est commune à la borne B2. Si l'on applique + 50 volts à la borne B2, il faut également appliquer 30 +50 volts à la gâchette de l'élément 2-2, pour l'empêcher de changer d'état. Ceci nécessite que WD2 soit à nouveau sous + 50 volts. Mais, puisque Bl est à la masse, le trajet gâchette-substrat de l'élément 1-2 subit une polarisation inverse de 50 volts, qui fait changer d'état l'élément 1-2. 35 II a ainsi été démontré que l'application de toute la tension sélectionnée soit à la gâchette soit au substrat, tandis que l'autre est à la masse, affecte chaque élément de la colonne traversant le conducteur de la gâchette, ou de la ligne passant 70 08215 4 2034836 par le substrat local, et rend impossible le réglage d'un seul élément à la fois. Cependant Oleksiak et al., pensent qu'il faut diviser les 50 volts en deux moitiés (tension de sélection moitié) de 5 part et d'autre du potentiel de référence. Ceci nécessite une source de tension bidirectionnelle qui comprend, par exemple, le potentiel de la masse, + 25 volts et -25 volts. Les + 25 volts sont appliqués soit à la gâchette soit au substrat des éléments sélectionnés, et les - 25 volts à la gâchette ou au substrat 10 restant des éléments sélectionnés, et la gâchette ou la source des éléments qui ne sont pas sélectionnés* sont mises à la masse, de façon que ces éléments non sélectionnés qui sont sur la même ligne ou sur la même colonne que l'élément sélectionné soient uniquement sous la moitié de tension sélectionnée(25 volts)'. 15 Cependant, la référence citée nécessite, pendant le cycle d'écriture, une source de tension bidirectionnelle qui peut fournir une tension de référence, une tension positive et une tension négative, de part et d'autre de cette tension de référence. On comprendra que chaque élément de la colonne ou 20 de la ligne d'un élément sélectionné est soumis à une certaine tension égale à la moitié de la tension sélectionnée entre la gâchette et le substrat. L'invention est applicable à une mémoire comprenant la combinaison de plusieurs éléments bistables sur un substrat 25 commun, où chaque élément comprend un seul dispositif semiconducteur bistable à effet de champ, ayant une première et une seconde électrodes principales définissant un trajet de conduction, et une électrode de commande. Chacun de ces dispositifs peut être mis sous le premier ou le second niveau de seuil. La mémoire 30 comprend également un circuit d'écriture pour placer un ou plusieurs dispositifs sélectionnés à l'un des premier et second niveaux de seuil, et un circuit de lecture pour, déterminer le niveau de seuil d'un ou de plusieurs dispositifs sélectionnés, sans perturber leur niveau de seuil. 35 Selon un mode préféré de réalisation de l'invention, chaque dispositif de la mémoire est en contact direct» avec le substrat, et le circuit d'écriture est destiné à appliquer au 70 08215 5 2034836 dispositif sélectionné une première tension D'autres caractéristiques et avantages de l'invention 10 reêsortiront de là description qui va suivre, donnée uniquement à titre d'exemple non limitatif, en référence au dessin annexé dans lequel : - la figure 1 est un schéma de tableau de matrice conforme à l'art antérieur ; 15 - la figure 2 est un graphique représentant les varia tions de la tension de seuil en fonction de la tension appliquée aux bornes de la gâchette et de la source, et illustrant la caractéristique bistable des dispositifs utilisés dans la mise en oeuvre de l'invention ; 20 _ les figures J>a. et 3J2 sont, respectivement, un schéma d'ûn tableau de matrice conforme à l'invention et de la représentation des tensions nécessaires aux cycles d'écriture et de •lecture du tableau ; - les figures 4a, 4b, 4ç^ et 4j3 sont des schémas d'un 25 élément classique du tableau sous diverses conditions de polarisation, et - la figure 5 est une vue en coupe d'une partie du tableau conforme à l'invention. Les dispositifs semiconducteurs utilisés dans la 30 réalisation de l'invention présentent une tension de seuil variable, qui peut prendre l'une des deux valeurs, si un potentiel supérieur à une amplitude donnée est appliqué entre la gâchette et la source du dispositif, et maintient cette tension de seuil à la valeur établie pendant un temps très long. Les 35 transistors bistables à effet de champ, dont la structure métal-isolant-semiconducteur (MIS) peut enregistrer une charge, font partie de cette classe de"dispositifs. • 70 08215 6 / 2034836 Un exemple typique mais non limitatif de ce type de transistors, est un transistor MNS, (métal-nitrure-silicium), dont la couche isolante est du nitrure de silicium. Ce transistor peut être fabriqué par des techniques classiques (MOS) métal-oxyde— 5 semiconducteur, mais juste avant la métallisation, l'oxyde en bandes est rendu très fin, et une couche de nitrure est disposée entre la bande de silicium et la gâchette du dispositif. Le transistor obtenu peut être soit du type P soit du type N, et comprend une première et une seconde électrodes constituant les extrémités 10 du trajet de conduction, et une gâchette utilisée pour la commande du niveau de conduction dans ce trajet. Ce transistor présente les mêmes caractéristiques générales qu'un dispositif MOS classique, mais la couche de nitrure isolante supplémentaire sur la mince zone recouverte d'oxyde, permet d'enregistrer la charge 15 dans la couche isolante, et il en résulte la courbe de la figure 2. La figure 2 est une représentation idéale du cycle d'hystérésis de la tension de seuil (Vg) en fonction de la tension appliquée entre la gâchette et la source (VqS) d'un 20 dispositif classique du type décrit ci-dessus. La tension de seuil (Yg) est définie comme la tension appliquée entre la gâchette et la source ("Vqq) qui permet le début du passage du courant dans le trajet de conduction du transistor. Le point VSp correspond à la valeur faible de Vg et le point VSE 25 correspond à sa valeur élevée. VgF peut, par exemple, être égal à 2 volts et VgE à 10 volts. La tension de référence V^p indique la valeur de la tension entre la gâchette et la source, pour laquelle le transistor change d'état. La valeur de V^^ dépend du dispositif particulier utilisé : dans le cours de la descrip-30 tion, cette valeur sera supposée comprise entre - 5 et - Ï5 volts, et peut par exemple, être de - 12 volts. Toute valeur de V^g inférieure à | n'affecte pas l'établissement du seuil du dispositif semiconducteur décrit en conjonction avec la figure 2. Cependant, si Initialement Vg se 35 trouve en. VgE, et si on donne à V^g une valeur supérieure en valeur absolue et plus négative que - VREp, la tension de seuil descend le long du cycle d'hystérésis, tel que représenté figure 2, et prend la valeur VgF. Si V^g est pratiquement réduit à 0 volt, 70 reste égal à Y„„- Si, initialement, la tension de seuil est O Oi4 ^ 70 08215 2034836 VSF' et si on donne à V^g une valeur supérieure en valeur absolue et plus positive que + V^-p, la tension de seuil remonte le long du cycle d'hystérésis, et Vg prend la valeur VgE. Si Vçg est pratiquement réduit à VQ = 0 volt, Vg reste égal à VgE. 5 Dans le cadre de cette application, l'électrode de source d'un transistor de type N est définie comme celle des deux électrodes constituant les extrémités du trajet de conduction du transistor, qui est au potentiel le plus bas (le moins positif) et l'électrode de source d'un transistor du type P est celle des 10 deux électrodes constituant les extrémités du trajet de conduction du transistor, qui est au potentiel le plus élevé (le plus positif) Les tableaux conformes à 1'invention peuvent avoir M lignes et N colonnes, M et N étant des nombres entiers supérieurs à 1, et M et N peuvent être ou ne pas être égaux. Pour simplifier la 15 représentation, dans la disposition de la figure 3a, M = N = 5. , Chaque intersection d'une ligne et d'une colonne'définit un emplacement de bit i-j-, où i est le numéro de la ligne et le rillméro de la colonne. Chaque emplacement de bit comprend, sur le dessin, un transistor MNS bistable du type N, ayant un cycle 20 d'hytérésis du type de celui de la figure 2. Pour chaque transistor, à une extrémité du trajet de conduction, la première électrode 12, est reliée à une colonne Ck et à l'autre extrémité du trajet de conduction, la seconde électrode 13, est reliée à une ligne Ljd. Un conducteur de commande Gç^ correspond à chaque ligne 25 à laquelle les gâchettes des transistors de cette ligne sont branchées, k, £ et çi étant des nombres entiers. Les cinq colonnes Cl, C2, C3, C4 et C5 peuvent être reliées soit à une borne 1 soit à une borne 2, pendant le cycle d'écriture, et, pendant le cycle de lecture, aux bornes de sortie -50 des données 41, 42, 43, 44, ou 45, respectivement. Les bornes 41-45 sont branchées à la borne 3.» à travers des impédances de sortie, telles que les résistances 51* 52, 53» 54 et 55- Les lignes Ll, L2, L3, L4 et L5 peuvent être reliées chacune, soit à la borne 1 soit à la borne 2, et les conducteurs de commande Gl, G2, G3, 35 G4 et G5 peuvent chacun être reliés soit à la borne 1, soit à la borne 2, soit à la borne 3. Les bornes portant les mêmes références sont branchées à un même point de potentiel. Ceci est illustré sur la figure * 3b, où l'alimentation située''dans le rectangfe 20 en pointillés, est 70 08215 2034836 constituée de deux batteries 100 et 102. Une caractéristique importante de ce montage est que les deux batteries fournissent des tensions de même polarité, et qu'une seule source de tension unidirectionnelle est nécessaire pendant le cycle d'écriture. 5 Toutes les bornes 1 sont reliées à la masse ; toutes les bornes 2 sont reliées à une borne positive de la batterie 100 ; et toutes les bornes 3 sont reliées à une borne .positive de la batterie 102. L'amplitude de la tension + appliquée à la borne 2 est supérieure à | et peut être, par exemple, égale à + 20 volts. 10 L'amplitude de la tension est supérieure à VgF, mais inférieure à jVpgpl et si 1 est supérieure à| tgE\, alors on donnera à V2 une valeur moins positive que VSE [VgF Dans un mode préféré de réalisation de l'invention de 20 la matrice de la figure 3a, la tension de seuil de tous les éléments du tableau, est tout d'abord établie à VgE. Ceci est réalisé par le branchement de tous les conducteurs de commande à la borne 2 (+ 20 volts) et toutes les lignes et colonnes à la borne 1 (masse) - un élément branché de cette façon est représenté 25 figure 4a. Ainsi, chaque dispositif est polarisé dans le sens direct, suffisamment pour que V"Gg dépasse largement + V^p. Il faut noter qu'il pourrait y avoir une différence de potentiel entre les électrodes 12 et 13 pendant l'opération d'établissement. Par exemple, tant que V^EF a une valeur minimum entre la gâchette 30 et chacune des électrodes 12 et 13, une différence de potentiel peut exister entre les électrodes 12 et 13, sans modifier l'opération d'établissement décrite ci-dessus. Lorsqu'aucune tension positive n'est plus appliquée à la gâchette, la tension de seuil de chaque transistor réglé reste à VgE, et ce transistor ne conduit 35 pas tant que l'amplitude de la tension appliquée à la gâchette ne dépasse pas la tension de la source de plus de VgE. Après l'établissement, un ou plusieurs éléments sélectionnés peuvent être ramenés à l'état deJ seuil faible VgF par polarisation, de la manière représentée figure 4b. Une tension de + 20 volts est appliquée aux électrodes de source et de drain 70 08215 9 2034836 de l'élément sélectionné, et sa gâchette est reliée à la masse. Par exemple, si on désire rétablir l'élément 1-1 de la figure -3&., le conducteur de commande G1 est relié à la borne 1 (la masse) et la ligne 1 et la colonne 1 sont reliées chacune à la borne 2 5 (+ 20 volts) tandis que les lignes, les colonnes et les conducteurs restants sont reliés à la borne 1 (la masse)» Ces tensions polarisent la gâchette 11 du transistor 1-1 en sens inverse, par rapport à ces deux électrodes 12 et 13, par une tension (V'1 = 20 volts) d'amplitude supérieure à celle de la tension de référence. 10 (^ref = volts). Après suppression de ces tensions, l'élément 1-1 reste dans son état de seuil de tension faible Vg^. Pendant le temps de rétablissement d'un élément sélectionné tel que 1-1 à la tension Vg^, les éléments restants de la matrice ne sont pas affectés. Les trois électrodes des éléments 15 qui ne sont pas sur la première ligne ou la première colonne, sont reliées à la borne 1 (potentiel de la masse), et ces éléments ne sont évidemment pas affectés. La tension de seuil des éléments restants de la colonne 1 est inchangée, car la tension entre la gâchette et la source de ces éléments est restée à 0 volt. Une 20 électrode 12 de chacun des éléments restants de la colonne 1 est reliée à + VI (20 volts), et la gâchette 11 et l'autre électrode 13 sont reliées à la masse. Comme défini ci-dessus, l'électrode 13 étant au potentiel le plus faible, constitue la source, et puisque V^g = 0, la tention de seuil est inchangée, puisque si l'on 25 augmente le potentiel du drain lorsque V^g = 0, le mécanisme d'enregistrement de charge n'est pas modifié. Le fait de mettre les éléments non sélectionnés dans cette condition de polarisation sans perturbation, qui confère au circuit de l'invention une certaine simplicité, n'était ni reconnu ni utilisé dans les 30 circuits de l'art antérieur. La gâchette et la première, électrode 12 de chacun des éléments restants de la ligne L1 sont reliées à la borne 1 (potentiel de la masse), et leur autre électrode 13 est reliée à la borne 2 ( + 20 volts) à travers la ligne Ll. Par conséquent, ces éléments sont également- polarisés tel que. ^5 représenté figure 4c, mais les électrodes 12 et 13 ne sont pas affectées. Ces transistors étant des dispositifs bl-latéraux, le s? drain et la source s'ont interchangeables, et comme défini ci-dessus, l'électrode 12 constitue à présent la source. Puisque 70 08215 10 2034836 Vgg =0, la tension de seuil des éléments restants, le long de la ligne Ll, reste inchangée. Une analyse semblable à la précédente peut être faite pour montrer qu'il est possible de rétablir tout autre élément numéro 5 2, 3, 4 ou 5 de la même ligne en même temps, sans altérer les éléments restants de la matrice. Il suffit de relier le conducteur - de la ligne à la borne 2 (+ 20 volts) le conducteur de commande associé à cette ligne à la borne 1 (la masse) et les conducteurs de la colonne pour les transistors dé la ligne que l'on désire 10 rétablir, à la borne 2 (+ 20 volts). Le niveau du seuil des éléments peut être détecté en une fois pour une ligne, en reliant les colonnes Cl, C2, C3, C4 et C5 respectivement aux borries de sortie des données 41, 42, 43, 44 et 45, en reliant toutes les lignes et les conducteurs de commande des 15 lignes non sélectionnées à la borne 1 (la masse), en reliant le conducteur de commande de la ligne sélectionnée à la borne 3 (+ 5 voltsi et en reliant le conducteur de la ligne sélectionnée à la borne 1, (la masse). Les tensions aux bornes des éléments sélectionnés à lire, reliées de cette façon sont représentées sur la figure 4_d. 2o 0n suppose maintenant que la ligne 1-1 est à lire, et que l'élément 1-1 est au potentiel et les éléments restants or 1-2....... 1-5 au potentiel V . Le potentiel (Vc = + 5 volts) appli- Oïl c- qué à la gâchette de l'élément 1-1 est supérieur à la tension de seuil (Vgj, =+2 volts) de l'élément 1-1 ("Vg-p ^V^), l'élément 1-1 25 conduit, et la tension du point 41 de sortie des données est faible (proche du potentiel de la masse. Cependant puisque le potentiel de la gâchette (V^) des éléments 1-2, 1-3, 1-4 et 1-5 est inférieur au niveau de seuil (VSE = + 10 volts) de ces transistors (V^ VgE) ils ne peuvent pas conduire, et le niveau de ten-50 sion au point de sortie des données 42, 43, 44 et 45 reste à + = 5 volts. Il faut noter que les éléments peuvent être lus électriquement en branchant les colonnes à une impédance faible, et en détectant la présence ou l'absence de courant. Puisque la tension de la gâchette pour la lecture, V2, 55 est inférieure à la valeur -de la tension de référence ce qui entraîne -une transition dans la tension de seuil, tout élément peut être lu sans perturber l'état des éléments lus ou l'état des éléments non sélectionnés.- 70 08215 ii 2034836 Ainsi, on a démontré qu'un seul élément bistable peut être utilisé dans chaque emplacement de bit, et cette information peut être enregistrée et lue sans destruction. La disposition de la matrice décrite ci-dessus convient 5 très bien à l'utilisation dans un tableau de mémoire à courants coïncidents dans laquelle seuls les mots peuvent être"sélectionnés, où chaque ligne de la matrice contient, par exemple, un mot d'information. Les niveaux de seuil élevé Cvgg) et faible (Vgp) peuvent être définis comme représentant l'enregistrement 10 d'un un et d'un zéro binaires, respectivement, ou vice versa. Une caractéristique importante de cette mémoire est que l'information enregistrée n'est pas affectée par l'absence d'alimentation. Il est bien entendu que le même tableau convient également à une mémoire à courants-coïncidents dans laquelle seuls 15 les mots peuvent être sélectionnés, où chaque colonne de la matrice contient par exemple un mot d'information. Dans une telle mémoire, il est évident que pendant l'opération d'écriture, tous les éléments d'une colonne sélectionnée peuvent être, établis en appliquant + 20 volts à tous les conducteurs de commande, et 20 en reliant tous les conducteurs de la ligne et les conducteurs de la colonne sélectionnée, à la masse. Par conséquent, les éléments sélectionnés d'une colonne peuvent être rétablis en appliquant + 20 volts au conducteur de la colonne sélectionnée, et à tous les conducteurs de la ligne, et en reliant à la masse 25 les conducteurs de commande qui sont reliés aux éléments à rétablir. On comprendra facilement que les contenus de chaque élément d'une colonne sélectionnée peuvent être détectés d'une manière similaire à celle décrite ci-dessus, mais le seuil de chaque dispositif de la colonne est détecté sur les conducteurs 30 de la ligne, pendant le temps durant lequel le conducteur de la colonne sélectionnée est relié à la masse, chaque conducteur de la ligne est relié à '+..-5 volts, à travers une impédance, et tous -les conducteurs de commande sont branchés sous +5 volts(le disposHf réalisant osa connexions est similaire à ce3ii. représenté fIgiïrë .3a). 35 ~ Les lignes, colonnes et conducteurs de commande du tableau ont été représentés branchés à des bornes au moyen d'interrupteurs. Ces interrupteurs peuvent être du type instantané, et il est bien entendu que la combinaison dé la source de tension et des interrupteurs représente également des sources d'impulsions dont l'amplitude' 70 08215 12 2034836 et la polarité sont celles des tensions représentées sur la figure 2. Il faut noter également qu'une source de tension d'une certaine polarité (la source de potentiel 100 fournit + VI et la source de potentiel 102 et la masse fournissènt + V2 et la masse) a été utilisée pour lire et détecter l'information dans les modes de réalisation représentés sur les figures 3 et k, et que cette source de potentiel, en combinaison avec les interrupteurs, est équivalente à un générateur d'impulsions ayant des impulsions d'une certaine polarité et d'une amplitude approximative!!ent égale à VI pour l'écriture, et à V2 pour la lecture. Le contraste est marqué avec la source bidirectionnelle utilisée dans les systèmes de l'art antérieur pour établir et rétablir les éléments. La figure 5 représente une vue en coupe d'une partie du tableau de matrice, et sert à indiquer que tous les éléments du tableau, au contraire des systèmes de l'art antérieur, sont en contact direct avec le substrat commun. Il n'est pas-nécessaire que les éléments soient isolésl'un de l'autre, puisque chaque élément peut être accessible individuellement à la façon d'un transistor, au moyen de sa gâchette, sa source, et son drain, lorsque la tension de seuil varie. Le substrat représenté est une masse de silicium, mais l'invention est également applicable dans le cas d'un substrat isolant. Par exemple, les transistors à film mince, évaporé sur un substrat de verre, ou les transistors épitaxiaux à jonction par croissance sur du saphir peuvent être utilisés, tant qu'ils présentent les mêmes caractéristiques générales que celles décrites et représentées figure 2. Il apparaît que les éléments non sélectionnés présentent t une différence de potentiel entre la gâchette et la source maintenue à 0 volt, qui améliore le fonctionnement du tableau, en réduisant les tensions sur le mécanisme d'enregistrement de charge. La lecture du dispositif a été décrite lorsque l'information est prise sur une colonne, les lignes étant reliées à la masse. Il est évident que les informations peuvent également être obtenues à partir des lignes, les colonnes étant reliées 70 08215 33 2034836 à la masse ou à tout autre potentiel. Etant donnée la symétrie du dispositif, les lignes et les colonnes sont interchangeables, et les conducteurs de commande peuvent être parallèles électriquement, soit -aux lignes soit aux colonnes. 5 Les transistors utilisés dans les modes de réalisation représentés sur les figures 3, 4 et 5 étaient du typeN. Il est évident que ces transistors auraient pu également être du type P, à condition que leur tension de seuil présente les caractéristiques représentées figure 2, et que les tensions soient 10 appliquées dans un sens opposé à celui des dispositifs du'type N. L'invention n'est pas limitée aux formes de réalisation décrites, et l'homme de l'art pourra y apporter diverses modifications sans pour autant sortir de son cadre. 70 08215 » 2034836 ROTEMDIÇATIOHS 1 - Mémoire comprenant en combinaison plusieurs éléments bistables disposés sur un substrat commun, chaque élément comprenant un dispositif semi-conducteur bistable à effet de 5 champ ayant une première et une seconde électrodes principales définissant un trajet de conduction et une électrode de commande, chaque dispositif pouvant être placé sous l'un d'un premier et d'un second niveaux de seuil, un circuit de lecture pour placer un ou plusieurs dispositifs sélectionnés au premier ou au second 10 niveau de seuil ; et un circuit de lecture pour détecter le niveau de seuil de l'un ou de plusieurs des dispositifs sélectionnés sans perturber le niveau de seuil du dispositif sélectionné, caractérisée en ce que chaque dispositif est en contact direct avec le substrat, le circuit de lecture peut appliquer au dispositif sé-15 lectionné une première tension d'un potentiel et d'une polarité déterminés, entre l'électrode de commande et la premièie et la seconde électrodes, afin de placer le dispositif sélectionné- à l'un du premier ou du second niveau de seuil i et le circuit de lecture détecte le niveau de seuil du dispositif sélectionné 20 par application d'une seconde tension entre l'électrode de commande et seulement l'une de la première ou de la seconde électrode principale •„ 2 - Mémoire selon la revendication 1, caractérisée en cè que la première tension est obtenue à partir d'une source, 25 le circuit d'écriture fonctionne par branchement d'une tension provenant de la source d'une certaine polarité entre l'électrode de commande et la première et la seconde électrodes du dispositif sélectionné» 3 - Mémoire selon la revendication 1, caractérisée J>0 en ce que la seconde tension du circuit de lecture présente une valeur intermédiaire entre le premier niveau de seuil et le second niveau de seuil» k - Mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat est un matériau semi-conducteur,, 35 5 - Mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat est un isolant» 70 08215 -' i5 2034836 6 - Mémoire selon la revendication .5» caractérisée en ce que le matériau du substrat est choisi parmi un groupe consistant en verre et saphir. 7 - Mémoire selon la revendication 1, dont les dis-5 positifs sont disposés en lignes et colonnes, et qui présente plusieurs conducteurs de lignes et conducteurs de commande ; le nombre de conducteurs dans chaque ligne et les conducteurs de commande étant égaux au nombre de lignes, et plusieurs conducteurs de . colonnes dont le nombre est égal au nombre de colonnes ; le trajet 10 de conduction de chaque dispositif branché par sa première et sa seconde électrodes entre l'un des conducteurs de lignes et l'un des conducteurs de colonnes, et le circuit d'écriture, comprenant un premier et un second groupe d'interrupteurs de lignes et un troisième groupe d'interrupteurs de colonnes caractérisée en ce 15 que les intérrupteurs fonctionnent sur le conducteur de commmande, et les conducteurs de la ligne et de la colonne correspondant au dispositif sélectionné, pour appliquer entre l'électrode de commande et la première et la seconde électrodes du dispositif sélectionné, une tension d'un niveau et d'une polarité déterminés, et 20 pour appliquer à chacun des autres dispositifs placés sur la colonne et la ligne du dispositif sélectionné, une tension entre le conducteur de commande et seulement l'une de la première ou de la seconde électrode. 8 - Mémoire selon la revendication 1, caractérisée en 25 ce que le tableau est une mémoire à courants coïncidents dans laquelle seuls les mots peuvent être sélectionnés,.le circuit d'écriture fonctionnant pour établir les seuils à certains niveaux, dans les dispositifs respectifs dans une ligne sélectionnée, en coïncidence dans le temps, et le circuit de lecture.fonctionnant 30 par détection des niveaux de seuil des dispositifs respectifs dans une ligne sélectionnée. 9 - Mémoire selon la revendication 6, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre des dispositifs pour brancher des électrodes de commande et au moins l'une de la première ou de la 35 seconde électrode de chaque dispositif non sélectionné à un point de potentiel commun, le dispositif non sélectionné ne pouvant pas conduire le courant. 70 08215 16 2034836 10 - Mémoire selon la revendication 7> caractérisé en ce que la première tension est obtenue à partir d'une source, et le circuit d'écriture fonctionne par branchement d'une tension à partir de la source d'une certaine polarité, entre l'électrode de commande et la première et la seconde électrodes du dispositif sélectionné. 11 - Mémoire selon la revendication 10, caractérisée en ce que la source de tension fournit la première tension à la première et à la seconde bornes qui sont maintenues à un premier et second niveaux de tension, le circuit d'écriture fonctionnant dans un cycle qui comprend un mode d'établissement où le premier groupe d'interrupteurs fonctionne sélectivement, pour brancher la première borne de la source au conducteur de commande du dispositif sélectionné, et le second et le troisième groupes d'interrupteurs fonctionnent sélectivement pour brancher la seconde borne de la source aux conducteurs de lignes et de colonnes du dispositif sélectionné, et le circuit d'écriture fonctionnant selon un mode de rétablissement de son cycle, dans lequel le premier groupe d'interrupteurs fonctionne sélectivement pour brancher la seconde borne de la source au conducteur de commande du dispositif sélectionné, et le second et le troisième groupes d'interrupteurs fonctionnent sélectivement pour brancher la première borne de la source aux conducteurs de lignes et de colonne® du dispositif sélectionné.