FR 2049059 A1 19710326 FR 7011056 A 19700326 11056 1 2049059 L'invention concerne la fabrication de dispositifs semiconducteurs et plus particulièrement les opérations de diffusion pour la formation de région de type P et N dans de tels dispositifs. Plus spécifiquement, l'invention concerne une source de dopant adaptée aux opérations de diffusion en capsule dans les- 8S*fc 5 quelles la pression de vapeur de dopant/prévisible, La diffusion en capsule est bien connue dans l'art de la fabrication des semiconducteurs. En général, dBS pastilles, convenablement masquées, sont introduites dans une capsule en quartz ainsi qu:une source de dopant, on fait le vide dans la capsule puis on la scelle. La capsule est alors placée dans un 10 four où la source de dopant et les pastilles sont chauffées à des températures de l'ordre de 800 à 1100®C. A de telles températures le dopant est vaporisé à partir de la source et la vapeur est diffusée dans les pastilles. Etant donné que les dispositifs semiconducteurs deviennent de plus en plus miniaturisés, et que les exigences en rendement sont augmentées, il y a de plus 15 en plus besoin d'augmenter la précision dans la commande des caractéristiques de profondeur et de profil de diffusion. Pour un contrôle plus étroit de la diffusion d'une impuereté dans un semiconducteur suivant n'importe quel procédé de diffusion, les paramètres suivants doivent être commandés (1) température de la diffusion (2) durée de la diffusion et (3) comportement de la source de 20 dopant. Les deux premiers des paramètres mentionnés ci-dessus peuvent être contrôlés avec précision grâce aux équipements existants. Le troisième paramètre, à savoir le comportement de la source de dopant, est primordial et plus difficile à contrôler, et nécessite ainsi une considération spéciale. Le mécanisme du comportement de la source dans la diffusion de capsule peut être représenté par 25 un système en équilibre. Source « 30 Pour contrôler un phénomène de diffusion, la concentration de surface de la pastille doit être commandée ainsi que le comportement de la pression de vapeur d'impureté de la source. Il est très gênant de commander le comportement de la pression de vapeur de dopant en utilisant un dopant élémentaire dans la diffusion en capsule puis-35 que le poids de dopant entrainé peut être extrêmement petit et que la pression de vapeur changerait avec la durée de diffusion. En conséquence, l'impureté dopante est conventionnellement incorporéeau silicium intrinsèque et le matériau pulvérisé est utilisé comme une source de diffusion. Un certain nombre de techniques sont connues pour incorporer 1'impureté dopante dans le silicium. 40 La méthode la plus simple pour réaliser une source de diffusion est de 11056 2 2049059 préparer mécaniquement un mélange de dopant pulvérisé, comme par exemple l'arse nie, et de silicium intrinsèque. Ce type de source n'est pas homogène. En consé quence, lors du chauffage le dopant vaporisé et le silicium agissent l'un sur l'autre pendant le procédé de diffusion à cause de la diffusion simultanée du 5 dopant dans la poudre de silicium. Ainsi la pression de vapeur du dopant varie avec le temps dans la capsule et ne peut pas être prévue et commandée avec précision. Un autre procédé pour préparer une source est le procédé de source solidifiée. Dans ce procédé la source est préparée en dissolvant une quantité mesurée 10 de dopant, tel que de l'arsenic, dans du silicium fondu. Le dopant a la possibi lité de se mélanger et le mélange est alors solidifié. A cause du grand écart entre les points d'ébulition des deux composants de grandes quantités de dopant s'échappent par vaporisation du mélange fondu avant que le mélange ne soit soli difié. Ainsi la concentration de la source est une fonction du temps. En outre, 15 puisque la solification de la source est relativement rapide, le système n'at^ teint pas un état d'équilibre et il en résulte un certain nranbre de phases différentes dans le mélange.Chacune de ces phases aura une pression de vapeur différente. Ainsi, il est difficile, sinon impossible, d'obtenir une uniformité entre les différents échantillons de source, ou même entre les différentes par-20 ties d'un même échantillon de solification qui aura un rendement de pression de vapeur de dopant régulier. N'importe quelle variation dans la composition de solification ou dans la méthode de préparation aura un effet notable sur la pression de vapeur résultante du dopant. Les sources de diffusion de vapeur sont également préparées en tirant un 25 cristal d'un mélange fondu de silicium et de dopant puis en pulvérisant les cristaux. Cette technique tend plus vers l'équilibre que le procédé de solifica tion. Cependant, pour des concentrations de dopant élevé, la surfusion habituel le du mélange peut provoquer l'incorporation de quantités variables de l'impureté dopante et peut aboutir à la formation de phases instables dans le cristal 30 solide. En conséquence, une source de diffusion préparée à partir de ce matériau présentera des variations imprévisibles fonction du temps dans la pression de vapeur de dopant. Ainsi, les taux de diffusion d'impureté produits dans les pastilles exposées à cette source de diffusion ne peuvent pas être commandés ou prévus avec préoision . 35 Des sources préparées à partir des trois procédés mentionnés ci-dessus souffrent de graves limitations. A cause de leur nature multiphase non contrôlée, il est difficile de reproduire exactement la même composition de source. Ainsi chaque source produira une série différente de conditions de diffusion. L'intérêt croisaant des émetteurs dopés d'arsenic a causé une demande 40 sans précédent pour les sources d'arsenic utilisées dans la diffusion en 11056 3 2049059 capsule. Le procédé de solidification habituel n'est pas capable de produire des sources d'arsenic qui auront une pression de vapeur suffisamment consistante et prévisible. Un nouveau type de source de diffusion et une méthode pour la réalisation de celle-ci sont nécessaires pour permettre la fabrication de dis-5 positifs semiconducteurs de haute performance et très rapide utilisant des émet teurs à l'arsenic. Les trois procédés connus mentionnés ci-dessus ne permettent pas d'obtenir des sources dont la pression de vapeur est suffisamment prévisible et reproductible nécessaires pour produire avec précision des régions diffusées dans des semiconducteurs ayant le profil de caractéristique désiré. 10 Un objet de cette invention est de fournir un matériau servant de source pour les opérations de diffusion en capsule de semiconducteur qui produira une pression de vapeur prévisible. Un autre objet de cette invention est de produire un matériau servant de source pour les diffusions de capsules qui aura une composition de phase qui 15 présentera une pression de vapeur prévisible. Un autre objet de cette invention est de fournir une source de dopant homo gène ayant une pression de vapeur prévisible. Conformément aux objets mentionnés ci«dessus une méthode pour produire un matériau servant de source, comportant l'introduction dans une capsule, avec 20 un certain espacement, d'un matériau servant de dopant et d'un matériau semiconducteur finement divisé. On fait le vide dans la capsule puis elle est scellée et ensuite introduite dans un four à plusieurs zones de chauffage. Les températures du semiconducteur et du dopant sont maintenues jusqu'à ce que l'équilibre soit pratiquement réalisé à l'intérieur de la capsule. 25 D'autres objets et avantages de la présente invention ressortiront mieux de l'exposé qui suit fait en référence aux dessins annexés à ce texte qui repré sentent un mode de réalisation préféré de celle-ci. La figure 1 est un diagramme représentant les différentes phases d'équilibre d'un mélange silicium-arsenic. 30 La figure 2 est un schéma d'un four à deux zones de chauffage et d'un pro fil de température typique, lequel four est utilisé dans la réalisation du procédé de l'invention. La figure 3 est un graphe montrant la relation entre la pression, la température et les compositions des alliages silicium-arsenic. 35 La figure 4 représente un ensemble des courbes de concentration et de près sion de vapeur de l'arsenic dans le silicium en fonction du temps pour des sour ces d'arsenic produites par différentes méthodes y compris la méthode de l'invention. Le diagramme de phase de la figure 1 explique pourquoi des matériaux ser-40 vant de source conformément aux méthodes mentionnées ci-dessus connues dans 70 11056 4 2049059 l'art antérieur ne sont pas utilisables pour produire une pression de vapeur reproductible uniforme dans une capsule de diffusion. Quand un mélange arsenic-silicium est chauffé puis refroidi dans des conditions de non équilibre, le mélange résultant comprend certaines quantités de tout ou partie des compositions 5 solides montrées dans le diagramme. Chacune des compositions solides a sa propre pression de vapeur particulière. Quand la source est ensuite chauffée dans une capsule de diffusion à une température donnée, chacun des matériaux se vaporise à sa propre pression. En outre pendant l'opération de diffusion le dopant vaporisé doit en plus de la diffusion dans la pastille de semiconducteur, 10 établir un équilibre à l'intérieur de la source. Ainsi, des variations notables dans la pression de vapeur se produisent à l'intérieur de la chambre ce qui en fait se traduit par des concentrations différentes d'impuretés en surface, à la surface d'une pastille à des temps différents pendant la diffusion. D'autres combinaisons de dopants et de semiconducteurs ont généralement des diagrammes 15 de phase similaires qui indiquent qu'un certain nombre de composition sont formés en dehors des conditions d'équilibre. Les différentes compositions à l'intérieur de chaque système ont des pressions de vapeur différentes qui présentent des problèmes semblables dans les opérations de diffusion de semiconducteurs. Il y a un certain nombre de méthodes différentes pour préparer les sources " 20 homogènes suivant l'invention. En général une quantité relativement importante de matériau semiconducteur est soumise à l'action prolongée d'un matériau dopant vaporisé à l'intérieur d'un récipient clos dans lequel on a fait le vide pendant un temps suffisant pour permettre à l'environnement à l'intérieur du récipient d'atteindre les conditions d'un équilibre substantiel. 25 Un mélange de dopant élémentaire et de poudre de semiconducteur peut être scellé dans une chambre puis chauffé où l'on a fait le vide. Cependant, pratiquement, le semiconducteur doit être chauffé à une température suffisante pour que le dopant se diffuse dans le matériau à un rythme raisonnable. Quand le dopant et le semiconducteur sont mélangés la température suffisante pour obtenir 30 un rythme de diffusion raisonnable du dopant dans le semiconducteur produit une très haute pression à partir du dopant vaporisé qui peut détruire la chambre, selon la pression de vapeur intrinsèque du dopant. Lors de l'utilisation du procédé de l'invention n'importe quel dopant approprié peut être combiné avec n 'importe quel semiconducteur convenable pour 35 former une source homogène. Les dopants appropriés classiques utilisés dans la pratique de l'invention sont le phosphore, l'arsenic, l'antimoine, le bore, le gallium et l'indium pour des semiconducteurs tels que le silicium et le germanium . Des matériaux dopants classiques pour des composés appartenant aux colon-40 nés III - M/la classification périodique telle que GaAs, InP, GaP, et InAs, i Copy . i 11056 5 2049059 aussi bien que les composés ternaires cités tels que GaAs , P et Ga x 1 -x X Al^_x As sont le zinc, le cadmium le sélénium et le tellure. La figure 2 représente schématiquement un dispositif adapté à la réalisation du procédé de l'invention. Alors que le procédé pourrait être utilisé pour 5 produire d'autres matériaux servant de source, la réalisation préférée s'adressera è un matériau servant de source formé d'arsenic et de silicium. Dans le procédé, le matériau semiconducteur, en principe le silicium, est réduit en une poudre ayant de préférence une dimension de particules inférieure à 149 microns. La poudre est placée dans la partie terminale 11 de la capsule allongée 10, 10 comme montré sur la figure 2, L'arsenic est placé à l'extrémité opposée de la capsule 10 dans la partie 12, Comme indiqué sur la figure 2 la capsule préférée est faite de quartz ayant deux chambres 11 et 12 réunies par un tube plus petit 14. Le dopant, de préférence de l'arsenic peut être de l'arsenic élémentaire, un mélange d'arsenic élémentaire et de semiconducteur, ou n'importe quelle sour-15 ce de dopant produite par les procédés connus dans l'art, comme par exemple, le procédé de solification, le procédé de recristallisation, ou les procédés identiques. On fait dans la capsule 10 un vide partiel, de préférence inférieur à _ g 5 x 10 mm de mercure puis on chauffe et on scelle la capsule. La capsule 10 est placée dans un four à deux zones de chauffage 15 et chauffée. Dans le four, 20 la température de l'extrémité 12 contenant le dopant est maintenue à une température suffisante pour produire une pression de vapeur qui ne rompra pas la capsule. La température de l'extrémité 11 de la capsule 10 contenant la poudre de semiconducteur est maintenue à une température nettement plus haute qui permet la diffusion du dopant vaporisé dans le matériau à un rythme appréciable. 25 Comme indiqué sur la figure 2, en formant une source d'arsenic arsenic élémentaire est maintenu a une température d'approximativement 600°C tandis que la poudre de silicium est maintenue à une température de 1050°C. En général, pendant la production d'une source de dopant arsenic la température de l'arsenic dans le four à deux zones de chauffage est maintenue dans une bande de 300 à 30 700°C, de préférence 500 à 650°C, et mieux de 500 à 600°C. Le silicium est maintenu à une température de l'ordre de 700 è 1100°C, de préférence de 800 à 1050°C, ou mieux 1050°C. Pendant la production de la source de dopant, les températures respectives du semiconducteur et du dopant dépendront de la pression de vapeur de la source de dopant et de la faculté de diffusion du 'matériau semiconducteur. 35 La technique mentionnée ci dessus peut être utilisée également pour avoir une source principale qui aura normalement un pourcentage atomique relativement important de dopant dans le matériau semiconducteur. Ce lot principal sera alors utilisé pour produire des sources de dopant ayant un pourcentage atomique ..plus faible de dopant. Cependant la source de dopant résultante ayant le taux 40 désiré de dopant pour la poudre de semiconducteur peut être produite directe- i { COPY & 11056 6 2049059 msnt par un procédé de double zone. Le matériau de la source principale est mélangé au matériau de semiconducteur et placé dans un seul récipient et chauffé dans un four à une seule zone de chauffage. La composition de la source principale peut être initialement ré-5 glée de telle sorte que la pression de vapeur soit inférieure à deux atmosphères à laù température du four. Lors de la production d'une source d'arsenic, la température du four lorsque la source principale est mélangée avec la poudre est de préférence 1050°C. la source principale peut être alors placée dans la partie 12 de la capsu-10 le 10 et la poudre de semiconducteur récemment pulvérisée placée dans la partie 11. La capsule est placée dans un four à deux zones de chauffage et rechauffée. La source principale a sa propre pression de vapeur particulière qui est inférieure à celle du dopant élémentaire. Aussi, la température dans le four à 2 zones de chauffage peut être réglée en conséquence. 15 La source principale dans une source d'arsenic comprendra de 4 à 50 % d'ato mes d'arsenic. Comme indiqué sur la figure 1 pour toute concentration au-dessus de la ligne de solution solide jusqu'à 50% d'arsenic dans le silicium, le mélange d'équilibre comprendra une solution solide plus SiAs. La pression de vapeur soit de la solution solide soit de l'arséniure de silicium à des températures 20 en-dessous de 1050° ne dépassera pas une atmosphère. Cette pression peut être contenue dans une capsule de quartz conventionnelle. La source principale est alors combinée avec le matériau semiconducteur additionnel pulvérisé et mélangé de telle sorte que le pourcentage atomique total de l'arsenic soit de l'ordre de 0,02 à 4%, 25 Lorsqu'on produit directement la source homogénéisée, le pourcentage ato mique désiré d'arsenic est placé dans la partie 12 de la capsule 10 et le pourcentage atomique désiré de semiconducteur est placé dans la partie 11. La capsule est alors placée dans un four à deux zones de chauffage comme celui représenté dans la figure 2 et la source peut ainsi parvenir à équilibre. 30 Ce qui suit concerne des exemples spécifiques de mise en pratique du procé dé de la présente invention. Les exemples sont inclus simplement pour aider à la compréhension de l'invention, et l'horrme de l'art peut y apporter toutes modifications sans pour autant sortir de l'esprit et du cadre de l'invention. EXEMPLE I 35 Une source de diffusion d'arsenic homogénéisée est préparée en préparant d'abord une source principale ayant un pourcentage atomique d'arsenic de 10%. Le silicium intrinsèque est pulvérisé en particules de moins de 149 microns. 252 grammes de poudre de solicium sont placées dans la partie 11 d'une capsule de quartz du type montré à la figure 2. 75 grammes d'arsenic élémentaire sont 40 placés dans la partie 12 de la capsule. La capsule est alors placée dans un 11056 7 2049059 four à deux zones de chauffage ou la partie 12 est chauffée à 600° pendant 0 heures et à 625° pendant 16 heures. La partie 11 est maintenue à une température de 1050° pendant 24 heures, Après la période de chauffage 32, 7 grammes de la source principale sont combinés à 252 grammes de poudre de silicium finement 5 divisés. Le mélange est entièrement mélangé et placé dans une capsule simple à cavité unique et chauffé à 1050° pendant 50 heures. La source résultante contient de l'arsenic suivant un pourcentage atomique de 1%. EXEMPLE II Une source de diffusion homogénéisée d'arsenic est préparée par le procédé 10 à une seule étape dans lequel 252 grammes de poudre de silicium finement divisée sont placés dans la partie 11 de la capsule 10 et 7,5 grammes d'arsenic dans la partie 12. La capsule est alors placée dans un four à deux zones de chauffage et la partie 12 est chauffée pendant 55 heures à une température de B00°C et 5 heures à 1050°C . La partie 11 est maintenue à 1050°C pendant 60 15 heures. A la fin de la période de chauffage, la capsule est enlevée, refroidie, et la source diffusion enlevée. Pendant 1:étape de chauffage pratiquement tout l'arsenic est vaporisé et diffusé dans la poudre de silicium. La source de diffusion résultante contient approximativement un pourcentage atomique d'1% d'arsenic, et 99% de silicium. 20 EXEMPLE III Le comportement de la source préparée dans 1'exemple I est déterminé suivant des conditions de diffusion classiques utilisant un dispositif consistant en une tubulure de quartz connectée à une jauge Bourdon en forme de cuillère qui est hautement sensible aux différences de pression, La jauge est entourée 25 par une monture qui peut être attachée à un manomètre à mercure. La cavité de 3 la source est remplie à raison de 0,033 grammes par cm de volume de cavité avec la source d'arsenic préparée à l'exemple I. Le dispositif est alors relié à un système à vide poussé de telle sorte que l'on puisse faire le vide à la fois dans les deux cfités de la jauge Bourdon simultanément jusqu'à une pression infé-30 rieure à 5 x 10 millimètres de mercure. La cavité de la source et tout le tube Bourdon sont ensuite chauffés à 430°C pendant 60 minutes, refroidis et scellés sous vide. Le dispositif est alors placé dans le four et chauffé à une température de 1050° pendant 28 heures. La pression à l'intérieur de la cavité de source et la température du matériau de source dans le four sont contrôlés pendant 35 toute la durée de l'expérience. Les résultats sont relevés et apparaissent sous la forme de la courbe 50 de la figure 4. Comme la figure l'indique la pression de vapeur du dopant reste pratiquement constante après la période initiale du chauffage. EXEMPLE IV 40 Une source de diffusion homogène d'arsenic avec un pourcentage atomique 70 11056 8 2049059 de 50% est placée dans le même dispositif que celui décrit dans l'exemple III. La source est chauffée à la même température et la pression de vapeur contrôlée. Les résultat sont relevés sur la figure 4 et apparaissent sous la forme de la courbe 52. Comme cela est évident, la pression reste pratiquement constante 5 après l'étape initiale de chauffage. EXEMPLE V Une source de diffusion d arsenic avec un pourcentage atomique de 1% est préparée suivant le procédé de solification de l'art antérieur décrit auparavant dans la spécification. La source est préparée conformément aux techniques 10 connues dans l'art antérieur. Cette source de solification est placée dans le même dispositif que celui décrit dans l'exemple III, chauffée à la même température et la pression de vapeur résultante est relevée sur la figure 4 et donne la courbe 54. Comme cela est indiqué, la pression de vapeur de la source varie de manière continue pendant les 30 premières heures du chauffage. 15 EXEMPLE VI Une source de dopant d'arsenic ayant un pourcentage atomique de 0,25% d'arsenic est testée de la même manière et avec le même dispositif que celui décrit dans l'exemple III, La source est préparée en pulvérisant un cristal de silicium obtenu par croissance dopée avec de l'arsenic suivant le procédé décrit antérieu-20 rement. Cette source de cristal dopée est préparée conformément à la technique de l'art antérieur. Les résultats apparaissent sur la courbe 56 de la figure 4. Comme cela est indiqué la pression de vapeur de dopant varie de manière significative avec le temps. EXEMPLE XII 25 Une source homogène comprenant du phosphore suivant le pourcentage de 0,1% est préparée en utilisant le procédé de la source principale. 31 grammes de phosphore rouge sont placés dans une extrémité d'une capsule de quartz, et 250 grammes de silicium finement divisés dans l'autre. La capsule est placée dans un four à deux zones de chauffage où l'extrémité contenant le phosphore est 30 chauffée à 450°C et l'extrémité contenant le silicium à 1050°C. Le chauffage est maintenu pendant 24 heures. A la fin de cette période de 24 heures, la capsule est enlevée et la source principale contenant du phosphore dans un pourcentage atomique de 10% est refroidie. 2,83 grammes de la source principale sont combinés à 278 grammes de silicium finement divisé. Le mélange est chauffé à 1050°C 35 pendant 48 heures. EXEMPLE VIII La source préparée dans l'exemple VII contenant du phosphore dans un pourcentage atomique de 0,1% est placée dans une capsule avec une pastille ayant 15 3 un faible taux de concentration d'impureté de 5.10 atomes par cm , La capsule 40 est chauffée à 1050°C pendant 105 minutes. La concentration de surface de la 11056 9 2049059 pastille est mesurée et déterminée, elle est de 5.1019 atomes par cm3, ce qui indique que le pourcentage atomique de phosphore dans la couche de surface de 0,1% est essentiellement le même que pour la source. Ceci indique que la pression de vapeur à l'intérieur de la capsule est constante dans le temps sans 5 variation de pression. EXEMPLE IX Une source de diffusion homogène contenant du bore dans un pourcentage atomique de 0,3% est préparée en combinant 0,33 grammes de bore avec 280 grammes de silicium finement divisé. Le mélange est entièrement mélangé, placé dans 10 une capsule et chauffé à 1050° pendant 50 heures. Le chauffage peut être réalisé dans un four à une seule zone de chauffaage car la pression de vapeur du bore est relativement faible. La reproductibilité de la source est testée en préparant un nombre de capsules scellées contenant une partie de la source et une pastille. Les capsules sont alors chauffées chacune à une température dif-15 férente de 950 à 1200°C pendant une période comprise entre 2 et 3 heures. La concentration d'impureté de surface de chaque pastille est mesurée. Toutes les concentrations de surface des pastilles sont comparées à la source, ce qui indique que des pressions de vapeur constantes sont produites par les sources dans chaque capsule à chaque température respective. 20 EXEMPLE X Une source de diffusion homogénéisée d'antimoine suivant un pourcentage atomique de 0,1% est préparée en mélangeant 1,22 grammes d'antimoine avec 280 grammes de silicium finement divisé. Le silicium et l'antimoine sont entièrement mélangés et placés dans une capsule qui est chauffée à 1050° pendant 50 heures. 25 L'évaluation de l'échantillon résultant suivant la manière établie dans l'exemple IX indique qu'il en résulte une pression de vapeur prévisible uniforme. Bien que l'on ait décrit dans ce qui précède et représenté sur les dessins les caractéristiques principales de l'invention appliquées à un mode de réalisation préféré de celle-ci, il est éyident que l'hofrme de l'art peut y apporter 30 toutes modifications de forme ou de détail qu'il juge utiles sans pour autant sortir du cadre de la dite invention. 70 11056 10 2049059 REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication d'une source homogène de dopant caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: 5 introduire dans une capsule allongée un matériau semiconducteur finement pulvérisé et une source vaporisable d'un matériau dopant du semiconducteur placer le matériau semiconducteur et le matériau dopant à une distance donnée l'un de l'autre dans la capsule * sceller la capsule sous vide q chauffer le matériau dopant à une première température suffisante pour éta blir un taux de vaporisation significatif et une pression qui puisse être admise par la capsule, simultanément chauffer le matériau semiconducteur à une seconde température plus élevée que la première température maintenir le matériau dopant et le matériau semiconducteur aux températu- -I5 res choisies jusqu'à l'établissement d'une condition d'équilibre à l'intérieur de la capsule. 2.- Procédé de fabrication d'une source de dopant homogène caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: 20 introduire un matériau semiconducteur finement pulvérisé et un matériau dopant du semiconducteur vaporisable dans une enceinte, faire le vide dans l'enceinte, et chauffer les matériaux jusqu'à l'établissement d'une condition d'équilibre à l'intérieur de l'enceinte. 25 3.- Procédé selon les revendications 1 ou 2 caractérisé en ce que ledit matériau dopant est choisi dans le groupe constitué par le phosphore, l'arsenic, l'antimoine, le bore, 30 4.- Procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce que ledit matériau semiconducteur est du silicium. 5.- Procédé selon la revendication 3 caractérisé en ce que ladite première température est comprise entre 500°C et 800°C, et ladite seconde température 35 est comprise entre 800°C et 1070°C. 6.- Procédé selon la revendication 4 caractérisé en ce que le dopant dans le silicium est constitué par de l'arsenic dans un pourcentage atomique compris entre 4% et 50% et dans lequel 40 la source principale résultante est combinée avec du silicium additionnel 11Û56 11 2049059 pour obtenir un mélange ayant un pourcentage atomique d'arsenic compris entre 0,01% et 4%, ledit mélange étant ensuite chauffé une seconde fois dans une capsule jusqu'à l'établissement d'une condition d'équilibre, 5 7,- Source de diffusion homogène caractérisée en ce qu'elle est constituée par un alliage qui comporte au moins un matériau semiconducteur et un dopant vaporisable des matériaux semiconducteurs présents dans une phase solide unique. 10 8,- Source de diffusion selon la revendication 7 caractérisée en ce que ledit matériau semiconducteur est du silicium et ledit dopant du semiconducteur est de l'arsenic. 15 9,- Source de diffusion selon la revendication 8 caractérisée en ce que le pourcentage atomique de l'arsenic dans le silicium est compris entre 0,02% et 4%,