FR 2042411 A1 19710212 FR 7016259 A 19700504 70 16259 1 2042411 La présente invention concerne une technique pour la fabrication d'un circuit RC à couches-minces distinct. Plus particulièrement, l'invention vise une technique dê fabrication d'une structure à couches minces constituée de résistances 5 et de capacités à base de tantale sur un substrat unique. Ces dernières années, la miniaturisation des constituants et des circuits associée à la complexité croissante des systèmes électroniques modernes a créé une demande sans précédent sous le rapport de la fiabilité des constituants à couches 10 minces et la besoin de l'exploitation totale de la technologie. Cela est particulièrement vrai dans le cas du tantale qu'on a longtemps considéré comme la plus souple des matières pour couches minces. Pour maximiser les avantages liés à cette souplesse, il est fréquemment souhaitable dans la fabrication de structures RC 15 sur un substrat unique d'utiliser des couches de tantale différentes, l'une à titre de résistance et l'autre à titre de capacité. Fréquemment, ces couches diffèrent en épaisseur et en type; on utilisera par exemple du tantale bêta, du tantale de faible densité, du nitrure de tantale, etc..., ce qui a pour effet de compli-20 quer la séquence de traitement du fait que les procédures de morsure sélectives couramment utilisées permettent difficilement de trouver des mordants susceptibles de distinguer les diverses couches. Jusqu'à présent, la technique la plus courante permettant de pallier cet inconvénient a impliqué, l'emploi d'un mas-25 que mécanique. Malheureusement, le masquage mécanique souffre du défaut inhérent d'imposer des limitations quant à la définition du motif et l'on constate que, du point de vue économique, il est prohibitif. Bien que d'autres procédures permettant d'atteindre ce but soit connues, elles souffrent également de cer-30 tains défauts inhérents. Conformément à la présenté invention, les problèmes de la technique antérieure sont efficacement obviés par line nouvelle séquence de traitement, dans laquelle une couche d'oxyde de tantale anodique initialement formée sur des rési'stan-35 ces ou des capacités joue le rôle d'un arrêt de morsure,lorsque l'on retire les constituants de tantale ultérieurement déposés des zones initialement déposées. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lumière de la description 70 16259 2 2042411 qui va suivre d'exemples de réalisation et en se référant aux dessins ci-annexés, dans lesquels î - les figures 1A à 1J sont des vues en coupe transversale à des stades successifs de fabrication d'un circuit 5 RC de tantale, au cours desquels la couche capacitive est initialement déposée; et - les figures 2 A à 2G sont des vues en coupe transversale à des ètades successifs de fabrication d'un circuit RC de tantale, au cours desquels la couche résistive est initiale-10 ment déposée. La -présente invention peut commodémment être décrite en détail en se référant à des exemples illustratifs dans lesquels la séquence de traitement implique le dépôt du constituant capacitif du circuit RC initialement ou après le dépôt du 15 constituant résistif. Il sera question à présent du premier cas. La première étape dans la mise en oeuvre de la présente invention consiste à choisir un substrat approprié. Pour obtenir la meilleure qualité du dépôt métallique, on préfère 20 que le substrat possède une surface lisse qui ne présente aucun changement de direction brusque de contour. Comme matières convenant à cet effet, on peut citer notamment les verres, les céramiques émaillées, les métaux émaillés à haut point de fusion,etc... Ces matières répondent également aux esgases de résistance à chaud 25 et de non conductibilité essentielles aux substrats utilisés dans des techniques de vaporisation réactive, Le substrat choisi est tout d'abord vigoureusement nettoyé en sorte de débarrasser sa surface des agents de contamination. Les techniques de nettoyage classiques peuvent com-30 modémsnt être utilisées à cet effet, le choix d'une procédure particulière dépendant de la composition du substrat lui-même. Par exemple, lorsque le substrat est constitué de verre ou d'une céramique émaillée, un nettoyage ultrasonique suivi par une ébul-lition dans du peroxyde d'hydrogène s'avère commode pour nettoyer 35 la surface. Après le nettoyage, il peut être souhaitable de déposer une couche mince d'un métal filmogène sur le substrat par des techniques de vaporisation cathodique ou d5évaporation sous vide classiques et d'oxyder thermiquement la couche déposée 70 16259 3 2042411 obtenue selon la technique décrite dans 1s brevet des Etats—Unis d'Amérique n° 3»220.938 accordé le 30 novembre 1965. La couche d*oxyde obtenue a pour rôle de protéger le substrat à 1'égard de toute attaque par des agents de morsure corrosifs au cours du 5 traitement ultérieur. Cependant, les spécialistes comprendront ques si le substrat choisi est à même de résister au contact d'agents de réaction utilisés au cours du traitement ultérieur, la présence de cette couche d'oxyde n'est pas nécessaire. L'étape suivante dans la mise en oeuvre de 10 l'invention consiste à déposer la couche capacitive. La couche capacitive désirée à ce stade est constituée de tantale bêta et son dépôt est réalisé par des techniques de vaporisation cathodique sous des tensions de l'ordre de 4.000 à 6.000 volts avec des densités de courant de l'ordre de 0,08 à 0^8 milliampère par 15 cm2, dans une ambiance d'argon contenant de 20 à 30 microns d'argon. L'épaisseur de la couche de tantale bêta peut commodémment se situer entre- 3-000 et 10.000 angjstroms, ces limites étant dictées par des considérations pratiques, par exemple, par la tension d'anodisation et par la résistance de base de l'électrode 20 capacitive. Dans l'optique de l'invention, l'épaisseur minimum de la couche de tantale bêta dépend de deux facteurs. Le premier de ces facteurs est l'épaisseur de métal qui doit être convertie en oxyde au cours de l'étape d'anodisation ultérieure. Le second facteur est l'épaisseur minimum de métal non oxydé subsistant 25 après 1'anodisation, cette couche devant être compatible avec la résistance maximum qui peut être tolérée dans l'électrode de tantale bêta. On a déterminé que l'épaisseur minimum préférée de la couche de tantale bêta était approximativement de 3.000 angstroms. comme noté ci-dessus. Il n'existe aucune limite maxi-30 muni à cette épaisseur5 bien que l'on puisse gagner un faible avantage en l'augmentant au-dessus de 10.000 angstroms. Il peut être utile,, su cours de la réaction de vaporisation,, de chauffer le gui à ime température de l'ordre de 20G à 400°C dans le but de prcuVMivoir une adhérence adéquate du tantale bêta à la sous-35 coucha d'oxyde et au substrat. La figure 1A est une vue en coupe transversale d'un substrat 11 sur lequel a été déposée une couche de tantale bêta 14» L'étape suivante du processus selon l'invention consiste à former par photogravure un motif dans la couche 14 70 16259 £ 2042411 en sorte d'éliminer complètement certainss de ses parties pour obtenir une fenêtre de résistance et une fente de capacité. L'une quelconque des procédures classiques bien cornues peut être utilisée pour atteindre ce but, l'agent de morsure étant choisi ty-5 piquement à base d'acide fluorhydrique. La figure 1B est une vue en coupe transversale de l'ensemble obtenu, montrant une fenêtre de résistance 15 et une fente de capacité 16, Les notations de référence 15 et 16 représentent les surfaces dont on à éliminé le tantale bêta par la technique de photogravure. 10 Ensuite, l'ensemble obtenu est anodisé dans le but de former une couche d'oxyde anodique qui jouera le rôle d'un arrêt de morsure pour protéger le tantale bêta de l'électrode de base de la capacité au ccurs des étapes de traitement ultérieures. Avant l'anodisation, il est nécessaire de masquer les 15 zones qu'il n'est pas nécessaire d'aruwLiser. Cette opération est commodémment réalisée à l'aide d'une zréserve appropriée, d'une graisse de masquage,, etc«0. L'étape d'anodisation elle-même peut être réalisée par une procédure classique quelconque couramment utilisée à cet effet, par exemple, une anodisation électrolytique, ^ etc..o,Comme exemples d'électrolytes préférés, on utilisera des 20 solutions aqueuse® d'acide oxalique, d'acide citrique, d'acide tartrique, etc. figure 1C est une vue en coupe transversale de la structure de la figure 1B, après anodisation d'une partie de la couche de tantale bêta 14 pour donner une couche de pento-xyde de tantale 17. Après 1'anodisation, le masque est retiré et 25 l'ensemble est nettoyé par des techniques de nettoyage classiques pour éliminer les agents de contamination et les résidus du masque. Puis, une couche de nitrure de tantale ]8 (figure 1B) est déposée sur la totalité de la structure représen-30 tée dans la figure 10. Ce but est atteint en procédant à une vaporisation réactive de tantale dans une ambiance contenant de l'asote sous des tensions de l'ordre de 3 à 7 kilovolts à des pressions partielles d'azote de l'ordre de 10-^ à 10"^ torr . Bans l'optique de l'invention, l'épaisseur minimum de la couche 35 ainsi déposée est d'environ 500 an gstroms. Il n'y a aucune limite maximum liée à cette épaisseur, bien que l'on gagne un faible avantage à augmenter cette épaisseur au-delà de 2000 angstroms „ Ensuite, une couche de contact conductrice est déposée sur la totalité de la structure représentée dans la ■* V 70 16259 5 2042411 figure 1B.. La couche de contact 19, représentée dans la figure 1E, constitue un conducteur de base dans le circuit pour les interconnexions et peut être formée d'une couche titane-or ou nichrome-or. Une fois encore, l'épaisseur de cette couche n'est 5 pas critique, les minima et les maxima étant dictés par des considérations pratiques» Une procédure donnée à titre d'exemple consiste à déposer une couche mince de nichrome ou de titane .d'une épaisseur de l'ordre de 100 à 500 angstroms, ce dépôt étant suivi par le dépôt d'une couche d'or d'une épaisseur de l'ordre 10 de 1000 à 10.000 argstroms. Ensuite, la couche de contact conductrice 19 est éliminée par morsure du dessus de la résistance en respectant le dessin de la fenêtre représentée dans la figure 1B et de dessus la capacité en respectant un dessin de fenêtre qui combine la zone anodisée illustrée dans la figure 1C et la zone 15 évidée de la figure 1B. La structure obtenue est représentée dans la figure 1F, les notations de référence 20 et 21 représentant les zones dont- on a éliminé la couche de contact conductrice 19. Cette étape de morsure est réalisée par une technique de morsure répétitive, qui consiste à masquer la couche de contact dans les 20 zones dans lesquelles on désire qu'elle soit màintenue et à immerger l'ensemble dans une solution d'iodure de potassium-iode, puis dans une solutionûlodure de potassium-eau dans le but d'éliminer l'or. Ensuite, la partie de titane de la couche de contact est éliminée par un agent de morsure approprié constitué typi-25 quement d'acide fluorhydrique dilué,cL'acide nitrique et d'eau» Le nichrome peut commodémment être éliminé par de l'acide chlor-hydrique. La structure est ensuite de nouveau masquée de manière appropriée et attaquée pour former le dessin résistif 30 désiré, en éliminant le nitrure de tantale des zones destinées à être de nature non conductrice. Ce but peut être commodémment atteint à l'aide d'une solution d'acide fluorhydrique, d'acide nitrique et d'eau à raison de 5:1:1. La structure obtenue est illustrée dans la figure 1G, les notations de référence 22 et 23 35 représentant les zones dont on a éliminé la couche de nitrure de tantale 1_8. A ce stade, la trace résistive est anodisée, l'autre partie du circuit étant masquée par une graisse ou une réserve photographique appropriée. L'anodisation peut être réali 70 16259 6 2042411 sée ëe la manière mentionnée ci-dessus en sorte d'obtenir une couche anodisée de nitrure de tantale 24 représentée dans la figure 1H« Cette anodisation peut être réalisée de telle manière que la valeur de la résistance à la fin du processus d'anodisa-5 tion soit moindre que celle que l'on désire obtenir finalement, une anodisation d'ajustement étant ensuite effectuée pour donner la valeur désirée. Ensuite, le masque est totalement retiré et les résistances ainsi produit® chauffées en présence d'air à des 10 températures de l'ordre de 250 à 400°C pendant une période de temps de 1 à 5 heures,stabilisant ainsi les couches de nitrure. La partie capacitive du circuit est ensuite re-anodisée, un masque approprié ayant été appliqué sur le restant du circuit. Une couche nichrome-or 25, représentée dans 15 la figure 11, est alors évaporée sur le substrat entier dans le but de constituer une contre-électrode pour la capacité et une couche conductrice. L'épaisseur de cette couche n'est pas critique, les minima et les maxima étant dictés par des considérations pratiques. Une procédure donnée à titre d'exemple permet-20 tant d'atteindre ce but consiste à déposer une couche de nichrome d'une épaisseur typique de l'ordre de 400 à 700 .angstroms ,suivie par le dépôt d'une couche d'or d'une épaisseur de l'ordre de 5.000 à 10.000 angstroms . Bien entendu, les spécialistes comprendront que d'autres matières de contact peuvent être substi-25 tuées à la couche nichrome-or dont il a été question ci-deruas, par exemple, de l'or, du palladium, du niobium, etc... L'étape suivante du processus selon l'invention consiste à éliminer par morsure la couche nichrome-or de la résistance et l'étape finale consiste à séparer les couches 30 conductrices des zones non conductrices du circuit, en définissant ainsi les contre-électrodes des capacités. Une fois encore, des procédures de masquage appropriées sont mises en oeuvre pour protéger les zones de nichrome-or que l'on désire retenir, la morsure de l'or étant réalisée au cours d'une opération séquen-35 tielleen utilisant des solutions dlalure de potassium-iode, cette opération étant suivie par des rinçages dans des solutions dïodure de potassium-eau de la manière décrite ci-dessus. De l'acide chlorhydrique chaud est ensuite utilisé pour éliminer la couche de nichromeLe tantale et le nitrure de tantale sont également attaqués à ce stade dans les zones non attaquées précédemment. 70 16259 T 2042411 La structure obtenue est illustrée dans la figure 1J, la notation de référence 26 désignant la zone où l'on a éliminé la couche nichrome-or de la résistance. Si cela s'avère nécessaire, la structure peut être ensuite soumise à une anodisation d'ajus-5 tage en utilisant des techniques d'anodisation classiques, telles que mentionnées ci-dessus. On se réfère à présent à un second exemple illustratif; il peut être souhaitable de fabriquer un circuit BEL conforme à la présente invention, dans lequel le constituant 10 résistif du circuit est déposé initialement. Il sera à présent question de cette procédure» Un substrat approprié portant une sous-couche d'oxyde du type décrit ci-dessus est choisi. Les spécialistes comprendront que les pratiques de traitement utilisées ci-dessus 15 sont identiques à celles utilisées dans la présente forme de réalisation! cependant, la séquence de traitement est modifiée. Ainsis la première étape consiste à présent à déposer une couche de nitrure de tantale sur la -totalité du substrat. La figure 2A est une vue en coupe transversale d'un 20 substrat 31 portant une couche vaporisée de nitrure de tantale 32. Après le dépôt de la couche de nitrure dé tantale, l'ensemble est soumis à une anodisation dans les zones destinées à être utilisées comme résistance.Ce but est atteint en revêtant le substrat d'un masque approprié^ tel qu'une réserve photographiques 25 et en procédant à une anodisation, comme décrit ci-dessus. La structure obtenue, contenant les couches anodisées 33, est représentée dans la figure 2B, Les couches 33 jouent le rôle d'arrêt de morsure, lorsque la couche de tantale bêta capacitive est éliminée de la trace résistive, comme décrit ci-dessous. 30 Après 1'anodisation, la structure représentée dans la figure 2B est traitée à chaud dans le but de stabiliser tiismilquement les résistances, comme mentionné précédemment. Sasiiits, la couche capacitive de tantale bêta 34 illustrée dans la figure 2C est déposée sur l'ensemble entier et une fente de 35 capacité y est gravée par morsure pour délimiter les bords de l'électrode de base de la capacité. La notation de référence 35 représente la zone de la fente de la capacité dans laquelle on a retiré le tantale bêta et le nitrure de tantale (figure 2F). Puis la surface de la structure de la figure 70 16259 8 2042411 2D destinée à être utilisée comme capacité est anodisée après avoir disposé un masque approprié sur les zones qus 1'on désire maintenir à 11 état non anodisé. De nouveau, l'étape d'anodisation utilisée peut être choisie parmi n'importe quel procédé de la 5 technique antérieure mettant en oeuvre un électrolyte tel que de l'acide citrique, de l'acide oxalique ou de l'acide tartrique. La figure 2E est une vue en coups transversale de la structure de la figure 2B après anodisation dsune partie de la couche de tantale bêta 34 pour donner une couche de pentoxyde de tantale 36. 10 Après anodisation, le masque est retiré et l'ensemble est nettoyé dans le but d'éliminer les résidus du masque. Ensuite.une couche de contact conductrice 37» représentée dans la figure 2F, constituée soit de nichrome-or, soit de chrome-or, soit de titaae-or est déposée sur la totalité 15 de la structure par des techniques d'évaporation classiques, le choix d'une couche particulière dépendant du caractère critique des propriétés capacitiveso Gemme indiqué précédemment, le nichrome est général préféré, car il permet d'obtenir de manière caractéris-20 tique des propriétés capacitives meilleures» Tout ce qui reste à faire à ce stade est de former par morsure les contre-électrodes capacitives et les conducteurs GKL a peut être commodémment réalisé de la manière décrite ci-dessus en se référant aux couches de nichrome-or ou de titane-25 or, au tantale bita et au nitrure de tantale. Enfin, la structure gravée est masquée et les résistances sont ajustées par anodisation pour obtenir la structure représentée dans la figure 2G-. Bien entendu les spécialistes comprendront que les exemples illustratifs donnés ci-dessus décrivent deux proces-30 sus intégraux équivalents qui combinent -une série d'expédients dans le but d'obtenir un nouveau résultat» Un exemple de la présente invention est décrit en détail ci-dessous. L'exemple et les illustrations qui sont données ci-dessus ne sont englobés dans le présent mémoire que par 3^ souci de faire comprendre l'invention et des variantes peuvent être réalisées sans sortir du cadre de l'invention. EXEMPLE Un porte-objet en verre de microscope d'une largeur approximative de 38 mm et d'une longueur de 76 mm, sur 70 16259 9 2042411 lequel a été déposée une couche de pentoxyde de tantale d'une épaisseur de l'ordre de 1=500 angstroms, a été choisi à titre de substrat. Le substrat a été nettoyé par voie ultrasonique par "Âlconox" et rincé à l'eau courante. Ensuite, il a été disposé 5 dans du peroxyde d'hydrogène bouillant, puis rincé dans de l'eau distillée, ces opérations étant suivies par un autre rinçage par écoulement d'eau désionisée distillée. Le substrat a été easmite séché par soufflage dans de l'azote et soumis à . cuisson darrpi un four à 550°C pendant 30 minutes. 10 Le substrat a été ensuite disposé dans une chambre de vaporisation et la chambre a été soumise, par l'intermédiaire d'une pompe primaire et d'une pompé à diffusion d'huile, à une pression d'environ 1 x 10~® torr . Ensuite, le substrat a été chauffé à une température d'environ 400°C et, à ce stade, 15 de l'argon a été admis dans la chambre sous une pression d'environ 20 microns de Hg. Une tension de courant continu de 4.000 volts a été ensuite .appliquée entre la cathode et l'anode avec une densité de courant de l'ordre de 0,47 milliampère par cm2,la cathode étant constituée d'un disque de tantale circulaire de 1 mm 20 d'épaisseur et 35,6 cm de diamètre,de pureté élevée. La vaporisation a été réalisée pendant environ 45 minutes, entraînant la -formation d'-une couche de tantale bêta d'une épaisseur de 5.000 angstroms. Ensuite, une réserve photosensible a été ap-25 pliquée sur le tantale bêta et le traitement a été réalisé conformément à des techniques de photogravure classiques dans le but de découper par morsure une fenêtre de résistance et une fente de capacité, l'agent de morsure étant constitué d'une solution 5:1:1 d'acide fluorhydrique, d'acide nitrique et d'eau. Puis on on a procédé à 1'anodisation de l'ensemble dans une solution d'acide ■ . d'une , nitrique et d'eau a 0,01fe, sous l'action d'ton courant/densite de l'ordre de 1. milliampère par cm2 jusqu'à environ 90$ de la tension d'anodisation désirée finale, les zones non destinées à être anodisées ayant été masquées de manière appropriée. Après anodisa-35 tion, la structure a été nettoyée sans la soumettre au feu, comme décrit ci-dessus. Ensuite, l'ensemble a été de nouveau disposé dans un appareil de vaporisation et la chambre a été soumise à un vide de 5 x 10-^ torr . Après avoir atteint ce vide, de l'azote 70 16259 10 2042411 a été admis dans la chambre sous une pression partielle d'envi-ron 6 x 10 ' torr „ Et une fois que l'on a obtenu 1'équilibre, de l'argon a été admis sous une pression d'environ 12 microns de Hg. La vaporisation a été réalisée en appliquant une tension de 5 6.600 volts de courant continu entre la cathode et l'anode avec un courant d'environ 250 milliampères. La vaporisation a été réalisée pendant une période de temps suffisante pour obtenir une couche de nitrure de tantale de 1000 angstroms d'épaisseur. Après dépôt de la couche de nitrure de tantale, 10 l'ensemble a été disposé dans un appareil d'évaporation sous vide et une couche de 500 angptroms de titane a été déposée,suivie par une couche de 500 angstroms d'or. Ensuite, la couche de titane-or obtenue a été éliminée par morsure de la trace résistive et du motif capacitif en masquant les zones où l'on désirait la re-15 tenir à l'aide d'une graisse appropriée et en immergeant la structure dans une solution d'iodure de potassium -iode pendant 30 minutes, cette immersion étant suivie par un rinçage dans une solution d'iodure de potassium et d'eau et le cycle étant répété jusqu'à ce l'or ait été éliminé, comme on pouvait l'observer 20 visuellement. Le titane a été éliminé par morsure dans une solution 1:1:20 d'acide fluorhydrique, d'acide nitrique et d'eau. A ce stade, la structure a été de nouveau masquée et soumise à morsure dans une solution 5:1:1 d'acide fluorhydrique, d'acide nitrique et d'eau dans le but de délimiter 25 le motif résistif. Ensuite, la trace résistive a été anodisée dans une solution d'acide citrique et d'eau à 0,01$ jusqu'à une valeur inférieure à celle désirée finalement et la résistance a été stabilisée par chauffage à l'air pendant une heure à 400°C. 30 L'étape suivante a consisté à re-anodiser la capacité dans une solution d'acide citrique à 0,01$ sous une tension totale pendant une heure avec une densité de courant de 1 milliampère par cm2. Puis, une couche de nichrome d'une épaisseur de 500 angstroms a été évaporée pour constituer une contre-électrode de capacité 35 et former un contact entre cette dernière et le restant du circuit, et 500 angstroms d'or ont été évaporés sur cette couche par des techniques ;d'évaporation sous vide classiques. Ensuite, la couche de nichrome-or a été éliminée par morsure de la résistance dans une solution d'iodure de potassium et d'iode, cette 70 16259 h 2042411 opération étant suivie par un traitement à l'acide chlorhydrique chaud (pour le nichrome) ; le conducteur et ia contre-électrode ont été engendrés en soumettant /la morsure et en séquence les couches d'or-nicfcrom®, d'or-titane, de nitrure de tantale et de tantale. Les zones résistives étaient masquées au cours de la séquence de morsure pour les protéger. Enfin, les résistances ont été anodisées dans de l'acide citrique en sorte de les ajuster à la valeur désirée. Le terme "nichrome", tel qu'on l'utilise dans le présent mémoire, définit une gamme d'alliages de nickel et âe chrome contenant de 40 à 8cfo, en poids, de nickel, le restant étant du chrome. Bien entendu, diverses modifications peuvent âtre apportées par l'homme de l'art aux procédés et aux dispositifs qui viennent d'être- décrits uniquement à titre d'exemples « non limitatifs sans sortir du cadre de 1'invention» 70 16259 12 2042411 REVENDICATIONS 1.- Procédé de fabrication d'un réseau ES dis tinct à couches minces, ce procédé consistant g 5 - (a) à déposer une couche de nitrure de tan tale sur un substrat, à anodiser cette couche de nitrure dè tantale en sorte âe~former une couche d'oxyde anodique et àrstabiliser les couches obtenues; (b)à déposer une oouahe de tantale bêta sur 10 un substrat, à anodiser cette coucha fi® tantale bêta et à déposer une électrode de contact par dessus la couche anodisée; et (c) à connecter les ensembles formés dans les étapes (a) et (b), ce procédé sisat caractérisé par la production du réseau EC par l'une quelconque des séries suivantes 15 d'étapes au lieu des étapes (a), (b) et :(c) ; ï.-dépôt d'une couche de nitrure de tantale s&r un substrat; ; ' - anodisation d'une partie de la coucli© de nitrure de tantale précitée dans les zones destinées à être uti-20 lisées comme résistances, en sorte de former dans ces zones une coucèe d'oxyde anodique; dépôt d'une couche de tantale bêta sur la totalité de la structure obtenue, y compris sur la couche d'oxyde anodique précitée ; 25 anodisation d'une partie de la couche de tantale bêta dans les zones destinées à être utilisées comme capacité; dépôt d'une électrode de contact par des-cl© sus la tojtalijjé de la couche/tantale bêta précitée, y compris 30 sur sa partie anodisée; et formation d'un schéma conducteur et capacitif dans l'ensemble précipité; ou - II.-dépôt d'une couche de tantale bêta sur un substrats . 35 formation d'une fenêtre de résistance et d'une fente de capacité dans la couche de tantale bêta; • • / ••■ ' anodisation de la couche de taâtale bêta dans les zones destinées à être utilisées à titre de capacité; dépôt d'une couche de nitrure de tan-talé sur là totalité de l'ansemble obtenu; 70 16259 13 2042411 dépôt d'une couche d'une électrode de contact sur la couche de nitrure de .taiiiale^préidtée: ' ; - » i ' î retrait de l'électrode de contact dans les zones destinées à être utilisées comme résistanceset comme capacités} retrait de la couche de nitrure de tantale sous-jacente des zones capacitives ainsi que pour former le schéma résistif; anodisation et stabilisation des zones résistives exposées obtenues; ré-anodisation de la zone capacitive; dépôt d'une électrode de contact sur la totalité de l'ensemble; et retrait de l'électrode de contact de la résistance et retrait de toutes les couches minces des zones non conductrices de la structure obtenue, en sorte de délimiter ainsi la contre-électrode de la capacité. 2.- Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que l'on dépose les couches de nitrure dé tantale et de tantale bêta par des" techniques de vaporisation cathodique. 3.- Procédé suivant l'une ou l'autre des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que l'électrode de contact précitée est constituée de nichrome-or. 4.- Réseau RC distinct à couches minces, caractérisé en ce qu'il est produit par le processus selon l'une quelconque des revendications précédentes.