FR 2045802 A1 19710305 FR 7020233 A 19700602 70 20233 i 2045802 L»invèntion est relative à des dispositifs à effet tunnel à couchés minces et à un procédé.pour leur élaboration. Selon une de ses caractéristiques plus particulière, l'invention est relative à des dispositifs à couches minces dans lesquels le 5 cour.ant d'effet tunnel, qui s'écoule entre les bords de deux électrodes placées très près l'une de l'autre, est commandé par un signal appliqué à une matière présentant une largeur de bande, relativement étroite, par exemple un semi-conducteur, en contact électrique avec les électrodes d'effet tunnel, entre lesquelles 10 elle est disposée. Des dispositifs à effet tunnel à haute mobilité conformes à l'invention peuvent être fabriqués par dépôt sous vide de la couche de semi-corïducteur le long d'un bord découvert des électrodes d'effet tunnel à proximité immédiate des électrodes produisant effectivement une caractéristique électri-15 que monocristalline dans la couche polycristalline ou amorphe de semi-conducteur déposée. Des dispositifs à couches minces utilisant l'effet tunnel, de la mécanique quantique, sur des porteurs de charge élémentaires, ont jusqu'à présent été caractérisés par une struc-20 ture laminaire métal-isolant-métal, dans laquelle le courant d'effet tunnel s'écoule à travers l'isolant maintenant écartées les électrodes de métal. Des structures donnant lieu à l'effet tunnel du type mentionné précédemment (avec et sans couche intermédiaire de sulfure de cadmium entre les électrodes) ont aussi 25, été formées sur des supports semi-conducteurs monocristallins afin de permettre aux signaux électriques appliqués entre les électrodes métalliques d'apparaître sous forme amplifiée à une borne de sortie reliée au support. Dans ces dispositifs, toutefois, un fort pourcentage du courant d'effet tunnel est détourné 30 vers les électrodes de commande situées sur le support semiconducteur et la baute mobilité n'est obtenue qu'avec des supports semi-conducteurs monocristallins. Un autre dispositif d'amplification à couches minces utilise deux électrodes déposées sur un support semi-conducteur 35 monocristallin, lequel support fournit une barrière à l'écoulement de courant entre les deux électrodes. Une mince couche d'oxyde sert à maintenir écartées et à isoler les deux électrodes qui se recouvrent légèrement et, après application d'une différence de potentiel appropriée entre les deux électrodes, la bar-40 rière opposée à l'écoulement de courant dans les supports dispa 70 20233 2 2045802 raît sur le bord de l'une des électrodes pour émettre dans le support des électrons destinés à être collectés par un collecteur polarisé électriquement en contact avec le support. Le courant de collecteur dans le dispositif amplificateur, toutefois, 5 est obtenu par effet Schottky classique, alors que la commande de courant est obtenue par constriction du canal d'écoulement de courant sur les bords de 18électrode disposée sur le support. Bien que du courant d'effet tunnel puisse s'écouler entre les parties qui recouvrent des électrodes adjacentes, à savoir 10 l'émetteur et la base, cet écoulement de courant d'effet tunnel est sujet aux inconvénients exposés ci-dessus résultant de la structure laminaire du support métal-oxyde-métal semi-conducteur. D'une manière analogue, les transistors à couches minces à effet de champ classiques ont jusqu'à présent été caractérisés 15 par une couche semi-conductrice déposée sur une source métallique disposée à une certaine distance et par des électrodes de prélèvement du courant utile disposées sur un support isolant. La partie de couche semi-conductrice située entre la source et les électrodes de prélèvement est ensuite succèssiventent recouverte 20 d'un isolant et d'une électrode de commande, afin de permettre de commander l'écoulement de courant entre la source et les électrodes de prélèvement par un potentiel appliqué à l'électrode de commande. L'espacement ménagé entre la source et les électrodes de prélèvement, toutefois, est en général de l'ordre de quelques 25 microns et le transport de courant à l'intérieur de la couche semi-conductrice est obtenu par émission Schottky. De plus, pour obtenir une mobilité satisfaisante des porteurs de charge à l'intérieur de la couche semi-conductrice, cette couche doit être préparée par croissance épitaxiale afin d'offrir à l'écoulement 30 de coûtant une orientation monocristalline. Les buts visés par l'invention sont, d'une manière générale, obtenus au moyen d'un dispositif à structure laminaire constitué par des couches minces, par une première et une seconde électrodes en couches métalliques maintenues écartées par 35 une nappe isolante d'une matière ayant une.largeur de bande suffisamment grande pour annihiler essentiellement tout écoulement d'électrons entre les électrodes. Une couche isolante ayant une énergie d'extraction suffisamment faible relativement aux électrodes pour transporter essentiellement la totalité de l'écoule-40 ment entre les électrodes qui contourne la nappe isolante, 70 20233 3 2045802 tandis que la mince épaisseur de la nappe isolante à grande lar- O geur de bande, par exemple 50-500 À permet d'obtenir l'écoulement dans la couche isolante de contournement, par effet de tunnel de la mécanique quantique, lorsqu'on applique un potentiel approprié 5 aux électrodes disposées à une certaine distance l'une de l'autre. Une électrode de commande ayant une énergie d'extraction grande par rapport à la couche isolante est reliée électriquement à la couche isolante et des moyens sont prévus pour commander l'écoulement du courant d'effet tunnel à travers la couche isolante, par 10 application d'un signal électrique approprié à l'électrode de commande, afin de modifier le canal d'écoulement entre les électrodes d'effet tunnel. Par suite de l'épaisseur extrêmement mince de la nappe isolante située entre les électrodes d'effet tunnel, la couche 15 isolante interconnectant les électrodes agit comme une structure monocristal'line pour faire s'écouler les porteurs de charge entre les électrodes malgré la structure amorphe ou polycristalline de la couche isolante. Dans ces conditions, la couche isolante peut être formée par un dépôt classique, à partir de vapeur, de semi-2 0 conducteur sur un bord découvert,exposé à cette vapeur, de la structure laminaire, contrairement aux dispositifs classiques à éléments à l'état solide, qui demandent à être préparés par croissance épitaxiale de la couche semi-conductrice pour obtenir une grande mobilité des porteurs de charge. 25 D'autres buts: caractéristiques et avantages de l'inven tion ressortent de la description ci-dessous, effectuée en se référant aux dessins annexés dans lesquels : - la figure 1 est un schéma synoptique résumant le procédé conforme à 1'invention, 30 - les figures 2_a à 2_f illustrent les phases successives de fabrication d'un dispositif à couches minces à effet tunnel conforme à 1'invention et - la figure 3 est une perspective isométrique d'une variante de dispositif à effet tunnel conforme à l'invention. 35 Le procédé de préparation d'un dispositif à effet tun nel conforme à l'invention est illustré par les figures 1 et 2a. à 2f ; il comporte initialement le dépôt sous vide d'une électrode métallique 10 sur un support isolant 12 préalablement préparé., de manière classique, pour'recevoir ce dépôt, c'est-à-dire lavé dans 40 un détergent, rincé dans de l'eau désionisée et séché. XI est 70 20233 4 2045802 souhaitable que l'électrode 10 soit en un métal ayant une énergie d'extraction faible par rapport à la couche semi-conductrice qui doit être ensuite déposée (ainsi qu'on l'expliquera plus en détail ci-après) et il est avantageux d'utiliser un métal tel que l'in-5 dium, l'étain ou l'aluminium, déposé sous une épaisseur de, par O exemple, 1.000 A. Bien qu'on puisse employer n'importe quelle technique pour la préparation de l'électrode 10, le dépôt sous vide du métal choisi, sous une pression comprise entre 1 x 10"^ —6 N et 1 x 10 Torr convient particulièrement bien. 10 Après dépôt de l'électrode 10 sur lé support 12, on dépose successivement sous vide sur celle-ci une nappe isolante 14 et une contre-électrode 16 pour constituer une structure laminaire 18. La nappe isolante 14 est réalisée de préférence en une matière ayant une grande largeur de bande pour annihiler l'écoule-15 ment de courant entre les électrodes 10 et 16 à travers la nappe isolante. Parmi les matières convenant le mieux dans ce but, on compte l'oxyde d'aluminium de grande pureté, le monoxyde de silicium, ou le dioxyde de silicium, dont on évapore sous vide des boulettes, de pureté spectroscopique, à des pressions d'environ 20 1 x 10~6 Torr convenant en général au dépôt de la nappe isolante sur l'électrode 10. Il est souhaitable que la nappe isolante choi- O • sie soit déposée sous une épaisseur dépassant 50 A afin d'empêcher le courant d'effet tunnel de s'écouler à travers la nappe isolante 14 au cours du fonctionnement, tandis que l'épaisseur maximale de O 25 la nappe isolante devrait être inférieure à 500 A afin de permettre l'effet de tunnel des porteurs de charge à travers une matière à largeur de bande relativement étroite, qui doit être déposée ensuite, par exemple un semi-conducteur, assurant une dérivation électrique contournant la nappe isolante. 30 La contre-électrode 16 est normalement faite en un métal à énergie d'extraction basse, identique à celui utilisé pour l'électrode 10, c'est-à-dire de l'indium, de l'étain, de l'aluminium etc. et est avantageusement déposée sous une épaisseur d'environ O 1.000 A . On peut toutefois, si on le désire, employer n'importe 35 quelle autre épaisseur d'électrode pourvu que l'électrode soit électriquement continue et d'une épaisseur suffisante pour transporter, à travers elle, l'écoulement de courant d'effet tunnel désiré. Après préparation de la structure laminaire 18, au 40 moins une partie de 1'un des bords de cette structure est enlevée 70 20233 5 2045802 par voie mécanique, par exemple découpée avec une lame de couteau, afin de découvrir chaque couche.formant la structure laminaire, après quoi une couche 20, par exemple de sulfure de cadmium, est déposée sous une épaisseur d'environ 0,05 mm sur le bord ainsi 5 découvert de la structure laminaire. En général, la couche 20 peut être de n'importe quelle matière non métallique caractérisée par une faible énergie d'extraction avec les électrodes de métal 10 et 16 par rapport à celle des électrodes de métal avec la couche isolante 14 et peut ainsi être constituée par des isolants de 10 conductivité relativement grande, tels que le sulfure de cadmium, le sulfure de plomb, le germanium, le silicium et autres matières semi-conductrices, aussi bien que par des isolants plus classiques tels que l'oxyde de zinc ou l'oxyde de plomb dopé jusqu'à une ré- —3 10 sistivité comprise entre 10 et 10 ohm-cm. Par exemple, pour 15 une couche isolante 14 ayant une énergie d'extraction de l'ordre de 3 à 4 eV par rapport aux électrodes 10 et 16, la couche 20 peut être caractérisée par une énergie d'extraction d'environ 0,5 eV par rapport aux électrodes, afin de rendre maximal l'écoulement de courant entre les électrodes au sein de la couche 20. 20 II est souhaitable que 1?énergie d'extraction de la nappe 14 par rapport aux électrodes métalliques 10 et 16 soit approximativement au moins double de L'énergie d'extraction des électrodes métalliques par rapport à la couche 20 afin d'assurer qu'au moins 70 % de l'écoulement de courant entre les électrodes passe entre les 25 bords des électrodes à travers la couche 20. Par suite de la proximité mutuelle immédiate des électrodes formant la structure laminaire 18, la nappe isolante 14 maintenant écartées les électrodes est de préférence d'une épais- O -A seur comprise entre 50 et 200 A, bien que des épaisseurs de couche O 30 isolante telles que 500 A puissent tout aussi bien être utilisées avec des matières semi-conductrices telles que le sulfure de cadmium et le sulfure de plomb présentant une concentration de 17 3 porteurs de charges libres de 10 . porteurs/cm , on observe une mobilité élevée dans 1'écoulement de courant d'effet tunnel à 35 travers la couche 20, malgré la structure amorphe ou polycristal- line de la couche. Dans"ces conditions, il n'est pas nécessaire de faire appel à la croissance épitaxiale d'un semi-conducteur et la couche 20 peut avantageusement être préparée par évaporation de —5 -6 sulfure de cadmium dans'un vide d'environ 1 x 10 à 1 x 10~ Torr. 40 Afin d'assurer un excellent contact électrique entre le semi 70 20233 6 2045802 conducteur déposé et les électrodes métalliques constituant la structure laminaire 18, le Creuset d'évaporation (non représenté sur les figures) est de préférence placé sur le côté de la structure laminaire au voisinage immédiat du bord enlevé plutôt que 5 directement en dessous de la structure laminaire. Ainsi, une ligne idéale tracée entre le centre de la structure laminaire 18 et le centre du creuset d 'évaporation de la couche 20 forme un angle compris entre 60° et 12,5° avec les plans des électrodes 10 et 16. A la suite du dépôt de la couche 20, une électrode de 10 commande 22 est déposée sur la face de la couche 20 opposée à la structure laminaire 18 pour régler le courant d'effet tunnel traversant la couche 20. Il est souhaitable que l'électrode de commande 22 soit en un métal, par exemple en platine, en or, etc., ayant une énergie d'extraction relativement élevée par rapport à 15 la couche 20 pour empêcher l'écoulement d'électrons de l'électrode de commande à la couche semi-conductrice adjacente. Afin d'assurer un excellent recouvrement du bord de la structure laminaire, -la source de l'électrode de commande est disposée, à l'intérieur de la chambre d'évaporation sous vidé, en un emplacement immédiatement 20 voisin, ou au mène emplacement, que celui de la source de la couche 20 et il est avantageux d'effectuer 1'évaporation à une pres-—5 sion de 5 x 10 Torr. Après le dépôt de l'électrode de commande, des conducteurs 24, 26 et 28 sont reliés électriquement respectivement aux électrodes 10, 16 et 22, par des techniques appropriées, 25 par exemple par soudage ou compression à chaud, afin de permettre l'application de tensions de polarisation à la structure laminaire. Pour le fonctionnement du dispositif, on connecte une source de tension 30, d'environ 0,1 volt, entre l'électrode 10 30 et la contre-électrode 16, afin de produire un écoulement de courant d'effet tunnel 32 des bords des électrodes à travers la couche 20, tandis que l'écoulement de courant à travers la nappe isolante 14 est empêché par la grande largeur de bande de la couche isolante. Lorsqu'on applique une source de tension de comman— 35 de variable 34 d'environ 1,0 à 0,1 volt entre l'électrode de commande 22 et l'électrode 10, les surfaces équipotentielles 36 pénètrent plus ou moins à l'intérieur de la couche 20 pour assurer une constriction ou une augmentation de l'écoulement de courant d'effet tunnel, en fonction de la grandeur et de la polarité de 40 la tension de commande qui est appliquée. 70 20233 7 2045802 Une variante de structure 38 à couches minces à effet tunnel, conforme à l'invention est représentée sur la figure 3 ; d'une manière générale, elle est constituée par une structure laminaire dont l'électrode de commande 40 est disposée au centre 5 entre les électrodes d'effet tunnel 42 et 44. La structure 38 est analogue à la structure laminaire 18 de la figure 1, à l'exception de la position de l'électrode de commande 40 et est caractérisée par deux électrodes métalliques d'effet tunnel 4'2 et 44 ayant une énergie d'extraction faible, par exemple 0,5 eV, par rapport à 10 une couche semi-conductrice 46, de sulfure de cadmium par exemple, disposée en contact électrique avec chacune des couches de la structure laminaire le long d'un bord découvert de celle-ci. L'électrode 40 est réalisée en une matière, par exemple.du platine ou de l'or, ayant une énergie d'extraction élevée, par exem-15 pie 1,5 eV, ou plus élevée, pour les porteurs de charge à surmonter qui doivent être injectés dans la couche semi-conductrice 46 et est électriquement isolée des électrodes d'effet tunnel 42 et 44 respectivement par des nappes isolantes 48 et 50 ayant une largeur de bande suffisamment grande, par exemple 3 eV, pour annihi-20 1er essentiellement tout écoulement de courant des électrodes d'effet tunnel- à l'électrode de commande. Au point de vue de la construction du dispositif, les électrodes 42 - et 44 peuvent être de n'importe quelle épaisseur, O par exemple environ 1.000 A, tandis que la dimension maximale 2 5 d'ensemble de l'électrode de commande 40 et des nappes isolantes 48 et 50 doit être inférieure à la dimension totale permettant au courant d'effet tunnel de s'écouler entre les électrodes 42 et 44 à travers la couche semi-conductrice 46. Dans ces conditions, pour une couche semi-conductrice de sulfure de cadmium présentant une 30 dimension maximale, pour le courant d'effet tunnel, d'environ O 500 A, l'électrode de commande 40, de manière optimale, a une O épaisseur d'environ 200 A, les nappes isolantes 48 et 50 ayant O chacune une épaisseur d'environ 100 A. Par suite de la grande largeur de bande des nappes isolantes 48 35 et 50, l'écoulement de porteurs de charges entre les électrodes 42 et 44 à travers les nappes isolantes est dans son ensemble empêché. Pour limiter encore l'écoulement de porteurs de charges à travers les nappes isolantes, toutefois, la largeur W des électrodes devrait être réduite au minimum, par exemple à environ 10 microns, 40 réduisant ainsi la capacité entre les électrodes 42 et 44 et aug 70 20233 B 2045802 mentant la vitesse de commutation de la structure à effet tunnel. La structure 38 peut être fabriquée par dépôts successifs à partir de vapeurs, pour la formation de l'électrode 42, de la nappe isolante 48, de l'électrode de commande 40, de la nappe iso-5 lante 50 et de l'électrode 44, ces vapeurs étant issues de creusets placés directement en dessous du support isolant 52 sur lequel on effectue ces dépôts. Le bord de la structure est ensuite enlevé par voie mécanique, par exemple au moyen de la lame d'un couteau ou par enlèvement d'un second support, (non représenté 10 sur les figures), masquant une partie de support 52, afin de découvrir chacune des couches de la structure laminée ; ensuite une matière semi-conductrice, telle que du sulfure de cadmium, est évaporée à partir d'un creuset placé sur le côté du bord découvert de la structure laminaire de manière à assurer un excellent con-15 tact électrique entre la couche semi-conductrice déposée 46 et chacune des couches constituant la structure 38. Bien que le sulfure de cadmium déposé à partir de la vapeur présente, d'une manière caractéristique, une structure polycristalline, d'autres matières telles que du germanium présentant une structure amorphe 20 lorsqu'elles sont déposées sur un support non chauffé peuvent également être utilisées pour la formation de structures à effet tunnel, conformes à l'invention, à proximité immédiate des électrodes 42 et 44 par suite de la mise en oeuvre, dans la structure 38, d'une configuration en couches laminaires, produisant une mobi-25 lité élevée de l'écoulement de porteurs de charges à travers la couche semi-conductrice 46 malgré la nature polycristalline ou amorphe de la couche. Il y a lieu de remarquer que les nappes isolantes séparant les électrodes peuvent aussi être formées par oxydation de la surface d'une électrode, lorsque l'électrode est 30 réalisée en un métal, par exemple l'aluminium, qui est facilement oxydable. Le fonctionnement du dispositif à effet tunnel 38 est analogue à celui du dispositif représenté sur la figure 1 avec une tension appliquée de 0,1 à 1 volt fournie par une source 54 35 connectée entre les électrodes 42 et 44, produisant un écoulement de courant d'effet tunnel 56 à travers une couche semi-conductrice amorphe ou polycristalline 46. Une source de tension de commande 58 variable avec le temps, dé 0,1 à 1 volt, est ensuite appliquée entre l'électrode de commande 40 et l'électrode 44 pour former 40 des surfaces équipotentielles 60 à l'intérieur de la couche semi- 70 20233 9 2045802 conductrice, afin de régler l'écoulement de courant d'effet tunnel la traversant, tandis que l'écoulement de courant allant de l'électrode de commande à l'intérieur de la couche semi-conductrice est annihilé par l'énergie d'extraction, relativement grande, de 5 l'électrode de commande par rapport à la couche semi-conductrice. Comme il va de soi et comme il résulte d'ailleurs déjà de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à ceux de ses modes d'application, non plus qu'à ceux des modes de réalisation de ses diverses parties, ayant été plus spécialement indiqués; 10 elle en embrasse^ au contraire, toutes les variantes. 70 20233 10 2045802 REVENDICATIONS 1. Dispositif à couches minces comprenant une première et une seconde électrodes, et une nappe isolante disposée entre ces électrodes, caractérisé en ce que cette nappe isolante présente 5 une largeur de bande suffisamment grande pour annihiler essentiellement l'écoulement de courant entre les électrodes précitées à travers la nappe isolante, une couche isolante étant disposée en dérivation par rapport à cette nappe isolante et interconnectant la première et la seconde électrodes, cette couche isolante 10 présentant une énergie d'extraction suffisamment faible par rapport aux électrodes pour transporter essentiellement la totalité de l'écoulement de courant entre ces électrodes, le canal d'écoulement entre ces électrodes à travers la couche isolante précitée étant suffisamment faible pour permettre un écoulement de courant 15 par effet tunnel de la mécanique quantique sous l'action d'une tension appropriée appliquée entre les électrodes, des moyens étant prévus pour appliquer-cette tension entre les électrodes précitées, une électrode de commande étant reliée électriquement à la couche isolante et des moyens étant prévus pour appliquer 20 un signal électrique sur cette électrode de commande pour moduler l'écoulement de courant d'effet tunnel entre la première et la seconde électrodes. 2. Dispositif à couches minces selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première et la seconde électrodes et la 25 nappe isolante forment une structure laminaire, au moins l'un des bords de cette structure étant découvert suivant un plan disposé en formant un certain angle relativement aux plans des électrodes pour découvrir les couches composantes de la structure laminaire et que la couche isolante est déposée sur ce bord ainsi découvert 30 pour interconnecter la première et la seconde électrodes. 3. Dispositif à couches minces selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche isolante a une structure amorphe. 4. Dispositif à couches minces selon la revendication 2, caractérisé en ce que la nappe isolante a une épaisseur comprise O 35 entre 50 et 500 A et que l'électrode de commande est en une matière présentant une énergie d'extraction par rapport à la couche isolante destinée à annihiler essentiellement l'écoulement de courant entre elles, une électrode de commande étant disposée suivant la face de la couche isolante située à l'opposé du bord dé— 40 couvert de la structure laminaire. 70 20233 ii 2045802 5. Dispositif à couches minces selon la revendication 4, caractérisé en ce que la. première et la seconde électrodes sont en des métaux, présentant une faible énergie d'extraction, choisis dans le groupe constitué par l'indium, l'étain et l'aluminium, 5 que la nappe isolante est en un oxyde ou en un métal choisi dans le groupe constitué par l'aluminium et le silicium, que la couche isolante est semi-conductrice et choisie dans le groupe constitué par le sulfure de cadmium, l'e sulfure de plomb, le germanium et le silicium, et que l'électrode de commande est en un métal choisi 10 dans le groupe constitué par l'or et le platine. 6. Dispositif à couches minces selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'électrode de commande est disposée au milieu de la structure laminaire, en un emplacement isolé de la première et de la seconde électrodes par la nappe isolante, cette 15 électrode de commande ayant une énergie d'extraction par rapport à la couche'isolante essentiellement supérieure à l'énergie d'extraction de ladite couche isolante par rapport à la première et à la seconde électrodes. 7. Dispositif à couches minces selon la revendication 6, 20 caractérisé en ce que les électrodes précitées sont en des métaux choisis dans le groupe constitué par l'indium, l'étain et l'aluminium, que la nappe isolante est en un oxyde d'un métal choisi dans le groupe constitué par l'aluminium et le silicium, que la couche isolante est semi-conductrice en une matière choisie dans le grou-2 5 pe constitué par le sulfure de cadmium, le sulfure de plomb, le germanium et le silicium et que l'électrode de commande est en uri métal choisi dans le groupe constitué par l'or et le platine. 8. Procédé de préparation d'un dispositif à couches minces selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte les 30 phases opératoires suivantes : dépôt sous vide d'une électrode métallique sur un support diélectrique,formation d'une nappe iso- O lante de 50 à 500 A d'épaisseur sur cette électrode métallique, dépôt sous vide d'une contre-électrode métallique sur cette nappe isolante pour former une structure laminaire métal-isolant-métal, 35 découvrement d'au moins un des bords de cette structure laminaire suivant un plan formant -un certain angle avec les plans des électrodes précitées, dépôt sous vide d'une couche de matière semi-conductrice sur ce bord ainsi découpé, cette matière semi-conductrice ayant une' énergie d'extraction faible par rapport aux 40 électrodes de la structure laminaire pour permettre un effet tunnel 70 20233 12 2045802 de la mécanique quantique sur les porteurs de charges entre ces électrodes à travers la matière semi-conductrice et dépôt d'une électrode de métal sur cette couche semi-conductrice. 9. Procédé de préparation d'un dispositif à couches minces 5 selon la revendication 8, caractérisé en ce que le bord de la structure laminaire est découvert en plaçant un second support sur une partie du support diélectrique précité, avant de déposer les éléments de cette structure laminaire et en enlevant ensuite ce second support après avoir déposé les éléments de cette struc-10 ture laminaire, pour découvrir le bord de ladite structure. 10. Procédé de préparation d'un dispositif à couches minces selon la revendication 9, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice est déposée sous vide à partir d'une source disposée en un emplacement situé sur le côté du bord découvert de la 15 structure laminaire* 11. Procédé de préparation d'un dispositif à couches minces selon la revendication 10, caractérisé en ce que le bord est découvert après découpage de la structure laminaire le long d'un plan normal aux plans des électrodes constituant la structure 20 laminaire.