FR 2053024 A1 19710416 FR 7023473 A 19700625 70 23473 1 2053024 L'invention concerne la xérographie, et plus particulièrement, une nouvelle méthode de fabrication d'une composition et d'un dispositif photoconducteurs. Le principe de la xérographie a été au départ, décrit 5 par Carlson dans le brevet U.S. n° 2.297.691 et a été encore amplifié et décrit dans de nombreux brevets concernant ce domaine. La découverte des propriétés isolantes photoconductrices du sélénium vitreux fortement purifié a fait que cette matière est devenue classique dans la xérographie commerciale avec réutilisation. 10 Les avantages principaux du sélénium vitreux sont son pouvoir de prendre et de conserver une charge électrostatique pendant de longues périodes lorsqu'il n'est pas exposé à la lumière, et sa relative sensibilité à la lumière lorsqu'on le compare à d'autres matières photoconductrices. De plus, le sélénium vitreux présen-15 te une résistance physique excellente et la faculté d'être réutilisé ou recyclé des centaines de fois. Cependant, le sélénium vitreux souffre d'un inconvénient sérieux en ce qu'il devient instable à des températures légèrement supérieures à environ 3.7,7° C* et. qu'il commence à se cristal-20 liser et à devenir conducteur dans 1'obscurité, ce qui le rend inapproprié pour l'usage en xérographie. Les brevets U.S. n° 2.803.542 et 2.822.300 de Ullrich et de Mayer et al., respectivement, enseignent que l'incorporation d'arsenic élémentaire non seulement augmente la réponse spectrale du sélénium, mais 25 augmente de plus fortement sa résistance à la cristallisation aux températures élevées. En plus de l'alliage avec l'arsenic, on a trouvé que l'addition d'un halogène tel que l'iode ou le chlore aux alliages arsenic-sélénium améliorait des caractéristiques électriques telles que la sensibilité et .la réponse spec-30 traie. Cette contribution à la technique est avancée dans le brevet U.S. n° 3.312.548 de Straughan. Les couches d'alliage sélénium-arsenic décrites dans les brevets susdits sont normalement préparées par mélange d'un alliage principal contenant la proportion convenable d'arsenic 35 et de sélénium et par placement de la matière dans ion récipient fermé dans lequel on peut faire le vide. L'évaporation est réalisée sous vide en chauffant un creuset contenant le mélange d'alliage et en permettant aux vapeurs de l'alliage arsenic-sélénium de se condenser . pour former une couche vitreuse sur tin sub-40 strat maintenu normalement au-dessus du creuset contenant l'ai- 70 23473 2 2053024 liage. Les alliages arsenic-sélénium utilisés dans les machines xérographiques du commerce sont généralement sous la forme d'une couche vitreuse star un substrat rigide soit sous la forme 5 d'une plaque métallique plate, soit sous la forme d'un tambour cylindrique. Lorsque des alliages arsenic-sélénium du type ci-dessus sont évaporés sous vide ou appliqués sur un substrat flexible tel qu'une courroie ou un manchon, surgit le problême du fendillage ou de l'ëcaillage de la couche d'alliage amorphe pen-10 dant les cycles répétés, du fait de la fragilité ou du peu de flexibilité de l'alliage arsenic-sélénium amorphe. Pour cette raison, les alliages arsenic-sélénium sous forme vitreuse, tels que ceux mentionnés plus haut, ont été limités à l'utilisation de substrats de support rigides, tels que les plaques et les tambours 15 mentionnés plus haut, dans lesquels n'intervient pas la flexion de l'alliage photoconducteur. Cependant, lorsqu'on utilise des machines rapides, l'emploi d'une courroie ou d'un manchon flexibles est fortement souhaitable à cause des avantages de l'exposition à plein cadre. De plus, les courroies photoconductrices 20 flexibles offrent des avantages dans la réalisation de la machine, par exemple une zone de développement plus étendue. Le sélénium peut être allié, outre à l'arsenic, à d'autres éléments tels que le soufre, le bismuth, l'antimoine, le tellure, le thallium et des mélanges de ceux-ci en vue de ren-25 forcer à la fois les caractéristiques électriques et/ou les propriétés physiques de la composition photoconductrice. Ces alliages souffrent cependant également de façon générale du même manque de flexibilité que les alliages arsenic-sélénium. La discussion qui précède permet de constater que l'u-30 tilisation d'alliages de sélénium vitreux sur un substrat flexible ou mobile serait très souhaitable, mais que de sérieux problèmes concernant les limites des propriétés physiques doivent d'abord être surmontés. C'est donc un objet de l'invention de fournir une mé-35 thode de fabrication d'une plaque xérographique utilisant comme photoconducteur un alliage de sélénium vitreux spécialement prévu pour des courroies et des manchons flexibles. Un autre objet de l'invention est de fournir une nouvelle méthode de fabrication d'une couche photoconductrice alliée 40 contenant une faible proportion d'une matière liante résineuse. 23U73 3 2053024 Un autre objet de l'invention est encore de fournir une méthode de fabrication d'une plaque xérographique perfectionnée utilisant une nouvelle couche photoconductrice. Un autre objet de 1'invention est de fournir une; mê-5 thode perfectionnée.de fabrication d'une couche photoconductrice. * Les objets précédents, ainsi que d'autres, sont atteints selon l'invention au moyen d'un élément xérographique dans lequel la couche photoconductrice comprend un mélange"d'une 10 forte proportion d'un alliage vitreux photoconducteur de sélénium et d'une moindre proportion d'un liant organique^isolant résineux. Cette composition photoconductrice présente une flexibilité physique étonnante lorsqu'on la compare aux alliages vitreux conventionnels de sélénium. Une composition préférée comprend de 15 11 arsenic-sélénium vitreux qui présente la stabilité thermique et les avantages photosensibles de couches"vitreuses d"arsenic-sélénium sans liant, avec, l'avantage supplémentaire de présenter une grande flexibilité due à une quantité faible mais Critique de liant utilisée avec la matière vitreuse arsenic-sélénium. Les 20 avantages du.photoconducteur amélioré et de la méthode de l'invention apparaîtront de la description suivante de l'invention, spécialement lorsqu'elle est lue en se référant aux dessins annexés, sur lesquels : • La figure 1 est une illustration schématique d'une 25 courroie flexible convenant pour la xérographie; La figure 2 est un graphique de la températurê "de transition du verre pour des alliages arsenic-sélénium vitreux de l'invention, .. Les figures 3a et 3b illustrent, une .structure typique 30 photoconducteur-liant de l'invention, comme on l'observe sous un microscope électronique. • : - En se référant aux dessins, la référence ÎO désigne un élément xérographique sous la forme d'une courroie-flëxible possédant un substrat de support 11 fait d'une matière conductrice 35 telle que du laiton, de l'aluminium, de l'acier ou -un produit semblable. Bien qu'il soit représenté sous la forme d'une courroie ou d'un manchon flexibles, le substrat de support peut avoir toute épaisseur convenable, être rigide ou flexible, et peut être sous toute forme appropriée, telle que : feuille, bande, 40 plaque, cylindre, tambour etc... Il peut également comprendre 70 23473 4 2053024 d'autres matières telles que du papier métallisé, des feuilles en matières plastiques revêtues d'une mince couche d'un métal tel que : aluminium, iodure de cuivre, ou du verre revêtu d'un laince enduit conducteur de chrome ou d'oxyde de zinc. 5 La couche 12 recouvre le substrat 11 et comprend un, alliage de sélénium vitreux photoconducteur mélangé à line relativement .faible quantité d'une résine liante organique isolante. L'épaisseur de la couche photoconductrice n'est pas critique. Des épaisseurs d'environ 10 à 300 microns conviennent pour la xéro-10 graphie, mais une épaisseur sortant de ces limites pourrait également être utilisée. Cependant, pour la plupart des applications xérographiques, des épaisseurs d'environ 20 à 100 microns ont été trouvées satisfaisantes. La courroie 10 est montée sur des rouleaux 13 qui sont prévus pour déplacer la surface de la cour-15 roie en la faisant passer par un cycle xérographique conventionnel qui comprend d'habitude : charge, exposition et développement. Le photoconducteur est d'abord mélangé avec une moindre proportion d'une résine liante isolante. Il faut comprendre que tout verre photoconducteur convenable contenant du sélénium 20 est inclu dans le cadre de l'invention. Des verres au sélénium £ typiques comprennent : arsenic-sélénium, arsenic-soufre-sélénium, antimoine-sélénium, bismuth-sélénium/ .arsenic-antimoine-s élénium, et sélénium-tellure et leurs mélanges. Un photoconducteur, particulièrement préféré comprend un alliage arsenic-sélénium conte-25 nant une proportion de 0,5 à 50 % en poids d'arsenic, le reste -étant substantiellement du sélénium. Au vu des épaisseurs généralement utilisées pour des applications- xérographiques ,r il est essentiel que les dimensions des particules de l'alliage photoconducteur avant formation de la couche photoconductrice soient 30 contrôlées avec soin à l'intérieur .de limites critiques. -Bien que l'on puisse tolérer dans certains cas des particules"ayant jusqu'à 50 microns, l'on préfère .que les particules de l'alliage photoconducteur soient maintenues dans les limites d'environ 1 à 10 microns pour conserver une bonne dispersion dans la couche 35 alliage—liant, et qu'il en résulte des propriétés photoconductrices optimales. Une distribution typique des dimensions pour les alliages de l'invention est indiquée au tableau ci-dessous : 40 70 23473 5 2053024 TABLEAU Distribution des dimensions des particules de photoconducteur 88,3 % 8,5 % 5 2,9 % 0,3 % Le liant qui est mélangé à l'alliage vitreux peut comprendre toute résine électriquement isolante convenable. Le liant est un isolant dans la mesure où une charge électrostatique 10 sur la surface de la couche photoconductrice n'est pas conduite par le liant avec line rapidité empêchant la formation et la conservation d'une image électrostatique latente. Des matières typiques comprennent : polystyrène, polyesters, phénoxy, résines silicones, polymères d'esters acryliques et méthacryliques, ëthyl 15 cellulose, résines cellulosiques telles que la nitrocellulose, polymères de vinyle, ëpoxy et leurs mélanges. Un liant particulièrement satisfaisant comprend des caoutchoucs chlorés (polyo-léfines chlorées) qui peuvent être définis comme des caoutchoucs naturels, ou plus souvent, des polyoléfines auxquelles de très 20 grandes quantités de chlore sont ajoutées (jusqu'à 65 % ou plus) en vue de modifier les propriétés de 1'élastomère. Des exemples typiques sont : "ParIon" caoutchouc naturel chloré, et "ParIon" P", polypropylène isotactique fourni par Hercules Powder Co., Inc., "Hypalon", polyéthylène fourni par E.I. du Pont de Nemours 25 & Company. d'environ 60 à 97 % en poids, le liant formant environ 3 à 40 % en poids. On a trouvé que des quantités de photoconducteur allant d'environ 90 à 95 % en poids, avec une quantité de liant d'envi- 30 ron 5 à 10 % en poids, donnaient des caractéristiques électriques préférées. au photoconducteur arsenic-sélénium en mélangeant la proportion désirée de matière photoconductrice sous forme de particules à 35 la résine appropriée, usuellement diluée dans un solvant, et en faisant couler ou en pulvérisant la dispersion sur l'épaisseur désirée sur un substrat de support. Le solvant est évaporé en laissant sécher le revêtement, ou on peut accélérer 1'évaporation par chauffage léger de la couche dans un four à air chaud ou 40 dans ton autre appareil convenable. A ce moment, la couche photoEn général, le photoconducteur est présent en quantité Ces matières liantes peuvent être simplement mélangées 70 23473 6 2053024 conducteur-résine se compose en partie principale de particules photoconductrices discrètes, vitreuses, mélangées à une proportion moindre d'une résine isolante entourant ou entourant partiellement les différentes particules photoconductrices» La couche 5 est alors recuite par chauffage jusqu'à une température dans la zone de , ou supérieure à la température de transition du verre de l'alliage photoconducteur particulier, pour lui permettre de couler et de fusionner de façon à former une matrice substantiellement continu d'alliage de sélénium vitreux contenant des 10 particules ou zones discrètes de résine dispersées au hasard dans la matrice photoconductrice. Usuellement, le recuit est réalisé à une température supérieure à la température de transition du verre, et dure d'environ 30 minutes à plusieurs heures. Ni la température précise, ni la durée ne sont critiques pour au-15 tant que les conditions soient suffisantes pour faire couler ou fusionner les particules de verre photoconducteur pour former une matrice photoconductrice vitreuse. La figure 2 illustre le domaine de transition du verre pour des alliages sélénium-arsenic vitreux. On peut voir que la 20 température de transition du verre varie d'environ 40 à 185°C pouïr des concentrations d'arsenic variant d'environ 0 à une valeur légèrement supérieure à 40 % atomique d'arsenic. Cette zône de transition du verre pour l'arsenic-sélénium inclut de façon large la température de transition pour d'autres alliagés de sé-25 lënium rentrant dans le cadre de l'invention. D'autres photoconducteurs sélénium-antimoine, convenables sont divulgués dans le brevet anglais n° 1.185.389, photoconducteurs qui comprennent de 11 antimoine dans une proportion d'environ 5 à 21 % en poids, le reste étant du sélénium. Des pho-30 toconducteurs arsenic-sêlêniumrantimoine convenables sont divulgués dans le brevet français n° 1.550.902, photoconducteurs qui comprennent de l'arsenic dans une proportion allant jusqu'à 49 % en poids, du sélénium en quantité non inférieure à environ 40 %, et de l'antimoine en quantité d'environ 0,15 à 31,0 %. Des pho-35' toconducteurs .arsenic-soufre-sélénium convenables sont divulgués dans le brevet français n° 1.552.402, photoconducteurs qui comprennent de l'arsenic en quantité allant jusqu'à 18 % en poids, du soufre en quantité d'environ 10 à 90 % et du sélénium en quantité d'environ 10 à 90 %. Des photoconducteurs sélénium-bismuth 40 convenables sont divulgués dans la demande de brevet U.S. n° 70 23473 7 2053024. 798,750 déposée le 12 Février 1969, photoconducteurs qui comprennent du bismuth dans une proportion préférée d'environ là 10 % en poids, le reste étant substantiellement du sélénium. Une technique particulièrement préférée utilisant un 5 photoconducteur ayant une température de transition du verre et un liant isolant convenables produit une plaque xérographique présentant des caractéristiques électriques et des propriétés physiques excellentes. Cette plaque et la méthode pour la préparation impliquent d'adapter la température de transition du verre 10 de l'alliage de sélénium approprié à-un liant résineux, isolant convenable qui est compatible avec le traitement de recuit suivant la formation de la couche photoconducteur-résine. C'est-à-dire que le traitement de recuit suivant la formation de la couche photoconductrice doit ne pas être néfaste au liant résineux. 15 Ce procédé produit un changement essentiel de la viscosité des particules d'alliage de sélénium pendant le recuit suivant l'en-duction initiale du substrat/ et il est càractérisé par laflui-dification et le fusionnage des particules photoconductrices pour former une matrice photoconductrice vitreuse.d'alliage de 20 sélénium mélangée à des particules ou zones isolées et/ou séparées de liant résineux. Cette technique et cette structure particulières présentent une flexibilité physique remarquable sous 1' aspect des applications aux courroies flexibles et elles sont caractérisées par les propriétés électriques remarquables associées 25 aux couches photorëceptrices sans liant d'alliage .de.sélénium. La figure- 3a illustre la microstructure d'une coupe dans une plaque de la présente invention à un agrandissement de 5000, comme on l'observe avec un microscope électronique. La structure comprend 95 parties en poids de particules d'arsenic-30 sélénium vitreux (27 % en poids As.- 73 % en poids Se) mélangées à 5 parties en poids d'un caoutchouc chloré fourni par.Hercules Powder Company sous le nom déposé "Parlon". Les particules de photoconducteur sont illustrées par la structure particulaire sombre, les zones plus claires ou grises illustrant le liant de 35 caoutchouc. La structure représentée à la figure 3a est observée avant recuit et est représentative des revêtements de l'invention qui sont formés après évaporation du solvant résineux. La figure 3b illustre la structure de la figure 3a après recuit à 150°C pendant une heure, produisant la fusion ou le fusionnage 40 des particules photoconductrices en une matrice photoconduçtrice 70 23473 8 2053024 (sônes sombres) qui entoure les zones ou particules de résine plus claires ou grises. On croit également que la résine peut être présente sous la forme de réseaux partiels en plus de particules ou zones discrètes. La couche photoconductrice illustrée 5 aux figures 3a et 3b était préparée suivant la méthode de l'exemple 1 ci-dessous. . Les exemples suivants définissent plus spécifiquement l'invention sous le rapport de la méthode de fabrication d'une couche photoconductrice d'alliage de sélénium contenant une fai-^0 ble proportion de liant résineux. Les pourcentages sont donnés en poids, sauf indications contraires. Les exemples qui suivent sont destinés à illustrer différents modes de réalisation préférés pour la fabrication d'une couche photoconductrice d'alliage de sélénium contenant une.résine. 15 Exemple 1. Une plaque xérographique est produite par la technique suivante : Un alliage vitreux composé de 17 % d'ars.enic, de 82,9 %-de sélénium et de 0,1 % d'iode est pulvérisé dans un microbroyeur.. 20 pendant 15 minutes. La matière broyée fut alors tamisée à travers-un tamis à 325 mailles. La poudre fut analysée au microscope .et l'on estime que 89 % des particules étaient plus petites qu'environ 10 microns. 95 grammes de la poudre tamisée furent ensuite mélangés à la main avec 50 grammes d'une solution à 10 % de caou-25 tchouc chloré dans du toluène (vendue par Borden Chemical Company en tant que caoutchouc chloré). Ce mélange fut appliqué avec un enducteur Byrd sur une feuille de laiton de 102 microns d'épaisseur pour laisser une épaisseur finale de revêtement sec d' environ 20 microns. La plaque revêtue fut alors sëchée pendant 30 30 minutes à 50°C et fut ensuite, recuite à 165°C pendant 1 heure.-La plaque de laiton revêtue est appliquée sur un tambour d'aluminium d'unOffice Copier Xerox 813, et onforme sur elle une image suivant le mode xérographique conventionnel. Cette plaque fonctionnait bien dans la machine 813 modifiée. Des renseignements 35 de nature électrique fournis par un dispositif de balayage xérographique montraient que la rapidité de la plaque était 2,5. fois supérieure à celle du sélénium vitreux sous les mêmes conditions d'essai, et qu'elle présentait un potentiel résiduel de 0 volt. De plus, la plaque présentait -une flexibilité physique excellente. 40 Exemple 2. 70 23473 9 2053024 Une seconde plaque est réalisée au moyen d'un alliage de 28 % d'arsenic, de 71,9 % de sélénium et de 0,1 %.d'iode, en broyant l'alliage dans un broyeur planétaire pendant 30 minutes. La matière broyée est ensuite tamisée à travers -un tamis à 325 mail-5 les.48 grammes de la poudre tamisée sont mélangés pendant 1 heure dans le broyeur planétaire avec 2,5 grammes de caoutchouc chloré (Borden Chemical Company). A ce mélange sec, on ajoute 25 grammes de toluène et les matières sont mélangées pendant 1 heure dansle broyeur planétaire. Le mélange résultant est appliqué 10 sur une feuille de laiton de 102 microns d'épaisseur avec un en-ducteur Byrd pour laisser un revêtement sec de 48 microns. La plaque revêtue est sëchée à 50°C pendant 15 minutes et est ensuite recuite à 175°C pendant 1 heure. La plaque de laiton revêtue est alors appliquée sur tin tambour d'aluminium d'un Office Copi-15 er Xerox 2400 et est cyclée pour étudier ses caractéristiques électriques. Pendant le cycle, la rapidité de la plaque était 4 à 5 fois supérieure à celle du sélénium vitreux, et le potentiel résiduel était de 0 volt. Exemple 3 20 Une troisième plaque est préparée en utilisant la mé thode de l'exemple 2, pour obtenir une épaisseur de revêtement sec d'environ 90 microns. Les caractéristiques électriques de la plaque étaient comparables à celles de la plaque de l'exemple 2. De plus, la plaque fut utilisée pour reproduire un original et 25 produisait de bons tirages avec peu de fond. La plaque présentait également une flexibilité physique excellente. Exemple 4 ■ Une quatrième plaque est préparée en utilisant la méthode de l'exemple 2. Dans cette méthode, la plaque est recuite 30 pendant 1 heure à 150°C au lieu de 1 heure à 175°C. Cette plaque présente un potentiel résiduel supérieur à la plaque de l'exemple 2, mais montre line flexibilité excellente. Exemple 5 Une cinquième plaque est préparée en utilisant la mé-35 thode de l'exemple 2. Dans cet exemple, le caoutchouc chloré est remplacé par une résine phénoxy fournie sous le nom déposé PKHH par Union Carbide. Les propriétés physiques et ëlëctriques de cette plaque sont similaires à celles de la plaque de l'exemple 2. Exemple 6 40 Une sixième plaque est préparée en utilisant la méthode 70 23473 10 2053024 de l'exemple 2. Le photoconducteur comprend 28 % d'arsenic et 72% de sélénium dans une couche d'environ 60 microns d'épaisseur. La plaque présente des propriétés physiques et électriques excellentes. 5 Lorsque l'on forme des couches photoconductrices par la technique de recuit présentée dans les exemples ci-dessus, des photomicrographies électroniques et d'autres renseignements indiquent que, avant recuit, le photoconducteur est généralement dispersé de façon uniforme dans la résine, chaque particules pho-ÎO toconductrices étant revêtues d'une couche de résine, comme représenté S la figure 3a. On a également observé que le film contient avant recuit approximativement 40 % d'espace vide. Pendant le recuit, qui se fait à environ ou au-dessus de la température de transition du verre pour l'alliage de sélénium photoconducteur 15 particulier, les particules d'alliage coulent et fusionnent pour former une matrice d'alliage vitreux dans laquelle sont dispersées des particules de résine. Exprimé d'une autre façon, les particules photoconductrices coulent et fusionnent ensembles, fermant la plupart des espaces vides. La résine s'accumule dans des 20 zones allant jusqu'à environ 5 microns de diamètre, entourées par une matrice d'alliage de sélénium vitreux, substantiellement continue, comme représenté à la figure 3b. On observe la résine à la fois sous la forme d'îles discrètes et de particules isolées, et elle peut également se présenter sous la forme de réseaux de 25 résine entourant complètement ou partiellement des parties de la matrice photoconductrice. L'exemple qui suit illustre les avantages de l'invention en ce qui concerne les applications aux courroies flexibles. Exemple 7 30 Une couche photoconductrice de sélénium-arsenic vitreux sans liant est formée par évaporation sous vide sur une feuille de laiton de 102 microns d'épaisseur par la méthode donnée dans le brevet U.S n° 2.822.300 de Mayer. La couche photoconductrice a 20 microns d'épaisseur et comprend 40 % d'arsenic et 60 % de sé-35 lénium. Cette plaque est testée quant à sa flexibilité mécanique en la fléchissant un certain nombre de fois sur ton rouleau en acier de 50,8 mm de diamètre. Après plusieurs flexions, la couche d'arsenic-sélénium se fendillait nettement, indiquant une adhérence et une résistance relativement faibles lorsqu'elle est u-40 tilisêe sous des conditions de flexion. Trois plaques comprenant 70 23473 11 2053024 des vouches liantes da 20, 44 et 57 microns d'épaisseurs, et contenant chacune 5 parties de caoutchouc chloré liant (Borden Che-xniical Company) et 95 parties d'un alliage à 28 % d'arsenic et 72 % de sélénium, furent préparées par la méthode de l'exemple -2.-. Ces 5 plaques sont chacune fléchies 500.000 fois sur le même rouleau de 50,8 mm de diamètre et ne présentent pas de cassures. L'essai réalisé à l'exemple 7 ci-dessus indique.clairement que des plaques contenant une quantité faible mais critique de résine en même temps qu'un alliage vitreux.de sélénium présen-10 fcent \ane flexibilité excellente, sans détérioration ni dégradation des caractéristiques électriques, Il faut comprendre que ces .dopants et d'autres additifs peuvent être ajoutés aux alliages de.sélénium vitreux de l'invention en vue de coopérer avec les propriétés, physiques de ces ma-15 tières, ou de les renforcer. Par exemple, de faibles additions d'impuretés peuvent être utilisées pour renforcer les caractéristiques électriques du photoconducteur. On a trouvé que de très faibles quantités d'halogènes tels que : iode, chlore, brome et fluor, peuvent être ajoutées au photoconducteur en vue d' 20 augmenter la sensibilité spectrale et d'autres propriétés électriques, Des additions d'halogènes ont été trouvées particulièrement avantageuses lorsqu'elles étaient utilisées avec des alliages arsenic-sélénium .en quantités allant d'environ 10 à 10.000 parties par million. Lorsque l'on utilise des additifs du 25 des dopants, ces matières peuvent .être ajoutées directement au photoconducteur, ou elles peuvent être ajoutées au mélange photoconducteur-résine, et, si on le désire, elles peuvent être incorporées en tant que partie du liant. Bien que des composants et des proportions spécifiques 30 ont été ënumérés dans la description qui précède d'un mode de réalisation préféré de l'invention, d'autres matières et modes opératoires convenables, tels que ceux énumërés plus haut, peuvent être utilisés avec des résultats similaires. De plus, d'autres matières et des modifications peuvent être utilisées pour 35 renforcer ou modifier d'une autre façon la couche photorêceptrice. D'autres modifications de l'invention apparaîtront aux experts à la lecture de la description. Celles-ci sont incluses dans le cadre de l'invention. 40 70 23473 12 2053024 REVENDICATIONS 1. Une méthode de fabrication d'une couche photoconductri ce, qui comprend : former un revêtement sur la surface d'un substrat de support, ce 5 revêtement comprenant au moins en proportion principale un alliage de sélénium vitreux photoconducteur sous forme particulaire et une moindre proportion d'une résine isolante;. recuire le revêtement à une température proche de, ou supérieure à la zône de transition du verre de l'alliage de sélénium, grâce 10 à quoi, à cette température, les particules de l'alliage deviendront fluides et fusionneront pour former une matrice d'alliage de sélénium vitreux substantiellement continue contenant la résine sous la forme de particules discrètes et de réseaux partiels. 2. La méthode de la revendication 1., dans laquelle la ré 15 sine comprend un caoutchouc chloré. 3. La méthode de la revendication 1 ou 2; dans laquelle les particules d'alliage de sélénium dans le revêtement initial ont des dimensions d'environ 1 à 10 microns. 4. La méthode de n'importe laquelle des revendications 20 1 à 3, dans laquelle les particules du photoconducteur comprennent du sélénium allié à l'un ou à plusieurs des éléments suivants : arsenic, soufre, bismuth, antimoine et tellure. 5. La méthode de n'importe laquelle des revendications 1 à 4, dans laquelle la température de recuit se situe eiitre en- 25 viron 40 et 185°C. 6. La méthode de n'importe laquelle des revendications 1 à 5, dans laquelle le photoconducteur comprend un alliage arsenic-sélénium. 7. La méthode de la revendication 6 dans laquelle l'ar-30 senic est présent dans l'alliage en quantité allant d'environ 0,5 à 50 % en poids. 8. La méthode de n'importe laquelle des revendications 1 à 7, dans laquelle la couche contient l'alliage de sélénium en quantité allant d'environ 60 à 97 % en poids, et la résine en 35 quantité'd'environ 3 à 40 % en poids. 9. La méthode de n'importe laquelle des revendications 1 à 8, dans laquelle la couche comprend 90 à 95 % en poids d'alliage de sélénium et 5 à 10 % en poids de résine. 10. Une méthode de fabrication d'une couche photoconduc-40 trice, qui comprend : 70 23473 13 2053021* former un revêtement sur la surface d'un substrat de support, ce revêtement possédant au moins en proportion principale un alliage vitreux arsenic-sélénium sous forme particulaire et une moindre proportion d'une résine isolante, 5 recuire le revêtement, à une température égale ou supérieure à la température de transition du verre de l'alliage, pendant un temps suffisant pour permettre aux particules de l'alliage de se fluidifier et de fusionner avec la résine pour former une structure finale caractérisée par une matrice substantiellement 10 continue d'alliage arsenic-sélénium vitreux contenant la résine sous la forme de particules discrètes et de réseaux partiels. 15