FR 2053023 A1 19710416 FR 7023472 A 19700625 1Q 23472 1 . 2053023 L'invention concerne la xérographie, et plus particulièrement une nouvelle composition photoconductrice et la méthode pour l'utiliser. Le principe de la xérographie a été au départ décrit 5 par Oarlson dans le brevet US n° 2.297*691 et a été encore amplifié et décrit par de nombreux brevets concernant ce domaine. La découverte des propriétés isolantes photoconductrices du sélénium vitreux fortement purifié a fait que cette matière est devenue classique dans la xérographie commerciale avec 10 réutilisation. Les avantages principaux du sélénium vitreux sont: son pouvoir de prendre et de conserver une charge électrostati-que'pendant de longues périodes lorsqu'il n'est pas exposé à la lumière, et sa relative sensibilité à la lumière, lorsqu'on le 15 compare à d'autres matières photoconductrices. De plus, le sélénium vitreux présente une résistance physique excellente et la faculté d'être réutilisé ou recyclé des centaines de fois. Cependant, le sélénium vitreux souffre d'un inconvénient sérieux en ce qu'il devient instable-à des températures lé-20 gèrement supérieures à environ 37»7°C et qu'il commence à se cristalliser et à devenir conducteur dans l'obscurité, ce qui le rend inapproprié pour l'usage en xérographie. Les brevets U.S. n° 2.803.5^2 et 2.822.300 de Ullrich et de Mayer et al., respectivement, enseignent que l'incorporation d'arsenic élémentaire- non 25 seulement augmente la réponse spectrale du sélénium, mais augmente de plus fortement sa résistance à la cristallisation aux températures élevées. En plus de l'alliage avec l'arsenic, on a trouvé que l'addition d'un halogène tel que l'iode ou le chlore aux alliages arsenic-sélénium améliorait des caractéristiques 30 électriques telles que la sensibilité et.la réponse spectrale. Cette contribution à la technique est avancée dans le brevet US n° 3.312.548 de Straughan. Les couches d'alliage sélénium-arsenic décrites dans les brevets susdits sont normalement préparées par mélange d'un 35 alliage principal contenant la proportion convenable d'arsenic et de sélénium et par placement de la matière dans un récipient fermé dans lequel on peut faire le vide. L'évaporation est réalisée sous vide en chauffant un creuset contenant le mélange d'alliage et en permettant aux vapeurs de l'alliage arsenic-sélé-40 nium de se condenser pour former une couche vitreuse sur un sub 70 23472 2053023 strat maintenu normalement au-dessus du creuset contenant l'alliage . Les alliages arsenic-sélénium utilisés dans les machines xérographiques du commerce sont généralement sous la forme 5 d'une couche vitreuse sur un substrat rigide soit sous la forme d'une plaque métallique plate, soit sous la forme d'un tambour cylindrique. Lorsque des alliages arsenic-sélénium du type ci-dessus sont évaporés sous vide ou appliqués sur un substrat flexible tel qu'une courroie ou un manchon, surgit le problème 10 du fendillage ou de l'écaillage de la couche d'alliage amorphe pendant des cycles répétés, du fait de la fragilité ou du peu de flexibilité de'l'alliage arsenic-sélénium amorphe. Pour cette raison, les alliages arsenic-sélénium sous forme vitreuse, tels que ceux mentionnés plus haut, ont été limités à l'utilisation 15 de substrats de support rigides tels que les plaques plates et les tambours mentionnés plus haut, dans lesquels n'intervient pas la flexion de l'al-l'iage pliotoconducteur. Cependant, lorsqu'on utilise des machines rapides, l'emploi d'une courroie ou d'un manchon flexibles est fortement souhaitable à cause des 20 avantages de l'exposition à plein cadre. De plus, les courroies photoconductrices flexibles offrent des avantages dans la réalisation de la machine, par exemple, une zône de développement plus étendue. Le sélénium peut être allié, outre à l'arsenic, à d'autres 25 éléments tels que le soufre, le bismuth, l'antimoine, le tellure, le thallium, et des mélanges de ceux-ci en vue de renforcer à la fois les caractéristiques éléctriques et/ou les propriétés physiques de la composition photoconductricé. Ces alliages qui souffrent cependant également de façon générale du même manque de 30 flexibilité que les alliages arsenic-sélénium. La discussion qui précède permet de constater que l'utilisation d'alliages de sélénium vitreux sur Tin substrat flexible ou mobile serait très souhaitable, mais que de sérieux problèmes concernant -les limites des'propriétés physiques doivent d'abord 35 être surmontés. ' C'est donc -un objet de l'invention de fournir une plaque xérographique- utilisant -comme photoconducteur un alliage de . sélénium vitreux spécialement prévu pour des courroies et des manchons fleâbie:s. 40 Un autrte objet de l'invention est de fournir une nouvelle 70 23472 3 2053023 couche photoconductrice alliée contenant une faible proportion d'une matière liante résineuse. Un autre objet de l'invention est encore de fournir une plaque xérographique perfectionnée utilisant.une nouvelle couche 5 photoconductrice. "• Un autre objet de l'invention est de fournir une méthode pour former des images sur une nouvelle couche photoconductrice. Les objets précédents ainsi que d'autres, sont atteints selon l'invention au moyen d'un élément, xérographique dans lequel 10 la couche photoconductrice comprend un mélange d'une forte proportion d'un alliage vitreux photoconducteur de sélénium et d'une moindre proportion d'un liant organique isolant résineux. Cette composition photoconductrice présente une flexibilité physique étonnante lorsqu'on la compare aux alliages vitreux convention-15 nels de sélénium. Une composition préférée comprend de l'arsenic-sélénium vitreux qui présente la stabilité thermique et les a-vantages photosensibles de couches vitx-euses d'arsenic-sélénium sans liant* avec l'avantage supplémentaire de présenter une grande flexibilité due à une quantité faible mais critique de liant 20 utilisée avec la matière vitreuse arsenic-sélénium. Les avantages du photoconducteur amélioré et de la méthode de l'invention apparaîtront de la description suivante de l'invention, spécialement lorsqu'elle est lue en se référant aux dessins annexés sur lesquels: 25 La Figure 1 est une illustration schématique d'une courroie flexible convenant pour la xérographie. La Figure 2 est un graphique de la température de transition du verre pour des alliages arsenic-sélénium vitreux de l'invention. 30 Les Figures 3a et 3b illustrent une structure typique photoconducteur-liant de l'invention, comme on l'observe sous un microscope électronique. En se référant aux dessins, la référence 1C désigne un élément xérographique sous la forme d'une courroie flexible pos-35 sédar.t un substrat de support 11 fait d'une matière conductrice, tel que du laiton, de 1'aluminium, de l'acier ou un produit semblable. Bien qu'il soit représenté sous la forme d'une courroie ou d'un machon flexibles, le substrat de support peut avoir toute épaisseur convenable, être rigide ou flexible, et peut ê-40 tre sous toute forme appropriée, tel que: feuille, bande, plaque 70 23472 4 2053023 cylindre, tamboiir ete0 II peut également comprendre d'autres matières telles que du papier métallisé, des feuilles en matières plastiques revêtues d'une mince couche d'un métal tel que: aluminium, iodure de cuivre, ou du verre revêtu d'un mince en-5 duit conducteur de chrome ou d'oxyde de zinc. La couche 12 recouvre le substrat 11 et comprend un allia ge de sélénium vitreux photoconducteur mélangé avec une relativement faible quantité d'une résine liante organique isolante, l'épaisseur de la couche photocondutrice n'est pas critique. 10 Des épaisseurs d'environ 10 à 300 microns conviennent pour la xérographie, mais une épaisseur sortant de ces limites pourrait également être utilisée. Cependant, pour la plupart des applications xérographiques, des épaisseurs d'environ 23 à 100 microns ont été trouvées satisfaisantes. La courroie 10 est montée sur 15 des rouleaux 13 qui sont prévus pour déplacer la surface cfe la courroie en la faisant passer par un cycle xérographique conventionnel qui comprend d'habitude: charge, exposition et développement. Le photoconducteur est d'abord mélangé avec une moindre 20 proportion d'une résine liante isolante. Il faut comprendre que tout verre photoconducteur convenable contenant du sélénium est inclu dans le cadre de l'invention. Des verres au sélénium typiques comprennant: arsenic-sélénium, arsenic-soufre-sélénium antimoine-sélénium, bismuth-sélénium, arsenic-antimoine—sélénium 25 et sélénium-tellure et leurs mélanges. Un photoconducteur particulièrement préféré comprend un alliage arsenic—sélénium contenant une proportion de 0,5 à 50% en poids d'arsenic, le reste étant substantiellement du sélénium. Au vu des épaisseurs généralement utilisées pour des applications xérographiques, il est 30 essentiel que les dimensions des particules de l'alliage photoconducteur avant formation de la couche photoconductrice soient contrôlées avec soin à l'intérieur de limites critiques. Bien que l'on puisse tolérer dans certains cas des particules ayant jusqu'à 50 microns, l'on préfère que les particules de l'alliage 35 photoconducteur soient maintenues dans les limites d'environ 1 à 10 microns pour conserver une bonne dispersion dans la couche alliage-liant, et qu'il en résulte des propriétés photoconductrices optimales. Une distribution typique des dimensions pour les alliages de l'invention est indiquée au tableau ci-dessous: 40 70 23472 5 2053023 TABLEAU Distribution des dimensions des particules de photoconducteur 88,3% O0 microns 8,5% 10-20 microns 5 2,9% 20-30 microns 0,3% 40-50 microns Le liant qui est mélangé à l'alliage vitreux peut com-. prendre toute résine électriquement isolante convenable. Le liant est un isolant dans la mesure où une charge électrostatique 10 sur la surface de la couche photoconductrice n'est pas conduite par le liant avec une rapidité empêchant la formation et la conservation d'une image électrostatique latente. Des matières typiques comprennent: polystyrène, polyesters, phënoxy, résines silicones, polymères d'esters acryliques et méthacryliques, éthyl 15 cellulose, résines cellulosiques tel que la nitrocellulose, polymères de vinyles, époxy et leurs mélanges. Un liant particulièrement satisfaisant comprend des caoutchoucs chlorés (polyo-léfines chlorées) qui peuvent être définis comme des caoutchoucs naturels ou, plus souvent, des polyoléfines auxquelles de très 20 grandes quantités de chlore sont ajoutées (jusqu'à 65% ou plus) en vue de modifier les propriétés de 1'élastomère. Des exemples typiques sont: "Farlon", caoutchouc naturel chloré, et "Parlon P", polypropylène isotactique fourni par Hercules Powder Co.,.. Inc., "Hypalon", polyéthylène fourni par E.I. Dupont de Nemours 25 & Company. En général, le photoconducteur est présent eh quantité d'environ 60 à 97% en poids, le liant formant environ 3 à 40% en poids. On a trouvé que des quantités de photoconducteur allant d'environ 90 à 95% en poids, avec une quantité de liant d'envi-30 ron 5 à 10% en poids, donnaient des caractéristiques électriques préférées. Ces matières liantes peuvent être- simplement mélangées au photoconducteur arsenic-sélénium en mélangeant la proportion désirée de matière photoconductrice sous forme de particules à 35 la résine appropriée, usuellement diluée dans un solvant, et en faisant couler ou en pulvérisant la dispersion sur l'épaisseur désirée sur un substrat de support. Le solvant est évaporé en laissant sécher le revêtement, ou on peut accélérer l'évapora-tion par chauffage léger de la couche dans un four à air chaud ou 40 dans un autre appareil convenable. A ce moment, la couche photo 70 23472 6 2053023 conducteur-résine se compose en partie principale de particules photoconductrices discrètes, vi tamises, mélangées à une proportion moindre d'une résine isolante entourant ou entourant partiel lement les différentes particules photoconductrices. La couche 5 est alors recuite par chauffage jusqu'à une température dans la zône de, ou supérieure à la température de transition du verre de l'alliage photoconducteur particulier, pour lui permettre de couler et de fusionner de façon à formel une matrice substantiel lement continue d'alliage de sélénium vitreux contenant des 10 particules ou zones discrètes de résine dispersées au hasard dans la matrice photoconductrice. Usuellement, le recuit est réalisé à une température supérieure à la température de transition du verre, et dure d'environ 30 minutes à plusieurs heures Fi le température précise, ni la durée ne sont critiques pour autant 15 que les conditions soient suffisantes pour faire couler ou fusion ner les particules de verre photoconducteur pour former une matrice photoconductrice vitreuse. La l'igtœe 2 illustre le domaine de transition du verre pour des alliages sélénium-arsenic vitreux. On peut voir que la 20 température de transition du verre varie d'environ 4-0 à 185°C pour des concentrations d'arsenic variant d'environ. 0 à une valeur légèrement supérieure à 40% atomique d'arsenic. Cette zône de transition du verre pour 11 arsenic-sélénium inclut, dë façon large la température de transition pour d.'autres alliages de sé -25 lénium rentrant dans le cadre de l'invention. D'autres photoconducteurs sélénium-antimoine convenables sont divulgués dans le brevet anglais n°.1,185.389» photoconducteurs qui comprennent de l'antimoine dans une proportion d'environ 5 à 21% en poids, le reste étant du sélénium. Des photo-30 conducteurs arsenic-sélénium-antimoine convenables sont divulgués dans le brevet français n° 1.1550.902, photoconducteurs qui comprennent de l'arsenic dans une proportion allant jusqu'à 49% en poids, du sélénium en qualité non inférieure à environ 40% et de l'antimoine gn^^uantité d'environ 0,1.5 à 31,0%. Des photo— 35 conducteurs arsenic-/sélénium convenables sont divulgués dans le brevet français n° 1.552.402, photoconducteurs qui comprennent de l'arsenic en quantités allant jusqu'à 18% en poids, du soufre en quantité d'environ 10 à 90%, et du sélénium en quantité d'environ 10 à 90%. Des photoconducteurs sélénium-bismuth 40 convenables sont divulgués dans la demande de brevet U.S. n° 70 23472 7 2053023 798.750 déposée le 12 Février 1969» photoconducteurs qui comprennent du "bismuth, dans une proportion préférée d'environ 1 à 10% en poids, le reste étant substantiellement du sélénium. Une technique particulièrement préférée, utilisant un 5 photoconducteur ayant une température de transition du veiz-re gt un liant isolant convenables produit une plaque xérographique présentent des caractéristiques électriques et des propriétés physiques excellentes. Cette plaque et la méthode pour la préparer impliquent d'adapter la température de transition du verre 10 de 1'alliage de sélénium approprié à un liant résineux isolant convenable qui est compatible avec le traitement de recuit suivant la formation de la couche photoconducteur-résine. C'est-à-dire que le traitement de recuit suivant la formation de la couche photoconductrice doit ne pas être néfaste au liant résineux. 15 Ce procédé produit un changer.ent essentiel de la viscosité des particules d'alliage de sélénium pendant le recuit suivant l'en-duction initiale du substrat, et il est caractérisé par la flui-dification et le fusionnage des particules photoconductrices pour former me matrice photoconductrice vitreuse d'alliage de sélé-20 nium mélangée à des particules ou zones isolées et ou séparées La Figure 5a illustre la microstructure d'une coupe dans mie plaque de la présente invention à un agrandissement de 5000-, comme on l'observe avec un microscope électronique. La structure comprend 95 parties en poids de particules d'arsenic-30 sélénium vitreux (27% en poids As - 73% en poids Se) mélangées à 5 parties en poids d'un caoutchouc chloré fourni par Hercules Powder Company sous le nom déposé "Parlon". Les particules de photoconducteur sont illustrées par la structure particulaire sombre, les zones plus claires ou grises illustrant le liant de 35 caoutchouc.""La structure représentée à la Figure 3a est observée avant recuit et est représentative des revêtements de l'invention qui sont formés après évaporation du solvant résineux. La Figure 3"b illustre la structure de la Figure 3a après recuit à 150°C pendant une heure., produisant la fusion ou le fusionnage 40 des-particules photoconductrices en une matrice photoconductrice 70 23472 8 2Ô53023 (zones sombres) qui entoure les zones ou particules de résine plus claires ou grises. On croit également que la résine peut être présente sous la forme de réseaux partiels eu p4_us de particules ou zônes discrètes. La couche photoccnductrice illustrée aux Fi-5 gures 3a et 3b était préparée suivant la méthode de l'exemple I ci-dessous. Les exemples suivants définissant plus spécifiquement l'inven tion sous le rapport de la méthode de fabrication d'une couche photoconductrice d'alliage de sélénium, contenant une faible 10 proportion de liant résineux. Les pourcertages sont donnés en poids, sauf indication contreire. les exemples qui suivent sont destinés à illustrer différents modes de réalisation préférés pour la fabrication d'une couche photoconductrice d'alliage de sélénium contenant une résine. 15 Exemple I Une plaque xérographique est produite par la technique suivante : Un alliage vitreux .composé de 17% d'arsenic, de 82,9% de sélénium et de 0,1% d'iode est pulvérisé dans -un microbroyeur 2C pendant 15 minutes. La matière broyée fut alors tamisée à travers un tamis à 325 mailles. La poudre fut analysée au microscope et l'on estime que 89% des particules étaient plus petites qu'envi ron 10 microns. 95 grammes de la poudre tamisée furent ensuite mélangés à la main avec 50 grammes d'une solution à 10% de caou-25 tchouc chloré dans du toluène (vendue par Borden Chemical Company en tant que caoutchouc chloré). Ce mélange fut appliqué avec un enducteur Byrd sur une feuille de laiton de 102 microns d'épaisseur pour laisser une épaisseur finale de revêtement sec d'environ 20 microns. La plaque revêtue fut alors séchée pendant 30 30 minutes à 50°C et fut ensuite recuite à 165°C pendant 1 heure. La plaque de laiton revêtue est appliquée sur un tambour d'aluminium d'un Office Copier Xerox 813» et on forme sur elle une image suivant le mode xérographique conventionnel. Cette plaque fonctionnait bien dans la machine 813 modifiée. Des renseigne-35 ments de nature électrique fournis par un dispositif de balaie xérographique montraient que la rapidité de la plaque était 2,5 fois supérieure à celle du sélénium vitreux sous les mêmes condi-r-tions d'essai, et qu'elle présentait un potentiel résiduel de 0 volt.De plus,la plaque présentait une flexibilité physique excel-40 lente. 70 23472 2053023 Exemple 2 Une seconde plaque est réalisée au moyen d'un alliage de 28% d'arsenic, de 71»9% de sélénium et de 0,1% d'iode, en broyant 1'alliage dans un broyeur planétaire pendant 30 minutes. La 5 matière broyée est ensuite tamisée à travers un tamis à 325 mailles. 48 grammes de la poudre tamisée sont mélangés/pendant 1 heure dans le broyeur planétaire avec 2,5 grammes de caoutchouc chlo ré (Borden Chemical Company). A ce mélange sec, on ajoute 25 gram mes de toluène et les matières sont mélangées pendant 1 heure 10 dans le broyeur planétaire. Le mélange résultant est appliqué sur une feuille de laiton de 102 microns d'épaisseur avec un en-ducteur Byrd pour laisser un revêtement sec de 48 microns. La plaque revêtue est séchée à 50°C pendant 15 minutes et est ensuite recuite à 175°C pendant 1 heure. La plaque de laiton revêtue 15 est alors appliquée sur un tambour d'aluminium d'un Office Copier Xerox 2400 et est cyclée pour étudier ces caractéristiques électriques. Pendant le cycle, la rapidité de la plaque était 4 à 5 fois supérieure à celle du sélénium vitreux, et le potentiel résiduel était de 0 volt. 20 Exemple 3 Une troisième plaque est préparée en utilisant la mé- -thode de l'exemple 2, pour obtenir une épaisseur de revêtement sec d'environ 90 microns. Les caractéristiques électriques de la plaque étaient comparables à celles de la plaque de l'exemple 2. 25 De plus, la plaque fut utilisée pour reproduire un original et produisait de bons tirages avec peu de fond. La plaque présentait également une flexibilité physique excellente. Exemple 4 Une quatrième plaque est préparée en utilisant la méthode 30 de l'exemple 2. Dans cette méthode, la plaque est recuite pendant 1 heure à 150°C au lieu de 1 heure à 175°C.Cette plaque présente un potentiel résiduel supérieure à la plaque de l'exemple 2, mais montre une flexibilité excellente. Exemple 5- 35 Une cinquième plaque est préparée en utilisant la méthode de l'exemple 2. Dans cet exemple, le caoutchouc chloré est remplacé par une résine phénoxy fournie sous le nom déposé PKHH par Union Carbide. Les propriétés physiques et électriques de cette plaque sont similaires à celles de la plaque de l'exemple 2. 40 Exemple 6 70 23472 2053023 Une sixième plaque est préparée en utilisant la méthode de l'exemple 2. Le photoconducteur comprend 28% d'arsenic et 72% de sélénium dans une couche d'environ 60 microns d'épaisseur. La plaque présente des propriétés physiques et électriques excel-5 lentes. . Lorsque l'on forme des couches photoconductrices par la technique de recuit présentée dans les exemples ci-dessus, des photomicrographies électroniques et'-d'autres renseignements indiquent que, avant recuit, le photoconducteur est généralement 10 dispersé de façon uniforme dans la résine,chaque particule photoconductrice étant revêtue d'une couche de résine, comme représenté à la Figure Ja.'On a également observé que le film contient avant recuit approximativement 40% d'espace vide. Pendant le recuit, qui se fait à environ au au-dessus de la température de 15 transition du verre pour l'alliage de sélénium photoconducteur particulier, les particules d'alliage coulent et fusionnent pour former une matrice d'alliage vitreux dans laquelle sont dispersées des particules de résine. Exprimé d'une autre façon, les particules photoconductrices coulent et fusionnent ensemble, fer-20 mant la plupart des espaces vides. Là résine s'accumule dans des zones allant jusqu'à environ 5 microns de diamètre, entourées par une matrice d'alliage de sélénium vitreux, substantiellement continue, comme représenté à la Figure 3b. On observe la résine à la fois sous la forme d'îles discrètes et dè particules isolées, 25 et elle peut également se présenter sous la forme de réseaux de résine entourant complètément ou partiellement des parties de la matrice photoconductrice. L'exemple qui suit illustre les avantages de l'invention, en ce qui concerne les applications aux courroies flexibles. 30 Exemple 7 Une couche photoconductrice de sélénium-arsenic vitreux sans liant est formée par évaporation sous vide sur une feuille de laiton de 102 microns d'épaisseur par la méthode donnée dans le brevet US n°-2.822.300 de Player. La couche photoconductrice 35 a 20 microns d'épaisseur et comprend 40% d'arsenic et 60% de sélénium. Cette plaque est testée quant à sa flexibilité mécanique en la fléchissant un certain nombre de fois sur un rouleau en acier de 50,8mm de diamètre. Après plusieurs flexions, la couche d'arsenic-sélénium se fendillait nettement, indiquant une adhé-40 rence et une résistance relativement faibles lorsqu'elle est u- 70 23472 n 2053023 tilisée sous des conditions de flexion. Trois plaques comprenant des couches liantes de 20, 44 et 57 microns d'épaisseur, et contenant chacune 5 parties de caoutchouc chloré liant (Borden Chemical Company) et 95 parties d'un alliage à 28% d'arsenic et 72% 5 de sélénium, furent préparées par le méthode de l'exemple 2. Ces plaques sont chacune fléchies 500.000 fois sur le même rouleau de 50,8mm de diamètre et ne présentent pas de cassures. L'essai réalisé à l'exemple 7 ci-dessus indique clairement que les plaques contenant une quantité faible mais critique 10 résine en même temps qu'un alliage vitreux de sélénium présentant une flexibilité excellente, sans détérioration ni dégradation des caractéristiques électriques. Il faut comprendre que des dopants et d'autres additifs peuvent être ajoutés aux alliages de sélénium vitreux de l'inven-15 tion en vue de coopérer avec les propriétés physiques de ces matières, ou de les renforcer. Par exemple, de faibles additions d'impuretés peuvent être utilisées pour renforcer les caractéristiques électriques du photoconducteur. On a trouve que de très faibles quantités d'halogènes tels que: iode, chlore, bro-20 nie et fluor peuvent être ajoutées au photo conducteur en vue d'augmenter la sensibilité spectrale et d'autres propriétés électriques. Des additions d'halogènes ont été trouvées particulièrement avantageuses lorsqu'elles étaient utilisées avec des alliages arsenic-sélénium en quantités allant d'environ 10 à 10.000 25 parties par million. Lorsque l'on utilise des additifs ou des dopants, ces matières peuvent être ajoutées directement au photoconducteur, ou elles peuvent être ajoutées au mélange pho-toconducteur-résine et, si on le -désire, elles peuvent être incorporées en tant que partie du liant. 30 Bien que des composants et des proportions spécifiques ont été énumérés dans la description qui précède d'un mode de réalisation préféré de l'invention, d'autres matières et modes opératoires convenables, tels que ceux énumérés plus haut, peuvent être utilisés avec des résultats similaires. De plus d'au-35 très matières et des modifications peuvent être utilisées pour renforcer ou modifier d'une autre façon,la couche photoréceptrice. D'autres modifications de l'invention apparaîtront aux experts à la lecture de la description. Celles-ci sont incluses dans le cadre de l'invention. 40 70 23472 2053023 REVENDICATIONS I. Elément photosensible comprenant une couche isolante photoconductrice, cette couche comprenant en proportion principale un alliage de sélénium vitreux photoconducteur mélangé à 5 une moindre proportion d'une résine isolante. 2.. L'élément de la revendication 1, dans lequel la struc ture de la couche photoconductrice isolante est caractérisée par une matrice d'alliage de sélénium vitreux contenant une moindre proportion d'une résine isolante dont une partie au moins est 10 sous la forme de particules et de zones de résine isolées. 3. L'élément de la revendication 2, dans lequel la résine est également présente sous la formé de réseaux partiels. 4. L'élément de n'importe laquelle des revendications 1 à 3, dans lequel la couche photoconductrice contient l'alliage de 15 sélénium en quantité d'environ 60 à 97% en poids, la résine étant présente en quantité d'environ 3 à 40% en poids. 5. L'élément de n'importe laquelle des revendications 1 à 3) dans lequel l'alliage de sélénium est présent en quantité d'environ 90 à 95% en poids, la résine étant présente en quantité 20 d'environ 5 à 10% en poids de la couche. 6. L'élément de n'importe laquelle des revendications 1 à 5» dans lequel la résine comprend un caoutchouc chloré. 7* L'élément de n'importe laquelle des revendications 1 à 6, dans lequel le sélénium est allié à l'un ou plusieurs des 25 éléments suivants: arsenic, soufre, bismuth, antimoine, et tellure. 8. L'élément de n'importe laquelle des revendications 1 à 7. dans lequel le photoconducteur comprend un alliage arsenic-sélénium. 30 9. L'élément de la revendication 8, dans lequel l'arsenic est présent dans l'alliage en quantité allant d'environ 0,5 à 50% en poids. 10. L'élément de la revendication 8 ou 9» dans lequel l' alliage arsenic-sélénium est dopé avec un halogène. 35 11. L'élément de n'importe laquelle des revendications 1 à 10, dans lequel l'épaisseur de la couche est d'environ 10 à 300 microns. 12. L'élément de n'importe laquelle des revendications 1 à II, comprenant un élément de support conducteur de l'électricité 40 sur lequel est disposée la couche photoconductrice isolante. 70 23472 13 2053023 13. Une méthode de formation d'images, comprenant: (a) fournir un élément photosensible selon l'une des revendications 1 à 12. (b) former une image électrostatique sur la surface de cet élément ; et, (c) développer l'image pour la rendre visible. 14. La méthode de la revendication 13, dans laquelle l'image électrostatique latente est formée j>ar charge initiale uniforme de la surface de la couche photoconductrice, suivie par u-ne exposition sélective de la surface chargée à un modèle de ra-y armement activant.