FR 2003656 A1 19691114 FR 6906724 A 19690310 69 06724 1 2003656 L'invention concerne un dispositif semi-conducteur muni d'un corps semi-conducteur ou partie de corps semiconducteur d'un premier type de conduction, comprenant au moins un transistor à effet de champ à électrode de porte 5 isolée, comportant une première zone à basse résistivité et une seoonde zone à basse résistivité, du second type de conduction, séparées l'une de l'autre, appartenant respectivement aux électrodes d'alimentation et d'évacuation, s'étendant dans le corps ou partie du corps à partir d'une 10 surface de ce corps, et munies de contacts de connexion, un domaine de canal, adjacent à cette surface étant situé entre la première zone àt la seconde et recouvert de matière isolante sur laquelle est formée une électrode de porte. L'invention concerne également un procédé de fabrication Î5 de tels dispositifs semi-conducteurs. Le transistor à effet de champ, à porte isolée, peut faire partie d'un circuit semi-conducteur intégré et peut comporter plusieurs électrodes d'alimentation d'évacuation et de porte. 20 Une forme de réalisation connue d'un tel tran sistor est le transistor semi-conducteur métal-oxyde, généralement appelé MOST (abréviation de sa désignation anglo-saxonne : metal-oxyde semiconductor transistor). Dans ce dispositif, le corps semi-conducteur ou 25 la partie de corps semi-conducteur est normalement en silicium, et l'électrode de porte est séparée de la surface de silicium par une couche isolante d'oxyde de silicium. Pendant le fonctionnement, la tension appliquée entre les zones d'alimentation et d'évcuation est telle que, d'une part, la jonction 30 p-n entre la zone d'alimentation et la partie de substrat adjacente du corps semi-conducteur est normalement, mais pas toujours, non polarisée et que, d'autre part, les jonctions p-n entre la zone d'évacuation et la partie de substrat adjacente du corps semi-conducteur sont polarisées dans le 35 sens de l'arrêt. Le courant circulant entre les zones d'alimentation et les zones d'évacuation est réglé en fonction de la tension appliquée entre la zone d'alimentation et l'électrode de porte. Dans le domaine dit d'enrichissement, dans lequel une tension de polarité appropriée est 40 appliquée à l'électrode de porte, un courant circule entre 69 06724 2 2003656 la zone d'alimentation et la zone d'évacuation. Dans une configuration du transistor appropriée à l'emploi dans le domaine d'enrichissement, la tension appliquée à l'électrode de porte entraîne la formation d'une couche d'inversion su-5 perficielle du second type de conduction dans une zone du corps semi-conducteur ou partie de corps du premier type de conduction, située près de la première surface et entre la zone d'alimentation et la zone d'évacuation. Les porteurs de charge traversent un canal formé par la couche d'inversion 10 superficielle. Les "MOSTS" peuvent également être réalisés en vue de leur fonctionnement dans le domaine dit d'épuisement. Dans ces dispositifs, un courant peut circuler entre les zones d'alimentation et les zones d'évacuation sans qu'une tension soit appliquée à l'électrode de porte. La 15 concentration de porteurs de charge dans le canal est réduite par l'application d'une tension de polarité appropriée sur l'électrode de porte. Un tel dispositif peut également être utilisé dans le domaine d'enrichissement par une augmentation de la concentration des porteurs de charge 20 dans le domaine du canal par l'application d'une tension de polarité appropriée sur l'électrode de porte. On peut réaliser des dispositifs, appropriés au fonctionnement dans le domaine d'épuisement, en formant une zone superficielle diffusée, du second type de conduction, dans la zone du corps 25 semi-conducteur ou partie de corps adjacente à .la première surface et disposée entre la zone d'alimentation et la zone d'évacuation. Le canal conducteur de courant se trouve donc dans la zone superficielle diffusée du second type de conduction. 30 Des dispositifs, appropriés à l'utilisation dans le domaine d'enrichissement, doivent comporter la possibilité de régler la tension de seuil, c'est-à-dire la tension entre l'électrode de porte et le substrat à laquelle débute la circulation de courant entre la zone d'alimentation et la 35 zone d'évacuation. On a constaté que la tension de seuil dépend fortement de la résistivité de zone superficielle du corps semi-conducteur ou partie de corps entre la zone d'alimentation et la zone d'évacuation, des propriétés de la couche isolante située au-dessous de l'électrode de 40 porte, xdes propriétés de l'interface entre la couche isolante 69 06724 3 2003656 et le corps semi-conducteur ou partie de corps et de l'orientation cristallographique du corps semi-condnctaur ou partie de corps. Dans les dispositifs appropriés au fonctionnement 5 dans le domaine d'épuisement, dans lesquels le canal conducteur de courant se trouve dans une couche d'inversion superficielle du second type de conduction, par exemple des "ÎIOSTS" au silicium, dans lesquels une couche d'inversion de type N est formée à la surface d'un substrat de type P à grande résis-10 tivité, par oxydation de la surface, la mobilité des porteurs de charge est limitée par le fait que le canal conducteur de courant est situé, à proximité de l'interface silicium-oxyde de silicium. Les dispositifs fonctionnant dans la zone d'épuisement comportant des zones de canal superficielles 15 diffusées sont extrêmement difficiles à réaliser par suite du réglage précis requis du dopage et de la profondeur de la zone diffusée. Dans certains circuits semi-conducteurs intégrés, un transistor à effet de champ, à porte isolée, est formé 20 dans un corps semi-conducteur, ou partie de corps, avec d'autres éléments de circuit, par exemple un transistor bipolaire ou un autre transistor à effet de champ à électrode de porte isolée, présentant d'autres propriétés. Un tel circuit connu comporte un transistor à effet de champ MOST, 25 à électrode de porte isolée, des deux polarités, à savoir des dispositifs à domaine de canal de type P et à domaine de canal de type lî. Ces transistors, parfois appelés paires de MOST complémentaires, peuvent être des dispositifs fonctionnant dans le domaine d'enrichissement ou dans le domaine 30 d'épuisement suivant le circuit ; c'est ainsi que dans des circuits logiques, on utilise généralement des dispositifs fonctionnant dans le domaine d'enrichissement. La fabrication de paires de MOSTS complémentaires dans un corps semiconducteur ou partie de corps semi-conducteur commun initia-35 lement du premier type de conduction, soulève des difficultés parce qu'il est nécessaire de régler d'une manière précise les résistivités des zones superficielles des deux "MOSTS", alors que ces deux zones superficielles sont de types de conduction différents. C'est ainsi que partant d'un corps 40 de type N, dans lequel il y a lieu de former un "KOST" de 69 06724 4 2003656 type P fonctionnant dans le domaine d'enrichissement, il faut former le MOST complémentaire de type N; fonctionnant dans le domaine d'enrichissement dans un îlot de type P, situé à l'intérieur du corps de type IL. Les techniques de 5 diffusion ne conviennent pas toujours à la réalisation d'îlots de type P, étant donné que la résistivité de la région superficielle de l'îlot de type diffusé peut être trop basse. Ce problème peut être résolu par la mise en oeuvre d'un procédé consistant à former par attaque chimique 10 une cavité et à la remplir ensuite épitaxialement, méthode qui est parfois appelée limitation de contour. Cette méthode permettant d'obtenir un îlot présentant la résistivité réglée désirée, est coûteuse et compliquée, car elle requiert des techniques spéciales pour localiser et dénuder ensuite 15 à nouveau la surface initiale du corps, après la limitation épitaxiale du contour dans la cavité formée par attaque chimique. Suivant l'invention, un dispositif semi-conducteur du genre mentionné dans le préambule, est caractérisé en ce 20 qu'il comporte une zone superficielle dans laquelle sont implantés des ions d'un matériau de dopage déterminant le type de conduction de cette zone dans laquelle est formé le domaine de canal. Un tel transistor effet de champ à électrode de porte isolée, dans lequel le canal conducteur 25 de courant est localisé dans une zone superficielle implantée d'ions, peut présenter des propriétés améliorées, comme il ressort de la description ci-après de diverses formes de réalisation du transistor. Dans une forme de réalisation d'un transistor 30 approprié au fonctionnement dans le domaine d'épuisement, ladite, y.nne supft-rf-i f.-i 1 r sst du second type de conduction et contient une concentration en ions implantés d'un élément d'impureté caractéristique du second type de conduction. Dans ce transistor, grâce à la réalisation de la zone super-35 ficielle implantée d'ions du second type de conduction, zone qui est souvent appelée "pellicule", le courant traverse tout le volume de la pellicule implantée d'ions et n'est pas confiné à un domaine se trouvant dans le voisinage immédiat de l'interface semi-conducteur-couche isolante, 40 comme c^est le cas dans un dispositif travaillant dans le 69 06724 5 2003656 domaine d'épuisement dans lequel le courant peut circuler dans une couche d'inversion formée d'avance. Le courant traversant tout le volume de la pellicule, la mobilité effective des porteurs dans le canal est augmentée. La 5 mobilité des porteurs implantés dans la pellicule doit s'approcher de la valeur maximale, ce qui augmente le facteur de gain du dispositif d'une géométrie particulière. Pour une géométrie spéciale, le montant de l'augmentation de gain sera égale au rapport de la mobilité de masse et de la mobi-10 lité superficielle, rapport qui peut avoir une valeur comprise entre 2 et 3. Cette configuration convient à des dispositifs à effet de champ, à électrode de porte isolée, pour fréquences très élevées. Ce dispositif fonctionne dans le domaine d'épuisement par déplacement d'un domaine de 15 charge spatiale dans la pellicule implantée, jusqu'à ce que cette pellicule soit complètement épuisée et que le canal soit bloqué. Il existe également un domaine de charge spatiale à la jonction entre la pellicule et la portion immédiatement sous-jacente du corps semi-conducteur ou partie de corps 20 semi-conducteur. Lors d'une polarisation de ladite portion et de l'électrode de porte, la pellicule implantée peut être épuisée des deux côtés. L'épaisseur maximale de la couche de charge spatiale pouvant être obtenue par le potentiel d'électrode de porte est déterminée par la résistivité de la 25 pellicule implantée. De ce fait, un réglage précis de l'épaisseur de la pellicule implantée et de sa résistivité s'impose» Il s'est avéré que la réalisation de ladite pellicule par implantation d'ions permet d'obtenir un tel réglage'.. De plus, comparativement à la méthode de réalisation de la pellicule 30 par des techniques de diffusion, la méthode d'implantation d'ions permet d'obtenir de notables améliorations. Il est évidemment difficile de régler rigoureusement la résistivité d'une pellicule et surtout d'obtenir une pellicule de résistivité assez élevée par l'emploi de telles 35 techniques de diffusion. Le procédé d'implantation d'ions peut entraîner un profil de concentration d'impuretés à partir de la surface dans la pellicule, mieux approprié à la formation d'un canal conducteur de courant. Dans ledit transistor, approprié au fonction-40 nement dans le domaine d'épuisement, les deux zones à 69 06724 2003656 basse résistivité du second type de conduction peuvent comporter chacune, au moins au voisinage de leur plus courte distance, une partie comportant une concentration en ions implantés d'un élément d'impuretés caractéristique du second 5 'type de conduction, la dimension, latérale de l'électrode de porte entre les deux zones à basse résistivité mentionnées correspond essentiellement à la distance latérale entre lesdites zones à basse résistivité. Cette configuration de transistor peut être obtenue par.la mise en oeuvre du procédé 10 décrit dans la demande de brevet français P.V. ÎT° 163.356 en date du 19 août 1968. Suivant ce procédé on forme d'abord les portions des régions de zones d'alimentation et d'évacuation suivant des techniques de diffusion. On réalise ensuite les électrodes 15 d'alimentation, d'évacuation et de porte, puis on procède à une implantation d'ions, de préférence à travers -une couche isolante sur la première surface, de façon que les zones d'alimentation et d'évacuation se développent l'une vers l'autre. Dans ce procédé, une couche métallique formant 20 l'électrode de porte agit comme un masque et le canal formé dans la zone superficielle résultante entre les zones d'alimentation et d'évacuation a une longueur pratiquement égale aux dimensions latérales de l'électrode de porte. Un tel procédé permet de réaliser des transistors à effet de champ 25 à électrode de porte isolée, dont le canal est court et rigoureusement réglé alors que la capacité entre l'électrode de porte et l'électrode d'évacuation est très petite étant donné que le chevauchement entre l'électrode de porte et l'électrode d'évacuation dépend uniquement de la disper-50 sion latérale et de la canalisation des ions implantés. Ce procédé sera appelé par la suite procédé d*auto—enregistrement. Dans le transistor conforme à l'invention, travaillant dans le domaine d'épuisement, dans lequel la première zone à basse résistivité et la seconde sont du second 35 type de conduction (zones d'alimentation et d'évacuation) chacune comporte une partie implahtée d'ions et lesdites parties implantées d'ions ainsi que la zone superficielle implantée d'ions du second type de conduction peuvent se trouver dans et être partiellement entourées d'une zone, 40 implantée d'ions du premier type de conduction, ladite zone 69 06724 7 2003656 implantée d'ions du premier type de conduction ayant une résistivité plus basse que la partie de corps semi-conducteur sous-jacente du premier type de cofaduction. Cette configuration fournit un dispositif fonctionnant dans le domaine d'épuise-5 ment à grande mobilité des porteurs de charge dans le canal et à grand facteur de gain. La présence de la zone implantée d'ions à basse résistivité, du premier type de conduction, réduit la dispersion de la couche d'épuisement qui fait partie de la jonction entre la zone d'alimentation et la partie voi-10 sine du premier type de conduction, et empêche le percement (punch-through en anglais) vers la zone d'alimentation, de sorte que la distance entre la zone d'alimentation et la zone d'évacuation peut être petite. La réalisation de parties implantées d'ions pour les zones d'alimentation et d'évacuation 15 selon le procédé d'auto-enregistrement fournit un dispositif à faible capacité de couplage à réaction entre l'électrode de porte et l'électrode d'évacuation, alors que la distance comprise entre la zone d'alimentation et la zone d'évacuation peut être petite. Dans ce dispositif, la première zone à basse résis-20 tivité et la seconde du second type de conduction (zones d'alimentation et d'évacuation), la zone superficielle implantée d'ions, du second type de conduction comportant le canal, la zone, impilantée d'ions, du premier type de conduction et la partie sous-jacente du corps semi-conducteur du premier type 25 de conduction peuvent toutes se trouver dans une couche à grande résistivité, essentiellement du premier type de conduction, située sur un substrat à basse résistivité du premier type de conduction. Cette configuration fournit un dispositif fonctionnant dans le domaine d'épuisement, à faible capacité entre 30 l'électrode d'évacuation et le substrat étant donné que dans le cas de tensions assez élevées appliquées entre ~Trelectrode d'évaouation et le substrat, la couche d'épuisement, qui fait partie de la jonction p-n entre la zone d'évacuation et la partie de couche à haute résistivité sous-jacente du premier 35 type de conduction se rapprochent très près du substrat à basse résistivité. Dans une autre forme de réalisation d'un transistor a effet de champ à électrode de porte isolée conforme à l'invention, approprié à l'emploi dans le domaine d'enrichissement, 40 ladite région superficielle est du premier type de conduction 69 06724 8 2003656 et contient une concentration d'ions implantés d'un élément d'impureté caractéristique pour le premier type de conduction, la résistivité de la zone superficielle à ions implantés étant plus "basse que celle de la partie immédiatement sous-jacente 5 du corps semi-conducteur ou partie de corps semi-conducteur du premier type de conduction, l'utilisation de la zone superficielle implantée d'ions à casse résistivité souvent appelée pellicule à basse résistivité, permet d'obtenir des transistors à effet de champ à électrode de porte isolée, appro-10 priés à l'emploi dans le domaine d'enrichissement, à tensions de seuil réglées d'une manière très précise. Comparativement aux techniques de diffusion, le processus d'implantation d'ions pour former la pellicule offre l'avantage qu'il permet d'obtenir dans la pellicule des profils de concentration en impuretés 15 dans lesquels on peut former plus facilement un canal par inversion. Dans ledit transistor conforme à l'invention approprié à l'emploi dans le domaine d'enrichissement, les deux zones à basse résistivité du second type de conduction peuvent compor-20 ter chacune, au moins dans le domaine de leur plus courte distance, une partie contenant une concentration d'ions implantés d'un élément d'impureté caractéristique pour le second type de conduction, la dimension latérale de l'électrode de porte entre les deux zones à basse résistivité, étant pratiquement égale 25 à la distance latérale entre la première zone à basse résistivité et la seconde. Ce dispositif, dans lequel on utilise line technique d'auto-enregistrement offre, en ce qui concerne la faible capacité entre l'électrode de porte et l'électrode d'évacuation, et les dimensions du canal, des avantages ana-30 logues à ceux décrits ci-dessus pour un transistor à effet de champt à électrode de porte isolée, fonctionnant dans le domaine d'épuisement. La première zone à basse résistivité et la seconde du second type de conduction (zone d'alimentation et zone d'évacuation) peuvent comporter chacune une partie 35 contenant une concentration en un élément d'impureté diffusé caractéristique pour le second type de conduction et une partie voisine contenant une concentration en ions implantés d'un élément caractéristique du second type de conduction lesdites parties à ions implantés se trouvant dans et étant 40 partiellement entourées par la zone superficielle implantée 69 06724 9 2003656 d'ions du premier type de conduction. Cette configuration fournit un dispositif fonctionnant dans le domaine d'enrichissement à tension de seuil rigoureusement réglée et à très grand fracteur de gain» la zone superficielle implantée d'ions du 5 premier type de conduction, qui entoure partiellement la partie implantée d'ions des zones d'alimentation et d'évacuation et le canal, sert en même temps à réduire la dispersion de la couche d'épuisement qui fait partie de la jonction entre la zone d'évacuation et la partie voisine du premier type de 10 conduction, ce qui empêche le percement (punch-through) vers la zone d'alimentation. Cela permet d'utiliser une petite distance entre les zones d'alimentation et d'évacuation, cette distance pouvant être réalisée par exemple à l'aide de la technique d'auto-enregistrement. 15 Dans ledit transistor approprié au fonctionnement dans le domaine.il'enrichissement, la première zone à basse résisti-; vité et la seconde du second type de conduction (zones d'alimentation et d'évacuation) ainsi que la zone superficielle implantée d'ions du premier type de conduction peuvent se 20 trouver dans une couche, essentiellement du premier type de conduction, appliquée sur un substrat à résistivité plus basse du premier type de conduction. Cette structure est particulièrement appropriée aux dispositifs fonctionnant dans le domaine d'enrichissement, pour fréquences élevées paroe que, à des 25 tensions assez élevées (par exemple 20 volts) entre la zone d'évacuation et le subsurat, la couche d'épuisement çui fait partie de la jonction entre la zone d'évacuation et la région sous-jacente de la couche du premier type de conduction, se rapproche du substrat à basse résistivité, de sorte que la 3Q capacité entre l'électrode d'évacuation et le substrat est petite * Une autre forme de réalisation du transistor à effet de champ à électrode de porte isolée selon l'invention est caractérisée en ce qu'une troisième zone à basse résistivité, du 35 second type de conduction, s'étend dans le corps à partir d'une surface et est située entre la première zone à basse résistivité et la seconde, alors que la zone de canal est constituée par une première partie implantée d'ions du second type de conduction qui s'étent entre la première zone et la troi— 40 sième et par une seconde partie qui s'étend entre la troisième 69 06724 10 2003656 zone et la seconde, alors qu'une première électrode de porte est disposée au-dessus de la première partie du domaine de canal et qu'une seconde électrode de porte est agencée au-dessus de la seconde partie du domaine de canal. Un tel tran-5 sistor est souvent appelé transistor tétrode à effet de champ à électrode de porte isolée. Des tétrades "MOST" sont décrites dans le brevet anglais N° 1.037.850 et peuvent fournir à des fréquences élevées, un gain de puissance utile, par exemple d'au moins 10 dB 10 à 900 MHz. La tétrode "MOST" constitué un perfectionnement par rapport à la triode "MOST" à me seule électrode de porte, par suite de la limitation notable du gain de puissance aux fréquences élevées que provoque, dans la triode "MOST", la capacité de réaction entre l'électrode de porte et l'électrode 15 d'évacuation. La tétrode"EOST"peut être considérée comme constituant un montage en cascade de deux "MOST", la troisième zone à basse résistivité, du second type de conduction, formant l'électrode d'évacuation du premier"MOST" et l'électrode d'alimentation du second "MOST". Ladite troisième zone sera appe-20 lée par la suite zone d'alimentation et d'évacuation virtuelle étant donné qu'elle ne comporte pas d'électrode. Pendant le fonctionnement, la seconde électrode de porte est maintenue court-circuitée pour le courant alternatif par rapport à la zone d'alimentation du premier transistor et au substrat, ce 25 qui assure l'isolement entre la zone d'évacuation du second transistor et l'électrode de porte du premier transistor. La capacité de couplage à réaction effective entre la zone d'évacuation et la première électrode de porte est égale à celle existant entre la première électrode de porte et la zone d'ali-30 mentation et d'évacuation virtuelle intermédiaire divisée par l'amplification de tension du second transistor. Aussi le gain de puissance stable maximal dans le montage en cascade augmente-t-il d'un facteur égal à l'amplification de tension du second transistor, surtout aux basses fréquences et à 35 des fréquences pas trop élevées. La limitation haute fréquence totale dépend entre autres des valeurs des capacités entre la zone d'alimentation et d'évacuation virtuelle et le substrat, entre la zone d'évacuation du second transistor et le substrat et entre l'électrode de porte du premier transistor et la zone 69 06724 ii 2003656 d'évacuation du secondtransistor. Dans un transitor tétrode à effet de champ, à électrode de porte isolée, conforme à l'invention, l'application de la première zone superficielle du second type de conduction, 5 contenant une concentration en ions implantés d'une impureté caractéristique du second type de conduction, ladite première zone superficielle étant appelée par la suite pellicule à ions implantés, fournit une première partie de transistor utilisée dans le domaine d'épuisement et comportant une pellicule à 10 implantation d'ions. De plus, le processus d'implantation d'ions pour former ladite pellicule permet d'utiliser un substrat de résistivité désirée. Dans ce dispositif, le second transistor peut fonctionner soit dans le domaine d'enrichissement soit dans le domaine d'épuisement. Lorsqu'il fonctionne 15 dans le domaine d'épuisement, la seconde zone superficielle peut être du second type de conduction et contenir une certaine concentration en ions implantés d'un élément d'impureté caractéristique du second type de conduction. Une telle pellicule à ions implantés peut être formée en même temps que la 20 pellicule à ions implantés qui forme la première zone superficielle. Toutefois, lorsque la seconde partie du transistor fonctionne dans le domaine d'enrichissement, une telle pellicule à ions implantés est superflue. Pour la première partie de transistor il est évidemment désirable de maintenir le 25 canal aussi court que possible et, à cet effet, on peut recourir à la technique d'auto-enregistrement. La première zone à basse résistivité et la troisième, du second type de conduction, peuvent, au moins dans le domaine de leur plus courte distance, contenir chacune une concentration en ions implantés d'un 30 élément d'impureté déterminant le second type de conduction, alors que la dimension latérale de la première électrode de porte, qui fait partie de la première zone superficielle, est pratiquement égale à la distance latérale comprise entre la première zone à basse résistivité et la troisième. La technique 35 d'auto-enregistrement peut également être utilisée pour déterminer la longueur de canal dans la seconde zone superficielle. Dans "une forme de réalisation, la seconde zone à basse résistivité et la troisième, du second type de conduction, comportât chacune, au moins dans le domaine de leur plus 40 courte distance, une concentration en ions implantés de l'élé- 69 06724 12 2003656 ment d'impureté du second type de conduction, alors que les dimensions latérales de la seconde électrode de porte faisant partir de la seconde zone superficielle sont pratiquement égales à la dimension latérale du second canal conducteur de cou-5 rant formé dans ladite seconde zone superficielle. Dans cette forme de réalisation du dispositif, la technique d'auto-enregistrement est utilisée pour déterminer la dimension de la seconde zone superficielle de part et d'autre de ladite zone, c'est-à-dire tant du côté de la seconde zone à basse 10 résistivité que de la troisième. Dans une autre forme de réalisation, la technique d'auto-enregistrement est utilisée pour déterminer la dimension latérale de la seconde zone superficielle pour autant que cette dimension dépende de la position de la troisième zone à basse résistivité du second 15 type de conduction» la troisième zone à basse résistivité Su second type de conduction peut alors comporter, du moins dans le domaine de sa plus courte distance par rapport à la seconde zone à basse résistivité, une concentration en ions implantés d'un élément d'impureté déterminant le second type de 20 conduction, alors que la limitation latérale de la seconde électrode de porte, près de la troisième zone à basse résistivité, correspond à la limitation latérale de ladite troisième zone à basse résistivité. Dans le transistor tétrode à effet de champ, à élec-25 trode de porte isolée, la première zone à basse résistivité et la seconde peuvent comporter chacune une partie comportant un élément d'impureté diffusé déterminant le second type de conduction, tandis que lorsqu'on utilise la technique d'auto-enregistrement pour définir la première zone super-30 ficielle et la seconde, la première zone à basse résistivité et la seconde peuvent comporter chacune une partie avec une concentration en ions implantés d'un élément d'impureté déterminant le second type de conduction, la troisième zone a basse résistivité du second type de conduction peut être 35 constituée par une zone diffusée, tandis que dans le cas de la technique d'auto-enregistrement, cette zone peut comporter en outre une partie avec une concentration d'ions implantés d'un élément d'impureté déterminant le second type de ^conduction» De plus, la troisième zone à basse résistivité peut être entièrement définie par une concentra— 40 69 06724 13 2003656 tion d'ions implantés d'un élément déterminant le second type de conduction, cette zone, ne comportant pas de concentration diffusée dudit élément. Dans un transistor tétrode à effet de champ à 5 électrode de porte isolée selon l'invention, on peut prévoir dans le corps semi-conducteur ou dans une partie de ce corps du premier type de conduction, près de la troisième zone à basse résistivité du second type de conduction, et du côté de ladite troisième zone tournée vers la seconde zone à "basse résis-10 tivité du second type de conduction, une zone locale à basse résistivité du premier type de conduction avec une concentration en ions implantés d'un élément d'impureté déterminant le premier type de conduction. Par suite de la présence de la zone implantée d'ions à basse résistivité du premier 15 type de conduction, la dispersion de la couche d'épuisement, qui fait partie de la jonction entre la seconde zone et le substrat, est réduite, de sorte que le percement (punch-through) vers la troisième zone à basse résistivité (zone d'alimentation et d'évacuation virtuelle) est empêchée. De ce 20 fait, il est impossible d'obtenir une petite distance entre la zone d'évacuation et la zone d'alimentation et d'évacuation virtuelle sans qu'un percement (punch-through) se produise lors de l'application des tensions usuelles. Ladite zone localement implantée d'ions à basse résistivité du pre-25 mier type de conduction peut contenir des ions introduits, à travers des canaux ouverts dans le réseau cristallin, dans le corps ou partie de celui-ci. Un tel procédé d'implantations d'ions est appelé procédé par canalisation. Dans une autre forme de réalisation d'un transistor 30 à effet de champ à électrode de porte isolée conforme à l'invention, la concentration en ions implantés d'un élément d'impureté déterminant le type de conduction de ladite zone superficielle diffère dans les diverses parties de cette zone superficielle entre une première zone à basse résistivi-35 té et une seconde, du second de type de conduction. Un tel transistor peut présenter diverses configurations. C'est ainsi que par variation de la concentration en ions implantés on peut obtenir un dispositif à caractéristique n variable. Un tel dispositif est décrit dans le brevet 40 anglais N° 1.075.085. Dans une autre forme de réalisation, 69 06724 2003656 la variation de la concentration peut Être telle que, dans la direction transversale de la zone superficielle entre la première zone à basse résistivité et la seconde du second type de conduction (zones d'alimentation et d'évacuation), 5 la concentration en ions implantés augmente à partir de la première de ces zones qui forme la zone d'évacuation vers l'autre zone, qui constitue la zone d'alimentation. Un dispositif analogue, dans lequel la variation en concentration d'impureté est obtenue par diffusion est décrite dans le 10 brevet français N° 1.54-7-136. Dans un transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée,conformément à l'invention, le corps semiconducteur ou partie de corps peut être en silicium, tandis que la matière isolante peut être de l'oxyde de silicium ou 15 du nitrure de silicium. Ces dispositifs sont appelés respectivement LiOST et MfiST. Dans cette forme de réalisation du transistor, dans laquelle le corps semi-conducteur ou partie de ce corps est constitué par silicium, la matière isolante peut comporter une première partie de couche d'oxyde de sili-20 cium sur la surface du corps semi-conducteur, ou partie de ce corps, au-dessus de la zone superficielle implantée d'ions et une seconde partie de couche de nitrure de silicium sur la couche d'oxyde de silicium, l'électrode de porte étant appliquée sur la partie de couche de nitrure de silicium. Un tel 25 dispositif est normalement appelé KNOSÎ. La matière isolante peut comporter une concentration d'ions implantés d'un élément qui stabilise cette couche» Un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée en silicium, avec une couche isolante ou partie de couche en 30 oxyde de silicium, peut contenir une concentration en ions 4e phosphore implantés qui stabilisent cette couche ou partie de couche. On sait que le phosphore réduit notablement la charge superficielle et la mobilité de la charge dans le bioxyde de silicium. Cette stabilisation est la plus effective lorsque 35 le phosphore est introduit tout juste au-dessuas de la surface de la couche d'oxyde de silicium, car, lorsque la couche est contaminée par des ions de sodium, la concentration de ceux-ci est maximale en cet endroit. Lorsque l'énergie est réglée, l'implantation d'ions de phosphore dans la couche d'oxyde de silicium fournit un procédé efficace pour obtenir 69 06724 15 2003656 le profil de phosphore désiré dans une couche ou partie de couche d'oxyde de silicium. Suivant une autre particularité de l'invention, dans un procédé de fabrication de transistor à effet de champ, 5 à électrode de porte isolée, des ions d'un élément d'impureté sont implantés dans une zone d'un corps semi-conducteur ou partie de corps du premier type de conduction, qui est adjacente à une surface de celui-ci afin de déterminer la conduction et le type de conduction de la zone superficielle, dans 10 laquelle un canal conducteur de courant est formé entre deux zones à basse résistivité du second type de conduction qui s'étendent dans le corps ou partie de corps à partir de la première surface mentionnée. Dans une forme de réalisation du procédé, les ions 15 implantés sont déterminants pour le second type de conduction et forment une zone superficielle du second type de conduction. Cette forme de réalisation du procédé peut être utilisée pour la fabrication d'un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée, pouvant fonctionner dans le domaine d'é-20 puâsement. Dans une autre forme de mise en oeuvre du procédé, les ions implantés déterminent le premier type de conduction et forment une zone superficielle du premier type de conduction à résistivité plus basse que celle de la partie du corps 25 semi-conducteur directement sous-jacente du premier type de conduction. Cette forme de réalisation peut être utilisée pour la fabrication d'un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée, fonctionnant dans le domaine d'enrichissement. 30 Dans un procédé conforme à l'invention, au moins des parties des deux zones à basse résistivité du second type de conduction peuvent être formées par diffusion d'un élément d'imptureté déterminant le second type de conduction dans des parties de la première surface, l'implantation des ions de la zone superficielle dans laquelle est formé le canal conducteur de courant s'effectuant après ladite diffusion. On peut ainsi éviter une trop grande diffusion de la couche implantée ou des couches implantées. Suivant une autre particularité de l'invention, un dispositif semi-conducteur comporte un corps semi-conducteur 69 06724 2003656 ou partie de corps semi-conducteur du premier type d^éonduction, une zone implantée d'ions du second type de conduction qui s'étend dans le corps ou partie de corps à partir d'une surface de celui-ci et une concentration d'ions implantés 5 d'un élément d'impureté déterminant le second type de conduction, un transistor à effet de chatr.p à électrode de porte isolée qui est formé dans la zone implantée d'ions du second type de conduction et encore au moins un élément de circuit qui est formé dans la matière du corps ou partie de corps du 10 premier type de conduction. Un tel dispositif semi-conducteur peut être constitué par un circuit semi-conducteur intégré comportant ledit transistor à effet de champ à électrode de porte isolée qui est formé dans la zone à ions implantés du second type de conduction et au moins encore un élément de 15 circuit, par exemple un transistor bipolaire ou un transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, formé dans le matériau du corps ou partie de corps du premier type de conduction. La zone implantée d'ions du second type de conduction peut être considérée comme un îlot dans le corps ou 20 partie de corps du premier type de conduction. Le procédé dans lequel ledit îlot est obtenu par implantations d'ions présente des avantages déterminés par rapport aux techniques de diffusion et de détermination de contour épitaxial. Il s'est avéré que le procédé d'implantation d'ions permet 25 d'obtenir un îlot présentant la résistivité désirée pour y former un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée dont la caractéristique est comparable à celle d*un transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, formé dans le matériau du corps ou partie de corps du pre-50 mier type de conduction. Dans une forme de réalisation préféré du dispositif semi-conducteur ledit autre élément de circuit est un transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, dont les propriétés sont autres que celles d'un transistor à effet de 35 champ à electrode de porte isolée formé dans la zene implantée d'ions du second type de conduction. Les deux transistors à effet de champ, à électrode de porte isolée, peuvent, être complémentaires, en ce sens que leurs zones superficielles dans lesquelles sont formés des canaux conducteurs de cou-4-0 rant sont de type de conduction différent. C'est ainsi que 69 06724 17 2003656 le dispositif peut comporter un MOST à canal de type P et un MOST complémentaire à canal de type N, qui sont réalisés dans un coprs semi-conducteur normal. Les transistors à effet de champ, à électrode de 5 porte isolée, peuvent fonctionner soit tous deux dans le domaine d'enrichissement soit tous deux dans le domaine d'épuisement. De plus, un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée peut fonctionner dans le domaine d'enrichissement et l'autre dans le domaine d'épuisement. 10 Dans au moins l'un des deux transistors à effet de champ à électrode de porte isolée, la zone superficielle peut présenter une conductivité ou un type de conduction qui diffère de ceux de la partie directement sous-jacente du corps semi-conducteur et elle comporte une concentration en ions 15 implantés qui est déterminante pour ladite conductivité ou ledit type de conduction. Ledit transistor peut comporter alors une pellicule du genre décrit, implanté d'ions et peut être constitué de la même manière que les transistors déjà décrits, comportant de telles pellicules. 20 Dans un dispositif semi-conducteur conforme à l'invention, dans un ou plusieurs transistors à effet de champ à électrode de porte isolée, formés dans le corps semi-conducteur ou partie de corps, la première zone à basse résistivité et la seconde peuvent contenir chacune, au moins dans le do-25 maine de leur plus courte distance, une concentration en ions implantés d'un élément d'impureté déterminant le type de conduction de ces zones, alors que les dimensions latérales de l'électrode de porte qui fait partie de la zone superficielle entre lesdites zones, est pratiquement égale à la distance 30 latérale entre la première zone à basse résistivité et la seconde. Dans ce dispositif, on utilise la méthode d'auto-enregistrement décrite ci-dessus, ce qui offre les mêmes avantages que dans les transistors à effet de champ à électrode de porte isolée déjà décrits, comportant des pellicules 35 superficielles. Dans un dispositif semi-conducteur conforme à l'invention, une zone, implantée d'ions du second type de conduction, dans laquelle est formé un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée, peut comporter des ions qui sont 4-0 introduits dans la partie du corps à travers des canaux ou 69 06724 18 2003656 verts dans le réseau cristallin» Le procédé de canalisation convient à la formation d'un îlot du second type de conduction qui s'étend profondément dans le corps à partir de la première surface et qui présente la résistivité désirée pour 5 y former le transistor à effet de champ à électrode de porte isolée. Selon une autre particularité de l'invention, dans un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, on implante d'abord, dans une zone d'un corps semi-conducteur 15 ou partie de corps du premier type de conduction, une concentration d'ions d'un élément d'impureté déterminant le second type de conduction, cette concentration d'ions implantés définissant une zone du second type de conduction qui s'étent vers une surface du corps ou partie du corps et qui est entourée, 15 dans le corps ou partie de coprs,dd'une zone du premier type de conduction, après quoi on forme un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée dans la zone implantée du second type de conduction et au moins un autre élément de circuit dans la zone du premier type de conduction. 20 Suivant une autre particularité de l'invention, dans un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant au moins deux transistors à effet de champ à électrode de porte isolée, de propriétés différentes, on implante d'abord dans une zone du corps semi-conducteur ou partie de 25 ce corps du premier type de conduction, une concentration d'ions d'un élément d'impureté déterminant le second type de conduction, cette concentration d'ions implantés définissant une zone du second type de conduction qui s'étend vers une surface du corps ou partie de corps et qui, dans le corps ou partie de 35 corps, est entourée d'une zone du premier type de conduction, après quoi on forme, dans la zone du premier type de conduction, des zones séparées entre elles, à basse résistivité, du second type de conduction qui font office de zones d'alimentation et d'évacuation du premier transistor à effet de 40 champ, à électrode de porte isolée, ensuite, dans la zone implantée d'ions du second type de conduction, on forme des zones séparées entre elles à basse résistivité du premier type de conduction qui font office de zones d'alimentation et d'évacuation d'un second transistor à effet de champ, 69 06724 19 2003656 après quoi on applique sur la première surface une couche isolante, une électrode de porte sur la couche isolante au-dessus de la zone superficielle entre les zones d'alimentation et d'évacuation du premier transistor, une élec-5 trode de porte sur la couche isolante au-dessus de la zone superficielle entre les zones d'alimentation et d'évacuation du second transistor et des électrodes sur les zones d'alimentation et d'évacuation des deux transistors. la description qui va suivre en regard du dessin 10 annexé, donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 est une coupe transversale d'une partie du corps semi-conducteur d'un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée pour le fonctionnement dans le 15 domaine d'épuisement. Les figures 2 et 3 montrent, toutes deux en coupe, une partie du corps semi-conducteur d'un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée pour le fonctionnement dans le domaine d'enrichissement, le transistor représenté 20 3ur la figure 2 constituant un dispositi à canal de type P et le transistor de la figure 3, un dispositif à canal de type Nf La figure 4 est une coupe transversale d'une partie du corps semi-conducteur d'un transistor à effet de champ à 25 électrode de porte isolée, qui peut être utilisé, aux fréquences élevées, dans le domaine d'enrichissement. lia figure 5 est une coupe transversale d'une partie du corps semi-conducteur d'un transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, qui peut être utilisé, aux 30 fréquences élevées, dans le domaine d'épuisement. La figure 6 est une coupe transversale d'une partie du corps semi-conducteur d'un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée, qui peut fonctionner à des fréquences élevées et qui fournit une grande applification 35 de puissance. La figure 7 est une coupe transversale d'une partie du corps semi-conducteur d'un circuit semi-conductëur intégré, comportant une paire de transistors à effet de champ à électrode de porte isolée complémentaires, qui tous deux sont 40 utilisés dans le domaine d'enrichissement. 69 06724 20 2003656 Le transistor à effet de champ à électrode de porte isolée, représenté sur la figure 1, est un MOST fonctionnant dans le domaine d'épuisement, à canal de type N« Le corps semi-conducteur comporte un substrat 1, de type P, à 5 résistivité de 15 ohms, cm et à épaisseur de 200 p. , Le substrat 1 comporte une surface plane 2 recouverte d'une couche d'oxyde de silicium 3 et 0,2|i d'épaisseur. Deux .. .. zones 4 et 5 -de~. type Jtt,. à-baa&e.-r,ésis.tivit.éy- a'étendent à partir de la surface 2 dans le substrat 1 de type P. Les 10 zones 4 et 5 sont formées par diffusion de phosphore dans deux parties superficielles du substrat et s'étendent dans le substrat à une distance d*environ % de la surface 2. Le - ~ concentration superficielle de phosphore dans les zones 4- 21 3 et 5 est d'environ 10 at/cm . La largeur de chacune des 15 zones 4 et 5 est d'environ 15p et les zones sont écartées d'une distance d'environ 4p. » Entre les zones 4 et 5 de type N se trouve une zone superficielle 6, de type lï, à résistivité de 1 chm.cnt et comportant des ions de phosphore implantés. Cette zone 6, 20 implantée d'ions, est appelée pellicule de type H et s'étend dans le substrat jusqu'à une distance de 0,8 (j de la surface 8» Une' zone superficielle 7, de type N, s'étend sur d'autres parties de la surface du substrat à l'extérieur des zones 4 et 5, et comporte également une concentration en ions de 25 phosphore implantés. Des parties de couche d'aluminium 8 et 91 d'une épaisseur d'environ lij et de 5|a de largeur, se trouvent sur une partie de surface des zones 4 et 5 £t y foaSfis&t des électrodes. Une électrode de porte» constituée par une partie de couche d'alimlnium 10, d'une épaisseur de l(j , se 30 trouve sur la couche d'oxyde de silicium 3 au—dessus de la pellicule €, de type N, et recouvre quelque peu cette pellicule . Dans ce dispositif, qui peut fonctionner dans le domaine d'épuisement, le canal conducteur de coiirant.se 35 trouve dans la zone 6, implantée d'ions, de type H. Par l'application de cette pellicule, la mobilité effective des électrons dans le canal est notablement plus grande que un dispositif connu fonctionnant dans le domaine d'épuisement dans lequel un canal est ménagé dans une couche d'in— 40 version, de type If, formée préalablement. Par suite de 69- 06724 2003656 l'accroissement de la mobilité effective des électrons dans le canal, le facteur d'amplifications ( p) du transistor représenté sur la figure l-;est compris entre le double et le triple de celui d'un dispositif connu, à même longueur de 5 canal. Pour la fabrication du MOST représenté sur la figure 1, on part d'une grande plaque de silicium, de type p, à résistivité de 15 ohms.cm et de 200u d'épaisseur, et, au cours de stades successifs, on forme sur la plaque des struc-10 tures MOST en un certain nombre d'endroits sur la plaque. La fabrication sera cependant décrite à l'aide de la formation d'une seule structure kOST en admettant que les processus dont il sera question, tels que diffusions, implantations d'ions, photo-masquage et attaque chimique ou décapage, 15 sont effectués simultanément en un certain nombre d'endroits de la plaque. L'orientation cristallographique de la plaque est telle que ses plans principaux sont parallèles aux plans . Un plan principal 2 est optiquement plan. Une couche 20 isolante d'oxyde de silicium 3, d'une épaisseur de 0,5n est formée sur la surface par exposition à de l'oxygène liquide porté à une température élevée. Deux ouvertures sont ménagées dans la couche d'oxyde de silicium par une technique de photo-masquage et d'attaque chimique usuelle; ces ouvertu-25 res dénudent deux parties de surface du substrat. On procède à la diffusion de phosphore pour former les zones 4 et 5 de type N dans les parties du substrat qui sont dénudées par les deux ouvertures mentionnées. Ensuite, la couche d'oxyde de silicium est entièrement enlevée de la surface 2, en même 30 temps qu'une couche de verre éventuellement formée pendant le stade de diffusion de phosphore sur la surface et dans les ouvertures. Le corps de silicium est introduit dans le compartiment collecteur d'un dispositif d'implantation d'ions. Les 35 ions de phosphore sont implantés de la surface 2. L'énergie d'implantation est de 40 keV,' le dopage est de l'ordre de 11 2 10 at/cm et le corps est orienté de façon que la direction du faisceau d'ions coïncide, à moins de + 2° , près avec la direction . 40 Après la sortie du dispositif d'implantation d'ions, 22 2003656 69 06724 une nouvelle couche d'oxyde de silicium 3, d'une épaisseur de 0,2 , est rapidement formée sur la surface 2 par exposition du silicium à de l'oxygène humide porté à température élevée. Ce traitement d'oxydation permet simultanément 5 de produire une certaine redistribution des ions de phosphore implantés. Des ouvertures sont formées dans la couche isolante au-dessus des zones 4 et 5 àe type N+, ouvertures qui ont chacune un diamètre d'environ . Une couche d'aluminium, d'environ 1 nd'épaisseur, est précipitée sur toute 10 la surface de la couche d'oxyde de silicium 3 et dans les ouvertures ménagées dans cette couche. Ensuite, à l'aide d'un processus de photo-masquage et d'attaque chimique, les électrodes 8, 9 et 10 sont formées par un enlèvement sélectif de parties de la couche d'aluminium. Dans le mode de réalisation 15 représenté sur la figure 1, l'électrode de porte 10 a une diamètre d'environ 5 u.. Des fils sont reliés aux électrodes 8, 9 et 10 et une connexion avec le substrat 1 est établie de la manière normalement utilisée pour la fabrication des dispositifs 20 semi-conducteurs. Ensuite, le dispositif est muni d'une enveloppe appropriée. Le transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, représenté sur la figure 2 est un MOST à canal de type P fonctionnant dans le domaine d'enrichissement. Le corps 25 semi-conducteur comprend un substrat 11, de type N, à grande résistivité de 15 ohms.cm et de 200ud'épaisseur. Le substrat 11 comporte une surface plane 12, sur laquelle est appliquée une couche d'oxyde de silicium 13 de 0,2 |j, d'épaisseur» Deux zones, 14 et 15, de type P à basse résistivité, s'étendent 30 à partir de la surface 12 dans le substrat 11 type N~. Les zones 14 et 15 sont formées par diffusion de bore dans deux parties de surface du substrat et s'étendent dans le substrat jusqu'à une distance de 2^ de la surface 12. La concentration superficielle de bore dans les zones 14 et 15 est d'environ 20 3 35 5 x 10 at/cm . Dans l'exemple montré par la figure 2, chacune des zones 14 et 15 a une largeur d'environ 15u et les zones sont écartées d'environ 4u . &ntre les zones 14 et 15, de type N+, se trouve une zone superficielle 16 de type N à résistivité de 1 ohm.cm et 40 comportant des ions de phosphore implantés, La zone ou pellicule 23 2003656 69 06724 16 implantée d'ions, de type s'étent dans le substrat sur une distance de 0,8 ^ à partir de la surface 12. Une zone superficielle 17, de type N~, s'étend sur le reste de la surface du substrat, à l'extérieur des zones 14 et 15 et comporte égale-5 ment une concentration d'ions de phosphore implantée. Des parties de couches d'aluminium 18 et 19, d'une épaisseur d'environ l{j , se trouvent sur les parties de surface des zones 14 et 15 et forment sur celles-ci des électrodes. Une électrode de porte 20, constituée par une partie de couche d'aluminium 10 d'une épaisseur de 1p est appliquée sur la couche d'oxyoe de silicium 13 au-dessus de la pellicule de type N~ et couvre - quelque peu cette pellicule. Dans ce dispositif, fonctionnant dans le domaine d'enrichissement, le canal conducteur de courant est formé par in-15 version d'au moins une partie de la pellicule 16 de type U" implantée d'ions. Par l'application de cette pellicule, on obtient une tension de seuil réglée du dispositif, reproductible entre des limites assez étroites. la fabrication du MOST selon la figure 2 correspond 20 pratiquement à la fabrication du MOST représentée sur la figure 1, avec cette différence cependant que lors de la fabrication du dispositif représenté sur la figure 2, à canal de type P, on diffuse d'abord du "bore. le transistor à effet de champ à électrode de porte 25 isolée, représenté sur la. figure 3 est un MOST à canal de type ¥ fonctionnant dans le domaine d* enrichissement. Dans ce dispositif, les dimensions du corps semi-conducteur et des diverses zones et. électrodes coïncident pratiquement avec celles, du MOST à canal de type p représenté sur la figure 2. la seule 30 différence réside dans le fait que le substrat du dispositif représenté sur la figure 3 est du type P , la pellicule superficielle implantée d'ions du type P et les zones d'alimentation et d'évacuation du type N+. Cette configuration convient particulièrement bien pour un MOST à canal de type N fonction-35 liant dans le domaine d'enrichissement, car, par suite de la présence de la pellicule de type P~ implantée d'ions, on obtient un bon réglage de la tension de seuil* De plus, la résistivité du substrat de type P peut être choisie assez élevée, par exemple 15 ohms.cm. La formation directe dans un tel maté-* 40 riau d'un MOST à canal de type N, fonctionnant dans le domaine 69 06724 24 2003656 d'enrichissement n'est évidemment pas simple car lors de l'oxydation de la surface d'un tel matériau à grande résistivité, il se forme une couche d'inversion de type N. D'autres avantages de l'application d'une pellicule de type P~ implantée d'ions 5 dans une partie de type P pour un M8ST à canal de type N, fonctionnant dans le domaine d'enrichissement, y compris la possibilité d'obtenir des canaux courts par suite du fait que la zone de type P empêche un percement (punch-through) vers la zone d'alimentation de la couche d'épuisement entre la zone 10 d'évacuation et le substrat seront expliqués en détail à l'aide de la forme de réalisation représentée sur la figure 4. Les stades de fabrication du dispositif selon la figure 3 sont identiques à ceux de la fabrication du dispositif représenté sur la figure 1 avec la seule différence que des 15 ions de bore sont implantés dans la pellicule- Les conditions avantageuses pour l'implantation de bore sont : une énergie 11 2 de 20 keV et un dopage d'environ 5 x 10 at/cm . Le transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, représenté sur la figure 4 est un MOST à canal de type N 20 pour fréquences élevées fonctionnant dans le domaine d'enrichissement. Le corps semi-conducteur comporte un substrat 21, de type P+, à basse résistivité de 0,05 ohm.cm et à épaisseur de 200 u, et une couche épitaxiale 22 de type P~ à grande résistivité de 15 ohms, cm et de 6 ii d'épaisseur qui est appliquée 25 sur le substrat 21. La couche 22 comporte une surface plane 23 recouverte d'une couche d'oxyde de silicium 24 de 0,12|i d'épaisseur. Deux zones de type N , à basse résistivitié, s'étendent à partir de la surface 23 dans la couche 22 de type P . Les zones de type N+ comportent des parties diffusées 26 et 27 30 qui sont formées par diffusion de phosphore dans deux parties de surface de la couche 22 et des parties 28 et 29, implantées d'ions, qui voisinent avec les parties 26 et 27; les parties 28 et 29 sont formées par implantation d'ions de phosphore dans la surface de la couche d'oxyde de silicium 23 à l'aide 35 du procédé décrit dans la première demande de brevet mentionnée ci-dessus. Les parties diffusées 26 et 27 s'étendent dans la couche 22 à une distance d'environ 1u de la surface 23, tandis que les parties 28 et 29, implantées d'ions, s'étendent dans la couche à une distance de 0,3U de la surface 23. La résistance 06724 25 2003656 de couche des parties diffusées 26 et 27 est d'environ 20 Q par carré, et celle des parties 28 et 29* implantées d'ions, est d'environ 300 o par carré. Dans l'exemple représenté sur la figure 3, la largeur de chacune des parties diffusées 26 et 27 5 est d'environ 15u, tandis que la largeur de chacune des parties 28 et 29 implantées d'ions est d'environ 3 |j. Les parties 28 et 29 implantées d'ions se trouvent à une distance d'environ 3 u l'une de l'autre. Les parties 28 et 29 se trouvent à l'intérieur d'une zone superficielle 30, de type P, à résistivité de 0,75 10 ohm.cm et à concentration d'ions de bore implantés. La zone 30, implantée d'ions, est appelée pellicule de type P" et s'étend dans la couche 22 de type P , à plus grande résistivité, à une distance de 0,7 u de la surface 23. Une zone superficielle 31 de type P, s'étend sur le reste de la surface de la couche à 15 l'extérieur des zones (26, 28) et (27, 29) et comporte également des ions de bore implantés. Des électrodes constituées par des parties de couche d'aluminium 33 et 34 d'une épaisseur d'environ 1 u, et d'une largeur de 5 u dans l'exemple représenté, se trouvent sur les parties de surface des zones respectives 20 (26, 28) et (27,29), ces parties de surface étant ménagées dans des ouvertures prévues dans la couche d'oxyde de silicium 24. Une électrode de porte, constituée par une partie de couche d'aluminium 35* d'une épaisseur de 1 u et à largeur de 3 u se trouve, sur la couche d'oxyde de silicium 24, immédiatement 25 au-dessus de.la zone 30 de type P" implantée d'ions entre les parties 28 et 29 de type N+ implantées d'ions. Dans ce dispositif', qui peut fonctionner dans le domaine d'enrichissement à des fréquences élevées, le canal conducteur de courant est formé par inversion d'au moins la partie de la pellicule 30 30 de type P~, implantée d'ions, qui se trouve près de la surface 23 entre les zones 28 et 29, de type N+, implantées d'ions. Par l'application de la pellicule 30 implantée d'ions, on peut obtenir pour le dispositif une tension de seuil reproductible entre des limites assez étroites. Le dispositif assure une 35 assez grande amplification de puissance, car la longueur effective des canaux est petite, à savoir 3 y, étant donné que l'on utilise la configuration décrite obtenue à l'aide d'auto-enregistrement. Le procédé assure également une basse valeur à la capacité entre l'électrode de porte et l'électrode 69 06724 26 2003656 d'évacuation, ainsi qu'entre l'électrode de porte et l'électrode d'alimentation, car le chevauchement de l'électrode de porte 35 au-dessus dés zones 28 et 29 de type N+ implantées d'ions, est uniquement déterminé par la dispersion latérale et la cana-5 lisation des ions de phosphore, et ce chevauchement n'est, de chaque coté, que de 0,25 u, et mime moins. La capacité entre la zone d'évacuation et le substrat est également basse: pour une tension de 20 V entre la zone d'évacuation et le substrat, "Z p on a mesuré une valeur de 2 x 10 pP/cm . Cela résulte du fait 10 que, pour une telle tension entre la zone d'évacuation et le substrat, la couche d'épuisement, qui fait partie de la jonction entre la zone d'évacuation 27, 29 du type N+ et la zone 22 de type P se rapproche du substrat 21 de type P+. La présence de la pellicule 30, de type P~, limite également la dispersion 15 de cfette couche d'épuisement dans la zone du dispositif près du canal, de sorte que le percement (punch-through) de cette couche d'épuisement vers la zone d'alimentation est empêchée pour une telle tension. De ce fait, il est plus facile de disposer, à petite distance l'une de l'autre, les zones d'ali-20 mentation et d'évacuation; dans l'exemple considéré, cette distance est de 3 u. La triode MOST pour fréquences élevées représentée sur la figure 4 est fabriquée de la manière suivante : Une plaque de silicium, de type P , d'une épaisseur de 25 200 u et à résistivité de 0,05 ohm.cm, comporte un plan principal poli, optiquement plan. Le dispositif est orienté de façon que le plan principal soit parallèle au plan . Une couche épitaxiale, de silicium de type P , à résistivité de 15 ohms.cm est formée sur un plan principal. La surface de la 30 couche est polie de façon à être optiquement plane. Une couche d'oxyde de silicium, de 0,2 u d'épaisseur est formée sur la surface de la couche épitaxiale par exposition à de l'oxygène humide porté à 1100°C, pendant 15 minutes. Des ouvertures sont formées par les techniques usuelles de photo-masquage et d'attaque 35 chimique dans la couche d'oxyde de silicium. Du phosphore est ensuite diffusé dans les parties de surface dénudées pour former les zones 26 et 27 de type N+. Ensuite, la couche d'oxyde de silicium est enlevée de la surface et une nouvelle couche isolante 24 d'oxyde de silicium, d'une épaisseur de 0,12 u est 40 formée sur la surface 23 par exposition à l'oxygène humide, 69 06724 27 2003656 chauffé à 1100°C, pendant environ 6 minutes. Le chauffage dans l'oxygène humide peut être suivi d'une attaque chimique pour fixer rigoureusement l'épaisseur de la couche d'oxyde 24. Ensuite, les ions de bore sont implantés dans toute la surface 5 à travers la couche d'oxyde de silicium 24. Le corps est orienté de façon que la surface soit perpendiculaire au faisceau d'ions. L'énergie est de 140 keV et le dopage est 1 P P N de 2,5 x 10 at/cm . On procède ensuite à un chauffage à 700°C pendant 30 minutes. Par l'implantation et le post-10 chauffage, on obtient une pallicule 30, 31 de type P . Des fenêtres de contact pour les zones d'alimentation et d'évacuation sont ensuite formées dans la couche 24. et ces fenêtres dénudent les zones 26 et 27 de type N+. Une couche d'aluminium de 1,0 u d'épaisseur est ensuite précipitée sur toute la 15 surface de là couche isolante et dans les ouvertures qui y sont formées. Par photomasquage et attaque chimique, on définit d'électrode de porte 35 et des parties des électrodes d'alimentation et d'évacuation 33* 34. Ensuite, on procède à un auto-enregistrement d'implantation d'ions de phosphore pour 20 former les parties 28 et 29, implantées d'ions. L'énergie -j gz o est de 100 keV et le dopage est 6 x 10 5 at/cm , la surface étant perpendiculaire à l'axe du faisceau d'ions. Après l'implantation, on procède à un chauffage de 500°C pendant 30 minutes. Enfin, les parties extérieures des électrodes d'alimen-25 tation et d'évacuation sont formées à l'aide d'un processus de photo-masquage et d'attaque chimique. On monte alors le corps, on connecte les fils de connexion et on introduit l'ensemble dans une enveloppe appropriée. Le transistor à effet de champ à électrode de porte 30 isolée représenté sur la figure 5 est un MOST fonctionnant dans le domaine d'épuisement avec canal de type N, pour l'utilisation aux fréquences élevées. En principe, sa construction est identique à celle du MOST fonctionnant dans le domaine d'enrichissement, mais à canal de type N, représenté sur la figure 4, avec 35 cette différence cependant qu'il comporte en outre une pellicule 37, de type N, à ions implantés, d'une épaisseur d'environ 0,1 u et à résistivité de 0,1 ohm.cm. Le canal conducteur de courant se trouve dans la pellicule 37. La pellicule 37, de type N, se trouve dans une pellicule de type P d'environ 40 0,7 u d'épaisseur et à résistivité de 0,75 ohm.cm. 69 06724 28 2003656 Ce dispositif a une grande mobilité des porteurs de charge et un grand facteur d'amplification par suite de la présence de la pellicule 37, du type N, à ions implantés et présente les mêmes avantages que le dispositif fonctionnant dans 5 le domaine d'enrichissement décrit en regard de la figure 4, en ce qui concerne la longueur de canal, la capacité entre la zone d'évacuation et le substrat, la capacité entre l'électrode de porte et la zone d'évacuation et l'élimination du percement (punch-through) vers la zone d'alimentation de la couche d'épuise-10 ment qui fait partie de la jonction de la zone d'évacuation. Les stades de fabrication de ce dispositif sont identiques à ceux de la fabrication du dispositif représenté sur la figure 4, avec cette différence cependant qu'en outre des ions de phosphore sont implantés pour former la pellicule 37, de type N. 15 Le transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, représenté sur la figure 6, est une tétrode MOST comportant une première partie de transistor fonctionnant dans le domaine d'épuisement, avec un canal conducteur de courant, de type N, qui se trouve dans une pellicule implantée d'ions et 20 une seconde partie de transistor fonctionnant dans le domaine d'enrichissement ou dans le domaine d'épuisement suivant la tension appliquée à l'électrode de porte correspondante, alors que le canal conducteur de courant, de type N, dans la seconde partie de transistor, se trouve partiellement dans une pellicule 25 de type N, implantée d'ions et partiellement dans une couche d'inversion, de type N, dans une zone de type P~ implanté d'ions. Le corps semi-conducteur comporte un substrat 41 de type P ~ à grande résistivité d'environ 10 ohms.cm et à épaisseur de 200 u. Le substrat 41 comporte une surface plane 42 recou-30 verte d'une couche d'oxyde de silicium 43 de 0,1 u d'épaisseur. Une zone diffusée 46, de type N+, à basse résistivité, s'étend dans le substrat à une distance d'environ 1,5 u et forme la plus grande partie de la zone d'alimentation. Une zone diffusée 47, de type N+, à basse résistivité s'étend dans le substrat 41 35 à une distance de la surface 42 de maximum 1,5 u et forme la plus grande partie de la zone d'évacuation. Une pellicule 48, de type N , implantée d'ions s'étend dans le corps à une distance d'environ 0,75 u et comporte une concentration d'ions de phosphore implantés, assurant une 40 résistivité d'environ 0,1 ohm.cm. 69 06724 29 2003656 Les zones d'alimentation et d'évacuation comportent également des parties 49 et 50, de type N, implantées d'ions qui s'étendent dans le corps à une distance de 0,5 u de la surface 42 et qui comportent une concentration en ions de 5 phosphore implantés assurant une résistivité d'environ 10~^ ohm. cm. Entre la zone d'alimentation 46, 49 et la zone d'évacuation 47, 50 se trouve une zone 52, de type N, implantée d'ions qui s'étend également dans le corps à partir de la sur- 1 n face 42 à une distance maximale de celle-ci de 0,5 u et la concentration en ions de phosphore implantés est telle que sa résistivité soit d'environ 10~^ ohm.cm. Le dispositif peut être considéré comme un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée, dont la première ^ partie se trouve entre la zone d'alimentation 46, 49 et la zonë 52, et la seconde partie entre la zone 52 et la zone d'évacuation 47, 50. La zone 52 est appelée zone d'alimentation et d'évacuation virtuelle. Entre la zone d'alimentation et d'évacuation virtuelle PO 52 et la zone d'évacuation 47, 50 se trouve une zone 54 de type P", implantée d'ions, qui s'étend dans le corps à une distance maximale de 1,5 u de la surface 42. La zone 54,de type P~ s'étend autour des bords, tournés vers la zone d'évacuation 47, 50 de la zone d'alimentation et d'évacuation virtuèlle 52 et comporte une concentration en ions de bore implantés. La résistivité de la zone 54, de type P~, est d'en-virott 1 ohm.cm en tenant compte, pendant la formation de cette zone, de la concentration en phosphore de la pellicule 48 de type N~ qui se trouve dans la partie de la zone 54 située près de la surface 42. Sur la surface 42 se trouvent, dans des ouvertures ménagées dans la couche isolante 43, les électrodes d'alimentation et d'évacuation 56 et 57, dont chacune est constituée par une couche d'aluminium de 1,0 u d'épaisseur. Sur la partie ^ de la couche isolante 43, située au-dessus de la partie de la surface du corps entre la partie 49 de la zone d'alimentation et la zone d'alimentation et d'évacuation virtuelle 52, se trouve une première électrode de porte 58 constituée par une couche d'aluminium de 1,0 u d'épaisseur. Sur la partie 40 de la couche isolante 43, située au-dessus de la partie de la 69 06724 30 2003656 surface du corps entre la zone d'alimentation et. d'évacuation virtuelle 52 et la partie 50 de la zone d'évacuation, se trouve une seconde électrode de porte 59 constituée par une couche d'aluminium de 1,0 u d'épaisseur. 5 Une première partie d'un transistor à effet de champ à électrode de porte isolée est formée par la zone d'alimentation 46, 49, La zone d'évacuation virtuelle 52 et l'électrode de porte 58.- Le canal conducteur de courant se trouve dans la pellicule de type N~ qui est située au-dessous de 10 l'électrode de porte 58 et entre les zones 49 et 52 de type N . La longueur de canal est pratiquement égale à la dimension latérale de -l'électrode de porte 58, car les zones 49 et 52 sont formées par une technique d1 auto-enregistrement telle que décrite dans la première demande de brevet mentionnée ci-dessus. 15 La longueur de canal est d'environ 2»5 u. Une seconde partie d'un transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, est formée par la zone d'alimentation virtuelle 52, la zone d'évacuation 47, 50 et l'électrode de porte 59- Le canal conducteur du courant se trouve 20 dans cette partie de transistor au-dessous de l'électrode de porte 59 et cela partiellement dans une couche d'inversion superficielle, de type N, qui est formée à la surface de la zone 54 de type P" et partiellement dans la pellicule 48 de type N". La longueur du canal de la seconde partie du transistor 25 est d'environ 3,5 a et est pratiquement égale à la dimension latérale de l'électrode de porte 59, parce que les zones 52 et 50 sont également obtenues suivant la technique d'auto-enregistrement. La première partie de transistor est un dispositif 30 appelé à fonctionner dans le domaine d'épuisement à des fréquences élevées, à grande amplification de puissance à petite longueur de canal et à très basse capacité entre l'électrode de porte et la zone d'évacuation. Dans la seconde partie de transistor, qui fonctionne soit dans le domaine d'enrichissement 35 soit dans le domaine d'épuisement, par suite de la présence de la zone 54 de type P-, un percement (punch-through) dans la couche d'épuisement autour de la jonction entre la zone d'éva-. cuation 47 et le substrat 41 est empê.ché entre la zone d'alimentation virtuelle 52 et la zone d'évacuation 47, 50 aux 40 tensions élevées entre la zone d'évacuation 47, 50 et le substrat 69 06724 31 2003656 10 41. De ce fait, la zone 54 permet de ne prévoir qu'une petite distance latérale entre la zone d'alimentation virtuelle 52 et la zone d'évacuation 47, 50 et cela à l'aide de la technique d'auto-enregistrement. Pendant le fonctionnement, l'électrode d'alimentation 56 est reliée au substrat 41. La première électrode de porte 58 est portée à une tension de polarisation négative par rapport à la zone d'alimentation et au substrat, et le signal d'entrée est transmis par-dessus cette tension de polarisation à la première électrode de porte 58. La seconde électrode de porte 59 est portée à une tension continue de polarisation, positive, ou négative suivant les besoins, par rapport à la zone d'alimentation et au substrat. L'électrode de porte 59 est court-clrcuitée pour le courant alternatif par rapport à la zone "1 ° d'alimentation et au substrat. L'électrode d'évacuation 57 est polarisée par une tension positive, de par exemple 10V, par rapport à la zone d'alimentation et au substrat. Les divers stades de la fabrication de la tétrode MOST pour le fonctionnement aux fréquences élevées, représentée sur la figure 6, sont décrits succinctement ci-après. 1. Un plan principal d'une plaque de silicium de type P , à résistivité de 10 ohms.cm, dont les plans principaux sont parallèles au plan 111, est rendu optiquement plan. 2. Une couche d'oxyde de silicium de 0,5 u d'épaisseur ^ est formée sur cette surface par oxydation thermique à température élevée dans de l'oxygène humide. 3. Des ouvertures sont formées dans la couche isolante par un processus usuel de photo-masquage et d'attaque chimique. 4. Du phosphore est diffusé dans les parties de surface "50 qui sont dénudées par les ouvertures ménagées dans la couche isolante, ce qui forme la partie 46 de la zone d'alimentation et la partie 47 de la zone d'évacuation. 5. La couche d'oxyde de silicium est enlevée en même temps que le verre de phosphore éventuellement formé pendant le stade 4. 6. Une couche d'aluminium de 1,0 u d'épaisseur est précipitée sur toute la surface. 7. Une ouverture est ménagée dans la couche d'aluminium par un procédé de photo-masquage et d'attaque chimique. 20 35 69 06724 32 8. La zone de type P~ est formée par implantation drions de bore à 140 keV dans la partie de la surface qui est dénudée par l'ouverture ménagée au cours du stade 7- La partie restante de la couche d'aluminium fait office de masque pour 1'implan - 5 tation. On procède ensuite à un chauffage. 9. Dans la couche de masquage d'aluminium, on formé une plus grande ouverture qui s'étend jusqu'aux périphéries extérieures des zones 46 et 47- Les ions de phosphore sont implantés dans la partie dénudée de la surface à 40 keV, ce qui forme 10 la pellicule 48 de type N~. On procède ensuite à un chauffage. 10. La partie restante de la couche de masquage d'aluminium est enlevée. 11. Une couche d'oxyde de silicium de 0,1 |j d'épaisseur est formée sur la surface par oxydation thermique dans de 15 l'oxygène humide porté à température élevée. 12. Des ouvertures sont ménagées dans la couche d'oxyde de silicium venant d'être formée, ce qui dénude la partie 46 de la zone d'alimentation et la partie 47 de la zone d'évacuation. 13. Une couche d'aluminium de 1,0 u d'épaisseur est 20 précipitée sur toute la surface de la couche d'oxyde et dans les ouvertures qui y sont ménagées. 14. On procède à un photo-masquage et à une attaque chimique pour définir les électrodes de portes 58 et 59 et partiellement les électrodes d'alimentation et d'évacuation 25 56 et 57- 15. Des ions de phosphore sont implantés sous 140 keV dans la surface à travers les parties d'oxyde qui ne sont pas recouvertes d'aluminium suivant la méthode d'auto-enregistrement, les électrodes 56, 57, 58 et 59 étant utilisées comme masques. 30 On obtient ainsi les parties 49 et 50 des zones d'alimentation et d'évacuation et la zone d'alimentation et d'évacuation virtuelle 52. 0n procède ensuite à un chauffage à une température assez basse. 16. Les parties extérieures de l'électrode d'alimentation 35 56 et de l'électrode d'évacuation 57 sont définies, dans la couche d'aluminium, par photo-masquage et attaque chimique. 17- La plaquette est subsdivisée ce qui fournit des disques séparés comportant chacun un élément MOST tétrode. 18. L'élément est monté sur un fond et des fils sont 40 connectés aux électrodes et aux bornes, après quoi le dispositif 33 2003656 69 06724 est introduit dans une enveloppe appropriée. La partie d'un corps semi-conducteur représentée sur la figure 7 constitue une partie d'un circuit semi-conducteur intégré comportant une paire de MOST complémentaires fonctionnant 5 dans le domaine d'enrichissement. Le corps semi-conducteur comporte un substrat en silicium 91, de type P, à grande résistivité de 1,4 ohm.cm. Le substrat comporte une surface plane 92 recouverte d'une couche d'oxyde de silicium 93- Un îlot 94, de type N, implanté d'ions, et à résistivité d'environ 1 ohm.cm, 10 s'étend, à partir de la surface 92, dans le substrat. L'îlot 94 s'étend dans le substrat 91 à une distance d'environ 2 u de la surface 92. L'îlot 94 est formé par implantation d'ions de phosphore à travers des canaux ouverts dans le réseau cristallin (cana- 15 lisation) sous une énergie d'implantation de 100 keV et un 12 2 dopage de 5 x 10 atomes/cm . Ensuite, on procède à un chauffage à 1050cC dans de l'argon pendant environ 10 minutes. Ce procédé assure une répartition assez régulière du phosphore dans l'îlot 94. L'îlot 94, de type N, comporte un MOST fonc-20 tionnant dans le domaine d'enregistrement à canal P, constitué par des zones d'alimentation et d'évacuation 95 et 96, de type P+, des électrodes d'alimentation et d'évacuation 97 et 98 et une électrode de porte 99. Le canal conducteur de courant est une couche d'inversion, de type P, formée dans la zone super-25 ficielle 100 au-dessous de l'électrode de porte isolée 99- Dans la partie du substrat de type P, située à l'extérieur de l'îlot 94, sé trouve un MOST complémentaire fonctionnant dans le domaine d'enrichissement à canal N, constitué par des zones d'alimentation et d'évacuation 103 et 104 de type N+, des électrodes d'alimen-30 tation et d'évacuation 105 et 106 et une électrode de porte 107. Le canal conducteur de courant est situé dans une couche d'inversion, de type N, qui est formée dans la zone superficielle 108 au-dessous de l'électrode de porte isolée 107. Il est évident que dans le circuit intégré, les diverses électrodes 35 des transistors à canal de type P et à canal de type N seront connectées suivant une configuration prédéterminée. Cet interconnexion n'est cependant pas représentée sur la figure J, car celle-ci vise uniquement à montrer la construction d'un dispositif 69 06724 34 2003656 conforme à l'invention dans lequel un transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, est formé dans un îlot de type de conduction déterminé, implanté d'ions, qui se trouve dans un substrat de type de conduction opposé et dans lequel 5 est encore monté un autre élément de circuit. Dans la forme de réalisation décrite, cet autre élément de circuit est un transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, complémentaire, mais cet élément peut aussi être par exemple un transistor bipolaire. 69 06724 35 2003656 REVENDICATIONS 1.- Dispositif .semi-conducteur muni d'un corps semiconducteur ou partie de corps semi-conducteur d'un premier type de conduction, comprenant au moins un transistor à effet 5 de champ à électrode de porte isolée, comportant une première zone à basse résistivité et une seconde zone à basse résistivité du second type de conduction séparées l'une de l'autre, appartenant respectivement aux électrodes d'alimentation et évacuation, s"étendant dans le corps ou partie du corps à 10 partir d'une surface de ce corps, et munies de contact de connexion, un domaine de canal, adjacent à cette surface, étant situé entre la première zone et la seconde et Recouvert de matière isolante sur laquelle est formée une électrode de porte, caractérisé en ce qu'il comporte me zone superficielle 15 dans laquelle sont implantés des ions d'un matériau de dopage déterminant le type de conduction de cette zone dans laquelle est formé le domaine du canal. 2.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le domaine de canal est du second type 2Q de conduction. 3«- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites première et seconde zones comportent chacune au moins dans le domaine de leur plus court écartement, une partie implantée d'ions d'un matériau de do- 25 Page déterminant le second type de conduction, alors que la dimension de l'électrode de porte, comptée dans la direction de la première zone vers la seconde, est pratiquement égale à la distance comprise entre la première zone et la seconde» 4-.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 3Q 3, caractérisé en ce que les parties des zones implantées d'ions et le domaine de canal implanté d'ions du second type de conduction, se trouvent dans et sont partiellement entourés par un domaine implanté d'ions du premier type de conduction dont la résistivité est plus basse que celle du domaine semi-con-35 ducteur voisin du premier type de conduction. 5.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 4-, caractérisé en ce que la première zone et la seconde, le domaine implanté d'ions du second type de conduction, le domaine implanté d'ions du premier type de conduction et le 40 domaine semi-conducteur voisin mentionné, du premier type de 06724 36 2003656 conduction, se trouvent dans une couche du premier type de conduction qui est appliqué sur un substrat du premier type de conduction à résistivité plus basse que celle de la couche. 6.- Dispositif semi-conducteur selon la revendica-5 tion 1, caractérisé en ce que le domaine de canal est du premier type de conduction et a une résistivité qui est plus basse que celle du domaine semi-conducteur voisin du premier type de conduction. 7.- Dispositif selon la revendication 6, caractéri-10 sé en ce que lesdites première et seconde zones comportent chacune, au moins dans le domaine de leur plus court écartement, une partie implantée d'ions d'un matériau de dopage déterminant le second type de conduction, alors que la dimension de l'électrode de porte, comptée dans la direction de la première zone 15 vers la seconde, est pratiquement égale à la distance comprise entre la première zone et la seconde. 8. Dispositif semi-conducteur selon la revendication?, caractérisé en ce que la première zone et la seconde comportent chacun une partie diffusée tandis que lesdites parties des zones 20 implantées d'ions se trouvent dans et sont partiellement entourées par le domaine du premier type de conduction implanté d'ions. 9.- Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que la première zone et la 25 seconde zone, ainsi que le domaine de canal du premier type de conduction implanté d'ions se trouvent dans une-couche du premier type de conduction qui est appliquée sur un substrat du premier type de conduction mais dont la résistivité est plus basse que celle de la couche. 30 10.- Dispositif semi-conducteur selon la revendica tion 1, caractérisé en ce qu'une troisième zone à dopage élevé à basse résistivité, du second type de conduction s'étend dans le corps à partir d'une surface et est située entre la première zone à basse résistivité et la seconde, alors que la zone de 35 canal est constituée par une première partie implantée d'ions du second type de conduction qui s'étend entre la première zone et la troisième et par une seconde partie qui s'étend entre la troisième zone et la seconde, alors qu'une première électrode de porte est disposée au-dessus de la première partie du domaine 40 de canalxet qu'une seconde électrode de porte est agencée au- 69 06724 37 2003656 dessus de la seconde partie du domaine de canal. 11.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que la première zone et la troisième zone comportent chacune, au moins dans le domaine de leur court 5 écartement, une partie implantée d'ions d'un matériau de dopage déterminant le second type de conduction, alors que la dimension de la première électrode-porte, comptée dans la direction de la première zone vers la troisième, est pratiquement égale à la distance comprise entre la première zone et la troisième. 10 12.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que la troisième zone comporte, du moins dans son domaine le plus rapproché de la seconde zone, line partie implantée d'ions d'un matériau de dopage déterminant le second type de conduction, alors que le bord de la 15 seconde électrode de porte, voisin de la troisième zone, coïncide pratiquement avec la projection du bord de la troisième zone sur le plan de 1*électrode-porte. 13.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la première zone et la seconde zone 20 comportent chacune une partie diffusée, tandis que la troisième zone comporte une partie implantée d'ions qui déterminent le second, type de conduction. 14.- Dispositif semi-conducteur selon une ou plusieurs des revendications 10 à 13» caractérisé en ce que dans le 25 domaine semi-conducteur du premier type de conduction, qui est voisin de la troisième zone et qui est situé du côté opposé à la seconde zone, est réalisé localement un domaine à dopage élevé du premier type de conduction comportant des ions implantés d'un matériau de dopage déterminant le premier type de con-30 duction* 15»- Dispositif semi-conducteur selon la revendication14, caractérisé en ce que le domaine à dopage localement élevé comporte des ions qui sont implantés à travers des canaux ouverts dans le réseau cristallin. 35 16.- Dispositif semi-conducteur selon une ou plu sieurs des revendications 1 à 9} caractérisé en ee que dans le domaine de ©anal la concentration d'ions implantés diffère dans les diverses parties du domaine de canal entre la première zone et la seconde. 40 17.- Dispositif semi-oonducteur selon la revendication 69 06724 38 2003656 16, caractérisé en ce que la concentration d'ions implantés dans le domaine de canal entre la première zone et la seconde augmente dans une direction parallèle à la surface à partir de la zone servant d'électrode d'évacuation vers la 5 zone servant d'électrode d'alimentation. 18.- Dispositif semi-conducteur selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le corps semiconducteur est 'en- silicium. 19.- Dispositif semi-conducteur selon l'une des reven-10 dications précédentes, caractérisé, en ce que la matière isolante comporte de l'oxyde de silicium. 20.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 19, caractérisé en ce que la matière isolante comporte une première couche d'oxyde de silicium recouvrant la surface du 15 corps semi-conducteur au-dessus du domaine de canal et une seconde couche de nitrure de silicium appliquée sur la couche d'oxyde de silicium, l'électrode de porte étant appliquée sur la couche de nitrure de silicium. 21.— Dispositif semi-conducteur selon l'une des reven— 20 dications précédentes, caractérisé en ce que la matière isolante comporte des ions implantés qui stabilisent la matière isolante. 22.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication. 21, caractérisé en ce qu'une couche isolante, ou une partie 25 de celle-ci, en oxyde de silicium, comporte des ions de phosphore implantés. 23.- Dispositif semi-conducteur selon une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le transistor à effet de champ est réalisé dans un domaine du second type de 20 conduction qui s'étend, à partir de la surface, dans le corps et comporte des ions implantés qui déterminent le second type de conduction, tandis que dans ledit corps semi-conducteur ou partie de corps, du premier type de conduction, est monté au moins un autre élément de circuit. 35 24.- Dispositif semi-conducteur selon la reven dication 23, caractérisé en ce que ledit autre élément de circuit est un transistor bipolaire. 25.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 23, caractérisé en ce que l'autre élément de circuit est un 40 transistor à effet de champ, à électrode de porte isolée, pré 69 06724 39 2003656 sentant d'autres propriétés que le transistor à effet de champ formé dans le domaine, du second type de conduction, implanté d'ions. 26.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 5 25, caractérisé en ce que les domaines de canal des deux transistors à effet de champ sont de types de conduction opposés. 27.- Dispositif semi-conducteur selon la revendication 25 ou 26, caractérisé en ce qu'au moins le domaine de canal de l'un des deux transistors à effet de champ présente une 10 conductibilité différente de celle de la partie voisine du corps semi-conducteur et comporte des ions implantés qui déter-- minent cette conductibilité différente. 28.- Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon une ou plusieurs des revendications précéden- 15 tes, caractérisé en ce que des ions d'un matériau de dopage sont implantés dans un domaine voisin de la surface d'un corps semi-conducteur ou partie de corps du premier type de conduction pour former le domaine de canal entre la première zone et la seconde du second type de conduction. 20 29.- Procédé selon la revendication 28, caractérisé par l'implantation d'ions qui déterminent le second type de conduction. 30.- Procédé selon la revendication 28, caractérisé par l'implantation d'ions qui déterminent le premier type de con- 25 duction, ce qui forme un domaine de canal du premier type de conduction, à résistivité plus basse que celle du domaine semi-conducteur du premier type de conduction voisin. 31.- Procédé selon l'une des revendications 28 à 30, caractérisé en ce que les zones du second, type de conduction 30 sont au moins partiellement formées par diffusion d'un matériau de dopage déterminant le second type de conduction dans les parties de ladite surface, après quoi on procède à l'implantation desdits ions. 32.— Procédé selon la revendication 28 pour fabriquer 35 un dispositif semi-conducteur selon une ou plusieurs des revendications 23 à 27, caractérisé en ce que dans un domaine d'un corps semi-conducteur, ou partie de ce corps, du premier type de conduction sont implantés des ions qui déterminent le second type de conduction, ce qui forme un domaine du 40 second type de conduction qui s'étend à partir de la surface 69 06724 40 2003656 et qui, a l'intérieur du corps semi-conducteur, est entouré d'un domaine du premier type de conduction, après quoi, dans la partie implantée d'ions du second type de conduction, on forme un transistor à effet de champ à électrode de porte 5 isolée et dans le domaine du premier type de conduction au moins un autre élément de circuit. 33»- Procédé selon la revendication 28 pour former un dispositif semi-conducteur selon une ou plusieurs des revendications 25 a 27, caractérisé en ce que dans un domaine 10 d'un corps semi-conducteur, eu partie de ce corps, du premier type de conduction sont implantés des ions déterminant le second type de conduction, ce qui forme un domaine du second type de conduction qui s'étend à partir de la surface et qui à l'intérieur du corps semi-conducteur est entouré d'un 15 domaine du premier type de conduction, après quoi on forme, dans le domaine du premier type de conduction, des zones à depage élevé séparées, du second type de conduction, formant les zones d'électrodes d'alimentation et d'électrcde d'évacuation d'un premier transistor à effet de champ, à électro-20 de de porte isolée, alors que dans le domaine implanté d'ions du seccnd type de conduction on forme des zones a dopage élevé du premier type de conduction formant les électrodes d'alimentation et d'évacuation d'un second transistor à effet de champ à électrode de porte isolée, puis on applique sur 25 ladite surface une couche isolante que 1'on recouvre, au-dessus des zones de canal, entre les électrodes d'alimentation et d'évacuation des deux transistors à effet de champ, des électrodes de portes, après quoi les électrodes, d'alimentation et d'évacuation des deux transistors sont munis de conduc-30 teurs de connexion.