FR 2004176 A1 19691121 FR 6907725 A 19690318 69 07725 i. 2004176 La présente invention est relative à des dispositifs d'emmagasinage et d'extraction de l'information et plus particulièrement à un agencement de circuits de commande et de terminaison destiné aux lignes de sélection d'une mémoire à tores en vue d'obtenir un 5 fonctionnement étroitement commandé et stable de la mémoire pour des applications de calculateurs à performances élevées . Un fonctionnement convenable de telles mémoires nécessite que les courants de commande appliqués aux lignes de commande des • noyaux soient étroitement commandés et régulés dans d'étroites limites . Ceci est particulièrement vrai dans le cas des mémoires à courants coïncidants dans lesquelles l'accès aux emplacements d'emmagasinage est assuré par la coïncidence d'au moins deux courants passant dans des lignes de sélection respectives non parallèles . Chacune des lignes de sélection, appelées lignes ^ de commande X et Y peuvent comporter une série de noyaux . Les noyaux communs à deux lignes de sélection excités sont soumis à deux courants de demi-sélection, dont l'effet combiné produit un champ d'intensité suffisante pour "commuter" ou inverser l'état magnétique rémanant d'un noyau . Les autres noyaux de ces lignes 20 ne reçoivent qu'un courant de demi-sélection qui est insuffisant pour les commuter . Si le champ induit par le courant des lignes de sélection est de sens opposé au champ rémanant du noyau choisi, ce noyau est commuté à l'état magnétique opposé qu'il conserve jusqu'à ce qu'il soit ramené à son état initial . 25 La commutation ou l'inversion du sens du flux du noyau induit une impulsion de tension dans une troisième ligne , appelée bobinage de lecture ou de sortie qui peut être commun à tous les .noyaux contenus dans la mémoire . Dans un agencement commun le bobinage de lecture traverse les noyaux adjacents dans des direc-30 tions opposées et est bobiné de manière telle qu'il combine algébriquement et annule les tensions d'amplitude moindre, appelées également bruit d'agitation, induites dans les noyaux non choisis qui se trouvent sur l'une ou l'autre des lignes de sélection alimentées et sont soumis à l'effet du champ perturbateur 35 du courant de .demi-sélection seulement -de cette ligne . Le bobinage de lecture est connecté à un amplificateur de lecture qui est déclenché par une impulsion de déclencheront précise appliquée à un moment où la sortie d'un noyau commuté se trouve à son niveau maximal . La présence ou l'absence d'un signal provenant 40 de l'amplificateur indique ainsi l'état du noyau interrogé, repré- 69 07725 2. 2004176 sentant un "l" ou un"o" binaire . Le procédé d'inscription d'un bit différent d'information ou le rétablissement de l'information extraite de façon destructive d'un noyau choisi pendant la partie de lecture immédiatement 5 précédente d'un cycle de mémoire, lecture-écriture, est similaire à l'opération de lecture, sauf que les courants de demi-sélection sont appliqués aux lignes de sélection dans un sas opposé à celui de la lecture et qu'une impulsion d'inhibition, dont l'amplitude correspond à celle d'un courant de demi-sélection, est appliquée 10 sélectivement à un quatrième enroulement, appelé enroulement d'inhibition . Ce dernier enroulement traverse tous les noyaux d'une matrice représentant un élément binaire dans un sens opposé à celui des lignes de sélection d'un axe de coordonnée et, suivant son excitation ou sa désexcitâtion, inhibe ou provoque la -*-5 commutation du noyau choisi de la matrice . La commutation ainsi que la durée de commutation des noyaux dépend de l'amplitude et du temps de montée des courants de commande qui ont une forme impulsionnelle et doivent atteindre rapidement leur niveau de commutation et disparaître rapidement pour un fonctionnement 20 cyclique rapide de la mémoire . Une augmentation du niveau du courant de commande appliqué à une ligne dé sélection peut provoquer la commutation de noyaux non choisis appartenant à cette ligne et entraîner une destruction non désirée de l'informatfcn qu'ils contiennent . D'autre part, 25 une réduction du niveau du courant de commande peut empêcher de façon fâcheuse la commutation d'un noyau choisi ou provoquer un retard de la commutation tendant à décaler la sortie de lecture par rapport au temps de l'impulsion de lecture, ce qui provoque un défaut de fonctionnement et réduit les limites de 30 fonctionnement de la mémoire . Les lignes sont choisies par des commutateurs du type à transistor qui commutent et dirigent le courant dans la ligne au moment de l'établissement d'une différence de potentiel sur la ligne . L'application ou la variation de potentiel sur la ligne 35 induit une force contre-électromotrice qui fait circuler le courant de la ligne au moment de l'établissement et continue à le faire circuler au moment de l'interruption et est accompagiée par l'apparition de crêtes de tension induite sur la ligne . Les crêtes peuvent affecter défavorablement les composantes de 40 commutation dans le circuit de la ligne en s'ajoutant eu en se 69 07725 3. 2004176 soustrayant aux tensions normales de fonctionnement et en provoquant un écart par rapport aux amplitudes de fonctionnement et aux temps appropriés . Les capacités interélectrodes des transistors de commutation 5 ainsi que les autres capacités parasites du circuit et la capacité répartie des lignes avec la masse et avec les autres lignes peuvent provoquer l'accrochage ou l'oscillation de ,1a ligne consécutivement à l'apparition des crêtes de tension induites, ce qui engendre un bruit supplémentaire dans le bobinage de sortie 10 et peut gêner l'opération d'inscription consécutive du cycle de mémoire ou d'un cycle de mémoire suivant-w. Un accrochage important peut provoquer la commutation de noyaux non choisis recevant un courant de demi-sélection, ce qui entraîne une perte d'infornefcion ou peut se combiner avec le bruit apparaissant dans le bobinage 15 de lecture en raison de l'effet de commutation partielle de ces noyaux et faire délivrer à l'enroulement de lecture une sortie erronée . Pendant les périodes de non-utilisâtion de la mémoire, les lignes de sélection subissent également un établissement capacitif 20 de t®nsi Afin de tenir compte de certains des facteurs du type ci-dessus affectant le fonctionnement de telles mémoires, la technique antérieure a utilisé des dispositifs de commande tels que ceux 30 décrits et représentés dans les brevets des Etats-Unis d'Amérique n° 3 027 546 et 3 170 14-7, qui utilisent une combinaison inductance-résistance à haute impédance pour modifier le taux auquel le courant est appliqué à la ligne ainsi que l'énergie inductive emmagasinée comme source de tension afin de maintenir une circula-35 tion constante de courant . Outre leur tendance à osciller et à provoquer des accrochages, les dispositifs inductifs utilisés dans le circuit de commande posent des problèmesde montage en raison de leurs dimensions, lorsque le gain de place est primordial . De plus, de tels dispositifs 40 prolongent la décroissance du courant et interdisent une décharge 69 07725 4. 2004176 rapide de l'énergie inductive de la ligne au moment de la coupure. Ainsi, de l'énergie peut encore circuler dans la ligne au moment où la partie d'écriture du cycle de mémoire ou d'un cycle suivant doit avoir lieu et interdit ainsi un cycle de mémoire rapide . 5 Le second brevet précité tient compte de la tendance à l'oscillation des lignes lors de l'application d'un courant sous la forme d'une fonction en escalier et fournit un dispositif d'absorption des réflexions sous la forme d'une résistance terminale d'adaptation d'impédance caractéristique montée au bout de chaque 10 ligne séparée de la mémoire . La prévision d'une résistance terminale séparée aux bornes de chaque ligne de commande d'un empilement de mémoire, plusieurs empilements pouvant appartenir à une mémoire extensible utilisant un ensemble de circuits électroniques communs, aboutit à un nombre excessif de parties et un doublage 15 inutile des pièees, particulièrement quand on doit considérer qu'une seule paire de lignes de commande de sélection de la mémoire est active à un moment quelconque du fonctionnement de la mémoire . L'invention concerne le problème d'augmentation de la densité 20 de montage des éléments nécessaires pour les lignes de commande d'une mémoire à noyaux du fait que les commutateurs de commande couplés par transformateur et les circuits de terminaison muibti-ples ne peuvent pas être tolérés en raison de la dimension physique limitée exigée du dispositif de mémoire . 25 Pour résoudre ce problème, le circuit de commande, objet de l'invention, est caractérisé par un régulateur de courant, une différence de potentiel étant établie entre un coté'du régulateur et une extrémité de la ligne, et par un commutateur sensible au a courant comprenant un premier transistor et un second transistor 30 de types de conductivité opposées dont le premier est normalement non conducteur et est connecté en générateur à \ i courant constant pour rendre conducteur et attaquer le second transistor en commutatêur monté entre l'autre extrémité de la ligne et l'autre coté du régulateur de courant lors de l'application d'une 35 impulsion de commande externe au commutateur sensible au colorant . Le commutateur sensible au cpurant qui peut être appelé un commutateur hybride universel, fournit la densité de montage compact requise grâce à ses dimensions réduites et assure le fonctionnement requis du dispositif du fait qu'il peut être cou-40 plé directement aux lignes de commande , peut fonctionner avec de 69 07725 3. 2004176 grandes variations de potentiel des empilements de mémoire tout en couplant un courant constant aux^ignes de commande et convient également pour être utilisé dans les circuits de terminaison commuïjs Cette dernière caractéristique supprime les 5 circuits de terminaison individuels pour chacune des lignes de commande en fournissant des circuits de terminaison de lignes communs série et parallèle . L'invention fournit un agencement de circuits de terminaison de commande et de sélection de lignes pour un empilement de 10 mémoire à tores, comportant une série de lignes conductrices ou bobinages qui relient ou sont couplées à une série d'éléments d'emmagasinage magnétique birémanents . Deux commutateurs à transistors déclenchés sont connectés aux extrémités opposées d'une ligne pour choisir et connecter cette ligne de manière à recevoir un 15 courant d'une source de courant régulée . La tension aux bornes de la ligne commandée est initialement verrouillée^(c'est-à-dire fixée à un potentiel de référence désiré), ce qui/confère un caractère constant afin de permettre un taux linéaire et rapide de montée du courant dans la ligne jusqu'à un niveau prédéterminé , 20 Le verrouillage est ensuite supprimé automatiquement et le courant passant dans la ligne est maintenu au niveau prescrit par le régulateur de courant qui maintient la somme des courants, c'est-à-dire le courant provenant de la ligne et les courants actionnant les commutateurs, à un niveau constant . Les commutateurs suivent 25 les excursions soudaines de potentiel présentes sur la ligne et toutes les variations de potentiel de la ligne sans affecter le courant passant dans la ligne ou le fonctioniœment des commutateurs . Les lignes sont terminées par un ensemble unique de circuits 30 de terminaison actionnés en alternance, qui sont communs à toutes les lignes commandées par la même source de courant, qui conservent le front avant et la relation dans le temps de l'impulsion de courant traversant les lignes par rapport au début de la commande et au moment de la lecture et permettent un cyclage rapide de la 35 mémoire entre les cycles de lecture et d'écriture . Chacun des circuits de terminaison est connecté avec une ligne passant par un commutateur à transistor qui connecte dans un cas une résistance d'amortissement unique ou commune en parallèle avec toutes les lignes d'un axe de coordonnées d'un empile-40 ment ou d'un banc de mémoire et qui, dans l'autre cas, comprend un 69 07725 2004176 commutateur qui connecte une résistance unique d'amortissement et de décharge d'énergie en série avec toutes les lignes d'un axe de coordonnées d'un empilement ou d'un banc de mémoire . Le circuit de terminaison décharge l'énergie inductive de 5 toutes les lignes préalablement actionnées et amortit toute tendance à l'amorçage au moment de son extinction . Il sert également à maintenir toutes les lignes d'un axe de coordonnées de chaque empilement de tores du banc de mémoire à un potentiel fixe pendant les périodes de repos de la mémoire pour empêcher 10 lé décharge des capacités de lignes qui, autrement, devraient être rechargées au moment de l'excitation suivante de la mémoire, ce qui aurait des effets fâcheux sur le cyclage de la mémoire et sur l'amplitude des courants de commande . D'atitres caractéristiques et avantages de l'invention appa-15 raîtront au cours de la description suivante, donnée à titre d'exemple et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels: la Fig. 1 est un schéma synoptique des éléments principaux du dispositif de base dlcotanaiide et de terminaison ; la Fig. 2 représente la matrice de sélect/ion de l'axe X des 20 commutateurs et les circuits de terminaison utilisés dans le montage de commande et de terminaison de l'invention ; la Pig. 3 est un schéma électrique des éléments de l'organe de commande de sélection et de terminaison connecté à une ligne de commande d'un axe/coordonnées de la mémoire ; 25 la Pig. 4 est un diagramme en fonction du temps représentant la montée du courant dans la ligne de commande ; la Fig. 5 représente des diagrammes en fonction du temps montrant la forme d'onde d'impulsion de courant présente dans la ligne de commande et de la tension au point A du circuit de commande ; 30 la Fig. 6 représente des diagrammes en fonction du temps montrant les formes d'onde des courants de commande sans et avec les circuits de terminaison décrits . A la Fig. 1, l'une de la série des lignes de commande de l'un des axes de coordonnées de l'empilement de mémoire 10 est 35 représentée en 11, un agencement similaire de commande et de terminaison étant utilisé pour les lignes de comaande de l'autre axe de coordonnées . La ligne 11 comporte une série de tores magnétiques 12 et est connectée à ses extrémités opppsées à deux portes ou commutateurs sensibles au courant 13 et 14 respective-40 ment pour permettre au courant régulé par un régulateur 18, de 69 07725 7/ 2004176 circuler à partir de la masse 19 à travers les lignes 11 et une diode de direction 20 lors de l'application d'un potentiel par une source d'énergie 17, lorsque les commutateurs sensibles au courant sont actionnés par leurs signaux de sélection 5 d'adresse Respectifs et la présence d'une impulsion de commande de temps de lecture ou d'écriture . Pendant l'action de commande, un circuit de terminaison t parallèle 22 est également actionné par une impulsion de commande de temps de lecture ou d'écriture de manière à placer une impé-10 dance à peu près équivalente à 1* «impédance à peu près équivalente à l'impédance caractéristique de la ligne au bout de la ligne active afin d'amortir tout accrochage provoqué pair des inductances de la ligne et du circuit . A la fin de l'opération de lecture ou d'écriture, les commu-15 tateurs sensibles au courant 13 et 14 et le circuit de terminaison parallèle 22 sont désexcités . Afin d'empêcher la crête inductive de fermeture de la ligne 11 de détruire les éléments contenus dans les commutateurs et d'empêcher l'accrochage de s'établir à la fermeture, les deux extrémités de l'empilement 20 sont maintenues à un potentiel fixe par une diode 20 et une boucle de décroissance est excitée, par l'intermédiaire du circuit de terminaison 24, qui piet une résistance d'amortissement de décharge en série avec la ligne pour dissiper l'énergie inductive de la ligne, avant le début de la partie d'écriture du cycle 25 de mémoire ët d'un cycle suivant . Le circuit de terminaison 24 de la ligne de commande sert en outre à maintenir les deux extrémités de l'empilement au même niveau de potentiel pour empêcher la capacité de l'empilement de se charger à une tension fâcheuse pendant les périodegâe repos de la mémoire . 30 La Pig. 2 représente la manière dont les commutateurs sen sibles au courant sont connectés aux lignes de commande de l'axe de coordonnée X pour les opérations de lecture et d'écriture d'informationdans la mémoire . Deux jeux de commutateurs, l'un pour la lecture et l'autre pour l'écriture, les commutateurs de chaqie 35 jeu étant disposés suivant une matrice 8x6 par exemple, sont utilisés dans une matrice de sélection de l'axe X représenté, constituée par au total 28 commutateurs de lecture et d'écriture dont 14 seulement sont représentés . La matrice de commutateurs assure la sélection de lecture ou d'écriture de l'une quelconque 40 de 48 lignes de sélection X en excitant deux commutateurs connec 69 07725 8. 2004176 tés aux extrémités opposées d'une ligne de sélection et sont appelées, à des fins de commodité, commutateurs "puits" et "source" . Comme représenté, chacun des commutateurs est associé à une 5 extrémité d'un groupe différent de lignes de sélection, le commutateur de lecture puits RSI (000), par exemple, étant représenté connecté à une extrémité d'un premier groupe ordonné de lignes Xq à Xy et le coirmutateur de lecture source RSO (000) étant connecté à l'autre extrémité d'un second groupe ordonné de 10 lignes XQ, Xg à X^q dont la ligne XQ est unique et est contenue dans ces deux groupes de lignes . Les commutateurs indiqués RSI (000) et RSO (000) par exemple, correspondent aux portes 13 et 14 sensibles à l'intensité de la Fig. 1 et, lorsqu'ils sont excités, ils choisissent la ligne de commande Xq pour diriger un courant 15 de lecture de demi-sélection dans le sens de la flèche représentée par R . Les commutateurs appelés WSI (000) et WS0 (000) choisissent et dirigent un courant de lecture de demi-sélection dans la ligne X dans le sens opposé, comme indiqué par la flèche W . La matrice de sélection de ligne de commande Wde l'agence-20 ment de mémoire particulier dans lequel l'invention est mise en oeuvre assure la sélection de l'une quelconque des 128 lignes de sélection Y et comprend au total 48 commutateurs comprenant 24 commutateurs de lecture puits et sources, et 24 commutateurs écriture Y puits et source . 25 : La sélection et l'excitation des commutateurs sont effectuées au moyen de l'adressage de deux commutateurs composés d'un commutateur puits et d'un commutateur source à partir d'une combinaison décodée de 13 éléments binaires d'adresse L1 à L13 provenant d'un registre d'adresse (non représenté) et par l'application 30 d'une impulsion de rythme de lecture ou d'écriture RT ou WT à celui-ci . Les éléments binaires L1 à L7 sont utilisés pour la sélection des lignes Y et les éléments binaires L8 à L 13 pour la sélection des lignes X . Les diodes connectées aux lignes de commsnde sont la matrice 35 et des diodes d'orientation utilisées dans les opérations de lecture et d'écriture de la mémoire . Pendant une opération de lecture, la diode 20 dont l'anode est connectée à l'extrémité de la ligne de commande correspondante est utilisée pour diriger le courant dans la ligné . Pendant une opération d'écriture de 69 07725 9. 2004176 la mémoire, la diode 21 dont la cathode est connectée à la ligne de commande correspondante est utilisée pour diriger le courant . A l'exception des diodes 28 et 8l, les autres diodes représentées sont associées au régulateur de courant 18 ainsi qu'aux 5 circuits 24 de terminaison inactifs de la ligne . Les circuits de terminaison 22 et 24 sont communs fet sont partagés par toutes les lignes de commande d'un axe de coordonnées de lia mémoire comme c'est le cas pour le régulateur de courant ; Un seul régulateur de courant et un seul jeu de circuits de terminaison sont 10 utilisés pour chaque axe de coordonnées de lignes de commande, indépendamment du nombre d'empilements de mémoire fournis dans le banc de mémoire . La Pig. 3 représente schématiquement l'agencement des divers composants du dispositif de commande global représenté à la Fig. 15 1 . Les principales alimentations associées au régulateur de courant et à l'empilement de mémoire comprennent une alimentation 16 régulée fixe (référence) de 12 V et une alimentation 17 d'empilements de 28 V . La borne positive de l'alimentation de 28 V est connectée à la masse et sa borne négative est connectée à celle 20 de l'alimentation de référence de 12 V, comme représenté, ainsi qu'au régulateur de courant 18, ce qui fixe le potentiel du coté du retour du point C du régulateur à - 28 V . Le coté positif de l'alimentation de 12 V est connecté par l'intermédiaire d'une diode 28 à l'entrée A du régulateur, point qui se trouve à un 25 potentiel fixé par la chute de tension dans la diode, soit environ 1 V en dessous du potentiel de l'anode, c'est-à-dire -l6V de la diode 28, soit 17 V en dessous du potentiel de référence de la masse . Une alimentation en courant continu de + 5 V" est é-galement prévue pour fournir les tensions et les courants de fonc-30 tionnement et de polarisation des divers composants du dispositif représenté . Les commutateurs sensibles au courant 13 et 14 sont de construction identique et sont montés de façon identique et chacun d'eux est représenté comme comprenant une porte de mise en marche 35 34, 36, un étage générateur de courant 38, 40 et un étage de commutation de sortie 42, 44 respectivement . Les portes 3^ et 36 sont des éléments logiques de type NON - p ET de formation T L, c'est-à-dire transistor-transistor logique qui utilisent des transistors à couplage direct pour transférer 40 les niveaux logiques de l'entrée de l'élément logique à sa 69 07725 19 . 2004176 sortie suivant la conception de fonctionnement de l'élément logique , Ce type d'élément logique utilise des potentiels de fonctionnement de faible niveau . Chacune des portes 34, 36 comporte une ou plusieurs bornes d'entrée adressables séparément ainsi 5 qu'une autre borne d'entrée qui est connectée au circuit de minutage lecture-écriture pour effectuer la mise en fonctionnement de la porte lors de la coïncidence de toutes les entrées ou lorsque ces dernières sont toutes dans l'état approprié . La sortie de ]a porte est à un potentiel d'environ 0,2 V au-dessus de la masse 10 lorsqu'elle est en fonctionnement . Les étages générateurs de courant 38, 40 sont excités pour fournir le courant de base aux étages de sortie 42, 44 lorsque ces étages générateurs sont excités à partir des portes 34, 36 . Les étages générateurs 38, 40 sont représentés par un tran-15 sistor de type PNP 50,52 dont la base est connectée à la sortie de l'élément de porte T^L et par l'intermédiaire d'une résistance 54,56 à l'alimentation de + 5 V qui est également connectée par l'intermédiaire d'une résistance 58, 60 à l'émetteur du transistor . Les résistances de base 54, 56 fournissent la polarisation 20 d'arrêt à partir de l'alimentation de 5 V, tandis que les résistances d'émetteur 58, 60 sont des résistances d'établissement de l'amplitude du courant qui fournissent un courant pratiquement constant, à partir de l'alimentation de + 5 V, aux émetteurs des transistors 50, 52 . Bien que la Pig. 3 ne représente qu'une ligne 25 11 et une combinaison de commutateurs 13 et 14, la mémoire typique utilise un grand nombre de telles combinaisons pour chaque axe de commande . Les résistances 58 et 60 peuvent être connectées à plusieurs transistors comme elles le sont aux transistors 42 et 52 . 30 Les étages de commutation de sortie 42, 44 des commutateurs 13, 14 sont représentés sous la forme de transistors de commutation de type NPN dont les électrodes d'émetteur et de collecteur sont connectées directement avec la ligne de sélection 11 . L'émetteur du transistor 44 est connecté directement au régulateur, 35 comme représenté . Les collecteurs des transistors générateurs de courant 50, 52 sont représentés connectés directement aux bases des transistors de sortie et, par l'intermédiaire de résistances 62, 64, aux émetteurs des transistors de sortie qui sont portés à saturation par le courant de base reçu des étages générateurs de 40 courant 38, 40 . Les résistances 62, 64 fournissent la polarisation 69 07725 2004176 de blocage et un parcours de courant de fuite pendant le blocage pour leur transistor respectif de commutation de sortie . Le circuit de terminaison parallèle 22 comprend une porte 70 d'allumage T^L, un étage générateur de courant constant 72, 5 comprenant un transistor PNP76, un transistor NPN de commutation de sortie j8f une résistance de fuite 79 et une résistance 80 . Une extrémité de la résistance 80 est connectée à la sortie du régulateur de sortie 18 et son autre extrémité est connectée par un transistor 78 au point K du:circuit de commande au niveau de 10 la cathode d'une diode 8l lorsque la porte est actionnée par -une impulsion de minutage de lecture ou d'écriture . La diode 8l représente un moyen commode de fournir une source de - 1 V par -rapport à la masse . Comme représenté à la Fig. 2, toute ligne active d'un axe de coordonnées de l'empilement de mémoire est 15 connectée entre ces mêmes points . La résistance 8D, qui est choisie voisine de l'impédance caractéristique de la ligne active, est montée en parallèle aux bornes d'une ligne active comme indiqué à la Fig. 3, lorsque la porte 70 est rendue conductrice avec les commutateurs sensibles au courant 13 et 14 pour 20 choisir cette ligne . La diode 8l fournir une chute de tension J d'un volt pour porter le collecteur du transistor de commutation 42 à un volt en dessous du potentiel de référence de la masse et son émetteur à - 1,5 V pour renvoyer un potentiel suffisamment négatif au collecteur du transistor 50 par rapport à son émetteur 25 qui est maintenu légèrement au-dessus du potentiel de la masse, afin d'assurer que le transistor 50 se trouve dans la région active . p Le circuit de terminaison 24 comprend -une porte T L 82, un étage générateur de courant constant 100, comprenant un 30 transistor PNP 98, un transistor NPN 96, des résistances 92 et 102 et deux diodes 26 et 9^ • La diode 26 est connectée entre l'alimentation régulée 16 et l'extrémité supérieure de la ligne 11, comme représenté, et fournit- un parcours pour le courant qui continue à circuler jusqu'à ce que l'énergie emmagasinée dans la 35 ligne se soit déchargée . L'anode de la diode 94 est connectée au point L du circuit de commande à la cathode de la diode 30 de direction de la ligne et sa cathode est connectée, par l'intermédiaire de la résistance 92, au collecteur du transistor commutateur de sortie 96 dont l'émetteur est connecté au point 40 d'entrée A du régulateur . La porte 82 est actionnée par un signal 69 07725 2004176 représentant une impulsion d'état de courant d'absence de commande pour rendre conducteur le transistor de sortie 96 et connecter la ligne de commande par l'intermédiaire de la résistance 92, au régulateur de courant . La diode 94 peut être incorporée 5 dans le montage compact 14 du commutateur de source ou de courant inférieur, tandis que la diode 26 peut être incorporée dangie montage compact du commutateur de puits ou de courant supérieur. Chacun des commutateurs de source et de puits de la matrice de sélection de commutateurs comprend une diode dy type mentionné; 10 comme indiqué à la Fig. 2 . Le régulateur de courant 18 représenté peut utiliser un amplificateur opérationnel et différentiel à gain élevé monté dans une boucle de réaction fermée pour commander et maintenir la tension aux bornes d'une résistance de détection du courant, 15 égale à une tension de référence fixe . La diode 28 constitue la diode de verrouillage du régulateur qui fournit le courant à partir de l'alimentation de régulateur 16 à la résistance- de fixation du courant du régulateur lorsque le courant de commande ne circule pas dans les lignes de sélection . Ainsi, le courant 20 de sortie provenant du régulateur 18 est constant, indépendamment de l'utilisation de la mémoire et le régulateur peut rester dans une région de fonctionnement linéaire . Le courant circulant initialement dans le régulateur 18 eèt celui fourni par l'alimentation du régulateur 16 . Après mise en 25 service des commutateurs de sélection de lignes pour permettre au courant de circuler dans la ligne à partir de l'alimentation d'empilement 17 et du commutateur de sélection supérieure 13, le courant provenant de l'alimentation du régulateur diminue à mesure que le courant si'établit dansla ligne à son niveau pré-30 déterminé, auquel moment l'alimentation du régulateur est coupée en raison de la polarisation-:"en sens inverse de la diode 28 . Lorsque le courant circulant dans la ligne a atteint son niveau établi, le courant passant dans le régulateur est constitué par le courant de commande provenant du commutateur de sélection 35 de ligne 13 et le courant appliqué à la ligne par la source 17 d'alimentation de l'empilement . Ces courants circulent dans le régulateur 18 au point A et sont régulés collectivement au niveau établi dans le régulateur . Dans une mémoire à courants coïncidants pour laquelle le 69 07725 2004176 dispositif de commande de l'invention convient, le niveau du courant appliqué à une ligne de commande X choisie et à une ligne de commande Y choisie, pour commuter un noyau et produire un signal acceptable en ce qui concerne le taux de b'ruit dans sa 5 sortie de lecture, est apparu, aux fins d'illustration, être d'environ 335 mA pour chacune des lignes de commande contenant le ou les noyaux à commuter . Le niveau du courant dans une ligne reflète la résistance active moyenne qui est d'environ 10 ohms et le potentiel aux bornes de la ligne au moment de la conduc-10 tion qui est d'environ - 17 V dans le présent cas . Ainsi, le potentiel aux bornes de la ligne est plus grand que celui nécessaire pour établir l'intensité de 335 mA et tend à produire un courant de 1,7 A dans la ligne si on permet au courant d'atteindre cette valeur, comme indiqué dans le schéma de minutage de montée 15 du courant de la Pig. 4 . Toutefois, le courant ne peut atteindre cette valeur finale du fait de l'action du régulateur de courant qui limite l'intensité à la valeur requise et constitue une source à courant constant pour le dispositif de commande après que le courant a atteint son niveau requis . Le potentiel d'allumage aux 1 20 bornes de la ligne de commande est choisi ou déterminé en fonction de la constante de temps associée à la résistance et à l'inductance de la ligne de commande et des noyaux de façon à assurer un établissement linéaire rapide de l'intensité dans la ligne à son niveau requis . 25 Pendant les périodes de repos de la mémoire et avant l'opéra tion de commande, les sorties des portes T^L 3^, 36 et 70 sont élevées et par conséquent les bases des transistors 50, 52 et 76 sont pratiquement au niveau de l'alimentation de + 5 V continus . Gomme leurs émetteurs sont également à ce potentiel, la polarisa-30 tion en sens direct émetteur-base n'est pas engendrée, de sorte que ces transistors sont maintenûs à l'état bloqué . De même les transistors de sortie 42, 44 et 78 sont également à l'état bloqué du fait qu'aucun courant de base ne leur est appliqué . Les signaux d'adresse et de commande de minutage nécessaires 35 étant appliqués aux portes des commutateurs de sélection 13 et 14, le transistor de sortie de ces portes est rendu conducteur* et réduit la sortie de sa porte de + 5 V à + 0,2 V et la maintient à cette valeur . La tension continue de + 0,2 V est appliquée à la base des transistors 50, 52 et 76 pour polariser ces transistors 69 07725 14 2004176 en sens direct et les rendre conducteurs dans leur région linéaire active . Dans chaque cas, l'émetteur de chacun de ces transistors est maintenu à + 0,8 V continus, potentiel supérieur de 0,6 V aux potentiels de base respectifs dus à la chute de 5 tension V"be (base-émetteur) des transistors . La chute Ybe de 4,2 V résultante des transistors respeetifs engendre un courant constant dans l'émetteur et un courant constant dans les circuits de collecteur qui sont connectés à la base de leur transistor de commutation respectif . 10 L^éourant constant de commande de base des transistors 42 et 44 rend ces transistors conducteurs dans leur région saturée et porte l'émetteur du transistor 42 à un niveau de potentiel d'environ -1,5 V continus en dessous de la masse, ce qui polarise en sens inverse la diode 26 et supprime la tension de -17 V 15 continue appliquée à l'extrémité supérieure de la ligne par l'alimentation de régulateur 16 . Cependant, la diode de verrouillage 28 est encore polarisée en sens direct et maintient le niveau au point A du régulateur 18 et l'émetteur du transistor 44 à - 17 V continus . 20 Une différence de potentiel est ainsi établie aux bornes de la ligne au niveau de référence de -17 V continus du régulateur pour permettre au courant d'être commandé et de circuler dans la ligne . La ligne est commandée par cette tension constante jusqu'à ce que le courant qui est appliqué par l'alimentation 17de 25 l'empilement et le commutateur de courant supérieur 13 atteigne son niveaui prédéterminé . Lorsque le courant de ligne augmente, le courant provenant de l'alimentation de régulateur l6 diminue proportionnellement pour maintenir le courant total dans le régulateur au niveau régulé .Lorsque le courant de commande a 30 atteint sa valeur finale, il n'est plus fourni de courant par l'alimentation du régulateur à travers la diode 28 . Le courant circulant alors dans le régulateur est celui provenant de l'alimentation d'empilement 17 et les courants provenant des commutateurs de sélection de ligne . 35 Lors de la suppression de l'alimentation du régulateur, le potentiel à l'extrémité inférieure de la ligne croît ensuite jusqu'à une valeur déterminée par la somme des chutes de tension des diodes 8l et 20, des chutes collecteur-émetteur des transistors de commutation 42 et 44 et de la chute de tension établie aux 69 07725 15. bornes de la ligne par le courant qui circule et par la résistance en courant continu de la ligne ce qui fait au total 7 V environ dans le présent cas . Il en résulte la polarisation en sens inverse de la diode 28 et une augmentation rapide et soudaine 5 du potentiel au niveau de l'émetteur du transistor 44 d'environ 10 V à partir du niveau -17 V continus jusqu'à environ - 7 V continus, comme représenté à la Pig. 5 (courbe B) qui est accompagnée par une crête de tension induite à l'extrémité inférieure* de la ligne comme indiqué . 10 La montée soudaine de potentiel au niveau de l'émetteur du transistor 44 à l'extrémité inférieure de la ligne apparaît également sur le collecteur de son transistor de commande 52 qui fonctionne dans sa région linéaire et est connecté en montage à courant constant . Le décalage du potentiel au collecteur 15 du transistor 52 est absorbé par le transistor qui continue à fournir un courant constant indépendamment de la variation de potentiel de son collecteur . Comme l'émetteur du transistor 44 est connecté au régulateur, sa base et son émetteur sont connectés aux sources régulées . Par conséquent, le courant de collecteur 20 est également constant et n'est pas affecté par les excuBsions de tension eu les décalages importants du niveau du potentiel éur son émetteur, qui apparaissent lorsque la diode 28 est désexcitée lors de la transformation de la commande par tension constante en une commande à courant constant . 25 Le circuit de terminaison parallèle 22 entre en action lorsque le courant circulant dans la ligne a atteint sa valeur limite et sert à amortir le dépassement et l'amorçage consécutifs, ainsi que les réflexions de tension sur les lignes, résultant d'une variation soudaine du potentiel . La porte d'entrée 70 du circuit 30 de terminaison est actionnée, avec les commutateurs de sélection de la ligne 13 et 14, par un signal d'entrée de niveau logique élevé représentant un signal de commande de temps de lecture ou d'écriture . Le transistbr commutateur de sortie 78 est rendu conducteur pour connecter une extrémité de la résistance 80 au 35 point K du circuit de commande, point auquel tous les commutateurs puits de sélection de ligne supérieurs sont également connectés . L'autre extrémité delà résistance 80 est connectée au point A de l'entrée du régulateur auquel les commutateurs de source ou de sélection de ligne inférieurs sont connectés . La résistance est 40 ainsi mise en parallèle avec l'une quelconque des lignes excitées 69 07725 2004176 d'un axe de coordonnées de la mémoire qui est choisie par deux commutateurs de sélection de lignes supérieur et inférieur pour recevoir le courant provenant du circuit de commande . La résistance 80 est choisie proche de l'impédance caractéristique d'une 5 ligne active, qui peut être de l'ordre de 220 ohms ponr l'un des axes de coordonnées de la mémoire pour lequel le circuit de terminaison est prévu . A la fin du à la suppression de l'impulsion de commande de minutage de lecture ou d'écriture, les commutateurs de sélection 10 de ligne 13 et 14 et le circuit de terminaison parallèle 22 sont désexcités et le circuit de terminaison de ligne inactif 24 est excité par la disparition de l'impulsion de commande de minutage de lecture ou d'écriture passant de 0 V ou d'un faible niveau à un niveau logique d'environ + 3*3 V . La sortie de la porte 15 T Jr 82 permet alors de déclencher le transistor 96 et de connecter une extrémité de la résistance 92 au point d'entrée A du régulateur. L'autre extrémité de la résistance 92 est connectée, par l'intermédiaire de la diode 9^* au point L du circuit de commande . Avec le blocage des commutateurs de sélection de ligne, les 20 diodes de verrouillage de régulateur 26 et 28 deviennent polarisées en sens direct pour porter l'extrémité supérieure de la ligne et l'émetteur du transistor 96 au même potentiel . La résistance 92 est ainsi placée effectivement dans une boucle fermée de décroissance pour décharger la capacité de l'empilement ainsi 25 que pour empêcher les fortes variations de tension induite et . ' l'accrochage consécutif au moment du blocage de la ligne . La valeur de la résistance 92 est considérablement inférieure à celle de la résistance 80 et est choisie de l'ordre de 22 ohms pour limiter la crête de tension . 30 La courbe B de la Pig. 6 montre l'influence des circuits de terminaison sur la forme du courant circulant dans la ligne . La forme d'onde du courant est maintenue et présente un front d'onde et une amplitude caractéristiques, exemptes des perturbations du type représenté par la courbe A de la Fig. 6 qui seraient 35 obtenues sans l'emploi des circuits de terminaison . Le circuit de terminaison de ligne inactif 24 fonctionne encôre après désexcitation de la ligne et pendant les périodes de repos de la mémoire lorsqu'aucune information n'est introduite ou extraite dé là mémoire . La diode 28 et le circuit de terminai-40 son 24 maintiennent les deux extrémités de la ligne au même poten- 69 07725 17. 2004176 tiel, c'est-à-dire à -17 V pour empêcher les fuites dans la ligne ou la recharge de la capacité de la ligne pendant les périodes de repos de la mémoire . Le circuit de terminaison est commun à toutes les lignes d'un axe de coordonnées de même que 5 toutes les lignes sont verrouillées à leur extrémité au moyen de diodes telles que la diode 9k connectées à chaque commutateur de source . Le circuit maintient toutes les lignes de l'empilement au même potentiel et, par conséquent, empêche l'empilement de flotter à différents potentiels, ce qui supprime les erreurs 10 de fonctionnement de la mémoire . Cet artifice suppirme la nécessité de décharger les capacités de lignes lors de la mise en service suivante de la mémoire . Comme! le courant total disponible est limité et régulé par le régulateur 18, le courant nécessaire pour recharger les lignes doit provenir du commutateur de source 15 ou de sélection de ligne inférieure et doit réduire le courant de commande ainsi que le courant disponible dans une ligne excitée pour commuter les noyaux et affecte par conséquent les limites de fonctionnement de la mémoire . La courbe A de la Pig. 5 représente la forme du courant de 20 lecture apparaissant au point A du circuit de commande décrit qui utilise les commutateurs manoeuvrés par courant constant et les circuits de terminaison décrits ici . La forme d'onde a une caractéristique uniforme et présente un front avant qui s'établit de façon rapide, répétable et linéaire à un niveau prédéterminé, 25 dont l'amplitude est maintenue constante pour assurer une commutation appropriée des noyaux et présente une décroissance rapide et linéaire . Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisations décrits et représentés qui n'ont été donnés qu'à titre 30 d'exemples . 69 07725 m. 2004176 REVEN PI CATIONS 1. Circuit de commande d'une ligne de sélection d'un dispositif de mémoire magnétique dans lequel les lignes sont choisies par des commutateurs du type à transistor lors de l'établis- 5 sement d'une différence de potentiel aux bornes de la ligne, caractérisé par un régulateur de courant, une différence de potentiel étant établie entre un coté du régulateur et une extrémité d'une ligne, et un commutateur sensible à l'intensité comprenant un premier transistor et un second transistor de types de conducti- 10 vités opposés, le premier étant normalement non conducteur et connecté en générateur de courant constaftt pour rendre conducteur et commander le second transistor en commutateur connecté entre l'autre extrémité de la ligne et l'autre coté du régulateur de courant lors de l'application d'une impulsion de commande externe au 15 commutateur sensible au courant . 2. Circuit de commande suivant la revendication 1, caractérisé par un circuit de terminaison commun destiné aux lignes de sélection et qui comprend une résistance que le second transistor connecte entre l'extrémité de la ligne et ledit côté du régula- 20 teur de courant . 3. Circuit de commande suivant la revendication 1, caractérisé par un élément de terminaison commun pour les lignes de sélection ayant une impédance liée à l'impédance caractéristique de la ligne et un commutateur connectant l^Lément en parallèle avec 25 la ligne lors de l'excitation d'un commutateur sensible au courant. 4. Circuit de commande suivant là revendication 2, caractérisé par le fait que la résistance a une valeur inférieure à l'impédance caractéristique d'une ligne et est connectée en série avec cette dernière par le second transistor . 30 5. Circuit de commande suivant l'une des revendications pré cédentes, caractérisé par une première source de potentiel pour faire- fonctionner le régulateur, une seconde source de potentiel délivrant un potentiel plus grand que la première source pour appliquer le courant dans la ligne et connectée à un côté du ré- 35 gulateur et à un côté de la première source de potentiel . 6. Circuit de commande suivant la revendication 5* caractérisé par deux diodes, chacune d'elles étant connectée à l'autre coté de la première source de potentiel et, respectivement, à la première extrémité de la ligne et à l'autre côté du régulateur de 69 07725 20Ô4176 courant de façon à maintenir les deux extrémités de la ligne à ion potentiel fixe, intermédiaire entre un potentiel de la première et de la seconde sources de potentiel lors de la désexci-tation de la ligne . 5 7 • Circuit de commande suivant la revendication 6, caracté risé par le fait que la diode connectée à l'autre coté du régulateur de courant sert également à maintenir l'autre'extrémité d'une ligne choisie à un niveau de potentiel fixe jusqu'à ce que le courant circulant dans la ligne ait atteint un niveau prédéterminé 10 • établi par le régulateur . 8. Circuit de commande suivant l'une des revendications précédentes dans lequel chacun des transistors comporte une électrode He base, d'émetteur et de collecteur, caractérisé par une résistance fixe connectée entre l'émetteur du premier transistor et 15 une source de potentiel de fonctionnement, une résistance de polarisation connectée entre la source de potentiel de fonctionnement et la base du premier transistor qui est ainsi maintenur non conducteur, une connexion directe entre le collecteur du premier transistor et la base du second transistor, l'émetteur et 20 le collecteur du. second transistor constituant les extrémités de la ligne, des bornes de commutation de portes de déclenchement étant connectées à l'électrode de base du premier transistor pour polariser en sens direct ce dernier à l'état conducteur dans sa région active linéaire lors de l'application d'une impulsion 25 de commande externe à la porte d'excitation .