FR 2001115 A1 19690926 FR 6901951 A 19690130 69 01951 t 2001115 La présente "invention concerne des éléments photosensibles et un procédé d'utilisation de tels éléments en électrophotographie. Depuis peu, on a mis au point un procédé d' électro-5 photographie qui consiste à préparer un élément photosensible composé d'une mince couche électriquement isolante liée intimement à une couche photosensible consistant en une matière photoconductrice ou fluorescente, à appliquer un premier champ électrique à l'élément photosensible de. manière à déposer une 10 charge électrique d'une première polarité sur la surface de la couche isolante, à appliquer un second champ électrique à l'élément photosensible de manière à déposer sur la surface de la couche isolante une charge électrique de polarité opposée à celle de la première charge et, simultanément avec l'appli-15 cation de ce second champ, à projeter une information contenant une image lumineuse sur l'élément photosensible de façon à réaliser une image latente électrostatique sur la surface de la couche isolante, ladite image latente étant caractérisée en ce qu'elle n'est pas effacée par une exposition ultérieure 20 à la lumière ambiante et qu'elle est susceptible drêtre développée sous la lumière ambiante. Dans le procédé classique d'électrophotographie utilisant des matières photoconductrices, il est essentiel que lesdites matières possèdent line résistance élevée dans l'obscu-25 rité afin de pouvoir former et maintenir l'image électrostatique latente. Ceci est dû au fait que, dans le procédé classique d'utilisation d'électrophotoconductivité, l'image latente doit être formée, maintenue et développée dans l'obscurité. Cependant, attendu que la résistance dans l'obscurité et la photosensibi-30 lité de telles matières photoconductrices sont en général inversement proportionnelles, il s'est révélé impossible d'améliorer, zu-delà d'un certain degré, la photosensibilité dans le procédé classique d'électrophotographie pour la mise en oeuvre duquel on se fie à la résistance dans l'obscurité pour déterminer 35 l'aptitude à la préservation de l'image latente. On peut résoudre ce problème dans le procédé perfectionné décrit plus haut et maintenir et développer l'image latente réalisée par ce procédé à la lumière ambiante pour la simple raison que l'image électrostatique latente est formée sur la surface de la couche haute-40 ment isolante. , 69 01951 2 2001115 Bien que l'invention ne soit pas limitée à l'utilisation d'une matière photosensible particulière, l'une des caractéristiques du procédé.perfectionné décrit plus haut réside en une utilisation hautement efficace de l'effet persistant 5 de polarisation interne, dû aux niveaux d'impuretés ou aux niveaux d'emprisonnement de charge, pour former l'image électrostatique latente sur la surface de la couche isolante, si "bien qu'on a avantage à utiliser des matières photosensibles activées par des impuretés telles que CdS:Cu et CdSerCu. Par 10 suite de ce perfectionnement, on est en mesure de grandement améliorer la photosensibilité de l'élément photosensible. En d'autres termes, des matières dont la résistance dans l'obscurité est tellement faible que leur usage est impossible dans le procédé classique d'électrophotographie, peuvent être avantageu-15 sement utilisées dans ledit procédé perfectionné. Les éléments photosensibles que l'on utilise dans le procédé perfectionné ci-dessus comprennent en général des cristaux individuels de substznces fluorescentes que l'on lie ensemble et que l'on isole électriquement au moyen d'un liant 20 «électriquement isolant pour former des feuilles minces. Cependant, de telles feuilles minces d'épaisseur uniforme sont relativement difficiles à fabriquer. in conséquence, les principaux buts de l'invention sont : 25 - de réaliser un élément photosensible d'un type nouveau pour utilisation en électrophotographie, élément qui peut être efficacement formé avec des matières photosensibles ayant une résistance dans l'obscurité tellement faible que leur utilisation aurait été impossible dans un procédé classique 30 d'électrophotographie? - de réaliser un tel élément photosensible dont la productim peut être effectuée par une technique de dépôt par vaporisation et qui se caractérise par une photosensibilité élevée ; 35 - plus précisément, de réaliser un élément photosen sible d'un type nouveau et perfectionné dont la couche photosensible est formée par vaporisation d'une couche de séléniure de tellure; - de fournir Tin procédé.perfectionné d'électrophoto- 40 graphie. 69 01951 3 2001115 Brièvement,- selon "un mode de réalisation préféré de l'invention, un élément photosensible pour utilisation en électrophotographie comprend une couche photosensible constituée d'une couche déposée par vaporisation de séléniure 5 de tellure, une couche hautement isolante intimement liée à une surface de la couche photosensible et une électrode de support intimement liée à la surface opposée de la couche photosensible, au moins la couche hautement isolante ou la couche formée par l'électrode de support étant transparente. 10 Le procédé de formation d'une image électrostatique latente sur la surface de l'élément photosensible consiste à appliquer un premier champ électrique sur l'élément photosensible afin de déposer une charge électrique d'une première polarité sur la surface de la couche isolante et ensuite à 15 appliquer un second champ électrique à l'élément photosensible pour déposer une charge électrique de polarité opposée à celle de la première charge, l'application de ce second champ se faisant simultanément avec la projection d'une information contenant une image lumineuse sur l'élément photosensible, de 20 sorte qu'on obtient une image électrostatique latente sur la surface de la couche hautement isolante. On peut développer l'image latente par tout procédé connu sous la lumière ambiante. Pour appliquer le premier et le second champ, on peut disposer une électrode transparente amovible sur la surface de la couche 25 hautement isolante et appliquer une tension en courant continu de polarité réversible aux bornes de l'électrode transparente et de l'électrode de support, ou bien on peut utiliser une décharge à effet couronne qui est fournie par un dispositif à électrodes de décharge à effet couronne. 30 De plus, si l'on applique un éclairement uni forme à la surface de l'élément photosensible du côté opposé à celui sur lequel on projette l'information contenant l'image lumineuse, simultanément avec l'application du premier champ électrique ou immédiatement avant ou immédiatement après cette applica-35 tion, on peut libérer la charge résiduelle emprisonnée et améliorer ainsi la qualité de 1'image latente et, par voie de conséquence, la qualité de l'image développée. La description qui va suivre en regard du dessin annexé, donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien 40 comprendre comment l'invention peut être réalisée. 69 01951 4 2001115 Les figures 1 et 2 sont des vues en perspective, partiellement en arrachement, de deux modes de réalisation d'un élément photosensible construit selon l'invention. La figure 3 est une vue schématique d'un appareil 5 d'électrophotographie. La figure 4 est un schéma qui permet d'expliquer un procédé de formation d'une image électrostatique latente en utilisant l'élément photosensible représenté sur la figure 1. A la figure 1, on a représenté un exemple d'un 10 élément photosensible selon l'invention. On prépare une électrode de support 3 par un dépôt de vapeur u'une mince couche d'or (non représentée) sur -un substrat transparent en verre. On détermine l'épaisseur de cette couche d'or de manière à assurer une transmission de la lumière de 30 %, Comme on l'explique— 15 ra par la suite, l'électrode de support, dans certains cas, n'a pas besoin d'être transparente et elle peut alors comprendre un clinquant métallique relativement épais. Après avoir chauffé l'électrode de support à une température légèrement supérieure à la température ambiante, par exemple à environ 20 60°C, on dépose par vaporisation une épaisseur de 30 microns de séléniure de tellure contenant 15 moles % de tellure, après quoi on enduit cette couche 1 de séléniure ce tellure d'une solution appropriée d'un polycarbonate afin de former une couche hautement isolante 2 dont l'épaisseur à l'état sec est 25 d'environ 7 microns, la préparation de l'élément photosensible étant achevée par cette dernière opération. On constate que les couches 1, 2 et 3 sont intimement liées de manière à constituer une structure unitaire. Comme représenté à la figure 2, on peut interposer 30 une seconde couche hautement isolante 2a identique à la couche 2 entre la couche de séléniure de tellure ou couche photosensible .1 et l'électrode de support 3 afin d'améliorer le rapport signal/bruit dans l'élément photosensible. A la figure 3 on a représenté un appareil d'électro-35 photographie dans lequel on utilise un élément photosensible de construction identique à celle décrite à propos de la figure 1, et cette figure illustre également le procédé de formation d'une image électrostatique latente au moyen d'une décharge à effet couronne. Dans ce mode de réalisation, une 40 feuille d'-'lément photosensible 1 est enroulée autour d'un 69 01951 5 2001115 cylindre rotatif transparent 4 de manière que la couche hautement isolante 2 soit placée sur l'extérieur. Sous la lumière ambiante, on charge la surface de la couche hautement isolante 2 à -2000 volts à l'aide d'un premier dispositif 6 5 de décharge à effet couronne et ensuite on soumet l'élément à une seconde décharge à effet couronne de polarité opposée à l'aide d'un second dispositif de décharge ?• En même temps, une information contenant une image lumineuse X est projetée sur la couche photosensible 1 à travers ion système optique 10 indiqué schématiquement par une lentille 9 et à travers le second dispositif de décharge à effet couronne 7« Dans ce cas, ce second dispositif de décharge 7 est constitué d'un fil-électrode métallique et on projette l'image lumineuse X à travers cette électrode comme indiqué schématiquement sur la figure 3. 15 On poursuit la seconde décharge à effet couronne pendant 0,1 seconde de manière à créer un potentiel de + 700 volts sur les parties de la surface de la couche hautement isolante qui correspondent aux portions brillantes de l'image lumineuse X. L'éclairement des portions brillantes de l'image est d'environ 20 20 lux et celui des portions obscures est inférieur à 0,05 lux. En conséquence, le potentiel de surface sur l'élément photosensible sous la lumière ambiante est de +700 volts dans les parties qui correspondent aux portions brillantes de l'image lumineuse et d'environ -100 volts dans les parties qui corres-25 pondent aux portions obscures de l'image, -riprès éclairement à l'aide d'une lumière uniforme provenant d'une source lumineuse 8, de manière à extraire la charge de surface de la couche hautement isolante en effaçant la polarisation interne persistante établie par le premier champ électrique, on peut déve-30 lopper l'image électrostatique latente sous la lumière ambiante et on peut ensuite en effectuer le tirage par transfert par l'une des techniques classiques. Par exemple, comme schématiquement représenté sur la figure 3, on peut développer l'image ».latente à l'aide d'une brosse à aimant 10 qui applique un 35 vireur chargé et on peut tirer par transfert l'image développée sur une feuille de papier 12 qu'un rouleau 11 presse contre • la surface de l'élément photosensible. On enlève le vireur qui demeure sur la surface après le tirage par transfert à l'aide d'une brosse rotative 13 et finalement on efface 40 l'image électrostatique latente qui persiste sur .11 élément 69 01951 6 2001115 photosensible à l'aide d'un champ à courant alternatif créé par un électro-aimant (non représenté). On peut alors apprêter l'élément photosensible pour le cycle suivant. La raison pour laquelle on applique successive-5 ment des champs en courant continu de polarités opposées est de créer une distribution défectueuse provisoire des porteurs de charge à l'aide du premier champ, conjointement avec l'application d'une charge électrostatique uniforme sur la surface de la couche hautement isolante. Le second champ de polarité 10 opposée et l'information contenant l'image lumineuse que l'on projette en même temps que ce second champ assurent une suppression locale de cette distribution défectueuse des porteurs de charge et l'application d'une charge électrostatique de polarité opposée sur les parties de la surface de la couche 15 hautement isolante qui correspondent aux portions brillantes de l'image lumineuse. Cependant, sur les parties qui correspondent aux portions obscures de l'image lumineuse, les porteurs de charge à distribution défectueuse qui ont été réalisés par l'application du premier champ électrique restent efficaces 20 pour supprimer la charge électrostatique de polarité opposée et on obtient ainsi une différence importante dans la densité de la charge électrostatique. En conséquence, si le laps de temps ou la période de repos entre les applications du premier et du second champ était suffisamment long pour achever la 25 distribution défectueuse nécessaire des porteurs ou si la résistance dans l'obscurité de la couche photosensible était suffisamment faible, il ne serait pas nécessaire de projeter une lumière uniforme pendant ou immédiatement après l'application du premier champ afin de provoquer délibérément une 30 distribution défectueuse de la charge électrique. La Demanderesse a maintenant trouvé que si l'on utilise une couche photosensible ayant 30 microns d'épaisseur et constituée de séléniure de tellure contenant 204 moles% de tellure et si la durée de repos autorisée entre l'applica-35 tion des deux champs est d'environ 0,5 seconde , la projection d'une lumière uniforme conjointement avec l'application du premier champ, ou immédiatement avant ou après cette application, par exemple à l'aide d'une lampe 14 (figure 3), est hautement efficace pour former des images électrostatiques 40 latentes de haute qualité, mais si l'on augmente la teneur 69 01951 7 2001115 • en tellure au-delà de 20 yl ou si des périodes de repos plus prolongées sont autorisées, on peut réaliser une charge de polarisation interne suffisamment forte sans avoir recours à une excitation quelconque par la lumière. 5 On peut préparer la nouvelle couche photosensible composée de séléniure de tellure par une technique très simple de dépôt par vaporisation, pendant qu'on chauffe le substrat à une température légèrement supérieure à la températu-. re ambiante. L'élément photosensible préparé selon l'invention 10 possède pourtant une photosensibilité exceptionnellement élevée de 0,2 lux-s, qu'on ne pouvait pas espérer obtenir j usqu'à maint enant. La variante d'élément photosensible qui est représentée à la figure 2 et dans laquelle une couche hautement 15 isolante 2a est interposée entre la couche photosensible de séléniure de tellure déposéepar vaporisation, à laquelle cette couche 2a est intimement liée, et l'électrode de support 3, peut fonctionner sensiblement de la même façon que l'élément indiqué sur les figures 1 et 3* Etant donné que le but de la 20 projection d'une lumière -uniforme est d'exciter la couche photosensible pour former des porteurs de charge capables de migrer, on peut projeter cette lumière uniforme sur l'élément photosensible à travers sa couche transparente hautement isolante en même temps qu'on applique le premier champ. Dans ce 25 cas, l'image lumineuse est projetée à travers l'électrode transparente de support en même temps que l'on applique le second champ. Etant donné que la photo sensibilité du nouvel élément photosensible selon l'invention dépend essentiellement 30 de la densité des porteurs de charge qui migrent dans la couche photosensible lors de l'irradiation lumineuse et du trajet moyen de migration, on peut s'attendre à une sensibilité plus élevée quand on applique l'excitation lumineuse à la surface de l'élément photosensible ayant la même polarité que les 35 porteurs majoritaires. A cet égard, on doit cependant tenir compte des propriétés d'absorption de la lumière et de l'épaisseur de la couche photosensible. Si l'on considère maintenant le rôle de la projection d'une lumière uniforme à l'aide d'une source lumineuse 40 14 placée du côté de l'élément photosensible opposé à celui bad original 69 01951 8 2001115 de la projection de l'image lumineuse, on pense qu'il serait judicieux de commencer par décrire le principe de la formation d'une image électrostatique' latente sur la surface de l'élément photosensible. L'élément photosensible décrit et qui est du 5 type parfaitement isolé peut être représenté par un circuit équivalent comprenant une capacité.qui représente celle de la couche hautement isolante et un montage en parallèle d'une capacité et d'une résistance représentant l'impédance de la couche photosensible, ledit montage étant connecté en série 10 avec la capacité mentionnée en premier lieu. Ainsi, le champ électrique appliqué sur un élément photosensible est partagé entre la couche hautement isolante et la couche photosensible proportionnellement aux valeurs de leurs capacitancae respectives. Pour cette raison à moins que l'épaisseur de l'élément 15 photosensible ne soit suffisamment plus importante que celle de la couche hautement isolante, pratiquement la totalité du champ sera appliquée à la couche isolante. Dans un tel cas, que la couche photosensible soit ou ne soit pas éclairée par la lumière, le potentiel de la surface de l'élément photosensi-20 ble augmente, à la suite de quoi la différence de potentiel entre les parties ayant reçu la projection d'une image lumineuse et les parties qui n'ont pas reçu de telle projection sera réduite en abaissant ainsi l'aptitude à la formation d'images. Pour remédier à cet inconvénient, il est hautement souhaitable 25 de réduire l'épaisseur de la couche hautement isolante et de choisir une matière possédant un pouvoir isolant suffisamment élevé. Toutefois, il est difficile de préparer une couche mince ayant une épaisseur de quelques microns seulement à partir d'une matière hautement msolante et sensiblement 30 transparente. Par ailleurs, la couche photosensible possède généralement- une constante diélectrique plus élevée que la couche hautement isolante, de sorte que pour obtenir la distribution souhaitable précitée des tensions, on a intérêt à construire 35 la couche photosensible de manière qu'elle ait une épaisseur de plus de quelques dizaines de microns. Le premier et le second champ de polarités opposées réduisent encore plus la constante diélectrique de la couche photosensible, ce qui procure une plus haute photosensibilité et assure l'établisse— 40 ment d'une polarisation interne par l'emprisonnement des 69 01951 9 2001115 .porteurs de charge à des niveaux d'emprisonnement. Plus précisément, l'application du second champ en courant continu provoque la migration des électrons libres de la couche photosensible, qui sont emprisonnés dans les niveaux d'emprisonne-5 ment, en vue d'établir ce que l'on appelle une polarisation interne persistante. Une telle polarisation provoquée par les électrons emprisonnés diffère de ce que l'on appelle la polarisation diélectrique et est caractérisée en ce qu'elle ne disparaît pas à moins d'une nouvelle excitation par la chaleur 10 ou par la lumière mais non à la suite dé la suppression ou de l'inversion du champ électrique appliqué. Pour cette raison, même si un nouveau champ de polarité opposée est appliqué au cours du cycle suivant de formation d'image, cette polarisation interne persiste et, attendu que la polarité de la polarisation 15 provoquée par les électrons emprisonnés est opposée à celle de la polarisation inductivc qui a été créée par le champ appliqué au cours du cycle précédent de formation d'image, son effet est le même que celui qu'on aurait obtenu par une forte réduction de la capacité de la couche photosensible. Par un choix 20 judicieux de l'intensité du premier et du second champ appliqués successivement, on est en mesure de faire varier la polarité et l'intensité de la charge sur la couche hautement isolante de l'élément photosensible. De plus, étant donné que les électrons emprisonnés sont libérés par la projection de 25 l'image lumineuse pour former des électrons libres, la constante diélectrique de la couche photosensible croît rapidement dans les parties éclairées par la lumière pendant le second stade au cours duquel on applique le second champ. Il en résulte qu'une proportion importante du champ sera appliquée aux par-30 ties de la couche hautement isolante qui correspondent aux parties ayant une constante diélectrique accrue, de sorte que ces parties reçoivent une quantité importante de charge électrique. Une telle variation de la constante diélectrique provoque la disparition de la polarisation interne persistante 35 qui a été établie au cours du second stade ainsi qu'une nouvelle distribution défectueuse des électrons libres résultants, ces deux phénomènes agissant conjointement pour développer une photosensibilité extrêmement élevée. Bien qu'un tel procédé d'électrophotographie soit à de nombreux égardsplus 40 efficace que le procédé de la technique antérieure, il 69 01951 10 2001115 n'en reste pas moins que certains problèmes n'ont pas encore été résolus. En premier lieu,- lorsque la lumière est projetée sur une surface latérale de la couche photosensible d'un élément 5 photosensible, par suite d'une importante absorption de la lumière par la matière photosensible, une couche relativement mince seulement de la matière photosensible, immédiatement sous-jacente à ladite surface, sera excitée par cotte lumière de sorte qu'il est impossible de réaliser une excitation uni-10 forme"dans la totalité de la couche photosensible. Dans un cas extrême, certaines parties peuvent agir comme de simples isolants et ne subir aucune excitation par cette lumière. En second lieu, lorsque la couche photosensible est une couche photoconductrice du type P, au cours du premier 15 stade pour lequel on choisit la polarité du premier champ de manière à rendre négative la surface de la couche hautement isolante et bi^n que les charges positives libres faisant partie de paires de charges libres créées par 1'âclairement à la lumière possèdent une mobilité beaucoup plus grande que les 20 charges négatives, la migration de ces charges positives provoquée par l'attraction des charges négatives sur la couche hautement isolante est bloquée, de sorte que ces charges positives ne peuvent pas migrer sur une longue distance. D'autre part, les charges négatives no peuvent pas se déplacer sur une longue 25 distance en raison de leur faible mobilité. Lors de l'application du second champ de polarité opposée, conjointement avec la projection d'une lumière non uniforme, les charges emprisonnées dans les parties irradiées par la lumière intense seront facilement libérées et les charges positives migreront en direction 30 de l'électrode de support sur une longue distance et ensuite disparaîtront par regroupement ou par emprisonnement dans une zone proche de l'électrode de support. Etant donné que les parties dans lesquelles les charges positives sont emprisonnées sont les parties qui n'ont pas été excitées ou n'ont été que 35 légèrement excitées par la lumière, les charges emprisonnées peuvent persister au cours du premier stade du cycle suivant de formation d'images. En outre, attendu que les charges résiduelles de ce type persistent pendant une longue période jusqu'à libération par voie thermique, les cycles répétés 40 de formation d'images provoquent l'accumulation de ces charges 69 Ô1951 n 2001115 . résiduelles et ceci jusqu'au moment où on atteint une limite au-delà de laquelle la couche photosensible devient inopérante. D'autre part, quand on procède à un certain nombre de cycles successifs de formation d'images, l'hystérésis est inévitable 5 au cours de chaque cycle et il se forme ainsi une image tenace et persistante. On observe la même difficulté quand on inverse les polarités des champs électriques. La source lumineuse uniforme 14 est justement prévue pour résoudre ces problèmes. Ainsi, pour faire entièrement 10 disparaître la charge résiduelle emprisonnée 'lors de chaque cycle de formation d'images, on installe la source 14 de manière à projeter la lumière uniforme sur un côté de l'élément photosensible, côté qui est opposé à celui de la projection de l'image lumineuse, ou à travers l'électrode transparente 15 de support 3- La source lumineuse est disposée ou excitée de manière à projeter une lumière uniforme pendant ou légèrement après l'application du premier champ par le dispositif de décharge à effet couronne 6. Plus précisément, lorsque le dispositif de décharge 6 applique une charge négative sur la 20 surface de la couche hautement isolante 2, les charges positives possédant une plus grande mobilité dans le semi-conducteur du type P des paires de charges créées dans la couche photosensible par la lumière uniforme projetée à travers l'électrode transparente 3 migrent sur une longue distance jusqu'à une zone 25 proche de la couche hautement isolante et sont emprisonnées à cet endroit avec une densité élevée, de sorte qu'on obtient line charge polarisée possédant une sensibilité élevée. Lorsqu'on applique alors le second champ de polarité opposée, simultanément avec la projection de l'image lumineuse, la charge polari-30 sée dans les parties qui correspondent aux portions brillantes de l'image lumineuse sera facilement libérée tandis que, dans les parties qui correspondent aux portions obscures de l'image lumineuse, la charge reste emprisonnée pour empêcher ainsi l'accumulation de la charge positive sur la surface de la couche 35 hautement isolante. On peut aisément rétablir une telle distribution de charges à son état initial, par l'application du premier champ,simultanément avec un éclairement uniforme par la source lumineuse 14. Ainsi, grâce à l'utilisation de la source de lumière 40 uniforme 14, on rétablit l'élément photosensible à son état BAD ORIGINAL 69 01951 12 2001115 initial ou à -un état ex-jmpt d'hystérésis à chaque cycle de formation d'images, ce qui remédie aux ennuis provoqués par les charges résiduelles emprisonnées. En outre, étant donné que la quantité do migration de charges par suite de 1'éclairement 5 lumineux augmente à chaque stade, la photosensibilité de l'élément photosensible est fortement accrue. La figure 4- montre un procédé simple de formation d'une image électrostatique latente avec utilisation du nouvel élément photosensible selon l'invention. Dans cotte forme de 10 mise an oeuvre, on place une électrode transparente amovible 20 identique à l'électrode transparente de support 3 sur la couche hautement isolante 2 et on applique des champs positif et négatif en courant continu sur l'élément photosensible à partir d'une source de courant continu 21 à travers un inver-15 seur de polarité 22. L'image lumineuse peut être projetée à travers l'électrode transparente 20, comme représenté, ou à travers l'électrode transparente de support 3, conjointement avec l'application du second champ. Ainsi, il n'est pas indispensable que les deux électrodes 3 et 20 soient transparentes, 20 mais seule l'électrode à travers laquelle l'image lumineuse sera projetée doit être transparente. Après formation d'une image électrostatique latente sur la surface de la couche hautement isolante 2 par la même technique que celle qui a été décrite à propos de la figure 3, on enlève l'électrode 25 transparente 20, on développe l'image latente et on la tire par transfert de manière usuelle. Il va de soi que des modifications peuvent être apportées aux modes de réalisation qui viennent d'être décrits, notamment par substitution de moyens techniques équivalents, 30 sans sortir pour cela du cadre de la présente invention. 8AD ORIGINAL 69 01951 13 200l115 REVENDICATIONS 1.- Elément photosensible pour électrophotographie, comprenant une couche photosensible et -une couche hautement isolante intimement liée à tins face au moins de la couche 5 photosensible, caractérisé en ce que la couche photosensible comprend du séléniure de tellure déposé par vaporisation. 2.- élément photosensible selon la rèvendication 1, caractérisé en ce que ladite couche isolante est transparente aux rayons lumineux. 10 3*- Elément photosensible selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une électrode de support sur la face de la couche photosensible opposée à celle qui est en contact avec la couche hautement isolante. 4.- Elément photosensible selon la revendication 1, 15 caractérisé en ce que ledit séléniure de tellure contient au moins 15 moles % de tellure. 5*- Elément photosensible selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite électrode de support est transparente. 20 6.- Elément photosensible selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'une seconde couche hautement isolante est interposée entre ladite couche photosensible et ladite électrode et est intimement liée à la couche photosensible. 7»- Procédé de fabrication d'un élément photosensible 25 pour électrophotographie, caractérisé en ce qu'il consiste à chauffer une électrode de support à une température légèrement supérieure à la température ambiante, à déposer par vaporisation une couche de séléniure de tellure sur ladite électrode de support, et à lier intimement une couche hautement isolante 30 avec la couche ainsi déposée de séléniure de tellure. 8.- Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le séléniure de tellure contient plus de 15 moles iù de tellure. 9.- Procédé d'électrophotographie, caractérisé en 35 ce qu'il consiste à préparer un élément photosensible comprenant une électrode de support, une couche photosensible de séléniure de tellure déposée par vaporisation sur ladite électrode et une couche hautement isolante intimement liée à ladite couche photosensible; à appliquer un premier champ électrique 40 à cet élément photosensible afin d'établir une charge électrique 69 01951 14 2001115 d'une première polarité sur la surface de la couche hautement isolante; à appliquer un second champ électrique à l'élément photosensible de manière à établir une charge électrique de polarité opposée à celle de la première charge sur la surface 5 de la couche hautement isolante; et à projeter une information contenant une image lumineuse sur ledit élément photosensible, simultanément avec l'application du second champ électrique, de manière à former une image électrostatique latente sur la surface de cotte couche hautement isolante, cotte image corres- 10 pondant à ladite image lumineuse- 10.- Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la couche hautement isolante est transparente et en ce qu'on projette ladite image lumineuse sur.la couche photosensible à travers cette couche hautement isolante. 15 11.- Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que ladite électrode de support est transparente et en ce qu'on projette l'image lumineuse sur la couche photosensible à travers cette électrode de support. 12.- Procédé selon la revendication 9, caractérisé 20 en ce que ledit séléniure de tellure contient au moins 15 moles% de tellure. 13.- Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'on développe ladite image électrostatique latente à l'aide d'un vireur électriquement chargé et qu'ensuite on tire 25 par transfert l'image développée. 14.- Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit élément photosensible comporte une seconde couche hautement isolante qui est interposée entre la couche de séléniure de tellure et ladite électrode de support et est 30 intimement liée à cette couche de séléniure de tellure. 15«- Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'.on applique les premier et second champs électriques à l'élément photosensible à l'aide de ladite électrode de support et d'une électrode amovible placée sur ladite couche hautement 35 isolante. 16.- Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'on applique lesdits premier et second champs électriques à l'élément photosensible à l'aide de dispositifs de décharge à" effet couronne. 40 17-- Procédé d'électrophotographie caractérisé en ce 69 01951 15 2001115 . qu'il consiste à préparer un élément photosensible comprenant une électrode de support, une couche photosensible composée de séléniure de tellure déposée par vaporisation sur ladite électrode et une couche hautement isolante intimement liée ^ à la couche photosensible; à appliquer un premier champ électrique à cet élément photosensible pour déposer une charge électrique d'une première polarité sur la surface de la couche hautement isolante; à éclairer une surface de l'élément photosensible à l'aide d'une lumière uniforme, de façon sensible-10 ment simultanée avec l'application du premier champ électrique; à appliquer un second champ électrique à l'élément photosensible pour déposer une charge électrique de polarité opposée à celle de la première charge sur la surface de ladite couche hautement isolante; et à projeter une information contenant 15 une image lumineuse sur l'autre surface de l'élément photosensible, c'est-à-dire la surface opposée à celle qui a été éclairée par ladite lumière uniforme, cette projection se faisant simultanément avec l'application du second champ, pour obtenir ainsi une image électrostatique latente sur la surface 20 de la couche hautement isolante, image qui correspond à ladite image lumineuse.