FR 2004172 A1 19691121 FR 6907721 A 19690318 à§ 07721 * 1 --âOÔ4i?i l'invention se rapporte, d'une manière générale, aux mémoires magnétiques et, plus particulièrement, aux pellicules magnétiques minces que l'on désignera ci-après sous le nom de " films minces " ou " réseaux de mémoire De telles pellicu— 5 les sont utilisées dans les mémoires magnétiques, l'invention se rapporte, en outre, à une méthode pour leur fabrication. Un film magnétique mince apte à être utilisé pour la réalisation d'un mémoire magnétique, comporte une série d'emplacements discrets ou " sites de mémoire " servant à stocker des 10 données, une autre série d'emplacements discrets qui séparent au moins, certains des sites de mémoire, les uns des autres, et est caractérisé en ce que les emplacements discrets de l'une des séries que comporte la matière constitutive du film mince incorpore un additif diffusé, sélectionné, de façon à 15 rendre la coercitilrité magnétique de ces emplacements discrets sensiblement différente de celle des emplacements discrets de l'autre série. Les différents avantages, ainsi que les particularités de l'invention, apparaîtront clairement à l'aide de la descrip- 2.0 tion ci-après. ' Au dessin annejcé s La figure 1 est une vue en plan, d'une partie d'un réseau de mémoire magnétique, les figures 2 et 3 sont des vues partielles d'un réseau 2 J> de mémoire magnétique illustrant le couplage entre les sites de mémoire. La figure 4- est une vue en plan d'un réseau de mémoire conforme à un mode de réalisation de l'invention. La figure 5 est une vue partielle avant coupée suivant 3o 11 axe 5-5 de la figure 4. 1 5004i7i 69 07721 La figure 6 est une vue en perspective,'partiellement cou-5 pée, représentant un autre mode d'exécution de l'invention. Les figures 7 et 8 représentent des positions progressives de parois de domaines qui concernent la présente invention. Les figures 9 et 10 illustrent l'application de l'invention & des bandes continues de film magnétique. -fO La figure 11 représente des sites de mémoire destinés à stocker un chiffre binaire unique et une ligne d'excitation de mot et une ligne d'excitation de " digit " pour les sites en question. La figure 12 représente un mode de réalisation d'une mémoi-45 re de lecture non destructive. La figure 13 illustre une variante de la figure 12. La figure 14 représente un autre mode de réalisation d'une mémoire de lecture non destructive et de sites de mémoire ainsi que des circuits correspondants qui les recouvrent, et 20 la figure 15 est une vue, partiellement arrachée, du monta ge de la figure 14, en coupe suivant l'axe 15-15 de celle-ci. On peut déposer des matériaux magnétiques en une couche mince continue sur une feuille ou support en matière non magnétique. En se référant à la figure 1, on a trouvé que la couche mince 10 ainsi obtenue, habituellement désignée sous le nom de 15 " film mince pouvait servir de dispositif de stockage d'information numérique sous la forme binaire. Quand on dépose des matériaux magnétiques en présence d'un champ magnétique, l'aimantation du matériau (la pellicule mince) s'alligne suivant un axe privilégié d'aimantation désigné sous le nom " d'axe privi-|0 legié 11 (80). L'axe perpendiculaire à l'axe privilégié est désigné sous le nom " d'axe dur L'aimantation du film tend à résister au mouvement qui 1'écarte de l'axe privilégié. Cette ten- 69 07721 5 20Ô4172 dance ou propriété du. film est désignée sous le nom " d'aniso-tropie uniaxiale " et le film mince est désigné sous le nom de 5 " film mince anisotropique ". L'aimantation, dans un film anisotropique, peut s'effectuer suivant une orientation parallèle, 1'aimantation ayant alors la même direction le long de l'axe privilégié, ou suivant une orientation anti-parallèle, une partie de l'aimantation ayant alors 10 un certain sens suivant l'axe privilégié et une autre partie de l'aimantation, une orientation dans le sens opposé suivant l'axe privilégié. Un champ magnétique d'amplitude suffisante peut aligner l'aimantation du film en parallèle le long de l'axe privilégié suivant l'un des deux sens possibles ou états stables 15 d'orientation magnétique. l'un des deux états stables d'orientation magnétique d'une zone élémentaire ou site de mémoire peut arbitrairement représenter un 1 binaire, l'autre représentant un 0 binaire. Plusieurs sites (20) d'un film mince continu peuvent ainsi être organisés pour représenter des mots de mémoire, %0 donc constituer une mémoire. Plusieurs conducteurs parallèles (12), isolés du film mais couplés induetivement à celui-ci, peuvent recouvrir le film parallèlement à l'axe privilégié. Ces conducteurs sont désignés sous le nom de " lignes d'excitation de mots Une autre pluralité de conducteurs (14—16), appelés » lignes d'excitation 25 de digits ", isolés du film et de la première série de conducteurs, peuvent recouvrir le film parallèlement à l'axe dur ou perpendiculairement à la première série de conducteurs. L'information, sous forme binaire, est emmagasinée dans des sites de mémoire (20) situés dans le film en dessous des intersec — 30 tions des conducteurs respectifs d'excitation de mots et d'excitation de digits. L'information est habituellement organisée en M 0„21 ' 20Î4173 " mots " oa " lignes de mots ", parallèles aux lignes d'excitation de mots. les lignes d'excitation de digits appartiennent habituelle-5 ment à l'un des deux types classiques. Le premier type est désigné sous le nom de type en boucle ou en épingle à cheveux (14)» dans lequel un conducteur unique est constitué de deux segments parallèles. Autrement dit, deux segments parallèles joints à une extrémité composent un conduc-10 teur unique. Le second type (16) est une ligne de digits terminée par une résistance, qui se prolonge simplement dans un sens et est mise à la masse par une résistance. Pour inscrire dans le film et, ainsi, établir un site de mémoire, un courant d'excitation de mots (I 18) est envoyé dans 15 une ligne de mots sélectionnée et un courant de commande (Ijj 19) est envoyé simultanément à travers une ligne de digits sélectionnée (les flèches 18 et 19 contigues aux lignes d'excitation respectives de mots et de digits indiquent, à titre illustratif, le sens des courants de commande). Bien qu'on utilise le terme 2.D " simultanément ", on peut noter que les courants respectifs ne sont habituellement pas absolument simultanés, mais au contraire, se recouvrent quelque peu. Dans la relation courant-temps, le courant d'excitation de mots précède habituellement le courant d'excitation de digits. Les sens des courants d'excitation " si-2 $ multanés ", ou des champs magnétiques qui en proviennent, détermine l'alignement ou l'orientation de l'aimantation le long de l'axe privélégié et détermine ainsi si un 1 ou un 0 binaire est inscrit ou enregistré. On notera qu'une ligne de digits (14) en boucle ou en épingle à cheveux oriente l'aimantation d'un film *0 continu en deux emplacements ou sites et dans des directions 1 .chiffre ou opposées, pour composer un"digit" unique d'information binaire. 6 ? 20 Ô41IÎ Des lignes de digits (19) terminées par des résistances peuvent être utilisées en parallèle (e'est-à-dire, qu'on peut utiliser deux lignes contigues) pour effectuer la même orientation d'aimantation de deux sites, afin de représenter un digit d'infor-5 mation binaire unique, ou peuvent être utilisées séparément et indépendamment pour deux digits d'information "binaire. Du fait que le problème, décrit ci-dessus, du couplage entre les sites de mémoire n'est pas limité à l'un ou l'autre types de lignes d'excitation de digits, on a représenté les deux types à la fi— ^.0 gure 1. La lecture s'effectue en utilisant, soit un troisième conducteur (ou un couple de conducteurs) comme ligne de lecture, ou en utilisant les lignes d'excitation de digits ^(14-19) comme lignes de lecture. Quoiqu'il en soit, et qu'un digit d'informa-15 tion soit inscrit dans un site de mémoire unique ou dans deux sites de mémoire, on a trouvé avantageux d'utiliser deux lignes soit une boucle 14, soit deux lignes terminées par résistance 16, pour la lecture. Le bruit induit dans les lignes de lecture couplées capacitivement à partir de la ligne d'excitation de 2.0 mots est annulé par l'emploi de deux lignes. Une impulsion de courant de lecture est habituellement envoyée dans une ligne d'excitation de mots sélectionnée (18) et le champ magnétique provenant de ce courant provoque la rotation de l'aimantation des sites de mémoire dans le film, en 15 dessous de la ligne, de manière à faire tourner l'axe dur. A la cessation de l'impulsion, dans une mémoire à lecture destructive, l'aimantation retombe dans un alignement anti—pa-rallèle aléatoire vers l'axe privilégié, jusqu'à l'inscription d'un autre digit binaire. 1* Dans une mémoire à lecture non destructive, 1'aimantation 69 07721 6 2004173 retombe à l'axe privilégié, dans l'alignement parallèle initial. La rotation initiale de l'aimantation, du.e au. courant de lecture, induit un courant dans la ligne de lecture et ce courant est " lu " sous la forme d'un digit binaire. La polarité du cou-Ç rant circulant dans la ligne de lecture, qui dépend de la direction de déplacement de l'aimantation et, par conséquent, de l'orientation initiale de l'aimantation, détermine si. on a lu un 1 ou un 0 binaire. Pour une explication plus complète de certaines des particularités, exposées ci-dessus, on peut se référer ■40 à l'article d« J.I. RAFFEL intitulé " Opérating Ciiaracteristics of a thin film memory publié dans le " Journal of Applied PJiysics volume 30» pages 605 à 615, en 1959» On peut fabriquer un réseau de mémoire sous la forme d'un film mince continu. L'un des problèmes principaux» dans de tels 4$ réseaux de mémoire, est l'effet de couplage entre l'aimantation des sites de mémoire contigus qui peuvent se " déplacer " jusqu'au point qu'ils puissent être situés tout à côté de lignes contigues. Les effets de couplage des sites de mémoire contigus provoquent des cliangements dans les niveaux de sortie des diffé-lOrents sites, accroissent les signaux de sortie indésirables ou bruit et, d'une manière générale, perturbent la configuration magnétique normale ou désirée de la matière magnétique des sites individuels. Les sites de mémoire ou de stockage contigus sont done per-25 turbés et la capacité ou la densité des sites est sévèrement limitée. On a représenté sch-ématiquement, aux figures 2 et 3, deux exemples de couplages de sites de mémoire de portions d'un réseau de mémoire 10. 50 A la figure 2, on suppose que les champs magnétiques pro 69 07721 7 2004173 venant des courants qui traversent les lignes d'excitation de mots 12a et 12b et la ligne d'excitation de digits 14 orienteraient 1'aimantation des sites de mémoire 22 et 24 dans des sens opposés, comme le représentent les flech.es 21 et 25» La 5 direction de l'axe privilégié est représentée par la double flèche 80. Par des processus de déplacement de parois, l'aimantation des sites de mémoire initiaux 22 et 24 peut croître jusqu'à l'établissement de sites de mémoire agrandis, tels que 22a et 24a. L'aimantation de la zone 23 pourrait inclure l'aimantation, 10 soit du site de mémoire 22, soit du site 24, suivant celle des lignes d'excitation de mots 12a ou 12b qui a reçu une impulsion à un instant donné. L'un ou l'autre des sites de mémoire 22a ou 24a pourrait inclure la zone 23 et serait ainsi considérablement plus grand ^ que le site contigu. Quel que soit le site le plus grand, une telle situation pourrait avoir un effet nuisible sur les propriétés de lecture du matériau magnétique ou film, comme on l'a indiqué précédemment. Une autre situation est représentée à la figure 3, dans 20 laquelle on suppose que les courants qui traversent les lignes d'excitation de mots 12 et la ligne d'excitation de digits 14 oriente 1'aimantation du film mince dans le même sens suivant l'axe privilégié, dont la direction est représentée par la double flèche 80. Lorsqu'il en est ainsi, les sites de mémoire 25 individuels 26 et 28 peuvent croître par suite d'un déplacement de parois de domaines jusqu'à formation d'un site de mémoire unique ou domaine magnétique 27. La formation d'un site de mémoire de grande dimension provoque des variations dans la configuration du film et est ainsi un événement indésirable. 30 II est facile de comprendre que la croissance de l'aimanta- , 20Ô417S 69 07721 | ' — tion par des processus de cheminement lent peut se produire dans plus d'une direction et que la croissance et le couplage des sites de mémoire peuvent s'effectuer dans toutes les directions et non pas seulement dans la direction verticale illustrée, tj Quelle que soit la direction de la croissance, l'aimantation donne naissance à différentes configurations de lecture, à du bruit et à d'autres problèmes, dans les mémoires à film magnétique. Dans l'art antérieur, on réalise habituellement un site de stockage par enlèvement du matériau par gravure autour de la zo-jJOne de croisement, laissant ainsi des sites discrets de film magnétique qui peuvent servir de sites de mémoire. l'un des problèmes qui en résulte dans l'art antérieur, consiste en ce que - les sites de mémoire présentent des effets démagnétisants élevés sur leurs bords, du fait des transitions abruptes du matériau -#), magné tique à l'espace libre. Un autre moyen utilisé pour empêcher le couplage indésirable entre les sites contigus est le dépôt de matériau magnétique à travers un masque. Ce procédé donne généralement des résultats similaires à celui du procédé de gravure. En déposant la pelli-!10 cule magnétique à travers un masque, la configuration des sites de stockage magnétique sur le support continue d'avoir des lignes de démarcation relativement brusques, ce qui affecte de façon nuisible les propriétés magnétiques du site. Suivant l'invention, on diffuse un additif dans le film, i5 suivant une configuration prédéterminée ou en des emplacements prédéterminés, d'où il résulte que des sites de mémoire discrets sont isolés ou créés et que le mouvement des parois est limité. L'additif est sélectionné de manière à rendre sensiblement différentes l'une de l'autre, la coercitivité magnétique 7)0 des sites de mémoire d'une part, et la coercitivité des bandes 69 07721 9 2004172 qui séparent les sites de mémoire d'autre part. A titre d'exemple d'additifs appropriés, on peut citer des matériaux magnétiques de grand pouvoir coercitif, tels que les alliages ayant un contenu en fer relativement élevé et un conte— ^ nu en nickel relativement "bas. On peut encore citer des matériaux non magnétiques tels que la cuivre, l'or, le manganèse, le molybdène, l'aluminium et, en outre, des combinaisons de ces différents additifs. On empêche ainsi un couplage magnétique nuisible entre les ÀO sites de mémoire contigus. les propriétés des sites individuels ne sont habituellement pas détériorées ou diminuées, du fait que la zone de diffusion du matériau dans le film, qui forme les limites des sites de mémoire, peut être très progressive, en opposition à la coupure brutale qui avait lieu dans l'art anté-rieur. Il est clair que le pouvoir d'un agent diffusant quelconque, tel que la chaleur, par exemple sous la forme d'un faisceau et le temps d'utilisation de cet agent, peuvent déterminer les caractéristiques réelles de diffusion. l'invention englobe, également, une méthode de réalisation de réseaux magnétiques de mémoire. Cette méthode présente plusieurs avantages par rapport à l'art antérieur. Par exemple, le processus de travail par gravure est complètement supprimé, le film magnétique est protégé à tous instants et on peut obtenir une résolution élevée des zones diffusées. -25 les réseaux de mémoire à lecture non destructive consti tuent également une caractéristique de l'invention. Ces réseaux comprennent des portions de film magnétique dans lesquelles le pouvoir coercitif a été modifié sélectivement par diffusion d'un matériau, la diffusion sélective d'une certaine quantité d'un matériau non magnétique ou ayant un pou- 69 Ô?721 200417S voir coercitif élevé, dans une portion ou. des portions prédéterminées d'un site de mémoire, modifie les propriétés magnétiques de ce site et produit des effets de couplage uniques, tels que la uupu.e-M?é-y possibilité de réaliser une mémoire à lecture non . 5 destructive. les techniques de diffusion que l'on indique dans le présent texte peuvent être utilisées pour obtenir ces effets de couplage magnétiques désirables. La figure 4» représente une partie d'un réseau de mémoire à film magnétique continu 10 comprenant une pluralité de sites -10 de mémoire 30. Une couche de matière à pouvoir coercitif élevé ou de matière non magnétique 40, par exemple du type mentionné plus haut, est déposée sur une pellicule magnétique continue, suivant une configuration prédéterminée, avec des "ouvertures " 42 ménagées dans la couche 40 qui recouvre les sites de mémoire Ah désirés. Ces ouvertures ne sont pas visibles à la figure 4 j à la figure 5» elles apparaissent remplies de la matière de base 30 du film mince. Les moyens appropriés peuvent alors être utilisés pour diffuser des portions ou, au moins, une portion du matériau dans le film, comme on le décrit ci-après. 20 La figure 5, illustre une méthode de diffusion du matériau à pouvoir coercitif élevé dans le film mince. Cette figure, en partie coupée suivant 5-5 de la figure 4, représente un support 50 avec une couche 11 de matière magnétique, ou film mince, qui y est déposée et une couche de matériau non magnétique ou de ma-25 tériau à pouvoir coercitif élevé 40 déposée sur ce film. Après dépôt de la couche 40, une source d'énergie appropriée, représentée par le rectangle 48, par exemple, un faisceau électronique, un faisceau laser ou toute autre source d'énergie réglable, peut être appliquée pour diffuser des portions de la couche 40 suivant la configuration désirée et en des emplace 69 07721 a 2004172 ments prédéterminés dans la région du. film magnétique qui entoure les emplacements de mémoire 30 que l'on désire obtenir ou entre ces sites. En utilisant un faisceau électronique, un faisceau laser, ou analogue, l'isolement des sites peut être obtenu 5 suivant une méthode programmée, ou par différents autres moyens i bien connus dans l'art. Un moyen approprié quelconque, thermique, chimique, ou autre, peut être utilisé pour diffuser le matériau- dans le film. La diffusion du matériau 40 dans la couche 11, suivant la configuration désirée, isole les sites de mémoire 30 en formant des cheneaux ou vallées 44 de frontière de domaines entre les sites 30. Ces cheneaux deviennent alors des barrières qui empêchent l'aimantation des sites de mémoire de s'agrandir. De cette manière, le couplage indésirable entre les sites de mémoire contigus est empêché. ■45 Si on le désire,, une couche de matériau 41 à pouvoir coer citif élevé peut être déposée de façon continue ou coextensive sur la couche 11 du film mince, comme le montre la figure 6. Une source d'énergie appropriée, représentée par le rectangle 48, peut alors être utilisée pour diffuser des portions de ma-ÎOtériau dans la couche mince, suivant une configuration désirée quelconque ou en des emplacements désirés quelconques, jusqu'à un degré quelconque, comme on le voit dans la vallée 45. En réglant divers paramètres de la source d'énergie, tels que le temps, l'intensité, la configuration, etc ... on peut régler la 2,5 forme géométrique des bords permettant ainsi des effilements du matériau diffusé, comme par exemple, en 45a . La distinction entre la couche 40, munie 11 d'ouvertures ", des figures 4 et 5, et la couche " continue " 41 de la figure 6 consiste, principalement, dans les séparations relatives entre les vallées ; à 3o la figure 6, une seconde vallée similaire 45 (non représentée au dessin) formerait, avec la vallée 45» figurée, une " ouver-5 ture ", au sens mentionné ci-dessus, mais avec une extension, de gauche à droite, supérieure à celle d'une ouverture de la figure 5• Les figures 7 et 8 représentent la manière dont le matériau diffusé à pouvoir coercitif élevé sépare les sites magnéti-10 ques et empêche le couplage direct entre les sites. A la figure 7» les sites de mémoires 31 et 32 sont représentés avec leurs frontières de domaines 33 et 34» Une portion diffusée ou chenal 44» sépare le site de mémoire 31 du site de mémoire contigu 32. Les frontières 33a et 34a sont représentées 15 à la figure 8 comme s'étendant jusqu'à la région du chenal 44 ; lorsqu'elles atteignent le chenal diffusé 44 entre les sites contigus du film magnétique, le mouvement de paroi cesse, empêchant ainsi le oouplage direct entre les sites de mémoire contigus et 1'information qui y est stockée. 20 Une autre application de l'invention est illustrée aux fi gures 9 et 10. On peut construire un réseau de mémoire à film magnétique dans lequel des "bandes de film mince sont utilisées comme milieu de stockage. Dans la structure de la figure 9, une "bande de film magnétique 60, continue dans la direction de l'axe 25 privilégié, laquelle est représentée par la double flèche 80, comprend une ligne de mots d'information, dont une partie seulement, est figurée. Une ligne d'excitation de digits unique 14 est représentée coupant transversalement la bande de film 60. La ligne d'excita-30 tion de mots 12 recouvre la bande 60 et lui est parallèle. Aveo une telle disposition, 1'interaction entre les sites de 2004172 6i& mÛTeT'2«-t les lignes de mots contigu.es est s ensila rSàfent réduite, du fait qu'il n'y a aucune matière magnétique entre les lignes de mots. Il peut toutefois exister un couplage fort entre les sites de mémoire, le long de la bande de film magnétique 5 mince. Si, par exemple, un courant d'inscription est appliqué le long de la ligne d'excitation de mots 12, parallèlement à la "bande de film 60 et si un courant est simultanément appliqué le long de la ligne d'excitation de digits 14, de manière à orienter 1'aimantation du site de mémoire 62 suivant l'axe privilé-10 gié et dans la direction indiquée par les flèches 82, les parois frontières des domaines peuvent initialement être établies par exemple en 35» Par des processus de cheminement lent, ces parois peuvent se déplacer le long de la bande, comme indiqué ci-dessus. Pour empêcher ce déplacement des parois de domaines le long dé 15 la bande, ou pour arrêter les parois en des emplacements prescrits le long de la bande, on peut utiliser la technique de diffusion. la figure 10, illustre l'application de l'invention en vue d'empêcher le cheminement lent et les problèmes d'interaction 20 qui en résultent, dans des réseaux de mémoire à bande de film. On a représenté une pluralité de bande de film continues 60 coupées perpendiculairement par une pluralité de rubans 65 en matériau à pouvoir coercitif élevé. Les lignes d'excitation de mots 12 et les lignes d'excitation de digits 14 sont représentées par-25 tiellement. En faisant diffuser les portions 47 des rubans 46 dans les bandes de film magnétique mince, par l'un quelconque des moyens indiqués ci-dessus, on peut réaliser des barrières efficaces qui isoleront chacune des séries de sites de mémoire 62. L'isolation électrique entre les bandes de film peut être 30 obtenue en coupant les rubans entre les bandes de film ou à côté de ces bandes. 2004172' 69 07721 Les propriétés magnétiques d'un site de mémoire sur film peuvent elles-mêmes être modifiées en diffusant un matériau dans des portions sélectionnées ou prédéterminées. Un élément à lecture non destructive peut, par exemple, être obtenu en 5 modifiant le pouvoir coercitif d'une zone particulière d'un site de mémoire. La figure 11, représente un site d'information 64 servant à stocker un chiffre "binaire unique. Le site de digit 64 est composé de sites de mémoire discrets 66 et 68. Le site 64 est 10 coupé par une ligne d'excitation de mots 12 et par une ligne d'excitation de digits en épingle à cheveux 14 et des courants d'excitation appropriés, Iw et 1^ pour les lignes d'excitation de mots et de digits respectivement, sont indiqués, en ce qui concerne leur direction, par les flèches 18 et 19. La direction 15 d'aimantation des emplacements de mémoire 66 et 68 est représentée par les flèches 84 et 86, à une frontière de domaine centrale 36 entre les sites. La direction de l'axe privilégié du film mince est désignée par la double flèche 80. La figure 12, est une vue en coupe partiellement éclatée 20 de la structure de la figure 11 représentant un support 52, une couche 11 de matériau magnétique (film mince) et des sites de mémoire discrets 66 et 68 du site de digit 64, séparés par la frontière centrale de domaine 36. La ligne d'excitation de mots 12 et des sections de la ligne d'excitation de digits 14 25 sont également représentées. Les couches isolantes entre la couche 11 et les lignes 12 et 14 ont été omises. La couche 11 est divisée en deux parties, une partie supérieure 70 et un partie inférieure 72. Les caractéristiques magnétiques de la partie supérieure 70 ont été sélectivement modifiées par rapport 30 à celles de la partie inférieure 72, par diffusion, dans cette couche, d'une matière non magnétique ou d'une matière à 69 07721 2ÔÔ.4i72 pouvoir coercitif élevé. Le pouvoir coercitif de la partie supérieure est ainsi légèrement plus grand que celui de la partie inférieure. Le champ d'un courant de lecture est suffisant pour faire 5 tourner l'aimantation de la partie 70 à pouvoir coercitif élevé seulement partiellement en direction de l'axe dur et l'aimantation de cette partie revient ainsi vers l'axe privilégié dans le même alignement que l'inscription initiale dans le site. Le même champ émanant du champ de lecture est suffisant pour faire 10 tourner l'aimantation de la partie inférieure 72 du film magnétique vers l'axe dur. Mais 1'aimantation, au lieu de revenir à l'axe privilégié d'une manière anti-parallèle aléatoire, cornai» cela est typique dans les mémoires à film magnétique de lee-ture destructive, tend à revenir dans l'alignement initial, par 15 suite de l'action de polarisation ou de couplage magnétique de la portion 70. Effectivement, le matériau diffusé fournit alors une capacité de lecture non destructive dans le fila magnétique. Une variante de la structure de la figure 12 est représentée à la figure 13. Dans certains cas, il peut être nécessaire 20 ou souhaitable de prévoir une couche de couplage séparée de matière non magnétique ou de matière à haute coercitivité. Une couche 11 de matière magnétique est déposée sur le support 52 et une couche de couplage intermédiaire 49» en matière non magnétique ou à pouvoir coercitif élevé, est déposée par-dessus 25 la couche 11. Une autre couche de matière magnétique est alors déposée par-dessus la couche 49- Le matériau non. magnétique ou à pouvoir coercitif élevé est alors diffusé dans la couche supérieure de matière magnétique et une couche 74 de matière magnétique à pouvoir coercitif plus élevé est ainsi obtenue. L'action 30 de couplage magnétique vertical à la lecture, entre les couches 11 et 74 est sensiblement la même que celle qui a été décrite 6* Q7721 a 6 2QQ4172 "au paragraphe précédent» On a également représenté à la figure 13» des couches isolantes 56 disposées entre la ligne d'excitation de mots 12 et les lignes d'excitation de digits 14 et entre les lignes d'exci-5 tation de digits 14 et la couche 74. Les couches isolantes ont été préalablement omises des autres vues pour plus de clarté. Une variante des modes de réalisation illustrés aux figures 11, 12, et 13, est représentée aux figures 14 et 15* Ces figures représentent un site de digits 90 qui comprend deux 10 sites de mémoires 92 et 96 séparés par une frontière de domaine 38. Une ligne d'excitation de mots 13 est représentée coupant le site de digits 90 et une ligne d'excitation de digits en épingle à cheveux 15 est orientée au-dessus de portions à pouvoir coercitif élevé 93 et 97» des sites de mémoire 92 et 96 15 respectivement. Les lignes de lecture 17 terminées par des résistances, sont disposées perpendiculairement à la ligne de mots 13 et recouvrent des portions à faible coercitivité 94 et 98 des sites respectifs 92 et 96. La direction d'aimantation privilégiée est représentée 20 par la double flèche 80. La figure 15 est une vue en coupe partiellement éclatée de la figure 14» dans laquelle on a omis l'isolement entre le film magnétique et les lignes d'excitation et de lecture. Une couche de film magnétique est déposée sur un support 54 comme 25 dans les modes de réalisation qui précèdent. Une frontière de domaine centrale 38 sépare les deux sites de stockage 92 et 96 et la portion de la couche de film mince contigue à la frontière 38 est divisée en portions 93 et 97 respectivement. Une certaine quantité de matière non magnétique ou de matière à pouvoir 30 coercitif élevé est diffusée dans les portions 93 et 97» ce qui change, comme on le désire, le pouvoir coercitif de ces 69 07721 2004172 portions et l'augmente au-dessus de la valeur qu'il a dans les portions 94 et 98. Des eourants coïncidents envoyés dans la ligne d'excitation de mots 13 et dans la ligne d'excitation de digits 15, 5 orientent 1'aimantation dans les sites de mémoire 92 et 96, suivant l'axe privilégié, pour stocker un digit "binaire. Un courant de lecture, envoyé dans la ligne de mots 13, devrait avoir une intensité suffisante pour faire tourner l'aimantation des portions à faible coercitivité 94 et 98, des sites de mémoire 92 et 96 respectivement, pour l'amener sur l'axe dur, mais 10 ne devrait pas avoir une intensité suffisante pour faire tourner 1'aimantation des portions à coercitivité élevée 93 et 97 pour l'amener complètement sur l'axe dur. la rotation complète des portions à faible coercitivité 94 et 98 induira un courant dans les lignes de lecture 17 à des fins de lecture, lorsque le 15 courant de lecture est interrompu, l'aimantation des parties à faible coercitivité des sites de mémoire, revient à son alignement initial suivant l'axe privilégié, par suite de l'effet de polarisation de l'aimantation des portions à coercitivité élevée 93 et 97» fournissant ainsi une autre forme de mémoire à 20 lecture non destructive. On peut voir que la diffusion de matériau dans un film magnétique pour isoler les emplacements de mémoire est très avantageuse dans la fabrication de réseaux de mémoire à film magnétique mince. En isolant chaque site de mémoire, les problèmes 25 du couplage magnétique direct indésirable sont,sensiblement éliminés g les propriétés magnétiques sont renforcées, ce qui donne une distribution plus uniforme de la configuration des signaux qui émanent de chaque site. En supprimant à peu près corn- 64 07721 Jî 2004172 plètement les problèmes de couplage et l'interférence, le bruit et les signaux défectueux qui en résultent, il est évident que l'nn peut augmenter la densité d'accumulation des mémoires à film magnétique ou que leur fonctionnement général peut être Ç amélioré. En outre, la diffusion de matériau à fort pouvoir coercitif (ou de matériau non magnétique) dans des portions prédéterminées ou sélectives de sites de mémoire du film et en quantités sélectives ou prédéterminées, peut modifier les caractéristiques magnétiques des sites pour produire des effets de 40 couplage désirables, tels qu'une capacité de lecture non destruc tiveo Ô772i *9 2004172 BEO-OIC Aï IOHS 1 - Film magnétique mince réalisé à partir d'un matériau magnétique de base et apte à être utilisé dans une mémoire, dans lequel sont situés, en une série de zones discrètes, des sites de mémoire servant à stocker des données, une autre série de zones discrètes séparant au moins certains des sites de mémoire les uns des autres, caractérisé en ce que les zones discrètes de l'une de ces séries incorporent un additif qui y est diffusé et est sélectionné de façon à rendre le pouvoir coercitif de ces zones discrètes sensiblement différent de celui des zones discrètes de l'autre série. 2 - Film magnétique mince conforme à la revendication 1, dans lequel le matériau de base de la pellicule mince peut être supporté -par un substrat non magnétique qu'il recouvre, le matériau additif étant localisé au-dessus du matériau de base. 3 - Fila magnétique mince conforme à la revendication 2, dans lequel le matériau de base du film mince est conformé en vallées dans les régions dans lesquelles les zones de séparation de sites sont situées, et le matériau additif est formé en une couche située au-dessus du matériau de base et remplissant les vallées. M- - Film magnétique mince conforme à la revendication 3, dans lequel l'additif comporte une couche supérieure qui possède également des valléés aux emplacements des zones de séparation .de sites l 5 - Film magnétique mince conforme à la revendication 2, dans lequel la matière de base est disposée suivant une pluralité de bandes généralement parallèles séparées les unes des autres, le matériau additif constituant une pluralité 07721 2004172 de rubans généralement parallèles entre-eux et perpendicu- ï laires aux bandes de fila mince. 6 Film magnétique mince suivant la revendication 5, dans lequel l'additif est diffusé dans le matériau de base, intersections des bandes et des rubans. 7 - Film- magnétique mince suivant l'une quelconque des revendications 2 à 6, apte à servir de mémoire non destructive, dans lequel les sites de mémoire sont disposés en couples, les éléments de chaque couple étant essentiellement non séparés, la matière de base et le matériau additif formant chacun des blocs de hauteur sensiblement uniforme au moins aux emplacements des sites de mémoire. 8 - Film magnétique mince conforme à la revendication 7, comprenant en outre, au moins aux emplacements des sites de mémoire, un second bloc de matière de base similaire au pre-et mier bloc/uïsposé par-dessus la matière additive et un second bloc de matière additive, similaire au premier bloc de matière additive et formé au-dessus du second bloc de matière de base. 9 - Film magnétique mince conforme à la revendication 1, destiné à servir de mémoire non destructive, dans lequel le film mince de base est supporté par un aubstrat non magnétique au-dessus duquel il est placé, caractérisé en ce que les sites de mémoire sont disposés en couples, les éléments de chaque couple étant séparés, ces séparations étant remplies de la matière additive. 10 - Film mince conforme à la revendication 9» dans lequel la matière additive de remplissage et également au moins et _ _ ^ au voisinage immédiat/de" chaque côte de la matiere de remplis sage, la matière du film de base elle-même, ont chacune la 69 07721 20Ô4172 forme d'un "bloc et sont en contact avec le substrat non magnétique qui les supporte. 11 - Film mince conforme à la revendication 10, dans lequel la matière additive de remplissage, au-dessus du support non magnétique, est sensiblement coextensive avec les parties des blocs de la matière de base qui sont immédiatement contigus à la matière de remplissage de chaque côté de cette dernière. 12 - Film mince conforme à l'une quelconque des revendications qui précèdent, dans lequel la matière additive est composée, soit d1une•matière magnétique à pouvoir coercitif élevé, soit d'une matière non magnétique, soit de ces deux matières. 13 - Film mince conforme à la revendication 12, dans lequel la matière non magnétique est composée d'une ou plusieurs des substances suivantes : cuivre, or, manganèse, molybdène, aluminium. 14 - Film mince conforme à la revendication 12, dans lequel la matière magnétique à pouvoir coercitif élevé est composée d'un alliage à contenu en fer élevé et à contenu en nickel bas. 15 - Procédé de fabrication d'un film magnétique mince apte à servir de mémoire magnétique, lequel, lorsqu'il est formé est destiné à comporter, en une série de zones discrètes des sites de mémoire destinés au stockage de données dans l'emploi du film comme mémoire, tandis qu'une autre série de zones discrètes sert à séparer au moins certains dessites de mémoire les uns des autres, ladite méthode comprenant une opération de dépôt d'une matière de base sur un support non magnétique, la miseea place d'un matériau additif en contact 69 07721 2664172 avec la matière de base en un au moins/certains emplacements sélectionnés et la diffusion de l'additif dans la matière de base dans les zones discrètes de l'une des séries, l'additif étant sélectionné de manière à rendre le pouvoir coercitif de 5 ces dernières zones discrètes sensiblement différent de celui des zones discrètes de l'autre série. 16 - Méthode conforme à la revendication 15» dans laquelle la diffusion est obtenue par application d'énergie. 17 - Méthode conforme à la revendication 15, dans laquel-le est obtenue par application d'un faisceau d'électrons. 18 - Méthode conforme à la revendication 15, dans laquelle la diffusion est obtenue par application d'un faisceau laser. 19 - Méthode conforme à la revendication 15, dans laquel- le la diffusion est obtenue par application de chaleur. 20 - Méthode conforme à la revendication 15, dans laquelle la diffusion est obtenue par application d'énergie chimique. "Nous certifions que le présente Mémoire comporte 22 pages".