FR 2009042 A1 19700130 FR 6916585 A 19690521 69 1650$ 2009042 Les arrangements de composants à l'état solide (tels qu'émetteurs lumineux ou détecteurs d'image ) sont couramment . réalisés avec des dçnsités dépassant 200 éléments au centimètre. L'accès aux divers éléments se fait par des conducteurs dépassant 5 à la périphérie de 11arrangement et qui sont connectés aux etages de sortie d'un générateur de balayage. ; Le générateur de balayage sert à balayer ou échantillonner ; ; les éléments détecteurs selon une séquence connue et répétitive : pour permettre l'extraction des informations utiles en série ou 10 ; en parallèle. Poui» optimiser un tel système détecteur-analyseur il faut que les plaquettes servant de générateur de balayage soient jointives avec les plaquettes détectrices pour réduire . la longueur de câblage, les charges capacitives et les captage de bruit . Cette condition peut être remplie si le générateur 15 de balayage a une densité fonctionnelle égale à celle du détecteur, c'est-à-dire qu'il doit y avoir autant d'étages de balayage au cm qu'il y a d'éléments détecteurs au cm. Les problèmes de fabrication d'un générateur de balayage à haute densité sont nombreux. Le nombre total de composants à 20 diffuser sur une plaquette affecte le rendement. Le nombre total de composants est à son tour directement lié au nombre de composants par fonction. Si ce dernier est suffisamment faible, il est possible de réaliser un générateur de balayage et un détecteur avec la même densité. Les détecteurs à haute densité décrits 25 . doivent également comporter un nombre réduit de composants par fonction. . Un second problème est posé par la dissipation de puissance Toute dissipation interne de puissance provoquant une élévation de la température de la plaquette doit être compensée par 30 l'adjonction de radiateurs ou dissipateurs qui annulent les avantages de l'intégration et de la compacité de l'ensemble en nécessitant de larges surfaces de dissipation thermique. On voit donc que le générateur de balayage idéal doit >remplir deux critères de base ; 35 1) Comporter un nombre minimal de composants par étage, 2) Dissiper une puissance aussi réduite que possible. Les circuits classiques de balayage ou d'analyse peuvent se présenter sous diverses formes, par exemple comme des registres 69 16585 2 2009042 à décalage statique ou dynamique, ou des compteurs-décodeurs» Les registres à décalage statique ont l'avantage d'une plage de fréquence étendue mais nécessitent un grand nombre ' de composants et consomment une puissance importante. 5 lies registres à décalage dynamique ne fonctionnent pas à basse fréquence ( ■ j 10 nécessitent cependant une série de générateurs d'horloge dont la phase doit être synchronisée et qui consommait une puissance importante. La combinaison compteurs-décodeurs forme un système : diviseur de fréquence dans lequel une fréquence de base 15 d'horloge est divisée dans divers compteurs, puis décodée tous forme de créneaux uniques de temps propagé séquentiellement s\ir des lignes parallèles de sortie reliées su détecteur associé. Du point de vue nombre de composants et consommation de puissance, ce système se situe à mi-chemin entre les registres à décalage 20 statique et dynamique. La présente invention a pour objet un générateur de balayage nouveau perfectionné? permettent de réduire le nombre de composants par étage, d'abaisser considérablement la consommation totale, de limiter le nombre de connexions et d'inter-25 connexions et d'éliminer 1'oscillateur0 Selon une forme illustrée de l'invention, une chaîne de "N" étages similaires permet de convertir l'amplitude d'un signal en impulsions. Chaque étage comprend deux composants actifs dont les chemins de conduction continus sont en série et 50 qui sont excités en série lorsque l'amplitude du signal augmente. Lorsque les deux composants actifs sont excités simultanément, ils constituent un chemin à basse impédance conduisant une impulsion d'échantillonnage vers la sorti® de l'étage. Une liaison unique en courant continu réunissant les étages adja-35 cents permet à chaque étage de-bloquer l'étage précédent de manière qu'un seul étage soit alimenté par la chaîne, à un instant donné. La simplicité du circuit selon l'invention permet l'obtention d'un générateur de balayage à haute densité, faible consorama-t ' 69 16585 3 2009042 tion et rendement élevé . D'autres caractéristiques et avantages de l'invention rassortiront de la description qui va suivre et des dessins annexés sur lesquels : 5 La figure 1 est un schéma à circuit générateur de balayage selon la présente invention. La figure 2 est un sehéma d'un circuit à seuil, utilisable dans le dispositif de la présente intention. La figure 3 est un schéma d'un étage hybride selon la 10 présente invention. La figure 4 est un schéma d'un étage bipolaire selon la présente invention. La figure 5 illustre un circuit générateur de balayage selon la présente invention utilisant un pilotage par courant. 15 Le circuit décrit constitue un moyen simple de conver sion de l'amplitude d'un signal en impulsions numériques. Le çircuit peut être utilisé comme convertisseur analogique-nu ■ érique, mais il est particulièrement destiné à la réalisation d'un générateur de balayage. 2 0 La simplicité du circuit illustré est due au fait qu'il est constitué par un réseau itératif comprenant "N" étages similaires, de préférence identique , constitué chacun par deux composants actifs dont les chemins de conduction sont connectés en série. Le nombre d'étages constituant la chaîne n'est pas 25 limité, comme le suggère le nombre "N", et peut correspondre au nombre d'étages détecteurs à analyser ou balayer. Les composants actifs utilisés pour la réalisation des circuits selon l'invention peuvent être des transistors bipolaires ou unipolaires,,ou même des tubes à vide. Il est 30 évidemment préférable d'utiliser des composants à l'état solide qui se prêtent beaucoup mieux à l'intégration à grande échelle et sont généralement plus faciles à coupler en courant continu. Le terme "couplage en courant"continu utilisé dans la présente description implique une liaison laissait passer un courant 35 continu avec une impédance qui peut être non négligeable. Les impulsions de sortier produites par le circuit illustré sur les figures, sont des impulsions numériques ou "digitales" car elles sont d'amplitude et de durée constantes 69 16585 ;■ v 2009042 tant que la vitesse de variation de l'amplitude du signal , ; d'entrée reste constante au cours d'un balayage des N ; étages. L'amplitude de ces impulsions est mesurée selon un système binaire correspondant à un état "un" et à un état 5 nOÎ'. La durée ou largeur d'impulsion est fonction inverse de la vitesse de variation du signal d'entrée. La figure 1 illustre une forme de réalisation d'un générateur de balayage selon la présente invention. Il comprend une chaîne de N étages identiques produisant succes-10 Les "H" étages sont de structure.identique, sauf le premier et le dernier étages qui se distinguent par leur mode de connexion. Le second étj&ge sera donc décrit en détail à 25 titre d'exemple des cellules de la chaîne. Les composants du convertisseur 2 ont une référence qui est constituée par là lettre Q suivie d'un indice alphanumérique composé de la lettre H et d'un chiffre ou de la lettre B et d'un chiffre» les lettres H et B indiquant respectivement les rangées hautes et basses, : 36 alors que le chiffre Identifie l'étage. Les points de jonction du convertisseur 1 et du réseau de commande de séquence 2 sont repérés par des nombres à deux chiffres, le premier chiffre indique ia position de l'étage dans la chaîne, alors que le. ; second itiuique la jonction. Les points homologues sont donc 35 repérés par le même second chiffre. Les composants actifs représentés à la figure 1, sont des transistors à effet de champ à grille isolée et à canal N de type enrichi « Chaque transistor comporte une électrode de commande ou grille . Le 69 16585 5. 2009042 potentiel appliqué à la grille commande l'impédance du chemin de conduction constitué par les électrodes de drain et de source. Les sources des transistors à effet de champ sont repérées par une flèche s'éloignant du canal N car dans de tels transistors 5 le courant circule de la source au drain lorsque le potentiel de la grille est supérieur par rapport à celui de la source. Les chemins de conduction des transistors et 0,B2 sont connectés en série entre un point d'entrée 21 et un point au potentiel de référence 3> représentés comme la masse du 10 circuit. Le drain du transistor Q^p est relié au point de sortie 21 qui est connecté par une impédance de charge Zg à une source 4 de potentiel de fonctionnement +Vpjj. Les impédances de charge englobent l'élément de l'ensemble détecteur à échantillonner et toute impédance externe, telle qu'une résistance, shuntant ledit 15 élément. La source du transistor et le drain du transistor Qg2 sont interconnectés au point de jonction 22 qui est relié en courant continu à la grille du transistor de l'étage précédent La liaison en courant continu est illustrée sous la forme d'un conducteur. Le retour du courant s'effectue de la source au point 20 au potentiel de référence 3. La grille du transistor est reliée en courant continu à l'étage suivant au point commun 32 qui est le point de jonction de la source du transistor et du drain du transistor Qg^. La grille du transistor Qg2 est directement reliée à un point de dérivation 23 du réseau de 25 polarisation. Le réseau de polarisation 2 est constitué par une ligne à résistance répartie , aux bornes 102 et 104 de laquelle est connectée une source 100 de potentiel VR. La source 100 est polarisée de manière qu'une polarisation inverse soit appliquée 30 au repos aux grilles de la rangée inférieure de transistors (Qg. du convertisseur 1. Il est à noter que la ligne.résistive à paramètres répartis pourrait être remplacée par une ligne à paramètres concentrés. La figure 2 illustre une variante de réseau de polarisation ne nécessitant aucune source de potentiel 35 continu dans laquelle les jonctions P-N polarisées dans le sens direct, permettent de produire "N" incréments de potentiel sensiblement égaux en réponse à l'application d'un signal d'entrée. Les jonctions polarisées dans le sens direct servent à 69 16585 2009042 faire chuter progressivement la tension d'entrée. Une fonction similaire peut être obtenue dans un réseau en échelle ou par • diodes , des/Zener connectees en série. Le reseaù de polarisation peut. d'une manière générale être constitué par tout dispositif 5 interconnectant les étages 1 à n de manière que leur conduc-tion se fasse séquentiellement au fur et à mesure de l'accroissement du signal d'entrée. Le fonctionnement de ce circuit sera mieux compris en examinant tout d'abord son état statique. En l'absence d'un 10 signal d'entrée (c'est-à-dire lorsque e_ «= zéro volt) les S N transistors QH1 à QHn sont conducteurs du fait de la connection en série de la rangée supérieure de transistors dont les grilles sont toutes reliées à un potentiel positif. La borne 102 étant ramenée au potentiel de la masse par 15 la source 106 du signal d'entrée, le réseau de polarisation 2 applique une polarisation inverse aux grilles des transistors ,1 à n et cette polarisation varie graduellement en fonction de la position du transistor de .0 volt à la borne 102 à une valeur r de Vjj volts à la borne 104. Des incréments de potentiel sensi-20 blement égaux sont donc délivrés par le réseau de polarisation au moyen de dérivation définissant 'des incréments d'impédance -sensiblement égaux sur la longueur de la ligne résistive. La valeur de chaque incrément de potentiel est ainsi sensiblement égale à la valeur du potentiel Inverse VR divisée par le nombre 25 d'étages 4Y - TT- La commande correcte de la séquence de conduction* des étages peut être affectée par lès variations de la tension de seuil 30 (V_) d'un élément à l'autre pour les transistors inférieurs. Sn fixant le minimum de 1'incrément de potentiel ( R j à une valeur supérieure aux excursions maximales ^ de la tension de seuil(VT ) il est possible d'éviter le déclenchement de deux étages à la fois et de conserver une 35 séquence correcte le long de la chaîne. Xe comportement dynamique du circuit sera décrit ci-après dans le cas de l'application d'une tension linéairement croissante" par la source 106 dont la sortie est positive par rapport au. potentiel de la masse. Lorsque l1amplitude du signal d'entrée i /, [J , . .. BAD ORIGINAL 69 16S85 :.r ,2009042 croît, le potentiel de la grille du transistor Qg^,au point* 13 du réseau de polarisation, atteint une valeur dépassant le seuil (V^,) du transistor . Ce dernier devient donc . ©onduçteur créant un chemin à basse impédance entre la borne 5 de sortie 11 et le point de référence 3. Ceci a pour effet de -faire passer le point de sortie 11 d'un potentiel à , zéro volt en supposant que l'impédance de charge soit élevée par rapport à la résistance du chemin conducteur des transistors Si1 et ^Br 10 Lorsque 1 ^amplitude du signal d'entrée croît d'une quanti té égale à VR volt, le transistor Qg2 commence à conduire . créant un ohemin à basse impédance à la borne 22 et le point de référence 3« La grille du transistor est alors portée au potentiel de la masse ce qui a pour effet de bloquer le transistor 15 et de ramener la bande de sortie 11 au potentiel +VDD à travers l'impédance Z1 . Simultanément, un. chemin k basse impédance a été établie entre la borne de sortie 21 et la masse. Ainsi, lorsque le potentiel de la borne de sortie 11 revient à +vj)j)» Ie potentiel de la borne 21 est à la masse. Les transistors et 2.0 ont donc converti le niveau de tension présent sur la grille de Qgj en une impulsion digitale. Lorsque le signal d'entrée augmente d'un nouvel incrément de volts, commence à conduire. Le drain de Qg^ qui ~Tï est relié en courant continu à la grille de amène le point 32 à la masse et 25 bloque à nouveau Qgg* Potentiel du drain de qui est le point de sortie du second étage est ramené à + VDD alors que le potentiel du drain de Qjj^» ou point 31 de sortie du troisième étage, est relié à la masse. La croissance de l'amplitude du signal d'entrée est donc ainsi convertie en séquence d'impul-30 sions sur les lignes de sortie. Le processus se poursuit jusqu'à ce que le xlème étage ait été rendu conducteur et que tous les éléments du détecteur à l'état solide(ou de toute autre charge à analyser) aient été balayés. Le niveau du signal d'entrée a en fait subi une transformation en deux phases. La 35 première rangée de transistors (Q^ à 0Rr|) convertit le signal en paliers de tension successifs. La seconde rangée de transistors (Qg^ à Q^) convertit ces paliers en impulsions séquentielles distinctes. 69 16585 8 2009042 Le générateur de tension linéairement croissante peut être remplacé par un générateur en marches d'escalier présentant ; un incrément d'amplitude approprié. Une source de signal de ce type provoque un fonctionnement identique du circuit à ceci près 5 que les impulsions d'échantillonnage ont des fronts plus raides résultant en une meilleure coïncidence des fronts des impulsions adjacentes. Un avantage évident de la présente invention est qu'un seul étage est conducteur à un moment donné. Comme décrit ei-10 dessus» n'importe quel étage bloquant l'étage précédent» il n'existe qu'un seul chemin de conduction à basse impédance entre la>source 4 de potentiel V^p et le potentiel de référence. La seule dissipation supplémentaire de puissance est due à la commutation des étages. Il est à noter que bien que les tran-15 sistors de la rangée inférieure soient successivement rendus conducteurs et le restent» leur consommation de puissance est négligeable du fait de la valeur extrêmement élevée (10^ohms ou plus) de leur impédance grille-source. Un autre avantage de 1'invention réside dans le fait que 20 le système tout entier est à couplage en courant continu éliminant les limitations de fréquence basse ou haute introduite par ies capacités» de sorte que la plage de fonctionnement n'est limitée en haute fréquence que par les caractéristiques propres des composants. La pente du signal d'entrée peut être 25 modifiée sur une très large gamme allant pratiquement de l'horizontale à la verticale sans affecter le fonctionnement du circuit. La variation de la pente de la tension d'entrée équivaut à la variation de la fréquence d'horloge d'un registre à décalage classique. La forme d'onde d'entrée du présent circuit combine 30 drne deux fonctions en indiquant et déterminant la propagation d'wi* 1 " ou d'un 110" et en déterminant la fréquence balayage. Le circuit selon la présente invention est donc d'un encombrement extrêmement réduit, chaque étage comportant un nombre minimal de composants et d'interconnexions (la seule inter-35 connexion étant le circuit de réaction d'un étage sur l'autre). La simplicité de ce circuit permet de grouper un grand nombre d'étages par unité de surface pour obtenir un dispositif à rendement élevé et à forte densité. Cette densité élevée permet de 69 16585 9 2009042 résoudre le problème majeur posé par 11 interface entre deux plaquettes à circuit intégré. Lorsque le générateur de balayage est réalisé avec une densité d'étage égale à celle des éléments d'un détecteur à l'état solide» il est posslblede superposer les 5 deux plaquettes autorisant des liaisons extrêmement courtes d'une plaquette à l'autre et une connexion étroite des deux constituants du système. La figure 3 illustre un exemple de circuit hybride constituant l'un des étages du dispositif de l'invention dans 10 lequel un transistor à effet de chaipp à grille isolée est associé à un composant bipolaire avec les mêmes résultats que . ceux mentionnés ci-dessus. La figure 4 illustre une autre variante de l'invention dans laquelle les deux composants actifs de chaque étage sont des dispositifs bipolaires 15 connectés en série. Les formes illustrées utilisent, soit des dispositifs bipo.laires de type NPN, soit des transistors à effet de champ à grille isolée à canal de type N. Cependant, il est évident pour un technicien que l'on pourrait également utiliser des I - 20 dispositifs bipolaires de type PNP ou des transistors à effet de champ à canal P. L'invention n'est en outre pas limitée à son application aux générateurs de balayage, mais peut constituer un convertisseur analogique-numérique rudimentaire dans lequel le nombre d'impulsions et la position de ces der-25 nières sont fonction de l'amplitude de la forme d'onde du signal d'entrée. Une autre variante de l'invention est illustrée à la figure 5 dans laquelle le courant à croissance continue d'entrée est converti par N étages identiques en cascade en. 30 impulsions séquentielles distinctes délivrées sur N lignes de sortie parallèle. Chaque étage comprend deux composants actifs, à savoir, un transistor bipolaire inférieur de type NPN (Qg.) ... Qgn) et un transistor supérieur à effet de champ à canal N (Q^ « » «QHn) shunté par une impédance 35 La "structure des N étages successifs étant identique, seul le premier étage sera décrit en détail. La bande de sortie 11 du drain du transistor supérieur est connectée à J'une des bornes de l'impédance de charge dont l'autre borne est 69 16585 .2009042 . reliée à une source 4 de potentiel +VDD. La source du ' "v ' . transistor est reliée au point de jonction 12 qui est ■ lui-même relié en courant continu au collecteur du transistor inférieur . La grille du transistor est reliée en 5. courant continu au point de jonction 22 de l'étage suivant ' qui est le point commun de la source dii transistor Qjjg et du collecteur du transistor Qg2. La base du transistor est reliée à l"1 émetteur du transistor Qg2 et l'émetteur du tran- = sistor est relié à la borne 102 à laquelle est appliqué 10 le signal d'entrée venant du générateur de courant 108. Les connexions du dernier étage diffèrent de celles1 des autres étages du circuit en ce qu© la grille du transistor Qjjn est ramenée à la source 4 de potentiel +VDD qui rend conducteur à l'état statique la rangée supérieure de transis-'15 tors (Qui••«Onn)* La base du transistor Qgn est ramenée au potentiel de référence 3. La connexion en cascade en série de la rangée inférieure de transistors produit des incréments cumulatifs de potentiel entre chaque étage du fait de la chute de potentiel-20 directe de la jonction base-émetteur (Vgg) et de la forte impédance entre les étages due au gain en courant de ceux-ci. Ce type de c«annexion permet de commander la séquence de conduction progressive des transistors de la rangée inférieure des étages inférieurs aux étages supérieurs lorsque l'amplitude 25 du signal d'entrée croît. Le comportement dynamique du circuit peut être décrit en supposant que les transistors bipolaires à Qgn ont un gain . direct très élevé et que l'effet cumulatif des VBE peut être négligé lorsque le nombre d'étages est faible. Il faut égale-30 ment noter que les transistors à effet de champ % à Sîn ont une impédance relativement faible de conduction (Rjj) et une impédance de coupure beaucoup plus élevée sur la résistance RM shuntant le circuit drain-source. Une tension à croissance linéaire produite par, le géné-•"35 rateur 108 est appliquée entre la borne 102 et le point 3 au potentiel de référence avec une polarité telle qu'elle provoque le passage d'une intensité croissante à la borne 102. Lorsque le signal d'entrée croît, l'intensité 1^ augmente en fonction * ...... ^ BAD original 69 16585 n 2009042 directe de son amplitude jusqu'à saturation de à une première valeur de saturation (Ig) limitée par la valeur de la résistance; de charge (R^) et la résistance de conduction (R^) du transistor conformément à l'équation ï C H- ^7/ Après saturation de toute croissance de l'amplitude du signal d'entrée est dirigée vers le transistor Qg2 par 10 Injonction base-émetteur du transistor qui se comporte alors comme une diode. La croissance du courant d'émetteur provoque une augmentation proportionnelle du courant de collecteur Ig (a Ie). Le potentiel de collecteur de Q^p , au point 22 qùi est relié en courant continu à la grille du 15 transistor Qjjj, continue de décroître jusqu'à ce que la tension grille-source (V^g) du transistor soit inférieure à son seuil de tension (V^) ce qui a pour effet de bloquer le transistor et de provoquer une décroissance instantanée du courant 1^ jusqu'à une seconde valeur de saturation limitée par la valeur 20 des résistances en série RL et % conformément à l'équation : c ■» - J ■ 25 Rm étant beaucoup plus grand que R^, Ig est supérieur à IM . La différence d'intensité entre les première et seconde valeurs de courant de saturation (Ig-IM) est ensuite progressivement appliquée au reste de la chaîne. Le palier de tension est suffisamment large pour saturer le transistor Qg2 et augmenter sensi-30 blement le courant circulant à travers Qg^ . Tout accroissement de l'intensité du signal est alors appliqué à l'émetteur de par les jonctions base-émetteur des transistors Qg^ et Qg2 qui se comportent comme des diodes. Lorsque le signal continue à croître, la séquence de conduction des étages un et deux se 35 répète jusqu'au dernier étage de la série. L'emploi de R^ dans la forme illustrée est justifié par la valeur extrêmément élevée de la résistance de coupure des transistors du type à canal enrichi. En l'absence d'une valeur 69 16585 2009042 finie de résistance, la différence d'intensité serait égale à. la première valeur du courant de saturation entraînant un déclenchement incontrôlable de la séquence de conduction des-"N" étages dès le bloquage du premier. Si l'on utilisait des 5 transistors à effet de champ du type à appauvrissement, il serait inutile, de placer une résistance shunt telle que car cette résistance serait simplement constituée par la résistance du canal à polarisation nulle. Il est à noter que dans les modes de réalisation 10 illustrés aux figures 1 et 5# le mécanisme de base de la commuta tion reste le même. Les deux composants actifs connectés en • série réalisent une fonction "ET", c'est-à-dire qu'ils fournissent un chemin 'de conduction à faible Impédance si leurs électrodes de commande sont simultanément alimentées. L'élec-1 5 trode de commande de chaque transistor de la rangée supérieure est ramenée au point commun de l'étage suivant. Le point commun est soit bloqué à une tension positive par la sortie du composant actif supérieur de l'étage précédent, soit bloqué à la masse si le composant actif de l'étage inférieur est .20 conducteur. La transformation en deux temps du niveau du signal d'entrée en impulsion ~ est une conséquence directe du mode de fonctionnement décrit ci-dessus. Lorsque les transistors de la rangée inférieure sont conducteurs, le niveau du signal est 25 converti en paliers de tension consécutifs (comme par des fermetures d1 interrupteur ) au point de sortie de ladite rangée inférieure. Ces paliers sont appliqués à la grille du transistor de la rangée supérieure de l'étage précédent. Un étage donné doit donc avoir ses deux électrodes de commande excitées avec: 30 une polarité correspondant à la conduction pendant une durée débutant à la conduction de son transistor inférieur et s'achevant à la conduction du transistor inférieur de l'étage suivant. Il va de soi que l'invention décrite est susceptible de nombreuses variantes ou applications sans sortir de son cadre. 69 16585 2009042 REVENDICATIONS •' j 1. Générateur de balayage constitué par une chaîne de N étages et caractérisé en ce que chacun desdits étages est constitué par deux composants actifs ayant chacun une première • t 5 et une seconde électrodes définissant un chemin de conduction* : et une électrode de commande, un circuit reliant en courant continu la première électrode du second composant actif à la ! seconde électrode du premier composant actif, un dispositif ' de commande de séquence rendant progressivement conducteurs 10 . les différents étages dans l'ardre 1 à N , et un dispositif de réaction en courant continu reliant l'électrode de commande de chacun des seconds composants actifs et N étages audit' circuit relatif à l'étage suivant de la chaîne pour commander ' la conduction dudit second composant actif. 15 2. Générateur de balayage selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de commande de séquence comprend un réseau à 11 N" prises et un point d'entrée q auquel est appliqué un signal d'entrée produit par un générateur ; quelconque, un cirbuit en courant continu reliant l'électrode 20 de commande de chacun des premiers composants actifs à une prise différente de la série dudit réseau pour rendre conducteurs les étages dans l'ordre de numérotation croissante lorsque le signal d'entrée croît dans un sens tel qu'il provoque la conduction des dits premiers composants actifs. 25 3. Générateur de balayage selon la revendication 1, caractérisé en ce que la charge de sortie de chacun des étages est connectée à la seconde électrode du second composant actif. 4. Générateur de balayage selon la. revendication 2, caractérisé en ce que les deux composants actifs sont des ? 30 \ transistors à effet -de champ à grille isolée comportant dés électrodes de source de drain et de grille , la grille j constituant l'électrode de commande, la source la première électrode et le -drain la seconde électrode. 5. Générateur de balayage selon la revendication 2, 35 caractérisé en ce que les deux composants actifs sont des transistors bipolaires ayant chacun une base, un émetteur et un collecteur, la base étant l'électrode de commande, l'émetteur ; 69 16585 "t*. 2009042 la première électrode et le collecteur la seconde électrode. 6. Générateur de balayage selon la revendication 1, '• caractérisé en ce que le premier composant actif est un transis*-tor bipolaire ayant une base, un émetteur et un collecteur, la 5 base- étant l'électrode de commande, l'émetteur la première électrode et le collecteur la seconde électrode, et en ce que-le second composant actif est un transistor à effet de champ à grille isolée ayant une grille, une source et un drain, là grille étant l'électrode de commande, la source la première 10 électrode et le drain la seconde électrode. ' 7. Générateur de balayage selon la revendication 6, caractérisé en ce que le dispositif de commande de séquence comprend une liaison en courant continu de la base de chacun des transistors bipolaires à l'émetteur du transistor bi-15 polaire de l'étage suivant, et en ce qu'il comprend une source appliquant un signal à l!émetteur du transistor bipolaire du premier étage, ainsi qu'un circuit reliant la base du transistor bipolaire du nième étages, la grille du transistor à effet de champ du nième étages et l'autre borne de la charge de sortie t 20 à des points portés à un potentiel de fpnctionnement approprié.