FR 2009279 A1 19700130 FR 6916990 A 19690523 69 16990 1 2009279 La présente invention se rapporte à la fabrication de dessins de métaux ou de composés de métaux en couches minces et elle concerne plus particulièrement la fabrication de circuits en couches minces sur un support à l'aide d'un masque constitué d'une 5 fritte vitreuse propre à être dissoute. La complexité croissante des systèmes électroniques modernes a entraîné une demande sans précédent de produits et de systèmes miniaturisés. Ce fait découle d'un besoin de fiabilité et de rendement accrus avec un coût, un encombrement et un poids réduits. 10 II existe un certain nombre de méthodes de miniaturisation. Une méthode consiste à miniaturiser progressivement les composants discrets classiques; une deuxième méthode utilise des matériaux semiconducteurs et des procédés de diffusion et de croissance par épi-taxie pour procurer des dispositifs actifs et passifs; une troisiè-1-5 me méthode, qui consiste à fabriquer des dispositifs à couches minces, utilise des couches minces de matériau déposées sur un support isolant pour former des composants ainsi que les interconnexions associées. Les circuits à couches minces, qui possèdent une densité 20 volumétrique plus élevée que les circuits traditionnels et les circuits imprimés portant des composants classiques, comportent généralement un réseau conducteur en couche mince et plusieurs composants électriques passifs en couches minces, tels que résistances et capacités, formés in situ sur un support commun. Ces couches 25 minces, qui ont une épaisseur de l'ordre de 0,03 à 3 microns sont formées par un procédé de dépôt sous vide ce qui comprend ici les procédés de vaporisation, de pulvérisation et autres procédés de condensation équivalents. Dans les circuits à couches minces de tantale, par exem-30 pie, les capacités et résistances sont produites dans une seule structure de tantale. Cela simplifie matériaux et procédés et favorise la miniaturisation et la fiabilité. Normalement, des interconnexions rudimentaires sont également formées dans la structure originale, auxquelles on peut ajouter ultérieurement de l'or ou un 35 autre matériau meilleur conducteur de l'électricité. Les valeurs des résistances sont déterminées par l'épaisseur et la forme géométrique de la couche déposée. Bien que l'on puisse obtenir des valeurs précises par un certain nombre de procédés, l'un des plus pratiques est l'anodisation électro-chimique. L'anôdisation réduit la section du métal, accroissant ainsi sa structure électrique. 69 16990 2 2009279 On peut effectuer une surveillance convenable pour obtenir des valeurs de résistance exactes. Dans la fabrication de capacités, la couche de métal initialement déposée est utilisée comme électrode. Le diélectrique peut être formé par une oxydation superficielle 5 contrôlée du métal ou par un dépôt séparé d'une couche d'oxyde. Comme la valeur de la capacité est inversement proportionnelle à l'épaisseur du diélectrique, l'épaisseur de la couche d'oxyde est soigneusement contrôlée afin (fobtenir la tolérance requise. La contre-électrode est formée par dépôt d'un métal par dessus l'oxyde. 10 La capacité est alors achevée sauf qu'il faut lui fixer des conducteurs. Le tantale est un métal particulièrement utile pour les circuits à couches minces. Il est stable et a une résistivité moyenne pour réaliser résistances et capacités. De plus, l'oxyde 15 de tantale qui est formé durant la phase d'anodisation a une constante diélectrique élevée et une rigidité diélectrique élevée. Le tantale peut donc être avantageusement utilisé pour la fabrication de capacités dans lesquelles le métal sert à former une électrode et l'oxyde - à'1- former le diélectrique. Parmi les autres métaux 20 qui conviennent également on petit citer l'aluminium, le chrome, le nickel, l'étain, le titane, l'or, le cadmium et le palladium ainsi que des mélanges de ces métaux. Dans certains cas, on préfère utiliser des composés de métaux tels que le nitrure de tantale pour la fabrication de résistances à couches minces comme dé-25 crit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 3 242 006. Le choix d'un support convenable qui doit conserver des dimensions stables à 400°C dans le vide est une étape importante dans la fabrication de dispositifs à couches minces. Les caractéristiques les plus importantes des supports sont: 1) l'uniformité 30 de la surface, 2) la composition chimique convenable, et 3) la conductibilité thermique. Bien que n'ayant pas le même degré d'importance pour les résistances que pour les capacités, l'uniformité des surfaces favorise la reproductibilité de la résistivité de feuille et la définition de lignes fines. Les meilleures surfaces 35 pour les capacités sont des surfaces étirées ou fusionnées telles que celles faites de verre étiré, de silice fusionnée ou de céramique vitrifiée bien que l'on puisse utiliser également des surfaces bien polies de matériaux tels que le pyrex, le quartz et le saphir. Il est possible que le verre étiré soit satisfaisant d'un côté et ne soit pas satisfaisant de l'autre côté. De plus, des feuilBAO ORIGINAL 69 16990 3 2009279 les étirées peuvent présenter dans le sens de l'étirage une ondulation modérée qui peut affecter sérieusement l'adaptation de masques mécaniques ou photographiques. Il importe aussi que la base nfinteragisse pas avec la 5 couche mince. Du verre cslcique sodique, par exemple, ne convient pas pour être utilisé sous une tension continue élevée car les ions de sodium migrent vers la borne négative en provoquant la détérioration de la couche mince. D'autres facteurs agissant sur la composition, telles que les réactions à des agents chimiques et 10 électrolytes spécifiques, doivent être considérés lorsqu'on forme des configurations par un procédé impliquant un processus photolithographique . La conductibilité thermique du support doit également être prise en considération. Par exemple, la différence de vieil-15 lissement des résistances sur de l'alumine vitrifiée ou sur du verre est considérée comme découlant principalement de la différence de température due à la conductivilité thermique élevée de l'alumine. Malgré 1Timportance de la conductibilité thermique, le verre à faible teneur en alcalis est un matériau important pour 20 constituer des supports. Le verre présente l'avantage d'un faible coût et d'une facilité de division en circuits de petites dimensions. L'alumine et l'oxyde de béryllium ont la faveur dans les cas où il faut des charges plus importantes et une plus grande stabilité. 25 Les procédés préférés pour déposer une couche de matériau sont la vaporisation sous vide et la pulvérisation cathodique. La différence principale entre ces procédés est que, dans les procédés de vaporisation l'énergie thermique sert à vaporiser le matériau de revêtement alors que dans les procédés de pulvérisation on 30 utilise le bombardement du matériau de revêtement par des ions sous tension élevée afin de provoquer l'éjection d'atomes. La pulvérisation permet donc de déposer des couches minces de matériaux plus réfractaires. La vaporisation sous vide fait usage d'une chambre à vi-35 de dans laquelle on fait le vide de manière à y réaliser une pression de 133,3 x 10"^ pascals approximativement. La charge est alors chauffée jusqu'à ce que sa pression de vapeur dépasse la pression du système à vide: elle s'évapore alors rapidement. Elle se propage linéairement à partir de la source et se condense sur les surfaces qui entourent le refroidisseur. 69 16990 4 2009279 Le procédé de pulvérisation cathodique utilise une décharge par effluve sous basse pression entre deux électrodes. La cathode,constituée du matériau à déposer, est bombardée par des ions de gaz chargés positivement, habituellement de l*argon. Des 5 atomes du matériau cathodique sont éjectés et déposés sur des surfaces convenablement disposées. s Le dépôt d'une couche de bonne qualité dans la configura tion désirée est le noeud de la production de dispositifs fiables. Par conséquent, les dessins de circuits formés à partir de couches 10 minces exigent un degré de précision élevé pour donner les tolérances étroites requises des propriétés électriques. Moyennant des restrictions on a utilisé des maisques mécaniques pour délimiter les dessins de circuits. Les masques sont formés de métaux tels que l'acier inoxydable, le molybdène ou le nickel et ils doivent être 15 extrêmement minces pour réduire à un minimum le dépôt irrégulier de métal qui se produit lorsqu'un masque est trop épais ou lorsque du métal s'amoncelle sur le masque. Ce phénomène peut donner lieu 1) à un dépôt de métal irrégulier en largeur et non adhérant; 2) à un dépôt de métal irrégulier en épaisseur et ayant une résis-20 tance de valeur variable; et 3) à du bruit électrique. De plus, il se présente un problème lorsqu'on maintient les masques durant le processus de dépôt en sorte qu'un bon contact soit maintenu sur la surface du support, La nécessité d'une adaptation étroite du masque sur le support est plus critique pour des couches pulvérisées. 25 Les atomes pulvérisés ont une tendance plus grande à former des bords diffus que des atomes vaporisés, par suite de la source large et de la dispersion de certaines fractions des atomes pulvérisés. Les supports se sont craqués pendant qu'on tentait dTy adapter le masque d'une manière étroite. 30 Plusieurs procédés ont été utilisés pour engendrer des dessins par photolithographie, procédé à la fois long et coûteux. Par exemple, lorsqu'on utilise l'attaque directe par la lumière comme décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n° 2 953 484, le support est d'abord complètement revêtu de métal ou d'un com-35 posé de métal, puis est revêtu d'une mince couche d'une émulsion photosensible, appelée communément réserve. On fait tourner le support à grande vitesse afin de produire un revêtement uniforme. Il est alors cuit au four afin de fixer la réserve d'une façon convenable. Comme 1'émulsion est photosensible, il faut prendre soin d'éviter l'exposition prématurée. Cette émulsion est alors 69 16990 5 2009279 exposée à de la lumière ultraviolette eu travers d'une image négative du dessin désiré, cette exposition ayant pour effet de polymé-riser 1'émulsion dans la zone particulière exposée à la lumière. Après que le restant de 1®émulsion ait été éliminé par lessive, le 5 support est de nouveau cuit afin d'éliminer toute trace de solvant et de faire durcir la réserve. Le dépôt de métal peut alors être attaqué sélectivement par voie chimique. Les solutions préférées contiennent de l'acide fluorhydrique et dès lors, lorsqu'on utilise un procédé d'attaque chimique directe, il y a une certaine atta-10 que du support dans la zone qui entoure le dessin de métal ou de composé de métal si ce dessin est- déposé sur du verre, de la céramique vitrifiée ou d'autres supports sensibles aux hautes fréquences. L'élimination électrochimique du métal ou du composé de métal dans une solution de chlorure d'aluminium dans du méthanol empêche 15 l'attaque sur le support mais l'attaque par dessous peut être très sérieuse. Après que la formation du dessin soit achevée, le restant de la réserve doit être éliminé. En raison de sa résistance aux attaques par les solvants, qui était avantageuse plus avant au cours du procédé, l'élimination de la réserve résiduelle devient un 20 problème. Il est souvent nécessaire de prévoir une immersion prolongée dans un solvant approprié associée à une abrasion mécanique. On a utilisé une couche d'oxyde de métal formée sur le support avant toute autre opération pour réduire à un minimum l'attaque sur le support par l'agent chimique. Selon ce procédé, 25 le support est revêtu d'une couche de métal de 0,01 à 0,05 micron d'épaisseur, ce métal étant alors oxydé dans de l'air à 500=600°G pendant une heure ou jusqu'à ce que l'oxydation soit complète. On a aussi utilisé des couches pulvérisées par réaction ou totalement anodisées. Ce matériau revêtu d'oxyde sert alors de support 30 pour la phase d'attaque directe par la lumière. Un autre procédé utilisé pour former des dessins sur un support consiste à appliquer d'abord une couche d'un métal susceptible d' être aisément attaqué, par exemple du cuivre ou de l'aluminium, et dans cette couche on révèle une ouverture en éliminant 35 le matériau par attaque à la lumière. Un métal tel que le tantale est pulvérisé sur l'entièreté de la surface. Le support revêtu est alors immergé dans un agent chimique susceptible d'attaquer le premier métal. Ce métal se dissout et libère le tantale surjacent, ne laissant subsister que le tantale où il le faut. Il est nécessaire d'utiliser des agents chimiques modérés pour empêcher toute attaque bad original 69 16990 6 2009279 sur le support. Si la couche de métal tel que le tantale est suffisamment mince en sorte qu'elle puisse être complètement anodisée, on peut utiliser un électrolyte et une source d« potentiel continu 5 pour anodiser tout le métal dans la sons ouverte au lieu d'utiliser une solution chimique après que la réserve scit développée. Toutefois, à moins que l'épaisseur du tantale ne soit très uniforme, il peut subsister des ilôts de tsntals non converti. Il a également été proposé d'utiliser de 1'aluminium pour 10 favoriser la formation d'un dessin de tantale» Selon une variante, l'aluminium est déposé sur la surface de support revêtue de tantale. A l'aide d'une processus d'attaque chimique sélective et de photolithogravure, on élimine ensuite 1'aluminium de la zone contenant le tantale non désiré. On utilise ensuite un élec-15 trolyte convenable pour le tantale et 19aluminium et la feuille toute entière est anodisée jusqu'à ce que le tantale soit complètement converti dans la zone ouverte. Pourvu que l'aluminium ait été déposé en une épaisseur suffisante en sorte qu'il ne soit pas complètement anodisé, il peut être alors éliminé au moyen d'un agent 20 chimique modéré, laissant subsister le tantane nu sous la forme du dessin voulu. Selon une autre variantes on utilise le fait que l'oxyde de tantale est à peine attaqué par les agents chimiques qui attaquent normalement le tantale. Après avoir appliqué un peu plus de 25 tantale qu'il n'en faut et après l'avoir revêtu d'aluminium, on élimine l'aluminium par attaque sélective de la zone contenant le dessin de tantale voulu; celui-ci est alors anodisé jusqu'à un potentiel modéré de 25 volts par exemple, au moyen d'un électrolyte convenable et l'aluminium est éliminé par un agent chimique modéré. 30 On utilise ensuite une attaque au fluorure et l'oxyde recouvrant la zone contenant le dessin de tantale voulu sert de réserve et empêche l'attaque de cette zone. La présente invention a pour objet un procédé nouveau et perfectionné, relativement peu coûteux pour déposer sur un support 35des dessins de métaux ou de composes de métaux en couches minces» Elle a également pour objet un masque susceptible d'être aisément éliminé, qui peut être monte en contact serré avec le support durant le processus de dépôt sous vid® et qui procure un dessin de métal adhérant lorsqu'on ôte le masque. BAD ORIGINAL 69 16990 7 2009279 Le procédé selon l'invention se caractérise en ce qu'on applique sélectivement sur un support une fritte V-. r,reuse sous for-me pâteuse, par exemple par processus à écran de taie, dans la forme d'une image négative du dessin voulu et er» ce qtt-'on chauffe en-5 suite suffisamment ce matériau pour durcir ou fix^r le matériau de la fritte. On dépose ensuite sous vide du mêtzl ou un composé de métal sur tout le support, revêtant ainsi à la fois-le masque et le support. Le métal déposé est discontinu, permettant, ainsi à un solvant choisi pour le matériau dont est constitué le masque, par exem-"10 pie du xylène ou du trichloréthylène, d'entrer en contact avec ce matériau et de l'éliminer. L'élimination de celui-ci élimine également le métal ou le composéde métal surjacent dans cette zone, Ipissant subsister dans le dessin voulu la couche déposée sur la zone non masquée du support. 15 L'invention apparaîtra plus clairement à la lecture de la description qui va suivre, faite en regard des dessins joints dans lesquels: ~ la figure 1 est une vue en perspective d'une partie d'un circuit en couche mince, présentant des résistances et des 20 conducteurs déposés sur un support; - les figures 2A à 2C sont des vues fragmentaires en coupe illustrant les divers'stadés du procédé de fabrication selon une première forme de réalisation de l'invention; - les figures 3-A à 3D sont des vues fragmentaires en cou-25 pe illustrant les divers stades du procédé de fabrication selon une deuxième forme de réalisation de l'invention; Il faut souligner que les dimensions verticales ont été exagérées sur les dessins pour la clarté de ceux-ci. La figure 1 montre un circuit à couches minces typique 10 3® pouvant être fabriqué d'après le procédé selon l'invention. Le circuit comporte un support 11 en matériau non conducteur de l'électricité tel que le verre ou la céramique, sur lequel ont été formés plusieurs résistances en couche mince 12 et plusieurs conducteurs en couche mince 13.2sns des exemples spécifiques, les résistances 35 peuvent être formées de nitrure de tantale, comme décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique 3.242.006, et de trajets conducteurs constitués de trois couches: alliage nickel-chrome (Nichrome) cuivre et palladium respectivement. Le lecteur trouvera d'autres détails sur la fabrication de ce type de circuit dans l'article intituLé : "Tkn-taie - Film Tfechnologj/" par McLean et al, paru dans Proceedings of the 69 16990 8 2009279 IEEE, volume 52, numéro 12, décembre 196ij, p.-ges 1450=1462. Dans une première forme de réalisation, illustrée par les figures 2A=2C, le procédé selon l'invention sert à former sur le support 11 une couche de forme déterminée en nitrure de tants-5 le, correspondant de préférence à la formule TagN, afin de former une structure de résistance 12 comme montré sur la figure 2C. Pour ce faire on applique d'abord sélectivement une fritte vitreuse propre à être dissoute sur un support 11 de 0,016 cm d'épaisseur de façon à reproduire Ieimage négative du dessin voulu comme mon- 10 tré sur la figure 2A, formant ainsi un masque 14 d'environ —3 2,5 x 10 ^ cm d'épaisseur» La fritte, qui est avantageusemait constituée d'un mélange pâteux d'oxydes vitrogènes et d'un liant et d'un véhicule organique convenable comme décrit dans l'exemple 1 ci-après, est appliquée par un procédé à écran clsssi-15 que. Le masque 14 est ensuite chauffé jusqu'à une température relativement basse, suffisante pour durcir la fritte (approximativement 100°C dans l'exemple spécifique donné plus bas). Une mince couche de nitrure de tantale 12 et 15, de 0,1 micron d'épaisseur, est alors déposée par pulvérisation sur le 20 support 11 et le masque 14 respectivement, produisant la structure montrée sur la figure 2B. En raison de la raideur des bords 16 du masque 14, le bombardement de ces bords 16 est inégal. Il en résulte un dépôt non uniforme présentant des discontinuités 17 aux points de jonction du masque 14 et du nitrure de tantsle 12 et de 25 petites plaques le long des bords 16. Le stade final consiste à éliminer le masque 14 ainsi que la couche de nitrure de tantale 15 qui a été déposée sur la fritte durant l'opération de pulvérisation. Four ce faire on traite la couche déposée avec un solvant sélectif pour la fritte durcie 30 mais pas pour le métal déposé ou pour le support, de préférence par immersion dans un bain de solvant agité. Des solvants préférés pour la fritte décrite dans l'exemple 1 sont le xylène et le trichlor-éthylène. Le bain est de préférence agité par ultrasons afin de favoriser l'élimination du matériau de la fritte. Les discontinui-35 tés 17 et les plaques le long des bords 16 assurent l'accès du solvant à la fritte. L'élimination du masque 14 entraîne également l'élimination de la couche 15slaissant la résistance 12 formée sur le support comme montré sur la figure 2G. Après que le dessin de résistances voulu ait été formé, les résistances au tantale sont anodisées; d'autres métaux sont déposés pour achever le 69 16990 9 2009279 câblage interne et pour couvrir les zones qui seront utilisées ultérieurement comme contacts; des conducteurs sont enfin fixés pour terminer le dispositif à couches minces» Les processus géné~ raux pour effectuer ces diverses étapes sort décrits dans un arti~ 5 cle intitulé: "A Survey Of Thin Film Manuf'ccure", par Reichard, paru dans "The Western Electric Enginee^', volume VII, numéro 2, avril 1963. En général 1*épaisseur de la friv-te est comprise entre 0,0013 cm et 0,0076 cm. Cette épaisseur peut être comparée à cel-10 le du support, qui est normalement comprise entre 0,064 cm et 0,114 cm et à celle de la couche mince déposée sous vide, qui a une épaisseur comprise entre 0,03 et 3 microns et habituellement comprise entre 0,05 et 2 microns. Le mélange constituant la fritte peut consister en diverses combinaisons de particules d'oxy= 15 des minéraux vitrogènes ainsi que d'un liant organique tel que l'éthylcellulose et d'un véhicule ou solvant choisi pour former un mélange pâteux suffisamment mince pour être appliqué dans la forme voulue mais suffisamment épais cependant que pour conserver sa forme. On pense que la phase de durcissage à tempéra-» 20 ture relativement basse (telle qu'un chauffage à 100°C) élimine la plus grande partie du véhicule et laisse ainsi subsister une masse durcie constituant le masque et consistant en particules dToxyde suspendues dans un réseau de liant plus des produits de décomposition quelconques du véhicule. Normalement, la fritte est 25 durcie après dépôt en la chauffant jusqu'à une température comprise entre 100 et 200°C. Des températures plus basses peuvent être utilisées, à condition que la fritte soit suffisamment durcie durant le dépôt sous vide. Des températures plus élevées peuvent aussi être utilisées mais ce n'est général an ent pas nécessaire. 30 Le solvant, tel que le xylène ou le trichloréthylène, dissout le liant et l'agitation aide à éliminer la fritte en agissant sur la liaison faible qui existe entre le support et la fritte durcie. Dans une deuxième forme de réalisation, illustrée par les figures 3A à 3D, le procédé selon l9invention est utilisé pour 35 former un dessin conducteur 13 comme le montre la figure 3D. Un dépôt initial de nitrure de tantale est appliqué sur le support 11 par pulvérisation afin d'obtenir la mince couche 12 montrée sur la figure 3^. Cette couche peut être soit un dessin déposé à l'aide d'un masque selon la première forme de réalisation, soit une couche pulvérisée selon les procédés classiques que lson trai~ 69 16990 10 2009279 tera chimiquement ultérieurement pour former le dessin de résistance voulu»Cette dernière version est illustrée car sa description en est plus simple» Une fois que la couche initiale de nitrure de tantale 5 a été déposée, le processus de formation du dessin 13 illustré sur la figure 3D est sensiblement identique au processus décrit plus haut. Une fritte vitreuse propre à être dissoute est appliquée sélectivement sur la couche de nitrure de tantale 12 afin de former le masque 14 illustré sur la figure 3B» Après le durcissage 10 thermique de la fritte, on utilise un processus de dépôt sous vi~ de afin de déposer une couche de 0,05 micron d'épaisseur d'un alliage de 80 fo de nickel et de 20 % de chrome» La surface résultante est montrée sur la figure 3-D» La phase finale consiste à élimi= ner le masque 14 au moyen d'un solvant afin d'obtenir une couche 15 ds nickel-chrome 13 ayant la configuration montrée sur la figure 3D„ Il est entendu qu*après que le nickel et le chrome aient été déposés, comme montré sur la figure 30s et qu'avant -que le masque soit éliminé, il est possible de déposer des couches successives d'autres métaux, tels que le cuivre et le palladium, par 20 dépôt sous vide. La présente invention peut donc être utilisée pour former des contacts tels que ceux mentionnés plus haut» La description qui précède va être illustrée par les exemples ci-après qui ne doivent évidemment pas être considérés c omme 1irait at if s. 25 EXEMPLE I. Une fritte vitreuse est appliquée sur le surmort de cérs-mique au travers d'un écran de soie à mailles de 74 microns afin d%>b-tenir un dessin de résistance et elle est ensuite durcie par chauffage â 100°C. La fritte était constituée d'un mélange de 32 % en 30 poids de bioxyde de silicium, de 14 % en poids d'oxyde de baryum, de 20 fo en poids d'oxyde de plomb, de 2 fo en poids d'oxyde d'aluminium, de 5 % en poids d'oxyde de calcium, de 5 d'oxyde de bo-re, de 1 fo en poids d'oxyde de potassium, de 1 % en poids d'oxyde de sodium, de 2 % en poids d'éthylcellulose, de 10 fo en poids 35 de terpinéol alpha, de 5 % en poids de terpinéol bêta, de 1 % en poids d'hydrocarbures terpéniques et de 2 fo en poids d'autres alcools tertiaires bouillant dans la gamme de température du terpinéol alpha» On utilise un système de pulvérisation Veeco (à cloche) pour déposer sur la fritte une couche de nitrure de tantale d'en- BAD ORIGINAL 69 16990 n 2009279 viron 0,1 micron d'épaisseur, dans les conditions suivantes: Température de préchauffage 500°G Tension 6200 volts Intensité de courant 300 mA 5 Pression cloche 3,3325 pascals Pression conduit d'amenée 13,33 pascals Durée de pulvérisation 4 minutes Distance cathode-support 8,9 cm Diamètre cathode 3 5,6 cm 10 La fritte, qui s'embrase à 1000°C, ne libère pas de gaz pendant qu'elle se trouve dans le système à vide élevé. Lorsque la phase de pulvérisation est terminée, la fritte et le revêtement de nitrure de tantale indésirables sont éliminés dans un intervalle de temps de 10 secondes en plaçant le support revêtu dans un 15 bain de xylène agité par ultrasons» Le même procédé de pulvérisation est utilisé pour revê-tir tin support identique servant d'échantillon de contrôle. Cet échantillon est traité à l'aide d'un procédé d'attaque directe par la lumière afin d'obtenir un dessin de résistance similaire à 20 celui qui a été obtenu par le procédé à fritte vitreuse. Les résultats obtenus par les deux procédés indiqués ci-dessus sont résumés ci-dessous: 25 Procédé " Résistance de feuille (ohms/carré) Coefficient de température de la résistance (ppm/°C) Résista vité (micrchms- centimètres) Fritte vitreuse 48 Photographique 52 30 -38 -45 EXEMPLE II: 420 442 Une fritte vitreuse ayant la composition indiquée dans l'exemple I, est appliquée sur un support de céramique au travers d'un écran de soie à mailles de 74 microns afin dffobtenir un masqu constituant l'image négative du dessin voulu, et cette fritte est 35 durcie par chauffage à 100°C. Par processus'de vaporisation sous vide on dépose sur la fritte une couche de Nichrome (alliage de nickel et de chrome) de 0,05 micron d'épaisseur, une couche de cuivre de 1 micron et une couche de palladium de 0,4 micron. La fritte ainsi que le métal non désiré sont alors éliminés dans un bain de xylène agité 69 16990 12 2009279 par ultrasons. Le dessin obtenu par le procédé à fritte vitreuse présente une bonne adhérence lorsquton le soumet à un essai a la bande adhésive. 5 Lorsqu'on vaporise des métaux avec le masque à fritte vitreuse sur des supports de céramique vitrifiée ou des supports de verre, il est souhaitable de préchauffer le support dans la chambre à vide jusqu*à une température d?environ 200 à 250°C afin dAssurer une bonne adhérence et une bonne définition du'dessin. Cette 10 précaution nfest pas indispensable pour des supports en céramique non vitrifiée. EXEMPLE III. Une fritte ayant la composition indiquée dans 19 exemple I est appliquée sélectivement sur un support de verre et est sé-15 chée à 100°C pendant 5 minutes. Jne mince couche de tantale est alors formée par pulvérisation sur le support au travers du masque que constitue la fritte, dans une atmosphère argon-azote et dans les conditions suivantes: Température de préchauffage 400°C 20 Densité de courant 0,287 mA/cm2 Tension 3800 V Pression cloche 2,666 pascals Pression conduit d9amenée 15,996 pascals Durée de pulvérisation 9 minutes 25 Distance cathode-support 6,4 cm Le support revêtu est ensuite traité par le xylène afin d'éliminer la fritte et le métal surjacent indésirable. Le tableau suivant donne les résultats obtenus par le procédé décrit ci-dessus et les résultats obtenus dans des condi Résistance de feuille 35 Procédé (ohms/carré) Photographique 24 Fritte vitreuse 25,5 Coefficient de température de la résistance (ppm/°C) - 68 Résistivité microhms centimètres 560 568 Adhérence bonne bonne - 89 EXEMPLE 17. Une fritte ayant la composition indiquée dans 1 Exemple I et une viscosité de 180 000 centipoises est appliquée sélectivement 69 16990 13 2009279 sur neuf supports de céramique séparés, au travers d'un écraide soi à mailles de 44 microns. Ces supports sont ensuite chauffés à 100°C pendant deux minutes. Ces neuf supports sont ensuite introduits dans un évapo-5 rateur avec six supports identiques sur lesquels sont montés des masques mécaniques. On vaporise sur les quinze supports des couches successives de Nichrome, de cuivre et de palladium. Les neuf supports sont alors décapés dans un bain de trichloréthylène sous application d'ultrasons afin d'éliminer la fritte et le métal sur-10 jacent non désiré. Les masques mécaniques sont éliminés des six autres supports. Des essais à la bande adhésive n'ont fait apparaître aucune défectuosité sur aucun des supports. Des résultats similaires ont été obtenus en pulvérisant des contacts de palladium sur des couches de nitrure de tantale 15 ou directement sur des supports de céramique. L'inspection visuelle a permis de constater que la définition des supports revêtus d'une fritte est bien supérieure à celle des supports revêtus d'un masque mécanique. Cela provient du fait que tous les masques mécaniques ne peuvent être maintenus 20 en contact intime avec l'entièreté de la surface du supporte De plus, l'alignement est amélioré en utilisant des masques à fritte vitreuse car ces masques sont réglés par fixation et que leur alignement n'est pas tributaire d'une erreur humaine comme c'est le cas dans le positionnement des masques mécaniques. ?5 Selon l'invention le dépôt de couches minces de métal sur un support est réalisé à l'aide d'un masque à fritte vitreuseo Une ou plusieurs couches de métal peuvent être appliquées de cette manière pour engendrer des dessins bien définis présentant une bonne adhérence avec le support. L'utilisation de masques à fritte 30 vitreuse estnon seulement plus rapide que les procédés de photogravure pour engendrer des dessins en couches minces mais c'est également un procédé moins coûteux. Il est bien évident que diverses autres modifications peuvent être apportées au procédé décrit dans la description qui 35 précède sans pour autant s'écarter de l'esprit ^e l'invention. 69 16990 u 2009279 REVENDICATIONS. 1.- Procédé de fabrication d'une couche mince de métal, consistant à appliquer sélectivement un matériau servant de masque sur une surface pour former une image négative du dessin vou- 5 lu, à déposer sous vide une mince couche d'un métal sur des parties exposées de la surface et sur le matériau servant de masque, et à éliminer ce dernier matériau.ét les parties surjacentes de métal à l'aide d'un solvant qui dissout le matériau servant de masque, caractérisé en ce qu'on applique ce matériau servant de masque (14) 10 sur la surface (11) sous la formé d'un® fritte vitreuse à l'état pâteux, et en ce qu'on chauffe cette fritte suffisamment pour qu'elle durcisse. 2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on durcit la fritte par chauffage jusqu'à une température 15 comprise entre 100°C et 200°C. 3.- Procédé selon l'une ou l'autre des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le solvant utilisé pour éliminer la fritte durcie est constitué de xylène ou de trichloréthylène. 4.- Procédé selon l'une ou l'autre des revendications 1, 20 2 et 3, caractérisé en ce qu'on applique la fritte sur la surface en " une épaisseur comprise entre 0,0013 et 0,0076 centimètre. 5„- Procédé selon l'une ou.l'autre des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'on applique la fritte sur la surface à l'aide d'un écran. 25 6.- Procédé selon l'une ou l'autre des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ladite surface est non conductrice de l'électricité et conductrice de la chaleur. BAD ORIGINAL