FR 2005997 A1 19691219 FR 6911067 A 19690410 69 11067 1 2005997 La présente invention concerne une mémoire matricielle comportant des noyaux de matériau magnétique à cycle d'hystérésis rectangulaire, qui sont disposés suivant des rangées et des colonnes d'une matrice, les noyaux d'une 5 même rangée (mot) étant couplé s à un même conducteur de mot, et les noyaux d'une même colonne, à un même conducteur de colonne ou conducteur d'information. Dans des mémoires de ce genre, l'inscription d'informations dans les noyaux d'une même rangée (mot) se fait 10 en lançant un courant dans le conducteur de mot correspondant et par exemple, un courant positif ou négatif, selon l'information désirée, dans les différents conducteurs d'information. La lecture d'un mot déterminé se fait en envoyant un 15 oourant de sens opposé au premier courant mentionné dans le conducteur de mot correspondant, une impulsion de réaction étant induite de ce fait dans le conducteur d'information, cette impulsion caractérisant l'information contenue dans les noyaux explorés. 20 Dans ce cas, on se heurte à la difficulté que l'inten sité du flux magnétique dans les noyaux et par conséquent, l'intensité de l'impulsion de réaction produite lors de la lecture, sont fonction de la température des noyaux. On a constaté que la température des noyaux n'est 25 généralement pas égale à la température ambiante et qu'elle peut même différer fortement d'un noyau à l'autre. Cela provient du fait que lors du changement de l'état magnétique, il se produit une dissipation de chaleur dans les noyaux, de sorte que leur température augmente en fonction du nombre de 30 commutations. Dans une mémoire, c'est en général le chiffre "0" qui est enregistré dans les noyaux qui représentent les "bits les plus significatifs, les noyaux des "bits les moins significatifs par contre se trouvant aussi souvent à l'état "1" qu'à l'état "0". 35 Ces phénomènes sont particulièrement gênants avec des mémoires dans lesquelles les noyaux ne sont commutés que partiellement en vue d'atteindre une vitesse de commutation élevée, parce que dans ce cas, les variations du flux magnétique sont inférieures à la différence entre les deux 40 états de saturation, de sorte que même une faible variation 69 11067 2 2005997 du flux., provoquée par exemple par une variation de température, joue un rôle relativement important. L'invention remédie à ces inconvénients. Conformément à l'invention, l'information à inscrire 5 est appliquée aux différents conducteurs d'information par l'intermédiaire de circuits-portes qui transmettent aux conducteurs d'information, l'information, inversée ou non, suivant l'état dans lequel se trouve une "bascule à deux états, qui, en moyenne dans le temps, se trouve autant de 10 fois dans un état que dans l'autre, cet état étant enregistré de façon "binaire dans au moins un noyau auxiliaire associé à chaque mot et, lors de la lecture de l'information d'un mot déterminé, l'information dans le noyau auxiliaire correspondant constitue une indication de la façon inversée 15 ou non dont le mot a été inscrit. La description qui va suivre en regard du dessin annexé, donné à titre d'exemple non limitatif, fera "bien comprendre comment l'invention peut être réalisée. La figure 1 représente schématiquement un exemple de 20 réalisation d'une mémoire binaire conforme à l'invention. Les figures 2, 3a, 3b et 4- sont des diagrammes illustrant le fonctionnement de cette mémoire. La mémoire représentée sur la figure 1 est constituée par des noyaux K11a, K12a' K12b' K21a' ^ib»" etc*J' qul 25 sont disposés suivant les rangées et les colonnes d'une matrice. Les noyaux sont oombinés deux à deux, et chaque paire, par exemple K/|1a et , K12a et K12b , Kg1a et K21b ^ corres pond à un bit; en d'autres termes, la mémoire est du type à deux noyaux par bit. 30 Les noyaux d'une même colonne sont couplés à un même conducteur d'information, comme par exemple Y^ , "V"2 i ^3 » etc. Les noyaux d'une même rangée sont couplés à un même conducteur horizontal ou conducteur de mot ILj , H2 , etc., de sorte que les noyaux de chaque paire sont toujours couplés 35 magnétiquement avec les conducteurs de mot en sens opposé par rapport au couplage avec les conducteurs d'information. Les noyaux qui sont couplés à un même conducteur de mot correspondant à un même mot d'information. La figure 2 montre un exemple de cycle d'hystérésis 4-0 du matériau magnétique des noyaux, l'induction magnétique BAD ORIGINAL 69 11067 3 2005997 (B) étant portée le long de l'axe BM et le champ magnétique (H), le long de l'axe HM. Au repos, après la lecture d'information, les noyaux se trouvent à l'état de rémanence magnétique E. 5 Lorsqu'une information doit être inscrite dans les noyaux d'un mot déterminé, une impulsion d'inscription (EH) est appliquée, par l'intermédiaire d'un générateur d'impulsion de mot WG^ , WGg , WG^ , au conducteur de mot correspondant ou H^. Sur la figure 2 est également porté en direc-10 tion verticale un axe de temps t. L'impulsion correspondante est représentée dans le diagramme par le rectangle (1)» (2), (3)» (4). Simultanément, une information est appliquée par l'intermédiaire des conducteurs A^ , » etc., et des portes d'entrée B^ , B2 » B^ , etc., de telle façon que dans les 15 conducteurs , V2 , Y^ j etc., un courant positif (+PV) ou un courant négatif (-FY) est engendré suivant l'information désirée. Etant donné que, comme on l'a déjà noté, les noyaux de chaque paire sont couplés en sens opposé avec les conducteurs verticaux, les courants cités en dernier lieu 20 amplifient dans un noyau de chaque paire l'effet de l'impulsion sur le conducteur de mot H, de sorte qu'il apparaît une impulsion totale effective (1)j (5)» (6), (4-) et, contrarient cet effet dans l'autre noyau, de sorte qu'il apparaît une impulsion effective (1), (7)> (8), (4). Le noyau cité en 25 premier lieu est alors amené pendant les impulsions à l'état a et passe, à la fin des impulsions, à l'état A, tandis que de façon analogue, l'autre noyau est amené à l'état B par l'intermédiaire de l'état b. C'est le sens du courant dans le conducteur de bit qui détermine celui des deux noyaux de cha-30 que paire qui est amené à l'état A et celui qui est amené à l'état B. Pour la lecture d'information contenue dans un mot déterminé, une impulsion de sens opposé à celui qu'a l'impulsion lors de l'inscription, est transmise par l'intermédiaire du 35 générateur d'impulsion de mot correspondant, ¥G^ , WG2 , etc., au conducteur de mot correspondant, de sorte que tous les noyaux du mot reviennent à l'état de rémanence R. Les nnyaux qui se trouvaient à l'état A, induisent alors une impulsion PA (figure 3a) dans le conducteur d'information correspondant 40 , Y^ » etc., impulsion dont l'amplitude est proportionnelle 69 11067 4 2005997 à la différence de flux magnétique entre les points A et E (figure 2), tandis que les noyaux qui se trouvaient à l'état B, fournissent une impulsion -PB qui est proportionnelle à la différence de flux entre les points B et H.. Dans le 5 conducteur de "bit correspondant, il se produit donc une impulsion de sortie effective PC (figure 3), qui est la différence entre les impulsions PA et PB et dont la polarité est déterminée par celui des deux noyaux qui se trouvait à l'état A, c'est-à-dire de l'information "1" ou "0", qui 10 était inscrite dans la paire de noyaux.-Ces impulsions de sortie sont transmises aux conducteurs de sortie , Eg , etc., par l'intermédiaire des amplificateurs de lecture RA^ , RAg » etc., et des portes de sortie D^ , D2 , etc. La mémoire décrite jusqu'ici est connue en soi. 15 Le diagramme de la figure 4 montre la façon dont le flux magnétique F varie dans les noyaux en fonction de la température T. La ligne Fa a trait à des noyaux qui se trouvent à l'état A, et la ligne Fb à des noyaux qui se trouvent à l'état B. La position des points A et B dans le diagramme 20 de la figure 2 dépend donc de la température des noyaux envisagés. Lorsque dans une paire de noyaux déterminée, par exemple la paire K>|/ja , correspondant aux bits les plus significatifs, le chiffre "0" est inscrit pendant une lon-25 gue période, puis est lu, le flux dans un des noyaux, par exemple •, varie constamment entre les points A et R de la figure 2, et celui dans l'autre noyau entre les points B et R. Les variations de flux dans le noyau K/j^a sont donc plus grandes que dans le noyau , de sorte que la 30 température du noyau K^a est supérieure à celle du noyau , ces températures étant par exemple respectivement égales à Tg e"k comme indiqué sur la figure 4. Sur la figure 4, l'état du noyau correspond donc, lorsqu'une information y est inscrite, au point A^ et celui du noyau j au 35 point B-j.Lors de la lecture d'information, il apparaît donc une impulsion de sortie V^ dont l'amplitude est proportionnelle à l'écart entre les points Ax| et . lorsque par exception, le chiffre "1" est inscrit dans la paire de noyaux, le noyau K^a-dont la température est encore égale à T2~ passe 40 à l'état B correspondant au point B2 sur la figure 4, et le l&ÀD ORIGINAL 11067 5 2005997 noyau à l'état correspondant au point A2 sur la figure 4-, Lors de la lecture, il apparaît alors une impulsion de sortie Vg dont l'amplitude est "beaucoup plus petite que V^. On a constaté que dans ces conditions, l'amplitude de l'impulsion Y2 peut être réduite à zéro, ou que l'impulsion peut même prendre la polarité opposée. Pour éviter ces difficultés, on a pris à l'égard du dispositif de la figure 1, les mesures suivantes : Les portes d'entrée B^ , B2 , etc., sont conçues sous la forme de commutateurs qui sont commandés par la "bascule bistable FF^. Celle-ci est commandée de façon connue par un générateur de "bruit RG de telle façon que la "bascule FF^ se trouve, en moyenne dans le temps, autant de fois dans un état que dans l'autre. Les commutateurs B^ , B2 > etc., sont alors commandés par la "bascule FF^ de telle façon que si la "bascule se trouve dans l'un de ses états, l'information des conducteurs A^, A2, etc, est transmise, tandis que lorsque la "bascule se trouve dans l'autre état, cette information est transmise, inversée. Etant donné qu'en moyenne dans le temps, l'information, lors de l'inscription, est inversée autant de fois qu'elle ne l'est pas, les noyaux de chaque paire se trouvent donc en moyenne autant de fois à l'état A qu'à l'état B, indépendamment de l'information. Cela signifie que les noyaux prennent une température moyenne (figure 3) qui- est pratiquement la même pour les différents noyaux. Pour indiquer si, lors de l'inscription, l'information est inversée ou non, on a associé à chaque mot une paire de noyaux auxiliaires i K1tb ' E2ta' ^tb ' (iui' lors de l'inscription d'information dans un mot déterminé, est, par l'intermédiaire du conducteur "V^, commandée par la bascule FF^ de telle façon que la paire de noyaux précitée est amenée dans un état qui caractérise la position instantanée de la bascule FF^. Lors de la lecture de l'information, ces noyaux auxiliaires sont également explorés, de sorte que par.l'intermédiaire de l'amplificateur de lecture RA^, la bascule FF2 est amenée dans un état déterminée correspondant à l'état de la bascule FF^ lors de l'inscription de ,1'information dans le mot correspondant. Les portes de sortie D,j , D2 , etc., 69 11067 6 2005997 sont conçues de la même façon que les portes , Bg, comme commutateurs et elles sont commandées par la "bascule FFg de telle façon que les impulsions de sortie des conducteurs , Vg » e"t-c« » sont transmises directement aux conducteurs 5 E^, Eg, etc., si, lors de l'inscription, l'information n'était pas inversée, tandis que les impulsions de sortie dans les portes , Dg , etc., sont inversées si l'information avait été inversée lors de l'inscription. Sur les conducteurs de sortie E^ , Eg , etc., l'information apparaît donc toujours non 10 inversée, indépendamment du fait que, lors de l'inscription dans les noyaux, l'information avait été inversée ou non. BAD original 11067 ? 2005997 REVENDICATIONS Mémoire matricielle comportant des noyaux en matériau magnétique à cycle d'hystérésis rectangulaire, qui sont disposés suivant des rangées et des colonnes d'une matrice, les noyaux d'une même rangée (mot) étant couplés à un même conducteur de mot, et les noyaux d'une même colonne, à un même conducteur de colonne ou conducteur d'information, l'inscription d'information dans les noyaux d'une même rangée (mot) étant effectuée en lançant un courant dans le conducteur de mot correspondant et par exemple, un courant positif ou négatif, selon l'information désirée, dans les différents conducteurs d'information, alors que la lecture d'information a lieu en envoyant un courant dans le conducteur de mot correspondant, caractérisé en ce que l'information à inscrire est appliquée aux différents conducteurs d'information par l'intermédiaire de cricuits-portes qui transmettent» aux conducteurs d'information, l'information, inversée ou non, suivant l'état dans lequel se trouve une bascule à deux états, qui, en moyenne dans le temps, se trouve autant de fois dans un état que dans l'autre, cet état étant enregistrée de façon "binaire dans au moins un noyau auxiliaire associé à chaque mot et, lors de la lecture de l'information d'un mot déterminé, l'information dans le noyau auxiliaire correspondant constitue une indication de la façon inversée ou non dont le mot a été inscrit.