FR 2006873 A1 19700102 FR 6905814 A 19690304 69 05814 1 2006873 La présente invention concerne un procédé pour mesurer la densité de dopage d'une plaquette de semiconducteur, consistant à former une diode à barrière électronique et à appliquer à la plaquette une tension de polarisation, 5 Une phase importante dans la fabrication de dispositifs semiconducteurs est celle qui consiste à incorporer une densité contrôlée dTimpuretés dans la plaquette de semiconducteur dont sont faits les dispositifs. Le processus d'introduction de telles impuretés est appelé dopage et le procédé le plus couramment uti-10 lisé à cette fin est la diffusion d'impuretés, La concentration des impuretés, ou densité de dopage, détermine la conductivité de la plaquette et elle est par conséquent l'un des paramètres les plus importants des dispositifs finis. Etant donné que la diffusion donne habituellement lieu à une distribution non uniforme 15 des impuretés, il est souvent important de déterminer la répartition de la densité de dopage dans la plaquette de semiconducteur, On sait que cela peut se faire en liant d'abord une petite couche de métal à une surface supérieure de la plaquette de semiconducteur afin de former une diode à couche d'arrêt de 20 Schottky. Une tension de polarisation inverse variable est appliquée aux bornes de la diode et la capacité de celle-ci est mesurée en fonction de la tension de polarisation. La répartition de la densité de dopage est liée par une expression connue à la capacité et à la vitesse de variation des capacités en fonction de la ten-25 sion et elle peut par conséquent être déterminée. Toutefois, ce procédé exige un calcul, soit manuel, soit par ordinateur, avant d'obtenir le résultat final,etil est limité, tant dans sa capacité de résolution que dans sa précision numérique, par la nécessité de procéder à une interpolation entre deux points pour trouver la vi-30 tesse de variation de la capacité en fonction de la tension, La présente invention a pour but de résoudre ces problèmes, Elle procure un procédé selon lequel on fait passer un courant alternatif dans la diode, on dérive de celle-ci une première tension et une seconde tension qui sont le premier harmonique et le 35 second harmonique respectivement de la tension alternative appliquée, et on mesure l'amplitude de ces première et seconde tensions. L'invention apparaîtra plus plus clairement à la lecture de la description qui va suivre,- faite en regard des dessins joints dans lesquels: 69 05814 2 2006873 - la figure 1 illustre une phase dvun procédé de mesure de -la distribution de la densité de dopage d"une plaquette de semiconducteur; - la figure 2 est un schéma simplifié d•un dispositif 5 destiné à mesurer la distribution de la densité de dopage dvune plaquette de semiconducteur; - les figures 3 et 4 montrent les circuits équivalents idéeaux d9un circuit tel que représenté sur la figure 2; » la figure 5 illustre une forme de réalisation du 10 circuit selon la figure 2; - la figure 6 illustre une variante de la phase de procédé de mesure, illustrée sur la figure 1; ~ la figure 7 illustre une phase du procédé de mesure de la distribution de la densité de dopage d''une diode à jonction 15 p-n, L°invention est basée sur la découverte que si un courant alternatif de fréquence f traverse une diode semiconductrice polarisée en inverse et si une tension de sortie alternative est dérivée de la diode, 1-amplitude de la tension de sortie à la fré-20 quence fondamentale f 25 La couche de déplétion est une région du semiconducteur qui a été appauvrie en porteurs de charges majoritaires en raison a•'une tension de polarisation inverse sur une couche d'arrêt électronique. Cette couche d-'arrêt peut être une couche dvarrêt de Schottky, un contact capacitif ou une jonction p-n, 30 La répartition du dopage dans la plaquette de semiconducteur est déterminée en liant d'abord une couche métallique sur/une surface de la plaquette pour former une diode à couche d-arrêt de Schottky. La diode est polarisée en inverse et un courant sensiblement constant, de fréquence f, traverse la diode. 35 Des tensions de sortie, de fréquences f et 21', sont dérivées de la diode et servent à actionner un traceur de courbe X-ï qui est étalonné pour enregistrer 1-'amplitude de la tension de fréquence f en fonction de la profondeur de la couche de déplétion et pour enregistrer la tension de fréqusncs 2£ en fonction de 1*inverse M de la densité de dopage' au bord de la couche de déplétion,..—» ^ 69 05814 3 2006873 La tension de polarisation inverse est alors augmentée, soit automatiquement, soit manuellement, afin dvaugmenter lvépaisseur de la couche de déplétion, A mesure que la tension de polarisation est modifiée^ l'enregistreur enregistre 1"inverse de la den-5 sité de dopage en fonction de la profondeur de la couche de déplétion. Etant donné que le bord de la couche de déplétion balaie 1"épaisseur de la plaquette, 15enregistreur indique la densité de dopage comme une fonction progressive de la distance à partir de la surface de la plaquette. 10 Ce procédé peut être mis.en pratique beaucoup plus aisé ment que le procédé classique car il ne nécessite pas de calcul après chaque modification de la tension de polarisation. Le procédé classique peut évidemment faire intervenir un calculateur ou tout autre dispositif pour réduire l'effort manuel, mais un tel 15 dispositif est beaucoup plus coûteux que celui qu'exige le procédé selon-l'invention. De plus, celui-ci fournit une indication continue en temps réel de la densité de dopage en fonction de la distance; toute lecture anormale, telle que celle que provoque un mauvais contact ou une défectuosité analogue, peut ainsi être dé-20 tectée rapidement. Enfin, on peut montrer que l'erreur de distance est ici limitée non seulement par la longueur de Debye de la plaquette de semiconducteur dans la plupart des cas, et que le procédé selon l'invention permet d'obtenir ainsi une capacité de résolution plus élevée et une précision plus grande, 25 Pour le fonctionnement le plus direct du dispositif, le courant alternatif traversant le dispositif doit être sensiblement constant. Cela peut être réalisé en rendant l'impédance dventrée de la diode à la fréquence fondamentale beaucoup plus élevée que l'impédance maximum de la diode. De plus, les tensions al-30 ternatives développées sur la diode aux fréquences fondamentale et dî second harmonique doivent être mesurées tout en ne dérivant qu'un courant minime afin d5éviter des chutes de tension appréciables sur la diode, C'est ce qu'on obtient le mieux en rendant 1-impédance vue par la diode beaucoup plus élevée que sa propre 35 impédance aux deux fréquences considérées, grâce à l5utilisation d'un circuit approprié comme on le verra plus loin. La figure 1 montre une plaquette de semiconducteur 12 qui a été dopée avec une impureté au cours d*une phase dvun procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur. Il est utile et même Ho souvent nécessaire de déterminer la distribution de la densité de 69 05814 4 2006873 dopage dans la plaquette ou, en d'autres mots, la variation de la concentration en impuretés en fonction de la profondeur de la plaquette, afin de contrôler la qualité des dispositifs finis ou de prévoir leurs caractéristiques électriques. Une manière habituel-5 le de procéder à cette fin est de lier un réseau de contacts métalliques 13 sur une surface supérieure de la plaquette de telle sorte que chaque contact forme avec la plaquette une diode à couche d'arrêt de Schottky 14. Une sonde d'essai 15 est alors utilisée pour polariser une des diodes à couche d'arrêt de Schottky 10 en inverse afin de former une couche de déplétion 17 dans la plaquette, En modifiant cette tension inverse et en mesurant la capacité entre le contact 13 et la plaquette ainsi que la vitesse de variation de la capacité en fonction de cette tension inverse, il est possible de calculer la distribution de la densité de do-15 page. Comme mentionné précédemment, cela exige des calculs laborieux et longs ou un équipement de calculateur coûteux, et ne procure qu'une capacité defrésolution limitée c'est-à-dire que des variations de la densité de dopage en fonction de petites variations de profondeur ne peuvent être détectées. Du point de 20 vue pratique, la distribution de la densité de dopage ne peut être tracée au fur et à mesure que l'essai se poursuit et des résultats anormaux dûs à de mauvais contacts et à des causes similaires ne sont pas détectés avant que le processus ne soit achevé. Dans un exemple de forme de réalisation, des diodes à 25 couches d'arrêt de Schottky sont d'abord formées sur une surface supérieure de la plaquette comme dans le procédé classique, La diode 14 est incluse dans le circuit de la figure 2 et elle est polarisée en inverse par une source de tension continue variable 19. Une source de signal 20 fait passer un courant alternatif de 30 fréquence f à travers une résistance R et la diode, Une bobine d'arrêt et une capacité 22 séparent et isolent les trajets à courant alternatif et à courant continu. Un premier filtre 24 connecté à la diode dérive de celle-ci une tension de fréquence fondamentale f tandis qu'un second filtre 25 dérive une tension de fréquen-35 ce 2f. Les amplitudes de ces tensions sont de préférence amplifiées et transmises à un enregistreur-traceur 26 qui trace la courbe de l'amplitude de la tension,de fréquence 2f, en fonction de l'amplitude de la tension,de fréquence f. Comme on le montre par ailleurs dans l'appendice au pré-ko sent mémoire, la tension aux bornes de la diode représentée sur la 69 05814 5 2006873 figure 1, à la fréquence f, est directement proportionnelle à la profondeur X de la couche de déplétion; la tension de fréquence 2f, quant elle, est inversement proportionnelle à la densité de dopage au bord 27 de la couche de déplétion. Par conséquent, 5 l'enregistreur 26 peut être étalonné afin d'enregistrer la tension, de fréquence fondamentale f, en fonction de la profondeur X de la couche de déplétion et dTenregistrer la tension,de fréquence 2f, en fonction de 1Tinverse n-1'de la densité de dopage, -comme indiqué sur la figure 2. En particulier, l'équation (20) de 10 l'appendice donne la relation qui lie X et n aux tensions alternatives enregistrées. La source de tension variable 19 est modifiée soit manuellement, soit automatiquement afin de faire varier la tension de polarisation inverse sur la diode 14 et de faire varier ainsi la profondeur X de la couche de déplétion, A me-15 sure que la tension de polarisation varie, l'enregistreur 26 trace une courbe 29 qui traduit la distribution de la densité de dopage de la plaquette dans la région déterminée par la diode à couche d'arrêt de Schottky. Il est préférable de partir d'une faible tension de polarisation, puis de l'accroître afin de fai-20 re croître la profondeur X de la couche de déplétion. Le bord 27 de la couche de déplétion s'enfonce donc dans la plaquette et donne lieu à une courbe sur l'enregistreur, qui montre la variation de la densité de dopage pour une distance croissante à partir de la surface de la plaquette, 25 Comme dans le procédé classique, la tension de polarisa tion inverse ne peut dépasser la tension de rupture par avalanche de la plaquette. Etant donné que celle-ci limite la profondeur de la plaquette jusqu'à laquelle la couche de déplétion peut descendre, de petites surfaces de la plaque peuvent être réduites en 30 épaisseur afin de permettre de disposer des diodes d'essai à diverses profondeurs dans la plaquette. Pour une utilisation optimale du procédé , l'amplitude de crête du courant alternatif qui traverse la diode doit de préférence être sensiblement constante. Pour ce faire on peut 35 rendre l'impédance vue par la diode aux fréquences f et 2f très élevée comparée à son impédance propre. C'est ce qu'illustre la figure 3 sur laquelle on voit que le circuit d'entrée contient une source de courant constant I* et une impédance d'entrée Zj, et que le circuit de sortie contient une impédance de charge •kOEn rendant les impédances Z^ et Z^ infinies, ou du moins très 69 05814 6 2006873 élevées en comparaison de l'impédance de la diode, le courant traversant la diode sera constant quelles que soient les tensions dérivées par le circuit de sortie, On voit sur la figure 2 que la résistance R et les impédances des filtres 24 et 25 doi» 5 vent être élevées en comparaison de l'impédance de la diode 14 afin de faire passer dans la diode un courant sensiblement constant à la fréquence f et un courant sensiblement nul à la fréquence 2f„ La figure 5 montre un circuit réalisé selon ces critères 10 mais il est préférable d'en considérer le circuit équivalent représenté sur la figure 4.Le circuit simplifié que voit la diode 14 sur la figure 4 comprend les éléments suivants en parallèle: une source de tension continue constants en série avec une capacité , une inductance L1, ei série avec une charge , et une 15 inductance L2 en séria avec une capacité C2 et une résistance de charge 1^ ^, On suppose les résistances R^-j et nulles. L'impédance de ce circuit idéal est donnée par la relation suivante (en notation complexe): i(u)L« — 1/wC~) 20 Z(u>) = — — — (1) 1 — (^0^ — 1 /o>L ^ ) ( uiLo — l/ojCg ) où i = a) = 2 Kf est la fréquence angulaire. Le circuit idéal a uns impédance infinie à deux fréquen- 25 ces, cj1 et u)9« La fréquence inférieure ta, est plus petite que la —0 5 —0 5 plus petite des valeurs de (L.jC^ ) ,J et (L2C2)~ ' » Le circuit doit être calculé pour avoir un® impédance infinie à a>^ et ujg où io2 2(^)^1. Pour qu' aux fréquences pour lesquelles l'impédance est 30 infinie, on ait un rapport 2:1, une condition nécessaire est: 1/4 Une condition exacte pour que w2 soit égal à peut être obtenue en réduisant le dénominateur de l'équation (1) sous forme quadratique 35 4(L1C2+L1C1+L2C2)2 ~ 25L1 - 0, (3) Pour w1 cna: u- « (L^L2C2/4)1/", (4) 69 05814 7 2006873 Dès lors, en utilisant une source alternative de fréquence w, qui satisfait à l'-équation (4), la diode dans le cas idéal voit une impédance infinie aux fréquences f et 2f où f = 2^00^. En réalité, toutefois, lcimpédance a ime certaine valeur-élevée 5 si les résistances de charge R^-j et R^ sont petites comparées à l'impédance des éléments réactifs et de la combinaison de C2 et L2 respectivement. Sur les résistances de charge ? et apparaissent des tensions,de fréquences f et 2f, qui sont, proportionnelles aux tensiors aux bornes de la diode. Les valeurs réelles 10 des résistances Rj^ et f^2 ne doivent pas être élevées car leur connexion, comme montré, est l'équivalent de résistances de valeurs beaucoup plus élevées, connectées directement aux bornes de la diode. Un circuit réel qui a été réalisé selon le circuit équi-15 valent de la figure 4, est représenté à la figure 5. Le générateur 31 engendre un signal à 5MHz sous 1 volt dans une impédance de 50 ohms tandis que le filtre 32 élimine les harmoniques d'ordre deux, d'une fréquence de 10 MHz. Le signal est appliqué à la diode à couche d'arrêt de 20 Schottky formée sur une surface de la plaquette de semiconducteur 12 au moyen d'une sonde usuelle. Un récepteur 33 à ondes courtes est accordé à 10 MHz et détecte la tension du second harmonique tandis qu'un récepteur 34 est accordé à 5 MHz afin de détecter la tension de fréquence fondamentale. On utilise des 25 lignes de transmission de 50 ohms et les valeurs des divers composants sont indiquées sur le dessin. Les symboles utilisés sont les suivants: K kilohms mh microhenry }iF microfarad ohm 30 pF picofarad Le circuit selon la figure 6 satisfait sensiblement. à l'équation (4), et l'on a utilisé la solution spécifique de l'-équation (4) ci-après: L1C1 ='L2C2. (5) 35 C., « 2C2. (6) a.; = {2L1C1)"°>5. (7) En raison de la valeur finie du facteur de qualité Q des bobines et de la nécessité de charger faiblement le circuit pour 1 '-exciter et dériver suffisamment d-énergie pour contrôler les tensions de fréquences f et 2f, l'impédance maximum qui peut- être 69 05814 8 2006873 réellement atteinte, est limitée à: Zmax (lV " (8) Zmax ^ ~ V^l' ^ 5 où Q1 et Q2 sont les facteurs de qualité globaux aux fréquences w., et wg- respectivement» Dans le circuit de la figure 5»-les valeurs du facteur de qualité Q de et L2 étaient d*environ 100, tandis qui le 10 facteur de qualité global était d^environ 125, et l'impédance maximum était d*environ 75 kilohms aux deux fréquences considérées. L'erreur due à ces impédances d§ valeur finie,à la fréquence fondamentale et à la fréquence de l'harmonique d*ordr® deux, et Its réglages de tarage qui peuvent itre effectués à cet effet, sont 15 décrits en détail dans l'appendice, La diode Â couche d'arrêt de Schottky selon la figure 1 peut être réalisée, par exemple, en vaporisant de l'or sous vide sur de l'arséniure de gallium de type n. De bons contacts ont également été réalisés sur la couche d'arrêt en plaçant simplé-20 ment un globule de gallium fondu sur une surface plane propre d'arséniure de gallium, La méthode selon l'invention peut cependant être utilisée pour évaluer n'importe lequel des autres semiconducteurs généralement utilisée et n*importe quëL procédé connu pour former 25 des couches d'arrêt de Schottky sur de tels semiconducteurs, La'couche d'arrêt de Schottky n'est qu*un exemple d'une barrière électronique qui peuf »»■> être formée sur la surface d'un semiconducteur afin de permettre une polarisation inverse avec formation concomitante d*une couche 30 de déplétion. D'autre part, comme le montre la figure 6, la barrière électronique peut itre constitué® d'un# coucha diélectrique 16 sur laquelle est formé un contact 13â* Celui-ci, la couche diélectrique 16 et le semiconducteur 12a-constituent -ensemble une diode mêtal-isolant-semiconducteur Ht qui peut Itre polari-35 sée en inverse pour engendrer une couche de déplétion 1?& comme précédemment, La diode 14a peut itre utilisée dans 1© montage des figures 1, 4 et 5 afin de donner la mime évaluation que la diode à couche d^arrêt de Schottky» Comme le montre la figure 7, la méthode selon l'invtn-HO tion peut également Itre utilisée pour tracer la courbe dê la dis 69 05814 9 2006873 tribution de la densité de dopage dans un dispositif à jon 4 "1 proportionnelle aux densités de dopage (n" + p ) aux bords 36 et 37 de la couche de déplétion en face de la région de type p. Comme dans les cas précédents, la polarisation inverse de la diode peut être modifiée en sorte que le bord 36 s?enfonce dans la région de 10 type n. Il arrive très souvent que la c ^.«ructivit 4 sur une face de la jonction p-n est beaucoup plus élevée ^ue la roïiduçtivité sur la face opposée, et c'-'est pour illustrer ."-indiquer 15 une conductivité de type p élevée. Gela é- -tû , la couche de déplétion ne s'étend que sur une distance négligeable d?n.î la région de type p et la distance X peut être priss c^ime distance entre la jonction et le bord 36 de la couche de déy.':.- ion. De plus, l8in-verse p""1 de la densité de dopage de la région de type p est né-20 gligeable vis-à-vis de 18inverse n"1 de la densité de dopage dans la région de type n, et la courbe de la distribution de la densité de dopage dans la région de type n peut être tracée de la même manière que dans le montage à diode de Schottky, On remarquera que, dans cette dernière,la conductivité de la couche métallique est 25 excessivement élevée par rapport à la conductivité de la plaquette. En résumé, le circuit de la figure 2 peut être-utilisé pour illustrer les principes fondamentaux de lsinvention, qui sont aisément applicables pour déterminer la distribution de la densité de- dopage dans une plaquette de semiconducteur telle que représen-30 tée sur la figure 1. Sur la figure 3 on voit la façon de maintenir un courant alternatif ccretant dans la diode tandis que la figure 4 représente un circuit idéal pour réaliser cette fonction. La figure 5 est un circuit qui a été réalisé en pratique et qui présente des caractéristiques voisines de celles du circuit idéal de 35 la figure 4. On peut également utiliser d'autres circuits que ceux cÊcrits ci-dessus pour déterminer la distribution de la densité de dopage. De plus, dans le circuit de la figure 2 on peut insérer un circuit diviseur analogique entre le filtre 25 et lv enregistreur BAP ORIGINAL 69 05814 10 2006873 26 afin d'engendrer l'inverse de la tension du second harmonique, qui permettrait à la densité de dopage n d'être enregistrée direc- —1 tement, plutôt que d'enregistrer l'inverse n de densité de dopage dans la région du type n, 5 Le dispositif utilisé pour mettre en oeuvre le procédé selon l'invention présente les avantages de la simplicité, del'éeo Appendic e. La tension V aux bornes de la couche de déplétion sous le contact de la couche d'arrêt Schottky, en fonction de la charge par surface unitaire Q est donnée par le relation: 15 X(Q) V(Q) = E(x, Q)dx (10) 20 où la profondeur de la couche de déplétion X(Q) est obtenue en résolvant l'équation suivante Q = e 25 „X(Q) n(x)dx (11) 0 dans laquelle e est la charge d'un électron et n(x) est la densité nette des donneurs d'électrons. Le champ électrique E(x,Q), pour x 30 par: Itx,«>-£-* n(x)dx (12) 0 35 où S est la permittivité. Si la charge par surface unitaire Q augmente de AQ, la tension varie de AV, donné par l'équation: 69 05814 n 2006873 pX(Q) X(Q+AQ) AV = ['E(x,Q+AQ) - E(x,Q).] dx + f E(x,Q+AQ)dx ( 13! J 0 J X(Q) AQ.X(Q) o X(Q+AQ) P X(Q+AQ) AV - + - s e 10 I n(x')dx'dx. (14) X(Q) J x Si Q est suffisamment petit pour que n(x) puisse être considéré égal à n(X) entre X(Q) et X(Q+AQ), 1'équation (11) peut s'écrire 1; ,T _ tQ.Z(Q) , n(X)e,[ XIQ+AO) - X(Q) ]2. (15) e 2 e De (12) on déduit: X(Q+AQ) 20 AQ = e I n(x)dx. (16) X(Q) * n(X)e [X(Q+AQ) - X(Q).] . (17) 25 L'équation (15) devient: W = Ê0L1 + Ê£L . (18) e 2esn(X) Si AQ est l'accroissement de charge dû à un courant alternatif 30 Isin(uyt), on a : AQ = 1 cos (ojt) ^ w A où A est la surface de la diode et 00 est la fréquence angulaire du courant d'excitation. On a alors: 35 2 AV = pi cos (fait)l x _ |"l cos(2tjt)+1 L w£A J L ' 2 4u> eST J n(X) — * (20) 69 05814 12 2006873 L'équation (20) est la forme finale. Le premier terme du membre de droite est l'accroissement de tension à la fréquence fondamentale, dont l'amplitude est proportionnelle à la profondeur X de la couche de dénlétion. Le second terme est l'accroissement 5 de tension à la fréquence de l'harmonique d'ordre deux de la fréquence du courant d'excitation, et son amplitude est proportionnelle à l'inverse 1./n(X) de la densité nette des donneurs d'électrons à la profondeur X. Comme on l'a mentionné plus haut, cette rquation peut être utilisée pour étalonner l'enregistreur dans les 10 montages des figures 1 et 5. Bien que la notation n indique la densité de donneurs dans un matériau de type n, le procédé -s'applique tout aussi bien è un matériau de type p. Si la diode voit des impédances finies et Z2 à la fréauence fondamentale et à la fréquence de l'harmonique d'ordre 15 deux respectivement, on observe une valeur apparente de la profondeur Xa de la couche de déplétion, qui est liée à la valeur vraie X par la relation suivante: 20 Xa = X 1 - iZ/w1eAZ1 -1 (21) Si est résistif et égal à on a: 1 ' Xa = X 1 + ( X/n1 CAR-, )' -0,5 (22) 25 De même, la i/aleur apparente de l'inverse n cl dopage est liée à la valeur vraie par: -1 de la densité de n. -1 n X^/X2(l-iX/ (23 ) 30 Si Z2 est résistif et égal à P2, on a: -1 n -1 n X2 /x2 a , 1 - (X/w,EAR^r ! 1 -0,5 (24^ 35 Il ressort des relations (21) à (24) que si l'impédance est résistive aux fréquences et w2, les erreurs sont de l'ordre de X2 tandis qu'une partie réactive dans l'impédance Z^ ou Z2 introduit une erreur de l'ordre de X, ce qui est plus sérieux. 69 05814 13 2006873 On a supposé que la densité n se rapporte à une plaquette dont la surface est normale à la direction de croissance épi-taxiale ou lorsque le dopage est dû à la diffusion d'un agent de contamination à partir de la surface ou de la base. L'uniformité 5 dans des directions parallèles à la surface peut/être vérifiée en examinant des diodes adjacentes. Les dimensions des diodes sont limitées par la capacité minimum (impédance maximum) que paut tolérer le circuit. La résolution dans la direction normale est limitée par diffusion thermique à environ deux longueur© de Debye. 10 Le tableau ci-après donne des valeurs minimales approximatives du diamètre des diodes pour que la capacité reste supérieure à un picofarad à la profondeur maximum et de leur pouvoir de résolution en profondeur. 15 TABLEAU. Pouvoir résolution an Diamètre Densité de do-Page ( ctn-3 ) Profondeur maximum (um) Tension continue maximum (V) i J-wiwiL profondeur (2 longueurs Debye) minimum de la diod® (em). 101^ 15 10 80 500 1,00 0,1 12 100 0,30 0,04 1016 2 20 0,10 0,02 io1? ' • 0',3 4 0,03 0,005 69 05814 14 2006873 EEV5KDICATI0HS. 1.- Procédé pour masure? la densité de dopage dans une plaquette de semiconducteur {12)s consistant à former une diode à barrière électronique (14) et à appliquer à la plaquette une ten-5 sion de polarisation, caractérisé en ce qu'on fait passer un courant alternatif (20) dans la diode, en ce qu'on dérive de celle-ci une preaière tension et une seconde tension dont les fréquences sont celles qui sont le preais? hartuoaiqu© ff) et du second harmonique (2f) respectivement de la fréquence de la tension alternati-10 ve appliquées, et en ce qu'on mesure l'saplitude de ces première et - seconde tensions. 2=~ Procédé selon la revendication 1, caractérisé en outre en ee qu'on applique une tension de polarisation inverse (19) à la diedo, formant ainsi efeas la plaquette une couche de déplê-15 tio(1?), et on qu'on modifie citts tension (19) de manière à faire varier l'épaisseur do la couche de déplétion, l'amplitude de la tension de fréquence f étant indicative de l'épaisseur de la couche d® déplétion tandis que l'aœplitude de la tension de fréquence 2f est indicative de la densité d© dopage au bord (27) de 20 la couche de déplétion (17). 3.= Procédé selon l'uns eu l'autre des revendications 1 et 2, caractérisé en ce 1s sîicast alternatif traversant la diode est sensiblement constant.