FR 2000657 A1 19690912 FR 6901266 A 19690123 69 01266 i 2000657 La présente invention concerne un dispositif semiconducteur et, plus particulièrement, des perfectionnements apportés à un dispositif semiconducteur comprenant une Jonction PU formée dans une sous-couche seaiconductrice et se terminant à la 5 surface de ladite sous-couche, la partie terminale de ladite jonction PU étant recouverte par une pellicule isolante ; la présente invention concerne aussi un procédé de fabrication d'un tel dispositif semiconducteur. dans D'une façon générale,/un dispositif semiconducteur dans 10 lequel au moins une Jonction PU est formée dans une sous-couche semiconductrice et où la partie terminale de cette dernière s'étend Jusqu'à la surfaee de ladite sous-couche* il est de pratique courante que la partie terminale de ladite Jonction PU soit recouverte d'une pellicule d'oxyde de silicium» ce qui empêche la 25 surface de la sous-couche d'être influencée par l'atmosphère extérieure. 'Zoutefois, avec un tel dispositif semiconducteur, il est impossible d'empêcher complètement ses caractéristiques électriques d'être affectées par l'atmosphère extérieure» On a désiré apporter d'autres améliorations afin de répondre aux exigences 20 sévères de caractéristiques de fiabilité élevées-qu'on rencontre dans l'industrie électronique actuelle. De façon plus particulière» même si la partie terminale de la Jonction PS est recouverte par une pellicule isolante telle qu'une pellicule d'oxyde de silicium» de l'humidité ou des ions constituant des impuretés tels 25 que des ions hydrogène, des ions oxygène ou des ions sodium», présents dans l'atmosphère extérieure» risquent d'adhérer à la surface de ladite pellicule isolante ou de pénétrer dans cette surface» ce qui fait que les caractéristiques électriques de la partie superficielle de la sous-couche , c'est-à-dire la partie 50 terminale de la Jonction PHr sont influencées de façon nuisible. Il en résulte une détérioration considérable des caractéristiques de fiabilité des dispositifs semiconducteurs, tels que des transistors bipolaires du type planar» des transistors à effet de champ de type à électrodes de commande ou portes isolées ou des 35 dispositifs semiconducteurs à circuits intégrés, dans lesquels plusieurs éléments de circuit sont formés dans une sous-couche semiconductrice unique* Dans les transistors à effet de champ du type à électrodes de commande ou portes isolées, particulièrement, les caractéristiques électriques des régions de canal s'é-40 tendant entre les régions de cathode et d'anode sont extraordi- 69 01266 2 2000657 clairement sensibles à l'atmosphère extérieure en raison du fait que lrépaisseur des pellicules isolantes se trouvant en dessous des électrodes de commande ou portes est très faible. Afin î'obtenir une étancheité parfaite de la sous-cou-5 che semiconductrice recouverte par la pellicule isolante» vis-à-vis de l'air de l'atmosphère, on a proposé de mouler ladite sous-couche dans de la résine ou une matière plastique. Avec de tels dispositifs semiconducteurs du type "à moule" en résine ou en matière plastique, il n'est pas encore possible d'éviter totale-ment l'influence de l'atmosphère extérieure en raison du fait que cette résine ou cette matière plastique n'arrive pas, par • elle-même» à empêcher totalement la pénétration de l*humidité« C'est pourquoi la présente invention est destinée à pallier les inconvénients mentionnés ci-avant. 15 La présente invention a pour objet, d'une part, un dis positif semiconducteur perfectionné possédant des caractéristiques électriques améliorées et, d'autre part, un procédé de fabrication d'un tel dispositif semiconducteur. La présente invention vise également» d'une part, an 20 dispositif semiconducteur conçu de manière à empêcher que les caractéristiques électriques de la surface de la sous-couche soient affectées de façon nuisible par l'atmosphère extérieure et, d'autre part» un procédé de fabrication- d'un tel dispositif semiconducteur* 25 La présente invention vise encore, d'une part, un tran sistor à effet de champ perfectionné, du type à électrode de commande isolée, présentant de meilleures caractéristiques électriques stabilisées en ce qui concerne lradhérence à ce transistor de l'humidité ou des ions constituant des impuretés ou leur pé-3$ nétration dans ce transistor e-t, d'autre part, un procédé de fabrication d'un tel transistor. La présente invention vise, en outre» d'une part, un transistor bipolaire perfectionné du type pianar possédant des caractéristiques électriques améliorées, stabilisées en ce qui 35 concerne l'atmosphère extérieure et» d'autre part, un procédé de fabrication d'un tel transistor. La présente invention vise aussi» d'une part» un dispositif semiconducteur perfectionné à circuits intégrés présentant des caractéristiques électriques améliorées stabilisées en 40 ce qui concerne l'atmosphère extérieure, et» d'autre part» un 69 01266 3 2000657 procédé de fabrication d'un.tel dispositif. Enfin, la présente invention vise, d'une part, un dispositif semiconducteur perfectionné du type "à moule" de résine ou de matière plastique, ce dispositif possédant des caractéris-5 tiques électriques améliorées, stabilisées en ce qui concerne l'atmosphère extérieure , et, d'autre part, un procédé de fabrication d'un tel dispositif» D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront de façon évidente à la lecture de la des-10 cription qui va suivre faite en référence au dessin annexé sur lequel : la figo 1 est. une vue en plan montrant la dispositif semiconducteur conforme à un mode de réalisation de la présente invention ; 15 les figures 2 et 3 sont des coupes transversales mon trant le dispositif semiconducteur de la figure 1, ces coupes étant faites, respectivement, par 2A-2A*,et 3B-3B1 de la figure 3; les figures 4a à 4d sont des coupes illustrant les diverses phases d'un procédé de fabrication du dispositif semi-20 conducteur représenté sur la figure 1 ; la figure 5 est une vue en plan montrant le dispositif semiconducteur conforme à un second mode de réalisation de la présente invention ; les figures 6 et 7 sont des coupes transversales mon-25 trant le dispositif de la figure 5, ces coupes étant faites par 6C-6C1 et 7D-7D1 de la figure 5» respectivement les figures 8a à 8d sont des coupes illustrant les diverses phases d'un procédé de fabrication du dispositif semiconducteur représenté sur la figure 5 > 30 la figure 9 est un schéma de circuit montrant un cir cuit à un élément d'information (circuit à 1 bit) destiné à un enregistreur à décalage permettant avantageusement d'expliquer un troisième mode de réalisation de la présente invention appliqué a un dispositif semiconducteur à circuits intégrés ; 35 ' la figure 10 est une vue en plan montrant le dispositif semiconducteur à circuits intégrés, conforme au troisième mode de réalisation de la présente invention ; la figure 11 est une coupe transversale fait.e par 11E-11E* de la figure 10 ; 69 01266 4 2000657 les figures 12 et 15 sont des vues en plan du dispositif semiconducteur permettant avantageusement d'expliquer un quatrième mode de réalisation de la présente invention } les figures 13 et 14 sont des coupes transversales mon-5 trant le dispositif de la figure 12, ces coupes étant faites, respectivement, par 13F - 13Î1* et 14G- - 14G* de la figure 12 ; les figures 16 et 17 sont des coupes montrant le dispositif de la figure 15, ces coupes étant faites, respectivement, par 16H - 16H' st 17J - 17J* de la figure 15 ; 10 ' les figures 18 et 21 sont des vues en plan montrant respectivement les dispositifs semiconducteurs permettant avantageusement d'expliquer un cinquième mode de réalisation de la présente invention ; les figures 19 et 20 sont des coupes transversales mon-15 trant le dispositif de la figure 18, ces coupes étant faites, respectivement, par 19K - 19K' et 20L-20L' de la figure 18 ; les figures 22 et 23 sont des coupes transversales montrant le dispositif de la figure 21, ces coupes étant faites, respectivement par 22M-22M1 et 23H- 23K* de la figure 21 ; 20 les figures 24 et 25 sont, respectivement, une vue en coupe et une vue en plan montrant le dispositif semiconducteur conforme à un sixième mode de réalisation de la présente invention ; la figure 26 est un diagramme montrant des résultats 25de mesure relatifs à la tension de claquage d'une jonction PN, ce diagramme permettant, avantageusement, d'expliquer la stabilité des caractéristiques électriques du dispositif semiconducteur conforme à la présente invention ; sur cette figure, la tension de claquage d'une jonction PU, après traitement thermique, est 30 portée en ordonnée et est exprimée en volts et la tension de claquage d'une jonction PU, avant traitement thermique, est portée en abscisse et est exprimée en volts ; sur cette figure également l'abréviation "Polo" signifie "présente invention" et l'abréviation "T.A" signifie "technique antérieure"» 35 on va maintenant décrire de façon détaillée la présente invention en se référant au dessin « Exemple 1- On va décrire le transistor à effet de"champ du type à électrode de commande isolée conforme à un premier mode de réali-40 sation de la présente invention en se référant tout d'abord aux 69 01266 5 2000657 figures 1 à 3 et aux figures 4a à 4d« Pour que le présent mode de réalisation puisse être facilement compris, les parties analogues portant les mêmes références. Sur les figures, la référence 1 désigne une scus-couche (support)seniccnductrice, par exemple une sous-couche monocristalline de silicium du type de conductivité IT ayant une résistivité de 1 -H- cm, les références 2 et 3 désignent des régions de cathode et d'anode de type de conductivité P, dont l'épaisseur est comprise entre environ 2 jx et 4^1 et qui sont formées séparément, à une distance comprise entre 5 Ji et 12ja , dans la surface principale de ladite sous-couche au moyen du procédé de diffusion sélective habituelle, les références 4 et 5 désignent des premières pellicules isolantes qui peuvent être constituées essentiellement, par exemple, par de l'oxyde de silicium, et qui recouvrent, respectivement, la surface principale de ladite sous-couche, et les références 6 et 7 désignent des électrodes métalliques de cathode et d'anode reliées à la région de cathode 2 et à la région d'anode 3 par l'intermédiaire d'ouvertures ou fenêtres ménagées dans ladite première pellicule 4» La référence 8 désigne une électrode de commande ou porte qui est constituée sur la pellicule isolante 5, de manière à chevaucher ou relier la surface de la sous-couche entre la région de cathode et la région d'anode. Chacune des électrodes précitées de cathode, d'anode et de commande est constituée par des parties formant conta-t disposées en contact direct avec la surface semiconductrice et une partie formant bande qui est reliée électriquement avec lesdites parties formant contact et qui s'étend sur la première pellicule isolante précitée» La référence 9 désigne une seconde pellicule isolante qui peut être constituée par une matière minérale, telle que de l'oxyde de -silicium, du nitrure de silicium, de l'oxyde d'aluminium ou analogue, ou bien d'une matière organique telle qu'une résine ou u-ne matière plastique, et la référence 10 désigne une couche de métal qui est constituée sur la seconde pellicule isolante et qui est reliée électriquement à la surface de la sous-couche 1 à travers des ouvertures ou fenêtres ménagées dans la première et la seconde pellicule isolantes, comme représenté sur la fig.2, de sorte que la couche métallique 1C est maintenue au sece potentiel que la sous-couche. Il est essentiel que la seconde pellicule isolante 9 et que la couche métallique 10 soient constituées » sur la première tellicule isolante, de manière à recouvrir la 69 01266 s 2000657 totalité de la surface de la région de cathode et de la région d'anode, le canal entre lesdites régions et la partie voisine de ces dernières, c'est-à-dire la surface périphérique entourant lesdites régions et ledit canal. A la suite de divers essais,on a constaté qu'il est désirable que la seconde pellicule isolante 9 que la couche métallique 10 soient formées de manière à s'étendre sur une surface qui est à peu près deux fois aussi grande que le prolongement d'une couche appauvrissement qui apparaît quand une tension inverse est appliquée aux jonctions PN 12 et 13 délimitées entre la région de cathode et la région d'anode, d'une part, et la sous-couche, d'autre part, ce prolongement s'étendant sur environ 2ja à 3jx , dans un mode de réalisation de la présente invention, et que cette seconde pellicule isolante 9 et cette couche métallique 10 comprennent ledit prolongement de la couche d'apauvrissement. Sur la figure 2, ¥ désigne la distance sur laquelle la couche métallique 10 s'étend depuis l'extrémité terminale de la jonction PIï 12 au-dessus de la surface de la sous-couche. Dans le présent exemple, W est de 5 jx ou plus, de préférence 10 ji ou plus. En d'autres termes, il est désirable que la périphérie de la couche métallique 10 et que la seconde pellicule isolante 9 s'étendent sur au moins 5jx t de préférence 10ya ou. plus, à partir de la périphérie des régions de cathode et d'anode ainsi que du canal. Un tel dispositif semiconducteur est fabriqué de la façon suivante : Comme on peut le voir sur la figure 4a, on forme d'abord une pellicule d'oxyde de silicium-4 qui a une épaisseur O O comprise entre environ 2.C00 A et 5.000 A sur la surface principale d'une sous-couche de silicium 1 du type H ayant une résistivité de 1-Acm. Ensuite, on forme deux régions 2 et 3» de type P, dont chacune a une profondeur comprise entre environ 2ji et 4^. * dans la scus-couche 1, au moyen de la technique de diffusion sélective ordinaire, puis on constitue les électrodes de cathode et d'anode 6 et 7, de manière qu'elles soient respectivement en contact avec les régions 2 et 3 psr des ouvertures ménagées dans la pellicule d'oxyde de silicium 4 constituée sur la surface principale de la sous-couche. En outre, une électrode de commande 8 est prévue sur la partie de la pellicule d'oxyde 69 01266 7 2000657 de silicium 5 qui s'étend entre les régions 2 et 3 Dans le présent exemple, on forme une pellicule d'oxy-10 de de silicium 9 ayant une épaisseur comprise entre environ 0,3 jx et 1,0 ji sur la première pellicule d'oxyde de silicium 4 par décomposition thermique de silane dans un four chauffé à une température comprise entre environ 300 et 400°C, comme représenté sur la figure 4b. 15 On ménage alors une ouverture 11, atteignant la surfa ce de la sous-couche, dans la seconde pellicule 9 et dans la première pellicule 1, au moyen de la -technique habituelle de photogravure et en utilisant un produit d'attaque dont l'élément constitutif principal est de l'acide fluorhydrique et du fluoru-20 re d'ammonium, et on constitue une couche métallique 10 en faisant évaporer un métal tel que Al, Au, Ag ou autres métaux analogues, sur la totalité de la surface, comme représenté sur la figure- 4ç_. Ensuite, comme représenté sur la figure 4d , on enlève 25 aussi une partie non nécessaire de la couche métallique et des parties indésirables de la seconde pellicule 9, cela également au moyen de la technique classique de photogravure, de sorte que des parties des électrodes métalliques 6,7 et 8 se trouvent découvertes ou exposées. Dans le présent exemple on a évaporé de 30 l'aluminium de manière à former la couche métallique 10 et on a éliminé la partie non nécessaire de la couche d'aluminium au moyen d'un produit d'attaque dont l'élément constitutif principal est de l'acide phosphorique, de l'acide nitrique et de l'acide acétique concentré. De cette façon, il est possible d'obtenir le 35 transistor à effet de champ du type à électrode de commande isolée conforme à la présente invention, comme représenté sur les figures là). On va maintenant décrire, en se référant à la figure 26, les avantages relatifs aux caractéristiques électriques du 40 présent dispositif semiconducteur représenté sur les figures 1 à 69 01266 8 2000657 3 par rapport aux dispositifs semiconducteurs classiques qui ne comportent pas une telle couche métallique 10 et une pellicule isolante 9. La figure 26 illustre des résultats expérimentaux ob-5 tenus par mesure des variations de la tension de claquage de la jonction PU avant et après que le dispositif semiconducteur ait été soumis à un traitement thermique à 500°C, pendant 10 minutes, dans de l'azote gazeux présentant un pourcentage d'humidité compris entre 10 et 20 Au stade actuel, ..il n'est pas.-possible—àe-4©a&#-r une explication théorique exacte du phénomène se produisant dans la 20 présente invention, mais il pourrait être expliqué approximativement comme suit» Dans le cas d'un transistor à effet de champ classique du type à électrode de commande isolée ne comportant pas de pellicule isolante 9 et de couche métallique 10, les pellicules 25 d'oxyde de silicium 4 et 5 sont exposées à l'atmosphère extérieure de sorte que de l'humidité ou des ions constituant des impuretés, comme par exemple des ions hydrogène, des ions oxygène ou des ions sodium, adhèrent aux pellicules 4 et 5 ou y pénètrent , ce qui a un effet nuisible du point de vue électrosta-30 tique sur les caractéristiques électriques de la surface de la sous-couche » La partie d'extrémité terminale de la jonction PU et de la région de canal du transistor à effet de champ du^type à électrode de commande isolée sont spécialement influencées de façon extraordinaire. Conformément à la présente invention, tou-35 tefcis, l'humidité ou les ions constituant des impuretés, comme par exemple ûes ions hydrogène, des ions oxygène ou des-.ions sodium, ne peuvent pas atteindre les pellicules d'oxyde de silicium 4 et 5, même lorsque le dispositif est exposé à l'atmosphère extérieure, cela en raison du fait que la seconde pellicule 40 isolante 9 et que la couche métallique 10 ont été constituées 69 01266 2000657 sur les pellicules d'oxyde de silicium 4 et 5 et que la couche métallique 10 est reliée électriquement à la sous-couche. En outre,même si des ions constituant des impureté;; adhèrent à la face de la cruche c^tallirae 10, des charges électriques resaltan-5 tes sont absorb-Jes par la sous-couche de sorte eue les caractéristiques électriques de la surface âe la sous-couche ne sont sensiblement pas influencées par l'atmosphère extérieure„ Dans le transistor à effet de champ du type à électrode de commande isolée, il est nécessaire que la pellicule d'oxy-de de silicium 5» présente sous l'électrode de commande 8,soit O très mince, par exemple d'une épaisseur de 1000 à 2000 A , comme représenté sur la figure 2afin d'en augmenter la sensibilité ou conductance mutuelle» Avec un tel transistor, il est courant que la tension de seuil, à son canal, soit facilement influencée ■*•5 par l'atmosphère extérieure. Conformément à la présente invention, il est également possible d'éviter cette influence.Dans le transistor de la présente invention, il est en outre possible d'empêcher que la mince pellicule d'oxyde de silicium 5 soit détruite du fait d'un champ électrique extérieur puissant. Bien 20 Ç^e dans l'exemple décrit ci-avant la couche métallique 10 soit électriquement court-circuitée par rapport à la sous-couche 1, il est aussi possible d'obtenir la caractéristique désirée et l'effe.t mentionné ci-avant en communiquant un potentiel électrique prédéterminé à la couche métallique 10, la sous-couche 1 25 étant prise comme référence. Exemple.2 On va maintenant décrire le transistor à effet de champ du type à électrode de commande isolée conforme à un second mode de réalisation de la présente invention, en se réfé-30 rant maintenant aux figures 5 à 7» la référence 21 désigne une sous-couche monocrjsfcalline de silicium du type M", ayant une résistivité de 5 -H-cm, les références 22 et 23 désignent deux régions de cathode et d'anode diffusées du type P, ayant une épaisseur de 3/ti environ et qui 35 sont formées respectivement dans la surface principale du corps, et les références 24 et 25 désignent les premières pellicules isolantes constituées sur la surface principale de la sous-couche 21, la pellicule 24 ayant une épaisseur comprise entre en- O viron 4000 et 7000 A et la pellicule 25 ayant une épaisseur 69 01266 io 2000657 comprise entre environ 1000 et 2000 A.. les références 26, 27 et 28 désignent des électrodes de cathode, d'anode et de commande du transistor, ces électrodes s'étendant sur la première pellicule isolante précitée, la référence 31 désigne une pre-5 mière électrode métallique constituée de manière à être en contact avec la sous-couche 21, la référence 29 désigne une seconde pellicule isolante, comme par exemple celle constituée essentiellement par de l'oxyde de silicium et qui est formée sur la première pellicule isolante 24, et les références 30, 34>35 10 et 36 'désignent des secondes électrodes métalliques s'étendant sur la seconde pellicule 29 et reliées aux électrodes métalliques sous-jacentes 31, 26, 27 et 28 à travers des ouvertures ou fenêtres ménagées dans la seconde pellicule isolante 29, respectivement. Dans le présent exemple, l'électrode métallique est 15 formée de manière à recouvrir la totalité de la surface de la région de cathode et de la région d'anode ainsi que la partie voisine de ces régions, et elle est reliée électriquement à la sous-couche 21 par l'intermédiaire de l'électrode métallique 31» comme c'est le cas dans l'exemple 1 précité. 20 Dans cet exemple, il est préférable que les parties de la surface de la sous-couche qui s'étendent sur une distance d'au moins 5ja. , avantageusement 10jx ou plus, à partir des extrémités des jonctions PU 32 et 33 soient recouvertes par l'électrode ou la couche métallique 30 afin d'empêcher complètement 25 l'influence de l'atmosphère extérieure, car la pellicule isolante se trouvant sous l'électrode de commande ou porte 28, est extrêmement minceo De façon plus particulière, W sur la figure 5, est de préférence égal à 5ou plus» On va maintenant décrire un procédé de fabrication du 50 transistor conforme au mode de réalisation de la présente invention en se référant aux figures 8a à 8d. On examinera d'abord la figure 8a_o On forme la première pellicule d'oxyde de silicium 24 ayant une épaisseur d'envi- O ron 500C A dans la surface principale de la sous-couche 21 en 35 silicium de type lï, puis on fait diffuser sélectivement du bore dans ladite surface principale, pour former ainsi des régions 22 et 23 de type P. Ensuite, on fait évaporer de l'aluminium, de manière eue soient formées des électrodes de cathode, d'anode, de commande et de sous-couche, 26, 27, 28 et 31, lesquelles 40 s'étendent sur la pellicule 24. 69 01266 2000657 Ensuite, comme représenté sur la figure 8b, on dépose une seconde pellicule isolante 29, constituée essentiellement par de l'oxyde de silicium ayant une épaisseur comprise entre environ 0,5^* et 1,0Jx , sur la première pellicule 24 par dé-5 composition thermique de silène, comme dans l'exemple 1" précitée On forme alors des ouvertures suivant un dessin ou configuration prédéterminé dans la seconde pellicule isolante 29 au moyen de la technique habituelle de photogravure , de sorte que les électrodes métalliques 26, 27, 28 et 31 se trouvent 10 partiellement exposées à travers ces ouvertures. Ensuite, on dépose,par évaporation, de l'aluminium sur les parties exposées et sur la seconde pellicule, en formant ainsi une couche métallique 40, comme on peut le voir sur la figure 8c_. On enlève alors les parties inutiles de la couche mé-15 tallique 40 en utilisant aussi la technique habituelle de photogravure, grâce à quoi des électrodes métalliques 30, 34, 35 et 36, séparées les unss des autres, se trouvent formées. De cette façon, on obtient le dispositif semiconducteur conforme à ce mode de réalisation de la présente invention. Dans un tel procé-20 Exemple 3 25 On va maintenant décrire un dispositif semiconducteur à circuits intégrés auquel est appliquée la présente invention, cela en se référant aux figures 9 à lle La figure 9 montre un circuit à un élément d'information (circuit à 1 bi t) constituant un circuit d'enregistreur à 30 décalage utilisant des transistors à effet de champ du type à électrode de commande isolée utilisas communément. Pour mieux faire comprendre la présente invention, on a représenté sur les figures 10 et 11 la partie de circuit comprenant des transistors T2> et Tcj enfermés par les traits interrompus représentant 35 le circuit à un élément ci'information comprenant les transistors à Tg qui sont formés dans une seule scus-couche semi-conductrice, conformément à la"présente invention. Sur les figures 9 à 11, la référence 4-1 représente une sous-couche de silicium de type if, les réf rences 42 à 47 dési-40 gnent des régions diffusées du type P, les références 48 à 53 69 01266 2000657 indiquent des jonctions PU formées entre lesdites régions et la sous-couche, la référence 54a désigne une première pellicule isolante constituée essentiellement par de 1"'oxyde de silicium et les références 55 à 61 désignent des premières élec-5 trodes métalliques destinées à constituer les transistors Tg, et Tg et qui s'étendent sur la première pellicule 54* La référence 62 désigne une seconde pellicule isolante, par exemple une pellicule constituée essentiellement par de l'oxyde de silicium et qui est constituée sur la première pellicule, 1° et enfin, les références 63 à 66 désignent les secondes élec-. trodes métalliques qui sont reliées aux électrodes métalliques 56, 58, 61 et 55 à travers des ouvertures ou fenêtres formées • respectivement dans la seconde pellicule» Dans ce cas, il convient de remarquer que l'électrode ou couche métallique 66 15' est constituée dé manière"!, recouvrir la totalité de là surface des régions diffusées 42 à 47 ainsi que la partie voisine de ces régions, et qu'elle est reliée électriquement à la région de cathode diffusée 42 ainsi qu'à la sous-couche 41 par l'intermédiaire de l'électrode métallique 55» la région de catho-20 de 46 du transistor est reliée électriquement à la couche métallique 66 par l'intermédiaire de l'électrode métallique 60 ainsi qu'à la sous-couche et à la région 42 par l'intermédiaire de l'électrode métallique 55» Dans le présent exemple, la couche métallique 66 peut aussi être utilisée pour la liaison 25 mutuelle entre les éléments de circuit. Exemple 4 On va maintenant décrire, en se référant aux figures 12 à 17, un exemple dans lequel la présente invention est appliquée à un transistor bipolaire du type planar. Afin de 30 mieux faire comprendre le transistor conforme à la présente invention et représenté sur les figures 15, 16 et 17» on a représenté sur les figures 12, 13 et 14» une vue en plan et des vues en coupe du dispositif semiconducteur avant l'opération consistant à former une seconde pellicule isolante 84 et des 35 secondes électrodes métalliques 85, 86 et 87 sur ladite pellicule. Sur ces figures, les parties analogues portent les mêmes références» Gomme représenté sur les figures 12, 13 et 14, on forme une région de base diffusée 72, du tj^pe P, dans la surface 40 principale d'une sous-couche monocristalline 71, de silicium 69 01266 w 2000657 du type N, et on forme plusieurs régions d'émetteur diffusées 73, 74 et 75 du type II, dans ladite région de base. Sur la surface principale de la sous-couche, on forme une première pellicule isolante 79 qui est constituée principalement, par exemple, 5 par de l'oxyde de silicium, et on forme des électrodes métalliques de base et d'émetteur suivant une configuration analogue à un peigne. Chacune de ces électrodes comprend une partie en forme de bande s'étendant sur la première pellicule,, Conformément à la présente invention, on constitue, sur l'élément semi-10 conducteur ainsi obtenu, une seconde pellicule isolante 84 qui peut être constituée, par exemple, par de l'oxyde de silicium, de l'oxyde d'aluminium ou du nitrure de silicium, comme représenté sur les figures 15, 16 et 17, et on ménage plusieurs ouvertures ou fenêtres dans la seconde pellicule en utilisant la 15 technique habituelle de photogravure, de manière que les électrodes métalliques 80, 81 et 82 se trouvent découvertes ou exposées à travers lesdites ouvertures. Ensuite, on fait évaporer un métal, tel que Al, Cr, Mo, Ti ou Au, puis on forme des secondes électrodes métalliques suivant une configuration désirée 20 en utilisant la technique habituelle de photogravure. Dans le transistor ainsi formé conformément à la présente invention^les électrodes métalliques 85 et 86 sont reliées aux électrodes de base -et d'émetteur 80 et 81, respectivement, et l'électrode métallique 87 est reliée électriquement à la sous-couche 71 par 25 l'intermédiaire de l'électrode métallique 82. Dans le présent exemple, il convient de remarquer que l'électrode métallique 87 est constituée de manière à recouvrir les régions d'émetteur et de base ainsi que la surface de la sous-couche au voisinage desdites régions. La largeur ¥ de l'électrode ou couche 30 métallique 87 qui s'étend au delà de l'extrémité terminale de la jonction de base 76, est choisie de manière à être au moins de 5 ji , de préférence de 10 yu ou plus. Par ailleurs, dans le présent exemple, l'électrode métallique 87 peut être aussi u-tilisée comme électrode de sortie pour la région 83 de collec-35 teur. Par ailleurs également, afin d'améliorer la caractéristique de contact ohmique entre l'électrode métallique 82 et la sous-couche 71, il est désirable qu'une région de diffusion 78, fortement dotée et de type H, soit formée dans la surface principale de la sous-couche sous l'électrode 82. Cette région 40 78 peut être formée par diffusion d'une impureté dans la sous- 69 01266 M 2000657 couche simultanément avec la formation des régions d'émetteur 73, 74 et 75. Dans le transistor "bipolaire du type planar/conforme à la présente invention et représenté sur les figures 15 à 17» 5 la seconde pellicule isolante 84 est constituéè sur les électrodes d'émetteur et de base analogue à des bandes, ce qui fait qu'il est possible non seulement d'empêcher un court-circuit de se produire entre les bandes respectives,' mais aussi d'empêcher la surface de la sous-couche d'être influencée par l'at-10 Biosphère extérieure, en raison du fait que la jonction de base 76 et que la jonction d'émetteur 77 sont complètement recouvertes par l'électrode ou couche métallique 87, comme déjà décrit ci-dessus à propos de l'exemple 1. De façon plus particulière, même si l'humidité ou des ions constituant des impuretés comme 15 par exemple des ions hydrogène, des ions oxygène ou des ions sodium, adhèrent à la surface de ce dispositif semiconducteur, il est possible d'empêcher que la surface de la sous-couche se-miconductrice, particulièrement les extrémités des jonctions PN, soit affectée fâcheusement par cette humidité ou ces 20 ions constituant des impuretés, grâce à l'éléctrode métallique 87 qui est maintenue à un potentiel prédéterminé par rapport à la sous-couche 71# Exemple 5 On va maintenant décrire un cinquième mode de réalisa-25 tion de la présente invention en se référant aux figures 21 à 23• les figures 18 à 20 sont une vue en plan et des vues en coupe montrant le dispositif semiconducteur durant son processus de fabrication, et ces figures permettent, avantageusement, de mieux comprendre le dispositif semiconducteur conforme à ce 30 mode de réalisation. Si l'on se réfère aux figures 18 à 20,on peut voir que plusieurs transistors bipolaires du type planar sont représentés comme étant'constitués en une seule pastille semiconductrice, où on forme une région de base 92, du type H, dans la surface principale d'une sous-couche 91 en silicium 35 de type P, au moyen d'un procédé de diffusion 'd'impuretés, et on constitue une région d'émetteur 93 dans ladite région de base, également par le même procédé, puis on forme des électrodes métalliques d'émetteur et de base 101 et 102 à travers des ouvertures ou fenêtres ménagées dans une première pellicule i-40 solante constituée essentiellement par de l'oxyde de silicium 69 01266 is 2000657 99» Sur ces figures, il convient de remarquer que l'on constitue une électrode métallique 103, en aluminium par exemple et reliée à la sous-couche, suivant une configuration analogue à un échiquier ou à un réseau entourant chaque transistor, En outre, on forme une seconde pellicule isolante 104 sur la surface de ladite pastille, comme représenté sur les figures 21 à 23,puis on forme des ouvertures dans la seconde pellicule au moyen de la technique courante de photogravure, grâce à quoi les premières électrodes métalliques 101, 102 et 103 se trouvent partiellement exposées ou découvertes à travers ces ouvertures. Ensuite, on constitue une couche métallique sur lesdites parties exposées et sur la seconde pellicule au moyen d'un procédé de dépôt sous vide , puis on forme des secondes électrodes métalliques suivant un dessin ou une configuration prédéterminés au moyen de la technique habituelle de photogravure. Gomme représenté sur le dessin, les électrodes métalliques 105 et 106 sont reliées aux régions d'émetteur et de base 93 et 92 par l'intermédiaire des premières électrodes métalliques 101 et 102, respectivement, et on relie l'électrode métallique 107 à la sous-couche 91 par l'intermédiaire de la première électrode métal-liqur 103. Enfin, on raye la pastille le long des lignes de traçage P-P1, Q-Q', R-R* et S-S* de manière que les transistors respectifs soient séparés les uns des autres» Dans les transistors ainsi obtenus conformément à la présente invention, il convient de remarquer que la couche métallique 107, constituée sur la seconde pellicule isolante 104 de manière à recouvrir la région active, à savoir la totalité de la surface des régions de base et d'émetteur et leur région avoisinante, est reliée à l'électrode métallique 103 entourant les régions de base et d'émetteur de manière à être reliée électriquement à la sous-couche 91» le transistor classique PHP ne comportant aucune couche métallique 107 constituée sur ce dernier présente des inconvénients tels qu'une augmentation du courant de fuite de collecteur, un claquage de la jonction base-collecteur,une détérioration marquée des caractéristiques en raison de l'atmosphère extérieure, etc.., du fait qu'une couche d'inversion est induite dans la partie de la su-face de la sous-eouche qui se trouve immédiatement en dessous d!une pellicule isolante, telle qu'une pellicule d'oxyde de silicium, constituée sur la surface de la sous-c.ouche de silicium de type P par suite de 69 01266 « 2000657 la présence d'une telle pellicule isolante. Dans ce mode de réalisation de la présente invention, toutefois, une telle couche cfinver-sion induite ne péut pas se trouver découverte ou exposée, car la partie périphérique de la surface semiconductrice est entourée cnn-5 centriquement par l'électrode métallique 103. De ce fait, avec le transistor "bipolaire PNP représenté sur les figures 21 à 23, les caractéristiques de courant de faite de collecteur et de jonction base collecteur sont améliorées et l'influence nuisible de l'atomos-phère extérieure est combattue plus efficacement. 10 BZBMPItB 6 On va décrire, en se référant aux figures 24 et 25, un exemple dans lequel la présente invention est appliquée à un dispositif semiconducteur du type dit "à moule", où un élement semiconducteur est moulé dans une résine ou une matière plastique. 15 La figure 24 ne montre que la partie, principale d'un tel dispositif en vue de permettre une meilleure compréhension de ce dernier. La figure 25 est une vue en plan de ce dispositif semi-conducteur dans lequel la résine ou une matière plastique enfermant l'élément semiconducteur, les régions semiconductrices formées dans 20 l'élément, les premières électrodes métalliques, etc... ont été omises pour ne pas surcharger le dessin. Une couche métallique 129 est constituée sur une seconde pellicule isolante 128, de manière à recouvrir les surfaces de régions diffusées 112, 113n 114 et 115 ainsi que leurs régions voisines, et cette couche métallique est 25 reliée électriquement à la surface de sous-couche 131. Les références 133 et 137 représentent des fils métalliques extérieurs de connexion aux sorties d'électrodes qui sont reliés à des secondes électrodes métalliques 130 et 132, respectivement, les régions diffusées 112 et 113 constituent, respectivement, les régions de catho-30 de et d'anode d'un premier transistor à effet de champ du type à porte isolée, et les régions diffusées 114 et 115 constituent, respectivement, les régions de cathode et d'anode d'un seconitransistor. Sur la figure 25, les références 134, 136, 138, 140, 142, 144, 146, 148, 150 et 152 indiquent des secondes électrodes métalli-35 ques similaires à celles indiquées en 130 et 132 et qui sont constituées sur la seconde pellicule isolante. Dans de tels dispositifs semicondiicteurs du type "à moule" de résine ou de matière plastique, la surface de la sous-côuche ou support dans laquelle les régions diffusées— — ————— 69 01266 i7 2000657 sont formées et;t aussi protégée contre les effets de l'humidité ou des ions constituant des impuretés, qui adhèrent à la résine ou à la matière plastique 155» ou qui y pénètrent, cette protection provenant de la présence de l'électrode ou couche métallique 129. De ce fait, les caractéristiques de fiabilité et les caractéristiques électriques du dispositif semiconducteur ainsi obtenu peuvent être améliorées considérablement par rapport à celles des dispositifs semiconducteurs classiques du type "à moule" en résine ou en matière plastique. Bien que l'on ait décrit de façon détaillée la présente invention à propos des modes de réalisation préférés, il est bien entendu qu'elle ne se limite pas à de tels modes de réalisation particuliers et que diverses modifications apparaîtront facilement à l'homme de l'arto 69 01266 w 2000657 - KEYETOIOiffllOBS - le- Dispositif semiconducteur caractérisé par le fait qu'il comprend une sous-couche (ou. support) semiconduetrice comportant une surface principale, une première région semiconduetrice d'un premier 5 type de conductivité étant constituée dans la surface principale et une seconde région semiconduetrice d'un second type de conductivité étant sous-jacente à ladite première région constituée dans la surface principale et encerclant cette première région avec une jonction PN s'étendant entre lesdites premières et secondes régions 10 jusqu'à la surface principale, une première pellicule isolante recouvrant la surface principale du support et s'étendant au droit de ladite jonction, un contact métallique adhérant à la surface de la première région précitée, une bande de métal adhérant à ladite première pellicule, cette bande étant reliée électriquement au con— 15 tact métallique précité et s1 étendant à partir de ce dernier sur ladite pellicule au droit de la jonction susvisée, une seconde pellicule isolante formée sur ladite première pellicule et recouvrant au moins la totalité de la surface de la première région précitée ainsi que son voisinage, une couche métallique adhérant à ladite se— 20 conde pellicule, cette couche métallique recouvrant au moins la totalité de la surface de ladite première région ainsi que son voisinage, et, enfin, un dispositif pour relier électriquement ladite couche métallique à la sous-couche (ou support) susvisée. 2.- Un dispositif semiconducteur à effet de champ caractérisé 25 par le fait qu'il comprend : une sous-couche (ou support) semicon-ductrice d'un premier type de conductivité comportant une surface principale, deux régions de cathode et d'anode d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité précité et disposées sur- la surface principale, une première pellicule isolante 30 recouvrant la surface principale, une électrode de commande formée sur ladite première pellicule et recouvrant une partie de la surface principale entre lesdites régions de cathode et d'anode, une électrod-e de cathode et une électrode d'anode reliées respectivement auxdites régions de cathode et d'anode à travers des ouvertures ou 35 fenêtres ménagées dans ladite première pellicule, une seconde pel-■ licule isolante formée sur ladite première pellicule et recouvrant au moins la totalité de la surface desdites régions de cathode et d'anode ainsi que leurs parties voisines, une couche métallique formée sur ladite seconde pellicule et recouvrant au moins la totalité 40 de la surface desdites régions de cathode et d'anode ainsi que leuxs 69 01266 w 2000657 parties voisines, et, enfin, un dispositif pour relier électriquement la couche métallique précitée à ladite sous-couche (ou support). 3.- Dispositif semiconducteur caractérisé par le fait qu'il comprend : une seconde sous-couche (ou support) semiconductrice com-5 portant une surface principale et comprenant une première région semiconductrice d'un premier type de conductivité s'étendant jusqu'à la surface principale, une seconde région semiconductrice d'un second type de conductivité opposé audit premier type de conductivité formée dans la. surface principale et formant, avec ladite 10 première région, une première jonction PU s'étendant jusqu'à ladite surface et délimitant une première enceinte de la seconde région, une troisième région semiconductrice du premier type de conductivité précité formée dans la surface principale et dans la seconde région et formant, avec ladite seconde région, une seconde 15 jonction PU s'étendant jusqu'à ladite surface principale et délimitant une seconde enceinte de ladite troisième région dans la première région susvisée, une première pellicule isolante recouvrant la surface principale de ladite sous-couche, une première électrode métallique reliée auxdites première et seconde régions, respecti-20 vement, et s'étendant sur la première pellicule isolante, une seconde pellicule isolante formée sur ladite première pellicule isolante et recouvrant.la totalité de la surface desdites première et seconde régions ainsi que leurs parties voisines, une seconde électrode métallique formée sur ladite seconde pellicule et recouvrant 25 la totalité de la surface desdites première et seconde régions ainsi que leurs parties voisines, et, enfin, un dispositif pour relier électriquement ladite seconde électrode métallique à ladite sous-couche (ou support).